(57)【要約】【課題】電荷輸送成分の結晶化の最小化、迅速または高速な電荷の輸送などを可能にする導電体を提供する。【解決手段】電荷発生層と、少なくとも１層の電荷輸送層と、を含む光導電体であって、ここで、前記電荷輸送層の少なくとも１層が、少なくとも１種類の電荷輸送成分と、トリス（エニルアリール）アミンおよびビス（エニルアリール）アリールアミンの少なくとも一つと、を含む、光導電体である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷発生層と、少なくとも１層の電荷輸送層と、を含む光導電体であって、ここで、前記電荷輸送層の少なくとも１層が、少なくとも１種類の電荷輸送成分と、トリス（エニルアリール）アミンおよびビス（エニルアリール）アリールアミンの少なくとも一つと、を含む、光導電体。
【請求項２】
前記トリス（エニルアリール）アミンおよび前記ビス（エニルアリール）アリールアミンが、１〜９９重量パーセントの前記トリス（エニルアリール）アミンと、９９〜１重量パーセントの前記ビス（エニルアリール）アリールアミンを含み、それらの合計が約１００重量パーセントである混合物として存在し；
前記ビス（エニルアリール）アリールアミンが、下記式（Ｉ）で表され、
【化１】
2010015147.tif 000022
式（Ｉ）において、Ｒは、各々、水素、アルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンの少なくとも一つであり；ｍおよびｎは、各々独立して、セグメントの数を表し、
前記トリス（エニルアリール）アミンが、下記式（ＩＩ）で表され、
【化２】
2010015147.tif 000023
式（ＩＩ）において、Ｒは、各々、水素、アルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンの少なくとも一つであり；ｍ、ｎ、およびｐは、各々独立して、セグメントの数を表す、請求項１に記載の光導電体。
【請求項３】
前記のビス（エニルアリール）アリールアミンおよび前記のトリス（エニルアリール）アミンが、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐［４，４‐ビス（４‐メチルフェニル）‐１，３‐ブタジエニル］フェニル］‐４‐メトキシフェニルアミン、［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］‐４‐メチルフェニルアミン、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐［２，２‐ビス（４‐メチルフェニル）エテニル］フェニル］‐４‐メチルフェニルアミン、トリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン、トリス［４‐（４，４‐ジメチルフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン、［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］ビス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］アミン、［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン、およびトリス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］アミンの少なくとも１種類から成る群より選択される、請求項１に記載の光導電体。
【請求項４】
前記電荷輸送成分が、アリールアミン分子を含み、そのアリールアミン分子が、以下の２つの式の表す範囲に包含され、
【化３】
2010015147.tif 000024
ここで、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲン、ならびにこれらの混合から成る群より選択され；前記のビス（エニルアリール）アリールアミンが、
【化４】
2010015147.tif 000025
の少なくとも一つによって表され、前記のトリス（エニルアリール）アミンが、
【化５】
2010015147.tif 000026
によって表される、請求項１に記載の光導電体。
【請求項５】
前記少なくとも１層の電荷輸送層が、少なくとも１種類の電荷輸送成分、および前記トリス（エニルアリール）アミンを含み、少なくとも１層の電荷輸送層が、１または２層である、請求項１に記載の光導電体。
【請求項６】
前記少なくとも１層の電荷輸送層が、少なくとも１種類の電荷輸送成分、および前記ビス（エニルアリール）アリールアミンを含み、少なくとも１層の電荷輸送層が、１または２層である、請求項１に記載の光導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は全般に、感光体および光導電体等に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１はチタニルフタロシアニン顔料の製造方法を記載する。特許文献２及び３は、電荷輸送層分子を記載する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開公報第２００６−０１０５２５４号
【特許文献２】米国特許第４，９２１，７７３号
【特許文献３】米国特許第４，４６４，４５０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は全般に、感光体および光導電体等に関する。より詳細には、本開示は、基体のような所望により含まれてもよい支持媒体と、電荷発生（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ）層、および、トリス（エニルアリール）アミンおよびビス（エニルアリール）アリールアミンから成る添加剤混合物、またはトリス（エニルアリール）アミン、またはビス（エニルアリール）アリールアミンを含有する、第一電荷輸送層と第二電荷輸送層等といった複数の電荷輸送層を含む、電荷輸送層の少なくとも１層、任意の接着層、所望により含まれていてもよいホールブロッキング層またはアンダーコート層、ならびに所望により含まれていてもよいオーバーコート層を含む、剛性の、多層可撓性の、ベルト状の画像形成部材、または装置に関する。実施形態における、少なくとも１の、とは、例えば、１、１から約１０、２から約７、２から約４、および２、等を意味する。さらに、ビス（エニルアリール）アリールアミンおよびトリス（エニルアリール）アミンの混合物は、電荷輸送層の少なくとも１層に添加することができ、例えば、ビス（エニルアリール）アリールアミンおよびトリス（エニルアリール）アミンの混合物は、電荷輸送層溶液に溶解させるのではなく、ドーパントとして電荷輸送混合物に添加することができる。
【０００５】
さらにより詳細には、支持基体と、電荷発生層と、トリス（エニルアリール）アミンとビス（エニルアリール）アリールアミンとから成る混合物を含む、第一パス電荷輸送層、第二パス電荷輸送層、または第一パス電荷輸送層および第二パス電荷輸送層の両方等の、１もしくは複数層の電荷輸送層と、を含む光導電体を開示し、主として電荷輸送成分の結晶化の最小化を可能にし、そして実施形態では電荷輸送分子の結晶化を起こさせず；迅速または高速な電荷の輸送；優れたゴースト特性；優れた光導電体の光感度、ならびに、許容される、そして実施形態では低いＶr、およびサイクルに伴うＶrの上昇の最小化または防止がもたらされる。結晶化により、電荷輸送成分は、多くのアリールアミン分子と同様に、その効力を失い、より具体的には、結晶化は、例えば多くの電子写真複写機および印刷機などにおいて、サイクルの後、許容されない印刷物画質の原因となり得る。
【０００６】
さらには、本明細書で説明する光導電体装置を用いた画像形成および印刷の方法も開示する。これらの方法は、一般に、画像形成部材上での静電潜像の形成、およびそれに続く、例えば、熱可塑性樹脂、顔料などの着色剤、帯電添加剤（ｃｈａｒｇｅ  ａｄｄｉｔｉｖｅ）、および表面添加剤（ｓｕｒｆａｃｅ  ａｄｄｉｔｉｖｅ）を含むトナー組成物を用いた画像の現像を含み、続いて、その画像を適切な基体へ転写し、そこへ画像を恒久的に定着させる。この装置が印刷モードで用いられる環境下では、この画像形成法は、同一の操作を含むが、ただし、露光は、レーザー装置またはイメージバー（ｉｍａｇｅ  ｂａｒ）によって達成することができる。より具体的には、本明細書で開示する可撓性ベルトは、バージョンによっては１分間に１００枚を超えるコピーを行うＸｅｒｏｘ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ｉＧＥＮ３（登録商標）用に選択することができる。デジタルおよび／またはカラー印刷を含む画像形成のプロセス、特に電子写真画像形成および印刷は、従って、本開示に包含される。実施形態において、画像形成部材は、例えば、約４００〜約９００ナノメートル、特には、約６５０〜約８５０ナノメートルの範囲の波長領域に感度を有し、従って、光源としてはダイオードレーザーを選択することができる。さらに、本開示の画像形部材は、高解像度カラー電子写真用途、特に、高速カラーコピーおよび印刷プロセスに有用である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の１つの態様は、所望によって含まれていてもよい支持基体と、電荷発生層と、少なくとも１層の電荷輸送層と、を含む光導電体であって、ここで、電荷輸送層の少なくとも１層が、少なくとも１種類の電荷輸送成分と、トリス（エニルアリール）アミンおよびビス（エニルアリール）アリールアミンの少なくとも一つ（たとえば、トリス（エニルアリール）アミンとビス（エニルアリール）アリールアミンとの混合物）と、を含む光導電体；支持基体と、電荷発生層と、少なくとも１層の電荷輸送層と、を含み光導電体であって、ここで、電荷輸送層が、電荷輸送成分、バインダー、およびビス（エニルアリール）アリールアミンとトリス（エニルアリール）アミンとの混合物を含む光導電体；ならびに、支持基体と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順で含光導電体であって、ここで、電荷輸送層が、ホール輸送化合物、およびビス（ブタジエニルアリール）アリールアミンとトリス（ブタジエニルアリール）アミンとの混合物を含む光導電体に関する。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
