(57)【要約】【課題】隣接した磁気トンネル接合装置間の干渉現象および電気的な短絡を防止することのできる磁気トンネル接合装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、を含む。【選択図】図７Ｄ
2010016384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、
前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、
前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、
前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１電極および前記磁気トンネル接合層は、シリンダ形態を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１電極を形成するステップは、
前記開口部を備える絶縁膜の全面に第１電極用導電膜を形成するステップと、
前記絶縁膜の上面に形成された前記第１電極用導電膜を選択的にエッチングし、前記開口部の底面および側壁に前記第１電極用導電膜を残留させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項４】
前記磁気トンネル接合層を形成するステップは、
前記第１電極を備える絶縁膜の全面に第１磁性膜を形成するステップと、
前記絶縁膜の上面に形成された第１磁性膜を選択的にエッチングし、前記第１電極上に前記第１磁性膜を残留させるステップと、
パターンされた前記第１磁性膜を備える絶縁膜の全面にトンネル絶縁膜および第２磁性膜を順次に形成するステップと、
前記絶縁膜の上面に形成された第２磁性膜およびトンネル絶縁膜を選択的にエッチングし、前記第１磁性膜上に前記第２磁性膜およびトンネル絶縁膜を残留させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項５】
前記磁気トンネル接合層を形成するステップは、
前記第１電極を備える絶縁膜の全面に第１磁性膜、トンネル絶縁膜、および第２磁性膜を順次に形成するステップと、
前記絶縁膜の上面に形成された第２磁性膜、トンネル絶縁膜、および第１磁性膜を選択的にエッチングし、前記第１電極上に前記第２磁性膜、トンネル絶縁膜、および第１磁性膜を残留させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項６】
前記選択的にエッチングするステップは、シャローエッチバックまたは化学的機械的研磨法を使用して実施することを特徴とする請求項３に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項７】
前記化学的機械的研磨法を使用して前記選択的にエッチングするステップは、
前記開口部内を埋め込んで前記絶縁膜の上面を覆う犠牲膜を形成するステップと、
前記絶縁膜の上面が露出するまで化学的機械的研磨するステップと、
前記犠牲膜を除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項８】
前記犠牲膜は、炭素含有膜または酸化膜で形成することを特徴とする請求項７に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項９】
前記炭素含有膜は、フォトレジスト、非晶質炭素膜、ＳｉＯＣ、およびＳＯＣで形成されたグループから選択されたいずれかの１つを含むことを特徴とする請求項８に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項１０】
前記犠牲膜が炭素含有膜の場合に前記犠牲膜を除去するステップは、酸素プラズマ処理を使用して実施することを特徴とする請求項８に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【請求項１１】
前記犠牲膜が酸化膜の場合に前記犠牲膜を除去するステップは、ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｅｃｈａｎｔ）溶液またはハフニウム（ＨＦ）溶液を使用して実施することを特徴とする請求項８に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、隣接した磁気トンネル接合装置（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｔｕｎｎｅｌ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｄｅｖｉｃｅ、ＭＴＪ  ｄｅｖｉｃｅ）間の干渉現象を防止することができる磁気トンネル接合装置、これを備えるメモリセル、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体装置が高集積化されるに伴ってセル面積の縮小に有利であり、高速動作および不揮発性を有する次世代半導体メモリ装置として磁気メモリ装置（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ、ＭＲＡＭ）が注目を浴びている。磁気メモリ装置は、スイッチング動作を行なうトランジスタと、情報を保存する磁気トンネル接合装置で構成される。磁気トンネル接合装置は、２つの強磁性膜の磁化方向（ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）に応じて磁気抵抗比（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＭＲ）が異なるが、このような磁気抵抗比の変化による電圧変化または電流量の変化を利用し、磁気トンネル接合装置に保存された情報が論理「１」または論理「０」であるかを判別することができる。
【０００３】
図１は、従来技術に係る磁気トンネル接合装置を示した断面図である。
【０００４】
同図に示すように、従来技術に係る磁気トンネル接合装置の製造方法について説明すれば、所定の構造物が備えられた基板１０１上に第１電極１０２、磁気トンネル接合層１０７、および第２電極１０８を順次形成する。このとき、磁気トンネル接合層１０７は、第１電極１０２上で反強磁性（ａｎｔｉｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ）物質からなるピンニング膜（ｐｉｎｎｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１０３、強磁性（ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ）物質からなり、ピンニング膜１０３によって磁化方向が固定されたピンド膜（ｐｉｎｎｅｄ  ｌａｙｅｒ）１０４、トンネル絶縁膜（ｔｕｎｎｅｌ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）１０５、および強磁性物質からなり、磁化方向が外部刺激、例えば、磁場またはスピン伝達トルク（Ｓｐｉｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｔｏｒｑｕｅ、ＳＴＴ）よって変化する自由膜（ｆｒｅｅ  ｌａｙｅｒ）１０６が順次積層された積層膜からなる。
【０００５】
その後、第２電極１０８上に感光膜パターンを形成した後、感光膜パターンをエッチング障壁で第２電極１０８、磁気トンネル接合層１０７、および第１電極１０２を順次エッチングしてスタック（ｓｔａｃｋ）構造の磁気トンネル接合装置を形成する。
【０００６】
しかし、前述した従来技術においては、磁気トンネル接合装置を形成するためのエッチング工程時に磁気トンネル接合装置の側壁が垂直プロファイルを有することが最も好ましいが、実際は各薄膜との間のエッチング選択比の差異によって側壁が傾斜した梯形状の磁気トンネル接合装置が形成される。このように、磁気トンネル接合装置の傾斜した側壁により隣接した磁気トンネル接合装置間の下部間隔Ｓ２があらかじめ設定された上部間隔Ｓ１よりも小さくなる問題が発生する（Ｓ１＞Ｓ２）。隣接した磁気トンネル接合装置間の間隔が減少することにより、これらの間に干渉が発生し、磁気トンネル接合装置の特性が劣化する問題が発生する。また、隣接した磁気トンネル接合装置間の間隔がさらに減少する場合、これらの間に電気的な短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生し、磁気トンネル接合装置の特性が劣化したり、正常に動作しない致命的な問題が発生する。前述した問題は、半導体装置のデザインルールが減少することによってさらに深刻化される問題がある。
【０００７】
また、図１の「Ｘ」に示すように、磁気トンネル接合装置を形成するためのエッチング工程時に発生した導電性エッチング副産物（ｅｔｃｈ  ｂｙｐｒｏｄｕｃｔ）１０９が磁気トンネル接合装置の側壁に再蒸着され、磁気トンネル接合装置の特性が劣化する問題が発生する。特に、導電性エッチング副産物１０９が自由膜１０６およびピンド膜１０４の側壁に再蒸着する場合、自由膜１０６とピンド膜１０４との間に電気的な短絡が発生し、磁気トンネル接合装置の特性が劣化したり、場合によっては正常に動作できなくなるという問題が発生する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前述した従来技術の問題点を解決するために提案されたものであって、その目的は、隣接した磁気トンネル接合装置間の干渉現象および電気的な短絡を防止することのできる磁気トンネル接合装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、磁気トンネル接合装置を形成するためのエッチング工程時に発生した導電性エッチング副産物によって、磁気トンネル接合装置の特性が劣化することを防止することのできる磁気トンネル接合装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の更なる目的は、磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述した目的を達成するための一側面に係る本発明の磁気トンネル接合装置の製造方法は、所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、を含む。このとき、前記第１電極および前記磁気トンネル接合層は、シリンダ形態を有することができる。
