(57)【要約】【課題】複数種類のメモリカードに共用でき、かつメモリカードの装着時におけるコンタクトとコンタクトパッドとの接触状態を各種のメモリカードの性能を発揮するのに適した状態とすることができるメモリカードソケットを提供することにある。【解決手段】高速型メモリカードＭＣ２においては、パッドＰが露出するパッド用空所１１０のメモリカードソケットへの挿入方向に沿った方向における長さが、従来型メモリカードＭＣ１よりも相対的に長くなっている点に着目し、高速型メモリカードＭＣ２のみに設けられたパッドＰ１０に対応するコンタクトＣ１０に、高速型メモリカードＭＣ２のパッド用空所１１０の上記挿入方向側を向いた内面１１０ａに当接せずに、従来型メモリカードＭＣ１のパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接することによって、接触部８１ｂをメモリカードＭＣ１，ＭＣ２に共通のパッドＰ３から離間させる乗り上げ部８１ｃを設けた。【選択図】図１
2010061474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書換可能な不揮発性の記憶素子が内蔵される矩形板状のカード体の厚み方向の一面側に複数のコンタクトパッドを備え、コンタクトパッドの配列により分類される複数種類のメモリカードを挿抜可能なカード挿入口を有し、当該カード挿入口から挿入されたメモリカードを保持するソケット本体と、ソケット本体に保持されたメモリカードの複数のコンタクトパッドと接触導通する複数のコンタクトとを備えるメモリカードソケットであって、
カード体の上記一面側におけるメモリカードソケットへの挿入方向側の端部には、上記一面側を向いた面にコンタクトパッドが露出するとともに上記挿入方向側からコンタクトが挿入されるパッド用空所が設けられ、
複数のコンタクトパッドには、上記複数種類のメモリカード全てが有する共通のコンタクトパッドと、上記挿入方向において共通のコンタクトパッドと並ぶ形に配置され当該共通のコンタクトパッドの代わりに使用される代替のコンタクトパッドとがあり、
代替のコンタクトパッドを有するメモリカードにおいては、上記挿入方向に沿った方向におけるパッド用空所の長さが、代替のコンタクトパッドを有しないメモリカードよりも相対的に長くなっており、
複数のコンタクトには、共通のコンタクトパッドに接触導通される共通のコンタクトと、代替のコンタクトパッドに接触導通される代替のコンタクトとが含まれ、
代替のコンタクトは、代替のコンタクトパッドに接触される接触部と、乗り上げ部とを有し、
乗り上げ部は、代替のコンタクトパッドを有するメモリカードの装着時にはパッド用空所における上記挿入方向側を向いた内面に当接せず、かつ代替のコンタクトパッドを有しないメモリカードの装着時にはパッド用空所の上記内面に当接して接触部が当該パッド用空所内の共通のコンタクトパッドから離間する形に代替のコンタクトを変形させるように接触部よりも代替のコンタクトの先端側に位置していることを特徴とするメモリカードソケット。
【請求項２】
上記代替のコンタクトは、金属材料により上記接触部と上記乗り上げ部が一体に形成されてなることを特徴とする請求項１記載のメモリカードソケット。
【請求項３】
少なくとも上記乗り上げ部は、長尺状の金属板を長手方向に直交する面内における断面形状がＬ字形状となるように折り曲げてなることを特徴とする請求項２記載のメモリカードソケット。
【請求項４】
上記乗り上げ部は、絶縁性を有する材料よりなることを特徴とする請求項１記載のメモリカードソケット。
【請求項５】
上記パッド用空所内に露出する複数の上記代替のコンタクトパッドそれぞれに対応する複数の上記代替のコンタクトの上記乗り上げ部は、相互に連結されていることを特徴とする請求項４記載のメモリカードソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリカードソケット、特にＳＤメモリカードやマルチメディアカード（ＭＭＣ）などのメモリカードや、ＳＤメモリカードと同様の大きさ及び端子配列を有するＳＤＩＯカードを挿抜自在に接続するためのメモリカードソケットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型で大容量のメモリカードとしてＳＤメモリカードが提供されている。ＳＤメモリカードは、当該ＳＤメモリカードを使用する電気機器等に搭載されたメモリカードソケットに装着されて使用される（例えば特許文献１，２参照）。
【０００３】
ところで、ＳＤメモリカードとしては、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すものが広く普及している。図１４に示すＳＤメモリカードＭＣ１は、書換可能な不揮発性の記憶素子（例えばフラッシュメモリなど）を含む回路部（図示せず）が内蔵された矩形板状のカード体１００を備えている。ＳＤメモリカードＭＣ１は、カード体１００の長手方向の一端部（図１４（ａ）における上端部）からメモリカードソケットに挿入されるものであり、以下の説明では、カード体１００の長手方向を前後方向と規定し、カード体１００の長手方向の一端部（ＳＤメモリカードＭＣ１のメモリカードソケットへの挿入方向側の端部）を前端部という。
【０００４】
図１４に示すＳＤメモリカードＭＣ１では、カード体１００の厚み方向の一面（図１４（ｂ）における右面）側の前端部に、複数のパッド（コンタクトパッド）Ｐが、カード本体１の幅方向（図１４（ａ）における左右方向）において並ぶ形に設けられている。ＳＤメモリカードＭＣ１は、データ転送用の４個のパッドＰと、グラウンド用の２個のパッドＰと、電源用の１個のパッドＰと、コマンド用の１個のパッドＰと、クロック用の１個のパッドＰとの計９個のパッドＰを備えている。なお、以下の説明では９個のパッドＰを区別するためにパッドＰを必要に応じて符号Ｐ１〜Ｐ９で表す。
【０００５】
これらパッドＰは、カード体１００の上記一面側の前端部に形成される８つのパッド用空所１１０の底面（上記一面側を向いた面）に露出している。各パッド用空所１１０は前端側が開放されており（すなわちカード体１００の上記一面の前端部には、前端側の面が低くなる段差が形成されており）、メモリカードソケットへの装着時には、メモリカードソケットのコンタクトＣ（図２参照）が前端側から挿入される。パッド用空所１１０内に挿入されたコンタクトＣは、当該パッド用空所１１０内のパッドＰと接触接続される。図１４に示すＳＤメモリカードＭＣ１では、パッド用空所１１０がカード体１００の幅方向に８つ並ぶ形に設けられており、図１４（ａ）における左側から１番目のパッド用空所１１０内にはパッドＰ１が、２番目のパッド用空所１１０にはパッドＰ２が、３番目のパッド用空所１１０内にはパッドＰ３が、４番目のパッド用空所１１０にはパッドＰ４が、５番目のパッド用空所１１０内にはパッドＰ５が、６番目のパッド用空所１１０にはパッドＰ６が、７番目のパッド用空所１１０内にはパッドＰ７が、８番目のパッド用空所１１０にはパッドＰ８，Ｐ９が露出している。
【０００６】
また、隣接するパッド用空所１１０間には絶縁用のリブ１０６が配置されている。リブ１０６は、カード体１００の前後方向を長手方向とする長尺状に形成されている。
【０００７】
ところで、カード体１００の幅方向における両側縁それぞれには突部１０１が形成され、カード体１００の前端部の片方の角部（図１４（ａ）の右上の角部）には、斜めに傾斜する（法線方向が図１４（ａ）における左上方向を向いた面よりなる）切欠部１０２が形成されている。また、カード体１００の幅方向における一側縁（図１４（ａ）における左側縁）には、メモリカードソケットの係合爪との係合に使用される係合凹所１０３が形成され、他側縁（図１４（ａ）における右側縁）には凹部１０４が形成されている。この凹部１０４を、ライトプロテクトスイッチの摘み１０５を前後方向にスライド移動自在に配置するためのものである。
【０００８】
上述のＳＤメモリカードＭＣ１は、動作モードを切り替えて使用することが可能であり、動作モードに応じて各パッドＰの機能が切り替えられる。例えば、ＳＤメモリカードＭＣ１は、データの高速転送が可能なモードを有しており、当該モードでは、４個のコンタクトパッドを介してデータ転送を行うことで、１クロックサイクルで４ビットのデータ転送が可能である。
【０００９】
このようなＳＤメモリカードＭＣ１は、例えばデジタルカメラやデジタルビデオカメラのような映像記録機器（電気機器）の記憶媒体として使用されることが多い。
【００１０】
近年では、映像記録機器の高精細度化が進んでおり、記憶媒体に記憶されるコンテンツが大容量化している。そのため、大容量のデータをリアルタイムで記録したり、コンピュータ等の外部機器に転送したりする場合に、上述の従来のＳＤメモリカードＭＣ１ではデータの転送速度が十分速いとはいえず、データの転送等に比較的長い時間がかかっていた。
【００１１】
そこで、データの転送速度を高速化した次世代のＳＤメモリカード（以下、高速型メモリカードという）が提案されている。
【００１２】
