(57)【要約】【課題】記録磁界強度を維持しつつ隣接トラックイレーズを抑制可能な磁気ヘッドを提供する。【解決手段】主磁極と、前記主磁極の側面に設けられ、該主磁極からの磁気を遮蔽可能なシールド層と、前記主磁極と前記シールド層との間に設けられ、前記主磁極及び前記シールド層よりも飽和磁化が小さいギャップ層と、前記シールド層を加熱する加熱手段とを有することを特徴とする磁気ヘッド。【選択図】図３
2010061726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極と、
前記主磁極の側面に設けられ、該主磁極からの磁気を遮蔽可能なシールド層と、
前記主磁極と前記シールド層との間に設けられたギャップ層と、
前記シールド層を加熱する加熱手段と
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記シールド層が、加熱により磁気遮蔽機能を失うことを特徴とする、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
更に、前記主磁極の前記シールド層が設けられた反対側の側面に設けられ、磁気を遮蔽する別のシールド層と、
前記主磁極と前記別のシールド層との間に設けられた別のギャップ層とを有し、
前記主磁極は前記シールド層と前記別のシールド層との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
更に、前記別のシールド層を加熱する別の加熱手段を有することを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記別のシールド層が、加熱により磁気遮蔽機能を失うことを特徴とする、請求項４に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記加熱手段が、通電により熱を発生する電熱膜を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記シールド層が通電により熱を発生することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記シールド層の少なくとも一部が、前記主磁極のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する軟磁性材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記ギャップ層が非磁性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
磁気情報を記録するための記録層を備える磁気記憶媒体と、
前記記録層に磁界を印加するための主磁極と、
前記主磁極の側面に設けられ、該主磁極からの磁気を遮蔽可能なシールド層と、
前記主磁極と前記シールド層との間に設けられたギャップ層と、
を有する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドの前記記憶媒体に対する位置に応じて、前記シールド層を加熱する加熱手段と
を有することを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶媒体へ磁気情報の書き込みを行うことが可能な磁気ヘッド、及びその磁気ヘッドを備えた磁気記憶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気記憶装置において、磁気ヘッドは磁気記憶媒体へ磁気情報を書き込んだり磁気記憶媒体に記録された磁気情報を読み出したりする。
【０００３】
近年、急速な記録容量の増大に伴い、磁気記憶媒体の記録トラック幅が狭くなり、磁気ヘッドから出力される磁界が記録したいトラックだけでなく隣接するトラックにも及び、隣接トラックの情報を消去してしまう、いわゆる隣接トラックイレーズ（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ：ＡＴＥ）が深刻な問題となっている。
【０００４】
この問題を解決するため、例えば、書き込み用磁極の記録トラックを横切る方向の両側に、非磁性のギャップを介して磁気シールドを設けた、いわゆるサイドシールド構造を備える磁気ヘッドが提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。サイドシールド構造を備える磁気ヘッドは、サイドシールドが書き込み用磁極から出力される磁界を吸収するため、書き込み対象のトラックに隣接するトラックへの磁界の漏洩を抑制することができる。しかし、このような磁気ヘッドを備える磁気記憶装置は、書き込み対象の記録トラックへの記録磁界強度が低下するため、記憶媒体に対して情報を書き込みにくくなるおそれがある。
【特許文献１】特開２００５−１９０５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、記録磁界強度を維持しつつ隣接トラックイレーズを抑制可能な磁気ヘッドを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によると、
主磁極と、
前記主磁極の側面に設けられ、該主磁極からの磁気を遮蔽可能なシールド層と、
前記主磁極と前記シールド層との間に設けられたギャップ層と、
前記シールド層を加熱する加熱手段と
を有することを特徴とする磁気ヘッドが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の磁気ヘッドは、主磁極の幅方向側に設けられたシールド層を加熱することにより、シールド層の磁束吸収量を抑制することができる。この磁気ヘッドを備える磁気記憶装置において、シールド層が過度に磁束を吸収することにより、記録磁界強度の著しい低下を回避でき、更にＡＴＥを抑制できる。よって、磁気記憶装置の高記録密度化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うま
でもない。なお、図中、同一の番号は同一の要素を指す。
【０００９】
まず、本発明のヘッドスライダの使用態様である磁気記憶装置について、図１及び図２を用いて簡単に説明する。図１、図２Ａは、本発明のヘッドスライダを備えた磁気記憶装置（ハードディスクドライブ：ＨＤＤ）を示す概略図である。
【００１０】
図１に示した磁気記憶装置１００は、外装として図に示すようなハウジング１０２を有する。ハウジング１０２の内部には、回転軸１０３に装着されて矢印Sの方向に回転する磁気ディスク（磁気記憶媒体）１０４と、磁気ディスク１０４に対して情報記録と情報再生を行う磁気ヘッド１が搭載されたヘッドスライダ１０５と、ヘッドスライダ１０５を保持するサスペンション１０６と、サスペンション１０６が固定されてアーム軸１０７を中心に磁気ディスク１０４の表面に沿って移動するキャリッジアーム１０８と、キャリッジアーム１０８を駆動する電磁アクチュエータ１０９とが設けられている。なお、ハウジング１０２にはカバー（図示せず）が取り付けられて、ハウジング１０２とカバーで形成された内部空間に上述の構成部品が収容される。
【００１１】
磁気記憶装置１００は、更に、ハウジング１０２内部に設けられたコントロールボード（不図示）を備える。コントロールボードは、図２Ａに示すように、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１１１、マイクロコントロールユニット（ＭＣＵ）１１２、リードチャネル（ＲＤＣ）及びサーボコントロール回路（ＳＶＣ）１１３、ＲＡＭ１１４、ＲＯＭ１１５、ヘッドＩＣ（ＨＤＩＣ）１３１、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１３２、並びにスピンドルモータ（ＳＰＭ）１３４を有する。ＨＤＣ１１１は、インタフェースプロトコル制御、データバッファ制御、ディスクフォーマット制御等の制御を行う。ＨＤＣ１１１は、例えば外部のホストコンピュータ（図示せず）と接続される。ＭＣＵ１１２は、演算処理を行ってＨＤＣ１１１、ＲＤＣ及びＳＶＣ１１３の制御と、ＲＡＭ１１４及びＲＯＭ１１５等のＨＤＤ１内のメモリの管理を行う。ＲＤＣは、記録媒体として用いる磁気ディスク１０４に対するデータの書き込み及び読み出し（データ変調及びデータ復調を含む）を行う。ＳＶＣは、キャリッジアーム１０８を駆動する電磁アクチュエータ（図示せず）に接続されたＶＣＭ１３２、及び磁気ディスク１０４が装着された回転軸１０３を回転するためＳＰＭ１３４を制御する。ＲＡＭ１１４は、ＭＣＵ１１２が行う演算処理の中間データを含む各種データを格納する。ＲＯＭ１１５は、ＭＣＵ１１２が実行するプログラムやデータ等を格納する。
