(57)【要約】【課題】磁性層の加工箇所を起点とした腐食が発生しない耐腐食性の高い磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性基板１の少なくとも一方の表面に磁性層とカーボン保護層８とを備えた磁気記録媒体３０であって、磁性層は、非磁性基板１側に設けられた第１の磁性層４と、第１の磁性層４上に設けられた第２の磁性層１０とから構成され、カーボン保護層８は、第２の磁性層１０を覆うように設けられており、第１の磁性層４には、磁性領域４ａと磁性領域４ａを磁気的に分離する境界領域４ｂとからなる磁気記録パターン部が形成され、第２の磁性層１０は、磁気記録パターン部の表面を被覆するように設けられていることを特徴とする磁気記録媒体３０を採用する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の少なくとも一方の表面に磁性層とカーボン保護層とを備えた磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、前記非磁性基板側に設けられた第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に設けられた第２の磁性層とから構成され、
前記カーボン保護層は、前記第２の磁性層を覆うように設けられており、
前記第１の磁性層には、磁性領域と前記磁性領域を磁気的に分離する境界領域とからなる磁気記録パターン部が形成され、
前記第２の磁性層は、前記磁気記録パターン部の表面を被覆するように設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁気記録パターン部は、前記磁性領域が凸部を形成し、前記境界領域が凹部を形成することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性領域と前記境界領域との段差が、０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性基板上に第１の磁性層を形成する工程と、
前記第１の磁性層の表面に、磁性領域と前記磁性領域を磁気的に分離する境界領域とからなる磁気記録パターン部を形成する工程と、
前記磁気記録パターン部の表面に第２の磁性層を形成する工程と、
前記第２の磁性層の表面にカーボン保護層を形成する工程と、をこの順で含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記磁気記録パターン部を形成する工程が、
前記第１の磁性層の上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に、前記磁気記録パターン部に対応するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンにより、前記境界領域に対応する部分のマスク層を除去してマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンから露出する前記第１の磁性層の表面をイオンミリングし、前記第１の磁性層の表面に前記境界領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記境界領域の前記第１の磁性層の磁気特性を、イオン注入により改質することを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記境界領域に非磁性材料を埋め込む工程及び平坦化工程を含まないことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理手段と、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録の分野では、例えば磁気記録再生装置や、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置など、その適用範囲は著しく増大しており、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体についても、その記録密度の著しい向上が図られつつある。
【０００３】
特に、ＭＲヘッド、及びＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇は、更に激しさを増しており、近年ではＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッドなども導入されて、１年に約５０％ものペースで増加を続けている。
【０００４】
したがって、磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されており、具体的には磁性層の高保磁力化、高信号対雑音比（ＳＮＲ）、高分解能等を達成することが要求されている。また、近年では、線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられている。
【０００５】
また、最新の磁気記録再生装置においては、トラック密度が１１０ｋＴＰＩにも達している。しかしながら、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなる。このことはそのままＢｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅの低下につながるため、記録密度の向上に対して障害となっている。
【０００６】
ここで、面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚とを確保する必要がある。しかしながら、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
【０００７】
一方、磁気記録再生装置では、トラック密度を上げていくと、トラック間距離が近づくために、極めて高精度のトラックサーボ技術が必要となる。このため、記録は幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために、記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。しかしながら、この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることができず、その結果、十分なＳＮＲを確保することが困難となるという問題がある。
【０００８】
そこで、上述した熱揺らぎの問題を解決し、十分なＳＮＲ及び出力の確保を達成する方法の一つとして、磁気記録媒体の表面に記録トラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的に分離することによって、トラック密度を上げようとする試みがなされている（以下、このような技術をディスクリートトラック法と呼び、このディスクリートトラック法によって製造された磁気記録媒体のことをディスクリートトラック媒体と呼ぶ。）。また、同一トラック内のデータ領域を更に分割した、いわゆるパターンドメディアを製造しようとする試みもある。
【０００９】
