(57)【要約】【課題】ディップ式による絶縁層の表面粗化にて、基板の両面に形成された絶縁層を、同時に均一に低コストで粗化処理を行う、基板絶縁層の表面粗化装置を提供する。【解決手段】処理槽２内の処理済みエッチング液１を電解再生槽６内に導いて再生し、再生後のエッチング液１を処理槽２内に戻し、エッチング液１を循環させながら粗化処理を行う表面粗化装置にて、処理槽２は複数の供給口４１、４２、及び１以上の排出口８０を有し、エッチング液の循環経路を供給切替バルブ９０で切り替えて基板３の絶縁層の表面を粗化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽内で基板の絶縁層の表面をエッチング液で粗化する表面粗化装置において、前記基板の表面を処理した処理済みエッチング液を、１以上の排出口から基幹排出管路を通して電解再生槽内に導いて再生し、再生後のエッチング液を前記電解再生槽の供給口から基幹供給管路を通し、前記基幹供給管路から複数の供給管路を分岐させて前記処理槽の複数の供給口へ接続し、前記基幹供給管路の分岐部分に、複数の前記供給管路を切り替える供給切替バルブを有し、前記供給切替バルブを切り替えて前記処理層内への前記エッチング液の供給口を切り替えることで、前記エッチング液の前記処理層内の流れの方向を切り替えてエッチング液を循環させながら前記基板の絶縁層の表面を粗化することを特徴とする基板絶縁層の表面粗化装置。
【請求項２】
前記処理槽は、１）略直方体の形状であり、その底部の中央部に前記排出口を有し、２）ａ）処理槽内の前記基板の基板面を延長した面が交差する前記処理槽の片側面に第１供給口を有し、前記基板面を延長した面が交差する前記処理槽の他側面の、前記第１供給口と対向する位置に第２供給口を有し、ｂ）前記基幹供給管路が前記供給切替バルブで前記第１供給口へ接続する第１供給管路と、前記第２供給口に接続する第２供給管路に分岐することを特徴とする請求項１記載の基板絶縁層の表面粗化装置。
【請求項３】
前記処理槽は、１）略直方体の形状であり、２）ａ）処理槽内の前記基板の基板面を延長した面が交差する前記処理槽の片側面に第１供給口を有し、前記基板面を延長した面が交差する前記処理槽の他側面の、前記第１供給口と対向する位置に第２供給口を有し、ｂ）前記基幹供給管路が前記供給切替バルブで、前記第１供給口へ接続する第１供給管路と、前記第２供給口に接続する第２供給管路に分岐し、３）ａ）前記片側面の前記第１供給口の上部あるいは下部に第２排出口を有し、前記他側面の前記第２供給口の上部あるいは下部の前記第２排出口と対向する位置に第１排出口を有し、ｂ）第１排出管路と第２排出管路が前記基幹排出管路に合流する箇所に、エッチング液の排出管路を切り替える排出切替バルブを有することを特徴とする請求項１記載の基板絶縁層の表面粗化装置。
【請求項４】
前記処理層は、前記片側面の前記第１供給口と前記第１排出口が上下方向に一定の間隔を有し、前記他側面の前記第２供給口と前記第２排出口が上下方向に一定の間隔を有し、前記処理槽の前記片側面の前記第１供給口及び第２排出口から一定の距離を取った所に第１の整流部材を有し、前記処理槽の前記他側面の前記第２供給口及び第１排出口から一定の距離を取った所に第２の整流部材を有し、前記片側面と前記第１の整流部材の間には、前記第１供給口と前記第２排出口を隔てる仕切り板を有し、前記他側面と前記第２の整流部材の間には、前記第２供給口と前記第１排出口を隔てる仕切り板を有することを特徴とする請求項３記載の基板絶縁層の表面粗化装置。
【請求項５】
前記エッチング液の循環経路を切り替えるための切替バルブの切替時間の間隔は、粗化処理に要する時間の４分の１以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の基板絶縁層の表面粗化装置。
【請求項６】
前記処理槽に供給されるエッチング液の液量は、粗化処理時間あたり、処理槽容積の４倍以上であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の基板絶縁層の表面粗化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大サイズの半導体パッケージ用のビルドアップ基板の表面粗化に関するものであり、特に、絶縁層のエッチング量に偏りのない一様な粗化を行う場合に好適に利用できる、基板絶縁層の表面粗化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ基板を始めとする、高集積、高周波用途向け半導体パッケージ用基板には、一般に、コア材の表面に絶縁層となる樹脂を塗布し、これに直接メッキ形成しパターンエッチングすることによりプリント基板を形成するビルドアップ方式が採用されている。このビルドアップ方式では、絶縁層とメッキとの密着性を良好にするために、メッキ処理前に絶縁層の表面を荒らす粗化処理を施す必要がある。その方法としては、エッチング液を満たした処理槽内に基板を浸す、ディップ式エッチングによる粗化が主に採用されている。
