(57)【要約】【課題】磁気再生ヘッド全体の抵抗のばらつきを低減することが可能な磁気再生ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気再生ヘッドの製造方法は、磁気抵抗効果素子１３と抵抗素子２３とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドの製造方法において、基体上に前記磁気抵抗効果素子１３を形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子１３の抵抗値を測定する工程と、前記抵抗値の測定後に、前記抵抗素子２３を形成する工程とを備える。【選択図】図１３
2010061739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子と抵抗素子とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドの製造方法において、
基体上に前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する工程と、
前記抵抗値の測定後に、前記抵抗素子を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気再生ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記抵抗値の測定後に、前記抵抗素子を形成する工程において、
前記抵抗値に応じて、前記磁気抵抗効果素子と前記抵抗素子との合成抵抗が所定値となるように、前記抵抗素子の抵抗値を設定すること
を特徴とする請求項１記載の磁気再生ヘッドの製造方法。
【請求項３】
磁気抵抗効果素子と抵抗素子とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドの製造方法において、
基体上に前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の直上部を除く領域に絶縁層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子および前記絶縁層の上に、磁性材料を用いて上部シールド層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する工程と、
前記上部シールド層の上面を平坦化する工程と、
前記上部シールド層の平坦化後に、前記抵抗素子を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気再生ヘッドの製造方法。
【請求項４】
磁気抵抗効果素子と抵抗素子とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドの製造方法において、
基体上に前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の直上部を除く領域に絶縁層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子および前記絶縁層の上に、磁性材料を用いて上部シールド層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する工程と、
前記上部シールド層の上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、磁性材料を用いてリターンヨークを形成する工程と、
前記リターンヨークの上面を平坦化する工程と、
前記リターンヨークの平坦化後に、前記抵抗素子を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気再生ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気再生ヘッドの製造方法により製造される磁気再生ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子に電流を流し、磁気記録媒体に記録された情報を読み取るための電気信号を検出する回路と、を備えること
を特徴とする情報記憶装置。
【請求項６】
磁気抵抗効果素子と抵抗素子とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドにおいて、
前記抵抗素子が、引き出し端子上面に接続されて平坦に形成されていること
を特徴とする磁気再生ヘッド。
【請求項７】
磁気抵抗効果素子と抵抗素子とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドにおいて、
前記抵抗素子が、引き出し端子上に設けられる嵩上げ端子上面に接続されて平坦に形成されていること
を特徴とする磁気再生ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気再生ヘッドの製造方法、磁気再生ヘッドおよび情報記憶装置に関し、さらに詳細には、磁気抵抗効果素子と抵抗素子とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドの製造方法および当該製造方法により製造される磁気再生ヘッドおよび当該磁気再生ヘッドを備える情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置に用いられる磁気再生ヘッドとして、磁気抵抗効果素子にＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子を用いたトンネル磁気抵抗効果型ヘッドが実用化されている。
