(57)【要約】【課題】圧電基板を薄くしなくても温度特性を改善でき、容易に、かつ効率よく製造することができる弾性表面波素子を提供する。【解決手段】（ａ）主面１０ａ，１０ｂと、互いに平行かつ対向する少なくとも一対の対向部１０ｐ，１０ｑを含む側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑとを有する圧電基板１０と、（ｂ）圧電基板１０の主面１０ａに形成され、ＩＤＴ電極を含む導電パターンと、（ｃ）圧電基板１０の対向部１０ｐ，１０ｑに接合され、圧電基板１０の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する拘束層２０とを備える。主面１０ａに垂直な方向から見ると、ＩＤＴ電極の電極指が、対向部１０ｐ，１０ｑに挟まれた領域内に配置され、かつ対向部１０ｐ，１０ｑにほぼ垂直な方向に延在する。【選択図】図１
2010251921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の主面と、該主面間に延在する側面とを有し、前記側面は互いに平行かつ対向する少なくとも一対の対向部を含む、圧電基板と、
前記圧電基板の少なくとも一方の前記主面に形成され、ＩＤＴ電極を含む導電パターンと、
前記圧電基板の前記側面の前記対向部に接合され、前記圧電基板の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する拘束層と、
を備え、
前記圧電基板の前記一方の主面に垂直な方向から見ると、前記ＩＤＴ電極の電極指が、前記圧電基板の前記側面の前記一対の対向部に挟まれた領域内に配置され、かつ該対向部にほぼ垂直な方向に延在することを特徴とする、弾性表面波素子。
【請求項２】
前記拘束層は、前記側面のすべての部分に接合されていることを特徴とする、請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記拘束層は、前記圧電基板の他方の前記主面にも接合されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記圧電基板の前記一方の主面と、前記圧電基板の前記拘束層が接合された前記側面とがなす角が鈍角であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
前記拘束層の厚みが前記圧電基板の厚みよりも大きいことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
前記拘束層は、弾性表面波素子が実装基板に実装されるときに該実装基板に対向する前記圧電基板の前記主面よりも、突出していることを特徴とする、請求項５に記載の弾性表面波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子に関し、詳しくは、圧電基板表面の弾性表面波を利用するフィルタや共振子などの弾性表面波素子の温度特性を改善するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば送信帯域と受信帯域の周波数差が小さい移動体通信システムにおいて、受信帯域での減衰量を確保するため、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３；ＬＴ）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３；ＬＮ）などの電気機械結合係数の大きな圧電基板を使用した弾性表面波フィルタが用いられている。しかし、ＬＴ基板やＬＮ基板の周波数温度係数（ＴＣＦ）が大きいため、製造ばらつきを考慮すると、送受信帯域間隔は実質的に非常に小さくなる。そのため、温度特性の改善が望まれている。
【０００３】
温度特性を改善する方策として、例えば図１２の斜視図に示す弾性表面波素子１１０のように、表面にＳＡＷ（弾性表面波）共振器１３０が形成されるＬＴ基板１１１の裏面に、ヤング率の異なるサファイア基板１２１を貼り合わせることが提案されている。（例えば特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１８６８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１２のように圧電基板の裏面に支持基板を貼り合わせる場合、温度特性の改善効果を得るには、圧電基板の伸縮が支持基板によって十分に拘束されるように圧電基板を薄くする必要がある。しかし、圧電基板は薄膜化すると割れやすいため、容易に、かつ効率よく弾性表面波素子を製造することは困難である。
【０００６】
