(57)【要約】【課題】帯電による可動部の支持基板への張り付きを防止する。【解決手段】導電性の支持基板１１とデバイス層１３とで中間絶縁層１２が挟まれた三層構造を少なくとも有し、デバイス層１３に固定部３３とその固定部３３に連結支持された可動部Ｍとが形成され、可動部Ｍは支持基板１１の板面と平行な面内方向に静電駆動される微小可動デバイスにおいて、デバイス層１３に、固定部３３に連結支持され、中間絶縁層１２を除去した空間を挟んで支持基板１１に対向し、その対向する部分の支持基板１１からの静電引力に応答する最大変位が可動部Ｍよりも大きい第２可動部５１が設けられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の支持基板とデバイス層とで中間絶縁層が挟まれた三層構造を少なくとも有し、前記デバイス層に固定部とその固定部に連結支持された可動部とが形成され、前記可動部は前記支持基板の板面と平行な面内方向に静電駆動される微小可動デバイスにおいて、
前記デバイス層に、前記固定部に連結支持され、前記中間絶縁層を除去した空間を挟んで前記支持基板に対向し、その対向する部分の前記支持基板からの静電引力に応答する最大変位が前記可動部よりも大きい第２可動部が設けられていることを特徴とする微小可動デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の微小可動デバイスにおいて、
前記第２可動部は前記固定部に連結された梁部と、その梁部の先端に形成された重錘部とからなることを特徴とする微小可動デバイス。
【請求項３】
請求項２記載の微小可動デバイスにおいて、
前記梁部は渦巻き状に形成され、その渦巻きの略中心に前記重錘部が位置していることを特徴とする微小可動デバイス。
【請求項４】
請求項２又は３記載の微小可動デバイスにおいて、
前記支持基板を鉛直下方とし、前記デバイス層を鉛直上方とした時、前記重錘部は自重によって前記支持基板の表面に接触することを特徴とする微小可動デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板等の三層構造を有する基板を使用して作製され、可動部が基板板面と平行な面内方向に静電駆動される構造とされた微小可動デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性を有する２枚の単結晶シリコン層の間に、シリコン酸化膜よりなる中間絶縁層が挟まれてなるＳＯＩ基板を使用して各種微小可動デバイスが作製されている。この場合、２枚の単結晶シリコン層のうち、一方は一般に支持基板とされ、他方は各種構成要素が形成されるデバイス層とされ、このデバイス層及び中間絶縁層を適宜、エッチングすることによって可動部や固定部といった所要の構成要素が形成されている。
【０００３】
特許文献１にはこのような構造を有する微小可動デバイスの一例として、光導波手段として光ファイバを用いる１×２型の光スイッチの構成が記載されている。この光スイッチは一端に可動ミラーが形成された可動ロッド、その可動ロッドを支持するヒンジ及び可動ロッドに連結形成された可動櫛歯電極を可動部として有し、可動櫛歯電極を静電的に吸引するための固定櫛歯電極及び固定ミラー等を固定部として有し、さらに固定部分に光ファイバを位置決め固定するためのファイバガイド（ファイバ溝）が形成されたものとなっている。
【０００４】
デバイス層によって形成された可動部はその下の中間絶縁層がエッチング除去されることによって支持基板から浮いた状態となり、変位可能とされており、可動櫛歯電極と固定櫛歯電極よりなる櫛歯型静電アクチュエータを駆動することにより、可動ミラーを一端に有する可動ロッドが基板板面と平行な面内方向（水平方向）に駆動され、この可動ミラーの駆動により光路が切り替えられるものとなっている。
【０００５】
ところで、この種の微小可動デバイスにおいては、可動部と支持基板や固定部との間で張り付き（スティッキング）が発生するという問題がある。
【０００６】
この張り付きが発生する原因の１つは帯電であり、例えば微小可動デバイスの製造過程において、可動部が形成されてから電極に所定の配線が接続されるまでの間におけるハンドリング時に、そのハンドリングによって可動部（デバイス層）や支持基板が局所的に帯電してしまうことによって発生する。
【０００７】
