(57)【要約】【課題】耐薬品性、耐候性および耐熱性に優れ、さらに、通信特性に優れた非接触型データ受送信体およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の非接触型データ受送信体１０は、インレット１１と、レジスト層１７，１８を介してインレット１１を被覆する被覆材２３と、を備え、インレット１１は、ガラスエポキシ基板１２と、その一方の面１２ａに設けられた第一導電体１３および他方の面１２ｂに設けられた第二導電体１４と、ガラスエポキシ基板１２を厚み方向に貫通する貫通孔１２ｃ，１２ｄの内面に設けられ、第一導電体１３と第二導電体１４を接続する第三導電体１５，１６と、第一導電体１３に接続されたＩＣチップ２０と、を有し、レジスト層１７，１８は、少なくとも第一導電体１３、第二導電体１４、これらの導電体とガラスエポキシ基板１２の境界を覆うように設けられたことを特徴とする。【選択図】図１
2010152434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インレットと、該インレットの一方の面および他方の面に設けられたレジスト層と、該レジスト層を介して前記インレットを被覆する被覆材と、を備えた非接触型データ受送信体であって、
前記インレットは、ガラスエポキシ基板と、該ガラスエポキシ基板の一方の面に設けられた第一導電体と、前記ガラスエポキシ基板の他方の面に設けられた第二導電体と、前記ガラスエポキシ基板を厚み方向に貫通する貫通孔の内面に設けられ、前記第一導電体と前記第二導電体を接続する第三導電体と、前記第一導電体または前記第二導電体に接続されたＩＣチップと、を有し、
前記レジスト層は、少なくとも前記第一導電体、前記第二導電体、前記第一導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界、および、前記第二導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界を覆うように設けられたことを特徴とする非接触型データ受送信体。
【請求項２】
前記貫通孔には、前記第三導電体を介して前記被覆材をなす樹脂材が充填されたことを特徴とする請求項１に記載の非接触型データ受送信体。
【請求項３】
インレットと、該インレットの一方の面および他方の面に設けられたレジスト層と、該レジスト層を介して前記インレットを被覆する被覆材と、を備えた非接触型データ受送信体の製造方法であって、
ガラスエポキシ基板の一方の面に第一導電体を設け、前記ガラスエポキシ基板の他方の面に第二導電体を設ける工程Ａと、
前記ガラスエポキシ基板の一方の面から他方の面にわたって、前記ガラスエポキシ基板に対して略垂直の貫通孔を穿設するとともに、前記貫通孔の内面全面に第三導電体を形成することにより、該第三導電体を介して、前記第一導電体と前記第二導電体を接続する工程Ｂと、
少なくとも前記第一導電体、前記第二導電体、前記第一導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界、および、前記第二導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界を覆うように、前記レジスト層を設ける工程Ｃと、
前記ガラスエポキシ基板の一方の面において、前記第一導電体にＩＣチップを接続し、インレットを得る工程Ｄと、
前記被覆材をなす樹脂シートで前記インレットを挟み込み、熱プレス成形する工程Ｅと、を有することを特徴とする非接触型データ受送信体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）用途の情報記録メディアのように、電波、主にマイクロ波を媒体として外部から情報を受信し、また、外部に情報を送信できるようにした非接触型データ受送信体およびその製造方法に関し、特に、耐薬品性、耐候性および耐熱性に優れ、さらに、通信特性に優れた非接触型データ受送信体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
非接触型データ受送信体の一例であるＩＣタグは、基材と、その一方の面に設けられ互いに接続されたアンテナおよびＩＣチップとから構成されるインレットを備えており、情報書込／読出装置からの電磁波を受信すると共振作用によりアンテナに起電力が発生し、この起電力によりＩＣタグ内のＩＣチップが起動し、このＩＣチップ内の情報を信号化し、この信号がＩＣタグのアンテナから発信される。
ＩＣタグから発信された信号は、情報書込／読出装置のアンテナで受信され、コントローラーを介してデータ処理装置へ送られ、識別などのデータ処理が行われる。
【０００３】
このようなＩＣタグを耐熱性および耐候性に優れたものとするために、インレットを、熱可塑性樹脂などによって被覆して、パッケージ化したＩＣタグが提案されている。
このようなパッケージ化されたＩＣタグの製造方法としては、インレットを熱可塑性樹脂シートで挟み込んだ後、熱プレス成形を行うことにより、インレットを熱可塑性樹脂で被覆する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。ここでは、インレットの基材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材などの可撓性の基材が用いられている。
また、インレットを熱可塑性樹脂シートで挟み込んだ後、この状態で熱可塑性樹脂シートの合わせ面を超音波溶着することによっても、ＩＣタグをパッケージ化することができる。
