(57)【要約】【課題】  多層セラミック基板の低背化および高機能化を図るために、表面導体が形成された部分の基板表面を平坦化する。【解決手段】  基材層２０と、基材層２０の少なくとも一方主面に配置され、基材層２０の焼結温度では実質的に焼結しない拘束層４０ａ，４０ｂと、基材層２０と拘束層４０ａ，４０ｂとの界面３ａ，３ｂに形成される表面導体６ａ〜６ｃと、拘束層４０ａ，４０ｂの基材層２０に接する主面に対向する主面および／または内部に形成され、積層方向から投影視した場合に表面導体６ａ〜６ｃが形成された領域を覆うように形成されたダミーパターン８ａ〜８ｃとを有する未焼成の積層体１０を作製する工程と、積層体１０を圧着する工程とを備える多層セラミック基板３０の製造方法。ダミーパターン８ａ〜８ｃが形成された部分はその他の部分よりも積層方向に強く圧力がかかるため、表面導体６ａ〜６ｃを基材層２０に押し込むことにより、基板表面３ａ，３ｂを平坦化することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基材層用未焼成セラミック層を積層してなる基材層と、
前記基材層の少なくとも一方主面に配置され、前記基材層の焼結温度では実質的に焼結しない拘束層用未焼成セラミック層からなる拘束層と、
前記基材層と前記拘束層との界面に形成される表面導体と、
前記拘束層の、前記基材層に接する主面に対向する主面および／または内部に形成され、かつ、積層方向から投影視した場合に前記表面導体が形成された領域を実質的に覆うように形成されたダミーパターンと、
を有する未焼成の積層体を作製する工程と、
前記積層体を圧着する工程と、
前記積層体を前記基材層が焼結する温度で焼成する工程と、
前記拘束層と前記ダミーパターンとを除去する工程と、
を備える多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記ダミーパターンは、積層方向から投影視した場合に前記表面導体が形成された領域のみ、または、前記表面導体が形成された領域およびその周囲、を実質的に覆うように形成される、請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層体を圧着する工程において、前記積層体の側面を枠状の金型で固定する、請求項１または２に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記拘束層の圧着時の厚み変化率は、前記基材層の圧着時の厚み変化率よりも小さい、請求項１ないし３のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記表面導体の圧着時の厚み変化率は、前記基材層の圧着時の厚み変化率と同等またはそれよりも大きい、請求項１ないし４のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記ダミーパターンの圧着時の厚み変化率は、前記表面導体の圧着時の厚み変化率と同等またはそれよりも小さい、請求項１ないし５のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項７】
前記ダミーパターンの圧着時の厚み変化率は、前記表面導体の圧着時の厚み変化率と実質的に同一である、請求項１ないし６のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項８】
前記ダミーパターンは、前記表面導体と同一の材料からなる、請求項７に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項９】
前記ダミーパターンの圧着時の厚み変化率は、前記拘束層の圧着時の厚み変化率と実質的に同一である、請求項１ないし５のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ダミーパターンは、前記拘束層と同一の材料からなる、請求項９に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ダミーパターンは、前記拘束層用未焼成セラミック層に形成され、前記ダミーパターンが形成された前記拘束層用未焼成セラミック層の上に、さらに前記拘束層用未焼成セラミック層が形成される、請求項１ないし１０のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１２】
前記表面導体は、一旦前記拘束層用未焼成セラミック層に形成され、前記基材層に転写される、請求項１ないし１１のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層セラミック基板の製造方法に関し、特に、焼成後に多層セラミック基板となる基材層の主面に拘束層を配置して焼成する、いわゆる無収縮焼成による多層セラミック基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報通信機器やカーエレクトロニクスの発展に伴い、それらに用いられる多層セラミック基板についても低背化や高機能化が求められている。ここで、多層セラミック基板の低背化や高機能化を実現するための手段の一つとして、基板表面を平坦化することが有効である。
