(57)【要約】【課題】煩雑な工程を経ることなく、基板の端部のポリシリコン膜を所望の幅で確実にエッチング除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。【解決手段】ポリシリコン膜が形成された基板における基板端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法は、前記ポリシリコン膜の除去すべき基板端部に対応する部分に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、前記ポリシリコン膜が露出された前記基板端部の一部にエッチング液としてのフッ酸と硝酸の混合液のパドルを形成し、前記パドルが維持される程度の回転数で基板を回転させながらその部分のポリシリコン膜を前記パドルによりエッチング除去する工程とを含む。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシリコン膜が形成された基板における基板端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法であって、
前記ポリシリコン膜の除去すべき基板端部に対応する部分に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
前記ポリシリコン膜が露出された前記基板端部の一部にエッチング液のパドルを形成し、前記パドルが維持される程度の回転数で基板を回転させながらその部分のポリシリコン膜を前記エッチング液のパドルによりエッチング除去する工程と
を含むことを特徴とするポリシリコン膜の除去方法。
【請求項２】
前記パドルは、前記基板の端部の一部を覆うようにホルダーを設け、該ホルダー内にエッチング液を供給することにより形成されることを特徴とする請求項１に記載のポリシリコン膜の除去方法。
【請求項３】
前記自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させる工程の後、基板に対する液の供給を停止して基板を回転させてその上の液を振り切った状態で、前記ホルダーを基板端部に位置させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のポリシリコン膜の除去方法。
【請求項４】
前記自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させる工程は、ポリシリコン膜を除去する部分の境界よりも内側部分にエッチング液を供給しながら、供給部分よりも内側にエッチング液が到達しない程度の遠心力が作用する速度で基板を回転させることにより行われることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のポリシリコン膜の除去方法。
【請求項５】
基板端部に前記エッチング液のパドルを形成してポリシリコン膜をエッチング後、基板端部に残存している前記エッチング液を除去してエッチングを停止する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のポリシリコン膜の除去方法。
【請求項６】
前記エッチング液は、フッ酸と硝酸の混合液であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のポリシリコン膜の除去方法。
【請求項７】
ポリシリコン膜が形成された基板における基板端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するための処理装置であって、
端部を露出させた状態で前記基板を回転可能に保持する保持機構と、
前記保持機構を回転させる回転機構と、
前記基板の端部にエッチング液を供給するエッチング液供給機構と、
前記基板の端部の一部を覆う位置に位置することが可能に設けられ、その位置において内部にエッチング液が供給されて前記基板端部にエッチング液のパドルを形成するためのホルダーと、
前記ホルダーを、前記基板の端部の一部を覆う位置と前記基板から離隔した退避位置との間で移動させる駆動機構と、
前記回転機構、前記エッチング液供給機構、前記駆動機構を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、
前記基板を回転させながら、前記ポリシリコン膜の除去すべき基板端部に対応する部分に形成された自然酸化膜にエッチング液を供給し、その部分の自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させ、
