(57)【要約】【課題】不要な応力が半導体センサ素子に作用するのを低減するとともに耐環境性を高めた樹脂モールド半導体センサ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体センサ素子１２等を電磁リーク防止用の第１樹脂材料１７にてモールドした第１パッケージ１０と、第１パッケージを収納する収納部３１を形成し第２樹脂材料３２にてなる第２パッケージ３０とを別々に成型し、収納部の開口３１ａから第１パッケージを第２パッケージ内に挿入して樹脂モールド半導体センサを作製する。収納状態では、第１パッケージの外面と収納部の内面との間に空隙３３が形成される。【選択図】図１
2010071724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体センサ素子、及び該半導体センサと電気的に接続されたコネクタの一端部を第１樹脂材料にて封止して成型され、上記コネクタの他端部が上記第１樹脂材料から突出した第１パッケージと、
収納部を有する第２パッケージであって、上記収納部は、一つの開口を有し、該開口を通して上記第１パッケージが挿入されて上記開口から上記他端部が突出した状態にて上記第１パッケージを収納する凹形状にてなり、上記第１パッケージを収納した状態において第１パッケージの外面との間に空隙を生成する内面を有している、上記第１樹脂材料とは異なる第２樹脂材料にて上記第１パッケージとは別個に成型される第２パッケージと、
を備えたことを特徴とする樹脂モールド半導体センサ。
【請求項２】
上記収納部は、上記収納部に収納された上記第１パッケージの先端部及び後端部にて第２パッケージが上記第１パッケージに接触する深さを有し、かつ、上記開口に位置し、上記収納部に収納された上記第１パッケージの上記後端部と係合し上記第１パッケージを当該収納部内に保持する保持部を有する、請求項１記載の樹脂モールド半導体センサ。
【請求項３】
上記保持部と上記後端部との係合部分に設けられ、上記第１パッケージを上記収納部に固定する固定剤をさらに備える、請求項１又は２記載の樹脂モールド半導体センサ。
【請求項４】
上記第１樹脂材料は、熱硬化性のエポキシ樹脂であり、上記第２樹脂材料は、熱可塑性の樹脂である、請求項１から３のいずれか１項に記載の樹脂モールド半導体センサ。
【請求項５】
半導体センサ素子、及び該半導体センサと電気的に接続されたコネクタの一端部を電磁リーク防止用の第１樹脂材料にて封止し、上記コネクタの他端部を上記第１樹脂材料から突出させて第１パッケージを成型し、
一つの開口を有する凹形状であり上記第１パッケージを収納する収納部を形成した第２樹脂材料にてなる第２パッケージを上記第１パッケージとは別個に成型し、
上記コネクタの上記他端部が上記開口から突出するように上記開口を通して上記収納部に上記第１パッケージを挿入して上記第２パッケージに上記第１パッケージを収納したとき、上記収納部の内面と上記第１パッケージの外面との間に空隙が形成される、
ことを特徴とする樹脂モールド半導体センサの製造方法。
【請求項６】
上記収納部に収納された上記第１パッケージの後端部と係合し上記第１パッケージを当該収納部内に保持する保持部を上記第２パッケージが有するとき、該第２パッケージに上記第１パッケージを収納して、上記第１パッケージと上記第２パッケージとを上記保持部で固定させる、請求項５記載の樹脂モールド半導体センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば車に搭載される樹脂モールド半導体センサ、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば車に搭載される半導体センサモジュールの組立方法としては、従来、当該半導体センサモジュールの車両に固定されるパッケージ内に、センサ素子を実装した回路基板を配置し、さらに回路基板と当該半導体センサモジュールのコネクタ端子とを結線する。その後、上記パッケージ内に絶縁樹脂を流し込み硬化させて、当該半導体センサモジュールを形成する方法がある（例えば特許文献１）。
【０００３】
又、他の半導体センサモジュールの組立方法としては、樹脂材にてなり凹部が形成され該凹部内にセンサ素子を収納した第１ケースと、上記凹部の開口を覆うように第１ケースに被せられて第１ケースと係合する第２ケースとを用いて当該半導体センサモジュールを形成する方法がある（例えば特許文献２）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１０８６３０号公報（１１頁７〜１６行、図６）
