(57)【要約】【課題】画質をより良くできるイメージセンサモジュールを提供する。【解決手段】イメージセンサＩＣ１１は各光電変換ブロックの電気信号を基準電圧ＶＲＥＦに基づいて増幅し、このイメージセンサＩＣ１１または他のイメージセンサＩＣ１１によって基準電圧ＶＲＥＦにノイズが乗りにくくなるので、増幅された電気信号にもノイズが乗りにくくなる。よって、イメージセンサモジュールによって読み取られた画像の画質が良くなる。【選択図】図１
2010093494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電圧を生成する基準電圧生成回路を用いるイメージセンサモジュールにおいて、
入射光を電気信号に順次変換する複数個の光電変換ブロックを有する、複数個のイメージセンサＩＣと、
前記基準電圧生成回路の出力端子の近傍に設けられ、前記基準電圧生成回路の出力端子と接地端子との間に設けられる第一容量と、
前記複数個のイメージセンサＩＣに対して均等に設けられ、対応する前記イメージセンサＩＣの基準電圧入力端子の近傍にそれぞれ設けられ、前記基準電圧生成回路の出力端子と前記接地端子との間にそれぞれ設けられる複数個の第二容量と、
を備えることを特徴とするイメージセンサモジュール。
【請求項２】
前記第二容量は、１個の前記イメージセンサＩＣに対して１個設けられることを特徴とする請求項１記載のイメージセンサモジュール。
【請求項３】
前記第二容量は、複数個の前記イメージセンサＩＣに対して１個設けられることを特徴とする請求項１記載のイメージセンサモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基準電圧を生成する基準電圧生成回路を用いるイメージセンサモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のイメージセンサモジュールについて説明する。図３は、従来のイメージセンサモジュールを示すブロック図である。
【０００３】
メージセンサＩＣ５１は、複数個の光電変換ブロック（図示せず）を有する。各光電変換ブロックは、イメージセンサＩＣ５１の長手方向に１個ずつ並んでいる。各光電変換ブロックは例えば図３上左から右に入射光を電気信号に順次変換し（順次光電変換し）、この電気信号は基準電圧ＶＲＥＦに基づいて増幅され、イメージセンサＩＣ５１はこれらの電気信号を順次シリアル出力する。
【０００４】
イメージセンサＩＣ群５０は、複数個のイメージセンサＩＣ５１を備える。各イメージセンサＩＣ５１は、イメージセンサＩＣ群５０の長手方向に１個ずつ並んでいる。この時、イメージセンサＩＣ５１の長手方向とイメージセンサＩＣ群５０の長手方向とは、並行になっている。各イメージセンサＩＣ５１は例えば図３上左から右に動作していき、イメージセンサＩＣ群５０は全てのイメージセンサＩＣ５１の全ての光電変換ブロックの電気信号を順次シリアル出力する。
【０００５】
ここで、基準電圧ＶＲＥＦが各イメージセンサＩＣ５１に入力する前に、容量５２は基準電圧生成回路６０の出力端子の近傍と接地端子との間に設けられているので、容量５２は基準電圧ＶＲＥＦの低周波ノイズ成分を接地端子に供給する。すると、基準電圧生成回路６０から各イメージセンサＩＣ５１に供給される基準電圧ＶＲＥＦの低周波ノイズ成分が少なくなるので、基準電圧ＶＲＥＦが安定する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−１７３９２６号公報（図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、イメージセンサＩＣ５１は各光電変換ブロックの電気信号を基準電圧ＶＲＥＦに基づいて増幅するので、このイメージセンサＩＣ５１または他のイメージセンサＩＣ５１によって基準電圧ＶＲＥＦにノイズが乗ってしまうと、増幅された電気信号にもノイズが乗ってしまう。すると、イメージセンサモジュールによって読み取られた画像の画質が悪くなってしまう。
【０００７】
