(57)【要約】【課題】メモリセルへ電流を供給するための配線に流れる電流の最大値が過大となることを防止することが可能なメモリ装置を提供すること。【解決手段】このメモリ装置２００は、複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、ワードラインの状態が活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成される。メモリ装置は、リフレッシュ動作を行うために活性状態に設定するワードラインの数を表す数情報と、リフレッシュ動作を行う時間間隔を表す間隔情報と、を対応付けて記憶する（２１０）。メモリ装置は、記憶されている間隔情報が表す時間間隔が経過する毎に、その間隔情報と対応付けて記憶されている数情報が表す数ずつ、順次、ワードラインの状態を活性状態に設定するとともにリフレッシュ動作を行う（２２０）。【選択図】図８
2010152949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成され、且つ、
前記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために前記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段と、
前記記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、前記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに前記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行手段と、
を備えるメモリ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のメモリ装置であって、
前記リフレッシュ動作制御情報記憶手段は、互いに対応付けられた前記対象ワードライン数情報及び前記リフレッシュ動作間隔情報からなる組情報を複数記憶するように構成され、
前記リフレッシュ動作実行手段は、前記リフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されている複数の組情報の１つを識別するための識別情報を受け付け、当該受け付けた識別情報により識別される組情報を構成する前記対象ワードライン数情報及び前記リフレッシュ動作間隔情報に基づいて前記リフレッシュ動作を行うように構成されたメモリ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のメモリ装置であって、
前記リフレッシュ動作制御情報記憶手段は、前記記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数に対する、当該象ワードライン数情報と対応付けられたリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔の比を一定とするように構成されたメモリ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のメモリ装置であって、
前記リフレッシュ動作実行手段は、整数であるカウンタ値を保持するように構成され、且つ、当該保持しているカウンタ値に応じた前記ワードラインの状態を前記活性状態に設定するとともに前記リフレッシュ動作を行い、且つ、前記リフレッシュ動作を実行する毎に当該カウンタ値を所定の増分だけ増加させ、更に、当該カウンタ値が所定のカウンタ上限値となった場合、当該カウンタ値を所定の初期値に設定するように構成されたメモリ装置。
【請求項５】
請求項４に記載のメモリ装置であって、
前記リフレッシュ動作制御情報記憶手段は、前記対象ワードライン数情報と、前記リフレッシュ動作間隔情報と、前記カウンタ上限値と、を対応付けて記憶するように構成されたメモリ装置。
【請求項６】
請求項５に記載のメモリ装置であって、
前記リフレッシュ動作制御情報記憶手段は、前記記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数と、当該象ワードライン数情報と対応付けられたカウンタ上限値と、の積を一定とするように構成されたメモリ装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のメモリ装置であって、
前記リフレッシュ動作を行うために前記メモリセルへ供給される電流を所定の電流上限値以下に制限する電流制限手段を備えるメモリ装置。
【請求項８】
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成されたメモリ装置に適用され、
前記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために前記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて当該リフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、前記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに前記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行工程を含むリフレッシュ動作制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載のリフレッシュ動作制御方法であって、
前記リフレッシュ動作実行工程は、
