(57)【要約】【課題】コストの増大をなくし、かつ、信号配線から外部に漏洩する不要電磁波を抑制し、特に信号配線の近隣に存在する電源・ＧＮＤプレーンや他の信号配線への干渉の影響を抑制する。【解決手段】基板構造は、第１の導体からなる配線と、絶縁体からなる絶縁層中に形成され、配線に接続するスルーホール又はビアと、スルーホール又はビアと間隔を置いて且つスルーホール又はビアの周囲を囲むように形成されたリング状導体と、リング状導体と同層に形成されると共に、リング状導体と間隔を置いて且つリング状導体を挟んでスルーホール又はビアと対抗するように形成された第２の導体とを備えている。【選択図】図１
2010016222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導体からなる配線と、
絶縁体からなる絶縁層中に形成され、前記配線に接続するスルーホール又はビアと、
前記スルーホール又はビアと間隔を置いて且つ前記スルーホール又はビアの周囲を囲むように形成されたリング状導体と、
前記リング状導体と同層に形成されると共に、前記リング状導体と間隔を置いて且つ前記リング状導体を挟んで前記スルーホール又はビアと対抗するように形成された第２の導体とを備えていることを特徴とする基板構造。
【請求項２】
請求項１に記載の基板構造において、
当該基板構造は、単層の基板構造であることを特徴とする基板構造。
【請求項３】
請求項１に記載の基板構造において、
当該基板構造は、多層の基板構造であることを特徴とする基板構造。
【請求項４】
請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の基板構造において、
前記第２の導体は、電源プレーンであることを特徴とする基板構造。
【請求項５】
請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の基板構造において、
前記第２の導体は、グランドプレーンであることを特徴とする基板構造。
【請求項６】
請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の基板構造において、
前記第２の導体は、信号配線であることを特徴とする基板構造。
【請求項７】
請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の基板構造において、
当該基板構造は、配線基板又は半導体チップを実装するパッケージ基板の基板構造であることを特徴とする基板構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板構造、特に、配線とビアとが接続されてなる信号配線を有する配線基板の基板構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の性能が急速に進化し、それに用いる半導体が高速化、多機能化、及び多ピン化してきている。これに伴い、半導体を実装する半導体パッケージ基板及び半導体パッケージを実装するマザーボードに要求される性能も高まってきている。そのため、半導体パッケージ基板及びマザーボード等の配線基板は、微細配線技術により、その要求に対応してきた。また、それら配線基板はしばしば多層構造とし、内層に電源プレーンやＧＮＤプレーンを設け、安定した電源供給やＧＮＤ電位を保持している。
【０００３】
しかしながら、急速に進化する半導体の高速化に伴い、信号配線から外部へ放射する不要電磁波（ノイズ）が問題視されている。それは、ノイズが他の信号配線や電源・ＧＮＤプレーンへ干渉することにより、自身及び他の信号品質の劣化を起こしたり、安定した電源供給が困難になったり、又は安定したＧＮＤ電位を保てなくなったりしてきている。
【０００４】
信号品質の向上に関して、例えば特許文献１に示す従来の配線基板の構造が提案されている。具体的に、図１０（ａ）は、従来の配線基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるXb-Xb線の断面図を示している。
【０００５】
図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板１０００において、表層信号配線２０１ａと内層信号配線２０１ｂとを導通させるために形成されたスルーホール２０２の周囲には、誘電体材料２０３を介して同心円筒状の導体２０４が形成されている。このような構造により、スルーホール２０２から放射される不要電磁波の抑制が可能となり、信号品質が向上する。
【特許文献１】特開２００３−６０３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記従来の配線基板１０００の構造では、同心円筒状の導体２０４を形成するために、通常の基板製造プロセスよりも時間・コストがかかるという問題があった。
【０００７】