【特許文献２】特開２００１−１０８５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のような、パッケージ内に絶縁樹脂を流し込み硬化させて半導体センサモジュールを形成する方法では、センサ素子に残留応力を発生させないように、センサ素子及び回路基板を封止するためにパッケージ内に流し込まれる絶縁樹脂は、センサ素子及び回路基板の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する樹脂材料である。一方、車両に固定される上記パッケージを成型している樹脂材は、低コスト化のために、概して熱膨張係数が大きい安価な樹脂材が使用される。したがって、上記絶縁樹脂材と、パッケージの樹脂材とは、熱膨張係数が異なることから、最終的な組立後においては結局、残留応力によってセンサ素子及び回路基板が歪んでしまうという問題点があった。
【０００６】
又、異種材料同士の密着性が悪い場合や、上記特許文献２のように２つのケースをはめ込み構成する場合には、二者間に形成される隙間から水分等が侵入してしまう。その結果、コネクタ等の電極部に水分等が接触して誤動作を発生させ、また、腐食の原因となるという問題点がある。又、センサ素子及び回路基板が封止されず露出している場合、電磁リークの発生という問題もある。
【０００７】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、不要な応力が半導体センサ素子に作用するのを低減しセンサ出力の変動を低減するとともに耐環境性を高めた樹脂モールド半導体センサ、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第１態様における樹脂モールド半導体センサは、半導体センサ素子、及び該半導体センサと電気的に接続されたコネクタの一端部を第１樹脂材料にて封止して成型され、上記コネクタの他端部が上記第１樹脂材料から突出した第１パッケージと、収納部を有する第２パッケージであって、上記収納部は、一つの開口を有し、該開口を通して上記第１パッケージが挿入されて上記開口から上記他端部が突出した状態にて上記第１パッケージを収納する凹形状にてなり、上記第１パッケージを収納した状態において第１パッケージの外面との間に空隙を生成する内面を有している、上記第１樹脂材料とは異なる第２樹脂材料にて上記第１パッケージとは別個に成型される第２パッケージと、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の第１態様における樹脂モールド半導体センサによれば、半導体センサ素子は、第１樹脂材料にて第１パッケージ内にモールドされ、この第１パッケージは、第２パッケージの収納部内に挿入されて収納される。収納部に第１パッケージが収納された収納状態では、収納部の内面と第１パッケージの外面との間に、空隙が形成されている。よって、残留応力を上記空隙にて緩衝することができ、残留応力の発生が低減でき、かつ第２パッケージから不要な応力が半導体センサ素子に作用するのを防止することができる。したがって、本発明の第１態様における樹脂モールド半導体センサによれば、半導体センサ素子及び回路基板の歪みを抑え、センサ出力の変動を低減することができる。さらに、第１樹脂材料にて半導体センサ素子及び回路基板をモールドしているため、誤動作を防止することができる。
【００１０】
さらに、第１パッケージを収納する第２パッケージの収納部は、一つの開口を有し該開口を通して第１パッケージが挿入され第１パッケージを収納する。よって、第２パッケージに収納された第１パッケージの露出部分は、上記開口に位置する部分のみとなり、第２パッケージ内への水分等の侵入を低減することができる。したがって、本発明の第１態様における樹脂モールド半導体センサによれば、耐環境性をも向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態である樹脂モールド半導体センサ、及びその製造方法について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による、車載用の樹脂モールド半導体センサ５０の組み立て後における状態を示している。樹脂モールド半導体センサ５０は、それぞれ別々に成型された第１パッケージ１０と第２パッケージ３０とを備え、第２パッケージ３０内に第１パッケージ１０を挿入して保持することで一体的に構成されるセンサであり、例えば車両の加速度等の力学量を検出するセンサモジュールである。以下には、樹脂モールド半導体センサ５０の製造順序に従いながら、第１パッケージ１０及び第２パッケージ３０に備わる各構成部分について詳しく説明する。
