(57)【要約】【課題】切断用パンチとダイで構成される切断装置において、切断用パンチとダイのクリアランスを簡易に測定する。【解決手段】切断装置１００は、ダイ（１０６ａおよび１０６ｂ）と、少なくともダイとの対向面に刃が設けられた切断用パンチ３１０とを含み、切断用パンチ３１０をダイに近づけて、被切断物を切断する。切断装置１００において、切断用パンチ３１０に、ダイ側から遠ざかる方向に所定の角度で拡大する傾斜面（３１６および３１８）が設けられ、切断用パンチとダイとの間のクリアランスを透過して傾斜面で反射した光を観測可能に構成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイと、少なくとも前記ダイとの対向面に刃が設けられた切断用パンチとを含み、前記切断用パンチを前記ダイに近づけて、被切断物を切断する切断装置であって、
前記切断用パンチに、前記ダイ側から遠ざかる方向に所定の角度で拡大する傾斜面が設けられ、前記ダイの前記切断用パンチから遠い側から光を照射して、前記切断用パンチと前記ダイとの間のクリアランスを透過して前記傾斜面で反射した光を観測可能に構成された切断装置。
【請求項２】
請求項１に記載の切断装置において、
前記傾斜面は、前記所定の角度が４５度である切断装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の切断装置において、
前記切断用パンチには、複数の前記傾斜面が階段状に設けられた切断装置。
【請求項４】
請求項１から３いずれかに記載の切断装置において、
前記クリアランスを透過して前記傾斜面に照射される光を発する光源をさらに含む切断装置。
【請求項５】
請求項１から４いずれかに記載の切断装置を用いて、
前記傾斜面で反射した光を観測することにより、前記クリアランスを測定するクリアランス測定方法。
【請求項６】
請求項５に記載のクリアランス測定方法において、
前記傾斜面で反射した光の幅を測定することにより、前記クリアランスを測定するクリアランス測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切断装置およびクリアランス測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを封止するための封止樹脂の外縁部に複数のアウターリードを備えた半導体装置は、以下の手順で製造される。まず、リードフレーム上に半導体チップを搭載し、半導体チップの樹脂封止処理を行う。その後、封止樹脂バリ除去や、あらかじめ外装処理がなされていないリードフレームではめっき等の外装処理を行う。さらにその後、半導体装置をリードフレームから切り離す。表面実装タイプの場合、半導体装置をリードフレームから切り離した後、フォーミング加工する。具体的には、水平方向に突出したアウターリードを下方に折り曲げさらに水平方向に折り曲げてガルウィング形状とする。
【０００３】
図８は、半導体装置の一例を示す概略図である。図８（ａ）は、半導体装置２００の平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のａ−ａ’断面図である。
半導体チップを封入する封止樹脂２０１の側面には、複数のアウターリード（以下、単にリードという。）２０２が設けられている。一例として、リード２０２の厚みは、０．１２５〜０．１５０ｍｍ（ミリメートル）であり、幅は約０．２ｍｍである。このリード２０２の上面、下面および側面（リード切断面を除く）には、めっき被膜が施されている。この場合、めっき被膜の膜厚も考慮すると、リードフレーム上下方向の全厚は０．１２５〜０．１８０ｍｍ程度である。
【０００４】
半導体装置２００のリード加工の一例を図９に示す。ここでは、リード２０２を長めに切断して（図９（ａ））、所定形状に曲げ加工した後（図９（ｂ））、リード２０２を切断し規定寸法に仕上げる（図９（ｃ））。また、半導体装置のリード加工の他の例を図１０に示す。ここでは、リード２０２を所定寸法で切り離し（図１０（ａ）、図１０（ｂ））、曲げ加工によって規定寸法に仕上げる（図１０（ｃ））。
【０００５】
