(57)【要約】【課題】デバイスに簡単に接続する接続用基板を製造する。【解決手段】デバイスに接続する接続用基板を製造する製造方法であって、デバイスと電気的に接続される接続端子が設けられた基板における、接続端子を磁化する磁化段階と、接続端子を磁化した状態で、強磁性体を含む導電性ボールを接続端子の近傍に供給して、接続端子に導電性ボールを引き付けさせるボール供給段階と、接続端子に引き付けられた導電性ボールを、接続端子に一体化させる一体化段階と、を備える製造方法を提供する。【選択図】図５
2010266336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスに接続する接続用基板を製造する製造方法であって、
前記デバイスと電気的に接続される接続端子が設けられた基板における、前記接続端子を磁化する磁化段階と、
前記接続端子を磁化した状態で、強磁性体を含む導電性ボールを前記接続端子の近傍に供給して、前記接続端子に前記導電性ボールを引き付けさせるボール供給段階と、
前記接続端子に引き付けられた前記導電性ボールを、前記接続端子に一体化させる一体化段階と、
を備える製造方法。
【請求項２】
前記磁化段階において、前記接続端子を磁化するための磁化用基板を、前記基板における前記デバイスが接続されない裏面側に配置する
請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記磁化段階において、前記接続端子に対応する位置に磁化されたバンプが設けられた前記磁化用基板を、前記基板の前記裏面側に配置する
請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記磁化段階において、保磁力を有する前記接続端子を磁化する
請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記一体化段階において、前記接続端子に引き付けられた前記導電性ボールに熱を印加して、当該導電性ボールの少なくとも一部を融解させて、前記接続端子に一体化させる
請求項１から４の何れかに記載の製造方法。
【請求項６】
前記接続端子は、前記基板を貫通して形成され、
前記一体化段階において、前記基板における前記デバイスが接続されない裏面側から、前記接続端子に熱を印加する
請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記接続端子は、前記基板を貫通して形成され、
前記磁化段階において、貫通して形成された前記バンプを有する前記磁化用基板を前記基板の前記裏面側に配置して、それぞれの前記バンプを対応する前記接続端子に接触させ、
前記一体化段階において、前記磁化用基板における前記基板が接触しない面側から、前記バンプに熱を印加する
請求項３に記載の製造方法。
【請求項８】
前記一体化段階において、熱発生装置における熱発生面を前記バンプに接触させて、前記バンプに熱を印加する
請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記基板の表面を下側に向けて、前記基板の表面上の前記導電性ボールのうち、前記接続端子に一体化されていない前記導電性ボールを取り除く取除段階を
更に備える請求項１から８の何れかに記載の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の表面側から磁石を近接させて、前記基板の表面上の前記導電性ボールのうち、前記接続端子に一体化されていない前記導電性ボールを取り除く取除段階を
更に備える請求項１から８の何れかに記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ボール供給段階において前記接続端子に引き付けられる前記導電性ボールは、
樹脂を含む球状の中心部と、
前記中心部の表面上に形成された導電性を有する強磁性体層と、
前記強磁性体層の表面上に形成され、導電性を有し、前記中心部および前記強磁性体層より融点が低い溶融層と、
を有する
請求項１から１０の何れかに記載の製造方法。
【請求項１２】
デバイスに接続する接続用基板を製造する製造装置であって、
前記デバイスと電気的に接続される接続端子が設けられた、前記接続端子を磁化する磁化部と、
前記接続端子を磁化した状態で、強磁性体を含む導電性ボールを前記接続端子の近傍に供給して、前記接続端子に前記導電性ボールを引き付けさせるボール供給部と、
前記接続端子に引き付けられた前記導電性ボールを、前記接続端子に一体化させる一体化部と、