【００１２】
前記第１電極を形成するステップは、前記開口部を備える絶縁膜の全面に第１電極用導電膜を形成するステップと、前記絶縁膜の上面に形成された前記第１電極用導電膜を選択的にエッチングし、前記開口部の底面および側壁に前記第１電極用導電膜を残留させるステップと、を含むことができる。
【００１３】
前記磁気トンネル接合層を形成するステップは、前記第１電極を備える絶縁膜の全面に第１磁性膜を形成するステップと、前記絶縁膜の上面に形成された第１磁性膜を選択的にエッチングし、前記第１電極上に前記第１磁性膜を残留させるステップと、パターンされた前記第１磁性膜を備える絶縁膜の全面にトンネル絶縁膜および第２磁性膜を順次に形成するステップと、前記絶縁膜の上面に形成された第２磁性膜およびトンネル絶縁膜を選択的にエッチングし、前記第１磁性膜上に前記第２磁性膜およびトンネル絶縁膜を残留させるステップと、を含むことができる。
【００１４】
前記磁気トンネル接合層を形成するステップは、前記第１電極を備える絶縁膜の全面に第１磁性膜、トンネル絶縁膜、および第２磁性膜を順次に形成するステップと、前記絶縁膜の上面に形成された第２磁性膜、トンネル絶縁膜、および第１磁性膜を選択的にエッチングし、前記第１電極上に前記第２磁性膜、トンネル絶縁膜、および第１磁性膜を残留させるステップと、を含むことができる。
【００１５】
前記選択的にエッチングするステップは、シャローエッチバックまたは化学的機械的研磨法を使用して実施することができる。
【００１６】
前記化学的機械的研磨法を使用して前記選択的にエッチングするステップは、
前記開口部内を埋め込んで前記絶縁膜の上面を覆う犠牲膜を形成するステップと、前記絶縁膜の上面が露出するまで化学的機械的研磨するステップと、前記犠牲膜を除去するステップと、を含むことができる。
【００１７】
前記犠牲膜は、炭素含有膜または酸化膜で形成することができ、前記炭素含有膜は、フォトレジスト、非晶質炭素膜、ＳｉＯＣ、およびＳＯＣで形成されたグループから選択されたいずれかの１つを含むことができる。
【００１８】
前記犠牲膜が炭素含有膜の場合に前記犠牲膜を除去するステップは、酸素プラズマ処理を使用して実施することができ、前記犠牲膜が酸化膜の場合に前記犠牲膜を除去するステップは、ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｅｃｈａｎｔ）溶液またはハフニウム（ＨＦ）溶液を使用して実施することができる。
【発明の効果】
【００１９】
前述した課題の解決手段に基づいた本発明は、柱型のコンケーブ構造の磁気トンネル接合装置を提供することによって、側壁が傾斜した磁気トンネル接合装置が形成されることを防止すると共に、隣接した磁気トンネル接合との間の間隔を確保することができる。これによって、磁気トンネル接合装置間の干渉現象および電気的な短絡を防止し得る効果がある。また、本発明は、磁気トンネル接合装置の集積度を向上させると共に、磁気トンネル接合装置の特性を向上させ得る効果がある。
【００２０】
また、本発明のメモリセルは、高集積化が可能な柱型の磁気トンネル接合装置を備えることによって、メモリセルの集積度を向上させると共に、消費電力を減少させ得る効果がある。
【００２１】
また、本発明は、磁気トンネル接合層を複数回の蒸着およびエッチング工程によって形成することにより、導電性エッチング副産物に起因した磁気トンネル接合装置の特性劣化を防止し得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来技術に係る磁気トンネル接合装置を示した断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態に係る磁気トンネル接合装置を示した図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態に係る磁気トンネル接合装置を示した図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態に係る磁気トンネル接合装置を示した図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施形態に係る磁気トンネル接合装置を示した図である。
【図３Ａ】従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置と本発明の第１実施形態に係る柱型の磁気トンネル接合装置とを比較した図である。
【図３Ｂ】従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置と本発明の第１実施形態に係る柱型の磁気トンネル接合装置とを比較した図である。
【図３Ｃ】従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置と本発明の第１実施形態に係る柱型の磁気トンネル接合装置とを比較した図である。
【図３Ｄ】従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置と本発明の第１実施形態に係る柱型の磁気トンネル接合装置とを比較した図である。
【図３Ｅ】従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置と本発明の第１実施形態に係る柱型の磁気トンネル接合装置とを比較した図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施形態に係る磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルを示した図である。
【図４Ｂ】本発明の第２実施形態に係る磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルを示した図である。
【図５Ａ】本発明の第２実施形態に係るメモリセルの駆動方法を説明するための概略図である。
【図５Ｂ】本発明の第２実施形態に係るメモリセルの駆動方法を説明するための概略図である。
【図６Ａ】本発明の第３実施形態に係る磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルを示した図である。
【図６Ｂ】本発明の第３実施形態に係る磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルを示した図である。
【図７Ａ】本発明の第４実施形態に係る磁気トンネル接合装置の製造方法における工程を説明するための断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第４実施形態に係る磁気トンネル接合装置の製造方法における工程を説明するための断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第４実施形態に係る磁気トンネル接合装置の製造方法における工程を説明するための断面図である。
【図７Ｄ】本発明の第４実施形態に係る磁気トンネル接合装置の製造方法における工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明の技術的な思想を容易に実施できる程度で詳細に説明するために、本発明の最も好ましい実施形態について添付の図面を参照して説明する。
【００２４】
後述する本発明は、磁気トンネル接合装置、これを備えるメモリセル、およびその製造方法に関し、隣接した磁気トンネル接合装置の間の間隔を確保し、これらの間の干渉現象および電気的な短絡を防止することのできる磁気トンネル接合装置を提供する。このために本発明は、磁気トンネル接合装置を柱（ｐｉｌｌａｒ）型のコンケーブ（ｃｏｎｃａｖｅ）構造で形成することを技術的な原理とする。
【００２５】
図２Ａないし図２Ｄは、本発明の第１実施形態に係る磁気トンネル接合装置を示した図である。図２Ａは、単位（ｕｎｉｔ）磁気トンネル接合装置の斜視図であり、図２Ｂは、磁気トンネル接合装置の各構成要素を分離して示した斜視図であり、図２Ｃは、図２Ａに示すＸ−Ｘ’線    矢視を示した断面図であり、図２Ｄは、コンケーブ構造を有する磁気トンネル接合装置の断面図である。
【００２６】
図２Ａないし図２Ｄに示すように、本発明の磁気トンネル接合装置は柱型のコンケーブ構造を有する。具体的に、本発明の磁気トンネル接合装置は、柱型の第２電極１１７と、第２電極１１７の側面および下面を取り囲む磁気トンネル接合層１１６と、磁気トンネル接合層１１６の側面および下面を取り囲む第１電極１１１とを備える。このとき、第２電極１１７は、円柱、三角柱、四角柱、および多角柱で形成されたグループから選択されたいずれか１つの形態であり得、第１電極１１１および磁気トンネル接合層１１６は、シリンダ（ｃｙｌｉｎｄｅｒ）形態であり得る。
【００２７】
また、本発明の磁気トンネル接合装置は、所定の構造物が備えられた基板１１０、基板１１０上で所定の間隔Ｓを有する複数の開口部１１９を備える絶縁膜１１８をさらに備えることができる。このとき、磁気トンネル接合装置は、開口部１１９内に埋め込まれたコンケーブ構造を有し得る。
