(57)【要約】【課題】パターンの形成状態の異なるプレートが混在したロットを露光処理する場合においても、高い重ね精度を維持する。【解決手段】露光処理に先立って、処理対象のロット内の全てのプレートについて、前工程における露光条件に関する情報を入手する。露光条件が全てのプレートについて一律でない場合には、全てのプレートをサンプルプレートとし、一律である場合には、所定数の先頭プレートをサンプルプレートとする。サンプルプレートに対しては、全てのマークを検出し、その他のプレートに対しては、一部のマークのみを検出する。これにより、パターンの形成状態の異なるプレートが混在したロットを露光処理する場合においても、高い重ね精度を維持することが可能となる。【選択図】図６
2010251362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光方法であって、
前記複数の物体に既に形成されているパターンの形成条件に関する情報を入手し、該情報より前記形成条件が前記複数の物体について一律でないと確認された場合、前記複数の物体のすべてを対象物体として選択する工程と；
前記対象物体に対して、前記パターンとともに付与された複数のマークの全てを検出し、該検出結果に基づいて位置合わせすることにより、前記複数の物体に順次パターンを重ね形成する工程と；
を含む露光方法。
【請求項２】
前記選択する工程では、前記形成条件が前記複数の物体について一律であると確認された場合、前記複数の物体のうちの最初にパターンが重ね形成される所定数の物体を前記対象物体として選択し、
前記重ね形成する工程では、前記対象物体に対しては、さらに、該物体を位置合わせするとともに、前記検出結果と前記複数のマークの一部についての検出結果とから補完情報を求めて該補完情報を保持する一方、前記複数の物体のうちの前記対象物体以外の非対象物体に対しては、前記一部のマークに対応するマークを検出し、該検出結果と前記補完情報とに基づいて位置合わせする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記選択する工程では、前記複数の物体についての前記形成条件と重ね形成するための条件と同じ条件の別の複数の物体に対して求められた前記補完情報が保持されている場合、前記複数の物体の全てを前記非対象物体として選択し、
前記重ね形成する工程では、前記非対象物体に対して前記補完情報を使用する請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光方法であって、
前記複数の物体が搬入される毎に、該搬入された物体について既に形成されているパターンの形成条件に関する情報を入手し、該情報に基づいて対象物体を選別し、選別された該対象物体に対しては、前記パターンとともに付与された複数のマークの全てを検出し、該検出結果に基づいて位置合わせするとともに、前記検出結果と前記複数のマークの一部についての検出結果とから補完情報を求めて該補完情報を保持する一方、前記複数の物体のうちの前記対象物体以外の非対象物体に対しては、前記一部のマークに対応するマークを検出し、該検出結果と前記補完情報とに基づいて位置合わせすることにより、前記複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光方法。
【請求項５】
前記形成条件に基づいて前記搬入された物体を組分けし、該組毎に前記対象物体を選別する請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記組毎に、最初にパターンを重ね形成する所定数の物体を前記対象物体として選別する請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記組毎に、前記補完情報を求め、該補完情報を保持するとともに、対応する前記補完情報に基づいて前記組に含まれる物体を位置合わせする請求項５又は６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記対象物体を選別するに際し、前記複数の物体についての前記形成条件と重ね形成するための条件と同じ条件の別の複数の物体に対して求められた前記補完情報が保持されている場合、前記複数の物体の全てを前記非対象物体として選別し、該非対象物体に対して前記補完情報を適用する請求項４〜７のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項９】
前記重ね形成するための条件には、前記形成条件と共通の内容が含まれる請求項３又は８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記複数の物体に対するパターンの重ね形成を開始するに先立って、前記複数の物体のそれぞれについての識別情報と前記形成条件との対応情報を入手し、前記複数の物体が搬入される毎に、該搬入された物体についての前記識別情報を入手し、入手した前記識別情報を用いて前記対応情報から前記搬入された物体についての前記形成条件を検索し、該条件に基づいて対象物体を選別する請求項４〜９のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記補完情報は、前記対象物体のそれぞれについての前記複数のマークの全ての検出結果と前記一部のマークに対応するマークの検出結果との差から求められる請求項２〜１０のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記形成条件には、前記パターンの形成に用いられた装置及びマスク、前記対象物体であったか否かの別の少なくとも１つが含まれる請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、物体上にパターンを形成する工程と；
前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と；
を含むデバイス製造方法。
【請求項１４】
複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光装置であって、
光学系と、前記複数の物体を保持して移動可能な移動体とを含み、エネルギビームにより前記パターンが形成されたマスクと前記光学系とを介して前記移動体に保持された物体を露光する露光装置本体と；
前記移動体に保持された物体にパターンとともに付与された複数のマークを検出するマーク検出系と；
前記複数の物体に既に形成されているパターンの形成条件に関する情報を外部装置から入手し、該情報より前記形成条件が前記複数の物体について一律でないと確認された場合、前記複数の物体のすべてを対象物体として選択し、該対象物体に対して、前記パターンとともに付与された複数のマークの全てを前記マーク検出系を用いて検出し、該検出結果に基づいて前記対象物体を保持する前記移動体を駆動制御して、前記対象物体を前記マスクに対して位置合わせする制御系と；
を備える露光装置。
【請求項１５】
前記制御系は、前記形成条件が前記複数の物体について一律であると確認された場合、前記複数の物体のうちの最初にパターンが重ね形成される所定数の物体を前記対象物体として選択し、該対象物体に対しては、さらに、該物体を位置合わせするとともに、前記検出結果と前記複数のマークの一部についての検出結果とから補完情報を求めて該補完情報を保持する一方、前記複数の物体のうちの前記対象物体以外の非対象物体に対しては、前記一部のマークに対応するマークを検出し、該検出結果と前記補完情報とに基づいて前記非対象物体を保持する前記移動体を駆動制御して、前記非対象物体を前記マスクに対して位置合わせする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記制御系は、前記複数の物体についての前記形成条件と重ね形成するための条件と同じ条件の別の複数の物体に対して求められた前記補完情報が保持されている場合、前記複数の物体の全てを前記非対象物体として選択し、該非対象物体に対して前記補完情報を使用する請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光装置であって、
