(57)【要約】【課題】  センサチップの一方側に高精度でシリコンチップを貼合でき、さらに、貼合されたシリコンチップに対して、センサチップの他方側に貼合される封止チップを高精度に位置合わせすることのできる加速度センサおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】  センサチップ２の一方側にシリコンチップ３が接合されてなる加速度センサ１において、物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップ２に、厚さ方向に貫通し、センサチップ２の上側から下側を視認可能な貫通溝１４を形成する。一方、シリコンチップ３には、センサチップ２の貫通溝１４に対向する部分に、アライメントマーク１６を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップと、
前記センサチップの一方側に対向配置され、前記センサチップに貼合されたシリコンチップとを含み、
前記センサチップには、厚さ方向に貫通し、前記センサチップの他方側から一方側を視認可能な貫通部が形成されており、
前記シリコンチップにおいて前記貫通部に対向する部分には、アライメントマークが形成されている、加速度センサ。
【請求項２】
前記アライメントマークが、感光性材料からなる接着剤を用いて形成されている、請求項１に記載の加速度センサ。
【請求項３】
前記センサチップは、前記可動部を取り囲むフレームと、前記フレームに架設され、前記可動部を支持する変形可能なビームを有しており、
前記貫通部が、前記フレームと前記可動部との間に形成された貫通溝である、請求項１または２に記載の加速度センサ。
【請求項４】
物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップとシリコンチップとを貼合して、加速度センサを製造する方法であって、
前記シリコンチップに、前記センサチップを位置合わせするためのアライメントマークを形成する工程と、
前記センサチップに厚さ方向に貫通して形成された貫通部を介して前記アライメントマークを認識しながら、前記センサチップの一方側に前記シリコンチップを貼合する工程とを含む、加速度センサの製造方法。
【請求項５】
前記シリコンチップの貼合後、前記貫通部を介して前記アライメントマークを認識しながら、前記センサチップの他方側に、前記センサチップを封止するためのシリコンからなる封止チップを貼合する工程を含む、請求項４に記載の加速度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度センサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を応用したセンサの携帯電話機への搭載が開始されたことから、ＭＥＭＳセンサの注目度が高まっている。ＭＥＭＳセンサの代表的なものとして、たとえば、物体の加速度を検出するための加速度センサが知られている。
図１３は、従来の加速度センサの模式的な斜視図である。
【０００３】
加速度センサ１０１は、ピエゾ抵抗素子により加速度を検出するピエゾ抵抗型のセンサであって、センサチップ１０２と、センサチップ１０２を封止（デバイス封止）するためのガラスチップ１０３およびガラスチップ１０９とを備えている。
センサチップ１０２は、フレーム１０４と、錘１０５と、４本のビーム１０６とを備えている。
【０００４】
フレーム１０４は、平面視四角環状（枠状）に形成されている。
錘１０５は、フレーム１０４によって取り囲まれる領域に、フレーム１０４との間に間隔を空けて配置されている。錘１０５は、四角柱状の中央柱状部１０７と、その周囲の４つの四角柱状の周囲柱状部１０８とからなる。中央柱状部１０７および各周囲柱状部１０８は、いずれもフレーム１０４と同じ厚さ（高さ）を有している。中央柱状部１０７は、フレーム１０４によって囲まれる領域の中央部に、平面視で外周縁がフレーム１０４の内周縁（内面）と平行をなすように配置されている。周囲柱状部１０８は、中央柱状部１０７の上面の各対角線の両側への延長線上に１つずつ配置されている。そして、中央柱状部１０７の側面の各角部に対して、周囲柱状部１０８の側面の１つの角部が接続されている。これにより、中央柱状部１０７および４つの周囲柱状部１０８は、一体をなして、フレーム１０４と同じ厚さを有する錘１０５を構成している。
