(57)【要約】     【課題】小型で簡素な構成の真空装置で薄膜リチウム二次電池を製造する技術を提供する。    【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池製造装置１は、仕込取出室４と、基板１０上に分子中にリチウムを含む正極層をスパッタリングによって形成する第２のスパッタリング室６と、基板１０上に真空蒸着によって負極層を形成する負極層形成室８と、基板１０上に分子中にリチウムを含む固体電解質層をスパッタリングによって形成する第３のスパッタリング室７と、基板１０上に正極集電体層と負極集電体層をスパッタリングによって形成する第１のスパッタリング室５と、基板１０上に保護層を形成する保護層形成室９とが、搬送ロボット３を有する搬送室２の周囲にそれぞれ配置され接続されている。仕込取出室４内には、基板１０上に形成された正極層をアニール処理するための加熱ヒータ４６が設けられている。【選択図】  図１
2010251075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空中で、基板上に、正極層、負極層、固体電解質層、正極集電層、負極集電層、保護層を有する薄膜リチウム二次電池を製造するための薄膜リチウム二次電池製造装置であって、
前記基板を搬入し且つ搬出するための仕込取出室と、前記基板上に分子中にリチウムを含む正極層をスパッタリングによって形成する正極層形成室と、前記基板上に真空蒸着によって負極層を形成する負極層形成室と、前記基板上に分子中にリチウムを含む固体電解質層をスパッタリングによって形成する固体電解質層形成室と、前記基板上に正極集電層と負極集電層をスパッタリングによって形成する集電体層形成室と、前記基板上に保護層を形成する保護層形成室とが、基板搬送機構を有する搬送室の周囲にそれぞれ配置されるとともに当該搬送室にそれぞれ接続され、
前記仕込取出室内に、前記基板上に形成された正極層をアニール処理するための基板加熱手段が設けられている薄膜リチウム二次電池製造装置。
【請求項２】
前記負極層形成室には、真空中で前記基板の上下関係を反転させる基板反転機構が設けられている請求項１記載の薄膜リチウム二次電池製造装置。
【請求項３】
前記集電体層形成室には、成膜用マスクを交換するマスク交換機構が設けられている請求項１乃至２のいずれか１項記載の薄膜リチウム二次電池製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の薄膜リチウム二次電池製造装置を用いて薄膜リチウム二次電池を製造する方法であって、
前記集電体層形成室内に、集電体層形成用のターゲット及び保護層形成用のターゲットを含む複数のターゲットを配置し、
前記仕込取出室から搬入した基板を前記搬送室を介して前記集電体層形成室内に搬入して当該基板上に前記正極集電層をスパッタリングによって形成する工程と、
前記基板を前記搬送室を介して前記仕込取出室内に搬入して当該基板上の正極集電層をアニール処理する工程と、
前記基板を前記搬送室を介して前記正極層形成室内に搬入して当該基板上に前記正極層をスパッタリングによって形成する工程と、
前記基板を前記搬送室を介して前記固体電解質層形成室内に搬入して当該基板上に前記固体電解質層をスパッタリングによって形成する工程と、
前記基板を前記搬送室を介して前記負極層形成室内に搬入して当該基板上に前記負極層を真空蒸着によって形成する工程と、
前記基板を前記搬送室を介して前記集電体層形成室内に搬入して当該基板上に前記負極集電層をスパッタリングによって形成する工程と、
前記基板を前記搬送室を介して前記保護層形成室内に搬入して当該基板上に第１の保護層を蒸着重合によって形成する工程と、
前記基板を前記搬送室を介して前記集電体層形成室内に搬入して当該基板上の第１の保護層上に第２の保護層をスパッタリングによって積層形成する工程とを有する薄膜リチウム二次電池製造方法。
【請求項５】
前記負極層を形成する際に、前記基板反転機構によって前記基板の上下関係を反転させる工程を有する請求項４記載の薄膜リチウム二次電池製造方法。
【請求項６】
前記正極集電層、前記負極集電層、前記第２の保護層を形成する際に、前記マスク交換機構によって前記成膜用マスクを交換する工程を有する請求項４又は５のいずれか１項記載の薄膜リチウム二次電池製造方法。
【請求項７】
前記正極層は、コバルト酸リチウムからなる請求項４乃至６のいずれか１項記載の薄膜リチウム二次電池製造方法。
