(57)【要約】【課題】デバイスの水蒸気による劣化を防止する。【解決手段】基板と、亜鉛と酸素を含有する半導体層または導電層を含むデバイスと、有機層または有機領域と、無機層または無機領域を含むガスバリア性積層体とを、該順に有する、封止デバイス。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、亜鉛と酸素を含有する半導体層または導電層を含むデバイスと、有機層または有機領域と、無機層または無機領域を含むガスバリア性積層体とを、該順に有する、封止デバイス。
【請求項２】
デバイスと、ガスバリア性積層体との間に水素化窒化珪素層を有する請求項１に記載の封止デバイス。
【請求項３】
前記亜鉛と酸素を含有する半導体層または導電層は、酸化亜鉛を含有する半導体層または導電層である、請求項１または２に記載の封止デバイス。
【請求項４】
前記ガスバリア性積層体は、少なくとも２層の有機層と、少なくとも２層の無機層が交互に積層している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の封止デバイス。
【請求項５】
基板がフレキシブル基板である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の封止デバイス。
【請求項６】
無機領域または無機層が、酸化アルミニウムである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の封止デバイス。
【請求項７】
有機領域または有機層が、アクリレート重合物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の封止デバイス。
【請求項８】
デバイスが、太陽電池である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の封止デバイス。
【請求項９】
デバイスが、薄膜トランジスタである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の封止デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、亜鉛と酸素を含有する半導体層、または亜鉛と酸素を含有する導電層を構成要素とする封止デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、空気中の水蒸気や酸素によって劣化しやすいデバイスにガスバリア性積層体を有するフィルムや保護層を設けることが検討されている。特許文献１には、基板上に設けられたデバイスの表面を有機無機積層体で封止したデバイスが記載されている。また、特許文献２には、基板上に設けられた発光素子の表面に保護層（パシベーション層）を設けることが記載されている。ここでの保護層としては、窒化珪素層が用いられている。
【０００３】
【特許文献１】米国特許６２６８６９５号明細書
【特許文献２】特開２００７−１８４２５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、亜鉛と酸素を含む半導体材料または亜鉛と酸素を含む導電材料が各種実用化されている。これらの材料は、水分（例えば水蒸気）によって劣化しやすいため、水分の浸入を防止するための封止技術と、浸入した水分を吸収する吸湿技術が、実用上の大きな課題となっている。デバイスをステンレス缶やガラス缶を用いて封止する従来型の封止技術（いわゆる缶封止）においては、缶の内部の自由空間に酸化カルシウムなどの乾燥剤を封入することで、封止と吸湿の両課題を解決している。しかしながら、ガラス板やガスバリア性積層体を有するフィルムをデバイスに直接貼り付ける方法（いわゆる固体封止）や、デバイス上にガスバリア性の膜を直接設置する方法（いわゆる膜封止）では、デバイス上に自由空間を持たないため、乾燥剤を封入することができない。この場合、最初から素子内に存在していた水分や、封止材料を経由せずに浸入した水分（例えば、端面や接着剤を経由して浸入した水蒸気）で劣化するという問題がある。このような水分による劣化は、素子の寿命を短くする。
本発明は、かかる問題点を解決することを目的としたものであって、亜鉛と酸素を含有する半導体層、または亜鉛と酸素を含有する導電層を構成要素とするデバイスの水蒸気による劣化を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
かかる課題のもと、本願発明者が鋭意検討した結果、驚くべきことに、基板上に設けられたデバイスをバリア性積層体によって封止することにより、デバイスの水分劣化抑制を成し得ることを見出し、本発明をなすに至った。さらに、水素化窒化珪素層を含むバリア性積層体によって封止すれば、実質的に乾燥剤の役割を果たし、さらに顕著な効果を得ることができることも明らかにした。
（１）基板と、亜鉛と酸素を含有する半導体層または導電層を含むデバイスと、有機層または有機領域と、無機層または無機領域を含むガスバリア性積層体とを、該順に有する、封止デバイス。
（２）デバイスと、ガスバリア性積層体との間に水素化窒化珪素層を有する（１）に記載の封止デバイス。
（３）前記亜鉛と酸素を含有する半導体層または導電層は、酸化亜鉛を含有する半導体層または導電層である、（１）または（２）に記載の封止デバイス。
（４）前記ガスバリア性積層体は、少なくとも２層の有機層と、少なくとも２層の無機層が交互に積層している、（１）〜（３）のいずれか１項に記載の封止デバイス。
（５）基板がフレキシブル基板である、（１）〜（４）のいずれか１項に記載の封止デバイス。
（６）無機領域または無機層が、酸化アルミニウムである、（１）〜（５）のいずれか１項に記載の封止デバイス。
（７）有機領域または有機層が、アクリレート重合物である、（１）〜（６）のいずれか１項に記載の封止デバイス。
（８）デバイスが、太陽電池である、（１）〜（７）のいずれか１項に記載の封止デバイス。