光学系と、前記複数の物体を保持して移動可能な移動体とを含み、エネルギビームにより前記パターンが形成されたマスクと前記光学系とを介して前記移動体に保持された物体を露光する露光装置本体と；
前記移動体に保持された物体にパターンとともに付与された複数のマークを検出するマーク検出系と；
前記複数の物体が上流装置から前記露光装置本体内に搬入される毎に、該搬入された物体について既に形成されているパターンの形成条件に関する情報を前記上流装置から入手し、該情報に基づいて対象物体を選別し、該対象物体に対しては、前記パターンとともに付与された複数のマークの全てを前記マーク検出系を用いて検出し、該検出結果に基づいて前記対象物体を保持する前記移動体を駆動制御するとともに、前記検出結果と前記複数のマークの一部についての検出結果とから補完情報を求めて該補完情報を保持する一方、前記複数の物体のうちの前記対象物体以外の非対象物体に対しては、前記一部のマークに対応するマークを検出し、該検出結果と前記補完情報とに基づいて前記非対象物体を保持する前記移動体を駆動制御することにより、前記複数の物体のそれぞれを前記マスクに対して位置合わせする制御系と；
を備える露光装置。
【請求項１８】
前記制御系は、前記形成条件に基づいて前記搬入された物体を組分けし、該組毎に前記対象物体を選別する請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記制御系は、前記組毎に、最初にパターンを重ね形成する所定数の物体を前記対象物体として選別する請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記制御系は、前記組毎に、前記補完情報を求めて該補完情報を保持するとともに、対応する前記補完情報に基づいて前記組に含まれる物体を保持する前記移動体を駆動制御する請求項１８又は１９に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記制御系は、前記対象物体を選別するに際し、前記複数の物体についての前記形成条件と重ね形成するための条件と同じ条件の別の複数の物体に対して求められた前記補完情報が保持されている場合、前記複数の物体の全てを前記非対象物体として選別し、該非対象物体に対して前記補完情報を適用する請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記制御系は、前記複数の物体に対するパターンの重ね形成を開始するに先立って、前記複数の物体のそれぞれについての識別情報と前記形成条件との対応情報を外部装置から入手し、前記複数の物体が搬入される毎に、該搬入された物体についての前記識別情報を前記上流装置から入手し、入手した前記識別情報を用いて前記対応情報から前記搬入された物体についての前記形成条件を検索し、該条件に基づいて対象物体を選別する請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記制御系は、前記対象物体のそれぞれについての前記複数のマークの全ての検出結果と前記一部のマークに対応するマークの検出結果との差から前記補完情報を求める請求項１５〜２２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２４】
請求項１４〜２３のいずれか一項に記載の露光装置と；
前記露光装置に搬入される物体に所定の処理を施す上流装置と；
前記露光装置と前記上流装置とを管理する管理装置と；
を備えるデバイス製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス製造システムに係り、更に詳しくは、半導体素子、液晶表示素子等を製造するリソグラフィ工程で用いられる露光方法、露光装置、前記露光方法を利用するデバイス製造方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、主として、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが用いられている。液晶表示素子用の露光装置（液晶露光装置）に対しては、基板の大型化に伴い、スキャナが主流となっている。
【０００３】
これらの露光装置では、照明光をパターンが形成されたマスク（又はレチクル）に照射して、パターンの像を投影光学系を介して感応剤（レジスト）が塗布された基板（ウエハ、ガラスプレート等）上に投影することによって、パターンが基板上の複数のショット領域に逐次転写される。そして、基板上に複数層のパターンを重ねて形成することによって、上記の電子デバイスが製造される。そのため、パターンの像を基板上の各ショット領域に既に形成されたパターンに正確に重ね合わせて転写する、高い重ね合わせ精度が要求される。
【０００４】
そこで、露光装置では、露光に先立って、基板上にパターンとともに形成された複数のアライメントマークを検出し、その結果を基にして次に基板上に形成するパターンを位置合わせする、いわゆるアライメント（例えばＥＧＡ）が行われる。
【０００５】
アライメントの効率化を図るため、複数（例えば５０又は１００）の基板から編成されるロットを露光処理する場合に、ロット内のサンプリング用の基板（最初の所定数の基板）に対しては、全てのアライメントマークを検出し、その結果を基にして次のパターンを位置合わせし、その他の基板に対しては、一部のアライメントマークのみを検出し、その結果と補完情報とを基にして次のパターンを位置合わせする、いわゆる間引きアライメント（以下では、「ｃＥＧＡ」ともいう）も行われている。
【０００６】
また、デバイス製造システムでは、電子デバイスの生産性を向上するために、複数の異なる露光装置を用いて、１つの基板に複数のパターンを重ね形成している。ここでは、基板は、通常、ロット単位で処理される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ところで、異なる装置によって露光処理された基板から、ロットが編成されることもある。例えば、基板単位（１基板に限らず、ロット単位数より少ない数の基板も含む）で露光処理が行われることもある。また、ロット処理中に、何らかの異常が発生し、露光処理が正常に終了しなかった基板や、露光処理は正常に終了したが、十分な重ね精度が得られず検査落ちした基板等が発生することもある。そのような基板は、ロットから外され、レジストが剥離されて保存される。そして、一定数（少なくともロット単位数）の基板が集まると、それらから新たなロットが編成される。そのようないわゆる再編成ロットに対しては、前記ｃＥＧＡが効力を発揮しないという不都合があった。
【０００８】
発明者等は、異なる露光装置で露光処理され、パターンの形成状態が異なる基板が上記再編成ロットに含まれていることが、上記不都合の原因の１つであることを見出した。ｃＥＧＡでは、ロット内に含まれる全ての基板について、パターンの形成状態が等しい（ほぼ等しい）ことを前提にしているからである。
【０００９】
