(57)【要約】【課題】投影システムまたはその部品の振動が制振され得る帯域幅が向上する投影組立体を提供する。【解決手段】投影組立体ＰＡは、投影システムＰＳと、インターフェース制振マスＩＤＭおよびインターフェース制振マスＩＤＭの少なくとも一部分の振動を制振するアクティブ制振サブシステムを含む制振システムとを備え、インターフェース制振マスＩＤＭが投影システムＰＳに接続され、アクティブ制振サブシステムが、インターフェース制振マスＩＤＭの位置を測定するセンサＳＥＮＳと、インターフェース制振マスＩＤＭに対して力を作用させる電磁アクチュエータＡＣＴと、センサＳＥＮＳによって供給された信号に基づいて電磁アクチュエータＡＣＴを駆動するコントローラＣＯＮＴとを含み、アクティブ制振サブシステムは、第１のセンサによって供給された信号に基づいて対向力を作用させる、電磁アクチュエータに対する反作用マスＲＭを含む。【選択図】図２
2010093253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムの少なくとも一部分の振動を制振するように構成されたダンパとを備え、前記ダンパが、インターフェース制振マスおよび前記インターフェース制振マスの少なくとも一部分の振動を制振するように構成されたアクティブ制振サブシステムを備え、前記インターフェース制振マスが前記投影システムに接続され、前記アクティブ制振サブシステムが、
前記インターフェース制振マスの位置量を測定するように構成された第１のセンサと、
前記インターフェース制振マスに対して力を作用させるように構成された電磁アクチュエータと、
前記第１のセンサによって供給された信号によって前記電磁アクチュエータを駆動するように構成されたコントローラと、
前記第１のセンサによって供給された前記信号によって対向力を作用させるための、前記電磁アクチュエータに対する反作用マスとを備え、
前記コントローラが、第１の周波数範囲において実質的に前記電磁アクチュエータの電圧制御をもたらし、かつ第２の周波数範囲において実質的に前記電磁アクチュエータの電流制御をもたらすように構成され、前記第１の周波数範囲が前記反作用マスの共振周波数を含む投影組立体。
【請求項２】
前記アクティブ制振サブシステムが、前記電圧制御をもたらすための第１のフィードバックループおよび前記電流制御をもたらすための第２のフィードバックループを備える請求項１に記載の投影組立体。
【請求項３】
前記第１のフィードバックループが、
駆動信号に基づいて前記インターフェース制振マスに対して力を作用させるように構成された前記電磁アクチュエータと、
前記第１のセンサと、
前記第１のセンサによって供給された前記信号に基づいて基準信号を導出するように構成されたコントローラと、
前記基準信号に基づいて第１の制御信号を導出するように構成された第１の制御ユニットと、
前記第１の制御信号と第２の制御信号とを組み合わせるように構成された加算器と、
前記第１の制御信号と前記第２の制御信号との組合せに基づいて前記駆動信号を印加するように構成された電源とを備え、
前記第２のフィードバックループが、
前記電磁アクチュエータと、
前記電磁アクチュエータを通る電流を測定するように構成された第２のセンサと、
前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差に基づいて前記第２の制御信号を導出するように構成された第２の制御ユニットと、
前記加算器と、
前記電源とを備える請求項２に記載の投影組立体。
【請求項４】
前記第２の制御ユニットが、前記第１の周波数範囲において前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差を減衰するように、前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差をフィルタリングするように構成されたハイパスフィルタを備える請求項３に記載の投影組立体。
【請求項５】
前記電磁アクチュエータがローレンツアクチュエータである請求項１に記載の投影組立体。
【請求項６】
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
前記放射ビームにその断面内にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上へ前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備える投影組立体、および前記投影システムの少なくとも一部分の振動を制振するように構成されたダンパとを備え、前記ダンパが、インターフェース制振マスおよび前記インターフェース制振マスの少なくとも一部分の振動を制振するように構成されたアクティブ制振サブシステムを備え、前記インターフェース制振マスが前記投影システムに接続され、前記アクティブ制振サブシステムが、
前記インターフェース制振マスの位置量を測定するように構成された第１のセンサと、
前記インターフェース制振マスに対して力を作用させるように構成された電磁アクチュエータと、
前記第１のセンサによって供給された信号によって前記電磁アクチュエータを駆動するように構成されたコントローラと、
前記第１のセンサによって供給された前記信号によって対向力を作用させるための、前記電磁アクチュエータに対する反作用マスとを備え、
前記コントローラが、第１の周波数範囲において実質的に前記電磁アクチュエータの電圧制御をもたらし、かつ第２の周波数範囲において実質的に前記電磁アクチュエータの電流制御をもたらすように構成され、前記第１の周波数範囲が前記反作用マスの共振周波数を含むリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記アクティブ制振サブシステムが、前記電圧制御をもたらすための第１のフィードバックループおよび前記電流制御をもたらすための第２のフィードバックループを備える請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第１のフィードバックループが、
駆動信号に基づいて前記インターフェース制振マスに対して前記力を作用させるように構成された前記電磁アクチュエータと、
前記第１のセンサと、
前記第１のセンサによって供給された前記信号に基づいて基準信号を導出するように構成されたコントローラと、
前記基準信号に基づいて第１の制御信号を導出するように構成された第１の制御ユニットと、
前記第１の制御信号と第２の制御信号とを組み合わせるように構成された加算器と、
前記第１の制御信号と前記第２の制御信号との組合せに基づいて前記駆動信号を印加するように構成された電源とを備え、
前記第２のフィードバックループが、
前記電磁アクチュエータと、
前記電磁アクチュエータを通る電流を測定するように構成された第２のセンサと、
前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差に基づいて前記第２の制御信号を導出するように構成された第２の制御ユニットと、
前記加算器と、
