(57)【要約】【課題】性能の低下を抑制でき、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、露光光で基板を露光する。露光装置は、真空紫外光を物体又はその近傍に照射して、物体から静電気を除去する除電装置を備えている。【選択図】図１
2010016112.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光で基板を露光する露光装置であって、
真空紫外光を物体又はその近傍に照射して、前記物体から静電気を除去する除電装置を備えた露光装置。
【請求項２】
前記真空紫外光は、波長１００ｎｍ〜１９０ｎｍの光を含む請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記真空紫外光は、波長１７２ｎｍの光を含む請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記除電装置は、Ｘｅ２エキシマランプ及びＸｅ２エキシマレーザの少なくとも一方を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記真空紫外光は、波長１２６ｎｍ、波長１４６ｎｍ、波長１５７ｎｍ、及び波長１８５ｎｍの少なくとも一つの光を含む請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項６】
前記真空紫外光は、前記露光光と異なる波長の光を含む請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記基板の非露光時に、前記真空紫外光が前記物体又はその近傍に照射される請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記真空紫外光を透過又は反射可能な光学部材を介して、前記真空紫外光が前記物体又はその近傍に照射される請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記基板の露光時、前記光学部材を介して前記露光光が前記基板に照射される請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記除電装置の少なくとも一部は、前記露光光の光路に対して移動可能である請求項１〜９記載の露光装置。
【請求項１１】
前記除電装置の少なくとも一部は、前記露光光の光路上に配置可能である請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記基板にパターンの像を投影する投影光学系と、
前記露光光の光路に対して移動可能であって、前記除電装置の少なくとも一部が設けられた第１可動部材と、を備えた請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１可動部材は、前記投影光学系の像面側の前記露光光の光路上に移動可能であり、
前記第１可動部材は、基板を保持する請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第１可動部材は、前記投影光学系の像面側の前記露光光の光路上に移動可能であり、
前記第１可動部材は、基板を保持しない請求項１２記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第１可動部材は、前記投影光学系の物体面側の前記露光光の光路上に移動可能であり、
前記第１可動部材は、前記パターンが形成されたマスクを保持する請求項１２記載の露光装置。
【請求項１６】
前記露光光の光路に対して移動可能な第２可動部材を備え、
前記物体は、前記第２可動部材を含む請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２可動部材は、前記基板を保持可能である請求項１６記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２可動部材は、露光に関する計測器を搭載可能である請求項１６又は１７記載の露光装置。
【請求項１９】
前記第２可動部材は、マスクを保持可能であり、
前記マスクのパターンの像を前記基板に投影することによって前記基板が露光される請求項１６記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第２可動部材は、前記基板に向かう前記露光光の少なくとも一部を遮光可能である請求項１６記載の露光装置。
【請求項２１】
前記真空紫外光の光路の少なくとも一部の圧力を低下させる第１環境調整装置を備える請求項１〜２０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２２】
前記真空紫外光の光路の少なくとも一部の酸素の量を低下させる第２環境調整装置を備える請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記物体の帯電量を計測する計測装置をさらに備え、
前記計測装置の計測結果に基づいて、前記除電装置が制御される請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２４】
前記露光光の光路の少なくとも一部に満たされた液体を介して前記基板が露光され、
前記物体は、前記液体を含む請求項１〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２５】
前記物体は、前記液体と接触する請求項２４記載の露光装置。
【請求項２６】
前記液体は、純水である請求項２４又は２５記載の露光装置。
【請求項２７】
請求項１〜２６のいずれか一項記載の露光装置を用いて露光光を基板に照射することを含む露光方法。
【請求項２８】
請求項１〜２６のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。
【特許文献１】特開２００２−３５３０９７号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／０１６４６１７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
露光装置内の物体（部材あるいは部品（コンポーネント））に静電気が発生すると、露光装置の性能が低下したり、露光不良が発生したりして、製造されるデバイスの品質が低下する可能性がある。例えば、露光装置の各種機器に静電気が発生した場合、その機器の動作不良が生じる等、露光装置の性能が低下する可能性がある。また、例えば基板の近傍に配置される部材（部品）に静電気が発生した場合、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。