帯電により、可動部と支持基板との間に電位差が生じた場合には、両者間に静電引力が作用し、可動部は支持基板に引き付けられて張り付いてしまう。この張り付いた状態ではファン・デル・ワールス力が作用していると言われており、張り付きの原因となった帯電状態が解消されたとしても、張り付き状態が持続し、剥離困難な状況に陥る。
【０００８】
このような帯電（静電引力）に起因する張り付きを防止するための一構成例が特許文献２に記載されている。
【０００９】
特許文献２ではＳＯＩ基板を使用して作製される半導体力学量センサ（半導体加速度センサ）において、センサ部の外周に、センサ部と絶縁したハンドリング部を設けた構成となっている。そして、ハンドリング時には治具がハンドリング部のみにふれるようにし、つまりハンドリング時に治具がセンサ部にふれることのないようにし、これによりセンサ部の帯電を防止し、センサ部内の可動部（可動電極）と固定部（固定電極）の静電引力による張り付きを防止するものとなっている。
【特許文献１】特開２００７−３１６６２８号公報
【特許文献２】特開２０００−２０６１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかるに、上述した特許文献２では可動部が形成されている領域においては、支持基板（第１の半導体層）に開口が形成され、支持基板が除去されているため、可動部が支持基板に張り付くといった問題は生じない構成となっているものの、可動部下に支持基板が存在するような構成を有するデバイスでは特許文献２のようなハンドリング部を設ける構成では可動部の支持基板への張り付きを防止することはできない。
【００１１】
即ち、作製されたデバイス（チップ）は通常、トレー等に入れて保管されるが、この時のハンドリングにおいて例えばトレーを介して支持基板が帯電する危険性が高く、可動部下の支持基板が帯電してしまった場合には可動部が支持基板に張り付くといった状況が生じる。特許文献２の構成ではこのような問題に対しては対処することができない。
【００１２】
加えて、特許文献２の構成ではハンドリング部の内周に溝を介して位置するセンサ部は、そのハンドリング部と向かい合う部分が可動部ではないことが要求される。つまり、ハンドリング部と向かい合う部分に可動部が存在すると、帯電したハンドリング部にその可動部が静電引力により引き付けられて張り付いてしまうといった状況が生じるためであり、この点で可動部の構成が制約を受けるものとなっている。
【００１３】
この発明の目的はこのような状況に鑑み、可動部の構成が制限されず、静電気（帯電）による可動部の支持基板への張り付きを防止することができるようにした微小可動デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１の発明によれば、導電性の支持基板とデバイス層とで中間絶縁層が挟まれた三層構造を少なくとも有し、デバイス層に固定部とその固定部に連結支持された可動部とが形成され、可動部は支持基板の板面と平行な面内方向に静電駆動される微小可動デバイスにおいて、デバイス層に、前記固定部に連結支持され、中間絶縁層を除去した空間を挟んで支持基板に対向し、その対向する部分の支持基板からの静電引力に応答する最大変位が前記可動部よりも大きい第２可動部が設けられる。
【００１５】
請求項２の発明では請求項１の発明において、第２可動部は前記固定部に連結された梁部と、その梁部の先端に形成された重錘部とからなるものとされる。
【００１６】
請求項３の発明では請求項２の発明において、梁部は渦巻き状に形成され、その渦巻きの略中心に重錘部が位置しているものとされる。
【００１７】
請求項４の発明では請求項２又は３の発明において、支持基板を鉛直下方とし、デバイス層を鉛直上方とした時、重錘部は自重によって支持基板の表面に接触するものとされる。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、支持基板やデバイス層が帯電した場合に、第２可動部がすみやかに支持基板に引き付けられて接触し、これにより可動部と支持基板とが同電位となるため、帯電による可動部の支持基板への張り付きを防止することができる。なお、第２可動部は可動部が連結支持されている固定部に連結形成されていればよく、その形成位置は特に制限されないため、このような第２可動部を設けることによって可動部の構成が制限されることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