前記に鑑み、本発明の目的は、通常の配線基板製造プロセスを用いることでコストの増大をなくし、かつ、信号配線から外部に漏洩する不要電磁波を抑制し、特に信号配線の近隣に存在する電源・ＧＮＤプレーンや他の信号配線への干渉の影響を抑制することが可能な基板構造、並びに、これを備えた配線基板又はパッケージ基板及びそれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明の基板構造は、本発明の基板構造は、第１の導体からなる配線と、絶縁体からなる絶縁層中に形成され、配線に接続するスルーホール又はビアと、スルーホール又はビアと間隔を置いて且つスルーホール又はビアの周囲を囲むように形成されたリング状導体と、リング状導体と同層に形成されると共に、リング状導体と間隔を置いて且つリング状導体を挟んでスルーホール又はビアと対抗するように形成された第２の導体とを備えている。
【０００９】
ここで、スルーホールとは、基板の上から下まで例えばドリルで貫通させ、その後めっき処理にて導通させるもののことを意味し、また、ビアとは、各層間毎を接続する例えば円筒状の導体のことを意味するものである。
【００１０】
本発明の基板構造において、当該基板構造は、単層の基板構造である。
【００１１】
本発明の基板構造において、当該基板構造は、多層の基板構造である。
【００１２】
本発明の基板構造において、第２の導体は、電源プレーンである。
【００１３】
本発明の基板構造において、第２の導体は、グランドプレーンである。
【００１４】
本発明の基板構造において、第２の導体は、信号配線である。
【００１５】
本発明の基板構造において、当該基板構造は、配線基板、又は半導体チップを実装するパッケージ基板の基板構造である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、通常の配線基板製造プロセスを用いることでコストの増大をなくし、かつ、信号配線から外部に漏洩する不要電磁波を抑制し、特に信号配線の近隣に存在する電源・ＧＮＤプレーンや他の信号配線への干渉の影響を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の各実施形態に係る配線基板について図面を参照しながら説明する。なお、本発明は下記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内において種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００１８】
（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る配線基板について、図１（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板の構造図であり、単層配線基板構造である場合について示しており、具体的には、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるIb-Ib線の断面図である。
【００１９】
本実施形態に係る配線基板１００では、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、誘電体材料４０の表裏面に導体層が形成されている。具体的に、表面側には、後述するスルーホールと接続する表層ランド２０ａ及び表層配線２０ｂが形成されており、表層ランド２０ａ及び表層配線２０ｂの周囲には、表層ランド２０ａと表層配線２０ｂとが物理的に接触しないようにフローティング導体２３が形成されており、さらに、フローティング導体２３と表層配線２０ｂとが物理的に接触しないようにＧＮＤプレーン２４が形成されている。また、表層ランド２０ａと表層配線２０ｂとがワイヤ３０によって電気的に接続されている。一方、裏面側には、後述するスルーホールと接続する裏面ランド２１ａ及び裏面配線２１ｂが形成されている。また、表層ランド２０ａと裏面ランド２１ａとを物理的に接続するスルーホール２２が誘電体材料４０中に形成されている。なお、ここで、ＧＮＤプレーン２４は電源プレーンであってもよいことは言うまでもない。
【００２０】
以下に、本発明の第１の実施形態に係る上記配線基板の製造方法について、図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【００２１】
図２（ａ）に示すように、表面側に表層導体５０を備え、裏面側に裏面導体６０を備える誘電体材料４０によって構成されるコア材を準備する。
【００２２】
次に、図２（ｂ）に示すように、表層導体５０及び裏面導体６０の各々をエッチングしてパターン化した後、電解めっき又は無電解めっき等によってめっき処理を行う。これにより、誘電体材料４０の表面には、表層ランド２０ａ、表層配線２０ｂ、ＧＮＤプレーン２４、及びフローティング導体２３が形成され、誘電体材料４０の裏面には、裏面ランド２１ａ及び裏面配線２１ｂが形成される。