本発明は、かかる実情に鑑み、圧電基板を薄くしなくても温度特性を改善でき、容易に、かつ効率よく製造することができる弾性表面波素子を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波素子を提供する。
【０００８】
弾性表面波素子は、（ａ）一対の主面と、該主面間に延在する側面とを有し、前記側面は互いに平行かつ対向する少なくとも一対の対向部を含む、圧電基板と、（ｂ）前記圧電基板の少なくとも一方の前記主面に形成され、ＩＤＴ電極を含む導電パターンと、（ｃ）前記圧電基板の前記側面の前記対向部に接合され、前記圧電基板の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する拘束層とを備える。前記圧電基板の前記一方の主面に垂直な方向から見ると、前記ＩＤＴ電極の電極指が、前記圧電基板の前記側面の前記一対の対向部に挟まれた領域内に配置され、かつ該対向部にほぼ垂直な方向に延在する。
【０００９】
上記構成において、ＩＤＴ電極は、圧電基板の一方主面のうち、圧電基板の側面の対向部に挟まれた領域内に形成されている。対向部には、圧電基板よりも線膨張係数が小さい拘束層が接合されているので、圧電基板は対向部と平行な方向の伸縮が抑制される。ＩＤＴ電極の電極指は対向部と垂直に形成され、ＩＤＴ電極の電極指による弾性表面波の振動伝搬方向は対向部と平行になり、振動伝搬方向の圧電基板の伸縮が拘束層によって抑制されるため、弾性表面波素子の温度特性を改善することができる。
【００１０】
上記構成によれば、温度特性に影響する圧電基板の主面の伸縮の大きさは、圧電基板や拘束層の厚みとは実質的に無関係であるため、圧電基板を薄くしなくても温度特性を改善することができる。また、拘束層は一般的な方法で簡単に形成することができ、圧電基板を薄くする必要がないため、容易に、かつ効率よく弾性表面波素子を製造することができる。
【００１１】
好ましくは、前記拘束層は、前記側面のすべての部分に接合されている。
【００１２】
この場合、圧電基板の伸縮は、拘束層によって全体的に抑制される。これにより、弾性表面波素子全体の線膨張係数を抑え、実装時や使用時の応力を小さくすることができる。また、対称な構成を採用して製造工程を簡素化、効率化することができる。
【００１３】
好ましくは、前記拘束層は、前記圧電基板の他方の前記主面にも接合されている。
【００１４】
この場合、圧電基板の伸縮は、圧電基板の他方主面に接合された拘束層によってさらに抑制されるので、弾性表面波素子の温度特性をさらに改善することができる。
【００１５】
好ましくは、前記圧電基板の前記一方の主面と、前記圧電基板の前記拘束層が接合された前記側面とがなす角が鈍角である。
【００１６】
この場合、弾性表面波素子の温度特性に影響する圧電基板の一方主面の伸縮は、圧電基板の一方の主面と拘束層が接合された側面とがなす角が直角である場合よりも小さくすることができるので、弾性表面波素子の温度特性をさらに改善することができる。
【００１７】
好ましくは、前記拘束層の厚みが前記圧電基板の厚みよりも大きい。
【００１８】
この場合、拘束層による圧電基板の収縮の拘束が強化されるので、弾性表面波素子の温度特性をより改善することができる。
【００１９】
好ましくは、前記拘束層は、弾性表面波素子が実装基板に実装されるときに該実装基板に対向する前記圧電基板の前記主面よりも、突出している。
【００２０】
この場合、圧電基板から突出している拘束層によって、弾性表面波素子と実装基板とが接合される部分の周囲を取り囲こみ、保護することによって、弾性表面波素子を実装基板に実装した後の信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の弾性表面波素子は、圧電基板を薄くしなくても温度特性を改善でき、容易に、かつ効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】弾性表面波素子の（ａ）平面図、（ｂ）断面図である。（実施例１）
【図２】弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図３】弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図４】弾性表面波素子の（ａ）平面図、（ｂ）断面図である。（実施例２）
【図５】弾性表面波素子の（ａ）平面図、（ｂ）断面図、（ｃ）断面図である。（実施例３）
【図６】弾性表面波素子の（ａ）平面図、（ｂ）断面図である。（実施例４）
【図７】弾性表面波素子の実装状態を示す断面図である。（実施例４）
【図８】弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。（実施例４）
