(57)【要約】【課題】  電極の剥離が抑制され、安定した動作が可能な窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  ｐ型半導体層１１のリッジ部１２の側面に形成される絶縁膜１３の表面に密着層２１を形成し、密着層２１を介してリッジ部１２をｐ型電極１４によって覆う。これによって、リッジ部１２の側面では、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間には、密着層２１が介在する。この密着層２１として、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成る密着層を設ける。また密着層２１に代えて、金属材料と酸化されやすい易酸化性材料との合金材料から成る密着層を設ける。これによって、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性を向上させ、ｐ型電極１４の絶縁膜１３からの剥離を抑制することができる。【選択図】  図２
2010093042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジ部を有する窒化物半導体層と、
前記リッジ部の側面に形成された絶縁膜と、
少なくとも前記絶縁膜の表面に形成され、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成る密着層と、
前記密着層を介して前記リッジ部を覆う電極とを備えることを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項２】
前記密着層は、前記絶縁膜の表面および前記リッジ部の上面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３】
前記窒化物系材料は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）および窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）のうちの少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体装置。
【請求項４】
リッジ部を有する窒化物半導体層と、
前記リッジ部の側面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面に形成され、金属材料と酸化されやすい易酸化性材料との合金材料から成る密着層と、
前記密着層を介して前記リッジ部を覆う電極とを備えることを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項５】
前記易酸化性材料は、亜鉛（Ｚｎ）、珪素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）およびタンタル（Ｔａ）のうちの少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体装置。
【請求項６】
前記密着層は、前記絶縁膜の表面に近づくに従って前記易酸化性材料の濃度が高くなることを特徴とする請求項４または５に記載の窒化物半導体装置。
【請求項７】
リッジ部を有する窒化物半導体層を準備する工程と、
前記リッジ部の側面に絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記絶縁膜の表面に、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成る密着層を形成する工程と、
前記密着層に接して前記リッジ部を覆うように、電極を形成する工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項８】
リッジ部を有する窒化物半導体層を準備する工程と、
前記リッジ部の側面に絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記絶縁膜の表面に、金属材料と酸化されやすい易酸化性材料との合金材料から成る密着層を形成する工程と、
前記密着層に接して前記リッジ部を覆うように、電極を形成する工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記密着層を形成する工程では、
前記密着層を、前記絶縁膜の表面に近づくに従って前記易酸化性材料の濃度が高くなるように形成することを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体装置では、リッジ型構造が広く採用されている。リッジ型構造の窒化物半導体装置は、たとえば、ｐ型の窒化物半導体層にリッジ部が形成された構成を有し、そのリッジ部の側面には、絶縁膜を介して、リッジ部の上面から連なるｐ型電極が形成されている。
【０００３】
この構成では、絶縁膜とｐ型電極材料との密着性が充分に得られないという問題がある。そこで、特許文献１には、リッジ部の側面の絶縁膜とｐ型電極との間に、熱処理された白金族系金属、たとえばロジウムから成る密着層をスパッタで形成することによって、絶縁膜とｐ型電極との密着性を得る方法が開示されている。また特許文献２には、リッジ部の側面とｐ型電極との間に、一定の基準を満たす密度あるいは表面の粗さを有する、酸化ジルコニウムなどから成る保護膜を形成する方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５１１３７号公報
【特許文献２】特開２００７−１３４４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１および特許文献２に開示の構成の窒化物半導体装置であっても、たとえばレーザダイオードとして適用した場合、リッジ部の側面に形成された絶縁膜とｐ型電極材料との密着性が充分に得られないという問題がある。密着性が充分に得られないと、絶縁膜からｐ型電極が剥離し、さらには、ｐ型電極がリッジ部の上面からも剥離して窒化物半導体層から剥離するという問題が生じる。このｐ型電極の窒化物半導体層からの剥離によって、レーザダイオードを動作させるための動作電圧の増加、および動作時の発熱による特性ばらつきを生じる。その結果、規定の温度範囲内で安定した動作出力を得ることが難しいという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、電極の剥離が抑制され、安定した動作が可能な窒化物半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の窒化物半導体装置は、リッジ部を有する窒化物半導体層と、前記リッジ部の側面に形成された絶縁膜と、少なくとも前記絶縁膜の表面に形成され、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成る密着層と、前記密着層を介して前記リッジ部を覆う電極とを備えることを特徴とする。
【０００８】