を備える製造装置。
【請求項１３】
デバイスを試験する試験装置であって、
請求項１に記載された製造方法により製造された接続用基板と、
前記接続用基板を介して前記デバイスを試験する試験部と、
を備える試験装置。
【請求項１４】
請求項１に記載された製造方法により製造された前記接続用基板を用いて、前記デバイスを試験する試験方法。
【請求項１５】
デバイスに接続する接続用基板であって、
基板と、
前記基板に設けられた前記デバイスに電気的に接続される接続端子と、
前記基板の表面において前記接続端子に一体化された導電性ボールと、
を備える接続用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスに接続する接続用基板を製造する製造方法、製造装置、試験装置、試験方法および接続用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに形成された複数のデバイスを試験する装置として、ウエハ上の多数の電極に対して一括してコンタクトするプローブカードを用いた試験装置が知られている（特許文献１。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１７３５０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上述した試験装置では、プローブカードを製造するために膨大な数の配線を接続しなければならなく、コストが大きくなってしまっていた。また、上述した試験装置では、半導体ウエハに形成されたデバイスの種別毎に、別個のプローブカードを用意しなければならないので、コストが更に大きくなってしまっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、デバイスに接続する接続用基板を製造する製造方法であって、前記デバイスと電気的に接続される接続端子が設けられた基板における、前記接続端子を磁化する磁化段階と、前記接続端子を磁化した状態で、強磁性体を含む導電性ボールを前記接続端子の近傍に供給して、前記接続端子に前記導電性ボールを引き付けさせるボール供給段階と、前記接続端子に引き付けられた前記導電性ボールを、前記接続端子に一体化させる一体化段階と、を備える製造方法、製造装置、および、試験装置を提供する。
【０００６】
本発明の第２の態様においては、デバイスに接続する接続用基板であって、基板と、前記基板に設けられた前記デバイスに電気的に接続される接続端子と、前記基板の表面において前記接続端子に一体化された導電性ボールと、を備える接続用基板を提供する。
【０００７】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態に係るデバイス製造システム１０の構成を示す。
【図２】図２は、ウエハ３０および接続用基板４０の一例を示す。
【図３】図３は、ウエハ３０および接続用基板４０の断面の一例を示す。
【図４】図４は、本実施形態に係る製造装置２０の機能構成の一例を示す。
【図５】図５は、本実施形態に係る製造装置２０の処理フローを示す。
【図６】図６は、図５のステップＳ１１における製造装置２０の動作例を示す。
【図７】図７は、図５のステップＳ１２における製造装置２０の動作例を示す。
【図８】図８は、導電性ボール６０の構成の一例を示す。
【図９】図９は、図５のステップＳ１３における製造装置２０の動作例を示す。
【図１０】図１０は、接続用基板４０の構成の一例を示す。
【図１１】図１１は、ウエハ３０と接続用基板４０との接続例を示す。
【図１２】図１２は、チップ状に切り出されたデバイスと、当該デバイスに接続する接続用基板４０の一例を示す。
【図１３】図１３は、基板状デバイス１４０に接続する接続用基板４０の一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１０】
図１は、本実施形態に係るデバイス製造システム１０の構成を示す。デバイス製造システム１０は、電子回路を有する複数のデバイスが形成された円板状のウエハから、パッケージングがされたデバイスを製造する。
【００１１】
デバイス製造システム１０は、試験装置１２と、切出部１４と、パッケージ化部１６と、製造装置２０とを備える。試験装置１２は、接続用基板４０を用いて、ウエハ３０に形成された複数のデバイスのそれぞれについて、製品化すべきか否かを試験する試験部を有する。
【００１２】
