(57)【要約】【課題】従来の基板の処理方法では、複数の膜を重ねて形成するときに、それぞれの膜を隔壁によって囲まれた領域内にわたって形成することが困難である。【解決手段】絶縁膜６３が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板４１ａを用意する工程と、絶縁膜６３の少なくとも一部に、第１液状体に対して絶縁膜６３が有する親液性よりも大きな親液性を付与する親液化工程と、前記第１液状体に対して親液化された絶縁膜６３よりも、前記第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、絶縁膜６３の一部に撥液性を付与する撥液化工程と、基板４１ａを加熱する加熱工程と、をこの順番で有することを特徴とする基板の処理方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、
前記隔壁の少なくとも一部に、第１液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を付与する親液化工程と、
前記第１液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、前記第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、前記隔壁の一部に撥液性を付与する撥液化工程と、
前記基板を加熱する加熱工程と、
をこの順番で有することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
前記隔壁は、有機材料を含む材料で構成されており、
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、
前記隔壁の少なくとも一部に、第１液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を付与する親液化工程と、
前記第１液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、前記第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、前記隔壁の一部に撥液性を付与する撥液化工程と、
前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に前記第１液状体を配置する工程と、
前記第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第１液状体に含まれる物質で第１膜を形成する工程と、
前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内で前記第１膜上に第２液状体を配置する工程と、
前記第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第２液状体に含まれる物質で第２膜を形成する工程と、
をこの順番で有することを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
前記第１液状体と、前記第２液状体とが、互いに異なる組成を有していることを特徴とする請求項５に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記隔壁は、有機材料を含む材料で構成されており、
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項５又は６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１０】
複数の画素の前記画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、平面視で前記有機層を囲む隔壁と、を有し、前記有機層が少なくとも第１層と第２層とを含む複数の層を有している有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記隔壁を有する基板を用意する工程と、
前記隔壁の少なくとも一部に、第１液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を付与する親液化工程と、
前記第１液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、前記第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、前記隔壁の一部に撥液性を付与する撥液化工程と、
前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に前記第１液状体を配置する工程と、
前記第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第１液状体に含まれる物質で前記第１層を形成する工程と、
前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内で前記第１層上に第２液状体を配置する工程と、
前記第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第２液状体に含まれる物質で前記第２層を形成する工程と、
をこの順番で有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記隔壁は、有機材料を含む材料で構成されており、
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２層が発光層であることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２層が正孔輸送層であることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法、成膜方法及び有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、画素形成領域を区画するように設けられた隔壁を有する基板に対する処理として、平面視で隔壁によって囲まれた領域内に親液性を付与し、隔壁の表面に撥液性を付与する処理が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特許第３３２８２９７号公報（第２１頁〜第２２頁、図２３及び図２４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された処理によれば、隔壁によって囲まれた領域内に液状体を塗布したときに、液状体は、隔壁によって囲まれた領域内にわたって濡れ広がりやすい。他方で、隔壁表面は、液状体をはじきやすい。このため、液状体は、隔壁を乗り越えにくい。これらの結果、液状体を塗布して膜を形成したときに、隔壁によって囲まれた領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
【０００５】
ところで、隔壁によって囲まれた領域内に複数の膜を重ねて形成する場合、特許文献１に記載された処理を適用することにより、基板に最も近い層である第１層は、隔壁によって囲まれた領域内にわたって形成され得る。
しかしながら、隔壁によって囲まれた領域内で第１層上に新たな液状体を塗布すると、第１層に対する新たな液状体の濡れ性が充分に得られないことがある。つまり、新たな液状体が第１層上ではじかれやすくなることがある。このような状態で新たな液状体から第２層となる膜を形成すると、第２層には、第１層が露呈する開口が発生しやすい。このような現象は、第１層だけに限られず、他の層においても発生することがある。
【０００６】