【請求項８】
前記固体電解質層は、リン酸リチウムオキシナイトライドからなる請求項４乃至７のいずれか１項記載の薄膜リチウム二次電池製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解質を用いたリチウム二次電池を製造する技術に関し、特に真空中で薄膜によってリチウム二次電池を製造する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話やパーソナルコンピュータの電源として、リチウムイオン二次電池が広く知られている。
しかし、リチウムイオン二次電池は、液体電解質を用いているため、液漏れや発火等が発生する場合があり、安全性についての課題がある。
そこで、近年、電解質の材料として固体材料を用いた全固体型のリチウム二次電池が提案されており、その開発が進展している。
特に、固体材料を用いた全固体型のリチウム二次電池として、薄膜からなる全固体型のリチウム二次電池は、カード型の電子部品等の電源用として期待されている。
しかし、薄膜からなる全固体型のリチウム二次電池は、種々の工程を経て製造されるため、製造装置が大型複雑化するという課題がある。
なお、本発明に関連する先行技術文献としては、例えば以下のようなものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４２８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、このような従来の技術の課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、小型で簡素な構成の真空装置で薄膜リチウム二次電池を製造する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するためになされた本発明は、真空中で、基板上に、正極層、負極層、固体電解質層、正極集電層、負極集電層、保護層を有する薄膜リチウム二次電池を製造するための薄膜リチウム二次電池製造装置であって、前記基板を搬入し且つ搬出するための仕込取出室と、前記基板上に分子中にリチウムを含む正極層をスパッタリングによって形成する正極層形成室と、前記基板上に真空蒸着によって負極層を形成する負極層形成室と、前記基板上に分子中にリチウムを含む固体電解質層をスパッタリングによって形成する固体電解質層形成室と、前記基板上に正極集電層と負極集電層をスパッタリングによって形成する集電体層形成室と、前記基板上に保護層を形成する保護層形成室とが、基板搬送機構を有する搬送室の周囲にそれぞれ配置されるとともに当該搬送室にそれぞれ接続され、前記仕込取出室内に、前記基板上に形成された正極層をアニール処理するための基板加熱手段が設けられている薄膜リチウム二次電池製造装置である。
本発明において、前記負極層形成室に、真空中で前記基板の上下関係を反転させる基板反転機構が設けられている場合にも効果的である。
本発明において、前記集電体層形成室に、成膜用マスクを交換するマスク交換機構が設けられている場合にも効果的である。
一方、本発明は、上述のいずれかの薄膜リチウム二次電池製造装置を用いて薄膜リチウム二次電池を製造する方法であって、前記集電体層形成室内に、集電体層形成用のターゲット及び保護層形成用のターゲットを含む複数のターゲットを配置し、前記仕込取出室から搬入した基板を前記搬送室を介して前記集電体層形成室内に搬入して当該基板上に前記正極集電層をスパッタリングによって形成する工程と、前記基板を前記搬送室を介して前記仕込取出室内に搬入して当該基板上の正極集電層をアニール処理する工程と、前記基板を前記搬送室を介して前記正極層形成室内に搬入して当該基板上に前記正極層をスパッタリングによって形成する工程と、前記基板を前記搬送室を介して前記固体電解質層形成室内に搬入して当該基板上に前記固体電解質層をスパッタリングによって形成する工程と、前記基板を前記搬送室を介して前記負極層形成室内に搬入して当該基板上に前記負極層を真空蒸着によって形成する工程と、前記基板を前記搬送室を介して前記集電体層形成室内に搬入して当該基板上に前記負極集電層をスパッタリングによって形成する工程と、前記基板を前記搬送室を介して前記保護層形成室内に搬入して当該基板上に第１の保護層を蒸着重合によって形成する工程と、前記基板を前記搬送室を介して前記集電体層形成室内に搬入して当該基板上の第１の保護層上に第２の保護層をスパッタリングによって積層形成する工程とを有する薄膜リチウム二次電池製造方法である。