【００１３】
第１パッケージ１０には、処理回路１１と、半導体センサ素子１２と、フレーム１３と、コネクタ１４と、ワイヤ１５，１６と、第１樹脂材料１７とが備わる。このように第１パッケージ１０は、処理回路１１及び半導体センサ素子１２等を備え、センサユニットとして機能する。
半導体センサ素子１２は、半導体にて構成され上記力学量を検出する素子であり、本実施形態では加速度を検出する素子である。尚、半導体センサ素子１２の検出対象は、加速度に限定するものではない。処理回路１１は、半導体センサ素子１２が出力する力学量情報を処理する回路部分である。半導体センサ素子１２と処理回路１１とは、金、アルミなどの低抵抗金属にてなるワイヤ１５にてワイヤボンディングされ、電気的に接続される。
【００１４】
フレーム１３は、半導体センサ素子１２及び処理回路１１を支持する部材であり、コネクタ１４は、当該樹脂モールド半導体センサ５０の外部機器との電気的接続を図る接続端子である。このようなフレーム１３及びコネクタ１４は、次のように作製される。
【００１５】
即ち、図２に示すように、機械的強度を有し成型が容易な、例えばＣｕ合金や４２アロイ等からなる金属板を、フレーム１３、コネクタ１４、及びこれらを接続する接続部１８にて構成されるリードフレーム１９に加工する。加工方法は、プレス加工及びエッチング加工のどちらでも良い。尚、図２において、（ａ）はリードフレーム１９の側面図を示し、（ｂ）はリードフレーム１９の平面図を示している。又、図１等では、図示明瞭化のため、接続部１８の図示は省略している。
【００１６】
本実施形態では、リードフレーム１９は、その中央部にフレーム１３を配し、該フレーム１３の両側をそれぞれ通って接続部１８が設けられ、これらの接続部１８にそれぞれ接続して平行に２本のコネクタ１４が並設されている。接続部１８は、当該第１パッケージ１０の成型時にフレーム１３とコネクタ１４とを所定位置に保持するための部分であり、上記成型時にフレーム１３とコネクタ１４との接続を維持できれば良い。よって、第１パッケージ１０の成型後には、後述するように、接続部１８は、図２に示すＡ−Ａ部にて切断され、不要部１８ａは廃棄される。
【００１７】
形成されたリードフレーム１９には、図３に示すように、処理回路１１及び半導体センサ素子１２が導電性樹脂などの接着剤によってフレーム１３に接着される。その後、処理回路１１と半導体センサ素子１２とが上述のようにワイヤ１５でワイヤボンディングされ、処理回路１１とコネクタ１４とがワイヤ１６でワイヤボンディングされ、それぞれが電気的に接続される。ワイヤ１６は、ワイヤ１５と同様に金等の低抵抗金属にてなる。
尚、図３において、（ａ）は半導体センサ素子１２等を実装したリードフレーム１９の側面図を示し、（ｂ）は平面図を示している。
【００１８】
次に、上述のように半導体センサ素子１２等を実装したリードフレーム１９について、図４に示すように、処理回路１１、半導体センサ素子１２、フレーム１３、コネクタ１４の一端部１４ａ、接続部１８、及びワイヤ１５、１６が第１樹脂材料１７にて封止され、第１パッケージ１０が成型される。尚、図４において、（ａ）は第１パッケージ１０の側面図を示し、（ｂ）は平面図を示している。
【００１９】
第１パッケージ１０における第１樹脂材料１７部分は、図４の（ａ）に示すように、リードフレーム１９の厚み方向２０ａに平行な側面において概略くさび形状であり、図４の（ｂ）に示すように、厚み方向２０ａに直交する、リードフレーム１９の延在方向２０ｂ及び幅方向２０ｃに平行な側面において長方形状である。幅方向２０ｃに平行な側面においては厚み方向２０ａに平行な側面と同様に概略くさび形状でも良い。厚み方向２０ａに位置する、第１パッケージ１０の第１側面２１ａ及び第２側面２１ｂは、第１パッケージ１０の後端部１０ａから先端部１０ｂに向かって下り傾斜となる平らな傾斜面にて形成されている。尚、第１側面２１ａ及び第２側面２１ｂは、第１パッケージ１０の外面に相当する。
【００２０】