つまり、従来の基板の処理方法では、複数の膜を重ねて形成するときに、それぞれの膜を隔壁によって囲まれた領域内にわたって形成することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００８】
［適用例１］隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、前記隔壁の少なくとも一部に、第１液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を付与する親液化工程と、前記第１液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、前記第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、前記隔壁の一部に撥液性を付与する撥液化工程と、前記基板を加熱する加熱工程と、をこの順番で有することを特徴とする基板の処理方法。
【０００９】
適用例１の基板の処理方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、撥液化工程と、加熱工程と、をこの順番で有している。基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。親液化工程では、第１液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を隔壁の少なくとも一部に付与する。撥液化工程では、第１液状体に対して親液化された隔壁よりも、第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、隔壁の一部に撥液性を付与する。加熱工程では、基板を加熱する。
この基板の処理方法によれば、加熱工程後に、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に第１液状体を塗布したときに、第１液状体を画素形成領域内に濡れ広げやすくすることができる。よって、第１液状体から膜を形成すると、この膜を画素形成領域内にわたって形成しやすくすることができる。そして、この膜上に新たな液状体を塗布したときに、新たな液状体を画素形成領域内に濡れ広げやすくすることができる。よって、この基板の処理方法によれば、加熱工程後に形成された膜において、新たな液状体に対する親液性を向上させやすくすることができる。この結果、複数の膜を重ねて形成するときに、それぞれの膜を隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって形成しやすくすることができる。
【００１０】
［適用例２］上記の基板の処理方法であって、前記隔壁は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする基板の処理方法。
【００１１】
適用例２の基板の処理方法にかかる基板では、隔壁が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、この基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、加熱工程後に形成された膜において、液状体に対する親液性を向上させやすくすることができる。
【００１２】
［適用例３］上記の基板の処理方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする基板の処理方法。
【００１３】
適用例３では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００１４】
［適用例４］上記の基板の処理方法であって、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする基板の処理方法。
【００１５】
適用例４では、親液化工程において、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、基板に親液性を付与することができる。
【００１６】
［適用例５］隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、前記隔壁の少なくとも一部に、第１液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を付与する親液化工程と、前記第１液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、前記第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、前記隔壁の一部に撥液性を付与する撥液化工程と、前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に前記第１液状体を配置する工程と、前記第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第１液状体に含まれる物質で第１膜を形成する工程と、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内で前記第１膜上に第２液状体を配置する工程と、前記第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第２液状体に含まれる物質で第２膜を形成する工程と、をこの順番で有することを特徴とする成膜方法。
【００１７】
適用例５の成膜方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、撥液化工程と、加熱工程と、第１液状体を配置する工程と、第１膜を形成する工程と、第２液状体を配置する工程と、第２膜を形成する工程と、をこの順番で有している。基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。親液化工程では、第１液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を隔壁の少なくとも一部に付与する。撥液化工程では、第１液状体に対して親液化された隔壁よりも、第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、隔壁の一部に撥液性を付与する。加熱工程では、基板を加熱する。第１液状体を配置する工程では、加熱工程の後に、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に第１液状体を配置する。第１膜を形成する工程では、第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第１液状体に含まれる物質で第１膜を形成する。第２液状体を配置する工程では、隔壁によって囲まれている画素形成領域内で第１膜上に第２液状体を配置する。第２膜を形成する工程では、第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第２液状体に含まれる物質で第２膜を形成する。
この成膜方法によれば、画素形成領域内に第１液状体を塗布したときに、第１液状体を画素形成領域内に濡れ広げやすくすることができる。よって、第１液状体から第１膜を形成すると、第１膜を画素形成領域内にわたって形成しやすくすることができる。そして、第１膜上に第２液状体を配置したときに、第１膜上に第２液状体を濡れ広げやすくすることができる。よって、この成膜方法によれば、加熱工程後に形成された第１膜において、第２液状体に対する親液性を向上させやすくすることができる。この結果、第１膜及び第２膜を含む複数の膜を重ねて形成するときに、それぞれの膜を隔壁によって囲まれた領域内にわたって形成しやすくすることができる。
【００１８】
［適用例６］上記の成膜方法であって、前記第１液状体と、前記第２液状体とが、互いに異なる組成を有していることを特徴とする成膜方法。