前記リフレッシュ動作制御情報記憶手段に、互いに対応付けられた前記対象ワードライン数情報及び前記リフレッシュ動作間隔情報からなる組情報が複数記憶されている場合に、当該記憶されている複数の組情報の１つを識別するための識別情報を受け付け、当該受け付けた識別情報により識別される組情報を構成する前記対象ワードライン数情報及び前記リフレッシュ動作間隔情報に基づいて前記リフレッシュ動作を行うように構成されたリフレッシュ動作制御方法。
【請求項１０】
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成されたメモリ装置に、
前記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために前記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて当該リフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、前記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに前記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行手段を実現させるためのプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプログラムであって、
前記リフレッシュ動作実行手段は、
前記リフレッシュ動作制御情報記憶手段に、互いに対応付けられた前記対象ワードライン数情報及び前記リフレッシュ動作間隔情報からなる組情報が複数記憶されている場合に、当該記憶されている複数の組情報の１つを識別するための識別情報を受け付け、当該受け付けた識別情報により識別される組情報を構成する前記対象ワードライン数情報及び前記リフレッシュ動作間隔情報に基づいて前記リフレッシュ動作を行うように構成されたプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電荷を蓄積可能に構成されたメモリセルを複数備えるとともに、そのメモリセルに電荷を蓄積させることによりそのメモリセルに情報を読み書き可能なメモリ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電荷を蓄積可能に構成されたメモリセルを複数備えるとともに、そのメモリセルに電荷を蓄積させることによりそのメモリセルに情報を読み書き可能（メモリセルから情報を読み出し可能且つメモリセルに情報を書き込み可能）なメモリ装置が知られている。この種のメモリ装置の一つとして、特許文献１に記載のメモリ装置は、所定の時間が経過する毎に、リフレッシュ動作を行うように構成されている。リフレッシュ動作は、メモリセルから情報を読み出し、読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直す動作である。
【０００３】
これによれば、メモリセルに蓄積されていた電荷量が自然放電等により減少していた場合であっても、メモリセルに書き込まれた情報に応じた電荷量を、メモリセルに再び蓄積させることができる。この結果、メモリセルに蓄積されている電荷量が過度に減少することによってメモリセルから真の情報（そのメモリセルに書き込まれた情報）を読み出せなくなることを防止することができる。
【特許文献１】国際公開第９６／２８８２５号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記メモリ装置においては、同時に比較的多くのメモリセルに対してリフレッシュ動作が行われる場合がある。この場合、リフレッシュ動作を行うためにメモリセルに対して同時に供給される電流の総量が過大になる。その結果、メモリセルへ電流を供給するための配線に流れる電流の最大値が過大になる。このため、この配線の近傍にその他の回路が配置されている場合、その回路を正常に動作させることができない虞があった。
【０００５】
このため、本発明の目的は、上述した課題である「メモリセルへ電流を供給するための配線に流れる電流の最大値が過大となること」を解決することが可能なメモリ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる目的を達成するため本発明の一形態であるメモリ装置は、
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成され、且つ、
上記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために上記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段と、
上記記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、上記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに上記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行手段と、
を備える。
【０００７】
また、本発明の他の形態であるリフレッシュ動作制御方法は、
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成されたメモリ装置に適用され、
上記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために上記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて当該リフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、上記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに上記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行工程を含む。
