(57)【要約】【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性、定量分析を高感度に行うための評価方法、及び、優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出するシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、ウェーハの薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、ウェーハの薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、洗浄によりウェーハの薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。【選択図】図１
2010016216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出するシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、
前記ウェーハの前記薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、前記ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、
前記ウェーハの前記薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、
前記洗浄により前記ウェーハの前記薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。
【請求項２】
前記ウェーハの前記薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段として、前記薄膜の表面の突起を除去するためのエピスパイククラッシュ装置を用いることを特徴とする請求項１に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。
【請求項３】
前記アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液として、ＳＣ−１洗浄液を用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。
【請求項４】
シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶薄膜を気相成長させた後に、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の評価方法を用いて、前記ウェーハの表面のピット数を測定し、該測定したピット数が所定の数以下となるものを選別する工程を含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記測定したピット数が５０個／枚以下となるものを選別することを特徴とする請求項４に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハの評価方法及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンエピタキシャルウェーハは、例えば以下の通りにして製造される。すなわち、シリコン単結晶基板を気相成長装置の反応容器内に載置し、水素ガスを流した状態で、１１００℃〜１２００℃まで反応容器内を昇温する（昇温工程）。反応容器内の温度が１１００℃以上になると、基板表面に形成されている自然酸化膜（ＳｉＯ２：Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｄｉｏｘｉｄｅ）が除去される。
【０００３】
この状態で、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３：Ｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）等のシリコン原料ガス、ジボラン（Ｂ２Ｈ６：Ｄｉｂｏｒａｎｅ）あるいはホスフィン（ＰＨ３：Ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）等のドーパントガスを水素ガスとともに反応容器内に供給する。こうして基板の主表面にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる（成膜工程）。
【０００４】
このようにしてシリコン単結晶薄膜を気相成長させた後に、原料ガスおよびドーパントガスの供給を停止し、水素雰囲気に保持したまま反応容器内の温度を降温させる（冷却工程）。
【０００５】
ところで、上述の通りにシリコンエピタキシャルウェーハを製造する過程で、その表面にＣｕ（銅）が析出すると、その析出により生成した珪素化合物が洗浄時にエッチング除去され、シリコンエピタキシャルウェーハの表面にピットを形成する場合がある。こうしてピットが形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを用いて製造された半導体デバイスは、そのゲート酸化膜の絶縁耐圧（Ｇａｔｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ、以下「ＧＯＩ」と称す）特性が低くなる傾向にある。
【０００６】
従来のシリコン単結晶中のＣｕの評価方法としては、例えば、ＡＡＳ（Ａｔｏｍｉｃ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：原子吸光分析）、ＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ−Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：誘導結合型プラズマ質量分析）、ＴＲＸＦ（Ｔｏｔａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｘ-ｒａｙ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：全反射蛍光Ｘ線分析）等により定性・定量分析する手法が挙げられる。
【０００７】
また、上記したシリコンエピタキシャルウェーハの製造の冷却工程において、４００℃以下で雰囲気ガスを水素雰囲気から窒素雰囲気に切り替えることで、Ｃｕをウェーハの表面に析出させ、Ｃｕ汚染を高感度に検出する評価方法が開示されている(特許文献１参照)。
また、アンモニアの濃度が過酸化水素水より高濃度である処理液を用いてシリコンウェーハを３０分間以上エッチングし、表面に形成されたＬＰＤの個数を調べることによりシリコンウェーハのＣｕ汚染等の評価を行う方法が開示されている（特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】特許第３６６４１０１号
