(57)【要約】【課題】インライン式スパッタ装置で発生するパーティクルを抑制する。【解決手段】基板１１を移動させながら成膜するスパッタ装置１０において、雰囲気制御が可能な成膜室１４と、該成膜室１４内に配置した前記基板１１にスパッタ法により所定材料の膜を形成するためのスパッタ源１８と、前記基板１１を支持、搬送する支持体（基板ホルダ１２、支持体軸１５）と、成膜室１４外から成膜室１４内の前記支持体に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構を備える。成膜室の外側から支持体を移動させることができ、前記支持体の移動に伴うパーティクルの発生を抑え、基板が汚染されるのを防止する。さらに支持体軸を磁力を介して直線運動させるものとすれば、ローラや歯車などの回転体を用いず、支持体により基板を移動でき、搬送時のパーティクルを極力少なくする。【選択図】図１
2010024469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を移動させながら成膜するスパッタ装置において、雰囲気制御が可能な成膜室と、該成膜室内に配置した前記基板にスパッタ法により所定材料の膜を形成するためのスパッタ源と、前記基板を支持、搬送する支持体と、前記成膜室外から前記成膜室内の前記支持体に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構とを備えることを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
前記支持体は少なくとも一本の支持体軸を有しており、前記磁気運動伝達機構は、前記支持体軸を磁力を介して直線運動させるものであることを特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。
【請求項３】
前記スパッタ源は、対向する少なくとも１対のターゲットを有する対向ターゲット式スパッタ源であることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
前記支持体は、前記基板面を横にして支持して横方向に移動するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタ装置。
【請求項５】
前記支持体は、前記基板面を縦にして支持して縦方向に移動するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタ装置。
【請求項６】
前記支持体を移動可能に支持する支持部が前記成膜室に連通して成膜室外側に設けられた収納部内に配置され、前記支持体が該支持部でのみ支持されて前記収納部から成膜室内に突き出し配置され、前記磁力を介して運動伝達が前記支持体になされて前記支持体が前記収納部内で前記支持部で支持されつつ移動することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を移動させながら成膜を行うインライン式スパッタ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板に薄膜を形成するスパッタ装置としては、バッチ式（枚葉式）スパッタ装置とインライン式スパッタ装置がある。
従来のインライン式スパッタ装置における基板の搬送方法としては、特許文献１〜３に提案されているものがある。
図６に示すものは、特許文献１において提案されたものである。図において、４００は基板４４０を搬送するキャリアである。このキャリア４００は、図示しない駆動用モーターからの駆動力が歯車４１０からキャリア４００に接続された溝成形部４２０に伝達され、回転ロール４３０で支持されつつ搬送される。
特許文献２において提案されている搬送方法では、基板を載せた被搬送体の左右端部にレールを設け、そのレールを回転ローラ上に載置し、回転ローラの回転力によりレールが送られ、被搬送体が移動する。
特許文献３において提案されている搬送方法では、搬送ローラ上に基板ホルダーに支持された基板をローラの回転力により搬送させる。