【００１９】
適用例６では、第１液状体と、第２液状体とが、互いに異なる組成を有しているので、互いに異なる性質を有する第１膜と第２膜とを形成することができる。
【００２０】
［適用例７］上記の成膜方法であって、前記隔壁は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする成膜方法。
【００２１】
適用例７の成膜方法にかかる基板では、隔壁が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、この基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、加熱工程後に形成された膜において、液状体に対する親液性を向上させやすくすることができる。
【００２２】
［適用例８］上記の成膜方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする成膜方法。
【００２３】
適用例８では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００２４】
［適用例９］上記の成膜方法であって、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする成膜方法。
【００２５】
適用例９では、親液化工程において、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、基板に親液性を付与することができる。
【００２６】
［適用例１０］複数の画素の前記画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、平面視で前記有機層を囲む隔壁と、を有し、前記有機層が少なくとも第１層と第２層とを含む複数の層を有している有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記隔壁を有する基板を用意する工程と、前記隔壁の少なくとも一部に、第１液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を付与する親液化工程と、前記第１液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、前記第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、前記隔壁の一部に撥液性を付与する撥液化工程と、前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に前記第１液状体を配置する工程と、前記第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第１液状体に含まれる物質で前記第１層を形成する工程と、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内で前記第１層上に第２液状体を配置する工程と、前記第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記第２液状体に含まれる物質で前記第２層を形成する工程と、をこの順番で有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００２７】
適用例１０の製造方法にかかる有機ＥＬ装置は、複数の画素の画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、一対の電極間に介在する有機層と、平面視で有機層を囲む隔壁と、を有している。この有機ＥＬ装置では、有機層が、少なくとも第１層と第２層とを含む複数の層を有している。
この適用例の製造方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、撥液化工程と、加熱工程と、第１液状体を配置する工程と、第１層を形成する工程と、第２液状体を配置する工程と、第２層を形成する工程と、を有している。
基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。親液化工程では、第１液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を隔壁の少なくとも一部に付与する。撥液化工程では、第１液状体に対して親液化された隔壁よりも、第１液状体に対して大きな撥液性を有するように、隔壁の一部に撥液性を付与する。加熱工程では、撥液性を有する隔壁を有する基板を加熱する。第１液状体を配置する工程では、加熱工程の後に、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に第１液状体を配置する。第１層を形成する工程では、第１液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第１液状体に含まれる物質で第１層を形成する。第２液状体を配置する工程では、隔壁によって囲まれている画素形成領域内で第１層上に第２液状体を配置する。第２層を形成する工程では、第２液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、第２液状体に含まれる物質で第２層を形成する。
この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、画素形成領域内に第１液状体を塗布したときに、第１液状体を画素形成領域内に濡れ広げやすくすることができる。よって、第１液状体から第１層を形成すると、第１層を画素形成領域内にわたって形成しやすくすることができる。そして、第１層上に第２液状体を配置したときに、第１層に第２液状体を濡れ広げやすくすることができる。よって、この製造方法によれば、加熱工程後に形成された第１層において、第２液状体に対する親液性を向上させやすくすることができる。この結果、第１層及び第２層を含む複数の層を重ねて形成するときに、それぞれの層を隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって形成しやすくすることができる。
この結果、複数の画素において、欠陥画素などの発生を低く抑えやすくすることができる。このため、有機ＥＬ装置の表示品位の向上を図りやすくすることができる。
【００２８】
［適用例１１］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記隔壁は、有機材料を含む材料で構成されており、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００２９】
適用例１１の製造方法にかかる基板では、隔壁が有機材料を含む材料で構成されている。そして、加熱工程では、この基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、加熱工程後に形成された膜において、液状体に対する親液性を向上させやすくすることができる。
【００３０】
［適用例１２］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００３１】
適用例１２では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００３２】
［適用例１３］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００３３】
適用例１３では、親液化工程において、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、基板に親液性を付与することができる。
【００３４】
