(57)【要約】【課題】接着剤層等の切削屑がチップ間で融着したとしても、エキスパンド時にチップ間を良好に分断して、ピックアップ時にピックアップしようとするチップに隣接するチップが付随してピックアップされてしまうピックアップミスを低減することができる半導体ウエハ加工用テープを提供する。【解決手段】基材フィルム１１上に、粘着剤層１２と接着剤層１３とがこの順に形成されてなる半導体ウエハ加工用テープ１５であって、基材シート１１は、応力−伸び率曲線において伸び率３０％までに降伏点が存在せず、破断強度が１０Ｎ／１０ｍｍ以上、伸び率が２００％以上であり、接着剤層１３の破断強度が３Ｎ／１０ｍｍ以下、伸び率が５０％以上２００％以下であることを特徴とする。【選択図】図１
2010251727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に、粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されてなる半導体ウエハ加工
用テープであって、
前記基材フィルムは、応力−伸び率曲線において伸び率３０％までに降伏点が存在せず
、且つ、破断強度が１０Ｎ／１０ｍｍ以上、伸び率が２００％以上であり、
前記接着剤層の破断強度が３Ｎ／１０ｍｍ以下、伸び率が５０％以上２００％以下であ
ることを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。
【請求項２】
前記基材フィルムは、応力−伸び率曲線において伸び率３０％までに降伏点が存在しな
い、ポリオレフィン及びポリ塩化ビニルから選択されるものからなることを特徴とする請
求項１に記載の半導体ウエハ加工用テープ。
【請求項３】
前記接着剤層に少なくともアクリル系共重合体、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含
み、前記フェノール樹脂が水酸基当量が２００以上のビフェニルノボラック型フェノール
樹脂であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウエハ加工用テープ
【請求項４】
前記接着剤層は、少なくともアクリル系共重合体及びエポキシ樹脂を含み、アクリル系
共重合体のガラス転移温度Ｔｇが１０℃以上であることを特徴とする請求項１から請求項
３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用テープ。
【請求項５】
前記接着剤層は、無機フィラーを５０％以上含有していることを特徴とする請求項１か
ら請求項４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハを保持した状態でエキスパンドされる半導体ウエハ加工用テー
プに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程に使用される半導体ウエハ加工用テープとして、基材フィルム上
に粘着剤層が設けられたダイシングテープに、ダイボンディングフィルム（ダイアタッチ
フィルムともいう）が接着剤層として積層された構造を有する半導体ウエハ加工用テープ
が提案され（例えば、特許文献１参照）、既に実用化されている。
【０００３】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに半導体ウエハ加工用テープを貼り付けた後
、半導体ウエハをダイシングブレードを用いてチップ単位に切断（ダイシング）する工程
、半導体ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、さらに切断されたチップを接着剤
層とともに粘着剤層からピックアップする工程、チップに付着した接着剤層でチップを基
板等に固定する工程が実施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０２−３２１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接着剤層は、軟らかく切削性に劣るため、ダイシング時に、ヒゲ状の切
削屑が発生し、これらの切削屑が基材フィルムや粘着剤層の切削屑とともにダイシングさ
れ隣接するチップ間で融着して、ピックアップ時に、ピックアップしようとするチップに
隣接するチップが付随してピックアップされてしまうピックアップミス（ダブルダイ）が
発生するという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、接着剤層等の切削屑がチップ間で融着したとしても、エキス
パンド時にチップ間を良好に分断し、ピックアップミスを低減することができる半導体ウ
エハ加工用テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルム上に、
粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されてなる半導体ウエハ加工用テープであって、基
材フィルムは、応力−伸び率曲線において伸び率３０％までに降伏点が存在せず、且つ、
破断強度が１０Ｎ／１０ｍｍ以上、伸び率が２００％以上であり、接着剤層の破断強度が
３Ｎ／１０ｍｍ以下、伸び率が５０％以上２００％以下であることを特徴とする。
【０００８】
基材フィルムとしては、応力−伸び率曲線において伸び率３０％までに降伏点が存在し
ない、ポリオレフィン及びポリ塩化ビニルから選択されることが好ましい。
【０００９】
また、接着剤層に少なくともアクリル系共重合体、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を
含み、フェノール樹脂が水酸基当量が２００以上のビフェニルノボラック型フェノール樹
脂であることが好ましい。
【００１０】
また、接着剤層は少なくともアクリル系共重合体及びエポキシ樹脂を含み、アクリル系
共重合体のＴｇが１０℃以上であることが好ましい。
【００１１】
さらに、接着剤層は無機フィラーを５０％以上含有していることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムとして、応力−伸び率曲線におい
て伸び率３０％までに降伏点が存在せず、且つ、破断強度１０Ｎ／１０ｍｍ以上、伸び率
２００％以上の材料からなるフィルムを用いることで、エキスパンド時の力が粘着剤フィ