図１１に、リード２０２を切断するための切断装置の構成を部分的に示す。切断装置は、ダイ１０６と、切断用パンチ１１０とを含む。ダイ１０６上にリード２０２を配置し、切断用パンチ１１０をダイ１０６の方向に移動させて切断用パンチ１１０をダイ１０６の間に挿入することにより、リード２０２が切断される。ここで、切断用パンチ１１０がダイ１０６に挿入された状態における、切断用パンチ１１０とダイ１０６との間の隙間を切断クリアランス（以下、単にクリアランスという。）という。
【０００６】
図１１に示すように、クリアランスは、左右２箇所に存在している。図１１に示すように、この２箇所のクリアランスに差異が生じると（一方のクリアランスａ≠他方のクリアランスｂの場合）、
（１）左右の切断タイミングずれによるリード切断加工不良やリード切断面異常の発生、
（２）左右の切断タイミングずれに起因して切断用パンチ１１０に左右方向の応力が生じ、切断用パンチ１１０やダイ１０６の偏磨耗の発生、部品寿命の低下、切断用パンチ１１０の破損、
等の不具合発生の可能性が高くなる。そのため、基本的に左右のクリアランスを均等に調整することが行われている。クリアランスａ＝クリアランスｂの場合、いずれか一方のクリアランスのみを測定することにより、その切断装置のクリアランスの値を把握することができる。
【０００７】
特許文献１（特開２００３−２３０９１９号公報）には、抜きパンチを有する上型と、抜きダイスを有する下型とを含み、ワークを所定形状に打ち抜くための抜き型が形成されている抜きダイスが記載されている。当該抜きダイは、前記抜き型を形成するよう分割可能に対向している複数のダイ部を有し、さらに、前記抜き型の位置を移動して前記抜きパンチ及び前記抜きダイ間の抜きクリアランスの調整をする際に、少なくとも１つの前記ダイ部を所定位置へ移動させるための複数のスペーサを有している。これにより、抜きクリアランスをより細かく調整することができるとされている。
【０００８】
特許文献２（特開昭６４−１９０２号公報）には、プレス金型のパンチとダイのクリアランス測定方法において、プレス金型の最終組込状態におけるパンチとダイのクリアランスを、該パンチおよびダイのいずれとも接触しない光学手段により測定することが記載されている。ここでは、光学ユニットをダイプレートの上面と平行に移動させて、対物レンズをダイの端面上の１点に焦点を合わせてモニタに画像を映している。
【０００９】
特許文献３（特開平７−２１１８３８号公報）には、ダイとパンチとから構成された半導体装置のリードカット装置が記載されている。当該リードカット装置は、前記パンチと前記受けダイとを抜きクリアランスがリードとそのリードの上下の半田層との全厚の１４〜２１％の範囲に設定して配置し、そして上下方向に可動するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２３０９１９号公報
【特許文献２】特開昭６４−１９０２号公報
【特許文献３】特開平７−２１１８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
リード切断加工は、半導体装置の製品外形寸法や、実装時の接合信頼性に大きく影響を及ぼす。とくに、クリアランスは重要な要件であり、各種評価等により最適条件が算出されている。たとえば、特許文献３に記載された好ましい範囲を適用する場合を考える。半導体装置のリードフレームの上下方向の全厚が０．１２５〜０．１８０ｍｍ程度だとすると、クリアランスは、１８〜３８μｍ程度となる。このように、クリアランスが、数μｍ〜数十μｍという狭い範囲に設定されると、物理的、技術的に実測することが非常に困難である。そのため、現状、クリアランスは、金型の加工部部品であるパンチ外側寸法と対向するダイ内側寸法により算出されている。また、リード切断面を主とする被加工品（半導体装置）の加工状態観察などの間接的な情報に基づく調整と推定に留まっている。
【００１２】
特許文献２には、光学手段によりパンチとダイのクリアランスを測定する方法が記載されているが、実際に切断加工を行う部位は、金型の構造上、測定器や測定素子を入れる空間が無く、物理的に測定が困難である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、
ダイと、少なくとも前記ダイとの対向面に刃が設けられた切断用パンチとを含み、前記切断用パンチを前記ダイに近づけて、被切断物を切断する切断装置であって、
前記切断用パンチに、前記ダイ側から遠ざかる方向に所定の角度で拡大する傾斜面が設けられ、前記ダイの前記切断用パンチから遠い側から光を照射して、前記切断用パンチと前記ダイとの間のクリアランスを透過して前記傾斜面で反射した光を観測可能に構成された切断装置が提供される。
