(57)【要約】  【課題】処理単位の全ての基板処理が終了していない状況でも、基板処理中に異常を検知することができ、異常を検知した後、例えば、以後の生産を停止させる機能を持つ基板処理装置を提供することにある。  【解決手段】プラズマを生成してウェハＷを処理する際に、サセプタに発生する自己バイアス電圧を検出する検出手段と、該検出手段から検出された前記自己バイアス電圧の最大値及び最小値と、予め設定された上限許容値、下限許容値及び許容値幅を格納する格納手段と、前記自己バイアス電圧の最大値と最小値との幅と前記上限許容値と下限許容値との幅との差を前記許容値幅と比較して処理の異常を判定する判定手段と、該判定結果に応じて異常を通知する通知手段とを有する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、処理室内にガスを導入するガス導入手段と、基板を載置する基板載置台と、高周波電力を供給するための高周波電力供給手段と、を有し、前記処理室内で前記高周波電力供給手段が供給する高周波電力によって生成されたプラズマを利用し、前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、
プラズマを生成して前記基板を処理する際に、前記基板載置台に発生する自己バイアス電圧を検出する検出手段と、該検出手段から検出された前記自己バイアス電圧の最大値及び最小値と、予め設定された上限許容値、下限許容値及び許容値幅を格納する格納手段と、前記自己バイアス電圧の最大値と最小値との幅と前記上限許容値と下限許容値との幅との差を前記許容値幅と比較して処理の異常を判定する判定手段と、該判定結果に応じて異常を通知する通知手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記検出手段によって検出された自己バイアス電圧の最大値及び最小値に基づいて前記上限許容値及び前記下限許容値を算出する算出手段を有し、
該算出された結果に基づいて前記格納手段の前記上限許容値及び前記下限許容値を更新し、この更新された上限許容値と下限許容値との差と前記自己バイアス電圧の最大値と最小値との差で生じる幅とを比較することにより処理の異常を判定し、判定した結果に応じて異常を通知することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを利用して基板を処理する基板処理装置に関し、特に自己バイアス電圧の監視制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造過程において、基板上の素子を形成するために成膜処理工程としてプラズマを利用した化学的気相成長法などを用いる基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、基板が正常に処理されたか否かを判断するパラメータとして自己バイアス電圧が用いられている。
【０００３】
しかしながら、自己バイアス電圧は、基板処理のために供給されるガスの総供給ガス流量、ガス組成比、基板処理がなされる真空容器内圧力値、プラズマを発生させるために供給される供給高周波電力値などのプロセスパラメータや、プラズマを発生させるために用いられる電極の構成材料、及びその表面処理などで変化するため、予めどのくらいの値になるかを予想することは困難である。従って、所定の設定値に対してモニタ値が許容量以上乖離したら異常値とみなすというような管理方法を用いることができない。
【０００４】
自己バイアス電圧が異常であることを判断するには、処理後の基板の膜組成を検査するか、または基板に対する処理履歴を参照して作業者（管理者、操作者、オペレータ等）が判断するしか手段がない。しかし、これらの方法は、例えば、複数の基板を一つの処理単位とした場合、このような一つの処理単位の処理が全て終了した後に実施できることである。もし仮に処理単位の最初の基板の処理で異常が生じていた場合、以降全ての基板が仕様を満たさない失敗作として処分されてしまう可能性があるとの問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、例えば、複数枚の基板を一つの処理単位とした場合、該処理単位の全ての基板処理が終了していない状況でも、基板処理中に異常を検知することができ、異常を検知した後、例えば、以後の生産を停止させる機能を持つ基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、処理室内にガスを導入するガス導入手段と、基板を載置する基板載置台と、高周波電力を供給するための高周波電力供給手段と、を有し、前記処理室内で前記高周波電力供給手段が供給する高周波電力によって生成されたプラズマを利用し、前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、プラズマを生成して前記基板を処理する際に、前記基板載置台に発生する自己バイアス電圧を検出する検出手段と、該検出手段から検出された前記自己バイアス電圧の最大値及び最小値と、予め設定された上限許容値、下限許容値及び許容値幅を格納する格納手段と、前記自己バイアス電圧の最大値と最小値との幅と前記上限許容値と下限許容値との幅との差を前記許容値幅と比較して処理の異常を判定する判定手段と、該判定結果に応じて異常を通知する通知手段とを有することにある。
【０００７】
本発明の第２の特徴とするところは、第１の発明において、前記検出手段によって検出された自己バイアス電圧の最大値及び最小値に基づいて前記許容値幅を算出する算出手段を有し、該算出された結果に基づいて前記格納手段の前記上限許容値及び前記下限許容値を更新し、この更新された上限許容値と下限許容値との差と前記自己バイアス電圧の最大値と最小値との差で生じる幅とを比較することにより処理の異常を判定し、判定した結果に応じて異常を通知することにある。
【発明の効果】
