(57)【要約】【課題】インナーリードと半導体チップとを接続するためのワイヤが他の導電部と電気的に短絡することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】インナーリード部ＩＬは、平面視において半導体チップＣＨの外周端よりも外周側に配置された先端を有する。電源バーＢＢは、平面視において半導体チップＣＨの外周端とインナーリード部ＩＬの先端との間に延在する張り出し部ＢＢＡを有する。張り出し部ＢＢＡの上面はインナーリード部ＩＬの先端の上面よりも低い位置にある。半導体チップＣＨとインナーリード部ＩＬとを電気的に接続するボンディングワイヤＷＲ１ａは、平面視において半導体チップＣＨの外周端よりも外周側に屈曲点Ｓ１を有する。【選択図】図５
2010016054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
平面視において前記半導体チップの外周端よりも外周側に配置された先端を有するインナーリード部と、
平面視において前記半導体チップの前記外周端と前記インナーリード部の前記先端との間に延在する張り出し部を有する電源バーと、
前記半導体チップと前記インナーリード部とを電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、
前記電源バーの前記張り出し部の上面は、前記インナーリード部の前記先端の上面よりも低い位置にあり、
前記ボンディングワイヤは、平面視において前記半導体チップの前記外周端よりも外周側に位置する屈曲点を有している、半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
平面視において前記半導体チップの外周端よりも外周側に配置された先端を有するインナーリード部と、
平面視において前記半導体チップの前記外周端と前記インナーリード部の前記先端との間に延在する張り出し部を有する電源バーと、
前記半導体チップと前記インナーリード部とを電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、
前記電源バーの前記張り出し部の上面は、前記インナーリード部の前記先端の上面よりも低い位置にあり、
前記インナーリード部の前記先端の上面は、前記半導体チップの上面の高さ位置以上の高さに位置している、半導体装置。
【請求項３】
前記電源バーは、前記インナーリード部と間隔を空けて並走するように延びる並走部と、前記並走部の上面よりも前記張り出し部の上面が低くなるように屈曲された屈曲部とを有し、
前記屈曲部は、前記インナーリード部の前記先端よりも平面視において内周側に位置している、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電源バーは、前記インナーリード部と間隔を空けて並走するように延びる並走部と、前記並走部の上面よりも前記張り出し部の上面が低くなるように屈曲された屈曲部とを有し、
前記屈曲部は、前記インナーリード部の前記先端よりも平面視において外周側に位置している、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップと、
平面視において前記半導体チップの外周端よりも外周側に配置された先端を有するインナーリード部と、
平面視において前記半導体チップの前記外周端と前記インナーリード部の前記先端との間に延在する張り出し部と、前記インナーリード部と並走するように延びる並走部とを有する電源バーと、
前記半導体チップと前記張り出し部とを電気的に接続する第１ボンディングワイヤと、
前記半導体チップと前記並走部とを電気的に接続する第２ボンディングワイヤとを備えた、半導体装置。
【請求項６】
前記並走部の前記第２ボンディングワイヤが接続された箇所は、前記インナーリード部の前記先端よりも外周側に位置している、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体チップを搭載するためのダイパッド部と、当該ダイパッド部に前記半導体チップを搭載した際に平面視において前記半導体チップの外周端よりも外周側に配置された先端を有するインナーリード部と、平面視において前記外終端と前記インナーリード部の前記先端との間に延在する張り出し部を有し、その張り出し部の上面が前記インナーリード部の前記先端の上面よりも低い位置にある電源バーと、を有したリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド部に前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップと前記先端の上面が該半導体チップの上面よりも高いインナーリード部とをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記電源バーは、前記インナーリード部と間隔を空けて並走するように延びる並走部と、前記並走部の上面よりも前記張り出し部の上面が低くなるように屈曲された屈曲部とを有し、
前記屈曲部は、前記インナーリード部の前記先端よりも平面視において内周側に位置している、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記電源バーは、前記インナーリード部と間隔を空けて並走するように延びる並走部と、前記並走部の上面よりも前記張り出し部の上面が低くなるように屈曲された屈曲部とを有し、
前記屈曲部は、前記インナーリード部の前記先端よりも平面視において外周側に位置している、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、ボンディングワイヤにより半導体チップと電気的に接続されるインナーリード部を有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージを封止構造的に見ると、気密封止パッケージと、非気密封止パッケージとの２つに分けることができる。特に非気密封止パッケージの中でも、トランスファ・モールド・タイプのプラスチック・パッケージが現在主流となっている。
【０００３】
このプラスチック・パッケージは、半導体チップとリードとをワイヤにより接続したものを樹脂により封止した構造を有している。このような半導体装置は、たとえば特開平６−２５２３２８号公報に開示されている。