【００１２】
図２ＢはＨＤＩＣ１３１を、ＲＤＣ及びＳＶＣ１１３、並びに磁気ヘッド１とともに示す図である。磁気ヘッド１は、例えば、ヘッドＩＣ（ヘッドアンプ）１３１と配線によって接続され、磁気ディスク１０４への情報の記録（ライト動作）及び磁気ディスク１０４に記憶された情報の再生（リード動作）を行う。ＨＤＩＣ１３１は、ライト信号を増幅してヘッド１に供給するライトドライバ１３７と、ヘッド１からのリード信号を増幅するリードプレアンプ１３８と、ヘッド１内のヒータ（図示せず）を駆動するヒータドライバ１３９とを有する。ＨＤＩＣ１３１は、ヒータドライバ１３９を制御するヒータ制御回路１３６を更に有する。
【００１３】
以下の説明では、Ｘ軸方向は記憶媒体の直径方向であり、Ｙ軸方向は記憶媒体に対して遠ざかる方向であり、Ｚ軸は基板上に積層されている各層の積層方向（以下、「基板からの積層方向」と呼称する。）であり、また、磁気ヘッドに対する媒体の移動方向である。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに垂直ある。また、Ｘ軸方向の距離を「幅」、Ｙ軸方向の距離を「長さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚さ」とそれぞれ表記する。磁気ヘッドにおいて、Ｙ軸方向のうちの浮上面（エアベアリング面：ＡＢＳ）に近い側を「浮上面側」、浮上面から遠ざかる側を「ハイト側」とそれぞれ表記する。
【００１４】
図３（図３Ａ〜図３Ｃ）は、本発明の第１実施形態である磁気ヘッドの概略図である。図３Ａ〜図３Ｃを用いて、本発明の第１実施形態である磁気ヘッドについて説明する。
【００１５】
図３Ａは、第１実施形態の磁気ヘッドの、記憶媒体に対向する面（浮上面２５）に垂直であり、且つ磁気ヘッドを構成する各層の積層方向の断面を示す概略図である。第１実施形態に係る磁気ヘッド１は、例えばハードディスクドライブなどの磁気記憶装置に磁気記録用のデバイスとして搭載されるものである。この磁気ヘッド１は、絶縁層１２２、１２３が設けられた基板１２０上に設けられる。絶縁層は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる。基板１２０は、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）などのセラミック材料よりなる。この磁気ヘッド１は、例えば、磁気記憶媒体に記録を実行可能な複合型ヘッドである。この磁気ヘッド１は、垂直記録方式により記録媒体上の記録面の任意の位置に情報を記録可能な記録ヘッド部２７を含んでなる。この情報の記録は、磁気記憶装置の内部において、記憶媒体に対向するように配置された状態で、磁気ヘッド１の側面（浮上面）２５から磁束が発生されることにより実現される。
【００１６】
記録ヘッド部２７は、主磁極１９、主磁極補助層接続部１７及び主磁極補助層１８、補助磁極（リターンヨーク）１５、絶縁層１２４〜１２８、コイル１６、コイル引き出し線２０を有する。主磁極１９、主磁極補助層接続部１７、主磁極補助層１８、補助磁極１５は、それぞれ、磁性材料からなり、磁気的に接続されている。これら磁性材料からなる部分とコイル１６及びコイル引き出し線２０とは、絶縁層１２４〜１２６により電気的に遮蔽されている。
【００１７】
コイル１６は、コイル引き出し線２０を経由して、ライトドライバ（図示せず。図２Ｂにおけるライトドライバ１３７。）に電気的に接続される。コイル１６は、ライトドライバから供給される電流により、磁界を発生させることができる。発生した磁界が主磁極層１９へ誘導され、主磁極層１９の先端から放出されることにより、記録媒体へ磁気情報が記録されうる。このコイル１６及びコイル引き出し線２０は、例えば、銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されている。コイル１６の厚さは例えば１〜３μｍ程度である。
【００１８】
主磁極１９は、主に、コイル１６において発生した磁束を収容し、その磁束を磁気ディスク（図示せず。）に向けて放出するものである。主磁極層１９は、通常、浮上面２５側が露出している。この主磁極層１９は強磁性材料を含んでいる。強磁性材料としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、鉄系合金（Ｆｅ−Ｍ；Ｍは４Ａ，５Ａ，６Ａ，３Ｂ，４Ｂ族の金属元素）、あるいはこれらの各合金の窒化物などが挙げられる。主磁極層１９の膜厚は約０．１μｍ〜０．５μｍである。
【００１９】
図３Ｂ、３Ｃを用いて、第１実施形態の磁気ヘッドについて更に説明する。図３Ｂは第１実施形態の磁気ヘッドにおいて、主磁極の近傍の浮上面を示す概略図である。図３Ｃは、第１実施形態の磁気ヘッドにおいて、基板（図示せず）の上側から見たときの、主磁極、サイドシールド、及び電熱膜の位置を示す概略図である。
【００２０】
主磁極１９の両側には、ギャップ層２９を介してサイドシールド（シールド層）２４ａ、２４ｂがそれぞれ設けられている。サイドシールド２４ａ、２４ｂは、主磁極１９から放出された磁束が記憶媒体における書き込もうとしている記録トラックに隣接する別の記録トラックに印加されることにより、別の記録トラックの磁気情報が消去される、いわゆる隣接トラックイレーズ（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ：ＡＴＥ）を防止するために設けられる、磁束を遮蔽可能な部材である。また、サイドシールド２４ａ、２４ｂは、加熱されることにより、サイドシールドを構成する材料のキュリー温度に近づくにつれて磁束吸収効果が低下する。サイドシールド２４ａ、２４ｂは、通常、主磁極
１９よりも飽和磁化が小さい軟磁性材料からなり、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｓｉの何れかの元素を含むＮｉ基合金を用いることができる。Ｎｉ基合金は含有される元素のうちＮｉが最も多い合金である。サイドシールド２４ａ、２４ｂを構成する材料は、具体的には、Ｎｉ９０Ｔｉ１０、Ｎｉ９５Ｃｒ５、Ｎｉ９５Ｍｏ５、（Ｎｉ９０Ａｌ１０）９９Ｓｉ１などである。組成比については、上記に限るものではない。サイドシールド２４ａ、２４ｂは、主磁極１９から放出される磁束を吸収して、隣接トラックへの書き込みを防止することができる形状、大きさを有していればよく、図３Ｃに示されるように、通常、浮上面２５に露出するように設けられている。ギャップ層２９に用いられる材料は特に限定されない。ギャップ層２９に用いられる材料は、磁気ヘッドの書き込み性能の向上の点から、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の非磁性材料であることが好ましい。ギャップ層２９のギャップ長（Ｘ軸方向の長さ）は、例えば８０ｎｍである。サイドシールド２４ａ、２４ｂの磁気遮蔽効果を個別に制御する観点から、サイドシールド２４ａ、２４ｂの温度調整は個別に行われることが好ましい。サイドシールド２４ａ、２４ｂの温度調整を個別に行うことが容易なため、サイドシールド２４ａとサイドシールド２４ｂとは電気的に絶縁されていることが好ましい。
【００２１】