【０００８】
リアルタイムで異常判定を実施することが困難な自己バイアス電圧を監視し、異常判定することにより、半導体基板製造の歩留りを向上させることができる。また、品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（IC）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、図１に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるインライン型の半導体製造装置の概略的な構成例を示す。図１の構成では、ウェハ搬送用ロボットやプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が２式接続された並列冗長の構成となっている。また、この半導体製造装置は基板（ウェハ）を搬送するキャリアを用いている。
【００１０】
図１において、インライン型の半導体製造装置１は２チャンネルで構成されており、基本的には次のような機能を持つ複数のモジュール（第１の処理モジュール２及び第２の処理モジュール３）によって構成されている。第１の処理モジュール２は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバＰＭ１と、この前段に設けられた前室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバＶＬ１とから構成されている。第２の処理モジュール３は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバＰＭ２と、この前段に設けられた前室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバＶＬ２とから構成されている。プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１とはゲートバルブＰＧＶ１で接続されている。また、プロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２とはゲートバルブＰＧＶ２で接続されている。バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２にはそれぞれ真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２とが設けられている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２には、上段にバッファスロットＬＳを備え、下段にクーリングステージＣＳを備える多段型のスロットが設けられている。更に大気ローダＬＭには、アライナＡＵとローダハンドラＬＨが内蔵されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２と大気ローダＬＭの間にはローダドアＬＤ１、ＬＤ２が設けられている。
【００１１】
プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２は、化学反応(例えば、ＣＶＤ)による成膜など、基板としてのウェハＷに付加価値を与える機能を持っている。また、ガス導入・排気機構、及び温度制御・プラズマ放電機構など成膜方式に合せた機構を持っている。
【００１２】
バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、真空又は大気圧のチャンバ内圧力を制御可能に構成されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２には、第２の基板搬送装置としての真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２が１台ずつ独立して設けられ、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１間、又はプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２間とでウェハＷを搬送することが可能になっている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、ウェハＷを保持することができる多段型ステージ、例えば上下２段のステージを有する。上段のバッファステージＬＳ１、ＬＳ２ではウェハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ１、ＣＳ２ではウェハＷを冷却する機構を持っている。
【００１３】
バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２に接続された大気搬送室としての大気ローダＬＭは、各ロードロックチャンバ（つまり、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２）へウェハを搬入搬出することができるロボット（つまり、ローダハンドラＬＨ）を装備している。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ１とはロードドアＬＤ１（ゲートバルブ）で接続されている。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ２とはロードドアＬＤ２（ゲートバルブ）で接続されている。この大気ローダＬＭの他側には、基板収納部としての２台のロードポートＬＰ１、ＬＰ２とが設けられる。
【００１４】
