(57)【要約】【課題】配線パターンの不良を正確に検出することが可能な配線回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】検査工程では、光照射部５５により配線回路基板１００上に検査光が照射され、その反射光が受光部５６により受光される。受光部５６によって受光された光に基づいて配線パターン６の不良が検出される。検査光としては、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる紫色光、青色光または青緑色光が用いられる。また、配線回路基板１００の絶縁層には、平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるフィラーが添加される。【選択図】図３
2010016244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるフィラーを含むポリイミド層を形成する工程と、
前記ポリイミド層上に配線パターンを形成する工程と、
光照射部により前記ポリイミド層上に４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光を照射するとともに受光部によりその反射光を受光することにより前記配線パターンの不良を検出する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記フィラーは、シリカ、リン酸カルシウム、リン酸水素カルシウムおよびアルミナのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線パターンの不良を検査する工程において、光照射部により前記ポリイミド層上に４２５ｎｍ以上４７５ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光を照射することを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線パターンの不良を検査する工程において、５００ｎｍよりも大きい波長領域の光に対する感度よりも４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域の光に対する感度が高い受光部を用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、例えば樹脂材料からなる絶縁層の一面に金属材料からなる所定の配線パターンが形成された構成を有する。配線回路基板の製造時には、検査工程において配線パターンの不良が検出される。
【０００３】
検査工程では、例えば絶縁層の一面に向けて光が照射され、その反射光に基づいて、配線パターンの不良が検出される。
【特許文献１】特開２００３−６８８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、絶縁層の材料としてポリイミド等の光透過性が高い材料が用いられる場合、照射された光が絶縁層を透過することがある。その場合、絶縁層の他面に金属からなるグランド層等が形成されていると、絶縁層を透過した光が、絶縁層の他面側の層によって反射される。その反射光が、配線パターンによる反射光と誤認識されることがある。それにより、配線パターンの不良が正確に検出されない。
【０００５】
本発明の目的は、配線パターンの不良を正確に検出することが可能な配線回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る配線回路基板の製造方法は、平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるフィラーを含むポリイミド層を形成する工程と、ポリイミド層上に配線パターンを形成する工程と、光照射部によりポリイミド層上に４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光を照射するとともに受光部によりその反射光を受光することにより配線パターンの不良を検出する工程とを備えたものである。
【０００７】
この製造方法においては、平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるフィラーを含むポリイミド層上に配線パターンが形成される。この場合、ポリイミド層がフィラーを含むことにより、配線パターンの表面に凹凸が形成される。それにより、配線パターンの滑り性が向上し、ロールトゥロール方式による配線回路基板の搬送を円滑に行うことが可能になる。
【０００８】
配線パターンの形成後、光照射部によりポリイミド層上に４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光が照射され、その反射光が受光部により受光される。受光された光に基づいて、配線パターンの不良が検出される。
【０００９】
この場合、５００ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光を用いることにより、照射光がポリイミド層を透過することが防止される。それにより、ポリイミド層の下面に金属からなる他の層が形成されている場合において、その層による反射光が配線パターンによる反射光と誤認識されることが防止される。また、４００ｎｍ以上の波長領域において光強度が最大となる光を用いることにより、ポリイミド層の表面が改質されることが防止される。