【０００４】
本発明の態様は、性能の低下を抑制でき、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、品質の低下を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、真空紫外光を物体又はその近傍に照射して、物体から静電気を除去する除電装置を備えた露光装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて露光光を基板に照射することを含む露光方法が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、露光装置の性能の低下を抑制でき、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、製造されるデバイスの品質の低下を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１０】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。基板Ｐは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部に満たされた液体ＬＱを介して露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１１】
また、本実施形態においては、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持しないで、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。
【００１２】
図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、露光に関する計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬを含む照明ユニットＩＵと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬを含む投影ユニットＰＵと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材４と、少なくとも投影ユニットＰＵを収容するチャンバ装置５と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置６とを備えている。
【００１３】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、真空紫外光を露光装置ＥＸ内の物体又はその近傍に照射して、その物体から静電気を除去する除電装置７を備えている。
【００１４】
本実施形態において、真空紫外光は、波長１００ｎｍ〜１９０ｎｍの光を含む。本実施形態において、除電装置７は、物体に帯電している静電気を除去するために、真空紫外光を射出する射出部２８を有する。なお、物体又はその近傍に照射される光は、真空紫外光のみを含む光でなくてもよく、真空紫外光以外の波長の光を含むものであってもよい。本実施形態においては、除電装置７は、真空紫外光を主成分とする光を物体又はその近傍に照射する。以下の説明において、除電装置７により物体又はその近傍に照射される真空紫外光を含む光を適宜、除電光ＬＵ、と称する。
【００１５】
本実施形態において、除電装置７から射出される除電光ＬＵとして、波長１７２ｎｍの光が用いられる。本実施形態においては、波長１７２ｎｍの光を射出するための除電装置７の光源２８として、Ｘｅ２エキシマレーザが用いられ、除電光ＬＵとして、Ｘｅ２エキシマレーザ光(波長１７２ｎｍ）が用いられる。なお、波長１７２ｎｍの光を射出するための除電装置７の光源２８として、Ｘｅ２エキシマランプを用いてもよい。
【００１６】
チャンバ装置５は、少なくとも投影光学系ＰＬが配置される内部空間５Ｓを形成する。チャンバ装置５は、内部空間５Ｓの環境（温度、湿度、及びクリーン度の少なくとも一つを含む）を制御する環境制御装置を含む。本実施形態においては、内部空間５Ｓには、マスクステージ１、基板ステージ２、計測ステージ３、照明ユニットＩＵ、投影ユニットＰＵ、及び液浸部材４が配置される。
【００１７】
照明ユニットＩＵは、光源８と、照明光学系ＩＬとを有する。照明光学系ＩＬは、光源８からの露光光ＥＬで、所定の照明領域を照明する。照明光学系ＩＬは、照明領域に配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、及びＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等が用いられる。本実施形態においては、光源８として、ＡｒＦエキシマレーザ源を用い、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いる。本実施形態においては、除電光ＬＵは、露光光ＥＬと異なる波長の光である。
【００１８】
照明光学系ＩＬは、ミラー９と、ビーム整形光学系１０と、オプティカルインテグレータ１１と、開口絞り板１２と、リレー光学系１３と、ブラインド装置１４と、ミラー１６と、コンデンサレンズ１７とを備えている。
【００１９】
光源８から射出されたレーザビームは、ミラー９で反射して、ビーム整形光学系１０に入射する。ビーム整形光学系１０は、光源８からの露光光ＥＬの断面形状を整形可能な、例えばシリンドリカルレンズ、ビームエキスパンダ等を含む。ビーム整形光学系１０を通過した光は、オプティカルインテグレータ１１に入射する。オプティカルインテグレータ１１は、例えばフライアイレンズを含み、入射した光に基づいて、射出側焦点面（照明光学系ＩＬの瞳面）に２次光源を形成する。
【００２０】
開口絞り板１２は、オプティカルインテグレータ１１の射出側焦点面の近傍に配置されている。開口絞り板１２は、マスクＭに向かう露光光ＥＬの少なくとも一部を遮光可能である。
【００２１】
開口絞り板１２は、円板状の部材である。開口絞り板１２は、開口絞りを複数有する。開口絞り板１２は、例えば通常照明用の円形開口絞り、輪帯照明用の輪帯状開口絞り、ダイポール照明用の二極照明絞り、及びクロスポール照明用の四極照明絞り等を有する。開口絞り板１２は、モータ等を含む駆動装置１２Ｄの作動により回転する。駆動装置１２Ｄの動作は、制御装置６に制御される。制御装置６は、駆動装置１２Ｄを制御して、所定の開口絞りが露光光ＥＬの光路上に配置されるように、開口絞り板１２を回転し、位置決めする。
