(57)【要約】【課題】従来の液晶装置では、制御にかかる処理の負担を軽減することが困難である。【解決手段】液晶装置８５は、１フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される液晶と、前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報ＴＭＰに基づいて変化させる電圧制御回路１６４と、を有する。【選択図】図５
2010266780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される液晶と、
前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる電圧制御回路と、を有する、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記温度を検出し、検出した結果を前記温度情報として前記電圧制御回路に出力する温度検出部を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記駆動電圧は、前記液晶を前記オン状態にするための前記駆動電圧であるオン電圧と、前記液晶を前記オフ状態にするための前記駆動電圧であるオフ電圧とを含み、
前記電圧制御回路は、前記温度情報に基づいて、前記オン電圧を変化させる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記電圧制御回路は、前記温度の低下に応じて前記オン電圧の絶対値が大きくなる方向に前記オン電圧を変化させる、ことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記駆動電圧が印加される第１電極及び第２電極を有し、
前記液晶は、複数の画素の前記画素ごとに前記オン状態及び前記オフ状態が制御され、
前記第１電極は、前記画素ごとに個別に設けられており、
前記第２電極は、複数の前記画素間にまたがって設けられており、且つ前記複数の画素間で共通の電位に保たれ、
前記第１電極には、前記サブフィールド期間ごとに、前記液晶を前記オン状態又は前記オフ状態にすることを指示する画像信号が供給され、
前記電圧制御回路は、前記画像信号の電位を変化させることによって、前記駆動電圧を変化させる、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに液晶をオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御する液晶装置の駆動方法であって、
前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置の駆動方法の１つとして、デジタル駆動方式がある。デジタル駆動方式の１つに、サブフィールド駆動がある。サブフィールド駆動では、１フィールド（１フレーム）期間が、複数のサブフィールド期間に分割される。つまり、１フィールドが、複数のサブフィールドに分割される。液晶のオン状態及びオフ状態は、サブフィールドごとに制御される。これにより、液晶装置での階調表示が実現され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１００１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１には、使用環境における温度に基づいてサブフィールド期間の長さを変化させることが記載されている。これにより、温度による階調の差異を軽減することができる。
ところで、上記特許文献１によれば、１フィールドの長さと、１フィールドにおけるサブフィールドの数とは、それぞれ、温度によらず等しい。そして、ある温度において、１フィールド内の一部のサブフィールドを長くした場合、このフィールド内の他のサブフィールドは短く設定される。
これにより、１フィールドにおけるサブフィールドの数を変化させずに、１フィールドの長さを温度によらず一定に保つことができる。
【０００５】
しかしながら、上述したように、１フィールド内の一部のサブフィールドを長くすれば、このフィールド内の他のサブフィールドを短くする必要がある。サブフィールド期間を短くすると、このサブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を速めなければならなくなることがある。種々の処理としては、例えば、液晶のオン状態及びオフ状態の制御にかかる処理などが挙げられる。
サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を速めると、これらの処理を実施するための回路に対する負担が重くなりやすい。
つまり、従来の液晶装置では、制御にかかる処理の負担を軽減することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００７】
［適用例１］１フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される液晶と、前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる電圧制御回路と、を有する、ことを特徴とする液晶装置。
【０００８】
この適用例の液晶装置は、液晶と、電圧制御回路と、を有している。この液晶装置では、１フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割される。液晶は、サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される。電圧制御回路は、液晶のオン状態及びオフ状態を制御するための駆動電圧を温度情報に基づいて変化させる。温度情報は、使用環境における温度を示す情報である。
一般的に、液晶の反応速度は、温度特性を有する。一般的な温度特性としては、温度が低下すると反応速度が遅くなり、温度が上昇すると反応速度が速くなる傾向がある。一般的な液晶装置では、使用環境における温度が変化すると、液晶の反応速度が変化しやすいため、光の透過率が変化しやすい。この結果、一般的な液晶装置では、温度による階調の差異が発生しやすい。
これに対し、適用例における液晶装置では、電圧制御回路が温度情報に基づいて駆動電圧を変化させるので、温度による液晶の反応速度の変化を軽減することができる。これにより、適用例における液晶装置では、温度による階調の差異を軽減することができる。
また、適用例における液晶装置では、サブフィールド期間を変化させる必要がないので、サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間を変化させる液晶装置に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
【０００９】
［適用例２］上記の液晶装置であって、前記温度を検出し、検出した結果を前記温度情報として前記電圧制御回路に出力する温度検出部を有する、ことを特徴とする液晶装置。
【００１０】
この適用例の液晶装置は、温度検出部を有している。温度検出部は、使用環境における温度を検出し、検出した結果を温度情報として電圧制御回路に出力する。これにより、使用環境における温度を検出することができる。
【００１１】
［適用例３］上記の液晶装置であって、前記駆動電圧は、前記液晶を前記オン状態にするための前記駆動電圧であるオン電圧と、前記液晶を前記オフ状態にするための前記駆動電圧であるオフ電圧とを含み、前記電圧制御回路は、前記温度情報に基づいて、前記オン電圧を変化させる、ことを特徴とする液晶装置。
【００１２】
この適用例では、駆動電圧は、オン電圧と、オフ電圧とを含んでいる。オン電圧は、液晶をオン状態にするための駆動電圧である。オフ電圧は、液晶をオフ状態にするための駆動電圧である。そして、電圧制御回路は、温度情報に基づいて、オン電圧を変化させる。これにより、液晶をオン状態にするときの反応速度において、温度による反応速度の変化を軽減することができる。
【００１３】
［適用例４］上記の液晶装置であって、前記電圧制御回路は、前記温度の低下に応じて前記オン電圧の絶対値が大きくなる方向に前記オン電圧を変化させる、ことを特徴とする液晶装置。
【００１４】
この適用例では、電圧制御回路は、温度の低下に応じてオン電圧の絶対値が大きくなる方向にオン電圧を変化させる。これにより、温度の低下によって液晶の反応速度が遅くなることを軽減することができる。
