(57)【要約】【課題】基板テーブルのすべりを回避することができるリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームＢを調整するように構成された照明システムＩＬと、この放射ビームＢの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスＭＡを支持するように構築されたサポートＭＴと、基板Ｗを保持するように構築された基板テーブルＷＴを備えるミラーブロックＭＢと、基板Ｗのターゲット部分の上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムＰＳとを含み、ミラーブロックＭＢは、ミラーブロックＭＢと基板テーブルＷＴの間のすべりを低減させるように構築され配置される。【選択図】図１
2010093252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルを備えるミラーブロックと、
前記基板のターゲット部分の上に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムとを備え、
前記ミラーブロックが、前記ミラーブロックと前記基板テーブルの間のすべりを低減させるように構築され配置される、リソグラフィ装置。
【請求項２】
スロットが前記ミラーブロック内に設けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記スロットが前記ミラーブロックの、前記基板テーブルをクランプするためのクランプ領域と、前記ミラーブロックにアクチュエータを接続するためのアクチュエータ領域との間に設けられる、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記スロットが、前記クランプ領域に対しほぼ垂直の方向に設けられる、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記スロットが、前記クランプ領域とほぼ平行の方向に設けられる、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記ミラーブロックが、約１００ＧＰａよりも高いヤング率を有する材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
バールが、前記ミラーブロックと前記基板テーブルの間で、前記ミラーブロック上の前記基板テーブルをクランプするためのクランプ領域の上に設けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記クランプ領域が、前記基板テーブルのサイズよりも小さい、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記バールが０．１５ｍｍよりも長い、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記バールが２ｍｍよりも長い、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記バールが、最小接続領域よりも大きい接触面を有する、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
バールが、前記ミラーブロックを位置決めするように構成されたアクチュエータが前記ミラーブロックに接続されるアクチュエータ領域に近い領域内の前記クランプ領域上に存在しない、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
前記バールが可撓バールおよび追加バールを含み、前記可撓バールが、前記追加バールと比べて高い可撓性を有し、前記可撓バールが、前記ミラーブロックを位置決めするように構成されたアクチュエータが前記ミラーブロックに接続されるアクチュエータ領域に近い領域内に存在し、前記追加バールが、前記クランプ領域の残りの部分に存在する、請求項７に記載の装置。
【請求項１４】
前記バールが荒い接触面を備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１５】
前記クランプ領域の中心に設けられたバールが、前記クランプ領域の縁部に設けられたバールよりも高い剛性を有する、請求項７から１４の一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記ミラーブロックと前記基板テーブルが、コネクタ素子および／または剛性リブによって水平面内で相対的に高い剛性を備えて結合される、請求項７から１５の一項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0001]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の上、通常は基板のターゲット部分の上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（IC）の製造の際に使用することができる。このような場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層の上に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のダイの部分を含む）の上に転写することができる。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層の上への結像による。一般に、単一の基板が、連続してパターニングされる隣り合うターゲット部分からなるネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置は、全パターンをターゲット部分の上に一度に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームによってスキャンすると同時に、この方向に対し平行または逆平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることによってパターンをパターニングデバイスから基板に転写することもまた可能である。
【０００３】
