(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体基板の裏面において表面のデバイスと対応する領域に電極があっても、ストリートに沿ってレーザを照射して変質層を形成し個々のデバイスに分割することが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板２０の表面に形成されたデバイス２２と対応する領域に開口４１が形成されストリート２１に対応する領域をマスクするマスク部材４を半導体基板の裏面に貼着するマスキング工程と、マスキング工程が実施された半導体基板の裏面に金属層を積層して半導体基板の裏面におけるデバイスと対応する領域に電極を形成する電極形成工程と、半導体基板の裏面に貼着されたマスク部材を剥離するマスク部材剥離工程と、半導体基板に対して透過性を有するレーザー光線をストリート２１に沿って照射し半導体基板の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、半導体基板に外力を付与し半導体基板をストリートに沿って分割する分割工程とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成された半導体ウエーハにおける該半導体基板の裏面に電極を形成するとともに、半導体ウエーハを該複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割する半導体デバイスの製造方法であって、
該半導体基板の表面に形成された該デバイスと対応する領域に開口が形成されたマスク部材を該半導体基板の裏面に貼着するマスキング工程と、
該マスキング工程が実施された該半導体基板の裏面に金属層を積層し、該半導体基板の裏面における該デバイスと対応する領域に電極を形成する電極形成工程と、
該電極形成工程が実施された該半導体基板の裏面に貼着されている該マスク部材を剥離するマスク部材剥離工程と、
該マスク部材が剥離された該半導体基板に該半導体基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、該半導体基板の内部に該ストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層が形成された該半導体基板に外力を付与し、該半導体基板を該ストリートに沿って分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
該変質層形成工程は、該半導体基板の裏面側からレーザー光線を照射する、請求項１記載の半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスを形成するとともに、半導体基板の裏面におけるデバイスと対応する領域に電極を形成したウエーハを、複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割する半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体基板の表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に、IC,LSI、IBGT(絶縁ゲートバイボーラトランジスタ)等のデバイスを形成する。絶縁ゲートバイボーラトランジスタ等の個別半導体デバイスの裏面には電極となる金属層が積層されている。半導体基板の表面に絶縁ゲートバイボーラトランジスタ等が形成された半導体ウエーハは、半導体基板の裏面に金属層を積層した後に、ストリートに沿って切断し個々のデバイスに分割している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開平１０−９２７７８号公報
【０００３】
上述した半導体ウエーハ等のウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハ等のウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０〜３０μｍ程度に形成されている。
【０００４】
しかるに、切削ブレードは２０〜３０μｍ程度の厚さを有するため、デバイスを区画するストリートとしては幅が５０μｍ程度必要となる。このため、半導体基板に形成されたデバイスの大きさが小さい場合には、ストリートの占める面積比率が大きくなり、生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を位置付けて被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特許第３４０８８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、半導体ウエーハを構成する半導体基板の内部にストリートに沿って変質層を形成するには、半導体基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を半導体基板の裏面側から内部に集光点を合わせて照射することが望ましい。しかるに、半導体基板の裏面に電極となる金属層が積層されている半導体ウエーハにおいては、金属層を通して半導体基板の内部に集光点を位置付けてレーザー光線を照射することはできないので、切削装置等を用いて半導体基板の裏面に積層された金属層をストリートに沿って除去する必要があるため、生産性が悪いという問題がある。
また、半導体基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を半導体基板の表面側から内部に集光点を位置付けて照射することができたとしても、半導体基板の内部にストリートに沿って変質層を形成した後に半導体基板をストリートに沿って破断しようとしても、半導体基板の裏面に積層された電極となる金属層をストリートに沿って正確に破断することができない。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、半導体基板の裏面におけるデバイスと対応する領域に電極を形成し、半導体基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けてストリートに沿って照射することにより変質層を形成し、半導体基板を変質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割することができる半導体デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、半導体基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成された半導体ウエーハにおける該半導体基板の裏面に電極を形成するとともに、半導体ウエーハを該複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割する半導体デバイスの製造方法であって、
該半導体基板の表面に形成された該デバイスと対応する領域に開口が形成されたマスク部材を該半導体基板の裏面に貼着するマスキング工程と、
該マスキング工程が実施された該半導体基板の裏面に金属層を積層し、該半導体基板の裏面における該デバイスと対応する領域に電極を形成する電極形成工程と、
