(57)【要約】【課題】  表示特性の変更可能性を獲得し、あるいは、高速駆動可能な電気光学装置を提供する。【解決手段】  電気光学装置は、複数の走査線（１０）及び複数のデータ線（２０）の交差に対応して配置された複数の画素（５０）と、前記複数の走査線を所定の順序に従って選択する走査線駆動回路（１００）と、前記複数のデータ線の各々にデータ電位を出力するデータ線駆動回路（２０１，２０２）とを備える。このうちデータ線駆動回路は、画像データ（ＶＤ）に基づいて、階調の一に対応するデータ電位と、それに隣接する階調の一に対応するデータ電位との間隔を変更可能である。２つあるデータ線駆動回路のうち一方がそのようなデータ電位の生成を行うのと並行して、走査線駆動回路と他方のデータ線駆動回路とは、当該他方のデータ線駆動回路に対応する画像表示領域（Ａ１又はＡ２）に属する画素を駆動する。【選択図】図１
2010266602.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して配置された複数の画素と、
前記複数の走査線を所定の順序に従って選択する走査線駆動回路と、
前記複数のデータ線の各々にデータ電位を出力するデータ線駆動回路と、
を備え、
前記複数の画素の各々は、
前記データ線に接続された第１電極、及び、これに対向する第２電極と、
前記第１及び第２電極間に挟持された電気光学物質と、
前記第２電極と前記データ線との間に配置され、前記複数の走査線のうち当該画素に対応する１つの走査線の選択により導通状態となることで当該第２電極と当該データ線とを導通させるスイッチング素子と、
を含み、
前記データ線駆動回路は、
外部入力に係る原画像データに基づいて、前記データ電位を複数の階調段階ごとに生成するデータ電位生成部を含み、
当該データ電位生成部は、前記原画像データに基づいて、前記階調の一に対応する前記データ電位と、それに隣接する階調の一に対応する前記データ電位との間隔を変更可能である、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記原画像データを補正するための補正データを記憶する記憶手段を備え、
当該補正データの内容は、
当該電気光学装置において表示される画像の表示特性に基づいて定められる、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記補正データの内容は、
前記電気光学物質へ印加される電圧と、当該電気光学物質の光透過率との関係に基づいて定められる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記データ電位生成部は、
前記補正データによる補正を経た前記原画像データに基づいて、前記データ電位に係る前記間隔を変更可能である、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記データ電位生成部は、
ダイオード接続されたトランジスターと、昇圧後の電圧を保持し且ついずれか一方の電極にクロック信号を受けるコンデンサーとを少なくとも含む各段回路が、前記トランジスターを介して複数段接続された昇圧回路を含み、
前記データ電位に係る前記間隔は、
前記クロック信号の態様が前記原画像データに基づいて変更されることによって、
変更される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記データ線駆動回路は、相互に独立に動作する第１及び第２データ線駆動回路を含み、
前記複数の画素は、
前記第１及び第２データ線駆動回路の各々に対応する第１及び第２グループに区分され、
そのうちの第１グループに属する前記画素には、
第１データ線駆動回路に接続された前記データ線を介して前記データ電位が供給され、
第２グループに属する前記画素には、
第２データ線駆動回路に接続された前記データ線を介して前記データ電位が供給される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の画素はマトリクス状配列に従って配列され、
前記第１及び第２グループに属する前記画素は、それぞれ、
前記マトリクス状配列を所定の基準直線に従って２分する場合における一方及び他方に含まれる前記画素を含み、
前記第１グループに属する前記画素に接続される前記データ線と、
前記第２グループに属する前記画素に接続される前記データ線とは、
電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記走査線駆動回路は、前記所定の順序として、
第１に、前記第２データ線駆動回路が前記データ電位を生成するのと並行して、前記第１グループに属する１行分の前記画素に対応する前記走査線を選択し、
第２に、前記第１データ線駆動回路が前記データ電位を生成するのと並行して、前記第２グループに属する１行分の前記画素に対応する前記走査線を選択する、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記走査線駆動回路は、前記所定の順序として、
前記第１グループに属する１行分の前記画素に対応する前記走査線を選択すると同時に、
当該１行分の画素に対応し、かつ、前記第２グループに属する１行分の前記画素 に対応する前記走査線を選択する、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記複数の画素はマトリクス状配列に従って配列され、
前記第１グループに属する前記画素は、
前記マトリクス状配列中、奇数行目に位置する前記画素を含み、
前記第２グループに属する前記画素は、
前記マトリクス状配列中、偶数行目に位置する前記画素を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶等の電気光学物質を含む電気光学装置及び当該電気光学装置を含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気エネルギーによって光学特性が変化する電気光学物質として、液晶が知られている。液晶は印加電圧に応じて透過率が変化する。この透過率の変化は、液晶分子の配向状態が印加電圧に応じて変化することによって得られる。この液晶を表示装置に適用した液晶表示装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線とデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素を備える。複数の画素は、画素電極、対向電極、及びこれらの間に挟持された液晶からなる液晶素子を有する。
【０００３】
このような画素ないし液晶素子の階調設定は、主に、画素電極への電圧印加の有無及び程度、あるいはこの画素電極に接続された前記データ線への電圧印加の有無及び程度によって調整される。また、このような画素電極ないしデータ線への電圧印加に当たっては、通常、ＤＡ変換回路、昇圧回路等をその一部に備えるデータ線駆動回路が好適に利用される。
このような液晶表示装置としては、例えば特許文献１乃至５に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１７７３７１号公報
【特許文献２】特開２００４−３５６８７５号公報
【特許文献３】特開２００４−３６１８４１号公報
【特許文献４】特開２００８−１２５０９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前述したような、液晶表示装置については、以下のような各種の問題がある。
例えば前記特許文献１に開示される技術ではＤＡ回路部分はオペアンプ回路の特性に応じたアナログ電圧を発生する構成（同文献の図１・図１９等参照）が採用されているが、これでは、得られるべき階調特性がそのオペアンプ回路の特性に依存してしまうことになり、所望の表示特性を得ることが困難であるという問題がある。また、前記特許文献２等に開示される技術では、昇圧回路から出力される電圧が等間隔の値をもつために（同文献の図１等参照）、やはり所望の表示特性を得ることが困難であるという問題がある。
【０００６】
また、特許文献２等においては、データ線にデータを書き込む間、ＤＡ回路を動作させ続ける必要があることから、次回の走査線選択時にＤＡ回路から出力される電圧が所定の値に到達するまでに、ある程度の時間が必要になる。つまり、この技術は、より高速の駆動を行おうとする場合には問題がある。