【００１５】
［適用例５］上記の液晶装置であって、前記駆動電圧が印加される第１電極及び第２電極を有し、前記液晶は、複数の画素の前記画素ごとに前記オン状態及び前記オフ状態が制御され、前記第１電極は、前記画素ごとに個別に設けられており、前記第２電極は、複数の前記画素間にまたがって設けられており、且つ前記複数の画素間で共通の電位に保たれ、前記第１電極には、前記サブフィールド期間ごとに、前記液晶を前記オン状態又は前記オフ状態にすることを指示する画像信号が供給され、前記電圧制御回路は、前記画像信号の電位を変化させることによって、前記駆動電圧を変化させる、ことを特徴とする液晶装置。
【００１６】
この適用例の液晶装置は、第１電極及び第２電極を有している。駆動電圧は、第１電極及び第２電極の間に印加される。この液晶装置では、液晶は、複数の画素の画素ごとにオン状態及びオフ状態が制御される。第１電極は、画素ごとに個別に設けられている。第２電極は、複数の画素間にまたがって設けられている。第２電極は、複数の画素間で共通の電位に保たれる。第１電極には、サブフィールド期間ごとに、液晶をオン状態又はオフ状態にすることを指示する画像信号が供給される。電圧制御回路は、画像信号の電位を変化させることによって、駆動電圧を変化させる。
上記の構成により、画像信号の電位を変化させることによって、駆動電圧を変化させることができる。
【００１７】
［適用例６］１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに液晶をオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御する液晶装置の駆動方法であって、前記液晶の前記オン状態及び前記オフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００１８】
この適用例の液晶装置の駆動方法は、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶をオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御する液晶装置の駆動方法である。この液晶装置の駆動方法では、液晶のオン状態及びオフ状態を制御するための駆動電圧を、使用環境における温度を示す情報である温度情報に基づいて変化させる。
【００１９】
［適用例７］上記の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【００２０】
この適用例の電子機器は、液晶装置を有している。この液晶装置は、液晶と、電圧制御回路と、を有している。この液晶装置では、１フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割される。液晶は、サブフィールド期間ごとにオン状態及びオフ状態のいずれか一方の状態に制御される。電圧制御回路は、液晶のオン状態及びオフ状態を制御するための駆動電圧を温度情報に基づいて変化させる。温度情報は、使用環境における温度を示す情報である。
一般的に、液晶の反応速度は、温度特性を有する。一般的な温度特性としては、温度が低下すると反応速度が遅くなり、温度が上昇すると反応速度が速くなる傾向がある。一般的な液晶装置では、使用環境における温度が変化すると、液晶の反応速度が変化しやすいため、光の透過率が変化しやすい。この結果、一般的な液晶装置では、温度による階調の差異が発生しやすい。
これに対し、適用例における電子機器が有する液晶装置では、電圧制御回路が温度情報に基づいて駆動電圧を変化させるので、温度による液晶の反応速度の変化を軽減することができる。これにより、この液晶装置では、温度による階調の差異を軽減することができる。
また、この液晶装置では、サブフィールド期間を変化させる必要がないので、サブフィールド期間内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間を変化させる液晶装置に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
そして、適用例の電子機器は、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる液晶装置を有している。このため、この電子機器では、液晶装置において、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態におけるプロジェクターの主要構成を示すブロック図。
【図２】本実施形態におけるプロジェクターの画像形成部の主要構成を示す図。
【図３】本実施形態におけるプロジェクターの画像形成パネルを示す斜視図。
【図４】図３中のＡ−Ａ線における断面図。
【図５】本実施形態での液晶パネル駆動回路と液晶パネルとを示すブロック図。
【図６】本実施形態での画像形成パネルにおける複数の画素の一部を示す平面図。
【図７】本実施形態での液晶パネルの図６中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図８】図７中のＴＦＴ素子の拡大図。
【図９】本実施形態での半導体層、信号線及び走査線の配置を説明する平面図。
【図１０】本実施形態での画素電極の配置を説明する平面図。
【図１１】本実施形態での画像形成パネルにおける偏光状態を説明する図。
【図１２】本実施形態でのサブフィールド期間を説明するタイミングチャート。
【図１３】本実施形態での走査線駆動回路を説明するブロック図。
【図１４】本実施形態での選択信号を説明するタイミングチャート。
【図１５】本実施形態での信号線駆動回路を説明するブロック図。
【図１６】本実施形態でのラッチ信号を説明するタイミングチャート。
【図１７】本実施形態における画像形成パネルでの透過率の変化例を説明する図。
【図１８】本実施形態における画像形成パネルでの透過率の変化例を説明する図。
【図１９】本実施形態における液晶装置を適用した電子機器の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
実施形態について、電子機器の１つであるプロジェクターを例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態におけるプロジェクター１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクター１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーン８などに投射することができる。
【００２３】
光学系３は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン８などに投射する。制御回路５は、画像信号に基づいて光学系３の駆動を制御する。
なお、プロジェクター１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。
【００２４】
光学系３は、ランプ１１と、画像形成部１３と、投射レンズ部１５と、を有している。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーン８に向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
【００２５】
画像形成部１３は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部１３は、制御回路５から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部１３には、ランプ１１からの光が照射される。このため、画像形成部１３に形成された画像は、ランプ１１からの光によって投射レンズ部１５に投影される。
【００２６】
投射レンズ部１５には、ランプ１１からの光が画像形成部１３を経て入射される。投射レンズ部１５は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光１７として射出する。このため、画像形成部１３に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン８に投射され得る。
【００２７】
