(57)【要約】【課題】１画素内に複数の電子放出部を有する電子放出素子において、画素内での電子ビームの軌道の均一化を図る。【解決手段】ゲート４とカソード６とが対向して構成される電子放出部１２をＸ方向に複数有する画像表示装置において、Ｘ方向端部に位置する電子放出部１２の外側に電子ビーム制御電極１３ａ、１３ｂをそれぞれ配置し、電子放出部１２との間にゲート４が配置された電子ビーム制御電極１３ａはカソード６に、電子放出部１２との間にカソード６が配置された電子ビーム制御電極１３ｂはゲート４に、それぞれ接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、該基板上に配置されたゲート及びカソードとを有し、該カソードのゲートと対向する部位を電子放出部とする電子放出素子を複数有するリアプレートと、
第二の基板と、前記リアプレートの電子放出素子に対向して配置され、前記電子放出素子から放出された電子を加速するアノードと、該電子の照射によって発光する発光部材を備えたフェースプレートと、を有し、
前記複数の電子放出素子の各々は、前記第一の基板の表面に平行な１方向において複数の電子放出部を有し、該１方向に隣り合う電子放出部間には、ゲートとカソードとがその配列方向が等しくなるように併設しており、前記各々の電子放出素子の前記１方向の最外部の少なくとも一方に位置する電子放出部の外側に電子ビーム制御電極を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記電子ビーム制御電極がカソードに接続されており、前記最外部に位置する電子放出部と該電子ビーム制御電極との間にゲートが位置している請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記１方向におけるカソードの幅Ｃと、前記電子ビーム制御電極の幅Ｗ１とが、Ｗ１≧Ｃの関係を満たす請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記電子ビーム制御電極がゲートに接続されており、前記最外部に位置する電子放出部と該電子ビーム制御電極との間にカソードが位置している請求項１乃至３のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記１方向におけるゲートの幅Ｄと、前記電子ビーム制御電極の幅Ｗ２とが、Ｗ２≧Ｄの関係を満たす請求項４に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイに用いられる、電子放出素子を備えた画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、カソードとゲートとを近接して対向配置し、該カソードとゲートとの対向部を電子放出部とする電子放出素子が知られている。そして、係る電子放出素子から放出される電子の放出方向の延長に放出された電子を加速するアノードを配置し、さらにアノードの後方に発光部材を配置して、電子をアノードに衝突させて発光部材を発光させる画像表示が構成される。特許文献１には、簡易な構成で電子放出効率の高い電子放出素子とこれを備えた画像表示装置が開示されている。係る電子放出素子は、基板上の絶縁面に凹部を設けて、その凹部を挟んでカソードとゲートとを形成することで、カソードから電子放出を可能とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１６７６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
画像表示装置における近年の高輝度、高画質化に対応するため、１画素内に複数の電子放出部を有する電子放出素子を用いて表示装置を構成することが提案されている。具体的には、例えば、ゲート及びカソードをそれぞれ櫛歯状に形成し、櫛歯がかみ合うようにゲートとカソードを配置することで、ゲートとカソードとの対向部位、即ち電子放出部を櫛歯に直交する方向に複数個設けることができる。このように、１画素内に複数の電子放出部を有する素子を構成した場合、中央部と端部とでは電極の配置関係が異なるため電界形状が異なってしまう。そのため、放出された電子ビームの軌道が中央部と端部とでは異なり、１画素内でビーム強度がいびつになり表示画像に影響を及ぼす場合があった。特に、ゲートとカソードとが順に配列する方向において、この影響が顕著になることが判明した。中でも、低電位のカソードから高電位のゲートに向かう方向における末端部分で電子放出部から放出される電子ビームは、中央部の電子放出部から放出された電子ビームとは全く軌道が異なり、この方向での輝度分布が表示画像に悪影響を与えることがわかった。
【０００５】
本発明の課題は、このような問題を解決し、１画素内に複数の電子放出部を有する電子放出素子において、画素内での電子ビームの軌道の均一化を図り、表示品質に優れた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第一の基板と、該基板上に配置されたゲート及びカソードとを有し、該カソードのゲートと対向する部位を電子放出部とする電子放出素子を複数有するリアプレートと、