高速型メモリカードＭＣ２は、図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、主としてパッドＰの配列が、上述した従来のＳＤメモリカード（以下、従来型メモリカードという）ＭＣ１と異なっている。すなわち、高速型メモリカードＭＣ２は、従来型メモリカードＭＣ１の９個のパッドＰに加えて、高速モード（高速転送）用の４個のパッドＰを備えている。なお、以下の説明では１３個のパッドＰを区別するためにパッドＰを必要に応じて符号Ｐ１〜Ｐ１３で表す。
【００１３】
ここで、高速型メモリカードＭＣ２における９個のパッドＰ１〜Ｐ９は、従来型メモリカードＭＣ１と共通するコンタクトパッドである。一方、高速モード用の４個のパッドＰ１０〜Ｐ１３は、従来型メモリカードＭＣ１にはないコンタクトパッドである。パッドＰ１０，Ｐ１１は、上記挿入方向（図１５（ａ）における上方向）において共通のコンタクトパッドであるパッドＰ３と並ぶ形に配置され、当該パッドＰ３の代わりに使用される代替のコンタクトパッドである。同様に、パッドＰ１２，Ｐ１３は、上記挿入方向において共通のコンタクトパッドであるパッドＰ６と並ぶ形に配置され、当該パッドＰ６の代わりに使用される。
【００１４】
高速型メモリカードＭＣ２においては、パッドＰ３，Ｐ６は、前後方向の寸法が他のパッドＰ１，２，４，５，７〜９に比べて短くなっている。また、パッドＰ３，Ｐ６の前端位置は、他のパッドＰ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ７〜Ｐ９の前端位置よりも後方にあり、これによって、パッドＰ３の前端側にパッドＰ１０，Ｐ１１を、パッドＰ６の前端側にパッドＰ１２，Ｐ１３をそれぞれ幅方向に並べて配置するスペースを確保している。
【００１５】
このような高速型メモリカードＭＣ２は、従来型メモリカードＭＣ１と同様の動作を行うＳＤモードと、より高速のデータ転送が可能な高速モードとを有している。ＳＤモードでは、従来型メモリカードＭＣ１と共通する９個のパッドＰ１〜Ｐ９が使用される。当該ＳＤモードでは、上述したように４個のコンタクトパッドを用いて４ビットのデータを送受信する。一方、高速モードでは、パッドＰ３に代えてパッドＰ１０，Ｐ１１が、パッドＰ６に代えてパッドＰ１２，Ｐ１３が使用される（すなわち、高速モードでは、パッドＰ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ７〜１３の計１１個が使用される）。そして、高速モードでは、パッドＰ１０，Ｐ１１の対と、パッドＰ１２，Ｐ１３の対とによって、それぞれ１ビットの差動データ信号を送受信する。このような高速モードにおいては、ＳＤモードよりも１クロックサイクルで伝送可能なビット数が少なくなるが、差動データを送受信することで動作クロックの周波数を飛躍的に高くできる。そのため、高速モードではＳＤモードに比べて高速なデータ伝送を実現できる。
【００１６】
このように高速型メモリカードＭＣ２を使用することによって、従来型メモリカードＭＣ１を使用する場合に比べて高速のデータ転送が可能になり、データの転送等にかかる時間を短縮することができる。
【００１７】
しかし、現状では、従来型メモリカードＭＣ１に対応した電気機器が既に多く生産され、普及している。当然ながら、このような電気機器には、従来型メモリカードＭＣ１に対応したメモリカードソケット（以下、従来型ソケットという）が採用されている。
【００１８】
そのため、高速型メモリカードＭＣ２は、従来型ソケットにも使用できる（従来型ソケットに装着した状態でもデータ伝送が可能となる）ことが要求されている。
【００１９】
かかる点を考慮して、高速型メモリカードＭＣ２の外形サイズは、従来型メモリカードＭＣ１の外形サイズとほぼ同サイズに設定されている。しかし、高速型メモリカードＭＣ２と従来型メモリカードＭＣ１とを判別することができるように、高速型メモリカードＭＣ２のカード体１００の前端角部に設けられる切欠部１０７の形状を、従来型メモリカードＭＣ１のカード体１００の前端角部に設けられる切欠部１０２と異ならせている。
【００２０】
高速型メモリカードＭＣ２の切欠部１０７は、従来型メモリカードＭＣ１と同じ位置でカード体１００の前面に隣接する第１切欠部１０８と、第１切欠部１０８に連続して設けられ、カード体１００の側面（図１５（ａ）における左側面）に隣接する第２切欠部１０９とで構成される。第２切欠部１０９は第１切欠部１０８よりカード体１００の後方にずらして設けられている。したがって、カード体１００の前端角部には段差が形成されている。このような段差は、従来型ソケットと高速型メモリカードＭＣ２に対応したメモリカードソケット（以下、高速対応型ソケットという）とにおいて、メモリカードソケットに対する高速型メモリカードＭＣ２の位置を異ならせるために設けられている。
【００２１】
すなわち、従来型ソケットに高速型メモリカードＭＣ２の第１切欠部１０８と衝合する衝合部を設け、高速対応型ソケットに高速型メモリカードＭＣ２の第２切欠部１０９と衝合する衝合部を設けることにより、従来型ソケットと高速対応型ソケットとで高速型メモリカードＭＣ２の差し込み位置を前後方向（ＳＤメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の挿抜方向）に異ならせることができる（高速対応型ソケットでは、従来型ソケットよりも高速型メモリカードＭＣ２をより奥まで差し込むことができる）。
【００２２】
これによって、高速型メモリカードＭＣ２を高速対応型ソケットに装着した際には、当該ソケットのコンタクトを、パッドＰ３，Ｐ６ではなくこれらの前方に位置するパッドＰ１０〜Ｐ１３に接触させることができる。一方、高速型メモリカードＭＣ２を従来型ソケットに装着した際には、当該ソケットのコンタクトをパッドＰ１０〜Ｐ１３ではなくこれらの後方に位置するコンタクトパッドＰ３，Ｐ６に接触させることができる。
【００２３】
このように上記衝合部を有するメモリカードソケットでは、高速型メモリカードＭＣ２と従来型メモリカードＭＣ１との間に互換性を持たせることが可能となる。
【００２４】
しかしながら、メモリカードソケットには、上記衝合部を具備しないものも存在する。上記衝合部を具備しない種類のメモリカードソケットでは、従来型メモリカードＭＣ１と高速型メモリカードＭＣ２とで挿入位置を異ならせることができないので、挿入位置によってメモリカードの種類を判別することができない。
【００２５】
そこで、メモリカードの電気的特性によってメモリカードの種類を判別し、その判別結果に応じてコンタクトの切替／選択を行うメモリカードソケットが提案されている（例えば、特許文献３参照）。このものでは、使用しないコンタクトをメモリカードソケットの内部回路から電気的に切り離すことによって、コンタクトの切替／選択を行う。
【特許文献１】特開２００４−７１１７５号公報
【特許文献２】特開２００３−２４９２９０号公報
【特許文献３】特開２００４−１４４９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
特許文献３に記載された技術を採用すれば、衝合部がないメモリカードソケットにおいても、メモリカードの種類を判別することが可能になり、これによって、従来型メモリカードＭＣ１と高速型メモリカードＭＣ２の両方を使用することが可能になる。
【００２７】
しかしながら、このものでは、従来型メモリカードＭＣ１の装着位置と高速型メモリカードＭＣ２の装着位置とが同じになるから、従来型メモリカードＭＣ１では使用されない高速モード用のコンタクトがパッドＰ３，Ｐ６に接触する場合がある。
【００２８】
ここで、従来型メモリカードＭＣ１に対しては使用しない高速モード用のコンタクトが、メモリカードソケットの内部回路から電気的に切り離されていたとしても、これら使用されないコンタクトがパッドＰ３，Ｐ６に接触していれば、高周波特性や信号伝送特性に悪影響が生じ、その結果、十分な性能を発揮できず、規定の転送速度に達しないという現象が起こってしまう。
【００２９】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであって、複数種類のメモリカードに共用でき、かつメモリカードの装着時におけるコンタクトとコンタクトパッドとの接触状態を各種のメモリカードの性能を発揮するのに適した状態とすることができるメモリカードソケットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