制御回路５は、制御部２１と、液晶パネル駆動回路２５と、を有している。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピューターで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリー部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリー部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクター１の動作を総轄的に制御する。メモリー部２９は、フラッシュメモリー等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
【００２８】
制御部２１には、図示しないホスト機器から画像信号が入力される。画像信号は、制御部２１を経てから液晶パネル駆動回路２５に入力される。液晶パネル駆動回路２５は、入力された画像信号に応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。
ここで、画像形成部１３の構成について、詳細を説明する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成パネル３３と、クロスダイクロイックプリズム３５と、を有している。
分光部３１には、ランプ１１からの光４１が入射される。分光部３１は、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。
【００２９】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光４１Ｒは、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光４１Ｇは、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光４１Ｂは、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３０】
分光部３１は、ダイクロイックミラー４３と、ダイクロイックミラー４５と、反射ミラー４７と、反射ミラー４８と、反射ミラー４９と、を有している。光４１は、光軸５１ａに沿って分光部３１に入射する。
ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４３は、光４１のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂを反射させることができる。
【００３１】
従って、ダイクロイックミラー４３によって、光４１からＲの光４１Ｒが分離され得る。他方で、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂが混合した光５３が、ダイクロイックミラー４３によって、光４１から分離され得る。
ダイクロイックミラー４３を透過した光４１Ｒは、光軸５１ａに沿って反射ミラー４７へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４３によって反射された光５３は、光軸５１ａが光軸５１ｂに変えられてから、ダイクロイックミラー４５へ導かれる。
【００３２】
ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４５は、光５３のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー４５によって、光５３からＧの光４１ＧとＢの光４１Ｂとが分離され得る。
ダイクロイックミラー４５を透過した光４１Ｂは、光軸５１ｂに沿って反射ミラー４８へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４５によって反射された光４１Ｇは、光軸５１ｂが光軸５１ｃに変えられる。
【００３３】
反射ミラー４７は、光４１Ｒの光軸５１ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。光４１Ｒは、反射ミラー４７で反射することによって、光軸５１ａが光軸５１ｄに変えられる。
反射ミラー４８は、光４１Ｂの光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４８は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４８によって光軸５１ｂが光軸５１ｅに変えられてから、反射ミラー４９に導かれる。
反射ミラー４９は、光４１Ｂの光軸５１ｅと交差する位置に設けられている。反射ミラー４９は、光軸５１ｅの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４９で反射することによって、光軸５１ｅが光軸５１ｆに変えられる。
【００３４】
クロスダイクロイックプリズム３５は、光軸５１ｃ、光軸５１ｄ及び光軸５１ｆの交点に重なる位置に設けられている。クロスダイクロイックプリズム３５は、面３５ａと、面３５ｂと、面３５ｃと、面３５ｄと、を有している。
面３５ａは、反射ミラー４７側に向けられている。面３５ｂは、ダイクロイックミラー４５側に向けられている。面３５ｃは、反射ミラー４９側に向けられている。
【００３５】
画像形成パネル３３は、光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂごとに設けられている。つまり、プロジェクター１は、光４１Ｒに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｇに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｂに対応する画像形成パネル３３と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル３３を光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂごとに識別する場合には、画像形成パネル３３は、画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂと表記される。
画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂは、相互に同じ仕様の画像形成パネル３３が採用され得る。
【００３６】
画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａと反射ミラー４７との間において、光軸５１ｄに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａに対向している。
画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂとダイクロイックミラー４５との間において、光軸５１ｃに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂに対向している。
画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃと反射ミラー４９との間において、光軸５１ｆに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃに対向している。
【００３７】
ここで、画像形成パネル３３は、透過型の液晶パネルをライトバルブとして有している。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル３３では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル３３を透過した光で画像を形成することができる。
【００３８】
画像形成パネル３３を透過した光は、クロスダイクロイックプリズム３５に導かれる。
画像形成パネル３３Ｒを透過した光４１Ｒは、面３５ａからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｇを透過した光４１Ｇは、面３５ｂからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｂを透過した光４１Ｂは、面３５ｃからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
このため、面３５ａには、Ｒの画像が投影され、面３５ｂには、Ｇの画像が投影され、面３５ｃには、Ｂの画像が投影され得る。
【００３９】