【０００３】
たとえば、図９に示すように、表面導体６が多層セラミック基板３０の表面３ａから凸状に突出している場合に比べて、図１０に示すように、表面導体６が多層セラミック基板３０の表面３ａに埋め込まれ、多層セラミック基板３０の表面３ａが平坦であると、表面導体６の厚み分、多層セラミック基板３０の厚みＡを薄くすることができ、低背化が図られるからである。
【０００４】
また、図９の表面導体６よりも図１０の表面導体６の方が、表面導体６の平坦な面積Ｂが広く、ワイヤボンドなどが可能な面積を大きくすることができる。これにより、多層セラミック基板３０の表面３ａにより多くの実装部品を実装することができ、多層セラミック基板３０の高機能化を図ることができるようになる。
【０００５】
よって、表面導体は基板表面に埋め込まれ、基板表面をできるだけ平坦にすることが望ましい。
【０００６】
ところで、基板表面を平坦化するためには、たとえば、特開平９−２４９４７０号公報（特許文献１）に開示された技術を用いることができる。特許文献１には、多層セラミック基板となる基材層よりも圧着時の厚み変化率が小さい拘束層を基材層の両面に配置して圧着する技術が開示されている。これにより、基材層の内部に導体が存在する部分があっても基板表面が凸状に隆起するのを防止することができ、基板表面の平坦性を確保している。
【０００７】
特許文献１には、表面導体と基材層とを同時焼成することは開示されていないが、この特許文献１の技術を用いれば、拘束層の圧着前に基材層の表面に表面導体を形成し、表面導体と基材層とを同時焼成する場合にも、圧着時の厚み変化率が小さい拘束層が表面導体を基材層に押し込むように働き、基板表面の平坦性向上に一定の効果を奏すると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−２４９４７０号公報
【発明の概要】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１の方法によっても、圧着前から凸状に盛り上がっている表面導体が形成された部分の基板表面を平坦化することは難しい。この点、拘束層の厚み変化率を相当小さくすれば表面導体を基材層に押し込むことができ得るが、そのような密度の高い拘束層では基材層の脱バインダ性などに悪影響を及ぼすおそれがあるため実用的ではない。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、種々の基材層や拘束層を用い、表面導体と基材層とを同時焼成した場合にも、基板表面を平坦化できる多層セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記問題点を解決するために、本発明の多層セラミック基板の製造方法は、まず未焼成の積層体を作製する。未焼成の積層体は、複数の基材層用未焼成セラミック層を積層してなる基材層と、基材層の少なくとも一方主面に配置され、基材層の焼結温度では実質的に焼結しない拘束層用未焼成セラミック層からなる拘束層と、基材層と拘束層との界面に形成される表面導体と、拘束層の、基材層に接する主面に対向する主面および／または内部に形成され、かつ、積層方向から投影視した場合に表面導体が形成された領域を実質的に覆うように形成されたダミーパターンとを有する。次に、積層体を圧着し、基材層が焼結する温度で焼成した後、拘束層およびダミーパターンを除去して多層セラミック基板を得る。
【００１３】
ここで、ダミーパターンを積層方向から投影視した場合に表面導体が形成された領域を実質的に覆うように形成するというのは、ダミーパターンが表面導体と同一のパターン形状をなしている場合の他、ダミーパターンが表面導体より小さく表面導体の一部を覆っていない場合、表面導体よりもやや大きく表面導体の周囲までを覆っている場合を含む。
【００１４】
また、ダミーパターンは、積層方向から投影視した場合に表面導体が形成された領域のみ、または、表面導体が形成された領域およびその周囲、を実質的に覆うように形成されていることが好ましい。
【００１５】
ただし、ここでいうダミーパターンとは表面導体を基材層に押し込むために形成されるものであり、他の目的のために、拘束層の、基材層に接する主面に対向する主面および／または内部にパターンが形成されていてもよい。
【００１６】
また、本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、積層体を圧着する際に、積層体の側面を枠状の金型で固定するのが好ましい。
【００１７】