その後、前記ホルダーを前記基板の端部の一部を覆う位置に位置させて、前記ホルダーの内部にエッチング液を供給させ、前記基板端部に前記エッチング液のパドルを形成させ、前記パドルが維持される程度の回転数で基板を回転させながら、その部分のポリシリコン膜を前記エッチング液のパドルによりエッチング除去させることを特徴とする処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させた後、基板に対するエッチング液の供給を停止して基板を回転させてその上の液を振り切った状態で、前記ホルダーを基板端部に位置させる請求項７に記載の処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させる際に、ポリシリコン膜を除去する部分の境界よりも内側部分にエッチング液を供給させながら、供給部分よりも内側にエッチング液が到達しない程度の遠心力が作用する速度で基板を回転させることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記ホルダーの基板回転方向下流側に設けられ、基板端部が前記ホルダー内部を通過した後、基板端部に残存しているエッチング液を除去してエッチングを停止するエッチング停止機構をさらに具備することを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１１】
前記エッチング停止機構は、基板端部が前記ホルダー内部を通過した後、基板端部に残存しているエッチング液をガスブローにより吹き飛ばすガスブローノズルを有することを特徴とする請求項１０に記載の処理装置。
【請求項１２】
前記エッチング液は、フッ酸と硝酸の混合液であることを特徴とする請求項７から請求項１１のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１３】
コンピュータ上で動作し、処理装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項６のいずれかのポリシリコン膜の除去方法が行われるようにコンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリシリコン膜が形成された半導体ウエハ等の基板の端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法、それに用いる処理装置、および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）に対してゲート電極等を形成するためにポリシリコン膜を形成する工程が存在するが、ウエハのエッジ、ベベル等の端部においてひび割れや膜剥がれが生じることがあり、このようなひび割れや膜剥がれが生じるとパーティクルとなって半導体デバイスを汚染するおそれがある。
【０００３】
そのため、ウエハの端部のポリシリコン膜を除去することが行われている。ポリシリコン膜を除去する際には、従来から、エッチング液としてフッ酸と硝酸の混合液であるフッ硝酸を用いてウエットエッチングする手法が採られており、具体的には、除去したくない部分を保護膜（レジスト、ハードマスク）等で保護して、ウエハの端部（エッジおよびベベル）のみを露出してウエハ全体をフッ硝酸に浸漬することが行われていた。
【０００４】
しかしながら、このような手法は、エッチングする部分に合わせて保護膜を形成する必要があり、工程が煩雑になり、工程数が増加してしまう。また、ポリシリコン膜のカット幅の調整が容易ではないという問題点がある。
【０００５】
これに対して、ポリシリコン膜を除去する技術ではないが、特許文献１には、ウエハに膜を形成した後、ウエハを回転させながらベベル部に薬液を供給してベベル部をウエットエッチングにより除去する技術が提案されており、これをポリシリコン膜の端部のエッチングに適用することが考えられる。
【特許文献１】特開２００１−３１９８５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ポリシリコン膜に単にエッチング液であるフッ硝酸を供給しただけでは、ポリシリコン膜を十分に除去することができないことが判明した。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、煩雑な工程を経ることなく、基板の端部のポリシリコン膜を所望の幅で確実にエッチング除去することができるポリシリコン膜の除去方法、およびそのようなポリシリコンの除去を行う処理装置を提供することを目的とする。
また、そのような方法を実施するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、ポリシリコン膜が形成された基板における基板端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法であって、前記ポリシリコン膜の除去すべき基板端部に対応する部分に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、前記ポリシリコン膜が露出された前記基板端部の一部にエッチング液のパドルを形成し、前記パドルが維持される程度の回転数で基板を回転させながらその部分のポリシリコン膜を前記エッチング液のパドルによりエッチング除去する工程とを含むことを特徴とするポリシリコン膜の除去方法を提供する。