【００２８】
絶縁膜１１８は、磁気トンネル接合装置間を電気的に分離する役割を行なうものであって、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜、および炭素含有膜で形成されたグループから選択されたいずれか１つ、またはこれらが積層された積層膜であり得る。酸化膜としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌｅ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、ＵＳＧ（Ｕｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、高密度プラズマ酸化膜（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ、ＨＤＰ）、およびＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を使用し得る。窒化膜としては、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）を使用し得る。酸化窒化膜としては、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）を使用し得る。また、炭素含有膜としては、非晶質炭素膜（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｃａｒｂｏｎ  ｌａｙｅｒ）、カーボンリッチポリマ膜（ｃａｒｂｏｎ  ｒｉｃｈ  ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＳｉＯＣ、およびＳＯＣなどを使用し得る。
【００２９】
所定の間隔Ｓを有する開口部１１９は、隣接した磁気トンネル接合装置の間の干渉現象および電気的な短絡が発生することを防止するためのものであって、側壁が傾斜した磁気トンネル接合装置が形成されることを防止する役割を行なうと共に、隣接した磁気トンネル接合装置間の間隔Ｓを確保する役割を行なう。このとき、磁気トンネル接合装置の側壁が傾斜することによる干渉現象および電気的な短絡をより効果的に防止するため、開口部１１９の側壁は垂直プロファイルを有することが好ましい。
【００３０】
磁気トンネル接合層１１６は、第２電極１１７の側面および下面を取り囲む自由膜１１５と、自由膜１１５の側面および下面を取り囲むトンネル絶縁膜１１４と、トンネル絶縁膜１１４の側面および下面を取り囲むピンド膜１１３と、ピンド膜１１３の側面および下面を取り囲むピンニング膜１１２とを備えることができる（図２ＤのＡ）。また、磁気トンネル接合層１１６は、第２電極１１７の側面および下面を取り囲むピンニング膜１１２と、ピンニング膜１１２の側面および下面を取り囲むピンド膜１１３と、ピンド膜１１３の側面および下面を取り囲むトンネル絶縁膜１１４と、トンネル絶縁膜１１４の側面および下面を取り囲む自由膜１１５とを備えることもできる（図２ＤのＢ）。このとき、自由膜１１５、トンネル絶縁膜１１４、ピンド膜１１３、およびピンニング膜１１２は、シリンダ形態で形成され得る。
【００３１】
第１電極１１１および第２電極１１７は導電物質、例えば、金属物質または金属化合物を使用して形成することができる。金属物質としては、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、およびアルミニウム（Ａｌ）を使用し得、金属化合物としては、チタニウム窒化膜（ＴｉＮ）、タンタル窒化膜（ＴａＮ）、およびタングステンシリサイド（ＷＳｉ）を使用し得る。また、第１電極１１１および第２電極１１７は、同一の物質で形成され得る。
【００３２】
ピンニング膜１１２は、ピンド膜１１３の磁化方向を固定させる役割を行ないつつ、反強磁性を有する物質を使用して形成することができる。反強磁性を有する物質としては、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＭｎＯ、ＭｎＳ、ＭｎＴｅ、ＭｎＦ２、ＦｅＦ２、ＦｅＣｌ２、ＦｅＯ、ＣｏＣｌ２、ＣｏＯ、ＮｉＣｌ２およびＮｉＯを使用し得る。このとき、ピンニング膜１１２は、前述した反強磁性物質のうちのいずれか１つからなる単一膜で形成したり、またはこれらが積層された積層膜で形成することができる。
【００３３】
ピンニング膜１１２によって磁化方向が固定されたピンド膜１１３および外部刺激、例えば磁場またはスピン伝達トルクによって磁化方向が変化する自由膜１１５は、強磁性を有する物質を使用して形成することができる。強磁性を有する物質としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ、Ｄｙ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＭｎＡｓ、ＭｎＢｉ、ＭｎＳｂ、ＣｒＯ２、ＭｎＯＦｅ２Ｏ３、ＦｅＯＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯＦｅ２Ｏ３、ＣｕＯＦｅ２Ｏ３、ＭｇＯＦｅ２Ｏ３、ＥｕＯ、およびＹ３Ｆｅ５Ｏ１２を使用し得る。このとき、ピンド膜１１３および自由膜１１５は、前述した強磁性物質のうちのいずれか１つからなる単一膜で形成したり、これらが積層された積層膜で形成することができる。また、ピンド膜１１３および自由膜１１５は、前述した強磁性物質のうちのいずれか１つとルテニウム膜（Ｒｕ）が積層された積層膜で形成することができる（例えば、ＣｄＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅ）。また、ピンド膜１１３および自由膜１１５は、強磁性膜、反強磁性カップリングスペーサ膜（ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｓｐａｃｅｒ  ｌａｙｅｒ）、および強磁性膜が順次積層された合成反強磁性膜（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ａｎｔｉ−Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｌａｙｅｒ、ＳＡＦ  ｌａｙｅｒ）で形成することもできる。
【００３４】
トンネル絶縁膜１１４は、ピンド膜１１３と自由膜１１５との間のトンネル障壁として作用する。トンネル絶縁膜１１４は、マグネシウム酸化膜（ＭｇＯ）、アルミニウム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、シリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、ハフニウム酸化膜（ＨｆＯ２）、およびジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ２）を使用し得る。その他にもトンネル絶縁膜１１４は、絶縁特性を有する物質はすべて使用し得る。
【００３５】
また、本発明の磁気トンネル接合装置は、第２電極１１７と磁気トンネル接合層１１６との間に介在されたキャッピング膜（図示せず）をさらに備えることができる。キャッピング膜は、磁気トンネル接合装置を形成する過程において発生する工程上のエラーによって自由膜１１５を構成する物質（すなわち、金属物質または金属化合物質）が酸化または腐食することを防止する役割を行い、タンタル（Ｔａ）またはタンタル窒化膜（ＴａＮ）で形成することができる。
【００３６】
具体的に、工程上のエラーによって自由膜１１５を構成する物質が酸化または腐食された場合、磁気トンネル接合装置の磁気抵抗比が低下し得る。これによって磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルの特性が劣化する恐れがあるため、キャッピング膜を備えることによって防止することができる。参考までに、磁気抵抗比は、磁気トンネル接合装置が高抵抗状態のときと低抵抗状態のときの抵抗差を低抵抗状態のときの抵抗値に対する百分率で定義した値をいう。
【００３７】
また、本発明の磁気トンネル接合装置は、第２電極１１７と磁気トンネル接合層１１６との間に介在されたり、または磁気トンネル接合層１１６と第１電極１１１との間に介在された発熱膜（図示せず）をさらに備えることができる。発熱膜は、磁気トンネル接合装置に熱エネルギーを供給して磁気トンネル接合装置の臨界電流密度（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｄｅｎｓｉｔｙ、Ｊｃ）を減少させる役割を行なう。参考までに、臨界電流密度は、磁気トンネル接合装置の磁気抵抗比を変化させるために必要な最小限の電流密度を意味し、臨界電流密度が減少するほど磁気トンネル接合装置を駆動するために消費される消費電力を減少させ得る。発熱膜は、アルミニウム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）、非ドープシリコン膜（ｕｎｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｌａｙｅｒ）、シリコン炭化膜（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ  ｌａｙｅｒ、ＳｉＣ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）、およびカルコゲニド膜（ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ  ｌａｙｅｒ）で形成されたグループから選択されたいずれか１つ、またはこれらが積層された積層膜で形成することができる。ここで、カルコゲニド膜は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびテルリウム（Ｔｅ）を含有する化合物（ｃｏｍｐｏｕｎｄ  ｌａｙｅｒ  ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｇｅｒｍａｎｉｕｍ、ｓｔｉｂｉｕｍ  ａｎｄ  ｔｅｌｌｕｒｉｕｍ）、すなわち、ＧＳＴ膜（ＧＳＴ  ｌａｙｅｒ）であり得る。
