(57)【要約】【課題】２つの部材同士が接合膜を介して接合された接合体に対し、２つの部材同士を容易な方法で、かつ効率よく剥離し得る接合体の剥離方法を提供すること。【解決手段】本発明の接合体の剥離方法は、第１の基材２１と第２の基材２２とが、ポリエステル変性シリコーン材料を含有する接合膜３を介して接合された接合体１に対し、接合膜３に剥離用エネルギーを付与して、前記ポリエステル変性シリコーン材料を構成する分子結合の一部を切断することにより、接合膜３内にへき開を生じさせて、第１の基材２１から第２の基材２２を剥離可能とする。【選択図】図７
2010275420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基材と第２の基材とが、分枝部において下記化学式（１）で表わされる単位構造を有し、連結部において下記化学式（２）および下記化学式（３）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有し、末端部において下記化学式（４）および下記化学式（５）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するシリコーン材料と、トリメチロールプロパンおよびテレフタル酸がエステル化反応することにより得られたポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られたポリエステル変性シリコーン材料を含有する接合膜を介して接合された接合体に対し、前記接合膜に剥離用エネルギーを付与して、前記ポリエステル変性シリコーン材料を構成する分子結合の一部を切断することにより、前記接合膜内にへき開を生じさせて、前記第１の基材から前記第２の基材を剥離可能とすることを特徴とする接合体の剥離方法。
【化１】
2010275420.tif 000006
［式中、各Ｒ１は、それぞれ独立して、メチル基またはフェニル基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
【請求項２】
前記接合体は、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも一方に、前記ポリエステル変性シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成する工程と、
前記液状被膜を乾燥および／または硬化して、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも一方に接合膜を得る工程と、
前記接合膜に接合用エネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接合する工程とを経ることにより得られたものである請求項１に記載の接合体の剥離方法。
【請求項３】
前記接合用エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜にプラズマを接触させる方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項２に記載の接合体の剥離方法。
【請求項４】
前記剥離用エネルギーの大きさは、前記接合用エネルギーの大きさよりも大きい請求項２または３に記載の接合体の剥離方法。
【請求項５】
前記剥離用エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法および前記接合膜を加熱する方法のうちの少なくとも一方の方法により行われる請求項１ないし４のいずれかに記載の接合体の剥離方法。
【請求項６】
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項５に記載の接合体の剥離方法。
【請求項７】
前記加熱の温度は、１００〜４００℃である請求項５または６に記載の接合体の剥離方法。
【請求項８】
前記剥離用エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項５ないし７のいずれかに記載の接合体の剥離方法。
【請求項９】
前記接合膜の平均厚さは、１０〜１００００ｎｍである請求項１ないし８のいずれかに記載の接合体の剥離方法。
【請求項１０】
前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも前記接合膜と接触する部分は、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載の接合体の剥離方法。
【請求項１１】
前記第１の基材および前記第２の基材の前記接合膜と接触する面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合体の剥離方法。
【請求項１２】
前記表面処理は、プラズマ処理または紫外線照射処理である請求項１１に記載の接合体の剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合体の剥離方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２つの部材同士を接合して接合体を得る際には、従来、これらの部材同士の間に、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤等の接着剤で構成される接合層を介在させることにより２つの部材同士を接合させる方法が多用されている。
また、このような接合層を介した部材同士の接合では、寸法精度が低かったり、硬化時間に長時間を要する等の問題点があるため、この方法に代えて、接着剤を用いず、２つの部材同士を直接接合する固体接合法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
以上のような方法が、２つの部材同士を接合する方法として一般的に用いられているが、近年、環境問題の観点から、使用後の接合体をリサイクルに供することが求められている。
ここで、接合体のリサイクル率を向上させるためには、部材毎に分割してリサイクルに供する必要が有るが、前述したような接合方法を用いて接合された接合体では、各部材同士を効率よく剥離する方法がなく、その結果、接合体のリサイクル率が向上しないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−８２４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、２つの部材同士が接合膜を介して接合された接合体に対し、２つの部材同士を容易な方法で、かつ効率よく剥離し得る接合体の剥離方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合体の剥離方法は、第１の基材と第２の基材とが、分枝部において下記化学式（１）で表わされる単位構造を有し、連結部において下記化学式（２）および下記化学式（３）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有し、末端部において下記化学式（４）および下記化学式（５）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するシリコーン材料と、トリメチロールプロパンおよびテレフタル酸がエステル化反応することにより得られたポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られたポリエステル変性シリコーン材料を含有する接合膜を介して接合された接合体に対し、前記接合膜に剥離用エネルギーを付与して、前記ポリエステル変性シリコーン材料を構成する分子結合の一部を切断することにより、前記接合膜内にへき開を生じさせて、前記第１の基材から前記第２の基材を剥離可能とすることを特徴とする。
【化１】
2010275420.tif 000003
［式中、各Ｒ１は、それぞれ独立して、メチル基またはフェニル基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
これにより、前記接合体において、第１の基材から第２の基材を容易に、かつ効率よく剥離することができる。
【０００７】
本発明の接合体の剥離方法では、前記接合体は、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも一方に、前記ポリエステル変性シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成する工程と、
前記液状被膜を乾燥および／または硬化して、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも一方に接合膜を得る工程と、
前記接合膜に接合用エネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に接着性を発現させ、当該接合膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを接合する工程とを経ることにより得られたものであることが好ましい。
これにより、本発明の接合体の剥離方法に供される接合体を形成することができる。
【０００８】
本発明の接合体の剥離方法では、前記接合用エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜にプラズマを接触させる方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜の表面を効率よく活性化させることができる。また、接合膜中の分子構造を必要以上に切断しないので、剥離用エネルギーを付与した際に、接合膜内で確実にへき開を生じさせることができる。
本発明の接合体の剥離方法では、前記剥離用エネルギーの大きさは、前記接合用エネルギーの大きさよりも大きいことが好ましい。
これにより、接合用エネルギーを付与した際には、接合膜の表面付近に接着性を発現させ、剥離用エネルギーを付与した際には、接合膜にへき開を生じさせることができる。
【０００９】
本発明の接合体の剥離方法では、前記剥離用エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法および前記接合膜を加熱する方法のうちの少なくとも一方の方法により行われることが好ましい。
これにより、第１の基材および第２の基材に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、接合膜にへき開を確実に生じさせることができる。
本発明の接合体の剥離方法では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、第１の基材および第２の基材に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、接合膜にへき開を確実に生じさせることができる。
【００１０】
本発明の接合体の剥離方法では、前記加熱の温度は、１００〜４００℃であることが好ましい。
これにより、第１の基材および第２の基材に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、接合膜にへき開を確実に生じさせることができる。
本発明の接合体の剥離方法では、前記剥離用エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気中には十分な量の水分子が含まれていることから、接合膜内にへき開を確実に生じさせることができる。
本発明の接合体の剥離方法では、前記接合膜の平均厚さは、１０〜１００００ｎｍであることが好ましい。
かかる範囲内とすれば、接合膜内にへき開を確実に生じさせて、第１の基材から第２の基材を剥離することができる。
【００１１】
本発明の接合体の剥離方法では、前記第１の基材および前記第２の基材の少なくとも前記接合膜と接触する部分は、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、表面処理を施さなくても、十分な接合強度が得られる。
本発明の接合体の剥離方法では、前記第１の基材および前記第２の基材の前記接合膜と接触する面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、基材の接合面が清浄化および活性化され、接合面に対して接合膜が化学的に作用し易くなる。その結果、基材の接合面と接合膜との接合強度を高めることができる。
本発明の接合体の剥離方法では、前記表面処理は、プラズマ処理または紫外線照射処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、基材の表面を特に最適化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の接合体の剥離方法に供される接合体の一例を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す接合体の形成方法の第１構成を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】図１に示す接合体の形成方法の第１構成を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】接合膜の膜構造の一例を示す模式図である