本発明において、前記負極層を形成する際に、前記基板反転機構によって前記基板の上下関係を反転させる工程を有する場合にも効果的である。
本発明において、前記正極集電層、前記負極集電層、前記第２の保護層を形成する際に、前記マスク交換機構によって前記成膜用マスクを交換する工程を有する場合にも効果的である。
本発明において、前記正極層が、コバルト酸リチウムからなる場合に特に効果的である。
本発明において、前記固体電解質層が、リン酸リチウムオキシナイトライドからなる場合に特に効果的である。
【０００６】
本発明装置の場合、仕込取出室と、正極層形成室と、負極層形成室と、固体電解質層形成室と、集電体層形成室と、保護層形成室とが、基板搬送機構を有する搬送室の周囲にそれぞれ配置されるとともに当該搬送室にそれぞれ接続され、さらに仕込取出室内に基板加熱手段が設けられていることから、少ない成膜室及び処理室を有する真空装置で薄膜リチウム二次電池を製造することができる。
また、本発明によれば、仕込取出室を使用しない時間においてアニール処理を行うことができるので、効率良く各工程を行うことができる。
本発明において、負極層形成室に真空中で基板の上下関係を反転させる基板反転機構が設けられている場合には、この基板反転機構によって基板を反転させることによって、所謂フェイスアップで真空蒸着を行う特殊な構成の装置を用いる必要がなく、その結果、一般の真空蒸着装置を用いてコストダウンを図ることができる。
また、集電体層形成室に成膜用マスクを交換するマスク交換機構が設けられている場合には、このマスク交換機構によって成膜用マスクを交換することにより、異なる材料を用いて容易に集電体層を積層形成することができる。
さらに、保護層の材料として例えばアルミニウム等の金属を含むものを用いる場合に、集電体層形成室においてスパッタリングによって当該保護層を形成することができるので、成膜室を増やすことなく簡素な構成の薄膜リチウム二次電池製造装置を得ることができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、小型で簡素な構成の真空装置で薄膜リチウム二次電池を製造する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る薄膜リチウム二次電池製造装置の実施の形態の概略構成平面図
【図２】同実施の形態における仕込取出室及び搬送室の内部構成を示す縦断面図
【図３】（ａ）（ｂ）：同実施の形態の薄膜リチウム二次電池の製造工程における基板の搬送動作を示す説明図（その１）
【図４】（ａ）（ｂ）：同実施の形態の薄膜リチウム二次電池の製造工程における基板の搬送動作を示す説明図（その２）
【図５】（ａ）（ｂ）：同実施の形態の薄膜リチウム二次電池の製造工程における基板の搬送動作を示す説明図（その３）
【図６】（ａ）（ｂ）：同実施の形態の薄膜リチウム二次電池の製造工程における基板の搬送動作を示す説明図（その４）
【図７】（ａ）（ｂ）：同実施の形態の薄膜リチウム二次電池の製造工程における基板の搬送動作を示す説明図（その５）
【図８】同実施の形態の薄膜リチウム二次電池の製造工程における基板の搬送動作を示す説明図（その６）
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明に係る薄膜リチウム二次電池製造装置の実施の形態の概略構成平面図である。
図１に示すように、本実施の形態の薄膜リチウム二次電池製造装置１は、図示しない真空排気系に接続された断面六角形状の搬送室２を有し、この搬送室２内には、基板１０を搬送するための搬送ロボット３が配置されている。
この搬送ロボット３は、伸縮旋回自在のアーム３０を有し、このアーム３０の先端部に、基板１０を支持して搬送するためのキャリア３１が取り付けられている。
搬送室２の周囲には、アニール処理室を兼ねる仕込取出室４、第１〜第３のスパッタリング室５、６、７、負極層形成室８、保護層形成室９が設けられている。
ここで、仕込取出室４、第１〜第３のスパッタリング室５〜７、負極層形成室８、保護層形成室９は、図示しない真空排気系に接続されるとともに、それぞれゲートバルブ４０、５０、６０、７０、８０、９０を介して搬送室２に接続されている。
本実施の形態では、仕込取出室４はアニール処理室を兼ねるもので、仕込取出室４内には、後述するように、例えばランプ加熱方式の加熱ヒータ（基板加熱手段）４６が設けられている。