【特許文献１】特開平６−２５２３２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ＳｏＣ（System on Chip）などのように１つのチップ内にシステム自体を作り込んだチップを用いた場合、入出力のためのリードが多数必要となる。この場合、ワイヤ同士の間隔が狭くなり、リード同士が電気的に短絡しやすくなる。これを避けるためと、加工上の問題で、リードをチップに寄せることができなくなり、半導体チップとリードとを接続するワイヤが長くなる。
【０００５】
リード本数を減らすために、ＧＮＤリングやバスバー（電源バー）を設けることも近年一般的になってきている。この半導体チップに電源を供給するための電源バーが、半導体チップとインナーリードの先端との間に延在している場合、インナーリードと半導体チップとを接続するためのワイヤが長くなり、ワイヤのルーピングの難しさの点で、そのワイヤがボンディング時に電源バーに衝突するなどして、電源バーや他のワイヤと電気的に短絡する不具合が生じることを本発明者は見出した。
【０００６】
本発明は、上記の本発明者の知見に基づいてなされたものであり、その目的は、インナーリードと半導体チップとを接続するためのワイヤが他の導電部と電気的に短絡することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施の形態の半導体装置は、半導体チップと、インナーリード部と、電源バーと、ボンディングワイヤとを備えている。インナーリード部は、平面視において半導体チップの外周端よりも外周側に配置された先端を有している。電源バーは、平面視において半導体チップの外周端とインナーリード部の先端との間に延在する張り出し部を有している。ボンディングワイヤは、半導体チップとインナーリード部とを電気的に接続している。電源バーの張り出し部の上面は、インナーリード部の先端の上面よりも低い位置にある。ボンディングワイヤは、平面視において半導体チップの外周端よりも外周側に位置する屈曲点を有している。
【発明の効果】
【０００８】
本実施の形態の半導体装置によれば、電源バーの張り出し部の上面は、インナーリード部の先端の上面よりも低い位置にあるため、インナーリード部のボンディングワイヤがそのボンディング時に電源バーに衝突するとしてもその衝突の衝撃を弱めることができる。これにより、上記衝突の衝撃でボンディングワイヤに予期せぬクセ（変形）がついてしまうことを抑制できる。したがって、インナーリード部と半導体チップとを接続するためのボンディングワイヤが他の導電部と電気的に短絡することが防止され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。図１を参照して、本実施の形態の半導体装置は、トランスファ・モールド・タイプのプラスチック・パッケージＰＫであり、たとえばＱＦＰ（Quad Flat Package）である。このタイプのパッケージＰＫにおいては、封止樹脂ＭＲの外周の４辺全てからアウターリード部ＯＬが突き出している。
【００１０】
図２は図１に示したパッケージＰＫの内部を封止樹脂を透過して示す概略平面図である。また図３は図２の拡大図であって、インナーリード部に接続されるボンディングワイヤを省略して示す図である。また図４は図２の拡大図であって、電源バーおよびＧＮＤリングに接続されるボンディングワイヤを省略して示す図である。また図５、図６および図７のそれぞれは図２のＶ−Ｖ線、ＶＩ−ＶＩ線およびＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う概略断面図である。
【００１１】
なお図６は電源バーのみの断面を示し、図７はダイパッド、ＧＮＤリング、ダイバーなどの断面を示している。
【００１２】
図２〜図５を参照して、パッケージＰＫにおける封止樹脂ＭＲの内部には、半導体チップＣＨと、リードフレームＬＦと、ボンディングワイヤＷＲ１ａ、ＷＲ１ｂ、ＷＲ２ａ、ＷＲ３ａとが配置されている。半導体チップＣＨは、たとえばＳｏＣが作り込まれたものである。半導体チップＣＨは、内周側に配置された複数のボンディングパッドＰＤ１よりなるパッド群と、外周側に配置された複数のボンディングパッドＰＤ２よりなるパッド群とを上面に有している。
【００１３】
リードフレームＬＦは、ダイパッドＤＰと、複数本のインナーリード部ＩＬと、電源バー（バスバー）ＢＢと、ＧＮＤリングＧＲと、接続部ＣＰと、吊りリードＴＢとを主に有している。
【００１４】
ダイパッドＤＰは、リードフレームＬＦのほぼ中央に位置しており、このダイパッドＤＰ上には接着剤ＡＭにより半導体チップＣＨが搭載されている。複数本のインナーリード部ＩＬは、半導体チップＣＨとの間で入出力信号をやり取りする部分であり、たとえば半導体チップＣＨを中心とした放射線状に配置されている。複数本のインナーリード部ＩＬのそれぞれの先端は、平面視においてダイパッドＤＰおよび半導体チップＣＨの各々の外周端よりも外周側に位置している。
【００１５】
電源バーＢＢは、半導体チップＣＨに電源電位を供給するためのものである。この電源バーＢＢは、張り出し部ＢＢＡと、並走部ＢＢＢとを有している。並走部ＢＢＢは、その並走部ＢＢＢに隣り合うインナーリード部ＩＬと間隔を空けて並走するように、パッケージＰＫの内周側から外周側に向かって延びている。電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡは、並走部ＢＢＢの内周側の先端に接続され、かつ平面視において半導体チップＣＨの外周端とインナーリード部ＩＬの先端との各々と間隔を空けてそれらの間に延在するように張り出している。
【００１６】
本実施の形態においては、３つの並走部ＢＢＢが、張り出し部ＢＢＡに接続されている。つまり、２つの並走部ＢＢＢのそれぞれが張り出し部ＢＢＡの一方端部と他方端部とに接続されており、残りの１つの並走部ＢＢＢが張り出し部ＢＢＡの一方端部と他方端部との間の位置に接続されている。
【００１７】
ＧＮＤリングＧＲは、半導体チップＣＨにＧＮＤ電位を供給するためのものである。このＧＮＤリングＧＲは、平面視においてダイパッドＤＰの外周端よりも外周側であって、電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡよりも内周側に位置している。このＧＮＤリングＧＲはダイパッドＤＰの外周全周を取り囲むように配置されている。
【００１８】