【００１０】
さらに、ポリイミド層に含まれるフィラーの平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるので、ポリイミド層内において照射光がフィラーにより反射されることが防止される。それにより、フィラーによる反射光が配線パターンによる反射光と誤認識されることが防止される。
【００１１】
これらにより、配線パターンの不良を正確に検出することができる。
【００１２】
（２）フィラーは、シリカ、リン酸カルシウム、リン酸水素カルシウムおよびアルミナのうち少なくとも１つを含んでもよい。この場合、ポリイミド層の屈曲性および柔軟性を維持しつつ配線パターンの滑り性を十分に向上させることができる。
【００１３】
（３）配線パターンの不良を検査する工程において、光照射部によりポリイミド層上に４２５ｎｍ以上４７５ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光を照射してもよい。
【００１４】
この場合、照射光がポリイミド層を透過することをより十分に防止することができ、配線パターンの不良をより正確に検出することができる。また。ポリイミド層の表面が改質されることをより十分に防止することができる。
【００１５】
（４）配線パターンの不良を検査する工程において、５００ｎｍよりも大きい波長領域の光に対する感度よりも４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域の光に対する感度が高い受光部を用いてもよい。
【００１６】
この場合、５００ｎｍより大きい波長の光がポリイミド層を透過し、絶縁層の下面に形成された他の層により反射されても、その光は受光部によって感知されにくい。そのため、配線パターンの不良を効率的に検出することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ロールトゥロール方式による配線回路基板の搬送を円滑に行うことが可能になるとともに、配線パターンによる反射光の誤認識が防止され、配線パターンの不良が正確に検出される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（１）製造方法
図１および図２は、本実施の形態に係る配線回路基板の製造方法の概要を示す製造工程図である。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、例えば銅からなるグランド層２上に、図示しない接着材層を介して絶縁層１を積層する。絶縁層１としては、ポリイミドに粒子状のフィラーが添加された材料が用いられる。絶縁層１は、請求項におけるポリイミド層の例である。絶縁層１の詳細については後述する。
【００２１】
絶縁層１の厚みは例えば１μｍ以上１００μｍ以下であり、３μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。グランド層２の厚みは例えば１μｍ以上１００μｍ以下であり、３μｍ以上７５μｍ以下であることが好ましい。グランド層２の材料は、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示すように、絶縁層１上に例えば銅からなる導電性薄膜３を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、導電性薄膜３上にフォトレジスト４を形成する。そして、図１（ｄ）に示すように、フォトレジスト４を所定のパターンで露光し、その後、現像する。これにより、後工程で形成すべき導体パターンと逆のパターンのフォトレジスト４が形成される。
【００２３】
次に、図２（ａ）に示すように、露出した導電性薄膜３の部分に電解めっきにより例えば銅からなる導体層５を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、フォトレジスト４をエッチングまたは剥離によって除去する。最後に、図２（ｃ）に示すように、露出した導電性薄膜３の部分をエッチングにより除去する。これにより、導電性薄膜３および導体層５からなる配線パターン６が形成される。
【００２４】
配線パターン６の厚みは例えば１μｍ以上５０μｍ以下であり、１μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。また、配線パターン６の材料は、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。また、導電性薄膜３および導体層５の材料は同じでもよく異なっていてもよい。また、配線パターン２の材料とグランドパターン４の材料とは、異なっていてもよい。
【００２５】
このようにして、配線回路基板１００が完成する。なお、本例ではセミアディティブ法を用いて配線パターン６を形成したが、これに限らず、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて配線パターン６を形成してもよい。
【００２６】
（２）絶縁層
