(57)【要約】【課題】  リフトピンの垂直の向きを制御するために、リフトピンの角度を制限し、及び/又はサセプタが上がるにつれてリフトピンがサセプタに無意識に結合するのを防止し且つ基板の結果として生じる平坦でない支持体を防止する、基板支持方法及び装置の提供。【解決手段】  基板を持ち上げる間、リフトピンの垂直の向きを維持する摩擦プレート及び/又は磁界と係合する軸受面を有する垂直に整列したリフトピンを含んでいる。ある実施態様においては、磁界及び/又は重量を、或いは又は更に、用いることができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一端が基板と該第一端に対向する下軸受面を支持するように適合したリフトピンと、
該下軸受面と係合するように適合したプレートと、
を備え、該リフトピンの垂直の向きを、該プレートと係合している該下軸受面によって該基板を持ち上げる間、維持することができる装置。
【請求項２】
該プレートが摩擦プレート、または、磁気的に敏感なプレートであり、該リフトピンが磁石を含んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
該リフトピンに磁界を適用するように適合した磁界生成手段を更に含み、該リフトピンが磁気的に敏感な材料を含んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
該リフトピンに結合した重り、または、該リフトピンに結合した磁石を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
該リフトピンの長さに沿って単一環状点で該リフトピンとわずかに接触しているブッシュによって該リフトピンがサセプタを通ってガイドされる、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
接触の該単一環状点が該サセプタの上面に接近した該ブッシュに配置されている、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
該リフトピンの下端によってリフトピンの垂直の向きを制御するステップと、
該リフトピンに加えた下向きの力によって該リフトピンの結合を防止するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
処理チャンバと、
処理中、該処理チャンバ内に基板を支持するように適合したサセプタであって、該サセプタが複数のボアを含んでいる、前記サセプタと、
装填/非装填中、該処理チャンバ内に基板を支持するように適合した複数のリフトピンであって、各リフトピンが該複数のボアの異なる１つを通って垂直にすべるように配置されている、前記リフトピンと、
各磁石が該リフトピンの異なる１つに結合した、複数の磁石と、
を備えたシステム。
【請求項９】
処理チャンバと、
処理中、該処理チャンバ内に基板を支持するためのサセプタであって、該サセプタが複数のボアを含んでいる、前記サセプタと、
装填/非装填中、該処理チャンバ内に基板を支持するための複数のリフトピンであって、各リフトピンが該複数のボアの異なる１つを通って垂直にすべるように配置されている、前記リフトピンと、
各磁石が該リフトピンの異なる１つに結合している複数の磁石と、
を含むシステムを準備するステップと、
該複数のリフトピン上に該処理チャンバへ基板を装填するステップと、
該サセプタを上げて該基板を該リフトピンから持ち上げるステップと、
該基板を処理するステップと、
該サセプタを下げて該リフトピンを上げると共に該基板を該サセプタから持ち上げるステップと、
該基板を該チャンバから取り外すステップと、
を含み、該基板が１つ以上のフラットパネルディスプレイ用の基板である、方法。
【請求項１０】
該リフトピンの垂直の向きを維持するとともに該リフトピンがサセプタに結合するのを防止するように磁気リフトピンの下のチャンバ壁内に配置されるように適合した磁気的に敏感なプレート、
を含む装置。
【請求項１１】