これらインライン式スパッタ装置は、特にＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板などの大型ガラス基板へＩＴＯ膜などの透明電導膜を形成する際に多く用いられている。
【特許文献１】特開２００７−１２６７０３号公報
【特許文献２】特開平１１−１５８６３０号公報
【特許文献３】特開平５−２３９６４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来のインライン式スパッタ装置は、以上のように構成されているので、基板を載せる基板ホルダーなどの枠体は、常にローラ、歯車などの運動伝達機構の部材と接触する必要があり、レールとローラ、または歯車と基板ホルダー側の溝との接触などにより、パーティクルが発生するなどの問題がある。
従来のインライン式スパッタ装置は、ＦＰＤ基板などの大型ガラス基板への成膜に多く用いられている。しかしながら、半導体用のＳｉ基板などへの応用は、成膜時に基板は移動する際のパーティクル発生の懸念が大きく、ほとんど採用されていない。
【０００４】
この発明は上記のような従来のものの課題を解決するためになされたもので、搬送成膜時ならびに基板搬送時の発塵（パーティクル）を抑えた機構を有するインライン式スパッタ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
すなわち、本発明のスパッタ装置のうち、第１の本発明は、基板を移動させながら成膜するスパッタ装置において、雰囲気制御が可能な成膜室と、該成膜室内に配置した前記基板にスパッタ法により所定材料の膜を形成するためのスパッタ源と、前記基板を支持、搬送する支持体と、前記成膜室外から前記成膜室内の前記支持体に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構とを備えることを特徴とする。
【０００６】
第２の本発明のスパッタ装置は、前記第１の本発明において、前記支持体が少なくとも一本の支持体軸を有しており、前記磁気運動伝達機構は、前記支持体軸を磁力を介して直線運動させるものであることを特徴とする。
【０００７】
第３の本発明のスパッタ装置は、前記第１または第２の本発明において、前記スパッタ源が、対向する少なくとも１対のターゲットを有する対向ターゲット式スパッタ源であることを特徴とする。
【０００８】
第４の本発明のスパッタ装置は、前記第１〜第３の本発明において、前記支持体が、前記基板面を横にして支持して横方向に移動するものであることを特徴とする。
【０００９】
第５の本発明のスパッタ装置は、前記第１〜第３の本発明において、前記支持体が、前記基板面を縦にして支持して縦方向に移動するものであることを特徴とする。
【００１０】
第６の本発明のスパッタ装置は、前記第１〜第５の本発明において、前記支持体を移動可能に支持する支持部が前記成膜室に連通して成膜室外側に設けられた収納部内に配置され、前記支持体が該支持部でのみ支持されて前記収納部から成膜室内に突き出し配置され、前記磁力を介して運動伝達が前記支持体になされて前記支持体が前記収納部内で前記支持部で支持されつつ移動することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板を移動させながら成膜するスパッタ装置において、雰囲気制御が可能な成膜室と、該成膜室内に配置した前記基板にスパッタ法により所定材料の膜を形成するためのスパッタ源と、前記基板を支持、搬送する支持体と、前記成膜室外から前記成膜室内の前記支持体に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構とを備えるので、基板を移動させながら成膜する際に、前記成膜室の外側から支持体を移動させることができ、前記支持体の移動に伴うパーティクルの発生を抑え、基板が汚染されるのを防止する。
【００１２】