第二の基板と、前記リアプレートの電子放出素子に対向して配置され、前記電子放出素子から放出された電子を加速するアノードと、該電子の照射によって発光する発光部材を備えたフェースプレートと、を有し、
前記複数の電子放出素子の各々は、前記第一の基板の表面に平行な１方向において複数の電子放出部を有し、該１方向に隣り合う電子放出部間には、ゲートとカソードとがその配列方向が等しくなるように併設しており、前記各々の電子放出素子の前記１方向の最外部の少なくとも一方に位置する電子放出部の外側に電子ビーム制御電極を有することを特徴とする画像表示装置である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明においては、１方向に複数の電子放出部が配列し、隣接する電子放出部間でのゲートとカソードの配列方向が等しい構成において、末端の電子放出部の外側に電子ビーム制御電極を配置したことにより、電子ビームの軌道の均一化を図ることができる。よって、本発明の画像表示装置においては、１画素内における輝度分布が均一で、優れた表示画像を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の画像表示装置の一実施形態の１画素の構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明に係る電子放出素子の電子ビームの軌道を示す図である。
【図３】本発明の画像表示装置の構成を模式的に示す図である。
【図４】本発明に係る電子ビーム制御電極の作用の説明図である。
【図５】本発明の実施例における電子放出素子の製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１の実施形態＞
（画像表示装置の構成）
本発明の画像表示装置の構成について、図３を用いて説明する。図３は、本発明の画像表示装置の表示パネルの一例の構成を模式的に示す斜視図であり、その内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。図中、１は基板、３２は走査配線、３３は変調配線、３４は電子放出素子である。４１は基板（第一の基板）１を固定したリアプレート、４６はガラス基板（第二の基板）４３の内面に発光部材としての蛍光体４４とアノードとしてのメタルバック４５等が形成されたフェースプレートである。４２は支持枠であり、この支持枠４２にリアプレート４１、フェースプレート４６がフリットガラス等を介して取り付けられ、外囲器４７を構成している。ここで、リアプレート４１は主に基板１の強度を補強する目的で設けられるため、基板１自体で十分な強度を持つ場合には、別体のリアプレート４１は不要である。また、フェースプレート４６とリアプレート４１との間に、スペーサーと呼ばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度を持たせた構成とすることもできる。
【００１０】
ｍ本の走査配線３２は、端子Ｄｘ１，Ｄｘ２，…Ｄｘｍと接続されている。ｎ本の変調配線３３は、端子Ｄｙ１，Ｄｙ２，…Ｄｙｎと接続されている（ｍ，ｎは、共に正の整数）。これらｍ本の走査配線３２とｎ本の変調配線３３との間には、不図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している。高圧端子はメタルバック４５に接続され、例えば１０［ｋＶ］の直流電圧が供給される。これは電子放出素子から放出される電子に蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。
【００１１】
本発明に係るリアプレートにおいては、走査配線３２と変調配線３３とによりマトリクス状に接続された電子放出素子３４を複数有している。走査配線３２には、Ｘ方向に配列した電子放出素子３４の行を選択するための走査信号を印加する走査回路（不図示）が接続される。一方、変調配線３３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子３４の各列を入力信号に応じて変調するための、変調回路（不図示）が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、電子放出素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。駆動電圧としては、１０Ｖ乃至１００Ｖの範囲が好ましく、１０Ｖ乃至３０Ｖの範囲がより好ましい。
【００１２】
（電子放出素子の構成）
図１は、本発明の画像表示装置のリアプレートに配置した１画素の電子放出素子の構成を模式的に示す図である。図１（ａ）はその平面模式図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面模式図、（ｃ）は（ｂ）の１電子放出部を構成するカソードとゲートの組み合わせ構造を示す断面模式図である。図中、２ａ、２ｂは絶縁層、４はゲート、５はゲートの突出部、６はカソード、１２は電子放出部、１３ａ、１３ｂは電子ビーム制御電極であり、図３と同じ部材には同じ符号を付した。
【００１３】