【０００５】
ビーム１０６は、互いに隣り合う周囲柱状部１０８の各間において、それらの周囲柱状部１０８の側面に対して間隔を空けて平行に延びている。ビーム１０６の一端は、フレーム１０４に接続され、その他端は、中央柱状部１０７に接続されている。また、ビーム１０６は、たとえば、約７μｍの厚さを有し、このような厚さに形成されることにより、捩れ変形および撓み変形が可能である。これにより、４本のビーム１０６は、錘１０５をフレーム１０４に対して揺振可能に支持している。
【０００６】
ガラスチップ１０３は、平面視でフレーム１０４の外周縁（外面）とほぼ同じ形状の外周縁を有する四角板状に形成されている。また、ガラスチップ１０３は、たとえば、パイレックス（登録商標）ガラスなどの耐熱性ガラスからなり、センサチップ１０２の下面側に対して陽極接合されている。
ガラスチップ１０９は、平面視でフレーム１０４の外周縁（外面）とほぼ同じ形状の外周縁を有する四角板状に形成されている。また、ガラスチップ１０３は、たとえば、パイレックス（登録商標）ガラスなどの耐熱性ガラスからなり、センサチップ１０２の上面側に対して接合されている。
【０００７】
なお、４本のビーム１０６上には、図示しないが、複数のピエゾ抵抗素子が配置されている。
そして、加速度センサ１０１に加速度が作用し、錘１０５が振れると、ビーム１０６に歪みが生じる。このビーム１０６の歪みにより、ビーム１０６上のピエゾ抵抗素子に応力が作用し、ピエゾ抵抗素子の抵抗率が変化する。そのため、各ピエゾ抵抗素子の抵抗率の変化量を信号として取り出せば、その信号に基づいて、加速度センサ１０１（錘１０５）に作用した物理量（加速度）を検出することができる。
【特許文献１】特開２００５−３５１７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
加速度センサ１０１では、センサチップ１０２に対してガラスチップ１０３およびガラスチップ１０９が接合されることにより、センサチップ１０２が封止（デバイス封止）されている。そして、デバイス封止により、錘１０５を揺振可能に保持するための空間が形成されている。
センサチップ１０２と、ガラスチップ１０３およびガラスチップ１０９とを接合するには、まず、センサチップ１０２とガラスチップ１０３とを陽極接合する。
【０００９】
センサチップ１０２とガラスチップ１０３とを陽極接合するには、まず、ウエハ状のガラス基板上に整列された各ガラスチップ１０３に対して、センサチップ１０２の個片が位置合わせされる。この位置合わせは、各ガラスチップ１０３に形成されたアライメントマークに対するセンサチップ１０２の位置を、ガラスチップ１０３越しに確認（視認）しながら、アライメントマークにセンサチップ１０２の外周縁を整合させることにより行なわれる。次いで、センサチップ１０２のフレーム１０４の下面と、ガラスチップ１０３の一方面とを近接させた状態で、これらの間に高電圧が印加される。高電圧の印加により、フレーム１０４の下面近傍およびガラスチップ１０３の一方面近傍に電荷が生じ、これらの界面を通して電気二重層が形成される。こうして、センサチップ１０２とガラスチップ１０３との陽極接合が達成される。
【００１０】
センサチップ１０２とガラスチップ１０３との接合後、ガラスチップ１０３の他方面側からガラスチップ１０３越しにアライメントマークを確認（視認）しながら、ガラスチップ１０３に対してガラスチップ１０９が位置合わせされ、センサチップ１０２とガラスチップ１０９とが接合される。
一方、センサチップ１０２をデバイス封止するためのチップとして、ガラスチップ１０３および１０９に代えて、安価なシリコンチップを使用したいという要望がある。ところが、シリコンチップは、ガラスチップとは異なり、透明性に優れる材料ではない。そのため、アライメントマークにセンサチップ１０２の外周縁を整合させることにより、センサチップ１０２の下面側にシリコンチップが貼合されると、アライメントマークが、シリコンチップの上側および下側いずれからも視認できなくなる。そのため、下面側のシリコンチップに対する上面側のシリコンチップの位置合わせが困難になり、下面側のシリコンチップに対する上面側のシリコンチップの位置合わせ精度が低下するという不具合がある。
【００１１】