電荷輸送層添加剤の例
１もしくは複数の電荷輸送層は数多くの添加剤を含むことができ、含まれる添加剤の量は、例えば、電荷輸送層が厚いと、結晶化が増大しやすくなる場合があることに留意して、例えば、実施形態において１もしくは複数の電荷輸送層の厚さに依存していてもよく、従って、トリスおよびビス化合物の量は、本明細書で示すように、様々に異なる。
【０００９】
電荷輸送層に存在する添加剤混合物の量は、トリスアミンの場合、約９９〜約１重量パーセントであり、ここで、その合計量は約１００重量パーセントである。実施形態では、１もしくは複数の電荷輸送層のために選択された添加剤混合物は、約２０〜約８０重量パーセント、約２５〜約７５重量パーセント、および約４０〜約６０重量パーセントのトリス（エニルアリール）アミン、ならびに約８０〜約２０重量パーセント、約７５〜約２５重量パーセント、および約６０〜約４０重量パーセントのビス（エニルアリール）アリールアミンから成り；さらに、トリスおよびビスの５０／５０の混合物を選択することもできる。実施形態では、約１〜約２０、約１〜約１５、約１〜約１０、および約２〜約７重量パーセントのビスおよびトリス添加剤の混合物が、電荷輸送層に存在していてもよい。
【００１０】
ビス（エニルアリール）アリールアミンの例には、例えば、下記の式／構造によって表されまたは包含される。
【化１】
2010015147.tif 000002
ここで、Ｒは、各々、水素、アルキル、アルコキシ、アリール、それらの置換誘導体、たとえばアルキルアリール、アルコキシアリール、ハロアリールなど、およびハロゲン（ｈａｌｏ）等であり；ｍおよびｎは、各々独立して、０または１など、セグメントの数を表す。アルキル基の例としては、メチル、エチル、ｎ‐プロピル、イソプロピル、ｎ‐ブチル、およびイソブチルが挙げられ；アルコキシ基の例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、およびブトキシが挙げられ；ならびに、アリール基の例としては、フェニル、ｐ‐トリル、２，４‐ジメチルフェニル、ｐ‐メトキシフェニル、およびｐ‐クロロフェニルが挙げられる。
【００１１】
さらにより具体的には、ビス添加剤の例には、ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン（株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）、より入手可能なＴ‐６５１）、Ｎ，Ｎビス［４‐［４，４‐ビス（４‐メチルフェニル）‐１，３‐ブタジエニル］フェニル］‐４‐メトキシフェニルアミン等のビス（ブタジエニルアリール）アリールアミン；［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン等の（エテニルアリール）（ブタジエニルアリール）アリールアミン；および、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］‐４‐メチルフェニルアミン（株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能なＴ‐７３６）、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐［２，２‐ビス（４‐メチルフェニル）エテニル］フェニル］‐４‐メチルフェニルアミン（株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）、より入手可能なＴ‐９２５）等のビス（エテニルアリール）アリールアミン等、ならびにこれらの混合物が含まれる。
【００１２】
実施形態では、ビス添加剤は、下記の式／構造によって表されるものでもよい。
【化２】
2010015147.tif 000003
【００１３】
トリス添加剤の例には、下記の式によって表されまたは包含される化合物が含まれる。
【化３】
2010015147.tif 000004
ここで、Ｒは、各々、水素、アルキル、アルコキシ、アリール、それらの置換誘導体、たとえばアルキルアリール、アルコキシアリール、ハロアリール等、およびハロゲン（ｈａｌｏ）等であり；ｍ、ｎ、およびｐは、各々独立して、基の数を表し、０または１であってよい。具体的なアルキル基の例としては、メチル、エチル、ｎ‐プロピル、イソプロピル、ｎ‐ブチル、およびイソブチルが挙げられ；具体的なアルコキシ基の例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、およびブトキシが挙げられ；ならびに、具体的なアリール基の例としては、フェニル、ｐ‐トリル、２，４‐ジメチルフェニル、ｐ‐メトキシフェニル、およびｐ‐クロロフェニルが挙げられる。
【００１４】
より具体的には、トリス添加剤の例には、トリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン（株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）、より入手可能なＴ‐６９３）およびトリス［４‐（４，４‐ジメチルフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン等のトリス（ブタジエニルアリール）アミン、［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］ビス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］アミン等の（ブタジエニルアリール）ビス（エチレニルアリール）アミン、［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン等の（エチレニルアリール）ビス（ブタジエニルアリール）アミン、およびトリス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］アミン等のトリス（エチレニルアリール）アミン、ならびにこれらの混合物が含まれる。
【００１５】
実施形態では、トリス添加剤は、下記で表すことができるものであってもよい。
【化４】
2010015147.tif 000005
【００１６】
さらに、実施形態では、光導電体の１もしくは複数の電荷輸送層（例えば１〜約４層などの電荷輸送層）は、ビス（ブタジエニルアリール）アリールアミンとトリス（ブタジエニルアリール）アミンとの混合物を含んでいてもよく、より具体的には、下記の式によって表される、ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミンとトリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミンとの混合物を含んでいてもよい。
【化５】
2010015147.tif 000006
【００１７】
光導電体の層
本明細書で開示する光導電体に対しては、基体、電荷発生層、電荷輸送層、ホールブロッキング層、接着層、および保護オーバーコート層等、公知の数多くの層を選択することができる。これらの層の多くの、例、厚さ、具体的な成分には、以下のものが含まれる。
【００１８】
本明細書で説明する光導電体に対して、数多くの公知の支持基体を選択することができ、例えば、その上の層を効果的なものとする基体である。基体層の厚さは、経済的な考慮および電気的特性等を含む多くの因子に依存し、従って、この層は、例えば、３０００ミクロン超の実質的な厚さであってよく、約１０００〜約３５００、約１０００〜約２０００、約３００〜約７００ミクロンであってよく、または、例えば、約１００〜約５００ミクロンの最小の厚さであってもよい。実施形態では、この層の厚さは、約７５〜約３００ミクロン、または約１００〜約１５０ミクロンであってもよい。
【００１９】
基体は、不透明なものまたは実質的に透明なもの等多くの異なる材料から成っていてよく、適切ないかなる材料を含んでいてもよい。従って、基体は、無機または有機組成物等、非導電性または導電性材料の層を含んでもよい。非導電性材料としては、本目的のために公知の種々の樹脂を用いることができ、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、およびポリウレタン等が挙げられ、これらは、薄状のウェブとして可撓性である。導電性基体は、アルミニウム、ニッケル、スチール、および銅等の適切ないかなる金属であっても、カーボンおよび金属粉等の導電性物質を充填した上述のようなポリマー材料であっても、または有機導電性材料であってもよい。電気絶縁性または導電性基体は、エンドレス可撓性ベルト、ウェブ、剛性シリンダー、およびシート等の形状とすることができる。基体層の厚さは、所望される強度および経済的考慮を含む多くの因子に依存する。ドラムの場合、この層は、例えば、最大何センチメートルもの実質的な厚さであっても、または１ミリメートル未満の最小の厚さであってもよい。同様に、可撓性ベルトは、最終的な電子写真装置に悪影響を及ぼさない限りにおいて、約２５０ミクロン等の実質的な厚さであってもよく、または約５０ミクロン未満の最小の厚さであってもよい。基体層が導電性でない実施形態では、導電性コーティングによってその表面を導電性としてもよい。導電性コーティングの厚さは、光透過性、所望される可撓性の度合い、および経済的な因子に応じて、非常に広い範囲で様々となり得る。
【００２０】