また、前記支持体が少なくとも一本の支持体軸を有するものとし、前記磁気運動伝達機構が前記支持体軸を磁力を介して直線運動させるものとすれば、ローラや歯車などの回転体を用いず、直進運動機構を有する支持体により基板を移動できるので、搬送時のパーティクルを極力少なくする効果がある。これにより、パーティクル発生量の問題となるレベルの高い半導体用の成膜装置にも本発明を採用することにより、実用化が可能となる。
【００１３】
また、支持体を成膜室に連通した収納部に設けた支持部のみで支持して移動させるものとすれば、支持部および支持体に設けた支持体軸をスパッタ源から発生するスパッタ粒子から保護し、支持部および支持体軸への膜の堆積を防止することにより、支持体が移動する際に、一層パーティクルの発生を抑えることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施形態１）
以下に、本発明の一実施形態を図１、図２に基づいて説明する。
図中１０は、基板１１を基板ホルダ１２に載せ、かつ移動させながら成膜するスパッタ装置である。
該スパッタ装置１０は雰囲気調整が可能な成膜室１４を有している。該成膜室１４は、内部を真空状態に保てるよう気密性を有する空間を備えており、排気機構として図示しない真空排気ポンプ（ロータリー、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等）を有している。
また、ガスの導入が可能な図示しないガス導入ラインを備えており、Ａｒガスの導入が可能である。また成膜処理に際し、Ｏ２、Ｎ２等の反応性ガスの導入も可能な構造となっている。さらにガス圧力のコントロール用に圧力調整器を備えるか、ガス導入量を変化させて調整を行うことができる。
【００１５】
上記成膜室１４の前段には、バルブ（図示しない）で仕切られたロードロック室１３が連結されている。前記基板１１は、ロードロック室１３から成膜室１４へと搬送される。この時、前記基板１１は搬送用のトレイに載って搬送させることもできる。
図１では、ロードロック室１３と成膜室１４のみの構成であるが、前記ロードロック室１３と前記成膜室１４の間に搬送室を配置しても良い。更に、前記搬送室内に搬送ロボットを設置することによりマルチチャンバ方式にも対応できる。
【００１６】
成膜室１４には、成膜室１４の下方側でスパッタ源１８が接続されており、スパッタ源１８から成膜室１４内へのスパッタが可能になっている。
上記基板ホルダ１２は、成膜室１４内で互いに並列かつ水平に水平に配した２本の支持体軸１５、１５の先端間に、水平な状態で固定されており、該支持体軸１５の直進運動により、前記成膜室１４内を移動することができる。該基板ホルダ１２と支持体軸１５とによって本発明の支持体１７が構成されている。
【００１７】
上記支持体軸１５は、図１、２に示すように、成膜室１４に連通するように成膜室１４の外側に設けられた収納部１６に一部が収納されている。収納部１６は、成膜室１４との連通部を除いて密閉されており、成膜室１４の雰囲気と同一雰囲気とされる。収納部１６は、支持体軸１５が挿通される軸穴を有しており、該軸穴先端側の内周面にベアリング２０が配置された軸受構造を有している。
【００１８】
上記収納部１６内に収納される支持体軸１５の基端側には、磁気カップリング用の強磁性体を有する運動伝達部２１ｂが固定されている。一方、収納部１６の外側には、前記運動伝達部２１ｂの強磁性体と磁気カップリングを構成する強磁性体を有する運動伝達部２１ａが設けられている。該運動伝達部２１ａは、収納部１６の長手方向に移動可能になっており、図示しない駆動装置によって駆動されて移動する。なお、上記各強磁性体は、永久磁石で構成しても良く、また、電磁石によって構成しても良い。上記運動伝達部２１ａと、運動伝達部２１ｂとによって本発明の運動伝達機構が構成されている。なお、磁力は、吸着力、反発力のいずれを利用するものであってもよい。
支持体軸１５は、上記のように収納部１６に一部が収納されて、ベアリング２０による支持と上記磁気カップリングによる非接触支持によって直線運動が可能になっており、上記ベアリング２０および磁気カップリングは、本発明の支持部に相当する。なお、支持体軸１５の一部は収納部１６から成膜室１４内に突出している。