切出部１４は、ウエハ３０から、チップ状のデバイスのそれぞれを切り出す。パッケージ化部１６は、切り出したチップ状のデバイスを製品パッケージにパッケージングする。この場合において、パッケージ化部１６は、切り出したデバイスのうち、試験装置１２による試験の結果製品化すべきと判断されたデバイスについて製品パッケージにパッケージングする。
【００１３】
製造装置２０は、ウエハ３０に接続する接続用基板４０を製造する。試験装置１２は、製造装置２０により製造された接続用基板４０をウエハ３０に接続して、接続用基板４０を介してウエハ３０に形成された複数のデバイスのそれぞれを試験する。
【００１４】
また、製造装置２０は、ウエハ３０の種類毎に一の接続用基板４０を製造する。試験装置１２は、同一種類の複数のウエハ３０に対して、一の接続用基板４０を繰り返して用いて試験する。
【００１５】
図２は、ウエハ３０および接続用基板４０の一例を示す。ウエハ３０に形成された各デバイスを試験する場合、接続用基板４０は、例えば一方の平面がウエハ３０の一の平面に接触して、ウエハ３０と接続する。また、接続用基板４０は、試験装置１２と電気的に接続される。このような接続用基板４０は、ウエハ３０に形成された各デバイスと、試験装置１２との間を電気的に接続することができる。
【００１６】
そして、試験装置１２は、接続用基板４０を介してウエハ３０に対して信号を入出力する。これにより、試験装置１２は、ウエハ３０に形成された複数のデバイスのそれぞれについて、製品化すべきか否かを試験することができる。
【００１７】
図３は、ウエハ３０および接続用基板４０の断面の一例を示す。接続用基板４０は、基板５２と、少なくとも１つの接続端子５４と、少なくとも１つの導電性ボール６０とを有する。
【００１８】
基板５２は、一例として、ポリイミド等の樹脂を材料としている。また、基板５２の平面は、ウエハ３０の平面形状以上の大きさとなっている。これにより、基板５２は、ウエハ３０に形成された複数のデバイスの全てのデバイス端子３２に対して一括して接触することができる。
【００１９】
各接続端子５４は、基板５２に設けられる。より詳しくは、各接続端子５４は、基板５２における、ウエハ３０に形成された各デバイスが接続用基板４０に接続する場合においてデバイス端子３２に対向する位置に設けられる。
【００２０】
また、各接続端子５４は、導電性を有する。更に、各接続端子５４は、当該接続用基板４０がウエハ３０に接触した場合において、ウエハ３０に形成されたデバイスのデバイス端子３２に電気的に接続される。また、各接続端子５４は、基板５２上における試験装置１２と電気的に接続される外部端子に、基板５２に設けられた配線を介して接続される。これにより、接続用基板４０は、試験装置１２と、ウエハ３０に形成されたデバイスとの間を電気的に接続することができる。
【００２１】
また、各接続端子５４は、外部から磁化することができる。各接続端子５４は、一例として、ニッケルを材料とする。更に、各接続端子５４は、ウエハ３０が接続される面側が、金によりメッキされていてもよい。
【００２２】
また、本実施形態においては、各接続端子５４は、基板５２を貫通して形成されている。即ち、本実施形態においては、各接続端子５４は、基板５２における、ウエハ３０に形成されたデバイスが接続される面（表面）およびウエハ３０に形成されたデバイスが接続されない面（裏面）の両方に露出している。これにより、各接続端子５４は、裏面側から与えられた磁界により容易に磁化される。
【００２３】
また、各接続端子５４は、熱伝導率が基板５２より大きいことが好ましい。これにより、各接続端子５４は、周囲の基板５２の材料（ポリイミド等の樹脂）よりも効率良く熱を伝達することができる。
【００２４】
各導電性ボール６０は、基板５２の表面における、各接続端子５４の直上および接続端子５４の近傍に設けられる。そして、各導電性ボール６０は、基板５２の表面においてそれぞれの接続端子５４に一体化され、対応する接続端子５４に電気的に接続されている。
【００２５】
このような各導電性ボール６０は、接続端子５４上において一体化されることにより、基板５２の表面から突出した導電性の突出部を形成する。導電性ボール６０により形成された突出部は、接続用基板４０がウエハ３０に接続される場合に、接続端子５４と対応するデバイス端子３２との間に位置する。これにより、導電性ボール６０により形成された突出部は、試験において、接続端子５４を対応するデバイス端子３２に確実に電気的に接続させることができる。
【００２６】