該リフトピンがサセプタに結合するのを防止するとともに該リフトピンの垂直の向きを維持するように磁気的に敏感なリフトピンの下のチャンバ壁内に配置されるように適合した磁気プレート、
を含む装置。
【請求項１２】
磁気リフトピンの下のチャンバ壁内に配置された磁気的に敏感なプレートを保護するように適合したカバー、
を含み、該カバーが該磁気的に敏感なプレートに向かって該リフトピンを偏らせることができるように適合している、装置。
【請求項１３】
チャンバ壁に組込まれるように適合し、磁気リフトピンの下の該チャンバ壁内に配置された磁気的に敏感なプレートを支持するように更に適合したプラグ、
を含む装置。
【請求項１４】
磁気リフトピンと磁気的に敏感なプレートを用いるシステムにおいて、
サセプタ内のボアに組込まれるとともに該サセプタが上下するにつれて該磁気リフトピンをガイドして、該リフトピンが該サセプタに結合するのを防止するように適合したブッシュ、
を含む装置。
【請求項１５】
リフトピンに結合するように適合した磁気キャップであって、該磁気キャップが、該リフトピンがサセプタに結合するのを防止するとともに該リフトピンの垂直の向きを維持するように適合している、前記磁気キャップ、
を含む装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の内容】
【０００１】
本発明は、２００４年６月１日出願の米国仮特許出願第６０/５７５,８６９号及び２００４年７月１２日出願の米国仮特許出願第６０/５８７,２９４号に対する優先権を主張し、これらの双方の開示内容は本明細書に全体で援用されている。
【発明の分野】
【０００２】
本発明はフラットパネルディスプレイ及び/又は電子デバイス処理システムにおいて基板を処理するための方法及び装置に関する。更に詳細には、本発明は、表面からガラス基板、ポリマー基板、半導体ウェハ等のような基板を持ち上げるために用いられるリフトピンを制御することに関する。
【背景】
【０００３】
図１に示されるように、従来技術の基板支持体１００は、ブッシュ１０６に依存する従来の垂直リフトピン１０２又は垂直位置でピン１０２を維持し且つピン１０２が垂直の向きから変化し得る角度を制限するためにリフトピン１０２の最上部近くで水平支持体を設けるためのサセプタ１０４に取り付けられたカラーを含んでいる。意図的な低摩擦セラミックスキッドプレートは、従来のリフトピン１０２の円形の底部と接触させるために設けられている。従来のリフトピン１０２自体は、典型的には、スキットプレート１１０と接触するための平滑な半径の軸受面１０８を有する。セラミックスキッドプレート１１０は、プロセスチャンバの底壁１１４の開口部にはめ込まれたアルミニウムプラグ１１２上に取り付けられている。プラグ１１２は、チャンバの密封を維持するようにＯ-リング１１６を含んでいる。従って、ブッシュ１０６は、ピン１０２が上下するにつれてガイドするためにリフトピン１０２上に水平力だけを与える。リフトピン１０２の下端は、スキッドプレート１１０上で滑るように自由である。
【０００４】
動作中、サセプタ１０４は、複数のリフトピン１０２の下の軸受面１０８を複数のスキッドプレート１１０と接触させるチャンバの底壁１１４に向かって下げられる。サセプタ１０４が更に下がるにつれて、リフトピンはサセプタ１０４と相対して上がり、サセプタ１０４から基板（図示せず）を持ち上げる。一旦基板が持ち上がると、エンドエフェクタのような基板ブレード（図示せず）がチャンバから基板を移動させるために基板の下にはめ込まれる。
【０００５】
従来の基板支持体においては、ブッシュ１０６がリフトピン１０２をガイドすることから摩耗するにつれて、緩みがリフトピン１０２の水平位置に生じることがあり、リフトピン１０２の正確な垂直の向きを維持するためのブッシュの能力が損なわれることがある。更にリフトピン１０２は、基板位置決めに影響することがある摩耗したブッシュ１０６によって平滑に動くことができない。更に、リフトピンと接触するブッシュの表面積が大きくなるにつれて、潜在的な汚染パーティクルが生じることがますますあると思われる。
【０００６】
