(57)【要約】【課題】貼り合わせ基板を分断する際の処理時間の増加を抑制しつつ、貼り合わせ基板の端部が起点となる共割れ現象を防止する。【解決手段】当該基板ブレイク方法は、基板ブレイク装置（３００）において、一対のマザー基板（２０１、２０２）を、素子形成領域（２１０）に配列された複数の素子（１００）毎に分断する基板ブレイク方法である。該基板ブレイク方法は、一対のマザー基板を、ブレイクバー（３３０）によって押圧することにより、複数の素子毎に分断するブレイク工程を備える。該ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、素子形成領域の周辺に位置する周辺領域（２２０）が押圧される力より大きい。【選択図】図２
2010159187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに貼り合わされた一対のマザー基板を支持する支持面を有する支持部材と、前記支持面の法線方向に沿う方向に移動可能であり、前記支持された一対のマザー基板を、前記支持された一対のマザー基板の前記支持面と対向する側とは反対側から押圧するブレイクバーとを備える基板ブレイク装置において、前記支持された一対のマザー基板を、前記支持された一対のマザー基板における素子形成領域に配列された複数の素子毎に分断する基板ブレイク方法であって、
前記支持された一対のマザー基板を、前記ブレイクバーによって押圧することにより、前記複数の素子毎に分断するブレイク工程を備え、
前記ブレイク工程において、前記素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、前記支持された一対のマザー基板において前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域が押圧される力より大きい
ことを特徴とする基板ブレイク方法。
【請求項２】
前記ブレイクバーの長手方向の長さである第１長さは、前記長手方向に沿う前記支持されたマザー基板の長さである第２長さよりも短く、且つ前記長手方向に沿う前記素子形成領域の長さである第３長さ以上であることを特徴とする請求項１に記載の基板ブレイク方法。
【請求項３】
前記ブレイクバーの長手方向に沿うベクトルと前記支持面の法線ベクトルとを含む平面によって前記ブレイクバーを切った断面において、前記ブレイクバーは、前記支持面に向かって突出する突出部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板ブレイク方法。
【請求項４】
前記ブレイクバーは、前記ブレイクバーの長手方向に沿うベクトルと前記支持面の法線ベクトルとを含む平面によって前記ブレイクバーを切った断面において、前記ブレイクバーの前記支持面と対向する側の辺を前記支持面に向かって膨らむ曲線とすることが可能な曲率付与手段を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板ブレイク方法。
【請求項５】
前記支持面上で平面的に見て前記支持面は少なくとも前記素子形成領域に対応し、且つ前記支持面の面積は前記支持された一対のマザー基板の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板ブレイク方法。
【請求項６】
互いに貼り合わされた一対のマザー基板を、前記一対のマザー基板における素子形成領域に配列された複数の素子毎に分断する基板ブレイク装置であって、
前記一対のマザー基板を支持する支持面を有する支持部材と、
前記支持面の法線方向に沿う方向に移動可能であり、前記支持された一対のマザー基板を、前記支持された一対のマザー基板の前記支持面と対向する側とは反対側から押圧するブレイクバーと
を備え、
前記素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、前記支持された一対のマザー基板において前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域が押圧される力より大きい
ことを特徴とする基板ブレイク装置。
【請求項７】
互いに貼り合わされた一対のマザー基板を、前記一対のマザー基板における素子形成領域に配列された複数の素子毎に分断する基板ブレイク装置におけるブレイクバーであって、
前記素子形成領域の少なくとも一部を押圧する力が、前記一対のマザー基板において前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域を押圧する力より大きくなるように構成されていることを特徴とするブレイクバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばスクライブラインが形成されたマザー基板を、該スクライブラインに沿って分断する基板ブレイク方法、基板ブレイク装置、及び該基板ブレイク装置におけるブレイクバーの技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の方法では、例えば二枚のマザー基板が相互に貼り合わされた、貼り合わせ基板のうち一方のマザー基板を分断する（即ち、ブレイクする）際に、スクライブラインが形成されていない他方のマザー基板まで同時にブレイクされてしまう（所謂、共割れ）現象の発生を抑制することが図られる。例えば、特許文献１には、切断対象のガラス基板を、ゴム板の上に配置されたステンレス基板上に配置すると共に、ステンレス基板上且つガラス基板の周囲の部分にストッパを配置して、ガラス基板及びストッパをブレイクバーにより押圧することによって、共割れ現象を防止する技術が記載されている。