該電極形成工程が実施された該半導体基板の裏面に貼着されている該マスク部材を剥離するマスク部材剥離工程と、
該マスク部材が剥離された該半導体基板に該半導体基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、該半導体基板の内部に該ストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層が形成された該半導体基板に外力を付与し、該半導体基板を該ストリートに沿って分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【０００９】
上記変質層形成工程は、上記半導体基板の裏面側からレーザー光線を照射することが望ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明による半導体デバイスの製造方法においては、半導体基板の裏面にデバイスと対応する領域を開口したマスク部材を貼着した後に、半導体基板の裏面に金属層を積層することにより半導体基板の裏面におけるデバイスと対応する領域に電極を形成するので、デバイスの裏面に電極を正確に形成することができる。また、半導体基板の裏面に形成されている複数の電極はデバイスに対応した領域に形成されストリートと対応する領域には存在しないので、裏面からレーザー光線を照射できるとともに、ストリートに沿って変質層が形成された半導体基板を変質層が形成されたストリートに沿って分割する際に、電極が支障をきたすことがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明による半導体デバイスの製造方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明による半導体デバイスの製造方法によって個々のデバイスに分割される半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが１００μmのシリコンからなる半導体基板２０の表面２０ａに格子状に形成されて複数のストリート２１によって区画された複数の矩形領域が形成され、この複数の矩形領域に絶縁ゲートバイボーラトランジスタ等のデバイス２２が形成されている。
【００１３】
上述した半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０ａには、デバイス２２を保護するために図２に示すように保護テープ３を貼着する（保護テープ貼着工程）。
【００１４】
次に、図３の(a)および(b)に示すように、上記半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０ａに形成されたデバイス２２と対応する領域に開口４1が形成されたマスク部材４を半導体基板２０の裏面２０bに貼着するマスキング工程を実施する。なお、マスク部材４は適宜の合成樹脂シートからなり、半導体基板２０の表面２０ａに形成されたデバイス２２に対応する領域が打ち抜かれて複数の開口４1が形成されている。このように形成されたマスク部材４の裏面に粘着材が塗布され、この粘着材によって半導体基板２０の裏面２０bに貼着する。なお、マスキング工程は、半導体基板２０の裏面２０bにホトレジスト膜を被覆し、電極領域を露光して開口を形成してもよい。
【００１５】
上述したマスキング工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに金属層を積層し、半導体基板２０の裏面２０bにおけるデバイス２２と対応する領域に電極を形成する電極形成工程を実施する。この電極形成工程は、図４に示すスパッタ装置５を用いて実施する。図４に示すスパッタ装置５は、スパッタチャンバー５１を形成するハウジング５２と、該ハウジング５２のスパッタチャンバー５１内に配設され被加工物を保持する陽極となる静電吸着式の保持テーブル５３と、該保持テーブル５３と対向して配設され積層する金属（例えばチタン、ニッケル、金）からなるターゲット５４を取り付ける陰極５５と、ターゲット５４を励磁する励磁手段５６と、陰極５５に高周波電圧を印加する高周波電源５７とからなっている。なお、ハウジング５２には、スパッタチャンバー５１内を図示しない減圧手段に連通する減圧口５２１と、スパッタチャンバー５１内を図示しないスパッタガス供給手段に連通する導入口５２２が設けられている。
【００１６】
上記のように構成されたスパッタ装置５を用いて上述した電極形成工程を実施するには、保持テーブル５３上に上述したマスキング工程が実施された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに貼着された保護テープ３側を載置し、静電吸着保持する。従って、保持テーブル５３上に静電吸着保持された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに貼着されたマスク部材４が上側となる。次に、励磁手段５６を作動してターゲット５４を励磁するとともに、陰極５５に高周波電源５７から例えば４０kHzの高周波電圧を印加する。そして、図示しない減圧手段を作動してスパッタチャンバー５１内を１０−２Pa〜１０−4Pa程度に減圧するとともに、図示しないスパッタガス供給手段を作動してスパッタチャンバー５１内にアルゴンガスを導入してプラズマを発生させる。従って、プラズマ中のアルゴンガスが陰極５５に取り付けられた金属からなるターゲット５４に衝突し、この衝突によって飛散する金属粒子はマスク部材４および該マスク部材４に形成された複数の開口４１を通して半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bにおけるデバイス２２に対応した領域に金属層が堆積する。この結果、図５に示すように半導体基板２０の裏面２０bには、デバイス２２に対応した領域に金属層からなる電極２４が形成される。
【００１７】
上述した電極形成工程を実施したならば、図６に示すように半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bに貼着されているマスク部材４を剥離するマスク部材剥離工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bには、半導体基板２０の表面２０ａに形成された複数のデバイス２２に対応する領域に複数の電極２４が形成されている。
【００１８】
次に、マスク部材４が剥離された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０に対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリート２１に沿って照射し、半導体基板２０の内部にストリート２１に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図７に示すレーザー加工装置６を用いて実施する。図７に示すレーザー加工装置６は、被加工物を保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２と、チャックテーブル６１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段６３を具備している。チャックテーブル６１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図７において矢印Ｘで示す方向に加工送りされるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図７において矢印Ｙで示す方向に割り出し送りされるようになっている。