【０００８】
また、本発明の他の形態であるプログラムは、
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成されたメモリ装置に、
上記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために上記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて当該リフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、上記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに上記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行手段を実現させるためのプログラムである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、以上のように構成されることにより、メモリセルへ電流を供給するための配線に流れる電流の最大値が過大となることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の一形態であるメモリ装置は、
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成され、且つ、
上記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために上記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段と、
上記記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、上記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに上記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行手段と、
を備える。
【００１１】
これによれば、リフレッシュ動作を行うためにメモリセルに対して同時に供給される電流の総量が過大になることを防止することができる。これにより、メモリセルへ電流を供給するための配線に流れる電流の最大値が過大になることを防止することができる。この結果、この配線の近傍にその他の回路が配置されている場合であっても、その回路を正常に動作させることができる。
【００１２】
ところで、対象ワードライン数がより小さな値に設定されるとともにリフレッシュ動作間隔が変更されない場合には、すべてのメモリセルに対して、メモリセルに蓄積されている電荷量が過度に減少する前にリフレッシュ動作を行うことができない虞がある。即ち、この場合、メモリセルから真の情報（そのメモリセルに書き込まれた情報）を読み出せなくなる虞がある。
【００１３】
これに対し、上記構成に係るメモリ装置は、すべてのメモリセルに対して、メモリセルに蓄積されている電荷量が過度に減少する前にリフレッシュ動作を行うことができるように対応付けられた対象ワードライン数及びリフレッシュ動作間隔を用いて、リフレッシュ動作を行うことができる。従って、メモリセルに蓄積されている電荷量が過度に減少することによってメモリセルから真の情報を読み出せなくなることを防止することができる。
【００１４】
この場合、上記リフレッシュ動作制御情報記憶手段は、互いに対応付けられた上記対象ワードライン数情報及び上記リフレッシュ動作間隔情報からなる組情報を複数記憶するように構成され、
上記リフレッシュ動作実行手段は、上記リフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されている複数の組情報の１つを識別するための識別情報を受け付け、当該受け付けた識別情報により識別される組情報を構成する上記対象ワードライン数情報及び上記リフレッシュ動作間隔情報に基づいて上記リフレッシュ動作を行うように構成されることが好適である。
【００１５】
これによれば、メモリ装置の作動状況、又は、メモリセルへ電流を供給するための配線に流れる電流の大きさ等に応じて、適切に選択された対象ワードライン数情報及びリフレッシュ動作間隔情報に基づいてリフレッシュ動作を行うことができる。
【００１６】
この場合、上記リフレッシュ動作制御情報記憶手段は、上記記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数に対する、当該象ワードライン数情報と対応付けられたリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔の比を一定とするように構成されることが好適である。
【００１７】
これによれば、いずれの情報（互いに対応付けられた対象ワードライン数情報及びリフレッシュ動作間隔情報）が使用された場合であっても、一定の期間にてすべてのメモリセルに対するリフレッシュ動作を完了することができる。
【００１８】
この場合、上記リフレッシュ動作実行手段は、整数であるカウンタ値を保持するように構成され、且つ、当該保持しているカウンタ値に応じた上記ワードラインの状態を上記活性状態に設定するとともに上記リフレッシュ動作を行い、且つ、上記リフレッシュ動作を実行する毎に当該カウンタ値を所定の増分だけ増加させ、更に、当該カウンタ値が所定のカウンタ上限値となった場合、当該カウンタ値を所定の初期値に設定するように構成されることが好適である。
