(57)【要約】【課題】外部から照射される電磁波暴露により電子機器または電子回路に発生する電磁界の強度を照射される電磁界の影響を受けることなく測定できる電磁界センサを提供する【解決手段】電磁界センサ（Ｓ１）は、光応用電磁界センサ（４）と、光応用電磁界センサ（４）の測定方向（Ａｘ）に垂直な面（Ｐｖ）で光応用電磁界センサ（４）に接着された第１電波吸収ブロック１１とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光応用電磁界センサ部と、
前記光応用電磁界センサ部の測定方向に垂直な面で前記光応用電磁界センサ部に接着された第１の電波吸収ブロックとを備える電磁界センサ。
【請求項２】
前記第１の電波吸収ブロックは、前記光応用電磁界センサ部が電界・光変換素子である場合は、誘電率εｒが１５０以上、４００以下で導電率δが１以上１×１０６以下であり、
前記光応用電磁界センサ部が磁界・光変換素子である場合は、比透磁率μｒが２０以上、１０，０００以下で導電率δが１以上１×１０の６乗以下である請求項１に記載の電磁界センサ。
【請求項３】
前記第１の電波吸収ブロックは、前記光応用電磁界センサ部との接着面の中心に前記光応用電磁界センサ部が配され、前記光応用電磁界センサ部の面積の３倍以上の面積を有する請求項１または請求項２のいずれに記載の電磁界センサ。
【請求項４】
前記第１の電波吸収ブロックは、前記測定方向に対して垂直な面で接着された複数の電波吸収ブロックからなる請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電磁界センサ。
【請求項５】
前記電波吸収ブロックは、前記光応用電磁界センサ部に近いものほど、誘電率若しくは比透磁率が低い請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電磁界センサ。
【請求項６】
前記電波吸収ブロックの端面は、テーパ状である請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電磁界センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波照射によって電子機器に生じる電磁界強度を測定するために用いられる電磁波測定用の電磁界センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の電子機器から発生する電磁波の不要輻射による妨害を最小限に抑えるために、多くの国で規制が設けられている。例えば海外では、ＦＣＣ（アメリカ連邦通信委員会）、ＣＩＳＰＲ（国際無線障害特別委員会）、およびＶＤＥ（ドイツ電気技術者協会）等の機関による規格が設けられている。
【０００３】
我国においても、ＶＣＣＩ（情報処理装置等電波障害自主規制協議会）による自主規制規格が決められており、電子機器製造メーカにおいて各種の電子機器から発生する不要輻射を抑える対策を行なうことが図られている。これらの規格は、実質上の法規制的な位置づけとなっている。
【０００４】
それらの規格による不要輻射測定方法として、不要輻射の発生源である電子機器から所定の遠方距離だけ隔てた位置での電界強度を測定するものがある。この方法における測定環境や測定器は特殊なものであり、測定にはかなりの専門技術を必要とする。この規格測定法では、３ｍまたは１０ｍの遠方で電界強度が測定される。これは一般にＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒａｎｃｅ）試験と呼ばれている。
【０００５】
さらに、電子機器から発生する電磁界の不要輻射ばかりでなく、その逆に、電子機器が外部からの電磁界に対して、誤動作を生じないための電磁界からの耐性を評価することも前述した不要輻射と同様に規格によって各国で規制が設けられている。これは一般にＥＭＳ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ）試験と呼ばれている。ＥＭＳ試験では、電子機器から放射される電界強度を測定するＥＭＩ試験とは逆に、電子機器に対して強い電界を３ｍの遠方から照射する方法が一般的に行われている。