前記電源とを備える請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記第２の制御ユニットが、前記第１の周波数範囲において前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差を減衰するように、前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差をフィルタリングするように構成されたハイパスフィルタを備える請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記電磁アクチュエータがローレンツアクチュエータである請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
前記放射ビームにその断面内にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記リソグラフィ装置の少なくとも一部分の振動を制衰するように構成されたダンパとを備え、前記ダンパが、
前記リソグラフィ装置の前記少なくとも一部分の位置量を測定するように構成された第１のセンサと、
前記リソグラフィ装置の前記少なくとも一部分に対して力を作用させるように構成された電磁アクチュエータと、
前記第１のセンサによって供給された信号によって前記電磁アクチュエータを駆動するように構成されたコントローラと、
前記第１のセンサによって供給された前記信号によって対向力を作用させるように構成された、前記電磁アクチュエータに対する反作用マスとを備え、
前記コントローラが、第１の周波数範囲において実質的に前記電磁アクチュエータの電圧制御をもたらし、かつ第２の周波数範囲において実質的に前記電磁アクチュエータの電流制御をもたらすように構成され、前記第１の周波数範囲が前記反作用マスの共振周波数を含むリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記ダンパが、前記電圧制御をもたらすための第１のフィードバックループおよび前記電流制御をもたらすための第２のフィードバックループを備える請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記第１のフィードバックループが、
駆動信号に基づいて前記リソグラフィ装置の少なくとも一部分に対して前記力を作用させるための前記電磁アクチュエータと、
前記第１のセンサと、
前記第１のセンサによって供給された前記信号に基づいて基準信号を導出するように構成されたコントローラと、
前記基準信号に基づいて第１の制御信号を導出するように構成される第１の制御ユニットと、
前記第１の制御信号と第２の制御信号とを組み合わせるように構成された加算器と、
前記第１の制御信号と前記第２の制御信号との組合せに基づいて前記駆動信号を印加するように構成される電源とを備え、
前記第２のフィードバックループが、
前記電磁アクチュエータと、
前記電磁アクチュエータを通る電流を測定するように構成された第２のセンサと、
前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差に基づいて前記第２の制御信号を導出するように構成された第２の制御ユニットと、
前記加算デバイスと、
前記電源とを備える請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記第２の制御ユニットが、前記第１の周波数範囲において前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差を減衰するように、前記基準信号と前記第２のセンサによって供給された前記信号との間の差をフィルタリングするように構成されたハイパスフィルタを備える請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記電磁アクチュエータがローレンツアクチュエータである請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、投影組立体およびリソグラフィ装置に関し、それぞれは、投影組立体およびリソグラフィ装置の少なくとも一部の振動をそれぞれ制振するように構成されたダンパを含む。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（IC）の製造に使用することができる。そのような場合には、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層上に形成するべき回路パターンを生成するのに使用され得る。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたはいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することによって行われる。一般に、単一の基板は、次々とパターニングされる隣接したターゲット部分の回路網を含むことになる。従来のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光させることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンし、同時に、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィにおいて高精度および高分解能をもたらすために、パターニングデバイス（例えばマスク）を保持するためのパターニングデバイスステージ（例えばレチクルステージ）、投影システムおよび基板を保持するための基板テーブルなどのリソグラフィ装置の部品を、互いに対して正確に位置決めするのが望ましい。例えばパターニングデバイスステージおよび基板テーブルの位置決めとは別に、このことは投影システムに対しても要件をもたらす。現行の実装形態における投影システムは、レンズ台（透過性光学部品の場合）またはミラーフレーム（反射性光学部品の場合）およびレンズ素子、ミラーなど複数の光学エレメントなどの搬送構造体から成り得る。作動中、投影システムは複数の要因による振動の影響を受けやすい。一例として、リソグラフィ装置内の部品の運動は、投影システムが取り付けられているフレームの振動をもたらすことがあり、基板ステージまたはパターニングデバイスステージなどのステージの運動、あるいはそれらの加速／減速は、投影システムに影響を及ぼすガス流および／または乱流および／または音波をもたらすことがある。そのような動揺は、投影システムの全体またはその部品に振動をもたらすことがある。そのような振動によってレンズ素子またはミラーの変位がもたらされ得て、結果として結像誤差、すなわち基板上のパターンの投影における誤差の原因になり得る。
【０００４】
[0004]  投影システムの容器は、機械振動に起因する力、音響効果、空気流などの外力によって、投影システムの容器内に配置された１つまたは複数のレンズ素子の固有振動数で励振されることがある。結果として生じる投影システム容器の運動は、基板および／またはパターニングデバイスのサポートのサーボ制御ループによって勘案され、このサーボ制御ループは、投影システム容器に対してサポートを位置決めしようとする。しかし、投影システム容器の振動周波数が高すぎてサポートが追従しないことがあり、そのためにサポートと投影システム容器との相対位置が所望位置と一致しないので結像誤差が生じる。あるいは、投影システムの容器の振動が止まるまで待つように大きなサーボ系整定時間を用いることができるが、これらのレンズ素子は制振性の低い台で投影システム容器に取り付けられるので、この整定時間は大きくとらざるを得ないことになる。結果として、リソグラフィ装置の総合的処理能力が悪影響を受ける。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  投影システムまたはその部品の振動が制振され得る帯域幅が向上する投影組立体を提供することが望ましい。結像精度および／または処理能力が改善されたリソグラフィ装置を提供することがさらに望ましい。