また本発明の窒化物半導体装置は、リッジ部を有する窒化物半導体層と、前記リッジ部の側面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の表面に形成され、金属材料と酸化されやすい易酸化性材料との合金材料から成る密着層と、前記密着層を介して前記リッジ部を覆う電極とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の窒化物半導体装置の製造方法は、リッジ部を有する窒化物半導体層を準備する工程と、前記リッジ部の側面に絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記絶縁膜の表面に、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成る密着層を形成する工程と、前記密着層に接して前記リッジ部を覆うように、電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
また本発明の窒化物半導体装置の製造方法は、リッジ部を有する窒化物半導体層を準備する工程と、前記リッジ部の側面に絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記絶縁膜の表面に、金属材料と酸化されやすい易酸化性材料との合金材料から成る密着層を形成する工程と、前記密着層に接して前記リッジ部を覆うように、電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の窒化物半導体装置によれば、窒化物半導体層のリッジ部の側面には絶縁膜が形成され、少なくとも絶縁膜の表面には密着層が形成される。リッジ部は、密着層を介して電極によって覆われるので、リッジ部の側面では、絶縁膜と電極との間には、密着層が介在する。密着層は、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成り、この窒化物系材料は、絶縁膜および電極の両方に対して良好な密着性を有するので、絶縁膜と電極との間に前記窒化物系材料から成る密着層が介在しない場合に比べて、絶縁膜と電極との密着性を向上させることができる。
【００１２】
これによって、電極が絶縁膜から剥離することを抑制し、低抵抗で安定して動作可能な電極を実現することができるので、窒化物半導体装置の動作電圧を低くすることが可能である。したがって、動作時の発熱を減少させることが可能となり、安定した動作が可能な窒化物半導体装置を実現することができる。
【００１３】
また本発明の窒化物半導体装置によれば、窒化物半導体層のリッジ部の側面には絶縁膜が形成され、少なくとも絶縁膜の表面には密着層が形成される。リッジ部は、密着層を介して電極によって覆われるので、リッジ部の側面では、絶縁膜と電極との間には、密着層が介在する。密着層は、金属材料と易酸化性材料との合金材料から成り、この合金材料は、絶縁膜および電極の両方に対して良好な密着性を有するので、絶縁膜と電極との間に前記合金材料から成る密着層が介在しない場合に比べて、絶縁膜と電極との密着性を向上させることができる。
【００１４】
これによって、電極が絶縁膜から剥離することを抑制し、低抵抗で安定して動作可能な電極を実現することができるので、窒化物半導体装置の動作電圧を低くすることが可能である。したがって、動作時の発熱を減少させることが可能となり、安定した動作が可能な窒化物半導体装置を実現することができる。
【００１５】
本発明の窒化物半導体装置の製造方法によれば、窒化物半導体層のリッジ部の側面に絶縁膜を形成し、少なくとも絶縁膜の表面に密着層を形成した後、密着層に接してリッジ部を覆うように電極が形成されるので、リッジ部の側面では、絶縁膜と電極との間に密着層が介在する。密着層は、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成り、この窒化物系材料は、絶縁膜および電極の両方に対して良好な密着性を有するので、絶縁膜と電極との間に前記窒化物系材料から成る密着層が介在しない場合に比べて、絶縁膜と電極との密着性を向上させることができる。
【００１６】
これによって、電極が絶縁膜から剥離することを抑制し、低抵抗で安定して動作可能な電極を形成することができるので、動作電圧の低い窒化物半導体装置を得ることが可能である。したがって、動作時の発熱を減少させることが可能となり、安定した動作が可能な窒化物半導体装置を得ることができる。また本発明の窒化物半導体装置の製造方法によれば、製造プロセスおよび装置形状を大幅に変更することなく、特性を維持したまま、リッジ部からの電極の剥離を抑制して、歩留まりを向上させることができる。
【００１７】
また本発明の窒化物半導体装置の製造方法によれば、窒化物半導体層のリッジ部の側面に絶縁膜を形成し、少なくとも絶縁膜の表面に密着層を形成した後、密着層に接してリッジ部を覆うように電極が形成されるので、リッジ部の側面では、絶縁膜と電極との間に密着層が介在する。密着層は、金属材料と易酸化性材料との合金材料から成り、この合金材料は、絶縁膜および電極の両方に対して良好な密着性を有するので、絶縁膜と電極との間に前記合金材料から成る密着層が介在しない場合に比べて、絶縁膜と電極との密着性を向上させることができる。
【００１８】
これによって、電極が絶縁膜から剥離することを抑制し、低抵抗で安定して動作可能な電極を形成することができるので、動作電圧の低い窒化物半導体装置を得ることが可能である。したがって、動作時の発熱を減少させることが可能となり、安定した動作が可能な窒化物半導体装置を得ることができる。また本発明の窒化物半導体装置の製造方法によれば、製造プロセスおよび装置形状を大幅に変更することなく、特性を維持したまま、リッジ部からの電極の剥離を抑制して、歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
＜前提技術＞
本発明の窒化物半導体装置を説明する前に、本発明の前提となる窒化物半導体装置について説明する。図１は、本発明の前提となる窒化物半導体装置１０の構成を示す断面図である。窒化物半導体装置１０は、ｐ型半導体層１１と、絶縁膜１３と、ｐ型電極１４とを備えて構成される。ｐ型半導体層１１は、上部にリッジ部１２を有する。ここで、「上」とは、リッジ部が鉛直方向上向きを向くようにｐ型半導体層を配置した状態における上側を意味する。リッジ部１２は、図１の紙面に垂直な一方向に延在する。リッジ部１２の側面は、たとえば、リッジ部１２の両側のｐ型半導体層１１の表面に対して、その表面から遠ざかるに従って、その表面に平行なリッジ部１２の断面積が小さくなるように、傾斜して形成される。リッジ部１２の側面の形状は、これに限定されない。絶縁膜１３は、リッジ部１２の側面およびリッジ部１２の両側のｐ型半導体層１１の表面に形成される。絶縁膜１３は、たとえば二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜によって構成される。ｐ型電極１４は、絶縁膜１３と接触し、リッジ部１２を覆うように形成される。このような構成の窒化物半導体装置１０では、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性が充分に得られず、ｐ型電極１４が絶縁膜１３から剥がれるという問題がある。以上のような問題に鑑み、本発明では、以下に示す各実施の形態の構成を採用している。
