(57)【要約】【目的】チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させる描画装置を提供することを目的とする。【構成】描画装置１００は、電子ビーム２００を放出する電子銃２０１と、試料１０１を載置するＸＹステージ１０５と、試料１０１上へ電子ビーム２００を偏向する偏向器２０８と、偏向器２０８よりもＸＹステージ１０５側に配置され、電子ビーム２００を遮へいするＢＬＫアパーチャ２１８と、偏向器２０８よりもステージ側に配置され、偏向器２０８を通過した電子ビーム２００をＢＬＫアパーチャ２１８上へと偏向するＢＬＫ偏向器２１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させることができる。【選択図】図１
2010016192.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
試料を載置するステージと、
前記試料上へ前記荷電粒子ビームを偏向する第１の偏向器と、
前記第１の偏向器よりも前記ステージ側に配置され、前記荷電粒子ビームを遮へいする遮へい部と、
前記第１の偏向器よりも前記ステージ側に配置され、前記第１の偏向器を通過した前記荷電粒子ビームを前記遮へい部上へと偏向する第２の偏向器と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記第１の偏向器よりも前記放出部側に配置され、前記荷電粒子ビームを遮へいする別の遮へい部と、
前記第１の偏向器よりも前記放出部側に配置され、前記第１の偏向器を通過する前の前記荷電粒子ビームを前記別の遮へい部上へと偏向する第３の偏向器と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記第２の偏向器の偏向器長は、前記第１と第３の偏向器の偏向器長よりも短いことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記第１から第３の偏向器は、それぞれ対向する１対の偏向電極を有し、
前記第２の偏向器の１対の偏向電極間の距離が、前記第１と第３の偏向器の１対の偏向電極間の距離よりも長いことを特徴とする請求項２又は３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記第２の偏向器への印加電圧は、前記第１と第３の偏向器への印加電圧よりも大きいことを特徴とする請求項２〜４いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項６】
荷電粒子ビームを放出する工程と、
偏向器により前記荷電粒子ビームを前記試料上へ偏向する工程と、
前記試料上の第１チップ領域から第２のチップ領域へと前記荷電粒子ビームの照射位置を変更する際に、前記偏向器を通過した後の前記荷電粒子ビームを前記試料に到達する前に遮へいする工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、試料上の複数のチップ領域を描画する描画装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図５は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。まず、第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動している。このように、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
可変成形された１ショット分の電子ビームは、偏向器によって偏向されることによって試料上の所望する位置に照射される。そして、次のショット分の電子ビームも同様に可変成形された後に偏向器によって偏向され、試料上で次にショットされる位置に照射される。これを繰り返すことで、試料上に所定のパターンが形成される。各ショットは、電子ビームに対し、ブランキング偏向器を使って高速にブランキングアパーチャで遮へい（ブランキングＯＮ）させる動作とブランキングアパーチャを通過（ブランキングＯＦＦ）させる動作を繰り返すことで形成される（例えば、特許文献１参照）。通過時の電子ビームが１ショット分の電子ビームとなる。このＯＮとＯＦＦとの間隔は、数１０〜数１００ｎｓｅｃと非常に短い。通常、このブランキングは、試料上の所望する位置に電子ビームを偏向する偏向器よりも上流側で行なわれるため、ショット間で電子ビームが遮へいされている間は、偏向器に電子ビームは届かないことになる。
【０００５】
ここで、描画対象となる１枚の試料上には、複数のチップパターンが描画されることが多い。その場合には、１番目のチップ領域に１番目のチップパターンが描画された後、２番目のチップ領域へと照射位置を移動させ、その後、２番目のチップ領域に２番目のチップパターンが描画される。この移動に要する時間は秒単位となる場合もある。従来、かかるチップ領域間での移動中もブランキングアパーチャで電子ビームを遮へいしていた。
【０００６】
