(57)【要約】【課題】上部金属層を段差無く形成し、ギャップ長を短くして、再生出力の安定化、再生感度の向上が可能な磁気ヘッドの再生素子の製造方法、該素子を備える情報記憶装置を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法は、基体上に下部金属層を形成し、下部金属層上に磁気抵抗効果膜を形成し、磁気抵抗効果膜上に軟磁性シールド層を形成し、軟磁性シールド層上にマスクを形成し、磁気抵抗効果膜を所望のコア幅にパターニングし、磁気抵抗効果膜上のマスクを残存させたまま磁区制御膜を積層し、磁区制御膜上にエッチングストッパ層を形成し、マスク上に形成されたエッチングストッパ層と磁区制御膜とを除去して磁気抵抗効果膜上のマスクを露出させ、磁気抵抗効果膜上のマスクの一部、軟磁性シールド層の両脇のエッチングストッパ層と磁区制御膜とを除去し、上部金属層を形成する工程を備える。【選択図】図５
2010015624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、下部金属層を形成する工程と、
前記下部金属層上に、磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜上に、軟磁性シールド層を形成する工程と、
前記軟磁性シールド層上にマスクを形成し、前記磁気抵抗効果膜を所望のコア幅にパターニングする工程と、
前記磁気抵抗効果膜上の前記マスクを残存させたまま、磁区制御膜を積層する工程と、
前記磁区制御膜上に、エッチングストッパ層を形成する工程と、
前記マスク上に形成された前記エッチングストッパ層と、前記マスク上に形成された前記磁区制御膜と、を除去して前記磁気抵抗効果膜上のマスクを露出させる平坦化工程と、
イオンミリングにより前記磁気抵抗効果膜上のマスクの一部、前記軟磁性シールド層の両脇に積層する前記エッチングストッパ層と、前記軟磁性シールド層の両脇に積層する前記磁区制御膜と、を除去する工程と、
上部金属層を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
【請求項２】
前記イオンミリングにより前記磁気抵抗効果膜上のマスクの一部、前記軟磁性シールド層の両脇に積層するエッチングストッパ層と、前記軟磁性シールド層の両脇に積層する磁区制御膜と、を除去する工程と、前記上部金属層を形成する工程と、の間に、
反応性イオンエッチング法またはイオンミリングにより前記マスクの一部を除去する工程をさらに備えること
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
【請求項３】
前記マスクは、軟磁性材料からなること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
【請求項４】
前記パターニングされた磁気抵抗効果膜の上面と、該磁気抵抗効果膜の左右の領域に形成された前記磁区制御膜上の前記エッチングストッパ層の上面とが、同一面内に形成されること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
【請求項５】
前記軟磁性シールド層は、フッ素系ガスによる反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有し、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉのいずれかの金属材料を含むこと
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
【請求項６】
記録素子、および請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法により製造される再生素子を備える磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報の記録再生が行われる磁気ディスクと、
前記磁気ヘッドからの信号を処理する信号処理基板と、を備えること
を特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの再生素子の製造方法に関し、さらに詳細には、ＣＰＰ構造を備える磁気ヘッドの再生素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型再生素子（以下、「再生素子」という）を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
【０００３】
例えば、再生ヘッドに、ＴＭＲ素子のようなＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｐｌａｎｅ）構造を備える再生素子が用いられる場合には、当該再生素子を上下から挟んで磁気シールドを行う上部金属層および下部金属層に関して、両層の層間距離が長くなると再生感度が低下する原因となり、また、段差形状が形成されると再生出力の変動を誘発する原因となるため、層間距離を短くし、且つ段差形状を無くすことが課題となっている。