クロスダイクロイックプリズム３５に入射した光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂは、クロスダイクロイックプリズム３５によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム３５によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム３５によって合成された光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂは、画像光５５としてクロスダイクロイックプリズム３５の面３５ｄから射出される。
【００４０】
面３５ｄから射出された画像光５５は、投射レンズ部１５へ導かれてから、投射レンズ部１５に入射する。投射レンズ部１５に入射した画像光５５は、投射光１７（図１）としてスクリーン８などに投射される。
【００４１】
ここで、画像形成パネル３３の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル３３は、図３に示すように、液晶パネル６１と、位相差板６２と、位相差板６３と、偏光板６４ａと、偏光板６４ｂと、を有している。
ここで、画像形成パネル３３には、複数の画素６５が設定されている。複数の画素６５は、領域６７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。
図３では、構成をわかりやすく示すため、画素６５が誇張され、且つ画素６５の個数が減じられている。
なお、Ｘ方向は、後述する走査線が延在する方向である。Ｙ方向は、後述する信号線が延在する方向である。本実施形態では、Ｘ方向及びＹ方向は、互いに直交している。
【００４２】
プロジェクター１では、画像形成パネル３３は、偏光板６４ｂ側の面６９が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム３５側に向けられている。画像形成パネル３３では、面６９側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６９は、表示面６９と表記される。
領域６７は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６７は、表示領域６７と表記される。
【００４３】
液晶パネル６１は、図３中のＡ−Ａ線における断面図である図４に示すように、素子基板７１と、対向基板７３と、液晶７５と、シール材７７と、を有している。
素子基板７１には、表示面６９側すなわち液晶７５側に、複数の画素６５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６９側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル３３における表示面６９とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。
【００４４】
液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３の間に挟持されており、液晶パネル６１の周縁よりも内側で表示領域６７を囲むシール材７７によって、素子基板７１及び対向基板７３の間に封止されている。本実施形態では、液晶７５の駆動方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の駆動方式が採用されている。
【００４５】
位相差板６２は、素子基板７１よりも底面７９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル３３では、位相差板６２及び位相差板６３は、それぞれ、入射された光に対して１／４波長の位相差を付与する。
【００４６】
偏光板６４ａは、素子基板７１の底面７９側に設けられている。偏光板６４ｂは、位相差板６３の表示面６９側に設けられている。偏光板６４ａ及び偏光板６４ｂは、それぞれ、透過軸に沿った偏光軸を有する直線偏光を透過させることができる。
また、液晶パネル６１は、液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とを示すブロック図である図５に示すように、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、温度検出部８４と、をも有している。液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とは、それぞれ、液晶装置８５の構成要素の１つである。
【００４７】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、図６に示すように、１つの画素列８７を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、１つの画素行８８を構成している。
【００４８】
ここで、液晶パネル６１の素子基板７１及び対向基板７３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板７１は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図７に示すように、第１基板９１と、素子層９２とを有している。
第１基板９１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた第１面９３ａと、底面７９側に向けられた第２面９３ｂとを有している。
【００４９】
素子層９２は、第１基板９１の第１面９３ａに設けられている。素子層９２には、絶縁膜９５と、絶縁膜９７と、絶縁膜９９と、配向膜１０１とが含まれている。また、素子層９２には、図５に示すように、画素６５ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１０３と、画素電極１０５と、容量素子１０７と、が含まれている。
【００５０】
絶縁膜９５は、図７に示すように、第１基板９１の第１面９３ａに設けられている。絶縁膜９７は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。絶縁膜９９は、絶縁膜９７の表示面６９側に設けられている。画素電極１０５は、絶縁膜９９の表示面６９側に設けられている。配向膜１０１は、画素電極１０５の表示面６９側に設けられている。
なお、絶縁膜９５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９５の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５１】
ＴＦＴ素子１０３と、画素電極１０５とは、それぞれ、各画素６５に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子１０３は、拡大図である図８に示すように、半導体層１０９と、ゲート電極１１１と、を有している。半導体層１０９は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。半導体層１０９は、ゲート絶縁膜１１３によって表示面６９側から覆われている。
【００５２】
半導体層１０９としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層１０９として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１１３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１１３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５３】
ゲート電極１１１は、ゲート絶縁膜１１３を挟んで半導体層１０９に対向する位置に設けられている。
ゲート電極１１１の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１１１の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１１１として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
【００５４】
本実施形態では、半導体層１０９は、チャネル領域１０９ａと、ソース領域１０９ｂと、ドレイン領域１０９ｃと、を有している。