［適用例１４］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第２層が発光層であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００３５】
［適用例１５］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第２層が正孔輸送層であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
実施形態について、有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００３７】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００３８】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、素子基板１１の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００３９】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面３側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００４０】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５ｒと、Ｇの光を射出する画素５ｇと、Ｂの光を射出する画素５ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００４１】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００４２】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ｒがＹ方向に配列した画素列１８ｒと、複数の画素５ｇがＹ方向に配列した画素列１８ｇと、複数の画素５ｂがＹ方向に配列した画素列１８ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００４３】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、選択トランジスタ２１と、駆動トランジスタ２３と、容量素子２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、有機層３１と、共通電極３３とを有している。選択トランジスタ２１及び駆動トランジスタ２３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路３４と、データ線駆動回路３５と、複数の走査線ＧＴと、複数のデータ線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００４４】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３４につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３５につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００４５】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各選択トランジスタ２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のドレイン電極は、各駆動トランジスタ２３のゲート電極及び各容量素子２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００４６】
容量素子２５の他方の電極と、駆動トランジスタ２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスタ２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と共通電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と共通電極３３との間に介在する有機層３１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００４７】
選択トランジスタ２１は、この選択トランジスタ２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスタ２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスタ２３がＯＮ状態になる。駆動トランジスタ２３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００４８】
駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスタ２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と有機層３１を経て共通電極３３に流れる。そして、有機層３１に含まれる発光層が、有機層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００４９】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスタ２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４２ａと、底面１５側に向けられた第２面４２ｂとを有している。
【００５０】
第１基板４１の第１面４２ａには、ゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５の表示面３側には、絶縁膜４７が設けられている。
また、第１基板４１の第１面４２ａには、各画素５の駆動トランジスタ２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４３によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４３の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００５１】
ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００５２】
絶縁膜４５の表示面３側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
【００５３】
絶縁膜４７の表示面３側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５９を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。画素電極２９の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
【００５４】
画素電極２９を陽極として機能させる場合には、画素電極２９の材料として、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極２９の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などを用い、光反射性を有する部材を画素電極２９と第１基板４１との間に設けた構成も採用され得る。本実施形態では、画素電極２９の材料としてＩＴＯが採用されている。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００５５】