本発明は、かかる事情の下でなされたものであり、第１の観点からすると、複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光方法であって、前記複数の物体に既に形成されているパターンの形成条件に関する情報を入手し、該情報より前記形成条件が前記複数の物体について一律でないと確認された場合、前記複数の物体のすべてを対象物体として選択する工程と；前記対象物体に対して、前記パターンとともに付与された複数のマークの全てを検出し、該検出結果に基づいて位置合わせすることにより、前記複数の物体に順次パターンを重ね形成する工程と；を含む露光方法である。
【００１０】
これによれば、パターンの形成状態の異なる物体が混在した複数の物体を露光処理する場合においても、高い重ね合わせ精度を維持することが可能となる。
【００１１】
本発明は、第２の観点からすると、複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光方法であって、前記複数の物体が搬入される毎に、該搬入された物体について既に形成されているパターンの形成条件に関する情報を入手し、該情報に基づいて対象物体を選別し、選別された該対象物体に対しては、前記パターンとともに付与された複数のマークの全てを検出し、該検出結果に基づいて位置合わせするとともに、前記検出結果と前記複数のマークの一部についての検出結果とから補完情報を求めて該補完情報を保持する一方、前記複数の物体のうちの前記対象物体以外の非対象物体に対しては、前記一部のマークに対応するマークを検出し、該検出結果と前記補完情報とに基づいて位置合わせすることにより、前記複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光方法である。
【００１２】
これによれば、パターンの形成状態の異なる物体が混在した複数の物体を露光処理する場合においても、高い効率と高い重ね精度を両立して維持することが可能となる。
【００１３】
本発明は、第３の観点からすると、本発明の露光方法を用いて、物体上にパターンを形成する工程と；前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と；を含むデバイス製造方法である。
【００１４】
これによれば、本発明の露光方法を用いているため、結果として、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
【００１５】
本発明は、第４の観点からすると、複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光装置であって、光学系と、前記複数の物体を保持して移動可能な移動体とを含み、エネルギビームにより前記パターンが形成されたマスクと前記光学系とを介して前記移動体に保持された物体を露光する露光装置本体と；前記移動体に保持された物体にパターンとともに付与された複数のマークを検出するマーク検出系と；前記複数の物体に既に形成されているパターンの形成条件に関する情報を外部装置から入手し、該情報より前記形成条件が前記複数の物体について一律でないと確認された場合、前記複数の物体のすべてを対象物体として選択し、該対象物体に対して、前記パターンとともに付与された複数のマークの全てを前記マーク検出系を用いて検出し、該検出結果に基づいて前記対象物体を保持する前記移動体を駆動制御して、前記対象物体を前記マスクに対して位置合わせする制御系と；を備える露光装置である。
【００１６】
これによれば、パターンの形成状態の異なる物体が混在した複数の物体を露光処理する場合においても、高い重ね合わせ精度を維持することが可能となる。
【００１７】
本発明は、第５の観点からすると、複数の物体に順次パターンを重ね形成する露光装置であって、光学系と、前記複数の物体を保持して移動可能な移動体とを含み、エネルギビームにより前記パターンが形成されたマスクと前記光学系とを介して前記移動体に保持された物体を露光する露光装置本体と；前記移動体に保持された物体にパターンとともに付与された複数のマークを検出するマーク検出系と；前記複数の物体が上流装置から前記露光装置本体内に搬入される毎に、該搬入された物体について既に形成されているパターンの形成条件に関する情報を前記上流装置から入手し、該情報に基づいて対象物体を選別し、該対象物体に対しては、前記パターンとともに付与された複数のマークの全てを前記マーク検出系を用いて検出し、該検出結果に基づいて前記対象物体を保持する前記移動体を駆動制御するとともに、前記検出結果と前記複数のマークの一部についての検出結果とから補完情報を求めて該補完情報を保持する一方、前記複数の物体のうちの前記対象物体以外の非対象物体に対しては、前記一部のマークに対応するマークを検出し、該検出結果と前記補完情報とに基づいて前記非対象物体を保持する前記移動体を駆動制御することにより、前記複数の物体のそれぞれを前記マスクに対して位置合わせする制御系と；を備える露光装置である。
【００１８】
これによれば、パターンの形成状態の異なる物体が混在した複数の物体を露光処理する場合においても、高い効率と高い重ね精度を両立して維持することが可能となる。
【００１９】
本発明は、第６の観点からすると、本発明の露光装置と；前記露光装置に搬入される物体に所定の処理を施す前記上流装置と；前記露光装置と前記上流装置とを管理する管理装置と；を備えるデバイス製造システムである。
【００２０】
これによれば、本発明の露光装置を備えているため、結果として、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るデバイス製造システムの概略構成を示す図である。
【図２】図１のデバイス製造システムにおける露光装置の概略構成を示す図である。
【図３】図２の露光装置が備える主制御装置の入出力関係を説明するためのブロック図である。
【図４】図２の露光装置が備えるプレートステージ上面の構成を示す図である。
【図５】図２の露光装置が備えるアライメント検出系の配置を示す図である。
【図６】ホストからレシピ及びロット情報を受け取ったときの主制御装置での処理を説明するためのフローチャートである。
【図７】アライメント検出系を用いての基準マークの検出を説明するための図である。
【図８】図８（Ａ）〜図８（Ｄ）は、それぞれｃＥＧＡにおけるアライメントマークの検出手順を説明するための図である。
【図９】第２の実施形態における、ホストからレシピ及びロット情報を受け取ったときの主制御装置での処理を説明するためのフローチャートである。
【図１０】処理対象のロットにおけるプレートと識別子の関係の一例を説明するための図である。
【図１１】図１０における各プレートの種別を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態を図１〜図８（Ｄ）を用いて説明する。
【００２３】
図１には、本発明に係るデバイス製造システム１００の概略構成が示されている。このデバイス製造システム１００は、露光装置１１０を含む複数の露光装置、露光装置１１０にインライン接続されたコータ・デベロッパ（以下、「Ｃ／Ｄ」という）１２０、及びホストコンピュータ（以下、「ホスト」と略称する）１３０等を備えている。
【００２４】
複数の露光装置、Ｃ／Ｄ１２０、及びホスト１３０は、ネットワーク（例えばＬＡＮ）１４０に接続されている。また、露光装置１１０とＣ／Ｄ１２０との間には、ネットワーク１４０を介さない直接の通信路が設けられている。
【００２５】
ここでは、露光装置１１０は、走査型の投影露光装置である。この露光装置１１０は、一例として図２及び図３に示されるように、５つの照明系ＩＯＰ１〜ＩＯＰ５、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴ、プレートＰを保持するプレートステージＰＳＴ、マスクステージＭＳＴを駆動するマスクステージ駆動系ＭＳＤ、プレートステージＰＳＴを駆動するプレートステージ駆動系ＰＳＤ、５つの投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５を含む投影光学系モジュールＰＬ、及び露光装置１１０の構成各部を統括制御する主制御装置５０などを備えている。なお、露光装置１１０の構成等の詳細は後述する。