【特許文献２】特許第３７１７６９１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの量を測定する際、従来の評価方法では、そのウェーハ中に存在するＣｕの量は微量であるため、Ｃｕを分析・評価する感度が充分でない場合があった。そのため、従来の分析手法で良好と評価されたシリコンエピタキシャルウェーハを用いて半導体デバイスを製造した場合、ＧＯＩ特性の低いものが製造されてしまう場合があるという問題点があった。
【００１０】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性、定量分析を高感度に行うための評価方法、及び、優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明によれば、シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出するシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、前記ウェーハの前記薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、前記ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、前記ウェーハの前記薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、前記洗浄により前記ウェーハの前記薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法を提供する（請求項１）。
【００１２】
このように、少なくとも、前記ウェーハの前記薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、前記ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、前記ウェーハの前記薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、前記洗浄により前記ウェーハの前記薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含めば、押当物の押当面を平行に押し当てることによりウェーハ内部に含まれるＣｕがウェーハ表面に凝集して析出した部分が、選択的にエッチングされてピットが形成され、その状態でピット数を測定することができるので、ウェーハに含まれるＣｕを高感度で評価できる。
【００１３】
このとき、前記ウェーハの前記薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段として、前記薄膜の表面の突起を除去するためのエピスパイククラッシュ装置を用いることができる（請求項２）。
【００１４】
このように、前記ウェーハの前記薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段として、前記薄膜の表面の突起を除去するためのエピスパイククラッシュ装置を用いれば、評価用のウェーハを用いず、製品そのものを用いて、薄膜の表面の突起を除去するとともに、薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる工程を行うことができる。その結果、本発明の評価方法でウェーハを評価した後、そのウェーハをそのまま次工程に送ることができる。そのため、製造コストを低減し、製品歩留まりを向上することができる。
【００１５】
またこのとき、前記アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液として、ＳＣ−１洗浄液を用いることができる（請求項３）。
このように、前記アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液として、ＳＣ−１洗浄液を用れば、特別な洗浄設備を使用せずにウェーハを洗浄することができる。また、評価用のウェーハを用いず、製品そのものを用いて、ウェーハを洗浄する工程を行うことができる。その結果、本発明の評価方法でウェーハを評価した後、そのウェーハをそのまま次工程に送ることができる。そのため、製造コストを低減し、製品歩留まりを向上することができる。
【００１６】
また、本発明は、シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶薄膜を気相成長させた後に、本発明に係わるシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法を用いて、前記ウェーハの表面のピット数を測定し、該測定したピット数が所定の数以下となるものを選別する工程を含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する（請求項４）。
【００１７】
このように、少なくとも、前記シリコン単結晶薄膜を気相成長させた後に、本発明に係わるシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法を用いて、前記ウェーハの表面のピット数を測定し、該測定したピット数が所定の数以下となるものを選別する工程を含めば、Ｃｕの含有量が多く表面のピットが多数形成されＧＯＩ特性が悪くなるシリコンエピタキシャルウェーハを選別して取り除くことができ、ＧＯＩ特性の良好なウェーハを選別可能となる製造方法とすることができる。
【００１８】
このとき、前記測定したピット数が５０個／枚以下となるものを選別することができる（請求項５）。
このように、前記測定したピット数が５０個／枚以下となるものを選別すれば、ＧＯＩ特性のより優れたシリコンウェーハを選別可能となる製造方法とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、シリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、前記ウェーハの前記薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、前記ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、前記ウェーハの前記薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、前記洗浄により前記ウェーハの前記薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むので、押当物の押当面を平行に押し当てることによってウェーハ内部に含まれるＣｕがウェーハ表面に凝集して析出した部分が、選択的にエッチングされてピットが形成され、その状態でピット数を測定することができるので、ウェーハに含まれるＣｕを高感度で評価できる。
【００２０】
また、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、本発明に係る評価方法でウェーハの表面のピット数を測定し、該測定したピット数が所定の数以下となるものを選別する工程を含むので、ＧＯＩ特性の良好なウェーハを選別可能となる製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