上記のように、絶縁層１としては、ポリイミドに粒子状のフィラーが添加された材料が用いられる。この場合、絶縁層１の表面に凹凸が形成される。それにより、絶縁層１上に形成された配線パターン６の表面にも凹凸が形成される。
【００２７】
ロールトゥロール方式によって配線回路基板１００の搬送を行う場合、配線パターン６の表面に凹凸があると、搬送のためのローラ（以下、搬送ローラと呼ぶ）と配線パターン６との接触面積が小さくなる。そのため、搬送ローラに対する配線パターン６の滑り性が向上される。その結果、配線回路基板１００の搬送を円滑に行うことが可能となる。
【００２８】
以下、絶縁層１の製造方法について具体的に説明する。
【００２９】
（２−１）ポリイミドの製造
まず、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を製造する。ポリアミド酸は、通常、芳香族酸二無水物の少なくとも１種とジアミンの少なくとも１種とを実質的に等モル量となるように有機溶媒中に溶解させ、得られたポリアミド酸溶液を制御された温度条件下で上記酸二無水物とジアミンとの重合が完了するまで撹拝することによって製造される。
【００３０】
なお、他の重合法により得られたポリアミド酸溶液を用いてもよい。また、別途重合した２種以上のポリアミド酸溶液を混合して用いることもできる。
【００３１】
これらのポリアミド酸溶液の濃度は、用途およびプロセスに合わせて適宜調節する。ポリアミド酸溶液の濃度は、例えば１０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下の範囲内であり、１５ｗｔ％以上３５ｗｔ％以下の範囲内であることが好ましい。この場合、後述のイミド化のための適切な分子量および溶液粘度が確保される。
【００３２】
なお、ポリアミド酸溶液の調製方法はこれに限定されず、他の方法で溶液状のポリアミド酸組成物を調製してもよい。
【００３３】
上記ポリアミド酸の製造時において、芳香族酸二無水物としては、例えばピロメリット酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、オキシジフタル酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、エチレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、ビスフェノールＡビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）およびそれらの類似物等を好適に用いることができる。
【００３４】
これらの芳香族酸二無水物は、単独で用いてもよく、２種以上を任意の割合で混合して混合物として用いてもよい。
【００３５】
特に、芳香族酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物またはｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）を用いることが好ましい。これらの化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を任意の割合で混合して混合物として用いてもよい。
【００３６】
また、上記ポリアミド酸の製造時において、ジアミンとしては、例えば４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、３，３’−ジクロロベンジジン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、４，４’−ジアミノジフェニルジエチルシラン、４，４’−ジアミノジフェニルシラン、４，４’−ジアミノジフェニルエチルホスフィンオキシド、４，４’−ジアミノジフェニルＮ−メチルアミン、４，４’−ジアミノジフェニルＮ−フェニルアミン、１，４−ジアミノベンゼン（ｐ−フェニレンジアミン）、１，３−ジアミノベンゼン、１，２−ジアミノベンゼン、およびそれらの類似物等を好適に用いることができる。
【００３７】
これらのジアミンは、単独で用いてもよく、２種以上を任意の割合で混合して混合物として用いてもよい。
【００３８】
特に、ジアミンとして、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルおよびｐ−フェニレンジアミンを用いることが好ましい。これらの化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を任意の割合で混合して混合物として用いてもよい。
【００３９】
また、上記ポリアミド酸の製造時において、有機溶媒としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒を好適に用いることができる。
【００４０】
これら有機溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上を任意の割合で混合して混合物として用いてもよい。
【００４１】
特に、有機溶媒として、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミドまたはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを用いることが好ましい。これらの有機溶媒は、単独で用いてもよく、２種以上を任意の割合で混合して混合物として用いてもよい。
