(57)【要約】【課題】  各単位回路に関する移動度補償の実行時間をばらつかせない。【解決手段】電気光学装置は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する有機ＥＬ素子（８）、これに駆動電流を出力する駆動トランジスター、駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る発光制御トランジスター、及び、一端が駆動トランジスターのゲートに接続され他端がデータ線に接続されたデータ書込用トランジスター、を含む単位回路（Ｐ）を複数備える。前記各種のトランジスターは、それぞれ、走査線に含まれる各配線に供給される制御信号によって制御されるが、移動度補償動作時において、これらのうちの発光制御トランジスターを導通状態とする際には、その制御信号としての発光制御信号は、走査線駆動回路（５０１）及び発光制御線駆動回路（５０２）によって、画像表示領域７ａの両端から供給される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、を含む電気光学装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、
前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る発光制御トランジスターと、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、
を含み、
前記複数の走査線の各々は、
当該走査線の各々の延在方向に沿って並ぶ前記発光制御トランジスターのゲートに、当該発光制御トランジスターの導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての発光制御信号 の伝送路となる発光制御線を含み、
前記走査線駆動回路は、
前記発光制御線の一端に接続された第１発光制御線駆動回路と、
前記発光制御線の他端に接続された第２発光制御線駆動回路と、
を含み、
これら第１及び第２発光制御線駆動回路は、所定のタイミングにおいて、
前記発光制御線の両端から、当該発光制御線に、前記発光制御トランジスターを導通状態とする前記発光制御信号を供給する、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の走査線の各々は、前記発光制御線のほか、
前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給するか否かを決める前記スイッチング素子の導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての書込信号 の伝送路となる書込制御線を含み、
前記第１及び第２発光制御線駆動回路は、
前記書込制御線に、前記スイッチング素子を導通状態とする前記書込信号が供給されている最中において、
前記発光制御線の両端から、当該発光制御線に、前記発光制御信号を供給する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、を含む電気光学装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、
前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る発光制御トランジスターと、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、
を含み、
前記複数の走査線の各々は、
当該走査線の各々の延在方向に沿って並ぶ前記発光制御トランジスターのゲートに、当該発光制御トランジスターの導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての発光制御信号 の伝送路となる発光制御線と、
前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給するか否かを決める前記スイッチング素子の導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての書込信号 の伝送路となる書込制御線と、
を含み、
前記走査線駆動回路は、
前記発光制御線の一端に接続され、前記発光制御信号を出力する発光制御線駆動回路と、
前記書込制御線の一端に接続され、前記書込信号を出力する書込制御線駆動回路と、
を含み、
前記発光制御線駆動回路は、
前記複数の単位回路が配列されている領域である画像表示領域に隣接するように配置され、
前記書込制御線駆動回路は、
前記発光制御線駆動回路を中心にみて前記画像表示領域が存在する位置とは反対側の位置に配置される、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
当該電気光学装置は前記駆動電流の供給源としての電源線を更に備え、
前記電源線は、
前記発光制御線駆動回路と前記画像表示領域との間には配置されない、
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記電源線は、
前記発光制御線駆動回路と前記書込制御線駆動回路との間に配置される、
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記発光制御線駆動回路は、前記発光制御信号を出力するバッファを含み、
当該発光制御線駆動回路は、
前記バッファが前記画像表示領域に隣接するように配置されることによって、
当該画像表示領域に隣接するように配置される、
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（electro luminescent）素子等の発光素子を含む電気光学装置及び当該電気光学装置を含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これにより、当該有機薄膜ないしは有機ＥＬ素子は発光する。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１３３２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような有機ＥＬ素子は、適当な構成をもつ駆動回路によって駆動される。駆動回路としては例えば、駆動トランジスターのゲート電位に応じてそのソース・ドレイン間に流れる電流を有機ＥＬ素子に供給するものがある。この場合、そのゲート電位の調整を通じて、有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等が可能になる。
もっとも、このような駆動回路には様々な解決すべき課題がある。例えば、その１つに、前記駆動トランジスターの移動度、あるいは閾値電圧等の各種特性のバラツキがある。前述した画像表示装置は通常、多数の有機ＥＬ素子、及びそれら各々に付随する前記駆動トランジスターを含む駆動回路を備えるが、製造プロセス上の各種パラメータのバラツキ等が要因となって、これら複数の駆動トランジスターの各々の特性がばらつけば、各有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等にもバラツキが生じることになり、その結果、表示画像の品質向上の障害となる。
【０００５】
