(57)【要約】【課題】製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機ＴＦＴの製造方法、及び有機ＴＦＴを提供する。【解決手段】下地層の上に撥液性を有する液体材料を滴下する工程と、滴下された液体材料を乾燥させることにより、周縁にバンクを有するコーヒーステイン形状のバンク膜を形成する工程と、バンク膜の内側に有機半導体材料を塗布し、有機半導体膜を形成する工程と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層の上に撥液性を有する液体材料を滴下する工程と、
滴下された前記液体材料を乾燥させることにより、周縁にバンクを有するコーヒーステイン形状のバンク膜を形成する工程と、
前記バンク膜の内側に有機半導体材料を塗布し、有機半導体膜を形成する工程と、を有することを特徴とする有機ＴＦＴの製造方法。
【請求項２】
前記バンク膜の前記バンクを除く領域の膜厚は該バンクの膜厚よりも極めて薄い、または前記バンク膜の前記バンクを除く領域は前記下地層が露出していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【請求項３】
前記下地層は、ソース電極・ドレイン電極およびゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項２に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【請求項４】
前記バンク膜を形成する工程と前記有機半導体膜を形成する工程との間に、少なくとも前記ソース電極・ドレイン電極の上に形成された前記バンク膜の前記バンクを除く領域の該バンク膜を、除去する工程を有することを特徴とする請求項３に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【請求項５】
前記下地層は、ゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【請求項６】
前記撥液性を有する液体材料は、インクジェット法またはディスペンサ法を用いて滴下することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【請求項７】
前記有機半導体材料は、インクジェット法またはディスペンサ法を用いて塗布することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機ＴＦＴの製造方法を用いて製造されることを特徴とする有機ＴＦＴ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＴＦＴの製造方法、及び有機ＴＦＴに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとも記す）を形成する技術が大幅に進歩し、特にアクティブマトリクス型の大画面表示装置の駆動素子への応用開発が進められている。現在実用化されているＴＦＴは、ａ−Ｓｉやｐｏｌｙ−ＳｉといったＳｉ系の無機材料で製造されているが、このような無機材料を用いたＴＦＴの製造においては、真空プロセスや高温プロセスを必要とし、製造コストに大きく影響を及ぼしている。
【０００３】
そこで、このような問題に対応する為、近年、有機材料を用いたＴＦＴ（以下、有機ＴＦＴとも記す）が種々検討されている。有機材料は無機材料に比べ、材料の選択肢が広く、また、有機ＴＦＴの製造工程においては、前述の真空プロセス、高温プロセスに代わり、印刷、塗布といった生産性に優れたプロセスが用いられる為、製造コストを抑えることができる。さらに耐熱性の乏しい、例えばプラスティックフィルム基板等にも形成することができる可能性があり、多方面への応用が期待されている。
【０００４】
有機半導体材料の塗布方法としては、有機半導体材料を溶解した溶液を直接塗布するインクジェット法、ディスペンサ法等の液滴塗布技術が知られている。これらの技術は、１．真空プロセスが不要、２．材料の浪費がない、３．直接パターニングできる為フォトリソグラフィ法と比べてエッチング工程が不要、といった利点がある。これにより、製造コストを抑えることができ、多方面で鋭意研究が行われている。
【０００５】
ところで、このような有機ＴＦＴにおいて、優れた電気特性と高い信頼性を得る為には、有機半導体膜を適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成する必要がある。しかしながら、有機ＴＦＴの有機半導体膜を前述のインクジェット法やディスペンサ法等を用いて形成する際には、吐出された液滴が乾燥に至る前に濡れ広がり、隣接する画素にまで到達することにより、クロストークやリーク電流の増加等に繋がるパターニング不良、また、充分な膜厚が得られないこと、等によりトランジスタの良好な特性が得られないといった問題がある。
【０００６】
そこで、このような問題に対応する為に種々の技術が検討されている。例えば、フォトリソグラフィ法を用いて、被塗布領域の周縁にバンクと呼ばれる壁を形成し、吐出された液滴の塗布領域外への流出を防止する。さらに、液滴に対して、被塗布領域がバンクよりも親液性が高くなるようにすることにより液滴の塗布領域外への流出を防止するようにした技術が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３６９２５２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示されている方法では、バンクを形成する為に、例えば、少なくとも以下１項乃至６項に示す工程が必要となる。このため製造工程の複雑化と製造コストの高価格化を招くといった問題がある。