【００１０】
一方、本実施の形態の第１のスパッタリング室５は、集電体層形成室と保護層形成室の機能を兼ねるもので、その内部には、複数（本実施の形態の場合は４個）のターゲット５１〜５４が配置されている。
第１のターゲット５１としては、例えば、正極集電体層形成用のクロム（Ｃｒ）ターゲット、第２のターゲット５２としては、例えば、正極集電体層形成用の白金（Ｐｔ）ターゲット、第３のターゲット５３としては、例えば、負極集電体層形成用の銅（Ｃｕ）ターゲット、第４のターゲット５４としては、例えば、保護層形成用のアルミニウム（Ａｌ）ターゲットが配置されている。
そして、第１のスパッタリング室５には、例えばその側部に、各スパッタリングプロセスに応じて成膜用マスク５６（５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ）を交換して所定の位置に装着するためのマスク交換機構５５が設けられている。
【００１１】
また、本実施の形態の第１のスパッタリング室５は、図示しない反応ガス源に接続され、第１のスパッタリング室５内に、酸素（Ｏ2）ガスを導入するように構成されている。
第２のスパッタリング室６内には、正極層形成用のターゲット６１として、例えばコバルト酸リチウム（ＬｉＣｏＯ2）ターゲットが配置されている。
第３のスパッタリング室７内には、固体電解質層形成用のターゲット７１として、例えばリン酸リチウム（Ｌｉ3ＰＯ4）ターゲットが配置されている。
本実施の形態の第３のスパッタリング室７は、図示しない反応ガス源に接続され、酸素（Ｏ2）ガスを導入するように構成されている。
本実施の形態の負極層形成室８には、その底部に、例えば金属リチウム（Ｌｉ）からなる蒸発材料を加熱蒸発させるための蒸発源８１が配置されている。
そして、負極層形成室８には、真空中で例えば基板１０を回転させてその上下関係を反転させる基板反転機構８２が設けられている。
【００１２】
保護層形成室９内には、例えばポリ尿素層を蒸着重合によって形成するための２種類の原料モノマー用の蒸発源９１、９２が配置されている。
本発明の場合、蒸着重合用の原料モノマーとしては、ジアミンモノマーとして、例えば、１，１２−ジアミノドデカン、イソシアネートモノマーとして、例えば、１，３−ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサンを好適に用いることができる。
【００１３】
図２は、本実施の形態における仕込取出室及び搬送室の内部構成を示す縦断面図である。
図２に示すように、本実施の形態の仕込取出室４は、真空槽本体４１の一の側部に、基板１０を搬入又は搬出するための仕込取出口４２が設けられ、この仕込取出口４２は、開閉自在の真空扉４３を閉じた状態でＯリング４４によって密閉されるように構成されている。
一方、真空槽本体４１の下部には基板昇降機構１１が設けられている。
この基板昇降機構１１は、真空槽本体４１の下方に設けられた基部１２上に昇降ピン１３が複数設けられ、これら昇降ピン１３が真空槽本体４１内に挿入され、それぞれの上端部に設けられた支持部１４によって基板１０を支持するように構成されている。
ここで、基板昇降機構１１は、例えばモータ１５によって駆動されるボールねじ１６を有し、このボールねじ１６の動作によって基部１２が上下方向に移動されるようになっている。
一方、真空槽本体４１の上部には、例えば石英ガラスからなる窓部４５が設けられ、この窓部４５の上方の空間に、例えばランプ加熱方式の加熱ヒータ４６が設けられている。
また、加熱ヒータ４６の上方の天井部分には、加熱ヒータ４６からの赤外線を反射するための反射面４７が形成されている。
【００１４】
図３（ａ）（ｂ）〜図８は、本実施の形態の薄膜リチウム二次電池の製造工程における基板の搬送動作を示す説明図である。
本実施の形態において薄膜リチウム二次電池を製造するには、図２及び図３（ａ）に示すように、仕込取出室４の真空扉４３を開いて基板１０を仕込取出室４内に搬入し、基板昇降機構１１の支持部１４上に載置する。
そして、基板昇降機構１１を動作させて基板１０を所定の高さ位置に配置するとともに、仕込取出室４の真空扉４３を閉じて真空排気を行う。
仕込取出室４内の圧力が所定の値に到達した後、搬送室２との間のゲートバルブ４０を開き、搬送ロボット３を動作させてキャリア３１を仕込取出室４内に挿入し、基板昇降機構１１を下降させてキャリア３１上に基板１０を載置して、第１のスパッタリング室５との間のゲートバルブ５０を開き、図３（ｂ）に示すように、基板１０を第１のスパッタリング室５内に搬入する。