前記特許文献１は、このような課題に関する技術を開示する。すなわち、特許文献１は、発光制御トランジスター、駆動トランジスター及び有機ＥＬ素子が直列に接続され、このうち駆動トランジスターのゲートにデータ電位書込用トランジスターが接続された構成をもつ駆動回路において、移動度補償動作を実行する技術を開示する。特許文献１では、この移動度補償動作は、以下の２つの動作、即ち〔１〕発光制御トランジスターをオフ状態、データ書込用トランジスターをオン状態として、前者のゲートにデータ電位を書込む動作（書込動作）と、〔２〕発光制御トランジスターをオン状態、データ書込用トランジスターをオフ状態として、駆動トランジスター由来の電流を有機ＥＬ素子に供給する動作（発光動作）と、の間において実行され、具体的には、〔３〕発光制御トランジスター及びデータ書込用トランジスターをともにオン状態として、駆動トランジスターに移動度に応じた電流を流す工程を含む（特許文献１の〔図４〕中の「Ｔ６」及び「Ｔ７」間、あるいは〔００３１〕等参照）。
この〔３〕の動作により、駆動トランジスターのソース電位は、自身を流れる電流によって上昇し、その結果、ゲート・ソース間電圧は小さくなるが、その電流の減衰度は各駆動トランジスターの移動度に応じることから、結局、個々の駆動トランジスターに関して前記〔３〕の動作を同一の時間だけ実行すれば、それら各々のゲート・ソース間電圧は、当該各々の移動度の大きさに応じた値をもつことになる（つまり、個々の駆動トランジスターに関する移動度特性のバラツキが補償される。）。
【０００６】
しかしながら、この特許文献１の技術では、次のような問題がある。すなわち、前記〔３〕の動作を好適に行うためには、その実行時間の長短が極めて重要になる。つまり、前述の〔１〕と〔３〕との間を画する発光制御トランジスターをオン状態とする時間と、前述の〔３〕と〔２〕との間を画するデータ書込用トランジスターをオフ状態とする時間とが、個々の駆動回路に関して正確に管理されなければならない。そうでなければ、個々の駆動トランジスターに関し、前述した電流の減衰の程度が、あるものについては行き過ぎ、またあるものについて足りない、というようにばらばらとなってしまい、意図した移動度補償効果が確保されないことになるからである。
しかし、そのような時間管理を正確に行うことは一般に困難である。例えば、駆動回路がマトリクス状に配列されていれば、ある行に並ぶデータ書込用トランジスターをオフ状態とするための制御信号を、そのデータ書込用トランジスターに対して供給する必要があるが、当該制御信号の供給線がもつ寄生容量や寄生抵抗等の存在によって、その信号の波形が供給線を伝わるに連れて歪むなどの結果、その行の先頭に位置する駆動回路と最後尾に位置するそれとで、当該データ書込用トランジスターの開閉時間に差が生じてしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置及び電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置及び電子機器を提供することをも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の観点に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、を含む電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る発光制御トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、を含み、前記複数の走査線の各々は、当該走査線の各々の延在方向に沿って並ぶ前記発光制御トランジスターのゲートに、当該発光制御トランジスターの導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての発光制御信号 の伝送路となる発光制御線を含み、前記走査線駆動回路は、前記発光制御線の一端に接続された第１発光制御線駆動回路と、前記発光制御線の他端に接続された第２発光制御線駆動回路と、を含み、これら第１及び第２発光制御線駆動回路は、所定のタイミングにおいて、前記発光制御線の両端から、当該発光制御線に、前記発光制御トランジスターを導通状態とする前記発光制御信号を供給する。
【０００９】
本発明によれば、発光制御信号が、所定のタイミングにおいて、発光制御線の両端から供給されるようになっているので、発光制御線が寄生抵抗や寄生容量等をもっていても、その基端と終端とで、発光制御信号の波形に歪み等が生じる可能性は極めて低い。したがって、例えば、発光制御信号が方形波を含み、発光制御トランジスターがその方形波を形作る２回のレベル遷移間において導通状態となるならば、その導通状態となる時間の管理は極めて正確に行われ得ることになる。このようなことから、前記「所定のタイミング」が、例えば“移動度補償動作を行うタイミング”であれば、その実行時間の管理は、全単位回路に関して極めて正確に行われ得る。
【００１０】
この発明の電気光学装置では、前記複数の走査線の各々は、前記発光制御線のほか、前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給するか否かを決める前記スイッチング素子の導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての書込信号 の伝送路となる書込制御線を含み、前記第１及び第２発光制御線駆動回路は、前記書込制御線に、前記スイッチング素子を導通状態とする前記書込信号が供給されている最中において、前記発光制御線の両端から、当該発光制御線に、前記発光制御信号を供給する、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記スイッチング素子が導通状態にありながら、発光制御線に、発光制御トランジスターを導通状態とする発光制御信号が、発光制御線の両端から供給される。これにより、駆動トランジスターのゲートにはデータ電位が供給されつつ、そのソース・ドレイン間には電流が流れることになる。そして、この電流の大きさ、あるいは減衰度は、駆動トランジスターの移動度に応じることから、発光制御トランジスターを導通状態とする時間が、全単位回路についてある所定の時間で一定とされているならば、全駆動トランジスターに関する移動度補償動作が好適に実行されることになる。
この点、本発明においては、前述のように、発光制御トランジスターを導通状態とする時間が極めて正確に管理されることから、前記移動度補償を実行する時間も正確に管理される。したがって、本態様によれば、より好適な、あるいはより実効的な移動度補償動作が行われる。
【００１１】
また、本態様では特に、前記スイッチング素子を導通状態としている「最中」において、発光制御線に発光制御信号が供給される。つまり、これによると、書込信号の状態が、ハイレベル又はローレベルのいずれか一方（どちらであるかは「スイッチング素子」を導通状態とするのがいずれのレベルであるかによって決まる。）に維持されながら、発光制御トランジスターは非導通状態から導通状態へ、そしてまた導通状態から非導通状態へと遷移する。このことから、本態様においては、移動度補償動作が、発光制御信号の状態如何だけに基づいて行われることになる。
このように、本態様では、移動度補償動作の実行が、発光制御トランジスターの挙動１つ、あるいは、発光制御信号の挙動１つによって司られるようになっており、例えば複数のトランジスターが関与することによって移動度補償動作の実行時間が画定されるなどという場合に比べて、その制御態様がより簡易化される。
【００１２】