【０００９】
上記第１の観点において、前記パドルは、前記基板の端部の一部を覆うようにホルダーを設け、該ホルダー内にエッチング液を供給することにより形成されるようにすることができる。
【００１０】
また、前記自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させる工程の後、基板に対する液の供給を停止して基板を回転させてその上の液を振り切った状態で、前記ホルダーを基板端部に位置させる工程をさらに含むことが好ましい。前記自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させる工程は、ポリシリコン膜を除去する部分の境界よりも内側部分にエッチング液を供給しながら、供給部分よりも内側にエッチング液が到達しない程度の遠心力が作用する速度で基板を回転させることにより行われることが好ましい。
【００１１】
さらに、基板端部に前記エッチング液のパドルを形成してポリシリコン膜をエッチング後、基板端部に残存している前記エッチング液を除去してエッチングを停止する工程をさらに含むことが好ましい。前記エッチング液としては、フッ酸と硝酸の混合液を用いることができる。
【００１２】
本発明の第２の観点では、ポリシリコン膜が形成された基板における基板端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するための処理装置であって、端部を露出させた状態で前記基板を回転可能に保持する保持機構と、前記保持機構を回転させる回転機構と、前記基板の端部にエッチング液を供給するエッチング液供給機構と、前記基板の端部の一部を覆う位置に位置することが可能に設けられ、その位置において内部にエッチング液が供給されて前記基板端部にエッチング液のパドルを形成するためのホルダーと、前記ホルダーを、前記基板の端部の一部を覆う位置と前記基板から離隔した退避位置との間で移動させる駆動機構と、前記回転機構、前記エッチング液供給機構、前記駆動機構を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記基板を回転させながら、前記ポリシリコン膜の除去すべき基板端部に対応する部分に形成された自然酸化膜にエッチング液を供給し、その部分の自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させ、その後、前記ホルダーを前記基板の端部の一部を覆う位置に位置させて、前記ホルダーの内部にエッチング液を供給させ、前記基板端部に前記エッチング液のパドルを形成させ、前記パドルが維持される程度の回転数で基板を回転させながら、その部分のポリシリコン膜を前記エッチング液のパドルによりエッチング除去させることを特徴とする処理装置を提供する。
【００１３】
上記第２の観点において、前記制御部は、自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させた後、基板に対するエッチング液の供給を停止して基板を回転させてその上の液を振り切った状態で、前記ホルダーを基板端部に位置させることが好ましい。また、前記制御部は、自然酸化膜を除去してポリシリコン膜を露出させる際に、ポリシリコン膜を除去する部分の境界よりも内側部分にエッチング液を供給させながら、供給部分よりも内側にエッチング液が到達しない程度の遠心力が作用する速度で基板を回転させることが好ましい。
【００１４】
また、前記ホルダーの基板回転方向下流側に設けられ、基板端部が前記ホルダー内部を通過した後、基板端部に残存しているエッチング液を除去してエッチングを停止するエッチング停止機構をさらに具備することが好ましい。この場合に、前記エッチング停止機構は、基板端部が前記ホルダー内部を通過した後、基板端部に残存しているエッチング液をガスブローにより吹き飛ばすガスブローノズルを有するものとすることができる。
【００１５】
さらに、前記エッチング液としては、フッ酸と硝酸の混合液を用いることができる。
【００１６】