この発明の実施形態を図面を参照して実施例により説明する。
図１はこの発明による微小可動デバイスの一実施例として、１×２型の光スイッチの構成を示したものであり、光スイッチは後述の図３−１に示すように、支持基板１１、中間絶縁層１２及びデバイス層１３の三層構造よりなるＳＯＩ基板１０を使用して作製されている。
【００２０】
まず、この光スイッチの基本構成及び動作について説明する。各構成要素は支持基板１１上のデバイス層１３、中間絶縁層１２を適宜、エッチングすることによって形成されている。
【００２１】
光導波手段としてこの例では光ファイバを用いるものとされ、光ファイバの端部を位置決め収容する３つのファイバガイド（ファイバ溝）２１〜２３が支持基板１１の内陸から外周に達するように形成されている。これらファイバガイド２１〜２３はそれらの内端が図１に示したように一箇所に併合され、ミラー収容室２４を形成している。
【００２２】
ミラー収容室２４には固定ミラー２５と可動ミラー２６が配置されている。固定ミラー２５はミラー収容室２４の内側壁から突出するように形成されており、可動ミラー２６は長尺の可動ロッド２７の先端に一体形成されている。
【００２３】
可動ロッド２７はミラー収容室２４に連通するロッド溝２８及びそのロッド溝２８に連通する凹部２９内に位置されており、その凹部２９内に位置する部分の幅方向両側には二対のヒンジ３１ａ，３１ｂ及び３２ａ，３２ｂが突出形成されている。可動ロッド２７はこれらヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂにより、その長手方向に変位可能に支持されている。各ヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは板ばねとして機能するもので、それらの可動ロッド２７と反対側の端部は固定部３３に連結支持されている。
【００２４】
ヒンジ３１ａ，３１ｂと３２ａ,３２ｂとの間において、可動ロッド２７には櫛歯型静電アクチュエータが配設されている。櫛歯型静電アクチュエータは第１及び第２固定櫛歯電極３４，３５と可動櫛歯電極３６とよりなるもので、可動櫛歯電極３６は可動ロッド２７の幅方向両側に突出形成された支持ビーム３７ａ，３７ｂにそれぞれそのヒンジ３１ａ，３１ｂ側とヒンジ３２ａ，３２ｂ側とに突出されて形成されている。可動櫛歯電極３６は支持ビーム３７ａ，３７ｂ、可動ロッド２７及びヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを介して固定部３３と電気的に導通されている。
【００２５】
可動ロッド２７の長手方向において、可動櫛歯電極３６を挟む両側には第１固定櫛歯電極３４と第２固定櫛歯電極３５とが可動櫛歯電極３６と噛み合うように配置され、これら第１、第２固定櫛歯電極３４，３５はそれぞれ固定部３８ａ，３８ｂ及び３９ａ，３９ｂから突出されて形成されている。なお、図１中、４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂはそれぞれ固定部３８ａ，３８ｂ，３９ａ，３９ｂに連続して設けられた端子部を示す。
【００２６】
各ファイバガイド２１〜２３には図１には示していないが、光ファイバの端部がそれぞれ収容配置される。この場合、ファイバガイド２１に配置される光ファイバの先端部が例えば入力ポートとされ、ファイバガイド２２，２３に配置される光ファイバの先端部がそれぞれ第１及び第２の出力ポートとされ、この例ではこれら出力ポートへの光路切り替えが櫛歯型静電アクチュエータを駆動することにより行われるものとなっている。
【００２７】
以下、この光スイッチの動作について説明する。光スイッチ作製後の初期状態（第１安定状態）では可動ミラー２６は図１に示した位置に位置し、この時、入力ポート（ファイバガイド２１の光ファイバ）から入射された光は固定ミラー２５で反射され、その反射光が第１の出力ポート（ファイバガイド２２の光ファイバ）に入射される。
【００２８】