本発明の目的は、センサチップの一方側に高精度でシリコンチップを貼合でき、さらに、貼合されたシリコンチップに対して、センサチップの他方側に貼合される封止チップを高精度に位置合わせすることのできる加速度センサおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップと、前記センサチップの一方側に対向配置され、前記センサチップに貼合されたシリコンチップとを含み、前記センサチップには、厚さ方向に貫通し、前記センサチップの他方側から一方側を視認可能な貫通部が形成されており、前記シリコンチップにおいて前記貫通部に対向する部分には、アライメントマークが形成されている、加速度センサである。
【００１３】
この構成によれば、センサチップに、厚さ方向に貫通し、その他方側から一方側を視認可能な貫通部が形成されている。そして、シリコンチップにおいて貫通部に対向する部分には、アライメントマークが形成されている。
そのため、シリコンチップとセンサチップとが整合するときのシリコンチップに対するセンサチップの相対位置を、貫通部とアライメントマークとが整合する位置とすることにより、シリコンチップとセンサチップとの位置合わせ精度を向上させることができる。
【００１４】
また、アライメントマークが貫通部を介して視認可能であるため、センサチップの他方側に、センサチップを封止するための封止チップを貼合する場合において、シリコンチップに対して封止チップを高精度に位置合わせすることができる。
また、センサチップを封止するためのチップがシリコンチップであるため、加速度センサのコストを低減することもできる。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明は、前記アライメントマークが、感光性材料からなる接着剤を用いて形成されている、請求項１に記載の加速度センサである。
この構成によれば、感光性材料からなる接着剤をパターニング（たとえば、露光処理および現像処理）することにより、センサチップとシリコンチップとを貼合するための貼合材と、アライメントマークとを一括して作製することができる。そのため、加速度センサの製造効率を向上することができるとともに、製造コストを低減することができる。
【００１６】
また、請求項３に記載の発明は、前記センサチップは、前記可動部を取り囲むフレームと、前記フレームに架設され、前記可動部を支持する変形可能なビームを有しており、
前記貫通部が、前記フレームと前記可動部との間に形成された貫通溝である、請求項１または２に記載の加速度センサである。
この構成によれば、可動部を取り囲むフレームには、変形可能なビームが架設されている。そして、このビームは、フレームとの間に貫通溝を隔てて配置される可動部を支持している。つまり、可動部の可動を保持するために必要な貫通溝が貫通部として利用される。そのため、センサチップの他方側から一方側を視認可能にするために、センサチップを別途貫通する必要がない。したがって、加速度センサの構造を簡略化することができる。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明は、物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップとシリコンチップとを貼合して、加速度センサを製造する方法であって、前記シリコンチップに、前記センサチップを位置合わせするためのアライメントマークを形成する工程と、前記センサチップに厚さ方向に貫通して形成された貫通部を介して前記アライメントマークを認識しながら、前記センサチップの一方側に前記シリコンチップを貼合する工程とを含む、加速度センサの製造方法である。
【００１８】
この製造方法によれば、シリコンチップに、センサチップを位置合わせするためのアライメントマークが形成される。そして、センサチップに厚さ方向に貫通して形成された貫通部を介してアライメントマークを認識しながら、センサチップとシリコンチップとが貼合される。
そのため、シリコンチップとセンサチップとの整合位置を導くためのアライメントマークを、貫通部のパターンを考慮して形成することにより、センサチップとシリコンチップとを整合状態（高精度に位置合わせされた状態）で貼合することができる。
【００１９】
また、貫通部にアライメントマークが対向するように、シリコンチップとセンサチップとを貼合することにより、貼合後、貫通部を介してアライメントマークを視認することができる。その結果、センサチップの他方側に、センサチップを封止するための封止チップを貼合する場合において、シリコンチップに対して封止チップを高精度に位置合わせすることができる。