また、本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、拘束層の圧着時の厚み変化率が基材層の圧着時の厚み変化率よりも小さいことが好ましい。
【００１８】
また、表面導体の圧着時の厚み変化率は、基材層の圧着時の厚み変化率と同等またはそれよりも大きいことが好ましい。
【００１９】
また、本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、ダミーパターンの圧着時の厚み変化率が、表面導体の圧着時の厚み変化率と同等またはそれよりも小さいことが好ましい。
【００２０】
さらには、ダミーパターンの圧着時の厚み変化率が表面導体の圧着時の厚み変化率と実質的に同一であることが好ましい。
【００２１】
また、本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、ダミーパターンが表面導体と同一の材料からなることが好ましい。
【００２２】
ここで、表面導体と同一の材料とは、表面導体を形成する際に用いる導電性ペーストのことをいう。
【００２３】
また、本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、ダミーパターンの圧着時の厚み変化率が拘束層の圧着時の厚み変化率と実質的に同一であることが好ましい。
【００２４】
また、本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、ダミーパターンが拘束層と同一の材料からなることが好ましい。
【００２５】
ここで、拘束層と同一の材料とは、拘束層を形成する際に用いるセラミックスラリーのことをいう。
【００２６】
また、本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、ダミーパターンを拘束層用未焼成セラミック層に形成し、ダミーパターンが形成された拘束層用未焼成セラミック層の上に、さらに拘束層用未焼成セラミック層を形成するのが好ましい。
【００２７】
また、本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、表面導体を一旦拘束層用未焼成セラミック層に形成し、基材層に転写することが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、拘束層の、基材層に接する主面に対向する主面および／または内部に、積層方向から投影視した場合に表面導体が形成された領域を実質的に覆うようにダミーパターンを形成した状態で積層体を圧着するため、ダミーパターンが形成された部分は、その他の部分に比べて積層方向により強い圧力がかけられることになる。そのため、圧着時に表面導体が基材層に押し込まれることにより表面導体が形成された部分の基板表面を平坦化することができる。その結果、種々の基材層や拘束層を用い、表面導体と基材層とを同時焼成した場合にも、多層セラミック基板の低背化が図られるとともに、表面導体の平坦な面積が広がり、実装面積を大きくすることができる。
【００２９】
また、ダミーパターンが積層方向から投影視した場合に表面導体が形成された領域のみ、または、表面導体が形成された領域およびその周囲、を実質的に覆うように形成されていると、表面導体が形成された領域に局所的に圧力をかけることができ、表面導体を基材層に押し込むことができる。
【００３０】
また、積層体を圧着する工程において、積層体の側面を枠状の金型で固定すると、圧着時に未焼成の積層体が平面方向に伸びるのを防ぐことができるため、ダミーパターンによって付加された圧力を確実に積層方向にかけることができる。
【００３１】
また、拘束層の圧着時の厚み変化率が基材層の圧着時の厚み変化率よりも小さいと、拘束層が基材層よりも硬いため、表面導体を拘束層側よりも基材層側に押し込むことができる。
【００３２】
また、本発明によれば、表面導体の圧着時の厚み変化率が基材層の圧着時の厚み変化率と同等またはそれよりも大きい場合でも、ダミーパターンによって圧力が付加されるため、表面導体を基材層に押し込むことができ、基板表面の平坦性を確保できる。
【００３３】
また、ダミーパターンの圧着時の厚み変化率が表面導体の圧着時の厚み変化率と同等またはそれよりも小さい場合、ダミーパターンが表面導体以上の硬さのため、表面導体を押し込むことができる。
【００３４】
また、ダミーパターンの圧着時の厚み変化率が表面導体の圧着時の厚み変化率と実質的に同一であると、圧着時の平面方向への伸び率が同一となるため、表面導体の全体にダミーパターンによる圧力をかけることができる。
【００３５】
また、ダミーパターンが表面導体と同一の材料からなると、基材層に形成する表面導体と同様の工程でダミーパターンを形成することができるため、新たな設備を要することなく基板表面の平坦性を確保できる。
【００３６】