【００３８】
このように本発明は、シリンダ形態の磁気トンネル接合層１１６を備える磁気トンネル接合装置を提供することによって、磁気トンネル接合装置の側壁の傾斜による干渉現象および電気的な短絡を防止することができる。これは後述する本発明の磁気トンネル接合装置の製造方法で詳しく説明する。
【００３９】
また、本発明の磁気トンネル接合装置は、開口部１１９に埋め込まれたコンケーブ構造を有することによって、磁気トンネル接合装置における側壁の傾斜による干渉現象および電気的な短絡をより効果的に防止すると共に、隣接した磁気トンネル接合装置間の間隔Ｓを安定的に確保することができる。
【００４０】
また、本発明の磁気トンネル接合装置は柱型を有することによって、磁気トンネル接合装置の集積度を向上させると共に、磁気トンネル接合装置の特性を向上させることができる。これについて図３Ａ〜図３Ｅを参照して詳しく説明する。
【００４１】
図３Ａ〜図３Ｅは、従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置と本発明の第１実施形態に係る柱型の磁気トンネル接合装置とを比較して示した概略図である。ここで、説明の便宜のために従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置は、図１に示す図面符号を使用する。また、従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置および本発明の柱型の磁気トンネル接合装置の体積は同一である。ここで、Ａ１は、従来の磁気トンネル接合装置を上部からみたときの面積を示し、Ａ２は従来の磁気トンネル接合装置において磁気トンネル接合層１０７と第１電極１０２との間の接触面積を示し、Ａ３は、柱型の磁気トンネル接合装置を上部からみたときの面積を示し、Ａ４は、柱型の磁気トンネル接合装置において磁気トンネル接合層１１６と第１電極１１１との間の接触面積を示す。
【００４２】
まず、スタック構造の磁気トンネル接合装置と本発明の柱型の磁気トンネル接合装置とを比較する前に、半導体装置におけるデザインルールの減少によるスタック構造の磁気トンネル接合装置の問題点に対して説明すれば次の通りである。
【００４３】
半導体装置のデザインルールが減少することに伴い、磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルの性能、すなわち動作速度および保存容量を向上させるためには磁気トンネル接合装置の高集積化が必須に要求される。これによって、磁気トンネル接合装置の面積Ａ１が次第に減少し、磁気トンネル接合装置の面積Ａ１が減少することによって磁気トンネル接合層１０７の面積Ａ２も減少する。これは磁気トンネル接合装置がスタック構造を有するため図３Ａに示すように、磁気トンネル接合装置の面積Ａ１と磁気トンネル接合層１０７の面積Ａ２とが同一であるためである（Ａ１＝Ａ２）。
【００４４】
このように磁気トンネル接合装置の面積が減少することによって磁気トンネル接合層１０７の面積が減少するほど磁気トンネル接合装置の電気的な特性が劣化する問題が発生する。具体的に、磁気トンネル接合装置は、強磁性薄膜のピンド膜（図示せず）および自由膜（図示せず）の磁化方向に応じて磁気抵抗比が決定される。このとき、強磁性薄膜は面積が減少することによって薄膜内の磁区（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｄｏｍａｉｎ）の大きさが小さくなりつつ、飽和磁化率（ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ  ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ）が増加する。このような飽和磁化率の増加は、磁気トンネル接合装置の臨界電流密度（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｄｅｎｓｉｔｙ、Ｊｃ）を増加させる。磁気トンネル接合装置の臨界電流密度が増加するほど、磁気トンネル接合装置の磁気抵抗比を変化させるために必要な駆動電流密度（ｏｐｅｒａｔｉｏｎ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｄｅｎｓｉｔｙ、Ｊｏ）が増加し、これによって磁気トンネル接合装置を備える磁気メモリ素子の消費電力が増加してしまう問題が発生する。また、磁気トンネル接合装置の臨界電流密度が増加することによって、要求される駆動電流密度を提供するためには、トランジスタの大きさおよび配線の大きさを縮小することが難しくなり、これによって磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルの集積度が低下してしまう問題がある。
【００４５】
図３Ｂに示すように、本発明の磁気トンネル接合装置は、柱型を有することから、前述した半導体装置におけるデザインルールの減少によるスタック構造の磁気トンネル接合装置の問題を解決することができる。
【００４６】
具体的に、従来技術に係るスタック構造の磁気トンネル接合装置と本発明の柱型の磁気トンネル接合装置とが同一の体積を有するとき、同図に示すように、本発明の柱型の磁気トンネル接合装置は、従来のスタック構造を有する磁気トンネル接合装置よりも簡単に面積を減少させ得る。すなわち、図３Ｃに示すように、従来のスタック構造を有する磁気トンネル接合装置の面積Ａ１よりも本発明の柱型の磁気トンネル接合装置の面積Ａ３が小さいことが確認できる（Ａ１＞Ａ３）。  
【００４７】
また、図３Ｄに示すように、従来のスタック構造を有する磁気トンネル接合装置において磁気トンネル接合層１０７の面積Ａ２は磁気トンネル接合装置の面積Ａ１と同一であり（Ａ１＝Ａ２）、磁気トンネル接合装置の面積Ａ１が減少することに伴って磁気トンネル接合層１０７の面積Ａ２も減少する。
【００４８】
これに比べて、図３Ｅに示すように、本発明の柱型の磁気トンネル接合装置は、磁気トンネル接合装置の面積Ａ３が減少しても磁気トンネル接合装置の高さＨを増加させることによって、磁気トンネル接合層１１６の面積Ａ４を増加させ得る。その理由は、本発明の磁気トンネル接合装置において、磁気トンネル接合層１１６の面積Ａ４は、円周Ｒおよび高さＨに応じて決定されるためである。ここで、Ａ４はＡ２よりも大きい。
【００４９】
一方、本発明の磁気トンネル接合装置において、磁気トンネル接合層１１６の面積Ａ４を増加させるために円周Ｒを増加させる場合、磁気トンネル接合装置の面積Ａ３が増加され得るため、高さＨを増加させ、磁気トンネル接合層１１６の面積Ａ４を増加させることが好ましい。
【００５０】
このように本発明の柱型の磁気トンネル接合装置は、磁気トンネル接合装置の面積Ａ３を減少させると同時に、磁気トンネル接合層１１６の面積Ａ４を増加させ得る。これによって、磁気トンネル接合層１１６の面積Ａ３、特に強磁性薄膜からなるピンド膜および自由膜の面積減少による磁気トンネル接合装置の臨界電流密度の増加が防止され得る。
【００５１】
前述したように、本発明の磁気トンネル接合装置は、柱型を有することにより磁気トンネル接合装置の集積度を向上させると共に、磁気トンネル接合装置の電気的な特性を向上させ得る。
【００５２】
以下、本発明の柱型の磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルに対して添付された図面を参照して説明する。通常、磁気トンネル接合装置の磁気抵抗比は自由膜の磁化方向に応じて決定される。したがって、自由膜の磁化方向を変化させる駆動原理、例えば、磁場またはスピン伝達トルクに応じて磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルの構造が相異なり得る。後述する本発明の第２実施形態においては、自由膜の磁化方向を変化させるための駆動原理としてスピン伝達トルクを使用するメモリセルを例示した。参考までに、スピン伝達トルクとは、巨大磁気抵抗（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ、ＧＭＲ）の反作用として説明できる。ニュートンの第３法則、すなわち、作用／反作用の法則によれば、すべての作用は大きさが同じで方向が反対の反作用を伴う。このとき、巨大磁気抵抗は、磁化方向によって電流の量が調整できることにより発生する現象であって、これに対する反作用として電流（例えば、スピン電流）により磁化方向の調整が可能になることをスピン伝達トルクという。
【００５３】
図４Ａは、本発明の第２実施形態に係る磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルを示した断面図であり、図４Ｂは、図４Ａに示されたメモリセルの単位セルを示した斜視図である。
【００５４】