【０００３】
ディップ式による方法では、エッチング液の反応効果を持続させるために、処理済みのエッチング液を電解再生槽で再生しながら循環させている。従って、基板は静止したエッチング液内ではなく、常に流動しているエッチング液内に浸される。この時、基板近傍のエッチング液の流れが一様であれば、均一なエッチング速度が得られる。しかしながら、従来のディップ式の処理槽では、処理槽内でエッチング液の滞留が生じ、エッチング液の疲労分布に差が生じる。そのため、エッチング速度にばらつきが生じるといった問題がある。
【０００４】
このエッチング速度のばらつきを低減するために様々な提案がなされている。例えば、特許文献１に示すように、基板（被処理物）を装着したフレームを処理槽内で振動させ、エッチング液を撹拌させることで、エッチング速度のばらつきを低減し、基板のエッチングを均一化する表面粗化装置が提案されている。また、特許文献２では、基板を装着したカセットを処理槽内で回転させ、エッチング液を撹拌させることで、エッチング速度のばらつきを低減し、基板のエッチングを均一化する表面粗化装置が提案されている。
【０００５】
以下に公知文献を記す。
【特許文献１】特開平８−４１６５９号公報
【特許文献２】特開２００６−３２６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、大型基板においては、特許文献１の方法では基板端部に比較して基板中央部のエッチング液の攪拌が少ないため、相対的にエッチング速度が遅くなり、エッチングが十分に均一化されないといった問題がある。また、特許文献２の方法では、基板中央部のエッチング液の攪拌が十分でないことに加え、基板の回転に必要な処理槽の大きさを確保しなければならない。また、処理槽を大きくしたことに伴って循環させるエッチング液量も増やす必要があり、エッチング液を供給する供給ポンプの高性能化と、駆動のための消費エネルギーの増加によってコストアップにつながる。
【０００７】
ディップ式以外の方法としては、スプレーノズルでエッチング液を基板に吹き付けてエッチングするスプレー式がある。しかし、このスプレー式では、エッチング液を基板に均一に当てることが困難であるためにエッチング速度にばらつきが生じるといった問題や、スプレー圧力でエッチング部の底部が不均一な形状となるなどの問題がする。また、この他の方法としては、プラズマ方式によりエッチングを行う方法も知られているが、Ａ３サイズ以上の面積の基板の両面を同時に均一にエッチングすることは困難である。
【０００８】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、ディップ式による絶縁層の表面粗化において、Ａ３サイズ以上の大きな面積の基板の両面に形成された絶縁層を、同時に均一に低コストで粗化処理を行うことが可能な、基板絶縁層の表面粗化装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために、処理槽内で基板の絶縁層の表面をエッチング液で粗化する表面粗化装置において、前記基板の表面を処理した処理済みエッチング液を、１以上の排出口から基幹排出管路を通して電解再生槽内に導いて再生し、再生後のエッチング液を前記電解再生槽の供給口から基幹供給管路を通し、前記基幹供給管路から複数の供給管路を分岐させて前記処理槽の複数の供給口へ接続し、前記基幹供給管路の分岐部分に、複数の前記供給管路を切り替える供給切替バルブを有し、前記供給切替バルブを切り替えて前記処理層内への前記エッチング液の供給口を切り替えることで、前記エッチング液の前記処理層内の流れの方向を切り替えてエッチング液を循環させながら前記基板の絶縁層の表面を粗化することを特徴とする基板絶縁層の表面粗化装置である。
【００１０】