ディスクリートトラック媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板上に磁性層を形成して、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなる磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層を形成し、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と物理的に分断された磁気記録領域が形成されている。この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。
【００１１】
ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録層を形成した後に、物理的にトラックを形成する方法と、基板表面に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録層の薄膜形成を行う方法とがある（例えば、特許文献２，３を参照）。
【００１２】
また、ディスクリートトラック媒体の磁気トラック間を物理的に分離する方法としては、予め形成した連続した磁性層に、窒素や酸素等のイオンを注入する、又は、レーザを照射することにより、その部分の磁気的な特性を変化させて分離する方法が開示されている（例えば、特許文献４〜６参照）。
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７８７９４号公報
【特許文献４】特開平５−２０５２５７号公報
【特許文献５】特開２００６−２０９９５２号公報
【特許文献６】特開２００６−３０９８４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述したように、ディスクリートトラック媒体やパターンドメディアの製造工程においては、物理的に分離された磁気記録領域を形成するため、酸素やハロゲンを用いた反応性プラズマや反応性イオンに晒すことにより磁性層に分離された磁気記録パターンを形成する方法や、磁性層にイオン注入を行うことによって分離された磁気記録領域を形成する方法が用いられている（以下、磁性層改質法と呼ぶ）。
【００１４】
これらの製造方法は、磁性層の表面にマスク層を形成し、このマスク層をフォトリソグラフィー技術によりパターニングし、磁気記録領域の境界領域にイオン注入等を行い、当該箇所の磁気特性を低下させる若しくは非磁性化することにより、ディスクリートトラック媒体及びパターンドメディアを製造する方法である。
【００１５】
この製造方法は、磁性層を物理的に加工して境界領域に非磁性材料を埋め込み、その後、表面を平坦化する製造方法（以下、磁性層加工法と呼ぶ）に比べて、製造プロセスを簡略化でき、また、平坦化工程における磁気記録媒体の汚染の影響を減らせる点で優れている。
【００１６】
しかしながら、本願発明者の研究により、磁性層改質法で製造した磁気記録媒体は磁性層等の耐腐食性が低下するという問題点が明らかになった。これは、磁性層に注入したイオンが腐食発生の起点となり、またイオン注入により膜中に欠陥が導入され、この欠陥から腐食性環境物質が侵入することが考えられる。
【００１７】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法として磁性層加工法を採用し、この製造方法で汚染の原因となっていた磁性層の加工部分を非磁性材料等で埋め込む工程及びその後に平坦化する工程を省略できる製造方法を提供し、加えて、磁性層の加工箇所を起点とした腐食が発生しない耐腐食性の高い磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
磁性層加工法を採用した従来の磁気記録媒体の製造方法を図６に示す。従来の磁気記録媒体の製造方法は、先ず、図６（ａ）に示すように、基板１０１上に軟磁性層１０２と、下地層１０３と、磁性層１０４とを形成し、この磁性層１０４の上にマスク層１０５と、レジスト層を形成した後、レジスト層をフォトリソグラフィー法やナノインプリント法を用いてパターニングし、レジストパターン１０６ａを形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン１０６ａを用いてマスク層１０５をパターニングし、マスクパターン１０５ａを形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、マスクパターン１０５ａを用いて磁性層１０４をパターニング加工して磁性領域１０４ａと境界領域１０４ｂとからなる磁気記録パターン部を形成し、その後、図６（ｄ）に示すように、マスクパターン１０５ａを除去する。次に、図６（ｅ）に示すように、磁性領域１０４ａ及び境界領域１０４ｂを含む基板表面全体に非磁性材料膜１０７を形成し、その後、図６（ｆ）に示すように、基板表面を平坦化して磁気記録パターン部の磁性領域１０４ａを表出させる。最後に、図６（ｇ）に示すように、基板表面にカーボン保護膜１０８を形成し、磁気記録媒体１３０とする。
【００１９】
ところで、本願発明者は、磁気記録媒体では、その表面に高度な平滑性が求められる一方で、若干の凹凸は許容されるとの知見を得た。すなわち、この知見に基づけば、磁性層を物理的に加工して磁気記録パターン部を形成しても、その加工量が少なければ加工箇所に非磁性材料を埋め込む必要は無くなり、また、埋め込んだ非磁性材料を平坦化する必要はなくなる。しかしながら、前述のように、このような工程を採用すると、磁性層の加工部分に欠陥が導入され、この欠陥が磁気記録媒体の腐食の基点となる。
【００２０】
以上のことから、本願発明者は、基板上に第１の磁性層を形成し、その後、この第１の磁性層をイオンミリング等によりパターニングして磁気記録パターン部を形成し、この磁気記録パターン部の全面を覆うように第２の磁性層を形成すれば、第１の磁性層のパターニングで除去された部分（すなわち、境界領域）は第２の磁性層で覆われるため、第１の磁性層の境界領域に生じている欠陥は欠陥のない結晶に覆われ腐食の基点とはならず、また、磁気記録パターン部の磁性領域は第２の磁性層で覆われるため、第１の磁性層を表出させる平坦化処理は必要なくなることを見出し、本発明を完成させた。
【００２１】
すなわち、本発明は以下の手段を提供する。
（１）  非磁性基板の少なくとも一方の表面に磁性層とカーボン保護層とを備えた磁気記録媒体であって、前記磁性層は、前記非磁性基板側に設けられた第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に設けられた第２の磁性層とから構成され、前記カーボン保護層は、前記第２の磁性層を覆うように設けられており、前記第１の磁性層には、磁性領域と前記磁性領域を磁気的に分離する境界領域とからなる磁気記録パターン部が形成され、前記第２の磁性層は、前記磁気記録パターン部の表面を被覆するように設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）  前記磁気記録パターン部は、前記磁性領域が凸部を形成し、前記境界領域が凹部を形成することを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）  前記磁性領域と前記境界領域との段差が、０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする前項（１）又は（２）に記載の磁気記録媒体。