【図９】弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。（実施例４）
【図１０】弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。（実施例４）
【図１１】弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。（実施例４）
【図１２】弾性表面波素子の斜視図である。（従来例）
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図１１を参照しながら説明する。
【００２４】
＜実施例１＞  実施例１の弾性表面波素子２について、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２５】
図１（ａ）は弾性表面波素子２の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。
【００２６】
図１に示すように、弾性表面波素子２は、圧電基板１０の側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑに拘束層２０が形成されている。
【００２７】
圧電基板１０は、矩形の表面１０ａ及び裏面１０ｂと、表面１０ａと裏面１０ｂとの間に延在し、互いに平行かつ対向する２対の側面１０ｓ，１０ｔ；１０ｐ，１０ｑとを有する。圧電基板１０の表面１０ａには、不図示のＩＤＴ電極を含む導電パターンが形成されている。ＩＤＴ電極の電極指は、圧電基板１０の表面１０ａに垂直な方向から見ると、互いに平行かつ対向する一対の対向部である側面１０ｐ，１０ｑに挟まれた領域内に配置され、かつ一対の側面１０ｐ，１０ｑに垂直な方向、すなわち図１（ａ）において上下方向に延在する。ＩＤＴ電極の電極指による弾性表面波の振動伝搬方向は、図１（ａ）において矢印１８で示すように、一対の側面１０ｐ，１０ｑと平行である。
【００２８】
圧電基板１０の側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑに形成されている拘束層２０は、圧電基板１０の線膨張係数より小さい線膨張係数を有する。線膨張係数の差により、圧電基板１０の温度変化に伴う伸縮は、拘束層２０によって全体的に抑制され、圧電基板１０の表面１０ａにおいて弾性表面波の振動伝搬方向の温度変化に伴う伸縮が抑制される。これによって、弾性表面波素子２の温度特性を改善することができる。また、弾性表面波素子２全体の線膨張係数を抑え、実装時や使用時に発生する応力を小さくして、弾性表面波素子２の信頼性を向上することができる。
【００２９】
温度特性に影響する圧電基板１０の表面１０ａの伸縮の大きさは、圧電基板１０や拘束層２０の厚みとは実質的に無関係であるため、弾性表面波素子２は、圧電基板１０を薄くしなくても温度特性を改善することができる。
【００３０】
例えば、ＬＴ基板のみの場合には線膨張係数が１６．１ｐｐｍ／℃であるのに対し、ＬＴ基板の圧電基板１０の側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑ全体に、ＬＴ基板よりも線膨張係数が小さいアルミナを用いて拘束層２０を形成すると、圧電基板１０の線膨張係数は１５．０ｐｐｍ／℃に改善される。
【００３１】
拘束層２０は一般的な方法で簡単に形成することができ、圧電基板１０を薄くする必要がないため、弾性表面波素子２は、容易に、かつ効率よく製造することができる。
【００３２】
次に、弾性表面波素子２を製造する方法について、図２及び図３を参照しながら説明する。図２及び図３は、弾性表面波素子２の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００３３】
弾性表面波素子２は、ウェハ状の圧電基板１０を用いて、複数個分を同時に形成する。
【００３４】
すなわち、図２（ａ）に示すように、ウェハ状のＬＴ基板やＬＮ基板などの圧電基板１０を用意する。
【００３５】
次いで、図２（ｂ）に示すように、圧電基板１０の片面１０ｂに、弾性表面波素子２の個片になる部分の境界線に沿って格子状に、ダイシング加工やレーザー加工によって、圧電基板１０の反対面１０ａに達しない所定の深さの切り込み１２を形成する。切り込み１２は、一部の箇所であれば、圧電基板１０の反対面１０ａに達して圧電基板１０を貫通してもよい。
【００３６】
次いで、図２（ｃ）に示すように、圧電基板１０の片面１０ｂに、例えばテープやＳｉ基板を転写することによって、支持層３０を接合する。
【００３７】
次いで、支持層３０を介して圧電基板１０を保持した状態で、図３（ｄ）に示すように、切り込み１２に達するまで圧電基板１０の反対面１０ａを研磨し、圧電基板１０の弾性表面波素子の個片になる部分が切り込み１２によって互いに分離されるようにする。