又、第１パッケージ１０の先端部１０ｂは、上記延在方向２０ｂに凸状にて形成されている。上述のように第１側面２１ａ及び第２側面２１ｂが傾斜面であること、及び以下で説明するように、第１パッケージ１０は、その先端部１０ｂから第２パッケージ３０へ挿入されることから、先端部１０ｂの形状は、本実施形態のように凸状であるのが好ましい。しかしながら、先端部１０ｂの形状は、凸状に限定されず、後述する第２パッケージ３０の収納部３１における底部３１ｂの形状に係合可能なように選択することができる。
【００２１】
又、第１パッケージ１０の後端部１０ａでは、２本のコネクタ１４の各他端部１４ｂが第１パッケージ１０の端面２２から上記延在方向２０ｂに沿って互いに平行に突出している。さらに、第１パッケージ１０の端面２２には、上記第１側面２１ａ及び上記第２側面２１ｂのそれぞれの近傍位置に、２つずつ計４つの係合部２３が形成されている。各係合部２３は、本実施形態では、凹部にてなるが、凹形状に限定されない。また、個数も限定するものではない。即ち、係合部２３は、以下に説明する第２パッケージ３０における保持部３５と係合する部分であり、保持部３５の形状に係合可能なようにその形状が選択される。又、本実施形態では、係合部２３は、２本のコネクタ１４にそれぞれ対応した位置に形成されているが、その設置位置についても、本実施形態における場所に限定されない。
【００２２】
第１樹脂材料１７は、高耐湿、高耐電磁の熱硬化性エポキシ系樹脂が好ましい。さらに第１樹脂材料１７は、その熱膨張係数値が、例えば１７Ｅ−６／Ｋ程度のものが好ましく、半導体センサ素子１２、リードフレーム１９の熱膨張係数値（例えばＳｉは３．７Ｅ−６／Ｋ、Ｃｕは１７Ｅ−６／Ｋ）にできるだけ近く、かつ、半導体センサ素子１２に対して密着力が高いものが望ましい。このような性質の第１樹脂材料１７にて半導体センサ素子１２等を封止することで、水分等の侵入が防止され腐食等の発生を防止できるとともに、温度変化による応力が半導体センサ素子１２等に作用しにくく、さらに電磁リークの発生も防止することができる。
【００２３】
第１パッケージ１０を成型後、リードフレーム１９の接続部１８において第１樹脂材料１７からはみ出した不要部１８ａは、プレス加工などで切断し除去される。
【００２４】
次に、第２パッケージ３０を成型する。第２パッケージ３０は、図５に示すように、第１パッケージ１０を収納する収納部３１を、第１樹脂材料１７とは異なる第２樹脂材料３２にて形成し成型される。このように第２パッケージ３０は、第１パッケージ１０を収納し、又、車両等への取り付け部となることから、当該樹脂モールド半導体センサ５０のハウジングケースとしての機能を有する。
【００２５】
収納部３１は、一つの開口３１ａを有し、該開口３１ａに対向して底部３１ｂを有し、第１パッケージ１０を収納可能な上記延在方向２０ｂに延びる凹形状にてなる。第１パッケージ１０を収納した状態において、収納部３１は、第１パッケージ１０の先端部１０ｂ及び後端部１０ａにて第２パッケージ３０が第１パッケージ１０に接触する深さＬを有する。又、収納部３１には、図６に示すように、開口３１ａを通して第１パッケージ１０が挿入され、収納完了した状態では、図１に示すように、開口３１ａからコネクタ１４の他端部１４ｂが突出する。さらに、収納部３１は、第１パッケージ１０を収納した状態において、第１パッケージ１０の外面に相当する上記第１側面２１ａ及び上記第２側面２１ｂのそれぞれとの間に空隙３３を生成する内面３４を有する。空隙３３は、第１パッケージ１０の上下面に相当する第１側面２１ａ、第２側面２１ｂとの間にのみ形成されるのではなく、第１パッケージ１０の左右面との間にも形成されるのが望ましい。
【００２６】
又、収納部３１の底部３１ｂは、第１パッケージ１０の先端部１０ｂにおける凸形状に係合可能なように、凹形状にて形成されている。尚、上述したように、第１パッケージ１０の先端部１０ｂの形状に応じて収納部３１の底部３１ｂの形状も変化する。
又、収納部３１は、開口３１ａに位置する保持部３５を有する。保持部３５は、第１パッケージ１０の後端部１０ａに形成されている係合部２３と係合する、凸形状にてなる爪状の部材であり、係合部２３に対応して４箇所に形成されている。即ち、保持部３５は、図５に示すように、第１パッケージ１０の第１側面２１ａ及び第２側面２１ｂに対向する、収納部３１のそれぞれの内面３４から、開口３１ａの中央部側に向かって、２つずつ互いに対向して突設されている。開口３１ａにおいて、上記厚み方向２０ａにおいて対向する各保持部３５間の距離Ｄは、第１パッケージ１０の後端部１０ａでの上記厚み方向２０ａにおける厚さよりも小さい。
【００２７】