接続部ＣＰは、ダイパッドＤＰとＧＮＤリングＧＲとを繋ぐためのものであり、平面視においてダイパッドＤＰの１辺にたとえば２つずつ設けられている。吊りリードＴＢは、ＧＮＤリングＧＲの４つの角部のそれぞれに接続されており、かつＧＮＤリングＧＲとの接続部から外周側へ延びている。
【００１９】
主に図３を参照して、外周側に配置された複数のボンディングパッドＰＤ２のいくつかは、それぞれ電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡの複数箇所のそれぞれにボンディングワイヤＷＲ２ａにより電気的に接続されている。ボンディングパッドＰＤ２の残りのいくつかは、それぞれＧＮＤリングＧＲの複数箇所のそれぞれにボンディングワイヤＷＲ３ａにより電気的に接続されている。
【００２０】
主に図４を参照して、内周側に配置された複数のボンディングパッドＰＤ１のいくつかは、それぞれ複数のインナーリード部ＩＬのそれぞれにボンディングワイヤＷＲ１ａにより電気的に接続されている。また内周側に配置された複数のボンディングパッドＰＤ１のたとえば１つは、電源バーＢＢの並走部ＢＢＢにボンディングワイヤＷＲ１ｂにより電気的に接続されている。
【００２１】
主に図５を参照して、電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡの上面（ボンディングワイヤＷＲ２ａが接続された箇所）は、インナーリード部ＩＬの先端の上面よりも低い位置にある。またインナーリード部ＩＬの先端の上面の高さ位置ＵＳ１は、半導体チップＣＨの上面の高さ位置ＵＳ２以上の高さに位置していることが好ましい。
【００２２】
ボンディングワイヤＷＲ１ａは、半導体チップＣＨの外周端よりも外周側に位置する屈曲点Ｓ１と、半導体チップＣＨの真上に位置する屈曲点Ｓ２とを主に有している。インナーリード部ＩＬは、ボンディングワイヤＷＲ１ａが接続される箇所にめっき層ＰＬを有している。
【００２３】
電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡは、ボンディングワイヤＷＲ２ａが接続される箇所にめっき層ＰＬを有している。またＧＮＤリングＧＲは、ボンディングワイヤＷＲ３ａが接続される箇所にめっき層ＰＬを有している。
【００２４】
ボンディングワイヤＷＲ１ａは、クセ付けによる屈曲点Ｓ１、Ｓ２により、ボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａよりも図中上側を通るように配線されている。なおボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａは半導体チップＣＨの真上領域において一部重複するように図示されているが、電気的に短絡しているわけではない。
【００２５】
主に図６を参照して、電源バーＢＢは並走部ＢＢＢの上面に対して張り出し部ＢＢＡの上面が低くなるように屈曲された屈曲部（段部または傾斜部）ＳＴを有している。これにより、並走部ＢＢＢの上面はインナーリード部ＩＬの上面とほぼ同じ高さに位置し、かつ張り出し部ＢＢＡの上面はインナーリード部ＩＬの上面よりも低い高さに位置している。
【００２６】
主に図７を参照して、吊りリードＴＢとＧＮＤリングＧＲとの間には、吊りリードＴＢの上面に対してＧＮＤリングＧＲの上面が低くなるように屈曲された屈曲部（段部または傾斜部）ＳＴ２が形成されている。これにより、吊りリードＴＢの上面はインナーリード部ＩＬの上面とほぼ同じ高さに位置し、かつＧＮＤリングＧＲの上面は張り出し部ＢＢＡの上面よりも低い高さに位置している。
【００２７】
またＧＮＤリングＧＲとダイパッドＤＰとの間には、ＧＮＤリングＧＲの上面に対してダイパッドＤＰの上面が低くなるように屈曲された屈曲部（段部または傾斜部）ＳＴ１が形成されている。
【００２８】
なお本実施の形態の半導体装置における各部の厚みの例示として、図５に示すようにダイパッドＤＰの厚みＴ１は１２５μｍ、接着剤ＡＭの厚みＴ２は１０〜２０μｍ、半導体チップＣＨの厚みＴ３は４００μｍ、半導体チップＣＨ真上の封止樹脂ＭＲの厚みＴ４は４５２〜４６２μｍ、インナーリード部ＩＬの真下および真上の封止樹脂ＭＲの厚みＴ５、Ｔ６の各々は４３６μｍ、インナーリード部ＩＬの厚みＴ７は１２５μｍである。
【００２９】
各部の厚みがこのように設定された場合には、インナーリード部ＩＬの上面の高さ位置ＵＳ１は半導体チップＣＨの上面の高さ位置ＵＳ２よりも高くなり、その高さの位置の差Ｈ１は１６〜２６μｍとなる。また張り出し部ＢＢＡの上面はインナーリード部ＩＬの上面よりも、たとえば１５０μｍ以上低い高さに位置している。またＧＮＤリングＧＲの上面はインナーリード部ＩＬの上面よりも、たとえば２５０μｍ以上低い高さに位置している。またダイパッドＤＰの上面はインナーリード部ＩＬの上面よりも、たとえば５００μｍ以上低い高さに位置している。
【００３０】
ただしトランスファ・モールドにより、上記の高さの差Ｈ１が小さくなることがある。しかし、それでもインナーリード部ＩＬの上面の高さ位置ＵＳ１は半導体チップＣＨの上面の高さ位置ＵＳ２以上の高さにある。
【００３１】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図８は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法を示すフロー図である。図８を参照して、まずリードフレームＬＦが準備される（ステップＳ１）。このリードフレームＬＦは、平面視において半導体チップＣＨを配置すべき領域（たとえばダイパッドＤＰ）の外周端よりも外周側に配置された先端を有するインナーリード部ＩＬと、平面視においてその外周端とインナーリード部ＩＬの先端との間に延在する張り出し部ＢＢＡを有する電源バーＢＢとを少なくとも有するように形成される。
【００３２】
この際、図５に示すように、電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡの上面がインナーリード部ＩＬの先端の上面よりも低い位置となるように、かつＧＮＤリングＧＲの上面が張り出し部ＢＢＡの上面よりも低い位置となるように、かつダイパッドＤＰの上面がＧＮＤリングＧＲの上面よりも低い位置となるようにリードフレームＬＦが準備される。
【００３３】
この後、リードフレームＬＦの半導体チップＣＨを配置すべき領域（たとえばダイパッドＤＰ）に半導体チップＣＨが接着剤ＡＭなどにより接着される（ステップＳ２）。
【００３４】