ルム中央部分にまで伝わり、中央部分まで良好に引き伸ばすことができるとともに、接着
剤層の破断強度が３Ｎ／１０ｍｍ以下であるため、分断性を向上させることができる。こ
の結果、ダイシング時に発生した接着剤層等の切削屑がチップ間で融着したとしても、エ
キスパンド時に、チップ間を良好に分断することができ、ピックアップミスを抑制するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の半導体ウエハ加工用テープの一例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体ウエハ加工用テープにおける基材フィルムの、応力-伸び率曲線の一例を示すグラフである。
【図３】比較例にかかる半導体ウエハ加工用テープにおける基材フィルムの、応力-伸び率曲線の例を示すグラフである。
【図４】（ａ）は、半導体ウエハ加工用テープに、半導体ウエハＷとリングフレームが貼り合わされた状態を示す断面図であり、（ｂ）は、ダイシング後の半導体ウエハ加工用テープと半導体ウエハを示す断面図であり、（ｃ）は、エキスパンド後の半導体ウエハ加工用テープと半導体ウエハを示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本実施の形態に係る半導体ウエハ加工用テープ１５は、図１に示すように、基材フィル
ム１１の上に、粘着剤層１２が積層された粘着剤フィルム１４を有し、粘着剤層１２の上
に接着剤層１３が積層されたダイシング・ダイボンディングフィルムである。なお、粘着
剤層１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカッ
ト）されていてもよい。ウエハＷ（図４（ａ）参照）に応じてプリカットされた接着剤層
１３を積層した場合、ウエハＷが貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシン
グ用のリングフレーム２０（図４（ａ）参照）が貼り合わされる部分には接着剤層１３が
なく粘着剤層１２のみが存在することになる。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しに
くいため、プリカットされた接着剤層１３を使用することで、リングフレーム２０は粘着
剤層１２に貼り合わすことができ、使用後のリングフレーム２０への糊残りを生じにくい
という効果が得られる。また、本発明の半導体ウエハ加工用テープ１５は、ウエハ１枚分
ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形
態とを含む。以下に、基材フィルム１１、粘着剤層１２、及び接着剤層１３についてそれ
ぞれ詳細に説明する。
【００１５】
＜基材フィルム＞
基材フィルムは、引張試験により得られる応力−伸び率曲線において伸び率３０％まで
に降伏点が存在せず、且つ、破断強度１０Ｎ／１０ｍｍ以上、伸び率２００％以上の材料
から構成される。このような特性の基材フィルムを用いることで、エキスパンド時の力が
粘着剤フィルム中央部分にまで伝わり、全体を良好に引き伸ばすことが可能となる。なお
、応力−伸び率曲線において伸び率３０％までに降伏点が存在しない基材フィルムとは、
該曲線において破断点までに降伏点が現れない基材フィルム、及び、伸び率３０％以降に
降伏点が存在する基材フィルムを含むものである。
【００１６】
（応力−伸び率曲線）
図２に、伸び率３０％までに降伏点の存在しない本発明の基材フィルムの応力−伸び率
曲線の一例を示す。また、図３に、比較例として、伸び率３０％までに降伏点の存在する
基材フィルムの応力−伸び率曲線の例を示す。
【００１７】
図３に示すように、比較例の基材フィルムは、応力−伸び率曲線において伸び率３０％
までに降伏点ａ（最初の極大点）が存在する。このような基材フィルムは、エキスパンド
時に、突き上げ部材に接触する部分が降伏して、その部分だけが伸びてしまい、中央部ま
で均一に引き伸ばすことができない。これに対し、図２に示す本発明の基材フィルムは、
応力−伸び率曲線において降伏点が現れず、また破断点ｂまでに応力の低下もない。この
ように伸び率３０％までに降伏点の存在しない基材フィルムを用いることで、エキスパン
ド時の力が粘着剤フィルム中央部分にまで伝搬し、全体良好に引き伸ばすことが可能とな
る。
【００１８】
（破断強度及び伸び率）
本発明の基材フィルムは、破断強度１０Ｎ／１０ｍｍ以上、伸び率２００％以上を有す
る。破断強度が１０Ｎ／１０ｍｍより小さいと、機械的強度が不足して、エキスパンド時
に破断し易い。また、伸び率が２００％より小さいと、エキスパンド性が悪い。
【００１９】
本発明において、破断強度及び伸び率は、ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に準拠した引張試験装
置を使用して、以下のような引張試験によって得られる。
破断強度：基材フィルムを１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１に準拠）で打ち抜
いて試験片を作成し、標線間距離４０ｍｍ、引張速度３００ｍｍｍ／ｍｉｎでの標線間破
断時の荷重（引張応力）を測定する。
伸び率：破断強度測定において、破断時の伸び率を測定する。
【００２０】
基材フィルム１１を構成する材料としては、上記特性を有する限り特に限定されないが
、ポリオレフィン及びポリ塩化ビニルから選択されることが好ましい。
【００２１】
上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン
共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エ
チレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共
重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【００２２】
後述する粘着剤層として放射線照射により硬化し、粘着力が低下するタイプを用いる場
合には、基材フィルムは、上記特性を有し、且つ、放射線透過性であることが好ましい。
基材フィルムの厚さは、強度およびチップのピックアップ性確保の観点から、５０〜３０
０μｍであることが好ましい。また、基材フィルムは、単層であっても、複数層で構成さ