【０００６】
[0006]  本発明の一実施形態によれば、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、インターフェース制振マスおよびインターフェース制振マスの少なくとも一部分の振動を制振するように構成されたアクティブ制振サブシステムを含み、投影システムの少なくとも一部分の振動を制振するように構成されたダンパとを含み、インターフェース制振マスが投影システムに接続され、アクティブ制振サブシステムが、インターフェース制振マスの位置量を測定するように構成された第１のセンサと、インターフェース制振マスに対して力を作用させるように構成された電磁アクチュエータと、第１のセンサによって供給された信号によって電磁アクチュエータを駆動するように構成されたコントローラとを含み、アクティブ制振サブシステムが、第１のセンサによって供給された信号によって対向力を作用させるように構成された、電磁アクチュエータに対する反作用マスを含み、コントローラが、第１の周波数範囲において実質的に電磁アクチュエータの電圧制御をもたらし、かつ第２の周波数範囲において実質的に電磁アクチュエータの電流制御をもたらすように構成され、第１の周波数範囲が反作用マスの共振周波数を含む投影組立体が提供される。
【０００７】
[0007]  本発明の別の実施形態によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームにその断面内にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分上へパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを含む投影組立体、およびインターフェース制振マスおよびインターフェース制振マスの少なくとも一部分の振動を制振するように構成されたアクティブ制振サブシステムを含み、投影システムの少なくとも一部分の振動を制振するように構成されたダンパとを含み、インターフェース制振マスが投影システムに接続され、アクティブ制振サブシステムが、インターフェース制振マスの位置量を測定するように構成された第１のセンサと、インターフェース制振マスに対して力を作用させるように構成された電磁アクチュエータと、第１のセンサによって供給された信号によって電磁アクチュエータを駆動するように構成されたコントローラとを含み、アクティブ制振サブシステムが、第１のセンサによって供給された信号によって対向力を作用させるように構成された、電磁アクチュエータに対する反作用マスを含み、コントローラが、第１の周波数範囲において実質的に電磁アクチュエータの電圧制御をもたらし、かつ第２の周波数範囲において実質的に電磁アクチュエータの電流制御をもたらすように構成され、第１の周波数範囲が反作用マスの共振周波数を含むリソグラフィ装置が提供される。
【０００８】
[0008]  本発明のさらに別の実施形態によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームにその断面内にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、リソグラフィ装置の少なくとも一部分の振動を制振するためのダンパとを含み、ダンパが、リソグラフィ装置の少なくとも一部分の位置量を測定するように構成された第１のセンサと、リソグラフィ装置の少なくとも一部分に対して力を作用させるように構成された電磁アクチュエータと、第１のセンサによって供給された信号によって電磁アクチュエータを駆動するように構成されたコントローラとを含み、ダンパが、第１のセンサによって供給された信号によって対向力を作用させるように構成された、電磁アクチュエータに対する反作用マスを含み、コントローラが、第１の周波数範囲において実質的に電磁アクチュエータの電圧制御をもたらし、かつ第２の周波数範囲において実質的に電磁アクチュエータの電流制御をもたらすように構成され、第１の周波数範囲が反作用マスの共振周波数を含むリソグラフィ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  本発明の諸実施形態が、添付の概略図を参照しながら、単に例として次に説明される。図では同じ参照符号は同じ部品を示す。
【００１０】
【図１】[0010]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】[0011]本発明の別の実施形態による投影組立体の概略図である。
【図３】[0012]図２による投影組立体における反作用マスとインターフェース制振マスとの間の低周波数結合の一実施例を示す図である。
【図４】[0013]本発明のさらに別の実施形態による投影組立体の概略図である。
【図５】[0014]本発明の一実施形態による図４の投影組立体の一部分のハードウェア実装形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0015]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばUV放射または何らかの他の適当な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、あるパラメータに正確に従ってパターニングデバイスを位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴとを含む。この装置は、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、あるパラメータに正確に従って基板を位置決めするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板サポート」も含む。この装置は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数ダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば屈折性の投影レンズシステム）ＰＳも含む。
【００１２】
[0016]  この照明システムは、放射を導くか、形作るか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。
【００１３】
[0017]  パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件に左右される形でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気、または他のクランプ技法を用いることができる。パターニングデバイスサポートは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望位置にあるようにすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のどんな使用も、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なされ得る。
【００１４】