隣り合う画素電極２９同士の間には、各画素５を区画する絶縁膜（第１隔壁）６１が領域６２にわたって設けられている。絶縁膜６１は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜６１は、平面視で、表示領域７にわたって格子状に設けられている。このため、表示領域７は、絶縁膜６１によって複数の画素５の領域に区画されている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６１は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極２９は、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜６１の材料として酸化シリコンが採用されている。
【００５６】
絶縁膜６１の表示面３側には、各画素５の領域を囲む絶縁膜（第２隔壁）６３が設けられている。絶縁膜６３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６１に沿って格子状に設けられている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６３は、平面視で各画素５の領域を囲んでいる。このため、絶縁膜６３は、画素５ごとに環状に設けられているとみなされ得る。本実施形態では、絶縁膜６３の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
画素電極２９の表示面３側には、絶縁膜６３に囲まれた領域（以下、画素形成領域と呼ぶ）内に、有機層３１が設けられている。
【００５７】
有機層３１は、各画素５に対応して設けられており、正孔注入層６５と、正孔輸送層６７と、発光層６９とを有している。
正孔注入層６５は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、画素電極２９の表示面３側に設けられている。
正孔注入層６５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００５８】
正孔輸送層６７は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、正孔注入層６５の表示面３側に設けられている。
正孔輸送層６７の有機材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【００５９】
【化１】
2010015855.tif 000003
【００６０】
発光層６９は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、正孔輸送層６７の表示面３側に設けられている。
Ｒの画素５ｒに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
【００６１】
【化２】
2010015855.tif 000004
【００６２】
Ｇの画素５ｇに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢと、上記化合物２として示されるＦ８とを混合したものが採用され得る。
【００６３】
【化３】
2010015855.tif 000005
【００６４】
Ｂの画素５ｂに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、上記化合物２として示されるＦ８が採用され得る。
【００６５】
有機層３１の表示面３側には、図５に示すように、絶縁膜６３に囲まれた画素形成領域内に、電子注入層７１が設けられている。電子注入層７１の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層７１の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金が採用されている。
電子注入層７１の表示面３側には、共通電極３３が設けられている。共通電極３３は、例えば、アルミニウム等の金属を薄膜化して光透過性を付与したものなどが採用され得る。また、共通電極３３は、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金等を薄膜化して光透過性を付与したものなどによっても構成され得る。本実施形態では、共通電極３３として、アルミニウムの薄膜が採用されている。共通電極３３は、電子注入層７１及び絶縁膜６３を表示面３側から複数の画素５間にわたって覆っている。
【００６６】
なお、表示装置１では、各画素５において発光する領域は、平面視で画素電極２９と有機層３１と共通電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、１つの有機層３１と、１つの電子注入層７１と、１つの画素５に対応する共通電極３３とを含んだ構成を有している。
【００６７】
封止基板１３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１３ａと、底面１５側に向けられた対向面１３ｂとを有している。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の共通電極３３と封止基板１３の対向面１３ｂとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【００６８】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面１３ｂ及び共通電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００６９】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程では、図６（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４２ａに駆動素子層８１を形成する。この駆動素子層８１には、前述した選択トランジスタ２１（図４）、駆動トランジスタ２３、容量素子２５（図４）、電源線ＰＷ（図４）、画素電極２９、ゲート絶縁膜４３、絶縁膜４５、絶縁膜４７が含まれている。
【００７０】
次いで、図６（ｂ）に示すように、平面視で画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域６２）に絶縁膜６１を形成する。絶縁膜６１の形成では、まず、ＣＶＤ技術などを活用することにより、平面視で画素電極２９及び絶縁膜４７を覆う酸化シリコン膜を形成する。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用することによって、酸化シリコン膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６１が形成され得る。
【００７１】
次いで、図６（ｃ）に示すように、平面視で絶縁膜６１に重なる領域に絶縁膜６３を形成する。絶縁膜６３の形成では、まず、ネガ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極２９及び絶縁膜６１を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６３が形成され得る。
なお、駆動素子層８１から絶縁膜６３までの構成が形成された第１基板４１は、以下において基板４１ａと呼ばれる。
【００７２】
次いで、図７（ａ）に示すように、基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す。これにより、酸素プラズマ処理前よりも、画素電極２９及び絶縁膜６１に、後述する液状体６５ａ、６７ａ、６９ａに対して親液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして酸素を含むガスが採用されている。