れていてもよい。
【００２３】
＜粘着剤層＞
粘着剤層は、基材フィルム上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層とし
ては特に制限はなく、エキスパンドの際に接着剤層及び半導体ウエハが剥離したりしない
程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであ
ればよい。ピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好まし
い。
【００２４】
例えば、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹
脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸
エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体
、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマ
ー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して粘着剤を調製することが好まし
い。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。粘着剤層の厚さは特に限定さ
れるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましい。
【００２５】
重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭
素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物や、光重合性炭素−炭素二重結合基
を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテ
トラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１
，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリ
ゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エス
テル類の共重合体等が適用可能である。
【００２６】
また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマ
ーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型または
ポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４
−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレン
ジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジ
イソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピル
アクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリ
レート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘
着剤層には、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。また、以上に
挙げた粘着剤の材料は、表面自由エネルギーを４０ｍJ／ｍ２以下とするうえで、トリフ
ルオロメチル基、ジメチルシリル基、長鎖アルキル基等の無極性基をなるべく多く分子構
造中に含むことが望ましい。
【００２７】
なお、粘着剤層の樹脂には、放射線を基材フィルムに照射して粘着剤層を硬化させる放
射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着
剤を調製することもできる。
【００２８】
光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベ
ンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシ
ルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチ
ルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェ
ニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重
合体１００質量部に対して０．０１〜５質量部が好ましい。
【００２９】
なお、粘着剤中に低分子成分が存在していると、基材フィルム製造後に長期保管してい
る間に、低分子成分が粘着剤層表面に移行し粘接着特性を損なう恐れがあるため、ゲル分
率が高いことが望ましく、通常６０％以上、好ましくは７０％以上である。ここで、ゲル
分率とは、以下のように算出されるものをいう。粘着剤層約０．０５ｇを秤取し、キシレ
ン５０ｍｌに１２０℃で２４時間浸漬した後、２００メッシュのステンレス製金網で濾過
し、金網上の不溶解分を１１０℃にて１２０分間乾燥する。次に、乾燥した不溶解分の質
量を秤量し、下記に示す式（１）にてゲル分率を算出する。
ゲル分率（％）＝（不溶解分の質量／秤取した粘着剤層の質量）×１００      式（１）
【００３０】
＜接着剤層＞
接着剤層は、半導体ウエハが貼り合わされ切断された後、チップをピックアップする際
に、切断された接着剤層が粘着剤層から剥離してチップに付着しており、チップをパッケ
ージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能するものであ
る。
【００３１】
接着剤層は、破断強度が３Ｎ／１０ｍｍ以下、伸び率が５０％以上２００％以下である
。このような特性の接着剤層を用いることで、分断性が向上する。伸び率が５０％未満の
場合は、ウエハに貼合することが困難で密着性を保持できず、ダイシング時にチップ飛び
が生じてしまう。伸び率が２００％を超えると、ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑が発生