このほか、例えばクロック数に応じて低電圧から高電圧までを出力する昇圧回路が採用されることもあるが、この場合、高電圧になればなるほどクロック数が増大することになる等の結果、出力電圧を生成するまでの時間が長期化するおそれがあり、やはり高速駆動を実現するにあたっての障害となることが考えられる。
【０００７】
以上のほか、例えば前記オペアンプ回路を使用する技術では、そのオペアンプ回路を構成する回路素子数が多くなる傾向があることから、その設置面積の確保に困難が生じ、あるいは、高精細化を実現する場合の障害になるおそれが出たり、さらには、前記回路素子として用いられた抵抗素子に係る貫通電流等の発生によって消費電力が増大する、などといった各種の問題がある。
【０００８】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置及び電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置及び電子機器を提供することをも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して配置された複数の画素と、前記複数の走査線を所定の順序に従って選択する走査線駆動回路と、前記複数のデータ線の各々にデータ電位を出力するデータ線駆動回路と、を備え、前記複数の画素の各々は、前記データ線に接続された第１電極、及び、これに対向する第２電極と、前記第１及び第２電極間に挟持された電気光学物質と、前記第２電極と前記データ線との間に配置され、前記複数の走査線のうち当該画素に対応する１つの走査線の選択により導通状態となることで当該第２電極と当該データ線とを導通させるスイッチング素子と、を含み、前記データ線駆動回路は、外部入力に係る原画像データに基づいて、前記データ電位を複数の階調段階ごとに生成するデータ電位生成部を含み、当該データ電位生成部は、前記原画像データに基づいて、前記階調の一に対応する前記データ電位と、それに隣接する階調の一に対応する前記データ電位との間隔を変更可能である。
【００１０】
本発明によれば、データ線へのデータ電位の供給と、ある走査線の選択による、それに対応するスイッチング素子の導通状態への遷移とによって、第１及び第２電極間に（即ち、電気光学物質に）、当該データ電位に応じた電位差を発生させることが可能である。そして、この電気光学物質が、印加される電圧に応じて例えばその光透過率を変更するならば、当該画素によって表示される（いわば１ドット分の）画像の階調を調整することが可能である。
そして、本発明においては特に、データ線駆動回路が、前述のようなデータ電位生成部を含む。このデータ電位生成部は、例えば仮に、表示すべき階調Ｋ１，Ｋ２，…，ＫＮ（Ｎは適当な自然数）があるとすると、その各々に対応するデータ電位がＶ１，Ｖ２，…，ＶＮであるとき、ある場合には、Δ１＝Ｖ２−Ｖ１，Δ２＝Ｖ３−Ｖ２，…，ΔＮ＝ＶＮ−ＶＮ−１なる関係が成立するデータ電位を生成し、またある場合には、Δ１≠Δ１’＝Ｖ２−Ｖ１，Δ２≠Δ２’＝Ｖ３−Ｖ２，…，ΔＮ≠ΔＮ’＝ＶＮ−ＶＮ−１のうちの少なくとも１つが成立するデータ電位を生成することが可能である。
これによれば、例えば当該電気光学装置によって表示される画像の表示特性や電圧印加に対する電気光学物質の特性等を勘案した上で、それらのバラツキ等に対応するようにして、画素へ供給すべきデータ電位の具体的な値を決定していくことが可能になる。
【００１１】
この発明の電気光学装置では、前記原画像データを補正するための補正データを記憶する記憶手段を備え、当該補正データの内容は、当該電気光学装置において表示される画像の表示特性に基づいて定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、原画像データが、画像の表示特性に基づいて補正されるようになっている。そして、前述したようなデータ電位生成部によるデータ電位間隔の調整は、このような補正後の原画像データに基づいて行われ得る。よって、本態様によれば、上述した本発明に係る作用効果がよりよく奏される。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置では、前記補正データの内容は、前記電気光学物質へ印加される電圧と、当該電気光学物質の光透過率との関係に基づいて定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、まず、「電気光学物質」が、それへの印加電圧の大きさに対応する光透過特性をもつことが前提とされる。そして、本態様によれば、原画像データが、そのような印加電圧と光透過率との関係に基づいて補正されるようになっている。前述したようなデータ電位生成部によるデータ電位間隔の調整は、このような補正後の原画像データに基づいて行われ得る。よって、本態様によれば、上述した本発明に係る作用効果がよりよく奏される。
【００１３】
以上の２つの態様では、前記データ電位生成部は、前記補正データによる補正を経た前記原画像データに基づいて、前記データ電位に係る前記間隔を変更可能である、ように構成してもよい。
この態様によれば、既に述べたところから明らかなように、上述した本発明に係る作用効果がよりよく奏される。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置では、前記データ電位生成部は、ダイオード接続されたトランジスターと、昇圧後の電圧を保持し且ついずれか一方の電極にクロック信号を受けるコンデンサーとを少なくとも含む各段回路が、前記トランジスターを介して複数段接続された昇圧回路を含み、前記データ電位に係る前記間隔は、前記クロック信号の態様が前記原画像データに基づいて変更されることによって、変更される、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述したようなデータ電位間隔の調整を好適に行い得る構成が提供される。
なお、本態様をより具体化した態様については、後述する実施形態において、例えば図３等が参照されながら説明される。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置では、前記データ線駆動回路は、相互に独立に動作する第１及び第２データ線駆動回路を含み、前記複数の画素は、前記第１及び第２データ線駆動回路の各々に対応する第１及び第２グループに区分され、そのうちの第１グループに属する前記画素には、第１データ線駆動回路に接続された前記データ線を介して前記データ電位が供給され、第２グループに属する前記画素には、第２データ線駆動回路に接続された前記データ線を介して前記データ電位が供給される、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１及び第２データ線駆動回路に対応する第１及び第２グループに属する画素が、それぞれ相互独立に駆動可能となっている。したがって、例えば、第１グループに属する画素についてのデータ電位の書込動作が行われている最中においては、第２グループに属する画素についてのデータ電位の生成動作（即ち、書込のための一種の準備動作）を並行して行うことができる。ここでいうデータ電位の生成動作には、前述した、データ電位生成部によるデータ電位間隔調整や、あるいは記憶手段に記憶された補正データによる原画像データの補正、等々が含まれる。
このことは、より高速なデータ電位書込動作を可能とする。というのも、従来においては、データ電位を生成した後それを書き込み、それに続いて再び、データ電位を生成した後それを書き込む、といったようないわばシーケンシャルな流れに基づくデータ電位書込動作が行われていたところ、このような態様では、データ電位の生成過程が、場合によっては全体の動作速度についてのいわば律速過程となってしまう。
この点、本態様では、データ電位生成動作とデータ電位書込動作とが並行して行われることから、いま述べたような不都合が生じる余地はほとんどない。そして、そのことは同時に、前述したような従来の態様との相対的関係においては、データ電位書込動作の高速化を実現するのである。
【００１６】