【０００３】
近年、磁気ディスク装置等の情報記憶装置の記憶容量は顕著に増大する傾向にある。そのためには、当該磁気再生ヘッドのトラック幅を狭小化する必要があるが、磁気再生ヘッドの抵抗値が上がるとノイズの増大、周波数特性の悪化が生じることから、磁気再生ヘッドの抵抗値を上げることなく、トラック幅を狭小化することが求められている。そこで、磁気再生ヘッドに用いられるトンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）を低下させる必要がある。その一つの手法として、例えばＭｇＯを用いて構成されるバリア層の層厚を０．１ｎｍオーダの厚さで制御して薄層化を図ることによって、低いＲＡ値を実現することが試みられている。しかしながら、バリア層であるＭｇＯ層を薄層化していくと、ＭＲ特性が低下するだけでなく、ピンホール等の欠陥が発生し易くなり耐圧が低下するという課題が生じる。
そこで、トンネル磁気抵抗効果型の磁気再生ヘッドにおいて、トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗を下げる方法として、トンネル磁気抵抗効果素子に抵抗体（以下、「シャント抵抗素子」という）をシャントさせて、実効的に抵抗を下げることが行われている（特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２１７４７１号公報
【特許文献２】米国特許第７０５４０８５号明細書
【特許文献３】米国特許第７１５１６５４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗は、成膜条件等により変化し、一定値に安定して成膜することは難しい。本発明は、磁気再生ヘッド全体の抵抗のばらつきを低減することが可能な磁気再生ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
【０００７】
この磁気再生ヘッドの製造方法は、磁気抵抗効果素子と抵抗素子とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドの製造方法において、基体上に前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する工程と、前記抵抗値の測定後に、前記抵抗素子を形成する工程と、を備えることを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、シャント抵抗素子が形成されていない状態で磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）を測定し、その測定結果に基づくシャント抵抗素子形成および磁気抵抗効果素子製造プロセスへのフィードバックを行うことで、磁気再生ヘッド全体の抵抗のばらつきを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図１は、シャント抵抗素子２３が並列に設けられた磁気抵抗効果素子１３の回路図である。図２は、磁気抵抗効果素子１３の膜構成の例を示す概略図である。図３〜図５は、本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の製造方法と、従来の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。図６〜図９は、従来の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の製造方法を説明する説明図である。図１０〜図１３は、本発明の第一の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の製造方法を説明する説明図である。図１４、図１５は、本発明の第二の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の製造方法を説明する説明図である。図１６〜図１９は、本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の製造方法を説明する説明図である。図２０は、図９（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。図２１は、図１３（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図である。図２２は、図１５（ａ）におけるＤ−Ｄ線断面図である。図２３は、図１９（ａ）におけるＥ−Ｅ線断面図である。図２４は、本発明の実施形態に係る情報記憶装置４０の構成を示す概略図である。
なお、図３（ａ）は、積層体を膜厚方向の上層側から下層側に向かって視た図であり、図３（ｂ）はＡＢＳ面（媒体対向面）形成位置における断面図（図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図）である。なお、この図示方法は、図４〜図１９までの各図における（ａ）、（ｂ）について共通である。