従来のリフトピン１０２に関する問題は、更に、サセプタ１０４が上がるにつれてさえ、一部のリフトピン１０２がサセプタ１０４の上面より上げられたままであってもよいように、摩擦によってブッシュ１０６で結合する傾向があることである。このことは、基板が水平でなく持ち上げられることになり、ある場合には、基板を突き通す結合したリフトピン１０２によるか又は急に結合されなくなり基板を落とすかによって基板が損傷することがある。従って、求められることはこのような問題を受けない基板を持ち上げる方法及び装置である。
【概要】
【０００７】
ある実施形態においては、本発明は、ピンが動くにつれて垂直の向きでピンを維持するために又はピンの角度を制限するために、ブッシュに単に依存しないリフトピンをもつ基板支持体を提供する。ある実施形態においては、本発明は、リフトピンの垂直の向きを維持するためにリフトピンの下端で加えられる摩擦を用いる。ある実施形態においては、本発明は、リフトピンの向きを維持するために磁力又は摩擦と磁力の組合せを用いる。本発明は、リフトピンの底に加えられる摩擦及び/又は磁力とリフトピンの最上面でのブッシュの接触面積の減少の双方によってリフトピンが水平移動から制限されるように、リフトピンの下の軸受面に摩擦及び/又は磁力を加える。
【０００８】
ある実施形態においては、重り及び/又は永久磁石は、リフトピンがブッシュで結合することを防ぐために用いられる。サセプタが上がるにつれて、各リフトピンに取り付けられた重り及び/又は永久磁石がブッシュによってリフトピンを引っぱり、あらゆる結合摩擦が重り及び永久磁石の力によって克服されるので、リフトピンはサセプタによって平滑に移動する。
【０００９】
本発明のこれらの及び他の態様に従ったシステム及び装置であるように、多くの他の態様が示される。本発明のこれらの及び他の態様及び特徴は、添付の図面と次の詳細な説明によって更に十分に理解される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は従来のブッシュ制御された基板支持体を示す図である。
【図２】図２は本発明の基板支持体の第１例示的実施形態を示す図である。
【図３】図３は本発明の基板支持体の第１例示的実施形態の一部を示す図である。
【図４】図４は本発明の基板支持体の第２例示的実施形態を示す図である。
【図５】図５は本発明の方法の一例を示すフローチャートである。
【図６】図６は本発明の基板支持体の第３例示的実施形態を示す図である。
【図７Ａ】図７Ａは本発明の基板支持体の第４例示的実施形態の動作を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは本発明の基板支持体の第４例示的実施形態の動作を示す図である。
【図８】図８は本発明の基板支持体の第４例示的実施形態の正面、側面、上面、底面を示す詳細図である。
【図９】図９は本発明の基板支持体の第５例示的実施形態を示す図である。
【詳細な説明】
【００１１】
図２を参照すると、本発明は改善された基板支持体２００を提供する。図示された実施形態においては、リフトピン２０２はセラミック又は他の適切な材料からできた摩擦プレート２１０と接触した、先細軸受面２０８（又は“先端軸受２０８”）によって垂直の向きで保持される。サセプタ２０４に取り付けられたブッシュ２０６が、従来の基板支持体１００に用いられる“密着”ブッシュ１０６と比べて、“大きく開放した”又は“自由”であることに留意されたい。また、従来の基板支持体１００においては、リフトピン１０２の垂直の向き（角度）は密着ブッシュ１０６によって維持又は制御され、本発明の基板支持体２００においては、主にリフトピン１０２の垂直の向きは下端の先細軸受面２０８に係合している摩擦プレート２１０によって維持又は制御されることに留意されたい。更に、従来の基板支持体１００は複数の先端で同時にリフトピン１０２と接触することができるが、大きく開放したブッシュ２０６はたいてい接触しないことがわかる。
【００１２】