【００１９】
この場合、上記リフレッシュ動作制御情報記憶手段は、上記対象ワードライン数情報と、上記リフレッシュ動作間隔情報と、上記カウンタ上限値と、を対応付けて記憶するように構成されることが好適である。
【００２０】
この場合、上記リフレッシュ動作制御情報記憶手段は、上記記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数と、当該象ワードライン数情報と対応付けられたカウンタ上限値と、の積を一定とするように構成されることが好適である。
【００２１】
これによれば、いずれの情報（互いに対応付けられた対象ワードライン数情報、リフレッシュ動作間隔情報及びカウンタ上限値）が使用された場合であっても、リフレッシュ動作をすべてのメモリセルに対して確実に実行することができる。
【００２２】
この場合、上記メモリ装置は、
上記リフレッシュ動作を行うために上記メモリセルへ供給される電流を所定の電流上限値以下に制限する電流制限手段を備えることが好適である。
【００２３】
これによれば、リフレッシュ動作を行うためにメモリセルに対して同時に供給される電流の総量を確実に電流上限値以下にすることができる。これにより、メモリセルへ電流を供給するための配線に流れる電流の最大値を減少させることができる。この結果、この配線の近傍にその他の回路が配置されている場合であっても、その回路を正常に動作させることができる。
【００２４】
また、本発明の他の形態であるリフレッシュ動作制御方法は、
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成されたメモリ装置に適用され、
上記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために上記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて当該リフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、上記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに上記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行工程を含む。
【００２５】
この場合、上記リフレッシュ動作実行工程は、
上記リフレッシュ動作制御情報記憶手段に、互いに対応付けられた上記対象ワードライン数情報及び上記リフレッシュ動作間隔情報からなる組情報が複数記憶されている場合に、当該記憶されている複数の組情報の１つを識別するための識別情報を受け付け、当該受け付けた識別情報により識別される組情報を構成する上記対象ワードライン数情報及び上記リフレッシュ動作間隔情報に基づいて上記リフレッシュ動作を行うように構成されることが好適である。
【００２６】
また、本発明の他の形態であるプログラムは、
活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備えるとともに、当該ワードラインの状態が当該活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成されたメモリ装置に、
上記メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直すリフレッシュ動作を行うために上記活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す対象ワードライン数情報と、当該リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表すリフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶するリフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて当該リフレッシュ動作制御情報記憶手段に記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、上記ワードラインの状態を活性状態に設定するとともに上記リフレッシュ動作を行うリフレッシュ動作実行手段を実現させるためのプログラムである。
【００２７】
この場合、上記リフレッシュ動作実行手段は、
上記リフレッシュ動作制御情報記憶手段に、互いに対応付けられた上記対象ワードライン数情報及び上記リフレッシュ動作間隔情報からなる組情報が複数記憶されている場合に、当該記憶されている複数の組情報の１つを識別するための識別情報を受け付け、当該受け付けた識別情報により識別される組情報を構成する上記対象ワードライン数情報及び上記リフレッシュ動作間隔情報に基づいて上記リフレッシュ動作を行うように構成されることが好適である。
【００２８】
上述した構成を有する、リフレッシュ動作制御方法、又は、プログラム、の発明であっても、上記メモリ装置と同様の作用を有するために、上述した本発明の目的を達成することができる。
【００２９】
以下、本発明に係る、メモリ装置、リフレッシュ動作制御方法、及び、プログラム、の各実施形態について図１〜図８を参照しながら説明する。
【００３０】
＜第１実施形態＞
（構成）
図１に示したように、第１実施形態に係るメモリ装置としてのＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１は、図示しないバス（例えば、データバス及びアドレスバス等）を介してメモリコントローラ２に接続されている。
【００３１】