上述の課題を解決するために、請求項１の発明では、書換可能な不揮発性の記憶素子が内蔵される矩形板状のカード体の厚み方向の一面側に複数のコンタクトパッドを備え、コンタクトパッドの配列により分類される複数種類のメモリカードを挿抜可能なカード挿入口を有し、当該カード挿入口から挿入されたメモリカードを保持するソケット本体と、ソケット本体に保持されたメモリカードの複数のコンタクトパッドと接触導通する複数のコンタクトとを備えるメモリカードソケットであって、カード体の上記一面側におけるメモリカードソケットへの挿入方向側の端部には、上記一面側を向いた面にコンタクトパッドが露出するとともに上記挿入方向側からコンタクトが挿入されるパッド用空所が設けられ、複数のコンタクトパッドには、上記複数種類のメモリカード全てが有する共通のコンタクトパッドと、上記挿入方向において共通のコンタクトパッドと並ぶ形に配置され当該共通のコンタクトパッドの代わりに使用される代替のコンタクトパッドとがあり、代替のコンタクトパッドを有するメモリカードにおいては、上記挿入方向に沿った方向におけるパッド用空所の長さが、代替のコンタクトパッドを有しないメモリカードよりも相対的に長くなっており、複数のコンタクトには、共通のコンタクトパッドに接触導通される共通のコンタクトと、代替のコンタクトパッドに接触導通される代替のコンタクトとが含まれ、代替のコンタクトは、代替のコンタクトパッドに接触される接触部と、乗り上げ部とを有し、乗り上げ部は、代替のコンタクトパッドを有するメモリカードの装着時にはパッド用空所における上記挿入方向側を向いた内面に当接せず、かつ代替のコンタクトパッドを有しないメモリカードの装着時にはパッド用空所の上記内面に当接して接触部が当該パッド用空所内の共通のコンタクトパッドから離間する形に代替のコンタクトを変形させるように接触部よりも代替のコンタクトの先端側に位置していることを特徴とする。
【００３１】
請求項１の発明によれば、代替のコンタクトパッドを有するメモリカードの装着時には、乗り上げ部がパッド用空所の内面に当接しないから、代替のコンタクトの接触部が代替のコンタクトパッドに接触して、代替のコンタクトと代替のコンタクトパッドとの間が接触導通する。一方、代替のコンタクトパッドを有しないメモリカードの装着時には、乗り上げ部がパッド用空所の内面に当接し、これによって、接触部が当該パッド用空所内の共通のコンタクトパッドから離間する形に代替のコンタクトが変形するので、代替のコンタクトと共通のコンタクトパッドとの間が絶縁される。このように、代替のコンタクトパッドを有するメモリカードの装着時には、代替のコンタクトパッドに代替のコンタクトが接触し、代替のコンタクトパッドを有しないメモリカードの装着時には、共通のコンタクトパッドに代替のコンタクトが接触しないから、信号伝送特性が変化して十分な性能を発揮できず、規定の転送速度に達しないという問題が発生することを回避することができる。その結果、複数種類のメモリカードに共用しながらも、メモリカードの装着時におけるコンタクトとコンタクトパッドとの接触状態を各種のメモリカードの性能を発揮するのに適した状態とすることが可能となる。
【００３２】
請求項２の発明では、請求項１の発明において、上記代替のコンタクトは、金属材料により上記接触部と上記乗り上げ部が一体に形成されてなることを特徴とする。
【００３３】
請求項２の発明によれば、代替のコンタクトを容易に製造することができ、低コスト化を図ることができる。
【００３４】
請求項３の発明では、請求項２の発明において、少なくとも上記乗り上げ部は、長尺状の金属板を長手方向に直交する面内における断面形状がＬ字形状となるように折り曲げてなることを特徴とする。
【００３５】
請求項３の発明によれば、乗り上げ部の強度を向上させることができるので、乗り上げ部がパッド用空所の内面に当たることによって乗り上げ部が塑性変形して、設計どおりの動作を行うことができなくなってしまうことを抑制することができる。
【００３６】
請求項４の発明では、請求項１の発明において、上記乗り上げ部は、絶縁性を有する材料よりなることを特徴とする。
【００３７】
請求項４の発明によれば、乗り上げ部が金属材料よりなる場合に比べれば、コンタクトにおける金属部分を少なくすることができるので、耐ノイズ性能を向上することができ、高周波特性の改善が図れる。また、乗り上げ部が共通のコンタクトパッドと接触することによって代替のコンタクト間が短絡されることを防止することができる。
【００３８】
請求項５の発明では、請求項４の発明において、上記パッド用空所内に露出する複数の上記代替のコンタクトパッドそれぞれに対応する上記代替のコンタクトの上記乗り上げ部は、相互に連結されていることを特徴とする。
【００３９】
請求項５の発明によれば、代替のコンタクトにおいてパッド用空所の上記内面と当接する部位の面積（接触面積）を増やすことができ、安定した動作が可能になる。また、複数の代替のコンタクトの乗り上げ部を相互に連結したことによって、代替のコンタクトが同じタイミングで変形するようになるから、代替のコンタクトの接触部が離間するタイミングを揃えることができる。さらに、寸法誤差などによって一の代替のコンタクトの乗り上げ部がうまく機能しない場合でも、他の代替のコンタクトの乗り上げ部によって一の代替のコンタクトの接触部を共通のコンタクトパッドから離間させることが可能になる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明は、複数種類のメモリカードに共用でき、かつメモリカードの装着時におけるコンタクトとコンタクトパッドとの接触状態を各種のメモリカードの性能を発揮するのに適した状態とすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
（実施形態１）
本実施形態のメモリカードソケットは、従来技術で説明した従来型のＳＤメモリカードＭＣ１（図１４参照）と高速型のＳＤメモリカードＭＣ２（図１５参照）との両方に対応可能としたメモリカードソケットである。これらメモリカードＭＣ１，ＭＣ２は、従来技術で説明したとおり、書換可能な不揮発性の記憶素子が内蔵される矩形板状のカード体１００の厚み方向の一面側に複数のパッドＰを備えており、パッドＰの配列（すなわち、パッドＰの数や配置位置など）により高速型か従来型かに分類される。
【００４２】
本実施形態のメモリカードソケットは、図２および図４に示すように、複数種類のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２を挿抜可能なカード挿入口３ａを有し、カード挿入口３ａから挿入されたメモリカードＭＣ１，ＭＣ２を保持するソケット本体３と、ソケット本体３に保持されたメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の複数（従来型メモリカードＭＣ１にあっては９本、高速型メモリカードＭＣ２にあっては１３本）のパッドＰと接触導通する複数（本実施形態では１３本）のコンタクトＣを保持するコンタクトブロック４とを備えている。なお、以下の説明では、複数のコンタクトＣを区別するために必要に応じて符号Ｃ１〜Ｃ１３で表す。
【００４３】
ソケット本体３は、図４に示すように、扁平な矩形箱状に形成されており、ベースシェル１およびカバーシェル２からなる。なお、以下の説明では、説明の簡略化のために特に断りがない限り、図４に示すように、ソケット本体３の厚み方向を上下方向、幅方向を左右方向、ＳＤメモリカードＭＣ１，ＭＣ２が挿抜される方向を前後方向と規定するが、これはメモリカードソケットの取付方向を限定するものではない。
【００４４】
ベースシェル１は、例えば厚さが極薄い矩形板状のステンレス金属板に打ち抜き加工かつ曲げ加工を施すことにより形成され、左右両端部を上側に折り曲げて側片１ｂを形成したものであり（但し、左側の側片は図示せず）、上側および前後両側が開放されている。ベースシェル１の前部および右側部には下側に突出する複数個の突出片１ｃが折り曲げ形成されており、これらの突出片１ｃをコンタクトブロック４の基体（保持体）６下面に開口した圧入溝（図示せず）に圧入することで、ベースシェル１の下面にコンタクトブロック４が圧入固定されるようになっている。なお、ベースシェル１の前端よりやや後方には、コンタクトブロック４に保持されるコンタクトＣを逃がすための貫通孔１ｄが複数形成されている。また、ベースシェル１の後側縁の左端には、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２の通過位置よりも外側の位置から下側方向に突出し、さらにその先端側が前方に突出する側面視Ｌ字形の支持片１ｅが折り曲げ形成されている。
【００４５】
カバーシェル２は、厚さが極薄い矩形板状のステンレス金属板に打ち抜き加工かつ曲げ加工を施すことにより形成され、カバーシェル２の前縁からは上方に突出する曲げ片（図示せず）が折り曲げ形成されている。また、カバーシェル２には、曲げ片よりもやや後端寄りの位置に、上方に突出する複数個の突出片（図示せず）が切り起こしによって形成されている。したがって、下面にコンタクトブロック４の基体６が固定されたベースシェル１の下側にカバーシェル２を載置して、カバーシェル２の突出片をコンタクトブロック４の基体６に設けた圧入溝（図示せず）に圧入するとともに、カバーシェル２の周縁部とベースシェル１との当接部位をレーザ溶接などの方法で溶接することにより、カバーシェル２がベースシェル１およびコンタクトブロック４に対して固定され、前面にカード挿入口３ａが開口する扁平な箱状のソケット本体３が構成される。
【００４６】