ここで、ＣＰＰ構造を備える磁気ヘッドの再生素子の製造方法に関する従来技術として、例えば、特許文献１に記載された方法等が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−５４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、再生素子を上下から挟んで磁気シールドを行う上部金属層および下部金属層に関して、段差の無い形状に形成することが可能であると共に、両層の層間距離を短くすることが可能で、それにより再生出力の安定化、および再生感度の向上が可能な磁気ヘッドの再生素子の製造方法、ならびに当該再生素子を備える情報記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
【０００７】
この磁気ヘッドの再生素子の製造方法は、基体上に、下部金属層を形成する工程と、前記下部金属層上に、磁気抵抗効果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜上に、軟磁性シールド層を形成する工程と、前記軟磁性シールド層上にマスクを形成し、前記磁気抵抗効果膜を所望のコア幅にパターニングする工程と、前記磁気抵抗効果膜上の前記マスクを残存させたまま、磁区制御膜を積層する工程と、前記磁区制御膜上に、エッチングストッパ層を形成する工程と、前記マスク上に形成された前記エッチングストッパ層と、前記マスク上に形成された前記磁区制御膜と、を除去して前記磁気抵抗効果膜上のマスクを露出させる平坦化工程と、イオンミリングにより前記磁気抵抗効果膜上のマスクの一部、前記軟磁性シールド層の両脇に積層する前記エッチングストッパ層と、前記軟磁性シールド層の両脇に積層する前記磁区制御膜と、を除去する工程と、上部金属層を形成する工程と、を備えることを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、再生素子の磁気シールドを行う上部金属層および下部金属層を段差の無い形状に形成することが可能であると共に、両層の層間距離を短くすることが可能となり、再生素子の出力特性の安定化およびを再生感度の向上が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１〜図６は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッド１の再生素子の製造方法を説明する説明図である。なお、図４（ｂ）までは共通の工程であり、図５（ａ）、（ｂ）は本発明の第一の実施形態の説明図であり、図６は本発明の第二の実施形態の説明図である。図７〜図１１は、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法を説明する説明図である。なお、図９（ｂ）までは共通の工程であり、図１０（ａ）、（ｂ）は従来の実施形態の一例の説明図であり、図１１は従来の実施形態の他の例の説明図である。図１２は、本発明の実施形態に係る情報記憶装置４０の構成を示す概略図である。なお、以上の図は、図１２を除いて、磁気ヘッドにおける媒体対向面と平行な断面図として記載する。
【００１０】
本発明に係る磁気ヘッド１は、ハードディスク等の磁気記録媒体に記録された磁気信号を読み出す再生素子を備える再生ヘッドである。なお、当該再生ヘッドの上に記録ヘッドを備える複合型磁気ヘッドとして形成してもよい。
【００１１】
ここで、本発明者によって行われている従来の実施の形態に係る磁気ヘッド１の再生素子の製造方法について説明する。なお、各図中の手前側が媒体対向面となる。
【００１２】
先ず、図７（ａ）に示すように、積層を行うためのベースとなる基体（ここではウエハ基板）１１上に、下部金属層１３を形成する。一例として、下部金属層１３は、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて形成する。なお、下部金属層１３は上部金属層２７（後述）と共に、磁気抵抗効果膜１５Ａ（後述）の磁気的シールドを行うものであって、さらに、ＴＭＲ素子のようにＣＰＰ構造を有する再生素子の場合には、当該素子の電極を兼用するものである。
【００１３】
次いで、同図に示すように、下部金属層１３の上層に、磁気抵抗効果膜１５を形成する。この磁気抵抗効果膜１５は、多層構造を有し、後の工程において加工されて、磁気抵抗効果型再生素子（再生素子）として機能することとなる。当該再生素子として、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＣＰＰ−ＧＭＲ素子等が想定される。一例として、磁気抵抗効果膜１５の膜厚は２０〜４０［ｎｍ］程度である。
【００１４】
次いで、同図に示すように、磁気抵抗効果膜１５の上に、後工程で実施するＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械的研磨）プロセスにおけるストッパの役割を果たすＣＭＰストッパ層３１を例えばＲｕ（ルテニウム）を用いて５〜２５［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００１５】