サイドシールド２４ａ、２４ｂの基板側（図３Ｂにおける下方側）には、絶縁膜２３ａ、２３ｂを介して電熱膜２２ａ、２２ｂがそれぞれ設けられている。電熱膜２２ａ、２２ｂはそれぞれ個別に通電させることができる。電熱膜２２ａ、２２ｂは、それぞれサイドシールド２４ａ、２４ｂを個別に加熱するために設けられる。電熱膜２２ａ、２２ｂは、例えばタンタル（Ｔａ）、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、チタンタングステン(ＴｉＷ)、タングステン（Ｗ）、ニッケル銅（ＮｉＣｕ）などから形成される。電熱膜２２ａ、２２ｂへ電力が供給されることにより、電熱膜２２ａ、２２ｂは発熱する。供給される電力が制御されることにより、サイドシールド２４ａ、２４ｂの温度が制御されうる。絶縁膜２３ａ、２３ｂは、サイドシールド２４ａ、２４ｂと電熱膜２２ａ、２２ｂとの間の電気的絶縁性をそれぞれ確保し、電熱膜２２ａ、２２ｂからサイドシールド２４ａ、２４ｂへの漏電をそれぞれ防止し、電熱膜２２ａ、２２ｂの加熱効率を向上させる。絶縁膜２３ａ、２３ｂは非導電性であり、更に非磁性であることが、得られる磁気ヘッドの書き込み性能の向上の点から好ましい。絶縁膜２３ａ、２３ｂとしては、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などの非磁性且つ非導電性の材料が用いられる。電熱膜２２ａと電熱膜２２ｂとは、電気的に絶縁されていることが、サイドシールド２４ａ、２４ｂの温度をそれぞれ制御することが容易な点から好ましい。
【００２２】
尚、第１実施形態において、電熱膜２２ａ、２２ｂが絶縁膜２４ａ、２４ｂを介してサイドシールド２４ａ、２４ｂの基板側に設けられているが、本発明において、電熱膜２２ａ、２２ｂ及び絶縁膜２４ａ、２４ｂは必須の構成要素ではない。本発明の磁気ヘッドは、サイドシールド２４ａ又は２４ｂのうち少なくとも一方を加熱することができる任意の加熱機構が設けられていればよい。例えば、サイドシールド２４ａ、２４ｂに直接通電可能な機構が設けられることにより、サイドシールド２４ａ、２４ｂが加熱されてもよい。サイドシールド２４ａ、２４ｂに直接通電可能な機構が設けられる実施態様において、サイドシールド２４ａ、２４ｂを構成する材料は例えば、Ｎｉ９５Ｃｒ５である。Ｎｉ９５Ｃｒ５は抵抗値が高いため発熱量が大きくヒータ等に用いられる材料である。発熱量が大きい材料を用いたサードシールドに直接通電することより、加熱効率が向上する。サイドシールド２４ａ、２４ｂに直接通電可能な機構が設けられる実施態様において、ギャップ層２９は更に非導電性の材料であることは好ましい。ギャップ層２９に用いられる材料の一例として挙げたアルミナは、非磁性且つ非導電性の材料である。
【００２３】
再び図３Ａを用いて、第１実施形態の磁気ヘッドについて更に説明する。
【００２４】
補助磁極（リターンヨーク）１５は、記録ヘッド部２７において、主磁極１９から放出
された磁束を記憶媒体（図示せず。）を経由して環流させる磁気回路の一部を担うものである。この補助磁極１５は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚みは約１．０μｍ〜４．０μｍである。
【００２５】
主磁極補助層接続部１７及び主磁極補助層１８は、補助磁極１５と主磁極１９との間を磁気的に連結する。主磁極補助層接続部１７及び主磁極補助層１８は、主磁極１９から放出され記憶媒体（図示せず。）を経由して補助磁極１５に流入した磁束を、主磁極１９に環流させる。主磁極補助層接続部１７及び主磁極補助層１８は、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。
【００２６】
絶縁層１２４〜１２８は、コイル１６及びコイル引き出し線２０と、磁性材料からなる部分（主磁極１９、主磁極補助層接続部１７、主磁極補助層１８、補助磁極１５）との間の電気的な絶縁性を確保することが可能であり且つ非磁性である材料により構成されている。絶縁層１２４〜１２８は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリコン酸化物（ＳｉＯ２）などの非磁性非導電性材料により構成されている。絶縁層１２４〜１２８は、それぞれ複数の材料から構成されていても良いし、互いに異なる材料からなる複数の層からなっていてもよい。絶縁層１２４〜１２８は、コイル１６及びコイル引き出し線２０と上記磁性材料からなる部分との電気的な絶縁性を確保できる範囲において、例えばルテニウム（Ｒｕ）や銅（Ｃｕ）などの導電性を有する非磁性材料を含んで構成されていてもよい。また、絶縁層１２４〜１２８は例えば樹脂を含んで構成されていてもよい。
【００２７】
以下、図１、図４（図４Ａ及び図４Ｂ）を用いて、第１実施形態の磁気ヘッドを設けた磁気記憶装置における、磁気ヘッドの使用態様を説明する。図４Ａ及び４Ｂは、磁気ヘッド１及び記憶媒体１０４が磁気記憶装置１００に設けられ、磁気ヘッド１が記憶媒体１０４に対して記録を行う際の、磁気ヘッド１と記憶媒体１０４の配置を示す上面図である。図４Ａ及び４Ｂにおいて、磁気ヘッド１のうち、主磁極１９及びサイドシールド２４ａ、２４ｂ、絶縁膜２３ａ、２３ｂ、電熱膜２２ａ、２２ｂのみが示されている。また、図４Ａ及び４Ｂにおいて、記憶媒体１０４に含まれる、書き込みの対象である記録トラック３１及びそれに隣接する記録トラック３２ａ、３２ｂが示されている。記憶媒体１０４の回転Ｓにより、磁気ヘッド１と記憶媒体１０４との間に図４Ａ及び４Ｂの下方から上方へ向かって気流が生じるため、磁気ヘッド１は記憶媒体１０４の上面から所定の距離だけ離れた状態で静止することができる。磁気ヘッド１の存在位置における記録トラック３１の接線方向Ｐ１（記憶媒体１０４の回転方向Ｓに平行な方向）と、磁気ヘッドの主磁極１９の主磁極の厚さに平行な方向Ｐ２（アーム軸１０７から磁気ヘッド１へ向かう方向）とのなす角、いわゆる磁気ヘッドのスキュー角θは、図１に示される電磁アクチュエータ１０９がキャリッジアーム１０８を駆動することにより変化する。なお、以下の説明において、説明の便宜上、図４Ａに示されるように、方向Ｐ２が方向Ｐ１を基準として時計回りのスキュー角θを正とし、図４Ｂに示されるように、方向Ｐ２が方向Ｐ１を基準として反時計回りのスキュー角θを負とする。
【００２８】
図４Ａに示されるようにスキュー角θが正のとき、主磁極１９の流入端側１９ａは、隣接する記録トラック３２ａに近づき、隣接する記録トラック３２ｂから離れる。主磁極１９の流入端側１９ａが近接する記録トラック３２ａにおいてＡＴＥが特に問題になり、反対側の記録トラック３２ｂにおいてＡＴＥの問題は生じない。このとき、電熱膜２２ａに通電を行わず、サイドシールド２４ａへの加熱は行われない。このため、サイドシールド２４ａは磁気遮蔽機能を有し、隣接トラック３２ａに記録された磁気情報の誤消去を防止しうる。一方、電熱膜２２ｂに通電することにより、サイドシールド２４ｂを加熱する。加熱されたサイドシールド２４ｂは、それを構成する材料の飽和磁化が低下するため、磁気シールドとしての機能を一時的に失う。サイドシールド２４ｂは、書き込み対象である記録トラック３１に一部対向する位置まで張り出しているが、磁気シールドとしての機能
を失っているため、主磁極１９から放出され、記録トラック３１への書き込みに寄与する磁界を低下させにくい。サイドシールド２４ｂが磁気シールドとしての機能を有する状態で記録トラック３１に一部対向する位置まで張り出すと、主磁極１９から放出される磁界がサイドシールド２４ｂに吸収され、必要な強度の記録磁界が記録トラック３１に印加されないおそれがある。
【００２９】
図４Ｂに示されるようにスキュー角θが負のとき、主磁極１９の流入端側１９ａは、隣接する記録トラック３２ｂに近づき、隣接する記録トラック３２ａから離れる。主磁極１９の流入端側１９ａが近接する記録トラック３２ｂにおいてＡＴＥが特に問題になり、反対側の記録トラック３２ａにおいてＡＴＥの問題は生じない。このとき、電熱膜２２ｂに通電を行わず、サイドシールド２４ｂへの加熱は行われない。このため、サイドシールド２４ｂは磁気遮蔽機能を有し、隣接トラック３２ｂに記録された磁気情報の誤消去を防止しうる。一方、電熱膜２２ａに通電することにより、サイドシールド２４ａを加熱する。加熱されたサイドシールド２４ａは、それを構成する材料の飽和磁化が低下するため、磁気シールドとしての機能を一時的に失う。サイドシールド２４ａは、書き込み対象である記録トラック３１に一部対向する位置まで張り出しているが、磁気シールドとしての機能を失っているため、主磁極１９から放出され、記録トラック３１への書き込みに寄与する磁界を低下させにくい。サイドシールド２４ａが磁気シールドとしての機能を有する状態で記録トラック３１に一部対向する位置まで張り出すと、主磁極１９から放出される磁界がサイドシールド２４ａに吸収され、必要な強度の記録磁界が記録トラック３１に印加されないおそれがある。