[0018]  本明細書に使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作成するように、放射ビームにその断面内にパターンを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指すものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に対応するはずである。
【００１５】
[0019]  パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、マスクタイプとして、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのほかに様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、入ってくる放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾斜させることができる小さなミラーのマトリクス配置を使用する。傾けられたミラーが、ミラーマトリクスによって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００１６】
[0020]  本明細書に使用される用語「投影システム」は、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含し、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとして、広義に解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のどんな使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。
【００１７】
[0021]  ここで記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過性マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射タイプ（例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ）でよい。
【００１８】
[0022]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブルまたは「基板サポート」（および／または複数のマスクテーブルまたは「マスクサポート」）を有するタイプでよい。そのような「マルチステージ」マシンでは、追加のテーブルまたはサポートが並行して使用され得るか、あるいは１つまたは複数のテーブルまたはサポートが露光に使用されている間に、１つまたは複数の他のテーブルまたはサポート上で準備ステップが行われ得る。
【００１９】
[0023]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間のスペースを充填するように、基板の少なくとも一部分が比較的高屈折率を有する液体、例えば水によって包まれ得るタイプでもよい。リソグラフィ装置内の他のスペース、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）と投影システムとの間にも液浸液が適用されてよい。投影システムの開口数を増加させるために液浸技術を用いることができる。本明細書に使用される用語「液浸」は、液体に基板などの構造体を沈めなければならないことを意味するのではなく、むしろ、露光の間投影システムと基板の間に液体が配置されることを意味するだけである。
【００２０】
[0024]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別個の実体でよい。そのような例では、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬまで、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを用いて通される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品でよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤも一緒に、放射システムと呼ばれてよい。
【００２１】
[0025]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含んでよい。一般に、少なくともイルミネータの瞳面内輝度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど様々な他のコンポーネントを含んでよい。イルミネータは、放射ビームがその横断面内の所望の均一性および輝度分布を有するように調節するのに使用されてよい。
【００２２】
[0026]  放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを横切って、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集中させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路内へ個別のターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）は、例えばマスクライブラリからの機械的検索の後、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めするのに使用することができる。一般に、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴの動作は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の動作は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴがショートストロークアクチュエータのみに接続されてよく、あるいは固定されてよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスのアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板のアライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図示された基板アライメントマーク（スクライブラインアライメントマークとして既知である）は専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に複数のダイが与えられる状況では、マスクアライメントマークはダイ間に配置されてよい。
【００２３】
［0027］  図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用され得る。
【００２４】
[0028]  １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴならびに基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」は基本的に静止状態に保たれ、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次いで、別のターゲット部分Ｃが露光され得るように、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」がＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一静的露光で結像されたターゲット部分Ｃの寸法を制限する。