【０００６】
一方、近年の無線機器が一般に浸透している（例えば、一人一台とも言えるまでに普及した携帯電話無線機、無線ＬＡＮ、およびデータ通信端末など）社会においては、電子機器が無線機から放射される電磁波に暴露、すなわち、電磁波が照射される機会が増している。加えて、携帯無線機のような端末の近傍においては非常に大きな電磁界が存在する。例えば、周波数１ＧＨｚで電力１Ｗにおける無線機から１００ｍｍ離れた場所における電界強度（実効値）は１００Ｖ／ｍにも達する場合がある。この値は、３ｍ法のＥＭＩ試験の規制値の１００μＶ／ｍの１０の６乗（１００万倍）という大きな値である。
【０００７】
近年の電子機器は、小型かつ高機能化（電子回路の高密度化）を実現させながらも、大きな電磁波照射に対しても誤動作をしないという要求を満たさなければならない。この意味においてもＥＭＳ試験、さらには耐電磁波設計技術が非常に重要である。ＥＭＳ試験では、例えば国内においては３０ＭＨｚから１ＧＨｚまでしか規定されていない。しかし、近年の無線端末が普及した社会では、携帯電話に関しては８００ＭＨｚから２．１ＧＨｚ、無線ＬＡＮにおいては２．４ＧＨｚおよび５．２ＧＨｚという非常に高帯域な周波数に対応した耐電磁波設計が必要である。
【０００８】
ＥＭＩ試験で評価される電子機器からの不要輻射問題を解決および対策する場合、問題となる要因箇所が電子機器内に存在する回路ブロックからの電磁波放射が対象である。そのために、電子機器の機能や内部回路などを熟知した設計者であれば、電子機器自らが放
射する電磁波の挙動を推測して、対策を行うことは比較的簡単である。しかしながら、ＥＭＳ試験評価のように、電子機器外部から照射された電磁界が電子機器内部の回路に対してどのような挙動を示し、どのような影響を及ぼすのかを推測することは非常に難しい。そのために、ＥＭＳ試験で一旦誤動作などの問題が起こるとその対策には膨大な時間を要する。
【０００９】
電磁波測定においては、電磁界強度の検出値に対する、電子機器自身から放射される電磁界の影響をなくすため、あるいは外乱などの周囲の電磁界からの影響を防ぐために光応用の電界センサ（例えば、特許文献１）を用いる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭５６−１５７８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来の電磁界センサは、上述のようにＥＭＩ試験評価のように電子機器または電子回路から輻射する電磁波を測定できる。しかしながら、ＥＭＳ試験評価のように電子機器または電子回路外部から強い電磁界を照射させながら、電子機器または電子回路内部に発生する電磁界は測定できないと言う課題がある。これは前述のように電子機器から放射される電磁界が非常に小さく、外部から照射される電磁界が大きいことが原因である。つまり、電磁界センサが外部から照射される電磁界を測定し、その影響によって電子機器または電子回路内部に発生する電磁界を検出できない。
【００１２】
また、本来照射される電磁波による電磁界測定のためには、電子機器または電子回路に対して均一に電磁界を照射しなければならない。しかしながら、電磁界測定のために、電磁界センサを電磁波が照射される電子機器または電子回路の近傍に配置することによって、配置された電磁界センサにより照射電磁界が乱される。結果、ＥＭＳ試験評価が正しくできないという課題もある。さらに、前述の課題に加えて、近年の高帯域な周波数利用の無線機器に対応した電磁界測定に対応しなければならないという課題もある。
【００１３】
以下に、図５、図６、および図７を参照して、従来の電磁界センサにおける課題について説明する。図５に示すように、従来一般的に広く行われているＥＭＳ試験においては、被測定物１である電子機器または電子回路は、照射用アンテナ２から所定の照射距離Ｒだけ離れた位置に配置される。
【００１４】