【０００３】
或いは、特許文献２には、貼り合わせ基板のうち一方のマザー基板に形成されるスクライブラインの溝深さを、他方のマザー基板に形成されるスクライブラインの溝深さよりも深くすることによって、貼り合わせ基板の異常な割れを防止する技術が記載されている。或いは、特許文献３には、貼り合わせ基板の下面に形成されたスクライブラインの両側を、貼り合わせ基板の下面においてマットに形成された凸部により支持すると共に、貼り合わせ基板に衝撃的な押圧が加わらないような速度でブレイクバーを降下することによって、共割れ現象等を防止する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１３１３４１号公報
【特許文献２】特開２００３−１３１１８５号公報
【特許文献３】特開平１０−３３０１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、ゴム板の形状がガラス基板の基板面のうねりに倣うように、ガラス基板及びストッパを押圧した状態を一定時間維持しなければならない。すると、処理時間が比較的長くなるという技術的問題点がある。また、特許文献２に記載の技術では、即ち、スクライブラインの溝深さを設定するのみでは、実用上は、共割れ現象を防止することが極めて困難であるという技術的問題点がある。
【０００６】
また、特許文献３に記載の技術では、貼り合わせ基板を支持する凸部の形成精度によっては、貼り合わせ基板の基板面がブレイクバーの移動方向に対して傾いてしまう可能性がある。すると、貼り合わせ基板の切断面に形状不良が生じる可能性があるという技術的問題点がある。更に、上述の背景技術では、貼り合わせ基板の端部が起点となる共割れ現象を防止することが極めて困難であるという技術的問題点がある。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、処理時間の増加を抑制しつつ、貼り合わせ基板の端部が起点となる共割れ現象を防止することができる基板ブレイク方法、基板ブレイク装置及びブレイクバーを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板ブレイク方法は、上記課題を解決するために、互いに貼り合わされた一対のマザー基板を支持する支持面を有する支持部材と、前記支持面の法線方向に沿う方向に移動可能であり、前記支持された一対のマザー基板を、前記支持された一対のマザー基板の前記支持面と対向する側とは反対側から押圧するブレイクバーとを備える基板ブレイク装置において、前記支持された一対のマザー基板を、前記支持された一対のマザー基板における素子形成領域に配列された複数の素子毎に分断する基板ブレイク方法であって、前記支持された一対のマザー基板を、前記ブレイクバーによって押圧することにより、前記複数の素子毎に分断するブレイク工程を備え、前記ブレイク工程において、前記素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、前記支持された一対のマザー基板において前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域が押圧される力より大きい。
【０００９】
本発明の基板ブレイク方法によれば、当該基板ブレイク方法が適用される基板ブレイク装置は、互いに貼り合わされた一対のマザー基板を支持する支持面を有する支持部材と、支持面の法線方向に沿う方向に移動可能であり、支持された一対のマザー基板を、該支持された一対のマザー基板の支持面と対向する側とは反対側から押圧するブレイクバーとを備える。ここに「法線方向に沿う方向」とは、法線方向と平行な方向に限らず、実践上、法線方向に沿っているとみなせる限りにおいて法線方向から多少ずれた方向を意味してよい。
【００１０】
ブレイク工程では、支持部材により支持された一対のマザー基板が、ブレイクバーによって押圧されることにより、一対のマザー基板における素子形成領域に配列された複数の素子毎に分断される。ここで、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、一対のマザー基板において素子形成領域の周辺に位置する周辺領域が押圧される力より大きい。
【００１１】
尚、一対のマザー基板のうち支持部材の支持面と対向するマザー基板（即ち、ブレイクバーによって直接押圧されないマザー基板）の支持面と対向する基板面には、予め、分断予定線に沿ってスクライブが施されることによってスクライブラインが形成されている。
【００１２】
「素子形成領域」とは、個々の素子の領域を意味するのではなく、複数の素子が平面配列された領域全体を意味する。また、「素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、一対のマザー基板において素子形成領域の周辺に位置する周辺領域が押圧される力より大きい」とは、ブレイクバーにより押圧されるスクライブラインに沿って延びる微小幅の領域を、更に微小長さ毎に複数の微小領域に分割した場合に、素子形成領域に含まれる一の微小領域が押圧される力が、周辺領域に含まれる複数の微小領域各々が押圧される力のうちの最大値より大きいことを意味する。