本発明は、このような点に鑑みてなされ、画質をより良くできるイメージセンサモジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するため、基準電圧を生成する基準電圧生成回路を用いるイメージセンサモジュールにおいて、入射光を電気信号に順次変換する複数個の光電変換ブロックを有する、複数個のイメージセンサＩＣと、前記基準電圧生成回路の出力端子の近傍に設けられ、前記基準電圧生成回路の出力端子と接地端子との間に設けられる第一容量と、前記複数個のイメージセンサＩＣに対して均等に設けられ、対応する前記イメージセンサＩＣの基準電圧入力端子の近傍にそれぞれ設けられ、前記基準電圧生成回路の出力端子と前記接地端子との間にそれぞれ設けられる複数個の第二容量と、を備えることを特徴とするイメージセンサモジュールを提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、イメージセンサＩＣは各光電変換ブロックの電気信号を基準電圧に基づいて増幅し、このイメージセンサＩＣまたは他のイメージセンサＩＣによって基準電圧にノイズが乗りにくくなるので、増幅された電気信号にもノイズが乗りにくくなる。よって、イメージセンサモジュールによって読み取られた画像の画質が良くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１１】
まず、イメージセンサモジュールの構成について説明する。図１は、イメージセンサモジュールを示すブロック図である。
【００１２】
［要素］イメージセンサモジュールは、イメージセンサＩＣ群１０及び基準電圧生成回路２０を備える。イメージセンサＩＣ群１０は、複数個のイメージセンサＩＣ１１、１個の容量１２及びイメージセンサＩＣ１１と同数個の容量１３を備える。
【００１３】
［要素の接続状況］各イメージセンサＩＣ１１は、電源電圧入力端子を電源端子にそれぞれ接続され、接地電圧入力端子を接地端子にそれぞれ接続され、基準電圧入力端子を基準電圧生成回路２０の出力端子にそれぞれ接続される。容量１２及び各容量１３は、基準電圧生成回路２０の出力端子と接地端子との間にそれぞれ設けられる。基準電圧生成回路２０は、電源端子と接地端子との間に設けられる。
【００１４】
［容量１２及び各容量１３の位置］容量１２は、基準電圧生成回路２０の出力端子の近傍に設けられる。各容量１３は、対応するイメージセンサＩＣ１１の基準電圧入力端子の近傍にそれぞれ設けられる。
【００１５】
［容量１２及び各容量１３の機能］基準電圧ＶＲＥＦが各イメージセンサＩＣ１１に入力する前に、容量１２は基準電圧生成回路２０の出力端子の近傍と接地端子との間に設けられているので、容量１２は基準電圧ＶＲＥＦの低周波ノイズ成分を接地端子に供給する。すると、基準電圧生成回路２０から各イメージセンサＩＣ１１に供給される基準電圧ＶＲＥＦの低周波ノイズ成分が少なくなるので、基準電圧ＶＲＥＦが安定する。各容量１３は基準電圧ＶＲＥＦの高周波ノイズ成分を接地端子にそれぞれ供給する。すると、所定の容量１３に対応する所定のイメージセンサＩＣ１１によって発生した高周波ノイズ成分による基準電圧ＶＲＥＦの変動が他のイメージセンサＩＣ１１に伝わりにくくなり、基準電圧ＶＲＥＦの高周波ノイズ成分が少なくなるので、基準電圧ＶＲＥＦが安定する。
【００１６】
なお、容量１２の容量値は、例えば、４７マイクロファラッドである。容量１３の容量値は、例えば、０．１マイクロファラッドである。
【００１７】
［イメージセンサＩＣ１１及びイメージセンサＩＣ群１０の機能］イメージセンサＩＣ１１は、複数個の光電変換ブロック（図示せず）を有する。各光電変換ブロックは、イメージセンサＩＣ１１の長手方向に１個ずつ並んでいる。各光電変換ブロックは例えば図１上左から右に入射光を電気信号に順次変換し（順次光電変換し）、この電気信号は基準電圧ＶＲＥＦに基づいて増幅され、イメージセンサＩＣ１１はこれらの電気信号を順次シリアル出力する。
【００１８】
イメージセンサＩＣ群１０は、複数個のイメージセンサＩＣ１１を備える。各イメージセンサＩＣ１１は、イメージセンサＩＣ群１０の長手方向に１個ずつ並んでいる。この時、イメージセンサＩＣ１１の長手方向とイメージセンサＩＣ群１０の長手方向とは、並行になっている。各イメージセンサＩＣ１１は例えば図１上左から右に動作していき、イメージセンサＩＣ群１０は全てのイメージセンサＩＣ１１の全ての光電変換ブロックの電気信号を順次シリアル出力する。