また、ダミーパターンの圧着時の厚み変化率が拘束層の圧着時の厚み変化率と実質的に同一であると、圧着時にダミーパターンによって付加される圧力が拘束層に分散されることなく表面導体に強い圧力をかけることができる。
【００３７】
また、ダミーパターンが拘束層と同一の材料からなると、表面導体と同一の材料を用いた場合よりもコストを軽減できる。
【００３８】
また、ダミーパターンを拘束層用未焼成セラミック層に形成し、ダミーパターンが形成された拘束層用未焼成セラミック層の上に、さらに拘束層用未焼成セラミック層を形成すると、拘束層の表面、すなわち積層体の表面が平坦になるため、圧着時に積層体表面に均一に圧力をかけることができる。
【００３９】
また、表面導体を一旦拘束層用未焼成セラミック層に形成し、基材層に転写すると、表面導体を形成した拘束層用未焼成セラミック層とダミーパターンを形成した拘束層用未焼成セラミック層とが実質的に同一のものとなるため、同一のシートをさらに１層積層すれば容易にダミーパターンを形成することができ、製造工程が煩雑化しない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施例１にかかる製造工程を示す図であり、積層前の状態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例１にかかる製造工程を示す図であり、積層体を積層方向から投影視した状態を示す概略上面図である。
【図３】本発明の実施例１にかかる製造工程を示す図であり、図２とは別の積層体を積層方向から投影視した状態を示す概略上面図である。
【図４】本発明の実施例１にかかる製造工程を示す図であり、図２、３とは別の積層体を積層方向から投影視した状態を示す概略上面図である。
【図５】本発明の実施例１にかかる製造工程を示す図であり、図とは別の積層体を作製する前の状態を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施例１にかかる製造工程を示す図であり、圧着後の状態を示す図である。
【図７】本発明の実施例１にかかる製造方法によって作製された多層セラミック基板を示す概略断面図である。
【図８】本発明の実施例３にかかる製造工程を示す図であり、積層前の状態を示す概略断面図である。
【図９】本発明の効果を説明するための図であり、表面導体が基板表面から凸状に突出した状態を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の効果を説明するための図であり、表面導体が基板表面に押し込まれた状態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の実施例にかかる多層セラミック基板の製造方法について、図１〜図８を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００４２】
実施例１にかかる多層セラミック基板は、以下の（１）〜（８）の工程を経て製造する。
【００４３】
（１）基材層用未焼成セラミック層の作製
まず、ＣａＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末とアルミナ粉末とを混合し、低温焼結セラミック粉末を作製する。この低温焼結セラミック粉末にバインダとしてのアクリル樹脂、溶剤、分散剤、可塑剤を添加して十分に混練することにより、均一に分散させた後、減圧下で脱泡処理をしてスラリーを作製する。
【００４４】
次いで、このスラリーを、ドクターブレードを用いたキャスティング法によってキャリアフィルム上にシート成形する。これを乾燥させた後、平面寸法が１５０ｍｍ□になるようにカットして、図１に示すような、厚み１９０μｍの基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃを作製する。
【００４５】
（２）拘束層用未焼成セラミック層の作製
アルミナ粉末に、バインダとしてのブチラール樹脂と、溶剤、分散剤、可塑剤を添加し、十分に混練して均一に分散させた後、減圧下で脱泡処理をしてスラリーを作製する。
【００４６】
次いで、このスラリーを、ドクターブレードを用いたキャスティング法によってキャリアフィルム上にシート成形する。これを乾燥させた後、平面寸法が１５０ｍｍ□になるようにカットして、図１に示すような、厚み１５０μｍの拘束層用未焼成セラミック層４ａ〜４ｄを作製する。
【００４７】
ここで、拘束層用未焼成セラミック層４ａ〜４ｄに含まれるバインダとしてブチラール樹脂を用いることで、バインダとしてアクリル樹脂を用いた基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃよりも圧着時の厚み変化率を小さく、すなわち硬くすることができる。圧着時の厚み変化率を小さくするためには、上述のようにバインダの種類を変える他に、可塑剤や分散剤の量を減らす、アルミナ粉末の密度を高めるなど、種々の方法によって実現できる。