【００１０】
磁気抵抗効果素子を備える磁気再生ヘッドに関し、従来、磁気抵抗効果素子に抵抗体をシャントさせて、実効的に当該磁気抵抗効果素子の抵抗を下げることが行われている。
【００１１】
本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法により製造される磁気再生ヘッド１は、図１に示すように、磁気抵抗効果素子１３とシャント抵抗素子２３とを備え、当該磁気抵抗効果素子１３とシャント抵抗素子２３とが、並列回路に配置されて構成される。
【００１２】
ここで、磁気抵抗効果素子１３の構成例について説明する。
図２に示すように、ベースとなるウエハ基板１１上に、下部シールド層１２が形成される（本実施形態では、下部シールド層１２までの積層体を「基体」とする）。さらに、下部シールド層１２の上層には、磁気抵抗効果素子１３が形成される。ここで、磁気抵抗効果素子１３には、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＣＰＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｐｌａｎｅ − Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。
ＴＭＲ素子を例にとると、当該素子の膜構成例として、同図に示すように、反強磁性層５と、反強磁性層５により磁化が固定されている固定磁性層６と、外部磁界に応じて磁化回転する自由磁性層８と、固定磁性層６と自由磁性層８との間に配置されるバリア層７とを備える。
また、ＴＭＲ素子の各層の形成材料についても、種々の材料を採用することができるが、一例として、反強磁性層５は、Ｍｎ系反強磁性材からなるＩｒＭｎを用いて構成される。固定磁性層６は、強磁性材のＣｏＦｅを用いて構成される。バリア層７は、絶縁性材料のＭｇＯを用いて構成される。自由磁性層８は、ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅの２層膜を用いて構成される。
【００１３】
さらに、磁気抵抗効果素子１３上に、上部シールド層１９が形成される。なお、上部シールド層１９、下部シールド層１２共に、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。当該上部シールド層１９および下部シールド層１２は、共に、磁気抵抗効果素子１３の磁気的シールドを行うものであって、ＣＰＰ構造を有する磁気抵抗効果素子１３の電極を兼用するものである。
【００１４】
上記構成を備える磁気再生ヘッド１は、磁気抵抗効果素子１３に対して、シャント抵抗素子２３をシャントさせることによって、当該磁気抵抗効果素子１３の素子面に垂直方向の抵抗値（ＲＡ値）を低下させることが可能となる。
【００１５】
続いて、磁気抵抗効果素子１３に抵抗体（シャント抵抗素子２３）をシャントさせた構造を有する磁気再生ヘッド１の製造方法について、先ず、従来の製造方法から説明する。
【００１６】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハ基板１１上に、ＮｉＦｅ等の磁性材料を用いて下部シールド層１２を膜厚１〜２［μｍ］程度に形成する。例えば、鍍金プロセスにより形成し、上面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械的研磨）プロセスにより平坦化する。
【００１７】
次いで、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、下部シールド層１２の上層に、前述の多層構造を有する磁気抵抗効果素子１３を形成する（なお、この段階では、単なる積層膜の状態であり、後のＡＢＳ面加工工程等を経て磁気抵抗効果素子（再生素子）として機能することとなる）。本実施形態では、当該磁気抵抗効果素子１３は、ＴＭＲ素子である。
形成方法の例として、前述の各積層膜をスパッタリング法により成膜した後、ピンアニール処理を行う。
さらに、同図に示すコア幅方向および素子高さ方向のパターンについては、リフトオフ法を用いて形成する。より具体的には、コア幅方向における磁気抵抗効果素子１３の両側に絶縁層（図示しない）を介してハード膜１４が形成される。さらに、当該磁気抵抗効果素子１３およびハード膜１４を、コア幅方向と素子高さ方向とにおいて取り囲むように、Ａｌ２Ｏ３等を用いて絶縁層１５を形成する。
このとき、素子高さは０．５〜４［μｍ］程度であり、最終的にはウェハプロセス完了後に研磨することによって、最終的に素子高さを０．１［μｍ］以下に追い込む。
【００１８】
次いで、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層１５に、下部シールド層１２まで貫通するスルーホール３０を形成する。
【００１９】
次いで、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、後の工程で下部シールド層１２および上部シールド層１９とそれぞれ接続されることとなるシャント端子部３１、３２を導電性金属材料を用いて形成し、当該シャント端子部３１とシャント端子部３２とを接続するシャント抵抗素子２３を形成する。一例として、シャント抵抗素子２３を、Ｔａ（タンタル）を用いて膜厚が数十［ｎｍ］程度に形成する。