次いで、図７（ｂ）に示すように、ＣＭＰストッパ層３１の上に、マスク層３３を形成する。例えば、マスク層３３は、フォトレジストを用いて形成する。
【００１６】
次いで、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、マスク層３３を所望のパターン（ここでは、後の工程で磁気抵抗効果膜１５を除去しない領域）に形成した後（図８（ａ）参照）、当該パターン（マスク３３Ａ）をエッチングマスクとするエッチングプロセスにより、当該マスク３３Ａで覆われていない領域のＣＭＰストッパ層３１および磁気抵抗効果膜１５を除去する（図８（ｂ）参照）。例えば、当該エッチングプロセスとして、イオンミリングプロセス等が採用される。
【００１７】
次いで、図９（ａ）に示すように、下部金属層１３、所定領域が除去された磁気抵抗効果膜１５Ａおよび当該磁気抵抗効果膜１５Ａ上の積層体（ＣＭＰストッパ層３１Ａおよびマスク３３Ａ）の上に絶縁膜２１を形成する。例えば、絶縁膜２１は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料を用いて、スパッタリング等により３〜１０［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００１８】
次いで、同図に示すように、絶縁膜２１の上に、磁区制御膜２３を形成する。例えば、磁区制御膜２３は、ＣｏＰｔ等の磁性材料（硬磁性材）を用いて１５〜６５［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００１９】
次いで、図９（ｂ）に示すように、ＣＭＰプロセスによって、磁気抵抗効果膜１５Ａ上のＣＭＰストッパ層３１Ａの上面が表出するまで、当該ＣＭＰストッパ層３１Ａ上の磁区制御膜２３、絶縁膜２１、マスク３３Ａを研磨除去する。
【００２０】
次いで、図１０（ａ）に示すように、エッチングプロセスによって、特に、磁気抵抗効果膜１５Ａ上のＣＭＰストッパ層３１Ａのエッチング（除去）を行う。例えば、当該エッチングプロセスとして、ＲＩＥプロセスを用いる。
【００２１】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果膜１５Ａおよびその左右の領域において露出している磁区制御膜２３、絶縁膜２１の上に、例えば、電解鍍金プロセスによって、上部金属層２７を形成する。
なお、上部金属層２７は前記下部金属層１３と共に、磁気抵抗効果膜１５Ａの磁気的シールドを行うものであって、さらに、ＴＭＲ素子のようにＣＰＰ構造の再生素子の場合には、当該素子の電極を兼用するものである。  一例として、上部金属層２７は、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて形成する。
【００２２】
このようにして、磁気ヘッド１の再生素子となる所定の積層構造が形成される（図１０（ｂ）参照）。
しかし、同図からも明らかなように、磁気抵抗効果膜１５Ａと磁区制御膜２３および絶縁膜２１との間で、上面高さが一致しないことに起因する段差形状が発生してしまうため、上部金属層２７の下面が平坦ではなく、段差形状とならざるを得ない構成となる。
このように、再生素子の磁気シールドを行う上部金属層２７が段差形状に形成されると再生出力の変動を誘発する原因となり得る。
【００２３】
一方、従来の実施の形態に係る磁気ヘッド１の再生素子の製造方法の他の例として、図９（ｂ）で示される工程までは前記と同様であって、これに続く工程として、ＣＭＰストッパ層３１Ａの除去工程を実施せずに、上部金属層２７の形成工程を実施する方法が考えられる。その結果、図１１で示される積層構造を備える磁気ヘッド１の再生素子が形成される。
【００２４】
この方法によれば、上部金属層２７の下面を平坦化することが可能となるものの、磁気抵抗効果膜１５Ａ上にＣＭＰストッパ層３１Ａがそのまま残る構成となってしまうため、下部金属層１３と上部金属層２７との間の層間距離（すなわちギャップ長）が長くならざるを得ない構成となる。
このように、再生素子のギャップ長が長くなってしまうことは、再生素子の再生感度を低下させる原因となり得る。
【００２５】
続いて、本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッド１の再生素子の製造方法について説明する。なお、積層構造（膜構成）は一例に過ぎない。
【００２６】
先ず、図１（ａ）に示すように、積層を行うためのベースとなる基体１１上に、下部金属層１３を形成する。本実施形態では、基体１１はウエハ基板であるが、これに限定されず、ウエハ基板上に所定の薄膜が積層された構成であってもよい。
ここで、一例として、下部金属層１３は、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて形成する。なお、各図中の手前側が媒体対向面となる。
【００２７】
下部金属層１３は上部金属層２７（後述）と共に、磁気抵抗効果膜１５Ａ（後述）の磁気的シールドを行うものであって、さらに、ＴＭＲ素子のようにＣＰＰ構造を有する再生素子の場合には、当該素子の電極を兼用するものである。