また、本発明は、上記処理槽は、１）略直方体の形状であり、その底部の中央部に上記排出口を有し、２）ａ）処理槽内の上記基板の基板面を延長した面が交差する上記処理槽の片側面に第１供給口を有し、上記基板面を延長した面が交差する上記処理槽の他側面の、前記第１供給口と対向する位置に第２供給口を有し、ｂ）上記基幹供給管路が上記供給切替バルブで前記第１供給口へ接続する第１供給管路と、前記第２供給口に接続する第２供給管路に分岐することを特徴とする上記の基板絶縁層の表面粗化装置である。
【００１１】
また、本発明は、上記処理槽は、１）略直方体の形状であり、２）ａ）処理槽内の上記基板の基板面を延長した面が交差する上記処理槽の片側面に第１供給口を有し、上記基板面を延長した面が交差する上記処理槽の他側面の、前記第１供給口と対向する位置に第２供給口を有し、ｂ）上記基幹供給管路が上記供給切替バルブで、前記第１供給口へ接続する第１供給管路と、前記第２供給口に接続する第２供給管路に分岐し、３）ａ）前記片側面の前記第１供給口の上部あるいは下部に第２排出口を有し、前記他側面の前記第２供給口の上部あるいは下部の前記第２排出口と対向する位置に第１排出口を有し、ｂ）第１排出管路と第２排出管路が上記基幹排出管路に合流する箇所に、エッチング液の排出管路を切り替える排出切替バルブを有することを特徴とする上記の基板絶縁層の表面粗化装置である。
【００１２】
また、本発明は、上記処理層は、上記片側面の上記第１供給口と上記第１排出口が上下方向に一定の間隔を有し、上記他側面の上記第２供給口と上記第２排出口が上下方向に一定の間隔を有し、上記処理槽の上記片側面の上記第１供給口及び第２排出口から一定の距離を取った所に第１の整流部材を有し、上記処理槽の上記他側面の上記第２供給口及び第１排出口から一定の距離を取った所に第２の整流部材を有し、上記片側面と上記第１の整流部材の間には、上記第１供給口と上記第２排出口を隔てる仕切り板を有し、上記他側面と上記第２の整流部材の間には、上記第２供給口と上記第１排出口を隔てる仕切り板を有することを特徴とする上記の基板絶縁層の表面粗化装置である。
【００１３】
また、本発明は、上記エッチング液の循環経路を切り替えるための切替バルブの切替時間の間隔は、粗化処理に要する時間の４分の１以下であることを特徴とする上記の基板絶縁層の表面粗化装置である。
【００１４】
また、本発明は、上記処理槽に供給されるエッチング液の液量は、粗化処理時間あたり
、処理槽容積の４倍以上であることを特徴とする上記の基板絶縁層の表面粗化装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、エッチング液の循環経路を切り替えるための切替バルブの切り替えによって、処理槽内のエッチング液の流れに変化を与えることができるため、定常的な滞留を防ぎ、基板のエッチング速度のばらつきを減少させることができる。切替バルブの切り替えによって、処理槽の底部から供給されるエッチング液を、交互に相対する側面から排出させることができるため、定常的な滞留を防ぎ、基板のエッチング速度のばらつきを減少させることができる。また、処理槽の側面からエッチング液を供給し対面する側面から排出させることにより、一様な流れを生じさせやすく、基板のエッチング速度のばらつきを減少させる。更に、切替バルブの切り替えによって、処理槽内の流れを真逆にすることができるため、流れの上流と下流の位置の差によって生じるエッチング量のばらつきを減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面に従って説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明による基板絶縁層の表面粗化装置の第１の実施形態を断面で示す概略の構成図である。図１に示すように、表面粗化装置は、エッチング液１を満たす高さ（Ｈ）１ｍ、幅３０ｃｍ、長さ（Ｌ）１．６ｍの略直方体の処理槽２を有し、基板３は、基板支持フォルダ１１に吊り下げ、処理槽２に漬ける。そして、処理槽２の第１の側面に、基板３の絶縁層表面を粗化した処理済みエッチング液１を排出する第１排出口８１を設置し、第１の側面に対向する第２の側面に第２排出口８２を設置する。その第１排出口８１からの第１排出管路７１、第２排出口８２からの第２排出管路７２、及び、それらの排出管路を合流させる排出切替バルブ９２と基幹排出管路７を設置する。基幹排出管路７が接続する電解再生槽６、電解再生槽６が再生したエッチング液１を供給する基幹供給管路５と、それを分岐させる供給切替バルブ９１と第１供給管路５１と第２供給管路５２を設ける。第１供給管路５１が接続する第１供給口４１を処理槽２の第２の側面に設け、第２供給管路５２が接続する第２供給口４２を、処理槽２の第１の側面に設ける。そして、エッチング液１を循環させる循環ポンプ１０、パンチングメタルから成る整流部材１２を有し、処理槽２の供給口と排出口の中間の側面の位置からパンチングメタルから成る整流部材１２に至る仕切り板１３で供給口と排出口を隔てる構造を有する。