【００１３】
本願発明者の研究によれば、例えば携帯電話等の電子機器の小型化・軽量化の要求に伴い、マザー基板の薄型化が図られる。ここで、マザー基板の薄型化の方法として、一対のマザー基板を相互に貼り合わせた後に、機械研磨（即ち、ポリッシュ）又は化学研磨（即ち、エッチング）する方法が採られることが多い。この際、一対のマザー基板の内部に研磨剤が侵入することを防止するために、一対のマザー基板の端面が、例えば紫外線硬化樹脂等の封止剤により封止される。
【００１４】
共割れ現象は、薄型化されたマザー基板を有する一対のマザー基板をブレイクする際に生じることが比較的多い。特に、一対のマザー基板の端面を起点とする共割れ現象が、比較的多く発生する。これは、封止剤が一対のマザー基板の内部に侵入することに起因して一対のマザー基板が密着し（即ち、一対のマザー基板間に空間が無くなり）、ブレイクする際にブレイクバーによって直接押圧されないマザー基板が割れ難くなるためであると考察される。
【００１５】
共割れ現象を防止する方法として、例えば、ブレイクバーによって押圧する力を比較的弱くする方法がある。しかしながら、スクライブラインが形成されているマザー基板の割れ残りや切断面の形状不良等を防止するために、押圧する力を、ブレイク対象の基板毎に最適化しなければならない。割れ残りや切断形状不良防止には、ブレイク圧力を強くすることが望ましいが、圧力を強くし過ぎると共割れの発生確率が高くなる（即ち、トレードオフの関係にある）ため最適化が非常に難しい。
【００１６】
しかるに本発明では、ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力が、周辺領域が押圧される力より大きくなるように、支持部材により支持された一対のマザー基板がブレイクバーによって押圧される。このため、一対のマザー基板の端面を起点とする共割れ現象を防止することができる。加えて、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力が、周辺領域が押圧される力より大きくなればよく、押圧する力を厳密に設定する必要が無いので、ブレイク条件の設定が容易となる（即ち、マージンを大きくとれる）。
【００１７】
本発明の如く、ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力を、周辺領域が押圧される力より大きくするためには、例えば、ブレイクバーの長手方向の長さを一対のマザー基板の直径より短くすればよい。或いは、ブレイクバーの長手方向の中央部が支持部材に向かって突出するように、ブレイクバーを形成すればよい。
【００１８】
尚、周辺領域が押圧される力が比較的小さくなることにより、周辺領域が、形成されたスクライブラインに沿って割れ難くなりかねないことが本願発明者の研究により判明しているが、周辺領域は製品としては使用されないため、何らの問題もない。
【００１９】
本発明の基板ブレイク方法の一態様では、前記ブレイクバーの長手方向の長さである第１長さは、前記長手方向に沿う前記支持されたマザー基板の長さである第２長さよりも短く、且つ前記長手方向に沿う前記素子形成領域の長さである第３長さ以上である。
【００２０】
この態様によれば、比較的容易にして、ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力を、周辺領域が押圧される力より大きくすることができる。加えて、ブレイクバーの長手方向の長さが、該長手方向に沿う素子形成領域の長さ以上であるので、ブレイクすべき素子形成領域を正常にブレイクすることができ、実用上非常に有利である。
【００２１】
本発明の基板ブレイク方法の他の態様では、前記ブレイクバーの長手方向に沿うベクトルと前記支持面の法線ベクトルとを含む平面によって前記ブレイクバーを切った断面において、前記ブレイクバーは、前記支持面に向かって突出する突出部を有する。
【００２２】
この態様によれば、比較的容易にして、ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力を、周辺領域が押圧される力より大きくすることができる。加えて、ブレイク対象の基板の大きさにかかわらず、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力を、周辺領域が押圧される力より大きくすることができ実用上非常に有利である。
【００２３】
本発明の基板ブレイク方法の他の態様では、前記ブレイクバーは、前記ブレイクバーの長手方向に沿うベクトルと前記支持面の法線ベクトルとを含む平面によって前記ブレイクバーを切った断面において、前記ブレイクバーの前記支持面と対向する側の辺を前記支持面に向かって膨らむ曲線とすることが可能な曲率付与手段を有する。
【００２４】
この態様によれば、比較的容易にして、ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力を、周辺領域が押圧される力より大きくすることができる。加えて、ブレイク対象の基板毎に曲率を変更することができるので、例えば複数種類の基板を一つの基板ブレイク装置において処理することができ、実用上非常に有利である。
【００２５】