本発明の第２の観点に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、を含む電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る発光制御トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、を含み、前記複数の走査線の各々は、当該走査線の各々の延在方向に沿って並ぶ前記発光制御トランジスターのゲートに、当該発光制御トランジスターの導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての発光制御信号 の伝送路となる発光制御線と、前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給するか否かを決める前記スイッチング素子の導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての書込信号 の伝送路となる書込制御線と、を含み、前記走査線駆動回路は、前記発光制御線の一端に接続され、前記発光制御信号を出力する発光制御線駆動回路と、前記書込制御線の一端に接続され、前記書込信号を出力する書込制御線駆動回路と、を含み、前記発光制御線駆動回路は、前記複数の単位回路が配列されている領域である画像表示領域に隣接するように配置され、前記書込制御線駆動回路は、前記発光制御線駆動回路を中心にみて前記画像表示領域が存在する位置とは反対側の位置に配置される。
【００１３】
本発明によれば、発光制御線駆動回路が、書込制御線駆動回路に比べて、画像表示領域により近い位置に配置されることから、この発光制御線駆動回路から出力される発光制御信号の伝送路たる発光制御線の長さは相対的に短縮化される。したがって、例えば、発光制御信号が方形波を含み、発光制御トランジスターがその方形波を形作る２回のレベル遷移間において導通状態となるならば、その導通状態となる時間の管理は極めて正確に行われ得ることになる。
以上により、この第２の観点に係る発明によっても、上述した第１の観点に係る発明によって奏された作用効果と同様の作用効果が奏される。
なお、本発明においても、直前の態様において述べられた移動度補償動作（即ち、スイッチング素子が導通状態の最中における発光制御信号の供給による移動度補償動作）が行われ得ることは言うまでもない。
【００１４】
この発明の電気光学装置では、当該電気光学装置は前記駆動電流の供給源としての電源線を更に備え、前記電源線は、前記発光制御線駆動回路と前記画像表示領域との間には配置されない、ように構成してもよい。
この態様によれば、発光制御線が、電源線を横切るようにして画像表示領域に至る、ということがない。したがって、この電源線を原因とする寄生容量や寄生抵抗によって、発光制御信号に歪みが生じる可能性は極めて低減される。以上により、本態様によれば、上述した本発明に係る効果がより実効的に奏される。
【００１５】
この態様では、前記電源線は、前記発光制御線駆動回路と前記書込制御線駆動回路との間に配置される、ように構成してもよい。
この態様によれば、上述した態様によって奏された作用効果を享受可能であるのと同時に、電源線の配置態様が極めて好適に設定され、発光制御線駆動回路、書込制御線駆動回路、電源線等の各種要素のレイアウトが好適になる。
また、本態様では特に、書込制御線駆動回路が、画像表示領域からみて、電源線を越えた位置に配置されることから、書込制御線は、当該電源線を横切るようにして画像表示領域に至る、ということになる。これによると、書込制御信号は、この電源線を原因とする寄生容量や寄生抵抗によって歪む可能性が大きくなる。以上により、本態様によれば、書込制御信号のレベル遷移に応じた単位回路内の電位変動現象（フィードスルー）を抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の第２の観点に係る電気光学装置では、前記発光制御線駆動回路は、前記発光制御信号を出力するバッファを含み、当該発光制御線駆動回路は、前記バッファが前記画像表示領域に隣接するように配置されることによって、当該画像表示領域に隣接するように配置される、ように構成してもよい。
この態様によれば、発光制御線駆動回路が、「画像表示領域に隣接するように配置される」という場合の、好適な一具体例が提供される。すなわち、上述した本発明に係る効果、特に移動度補償動作の実行時間の正確な管理を実現するためには、上述のように、可能な限り、発光制御信号に歪みが生じること回避するのが望ましいが、それを行うためには、発光制御線駆動回路の最終の出力段であるバッファが、画像表示領域に隣接していれば十分であるといえる。
本態様は、この趣旨を明瞭にするものである。また、本態様によれば、これと同時に、このような構成を採用することによる、各種要素のレイアウト上の自由度増大等の効果が享受可能となる。
【００１７】
なお、特許請求の範囲における記載においては、前述した、第１及び第２の観点に係る発明間で、従属・被従属といった関連が特にとられていないが、本発明一般の観点からすれば、これら両発明が１個の電気光学装置において同時に実現される態様も、当然、本発明の範囲内にある。そして、このような両発明同時実現態様によれば、当該両発明のいずれもが、発光制御信号に歪みが生じることを抑制する効果を奏するのであるから、当該効果をより実効的に享受可能となる。
【００１８】
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を備えてなるので、移動度補償動作が好適に実行された上での、高品質な画像表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。
【図２】図１の有機ＥＬ装置（８）を構成する単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図２の単位回路と各制御線（特に発光制御線（３４））との接続態様を説明するための説明図である。
【図４】図２の単位回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】走査線駆動回路（５０１）からみて遠くに位置する発光制御トランジスター（Ｔｅｌ）に対しては、近くに位置するそれに対してよりも、より歪みの大きい信号が供給されること、及び、それに対して第１実施形態ではそのような懸念が少なくなること、を説明するための説明図である。
【図６】移動度補償動作を実行する時間に対する、駆動トランジスターのドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（移動度の異なる駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕〜Ｔｄｒ〔Ｃ〕（における当該移動度）がパラメータである。）。
【図７】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。
【図８】図７の変形例を説明するための説明図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。
【図１０】本発明の別の実施形態に係る単位回路の詳細を示す回路図である。
【図１１】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜第１実施形態＞
以下では、本発明に係る第１の実施の形態について図１乃至図３を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図３に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００２１】
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、電源線１１３、走査線駆動回路５０１及び発光制御線駆動回路５０２（図１においては、「ＧＥＬ線駆動回路」と表記している。以下、その他の図においても同じ。）、並びにデータ線駆動回路１０６である。