し、これらの切削屑が基材フィルムや粘着剤層の切削屑とともに隣接するチップ間で融着
してダブルダイが生じてしまう。
【００３２】
接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公
知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂
、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系共重合体、ブタジエンゴム、シリコー
ン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等や
その混合物を使用することができるが、接着剤層１３の分断性をよくするためには、アク
リル系共重合体、エポキシ樹脂及びその硬化剤を含み、アクリル系共重合体のＴｇが１０
℃以上であることが好ましい。さらには、無機フィラーを５０％以上含有することが好ま
しい。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリ
ング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えること
が望ましい。接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度
が好ましい。
【００３３】
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限はないが、二官能基
以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ましくは３０００未満のエポキシ樹脂
が使用できる。また、好ましくは分子量が５００以上、より好ましくは８００以上のエポ
キシ樹脂が使用できる。
【００３４】
例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオー
ルのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール
類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加
物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エ
ポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもでき
る。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性
を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
エポキシ樹脂の硬化剤としては、特に限定されず公知のものを使用することができる。
例えば、フェノール系樹脂、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ジシアンジアミド等の
潜在性硬化剤等が挙げられる。この中でも特に耐熱性、電気特性（加水分解性がない）等
の面かフェノール系樹脂が好ましい。フェノール系樹脂の例として、フェノールノボラッ
ク型、キシリレンノボラック型、ビスＡノボラック型、トリフェニルメタンノボラック型
、ビフェニルノボラック型、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック型等のフェノー
ル樹脂が挙げられる。この中でも特に低吸水、密着性の面からビフェニルノボラック型フ
ェノール樹脂が好ましい。これを使用することで破断伸びが低くなった場合でも、シリコ
ンとの良好な密着性を保持することができる。また、吸水率が低いために、半導体ウエハ
加工用テープを放置した際に発生する経時でのピックアップ性悪化を抑制することができ
る。
また、エポキシ樹脂及び硬化剤を用いる場合には、助剤として硬化促進剤等を使用する
こともできる。本発明に用いることができる硬化促進剤としては特に制限が無く、例えば
、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩などを用いることができる。
【００３５】
アクリル系共重合体としては、例えば、エポキシ基含有アクリル共重合体を用いること
ができる。エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレ
ート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含む。高い接着力を得るためには
、０．５重量％以上が好ましく、６重量％以下であればゲル化を抑制できる。
【００３６】
官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの
量は０．５〜６重量％の共重合体比である。つまり、本発明においてエポキシ基含有アク
リル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、
得られる共重合体に対し０．５〜６重量％となる量用いて得られた共重合体をいう。その
残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有
するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリ
ルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び
／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮
して調整することが好ましい。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重
合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。エポキシ基含有アクリル共重
合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、
３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。
３００万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材