【００２０】
次いで、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子１３に電流を流すための端子層１６、１７を形成する。なお、端子層１６は、下部シールド層１２からの引き出し端子を形成するための端子層となり、端子層１７は、後工程において上部シールド層１９からの引き出し端子を形成するための端子層となる。このとき、端子層１６とシャント端子部３１とが接続され、端子層１７とシャント端子部３２とが接続される。さらに、前工程で形成されたスルーホール３０によって、端子層１６と下部シールド層１２とが接続される。
【００２１】
次いで、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子１３の上面（周辺部を含む）部分を除く領域で、且つ端子層１６、１７の端子部となる部分（図中の符号１６Ａ、１７Ａ、１７Ｂ）を除く領域に、Ａｌ２Ｏ３等を用いて保護層１８を形成する。
【００２２】
次いで、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、保護層１８と、保護層１８で覆われていない磁気抵抗効果素子１３の上面（周辺部を含む）と、端子層１６、１７の端子部１６Ａ、１７Ａ、１７Ｂとの上に、ＮｉＦｅ等の磁性材料を用いて上部シールド層１９を膜厚１〜２［μｍ］程度に形成する。一例として、鍍金プロセスによって形成する。
このとき、端子部１６Ａに上部シールド層１９と同材料が積層されて、下部シールド層１２の引き出し端子２１となる。また、端子部１７Ｂが上部シールド層１９と接続され、端子部１７Ａに上部シールド層１９と同材料が積層されて、上部シールド層１９の引き出し端子２２となる。ここで、シャント抵抗素子２３形成部の断面図（図９（ａ）のＢ−Ｂ線断面図）を図２０に示す（要部のみ示し、保護層１８等は省略）。
【００２３】
この状態において、引き出し端子２１と引き出し端子２２とにプローブを接続して抵抗測定を行うと、磁気抵抗効果素子１３とシャント抵抗素子２３との並列抵抗の抵抗値が得られることとなる。
【００２４】
すなわち、上記の従来の製造方法のように、二つの電極（下部シールド層１２および上部シールド層１９）間に磁気抵抗効果素子１３とシャント抵抗素子２３とを形成すると、製造工程中（ウェハプロセス中）において、磁気抵抗効果素子１３自体の特性（ＲＡ値、ＭＲ比）を測定することができず、その特性を評価して製造工程にフィードバックすることが困難となる。
さらに、磁気抵抗効果素子１３の抵抗のばらつきの他に、シャント抵抗素子２３の抵抗のばらつきが加わるため、トータルの磁気再生ヘッド１全体の抵抗のばらつきが大きくなってしまう。
【００２５】
続いて、磁気抵抗効果素子１３に抵抗体（シャント抵抗素子２３）をシャントさせた構造を有する磁気再生ヘッド１の製造方法に関し、本発明の第一の実施形態に係る製造方法について説明する。本製造方法は、前述の従来の実施形態における図５（ａ）、（ｂ）で示される形成工程まで共通である。
【００２６】
この後に続く工程として、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子１３に電流を流すための端子層１６、１７を形成する。なお、端子層１６は、下部シールド層１２からの引き出し端子を形成するための端子層となり、端子層１７は、後工程において上部シールド層１９からの引き出し端子を形成するための端子層となる。このとき、前工程で形成されたスルーホール３０によって、端子層１６と下部シールド層１２とが接続される。
一例として、端子層１６、１７は、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）等を用いて、リフトオフプロセスにより膜厚０．２［μｍ］以下程度に形成する。
【００２７】
次いで、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子１３の上面（周辺部を含む）部分を除く領域で、且つ端子層１６、１７の端子部となる部分（図中の符号１６Ａ、１７Ａ、１７Ｂ）を除く領域に、Ａｌ２Ｏ３等を用いて保護層１８を形成する。
【００２８】
次いで、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、保護層１８と、保護層１８で覆われていない磁気抵抗効果素子１３の上面（周辺部を含む）と、端子層１６、１７の端子部１６Ａ、１７Ａ、１７Ｂとの上に、ＮｉＦｅ等の磁性材料を用いて上部シールド層１９を膜厚１〜２［μｍ］程度に形成する。一例として、鍍金プロセスによって形成する。
このとき、端子部１６Ａに上部シールド層１９と同材料が積層されて、下部シールド層１２の引き出し端子２１となる。また、端子部１７Ｂが上部シールド層１９と接続され、端子部１７Ａに上部シールド層１９と同材料が積層されて、上部シールド層１９の引き出し端子２２となる。
【００２９】
この状態において、引き出し端子２１と引き出し端子２２とにプローブを接続して、磁気抵抗効果素子１３（ここではＴＭＲ素子）の膜厚方向の抵抗値（ＲＡ値）を測定する。これにより、磁気抵抗効果素子１３単体の抵抗値を得ることができる。
【００３０】