【００１７】
基板３の基板面を延長した面が処理槽２の側面に交差する第２の側面の位置に、第１供給口４１と第２排出口８２を設け、基板３の基板面を延長した面が処理槽２と交差する第１の側面で、処理槽２の第２の側面に対向する第１の側面の位置に、第２供給口４２と第１排出口８を設ける。第１排出管路７１と第２排出管路７２は、基幹排出管路７に合流させ、その合流する箇所に排出切替バルブ９２を設ける。その排出切替バルブ９２を定期的に切り替える自動切り替え手段により、第１排出管路７１と第２排出管路７２を切り替えて基幹排出管路７に接続する。
【００１８】
また、基幹供給管路５から第１供給管路５１と第２供給管路５２を分岐させ、この分岐する箇所に供給切替バルブ９１を設ける。その供給切替バルブ９１を定期的に切り替える自動切り替え手段により、基幹供給管路５に、第１供給管路５１と第２供給管路５２を切り替えて接続する。また、エッチング液１は、基幹供給管路５に設置した循環ポンプ１０で送り、処理槽２と電解再生槽６の間を循環させる。また、処理槽２の側面の近くにパンチングメタルから成る整流部材１２を設置する。パンチングメタルから成る整流部材１２により、エッチング液１の供給、排出が一様に行われる効果がある。また、処理槽２の第１供給口４１と第２排出口８２の中間の側面の部分から第１の整流部材１２に至る第１の
仕切り板１３を設置して第１供給口４１と第２排出口８２を隔てる。また、第２供給口４２と第１排出口８１の中間の側面の部分から第２の整流部材１２に至る第２の仕切り板１３を設置して第２供給口４２と第１排出口８１を隔てる。この仕切り板１３により、エッチング液１の供給、排出が一様に行われる効果がある。
【００１９】
以上のように構成された表面粗化装置を用いることで、基板３を粗化処理する方法について説明する。基板３は、縦（ａ）６０ｃｍ、横（ｂ）５０ｃｍ、厚み（ｃ）０．１ｃｍのビルドアップ基板とし、エポキシ樹脂が塗布された状態の基板３を用いる。この表面粗化装置の処理槽２に、エッチング液１として過マンガン酸カリウム溶液を７０℃一定で満たす。そして、この基板３を処理槽２に２０分漬けて粗化処理を行う。
【００２０】
その際、この表面粗化装置は、エッチング液１を循環ポンプ１０により毎分５００リットルの供給量で供給し、５分毎に排出切替バルブ９２と供給切替バルブ９１を同時に切り替えて、エッチング液１を第１供給口４１から処理槽２に供給し第１排出口８１から排出する循環経路と、エッチング液１を第２供給口４２から処理槽２に供給し第２排出口８２から排出する循環経路を交互に切り替える。これによりエッチング液１を循環させる流れの方向を切り替える。その時の処理槽２内のエッチング液１の流れを模式的に図２と図３に示す。図２は、エッチング液１を第１供給口４１から処理槽２に供給し第１排出口８１から排出する場合の液の流れを示す。図３は、エッチング液１を第２供給口４２から処理槽２に供給し第２排出口８２から排出する場合の液の流れを示す。いずれの場合にもエッチング液１の滞留が生じたが、この２つの循環経路を交互に切り替えることで、エッチング液１の定常的な滞留は無くなった。また、図４は循環経路を第１供給口４１と第１排出口８１に切り替えた場合の定常状態の温度分布、図５は第２供給口４２と第２排出口８２に切り替えた場合の温度分布の模式図である。この２つの循環経路を交互に切り替えることで７０℃のエッチング液１の場所による温度の低下を０．１℃以内にでき、温度のばらつきが０．１℃以下にできる顕著な効果があった。そのため、基板３の絶縁層の粗化（エッチング）の速度が一様になり、エッチングによる基板３の絶縁層を場所によらず一様に粗化した粗化面が得られる効果があった。
【００２１】
（第２の実施形態）