説明のための基体の例は、本明細書で示すようなものであり、より具体的には、基体が不透明であっても実質的に透明であってもよい、本開示の画像形成部材に選択される層は、チタンを含有する市販のポリマーであるＭＹＬＡＲ（登録商標）等の無機もしくは有機ポリマー材料を含む絶縁材料の層、その上に配置された酸化インジウムスズもしくはアルミニウムなどの半導電性表面層を有する有機もしくは無機材料の層、またはアルミニウム、クロム、ニッケル、もしくは真鍮等を含む導電材料の層、を有する。
【００２１】
実施形態における電荷発生層は、所望によって含まれていてもよいバインダーおよび公知の電荷発生顔料を含み、より具体的には、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、およびクロロガリウムフタロシアニン、ならびに樹脂バインダーを含むものでもよい。一般的に、電荷発生層は、公知の電荷発生顔料、たとえば金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、アルキルヒドロキシガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ペリレン、特にはビス（ベンズイミダゾ）ペリレン、およびチタニルフタロシアニン等、より具体的には、バナジルフタロシアニン、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ならびに、無機成分、たとえばセレン、セレン合金、および三方晶セレン等、を含むことができる。電荷発生顔料は、電荷輸送層に対して選択される樹脂バインダーに類似の樹脂バインダー中に分散させてよく、または、別の選択肢として、樹脂バインダーを存在させる必要はない。一般的に、電荷発生層の厚さは、その他の層の厚さ、および電荷発生層中に含有される電荷発生物質の量を含む多くの因子に依存する。従って、この層は、例えば、電荷発生組成物が約３０〜約７５体積パーセントの量で存在する場合、例えば、約０．０５〜約１０ミクロン、より具体的には、約０．２５〜約２ミクロンとすることができる。実施形態におけるこの層の最大厚さは、主に、光感度、電気的性質、および機械的な考慮等の因子に依存する。電荷発生層のバインダー樹脂は、種々の適切な量で存在し、例えば、約１〜約５０重量パーセントであり、より具体的には、約１〜約１０重量パーセントであり、この樹脂は、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ（塩化ビニル）、ポリアクリレートおよびポリメタクリレート、塩化ビニルおよび酢酸ビニルのコポリマー、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、ならびにその他の公知の適切なバインダー等の数多くの公知のポリマーから選択することができる。装置の既にコーティングしてある層を実質的に乱さない、またはこれに悪影響を及ぼさないコーティング溶媒を選択することが望ましい。電荷発生層のためのコーティング溶媒の例には、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、シラノール、アミン、アミド、およびエステル等が含まれる。具体的な溶媒の例には、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセタミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、および酢酸メトキシエチル等が含まれる。
【００２２】
さらに、電荷発生層は、特に、例えば米国特許出願公開公報第２００６−０１０５２５４号に記載のプロセスによって作製されたチタニルフタロシアニン成分を含むことができる。
【００２３】
実施形態では、電荷発生層に含まれるＶ型フタロシアニン顔料は、Ｉ型チタニルフタロシアニンを、トリハロ酢酸およびハロゲン化アルキレンを含む溶液に溶解し；溶解したＩ型チタニルフタロシアニンを含む得られた混合物をアルコールおよびハロゲン化アルキレンを含む溶液に添加し、それによって、Ｙ型チタニルフタロシアニンを析出させ；得られたＹ型チタニルフタロシアニンをモノクロロベンゼンで処理することによって作製することができる。
【００２４】
本明細書で説明するプロセスにより、さらに、他の公知のチタニルフタロシアニンと区別可能な結晶相を有するチタニルフタロシアニンが提供される。本開示に従うプロセスで作製されたＶ型チタニルフタロシアニンは、例えば、Ｖ型チタニルフタロシアニンが、Ｘ線粉末回折スペクトルにおいて９．０°、９．６°、２４．０°、および２７．２°に特徴的な４つのピークを有するのに対し、ＩＶ型チタニルフタロシアニンは、通常、特徴的なピークは９．６°、２４．０°、および２７．２°の３つを示すだけであるという点で、ＩＶ型チタニルフタロシアニンと区別することができる。
【００２５】
実施形態では、電荷発生層のマトリックスとして選択することができるポリマーバインダー材料の例としては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂であり、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールシラノール、ポリアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリスルホン、ポリシラノールスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（酢酸ビニル）、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレンおよびアクリロニトリルコポリマー、ポリ（塩化ビニル）、塩化ビニルおよび酢酸ビニルコポリマー、アクリレートコポリマー、アルキド樹脂、セルロース系塗膜形成剤（ｃｅｌｌｕｌｏｓｉｃ  ｆｉｌｍ  ｆｏｒｍｅｒ）、ポリ（アミドイミド）、スチレンブタジエンコポリマー、塩化ビニリデン‐塩化ビニルコポリマー、酢酸ビニル‐塩化ビニリデンコポリマー、スチレン‐アルキド樹脂、ならびにポリ（ビニルカルバゾール）等が含まれる。これらのポリマーは、ブロックコポリマーであっても、ランダムコポリマーであっても、または交互コポリマーであってもよい。
【００２６】
電荷発生組成物または顔料は、樹脂性バインダー組成物中に、種々の量で存在する。しかし、一般的には、約５重量パーセント〜約９０重量パーセントの電荷発生顔料が、約１０重量パーセント〜約９５重量パーセントの樹脂性バインダー中に分散されるか、または約２０重量パーセント〜約５０重量パーセントの電荷発生顔料が、約８０重量パーセント〜約５０重量パーセントの樹脂性バインダー組成物中に分散される。一つの実施形態では、約５０重量パーセントの電荷発生顔料が、約５０重量パーセントの樹脂性バインダー組成物中に分散される。電荷発生層中の成分の重量パーセントの合計は約１００である。
【００２７】
実施形態では、光導電体は、適切な公知の接着層を含むことができる。典型的な接着層材料の例には、例えば、ポリエステルおよびポリウレタン等が含まれる。接着層の厚さは様々であってよく、実施形態では、例えば、約０．０５ミクロン（５００オングストローム）〜約０．３ミクロン（３０００オングストローム）である。接着層は、スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、巻線ロッドコーティング（ｗｉｒｅ  ｗｏｕｎｄ  ｒｏｄ  ｃｏａｔｉｎｇ）、グラビアコーティング、およびバードアプリケータコーティング（Ｂｉｒｄ  ａｐｐｌｉｃａｔｏｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）等により、ホールブロッキング層上に載せることができる。載せられたコーティングの乾燥は、例えば、オーブン乾燥、赤外線乾燥、および空気乾燥等によって行うことができる。
【００２８】
通常、ホールブロッキング層および電荷発生層と接触しているかまたはこれらの間に位置する、１もしくは複数の所望によって設けられていてもよい接着層として、コポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、およびポリアクリロニトリルを含む種々の公知の物質を選択することができる。この層は、例えば、約０．００１〜約１ミクロン、または約０．１〜約０．５ミクロンの厚さである。所望によって、この層は、適切な有効量、例えば、約１〜約１０重量パーセントの、酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化珪素、およびカーボンブラック等の導電粒子及び非導電粒子を含むことにより、例えば、本開示の実施形態において、望ましい電気的および光学的性質をさらに提供することができる。
【００２９】
本開示の光導電体のための１もしくは複数のホールブロッキング層またはアンダーコート層は、アミノシラン、ドープ処理金属酸化物、チタン、クロム、亜鉛、およびスズなどの金属の酸化物等の公知のホールブロック成分；フェノール系化合物とフェノール樹脂との混合物または２種類のフェノール樹脂の混合物、ならびに所望によって含まれていてもよいＳｉＯ2等のドーパント等、数多くの成分を含むことができる。フェノール系化合物は、通常、少なくとも２個のフェノール基を有し、たとえば、ビスフェノールＡ（４，４’‐イソプロピリデンジフェノール）、Ｅ（４，４’‐エチリデンビスフェノール）、Ｆ（ビス（４‐ヒドロキシフェニル）メタン）、Ｍ（４，４’‐（１，３‐フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、Ｐ（４，４’‐（１，４‐フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、Ｓ（４，４’‐スルホニルジフェノール）、およびＺ（４，４’‐シクロヘキシリデンビスフェノール）；ヘキサフルオロビスフェノールＡ（４，４’‐（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール）、レゾルシノール、ヒドロキシキノン、およびカテキン等である。
【００３０】
