(57)【要約】【課題】成膜処理時の圧力帯を正常な状態で維持する為に、真空処理室内の同じ環境下に校正用の第２の圧力計を配置し、制御用の第１の圧力計を実プロセス時の圧力値で校正する。【解決手段】真空処理室１００において、制御用の第１の圧力計１０７と排気口１０３までの距離が同じとなる位置に校正用の第２の圧力計２００を設置し、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間に、遮蔽バルブ２０１を設置し、第２の圧力計２００が、プロセスガスの雰囲気に曝されることを防止している。また、実プロセス後の任意のタイミングで、プロセスガスを真空処理室１００内より排気し、不活性ガスで置換した後に、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間の遮蔽バルブ２０１を開放し、不活性ガスを用いて第２の圧力計２００にてプロセス圧力に制御した後、第１の圧力計１０７が、第２の圧力計２００と同じ値となるように校正する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室と、前記真空処理室を排気する排気装置と、前記真空処理室にガスを導入するガス導入機構と、前記真空処理室内の圧力を測定する第１の圧力計と、前記真空処理室において圧力測定値に関し前記第１の圧力計の取付位置と同一条件となる位置に取り付けられて前記真空処理室内の圧力を測定する少なくとも１台の第２の圧力計と、前記真空処理室と前記第２の圧力計との間の雰囲気を遮蔽する第１の遮蔽機構と、前記真空処理装置内の圧力を制御する圧力制御装置とを備えた真空処理装置。
【請求項２】
前記真空処理室と前記第１の圧力計との間の雰囲気を遮蔽する第２の遮蔽機構を設けた請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記第２の圧力計は、真空処理室内を前記排気装置によって排気するための排気口からの距離が、前記排気口から前記第１の圧力計までの距離と同じとなる任意の位置に設けられている請求項１または２記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記第１の遮蔽機構は、実プロセス時に前記真空処理室と前記第２の圧力計との間の雰囲気を遮蔽し、校正時に前記真空処理室と前記第２の圧力計との間の雰囲気を連通させ、前記ガス導入機構は実プロセス時にプロセスガスを導入し、校正時に不活性ガスを導入する請求項１、２または３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記圧力制御装置は、実プロセス時に前記第１の圧力計による圧力測定結果をもとに前記真空処理室内の圧力を制御し、校正時に前記第２の圧力計による圧力測定結果をもとに前記真空処理装置内の圧力を制御し、前記第１の圧力計の測定値を前記第２の圧力計の測定値をもとに校正する請求項４記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記真空処理室内に不活性ガスを導入し、実プロセス圧力を中心に少なくとも２点以上の異なった圧力帯での圧力制御を、製品を処理しない任意のタイミングで実施し、前記第１の圧力計の測定値と前記第２の圧力計の測定値とが異なっていた場合、前記第１の圧力計を実プロセス域で校正する機能を有する請求項１記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記第２の圧力計は、プロセスガス導入時の実プロセス時には前記遮蔽機構により、前記真空処理室内とは隔離されて動作することなく、常に不活性ガスにて校正された状態を維持している請求項６記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製品製造の、特にキャパシタンスマノメータにより圧力制御を行う真空処理装置に関するものである。特に、圧力計の校正に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製品の製造工程で、反応ガスを供給し基板を真空処理室内で処理する真空処理装置には、真空処理室内の圧力を制御するため圧力計が用いられる。このような圧力計は、真空処理室内に配置されており、プロセスガスを真空処理室内に供給しながら、真空処理室内をプロセス圧力に制御するのに用いられる。圧力計としては、一般的にキャパシタンスマノメータが使用される。
【０００３】
プラズマＣＶＤ装置においては、プロセスガスを使用して、真空処理室内で、プラズマ放電により半導体ウェハなどの処理対象物の表面に窒化膜を生成する。
【０００４】
プラズマＣＶＤ装置では、成膜処理時に発生する反応生成物が真空処理室内に堆積し、圧力計内にも付着する。付着した堆積物により、圧力計の測定値にズレが生じてくるが、圧力計の表示自体は設定した値と同じ値を示しており、真の圧力が把握できない状態で成膜処理が行われる。
【０００５】
成膜処理後に実施する製品基板の特性評価の際に、異常が発見され、圧力計の異常が確認される。
【０００６】