【００２３】
次に、図２（ｃ）に示すように、誘電体材料４０中に、表層ランド２０ａと裏面ランド２１ａとを物理的に接続するスルーホール２２を形成し、さらに、表層ランド２０ａと表層配線２０ｂとを接続するワイヤ３０を形成する。なお、通常、この後に、誘電体材料４の表裏面にレジスト工程が施される（図示せず）。
【００２４】
以上のようにして、本実施形態に係る単層の配線基板を製造することができる。
【００２５】
本実施形態に係る配線基板及びその製造方法によると、フローティング導体２３は、表層ランド２０ａ及びスルーホール２２から放射されるノイズがＧＮＤプレーン２４へ漏洩することを防止することができると共に、フローティング導体２３の外部から表層ランド２１ａ及びスルーホール２２へノイズが伝わることを防止することができる。この理由は、ＧＮＤプレーン２４が通常最も隣接している表層ランド２０ａ及びスルーホール２２からのノイズの影響を最も受けやすいが、フローティング導体２３を間に介在させることにより、表層ランド２０ａ及びスルーホール２２から放射されるノイズの多くがフローティング導体２３に伝播するため、ＧＮＤプレーン２４に伝播するノイズ量を抑制することができるからである。さらに、上記図２（ａ）〜（ｃ）を用いて説明した配線基板の製造方法によると、フローティング導体２３が存在しない場合の製造方法と特に変わるものではなく、これまでの製造方法を踏襲できるため、製造工数が増加することがないため、単層配線基板の生産効率が低下することはない。
【００２６】
なお、本実施形態では、表層ランド２０ａと表層配線２０ｂとを接続する媒体がワイヤ３０である場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、フローティング導体２３に電気的に接続されていなければ、チップ素子又は金属板などの他の構造を採用してもよい。
【００２７】
なお、本実施形態では、配線基板の内層に導体層を設けていない場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、内層に導体層を有してもかまわない。
【００２８】
ここで、本発明の第１の実施形態に係る配線基板によって得られる効果について、汎用電磁界解析ツールを用い、Ｓパラメータシミュレーションによる検証を行った結果に基づいて説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は、検証に用いた配線基板の構造を示す斜視図であり、具体的には、（ａ）は、(i)フローティング導体付き基板（本発明）であり、（ｂ）は、(ii)フローティング導体無し基板（プレーン開口径は(i)と同一である）（比較例１）と、（ｃ）は、(iii)フローティング導体無し基板（プレーン開口径は(i)、(ii)よりも狭い）（比較例２）である。これらの３種類を用いて検証を行った。なお、シミュレーションでは、スルーホール２２自身の特性及びスルーホール２２から放射される特性を評価するため、図１（ａ）で示した表層配線２０ｂ、裏面配線２１ｂ、ワイヤ３０は検証構造に含めていない。
【００２９】
また、図３（ａ）に示す本実施形態の配線基板の構造は、スルーホール２２の径が０．７ｍｍ、表層ランド２０ａ及び裏面ランド２１ａの径が１．２ｍｍ、フローティング導体２３は内径２．０ｍｍ、外形３．０ｍｍ、ＧＮＤプレーン２４ａの開口径４．０ｍｍとしている。図３（ｂ）に示す比較例１の配線基板の構造は、（ａ）の構造においてフローティング導体２３が無い構造である。図３（ｃ）に示す比較例２の配線基板の構造は、（ａ）の構造においてフローティング導体２３が無く、かつ、ＧＮＤプレーン２４ｂの開口径が２．０と（ａ）に比べて狭い構造である。また、各導体は、厚み０．１ｍｍの完全導体で、誘電体材料４０は厚み０．２ｍｍ、誘電率４．５としている。解析端子は、（ａ）〜（ｃ）のそれぞれにおいて、表層ランド２０ａ及び裏面ランド２１ａに１箇所ずつ、さらに、ＧＮＤプレーン２４ａ（２４ｂ）に２箇所、合計４箇所に設けている。
【００３０】
図４（ａ）及び（ｂ）は、上記図３（ａ）〜（ｃ）に示した配線基板の構造を用いた検証結果を示している。評価項目は、表層ランド２０ａからスルーホール２２を介して裏面ランド２１ａに伝播する透過特性（図４（ａ））と、表層ランド２０ａからＧＮＤプレーン２４へ伝播するクロストーク特性（図４（ｂ））との２種類である。なお、透過特性は０ｄＢに近いほど良い特性を示し、クロストーク特性は０ｄＢから遠いほど良い特性を示す。
【００３１】
図４（ａ）によると、スルーホール２２の透過特性は、本実施形態の構造（図３（ａ））がどの周波数帯（〜１５ＧＨｚ）においても最も良い特性を示しており、比較例１（図３（ｂ））と比べると２倍以上、比較例２（図３（ｃ））と比べると４倍以上の良好な特性が得られていることが分かる。