コンタクトブロック４は、図２に示すように、上下方向における平面視形状が略コ字形に形成された樹脂成形品からなる基体６を備えている。基体６は、ベースシェル１およびカバーシェル２の前側辺に沿って配置されて、ソケット本体３の前面を閉塞する側部６ａと、側部６ａの左右両側部から後方に突出しベースシェル１の側片１ｂに沿って配置される一対の側部６ｂ，６ｂとで構成されている。
【００４７】
また、本実施形態のメモリカードソケットは、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２をソケット本体３に対して固定する機能と、ソケット本体３からの取り出しを容易にする機能とを実現するスライダ機構部を備えている。当該スライダ機構部は、スライダ５と、付勢ばね７と、スライダロック手段とで構成されている。スライダ５は、合成樹脂成形品からなり、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２の左側縁に沿って前後方向に移動する短冊形の側部５ａと、側部５ａの先端部（前端部）から右側方に突出してカード体１００の切欠部１０２（高速型メモリカードＭＣ２にあっては第１切欠部１０８）に当接する側部５ｂとが一体に形成されている。したがって、従来型メモリカードＭＣ１がカード挿入口３ａから挿入された際には、従来型メモリカードＭＣ１の切欠部１０２が側部５ｂの傾斜面と衝合し、高速型メモリカードＭＣ２がカード挿入口３ａから挿入された際には、高速型メモリカードＭＣ２の第１切欠部１０８が側部５ｂの傾斜面と衝合する。その結果、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２をソケット本体３に挿入する際に、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２を介して押力を受けてスライダ５は前方に移動する。なお、図２中の５ｃは、スライダ５の側部５ｂと他の部材との干渉を避けるための逃げ溝である。
【００４８】
付勢ばね７は、スライダ５を後方（カード挿入口３ａ側）に常時付勢するコイルばねよりなる。スライダロック手段は、スライダ５の最前部位置への移動後のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の押力の解除時に、スライダ５を所定位置（図２に図示する位置）でロックし、該ロック後にメモリカードＭＣ１，ＭＣ２への押力が加わってスライダ５が前方移動するときにロックを解除するものである。このようなスライダロック手段は、従来周知のものを採用することができるから詳細な構成の図示および説明は省略する。
【００４９】
次に本実施形態のメモリカードソケットの特徴となるコンタクトＣ１〜Ｃ１３について説明する。
【００５０】
コンタクトＣ１〜Ｃ１３は、高速型メモリカードＭＣ２に設けられた複数のパッドＰ１〜Ｐ１３（Ｉ／Ｏ接触面）にそれぞれ個別に接触導通するものである。これらコンタクトＣ１〜Ｃ１３は、コンタクトブロック４の基体６の側部６ａに圧入あるいは側部６ａと同時成形されており、これによって高速型メモリカードＭＣ２のパッドＰ１〜Ｐ１３に対応する各位置に保持されている。なお、高速型メモリカードＭＣ２においては、パッドＰ１０，Ｐ１１がパッドＰ３の前方に、パッドＰ１２，Ｐ１３がパッドＰ６の前方に位置している。そのため、本実施形態のメモリカードソケットでは、コンタクトＣ１０，Ｃ１１とコンタクトＣ３、コンタクトＣ１２，Ｃ１３とコンタクトＣ６とが接触しないように、コンタクトＣ１０〜Ｃ１３をコンタクトＣ１〜Ｃ９より上方に位置させている。
【００５１】
コンタクトＣ１〜Ｃ９は、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２に共通して設けられるパッドＰ１〜Ｐ９にそれぞれ接触導通される共通のコンタクトであり、側部６ａの後面側（カード挿入口３ａ側）より突出される接触端子８０と、側部６ａの前面より突出される半田付け端子９とを備えている。なお、コンタクトＣ１〜Ｃ９は同形状のものであるから、代表してコンタクトＣ３についてのみ説明する。また、図１では、分かり易さを考慮してパッドＰ３，Ｐ１０を簡略化して図示している。
【００５２】
コンタクトＣ３の接触端子８０は、弾性を有する金属材料製の板材より曲成され、ソケット本体３の前後方向を長手方向とする長尺状のばね片８０ａと、ばね片８０ａの先端部（後端部）に設けられる接触部８０ｂとを連続一体に有している。接触部８０ｂは、左右方向に直交する面内（図１（ａ）における紙面内）における断面形状が下方に凸となる円弧状に形成されている。このようなコンタクトＣ３の側部６ａからの突出量は、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２の装着時に、接触部８０ｂを対応するパッドＰ３と弾接させることができる大きさに設定される。
【００５３】
コンタクトＣ１０〜Ｃ１３は、高速型メモリカードＭＣ２にのみ設けられる高速伝送用のパッドＰ１０〜Ｐ１３にそれぞれ接触導通される高速モード用のコンタクト（代替のコンタクト）であり、側部６ａの後面側（カード挿入口３ａ側）より突出される接触端子８１と、側部６ａの前面より突出される半田付け端子９とを備えている。なお、コンタクトＣ１０とコンタクトＣ１２は同形状であり、コンタクトＣ１１とコンタクトＣ１３は同形状かつコンタクトＣ１０と左右対称となる形状であるから、代表してコンタクトＣ１０についてのみ説明する。
【００５４】
コンタクトＣ１０の接触端子８１は、コンタクトＣ３同様に弾性を有する金属材料により形成されており、ソケット本体３の前後方向を長手方向とする長尺状のばね片８１ａと、パッドＰ１０に接触される接触部８１ｂと、乗り上げ部８１ｃとを連続一体に有している。ばね片８１ａは接触部８１ｂが所定の接圧でパッドＰ１０と接触するように中腹部で折り曲げられている。接触部８１ｂは、高速型メモリカードＭＣ２の装着時にパッドＰ１０と対向するばね片８１ａの側縁部（左側縁部）より下方に垂設されており、その先端面は、下方に凸となる円弧状に形成されている。
【００５５】
乗り上げ部８１ｃは、高速型メモリカードＭＣ２の装着時には接触部８１ｂをパッドＰ１０に接触させ、従来型メモリカードＭＣ１の装着時には接触部８１ｂをパッドＰ３から離間させるためのものである。この乗り上げ部８１ｃは、図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、代替のパッドＰ１０〜Ｐ１３を有する高速型メモリカードＭＣ２のパッド用空所１１０の長さ（メモリカードソケットへの挿入方向に沿った方向における長さであり、メモリカードソケットへの挿入方向側を向いたパッド用空所１１０の内面１１０ａとカード体１００の前端縁との距離に等しい）Ｌ１が、代替のパッドＰ１０〜Ｐ１３を有しない従来型メモリカードＭＣ１のパッド用空所１１０の長さＬ２よりも相対的に長くなっていることを利用して、接触部８１ｂをパッドＰ３から離間させる。
【００５６】
乗り上げ部８１ｃは、高速型メモリカードＭＣ２の装着時（図１（ａ），（ｂ）参照）にはパッド用空所１１０の上記内面１１０ａおよびパッド用空所１１０内のコンタクトＣ３に当接せず、かつ従来型メモリカードＭＣ１の装着時（図１（ｃ），（ｄ）参照）にはパッド用空所１１０ａの内面１１０ａに当接して、カード体１００によって上方に持ち上げられることによって接触部８１ｂがパッド用空所１１０内のパッドＰ３から離間する形にコンタクトＣ１０を変形させることができるように、接触部８１ｂよりもコンタクトＣ１０の先端側に設けられている。
【００５７】
このような乗り上げ部８１ｃは、左右方向に直交する面内における断面形状が下方に凸となるく字形に形成されている。これによって、乗り上げ部８１ｃにおいてパッド用空所１１０の内面１１０ａと対向する面がパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接した際に、乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに沿ってカード体１００の上面側に移動し易く（すなわちコンタクトＣ１０が変形し易く）している。
【００５８】
以上により本実施形態のメモリカードソケットは構成されており、以下に本実施形態のメモリカードソケットにメモリカードＭＣ１，ＭＣ２を装着した際の各コンタクトＣ１〜Ｃ１３の状態について図１を参照して説明する。
【００５９】
高速型メモリカードＭＣ２の装着時には、図１（ａ），（ｂ）に示すように乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たらないので、コンタクトＣ１０は上記のように変形しない。そのため、接触部８１ｂがパッドＰ１０に接触し、パッドＰ１０とコンタクトＣ１０との間が電気的に導通する。また、コンタクト１０の乗り上げ部８１ｃはパッドＰ３に当接（接触）しないため、パッドＰ３を介してコンタクトＣ１０，Ｃ１１間が短絡されることがない。この点はコンタクトＣ１１〜Ｃ１３においても同様であり、また、乗り上げ部８１ｃのないコンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０はそれぞれ対応するパッドＰ１〜Ｐ９に接触してパッドＰ１〜Ｐ９とコンタクトＣ１〜Ｃ９との間が電気的に導通する。