[0002]  リソグラフィ装置内で、基板は、パターニングデバイスの像を基板のターゲット部分上に投影するための投影システムの下に配置される。パターニングデバイスの像を基板の別々のターゲット部分の上に投影するために、また投影システムの下の基板をスキャンするために、基板を移動させる。したがって、ミラーブロックは、位置決めシステムによって移動可能になっている。ミラーブロックは、その動きを基板テーブル（ウェーハテーブルとも呼ばれる）を介して基板に伝達する。この基板テーブルは、バール（burl）を介してミラーブロック（エンコーダブロックとも呼ばれる）に真空を用いてクランプされる。より高いリソグラフィ投影装置の処理能力は、投影システムの下の基板をより速く移動させることによって実現することができる。このより速い移動は、より速く加速することによって実現することができるが、こうすることにより、ミラーブロックと基板テーブルの間に（局部的）すべりが生じうる。ミラーブロックと基板テーブルの間のすべりにより、基板が事前に決められた位置とは別の位置にきて、したがって、基板が正しく露光されないことになる。
【発明の概要】
【０００４】
[0003]  ミラーブロックと基板テーブルの間の（局部的な）すべりを回避することが望ましい。
【０００５】
[0004]  本発明の一実施形態によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、この放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルを備えるミラーブロックと、基板のターゲット部分の上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供され、ミラーブロックは、ミラーブロックと基板テーブルの間のすべりを低減させるように構築され配置される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
[0005]  次に、本発明の実施形態を例示的にのみ、添付の概略図を参照して説明する。図で、一致する参照記号はそれぞれ相当する部分を示す。
【０００７】
【図１】[0006]  本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２ａ】[0007]  従来のバールの断面図である。
【図２ｂ】[0008]  本発明によるバールの断面を示す図である。
【図２ｃ】本発明によるバールの断面図である。
【図２ｄ】本発明によるバールの断面図である。
【図３】[0009]  本発明の一実施形態によるミラーブロックを示す図である。
【図４ａ】[0010]  本発明の別の実施形態によるミラーブロックを示す図である。
【図４ｂ】本発明の別の実施形態によるミラーブロックを示す図である。
【図５ａ】[0011]  ミラーブロック、およびクランプバール付き基板テーブルを垂直断面で示す図である。
【図５ｂ】ミラーブロック、およびクランプバール付き基板テーブルを垂直断面で示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[0012]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、紫外線放射または他の任意の適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイスサポートすなわちサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴとを含み、このサポート構造ＭＴは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡをサポートするように構築されており、いくつかのパラメータに応じてパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに結合される。この装置はまた、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築された基板テーブル（ウェーハテーブルとも呼ばれる）ＷＴを備えたミラーブロックＭＢ（エンコーダブロックとも呼ばれる）も含む。基板テーブルＷＴは、真空を用いてミラーブロック上にクランプされる。バールがミラーブロックと基板テーブルＷＴの間に設けられる。ミラーブロックは、いくつかのパラメータに応じて基板を正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに結合される。この装置はさらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）の上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【０００９】
[0013]  照明システムは、放射を誘導し、成形し、または制御するために、屈折式、反射式、磁気式、電磁気式、静電気式、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはこれらの組合せなど、様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１０】
[0014]  パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるかどうかなどによって決まる方法で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械式、真空式、静電気式、または他のクランプ技法を使用して、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えばフレームまたはテーブルとすることができ、必要に応じて固定にも可動にもすることができる。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置に確実にあるようにすることができる。本明細書で「レチクル」または「マスク」という用語が使われても、より概括的な「パターニングデバイス」という用語と同義と考えてよい。
【００１１】
[0015]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与するのに使用して、基板のターゲット部分内にパターンを生成することができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ、またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しないことがあることに注意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分内につくり出される集積回路などのデバイス内の、ある特定の機能層に対応する。