【００２５】
[0029]  ２．スキャンモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が同期してスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性および像反転特性によって決定され得る。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限するのに対して、スキャン運動の長さがターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決定する。
【００２６】
[0030]  ３．別のモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が移動またはスキャンされ、その一方で放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の各動作後に、またはスキャン中連続した放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及されたタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0031]  前述の使用モードまたは全く異なった使用モードの組合せおよび／または変形形態も用いられてよい。
【００２８】
[0032]  一般に、制振システム（広義には「ダンパ」とも称される）は、投影システムまたはその部品の振動を制振するために設けられる。それに対して、多くの形式で知られている制振システムを設けることができる。制振システムは、投影システムの少なくとも一部分の振動を吸収するためのインターフェース制振マス、ならびにインターフェース制振マスの少なくとも一部分の振動を制振するためのアクティブ制振サブシステムを含んでよい。インターフェース制振マスは、一般に投影システムに接続される。本明細書では、アクティブ制振システムという用語は、振動の影響を検出するためのセンサ（例えば位置センサ、速度センサ、加速度センサなど）ならびに制振されるべき構造体またはその一部分に作用するアクチュエータを含み、アクチュエータが、センサによって供給される信号によって、例えばコントローラによって駆動される制振システムとして理解されたい。センサによって供給された信号によってアクチュエータを駆動することにより、投影システムおよび／またはそれに接続されたインターフェース制振マスに対する振動の影響が、ある程度まで低減され、あるいは相殺され得る。そのようなアクティブ制振システムの一実施例をフィードバックループによって与えることができ、センサは、インターフェース制振マスまたはその一部分の位置、速度、加速度、ジャークなどの位置量を供給し、コントローラは、位置量を与えられ、かつコントローラ出力信号を生成してアクチュエータを駆動し、その結果として、アクチュエータがインターフェース制振マスまたはその一部分に作用し、その結果フィードバックループがもたらされる。コントローラは任意のタイプのコントローラによって形成されてよく、また、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、または任意の他のプログラマブルデバイスによって実行されるソフトウェアで実施されてよく、あるいは専用ハードウェアによって実施されてよい。
【００２９】
[0033]  アクチュエータは、アクティブ制振サブシステムの反作用マスとインターフェース制振マスとの間に接続されてよい。リソグラフィ装置の基部フレームなど任意の他の反作用物体または他の基準も、アクチュエータがその対向力を作用させるのに使用されてよいことが注目される。アクチュエータは、圧電式電動アクチュエータ、モータなど、任意の適当なタイプのアクチュエータを含んでよい。好ましくは、ローレンツアクチュエータなどの電磁アクチュエータを使用することにより、ローレンツアクチュエータが反作用マスおよびインターフェース制振マスのそれぞれに接続されたそれぞれの部品に対して非接触で力を与えることができるので、反作用マスとインターフェース制振マスとの間に機械的接触のない非接触のアクチュエータを設けることができる。反作用マスは通常インターフェース制振マスに対して低周波数結合される。
【００３０】
[0034]  アクチュエータによって生成され、インターフェース制振マスを介して投影システムに実際に作用する力は、インターフェース制振マスに対する反作用マスの低周波数結合によって影響され、これは反作用マスが振動し始める反作用マスの共振周波数によって特徴づけられる。共振周波数を上回る周波数でのみ力を加えることができるが、その理由は、共振周波数未満の周波数については、反作用マスが、インターフェース制振マスを介して投影システムに実際に作用する力を生成するのでなく動くからである。
【００３１】
[0035]  共振周波数では反作用マスが振動し始め、それによって投影システムに対して減衰されていない力をもたらし、また、反作用マスが振動しているので、その必要とされる運動は比較的大きい。これを回避するために、次の２つの対策を取ることができる。（１）固有振動数の励振を回避するためにフィードバックループがハイパスフィルタを含む、および（２）共振周波数を十分に高く保ち、その結果反作用マスの運動範囲を限定する。しかし、どちらの対策にも、制振システムが投影システムを制振することができる最低周波数が比較的高く、したがって内部共振を防止する帯域幅が制限されるという影響がある。アクティブ制振システムが高帯域幅であれば、そのような高帯域幅内で振動を抑制することが可能になるので、アクティブ制振システムは高帯域幅であることが望ましい。
【００３２】
[0036]  図２は、本発明の一実施形態による制振システム（広義には「ダンパ」とも称される）を含む投影組立体ＰＡの概略図を示す。投影組立体ＰＡは投影システムＰＳを含み、ＰＳは、基板（図示せず。例えば図１を参照されたい）のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成される。投影システムＰＳは、例えば剛体の台、弾性のある台などを含む任意の適当なデバイスによってメトロロジーフレーム内に保持されてよい。投影組立体ＰＡは、インターフェース制振マスＩＤＭも含み、ＩＤＭは、任意の対象物、好ましくは剛体のマスおよびアクティブ制振サブシステムも含んでよい。インターフェース制振マスＩＤＭは投影システムＰＳに接続され、センサおよびアクチュエータなどアクティブ制振サブシステムの部品は、インターフェース制振マスＩＤＭに接続され得る。
【００３３】