【図５】大気圧プラズマ装置の構成を示す概略図である。
【図６】図１に示す接合体の形成方法の第２構成を説明するための図（縦断面図）である。
【図７】本発明の接合体の剥離方法で図１に示す接合体を剥離する過程を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図である。
【図９】図８に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図である。
【図１０】図８に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の接合体の剥離方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の接合体の剥離方法を説明するのに先立って、本発明の接合体の剥離方法に供される、接合体について説明する。
【００１４】
＜接合体＞
図１は、本発明の接合体の剥離方法に供される接合体の一例を示す縦断面図である。
図１に示す接合体１は、第１の基材２１と、第２の基材２２と、これら基材２１、２２同士の間に介在する接合膜３とを備えている。
第１の基材２１および第２の基材２２は、接合膜３を介して互いに接合されるものである。
【００１５】
このような第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料は、それぞれ特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、ＭｇＡｌ２Ｏ４、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００１６】
また、第１の基材２１および第２の基材２２の構成材料は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよい。なお、これら基材２１、２２がそれぞれ異なる際に、後述する本発明の接合体の剥離方法を適用することにより、各基材２１、２２のリサイクル率を確実に向上させることができる。
接合膜３は、第１の基材２１と第２の基材２２とを、これらの間に介在して、互いに接合するものである。
この接合膜３は、本発明では、ポリエステル変性シリコーン材料を含有しているが、接合膜３の詳細な構成については、以下の接合体１の形成方法において説明する。
【００１７】
＜接合体の形成方法＞
上述した構成の接合体１は、例えば、次のような接合体の形成方法を用いて、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合膜３を介して接合することにより形成される。
具体的には、第１の基材２１と第２の基材２２とを用意し、第１の基材２１および第２の基材２２の少なくとも一方に、ポリエステル変性シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより液状被膜３０を形成する工程と、液状被膜３０を乾燥および／または硬化して、第１の基材２１および第２の基材２２の少なくとも一方に接合膜３を得る工程と、接合膜３に接合用エネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させ、この接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接合する工程とを経ることにより接合体１が形成される。
【００１８】
以下では、接合体の形成方法を、以下の第１構成および第２構成で、それぞれ、工程ごとに詳述する。
＜＜第１構成＞＞
図２および図３は、接合体の形成方法の第１構成を説明するための図（縦断面図）、図４は、接合膜の膜構造の一例を示す模式図である。なお、以下の説明では、図２〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
接合体の形成方法の第１構成では、接合膜３を、液状材料を用いて、第２の基材２２上に形成することなく、第１の基材２１上に選択的に形成して、接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接合することにより、接合体１を得る。
【００１９】
［１Ａ］まず、前述したような第１の基材２１と第２の基材２２とを用意する。なお、図２（ａ）では、第２の基材２２を省略している。
これら第１の基材２１および第２の基材２２は、それぞれ、その表面に、Ｎｉめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
【００２０】
また、第１の基材２１の構成材料と第２の基材２２の構成材料とは、それぞれ同じでも、異なっていてもよいが、第１の基材２１の熱膨張率と第２の基材２２の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体１において、剥離を確実に防止することができる。
なお、後に詳述するが、第１の基材２１の熱膨張率と第２の基材２２の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
【００２１】
また、２つの基材２１、２２は、互いに剛性が異なるのが好ましい。これにより、２つの基材２１、２２をより強固に接合することができる。
また、２つの基材２１、２２のうち、少なくとも一方の構成材料は、樹脂材料であるのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、２つの基材２１、２２を接合した際に、その接合界面に発生する応力（例えば、熱膨張に伴う応力等）を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体１を得ることができる。
【００２２】
なお、上記のような観点から、２つの基材２１、２２のうちの少なくとも一方は、可撓性を有しているのが好ましい。これにより、接合体１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。さらに、２つの基材２１、２２の双方が可撓性を有している場合には、全体として可撓性を有し、機能性の高い接合体１が得られる。
また、各基材２１、２２の形状は、それぞれ、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
【００２３】
なお、本実施形態では、図２、３に示すように、各基材２１、２２がそれぞれ板状をなしている。これにより、各基材２１、２２は撓み易くなり、２つの基材２１、２２を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、２つの基材２１、２２を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体１における接合強度が高くなる。
また、各基材２１、２２が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和する作用が期待できる。
この場合、各基材２１、２２の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００２４】
［１Ａ−１］次いで、必要に応じて、用意した第１の基材２１の接合面２３に、形成される接合膜３との密着性を高める表面処理を施す。これにより、接合面２３を清浄化および活性化され、接合面２３に対して接合膜３が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、接合面２３上に接合膜３を形成したとき、接合面２３と接合膜３との接合強度を高めることができる。
【００２５】
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
なお、表面処理を施す第１の基材２１が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、接合面２３を、より清浄化および活性化することができる。その結果、接合面２３と接合膜３との接合強度を特に高めることができる。
【００２６】
また、第１の基材２１の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第１の基材２１の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
このような材料で構成された第１の基材２１は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第１の基材２１を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第１の基材２１の接合面２３と接合膜３との接合強度を高めることができる。
【００２７】
一方、第１の基材２１と同様、第２の基材２２の接合面２４（後述する工程において、接合膜３と密着する面）にも、必要に応じて、あらかじめ接合膜３との密着性を高める表面処理を施してもよい。これにより、接合面２４を清浄化および活性化する。その結果、後述する工程において、接合面２４と接合膜３とを密着させ、これらを接合したとき、接合面２４と接合膜３との接合強度を高めることができる。
この表面処理としては、特に限定されないが、前述の第１の基材２１の接合面２３に対する表面処理と同様の処理を用いることができる。
【００２８】
また、第１の基材２１の場合と同様に、第２の基材２２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との密着性が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第２の基材２２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【００２９】
すなわち、このような材料で構成された第２の基材２２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合（露出）している。したがって、このような酸化膜で覆われた第２の基材２２を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第２の基材２２の接合面２４と接合膜３との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第２の基材２２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３と接合する領域において、接合面２４付近が上記のような材料で構成されていればよい。
【００３０】
また、第２の基材２２の接合面２４に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、第２の基材２２の接合面２４と接合膜３との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような各種官能基、各種ラジカル、開環分子または、２重結合、３重結合のような不飽和結合を有する脱離性中間体分子、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基や物質、または、これらの基が脱離してなる終端化されていない結合手（未結合手、ダングリングボンド）が挙げられる。
このうち、脱離性中間体分子は、開環分子または不飽和結合を有する炭化水素分子であるのが好ましい。このような炭化水素分子は、開環分子および不飽和結合の顕著な反応性に基づき、接合膜３に対して強固に作用する。したがって、このような炭化水素分子を有する接合面２４は、接合膜３に対して特に強固に接合可能なものとなる。
【００３１】
また、接合面２４が有する官能基は、特に水酸基が好ましい。これにより、接合面２４は、接合膜３に対して特に容易かつ強固に接合可能なものとなる。特に接合膜３の表面に水酸基が露出している場合には、水酸基同士間に生じる水素結合に基づいて、接合面２４と接合膜３との間を短時間で強固に接合することができる。
また、このような基や物質を有するように、接合面２４に対して上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜３に対して強固に接合可能な第２の基材２２が得られる。
このうち、第２の基材２２の接合面２４には、水酸基が存在しているのが好ましい。このような接合面２４には、水酸基が露出した接合膜３との間に、水素結合に基づく大きな引力が生じる。これにより、最終的に、第１の基材２１と第２の基材２２とを特に強固に接合することができる。
【００３２】
［１Ａ−２］また、表面処理を施すのに代えて、第１の基材２１の接合面２３に、あらかじめ、中間層を形成するようにしてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層上に接合膜３を成膜することにより、最終的に、信頼性の高い接合体１を形成することができる。