本発明の第３の観点では、コンピュータ上で動作し、処理装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第１の観点のポリシリコン膜の除去方法が行われるようにコンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板を低速で回転させつつ基板端部にエッチング液のパドルを形成し、ポリシリコン膜をエッチングすることにより、単にエッチング液を流しただけでは除去できなかったポリシリコン膜をエッチング除去することができる。また、この際に、自然酸化膜が残存した状態で基板の端部にパドルを形成しようとすると、表面が親水性であるため、基板が低速回転していると、エッチング液が基板の内側に入り込み、不所望の部分のポリシリコン膜も除去されてしまうが、ポリシリコン膜を除去しようとする基板端部周辺の自然酸化膜を除去して、疎水性のポリシリコン層を露出させ、その部分においてエッチング液の表面張力によりエッチング液を保持するようにすることにより、基板が低速回転であってもエッチング液が基板内側部分に侵入することを防止することができる。このため、基板端部のポリシリコン膜を所望の幅で確実にエッチング除去することができる。また、基板端部にパドルを形成するだけでよく、治具を用いるとしてもホルダーを設ければよいので、従来のエッチングしたくない部分に保護膜を形成する等の煩雑な工程を経る必要がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について具体的に説明する。図１は本発明の実施に用いられる処理装置の一例を示す概略構成図、図２はその平面図である。
【００１９】
この処理装置１は、チャンバ２を有し、このチャンバ２の中には、ポリシリコン膜が形成された被処理基板であるウエハＷを水平状態で真空吸着により吸着保持するためのスピンチャック３が設けられている。このスピンチャック３は、モータ４により回転可能となっている。チャンバ２の底部には、排気および排液のための排気・排液管６が、チャンバ２の下方へ延びるように設けられている。チャンバ２の側壁には、ウエハＷを搬入出するための搬入出口７が設けられている。
【００２０】
スピンチャック３に保持されたウエハＷの端部の上方には、エッチング液であるフッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液（フッ硝酸）を供給するエッチング液供給ノズル１１、純水（ＤＩＷ）を供給する純水供給ノズル１２が設けられている。これらノズル１１、１２はノズル駆動機構１３により水平方向および上下方向に移動可能となっている。
【００２１】
エッチング液供給ノズル１１にはエッチング液供給配管１４が接続されており、エッチング液供給配管１４の他端にはエッチング液供給源１５が接続されている。また、エッチング液供給配管１５にはバルブ１６が介装されている。純水供給ノズル１２には純水供給配管１７が接続されており、この純水供給配管１７の他端には純水供給源１８が接続されている。また、純水供給配管１７にはバルブ１９が介装されている。
【００２２】
ウエハＷの外周には、ウエハＷの端部（すなわちエッジおよび表裏のベベル）の一部を覆い、エッチング液をウエハＷの端部に保持するためのホルダー２０が設けられている。ホルダー２０は外方に延びるロッド２１により支持されており、このロッド２１は駆動機構２２に接続されている。そして、ホルダー２０は、駆動機構２２によりウエハＷに対して接離するように移動されるようになっている。
【００２３】
処理装置１は制御部３０を備えている。この制御部３０は、図３のブロック図に示すように、コントローラ３１と、ユーザーインターフェース３２と、記憶部３３とを有している。コントローラ３１は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理装置１の各構成部、例えばモータ４、ノズル駆動機構１３、バルブ１６，１９、駆動機構２２等を制御する。ユーザーインターフェース３２はコントローラ３１に接続され、オペレータが処理装置１を管理するためにコマンド等の入力操作を行うキーボードや、処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる。記憶部３３もコントローラ３１に接続され、その中に処理装置１の各構成部の制御対象を制御するための制御プログラムや、処理装置１に所定の処理を行わせるためのプログラムすなわち処理レシピが格納されている。処理レシピは記憶部３３の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクのような固定的なものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、コントローラ３１は、必要に応じて、ユーザーインターフェース３２からの指示等にて任意の処理レシピを記憶部３３から呼び出して実行させ、これにより処理装置１では、コントローラ３１の制御下で、所定の処理が行われる。
【００２４】
次に、このような処理装置１によりウエハＷの端部のポリシリコン膜をエッチング除去する方法について説明する。
図４はこのようなポリシリコン膜を除去する方法のフローチャートであり、図５はこの方法の各工程を説明するための模式図である。