【００２２】
開口絞り板１２の開口絞りを通過した露光光ＥＬは、リレー光学系１３に向かって進行する。本実施形態において、リレー光学系１３は、第１リレーレンズ１３Ａと第２リレーレンズ１３Ｂとを有する。ブラインド装置１４は、第１リレーレンズ１３Ａと第２リレーレンズ１３Ｂとの間に配置されている。
【００２３】
ブラインド装置１４は、マスクＭに向かう露光光ＥＬの少なくとも一部を遮光可能である。ブラインド装置１４は、照明領域を規定する。ブラインド装置１４によって、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに向かう露光光ＥＬの少なくとも一部を遮光可能である。
【００２４】
本実施形態において、ブラインド装置１４は、例えば米国特許第６５９７００２号明細書に開示されているような、照明領域を規定可能な固定ブラインド１４Ａと、露光光ＥＬの光路に対して移動可能な可動ブラインド１４Ｂとを含む。固定ブラインド１４Ａは、マスクＭのパターン形成面に対する共役面から僅かにデフォーカスした面に配置されている。固定ブラインド１４Ａは、照明領域を規定するための開口を有する。可動ブラインド１４Ｂは、固定ブラインド７Ａの近傍に配置されている。可動ブラインド１４Ｂは、可変の開口を規定する。可動ブラインド１４Ｂは、不要な部分の露光が防止されるように、露光光ＥＬの光路に対して移動して、照明領域を変化させる。
【００２５】
リレー光学系１３及びブラインド装置１４を通過した露光光ＥＬは、ミラー１６で反射し、コンデンサレンズ１７に供給される。コンデンサレンズ１７は、マスクＭと対向可能な射出面４１を有する。コンデンサレンズ１７の射出面４１は、照明光学系ＩＬの射出面である。射出面４１から射出された露光光ＥＬは、マスクステージ１に保持されているマスクＭに照射される。
【００２６】
また、本実施形態において、照明ユニットＩＵは、照明光学系ＩＬの複数の光学素子（光学部材）を収容可能な内部空間を形成するハウジングＩＫと、そのハウジングＩＫの内部空間の環境を調整可能な調整装置１８とを備えている。本実施形態において、調整装置１８は、ハウジングＩＫの内部空間の酸素の量を低下させる。本実施形態において、調整装置１８は、ハウジングＩＫの内部空間を不活性ガスで満たす。本実施形態において、不活性ガスは、例えば窒素ガスである。なお、ハウジングＩＫの内部空間がアルゴンガスで満たされてもよい。
【００２７】
マスクステージ１は、投影光学系ＰＬの物体面側で、露光光ＥＬの光路に対して移動可能である。マスクステージ１は、投影光学系ＰＬの物体面側の露光光ＥＬの光路上（照明領域）に移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭのパターン形成面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。本実施形態においては、マスクステージ１は、リニアモータ等を含む駆動システムの作動により、マスクＭを保持した状態で、ベース部材１９のガイド面１９Ｇ上を移動可能である。ガイド面１９Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００２８】
マスクＭを通過した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの始端光学素子４２に供給される。
始端光学素子４２は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの物体面に最も近い光学素子である。始端光学素子４２は、マスクＭと対向可能な入射面４３を有する。始端光学素子４２の入射面４３は、投影光学系ＰＬの入射面である。
【００２９】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域に露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域に配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸はＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００３０】
入射面４３より入射し、投影光学系ＰＬの複数の光学素子を通過した露光光ＥＬは、終端光学素子２２に供給される。終端光学素子２２は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。終端光学素子２２は、基板Ｐと対向可能な射出面２６を有する。終端光学素子２２の射出面２６は、投影光学系ＰＬの射出面である。射出面２６から射出された露光光ＥＬは、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに照射される。
【００３１】
また、本実施形態において、投影ユニットＰＵは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子を収容可能な内部空間を形成するハウジング（鏡筒）ＰＫと、そのハウジングＰＫの内部空間の環境を調整可能な調整装置２０とを備えている。本実施形態において、調整装置２０は、ハウジングＰＫの内部空間の酸素の量を低下させる。本実施形態において、調整装置２０は、ハウジングＰＫの内部空間を不活性ガスで満たす。本実施形態において、不活性ガスは、例えば窒素ガスである。なお、ハウジングＰＫの内部空間がアルゴンガスで満たされてもよい。
【００３２】
基板ステージ２は、投影光学系ＰＬの像面側で、露光光ＥＬの光路に対して移動可能である。基板ステージ２は、投影光学系ＰＬの像面側の露光光ＥＬの光路上（投影領域）に移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。本実施形態においては、基板ステージ２は、リニアモータ等を含む駆動システムの作動により、基板Ｐを保持した状態で、ベース部材２１のガイド面２１Ｇ上を移動可能である。ガイド面２１Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００３３】
計測ステージ３は、投影光学系ＰＬの像面側で、露光光ＥＬの光路に対して移動可能である。計測ステージ３は、投影光学系ＰＬの像面側の露光光ＥＬの光路上（投影領域）に移動可能である。本実施形態においては、計測ステージ３は、リニアモータ等を含む駆動システムの作動により、基板Ｐを保持しないで、計測器Ｃを搭載した状態で、ベース部材２１のガイド面２１Ｇ上を移動可能である。