（９）デバイスが、薄膜トランジスタである、（１）〜（７）のいずれか１項に記載の封止デバイス。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により、亜鉛と酸素を含有する半導体層、または亜鉛と酸素を含有する導電層を構成要素とするデバイス、特に、デバイス上に自由空間を持たない固体封止や膜封止したデバイスであっても、水蒸気による劣化を防止し、デバイス寿命を延ばすことが可能になった。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
【０００８】
＜封止デバイス＞
本発明における封止デバイスは、基板上に設けられた、亜鉛と酸素を含有する半導体層または導電層を含むデバイスであって、バリア性積層体によって封止されていることを特徴とする。バリア性積層体は水素化窒化珪素領域を有してもよい。水素化窒化珪素領域は吸湿性を有するためデバイスの長寿命化に有効である。
以下、本発明の封止デバイスの好ましい実施形態を、図１に従って説明する。本発明のデバイスがこれに限定されるものではないことは言うまでも無い。図１中、１は基板を、２はデバイスを、３は水素化窒化珪素層を含むガスバリア性積層体をそれぞれ示している。３の上に、さらに他の層や基板が積層していても良い。
ここで、デバイスとは、例えば、太陽電池における一対の電極やその間に設けられた層をいい、デバイスの実質的な機能を果たす部分をいう。デバイス２は、通常、基板１の上に設けられる（基板を含めてデバイスということもある）。
本実施形態におけるガスバリア性積層体３は、少なくとも１つの水素化窒化珪素領域、少なくとも１つの無機領域、少なくとも１つの有機領域を含む。ここでいう領域とは通常、層と読み替えても良いが、各層が明確な界面を持たない傾斜材料のことも包含する用語である。
図２は本発明の封止デバイスをさらに具体的に図示したものである。図中３０１は無機層（いわゆるパシベーション層）、３０２は水素化窒化珪素層、３０３は有機無機積層体である。有機無機積層体は少なくとも１層の有機層と少なくとも１層の無機層から成る。有機層と無機層が複数層積層されていても良い。３０２側が有機層であっても、無機層であっても良い。外側（環境との界面）が有機層であっても無機層であっても良い。本発明では、有機層および無機層は、それぞれ、２層以上であることが好ましい。
【０００９】
図３も本発明の封止デバイスの別な具体例である。図中３１１は無機層（いわゆるパシベーション層）、３１３は有機無機積層体である。有機無機積層体は少なくとも１層の水素化窒化珪素層と、少なくとも１層の有機層と少なくとも１層の無機層から成る。各層が複数層積層されていても良い。３１１側は、水素化窒化珪素層、有機層、無機層のいずれであっても良い。外側（環境との界面）も、水素化窒化珪素層、有機層、無機層のいずれでも良いが、３１３の外側に何らの層も存在しない場合は、水素化窒化珪素層はその機能である吸湿性が外界との接触により損なわれるため、水素化窒化珪素層と外界との間に少なくとも１層の無機層が存在することが好ましい。図２、図３は例であって本発明の封止デバイスの構成はこれに限らない。
【００１０】
＜基板＞
本発明の封止デバイスに用いる基板としては、各種の基板（ガラス、ステンレス、プラスチックフィルム等）が広く採用できる。フレキシブル基板としては絶縁層を設置したフレキシブル金属基板や、フレキシブル合金基板や、プラスチック基板が好ましく用いられる。フレキシブル金属基板としては、ステンレス、クロム、アルミニウム等からなる基板が好ましい。プラスチックフィルムとしては、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。プラスチックフィルムは、ガスバリア性を有することが好ましい。ガスバリア性を有するフィルムの例としてはプラスチックフィルム上に有機層および無機層を設けたフィルムのほか、特開２００４−１３６４６６号公報、特開２００４−１４８５６６号公報、特開２００５−２４６７１６号公報、特開２００５−２６２５２９号公報等に記載のガスバリア性フィルムも好ましく用いることができる。
【００１１】
＜デバイス＞
本発明のデバイスは、亜鉛と酸素を含有する半導体層、または亜鉛と酸素を含有する導電層を構成要素とするデバイスである。亜鉛と酸素を含有する半導体層とは、亜鉛と酸素を含有する半導体材料を含む層であり、亜鉛と酸素を含有する導電層とは、亜鉛と酸素を含有する導電材料を含む層である。亜鉛と酸素を含有する半導体材料としては酸化亜鉛および不純物ドープした酸化亜鉛が挙げられる。亜鉛と酸素を含有する導電材料としては不純物ドープした酸化亜鉛が挙げられる。不純物ドープした酸化亜鉛は、不純物の種類やドープ量に応じてキャリア濃度を変化させることができ、半導体から導電体まで連続的に変化する。ドープされる不純物は典型的には１３族元素であり、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムが好ましく例示される。このほか、１２族元素（例えばカドミウムなど）、１６族元素（例えば硫黄、セレンなど）をドープしても良い。ドープする元素は、１種でも２種以上でも良い。導電層もしくは半導体層は１種の材料で構成されても良いし、２種以上の材料によって多層構成されていても良い。また、組成が連続的に変化する傾斜材料であっても良い。
【００１２】
不純物ドープした酸化亜鉛の具体例としては、ＺｎＯ：Ｂ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｉｎ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：（Ｉｎ，Ｇａ）が挙げられる。ＺｎＯ：Ｂの表記はホウ素を不純物としてドープした酸化亜鉛を表す。ＺｎＯ：（Ｉｎ，Ｇａ）の表記はインジウムとガリウムを不純物としてドープした酸化亜鉛を表す。ＺｎＯ：（Ｉｎ，Ｇａ）はＩＧＺＯと略称される。
【００１３】
本発明においてデバイスとしては、太陽電池や薄膜トランジスタ等が例示される。本発明者らの研究によれば、これらのデバイスは水蒸気を含む空気に長期間晒されると、特性が劣化することがわかっている。これは、亜鉛と酸素を含有する半導体材料や導電材料が僅かではあるが水に溶解する性質を有することが原因であると推察している。
【００１４】
（ＣＩＧＳ型太陽電池）