ここで、本実施形態での酸素プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例について説明する。プラズマ処理装置８３は、概略の構成を示す断面図である図８に示すように、チャンバー（処理室）８５と、テーブル８７と、コイル８９と、シャワープレート９１と、を有している。
【００７３】
チャンバー８５には、外部からチャンバー８５内に処理ガスを導く導入管９３と、チャンバー８５内から外部にガスを排出する排気管９５とが接続されている。チャンバー８５の天板部には、誘電体で構成された誘電プレート９７が設けられている。
テーブル８７は、チャンバー８５内に配設されている。コイル８９は、チャンバー８５の外側で誘電プレート９７に対向した状態で設けられている。シャワープレート９１は、チャンバー８５内で誘電プレート９７に対向した状態で設けられている。誘電プレート９７とシャワープレート９１との間には、隙間が設けられている。
テーブル８７には、整合器９９を介して高周波バイアス電源１０１が接続されている。コイル８９の一端には、整合器１０３を介して高周波電源１０５が接続されている。なお、コイル８９の他端は、接地されている。
【００７４】
導入管９３は、チャンバー８５の外側から、誘電プレート９７とシャワープレート９１との間の隙間内に至っている。導入管９３には、チャンバー８５の外側にバルブ１０７が接続されている。処理ガスは、バルブ１０７を経由してから導入管９３を通って、誘電プレート９７とシャワープレート９１との間の隙間内に導かれる。誘電プレート９７とシャワープレート９１との間の隙間内に導かれた処理ガスは、シャワープレート９１を介してチャンバー８５内に導入される。
排気管９５には、チャンバー８５の外側に真空ポンプ１０９が接続されている。チャンバー８５内は、真空ポンプ１０９で排気管９５を介してチャンバー８５内のガスをチャンバー８５の外側に排出することによって減圧される。
【００７５】
基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す工程では、まず、基板４１ａをテーブル８７に載置する。
次いで、真空ポンプ１０９を駆動して、チャンバー８５内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ１０７を開いて酸素をチャンバー８５内に導入する。
次いで、高周波電源１０５及び高周波バイアス電源１０１を駆動して、コイル８９に高周波電圧を印加し、テーブル８７にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー８５内に酸素プラズマが誘起される。
【００７６】
本実施形態では、酸素プラズマ処理の条件として、チャンバー８５内の圧力を約１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）とし、酸素の導入量を約５００ＳＣＣＭとし、プラズマ照射強度を１Ｗ／ｃｍ2とし、処理時間を１分間とした。
【００７７】
基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す工程に次いで、図７（ｂ）に示すように、基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す。これにより、画素電極２９及び絶縁膜６１の親液性が高められる。本実施形態では、処理室内に基板４１ａを収容した状態で、処理室内に酸素を含むガスを導入しながら、処理室内で紫外線を発生させる方法が採用されている。
ここで、本実施形態でのＵＶオゾン処理に適用されるＵＶオゾン処理装置の一例について説明する。ＵＶオゾン処理装置１１１は、概略の構成を示す断面図である図９に示すように、チャンバー（処理室）１１３と、テーブル１１５と、低圧水銀ランプ１１７と、導入管１１９と、排気管１２１と、を有している。
【００７８】
チャンバー１１３には、外部からチャンバー１１３内に処理ガスを導く導入管１１９と、チャンバー１１３内から外部に分解ガスを排出する排気管１２１とが接続されている。テーブル１１５は、チャンバー１１３内に配設されている。低圧水銀ランプ１１７は、チャンバー１１３内でテーブル１１５に対向して設けられている。本実施形態では、低圧水銀ランプ１１７は、約２５４ｎｍの波長の紫外線と、約１８５ｎｍの波長の紫外線とを発する。約２５４ｎｍの波長の紫外線と、約１８５ｎｍの波長の紫外線とのエネルギ比は、約４：１に設定されている。
【００７９】
基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程では、基板４１ａをテーブル１１５に載置した状態で、低圧水銀ランプ１１７を点灯させながらチャンバー１１３内に処理ガスを導入する。なお、本実施形態では、処理ガスに酸素が含まれている。酸素は、約１８５ｎｍの波長の紫外線によって分解され、オゾンに変化する。これにより、基板４１ａにＵＶオゾン処理が施される。
なお、チャンバー１１３内のオゾンは、約２５４ｎｍの波長の紫外線によって分解され、酸素に変化する。オゾンから酸素に変化した分解ガスは、排気管１２１を介してチャンバー１１３の外側に排出される。
【００８０】
基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程に次いで、図７（ｃ）に示すように、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、ＣＦ4プラズマ処理前よりも、絶縁膜６３に、後述する液状体６５ａ、６７ａ、６９ａに対して撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。
【００８１】
ＣＦ4プラズマ処理には、前述したプラズマ処理装置８３（図８）が適用され得る。本実施形態では、ＣＦ4プラズマ処理の条件として、チャンバー８５内の圧力を約１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）とし、ＣＦ4ガスの導入量を約９００ＳＣＣＭとし、プラズマ照射強度を１Ｗ／ｃｍ2とし、処理時間を３０分間とした。
なお、処理ガスは、ＣＦ4ガスに限定されず、ＳＦ6やＣＨＦ3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
【００８２】
基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程に次いで、基板４１ａに加熱処理を施す。本実施形態では、加熱処理の方法として、基板４１ａを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を５０℃以上且つ２８０℃未満とし、保持時間を約１０分間とした条件が採用され得る。５０℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、５０℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、２８０℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜６３が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、２８０℃以上は好ましくない。
【００８３】
基板４１ａに加熱処理を施す工程に次いで、図１０（ａ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた各画素５の領域（画素形成領域）内に液状体６５ａを配置する。液状体６５ａには、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれている。液状体６５ａの配置には、液滴吐出ヘッド１３１を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド１３１から液状体６５ａなどを液滴６５ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６５ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００８４】