（４)  非磁性基板上に第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の表面に、磁性領域と前記磁性領域を磁気的に分離する境界領域とからなる磁気記録パターン部を形成する工程と、前記磁気記録パターン部の表面に第２の磁性層を形成する工程と、前記第２の磁性層の表面にカーボン保護層を形成する工程と、をこの順で含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（５）  前記磁気記録パターン部を形成する工程が、前記第１の磁性層の上にマスク層を形成する工程と、前記マスク層の上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に、前記磁気記録パターン部に対応するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンにより、前記境界領域に対応する部分のマスク層を除去してマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンから露出する前記第１の磁性層の表面をイオンミリングし、前記第１の磁性層の表面に前記境界領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする前項（４）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（６）  前記境界領域の前記第１の磁性層の磁気特性を、イオン注入により改質することを特徴とする前項（４）又は（５）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（７）  前記境界領域に非磁性材料を埋め込む工程及び平坦化工程を含まないことを特徴とする前項（４）乃至（６）のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（８）  前項（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理手段と、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明によれば、磁性層の耐腐食性に優れ、特に高温高湿環境下において耐環境性が高く、なお且つ生産性に優れた磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、そのような磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を適用した磁気記録媒体及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
本発明の磁気記録媒体は、例えば、非磁性基板の表面に、軟磁性層、下地層、磁気パターンが形成された磁性層及びカーボン保護層をこの順で積層した構造を有し、さらに最表面には潤滑膜が形成されている。
なお、本発明の磁気記録媒体では、非磁性基板、磁性層及びカーボン保護層以外の構成要素については、その材料や寸法等を含めて本発明の要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００２４】
＜第１実施形態＞
先ず、本発明を適用した第１の実施形態として、図１に示すような磁気記録媒体３０の構成について説明する。なお、図１では、磁気記録媒体３０を構成する非磁性基板１、軟磁性層２、下地層３、磁性層４，１０及びカーボン保護層８以外の層は省略している。
【００２５】
本実施形態の磁気記録媒体３０は、図１に示すように、非磁性基板１の少なくとも一方の表面に磁性層とカーボン保護層８とを備えている。また、磁性層は、非磁性基板１側に設けられた第１の磁性層４と、この第１の磁性層４上に設けられた第２の磁性層１０とから構成されている。さらに、カーボン保護層８は、第２の磁性層１０を覆うように設けられている。
【００２６】
第１の磁性層４には、磁性領域４ａと、この磁性領域４ａを磁気的に分離する境界領域４ｂとからなる磁気記録パターン部が形成されている。また、磁気記録パターン部には、凹凸が設けられており、磁性領域４ａが凸部を形成し、境界領域４ｂが凹部を形成している。すなわち、複数の磁性領域４ａは、凹部である境界領域４ｂによって第１の磁性層４が完全に分離されて形成される。これにより、磁気記録パターン部において磁性領域４ａが磁気記録領域となる。そして、第２の磁性層１０は、磁気記録パターン部の表面、すなわち、磁性領域４ａ及び境界領域４ｂの表面全体を被覆するように、第１の磁性層４上に連続した層を構成するように設けられている。
【００２７】
非磁性基板１については、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。その中でも、Ａｌ合金基板や結晶化ガラス等からなるガラス製の基板、又はシリコン基板を用いることが好ましい。
また、非磁性基板１の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ましく、その中でも０．１ｎｍ以下であることが特に好ましい。
【００２８】
軟磁性層２及び下地層３は、従来公知の材料からなる任意のものを用いることができる。
【００２９】
第１の磁性層４は、公知の合金を使用できる。具体的には、ＣｏＣｒ系、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系等の公知の磁性合金を使用できる他、酸化物を０．５原子％〜８原子％の範囲内で含むいわゆるグラニュラ構造の磁性材料を用いることもできる。具体的には、主としてＣｏを主成分として含む磁性合金を用いることが好ましく、そのような磁性合金として、例えば、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｘ、ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｘ−Ｙに酸化物を添加した合金や、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔ−ＺｒＯ２、ＣｏＣｒＰｔ−Ｎｂ２Ｏ５、ＣｏＣｒＰｔ−Ｔａ２Ｏ５、ＣｏＣｒＰｔ−Ａｌ２Ｏ３、ＣｏＣｒＰｔ−Ｂ２Ｏ３、ＣｏＣｒＰｔ−ＷＯ２、ＣｏＣｒＰｔ−ＷＯ３などのＣｏ系合金を挙げることができる。また磁性合金に２種以上の酸化物を添加しても良い。なお、上記の構成材料中のＸは、Ｒｕ、Ｗ等を示しており、Ｙは、Ｃｕ、Ｍｇ等を示している。
【００３０】
また、第１の磁性層４は、再生の際に一定以上の出力を得るにはある程度以上の厚みが必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメーターは出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な厚みに設定する必要がある。具体的には、第１の磁性層４の層厚の下限値は、３ｎｍ以上とすることが好ましく、５ｎｍ以上とすることがよりこのましい。一方、第１の磁性層４の層厚の上限値は、２０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは１５ｎｍ以下である。このように、第１の磁性層４は、使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。