【００３３】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、第１の基材２１と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。
また、第１の基材２１と同様、表面処理に代えて、第２の基材２２の接合面２４に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
【００３４】
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、前記第１の基材２１の場合と同様に、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して、第２の基材２２と接合膜３とを接合することにより、最終的に、信頼性の高い接合体１を得ることができる。
かかる中間層の構成材料には、例えば、前記第１の基材２１の接合面２３に形成する中間層の構成材料と同様の材料を用いることができる。
なお、上記のような表面処理および中間層の形成は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。
【００３５】
［２Ａ］次に、ポリエステル変性シリコーン材料を含有する液状材料を塗布法を用いて接合面２３上に供給する。これにより、第１の基材２１の接合面２３上に、液状被膜３０が形成される（図２（ｂ）参照）。
塗布法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法および液滴吐出法や等が挙げられるが、特に、液滴吐出法を用いるのが好ましい。液滴吐出法によれば、図２（ｂ）に示すように、液状材料を液滴３１として接合面２３に供給することができるため、たとえ液状被膜３０を接合面２３の一部の領域に選択的にパターニングして形成する場合であったとしても、液状材料をこの領域の形状に対応して（選択的に）供給することができる。
【００３６】
液滴吐出法としては、特に限定されないが、圧電素子による振動を利用して液状材料を吐出する構成のインクジェット法が好適に用いられる。インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴３１として、優れた位置精度で供給することができる。また、圧電素子の振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴３１のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴３１のサイズを小さくすれば、たとえ膜を形成する領域の形状が微細なものであったとしても、この領域の形状に対応した液状被膜３０を確実に形成することができる。
【００３７】
液状材料の粘度（２５℃）は、通常、０．５〜２００ｍＰａ・ｓ程度であるのが好ましく、３〜２０ｍＰａ・ｓ程度であるのがより好ましい。液状材料の粘度をかかる範囲とすることにより、液滴の吐出をより安定的に行うことができるとともに、微細な形状の膜を形成する領域に対応した形状を描画し得る大きさの液滴３１を吐出することができる。さらに、この液状材料で構成される液状被膜３０を次工程［３Ａ］で乾燥および／または硬化させた際に、接合膜３を形成するのに十分な量のポリエステル変性シリコーン材料を液状材料中に含有したものとすることができる。
【００３８】
また、液状材料の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴３１の量（液状材料の１滴の量）を、平均で、０．１〜４０ｐＬ程度に、より現実的には１〜３０ｐＬ程度に設定し得る。これにより、接合面２３に供給された際の液滴３１の着弾径が小さなものとなることから、微細な形状の接合膜３をも確実に形成することができる。
さらに、接合面２３に供給する液滴３１の供給量を適宜設定することにより、形成される接合膜３の厚さの制御を比較的容易に行うことができる。
【００３９】
また、液状材料は、ポリエステル変性シリコーン材料を含有するものであるが、ポリエステル変性シリコーン材料単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、ポリエステル変性シリコーン材料がそのまま液状材料として用いられる。また、ポリエステル変性シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料としては、ポリエステル変性シリコーン材料の溶液または分散液が用いられる。
【００４０】
ポリエステル変性シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
ポリエステル変性シリコーン材料は、液状材料中に含まれ、次工程［３Ａ］において、この液状材料を乾燥および／または硬化させることにより形成される接合膜３の主材料として構成するものである。
【００４１】
なお、以下では、第１の基材２１上に設けられた液状材料（液状被膜３０）を乾燥および／または硬化させること、すなわち、液状材料（液状被膜３０）中に含まれるポリエステル変性シリコーン材料を硬化させるとともに、液状材料（液状被膜３０）中に溶媒または分散媒が含まれる場合には、脱溶媒または脱分散媒により液状材料を乾燥させることを、単に「液状材料（液状被膜３０）の乾燥・硬化」と言うこともある。
【００４２】
ここで、本明細書において、「ポリエステル変性シリコーン材料」とは、液状材料中に含まれ、次工程［３Ａ］において、この液状材料を乾燥・硬化させることにより形成される接合膜３の主材料となるものであり、分枝部において下記化学式（１）で表わされる単位構造を有し、連結部において下記化学式（２）および下記化学式（３）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有し、末端部において下記化学式（４）および下記化学式（５）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するシリコーン材料と、トリメチロールプロパンおよびテレフタル酸がエステル化反応することにより得られたポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られた化合物である。
【００４３】
【化２】
2010275420.tif 000004
［式中、各Ｒ１は、それぞれ独立して、メチル基またはフェニル基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
【００４４】
「シリコーン材料」は、上述のように、分枝部において上記化学式（１）で表わされる単位構造を有し、連結部において上記化学式（２）および上記化学式（３）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有し、末端部において上記化学式（４）および上記化学式（５）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものであり、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなり、主鎖の途中から枝分かれする分枝状の構造を有するものである。
【００４５】
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−Ｏ−（Ｓｉ）構造（Ｓｉは隣接する構造単位が有するケイ素原子）となっている。
このようにシリコーン材料すなわちポリオルガノシロキサン骨格が、分枝状をなしていることにより、次工程［３Ａ］において、液状材料中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜３が形成されることから、得られる接合膜３は特に膜強度に優れたものとなる。
【００４６】
また、シリコーン材料は、その分子量が、１×１０４〜１×１０６程度のものであるのが好ましく、１×１０５〜１×１０６程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
また、シリコーン材料は、その化合物中、すなわち、連結部または末端部において、上記一般式（２）、上記一般式（４）、上記一般式（５）で表わされる単位構造をなすことにより、シラノール基を複数有するものとなる。これにより、シリコーン材料が有する水酸基とポリエステル樹脂が有する水酸基とを確実に結合させることができるため、シリコーン材料とポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られるポリエステル変性シリコーン材料を確実に合成することができる。さらに、次工程［３Ａ］において、液状被膜３０を乾燥・硬化させて接合膜３を得る際に、ポリエステル変性シリコーン材料中に残存しているシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜３の膜強度がさらに優れたものとなる。
【００４７】
また、第１の基材２１として、前述したように、その接合面（表面）２３から水酸基が露出しているものを用いた場合には、ポリエステル変性シリコーン材料中に残存している水酸基と、第１の基材２１が備える水酸基とが結合することから、ポリエステル変性シリコーン材料を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても第１の基材２１に結合させることができる。その結果、接合膜３は、第１の基材２１の接合面２３に対して、強固に結合したものとなる。
【００４８】
また、シリコーン材料は、その化合物中において、上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（４）で表わされる単位構造が備える、Ｒ１のうちの少なくとも１つは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。また、接合膜３中にフェニル基が含まれる構成とすることにより、形成される接合膜３をより膜強度に優れたものとし得るという利点も得られる。
【００４９】
さらに、上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（４）で表わされる単位構造が備えるＲ１のうちのフェニル基でないＲ１はメチル基となっている。基Ｒ１がメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程［４Ａ］において、接合膜３に接合用エネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜３に確実に接着性を発現させることができる。
【００５０】
また、前記シリコーン材料は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程［５Ａ］において、接合膜３を介して第１の基材２１に第２の基材２２を接合して接合体１を得る際に、例えば、第１の基材２１と第２の基材２２との各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、各基材２１、２２間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体１において、各基材２１、２２と接合膜３との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００５１】
また、前記シリコーン材料は、耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。具体的には、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、接合膜３を用いて接合すれば、その耐久性を確実に向上させることができる。また、前記シリコーン材料は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。
【００５２】
また、本明細書中において、「ポリエステル樹脂」とは、トリメチロールプロパンとテレフタル酸とがエステル化反応することにより得られた化合物をいい、１分子中に少なくとも２つの水酸基を備えるものが好適に用いられる。
このようなポリエステル樹脂を、前述したシリコーン材料と縮合反応させると、ポリエステル樹脂が有する水酸基とシリコーン材料が有するシラノール基（水酸基）とが脱水縮合反応し、これにより、シリコーン材料にポリエステル樹脂が連結されたポリエステル変性シリコーン材料が得られる。
【００５３】
なお、テレフタル酸とトリメチロールプロパンとをエステル化反応させる際の、それぞれの含有量は、テレフタル酸が有するカルボキシル基よりもトリメチロールプロパンが有する水酸基よりも多くなるように設定する。これにより、合成されるポリエステル樹脂は、その１分子中において、少なくとも２つの水酸基を備えるものとなる。