ホールブロッキング層は、例えば、約２０重量パーセント〜約８０重量パーセント、より具体的には、約５５重量パーセント〜約６５重量パーセントの、ＴｉＯ2等の金属酸化物のような適切な成分；約２０重量パーセント〜約７０重量パーセント、より具体的には、約２５重量パーセント〜約５０重量パーセントのフェノール樹脂；約２重量パーセント〜約２０重量パーセント、より具体的には、約５重量パーセント〜約１５重量パーセントの、例えば、ビスフェノールＳ等の少なくとも２個のフェノール基を含むフェノール系化合物；ならびに、約２重量パーセント〜約１５重量パーセント、より具体的には、約４重量パーセント〜約１０重量パーセントの、ＳｉＯ2等の合板抑制ドーパント（ｐｌｙｗｏｏｄ  ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ  ｄｏｐａｎｔ）を含むことができる。フェノール樹脂の例には、ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１５９および２９１０１（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能）、ならびにＤＵＲＩＴＥ（登録商標）９７（Ｂｏｒｄｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能）等のフェノール、ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノール、クレゾールとのホルムアルデヒドポリマー；ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１１２（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能）等のアンモニア、クレゾール、およびフェノールとのホルムアルデヒドポリマー；ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１０８および２９１１６（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能）等の４，４’‐（１‐メチルエチリデン）ビスフェノールとのホルムアルデヒドポリマー；ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９４５７（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能）、ＤＵＲＩＴＥ（登録商標）ＳＤ‐４２３Ａ、ＳＤ‐４２２Ａ（Ｂｏｒｄｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能）等のクレゾールおよびフェノールとのホルムアルデヒドポリマー；または、ＤＵＲＩＴＥ（登録商標）ＥＳＤ５５６Ｃ（Ｂｏｒｄｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能）等のフェノールおよびｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノールとのホルムアルデヒドポリマーが含まれる。
【００３１】
電荷輸送層成分および分子としては、アリールアミン等、本明細書で示されるもの等の数多くの公知の物質が含まれ、この層は、一般に、約５〜約７５ミクロンの厚さ、より具体的には、約１０〜約４０ミクロンの厚さである。電荷輸送層成分の例には、
【化６】
2010015147.tif 000007
が含まれ、ここで、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはこれらの混合であり、特に、これらの置換基は、Ｃｌ、ＯＣＨ3、およびＣＨ3から成る群より選択されてもよく；
ならびに、以下の式、
【化７】
2010015147.tif 000008
の分子が含まれ、ここで、ＸおよびＹは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはこれらの混合である。
【００３２】
アルキルおよびアルコキシは、例えば、１〜約２５個の炭素原子、より具体的には、１〜約１２個の炭素原子を含む置換基を意味し、たとえば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、および対応するアルコキシド等である。アリールは、６〜約３６個の炭素原子を含むことができ、たとえば、フェニル等である。ハロゲンには、塩素（ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ブロミド（ｂｒｏｍｉｄｅ）、ヨージド（ｉｏｄｉｄｅ）、およびフルオリド（ｆｌｕｏｒｉｄｅ）が含まれる。実施形態において、置換されたアルキル、アルコキシ、およびアリールも選択することができる。
【００３３】
アリールアミンの具体例には、アルキルが、メチル、エチル、プロピル、ブチル、およびヘキシル等から成る群より選択されるＮ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（アルキルフェニル）‐１，１‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン；ハロ置換基が、クロロ置換基であるＮ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（ハロフェニル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン；Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｐ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｍ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｏ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（４‐イソプロピルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（２‐エチル‐６‐メチルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（２，５‐ジメチルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐クロロフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’ ’‐ジアミン、テトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン、ならびにＮ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐メトキシフェニル）‐１，１‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン等が含まれる。例えば、米国特許第４，９２１，７７３号および第４，４６４，４５０号を参照して、その他の公知の電荷輸送層分子を選択することができる。
【００３４】
実施形態では、電荷輸送成分は、以下の式／構造によって表すことができる。
【化８】
2010015147.tif 000009
【００３５】
電荷輸送層のために選択されるバインダー材料の例には、ポリカーボネート、ポリアリレート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、エポキシ、およびこれらのランダムまたは交互コポリマーが含まれる。より具体的には、ポリ（４，４’‐イソプロピリデン‐ジフェニレン）カーボネート（ビスフェノールＡポリカーボネートとも称する）、ポリ（４，４’‐シクロヘキシリデンジフェニレン）カーボネート（ビスフェノールＺポリカーボネートとも称する）、およびポリ（４，４’‐イソプロピリデン‐３，３’‐ジメチル‐ジフェニル）カーボネート（ビスフェノールＣポリカーボネートとも称する）等が含まれる。実施形態では、電荷輸送層バインダーは、重量平均分子量が約２００００〜約１０００００、または、好ましくは、分子量Ｍwが約５００００〜１０００００であるポリカーボネート樹脂を含む。一般的に、実施形態では、輸送層は、約１０〜約７５重量パーセントの電荷輸送物質を、より具体的には、約３５パーセント〜約５０パーセントのこの物質を含む。
【００３６】
実施形態における電荷輸送層の各々の厚さは、約５〜約７５ミクロンであるが、実施形態において、この範囲を外れる厚さも選択することができる。
【００３７】
電荷輸送層の連続オーバーコート層の厚さの選択は、使用するシステム内での帯電（バイアス帯電ローラ）、クリーニング（ブレードまたはウェブ）、現像（ブラシ）、および転写（バイアス転写ローラ）等の磨耗性に依存し、最大約１０ミクロンまで可能である。実施形態では、各層のこの厚さは、約１〜約５ミクロンである。種々の適切な従来の方法を用いて、オーバーコート層コーティング混合物を混合し、その後、光導電体に塗布することができる。典型的な塗布技術としては、スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、および巻線ロッドコーティング等が含まれる。載せられたコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、および空気乾燥等の従来の適切な技術のいずれかによって行うことができる。本開示の乾燥されたオーバーコート層は、画像形成中にホールを輸送し、遊離のキャリア濃度は高すぎないほうがよい。
【００３８】