【００２０】
＜第１の実施の形態＞
図２は、本発明の第１の実施の形態である窒化物半導体装置２０の構成を示す断面図である。図２に示す窒化物半導体装置２０の構成は、前述の図１に示す窒化物半導体装置１０の構成と類似しているので、対応する部分には同一の参照符を付すものとする。
【００２１】
窒化物半導体装置２０は、窒化物半導体層であるｐ型半導体層１１と、絶縁膜１３と、ｐ型電極１４と、密着層２１とを備えて構成される。ｐ型半導体層１１は、上部にリッジ部１２を有する。リッジ部１２の側面からこの側面の下部に連なるｐ型半導体層１１の上部にわたって、絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３の表面全体にわたって、密着層２１が形成されている。絶縁膜１３は、具体的には、リッジ部１２の側面およびリッジ部１２の両側のｐ型半導体層１１の表面に形成される。絶縁膜１３は、ＳｉＯ2膜によって構成される。密着層２１の材料としては、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料、具体的には窒化ガリウム（ＧａＮ）が用いられる。
【００２２】
ｐ型電極１４は、密着層２１を介してリッジ部１２を覆うように形成される。具体的に述べると、ｐ型電極１４は、密着層２１と接触してリッジ部１２の側方の密着層２１表面およびリッジ部１２の上面を覆うように形成される。さらに詳細に述べると、ｐ型電極１４は、リッジ部１２の上面から、リッジ部１２の両側のｐ型半導体層１１の表面に形成された絶縁膜１３および密着層２１のリッジ部１２寄りの部分にわたって形成される。ｐ型電極１４は、本実施の形態では、パラジウム（Ｐｄ）を含む材料、より詳細にはＰｄおよびタンタル（Ｔａ）を含む材料によって構成される。ｐ型半導体層１１の材料には、窒化物半導体材料、たとえばＧａＮが用いられる。
【００２３】
以上のように本実施の形態の窒化物半導体装置２０によれば、ｐ型半導体層１１のリッジ部１２の側面には絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３の表面には密着層２１が形成される。リッジ部１２は、密着層２１を介してｐ型電極１４によって覆われるので、リッジ部１２の側面では、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間には、密着層２１が介在する。密着層２１は、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成り、この窒化物系材料は、絶縁膜１３およびｐ型電極１４の両方に対して良好な密着性を有するので、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間に前記窒化物系材料から成る密着層が介在しない場合に比べて、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性を向上させることができる。
【００２４】
具体的に述べると、密着層２１を構成するＧａを含む窒化物系材料は、絶縁膜１３を構成するＳｉＯ2と、ｐ型電極１４を構成するＰｄを含む材料との両方に対して良好な密着性を有する。リッジ部１２側面の絶縁膜１３上にＧａを含む窒化物系材料から成る密着層２１を介してｐ型電極１４を形成したことで、密着層２１の上下は、密着層２１に対する密着性が良好な材料によって構成されることになる。したがって、絶縁膜１３に対するｐ型電極１４の密着性が向上し、絶縁膜１３上でのｐ型電極１４の剥がれを抑制することができる。
【００２５】
このように絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性を向上させることによって、ｐ型電極１４の絶縁膜１３からの剥離、およびそれに起因するｐ型電極１４のリッジ部１２の上面からの剥離を抑制し、低抵抗で安定して動作可能なｐ型電極１４を実現することができるので、窒化物半導体装置２０の動作電圧を低くすることが可能である。したがって、動作時の発熱を減少させることが可能となり、安定した動作が可能な窒化物半導体装置２０を実現することができる。また発熱による影響を低減することができるので、安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。
【００２６】
密着層２１としては、ＧａＮに限らず、Ｇａを含む窒化物系材料から成る窒化物系膜であれば、同様の効果が得られる。Ｇａを含む窒化物系材料としては、前述のＧａＮ、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）および窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）などのＧａ系窒化物半導体材料が挙げられる。密着層２１は、密着性を向上させるために必要なものであるので、必ずしも結晶性が要求されるものではない。したがって密着層２１は、単結晶でもよいし、アモルファスでもよい。
【００２７】
図３〜図６は、本発明の第１の実施の形態である窒化物半導体装置２０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。図３は、リッジ部１２を形成する前のｐ型半導体層１１の状態を示す断面図である。図４は、リッジ部１２の形成が終了した段階の状態を示す断面図である。まず、図３に示すようにｐ型半導体層１１を準備し、このｐ型半導体層１１の表面に、転写技術を用いて、リッジ部１２形成用のパターンが施されたマスク材、たとえば、図示しないレジストを形成する。次に、ｐ型半導体層１１の表面に形成されたレジストパターンをマスク材としてｐ型半導体層１１を選択的にエッチングすることによって、図４に示すようにｐ型半導体層１１の上部にリッジ部１２を形成する。
【００２８】
リッジ部１２を形成するためのエッチングには、ドライエッチングが用いられる。ドライエッチングには、高周波誘導結合プラズマ（Induced Coupled Plasma；略称：ＩＣＰ）、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；略称：ＲＩＥ）または電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance；略称：ＥＣＲ）などによるエッチングを用いることが可能である。このときのエッチングガスとしては、たとえば塩素（Ｃｌ）系のガスが用いられる。エッチング深さは、デバイスの特性に応じて決定されるが、およそ０．５μｍ程度が必要となる。また、リッジ部１２のエッチングには、レジストマスクではなく、絶縁膜などの材料を用いてもよく、同様のリッジ部１２の加工が可能である。このようにしてｐ型半導体層１１にリッジ部１２を形成する工程は、リッジ部を有する窒化物半導体層を準備する工程に相当する。