照射用アンテナ２としては、磁界照射の場合にはループアンテナが用いられ、電界照射の場合にはバイコニカルアンテナが良く用いられる。電界照射の場合の通常規格では、被測定物１（電子機器または電子回路）の場所における電界は３Ｖ／ｍである。なお、照射距離Ｒは３ｍが一般的である。
【００１５】
ＥＭＳ試験は照射用アンテナ２から照射される電磁波が外部の通信や人体などに影響を与えないように、また、被測定物１である電子機器や電子回路からの電磁波が床面や壁面で反射して、電子機器または電子回路に加わらないように電波暗室内で行わる。そして、照射用アンテナ２で電磁波を照射しながら、かつ、電磁波の周波数を変更しながら、被測定物１である電子機器または電子回路をターンテーブルにより回転させ、耐電磁特性を評価する。
【００１６】
このとき被測定物１（電子機器または電子回路）は通常の機能を保持させた状態、すなわち、電源投入状態となっている。このようなＥＭＳ試験において、被測定物１（電子機
器または電子回路）に誤動作などの問題が生じた場合には、ＥＭＳ試験をクリアするために、回路定数の変更や電子機器の構造の変更（例えば、バイパスコンデンサの定数変更やシールドケースまたはフェライトコアの追加）などの対策を行う。しかしながら、電磁波照射による電子回路（被測定物１）への影響箇所を探索することは、非常に時間を要する。電磁波照射により影響を受ける回路の箇所を特定するためには、照射電磁界により生じた電子機器または電子回路の近傍における電磁界を測定する必要がある。
【００１７】
そこで、図６に示すように光応用電磁界センサを用いて、電子機器および電子回路近傍の電磁界を測定することで、問題となる箇所を探索する。前述したようにＥＭＳ対策のために、照射電磁界により生じた電子機器または電子回路の近傍における電磁界を測定するには、同図に示すように、被測定物１である電子機器または電子回路と照射用アンテナ２との間で、かつ、電子機器または電子回路の極近傍に光応用電磁界センサ４を配置しなければならない。極近傍とは、例えば、距離は１ｍｍ程度であり光応用電磁界センサ４の厚み程度である。なお、光応用電磁界センサ４は、ＥＯ素子４ｅあるいはＭＯ素子４ｍで構成される光応用素子である。この意味において、ＥＯ素子４ｅおよびＭＯ素子４ｍを応用電磁界センサ４と総称する。
【００１８】
なお、ＥＯ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ）素子は電界・光変換素子であり、ＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ−Ｏｐｔｉｃａｌ）素子は磁界・光変換素子である。両素子により変換された光は光ファイバ５を通り、ＯＥ（Ｏｐｔｉｃａｌ−Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ）変換器６により、検出した光強度を電圧などの電気信号に変化し、電界または磁界の強度を求める。
【００１９】
図７に、図６の光応用電磁界センサ部を拡大して、電磁界の検出の様子を示す。なお、図７は電界照射の場合を示しているが、磁界照射においても全く同じである。照射用アンテナ２から照射された電界は、図示されているような照射電界の同位相面７を持ち、照射電波の進行方向８に沿って右から左へ進行している。この同位相面７は照射される電波が平面波であることを示している。
【００２０】
ＥＭＳ試験評価において、照射用アンテナ２は３ｍの照射距離Ｒに置かれているため、照射されている電波の波長に対しては十分に遠方にあり、到達する電波は平面波と見なしてよい。平面波は電波の進行方向に対して垂直面に電界と磁界が同位相で存在する。図６および図７に示す例には、被測定物１（電子機器あるいは電子回路）に対して平行に電界および磁界が照射される。図７において、上下方向の電界を垂直電界といい、それに直交する方向を水平電界という。磁界の場合も電界と同じである。ＥＭＳ評価ではこの水平電界または垂直電界の双方を照射して試験が行われる。
【００２１】