【０００８】
１．成膜工程：バンク材料である感光性樹脂をスピンコートで全面に成膜。
【０００９】
２．プリベーク：溶媒を乾燥。
【００１０】
３．露光工程：フォトマスクを配置して、紫外線を露光。
【００１１】
４．ＰＥＢ（ポスト  エクスプロージャー  ベーク）：１００℃程度で樹脂を硬化する等、露光による化学反応の進行を促進。
【００１２】
５．現像工程：現像液に漬け、紫外線が照射したところの樹脂のみを除去。
【００１３】
６．ＰＢ（ポスト  ベーク）：残った樹脂を硬化。
【００１４】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたもので、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機ＴＦＴの製造方法、及び有機ＴＦＴを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的は、下記の１乃至８いずれか１項に記載の発明によって達成される。
【００１６】
１．下地層の上に撥液性を有する液体材料を滴下する工程と、
滴下された前記液体材料を乾燥させることにより、周縁にバンクを有するコーヒーステイン形状のバンク膜を形成する工程と、
前記バンク膜の内側に有機半導体材料を塗布し、有機半導体膜を形成する工程と、を有することを特徴とする有機ＴＦＴの製造方法。
【００１７】
２．前記バンク膜の前記バンクを除く領域の膜厚は該バンクの膜厚よりも極めて薄い、または前記バンク膜の前記バンクを除く領域は前記下地層が露出していることを特徴とする前記１に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【００１８】
３．前記下地層は、ソース電極・ドレイン電極およびゲート絶縁膜であることを特徴とする前記２に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【００１９】
４．前記バンク膜を形成する工程と前記有機半導体膜を形成する工程との間に、少なくとも前記ソース電極・ドレイン電極の上に形成された前記バンク膜の前記バンクを除く領域の該バンク膜を、除去する工程を有することを特徴とする前記３に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【００２０】
５．前記下地層は、ゲート絶縁膜であることを特徴とする前記１または２に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【００２１】
６．前記撥液性を有する液体材料は、インクジェット法またはディスペンサ法を用いて滴下することを特徴とする前記１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【００２２】
７．前記有機半導体材料は、インクジェット法またはディスペンサ法を用いて塗布することを特徴とする前記１乃至６のいずれか１項に記載の有機ＴＦＴの製造方法。
【００２３】
８．前記１乃至７のいずれか１項に記載の有機ＴＦＴの製造方法を用いて製造されることを特徴とする有機ＴＦＴ。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、下地層の上に滴下された撥液性を有する液体材料を乾燥させることにより生じるコーヒーステイン現象を利用し、コーヒーステイン形状に形成させてバンクを形成するようにした。これにより、従来のようにフォトリソグラフィ法を用いることなく、所望の位置に容易にバンクを形成することができるとともに、形成された該バンクを用いることにより有機半導体膜を適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成することができる。その結果、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機ＴＦＴを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下図面に基づいて、本発明に係る有機ＴＦＴの実施の形態を説明する。尚、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限られない。
【００２６】
最初に本発明に係る有機ＴＦＴの代表的な実施形態の１つであるボトムゲートボトムコンタクト型の有機ＴＦＴの構成を図１を用いて説明する。図１は、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機ＴＦＴ１の概略構成を示す断面図である。
【００２７】
有機ＴＦＴ１は、図１に示すように、基板Ｐ、ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜ＩＦ、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄ、バンクＢ、有機半導体膜ＳＦ、及び図示しないパッシベーション膜等から構成される。
【００２８】
有機ＴＦＴ１は、基板Ｐの上にゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜ＩＦ、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄ、バンクＢが順に形成され、さらにその上に有機半導体膜ＳＦが形成されている。
【００２９】