ＤＲＡＭ１は、メモリコントローラ２が生成する信号（例えば、ロウアドレスストローブ（ＲＡＳ；Ｒｏｗ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｔｒｏｂｅ）信号、カラムアドレスストローブ（ＣＡＳ；Ｃｏｌｕｍｎ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｔｒｏｂｅ）信号、ライトイネーブル（ＷＥ；Ｗｒｉｔｅ  Ｅｎａｂｌｅ）信号、データ信号、及び、チップセレクト（ＣＳ；Ｃｈｉｐ  Ｓｅｌｅｃｔ）信号等）を受け付ける。
【００３２】
ＤＲＡＭ１は、ロウデコーダ１４と、センスアンプ１５と、カラムデコーダ１６と、セルアレイ２０と、を備える。
【００３３】
セルアレイ２０は、複数のワードライン（ワード線）１７と、複数のビットライン（ビット線）１８と、複数のメモリセル１９と、を含む。ワードライン１７とビットライン１８とは、互いに直交するように且つ格子状に配置されている。各ワードライン１７は、活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能に構成されている。
【００３４】
複数のメモリセル１９は、ワードライン１７とビットライン１８とが交差する交差部に１つずつ配置されている。各メモリセル１９は、１本のワードライン１７と、１本のビットライン１８と、のそれぞれに接続されている。各メモリセル１９は、電荷を蓄積可能なコンデンサを含む。メモリセル１９に蓄積されている電荷の量（電荷量）は、そのメモリセル１９に記憶されている情報を表す。
【００３５】
ロウデコーダ１４は、ＤＲＡＭ１がメモリコントローラ２からアクセス要求信号（ＲＡＳ信号及びＣＡＳ信号等）を受け付けると、ＲＡＳ信号に同期して入力されるアドレス信号（ロウアドレス信号）をデコードすることにより、ワードライン１７を選択する。
【００３６】
更に、ロウデコーダ１４は、選択したワードライン１７の状態を活性状態に設定し、且つ、その他のワードライン１７の状態を非活性状態に設定する。本例では、ロウデコーダ１４は、ワードライン１７の電位を第１の電位に設定することにより、ワードライン１７の状態を活性状態に設定し、ワードライン１７の電位を第１の電位よりも低い第２の電位に設定することにより、ワードライン１７の状態を非活性状態に設定する。
【００３７】
カラムデコーダ１６は、ＣＡＳ信号に同期して入力されるアドレス信号（カラムアドレス信号）をデコードすることにより、ビットライン１８を選択する。これにより、選択されたビットライン１８の電位は、選択されているワードライン１７及び選択されているビットライン１８の交差部に配置されたメモリセル１９に蓄積されている電荷量に応じた電位となる。
センスアンプ１５は、選択されているビットライン１８の電位を増幅する。
【００３８】
ＤＲＡＭ１は、センスアンプ１５により増幅された電位に基づいて、選択されているワードライン１７及び選択されているビットライン１８の交差部に配置されたメモリセル１９に記憶されている情報を取得する（メモリセル１９から情報を読み出す）。
【００３９】
また、センスアンプ１５は、ＤＲＡＭ１が書き込み用のデータ信号を受け付けると、選択されているビットライン１８の電位を、受け付けたデータ信号に応じた電位に設定する。これにより、選択されているワードライン１７及び選択されているビットライン１８の交差部に配置されたメモリセル１９に、上記データ信号に応じた量の電荷が蓄積される。
【００４０】
このようにして、各メモリセル１９は、そのメモリセル１９が接続されているワードライン１７の状態が活性状態に設定され、且つ、そのメモリセル１９が接続されているビットライン１８が選択されている場合に、情報を読み書き可能（メモリセル１９から情報を読み出し可能且つメモリセル１９に情報を書き込み可能）に構成されている。
【００４１】
更に、ＤＲＡＭ１は、セルフリフレッシュ制御レジスタ（リフレッシュ動作制御情報記憶手段）１０と、セルフリフレッシュタイマ１１と、セルフリフレッシュカウンタ１２と、ワードライン選択回路１３と、を備える。なお、セルフリフレッシュ制御レジスタ１０、セルフリフレッシュタイマ１１、セルフリフレッシュカウンタ１２、ワードライン選択回路１３、ロウデコーダ１４、センスアンプ１５、及び、カラムデコーダ１６は、リフレッシュ動作実行手段を構成している。
【００４２】
セルフリフレッシュ制御レジスタ１０は、対象ワードライン数情報と、リフレッシュ動作間隔情報と、カウンタ上限値と、を対応付けて記憶するレジスタである。本例では、セルフリフレッシュ制御レジスタ１０は、図２に示したように、互いに対応付けられた、識別情報、対象ワードライン数情報、リフレッシュ動作間隔情報、及び、カウンタ上限値、からなる組情報を複数記憶している。
【００４３】
識別情報は、上記組情報を識別するための情報である。
対象ワードライン数情報は、リフレッシュ動作を行うために活性状態に設定する（選択する）ワードライン１７の数である対象ワードライン数を表す情報である。
リフレッシュ動作は、メモリセル１９から情報を読み出し、読み出した情報をそのメモリセル１９に書き込み直す動作である。
【００４４】
リフレッシュ動作間隔情報は、リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表す情報である。
カウンタ上限値は、後述するセルフリフレッシュカウンタ１２が用いるカウンタ値の上限を表す情報である。
【００４５】
本例では、１つの組情報を構成する、対象ワードライン数情報及びリフレッシュ動作間隔情報は、その対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数に対する、そのリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔の比が一定となるように予め設定されている。即ち、本例では、対象ワードライン数に対するリフレッシュ動作間隔の比は、いずれの組情報に対しても「ｔ／ｎ」（ｔ、及び、ｎは、いずれも整数であり、ｎは、８の倍数である）である。