【００３８】
次いで、図３（ｅ）に示すように、圧電基板１０の反対面１０ａに露出した切り込み１２に、溶射やスパッタリングなどの方法で、圧電基板１０よりも線膨張係数が小さいＳｉ、Ａｌ２Ｏ３などの材料を埋め込むことによって、拘束層２０を形成する。
【００３９】
次いで、図３（ｆ）に示すように、圧電基板１０の反対面１０ａに、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて導電パターン１４を形成する。導電パターン１４は、詳しくは図示していないが、ＩＤＴ電極と、パッドと、ＩＤＴ電極とパッドとの間を接続する配線とを含む。ＩＤＴ電極による弾性表面波が伝搬する方向の両側に、導電パターン１４によって反射器を形成してもよい。
【００４０】
次いで、図３（ｇ）に示すように、圧電基板１０の片面１０ｂから支持層３０を剥がし、ダイシング加工やレーザー加工によって拘束層２０の中央を切断し、圧電基板１０の側面に拘束層２０が接合された弾性表面波素子２の個片を形成する。
【００４１】
以上の工程で製造すると、圧電基板１０の薄化工程が必要ないため、薄化工程での圧電基板の割れ、クラックを回避できる。また、圧電基板の裏面からの拘束を利用していないため、支持層３０を適宜に選択することにより、ウェハ状態での反りを回避できる。
【００４２】
ウェハは上下左右に対称な構成とすることができ、切り込み１２に埋め込まれた格子状の拘束層２０を縦方向と横方向の加工条件を変えずに切断することができるで、製造工程を簡素化、効率化することができる。
【００４３】
ダイシング加工やレーザー加工によって圧電基板１０に切り込み１２を形成すると、加工面が荒れるため、アンカー効果によって拘束層２０と圧電基板１０との接合強度が増し、加工面が鏡面の場合よりも、拘束層２０による圧電基板１０の伸縮抑制効果を高めることができる。
【００４４】
＜実施例２＞  実施例２の弾性表面波素子２ａについて、図４を参照しながら説明する。
【００４５】
実施例２の弾性表面波素子２ａは、実施例１の弾性表面波素子２と略同様に構成されている。以下では、実施例１の弾性表面波素子２と同じ構成部分には同じ符号を用い、実施例１の弾性表面波素子２との相違点を中心に説明する。
【００４６】
図４（ａ）は弾性表面波素子２ａの平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。図４に示すように、拘束層２０ｐ，２０ｑは、圧電基板１０の側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑのうち、互いに平行かつ対向する一対の側面１０ｐ，１０ｑにのみ形成されている。
【００４７】
圧電基板１０の表面１０ａには、不図示のＩＤＴ電極を含む導電パターンが形成されている。ＩＤＴ電極の電極指は、圧電基板１０の表面１０ａに垂直な方向から見ると、互いに平行かつ対向する一対の側面１０ｐ，１０ｑに挟まれた領域内に配置され、かつ一対の側面１０ｐ，１０ｑに垂直な方向、すなわち図４（ａ）において上下方向に延在する。ＩＤＴ電極の電極指による弾性表面波の振動伝搬方向は、図４（ａ）において矢印１８で示すように、一対の側面１０ｐ，１０ｑと平行である。
【００４８】
拘束層２０ｐ，２０ｑは、圧電基板１０の線膨張係数より小さい線膨張係数を有するように形成されている。圧電基板１０と拘束層２０ｐ，２０ｑとの線膨張係数の差により、圧電基板１０の温度変化に伴う振動伝搬方向の伸縮は、拘束層２０ｐ，２０ｑによって抑制される。これによって、弾性表面波素子２ａの温度特性を改善することができる。
【００４９】
圧電基板１０の線膨張係数が異方性を有する場合には、最も線膨張係数が大きくなる方向の伸縮を拘束層２０ｐ，２０ｑによって抑制し、圧電基板の線膨張係数の異方性を低減することができる。これによって、熱応力を平均化し、製品の信頼性を高めることができる。
【００５０】
温度特性に影響する圧電基板１０の表面１０ａの振動伝搬方向の伸縮の大きさは、圧電基板１０や拘束層２０ｐ，２０ｑの厚みとは実質的に無関係であるため、弾性表面波素子２ａは、圧電基板１０を薄くしなくても温度特性を改善することができる。
【００５１】
実施例２の弾性表面波素子２ａは、実施例１の弾性表面波素子２と同様に、圧電基板１０の裏面１０ｂに支持基板を接合する必要がないので、圧電基板１０の薄化工程が必要ない。そのため薄化工程での圧電基板の割れ、クラックを回避できる。また、圧電基板の裏面からの拘束を利用していないため、ウェハ状態での反りを回避できる。
【００５２】
＜実施例３＞  実施例３の弾性表面波素子２ｂについて、図５を参照しながら説明する。
【００５３】