【００１９】
上記レーザー光線照射手段６２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６２１の先端に装着された集光器６２２からパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段６２を構成するケーシング６２１の先端部に装着された撮像手段６３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００２０】
上述したレーザー加工装置６を用いて実施する変質層形成工程について、図７および図８を参照して説明する。
この変質層形成工程を実施するには、図７に示すレーザー加工装置６のチャックテーブル６１上に上述したマスク部材剥離工程が実施された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに貼着された保護テープ３側を載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル２１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル６１上に保持された半導体ウエーハ２は、半導体基板２０の裏面２０bが上側となる。このようにして半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。
【００２１】
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０aに形成されたストリート２１に沿ってレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、半導体基板２０の所定方向に形成されているストリート２１と、該ストリート２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体基板２０に所定方向に形成されているストリート２１と直交する方向に形成されている複数のストリート２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体基板２０の表面２０aに形成されたストリート２１は下側に位置しているが、撮像手段６３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２０ｂから透かしてストリート２１を撮像することができる。なお、半導体ウエーハ２の裏面２０bには表面２０aに形成されたストリート２１に対応する領域に金属層が形成されていないので、金属層が形成されていない領域を直接アライメントしてもよい。
【００２２】
以上のようにしてチャックテーブル６１上に保持された半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０a形成されたストリート２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図８の（ａ）で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２１の一端（図８の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付ける。そして、集光器６２２から半導体基板２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル６１を図８の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図８の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の照射位置にストリート２１の他端（図８の（b）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の表面２０ａ（下面）付近に合わせる。この結果、半導体基板２０には、ストリート２１に沿って表面２０ａから内部に向けて変質層２１０が形成される。この変質層２１０は、溶融再固化層として形成される。
【００２３】
なお、上記変質層形成工程においてパルスレーザー光線が照射される側の半導体基板２０の裏面２０bには複数の電極２４が形成されているが、この複数の電極２４は半導体基板２０の表面２０ａに形成された複数のデバイス２２に対応する領域に形成されているので、半導体基板２０の表面２０ａに形成されたストリート２１と対応する領域には電極２４は形成されていない。従って、上記変質層形成工程においてパルスレーザー光線を照射する際に電極２４が支障となることはない。
【００２４】
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長                    ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
パルス出力              ：１０μJ
集光スポット径          ：φ１μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００２５】
なお、上記変質層２１０は、半導体基板２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに露出しないように内部だけに形成してもよく、また、上記集光点Ｐを段階的に変えて上述した変質層形成工程を複数回実行することにより、複数の変質層２１０を形成してもよい。そして、上述した変質層形成工程を半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０に形成された全てのストリート２１に沿って実施する。
【００２６】
上述した変質層形成工程によって半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０に全てのストリート２１に沿って変質層２１０を形成したならば、ストリート２１に沿って変質層２１０が形成された半導体ウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着された粘着テープに貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図９に示すように環状のフレームFの開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープTの表面に半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０の裏面２０bを貼着する。そして、半導体基板２０の表面２０aに貼着されている保護テープ３を剥離する（保護テープ剥離工程）。
【００２７】