に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準
ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３７】
無機フィラーとしては特に制限が無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸
化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミ
ウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられる。これらは、１種
又は２種以上を併用することもできる。熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。特性のバラン
スの観点ではシリカが好ましい。
【００３８】
フィラーの平均粒径は、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．３〜３μｍであ
ることがより好ましく、０．５〜２μｍであることがさらに好ましい。フィラーの平均粒
径が０．１μｍ未満であると被着体へのぬれ性や流動性が低下し、接着性が低下する傾向
があり、１０μｍを超えるとフィルム化する際に平滑な面にできない、ボイドが混入しや
すくなる、粗大フィラーによりチップがダメージを受ける等で問題となる。なお、本発明
において、平均粒径とは、ＴＥＭ、ＳＥＭ等により測定したフィラー１００個の粒径から
求められる平均値を言う。
【００３９】
破断強度を３Ｎ／１０ｍｍ以下とするためには、フィラー含有量を増加、アクリル系重
合体の含有量を減少させるとよく、フィラー添加量を全体量の４０〜７０重量部、アクリ
ル系重合体含有量をフィラーを除いた成分１００重量部中の２０〜５０重量部とすること
が好ましい。また、伸び率を２００％以下とするには、フィラー含有量の増加の他に、常
温で固形のエポキシ樹脂の含有量を増加させるとよく、アクリル系重合体１００重量部に
対して１００〜５００重量部とすることが好ましい。
【００４０】
次に、図１に示す本発明の半導体ウエハ加工用テープ１５を使用して、接着剤層付き半
導体チップを製造する方法について、図４を参照しながら説明する。
【００４１】
（貼合工程）
まず、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ加工用テープ１５の接着剤層１３に半導
体ウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、粘着剤層１２の所定位置にリングフレーム２
０を貼り合わせる。
【００４２】
（ダイシング工程）
吸着ステージ２２により、ウエハ加工用テープ１５を基材フィルム１２面側から吸着支
持し、図示しないブレードを用いて、半導体ウエハＷを機械的に切断し、複数の半導体チ
ップＣに分割する（図４（ｂ））。なお、このとき、接着剤層１３や粘着剤層１２、基材
フィルム１１の一部も適宜ダイシングされる。
【００４３】
（照射工程）
そして、放射線を基材フィルム１１の下面から粘着剤層１２に照射して粘着剤層１２を
硬化させる。硬化させた粘着剤層１２は粘着力が低下するため、粘着剤層１２上の接着剤
層１３を剥離させることが可能となる。なお、粘着剤層を複数の層で構成する場合、接着
剤層１３を粘着剤層１２から剥離するために、粘着剤層全体を硬化させる必要はなく、少
なくともウエハに対応する粘着剤層部分を硬化させてもよい。
【００４４】
（エキスパンド工程）
照射工程の後、分割された複数の半導体チップＣを保持する半導体ウエハ加工用テープ
１５をエキスパンド装置のステージ２１上に載置する。そして、図４（ｃ）に示すように
、中空円柱形状の突き上げ部材２３を、半導体ウエハ加工用テープ１５の下面側から上昇
させ、上記粘着剤フィルム１４をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばす。ここで、応
力−伸び率曲線において伸び率３０％までに降伏点が存在せず、且つ、破断強度１０Ｎ／
１０ｍｍ以上、伸び率２００％以上の材料からなる基材フィルム１１が用いられているた
め、エキスパンド時の力が粘着剤フィルム１４中央部分にまで伝わり、中央部分まで良好
に引き伸ばすことができる。また、破断強度が３Ｎ／１０ｍｍ以下の接着剤層１３が用い
られているため、接着剤の分断性が良い。したがって、ダイシング工程において発生した
接着剤層１３等の切削屑等を介して、ダイシング工程後に隣接するチップＣ同士が再接着
していたとしても、エキスパンド時に粘着剤フィルム１４が引き伸ばされる際に、接着剤
が分断されやすい。
【００４５】
（ピックアップ工程）
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルムをエキスパンドした状態のままで、チッ
プＣをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルムの下側
からチップをピンによって突き上げるとともに、粘着フィルムの上面側から吸着冶具でチ
ップＣを吸着することで、個片化されたチップＣを接着剤層１３とともにピックアップす
る。この時、各チップＣは、隣接するチップＣとの間に存在する接着剤層１３等の切削屑
がエキスパンド工程により、良好に分断されているため、隣接するチップＣが付随してピ
ックアップされるピックアップミスを低減することができる。
【００４６】
（ダイボンディング工程）
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的に
は、ピックアップ工程でチップＣとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チ
ップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。
【００４７】
以上より、ダイシング時に発生した接着剤層等の切削屑がチップ間で融着したとしても
、エキスパンド時に、チップ間を良好に分断することができ、ピックアップミスを抑制す
ることができる。
【００４８】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
【００４９】
（粘着剤フィルム）