【００４２】
ポリアミド酸溶液の製造時における他の条件については、特に限定されない。具体的には、ポリアミド酸の重合のために調製されるモノマー溶液の組成比、ポリアミド酸を重合するための温度条件、モノマーの添加順序、あるいはモノマー溶液の攪拌の条件等については、所望のポリアミド酸溶液が合成できるような条件であればよく、従来公知の条件を適宜適用することができる。
【００４３】
続いて、上記のポリアミド酸をイミド化（脱水および環化）し、ポリイミドフィルムを成形する。具体的には、例えばポリアミド酸溶液を支持体上に流延または塗布し、熱キュア法および化学キュア法の少なくとも一方を用いてポリアミド酸溶液を硬化させることにより、ポリイミドフィルムが得られる。
【００４４】
熱キュア法は、脱水閉環剤などを作用させずに加熱のみによりイミド化反応を進行させる方法である。加熱温度およびその他の条件は、従来公知の条件を好適に用いることができ、特に限定されない。
【００４５】
化学キュア法は、ポリアミド酸溶液に化学的添加剤と好ましくは触媒とを作用させてイミド化反応を進行させる方法である。化学的添加剤としては、例えば脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物、Ｎ，Ｎ’−ジアルキルカルボジイミド、低級脂肪族ハロゲン化物、ハロゲン化低級脂肪族ハロゲン化物、ハロゲン化低級脂肪酸無水物、アリールホスホン酸ジハロゲン化物またはチオニルハロゲン化物等を好適に用いることができる。
【００４６】
化学的添加剤の使用量は、特に限定されないが、ポリアミド酸中のアミド酸１モルに対して０．５モル当量以上５．０モル当量以下の範囲内であることが好ましい。化学的添加剤の使用量が少なすぎると、イミド化が遅くなり、生産性を悪化させることがある。一方、化学的添加剤の使用量が多すぎると、最終的に得られるポリイミドフィルムの機械的特性が悪化したり、イミド化が速くなりすぎてポリアミド酸溶液の支持体への流延および塗布が困難になったりする。
【００４７】
触媒は、イミド化を効果的に行うために化学的添加剤とともに用いられる。触媒としては、例えば脂肪族第三級アミン、芳香族第三級アミンまたは複素環式第三級アミン等が用いられる。特に、複素環式第三級アミンから選択される化合物が触媒として好ましく用いられる。より具体的には、キノリン、イソキノリン、β−ピコリンまたはピリジン等が触媒として好ましく用いられる。
【００４８】
触媒の使用量は、特に限定されないが、例えばポリアミド酸中のアミド酸１モルに対して０．１モル当量以上２モル当量以下の範囲内であり、０．２モル当量以上１．５モル当量以下の範囲内であることが好ましく、０．３モル当量以上１．０モル当量以上の範囲内であることがさらに好ましい。触媒の使用量が少なすぎると、イミド化が進行しにくくなる傾向がある。一方、触媒の使用量が多すぎると、イミド化の進行が速くなり、ポリアミド酸溶液の支持体上への流延および塗布が困難になる。
【００４９】
支持体としては、例えばガラス板、アルミ箔、エンドレスステンレスベルト、ステンレスドラム等を用いることができる。支持体の大きさ等については特に限定されない。また、支持体上にポリアミド酸溶液を流延または塗布する際の条件も特に限定されない。
【００５０】
（２−２）フィラーの添加
フィラーは、イミド化前のポリアミド酸溶液、またはイミド化されたポリイミドフィルムに添加される。
【００５１】
本実施の形態では、平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるフィラーが用いられる。フィラーとしては、例えばシリカ、リン酸水素カルシウムまたはアルミナ等の乾燥状態の無機フィラーが用いられる。これらの無機フィラーは単独で用いてもよいし、２種類以上を混合した混合物として用いてもよい。
【００５２】
フィラーの平均粒径は、０．００２μｍ以上０．４μｍ以下であることが好ましく、０．００２μｍ以上０．２μｍ以下であることがより好ましく、０．００５μｍ以上０．０５μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００５３】
フィラーの粒径が大きすぎると、後述のように、配線パターン６の検査工程において誤認識が発生しやすくなる。一方、フィラーの粒径が小さすぎると、搬送ローラに対する配線パターン６の滑り性を十分に向上させることができない。
【００５４】
ポリアミド酸溶液中またはポリイミドフィルム中におけるフィラーの添加量は、０．０５ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であることが好ましく、０．１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることがより好ましく、０．３ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。
【００５５】
フィラーの添加量が少なすぎると搬送ローラに対する配線パターン６の滑り性を十分に向上させることができない。一方、フィラーの添加量が多すぎるとニ次凝集が発生しやすくなり、後述のように、配線パターン６の検査工程において誤認識が発生しやすくなる。