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、基板２０１の所定の領域には素子分離膜２０２が配置され、活性領域２０３を定義する。素子分離膜２０２を備える基板２０１上には活性領域２０３および素子分離膜２０２を同時に横切る複数のゲート電極２０４、すなわち、ワードライン（ｗｏｒｄ  ｌｉｎｅ）が配置される。このとき、活性領域２０３の方向を行方向（ｘ軸方向）とするとき、ゲート電極２０４は列方向（ｙ軸方向）に配置される。ゲート電極２０４の間の活性領域２０３の基板２０１には共通ソース領域２０５Ｓが配置され、共通ソース領域２０５Ｓの両側の活性領域２０３の基板２０１にはドレイン領域２０５Ｄが配置される。これによって活性領域２０３とゲート電極２０４とが交差する地点には、スイッチング動作を行うトランジスタＴが形成される。
【００５５】
トランジスタＴが形成された基板２０１の全面には層間絶縁膜２０６で覆われている。層間絶縁膜２０６上にはゲート電極２０４を横切って磁気トンネル接合装置ＭＴＪの第２電極１１７と接続した導電ライン２１０が配置される。導電ライン２１０は、通常、ビットライン（ｂｉｔ  ｌｉｎｅ）とも呼ばれる。
【００５６】
また、層間絶縁膜２０６内には磁気トンネル接合装置ＭＴＪの第１電極１１１とトランジスタＴのドレイン領域２０５Ｄを電気的に接続する垂直配線２０９が配置される。垂直配線２０９は、順に積層された複数のプラグを備えることができる。また、共通ソース領域２０５Ｓ上にはソースライン２０８が順に接続する。
【００５７】
磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、柱型のコンケーブ構造で形成され得る。具体的に、磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、柱型の第２電極１１７と、第２電極１１７の側面および下面を取り囲む磁気トンネル接合層１１６と、磁気トンネル接合層１１６の側面および下面を取り囲む第１電極１１１とを備える。このとき、第２電極１１７は、円柱、三角柱、四角柱、および多角柱で形成されたグループから選択されたいずれか１つの形態であり得、第１電極１１１および磁気トンネル接合層１１６は、シリンダ形態であり得る（図２Ａないし図２Ｃ参照）。また、磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、第２電極１１７と磁気トンネル接合層１１６との間に介在されたキャッピング膜（図示せず）をさらに備えることができる。また、磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、第２電極１１７と磁気トンネル接合層１１６との間に介在されたり、磁気トンネル接合層１１６と第１電極１１１との間に介在された発熱膜（図示せず）をさらに備えることができる。
【００５８】
本発明の第２実施形態に適用された柱型の磁気トンネル接合装置ＭＴＪに対する説明は、図２Ａないし図２Ｄを介して詳しく説明したので、ここではそれに対する詳しい説明は省略する。
【００５９】
ゲート電極２０４、ソースライン２０８、導電ライン２１０、および垂直配線２０９は導電性物質、例えば、ポリシリコン、金属膜、導電性金属窒化膜、導電性金属酸化膜、および金属シリサイド膜で形成されたグループから選択されたいずれか１つ、またはこれらが積層された積層膜で形成され得る。金属膜としては、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、およびアルミニウム（Ａｌ）を使用し得る。導電性金属窒化膜としては、チタニウム窒化膜（ＴｉＮ）またはタンタル窒化膜（ＴａＮ）を使用し得る。導電性金属酸化膜としては、イリジウム酸化膜（ＩｒＯ２）を使用し得る。また、金属シリサイド膜としては、チタニウムシリサイド（ＴｉＳｉ）またはタングステンシリサイド（ＷＳｉ）を使用し得る。
【００６０】
層間絶縁膜２０６は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜、および炭素含有膜で形成されたグループから選択されたいずれか１つ、またはこれらが積層された積層膜で形成され得る。酸化膜としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌｅ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、ＵＳＧ（Ｕｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、高密度プラズマ酸化膜、およびＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を使用し得る。窒化膜としては、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）を使用し得る。酸化窒化膜としては、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）を使用し得る。また、炭素含有膜としては、非晶質炭素膜、カーボンリッチポリマ膜、ＳｉＯＣ、およびＳＯＣを使用し得る。
【００６１】
このように本発明のメモリセルは、高集積化が可能な柱型の磁気トンネル接合装置ＭＴＪを備えることによって、メモリセルの集積度を向上させることができる。これによって、メモリセルの動作速度および保存容量を向上させることができる。
【００６２】
また、本発明の磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、柱型を有することから臨界電流密度を減少させることができ、これによってメモリセルの駆動電流密度を減少させることができる。メモリセルの駆動電流密度が減少することによってメモリセルの消費電力も減少させることができる。また、駆動電流密度を減少させることによって、メモリセルを構成しているトランジスタＴおよび配線（導電ライン、ワードラインなど）の大きさを減少させ得、これによりメモリセルの集積度をさらに向上させることができる。
【００６３】
以下、前述した構造を有する本発明の第２実施形態に係るメモリセルは、磁気トンネル接合装置ＭＴＪを流れる電流のスピン伝達トルクによって自由膜の磁化方向が変化し、自由膜に流れる電流の方向に応じて自由膜の磁化方向が決定される。かかる本発明の第２実施形態に係るメモリセルの駆動方法に対して図５Ａおよび図５Ｂを参照して詳しく説明する。
【００６４】
図５Ａおよび図５Ｂは、本発明の第２実施形態に係るメモリセルの駆動方法を説明するための概略図である。ここでは、説明の便宜のために磁気トンネル接合装置ＭＴＪを階段型で示し、ピンニング膜は図示していない。また、初期状態で自由膜１１５の磁化方向は右側、ピンド膜１１３の磁化方向は左側に固定されたことと仮定した。
【００６５】
まず、図５Ａに示すように、ソースライン２０８が接地された状態でトランジスタＴのゲート電極２０４にワードライン信号、例えば、電圧を印加してトランジスタＴを活性化（ｏｎ）させる。ワードライン信号によってトランジスタＴが活性化した状態で、導電ライン２１０に導電ライン信号、例えば、電圧を印加する。このとき、導電ライン信号の大きさが接地よりも大きい場合、すなわち、導電ライン２１０に正の電圧（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｖｏｌｔａｇｅ）を印加した場合、導電ライン２１０とソースライン２０８との間の電圧差によって磁気トンネル接合装置ＭＴＪに電流が流れるようになる。このとき、発生した電流は、磁気トンネル接合装置ＭＴＪの第２電極１１７から第１電極１１１の方向に流れる。発生した電流の電流密度が磁気トンネル接合装置ＭＴＪの臨界電流密度よりも大きい場合、自由膜１１５の磁化方向が左側または右側に変化する。ここでは、第２電極１１７から第１電極１１１の方向に流れる電流によって自由膜１１５の磁化方向が右側から左側に変化するものと仮定した。
【００６６】
図５Ｂに示すように、ソースライン２０８が接地されてトランジスタＴが活性化した状態で、導電ライン２１０に負の電圧（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｖｏｌｔａｇｅ）を有する導電ライン信号を印加した場合、導電ライン２１０とソースライン２０８との間の電圧差によって磁気トンネル接合装置ＭＴＪに電流が流れることになる。このとき、発生した電流は、磁気トンネル接合装置ＭＴＪの第１電極１１１から第２電極１１７の方向に流れる。発生した電流の電流密度が磁気トンネル接合装置ＭＴＪの臨界電流密度よりも大きい場合、自由膜１１５の磁化方向が左側または右側に変化する。ここでは、第１電極１１１から第２電極１１７の方向に流れる電流によって自由膜１１５の磁化方向が左側から右側に変化するものと仮定した。
【００６７】
ここで、ピンド膜１１３と自由膜１１５との磁化方向が同一の場合（図５Ａ参照）に磁気トンネル接合装置ＭＴＪの磁気抵抗は、ピンド膜１１３と自由膜１１５との磁化方向が互いに異なる場合（図５Ｂ参照）の磁気抵抗よりも小さい。これをセンシングし、論理「０」または論理「１」の判別ができる。論理「０」または「１」を判別（または読み出し）するためには、トランジスタＴが活性化した状態でソースライン２０８と導電ライン２１０との間の電圧差により生成した電流の電流密度が磁気トンネル接合装置ＭＴＪの臨界電流密度よりも小さいことが好ましい。
【００６８】
また、図面には示していないが、ゲート電極２０４にワードライン信号を印加しなかった状態、すなわちトランジスタが不活性化（ｏｆｆ）した状態では、導電ライン２１０に導電ライン信号を印加しても磁気トンネル接合装置ＭＴＪには電流が流れない。したがって、トランジスタＴが不活性化した状態では自由膜１１５の磁化方向を変化させることができない。
【００６９】
以下、本発明の柱型の磁気トンネル接合装置を備えて磁場を利用し、磁気トンネル接合装置の磁気抵抗比を変化させるメモリセルに対して、図６Ａおよび図６Ｂを参照して詳しく説明する。