太陽電池としては、ＣＩＧＳ型太陽電池が例示される。ＣＩＧＳ型太陽電池とはカルコパイライト系の化合物半導体を光電変換材料とする太陽電池の総称であり、銅/インジウム/セレン系（いわゆる、ＣＩＳ系）、銅/インジウム/ガリウム/セレン系（いわゆる、ＣＩＧＳ系）、銅/インジウム/ガリウム/セレン/硫黄系（いわゆる、ＣＩＧＳＳ系）等を包含する。ＣＩＧＳ太陽電池は少なくとも正極、光電変換層、ｎ型半導体層、負極からなる。
【００１５】
正極としては周期表６族元素を含む材料が用いられる。具体的には、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属や、モリブデン化合物（例えばＭｏＳｅ2等）を用いることができる。これらのうち、金属モリブデンを用いることが好ましい。
【００１６】
光電変換層はｐ型半導体層である。本発明において光電変換層は１１族元素と１３族元素と１６族元素とからなる、カルコパイライト構造の化合物からなる薄膜である。１１族元素としてはＣｕが好ましい。１３族元素としてはアルミニウム、ガリウム、インジウム、あるいはこれらの混合系が好ましい。１６族元素としては、硫黄、セレン、テルルが好ましい。このような半導体化合物の具体例としては、ＣｕＧａＳ2、ＣｕＧａＳｅ2、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2等が挙げられる。これらのうち、ＣＩＳ、ＣＩＧＳが好ましく、ＣＩＧＳがより好ましい。ただし、上の記載において、（Ｉｎ，Ｇａ）、（Ｓ，Ｓｅ）は、それぞれ、（Ｉｎ1−ｘＧａx）、（Ｓ1−ｙＳｅy）（但し、ｘ＝０〜１、ｙ＝０〜１）を示す。光電変換層の膜厚は通常１００ｎｍ〜５μｍである。
【００１７】
ｎ形半導体層は光電変換層と良好な接合を形成するＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体の薄膜である。好ましい材料の具体例としては、たとえば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｚｎ（Ｏ，Ｓ，ＯＨ）、ＺｎＭｇＯ等が挙げられる。ｎ形半導体層の膜厚は通常１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００１８】
負極には透明導電材料が用いられる、透明導電材料としてはＩｎ2Ｏ3：Ｓｎ（ＩＴＯ）、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂ、ＳｎＯ2：Ｆなどの公知の材料を用いることができる。負極の膜厚は通常１００ｎｍ〜５μｍである。さらに集電のために金属電極を併用しても良い。金属電極は太陽電池の開口率を低下させないようにパターニングして用いられる。
【００１９】
（薄膜トランジスタ）
本発明のデバイスとしては、ＩＧＺＯを用いた薄膜トランジスタが例示される。薄膜トランジスタは、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極およびドレイン電極を順次有し、ゲート電極に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。ＴＦＴ構造として、スタガ構造および逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
ゲート絶縁膜としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮx、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2等の絶縁体、またはそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物が用いられる。また、ポリイミドのような高分子絶縁体もゲート絶縁膜として用いることができる。
ゲート絶縁膜の膜厚としては１０ｎｍ〜１０μｍが好ましい。ゲート絶縁膜はリーク電流を減らす、電圧耐性を上げる為に、ある程度膜厚を厚くする必要がある。しかし、ゲート絶縁膜の膜厚を厚くすると、ＴＦＴの駆動電圧の上昇を招く結果となる。その為、ゲート絶縁膜の膜厚は無機絶縁体だと５０ｎｍ〜１μｍ、高分子絶縁体だと５００ｎｍ〜５μｍで用いられることが、より好ましい。特に、ＨｆＯ2のような高誘電率絶縁体をゲート絶縁膜に用いると、膜厚を厚くしても、低電圧でのＴＦＴ駆動が可能であるので、特に好ましい。
【００２０】
活性層は、Ｚｎを含有する酸化物半導体を用いることが好ましい。特にアモルファス酸化物半導体がさらに好ましい。酸化物半導体、特にアモルファス酸化物半導体は、低温で成膜可能である為に、プラスチックのような可撓性のある樹脂基板に作製が可能である。低温で作製可能な良好なアモルファス酸化物半導体としては、特開２００６−１６５５２９号公報に開示されているような、ＩｎとＺｎを含む酸化物、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含有する酸化物であり、組成構造としては、ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）m（ｍは６未満の自然数）のものが好ましいことが知られている。これらは、キャリアが電子のｎ型半導体である。もちろん、ＺｎＯ・Ｒｈ2Ｏ3のようなｐ型酸化物半導体を活性層および抵抗層に用いても良い。活性層の膜厚は、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
【００２１】
本発明におけるゲート電極としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、ＡｕまたはＡｇ等の金属、Ａｌ−Ｎｄ、ＡＰＣ等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。ゲート電極の厚みは、１０ｎｍ〜１μｍとすることが好ましい。
【００２２】
本発明におけるソース電極およびドレイン電極材料として、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、またはＡｇ等の金属、Ａｌ−Ｎｄ、ＡＰＣ等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物が挙げられる。ソース電極およびドレイン電極の厚みは、１０ｎｍ〜１μｍとすることが好ましい。