本発明にかかる電子放出素子は基板上に配置されたゲート４及びカソード６からなる。本例において、カソード６は走査配線３２に接続され、カソード電位が印加される。また、ゲート４は変調配線３３に接続され、ゲート電位が印加される。本例ではカソード６，ゲート４のいずれもが櫛歯状に形成され、Ｘ方向において該櫛歯が互い違いに位置するようにカソード６とゲート４とが配置されている。また、カソード６の櫛歯の１本１本にはそれぞれ、ゲート４に対向する部位が突出するように形成されている。本例では係る部位は４箇所であるが、本発明はこれに限定されるものではない。また、ゲート４は、カソード６のゲート４に対向するために突出した部位に対応するように、突出部５を設けている。尚、突出部５は実質的にゲート４の一部である。本発明においては、ゲート４の突出部５と、カソード６の突出した部位とが互いに対向して電子放出部１２を形成している。
【００１４】
図１に示すように、本発明においては、１画素内において、ゲート４とカソード６とが互いに対向して構成される電子放出部１２が、基板表面に平行な１方向（本例ではＸ方向）において複数個併設されている。係る併設構成においては、図１に示すように、Ｘ方向において、隣接する電子放出部間に位置するゲート４とカソード６の配列方向が全て等しい。
【００１５】
本発明は、上記の構成において、該Ｘ方向の最外部の少なくとも一方に位置する電子放出部１２の外側に電子ビーム電極を配置したことにある。本例においては、Ｘ方向において右端の電子放出部１２の外側に電子ビーム制御電極１３ａが、左端の電子放出部１２の外側に電子ビーム制御電極１３ｂがそれぞれ配置されている。
【００１６】
係る電子ビーム制御電極１３ａ，１３ｂの作用について図２，図４を用いて説明する。
【００１７】
図２は、図１に示した電子放出部１２から放出された電子がアノード７に達するまでの軌道を示す図である。電子放出部１２から放出された電子は、ゲート４によりＸ方向（本例の「偏向方向」に相当）に偏向される。また、電子放出部１２から放出された電子は、周囲の電界の影響を受け、図の点線で示したように発散しながらアノード７に達する。
【００１８】
図４（１ａ）は電子ビーム制御電極１３ａ、１３ｂが存在しない以外は図１と同じ画素構成を示す平面模式図である。この場合、最も外側に位置する電子放出部１２においては、隣接する電子放出部１２がＸ方向の一方にしかなく、よって、中央部とは周辺の電極配列が異なるため、周辺の電界の周期性が（１ｂ）に示すように崩れてしまう。尚、図中の１３は等電位線である。このため電子放出部から放出された電子の偏向方向に対するビームプロファイル（Ｘ方向における放出電流分布）は（１ｃ）のようになる。従って、この場合は電子放出素子から放出された電子の発散を抑制することができない。
【００１９】
図４（２ａ）は、紙面右端の電子放出部１２の外側にのみ電子ビーム制御電極１３ａを配置した画素構成を示す平面模式図である。この場合、制御電極１３ａを配置していない側（紙面左側）でのみ電子放出部１２の周辺の電界の周期性が（２ｂ）に示すように崩れ、このため電子放出部１２から放出された電子の偏向方向に対するビームプロファイルは（２ｃ）のようになる。従って、（１ａ）の構成に比べ改善されている。
【００２０】
図４（３ａ）は、電子ビーム制御電極１３ａ，１３ｂをＸ方向の両端に配置した構成を示す平面模式図であり、図１（ａ）の構成に相当する。この構成では、Ｘ方向中央部における電界の周期性が（３ｂ）に示されるように両端の電子放出部１２まで保たれ、各電子放出部１２から放出された電子の軌道は均一になる。よって、偏向方向に対するビームプロファイルは（３ｃ）に示すようになり、電子放出部１２から放出された電子の発散を十分に抑制することができる。
【００２１】
尚、本発明において電子ビーム制御電極１３ａのＸ方向の幅Ｗ１、１３ｂの幅Ｗ２による効果を十分に発揮させるためには、カソード６の幅Ｃ、ゲート４の幅Ｄとの間でＷ１≧Ｃ、Ｗ２≧Ｄの関係を満たすことが好ましい。
【００２２】
尚、本例においては、ゲート４の外側に配置した電子ビーム制御電極１３ａをカソード６に接続してカソード電位とし、カソード６の外側に配置した電子ビーム制御電極１３ｂをゲート４に接続してゲート電位としている。係る構成は電子ビーム制御電極１３ａ、１３ｂの電位を制御する上で好ましい構成ではあるが、本発明はこれに限定されない。本発明においては、中央部の電界の周期性が最も外側の電子放出部１２の周辺まで保たれて、電子の軌道が均一になれば良く、係る効果が得られる範囲で制御電極１３ａ、１３ｂの電位は別途制御しても構わない。
【００２３】
（電子放出素子の製造方法）
次に、本発明に係る電子放出素子の製造方法について、図１の構成を例に挙げ、図５を用いて説明する。
【００２４】
基板１は素子を機械的に支えるための絶縁性基板である。例えば、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、シリコン基板などを用いることができる。基板１に必要な機能としては、機械的強度が高いだけでなく、ドライエッチング、ウェットエッチング、現像液等のアルカリや酸に対して耐性を有することである。また、ディスプレイパネルのような一体ものとして用いる場合は成膜材料や他の積層部材と熱膨張差が小さいものが望ましい。また熱処理に伴いガラス内部からのアルカリ元素等が拡散しづらい材料が望ましい。