【００７０】
図６Ａは、本発明の第３実施形態に係る磁気トンネル接合装置を備えるメモリセルを示した断面図であり、図６Ｂは、図６Ａに示されたメモリセルの単位セルを示した斜視図である。
【００７１】
図６Ａおよび図６Ｂに示すように、基板２０１の所定領域には素子分離膜２０２が配置され、活性領域２０３を定義する。素子分離膜２０２を備える基板２０１上には活性領域２０３および素子分離膜２０２を同時に横切る複数のゲート電極２０４、すなわち、ワードラインが配置される。このとき、活性領域２０３の方向を行方向（ｘ軸方向）とするとき、ゲート電極２０４は列方向（ｙ軸方向）に配置される。ゲート電極２０４の間の活性領域２０３および基板２０１には共通ソース領域２０５Ｓが配置され、共通ソース領域２０５Ｓの両側活性領域２０３の基板２０１にはドレイン領域２０５Ｄが配置される。これによって活性領域２０３とゲート電極２０４とが交差する地点には、スイッチング動作を行うトランジスタＴが形成される。
【００７２】
トランジスタＴが形成された基板２０１の全面は層間絶縁膜２０６で覆われている。層間絶縁膜２０６上にはゲート電極２０４を横切って（ｘ軸方向）磁気トンネル接合装置ＭＴＪの第２電極１１７と接続した第２導電ライン２１２が配置される。第２導電ライン２１２は、通常、ビットラインと呼ばれる。
【００７３】
また、層間絶縁膜２０６内には磁気トンネル接合装置ＭＴＪの第１電極１１１の側面および下面の一部を取り囲むが、第１電極１１１と電気的に分離した第１導電ライン２１１が配置される。第１導電ライン２１１は、通常、デジット（ｄｉｇｉｔ  ｌｉｎｅ）と呼ばれ、ゲート電極２０４と並んでいる方向（ｙ軸方向）に配置される。また、層間絶縁膜２０６内には磁気トンネル接合装置ＭＴＪの第１電極１１１とトランジスタＴのドレイン領域２０５Ｄとを電気的に接続する垂直配線２０９が配置される。垂直配線２０９は、順に積層された複数のプラグを含むことができる。また、共通ソース領域２０５Ｓ上にはソースライン２０８が順に接続する。
【００７４】
磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、柱型のコンケーブ構造で形成され得る。具体的に、磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、柱型の第２電極１１７と、第２電極１１７の側面および下面を取り囲む磁気トンネル接合層１１６と、磁気トンネル接合層１１６の側面および下面を取り囲む第１電極１１１とを備える。このとき、第２電極１１７は、円柱、三角柱、四角柱、および多角柱で形成されたグループから選択されたいずれか１つの形態であり得、第１電極１１１および磁気トンネル接合層１１６は、シリンダ形態であり得る（図２Ａないし図２Ｃ参照）。また、磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、第２電極１１７と磁気トンネル接合層１１６との間に介在されたキャッピング膜（図示せず）をさらに備えることができる。また、磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、第２電極１１７と磁気トンネル接合層１１６との間に介在されたり、磁気トンネル接合層１１６と第１電極１１１との間に介在された発熱膜（図示せず）をさらに備えることができる。
【００７５】
本発明の第３実施形態に適用された柱型の磁気トンネル接合装置ＭＴＪに対する説明は、図２Ａないし図２Ｄを介して詳しく説明したので、ここではそれに対する詳しい説明は省略する。
【００７６】
ゲート電極２０４、ソースライン２０８、第１導電ライン２１１および第２導電ライン２１２、垂直配線２０９は導電性物質、例えば、ポリシリコン、金属膜、導電性金属窒化膜、導電性金属酸化膜、および金属シリサイド膜で形成されたグループから選択されたいずれか１つ、またはこれらが積層された積層膜で形成され得る。金属膜としては、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、およびアルミニウム（Ａｌ）を使用し得る。導電性金属窒化膜としては、チタニウム窒化膜（ＴｉＮ）またはタンタル窒化膜（ＴａＮ）を使用し得る。導電性金属酸化膜としては、イリジウム酸化膜（ＩｒＯ２）を使用し得る。また、金属シリサイド膜としては、チタニウムシリサイド（ＴｉＳｉ）またはタングステンシリサイド（ＷＳｉ）を使用し得る。
【００７７】
層間絶縁膜２０６は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜、および炭素含有膜で形成されたグループから選択されたいずれか１つ、またはこれらが積層された積層膜で形成され得る。酸化膜としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌｅ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、ＵＳＧ（Ｕｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、高密度プラズマ酸化膜、およびＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を使用し得る。窒化膜としては、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）を使用し得る。酸化窒化膜としては、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）を使用し得る。また、炭素含有膜としては、非晶質炭素膜、カーボンリッチポリマ膜、ＳｉＯＣ、およびＳＯＣを使用し得る。
【００７８】
このように本発明のメモリセルは、高集積化が可能な柱型の磁気トンネル接合装置ＭＴＪを備えることによって、メモリセルの集積度を向上させることができる。これによって、メモリセルの動作速度および保存容量を向上させることができる。
【００７９】
また、本発明の磁気トンネル接合装置ＭＴＪは、柱型を有することから臨界電流密度を減少させることができ、これによってメモリセルの駆動電流密度を減少させることができる。メモリセルの駆動電流密度が減少することによってメモリセルの消費電力も減少させることができる。また、駆動電流密度を減少させることによって、メモリセルを構成しているトランジスタＴおよび配線（導電ライン、ワードラインなど）の大きさを減少させ得、これによりメモリセルの集積度をさらに向上させることができる。
【００８０】
前述した構造を有する本発明の第３実施形態に係るメモリセルは、第１導電ライン２１１および第２導電ライン２１２に流れる電流によって第１導電ライン２１１および第２導電ライン２１２の周辺に誘導された磁場を利用し、磁気トンネル接合装置ＭＴＪの磁気抵抗比を変化させることができる。例えば、第１導電ライン２１１の電流方向が固定された状態で、第２導電ライン２１２を流れる電流の方向を調整して磁気トンネル接合装置の磁気抵抗比を変化させることができる。具体的に、第２導電ライン２１２を流れる電流によって第２導電ライン２１２の周辺に誘導された磁場の強さが自由膜の飽和磁化率よりも大きければ、自由膜の磁化方向が第２導電ライン２１２を流れる電流の方向と同一の方向に変化され、これを利用して磁気トンネル接合装置ＭＴＪの磁気抵抗比を変化させることができる。以外にも、第１導電ライン２１１および第２導電ライン２１２に周辺に誘導された磁場を利用し、磁気トンネル接合装置ＭＴＪの磁気抵抗比を変化させる方法に対しては数多く公示された技術が存在するため、これ以上の詳しい説明は省略する。
【００８１】
以下、本発明の柱型の磁気トンネル接合装置の製造方法に対する実施形態を添付した図面に基づいて詳細に説明する。以下の工程説明において、半導体装置の製造方法、およびこれに関連した成膜方法に関連した技術内容のうちから知られた技術については説明せず、これは、知られた技術によって本発明の技術的な範囲が制限されないことを意味する。
【００８２】
図７Ａないし図７Ｄは、本発明の第４実施形態に係る磁気トンネル接合装置の製造方法における工程を説明するための断面図である。
【００８３】
図７Ａに示すように、所定の構造物が備えられた基板２１上に所定の間隔Ｓを持って複数の開口部２３を備える絶縁膜２２を形成する。このとき、開口部２３は、後続工程によって磁気トンネル接合装置が形成される領域であって、隣接した磁気トンネル接合装置間の干渉現象の発生を防止することができる間隔Ｓを確保するよう形成することが好ましい。また、磁気トンネル接合装置における側壁の傾斜による干渉現象および電気的な短絡を防止するために、開口部２３の側壁が垂直プロファイルを有するよう形成することが好ましい。
【００８４】
一方、図面には示していないが、開口部２３は、基板２１に形成された所定の構造、物例えば、トランジスタの接合領域と接続した配線の上面を露出させるよう形成することができる（図４Ａ、図４Ｂ、図６Ａ、および図６Ｂ参照）。
【００８５】
絶縁膜２２は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜、および炭素含有膜で形成されたグループから選択されたいずれか１つ、またはこれらが積層された積層膜で形成することができる。酸化膜としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌｅ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、ＵＳＧ（Ｕｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、高密度プラズマ酸化膜、およびＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を使用し得る。窒化膜としては、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）を使用し得る。酸化窒化膜としては、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）を使用し得る。また、炭素含有膜としては、非晶質炭素膜、カーボンリッチポリマ膜、ＳｉＯＣ、およびＳＯＣを使用し得る。その他にも絶縁膜２２は、絶縁特性を有する物質はすべて使用して形成することができる。