【００１４】
本発明によれば、上記切断装置を用いて、前記傾斜面で反射した光を観測することにより、前記クリアランスを測定するクリアランス測定方法が提供される。
【００１５】
このような構成により、クリアランスを透過した光は、傾斜面で所定の角度に曲げられることになる。そのため、クリアランス部分を直接観測できなくても、クリアランスを透過した光の透過状態に基づき、クリアランスを容易に測定することができる。たとえば、ダイを下方、切断用パンチを上方に配置し、切断用パンチをダイの方向の下方に移動させて被切断物を切断する場合、切断用パンチに傾斜面を設けておくことができる。この場合、ダイの下方側から傾斜面に光を照射することにより、傾斜面で反射した光を、たとえば、横方向から観測することができる。これにより、目視でもクリアランスを測定することができる。このようにクリアランスを測定することにより、微細なクリアランスの設定が実現可能となり、また、容易かつレベルの高い金型の状態管理を行うことができる。
【００１６】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、切断用パンチとダイで構成される切断装置において、切断用パンチとダイのクリアランスを簡易に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態における切断装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるダイ、切断用パンチ、および光源の構成の一例を詳細に示す図である。
【図３】切断用パンチの構成をさらに詳細に示す断面図である。
【図４】切断用パンチの傾斜面で反射された反射光の光幅寸法を測定する方法を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるダイ、切断用パンチ、および光源の構成の他の例を詳細に示す図である。
【図６】本発明の実施の形態におけるダイ、切断用パンチ、および光源の構成の他の例を詳細に示す図である。
【図７】本発明の実施の形態におけるダイ、切断用パンチ、および光源の構成の他の例を詳細に示す図である。
【図８】半導体装置の一例を示す概略図である。
【図９】半導体装置のリード加工の一例を示す図である。
【図１０】半導体装置のリード加工の他の例を示す図である。
【図１１】リードを切断するための切断装置の構成を部分的に示す図である。
【図１２】図１に示した構成の一例を示す平面図である。
【図１３】図１に示した構成の他の例を示す平面図である。
【図１４】図６に示した構成の他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００２０】
本実施の形態において、切断装置が、半導体装置のリードを切断するリードカット装置である場合を例として説明する。この場合、被切断物はリードである。
【００２１】
図１は、本実施の形態における切断装置の構成を示す断面図である。図１は便宜上、本発明の実施の形態の説明で必要とされる最低限度の要素を図示したものであり、金型の剛性や強度の維持向上に必要な部品の図示は省略している。
【００２２】
切断装置１００は、下金型１０２と、上金型１０４と、下金型１０２に取り付けられたダイ１０６および上金型保持ブロック１０８と、上金型１０４に取り付けられた切断用パンチ３１０と、上金型１０４を上下に移動可能に保持する支柱１１２とを含む。ダイ１０６には、半導体装置２００が載置される。切断用パンチ３１０およびダイ１０６は、たとえば、合金工具鋼、高速度工具鋼、または超硬合金等により構成することができる。
【００２３】
図１２（ａ）は、図１に示したダイ１０６の一例を示す平面図である。ここで、ダイ１０６には、半導体装置２００が配置される箇所の四方をそれぞれ囲むように形成された４つのスリット１０７が設けられている。このような場合、半導体装置２００は、たとえば本体の四方にそれぞれリード群が設けられたＱＦＰとすることができる。
【００２４】
図１２（ｂ）は、図１に示したダイ１０６と切断用パンチ３１０との一例を示す平面図である。図１２（ｂ）に示すように、４つの切断用パンチ３１０が上金型１０４（図１参照）に取り付けられており、各切断用パンチ３１０がダイ１０６の各スリット１０７に対応するようになっている。図１に示したダイ１０６と切断用パンチ３１０は、図１２（ａ）および図１２（ｂ）のＡ−Ａ断面に対応する。