【００４６】
これによれば、いずれの組情報（互いに対応付けられた対象ワードライン数情報及びリフレッシュ動作間隔情報）が使用された場合であっても、一定の期間にてすべてのメモリセル１９に対するリフレッシュ動作を完了することができる。
【００４７】
また、本例では、１つの組情報を構成する、対象ワードライン数情報及びカウンタ上限値は、その対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数と、そのカウンタ上限値と、の積が一定となるように予め設定されている。即ち、本例では、対象ワードライン数とカウンタ上限値との積は、いずれの組情報に対しても「ｎ・ｋ」（ｋは、整数）である。
【００４８】
これによれば、いずれの組情報（互いに対応付けられた対象ワードライン数情報、リフレッシュ動作間隔情報及びカウンタ上限値）が使用された場合であっても、リフレッシュ動作をすべてのメモリセル１９に対して確実に実行することができる。
【００４９】
セルフリフレッシュ制御レジスタ１０は、メモリコントローラ２から識別情報を含むセルフリフレッシュ動作開始指示を受け付け、受け付けたセルフリフレッシュ動作開始指示に含まれる識別情報により識別される組情報を構成する対象ワードライン数情報、リフレッシュ動作間隔情報、及び、カウンタ上限値を出力する。セルフリフレッシュ動作開始指示は、セルフリフレッシュ動作の実行を開始する旨を指示する情報である。
【００５０】
セルフリフレッシュタイマ１１は、時間を計測する。セルフリフレッシュタイマ１１は、セルフリフレッシュ制御レジスタ１０により出力されたリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、リフレッシュ動作実行指示をセルフリフレッシュカウンタ１２、センスアンプ１５及びカラムデコーダ１６へ送出する。
【００５１】
セルフリフレッシュカウンタ１２は、整数であるカウンタ値を保持する。セルフリフレッシュカウンタ１２は、セルフリフレッシュタイマ１１により送出されたリフレッシュ動作実行指示を受け付ける。
【００５２】
セルフリフレッシュカウンタ１２は、リフレッシュ動作実行指示を受け付けると、保持しているカウンタ値を所定の増分（本例では、「１」）だけ増加させる。なお、セルフリフレッシュカウンタ１２は、増加させたカウンタ値がセルフリフレッシュ制御レジスタ１０により出力されたカウンタ上限値となった（一致した）場合、カウンタ値を所定の初期値（本例では、「０」）に設定する。そして、セルフリフレッシュカウンタ１２は、保持しているカウンタ値を出力する。
【００５３】
ワードライン選択回路１３は、セルフリフレッシュカウンタ１２により出力されたカウンタ値を受け付ける。ワードライン選択回路１３は、カウンタ値を受け付けると、受け付けたカウンタ値に応じたワードライン１７であって、セルフリフレッシュ制御レジスタ１０により出力された対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数のワードライン１７を選択する旨を指示する選択指示をロウデコーダ１４へ送出する。
【００５４】
ロウデコーダ１４は、ワードライン選択回路１３により送出された選択指示を受け付ける。ロウデコーダ１４は、受け付けた選択指示に応じたワードライン１７を選択する。ロウデコーダ１４は、選択したワードライン１７の状態を活性状態に設定し、且つ、その他のワードライン１７の状態を非活性状態に設定する。
【００５５】
また、センスアンプ１５及びカラムデコーダ１６は、セルフリフレッシュタイマ１１により送出されたリフレッシュ動作実行指示を受け付ける。
【００５６】
センスアンプ１５及びカラムデコーダ１６がリフレッシュ動作実行指示を受け付けると、ＤＲＡＭ１は、カラムデコーダ１６が各ビットライン１８を選択するとともに、センスアンプ１５が選択されているビットライン１８の電位を増幅することにより、選択されているワードライン１７に接続されているメモリセル１９から情報を読み出す。更に、ＤＲＡＭ１は、あるメモリセル１９から読み出した情報をそのメモリセル１９に書込み直す。
【００５７】
このようにして、ＤＲＡＭ１は、選択されているワードライン１７に接続されているメモリセル１９に対してリフレッシュ動作を行う。
【００５８】
（作動）
次に、上述したＤＲＡＭ１の作動について図３に示したフローチャートを参照しながら具体的に説明する。
【００５９】
先ず、メモリコントローラ２は、対象ワードライン数情報と、リフレッシュ動作間隔情報と、カウンタ上限値と、をＤＲＡＭ１へ送出する。これにより、ＤＲＡＭ１は、対象ワードライン数情報、リフレッシュ動作間隔情報、及び、カウンタ上限値、を受け付け、受け付けた対象ワードライン数情報、リフレッシュ動作間隔情報、及び、カウンタ上限値を対応付けてセルフリフレッシュ制御レジスタ１０に記憶させる（ステップ１０１）。
【００６０】
次いで、ＤＲＡＭ１は、メモリコントローラ２から識別情報を含むセルフリフレッシュ動作開始指示を受け付ける。これにより、ＤＲＡＭ１は、セルフリフレッシュ動作を開始する（ステップ１０２）。そして、ＤＲＡＭ１は、カウンタ値ｉをリセット（初期値「０」に設定）する（ステップ１０３）。
【００６１】
次いで、ＤＲＡＭ１は、保持しているカウンタ値ｉが、セルフリフレッシュ制御レジスタ１０に記憶されているカウンタ上限値のうちの、上記セルフリフレッシュ動作開始指示に含まれる識別情報により識別される組情報を構成するカウンタ上限値よりも小さいか否かを判定する（ステップ１０４）。