【００８６】
その後、開口部２３を備える絶縁膜２２の全面に第１電極用導電膜２４を形成する。第１電極用導電膜２４は導電物質、例えば、金属物質または金属化合物を使用して形成することができる。金属物質としては、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、およびアルミニウム（Ａｌ）を使用することができ、金属化合物としては、チタニウム窒化膜（ＴｉＮ）、タンタル窒化膜（ＴａＮ）、およびタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等を使用し得る。
【００８７】
その後、絶縁膜２２の上面に形成された第１電極用導電膜２４を選択的にエッチングし、開口部２３の底面および側壁に第１電極用導電膜２４を残留させる。このとき、開口部２３の底面および側壁に残留した第１電極用導電膜２４が第１電極２４Ａとして作用する。以下、第１電極２４Ａを形成するためのエッチング工程を「１次エッチング」と略称する。
【００８８】
１次エッチング工程は、エッチバック（ｅｔｃｈｂａｃｋ）または化学的機械的研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）を使用して実施することができる。このとき、１次エッチング工程をエッチバックを使用して実施する場合、開口部２３の底面および側壁に形成された第１電極用導電膜２４が損傷することを防止するために、シャローエッチバック（ｓｈａｌｌｏｗ  ｅｔｃｈｂａｃｋ）を使用して１次エッチング工程を進行することが好ましい。
【００８９】
１次エッチング工程をシャローエッチバックを使用して実施する方法は次の通りである。
【００９０】
まず、シャローエッチバック工程は、化学的乾燥式エッチング法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｄｒｙ  Ｅｔｃｈ；ＣＤＥ）を応用したエッチング方法である。化学的乾燥式エッチング法は、化学的エッチングおよび物理的エッチングを同時に進行することができるエッチング方法である。物理的エッチングは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅなどのような不活性ガスを利用してプラズマを発生させ、そのプラズマ内の正イオンをウエハーで垂直に入射させて純粋に被エッチング層を物理的にエッチングする方法であり、化学的エッチングは、被エッチング層とプラズマ状態で化学的な反応がよく起きるガスを選択してプラズマを発生させ、そのプラズマ内の活性化した中性のラジカル（ｒａｄｉｃａｌ）を利用して純粋に化学的にエッチングする方法である。したがって、化学的エッチングおよび物理的エッチングが同時に進行される化学的乾燥式エッチング法は、プラズマ内の正イオンをウエハーで入射させ、イオンの強力な衝突エネルギーを利用すると同時に、被エッチング層と化学的な反応がよく起きるラジカルを利用することによってエッチング速度を１オーダー（ｏｒｄｅｒ）程度増加されるようシナジー効果を獲得する方法である。このとき、化学的乾燥式エッチング法は、物理的エッチングに比べて化学的エッチングが優勢な場合、垂直方向よりも水平方向へのエッチングが容易に行なわれ、化学的エッチングに比べて物理的エッチングが優勢な場合、水平方向よりも垂直方向へのエッチングが容易に行なわれる。
【００９１】
シャローエッチバック工程は、前述した化学的乾燥式エッチング法のエッチング原理を応用し、プラズマエッチング装置のソースパワー（ｓｏｕｒｃｅ  ｐｏｗｅｒ）、バイアスパワー（ｂｉａｓ  ｐｏｗｅｒ）、圧力、トップ電極（ｔｏｐ  ｅｌｅｃｔｒｏｅｄ）の温度、ボトム電極（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｌｅｃｔｒｏｅｄ）の温度、およびチャンバ内に供給される物理的エッチングガスと化学的エッチングガスの比率からなる工程条件グループから選択されたいずれか１つまたは２つ以上を調整し、絶縁膜２２の上面に形成された第１電極用導電膜２４を選択的にエッチングする方法である。例えば、エッチングガスとして物理的エッチングガスのアルゴンガスを使用する場合、バイアスパワーを印加しないで開口部２３内の圧力を高く形成すれば、１次エッチング工程時に開口部２３の底面および側壁に形成された第１電極用導電膜２４の損傷を防止することができる。これは、プラズマによって形成されたアルゴン正イオンが開口部２３内の圧力によってその加速エネルギーを失うためである。
【００９２】
１次エッチング工程を化学的機械的研磨法を使用して実施する方法は次の通りである。
【００９３】
まず、開口部２３を埋め込んで第１電極用導電膜２４の全面を覆う犠牲膜（図示せず）を形成する。このとき、犠牲膜は、１次エッチングを行なう過程で開口部２３の底面および側壁に形成された第１電極用導電膜２４が損傷することを防止する役割を行なうものであって、炭素含有膜または酸化膜で形成し得る。炭素含有膜としては、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）、非晶質炭素膜、ＳｉＯＣ、およびＳＯＣで形成されたグループから選択されたいずれか１つを使用し得る。酸化膜としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌｅ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、ＵＳＧ（Ｕｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、高密度プラズマ酸化膜、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、およびＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）で形成されたグループから選択されたいずれか１つを使用し得る。
【００９４】
その後、絶縁膜２２の上面が露出するまで化学的機械的研磨を進行し、開口部２３の底面および側壁に第１電極用導電膜２４を残留させる。
【００９５】
その後、犠牲膜を除去する。ここで、犠牲膜を炭素含有膜で形成した場合には、酸素プラズマ処理（Ｏ２  ｐｌａｓｍａ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を使用して犠牲膜を除去することができる。犠牲膜を酸化膜で形成した場合は湿式エッチング法、例えば、ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｅｃｈａｎｔ）溶液またはハフニウム（ＨＦ）溶液を使用して除去することができる。このとき、犠牲膜を除去する過程において、１次エッチング工程時に発生したエッチング副産物を除去するための洗浄工程を同時に進行することもできる。
【００９６】
前述した工程過程によって開口部２３内に埋め込まれたシリンダ形態の第１電極２４Ａを形成することができる。このとき、磁気トンネル接合装置の製造工程を単純化させるために、１次エッチング工程はエッチバックを使用して実施することが好ましい。
【００９７】
図７Ｂに示すように、第１電極２４Ａを備える絶縁膜２２の全面に第１磁性膜２７を形成する。第１磁性膜２７は、ピンニング膜２５およびピンド膜２６が順次積層された構造を有し得る。
【００９８】
ピンニング膜２５は、ピンド膜２６の磁化方向を固定させる役割を行なうものとして、反強磁性を有する物質を使用して形成することができる。例えば、反強磁性を有する物質としては、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＭｎＯ、ＭｎＳ、ＭｎＴｅ、ＭｎＦ２、ＦｅＦ２、ＦｅＣｌ２、ＦｅＯ、ＣｏＣｌ２、ＣｏＯ、ＮｉＣｌ２、およびＮｉＯなどを使用し得る。ピンニング膜２５は、前述した反強磁性物質のうちのいずれか１つからなる単一膜で形成したり、またはこれらが積層された積層膜で形成することができる。
【００９９】
ピンニング膜２５によって磁化方向が固定されたピンド膜２６は、強磁性を有する物質を使用して形成することができる。例えば、強磁性を有する物質としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ、Ｄｙ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＭｎＡｓ、ＭｎＢｉ、ＭｎＳｂ、ＣｒＯ２、ＭｎＯＦｅ２Ｏ３、ＦｅＯＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯＦｅ２Ｏ３、ＣｕＯＦｅ２Ｏ３、ＭｇＯＦｅ２Ｏ３、ＥｕＯ、およびＹ３Ｆｅ５Ｏ１２などを使用し得る。このとき、ピンド膜２６は、前述した強磁性物質のうちのいずれか１つからなる単一膜で形成したり、これらが積層された積層膜で形成することができる。また、ピンド膜２６は、前述した強磁性物質のうちのいずれか１つとルテニウム膜（Ｒｕ）が積層された積層膜で形成することができる（例えば、ＣｄＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅ）。また、ピンド膜２６は、強磁性膜、反強磁性カップリング  スペーサ膜、および強磁性膜が順次積層された合成反強磁性膜で形成することもできる。