この態様では、前記複数の画素はマトリクス状配列に従って配列され、前記第１及び第２グループに属する前記画素は、それぞれ、前記マトリクス状配列を所定の基準直線に従って２分する場合における一方及び他方に含まれる前記画素を含み、前記第１グループに属する前記画素に接続される前記データ線と、前記第２グループに属する前記画素に接続される前記データ線とは、電気的に絶縁されている、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１及び第２データ線駆動回路と、第１及び第２グループに属する画素との配置関係が好適に設定される一例が提供される。
なお、本態様をより具体化した態様については、後述する実施形態において、例えば図１等が参照されながら説明される。
【００１７】
この態様では、前記走査線駆動回路は、前記所定の順序として、第１に、前記第２データ線駆動回路が前記データ電位を生成するのと並行して、前記第１グループに属する１行分の前記画素に対応する前記走査線を選択し、第２に、前記第１データ線駆動回路が前記データ電位を生成するのと並行して、前記第２グループに属する１行分の前記画素に対応する前記走査線を選択する、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１グループに属する画素用のデータ電位が生成されるのと並行して、第２グループに属する画素へのデータ電位の書込が行われ、その逆の場合は逆となる、というように、データ電位書込動作とデータ電位生成動作とが並行して行われることから、前述のように、データ電位書込動作の高速化が実現される。
【００１８】
あるいは、マトリクス状配列を基準直線で２分する態様では、前記走査線駆動回路は、前記所定の順序として、前記第１グループに属する１行分の前記画素に対応する前記走査線を選択すると同時に、当該１行分の画素に対応し、かつ、前記第２グループに属する１行分の前記画素 に対応する前記走査線を選択する、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１及び第２グループの各々に属し、かつ相互に対応関係にある１行分の画素同士が同時に選択される。つまり、本態様では、都合２行分の画素について同時にデータ電位書込動作が行われることになる。これによれば、それだけでも、データ電位の書込動作の高速化が実現可能であることが明らかであるほか、このことは、データ電位生成動作を行うための時間を十分に確保することを可能とする。
【００１９】
あるいは、第１及び第２データ線駆動回路を含む態様では、前記複数の画素はマトリクス状配列に従って配列され、前記第１グループに属する前記画素は、前記マトリクス状配列中、奇数行目に位置する前記画素を含み、前記第２グループに属する前記画素は、前記マトリクス状配列中、偶数行目に位置する前記画素を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１及び第２データ線駆動回路と、第１及び第２グループに属する画素との配置関係が好適に設定される他の一例が提供される。特に、この態様では、走査線駆動回路による走査線の選択順序が、従来と同様、線順次によるものでよく、特別な制御態様を採用する必要がない点で有利である。
なお、本態様をより具体化した態様については、後述する実施形態において、例えば図１１が参照されながら説明される。
【００２０】
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を備えてなるので、上述した各種の作用効果を備えた上での、高品質な画像表示等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】図１の電気光学装置を構成する画素の詳細を示す回路図である。
【図３】図１のデータ線駆動回路を構成する昇圧回路の詳細を示す回路図である。
【図４】図１のデータ線駆動回路を構成する電圧設定回路の詳細を示す回路図である。
【図５】γ＝２．２の場合における入出力特性を示すグラフである。
【図６】液晶素子への印加電圧とその透過率との関係を示すグラフである（なお、この図はノーマリーブラックモードを前提とする。）。
【図７】図３の昇圧回路を構成するＣＬＫ信号生成回路が出力するクロック信号（ＣＬＫＡ・ＣＬＫＢ）の具体例を説明するための説明図である。
【図８】図１の電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図９】図１の電気光学装置の動作の態様（ＤＡ変換方式）、及びこれとデジタル駆動方式との対比を説明するための説明図である。
【図１０】図１の電気光学装置の動作の態様（ＤＡ変換方式）を１個の画素に着目して説明するための説明図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る電気光学装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る電気光学装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜第１実施形態＞
以下では、本発明に係る第１の実施の形態について図１及び図２を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１及び図２に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００２３】
本発明の実施形態に係る電気光学装置は、電気光学材料として液晶を用いる。電気光学装置１Ａは、主要部として液晶パネル（電気光学パネルの一例）を備える。液晶パネルは、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する）を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。
【００２４】
図１は第１実施形態に係る電気光学装置１Ａの全体構成を示すブロック図である。この電気光学装置１Ａは、走査線駆動回路１００、データ線駆動回路２０１及び２０２、制御回路３００、電源回路４００、及び画像表示領域Ａを備える。これらの構成のうち、液晶パネルは少なくとも画像表示領域Ａを備え、電源回路４００は液晶パネルの外付け回路となる。走査線駆動回路１００、データ線駆動回路２０１及び２０２、及び制御回路３００は、液晶パネルに取り込んでもよいし、あるいは、外付け回路としてもよい。この例では、液晶パネルの素子基板上に、画像表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、及びデータ線駆動回路２０１及び２０２が形成されているものとする。
【００２５】
画像表示領域Ａは、図１に示すように、図中上半の画像表示領域Ａ１と下半の画像表示領域Ａ２とを含む。これら画像表示領域Ａ１及びＡ２のそれぞれは、ｎ（ｎは２以上の自然数）本の走査線１０と、ｍ（ｍは２以上の自然数）本のデータ線２０と、走査線１０及びデータ線２０の交差に対応してｎ×ｍ個の画素５０が設けられている。結局、画像表示領域Ａ全体でみれば、２ｎ×ｍ個の画素５０がマトリクス状に配列されて設けられていることになる。この画素５０には、図示せぬバックライトからの光が入射され、透過率が調整される。これによって、光変調による階調表示が可能となる。第１実施形態は、透過型の液晶パネルを例示するが、反射型あるいは半透過反射型の液晶パネルであってもよいことは勿論である。
【００２６】
また、前述のうちデータ線２０は、画像表示領域Ａ１及びＡ２間で電気的連絡はない。画像表示領域Ａ１内に含まれるデータ線２０は、図１に示すように、データ線駆動回路２０１に接続され、画像表示領域Ａ２内に含まれるデータ線２０は、データ線駆動回路２０２に接続される。このように、各画像表示領域Ａ１及びＡ２内に含まれるデータ線２０は相互に独立に駆動可能となっている。また、これに応じて、画像表示領域Ａ１に含まれる画素５０は、データ線駆動回路２０１によってデータ電位の供給を受け、画像表示領域Ａ２に含まれる画素５０は、データ線駆動回路２０２によってデータ電位の供給を受ける。
なお、図１においては、本発明にいう「基準直線」の一例が、符号ＨＬを付され、二点破線でもって描かれている。第１実施形態に係る画像表示領域Ａ１及び画像表示領域Ａ２は、本発明にいう「マトリクス状配列を所定の基準直線に従って２分する場合における一方」及び「他方」に該当することは言うまでもない。
【００２７】
制御回路３００は、Ｙ転送開始パルスＹＳＰ及びＹクロック信号ＹＣＫなどを生成して走査線駆動回路１００に供給する。