従来の評価方法により、シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの量を評価する際、ウェーハ中に存在する微量なＣｕの量を検出するには感度が十分でなく、精度良く評価できない場合があった。
そのため、従来の分析手法で良好と評価されたシリコンエピタキシャルウェーハを用いて半導体デバイスを製造した場合、ＧＯＩ特性の低いものが製造されてしまう場合があるという問題点があった。
【００２２】
そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討、実験を重ねた。その結果、シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハを冷却した後に、そのウェーハのシリコン単結晶薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てることにより、ウェーハ内部に含まれるＣｕを表面に集めて析出させることができることを見出した。そして、そのウェーハの薄膜表面をアンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄して発生したピットの数を測定すれば、ウェーハに含まれるＣｕを高感度で定性、定量分析できることに想到し、本発明を完成させた。
【００２３】
図１は本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法のフロー図を示したものである。また、図２は本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法のフロー図を示したものである。
ここで、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法について説明する。
本発明に係る評価方法での評価対象であるシリコンエピタキシャルウェーハは、例えば、図２に示す本発明の製造方法の仕込工程から取出工程を以下のようにして行うことによって得ることができる。
【００２４】
まず、気相成長装置の反応容器内に備えられたサセプタに搬送装置を用いてシリコン単結晶基板を載置する（図２の仕込工程）。
次いで、反応容器内に水素ガスを流した状態で、反応容器内の温度をシリコン単結晶薄膜を気相成長するための成膜温度まで昇温する（図２の昇温工程）。ここで、成膜温度は基板表面の自然酸化膜を水素で除去できる１０００℃以上に設定することができる。
【００２５】
次いで、反応容器内を成膜温度に保持したままで、水素ガスとともに原料ガスおよびドーパントガスをそれぞれ所定流量で供給し、所定膜厚となるまでシリコン単結晶薄膜を成長させる（図２の成膜工程）。
【００２６】
その後、原料ガスおよびドーパントガスの供給を停止し、反応容器内の温度を下降させて取出温度までシリコンエピタキシャルウェーハを冷却する（図２の冷却工程）。
ここで、特に限定されることはないが、反応容器内の温度が４００℃以下で、水素雰囲気から窒素雰囲気へと切換えることができる。このように、雰囲気ガスを切り替えれば、Ｃｕをシリコン単結晶膜の表面に積極的に析出することができ、Ｃｕ汚染の評価においてＣｕを測定する感度を向上することができる。
【００２７】
そして、取出温度に至ったら気相成長装置からシリコンエピタキシャルウェーハを取り出す（図２の取出工程）。
このようにして得られた、シリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出する本発明の評価方法は、以下のようにしてなされる。
【００２８】
まず、シリコンエピタキシャルウェーハのシリコン単結晶薄膜の表面に平行に押当物の押当面を押し当てる（押し当て工程）。
このように、押当物の押当面を平行に押し当てることによって、ウェーハ内部に含まれるＣｕをウェーハ表面に集め析出させることができる。
【００２９】
次に、そのウェーハの薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する（洗浄工程）。この洗浄で、ウェーハ表面に析出したＣｕが選択的にエッチングされ、その部分にピットが形成される。
そして、ウェーハ表面に形成されたピットをパーティクルカウンタで測定する（ピット計測工程）。
【００３０】
このようにして測定したウェーハ表面のピットの数から、ウェーハ中のＣｕ含有量を高感度に評価することができる。
このとき、ウェーハの薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段として、薄膜の表面の突起を除去するためのエピスパイククラッシュ装置を用いることができる。
【００３１】
このように、ウェーハの薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段として、製品の製造工程において用いられる、薄膜の表面の突起を除去するためのエピスパイククラッシュ装置を用いれば、評価用のウェーハを用いず、製品そのものを用いて、薄膜の表面の突起を除去するとともに、薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる工程を行うことができる。その結果、本発明の評価方法でウェーハを評価した後、そのウェーハをそのまま次工程に送ることができる。そのため、製造コストを低減し、製品歩留まりを向上することができる。
【００３２】
またこのとき、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液として、ＳＣ−１洗浄液を用いることができる。
このように、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液として、ＳＣ−１洗浄液を用いれば、特別な洗浄設備を必要とせずウェーハを洗浄する工程を行うことができる。また、評価用のウェーハを用いず、製品そのものを用いて、ウェーハを洗浄する工程を行うことができる。その結果、本発明の評価方法でウェーハを評価した後、そのウェーハをそのまま次工程に送ることができる。そのため、製造コストを低減し、製品歩留まりを向上することができる。
【００３３】
次に、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法について図２を参照して説明する。
仕込工程から取出工程は、上記の評価方法での評価対象であるシリコンエピタキシャルウェーハを得る方法で説明したものと同様にして行うことができる。
そして、取出工程後に、上記した本発明に係る評価方法を用いて、ウェーハの表面に発生したピット数を測定する（図２Ａ）。
【００３４】
その後、評価したシリコンエピタキシャルウェーハの中から、測定したウェーハ表面のピット数が所定の数以下となるウェーハを選別する（選別工程）。
このようなシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であれば、Ｃｕの含有量が多く表面ピットが多数形成されＧＯＩ特性が悪くなるシリコンウェーハを選別して取り除くことができ、ＧＯＩ特性の良好なウェーハを選別可能となる製造方法とすることができる。
【００３５】
このとき、測定したピット数がウェーハ１枚当たり５０個以下となるものを選別することができる。