【００２０】
また、センサチップを封止するためのチップがシリコンチップであるため、加速度センサのコストを低減することもできる。
また、請求項５に記載の発明は、前記シリコンチップの貼合後、前記貫通部を介して前記アライメントマークを認識しながら、前記センサチップの他方側に、前記センサチップを封止するためのシリコンからなる封止チップを貼合する工程を含む、請求項４に記載の加速度センサの製造方法である。
【００２１】
この方法によれば、貫通部を介してアライメントマークを認識しながら、センサチップと封止チップとを貼合するので、シリコンチップに対して封止チップを高精度に位置合わせすることができる。また、封止チップがシリコンからなるので、加速度センサのコストを一層低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る加速度センサの模式的な（ａ）平面図（ｂ）断面図（図１（ａ）のｂ−ｂで示す切断線で切断したときの断面図）である。
加速度センサ１は、ピエゾ抵抗素子により加速度を検出するピエゾ抵抗型のセンサであって、センサチップ２と、センサチップ２の一方側を封止（デバイス封止）するための一方側のシリコンチップ３と、センサチップ２の他方側を封止するための他方側のシリコンチップ２７とを備えている。
【００２３】
センサチップ２は、フレーム４と、ビーム５と、錘６と、抵抗導体７と、配線８とを備えている。
フレーム４は、ＳｉＮ（窒化シリコン）からなる。フレーム４は、平面視四角環状（枠状）をなし、１〜１０μｍの厚さを有している。
ビーム５および錘６は、有機材料（たとえば、ポリイミド）からなり、一体的に形成されている。
【００２４】
ビーム５は、フレーム４に支持される平面視四角環状の支持部９と、この支持部９に支持される平面視十字状のビーム本体部１０とを一体的に備えている。ビーム本体部１０は、各先端が支持部９の各辺の中央に接続されている。これにより、ビーム５は、フレーム４に架設されており、支持部９とビーム本体部１０とによって区画される４つの矩形状の開口部を有している。また、ビーム５は、１〜１０μｍの厚さを有し、このような厚さに形成されることにより、ビーム本体部１０の捩れ変形および撓み変形が可能にされている。
【００２５】
錘６は、ビーム５が有する各開口部に配置されている。錘６は、その上面がビーム５の上面と面一をなし、１〜１０μｍの厚さ（高さ）を有している。また、錘６は、平面視における外周縁（外面）が、フレーム４の内周縁（内面）よりも小さい相似形の略四角柱状に形成されている。したがって、錘６の側面は、フレーム４の内側面に対して隙間を空けて平行をなしている。これにより、各錘６の側面とフレーム４と内側面との間には、センサチップ２を厚さ方向に貫通し、一角が閉じられた平面視四角環状の貫通溝１４が形成されている。また、錘６は、その側面により形成される４つの角部のうちの１つがビーム５のビーム本体部１０の中央部に接続されている。これにより、錘６は、フレーム４と非接触な状態で、ビーム５（ビーム本体部１０）に支持されている。
【００２６】
ビーム５上には、Ｔｉ（チタン）層／ＴｉＮ（窒化チタン）層／Ａｌ（アルミニウム）−Ｃｕ（銅）合金層の積層体１１が積層されている。この積層体１１は、各端部が支持部９上に配置され、ビーム本体部１０に沿って延び、全体として平面視十字状に形成されている。最下層のＴｉ層およびその上層のＴｉＮ層は、連続的に形成されている。一方、最上層のＡｌ−Ｃｕ合金層は、たとえば、１２箇所で途切れることにより断続的に形成されている。これにより、Ｔｉ層およびＴｉＮ層がＡｌ−Ｃｕ合金層の途切れた部分（除去されている部分）で部分的に露出し、この露出した部分が抵抗導体７をなし、Ａｌ−Ｃｕ合金層が抵抗導体７に接続された配線８をなしている。
【００２７】
そして、加速度センサ１の最表面は、たとえば、ポリイミドからなる保護膜１２により覆われている。この保護膜１２には、平面視十字状に沿って形成される配線８の各端部を外部との接続のためのパッドとして露出させるパッド開口１３が形成されている。
また、保護膜１２には、貫通溝１４に連通する開口が形成されている。これにより、センサチップ２の上側（他方側）と下側（一方側）との間は、貫通溝１４を介して視認可能となっている。
【００２８】