大気ローダＬＭには、１台のローダハンドラＬＨが設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２だけでなくロードポートＬＰ１、ＬＰ２との間でウェハＷを搬送することが可能になっている。また、大気ローダＬＭには、基板位置補正装置としてのアライナユニットＡＵが設けられ、搬送時のウェハＷのずれの補正やノッチを一定方向に合せるノッチ合わせ（以下、アライメントという）を行うことが可能となっている。また、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２は、複数枚のウェハＷが保持可能なキャリアＣＲ１，ＣＲ２を、半導体製造装置外部と受渡し可能に構成されている。更に少なくともキャリアＩＤをリード/ライトすることができる。
【００１５】
上述した真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２、ローダハンドラＬＨ、ゲートバルブＰＧＶ１、ＰＧＶ２、ロードドアＬＤ１、ＬＤ２、及びプロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２のガス導入・排気機構、及び温度制御・プラズマ放電機構や、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２の冷却機構等は、図示しない制御用コントローラにより制御するようになっている。
【００１６】
図１に示すような半導体製造装置１の構成において、プロセスチャンバＰＭ１の一式とバキュームロックチャンバＶＬ１の一式を対にし、プロセスチャンバＰＭ２の一式とバキュームロックチャンバＶＬ２の一式を別の対にして、複数ラインを大気ローダＬＭに接続する。図１の半導体製造装置１の構成では２ラインとなっているが、さらに多くのラインで構成してもよい。
【００１７】
ここで、制御用コントローラが半導体製造装置１に接続されており、制御用コントローラは搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図２は図１に示す半導体製造装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【００１８】
図２において、制御用コントローラ１１は、操作部１２と統括制御コントローラ１３とプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４、ＰＭＣ（２）１５が、ＬＡＮ回路１６で接続されている。また、統括制御コントローラ１３にはＶＬロボットコントローラ１３ａ、大気ロボットコントローラ１３ｂ、マスフローコントローラＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。さらに、プロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４には、マスフローコントローラＭＦＣ１４ａ、ＡＰＣ１４ｂ、温度調節器１４ｃ、バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続されている。尚、ＭＦＣ１４ａはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、ＡＰＣ１４ｂはプロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器１４ｃはプロセスチャンバＰＭ内の温度の制御を行うものであり、バルブＩ／Ｏ１４ｄはガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するための入出力ポートである。また、ＰＭＣ（２）１５もＰＭＣ（１）１４と同様な構成である。
【００１９】
記憶部１８は、ＬＡＮ回線１６に接続されており、操作部１２に表示される画面を介して入力された指示データや各種レシピ（プロセスレシピ、ダミー基板用レシピ等）を格納する。
【００２０】
操作部１２はシステム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する機能を有している。また、統括制御コントローラ１３は、システム全体の運用制御、ＶＬロボットコントローラ１３ａの制御、大気ロボットコントローラ１３ｂの制御、ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御するＶＬ排気系制御を行う。
【００２１】
次に、図２に示す制御用コントローラ１１の運用例について説明する。操作部１２からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ１３は、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示する。該当するウェハＷがキャリアからバキュームロックチャンバＶＬのバッファスロットＬＳへ搬送されてから、バキュームロックチャンバＶＬのバッファスロットＬＳへ搬送されてから、バキュームロックチャンバＶＬの排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、バキュームロックチャンバＶＬが所定の負圧力に達したところでウェハＷを該当するＰＭＣ（つまり、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５）に対して、ウェハＷに付加価値を与えるための制御パラメータであるプロセスレシピの実行指示を行う。
【００２２】
図３には、プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２の少なくとも一方として用いられるプラズマ処理装置１００が示されている。図３に示されているように、プラズマ処理装置１００は処理室１０２を形成する真空容器１０４を備えている。真空容器１０４の側壁には、被処理基板としてのウェハＷを処理室内に搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口１０６が開設されており、ウェハ搬入搬出口１０６はゲートバルブ１０８によって開閉されるように構成されている。