図５（ａ）は弾性表面波素子２ｂの平面図である。図５（ｂ）及び（ｃ）は、図５（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。
【００５４】
図５に示すように、実施例３の弾性表面波素子２ｂは、実施例１の弾性表面波素子２と略同様に構成されているが、実施例１と異なり、拘束層２０ｂは、圧電基板の側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑのみならず、圧電基板１０の裏面１０ｂにも形成され、圧電基板１０の裏面１０ｂの伸縮が抑制されるようになっている。これによって、圧電基板１０の表面１０ａの伸縮がさらに抑制されるので、弾性表面波素子２ｂの温度特性を、実施例１よりもさらに改善することができる。
【００５５】
実施例３の弾性表面波素子２ｂは、実施例１と略同様に作製することができる。すなわち、圧電基板１０の切り込み１２に圧電基板１０よりも線膨張係数が小さい材料を埋めるときに、圧電基板１０の反対面１０ａにも拘束層２０ｂを形成した後、支持層３０を剥がし、支持層３０を剥がした圧電基板１０の面１０ｂに導電パターン１４を形成し、拘束層２０ｂを切断して弾性表面波素子２ｂの個片に分割する。
【００５６】
なお、圧電基板１０の表面１０ａと側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑとがなす角は、図５（ｂ）に示すように直角であっても、図５（ｃ）に示すように鈍角であってもよい。例えば、テーパ状の先細り断面を有するダイシングブレードを用いて圧電基板に切り込みを形成することによって、圧電基板１０の表面１０ａと側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑとがなす角が鈍角になるようにすることができる。
【００５７】
圧電基板１０の表面１０ａと側面１０ｓ，１０ｔ，１０ｐ，１０ｑとがなす角が、図５（ｃ）のように鈍角であると、図５（ｂ）のように直角である場合よりも、弾性表面波素子２ｂの温度特性に影響する圧電基板１０の表面１０ａの伸縮を小さくすることができるので、弾性表面波素子２ｂの温度特性をさらに改善することができる。
【００５８】
＜実施例４＞  実施例４の弾性表面波素子２ｃについて、図６を参照しながら説明する。
【００５９】
図６（ａ）は弾性表面波素子２ｃの平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。
【００６０】
図６に示すように、実施例４の弾性表面波素子２ｃは、実施例１の弾性表面波素子２と略同様に構成されているが、実施例１と異なり、拘束層２０ｃの厚みは、圧電基板１０の厚みよりも大きく、拘束層２０ｃは、ＩＤＴ電極が形成されている圧電基板１０の表面１０ａ側に突出している。
【００６１】
拘束層２０ｃは、実施例１の拘束層２０よりも、温度特性に影響する圧電基板１０の表面１０ａの収縮をより強力に拘束するので、弾性表面波素子２ｃの温度特性をより改善することができる。
【００６２】
なお、拘束層は、拘束層２０ｃは圧電基板１０の裏面１０ｂ側に突出するように構成してもよい。
【００６３】
実施例４の弾性表面波素子２ｃは、次の実施例５の弾性表面波素子２ｄと同様の方法で製造することができる。
【００６４】
＜実施例５＞  実施例５の弾性表面波素子２ｄについて、図７〜図１１を参照しながら説明する。
【００６５】
図７（ａ）は弾性表面波素子２ｄの平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。
【００６６】
図７に示すように、実施例５の弾性表面波素子２ｄは、実施例１の弾性表面波素子２と略同様に構成されているが、実施例１と異なり、拘束層２０ｄの厚みは、圧電基板１０の厚みよりも大きく、拘束層２０ｄは圧電基板１０の裏面１０ｂ側に突出している部分２１を有する。
【００６７】
圧電基板１０の裏面１０ｂには、弾性表面波素子２ｄを実装基板４の上面４ａに実装するためのバンプ１６が形成されている。弾性表面波素子２ｄが実装基板４に実装されたとき、拘束層２０ｄの圧電基板１０の裏面１０ｂ側に突出する部分２１は、弾性表面波素子２ｄの圧電基板１０と実装基板４との間の隙間を取り囲む。これによって、弾性表面波素子２ｄと実装基板４との接合部分が保護され、弾性表面波素子２ｄを実装基板４に実装した後の信頼性を向上させることができる。
【００６８】
次に、弾性表面波素子２ｄを製造する第１の方法について、図８及び図９を参照しながら説明する。図８及び図９は、弾性表面波素子２ｄの製造工程を模式的に示す断面図である。
【００６９】
図８（ａ）に示すように、ウェハ状のＬＴ基板やＬＮ基板などの圧電基板１０を用意する。次いで、図８（ｂ）に示すように、圧電基板１０の表面１０ａに、導電パターン１４とバンプ１６を形成する。次いで、図８（ｃ）に示すように、圧電基板１０の表面１０ａに、導電パターン１４とバンプ１６とを覆い保護するように、保護層４０を形成する。