【００６０】
一方、従来型メモリカードＭＣ１の装着時には、図１（ｃ），（ｄ）に示すように乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たるため、乗り上げ部８１ｃはパッド用空所１１０内からカード体１００の後端部側に乗り上げるように上方に移動させられる。これによって、コンタクトＣ１０は、接触部８１ｂがパッドＰ３から離間する形に変形することになり、その結果、パッドＰ３とコンタクトＣ１０との間が電気的に絶縁される。この点はコンタクトＣ１１〜Ｃ１３においても同様である。また、乗り上げ部８１ｃのないコンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０はそれぞれ対応するパッドＰ１〜Ｐ９に接触してパッドＰ１〜Ｐ９とコンタクトＣ１〜Ｃ９との間が電気的に導通する。
【００６１】
以上述べたように、本実施形態のメモリカードソケットは、書換可能な不揮発性の記憶素子が内蔵される矩形板状のカード体１００の厚み方向の一面側に複数のパッドＰを備え、パッドＰの配列により分類される複数種類のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２を挿抜可能なカード挿入口３ａを有し、当該カード挿入口３ａから挿入されたメモリカードＭＣ１，ＭＣ２を保持するソケット本体３と、ソケット本体３に保持されたメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の複数のパッドＰと接触導通する複数のコンタクトＣとを備えている。
【００６２】
複数のコンタクトＣには、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２に共通のパッドＰ１〜Ｐ９に接触導通される共通のコンタクトＣ１〜Ｃ９と、メモリカードＭＣ２のみに設けられパッドＰ３，Ｐ６の代わりに使用される代替のパッドＰ１０〜Ｐ１３に接触導通される代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３とが含まれている。
【００６３】
そして、代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３は、パッドＰ１０〜Ｐ１３に接触される接触部８１ｂと、乗り上げ部８１ｃとを有しており、乗り上げ部８１ｃは、高速型メモリカードＭＣ２の装着時にはパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接せず、かつ従来型メモリカードＭＣ１の装着時にはパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接して接触部８１ｂが当該パッド用空所１１０内の共通のパッドＰ３，Ｐ６から離間する形に代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３を変形させるように接触部８１ｂよりも代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３の先端側に位置している。
【００６４】
そのため、代替のパッドＰ１０〜Ｐ１３を有するメモリカードＭＣ２の装着時には、乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接しないから、代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３の接触部８１ｂが代替のパッドＰ１０〜Ｐ１３に接触して、代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３と代替のパッドＰ１０〜Ｐ１３との間が接触導通する。一方、代替のパッドＰ１０〜Ｐ１３を有しないメモリカードＭＣ１の装着時には、乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接し、これによって、接触部８１ｂが当該パッド用空所１１０内の共通のパッドＰ３，Ｐ６から離間する形に代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３が変形するので、代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３と共通のパッドＰ３，Ｐ６との間が絶縁される。
【００６５】
このように、高速型メモリカードＭＣ２の装着時には、高速モード用のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３が高速モード用のパッドＰ１０〜Ｐ１３に接触し、従来型メモリカードＭＣ１の装着時には、高速モード用のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３が共通のパッドＰ３，Ｐ６に接触しないから、高速モード用のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３が共通のパッドＰ３，Ｐ６に接触することによって信号伝送特性が変化して十分な性能を発揮できず、規定の転送速度に達しないという問題が発生することを回避することができる。
【００６６】
したがって、本実施形態のメモリカードソケットによれば、複数種類のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２に共用でき、かつメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の装着時におけるコンタクトＣとパッドＰとの接触状態を各種のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の性能を発揮するのに適した状態とすることができる。
【００６７】
また、本実施形態では、代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３は、金属材料により接触部８１ｂと乗り上げ部８１ｃが一体に形成されてなるので、代替のコンタクトＣ１０〜Ｃ１３を容易に製造することができ、低コスト化を図ることができる。
【００６８】
しかも、本実施形態の構成によれば、コンタクトＣ１０〜Ｃ１３の形状を異ならせるだけでよいから、特許文献３のような内部回路が不要になって構成が簡単になり、小型化および低コスト化が図れる。また、従来型ソケットと異なる部分はコンタクトＣ１０〜Ｃ１３の有無のみであるから、従来型ソケットの部品を流用することができて、さらなる低コスト化が期待できる。
【００６９】
（実施形態２）
本実施形態のメモリカードソケットは、図６〜図８に示すように、コンタクトＣの接触端子８０，８１の形状が実施形態１と異なっており、その他の構成については実施形態１と同様であるから同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００７０】
以下、本実施形態のメモリカードソケットの特徴となるコンタクトＣ１〜Ｃ１３について説明する。本実施形態におけるコンタクトＣ１〜Ｃ１３も実施形態１と同様に高速型メモリカードＭＣ２に設けられた複数のパッドＰ１〜Ｐ１３にそれぞれ個別に接触導通するものであり、コンタクトブロック４によって高速型メモリカードＭＣ２のパッドＰ１〜Ｐ１３に対応する各位置に保持されている。なお、実施形態１では、コンタクトＣ１０，Ｃ１１とコンタクトＣ３、コンタクトＣ１２，Ｃ１３とコンタクトＣ６とが接触しないように、コンタクトＣ１０〜Ｃ１３をコンタクトＣ３，Ｃ６より上方に位置させていたが、本実施形態では、コンタクトＣ３，Ｃ６をコンタクトＣ１，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ７〜Ｃ１３より上方に位置させている。
【００７１】
本実施形態におけるコンタクトＣ１，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ７〜Ｃ９は実施形態１と同形状であるが、本実施形態におけるコンタクトＣ３，Ｃ６は実施形態１とは形状が異なっている。なお、コンタクトＣ３，Ｃ６は同形状のものであるから、代表してコンタクトＣ３についてのみ説明する。また、本実施形態におけるコンタクトＣ３は、接触端子８０の構成が実施形態１と異なっているので、接触端子８０についてのみ説明する。
【００７２】