【００２８】
次いで、同図に示すように、下部金属層１３の上層に、磁気抵抗効果膜１５を形成する。この磁気抵抗効果膜１５は、多層構造を有し、後の工程において加工されて、磁気抵抗効果型再生素子（再生素子）として機能することとなる。当該再生素子として、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＣＰＰ−ＧＭＲ素子等が想定されるが、その積層構造（膜構成）は、種々の構成を採用することができる。なお、本実施形態では、ＴＭＲ素子の場合を例としている。積層構造によっても異なるが、一例として、磁気抵抗効果膜１５の膜厚は２０〜４０［ｎｍ］程度である。
【００２９】
次いで、同図に示すように、磁気抵抗効果膜１５の上に、軟磁性シールド層１７を形成する。ここで、軟磁性シールド層１７は、軟磁性材料を用いて形成される。特に、後述するように、上部金属層２７と同一の材料を用いて形成することが好適である。
なお、軟磁性シールド層１７の厚さは５〜５０［ｎｍ］程度であればよく、本実施形態では、１０［ｎｍ］の膜厚に形成している。
【００３０】
次いで、図１（ｂ）に示すように、軟磁性シールド層１７の上に、マスク層１９を形成する。例えば、マスク層１９は、Ｔａ（タンタル）等を用いて形成する。
【００３１】
次いで、マスク層１９の上に、例えばフォトレジストを用いてレジスト層（不図示）をパターニング形成し、公知のフォトリソグラフィプロセスによって所望のパターン（ここでは、後の工程で磁気抵抗効果膜１５を除去しない領域）を形成した後、当該パターンをエッチングマスクとするエッチングプロセスにより、マスク層１９をエッチングする。このとき、マスク層１９においてエッチングされずに残された領域がマスク１９Ａとなる（図２（ａ）参照）。
なお、例えば、当該エッチングプロセスとして、フッ素系ガスを用いるＲＩＥプロセスが採用される。
【００３２】
したがって、本実施形態では、例えばマスク層１９には、フッ素系ガスによるＲＩＥにより、マスク１９Ａとしてパターニング形成することが可能となるＴａ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＤＬＣ等を用いる一方で、軟磁性シールド層１７には、フッ素系ガスによるＲＩＥに対してエッチング耐性を有する材料であって、且つ軟磁性材料（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉのいずれかを含む合金等）を用いることが好適である。
【００３３】
次いで、マスク１９Ａ上に残っているレジスト層（不図示）をリフトオフプロセスによって除去した後、マスク１９Ａをエッチングマスクとして用いるエッチングプロセスによって、当該マスク１９Ａで覆われていない領域の軟磁性シールド層１７および磁気抵抗効果膜１５を除去する（図２（ｂ）参照）。例えば、当該エッチングプロセスとして、イオンミリングプロセス、もしくはＲＩＥプロセス等が採用される。
【００３４】
次いで、図３（ａ）に示すように、下部金属層１３、所定領域が除去された磁気抵抗効果膜１５Ａおよび当該磁気抵抗効果膜１５Ａ上の積層体（軟磁性シールド層１７Ａおよびマスク１９Ａ）の上に絶縁膜２１を形成する。例えば、絶縁膜２１は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料を用いて、スパッタリング等により３〜１０［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００３５】
次いで、同図に示すように、絶縁膜２１の上に、磁区制御膜２３を形成する。例えば、磁区制御膜２３は、ＣｏＰｔ等の磁性材料（硬磁性材）を用いて１０〜３０［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００３６】
次いで、図３（ｂ）に示すように、磁区制御膜２３の上に、エッチングストッパ層２５を５〜１５［ｎｍ］程度の厚さに形成する（材料については後述）。
このとき、磁気抵抗効果膜１５Ａの領域外のエッチングストッパ層２５の上面（図中の２５ａ、２５ｂ）と磁気抵抗効果膜１５Ａの上面（図中の１５Ａａ）とが同一高さとなるように、すなわち同一面を構成するように、絶縁膜２１および磁区制御膜２３の膜厚を設定する。これにより、最終的に形成される上部金属層２７の下面を平坦化することが可能となる。
【００３７】
次いで、図４（ａ）に示すように、ＣＭＰプロセスによって、磁気抵抗効果膜１５Ａ上のマスク１９Ａの上面が表出するまで、当該マスク１９Ａ上のエッチングストッパ層２５、磁区制御膜２３、絶縁膜２１を研磨除去する。なお、磁気抵抗効果膜１５Ａの領域の面積が基体１１に対して非常に小さく、圧力が集中するため、マスク１９Ａも一部、研磨される。
ここで、マスク１９ＡがＴａ等から成る場合、ＣＭＰプロセスにおけるストッパ層としても作用させることができるため、好適である。
一方、変形例として、専用のストッパ層を軟磁性シールド層１７とマスク層１９との間に、あらかじめ形成しておく方法も考えられる（不図示）。その場合、当該専用のストッパ層は、後工程である上部金属層２７の形成前に、エッチングプロセス（ＲＩＥプロセス等）によって除去すればよい。