チャネル領域１０９ａは、平面視でゲート電極１１１に重なっている。ソース領域１０９ｂ及びドレイン領域１０９ｃは、それぞれ、平面視でチャネル領域１０９ａの外側に設けられている。チャネル領域１０９ａは、ソース領域１０９ｂとドレイン領域１０９ｃとの間に設けられている。
なお、半導体層１０９としては、チャネル領域１０９ａとソース領域１０９ｂとの間や、チャネル領域１０９ａとドレイン領域１０９ｃとの間に、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けた構成も採用され得る。
【００５５】
上記の構成を有するＴＦＴ素子１０３は、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９７の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜９７及びゲート絶縁膜１１３には、コンタクトホール１１５ａと、コンタクトホール１１５ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１１５ａは、ソース領域１０９ｂに及んでいる。コンタクトホール１１５ｂは、ドレイン領域１０９ｃに及んでいる。コンタクトホール１１５ａ内には、ソース電極１１７が設けられている。コンタクトホール１１５ｂ内には、ドレイン電極１１９が設けられている。
【００５６】
絶縁膜９７の表示面６９側には、図７に示すように、信号線Ｓが設けられている。信号線Ｓは、平面視でソース電極１１７に重なる位置に設けられている。信号線Ｓとソース電極１１７とは、互いに電気的につながっている。信号線Ｓは、ソース電極１１７を介して半導体層１０９のソース領域１０９ｂ（図８）に電気的につながっている。信号線Ｓは、図７に示すように、絶縁膜９９によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９９の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５７】
ここで、図８に示すコンタクトホール１１５ｂは、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。ドレイン電極１１９は、図７に示すように、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。画素電極１０５とドレイン電極１１９とは、互いに電気的につながっている。画素電極１０５は、ドレイン電極１１９を介して半導体層１０９のドレイン領域１０９ｃ（図８）に電気的につながっている。
画素電極１０５としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極１０５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
【００５８】
画素電極１０５は、図７に示すように、配向膜１０１によって表示面６９側から覆われている。
配向膜１０１の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１０１の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜１０１には、表示面６９側に配向処理が施されている。
【００５９】
対向基板７３は、第２基板１２１と、対向層１２２とを有している。第２基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた外向面１２１ａと、底面７９側に向けられた対向面１２１ｂとを有している。
対向層１２２は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。対向層１２２には、絶縁膜１２３と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
絶縁膜１２３は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００６０】
対向電極１２５は、絶縁膜１２３の底面７９側に設けられている。対向電極１２５の材料としては、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極１２５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
対向電極１２５は、マトリクスＭを構成する複数の画素６５（図３）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１２５は、マトリクスＭを構成する複数の画素６５に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素６５の領域は、図７に示すように、１つの画素電極１０５と、対向電極１２５とが重なり合う領域であると定義され得る。
【００６１】
配向膜１２７は、対向電極１２５の底面７９側に設けられている。対向電極１２５は、配向膜１２７によって底面７９側から覆われている。配向膜１２７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１２７の材料として、ポリイミドが採用されている。配向膜１２７には、底面７９側に配向処理が施されている。
【００６２】
ここで、Ｙ方向に並ぶ複数のソース電極１１７は、図９に示すように、信号線Ｓを介して、画素列８７（図５）単位で相互に電気的につながっている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１１１は、図９に示すように、走査線Ｔを介して、画素行８８（図５）単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合う信号線Ｓ同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Ｔは、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合う走査線Ｔ同士の間には、隙間が設けられている。
【００６３】
本実施形態では、Ｘ方向に沿って延在する容量線Ｃが設けられている。容量線Ｃは、走査線Ｔに対応して、すなわち画素行８８（図５）ごとに設けられている。
本実施形態では、容量線Ｃは、図７に示す絶縁膜９５の表示面６９側に設けられており、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。容量線Ｃの材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、ゲート電極１１１（走査線Ｔ）と、容量線Ｃとは、図９に示すように、Ｙ方向に隙間をあけた状態で並んでいる。
【００６４】
画素６５は、複数の信号線Ｓと、複数の走査線Ｔとの各交差に対応して設定されている。
画素電極１０５は、図１０に示すように、互いに隣り合う信号線Ｓと、互いに隣り合う走査線Ｔとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極１０５は、周縁部が信号線Ｓ及び走査線Ｔに重なっている。また、画素電極１０５は、容量線Ｃに重なっている。
これにより、液晶パネル６１では、容量線Ｃと画素電極１０５との間に、図５に示す容量素子１０７が形成される。
なお、図７に示すＴＦＴ素子１０３の断面は、図１０中のＨ−Ｈ線における断面に相当している。
【００６５】
本実施形態では、液晶パネル６１は、図５に示すように、ｎ本（ｎは、１以上の整数）の走査線Ｔと、ｍ本（ｍは、１以上の整数）の信号線Ｓとを有している。なお、以下においてｎ本の走査線Ｔが個々に識別される場合に、走査線Ｔ（ｉ）という表記が用いられる。ｉは、１以上且つｎ以下の整数である。また、ｍ本の信号線Ｓが個々に識別される場合に、信号線Ｓ（ｊ）という表記が用いられる。ｊは、１以上且つｍ以下の整数である。
【００６６】
素子基板７１及び対向基板７３の間に介在する液晶７５は、図７に示すように、配向膜１０１と配向膜１２７との間に介在している。
本実施形態では、図４に示すシール材７７は、図７に示す第１基板９１の第１面９３ａと、第２基板１２１の対向面１２１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板９１及び第２基板１２１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜１０１及び配向膜１２７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。