【００３０】
図１、図４Ａ及び図４Ｂを用いて説明したように、第１実施形態の磁気ヘッドは、磁気記憶装置に備えられ使用される際、主磁極１９から書き込み対象である記録トラック３１に向かって放出される記録磁界の強度を低下させるおそれのあるサイドシールドに加熱機構を備えることにより、サイドシールドとしての機能を一時的に低下させて、記録トラック３１への書き込みに必要な記録磁界強度を維持することができる。
【００３１】
サイドシールド２４ａ、２４ｂを構成する材料は、サイドシールド２４ａ、２４ｂの温度が調整可能である範囲において、飽和磁化の温度係数が大きくなるように選択されることが好ましい。飽和磁化の温度係数が大きくなるほど、磁気ヘッドのスキュー角θを変動させたときに、書き込みに必要な記録磁界強度を得るのに必要な時間が短くなるため、磁気記憶装置の書き込み速度が向上する。サイドシールドを構成する材料として例えばＮｉ９０Ａｌ１０を使用するとき、４０℃から１３０℃までの範囲において、温度を１℃上昇させると飽和磁化は約１％低下する。
【００３２】
第１実施形態の磁気ヘッドを用いた磁気記憶装置において、電熱膜２２ａ又は２２ｂに通電されていないとき、サイドシールド２４ａ又は２４ｂの定常温度は、例えば３５〜４０℃である。一方、電熱膜２２ａ又は２２ｂを通電加熱しているとき、サイドシールド２４ａ又は２４ｂの温度は、例えば約１００℃まで上昇する。サイドシールド２４ａ、２４ｂの温度を通電加熱時の温度から非通電時の定常状態の温度に変化させるのに必要な時間は、例えば約１００μｓｅｃである。サイドシールド２４ａ、２４ｂの温度を約４０℃から約１００℃に変化させるのに必要な時間は、例えば１００μｓｅｃよりも短い。これらの時間は、磁気ヘッド１がアーム軸１０７を中心として隣接トラック間を移動するのに要する時間よりも短い。磁気ヘッド１がアーム軸１０７を中心として隣接トラック間を移動するのに要する時間（シーク時間）は、現状１〜２ｍｓｅｃ程度である。ゆえに、第１実施形態の磁気ヘッドは、磁気記憶装置に組み込まれて使用される際、磁気ヘッドのスキュー角θの変動に応じて、サイドシールドに磁気遮蔽機能を付与したり、失わせたりすることができる。なお、電熱膜２２ａ又は２２ｂに通電されていないときのサイドシールドの定常温度が例えば６０℃であり、通電されているときのサイドシールドの温度が例えば１
３０℃まで上昇してもよい。
【００３３】
サイドシールド２４ａ又は２４ｂのキュリー温度は２００℃以下であることが、上記環境温度と上記通電加熱時の温度の間で飽和磁化の温度係数が高くなる点から好ましい。例えば、Ｎｉ９０Ａｌ１０、Ｎｉ９０Ｔｉ１０、（Ｎｉ９０Ａｌ１０）９９Ｓｉ１のキュリー温度は約１５０℃であり、Ｎｉ９５Ｃｒ５、Ｎｉ９５Ｍｏ５のキュリー温度は約１７０℃である。
【００３４】
次に、本発明の第２実施形態である磁気ヘッドを、図５を用いて説明する。尚、上記実施形態の磁気ヘッドの説明と重複する部分については、説明を省略する。図５は、磁気ヘッド１及び記憶媒体１０４が磁気記憶装置１００に設けられ、磁気ヘッド１が記憶媒体１０４に対して記録を行う際の、磁気ヘッド１と記憶媒体１０４の配置を示す上面図である。第２実施形態の磁気ヘッドは、サイドシールド２４ｂの基板側に絶縁膜２３ｂを介して電熱膜２２ｂが設けられている一方、サイドシールド２４ａの基板側に電熱膜は設けられていない。
【００３５】
第２実施形態の磁気ヘッドを設けた磁気記憶装置において、磁気ヘッド１のスキュー角θの変動範囲は、通常、０以上である。スキュー角θが０以上のとき、記録トラック３１への書き込みに寄与する磁界を低下させるおそれがあるサイドシールドは、記録トラック３１に対向する位置まで張り出すことが可能なサイドシールド２４ｂのみである。したがって、サイドシールド２４ａには、その磁気遮蔽機能を低下させるための加熱機構が設けられていなくてもよい。他の構成は、第１実施形態の磁気ヘッドと同様である。
【００３６】
次に、本発明の第３実施形態である磁気ヘッドを、図６を用いて説明する。尚、上記実施形態の磁気ヘッドの説明と重複する部分については、説明を省略する。図６は、磁気ヘッド１及び記憶媒体１０４が磁気記憶装置１００に設けられ、磁気ヘッド１が記憶媒体１０４に対して記録を行う際の、磁気ヘッド１及び記憶媒体１０４の配置を示す上面図である。第３実施形態の磁気ヘッドは、サイドシールド２４ａの基板側に絶縁膜２３ａを介して電熱膜２２ａが設けられている一方、サイドシールド２４ｂの基板側に電熱膜は設けられていない。
【００３７】
第３実施形態の磁気ヘッドを設けた磁気記憶装置において、磁気ヘッド１のスキュー角θの変動範囲は、通常、０以下である。スキュー角θが０以下のとき、記録トラック３１への書き込みに寄与する磁界を低下させるおそれがあるサイドシールドは、記録トラック３１に対向する位置まで張り出すことが可能なサイドシールド２４ａのみである。したがって、サイドシールド２４ｂには、その磁気遮蔽機能を低下させるための加熱機構が設けられていなくてもよい。他の構成は、第１実施形態の磁気ヘッドと同様である。
【００３８】
第２及び第３実施形態の磁気ヘッドのように、本発明の磁気ヘッドは、書き込み動作中に、書き込み対象の記録トラックに対向するように張り出しうるサイドシールドに加熱機構を設けることが好ましい。
【００３９】
図７は、本発明の第４実施形態である磁気ヘッドの概略図である。図７は、記憶媒体に対向する面に垂直であり、且つ磁気ヘッドを構成する各層の積層方向の断面を示す概略図である。尚、上記実施形態の磁気ヘッドの説明と重複する部分については、説明を省略する。
【００４０】
第４実施形態の磁気ヘッドは、記録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであり、スライダ基板上に、例えば絶縁層と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｅｆｆｅｃｔ）を利用して記録媒体上の記録面の任意の情報を再生可能
な再生ヘッド部２６と、上記実施形態において説明した磁気ヘッドに相当する記録ヘッド部２７とが設けられている。
【００４１】
再生ヘッド部２６は、例えば、下部シールド層１２と、絶縁層１２１と、上部シールド層１４とがこの順に積層された構成をなしている。絶縁層１２１には、浮上面２５に一端面が露出するように、再生素子１３が埋設されている。
【００４２】
下部シールド層１２および上部シールド層１４は、主に、再生素子１３を周囲から磁気的に遮蔽するものである。これらの下部シールド層１２および上部シールド層１４は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（以下、単に「パーマロイ（商品名）」という）；Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、それらの厚みは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００４３】
絶縁層１２１は、下部シールド層１２や上部シールド層１４から再生素子１３を磁気的かつ電気的に分離するものである。この絶縁層１２１は、例えば、アルミナなどの非磁性非導電性材料により構成されている。
【００４４】
再生素子１３として、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）等の磁気抵抗効果を示す感磁性膜を用いた素子が利用されうる。他の構成は、第１実施形態の磁気ヘッドと同様である。
【００４５】
以下、第４実施形態の磁気ヘッドを用いた磁気記憶装置の使用の際、スキュー角θと、電熱膜２２ａ及び２２ｂへの投入電力との関係を設定する手段について、一例を挙げて説明する。
【００４６】
まず、磁気ヘッド１のスキュー角θの変動範囲の下限値になるように、磁気ヘッド１を移動させる。磁気ヘッド１のスキュー角θの検出は、例えば、記憶媒体に書き込まれたヘッド位置決め用のサーボ信号に含まれるアドレス情報を再生素子１３を用いて読み取ることにより代替できる。次いで、ヒータ制御回路１３６により電熱膜２２ａに通電し、サイドシールド２４ａを加熱する。電熱膜２２ａに投入する電力ＰａをＰａ１とする。この状態でオーバーライト特性の評価を行う。オーバーライト特性の評価は、例えば以下の手順で行うことができる。