また、制御回路３００は、Ｘ転送開始パルスＸＳＰ−Ｕ、Ｘクロック信号ＸＣＫ−Ｕ、及び画像データＶＤ−Ｕなどを生成し、これを画像表示領域Ａ１に対応したデータ線駆動回路２０１に供給する。
同様に、制御回路３００は、Ｘ転送開始パルスＸＳＰ−Ｌ、Ｘクロック信号ＸＣＫ−Ｌ、及び画像データＶＤ−Ｌなどを生成し、これを画像表示領域Ａ２に対応したデータ線駆動回路２０２に供給する。
【００２８】
また、制御回路３００は、図１に示すように、不揮発メモリ３０１を備える。この不揮発メモリ３０１は、液晶パネルの外部から供給されてくる原画像データＯＶＤに対して所定の補正処理を行うための各種データを記憶する。前述した画像データＶＤ−Ｕ又はＶＤ−Ｌは、この原画像データＯＶＤに当該補正処理が施されたものに基づいて生成される。
なお、この不揮発メモリ３０１が記憶すべき補正データの内容等については、後に改めて説明することとする。
【００２９】
図２に画素５０の電気的な構成を示す。
画素５０は、画素回路Ｐ１を含み、この画素回路Ｐ１は、液晶素子６０、データ線２０と液晶素子６０との間に設けられた選択トランジスター５１、及び保持容量５２を備える。
このうち選択トランジスター５１は、そのゲートが走査線１０に接続され、当該走査線に供給される走査信号Ｙの状態に応じて、液晶素子６０からみてデータ線２０に対し導通又は非導通状態となる。また、液晶素子６０は、画素電極５３及び対向電極５４を含み、これらの間に液晶ＬＣが挟持された構造をもつ。
以上の要素のうち、選択トランジスター５１及び画素電極５３は素子基板上に形成され、対向電極５４は対向基板上に形成される。対向電極５４は対向基板の全面に形成され、全画素５０に共通である。また、この対向電極５４と保持容量５２の一方の電極とは容量線３０に接続される（なお、保持容量５２の他方の電極は画素電極５３に接続される。）。この容量線３０には電源回路４００から共通電位ＶＣＯＭが供給される（図１も参照）。
なお、対向電極５４の電位と保持容量５２の一方の電極の電位は、この第１実施形態の例の場合一致するが、別々に設定されてもよい。第１実施形態のように、両電位を共通にする場合には、電源回路４００の構成を簡素化できるという利点が得られる。
【００３０】
画素５０は、データ電位供給線７０に接続される。このデータ電位供給線７０と、画像表示領域Ａ１又はＡ２内のデータ線２０との間には、サンプルホールドトランジスター７５（以下「ＳＨトランジスター７５」と略称することがある。）が備えられる。このＳＨトランジスター７５は、そのゲートが制御線に接続され、当該制御線に供給される選択信号Ｓの状態に応じて、データ線２０からみてデータ電位供給線７０に対し導通又は非導通状態となる。
なお、以上のデータ電位供給線７０及びＳＨトランジスター７５は、データ線駆動回路２０１及び２０２それぞれの一部を構成する。すぐ後から説明が始まる昇圧回路８０及び電圧設定回路９０も同様である。
【００３１】
昇圧回路８０は、図３に示すように、第１〜第９トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ９、第１〜第４容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ４を含む。
このうち第１〜第４トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ４の各々はいずれも、そのドレインが自身のゲートに接続される。つまり、ダイオード接続される。また、これら第１〜第４トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ４のうち、ある１つのトランジスターのソースは、その次の番号のトランジスターのドレインに接続される。ただし、第１及び第４トランジスターＴｒ１及びＴｒ４については別である。第４トランジスターＴｒ４は最後段であることから、それ以降に接続されるトランジスターをもたず、また、第１トランジスターＴｒ１のドレインは、図３に示すように第１０トランジスターＴｒＱのドレインに接続される。なお、この第１０トランジスターＴｒＱのゲートとソースとはダイオード接続され、このソースには参照電位Ｖｒｅｆが供給される。
【００３２】
第１〜第４容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ４それぞれの一方の電極は、前記第１〜第４トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ４それぞれのドレインに接続される。また、これら第１〜第４容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ４の他方の電極はいずれも、ＣＬＫ信号生成回路８１に接続されるが、第１及び第３容量素子Ｃｐ１及びＣｐ３は、第１クロック信号ＣＬＫＡの供給路となる第１信号線を介して、ＣＬＫ信号生成回路８１に接続される一方、第２及び第４容量素子Ｃ２及びＣ４は、第２クロック信号ＣＬＫＢの供給路となる第２信号線を介して、ＣＬＫ信号生成回路８１に接続される。ここでいう第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢは、後に参照する図７に示すように、互いに相補的な関係にあり、一方がハイレベルとなるときは他方はローレベルとなる。
【００３３】
一方、第５〜第９トランジスターＴｒ５〜Ｔｒ９はいずれもスイッチング素子として機能し、これら各々のゲートには階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４が供給される。この階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４は、前述した画像データＶＤ−Ｕ又はＶＤ−Ｌを構成する、あるいは、これに基づいて生成されるビットデータである。階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４は、この順番に次第に高位となる。
【００３４】
以上の構成により、昇圧回路８０は、階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４の状態に応じて、所定最大幅（例えば１．２５Ｖ）を限度とする昇圧後電圧ＣＰＯＵＴを出力する。この昇圧後電圧ＣＰＯＵＴは、後述する電圧設定回路９０に入力されるが、その際、第１実施形態においては、図３に示すように、容量素子ＣＣのカップリング作用が利用される。
図３では４段の昇圧回路となっているので、前記所定最大幅の昇圧後電圧ＣＰＯＵＴが出力されるとき、第１〜第４トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ４の全部が電荷の転送に関与するのを限度に、以下関与するトランジスターの数が減少するのに応じて、所望の電圧値をもつ昇圧後電圧ＣＰＯＵＴが出力されることになる。
なお、この昇圧回路８０の動作については、後にも改めて説明する。
【００３５】
電圧設定回路９０は、図４に示すように、第１１〜第１５トランジスターＴｒ１１〜Ｔｒ１５，第１６〜第２０トランジスターＴｒ１００〜Ｔｒ１０４を含む。
このうち例えば、第１１トランジスターＴｒ１１は、そのドレインが前述した昇圧回路８０の出力端に接続される。すなわち、このドレインには昇圧後電圧ＣＰＯＵＴ’が入力される。また、この第１１トランジスターＴｒ１１のゲートは、制御信号ＤＩＳ１０が供給される信号線に接続され、そのソースは、第１６トランジスターＴｒ１００及び第１５トランジスターＴｒ１５のそれぞれに接続される。
一方、第１６トランジスターＴｒ１００のソースは第１基準電位ＶＢ１が供給される信号線に接続され、そのゲートは階調データＳ０が供給される信号線に接続される。この階調データＳ０は、前述の階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４と同様、前記画像データＶＤ−Ｕ又はＶＤ−Ｌを構成する、あるいは、これに基づいて生成されるビットデータである。
【００３６】