[0037]  投影システムＰＳの振動は、インターフェース制振マスＩＤＭの振動をもたらす。インターフェース制振マスＩＤＭのそのような振動はアクティブ制振サブシステムのセンサＳＥＮＳによって検知されるが、ＳＥＮＳは、位置測定センサ、速度測定センサ、加速度測定センサなど任意のタイプの振動センサを含んでよい。インターフェース制振マスＩＤＭに作用する、アクティブ制振サブシステムの電磁アクチュエータＡＣＴが設けられる。この実施形態では、アクチュエータは、アクティブ制振サブシステムの反作用マスＲＭとインターフェース制振マスＩＤＭとの間に接続される。好ましくは、ローレンツアクチュエータを使用することにより、ローレンツアクチュエータが反作用マスＲＭおよびインターフェース制振マスＩＤＭのそれぞれに接続されたそれぞれの部品に対して非接触で力を与えることができるので、反作用マスＲＭとインターフェース制振マスＩＤＭとの間に機械的接触のない非接触のアクチュエータを設けることができる。しかし、鉄心アクチュエータまたは磁気抵抗アクチュエータなど他の電磁アクチュエータも使用することができる。
【００３４】
[0038]  アクチュエータＡＣＴは、センサＳＥＮＳによって供給される信号によって（例えば適当な制御システムCSを用いて）駆動される。制御システムすなわちコントローラＣＳは、コントローラＣＯＮＴを含み、センサＳＥＮＳの出力信号がコントローラＣＯＮＴに入力信号をもたらす。コントローラＣＯＮＴは、コントローラ出力信号を生成して電源ＰＷＲに入力信号を供給する。電源ＰＷＲは、コントローラ出力信号に基づいて駆動信号を供給してアクチュエータＡＣＴを駆動する。その結果として、アクチュエータＡＣＴがインターフェース制振マスＩＤＭまたはその一部分に対して力Ｆを作用させ、その結果フィードバックループＦＬがもたらされる。コントローラＣＯＮＴは任意のタイプのコントローラによって形成されてよく、また、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、または任意の他のプログラマブルデバイスによって実行されるソフトウェアで実施されてよく、あるいは専用ハードウェアによって実施されてよい。
【００３５】
[0039]  アクチュエータＡＣＴからセンサＳＥＮＳに対して観測される周波数挙動は、インターフェース制振マスＩＤＭによって支配される。少なくともアクティブ制振システムの周波数帯域内ではインターフェース制振マスＩＤＭが剛体マスを形成することが好ましく、そのことによって、センサＳＥＮＳおよびアクチュエータＡＣＴは、実質的に剛体マスに相当する伝達関数を結果的に観測することになる。効果的には、センサＳＥＮＳおよびアクチュエータＡＣＴから見たとき、投影システムＰＳの共振挙動が、一方ではセンサＳＥＮＳとアクチュエータＡＣＴとの間に効果的に介在し他方ではセンサＳＥＮＳと投影システムＰＳとの間に効果的に介在するインターフェース制振マスＩＤＭの存在によって効果的にマスクされる。結果として、その周波数での伝達関数の位相は、より不変の挙動を示すことになり、それによってセンサＳＥＮＳおよびアクチュエータＡＣＴを含むアクティブ制振システムの安定した挙動を最大限に促進する。
【００３６】
[0040]  インターフェース制振マスＩＤＭは、例えば制振されたばねなどのばねを含む弾性のある接続を介して投影システムＰＳに接続されてよい。好ましくは、インターフェース制振マスＩＤＭは投影システムＰＳに対して約１〜２ｋＨｚで結合される。それによって、投影システムＰＳの部品の振動および共振の効果的な減結合がもたらされ得る。
【００３７】
[0041]  透過性投影システムの実際的な実装形態では、インターフェース制振マスＩＤＭは、投影システムＰＳの任意の関連する部品に接続されてよく、制振マスはレンズ台（すなわち投影システムPSの複数のレンズ素子用の台）に接続されてよい。反射性投影システムの場合には、インターフェース制振マスＩＤＭは、例えば１つまたは複数のミラーを保持するフレームに接続されてよい。それによって、インターフェース制振マスをレンズ台またはフレームに接続すると（また、それによってアクティブ制振システムをレンズ台またはフレームに間接的に接続すると）、投影システムの、例えばレンズ素子、ミラーなど複数の構成部品に対して効果があるので（というのは、これら構成素子がすべて結果としてレンズ台または基準フレームに接続されるため）、投影システムＰＳおよびその構成部品は効果的に制振され得る。代替実施形態では、アクティブ制振サブシステムを投影システムに直接接続することも可能であり、それによってインターフェース制振マスの使用を排除する。システムにとって利用可能な空間がほとんどないとき、これは有益であり得る。
【００３８】
[0042]  インターフェース制振マスＩＤＭの質量は、好ましくは投影システムＰＳの質量の約０．００１倍と約０．１倍との間に、より好ましくは投影システムＰＳの質量の０．００１倍と０．０１倍との間に選択され、それによって、インターフェース制振マスＩＤＭの周波数が、アクティブ制振システムの所望の帯域幅の周波数範囲内に与えられ得るので、その結果、アクティブ制振システムの安定した閉ループ動作が促進される。
【００３９】
[0043]  反作用マスＲＭは、インターフェース制振マスＩＤＭに対してばねを介して低周波数結合される。この低周波数結合は、反作用マスＲＭの共振周波数によって特徴づけられる。反作用マスＲＭの共振周波数より高い周波数では、アクチュエータＡＣＴを駆動するとき反作用マスＲＭは実質的に静止するようになり、したがって投影システムＰＳに対して力を作用させることが可能になる。
【００４０】
[0044]  図３は、反作用マスＲＭがどのようにインターフェース制振マスＩＤＭに低周波数結合され得るかという実施例の概要を示す。反作用マスをインターフェース制振マスＩＤＭに対して並進方向へ導くために、反作用マスＲＭとインターフェース制振マスＩＤＭとの間に４つの板ばねＬＳが設けられる。並進方向は、アクチュエータＡＣＴが力Ｆを作用させる方向と実質的にほぼ同等である。板ばねＬＳの利益は、反作用マスＲＭに対して実質的に摩擦のないベアリングが与えられることである。板ばねＬＳと反作用マスＲＭの組合せは、並進方向に反作用マスＲＭの剛体共振周波数を規定する。その他の低周波数結合方式も可能である。
【００４１】
[0045]  図２で、制御システムＣＳは、第１の周波数範囲において実質的にアクチュエータＡＣＴの電圧制御をもたらし、かつ第２の周波数範囲において実質的にアクチュエータＡＣＴの電流制御をもたらすように構成され、第１の周波数範囲は反作用マスの共振周波数を含む。アクチュエータＡＣＴの電圧制御によって、インターフェース制振マスＩＤＭに対する反作用マスＲＭの相対運動中にアクチュエータＡＣＴに誘起された逆起電力の電圧から制振電流を生成することができる。制振電流は、インターフェース制振マスＩＤＭに対する反作用マスＲＭの運動を減衰し、それによって反作用マスＲＭの共振周波数を減衰する。結果として、コントローラＣＯＮＴは、共振周波数の減衰のためにさらなるハイパスフィルタを含む必要がなく、あるいは現行のハイパスフィルタの遮断周波数を最低限に設定することができる。これに加えて、反作用マスＲＭの共振周波数を低下させることができる。ここで、制振システムが投影システムＰＳを制振することができる最低周波数を低下させることが可能になり、したがって制振システムの帯域幅を増大することができ、この帯域幅では、内部共振の防止と共に、ある程度まで振動の低減または相殺が可能である。
【００４２】
[0046]  好ましくは、第２の周波数範囲は第１の周波数範囲と重ならない。一実施形態では、第１の周波数範囲は０Ｈｚから共振周波数を上回る周波数の範囲を含み、第２の周波数範囲は第１の周波数範囲に隣接する。このようにして、２つの制御タイプの間の移行域は１つだけとなる。好ましくは、少なくともアクチュエータＡＣＴの電気的時定数を上回る周波数範囲では電流制御が適用されるが、その理由は、電圧制御と比較して電流制御の方がこの周波数範囲での位相特性が優れているためである。