図６は、本発明による基板絶縁層の表面粗化装置の第２の実施形態を断面で示す概略の構成図である。図６に示すように、表面粗化装置は、エッチング液１を満たす高さ（Ｈ）１ｍ、幅３０ｃｍ、長さ（Ｌ）１．６ｍの略直方体の処理槽２を有し、基板３は、基板支持フォルダ１１に吊り下げ、処理槽２に漬ける。そして、処理槽２の底部に基板３の絶縁層表面を粗化した処理済みエッチング液１を排出する排出口８０を設け、排出口８０に基幹排出管路７を接続し、基幹排出管路７を電解再生槽６に接続する。電解再生槽６が再生したエッチング液１を供給する基幹供給管路５と、それを分岐させる供給切替バルブ９０と第１供給管路５１と第２供給管路５２を設ける。第１供給管路５１が接続する第１供給口４１を処理槽２の第１の側面に設け、第２供給管路５２が接続する第２供給口４２を、処理槽２の第２の側面に設ける。そして、エッチング液１を循環させる循環ポンプ１０、パンチングメタルから成る整流部材１２からなる。
【００２２】
基板３の基板面を延長した面が処理槽２の側面に交差する第１の側面の位置に、第１供給口４１を設け、基板３の基板面を延長した面が処理槽２の側面に交差する第２の側面の位置に、第２供給口４２を設ける。第１供給管路５１と第２供給管路５２が合流し基幹供給管路５に接続する箇所には、供給切替バルブ９０を設け、供給切替バルブ９０を定期的に切り替える自動切り替え手段により、第１供給管路５１と第２供給管路５２のどちらかを基幹供給管路５に接続するように切り替える。また、基幹供給管路５に循環ポンプ１０を設置し、エッチング液１を循環ポンプ１０で送って、処理槽２と電解再生槽６の間を循環させる。基板３は、基板支持フォルダ１１によって吊り下げ、処理槽２に漬ける。また
、処理槽２の底面近く及び側面近くにパンチングメタルから成る整流部材１２を設置する。パンチングメタルから成る整流部材１２により、エッチング液１の供給、排出が一様に行われる効果がある。
【００２３】
以下では、以上のように構成した表面粗化装置を用いて基板３を粗化処理する方法について説明する。基板３は、縦（ａ）６０ｃｍ、横（ｂ）５０ｃｍ、厚み（ｃ）０．１ｃｍのビルドアップ基板で、エポキシ樹脂が塗布された状態の基板３を用いる。この表面粗化装置の処理槽２に、エッチング液１として過マンガン酸カリウム溶液を７０℃一定で満たす。そして、この基板３を処理槽２に２０分漬けて粗化処理を行う。
【００２４】
その際、この表面粗化装置は、エッチング液１を循環ポンプ１０により毎分５００リットルの供給量で供給し、５分毎に供給切替バルブ９０を切り替えて、エッチング液１を第１供給口４１から処理槽２に供給し排出口８０から排出する循環経路と、エッチング液１を第２供給口４２から処理槽２に供給し排出口８０から排出する循環経路を交互に切り替える。これによりエッチング液１を循環させる流れの方向を切り替える。その時の処理槽２内のエッチング液１の流れを模式的に図７と図８に示す。図７は、循環経路を第１供給口４１に切り替えた場合の流れ、図８は第２供給口４２に切り替えた場合の流れである。いずれも滞留が生じるが、第１供給口４１と第２供給口４２から交互にエッチング液１を供給することで、エッチング液１の定常的な滞留は起きなかった。また、図９は第１供給口４１に切り替えた場合の定常状態の温度分布、図１０は第２供給口４２に切り替えた場合の温度分布の模式図である。エッチング液１の供給口を交互に切り替えることで、７０℃のエッチング液１の温度低下部分の温度を６９．８℃以上にでき、場所による温度のばらつきが０．２℃以内に抑えられ、エッチングの速度を基板３の位置によらず一様にすることができ、エッチングによる粗化面を一様に形成できる効果があった。
【００２５】
また、本発明においては、エッチング液１の循環経路を切り替えるための切替バルブの切替時間の間隔は、粗化処理に要する時間の４分の１以下であることが好ましい。これにより、処理槽２内のエッチング液１の定常的な滞留が生じ難く、基板３のエッチング速度のばらつきを良好に減少させることができる効果がある。また、処理槽２に供給されるエッチング液１の液量は、粗化処理時間あたり、処理槽２の容積の４倍以上であることが好ましい。これにより、処理槽２内のエッチング液１の循環量が多くなり、エッチング液１の定常的な滞留が生じ難く、基板３のエッチング速度のばらつきを良好に減少させる効果がある。
【００２６】
（比較例）