次いで、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、前工程で測定した磁気抵抗効果素子１３の抵抗値（ＲＡ値）に応じて、シャント抵抗素子２３の抵抗値を決定した後、リフトオフ法によって、引き出し端子２１と引き出し端子２２とを接続する当該シャント抵抗素子２３のパターンを形成する。なお、シャント抵抗素子２３形成部の断面図（図１３（ａ）のＣ−Ｃ線断面図）を図２１に示す（要部のみ示し、保護層１８等は省略）。
ここで、シャント抵抗素子２３の抵抗値は、シャント材料の膜厚を変更することにより変更できる。一例として、本実施形態では、シャント抵抗素子２３を、Ｔａ（タンタル）を用いて膜厚が数十［ｎｍ］程度に形成する。
【００３１】
ここで、磁気抵抗効果素子１３（ここではＴＭＲ素子）の膜厚方向の抵抗値（ＲＡ値）を測定した結果をフィードバックして、シャント抵抗素子２３の抵抗値を決定する方法について説明する。
ＴＭＲ素子の抵抗をＲTMR、シャント抵抗をＲshunt、磁気再生ヘッド１のトータル抵抗をＲtotalとすると、下記式（１）となる。
（ただし、ＲＡ：ＴＭＲ素子の抵抗値（ＲＡ値）、ＲＣｗ：リードトラック幅、ＭＲｈ：リード素子高さ）
【００３２】
【数１】
2010061739.tif 000003
【００３３】
したがって、ＲＡとＲＣｗは実測できるため、ＭＲｈ、Ｒtotalの狙い値を決めれば、それに見合ったシャント抵抗素子２３の抵抗値を算出できる。
【００３４】
具体例として、仮にＲtotal＝３００［Ω］、リードトラック幅５０［ｎｍ］、リード素子高さを５０［ｎｍ］、ＲＡ＝４．０［Ωμｍ2］とすると、シャント抵抗素子２３の抵抗値は上記(１)式より３６９［Ω］を狙えばよい。
つまり、ＲTMRにばらつきが生じても、表１のようにシャント抵抗を変更することにより、トータル抵抗を一定に保つことが可能となる。シャント抵抗にも±２％程度のばらつきはあるが、トータル抵抗に与える影響はごく僅かである。
【００３５】
【表１】
2010061739.tif 000004
一方、ＲTMRに±３０％のばらつきにも関わらず、フィードバックせずに、シャント抵抗を３６９［Ω］固定値とすると、表２のようにＲtotal＝２７８〜３１４［Ω］となり、ばらつきが生じてしまう。
【００３６】
【表２】
2010061739.tif 000005
【００３７】
前述の通り、シャント抵抗素子２３の抵抗値を変更するためには、材料の膜厚を変更することで対応できる。ここで、磁気抵抗効果素子１３（ここではＴＭＲ素子）のＲＡは中間絶縁層（バリア層７）に対して面直方向に電流を流すため、中間絶縁層の膜厚、品質によりばらつきが大きく、またＲＣｗ、ＭＲｈの寸法ばらつきも考慮すると、ＴＭＲ素子の抵抗ＲTMRは±３０％程度のばらつきが生じる。一方、シャント抵抗素子２３の抵抗値は金属膜の材料、膜厚、μｍオーダの線幅で決まるため、ばらつきが小さく、±２％程度のばらつきで抑えることが可能である。そのため、仮にＲＡがばらついても、シャント抵抗素子２３で調整することにより磁気再生ヘッド１のトータル抵抗のばらつきを抑制できる。
【００３８】
以上のように、本実施の形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法によれば、シャント抵抗素子２３が形成されていない状態で磁気抵抗効果素子１３の抵抗値（ＲＡ値）の測定が可能となるため、その測定結果を、それ以降の他のロットの磁気抵抗効果素子成膜条件に反映することが可能となる。
さらに、磁気抵抗効果素子１３の抵抗測定結果に応じてシャント抵抗を設定することにより、磁気再生ヘッド１全体のＭＲ抵抗を一定に保つことができるため、ロット間でのＭＲ抵抗のばらつきを低減することが可能となる。
【００３９】
続いて、磁気抵抗効果素子１３に抵抗体（シャント抵抗素子２３）をシャントさせた構造を有する磁気再生ヘッド１の製造方法に関し、本発明の第二の実施形態に係る製造方法について説明する。
【００４０】
前述の本発明の第一の実施形態では、図２１の断面図に示すように、上部シールド層１９形成後に、単にシャントパターン（シャント抵抗素子２３）を形成するだけでは、高段差部でのパターン形成となるため、当該シャント抵抗素子２３が断線する障害が発生し易いという課題が生じる。これに対し、本発明の第二の実施形態は当該課題を解決し得る製造方法である。
【００４１】
本実施形態は、前記第一の実施形態における、図１２（ａ）、（ｂ）で示される形成工程および磁気抵抗効果素子１３の抵抗値測定工程まで共通である。
【００４２】
この後に続く工程として、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、上部シールド層１９、引き出し端子２１、２２を取り囲む領域に、Ａｌ２Ｏ３等を用いて絶縁層２０を形成した後、上部シールド層１９、引き出し端子２１、２２、絶縁層２０の上面が同一高さとなるようにＣＭＰプロセスによる平坦化工程を実施する。これによって、ウエハ面内すなわち積層体の上面を平坦化することが可能となる。
【００４３】
次いで、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、平坦化された面上において、引き出し端子２１、と引き出し端子２２とを接続するシャント抵抗素子２３を形成する。ここで、シャント抵抗素子２３形成部の断面図（図１５（ａ）のＤ−Ｄ線断面図）を図２２に示す（要部のみ示し、保護層１８等は省略）。