この後、半導体チップＣＨとインナーリード部ＩＬとがボンディングワイヤＷＲ１ａにより電気的に接続され、半導体チップＣＨと電源バーＢＢの並走部ＢＢＢとがボンディングワイヤＷＲ１ｂにより電気的に接続される。また半導体チップＣＨと電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡとがボンディングワイヤＷＲ２ａにより電気的に接続され、半導体チップＣＨとＧＮＤリングＧＲとがボンディングワイヤＷＲ３ａにより電気的に接続される（ステップＳ３）。この際、ボンディングワイヤＷＲ１ａ、ＷＲ１ｂがボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａの上を通るように、ボンディングワイヤＷＲ１ａなどがクセ付けされて屈曲点Ｓ１、Ｓ２などが設けられる。
【００３５】
なお少なくとも上記のワイヤボンディングの直後においては、インナーリード部ＩＬの先端の上面の高さ位置は半導体チップＣＨの上面の高さ位置以上の高さとなっている。
【００３６】
この後、たとえばトランスファ・モールドにより、半導体チップＣＨ、ボンディングワイヤＷＲ１ａ〜ＷＲ３ａなどを封止し、かつダイパッドＤＰの下面を露出するように、封止樹脂ＭＲが形成されて、本実施の形態の半導体装置が製造される。
【００３７】
本実施の形態によれば、インナーリード部ＩＬの上面の高さ位置が半導体チップＣＨの上面の高さ位置以上になり、かつボンディングワイヤＷＲ１ａの長さが長くなった場合でも、ボンディングワイヤＷＲ１ａが他のボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａや電源バーＢＢと電気的に短絡することが抑制される。以下、そのことについて詳述する。
【００３８】
まずインナーリード部ＩＬの上面の高さ位置が半導体チップＣＨの上面の高さ位置以上に高くなる場合について説明する。図９は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法にてトランスファ・モールドをする様子を示す概略断面図である。図９を参照して、トランスファ・モールドをする場合には、通常、下型ＬＤと上型ＵＤとのほぼ中間位置でアウターリード部ＯＬが挟まれる。
【００３９】
一方、本実施の形態ではダイパッドＤＰの下面は封止樹脂ＭＲから露出させる必要があるので、ダイパッドＤＰは下型ＬＤに接するように配置される。また半導体チップＣＨの真上の封止樹脂ＭＲが被覆する厚みＴ４は、封止樹脂ＭＲからボンディングワイヤＷＲ１ａ〜ＷＲ３ａ、ＷＲ１ｂが露出しないようにある程度厚くする必要がある。
【００４０】
このようにアウターリード部ＯＬに繋がるインナーリード部ＩＬは半導体装置の厚みのほぼ中間に位置するのに対し、半導体チップＣＨの真上の封止樹脂の厚みＴ４を厚くする必要から、インナーリード部ＩＬの上面の高さ位置が半導体チップＣＨの上面の高さ位置以上に高くなる状態が生じる。このような状態は、半導体チップＣＨの上面からインナーリード部ＩＬの上面に向けてボンディングワイヤＷＲ１ａを上側に延ばすため、いわゆる打ち上げの状態といわれる。
【００４１】
次に、ボンディングワイヤＷＲ１ａの長さが長くなる場合について説明する。図１０は半導体チップおよびインナーリード部の位置関係とインナーリード部のピッチとの関係を説明するための平面図である。図１０を参照して、たとえばＱＦＰなどの場合には、多数のインナーリード部ＩＬが半導体チップＣＨを中心とした放射線状に配置される。このため、インナーリード部ＩＬの先端が内周側に位置するときのインナーリード部ＩＬのピッチＰ２は、インナーリード部ＩＬの先端が外周側に位置するときのインナーリード部ＩＬのピッチＰ１よりも小さくなる。
【００４２】
ここで、ＳｏＣのようにシステム自体を１つの半導体チップＣＨに作り込む場合には、入出力のためのインナーリード部ＩＬが多数必要となる。このため、インナーリード部ＩＬを内周側に延ばして半導体チップＣＨ側に近づけすぎると、インナーリード部ＩＬのピッチＰ２が小さくなりすぎて、それに伴ないリードの幅が細くなり、フレームの加工上も難しく、アセンブリにおいてもこの上にワイヤボンドを接合することが難しくなる。特にＳｏＣのようにインナーリード部ＩＬが多数必要な場合には、半導体チップＣＨにインナーリード部ＩＬの先端をあまり近付けることができないため、半導体チップＣＨとインナーリード部ＩＬとを接続するボンディングワイヤＷＲ１ａの長さが長くなる。
【００４３】
次に、上記のいわゆる打ち上げの場合にボンディングワイヤＷＲ１ａが長くなると、ボンディングワイヤＷＲ１ａが他のボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａや電源バーＢＢと電気的に短絡しやすくなることを説明する。図１１は、いわゆる打ち上げの場合にボンディングワイヤをクセ付けしない場合の様子を示す概略断面図である。図１１を参照して、いわゆる打ち上げの場合、ボンディングワイヤＷＲ１ａとなる金線をあまり引っ張らずにルーピングが行なわれる。このため、そのままインナーリード部ＩＬにステッチを行なうと、金線のループが大きく上方へ撓む。この場合、ボンディングワイヤＷＲ１ａのループが高くなり、ボンディングワイヤＷＲ１ａがトランスファ・モールドの際に流れて他のワイヤなどと電気的に短絡したり、またはトランスファ・モールドの後に封止樹脂ＭＲから露出したりする。
【００４４】
そこで上記のボンディングワイヤＷＲ１ａの撓みを防止するために、図１２に示すように、ボンディングワイヤＷＲ１ａのループを低くする必要がある。
【００４５】
ここで、ボンディングワイヤＷＲ１ａとなる金線はある程度剛性をもっており、かつ図１３に示すようにキャピラリＣＡから下方に突き出した後にある程度の曲率（Ｒ）を持って曲がっている。このため、金線は必ず曲率（Ｒ）の部分でインナーリード部ＩＬの上面に接触することになる。よって、ステッチの際には、金線の曲率（Ｒ）の部分を強引にインナーリード部ＩＬに押し付けることにより金線がインナーリード部ＩＬに接合されることになる。そこで、ステッチの直前に金線を図１３の破線で示すように下方にしならせてインナーリード部ＩＬに強引に押し付ける動作が必要となる。その結果、金線のループがインナーリード部ＩＬの下側に動くことになる。
【００４６】