被測定物１である電子機器または電子回路に到達した照射電界は、電子機器または電子回路内で回路パターンなどに共振することで、照射された水平電界または垂直電界と直交する方向（図７において、左から右）、つまり被測定物１から放射した電界の進行方向に進行する。照射用アンテナ２から照射された電磁界の強度に比べ、この電磁界の影響を受けて、電子機器または電子回路から放射される電磁界の強度は極めて小さい。例えば、照射用アンテナ２から照射された電界が３Ｖ／ｍであったとしても、電子機器または電子回路から放射される電磁界は０．００１Ｖ／ｍ（＝１ｍＶ／ｍ）にも満たない。
【００２２】
そのため、電子機器または電子回路と照射用アンテナ２の間にＥＯ素子４ｅまたはＭＯ素子４ｍを挿入した場合、図７から読み取れるように光応用電磁界センサ４（ＥＯ素子４ｅまたはＭＯ素子４ｍ）は照射電界も検出してしまう。前述したようにこの照射電界の強度は大きく、本来測定したい電子機器または電子回路からの小さな放射電界（例えば、前述したように放射電界は照射電界の１／３０００程度）の測定を妨げる。さらに、本来、
被測定物１に対して均一に電界を照射しなければならないのに、ＥＯ素子４ｅまたはＭＯ素子４ｍそのものが照射電界の進路を妨げ、均一照射ができなくなってしまう。このために本来の正しいＥＭＳ試験ができない。
【００２３】
以上に述べたように、従来の電磁界センサは、ＥＭＩ試験評価のように電子機器または電子回路から輻射する電磁波を測定することは可能であるが、ＥＭＳ試験評価のように電子機器または電子回路外部から強電磁界を照射させながら、電子機器または電子回路内部に発生する電磁界を測定することはできない。これは前述したように電子機器から放射される電磁界が非常に小さく、外部から照射される電磁界が大きいため、電磁界センサが外部から照射される電磁界を測定し、その影響によって電子機器または電子回路内部に発生する電磁界を検出することができないという課題がある。
【００２４】
また、電磁波照射時に電磁界センターを電磁波が照射される電子機器または電子回路の近傍に配置することによって、本来、電子機器または電子回路に対して均一に電磁界を照射しなければならないが、電磁界センサにより照射電磁界が乱されて、ＥＭＳ試験評価が正しくできないという課題を有する。
【００２５】
上述の課題に鑑みて、本発明は、外部から照射される電磁波暴露により電子機器または電子回路に発生する電磁界の強度を照射される電磁界の影響を受けることなく測定できる電磁界センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記の課題を解決する為に、本発明の電磁界センサは、光応用電磁界センサ部と、前記光応用電磁界センサ部の測定方向に垂直な面で前記光応用電磁界センサ部に接着された第１の電波吸収ブロックとを備える。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、外部から照射される電磁波暴露により電子機器または電子回路に発生する電磁界の強度を照射される電磁界の影響を受けることなく測定できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電磁界センサの構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係る電界センサの構成を示す図である。
【図３】図２に示した電波吸収ブロックの周波数減衰特性図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係る電界センサの構成を示す図である。
【図５】一般的なＥＭＳ試験の説明図である。
【図６】従来の電磁界センサを用いたＥＭＳ試験の説明図である。
【図７】従来の電磁界センサを用いた電磁界の検出方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態を示す電磁界センサについて図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の説明は、本発明の具体例であって特許請求の範囲を限定するものではない。