【００４３】
[0047]  図４は、本発明の別の実施形態による制振システム（広義には「ダンパ」とも称される）を含む投影組立体ＰＡ１を示す。投影組立体ＰＡ１は、投影システムＰＳ１、インターフェース制振マスＩＤＭ１、および図２の実施形態に類似のアクティブ制振サブシステムを含む。インターフェース制振マスＩＤＭ１は投影システムＰＳ１に接続され、アクティブ制振サブシステムの部品は、インターフェース制振マスＩＤＭ１に接続され得る。
【００４４】
[0048]  投影システムＰＳ１の振動は、インターフェース制振マスＩＤＭ１の振動をもたらす。インターフェース制振マスＩＤＭ１のそのような振動はアクティブ制振サブシステムの第１のセンサＳＥＮＳ１によって検知されるが、ＳＥＮＳ１は、位置測定センサ、速度測定センサ、加速度測定センサなど任意のタイプの振動センサを含んでよい。インターフェース制振マスＩＤＭ１に作用する、アクティブ制振サブシステムの電磁アクチュエータＡＣＴ１が設けられる。この実施形態では、アクチュエータＡＣＴ１は、アクティブ制振サブシステムの反作用マスＲＭ１とインターフェース制振マスＩＤＭ１との間に接続される。好ましくは、アクチュエータＡＣＴ１はローレンツアクチュエータである。
【００４５】
[0049]  アクチュエータＡＣＴ１は制御システムＣＳ１によって駆動される。制御システムすなわちコントローラＣＳ１はコントローラＣＯＮＴ１を含み、ＣＯＮＴ１は、第１のセンサＳＥＮＳ１によって供給されたセンサ出力Ｓ１から基準信号ＶＲを導出するように構成される。好ましくは、基準信号ＶＲは、制御システムＣＳ１がインターフェース制振マスＩＤＭ１に対して作用させようとする力Ｆ１についての測定値である。制御システムＣＳ１は第１の制御ユニットすなわちコントローラＣＵ１をさらに含み、ＣＵ１は、基準信号ＶＲに基づいて第１の制御信号ＶＰ１を導出するように構成される。第１の制御信号ＶＰ１は、加算デバイスすなわち加算器ＡＤに供給される。加算デバイスＡＤの出力は電源ＰＷＲ１に供給され、電源ＰＷＲ１はアクチュエータＡＣＴ１に駆動信号ＶＤを印加するように構成される。その結果として、アクチュエータＡＣＴ１がインターフェース制振マスＩＤＭ１に作用し、その結果第１のフィードバックループＦＬ１がもたらされる。
【００４６】
[0050]  制御システムＣＳ１は、インターフェース制振マスＩＤＭ１に加えられる実際の力Ｆ１についての測定値であってアクチュエータＡＣＴ１を通って流れる電流Ｉ１を測定するために、第２のセンサＳＥＮＳ２をさらに含む。第２のセンサＳＥＮＳ２のセンサ出力Ｓ２は、好ましくは電流Ｉ１に比例する。制御システムＣＳ１は、センサ出力Ｓ２を基準信号ＶＲと比較し、かつセンサ出力Ｓ２と基準信号ＶＲとの間の差に基づいて第２の制御信号ＶＰ２を導出するように構成された第２の制御ユニットすなわちコントローラＣＵ２も含む。第２の制御信号ＶＰ２は、加算デバイスＡＤに供給されて第１の制御信号ＶＰ１と組み合わされる。加算デバイスＡＤの出力は電源ＰＷＲ１に供給され、それによって、電源ＰＷＲ１は第１の制御信号ＶＰ１と第２の制御信号ＶＰ２との組合せに基づいてアクチュエータＡＣＴ１に駆動信号ＶＤを供給し、その結果、第２のフィードバックループＦＬ２がもたらされる。第２のフィードバックループＦＬ２の目的は、基準信号ＶＲによって表される所望の力に実質的に相当する実際の力Ｆ１を与えることである。
【００４７】
[0051]  駆動信号ＶＤは、好ましくは電圧信号である。第２のフィードバックループＦＬ２がない状態では、アクチュエータＡＣＴ１は完全に電圧制御される。反作用マスＲＭ１とインターフェース制振マスＩＤＭ１との間の相対運動が、アクチュエータＡＣＴ１内の電圧を誘起し得る。第１のフィードバックループＦＬ１が誘導電圧を補償しないことになるので、電圧制御によって、誘導電圧による制振電流が流れることができ、それによって反作用マスＲＭ１とインターフェース制振マスＩＤＭ１との間の相対運動が減衰する。
【００４８】
[0052]  第２のフィードバックループＦＬ２はアクチュエータＡＣＴ１を通る電流Ｉ１を供給するように構成されるが、これは実質的に基準信号ＶＲに対応する。したがって、アクチュエータＡＣＴ１内の誘導電圧は、適切な第２の制御信号ＶＰ２を印加することにより第２のフィードバックループＦＬ２によって主に補償されることになるが、ＶＰ２は第１の制御信号ＶＰ１と組み合わされて所望の電流Ｉ１をもたらすことになる。したがって、電流制御では、誘導電圧のために制振電流が流れることができず、したがって反作用マスＲＭ１とインターフェース制振マスＩＤＭ１との間の相対運動は減衰されないことになる。
【００４９】
[0053]  原理的には、組み合わせたとき、電流制御が電圧制御を支配する。したがって、第２の制御ユニットＣＵ２は、第１の周波数範囲では第２のフィードバックループＦＬ２の影響が低減されるように構成され、その結果アクチュエータＡＣＴ１は主として電圧制御される。したがって、この実施形態では、第２の制御ユニットＣＵ２は、基準信号ＶＲとセンサ出力Ｓ２との間の差をフィルタリングするためのハイパスフィルタ（図示せず）を含み、それによって、第１の周波数範囲において基準信号ＶＲとセンサ出力Ｓ２との間の差を減衰する。
【００５０】
[0054]  この実施形態の利益は、コントローラＣＯＮＴ１は、共振周波数の減衰のためにさらなるハイパスフィルタを含む必要がなく、あるいは現行のハイパスフィルタの遮断周波数を最低限に設定することができるように、第１の周波数範囲にある反作用マスＲＭ１の共振周波数が減衰することである。これに加えて、反作用マスＲＭ１の共振周波数を低下させることができる。ここで、制振システムが投影システムＰＳ１を制振することができる最低周波数を低下させることが可能になり、したがって制振システムの帯域幅を増大することができ、この帯域幅では、内部共振の防止と共に、ある程度まで振動の低減または相殺が可能である。
【００５１】
[0055]  図５は、図４による制御システムすなわちコントローラＣＳ１の部分の可能なハードウェア実装形態を示す。簡単にするために、類似部品は類似の参照数字を有する。ここで、アクチュエータＡＣＴ１は、アクチュエータＡＣＴ１のインダクタンスＬＡとアクチュエータＡＣＴ１の抵抗ＲＡとによる直列で表される。第２のセンサとして、ＳＥＮＳ２は、アクチュエータＡＣＴ１と直列に測定抵抗ＭＲが与えられる。好ましくは、アクチュエータＡＣＴ１のインピーダンスと比較して測定抵抗ＭＲは小さいものであり、それによって、回路内に測定抵抗ＭＲが存在することによる測定誤差を最小化する。アクチュエータＡＣＴ１を通って流れる電流Ｉ１の大部分が、好ましくは電流Ｉ１のすべてが測定抵抗ＭＲを通って流れることになり、それによって電流Ｉ１に実質的に比例するセンサ出力Ｓ２をもたらす。この場合、センサ出力Ｓ２は電圧である。
【００５２】
[0056]  第１の制御ユニットＣＵ１は、この実施例では電圧である基準信号ＶＲ１を第１の制御信号ＶＰ１で表される電流に変換する抵抗Ｒ１を含む。
【００５３】
[0057]  センサ出力ＶＳ２は、フィルタＦＩＬおよび抵抗Ｒ２を含む制御ユニットＣＵ２によって基準電圧ＶＲと比較される。この実施例では、フィルタＦＩＬは、抵抗、コンデンサ、およびインダクタなどのフィルタコンポーネントを有する演算増幅器であり、これらのフィルタコンポーネントは、話を簡単にするためにこの図には示されていない。第２の制御ユニットＣＵ２は、ここでは抵抗Ｒ２を通る電流として第２の制御信号ＶＰ２をもたらす。当業者なら、演算増幅器を含むフィルタに十分に精通している。