以上のことを考慮してテレフタル酸とトリメチロールプロパンとから得られるポリエステル樹脂としては、例えば、下記一般式（６）で表わされる化合物が挙げられる。
【００５４】
【化３】
2010275420.tif 000005
【００５５】
このようなポリエステル樹脂は、その分子中に、テレフタル酸に由来するフェニレン基が含まれることとなる。かかる構成のポリエステル樹脂を含有するポリエステル変性シリコーン材料を用いて接合膜３を形成すると、形成される接合膜３は、ポリエステル樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
また、このようなポリエステル樹脂をポリエステル変性シリコーン材料が備えていると、ポリエステル変性シリコーン材料は、通常、螺旋構造をなしているポリオルガノシロキサン骨格から、ポリエステル樹脂が露出するような状態で存在していることとなる。そのため、次工程［３Ａ］において、液状被膜３０を乾燥・硬化させて接合膜３を得る際に、隣接するポリエステル変性シリコーン材料が備えるポリエステル樹脂同士が互いに接触する機会が増大することとなる。その結果、隣接するポリエステル変性シリコーン材料中において、ポリエステル樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備える水酸基同士が脱水縮合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜３の膜強度をより確実に向上させることができる。
【００５６】
また、第１の基材２１として、前述したように、その接合面（表面）２３から水酸基が露出しているものを用いた場合には、ポリエステル樹脂に残存している水酸基と、第１の基材２１が備える水酸基とが脱水縮合反応により結合することから、ポリエステル変性シリコーン材料を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても第１の基材２１に結合させることができる。その結果、接合膜３は、第１の基材２１の接合面２３に対して、強固に結合されたものとなる。さらに、ポリエステル樹脂が備えるケトン基と、第１の基材２１が備える水酸基との間で水素結合が生じることから、かかる結合によっても、接合膜３は、第１の基材２１の接合面２３に対して、強固に接合されたものとなる。
【００５７】
［３Ａ］次に、第１の基材２１上に設けられた液状被膜３０を乾燥および／または硬化させる。すなわち、液状材料中に溶媒または分散媒が含まれる場合には、液状被膜を乾燥させるとともに、液状被膜３０中に含まれるポリエステル変性シリコーン材料を硬化させる。これにより、図１（ｃ）に示すように、第１の基材２１上に接合膜３が得られる。
また、このように、液状被膜３０中に含まれるポリエステル変性シリコーン材料を硬化させることにより得られる接合膜３は、例えば、図３に示すような膜構造をなしていると考えられる。
【００５８】
液状被膜３０を乾燥・硬化させる方法としては、特に限定されないが、液状被膜３０を加熱する方法が好ましく用いられる。かかる方法によれば、液状被膜３０を加熱するという単純な方法で、液状被膜３０の乾燥・硬化を容易かつ確実に行うことができる。
すなわち、液状被膜３０を加熱するという単純な方法で、液状被膜３０中に溶媒または分散媒が含まれる場合には、液状被膜３０中から脱溶媒または脱分散媒することにより液状被膜３０を乾燥させることができるとともに、ポリエステル変性シリコーン材料中に含まれる水酸基を脱水縮合反応させることにより乾燥した液状被膜３０を硬化させることができる。
【００５９】
以上のように、液状被膜３０を乾燥・硬化させて接合膜３を形成すると、その膜中において、ポリエステル変性シリコーン材料中に含まれる水酸基同士が脱水縮合反応して化学的に連結されることから、接合膜３を優れた膜強度を有するものとすることができる。
さらに、接合膜３と第１の基材２１との界面において、ポリエステル変性シリコーン材料中に含まれる水酸基と第１の基材２１の表面から露出する水酸基との間で脱水縮合反応による化学的な結合が生じるとともに、ポリエステル変性シリコーン材料中に含まれるケトン基と第１の基材２１の表面から露出する水酸基との間で水素結合が生じることから、第１の基材２１に対する密着性に優れた接合膜３を形成することができる。
【００６０】
液状被膜３０を加熱する際の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、１５０〜２５０℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱する時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状被膜３０を乾燥・硬化させることにより、次工程［４Ａ］において、接合用エネルギーを付与することにより接着性が好適に発現する接合膜３を確実に形成することができる。また、ポリエステル変性シリコーン材料が有する水酸基同士を、さらには、ポリエステル変性シリコーン材料が有する水酸基と第１の基材２１が有する水酸基とを、確実に結合させることができるため、形成される接合膜３を膜強度に優れ、かつ第１の基材２１に対して強固に結合したものとすることができる。
【００６１】
さらに、加熱する際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の膜密度が緻密化して、接合膜３をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
以上のように、接合膜３を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜３の膜強度等を所望のものとすることができる。
【００６２】
接合膜３の平均厚さは、１０〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。供給する液状材料の量を適宜設定して、形成される接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合した接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、より強固に接合することができる。
【００６３】
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
また、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、後述する接合体の剥離方法において、接合膜３内にへき開を確実に生じさせて、第１の基材２１から第２の基材２２を剥離することができる。
【００６４】
さらに、接合膜３の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜３がある程度弾性に富むものとなることから、後工程［５Ａ］において、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合する際に、接合膜３と接触させる第２の基材２２の接合面２４にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜３で取り囲むようにして接合膜３と接合面２４とが接合することとなる。そのため、このパーティクルが存在することによって、接合膜３と接合面２４との界面における接合強度が低下したり、この界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
また、本実施形態では、液状材料を供給して接合膜３を形成する構成となっていることから、たとえ第１の基材２１の接合面２３に凹凸が存在している場合であっても、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するようにして接合膜３を形成ことができる。その結果、接合膜３が凹凸を吸収して、その表面がほぼ平坦面で構成されることとなる。
【００６５】
［４Ａ］次に、接合面２３に形成された接合膜３の表面３２に対して接合用エネルギーを付与する（図２（ｄ）参照）。
接合膜３に接合用エネルギーを付与すると、この接合膜３では、表面３２付近の分子結合（例えば、Ｓｉ−ＣＨ３結合や、Ｓｉ−Ｐｈｅ）の一部が切断し、表面３２が活性化されることに起因して、表面３２付近に第２の基材２２に対する接着性が発現する。
このような状態の第１の基材２１は、第２の基材２２と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
【００６６】
ここで、本明細書中において、表面３２が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３２の分子結合の一部、具体的には、例えば、シリコーン材料やポリエステル樹脂が備えるメチル基やフェニル基が切断されて、接合膜３中に終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【００６７】
接合膜３に付与する接合用エネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３にプラズマを接触させる（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３に接合用エネルギーを付与する方法として、特に、Ｉ：接合膜３にエネルギー線を照射する方法、および、II：接合膜３にプラズマを接触させる方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よく接合用エネルギーを付与することができるので、接合用エネルギーを付与する方法として好適に用いられ、接合膜の表面を効率よく活性化させることができる。また、接合膜３中の分子構造を必要以上に切断しないので、後述する接合体の剥離方法において剥離用エネルギーを付与した際に、接合膜３内で確実にへき開を生じさせることができる。
【００６８】
Ｉ：接合膜にエネルギー線を照射する方法
前記エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の骨格をなす分子結合が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、接合膜３から表面３２付近の分子結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
【００６９】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、分子結合の切断を効率よく行うことができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【００７０】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３２付近の分子結合を切断し得る程度の時間、すなわち、接合膜３の表面付近に存在する分子結合を選択的に切断し得る程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、１秒〜３０分程度であるのが好ましく、１秒〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【００７１】
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、大気雰囲気（特に、露点が低い雰囲気下）中で行うのが好ましい。これにより、表面３２付近にオゾンガスが生じて、表面３２の活性化がより円滑に行われることとなる。さらに、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【００７２】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、接合用エネルギーの付与による第１の基材２１の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与する接合用エネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３で切断される分子結合の量を調整することが可能となる。このように切断される分子結合の量を調整することにより、第１の基材２１と第２の基材２２との間の接合強度を容易に制御することができる。
【００７３】
すなわち、表面３２付近で切断される分子結合の量を多くすることにより、接合膜３の表面３２付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、表面３２付近で切断される分子結合の量を少なくすることにより、接合膜３の表面３２付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与する接合用エネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きな接合用エネルギーを付与することができるので、接合用エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【００７４】