摩擦プレート２１０は、プロセスチャンバの底壁２１４における開口部へはめ込まれるプラグ２１２に取り付けることができる（個別に図示せず）。プラグ２１２は、アルミニウム（又は他の適切な材料）から作られることができ、チャンバの密封を維持するためにＯ−リング２１６又は他の密封表面を含むことができる。
【００１３】
図３を参照すると、リフトピン２０２の先細軸受面２０８と摩擦プレート２１０の一部の詳細が示されている。その図は同じ縮尺で示されていないが、先細軸受面２０８が、摩擦プレート２１０の表面上のピラミッド型突出部間の谷の１つに入ることによって摩擦プレート２１０に係合し得ることに留意されたい。例えば、摩擦プレート２１０の表面にＶ型グルーブの列を交差させて切ることによって、ピラミッド型の突出部を摩擦プレート２１０の表面上に形成することができる。ある実施形態においては、摩擦プレート２１０の表面における溝は、係合したときにその２つが正確に番になるように、リフトピン２０２の先細軸受面２０８の寸法に合う大きさにすることができる。ある実施形態においては、他の摩擦プレート組織及び/又は軸受形状を用いることができる（例えば、係合時に高摩擦インターロックを生じるために）。例えば、摩擦プレート２１０は、先細軸受面を受容するために強固に隔置された円錐状の溝又は円筒状の溝の列を含むことができる。ある実施形態においては、軸受面は、例えば、図３に示された摩擦プレート上のピラミッド形と番いになるように、逆ピラミッド形、又は一組の逆ピラミッド先端を含むことができる。
【００１４】
ピラミッド型摩擦プレート２１０と先細軸受面２０８は、熱膨張に適合することができ、同時にピンの垂直位置が維持されることを確実にすることができる。
【００１５】
図４を参照すると、改善された基板支持体４００の第２例示的実施形態が示されている。図示されていないが、図２に示されているようなサセプタにおける大きく開放したブッシュは、図４に示される実施形態と用いることができる。このような実施形態においては、ピン４１８又は他の接続機構は、リフトピン４０２のシャフトの溝に先細軸受４０８を保持するために用いることができる。ある実施形態においては、先細軸受４０８は、アルミニウムで被覆されたスチール鋼を含むことができる。一般に、先細軸受４０８は、あらゆる強磁性材料又は適切に被覆された強磁性材料を含むことができる。
【００１６】
セラミック（又は他の適切な材料）摩擦プレート４１０は、プロセスチャンバの底壁４１４における開口部にはめ込まれるプラグ４１２の最上面に取り付けることができる。プラグ４１２がチャンバの密封を援助するＯ−リング４１６を含むことができることに留意されたい。また、プラグ４１２は、アルミニウム又はあらゆる適切な材料から作ることができることに留意されたい。
【００１７】
電磁石４２６、例えば、交流電源４２０によって帯電したコイル４２２を巻きつけられた鉄のコア４２４から形成された電磁石４２６は、プラグ４１２の開口部にはめ込むことができ、先細軸受４０８を引きつけるために用いることができる。従って、リフトピンがサセプタ（図示せず）と共に下がるとき、リフトピンが摩擦プレート４１０に接近するにつれて、リフトピン４０２を垂直に整列させるために電磁石４２６を用いることができる。電磁石４２６は、また、先細軸受４０８と摩擦プレート４１０間の係合を強めるために用いることができる。その磁界が強くなるほど、ピン４０２とプレート４１０間の摩擦が大きくなる。図３によって上述されるような摩擦プレート４１０は、図４に示された例示的実施形態と用いることができることに留意されたい。
【００１８】
図５を参照すると、本発明の方法の一例を示すフローチャートが示されている。ステップＳ１においては、サセプタはプロセスチャンバにおいて十分に上げられる。リフトピン４０２のヘッドは、サセプタの溝の中で平らである。多くの異なるプロセスと加熱を、サセプタ上の基板に適用することができる。各リフトピン４０２と関連がある電磁石４２６はオフである。
【００１９】