【００１９】
支持体軸１５は、直線運動に伴い、後退して成膜室１４から引き抜かれた際には図２（ａ）に示すように基板ホルダ１２との固定部分を除いて収納部１６内に大半が収納され、前進して成膜室１４内に導入される際には、図２（ｂ）に示すように収納部１６外から成膜室１４内に大半が突き出す。該直線運動によって支持体軸１５を移動させて、基板ホルダ１２に固定された基板を移動させつつスパッタを行うことができる。
【００２０】
以上のように大気側にて前記運動伝達部２１ａを移動させることにより、該伝達部２１ａの磁力が前記運動伝達部２１ｂに伝わり、前記運動伝達部２１ａの移動に伴って運動伝達部２１ｂが移動し、さらに、運動伝達部２１ｂが固定された支持体軸１５が直線運動する。支持体軸１５が、収納部１６内で支持されて移動する間において、前記支持体軸１５が接触する箇所は、前記収納部１６内に設置されているベアリング２０のみとなり、ローラや歯車などと比べ、極めて接触箇所を減少することができ、その結果、パーティクルの発生を抑制することができる。また、これらの接触部が成膜室１４外の収納部に位置することで、成膜室１４内の汚染が一層抑制される。
特に、支持体軸１５の移動にローラや歯車などの回転体を用いず、支持体を直進運動させる機構を有することにより、パーティクル発生を一層抑制することができる。
なお、この実施形態では、２本の支持体１７を用いて基板を搬送させるが、支持体が２本である必要はなく、一本または３本以上であっても良い。
【００２１】
更に、前記収納部１６へ収納される前記支持体軸１５に、スパッタ源１８から飛び出すスパッタ粒子が堆積することを防止するために、成膜室１４内において、支持体軸１５の移動領域の下方側にカバー１９を設ける。これにより前記支持体軸１５とベアリングの接触時に発生するパーティクルをより確実に予防できる。
【００２２】
更に、前記基板１１を裏面にした状態で、前記基板ホルダ１６にセットし、前記スパッタ源１８を前期成膜室１４の底面に配置し成膜することで、前記基板１１に堆積するスパッタ粒子以外のパーティクルをより抑制できる。
【００２３】
なお、前記スパッタ源１８は、一般的なマグネトロンスパッタ法だけでなく、対向ターゲット式スパッタ法などにも適用でき、更に、複数のスパッタ源を配置することにより、１つの成膜室で多層膜の成膜もできる。
【００２４】
（実施形態２）
次に、他の実施形態を図３に基づいて説明する。なお、上記実施形態と同様の構成（運動伝達機構など）についてはその詳細は省略または簡略化する。
スパッタ装置１００は、成膜室１０４を備え、該成膜室１０４とバルブによって仕切られている図示しない搬送室もしくはロードロック室から前記成膜室１０４に基板１０１が搬送される。この時、前記基板１０１は搬送用のトレイに載って搬送させることもできる。
【００２５】
前記基板１０１は支持体軸１０５、１０５に固定された基板ホルダ１０２に載せられ、支持体軸１０５、１０５の直進運動により前記成膜室１０４内を移動できる。このとき、前記支持体軸１０５の接触箇所は、前記実施形態と同様に、収納部１０６内に設置されているベアリングのみとなり、前記基板ホルダ１０２の搬送におけるパーティクルの発生を極力抑えることができる。基板ホルダ１０２と支持体軸１０５とで支持体１０７が構成され、支持体軸１０５は複数本使用しても、１本でも構わない。
【００２６】
前記成膜室１０４内には、対向して配置されたターゲットを一対以上有するスパッタ源１０８が備えられている。この前記スパッタ源１０８は、前記成膜室１０４内に組み込まれていても、別の独立したユニットとして前記成膜室１０４に取り付けられていてもよい。前記スパッタ源１０８のターゲットは、外周および裏面に磁石を配置した構造となっており、対向するターゲットの周辺に磁界を形成し、ターゲット間に形成されるプラズマを拘束する。磁界によるプラズマの拘束により、負電荷粒子（電子）が基板に到達せず成膜面へのダメージが軽減される。ターゲットには、ＤＣパルス電源、ＲＦ電源をそれぞれ単独、または両方が接続されており、スパッタ（プラズマ発生）に必要な電力の投入が可能である。