【００２３】
（ガスバリア性積層体）
本発明におけるガスバリア性積層体は、無機層または無機領域と、有機層または有機領域を含み、通常は、無機層および有機層を含む。本発明におけるバリア性積層体は、２層以上の無機層と、２層以上の有機層が相互に積層している構成が好ましい。
【００２４】
（無機層または無機領域）
無機層は、通常、金属化合物からなる薄膜の層である。無機層の形成方法は、目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でも用いることができる。例えば、塗布法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などが適しており、具体的には特許第３４００３２４号、特開２００２−３２２５６１号、特開２００２−３６１７７４号各公報記載の形成方法を採用することができる。
前記無機層に含まれる成分は、上記性能を満たすものであれば特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＣｅまたはＴａ等から選ばれる１種以上の金属を含む酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、酸化窒化炭化物や、Ｃ若しくはＣおよびＳｉから成るダイヤモンドライク化合物などを用いることができる。これらの中でも、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから選ばれる金属の酸化物、窒化物または酸化窒化物が好ましく、特に、ＳｉまたはＡｌの酸化物、窒化物または酸化窒化物が好ましい。これらは、副次的な成分として他の元素を含有してもよい。本発明では特に、無機層が酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素であることが好ましい。
前記無機層の厚みに関しては特に限定されないが、通常５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
無機層は１種類の無機材料からなっていても、２種以上の材料の混合でも良い。また、異なる材料を２層以上積層してもよい。また、上述したとおり、米国公開特許２００４−４６４９７号明細書に開示してあるように有機層との界面が明確で無く、組成が膜厚方向で連続的に変化する層（無機領域）であっても良い。
【００２５】
（有機層または有機領域）
本発明における有機層とは有機ポリマーを主成分とする、有機層であることが好ましい。ここで主成分とは、有機層を構成する成分の第一の成分が有機ポリマーであることをいい、通常は、有機層を構成する成分の８０重量％以上が有機ポリマーであることをいう。
有機ポリマーとしては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステルおよびアクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂、あるいはポリシロキサン等の有機珪素ポリマーなどが挙げられる。有機層は単独の材料からなっていても混合物からなっていてもよいし、サブレイヤーの積層構造であってもよい。この場合、各サブレイヤーが同じ組成であっても異なる組成であってもよい。また、上述したとおり、米国公開特許２００４−４６４９７号明細書に開示してあるように無機層との界面が明確で無く、組成が膜厚方向で連続的に変化する層（有機領域）であってもよい。
【００２６】
本発明における有機層は、好ましくは、重合性化合物を含む重合性組成物を硬化してなるものである。
（重合性化合物）
重合性化合物は、好ましくは、ラジカル重合性化合物および／またはエーテル基を官能基に有するカチオン重合性化合物であり、より好ましくは、エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物、および／または、エポキシまたはオキセタンを末端または側鎖に有する化合物である。これらのうち、エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物が好ましい。エチレン性不飽和結合を末端または側鎖に有する化合物の例としては、（メタ）アクリレート系化合物、アクリルアミド系化合物、スチレン系化合物、無水マレイン酸等が挙げられ、（メタ）アクリレート系化合物および／またはスチレン系化合物が好ましく、（メタ）アクリレート系化合物がさらに好ましい。
（メタ）アクリレート系化合物としては、（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートやポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等が好ましい。
スチレン系化合物としては、スチレン、α−メチルスチレン、４−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、４−ヒドロキシスチレン、４−カルボキシスチレン等が好ましい。
【００２７】
以下に、本発明で好ましく用いられる（メタ）アクリレート系化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【化１】
2010093172.tif 000002
【００２８】
【化２】
2010093172.tif 000003
【００２９】
【化３】
2010093172.tif 000004
【００３０】
【化４】
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【００３１】
【化５】
2010093172.tif 000006
【００３２】
【化６】
2010093172.tif 000007
【００３３】
（重合開始剤）