【００７０】
次いで、弾性表面波素子２の個片になる部分の境界線に沿って格子状に、ダイシング加工やレーザー加工によって保護層４０と圧電基板１０とを同時に加工し、図８（ｄ）に示すように、保護層４０に貫通溝４２を形成するとともに、圧電基板１０に所定の深さの切り込み１３を形成する。
【００７１】
次いで、図８（ｅ）に示すように、保護層４０に、例えばテープやＳｉ基板を転写することによって、支持層３２を接合し、支持層３２を介して保護層４０及び圧電基板１０を保持した状態で、図９（ｆ）に示すように、切り込み１２に達するまで圧電基板１０の裏面１０ｂを研磨し、圧電基板１０の弾性表面波素子の個片になる部分が切り込み１３によって互いに分離されるようにする。
【００７２】
次いで、図９（ｇ）に示すように、圧電基板１０の裏面１０ｂに露出した切り込み１３内に、溶射やスパッタリングなどの方法で、圧電基板１０よりも線膨張係数が小さいＳｉ、Ａｌ２Ｏ３などの材料を埋め込むことによって、拘束層２０ｄを形成する。
【００７３】
次いで、図９（ｈ）に示すように、保護層４０から支持層３２を剥がし、図９（ｉ）に示すように、ダイシング加工やレーザー加工によって拘束層２０ｄの中央を切断し、圧電基板１０の側面に拘束層２０ｄが接合された弾性表面波素子２ｄの個片を形成する。
【００７４】
次いで、弾性表面波素子２ｄの個片から保護層４０を除去し、図９（ｊ）に示すように、弾性表面波素子２ｄを実装基板４の上面４ａに搭載し、バンプ１６を介して導電パターン１４を実装基板４に電気的に接続する。
【００７５】
次に、弾性表面波素子２ｄを製造する第２の方法について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。図１０及び図１１は、弾性表面波素子２ｄの製造工程を模式的に示す断面図である。
【００７６】
図１０（ａ）に示すように、実施例１の図２（ａ）〜図３（ｆ）に示した製造工程と同じ工程によって、圧電基板１０を支持層３０によって支持し、圧電基板１０の弾性表面波素子の個片になる部分の間に拘束層２０を形成する。
【００７７】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、圧電基板１０の表面１０ａに、導電パターン１４とバンプ１６とを覆い保護するように、保護層４１を形成する。
【００７８】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて保護層４１をパターニングし、保護層４１に、拘束層２０が露出する貫通溝４３を形成する。
【００７９】
次いで、図１０（ｄ）に示すように、保護層４１により導電パターン１４やバンプ１６を保護した状態で、保護層４１の貫通溝４３内に、溶射やスパッタリングなどの方法で、圧電基板１０よりも線膨張係数が小さいＳｉ、Ａｌ２Ｏ３などの材料を埋め込み、追加拘束層２０ｘを形成する。
【００８０】
次いで、図１１（ｅ）に示すように、拘束層２０と追加拘束層２０ｘとに、ダイシング加工やレーザー加工によって、支持層３０に達する溝２０ｐを形成する。
【００８１】
次いで、図１１（ｆ）に示すように、保護層４１と支持層３０を剥がし、弾性表面波素子２ｄの個片を形成し、次いで、図１１（ｇ）に示すように、弾性表面波素子２ｄを実装基板４の上面４ａに搭載し、バンプ１６を介して導電パターン１４を実装基板４に電気的に接続する。
【００８２】
第２の方法において、弾性表面波素子２ｄの拘束層２０ｄは、圧電基板１０の側面に接合された拘束層２０と、その上に形成された追加拘束層２０ｘとによって形成される。
【００８３】
＜まとめ＞  以上に説明したように、圧電基板の側面に拘束層を形成することにより、圧電基板を薄くしなくても温度特性を改善でき、容易に、かつ効率よく弾性表面波素子を製造することができる。
【００８４】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【００８５】
例えば、圧電基板の表裏面が長方形の場合を例示したが、平行四辺形や多角形などにすることも可能である。
【符号の説明】
【００８６】
２，２ａ〜２ｄ  弾性表面波素子
１０  圧電基板
１０ａ  表面
１０ｂ  裏面
１０ｓ，１０ｔ  側面
１０ｐ，１０ｑ  側面（対向部）
２０，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｐ，２０ｑ  拘束層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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