【００２９】
図５は、絶縁膜１３および密着層２１の形成が終了した段階の状態を示す断面図である。リッジ部１２の形成後は、リッジ部１２の側面からこの側面の下部に連なるｐ型半導体層１１の上面にわたって、絶縁膜１３および密着層２１をこの順に形成する。絶縁膜１３および密着層２１は、成膜した後、リフトオフ法またはエッチバック法を用いて選択的に除去することによって形成される。
【００３０】
絶縁膜および密着層２１は、リフトオフ法を用いる場合には、以下のようにして形成される。具体的には、まず、絶縁膜１３のパターンを形成するためのマスクを、絶縁膜１３を形成しない部分、本実施の形態ではリッジ部１２の上面に形成した後、絶縁膜１３を成膜する。この絶縁膜１３の成膜には、たとえば、蒸着法、スパッタ法または化学気相成長（Chemical Vapour Deposition；略称：ＣＶＤ）法を用いる。絶縁膜１３の膜厚は、デバイスの光学特性によって決定されるものであり、たとえば２００ｎｍ程度の膜厚が必要となる。また絶縁膜１３の材料としては、デバイス作製上は二酸化珪素（ＳｉＯ2）が望ましいが、これに限定されるものではなく、窒化珪素（ＳｉＮ）またはその他の絶縁材料で光学特性を満たすことが可能な材料であればよい。
【００３１】
このようにして形成した絶縁膜１３上に密着層２１を形成する。密着層２１は、絶縁膜１３の形成方法と同様にスパッタ法またはＣＶＤ法などを用いて、絶縁膜１３上に形成することが可能である。密着層２１の形成方法が絶縁膜１３と同じであれば、一度の処理で連続的に絶縁膜１３および密着層２１を形成することが可能である。密着層２１は、ＧａＮによって構成される。密着層２１の膜厚は、デバイス特性に影響を与えず、密着性が向上できる膜厚であればよく、具体的には１０ｎｍ以下が望ましい。密着層２１の膜厚を前述のような膜厚にすることによって、デバイス特性に影響を与えないだけでなく、作成プロセスにも影響を与えないで、デバイスを作製することが可能となる。
【００３２】
密着層２１は、ｐ型電極１４と絶縁膜１３との密着性を向上するために用いられるものであるので、密着層２１の膜厚は絶縁膜１３上に均一に形成されてもよいし、密着性が得られる範囲内で不均一に形成されてもよい。また本実施の形態とは異なるが、密着層１３は、密着性が得られる範囲内であれば、絶縁膜１３の表面全体に形成されなくてもよく、絶縁膜１３上に部分的に形成されてもよい。
【００３３】
密着層２１を成膜した後、絶縁膜１３のパターンを形成するためのマスクを除去することによって、マスク上に形成された絶縁膜１３および密着層２１を除去する。これによって、リッジ部１２の側面からリッジ部１２の側面下部へと連なるｐ型半導体層１１の上面に絶縁膜１３および密着層２１を形成する。
【００３４】
また絶縁膜および密着層２１は、エッチバック法を用いる場合には、以下のようにして形成される。具体的には、前述のマスクを形成せずに絶縁膜１３および密着層２１を形成した後、リッジ部１２の上面に形成された絶縁膜１３および密着層２１をエッチングによって除去することによって、リッジ部１２の側面からリッジ部１２の側面下部に連なるｐ型半導体層１１の上面に絶縁膜１３および密着層２１を形成する。このように成膜した絶縁膜１３と密着層２１とを、リフトオフ法またはエッチバック法を用いて選択的に除去することによって、リッジ部１２の側面部からリッジ部１２の側面下部へと連なるｐ型半導体層１１の上面に形成する。
【００３５】
図６は、ｐ型電極１４の形成が終了した段階の状態を示す断面図である。絶縁膜３および密着層２１の形成後は、密着層２１に接してリッジ部１２を覆うように、具体的には、リッジ部１２の上面、およびリッジ部１２の側方に位置する密着層２１の表面を覆うように、ｐ型電極１４を形成する。ｐ型電極１４は、たとえば蒸着法またはスパッタ法を用いて、ｐ型電極１４の材料を成膜し、成膜したｐ型電極１４の材料を、たとえばリフトオフ法によって選択的に除去してパターニングすることによって、リッジ部１２の上面、およびリッジ部１２の側方に位置する密着層２１の表面に形成される。
【００３６】
ｐ型電極１４の材料としては、ｐ型半導体層１１とオーミック特性が得られる材料であればよい。ｐ型電極１４は、たとえばパラジウム（Ｐｄ）を含む材料によって構成されていることが好ましく、さらにはＰｄおよびタンタル（Ｔａ）を含む材料によって構成されていることがより好ましい。
【００３７】
このように密着層２１を介して、リッジ部１２の側方にｐ型電極１４を形成することによって、低いコンタクト抵抗を有したまま、密着性が良好なｐ型電極１４が安定して形成される。以上のようにして前述の図３〜図６に示す窒化物半導体装置２０の製造方法における各段階を経ることによって、図２に示す窒化物半導体装置２０が形成される。
【００３８】
以上のように本実施の形態の窒化物半導体装置２０の製造方法によれば、ｐ型半導体層１１のリッジ部１２の側面に絶縁膜１３を形成し、絶縁膜１３の表面に密着層２１を形成した後、密着層２１に接してリッジ部１２を覆うようにｐ型電極１４が形成されるので、リッジ部１２の側面では、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間に密着層２１が介在する。密着層２１は、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成り、この窒化物系材料は、絶縁膜１３およびｐ型電極１４の両方に対して良好な密着性を有するので、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間に前記窒化物系材料から成る密着層が介在しない場合に比べて、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性を向上させることができる。
【００３９】
これによって、ｐ型電極１４が絶縁膜１３から剥離することを抑制し、低抵抗で安定して動作可能なｐ型電極１４を形成することができるので、動作電圧の低い窒化物半導体装置２０を得ることが可能である。したがって、動作時の発熱を減少させることが可能となり、安定した動作が可能な窒化物半導体装置２０を得ることができる。また本実施の形態の窒化物半導体装置２０の製造方法によれば、製造プロセスおよび装置形状を大幅に変更することなく、特性を維持したまま、リッジ部１２からのｐ型電極１４の剥離を抑制して、歩留まりを向上させることができる。
【００４０】
＜第２の実施の形態＞
図７は、本発明の第２の実施の形態である窒化物半導体装置３０の構成を示す断面図である。図７に示す窒化物半導体装置３０の構成は、前述の図２に示す第１の実施の形態の窒化物半導体装置２０の構成と類似しているので、異なる部分についてのみ説明し、対応する部分には同一の参照符を付して共通する説明を省略する。
【００４１】