図６は、偏向器に汚染物が付着した場合のビーム軌道の一例を説明するための概念図である。図６では、ビームを可変成形する構成については省略されている。電子銃３０２から放出された電子ビーム３０４は、ブランキング偏向器３０８で電子ビーム３０４を偏向しない場合（ブランキングＯＦＦ）にブランキングアパーチャ３１０を通過して、偏向器３１４によって、ステージ３１６上の試料３１８上の所望する位置に偏向される。そして、電子ビーム３０４は、対物レンズ３１２によって焦点を合わされ、試料３１８上の所望する位置に照射される。電子ビームを試料３１８上に照射しない場合には、ブランキング偏向器３０８で電子ビーム３０４をブランキングアパーチャ３１０上に偏向して遮へいする（ブランキングＯＮ）。
【０００７】
ここで、偏向器３１４の内側等に汚染物３２０（コンタミネーション）が付着すると、偏向器３１４の近くを電子ビーム３０４が通過する際に、この汚染物３２０が帯電する。この汚染物３２０の帯電により新たな電場が発生することで、電子ビーム３０４の軌道にずれが生じることになる。しかし、通常、同じチップ領域中を描画している間は、各ショット間の間隔が上述したように短いため、汚染物３２０が帯電しても前後のショット間でその帯電の状況は実質的に変化しない。言い換えれば、ほぼ定常状態のままである。そのため、各ショット間での照射位置のずれは発生しない、或いは微量程度となる。しかし、１番目のチップ領域から２番目のチップ領域へと照射位置を移動させる際には、秒単位で電子ビームがブランキングアパーチャ３１０で遮へいされているので、その間、汚染物３２０付近には電子ビーム３０４が到達しない。そのため、遮へいされている間に汚染物３２０に帯電した電荷が放電することになる。その結果、１番目のチップ領域は汚染物３２０が帯電した状態で描画されていたのに対し、２番目のチップ領域は汚染物３２０が帯電していない状態で描画されることになる。そのため、汚染物３２０が帯電した場合と帯電していない場合とで、電子ビーム３０４の軌道が変化してしまい、その結果、試料３１８上での照射位置が位置ずれΔＬを起こすことになる。そのため、電子ビームの軌道を一定に近づけるために、従来は、汚染した偏向器を洗浄するか、或いは新しいものに交換することで対応していた。
【特許文献１】特開２００７−２７１９１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、複数のチップ領域にそれぞれのチップパターンを描画する場合、チップ間でショット位置の誤差に大きなずれが生じてしまうといった問題が発生している。昨今のパターンの微細化に伴い、かかるずれは大きな問題となる。従来のように、汚染した偏向器を洗浄するか、或いは新しいものに交換するとなると装置を一旦停止しなければならず、装置可動時間を短くしてしまい、ひいてはスループットの劣化につながる。よって、このような洗浄或いは交換といった作業をしなくても済むような手法の確立が望ましい。しかし、従来は、この問題を解決する有効な手段が確立されていなかった。
【０００９】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させる描画装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
試料を載置するステージと、
試料上へ荷電粒子ビームを偏向する第１の偏向器と、
第１の偏向器よりもステージ側に配置され、荷電粒子ビームを遮へいする遮へい部と、
第１の偏向器よりもステージ側に配置され、第１の偏向器を通過した荷電粒子ビームを遮へい部上へと偏向する第２の偏向器と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
かかる構成により、第２の偏向器は第１の偏向器を通過した荷電粒子ビームを遮へい部上へと偏向する。そのため、チップ間の移動の間、第２の偏向器で荷電粒子ビームを遮へい部上へと偏向することで荷電粒子ビームを遮へいすれば、チップ間の移動の間も第１の偏向器には荷電粒子ビームが到達している。よって、移動前のチップを描画するときも移動後のチップを描画するときも第１の偏向器は荷電粒子ビームによって帯電し続けることになる。
【００１２】
また、荷電粒子ビーム描画装置は、
第１の偏向器よりも放出部側に配置され、荷電粒子ビームを遮へいする別の遮へい部と、
第１の偏向器よりも放出部側に配置され、第１の偏向器を通過する前の荷電粒子ビームを上述した別の遮へい部上へと偏向する第３の偏向器と、
をさらに備えていると好適である。
【００１３】
そして、第２の偏向器の偏向器長は、第１と第３の偏向器の偏向器長よりも短いことを特徴とする。
【００１４】
また、第１から第３の偏向器は、それぞれ対向する１対の偏向電極を有し、
第２の偏向器の１対の偏向電極間の距離が、第１と第３の偏向器の１対の偏向電極間の距離よりも長いことを特徴とする。
【００１５】
また、第２の偏向器への印加電圧は、第１と第３の偏向器への印加電圧よりも大きいことを特徴とする。
【００１６】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