【特許文献１】国際公開第２００８／００１７２９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている製造方法により、インレットを熱可塑性樹脂で被覆すると、熱プレス成形時の熱と圧力によって、（１）インレットの基材が伸縮して、ＩＣチップが位置ずれする、（２）ＩＣチップの実装に用いられた接着剤が溶解して、ＩＣチップが位置ずれする、（３）ＩＣチップの実装部が接着不良を起こし、ＩＣチップが位置ずれする、などの不具合を生じることがあった。
このようにＩＣチップが位置ずれすると、ＩＣタグが通信不良を生じるという問題があった。
【０００５】
また、熱可塑性樹脂シートの合わせ面を超音波溶着する方法では、インレットに不具合が生じるような熱や圧力が加えられることはないものの、成形時に、インレットと熱可塑性樹脂シートとの間に空気を閉じ込めてしまい、内部に空気層を有するＩＣタグを形成してしまうことがあった。
このように、ＩＣタグの内部に空気層が存在すると、高温環境下にてＩＣタグを使用した際、空気層が膨張してＩＣタグが変形し、結果として、共振周波数がずれて、ＩＣタグが通信不良を生じるという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、耐薬品性、耐候性および耐熱性に優れ、さらに、通信特性に優れた非接触型データ受送信体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の非接触型データ受送信体は、インレットと、該インレットの一方の面および他方の面に設けられたレジスト層と、該レジスト層を介して前記インレットを被覆する被覆材と、を備えた非接触型データ受送信体であって、前記インレットは、ガラスエポキシ基板と、該ガラスエポキシ基板の一方の面に設けられた第一導電体と、前記ガラスエポキシ基板の他方の面に設けられた第二導電体と、前記ガラスエポキシ基板を厚み方向に貫通する貫通孔の内面に設けられ、前記第一導電体と前記第二導電体を接続する第三導電体と、前記第一導電体または前記第二導電体に接続されたＩＣチップと、を有し、前記レジスト層は、少なくとも前記第一導電体、前記第二導電体、前記第一導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界、および、前記第二導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界を覆うように設けられたことを特徴とする。
【０００８】
前記貫通孔には、前記第三導電体を介して前記被覆材をなす樹脂材が充填されたことが好ましい。
【０００９】
本発明の非接触型データ受送信体の製造方法は、インレットと、該インレットの一方の面および他方の面に設けられたレジスト層と、該レジスト層を介して前記インレットを被覆する被覆材と、を備えた非接触型データ受送信体の製造方法であって、ガラスエポキシ基板の一方の面に第一導電体を設け、前記ガラスエポキシ基板の他方の面に第二導電体を設ける工程Ａと、前記ガラスエポキシ基板の一方の面から他方の面にわたって、前記ガラスエポキシ基板に対して略垂直の貫通孔を穿設するとともに、前記貫通孔の内面全面に第三導電体を形成することにより、該第三導電体を介して、前記第一導電体と前記第二導電体を接続する工程Ｂと、少なくとも前記第一導電体、前記第二導電体、前記第一導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界、および、前記第二導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界を覆うように、前記レジスト層を設ける工程Ｃと、前記ガラスエポキシ基板の一方の面において、前記第一導電体にＩＣチップを接続し、インレットを得る工程Ｄと、前記被覆材をなす樹脂シートで前記インレットを挟み込み、熱プレス成形する工程Ｅと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の非接触型データ受送信体によれば、インレットの基材として、耐熱性に優れるガラスエポキシ基板を用いたので、被覆材を設ける際、熱プレス成形を行っても、ガラスエポキシ基板の伸縮に起因するＩＣチップの位置ずれが生じることなく、結果として、非接触型データ受送信体の通信不良が生じることがない。また、インレットと被覆材の間にレジスト層が介在するとともに、レジスト層が、少なくとも第一導電体、第二導電体、第一導電体とガラスエポキシ基板の境界、および、第二導電体とガラスエポキシ基板の境界を覆うように設けられたので、インレットと被覆材の密着性が向上するから、インレットと被覆材の間に空気層が生じることがなく、高温環境下にて非接触型データ受送信体を使用しても、空気層が膨張してインレット１１が変形することがなく、結果として、共振周波数がずれて、非接触型データ受送信体が通信不良を生じることがない。また、インレットが被覆材で被覆されているから、非接触型データ受送信体は、耐薬品性、耐候性および耐熱性に優れている。
【００１１】
本発明の非接触型データ受送信体の製造方法によれば、工程Ｃにおいて、少なくとも第一導電体、第二導電体、第一導電体とガラスエポキシ基板の境界、および、第二導電体とガラスエポキシ基板の境界を覆うように、レジスト層を設け、工程Ｅにおいて、被覆材をなす樹脂シートでインレットを挟み込み、熱プレス成形するので、被覆材を形成する際、熱プレス成形を行っても、ガラスエポキシ基板の伸縮に起因するＩＣチップの位置ずれが生じることなく、結果として、得られる非接触型データ受送信体の通信不良が生じることがない。
また、表面にレジスト層が設けられたインレットを、熱プレス成形により被覆材で被覆するので、インレットと被覆材の密着性が向上するから、インレットと被覆材の間に空気層が生じることがなく、得られた非接触型データ受送信体を高温環境下にて使用しても、空気層が膨張してインレットが変形することがなく、結果として、共振周波数がずれて、非接触型データ受送信体が通信不良を生じることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の非接触型データ受送信体およびその製造方法の最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１３】