本発明の基板ブレイク方法の他の態様では、前記支持面上で平面的に見て前記支持面は少なくとも前記素子形成領域に対応し、且つ前記支持面の面積は前記支持された一対のマザー基板の面積よりも小さい。
【００２６】
この態様によれば、比較的容易にして、ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力を、周辺領域が押圧される力より大きくすることができる。尚、「支持面上で平面的に見て、支持面は少なくとも素子形成領域に対応」とは、支持部材の支持面上に一対のマザー基板が載置された状態で、支持面上で平面的に見て、支持面内に少なくとも素子形成領域が含まれていることを意味する。
【００２７】
本発明の基板ブレイク装置は、上記課題を解決するために、互いに貼り合わされた一対のマザー基板を、前記一対のマザー基板における素子形成領域に配列された複数の素子毎に分断する基板ブレイク装置であって、前記一対のマザー基板を支持する支持面を有する支持部材と、前記支持面の法線方向に沿う方向に移動可能であり、前記支持された一対のマザー基板を、前記支持された一対のマザー基板の前記支持面と対向する側とは反対側から押圧するブレイクバーとを備え、前記素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、前記支持された一対のマザー基板において前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域が押圧される力より大きい。
【００２８】
本発明の基板ブレイク装置によれば、上述した本発明の基板ブレイク方法と同様に、一対のマザー基板の端面を起点とする共割れ現象を防止することができると共に、処理時間を比較的短くすることができる。
【００２９】
尚、本発明の基板ブレイク装置においても、上述した本発明の基板ブレイク方法における各種態様を採ることが可能である。
【００３０】
本発明のブレイクバーは、上記課題を解決するために、互いに貼り合わされた一対のマザー基板を、前記一対のマザー基板における素子形成領域に配列された複数の素子毎に分断する基板ブレイク装置におけるブレイクバーであって、前記素子形成領域の少なくとも一部を押圧する力が、前記一対のマザー基板において前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域を押圧する力より大きくなるように構成されている。
【００３１】
本発明のブレイクバーによれば、一対のマザー基板における素子形成領域の少なくとも一部を押圧する力が、該一対のマザー基板における周辺領域を押圧する力より大きくなるように構成されている。このため、当該ブレイクバーを基板ブレイク装置に適用すれば、一対のマザー基板の端面を起点とする共割れ現象を防止することができると共に、処理時間を比較的短くすることができる。
【００３２】
尚、本発明のブレイクバーにおいても、上述した本発明の基板ブレイク方法における各種態様を採ることが可能である。
【００３３】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係る基板ブレイク装置の斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る基板ブレイク装置の主要部分を示す正面図である。
【図３】第１実施形態に係る貼り合わせ基板を平面的に見た平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ´線断面図である。
【図５】第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図６】図５のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図７】第１実施形態に係るブレイク工程における貼り合わせ基板の形状を模式的に示す模式図である。
【図８】第２実施形態に係るブレイクバーを示す正面図である。
【図９】第２実施形態の変形例に係るブレイクバーを示す正面図である。
【図１０】第３実施形態に係るブレイクバーを示す正面図である。
【図１１】第４実施形態に係る基板ブレイク装置の主要部分を示す正面図である。
【図１２】第４実施形態に係る貼り合わせ基板及び基板支持部材を、貼り合わせ基板の側から見た平面的に見た平面図である。
【図１３】第５実施形態に係るブレイクバーを、該ブレイクバーの底面の側から見た底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明に係る基板ブレイク装置の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３６】
＜第１実施形態＞
本発明に係る基板ブレイク装置の第１実施形態を、図１乃至図７を参照して説明する。
【００３７】
（基板ブレイク装置の構成）
図１において、基板ブレイク装置３００は、テーブル３１０、本発明に係る「支持部材」の一例としての基板支持部材３２０、ブレイクバー３３０及びシリンダー３４０を備えて構成されている。ここに、図１は、本実施形態に係る基板ブレイク装置の斜視図であり、図２は、本実施形態に係る基板ブレイク装置の主要部分を示す正面図である。
【００３８】