【００５６】
イミド化前のポリアミド酸溶液にフィラーを添加する場合には、例えばフィラーを分散させたメラリーを重合溶媒としてポリアミド酸を重合する方法が用いられる。この場合、ポリアミド酸溶液の調製が終了した時点で、フィラーが分散されたポリアミド酸溶液（以下、フィラー分散ポリアミド酸溶液と呼ぶ）が得られる。
【００５７】
また、重合途中にフィラーまたはフィラーのスラリーを添加してフィラーが分散されたポリアミド酸溶液を調製する方法、もしくは支持体上にポリアミド酸溶液を流延または塗布する直前にポリアミド酸溶液とフィラーのスラリーとを混合する方法等が用いられてもよい。
【００５８】
ポリアミド酸溶液をイミド化させる工程において熱キュア法を用いる場合には、フィラー分散ポリアミド酸溶液をそのまま加熱することができる。
【００５９】
また、ポリアミド酸溶液をイミド化させる工程において化学キュア法を用いる場合には、フィラー分散ポリアミド酸溶液に化学的添加剤および触媒を含む硬化剤を添加してもよい。また、この硬化剤にフィラーを分散させたスラリーを調製し、ポリアミド酸溶液に添加してもよい。
【００６０】
ポリイミドフィルムにフィラーを添加する場合、例えばフィラーを分散させたフィラー分散液を調製し、このフィラー分散液をポリイミドフィルムに塗布してもよい。
【００６１】
（３）検査工程
次に、配線パターン６の検査工程について説明する。上記のようにして配線回路基板１００が作製された後、検査工程において配線パターン６の不良が検出される。
【００６２】
図３は、配線パターン６の検査工程について説明するための模式図である。図３に示すように、検査工程では、光照射部５５により配線回路基板１００上に検査光が照射され、その反射光が受光部５６により受光される。受光部５６によって受光された光に基づいて配線パターン６の不良が検出される。
【００６３】
しかしながら、絶縁層１の材料としてポリイミド等の光透過性が高い材料が用いられる場合、配線回路基板１００上に照射された光が絶縁層１を透過することがある。その場合、次のような問題が発生する。
【００６４】
図４は、検査工程において発生する問題について説明するための模式的側面図である。
【００６５】
図４に示すように、配線パターン６上に照射される光Ｌ１は、配線パターン６により反射される。一方、配線パターン６が形成されていない絶縁層１上の領域に照射された光Ｌ２は、絶縁層１を透過し、絶縁層１の下面側に配置されるグランド層２上に到達する。そして、光Ｌ２は、グランド層２により反射される。
【００６６】
この場合、グランド層２により反射された光Ｌ２が、配線パターン６により反射された光Ｌ１と誤認識されることがある。それにより、配線パターン６の不良を正確に検出することができない。このような問題は、５００ｎｍより大きい波長を有する光が、絶縁層１の材料であるポリイミドを透過することに起因する。
【００６７】
なお、絶縁層１の下面側において、グランド層２の代わりに補強層または他の配線パターン等が形成されている場合にも同様の問題が発生する。
【００６８】
そこで、本実施の形態では、検査工程における検査光として、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる紫色光、青色光または青緑色光が用いられる。この場合、５００ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光を用いることにより、絶縁層１上に照射された光Ｌ２が絶縁層１を透過することが防止される。
【００６９】
また、配線回路基板１００に４００ｎｍよりも小さい波長を有する光が照射されると、絶縁層１の表面が改質されることがある。そこで、４００ｎｍ以上の波長領域において光強度が最大となる光を用いることにより、絶縁層１の表面の改質を防止することができる。
【００７０】
ただし、絶縁層１に含まれるフィラーの粒径が大きすぎると、光Ｌ２が、絶縁層１内でフィラーにより反射されることがある。その場合、フィラーによる反射光が、配線パターン６による反射光と誤認識されることがある。
【００７１】
そこで、本実施の形態では、上記のように、平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるフィラーが用いられる。この場合、配線回路基板１００に照射された光が絶縁層１内でフィラーにより反射されることが防止される。
【００７２】
光照射部５５としては、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域で光強度が最大となる光を発光する紫色発光ダイオード、青色発光ダイオード、紫色レーザダイオードまたは青色レーザダイオード等を用いることができる。
【００７３】
受光部５６としては、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域の光を受光可能なカメラまたはエリアセンサ等を用いることができる。特に、５００ｎｍよりも大きい波長領域の光に対する感度よりも４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域の光に対する感度が高いカメラまたはエリアセンサ等を用いることが好ましい。具体的には、紫色光撮影用カメラまたは青色光撮影用カメラ等を用いることが好ましい。また、撮影した画像から４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の光のみを含む画像を取り出す画像処理を行ってもよい。