また、各導電性ボール６０は、弾力性を有してよい。これにより、導電性ボール６０は、接続用基板４０がウエハ３０に接続される場合に加わる圧力によっても、接続用基板４０から外れたり、壊れたりしない。また、各導電性ボール６０は、複数の突出部の高さが互いに異なる場合にも、接続用基板４０がウエハ３０に接続される場合に加わる圧力によって圧縮されて、複数の突出部の高さが均一になるので、複数の接続端子５４を同時に対応するデバイス端子３２に電気的に接続することができる。
【００２７】
このような接続用基板４０によれば、ウエハ３０に形成された複数のデバイスのそれぞれと試験装置１２との間を、確実に電気的に接続することができる。これにより、試験装置１２は、接続用基板４０を介して、ウエハ３０に形成された複数のデバイスのそれぞれを試験することができる。
【００２８】
図４は、本実施形態に係る製造装置２０の機能構成の一例を示す。製造装置２０は、磁化部７０と、ボール供給部７２と、一体化部７４と、取除部７６と、制御部７８とを有する。
【００２９】
磁化部７０は、基板５２に設けられた接続端子５４を磁化する。ボール供給部７２は、接続端子５４を磁化した状態で、強磁性体を含む導電性ボール６０を接続端子５４の近傍に供給して、接続端子５４に導電性ボール６０を引き付けさせる。
【００３０】
一体化部７４は、接続端子５４に引き付けられた導電性ボール６０を、接続端子５４に一体化させる。取除部７６は、基板５２の表面上の導電性ボール６０のうち、接続端子５４に一体化されていない導電性ボール６０を取り除く。制御部７８は、磁化部７０、ボール供給部７２、一体化部７４および取除部７６の動作を制御する。
【００３１】
図５は、本実施形態に係る製造装置２０の処理フローを示す。図６は、図５のステップＳ１１における製造装置２０の動作例を示す。図７は、図５のステップＳ１２における製造装置２０の動作例を示す。図８は、導電性ボール６０の構成の一例を示す。図９は、図５のステップＳ１３における製造装置２０の動作例を示す。
【００３２】
まず、ステップＳ１１において、製造装置２０は、接続端子５４が設けられた基板５２を準備する。接続端子５４が設けられた基板５２は、一例として、他の基板製造装置等により予め製造されている。また、製造装置２０は、ステップＳ１１に先立って、ポリイミド基板に接続端子５４を形成して、基板５２を製造してもよい。
【００３３】
更に、ステップＳ１１において、製造装置２０は、接続端子５４が設けられた基板５２における、各接続端子５４を磁化する。製造装置２０は、一例として、図６に示されるように、接続端子５４を磁化するための磁化用基板８０を、基板５２におけるデバイスが接続されない裏面側に配置する。
【００３４】
磁化用基板８０は、接続端子５４に対応する位置に、予め磁化されたバンプ８２が設けられている。バンプ８２は、ニッケル等の保磁力を有する材料であり、ステップＳ１１の処理に先立って予め磁化されている。製造装置２０は、このような磁化用基板８０を、基板５２の裏面側に配置することにより、基板５２に設けられた接続端子５４を磁化することができる。
【００３５】
また、各バンプ８２は、一例として、磁化用基板８０を貫通して形成されている。即ち、各バンプ８２は、磁化用基板８０における基板５２側の面および基板５２とは反対側の面の両方に露出している。また、更に、各バンプ８２は、熱伝導率が磁化用基板８０の材料より大きいことが好ましい。これにより、バンプ８２は、基板５２とは反対側の面から熱を印加された場合において、周囲の材料よりも効率良く、熱を基板５２側へと伝達することができる。
【００３６】
また、ステップＳ１１において、製造装置２０は、バンプ８２を対応する接続端子５４に接触するように、磁化用基板８０を基板５２に近接させて配置する。これにより、製造装置２０は、接続端子５４を効率良く磁化することができる。更に、製造装置２０は、バンプ８２の熱を接続端子５４へと効率良く伝達することができる。
【００３７】
なお、製造装置２０は、保磁力を有する接続端子５４を磁化してもよい。これにより、製造装置２０は、磁化用基板８０を取り外した後にも、接続端子５４の磁化状態を維持することができ、ステップＳ１２以降において磁化用基板８０を取り外すことができる。
【００３８】
続いて、ステップＳ１２において、製造装置２０は、接続端子５４を磁化した状態で、強磁性体を含む導電性ボール６０を接続端子５４の近傍に供給して、接続端子５４に導電性ボール６０を引き付けさせる。製造装置２０は、一例として、図７に示されるように、基板５２の表面側から、基板５２の表面上に複数の導電性ボール６０を供給する。基板５２の表面上に供給された導電性ボール６０は、強磁性体を有するので、磁化された接続端子５４に引き付けられる。