【００２２】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられる。それら複数の有機ＥＬ素子８はＮ行×Ｍ列のマトリクス状に配列されている（Ｎ，Ｍは自然数）。有機ＥＬ素子８の各々は、陽極としての画素電極、発光機能層及び陰極としての対向電極から構成されている。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
【００２３】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路５０１に接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。なお、電源線１１３は、データ線６と並行するように配列されている。この電源線１１３には、高電源電位Ｖｅｌが供給される。
前記のうち走査線駆動回路５０１は、走査線３のそれぞれを順番に選択するための回路である。また、データ線駆動回路１０６は、走査線駆動回路５０１によって選択された走査線３に対応する各有機ＥＬ素子８に向けて、各データ線６を通じてデータ信号を供給するための回路である。
【００２４】
各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
単位回路Ｐは、図２に示すように、有機ＥＬ素子８を含むほか、駆動トランジスターＴｄｒ、発光制御トランジスターＴｅｌ、第１〜第３トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ３、及び容量素子Ｃ１を含む。
なお、図１では便宜的に１本の配線として図示された走査線３は、図２に示すように実際には４本の配線を含む。各配線には走査線駆動回路５０１から所定の信号が供給される。より詳細には、これら各配線には、それぞれ、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]、及び発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。これら各信号の具体的な意義やこれに応じた単位回路Ｐの動作については後述する。なお、ここで使われた記号ｉは、前記マトリクス状配列の中の行番号を意味する（図１参照。１本の走査線３が４本の配線からなるので、全走査線３に含まれる配線数は結局、４Ｎ本である。）。また、前記各配線に前記各信号が供給されることにちなんで、以下では、当該各配線をそれぞれ、書込走査線３１、第１補償制御線３２、第２補償制御線３３、及び発光制御線３４と称することとする（図２参照）。
【００２５】
前記発光制御線駆動回路５０２は、図３に示すように、前記各配線のうち発光制御線３４とのみ接続され、したがって、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]のみを出力する。このような構成であることから、同図に示すように、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]だけは、他の各信号とは異なって、発光制御線３４の両端から、あるいは、画像表示領域７ａの図中左右両側端から、同時に入力する。
なお、前記走査線駆動回路５０１は、この発光制御線駆動回路５０２に対応する発光制御線駆動回路を含み、あるいは、前記各信号に対応する書込走査線駆動回路、第１補償制御線駆動回路、及び第２補償制御線駆動回路、をそれぞれ含むものと考えることが可能である（いずれも不図示。なお、後述の第２及び第３実施形態参照）。
【００２６】
図２に戻り、駆動トランジスターＴｄｒはｎチャネル型であり、電源線１１３から有機ＥＬ素子８の画素電極に至る経路上にある。この駆動トランジスターＴｄｒのドレイン（Ｄ）は発光制御トランジスターＴｅｌのソースに接続される。
この駆動トランジスターＴｄｒは、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との導通状態（ソース−ドレイン間の抵抗値）がゲート電位Ｖｇに応じて変化することで当該ゲート電位Ｖｇに応じた駆動電流Ｉｅｌを生成する手段である。なお、ゲート電位Ｖｇは、データ線６を通じて供給されるデータ信号Ｄａｔａの大きさに応じる。
こうして、有機ＥＬ素子８は、駆動トランジスターＴｄｒの導通状態、ないしはデータ信号Ｄａｔａに応じて駆動される。
【００２７】
発光制御トランジスターＴｅｌはｐチャネル型であり、駆動トランジスターＴｄｒと電源線１１３との間にある。この発光制御トランジスターＴｅｌのゲートには、前記発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。この発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルに遷移すると発光制御トランジスターＴｅｌがＯＮ状態に変化して有機ＥＬ素子８に対する駆動電流Ｉｅｌの供給が可能となる。これにより、有機ＥＬ素子８は駆動電流Ｉｅｌに応じた階調（輝度）で発光する。これに対して、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がハイレベルである場合には発光制御トランジスターＴｅｌがＯＦＦ状態を維持するから、駆動電流Ｉｅｌの経路が遮断されて有機ＥＬ素子８は消灯する。
なお、有機ＥＬ素子８の画素電極は、この発光制御トランジスターＴｅｌ及び前記駆動トランジスターＴｄｒを介して前述した高電源電位Ｖｅｌが供給される電源線１１３に接続され、その対向電極は低電源電位ＶＣＴが供給される電位線（不図示）に接続される。発光制御トランジスターＴｅｌは、前述のように、有機ＥＬ素子８への電流供給の有無の制御を司るが、それに伴って、駆動トランジスターＴｄｒ自身に電流を流すか否かに係る制御をも司っているとみることができる。
【００２８】
容量素子Ｃ１は、２つの電極間に誘電体が介挿された素子である。その容量値は、Ｃｈ１である。この容量素子Ｃ１の一方の電極（図中上方の電極）は駆動トランジスターＴｄｒのゲートに接続される。また、容量素子Ｃ１の他方の電極（図中下方の電極）は駆動トランジスターＴｄｒのソース（Ｓ）に接続されるとともに、後述する第３トランジスターＴｒ３のソースにも接続される。
【００２９】
第１トランジスターＴｒ１は、ノードＺ１とデータ線６との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第１トランジスターＴｒ１のゲートには前記の走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]が供給される。
第２トランジスターＴｒ２は、ノードＺ１と初期化電位ＶＳＴが供給される電位線との間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第２トランジスターＴｒ２のゲートには前記の第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が供給される。
第３トランジスターＴｒ３は、初期化電位ＶＩＮＩの供給線と駆動トランジスターＴｄｒのソースとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第３トランジスターＴｒ３のゲートには第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]が供給される。
【００３０】
次に、以上のような構成をもつ有機ＥＬ装置１００の動作ないし作用について、既に参照した図１乃至図３に加えて図４及び図５を参照しながら説明する。
〔ｉ〕初期化：  まず、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]と第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]がハイレベルとなることで、第２トランジスターＴｒ２と第３トランジスターＴｒ３がＯＮ状態となる。これにより、駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓはそれぞれ、図４に示すように下落して、初期化電位ＶＳＴとＶＩＮＩとなる。