【００３０】
（実施の形態１）
図１に示すように、本発明の実施の形態１に係る電磁界センサＳ１は、光応用電磁界センサ４および第１の電波吸収ブロック１１を含む。光応用電磁界センサ４は、上述のようにＥＯ素子４ｅあるいはＭＯ素子４ｍで構成されている。光応用電磁界センサ４および第１の電波吸収ブロック１１は、それぞれの電磁波の測定方向軸Ａｘに対して概ね対称な形状に、つまりそれぞれの測定面が測定方向軸Ａｘに対して概ね垂直になるように構成され
ている。なお、本例においては、光応用電磁界センサ４は立方体状に形成され、第１電波吸収ブロック１１は円筒状に形成されているが、これに限定されるものではない。
【００３１】
なお、光応用電磁界センサ４と第１電波吸収ブロック１１は、光応用電磁界センサ４の被測定物１側と反対側の面と第１電波吸収ブロック１１の被測定物１側の面とで互いに接着されている。つまり、図１に示すように、測定方向軸Ａｘに垂直な面Ｐｖ１を、光応用電磁界センサ４と第１電波吸収ブロック１１との接面が共有するように構成されている。そして、第１電波吸収ブロック１１は、光応用電磁界センサ４との接着面との反対側の面で光ファイバ５と接続されている。
【００３２】
上述のごとく構成された電磁界センサＳ１は、測定方向軸Ａｘが被測定物１の測定面に対して概ね垂直になるように、且つ光応用電磁界センサ４の測定面（第１電波吸収ブロック１１との接着面の反対側の面）が被測定物１の測定面に対向するように配置されて、電磁界の測定に供される。
【００３３】
第１電波吸収ブロック１１は、電界照射の場合には高い誘電率と適度な損失をもつ材質で構成され、磁界照射の場合には高い透磁率と適度な損失をもつ材質で構成される。電界照射のときに用いる第１電波吸収ブロック１１としては、セラミック系などがあり高い比誘電率εｒを有し、かつ、適度な損失である導電率σ［Ｓ／ｍ］（Ｓはジーメンスで抵抗の単位Ωの逆数）を有しているもので構成される。例えば、比透磁率εｒは５０〜４００程度、導電率σは１〜１×１０の６乗程度である。
【００３４】
また、磁界照射のときに用いる第１電波吸収ブロック１１としては、鉄やニッケル系合金などがあり、高い比透磁率μｒと適度な損失である導電率σ［Ｓ／ｍ］を有しているもので構成される。例えば、比透磁率μｒは２０〜１０、０００程度、導電率σは１〜１×１０の６乗程度である。電子機器および電子回路とＥＯ素子４ｅまたはＭＯ素子４ｍの厚み程度にすることが望ましい。また、第１電波吸収ブロック１１の大きさ（図１において縦方向）は、光応用電磁界センサ４（ＥＯ素子４ｅあるいはＭＯ素子４ｍ）の３倍程度にすることが望ましい。
【００３５】
ここで、第の電波吸収ブロックの大きさが３倍とは、電磁界センサ（電磁界センサＳ被測定物１）と被測定物（被測定物１）を結ぶ線（測定方向軸Ａｘ）に垂直方向（面Ｐｖ１）で３倍の面積を有し、完全に電波吸収ブロック（第１電波吸収ブロック１１）が電磁界センサ（電磁界センサＳ被測定物１）を覆っていることを意味する。これは、電磁波の波の回り込みを防ぐためである。
【００３６】
図１に示すように、第１電波吸収ブロック１１を光応用電磁界センサ４（ＥＯ素子４ｅあるいはＭＯ素子４ｍ）に追加することにより、電子機器および電子回路に対する照射用アンテナ２からの電波照射を遮ることなく、かつ、照射用アンテナ２からの電波照射の影響を受けることなく照射用アンテナ２からの電波照射による被測定物１（電子機器あるいは電子回路）から放射する電界を測定できる。
【００３７】
次に、この原理を説明する。前述したように被測定物１（電子機器あるいは電子回路）に対しては、水平または垂直電界が照射される。このとき、電波の進行方向を示すポインティングベクトルは照射電波の進行方向８にある。ここで、ポインティングベクトルＰは電界ベクトルＥと磁界ベクトルＨの外積で示され（Ｐ＝Ｅ×Ｈ）、電波の電力密度［Ｗ／ｍ２］を表している。図１において、電界は水平方向または垂直方向に照射され、ポインティングベクトルＰが照射電波の進行方向８から来ているとする。
【００３８】