なお、シャント抵抗素子２３の抵抗値の決め方、および形成方法は、前述の第一の実施形態と同様であり、説明を省略する。
【００４４】
以上のように、本実施の形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法によれば、第一の実施形態と同様の効果が奏されることに加えて、当該第一の実施形態において課題となっていた段差部の発生によるシャント抵抗素子２３の断線を解決することが可能となる。
【００４５】
続いて、磁気抵抗効果素子１３に抵抗体（シャント抵抗素子２３）をシャントさせた構造を有する磁気再生ヘッド１の製造方法に関し、本発明の第三の実施形態に係る製造方法について説明する。
【００４６】
本実施形態は、磁気再生ヘッドの上に、磁気記録ヘッドを備える、複合型の磁気ヘッドとして製造する場合に有効な製造方法となる。
【００４７】
本実施形態は、前記第一の実施形態における、図１２（ａ）、（ｂ）で示される形成工程および磁気抵抗効果素子の抵抗値測定工程まで共通である。
【００４８】
この後に続く工程として、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、引き出し端子２１、２２の上面を除く領域に、Ａｌ２Ｏ３等を用いて絶縁層２４を形成する。
【００４９】
次いで、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層２４と、引き出し端子２１、２２の上面との上に、ＮｉＦｅ等の磁性材料を用いてリターンヨーク２５を形成する。一例として、鍍金プロセスが用いられる。
このとき、引き出し端子２１上にリターンヨーク２５と同材料が積層されて、下部シールド層１２と導通する嵩上げ端子２６となる。また、引き出し端子２２上にリターンヨーク２５と同材料が積層されて、上部シールド層１９と導通する嵩上げ端子２７となる（図２３の断面図参照）。
なお、リターンヨーク２５は、磁気記録ヘッドにおける記録用磁界を作用させるための構成要素である。
【００５０】
次いで、図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、リターンヨーク２５、嵩上げ端子２６、２７を取り囲む領域に、Ａｌ２Ｏ３等を用いて絶縁層２８を形成した後、リターンヨーク２５、嵩上げ端子２６、２７、絶縁層２８の上面が同一高さとなるようにＣＭＰプロセスによる平坦化工程を実施する。これによって、ウエハ面内すなわち積層体の上面を平坦化することが可能となる。
【００５１】
次いで、図１９（ａ）、（ｂ）に示すように、平坦化された面上において、嵩上げ端子２６と嵩上げ端子２７とを接続するシャント抵抗素子２３を形成する。ここで、シャント抵抗素子２３形成部の断面図（図１９（ａ）のＥ−Ｅ線断面図）を図２３に示す（要部のみ示し、保護層１８等は省略）。
なお、シャント抵抗素子２３の抵抗値の決め方、および形成方法は、前述の第一の実施形態と同様であり、説明を省略する。
【００５２】
以上のように、本実施の形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法によれば、第二の実施形態と同様の効果が奏されることに加えて、磁気再生ヘッドの上に、磁気記録ヘッドを備える、複合型の磁気ヘッドとして製造する場合に有効な方法となる。
【００５３】
続いて、本発明の実施の形態に係る情報記憶装置について説明する。
前述の本実施の形態に係る製造方法によって製造される磁気再生ヘッド１を用いて、磁気ディスク装置、ＭＲＡＭ等を構成することにより、記録密度の増加に対応した高い再生感度の実現、あるいは記憶特性の向上が可能な情報記憶装置が実現される。
【００５４】
情報記憶装置の一例として、図２４に示す磁気ディスク装置４０は、磁気再生ヘッド１および磁気記録ヘッドが、磁気記録媒体（磁気ディスク）４１との間で情報を記録し、情報を再生するヘッドスライダ４２に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ４２は、ヘッドサスペンション４３のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション４３の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム４４と、該サスペンション４３及び該アクチュエータアーム４４上の絶縁された導電線を通じて、前記再生素子に電気的に接続され、磁気再生ヘッド１（再生素子）からの信号を処理する信号処理基板（不図示）とを有する記憶装置として構成される。その作用として、磁気ディスク４１が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ４２がディスク面から浮上し、磁気ディスク４１との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。
【００５５】
例えば、磁気抵抗効果素子１３としてバリア層７にＭｇＯを用いるＴＭＲ素子を用いることによって、非常に高い磁気抵抗効果が得られるため、磁気再生ヘッド１の再生出力を高めることが可能となる。
さらに、磁気抵抗効果素子１３に対して、シャント抵抗素子２３をシャントさせる構成を備えることによって、バリア層７であるＭｇＯ層の薄層化手段を用いることなく、素子における面直方向の抵抗値（ＲＡ値）を低下させることによって、記録密度の増加に対応した高い再生感度の実現が可能な情報記憶装置が提供される。