【００２５】
まず、チャンバ２に全面に熱酸化膜４１を介してポリシリコン膜４２が形成されたウエハＷを搬入し、スピンチャック３にウエハＷを保持させる（工程１、図５（ａ））。この状態ではポリシリコン膜４２の表面が酸化されてケミカル酸化膜（自然酸化膜）４３が形成されている。なお、これら膜のうち、熱酸化膜４１およびケミカル酸化膜４３は親水性であり、ポリシリコン膜４２は疎水性である。また、この段階では、ホルダー２０はウエハＷの外方へ退避している。
【００２６】
次に、エッチング液供給ノズル１１を、ウエハＷのポリシリコン膜４２を除去する部分の境界よりも若干内側にエッチングが供給されるように位置させ、ウエハＷを回転させながらエッチング液としてフッ硝酸を供給し、ポリシリコン膜４２を除去すべきウエハＷの端部（エッジ４５および表裏のベベル４６）より少し内側の部分までケミカル酸化膜４３をエッチング除去する（工程２、図５（ｂ））。これにより、エッチングすべきウエハＷの端部およびその少し内側の領域において疎水性のポリシリコン膜４２が露出する。このときのウエハＷの回転数は、エッチング液が供給位置よりも内側へ行かない程度の遠心力が作用するように、比較的高い回転数（中速回転）、例えば２００ｒｐｍとすることが好ましい。なお、このときケミカル酸化膜４３は除去されるが、疎水性であるポリシリコン膜４２は除去されない。
【００２７】
次に、ウエハＷを回転させたまま、エッチング液であるフッ硝酸の供給を停止して、ウエハＷ上のエッチング液を振り切り、ホルダー２０をウエハＷの外周位置まで移動させる（工程３、図５（ｃ））。これにより、フッ硝酸を飛散させずにホルダー２０を所定の位置にセットすることができる。このときのウエハＷの回転数は、工程２のときと同じでよい。
【００２８】
次に、エッチング液供給ノズル１１を、エッチング液であるフッ硝酸をホルダー２０に供給可能な位置に移動させ（図２参照）、ホルダー２０内にフッ硝酸を供給し、ウエハＷの端部（エッジおよび表裏のベベル）にフッ硝酸のパドル４４を形成し、ウエハＷを低速で回転させながら、ウエハＷ端部のポリシリコン膜４２をエッチング除去する（工程４、図５（ｄ））。
【００２９】
このとき、図６に示すように、１〜２ｍｍ程度のフッ硝酸のパドルが形成されるように、ホルダー２０の位置および断面積が決定される。また、ウエハＷの端部がホルダー２０を通過する間に、その部分のポリシリコン膜４２が除去される必要があることから、ウエハＷの回転数やフッ硝酸のフッ酸と硝酸との混合割合、濃度に応じてホルダー２０の長さが設定される。ホルダー２０の長さは、例えば１０ｃｍとされる。また、ウエハＷの回転数はフッ硝酸のパドル４４が維持可能な回転数とする必要があり、例えば５ｒｐｍ程度とされる。フッ硝酸は、所定濃度のフッ酸と硝酸とを所定の割合で混合し、必要に応じてこれを水で希釈したものである。例えば、フッ酸（５０質量％フッ化水素水）と硝酸（６９％）とを質量比で１：５で混合したものや、フッ酸（５０質量％フッ化水素水）と硝酸（６９％）と純水とを１：１５：１０で混合したものを好適に用いることができる。
【００３０】
このようにホルダー２０によりフッ硝酸のパドル４４を形成するのは、疎水性のポリシリコン膜４２の表面にフッ硝酸を静的な状態である程度連続的に接触させて、すなわちフッ硝酸が置換しない状態として、ポリシリコン膜４２を確実に除去するためである。したがって、ウエハＷの回転数を調整してこのような状態が得られれば、必ずしもホルダー２０を設ける必要はない。
【００３１】
ウエハＷ端部のポリシリコン膜４２の除去が終了した後、ホルダー２０をウエハＷの外方の退避位置へ退避させ、純水供給ノズル１２を、工程２におけるフッ硝酸の供給位置よりも若干内側にリンス液としての純水が供給されるように位置させ、ウエハＷを回転させながら純水を供給してウエハＷ端部のリンス処理を行う（工程５、図５（ｅ））。このときのウエハＷの回転数は、純水が供給位置よりも内側へ行かない程度の遠心力が作用するように、比較的高い回転数（中速回転）、例えば２００ｒｐｍとすることが好ましい。
【００３２】
その後、リンス液である純水の供給を停止し、ウエハＷの回転数を上昇させてウエハＷの振り切り乾燥を行う（工程６、図５（ｆ））。このとき、ウエハＷの回転数は、５００ｒｐｍ程度が好ましい。
【００３３】