【００１２】
[0016]  パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィでよく知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、複数の小さな鏡のマトリクス配置を使用し、それぞれの鏡は、入ってくる放射ビームを別々の方向に反射するように個々に傾けることができる。傾けられた鏡は、ミラーマトリクスで反射される放射ビーム内にパターンを付与する。
【００１３】
[0017]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に対して、あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に対して適切な屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁気式および静電気式の光学システム、あるいはこれらの任意の組合せを含むどんなタイプの投影システムも包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語が使われても、より概括的な「投影システム」という用語と同義と考えてよい。
【００１４】
[0018]  ここで図示されているように、この装置は透過型である（例えば、透過型マスクを使用する）。別法として、装置を反射型にすることもできる（例えば、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、あるいは反射型マスクを使用する）。
【００１５】
[0019]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上のミラーブロック（および／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスクサポート」）を有するタイプとすることができる。このような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルまたはサポートが並行して使用されることがあり、あるいは、１つまたは複数のテーブルまたはサポートの上で準備段階を実施する一方で、他の１つまたは複数のテーブルまたはサポートが露光のために使用されることもある。
【００１６】
[0020]  リソグラフィ装置はまた、基板の少なくとも一部分を屈折率が相対的に高い液体、例えば水で覆って、投影システムと基板の間の空間を充填することができるタイプとすることもできる。液浸液はまた、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）と投影システムの間に加えることもできる。液浸技法を使用して、投影システムの開口数を増大させることができる。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板などの構造体が液体中に浸漬されなければならないことを意味するのではなく、ただ液体が露光中に投影システムと基板の間に置かれることを意味するだけである。
【００１７】
[0021]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け入れる。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合には、別個の構成要素とすることができる。このような場合には、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、その放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬまで、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの補助により通される。他の場合、例えば放射源が水銀ランプのときは、放射源をリソグラフィ装置に一体化した部分とすることができる。放射源ＳＯとイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれることがある。
【００１８】
[0022]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、少なくともイルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（通常それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど他の様々な構成要素を含むことができる。イルミネータを使用して放射ビームを調整し、その断面内に所望の均一性および強度分布を得ることができる。
【００１９】
[0023]  放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを横切ってから、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。この投影システムは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃの上に集束する。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の補助により、ミラーブロックＭＢを正確に動かして、例えば放射ビームＢの経路内の別々のターゲット部分Ｃを位置決めすることができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１に明示せず）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的検索の後、またはスキャン中に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴを動かすことは、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の補助により実現することができる。同様に、ミラーブロックＭＢを動かすことは、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータだけに接続することができ、あるいは固定することもできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡと基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整合させることができる。基板アライメントマークは、図示のように専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分間の空間に配置することもできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に２つ以上のダイが用意される場合では、マスクアライメントマークはダイ間に配置することができる。