各画素５の領域内に配置された液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図１０（ｂ）に示す正孔注入層６５が形成され得る。なお、液状体６５ａには、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体６５ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１０分間である。
【００８５】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内に液滴吐出ヘッド１３１から液状体６７ａを液滴６７ｂとして吐出することで、絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内に液状体６７ａを配置する。液状体６７ａには、正孔輸送層６７を構成する有機材料が含まれている。
このとき、正孔注入層６５は、液状体６７ａによって覆われる。なお、液状体６７ａには、ＴＦＢを溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【００８６】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図１０（ｃ）に示す正孔輸送層６７が形成され得る。なお、液状体６７ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００８７】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた各領域内に、液状体６９ａを配置する。液状体６９ａには、発光層６９を構成する有機材料が含まれている。液状体６９ａは、液滴吐出ヘッド１３１から液状体６９ａを液滴６９ｂとして吐出することによって配置される。このとき、正孔輸送層６７は、液状体６９ａによって覆われる。なお、液状体６９ａには、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【００８８】
次いで、液状体６９ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図５に示す発光層６９が形成され得る。液状体６９ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００８９】
次いで、蒸着技術などを活用してカルシウム等の膜を、絶縁膜６３に囲まれた画素形成領域内に形成することにより、図５に示す電子注入層７１が形成され得る。このとき、電子注入層７１は、絶縁膜６３をマスクで表示面３側から覆った状態で形成され得る。
次いで、マスクを用いた蒸着技術を活用してアルミニウム等の膜を形成することにより、図５に示す共通電極３３が形成され得る。これにより、素子基板１１が製造され得る。
【００９０】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００９１】
本実施形態では、絶縁膜６３が隔壁に対応し、基板４１ａが基板に対応し、液状体６５ａが第１液状体に対応し、液状体６７ａが第２液状体に対応し、正孔注入層６５が第１層としての第１膜に対応し、正孔輸送層６７が第２層としての第２膜に対応している。また、各画素５における画素電極２９と共通電極３３とが一対の電極に対応している。
また、基板４１ａに加熱処理を施す工程が、加熱工程に対応している。また、基板４１ａに酸素プラズマ処理を施す工程、及び基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程のそれぞれが、親液化工程に対応している。また、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
【００９２】
本実施形態では、酸素プラズマ処理によって画素電極２９及び絶縁膜６１に親液性が付与される。また、ＣＦ4プラズマ処理によって、絶縁膜６３に撥液性が付与される。このため、基板４１ａにおいて絶縁膜６３によって囲まれている領域内に液状体６５ａを配置したときに、液状体６５ａが画素電極２９及び絶縁膜６１に濡れ広がりやすく、且つ液状体６５ａが絶縁膜６３にはじかれやすい。このため、液状体６５ａが絶縁膜６３を乗り越えにくい。これらの結果、正孔注入層６５を、絶縁膜６１によって囲まれている領域内において画素電極２９及び絶縁膜６１にわたって形成しやすくすることができる。つまり、各画素５において、例えば正孔注入層６５の一部が欠落してしまうという欠陥の発生を低く抑えやすくすることができる。
【００９３】
また、本実施形態では、酸素プラズマ処理及びＣＦ4プラズマ処理の後に、基板４１ａに加熱処理が施される。これによって、絶縁膜６３によって囲まれている領域内において正孔注入層６５にわたって液状体６７ａが濡れ広がりやすくなる。このため、正孔輸送層６７を、絶縁膜６３によって囲まれている領域内において正孔注入層６５にわたって形成しやすくすることができる。
発光層６９においても同様の効果が得られる。液状体６９ａは、絶縁膜６３によって囲まれている領域内において正孔輸送層６７にわたって濡れ広がりやすくなる。
【００９４】
上述したように、本実施形態では、正孔注入層６５、正孔輸送層６７及び発光層６９のそれぞれを、絶縁膜６３によって囲まれている領域内にわたって形成しやすくすることができる。この結果、複数の画素５において、例えば画素５内で各層の一部が欠落する欠陥画素の発生を低く抑えることができる。このため、表示装置１の表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００９５】
ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、ガラス基板上に、ＩＴＯの膜と、アクリル樹脂の膜とを並べて形成したものを試料とした。同じ条件で作成した３つの試料を準備した。３つの試料は、試料１、試料２及び試料３として識別される。
試料１〜試料３に、酸素プラズマ処理、ＵＶオゾン処理、及びＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
【００９６】
（実施例１）
温度を２００℃とし、保持時間を１０分とする条件で、試料１に加熱処理を施した。
次いで、ＩＴＯの膜及びアクリル樹脂の膜のそれぞれの上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。なお、接触角の測定には、微小接触角計ＦＴＡ４０００（First Ten Angstroms社製）を使用した。
ＩＴＯの膜における接触角は、９度であった。また、アクリル樹脂の膜における接触角は、９０度であった。
【００９７】
次いで、液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行った。これによって、ＩＴＯの膜上に、正孔注入層６５と同等の第１膜を形成した。乾燥条件及び焼成条件は、前述した条件と同等にした。
次いで、第１膜及びアクリル樹脂の膜のそれぞれの上に、液状体６７ａを塗布して接触角を測定した。
第１膜における接触角は、９度であった。また、アクリル樹脂の膜における接触角は、９０度であった。
【００９８】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行った。これによって、第１膜上に、正孔輸送層６７と同等の第２膜を形成した。乾燥条件及び焼成条件は、前述した条件と同等にした。
次いで、第２膜及びアクリル樹脂の膜のそれぞれの上に、液状体６９ａを塗布して接触角を測定した。