次に、変質層２１０が形成された半導体基板２０に外力を付与し、半導体基板２０をストリート２１に沿って分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図１０に示すウエーハ分割装置７を用いて実施する。図１０に示すウエーハ分割装置７は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段７１と、該フレーム保持手段７１に保持された環状のフレームFに装着された粘着テープTを拡張するテープ拡張手段７２を具備している。フレーム保持手段７１は、環状のフレーム保持部材７１１と、該フレーム保持部材７１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ７１２とからなっている。フレーム保持部材７１１の上面は環状のフレームFを載置する載置面７１１ａを形成しており、この載置面７１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面７１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段７１は、テープ拡張手段７２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００２８】
上記テープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１の内側に配設される押圧部材としての円筒状の拡張ドラム７２１を具備している。この拡張ドラム７２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着された粘着テープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム７２１は、下端に支持フランジ７２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１を上下方向に進退可能な支持手段７３を具備している。この支持手段７３は、上記支持フランジ７２２上に配設された複数のエアシリンダ７３１からなっており、そのピストンロッド７３２が上記環状のフレーム保持部材７１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ７３１からなる支持手段７３は、環状のフレーム保持部材７１１を載置面７１１ａが拡張ドラム７２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム７２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ７３１からなる支持手段７３は、拡張ドラム７２１とフレーム保持部材７１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００２９】
以上のように構成されたウエーハ分割装置７を用いて実施する分割工程について図１１を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０（半導体基板２０の表面２０aに形成されたストリート２１に沿って変質層２１０が形成されている）の裏面２０ｂが貼着されている粘着テープTが装着された環状のフレームFを、図１１の（ａ）に示すようにフレーム保持手段７１を構成するフレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に載置し、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定する。このとき、フレーム保持部材７１１は図１１の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段７２を構成する支持手段７３としての複数のエアシリンダ７３１を作動して、環状のフレーム保持部材７１１を図１１の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図１１の（ｂ）に示すように環状のフレームFに装着された粘着テープTは、半導体ウエーハ２と環状のフレームFの内周との間の環状領域が押圧部材としての円筒状の拡張ドラム７２１の上端縁に接して押圧され拡張せしめられる。この結果、粘着テープTに貼着されている半導体ウエーハ２には放射状に引張力が作用するため、半導体ウエーハ２を構成する半導体基板２０は変質層２１０が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２１に沿って破断され個々のデバイス２２に分割される。このとき、半導体基板２０の裏面２０bに形成されている複数の電極２４はデバイス２２に対応した領域に形成されストリート２１と対応する領域には存在しないので、金属層の影響を受けることなくデバイス２２毎に正確に分割できる。
【００３０】
上述したように分割工程を実施したならば、図１２に示すようにピックアップ機構８を作動しピックアップコレット８１によって所定位置に位置付けられたデバイス２２をピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明による半導体デバイスの製造方法によって個々のデバイスに分割される半導体ウエーハの斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着した状態を示す斜視図。
【図３】本発明による半導体デバイスの製造方法におけるマスキング工程を示す説明図。
【図４】本発明による半導体デバイスの製造方法における電極形成工程を示す説明図。
【図５】図４に示す電極形成工程が実施された半導体ウエーハの断面拡大図。
【図６】本発明による半導体デバイスの製造方法におけるマスク部材剥離工程を示す説明図。
【図７】本発明による半導体デバイスの製造方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図８】本発明による半導体デバイスの製造方法における変質層形成工程を示す説明図。
【図９】本発明による半導体デバイスの製造方法におけるウエーハ支持工程および保護テープ剥離工程を示す説明図。
【図１０】本発明による半導体デバイスの製造方法における分割工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。
【図１１】本発明による半導体デバイスの製造方法における分割工程を示す説明図。
【図１２】本発明による半導体デバイスの製造方法におけるピックアップ工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００３２】
２：半導体ウエーハ
２０：半導体基板
２１：ストリート
２２：デバイス
２４：電極
３：保護テープ
４：マスク部材
５：スパッタ装置
５１：スパッタチャンバー
５３：保持テーブル
５４：ターゲット
６：レーザー加工装置
６１：チャックテーブル
６２：レーザー光線照射手段
７：ウエーハ分割装置
７１：フレーム保持手段
７２：テープ拡張手段
７２１：拡張ドラム
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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