この場合、照射されている電界は、第１電波吸収ブロック１１に到達すると第１電波吸
収ブロック１１の比誘電率分の１となる。これは電界の境界条件である電束密度一定の法則から説明できる。電束密度［Ｖ／ｍ２］一定の法則とは、電界［Ｖ／ｍ］は誘電体面の法線方向において、電束密度が一定であるため、電界が誘電体の比誘電率分の１となるというものである。このことにより、第１電波吸収ブロック１１の照射電波の進行方向８と垂直な面である壁面で電界が急激に減衰される。
【００３９】
これにより、被測定物１（電子機器および電子回路方向）のポインティングベクトルＰ（電力密度）も急激に減衰し、図１に示すような照射される電波の電力密度が殆ど存在しない空間Ｓｖが生じる。実際には電力であるので電界の自乗、すなわち、比誘電率の自乗分の１の電力となる。例えば、εｒ＝４００の場合、電力は放射電力の１／（４００）2
となる。このような原理により、照射用アンテナ２から照射される電波の影響を受けることなく、電子機器および電子回路方向からの電界を検出できる。尚、以上のことは、磁界照射のときにも同じ原理であり、電界を磁界に置き換えただけで、その原理を説明できる。
【００４０】
第１電波吸収ブロック１１の厚みは、図１のように水平または垂直方向の電界または磁界を減衰させるために、ある程度必要であるが、その厚みはおおよそ、光応用電磁界センサ４（ＥＯ素子４ｅあるいはＭＯ素子４ｍ）と被測定物１（電子機器あるいは電子回路）との距離とほぼ同じくらいが望ましく、通常、約１〜２ｍｍ程度である。ただし、光応用電磁界センサ４（ＥＯ素子４ｅあるいはＭＯ素子４ｍ）が十分薄く、数ミクロンメータの場合には第１電波吸収ブロック１１も十分に薄くできる。
【００４１】
また、第１電波吸収ブロック１１の形状は、図１においては第１電波吸収ブロック１１のエッジ部における電界の集中を防ぐため、円形としているが、第１電波吸収ブロック１１を十分大きく（光応用電磁界センサ４の５倍程度に）すれば、正方形の形状でも構わない。
【００４２】
（実施の形態２）
次に、図２および図３を参照して、本発明の実施の形態２に係る電磁界センサについて説明する。本実施の形態に係る電磁界センサＳ２は、実施の形態１に係る電磁界センサＳ１に比べて測定周波数の広帯域化に対応するものである。上述のように、近年の高帯域な周波数利用の無線機器に対応した電磁界測定に対応するために、測定およびその評価の時間は増すばかりである。例えば、携帯電話の送信帯においては、８００ＭＨｚ帯、１．７ＧＨｚ帯、２．１ＧＨｚ帯加えて２．４ＧＨｚや５．２ＧＨｚの無線ＬＡＮ帯などに対応していかなければならない。このことからもその測定および評価の時間が膨大になることは予想できることであろう。このことはＥＭＳ試験評価においても大きな課題となっている。
【００４３】
具体的には、図２に示すように、本実施の形態に係る電磁界センサＳ２は、図１に示した電磁界センサＳ１において、第１電波吸収ブロック１１の光応用電磁界センサ４との接着面との反対側の面に第２電波吸収ブロック１２がさらに追加されて構成されて、測定周波数の広帯域化を測るものである。つまり、第１電波吸収ブロック１１と第２電波吸収ブロック１２は、測定方向軸Ａｘに概ね垂直かつ、面Ｐｖ１に概ね平行な面Ｐｖ２を共有するように接着されている。なお、光ファイバ５は第１電波吸収ブロック１１では無く第２電波吸収ブロック１２の非接着面に接続されることは言うまでもない。
【００４４】
なお、電磁界センサＳ２においても、電磁界センサＳ１におけるのと同様に、電波吸収ブロックは電波の吸収に対して周波数特性をもつ。すなわち、ある周波数を吸収のピークとして、その周波数を離れると吸収率（減衰率）が減少するのである。近年、この減衰率の周波数特性は電波吸収ブロックの材質や厚みにより自由にコントロールすることができ
るようになっている。そこで、本実施の形態におけるように、吸収率の周波数特性が異なる第１電波吸収ブロック１１と第２電波吸収ブロック１２とを重ね合わせることで、図３に示すような広帯域な周波数特性（減衰特性）を持たせることが可能となる。
【００４５】