【００３２】
また、図４（ｂ）によると、スルーホール２２からＧＮＤプレーン２４ａ（２４ｂ）へ伝播するクロストーク特性においても、本実施形態の構造（図３（ａ））がどの周波数帯（〜１５ＧＨｚ）においても最も良い特性を示していることが分かる。
【００３３】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る配線基板について、図５（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板の構造図であり、多層配線基板構造である場合について示しており、具体的には、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるVb-Vb線の断面図である。
【００３４】
本実施形態に係る配線基板２００では、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、表面側の１層目配線１と裏面側の４層目配線２とを接続するスルーホール３が、誘電体材料４を介して、配線基板２００の内部を貫通して形成されている。また、配線基板２００の内層において、スルーホール３の周囲には、誘電体材料４を介してフローティング導体５ｂ、６ｂが形成されており、該フローティング導体５ｂ、６ｂの周囲には、誘電体材料４を介して電源プレーン５ａ、ＧＮＤプレーン６ａが形成されている。なお、ここでは、２層目に電源プレーン５ａ、３層目にＧＮＤプレーン６ａが形成されている場合を説明したが、これに限定されるものではなく、２層目にＧＮＤプレーン６ａ、３層目に電源プレーン５ａが形成されている場合であってもよい。
【００３５】
ここで、１層目配線１、４層目配線２、スルーホール３、電源プレーン５ａ、ＧＮＤプレーン６ａ、フローティング導体５ｂ、６ｂは、例えば、銅、銀、ニッケルなどの導電性材料からなる。また、誘電体材料４は、例えば、樹脂、セラミックなどの誘電体材料からなる。
【００３６】
以上のように、本実施形態に係る配線基板２００では、スルーホール３が電源プレーン５ａ、ＧＮＤプレーン６ａに設けられた開口部８（図５（ｂ）参照）の間を貫通しており、かつ、開口部８には、電源プレーン５ａ、ＧＮＤプレーン６ａ、及びスルーホール３に接触しないように、電源層５及びＧＮＤ層６（後述）に設けられたフローティング導体５ｂ、６ｂが形成されている。
【００３７】
以下に、本発明の第２の実施形態に係る上記配線基板の製造方法について、図６（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【００３８】
図６（ａ）に示すように、表面側に電源層５を備え、裏面側にＧＮＤ層６を備える誘電体材料４によって構成されるコア材を準備する。なお、ここでは、２層目に電源層５、３層目にＧＮＤ層６が形成される場合を説明したが、これに限定されるものではなく、２層目にＧＮＤ層６、３層目に電源層５が形成される場合であってもよい。
【００３９】
次に、図６（ｂ）に示すように、電源層５及びＧＮＤ層６の各々をエッチングしてパターン化した後、電解めっき又は無電解めっき等によってめっき処理を行う。これにより、誘電体材料４の表面には、電源プレーン５ａが形成されると共に、該電源プレーン５ａの開口部８の内側にフローティング導体５ｂが形成される。また、誘電体材料４の裏面には、ＧＮＤプレーン６ａが形成されると共に、該ＧＮＤプレーン６ａの内側にフローティング導体６ｂが形成される。
【００４０】
次に、図６（ｃ）に示すように、誘電体材料４の表面側に、電源プレーン５ａ及びフローティング導体５ｂを覆うように、誘電体材料４及び１層目導体を形成すると共に、誘電体材料４の裏面側に、ＧＮＤプレーン６ａ及びフローティング導体６ｂを覆うように、誘電体材料４及び４層目導体を形成した後、１層目導体及び４層目導体をエッチングしてパターン化し、電解めっき又は無電解めっきなどによりめっき処理を行うことにより、１層目配線１及び４層目配線２を形成する。さらに、第１の実施形態と同様に、誘電体材料４中に、１層目配線１と４層面配線２とを物理的に接続するスルーホール３を形成する。なお、通常、この後に、誘電体材料４の表裏面にレジスト工程が施される（図示せず）。
【００４１】
以上のようにして、本実施形態に係る多層の配線基板を製造することができる。
【００４２】