【００３８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、エッチングプロセスによって、特に、磁気抵抗効果膜１５Ａ上の積層体（マスク１９Ａおよび軟磁性シールド１７Ａ）の左右の領域（同図中の左右）に形成されているがエッチングストッパ層２５、磁区制御膜２３、絶縁膜２１が除去されるように、斜め上方の方向からエッチングを行う。例えば、当該エッチングプロセスとして、イオンミリングプロセスを用いる。
【００３９】
上記工程おいて、軟磁性シールド１７Ａの左右のエッチングストッパ層２５、磁区制御膜２３を除去する場合、エッチングストッパ層２５に物理的エッチングレートが低い材料を用いることによって、当該エッチングストッパ層２５でエッチングの進行を抑制し、磁区制御膜２３領域の膜厚の変動を抑制することが可能となる。
一般に物理的エッチングレートは、材料のスパッタ率に依存しているため、本実施形態では、エッチングストッパ層２５の材料に好適な物理的エッチングレートが低い材料として、Ａｒ＋イオン入射エネルギー６００［ｅＶ］でのスパッタ率が１．３以下であるＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｈｆ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ等を用いることが考えられる。
【００４０】
次いで、図５（ａ）に示すように、エッチングプロセスによって、マスク１９Ａを除去する。例えば、当該エッチングプロセスとして、フッ素系ガスを用いるＲＩＥプロセス等が採用される。
【００４１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、軟磁性シールド１７Ａの左右の領域において露出しているエッチングストッパ層２５、磁区制御膜２３、絶縁膜２１と、当該磁性シールド１７Ａの上に、例えば、電解鍍金プロセスによって、上部金属層２７を形成する。
なお、上部金属層２７は前記下部金属層１３と共に、磁気抵抗効果膜１５Ａの磁気的シールドを行うものであって、さらに、ＴＭＲ素子のようにＣＰＰ構造の再生素子の場合には、当該素子の電極を兼用するものである。  一例として、上部金属層２７は、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて形成する。
【００４２】
このようにして、磁気ヘッド１の再生素子となる所定の積層構造が形成される（図５（ｂ）参照）。
【００４３】
上記構成によれば、磁気抵抗効果膜１５Ａ上の軟磁性シールド層１７Ａは、当該磁性シールド１７Ａを覆うようにして形成される上部金属層２７と同化し、磁気的に上部金属層２７として機能することとなる。これと共に、前述の通り、磁気抵抗効果膜１５Ａの上面と磁区制御膜２３領域上のエッチングストッパ層２５の上面とが同一面となるように形成されていることによって、軟磁性シールド層１７Ａと一体化された上部金属層２７の下面が、平坦化された平面として形成されることとなる。これにより、従来の製造方法で生じていた上部金属層の下面の段差形状を解消することが可能となり、再生素子における再生出力の変動を防止することが可能となる。
また、この効果を得る観点から、特に、軟磁性シールド層１７（１７Ａ）と上部金属層２７とを同一の材料で形成することが好適である。
【００４４】
さらに、下部金属層１３と上部金属層２７との間の層間距離（すなわちギャップ長）が、磁気抵抗効果膜１５Ａのみの高さ（厚さ）で規定されることとなるため、従来の製造方法のように、他の層（ＣＭＰストッパ層等）の高さ（厚さ）が加算されず、層間距離（ギャップ長）を短くすること、すなわち狭ギャップ化が可能となる。例えば、前述の従来の実施の形態に係る製造方法と比較すると、磁気抵抗効果膜上に積層されたＣＭＰストッパ層３１Ａの厚さが５〜２５［ｎｍ］であったことから、本実施の形態においては、単純にその厚さ分だけ狭ギャップ化が可能となる。これは、磁気抵抗効果膜１５Ａの厚さが２０〜４０［ｎｍ］であることからみれば、非常に大きな削減量となり、再生感度の向上に与える効果は顕著となる。
加えて、従来は、ＣＭＰプロセスによって層間距離（ギャップ長）を制御していたのに比べ、磁気抵抗効果膜１５Ａの積層体の膜厚によって制御することが可能となり、高精度化が可能となる。
それらの結果として、再生素子における再生感度の向上、および再生出力の変動防止が達成される。
【００４５】
続いて、本発明の第二の実施形態について説明する。
本実施形態は、マスク１９Ａを除去しない場合の例である。より具体的には、前記第一の実施形態に対して、図４（ｂ）で示される工程までは同じである。ただし、マスク層１９が軟磁性材料を用いて形成される点で、第一の実施形態と相違する。
また製造工程上の相違点として、前記第一の実施形態における図５（ａ）で示される工程すなわちマスク１９Ａの除去工程を実施せずに、図５（ｂ）で示される工程すなわち上部金属層２７の形成工程が行われる。その結果、図６で示される積層構造を備える磁気ヘッド１の再生素子が形成される。