なお、単位回路Ｐは、いま述べている〔ｉ〕初期化から、後に述べる〔ｖ〕駆動までの各動作を繰り返し行う。〔ｉ〕の初期化動作は、最後の〔ｖ〕の駆動動作（発光動作）が終わった後、即ち発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルからハイレベルに遷移した後に行われる。図４の最左方に示される、前記ソース電位Ｖｓの下落に先立つ、ゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの双方の下落は、そのような発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の遷移に対応している。
【００３１】
〔ｉｉ〕Ｖｔｈ補償：  次に、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]がローレベルに遷移し、続いて更に、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルに遷移する。これにより、第３トランジスターＴｒ３がＯＦＦ状態となり、続いて更に、発光制御トランジスターＴｅｌがＯＮ状態となる。このことから、ソース電位Ｖｓは初期化電位ＶＳＴの供給から開放されることになる。その結果、駆動トランジスターＴｄｒ及び高電源電位Ｖｅｌ間が導通状態となることも相まって、駆動トランジスターＴｄｒのソース電位Ｖｓは、図４に示すように上昇を開始し、そのゲート・ソース間電圧は閾値電圧Ｖｔｈに漸近する。なお、この一連の過程中、駆動トランジスターＴｄｒのゲート及びソース間は接続する容量素子Ｃ１は閾値電圧Ｖｔｈを保持する（なお、容量素子Ｃ１は、以下の各動作においても、その時々に応じた適宜の電圧を保持する。）。
以上のように、この〔ｉｉ〕における動作では、各駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈの補償が行われることになる。
【００３２】
〔ｉｉｉ〕データ書込：  次に、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]及び第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに遷移して発光制御トランジスターＴｅｌ及び第２トランジスターＴｒ２がＯＦＦ状態となる一方、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がハイレベルとなることで、第１トランジスターＴｒ１がＯＮ状態となる。この際、適当なデータ電位Ｖｄａｔａをもつデータ信号がデータ線６を通じて供給されると、それに応じてノードＺ１の電位、即ちゲート電位Ｖｇは、当該データ電位Ｖｄａｔａの足し込み分に応じた電圧だけ変動する。したがって、駆動トランジスターＴｄｒのゲート・ソース間電圧は、図４に示すようにＶｔｈ＋Ｖｄａｔａ’となる。ここでＶｄａｔａ’＝Ｖｄａｔａ・（Ｃｈ２／（Ｃｈ２＋Ｃｈ１））である。この式中、Ｃｈ２は、有機ＥＬ素子８がもつ寄生容量の容量値である。
【００３３】
〔ｉｖ〕移動度補償：  次に、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]のハイレベルが維持されたまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が一定時間ローレベルを維持する。これにより、再び、発光制御トランジスターＴｅｌがＯＮ状態となることで、駆動トランジスターＴｄｒのソース電位Ｖｓが上昇を開始する。図４においては、ソース電位Ｖｓの上昇後のゲート・ソース間電圧がＶｔｈ＋Ｖａになることが表現されているが、これは、当該ソース電位Ｖｓの上昇分が、“Ｖｄａｔａ’−Ｖａ”と表現可能であることを意味する。その結果、逆に、駆動トランジスターＴｄｒのゲート・ソース間電圧は小さくなることになる。
このようなソース電位Ｖｓの上昇、ないしはゲート・ソース間電圧の下降の程度は、一般に、各単位回路Ｐに含まれる駆動トランジスターＴｄｒの各々が相異なる移動度特性を持つことに応じて、異なることになる。すなわち、定性的には、より大きな移動度μをもつ駆動トランジスターＴｄｒでは、ソース電位Ｖｓの上昇量は大きく、より小さな移動度μをもつ駆動トランジスターＴｄｒでは、ソース電位Ｖｓの上昇量は小さくなる。
以上のように、この〔ｉｖ〕における動作では、各駆動トランジスターＴｄｒの移動度補償が行われることになる。
なお、このような移動度補償動作においては、前述した、発光制御線駆動回路５０２と走査線駆動回路５０１とによる、画像表示領域７ａの両側からの発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の入力が、特に意義をもつことになるが、この点については後に説明する。
【００３４】
〔ｖ〕駆動：  走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がローレベルに遷移して第１トランジスターＴｒ１がＯＦＦ状態となる一方、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が三度ローレベルとなることで、発光制御トランジスターＴｅｌがＯＮ状態となる。これにより、有機ＥＬ素子８には、ゲート電位Ｖｇに応じた大きさの駆動電流Ｉｅｌが駆動トランジスターＴｄｒから供給されることになり、当該有機ＥＬ素子８は発光する。
【００３５】
次に、前述した〔ｉｖ〕の移動度補償動作と、画像表示領域７ａの両側からの発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の入力との関係について説明する。
まず、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００では、上述のように、単位回路Ｐがマトリクス状に配列されていることから（図１参照）、発光制御トランジスターＴｅｌも同様にマトリクス状に配列される。したがって、そのマトリクス状配列の各行には、図５に示すように、複数の発光制御トランジスターＴｅｌが属する（なお、図５では１行分のみが示されている。）。このような複数の発光制御トランジスターＴｅｌを制御するためには、前述のように、走査線３を構成する４本の配線のうちの１つである発光制御線３４が用いられるが（図２及びその説明参照）、この発光制御線３４には、同じく図５に示すように、寄生抵抗ＲＫ、寄生容量ＣＫが存在する。したがって、この発光制御線３４に何らかの信号を供給すると、これら寄生抵抗ＲＫ、寄生容量ＣＫの存在によって、その信号の波形が歪むことが考えられる。
【００３６】
実際、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が「矩形波」をもつ場合、信号供給源たる走査線駆動回路５０１の近くに位置する発光制御トランジスターＴｅｌに対しては、所望どおりの矩形波を持つ発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]を供給することができるが、より遠くに位置する発光制御トランジスターＴｅｌに対しては、それが困難になる。すなわち、図５中上方に示すように、信号の立下り時点においても、立上り時点においても所定のレベルとなる時点が遅れる、などということが生じ得る。このようなことは、走査線駆動回路５０１から遠ざかれば遠ざかるほど、顕著になる傾向がある。このようであると、発光制御トランジスターＴｅｌをＯＮ状態に維持しておく時間が、各発光制御トランジスターＴｅｌに関してばらつくことになる。