【００２５】
図１３（ａ）は、図１に示したダイ１０６の他の例を示す平面図である。ここで、ダイ１０６には、半導体装置２００が配置される箇所の両側方をそれぞれ囲むように形成された２つのスリット１０７が設けられている。このような場合、半導体装置２００は、たとえば本体の両側方にそれぞれリード群が設けられたＳＯＰとすることができる。
【００２６】
図１３（ｂ）は、図１に示したダイ１０６と切断用パンチ３１０との他の例を示す平面図である。図１３（ｂ）に示すように、２つの切断用パンチ３１０が上金型１０４に取り付けられており、各切断用パンチ３１０がダイ１０６の各スリット１０７に対応するようになっている。図１に示したダイ１０６と切断用パンチ３１０は、図１３（ａ）および図１３（ｂ）のＡ−Ａ断面に対応する。
【００２７】
本例では、切断装置１００は、切断用パンチ３１０が被切断物であるリード２０２を打ち抜く打ち抜きせん断加工を行う。また、切断装置１００は、切断用パンチ３１０が重力方向へ向かう正抜きを行う。ここで、上金型１０４がプレス（不図示）の動力により支柱１１２を軸として上下動作することにより、リード２０２の切断加工が行われる。図１（ａ）は、リード２０２を切断する前の状態を示す図である。図１（ｂ）は、切断用パンチ３１０により、リード２０２を切断している状態を示す図である。上金型１０４は、下金型１０２側に設けられた上金型保持ブロック１０８により、図１（ｂ）に示した状態で静止される。
【００２８】
また、切断装置１００には、ダイ１０６の下方側から、ダイ１０６と切断用パンチ３１０との間のクリアランスを透過する光を発する光源３５０が設けられている。光源３５０は、下金型１０２に取り付けた内蔵タイプとしてもよく、また必要に応じ下金型１０２から取外し可能な外付けタイプとしてもよい。内蔵タイプの場合でも、光源３５０は、移動可能に構成することができ、クリアランス測定時にのみダイ１０６の下方に移動するようにしてもよい。また、外付けタイプの場合、光源３５０は、下金型１０２を搭載する設備側に設けられていてもよい。
【００２９】
光源３５０は、光源装置や光源素子とすることができる。光源３５０としては、たとえば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の目視可能なものや、レーザ等のコヒーレント光を用いることができる。光源３５０としては、汎用性、透過光の波長特性（波長が短い）等の選定基準を満たすものを用いることができる。
【００３０】
図２は、本実施の形態におけるダイ、切断用パンチ３１０、および光源３５０の構成を詳細に示す図である。図２においては、説明のために、図中切断用パンチ３１０の左側のダイをダイ１０６ａ、右側のダイをダイ１０６ｂと示す。図３は、切断用パンチ３１０の構成をさらに詳細に示す断面図である。
【００３１】
切断用パンチ３１０は、切断部３１２と、測定用段差部３１４とを含む。切断用パンチ３１０の切断部３１２のダイ１０６との対向面には、半導体装置２００のリード２０２を切断する切断刃が設けられる。ここで、切断刃は、切断用パンチ３１０のダイ１０６との対向面の少なくともエッジに設けることができる。本実施の形態において、切断用パンチ３１０の切断部３１２のダイ１０６との対向面全面を切断刃とすることができる。切断部３１２において、たとえば、切断刃の表面粗さＲａ値は、０．０５以下（Ｒａは、算術平均粗さＲａ：平均線から絶対値偏差の平均値）とすることができる。これにより、リード２０２の切断面に安定的にせん断面を形成するとともに、せん断面上のめっき皮膜の形成比率を高めることができる。
【００３２】
本実施の形態において、切断用パンチ３１０の測定用段差部３１４には、ダイ１０６側から遠ざかる方向に、リード２０２を切断する際の切断用パンチ３１０の移動方向に対して、所定の角度θで拡大する傾斜面が設けられている。本実施の形態において、切断用パンチ３１０の測定用段差部３１４には、複数の傾斜面が階段状に設けられている。具体的には、切断用パンチ３１０の測定用段差部３１４には、傾斜面３１６および傾斜面３１８が設けられている。また、本実施の形態において、切断用パンチ３１０には、切断用パンチ３１０とダイ１０６ａとの間、および切断用パンチ３１０とダイ１０６ｂとの間にそれぞれ傾斜面３１６および傾斜面３１８が設けられている。