第２膜における接触角は、９度であった。また、アクリル樹脂の膜における接触角は、９０度であった。
【００９９】
（実施例２）
温度を１００℃とし、保持時間を１０分とする条件で、試料２に加熱処理を施した。
次いで、ＩＴＯの膜及びアクリル樹脂の膜のそれぞれの上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
ＩＴＯの膜における接触角は、９度であった。また、アクリル樹脂の膜における接触角は、９０度であった。
【０１００】
次いで、液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行った。これによって、ＩＴＯの膜上に、正孔注入層６５と同等の第１膜を形成した。乾燥条件及び焼成条件は、前述した条件と同等にした。
次いで、第１膜及びアクリル樹脂の膜のそれぞれの上に、液状体６７ａを塗布して接触角を測定した。
第１膜における接触角は、１５度であった。また、アクリル樹脂の膜における接触角は、９０度であった。
【０１０１】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行った。これによって、第１膜上に、正孔輸送層６７と同等の第２膜を形成した。乾燥条件及び焼成条件は、前述した条件と同等にした。
次いで、第２膜及びアクリル樹脂の膜のそれぞれの上に、液状体６９ａを塗布して接触角を測定した。
第２膜における接触角は、１５度であった。また、アクリル樹脂の膜における接触角は、９０度であった。
【０１０２】
（比較例）
試料３に加熱処理を施さずに、ＩＴＯの膜及びアクリル樹脂の膜のそれぞれの上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
ＩＴＯの膜における接触角は、９度であった。また、アクリル樹脂の膜における接触角は、９０度であった。
【０１０３】
次いで、液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行った。これによって、ＩＴＯの膜上に、正孔注入層６５と同等の第１膜を形成した。乾燥条件及び焼成条件は、前述した条件と同等にした。
次いで、第１膜及びアクリル樹脂の膜のそれぞれの上に、液状体６７ａを塗布して接触角を測定した。
第１膜における接触角は、５０度であった。また、アクリル樹脂の膜における接触角は、９０度であった。
【０１０４】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行った。乾燥条件及び焼成条件は、前述した条件と同等にした。
しかしながら、第１膜上には、正孔輸送層６７と同等の第２膜を形成することができなかった。第１膜上の液状体６７ａの接触角が５０度であったため、液状体６７ａに乾燥及び焼成を行っても膜が形成されなかった。このため、試料３については、以後の評価を継続することができなかった。
【０１０５】
実施例１、実施例２及び比較例の結果を下記表１に示す。
【０１０６】
【表１】
2010015855.tif 000006
なお、表１では、アクリル樹脂の膜が「樹脂の膜」と表記されている。
【０１０７】
実施例１、実施例２及び比較例の結果から、酸素プラズマ処理及びＣＦ4プラズマ処理の後に基板４１ａに加熱処理を施すことが好ましいことが理解される。また、この結果から、同じ保持時間であれば、温度が高い方が好ましいことが理解される。逆の観点から、温度を低くすると、同等の濡れ性を得るのにかかる保持時間が長くなることが理解される。
【０１０８】
実施例１、実施例２及び比較例における各条件で作成した表示装置１の表示状態を観察した。その結果、実施例１及び実施例２のそれぞれに対応する表示装置１では、比較例に対応する表示装置よりも輝度ムラが軽減していることが確認された。
【０１０９】
なお、本実施形態では、複数の画素５が設定され、画素５ごとに有機ＥＬ素子２７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子２７を表示領域７にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【０１１０】
また、本実施形態では、正孔輸送層６７を第２層とする構成が採用されているが、構成はこれに限定されない。正孔を発生させ、且つ正孔を発光層６９に送出することができる層が第１層として設けられていれば、発光層６９を第２層とする構成も採用され得る。
【０１１１】
また、本実施形態では、有機層３１からの光を封止基板１３を介して表示面３から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層３１からの光を素子基板１１を介して底面１５から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、有機層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【０１１２】
なお、ボトムエミッション型の場合には、画素電極２９の材料として、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などが採用され得る。また、電子注入層７１の材料として、カルシウムなどが採用され得る。共通電極３３の材料として、アルミニウムなどが採用され得る。
なお、試料１〜試料３において、ＩＴＯの膜を白金の膜に替えた場合にも、上述した実施例１、実施例２及び比較例の結果と同様の結果が得られた。
【０１１３】
上述した表示装置１は、例えば、図１１に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されているので、各画素５における輝度ムラが低く抑えられる。
【０１１４】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】本実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図７】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図８】本実施形態での酸素プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。
【図９】本実施形態でのＵＶオゾン処理に適用されるＵＶオゾン処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。
【図１０】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１１】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【０１１６】
１…表示装置、３…表示面、５…画素、７…表示領域、１１…素子基板、１５…底面、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、３１…有機層、３３…共通電極、４１…第１基板、４１ａ…基板、６１…絶縁膜、６２…領域、６３…絶縁膜、６５…正孔注入層、６５ａ…液状体、６５ｂ…液滴、６７…正孔輸送層、６７ａ…液状体、６７ｂ…液滴、６９…発光層、６９ａ…液状体、６９ｂ…液滴、７１…電子注入層、８１…駆動素子層、８３…プラズマ処理装置、１１１…ＵＶオゾン処理装置、１３１…液滴吐出ヘッド、５００…電子機器、５１０…表示部。
【図１】
2010015855.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2010015855.tif 000014
【図９】
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【図１０】
2010015855.tif 000016
【図１１】
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