（１）非接触型データ受送信体の第一の実施形態
図１は、本発明の非接触型データ受送信体の第一の実施形態を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
この実施形態の非接触型データ受送信体１０は、インレット１１と、インレット１１の一方の面全面に設けられたレジスト層１７およびインレット１１の他方の面全面に設けられたレジスト層１８と、これらのレジスト層１７，１８を介してインレット１１を被覆する被覆材２３とから概略構成されている。
また、インレット１１は、ガラスエポキシ基板１２と、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａに設けられた面状の第一導電体１３と、ガラスエポキシ基板１２の他方の面１２ｂに設けられた面状の第二導電体１４と、ガラスエポキシ基板１２を厚み方向に貫通し、第一導電体１３と第二導電体１４を、それぞれの一端部側にて互いに接続する第三導電体１５，１６と、第一導電体１３に接続されたＩＣチップ２０とから概略構成されている。
【００１４】
インレット１１では、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａに、接着材あるいは粘着材を介して、第一導電体１３が設けられるとともに、ガラスエポキシ基板１２の他方の面１２ｂに、接着材あるいは粘着材を介して、第二導電体１４が設けられている。
また、第一導電体１３と第二導電体１４は、ガラスエポキシ基板１２を介して対向して配置されている。そして、第一導電体１３と第二導電体１４は、平行の関係にある。
【００１５】
また、第三導電体１５は、ガラスエポキシ基板１２を厚み方向に貫通する貫通孔１２ｃ内、すなわち、一方の面１２ａから他方の面１２ｂにわたって、ガラスエポキシ基板１２に対して略垂直に設けられた貫通孔１２ｃ内において、この貫通孔１２ｃの内面１２ｅ全面に設けられている。そして、第三導電体１５が設けられた貫通孔１２ｃには、第三導電体１５が充填されているのではなく、第三導電体１５が設けられた貫通孔１２ｃの中央部には、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａから他方の面１２ｂにわたって、被覆材２３をなす樹脂材が充填されている。すなわち、貫通孔１２ｃには、第三導電体１５を介して被覆材２３をなす樹脂材が充填されている。
【００１６】
同様に、第三導電体１６は、ガラスエポキシ基板１２を厚み方向に貫通する貫通孔１２ｄ内、すなわち、一方の面１２ａから他方の面１２ｂにわたって、ガラスエポキシ基板１２に対して略垂直に設けられた貫通孔１２ｄ内において、この貫通孔１２ｄの内面１２ｆ全面に設けられている。そして、第三導電体１６が設けられた貫通孔１２ｄには、第三導電体１６が充填されているのではなく、第三導電体１６が設けられた貫通孔１２ｄの中央部には、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａから他方の面１２ｂにわたって、被覆材２３をなす樹脂材が充填されている。すなわち、貫通孔１２ｄには、第三導電体１６を介して被覆材２３をなす樹脂材が充填されている。
【００１７】
さらに、貫通孔１２ｃと貫通孔１２ｄは、ガラスエポキシ基板１２の長手方向に沿って、所定の間隔を置いて設けられている。すなわち、第三導電体１５と第三導電体１６は、ガラスエポキシ基板１２の長手方向に沿って、所定の間隔を置いて設けられている。
【００１８】
そして、第三導電体１５は、貫通孔１２ｃにおけるガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａ側の開口部にて第一導電体１３と接続され、一方、貫通孔１２ｃにおけるガラスエポキシ基板１２の他方の面１２ｂ側の開口部にて第二導電体１４と接続されている。同様に、第三導電体１６は、貫通孔１２ｄにおけるガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａ側の開口部にて第一導電体１３と接続され、一方、貫通孔１２ｄにおけるガラスエポキシ基板１２の他方の面１２ｂ側の開口部にて第二導電体１４と接続されている。
これにより、第一導電体１３と第二導電体１４は、第三導電体１５，１６を介して電気的に接続され、第一導電体１３、第二導電体１４および第三導電体１５，１６は、ガラスエポキシ基板１２の厚み方向の断面形状が略エの字型をなすアンテナ１９を形成している。
【００１９】
アンテナ１９の長手方向における長さ、すなわち、第三導電体１５，１６を介して、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａに設けられた第一導電体１３から他方の面１２ｂに設けられた第二導電体１４にわたる長さは、非接触型データ受送信体１０の使用周波数である極超短波帯〈ＵＨＦ〉やマイクロ波帯の電波帯の周波数（３００ＭＨｚ〜３０ＧＨｚ）の１／２波長に相当する長さとなっている。
【００２０】
貫通孔１２ｃ，１２ｄのガラスエポキシ基板１２の厚み方向と垂直な断面の形状、すなわち、平面視の形状は円形をなしている。なお、貫通孔１２ｃ，１２ｄの上記断面の形状は特に限定されず、楕円形、三角形、四角形（矩形）、五角形以上の多角形などであってもよい。
また、貫通孔１２ｃ，１２ｄの大きさは特に限定されず、アンテナ１９の共振周波数などに応じて適宜調整される。
【００２１】
ＩＣチップ２０は、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａにおいて、微細なワイヤー２１，２１を用いたワイヤーボンディングにより、第一導電体１３と接続されている。これにより、アンテナ１９とＩＣチップ２０は電気的に接続されている。