本実施形態に係る配線基板及びその製造方法によると、フローティング導体５ｂ、６ｂは、スルーホール３から放射されるノイズが電源プレーン５ａ及びＧＮＤプレーン６ａへ漏洩することを防止することができると共に、フローティング導体５ｂ及び６ｂの外部からスルーホール３へノイズが伝わることを防止することができる。この理由は、電源プレーン５ａとＧＮＤプレーン６ａが通常最も隣接しているスルーホール３からのノイズの影響を最も受けやすいが、フローティング導体５ｂ及び６ｂを間に介在させることで、スルーホール３から放射されるノイズがフローティング導体５ｂ及び６ｂに伝播するため、電源プレーン５ａ及びＧＮＤプレーン６ａに伝播するノイズ量を抑制することができるからである。また、好ましくは、各層の誘電体材料４の厚みと導体の厚みとが近いほど、上記効果が発揮されやすい。また、基板構造が多層になるほど、同様に上記効果が発揮されやすい。さらに、図６（ａ）〜（ｃ）を用いて説明した配線基板の製造方法によると、フローティング導体５ｂ及び６ｂが存在しない場合の製造方法と特に変わるものではなく、これまでの製造方法を踏襲できるため、製造工数が増加することがないため、多層配線基板の生産効率が低下することはない。
【００４３】
なお、本実施形態では、配線基板の構造が４層基板構造である場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば６層基板構造又は８層基板構造であってもよい。また、本実施形態では、配線が基板の表面及び裏面に設けられた場合について説明したが、内層に設けられた構造であってもよい。
【００４４】
なお、本実施形態による上記効果の検証に関しては、第１の実施形態において単層配線基板を用いた検証と同様であるため、ここではその説明を省略する。
【００４５】
（第３の実施形態）
以下に、本発明の第３の実施形態に係る配線基板について、図７（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る配線基板の構造図であり、単層配線基板構造である場合について示しており、具体的には、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるVIIb-VIIb線の断面図である。
【００４６】
本実施形態に係る単層配線基板３００では、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、誘電体材料４０の表裏面に導体層が形成されている。具体的に、表面側には、後述するスルーホールと接続する表層ランド２０ａ及び表層配線２０ｂが形成されており、表層ランド２０ａ及び表層配線２０ｂの周囲には、表層ランド２０ａと表層配線２０ｂとが物理的に接触しないようにフローティング導体２３が形成されている。さらに、フローティング導体２３及び表層配線２０ｂの周囲には、フローティング導体２３及び表層配線２０ｂと物理的に接触しないように他の表層配線５３が形成されている。また、表層ランド２０ａと表層配線２０ｂとがワイヤ３０によって電気的に接続されている。一方、裏面側には、後述するスルーホールと接続する裏面ランド２１ａ及び裏面配線２１ｂが形成されている。また、表層ランド２０ａと裏面ランド２１ａとを物理的に接続するスルーホール２２が誘電体材料４０中に形成されている。
【００４７】
なお、本実施形態に係る配線基板の製造方法に関しては、第１の実施形態（図２（ａ）〜（ｃ））にて説明したＧＮＤプレーン５ａを上記表層配線５３に置き換えれば、同様に実施可能であるから、ここではその説明は省略する。
【００４８】
本実施形態に係る配線基板及びその製造方法によると、フローティング導体２３は表層ランド２０ａ及びスルーホール２２から放射されるノイズが他の表層配線５３へ漏洩することを防止することができると共に、フローティング導体２３の外部から表層ランド２０ａ及びスルーホール２２へノイズが伝わることを防止することができる。この理由は、他の表層配線５３が通常最も隣接している表層ランド２０ａ及びスルーホール２２からのノイズの影響を最も受けやすいが、フローティング導体２３を間に介在させることで、表層ランド２０ａ及びスルーホール２２から放射されるノイズの多くがフローティング導体２３に伝播するため、他の表層配線５３に伝播するノイズ量を抑制することができるからである。さらに、本実施形態の製造方法によると、フローティング導体２３が存在しない場合の製造方法と特に変わるものではなく、これまでの製造方法を踏襲できるため、製造工数が増加することがないため、単層配線基板の生産効率が低下することはない。
【００４９】
なお、本実施形態では、表層ランド２０ａと表層配線２０ｂとを接続する媒体がワイヤ３０である場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、フローティング導体２３に電気的に接続されていなければ、チップ素子又は金属板などの他の構造を採用してもよい。
【００５０】
なお、本実施形態では、配線基板の内層に導体層を設けていない場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、内層に導体層を有してもかまわない。
【００５１】
なお、本実施形態による上記効果の検証に関しては、第１の実施形態において単層配線基板を用いた検証と同様であるため、ここではその説明を省略する。
【００５２】
（第４の実施形態）