II：接合膜にプラズマを接触させる方法
接合膜３に対するプラズマの接触は、減圧下で行うようにしてもよいが、大気圧下において好適に行われる。すなわち、接合膜３を大気圧プラズマで処理するのが好ましい。大気圧プラズマ処理によれば、接合膜３の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、ポリエステル変性シリコーン材料のポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去する際（接合膜３の活性化の際）に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
かかる大気圧下におけるプラズマ処理は、例えば、図５に示す大気圧プラズマ処理装置を用いて行うことができる。
【００７５】
図５は、大気圧プラズマ装置の構成を示す概略図である。
図５に示す大気圧プラズマ装置１０００は、接合膜３が形成された第１の基材２１（以下、単に「被処理基板Ｗ」と言う。）を搬送する搬送装置１００２と、搬送装置１００２の上方に設置されたヘッド１０１０とを備えている。
この大気圧プラズマ装置１０００では、ヘッド１０１０が備える印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に、プラズマが発生するプラズマ発生領域ｐが形成される。
【００７６】
以下、各部の構成について説明する。
搬送装置１００２は、被処理基板Ｗを積載可能な移動ステージ１０２０を有している。この移動ステージ１０２０は、搬送装置１００２が有する移動手段（図示せず）の作動により、ｘ軸方向に移動することができる。
なお、移動ステージ１０２０は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
【００７７】
ヘッド１０１０は、ヘッド本体１１０１と、印加電極１０１５と、対向電極１０１９とを有している。
ヘッド１０１０には、移動ステージ１０２０（搬送装置１００２）の上面とヘッド１０１０の下面１１０３との間隙１１０２に、プラズマ化された処理ガスＧを供給するガス供給流路１０１８が設けられている。
【００７８】
ガス供給流路１０１８は、ヘッド１０１０の下面１１０３に形成された開口部１１８１で開口している。また、図５に示すように、下面１１０３の左側には、段差が形成されている。これにより、ヘッド本体１１０１の左側部分と移動ステージ１０２０との間隙１１０４が、間隙１１０２よりも小さく（狭く）なっている。このため、プラズマ化された処理ガスＧが間隙１１０４に入り込むのを抑制または防止されて、ｘ軸正方向に優先的に流れるようになっている。
なお、ヘッド本体１１０１は、例えば、アルミナ、石英等の誘電体材料で構成されている。
【００７９】
ヘッド本体１１０１には、ガス供給流路１０１８を挟むように、印加電極１０１５と対向電極１０１９とが対抗して設置され、これにより一対の平行平板型電極が構成されている。これらのうち、印加電極１０１５は高周波電源１０１７に電気的に接続され、対向電極１０１９は接地されている。
これら印加電極１０１５および対向電極１０１９は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等の金属材料で構成されている。
【００８０】
このような大気圧プラズマ装置１０００を用いて、被処理基板Ｗをプラズマ処理する場合、まず、印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に電圧を印加して、電界Ｅを発生させる。この状態で、ガス供給流路１０１８に、処理ガスＧを流入させる。このとき、ガス供給流路１０１８に流入した処理ガスＧは、電界Ｅの作用により放電してプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスＧは、下面１１０３側の開口部１１８１から、間隙１１０２内に供給される。これにより、プラズマ化された処理ガスＧが被処理基板Ｗに設けられた接合膜３の表面３２に接触して、プラズマ処理が施される。
かかる大気圧プラズマ装置１０００を用いることにより、容易かつ確実に、接合膜３にプラズマを接触させ、接合膜３を活性化させることができる。
【００８１】
ここで、印加電極１０１５と移動ステージ１０２０（被処理基板Ｗ）と間の距離、すなわち、間隙１１０２高さ（図５中、ｈ１で示す長さ）は、高周波電源１０１７の出力や、被処理基板Ｗに施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜決定されるが、０．５〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２ｍｍ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３にプラズマを接触させて、接合膜３をより確実に活性化させることができる。
【００８２】
また、印加電極１０１５と対向電極１０１９との間に印加する電圧は、１．０〜３．０ｋＶｐ−ｐ程度であるのが好ましく、１．０〜１．５ｋＶｐ−ｐ程度であるのがより好ましい。これにより、印加電極１０１５と移動ステージ１０２０と間に電界Ｅをより確実に発生させることができ、ガス供給流路１０１８に供給された処理ガスＧを確実にプラズマ化させることができる。
高周波電源１０１７の周波数（印加する電圧の周波数）は、特に限定されないが、１０〜５０ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
【００８３】
処理ガスＧの種類としては、特に限定されないが、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガスのような希ガス、酸素ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、処理ガスＧには、希ガスを主成分とするガスを用いるのが好ましく、特にヘリウムガスを主成分とするガスを用いるのが好ましい。
すなわち、処理に用いるプラズマは、ヘリウムガスを主成分とするガスをプラズマ化したものであるのが好ましい。ヘリウムガスを主成分とするガス（処理ガスＧ）は、プラズマ化の際にオゾンを発生させ難く、このため、接合膜３の表面３２のオゾンによる変質（酸化）を防止することができる。その結果、接合膜３の活性化の程度が低下するのを抑制すること、すなわち、接合膜３を確実に活性化させることができる。さらに、接合膜３の活性化を短時間でかつ確実に行うことができる。
【００８４】
この場合、ヘリウムガスを主成分とするガスのガス供給流路１０１８への供給速度は、１〜２０ＳＬＭ程度であるのが好ましく、５〜１５ＳＬＭ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の活性化の程度を制御し易くなる。
また、このガス（処理ガスＧ）中のヘリウムガスの含有量は、８５ｖｏｌ％以上が好ましく、９０ｖｏｌ％以上（１００％も含む）がより好ましい。これにより、前述した効果をさらに顕著に発揮させることができる。
【００８５】
また、移動ステージ１０２０の移動速度は、特に限定されないが、１〜２０ｍｍ／秒程度であるのが好ましく、３〜６ｍｍ／秒程度であるのがより好ましい。このような速度でプラズマを接合膜３に接触させることにより、短時間であるにもかかわらず、接合膜３を十分かつ確実に活性化させることができる。
このような接合膜にプラズマを接触させる方法によっても、エネルギー線を照射する方法で挙げたのと同様の効果が得られる。
【００８６】
［５Ａ］次に、接合膜３と第２の基材２２とが密着するように、第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせる（図３（ｅ）参照）。これにより、前記工程［４Ａ］において、接合膜３の表面３２に第２の基材２２に対する接着性が発現していることから、接合膜３と第２の基材２２の接合面２４とが化学的に結合する。その結果、第１の基材２１と第２の基材２２とが、接合膜３により接合され、図３（ｆ）に示すような接合体１が得られる。
【００８７】
このようにして得られた接合体１では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、２つの基材２１、２２が接合されている。このため、接合体１は短時間で形成することができ、かつ、基材２１、２２と接合膜３との界面において極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
【００８８】
また、このような接合方法によれば、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第１の基材２１および第２の基材２２をも、接合に供することができる。
また、接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接合しているため、各基材２１、２２の構成材料に制約がないという利点もある。
以上のことから、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
【００８９】
また、第１の基材２１の熱膨張率と第２の基材２２の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
具体的には、第１の基材２１と第２の基材２２との熱膨張率の差にもよるが、第１の基材２１および第２の基材２２の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第１の基材２１と第２の基材２２との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体１における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
【００９０】
また、この場合、具体的な第１の基材２１と第２の基材２２との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
また、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合する接合膜３の面積や形状を適宜設定することにより、接合膜３に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、第１の基材２１と第２の基材２２との間で熱膨張率差が大きい場合でも、各基材２１、２２を確実に接合することができる。
【００９１】
なお、本実施形態では、前記工程［４Ａ］および本工程［５Ａ］で示したように、接合膜３に接合用エネルギーを付与して、接合膜３の接合面（表面）２３付近に接着性を発現させた後、接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接触させることにより接合体１を得るようにしたが、これに限らず、接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接触させた後、接合膜３に接合用エネルギーを付与することにより接合体１を得るようにしてもよい。すなわち、前記工程［４Ａ］と本工程［５Ａ］との順序を逆にして接合体１を得るようにしてもよい。このような順序で各工程を施して接合体１を得る場合においても前述したのと同様の効果が得られる。
【００９２】
ここで、本工程において、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第２の基材２２の接合面２４に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、第１の基材２１に形成された接合膜３と、第２の基材２２の接合面２４とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３２に存在する水酸基と、第２の基材２２の接合面２４に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、第１の基材２１と第２の基材２２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、第１の基材２１と第２の基材２２とがより強固に接合されると推察される。
【００９３】
また、第１の基材２１の接合膜３の表面や内部、および、第２の基材２２の接合面２４や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手（ダングリングボンド）が存在している場合、第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜３と第２の基材２２とが特に強固に接合される。
【００９４】