シリコンチップ３は、センサチップ２のフレーム４の外周縁（外面）とほぼ同じ形状の外周縁を有する平面視四角板状をなし、１〜１０μｍの厚さを有している。
そして、シリコンチップ３とセンサチップ２とは、それらの間（具体的には、シリコンチップ３の上面（他方面）とフレーム４の下面との間）に介在された接合材１５により接合されている。
【００２９】
接合材１５は、感光性材料（たとえば、ポリイミドなど）からなる接着剤、たとえば、感光性ダイボンディング剤、感光性ダイボンディングテープなどを用いて形成されている。
また、シリコンチップ３の上面には、アライメントマーク１６が形成されている。アライメントマーク１６は、接合材１５と同様に、感光性材料からなる接着剤を用いて形成されている。アライメントマーク１６は、センサチップ２の４つの貫通溝１４に対向する部分それぞれに合計４つ配置されている。そして、各アライメントマーク１６は、各貫通溝１４を介して、平面視略鉤形（Ｌ形）に視認される。
【００３０】
シリコンチップ２７は、センサチップ２のフレーム４の外周縁（外面）とほぼ同じ形状の外周縁を有する平面視四角板状をなし、１〜１０μｍの厚さを有している。
そして、シリコンチップ２７とセンサチップ２とは、それらの間に介在されたスペーサ２８および接合材（図示せず）により接合されている。
そして、加速度センサ１には、シリコンチップ２７、フレーム４およびシリコンチップ３により区画され、錘６を揺振可能に保持するための空間が形成されている。
【００３１】
加速度センサ１に加速度が作用し、錘６が振れると、ビーム５のビーム本体部１０に歪み（捩れおよび／または撓み）が生じる。このビーム本体部１０の歪みにより、ビーム本体部１０上の抵抗導体７に伸び縮みが生じ、抵抗導体７の抵抗値が変化する。パッドを介して、その抵抗値の変化を信号として取り出すことにより、この信号に基づいて、錘６（加速度センサ１）に作用した加速度の方向（３軸方向）および大きさを検出することができる。
【００３２】
そして、上記の加速度センサ１を製造するには、たとえば、まず、センサチップ２が作製される。
図２〜図７は、図１に示すセンサチップの作製方法を説明するための図である。なお、これらのうち、（ａ）平面図および（ｂ）断面図が併用される図において、（ｂ）断面図は、当該図面の（ａ）平面図にｂ−ｂで示す切断線で切断したときの断面図を示している。
【００３３】
センサチップ２を作製するには、まず、図２に示すように、フレーム４の材料からなる、下地層としてのＳｉＮ層２１が形成される。
次に、ＳｉＮ層２１上に、各錘６を形成すべき部分と対応する部分に開口を有するレジスト膜が形成される。つづいて、そのレジスト膜をマスクとして、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）により、ＳｉＮ層２１がエッチングされる。その結果、図３に示すように、ＳｉＮ層２１の表面に、４つの凹部２２が形成される。
【００３４】
その後、図４に示すように、凹部２２を有するＳｉＮ層２１上の全域に、ビーム５および錘６の材料である有機材料（たとえば、ポリイミド）が塗布されることにより、その有機材料からなる有機材料層２３が形成される。この有機材料層２３は、凹部２２を埋め尽くすとともに、ＳｉＮ層２１の表面全域を覆い、その表面はほぼ平坦になっている。
続いて、図５に示すように、スパッタ法により、有機材料層２３上に、Ｔｉ層／ＴｉＮ層２４およびＡｌ−Ｃｕ合金層２５がこの順に形成される。
【００３５】
その後、図６に示すように、Ｔｉ層／ＴｉＮ層２４およびＡｌ−Ｃｕ合金層２５がパターニングされることにより、抵抗導体７および配線８が形成される。
次いで、図７に示すように、抵抗導体７および配線８が形成された有機材料層２３上に、保護膜１２の材料が塗布される。そして、その保護膜１２の材料からなる層が部分的に除去されることにより、パッド開口１３が形成される。また、保護膜１２の材料からなる層および有機材料層２３が部分的に除去されることにより、ビーム５と錘６との間の隙間に対応する貫通溝１４が平面視で各凹部２２の外周に沿うように形成される。これにより、有機材料層２３は、ビーム５および錘６となる。また、貫通溝１４が形成されることにより、この貫通溝１４を介して、ＳｉＮ層２１の表面が部分的に露出する。
【００３６】