このように形成された保持部３５は、収納部３１に第１パッケージ１０が収納された状態において、第１パッケージ１０の後端部１０ａ、より詳しくは係合部２３と係合し、第１パッケージ１０を収納部３１に保持し固定する。このとき、第１パッケージ１０は、第１パッケージ１０の先端部１０ｂ及び後端部１０ａにて、第２パッケージ３０に支持される。尚、上述したように、第１パッケージ１０における係合部２３の形状に応じて保持部３５の形状も変化する。
【００２８】
さらに第２パッケージ３０の収納部３１における開口３１ａ側には、筒状にて上記延在方向２０ｂに延びるソケット部３６が、収納部３１を形成した第２パッケージ３０の本体部３０ａと一体的に成型されている。ソケット部３６は、第１パッケージ１０を収納した状態において開口３１ａより延在方向２０ｂに突出する第１パッケージ１０のコネクタ１４に接続されるプラグが嵌合される部分であり、突出しているコネクタ１４の長さを超える高さＨを有する。又、ソケット部３６は、上記プラグが嵌合されたときに、ソケット部３６の内面とプラグの外面とが密接し隙間を形成しないような形状にて成型される。
【００２９】
以上説明した第２パッケージ３０を成型する第２樹脂材料３２は、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の、安価で成型加工特性に優れた熱可塑性樹脂が好ましい。
【００３０】
上述したようにそれぞれ成型された第１パッケージ１０及び第２パッケージ３０について、図６に示すように、第１パッケージ１０の先端部１０ｂから後端部１０ａ側へ、第２パッケージ３０のソケット部３６及び開口３１ａを通り、第１パッケージ１０を収納部３１に挿入する。上述のように、対向する各保持部３５間の距離Ｄが第１パッケージ１０の後端部１０ａにおける厚みより狭いので、挿入途中にて、各保持部３５は、第１パッケージ１０の傾斜面にてなる第１側面２１ａ及び第２側面２１ｂにそれぞれ当接する。そして、第１パッケージ１０の進入に従い、上記距離Ｄは、徐々に大きくなる。このような第２パッケージ３０の変形を可能にするため、第２パッケージ３０を成型する第２樹脂材料３２の剛性は、第１パッケージ１０を成型する第１樹脂材料１７の剛性より低いのが望ましい。
【００３１】
第１パッケージ１０が完全に収納部３１に収納された時点で、第１パッケージ１０の先端部１０ｂが収納部３１の底部３１ｂに当接して係合し、かつ、保持部３５が第１パッケージ１０の係合部２３と係合する。又、第１パッケージ１０が収納部３１に収納された状態において、上述のように、第１パッケージ１０の傾斜面にてなる第１側面２１ａ及び第２側面２１ｂと、収納部３１の内面３４との間には、空隙３３が生成される。収納状態において、第１パッケージ１０は、その先端部１０ｂと、後端部１０ａ特に保持部３５の部分とによってのみ、第２パッケージ３０と接触している。
以上説明した工程により、当該樹脂モールド半導体センサ５０が作製される。
【００３２】
上述したような構成を有し作製される当該樹脂モールド半導体センサ５０によれば、第２パッケージ３０は、安価で成型しやすく熱膨張係数の大きなＰＢＴなどの熱可塑性樹脂にて成型されているため、温度変化による変形が大きい。しかしながら、図７に示すように、第２パッケージ３０が歪みを受け変形した場合でも、第１パッケージ１０と第２パッケージ３０との間に空隙３３が形成されていることから、空隙３３が緩衝部分となり第１パッケージ１０は、変形することがなく、半導体センサ素子１２の変形を抑えることができる。又、上述のように、第１パッケージ１０の先端部１０ｂと、第２パッケージ３０の収納部３１における底部３１ｂとが係合するように構成している。このことは、収納状態において第１パッケージ１０が上記厚み方向２０ａに変位するのを防止し、かつ、第１パッケージ１０の第１側面２１ａ及び第２側面２１ｂに対応してそれぞれ空隙３３を確実に形成するのに役立つ。
したがって、樹脂モールド半導体センサ５０の出力の誤差変動を低減することができる。
【００３３】
又、第１パッケージ１０は、電磁リークを防止する第１樹脂材料１７にて成型されているため、電磁波の影響を遮断することができ、誤動作を防止することができる。
さらに、半導体センサ素子１２等を含めて第１パッケージ１０の露出部分は、第２パッケージ３０の開口３１ａ部分のみである。この開口３１ａ部分は、上述のように、第２パッケージ３０のソケット部３６に位置し、該ソケット部３６は、防水機構を有する。さらに車両搭載時には、該ソケット部３６にプラグが接合されることから、露出部分はなくなる。したがって、開口３１ａ部分から水分等が浸入するのを防止することができ、耐環境性を向上させることができる。