【００３１】
なお、本実施形態の磁気記録媒体３０は、第１の磁性層４が凹部である境界領域４ｂによって完全に分離されて、複数の磁性領域４ａが形成される。したがって、第１の磁性層４の層厚は、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下が最も好ましい。
【００３２】
第２の磁性層１０は、上記第１の磁性層４と同様の公知の合金を使用できる。また、第２の磁性層１０の膜厚は、第１の磁性層４の加工領域の欠陥部を被覆し、この欠陥部を起点として腐食が発生するのを防ぐのに十分な膜厚とする必要がある。具体的には、第２の磁性層１０の層厚は、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは４ｎｍ以上１５ｎｍ以下とする。
【００３３】
カーボン保護層８には、特にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）薄膜を用いることが好ましい。
【００３４】
次に、本実施形態の磁気記録媒体３０の製造方法を、図２を用いながら製造工程に即して詳細に説明する。なお、図２では、磁気記録媒体３０を構成する非磁性基板１、軟磁性層２、下地層３、第１の磁性層４、第２の磁性層１０、カーボン保護層８以外の層は省略している。
【００３５】
本実施形態では、図２（ａ）〜図２（ｆ）に示すように、非磁性基板１上に第１の磁性層４を形成する工程Ａ、第１の磁性層４の上にマスク層４を形成する工程Ｂ、マスク層４の上にレジスト層を形成する工程Ｃ、レジスト層に、磁気記録パターン部に対応するレジストパターン６ａを形成する工程Ｄ（図２（ａ）参照）、レジストパターン６ａにより、境界領域４ｂに対応する部分のマスク層５を除去してマスクパターン５ａを形成する工程Ｅ（図２（ｂ）参照）、第１の磁性層４の表面に、磁性領域４ａと境界領域４ｂとからなる磁気記録パターン部を形成する工程Ｆ（図２（ｃ）参照）、マスクパターン５ａ及びレジストパターン６ａを除去する工程Ｇ（図２（ｄ））、この磁気記録パターン部の表面に第２の磁性層１０を形成する工程Ｈ（図２（ｅ））、第２の磁性層１０の表面にカーボン保護層８を形成する工程Ｉ（図２（ｆ））をこの順で有する方法により、磁気記録媒体３０を製造することができる。
【００３６】
（工程Ａ）
本実施形態では、まず、図２（ａ）に示すように、非磁性基板１上に、必要に応じて、軟磁性層２、中間層３を、従来公知の材料及び方法を用いて形成する。
次いで、非磁性基板１の上、あるいは、軟磁性層２又は中間層３の上に、上述したような材質からなる第１の磁性層４を形成する。第１の磁性層４は、通常、スパッタ法を用いて薄膜として形成する。
【００３７】
（工程Ｂ）
次に、図２（ａ）に示すように、第１の磁性層４の上にマスク層５を形成する。マスク層５は、Ｃ、Ｔａ、Ｗ、Ｔａ窒化物、Ｗ窒化物、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｎｉからなる群から選ばれた何れか一種以上を含む材料で形成することができる。その中でも、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｇａを用いることが好ましく、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂを用いることがより好ましく、Ｃ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを用いることが最も好ましい。また、マスク層５の層厚は、一般的には１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲が好ましい。
【００３８】
上述のような材料を用いることにより、マスク層５のミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層５による磁気記録領域の形成特性を向上させることができる。さらに、これらの物質は、反応性ガスを用いたドライエッチングが容易であるため、後述するマスク層５の除去工程において、残留物を減らし、磁気記録媒体表面の汚染を減少させることができる。
【００３９】
（工程Ｃ〜工程Ｄ〜工程Ｅ）
次に、図２（ａ）に示す工程Ｃにおいて、マスク層５の上にレジスト層を形成する。レジスト層には、放射線照射により硬化するレジスト材として、ノボラック系樹脂や、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類などの紫外線硬化樹脂などを用いることができる。
【００４０】
次に、図２（ａ）に示す工程Ｄにおいて、レジスト層に、磁気記録パターン部に対応するレジストパターン６ａを形成する。具体的には、紫外線に対して透過性の高いガラス若しくは樹脂からなるスタンプ９を用いて、レジスト層にネガパターンを転写する。ネガパターンは、磁気記録領域（記録トラック）を分離する境界領域４ｂに対応した第１の磁性層４上のレジスト層に凹部を形成したものである。
【００４１】
スタンプ９は、例えば、金属プレートに電子線描画などの方法を用いて記録トラックに対応した微細なトラックパターン（凹部）を有するスタンパを用いて、そのトラックパターンに対応する凸部が転写されたものからなる。スタンパの材料としては、プロセスに耐え得る硬度、耐久性が要求されるため、例えばＮｉなどが用いられるが、上記目的に合致するものであれば、このような材料に特に限定されるものではない。また、スタンパには、通常のデータを記録するための記録トラックに対応したトラックパターンの他にも、バーストパターンや、グレイコードパターン、プリアンブルパターンといったサーボ信号に対応するパターンを形成して、これらのパターンをスタンプ９に転写してもよい。
【００４２】
このようなスタンプ９を用いてレジスト層にネガパターンを転写する際には、レジスト層の流動性が高い状態で、図２（ａ）の矢印に示すように、スタンプ９をレジスト層に押し付ける。そして、スタンプ９をレジスト層に押し付けた状態で、このレジスト層に放射線を照射し、レジスト層を硬化させた後、スタンプ９をレジスト層から離間させる。これにより、境界領域４ｂに対応した第１の磁性層４上のレジスト層にレジストパターン６ａを形成することができる。
【００４３】
このような製造方法を用いることにより、レジスト層にスタンプ９の形状を精度良く転写することが可能となり、後述するマスク層５のエッチング工程において、マスク層５のエッジの部分のダレを無くし、マスク層５の注入イオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層５による磁気記録領域の形成特性を向上させることができる。
【００４４】
レジスト層にスタンプ９を押し付けた状態で、レジスト層に放射線を照射する方法としては、スタンプ９の反対側、すなわち非磁性基板１側から放射線を照射する方法や、スタンプ９の材料として放射線を透過できる物質を選択し、スタンプ９側から放射線を照射する方法、スタンプ９の側面側から放射線を照射する方法などがある。また、熱線のように固体に対して伝導性の高い放射線を用いて、スタンプ９又は非磁性基板１側から熱伝導により放射線を照射する方法を用いることもできる。また、スタンプ９を用いてレジスト層にネガパターンを転写する際は、パターン転写後にレジスト層に対して放射線を照射することも可能である。
【００４５】