このような構成の有機ＴＦＴ１において、バンクＢは、有機半導体膜ＳＦを適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成する為に用いるものであり、ゲート絶縁膜ＩＦの上に滴下された図示しない後述の撥液性を有する液体材料ＬＭを乾燥させることにより生じるコーヒーステイン現象を利用してソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの上に形成するものである。コーヒーステイン形状の断面形状は周縁部の膜厚が厚く、中央部の膜厚は極めて薄い、または中央部の膜が乾燥のプロセスで破れ下地層（ゲート絶縁膜ＩＦ、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄ）が露出した構造となっている。
【００３０】
尚、ここではボトムゲートボトムコンタクト型の有機ＴＦＴ１の構成を示したが、本発明に係る有機ＴＦＴの素子構成は特に限定されず、ボトムゲートトップコンタクト型であってもよい。この場合は、図２に示すように、バンクＢを、ゲート絶縁膜ＩＦの上に形成すればよい。さらにトップゲート型であってもよい。
【００３１】
ここで、コーヒーステイン現象を図４を用いて説明する。図４（ａ）、図４（ｂ）は、コーヒーステイン現象を説明する断面模式図である。尚、コーヒーステイン形状を作り出すコーヒーステイン現象はサドル現象とも呼ばれ、周知の現象である。
【００３２】
コーヒーステイン現象は、基板Ｐの上に滴下された液体材料ＬＭ（図４（ａ））が、乾燥されることにより、マランゴニ効果でドーナツ状のコーヒーステイン形状ＣＰ（図４（ｂ））に形成され、その周縁にバンクＢが形成されるものである。
【００３３】
コーヒーステイン形状を形成する方法としては、基板Ｐの温度を高くして滴下された液体材料ＬＭを乾燥させる。液体材料ＬＭの溶媒に蒸発熱の高いものや乾燥速度の速いものを選択または部分的に混和させる。液体材料ＬＭにピニングの効果の高い溶質または分散質を混合させる（周縁部でピニングした溶質がマランゴニ対流により再溶解しデピニングしないように溶解速度の遅い溶媒と組み合わせる。）等、マランゴニ効果を引き出す為の方法が挙げられる。
【００３４】
通常、インクジェット法を用いたプロセスにおいて、インクの粘度が低い場合、または塗布する基板とインクの接触角が小さい場合等は、インクが広がりすぎるという問題がある。特に、有機半導体材料等を用いた有機半導体膜の形成プロセスにおいては、基板の表面が清浄であることが要求される為、基板の表面エネルギーは高くなる傾向があり、必然的にインクと基板の接触角が小さくなるという問題がある。
【００３５】
この為、微細なパターン形成にインクジェット法を用いる場合には、インクの広がりを抑える為に、バンクの形成、または下地層に撥液材料を用いて接触角を大きくする等、の対応が必要である。
【００３６】
しかしながら、バンクを形成する為には、それだけで製造コストの高価格化に繋がるフォトリソグラフィ法が必要である。また、下地層に撥液材料層を設け接触角を大きくするとインクの基板への密着力が低下し、乾燥のプロセスでの基板の動きやインク自体の溶媒の乾燥に起因する外力等により、インクが転がる等して移動し、所定の位置に塗布できないという問題が生じる。
【００３７】
本願発明者は、これらの問題に対応する為、鋭意検討した結果、コーヒーステイン現象を利用してバンクを形成する方法を見出した。
【００３８】
すなわち、バンク材料としての撥液性を有する液体材料をインクジェット法で下地層の上に塗布し、乾燥させることにより生じるコーヒーステイン現象を利用して、コーヒーステイン形状を形成させることで、フォトリソグラフィ法を用いずに所望の位置にバンクを形成できるようにするものである。尚、バンクの形成方法の詳細は後述する。
【００３９】
次に、このような構成の有機ＴＦＴ１の製造工程の一例を図３を用いて説明する。図３（ａ）乃至図３（ｈ）は、有機ＴＦＴ１の製造工程の一例を示す断面模式図である。
【００４０】
最初に、基板Ｐを準備する（図３（ａ））。基板Ｐの材料は、特に限定されることはなく、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラス等のガラスやフレキシブルなプラスティックフィルム等の樹脂製シートを用いることができる。プラスティックフィルムとしては、具体的には、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このようなプラスティックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上させることができる。また、ステンレスや真鍮などの金属板を用いることもできる。
【００４１】
次に、ゲート電極Ｇを形成する（図３（ｂ））。ゲート電極Ｇの電極材料としては、スパッタや蒸着で薄膜を形成する場合は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＩＴＯやこれらにドーパントを加えた材料等を用いることができる。液滴塗布法の場合は、Ａｇナノ粒子、Ａｕナノ粒子、ＡｇＰｂナノ粒子等の金属ナノ粒子を溶媒に分散した金属ナノ粒子インク、ＩＴＯナノ粒子等の金属酸化物を溶媒に分散した金属酸化物ナノ粒子インク、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の有機材料を溶媒に分散した有機材料分散インク等を用いることができる。形成方法としては、スパッタ法や蒸着法等で電極材料の薄膜を表面に形成した基板Ｐを、フォトリソグラフィ法を用いてパターンニングする方法や、種々の印刷法や液滴塗布法を用いて所望の部分のみに薄膜を形成することができる。
【００４２】