【００６７】
液晶７５は、図７に示すように、Ｌ１なる厚みに設定されている。液晶７５は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶７５は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶７５のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１との積）の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に１／２波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。
【００６８】
液晶パネル６１では、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電圧を印加すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。この電界によって液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることができる。
本実施形態では、液晶７５に電界が作用すると、液晶７５がオン状態になる。他方で、液晶７５に作用する電界が解除されると、液晶７５がオフ状態になる。
プロジェクター１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、画素電極１０５の電位と対向電極１２５の電位との差（以下、駆動電圧と呼ぶ）によって変化し得る。
【００６９】
図７に示す配向膜１０１及び配向膜１２７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜１０１及び配向膜１２７によって、液晶７５の初期的な配向状態が規制される。
液晶パネル６１では、駆動電圧が０Ｖのときに、液晶７５がオフ状態にある。他方で、駆動電圧が０Ｖを超えると、液晶７５がオフ状態からオン状態に変化する。
図１１（ａ）は、液晶７５がオフ状態のときの画像形成パネル３３における偏光状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、液晶７５がオン状態のときの画像形成パネル３３における偏光状態を示す図である。
【００７０】
画像形成パネル３３では、偏光板６４ａの透過軸１４１と、偏光板６４ｂの透過軸１４２とは、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、互いに直交している。
なお、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が偏光板６４ａの透過軸１４１の方向を示し、Ｙ'方向が偏光板６４ｂの透過軸１４２の方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【００７１】
位相差板６２の遅相軸６２ａは、平面視でＸ'方向に対して、時計方向に４５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、偏光板６４ａを透過した直線偏光１４３は、位相差板６２によって１／４波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光１４４として液晶７５に入射される。
【００７２】
液晶７５に入射された円偏光１４４は、液晶７５がオフ状態のときに、図１１（ａ）に示すように、偏光状態が維持されたまま（位相差が付与されずに）円偏光１４４として位相差板６３に向けて射出される。
ここで、位相差板６３の遅相軸６３ａは、平面視でＸ'方向に対して、時計方向に４５度の傾きを有する方向に設定されている。
【００７３】
このため、位相差板６３に入射された円偏光１４４は、位相差板６３によって１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４５として偏光板６４ｂに向けて射出される。
偏光板６４ｂに向けて射出された直線偏光１４５は、偏光軸が偏光板６４ｂの透過軸１４２に対して直交しているため、偏光板６４ｂによって吸収される。
【００７４】
他方で、液晶７５がオン状態のときに、液晶７５に入射された円偏光１４４は、図１１（ｂ）に示すように、１／２波長の位相差が与えられ、平面視で時計方向に回転する（円偏光１４４とは逆回転の）円偏光１４７として位相差板６３に向けて射出される。
位相差板６３に入射された円偏光１４７は、位相差板６３によって１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４９として偏光板６４ｂに向けて射出される。
偏光板６４ｂに向けて射出された直線偏光１４９は、偏光軸が偏光板６４ｂの透過軸１４２に沿っているため、偏光板６４ｂを透過する。
【００７５】
このように、画像形成パネル３３では、液晶７５のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、画像の形成が制御される。
本実施形態では、液晶７５がオフ状態のときに画像形成パネル３３からの光の射出が遮断される所謂ノーマリーブラック（初期的に“黒表示”の状態）の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリーブラックに限定されず、所謂ノーマリーホワイト（初期的に“白表示”の状態）も採用され得る。
【００７６】
ここで、図５に示す液晶装置８５の駆動方法について説明する。
液晶パネル駆動回路２５は、図５に示すように、コントローラー１６１と、メモリー部１６３と、電圧制御回路１６４と、メモリー部１６５と、を有している。
コントローラー１６１には、垂直同期信号ＶＳＹＮＣと、水平同期信号ＨＳＹＮＣと、クロック信号ＤＣＬＫと、画像信号ＤＡＴＡと、が供給される。
【００７７】
メモリー部１６３には、１フレーム分の画像信号ＤＡＴＡが一時的に格納される。コントローラー１６１は、メモリー部１６３に格納された１フレーム分の画像信号ＤＡＴＡから、画素行８８単位の画像データｄａｔａを読み出す。コントローラー１６１は、読み出した画像データｄａｔａをシリアルデータとして信号線駆動回路８３に出力する。信号線駆動回路８３には、クロック信号ＣＬＸ及びイネーブル信号ＥＮＢＸも、コントローラー１６１から入力される。
また、コントローラー１６１は、スタートパルスＤＹと、クロック信号ＣＬＹと、を走査線駆動回路８１に出力する。
【００７８】
電圧制御回路１６４は、電源コントローラー１６６と、電源部１６７と、を有している。電源コントローラー１６６には、温度検出部８４から温度情報ＴＭＰが入力される。
ここで、温度検出部８４は、液晶パネル６１に設けられており、表示領域６７（図３）における液晶パネル６１の温度を、液晶パネル６１の使用環境における温度として検出する。そして、温度検出部８４は、検出した温度結果を温度情報ＴＭＰとして出力する。
電源部１６７は、後述するデータ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位を規定する。
【００７９】
メモリー部１６５には、温度に対するデータ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位を規定するデータが温度電位テーブルとして格納されている。
電源コントローラー１６６は、入力された温度情報ＴＭＰに基づいて、温度情報ＴＭＰに示される温度に対応する電位データを温度電位テーブルから読み込む。次いで、電源コントローラー１６６は、読み込んだ電位データに基づいて、電源部１６７を制御することによって、後述するデータ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位を制御する。
【００８０】
ところで、本実施形態では、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割するサブフィールド駆動が採用されている。サブフィールド駆動では、サブフィールド期間ごとに液晶７５のオン状態及びオフ状態を制御することができる。