【００３３】
図３に示すように、傾斜面３１６および傾斜面３１８は、それぞれ、クリアランス測定方向（図中横方向）の幅が「ｘ」、切断用パンチ３１０の移動方向（図中縦方向）の幅が「ｙ」となっている。本実施の形態において、傾斜面３１６および傾斜面３１８は、リード２０２を切断する際の切断用パンチ３１０の移動方向（図中縦方向）に対する所定の角度θ＝４５度となるように形成されている。すなわち、傾斜面３１６および傾斜面３１８の水平面に対する傾斜角度も４５度となる。この場合、幅ｘ＝幅ｙとなる。傾斜面３１６および傾斜面３１８は、照射された光を反射可能なように、滑らかな面とすることができる。傾斜面３１６および傾斜面３１８は、照射された光が、同じ方向に反射するように、平面とすることができる。
【００３４】
次に、クリアランスの測定方法を説明する。図２では、説明のために、切断用パンチ３１０の左右のクリアランスが不均等な例を示す。図中、左側のダイ１０６ａと切断用パンチ３１０とのクリアランスは、右側のダイ１０６ｂと切断用パンチ３１０とのクリアランスよりも広くなっている。
【００３５】
クリアランスを測定する際、ダイ１０６ａおよびダイ１０６ｂの下方に光源３５０を配置する。この状態で、光源３５０から切断用パンチ３１０の方向に光を照射すると、クリアランスを透過した光が傾斜面３１６および傾斜面３１８で反射され、角度が変わる。本実施の形態において、傾斜面３１６および傾斜面３１８の傾斜角度を４５度としているので、光源３５０から照射された光は、傾斜面３１６および傾斜面３１８で９０度曲がり、図中横方向に反射される。そのため、切断用パンチ３１０の測定用段差部３１４を横方向（視野Ａおよび視野Ｂ）から目視することにより、反射光を見ることができる。
【００３６】
ここで、たとえば幅ｘ＝幅ｙ＝３μｍと設定されているとする。このとき、ダイ１０６ａまたはダイ１０６ｂと切断用パンチ３１０とのクリアランスが３μｍ以下であれば、光源３５０からの照射光は、傾斜面３１６にのみ照射され、傾斜面３１８には照射されない。一方、ダイ１０６ａまたはダイ１０６ｂと切断用パンチ３１０とのクリアランスが３μｍより大きければ、光源３５０からの照射光が傾斜面３１８にも照射される。傾斜面３１８にも照射光が照射された場合、傾斜面３１６からの反射光と傾斜面３１８からの反射光の２つが観測される。そのため、視野Ａまたは視野Ｂから反射光を観測することにより、クリアランスの幅を把握することができる。
【００３７】
また、本実施の形態において、図３に示すように、切断用パンチ３１０の移動方向（図中縦方向）において、傾斜面３１６と傾斜面３１８とは、間隔ｄを隔てて設けることができる。これにより、傾斜面３１６で反射した光と傾斜面３１８で反射した光の間隔を広くすることができ、ダイ１０６ａまたはダイ１０６ｂと切断用パンチ３１０とのクリアランスが幅ｘ以下か、幅ｘより大きいかを目視でも簡単に把握できるようにすることができる。ここでは、２つの傾斜面が設けられた例を示しているが、切断用パンチ３１０に、さらに多数の傾斜面が設けられた構成とすることができる。傾斜面のサイズを細かく設定して、切断用パンチ３１０の移動方向（図中縦方向）において、各傾斜面を間隔を隔てて設けることにより、目視でも詳細なクリアランスを把握することができる。
【００３８】
また、図３に示すように、切断用パンチ３１０の測定用段差部３１４の傾斜部が設けられる箇所の幅ｍは、ダイ１０６ａまたはダイ１０６ｂと切断用パンチ３１０とのクリアランスの考えられる最大値以上となるように設定することができる。たとえば、半導体装置のリード切断加工金型のクリアランスは、通常数ミクロン〜十数ミクロンに設定される。切断用パンチ３１０の測定用段差部３１４の傾斜部が設けられる箇所の幅ｍは、リード切断加工金型のクリアランスより大きく設定することができる。
【００３９】
さらに、図４に示すように、傾斜面３１６で反射された反射光の光幅寸法を、たとえば一次元ＣＣＤや二次元ＣＣＤ等の画像処理用カメラ等で高倍率で取り込み、一画素単位の測定分解能を向上させることにより、さらに詳細なクリアランスを計測することができる。すなわち、傾斜面３１６で反射した反射光の幅ｙ１を詳細に測定することにより、クリアランスの正確な値を測定することができる。
【００４０】