図３に於いて、曲線Ｃ１１は第１電波吸収ブロック１１を単独で用いた場合の周波数特性（減衰特性）を示す。曲線Ｃ１２は第２電波吸収ブロック１２を単独で用いた場合の周波数特性（減衰特性）を示す。曲線Ｃｗは、第１電波吸収ブロック１１と第２電波吸収ブロック１２とを重ね合わせて用いた場合の周波数特性（減衰特性）を示している。
【００４６】
しかしながら、周波数の波長によって、照射用アンテナ２から照射される電波が光応用電磁界センサ４（ＥＯ素子４ｅあるいはＭＯ素子４ｍ）側に回り込む（進入する）角度が異なる。周波数が高く、すなわち、波長が短くなるほど回り込む（進入する）角度は小さく（光応用電磁界センサ４側に回り込みやすく）なる。そこで、重ねる電波吸収ブロックは、図２に示したように被測定物１（電子機器および電子回路）に近い側を減衰率の周波数特性が高いもの（第１電波吸収ブロック１１）を配置し、照射側アンテナ２に近い側に減衰率の周波数特性が低いもの（第２電波吸収ブロック１２）を配置する。これにより、周波数による光応用電磁界センサ４側の回り込み（進入）を防ぐことができる。
【００４７】
（実施の形態３）
図４を参照して、本発明の実施の形態３に係る電磁界センサについて説明する。電磁界センサＳ３は、電磁界センサＳ２において第１電波吸収ブロック１１および第２電波吸収ブロック１２がそれぞれ第１電波吸収ブロック１１ｔおよび第２電波吸収ブロック１２ｔに置き換えられている。第１電波吸収ブロック１１ｔおよび第２電波吸収ブロック１２ｔは、電磁界センサＳ２における第１電波吸収ブロック１１と第２電波吸収ブロック１２のエッジによる電界の乱れを防ぐためにテーパ状に構成されたもので、これによりエッジの存在する電波吸収ブロックよりも僅かにサイズを小さくすること（１割程度）が可能となる。
【００４８】
第１電波吸収ブロック１１ｔおよび第２電波吸収ブロック１２ｔの厚みは、上述のように水平または垂直方向の電界または磁界を減衰させるために、ある程度必要であるが、その厚みはおおよそ、光応用電磁界センサ４と被測定物１（電子機器および電子回路）との距離とほぼ同じくらいが望ましく、約１〜２ｍｍ程度である。ただし、光応用電磁界センサ４が十分薄く、数ミクロンメータのような場合には電波吸収ブロック１１ｔおよび１２ｔも十分に薄くできる。また、第１電波吸収ブロック１１ｔおよび第２電波吸収ブロック１２ｔの形状は、円形としも正方形としてもよい。
【００４９】
上述のように、本発明においては、ＥＭＳ試験評価のような電子機器または電子回路の外部から照射される電磁波暴露により電子機器または電子回路に発生する電磁界の強度を照射される電磁界の影響を受けることなく測定できる。また、ＥＭＳ試験評価の重要な要素である均一な電磁界の暴露を行いつつ、照射される電磁波暴露によって発生する電子機器または電子回路からの電磁界強度を測定できる。さらに、近年の高帯域な周波数利用の無線機器に対応した電磁界測定に対応できる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、ＥＭＳ試験のような強い電磁界を被測定物に照射させながら、被測定物から放射する電磁界を広帯域な周波数特性が必要な測定技術に適用できる。
【符号の説明】
【００５１】
１  被測定物
２  照射用アンテナ
３  照射距離
４  光応用電磁界センサ
４ｅ  ＥＯ素子
４ｍ  ＭＯ素子
５  光ファイバ
６  ＯＥ変換器
７  照射電界の同位相面
８  照射電波の進行方向
９  被測定物から放射した電界の同位相面
１０  被測定物から放射した電界の進行方向
１１、１１ｔ  第１電波吸収ブロック
１２、１２ｔ  第２電波吸収ブロック
【図１】
2010266241.tif 000003
【図２】
2010266241.tif 000004
【図３】
2010266241.tif 000005
【図４】
2010266241.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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