ステップＳ２においては、基板処理が終了した後、電磁石４２６に電流を通し、サセプタが下げられる。サセプタが下がるにつれて、リフトピン先細軸受４０８は、プロセスチャンバの底部でプラグ４１２上に取り付けられた摩擦プレート４１０と係合する。電流を通した電磁石４２６は、リフトピン４０２の先細軸受４０８を引きつけるとともにリフトピン４０２を引っぱる磁界を生成し、垂直なアライメントを維持するために効果的に進める。
【００２０】
ステップＳ３においては、サセプタは完全に下がり、リフトピン４０２は完全に上がる。基板は、リフトピン４０２のヘッドによって支持され、ロボットアーム又は他のデバイスが処理された基板を新しい未処理の基板と取り替えることができるように完全に上げられる。交換の間、電磁石４２６は電流を通したままでもよい。
【００２１】
ステップＳ４においては、交換が終了した後、サセプタが上げられる。サセプタが上げられ、リフトピン４０２が下げられるが、各リフトピン４０２についてリフトピンの垂直アライメントは、摩擦プレート４１０と先細軸受４０８の係合及び電流を通した電磁石４２６によって維持される。
【００２２】
ステップＳ５においては、サセプタは上がり続け、リフトピン４０２は、リフトピンヘッドがサセプタの溝に入るにつれて摩擦プレート４１０から離れる。電磁界が基板プロセスに対して有するあらゆる企図されない効果を防ぐために、電磁石４２６は解放時に止められる。フローはステップ１に続き、その方法が繰り返されてもよい。
【００２３】
改善された基板支持体６００の第３実施形態においては、比較的大きな軸受最下部６０８を、図６に示されるピン６１８又は他の接続機構を用いてリフトピン６０２の下端に取り付けることができる。ある実施形態においては、軸受最下部６０８は、サセプタ６０４の“大きく開放した”又は“接触面積が減少した”ブッシュ６０６からのあらゆる水平支持体を含めずにリフトピン６０２の垂直アライメントを維持するのに十分に大きくすることができる。軸受最下部６０８は、プロセスチャンバの下壁６１４における開口部を塞ぐプラグ６１２上に取り付けられたスライドプレート６１０と係合することができる。スライドプレート６１０は、セラミック又はあらゆる適切な材料から作ることができる。
【００２４】
ある実施形態においては、リフトピン６０２の垂直アライメントの維持を援助するために軸受最下部６０８及び/又はリフトピン６０２に垂直磁界を加えることができる。そのような実施形態においては、ブッシュ６０６は全く用いることができない。ある実施形態においては、ブッシュ６０６は、リフトピン６０２と接触しない磁気ブッシュであってもよいが、強磁性コア（図示せず）を含むことができるリフトピン６０２のアライメントの維持を更に援助するために磁界を加える。
【００２５】
ある実施形態においては、アルミニウム又は他の適切な材料から作ることができるプラグ６１２は、図６に示される軸受最下部６０８を受容する溝を作るようにチャンバの下壁６１４の開口部全体を塞ぐことができない。プラグ６１２がチャンバの密封を援助するＯ-リング５１６又は他の密封面を含むことができることに留意されたい。また、チャンバの下壁６１４における開口部がチャンバ内部の開口部のエッジ上にリップ６２０を含むことができることに留意されたい。ある実施形態においては、リップ６２０は、スライドプレート６１０をプラグ６１２に固定するために用いることができる。
【００２６】
図７Ａ及び図７Ｂを参照すると、第４例示的実施形態の動作が記載されている。図７Ａは、上がった位置７００Ａにおける基板支持体の実施形態を示し、図７Ｂは、下がった位置７００Ｂにおける基板支持体の同じ実施形態を示している。上がった位置７００Ａにおいては、リフトピン７０２の基板軸受面は、基板をすぐに受容できるようにサセプタ７０４上にある。サセプタ７０４が上がるにつれて、リフトピン７０２は、ブッシュ７０６から摩擦のために上向きの力があるにもかかわらず静止状態にある。本発明のある実施形態によれば、リフトピン７０２の下端に取り付けられた重り及び/又は永久磁石７０８は、上向きの摩擦力より大きい力でチャンバ底部７１０に向かって下向きにリフトピン７０２を引っぱる。従って、ブッシュ７０６でのリフトピン７０２の結合が避けられ、リフトピン７０２の最上面がサセプタに完全に入るまでサセプタ７０４が上がるのでリフトピン７０２は上に移動しない。図示されていないが、サセプタ７０４は更に上げられることによって、リフトピン７０２がチャンバ７１０の底部と最早接触しなくてもよい。