本実施形態におけるコンタクトＣ３の接触端子８０は、弾性を有する金属材料により形成されており、ソケット本体３の前後方向を長手方向とする長尺状のばね片８０ａと、ばね片８０ａの先端部（後端部）に設けられる接触部８０ｂとを連続一体に有している。接触部８０ｂは、左右方向に直交する面内（図８（ａ）における紙面内）における断面形状が下方に凸となる円弧状に形成されている。このようなコンタクトＣ３の側部６ａからの突出量は、メモリカードＭＣ１，ＭＣ２の装着時に、接触部８０ｂを対応するパッドＰ３と弾接させることができる大きさに設定される。本実施形態では、コンタクトＣ３，Ｃ６がコンタクトＣ１，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ７〜Ｃ１３より上方に位置しているので、ばね片８０ａには、接触部８０ｂをパッドＰ３に接触させるための斜辺８０ｃが設けられている。
【００７３】
本実施形態におけるコンタクトＣ１０〜Ｃ１３は、接触端子８１の構成が実施形態１と異なっているので、接触端子８１についてのみ説明する。なお、コンタクトＣ１０とコンタクトＣ１２は同形状であり、コンタクトＣ１１とコンタクトＣ１３は同形状かつコンタクトＣ１０と左右対称となる形状であるから、代表してコンタクトＣ１０についてのみ説明する。また、図８では、分かり易さを考慮してパッドＰ３，Ｐ１０を簡略化して図示している。
【００７４】
本実施形態における接触端子８１は、弾性を有する金属材料よりなる長尺状の金属板を長手方向に直交する面内における断面形状がＬ字形状となるように折り曲げてなり、ソケット本体３の前後方向を長手方向とする長尺状のばね片８１ａと、ばね片８１ａの側縁部（左側縁部）の先端部から中腹部にかけて下方に垂設される側片８１ｄとを連続一体に有している。側片８１ｄの長手方向の一端部（前端部）における下面は、下方に凸となる円弧状に形成されており、当該部分がばね片８１ａとともに接触部８１ｂを構成する。一方、側片８１ｄの長手方向の他端部（後端部）における下面は、下方にいくほど側片８１ｄの長手方向に沿った方向（前後方向）の長さが短くなる先細り形状に形成されており、当該部分がばね片８１ａとともに乗り上げ部８１ｃを構成する。
【００７５】
本実施形態における乗り上げ部８１ｃも、高速型メモリカードＭＣ２の装着時（図８（ａ），（ｂ）参照）にはパッド用空所１１０の上記内面１１０ａおよびパッド用空所１１０内のパッドＰ３に当接せず、かつ従来型メモリカードＭＣ１の装着時（図８（ｃ），（ｄ）参照）にはパッド用空所１１０ａの内面１１０ａに当接して接触部８１ｂがパッド用空所１１０内のパッドＰ３から離間する形にコンタクトＣ１０を変形させることができるように、接触部８１ｂよりもコンタクトＣ１０の先端側に設けられている。本実施形態における乗り上げ部８１ｃは、上述したように、側片８１ｄの長手方向の他端部（後端部）とばね片８１ａとで構成されており、側片８１ｄの長手方向の他端部の下面は、下方にいくほど側片８１ｄの長手方向に沿った方向（前後方向）の長さが短くなる先細り形状に形成されている。そのため、本実施形態においても、実施形態１と同様に、乗り上げ部８１ｃにおいてパッド用空所１１０の内面１１０ａと対向する面がパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接した際に、乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに沿ってカード体１００の上面側に移動し易く（すなわちコンタクトＣ１０が変形し易く）なる。
【００７６】
以上により本実施形態のメモリカードソケットは構成されており、以下に本実施形態のメモリカードソケットにメモリカードＭＣ１，ＭＣ２を装着した際の各コンタクトＣ１〜Ｃ１３の状態について図８を参照して説明する。
【００７７】
高速型メモリカードＭＣ２の装着時には、図８（ａ），（ｂ）に示すように乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たらないので、コンタクトＣ１０は上記のように変形しない。そのため、接触部８１ｂがパッドＰ１０に接触し、パッドＰ１０とコンタクトＣ１０との間が電気的に導通する。また、コンタクト１０の乗り上げ部８１ｃはパッドＰ３に当接（接触）しないため、パッドＰ３を介してコンタクトＣ１０，Ｃ１１間が短絡されることがない。この点はコンタクトＣ１１〜Ｃ１３においても同様であり、また、乗り上げ部８１ｃのないコンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０はそれぞれ対応するパッドＰ１〜Ｐ９に接触してパッドＰ１〜Ｐ９とコンタクトＣ１〜Ｃ９との間が電気的に導通する。
【００７８】
一方、従来型メモリカードＭＣ１の装着時には、図８（ｃ），（ｄ）に示すように乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たるため、乗り上げ部８１ｃはパッド用空所１１０内からカード体１００の後端部側に乗り上げるように上方に移動させられる。これによって、コンタクトＣ１０は、接触部８１ｂがパッドＰ３から離間する形に変形することになり、その結果、パッドＰ３とコンタクトＣ１０との間が電気的に絶縁される。この点はコンタクトＣ１１〜Ｃ１３においても同様である。また、乗り上げ部８１ｃのないコンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０はそれぞれ対応するパッドＰ１〜Ｐ９に接触してパッドＰ１〜Ｐ９とコンタクトＣ１〜Ｃ９との間が電気的に導通する。
【００７９】
したがって、本実施形態のメモリカードソケットにおいても、実施形態１と同様に、複数種類のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２に共用でき、かつメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の装着時におけるコンタクトＣとパッドＰとの接触状態を各種のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の性能を発揮するのに適した状態とすることができる。
【００８０】
また、本実施形態では、乗り上げ部８１ｃは、コンタクトＣ１０の長手方向に直交する面内における断面形状がＬ字形状となっているので、実施形態１のように平板状のものに比べれば、強度を向上させることができる。そのため、乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たることによって乗り上げ部８１ｃが塑性変形して、設計どおりの動作を行うことができなくなってしまうことを抑制することができる。なお、本実施形態では、乗り上げ部８１ｃと接触部８１ｂの両方が、長尺状の金属板を長手方向に直交する面内における断面形状がＬ字形状となるように折り曲げることによって形成されているが、少なくとも乗り上げ部８１ｃのみ上述した形に形成されていればよい。
【００８１】
（実施形態３）
本実施形態のメモリカードソケットは、図９〜図１１に示すように、コンタクトＣの接触端子８０，８１の形状が実施形態１と異なっており、その他の構成については実施形態１と同様であるから同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００８２】
以下、本実施形態のメモリカードソケットの特徴となるコンタクトＣ１〜Ｃ１３について説明する。本実施形態におけるコンタクトＣ１〜Ｃ１３も実施形態１と同様に高速型メモリカードＭＣ２に設けられた複数のパッドＰ１〜Ｐ１３にそれぞれ個別に接触導通するものであり、コンタクトブロック４によって高速型メモリカードＭＣ２のパッドＰ１〜Ｐ１３に対応する各位置に保持されている。なお、本実施形態でも、実施形態１と同様に、コンタクトＣ１０，Ｃ１１とコンタクトＣ３、コンタクトＣ１２，Ｃ１３とコンタクトＣ６とが接触しないように、コンタクトＣ１０〜Ｃ１３をコンタクトＣ３，Ｃ６より上方に位置させている。また、本実施形態におけるコンタクトＣ１〜Ｃ９は、実施形態１のコンタクトＣ１〜Ｃ９と同様のものであるから説明を省略する。
【００８３】
本実施形態におけるコンタクトＣ１０〜Ｃ１３は、接触端子８１の構成が実施形態１と異なっているので、接触端子８１についてのみ説明する。なお、コンタクトＣ１０とコンタクトＣ１２は同形状であり、コンタクトＣ１１とコンタクトＣ１３は同形状かつコンタクトＣ１０と左右対称となる形状であるから、代表してコンタクトＣ１０についてのみ説明する。また、図１１では、分かり易さを考慮してパッドＰ３，Ｐ１０を簡略化して図示している。
【００８４】
本実施形態における接触端子８１は、ソケット本体３の前後方向を長手方向とする長尺状のばね片８１ａを有している。ばね片８１ａの先端部（後端部）には、実施形態１と同様の乗り上げ部８１ｃが連続一体に形成されている。また、ばね片８１ａの中腹部の側縁部（左側縁部）には、図１０に示すように、矩形状の切り欠き８１ｅが形成されている。切り欠き８１ｅにおける後端側の内面からは、長尺状の接圧ばね部８１ｆが前側かつ斜め下方向に向かう形で連続一体に延設されている。この接圧ばね部８１ｆの先端部（前端部）には、接触部８１ｂが連続一体に形成されている。すなわち、接触部８１ｂは接圧ばね部８１ｆによってばね片８１ａに連続一体に連結されている。接触部８１ｂは、コンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０ｂと同様に、左右方向に直交する面内（図１１（ａ）における紙面内）における断面形状が下方に凸となる円弧状に形成されている。このように本実施形態における接触端子８１は、弾性を有する金属材料により形成されており、ばね片８１ａと、接触部８１ｂと、乗り上げ部８１ｃと、接圧ばね部８１ｆとを連続一体に備えている。