【００２７】
前記スパッタ源１０８は、対向したターゲットの側面と底部が塞がれており、上部のみが開口した構造となっている。
なお、スパッタ源１０８の開口部以外にはスパッタ粒子の余分な拡散を防止するカバーを設ける。特に、前記支持体軸１０５への前記スパッタ源１０８から飛び出すスパッタ粒子が堆積することを防止するために開口部上方以外に、カバー１０９、１０９を設けることにより、前記支持体軸１０５とベアリングの接触時に発生するパーティクルを予防できる。
【００２８】
図３は、支持体軸１０５が前進して、前記基板１０１および前記基板ホルダ１０２が前記スパッタ源１０８の直上に移動している位置を示す。成膜処理を開始する際は、前記基板１０１および前記基板ホルダ１０２を前記スパッタ源１０８の開口部から離れた位置に移動させる。
前記スパッタ源１０８にＤＣパルス電源、ＲＦ電源からスパッタに必要な電力を投入し、プラズマを発生させる。この時、ターゲットからスパッタ粒子が飛散し、開口部を通って、前記成膜室１０４内に飛び出す。支持体軸１０５は、カバー１０９でカバーされてスパッタ粒子の付着が防止される。この時、開口部には図示しないシャッタを取り付け、余分なスパッタ粒子を前記成膜室１０４内に導入することを防ぐこともできる。
プラズマ発生後、前記支持体軸１０５の直進運動により前記基板１０１および前記基板ホルダ１０２を前記スパッタ源１０８の開口部上を通過させ、前記基板１０１へスパッタ粒子を堆積させる。前記支持体軸１０５の直進速度を制御することにより、前記基板１０１上の膜厚を制御できる。前記基板１０１は、予め、前記成膜室１０４に搬送される前に表面を下になるように反転されており、前記基板１０１表面へのパーティクルの付着をより予防している。
【００２９】
（実施形態３）
上記各実施形態では、スパッタ源が一つのものについて説明をしたが、スパッタ源を複数有するものであってもよい。図４におけるスパッタ装置２００では、成膜室２０４は基板２０１を水平方向に搬送する構成を示し、かつスパッタ源２０８が複数個、前記成膜室２０４に取り付けられた構造である。なお、上記実施形態と同様の構成（運動伝達機構など）についてはその詳細は省略または簡略化する。
【００３０】
前記成膜室２０４は、前記実施形態と同様に真空排気ポンプにより真空にすることができ、また、所望のガスを圧力調整したり、導入量を調整するなどして導入することができる。
前記基板２０１は前記成膜室２０４とバルブによって仕切られている図示しない搬送室もしくはロードロック室から前記成膜室２０４に搬送される。この時、前記基板２０１は搬送用のトレイに載って搬送されることもできる。
前記基板２０１は基板ホルダ２０２に載せられ、前記基板ホルダ２０２を固定している支持体軸２０５の直進運動により前記成膜室２０４内を移動できる。このとき、前記支持体軸２０５の接触箇所は、前記各実施形態と同様に収納部２０６内に設置されているベアリングのみとなり、前記基板ホルダ２０２の搬送におけるパーティクルの発生を極力抑えることができる。基板ホルダ２０２と支持体軸２０５で支持体２０７が構成されており、支持体軸２０５は複数本使用しても、１本でも構わない。
【００３１】
前記成膜室２０４内には、対向して配置されたターゲットを一対以上有する前記スパッタ源２０８が備えられている。前記スパッタ源２０８は、前記成膜室２０４内に組み込まれていても、別の独立したユニットとして前記成膜室２０４に取り付けられていてもよい。前記スパッタ源２０８のターゲットは、外周および裏面に磁石を配置した構造となっており、対向するターゲットの周辺に磁界を形成し、ターゲット間に形成されるプラズマを拘束する。磁界によるプラズマの拘束により、負電荷粒子（電子）が基板に到達せず成膜面へのダメージが軽減される。ターゲットには、ＤＣパルス電源、ＲＦ電源をそれぞれ単独、または両方が接続されており、スパッタ（プラズマ発生）に必要な電力の投入が可能である。
【００３２】