この後、保護膜１２側からのＣＤＥ（Chemical Dry Etching：ケミカルドライエッチング）により、貫通溝１４を介して、ビーム５および錘６の下方のＳｉＮ層２１が除去される。ＣＤＥは、錘６の下方のＳｉＮ層２１がすべて除去されるまで続けられる。このＣＤＥの結果、ＳｉＮ層２１がフレーム４にパターニングされ、図１に示す構造のセンサチップ２が得られる。
【００３７】
センサチップ２が作製される一方、シリコンチップ３が作製されたシリコンウエハ１７が用意される。
図８は、図１に示す加速度センサの製造方法に用いられるシリコンウエハの模式的な平面図である。
シリコンウエハ１７には、複数のシリコンチップ３が、格子状に一体的に配列するように作製されている。シリコンウエハ１７において、隣接するシリコンチップ３との境界は、シリコンウエハ１７をダイシングするためのダイシングライン１８をなしている。
【００３８】
そして、このシリコンウエハ１７の各シリコンチップ３に対して、上記で得られたセンサチップ２が接合されることにより、図１に示す加速度センサ１が作製される。
図９〜図１２は、センサチップとシリコンチップとの接合方法を説明するための模式的な平面図である。
センサチップ２とシリコンチップ３とを接合するには、まず、シリコンウエハ１７上に、接合材１５の材料（接着剤）が塗布される。そして、図９に示すように、塗布された接着剤が、公知のパターニング技術によりパターニング（露光処理および現像処理）される。これにより、各シリコンチップ３に、接合材１５およびアライメントマーク１６が所定のパターンで同時に形成される。
【００３９】
接合材１５は、平面視において、センサチップ２のフレーム４の外周縁（外面）よりも小さい相似形、かつ、フレーム４の内周縁（内面）よりも大きい相似形の四角環状のパターンに形成される。
アライメントマーク１６は、センサチップ２における貫通溝１４の平面視パターンを考慮したパターンで形成される。具体的には、接合材１５の各角に対応して合計４つ、それぞれが平面視十字状に形成される。各アライメントマーク１６は、その中心が接合材１５の各角から対角方向にやや内側よりに位置するように、また、その中心から外側に向かって延びる２辺（外側２辺１９）がそれぞれ接合材１５に直交し、内側に向かって延びる２辺（内側２辺２０）がそれぞれ接合材１５と平行をなすパターンに形成される。
【００４０】
そして、アライメントマーク１６は、全体として、その内側２辺２０を各角部として形成される平面視四角環状の仮想パターン２６が、フレーム４の内周縁（内面）よりもやや小さい相似形のパターンとなるように形成される。すなわち、アライメントマーク１６は、各錘６の側面とフレーム４と内側面との間の一角が閉じられた平面視四角環状の貫通溝１４を考慮して、仮想パターン２６が貫通溝１４に整合するパターンで形成される。
【００４１】
接合材１５およびアライメントマーク１６の形成後、図１０に示すように、シリコンチップ３に対してセンサチップ２が位置合わせされる。センサチップ２の位置合わせは、まず、センサチップ２をシリコンチップ３の上方に移動させる。次いで、貫通溝１４を介してセンサチップ２の上側から下側を視認（認識）することにより、貫通溝１４越しに視認されるアライメントマーク１６の位置を確認しながら、４つの貫通溝１４全てにアライメントマーク１６の内側２辺２０を整合させる。
【００４２】
貫通溝１４とアライメントマーク１６の内側２辺２０との整合後、図１１に示すように、シリコンチップ３にセンサチップ２が押し付けられることにより、アライメントマーク１６の一部（たとえば、外側２辺１９）および接合材１５が押しつぶされ、センサチップ２とシリコンチップ３とが接合される。
次いで、図１２に示すように、貫通溝１４越しにアライメントマーク１６を確認しながら、シリコンチップ２７が、各シリコンチップ３に対して位置合わせされ、センサチップ２の上面側にスペーサ２８を介して接合される。
【００４３】
その後、シリコンウエハ１７が各デバイスサイズにダイシング（分割）されることにより、図１に示す加速度センサ１の個片が得られる。
以上のように、加速度センサ１では、センサチップ２に、各錘６の側面とフレーム４と内側面との間において、センサチップ２を厚さ方向に貫通し、一角が閉じられた平面視四角環状の貫通溝１４が形成されている。これにより、センサチップ２の上側（他方側）と下側（一方側）との間は、貫通溝１４を介して視認可能となっている。
【００４４】