【００３４】
なお、計測ステージ３に搭載される計測器（計測部材）Ｃとして、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような空間像計測システムの少なくとも一部、米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような露光光ＥＬの照度むらを計測可能する照度むら計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測するための計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）の少なくとも一部、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような波面収差計測システムの少なくとも一部が挙げられる。計測ステージ３には、それら計測システムの一部を構成する、露光光ＥＬが照射される光学部材、及び受光素子等が配置される。
【００３５】
本実施形態において、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置情報は、レーザ干渉計を含む干渉計システム（不図示）によって計測される。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置６は、干渉計システムの計測結果に基づいて、駆動システムを作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３（計測器Ｃ）の位置制御を実行する。
【００３６】
液浸部材４は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。液浸部材４は、終端光学素子２２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材４は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。
【００３７】
本実施形態において、液浸部材４は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書に開示されているような液浸部材であって、液体ＬＱを供給する供給口２３と、液体ＬＱを回収する回収口２４とを有する。回収口２４には、多孔部材２５が配置されている。終端光学素子２２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面２６を有する。液浸部材４は、射出面２６から射出された露光光ＥＬが通過可能な開口４Ｋを有する。液浸部材４は、射出面２６から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液浸部材４は、終端光学素子２２と、射出面２６から射出された露光光ＥＬの光路上（投影領域）に配置された物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液浸部材４は、物体と対向可能な下面２７を有し、下面２７と物体との間で液体ＬＱを保持可能である。本実施形態において、下面２７は、多孔部材２５の下面を含む。本実施形態において、射出面２６から射出された露光光ＥＬの光路上に配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側の露光光ＥＬの光路上に移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に搭載された計測器Ｃの少なくとも一つを含む。
【００３８】
少なくとも基板Ｐの露光時、終端光学素子２２の射出面２６から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、一方側の終端光学素子２２及び液浸部材４と他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱが保持され、液浸空間ＬＳが形成される。射出面２６から射出された露光光ＥＬは、開口４Ｋを介して、基板Ｐに照射される。本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影光学系ＰＬの投影領域を含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）の少なくとも一部は、液浸部材４の下面２７と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。制御装置６は、供給口２３を用いる液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口２４を用いる液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子２２及び液浸部材４と他方側の基板Ｐ（物体）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００３９】
本実施形態において、終端光学素子２２は、液体ＬＱに対して耐性を有する。本実施形態においては、終端光学素子２２は、例えば石英で形成されている。
【００４０】
本実施形態において、除電装置７の少なくとも一部は、露光光ＥＬの光路に対して移動可能である。また、本実施形態においては、除電装置７の少なくとも一部は、露光光ＥＬの光路上に配置可能である。本実施形態において、除電装置７の少なくとも一部は、計測ステージ３に設けられている。したがって、除電装置７の少なくとも一部は、投影光学系ＰＬの像面側の露光光ＥＬの光路上に移動可能である。
【００４１】
除電装置７は、除電光ＬＵを射出する射出部２８を有する。本実施形態において、射出部２８は、計測ステージ３の内部に配置されている。本実施形態において、制御装置６は、計測ステージ３の位置を制御して、除電装置７の射出部２８を露光光ＥＬの光路上に配置可能である。
【００４２】
本実施形態において、計測ステージ３の上面に光学部材２９が配置されている。光学部材２９は、除電光ＬＵを透過可能な部材である。また、本実施形態においては、光学部材２９は、液体ＬＱに対して耐性を有する。本実施形態においては、光学部材２９は、例えば石英で形成されている。なお、光学部材２９が、蛍石で形成されてもよい。本実施形態において、除電装置７は、光学部材２９を介して、除電光ＬＵを露光装置ＥＸ内の物体又はその近傍に照射する。