前記スパッタ源２０８は、対向したターゲットの側面と底部が塞がれており、上部のみが開口した構造となっている。図４は、前記基板２０１および前記基板ホルダ２０２が前記スパッタ源２０８の直上に移動している位置を示す。成膜処理を開始する際は、前記基板２０１および前記基板ホルダ２０２を前記スパッタ源２０８の開口部から離れた位置に移動させる。
【００３３】
スパッタ源２０８は、二つのスパッタ源２０８ａ、２０８ｂにより構成されており、先ず、スパッタ源２０８ａにＤＣパルス電源、ＲＦ電源からスパッタに必要な電力を投入し、プラズマを発生させる。この時、ターゲットからスパッタ粒子が飛散し、開口部を通って、前記成膜室２０４内に飛び出す。この時、開口部にはシャッタを取り付け余分なスパッタ粒子を前記成膜室２０４内に導入することを防ぐこともできる。
プラズマ発生後、前記支持体軸２０５の直進運動により前記基板２０１および前記基板ホルダ２０２を前記スパッタ源２０８ａの開口部上を通過させ、前記基板２０１へスパッタ粒子を堆積させる。前記支持体軸２０５の直進速度を制御することにより、前記基板２０１上の膜厚を制御できる。前記基板２０１は、予め、前記成膜室２０４に搬送される前に表面を下になるように反転されており、前記基板２０１表面へのパーティクルの付着を予防している。さらに、前記スパッタ源２０８ａの開口部以外にはスパッタ粒子の余分な拡散を防止するカバーを設ける。特に、前記支持体軸２０５への前記スパッタ源２０８から飛び出すスパッタ粒子が堆積することを防止するためのカバー２０９を設けることにより、前記支持体軸２０５とベアリングの接触時に発生するパーティクルを予防できる。
【００３４】
前記スパッタ源２０８ａでの成膜終了後、同様にスパッタ源２０８ｂにてプラズマを発生させ、前記支持体軸２０５の直進運動により前記基板２０１および前記基板ホルダ２０２を前記スパッタ源２０８ｂの開口部上を通過させ、前記基板２０１へスパッタ粒子を堆積させる。前記スパッタ源２０８ａと前記スパッタ源２０８ｂにて連続成膜することにより、多層膜の成膜を１つの成膜室で成膜できる。
【００３５】
（実施形態４）
上記各実施形態では、いずれも成膜室は基板を水平方向に搬送する構成を示している。本発明では、これに限定されるものではなく、基板を鉛直方向にした状態で、基板ホルダにセットして縦方向に移動させ、スパッタ源を成膜室の側面に配置し成膜することで、基板に堆積するスパッタ粒子以外のパーティクルを抑制できる。以下に、該実施形態を図５に基づいて説明する。なお、上記実施形態と同様の構成（運動伝達機構など）についてはその詳細は省略または簡略化する。
【００３６】
成膜室３０４は内部を前記実施形態と同様に真空排気ポンプにより真空にすることができ、また、所望のガスを圧力調整したり、導入量を調整するなどして導入することができる。
基板３０１は前記成膜室３０４とバルブによって仕切られている搬送室もしくはロードロック室から前期成膜室３０４に搬送される。この時、前記基板３０１は搬送用のトレイに載って搬送されることもできる。
この実施形態では、成膜室３０４内に水平に配した支持体軸３０５に基板ホルダ３０２が縦になった状態で固定されている。前記基板３０１は、この基板ホルダ３０２の側面に、縦にした状態で保持され、支持体軸３０５の直進運動により前記成膜室３０４内を移動できる。このとき、前記支持体軸３０５の接触箇所は、前記各実施形態と同様に収納部３０６内に設置されているベアリングのみとなり、前記基板ホルダ３０２の搬送におけるパーティクルの発生を極力抑えることができる。上記基板ホルダ３０２と支持体軸３０５で支持体３０７が構成されており、支持体軸３０５は複数本使用してもよい。
【００３７】
前記成膜室３０４内には、対向して配置されたターゲットが一対以上有するスパッタ源３０８が備えられている。前記スパッタ源３０８は、前記成膜室３０４内に組み込まれていても、別の独立したユニットとして前記成膜室３０４に取り付けられていてもよい。このスパッタ源３０８のターゲットは、外周および裏面に磁石を配置した構造となっており、対向ターゲットの周辺に磁界を形成し、ターゲット間に形成されるプラズマを拘束する。磁界によるプラズマの拘束により、負電荷粒子（電子）が基板に到達せず成膜面へのダメージが軽減される。ターゲットには、ＤＣパルス電源、ＲＦ電源をそれぞれ単独、または両方が接続されており、スパッタ（プラズマ発生）に必要な電力の投入が可能である。