荷電粒子ビームを放出する工程と、
偏向器により荷電粒子ビームを試料上へ偏向する工程と、
試料上の第１チップ領域から第２のチップ領域へと荷電粒子ビームの照射位置を変更する際に、偏向器を通過した後の荷電粒子ビームを試料に到達する前に遮へいする工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させることができる。その結果、高精度に複数のチップパターンを描画することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００１９】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１（放出部）、照明レンズ２０２、ブランキング（ＢＬＫ）偏向器２１２（第３の偏向器）、ブランキング（ＢＬＫ）アパーチャ２１４（別の遮へい部）、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８（第１の偏向器）、ＢＬＫ偏向器２１６（第１の偏向器）、及びＢＬＫアパーチャ２１８（遮へい部）が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１が配置されている。試料１０１として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスク基板が含まれる。マスク基板としては、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００２０】
ＢＬＫ偏向器２１２は、ＢＬＫアパーチャ２１４よりも電子銃２０１側（上流側）に配置される。そして、ＢＬＫアパーチャ２１４は、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８、ＢＬＫ偏向器２１６、及びＢＬＫアパーチャ２１８よりも電子銃２０１側（上流側）に配置される。また、ＢＬＫ偏向器２１６は、ＢＬＫアパーチャ２１８よりも電子銃２０１側（上流側）に配置される。そして、ＢＬＫ偏向器２１６及びＢＬＫアパーチャ２１８は、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８、ＢＬＫ偏向器２１６、及びＢＬＫアパーチャ２１８よりもＸＹステージ１０５側（下流側）に配置される。
【００２１】
制御部１６０は、偏向制御回路１２０、制御計算機１１０、及びＤＡＣ（デジタル・アナログ変換）アンプ１２２，１２４，１２６，１２８を有している。制御計算機１１０には、メモリ１１２及び偏向制御回路１２０が図示していないバスを介して接続されている。偏向制御回路１２０は、ＤＡＣアンプ１２２，１２４，１２６，１２８に接続される。ＤＡＣアンプ１２２はＢＬＫ偏向器２１２に、ＤＡＣアンプ１２４は偏向器２０５に、ＤＡＣアンプ１２６は偏向器２０８に、ＤＡＣアンプ１２８はＢＬＫ偏向器２１６に、それぞれ接続される。制御計算機１１０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１１２に記憶される。
【００２２】
図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００２３】
電子銃２０１から電子ビーム２００が放出（照射）される。電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム２００は成形される。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。
【００２４】
ここで、試料１０１上の電子ビーム２００が、所望する照射量を試料１０１に入射させる照射時間ｔに達した場合、以下のようにブランキングする。すなわち、試料１０１上に必要以上に電子ビーム２００が照射されないようにするため、例えば静電型のＢＬＫ偏向器２１２で電子ビーム２００を偏向すると共にＢＬＫアパーチャ２１４で電子ビーム２００をカットする。これにより、電子ビーム２００が試料１０１面上に到達しないようにする。ＢＬＫ偏向器２１２の偏向電圧は、偏向制御回路１２０及びＤＡＣアンプ１２２によって制御される。
【００２５】
ビームＯＮ（ブランキングＯＦＦ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における実線で示す軌道を進むことになる。一方、ビームＯＦＦ（ブランキングＯＮ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、ＢＬＫアパーチャ２１４の手前で図１における点線で示す軌道を進むことになる。また、電子鏡筒１０２内および描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。ブランキングＯＮによってＢＬＫアパーチャ２１４を通過し始めてからブランキングＯＦＦによって遮断されるまでが１ショット分の電子ビーム２００となる。
【００２６】