【００２６】
以下の説明では、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５の光軸ＡＸ１〜ＡＸ５と平行な方向をＺ軸方向、これに直交する面内で互いに直交する２軸方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向とする。なお、Ｘ軸方向は、走査露光におけるマスクステージＭＳＴとプレートステージＰＳＴの走査方向と平行とする。
【００２７】
マスクＭは、一方の面（−Ｚ側の面）にパターンが形成されている矩形状のマスクであり、例えば真空吸着により、マスクステージＭＳＴ上に固定されている。
【００２８】
プレートＰは、表示デバイス用の基板である矩形状のガラスプレートである。
【００２９】
Ｃ／Ｄ１２０は、プレートＰ上に感応剤（レジスト）を塗布するコータ（レジスト塗布装置）と、パターンが転写されたプレートＰを現像するデベロッパ（現像装置）とを備えている。このＣ／Ｄ１２０は、露光装置１１０にインラインにて接続されている。従って、Ｃ／Ｄ１２０内のコータによりレジストが塗布されたプレートＰは、搬送系（不図示）により、コータから露光装置１１０に搬送される。また、露光装置１１０によりパターンが転写されたプレートＰは、搬送系により、露光装置１１０から搬出され、Ｃ／Ｄ１２０内のデベロッパに搬入される。
【００３０】
ホスト１３０は、デバイス製造システム１００を統括的に管理するコンピュータである。ホスト１３０は、全ての露光装置の露光履歴（例えば、各露光装置により処理されたロット名（ロットＩＤ）、プロセスプログラム（レシピ）、及び処理時刻等）を収集する。そして、ホスト１３０は、収集した露光履歴に基づいて、全ての基板（ロット）の露光処理における露光装置の稼動スケジュールを作成する。なお、「レシピ」は、使用するマスクの情報、及びプレート毎（プレート間で共通）の処理条件（アライメントマーク座標、露光座標、露光量など）を含んでいる。また、プレート枚数やプレート個々の識別子、そしてＣ／Ｄや露光装置の処理条件（つまりレシピ）の識別子（レシピ名／レシピＩＤ）といった情報は「ロット情報」と呼ばれている。この「ロット情報」はロットが構成された際に生成され、そのロットの全処理終了とともに消滅する。一方「レシピ」は、ロットの寿命とは無関係に管理され、ロット間でも使いまわされるものである。
【００３１】
ここで、前記露光装置１１０の構成等の詳細について説明する。
【００３２】
マスクステージＭＳＴは、リニアモータ等を含むマスクステージ駆動系ＭＳＤにより、水平面（ＸＹ平面）内で微小駆動可能で、且つ走査方向（Ｘ軸方向）に所定のストロークで所定の走査速度で駆動可能である。
【００３３】
マスクステージＭＳＴのＸＹ平面内での位置は、レーザ干渉計（以下、「マスク干渉計」という）１６を用いて、常時、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で計測される。
【００３４】
ここでは、マスクステージＭＳＴの端部に移動鏡（又は鏡面加工された反射面）１５が設けられており、マスク干渉計１６は、移動鏡１５にレーザビーム（測長ビーム）を照射し、移動鏡１５からの反射光を受光することにより、マスクステージＭＳＴの位置を計測する。ここでの計測結果は、主制御装置５０に供給される。
【００３５】
主制御装置５０は、マスク干渉計１６の計測結果に基づいて、マスクステージ駆動系ＭＳＤを介してマスクステージＭＳＴを駆動制御する。なお、マスク干渉計１６に代えて、あるいはマスク干渉計１６とともにエンコーダ（又は複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステム）を用いても良い。
【００３６】
各照明系は、マスクステージＭＳＴの＋Ｚ側に配置され、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）等の輝線を発する超高圧水銀ランプからなる光源（不図示）、及び該光源に送光光学系を介して接続された照明光学系（不図示）を含んでいる。
【００３７】
そして、各照明系は、それぞれ、光源から発せられ、照明光学系で成形された輝線を、照明光として−Ｚ方向に射出する。５つの照明光ＩＬ１〜ＩＬ５は、マスクＭ上の５つの照明領域（不図示）を個別に照明する。なお、５つの照明領域は、千鳥状に配列され、照明光学系の視野絞り（不図示）によって規定される等脚台形状をそれぞれ有している。各光源の−Ｚ側にはそれぞれ、シャッタ（不図示）が付設されている。
【００３８】
照明光学系は、オプティカルインテグレータ、波長選択器、可変減光器等を含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、ブラインド等（いずれも不図示）を含んでいる。
【００３９】
５つの投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５は、マスクステージＭＳＴの下方（−Ｚ側）に、マスクＭ上の５つの照明領域と同様に、ＸＹ平面内において千鳥状に配置されている。ここでは、投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５はＹ軸方向に所定間隔で配置され、投影光学系ＰＬ２，ＰＬ５は、投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５から＋Ｘ側に離間して、Ｙ軸方向に所定間隔で配置されている。
【００４０】
各投影光学系は、それぞれ、光軸に沿って配置されたプリズム、光学素子群（レンズ群）、及び反射鏡を各２組備える２段インミラーレンズ光学系を含み、等倍正立像を投影する両側テレセントリックな光学系である。
【００４１】
プレートＰ上において像が投影される５つの領域（投影領域）は、マスクＭ上の５つの照明領域と同様に、千鳥状に配列されている。ここで、５つの投影領域は、照明領域と同様の等脚台形状を有している。
【００４２】
そこで、マスクＭ上の５つの照明領域内のパターンの部分像を、それぞれ投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５を介してプレートＰ上の５つの投影領域に投影しつつ、マスクＭ及びプレートＰを走査方向（Ｘ軸方向）に同期駆動することにより、プレートＰ上に投影されたパターンの部分像はマスクＭに形成されたパターンに等しい１つの像（合成像）に合成される。すなわち、マスクＭのパターンが、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５を介してプレートＰ上の１ショット領域内に転写される。
【００４３】
なお、本第１の実施形態では、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５として等倍正立像を投影する光学系を採用しているため、５つの投影領域の形状及び配置（位置関係）は、それぞれ、マスクＭ上の５つの照明領域の形状及び配置（位置関係）に等しい。投影光学系モジュールＰＬの構成の詳細は、例えば米国特許第６，５５２，７７５号明細書などに開示されている。
【００４４】
プレートステージＰＳＴは、投影光学系モジュールＰＬの下方（−Ｚ側）に配置されている。プレートステージＰＳＴは、リニアモータ等を含むプレートステージ駆動系ＰＳＤにより、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｚ軸回りの回転方向（θｚ方向）、Ｘ軸回りの回転方向（θｘ方向）及びＹ軸回りの回転方向（θｙ方向）に微小駆動される。なお、プレートステージＰＳＴに代えて、ＸＹ平面内で移動（θｚ方向の回転を含む）可能なステージと、このステージ上に支持され、プレートＰを保持してＺ軸方向、θｘ方向、及びθｙ方向に微動可能なテーブルとを用いることもできる。