本発明における有機層を、重合性化合物を含む重合性組成物を塗布硬化させて作成する場合、該重合性組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。光重合開始剤を用いる場合、その含量は、重合性化合物の合計量の０．１モル％以上であることが好ましく、０．５〜２モル％であることがより好ましい。このような組成とすることにより、活性成分生成反応を経由する重合反応を適切に制御することができる。光重合開始剤の例としてはチバ・スペシャルティー・ケミカルズ社から市販されているイルガキュア（Irgacure）シリーズ（例えば、イルガキュア６５１、イルガキュア７５４、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア３６９、イルガキュア３７９、イルガキュア８１９など）、ダロキュア（Darocure)シリーズ（例えば、ダロキュアＴＰＯ、ダロキュア１１７３など）、クオンタキュア（Quantacure）ＰＤＯ、サートマー(Sartomer）社から市販されているエザキュア（Ezacure）シリーズ（例えば、エザキュアＴＺＭ、エザキュアＴＺＴなど）、同じくオリゴマー型のエザキュアＫＩＰシリーズ等が挙げられる。
【００３４】
（有機層の形成方法）
有機層の形成方法としては、特に定めるものではないが、例えば、溶液塗布法や真空成膜法により形成することができる。溶液塗布法としては、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スライドコート法、或いは、米国特許第２６８１２９４号明細書に記載のホッパ−を使用するエクストル−ジョンコート法により塗布することができる。真空成膜法としては、特に制限はないが、蒸着、プラズマＣＶＤ等の成膜方法が好ましい。本発明においてはポリマーを溶液塗布しても良いし、特開２０００−３２３２７３号公報、特開２００４−２５７３２号公報に開示されているような無機物を含有するハイブリッドコーティング法を用いてもよい。
【００３５】
本発明では、通常、重合性化合物を含む組成物を、光照射して硬化させるが、照射する光は、通常、高圧水銀灯もしくは低圧水銀灯による紫外線である。照射エネルギーは０．１Ｊ／ｃｍ2以上が好ましく、０．５Ｊ／ｃｍ2以上がより好ましい。重合性化合物として、（メタ）アクリレート系化合物を採用する場合、空気中の酸素によって重合阻害を受けるため、重合時の酸素濃度もしくは酸素分圧を低くすることが好ましい。窒素置換法によって重合時の酸素濃度を低下させる場合、酸素濃度は２％以下が好ましく、０．５％以下がより好ましい。減圧法により重合時の酸素分圧を低下させる場合、全圧が１０００Ｐａ以下であることが好ましく、１００Ｐａ以下であることがより好ましい。また、１００Ｐａ以下の減圧条件下で０．５J／ｃｍ2以上のエネルギーを照射して紫外線重合を行うのが特に好ましい。
【００３６】
本発明における有機層は、平滑で、膜硬度が高いことが好ましい。有機層の平滑性は１μｍ角の平均粗さ（Ｒａ値）として１ｎｍ未満であることが好ましく、０．５ｎｍ未満であることがより好ましい。モノマーの重合率は８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９２％以上であることが特に好ましい。ここでいう重合率とはモノマー混合物中の全ての重合性基（例えば、アクリロイル基およびメタクリロイル基）のうち、反応した重合性基の比率を意味する。重合率は赤外線吸収法によって定量することができる。
【００３７】
有機層の膜厚については特に限定はないが、薄すぎると膜厚の均一性を得ることが困難になるし、厚すぎると外力によりクラックを発生してバリア性が低下する。かかる観点から、有機層の厚みは５０ｎｍ〜２０００ｎｍが好ましく、２００ｎｍ〜１５００ｎｍがより好ましい。
また、有機層は先に記載したとおり平滑であることが好ましい。有機層の平滑性は１μｍ角の平均粗さ（Ｒａ値）として１ｎｍ未満が好ましく、０．５ｎｍ未満であることがより好ましい。有機層の表面にはパーティクル等の異物、突起が無いことが要求される。このため、有機層の成膜はクリーンルーム内で行われることが好ましい。クリーン度はクラス１００００以下が好ましく、クラス１０００以下がより好ましい。
有機層の硬度は高いほうが好ましい。有機層の硬度が高いと、無機層が平滑に成膜されその結果としてバリア能が向上することがわかっている。有機層の硬度はナノインデンテーション法に基づく微小硬度として表すことができる。有機層の微小硬度は１００Ｎ／ｍｍ以上であることが好ましく、１５０Ｎ／ｍｍ以上であることがより好ましい。
【００３８】
（有機層と無機層の積層）
有機層と無機層の積層は、所望の層構成に応じて有機層と無機層を順次繰り返し製膜することにより行うことができる。特に、本発明は、少なくとも２層の有機層と少なくとも２層の無機層を交互に積層した場合に、高いバリア性を発揮することができる。交互積層はデバイス側（水素化窒化珪素層側）から有機層／無機層／有機層／無機層の順に積層していても、無機層／有機層／無機層／有機層の順に積層していても良い。
【００３９】
デバイスのバリア性積層体と反対側の面にプラスチックフィルムが存在しても良い。このような構成とするために、デバイスと、バリア性積層体を有するプラスチックフィルムとを接着して封止しても良い。あるいは、デバイスと水素化窒化珪素層との積層体と、有機無機積層体を有するプラスチックフィルムとを接着して封止しても良い。接着剤として特に制限がなく、市販の熱硬化性接着剤、紫外線硬化性接着剤等が適宜用いられる。
【００４０】
（水素化窒化珪素層）
本発明における「水素化窒化珪素層」とは、水素化窒化珪素を主成分とする層をいい、例えば、重量％濃度で９０％以上が、水素化窒化珪素である層をいう。水素化窒化珪素は酸素原子を含んでいても良い。ただし、酸素の含有量が多すぎると吸湿性（脱酸素性）が低下するので、含有する酸素の量は、水素化窒化珪素層に含まれる窒素の５０原子％以下であることが好ましい。
水素化窒化珪素は吸湿性を有する。ここで、水素含率が低いと吸湿性が低くなり、逆に水素含率が高すぎると材料の安定性が乏しくなる。従って、本発明では、水素化窒化珪素層における水素／窒素比（原子数比）が、０．１〜３であり、０．２〜２であることが好ましい。水素化窒化珪素はプラズマ支援化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）によって作製することができる。原料ガスとしては、アンモニア、シランの混合ガスを用い、必要に応じて窒素、水素を混合しても良い。水素化窒化珪素における水素の含率を高めるためには、例えば、ＰＥＣＶＤ法において、原料ガスの組成をコントロールすることにより達成でき、アンモニア／シラン比が高いと水素含率が高まる傾向にある。