以下に、本発明の第４の実施形態に係る配線基板について、図８（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図８（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係る配線基板の構造図であり、多層配線基板構造である場合について示しており、具体的には、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるVIIIb-VIIIb線の断面図である。
【００５３】
本実施形態に係る配線基板４００では、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、表面側の１層目配線１と裏面側の４層目配線２とを接続するスルーホール３が、誘電体材料４を介して、配線基板４００の内部を貫通して形成されている。また、配線基板４００の内層において、スルーホール３の周囲には、誘電体材料４を介してフローティング導体５１ｂ、５２ｂが形成されており、該フローティング導体５１ｂ、５２ｂの周囲には、誘電体材料４を介して２層目配線５１ａ、５２ａが形成されている。
【００５４】
ここで、１層目配線１、４層目配線２、スルーホール３、２層目配線５１ａ、３層目配線５２ａ、フローティング導体５１ｂ、５２ｂは、例えば、銅、銀、ニッケルなどの導電性材料からなる。また、誘電体材料４は、例えば、樹脂、セラミックなどの誘電体材料からなる。導電性材料からなり、導電性材料の具体例としては、例えば、銅、銀、ニッケル等が挙げられる。
【００５５】
以上のように、本実施形態における配線基板４００では、スルーホール３が２層目配線５１ａ及び３層目配線５２ａの間を貫通しており、かつ、スルーホール３、２層目配線５１ａ及び３層目配線５２ａに接触しないように、フローティング導体５１ｂ、５２６ｂが形成されている。
【００５６】
なお、本実施形態に係る配線基板の製造方法に関しては、第２の実施形態（図６（ａ）〜（ｃ） ）にて説明したＧＮＤプレーン５ａ及び電源プレーン６ａをそれぞれ上記２層目配線５１ａ、３層目配線５２ａに置き換えれば、同様に実施可能であるから、ここではその説明は省略する。
【００５７】
本実施形態に係る配線基板及びその製造方法によると、フローティング導体５１ｂ、５２ｂは、スルーホール３から放射されるノイズが２層目配線５１ａ、３層目配線５２ａへ漏洩することを防止することができると共に、フローティング導体５１ｂ、５２ｂの外部からスルーホール３へノイズが伝わることを防止することができる。この理由は、２層目配線５１ａと３層目配線５２ａが通常最も隣接しているスルーホール３からのノイズの影響を最も受けやすいが、フローティング導体５１ｂ、５２ｂを間に介在させることで、スルーホール３から放射されるノイズがフローティング導体５１ｂ、５２ｂに伝播するため、２層目配線５１ａ及び３層目配線５２ａに伝播するノイズ量を抑制することができるからである。また、好ましくは、各層の誘電体材料４の厚みと導体の厚みとが近いほど、上記効果が発揮されやすい。また、基板構造が多層になるほど、同様に上記効果が発揮されやすい。さらに、本実施形態の配線基板の製造方法によると、フローティング導体５１ｂ及び５２ｂが存在しない場合の製造方法と特に変わるものではなく、これまでの製造方法を踏襲できるため、製造工数が増加することがないため、多層配線基板の生産効率が低下することはない。
【００５８】
なお、本実施形態では、配線基板の構造が４層基板構造である場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば６層基板構造又は８層基板構造であってもよい。また、本実施形態では、配線が基板の表面及び裏面に設けられた場合について説明したが、内層に設けられた構造であってもよい。
【００５９】
なお、本実施形態による上記効果の検証に関しては、第１の実施形態において単層配線基板を用いた検証と同様であるため、ここではその説明を省略する。
【００６０】
（第５の実施形態）
以下に、本発明の第５の実施形態に係る半導体パッケージについて、図９（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図９（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第５の実施形態に係る半導体パッケージの構造図であり、具体的には、（ａ）は第１の実施形態で説明した単層配線基板１００をパッケージ基板５００に用いた場合の断面図であり、（ｂ）は第２の実施形態で説明した多層配線基板２００をパッケージ基板６００に用いた場合の断面図である。
【００６１】