【００１５】
第１のスパッタリング室５においては、正極集電体層形成用の成膜用マスク５６Ａを用い、基板１０と、第１のターゲット５１（例えばＣｒ）との間に高周波電力を印加することにより、スパッタリングによって基板１０上にＣｒ層を形成する。
その後、第２のターゲット５２（例えばＰｔ）との間に高周波電力を印加することにより、スパッタリングによって基板１０上に正極集電層（Ｐｔ／Ｃｒ）を形成する。
【００１６】
次に、搬送ロボット３を動作させ、図４（ａ）に示すように、搬送室２を介して基板１０を第２のスパッタリング室６内に搬入する。そして、第２のスパッタリング室６内にアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、基板１０と、正極層形成用のターゲット６１（ＬｉＣｏＯ2）との間に高周波電力を印加することにより、基板１０の正極集電体層上にＬｉＣｏＯ2からなる正極層を形成する。
本工程では、基板ステージに設けられたヒータ（図示せず）を動作させ、基板１０を加熱しながらスパッタリングを行う。
その後、搬送ロボット３を動作させ、図４（ｂ）に示すように、搬送室２を介して基板１０を仕込取出室４内に搬入する。そして、図２に示す加熱ヒータ４６を動作させ、基板１０上に形成された正極層に対してアニール処理を行う（例えば、６００℃、１０分程度）。これにより、基板１０上に形成された正極層が結晶化される。
【００１７】
次に、搬送ロボット３を動作させ、図５（ａ）に示すように、搬送室２を介して基板１０を第３のスパッタリング室７内に搬入する。そして、第３のスパッタリング室７内に例えば窒素（Ｎ2）ガスを導入し、基板１０と、固体電解質層形成用のターゲット７１（Ｌｉ3ＰＯ4）との間に高周波電力を印加することにより、基板１０の正極層上にＬｉＰＯＮ（リン酸リチウムオキシナイトライド）からなる固体電解質層を形成する。
本工程では、基板ステージに設けられた冷却機構（図示せず）を動作させ、基板１０を冷却しながらスパッタリングを行う。
【００１８】
次に、搬送ロボット３を動作させ、図５（ｂ）に示すように、搬送室２を介して基板１０を第１のスパッタリング室５内に搬入する。そして、基板１０と、第３のターゲット５３（例えばＣｕ）との間に高周波電力を印加することにより、基板１０上にＣｕからなる負極集電体層をスパッタリングによって形成する。
この工程においては、マスク交換機構５５を動作させて正極集電体層形成用の成膜用マスク５６Ａを第１のスパッタリング室５から取り出し、負極集電体層形成用の成膜用マスク５６Ｂを所定の位置に装着してスパッタリングを行う。
【００１９】
次に、搬送ロボット３を動作させ、図６（ａ）に示すように、搬送室２を介して基板１０を負極層形成室８内に搬入し、蒸発源８１の蒸発材料（Ｌｉ）を加熱することにより、真空蒸着によって基板１０上にＬｉからなる負極層を形成する。
本工程では、基板反転機構８２を動作させ、例えば基板１０を回転させることにより、基板１０の上下関係を反転させる（所謂フェイスダウン）。
そして、基板ステージに設けられた冷却機構（図示せず）を動作させ、基板１０を冷却しながら蒸着を行う。
その後、基板反転機構８２を動作させ、基板１０を回転させることにより、基板１０の上下関係を反転させる（所謂フェイスアップ）。
【００２０】
次に、搬送ロボット３を動作させ、図６（ｂ）に示すように、基板１０を保護層形成室９内に搬入し、蒸発源９１、９２の原料モノマーを加熱することにより、蒸着重合によって基板１０上にポリ尿素からなる第１の保護層を形成する。
この蒸着重合によって形成した、ポリ尿素からなる第１の保護層は、段差被覆性に優れた性質を有するものである。
本工程では、基板ステージに設けられた温度調整機構（図示せず）を動作させ、基板１０を一定温度に保持しながら蒸着重合を行う。
【００２１】
次に、搬送ロボット３を動作させ、図７（ａ）に示すように、搬送室２を介して基板１０を第１のスパッタリング室５内に搬入し、第１のスパッタリング室５内に例えば酸素（Ｏ2）ガスを導入し、基板１０と、保護層形成用の第４のターゲット５４（例えばＡｌ）との間にそれぞれ高周波電力を印加することにより、基板１０の第１の保護層上に二酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる第２の保護層をスパッタリングによって形成する。