【００３４】
又、当該樹脂モールド半導体センサ５０は、上述のように、第１パッケージ１０及び第２パッケージ３０を個別に成型し、第２パッケージ３０に第１パッケージ１０をはめ込むことで簡易に製作可能である。よって、プリント基板、接続ネジ等の部品点数を減らすことが可能となり、安価に製作することができる。
【００３５】
実施の形態２．
第２パッケージ３０に第１パッケージ１０を収納した状態において、第１パッケージ１０の係合部２３に係合している第２パッケージ３０の保持部３５の保持力が弱い場合には、ソケット部３６への上記プラグの抜き差しを行なったときに、第１パッケージ１０が第２パッケージ３０から抜け落ちる可能性がある。又、車両に搭載した樹脂モールド半導体センサ５０に対して上記延在方向２０ｂに過大な加速度が作用した場合にも、車両に固定されている第２パッケージ３０に対して第１パッケージ１０がずれることが想定される。
【００３６】
このような状態を避けるために、図８に示すように、第１パッケージ１０の係合部２３及び第２パッケージ３０の保持部３５に固定剤の一例に相当する接着剤３７を塗布し固化させて、第１パッケージ１０と第２パッケージ３０とを固定する。また、接着剤３７の剛性が第１パッケージ１０と第２パッケージ３０に対して非常に小さい場合には、応力の伝達がされ難いため、第１パッケージ１０と第２パッケージ３０との間の空隙３３に接着剤３７を充填してもよい。
【００３７】
上述のように接着剤３７を設けることで、第２パッケージ３０から第１パッケージ１０が抜け落ちたり、ずれたりすることを防止することができる。尚、第１パッケージ１０と第２パッケージ３０との固定方法は、上述の接着剤３７によるものに限定されず、例えばレーザ光の熱によるレーザ溶接法によって可能である。この場合、第１パッケージ１０はレーザ光透過材、第２パッケージ３０はレーザ光吸収材にて成型することが望ましい。又、レーザ光の熱による、第１パッケージ１０及び第２パッケージ３０の溶融部分が、上記固定剤に相当する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態１による樹脂モールド半導体センサを示す断面図である。
【図２】図１に示す樹脂モールド半導体センサに備わるリードフレームを示す図であり、図１に示す樹脂モールド半導体センサの製造方法の第１工程を説明する図である。
【図３】図２に示すリードフレームに半導体センサ素子及び処理回路を実装し結線した状態を示す図であり、図１に示す樹脂モールド半導体センサの製造方法の第２工程を説明する図である。
【図４】図１に示す樹脂モールド半導体センサに備わる第１パッケージを示す図であり、図１に示す樹脂モールド半導体センサの製造方法の第３工程を説明する図である。
【図５】図１に示す樹脂モールド半導体センサに備わる第２パッケージを示す断面図であり、図１に示す樹脂モールド半導体センサの製造方法の第４工程を説明する図である。
【図６】図１に示す樹脂モールド半導体センサの製造方法の第５工程を説明する図である。
【図７】図１に示す樹脂モールド半導体センサに歪みが発生した場合の形態を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態２による樹脂モールド半導体センサを示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  第１パッケージ、１０ａ  後端部、１０ｂ  先端部、１２  半導体センサ素子、  １４  コネクタ、１４ａ  一端部，１４ｂ  他端部、１７  第１樹脂材料、
２１ａ  第１側面、２１ｂ  第２側面、２３  係合部、
３０  第２パッケージ、３１  収納部、３１ａ  開口、３１ｂ  底部、
３２  第２樹脂材料、３３  空隙、３４  内面、３５  保持部、３６  ソケット部、
３７  固定剤、
５０  樹脂モールド半導体センサ。
【図１】
2010071724.tif 000003
【図２】
2010071724.tif 000004
【図３】
2010071724.tif 000005
【図４】
2010071724.tif 000006
【図５】
2010071724.tif 000007
【図６】
2010071724.tif 000008
【図７】
2010071724.tif 000009
【図８】
2010071724.tif 000010