【００２０】
[0024]  図示の装置は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。
【００２１】
[0025]  １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ、およびミラーブロックＭＢまたは「基板サポート」が実質的に静止状態に維持され、放射ビームに付与された全パターンが一度にターゲット部分Ｃの上に投影される（すなわち単一静的露光）。次に、ミラーブロックＭＢまたは「基板サポート」は、別のターゲット部分Ｃを露光できるようにＸおよび／またはＹの方向に移動する。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法により、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃの寸法が制限される。
【００２２】
[0026]  ２．スキャンモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ、およびミラーブロックＭＢまたは「基板サポート」が同期してスキャンされ、放射ビームに付与された１つのパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される（すなわち単一動的露光）。ミラーブロックＭＢまたは「基板サポート」の、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転の諸特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法により単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向）が制限されるのに対し、スキャン動作の長さによりターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２３】
[0027]  ３．もう１つのモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながら実質的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されると同時に、ミラーブロックＭＢまたは「基板サポート」が動き、またはスキャンされる。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスが、ミラーブロックＭＢまたは「基板サポート」が動いた後ごとに、または一回のスキャン中の連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなど、プログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２４】
[0028]  上述の各使用モードの組合せおよび／または変種、あるいは全く異なる使用モードもまた使用することができる。
【００２５】
[0029]  上述のようにミラーブロックＭＢは、基板テーブルＷＴを含むことに注意されたい。しかし、基板テーブルをミラーブロックの主要部分と関連して説明する場合で（ミラーブロックの主要部分とは基板テーブルなしのミラーブロックのこと）、かつ混乱の恐れがない場合には、ミラーブロックという用語を、その主要部分だけを指すために使用する。
【００２６】
[0030]  ミラーブロックＭＢと基板テーブルの間のすべりを低減させるために、本発明の一実施形態では、可撓性を向上させたバールをミラーブロックＭＢと基板テーブルの間に設けることができる。すべりは、第２位置決めデバイスがミラーブロックＭＢに作用させる加速力により、基板テーブルに対してミラーブロックＭＢが局部的に変形することによって生じうる。第２位置決めデバイスが基板テーブルに接続されるミラーブロックＭＢの領域は、第２位置決めデバイスによって生じる最大の変形を受ける。可撓性の向上により、バールがひずみの一部分をすべりなしで吸収することが可能になり、そのため、ミラーブロックＭＢと基板テーブルの間のすべりの低減の面で大きな利益および優れた特性が得られる。図２ａは、面９と接続される接続領域３、および接触領域１を備える従来の回転対称バール２の断面を示す。バール２がその接続領域３によりミラーブロックＭＢと接続される場合には、基板テーブルはバール２の接触領域すなわち面１で支持され、バール２がその接続領域３により基板テーブルＷＴと接続される場合には、ミラーブロックＭＢはバール２の接触面１と接触する。このバールは、０．５ｍｍの直径、および０．１５ｍｍの高さを有することができる。可撓性を向上させるために、バール２は長さを増大させることができる（図２ｂ参照）。増大させた長さは、約０．１５ｍｍよりも長く、例えば約２．３ｍｍになる。これらのタイプのバールは、従来のバールに比べて優れた特性および利益をもたらす。さらに直径を最小限にすることができる。しかし、バールが長い場合に直径を小さくすることは、バールが破損することがあるので困難である。したがって、長さが約２．３ｍｍのバールでは、約１．５ｍｍの直径が選択される。１．３ｍｍの直径ではまた、使用されるバールが少ない場合、バールと基板テーブルの間の接触応力も低減する。
【００２７】
[0031]  図２ｃおよび図２ｄは、バールの接触面１よりも小さい最小接続領域３を有することによって、さらなる可撓性を備えたバールを設ける設計によるバールを示す。図２ｃで、バールは支柱５を介して接続され、この支柱は、支柱の全長にわたって寸法が同じで接続領域３と等しい最小接続領域を有する。側部７は、必要ならその可撓性に制限を設けることができる。図２ｄのバールの可撓性もまた、側部７および面９によって同じように制限することができる。図２ｄのバールの可撓性が主として、バール２の接続領域３よりも小さい最小領域１１によって決まるのに対し、図２ｃのバールの可撓性は支柱１１の全長で決まる。図２ｃおよび図２ｄの相対的に大きい接触面１を有することの利益は、基板テーブルまたはミラーブロックＭＢの面との接触応力が低減することである。