なお、ここで言う放射線とは、熱線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波のことである。また、放射線照射により硬化する材料としては、例えば、熱線に対しては熱硬化樹脂、紫外線に対しては紫外線硬化樹脂がある。
【００４６】
レジスト層に形成される凹部の厚みは、０〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。凹部の厚みを上記範囲とすることにより、後述するマスク層５のエッチング工程において、マスク層５のエッジの部分のダレを無くし、マスク層５のミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層５による磁気記録領域の形成特性を向上させることができる。なお、レジスト層の層厚は、一般的には１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
【００４７】
次に、図２（ｂ）に示す工程Ｅにおいて、レジストパターン６ａにより、境界領域４ｂに対応する部分のマスク層５を除去してマスクパターン５ａを形成する。具体的には、レジスト層の凹部に対応する部分、すなわち、レジストパターン６ａの開口部分から露出する部分のマスク層４を除去することによって、マスクパターン５ａを形成する。なお、この工程Ｅにおいて、レジストパターン６ａの凹部の底部にレジスト層が残存している場合は、この残存したレジスト層もマスク層５と共に除去される。
【００４８】
（工程Ｆ）
次に、図２（ｃ）に示す工程Ｆにおいて、凸部となる磁性領域４ａと凹部となる境界領域４ｂとからなる磁気記録パターン部を形成する。より具体的には、マスクパターン５ａから露出する第１の磁性層４の表面をイオンミリングし、第１の磁性層４の表面に境界領域４ｂを形成する。
【００４９】
本実施形態の製造方法では、イオンミリング等によって磁性層２の表層の一部を除去する際の深さｄは、好ましくは０．１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内、より好ましくは１〜１０ｎｍの範囲内とする。イオンミリングによる除去深さが０．１ｎｍより小さな場合は、上述の磁性層の除去効果が現れず、また、除去深さが１５ｎｍより大きくなると、磁気記録媒体の表面平滑性が悪化し、磁気記録再生装置を構成した際の磁気ヘッドの浮上特性が低下する虞がある。なお、本実施形態では、境界領域４ｂである凹部において第１の磁性層４を完全に分離する。したがって、第１の磁性層４の厚さは、３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲とすることが好ましい。
【００５０】
（工程Ｇ）
次に、図２（ｄ）に示す工程Ｇにおいて、マスクパターン５ａおよび残っている場合はレジストパターン６ａを除去する。このマスクパターン５ａ及びレジストパターン６ａの除去には、ドライエッチングや、反応性イオンエッチング、イオンミリング、湿式エッチングなどを用いることができる。
【００５１】
マスクパターン５ａ及びレジストパターン６ａを除去した後は、上記工程で活性化した第１の磁性層４に不活性ガスを照射する工程を設けることが好ましい。このような工程を設けることにより、第１の磁性層４が安定化し、高温多湿環境下においても磁性粒子のマイグレーション等の発生が抑制される。なお、この理由については明らかではないものの、第１の磁性層４の表面に不活性元素が侵入することにより磁性粒子の移動が抑制されること、或いは不活性ガスの照射により、第１の磁性層４の活性な表面が除去され、または、工程Ｇにより磁性層４の表面に形成された酸化物層や窒化物層が除去され、磁性粒子のマイグレーション等が抑制されることなどが考えられる。
【００５２】
不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅからなる群から選ばれた何れか１種以上のガスを用いることが好ましい。これらの元素は安定であり、磁性粒子のマイグレーション等の抑制効果が高いからである。また、不活性ガスの照射には、イオンガン、ＩＣＰ，ＲＩＥからなる群から選ばれた何れかの方法を用いることが好ましい。この中で特に、照射量の多さの点で、ＩＣＰやＲＩＥを用いることが好ましい。
【００５３】
（工程Ｈ）
次に、図２（ｅ）に示す工程Ｈにおいて、第１の磁性層４の上に、すなわち、磁気記録パターン部の表面に上述したような材質からなる第２の磁性層１０を形成する。より具体的には、磁気記録パターン部において凸部を形成する磁性領域４ａの表面と、凹部を形成する境界領域４ｂの表面とを連続して覆うように、第２の磁性層１０を形成する。第２の磁性層１０は、通常、スパッタ法を用いて薄膜として形成する。
【００５４】
（工程Ｉ）
次に、図２（ｆ）に示す工程Ｉにおいて、第２の磁性層１０の表面を覆うカーボン保護層８を形成する。カーボン保護層８には、特にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）薄膜を、ＣＶＤ法を用いて成膜することが好ましい。
【００５５】
その後、カーボン保護層８の上には、潤滑層を形成することが好ましい。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等を挙げることができ、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑層を形成する。以上のような工程により、本実施形態の磁気記録媒体３０を製造することができる。
【００５６】
本実施形態の磁気録媒体３０では、非磁性基板１上に第１の磁性層４を形成し、その後、この第１の磁性層４をイオンミリングによりパターニングして磁気記録パターン部を形成し、この磁気記録パターン部の全面を覆うように第２の磁性層１０を形成している。このため、第１の磁性層４のパターニングで除去された部分、すなわち境界領域４ｂが第２の磁性層１０で覆われており、第１の磁性層４の境界領域４ｂに生じている欠陥は欠陥のない結晶に覆われ腐食の基点とはならない。また、磁気記録パターン部の磁性領域４ａが第２の磁性層１０で覆われるため、第１の磁性層４を表出させる平坦化処理を行う必要がなく、簡便な製造プロセスにより、生産性を向上することができる。したがって、磁性層の耐腐食性に優れ、特に高温高湿環境下において耐環境性が高く、なお且つ生産性に優れた磁気記録媒体３０を提供することが可能である。
【００５７】
また、本実施形態の磁気記録媒体３０の製造方法によれば、上述したような工程を採用することにより、図６の従来技術に示したように、境界領域に非磁性材料を埋め込む工程及び平坦化工程が不要となるため、磁気記録媒体の製造工程を著しく簡略化することが可能となり、加えて、平坦化工程における表面汚染を防ぐことが可能となる。
【００５８】
＜第２実施形態＞
次に、本発明を適用した第２の実施形態として、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すような磁気記録媒体４０，４１の構成について説明する。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、本実施形態の磁気記録媒体４０，４１は、第１の磁性層２４の構成が、前述の第１の実施形態の第１の磁性層４の構成と異なるものであり、その他の構成については第１の実施形態と同一である。したがって、本実施形態の磁気記録媒体４０，４１については、第１の実施形態と同一の構成部分については同じ符号を付すると共に説明を省略する。なお、図３（ａ）及び図３（ｂ）では、磁気記録媒体４０，４１を構成する非磁性基板１、軟磁性層２、下地層３、磁性層及びカーボン保護膜８以外の層は省略している。