例えば、横方向の電荷移動（ｌａｔｅｒａｌ  ｃｈａｒｇｅ  ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）（ＬＣＭ）の抵抗の改善を可能とするために、電荷輸送層または少なくとも１層の電荷輸送層に所望によって組み込まれてもよい成分または物質の例には、テトラキスメチレン（３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシヒドロシナメート）メタン（ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能）、ジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、ならびに、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＢＨＴ‐Ｒ、ＭＤＰ‐Ｓ、ＢＢＭ‐Ｓ、ＷＸ‐Ｒ、ＮＷ、ＢＰ‐７６、ＢＰ‐１０１、ＧＡ‐８０、ＧＭ、およびＧＳ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．より入手可能）、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７、および５６５（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓより入手可能）、ならびにＡＤＥＫＡ  ＳＴＡＢ（商標）ＡＯ‐２０、ＡＯ‐３０、ＡＯ‐４０、ＡＯ‐５０、ＡＯ‐６０、ＡＯ‐７０、ＡＯ‐８０、およびＡＯ‐３３０（Ａｓａｈｉ  Ｄｅｎｋａ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．より入手可能）を含むその他のヒンダードフェノール系酸化防止剤等のヒンダードフェノール系酸化防止剤；ＳＡＮＯＬ（商標）ＬＳ‐２６２６、ＬＳ‐７６５、ＬＳ‐７７０、およびＬＳ‐７４４（ＳＮＫＹＯ  ＣＯ．，Ｌｔｄ．より入手可能）、ＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）１４４および６２２ＬＤ（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓより入手可能）、ＭＡＲＫ（商標）ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８、およびＬＡ６３（Ａｓａｈｉ  Ｄｅｎｋａ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．より入手可能）、ならびにＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰＳ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．より入手可能）等のヒンダードアミン酸化防止剤；ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰ‐Ｄ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．より入手可能）等のチオエーテル酸化防止剤；ＭＡＲＫ（商標）２１１２、ＰＥＰ‐８、ＰＥＰ‐２４Ｇ、ＰＥＰ‐３６、３２９Ｋ、およびＨＰ‐１０（Ａｓａｈｉ  Ｄｅｎｋａ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．より入手可能）等のホスファイト酸化防止剤；ビス（４‐ジエチルアミノ‐２‐メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、およびビス‐［２‐メチル‐４‐（Ｎ‐２‐ヒドロキシエチル‐Ｎ‐エチル‐アミノフェニル）］‐フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）等のその他の分子が含まれる。少なくとも１層の電荷輸送層中の酸化防止剤の重量パーセントは、約０〜約２０、約１〜約１０、または約３〜約８重量パーセントである。
【００３９】
主に簡略化のために、本明細書で具体的に開示する各置換基、および各層のための成分／化合物／分子、ポリマーの各々は、網羅的であることを意図していない。従って、具体的に開示または請求されない数多くの成分、ポリマー、式、構造、およびＲ基もしくは置換基の例、ならびに炭素鎖の長さは、本開示および請求項によって包含されることを意図している。さらに、炭素鎖の長さは、開示、または請求、または想定される数の間のすべての数を含むことを意図しており、従って、１〜約２０個の炭素原子、および６〜約３６個の炭素原子は、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、３６まで、またはそれを超える数を含む。少なくとも１の、は、例えば、１〜約５、１〜約２、１、および２等を意味する。同様に、開示および請求される各層の厚さ、各層中の成分の例、各成分の量の範囲は、網羅的ではなく、本開示および請求項が、開示されていないまたは想定することのできるその他の適切なパラメータを包含することを意図している。
【実施例】
【００４０】
実施例Ｉ
Ｉ型チタニルフタロシアニンの作製：
Ｉ型チタニルフタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）を、以下のようにして作製した。メカニカルスターラー、冷却管、および温度計を取り付け、アルゴン雰囲気下に維持された３００ミリリットルの三つ口フラスコに、３．６グラム（０．０２５モル）の１，３‐ジイミノイソインドリン、９．６グラム（０．０７５モル）のｏ‐フタロニトリル、７５ミリリットル（８０重量パーセント）のテトラヒドロナフタレン、および７．１１グラム（０．０２５モル）のチタニウムテトラプロポキシド（ＢＡＳＦから入手したフタロニトリル以外はすべてＡｌｄｒｉｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手した）を投入した。得られた混合物（固形分２０重量パーセント）を攪拌し、加熱して（約１９８℃）２時間還流させた。得られた黒色懸濁液を約１５０℃まで冷却し、次に、沸騰ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）で予備加熱した３５０ミリリットル、多孔度Ｍ（Ｍ‐ｐｏｒｏｓｉｔｙ）の焼結ガラス製漏斗を通して吸引ろ過した。得られた固体のＩ型ＴｉＯＰｃ生成物を１５０ミリリットルの沸騰ＤＭＦで２回洗浄し、最初は黒色であったろ液は、淡青緑色となった。この固体を漏斗中、１５０ミリリットルの沸騰ＤＭＦでスラリー化し、この懸濁液をろ過した。得られた固体を、１５０ミリリットルの２５℃のＤＭＦにより、次に、５０ミリリットルのメタノールにより漏斗中で洗浄した。得られた光沢のある紫色の固体を７０℃で一晩乾燥することで、１０．９グラム（７６パーセント）の顔料が得られ、これは、Ｘ線粉末回折パターンに基づいて、Ｉ型ＴｉＯＰｃと同定された。生成物の元素分析の結果は、Ｃ  ６６．５４；Ｈ  ２．６０；Ｎ  ２０．３１；および灰分（ＴｉＯ2）  １３．７６であった。ＴｉＯＰｃは（理論上）、Ｃ  ６６．６７；Ｈ  ２．８０；Ｎ  １９．４４；および灰分  １３．８６である。
【００４１】
Ｉ型チタニルフタロシアニンは、以下のように、１‐クロロナフタレンまたはＮ‐メチルピロリドン中で作製することもできる。メカニカルスターラー、冷却管、および温度計を取り付け、アルゴン雰囲気下に維持された２５０ミリリットルの三つ口フラスコに、１，３‐ジイミノイソインドレン（１４．５グラム）、チタニウムテトラブトキシド（８．５グラム）、および７５ミリリットルの１‐クロロナフタレン（ＣｌＮｐ）またはＮ‐メチルピロリドンを投入した。この混合物を攪拌し、加熱した。１４０℃で、この混合物は暗緑色に変わり、還流を始めた。この時点で、還流温度が２００℃に到達するまで、蒸気（ガスクロマトグラフィにより、ｎ‐ブタノールと同定された）を大気中へ逃がした。反応をこの温度にて２時間維持し、次に、１５０℃に冷却した。生成物を、沸騰ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）でおよそ１５０℃まで予備加熱した１５０ミリリットル、多孔度Ｍの焼結ガラス製漏斗を通してろ過し、次に、１５０ミリリットルの沸騰ＤＭＦで３回十分に洗浄し、続いて、室温のＤＭＦ１５０ミリリットルで３回洗浄し、次に、５０ミリリットルのメタノールで３回洗浄し、こうして、光沢のある紫色の顔料１０．３グラム（収率７２パーセント）が得られ、これは、Ｘ線粉末回折（ＸＲＰＤ）により、Ｉ型ＴｉＯＰｃと同定された。
【００４２】
実施例ＩＩ
Ｖ型チタニルフタロシアニンの作製：
５０グラムのＩ型ＴｉＯＰｃを、マグネティックスターラー付き５００ミリリットルエルレンマイヤーフラスコ内のトリフルオロ酢酸／塩化メチレン（１／４、体積／体積）混合物３００ミリリットル中へ１時間かけて溶解させた。同時に、２６００ミリリットルのメタノール／塩化メチレン（１／１、体積／体積）反応停止用混合物（ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ  ｍｉｘｔｕｒｅ）を、マグネティックスターラー付き３０００ミリリットルビーカー内にてドライアイス浴で１時間冷却し、この混合物の最終温度は約−２５℃であった。得られたＴｉＯＰｃ溶液を、５００ミリリットル等圧側管付き滴下漏斗（ａｄｄｉｔｉｏｎ  ｆｕｎｎｅｌ  ｗｉｔｈ  ａ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ‐ｅｑｕａｌｉｚａｔｉｏｎ  ａｒｍ）に移し、冷反応停止用混合物へ３０分間かけて添加した。次に、得られた混合物をさらに３０分間攪拌し、続いて、約４〜約８ミリメートルの多孔度の繊維状のガラスフリット（ｆｉｂｒｏｕｓ  ｇｌａｓｓ  ｆｒｉｔ）付き２０００ミリリットルブフナー漏斗を通してホース吸引ろ過（ｈｏｓｅ  ｖａｃｕｕｍ  ｆｉｌｔｅｒｅｄ）した。得られた顔料を、次に、漏斗中にて１５００ミリリットルのメタノールとよく混合し、減圧ろ過した。次に、顔料を１０００ミリリットルの熱水（＞９０℃）とよく混合し、漏斗中にて４回減圧ろ過した。次に、顔料を１５００ミリリットルの冷水とよく混合し、漏斗中にて減圧ろ過した。最後の水によるろ液の導電性を測定したところ、１０μＳ未満であった。得られたウェットケーキは、およそ５０重量パーセントの水を含んでいた。少量のウェットケーキを６５℃にて減圧乾燥し、青色の顔料を得た。メタノール／塩化メチレンで反応停止後のこの顔料の代表的なＸＲＰＤより、Ｙ型チタニルフタロシアニンと同定された。
【００４３】