【００２８】
[0032]  一実施形態において、バールの可撓性を向上させる別の方法は、可撓性が改善された材料でバールを作製することである。例えば、バールは、ヤング率が約９０ＧＰａのＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）で作製することができる。この材料の可撓性により、バールがすべる前に、ウェーハテーブルＷＴの変形をより多く吸収することが可能になる。
【００２９】
[0033]  一実施形態では、ミラーブロックＭＢと基板テーブルＷＴの間のすべりを低減させる別の方法が、第２位置決めデバイスがミラーブロックＭＢに作用させる加速力によるミラーブロックＭＢの局部的変形を低減させることになる。第２位置決めデバイスのアクチュエータがミラーブロックＭＢに接続されるミラーブロックＭＢのアクチュエータ領域ＡＡ（図３参照）は、アクチュエータによって生じる最大の変形を受けることがある。スロットＳＬをミラーブロックＭＢ内の、基板テーブルをクランプするためのクランプ領域ＣＡと、ミラーブロックＭＢを位置決めするように構成されたアクチュエータがミラーブロックＭＢに接続されるアクチュエータ領域ＡＡとの間に設けることによって、加速力により生じるミラーブロックＭＢの変形がクランプ領域ＣＡに達する程度がより少なくなる。クランプ領域ＣＡの変形が少ないので、スリップが発生する可能性が低くなる。というのは、変形した領域内のバールに対する力と、クランプ領域ＣＡの他のバールに対する力との間にある差がより少ないからである。図３のスロットＳＬは、クランプ領域ＣＡの面に対してほぼ垂直であるが、クランプ領域ＣＡの面にほぼ平行にすることもできる。スロットがクランプ領域に対してほぼ垂直である場合には、クランプ領域の面に平行な力はクランプ領域の変形を引き起こすことがなく、スロットがクランプ領域の面にほぼ平行である場合には、クランプ領域に対して垂直の方向の力はもはやクランプ領域を変形させることがない。
【００３０】
[0034]  一実施形態では、ミラーブロックＭＢと基板テーブルの間のすべりはまた、剛性を備えかつそれを向上させたミラーブロックＭＢを構築することによって低減させることもできる。剛性の向上は、高い剛性を有する材料でミラーブロックＭＢを構築することによって実現することができる。ミラーブロックＭＢは、約１４０ＧＰａのヤング率を有するコージエライト、あるいは約３６０ＧＰａのヤング率を有するＳｉＳｉｃから作製して、その剛性を向上させることができる。他の可能性は、ミラーブロックＭＢの特定の部分の厚さを改善することである。例えば、ミラーブロックＭＢの加速時にクランプ領域ＣＡの変形が少なくなるように、クランプ領域ＣＡをより厚い材料で作製してミラーブロックＭＢのその部分に付加的な剛性を与えることができる。
【００３１】
[0035]  図４ａおよび図４ｂは、すべりが低減するように構築されたミラーブロックＭＢを示す。基板テーブルは、ミラーブロックＭＢのクランプ領域ＣＡ内に設けられたバール上に真空を用いてクランプされる。ミラーブロックＭＢのクランプ領域ＣＡよりも大きい基板テーブルＷＴを有することによって、バールを備えない縮小クランプ領域ＲＡがつくり出され、この領域ではクランプが行われない。図４ａでは、縮小されたクランプ領域ＲＡがクランプ領域ＣＡの縁部のまわりにあって、クランプ領域ＣＡの縁部周辺のすべりが低減する。図４ｂでは、縮小された領域ＲＡがミラーブロックＭＢの、第２位置決めデバイスのアクチュエータがミラーブロックＭＢに接続されるアクチュエータ領域ＡＡに接近しており、それによって、ミラーブロックＭＢの変形が最大になるアクチュエータ領域ＡＡ近くのすべりが低減する。
【００３２】
[0036]  ミラーブロックＭＢと基板テーブルの間のすべりはまた、ミラーブロックＭＢおよび基板テーブルＷＴを両方の変形が一致するように構築することによって低減させることもできる。したがって、基板テーブルＷＴの剛性は、ミラーブロックＭＢの変形が大きい領域で低減させることができる。その場合、ミラーブロックＭＢの加速時にミラーブロックＭＢが変形する結果、基板テーブルの変形が生じることになる。このような変形は、加速が停止するときには可逆であり、そのためどんな露光誤差にもつながらない。すべりは非可逆であることが多く、そのため、加速が停止したときに基板テーブルとミラーブロックＭＢは、すべりが発生する前と互いに同じ位置にないことになる。したがって、すべりが露光誤差につながる。別の選択肢は、可撓性が改善されたバールを変形が大きい各領域内に設けて、ミラーブロックＭＢの加速時にこれらの領域内の変形をよりよく吸収することである。
【００３３】
[0037]  ミラーブロックＭＢは、より少数のバールを有することによってミラーブロックＭＢと基板テーブルの間のすべりを低減させるように構築し配置することができる。従来技術によれば、１万個のバールがミラーブロックＭＢと基板テーブルの間に設けられることがある。ミラーブロックＭＢと基板テーブルの間のすべりを最小限にするために、この個数を１５０まで低減させることができ、こうすることが大きな利益をもたらす。詳細には、１個のバールの摩擦は、バール１個当たりのクランプ力に摩擦係数をかけたもので決まる。クランプ力は、基板テーブルの領域に働く真空によってもたらされる。このクランプ力を少ないバールの上に分散させることによって、バール１個当たりのクランプ力および摩擦を増大させることができる。したがって、局部的なすべりの発生が最小限になる。
【００３４】
[0038]  バールはまた、それらの接触面に高摩擦コーティングを設けて、あるいは接触粗度を変えて摩擦を増大させることもできる。接触粗度が大きい場合には、すべりが発生する可能性は低い。十分に研磨された２つの面の間でのはりつきもまた、すべりを低減させることができる。すべりはまた、ミラーブロックＭＢを一時的に揺することによって回避することもできる。ミラーブロックＭＢを揺することによって、ミラーブロックＭＢと基板テーブルの間の接触が改善されて摩擦が増大し、すべりの可能性が低減する。
【００３５】