なお、前記工程［４Ａ］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［４Ａ］の終了後、できるだけ早く本工程［５Ａ］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［４Ａ］の終了後、６０分以内に本工程［５Ａ］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【００９５】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、ポリエステル変性シリコーン材料を乾燥・硬化させて得られた接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた第１の基材２１を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［４Ａ］に記載した接合用エネルギーの付与を行うようにすれば、接合体１の製造効率の観点から有効である。
以上のようにして、図３（ｆ）に示す接合体１を得ることができる。
【００９６】
このようにして得られた接合体１は、第１の基材２１と第２の基材２２との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体１は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、かかる構成の接合方法によれば、第１の基材２１と第２の基材２２とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体１を効率よく作製することができる。
なお、接合体１を得る際、または、接合体１を得た後に、この接合体１に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［６ａ］、［６ｂ］および［６ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体１の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【００９７】
［６ａ］  図３（ｇ）に示すように、得られた接合体１を、第１の基材２１と第２の基材２２とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第１の基材２１の表面および第２の基材２２の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、接合体１における接合強度をより高めることができる。
また、接合体１を加圧することにより、接合体１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体１における接合強度をさらに高めることができる。
【００９８】
なお、この圧力は、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料によっては、各基材２１、２２に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【００９９】
［６ｂ］  図３（ｇ）に示すように、得られた接合体１を加熱する。
これにより、接合体１における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体１を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【０１００】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［６ａ］、［６ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図３（ｇ）に示すように、接合体１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体１の接合強度を特に高めることができる。
【０１０１】
［６ｃ］  得られた接合体１に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と第２の基材２２との間に形成される化学結合を増加させ、接合体１の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［４Ａ］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
また、本工程［６ｃ］を行う場合、第１の基材２１および第２の基材２２のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基材側から、紫外線を照射することにより、接合膜３に対して確実に紫外線を照射することができる。
【０１０２】
以上のような工程を行うことにより、接合体１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、本構成の接合方法では、液滴吐出法としてインクジェット法を用いる場合について説明したが、これに限定されず、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出するバブルジェット法（「バブルジェット」は登録商標）を液滴吐出法として用いるようにしてもよい。バブルジェット法によっても前述したのと同様の効果が得られる。
【０１０３】
＜＜第２構成＞＞
次に、接合体の形成方法の第２構成について説明する。
図６は、接合体の形成方法の第２構成を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、接合体の形成方法の第２構成について説明するが、前記第１構成に記載の接合体の形成方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１０４】
接合体の形成方法の第２構成では、接合面（表面）２３上に、液状材料を用いて接合膜３が形成されている他に、さらに第２の基材２２の接合面（表面）２４上にも液状材料を用いて接合膜３が形成されている。そして、それぞれの基材２１、２２が備える接合膜３の表面３２付近に接着性を発現させ、これら接合膜３同士を接触させることにより、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合させて接合体１を得る以外は前記第１構成と同様である。
すなわち、本構成の接合体の形成方法は、液状材料を用いて、第１の基材２１上および第２の基材２２上の双方に接合膜３を形成して、これら接合膜３同士を一体化させることにより、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合する接合体の形成方法である。
【０１０５】
［１Ｂ］まず、前記工程［１Ａ］と同様の第１の基材２１と第２の基材２２とを用意する。
［２Ｂ］次に、前記工程［２Ａ］および前記工程［３Ａ］で説明したのと同様にして、第１の基材２１の接合面２３に接合膜３を形成するとともに、第２の基材２２の接合面２４にも接合膜３を形成する。
［３Ｂ］次に、前記工程［４Ａ］で説明したのと同様にして、第１の基材２１に形成された接合膜３と、第２の基材２２に形成された接合膜３との双方に対して接合用エネルギーを付与することにより、各接合膜３の表面３２付近に接着性を発現させる。
【０１０６】
［４Ｂ］次に、図６（ａ）に示すように、各基材２１、２２が備える接着性が発現した接合膜３同士を、それぞれが密着するように、各基材２１、２２同士を貼り合わせる。これにより、双方の基材２１、２２に形成された接合膜３により、基材２１、２２同士が接合され、図６（ｂ）に示すような接合体１が得られる。
なお、各基材２１、２２同士を貼り合わせる際の条件は、前記工程［５Ａ］で説明したのと同様の条件に設定される。
以上のようにして接合体１を得ることができる。
【０１０７】
なお、接合体１を得た後、この接合体１に対して、必要に応じ、前記第１構成の工程［６ａ］、［６ｂ］および［６ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、接合体１を加圧しつつ、加熱することにより、接合体１の各基材２１、２２同士がより近接する。これにより、各接合膜３の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。その結果、接合膜３の一体化がより進行し、最終的には、ほぼ完全に一体化される。
【０１０８】
＜接合体の剥離方法＞
次に、本発明の接合体の剥離方法について説明する。
図７は、本発明の接合体の剥離方法で図１に示す接合体を剥離する過程を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１０９】
［１］まず、接合体の剥離方法に供される接合体として、前述したような、第１の基材２１と第２の基材２２とが、ポリエステル変性シリコーン材料を含有する接合膜３を介して接合された接合体１を用意する（図７（ａ）参照。）。
なお、次工程［２］において、接合膜３に剥離用エネルギーを付与する方法として、エネルギー線（例えば、紫外線）を照射する方法を用いる場合には、第１の基材２１および第２の基材２２の少なくとも一方、すなわちエネルギー線を照射する側の基材に、エネルギー線（例えば、紫外線）透過性を有するものが用いられる。
【０１１０】
このようなエネルギー線透過性を有する基材の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル系共重合体等のポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ＰＭＭＡのような樹脂材料や、ＭｇＡｌ２Ｏ４のようなセラミックス系材料等の紫外線透過性を有するものが挙げられる。
【０１１１】
［２］次に、この接合体１の接合膜３に、剥離用エネルギーを付与する（図７（ｂ）参照。）。これにより、前記ポリエステル変性シリコーン材料を構成する分子結合の一部が切断されることとなり、その結果として、接合膜３内にへき開が生じるため、第１の基材２１から第２の基材２２を剥離することが可能となる。
ここで、剥離用エネルギーを付与することにより、接合膜３にへき開が生じるメカニズムとしては、次のようなことが考えられる。
【０１１２】
接合膜３に含まれるポリエステル変性シリコーン材料では、その主骨格が分枝状をなすポリジメチルシロキサンで構成されているため、接合膜３に剥離用エネルギーが付与されると、Ｓｉ−ＣＨ３結合やＳｉ−Ｐｈｅ結合が切断されるが、これらのうち、Ｓｉ−ＣＨ３結合が切断されると、雰囲気中の水分子等と反応することにより、例えば、メタンが発生する。このメタンは、気体（メタンガス）として存在し、大きな体積を占有することから、気体が発生した部分で、接合膜３が押し上げられる。その結果、Ｓｉ−Ｏ結合やポリエステル樹脂に由来する結合も切断され、最終的に接合膜３内にへき開が生じるものと推察される。
【０１１３】
さらに、本発明では、接合膜３（ポリエステル変性シリコーン材料）中に、テレフタル酸とトリメチロールプロパンから得られるポリエステル樹脂がシリコーン材料と脱水縮合反応したものが含まれる。そのため、このポリエステル樹脂に由来するメチル基が切断されることによっても、メタンガスが発生することから、接合膜３内におけるへき開がより確実に生じることとなる。
【０１１４】
剥離用エネルギーを付与する際の雰囲気は、雰囲気中に水分子が含まれていればよく、特に限定されないが、大気雰囲気であるのが好ましい。大気雰囲気であれば、特に装置を必要とせず、雰囲気中に十分な量の水分子が含まれていることから、接合膜３内にへき開を確実に生じさせることができる。
このように接合膜３にへき開を生じさせるためには、接合膜３がＳｉＯＸで構成されることなく、膜中に有機物が結合した状態、すなわちシリコーン材料とポリエステル樹脂を含有した状態で接合膜３が形成されている必要があるが、接合膜３における、シリコン原子と炭素原子の存在比は、２：８〜８：２程度であるのが好ましく、３：７〜７：３程度であるのがより好ましい。シリコン原子と炭素原子の存在比が前記範囲内となっていることにより、接合膜３として優れた機能を発揮させることができるとともに、剥離用エネルギーの付与によりへき開が確実に生じる膜となる。
【０１１５】
また、剥離用エネルギーの大きさは、接合用エネルギーの大きさよりも大きくなっているのが好ましい。これにより、接合用エネルギーを付与した際には、接合膜３の表面付近に存在するＳｉ−ＣＨ３結合が選択的に切断されることとなるが、剥離用エネルギーを付与した際には、接合膜３内部に残存するＳｉ−ＣＨ３結合を確実に切断することができる。その結果、接合用エネルギーを付与した際には、接合膜３の表面付近に接着性が発現し、剥離用エネルギーを付与した際には、接合膜３にへき開が生じることとなる。
【０１１６】