【００６２】
保持しているカウンタ値ｉが上記カウンタ上限値よりも小さい場合、ＤＲＡＭ１は、「Ｙｅｓ」と判定して、上記組情報を構成する対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数のワードライン１７の状態を活性状態に設定するとともに、そのワードライン１７に接続されているメモリセル１９に対してリフレッシュ動作を行う（ステップ１０５）。
【００６３】
そして、ＤＲＡＭ１は、上記組情報を構成するリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔だけ待機する（ステップ１０６）。次いで、ＤＲＡＭ１は、カウンタ値ｉに増分「１」を加算する（ステップ１０７）。
【００６４】
次に、ＤＲＡＭ１は、ステップ１０４へ戻り、ステップ１０４〜ステップ１０７の処理を繰り返し実行する。
このようにして、ＤＲＡＭ１は、上記リフレッシュ動作間隔が経過する毎に、上記対象ワードライン数ずつ、順次、ワードライン１７の状態を活性状態に設定するとともにリフレッシュ動作を行う（リフレッシュ動作実行工程）。
【００６５】
その後、ＤＲＡＭ１が保持しているカウンタ値ｉが上記カウンタ上限値に一致する。この時点にて、ＤＲＡＭ１がステップ１０４に進むと、ＤＲＡＭ１は、「Ｎｏ」と判定してステップ１０３へ戻り、カウンタ値ｉをリセットする。
【００６６】
そして、ＤＲＡＭ１は、上述した場合と同様の処理を、メモリコントローラ２からセルフリフレッシュ動作終了指示を受け付けるまで、繰り返し実行する。セルフリフレッシュ動作終了指示は、セルフリフレッシュ動作の実行を終了する旨を指示する情報である。
【００６７】
以上、説明したように、本発明によるメモリ装置の第１実施形態によれば、リフレッシュ動作を行うためにメモリセル１９に対して同時に供給される電流の総量が過大になることを防止することができる。これにより、メモリセル１９へ電流を供給するための配線に流れる電流の最大値が過大になることを防止することができる。この結果、この配線の近傍にその他の回路が配置されている場合であっても、その回路を正常に動作させることができる。
【００６８】
ところで、対象ワードライン数がより小さな値に設定されるとともにリフレッシュ動作間隔が変更されない場合には、すべてのメモリセル１９に対して、メモリセル１９に蓄積されている電荷量が過度に減少する前にリフレッシュ動作を行うことができない虞がある。即ち、この場合、メモリセル１９から真の情報（そのメモリセル１９に書き込まれた情報）を読み出せなくなる虞がある。
【００６９】
これに対し、上記第１実施形態に係るメモリ装置１は、すべてのメモリセル１９に対して、メモリセル１９に蓄積されている電荷量が過度に減少する前にリフレッシュ動作を行うことができるように対応付けられた対象ワードライン数及びリフレッシュ動作間隔を用いて、リフレッシュ動作を行うことができる。従って、メモリセル１９に蓄積されている電荷量が過度に減少することによってメモリセル１９から真の情報を読み出せなくなることを防止することができる。
【００７０】
更に、上記第１実施形態に係るメモリ装置１によれば、メモリ装置１の作動状況、又は、メモリセル１９へ電流を供給するための配線に流れる電流の大きさ等に応じて、メモリコントローラ２によって適切に選択された組情報（対象ワードライン数情報及びリフレッシュ動作間隔情報）に基づいてリフレッシュ動作を行うことができる。
【００７１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係るメモリ装置について説明する。第２実施形態に係るメモリ装置は、上記第１実施形態に係るメモリ装置に対して、リフレッシュ動作を行うためにメモリセル１９へ供給される電流を所定の電流上限値以下に制限する点において相違している。従って、以下、かかる相違点を中心として説明する。
【００７２】
図４に示したように、第２実施形態に係るメモリ装置１は、上記第１実施形態に係るメモリ装置１が備える構成に加えて、電流制限回路（電流制限手段）２１を備える。
【００７３】
セルフリフレッシュ制御レジスタ１０は、識別情報と、対象ワードライン数情報と、リフレッシュ動作間隔情報と、カウンタ上限値と、電流上限値と、を対応付けて記憶している。本例では、セルフリフレッシュ制御レジスタ１０は、図５に示したように、互いに対応付けられた、識別情報、対象ワードライン数情報、リフレッシュ動作間隔情報、カウンタ上限値、及び、電流上限値、からなる組情報を複数記憶している。
電流上限値は、リフレッシュ動作を行うためにメモリセル１９へ供給される電流の上限値を表す情報である。
【００７４】
セルフリフレッシュ制御レジスタ１０は、メモリコントローラ２から識別情報を含むセルフリフレッシュ動作開始指示を受け付けると、受け付けたセルフリフレッシュ動作開始指示に含まれる識別情報により識別される組情報を構成する対象ワードライン数情報、リフレッシュ動作間隔情報、カウンタ上限値、及び、電流上限値を出力する。
【００７５】
電流制限回路２１は、リフレッシュ動作を行うためにメモリセル１９へ供給される電流を、セルフリフレッシュ制御レジスタ１０により出力された電流上限値以下に制限する。電流制限回路２１の一例は、特開２００８−０２２５９７号公報等に開示されている。
【００７６】
なお、電流制限回路２１は、電流をメモリセル１９へ供給する通電状態と、メモリセル１９へ供給される電流を遮断する非通電状態と、を切り替えるスイッチング素子を含み、電流上限値に応じて、メモリセル１９へ電流が供給される時間を変更するように構成されていることが好適である。
【００７７】