本実施形態に係る半導体パッケージ５１０、６１０は、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、一般的な構造に用いられる、半導体チップ７０、ダイボンド材７１、ワイヤ７２、モールド材７３、ソルダーボール７４に加えて、図９（ａ）の半導体パッケージ５１０では、上記第１の実施形態の図１（ａ）及び（ｂ）で示した配線基板１００を用いており、図９（ｂ）の半導体パッケージ６１０では、上記第２の実施形態の図５（ａ）及び（ｂ）で示した配線基板２００を用いている。なお、図９（ａ）上、裏面ランド２１ａ及び裏面配線２１ｂは裏面導体２１としてまとめて示している。
【００６２】
図９（ａ）及び（ｂ）に示したように、本発明の上記第１及び第２の実施形態で説明した構造を半導体パッケージに用いるパッケージ基板に適用した場合であっても、基板自体の役割は変わらないため、第１及び第２の実施形態と同様に、スルーホール（３、２２）から放射されるノイズを抑制し、かつ、信号品質の向上が得られる。
【００６３】
なお、本実施形態では、第１の実施形態にて説明した配線基板１００及び第２の実施形態にて説明した配線基板２００を用いた半導体パッケージを例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第３の実施形態にて説明した配線基板３００及び第４の実施形態にて説明した配線基板４００を用いて半導体パッケージを構成する場合であっても同様に上記効果が得られる。
【００６４】
なお、本実施形態による上記効果の検証に関しては、第１の実施形態において単層配線基板を用いた検証と同様であるため、ここではその説明を省略する。
【００６５】
また、以上の各実施形態では、フローティング導体（５ｂ、６ｂ、２３、５１ｂ、５２ｂ）が連続的に形成された導体からなる構造を有する場合について説明したが、フローティング導体が断続的に形成された導体からなる構造を有する場合であってもよい。
【００６６】
また、以上の各実施形態では、スルーホールを使用した配線基板の構造及びその製造方法について説明したが、本発明は基板の種類には限定されるものではなく、例えば一般的に知られたビルドアップ基板、ＡＬＩＶＨ基板など、ビアやスルーホールを使用する配線基板であれば実現可能である。例えばビアを使用する配線基板の場合には、ビアは所定の層間だけに設けることもできるため、設計の自由度が高いという利点がある。なお、スルーホール及びビアの定義は、上述した通りである。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、配線基板において、特別な製造プロセスを使用することなく、スルーホール又はビアと接続するから放射されるノイズが外部に漏洩するのを抑制し、かつ、スルーホール又はビアの信号特性を向上させることができるので、スルーホール又はビアを有する配線基板構造にとって有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板の構造図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【図３】（ａ）  〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係るシミュレーションに用いた配線基板の構造図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るシミュレーション結果を示す図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板の構造図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る配線基板の構造図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係る配線基板の構造図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第５の実施形態に係る半導体パッケージの構造図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、従来に係る配線基板の構造図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００、３００、５００  配線基板（単層）
２００、４００、６００  配線基板（多層）
５１０、６１０  半導体パッケージ
１、２０ｂ  表層配線
２、２１ｂ  裏面配線
３、２２  スルーホール
５ａ  電源プレーン
５  電源層
６  ＧＮＤ層
２０ａ  表層ランド
２１ａ  裏面ランド
２１  裏面導体
２４、６ａ  ＧＮＤプレーン
３０、７２  ワイヤ
５ｂ、６ｂ、２３、５１ｂ、５２ｂ  フローティング導体
４、４０  誘電体材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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