また、接合膜３に付与する剥離用エネルギーは、前述した接合用エネルギーと同様に、いかなる方法を用いての付与するものであってもよく、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３にプラズマを接触させる（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３に剥離用エネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法および接合膜３を加熱する方法のうちの少なくとも１つの一方により行うのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に、かつ選択的に剥離用エネルギーを付与することができるので、接合膜３により確実にへき開を生じさせることができる。
【０１１７】
エネルギー線としては、接合用エネルギーの説明で記載したのと同様のものが挙げられるが、中でも、特に、紫外線、レーザ光のような光であるのが好ましい。これにより、第１の基材２１および第２の基材２２に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、接合膜３にへき開を確実に生じさせることができる。
紫外線の波長は、好ましくは１２６〜３００ｎｍ程度、より好ましくは１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
【０１１８】
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１１９】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３内にへき開が生じる程度の時間に設定される。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、１０〜１８０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１２０】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による第１の基材２１および第２の基材２２の変質・劣化を確実に防止することができる。
【０１２１】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。また、パルス幅が前記範囲内であれば、レーザ光の照射に伴って熱が蓄積し、高温の領域が接合膜３の厚さ方向（レーザ光の照射方向）へ広がるのを特に確実に防止することができる。これにより、へき開位置の位置精度をより高めることができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１２２】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、Ｓｉ−ＣＨ３結合やＳｉ−ＣＨ３結合の分子結合を選択的に切断することができる。
【０１２３】
また、接合膜３内にへき開を生じさせるためのエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、不活性ガス雰囲気（特に、窒素ガス雰囲気）中で行うのが好ましい。これにより、接合膜３内に効率よくエネルギーが供給されて、接合膜３内により確実にへき開が生じることとなる。
【０１２４】
また、接合膜３を加熱する場合、接合体１を加熱する際の温度は、好ましくは１００〜４００℃程度とされ、より好ましくは１５０〜３００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、第１の基材および第２の基材が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３にへき開を確実に生じさせることができる。
また、加熱時間は、接合膜３内にへき開が生じる程度の時間に設定される。具体的には、加熱する温度、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、１０〜１８０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１２５】
なお、接合用エネルギーを付与する方法と、剥離用エネルギーを付与する方法とは、同一であっても、異なっていてもよいが、同一であるのが好ましい。これらを同一の方法とすれば、剥離用エネルギーの大きさと接合用エネルギーの大きさとを比較的容易に設定できることから、前述したように剥離用エネルギーの大きさを接合用エネルギーの大きさよりも容易に大きくすることができる。また、これらのエネルギーを付与するために用いる装置を同一のものとし得ること、すなわち、同一の装置で接合体１の形成から剥離まで行え得ることから、コストの削減を図ることができる。
【０１２６】
以上のように、接合膜３に剥離用エネルギーを付与するという容易な方法で、第１の基材２１から第２の基材２２を効率よく剥離することができる。そのため、基材２１、２２同士が異なる材料で構成される場合であったとしても、基材２１、２２毎に分別して再利用に供することができるため、接合体１のリサイクル率を確実に向上させることができる。
【０１２７】
＜液滴吐出ヘッド＞
次に、上述した接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
図８は、インクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図、図９は、図８に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図、図１０は、図８に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、図８は、通常使用される状態とは、上下逆に示されている。
図８に示すインクジェット式記録ヘッド１０は、図１０に示すようなインクジェットプリンタ９に搭載されている。
【０１２８】
図１０に示すインクジェットプリンタ９は、装置本体９２を備えており、上部後方に記録用紙Ｐを設置するトレイ９２１と、下部前方に記録用紙Ｐを排出する排紙口９２２と、上部面に操作パネル９７とが設けられている。
操作パネル９７は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
また、装置本体９２の内部には、主に、往復動するヘッドユニット９３を備える印刷装置（印刷手段）９４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置９４に送り込む給紙装置（給紙手段）９５と、印刷装置９４および給紙装置９５を制御する制御部（制御手段）９６とを有している。
【０１２９】
制御部９６の制御により、給紙装置９５は、記録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、ヘッドユニット９３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット９３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット９３の往復動と記録用紙Ｐの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。
【０１３０】
印刷装置９４は、ヘッドユニット９３と、ヘッドユニット９３の駆動源となるキャリッジモータ９４１と、キャリッジモータ９４１の回転を受けて、ヘッドユニット９３を往復動させる往復動機構９４２とを備えている。
ヘッドユニット９３は、その下部に、多数のノズル孔１１１を備えるインクジェット式記録ヘッド１０（以下、単に「ヘッド１０」と言う。）と、ヘッド１０にインクを供給するインクカートリッジ９３１と、ヘッド１０およびインクカートリッジ９３１を搭載したキャリッジ９３２とを有している。
なお、インクカートリッジ９３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。
【０１３１】
往復動機構９４２は、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸９４３と、キャリッジガイド軸９４３と平行に延在するタイミングベルト９４４とを有している。
キャリッジ９３２は、キャリッジガイド軸９４３に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト９４４の一部に固定されている。
【０１３２】
キャリッジモータ９４１の作動により、プーリを介してタイミングベルト９４４を正逆走行させると、キャリッジガイド軸９４３に案内されて、ヘッドユニット９３が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド１０から適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷が行われる。
給紙装置９５は、その駆動源となる給紙モータ９５１と、給紙モータ９５１の作動により回転する給紙ローラ９５２とを有している。
【０１３３】
給紙ローラ９５２は、記録用紙Ｐの送り経路（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ９５２ａと駆動ローラ９５２ｂとで構成され、駆動ローラ９５２ｂは給紙モータ９５１に連結されている。これにより、給紙ローラ９５２は、トレイ９２１に設置した多数枚の記録用紙Ｐを、印刷装置９４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ９２１に代えて、記録用紙Ｐを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
【０１３４】
制御部９６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置９４や給紙装置９５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部９６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子（振動源）１４を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置９４（キャリッジモータ９４１）を駆動する駆動回路、給紙装置９５（給紙モータ９５１）を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。
また、ＣＰＵには、例えば、インクカートリッジ９３１のインク残量、ヘッドユニット９３の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。
【０１３５】
制御部９６は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。ＣＰＵは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により圧電素子１４、印刷装置９４および給紙装置９５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに印刷が行われる。
【０１３６】
以下、ヘッド１０について、図８および図９を参照しつつ詳述する。
ヘッド１０は、ノズル板１１と、インク室基板１２と、振動板１３と、振動板１３に接合された圧電素子（振動源）１４とを備えるヘッド本体１７と、このヘッド本体１７を収納する基体１６とを有している。なお、このヘッド１０は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成する。
【０１３７】
ノズル板１１は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、石英ガラスのようなシリコン系材料、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金のような金属系材料、アルミナ、酸化鉄のような酸化物系材料、カーボンブラック、グラファイトのような炭素系材料等で構成されている。
このノズル板１１には、インク滴を吐出するための多数のノズル孔１１１が形成されている。これらのノズル孔１１１間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。
【０１３８】
ノズル板１１には、インク室基板１２が固着（固定）されている。
このインク室基板１２は、ノズル板１１、側壁（隔壁）１２２および後述する振動板１３により、複数のインク室（キャビティ、圧力室）１２１と、インクカートリッジ９３１から供給されるインクを貯留するリザーバ室１２３と、リザーバ室１２３から各インク室１２１に、それぞれインクを供給する供給口１２４とが区画形成されている。
各インク室１２１は、それぞれ短冊状（直方体状）に形成され、各ノズル孔１１１に対応して配設されている。各インク室１２１は、後述する振動板１３の振動により容積可変であり、この容積変化により、インクを吐出するよう構成されている。
【０１３９】
インク室基板１２を得るための母材としては、例えば、シリコン単結晶基板、各種ガラス基板、各種樹脂基板等を用いることができる。これらの基板は、いずれも汎用的な基板であるので、これらの基板を用いることにより、ヘッド１０の製造コストを低減することができる。