【００４３】
図２は、除電装置７の動作の一例を示す図である。図２に示すように、本実施形態においては、除電装置７は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ又はその近傍に除電光ＬＵを照射することができる。除電装置７は、液体ＬＱ又はその近傍に除電光ＬＵを照射することによって、液体ＬＱから静電気を除去することができる。本実施形態においては、液体ＬＱは純水であり、液体ＬＱの比抵抗は高い。そのため、液体ＬＱが帯電し易い可能性がある。本実施形態においては、真空紫外光を含む除電光ＬＵが照射されることによって、液体ＬＱから静電気を除去することができる。
【００４４】
また、液体ＬＱと接触する液浸部材４（下面２７等）が帯電する可能性がある。図２に示すように、本実施形態においては、除電装置７は、液浸部材４又はその近傍に除電光ＬＵを照射することができる。除電装置７は、液浸部材４又はその近傍に除電光ＬＵを照射することによって、液浸部材４から静電気を除去することができる。
【００４５】
また、液体ＬＱと接触する終端光学素子２２（射出面２６等）が帯電する可能性がある。除電装置７は、開口４Ｋを介して、終端光学素子２２又はその近傍に除電光ＬＵを照射することができる。終端光学素子２２に除電光ＬＵを照射するとき、制御装置６は、射出部２８から射出された除電光ＬＵが開口４Ｋを介して終端光学素子２２に照射されるように、計測ステージ３を制御して、光学部材２９と開口とを対向させる。除電装置７は、終端光学素子２２又はその近傍に除電光ＬＵを照射することによって、終端光学素子２２から静電気を除去することができる。
【００４６】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。露光前の基板Ｐを基板ステージ２に搬入（ロード）する動作が基板交換位置において実行されているとき、計測ステージ３が、終端光学素子２２及び液浸部材４と対向する位置に配置される。制御装置６は、終端光学素子２２及び液浸部材４と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳを形成して、必要に応じて、計測器Ｃを用いる計測処理を実行する。計測ステージ３を用いる処理が終了し、基板ステージ２に対する基板Ｐのロードが終了した後、制御装置６は、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、計測ステージ３と基板ステージ２とを接近又は接触させた状態で、計測ステージ３と基板ステージ２とを同期移動して、終端光学素子２２及び液浸部材４と計測ステージ３とが対向する状態から、終端光学素子２２及び液浸部材４と基板ステージ２とが対向する状態へ変化させ、終端光学素子２２及び液浸部材４と基板ステージ２との間に液浸空間ＬＳを形成する。そして、制御装置６は、終端光学素子２２及び液浸部材４と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成して、基板Ｐの露光動作を開始する。
【００４７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態において、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置６は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域に対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐが露光光ＥＬで露光される。
【００４８】
基板Ｐの露光時、光源８から射出された露光光ＥＬは、照明光学系ＩＬの各光学素子（光学部材）、及び投影光学系ＰＬの各光学素子を介して、基板Ｐに照射される。
【００４９】
基板Ｐの露光が終了した後、制御装置６は、計測ステージ３と基板ステージ２とを接近又は接触させた状態で、計測ステージ３と基板ステージ２とを同期移動して、終端光学素子２２及び液浸部材４と基板ステージ２とが対向する状態から、終端光学素子２２及び液浸部材４と計測ステージ３とが対向する状態へ変化させ、終端光学素子２２及び液浸部材４と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳを形成する。そして、制御装置６は、基板ステージ２を基板交換位置へ移動して、その基板ステージ２より露光後の基板Ｐを搬出（アンロード）する動作、及び露光前の基板Ｐをロードする動作を実行する。以下、上述と同様の動作を繰り返す。
【００５０】
本実施形態においては、所定のタイミングで、除電装置７を用いる除電処理が実行される。除電処理は、基板Ｐの非露光時に実行される。除電処理は、例えば所定時間間隔毎、あるいは所定数の基板Ｐの露光処理を実行する毎に実行される。制御装置６は、基板Ｐの非露光時に、終端光学素子２２及び液浸部材４と計測ステージ３とを対向させ、図２に示したように、光学部材２９を介して、除電光ＬＵを液体ＬＱ又はその近傍に照射したり、液浸部材４又はその近傍に照射したり、終端光学素子２２又はその近傍に照射したりする。これにより、液体ＬＱ、液浸部材４、及び終端光学素子２２のそれぞれから静電気が除去される。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、真空紫外光を含む除電光ＬＵを用いて、液体ＬＱ、液浸部材４、及び終端光学素子２２等の少なくとも一つから静電気を除去することができる。例えば液体ＬＱ、液浸部材４、あるいは終端光学素子２２が帯電している状態を放置しておくと、その静電気により、基板Ｐに形成されているパターン（デバイスパターン、回路パターンなど）が劣化する可能性がある。また、静電気により、基板Ｐの表面、液体ＬＱ、液浸部材４の下面２７、終端光学素子２２の射出面２６等に異物が引き寄せられる可能性がある。基板Ｐの表面、液体ＬＱ、液浸部材４の下面２７、終端光学素子２２の射出面２６等に異物が存在する状態で露光が実行されると、基板Ｐに形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。
【００５２】
本実施形態によれば、除電装置７を用いて静電気を除去するので、露光不良の発生を抑制できる。したがって、製造されるデバイスの品質の低下を抑制できる。
【００５３】
また、本実施形態によれば、光を用いて除電するので、例えば異物、電気ノイズ等の発生を抑制しつつ、除電処理を実行することができる。