【００７４】
なお、５００ｎｍより大きい波長領域における光強度の最大値に対して、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域における光強度の最大値が１０倍以上であることが好ましい。また、４００ｎｍより小さい波長領域における光強度の最大値に対して、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域における光強度の最大値が１０倍以上であることが好ましい。
【００７５】
さらに、４２５ｎｍ以上４７５ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光を用いることがより好ましい。
【００７６】
（４）本実施の形態の効果
このように、本実施の形態では、平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるフィラーが絶縁層１に添加されるとともに、検査工程において４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域において光強度が最大となる光が検査光として用いられる。
【００７７】
この場合、フィラーによって配線パターン６の滑り性が十分に向上される。また、検査工程において、グランド層２による反射光またはフィラーによる反射光が配線パターン６による反射光と誤認識されることが防止される。
【００７８】
それにより、ロールトゥロール方式による配線回路基板１００の搬送を円滑に行うことができるとともに、検査工程において配線パターン６の不良を正確に検出することができる。
【００７９】
（５）実施例および比較例
平均粒径が異なる種々のフィラーを用いて配線回路基板１００を作製し、配線パターン６の検査を行った。
【００８０】
表１に、実施例１〜７および比較例１〜４で用いたフィラーの平均粒径を示す。
【００８１】
【表１】
2010016244.tif 000003
【００８２】
なお、絶縁層１の厚みを３５μｍとし、配線パターン６の厚みを８．５μｍとした。また、検査光として、４５０ｎｍの波長を有する光および５００ｎｍの波長を有する光を用いた。
【００８３】
（５−１）実施例１〜８
実施例１〜７においては、０．００３μｍ以上０．５μｍ以下の平均粒径を有するフィラーを絶縁層１に添加した。
【００８４】
（５−２）比較例１〜４
比較例１では、絶縁層１にフィラーを添加しなかった。また比較例２〜４では、０．７μｍ以上１μｍ以下の平均粒径を有するフィラーを絶縁層１に添加した。
【００８５】
（５−３）評価
表１には、実施例１〜７および比較例１〜４における配線パターン６と搬送ローラとの間の静摩擦係数および動摩擦係数が示されるとともに、実施例１〜７および比較例１〜４においてフィラーによる反射光が配線パターン６による反射光と誤認識されたか否かが示される。
【００８６】
実施例１〜８においては、配線パターン６と搬送ローラとの摩擦が十分に低減された。また、配線パターン６の検査時に、フィラーによる反射光が配線パターン６による反射光と誤認識されることがほとんどなかった。
【００８７】
比較例１においては、絶縁層１にフィラーを添加していないので、配線パターン６の検査時にフィラーによる反射光が配線パターン６による反射光と誤認識されることはなかったが、配線パターン６と搬送ローラとの摩擦が大きくなった。
【００８８】
比較例２〜４においては、配線パターン６と搬送ローラとの摩擦は低減されたが、配線パターン６の検査時に、フィラーによる反射光が配線パターン６による反射光と誤認識された。
【００８９】
これらにより、平均粒径が０．００２μｍ以上０．５μｍ以下であるフィラーが絶縁層１に添加されることにより、搬送ローラに対する配線パターン６の滑り性が十分に向上するとともに、フィラーによる反射光と配線パターン６による反射光との誤認識の発生が防止されることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、種々の配線回路基板の製造時に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本実施の形態に係る配線回路基板の製造方法の概要を示す製造工程図である。
【図２】本実施の形態に係る配線回路基板の製造方法の概要を示す製造工程図である。
【図３】検査工程について説明するための模式図である。
【図４】検査工程において発生する問題について説明するための模式的側面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  絶縁層  
２  グランド層  
３  導電性薄膜  
４  フォトレジスト
５  導体層
６  配線パターン
５５  光照射部
５６  受光部
Ｌ１，Ｌ２  光
【図１】
2010016244.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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