次に、ゲート絶縁膜ＩＦを形成する（図３（ｃ））。ゲート絶縁膜ＩＦの材料としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン等の無機酸化物や、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物を用いることができる。あるいは、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン等の有機化合物等も用いることができる。形成方法としては、例えば、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法等のほか、スピンコート等の塗布法によって形成された絶縁膜を、フォトリソグラフィ法等のパターニング方法を用いてパターニングする方法や、種々の印刷法やインクジェット等の液滴塗布法を用いて所望部分のみに薄膜を形成することができる。
【００４３】
次に、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄを形成する（図３（ｄ））。ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの電極材料としては、ゲート電極Ｇの場合と同様の電極材料を用いることができる。ゲート絶縁層ＩＦが形成された基板Ｐを洗浄後、前述のゲート電極Ｇの形成方法と同様に、フォトリソグラフィ法や、種々の印刷法や液滴塗布法等を用いて形成することができる。
【００４４】
次に、液体材料ＬＭを滴下する（図３（ｅ））。液体材料ＬＭとしては、撥液性を有する材料、例えば、サイトップ（旭硝子社製）、ＮＰＡＲ−５０２、５０３（日産化学社製：表面撥液性ポジ型感光性樹脂）や、その他シリコン系樹脂等も用いることができる。滴下方法としては、インクジェット法やディスペンサ法を用いることができる。
【００４５】
次に、滴下された液体材料ＬＭを乾燥させる。この乾燥プロセスで生じるコーヒーステイン現象により滴下された液体材料ＬＭがコーヒーステイン形状のバンク膜ＢＦとして形成される（図３（ｆ））。
【００４６】
次に、ゲート絶縁膜ＩＦ、及びソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの上に僅かに残留し形成されているバンク膜ＢＦｃ、バンク膜ＢＦａをスライトエッチングにより除去し、バンク膜ＢＦの周縁に形成されているバンクＢのみを残存させる（図３（ｆ）、図３（ｇ））。尚、スライトエッチングにはバンク膜ＢＦの表面状態を著しく変化させないドライエッチが好適であるが、バンクＢの形状に関する機能的な面を阻害しない限りウエットエッチングを用いてもよい。また、ドライエッチングとしては、通常の真空プロセスのほかに、大気圧プラズマが好適である。
【００４７】
ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの上に形成されているバンクＢを残存させながら、バンク膜ＢＦａをスライトエッチングにより除去することにより、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄと次工程で形成される有機半導体膜ＳＦとの電気的接触を高めることができ、より安定した特性を得ることができる。
【００４８】
次に、有機半導体膜ＳＦを形成する（図３（ｈ））。有機半導体膜ＳＦの材料としては、多環芳香族化合物や共役系高分子等を用いることができるが、特に限定されない。高分子材料、オリゴマー、低分子材料でもよく、成膜後に分子が分子間相互作用により規則正しく配列し結晶となるものが特に好ましい。ペンタセン、ポルフィリン、フタロシアニン、オリゴチオフェン、オリゴフェニレン、ポリチオフェン、ポリフェニレン、及びこれら誘導体等を用いることができる。具体的には、ペンタセン、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、テトラベンゾポルフィリン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）等を用いることができる。また、これらの前駆体を成膜した後に熱処理すること等で有機半導体材料等に変換することもできる。
【００４９】
有機半導体膜ＳＦの成膜方法は、バンクＢの効果により塗布位置の精度を高めることができる方法であれば特に限定されるものではなく、スクリーン印刷、インクジェット法、マイクロコンタクトプリント、ＳＩＪ、ディスペンサ法、凸版、転写等の印刷法を用いると、塗布と同時にパターニングもできる為、製造コストを低減することができ好適である。とりわけ、インクジェット法、ＳＩＪ、ディスペンサ法等の液滴塗布法を用いるのが特に好適である。
【００５０】
液滴塗布法を用いる場合には、有機半導体膜ＳＦの材料は、前述の材料のなかでも、溶媒に溶解または分散させるものが好適で、有機低分子材料に溶解性を高める為に可溶性の側鎖を設けたものや、半導体の前駆体の溶液についても適用可能である。
【００５１】
また、溶媒は特に限定されるものではなく、芳香族炭化水素類、脂肪族炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類、ハロゲン化炭化水素類、フェノール類等から半導体材料に適した溶媒を選択することができる。
【００５２】
尚、パッシベーション膜は、有機半導体膜ＳＦを外部雰囲気から遮断、保護する為に適宜成膜する。
【００５３】
次に、本発明の実施形態に係るボトムゲートボトムコンタクト型の有機ＴＦＴ１の実施例を説明する。
【００５４】
（実施例）
最初に、Ｃｒ膜が表面にスパッタされたＳＴＮ液晶用のソーダライムガラス基板（図３（ａ）：基板Ｐ）に、感光性レジストを塗布した後、ゲート電極Ｇのパターンを有するフォトマスクを介して露光、現像して、ゲート電極Ｇの形状のレジスト層を成膜した。Ｃｒのエッチング後、レジスト層を除去し、ゲート電極Ｇを形成した（図３（ｂ））。