以上のように、ウエハＷを低速で回転させつつウエハＷの端部（エッジおよび表裏ベベル）にフッ硝酸のパドル４４を形成して、その部分のポリシリコン膜４２にフッ硝酸を静的な状態である程度連続的に接触させて、すなわちフッ硝酸が置換しない状態とすることにより、単にフッ硝酸を流しただけでは除去できなかったポリシリコン膜４２を除去することができる。このとき、ウエハＷの全面にケミカル酸化膜（自然酸化膜）４３が残存した状態でウエハＷの端部にパドルを形成しようとすると、表面が親水性であるため、ウエハＷが低速回転していると、フッ硝酸がウエハＷの内側に入り込み、不所望の部分のポリシリコン膜も除去されてしまう。そこで、本実施形態では、ポリシリコン膜４２を除去しようとするウエハＷ端部周辺のケミカル酸化膜（自然酸化膜）４３を除去して、疎水性のポリシリコン層４２を露出させ、その部分においてフッ硝酸の表面張力によりフッ硝酸を保持するようにすることにより、ウエハＷが低速回転であってもフッ硝酸が親水性のケミカル酸化膜（自然酸化膜）４３が残存している内側部分に侵入することを防止することができる。このため、ウエハＷ端部のポリシリコン膜を所望の幅で確実にエッチング除去することができる。また、ウエハＷの端部にパドルを形成するだけでよく、治具を用いるとしてもホルダー２０を設ければよいので、従来のエッチングしたくない部分に保護膜を形成する等の煩雑な工程を経る必要がない。
【００３４】
なお、上述のようにホルダー２０を用いてウエハＷ端部にパドルを形成する場合には、上述したようにウエハＷ端部のホルダー２０を通過した部分は、その時点でポリシリコン膜４２のエッチング除去が終了しているが、ホルダー２０を通過した後もその部分にフッ硝酸が残存して、さらにエッチングが進み、オーバーエッチとなって下地の熱酸化膜４１にダメージを与える場合もあり得る。そのようなオーバーエッチを回避するために、図７に示すように、ホルダー２０の出口付近にＮ２ガス等の不活性ガスを吐出するガスブローノズル５１を設け、ウエハＷ端部にフッ硝酸が残存する場合であっても、これを吹き飛ばすことができる。また、図８に示すように、ガスブローノズル５１の代わりに、純水ノズル５２を設け、ウエハＷ端部に残存するフッ硝酸を洗い流すようにしてもよい。さらに、図９に示すようにガスブローノズル５１と純水ノズル５２とを併用してもよい
【００３５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、自然酸化膜除去のためのフッ硝酸を供給するノズルを用いて、ホルダー２０の外部からホルダー２０内にフッ硝酸の供給を行う例について説明したが、例えば図１０に示すようにホルダー２０にエッチング液供給ノズル１１とは別のノズル５３を固定的に設けて、フッ硝酸を供給するようにしてもよいし、図１１に示すように、ホルダー２０にノズル挿入部５４を形成しておき、ホルダー２０内にフッ硝酸を供給する場合にエッチング液供給ノズル１１をノズル挿入部５４に挿入するようにしてもよい。
【００３６】
また、上記実施形態ではエッチング液としてフッ硝酸を用いたが、これに限らず、硝酸、硫酸等、自然酸化膜の除去およびシリコンの除去が可能なものであれば適用可能である。
【００３７】
また、上記実施形態では、被処理基板としてＳｉウエハのような半導体ウエハを用いた場合について示したが、これに限るものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施に用いられる処理装置の一例を示す概略構成図。
【図２】図１の処理装置の平面図。
【図３】図１の処理装置に設けられた制御部の構成を示すブロック図。
【図４】本発明の一実施形態に係るポリシリコン除去方法を示すフローチャート。
【図５】本発明の一実施形態に係るポリシリコン除去方法の各工程を説明するための模式図。
【図６】ホルダーを用いてウエハ端部にパドルを形成した状態を示す模式図。
【図７】オーバーエッチを回避するための構成の一例を説明するための図。
【図８】オーバーエッチを回避するための構成の他の例を説明するための図。
【図９】オーバーエッチを回避するための構成のさらに他の例を説明するための図。
【図１０】ホルダーにエッチング液としてのフッ硝酸を供給するための他の構成を説明するための図。
【図１１】ホルダーにエッチング液としてのフッ硝酸を供給するためのさらに他の構成を説明するための図。
【符号の説明】
【００３９】
１；処理装置
２；チャンバ
３；スピンチャック
４；モータ
６；排気・排液管
７；搬入出口
１１；エッチング液供給ノズル
１２；純水供給ノズル
１３；ノズル駆動機構
１４；エッチング液供給配管
１５；エッチング液供給源
１７；純水供給配管
１８；純水供給源
１６，１９；バルブ
２０；ホルダー
２２；駆動機構
３０；制御部
３１；コントローラ
３２；ユーザーインターフェース
３３；記憶部
４１；熱酸化膜
４２；ポリシリコン膜
４３；ケミカル酸化膜（自然酸化膜）
５１；ガスブローノズル
５２；純水ノズル
５３；ノズル
５４；ノズル挿入部
Ｗ；半導体ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2010093082.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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