また、ガラスエポキシ基板１２に実装されたＩＣチップ１９は、封止材２２によって封止されている。
【００２２】
また、インレット１１の一方の面（ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａ側の面）全面に設けられたレジスト層１７は、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａに設けられた第一導電体１３の全面を覆うとともに、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界を覆っている。そして、このレジスト層１７は、ガラスエポキシ基板１２の長手方向の両端部において、第一導電体１３の一端側の角１３ｂからガラスエポキシ基板１２の一端に向かって次第に厚みが薄くなるとともに、第一導電体１３の他端側の角１３ｃからガラスエポキシ基板１２の他端に向かって次第に厚みが薄くなるような形状をなしている。すなわち、レジスト層１７は、第一導電体１３の一端側の角１３ｂおよび他端側の角１３ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなしている。
このレジスト層１７は、インレット１１と被覆材２３の密着性を向上するために設けられる。なぜならば、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａに設けられた第一導電体１３を被覆材２３で直接覆うと、第一導電体１３と被覆材２３の界面において、両者の密着性が悪く、界面剥離を生じる。そこで、第一導電体１３と被覆材２３の間にレジスト層１７を介在させることにより、インレット１１と被覆材２３の密着性を向上させている。また、レジスト層１７は、第一導電体１３の一端側の角１３ｂおよび他端側の角１３ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなしているので、第一導電体１３の一端側の角１３ｂおよび他端側の角１３ｃの近傍においても、インレット１１の外形形状に追従して被覆材２３が変形し易くなるから、インレット１１と被覆材２３の密着性が向上する。
【００２３】
同様に、インレット１１の他方の面（ガラスエポキシ基板１２の他方の面１２ｂ側の面）全面に設けられたレジスト層１８は、ガラスエポキシ基板１２の他方の面１２ｂに設けられた第二導電体１４の全面を覆うとともに、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界を覆っている。そして、このレジスト層１８は、ガラスエポキシ基板１２の長手方向の両端部において、第二導電体１４の一端側の角１４ｂからガラスエポキシ基板１２の一端に向かって次第に厚みが薄くなるとともに、第二導電体１４の他端側の角１４ｃからガラスエポキシ基板１２の他端に向かって次第に厚みが薄くなるような形状をなしている。すなわち、レジスト層１８は、第二導電体１４の一端側の角１４ｂおよび他端側の角１４ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなしている。
このレジスト層１８は、インレット１１と被覆材２３の密着性を向上するために設けられる。なぜならば、ガラスエポキシ基板１２の他方の面１２ｂに設けられた第二導電体１４を被覆材２３で直接覆うと、第二導電体１４と被覆材２３の界面において、両者の密着性が悪く、界面剥離を生じる。そこで、第二導電体１４と被覆材２３の間にレジスト層１８を介在させることにより、インレット１１と被覆材２３の密着性を向上させている。また、レジスト層１８は、第二導電体１４の一端側の角１４ｂおよび他端側の角１４ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなしているので、第二導電体１４の一端側の角１４ｂおよび他端側の角１４ｃの近傍においても、インレット１１の外形形状に追従して被覆材２３が変形し易くなるから、インレット１１と被覆材２３の密着性が向上する。
【００２４】
ガラスエポキシ基板１２としては、ガラス繊維からなる不織布を重ねたものに、エポキシ樹脂を含浸させ、プレス成形してなるものが用いられる。ガラスエポキシ基板１２は、耐熱性に優れているので、寸法安定性に優れている。また、ガラスエポキシ基板１２は、誘電率が極めて低い材料であるので、インレット１１の基材として用いた場合、アンテナ１９の通信特性を低下させることがない。
【００２５】
第一導電体１３、第二導電体１４および第三導電体１５，１６は、金属薄膜からなり、この金属薄膜を形成する金属としては、金、銀、銅、スズ、アルミニウムなどが挙げられる。
【００２６】
レジスト層１７，１８を形成する材料としては、エポキシ系樹脂とグリコール系溶剤を主成分とするレジスト材が用いられる。このレジスト材としては、具体的には、例えば、エポキシ系樹脂２３．１質量％、アクリル系樹脂３．３質量％、グルコール系溶剤（プロピレングリコールモノメチルエーテル１７．９質量％含有）２９．３質量％、芳香族系溶剤１１．１質量％、顔料（シリカ１．７質量％含有）２７．５質量％、光重合開始剤３．９質量％、添加剤１．８質量％からなる、タムラ化研社製のＤＳＲ−３３０Ｐ１８−１５が用いられる。なお、各成分の含有量は、レジスト材を構成する各成分の総量（１００質量％）に対する割合である。
【００２７】
ＩＣチップ２０としては、特に限定されず、アンテナ１９を介して非接触状態にて情報の書き込みおよび読み出しが可能なものであれば、非接触型ＩＣタグや非接触型ＩＣラベル、あるいは非接触型ＩＣカードなどのＲＦＩＤメディアに適用可能なものであればいかなるものでも用いられる。
【００２８】