【００５９】
第１の磁性層２４は、図３（ａ）に示すように、凹部を形成する境界領域２４ｂにおいて第１の磁性層２４の底部まで完全に分離せず、凹部の底部に磁性層を残存させた状態とし、この磁性層が残存している境界領域２４ｂの表面に第２の磁性層１０を設けた構造となっている。このような構造を採用することにより、第１の磁性層２４の凹部に加工された部分、すなわち境界領域２４ｂに導入された欠陥を第２の磁性層１０で覆うことができる。また、この境界領域２４ｂを覆った第２の磁性層１０はイオンミリング等によって加工されていないために耐腐食性が高いことから、耐環境性の高い磁気記録媒体４０を提供することができる。
【００６０】
また、本実施形態の境界領域２４ｂでは、第１の磁性層２４の表層部をイオンミリング等で凹部に加工する際に、この凹部に存在している第１の磁性層２４にイオン注入することによって、磁気特性を改質することが好ましい。すなわち、図３（ｂ）に示すように、境界領域２４ｂの底部に残存する第１の磁性層２４の磁気特性を改質した改質領域２４ｃを設けることが好ましい。このように、境界領域２４ｂの底部に残存する第１の磁性層２４の磁気特性を改質して改質領域４ｃを設けることにより、図３（ｂ）に示すように、第１実施形態の磁気記録媒体３０（図１参照）及び図３（ａ）に示す磁気記録媒体４０と比較して、磁気記録媒体４１表面の凹凸を緩和することができる。これにより、磁気記録媒体４１の表面を浮上走行させる磁気ヘッドの浮上特性を安定させることができる。
【００６１】
ところで、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示した磁気記録媒体４０，４１は、境界領域２４ｂにおいて第１の磁性層２４の底部まで完全に分離せずに磁性層を残存させているため、磁気記録媒体３０の場合と比較して、表面の凹凸を大きくする必要が生じる。このため、磁気記録媒体表面の凹凸が存在する箇所で生ずる空気の渦が大きくなり、この空気の渦によって磁気ヘッドの浮上安定性が損なわれることが懸念される。そこで、本願発明者の検討によると、カーボン保護膜表面の凹凸を０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内とすることにより、磁気ヘッドの浮上安定性に優れた磁気記録媒体を提供することが可能となることが確認された。したがって、第１の磁性層２４において、磁性領域２４ａと境界領域２４ｂとの段差ｄが、０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。
【００６２】
次に、第２の実施形態である磁気記録媒体４０の製造方法について説明する。なお、本実施形態の磁気記録媒体４０の製造方法については、第１の実施形態の磁気記録媒体の製造方法とは、第１の磁性層２４への磁気記録パターン部の形成工程が異なるものであり、その他の工程については、第１実施形態の製造方法と同一であるため、説明を省略する。
【００６３】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、レジストパターン６ａにより、境界領域４ｂに対応する部分のマスク層５を除去してマスクパターン５ａを形成する工程Ｅ（図２（ｂ）参照）を行った後、図４（ａ）〜図４（ｄ）に示すように、第１の磁性層２４の表面に、磁性領域２４ａと境界領域２４ｂとからなる磁気記録パターン部を形成する工程Ｆ’（図４（ａ）参照）、マスクパターン５ａ及びレジストパターン６ａを除去する工程Ｇ’（図４（ｂ））、この磁気記録パターン部の表面に第２の磁性層１０を形成する工程Ｈ’（図４（ｃ））、第２の磁性層１０の表面にカーボン保護層８を形成する工程Ｉ’（図４（ｄ））をこの順で有する方法により、磁気記録媒体４０を製造することができる。
【００６４】
（工程Ｆ’）
本実施形態では、図４（ａ）に示す工程Ｆ’において、第１の磁性層２４の表層の一部をイオンミリングにより除去することによって、凹部を形成する。凹部の形成条件は、任意の条件を適宜選択することができる。具体的には、例えば、アルゴンイオンミリングを用いた場合には、アルゴンガス流量が１６ｓｃｃｍ、プラズマ発生ＲＦ電力が２００Ｗ、グリッド加速電圧が第１グリッド：＋１０００Ｖ及び第２グリッド：−５００Ｖ、処理時間を２５秒の条件とすることで深さ１０ｎｍの凹部を形成することができる。また、例えば、窒素とネオンガスの混合によるイオンミリングを用いた場合には、窒素ガス流量が４０ｓｃｃｍ、ネオンガス流量が４０ｓｃｃｍ、プラズマ発生ＲＦ電力が２００Ｗ、グリッド加速電圧が第１グリッド：＋１５００Ｖ及び第２グリッド：−１５００Ｖ、処理時間が３３秒の条件とすることで深さ６ｎｍの凹部を形成することができる。ここで、本実施形態では、境界領域２４ｂである凹部を形成する際、第１の磁性層２４を底部まで完全に分離せず、凹部の底部に磁性層を残存させる。凹部の深さｄは、０．１〜１０ｎｍの範囲とすることが好ましく、より好ましくは１〜５ｎｍの範囲である。この凹部の深さｄが０．１ｎｍ未満であると、第１の磁性層２４のパターニング効果が現れず磁気記録パターンを形成することができない。一方、この凹部の深さｄが１０ｎｍを超えると、磁気記録媒体４０の表面平滑性が悪化し、磁気記録再生装置を製造した際の磁気ヘッドの浮上特性が悪くなる。
【００６５】
次に、第１の磁性層２４のイオンミリングにより除去した凹部、すなわち、境界領域２４ｂの底部にイオン注入を行い、当該箇所の磁性層の磁気特性を改質する。これにより、境界領域２４ｂの底部に残存する磁性層の磁気特性が改質されることで磁気記録領域、すなわち磁性領域２４ａの分離性をより高めることができる。なお、このイオン注入工程は、イオンミリング工程と同時に進行させることができる。すなわち、第１の磁性層２４の表面をイオンミリングすると共に、その下の箇所についてはイオン注入を行うことができる。
【００６６】
本実施形態において、第１の磁性層２４の磁気特性の改質とは、第１の磁性層２４の磁気記録領域（磁性領域２４ａ）を分離するために境界領域２４ｂを非磁性化することの他に、磁性層の保磁力、残留磁化等を部分的に変化させることを指し、その変化とは、保磁力を下げ、残留磁化等を下げることを指す。
【００６７】
また、第１の磁性層２４の磁気特性を改質する方法の一つとして、成膜された第１の磁性層２４を反応性プラズマや反応性イオンに晒して磁性層を非晶質化することが挙げられる。すなわち、第１の磁性層２４の磁気特性の改質は、磁性層の結晶構造の改変によって実現することも含む。
【００６８】
本実施形態において、磁性層を非晶質化するとは、磁性層の原子配列を、長距離秩序を持たない不規則な原子配列の形態とすることを指し、より具体的には、２ｎｍ未満の微結晶粒がランダムに配列した状態とすることを指す。そして、この原子配列状態を分析手法により確認する場合は、Ｘ線回折又は電子線回折により、結晶面を表すピークが認められず、また、ハローが認められるのみの状態とする。
【００６９】