【００２５】
図５（ａ）に示すように、基板１上に絶縁層５１、５２、導電層５３を順次積層する。絶縁層５１は加工性に優れる材料からなる絶縁性の膜であり、例えばＳｉＮ（ＳｉxＮy）やＳｉＯ2であり、その作製方法はスパッタ法等の一般的な真空成膜法、ＣＶＤ法、真空蒸着法で形成される。次に、絶縁層５１の上に絶縁層５２をスパッタ法等の一般的な真空成膜法、ＣＶＤ法、真空蒸着法で形成する。絶縁層５１，５２の厚さとしては、それぞれ５ｎｍ乃至５０μｍの範囲で設定され、好ましくは５０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で選択される。絶縁層５１と絶縁層５２とは、エッチングの際に異なるエッチングスピードを持つような材料を選択することが好ましい。望ましくは絶縁層５１と絶縁層５２との間には選択比として１０以上が望ましく、できれば５０以上とれることが望ましい。具体的には、例えば、絶縁層５１にはＳｉxＮyを用い、絶縁層５２にはＳｉＯ2等の絶縁性材料を用いる、或いはリン濃度の高いＰＳＧ、ホウ素濃度の高いＢＳＧ膜等を用いることができる。
【００２６】
また、導電層５３は図１のゲート４となるものであり、蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術により形成される。導電層５３としては、導電性に加えて高い熱伝導率があり、融点が高い材料が望ましい。例えば、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属または合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物が挙げられる。また、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ、ＴａＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、有機高分子材料も挙げられる。さらに、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等も挙げられ、これらの中から適宜選択される。また、導電層５３の厚さとしては、５ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で設定され、好ましくは５０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で選択される。
【００２７】
次に、図５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術により導電層５３上にレジストパターンを形成した後、エッチング手法を用いて導電層５３、絶縁層５２、絶縁層５１を順次加工する。これにより、ゲート４と、絶縁層２ｂ、絶縁層２ａ、及び電子ビーム制御電極１３ｂが得られる。このようなエッチング加工では一般的にエッチングガスをプラズマ化して材料に照射することで材料の精密なエッチング加工が可能なＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）が用いられる。この時の加工ガスとしては、加工する対象部材がフッ化物を作る場合はＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6のフッ素系ガスが選ばれる。またＳｉやＡｌのように塩化物を形成する場合はＣｌ2、ＢＣｌ3などの塩素系ガスが選ばれる。またレジストとの選択比を取るため、エッチング面の平滑性の確保或いはエッチングスピードを上げるために水素や酸素、アルゴンガスなどが随時添加される。このエッチング加工は、基板１の上面まで停止しても良いし、基板１の一部がエッチングされても良い。
【００２８】
尚、Ｘ方向に配置されるゲート４の配置数ｎ、各ゲート４のＸ方向の長さＤ、隣接素子との間隔Ｓは、適宜変更することが可能である。Ｄは５μｍから５０μｍの範囲が好ましい。また、前記したようにＷ２≧Ｄとするのが好ましい。
【００２９】
次に、図５（ｃ）に示すように、エッチング手法を用いて、絶縁層２ａ、２ｂ、ゲート４からなる積層体の一側面において絶縁層２ｂの側面のみを一部除去し、凹部８を形成する。エッチングの手法は例えば絶縁層２ｂがＳｉＯ2からなる材料であれば通称バッファーフッ酸（ＢＨＦ）と呼ばれるフッ化アンモニウムとフッ酸との混合溶液を用いることができる。また、絶縁層２ｂがＳｉxＮyからなる材料であれば熱リン酸系エッチング液でエッチングすることが可能である。凹部８の深さ、即ち凹部８における絶縁層２ｂの側面と絶縁層２ａの側面との距離は、３０ｎｍ乃至２００ｎｍ程度で形成することが好ましい。
【００３０】
尚、本例では、絶縁層２ａと絶縁層２ｂを積層した形態を示したが、本発明ではこれに限定されるものではなく、一層の絶縁層の一部を除去することで凹部８を形成してもかまわない。
【００３１】