【００４８】
（３）表面導体の形成
基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃには所望の導体パターンを形成する。図１に示すように、基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃからなる基材層２０と拘束層用未焼成セラミック層４ａ〜４ｄからなる拘束層４０ａ，４０ｂとの界面３ａ，３ｂには、所望のパターンの表面導体６ａ〜６ｃを形成する。
【００４９】
表面導体６ａ〜６ｃを形成するには、表面導体６ａのように、基材層用未焼成セラミック層２ａの表面３ａにＡｇ、Ｃｕ等を主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷やインクジェットなどの方法によって塗布して直接形成することができる。
【００５０】
また、表面導体６ｂ，６ｃのように、拘束層用未焼成セラミック層４ｃの基材層用未焼成セラミック層２ｃに接する表面５ｃに同様の方法で導体パターンを形成し、これを基材層用未焼成セラミック層２ｃと積層・圧着することで表面導体６ｂ，６ｃを界面３ｂに転写することもできる。
【００５１】
なお、図１では省略しているが、基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃには、所望のパターンの層間接続導体や面内導体を形成する。層間接続導体はレーザーなどで貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填することにより形成する。面内導体は表面導体６ａ〜６ｃと同様に未焼成セラミック層２ａ〜２ｃの表面にスクリーン印刷やインクジェットなどの方法によって形成する。
【００５２】
ここで、面内導体とは、基材層用未焼成セラミック層２ａ，２ｂの界面および基材層用未焼成セラミック層２ｂ，２ｃの界面に形成するものであり、上述の表面導体とは、基材層用未焼成セラミック層２ａと拘束層用未焼成セラミック層４ｂとの界面３ａおよび基材層用未焼成セラミック層２ｃと拘束層用未焼成セラミック層４ｃとの界面３ｂに形成されるものである。
【００５３】
（４）ダミーパターンの形成
実施例１においては、拘束層４０ａ，４０ｂの表面のみ、内部のみまたは表面および内部の両方に、ダミーパターン８ａ〜８ｃを形成する。たとえば、図１に示すように、拘束層用未焼成セラミック層４ｂ，４ｄの表面５ａ，５ｄにダミーパターン８ａ〜８ｃを形成する。
【００５４】
ダミーパターン８ａ〜８ｃは、積層方向から投影視した場合に表面導体６ａ〜６ｃが形成された領域を覆うように形成する。具体的には、表面導体６ａ〜６ｃが形成された領域のみを覆うように形成するのが好ましい。より具体的には、ダミーパターン８ａ〜８ｃは、表面導体と実質的に同一のパターン形状であることが好ましい。後述する圧着工程においてダミーパターン８ａ〜８ｃが形成された部分、すなわち表面導体６ａ〜６ｃが形成された領域に局所的に強い圧力がかかるようにするためである。ここで、実質的に同一とは、積層方向から投影視した場合に表面導体６ａ〜６ｃとダミーパターン８ａ〜８ｃとがほぼ一致することをいい、図２に示すように、表面導体６ａ〜６ｃからはみ出している部分があってもよいことを意味する。また、図３に示すように、ダミーパターン８ａ〜８ｃが表面導体６ａ〜６ｃよりも小さく、表面導体６ａ〜６ｃを覆っていない部分があってもよいことを意味する。たとえば、表面導体６ａ〜６ｃを形成する場合に用いるスクリーン版等をダミーパターン８ａ〜８ｃの形成にも流用することによって実質的に同一のパターン形状を実現できる。この場合、ダミーパターン８ａ〜８ｃを形成するために新たなスクリーン版等を製造する必要がないためコストを削減できる。
【００５５】
なお、ダミーパターン８ａ〜８ｃの形状は、表面導体６ａ〜６ｃと実質的に同一のパターン形状であることに限定されるものではなく、表面導体６ａ〜６ｃが形成された領域を覆うことができればよい。たとえば、図４に示すように、表面導体６ａ〜６ｃが近接して形成されている場合には、ダミーパターン８ａ〜８ｃを複数の表面導体を一度に覆うように形成してもよい。すなわち、より限定的には、ダミーパターンは、表面導体が形成された領域のみ、または、表面導体が形成された領域とその周囲を覆うように形成されていることが好ましい。
【００５６】
ダミーパターン８ａ〜８ｃの材料は、実施例１では、表面導体６ａ〜６ｃと同様の導電性ペーストを用いる。この場合、基材層用未焼成セラミック層２ａおよび拘束層用未焼成セラミック層４ｃに表面導体６ａ〜６ｃを形成する設備・工程において、ダミーパターン８ａ〜８ｃを同様に形成することができるため、ダミーパターン８ａ〜８ｃを形成するために新たな設備や工程を導入する必要がない点で有用である。
【００５７】