図２は、実施の形態１における描画されるチップ領域の一例を示す図である。図２では、例えば、試料１０１上の描画領域１０に、チップＡのチップパターンとチップＢのチップパターンが描画される場合を示している。チップＡのチップパターンは、チップ領域１４に描画される。チップＢのチップパターンは、チップ領域１２に描画される。かかる複数のチップパターンを描画する際、１番目のチップパターンの形状を複数の図形に分割して各図形を１番目のチップ領域にショットすることにより１番目のチップパターンが描画される。その後、２番目のチップ領域へと照射位置を移動させ、その後、２番目のチップパターンの形状を複数の図形に分割して各図形を２番目のチップ領域にショットすることにより２番目のチップパターンが描画される。図２では、チップＡのチップパターンの各ショットでチップＡのチップパターンがチップ領域１４に描画され、最終照射位置Ｐから２番目のチップ領域１２の照射開始位置Ｑへと照射位置を移動させる。偏向器２０８で偏向可能な位置までＸＹステージ１０５が移動することによってかかる照射位置を移動させる。そして、チップＢのチップパターンの各ショットでチップＢのチップパターンがチップ領域１２に描画される。ここで、ＸＹステージ１０５の移動速度が５０ｍｍ／ｓｅｃ、ＰＱ間の距離が１００ｍｍとすると、チップ間移動に要する時間は２ｓｅｃとなる。他方、同じチップ領域内の各ショットの間隔は例えば数１０〜数１００ｎｓｅｃと非常に短い。
【００２７】
ここで、ＢＬＫアパーチャ２１４より下流側の光学系、例えば、偏向器２０５或いは偏向器２０８の内側等に汚染物２０（コンタミネーション）が付着していると、偏向器２０５或いは偏向器２０８の近くを電子ビーム３０４が通過する際に、この汚染物２０が帯電する。この汚染物２０の帯電により新たな電場が発生することで、電子ビーム２００の軌道にずれが生じることになる。よって、試料１０１の描画を開始する時点で既に偏向器２０５或いは偏向器２０８の内側等に汚染物２０が付着していれば、チップ領域１４にチップＡのチップパターンを描画し始めて間もなくこの汚染物２０が帯電する。そして、チップ領域１４にチップＡのチップパターンを描画している間は、汚染物２０の帯電による電場の影響を電子ビーム２００が定常的に受け続けることになる。上述したように、各ショット間のブランキングＯＮ／ＯＦＦの間隔は例えば数１０〜数１００ｎｓｅｃと非常に短いため、汚染物２０はわずかな放電と充電とを繰り返すのみで、実質的にその帯電の状況は変化しないためである。そのため、各ショット間での照射位置のずれは発生しない、或いは微量程度となる。しかし、チップ間移動に要する時間は２ｓｅｃとなるので問題である。
【００２８】
従来の方法で動作させる場合、この２ｓｅｃ間、ＢＬＫアパーチャ２１４で電子ビーム２００を遮へいすることになる。そのため、この２ｓｅｃ間、ＢＬＫアパーチャ２１４より下流側の光学系、例えば、偏向器２０５或いは偏向器２０８には電子ビーム２００が届かない。そのため、チップＡＢ間の移動の間に、偏向器２０５或いは偏向器２０８に付着した汚染物２０から電荷が放電され、電場が無くなることになる。よって、チップ領域１４に描画していた時点とチップ領域１２に描画を開始する時点とでは、電子ビーム２００が受ける電場が異なっている。そのため、チップ領域１２に描画を開始するとそれまでとは電子ビーム２００の照射位置に大きくずれが生じる。
【００２９】
他方、実施の形態１では、同じチップ領域内を描画している間の各ショット間は、ＢＬＫアパーチャ２１４で電子ビーム２００を遮へいするが、チップ間の移動の際は、ＢＬＫアパーチャ２１８で電子ビーム２００を遮へいする。すなわち、偏向器２０５，２０８を通過した電子ビーム２００をＢＬＫ偏向器２１６でＢＬＫアパーチャ２１８上に偏向して電子ビーム２００を試料１０１に到達する前に遮へいする。そのため、従来の方法と異なり、チップ間の移動の間、ＢＬＫアパーチャ２１８より上流側の光学系、例えば、偏向器２０５或いは偏向器２０８近くを電子ビーム２００が通過し続けることになる。よって、汚染物２０の帯電状態は維持されることになる。よって、チップ領域１４に描画していた時点とチップ領域１２に描画を開始する時点とで汚染物２０に起因する電場は同じ状態のままである。そのため、チップ領域１２に描画を開始するとそれまでとで電子ビーム２００の照射位置にずれを生じさせないようにすることができる。
【００３０】
図３は、実施の形態１と従来とで位置誤差の変化の一例を示すグラフである。
図３において、従来の方法を用いてＢＬＫアパーチャ２１４で電子ビーム２００を遮へいすると、グラフ３２が示すように、チップＡからチップＢに移動した際、描画されたパターンの位置誤差に大きなずれ（ΔＬ）が生じてしまう場合がある。これに対し、実施の形態１のように、電子鏡筒１０２の最下流側に配置されたＢＬＫアパーチャ２１８で電子ビーム２００を遮へいすると、グラフ３０が示すように、それまで同様な位置誤差で推移し、特に大きなずれを生じさせないで済ますことができる。
【００３１】