【００４６】
本実施形態では、マスク層１９すなわちマスク１９Ａは、軟磁性材料で形成されていることによって、当該マスク１９Ａおよび軟磁性シールド層１７Ａを覆うように形成される上部金属層２７と磁気的に一体化されることとなるため、前記第一の実施形態と同様の効果が奏される。
【００４７】
続いて、本発明の実施の形態に係る情報記憶装置について説明する。
前述の本実施の形態に係る製造方法によって製造される再生素子を備える磁気ヘッド１を用いて、磁気ディスク装置、ＭＲＡＭ等を構成することにより、記録密度の増加に対応した高い再生感度の実現、あるいは記憶特性の向上が可能な情報記憶装置が実現される。
【００４８】
情報記憶装置の一例として、図１２に示す磁気ディスク装置４０は、記録素子および前述の再生素子を備える磁気ヘッド１が、磁気記録媒体（磁気ディスク）４１との間で情報を記録し、情報を再生するヘッドスライダ４２に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ４２は、ヘッドサスペンション４３のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション４３の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム４４と、該サスペンション４３及び該アクチュエータアーム４４上の絶縁された導電線を通じて、前記再生素子に電気的に接続され、磁気ヘッド１（再生素子）からの信号を処理する信号処理基板（不図示）とを有する記憶装置として構成される。その作用として、磁気ディスク４１が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ４２がディスク面から浮上し、磁気ディスク４１との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。
【００４９】
本実施の形態に係る情報記憶装置によれば、再生感度の向上および再生出力の安定が可能な再生素子を備える磁気ヘッドを用いることによって、記録密度の増加に対応することが可能であると共に出力の安定した情報記憶装置を提供することが可能となる。
【００５０】
以上説明した通り、本実施の形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法によれば、再生出力の特性に大きな影響を与える上部金属層を段差の無い形状に形成することが可能となり、再生出力の特性を安定させることが可能となる。また、上部金属層と下部金属層との間のギャップ長を短く形成することが可能となり、再生感度を向上させることが可能となる。
また、その結果、当該再生素子を備える磁気ヘッドが組み込まれる情報記憶装置の記録密度の向上および出力特性の安定化すなわち信頼性の向上が可能となる。
【００５１】
（付記１）基体上に、下部金属層を形成する工程と、
前記下部金属層上に、磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜上に、軟磁性シールド層を形成する工程と、
前記軟磁性シールド層上にマスクを形成し、前記磁気抵抗効果膜を所望のコア幅にパターニングする工程と、
前記磁気抵抗効果膜上の前記マスクを残存させたまま、磁区制御膜を積層する工程と、
前記磁区制御膜上に、エッチングストッパ層を形成する工程と、
前記マスク上に形成された前記エッチングストッパ層と、前記マスク上に形成された前記磁区制御膜と、を除去して前記磁気抵抗効果膜上のマスクを露出させる平坦化工程と、
イオンミリングにより前記磁気抵抗効果膜上のマスクの一部、前記軟磁性シールド層の両脇に積層する前記エッチングストッパ層と、前記軟磁性シールド層の両脇に積層する前記磁区制御膜と、を除去する工程と、
上部金属層を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
（付記２）前記イオンミリングにより前記磁気抵抗効果膜上のマスクの一部、前記軟磁性シールド層の両脇に積層するエッチングストッパ層と、前記軟磁性シールド層の両脇に積層する磁区制御膜と、を除去する工程と、前記上部金属層を形成する工程と、の間に、
反応性イオンエッチング法またはイオンミリングにより前記マスクの一部を除去する工程をさらに備えること
を特徴とする付記１記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
（付記３）前記マスクは、軟磁性材料からなること
を特徴とする付記１または付記２記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
（付記４）前記パターニングされた磁気抵抗効果膜の上面と、該磁気抵抗効果膜の左右の領域に形成された前記磁区制御膜上の前記エッチングストッパ層の上面とが、同一面内に形成されること
を特徴とする付記１〜３のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