【００３７】
しかし、このようなことが前記〔ｉｖ〕の移動度補償動作に関して生じるのは具合が悪い。というのも、前述のように、第１実施形態に係る移動度補償動作は、各駆動トランジスターＴｄｒの移動度の大小に応じたソース電位Ｖｓの上昇の程度を調整することを前提とするとともに、この移動度補償動作を実行する時間を適当に設定することによって、最終的には、そのような移動度のバラツキを補償することを目的としているからである。
すなわち、図６に示すように、駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕からからＴｄｒ〔Ｃ〕の順に従って移動度特性が悪くなる場合において、これら駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕に電流を流す場合における減衰度は、この順番に大きくなる。そうすると、これら駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕に関する移動度のバラツキを表象する、図６に示す各曲線については、それらが一定の範囲内に収まる領域ＸＲがあることが想定される。
最適な移動度補償時間Ｔ１は、このような領域ＸＲの存在を前提にして好適に設定される（図６参照）。
【００３８】
しかし、このような最適な移動度補償時間Ｔ１が、図５を参照して説明したように、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の歪みによって変化するならば、もはや最適な移動度補償動作を実行することは困難になる。図６においては、移動度補償時間が、当初はＴ１となるように意図されているにもかかわらず、それよりも短いＴ２なってしまうと、前記領域ＸＲから外れた地点で、駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕の移動度補償動作が完了してしまう場合が例示されている。このような場合における駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕が、図５においては、走査線駆動回路５０１からより遠い同図の最右方に位置する発光制御トランジスターＴｅｌを含む単位回路Ｐ内に含まれるもの、でありうることを想定するのは容易である。
結局、このようなことになると、各駆動トランジスターＴｄｒに関して最適な移動度補償が行われる可能性は極めて低いことになってしまう。
【００３９】
この点、第１実施形態では、上述のように、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]に関しては、走査線駆動回路５０１及び発光制御線駆動回路５０２が、画像表示領域７ａの両側端から、当該発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]を同時入力するようになっているので、上述した不具合は実効的に解決される。というのも、この場合においては、図５に示すように、走査線駆動回路５０１から遠い発光制御トランジスターＴｅｌについても、発光制御線駆動回路５０２が、殆ど歪みのない発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]を供給するからである。なお、この場合でも、走査線駆動回路５０１又は発光制御線駆動回路５０２から遠ざかれば遠ざかるほど、それら各々に由来する発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]に歪みが生じる可能性はあるが、発光制御線駆動回路５０２が存在しない通常の場合（図５中上方参照）を想定すれば、第１実施形態の方が遥かに優位に立つことは明白である。
【００４０】
このようにして、本実施形態によれば、走査線駆動回路５０１からみた発光制御トランジスターＴｅｌの位置の遠近に関わらず、当該発光制御トランジスターＴｅｌをＯＮ状態に維持する期間が好適に管理される。したがって、本実施形態における移動度補償動作は極めて実効的に奏されることになる。
【００４１】
以上に述べたような有機ＥＬ装置１００ないし単位回路Ｐによれば、次のような効果が奏される。
（１）  まず、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、上述したように、少なくとも移動度補償動作にあたって、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が画像表示領域７ａの両側端から同時に入力するようになっていることから、最適な移動度補償時間に基づく、好適な移動度補償動作が実行される。これにより、各有機ＥＬ素子８の発光輝度のバラツキは抑制され、より高品質な画像表示が可能になる。
【００４２】
（２）  また、第１実施形態においては、移動度補償動作（特に、その実行時間）が、上述のように発光制御トランジスターＴｅｌの挙動１つ、あるいは、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の挙動１つによって司られるようになっているので、前述した（１）の効果がより実効的に奏され、また、その制御態様の簡易化等が実現される。
例えば、従来技術の中においては、図２に示したような各種のトランジスターのＯＮ・ＯＦＦ間の遷移を適当に関連づけることによって、移動度補償の実行時間を確定する手法がとられることがある。より具体的には、〔発明が解決しようとする課題〕の欄で述べたように、〔１〕発光制御トランジスターをオフ状態、データ書込用トランジスターをオン状態とする、〔３〕発光制御トランジスター及びデータ書込用トランジスターをともにオン状態とする、〔２〕発光制御トランジスターをオン状態、データ書込用トランジスターをオフ状態とする、という各動作を、〔１〕→〔３〕→〔２〕と行う場合においては、移動度補償時間は、発光制御トランジスターのオフ状態からオン状態への遷移（〔１〕→〔３〕）と、データ書込用トランジスターのオン状態からオフ状態への遷移（〔３〕→〔２〕）と、によって確定されることになる。
しかし、このように複数のトランジスターが関与する場合であると、それら各々のトランジスターを制御するための信号の各々に関して、図４に示したような歪み、あるいは遅延等が生じることを懸念しなければならない。その結果、移動度補償時間の管理にあたっては、両信号の関係如何（例えば、どちらの遅延が大きいのか等々）をも考慮に入れなければならないことになるから、移動度補償時間の最適性を維持することには、より大きな困難が伴うことになる。
【００４３】
このような観点から見て、本実施形態は、より優位に立つ。というのも、既に述べたように、本実施形態においては、移動度補償時間は、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の挙動１つによって定まるようになっているから、上述のような複数の信号の関係等に配慮する必要は特になく、その制御は、あるいは移動度補償時間の最適性の維持は、比較的容易に実現可能だからである。
【００４４】
なお、上述のようであるとはいえ、本発明は、前記のような複数のトランジスターの関与によって、移動度補償時間が画定される態様を積極的に排除するわけではない。
ただし、このような場合においては、前述の例を図２に即していえば、発光制御トランジスターＴｅｌ及び第１トランジスターＴｒ１（即ち、前述の例では「データ書込用トランジスター」）の双方の開閉時間が正確に管理されなければならないことになる。したがって、かかる態様では、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]だけでなく、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]も図１、図３又は図５に示すように、画像表示領域７ａの両側端から入力されるようになっているのが好ましい。