【００４７】
（１）  記録媒体に記録トラックピッチを１２０ｎｍとし、４００ｋＦＣＩ（Ｆｌｕｘ
Ｃｈａｎｇｅ  ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）のビットパターンを書き込む。
【００４８】
（２）書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｉを測定する。
【００４９】
（３）  ４００ｋＦＣＩのビットパターンに、９５ｋＦＣＩのビットパターンを上書きする。
【００５０】
（４）  記録トラックに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、４００ｋＦＣＩ成分の出力電圧Ｖｆを測定する。
【００５１】
（５）  以上のようにして求めたＶｉ及びＶｆから、式（１）で表される出力電圧の出力比を求める。
【００５２】
（出力比／ｄＢ）＝２０・ｌｏｇ（Ｖｆ／Ｖｉ）      式（１）
この出力比の絶対値が大きいほど、先に書き込んだ４００ｋＦＣＩの信号が消去されていることを示し、書き込み能力が高いことを示す。
【００５３】
この出力比が所定の条件を満たす場合、磁気ディスクの書き込み動作中、スキュー角θが０以下のとき、電熱膜２２ａに投入する電力はＰａ１に決定する。この出力比が所定の条件を満たさない場合、電熱膜２２ａに投入する電力を変えて、オーバーライト特性の評価を行うことを、出力比が所定の値以下になるまで繰り返す。以下決定された電力をＰａ’とする。
【００５４】
次いで、磁気ヘッド１のスキュー角θの変動範囲の上限値になるように、磁気ヘッド１を移動させる。次いで、電熱膜２２ｂに通電し、サイドシールド２４ｂを加熱する。電熱膜２２ｂに投入する電力をＰｂとする。この状態でオーバーライト特性の評価を上記と同様に行う。この出力比が所定の条件を満たす場合、磁気ディスクの書き込み動作中、スキュー角θが０を超えるとき、電熱膜２２ｂに投入する電力はＰｂ１に決定する。この出力比が所定の条件を満たさない場合、電熱膜２２ｂに投入する電力を変えて、オーバーライト特性の評価を行うことを、出力比が所定の値を満たすまで繰り返す。以下決定された電力をＰｂ’とする。
【００５５】
磁気記憶装置の動作中、スキュー角θと電熱膜２２ａに投入される電力Ｐａ及び電熱膜２２ｂに投入される電力Ｐｂとの関係が以下の式（２）及び式（３）を満たすように動作させることで、スキュー角θの変動によらず、記録磁界強度をほぼ一定に保つことができる。
【００５６】
Ｐａ＝Ｐａ’、Ｐｂ＝０  （θｍｉｎ≦θ≦０）      式（２）
Ｐａ＝０、Ｐｂ＝Ｐｂ’  （０＜θ≦θｍａｘ）      式（３）
但し、Ｐａは電熱膜２２ａに投入する電力、Ｐｂは電熱膜２２ｂに投入する電力、Ｐａ’は電熱膜２２ａに投入する決定された電力、Ｐｂ’は電熱膜２２ｂに投入する決定された電力、θはスキュー角、θｍｉｎはスキュー角の最小値、θｍａｘはスキュー角の最大値である。
【００５７】
このようにすることで、サイドシールドが過度に磁束を吸収し記録磁界強度を著しく低下させるのを回避できる。結果として磁気ディスク高記録密度化が可能となる。
【００５８】
以下、第４実施形態の磁気ヘッドを用いた磁気記憶装置の使用の際、スキュー角θと、電熱膜２２ａ及び２２ｂへの投入電力との関係を決定する手段について、別の例を挙げて説明する。この決定手段は、例えば、磁気ヘッドの形状や材料のばらつきによって、サイドシールドの磁束吸収効果が必要以上に高い場合や、２つのサイドシールドの磁束吸収効果が異なる場合など、磁束吸収効果の補正を必要とする場合に採用される。
【００５９】
まず、磁気ヘッド１のスキュー角θの変動範囲の下限値になるように、磁気ヘッド１を移動させる。次いで、電熱膜２２ａ、２２ｂにそれぞれ通電し、サイドシールド２４ａ、２４ｂを加熱する。電熱膜２２ａに投入する電力ＰａをＰａ１とする。電熱膜２２ｂに投入する電力ＰｂをＰｂ１とする。この状態でオーバーライト特性の評価を行う。オーバーライト特性の評価は、既に述べた手順で行うことができる。更に、ＡＴＥ特性の評価を行う。ＡＴＥ特性は、例えば以下のように測定して得られる出力電圧の減衰率を用いて評価することができる。
【００６０】
（１）  記録媒体に記録トラックピッチを１２０ｎｍとし、隣接記録トラック３２ａ、及び３２ｂに１００ｋＦＣＩ（Ｆｌｕｘ  Ｃｈａｎｇｅ  ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）のビットパターンを書き込む。
【００６１】
（２）  隣接記録トラック３２ｂに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｉを測定する。
【００６２】
（３）  書き込み対象の記録トラック３１に、８００ｋＦＣＩのビットパターンを１０，０００回書き込む。
【００６３】
（４）  隣接記録トラック３２ｂに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｆを測定する。
【００６４】
（５）  以上のようにして求めたＶｉ及びＶｆから、式（４）で表される出力電圧の減衰率を求める。
【００６５】
（減衰率）＝｛（Ｖｉ−Ｖｆ）／Ｖｉ｝×１００      式（４）
この減衰率が小さいほど、ＡＴＥが抑制されていることを示す。
【００６６】
上記出力比及び減衰率が所定の条件を満たす場合、磁気ディスクの書き込み動作中、スキュー角θが０以下のとき、電熱膜２２ａに投入する電力はＰａ１に決定し、電熱膜２２ｂに投入する電力はＰｂ１に決定する。この出力比が所定の条件を満たさない場合、電熱膜２２ａ、２２ｂに投入する電力をそれぞれ個別に変えて、オーバーライト特性及びＡＴＥ特性の評価を行うことを、出力比及び減衰率が所定の値以下になるまで繰り返す。以下、決定された電熱膜２２ａに投入する電力をＰａ’、決定された電熱膜２２ｂに投入する電力をＰｂ’とする。
【００６７】
次いで、磁気ヘッド１のスキュー角θの変動範囲の上限値になるように、磁気ヘッド１を移動させる。次いで、電熱膜２２ａ、２２ｂにそれぞれ通電し、サイドシールド２４ａ、２４ｂを加熱する。電熱膜２２ａに投入する電力ＰａをＰａ２とする。電熱膜２２ｂに投入する電力ＰｂをＰｂ２とする。この状態でオーバーライト特性及びＡＴＥ特性の評価を上記と同様の手順で行う。この出力比が所定の条件を満たす場合、磁気ディスクの書き込み動作中、スキュー角θが０を超えるとき、電熱膜２２ａに投入する電力はＰａ２に、電熱膜２２ｂに投入する電力はＰｂ２に決定する。この出力比が所定の条件を満たさない場合、電熱膜２２ｂに投入する電力を変えて、オーバーライト特性及びＡＴＥ特性の評価を行うことを、出力比及び減衰率が所定の値を満たすまで繰り返す。決定された電熱膜２２ａに投入する電力をＰａ’’、決定された電熱膜２２ｂに投入する電力をＰｂ’’とする。
【００６８】
磁気記憶装置の動作中、スキュー角θと電熱膜２２ａに投入される電力Ｐａ及び電熱膜２２ｂに投入される電力Ｐｂとの関係が以下の式（５）及び式（６）を満たすように動作させることで、スキュー角θの変動によらず、記録磁界強度をほぼ一定に保つことができる。
【００６９】
Ｐａ＝Ｐａ’、Ｐｂ＝Ｐｂ’  （θｍｉｎ≦θ≦０）      式（５）
Ｐａ＝Ｐａ’’、Ｐｂ＝Ｐｂ’’  （０＜θ≦θｍａｘ）      式（６）
但し、Ｐａは電熱膜２２ａに投入する電力、Ｐｂは電熱膜２２ｂに投入する電力、Ｐａ’、Ｐａ’’は電熱膜２２ａに投入する決定された電力、Ｐｂ’、Ｐｂ’’は電熱膜２２ｂに投入する決定された電力、θはスキュー角、θｍｉｎはスキュー角の最小値、θｍａｘはスキュー角の最大値である。
【００７０】
このようにすることで、サイドシールドが過度に磁束を吸収し記録磁界強度を著しく低下させるのを回避できる。結果として磁気ディスク高記録密度化が可能となる。
【００７１】