本実施の形態の窒化物半導体装置３０は、第１の実施の形態の窒化物半導体装置２０と同様に、窒化物半導体層であるｐ型半導体層１１と、絶縁膜１３と、ｐ型電極１４と、密着層２１Ａとを備えて構成される。前述の第１の実施の形態の密着層２１は、絶縁膜１３上にのみ形成されるが、本実施の形態の密着層２１Ａは、リッジ部１２上および絶縁膜１３上に形成される。具体的には、密着層２１Ａは、リッジ部１２の上面および絶縁膜１３の表面に形成される。より詳細には、密着層２１Ａは、第１の実施の形態におけるｐ型電極１４と同様に、リッジ部１２の上面から、リッジ部１２の両側のｐ型半導体層１１の表面に形成された絶縁膜１３のリッジ部１２寄りの部分にわたって形成される。
【００４２】
この密着層２１Ａの表面に、リッジ部１２を覆うようにｐ型電極１４が形成される。つまり、リッジ部１２の上部には、密着層２１Ａを介してｐ型電極１４が形成される。このように、前述の第１の実施の形態では、ｐ型電極１４とリッジ部１２の上部とが接触して構成されているが、本実施の形態では、ｐ型電極１４とリッジ部１２の上部とが接触しないように構成されている。
【００４３】
また前述の第１の実施の形態では、平面視、すなわちリッジ部１２の上方から見た状態において、密着層２１と絶縁膜１３とが同一のパターンで形成されているが、本実施の形態では、平面視において、密着層２１Ａとｐ型電極１４とが同一のパターンで形成されている。つまり本実施の形態では、ｐ型電極１４は、密着層２１Ａの表面全体にわたって形成される。
【００４４】
図８〜図１０は、本発明の第２の実施の形態である窒化物半導体装置３０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。本実施の形態の窒化物半導体装置３０の製造方法は、前述の第１の実施の形態における窒化物半導体装置２０の製造方法と類似しており、密着層の形成工程のみが異なるだけであるので、窒化物半導体装置２０の製造方法と共通する説明を省略する。
【００４５】
図８は、リッジ部１２の形成が終了した段階の状態を示す断面図である。図９は、絶縁膜１３の形成が終了した段階の状態を示す断面図である。図１０は、密着層２１Ａおよびｐ型電極１４の形成が終了した段階の状態を示す断面図である。
【００４６】
まず、第１の実施の形態と同様にして、ｐ型半導体層１１表面に、転写技術を用いて、リッジ部１２形成用のパターンが施されたマスク材、たとえば、図示しないレジストを形成する。このレジストパターンをマスク材としてｐ型半導体層１１を選択的にエッチングすることによって、図８に示すようにｐ型半導体層１１の上部にリッジ部１２を形成する。ｐ型半導体層１１にリッジ部１２を形成する工程は、リッジ部を有する窒化物半導体層を準備する工程に相当する。
【００４７】
リッジ部１２の形成後は、第１の実施の形態と同様にして、絶縁膜１３を成膜した後、リフトオフ法またはエッチバック法によって選択的に除去することによって、図９に示すように、リッジ部１２の側面からこの側面の下部に連なるｐ型半導体層１１の上面にわたって、絶縁膜１３を形成する。本実施の形態では、成膜された絶縁膜１３は、絶縁膜１３上に密着層２１Ａが成膜される前に選択的に除去される。
【００４８】
絶縁膜１３の形成後は、密着層２１Ａおよびｐ型電極１４を形成する。密着層２１Ａは、スパッタ法またはＣＶＤ法を用いて形成される。本実施の形態では、図１０に示すように、絶縁膜１３の表面およびリッジ部１２の上面に、密着層２１Ａを形成する。具体的には、リッジ部１２を覆うように、すなわちリッジ部１２の上面、およびリッジ部１２の側方に位置する絶縁膜１３の表面を覆うように、密着層２１Ａを形成する。
【００４９】
密着層２１Ａの形成後は、密着層２１に接してリッジ部１２を覆うようにｐ型電極１４を形成する。本実施の形態では、密着層２１Ａの表面全体を覆うように、密着層２１Ａの表面全体にわたって、ｐ型電極１４を形成する。ｐ型電極１４は、たとえば蒸着法またはスパッタ法を用いて、ｐ型電極１４の材料を成膜し、成膜したｐ型電極１４の材料を、たとえばリフトオフ法によって選択的に除去してパターニングすることによって、リッジ部１２を覆う密着層２１の表面に形成される。以上のようにして前述の図８〜図１０に示す窒化物半導体装置３０の製造方法における各段階を経ることによって、図７に示す窒化物半導体装置３０が形成される。
【００５０】
以上のように本実施の形態では、リッジ部１２側面の絶縁膜１３上に窒化物系膜の密着層２１Ａを介してｐ型電極１４を形成し、さらにリッジ部１２の上部に、密着層２１Ａを介してｐ型電極１４を形成する。このように窒化物系材料から成る密着層２１Ａを介してリッジ部１２の側面にｐ型電極１４を形成することによって、第１の実施の形態と同様に、ｐ型電極１４の密着性が向上し、絶縁膜１３上でのｐ型電極１４の剥がれを抑制することができるので、密着性が良好なｐ型電極１４を安定して形成することができる。
【００５１】
また密着層２１Ａを窒化物系材料から成る窒化物系膜で構成することによって、プロセスによる表面汚染などの無い清浄な表面を持つ密着層２１Ａを実現することができる。したがって、本実施の形態のようにリッジ部１２の上部にもＧａを含む窒化物系材料から成る密着層２１Ａを形成することによって、ｐ型電極１４とリッジ部１２の上部との密着性が向上し、ｐ型電極１４とリッジ部１２とのコンタクト抵抗を低減することができる。
【００５２】
このように本実施の形態では、Ｇａを含む窒化物系材料から成る密着層２１Ａが、絶縁膜１３の表面およびリッジ部１２の上面に形成されるので、絶縁膜１３上でのｐ型電極１４の剥がれを抑制することができ、かつｐ型電極１４とリッジ部１２の上部との密着性も向上することができる。これによってｐ型電極１４とリッジ部１２とのコンタクト抵抗を低減することが可能となり、デバイスの動作電圧を低減することが可能となる。また、発熱による影響を低減できるので、安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。
【００５３】
以上のように本実施の形態では、密着層２１Ａは、リッジ部１２の上部とｐ型電極１４との間にも設けられる。前述の第１の実施の形態では、密着層２１は絶縁性であってもよいが、本実施の形態では、密着層２１Ａは、リッジ部１２とｐ型電極１４とを電気的に接続する接続層としても機能するので、密着層２１Ａには、リッジ部１２とｐ型電極１４との電気的接続を阻害しない程度の導電性が必要である。本実施の形態では、密着層２１Ａは、前述のＧａを含む窒化物系材料、具体的にはＧａ系窒化物半導体材料から成るので、リッジ部１２とｐ型電極１４との電気的接続を阻害しない程度の導電性を有する密着層２１Ａを実現することができる。
【００５４】
密着層２１Ａの膜厚は、リッジ部１２とｐ型電極１４とのコンタクト抵抗に影響を与えないように設定することが必要であり、およそ５ｎｍ以下が望ましい。密着層２１Ａの膜厚は、少なくともリッジ部１２の上部において、コンタクト抵抗に影響を与えない範囲、望ましくは５ｎｍ以下であればよく、リッジ部１２の側面に形成された絶縁膜１２上においては、これに限定されず、たとえば５ｎｍを超えてもよい。
【００５５】
＜第３の実施の形態＞
図１１は、本発明の第３の実施の形態である窒化物半導体装置４０の構成を示す断面図である。図１１に示す窒化物半導体装置４０の構成は、前述の図２に示す第１の実施の形態の窒化物半導体装置２０の構成と類似しているので、異なる部分についてのみ説明し、対応する部分には同一の参照符を付して共通する説明を省略する。