封止材２２としては、特に限定されないが、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤、電子線硬化型接着剤などが用いられる。
熱硬化型接着剤としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アクリル系反応樹脂などが挙げられる。具体的には、ビスフェノールＦ型エポキシドが挙げられる。
紫外線硬化型接着剤としては、紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリウレタン樹脂、紫外線硬化性エポキシアクリレート樹脂、紫外線硬化性イミドアクリレート樹脂などが挙げられる。
電子線硬化型接着剤としては、電子線硬化性アクリル樹脂、電子線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、電子線硬化性ポリエステルアクリレート樹脂、電子線硬化性ポリウレタン樹脂、電子線硬化性エポキシアクリレート樹脂、カチオン硬化型樹脂などが挙げられる。
【００２９】
被覆材２３をなす樹脂材としては、シリコン樹脂、ポリエステル系エラストマー、ウレタン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマーなどのエラストマー材料などが用いられる。
【００３０】
非接触型データ受送信体１０によれば、インレット１１の基材として、耐熱性に優れるガラスエポキシ基板１２を用いたので、被覆材２３を設ける際、熱プレス成形を行っても、ガラスエポキシ基板１２の伸縮に起因するＩＣチップ２０の位置ずれが生じることなく、結果として、非接触型データ受送信体１０の通信不良が生じることがない。
また、インレット１１と被覆材２３の間にレジスト層１７，１８が介在するとともに、レジスト層１７が、第一導電体１３の全面と、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆い、さらに、第一導電体１３の一端側の角１３ｂおよび他端側の角１３ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなしており、また、レジスト層１８が、第二導電体１４の全面と、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆い、さらに、第二導電体１４の一端側の角１４ｂおよび他端側の角１４ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなしているので、インレット１１と被覆材２３の密着性が向上するから、インレット１１と被覆材２３の間に空気層が生じることがなく、高温環境下にて非接触型データ受送信体１０を使用しても、空気層が膨張してインレット１１が変形することがなく、結果として、共振周波数がずれて、非接触型データ受送信体１０が通信不良を生じることがない。
また、インレット１１が被覆材２３で被覆されているから、非接触型データ受送信体１０は、耐薬品性、耐候性および耐熱性に優れている。
【００３１】
また、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｃに、第三導電体１５を介して被覆材２３をなす樹脂材が充填されるとともに、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｄに、第三導電体１６を介して被覆材２３をなす樹脂材が充填されているので、この樹脂材が、第三導電体１５，１６と、第一導電体１３および第二導電体１４との接続部を保持し、これらの接続を安定させるから、第三導電体１５，１６と、第一導電体１３および第二導電体１４との安定した導通を確保し、非接触型データ受送信体１０の通信不良を防止することができる。
【００３２】
なお、この実施形態では、レジスト層１７が、第一導電体１３の全面と、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うとともに、レジスト層１８が、第二導電体１４の全面と、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆っている非接触型データ受送信体１０を例示したが、本発明の非接触型データ受送信体はこれに限定されない。本発明の非接触型データ受送信体にあっては、レジスト層は、少なくとも第一導電体、第二導電体、第一導電体とガラスエポキシ基板の境界、および、第二導電体とガラスエポキシ基板の境界を覆うように設けられていればよい。
【００３３】
また、この実施形態では、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｃに、第三導電体１５を介して被覆材２３をなす樹脂材が充填されるとともに、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｄに、第三導電体１６を介して被覆材２３をなす樹脂材が充填された非接触型データ受送信体１０を例示したが、本発明の非接触型データ受送信体はこれに限定されない。本発明の非接触型データ受送信体にあっては、ガラスエポキシ基板の貫通孔には、第三導電体のみ設けられていればよく、被覆材をなす樹脂材が充填されていなくてもよい。
また、この実施形態では、ＩＣチップ２０が、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａにおいて第一導電体１３と接続されている非接触型データ受送信体１０を例示したが、本発明の非接触型データ受送信体はこれに限定されない。本発明の非接触型データ受送信体にあっては、ＩＣチップが、ガラスエポキシ基板の他方の面において第二導電体と接続されていてもよい。
【００３４】
（２）非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態