上記実施形態の磁気ヘッドは、集積回路の製造に用いられるスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ法やエッチング法等を利用したパターニング技術、及び機械加工や研磨加工などの研磨技術を含む既存の薄膜製造プロセスを使用蒸着やスパッタリングなどを用いた成膜プロセスを用いて作成することができる。
【００７２】
図８〜図１３を用いて、第４実施形態に示す磁気ヘッドの製造工程を説明する。図８〜図１２は、第４実施形態に示す磁気ヘッドの製造工程において、記憶媒体に対向する面（浮上面２５）に垂直であり、且つ磁気ヘッドを構成する各層の積層方向の断面を示す概略図である。
【００７３】
まず、アルミナ・チタン・カーバイド（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）基板１２０上に、軟磁性体からなる再生素子用下部シールド１２、再生素子１３、及び軟磁性体からなる再生素子用上部シールド１４で構成される再生ヘッド部２６を形成する（図８Ａ）。なお、上記各部材は、アルミナからなる絶縁層１２１によって分離されている。なお、再生素子１３は、巨大磁気抵抗効果（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ：ＧＭＲ）素子、トンネル磁気抵抗効果（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ：ＴＭＲ）素子などの一般的なシールド型磁気抵抗効果素子が挙げられる。
【００７４】
次に、再生ヘッド部２６の形成された基板１２０の上に、スパッタ法及びリフトオフ法にてアルミナ膜１２２を形成する。次に、補助磁極１５に対応する空間が刳り貫かれたメッキ用レジストパターン(以下、メッキパターンと略す)を、電子線リソグラフィ法（又は、フォトリソグラフィ法。以後、電子線リソグラフィ法等と略す）によって形成する。ここに、Ｎｉ８０Ｆｅ２０層を電解メッキ法によって形成する。次に、スパッタ法によって、基板全面にアルミナ膜１２３を堆積する。その後、ＣＭＰ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ＆  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によって、表面を平坦化して、補助磁極１５及びアルミナ膜１２３を形成する（図８Ｂ）。
【００７５】
次に、再度、補助磁極１５を含む全面に、スパッタ法によりアルミナ膜１２４を形成する。その後、リフトオフ法によって、主磁極補助層接続部１７が形成される位置を開口する（図８Ｃ）。
【００７６】
次に、コイル１６に対応する空間が刳り貫かれたメッキパターンを、電子線リソグラフィ法等によって形成する。このメッキパターンに、Ｃｕ膜を電解メッキ法によって成膜し、コイル１６を形成する（図９Ａ）。
【００７７】
同様にして、Ｎｉ８０Ｆｅ２０（軟磁性体）からなる主磁極補助層１７を、電解メッキ法によって形成する。次に、スパッタ法によって、全面にアルミナ膜１２４を堆積する。その後、ＣＭＰ法によって、表面を平坦化する（図９Ｂ）。なお、アルミナ１２４の代わりに、樹脂を用いてもよい。
【００７８】
次に、同様にして、Ｎｉ８０Ｆｅ２０（軟磁性体）からなる主磁極補助層１８を、電解メッキ法によって形成する。次に、スパッタ法によって、全面にアルミナ膜１２５を堆積する。その後、ＣＭＰ法によって、表面を平坦化する（図９Ｃ）。なお、アルミナ１２５の代わりに、樹脂を用いてもよい。
【００７９】
次に、電熱膜２２ａ、２２ｂになるＴａ膜２２、絶縁膜２３ａ、２３ｂになるアルミナ膜２３、後工程のＣＭＰ法の際にストッパ層としてはたらくＳｉＯ２膜１４０をスパッタ法により形成する（図１３Ａ及び図１０Ａ）。図１３は、主磁極１９の加工過程を示す、スライダ浮上面（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）の断面図である。
【００８０】
次に、主磁極１９の平面形状に対応するレジスト膜１４１を形成する。主磁極１９を設けない平面位置にレジスト膜１４１が形成される（図１３Ｂ）。
【００８１】
次に、このレジスト膜１４１をマスクとして用いた反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）によって、Ｔａ膜２２、アルミナ膜２３、ＳｉＯ２膜１４０をエッチングし、更にレジスト膜を除去することにより、開口部１４２を形成する。また、電熱膜２２ａ、２２ｂ、絶縁膜２３ａ、２３ｂが形成される（図１３Ｃ、及び図１０Ｂ）。
【００８２】
次に、ギャップ層になるアルミナ膜２９を形成する（図１３Ｄ）。アルミナ膜２９の形成方法としては、開口部１４２の内部を被覆しやすい点から、化学気層成長法が好ましく用いられる。
【００８３】
次に、電界めっき法などにより主磁極になる磁性膜１９を形成する（図１３Ｅ）。次に、ＣＭＰ法により上部を平坦化し、主磁極となる磁性膜１９の不要な部分を除去することにより、開口部１４２に主磁極１９を残す（図１３Ｆ）。
【００８４】
次に、ＲＩＥ法により、サイドシールド用磁性膜が形成される箇所からＳｉＯ２膜１４０を除去する（図１３Ｇ）。このときアルミナに対してエッチング能力の低いＣＦ４やＣＨＦ３などのエッチングガスを用いることで、アルミナからなる絶縁膜２３ａ、２３ｂがエッチングストッパーとして働き、ＳｉＯ２膜のみを高精度に除去することが可能である。
【００８５】
次に、サイドシールド用磁性膜２４（例えばＮｉ９０Ａｌ１０）をスパッタ法等により堆積する（図１３Ｈ）。
【００８６】
次に、ＣＭＰ法より平坦化し、サイドシールド用磁性膜２４の不要な部分を除去する（図１３Ｉ、図１１Ａ）。
【００８７】
その後、電子線リソグラフィ法等とイオンミリングによって、コイル１６の引き出し線２０が形成される位置に開口部を設ける（図１１Ｂ）。
【００８８】
次に、引き出し線２０に対応する空間が刳り貫かれたメッキパターンを、電子線リソグラフィ法等によって形成する。ここに、Ｃｕ層を電解メッキ法によって形成し、引き出し線２０とする（図１２Ａ）。
【００８９】
次に、基板１２０全体に、保護膜としてアルミナ膜１２７をスパッタ法で堆積する（図１２Ｂ）。
【００９０】
最後に、基板１２０を切断し、必要に応じ浮上面側の研磨を行うことにより、スライダと、再生ヘッド部２６、及び記録ヘッド部２７とが一体形成されたチップが完成する。
【００９１】
上記製造工程では、補助磁極等の形成に電解メッキ法を用いたが、無電解メッキ法や、リフトオフ法を用いてもよい。
【実施例】
【００９２】
上記第４実施形態の磁気ヘッドの製造方法にしたがって、実施例の磁気ヘッドを作成した。各部の材質及び寸法は以下の通りである。基板１２０の材質はＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣだった。下部シールド１２の材質は、Ｎｉ８０Ｆｅ２０であり、その厚さは１．５μｍだっ
た。再生素子１３として、トンネル磁気抵抗効果素子が設けられた。再生素子１３のトラック幅は８０ｎｍだった。上部シールド１４の材質はＮｉ８０Ｆｅ２０であり、その厚さは１．５μｍだった。補助磁極（リターンヨーク）１５の材質はＮｉ８０Ｆｅ２０であり、その厚さは１．５μｍだった。コイル１６の材質はＣｕであり、その巻き数は３であり、その厚さは１．５μｍだった。主磁極補助層１７の材質はＮｉ８０Ｆｅ２０であり、その厚さは２．０μｍだった。主磁極補助層１８の材質はＮｉ８０Ｆｅ２０であり、その厚さは１．０μｍだった。
主磁極１９の材質はＦｅ７０Ｃｏ３０であり、その厚さは２００ｎｍであり、そのトラック幅は１００ｎｍであり、テーパ角度は８０°だった。コイル引き出し線２０の材質はＣｕであり、その厚さは１．５μｍだった。ギャップ層２９の材質はアルミナであり、そのギャップ長は８０ｎｍだった。電熱膜２２ａ、２２ｂの材質はＴａであり、その厚さは１００ｎｍだった。絶縁膜２３ａ、２３ｂの材質はアルミナであり、その厚さは３０ｎｍだった。サイドシールド２４ａ、２４ｂの材質はＮｉ９０Ａｌ１０であり、その厚さは２００ｎｍであり、キュリー温度は約１５０℃だった。絶縁膜１２１〜１２８の材質はアルミナだった。
【００９３】
（評価１）