残ったウェットケーキを、１０００ミリリットルビン中にて７００グラムのモノクロロベンゼン（ＭＣＢ）に再分散させ、１時間回転させた。この分散液を、約４〜約８ミリメートルの多孔度の繊維状のガラスフリット付き２０００ミリリットルブフナー漏斗を通して２時間かけて減圧ろ過した。次に、顔料を１５００ミリリットルのメタノールとよく混合し、漏斗中にて２回ろ過した。最終顔料を６０℃〜６５℃にて２日間減圧乾燥した。およそ４５グラムの顔料が得られた。ＭＣＢによる変換後の得られた顔料のＸＲＰＤより、Ｖ型チタニルフタロシアニンであることが示された。Ｖ型は、２Ｑ±０．２°のブラッグ角、約９．０°、９．６°、２４．０°、および２７．２°にて特徴的な回折ピークを持つＸ線回折パターンを有していた。
【００４４】
比較例１
３０ミリメートルのアルミニウムドラム基体上に、以下に示すようにアンダーコート層を作製した。ジルコニウムアセチルアセトネートトリブトキシド（３５．５部）、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン（４．８部）、およびポリ（ビニルブチラール）ＢＭ‐Ｓ（２．５部）を、ｎ‐ブタノール（５２．２部）に溶解した。得られたコーティング溶液を、上記のドラム基体上に、ディップコーターで塗布し；このアンダーコート層を５９℃にて１３分間予備加熱し、５８℃（露点＝５４℃）にて１７分間加湿し；次に、１３５℃で８分間乾燥した。得られたアンダーコート層の厚さは、およそ１．３ミクロンであった。
【００４５】
実施例ＩＩで作製したＶ型チタニルフタロシアニンを含む、厚さ約０．２ミクロンの電荷発生層を、上記のホールブロッキング層またはアンダーコート層上に載せた。電荷発生層コーティング用分散液を以下のようにして作製した。３グラムのＶ型顔料を２グラムのポリマーバインダー（ポリブチラール、ＢＭ‐Ｓ、積水化学工業株式会社（Ｓｅｋｉｓｕｉ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｊａｐａｎ））、および４５グラムの酢酸ｎ‐ブチルと混合した。この混合物を、１ミリメートルのＨｉ‐Ｂｅａホウケイ酸塩ガラスビーズ約２００グラムと共に、アトライターミル（Ａｔｔｒｉｔｏｒ  ｍｉｌｌ）で約３時間粉砕にかけた。この分散液を２０ミクロンのナイロンクロスフィルターを通してろ過し、分散液の固形分を約６重量パーセントまで希釈した。
【００４６】
続いて、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２８グラムとトルエン１２グラムとの混合溶媒中の下記式で表されるテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン、ＴｍＴＢＤ（５グラム）、
【化９】
2010015147.tif 000010
および、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  Ｇａｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．より入手可能な膜形成ポリマーバインダー（ｆｉｌｍ  ｆｏｒｍｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ｂｉｎｄｅｒ）、ＰＣＺ‐４００［ポリ（４，４’‐ジヒドロキシ‐ジフェニル‐１‐１‐シクロヘキサン）、Ｍw＝４００００］（７．５グラム）から、単純混合によって作製した溶液により、電荷輸送層を電荷発生層の上に塗布した。電荷輸送層（ＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ＝６０／４０）を約１２０℃にて、約４０分間乾燥した。
【００４７】
電荷輸送層の厚さが、比較例１（Ａ）の約１６ミクロンから比較例１（Ｂ）の約２０ミクロン、比較例１（Ｃ）の約２４ミクロン、比較例１（Ｄ）の約２８ミクロン、比較例１（Ｅ）の約３２ミクロンまで異なる数多くの光導電体を、上記のプロセスを繰り返すことによって作製した。
【００４８】
比較例２
電荷輸送層が、上記のＴｍＴＢＤに代えて、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐（１，１’‐ビフェニル）‐４，４’‐ジアミン（ｍＴＢＤ）を含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって、光導電性部材を作製した。
【００４９】
実施例ＩＩＩ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミンとトリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミンとの混合物（この混合物は、Ｔ‐７７０として株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）、より入手可能）を約２重量パーセント含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。
【００５０】
上記のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、各々が電荷輸送層（６０／３８／２の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐７７０混合物）を有し、その厚さが約１６〜約３２ミクロンである光導電体を得た。
【００５１】
上記のビス／トリス混合物は、下記の式によって表される。
【化１０】
2010015147.tif 000011
【００５２】
実施例ＩＶ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミンとトリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミンとの混合物（Ｔ‐７７０として株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）、より入手可能）を５重量パーセント含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。
【００５３】
上記のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、各々が電荷輸送層（６０／３５／５の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐７７０混合物）を有し、その厚さが約１６〜約３２ミクロンである光導電体を得た。
【００５４】
実施例Ｖ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミンとトリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミンとの混合物（Ｔ‐７７０として株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能）を１０重量パーセント含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。
【００５５】
上記のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、各々が電荷輸送層（６０／３０／１０の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐７７０混合物）を有し、その厚さが約１６〜約３２ミクロンである光導電体を得た。
【００５６】
実施例ＶＩ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、１０重量パーセントの少なくともビス／トリス混合物を含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、ここで、ビス化合物は、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐［４，４‐ビス（４‐メチルフェニル）‐１，３‐ブタジエニル］フェニル］‐４‐メトキシフェニルアミン、［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］‐４‐メチルフェニルアミン（Ｔ‐７３６、株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能）、およびＮ，Ｎ‐ビス［４‐［２，２‐ビス（４‐メチルフェニル）エテニル］フェニル］‐４‐メチルフェニルアミン（Ｔ‐９２５、株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能）から成る群より選択され；トリス化合物は、トリス［４‐（４，４‐ジメチルフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン、［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］ビス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］アミン、［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン、およびトリス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］アミンから成る群より選択される。
【００５７】
結晶化の測定
比較例、ならびに実施例ＩＩＩ、ＩＶ、およびＶの上記で作製した多くの光導電体を、電荷輸送成分の結晶化について目視で検査した。添加剤を含まないテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）の光導電体電荷輸送層を比較例１の光導電体に選択した場合、結晶化して、電荷輸送層全体にわたって目視可能な結晶ドメインを形成する傾向にある。
【００５８】
光導電体の結晶化に関する目視検査は、「あり」または「なし」で評価した。いかなる大きさのものであっても結晶が目視によって観察された場合は、結晶化に対する評価は「あり」とする。それ以外は、評価は「なし」とする。