残る、第１２トランジスターＴｒ１２以後の各トランジスター（第１６トランジスターＴｒ１００を除く。）に関する接続態様は、基本的に、前述した第１１及び第１６トランジスターＴｒ１１及びＴｒ１６と同様である。すなわち、第１２及び第１７トランジスターＴｒ１２及びＴｒ１０１、第１３及び第１８トランジスターＴｒ１３及びＴｒ１０２、第１４及び第１９トランジスターＴｒ１４及びＴｒ１０３、並びに、第１５及び第２０トランジスターＴｒ１５及びＴｒ１０４のそれぞれが、電圧設定回路９０の各段を構成する。また、当該各段にはそれぞれ、第２〜第５基準電位ＶＢ２〜ＶＢ５、制御信号ＰＲＥ１２〜ＰＲＥ１４及び階調データＳ１，…，Ｓ４が供給される。なお、階調データＳ０，Ｓ１，…，Ｓ４は、この順番に次第に低位となる。
【００３７】
ただし、上記各組に関しては、前記第１１及び第１６トランジスターＴｒ１１及びＴｒ１００からなる組の構成とは以下の点で相違がある。第１に、第１５トランジスターＴｒ１５のドレインは、昇圧回路８０の出力端に接続されるのではなく、図２を参照して説明したＳＨトランジスター７５に接続される。第２に、第１２〜第１５トランジスターＴｒ１２〜Ｔｒ１５のソースのそれぞれは、第１７〜第２０トランジスターＴｒ１０１〜Ｔｒ１０４に接続されるものの、第１１及び第１６トランジスターＴｒ１１及びＴｒ１００とは異なって、第２〜第５基準電位ＶＢ２〜ＶＢ５が供給される信号線に接続されることを介して、当該第１７〜第２０トランジスターＴｒ１０１〜Ｔｒ１０４に接続されるようになっている（以上、いずれも図４参照）。
なお、上述した第１〜第５基準電位ＶＢ１〜ＶＢ５は、それぞれ例えば、図４に示すように、０Ｖ，１．２５Ｖ，２．５Ｖ，３．７５Ｖ，５Ｖなどと設定される。
【００３８】
以上の構成により、電圧設定回路９０は、階調データＳ０，Ｓ１，…，Ｓ４の状態に応じて、第１〜第５基準電位ＶＢ１〜ＶＢ５のいずれか１つを基底の電位とし、かつ、そこに前記昇圧後電圧ＣＰＯＵＴ’が上乗せされた電位を出力する。
このように、昇圧回路８０及び電圧設定回路９０によれば、階調データＣ０，…，Ｃ４，Ｓ０，…，Ｓ４の各状態に応じて、最終的に、データ電位供給線７０に供給されるべきデータ電位ＤＡＴが生成されることになる。
【００３９】
次に、以上のような構成をもつ電気光学装置１Ａの動作ないし作用について、既に参照した図１乃至図４に加えて図５乃至図１０を参照しながら説明する。
まず、第１実施形態の電気光学装置１Ａの動作においては、制御回路３００への原画像データＯＶＤの入力に際し特徴がある。すなわち、第１実施形態では、制御回路３００に原画像データＯＶＤが入力されると、その原画像データＯＶＤは、不揮発メモリ３０１が記憶する補正データによる補正を受ける。この場合、補正データの内容としては、例えば以下のような例を挙げることができる。
【００４０】
〔Ｉ〕  補正データの内容は、図５に示すような、いわゆるγ補正された入出力特性に基づいて定められてよい。図５は、ブラウン管方式のディスプレイにおいて理想的な階調特性が得られるγ＝２．２の場合における入出力特性の関係を示したものである。第１実施形態の電気光学装置１Ａは液晶素子６０を備えることから、不揮発メモリ３０１が記憶すべき補正データが、図５そのままに基づくものであってよい保証はないが、考え方の基本は当然参考にすることが可能である。したがって、当該補正データの内容は、図５に基づいて定められて好適である。
【００４１】
〔ＩＩ〕  補正データの内容は、図６に示すような、液晶素子６０への印加電圧と透過率との関係に基づいて定められてもよい。なお、図６は、液晶素子６０がノーマリーブラックモードに基づいて駆動される場合を前提とするものである。
この図６に示すように、一般に、液晶素子６０は、それへの印加電圧に対してリニアな応答をするわけではない。印加電圧が極めて低い場合には、透過率の伸びは極めて鈍く、印加電圧が極めて高い場合には、透過率が増加するのではなくて減少する場合も生じる。辛うじて線形に近い応答をするといえるのは、印加電圧が中程度の場合においてである。
このような印加電圧と透過率との関係を前提に、仮に、前述した図５のような入出力特性の実現を図ろうとすれば、入力データ（即ち、原画像データＯＶＤ）から出力データ（即ち、データ電位ＤＡＴ）を求めるにあたって、例えば単純に等間隔刻みの電位差設定（即ち、隣接する２つのデータ電位ＤＡＴ間の間隔）を行うことによって当該出力データを求めることは許されない。各階調を指定する各データ電位ＤＡＴは、以上の事情を勘案した上で、より慎重な配慮に基づいて設定されていく必要がある。具体的には例えば、図６の印加電圧が極めて低い領域においては、それ以外の領域に比べて、よりきめ細かな刻みに基づく電位差設定を行う、などというようである。
以上のことから、不揮発メモリ３０１に記憶されるべき補正データの内容は、液晶素子６０への印加電圧と透過率との関係に基づいて定められてよく、また、より広く言えば、視認者の視感度特性等に基づいて定められてよい。
【００４２】
〔ＩＩＩ〕  補正データの内容は、電気光学装置１Ａを取り巻く環境、例えば周囲温度や室内明度等に基づいて定められてもよい。
〔ＩＶ〕  補正データの内容は、電気光学装置１Ａごとの特性の相違、あるいは単位回路Ｐ１を構成する液晶素子６０、選択トランジスター５１、あるいは保持容量５２等の各種回路素子の特性の相違等、物理的原因に基づく電気光学装置ごとの特性バラツキに基づいて定められてもよい。
以上の事項はいずれにしても、当該環境の相違に応じて、あるいは、当該特性バラツキに応じて、電気光学装置１Ａが表示する画像の質に影響を与える可能性が大きい。したがって、不揮発メモリ３０１が記憶すべき補正データの内容は、これらの相違があっても常に同質の画像が表示されるべく定められて好適である。
【００４３】
以上のほか、「補正データ」とは異なるが、不揮発メモリ３０１には、当該電気光学装置１Ａの製造上のシリアルナンバー等の管理情報等、各種の情報を記憶させておくことも可能である。
いずれにせよ、制御回路３００に入力される原画像データＯＶＤは、上述したような各種の補正データによって補正を受け、画像データＶＤ−Ｕ及びＶＤ−Ｌとなる。なお、この場合、画像データＶＤ−Ｕ及びＶＤ−Ｌ間の振り分けが必要となるが、この場合における振り分けは、その振り分けの対象となるデータが画像表示領域Ａ１及びＡ２のどちらに対応するものであるかに応じて行われる。
【００４４】
補正を受けた画像データＶＤ−Ｕ及びＶＤ−Ｌはそれぞれ、データ線駆動回路２０１及び２０２に供給される（図１参照）。以下、この画像データＶＤ−Ｕ及びＶＤ−Ｌに基づいて、実際に画素電極５３に印加すべき、あるいは、データ線２０に供給すべきデータ電位ＤＡＴが定められる。この際、前述した昇圧回路８０及び電圧設定回路９０が利用され、また、画像データＶＤ−Ｕ及びＶＤ−Ｌに含まれる、あるいは、これに基づいて生成される階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４，Ｓ０，Ｓ１，…，Ｓ４が利用される。
【００４５】
ここで、第１実施形態において特徴的であるのは、ＣＬＫ信号生成回路８１が昇圧回路８０に供給する第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢに対して、前記階調データ０，Ｃ１，…，Ｃ４に基づいた振幅変更処理、あるいは周波数変更処理が行われることである。
すなわち、通常状態として設定された第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢが、図７〔Ａ〕に示すようなものであるとすると、この第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢは、階調データ０，Ｃ１，…，Ｃ４の状態如何によって、例えば図７〔Ｂ〕に示すように、振幅幅が減少した第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢに変更され、あるいは、図７〔Ｃ〕に示すように、周波数が大きくなった第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢに変更される。もちろん、これら図７〔Ｂ〕及び〔Ｃ〕の逆の変化（即ち、振幅の増大、あるいは周波数の減少）もあり得る。
【００４６】
これによると、図３に示す第１〜第４容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ４の他方の電極に印加される電圧の態様が異なることになるから、第１〜第４トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ４のドレイン側のノードの電位も、前述したような第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢの態様変化に応じて、異なってくることになる。