前記スパッタ源３０８は、対向したターゲットの上下面と外側面が塞がれており、内側面のみが開口した構造となっている。
【００３８】
図５では、前記基板３０１および前記基板ホルダ３０２が前記スパッタ源３０８の真横に移動している位置を示す。
成膜処理を開始する際は、前記基板３０１および前記基板ホルダ３０２を前記スパッタ源３０８の開口部から離れた位置に移動させる。
前記スパッタ源３０８にＤＣパルス電源、ＲＦ電源からスパッタに必要な電力を投入し、プラズマを発生させる。この時、ターゲットからスパッタ粒子が飛散し、開口部を通って、前記成膜室３０４内に飛び出す。この時、開口部には図示しないシャッタを取り付け、余分なスパッタ粒子を前期成膜室３０４内に導入することを防ぐこともできる。
プラズマ発生後、前記支持体軸３０５の直進運動により前記基板３０１および前記基板ホルダ３０２を前記スパッタ源３０８の開口部横を通過させ、前記基板３０１へスパッタ粒子を堆積させる。前記支持体軸３０５の直進速度を制御することにより、前記基板３０１上の膜厚を制御できる。前記基板３０１は、鉛直方向に配置されているため、前記基板３０１表面へのパーティクルの付着を予防している。さらに、前記スパッタ源３０８の開口部以外にはスパッタ粒子の余分な拡散を防止するカバーを設ける。特に、前記支持体軸３０５に、前記スパッタ源３０８から飛び出すスパッタ粒子が堆積することを防止するためのカバー３０９を設けることにより、前記支持体軸３０５とベアリングの接触時に発生するパーティクルを予防できる。
【００３９】
以上、本発明について上記各実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は、上記各実施形態の説明内容に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りは適宜の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態１におけるスパッタ装置の概略を示す平面図および側面図である。
【図２】図２は、同じく、支持体の運動伝達機構を示す詳細図である。
【図３】図３は、本発明の他の実施形態におけるスパッタ装置の概略を示す平面図および側面図である。
【図４】図４は、本発明のさらに他の実施形態におけるスパッタ装置の概略を示す平面図および側面図である。
【図５】図５は、本発明のさらに他の実施形態におけるスパッタ装置の概略を示す平面図および側面図である。
【図６】図６は、従来のインライン式スパッタ装置の一部を示す模式図である。符号の説明
【符号の説明】
【００４１】
１０    スパッタ装置
１１    基板
１２    基板ホルダ
１３    ロードロック室
１４    成膜室
１５    支持体軸
１６    収納部
１７    支持体
１８    スパッタ源
１９    カバー
２０    ベアリング
２１ａ  運動伝達部
２１ｂ  運動伝達部
１００  スパッタ装置
１０１  基板
１０２  基板ホルダ
１０４  成膜室
１０５  支持体軸
１０６  収納部
１０７  支持体
１０８  スパッタ源
１０９  カバー
２００  スパッタ装置
２０１  基板
２０２  基板ホルダ
２０４  成膜室
２０５  支持体軸
２０６  収納部
２０７  支持体
２０８  スパッタ源
２０９  カバー
３００  スパッタ装置
３０１  基板
３０２  基板ホルダ
３０４  成膜室
３０５  支持体軸
３０６  支持体収納部
３０７  支持体
３０８  スパッタ源
３０９  カバー
【図１】
2010024469.tif 000003
【図２】
2010024469.tif 000004
【図３】
2010024469.tif 000005
【図４】
2010024469.tif 000006
【図５】
2010024469.tif 000007
【図６】
2010024469.tif 000008