【００１９】
［基準電圧生成回路２０の機能］基準電圧生成回路２０は、例えば、分圧回路を有する。基準電圧生成回路２０は、電源電圧ＶＤＤと接地電圧ＶＳＳと２個の分圧抵抗の分圧比とに基づき、基準電圧ＶＲＥＦを生成する。
【００２０】
次に、イメージセンサモジュールの動作について説明する。
【００２１】
［動作］例えば、文字及び図を印刷された紙（図示せず）が配置され、紙の上にイメージセンサモジュールが配置される。その後、イメージセンサモジュールは、イメージセンサＩＣ群１０の短手方向に移動しながら、イメージセンサＩＣ群１０の長手方向のラインの画像を順次読み取る。
【００２２】
［効果］このようにすると、イメージセンサＩＣ１１は各光電変換ブロックの電気信号を基準電圧ＶＲＥＦに基づいて増幅し、このイメージセンサＩＣ１１または他のイメージセンサＩＣ１１によって基準電圧ＶＲＥＦにノイズが乗りにくくなるので、増幅された電気信号にもノイズが乗りにくくなる。よって、イメージセンサモジュールによって読み取られた画像の画質が良くなる。
【００２３】
具体的には、各イメージセンサＩＣ１１における各光電変換ブロックの電気信号毎のランダムなノイズが少なくなるので、ランダムな画質の悪さが無くなりやすくなる。また、イメージセンサＩＣ群１０の長手方向に線状に発生する画質の悪さが無くなりやすくなる。
【００２４】
また、準備中のイメージセンサＩＣ１１が動作中の隣のイメージセンサＩＣ１１への基準電圧ＶＲＥＦを瞬間的に変動させようとしても、この基準電圧ＶＲＥＦは容量１３によって瞬間的に変動しにくくなる。よって、所定の光電変換ブロックの電気信号だけがノイズを乗せにくくなるので、イメージセンサＩＣ群１０の短手方向に移動することによってイメージセンサＩＣ群１０の短手方向に線状に発生する画質の悪さが無くなりやすくなる。
【００２５】
［補足］なお、図１では、１個の容量１３が１個のイメージセンサＩＣ１１に対して設けられているが、図２に示すように、１個の容量１４が２個のイメージセンサＩＣ１１に対して設けられても良い。この時、１個の容量１４は、２個のイメージセンサＩＣ１１の中間に配置されると良い。つまり、複数個の容量１４は、複数個のイメージセンサＩＣ１１に対して均等に設けられると良い。すると、イメージセンサＩＣ群１０における容量の数が少なくなるので、コストが安くなる。
【００２６】
また、基準電圧生成回路２０は、図１では、イメージセンサモジュール内部に設けられているが、図示しないが、イメージセンサモジュール外部に設けられても良い。
【００２７】
また、各光電変換ブロックは、図１上左から右に順次光電変換するが、図１上右から左に順次光電変換しても良い。各イメージセンサＩＣ１１も、図１上左から右に動作していくが、図１上右から左に動作していっても良い。
【００２８】
また、イメージセンサＩＣ１１は、電気信号を１個ずつシリアル出力するが、電気信号を複数個ずつパラレル出力しても良い。イメージセンサＩＣ群１０も、電気信号を１個ずつシリアル出力するが、電気信号を複数個ずつパラレル出力しても良い。
【００２９】
また、基準電圧生成回路２０は、分圧回路を有するが、これに限定されず、一定の電圧である基準電圧を生成すれば良い。例えば、基準電圧生成回路２０は、ＰＭＯＳトランジスタによるカレントミラー回路とＮＭＯＳトランジスタによるカレントミラー回路と抵抗とを有しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】イメージセンサモジュールを示すブロック図である。
【図２】イメージセンサモジュールを示すブロック図である。
【図３】従来のイメージセンサモジュールを示すブロック図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  イメージセンサＩＣ群
１１  イメージセンサＩＣ
１２〜１３  容量
２０  基準電圧生成回路
【図１】
2010093494.tif 000003
【図２】
2010093494.tif 000004
【図３】
2010093494.tif 000005