【００５９】
電荷輸送層中にｍＴＢＤを含む比較例２の光導電体の場合、実質的に結晶化は目視で観察されなかった。
【００６０】
以下の表１に示すように、トリス（エニルアリール）アミン添加剤を電荷輸送層中に含む上記で作製した多くの光導電体は、優れた結晶化特性を有し、特に、実施例Ｖの光導電体が優れていた。
【表１】
2010015147.tif 000012
【００６１】
電気的性質の試験
上記で作製し、電荷輸送層の厚さが各々２４ミクロンである比較例２、ならびに実施例ＩＶ（Ｃ）およびＶ（Ｃ）の３個の感光体を、帯電‐消去の１サイクルに続いて帯電‐露光‐消去の１サイクルという順序の光誘起放電サイクルを得るように設定されたスキャナーで試験し、ここで、光強度をサイクルと共に徐々に増加させ、種々の露光強度における光感度および表面電位が測定される一連の光誘起放電特性曲線を作成した。表面電位を徐々に増加させることによる一連の帯電‐消去サイクルによってさらなる電気的特性を得て、いくつかの電圧対電荷密度曲線を作成した。スキャナーには、種々の表面電位において一定電圧の帯電となるよう設定されたスコロトロンを装備した。光導電体は、表面電位７００ボルトにて、露光強度を一連のニュートラルデンシティーフィルターの調節によって徐々に増加させて試験を行い；露光光源は７８０ナノメートルの発光ダイオードとした。ゼログラフィのシミュレーションは、周囲条件下（相対湿度４０パーセント、および２２℃）にて、環境制御した遮光室内で完了した。結果を表２にまとめる。
【表２】
2010015147.tif 000013
【００６２】
上記の表２のデータにより、多くの特性が改善されたことが示され、例えば、公知のＰＩＤＣ曲線を作成することで測定される、実施例ＩＶ（Ｃ）およびＶ（Ｃ）の光導電性部材の迅速または高速な電荷の輸送である。より具体的には、表２のＶ（１ｅｒｇ／ｃｍ2）、Ｖ（２ｅｒｇ／ｃｍ2）、およびＶ（４ｅｒｇ／ｃｍ2）は、各々、露光が１、２、および４ｅｒｇ／ｃｍ2である場合の光導電体の表面電位を表しており、これを用いてＰＩＤＣが決定される。
【００６３】
ＴｍＴＢＤのホール輸送移動度（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が、本質的にｍＴＢＤよりも高いことから、ｍＴＢＤによる光導電体と比較して（比較例２）、ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐７７０電荷輸送層（実施例ＩＶおよびＶ）によって高速輸送の光導電体装置が得られたが、ＴｍＴＢＤは、その結晶化を起こす傾向のために単独ではそれほど有用ではない場合がある。ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミンとトリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミンとの添加剤混合物を組み込むことによって、ＴｍＴＢＤの結晶化が実質的に排除された。
【００６４】
迅速または高速な輸送とは、例えば、高速放電を意味し、例えば、比較例２の光導電性部材と比較して、実施例ＩＶ（Ｃ）およびＶ（Ｃ）の光導電性部材は、（２ｅｒｇ／ｃｍ2）で４２Ｖ低く、（４ｅｒｇ／ｃｍ2）で５６Ｖ低かった。
【００６５】
実施例ａ−ＩＩＩ
テトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、
【化１１】
2010015147.tif 000014
で表されるトリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン添加剤（Ｔ‐６９３として入手可能であり、株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）、より入手した）を２重量パーセント含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。
【００６６】
上記を繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、ここで、各々の電荷輸送層は、６０／３８／２の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６９３から成り、電荷輸送層の厚さは、約１６〜約３２ミクロンであった。
【００６７】
実施例ａ−ＩＶ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、トリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン添加剤（Ｔ‐６９３として入手可能であり、株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手した）を５重量パーセント含むこと以外は、比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。電荷輸送層のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６９３の比率は、６０／３５／５であった。
【００６８】
上記を繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、ここで、各々の電荷輸送層は、６０／３５／５の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６９３から成り、電荷輸送層の厚さは、約１６〜約３２ミクロンであった。
【００６９】
実施例ａ−ＩＶ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、トリス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン添加剤（Ｔ‐６９３として入手可能であり、株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手した）を含むこと以外は、比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。
【００７０】
上記を繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、ここで、各々の光導電体電荷輸送層は、６０／３０／１０の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６９３から成り、電荷輸送層の厚さは、約１６〜約３２ミクロンであった。
【００７１】
実施例ａ−ＶＩ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、トリス［４‐（４，４‐ジメチルフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン、［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］ビス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］アミン、［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］ビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］アミン、およびトリス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］アミンの少なくとも１種類を１０重量パーセント含むこと以外は、比較例１のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製した。
【００７２】
結晶化の測定
比較例１のように、テトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）は単独で存在すると、その対称構造のために結晶化し、電荷輸送層全体にわたって目視可能な結晶ドメインを形成する場合があることに注目し、上記で作製した多くの光導電体を、電荷輸送成分の結晶化について目視で検査した。本明細書で開示するものなどの電荷輸送添加剤を組み込むことにより、光導電体の電気的性能に悪影響を及ぼすことなく、電荷輸送成分の結晶化が低減、または場合によっては、排除される。Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐（１，１’‐ビフェニル）‐４，４’‐ジアミン（ｍＴＢＤ）単独の結晶化は、主にｍＴＢＤの構造の対象性が低いことから、ＴｍＴＢＤほど激しくはない。
【００７３】
光導電体の結晶化に関する目視検査は、「あり」（結晶化に対して）または「なし」で評価した。いかなる大きさのものであっても結晶が目視によって観察された場合は、評価は「あり」とする。それ以外は、評価は「なし」とする。
【００７４】
電荷輸送層中にｍＴＢＤを含む比較例２の光導電体の場合、実質的に結晶化は目視で観察されなかった。
【００７５】
以下の表３に示すように、トリス（エニルアリール）アミン添加剤を電荷輸送層中に含む上記で作製した多くの光導電体は、優れた結晶化特性を有し、特に、実施例Ｖの光導電体が優れていた。
【表３】
2010015147.tif 000015
【００７６】
電気的性質の試験
上記で作製した感光体装置の３個を（電荷輸送層の厚さが２４ミクロンである比較例２、ならびに実施例ａ−ＩＶ（Ｃ）およびａ−Ｖ（Ｃ））、帯電‐消去の１サイクルに続いて帯電‐露光‐消去の１サイクルという順序の光誘起放電サイクルを得るように設定されたスキャナーで試験し、ここで、光強度をサイクルと共に徐々に増加させ、種々の露光強度における光感度および表面電位が測定される一連の光誘起放電特性曲線を作成した。表面電位を徐々に増加させることによる一連の帯電‐消去サイクルによってさらなる電気的特性を得て、いくつかの電圧対電荷密度曲線を作成した。スキャナーには、種々の表面電位において一定電圧の帯電となるよう設定されたスコロトロンを装備した。光導電体は、表面電位７００ボルト、露光強度を一連のニュートラルデンシティーフィルターの調節によって徐々に増加させて試験を行い；露光源は７８０ナノメートルの発光ダイオードとした。ゼログラフィのシミュレーションは、周囲条件下（相対湿度４０パーセント、および２２℃）にて、環境制御した遮光室内で完了した。結果を表４にまとめる。