【００３９】
導電性ボール６０は、一例として、特許３１４０９９５号に示されるような球状のスペーサであってよい。また、導電性ボール６０は、一例として、図８に示されるような構成であってよい。即ち、導電性ボール６０は、球状の中心部９２と、中心部９２の表面上に形成された強磁性体層９４と、強磁性体層９４の表面上に形成された溶融層９６とを有する。
【００４０】
中心部９２は、弾力性を有する樹脂を含む。これにより、中心部９２は、導電性ボール６０に弾力性を生じさせることができる。
【００４１】
強磁性体層９４は、導電性を有する強磁性体を含む層である。強磁性体層９４は、一例として、ニッケルであってよい。強磁性体層９４は、一例として、蒸着およびメッキ等により形成される。このような強磁性体層９４は、磁化された接続端子５４に導電性ボール６０を引き付けさせることができる。さらに、このような強磁性体層９４は、接続端子５４に一体化されたときに、接続端子５４と導通することができる。
【００４２】
溶融層９６は、導電性を有し、中心部９２および強磁性体層９４より融点が低い材料の層である。溶融層９６は、Ａｕ−Ｓｕ合金またはＩｎ等の層であってよい。これにより、溶融層９６は、融点以上の熱が印加された場合に溶融するので、当該導電性ボール６０を接続端子５４と一体化させることができる。更に、溶融層９６は、当該導電性ボール６０が接続端子５４と一体化した場合において、強磁性体層９４と接続端子５４との間を電気的に接続することができる。
【００４３】
続いて、ステップＳ１３において、製造装置２０は、接続端子５４に引き付けられた導電性ボール６０を、接続端子５４に一体化させる。製造装置２０は、一例として、接続端子５４に引き付けられた導電性ボール６０に熱を印加して、当該導電性ボール６０の少なくとも一部を融解させて、接続端子５４に一体化させる。
【００４４】
この場合において、例えば、図９に示されるように、製造装置２０は、貫通して形成されたバンプ８２を有する磁化用基板８０を基板５２の裏面側に配置して、それぞれのバンプ８２を対応する接続端子５４に接触させる。そして、製造装置２０は、磁化用基板８０における基板５２が接触しない面側から、熱発生装置１１０における熱発生面をバンプ８２に接触させて、バンプ８２に熱を印加する。
【００４５】
ここで、バンプ８２および接続端子５４は、周囲の材料よりも熱伝導率が大きい。従って、熱発生装置１１０の熱発生面から発生された熱が、バンプ８２および接続端子５４を介して、導電性ボール６０に伝達される。これにより、製造装置２０は、導電性ボール６０に熱を印加して、導電性ボール６０を接続端子５４に一体化させることができる。
【００４６】
なお、基板５２および磁化用基板８０は、導電性ボール６０の溶融層９６の融点の熱が印加された場合においても、溶融および変形等をしない耐久性を有する材料が好ましい。例えば、Ａｕ−Ｓｎ合金は融点が約２８０℃、Ｉｎの融点は１５６℃であるので、導電性ボール６０の溶融層９６がこのような材料である場合には、基板５２および磁化用基板８０は、例えば、５００℃程度の熱が印加された場合であっても変形しないポリイミドを材料とすることが好ましい。
【００４７】
続いて、ステップＳ１４において、製造装置２０は、基板５２の表面上の導電性ボール６０のうち、接続端子５４に一体化されていない導電性ボール６０を取り除く。製造装置２０は、一例として、基板５２の表面を下側に向けて、基板５２の表面上の導電性ボール６０のうち、接続端子５４に一体化されていない導電性ボール６０を取り除く。また、製造装置２０は、一例として、基板５２の表面側から磁石を近接させて、基板５２の表面上の導電性ボール６０のうち、接続端子５４に一体化されていない導電性ボール６０を取り除いてもよい。
【００４８】
以上のようにステップＳ１１からステップＳ１４の処理をすることにより、製造装置２０は、導電性ボール６０により形成された突出部を接続端子５４上に有する接続用基板４０を製造することができる。これにより、製造装置２０によれば、試験装置１２とウエハ３０に形成されたデバイスとの間を、確実且つ容易に接続させることができる。
【００４９】
図１０は、接続用基板４０の他の構成例を示す。導電性ボール６０の直径は、隣接する２つの接続端子５４間の距離より小さければ、どのような大きさであってもよい。導電性ボール６０の直径は、一例として、接続端子５４の径と略同一であってよい。このような場合、例えば、図１０に示されるように、１個の接続端子５４に対応して、１個の導電性ボール６０が一体化される。