そして、加速度センサ１の製造に際しては、シリコンウエハ１７の各シリコンチップ３に、センサチップ２の貫通溝１４のパターンを考慮したパターンで、アライメントマーク１６が形成される。具体的には、アライメントマーク１６は、平面視四角環状の仮想パターン２６が、一角が閉じられた平面視四角環状の貫通溝１４に整合するパターンで形成され（図９参照）。
【００４５】
そのため、センサチップ２とシリコンチップ３との接合時、貫通溝１４越しに視認されるアライメントマーク１６の位置を確認することにより、４つの貫通溝１４全てにアライメントマーク１６の内側２辺２０を整合させることができる。これにより、シリコンチップ３とセンサチップ２とを整合させることができる。その結果、この整合状態においてシリコンチップ３に対してセンサチップ２を押し付けることにより、センサチップ２とシリコンチップ３とを整合状態（高精度に位置合わせされた状態）で接合することができる。
【００４６】
また、接合後、貫通溝１４を介して、アライメントマーク１６の位置を確認することができるので、シリコンチップ２７の接合時、シリコンチップ３に対してシリコンチップ２７を高精度に位置合わせすることができる。
また、センサチップ２を封止するためのチップがシリコンチップ３およびシリコンチップ２７であるため、加速度センサ１のコストを低減することもできる。
【００４７】
また、接合材１５およびアライメントマーク１６が、ともに感光性材料からなる接着剤からなるため、シリコンウエハ１７に塗布された接着剤をパターニングすることにより、接合材１５およびアライメントマーク１６を一括して作製することができる。そのため、加速度センサ１の製造効率を向上することができるとともに、製造コストを低減することができる。
【００４８】
また、貫通溝１４は、フレーム４と錘６との間に形成され、錘６の可動を保持するために必要な部分である。このように、加速度センサ１における錘６の揺動動作を保持するための必須部分が、アライメントマーク１６を認識するための貫通部として利用される。そのため、センサチップ２の上側（他方側）から下側（一方側）を視認可能にするために、センサチップ２を別途貫通する必要がない。したがって、加速度センサ１の構造の簡略化することができる。
【００４９】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、アライメントマーク１６は、位置合わせすることができれば、接合材１５に用いられる接着材料以外のものでもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態に係る加速度センサの模式的な（ａ）平面図（ｂ）断面図である。
【図２】図１に示すセンサチップの作製方法を説明するための模式的な（ａ）平面図（ｂ）断面図である。
【図３】図２の次の工程を示す模式的な（ａ）平面図（ｂ）断面図である。
【図４】図３の次の工程を示す模式的な（ａ）平面図（ｂ）断面図である。
【図５】図４の次の工程を示す模式的な断面図である。
【図６】図５の次の工程を示す模式的な断面図である。
【図７】図６の次の工程を示す模式的な（ａ）平面図（ｂ）断面図である。
【図８】図１に示す加速度センサの製造方法に用いられるシリコンウエハの模式的な平面図である。
【図９】シリコンチップとセンサチップとの接合方法を説明するための模式的な平面図である。
【図１０】図９の次の工程を示す模式的な平面図である。
【図１１】図１０の次の工程を示す模式的な平面図である。
【図１２】図１１の次の工程を示す模式的な（ａ）平面図（ｂ）断面図である。
【図１３】従来の加速度センサの模式的な斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１    加速度センサ
２    センサチップ
３    シリコンチップ
４    フレーム
５    ビーム
６    錘（可動部）
１４  貫通溝（貫通部）
１６  アライメントマーク
２７  シリコンチップ（封止チップ）
【図１】
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【図２】
2010071799.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010071799.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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