作成した実施例の磁気ヘッドについて、オーバーライト特性、及び隣接トラックイレーズ（ＡＴＥ）特性を評価した。これらの評価には、スピンスタンドを用いた。磁気記録ヘッドの傾斜角度すなわちスキュー角θは＋１５°、ヘッド周速は１５ｍ／ｓとした。測定に使用した記録媒体は、軟磁性裏打ち層を有する垂直二層型磁気記憶媒体であり、記録層の保磁力は４．５ｋＯｅだった。記録層への書き込み中、サイドシールド２４ｂの温度が約１００℃になるように、電熱膜２２ｂへの投入電力を調整した。
【００９４】
〜オーバーライト特性の評価〜
オーバーライト特性は、以下のように測定して得られる出力電圧の出力比を用いて評価した。
【００９５】
（１）  記録媒体に記録トラックピッチを１２０ｎｍとし、４００ｋＦＣＩ（Ｆｌｕｘ
Ｃｈａｎｇｅ  ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）のビットパターンを書き込んだ。
【００９６】
（２）書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｉを測定した。
【００９７】
（３）  ４００ｋＦＣＩのビットパターンに、９５ｋＦＣＩのビットパターンを上書きした。
【００９８】
（４）  記録トラックに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、４００ｋＦＣＩ成分の出力電圧Ｖｆを測定した。
【００９９】
（５）  以上のようにして求めたＶｉ及びＶｆから、式（１）で表される出力電圧の出力比を求める。
【０１００】
（出力比／ｄＢ）＝２０・ｌｏｇ（Ｖｆ／Ｖｉ）      式（１）
この出力比の絶対値が大きいほど、先に書き込んだ４００ｋＦＣＩの信号が消去されていることを示し、書き込み能力が高いことを示す。
【０１０１】
〜ＡＴＥ特性の評価〜
ＡＴＥ特性は、以下のように測定して得られる出力電圧の減衰率を用いて評価した。ここでオーバーライト特性は、以下の手順で測定して得られる出力電圧の減衰率である。
【０１０２】
（１）  記録媒体に記録トラックピッチを１２０ｎｍとし、隣接記録トラック３２ａ、及び３２ｂに１００ｋＦＣＩ（Ｆｌｕｘ  Ｃｈａｎｇｅ  ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）のビットパターンを書き込んだ。
【０１０３】
（２）  隣接記録トラック３２ｂに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｉを測定した。
【０１０４】
（３）  書き込み対象の記録トラック３１に、８００ｋＦＣＩのビットパターンを１０，０００回書き込んだ。
【０１０５】
（４）  隣接記録トラック３２ｂに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｆを測定した。
【０１０６】
（５）  以上のようにして求めたＶｉ及びＶｆから、式（４）で表される出力電圧の減衰率を求めた。
【０１０７】
（減衰率）＝｛（Ｖｉ−Ｖｆ）／Ｖｉ｝×１００      式（４）
この減衰率が小さいほど、ＡＴＥが抑制されていることを示す。
【０１０８】
また、記録中に電熱膜２２ｂに通電を行わずに上記と同様の測定を行う比較実験を行った。
【０１０９】
（評価結果１）
＋１５°のスキュー角θを付与した状態で、電熱膜２２ｂに通電する場合（実施例）と通電しない場合（比較例）について、オーバーライト特性ならびにＡＴＥ特性を評価した結果を表１に示す。
【０１１０】
【表１】
2010061726.tif 000003
【０１１１】
オーバーライト特性は比較例よりも実施例の方が優れた値を示している。一方、ＡＴＥ特性は実施例と比較例を比較して同程度の値となっている。このことから、実施例の磁気ヘッドは、記録磁界強度の著しい低下を抑え、かつ、ＡＴＥも抑制できることが分かる。
【０１１２】
（評価２）
作成した実施例の磁気ヘッドについて、シーク時間と、サイドシールドが磁気遮蔽機能を失った状態からそれを回復するのに必要な時間との関係を評価した。これらの評価には、スピンスタンドを用いた。磁気記録ヘッドの傾斜角度すなわちスキュー角θは＋１５°とした。すなわち、記録トラックと磁気ヘッドの位置は、図４Ａに示される状態である。ヘッド周速は１５ｍ／ｓとした。測定に使用した記録媒体は、軟磁性裏打ち層を有する垂直二層型磁気記憶媒体であり、記録層の保磁力は４．５ｋＯｅだった。記録層への書き込
み中、サイドシールド２４ｂの温度が約１００℃になるように、電熱膜２２ｂへの投入電力を調整した。
【０１１３】
サイドシールド２４ｂの一部は記録トラック３１と対向しているため、サイドシールド２４ｂは書き込み動作を行う際に磁気遮蔽機能を失った状態、すなわち加熱された状態である必要がある。一方、サイドシールド２４ａは、主磁極１９が隣接トラック３２ａへ磁界を印加するのを防ぐため、磁気遮蔽機能を有する状態、すなわち温度の低い状態である必要がある。評価２では、シーク時間として想定される１ｍｓｅｃ間に、サイドシールド２４ａは磁気遮蔽機能を失った状態（加熱された状態における定常温度）から磁気遮蔽機能を有する状態（加熱される前の定常温度）に回復するか否かを評価した。以下、評価手順を説明する。
【０１１４】
[評価手順２−１：オーバーライト特性による評価]
（１）記録トラック３１に記録トラックピッチを１２０ｎｍとし、４００ｋＦＣＩ（Ｆｌｕｘ  Ｃｈａｎｇｅ  ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）のビットパターンを書き込んだ。
【０１１５】
（２）書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｉを測定した。
【０１１６】
（３）ビットパターンを書き込んだ記録トラックに主磁極１９が対向する状態で、電熱膜２２ａに３ｍｓｅｃの間通電し、サイドシールド２４ａを加熱した。
【０１１７】
（４）電熱膜２２ａへの通電を終了させると同時に、ビットパターンを書き込んだ記録トラックに主磁極１９が対向する状態で、電熱膜２２ｂへの通電を開始した。シーク時間として想定される１ｍｓｅｃの間通電し、サイドシールド２４ｂを加熱した。この間、サイドシールド２４ａは通電されておらず、冷却された。
【０１１８】
（５）電熱膜２２ｂへの通電を維持した状態で、４００ｋＦＣＩのビットパターンに、９５ｋＦＣＩのビットパターンを１ｍｓｅｃの間上書きした。
【０１１９】
（６）  記録トラックに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、４００ｋＦＣＩ成分の出力電圧Ｖｆを測定した。
【０１２０】
（７）  以上のようにして求めたＶｉ及びＶｆから、式（１）で表される出力電圧の出力比を求めた。
【０１２１】
（出力比／ｄＢ）＝２０・ｌｏｇ（Ｖｆ／Ｖｉ）      式（１）
[評価手順２−２：ＡＴＥ特性による評価]
（１）  記録トラック３１に記録トラックピッチを１２０ｎｍとし、隣接記録トラック３２ａ、及び３２ｂに１００ｋＦＣＩのビットパターンを書き込んだ。
【０１２２】
（２）  隣接記録トラック３２ｂに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｉを測定する。
【０１２３】
（３）  ビットパターンを書き込んだ記録トラックに主磁極１９が対向する状態で、電熱膜２２ａに３ｍｓｅｃの間通電し、サイドシールド２４ａを加熱した。
【０１２４】
（４）  電熱膜２２ａへの通電を終了させると同時に、ビットパターンを書き込んだ記録トラックに主磁極１９が対向する状態で、電熱膜２２ｂへの通電を開始した。シーク時間として想定される１ｍｓｅｃの間通電し、サイドシールド２４ｂを加熱した。この間、
サイドシールド２４ａは通電されておらず、冷却された。
【０１２５】
（５）  書き込み対象の記録トラック３１に、８００ｋＦＣＩのビットパターンを１ｍｓｅｃの間書き込んだ。
【０１２６】
（６）  （２）〜（５）を１０，０００回繰り返した。
【０１２７】
（７）  隣接記録トラック３２ｂに書き込んだビットパターンを再生ヘッドで読み出し、その出力電圧の振幅の平均値Ｖｆを測定した。
【０１２８】
（８）  以上のようにして求めたＶｉ及びＶｆから、式（４）で表される出力電圧の減衰率を求めた。
【０１２９】
（減衰率）＝｛（Ｖｉ−Ｖｆ）／Ｖｉ｝×１００      式（４）
（評価結果２）