特にいわゆる打ち上げの場合であってボンディングワイヤＷＲ１ａのループを低くしたい場合には、ステッチの直前における金線の下方へのしなりが、ループを低くはるためのキャピラリの動きとともに大きくなる。これにより、ボンディングワイヤＷＲ１ａが、下側の張り出し部ＢＢＡ、ボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａに接触して電気的に短絡することを本発明者は見出した。
【００４７】
またボンディングワイヤＷＲ１ａの長さが３〜４ｍｍを超えて長くなると、ボンディングワイヤＷＲ１ａが張り出し部ＢＢＡやボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａなどと電気的に短絡する現象が著しく生じやすくなることも本発明者は見出した。これは、ボンディングワイヤＷＲ１ａの長さが３〜４ｍｍを超えて長くなると、屈曲点Ｓ１の形成のための折り曲げ時にボンディングワイヤＷＲ１ａの下方へのしなり量が大きくなるためと考えられる。
【００４８】
以上のように、いわゆる打ち上げの場合にボンディングワイヤＷＲ１ａが長くなると、ボンディングワイヤＷＲ１ａが他のボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａや電源バーＢＢと電気的に短絡しやすくなる。
【００４９】
なお図１３に示すボンディングワイヤＷＲ１ａの屈曲点Ｓ１は、ステッチの直前に金線を破線で示すように下方にしならせたときに生じる部分である。
【００５０】
これに対して本実施の形態では、図５に示すように電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡの上面の高さ位置がインナーリード部ＩＬの上面の高さ位置よりも低くされている。このため、ステッチの直前に金線を図１３の破線で示すように下方にしならせてインナーリード部ＩＬに強引に押し付ける場合に、ボンディングワイヤＷＲ１ａが下側の張り出し部ＢＢＡ、ボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａなどに衝突するとしてもその衝突の衝撃を弱めることができる。これにより、上記衝突の衝撃でボンディングワイヤＷＲ１ａに予期せぬクセ（変形）がついてしまうことを抑制でき、そのクセによりボンディングワイヤＷＲ１ａが張り出し部ＢＢなどに接触した状態となることも抑制できる。つまり、本実施の形態においては上記衝突の衝撃が弱くなるため、ボンディングワイヤＷＲ１ａが張り出し部ＢＢＡなどに衝突しても所望の形（図５に示すボンディングワイヤＷＲ１ａの形）に回復しやすくなり、ボンディングワイヤＷＲ１ａが張り出し部ＢＢＡなどに接触した状態が維持されにくくなる。したがって、インナーリード部ＩＬと半導体チップとを接続するためのボンディングワイヤＷＲ１ａが他の導電部（張り出し部ＢＢＡ、ボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａなど）と電気的に短絡することが防止され得る。
【００５１】
なお、電源バーＢＢに形成される屈曲部（段部または傾斜部）ＳＴは、図２〜図４に示すようにインナーリード部ＩＬの先端よりも平面視において内周側に位置していてもよく、また図１４に示すようにインナーリード部ＩＬの先端よりも平面視において外周側に位置していてもよい。
【００５２】
（実施の形態２）
図１５は本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を概略的に示す平面図であって、封止樹脂を透過してパッケージの内部を示す概略平面図である。また図１６は図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う概略断面図である。図１５および図１６を参照して、パッケージＰＫにおける封止樹脂ＭＲの内部には、たとえば２つの半導体チップＣＨ１、ＣＨ２と、リードフレームＬＦと、ボンディングワイヤＷＲ１ａ〜ＷＲ３ａ、ＷＲ４、ＷＲ１ｂとが配置されている。２つの半導体チップＣＨ１、ＣＨ２は互いに積層されている。
【００５３】
下側に位置する半導体チップＣＨ１の上面には外縁に沿って３列に配置されたボンディングパッドＰＤ１〜ＰＤ３が形成されている。この半導体チップＣＨ１の３列のうち内周側の列のボンディングパッドＰＤ３は半導体チップＣＨ２のボンディングパッドＰＤ４とボンディングワイヤＷＲ４により電気的に接続されている。
【００５４】
リードフレームＬＦは、実施の形態１の構成と同様、ダイパッドＤＰと、複数本のインナーリード部ＩＬと、電源バー（バスバー）ＢＢと、ＧＮＤ部ＧＲと、接続部ＣＰと、吊りリードＴＢとを有している。ダイパッドＤＰ上には接着剤ＡＭにより半導体チップＣＨ１が搭載されている。
【００５５】
複数本のインナーリード部ＩＬは、半導体チップＣＨ１、ＣＨ２との間で入出力信号をやり取りする部分である。複数本のインナーリード部ＩＬのそれぞれの先端は、平面視において半導体チップＣＨ１の外周端とは間隔を空けてその外周側に配置されている。
【００５６】
電源バーＢＢは、半導体チップＣＨ１、ＣＨ２に電源電位を供給するためのものである。この電源バーＢＢは、張り出し部ＢＢＡと、並走部ＢＢＢとを有している。並走部ＢＢＢは、隣り合うインナーリード部ＩＬと間隔を空けて並走するように、内周側から外周側に向かって延びている。電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡは、並走部ＢＢＢの内周側の先端に接続され、かつ平面視において半導体チップＣＨの外周端とインナーリード部ＩＬの先端との間に延在するように張り出している。
【００５７】
本実施の形態においては、３つの並走部ＢＢＢが、張り出し部ＢＢＡに接続されている。つまり、２つの並走部ＢＢＢのそれぞれが張り出し部ＢＢＡの一方端部と他方端部とに接続されており、残りの１つの並走部ＢＢＢが張り出し部ＢＢＡの一方端部と他方端部との間の位置に接続されている。
【００５８】
ＧＮＤ部ＧＲは、半導体チップＣＨ１、ＣＨ２にＧＮＤ電位を供給するためのものである。このＧＮＤ部ＧＲは、平面視においてダイパッドＤＰの外周端よりも外周側であって、電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡよりも内周側に位置している。
【００５９】
接続部ＣＰは、ダイパッドＤＰとＧＮＤ部ＧＲとを繋ぐためのものであり、平面視においてダイパッドＤＰの外周端の一部とＧＮＤ部ＧＲの端部とを繋いでいる。吊りリードＴＢは、ＧＮＤ部ＧＲの端部のそれぞれに接続されており、かつその接続部から外周側へ延びている。