[0039]  本発明の一実施形態によれば、ミラーブロックの間の接触領域の中心に相対的に高い剛性を備えたバールがあるのに対して、接触領域の縁部には相対的に低い剛性を備えたバール（いわゆる「可撓」バール）がある。接触領域の中心の剛性バールは、接触領域の中心ではミラーブロックの変形による負荷（機械的応力）が相対的に低いので、ミラーブロックに対する基板テーブルＷＴの慣性を捕捉するのに適している。接触領域の縁部では、ミラーブロックの変形が相対的に大きく、そのため、剛性が相対的に低いバール（「可撓」バール）が、これらの縁部ですべりが確実に発生しないようにするのに適している。進歩的な一実施形態によれば、バールの剛性は中心から縁部にかけて、中心の１５０％剛性から（ここで剛性は、すべてのバールが同じ剛性を有する状態で使用される従来のバールと関連付けられている）、縁部のバールの５０％剛性まで徐々に増大することができる。
【００３６】
[0040]  図５ａは、ミラーブロックＭＢおよび基板テーブルＷＴの半部分を概略的に示す垂直断面図である。ここで基板テーブルＷＴは、異なる剛性のバールを備える。これは、バールの高さを変えることで実現され、高さを変えることは、穿孔機を用いて基板テーブル中にバールを取り囲む穴をあけることによって実現することができる。縁部の近くに位置するバールは、中心の接触領域内のバールと同じ直径を有しながらそれよりも高く、その結果、中心のバールは、縁部に近いバールよりも高い剛性を有することになる。
【００３７】
[0041]  図５ｂは、ミラーブロックＭＢおよび基板テーブルＷＴの半部分を概略的に示す垂直断面図である。この実施形態では、基板テーブルＷＴは、剛性の平面上でミラーブロックＭＢに結合される。この結合は、ミラーブロックＭＢに対する基板テーブルの慣性力によりミラーブロックに対して基板テーブルのすべりが生じないことを確実にし、それによって、基板の照明に必要な精度を確保する。このようにして、剛性の基板テーブルＷＴによりミラーブロックＭＢの変形を低減させることが可能になる。前記結合は、ミラーブロックＭＢと基板テーブルＷＴの間の隙間を結合素子Ａで充填することによって実現することができる。別の方法は、１つまたは複数の結合素子を１つの剛性リブまたは複数の剛性リブの形で使用することである。図５ｂの実施形態によれば、素子Ａも剛性リブＢも使用される。
【００３８】
[0042]  本発明によるすべての実施形態において、各バールが異なる水平方向に異なる剛性を有するという効果を得るために、非対称形の水平断面を有するバールを設けることが可能である。このようにミラーブロックと基板テーブルの間の整合を最適化して、すべりの危険が最小になる結果を得ることができる。
【００３９】
[0043]  本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及することができるが、本明細書に記載のリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッドなどの製造のような、他の応用例もありうることを理解されたい。このような代替応用例についての文脈で、本明細書の「ウェーハ」または「ダイ」という用語が使用されれば、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義とみなしてよいことを当業者なら理解されよう。本明細書で参照した基板は、露光の前または後に、例えばトラック（一般に、レジスト層を基板に付けるとともに露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適用できる場合には、本明細書の開示をこのような基板処理ツール、または他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、例えば複数層のＩＣを作製するために基板を２回以上処理することもあり、そのため、本明細書で用いた基板という用語がまた、複数の処理層をすでに含む基板を指すこともある。
【００４０】
[0044]  上記では特に、本発明の実施形態の使用状態について光学リソグラフィとの関連で言及したが、本発明は他の応用分野、例えばインプリントリソグラフィで使用することもでき、状況が許せば光学リソグラフィに限定されないことも理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが、基板上に作成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に与えられたレジスト層に押し込むことができ、このレジストは基板上で、電磁放射、熱、圧力、またはこれらの組合せを加えることによって硬化させる。レジストが硬化した後、パターニングデバイスをレジストの外へ移してレジスト内にパターンを残す。
【００４１】
[0045]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（UV）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長、あるいはそれに近い波長を有する）、および超紫外線（EUV）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むすべての種類の電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを包含する。
【００４２】
[0046]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折式、反射式、磁気式、電磁気式、および静電気式の光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのいずれか１つ、またはいずれかの組合せを指すことができる。
【００４３】
[0047]  上記で本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明したものと別の方法でも実施できることを理解されたい。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を記述する１つまたは複数の連続する機械可読命令を含むコンピュータプログラムの形、あるいはそのようなコンピュータプログラムが中に格納されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形を取ることができる。
【００４４】
[0048]  上記の説明は例示的なものであり、限定的なものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、説明した本発明に改変を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【外国語明細書】
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