【００４１】
また、本発明における水素化窒化珪素層の膜密度は、１．８〜２．７ｇ／ｃｍ3であり、１．８〜２．４ｇ／ｃｍ3であることが好ましい。２．７ｇ／ｃｍ3以下とすることにより、吸湿効果をより高めることができる。水素化窒化珪素層の好ましい厚さは、用いる位置によって異なる。通常は１０〜２０００ｎｍであり、５０〜１０００ｎｍが好ましい。
水素化窒化珪素層は、目的の層を形成できる方法であればいかなる方法で形成してもよい。ＰＥＣＶＤ以外の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などが挙げられる。具体的には特許登録第３４００３２４号公報、特開２００２−３２２５６１号公報、特開２００２−３６１７７４号公報等に記載の形成方法を採用することができる。
【００４２】
＜機能層＞
本発明の封止デバイスにおいては、バリア性積層体上、もしくはその他の位置に、機能層を有していても良い。機能層については、特開２００６−２８９６２７号公報の段落番号００３６〜００３８に詳しく記載されている。これら以外の機能層の例としてはマット剤層、保護層、帯電防止層、平滑化層、密着改良層、遮光層、反射防止層、ハードコート層、応力緩和層、防曇層、防汚層、被印刷層、接着層等が挙げられる。
【実施例】
【００４３】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
【００４４】
＜ガスバリア性積層体を有するフィルムの作製＞
ガスバリア性積層体を有するフィルム（１）の作製
ポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮ、帝人デュポン社製、テオネックスＱ６５ＦＡ、厚さ１００μｍ）上に、下に示した重合性化合物（合計１４重量部）と重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７、１重量部）、２−ブタノン（１８５重量部）とからなる組成物をワイヤーバーにて塗布し、窒素１００ｐｐｍ雰囲気下、紫外線照射量０．５Ｊ／ｃｍ2で照射して硬化させ、有機層を作製した。有機層の膜厚は５００ｎｍであった。次に、有機層表面に膜厚が４０ｎｍとなるようにＡｌ2Ｏ3を真空スパッタリング法（反応性スパッタリング法）で製膜してガスバリア性積層体を有するフィルムを作製した。
【００４５】
重合性化合物の組成
本実施例で用いた重合性化合物の組成比は次の通りである。
【００４６】
化合物Ａ：共栄社化学（株）製、ライトアクリレート１，９−ＮＤ−Ａ：５０質量％
【化７】
2010093172.tif 000008
化合物Ｂ：ダイセルサイテック（株）、ＴＭＰＴＡ：３０質量％
【化８】
2010093172.tif 000009
化合物Ｃ：ダイセルサイテック（株）製、ＩＲＲ＝２１４Ｋ：１０質量％
【化９】
2010093172.tif 000010
化合物Ｄ：日本化薬（株）製、ＫＡＹＡＲＡＤ、ＰＭ−２１：１０質量％
【化１０】
2010093172.tif 000011
【００４７】
ガスバリア性積層体を有するフィルム（２）の作製
ガスバリア性積層体を有するフィルム（１）と同様の方法で有機層１層、無機層１層から成るガスバリア性積層体を有するフィルムを作製し、その上に同様の方法で有機層１層、無機層１層を成膜した。これにより有機層２層、無機層２層が交互に積層したガスバリア性積層体を有するフィルム（２）が得られた。
【００４８】
ガスバリア性積層体を有するフィルム（３）の作製
ガスバリア性積層体を有するフィルム（２）と同様の方法にて、但し、有機層および無機層の数をそれぞれ３層とし、他は同様に行って、ガスバリア性積層体を有するフィルム（３）を作製した。
【００４９】
ガスバリア性積層体を有するフィルム（４）の作製
ガスバリア性積層体を有するフィルムの作製（３）において、無機層のＡｌ2Ｏ3をＳｉＯ2に変える以外は同様にしてガスバリア性積層体を有するフィルム（４）を作製した。
【００５０】
ガスバリア性積層体を有するフィルム（５）の作製
ガスバリア性積層体を有するフィルムの作製（３）において、無機層のＡｌ2Ｏ3をＳｉ3Ｎ4に変える以外は同様にしてガスバリア性積層体を有するフィルム（５）を作製した。
【００５１】
無機層を有するフィルム（６）の作製
有機層を塗布しない以外はガスバリア性積層体を有するフィルム（１）と同様にして無機層１層のみを有するフィルム（６）を作製した。
【００５２】
＜水蒸気透過率の測定＞
上記で得られた各ガスバリア性積層体を有するフィルムおよび比較用フィルムについて、下記手法によりバリア性能（水蒸気透過率）を測定した。
［バリア性能］
G.NISATO、P.C.P.BOUTEN、P.J.SLIKKERVEERらSID Conference Record of the International Display Research Conference 1435-1438頁に記載の方法（いわゆるカルシウム法）を用いて水蒸気透過率（ｇ／ｍ2／ｄａｙ）を測定した。このときの温度は４０℃、相対湿度は９０％とした。
【００５３】
【表１】
2010093172.tif 000012
【００５４】
実施例１  封止太陽電池素子の作製
下記素子構成を有するＣＩＧＳ太陽電池素子を作製した。
（素子構成）
ステンレス基板／モリブデン膜／ＣＩＧＳ膜／ＣｄＳ膜／ＺｎＯ膜：Ａｌ膜／水素化窒化珪素層／接着層／ガスバリア性積層体を有するフィルム（または比較用フィルム）
【００５５】