【００６０】
半導体チップＣＨ１の外周側に配置された複数のボンディングパッドＰＤ２のいくつかは、それぞれ電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡの複数箇所のそれぞれにボンディングワイヤＷＲ２ａにより電気的に接続されている。ボンディングパッドＰＤ２の残りのいくつかは、それぞれＧＮＤリングＧＲの複数箇所のそれぞれにボンディングワイヤＷＲ３ａにより電気的に接続されている。
【００６１】
半導体チップＣＨ１の内周側に配置された複数のボンディングパッドＰＤ１のいくつかは、それぞれ複数のインナーリード部ＩＬのそれぞれにボンディングワイヤＷＲ１ａにより電気的に接続されている。また内周側に配置された複数のボンディングパッドＰＤ１のたとえば１つは、電源バーＢＢの並走部ＢＢＢにボンディングワイヤＷＲ１ｂにより電気的に接続されている。
【００６２】
図１６を参照して、張り出し部ＢＢＡの上面（電源バーＢＢのボンディングワイヤＷＲ２ａが接続された箇所）は、インナーリード部ＩＬの先端の上面よりも低い位置にある。またインナーリード部ＩＬの先端の上面の高さ位置ＵＳ１は、半導体チップＣＨの上面の高さ位置ＵＳ２以上の高さに位置している。
【００６３】
ボンディングワイヤＷＲ１ａは、半導体チップＣＨ１の外周端よりも外周側に位置する屈曲点Ｓ１と、半導体チップＣＨ１の真上に位置する屈曲点Ｓ２とを有している。インナーリード部ＩＬは、ボンディングワイヤＷＲ１ａが接続される箇所にめっき層ＰＬを有している。
【００６４】
電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡは、ボンディングワイヤＷＲ２ａが接続される箇所にめっき層ＰＬを有している。またＧＮＤリングＧＲは、ボンディングワイヤＷＲ３ａが接続される箇所にめっき層ＰＬを有している。
【００６５】
ボンディングワイヤＷＲ１ａ、ＷＲ１ｂは、ボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａよりも図中上側を通るように配線されている。なおボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａは半導体チップＣＨの真上領域において一部重複するように図示されているが、電気的に短絡しているわけではない。
【００６６】
図１５および図１６を参照して、電源バーＢＢは並走部ＢＢＢの上面に対して張り出し部ＢＢＡの上面が低くなるように屈曲された屈曲部（段部または傾斜部）ＳＴを有している。これにより、並走部ＢＢＢの上面はインナーリード部ＩＬの上面とほぼ同じ高さに位置し、張り出し部ＢＢＡの上面はインナーリード部ＩＬの上面よりも低い高さに位置している。
【００６７】
吊りリードＴＢとＧＮＤ部ＧＲとの間には、吊りリードＴＢの上面に対してＧＮＤ部ＧＲの上面が低くなるように屈曲された屈曲部（段部または傾斜部）ＳＴ２が形成されている。これにより、吊りリードＴＢの上面はインナーリード部ＩＬの上面とほぼ同じ高さに位置し、ＧＮＤ部ＧＲの上面は張り出し部ＢＢＡの上面よりも低い高さに位置している。
【００６８】
またＧＮＤ部ＧＲとダイパッドＤＰとの間には、ＧＮＤ部ＧＲの上面に対してダイパッドＤＰの上面が低くなるように屈曲された屈曲部（段部または傾斜部）ＳＴ１が形成されている。
【００６９】
本実施の形態の半導体装置は、実施の形態１と同様の製造方法により製造される。
本実施の形態の構成においても、インナーリード部ＩＬの上面の高さ位置が半導体チップＣＨ１の上面の高さ位置以上の高さになる。以下、そのことを説明する。
【００７０】
図１７は、本発明の実施の形態２における半導体装置の製造方法にてトランスファ・モールドをする様子を示す概略断面図である。図１７を参照して、トランスファ・モールドをする場合には、通常、下型ＬＤと上型ＵＤとのほぼ中間位置でアウターリード部ＯＬが挟まれる。
【００７１】
一方、本実施の形態ではダイパッドＤＰの下側と半導体チップＣＨ２の上側とは封止樹脂ＭＲにより覆われる。この場合、封止樹脂ＭＲからボンディングワイヤＷＲ１ａ〜ＷＲ３ａ、ＷＲ４、ＷＲ１ｂが露出しないように半導体チップＣＨ２の上側の封止樹脂ＭＲの厚みＴＡはダイパッドＤＰの下側の封止樹脂ＭＲの厚みＴＢよりも厚くする必要がある。また２つの半導体チップＣＨ１、ＣＨ２が積層されている。
【００７２】
このようにアウターリード部ＯＬに繋がるインナーリード部ＩＬは半導体装置の厚みのほぼ中間に位置するのに対し、半導体チップＣＨ１の真上の封止樹脂の厚みＴＡを真下の厚みＴＢよりも厚くする必要があるとともに半導体チップＣＨ１の上には半導体チップＣＨ２があることから、インナーリード部ＩＬの上面の高さ位置が半導体チップＣＨ１の上面の高さ位置以上に高くなる状態、いわゆる打ち上げの状態が生じる。
【００７３】
このように打ち上げの状態となるため、この構成においても実施の形態１と同様、ボンディングワイヤＷＲ１ａが長くなると、ボンディングワイヤＷＲ１ａが他のボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａや電源バーＢＢと電気的に短絡しやすくなるおそれがある。
【００７４】
しかし本実施の形態によれば、図１６に示すように電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡの上面の高さ位置がインナーリード部ＩＬの上面の高さ位置よりも低くされている。このため、ステッチの直前に金線を図１３の破線で示すように下方にしならせてインナーリード部ＩＬに強引に押し付ける場合に、ボンディングワイヤＷＲ１ａが下側の張り出し部ＢＢＡ、ボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａなどに衝突するとしてもその衝突の衝撃を弱めることができる。これにより、上記衝突の衝撃でボンディングワイヤＷＲ１ａに予期せぬクセ（変形）がついてしまうことを抑制でき、そのクセによりボンディングワイヤＷＲ１ａが張り出し部ＢＢなどに接触した状態となることも抑制できる。したがって、インナーリード部ＩＬと半導体チップＣＨ１とを接続するためのボンディングワイヤＷＲ１ａが他の導電部（張り出し部ＢＢＡ、ボンディングワイヤＷＲ２ａ、ＷＲ３ａなど）と電気的に短絡することが防止され得る。
【００７５】
（実施の形態３）