すなわち、図３の昇圧回路８０は、階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４に基づいてその昇圧特性（あるいは、出力特性）を異ならせる。これによれば、より適切な電圧刻み間隔設定を伴った、好適なデータ電位ＤＡＴの生成が可能になる。第１実施形態では特に、前述のように、画像データＶＤ−Ｕ又はＶＤ−Ｌは、不揮発メモリ３０１内の補正データによって適当な補正を受けており、かつ、階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４は、そのような画像データＶＤ−Ｕ又はＶＤ−Ｌを構成し、あるいはそれに基づいて生成されるデータとなっているから、かかる階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４に基づく第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢの設定、即ち電圧刻み設定は極めて好適に行われることになる。
なお、階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４は原画像データＯＶＤに基づいて生成される以上、昇圧回路８０の昇圧特性の変更は、原画像データＯＶＤに基づいて行われている、と解することに何ら障害はない（〔特許請求の範囲〕の記載参照）。
【００４７】
以上のようにして、昇圧後電圧ＣＰＯＵＴは、よりきめ細やかな配慮がなされた上で設定される。そして、電圧設定回路９０は、この昇圧後電圧ＣＰＯＵＴに基づいて、最終的に、データ電位ＤＡＴを生成する。この際には、既述のように、階調データＳ０，Ｓ１，…，Ｓ４の状態に応じた第１〜第５基準電位ＶＢ１〜ＶＢ５の選定が行われて、第１１及び第１６トランジスターＴｒ１１及びＴｒ１６から第１５及び第２０トランジスターＴｒ１５及びＴｒ１０４までのいずれかの段を構成する各トランジスターの選択が行われ、かつ、そのように選定された第１〜第５基準電位ＶＢ１〜ＶＢ５のいずれか１つに、前記昇圧後電圧ＣＰＯＵＴが上乗せされた上で、データ電位ＤＡＴが生成されることになる。
なお、以上に述べた「データ電位ＤＡＴ」は、画像データＶＤが前述のように画像表示領域Ａ１及びＡ２（ないしはデータ線駆動回路２０１及び２０２）の別に応じて画像データＶＤ−Ｕ及びＶＤ−Ｌを含むものとなっていたのと同様に、これらそれぞれに対応するデータ電位ＤＡＴ−Ｕ及びＤＡＴ−Ｌを含む（図１参照）。
【００４８】
以上のように、データ線駆動回路２０１及び２０２の各々において生成されたデータ電位ＤＡＴ−Ｕ及びＤＡＴ−Ｌは、画像表示領域Ａ１及びＡ２それぞれに含まれるデータ線２０に供給される。電気光学装置１Ａの動作の基本は、図１に示すマトリクス状配列に従って並ぶ画素５０の各々に、それに固有のデータ電位ＤＡＴを保持させることにあるから、最終的には、そのような状態が実現されるべく、データ電位ＤＡＴ−Ｕ及びＤＡＴ−Ｌのデータ線２０への供給、即ち当該データ電位の画素５０への書込動作が行われる。
このような大前提の下、第１実施形態の電気光学装置１Ａでは、データ電位ＤＡＴ−Ｕ及びＤＡＴ−Ｌの生成と、そのように生成されたデータ電位ＤＡＴ−Ｕ及びＤＡＴ−Ｌのデータ線２０への供給との関係において、次に述べるような特徴がある。以下では、これを、図８等を参照しながら説明する。
【００４９】
図８においては、まず、画像表示領域Ａ１に含まれる第1行目の走査線１０にアクティブとなる走査信号ＹＵ１が供給される。ここで、走査信号ＹＵ１がアクティブとなるということは、第１実施形態においては選択トランジスター５１がｎ型であることから、図８に示すように、そのレベルがローレベルからハイレベルに遷移することを意味する。これにより、画像表示領域Ａ１に第1行目に属する画素５０内の選択トランジスター５１はオン状態となる（以上、図１及び図２も参照）。
なお、本明細書においては、図８や図１に示す、走査信号を表す符号ＹＵ１，ＹＵ２，…，ＹＬ１，ＹＬ２，…を総称するものとして符号「Ｙ」が用いられている（図２参照）。これと同じことは、図８に示す、選択信号を表す符号ＳＵ１，ＳＵ２，…と、「Ｓ」との関係においてもいえる。
【００５０】
他方、この選択トランジスター５１のオン状態と適当に同期して、選択信号ＳＵ１がアクティブになると、画像表示領域Ａ１に含まれるＳＨトランジスター７５がオン状態となる（図８参照。また、図２も参照）。この場合における、選択信号ＳＵ１がアクティブとなるという意味も、すぐ上に述べた走査信号ＹＵ１の場合と同様である。
なお、図８においては、説明を簡易化するため、図１に示すデータ線２０の１列ごとに、１回の機会において、１個のデータ電位ＤＡＴが順次に画像表示領域Ａ１又はＡ２へと供給される例が示されている。図中、符号ＳＵ１，ＳＵ２（特に、その中の“１”や“２”）というように、選択信号を表す符号に数字が付されているのは、この１個のデータ電位ＤＡＴ（ないし１本のデータ線２０）に対応するＳＨトランジスター７５を、それら１個１個の数字に代表させている意味がある。
【００５１】
以上の際、データ電位供給線７０には、適当なタイミングでデータ電位ＤＡＴ−Ｕ１が供給される。このデータ電位ＤＡＴ−Ｕ１は、ＳＨトランジスター７５及び選択トランジスター５１を介して、そのデータ電位ＤＡＴ−Ｕ１に対応する液晶素子６０に書き込まれる。以下、データ電位ＤＡＴ−Ｕ２，…以降も同様である。
そして、最後のデータ電位ＤＡＴ−ｍが書き込まれた後、走査信号ＹＵ１が非アクティブになると、選択トランジスター５１がオフ状態となり、書き込まれたデータ電位ＤＡＴ−Ｕ１，ＤＡＴ−Ｕ２，…，ＤＡＴ−Ｕｍが保持されることになる。実際の選択トランジスター５１は、完全なオフ状態にならず一定のリーク電流が発生するが、保持容量５２が、リーク電流の影響を低減してデータ電位ＤＡＴ−Ｕ１，ＤＡＴ−Ｕ２，…，ＤＡＴ−Ｕｍの保持特性を向上させる。
なお、上述において、走査信号ＹＵ１，ＹＵ２，…，ＹＵｎがアクティブとなるタイミングは、図８に示すようにＹクロック信号ＹＣＫに応じる。また、第１行目に係る走査信号ＹＵ１がアクティブとなる時点は、Ｙ転送開始パルスＹＳＰがアクティブとなるタイミングに呼応する。これらの事情は、選択信号Ｓについてもほぼ同様であり、選択信号ＳＵ１，ＳＵ２，…がアクティブとなるタイミングは、Ｘクロック信号ＸＣＫ−Ｕに応じ、また、第１番目に係る選択信号ＳＵ１がアクティブとなる時点は、Ｘ転送開始パルスＸＳＰ−Ｕがアクティブとなるタイミングに呼応する。
【００５２】
以上の動作によって、画像表示領域Ａ１に含まれる第１行目に位置する画素５０の各々が、それに固有のデータ電位ＤＡＴを保持することになる。
ところで、第１実施形態では、これと並行するように、画像表示領域Ａ２に含まれる第１行目に位置する画素５０の各々に対応するデータ電位ＤＡＴ−Ｌ１，ＤＡＴ−Ｌ２，…，ＤＡＴ−Ｌｍの生成工程を行うことが可能である。ここでいう生成工程とは、前述した昇圧回路８０等を利用するデータ電位ＤＡＴの生成のことである。
つまり、第１実施形態によれば、画像表示領域Ａが、２つの画像表示領域Ａ１及びＡ２に区分され、それら各々に対応する２つのデータ線駆動回路２０１及び２０２をもつことにより、一方の画像表示領域Ａ１又はＡ２に含まれる画素５０についてのデータ電位書込動作を実行している最中は、他方の画像表示領域Ａ２又はＡ１に含まれる画素５０についてのデータ電位の生成工程を行うことが可能となっているのである。
【００５３】
第１実施形態においては、このようにデータ電位ＤＡＴ−Ｌ１，ＤＡＴ−Ｌ２，…，ＤＡＴ−Ｌｍを生成するための時間が十分に確保されながら、前述した画像表示領域Ａ１に含まれる第１行目に位置する画素５０の各々についてのデータ電位書込動作が完了すると、続いて、画像表示領域Ａ２に含まれるそれについてのデータ電位書込動作が開始される。すなわち、図８に示すように、走査信号ＹＬ１がアクティブとなるのに応じて、各データ線２０に対応するＳＨトランジスター７５が順次、導通状態に遷移していくとともに、当該各データ線２０にデータ電位ＤＡＴ−Ｌ１，ＤＡＴ−Ｌ２，…，ＤＡＴ−Ｌｍが供給されていく。この動作の様子は、前述した画像表示領域Ａ１に含まれる画素５０へのデータ電位書込動作と何ら変わりはない（図８参照）。
【００５４】