【００２７】
リフトピン７０２に取り付けられた永久磁石７０８を用いるある実施形態においては、保護カバー７１２と磁気的に敏感なプレート７１４は、チャンバ底部７１０のプラグ７１６に取り付けることができる。保護カバー７１２は、セラミック、アルミニウム又はあらゆる適切な不活性材料から作ることができる。磁気的に敏感なプレート７１４は、スチール鋼又はあらゆる適切な磁気的に敏感な材料から作ることができる。
【００２８】
基板がチャンバから取り出されるとき、サセプタ７０４が下げられることによって、リフトピン７０２は、再びチャンバの底部７１０と接触し、最終的にはブッシング７０６を通って押し上げられる。しかしながら、接触の前に、サセプタが下げられているとき、リフトピン７０２が磁気的に敏感なプレート７１４に近づくにつれて、リフトピン７０２の下端は磁気的に敏感なプレート７１４に向かって下に引っぱられる。この引きは、リフトピン７０２の垂直の向きの維持を援助する。
【００２９】
電磁石４２６（図４）によって生成した磁界が磁気的に敏感なリフトピン４０８に作用する他の実施形態とは反対に、ある実施形態においてはリフトピンの中に、又はそれに取り付けられた磁石を用いることは、好ましいものである。これは、熱膨張や他の力のためにリフトピン４０２の範囲にあることができる全水平面積に対して磁界が一様でないことがあるからである。言い換えると、チャンバ壁４１４（電磁石４２６が取り付けられている）に相対してサセプタの熱膨張は、リフトピン４０２が磁界の中心に向かって引っぱられる傾向があるので、リフトピン４０２の垂直の向きに影響することがある。サセプタリフトピンの位置とチャンバの底部との間に示差熱膨張があるという高い確率が示されるように、リフトピン４０２が正確に磁界の中心上に保たれない場合には、リフトピン４０２は磁界の水平成分の力によって垂直アライメントから抜けることがある。
【００３０】
永久磁石７０８をリフトピン７０２の中に入れ、又はリフトピン７０２上に置くことにより、また、チャンバの底部に取り付けた電磁石を用いずに、磁石７０８は最も近い点で磁気的に敏感なプレート７１４に向かって縦に下向きに引きつけられる。言い換えれば、磁気的に敏感なプレート７１４がチャンバ底部に対してリフトピンの水平範囲を覆うのに十分に大きさであるとすると、（磁気的に敏感なプレート７１４が取り付けられている）チャンバ本体に対するサセプタの熱膨張は、サセプタリフトピンの位置とチャンバの底部の間に生じた異なる熱膨張量に拘わらず、永久磁石７０８の磁力によって真っ直ぐ下向きに引っぱられるリフトピンの傾向に影響しない。
【００３１】
しかしながら、電磁石を用いるある実施形態においては、十分に大きな磁界がリフトピンの全水平範囲に対して十分な均一性を生じるように生成され、磁気的に敏感なリフトピンが電磁石に向かって下げられるとき磁界からのいかなる水平成分の力も受けなくなるようにしてもよい。ある実施形態においては、チャンバ底部のプラグは、磁気的に敏感なリフトピンを引きつけるために磁界を生じる永久磁石を含むことができる。上記電磁石の実施形態のように、プラグにおける電磁石が、熱膨張又は他の力ためにリフトピンの範囲にあることができる全水平面積に対して本質的には一様であるのに十分な大きさの磁界を生じることを確実にすることは好ましいことである。
【００３２】
図８は、リフトピン８０２に取り付けられた重り及び/又は永久磁石８０４を用いる基板支持体の例示的実施形態を示す８００Ａ、８００Ｂ、８００Ｃ、８００Ｄの四つの図である。図８００Ａは、リフトピン８０２が逆“Ｕ”型の重り及び/又は永久磁石８０４の中心を通過することを示す正面図である。従って、図示されるように、ある実施形態においては、“蹄鉄”型磁石が用いられてもよい。図８００Ｂは、正面図８００Ａから９０度回転した重り及び/又は永久磁石８０４を示す側面図である。図８００Ｃは平面図であり、図８００Ｄは重り及び/又は永久磁石８０４をリフトピン８０２に固定するために用いることができるリフトピン８０２を通るピン８０６を示す底面図である。重り及び/又は永久磁石８０４をリフトピン８０２に取り付けるあらゆる適切な方法を用いることができる。