（付記５）前記軟磁性シールド層は、フッ素系ガスによる反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有し、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉのいずれかの金属材料を含むこと
を特徴とする付記１〜４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
（付記６）前記エッチングストッパ層は、物理的エッチングレートが低い材料からなること
を特徴とする付記１〜５のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
（付記７）前記物理的エッチングレートが低い材料として、アルゴンイオンの入射エネルギーが６００ｅＶの場合のスパッタ率が１．３以下の材料が用いられること
を特徴とする付記６に記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法。
（付記８）記録素子、および付記１〜７のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの再生素子の製造方法により製造される再生素子を備える磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報の記録再生が行われる磁気ディスクと、
前記磁気ヘッドからの信号を処理する信号処理基板と、を備えること
を特徴とする情報記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法と、本発明の第二の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図２】本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法と、本発明の第二の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図３】本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法と、本発明の第二の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図４】本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法と、本発明の第二の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図５】本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法を説明する説明図である。
【図６】本発明の第二の実施形態に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法を説明する説明図である。
【図７】従来の実施形態の一例に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法と、従来の実施形態の他の例に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図８】従来の実施形態の一例に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法と、従来の実施形態の他の例に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図９】従来の実施形態の一例に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法と、従来の実施形態の他の例に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図１０】従来の実施形態の一例に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法を説明する説明図である。
【図１１】従来の実施形態の他の例に係る磁気ヘッドの再生素子の製造方法を説明する説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る情報記憶装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  磁気ヘッド
１１  基体
１３  下部金属層
１５  磁気抵抗効果膜
１７  軟磁性シールド層
１９  マスク層
２１  絶縁膜
２３  磁区制御膜
２５  エッチングストッパ層
２７  上部金属層
４０  情報記憶装置
【図１】
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【図２】
2010015624.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010015624.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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