【００４５】
プレートステージＰＳＴのＸＹ平面内での位置（ヨーイング（θｚ方向の回転θｚ）を含む）及びＺ軸に対する傾斜（ピッチング（θｘ方向の回転θｘ）及びローリング（θｙ方向の回転θｙ））は、レーザ干渉計（以下、「プレート干渉計」と呼ぶ）１８を用いて、常時、計測される。
【００４６】
ここでは、プレートステージＰＳＴの端部に移動鏡（又は鏡面加工された反射面）１７が設けられており、プレート干渉計１８は、移動鏡１７にレーザビーム（測長ビーム）を照射し、移動鏡１７からの反射光を受光することにより、プレートステージＰＳＴの位置を計測する。ここでの計測結果は、主制御装置５０に供給される。
【００４７】
主制御装置５０は、プレート干渉計１８の計測結果に基づいて、プレートステージ駆動系ＰＳＤを介してプレートステージＰＳＴを駆動制御する。なお、プレート干渉計１８に代えて、あるいはプレート干渉計１８とともにエンコーダ（又は複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステム）を用いても良い。
【００４８】
プレートステージＰＳＴ上の＋Ｘ端部近傍には、一例として図４に示されるように、Ｙ軸方向を長手方向とする矩形状のマーク板１４が固定されている。このマーク板１４の高さは、その表面がプレートステージＰＳＴに載置されるプレートＰの表面とほぼ同一面になるように設定されている。そして、マーク板１４の表面には、６つの基準マーク１４１〜１４６がＹ軸方向に並んで形成されている。
【００４９】
また、プレートステージＰＳＴの内部には、６つの基準マーク１４１〜１４６のそれぞれの下方（−Ｚ側）に、レンズ系と撮像素子（ＣＣＤ等）とを含む６つのマーク像検出系ＭＤ１〜ＭＤ６が配置されている。これらのマーク像検出系ＭＤ１〜ＭＤ６は、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５とレンズ系によるマスクＭ上のアライメントマークの投影像と、レンズ系による基準マーク１４１〜１４６の像とを同時に検出し、基準マーク１４１〜１４６の像の位置を基準とするアライメントマークの像の位置を計測する。その測定結果は、主制御装置５０に供給され、マスクＭの位置合わせ（マスクアライメント）等に用いられる。
【００５０】
ここでは、プレートＰの有効露光領域内に、Ｘ軸方向に２、Ｙ軸方向に３、計６つのショット領域Ｓｉｊ（ｉ＝１，２、ｊ＝１〜３）が配列されている。各ショット領域ＳｉｊのＸ軸方向及びＹ軸方向の長さは、それぞれ、Ｌ１／２、Ｌ２／３である。また、各ショット領域Ｓｉｊ内の４隅の近傍に、それぞれ１つのアライメントマークＡＭｋｌ（ｋ＝１〜４，ｌ＝１〜６）が付与されている。なお、プレートＰにおける有効露光領域のＸ軸方向の長さをＬ１、Ｙ軸方向の長さをＬ２としている。
【００５１】
さらに、露光装置１１０には、６つの基準マーク１４１〜１４６及びプレートＰ上のアライメントマークＡＭｋｌ（ｋ＝１〜４，ｌ＝１〜６）を検出するために、６つのオフアクシス方式のアライメント検出系ＡＬ１〜ＡＬ６が備えられている。６つのアライメント検出系は、投影光学系モジュールＰＬの＋Ｘ側に、Ｙ軸に沿って順に配置されている。
【００５２】
一例として図５に示されるように、アライメント検出系ＡＬ１とアライメント検出系ＡＬ２の間隔、アライメント検出系ＡＬ３とアライメント検出系ＡＬ４の間隔、及びアライメント検出系ＡＬ５とアライメント検出系ＡＬ６の間隔は、等間隔（間隔Ｗとする）である。また、アライメント検出系ＡＬ２とアライメント検出系ＡＬ３の間隔、及びアライメント検出系ＡＬ４とアライメント検出系ＡＬ２の間隔は、等間隔（間隔ｄとする）である。そして、アライメント検出系ＡＬ１とアライメント検出系ＡＬ６の距離は（Ｌ２−ｄ）であり、Ｗ＋ｄ＝Ｌ２／３である。すなわち、アライメント検出系ＡＬ１〜ＡＬ６の配置は、マーク板１４上の基準マーク１４１〜１４６の配置、及びプレートＰ上のアライメントマークＡＭｋｌ（ｋ＝１〜４，ｌ＝１〜６）の配置に対応している。
【００５３】
各アライメント検出系としては、画像処理方式のＦＩＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｉｍａｇｅ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）系のセンサが採用されている。ＦＩＡ系のセンサは、例えば、プレートＰ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と指標（不図示）の像とを撮像素子（ＣＣＤ）等を用いて撮像する。各アライメント検出系の検出結果は、アライメント信号処理系（不図示）を介して主制御装置５０に送られる。
【００５４】
なお、アライメント検出系として、ＦＩＡ系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出し、あるいはその対象マークから発生する２つの回折光（例えば同次数）を干渉させて検出するアライメントセンサを、単独であるいは適宜組み合わせて用いることも可能である。
【００５５】
ところで、全てのプレートの前工程における露光処理の条件（露光条件）、すなわち、前工程レイヤに形成されているパターンの処理条件は、ホスト１３０により管理されている。ここで、処理条件として、前工程において使用された露光装置、使用されたマスク、サンプルプレートであったかオブジェクトプレートであったかの別等の、パターンの形成状態に影響する条件が選ばれる。なお、オブジェクトプレートとは、ロット内の複数の基板のうちサンプリング用の基板（サンプルプレート）以外の基板をいう。また、パターンの形成状態に影響する場合には、前工程に限らず、全ての工程における露光条件も管理される。
【００５６】
ホスト１３０は、露光装置１１０に露光処理を指示するにあたって、現工程における露光処理の内容、すなわち、使用するマスク（ここではマスクＭ）、露光処理するロット、ロット内に含まれるプレート等を指定する。さらに、ホスト１３０は、ロット内に含まれる全てのプレートについて、それらの前工程における露光処理の条件が一律であるか否かを判別する。ホスト１３０は、これらが記載されたレシピ及びロット情報を、露光装置１１０に転送する。これと同時に、指定されたロットが、Ｃ／Ｄ１２０に搬入される。
【００５７】
主制御装置５０が、ホスト１３０からレシピ及びロット情報を受け取ったときの処理について図６を用いて説明する。図６のフローチャートは、主制御装置５０によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。
【００５８】
最初のステップＳ４０１では、処理対象のロットにおけるプレートの枚数Ｎｐをロット情報から取得する。
【００５９】
次のステップＳ４０３では、ロードされたプレートが処理対象のロットにおける何番目のプレートであるかを示すカウンタｎに初期値１をセットする。
【００６０】
次のステップＳ４０５では、処理対象のロットにおける全てのプレートについて、前工程における露光処理の条件をロット情報から取得する。
【００６１】
次のステップＳ４０６では、いわゆるベースライン計測を行う。
【００６２】
ここでは、プレート干渉計１８の計測結果に基づいて、プレートステージＰＳＴを駆動し、図７に示されるように、プレートステージＰＳＴ上の基準マーク１４１〜１４６をそれぞれアライメント検出系ＡＬ１〜ＡＬ６の検出視野内に位置決めする。
【００６３】