一方、インク室基板１２のノズル板１１と反対側には、振動板１３が接合され、さらに振動板１３のインク室基板１２と反対側には、複数の圧電素子１４が設けられている。
また、振動板１３の所定位置には、振動板１３の厚さ方向に貫通して連通孔１３１が形成されている。この連通孔１３１を介して、前述したインクカートリッジ９３１からリザーバ室１２３に、インクが供給可能となっている。
【０１４０】
各圧電素子１４は、それぞれ、下部電極１４２と上部電極１４１との間に圧電体層１４３を介挿してなり、各インク室１２１のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電素子１４は、圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動（振動、変形）するよう構成されている。
各圧電素子１４は、それぞれ、振動源として機能し、振動板１３は、圧電素子１４の振動により振動し、インク室１２１の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。
基体１６は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で構成されており、この基体１６にノズル板１１が固定、支持されている。すなわち、基体１６が備える凹部１６１に、ヘッド本体１７を収納した状態で、凹部１６１の外周部に形成された段差１６２によりノズル板１１の縁部を支持する。
【０１４１】
以上のような、ノズル板１１とインク室基板１２との接合、インク室基板１２と振動板１３との接合、およびノズル板１１と基体１６との接合のうち、少なくとも１箇所を接合する際に前述した接合の形成方法が用いられる。
換言すれば、ノズル板１１とインク室基板１２との接合体、インク室基板１２と振動板１３との接合体、およびノズル板１１と基体１６との接合体のうち、少なくとも１つに上述した接合体が適用されている。
【０１４２】
このようなヘッド１０は、上記の接合界面に前述したような接合膜３が介挿されて接合されている。このため、接合界面の接合強度および耐薬品性が高くなっており、これにより、各インク室１２１に貯留されたインクに対する耐久性および液密性が高くなっている。その結果、ヘッド１０は、信頼性の高いものとなる。
また、非常に低温で信頼性の高い接合ができるため、線膨張係数の異なる材料でも大面積のヘッドができる点でも有利である。
【０１４３】
また、ヘッド１０の一部に上述した接合体が適用されていると、寸法精度の高いヘッド１０を構築することができる。このため、ヘッド１０から吐出されたインク滴の吐出方向や、ヘッド１０と記録用紙Ｐとの離間距離を高度に制御することができ、インクジェットプリンタ９による印字結果の品位を高めることができる。
このようなヘッド１０をリサイクル（分解）に供する際に、本発明の接合体の剥離方法を適用することにより、上述した接合体が適用されているノズル板１１とインク室基板１２との接合体、インク室基板１２と振動板１３との接合体、およびノズル板１１と基体１６との接合体のうちの少なくとも１つを確実に剥離することができる。その結果、これらの接合体を、それぞれ、ノズル板１１とインク室基板１２との分解体、インク室基板１２と振動板１３との分解体、およびノズル板１１と基体１６との分解体の少なくとも１つに分解でき、これらを部材毎に再利用することができるため、リサイクル率の向上を確実に図ることができる。
【０１４４】
このようなヘッド１０は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体層１４３に変形が生じない。このため、振動板１３にも変形が生じず、インク室１２１には容積変化が生じない。したがって、ノズル孔１１１からインク滴は吐出されない。
【０１４５】
一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に一定電圧が印加された状態では、圧電体層１４３に変形が生じる。これにより、振動板１３が大きくたわみ、インク室１２１の容積変化が生じる。このとき、インク室１２１内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される。
【０１４６】
１回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極１４２と上部電極１４１との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子１４は、ほぼ元の形状に戻り、インク室１２１の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジ９３１からノズル孔１１１へ向かう圧力（正方向への圧力）が作用している。このため、空気がノズル孔１１１からインク室１２１へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ９３１（リザーバ室１２３）からインク室１２１へ供給される。
【０１４７】
このようにして、ヘッド１０において、印刷させたい位置の圧電素子１４に、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の（所望の）文字や図形等を印刷することができる。
また、ヘッド１０は、圧電素子１４の代わりに電気熱変換素子を有していてもよい。つまり、ヘッド１０は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出するバブルジェット方式（「バブルジェット」は登録商標））のものであってもよい。
【０１４８】
なお、かかる構成のヘッド１０において、ノズル板１１には、撥液性を付与することを目的に形成された被膜１１４が設けられている。これにより、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される際に、このノズル孔１１１の周辺にインク滴が残存するのを確実に防止することができる。その結果、ノズル孔１１１から吐出されたインク滴を目的とする領域に確実に着弾させることができる。
また、前述した接合体は、本実施形態で説明したような液滴吐出ヘッド以外のものに適用可能であることは言うまでもない。具体的には、接合体は、例えば、半導体装置、ＭＥＭＳ、マイクロリアクタ等に適用することができる。
【０１４９】
以上、本発明の接合体の剥離方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合体の剥離方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
【実施例】
【０１５０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
まず、第１の基材として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板を用意し、第２の基材として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの石英ガラス基板を用意し、シリコン基板と石英ガラス基板との双方を、酸素プラズマによる下地処理を行った。
【０１５１】
次に、前記シリコーン材料と前記ポリエステル樹脂とが脱水縮合反応することにより得られたポリエステル変性シリコーン材料（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製、「ＸＲ３２−Ａ１６１２」）を用意し、インクジェット法により、この液状材料を５ｐＬの液滴としてシリコン基板上に供給して、液状被膜を形成した。
次に、この液状被膜を、２００℃、１時間の条件で加熱して、乾燥・硬化させることにより、シリコン基板上に、接合膜（平均厚さ：約１００ｎｍ）を形成した。
【０１５２】
次に、シリコン基板上に形成された接合膜に、図３に示す大気圧プラズマ装置を用いて、以下に示す条件でプラズマを接触させた。これにより、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス    ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離  ：１ｍｍ
・印加電圧    ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数  ：４０ＭＨｚ
・移動速度    ：１ｍｍ／秒
【０１５３】
次に、接合膜のプラズマを接触させた面と、石英ガラス基板の表面とが接触するように、シリコン基板と石英ガラス基板とを重ね合わせた。
そして、シリコン基板と石英ガラス基板とを３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、シリコン基板と石英ガラス基板とがアルファベットの大文字「Ｅ」の形状にパターニングされた接合膜を介して接合された積層体（接合体）を得た。
なお、この積層体のシリコン基板と石英ガラス基板との間の接合強度を、ＱＵＡＤ ＧＲＯＵＰ社製「ロミュラス」）を用いて測定したところ、１０ＭＰａ以上であった。
【０１５４】
次に、得られた積層体が備える接合膜に、以下に示す条件で紫外線を照射した。その結果、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成  ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度  ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力  ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長      ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間  ：３０分
【０１５５】
（実施例２）
第１の基材として、単結晶シリコン基板に代えて、ステンレス鋼基板を用意し、第２の基材として、石英ガラス基板に代えて、ポリエチレン基板を用意した以外は、前記実施例１と同様にして、積層体（接合体）を得た後、積層体が備える接合膜に紫外線を照射した。
本実施例２においても、前記実施例１と同様に、接合膜（平均厚さ：約１００ｎｍ）が形成され、積層体のステンレス鋼基板とポリイミド基板との間の接合強度が１０ＭＰａ以上であった。そして、このような積層体が備える接合膜に紫外線を照射することにより、ステンレス鋼基板からポリイミド基板を剥離することができた。
【０１５６】
（実施例３）
単結晶シリコン基板上に接合膜を形成したのと同様の方法を用いて、石英ガラス基板上にも接合膜を形成し、各基板上に形成された接合膜同士が接触するようにして、シリコン基板と石英ガラス基板とを接合膜を介して接合させた以外は、前記実施例１と同様にして、積層体（接合体）を得た後、積層体が備える接合膜に紫外線を照射した。
本実施例３においても、前記実施例１と同様に、接合膜（平均厚さ：約１００ｎｍ）が形成され、積層体のシリコン基板と石英ガラス基板との間の接合強度が１０ＭＰａ以上であった。そして、このような積層体が備える接合膜に紫外線を照射することにより、シリコン基板から石英ガラス基板を剥離することができた。
【符号の説明】
【０１５７】
１……接合体  ２１……第１の基材  ２２……第２の基材  ２３、２４……接合面  ３……接合膜  ３０……液状被膜  ３１……液滴  ３２……表面  １０……インクジェット式記録ヘッド  １１……ノズル板  １１１……ノズル孔  １１４……被膜  １２……インク室基板  １２１……インク室  １２２……側壁  １２３……リザーバ室  １２４……供給口  １３……振動板  １３１……連通孔  １４……圧電素子  １４１……上部電極  １４２……下部電極  １４３……圧電体層  １６……基体  １６１……凹部  １６２……段差  １７……ヘッド本体  ９……インクジェットプリンタ  ９２……装置本体  ９２１……トレイ  ９２２……排紙口  ９３……ヘッドユニット  ９３１……インクカートリッジ  ９３２……キャリッジ  ９４……印刷装置  ９４１……キャリッジモータ  ９４２……往復動機構  ９４３……キャリッジガイド軸  ９４４……タイミングベルト  ９５……給紙装置  ９５１……給紙モータ  ９５２……給紙ローラ  ９５２ａ……従動ローラ  ９５２ｂ……駆動ローラ  ９６……制御部  ９７……操作パネル  Ｐ……記録用紙  １０００……大気圧プラズマ装置  １００２……搬送装置  １０１０……ヘッド  １１０１……ヘッド本体  １１０２、１１０４……間隙  １１０３……下面  １０１５……印加電極  １０１７……高周波電源  １０１８……ガス供給流路  １０１９……対向電極  １１８１……開口部  １０２０……移動ステージ  Ｅ……電界  Ｇ……処理ガス  ｐ……プラズマ発生領域  Ｗ……被処理基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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