【００４５】
＜第２実施形態＞
以下では、本発明に係る第２実施形態について図７を参照しながら説明する。なお、この第２実施形態は、走査線駆動回路について特徴があり、それ以外の点については、上記第１実施形態の構成及び動作ないし作用等と同様である。したがって、以下では、前記相違点について主に説明を行うこととし、それ以外の点についての説明は適宜簡略化し、あるいは省略する。また、図７においても、第２実施形態の特徴を説明するために必要な要素以外の要素についての図示は、適宜省略されている。
【００４６】
この第２実施形態では、まず、図７に示すように、走査線駆動回路が、単位回路Ｐを駆動するための各信号、即ち走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]、及び発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]のそれぞれのための各駆動回路を含む構成をもつ。すなわち、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]用の書込走査線駆動回路５０４Ｂ、第１及び第２補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]及びＧＩＮＩ２[ｉ]用の第１及び第２補償制御線駆動回路５０４Ａ（以下、単に「補償制御線駆動回路５０４Ａ」と略称することがある。）、並びに、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]用の発光制御線駆動回路５０３Ａ及び５０３Ｂである。
なお、図７においては、第１及び第２補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]及びＧＩＮＩ２[ｉ]用の駆動回路については、図面の複雑化等を避けるため、便宜上、一体的に図示している（図７においては、「ＧＩＮ線駆動回路」と表記している。以下、その他の図においても同じ。）。
また、書込走査線駆動回路５０４Ｂは、図７においては、「ＧＷＲＴ線駆動回路」と表記されている（以下、その他の図においても同じ。）。
【００４７】
以上のうち、発光制御線駆動回路５０３Ａ及び５０３Ｂは、図７に示すように、画像表示領域７ａの両側部に隣接して設けられている。そして、発光制御線３４は、これら発光制御線駆動回路５０３Ａ及び５０３Ｂの双方に接続されている。したがって、この第２実施形態においても、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]は画像表示領域７ａの両側端から入力されるようになっており、このことについては、第１実施形態と何ら変わりはない。
他方、補償制御線駆動回路５０４Ａは、図７中左側に位置する発光制御線駆動回路５０３Ａの図中更に左側に配置され、書込走査線駆動回路５０４Ｂは、図７中右側に位置する発光制御線駆動回路５０３Ｂの図中更に右側に配置されている。
【００４８】
このような第２実施形態によっても、前述のように、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が画像表示領域７ａの両側端部から入力するようになっていることから、上記第１実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏されることは明白である。
【００４９】
しかも、この第２実施形態によれば、以下のような効果も奏される。すなわち、この第２実施形態では、上述のように、発光制御線駆動回路５０３Ａ及び５０３Ｂは、単位回路Ｐを駆動するために必要な各制御信号用の駆動回路（５０４Ａ，５０４Ｂ）からみて、より画像表示領域７ａに近付けられるようにして配置されている。したがって、このような配置関係にある発光制御線駆動回路５０３Ａ及び５０３Ｂから出力される発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]に歪みが生じるおそれは、第１実施形態にも増して、低減されているということができる。
このように、第２実施形態によれば、上記第１実施形態によって奏された作用効果以上の作用効果が奏される。
【００５０】
なお、一般に、走査線駆動回路には、シフトレジスタ、レベルシフタ及びバッファ等の各種要素が備えられることが通常であるが、先に述べた、第２実施形態に特有の効果を得るためには、これらすべての要素が画像表示領域７ａに隣接している必要はない。
すなわち、図８においては、発光制御線駆動回路５０３Ａ及び５０３Ｂが、シフトレジスタ４１、レベルシフタ４２及びバッファ４３から構成される例であって、これらのうちバッファ４３のみが画像表示領域７ａに隣接して配置される例が示されている。
このように、最終段の出力回路たるバッファ４３だけでも、画像表示領域７ａに隣接する位置に配置されているのであれば、レベルシフタ４２からそこに至るまでの間の配線に関して例えば図示するような寄生容量ＣＫ・寄生抵抗ＲＫが存在するとしても、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]に生じる歪みはいわば矯正可能である。
したがって、このような図８の態様によっても、上述したのと同様の作用効果は奏される。なお、このような効果を更に実効的に享受するためには、バッファ４３のサイズは、できるだけ大きいほうが望ましい。より具体的には、当該バッファ４３のサイズは、他の制御信号に係るバッファ、即ち書込走査線駆動回路５０４Ｂ又は補償制御線駆動回路５０４Ａに含まれるバッファのサイズよりも大きいことが好ましい。
【００５１】
ちなみに、図８に示す寄生容量ＣＫ・寄生抵抗ＲＫの発生原因となり得る素子基板７上の要素としては、例えば図７に示す電源線１１９、あるいは静電保護回路を構成する各種回路要素・配線等々がある。前者の場合、図７とは異なって、発光制御線駆動回路５０３Ａ又は５０３Ｂは、その構成要素たるレベルシフタ４２とバッファ４３との間に、電源線１１９をいわば挟み込むようにして配置されることになるが、そのような場合であっても、上記第２実施形態に特有の効果は奏されるのである。
【００５２】
なお、この電源線１１９には、陽極用電源線（図２のＶｅｌ参照）、あるいは陰極用電源線（図２のＶＣＴ参照）等が含まれ得るが、図７においては、簡単のため、単なる一本の配線であるかのような図示がなされている。ちなみに、これら陽極用及び陰極用電源線は、そのうちの一方が、図７中、素子基板７の図中左辺又は右辺に沿って上下方向に延在するように設けられ、他方が、同じく上辺及び下辺に沿って左右方向に延在するように設けられる、などというように、素子基板７上の別々の領域に備えられることがある。この場合、図８に示すレベルシフタ４２及びバッファ４３は陽極又は陰極用の電源線を１本だけ跨ぐ（これに対して、電源線１１９に両者が含まれる形態では２本跨ぐ）ということになるが、いずれにしても、このような差異は、上述した作用効果に本質的な影響を与えるものではない。重要なのは、寄生容量ＣＫ・寄生抵抗ＲＫの影響による信号の歪みの有無にあるからである。なお、これと同様のことは、後述する第３実施形態においてもあてはまる。
【００５３】
また、この第２実施形態において、発光制御線駆動回路５０３Ａ又は５０３Ｂ、あるいはバッファ４３を、「画像表示領域７ａ」に近接して設けるという場合、以下の点に注意を要する。