そして、プレート干渉計１８にリセットを指示するとともに、アライメント検出系ＡＬ１〜ＡＬ６を用いて基準マーク１４１〜１４６を検出する。これにより、プレート干渉計１８により規定されるステージ座標（座標原点及び座標軸）がリセットされるとともに、リセットされたステージ座標（Ｘ，Ｙ）におけるアライメント検出系ＡＬ１〜ＡＬ６の位置（指標中心の位置）が較正され、ベースライン計測が完了する。
【００６４】
次のステップＳ４０７では、ｎ番目のプレートをプレートステージＰＳＴ上にロードする。
【００６５】
次のステップＳ４０９では、処理対象のロットにおける全てのプレートについて、前工程における露光処理の条件が一律であるか否かを判断する。前工程における露光処理の条件が一律であることがロット情報に記載されていれば、ここでの判断は肯定され、ステップＳ４１１に移行する。
【００６６】
このステップＳ４１１では、カウンタｎの値が所定の値（ここでは、一例として４）以上であるか否かを判断する。ここでは、カウンタｎの値は１なので、ここでの判断は否定され、ステップＳ４１５に移行する。
【００６７】
このステップＳ４１５では、プレート干渉計１８の計測結果に基づいて、プレートステージＰＳＴを＋Ｘ方向に駆動し、図８（Ａ）に示されるように、プレートＰ上のアライメントマークＡＭ４ｌ（ｌ＝１〜６）をそれぞれアライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）の検出視野内に位置決めする。
【００６８】
そして、アライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）を用いて、アライメントマークＡＭ４ｌ（ｌ＝１〜６）を検出する。ここでは、指標中心からのマークの位置が計測される。
【００６９】
さらに、アライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）の検出結果と、プレート干渉計１８の計測結果と、先のベースライン計測の結果とから、プレートステージＰＳＴ上の基準位置（例えば基準マーク１４１の位置）からのアライメントマークＡＭ４ｌ（ｌ＝１〜６）のＸＹ位置ξ４ｌ，ζ４ｌ（ｌ＝１〜６）を求める。
【００７０】
そして、図８（Ｂ）〜図８（Ｄ）に示されるように、プレートステージＰＳＴを＋Ｘ方向に駆動して、逐次、アライメントマークＡＭ３ｌ、ＡＭ２ｌ、ＡＭ１ｌ（ｌ＝１〜６）をアライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）の検出視野内に位置決めして、アライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）を用いて残りのアライメントマークを検出する。それにより、全てのアライメントマークＡＭｋｌ（ｋ＝１〜４，ｌ＝１〜６）のＸＹ位置ξｋｌ，ζｋｌ（ｋ＝１〜４，ｌ＝１〜６）が検出される。
【００７１】
そして、検出結果ξｋｌ，ζｋｌ（ｋ＝１〜４，ｌ＝１〜６）を用いて、プレートＰの位置合わせパラメータ（補正パラメータ）を求める。ここでは、一例として、次の（１）式により示される６パラメータ線形モデルを適用する。
【００７２】
【数１】
2010251362.tif 000003
【００７３】
ここで、（Ｘ，Ｙ）はアライメントマークの実際の位置、（ｘ，ｙ）はアライメントマークの設計上の位置、（Ｏｘ，Ｏｙ）はシフト量、Θは回転角、（Γｘ，Γｙ）は倍率、Ωは直交度である。これらのパラメータを補正パラメータと総称する。
【００７４】
すなわち、上記（１）式を用いて、検出結果ξｋｌ，ζｋｌ（ｋ＝１〜４，ｌ＝１〜６）から補正パラメータ（Ｏｘ，Ｏｙ，Θ，Γｘ，Γｙ，Ω）を求める。ここで、自乗誤差ε＝Σｋ＝１〜４，ｌ＝１〜６（（ξｋｌ−Ｘｋｌ）２＋（ζｋｌ−Ｙｋｌ）２）が最小となるように、最小自乗法を適用して、補正パラメータを決定する。但し、Ｘｋｌ，Ｙｋｌは、上記（１）式を用いて変換されるアライメントマークＡＭｋｌの設計上の位置ｘｋｌ，ｙｋｌである。なお、設計上の位置ｘｋｌ，ｙｋｌは、予め求められているものとする。便宜上、ここで得られた補正パラメータを第１の補正パラメータという。
【００７５】
次のステップＳ４１７では、上記（１）式を用いて、検出結果ξｋｌ，ζｋｌ（ｋ＝１，４，ｌ＝１〜６）のみから補正パラメータ（Ｏｘ０，Ｏｙ０，Θ０，Γｘ０，Γｙ０，Ω０）を求める。便宜上、ここで得られた補正パラメータを第２の補正パラメータという。この第２の補正パラメータは、プレートＰの±Ｘ側端部近傍に付与されたアライメントマークの検出結果のみから求められている。従って、第２の補正パラメータには、前工程レイヤに形成されたパターンの全体的な歪みが反映されている。
【００７６】
そして、上記第１の補正パラメータと第２の補正パラメータから、補完パラメータΔＯｘ（＝Ｏｘ−Ｏｘ０），ΔＯｙ（＝Ｏｙ−Ｏｙ０），ΔΘ（＝Θ−Θ０），ΔΓｘ（＝Γｘ−Γｘ０），ΔΓｙ（＝Γｙ−Γｙ０），ΔΩ（＝Ω−Ω０）を求める。
【００７７】
次のステップＳ４１９では、補完パラメータΔＯｘ，ΔＯｙ，ΔΘ，ΔΓｘ，ΔΓｙ，ΔΩの平均を求め、保存する。
【００７８】
次のステップＳ４２１では、第１の補正パラメータを用いて、プレートＰが載置されたプレートステージＰＳＴを位置合わせする。
【００７９】
次のステップＳ４４１では、走査露光によりマスクＭのパターンを転写する。
【００８０】
次のステップＳ４４３では、カウンタｎの値がＮｐ以上であるか否かを判断する。ここでは、カウンタｎの値は１であるので、ここでの判断は否定され、ステップＳ４４５に移行する。
【００８１】
このステップＳ４４５では、カウンタｎの値に１を加算する。そして、上記ステップＳ４０７に戻る。
【００８２】
以降、ステップＳ４１１での判断が肯定されるまで、ステップＳ４０７〜ステップＳ４４５の処理を繰り返し行う。
【００８３】
カウンタｎの値が４になると、ステップＳ４１１での判断が肯定され、ステップＳ４３３に移行する。
【００８４】
このステップＳ４３３では、プレート干渉計１８の計測結果に基づいて、プレートステージＰＳＴを＋Ｘ方向に駆動し、プレートＰ上のアライメントマークＡＭ４ｌ（ｌ＝１〜６）をそれぞれアライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）の検出視野内に位置決めする。
【００８５】
そして、アライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）を用いてアライメントマークＡＭ４ｌ（ｌ＝１〜６）を検出する。
【００８６】
次に、プレートステージＰＳＴを＋Ｘ方向に駆動して、アライメントマークＡＭ１ｌ（ｌ＝１〜６）をアライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）の検出視野内に位置決めする。
【００８７】
そして、アライメント検出系ＡＬｌ（ｌ＝１〜６）を用いてアライメントマークＡＭ１ｌ（ｌ＝１〜６）を検出する。これにより、１２のアライメントマークＡＭｋｌ（ｋ＝１，４，ｌ＝１〜６）のＸＹ位置ξ’ｋｌ，ζ’ｋｌ（ｋ＝１，４，ｌ＝１〜６）が検出される。
【００８８】
続いて、上記（１）式を用いて、検出結果ξ’ｋｌ，ζ’ｋｌ（ｋ＝１，４，ｌ＝１〜６）から補正パラメータ（Ｏｘ’，Ｏｙ’，Θ’，Γｘ’，Γｙ’，Ω’）を求める。
【００８９】
次のステップＳ４３５では、上記ステップＳ４３３で得られた補正パラメータに上記補完パラメータを加えて、補完する。すなわち、補完された補正パラメータ（Ｏｘ，Ｏｙ，Θ，Γｘ，Γｙ，Ω）として、Ｏｘ＝Ｏｘ’＋ΔＯｘ，Ｏｙ＝Ｏｙ’＋ΔＯｙ，Θ＝Θ’＋ΔΘ，Γｘ＝Γｘ’＋ΔΓｘ，Γｙ＝Γｙ’＋ΔΓｙ，Ω＝Ω’＋ΔΩ、を求める。
【００９０】