本実施形態では、１フレーム期間が、図１２に示すように、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２に分割される。本実施形態では、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２は、相互に同じ長さに設定される。
【００８１】
なお、以下においては、サブフィールド期間ＳＦ１〜サブフィールド期間ＳＦ３２という表記と、サブフィールド期間ＳＦという表記とが併用される。
垂直同期信号ＶＳＹＮＣは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスＤＹは、サブフィールド期間ＳＦの開始を規定する信号であり、垂直同期信号ＶＳＹＮＣを基準としてコントローラー１６１（図５）によって生成される。
【００８２】
走査線駆動回路８１は、図１３に示すように、シフトレジスター１６９を有している。スタートパルスＤＹ及びクロック信号ＣＬＹは、シフトレジスター１６９に入力される。
シフトレジスター１６９からは、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）が出力される。選択信号ｇ（１）は、図５に示すように、走査線Ｔ（１）に供給される。選択信号ｇ（２）が走査線Ｔ（２）に供給され、選択信号ｇ（ｎ）が走査線Ｔ（ｎ）に供給される。
【００８３】
選択信号ｇ（ｉ）は、図１４に示すように、クロック信号ＣＬＹの半周期のパルス幅を有している。
選択信号ｇ（１）は、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの２番目の変化点に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。ここで、変化点とは、パルス信号がＬｏレベルからＨｉレベルに変化する時点と、パルス信号がＨｉレベルからＬｏレベルに変化する時点とを示す。
Ｈｉレベルに立ち上がった選択信号ｇ（１）は、図１３に示すシフトレジスター１６９によって、クロック信号ＣＬＹの変化点ごとに選択信号ｇ（２），ｇ（３），…，ｇ（ｎ）の順にシフトされていく。
【００８４】
選択信号ｇ（１）がＨｉレベルに立ち上がってから、選択信号ｇ（ｎ）がＬｏレベルに立ち下がるまでの期間が、１垂直期間に相当している。本実施形態では、１垂直期間は、サブフィールド期間ＳＦよりも短い長さに設定されている。
なお、本実施形態では、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの１番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
【００８５】
イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期は、選択信号ｇ（ｉ）のパルス幅と同等に設定されている。イネーブル信号ＥＮＢＸは、ＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がった後に、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）の各立ち上がりに基づいて、順次にＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がっていく。従って、イネーブル信号ＥＮＢＸは、１つのサブフィールド期間ＳＦ内で、ｎ＋１個の立ち上がりパルスを有している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期が１水平期間に相当している。
【００８６】
信号線駆動回路８３は、図１５に示すように、シフトレジスター１７１と、第１ラッチ回路１７３と、第２ラッチ回路１７５と、レベルシフター１７７と、を有している。
シフトレジスター１７１には、イネーブル信号ＥＮＢＸと、クロック信号ＣＬＸとが入力される。
第１ラッチ回路１７３には、シフトレジスター１７１からの出力信号（ラッチ信号ＬＴ（１）〜ラッチ信号ＬＴ（ｍ））と、画像データｄａｔａとが入力される。
第２ラッチ回路１７５には、第１ラッチ回路１７３からの出力信号と、イネーブル信号ＥＮＢＸとが入力される。
【００８７】
レベルシフター１７７には、第２ラッチ回路１７５からの出力信号が入力される。
レベルシフター１７７からは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）が出力される。データ信号ｄ（１）は、図５に示すように、信号線Ｓ（１）に供給される。データ信号ｄ（２）が信号線Ｓ（２）に供給され、データ信号ｄ（ｍ）が信号線Ｓ（ｍ）に供給される。
シフトレジスター１７１は、イネーブル信号ＥＮＢＸを、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにシフトさせながら、ラッチ信号ＬＴ（１），ＬＴ（２），ＬＴ（３），…，ＬＴ（ｍ）として順次に出力していく。
第１ラッチ回路１７３は、２値信号である画像データｄａｔａを、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）の立ち下がりに基づいて順次にラッチしていく。
【００８８】
第２ラッチ回路１７５は、第１ラッチ回路１７３でラッチされた画像データｄａｔａのそれぞれを、イネーブル信号ＥＮＢＸにもとづいて一斉にラッチする。第２ラッチ回路１７５でラッチされた各画像データｄａｔａは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）として、レベルシフター１７７を介して、信号線Ｓ（１）〜信号線Ｓ（ｍ）に一斉に供給される。
なお、レベルシフター１７７には、電圧制御回路１６４の電源部１６７から電力が供給される。電源部１６７から出力される電力は、電源コントローラー１６６によって制御される。レベルシフター１７７から出力されるデータ信号ｄ（ｊ）の電位は、電圧制御回路１６４によって制御される。本実施形態では、データ信号ｄ（ｊ）の電位は、電源部１６７から出力される電力に応じて変化する。
【００８９】
ここで、本実施形態では、駆動電圧にオン電圧とオフ電圧とが含まれている。オン電圧は、液晶７５をオン状態にするための駆動電圧である。オフ電圧は、液晶７５をオフ状態にするための駆動電圧である。
また、本実施形態では、対向電極１２５と容量線Ｃとは、同じ電位（以下、共通電位と呼ぶ）に保たれる。本実施形態では、オン電圧とオフ電圧とで、共通電位が同じ値に設定されている。
このため、本実施形態では、オン電圧において、データ信号ｄ（ｊ）の電位と、共通電位とが互いに異なる値に設定される。また、オフ電圧において、データ信号ｄ（ｊ）の電位と、共通電位とが互いに同じ値に設定される。
【００９０】
ラッチ信号ＬＴ（ｊ）は、図１６に示すように、クロック信号ＣＬＸの半周期のパルス幅を有している。
ラッチ信号ＬＴ（１）は、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がってからクロック信号ＣＬＸの３番目の変化点に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
Ｈｉレベルに立ち上がったラッチ信号ＬＴ（１）は、図１５に示すシフトレジスター１７１によって、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにラッチ信号ＬＴ（２），ＬＴ（３），…，ＬＴ（ｍ）の順にシフトしながら出力されていく。
【００９１】
このとき、図１５に示す第１ラッチ回路１７３は、ラッチ信号ＬＴ（１）の立ち下がりに基づいて、信号線Ｓ（１）に対応する画像データｄａｔａ（１）をラッチする。同様に、第１ラッチ回路１７３は、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）の立ち下がりに基づいて、信号線Ｓ（ｊ）に対応する画像データｄａｔａ（ｊ）をラッチする。
【００９２】
第１ラッチ回路１７３から画像データｄａｔａ（ｊ）の出力を受ける第２ラッチ回路１７５は、次のイネーブル信号ＥＮＢＸの立ち下がりに基づいて、画像データｄａｔａ（ｊ）をレベルシフター１７７に一斉に出力する。レベルシフター１７７に出力された画像データｄａｔａ（ｊ）は、電源部１６７からの電力に応じた電位のデータ信号ｄ（ｊ）として、信号線Ｓ（ｊ）に一斉に供給される。
【００９３】