後は、以上の繰り返しである。すなわち、上記に続き、画像表示領域Ａ１に含まれる第２行目に属する画素５０、次に画像表示領域Ａ２に含まれる第２行目に属する画素５０、更に続いて、画像表示領域Ａ１に含まれる第３行目に属する画素５０……、の各々についてデータ電位書込動作が行われていく。
このようにして、全画素５０はそれぞれ、それに固有のデータ電位ＤＡＴを保持する。なお、図８中、「１Ｈ」とあるのは、１行分の画素５０にデータ電位ＤＡＴが書き込まれるまでの期間（一水平走査期間）を意味し、「１Ｖ」とあるのは、全画素５０にデータ電位ＤＡＴが書き込まれるまでの期間（一垂直走査期間）を意味する。後者は特に、後の説明において、１フレームないしは１フレーム期間などと呼ぶことがある。
【００５５】
以上に述べたような各画素５０へのデータ電位ＤＡＴの書込は、例えば図９及び図１０に示すように表現可能である。このうち図９は、共通電位ＶＣＯＭを中心電位とした場合におけるプラス側のデータ電位ＤＡＴが描く曲線の一例を示しているが、この図９では、より階調の低い部分において、より小刻みな間隔でデータ電位ＤＡＴが設定され、より階調の高い部分においては、より大きな刻み間隔でデータ電位ＤＡＴが設定される例が示されている。このようなデータ電位ＤＡＴの設定が行われるのは、既に述べたように、昇圧回路８０及び電圧設定回路９０、あるいは不揮発メモリ３０１による補正、の作用によるところが大きい。
こうして最終的には、仮に１個の画素５０だけに着目すれば、図１０に示すように、当該画素５０について、各フレーム期間に関し順次に、適当なデータ電位ＤＡＴが書き込まれていくことになる。この図１０では、ＶＣＯＭ≧ＤＡＴとなる場合と、ＤＡＴ≦ＶＣＯＭとなる場合があり、いわゆる極性反転駆動が行われる例が示されているが、いずれの場合であっても、両者間の電位差が液晶素子６０に印加されることになる（図６中の太線矢印参照）。そして、これら両電位の差の程度（即ち、図６中の太線矢印の長さ）が、液晶素子６０を透過する光の割合、即ち階調の程度を決定する。
【００５６】
ちなみに、図９の下方においては、デジタル駆動方式のデータ電位生成方法も参考までに併せ示しておいた。デジタル駆動方式は、同図下方に示すように、電圧の振幅ではなくて、液晶素子６０への印加電圧が所定値以上となる場合を１、そうでない場合を０などとするとともに、その１及び０それぞれの個数を１フレーム期間内で調整することによって、当該１フレーム期間における階調を決定する駆動方式である。このようなデジタル駆動方式と、第１実施形態に係る駆動方法とを比較すると、前者の方が、前述したようなきめ細やかなデータ電位ＤＡＴの設定といった手順を踏む必要がない点、より有利だといえなくもないが、その反面、同図下方に示すように、きわめて高速のデータ電位書込動作（図９では、都合１２回）が必要となり、そのための高速駆動可能な（したがってより高価な）インターフェイス回路が必要となってくるという不都合もある。こういう事情を重視すれば、第１実施形態の電気光学装置１Ａの方が、より優位に立つということが確実にいえる。
【００５７】
以上に述べたような第１実施形態に係る電気光学装置１Ａによれば、次のような効果が奏される。
（１）  まず、第１実施形態の電気光学装置１Ａによれば、原画像データＯＶＤが、不揮発メモリ３０１に記憶された補正データによって補正を受けることから、所望の表示特性をもつ画像を構成する画像データＶＤを好適に構成することができる。この点は、〔発明が解決しようとする課題〕の欄で述べたような、オペアンプ回路の特性に依存したアナログ電圧（即ち、第１実施形態中の用語で言えば「データ電位ＤＡＴ」）しか出力できない構成とは異なる、第１実施形態の優位点である。
【００５８】
（２）  また、第１実施形態の電気光学装置１Ａによれば、図３及び図７等を参照して説明したように、昇圧回路８０とそれを駆動するための第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢとによって、前述のような好適な補正を受けた画像データＶＤに基づき、よりきめ細やかな配慮がなされた出力電圧の生成、即ちデータ電位ＤＡＴの生成が行われる（図９参照）。各階調を指定する各データ電位ＤＡＴが等間隔刻みで設定されると、図６に示した、液晶素子への印加電圧と透過率との関係からもわかるように、明らかに好適な画像表示を行うことは不可能であるが、第１実施形態では、そのような不具合が生じる可能性は極めて低いのである。
【００５９】
（３）  さらに、第１実施形態の電気光学装置１Ａによれば、図１及び図８等を参照して説明したように、画像表示領域Ａが２つの画像表示領域Ａ１及びＡ２を含み、かつ、これら各々に対応するように２つのデータ線駆動回路２０１及び２０２が存在することから、既に述べたように、これらのうちの一方に関するデータ電位書込動作と、他方に関するデータ電位生成動作とを並行して行うことができる。
このことはつまり、より高速なデータ電位書込動作を可能とする。というのも、従来においては、データ電位を生成した後それを書き込み、それに続いて再び、データ電位を生成した後それを書き込む、といったようないわばシーケンシャルな流れに基づくデータ電位書込動作が行われていたところ、このような態様では、データ電位の生成過程が場合によっては全体の動作速度についてのいわば律速過程となりかねない。実際、より高い電圧を出力するためにより多くのクロック数を要求する昇圧回路においては、出力電圧生成までに時間がかかることは、すでに〔発明が解決しようとする課題〕の欄で述べたとおりである。
この点、第１実施形態では、データ電位生成動作とデータ電位書込動作とが並行して行われることから、いま述べたような不都合が生じる余地はほとんどない。そして、そのことは同時に、前述したような従来の態様との相対的関係においては、データ電位書込動作の高速化を実現するのである。
【００６０】
ちなみに、第１実施形態においては、画像表示領域Ａ１及びＡ２のそれぞれに含まれる画素５０が、交互に、データ電位書込の対象となるようになっているから（図８参照。走査信号ＹＵ１→ＹＬ１→ＹＵ２→ＹＬ２→…という順番で、順次アクティブとなる）、第１実施形態に係るＤＡ変換回路（昇圧回路８０及び電圧設定回路９０がそれに該当する。）が連続的に動作する必要はなく、また、同じデータ線２０が連続的に駆動状態に置かれるということもない。このことも、第１実施形態に係る電気光学装置１Ａを高速駆動することに大きく貢献する。
加えて、図７を参照して説明したように、第１実施形態においては、第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢの態様変化によって昇圧回路８０の昇圧特性の変更を行っているため、最終的な昇圧後電圧ＣＰＯＵＴが出力されるまでの時間は、当該昇圧後電圧ＣＰＯＵＴが低電圧であっても高電圧であっても、基本的には変わらない、あるいは変える必要がない。この点、前述した高電圧出力のためにクロック数が増大する構成例とは異なる。そして、このことは、昇圧過程が律速過程とはならないことを意味するから、この点も、第１実施形態に係る電気光学装置１Ａを高速駆動することに大きく貢献する。
【００６１】
＜第２実施形態＞
以下では、本発明に係る第２実施形態について図１１を参照しながら説明する。なお、この第２実施形態は、画像表示領域Ａ内の構成、特に各画素５０とデータ線との結線態様について特徴があり、それ以外の点については、上記第１実施形態の構成及び動作ないし作用等と同様である。したがって、以下では、前記相違点について主に説明を行うこととし、それ以外の点についての説明は適宜簡略化し、あるいは省略する。
【００６２】
この第２実施形態では、図１１に示すように、奇数行目に位置する画素５０は、データ線駆動回路２０２に接続されたデータ線２０Ｌと接続され、偶数行目に位置する画素５０は、データ線駆動回路２０１に接続されたデータ線２０Ｕと接続される。図中、「Ｙａ」及び「Ｙｂ」における添え字ａ及びｂはそれぞれ、ａ＝２ｋ−１，ｂ＝２ｋ（ｋは２以上の適当な自然数）を意味する。
なお、第２実施形態では、これに応じて、画像データＶＤ−Ｕ及びＶＤ−Ｌの意義が第１実施形態に比べて若干異なる。すなわち、第１実施形態においては、画像データＶＤ−Ｕ及びＶＤ−Ｌ間の振り分けは、振り分けの対象となるデータ（即ち、補正後の原画像データＯＶＤ）が画像表示領域Ａ１及びＡ２のどちらに対応するものであるかに応じて行われていたが、第２実施形態では、当該データが、奇数行目に位置する画素５０に対応するのか、あるいは、奇数行目に位置する画素５０に対応するのかに応じて行われることになる。