本実施形態では、成膜された第１の磁性層２４を反応性プラズマや反応性イオンに晒すことによって磁性層を改質するが、この改質は、第１の磁性層２４を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の原子又はイオンとの反応により実現することが好ましい。なお、ここで言う反応とは、磁性金属に反応性プラズマ中の原子等が侵入し、磁性金属の結晶構造が変化すること、磁性金属の組成が変化すること、磁性金属が酸化すること、磁性金属か窒化すること、磁性金属が珪化すること等を挙げることができる。
【００７０】
反応性プラズマとしては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）や、反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｐｌａｓｍａ）などを挙げることができる。
また、反応性イオンとしては、例えば、誘導結合プラズマや、反応性イオンプラズマ内に存在する反応性のイオンなどを挙げることができる。
【００７１】
誘導結合プラズマは、気体に高電圧をかけることによってプラズマ化し、さらに高周波数の変動磁場によってそのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマである。誘導結合プラズマは、電子密度が高く、従来のイオンビームを用いてディスクリートトラック媒体を製造する場合に比べ、広い面積の磁性層において、高い効率で磁気特性の改質を実現することができる。
【００７２】
反応性イオンプラズマは、プラズマ中にＮ２、Ｈ２、Ｏ２、ＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＣＣｌ４等の反応性ガスを加えた反応性の高いプラズマである。このようなプラズマを本発明の反応性プラズマとして用いることにより、磁性層の磁気特性の改質をより高い効率で実現することが可能となる。
【００７３】
（工程Ｇ’〜工程Ｈ’〜工程Ｉ’）
次に、図４（ｂ）に示す工程Ｇ’において、マスクパターン５ａおよび残っている場合はレジストパターン６ａを除去する。
次に、図４（ｃ）に示す工程Ｈ’において、第１の磁性層２４の上に、上述したような材質からなる第２の磁性層１０を形成する。
次に、図４（ｄ）に示す工程Ｉ’において、第２の磁性層１０の表面を覆うカーボン保護層８を形成する。以上のような工程により、本実施形態の磁気記録媒体４０を製造することができる。
【００７４】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明を適用した磁気記録再生装置として、図１および図３（ａ）に示す磁気記録媒体３０，４０を備えた磁気記録再生装置を例に挙げて説明する。図５は、本発明を適用した磁気記録再生装置（ＨＤＤ）の一例を示した概略構成図である。
【００７５】
本発明を適用した磁気記録再生装置は、図５に示すように、上記本発明を適用した磁気ディスク（磁気記録媒体）３０（または４０）と、この磁気ディスク３０を回転駆動する回転駆動部（磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部）３２と、磁気ディスク３０に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド３３と、磁気ヘッド３３を磁気ディスク３０の径方向に移動させるヘッド駆動部（磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段）３４と、磁気ヘッド３３への信号入力と磁気ヘッド３３から出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系（記録再生信号処理手段）３５とを備えている。
【００７６】
この磁気記録再生装置では、上記本発明を適用した磁気記録媒体を用いることで記録密度の高い磁気記録再生装置を構成することが可能となる。また、磁気記録媒体の記録トラックを磁気的に不連続に加工したことによって、従来はトラックエッジ部の磁化遷移領域の影響を排除するために再生ヘッド幅を記録ヘッド幅よりも狭くして対応していたものを、両者をほぼ同じ幅にして動作させることができる。これにより十分な再生出力と高いＳＮＲを得ることができるようになる。
【００７７】
さらに、磁気ヘッド３３の再生部をＧＭＲヘッド又はＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記録再生装置を実現することができる。またこの磁気ヘッド３３の浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍの範囲内とし、従来より低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置ＳＮＲが得られ、大容量で高信頼性の磁気記録再生装置を提供することができる。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１００ｋトラック／インチ以上、線記録密度１０００ｋビット／インチ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮＲが得られる。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００７９】
（実施例１）
実施例１では、図４に示した工程で磁気記録媒体を製造した。
まず、ＨＤ用ガラス基板をセットした真空チャンバを予め１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板はＬｉ２Ｓｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）は２オングストロームである。
【００８０】
このガラス基板にＤＣスパッタリング法を用いて、軟磁性層として６５Ｆｅ−３０Ｃｏ−５Ｂ、下地層としてＲｕ、第１の磁性層として、グラニュラ構造の垂直配向の磁性層を形成した。第１の磁性層の合金組成は、６２Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−８（ＳｉＯ２）（これらはモル比。）とし、膜厚は１５ｎｍとした。他の層の膜厚は、ＦｅＣｏＢ軟磁性層は６０ｎｍ、Ｒｕ下地層は１０ｎｍとした。その上に、スパッタ法を用いてマスク層を形成した。マスク層にはＴａを用いて膜厚は６０ｎｍとした。その上に、レジストをスピンコート法により塗布した。レジストには、紫外線硬化樹脂であるノボラック系樹脂を用いた。また膜厚は１００ｎｍとした。
【００８１】
その上に、磁気記録領域のネガパターンを有するガラス製のスタンプを用いて、スタンプを１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力で、レジスト層に押圧した。その状態で、波長２５０ｎｍの紫外線を、紫外線の透過率が９５％以上であるガラス製のスタンプの上部から１０秒間照射し、レジストを硬化させた。その後、スタンプをレジスト層から分離し、磁気記録領域を転写した。レジスト層に転写した磁気記録領域は、レジストの凸部が幅１２０ｎｍの円周状、レジストの凹部が幅６０ｎｍの円周状であり、レジスト層の層厚は６５ｎｍ、レジスト層の凹部の厚さは約５ｎｍであった。また、レジスト層凹部の基板面に対する角度は、ほぼ９０度であった。
【００８２】