このように構成されたメモリ装置によれば、リフレッシュ動作を行うためにメモリセル１９に対して同時に供給される電流の総量を確実に電流上限値以下にすることができる。これにより、メモリセル１９へ電流を供給するための配線（本例では、電流制限回路２１とメモリセル１９とを結ぶ配線）に流れる電流の最大値を減少させることができる。この結果、この配線の近傍にその他の回路が配置されている場合であっても、その回路を正常に動作させることができる。
また、このメモリ装置１によっても、上記第１実施形態に係るメモリ装置１と同様の作用及び効果を奏することができる。
【００７８】
なお、上記第２実施形態の変形例に係るメモリ装置１は、図６に示したように、上記第２実施形態に係るメモリ装置１から、セルフリフレッシュタイマ１１、セルフリフレッシュカウンタ１２及びワードライン選択回路１３を除いた構成を有する。この場合、セルフリフレッシュ制御レジスタ１０は、図７に示したように、識別情報と、電流上限値と、を対応付けて記憶している。
【００７９】
この変形例によっても、リフレッシュ動作を行うためにメモリセル１９に対して同時に供給される電流の総量を確実に電流上限値以下にすることができる。これにより、メモリセル１９へ電流を供給するための配線（本例では、電流制限回路２１とメモリセル１９とを結ぶ配線）に流れる電流の最大値を減少させることができる。この結果、この配線の近傍にその他の回路が配置されている場合であっても、その回路を正常に動作させることができる。
【００８０】
なお、本発明は上記各実施形態に限定されることはなく、本発明の範囲内において種々の変形例を採用することができる。例えば、上記各実施形態において、メモリ装置１の各機能は、回路等のハードウェアにより実現されていたが、メモリ装置１の機能の一部は、処理装置がプログラム等を実行することにより実現されてもよい。
【００８１】
また、図８に示したように、上記各実施形態の変形例に係るメモリ装置２００は、活性状態と非活性状態とのいずれかに状態を設定可能な複数のワードラインと、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルと、を備える。
【００８２】
更に、メモリ装置２００は、ワードラインの状態が活性状態に設定されている場合に、当該ワードラインに接続された複数のメモリセルに情報を読み書き可能に構成される。
【００８３】
加えて、メモリ装置２００は、リフレッシュ動作制御情報記憶部（リフレッシュ動作制御情報記憶手段）２１０と、リフレッシュ動作実行部（リフレッシュ動作実行手段）２２０と、を備える。
【００８４】
リフレッシュ動作制御情報記憶部２１０は、対象ワードライン数情報と、リフレッシュ動作間隔情報と、を対応付けて記憶する。
対象ワードライン数情報は、リフレッシュ動作を行うために活性状態に設定するワードラインの数である対象ワードライン数を表す情報である。リフレッシュ動作は、メモリセルから情報を読み出し、当該読み出した情報をそのメモリセルに書き込み直す動作である。
リフレッシュ動作間隔情報は、リフレッシュ動作を行う時間間隔であるリフレッシュ動作間隔を表す情報である。
【００８５】
リフレッシュ動作実行部２２０は、リフレッシュ動作制御情報記憶部２１０に記憶されているリフレッシュ動作間隔情報が表すリフレッシュ動作間隔が経過する毎に、そのリフレッシュ動作間隔情報と対応付けて記憶されている対象ワードライン数情報が表す対象ワードライン数ずつ、順次、ワードラインの状態を活性状態に設定するとともにリフレッシュ動作を行う。
この変形例によっても、上記第１実施形態と同様の作用及び効果を奏することができる。
【００８６】
また、上記実施形態の他の変形例として、上述した実施形態及び変形例の任意の組み合わせが採用されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、セルフリフレッシュ動作を行うＤＲＡＭ等に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るメモリ装置の概略構成を表す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るセルフリフレッシュ制御レジスタが記憶している情報を示した図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るメモリ装置の作動を示したフローチャートである。
【図４】本発明の第２実施形態に係るメモリ装置の概略構成を表す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るセルフリフレッシュ制御レジスタが記憶している情報を示した図である。
【図６】本発明の第２実施形態の変形例に係るメモリ装置の概略構成を表す図である。
【図７】本発明の第２実施形態の変形例に係るセルフリフレッシュ制御レジスタが記憶している情報を示した図である。
【図８】本発明の各実施形態の変形例に係るメモリ装置の概略構成を表す図である。
【符号の説明】
【００８９】
１      メモリ装置
２      メモリコントローラ
１０    セルフリフレッシュ制御レジスタ
１１    セルフリフレッシュタイマ
１２    セルフリフレッシュカウンタ
１３    ワードライン選択回路
１４    ロウデコーダ
１５    センスアンプ
１６    カラムデコーダ
１７    ワードライン
１８    ビットライン
１９    メモリセル
２０    セルアレイ
２１    電流制限回路
２００  メモリ装置
２１０  リフレッシュ動作制御情報記憶部
２２０  リフレッシュ動作実行部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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