上記手順で評価を行った場合（実施手順）と、それぞれ（３）の手順を行わないことを除き上記手順と同様の手順で評価を行った場合（比較手順）について、オーバーライト特性及びＡＴＥ特性を評価した結果を表２に示す。
【０１３０】
【表２】
2010061726.tif 000004
【０１３１】
実施手順と比較手順のオーバーライト特性は同じであり、実施手順と比較手順のＡＴＥ特性は同程度の値である。このことから、サイドシールドが磁気遮蔽機能を失った状態からそれを回復するのに必要な時間は、ヘッドのシーク時間よりも十分に短いことが分かった。
【０１３２】
ここで再び、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
（付記１）
主磁極と、
前記主磁極の側面に設けられ、該主磁極からの磁気を遮蔽可能なシールド層と、
前記主磁極と前記シールド層との間に設けられたギャップ層と、
前記シールド層を加熱する加熱手段と、
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
（付記２）
前記シールド層が、加熱により磁気遮蔽機能を失うことを特徴とする、付記１に記載の磁気ヘッド。
（付記３）
更に、前記主磁極の前記シールド層が設けられた反対側の側面に設けられ、磁気を遮蔽する別のシールド層と、
前記主磁極と前記別のシールド層との間に設けられた別のギャップ層とを有し、
前記主磁極は前記シールド層と前記別のシールド層との間に設けられていることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
（付記４）
更に、前記別のシールド層を加熱する別の加熱手段を有することを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッド。
（付記５）
前記別のシールド層が、加熱により磁気遮蔽機能を失うことを特徴とする、付記４に記載の磁気ヘッド。
（付記６）
前記加熱手段が、通電により熱を発生する電熱膜を有することを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
（付記７）
前記シールド層が通電により熱を発生することを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
（付記８）
前記シールド層の少なくとも一部が、前記主磁極のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する軟磁性材料から構成されていることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。（付記９）
前記ギャップ層が非磁性材料からなることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
（付記１０）
磁気情報を記録するための記録層を備える磁気記憶媒体と、
前記記録層に磁界を印加するための主磁極と、
前記主磁極の側面に設けられ、該主磁極からの磁気を遮蔽可能なシールド層と、
前記主磁極と前記シールド層との間に設けられたギャップ層と、
を有する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドの前記記憶媒体に対する位置に応じて、前記シールド層を加熱する加熱手段と
を有することを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１１）
前記別の加熱手段が、通電により熱を発生する別の電熱膜を含んでなることを特徴とする付記４に記載の磁気ヘッド。
（付記１２）
前記別のシールド層が通電により熱を発生することを特徴とする付記４に記載の磁気ヘッド。
（付記１３）
前記シールド層がＮｉを基とし、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｓｉの中から選択される少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
（付記１４）
前記加熱手段が、前記磁気ヘッドのスキュー角に応じて前記シールドを加熱する加熱手段であることを特徴とする付記１０に記載の磁気記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】図１は、本発明のヘッドスライダを備えた磁気記憶装置を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明のヘッドスライダを備えた磁気記憶装置を示す概略図である。
【図３】図３は、第１実施形態の磁気ヘッドの概略図である。
【図４】図４は、第１実施形態の磁気ヘッドが記憶媒体に対して記録を行う際の、磁気ヘッド及び記憶媒体の配置を示す上面図である。
【図５】図５は、第２実施形態の磁気ヘッドが記憶媒体に対して記録を行う際の、磁気ヘッド及び記憶媒体の配置を示す上面図である。
【図６】図６は、第３実施形態の磁気ヘッドが記憶媒体に対して記録を行う際の、磁気ヘッド及び記憶媒体の配置を示す上面図である。
【図７】図７は、第４実施形態の磁気ヘッドの概略図である。
【図８】図８は、第４実施形態の磁気ヘッドの製造工程を示した概略図である。
【図９】図９は、第４実施形態の磁気ヘッドの製造工程を示した概略図である。
【図１０】図１０は、第４実施形態の磁気ヘッドの製造工程を示した概略図である。
【図１１】図１１は、第４実施形態の磁気ヘッドの製造工程を示した概略図である。
【図１２】図１２は、第４実施形態の磁気ヘッドの製造工程を示した概略図である。
【図１３】図１３は、第４実施形態の磁気ヘッドの製造工程を示した概略図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１    磁気ヘッド
１２    下部シールド
１３    再生素子
１４    上部シールド
１５    補助磁極（リターンヨーク）
１６    コイル
１７    主磁極補助層
１８    主磁極補助層
１９    主磁極
２０    コイル引き出し線
２２ａ、２２ｂ    電熱膜
２３ａ、２３ｂ    絶縁膜
２４ａ、２４ｂ    サイドシールド
２５    浮上面
２６    再生ヘッド部
２７    記録ヘッド部
２９    ギャップ層
３１    書き込み対象の記録トラック
３２ａ、３２ｂ    隣接記録トラック
１００    磁気記憶装置（ＨＤＤ）
１０２    ハウジング
１０３    回転軸
１０４    磁気ディスク
１０５    ヘッドスライダ
１０６    サスペンション
１０７    アーム軸
１０８    キャリッジアーム
１０９    電磁アクチュエータ
１１１    ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）
１１２    マイクロコントロールユニット（ＭＣＵ）
１１３    リードチャネル（ＲＤＣ）及びサーボコントロール回路（ＳＶＣ）
１１４    ＲＡＭ
１１５    ＲＯＭ
１２０    基板
１２１〜１２８    絶縁層
１３１    ヘッドＩＣ（ＨＤＩＣ）
１３２    ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１３４    スピンドルモータ
１３６    ヒータ制御回路
１３７    ライトドライバ
１３８    リードプレアンプ
１３９    ヒータドライバ
１４０    ＳｉＯ２膜
１４１    レジスト膜
１４２    開口部
【図１】
2010061726.tif 000005
【図２】
2010061726.tif 000006
【図３】
2010061726.tif 000007
【図４】
2010061726.tif 000008
【図５】
2010061726.tif 000009
【図６】
2010061726.tif 000010
【図７】
2010061726.tif 000011
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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