【００５６】
以上、本実施の形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法によれば、シャント抵抗素子が形成されていない状態で磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）の測定が可能となるため、その測定結果を、それ以降の他のロットの磁気抵抗効果素子成膜条件に反映することが可能となる。
さらに、磁気抵抗効果素子の抵抗測定結果に応じてシャント抵抗を設定することにより、磁気再生ヘッド全体のＭＲ抵抗を一定に保つことができる。
また、当該磁気再生ヘッドを用いる情報記憶装置によれば、磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）をシャントさせるシャント抵抗素子を備えて、中間絶縁層の薄層化手段を用いることなく、当該磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）を低下させることが可能となり、記録密度の増加に対応した高い再生感度の実現が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】磁気抵抗効果素子とシャント抵抗素子とが並列回路に構成される磁気再生ヘッドの回路図である。
【図２】磁気抵抗効果素子の膜構成の例を示す概略図である。
【図３】本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法と、従来の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法と、従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図５】本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法と、従来の実施形態に係る再生ヘッドの製造方法とに共通の工程を説明する説明図である。
【図６】従来の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図７】従来の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図８】従来の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図９】従来の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１０】本発明の第一の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１１】本発明の第一の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１２】本発明の第一の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１３】本発明の第一の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１４】本発明の第二の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１５】本発明の第二の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１６】本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１７】本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１８】本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図１９】本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法を説明する説明図である。
【図２０】図９（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図２１】図１３（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【図２２】図１５（ａ）におけるＤ−Ｄ線断面図である。
【図２３】図１９（ａ）におけるＥ−Ｅ線断面図である。
【図２４】本発明の実施形態に係る情報記憶装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  磁気再生ヘッド
５  反強磁性層
６  固定磁性層
７  バリア層
８  自由磁性層
１２  下部シールド層
１３  磁気抵抗効果素子
１４  ハード膜
１５、２０、２４、２８  絶縁層
１６、１７  端子層
１８  保護層
１９  上部シールド層
２１、２２  引き出し端子
２３  シャント抵抗素子
２５  リターンヨーク
２６、２７  嵩上げ端子
３０  スルーホール
４０  情報記憶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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