【００５４】
[0058]  第１の制御信号ＶＰ１および第２の制御信号ＶＰ２は、点ＡＤで組み合わされ、２つの電流の組合せは、電力演算増幅器ＡＭおよび抵抗Ｒ３を含む電源ＰＷＲ１に供給される。電源ＰＷＲ１は、アクチュエータＡＣＴ１を通って適正な電流Ｉ１が流れるように、この実施例では電圧である駆動信号ＶＤをもたらす。
【００５５】
[0059]  この実施例では、主要なコンポーネントは抵抗および演算増幅器であるが、トランジスタ、コンデンサ、インダクタ、およびマイクロコントローラなど、他のハードウェアコンポーネントも使用することができる。好ましくは、抵抗Ｒ２とＲ３は実質的に等しく、また、抵抗Ｒ１はＲ３をＲＡで割ったものと等しい。
【００５６】
[0060]  フィルタＦＩＬは、好ましくは第１の周波数範囲で基準信号ＶＲとセンサ出力Ｓ２との間の差をフィルタリングするためのハイパスフィルタであり、それによって、低周波数に関して基準信号ＶＲとセンサ出力Ｓ２との間の差を減衰する。そのとき、電源ＰＷＲ１の駆動信号ＶＤは主として基準信号ＶＲに基づく低周波数向けであり、そのとき、第１の周波数範囲における第２のフィードバックループＦＬ２の影響が大幅に低減される。これは、第１の周波数範囲におけるアクチュエータの電圧制御をもたらす。
【００５７】
[0061]  フィルタは、好ましくは第１の周波数範囲と隣接する第２の周波数範囲において、基準信号ＶＲとセンサ出力Ｓ２との間の差を減衰しない、あるいは部分的にしか減衰しないことになる。そのとき、駆動信号ＶＤは、主として第１の制御信号と第２の制御信号との組合せに基づくものとなり、それによってアクチュエータＡＣＴ１を通る電流の制御が可能になる。そのとき、アクチュエータＡＣＴ１は、第２の周波数範囲において主に電流制御される。
【００５８】
[0062]  前述のシステムは、投影システムの振動を減衰するためだけに限定されるものではないことが注目される。本発明の一実施形態による制振システムすなわちダンパは、メトロロジーフレーム、基部フレーム、または投影システムを含む任意の他の部品など、少なくともリソグラフィ装置の一部分の振動を減衰するのにも使用することができる。その場合、制振システムはリソグラフィ装置の少なくとも一部分に接続される。制振システムは、リソグラフィ装置の少なくとも一部分の位置量を測定するための第１のセンサ、リソグラフィ装置の少なくとも一部分に力を作用させるための電磁アクチュエータ、および第１のセンサによって供給された信号によって電磁アクチュエータを駆動するための制御システムの組合せを含む。制振システムは、第１のセンサによって供給された信号によって対向力を作用させるための、電磁アクチュエータに対する反作用マスをさらに含む。制御システムは、第１の周波数範囲において実質的に電磁アクチュエータの電圧制御をもたらし、かつ第２の周波数範囲において実質的に電磁アクチュエータの電流制御をもたらすように構成され、第１の周波数範囲は反作用マスの共振周波数を含む。
【００５９】
[0063]  ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して本説明に特定の参照がなされてもよいが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、磁気ドメインメモリ、平面パネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッドなど向けの集積光学システム、誘導パターンおよび検出パターンの製造など他の用途を有し得ることを理解されたい。熟練工なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のどんな使用も、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義なものと見なしてよいことを理解するはずである。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露出したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理されてよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理層を含む基板も意味してよい。
【００６０】
[0064]  本発明の実施形態の使用に対して、光リソグラフィの文脈において上記で特定の参照がなされていても、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィおよび状況が許すところで使用されてよく、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内の微細構成が、基板上に作成されるパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は、基板に与えられたレジストの層へ押しつけられてよく、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、レジスト中にパターンを残してレジストから離される。
【００６１】
[0065]  本明細書に使用される用語「放射」および「ビーム」は、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子線と同様に紫外線（UV）放射（例えば３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの、またはそのくらいの波長を有する）および超紫外線（EUV）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。
【００６２】
[0066]  用語「レンズ」は、文脈上可能であれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電気の光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの任意のものまたはその組合せを意味してよい。
【００６３】
[0067]  本発明の特定の実施形態が上記に説明されてきたが、本発明は、説明された以外の方法で実施され得ることが理解されよう。例えば、本発明は、上記に開示された方法を記述した機械可読命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式、またはそのようなコンピュータプログラムが格納されているデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形式をとってよい。
【００６４】
[0068]  上記の記述は、説明を意図したものであり、限定するものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に対して変更形態が作成され得ることが当業者には明白であろう。
【図１】
2010093253.tif 000003
【図２】
2010093253.tif 000004
【図３】
2010093253.tif 000005
【図４】
2010093253.tif 000006
【図５】
2010093253.tif 000007
【外国語明細書】
2010093253000001.pdf