【００３３】
ある実施形態においては、重りは、リフトピン７０２（図７Ａ）のシャフトをサセプタ７０４のストレートボアブッシュ７０６に固定するか、さもなければはめ込むことができるあらゆる摩擦に打ち勝つのに十分なものとすることができる。リフトピン７０２のシャフトがブッシュ７０６内で結合する可能性を避けることが望ましい実施形態においては、真っ直ぐ下向きに引っぱる重力と磁力の双方の利点を有する、ネオジム、鉄、及びボロン（ＮIＢ）；アルミニウム、ニッケル、及びコバルト（アルニコ）；及び/又はコバルト及びサマリウム（Ｃ-Ｓ）から作られるような永久磁石が使用されてもよい。
【００３４】
ある実施形態においては、先細ボア又は他のプロファイルを備えたブッシュを用いることができる。先細ボアの内径は、リフトピン固定の可能性を更に減らすために、ブッシュの全長の下方で広げられてもよい。このような実施形態においては、リフトピンの垂直の向きを維持するという本明細書に記載された方法は、実用的なものとして使うことができる。
【００３５】
図９を参照すると、リフトピン９０４に封入された重り及び/又は永久磁石９０２を用いる基板支持体９００の例示的実施形態が示されている。ある実施形態においては、重り及び/又は永久磁石９０２はリフトピン９０４の端に取り付けているキャップ９０６に固定することができる。図示されていないが、ある実施形態においては、キャップ９０６は、キャップ９０６とリフトピン９０４双方を通るピンを用いてリフトピン９０４に取り付けることができる。ある実施形態においては、キャップ９０６の内部は、キャップ９０６がリフトピン９０４の端に簡単にねじで固定することができるように、リフトピン９０４の端にねじを切って合わせるねじ山を含むことができる。キャップ９０６をリフトピン９０４に取り付ける他の適切な方法を使うこともできる。ある実施形態においては、キャップ９０６はアルミニウム、セラミック、又は他の適切な不活性物質から作ることができる。動作中、重り及び/又は永久磁石９０２が封入されたリフトピン９０４は、リフトピン７０２に取り付けられた重り及び/又は永久磁石７０８に関して上記と同様の方法で機能することができる。
【００３６】
従って、本発明をその例示的実施形態に関して開示してきたが、以下の特許請求の範囲によって定義されるように、他の実施形態が本発明の精神及び範囲に包含することができることは理解すべきである。
【符号の説明】
【００３７】
１００…基板支持体、１０２…リフトピン、１０４…サセプタ、１０６…ブッシュ、１１０…スキッドプレート、１１２…プラグ、１１４…底壁、１１６…Ｏ-リング、２００…基板支持体、２０２…リフトペン、２０４…サセプタ、２０６…ブッシュ、２０８…先細軸受面、２１０…摩擦プレート、２１２…プラグ、２１４…底壁、２１６…Ｏ-リング、４００…基板支持体、４０８…先細軸受、４１０…摩擦プレート、４１２…プラグ、４１４…底壁、４１６…Ｏ-リング、４１８…ピン、４２０…電源、４２２…コイル、４２４…コア、４２６…電磁石、６００…基板支持体、６０２…リフトピン、６０４…サセプタ、６０６…ブッシュ、６０８…軸受最下部、６１０…スライドプレート、６１２…プラグ、６１４…下壁、６１６…Ｏ-リング、６１８…ピン、６２０…リップ、７０２…リフトピン、７０４…サセプタ、７０６…ブッシュ、７０８…重り及び/又は永久磁石、７１０…チャンバ底部、７１２…保護カバー、７１４…プレート、７１６…プラグ、８００…基板支持体、８０２…リフトピン、８０４…重り及び/又は永久磁石、９００…基板支持体、９０２…重り及び/又は永久磁石、９０４…リフトピン、９０６…キャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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