【００８５】
本実施形態における乗り上げ部８１ｃも、高速型メモリカードＭＣ２の装着時（図１１（ａ），（ｂ）参照）にはパッド用空所１１０の上記内面１１０ａおよびパッド用空所１１０内のパッドＰ３に当接せず、かつ従来型メモリカードＭＣ１の装着時（図１１（ｃ），（ｄ）参照）にはパッド用空所１１０ａの内面１１０ａに当接して接触部８１ｂがパッド用空所１１０内のパッドＰ３から離間する形にコンタクトＣ１０を変形させることができるように、接触部８１ｂよりもコンタクトＣ１０の先端側に設けられている。本実施形態における乗り上げ部８１ｃは、実施形態１と同様に、左右方向に直交する面内における断面形状が下方に凸となるく字形に形成されている。そのため、本実施形態においても、実施形態１と同様に、乗り上げ部８１ｃにおいてパッド用空所１１０の内面１１０ａと対向する面がパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接した際に、乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに沿ってカード体１００の上面側に移動し易くなる。
【００８６】
以上により本実施形態のメモリカードソケットは構成されており、以下に本実施形態のメモリカードソケットにメモリカードＭＣ１，ＭＣ２を装着した際の各コンタクトＣ１〜Ｃ１３の状態について図１１を参照して説明する。
【００８７】
高速型メモリカードＭＣ２の装着時には、図１１（ａ），（ｂ）に示すように乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たらないので、コンタクトＣ１０は上記のように変形しない。そのため、接触部８１ｂがパッドＰ１０に接触し、パッドＰ１０とコンタクトＣ１０との間が電気的に導通する。また、コンタクト１０の乗り上げ部８１ｃはパッドＰ３に当接（接触）しないため、パッドＰ３を介してコンタクトＣ１０，Ｃ１１間が短絡されることがない。この点はコンタクトＣ１１〜Ｃ１３においても同様であり、また、乗り上げ部８１ｃのないコンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０はそれぞれ対応するパッドＰ１〜Ｐ９に接触してパッドＰ１〜Ｐ９とコンタクトＣ１〜Ｃ９との間が電気的に導通する。
【００８８】
一方、従来型メモリカードＭＣ１の装着時には、図１１（ｃ），（ｄ）に示すように乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たるため、乗り上げ部８１ｃはパッド用空所１１０内からカード体１００の後端部側に乗り上げるように上方に移動させられる。これによって、コンタクトＣ１０は、接触部８１ｂがパッドＰ３から離間する形に変形することになり、その結果、パッドＰ３とコンタクトＣ１０との間が電気的に絶縁される。この点はコンタクトＣ１１〜Ｃ１３においても同様である。また、乗り上げ部８１ｃのないコンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０はそれぞれ対応するパッドＰ１〜Ｐ９に接触してパッドＰ１〜Ｐ９とコンタクトＣ１〜Ｃ９との間が電気的に導通する。
【００８９】
したがって、本実施形態のメモリカードソケットにおいても、実施形態１と同様に、複数種類のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２に共用でき、かつメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の装着時におけるコンタクトＣとパッドＰとの接触状態を各種のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の性能を発揮するのに適した状態とすることができる。
【００９０】
また、本実施形態におけるコンタクトＣ１０〜Ｃ１３では、接触部８１ｂは、ばね片８１ａと接圧ばね部８１ｆとの２部材の弾性力によってパッドＰ１０〜Ｐ１３に接触されるので、実施形態１に比べれば接圧の設定を容易に行うことができるようになる。また、実施形態１，２のようにばね片８１ａの側縁部より垂設したものに比べれば、接触部８１ｂとパッドＰとの接触面積を増やすことができて、接触安定性を向上することができる。
【００９１】
（実施形態４）
本実施形態のメモリカードソケットは、図１２〜図１３に示すように、コンタクトＣの接触端子８０，８１の形状が実施形態１と異なっており、その他の構成については実施形態１と同様であるから同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００９２】
以下、本実施形態のメモリカードソケットの特徴となるコンタクトＣ１〜Ｃ１３について説明する。本実施形態におけるコンタクトＣ１〜Ｃ１３も実施形態１と同様に高速型メモリカードＭＣ２に設けられた複数のパッドＰ１〜Ｐ１３にそれぞれ個別に接触導通するものであり、コンタクトブロック４によって高速型メモリカードＭＣ２のパッドＰ１〜Ｐ１３に対応する各位置に保持されている。なお、本実施形態でも、実施形態１と同様に、コンタクトＣ１０，Ｃ１１とコンタクトＣ３、コンタクトＣ１２，Ｃ１３とコンタクトＣ６とが接触しないように、コンタクトＣ１０〜Ｃ１３をコンタクトＣ３，Ｃ６より上方に位置させている。また、本実施形態におけるコンタクトＣ１〜Ｃ９は、実施形態１のコンタクトＣ１〜Ｃ９と同様な形状を有しているから説明を省略する。
【００９３】
本実施形態におけるコンタクトＣ１０〜Ｃ１３は、接触端子８１の構成が実施形態１と異なっているので、接触端子８１についてのみ説明する。なお、コンタクトＣ１０とコンタクトＣ１２は同形状であり、コンタクトＣ１１とコンタクトＣ１３は同形状かつコンタクトＣ１０と左右対称となる形状であるから、代表してコンタクトＣ１０についてのみ説明する。また、図１３では、分かり易さを考慮してパッドＰ３，Ｐ１０を簡略化して図示している。
【００９４】
本実施形態における接触端子８１は、ソケット本体３の前後方向を長手方向とする長尺状のばね片８１ａを有している。ばね片８１ａの先端部（後端部）には、接触部８１ｂが設けられている。接触部８１ｂは、左右方向に直交する面内（図１３（ａ）における紙面内）における断面形状が下方に凸となる円弧状に形成されている。また、接触部８１ｂの先端部には、乗り上げ部８１ｃが設けられている。ここで、ばね片８１ａおよび接触部８１ｂは、弾性を有する金属材料製の板材より曲成されており、連続一体となっているが、乗り上げ部８１ｃは、絶縁性を有する材料（樹脂材料）により形成されており、同時成形や一体成形などにより接触部８１ｂの先端部（後端部）に設けられている。
【００９５】
本実施形態における乗り上げ部８１ｃも、高速型メモリカードＭＣ２の装着時（図１３（ａ）参照）にはパッド用空所１１０の上記内面１１０ａに当接せず、かつ従来型メモリカードＭＣ１の装着時（図１３（ｂ）参照）にはパッド用空所１１０ａの内面１１０ａに当接して接触部８１ｂがパッド用空所１１０内のパッドＰ３から離間する形にコンタクトＣ１０を変形させることができるように、接触部８１ｂよりもコンタクトＣ１０の先端側に設けられている。
【００９６】
この乗り上げ部８１ｃの先端部（後端部）は、左右方向に直交する面内における断面形状が下方に凸となる略く字形に形成されている。そのため、本実施形態においても、実施形態１と同様に、乗り上げ部８１ｃにおいてパッド用空所１１０の内面１１０ａと対向する面がパッド用空所１１０の内面１１０ａに当接した際に、乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに沿ってカード体１００の上面側に移動し易くなる。
【００９７】
以上により本実施形態のメモリカードソケットは構成されており、以下に本実施形態のメモリカードソケットにメモリカードＭＣ１，ＭＣ２を装着した際の各コンタクトＣ１〜Ｃ１３の状態について図１３を参照して説明する。
【００９８】
高速型メモリカードＭＣ２の装着時には、図１３（ａ）に示すように乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たらないので、コンタクトＣ１０は上記のように変形しない。そのため、接触部８１ｂがパッドＰ１０に接触し、パッドＰ１０とコンタクトＣ１０との間が電気的に導通する。この点はコンタクトＣ１１〜Ｃ１３においても同様であり、また、乗り上げ部８１ｃのないコンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０はそれぞれ対応するパッドＰ１〜Ｐ９に接触してパッドＰ１〜Ｐ９とコンタクトＣ１〜Ｃ９との間が電気的に導通する。