このように、測定したピット数がウェーハ１枚当たり５０個以下となるものを選別すれば、ＧＯＩ特性のより優れたシリコンエピタキシャルウェーハを選別可能となる製造方法とすることができる。
【００３６】
以上説明したように、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法では、少なくとも、前記ウェーハの前記薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、前記ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、前記ウェーハの前記薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、前記洗浄により前記ウェーハの前記薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むので、押当物の押当面を平行に押し当てることによってウェーハ内部に含まれるＣｕがウェーハ表面に凝集して析出した部分が、選択的にエッチングされてピットが形成され、その状態でピット数を測定することができるので、ウェーハに含まれるＣｕを高感度で評価することができる。
【００３７】
また、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法では、本発明に係る評価方法でウェーハの表面のピット数を測定し、該測定したピット数が所定の数以下となるものを選別する工程を含むので、ＧＯＩ特性の良好なウェーハを選別可能となる製造方法である。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３９】
（実施例１）
予め全溶解化学分析法を用いて３×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（検出下限）および５×１０１０〜７×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度のＣｕ濃度を有することを確かめた面方位（１００）、ｎ＋型の基板を準備した。
そして、本発明の製造方法に従って、その基板上に成膜温度１１３０℃でｎ−型の薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハを製造し、本発明に係る評価方法を用いてＣｕ汚染の評価をした。
【００４０】
まず、エピスパイククラッシュ装置を用いて、製造したシリコンエピタキシャルウェーハのシリコン単結晶薄膜の表面に平行に押当物の押当面を押し当て、薄膜の表面の突起を除去すると共に、ウェーハの表面にＣｕを析出させた。
このウェーハを標準的なＳＣ−１洗浄液で洗浄し、パーティクルカウンタでサイズが直径０．１３μｍ以上と検出される表面ピットを計測した。
【００４１】
ここで、ＳＣ−１洗浄液は、アンモニア：過酸化水素：水の容積配合比が１：１〜２：５〜７のもの、温度が７５〜８５℃のものを用いた。また、洗浄処理時間は１００分間とした。
【００４２】
計測したピット数の結果を図３に示す。図３に示すように、直径０．１３μｍ以上のサイズとして検出される微細なピットが基板中のＣｕ濃度と比例して増加していることが分かる。
これに対し、後述する比較例では、基板中のＣｕ濃度にかかわらず、計測したピット数は２０個以下であり、実施例１の方がウェーハに含まれるＣｕを高感度で測定できることが分かる。
【００４３】
このようにして、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法は、ウェーハに含まれるＣｕを高感度で評価できることが確認できた。
【００４４】
（実施例２）
実施例１で評価したシリコンエピタキシャルウェーハの中から、測定したピット数が１００個以下のものを選別し、すなわち本発明に係る製造方法を用いてエピタキシャルウェーハを製造し、そのウェーハから多結晶シリコンゲートＭＯＳトランジスタを作製した。そして、そのＭＯＳトランジスタのＧＯＩ特性を評価した。
【００４５】
ここで、ＧＯＩ特性の評価は、ＴＤＤＢ(Ｔｉｍｅ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ：経時破壊分布)特性評価、ＴＺＤＢ（Ｔｉｍｅ  Ｚｅｒｏ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ：電界破壊分布）特性評価により行った。
一般にどちらの評価でも、絶縁破壊までに要する電気量は、酸化膜に生成している欠陥が大きい程少なくなる。
【００４６】
そこで、評価において、ある計測位置での絶縁破壊を、絶縁破壊するまでに与えられた電気量に応じて、以下に示す３通りに分類した。即ち、ＴＤＤＢ特性評価では、より少ない電気量で絶縁破壊した方から、「初期破壊（αモード）」、「偶発破壊（βモード）」、「真性破壊（γモード）」に分類し、ＴＺＤＢ特性評価では、より少ない電気量で絶縁破壊した方から、Ａモード、Ｂモード、Ｃモードに分類した。
【００４７】
つまり、ＴＤＤＢ特性評価においてγモードの割合が大きい程、また、ＴＺＤＢ特性評価においてＣモードの割合が大きい程、そのエピタキシャルウェーハのＧＯＩ特性が優れていると評価される。
【００４８】
その結果、ＴＤＤＢ特性評価では、ほぼ１００％がγモードとなり、ＴＺＤＢ特性評価では、ほぼ１００％がＣモードであった。この結果から、選別するウェーハの表面ピット数が１００個以下のものであれば良好なＧＯＩ特性を持つ多結晶シリコンゲートＭＯＳトランジスタが得られることが確認できた。
このように、本発明の製造方法でエピタキシャルウェーハを製造し、その際、例えば測定した表面のピット数が１００個／枚以下よりもさらに厳しい条件の５０個／枚以下という基準でエピタキシャルウェーハを選別すれば、ＧＯＩ特性の優れた良品のウェーハを確実に得ることができることが確認できた。
【００４９】
（比較例）
製造したシリコンエピタキシャルウェーハのシリコン単結晶薄膜の表面に平行に押当物の押当面を押し当てる工程を行わなかった以外、実施例１と同様にしてＣｕ汚染の評価をした。
評価の際に計測したピット数の結果を図３に示す。図３に示すように、基板中のＣｕ濃度にかかわらず、計測したピット数は２０個以下であり、Ｃｕ検出の感度が十分でないことが確認できた。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、本発明で薄膜を気相成長させる気相成長装置は限定されず、縦型（パンケーキ型）、バレル型（シリンダ型）、枚葉式等の各種気相成長装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法のフロー図である。
【図２】本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法のフロー図である。
【図３】実施例１、比較例におけるＣｕ汚染評価の結果を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
Ａ…本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。
【図１】
2010016216.tif 000003
【図２】
2010016216.tif 000004
【図３】
2010016216.tif 000005