【００５０】
図１１は、ウエハ３０と接続用基板４０との接続例を示す。試験において、試験装置１２は、一例として、ウエハ３０をハンドラ装置１１２により搬送する。ハンドラ装置１１２は、一例として、ウエハ３０を吸引して接続用基板４０上へと搬送する。そして、ハンドラ装置１１２は、ウエハ３０に形成された各デバイス端子３２が、対応する接続端子５４上に位置するように位置調整をして、ウエハ３０の一方の面から接続用基板４０の表面に突き当てて接触させる。これにより、ハンドラ装置１１２は、ウエハ３０に形成されたデバイス端子３２と、対応する接続端子５４とを電気的に接続することができる。
【００５１】
また、試験において、接続用基板４０の裏面側に下側基板１２０が配置されていてもよい。下側基板１２０は、接続端子５４に対応する位置に、基板面から突出した形状の例えばゴム等の弾性部１２２を有する。このような弾性部１２２は、ハンドラ装置１１２によりウエハ３０が接続用基板４０に突き当てられた場合において、接続端子５４をより強くデバイス端子３２に接触させることができる。これにより、弾性部１２２は、デバイス端子３２と接続端子５４とをより確実に電気的に接続することができる。
【００５２】
図１２は、チップ状に切り出されたデバイスと、当該デバイスに接続する接続用基板４０の一例を示す。接続用基板４０は、ウエハから切り出されたチップ１３０に形成されたデバイスに接続する構成であってもよい。
【００５３】
この場合、チップ１３０は、接続用基板４０とフレキシブル基板１３２との間に挟みこまれて収納される。即ち、接続用基板４０は、チップ１３０を搭載する。そして、フレキシブル基板１３２は、接続用基板４０におけるチップ１３０が実装された面に重ねて、内部にチップ１３０を封止する。
【００５４】
また、接続用基板４０は、外部の装置（例えば、試験装置）と接続するための外部端子１３４を有してよい。外部端子１３４は、接続端子５４と内部の配線を介して接続される。外部端子１３４は、一例として、接続用基板４０の表面に露出している。従って、外部の装置は、ポゴピンまたはプローブ等を介して、接続用基板４０に接続することができる。
【００５５】
このようにパッケージングされたチップ１３０は、チップ単体の場合と比較して取り扱いが容易である。従って、試験装置１２は、ウエハの状態でデバイスを試験することに代えて、ウエハから切り出されたチップ１３０に形成されたデバイスをこのようにパッケージングして試験してもよい。
【００５６】
図１３は、基板状デバイス１４０に接続する接続用基板４０の一例を示す。接続用基板４０は、ウエハ状またはチップ状のデバイスに限らず、どのようなデバイスが接続されてもよい。例えば接続用基板４０は、電気回路等が形成された基板、および電気素子自体がデバイスとして接続されてもよい。
【００５７】
例えば、接続用基板４０は、図１３に示されるような基板状デバイス１４０が接続される構成であってもよい。基板状デバイス１４０は、チップ１３０を搭載した基板１４２と、チップ１３０を基板１４２との間に挟みこんで封止するフレキシブル基板１３２とを有する。
【００５８】
そして、接続用基板４０は、基板状デバイス１４０におけるチップ１３０が搭載されていない裏面側が、導電性ボール６０を介して接続される。このような接続用基板４０によれば、基板状デバイス１４０と試験装置１２との間を、確実に電気的に接続することができる。
【００５９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００６０】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００６１】
１０  製造システム、１２  試験装置、１４  切出部、１６  パッケージ化部、２０  製造装置、３０  ウエハ、３２  デバイス端子、４０  接続用基板、５２  基板、５４  接続端子、６０  導電性ボール、７０  磁化部、７２  ボール供給部、７４  一体化部、７６  取除部、７８  制御部、８０  磁化用基板、８２  バンプ、９２  中心部、９４  強磁性体層、９６  溶融層、１１０  熱発生装置、１１２  ハンドラ装置、１２０  下側基板、１２２  弾性部、１３０  チップ、１３２  フレキシブル基板、１３４  外部端子、１４０  基板状デバイス、１４２  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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