図１〜７を参照して、本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態について説明する。
まず、図２，３に示すように、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａに、接着材あるいは粘着材を介して、第一導電体１３を配設するとともに、ガラスエポキシ基板１２の他方の面１２ｂに、接着材あるいは粘着材を介して、第二導電体１４を配設する（工程Ａ）。
【００３５】
次いで、図４に示すように、ドリルにより、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａから他方の面１２ｂにわたって、ガラスエポキシ基板１２に対して略垂直の貫通孔１２ｃ，１２ｄを穿設する。この際、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａに設けられた第一導電体１３と一緒に、ガラスエポキシ基板１２に穿孔するが、第一導電体１３に当接したドリルが、ガラスエポキシ基板１２に貫通孔１２ｃ，１２ｄを穿設すると同時に、第一導電体１３の一部を引き延ばしながら、貫通孔１２ｃ，１２ｄ内にその引き延ばした部分を引きずり込むことによって、貫通孔１２ｃの内面１２ｅ全面に第三導電体１５を形成するとともに、貫通孔１２ｄの内面１２ｆ全面に第三導電体１６を形成する。その結果、この第三導電体１５，１６を介して、第一導電体１３と第二導電体１４が接続される（工程Ｂ）。
【００３６】
次いで、図５に示すように、第一導電体１３の全面と、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うとともに、第二導電体１４の全面と、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うように、レジスト材を塗布した後、このレジスト材を硬化させて、レジスト層１７，１８を形成する（工程Ｃ）。
【００３７】
この工程Ｃにおいて、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａおよび他方の面１２ｂにレジスト材を塗布する際、その厚みを、一方の面１２ａおよび他方の面１２ｂを基準として、第一導電体１３および第二導電体１４の厚み以上とする。このようにすれば、レジスト材を硬化して形成されるレジスト層１７は、第一導電体１３の一端側の角１３ｂおよび他端側の角１３ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなすとともに、レジスト材を硬化して形成されるレジスト層１８は、第二導電体１４の一端側の角１４ｂおよび他端側の角１４ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなす。
【００３８】
また、この工程Ｃでは、第一導電体１３のＩＣチップの実装部分、すなわち、第一導電体１３の接点には、レジスト材を塗布しないようにする。
【００３９】
次いで、図６に示すように、ガラスエポキシ基板１２の一方の面１２ａにおいて、ワイヤーボンディングにより、第一導電体１３にＩＣチップ２０を接続し、次いで、ＩＣチップ２０を覆うように封止材２２を塗布した後、この封止材２２を硬化させて、ＩＣチップ２０を封止し、インレット１１を得る（工程Ｄ）。
【００４０】
次いで、図７に示すように、被覆材２３をなす一対の樹脂シート２４，２４でインレット１１を挟み込み、さらに、その外側から下型３１と上型３２からなる金型３０を用いて、熱プレス成形し、インレット１１を被覆材２３で被覆し、図１に示すような非接触型データ受送信体１０を得る（工程Ｅ）。
【００４１】
この工程Ｅにおいて用いられる下型３１には、非接触型データ受送信体１０の外形形状（詳細には、非接触型データ受送信体１０の厚み方向と垂直な方向において２分割した下側半分の外形形状）に略等しい凹部３１ａが設けられている。同様に、上型３２には、非接触型データ受送信体１０の外形形状（詳細には、非接触型データ受送信体１０の厚み方向と垂直な方向において２分割した上側半分の外形形状）に略等しい凹部３２ａが設けられている。
そして、凹部３１ａと凹部３２ａが対向するようにして下型３１と上型３２を配置した金型３０により、樹脂シート２４，２４で挟み込んだインレット１１を熱プレス成形することにより、樹脂シート２４，２４がインレット１１に密着するとともに、樹脂シート２４，２４同士が溶着して一体化し、インレット１１が被覆材２３で被覆された非接触型データ受送信体１０が得られる。
【００４２】
また、この工程Ｅでは、上述の樹脂シート２４，２４によるインレット１１の被覆と同時に、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｃに、第三導電体１５を介して被覆材２３（樹脂シート２４）をなす樹脂材が充填されるとともに、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｄには、第三導電体１６を介して被覆材２３（樹脂シート２４）をなす樹脂材が充填される。
【００４３】
この実施形態の非接触型データ受送信体の製造方法によれば、工程Ｃにおいて、第一導電体１３の全面と、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うとともに、第二導電体１４の全面と、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うように、レジスト材を塗布した後、このレジスト材を硬化させて、レジスト層１７，１８を形成し、工程Ｅにおいて、被覆材２３をなす一対の樹脂シート２４，２４でインレット１１を挟み込み、さらに、その外側から下型３１と上型３２からなる金型３０を用いて、熱プレス成形し、インレット１１を被覆材２３で被覆するので、被覆材２３を形成する際、熱プレス成形を行っても、ガラスエポキシ基板１２の伸縮に起因するＩＣチップ２０の位置ずれが生じることなく、結果として、得られる非接触型データ受送信体１０の通信不良が生じることがない。