次に、図５（ｄ）に示すように、導電性材料を基板１上及び絶縁部材２ａの側面に付着させる。この時、導電性材料がゲート４上にも付着する。また、これにより、突出部５、カソード６、及び電子ビーム制御電極１３ａが得られる。導電性材料としては導電性があり、電界放出する材料であればよく、一般的には２０００℃以上の高融点、５ｅＶ以下の仕事関数材料であり、酸化物等の化学反応層の形成しづらい、或いは簡易に反応層を除去可能な材料が好ましい。このような材料として例えば、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属または合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物が挙げられる。また、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ、ＴａＮ等の窒化物、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等が挙げられる。導電性材料の堆積方法としては蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術が用いられ、ＥＢ蒸着が好ましく用いられる。
【００３２】
また、カソード６のＸ方向の長さＣは、適宜変更することが可能である。Ｄは５μｍから５０μｍの範囲が好ましい。また、前記したように、Ｗ１≧Ｃとするのが好ましい。
【００３３】
また、本発明に適用することができる電子放出素子の構造は、ここで説明した形態に限定されるものではない。複数の電子放出部から放出された電子を、同じ方向に偏向する複数のゲートを備える、非対称電子放出となる電子放出素子であるならば、本発明に応用することができる。電子放出部の構成としては、スピント型などの横型の電界放出型素子、ＭＩＭ型素子、表面伝導型素子などの任意の構成を採用することが可能である。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
図１に示した構成の電子放出素子を図５の工程に従って作製した。以下に各工程を説明する。
【００３５】
〈工程１〉
基板１に青板ガラスを用い、十分洗浄を行った後、スパッタ法により絶縁層５１として厚さ３００ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜を堆積し、次に、スパッタ法により絶縁層５２として厚さ２０ｎｍのＳｉＯ2を堆積した。その後、導電層５３として３０ｎｍのＴａＮを堆積した〔図５（ａ）〕。
【００３６】
〈工程２〉
次に、ポジ型フォトレジストをスピンコーティングし、フォトマスクパターンを露光、現像し、レジストパターンを形成した。その際、Ｄ＝１０μｍ、Ｓ＝１２μｍ、Ｗ２＝２０μｍとなるようレジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、導電層５３、絶縁層５２、絶縁層５１を、ＣＦ4ガスを用いてドライエッチングした。ドライエッチングを基板１で停止させ、絶縁層２ａ、２ｂ、ゲート４からなる積層体を形成した〔図５（ｂ）〕。
【００３７】
〈工程３〉
次に、形成された積層体に、バッファーフッ酸（ＢＨＦ）（ＬＡＬ１００／ステラケミファ社製）をエッチング液として、１１分間エッチングを施し、絶縁層２ｂを選択的にエッチングした。積層体の側面から６０ｎｍ程度、絶縁層２ｂをエッチングし、凹部８を形成した〔図５（ｃ）〕。
【００３８】
〈工程４〉
次に、斜方蒸着により突出部５、カソード６、電子ビーム制御電極１３ａとして厚さ３０ｎｍのＭｏを斜め４５°上方から選択的に堆積した。その際、Ｃ＝１０μｍ、Ｗ１＝２０μｍとなるようレジストパターンを形成した〔図５（ｄ）〕。
【００３９】
（実施例２）
工程２において電子ビーム制御電極１３ｂとなる積層体を形成しない以外は実施例１と同様にして電子放出素子を作製した。
【００４０】
（比較例１）
工程２において電子ビーム制御電極１３ｂとなる積層体を形成せず、工程４において電子ビーム制御電極１３ａを形成しない以外は実施例１と同様にして電子放出素子を作製した。
【００４１】
上記実施例１，２，比較例１の各電子放出素子を作製した基板をリアプレートとして、１．６ｍｍ離れた位置に図３に示したフェースプレートを配置して画像表示装置を構成し、アノード電圧を１２ｋＶとして駆動した。その結果、実施例１において、フェースプレート上の偏向方向（Ｘ方向）におけるビーム幅は１１６μｍ、実施例２では１３０μｍ、比較例１では１８０μｍであった。よって、電子ビーム制御電極を少なくとも一方、好ましくは両側に設けることにより、電子の発散を抑制しうることがわかった。
【符号の説明】
【００４２】
１：基板  ２ａ，２ｂ：絶縁層  ４：ゲート  ５：突出部  ６：カソード  ７：アノード  ８：凹部  １２：電子放出部  １３ａ，１３ｂ：電子ビーム制御電極
【図１】
2010251102.tif 000003
【図２】
2010251102.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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