（５）積層体の作製
基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃと拘束層用未焼成セラミック層４ａ〜４ｃとを積層して積層体１０を作製する。より具体的には、図１に示すように、３層の基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃを積層して基材層２０を作製し、基材層２０の両主面３ａ，３ｂに拘束層４０ａ，４０ｂをそれぞれ配置する。
【００５８】
なお、積層体１０の作製にあたっては、上記の方法によって製造した各グリーンシートを積層してもよいし、基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃや拘束層用未焼成セラミック層４ａ〜４ｄを１層ずつ印刷によって形成してもよい。
【００５９】
図１に示すように、ダミーパターン８ａ〜８ｃが拘束層４０ａ，４０ｂの内部に位置するように積層体を作製するのが好ましい。具体的には、拘束層用未焼成セラミック層４ｂの、基材層２０の主面３ａに接する主面５ｂに対向する主面５ａにダミーパターン８ａを形成し、さらに主面５ａの上に別の拘束層用未焼成セラミック層４ａを形成する。あるいは、拘束層用未焼成セラミック層４ｄのように、ダミーパターン８ｂ，８ｃが形成された主面５ｄを内層に向けて積層することで、ダミーパターン８ａ〜８ｃを拘束層４０ａ，４０ｂの内部に形成することができる。
【００６０】
このように、ダミーパターン８ａ〜８ｃを拘束層４０ａ，４０ｂの内部のみに形成することによって、拘束層４０ａ，４０ｂの外表面、すなわち積層体１０の外表面が平坦になるため、後述する圧着工程において積層体１０に均一に圧力をかけることができる。
【００６１】
なお、図１の拘束層用未焼成セラミック層４ｃ、４ｄに示すように、表面導体６ｂ，６ｃを一旦拘束層用未焼成セラミック層４ｃに形成し、基材層２０に転写すると、表面導体６ｂ，６ｃを形成した拘束層用未焼成セラミック層４ｃとダミーパターン８ｂ，８ｃを形成した拘束層用未焼成セラミック層４ｄとが実質的に同一のものとなるため、表面導体が形成された拘束層未焼成セラミック層をさらに１層積層すれば容易にダミーパターンを形成することができ、製造工程が煩雑化しない。
【００６２】
また、図５に示すように、ダミーパターン８ａ〜８ｃは、拘束層４０ａ，４０ｂの内部ではなく、拘束層４０ａ，４０ｂの基材層２０に接する主面に対向する主面、すなわち外表面に形成してもよい。この場合、拘束層４０ａ，４０ｂがそれぞれ拘束層用未焼成セラミック層１層で形成することができるため、拘束層用未焼成セラミック層にかかるコストを軽減できる。
【００６３】
また、ダミーパターン８ａ〜８ｃは、拘束層４０ａ，４０ｂの内部と基材層２０に接する主面に対向する主面の両方に形成してもよい。ただし、表面導体６ａ〜６ｃにかかる圧力が強くなり基材層２０の表面３ａ，３ｂから表面導体６ａ〜６ｃが凹みすぎないように注意する必要がある。
【００６４】
（６）圧着
次に、積層体１０を圧着する。この圧着時に、ダミーパターン８ａ〜８ｃが形成された部分には、その他の部分に比べて積層方向により強い圧力がかかるため、表面導体６ａ〜６ｃを基材層２０の表面に押し込むことができ、基板表面の平坦性を向上させることができる。
【００６５】
実施例１では、図６に示すように、金型９に積層体１０を入れた状態で積層方向に圧力をかける。金型９は、上部９ａと枠状の側面部９ｂと下部９ｃからなる。この枠状の側面部９ｂが積層体１０の側面を固定することで、圧着時に積層体１０が平面方向に伸びるのを防止することができる。そのため、ダミーパターン８ａ〜８ｃによって付加される圧力を確実に積層方向にかけることができる。
【００６６】
なお、金型９の枠状の側面部９ｂは、積層体１０よりもやや大きいサイズである方がよい。枠状の側面部９ｂと積層体１０の側面との間に隙間がある方が、積層体１０を金型９に入れる際に余裕ができ、積層体１０の端部が金型９に引っかかってバリが発生するのを抑制することができるからである。
【００６７】
また、本発明においては、必ずしも積層体１０の側面を金型で固定する必要はない。たとえば、包装用容器としてのプラスチックからなる袋によって真空パックした状態で静水圧プレス装置の水槽内に入れられ、静水圧が付与される静水圧プレスを用いることも可能である。この静水圧プレスの場合、側面にかかる静水圧によって圧着時に積層体１０が平面方向に伸びるのを抑制することができる。ただし、静水圧プレスよりも積層体の側面を金型９で固定して圧着する方が、圧着時に積層体１０が平面方向に伸びるのを確実に防止することができるため、ダミーパターン８ａ〜８ｃによって付加される圧力を確実に積層方向にかけることができる点で好ましい。
【００６８】
（７）焼成
次に、積層体１０を基材層２０が焼結する温度で焼成する。具体的には、基材層２０として低温焼結セラミック材料を用いる場合には、８００℃〜１０５０℃で焼成する。