【００５６】
本実施の形態の窒化物半導体装置４０は、第１の実施の形態の窒化物半導体装置２０と同様に、窒化物半導体層であるｐ型半導体層１１と、絶縁膜１３と、ｐ型電極１４と、密着層２１Ｂとを備えて構成される。また窒化物半導体装置４０は、ｐ型半導体層１１の上部にリッジ部１２を有し、リッジ部１２の側面からこの側面の下部に連なるｐ型半導体層１１の上部にわたって、絶縁膜１３、密着層２１Ｂおよびｐ型電極１４が、この順に形成されている。ｐ型電極１４は、リッジ部１２の上面から、リッジ部１２の両側のｐ型半導体層１１の表面に形成された絶縁膜１３および密着層２１Ｂのリッジ部１２寄りの部分にわたって形成される。
【００５７】
本実施の形態において密着層２１Ｂは、金属材料と、酸化されやすい材料である易酸化性材料との合金材料から成る。換言すれば、本実施の形態における密着層２１Ｂは、金属材料と易酸化性材料との合金層である。以下の説明では、密着層２１Ｂを「合金層２１Ｂ」という場合がある。本実施の形態における密着層である合金層２１Ｂは、前述の合金材料から成ること以外は、前述の第１の実施の形態における密着層２１と同様に構成される。
【００５８】
合金層２１Ｂを構成する合金材料に含まれる金属材料としては、パラジウム（Ｐｄ）が用いられる。易酸化性材料としては、亜鉛（Ｚｎ）、珪素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などが考えられ、Ｚｎ、Ｓｉ、ＴｉおよびＴａのうちの少なくともいずれか１つが用いられる。
【００５９】
以上のように本実施の形態の窒化物半導体装置４０によれば、ｐ型半導体層１１のリッジ部１２の側面には絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３の表面には前述の合金材料から成る密着層２１Ｂが形成される。リッジ部１２は、密着層２１Ｂを介してｐ型電極１４によって覆われるので、リッジ部１２の側面では、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間には、密着層２１Ｂが介在する。密着層２１Ｂは、Ｐｄと易酸化性材料との合金材料から成り、この合金材料は、絶縁膜１３およびｐ型電極１４の両方に対して良好な密着性を有する。したがって、前述の第１の実施の形態と同様に、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間に前記合金材料から成る密着層２１Ｂが介在しない場合に比べて、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性を向上させることができる。
【００６０】
具体的に述べると、密着層２１Ｂを構成する合金材料に含まれる易酸化性材料は、酸素と反応しやすいので、絶縁膜１３表面でＳｉＯ2中の酸素と反応し、酸化物を形成することで、密着層の材料が易酸化性材料を含まない場合に比べて、密着層２１Ｂと絶縁膜１３との密着性が向上する。つまり、本実施の形態のように絶縁膜１３が酸素（Ｏ）を含む絶縁材料で構成される場合、易酸化性材料が絶縁膜１３表面で絶縁膜１３中の酸素と反応し、酸化物を形成することによって、密着層２１Ｂと絶縁膜１３との間で良好な密着性が得られ、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性が向上する。
【００６１】
したがって、本実施の形態のようにリッジ部１２側面の絶縁膜１３上に、密着層２１Ｂとして、Ｐｄと易酸化性材料との合金層を形成することによって、易酸化性材料と絶縁膜１３とが反応し、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性が向上する。これによって、低コンタクト抵抗を維持したまま、ｐ型電極１４の絶縁膜１３からの剥離、およびそれに起因するｐ型電極１４のリッジ部１２の上面からの剥離を抑制することができるので、低抵抗で安定して動作可能なｐ型電極１４を実現することができ、窒化物半導体装置４０の動作電圧を低減することが可能である。また動作時の発熱を減少させることが可能となるので、安定した動作が可能な窒化物半導体装置４０を実現することができる。また発熱による影響を低減することができるので、安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。
【００６２】
図１２〜図１５は、本発明の第３の実施の形態である窒化物半導体装置４０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。窒化物半導体装置４０の製造方法は、前述の第１の実施の形態における窒化物半導体装置２０の製造方法と類似しており、前述の窒化物系材料から成る密着層２１を形成する代わりに、金属材料と易酸化性材料との合金層２１Ｂを形成することのみが異なるだけであるので、窒化物半導体装置２０の製造方法と共通する説明を省略する。
【００６３】
図１２は、リッジ部１２を形成する前のｐ型半導体層１１の状態を示す断面図である。図１３は、リッジ部１２の形成が終了した段階の状態を示す断面図である。まず、第１の実施の形態と同様に、図１２に示すようにｐ型半導体層１１を準備し、このｐ型半導体層１１の表面に、転写技術を用いて、リッジ部１２形成用のパターンが施されたマスク材、たとえば、図示しないレジストを形成する。次に、第１の実施の形態と同様にして、ｐ型半導体層１１の表面上に形成されたレジストパターンをマスク材としてｐ型半導体層１１を選択的にエッチングすることによって、ｐ型半導体層１１の上部にリッジ部１２を形成する。ｐ型半導体層１１にリッジ部１２を形成する工程は、リッジ部を有する窒化物半導体層を準備する工程に相当する。
【００６４】
図１４は、絶縁膜１３および密着層２１Ｂの形成が終了した段階の状態を示す断面図である。リッジ部１２の形成後は、第１の実施の形態と同様にして、リッジ部１２の側面からこの側面の下部に連なるｐ型半導体層１１の上面にわたって、絶縁膜１３および密着層２１Ｂをこの順に形成する。合金層である密着層２１Ｂは、蒸着法、スパッタ法などによって形成することが可能である。
【００６５】
図１５は、ｐ型電極１４の形成が終了した段階の状態を示す断面図である。絶縁膜１３および密着層２１Ｂの形成後は、第１の実施の形態と同様にして、密着層２１Ｂに接してリッジ部１２を覆うように、具体的には、リッジ部１２の上面、およびリッジ部１２の側方に位置する密着層２１Ｂの表面を覆うように、ｐ型電極１４を形成する。ｐ型電極１４は、たとえば蒸着法またはスパッタ法を用いて、ｐ型電極１４の材料を成膜し、成膜したｐ型電極１４の材料を、たとえばリフトオフ法によって選択的に除去してパターニングすることによって、リッジ部１２の上面、およびリッジ部１２の側方に位置する密着層２１Ｂの表面に形成される。以上のようにして前述の図１２〜図１５に示す窒化物半導体装置４０の製造方法における各段階を経ることによって、図１１に示す窒化物半導体装置４０が形成される。
【００６６】