その後、レジスト層の凹部の箇所、及びその下のＴａ層をドライエッチングで除去した。ドライエッチング条件は、レジスト層のエッチングに関しては、Ｏ２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ、高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１０秒とし、Ｔａ層のエッチングに関しては、ＣＦ４ガスを５０ｓｃｃｍ、圧力０．６Ｐａ、高周波プラズマ電力５００Ｗ、ＤＣバイアス６０Ｗ、エッチング時間３０秒とした。
【００８３】
次に、レジストパターンから露出された第１の磁性層上の領域に対して磁性層の表層部のイオンミリングと、それと同時にその下の箇所にイオン注入を行い磁気特性の改質を行った。この工程は、プロセスガスとして窒素と水素との混合ガス（混合比は１：１で各ガスの流量は４０ｓｃｃｍ。）を使用し、イオンミリングと同時にイオン注入により行った。本工程の処理は、加速電圧１０００Ｖ、電流密度０．４ｍＡ／ｃｍ２、エッチング速度０．０８ｎｍ／秒の条件で行い、エッチング深さは９ｎｍとし、その下の６ｎｍの磁性層については磁気特性を改質した。
【００８４】
その後、レジスト層及びマスク層をドライエッチングにより除去した。ドライエッチングの条件は、ＳＦ６ガスを１００ｓｃｃｍ、圧力２．０Ｐａ、高周波プラズマ電力４００Ｗ、処理時間、３００秒とした。
その後、第２の磁性層として、非グラニュラ構造の垂直配向の磁性層を基板表面に形成した。第２の磁性層の合金組成は、７０Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ（これらはモル比。）とし、膜厚は５ｎｍとした。
【００８５】
その表面にＣＶＤ法にてカーボン（ＤＬＣ：ダイヤモンドライクカーボン）保護層を形成した。カーボン保護層の成膜にはＲＦプラズマＣＶＤ装置を用い、印加電力は、１３．５６ＭＨｚで５００Ｗ、成膜時間は１０秒とした。なお、カーボン保護層の成膜に際して、基板に、−１５０Ｖ、パルス幅２００ｎｍ、周波数２００ｋＨｚの直流パルス電圧を印可した。その後、潤滑剤として、Ｚ−ｄｏｌ  ２０００を２０オングストローム塗布して磁気記録媒体を製造した。
【００８６】
以上のように作製された磁気記録媒体の耐環境性評価および電磁変換特性の評価を実施した。
【００８７】
耐環境性評価は、磁気記録媒体を温度８０℃、湿度８５％の大気環境下に９６時間保持し、その後、磁気記録媒体の表面に生ずる５ミクロンφ以上のコロージョンスポットの数をカウントすることにより行った。
【００８８】
また、この磁気記録媒体の表面に３％の硝酸水溶液を５箇所（１００マイクロリットル／箇所）、純水を５箇所（１００マイクロリットル／箇所）ずつ滴下し、１時間静置後これを回収し、この中に含まれるＣｏ量をＩＣＰ−ＭＳで測定した。なお、ＩＣＰ−ＭＳでの測定は、Ｙを２００ｐｐｔ含んだ３％硝酸１ミリリットルを基準液とした。その結果、コロージョンスポットは１個／面、コバルトの抽出量は０．０８マイクロｇ／面であった。
【００８９】
電磁変換特性（ＳＮＲおよび３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ）の評価は、スピンスタンドを用いて実施した。なお、評価用のヘッドには、記録用として垂直記録ヘッド、読み込み用としてＴｕＭＲヘッド（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ｈｅａｄ，  ＴＤＫ株式会社製）を用い、７５０ｋＦＣＩの信号を記録したときのＳＮＲ値および３Ｔ−ｓｑｕａｓｈを測定した。
その結果、ＳＮＲが１３．８ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が９５％であり、記録再生特性が優れていることがわかった。ここで、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（３トラックスカッシュ）とは、センタートラックに信号を記録した後、センターの両隣に信号を記録し、両隣に信号を記録する前と後におけるセンタートラックの信号強度の割合（％）である。
【００９０】
（実施例２）
実施例２では、図２に示した工程で磁気記録媒体を製造した。実施例２において第１の磁性層の加工には、アルゴンイオンエッチングを用いた。なお、アルゴンイオンエッチングは、アルゴン流量：１０ｓｃｃｍ、圧力：０．２Ｐａ、プラズマ発生ＲＦ電力：２００Ｗ、加速電圧：１５００Ｖ、処理時間：２５秒の加工条件を用いた。これにより、エッチング深さは１０ｎｍであった。
また、実施例２では、第１の磁性層の加工条件以外は、実施例１と同様の条件で磁気記録媒体を製造した。
【００９１】
この実施例２の磁気記録媒体について、耐環境性評価、電磁変換特性評価を実施したところ、コロージョンスポットは１個／面、コバルトの抽出量は０．０９マイクロｇ／面であった。また、ＳＮＲは１３．６ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が９３％であった。
【００９２】
（比較例）
比較例では、第２の磁性層を設けなかった以外は、実施例１と同様の条件で磁気記録媒体を製造した。そして、この比較例の磁気記録媒体について、耐環境性評価、電磁変換特性評価を実施したところ、コロージョンスポットは１５個／面、コバルトの抽出量は０．２５マイクロｇ／面であった。また、ＳＮＲは１２．６ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が８５％であった。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明によれば、高記録密度であり、磁気記録領域の耐食性、特に耐環境性が高く、したがって耐久性に優れた磁気記録媒体を、高い生産性で提供することが可能となり産業上の利用可能性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】図１は、第１の実施形態である磁気記録媒体を示す断面模式図である。
【図２】図２は、第１実施形態の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第２の実施形態である磁気記録媒体を示す断面模式図である。
【図４】図４は、第２実施形態の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図５】図５は、第３の実施形態である磁気記録再生装置を示す斜視図である。
【図６】図６は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００９５】
１…非磁性基板
２…軟磁性層
３…下地層
４，２４…第１の磁性層
４ａ，２４ａ…磁性領域
４ｂ，２４ｂ…境界領域
５…マスク層
５ａ…マスクパターン
６ａ…レジストパターン
８…カーボン保護膜
９…スタンプ
１０…第２の磁性層
２４ｃ…改質領域
３０，４０，４１…磁気記録媒体
３２…媒体駆動部
３３…磁気ヘッド
３４…ヘッド運動手段
３５…記録再生信号処理手段
【図１】
2010152978.tif 000003
【図２】
2010152978.tif 000004
【図３】
2010152978.tif 000005
【図４】
2010152978.tif 000006
【図５】
2010152978.tif 000007
【図６】
2010152978.tif 000008