【００５４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００５５】
図３は、第２実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの帯電量を計測する計測装置３０を備えている。本実施形態において、計測装置３０は、液浸空間ＬＳ（液浸部材４）の近傍に配置されている。また、計測装置３０は、液浸部材４の帯電量を計測することもできる。
【００５６】
本実施形態においては、制御装置６は、計測装置３０の計測結果に基づいて、除電装置７を制御する。本実施形態においては、例えば基板Ｐの露光中、あるいは計測ステージ３を用いる計測中等、液浸空間ＬＳが形成されている状態において、液体ＬＱ及び液浸部材４の帯電量が計測装置３０によってモニタされる。制御装置６は、計測装置３０の計測結果（モニタ結果）に基づいて、計測装置３０の計測値（帯電量）が予め定められている許容範囲外であると判断したとき、基板Ｐの露光を停止して、除電装置７を用いる除電処理を実行する。
【００５７】
なお、上述の第１，第２実施形態において、除電装置７の少なくとも一部が、基板ステージ２に設けられてもよい。
【００５８】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００５９】
図４は、第３実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。本実施形態の特徴的な部分は、除電装置７Ｂの射出部（光源）２８Ｂの少なくとも一部が、照明ユニットＩＵに配置されている点にある。
【００６０】
図４において、照明ユニットＩＵは、露光光ＥＬを射出する光源８と、除電光ＬＵを射出する光源２８Ｂと、照明光学系ＩＬとを備えている。本実施形態において、照明光学系ＩＬは、光源８から射出された露光光ＥＬ、及び光源２８Ｂから射出された除電光ＬＵのそれぞれを、コンデンサレンズ１７の射出面４１に導くことができる。照明光学系ＩＬのミラー９Ｂ，１６等は、除電光ＬＵを反射可能であり、ビーム整形光学系１０、オプティカルインテグレータ１１、リレー光学系１３、及びコンデンサレンズ１７等は、除電光ＬＵを透過可能である。
【００６１】
本実施形態において、照明ユニットＩＵは、ミラー９Ｂを移動可能な駆動装置９Ｄを備えている。光源８から射出された露光光ＥＬを射出面４１に導くとき、制御装置６は、図４の破線９Ｂｎで示すように、光源８から射出された露光光ＥＬがビーム整形光学系１０に入射するように、且つ、光源２８Ｂから射出された除電光ＬＵがビーム整形光学系１０に入射しないように、駆動装置９Ｄを制御して、ミラー９Ｂの位置を調整する。また、光源２８Ｂから射出された除電光ＬＵを射出面４１に導くとき、制御装置６は、図４の実線９Ｂｍで示すように、光源２８Ｂから射出された除電光ＬＵがビーム整形光学系１０に入射するように、且つ、光源８から射出された露光光ＥＬがビーム整形光学系１０に入射しないように、駆動装置９Ｄを制御して、ミラー９Ｂの位置を調整する。
【００６２】
除電装置７Ｂを用いる除電処理は、基板Ｐの非露光時に実行される。本実施形態において、除電装置７Ｂは、光源８から射出される露光光ＥＬの光路に対して移動可能な開口絞り板１２、可動ブラインド１７Ｂ、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の少なくとも一つから静電気を除去する。開口絞り板１２、可動ブラインド１７Ｂ、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３等の可動部材は、帯電し易い可能性がある。本実施形態においては、除電装置７Ｂは、それら可動部材又はその近傍に除電光ＬＵを照射して、その可動部材から静電気を除去する。
【００６３】
光源２８Ｂから射出された除電光ＬＵは、開口絞り板１２又はその近傍、可動ブラインド１７Ｂ又はその近傍に照射される。除電装置７Ｂは、開口絞り板１２又はその近傍、可動ブラインド１７Ｂ又はその近傍に除電光ＬＵを照射することによって、開口絞り板１２及び可動ブラインド１７Ｂから静電気を除去することができる。
【００６４】
また、除電装置７Ｂは、マスクステージ１又はその近傍に除電光ＬＵを照射することによって、マスクステージ１から静電気を除去することができる。マスクステージ１から静電気を除去する場合、制御装置６は、図４に示すように、射出面４１と対向する位置にマスクステージ１を配置する。本実施形態においては、除電処理時にマスクステージ１からマスクＭが排除される。光源２８Ｂから射出された除電光ＬＵは、照明光学系ＩＬの各光学素子（光学部材）を介して、マスクステージ１又はその近傍に照射される。
【００６５】
また、除電装置７Ｂは、基板ステージ２又はその近傍に除電光ＬＵを照射することによって、基板ステージ２から静電気を除去することができる。基板ステージ２から静電気を除去する場合、制御装置６は、図４に示すように、射出面２６と対向する位置に基板ステージ２を配置する。本実施形態においては、除電処理時に基板ステージ２にダミー基板ＤＰが保持される。ダミー基板ＤＰは、異物を放出しにくい高い清浄度を有する（クリーンな）部材であって、デバイスの製造が不可能な部材である。ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形であり、基板ステージ２は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。光源２８Ｂから射出された除電光ＬＵは、照明光学系ＩＬの各光学素子（光学部材）、及び投影光学系ＰＬの各光学素子を介して、基板ステージ２又はその近傍に照射される。本実施形態において、終端光学素子２２を含む投影光学系ＰＬの各光学素子は、除電光ＬＵを透過可能である。
【００６６】
また、図４に示すように、液体ＬＱの液浸空間ＬＳが形成されている場合、光源２８から射出された除電光ＬＵによって、液体ＬＱから静電気を除去することができる。
【００６７】
また、除電装置７は、計測ステージ３又はその近傍に除電光ＬＵを照射することによって、計測ステージ３から静電気を除去することができる。計測ステージ３から静電気を除去する場合、制御装置６は、射出面２６と対向する位置に計測ステージ３を配置する。光源２８から射出された除電光ＬＵは、照明光学系ＩＬの各光学素子（光学部材）、及び投影光学系ＰＬの各光学素子を介して、計測ステージ３又はその近傍に照射される。
【００６８】