【００５５】
次に、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２を成膜し厚み５００ｎｍのゲート絶縁膜ＩＦを形成した（図３（ｃ））。尚、ゲート電極Ｇの端子部等の保護にはリフトオフレジスト（ゼオン社製）を予めスピンコート法にて塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングしておき保護膜とした。ゲート絶縁膜ＩＦを形成した後、常温のジメチルホルムアミドで超音波洗浄を行い不要部分のゲート絶縁膜ＩＦを除去し、端子出しを行った。
【００５６】
次に、ゲート絶縁膜ＩＦの上に、リフトオフレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングした後、スパッタリング法を用いて、Ｃｒを厚み５ｎｍ、Ａｕを厚み５０ｎｍでこの順に成膜した。その後、常温のジメチルホルムアミドで超音波洗浄を行い不要部分のリフトオフレジストを除去し、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄを形成した（図３（ｄ））。チャネル長であるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間の距離は２５μｍ、チャネル幅は２５０μｍとした。
【００５７】
次に、インクジェット法を用いて、チャネル間のゲート絶縁膜ＩＦの上（チャネル部）に、撥液性を有する液体材料ＬＭを吐出した（図３（ｅ））。撥液性を有する液体材料ＬＭとしては、旭硝子社製のサイトップを希釈液で充分希釈ものを用いた。尚、この時、基板Ｐは、予めホットプレートで６０℃に加熱しておいた。
【００５８】
次に、加熱された基板Ｐ熱により、滴下された液体材料ＬＭを乾燥させて、コーヒーステイン形状になるように調整した（図３（ｆ））。乾燥後のバンク膜ＢＦの形状を光学顕微鏡及びＡＦＭ（キーエンス社製）にて観察したところ、直径約３００μｍ、周縁部の高さ約０．２μｍのコーヒーステイン形状が確認できた。また、内部の厚みは殆ど観察されなかった。
【００５９】
次に、バンク膜ＢＦが形成された基板Ｐの表面をＡｒ−Ｏ２大気圧プラズマ（コニカミノルタ社製大気圧プラズマ装置）にて表面処理（スライトエッチング）し、ゲート絶縁膜ＩＦ、及びソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの上に僅かに残留しているバンク膜ＢＦｃ、バンク膜ＢＦａを除去した（図３（ｆ）、図３（ｇ））。
【００６０】
次に、半導体溶液としてテトラヒドロナフタレンに６，１３−ビストリエチルシリルエチニルペンタセンを３質量％溶解した溶液を、ピエゾ方式のインクジェット法を用いてソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの上に吐出し、直径２７０μｍ、平均膜厚５０ｎｍの有機半導体膜ＳＦを形成し（図３（ｆ））、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機ＴＦＴ１を完成させた。
【００６１】
このようにして有機ＴＦＴ１を２０素子製作し、その有機半導体膜ＳＦの形状を光学顕微鏡及びＡＦＭ（キーエンス社製）にて観察したところ、直径、膜厚ともに殆どばらつきなく、精度よくチャネル部に形成されていることが確認できた。
【００６２】
このように本発明の実施形態に係る有機ＴＦＴ１の製造方法においては、下地層（ゲート絶縁膜ＩＦ、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄ）の上に滴下された撥液性を有する液体材料ＬＭを乾燥させることにより生じるコーヒーステイン現象を利用し、コーヒーステイン形状に形成させてバンクＢを形成するようにした。これにより、従来のようにフォトリソグラフィ法を用いることなく、所望の位置に容易にバンクＢを形成することができるとともに、形成された該バンクＢを用いることにより有機半導体膜ＳＦを適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成することができる。その結果、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機ＴＦＴ１を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施形態に係るボトムゲートボトムコンタクト型の有機ＴＦＴの構成を示す断面模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係るボトムゲートトップコンタクト型の有機ＴＦＴの構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係るボトムゲートボトムコンタクト型の有機ＴＦＴの製造工程の一例を示す断面模式図である。
【図４】コーヒーステイン現象を説明する断面模式図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  有機ＴＦＴ（有機薄膜トランジスタ）
Ｂ  バンク
ＢＦ  バンク膜
Ｄ  ドレイン電極
Ｇ  ゲート電極
ＩＦ  ゲート絶縁膜
ＬＭ  液体材料
Ｓ  ソース電極
ＳＦ  有機半導体膜
Ｐ  基板
【図１】
2010016280.tif 000003
【図２】
2010016280.tif 000004
【図３】
2010016280.tif 000005
【図４】
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