【００４４】
また、第一導電体１３の全面と、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆い、さらに、第一導電体１３の一端側の角１３ｂおよび他端側の角１３ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなすようにレジスト層１７を設け、また、第二導電体１４の全面と、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆い、さらに、第二導電体１４の一端側の角１４ｂおよび他端側の角１４ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなすようにレジスト層１８を設けた後、表面にレジスト層１７，１８が設けられたインレット１１を、熱プレス成形により被覆材２３で被覆するので、インレット１１と被覆材２３の密着性が向上するから、インレット１１と被覆材２３の間に空気層が生じることがなく、得られた非接触型データ受送信体１０を高温環境下にて使用しても、空気層が膨張してインレット１１が変形することがなく、結果として、共振周波数がずれて、非接触型データ受送信体１０が通信不良を生じることがない。
【００４５】
なお、この実施形態では、工程Ｃにおいて、第一導電体１３の全面と、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うとともに、第二導電体１４の全面と、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うように、レジスト材を塗布し、このレジスト材を硬化させてレジスト層を形成したが、本発明の非接触型データ受送信体の製造方法はこれに限定されない。本発明の非接触型データ受送信体の製造方法にあっては、少なくとも第一導電体、第二導電体、第一導電体とガラスエポキシ基板の境界、および、第二導電体とガラスエポキシ基板の境界を覆うように、レジスト層を設ければよい。
【００４６】
また、この実施形態では、熱プレス成形により、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｃに、第三導電体１５を介して被覆材２３をなす樹脂材を充填するとともに、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｄに、第三導電体１６を介して被覆材２３をなす樹脂材を充填したが、本発明の非接触型データ受送信体の製造方法はこれに限定されない。本発明の非接触型データ受送信体の製造方法にあっては、ガラスエポキシ基板の貫通孔には、第三導電体のみ設ければよく、被覆材をなす樹脂材を充填しなくてもよい。
【００４７】
（３）非接触型データ受送信体の製造方法の第二の実施形態
図１、図８〜１０を参照して、本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第二の実施形態について説明する。
この実施形態では、上述の第一の実施形態の工程Ａ〜Ｄと同様にして、インレット１１を得る。
【００４８】
一方、インレット１１の作製とは別に、被覆材２３の一部をなす筐体２５（図９参照）を成形する。
図８に示すように、筐体２５の外形形状と等しい形状のキャビティ４２を有する金型４１を用いた射出成形により、ゲート４３からキャビティ４２内に、被覆材２３をなすエラストマー材料を充填した後、このエラストマー材料からなる成形体を金型４１から離型することによって、この筐体２５が得られる（工程Ｆ）。
【００４９】
なお、金型４１のキャビティ４２内には、インレット１１において、ＩＣチップ２０を封止する封止材２２が設けられている位置に相当する位置に、封止材２２の外形形状に略等しい形状の突起部４２ａが設けられている。これにより、図９に示すように、得られた筐体２５には、インレット１１の外形形状に略等しい収容部２５ａと、収容部２５ａ内にインレット１１を収容した場合、封止材２２が配置される位置に相当する位置に、封止材２２の外形形状に略等しい形状の凹部２５ｂが設けられる。
【００５０】
次いで、図１０に示すように、筐体２５の凹部２５ｂにＩＣチップ２０を封止する封止材２２を嵌め込むように、筐体２５の収容部２５ａ内にインレット１１を収容した後、金型５１のキャビティ５２内に、筐体２５とともにインレット１１を配置する（工程Ｇ）。
【００５１】
次いで、射出成形により、ゲート５３からキャビティ５２内に、被覆材２３をなすエラストマー材料を充填し、このエラストマー材料によって、筐体２５内のインレット１１を被覆するとともに、このエラストマー材料を筐体２５と一体化させ、インレット１１を被覆材２３で被覆した後、被覆材２３で被覆されたインレット１１を金型５１から離型することによって、図１に示すような非接触型データ受送信体１０を得る（工程Ｈ）。
【００５２】
また、この工程Ｈでは、上述の射出成形によるキャビティ５２内へのエラストマー材料の充填と同時に、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｃに、第三導電体１５を介して被覆材２３（樹脂シート２４）をなす樹脂材が充填されるとともに、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｄには、第三導電体１６を介して被覆材２３（樹脂シート２４）をなす樹脂材が充填される。
【００５３】