上述のように、除電光ＬＵの光路の少なくとも一部が配置されるハウジングＩＫ、ＰＫの内部空間は、調整装置１８，２０によって不活性ガスで満たされている。これにより、除電光ＬＵを用いる除電効果を高めることができる。また、除電光ＬＵの光路上の酸素の量が多い場合、例えば酸素に除電光ＬＵが吸収（吸光）されて減衰したり、オゾン等が発生したりする可能性がある。本実施形態においては、除電光ＬＵが進行するハウジングＩＫ、ＰＫの内部空間の酸素の量が低下されているので、除電光ＬＵの減衰、オゾンの発生等を抑制できる。
【００６９】
以上説明したように、真空紫外光を含む除電光ＬＵを用いて、露光光ＥＬの光路に対して移動可能な可動部材から静電気を除去することができる。例えば、可動部材が帯電している状態を放置しておくと、その静電気により、その可動部材の動作不良が生じる可能性がある。例えば、可動部材が電気機器等を含む場合、静電気により動作不良が発生する可能性が高くなる。本実施形態によれば、可動部材から静電気を除去できるので、可動部材の動作不良の発生を抑制でき、露光装置ＥＸの性能の低下を抑制することができる。また、本実施形態によれば、液浸空間ＬＳの液体ＬＱから静電気を除去することもできる。
【００７０】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７１】
図５は、第４実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。なお、図５においては、チャンバ装置５の図示を省略してある。本実施形態の特徴的な部分は、除電装置７Ｃの射出部（光源）２８Ｃ，２８Ｄが、マスクステージ１Ｃに設けられている点にある。マスクステージ１Ｃは、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈと、マスク保持部１Ｈと異なる位置に配置され、射出部２８Ｃ，２８Ｄを支持する支持部１Ｓとを有する。
【００７２】
マスクステージ１Ｃは、除電装置７Ｃの射出部２８Ｃ，２８Ｄを保持して移動可能である。本実施形態において、射出部２８Ｃは、照明光学系ＩＬの射出面４１に除電光ＬＵを照射可能であり、射出部２８Ｄは、投影光学系ＰＬの入射面４３に除電光ＬＵを照射可能である。
【００７３】
除電装置７Ｃを用いる除電処理は、基板Ｐの非露光時に実行される。除電処理を実行するとき、制御装置６は、照明光学系ＩＬの射出面４１に射出部２８Ｃが対向し、投影光学系ＰＬの入射面４３に射出部２８Ｄが対向するように、マスクステージ１Ｃの位置を調整する。
【００７４】
射出部２８Ｃより射出され、照明光学系ＩＬの射出面４１に入射した除電光ＬＵは、可動ブラインド１４Ｂ及び開口絞り板１２を含む、照明光学系ＩＬの各光学部材に照射される。また、図５に示す例では、投影光学系ＰＬの射出面２６と対向する位置に計測ステージ３が配置されており、射出部２８Ｄより射出され、投影光学系ＰＬの入射面４３に入射した除電光ＬＵは、投影光学系ＰＬを介して、計測ステージ３に照射される。また、計測ステージ３上に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている場合、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱに除電光ＬＵが照射されることによって、液体ＬＱから静電気を除去することができる。また、射出面２６と対向する位置に基板ステージ２が配置されることによって、射出部２８Ｄから射出された除電光ＬＵは、基板ステージ２に照射される。
【００７５】
以上説明したように、本実施形態においても、真空紫外光を含む除電光ＬＵを用いて、露光光ＥＬの光路に対して移動可能な可動部材から静電気を除去することができ、液浸空間ＬＳの液体ＬＱから静電気を除去することができる。
【００７６】
なお、上述の第１〜第４実施形態における投影光学系ＰＬにおいて、終端光学素子２２の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬとして、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているような、終端光学素子２２の入射側（物体面側）の光路も液体で満たされる投影光学系を採用することもできる。
【００７７】
なお、上述の第１〜第４実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【００７８】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７９】
本実施形態においては、露光装置ＥＸ２が、極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である場合を例にして説明する。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。一例として、本実施形態では、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして用いる。
【００８０】
図６は、第５実施形態に係る露光装置ＥＸ２の一例を示す図である。図６において、露光装置ＥＸ２は、マスクステージ１と、基板ステージ２と、計測ステージ３と、照明光学系ＩＬ２と、投影光学系ＰＬ２と、チャンバ装置５Ｄと、制御装置６とを備えている。本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。
【００８１】
本実施形態において、チャンバ装置５Ｄは、内部空間５Ｓの圧力を低下させて、内部空間５Ｓを真空状態に調整可能な調整装置５０を備えている。制御装置６は、調整装置５０を用いて、内部空間５Ｓをほぼ真空状態に調整する。一例として、本実施形態においては、内部空間５Ｓの圧力は、例えば、１×１０−４〔Ｐａ〕程度の減圧雰囲気に調整される。本実施形態において、照明光学系ＩＬ２、マスクステージ１、投影光学系ＰＬ２、基板ステージ２、及び計測ステージ３のそれぞれが、内部空間５Ｓに配置される。
【００８２】
照明光学系ＩＬ２の光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。照明光学系ＩＬ２は、光源（不図示）からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。光源は、例えばキセノン（Ｘｅ）等のターゲット材料にレーザー光を照射して、そのターゲット材料をプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させるレーザ生成プラズマ光源装置、所謂、ＬＰＰ（Laser Produced Prasma）方式の光源装置を含む。なお、光源が、所定ガス中で放電を発生させて、その所定ガスをプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させる放電生成プラズマ光源装置、所謂、ＤＰＰ（Discharge Produced Prasma）方式の光源装置でもよい。光源で発生したＥＵＶ光（露光光ＥＬ）は、照明光学系ＩＬ２に入射する。