テーブル３１０は、図１中のＹ軸方向に沿って移動可能であると共に、回転機構（図示せず）により、ＸＹ平面において正確に９０度回転可能である。基板支持部材３２０は、ステンレス板３２１及びゴム板３２２を備えて構成されている。尚、図１では、基板支持部材３２０の上に、互いに貼り合わされた一対のマザー基板からなる、貼り合わせ基板２００が載置されている状態を示している。
【００３９】
ブレイクバー３３０は、ゴム部３３１及び支持部３３２を備えて構成されている。ブレイクバー３３０は、シリンダー３４０により、図中のＺ軸方向に沿って移動可能であり、貼り合わせ基板２００を、該貼り合わせ基板２００の上方から押圧可能である。尚、本実施形態に係るゴム板３２２の「上面３２２ａ」及び「Ｚ軸方向」は、夫々、本発明に係る「支持面」及び「支持面の法線方向」の一例である。
【００４０】
（貼り合わせ基板の構成）
次に、貼り合わせ基板２００について、図３及び図４を参照して説明する。ここに、図３は、本実施形態に係る貼り合わせ基板を平面的に見た平面図であり、図４は、図３のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図３中の点線は、スクライブラインを表している。
【００４１】
図３及び図４に示すように、貼り合わせ基板２００は、互いに対向して配置されたマザー基板２０１及び２０２を備えて構成されている。貼り合わせ基板２００における素子形成領域２１０（図３において破線ａにより囲まれた領域）には、複数の液晶装置１００が配列されている。マザー基板２０１及び２０２の間、且つ貼り合わせ基板２００において素子形成領域２１０の周辺に位置する周辺領域２２０の少なくとも一部は、例えば紫外線硬化樹脂等の封止剤２３０により封止されている。
【００４２】
（液晶装置の構成）
次に、本発明に係る「素子」の一例としての液晶装置１００について、図５及び図６を参照して説明する。尚、本実施形態では、駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例として挙げる。
【００４３】
図５及び図６において、液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ここに、図５は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図６は、図５のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００４４】
ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに配置されたシール材５２により相互に接着されている。
【００４５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造工程においてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。画像表示領域１０ａ及び画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が配置されている。尚、ギャップ材を、画像表示領域１０ａ等に配置されるものに加えて若しくは代えて、シール材５２に混入するようにしてもよい。
【００４６】
図５において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４７】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側の額縁領域５３ａに、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００４８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００４９】
図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。複数の走査線及び複数のデータ線は、相互に交差して配線され、これら交差に対応して画素に対応する画素部がマトリクス状に設けられている。この積層構造の詳細な構成については図６では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００５０】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００５１】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えば直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。また、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、カラーフィルタが形成されていてもよい。
【００５２】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００５３】
尚、図５及び図６に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５４】
（貼り合わせ基板のブレイク方法）
貼り合わせ基板２００を、該貼り合わせ基板２００の素子形成領域２１０（図３参照）に配列された複数の液晶装置１００毎に分断する際、先ず、例えばマザー基板２０１の基板面２０１ａ（図４参照）にスクライブ処理が施され、Ｘ軸及びＹ軸（図３参照）の各々に沿って複数のスクライブラインが形成される。