また、同様に、第２実施形態においては、走査線１０の数が２ｎ本ではなく、ｎ本であり、特に、このｎは偶数である。
【００６３】
このような第２実施形態の電気光学装置１Ｂにおいては例えば以下のような動作が行われる。
すなわち、第１に、第１行目に位置する画素５０用のデータ電位ＤＡＴ−Ｌ１，ＤＡＴ−Ｌ２，…，ＤＡＴ−Ｌｍの生成がデータ線駆動回路２０２において行われ、その後、これが当該画素５０に書き込まれていく。第２に、このデータ電位ＤＡＴ−Ｌ１，…，ＤＡＴ−Ｌｍの書込動作に並行して、第２行目に位置する画素５０用のデータ電位ＤＡＴ−Ｕ１，ＤＡＴ−Ｕ２，…，ＤＡＴ−Ｕｍの生成がデータ線駆動回路２０１において行われる。第３に、このデータ電位ＤＡＴ−Ｕ１，…，ＤＡＴ−Ｕｍの第２行目に位置する画素５０への書込動作が行われるとともに、これと並行して、第３行目に位置する画素５０用のデータ電位ＤＡＴ−Ｌ１，ＤＡＴ−Ｌ２，…，ＤＡＴ−Ｌｍの生成がデータ線駆動回路２０２において行われる。
以下同様である。ちなみに、以上の場合において、各データ電位ＤＡＴの生成にあたって、不揮発メモリ３０１に記憶された補正データによる原画像データＯＶＤの補正、及び、階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４に基づいた昇圧回路８０の昇圧特性の変更が、第１実施形態と同様に行われる。
【００６４】
このようなことから、第２実施形態の電気光学装置１Ｂによっても、第１実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏されることは明白である。
また、この第２実施形態によれば、走査線１０の選択が、従来と同様、図１１中上から番号どおりの順番で行っていけばよく、第１実施形態に比べればより簡易ということができる。したがって、その意味においては、第１実施形態に比べて、データ電位書込動作をより簡易化することができるという効果も奏される。
【００６５】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る電気光学装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１）  上記第１実施形態においては、図８を参照して画像表示領域Ａ１及びＡ２のそれぞれに対応する走査線１０が交互に選択されていく場合を説明しているが、本発明はかかる形態に限定されない。
例えば、上記第１実施形態においては、画像表示領域Ａ１及びＡ２のそれぞれに含まれる第１行目の走査線１０が同時に選択されてもよい（つまり、図１又は図８において、走査信号ＹＵ１及びＹＤ１がともにアクティブとなってもよい。）。このような場合であっても、従来にあっては、１行１行の走査線ごとにデータ電位生成及び書込を行わなければならかったことと対比すると、２行分の画素５０への書込を同時に行うことができるのだから、データ電位生成のための時間は、上記第１実施形態と同様に確保可能である。したがって、このような態様であっても、結果的に、電気光学装置１Ａの高速駆動を行うことが可能である。
【００６６】
（２）  上記各実施形態においては、昇圧回路８０の昇圧特性を変更するのに、第１〜第４容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ４に印加される第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢを、階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４に基づいて変調する方法について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、第１に、第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢを変更するのではなくて、階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４に基づいて第１〜第４容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ４の大きさ、即ち容量値それ自体を変更するような態様とされてもよい。
また、第２に、階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４に基づくのではなくて、第１及び第２クロック信号ＣＬＫＡ及びＣＬＫＢの態様、あるいは、第１〜第４容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ４の大きさの変更の程度が、不揮発メモリ３０１に予め記憶された変更データに基づいて行われる態様とされてもよい。上記各実施形態では、図式的に言えば、不揮発メモリ３０１の補正データ→階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４の生成→昇圧特性の変更、という１本の流れに従って、昇圧回路８０の特性が決定されるようになっていたが、いま述べた態様では、不揮発メモリ３０１の補正データ→階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４の生成という流れとともに、これとは独立して、不揮発メモリ３０１の補正データ→昇圧回路８０の昇圧特性の変更、という流れを観念することが可能である。いずれにしても、表示特性上好適な階調データＣ０，Ｃ１，…，Ｃ４が得られ、あるいは、昇圧特性が得られるという点では、両者間に本質的な相違がないことはいま述べた事情から明らかである。
本発明は、以上に述べたような各種態様によって、昇圧回路８０の昇圧特性を変更する態様を含む。
【００６７】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る電気光学装置１Ａ，１Ｂを適用した電子機器について説明する。
図１２は、上記実施形態に係る電気光学装置１Ａ，１Ｂを画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１Ａ，１Ｂと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
図１３に、上記実施形態に係る電気光学装置１Ａ，１Ｂを適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１Ａ，１Ｂを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１Ａ，１Ｂに表示される画面がスクロールされる。
図１４に、上記実施形態に係る電気光学装置１Ａ，１Ｂを適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal−Ｌigital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１Ａ，１Ｂを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１Ａ，１Ｂに表示される。
【００６８】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図１２から図１４に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００６９】
１Ａ，１Ｂ……電気光学装置，Ａ，Ａ１，Ａ２……画像表示領域，１００……走査線駆動回路，２０１，２０２……データ線駆動回路，３００……制御回路，３０１……不揮発メモリ、１０……走査線，２０，２０Ｕ，２０Ｌ……データ線，３０……容量線，５０……画素，Ｐ１……画素回路，５１……選択トランジスター，５２……保持容量，５３……画素電極，５４……対向電極，６０……液晶素子，ＬＣ……液晶，７０……データ電位供給線，７５……サンプルホールドトランジスター，８０……昇圧回路、９０……電圧設定回路、ＶＣＯＭ……共通電位，ＤＡＴ……データ電位，Ｙ……走査信号，Ｓ……選択信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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