【００８３】
投影光学系ＰＬの光学素子は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。
【００８４】
図６に示すように、本実施形態において、計測ステージ３に、除電装置７Ｄの射出部２８Ｄが配置されている。除電装置７Ｄを用いる除電処理が実行されるとき、マスクステージ１からマスクＭが排除され、基板ステージ２から基板Ｐが排除される。射出部２８Ｄから射出された除電光ＬＵは、投影光学系ＰＬ２に照射される。投影光学系ＰＬ２の光学素子は、除電光ＬＵを反射可能である。射出部２８Ｄから射出された除電光ＬＵは、マスクステージ１に照射される。
【００８５】
本実施形態においては、除電光ＬＵの光路が配置される内部空間５Ｓがほぼ真空状態であり、内部空間５Ｓの圧力が十分に低下されている。これにより、除電光ＬＵを用いる除電効果を高めることができる。また、除電光ＬＵの減衰が抑制される。
【００８６】
なお、本実施形態においても、除電光ＬＵを射出する光源を、例えば基板ステージ２に配置することができる。
【００８７】
なお、本実施形態においても、除電光ＬＵを射出する光源を、例えばマスクステージ１に配置することができる。その光源から射出された除電光ＬＵは、照明光学系ＩＬ２及び投影光学系ＰＬ２のそれぞれに照射可能である。照明光学系ＩＬ２及び投影光学系ＰＬ２それぞれの光学素子は、除電光ＬＵを反射可能である。
【００８８】
なお、上述の第１〜第５実施形態においては、露光光ＥＬの光路上又はその近傍に配置される物体に除電光ＬＵを照射する場合について説明したが、例えば基板Ｐを搬送する搬送装置等に除電光ＬＵを照射することもできる。例えば、基板交換位置に除電装置の少なくとも一部を配置することによって、搬送装置に除電光ＬＵを照射することができる。
【００８９】
また、マスクＭを搬送する搬送装置に除電光ＬＵを照射することもできる。
【００９０】
なお、上述の第１〜第５実施形態においては、除電光ＬＵが、波長１７２ｎｍの真空紫外光を主成分とする場合を例にして説明したが、物体から静電気を除去するための真空紫外光として、波長１２６ｎｍ、波長１４６ｎｍ、波長１５７ｎｍ、及び波長１８５ｎｍの少なくとも一つの光を用いることができる。波長１２６ｎｍの真空紫外光は、Ａｒ２エキシマランプ及びＡｒ２エキシマレーザの少なくとも一方を含む光源から射出可能である。波長１４６ｎｍの真空紫外光は、Ｋｒ２エキシマランプ及びＫｒ２エキシマレーザの少なくとも一方を含む光源から射出可能である。波長１５７ｎｍの真空紫外光は、Ｆ２ダイマランプ及びＦ２ダイマレーザの少なくとも一方を含む光源から射出可能である。波長１８５ｎｍの真空紫外光は、低圧水銀ランプを含む光源から射出可能である。
【００９１】
なお、本実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００９２】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００９３】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９４】
また、例えば米国特許第第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の一つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００９５】
また、露光装置ＥＸとして、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、及び米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００９６】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９７】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【００９８】
上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
【００９９】
上述の実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１００】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１０１】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図３】第２実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図４】第３実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図５】第４実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図６】第５実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１０３】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、３…計測ステージ、７…除電装置、１２…開口絞り板、１４…ブラインド装置、１４Ｂ…可動ブラインド、１７…コンデンサレンズ、１８…調整装置、２０…調整装置、２２…終端光学素子、２８…射出部、２９…光学部材、３０…計測装置、４２…始端光学素子、５０…調整装置、ＩＬ…照明光学系、ＰＬ…投影光学系、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｍ…マスク、Ｐ…基板
【図１】
2010016112.tif 000003
【図２】
2010016112.tif 000004
【図３】
2010016112.tif 000005
【図４】
2010016112.tif 000006
【図５】
2010016112.tif 000007
【図６】
2010016112.tif 000008
【図７】
2010016112.tif 000009