【００６９】
また、基材層２０の両主面に配置する拘束層４０ａ，４０ｂは、基材層２０の焼結温度では実質的に焼結しない。そのため、拘束層４０ａ，４０ｂは焼成工程において実質的に収縮しないため、拘束層４０ａ，４０ｂに接する基材層２０はその平面方向への収縮を実質的に抑制され、積層方向にのみ収縮する。これにより、基材層２０の寸法精度を向上させることができる。
【００７０】
なお、焼成工程においては、積層体１０を加圧しながら焼成しなくてもよい。加圧しながら焼成する場合は、基板表面を平坦にすることができるが、加圧のための設備等が必要になりコストがかかる。実施例１の製造方法によれば、積層体１０を加圧せずに焼成したとしても、基板表面の平坦性を向上させることができる。
【００７１】
（８）拘束層およびダミーパターンの除去
焼成後、拘束層４０ａ，４０ｂおよびダミーパターン８ａ〜８ｃを除去して図７に示す多層セラミック基板３０を取り出す。拘束層４０ａ，４０ｂは実質的に焼結しておらず、ポーラスな状態にあるため、ブラスト等によって容易に除去することができる。また、ダミーパターン８ａ〜８ｃは、拘束層４０ａ，４０ｂの内部またはその外表面に形成されているため、拘束層４０ａ，４０ｂとともに除去することができる。
【００７２】
また、一般的に、表面導体付近は導電性ペーストに含まれる金属の拡散によって基材層２０に含まれるガラスが浸み上がりやすく、このガラスが拘束層４０ａ，４０ｂを構成するセラミック粉末と化学的に反応して反応層を形成する。この反応層は除去されにくく残りやすい。この点、表面導体６ａ〜６ｃが凸部を形成していると、表面導体６ａ〜６ｃと拘束層４０ａ，４０ｂとの接触面積が大きいため反応層が生じやすく、また平坦でない表面導体６ａ〜６ｃの側面の反応層を除去することが難しい。しかし、実施例１の製造方法によれば、表面導体６ａ〜６ｃが基材層２０に埋め込まれており、表面導体６ａ〜６ｃと拘束層４０ａ，４０ｂとの接触面積が小さいため、拘束層４０ａ，４０ｂの除去性が向上する。
【００７３】
（９）評価
実施例１の製造方法によって製造した多層セラミック基板３０の表面３ａ，３ｂと表面導体６ａ〜６ｃとの凹凸をレーザー膜厚計によって測定した結果を表１に示す。
【００７４】
【表１】
2010251597.tif 000003
【００７５】
試料１は、図１に基づいて先に説明した実施例１の製造方法によって製造した多層セラミック基板３０である。試料１において、基材層用未焼成セラミック層２ａ〜２ｃは厚み１９０μｍのグリーンシートを３層積層して基材層２０とし、その両主面に拘束層用未焼成セラミック層４ａ〜４ｄは厚み１５０μｍのグリーンシートを２層ずつ積層した。また、表面導体６ａ〜６ｃおよびダミーパターン８ａ〜８ｃの厚みは１８μｍである。また、圧着時の圧力は、１８００ｋｇｆ／ｃｍ2である。測定したのは、図７に示す多層セラミック基板３０の表面３ｂである。
【００７６】
試料２は、比較例として、ダミーパターンを形成せずに、拘束層用未焼成セラミック層４ａ，４ｃをそれぞれ１層で拘束層４０ａ，４０ｂとしたものである。
【００７７】
また、試料１と試料２との圧力の差が、拘束層４０ａ，４０ｂの厚み差に起因するものではないことを確かめるために、試料３として、拘束層４０ａ，４０ｂが試料１と同様の厚みおよび枚数からなるように、拘束層４０ａ，４０ｂを拘束層用未焼成セラミック層４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄの２層ずつで構成したものを作製した。なお、試料３にはダミーパターンは形成していない。
【００７８】
なお、試料２，３において、その他の条件は試料１と同様である。
【００７９】
測定の結果、試料１には、表面導体が基板表面に対して凸部を形成することはなく、基板表面の平坦性を確保できた。また、試料３によって、試料１の効果が、拘束層の厚みではなく、ダミーパターンに起因するものであることが確認できた。
【００８０】
なお、本発明によって奏する効果として、基板表面が平坦であるとは、必ずしも基板表面が完全に平坦である場合に限定されるものではない。表１の試料１のように、表面導体が基板表面に埋め込まれて基板表面を完全に平坦化することが望ましいが、本発明によって奏する効果としては、表面導体の厚みを半分程度埋め込むことができればよい。表１の試料２，３に示すように本発明によらなければ表面導体の厚み半分程度を埋め込むことができないからである。
【００８１】
次に、試料１に用いた各材料の圧着時の厚み変化率の関係を表２に示す。
【００８２】
【表２】
2010251597.tif 000004
【００８３】
ここで、圧着時の厚み変化率は、次式により算出したものである。
【００８４】
圧着時の厚み変化率＝（圧着前の厚み−圧着後の厚み）／圧着前の厚み×１００（％）