【表４】
2010015147.tif 000016
【００７７】
上記の表４のデータにより、多くの優れた特性が示され、例えば、公知のＰＩＤＣ曲線を作成することで測定される、実施例ａ−ＩＶ（Ｃ）およびａ−Ｖ（Ｃ）の光導電性部材の迅速または高速な電荷の輸送である。より具体的には、表４のＶ（１ｅｒｇ／ｃｍ2）、Ｖ（２ｅｒｇ／ｃｍ2）、およびＶ（４ｅｒｇ／ｃｍ2）は、各々、露光が１、２、および４ｅｒｇ／ｃｍ2である場合の光導電体の表面電位を表しており、これを用いてＰＩＤＣを決定した。
【００７８】
ｍＴＢＤによる光導電体装置と比較して（比較例２）、ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６９３電荷輸送層（実施例ａ−ＩＶ（Ｃ）およびａ−Ｖ（Ｃ））によって高速電荷輸送の光導電体が得られ；電荷輸送層にＴ‐６９３トリス（ブタジエニルアリール）アミン添加剤を組み込むことによって、ＴｍＴＢＤの結晶化が実質的に排除された。
【００７９】
高速な輸送とは、高速放電を意味し、例えば、比較例２の光導電性部材と比較した場合に、実施例ａ−ＩＶ（Ｃ）およびａ−Ｖ（Ｃ）の光導電性部材は、Ｖ（１ｅｒｇ／ｃｍ2）で１０〜１５Ｖ低く、Ｖ（２ｅｒｇ／ｃｍ2）で約５０Ｖ低く、Ｖ（４ｅｒｇ／ｃｍ2）で約６０Ｖ低かった。
【００８０】
実施例ｂ−ＩＩＩ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、
【化１２】
2010015147.tif 000017
で表されるビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン（Ｔ‐６５１として株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能）を２重量パーセント含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。
【００８１】
上記のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、各々が電荷輸送層（６０／３８／２の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６５１）を有し、その厚さが約１６〜約３２ミクロンである光導電体を得た。
【００８２】
実施例ｂ−ＩＶ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、
【化１３】
2010015147.tif 000018
で表されるビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン（Ｔ‐６５１として株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能）を５重量パーセント含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。
【００８３】
上記のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、各々が電荷輸送層（６０／３５／５の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６５１）を有し、その厚さが約１６〜約３２ミクロンである光導電体を得た。
【００８４】
実施例ｂ−Ｖ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）電荷輸送層中に、
【化１４】
2010015147.tif 000019
で表されるビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン（Ｔ‐６５１として株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能）を１０重量パーセント含むこと以外は比較例１のプロセスを繰り返すことによって光導電性部材を作製した。
【００８５】
上記のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製し、各々が電荷輸送層（６０／３０／１０の比率のＰＣＺ‐４００／ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６５１）を有し、その厚さが約１６〜約３２ミクロンである光導電体を得た。
【００８６】
実施例ｂ−ＶＩ
単一のテトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミンまたはＴｍＴＢＤの電荷輸送層中に、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐［４，４‐ビス（４‐メチルフェニル）‐１，３‐ブタジエニル］フェニル］‐４‐メトキシフェニルアミン、［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン、Ｎ，Ｎ‐ビス［４‐（２，２‐ジフェニルエテニル）フェニル］‐４‐メチルフェニルアミン（Ｔ‐７３６として株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能）、およびＮ，Ｎ‐ビス［４‐［２，２‐ビス（４‐メチルフェニル）エテニル］フェニル］‐４‐メチルフェニルアミン（Ｔ‐９２５として株式会社高砂ケミカル（Ｔａｋａｓａｇｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）より入手可能）の少なくとも１種類を１０重量パーセント含むこと以外は、比較例１のプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製した。
【００８７】
結晶化の測定
比較例１に示されるように、テトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴｍＴＢＤ）は単独で存在すると、その対称構造のために結晶化し、電荷輸送層全体にわたって目視可能な結晶ドメインを形成する場合があることに注目し、上記で作製した多くの光導電体を、電荷輸送成分の結晶化について目視で検査した。本明細書で開示するものなどの電荷輸送添加剤を組み込むことにより、光導電体の電気的性能に悪影響を及ぼすことなく、電荷輸送成分の結晶化が低減、または場合によっては、排除される。Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐（１，１’‐ビフェニル）‐４，４’‐ジアミン（ｍＴＢＤ）単独の結晶化は、主にｍＴＢＤの構造の対象性が低いことから、ＴｍＴＢＤほど激しくはない。
【００８８】
結晶化に関する目視検査は、「あり」または「なし」で評価した。いかなる大きさのものであっても結晶が目視によって観察された場合は、評価は「あり」とする。それ以外は、評価は「なし」となる。「なし」と評価された光導電体装置は、さらに、その電気的性能についての試験も行った。
【００８９】
電荷輸送層中にｍＴＢＤを含む比較例２の光導電体の場合、結晶化は目視で実質的に観察されなかった。
【００９０】
以下の表５に示すように、ビス（エニルアリール）アミン添加剤を電荷輸送層中に含む上記で作製した光導電体の多くは、優れた結晶化特性を有し、特に、実施例ｂ−Ｖの光導電体が優れていた。
【表５】
2010015147.tif 000020
【００９１】
電気的性質の試験
上記で作製した感光体装置の３個を（電荷輸送層の厚さが２４ミクロンである比較例２、ならびに実施例ｂ−ＩＶ（Ｃ）およびｂ−Ｖ（Ｃ））、帯電‐消去の１サイクルに続いて帯電‐露光‐消去の１サイクルという順序の光誘起放電サイクルを得るように設定されたスキャナーで試験し、ここで、光強度をサイクルと共に徐々に増加させ、種々の露光強度における光感度および表面電位が測定される一連の光誘起放電特性曲線を作成した。表面電位を徐々に増加させることによる一連の帯電‐消去サイクルによってさらなる電気的特性を得て、いくつかの電圧対電荷密度曲線を作成した。スキャナーには、種々の表面電位において一定電圧の帯電となるよう設定されたスコロトロンを装備した。この装置は、表面電位７００ボルト、露光強度を一連のニュートラルデンシティーフィルターの調節によって徐々に増加させて試験を行い；露光源は７８０ナノメートルの発光ダイオードとした。ゼログラフィのシミュレーションは、周囲条件下（相対湿度４０パーセント、および２２℃）にて、環境制御した遮光室内で完了した。結果を表６にまとめる。
【表６】
2010015147.tif 000021
【００９２】
上記の表６のデータにより、多くの特性が改善されたことが示され、例えば、公知のＰＩＤＣ曲線を作成することで測定される、実施例ｂ−ＩＶ（Ｃ）およびｂ−Ｖ（Ｃ）の光導電性部材での高速輸送等である。さらに具体的には、表６のＶ（１ｅｒｇ／ｃｍ2）、Ｖ（２ｅｒｇ／ｃｍ2）、およびＶ（４ｅｒｇ／ｃｍ2）は、各々、露光が１、２、および４ｅｒｇ／ｃｍ2である場合の光導電体の表面電位を表しており、これを用いてＰＩＤＣが決定される。
【００９３】
ｍＴＢＤによる光導電体と比較して（比較例２）、ＴｍＴＢＤ／Ｔ‐６５１電荷輸送層（実施例ｂ−ＩＶおよびｂ−Ｖ）によって高速電荷輸送の光導電体が得られた。電荷輸送層にビス［４‐（４，４‐ジフェニル‐１，３‐ブタジエニル）フェニル］フェニルアミン添加剤を組み込むことによって、ＴｍＴＢＤの結晶化が最小化または排除された。
【００９４】
迅速なまたは高速な輸送とは、高速放電を意味し、例えば、比較例２の光導電性部材のそれぞれ９９および８０と比較して、実施例ｂ−ＩＶ（Ｃ）およびｂ−Ｖ（Ｃ）の光導電性部材は、４４Ｖ（２ｅｒｇ／ｃｍ2）および５４Ｖ（４ｅｒｇ／ｃｍ2）低かった。