【００５５】
次に、貼り合わせ基板２００の上下が反転され、基板ブレイク装置３００の基板支持部材３２０（図２参照）上に載置される（即ち、マザー基板２０１が下側になるように、基板ブレイク装置３００の基板支持部材３２０上に載置される）。続いて、マザー基板２０１の基板面２０１ａに形成されたスクライブラインの上方側から、マザー基板２０２の基板面２０２ａ（図４参照）がブレイクバー３３０により押圧されることによって、マザー基板２０１が分断される。
【００５６】
具体的には例えば、先ず、ブレイクバー３３０によって、基板面２０１ａに形成されたＹ軸に沿ったスクライブラインに対応する、基板面２０２ａの部分が押圧される。次に、ブレイクバー３３０によって、基板面２０１ａに形成されたＸ軸に沿ったスクライブラインに対応する、基板面２０２ａの部分が押圧される。
【００５７】
次に、マザー基板２０２の基板面２０２ａにスクライブ処理が施されることによって、複数のスクライブラインが形成される。次に、貼り合わせ基板２００の上下が反転され、基板ブレイク装置３００の基板支持部材３２０上に載置される（即ち、マザー基板２０２が下側になるように、基板ブレイク装置３００の基板支持部材３２０上に載置される）。続いて、マザー基板２０２の基板面２０２ａに形成されたスクライブラインに沿って、マザー基板２０１の基板面２０１ａがブレイクバー３３０により押圧されることによって、マザー基板２０２が分断される。
【００５８】
以上の工程により、貼り合わせ基板２００の素子形成領域２１０に配列された複数の液晶装置１００が、個々の液晶装置１００に分断される。尚、ブレイク方法については、上述の特許文献３に詳しい。
【００５９】
ここで、マザー基板２０１が分断される場合において、ブレイクバー３３０によって、基板面２０１ａに形成されたＹ軸に沿ったスクライブラインに対応する基板面２０２ａの部分が押圧された後の貼り合わせ基板２００の形状は、図７に示すように、反った形状となっている。
【００６０】
ここに、図７は、本実施形態に係るブレイク工程における貼り合わせ基板の形状を模式的に示す模式図である。尚、図７では、説明の便宜上、貼り合わせ基板２００の反りの程度を、実際よりも誇張して示している。また、図７において、マザー基板２０１に記載された縦線は、ブレイク面を表している。
【００６１】
仮に、貼り合わせ基板２００の長手方向の長さｄ２（図３参照）より長いブレイクバーによって、貼り合わせ基板２００を押圧すると、該貼り合わせ基板２００の端部（図７において点線により囲まれた部分）に比較的強い力が加わる。すると、貼り合わせ基板２００の端部を起点とする共割れ現象が、比較的発生し易いことが本願発明者の研究により判明している。
【００６２】
しかるに本実施形態では、ブレイクバー３３０の長手方向の長さｄ１（図２参照）が、貼り合わせ基板２００の長手方向の長さｄ２より短く、且つ素子形成領域２１０の該長手方向に沿う方向の長さｄ３（図３参照）以上となるように構成されている。このため、貼り合わせ基板２００における素子形成領域２１０の少なくとも一部が押圧される力は、周辺領域２２０（図３参照）が押圧される力より大きくなる。加えて、上述の如く、ブレイクバー３３０の長手方向の長さｄ１が、貼り合わせ基板２００の長手方向の長さｄ２より短いので、貼り合わせ基板２００の端部にブレイクバー３３０が当たることはない。この結果、貼り合わせ基板の端部が起点となる共割れ現象を防止することができる。
【００６３】
尚、本実施形態に係る「長さｄ１」、「長さｄ２」及び「長さｄ３」は、夫々、本発明に係る「第１長さ」、「第２長さ」及び「第３長さ」の一例である。
【００６４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の基板ブレイク装置に係る第２実施形態を、図８を参照して説明する。第２実施形態では、ブレイクバーの形状が異なる以外は、第１実施形態と同様である。よって、第２実施形態について、第１実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図８を参照して説明する。ここに、図８は、本実施形態に係るブレイクバーを示す正面図である。
【００６５】
図８において、本実施形態に係るブレイクバー３３０のゴム部３３３は、ゴム板３２２の上面３２２ａ（図２参照）に向かって突出する突出部３３３ａを有している。本実施形態では、ブレイクバー３３０のゴム部３３３が突出部３３３ａを有しているが故に、貼り合わせ基板２００を分断する際に、素子形成領域２１０（図３参照）の少なくとも一部が押圧される力を、周辺領域２２０（図３参照）が押圧される力より大きくすることができる。
【００６６】
尚、突出部の高さｈ（図８参照）は、ブレイクバー３３０が貼り合わせ基板２００に対して押し込まれる量に応じて適宜設定される。具体的には例えば、ブレイクバー３３０が貼り合わせ基板２００に対して、０．３ｍｍ（ミリメートル）押し込まれる場合、突出部３３３ａの高さｈは０．１ｍｍ〜０．１５ｍｍであることが好ましい。また、本実施形態に係るブレイクバー３３０の長手方向の長さは、貼り合わせ基板２００の長手方向の長さよりも長くてもよい。
【００６７】
＜変形例＞
次に、第２実施形態に係るブレイクバーの変形例について、図９を参照して説明する。ここに、図９は、図８と同趣旨の、第２実施形態の変形例に係るブレイクバーを示す正面図である。