以上のように本実施の形態の窒化物半導体装置４０の製造方法によれば、ｐ型半導体層１１のリッジ部１２の側面に絶縁膜１３を形成し、絶縁膜１３の表面に前述の合金材料で密着層２１Ｂを形成した後、密着層２１Ｂに接してリッジ部１２を覆うようにｐ型電極１４が形成されるので、リッジ部１２の側面では、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間に密着層である合金層２１Ｂが介在する。合金層２１Ｂは、Ｐｄと易酸化性材料との合金材料から成り、この合金材料は、絶縁膜１３およびｐ型電極１４の両方に対して良好な密着性を有するので、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間に前記合金材料から成る合金層２１Ｂが介在しない場合に比べて、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性を向上させることができる。
【００６７】
これによって、ｐ型電極１４が絶縁膜１３から剥離することを抑制し、低抵抗で安定して動作可能なｐ型電極１４を形成することができるので、動作電圧の低い窒化物半導体装置４０を得ることが可能である。したがって、動作時の発熱を減少させることが可能となり、安定した動作が可能な窒化物半導体装置４０を得ることができる。また本実施の形態の窒化物半導体装置４０の製造方法によれば、製造プロセスおよび装置形状を大幅に変更することなく、特性を維持したまま、リッジ部１２からのｐ型電極１４の剥離を抑制して、歩留まりを向上させることができる。
【００６８】
図１６は、本発明の第３の実施の形態における密着層２１Ｂの組成を示すグラフである。図１６において、横軸は、密着層２１Ｂ中、より詳細には密着層２１Ｂを構成する合金材料中の易酸化性材料の濃度を示し、縦軸は、絶縁膜１３の表面からの距離、すなわち膜厚を示す。図１６では、易酸化性材料の濃度を相対的に示す。
【００６９】
本実施の形態における密着層２１Ｂは、図１６に示すように、絶縁膜１３の表面側で易酸化性材料の濃度が高く、密着層２１Ｂの表面側で易酸化性材料の濃度が低くなるように形成される。換言すれば、密着層２１Ｂは、絶縁膜１３の表面に近づくに従って易酸化性材料の濃度が高くなるように形成される。このように密着層２１Ｂを形成すると、より効果的である。
【００７０】
易酸化性材料は、前述のように酸素と反応しやすいので、絶縁膜１３表面で絶縁膜１３中の酸素と易酸化性材料とが反応して酸化物を形成することで、密着層２１Ｂと絶縁膜１３との密着性が向上する。その反面、密着層２１Ｂとｐ型電極１４との密着性に関しては、密着層２１Ｂの表面に酸化物が形成されると、密着性が損なわれることがある。
【００７１】
そこで本実施の形態では、密着層２１ＢをＰｄと易酸化性材料との合金層として、前述のように絶縁膜１３の表面に近づくに従って易酸化性材料の濃度が高くなるような濃度勾配を設けている。このように、密着層２１ＢをＰｄと易酸化性材料との合金層とし、濃度勾配を設けることによって、密着層２１Ｂのｐ型電極１４と接触する表面側を、酸化物が形成されにくくすることができる。したがって、密着層２１Ｂ中の易酸化性材料の濃度が一様である場合に比べて、密着層２１Ｂとｐ型電極１４との密着性を向上させることができるので、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性をさらに向上させることができる。
【００７２】
密着層２１Ｂは、ｐ型電極１４との密着性を損なわない程度の組成であれば、易酸化性材料の濃度が均一になるように形成されてもよい。
【００７３】
合金層２１Ｂを構成する合金材料に含まれる金属材料は、Ｐｄに限定されるものではなく、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）を用いた場合でも同様の効果が得られる。したがって金属材料は、Ｐｄ、ＡｕおよびＰｔのうちの少なくともいずれか１つを含めばよい。ＡｕおよびＰｔは、単独では絶縁膜１３との密着性が得られにくいが、易酸化性材料との合金にすることによって、絶縁膜１３との密着性が向上し、絶縁膜１３に対して良好な密着性を得ることができる。密着層２１Ｂは、密着性を向上させるために必要なものであるので、必ずしも結晶性が要求されるものではない。したがって密着層２１Ｂは、単結晶でもよいし、アモルファスでもよい。
【００７４】
次に、前述の第１の実施の形態の窒化物半導体装置２０の構成を適用した光発光窒化物半導体装置５０について説明する。図１７は、光発光窒化物半導体装置５０の構成を示す断面図である。本実施の形態の光発光窒化物半導体装置５０は、レーザダイオードである。光発光窒化物半導体装置５０は、窒化物半導体基板であるｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）基板５１を用いて形成されている。
【００７５】
ｎ型ＧａＮ基板５１上には、窒化物半導体から成る層構造が形成されている。具体的には、ｎ型ＧａＮ基板５１上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５２、ｎ型ＧａＮガイド層５３、活性層５４、ｐ型ＧａＮガイド層５５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６およびｐ型ＧａＮコンタクト層５７が、この順番に形成されている。
【００７６】
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５２は、キャリアおよび光を閉じ込めるための層であり、ｎ型ＧａＮガイド層５３は光を伝播させるための層（以下「ガイド層」ということがある）である。ｎ型ＧａＮガイド層５３の代わりにｎ型ＩｎＧａＮ層をガイド層として設けてもよい。
【００７７】
活性層５４は発光領域であり、ｐ型ＧａＮガイド層５５は光を伝播させるための層である。ｐ型ＧａＮガイド層５５の代わりに、ｐ型ＩｎＧａＮガイド層を設けてもよい。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６は、キャリアおよび光を閉じ込めるための層である。ｐ型ＧａＮコンタクト層５７は、ｐ型接触を得るための層である。ｎ型ＧａＮ基板５１上の各層、すなわちｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５２、ｎ型ＧａＮガイド層５３、活性層５４、ｐ型ＧａＮガイド層５５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６およびｐ型ＧａＮコンタクト層５７は、エピタキシャル成長によって形成される。
【００７８】
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６およびｐ型ＧａＮコンタクト層５７は、前述の第１の実施の形態におけるｐ型半導体層１１に相当する。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６およびｐ型ＧａＮコンタクト層５７は、エッチングによって所定の形状にパターニングされている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６の上部とｐ型ＧａＮコンタクト層５７とによって、リッジ部１２Ａが構成される。リッジ部１２Ａは、図１７の紙面に垂直な一方向に延在する。リッジ部１２Ａの側面は、リッジ部１２Ａの両側のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６の表面に対して、垂直に形成される。