以上の構成により、切断用パンチ３１０とダイ１０６（ダイ１０６ａ、ダイ１０６ｂ）の隙間であるクリアランスが、光源３５０により直接的に投影される。そして、クリアランスの透過光が、あらかじめ規定の寸法に仕上げられた、切断用パンチ３１０に設けられた傾斜面３１６に反射し、外側方向に水平に照射される。この反射光を観測することにより、目視で容易にクリアランスを測定することができる。これにより、従来困難であったクリアランスの測定を、測定器を使用することなく容易に行うことができる。この機能の付加によって、微細なクリアランス設定および実測確認によるレベルの高い金型の状態管理が実現可能となり、高品質な半導体装置の提供が可能となる。
【００４１】
次に、切断用パンチ３１０の他の例を説明する。
図２および図３では、切断用パンチ３１０が複数の傾斜面を有する構成を示したが、図５に示すように、切断用パンチ３１０が一つの傾斜面３１６のみを有する構成としてもよい。この場合も、図４に示したのと同様に、傾斜面３１６で反射した反射光の幅ｙ１、および幅ｙ２を画像処理用カメラ等で高倍率で取り込むことにより、詳細なクリアランスを計測することができる。
【００４２】
また、図１から図５に示した例では、切断用パンチ３１０がダイ１０６ａと対向する面およびダイ１０６ｂと対向する面の両方に傾斜面を設ける構成を示したが、図６に示すように、いずれか一方にのみ設けた構成とすることもできる。このようにしても、一方のクリアランスを測定することにより、その値と、ダイ１０６ａとダイ１０６ｂとの間の距離、および切断用パンチ３１０の切断部３１２の幅に基づき、他方のクリアランスを算出することができる。
【００４３】
図１４（ａ）は、図６に示したダイ１０６の一例を示す平面図である。ここで、ダイ１０６には１つのスリット１０７が設けられている。このような場合、半導体装置２００は、一辺にのみリード群が設けられたＳＯＰとすることができる。図１４（ｂ）は、図６に示したダイ１０６と切断用パンチ３１０との一例を示す図である。図１４（ｂ）において、ダイ１０６の下方に設けられた光源３５０と、傾斜面３１６で反射した反射光も示している。図６に示したダイ１０６および切断用パンチ３１０は、図１４（ａ）および図１４（ｂ）のＢ−Ｂ断面に対応する。なお、図６では、切断用パンチ３１０に１つの傾斜面３１６が設けられた例を示しているが、図３および図４に示したように、複数の傾斜面を設けた構成としてもよい。
【００４４】
また、図１から図６に示した例では、切断装置１００が、切断用パンチ３１０が被切断物であるリード２０２を打ち抜く打ち抜きせん断加工を行う例を示したが、切断装置１００は、切断用パンチ３１０の片側側面と対向するダイ１箇所で切断するシャー切断加工等の切断加工を行う構成とすることもできる。図７にこの例を示す。図７は、図３および図４に示したように、切断用パンチ３１０の測定用段差部３１４に複数の傾斜面３１６および傾斜面３１８が階段状に設けられた構成を示す。また、図５に示したように、１つの傾斜面３１６が設けられた構成としてもよい。
【００４５】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００４６】
図示していないが、切断用パンチ３１０の構成は、上金型にダイ、下金型に切断用パンチ３１０が配置され、切断用パンチ３１０を上方向に移動させて被切断物を切断する逆抜きの打ち抜きせん断加工や切断加工を行う切断装置１００に適用することもできる。
【符号の説明】
【００４７】
１００ 切断装置
１０２ 下金型
１０４ 上金型
１０６ ダイ
１０６ａ ダイ
１０６ｂ ダイ
１０７ スリット
１０８ 上金型保持ブロック
１１０ 切断用パンチ
１１２ 支柱
２００ 半導体装置
２０１ 封止樹脂
２０２ リード
３１０ 切断用パンチ
３１２ 切断部
３１４ 測定用段差部
３１６ 傾斜面
３１８ 傾斜面
３５０ 光源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2010110822.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2010110822.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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