【００６８】
図９に示すように、本変形例に係るブレイクバー３３０においてゴム部３３３の突出部３３３ａの外縁（図９におけるゴム部３３３の下側の線）は、ゴム板３２２の上面３２２ａに向かって膨らむ曲線である。
【００６９】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の基板ブレイク装置に係る第３実施形態を、図１０を参照して説明する。第３実施形態では、ブレイクバーの形状が異なる以外は、第１実施形態と同様である。よって、第３実施形態について、第１実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図１０を参照して説明する。ここに、図１０は、図８と同趣旨の、本実施形態に係るブレイクバーを示す正面図である。
【００７０】
図１０において、本実施形態に係るブレイクバー３３０は、支持部３３２とゴム部３３５との間の距離を調節可能なボルトネジ３３６ａを有するマイクロメーター３３６を複数備えて構成されている。マイクロメーター３３６により、ゴム部３３５の曲率を変更することができる。このため、例えば複数種類の貼り合わせ基板を、基板ブレイク装置３００において処理することができる。
【００７１】
尚、本実施形態に係る「マイクロメーター３３６」は、本発明に係る「曲率付与手段」の一例である。また、本実施形態に係るブレイクバー３３０の長手方向の長さは、貼り合わせ基板２００の長手方向の長さよりも長くてもよい。
【００７２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の基板ブレイク装置に係る第４実施形態を、図１１及び図１２を参照して説明する。第４実施形態では、基板支持部材の形状が異なる以外は、第１実施形態と同様である。よって、第４実施形態について、第１実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図１１及び図１２を参照して説明する。ここに、図１１は、図２と同趣旨の、本実施形態に係る基板ブレイク装置の主要部分を示す正面図であり、図１２は、本実施形態に係る貼り合わせ基板及び基板支持部材を、貼り合わせ基板の側から見た平面的に見た平面図である。
【００７３】
図１１及び図１２において、本実施形態に係る基板支持部材３２０の面積は、貼り合わせ基板２００の面積よりも小さく、且つ該貼り合わせ基板２００の素子形成領域２１０の面積以上となるように構成されている。そして、貼り合わせ基板２００を基板支持部材３２０の上に載置する場合には、平面的に見て、基板支持部材３２０内に、少なくとも素子形成領域２１０が含まれるように、貼り合わせ基板２００が載置される。
【００７４】
このため、少なくとも貼り合わせ基板２００の端部の下方には基板支持部材３２０が存在しないので、貼り合わせ基板２００の長手方向の長さより長いゴム部３３７を有するブレイクバー３００により、貼り合わせ基板２００を押圧しても、貼り合わせ基板２００の端部に加わる力を比較的小さくすることができる。
【００７５】
尚、基板支持部材３２０のゴム板３２４の面積が、貼り合わせ基板２００の面積よりも小さく、且つ該貼り合わせ基板２００の素子形成領域２１０の面積以上であれば、基板支持部材３２０のステンレス板３２３の面積は、貼り合わせ基板２００の面積より大きくてもよい。
【００７６】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の基板ブレイク装置に係る第５実施形態を、図１３を参照して説明する。第５実施形態では、ブレイクバーの形状が異なる以外は、第１実施形態と同様である。よって、第５実施形態について、第１実施形態と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図１３を参照して説明する。ここに、図１３は、本実施形態に係るブレイクバーを該ブレイクバーの底面の側から見た底面図である。尚、ブレイクバー３３０の底面を強調するため、図１３では低面に斜線を付している。
【００７７】
図１３に示すように、本実施形態に係るブレイクバー３３０のゴム部３３８の底面は、ブレイクバー３３０の中央付近におけるゴム部３３８の底面の幅が、ブレイクバー３３０の端部におけるゴム部３３８の底面の幅よりも小さくなるように構成されている。このため、貼り合わせ基板２００を分断する際に、素子形成領域２１０（図３参照）の少なくとも一部が押圧される力を、周辺領域２２０（図３参照）が押圧される力より大きくすることができる。
【００７８】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う基板ブレイク方法、基板ブレイク装置及びブレイクバーもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００７９】
１００…液晶装置、２００…貼り合わせ基板、２０１、２０２…マザー基板、２１０…素子形成領域、２２０…周辺領域、３００…基板ブレイク装置、３１０…テーブル、３２０…基板支持部材、３３０…ブレイクバー、３４０…シリンダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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