上述した画像データｄａｔａ（ｊ）のラッチ動作と、データ信号ｄ（ｊ）の出力動作とは、１つのサブフィールド期間ＳＦにおいて、走査線Ｔ（ｉ）の本数分だけ（本実施形態ではｎ回）繰り返される。これにより、１つのサブフィールド期間ＳＦにおける画像の形成が完了する。これらの動作をサブフィールド期間ＳＦ１からサブフィールド期間ＳＦ３２まで繰り返すことによって、１フレーム分の画像の形成が行われ得る。
本実施形態では、１フレーム期間において、サブフィールド期間ＳＦごとに液晶７５の駆動を選択的に制御することによって、１フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。
【００９４】
ところで、本実施形態では、画素電極１０５と対向電極１２５との間に、図１７（ａ）に示すように、パルス幅Ｔｐを有するパルス状のオン電圧Ｖｏｎ１が印加される。このとき、画像形成パネル３３を透過する光の透過率は、図１７（ｂ）に示すように、応答時間Ｔｏｎ１をもって最大値ｍａｘに変化する。
また、駆動電圧がオン電圧Ｖｏｎ１からオフ電圧Ｖｏｆｆに切り替わると、画像形成パネル３３を透過する光の透過率は、応答時間Ｔｏｆｆ１をもって最小値ｍｉｎに変化する。
【００９５】
これらの過渡現象は、液晶７５の応答特性に起因するものである。
なお、透過率の最大値ｍａｘ及び最小値ｍｉｎは、それぞれ、画像形成パネル３３で白表示及び黒表示のそれぞれを行うときの透過率を示している。このため、画像形成パネル３３での透過率の最大値ｍａｘ及び最小値ｍｉｎは、それぞれ、画像形成パネル３３での輝度の最大値及び最小値のそれぞれとは異なることがある。
また、以下において、図１７（ｂ）に示す透過率の変化例は、変化例（１）と呼ばれる。
【００９６】
液晶７５の応答特性は、使用環境の温度に大きく影響を受ける。使用環境の温度が低くなると、画像形成パネル３３を透過する光の透過率は、図１７（ｃ）に示すように、パルス幅Ｔｐ内で最大値ｍａｘに到達できなくなることがある。また、駆動電圧がオン電圧Ｖｏｎ１からオフ電圧Ｖｏｆｆに切り替わったとき、透過率が最小値ｍｉｎに到達するまでの応答時間Ｔｏｆｆ２は、応答時間Ｔｏｆｆ１よりも長くなる。
なお、以下において、図１７（ｃ）に示す透過率の変化例は、変化例（２）と呼ばれる。
【００９７】
変化例（２）に対し、本実施形態では、電圧制御回路１６４が温度情報ＴＭＰに基づいてオン電圧を制御する。本実施形態では、電圧制御回路１６４は、温度情報ＴＭＰに基づいて、使用環境の温度が低いときにオン電圧を上昇させる。これによって、駆動電圧は、図１７（ｄ）に示すように、オン電圧Ｖｏｎ１がオン電圧Ｖｏｎ２まで上昇する。
【００９８】
オン電圧Ｖｏｎ２によって、画像形成パネル３３を透過する光の透過率は、図１７（ｅ）に示すように、応答時間Ｔｏｎ２をもって最大値ｍａｘに変化し得る。応答時間Ｔｏｎ２は、応答時間Ｔｏｎ１よりも長く、且つパルス幅Ｔｐよりも短い。
他方で、駆動電圧がオン電圧Ｖｏｎ２からオフ電圧Ｖｏｆｆに切り替わったとき、透過率が最小値ｍｉｎに到達するまでの応答時間Ｔｏｆｆ３は、図１７（ｃ）に示す応答時間Ｔｏｆｆ２と略同等である。
これは、液晶７５の応答特性のうち、オフ状態からオン状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇に応じて短くなる傾向を有するのに対し、オン状態からオフ状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇によらずに略温度だけに影響を受けるためである。
なお、以下において、図１７（ｅ）に示す透過率の変化例は、変化例（３）と呼ばれる。
【００９９】
オン電圧Ｖｏｎ２の設定方法としては、例えば、透過率の温度特性を実験的に把握することによって設定する方法が採用され得る。
例えば、図１７（ｂ）に示す変化例（１）を常温（２５℃）の使用環境での例とする。そして、常温よりも低い温度での透過率の変化例として図１７（ｅ）に示す変化例（３）が得られたとする。
このとき、変化例（１）と変化例（３）とを重畳すると、図１８に示すように、駆動電圧がオン電圧からオフ電圧に切り替わったタイミング以降において、変化例（３）と変化例（１）とによって囲まれた領域１９１が見出される。
【０１００】
また、パルス幅Ｔｐの期間において、変化例（１）と変化例（３）とによって囲まれた領域１９３が見出される。
ここで、変化例（１）と変化例（３）とで階調度を同等にするには、領域１９１の面積と、領域１９３の面積とを同等にすればよい。
前述したように、液晶７５の応答特性のうち、オフ状態からオン状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇に応じて短くなる傾向を有するのに対し、オン状態からオフ状態への応答では、応答時間が駆動電圧の上昇によらずに略温度だけに影響を受ける。
このため、本実施形態では、まず、領域１９１の面積を把握し、領域１９３の面積が領域１９１の面積と略同等になるように駆動電圧を変化させることによって、オン電圧の最適値を見出しやすい。
【０１０１】
そして、温度変化に応じたオン電圧の最適値は、温度に対するデータ信号ｄ（ｊ）の電位を規定する温度電位テーブルとして、図５に示すメモリー部１６５に格納される。
これにより、画像形成パネル３３において、使用環境の温度による階調の差異を軽減することができる。また、本実施形態では、サブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２を変化させる必要がないので、各サブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２内に実施されるべき種々の処理にかかる速度を変化させる必要がない。このため、例えば、サブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２を変化させる構成に比較して、種々の処理にかかる負担を軽減しやすくすることができる。
なお、本実施形態において、画素電極１０５が第１電極に対応し、対向電極１２５が第２電極に対応し、データ信号ｄ（ｊ）が画像信号に対応している。
【０１０２】
なお、本実施形態では、ライトバルブとして、透過型の液晶パネル６１を有する画像形成パネル３３が採用されている。しかしながら、液晶パネル６１は、透過型に限定されず、反射型も採用され得る。
また、本実施形態では、液晶装置８５をプロジェクター１に適用した例を説明したが、液晶装置８５の適用はプロジェクター１に限定されない。液晶装置８５は、例えば、ディスプレイなどの表示装置にも適用され得る。
また、本実施形態では、１フレーム期間の少なくとも一部を３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２に分割する例が示されている。しかしながら、サブフィールド期間の個数は、３２個に限定されず、２以上の任意の個数が採用され得る。
また、本実施形態では、液晶７５の駆動方式としてＶＡ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶７５の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型等の種々の方式も採用され得る。
【０１０３】
上述した液晶装置８５は、例えば、図１９に示す電子機器５００の表示部５１０にも適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に液晶装置８５が適用されているので、表示部５１０において、使用環境の温度による階調の差異を軽減することができる。
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１０４】
１…プロジェクター、２１…制御部、２５…液晶パネル駆動回路、３３…画像形成パネル、６１…液晶パネル、６５…画素、６７…表示領域、６９…表示面、７１…素子基板、７３…対向基板、７５…液晶、８１…走査線駆動回路、８３…信号線駆動回路、８４…温度検出部、８５…液晶装置、１０５…画素電極、１２５…対向電極、１６１…コントローラー、１６３…メモリー部、１６４…電圧制御回路、１６５…メモリー部、１６６…電源コントローラー、１６７…電源部、１７７…レベルシフター、１９１…領域、１９３…領域、５００…電子機器、５１０…表示部、５１１…操作ボタン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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