【００７９】
リッジ部１２Ａの側面、すなわちｐ型ＧａＮコンタクト層５７の側面およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６の上部の側面と、リッジ部１２Ａの両側のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６の上面には、保護膜としての絶縁膜１３Ａが形成される。絶縁膜１３Ａは、第１の実施の形態における絶縁膜１３と同様に構成され、たとえばＳｉＯ2から成る。
【００８０】
絶縁膜１３Ａの表面に、本実施の形態では絶縁膜１３Ａの表面全体にわたって、密着層２１Ｃが形成される。密着層２１Ｃは、前述の第１の実施の形態における密着層２１と同様に構成され、Ｇａを含む窒化物系材料から成る。密着層２１Ｃを介してリッジ部１２Ａを覆うように、ｐ型電極１４Ａが形成される。ｐ型電極１４Ａは、具体的には、リッジ部１２Ａの上面から、リッジ部１２Ａの両側のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５６の表面に形成された絶縁膜１３Ａおよび密着層２１Ｃのリッジ部１２Ａ寄りの部分にわたって形成される。ｐ型電極１４Ａは、第１の実施の形態におけるｐ型電極１４と同様に構成され、たとえばＰｄを含む材料から成る。またｎ型ＧａＮ基板５１の下部には、金属電極としてのｎ型電極５８が設けられる。
【００８１】
光発光窒化物半導体装置５０によれば、第１の実施の形態における窒化物半導体装置２０と同様に、リッジ部１２Ａの側面には絶縁膜１３Ａが形成され、絶縁膜１３Ａの表面にはＧａを含む窒化物系材料から成る密着層２１Ｃが形成される。リッジ部１２Ａは、密着層２１Ｃを介してｐ型電極１４Ａによって覆われるので、リッジ部１２Ａの側面では、絶縁膜１３Ａとｐ型電極１４Ａとの間には、密着層２１Ｃが介在する。密着層２１Ｃを構成する窒化物系材料は、絶縁膜１３Ａおよびｐ型電極１４Ａの両方に対して良好な密着性を有するので、絶縁膜１３Ａとｐ型電極１４Ａとの間に前記窒化物系材料から成る密着層２１Ｃが介在しない場合に比べて、絶縁膜１３Ａとｐ型電極１４Ａとの密着性を向上させることができる。
【００８２】
これによって、ｐ型電極１４Ａの絶縁膜１３Ａからの剥離、およびそれに起因するｐ型電極１４Ａのリッジ部１２Ａの上面からの剥離を抑制し、低抵抗で安定して動作可能なｐ型電極１４Ａを実現することができるので、光発光窒化物半導体装置５０の動作電圧を低くすることが可能である。したがって、動作時の発熱を減少させることが可能となり、安定した動作が可能な光発光窒化物半導体装置５０を実現することができる。また発熱による影響を低減することができるので、安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。
【００８３】
以上の例では、第１の実施の形態の窒化物半導体装置２０の構成を適用した光発光窒化物半導体装置５０について説明したが、光発光窒化物半導体装置には、前述の第２または第３の実施の形態の窒化物半導体装置３０，４０の構成を適用してもよい。第２または第３の実施の形態の窒化物半導体装置３０，４０の構成を適用することによって、各実施の形態の窒化物半導体装置３０，４０と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の前提となる窒化物半導体装置１０の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態である窒化物半導体装置２０の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態である窒化物半導体装置２０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態である窒化物半導体装置２０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態である窒化物半導体装置２０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態である窒化物半導体装置２０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態である窒化物半導体装置３０の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態である窒化物半導体装置３０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態である窒化物半導体装置３０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態である窒化物半導体装置３０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態である窒化物半導体装置４０の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態である窒化物半導体装置４０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態である窒化物半導体装置４０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態である窒化物半導体装置４０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態である窒化物半導体装置４０の製造方法における各製造工程の状態を示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態における密着層２１Ｂの組成を示すグラフである。
【図１７】光発光窒化物半導体装置５０の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０，２０，３０，４０  窒化物半導体装置、１１  ｐ型半導体層、１２，１２Ａ  リッジ部、１３，１３Ａ  絶縁膜、１４，１４Ａ  ｐ型電極、２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ  密着層、５０  光発光窒化物半導体装置。
【図１】
2010093042.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010093042.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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