この実施形態の非接触型データ受送信体の製造方法によれば、工程Ｃにおいて、第一導電体１３の全面と、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うとともに、第二導電体１４の全面と、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆うように、レジスト材を塗布した後、このレジスト材を硬化させて、レジスト層１７，１８を形成し、工程Ｈにおいて、筐体２５内に収容したインレット１１を金型５１のキャビティ５２内に配置した状態で、射出成形により、キャビティ５２内に、被覆材２３をなすエラストマー材料を充填し、このエラストマー材料によって、筐体２５内のインレット１１を被覆するとともに、このエラストマー材料を筐体２５と一体化させ、インレット１１を被覆材２３で被覆するので、被覆材２３を形成する際、射出成形を行っても、ガラスエポキシ基板１２の伸縮に起因するＩＣチップ２０の位置ずれが生じることなく、結果として、得られる非接触型データ受送信体１０の通信不良が生じることがない。
【００５４】
また、第一導電体１３の全面と、第一導電体１３とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆い、さらに、第一導電体１３の一端側の角１３ｂおよび他端側の角１３ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなすようにレジスト層１７を設け、また、第二導電体１４の全面と、第二導電体１４とガラスエポキシ基板１２の境界とを覆い、さらに、第二導電体１４の一端側の角１４ｂおよび他端側の角１４ｃの近傍において、滑らかな曲線形状をなすようにレジスト層１８を設けた後、表面にレジスト層１７，１８が設けられたインレット１１を、射出成形により被覆材２３で被覆するので、インレット１１と被覆材２３の密着性が向上するから、インレット１１と被覆材２３の間に空気層が生じることがなく、得られた非接触型データ受送信体１０を高温環境下にて使用しても、空気層が膨張してインレット１１が変形することがなく、結果として、共振周波数がずれて、非接触型データ受送信体１０が通信不良を生じることがない。
【００５５】
なお、この実施形態では、射出成形により、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｃに、第三導電体１５を介して被覆材２３をなす樹脂材を充填するとともに、ガラスエポキシ基板１２の貫通孔１２ｄに、第三導電体１６を介して被覆材２３をなす樹脂材を充填したが、本発明の非接触型データ受送信体の製造方法はこれに限定されない。本発明の非接触型データ受送信体の製造方法にあっては、ガラスエポキシ基板の貫通孔には、第三導電体のみ設ければよく、被覆材をなす樹脂材を充填しなくてもよい。
【００５６】
（４）非接触型データ受送信体の第二の実施形態
図１１は、本発明の非接触型データ受送信体の第二の実施形態を示す概略断面図である。
図１１において、図１に示した構成要素と同じ構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
この実施形態の非接触型データ受送信体６０が、上述の非接触型データ受送信体１０と異なる点は、被覆材２３のＩＣチップ２０と対向している面とは反対側の面２３ａに金属層６１が設けられている点である。
【００５７】
金属層６１をなす金属としては、銅、銀、金、白金、アルミニウムなどが挙げられる。
【００５８】
この非接触型データ受送信体６０は、上述の非接触型データ受送信体１０と同様の効果を奏するだけでなく、金属製物品に貼付した場合であっても、アンテナ１９にＩＣチップ２０を作動させるのに十分な誘導起電力が発生するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の非接触型データ受送信体の第一の実施形態を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図２】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図６】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図７】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図８】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図９】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の非接触型データ受送信体の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０，６０・・・非接触型データ受送信体、１１・・・インレット、１２・・・ガラスエポキシ基板、１３・・・第一導電体、１４・・・第二導電体、１５，１６・・・第三導電体、１７，１８・・・レジスト層、１９・・・アンテナ、２０・・・ＩＣチップ、２１・・・ワイヤー、２２・・・封止材、２３・・・被覆材、２４・・・樹脂シート、２５・・・筐体、３０・・・金型、３１・・・下型、３２・・・上型、４１，５１・・・金型、４２，５２・・・キャビティ、４３，５３・・・ゲート、６１・・・金属層。
【図１】
2010152434.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010152434.tif 000009
【図８】
2010152434.tif 000010
【図９】
2010152434.tif 000011
【図１０】
2010152434.tif 000012
【図１１】
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