この工程においては、マスク交換機構５５を動作させて正極集電体層形成用の成膜用マスク５６Ｂを第１のスパッタリング室５から取り出し、保護層形成用の成膜用マスク５６Ｃを所定の位置に装着してスパッタリングを行う。
これにより、目的とする全固体型の薄膜リチウム二次電池が得られる。
その後、薄膜リチウム二次電池が形成された基板１０Ａを、図７（ｂ）及び図８に示すように、仕込取出室４を介して薄膜リチウム二次電池製造装置１の外部へ搬出する。
【００２２】
以上述べたように本実施の形態の場合、仕込取出室４と、第１〜第３のスパッタリング室５、６、７と、負極層形成室８と、保護層形成室９とが、搬送ロボット３を有する搬送室２の周囲にそれぞれ配置されるとともに当該搬送室２にそれぞれ接続され、さらに仕込取出室４内に加熱ヒータ４６が設けられていることから、少ない成膜室及び処理室を有する真空装置で薄膜リチウム二次電池を製造することができる。
また、本実施の形態によれば、仕込取出室４を使用しない時間においてアニール処理を行うことができるので、効率良く各工程を行うことができる。
さらに、本実施の形態では、負極層形成室８に真空中で基板１０の上下関係を反転させる基板反転機構８２が設けられていることから、この基板反転機構８２によって基板１０を反転させることによって、所謂フェイスアップで真空蒸着を行う特殊な構成の装置を用いる必要がなく、その結果、一般の真空蒸着装置を用いてコストダウンを図ることができる。
【００２３】
また、第１のスパッタリング室５に成膜用マスク５６を交換するマスク交換機構５５が設けられていることから、このマスク交換機構５５によって成膜用マスク５６を交換することにより、異なる材料を用いて容易に集電体層を積層形成することができる。
さらに、本実施の形態では、第２の保護層の材料として二酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用いることから、第１のスパッタリング室５において第２の保護層をスパッタリングによって形成することができ、その結果、成膜室を増やすことなく簡素な構成の薄膜リチウム二次電池製造装置１を得ることができる。
【００２４】
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、上述の実施の形態においては、保護層として、蒸着重合によって第１の保護層形成し、さらに、第１の保護層の上にスパッタリングによって第２の保護層を形成するようにしたが、本発明はこれに限られず、スパッタリングのみによって保護層を形成することもできる。
この場合、ターゲットとしては、Ａｌ（又はＡｌ2Ｏ3）からなるものを用い、保護層として、例えば、Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ／Ａｌ2Ｏ3が積層された膜を形成することもできる。このような保護層を形成すれば、真空槽内の室の数を減らすことができるとともに、水分のバリア性を向上させることが可能になる。
さらに、上記実施の形態における各室の配置構成は一例であり、必要とするプロセスに応じて適宜変更することができる。
さらにまた、本発明は、種々の材料、形状、大きさの基板、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、耐熱樹脂基板、雲母基板等に適用することができるものである。
【符号の説明】
【００２５】
１…薄膜リチウム二次電池製造装置、２…搬送室、３…搬送ロボット（基板搬送機構）、４…仕込取出室、５…第１のスパッタリング室（集電体層形成室、保護層形成室）、６…第２のスパッタリング室（正極層形成室）、７…第３のスパッタリング室（固体電解質層形成室）、８…負極層形成室、９…保護層形成室、１０…基板、１１…基板昇降機構、４６…加熱ヒータ（基板加熱手段）、５１〜５４…第１〜第４のターゲット、６１…正極層形成用のターゲット、７１…固体電解質層形成用のターゲット、８１…蒸発源、９１、９２…原料モノマー用の蒸発源 
【図１】
2010251075.tif 000003
【図２】
2010251075.tif 000004
【図３】
2010251075.tif 000005
【図４】
2010251075.tif 000006
【図５】
2010251075.tif 000007
【図６】
2010251075.tif 000008
【図７】
2010251075.tif 000009
【図８】
2010251075.tif 000010