表１に示す基材フィルムＡ、Ｂ、Ｃに、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物を乾燥膜厚
が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着剤フィルムＡ、Ｂ、Ｃ
を作製した。粘着剤層組成物としては、炭素−炭素２結合含有アクリル共重合体（分子量
：３０万Ｍｗ、Ｔｇ：−２０℃）１００重量部、硬化剤（イソシアネート化合物）３重量
部、光開始剤（1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン）２重量部からなるアク
リル系放射線硬化性粘着剤組成物を用いた。
【００５０】
【表１】
2010251727.tif 000003
【００５１】
（接着フィルム）
表２に示した割合で各成分を配合した接着剤層組成物を有機溶剤に加えて調製し、塗布
液を得た。この塗布液を、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
上に塗布し、１３０℃で３分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の接着フ
ィルム１〜４を作製した。表２中の、アクリル系ポリマー（１）は、分子量８０万Ｍｗ、
ガラス転移温度５℃のアクリル系共重合体、アクリル系ポリマー（２）は、分子量７０万
Ｍｗ、ガラス転移温度１５℃のアクリル系共重合体である。また、エポキシ樹脂（１）は
、エポキシ当量１８０〜２００の液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ樹脂（
２）は、エポキシ当量２１０〜２３０のｏ-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である
。また、硬化剤（１）は、水酸基当量１６０〜１９０のノボラック型フェノール樹脂、硬
化剤（２）は水酸基当量２０４〜２０８のビフェニルノボラック型フェノール樹脂、硬化
剤（３）は、イミダゾール化合物（２−フェニル４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾー
ル）である。シリカフィラー（１）は、平均粒径２μｍの球状合成シリカ、シリカフィラ
ー（２）は、平均粒径０．５μｍの球状合成シリカである。
【００５２】
【表２】
2010251727.tif 000004
【００５３】
（実施例、比較例）
粘着剤フィルムＡ〜Ｃ及び接着フィルム１〜４を、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍ
の円形にカットし、粘着剤フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせ
た。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、表３の組合せのダイ
シング・ダイボンディングフィルム（実施例１〜６、比較例１〜８）を得た。
【００５４】
＜引張試験＞
基材フィルムＡ、Ｂ、Ｃおよび接着フィルム１〜４の接着剤層について、引張試験装置
（ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に準拠）を使用して、温度２４±２℃、湿度６４±５％にて以下
のような引張試験を行った。これらの結果を表２に示す。
【００５５】
（破断強度）
各基材フィルム及び各接着剤層を１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１に準拠）で
打ち抜いて試験片を作成し、標線間距離４０ｍｍ、引張速度３００ｍｍｍ／ｍｉｎでの標
線間破断時の荷重（引張応力）を測定した。
【００５６】
（伸び率）
上記破断強度測定において、破断時の伸び率を測定した。
【００５７】
（基材フィルムの降伏点）
また、各基材フィルムについては、引張試験により得られた応力−伸び率曲線より伸び
率３０％までの降伏点の有無を確認した。
【００５８】
＜ピックアップ性試験１＞
各実施例、比較例に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを７０℃でウエハ（１
００μｍ厚）へ加熱貼合した後、１０×１０ｍｍにダイシングした。その後、５時間以内
に粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した後、ダイボン
ダー装置（ＮＥＣマシナリー製）によるピックアップ試験（ダイシング・ダイボンディン
グフィルムのエキスパンド量７ｍｍ）を行い、チップ１００個でのピックアップ不良率（
ピックアップミス）を求めた。これらの結果を表２に示す。
＜ピックアップ性試験２＞
ダイシング・ダイボンディングフィルムを最初に３０℃／８０％／４８ｈで吸湿処理し
た以外はピックアップ試験１と同様にして試験を行った。
＜ピックアップ性試験３＞
ダイシング後に２３℃―１６８ｈ放置後に紫外線を照射した以外はピックアップ性試験
１と同様にして試験を行った。
<チップ飛びの測定方法>
各実施例、比較例に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを７０℃でウエハ（１
００μｍ厚）へ加熱貼合した後、１００ｍｍ／秒の速度で２×２ｍｍにダイシングした。
この時にチップが飛んだ確立％（／１００チップ）でチップ飛びを求めた。
【００５９】
【表３】
2010251727.tif 000005
【００６０】
比較例１〜７ではエキスパンド時に、融着したチップ間の接着剤が分断されないために
ダブルダイによるピックアップミスが発生し、比較例８では、チップ飛びが発生した。こ
れに対して、実施例１〜６では、エキスパンド時に融着したチップ間の接着剤が分断され
るためにピックアップミスが減少した。
【符号の説明】
【００６１】
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１４：粘着剤フィルム
１５：半導体ウエハ加工用テープ
２０：リングフレーム
２１：ステージ
２２：吸着ステージ
２３：突き上げ部材
【図１】
2010251727.tif 000006
【図２】
2010251727.tif 000007
【図３】
2010251727.tif 000008
【図４】
2010251727.tif 000009