【００９９】
一方、従来型メモリカードＭＣ１の装着時には、図１３（ｃ），（ｄ）に示すように乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たるため、乗り上げ部８１ｃはパッド用空所１１０内からカード体１００の後端部側に乗り上げるように上方に移動させられる。これによって、コンタクトＣ１０は、接触部８１ｂがパッドＰ３から離間する形に変形することになり、その結果、パッドＰ３とコンタクトＣ１０との間が電気的に絶縁される。この点はコンタクトＣ１１〜Ｃ１３においても同様である。また、乗り上げ部８１ｃのないコンタクトＣ１〜Ｃ９の接触部８０はそれぞれ対応するパッドＰ１〜Ｐ９に接触してパッドＰ１〜Ｐ９とコンタクトＣ１〜Ｃ９との間が電気的に導通する。
【０１００】
したがって、本実施形態のメモリカードソケットにおいても、実施形態１と同様に、複数種類のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２に共用でき、かつメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の装着時におけるコンタクトＣとパッドＰとの接触状態を各種のメモリカードＭＣ１，ＭＣ２の性能を発揮するのに適した状態とすることができる。
【０１０１】
また、本実施形態におけるコンタクトＣ１０〜Ｃ１３では、乗り上げ部８１ｃが絶縁性を有する材料よりなるので、金属材料よりなる場合に比べれば、コンタクトＣ１０〜Ｃ１３における金属部分を少なくすることができるので、耐ノイズ性能を向上することができ、高周波特性の改善が図れる。また、乗り上げ部８１ｃがパッドＰに接触しても、乗り上げ部８１ｃを介して接触部８１ｂとパッドＰとの間が導通することがない。例えば、パッドＰ３，Ｐ１０，Ｐ１１が露出するパッド用空所１１０内において、コンタクトＣ１０，Ｃ１１の乗り上げ部８１ｃがパッドＰ３に接触したとしても、コンタクトＣ１０，Ｃ１１間が導通することがない。すなわち、乗り上げ部８１ｃが共通のコンタクトパッドＰと接触することによって代替のコンタクトＣ間が短絡されることを防止することができる。さらに、代替のコンタクトＣの接触部８１ｂが代替のパッドＰに接触した際に、乗り上げ部８１ｃが共通のパッドＰに接触しないように接触端子８１の形状を設定する必要がなくなるから、代替のコンタクトＣの設計が容易になる。
【０１０２】
ところで、本実施形態のメモリカードソケットでは、同じパッド用空所１１０内に露出する複数の代替のパッドＰ（例えば、Ｐ１０，Ｐ１１）それぞれに対応する複数の代替のコンタクトＣ（例えば、Ｃ１０，Ｃ１１）それぞれの乗り上げ部８１ｃの先端部（後端部）が連結部８２により相互に連結されている。連結部８２は、乗り上げ部８１ｃと同じ絶縁性を有する材料よりなり、乗り上げ部８１ｃと連続一体に形成されている。また、連結部８２は、左右方向に直交する面内における断面形状が乗り上げ部８１ｃの先端部と同形状となるように形成されている。よって、左右方向に直交する面内においては、乗り上げ部８１ｃの表面と連結部８２の表面とが同じ位置に位置している（すなわち、乗り上げ部８１ｃがパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たるタイミングと連結部８２がパッド用空所１１０の内面１１０ａに当たるタイミングとは同じである）。
【０１０３】
このようにすれば、コンタクトＣ１０，Ｃ１１においてパッド用空所１１０の内面１１０ａと当接する部位の面積（接触面積）を増やすことができ、安定した動作が可能になる。また、乗り上げ部８１ｃを相互に連結したことによって、コンタクトＣ１０，Ｃ１１が同じタイミングで変形することになる。そのため、コンタクトＣ１０の接触部８１ｂが離間するタイミングと、コンタクトＣ１１の接触部８１ｂが離間するタイミングとを揃えることができる。加えて、寸法誤差などによって一の代替のコンタクトＣ（例えばＣ１１）の乗り上げ部８１ｃがうまく機能しない場合でも、他の代替のコンタクトＣ（例えばＣ１０）の乗り上げ部８１ｃによって一の代替のコンタクトＣ（例えばＣ１１）の接触部８１ｂを共通のパッドＰ（例えばＰ３）から離間させることが可能になる。
【０１０４】
ところで、上記実施形態１〜４では、本発明の技術的思想を、従来型のＳＤメモリカードＭＣ１と高速型のメモリカードＭＣ２との両方に対応可能としたメモリカードソケットに適用した例を示している。しかしながら、本発明の技術的思想は、上記実施形態１〜３に限定されるものではなく、例えば、従来型や高速型のＳＤメモリカード以外のメモリカードに対応可能なメモリカードソケットにも適用することができるし、対応可能なメモリカードの種類も２種類ではなく、それ以上の種類であってもよい。また、上記実施形態１〜４におけるソケット本体３等の構成は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】実施形態１のメモリカードソケットを示し、（ａ）は高速型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した断面図、（ｂ）は同上の一部を省略した正面図、（ｃ）は従来型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した断面図、（ｄ）は同上の一部を省略した正面図である。
【図２】実施形態１のメモリカードソケットにおいて高速型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した平面図である。
【図３】同上におけるコンタクトの平面図である。
【図４】同上のメモリカードソケットの外観斜視図である。
【図５】（ａ）は高速型のＳＤメモリカードの平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は従来型のＳＤメモリカードの平面図、（ｄ）は同図（ｃ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図６】実施形態２のメモリカードソケットにおいて高速型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した平面図である。
【図７】同上におけるコンタクトの平面図である。
【図８】同上のメモリカードソケットを示し、（ａ）は高速型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した断面図、（ｂ）は同上の一部を省略した正面図、（ｃ）は従来型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した断面図、（ｄ）は同上の一部を省略した正面図である。
【図９】実施形態３のメモリカードソケットにおいて高速型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した平面図である。
【図１０】同上におけるコンタクトの平面図である。
【図１１】同上のメモリカードソケットを示し、（ａ）は高速型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した断面図、（ｂ）は同上の一部を省略した正面図、（ｃ）は従来型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した断面図、（ｄ）は同上の一部を省略した正面図である。
【図１２】実施形態４のメモリカードソケットにおいて高速型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した平面図である。
【図１３】同上のメモリカードソケットを示し、（ａ）は高速型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した断面図、（ｂ）は従来型のＳＤメモリカードを保持している状態の一部を省略した断面図である。
【図１４】従来型のＳＤメモリカードを示し、（ａ）は裏側から見た平面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は右側面図である。
【図１５】高速型のＳＤメモリカードを示し、（ａ）は裏側から見た平面図、（ｂ）は表側から見た平面図、（ｃ）はカード挿入方向から見た側面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
３    ソケット本体
３ａ  カード挿入口
８１ｂ  接触部
８１ｃ  乗り上げ部
１００    カード体
１１０    パッド用空所
１１０ａ  内面
Ｃ（Ｃ１〜Ｃ１３）  コンタクト
Ｐ（Ｐ１〜Ｐ１３）  パッド（コンタクトパッド）
ＭＣ１    ＳＤメモリカード（従来型メモリカード）
ＭＣ２    ＳＤメモリカード（高速型メモリカード）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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