【００２３】
真空容器１０４の底壁には排気ライン１１０の一端が接続されており、排気ライン１１０の他端は真空排気手段としての真空排気装置１１１に接続されている。排気ライン１１０の途中には排気コンダクタンス調整手段としての排気コンダクタンス調整弁１１２が介設されている。排気コンダクタンス調整弁１１２には排気コンダクタンス調整弁制御装置１１４が電気的に接続されており、排気コンダクタンス調整弁１１２には排気コンダクタンス調整弁制御装置１１４には、処理室１０２内の圧力を検出する圧力センサ１１６が電気的に接続されている。排気コンダクタンス調整弁制御装置１１４は圧力センサ１１６からの検出結果及びコントローラ１１８からの指令に基づいて、排気コンダクタンス調整弁１１２を制御することにより、処理室１０２内の圧力を調整するように構成されている。
【００２４】
真空容器１０４の処理室１０２内にはアノード電極（陽極）１２０が設置されている。アノード電極１２０の内部にはガス通路１２４が形成されており、アノード電極１２０の下面にはシャワー板１２２がガス通路１２４を仕切るように嵌め込まれている。シャワー板１２２には多数個の吹出口１２６がガスをシャワー状に吹き出すように開設されている。アノード電極１２０のガス通路１２４にはガス導入手段としてのガス導入ライン１２８が接続されており、ガス通路１２４にはガス導入ライン１２８から多種類のガスが導入されるようになっている。
【００２５】
一方、真空容器１０４の処理室１０２の下部にはカソード電極（陰極）１３０が設置されている。カソード電極１３０はウェハＷを載置した状態で保持する基板載置台（サセプタ）を兼用するように構成されており、サセプタ兼用のカソード電極１３０には保持したウェハＷを加熱するヒータ（図示せず）が内蔵されている。
【００２６】
アノード電極１２０とカソード電極１３０との間には、高周波電力供給手段としての高周波発振器１３２がインピーダンス整合器１３４を介して接続されており、高周波発振器１３２は前述のＰＭＣ（１）１４（若しくはＰＭＣ（２）１５）に相当するコントローラ１１８に通信線１３６によって接続されている。高周波発振器１３２はコントローラ１１８からの指令に応答してインピーダンス整合器１３４を介してアノード電極１２０とカソード電極１３０との間に高周波電圧を印加するようになっている。
【００２７】
カソード電極１３０には自己バイアス電圧検出手段としての電圧計１３８が接続されており、電圧計１３８は検出結果を通信線１４０によってコントローラ１１８に送信するように構成されている。コントローラ１１８には記憶装置１４２、表示装置１４４及び入力装置１４６が接続されている。ここで、記憶装置１４２、表示装置１４４の代わりにそれぞれ記憶部１８、操作部１２を使用してもよいのはいうまでもない。
【００２８】
コントローラ１１８にはソフトウェアの機能として、進行波電力量及び累積自己バイアス電圧の管理機能が組み込まれている。このため、コントローラ１１８はプラズマ処理に関するデータとして、進行波電力値を高周波発振器１３２から通信線１３６を介して取得して、記憶装置１４２に格納するように構成されている。また、コントローラ１１８はプラズマ処理に関するデータとして、自己バイアス電圧値を電圧計１３８から通信線１４０を介して取得して、記憶装置１４２に格納するように構成されている。
【００２９】
次に、前記構成に係るプラズマ処理装置１００によるウェハＷへの膜の形成方法を説明する。
【００３０】
膜を形成すべきウェハＷがウェハ搬入搬出口１０６に搬送されてくると、ゲートバルブ１０８が開けられ、ウェハＷがウェハ搬入搬出口１０６から処理室１０２内に搬入され、サセプタを兼用するカソード電極１３０の上に載置される。ウェハＷがカソード電極１３０に設置されて保持されると、ウェハ搬入搬出口１０６がゲートバルブ１０８によって閉じられる。処理室１０２内が真空排気装置１１１によって排気ライン１１０及び排気コンダクタンス調整弁１１２を通じて排気される。
【００３１】
処理室１０２内が所定の圧力に維持されながら、原料ガスがガス導入ライン１２８からガス通路１２４に導入され、処理室１０２内にシャワー板１２２の吹出口１２６からシャワー状に吹き出される。処理室１０２内の圧力を一定に維持する方法としては、圧力センサ１１６から出力されて排気コンダクタンス調整弁制御装置１１４に入力される信号に基づいて、排気コンダクタンス調整弁１１２が制御されるフィードバック制御方法が使用される。
【００３２】
処理室１０２内が所定の圧力に維持された状態で、コントローラ１１８に入力装置１４６から設定された電力値が高周波発振器１３２に通信線１３６を通じて設定され、高周波電力が高周波発振器１３２によって発生される。高周波発振器１３２によって発生された高周波電力は、アノード電極１２０にインピーダンス整合器１３４を通して印加される。高周波電力が印加されると、アノード電極１２０とカソード電極１３０との間にプラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマにより、処理室１０２内にシャワー状に吹き出された原料ガスが分解又は活性化し、サセプタを兼ねるカソード電極１３０に保持されたウェハＷの上に堆積し、膜が形成される。
【００３３】
以上で説明をした半導体製造装置１においては、自己バイアス電圧が、ウェハＷが正常に処理されたか否かを判断するパラメータとして用いられている。ここで、自己バイアス電圧は、基板処理のために、処理室１０２に供給されるガスの総供給ガス流量、ガス組成比、基板処理がなされる真空容器１０４内の圧力値、プラズマを発生させるために高周波発振器１３２から供給される供給高周波電力値などのプロセスパラメータや、プラズマを発生させるために用いられるアノード電極１２０やカソード電極１３０の構成材料、及びその表面処理などで変化するため、自己バイアス電圧が、予めどのくらいの値になるかを予想するのは困難である。従って、所定の設定値に対してモニタ値が許容量以上乖離したら異常値とみなすというような監視方法を用いることが困難である。自己バイアス電圧が異常であることを判断するには、処理後のウェハＷの膜組成を検査するか、又はウェハＷに対する処理履歴を参照して作業者（オペレータ等）が判断するしかない。