可動櫛歯電極３６と導通している固定部３３及び第１固定櫛歯電極３４をそれぞれアース（接地）した状態で第２固定櫛歯電極３５に電圧を印加すれば、第２固定櫛歯電極３５と可動櫛歯電極３６との間に静電引力が働き、その力が第１安定状態におけるヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの保持力よりも大きい場合、ヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは第２安定状態へと反転し、電圧の印加を絶ってもその状態で自己保持される。この時、可動ロッド２７は可動ミラー２６をミラー収容室２４内にさらに進入させるように変位し、これにより入力ポートから入射された光は可動ミラー２６によって反射され、その反射光が第２の出力ポート（ファイバガイド２３の光ファイバ）に入射される。
【００２９】
一方、固定部３３及び第２固定櫛歯電極３５をそれぞれアースした状態で第１固定櫛歯電極３４に電圧を印加すれば、第１固定櫛歯電極３４と可動櫛歯電極３６との間に静電引力が働き、その力が第２安定状態におけるヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの保持力よりも大きい場合、ヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは反転し、再び第１安定状態へと戻る。
【００３０】
このように、ヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは双安定型の構造となっており、櫛歯型静電アクチュエータを駆動することにより、可動ミラー２６が駆動され、固定ミラー２５の手前の位置に挿抜されて光路が切り替えられるものとなっている。なお、第１固定櫛歯電極３４及び第２固定櫛歯電極３５への電圧の印加は端子部４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂにそれぞれボンディングワイヤを接続し、それらボンディングワイヤを介して行われる。
【００３１】
上記のような構成及び動作を有する光スイッチにおいて、この例ではデバイス層１３に第２可動部５１が形成される。第２可動部５１は図１に示したように固定部３３に形成された方形状の凹部５２内に位置しており、梁部５１ａとその梁部５１ａの先端に形成された重錘部５１ｂとからなるものとされる。梁部５１ａの基端は固定部３３に連結されて支持されている。
【００３２】
梁部５１ａはこの例では渦巻き状に形成されており、重錘部５１ｂは円形の平面形状を有するものとされて、梁部５１ａの渦巻きのほぼ中心に位置されている。
【００３３】
上記のような形状を有する第２可動部５１はその下の中間絶縁層１２が除去され、その除去された空間を挟んで支持基板１１と対向されており、その対向する部分の支持基板１１からの静電引力に応答する最大変位が、光路切り替えのために動作する（光スイッチとして機能する）可動ミラー２６、可動ロッド２７、ヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ、支持ビーム３７ａ，３７ｂ、可動櫛歯電極３６といった構成要素よりなる可動部Ｍよりも大きくなるように構成されている。
【００３４】
即ち、基端が固定部３３に連結支持された渦巻き状・長尺の梁部５１ａの先端に、円形とされ、面積大とされた重錘部５１ｂを備える第２可動部５１は、可動部Ｍと比較して支持基板１１の板面と垂直方向の剛性が小さく、また面積大の重錘部５１ｂを有することにより静電引力が大きく発生するものとなっており、これにより支持基板１１からの静電引力に応答する最大変位が可動部Ｍよりも大きくされ、言い換えればデバイス層１３や支持基板１１が帯電した際に、第２可動部５１は可動部Ｍより小さな力で支持基板１１に引き付けられるものとなっている。
【００３５】
従って、この例によれば、デバイス層１３や支持基板１１が帯電した際には、第２可動部５１が可動部Ｍよりもすみやかに支持基板１１に引き付けられて支持基板１１に接触し、支持基板１１と第２可動部５１及びその第２可動部５１と固定部３３を介して導通している可動部Ｍが同電位となることで、可動部Ｍの支持基板１１への張り付きを防止することができるものとなっている。
【００３６】
第２可動部５１は固定部３３に連結形成されていればよく、その形成位置は特に制限されず、よってこのような第２可動部５１を設けることによって可動部Ｍの構成が制限されることはない。
【００３７】
次に、図２に示した実施例について説明する。
この例では図１と同様の構成を有する光スイッチに図１における第２可動部５１とは異なる形状の第２可動部５１’が形成されている。
【００３８】