図１８は、本発明の実施の形態３における半導体装置の構成であって、図４の電源バーの並走部付近を拡大して示す概略平面図である。図１８を参照して、本実施の形態の構成においては、電源バーＢＢの張り出し部ＢＢＡだけでなく、並走部ＢＢＢにもボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続されている。つまり、２つのインナーリード部ＩＬに挟まれ、かつ隣り合うインナーリード部と並走するように延びる並走部ＢＢＢにもボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続されている。
【００７６】
本実施の形態においては、張り出し部ＢＢＡに接続された３つの並走部ＢＢＢのうち、張り出し部ＢＢＡの両端部ではなく中間位置に接続された並走部ＢＢＢにボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続された例を示している。このボンディングワイヤＷＲ１ｂは並走部ＢＢＢめっき層ＰＬが形成された上面に接続されている。このボンディングワイヤＷＲ１ｂは、半導体チップＣＨの内周側のボンディングパッドＰＤ１に接続されている。
【００７７】
次に、電源バーＢＢの並走部ＢＢＢについて説明する。
図１９は、張り出し部が直線的に延びる場合の並走部について説明するための模式的な平面図である。図１９を参照して、並走部ＢＢＢとは、隣り合うインナーリード部ＩＬと並走するように延びる部分である。また並走部ＢＢＢは、張り出し部ＢＢＡが平面視において直線的に延びている場合には、電源バーＢＢからその直線状の張り出し部ＢＢＡを除いた部分である。つまり、直線状の張り出し部ＢＢＡの平面視における並走部ＢＢＢ側の外形線Ｌ３−Ｌ３を電源バーＢＢ内に仮想的に延ばした線が張り出し部ＢＢＡと並走部ＢＢＢとの境界線となる。このため、ボンディングワイヤＷＲ１ｂは、並走部ＢＢＢの張り出し部ＢＢＡ側の端部（境界線Ｌ３−Ｌ３）とめっき層ＰＬの並走部ＢＢＢ上の端部ＰＬＡとの間の領域（図中ハッチングの領域）に接続されることになる。
【００７８】
また並走部ＢＢＢのボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続された箇所は、インナーリード部ＩＬの先端よりも外周側に位置していることが好ましい。つまり、横に並んで配置された複数のインナーリード部ＩＬの各先端を結ぶ仮想の直線Ｌ１−Ｌ１よりも外周側にボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続されることが好ましい。
【００７９】
また横に並んで配置された複数のインナーリード部ＩＬのそれぞれにおけるボンディングワイヤＷＲ１ａの接続部を結ぶ仮想の直線Ｌ２−Ｌ２上においてボンディングワイヤＷＲ１ｂが並走部ＢＢＢに接続されることがより好ましい。
【００８０】
図２０は、張り出し部が折れ曲がっている場合の並走部について説明するための模式的な平面図である。図２０を参照して、張り出し部ＢＢＡが並走部ＢＢＢと接続される部分で折れ曲がっている場合、並走部ＢＢＢとは、電源バーＢＢのから折れ曲がった張り出し部ＢＢＡを除いた部分である。つまり、折れ曲がった張り出し部ＢＢＡの平面視における並走部ＢＢＢ側の外形線Ｌ３ａ−Ｌ３ａと外形線Ｌ３ｂ−Ｌ３ｂとの各々を電源バーＢＢ内に仮想的に延ばし、その双方の仮想線が交差する点までの仮想線が張り出し部ＢＢＡと並走部ＢＢＢとの境界線となる。このため、ボンディングワイヤＷＲ１ｂは、並走部ＢＢＢの張り出し部ＢＢＡ側の端部（境界線Ｌ３ａ−Ｌ３ａとＬ３ｂ−Ｌ３ｂ）とめっき層ＰＬの並走部ＢＢＢ上の端部ＰＬＡとの間の領域（図中ハッチングの領域）に接続されることになる。
【００８１】
また並走部ＢＢＢのボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続された箇所は、インナーリード部ＩＬの先端よりも外周側に位置していることが好ましい。つまり、横に並んで配置された複数のインナーリード部ＩＬの各先端を結ぶ仮想の直線Ｌ１ａ−Ｌ１ａとＬ１ｂ−Ｌ１ｂとの双方よりも外周側にボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続されることが好ましい。
【００８２】
また横に並んで配置された複数のインナーリード部ＩＬのそれぞれにおけるボンディングワイヤＷＲ１ａの接続部を結ぶ仮想の直線Ｌ２ａ−Ｌ２ａ上および仮想の直線Ｌ２ｂ−Ｌ２ｂ上のいずれかにおいてボンディングワイヤＷＲ１ｂが並走部ＢＢＢに接続されることがより好ましい。
【００８３】
また並走部ＢＢＢを挟み込むインナーリード部ＩＬの各先端を繋ぐ仮想の直線Ｌ４−Ｌ４よりも外周側においてボンディングワイヤＷＲ１ｂが並走部ＢＢＢに接続されることがより好ましい。
【００８４】
なお、本実施の形態の構成は基本的に実施の形態１の構成と同じであるため、上記以外のその説明は繰り返さない。
【００８５】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
まず本発明者は、トランスファ・モールド時にボンディングワイヤの流れる様子を調べた。図２１は、トランスファ・モールド時にボンディングワイヤの流れる様子を説明するための平面図である。図２１を参照して、トランスファ・モールド時には、封止樹脂の注入部であるゲートからエアベントに向かって金型内において矢印で示す方向に封止樹脂が移動する。この場合、ボンディングワイヤ同士が一定の間隔で配置されている箇所ではボンディングワイヤが流れにくく、ボンディングワイヤ同士の間隔が一定でない箇所ではボンディングワイヤが流れやすいことがわかった。またボンディングワイヤの間隔が広いところではボンディングワイヤが流れやすいこともわかった。
【００８６】
このため、図２２に示すように仮にインナーリード部ＩＬに挟まれる並走部ＢＢＢにボンディングワイヤが接続されていない場合には、その並走部ＢＢＢを挟むボンディングワイヤＷＲ１ａ同士の間隔が他のボンディングワイヤ同士の間隔と比較して顕著に広くなる。このため、トランスファ・モールド時に並走部ＢＢＢの隣のインナーリード部ＩＬに接続されたボンディングワイヤＷＲ１ａが破線で示すように流れやすくなり、ボンディングワイヤＷＲ１ａ同士が電気的に短絡しやすくなる。
【００８７】