【００３４】
しかし、これらの方法は、複数枚のウェハＷを一つの処理単位とした場合、このような一つの処理単位の全ての基板処理が終了した後に実施できることであり、仮に処理単位の最初のウェハＷ処理で異常が発生した場合、以降全てのウェハＷが仕様を満たさない失敗作として処分されてしまう恐れがある。
【００３５】
そこで、本実施形態における半導体製造装置１では、プロセス処理を積み重ねながら自己バイアス電圧の監視範囲を自己補正しながら設定し、自己バイアス電圧のモニタ値の最大値と最小値が上記範囲内にあることを監視することができるようになっている。
【００３６】
図４に基づいて、自己バイアス電圧の異常判定フローを詳述する。
【００３７】
ステップ０において、ウェハＷを処理する前に、自己バイアス電圧の乖離許容幅を設定する。例えば、オペレータが手入力で設定する。ステップ１において、１枚目のウェハＷ処理の間、自己バイアス電圧を検出し、検出した自己バイアス電圧の実測値が、所定の上限許容値若しくは下限許容値からはみ出さないように監視する。図５に、ステップ１における自己バイアス電圧の異常判定を示す。ステップ２において、１枚目のウェハＷ処理の際に検出した最大値を記憶し、ステップ３において、１枚目のウェハＷ処理の際に検出した最小値を記憶する。ステップ４にて、２枚目のウェハＷ処理が開始される。
【００３８】
２枚目のウェハＷの処理が開始されたら、ステップ５に移行し、１枚目のウェハＷ処理の際の自己バイアス電圧の最大値と最小値をそれぞれ読み出し、自己バイアス電圧の最大値と最小値を前記上限許容値と前記下限許容値としてそれぞれ更新して再設定する。ステップ６では、２枚目のウェハＷが処理されている間、自己バイアス電圧を検出し、検出される自己バイアス電圧の最大値が許容値幅（１枚目のウェハＷ処理の際の自己バイアス電圧の最大値と最小値）から著しく乖離していないか比較される。また、ステップ６では、ウェハＷ処理中に検出される自己バイアス電圧の最小値が前記許容値幅（１枚目のウェハＷ処理の際の自己バイアス電圧の最大値と最小値）から著しく乖離していないか比較される。このように、２枚目以降の異常判定は、図６のようにウェハＷ処理の際に検出される自己バイアス電圧の最大値と最小値が前記許容値幅と比較して前記設定した乖離許容幅内に収まるかどうかで判定される。そして、ステップ８にて、２枚目のウェハＷ処理が終了する。
【００３９】
ウェハＷ処理が終了すると、許容値幅の更新が行われる。具体的には、ステップ９にて上限許容値（監視最大値）の更新を行う。具体的には次式で算出される。
監視最大値＝前回の監視最大値＋{(前回の監視最大値＋今回の自己バイアス最大値) ／２−(前回の監視最小値−今回の自己バイアス最小値) ／２}×自己バイアス電圧乖離許容値
【００４０】
次に、ステップ１０にて下限許容値（監視最小値）の更新を行う。具体的には次式で算出される。
監視最小値＝前回の監視最小値＋{(前回の監視最大値＋今回の自己バイアス最大値) ／２−(前回の監視最小値−今回の自己バイアス最小値) ／２}×自己バイアス電圧乖離許容値
【００４１】
ステップ１１にて、処理単位（ロット）のウェハＷ処理が全て終了したかどうかチェックされる。ロット内のウェハＷの処理が全て終了したら自己バイアス電圧監視処理も終了する。まだロット内のウェハＷが残っていたらステップ４に戻り、引き続き上述したような自己バイアス電圧監視処理を行う。
【００４２】
尚、ステップ６やステップ７において、ウェハＷ処理中に自己バイアス電圧が自己バイアス電圧の監視範囲から著しく外れたときは、ステップ１２に移行し、異常処理を行い終了する。このとき、オペレータへの通知が行われる。例えば、操作画面上にエラーメッセージを表示する。
【００４３】
プラズマを生成してウェハＷを処理する際に、前記サセプタに発生する自己バイアス電圧を監視し、自己バイアス電圧の最大値及び最小値を算出し、該算出された値を用いて予め設定された許容値から算出される許容範囲（最大値と最小値との差の範囲）を更新して格納し、この更新された許容値と比較することにより処理の異常を判定する判定手段と、判定した結果に応じて異常を通知する通知手段を有するので、リアルタイムで異常判定を実施することが困難な自己バイアス電圧の異常判定をすることができ、結果として半導体基板製造の歩留りを向上や品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施形態に用いられる処理炉の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態における自己バイアス電圧の異常判定フローを示す図である。
【図５】基板処理中における自己バイアス電圧の異常判定の一例を示す図である。
【図６】本発明の実施形態における自己バイアス電圧の異常判定の概況を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  半導体製造装置
１００  プラズマ処理装置
１０２  処理室
１１６  圧力センサ
１１８  コントローラ
１２０  アノード電極
１２８  ガス導入ライン
１３０  カソード電極
１３２  高周波発振器
１３８  電圧計
１４２  記憶手段
Ｗ      ウェハ
【図５】
2010024487.tif 000003
【図１】
2010024487.tif 000004
【図２】
2010024487.tif 000005
【図３】
2010024487.tif 000006
【図４】
2010024487.tif 000007
【図６】
2010024487.tif 000008