図４は、実施の形態１における偏向器の偏向器長と偏向電極間の距離の一例を示す図である。ＢＬＫ偏向器２１２，２１６及び偏向器２０５，２０８は、それぞれ少なくとも対向する１対の偏向電極を備えている。ここでは、一例として２極型を示しているが、特に、偏向器２０５，２０８には４極或いは８極型を用いると好適である。ＢＬＫ偏向器２１２，２１６は、電子ビーム２００を遮へいできればよいので２極で構わない。そして、ＢＬＫ偏向器２１６は、ブランキングＯＮ／ＯＦＦ間が秒単位、例えば２ｓｅｃと遅くてよく、ショット間のＯＮ／ＯＦＦを行なうＢＬＫ偏向器２１２やショット間で偏向位置を変化させる偏向器２０５，２０８と異なり高速応答性が不要である。そのため、ＢＬＫ偏向器２１６の偏向器長は、その他のＢＬＫ偏向器２１２及び偏向器２０５，２０８の偏向器長よりも短くて済ますことができる。すなわち、Ｌ４＜Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の関係でよい。よって、設置空間が小さくて済む。よって、電子鏡筒１０２の肥大化を回避することができる。さらに、ＢＬＫ偏向器２１６の１対の偏向電極間の距離は、その他のＢＬＫ偏向器２１２及び偏向器２０５，２０８の各１対の偏向電極間の距離よりも長くなるように配置すると好適である。すなわち、ｄ４＞ｄ１，ｄ２，ｄ３の関係でよい。かかる構成により、仮に汚染物２０がＢＬＫ偏向器２１６に付着しても電子ビーム２００への汚染物２０の帯電による電場の影響を小さくすることができる。そして、電極間の距離を他より広げた分、ＢＬＫ偏向器２１６への印加電圧をその他のＢＬＫ偏向器２１２及び偏向器２０５，２０８のへの印加電圧よりも大きくすればよい。例えば、ＢＬＫ偏向器２１６への印加電圧を２５０Ｖより大きくする。その他のＢＬＫ偏向器２１２及び偏向器２０５，２０８のへの印加電圧は、例えば、２０〜２５０Ｖとなる。
【００３２】
以上のように、チップ間の移動の電子ビーム２００の遮へいを試料１０１により近い側で行なうことで、それより上流側の電場状態を維持することができる。よって、チップ間でのショット位置の誤差のずれを低減させることができる。その結果、高精度に複数のチップパターンを描画することができる。また、汚染物の付着による偏向器の洗浄や交換の手間を省くことができる。
【００３３】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、ＢＬＫアパーチャ２１４が、第１のアパーチャ２０３より上流側に配置されているが、これに限るものではなく、例えば、第２のアパーチャ２０６より下流側に配置されてもよい。ショット間で電子ビーム２００を遮へいするＢＬＫアパーチャ２１４の下流側に汚染物が付着する機構、例えば、偏向器２０８が存在し、かかる汚染物が付着する機構の下流側にチップ間で電子ビーム２００を遮へいするＢＬＫアパーチャ２１８が配置されればよい。
【００３４】
また、ＢＬＫ偏向器２１６とアパーチャ２１８によるＯＮ／ＯＦＦは、チップ間の移動に限定されるものではなく、光学系に付着した汚染物に帯電した電荷が放電される時間以上、電子ビーム２００を遮へいする場合に用いることができる。また、チップ間の移動に要する時間は、２ｓｅｃ以上に限るものではなく、汚染物に帯電した電荷が放電される時間以上であればよい。例えば、１ｓｅｃ以上であれば同様に放電されることが予想される。
【００３５】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００３６】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における描画されるチップ領域の一例を示す図である。
【図３】実施の形態１と従来とで位置誤差の変化の一例を示すグラフである。
【図４】実施の形態１における偏向器の偏向器長と偏向電極間の距離の一例を示す図である。
【図５】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【図６】偏向器に汚染物が付着した場合のビーム軌道の一例を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０  描画領域
１２，１４  チップ領域
２０，３２０  汚染物
３０，３２  グラフ
１００  描画装置
１０１，３１８，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１１２  メモリ
１２０  偏向制御回路
１２２，１２４，１２６，１２８  ＤＡＣアンプ
１５０  描画部
１６０  制御部
２００，３０４  電子ビーム
２０１，３０２  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８，３１４  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２１２，２１６，３０８  ＢＬＫ偏向器
２１４，２１８，３１０  ＢＬＫアパーチャ
３１６  ステージ
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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