すなわち、画像表示領域７ａは、上述のように、複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域を意味するが、この場合、当該複数の有機ＥＬ素子８のうちには、発光に全く関与しないもの（即ち、表示画像の構成に関与しないもの）が、当該画像表示領域７ａの最外郭を形作るように、あえて配置されることがある。図８では、そのような、いわゆるダミーとしての単位回路ＰＤ（以下、「ダミー回路ＰＤ」という。）が破線でもって表現されている。このような場合、「画像表示領域」という文言を形式的に捉えれば、図８中、実線でもって表されている単位回路Ｐの最外郭を繋いでいくことによって形作られる領域が想定されることになるが、本発明にいう「画像表示領域」の解釈に関しては、このような形式的な理解は許されない。要するに、「画像表示領域」という場合であっても、その中に、図８に示すようなダミー回路ＰＤが含まれていてよいのである。
【００５４】
＜第３実施形態＞
以下では、本発明に係る第３実施形態について図９を参照しながら説明する。なお、この第３実施形態も、走査線駆動回路について特徴があり、それ以外の点については、上記第１実施形態の構成及び動作ないし作用等と同様である。したがって、以下では、前記相違点について主に説明を行うこととし、それ以外の点についての説明は適宜簡略化し、あるいは省略する。
【００５５】
この第３実施形態では、図９に示すように、第２実施形態と同様、走査線駆動回路は、単位回路Ｐを駆動するための各信号に対応する書込走査線駆動回路５０４Ｂ、補償制御線駆動回路５０４Ａ、及び、発光制御線駆動回路５０３Ａ及び５０３Ｂを含む。
そして、第３実施形態においては特に、これら各駆動回路のうち、書込走査線駆動回路５０４Ｂが、図９に示すように、電源線１１９の外側に位置する。したがって、書込走査線駆動回路５０４Ｂに接続される書込走査線３１は、電源線１１９を越え、更に図９中右側に位置する発光制御線駆動回路５０３Ｂを越えて、はじめて画像表示領域７ａに到達する。
【００５６】
このような第３実施形態によれば、まず、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が画像表示領域７ａの両側端から入力することは、上記第１及び第２実施形態と何ら変わりはないから、それに係る効果が、同様に奏されることは明白である。
【００５７】
しかも、この第３実施形態によれば、以下のような効果も奏される。すなわち、この第３実施形態では、上述のように、書込走査線駆動回路５０４Ｂが電源線１１９の外側に配置されることで、そこに接続される書込走査線３１に関して、より多くの寄生容量・寄生抵抗が生じる可能性が高くなる。そうすると、この書込走査線３１を伝送路とする走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]は、より大きな歪を受ける可能性が大きくなることになる（図５参照）。
ここで、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]については、いわゆるフィードスルーの影響があることが考慮されなければならない。すなわち、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]は、図４を参照して説明したように、ハイレベル及びローレベル間を遷移するが、このような遷移は、容量素子Ｃ１あるいは有機ＥＬ素子８に印加される電圧に変動をもたらすおそれがある。そして、このようなフィードスルー現象は、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]に係る前記遷移のために必要となる時間、あるいはその遷移帯の幅が小さくなればなるほど大きくなると考えられる。
しかるに、第３実施形態によれば、前述のように、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]は、より大きな歪を受ける可能性が大きいことから、前述の遷移時間あるいは遷移帯の幅はより大きくなる可能性が大きくなる。したがって、前記フィードスルー現象が生じる可能性は極めて小さくなるのである。
このように、第３実施形態によれば、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]の状態遷移に応じた単位回路Ｐ内の電位変動のおそれ（即ち、フィードスルー現象が発生するおそれ）が低減され、もって、より高品質な画像を表示することが可能になる。
【００５８】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る電気光学装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
例えば、上記各実施形態においては、単位回路Ｐには、図２に示すように、第２及び第３トランジスターＴｒ２及びＴｒ３が含まれているが、本発明は、かかる形態に限定されない。例えば、図１０に示すように、これら各トランジスター（Ｔｒ２，Ｔｒ３）が省略された単位回路が用いられてもよい。この場合、前述した〔ｉ〕から〔ｖ〕までの各動作のうち、第２及び第３トランジスターＴｒ２及びＴｒ３、あるいは、第１及び第２補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]及びＧＩＮＩ２[ｉ]が関与する動作は行われなくなり、また、図７等に示す補償制御線駆動回路５０４Ａは不要となる。とはいえ、これらのことが、本発明の本質的部分に影響を与えるわけではないことは明白である。
このように、本発明は、上記各実施形態、あるいは各図面に示した形態以外の様々な形態の幅広い採用可能性をもつ。
【００５９】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器について説明する。
図１１は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１２に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
図１３に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００６０】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図１１から図１３に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００６１】
１００……有機ＥＬ装置，７……素子基板，７ａ……画像表示領域，８……有機ＥＬ素子，３……走査線，３１……書込走査線，３２，３３……第１，第２補償制御線，３４……発光制御線，５０１……走査線駆動回路，５０２，５０３Ａ，５０３Ｂ……発光制御線駆動回路，５０４Ａ……補償制御線駆動回路，５０４Ｂ……書込走査線駆動回路，４１……シフトレジスタ，４２……レベルシフタ，４３……バッファ，６……データ線，１０６……データ線駆動回路，１１３，１１９……電源線，ＧＷＲＴ……走査信号，ＧＩＮＩ１……第１補償制御信号，ＧＩＮＩ２……第２補償制御信号，ＧＥＬ……発光制御信号，Ｐ……単位回路，ＰＤ……ダミー回路，Ｔｄｒ……駆動トランジスター，Ｔｅｌ……発光制御トランジスター，Ｔｒ１〜Ｔｒ３……第１〜第３トランジスター，Ｃ１……容量素子，Ｖｅｌ……高電源電位，ＶＣＴ……低電源電位，ＶＩＮＩ……初期化電位，ＶＳＴ……初期化電位，Ｖｇ……ゲート電位，Ｖｄａｔａ……データ電位，Ｖｓ……ソース電位，Ｖｔｈ……閾値電圧，ＣＫ……寄生容量，ＲＫ……寄生抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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