ステンレス基板上に、正極であるモリブデン膜をスパッタ法で膜厚０．８μｍとなるように堆積させた。この上にＣＩＧＳ膜を２μｍ厚さとなるように成膜した。本実施例では、高純度Ｃｕ（純度９９．９９９９％）のディスク状ターゲットと、高純度Ｉｎ（純度９９．９９９９％）のディスク状ターゲットと、高純度Ｇａ（純度９９．９９９％）のディスク状ターゲットと、高純度Ｓｅ（純度９９．９９９％）のディスク状ターゲットを用いた。製膜条件としては、各蒸発源からの蒸着レートを制御して、最高基板温度５５０℃で行った。次にｎ型半導体層として、ＣｄＳ膜を溶液成長法で９０ｎｍの厚さとなるように堆積し、その上に、負極の透明導電膜として、ＺｎＯ膜：Ａｌ膜を高周波（ＲＦ）スパッタ法で厚さ０．６μｍの厚さとなるように形成した。最後に上部電極であるグリッド電極として、Ａｌ膜を蒸着法で作製した。Ａｌ膜の膜厚は２００ｎｍである。以上のようにして基板上に未封止の太陽電池素子を作製した。
【００５６】
上記で形成した太陽電池素子表面にＰＥＣＶＤ法により水素化窒化珪素層を形成した。太陽電池を反応チャンバー内にセットし、減圧下で、下に記載のＰＥＣＶＤ原料ガス処方１に従った原料ガスを導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を投入してプラズマを発生させ、水素化窒化珪素層を形成した。水素化窒化珪素層の厚さは４００ｎｍとなるように成膜時間を調整した。成膜した層の密度をＸ線回折法で測定したところ１．９ｇ／ｃｍ3であった。水素化窒化ケイ素層の組成は、Ｓｉ：２９％、Ｎ：２３％、Ｏ：１％、Ｈ：４７％（それぞれ原子％）である。水素以外の元素組成をＥＳＣＡ法で定量した。水素は水素前方散乱法にて定量した。
【００５７】
（ＰＥＣＶＤ原料ガス処方１）
シラン  ２５ｓｃｃｍ
アンモニア  ５０ｓｃｃｍ
窒素  １７５ｓｃｃｍ
【００５８】
次に、熱硬化型接着剤（エポテック３１０、ダイゾーニチモリ（株））を用いて、作製した太陽電池素子と、上記で作製したフィルム（１）〜（６）を、ガスバリア性積層体（有機層・無機層を積層した側）が太陽電池素子と向かい合うように貼り合せ、６５℃で３時間加熱して接着剤を硬化させた。このようにして封止された太陽電池素子（１）〜（６）を作製した。また、未封止の太陽電池阻止に、ガスバリア性積層体を設置していないポリエチレンナフタレートフィルムのみも同様の方法で貼り合わせて、比較用太陽電池素子（７）を得た。作製した太陽電池素子の有効領域は５ｍｍ角、有効面積は０．２５ｃｍ2である。
【００５９】
＜光電変換特性の評価＞
上記のようにして作製した太陽電池素子をＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の模擬太陽光を照射しながら、ソースメジャーユニット（ＳＭＵ２４００型、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製）を用いて電流電圧特性を評価した。測定結果を表２に示す。ここで、ＦＦはフィルファクター：形状因子を意味し、無次元である。
【００６０】
【表２】
2010093172.tif 000013
【００６１】
比較用太陽電池（８）
実施例１において、透明導電層ＺｎＯ：Ａｌに代えてＩＴＯを用いる以外は同様の方法にて比較用の太陽電池（８）を作製した。このとき、ガスバリア性積層体を有するフィルムとしてガスバリア性積層体を有するフィルム（５）を用いた。太陽電池（８）の変換効率は１．５％であり、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を用いた太陽電池では、ガスバリア性積層体を設けても、変換効率が低いことが分かった。
【００６２】
上記各太陽電池素子を６０℃・相対湿度９０％の高温高湿室内に５００時間静置した後、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の模擬太陽光を照射しながら電流電圧特性を測定し、変換効率の維持率を測定した。測定結果を表３に示す。
変換効率の維持率（％）＝（高温高湿経時後の変換効率）÷（素子作製直後の変換効率）×１００
【００６３】
【表３】
2010093172.tif 000014
【００６４】
本発明の太陽電池は、高温高湿経時後の変換効率の維持率が高く、耐久性が高いことがわかる。少なくとも１層の有機層と少なくとも１層の無機層を有する太陽電池（１）〜（５）の耐久性が高く、特に、有機層と無機層を複数層有する太陽電池（２）〜（５）の耐久性が高いことがわかる。すなわち、水素化窒化珪素層とバリア性積層体を有する酸化亜鉛含有デバイスは高温高湿条件下での耐久性が高いことが明白である。
【００６５】
実施例１における太陽電池（２）、（７）および（８）において、水素化窒化珪素層を設けないこと以外は同様の方法で本発明の太陽電池（１２）、（１７）および比較用太陽電池（１８）を作製した。これらの太陽電池の作製直後の変換効率は、それぞれ、対応する太陽電池（２）、（７）および（８）と同等であった。すなわち、水素化窒化珪素層の有無に関わらず、ガスバリア性積層体を有する酸化亜鉛を用いた太陽電池の方が、ＩＴＯを用いた太陽電池よりも、変換効率の点で優れていることがわかる。ただし、本発明の太陽電池（２）と太陽電池（１２）との比較から分かるように、水素化窒化珪素層を設置したほうがより耐久性が高く有利であることが確認された。
次に、本発明の太陽電池（１２）、（１７）および比較用太陽電池（１８）を用いて、６０℃・相対湿度９０％の高温高湿室内に５００時間静置した後の変換効率維持率を測定したところ、それぞれ９１％、４０％、９０％であった。耐久性は、ＰＥＮフィルムで封止した太陽電池（１７）では芳しくなかった。以上より、本発明の太陽電池（１２）だけが、高い変換効率を示し、かつ、その維持率が高いことが分かった。
【００６６】
実施例２  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の作製
本発明の構成を有するＴＦＴ素子を作製した。断面概略図を図４に示す。
【００６７】
基板４１として、無アルカリガラス板（コーニング社、品番Ｎｏ．１７３７）を用いた。基板を、純水１５分、アセトン１５分、純水１５分の順で超音波洗浄を行い、ＳｎＯ2含有率が１０質量％である酸化インジウム錫（ＩＴＯ）タ−ゲット（インジウム：錫＝９５：５（モル比））を用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ（条件：成膜温度４３℃、スパッタガスＡｒ＝１２ｓｃｃｍ、ＲＦパワー４０Ｗ、成膜圧力０．４Ｐａ）により、ゲート電極４２としてのＩＴＯ薄膜（厚み３０ｎｍ）を形成した。ゲート電極４２のＩＴＯのパターニングには、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