次のステップＳ４３７では、補完された補正パラメータを用いて、プレートＰが載置されたプレートステージＰＳＴを位置合わせする。そして、上記ステップＳ４４１に移行する。
【００９１】
以降、ステップＳ４４３での判断が肯定されるまで、ステップＳ４０７〜ステップＳ４４５の処理を繰り返し行う。
【００９２】
カウンタｎの値がＮｐになると、ステップＳ４４３での判断が肯定され、ホスト１３０からレシピ及びロット情報を受け取ったときの処理を終了する。
【００９３】
なお、上記ステップＳ４０９において、前工程における露光処理の条件が一律でないことがロット情報に記載されていれば、ステップＳ４０９での判断は否定され、前記ステップＳ４１５に移行する。
【００９４】
次に、主制御装置５０による走査露光処理について説明する。
【００９５】
各ショット領域に対する走査露光では、マスク干渉計１６とプレート干渉計１８の計測結果を監視して、マスクステージＭＳＴとプレートステージＰＳＴとをそれぞれの走査開始位置（加速開始位置）に移動する。そして、両ステージＭＳＴ，ＰＳＴを同じＸ軸方向（±Ｘ方向）に同期駆動する。それにより、照明光ＩＬ１〜ＩＬ５によってそれぞれマスクＭ上の５つの照明領域が照明され、５つの照明領域内のパターンの部分像がそれぞれ投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５を介してプレートＰ上の５つの投影領域に投影される。
【００９６】
走査露光中、補正パラメータに従って、マスクステージＭＳＴとプレートステージＰＳＴの同期駆動（相対位置及び相対速度）を微調整する。これにより、前工程レイヤに形成されたパターンに重なるように、マスクＭのパターンの投影像が位置合わせされる。
【００９７】
マスクＭのパターンの全面が照明光ＩＬ１〜ＩＬ５により照明され終えると、プレートＰ上の１つのショット領域に対する走査露光が終了する。それにより、ショット領域内に、マスクＭのパターンが転写される。すなわち、プレート上に設けられたレジスト層に、マスクＭのパターンと同じパターンの潜像が形成される。
【００９８】
１つのショット領域に対する走査露光が終了すると、プレートステージＰＳＴを、次のショット領域に対する走査開始位置（加速開始位置）へ移動（ステッッピング）させる。そして、次のショット領域に対する走査露光を行う。このように、プレートＰのショット領域間のステッピングとショット領域に対する走査露光とを繰り返すことにより、ステップ・アンド・キャン方式の露光により、プレートＰ上の全てのショット領域にマスクＭのパターンが転写される。
【００９９】
以上説明したように、本第１の実施形態に係る露光装置１１０によると、露光処理に先立って、処理対象のロットに含まれる全てのプレートについての前工程における露光条件に関する情報を入手し、露光条件が全てのプレートについて一律でない場合、全てのプレートをサンプルプレートとしている。それにより、再編成ロットのようにパターンの形成状態の異なるプレートが混在したロットを露光処理する場合にｃＥＧＡを適用しても、高い重ね合わせ精度を維持することができる。
【０１００】
なお、上記第１の実施形態では、ホスト１３０が、処理対象のロット内の全てのプレートについての前工程における露光処理の条件が一律であるか否かの判断を行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ホスト１３０が、処理対象のロット内の全てのプレートについての前工程における露光処理の条件をロット情報に記載し、露光装置１１０側が、一律であるか否かの判断を行っても良い。
【０１０１】
また、上記第１の実施形態において、主制御装置５０は、得られた補完パラメータを、現工程における露光条件と前工程における露光条件とに対応付けて保存しても良い。この場合には、主制御装置５０は、後に続くロットの露光処理において、同じ露光条件に対応する補完パラメータが保存されているときに、ロット内の全てのプレートをオブジェクトプレートとし、得られた補正パラメータを、保存されている補完パラメータを用いて補完することができる。これにより、後に続くロットの露光処理において、異なる露光条件（ロット情報）での処理が割り込まれたとしても、再度補完パラメータを求めることなく、ｃＥＧＡを適用することができるので、効率化を図ることができる。
【０１０２】
《第２の実施形態》
以下、本発明の第２の実施形態について説明する。この第２の実施形態は、ホストからレシピ及びロット情報を受け取ったときの主制御装置での処理が前述した第１の実施形態と異なる点に特徴を有し、デバイス製造システムの構成などは、前述した第１の実施形態と同様である。従って、以下においては、第１の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【０１０３】
ホスト１３０は、プレート毎に前工程における露光条件を特定するための識別子（ＩＤ番号）を付加したロット情報を作成し、露光装置１１０及びＣ／Ｄ１２０に転送する。
【０１０４】
Ｃ／Ｄ１２０は、ロット情報から処理対象のロットにおける各プレートの露光条件及び識別子をそれぞれ抽出し、露光装置１１０にプレートを搬送する際、搬送されるプレートの露光条件及び識別子が含まれる情報を主制御装置５０に送信する。
【０１０５】
主制御装置５０が、ホスト１３０からレシピ及びロット情報を受け取ったときの処理について図９を用いて説明する。図９のフローチャートは、主制御装置５０によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。なお、すでに、マスクＭはマスクステージＭＳＴ上にロードされ、マスクアライメントは完了しているものとする。また、ここでの処理対象のロットにおける各プレートのロードされる順番とその識別子が図１０に示されている。
【０１０６】
最初のステップＳ６０１では、処理対象のロットにおけるプレートの枚数Ｎｐをロット情報から取得する。
【０１０７】
次のステップＳ６０３では、ロードされたプレートが処理対象のロットにおける何番目のプレートであるかを示すカウンタｎに初期値１をセットする。
【０１０８】
次のステップＳ６０４では、上記と同様にしてベースライン計測を行う。
【０１０９】
次のステップＳ６０５では、ｎ番目のプレートをプレートステージＰＳＴ上にロードする。なお、以下では、ロードされたプレートをロードプレートと略述する。このとき、Ｃ／Ｄ１２０から、ロードプレートの露光条件及び識別子が含まれる情報を受信する。
【０１１０】
次のステップＳ６０７では、Ｃ／Ｄ１２０からの情報を参照し、ロードプレートの識別子を取得する。ここでは、最初のロードプレートＰ１の識別子１が取得される。
【０１１１】
次のステップＳ６０９では、同一の識別子でのロード順位ｓを取得する。ここでは、ロード順位ｓは、識別子１のロード順位である。
【０１１２】
次のステップＳ６１１では、ロード順位ｓの値が所定の値（ここでは、一例として４）以上であるか否かを判断する。ここでは、ロード順位ｓの値は１なので、ここでの判断は否定され、ステップＳ６１３に移行する。
【０１１３】
次のステップＳ６１３では、ロードプレートをサンプルプレートとする。
【０１１４】
次のステップＳ６１７では、上記ステップＳ４１５と同様にして第１の補正パラメータを取得する。
【０１１５】
次のステップＳ６１９では、上記ステップＳ４１７と同様にして補完パラメータを取得する。
【０１１６】
次のステップＳ６２１では、補完パラメータを保存する。なお、同一識別子のサンプルプレートの数が３枚になると、それらの補完パラメータの平均を求め、平均補完パラメータとして保存する。
【０１１７】
次のステップＳ６２３では、第１の補正パラメータを用いて、プレートＰが載置されたプレートステージＰＳＴを位置合わせする。
【０１１８】
次のステップＳ６５１では、走査露光によりマスクＭのパターンを転写する。