この第２可動部５１’は基端が固定部３３に連結支持された梁部５１ａ’と、その梁部５１ａ’の先端に形成された重錘部５１ｂ’とよりなり、重錘部５１ｂ’は図１における第２可動部５１の重錘部５１ｂと同様、円形形状とされているが、この例ではさらに大きな面積を有するものとされている。
【００３９】
一方、梁部５１ａ’はこの例では極めて長尺とされ、図２に示したように方形外形を有する光スイッチの、その方形の２辺に沿うように延伸されて形成されている。梁部５１ａ’及び重錘部５１ｂ’は固定部３３に形成された凹部５３，５４内にそれぞれ位置されている。
【００４０】
第２可動部５１’は上記のような形状を有することにより、この例では支持基板１１を鉛直下方とし、デバイス層１３が鉛直上方となるように光スイッチを位置させた時、梁部５１ａ’がたわみ、重錘部５１ｂ’が自重によって支持基板１１の表面に接触するものとされる。
【００４１】
光スイッチの製造工程においては、通常、支持基板１１は鉛直方向下側に位置され、またそのような向きでハンドリングされるため、この例では第２可動部５１’や可動部Ｍが形成された直後から第２可動部５１’が支持基板１１に自重により接触し、よって支持基板１１と第２可動部５１’及び可動部Ｍとを同電位にすることができるため、帯電による可動部Ｍの支持基板１１への張り付きを防止することができる。
【００４２】
なお、このように動作する第２可動部５１’の寸法の一例を下記に示す。
・梁部５１ａ’        幅    ２．０μｍ
長さ  １．０ｃｍ
・重錘部５１ｂ’      半径  ２００μｍ
図３−１，３−２は上述したような構成を有する光スイッチの作製工程を模式的に示したものであり、以下、各工程について説明する。
（１）ＳＯＩ基板１０を熱酸化する。デバイス層１３表面及び支持基板１１表面にそれぞれシリコン酸化膜１４，１５が形成される。
（２）シリコン酸化膜１４上にレジスト１６を塗布し、フォトリソグラフィによりレジスト１６に可動部Ｍ（可動ミラー２６、可動ロッド２７、ヒンジ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ、可動櫛歯電極３６等）、第２可動部５１、第１、第２固定櫛歯電極３４，３５、ファイバガイド２１〜２３、穴５２等のパターニングをする。
（３）レジスト１６をマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりシリコン酸化膜１４をパターニングする。
（４）レジスト１６を除去する。
（５）パターニングされたシリコン酸化膜１４をマスクとしてデバイス層１３をほぼ垂直に中間絶縁層１２が露出するまでエッチングする。エッチングは例えばＩＣＰ−ＲＩＥ（誘導結合プラズマを利用した反応性イオンエッチング）によって行う。
（６）ＨＦ溶液に浸し、シリコン酸化膜１４，１５及び中間絶縁層１２をエッチング除去する。この時のエッチング時間は可動部Ｍ、第２可動部５１の下に位置する中間絶縁層１２は十分に除去され、固定部Ｆ（固定部３３，３８ａ，３８ｂ，３９ａ，３９ｂ等）の下には中間絶縁層１２が残る時間とする。
（７）ミラーや電極パッドといった必要な部分にスパッタにより金属膜１７を形成する。金属膜１７は例えばＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ多層膜とする。
【００４３】
以上により光スイッチが作製され、ファイバガイド２１〜２３に光ファイバを実装することによって光スイッチが完成する。
【００４４】
第２可動部５１（５１’）はデバイスの通常の作製工程中に同時に作製することができるため、第２可動部５１（５１’）を設けることによって工数が増加することはない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】この発明による微小可動デバイスの一実施例を示す平面図。
【図２】この発明による微小可動デバイスの他の実施例を示す平面図。
【図３−１】図１に示した微小可動デバイスの作製方法を説明するための工程図（その１）。
【図３−２】図１に示した微小可動デバイスの作製方法を説明するための工程図（その２）。
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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