上記実施形態の比較例として、図１１に示す一般的な基板絶縁層の表面粗化装置で、基板３の粗化処理を行なった。図１１に示すように、表面粗化装置は、エッチング液１を満たす高さ（Ｈ）１ｍ、幅３０ｃｍ、長さ（Ｌ）１．６ｍの略直方体の処理槽２、基板３の絶縁層表面を粗化した処理済みエッチング液１を供給する第１排出口８１、第２排出口８２、それぞれからの第１排出管路５１、第２排出管路５２、再生後のエッチング液１を供給する基幹供給管路５、循環ポンプ１０、電解再生槽６、基幹排出管路７、処理槽２の底部の供給口４からなる。エッチング液１は、基幹供給管路５に設置された循環ポンプ１０で送られて、処理槽２と電解再生槽６の間を循環する。基板３は、基板支持フォルダ１１によって吊り下げられ、処理槽２に漬けられる。
【００２７】
以上のように構成された表面粗化装置を用いた、基板３の粗化処理について説明する。基板３は、縦（ａ）６０ｃｍ、横（ｂ）５０ｃｍ、厚み（ｃ）０．１ｃｍのビルドアップ基板とし、エポキシ樹脂が塗布された状態である。この基板３をエッチング液１として過マンガン酸カリウム溶液を７０℃一定で満たした処理槽２に２０分漬けて粗化処理を行った。
【００２８】
その際、エッチング液１の供給量は毎分５００リットルとした。その時の処理槽２内のエッチング液１の流れを模式的に図１２に示す。比較例ではエッチング液１の流れの方向を切り替えないが、常に処理槽２内で滞留する部分が発生する不具合があった。また、図１３は処理槽２内の定常後の温度分布であるが、７０℃のエッチング液１の滞留部の温度が６９．５℃まで低下し温度の場所によるばらつきが０．５℃あり、滞留部での基板３の絶縁層のエッチング速度が落ち、絶縁層の粗化にばらつきが発生する問題があった。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明による表面粗化装置の第１の実施形態の構成の断面図である。
【図２】第１の実施形態の循環経路を第１供給口４１と第１排出口８１に切り替えた場合の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。
【図３】第１の実施形態の循環経路を第２供給口４２と第２排出口８２に切り替えた場合の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。
【図４】第１の実施形態の循環経路を第１供給口４１と第１排出口８１に切り替えた場合の処理槽内でのエッチング液の温度分布を示す説明図である。
【図５】第１の実施形態の循環経路を第２供給口４２と第２排出口８２に切り替えた場合の処理槽内でのエッチング液の温度分布を示す説明図である。
【図６】本発明による表面粗化装置の第２の実施形態の構成の断面図である。
【図７】第２の実施形態の循環経路を第１供給口に切り替えた場合の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。
【図８】第２の実施形態の循環経路を第２供給口に切り替えた場合の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。
【図９】第２の実施形態の循環経路を第１供給口に切り替えた場合の処理槽内でのエッチング液の温度分布を示す説明図である。
【図１０】第２の実施形態の循環経路を第２供給口に切り替えた場合の処理槽内でのエッチング液の温度分布を示す説明図である。
【図１１】比較例として示した一般的な基板絶縁層の表面粗化装置の説明図である。
【図１２】比較例の処理槽内でのエッチング液の流れを示す説明図である。
【図１３】比較例の処理槽内でのエッチング液の温度分布を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３０】
１・・・エッチング液
２・・・処理槽
３・・・基板
４・・・供給口
５・・・基幹供給管路
６・・・電解再生槽
７・・・基幹排出管路
１０・・・循環ポンプ
１１・・・基板支持フォルダ
１２・・・整流部材
１３・・・仕切り板
４１・・・第１供給口
４２・・・第２供給口
５１・・・第１供給管路
５２・・・第２供給管路
７１・・・第１排出管路
７２・・・第２排出管路
８０・・・排出口
８１・・・第１排出口
８２・・・第２排出口
９０、９１・・・供給切替バルブ
９２・・・排出切替バルブ
【図１】
2010024482.tif 000003
【図２】
2010024482.tif 000004
【図３】
2010024482.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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