【０１１９】
次のステップＳ６５３では、カウンタｎの値がＮｐ以上であるか否かを判断する。ここでは、カウンタｎの値は１であるので、ここでの判断は否定され、ステップＳ６５５に移行する。
【０１２０】
このステップＳ６５５では、カウンタｎの値に１を加算する。そして、上記ステップＳ６０５に戻る。
【０１２１】
以降、ステップＳ６１１での判断が肯定されるまで、ステップＳ６０５〜ステップＳ６５５の処理を繰り返し行う。
【０１２２】
プレートＰ７がロードされると、識別子１でのロード順位ｓの値は４であるため、ステップＳ６１１での判断が肯定され、ステップＳ６３１に移行する。
【０１２３】
このステップＳ６３１では、ロードプレートをオブジェクトプレートとする。
【０１２４】
次のステップＳ６３５では、上記ステップＳ４３３と同様にして補正パラメータを取得する。
【０１２５】
次のステップＳ６３７では、上記ステップＳ６３５で得られた補正パラメータに、同一の識別子の平均補完パラメータを加えて補完する。
【０１２６】
次のステップＳ６３９では、補完された補正パラメータを用いて、プレートＰが載置されたプレートステージＰＳＴを位置合わせする。そして、上記ステップＳ６５１に移行する。
【０１２７】
以降、ステップＳ６５３での判断が肯定されるまで、ステップＳ６０５〜ステップＳ６５５の処理を繰り返し行う。
【０１２８】
カウンタｎの値がＮｐになると、ステップＳ６５３での判断が肯定され、ホスト１３０からレシピ及びロット情報を受け取ったときの処理を終了する。
【０１２９】
ここでは、図１１に示されるように、プレートＰ１〜Ｐ６、Ｐ８、Ｐ９、Ｐ１２は、サンプルプレートであり、プレートＰ７、Ｐ１０、Ｐ１１は、オブジェクトプレートである。
【０１３０】
以上説明したように、本第２の実施形態に係る露光装置１１０によると、主制御装置５０は、処理対象のロット内のプレートをロードする毎に、ロードプレートの前工程における露光条件に関する情報を入手する。そして、主制御装置５０は、入手した情報に基づいて、ロードプレートをサンプルプレート及びオブジェクトプレートのいずれかに選別する。
【０１３１】
主制御装置５０は、サンプルプレートに対しては、パターンとともに付与された複数のマークの全てから得られた補正パラメータに基づいて位置合わせをする。また、主制御装置５０は、オブジェクトプレートに対しては、一部のマークから得られた補正パラメータとサンプルプレートでの補正パラメータから得られた補完パラメータとに基づいて位置合わせする。そこで、パターンの形成状態の異なるプレートが混在したロットを露光処理する場合においても、高い効率と高い重ね精度を両立して維持することができる。
【０１３２】
なお、上記第２の実施形態において、さらに、主制御装置５０は、識別子毎に得られた補完パラメータを、現工程における露光条件と前工程における露光条件とに対応付けて保存しても良い。
【０１３３】
この場合、主制御装置５０は、後に続くロットの露光処理に際して、プレート搬入時に、同じ露光条件に対応する補完パラメータが保存されているか否かをチェックし、保存されていると、該プレートをオブジェクトプレートとし、得られた補正パラメータを保存されている補完パラメータを用いて補完することができる。これにより、後に続くロットの露光処理において、異なる露光条件（ロット情報）の処理が割り込まれたとしても、再度補完パラメータを求めることなく、ｃＥＧＡを適用することができるので、効率化を図ることができる。
【０１３４】
また、上記第２の実施形態では、露光条件が、Ｃ／Ｄ１２０から主制御装置５０に送信される場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、Ｃ／Ｄ１２０から、ロードプレートの識別子を主制御装置５０に送信し、主制御装置５０が受信した識別子をキーとして、ロット情報からロードプレートに関する露光条件を検索し、抽出しても良い。
【０１３５】
なお、上記各実施形態では、露光装置１１０が走査型露光装置の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、露光装置１１０が静止型露光装置であっても良い。
【０１３６】
また、上記各実施形態において、露光装置１１０が投影露光装置である場合、投影光学系は、等倍系のみならず、縮小系及び拡大系のいずれでも良い。また、投影光学系は、反射屈折系、反射系及び屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。
【０１３７】
また、上記各実施形態において、露光装置１１０以外の露光装置が、スキャニング・ステッパ、静止型露光装置、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の投影露光装置、光学系と液体とを介して基板を露光する液浸型露光装置のいずれかであっても良い。
【０１３８】
さらに、例えば米国特許第６，６１１，３１６号明細書に開示されているように、２つのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回のスキャン露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置を、露光装置１１０以外の露光装置に用いても良い。
【０１３９】
また、上記各実施形態において、露光装置１１０の光源は、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ（１５７ｎｍ）であっても良い。
【０１４０】
また、上記各実施形態において、主制御装置によって実施されている露光方法は、液晶表示素子の製造に限らず、半導体素子、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン、及びＤＮＡチップなどの製造に適用することができる。
【０１４１】
半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計に基づいたマスクを製作するステップ、デバイスの基板を製造するステップ、前述したいずれかの実施形態のデバイス製造システムの露光装置及びその露光方法によりマスクのパターンを基板に転写するステップ、露光された基板を現像するステップ、レジストパターンが形成された基板をエッチング加工するステップ、不要となったレジストを取り除くステップ、デバイスを組み立てるステップ（ダイシング、ボンディング、パッケージを含む）、デバイスを検査するステップ等を経て、製造される。
【０１４２】
この場合には、上記転写するステップにおいて、前記いずれかの実施形態のデバイス製造システムの露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４３】
本発明の露光方法及び露光装置は、物体上にパターンを形成するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法及びデバイス製造システムは、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するのに適している。
【符号の説明】
【０１４４】
５０…主制御装置、１００…デバイス製造システム、１１０…露光装置（走査型露光装置）、１２０…コータ・デベロッパ（Ｃ／Ｄ）、１３０…ホストコンピュータ、Ｍ…マスク、ＭＳＴ…マスクステージ、Ｐ…プレート、ＰＬ（ＰＬ１〜ＰＬ５）…投影光学系モジュール（投影光学系）、ＰＳＴ…プレートステージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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