表１の試料１より、ダミーパターンが形成された積層体では、表面導体が基板表面に押し込まれ、表面導体による基板表面の凹凸をなくすことができることが確認できる。
【００８５】
また、表１の試料２，３より、ダミーパターンが形成されていないと、表面導体の厚みの半分以上を基材層の表面に押し込むことはできず、基板表面を完全に平坦にするまでに至るのは難しいことが確認できる。
【００８６】
また、表１の試料１および表２から、表面導体の圧着時の厚み変化率が基材層の厚み変化率よりも同等またはそれよりも大きい場合であっても、本発明の効果が得られることが確認できる。この点、表面導体の圧着時の厚み変化率が基材層の圧着時の厚み変化率よりも小さい場合、すなわち表面導体の方が基材層よりも硬い場合には、圧着時に表面導体が基材層に押し込まれやすいと考えられる。これに対し、実施例１の製造方法によれば、表面導体が基材層に押し込まれにくいような場合、すなわち表面電極が基材層よりも硬くない場合であっても、ダミーパターンによって圧力が付加されるため、表面電極を基材層に押し込むことができる。したがって、実施例１によれば、表面導体や基材層、拘束層の圧着時の厚み変化率に拘わる必要はなく、表面導体の材料や基材層の材料の選択の自由度を高めることができる。
【実施例２】
【００８７】
工程（１）〜（３）、（５）〜（８）は実施例１と同様である。
【００８８】
（４）ダミーパターンの形成
実施例２では、ダミーパターン８ａ〜８ｃの材料として拘束層用未焼成セラミック層４ａ〜４ｄと同様のセラミックスラリーを用いる。その他については実施例１と同様である。
【００８９】
実施例１ではダミーパターン８ａ〜８ｃの材料として、表面導体６ａ〜６ｃと同様の導電性ペーストを用いたが、実施例２のように、拘束層４０ａ，４０ｂと同一の材料を用いることによって、次のような効果が得られる。
【００９０】
まず、セラミックスラリーの方が導電性ペーストよりも安価であるため、コストを軽減できる。また、拘束層４０ａ，４０ｂとダミーパターン８ａ〜８ｃの圧着時の厚み変化率が同一となるため、圧着時にダミーパターン８ａ〜８ｃによって付加される圧力が拘束層４０ａ，４０ｂに分散されることなく表面導体６ａ〜６ｃに強い圧力をかけることができる。
【実施例３】
【００９１】
工程（１）〜（３）、（６）〜（８）は実施例１と同じである。
【００９２】
（４）ダミーパターンの形成
実施例３では、図８に示すように、ダミーパターン８ａ〜８ｃをＰＥＴフィルム等のキャリアフィルム１１ａ，１１ｂの上に形成する。その他については実施例１と同様である。
【００９３】
（５）積層体の作製
キャリアフィルム１１ａ，１１ｂのダミーパターン８ａ〜８ｃが形成された主面１５ａ，１５ｂが拘束層４０ａ，４０ｂに接するように、キャリアフィルム１１ａ，１１ｂを拘束層４０ａ，４０ｂに積層する。その他については、実施例１と同様である。
【００９４】
実施例３のように、ダミーパターン８ａ〜８ｃをキャリアフィルム１１ａ，１１ｂの上に形成すると、ダミーパターン８ａ〜８ｃを形成するために拘束層用未焼成セラミック層をさらにもう１層設ける必要がなくなるため、セラミックスラリーの使用量を削減できる。また、キャリアフィルム１１ａ，１１ｂによって積層体の外表面が平坦になるため、圧着時に積層体表面に均一に圧力をかけることができる。
【００９５】
その他、本発明においては、これらの実施例に限定されることなく、ダミーパターンとして種々の材料を用い、種々の積層体を作製することができる。
【符号の説明】
【００９６】
２ａ，２ｂ，２ｃ    基材層用未焼成セラミック層
３ａ，３ｂ    基材層の主面および基板表面
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ    拘束層用未焼成セラミック層
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ    拘束層用未焼成セラミック層の表面
６，６ａ，６ｂ，６ｃ    表面導体
８ａ，８ｂ，８ｃ    ダミーパターン
９    金型
１０    積層体
１１ａ，１１ｂ    キャリアフィルム
１５ａ，１５ｂ    キャリアフィルムの表面
２０    基材層
３０    多層セラミック基板
４０ａ，４０ｂ    拘束層
【図１】
2010251597.tif 000005
【図２】
2010251597.tif 000006
【図３】
2010251597.tif 000007
【図４】
2010251597.tif 000008
【図５】
2010251597.tif 000009
【図６】
2010251597.tif 000010
【図７】
2010251597.tif 000011
【図８】
2010251597.tif 000012
【図９】
2010251597.tif 000013
【図１０】
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