【００６８】
次にゲート電極上に、下記のゲート絶縁膜４３の形成を行った。
ＳｉＯ2をＲＦマグネトロンスパッタ真空蒸着法（条件：ターゲットＳｉＯ2、成膜温度５４℃、スパッタガスＡｒ／Ｏ2＝１２／２ｓｃｃｍ、ＲＦパワー４００Ｗ、成膜圧力０．４Ｐａ）にて２００ｎｍの厚さとなるように形成してゲート絶縁膜３とした。ゲート絶縁膜３のパターニングには、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
【００６９】
ゲート絶縁膜４３の上に、ＩｎＧａＺｎＯ4の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、ＲＦマグネトロンスパッタ真空蒸着法により、Ａｒ流量１２ｓｃｃｍ、Ｏ2流量１．４ｓｃｃｍ、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力０．４Ｐａの条件で活性層４４（膜厚５０ｎｍ）を形成した。得られた材料の組成はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１．０：０．９５：０．５６である。電気伝導度は５．９×１０-3Ｓ／ｃｍ、キャリア濃度は１．１×１０16／ｃｍ3、ホール移動度は３．０ｃｍ2／Ｖｓである。活性層及のＩｎＧａＺｎＯ4のパターニングには、上記と同様に、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。
【００７０】
次いで、上記活性層の上にソース電極およびドレイン電極としてＩＴＯを４０ｎｍの厚みにＲＦマグネトロンスパッタ（条件：成膜温度４３℃、スパッタガスＡｒ＝１２ｓｃｃｍ、ＲＦパワー４０Ｗ、成膜圧力０．４Ｐａ）にて、蒸着した。尚、ソース電極およびドレイン電極のパターニングには、スパッタ時にシャドウマスクを用いることにより行った。以上により、チャネル長Ｌ＝２００μｍ、チャネル幅Ｗ＝１０００μｍの逆スタガ構造のＴＦＴ素子を作製した。
【００７１】
上記で形成したＴＦＴ表面にＰＥＣＶＤ法により実施例１と同様にして水素化窒化珪素層を形成した。成膜厚は２００ｎｍとした。
【００７２】
次に、熱硬化型接着剤（エポテック３１０、ダイゾーニチモリ（株））を用いて作製したＴＦＴ素子と、それぞれ実施例１で作製したガスバリア性積層体を有するフィルム（２）およびポリエチレンナフタレートフィルムを、バリア性積層体がＴＦＴと向かい合うように貼り合せ、６５℃で３時間加熱して接着剤を硬化させた。このようにしてガスバリア性積層体を有するフィルムで封止されたＴＦＴ（２）およびポリエチレンナフタレートフィルムで封止されたＴＦＴ（７）を作製した。
【００７３】
（薄膜トランジスタの性能評価）
上記で得られた各ＴＦＴ素子について、飽和領域ドレイン電圧Ｖｄ＝４０Ｖ（ゲート電圧−２０Ｖ≦Ｖｇ≦４０Ｖ）でのＴＦＴ伝達特性の測定を行い、ＴＦＴ素子の電界効果移動度を評価した。ＴＦＴ伝達特性の測定は、半導体パラメータ・アナライザー４１５６Ｃ（アジレントテクノロジー社製）を用いて行った。
飽和領域における電界効果移動度μは、ＴＦＴ伝達特性から次式で求められる。
μ＝（２Ｌ／Ｗ×Ｃox）×（∂Ｉｄ1/2／∂Ｖｇ）
ここで、Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅、Ｃｏｘはゲート絶縁膜の静電容量、Ｉｄはドレイン電流、Ｖｇはゲート電圧を示す。
【００７４】
各素子を６０℃・相対湿度９０％の高温高湿室内に５００時間静置した後、ＴＦＴの電界効果移動度を測定し、電界効果移動度の維持率を評価した。
電界効果移動度の維持率（％）＝（高温高湿経時後の移動度）÷（素子作製直後の移動度）×１００
【００７５】
【表４】
2010093172.tif 000015
本発明のＴＦＴ、すなわち、水素化窒化珪素層とバリア性積層体を有する酸化亜鉛含有デバイスは高温高湿条件下での耐久性が高いことが明白である。
【００７６】
実施例２におけるＴＦＴ（２）において、水素化窒化珪素層を設けないこと以外は同様に行って得たＴＦＴを用いて、６０℃・相対湿度９０％の高温高湿室内に５００時間静置した後の電界効果移動度の維持率を測定したところ、８５％であった。
すなわち、バリア性積層体を有する酸化亜鉛含有デバイスは高温高湿条件下での耐久性が比較例の比べて高い。ただし、水素化窒化珪素層を設置したほうがより耐久性が高く有利であることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明の素子は、高い経時安定性を有するため、長期間の使用に耐えることができる点で極めて有意である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の環境感受性デバイスの実施形態の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の環境感受性のより具体的な構成の一例を図示した概略図である。
【図３】本発明の環境感受性のより具体的な構成の他の一例を図示した概略図である。
【図４】本願実施例で作製した薄膜トランジスタの断面概略図を示す。
【符号の説明】
【００７９】
１      基板
２      環境感受性素子
３      ガスバリア性積層体
３０１  パシベーション層
３０２  水素化窒化珪素層
３０３  有機無機積層体
３１１  パシベーション層
３１３  有機無機積層体
４１    基板
４２    ゲート電極
４３    ゲート絶縁膜
４４    活性層
【図１】
2010093172.tif 000016
【図２】
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【図３】
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【図４】
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