上記の知見に基づいて本実施の形態においては、図１８に示すように電源バーＢＢの並走部ＢＢＢにボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続されている。これにより、並走部ＢＢＢを挟む領域におけるボンディングワイヤ同士の間隔を他の領域におけるボンディングワイヤ同士の間隔とほぼ同じにすることができる。このため、トランスファ・モールド時に並走部ＢＢＢ付近のボンディングワイヤが流れることを抑制でき、ボンディングワイヤ同士の電気的短絡を防止することができる。
【００８８】
本実施の形態では、並走部ＢＢＢへボンディングワイヤＷＲ１ｂを接続する構成を実施の形態１の構成に適用した場合について説明したが、実施の形態２の構成に適用することもできる。つまり図１５に示す実施の形態２の構成においても、インナーリード部ＩＬに挟まれる電源バーＢＢの並走部ＢＢＢにボンディングワイヤＷＲ１ｂが接続されてもよい。
【００８９】
また上記の実施の形態１〜３において半導体チップＣＨまたはＣＨ２の上面に設けられるボンディングパッドＰＤ１、ＰＤ２は、図２３に示すように千鳥状に配置されていることが好ましい。
【００９０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、ボンディングワイヤにより半導体チップと電気的に接続されるインナーリード部を有する半導体装置およびその製造方法に特に有利に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１に示したパッケージＰＫの内部を封止樹脂を透過して示す概略平面図である。
【図３】図２の拡大図であって、インナーリード部に接続されるボンディングワイヤを省略して示す図である。
【図４】図２の拡大図であって、電源バーおよびＧＮＤリングに接続されるボンディングワイヤを省略して示す図である。
【図５】図２のＶ−Ｖ線に沿う概略断面図である。
【図６】図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う概略断面図である。
【図７】図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図９】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法にてトランスファ・モールドをする様子を示す概略断面図である。
【図１０】半導体チップおよびインナーリード部の位置関係とインナーリード部のピッチとの関係を説明するための平面図である。
【図１１】いわゆる打ち上げの場合にボンディングワイヤをクセ付けしない場合の様子を示す概略断面図である。
【図１２】いわゆる打ち上げの場合にボンディングワイヤをクセ付けした場合の様子を示す概略断面図である。
【図１３】クセ付けにより屈曲点Ｓ１を作る場合に、ボンディングワイヤが慣性力により下側に垂れ下がる現象を説明するための図である。
【図１４】電源バーに形成される屈曲部が、インナーリード部の先端よりも平面視において外周側に位置した構成を示す概略平面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を概略的に示す平面図であって、封止樹脂を透過してパッケージの内部を示す概略平面図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う概略断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２における半導体装置の製造方法にてトランスファ・モールドをする様子を示す概略断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態３における半導体装置の構成であって、図４の電源バーの並走部付近を拡大して示す概略平面図である。
【図１９】張り出し部が直線的に延びる場合の並走部について説明するための模式的な平面図である。
【図２０】張り出し部が折れ曲がっている場合の並走部について説明するための模式的な平面図である。
【図２１】トランスファ・モールド時にボンディングワイヤの流れる様子を説明するための平面図である。
【図２２】インナーリード部に挟まれる並走部にボンディングワイヤが接続されていない場合にボンディングワイヤ同士のショートが生じやすくなることを説明するための概略平面図である。
【図２３】半導体チップの上面におけるボンディングパッドの配置の様子を説明するための部分拡大平面図である。
【符号の説明】
【００９３】
ＡＭ  接着剤、ＢＢ  電源バー、ＢＢＡ  張り出し部、ＢＢＢ  並走部、ＣＡ  キャピラリ、ＣＨ，ＣＨ１，ＣＨ２  半導体チップ、ＣＰ  接続部、ＤＰ  ダイパッド、ＧＲ  ＧＮＤリング（ＧＮＤ部）、ＩＬ  インナーリード部、ＬＤ  下型、ＬＦ  リードフレーム、ＭＲ  封止樹脂、ＯＬ  アウターリード部、ＰＤ，ＰＤ１〜ＰＤ４  ボンディングパッド、ＰＫ  パッケージ、ＰＬ  めっき層、ＰＬＡ  めっき層の端部、Ｓ１，Ｓ２  屈曲点、ＴＢ  吊りリード、ＵＤ  上型、ＷＲ１ａ，ＷＲ２ａ，ＷＲ３ａ，ＷＲ４  ボンディングワイヤ。
【図１】
2010016054.tif 000003
【図２】
2010016054.tif 000004
【図３】
2010016054.tif 000005
【図４】
2010016054.tif 000006
【図５】
2010016054.tif 000007
【図６】
2010016054.tif 000008
【図７】
2010016054.tif 000009
【図８】
2010016054.tif 000010
【図９】
2010016054.tif 000011
【図１０】
2010016054.tif 000012
【図１１】
2010016054.tif 000013
【図１２】
2010016054.tif 000014
【図１３】
2010016054.tif 000015
【図１４】
2010016054.tif 000016
【図１５】
2010016054.tif 000017
【図１６】
2010016054.tif 000018
【図１７】
2010016054.tif 000019
【図１８】
2010016054.tif 000020
【図１９】
2010016054.tif 000021
【図２０】
2010016054.tif 000022
【図２１】
2010016054.tif 000023
【図２２】
2010016054.tif 000024
【図２３】
2010016054.tif 000025