【０１００】
その後、絶縁膜２２の上面に形成された第１磁性膜２７を選択的にエッチングし、開口部２３の底面および側壁の上部に第１磁性膜２７を残留させる。以下、第１磁性膜２７をパターニングするためのエッチング工程を「２次エッチング」と略称する。また、パターニングされた第１磁性膜２７の図面符号を「２７Ａ」、ピンニング膜２５の図面符号を「２５Ａ」、ピンド膜２６の図面符号を「２６Ａ」に変更して表記する。
【０１０１】
２次エッチング工程は１次エッチング工程と同一の方法、すなわち、エッチバックまたは化学的機械的研磨法を使用して実施することができる。２次エッチング工程をエッチバックを使用して実施する場合、開口部２３内に形成された第１磁性膜２７の損傷を防止するためにシャローエッチバックを使用して実施することが好ましい。
【０１０２】
２次エッチング工程を化学的機械的研磨法を使用して実施する場合、開口部２３内を犠牲膜（図示せず）で埋め込んだ後、絶縁膜２２の上面が露出するまで化学的機械的研磨を進行し、パターニング第１磁性膜２７Ａを形成することができる。
【０１０３】
前述した工程過程によって第１電極２４Ａ上に第１磁性膜２７Ａを形成することができる。このとき、磁気トンネル接合装置の製造工程を単純化させるために、２次エッチング工程はエッチバックを使用して実施することが好ましい。
【０１０４】
図７Ｃに示すように、第１磁性膜２７Ａを備える絶縁膜２２の全面にトンネル絶縁膜２８および第２磁性膜を形成する。ここで、第２磁性膜は自由膜２９を意味する。トンネル絶縁膜２８および自由膜２９は、開口部２３内を完全に埋め込まないように形成することが好ましい。
【０１０５】
トンネル絶縁膜２８は、ピンド膜２６Ａと自由膜２９との間のトンネル障壁として作用しつつ、絶縁特性を有する物質はすべて使用し得る。例えば、トンネル絶縁膜２８は、マグネシウム酸化膜（ＭｇＯ）で形成することができる。
【０１０６】
自由膜２９は外部刺激、例えば、磁場またはスピン伝達トルクによって磁化方向が変化しつつ、強磁性を有する物質を使用して形成することができる。また、自由膜２９は、強磁性膜、反強磁性カップリングスペーサ膜、および強磁性膜が順次積層された合成反強磁性膜で形成することもできる。
【０１０７】
その後、絶縁膜２２の上面に形成された自由膜２９およびトンネル絶縁膜２８を選択的にエッチングし、開口部２３の底面および側壁上部にトンネル絶縁膜２８および自由膜２９を残留させる。以下、トンネル絶縁膜２８および自由膜２９をパターニングするためのエッチング工程を「３次エッチング」と略称する。また、パターニングされたトンネル絶縁膜２８の図面符号を「２８Ａ」、自由膜２９の図面符号を「２９Ａ」に変更して表記する。３次エッチング工程は１次エッチング工程と同一の方法、すなわち、エッチバックまたは化学的機械的研磨法を使用して実施することができる。
【０１０８】
３次エッチング工程をエッチバックを使用して実施する場合、開口部２３内に形成された自由膜２９が損傷することを防止するためにシャローエッチバックを使用して実施することが好ましい。３次エッチング工程を化学的機械的研磨法を使用して実施する場合、開口部２３内を犠牲膜（図示せず）で埋め込んだ後、絶縁膜２２の上面が露出するまで化学的機械的研磨を進行し、パターニングされた自由膜２９Ａおよびトンネル絶縁膜２８Ａを形成することができる。
【０１０９】
前述した工程過程によって第１磁性膜２７Ａ上にトンネル絶縁膜２８Ａおよび自由膜２９Ａを形成することができる。３次エッチング工程時、第１電極２４Ａ、ピンニング膜２５Ａ、ピンド膜２６Ａ、およびトンネル絶縁膜２８Ａの一部が露出すると共に、自由膜２９Ａの表面が露出することから、乾燥式エッチングによる自由膜２９Ａの損傷およびエッチング工程時に発生した導電性エッチングの副産物によって磁気トンネル接合装置の電気的な特性が劣化することを防止するため、化学的機械全然魔法を使用して３次エッチングを進行することが好ましい。
【０１１０】
これにより、開口部２３内で一定の厚さを有し、ピンニング膜２５Ａ、ピンド膜２６Ａ、トンネル絶縁膜２８Ａ、および自由膜２９Ａが順次積層されたシリンダ形態の磁気トンネル接合層３０を形成することができる。
【０１１１】
前述においては、第１磁性膜２７が形成され、パターニングされた第１磁性膜２７Ａを形成するために前記第１磁性膜２７がエッチングされ、トンネル絶縁膜２８および自由膜２９が順次に前記パターニングされた第１磁性膜２７Ａ上に形成され、パターニングされたトンネル絶縁膜２８Ａおよび自由膜２９Ａを形成するために前記トンネル絶縁膜２８および前記自由膜２９がエッチングされる２−ステップエッチング工程を使用するものとして説明した。しかし、前記第１磁性膜２７、前記トンネル絶縁膜２８、および前記自由膜２９が順次に第１電極２４Ａ上に形成され、１−ステップのエッチング工程によって前記第１磁性膜２７、前記トンネル絶縁膜２８、および前記自由膜２９がエッチングされ、各々パターニングされた第１磁性膜２７、パターニングされたトンネル絶縁膜２８、およびパターニングされた自由膜２９を形成することもできる。
【０１１２】
図７Ｄに示すように、開口部２３内の空いた空間を埋め込むよう第２電極３２を形成する。このとき、第２電極３２は、開口部２３内の空いた空間のみを埋め込むように形成したり、または隣接した開口部２３内に形成された磁気トンネル接合層３０の間を接続するために、開口部２３内の空いた空間を埋め込むと同時に絶縁膜２２の上面を覆うよう形成することもできる。
【０１１３】
第２電極３２は、第１電極２４Ａと同一物質で形成することができる。第２電極３２は導電物質、例えば、金属物質または金属化合物を使用して形成することができる。金属物質としては、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、およびアルミニウム（Ａｌ）を使用することができ、金属化合物としては、チタニウム窒化膜（ＴｉＮ）、タンタル窒化膜（ＴａＮ）、およびタングステンシリサイド（ＷＳｉ）などを使用し得る。
【０１１４】
前述した工程過程によって本発明の柱型のコンケーブ構造を有する磁気トンネル接合装置を完成することができる。
【０１１５】
かかる本発明は、所定の間隔を有する開口部２３内に磁気トンネル接合装置を形成することによって、隣接した磁気トンネル接合装置間の間隔を確保することができる。これによって、隣接した磁気トンネル接合装置間の干渉現象および電気的な短絡を防止することができる。
【０１１６】
また、本発明は、磁気トンネル接合層３０を構成する各薄膜を複数回の蒸着およびエッチング工程によって形成することにより、導電性エッチングの副産物に起因した磁気トンネル接合装置の特性劣化を防止することができる。
【０１１７】
本発明の技術思想は、前記好ましい実施形態により具体的に記述されたが、前記実施形態はその説明のためのものであり、その制限のためのものではないことを注意しなければならない。また、本発明の技術分野の通常の専門家ならば、本発明の技術思想の範囲内の多様な実施形態が可能であることを理解すべきであろう。
【０１１８】
以上では本発明を実施するための形態について説明したが、当該実施の形態には特許請求の範囲に記載した発明の態様のみならず他の発明の態様を有している。この発明の態様を以下に列挙する。
〔態様１〕所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜と、
前記開口部の底面および側壁に形成される第１電極と、
前記第１電極上に形成される磁気トンネル接合層と、
前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極と、
を有することを特徴とする磁気トンネル接合装置。
〔態様２〕前記第１電極および前記磁気トンネル接合層は、シリンダ形態を有することを特徴とする態様１に記載の磁気トンネル接合装置。
〔態様３〕請求項１から１１のいずれか一項に記載の磁気トンネル接合装置の製造方法によって製造された磁気トンネル接合装置を有するメモリセル。
【符号の説明】
【０１１９】
１１１      第１電極
１１２、２５、２５Ａ      ピンニング膜
１１３、２６、２６Ａ      ピンド膜
１１４、２７、２７Ａ      トンネル絶縁膜
１１５、２９、２９Ａ      自由膜
１１６、３０      磁気トンネル接合層
１１７      第２電極
【図１】
2010016384.tif 000003
【図２Ａ】
2010016384.tif 000004
【図２Ｂ】
2010016384.tif 000005
【図２Ｃ】
2010016384.tif 000006
【図２Ｄ】
2010016384.tif 000007
【図３Ａ】
2010016384.tif 000008
【図３Ｂ】
2010016384.tif 000009
【図３Ｃ】
2010016384.tif 000010
【図３Ｄ】
2010016384.tif 000011
【図３Ｅ】
2010016384.tif 000012
【図４Ａ】
2010016384.tif 000013
【図４Ｂ】
2010016384.tif 000014
【図５Ａ】
2010016384.tif 000015
【図５Ｂ】
2010016384.tif 000016
【図６Ａ】
2010016384.tif 000017
【図６Ｂ】
2010016384.tif 000018
【図７Ａ】
2010016384.tif 000019
【図７Ｂ】
2010016384.tif 000020
【図７Ｃ】
2010016384.tif 000021
【図７Ｄ】
2010016384.tif 000022