異常が確認された場合、以降の製品の成膜処理を中断し、圧力計は真空処理室とは別の真空室に設置された比較用の圧力計を用いて校正された後、製品の成膜処理が再開される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２７３６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで説明するプラズマＣＶＤ装置は、平行平板型の枚葉式プラズマＣＶＤ装置のことである。上部電極よりプロセスガスである、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２を供給し、真空処理室内は設定した圧力に制御された状態で、ＲＦプラズマ放電により、下部電極上に設置された製品基板上に窒化膜を形成する。成膜処理時に真空処理室内を制御する圧力計（ここでは、キャパシタンスマノメータを示す）の測定値が異常であるが、表示上は正常な値を示している場合、製品処理後に実施する特性検査での膜応力が変化しており、設備状態の確認により、圧力計の異常と特定される。
【０００９】
図２は、プラズマ窒化膜の成膜圧力と膜応力の関係を示すグラフである。窒化膜が、窒化膜が形成される下地との膜応力により、製品の製造工程中に剥れる不良が発生するため、製品の品質を維持するための膜応力は、引っ張り応力である必要があり、図２で示すグラフでは１０ＭＰａ以上必要となる。上記膜応力を維持するための圧力帯は、図２で示すグラフでは、設定中心値の４００Ｐａに対し±１０％の範囲である。
【００１０】
制御用の第１の圧力計の異常時に、圧力計の校正を行う場合、従来技術では、校正用の第２の圧力計が真空処理室とは異なる予備室側に設置されており、反応室と予備室との間のゲートバルブを開放した状態で、プロセス圧力ではなくガスを供給しない排気状態での圧力計の測定値比較を行い、圧力計のゼロ点調整を実施する。
【００１１】
そのため、高真空時のゼロ点校正は可能であるが、この校正方法では、実プロセス時の設定圧力の圧力値を校正したことにはならず、製品処理時の圧力制御を安定して実施することは不可能である。
【００１２】
そこで、本発明は、成膜処理時の圧力帯を正常な状態で維持するために、真空処理室内の同じ環境下に校正用の第２の圧力計を配置し、制御用の第１の圧力計を実プロセス時の圧力値で校正することができる真空処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の真空処理装置は、真空処理室と、真空処理室を排気する排気装置と、真空処理室にガスを導入するガス導入機構と、真空処理室内の圧力を測定する第１の圧力計と、真空処理室において圧力測定値に関し第１の圧力計の取付位置と同一条件となる位置に取り付けられて真空処理室内の圧力を測定する少なくとも１台の第２の圧力計と、真空処理室と第２の圧力計との間の雰囲気を遮蔽する第１の遮蔽機構と、真空処理装置内の圧力を制御する圧力制御装置とを備えている。
【００１４】
この構成によれば、校正用の第２の圧力計を真空処理室に取り付けているので、真空処理室に対して第１の圧力計と同じ環境下に第２の圧力計を配置することができ、第１の圧力計を実プロセス時の圧力値に基づいて校正することができる。また、真空処理室において圧力測定値に関し圧力制御用の第１の圧力計の取付位置と同一条件となる位置に校正用の第２の圧力計を取り付けているので、第１および第２の圧力計の取り付け位置の違いによる圧力測定値の誤差をなくすことができ、第１の圧力計を実プロセス時の圧力値に基づいて精度よく校正することができる。また、第２の圧力計と真空処理室との間に、第１の遮蔽機構を設けているので、実プロセス時に第２の圧力計と真空処理室との間の雰囲気を第１の遮蔽機構により遮蔽することにより、実プロセスによる膜の堆積などによる第２の圧力計の狂いを防止することができ、第１の圧力計の校正を精度よく行うことができる。
【００１５】
上記構成の真空処理装置においては、真空処理室と第１の圧力計との間の雰囲気を遮蔽する第２の遮蔽機構を設けることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、真空処理室と第１の圧力計との間の雰囲気を遮蔽する第２の遮蔽機構を設けているので、第１の圧力計の校正が不可能となって交換をするときに第２の遮蔽機構を閉じることで、真空処理室を真空状態に保ったまま、第１の圧力計の交換を行うことができ、第１の圧力計の交換後直ちに実プロセスに入ることができる。
【００１７】
また、上記構成の真空処理装置においては、第２の圧力計は、真空処理室内を排気装置によって排気するための排気口からの距離が、排気口から第１の圧力計までの距離と同じとなる任意の位置に設けられていることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、第２の圧力計を、真空処理室内を排気装置によって排気するための排気口からの距離が、排気口から第１の圧力計までの距離と同じとなる任意の位置に設けたので、排気中において真空処理室内に圧力勾配が生じることに起因して生じる、第１および第２の圧力計の取り付け位置の違いによる圧力測定値の誤差をなくすことができ、高精度に校正を行うことができる。
【００１９】
また、上記構成の真空処理装置においては、第１の遮蔽機構は、実プロセス時に真空処理室と第２の圧力計との間の雰囲気を遮蔽し、校正時に真空処理室と第２の圧力計との間の雰囲気を連通させ、ガス導入機構は実プロセス時にプロセスガスを導入し、校正時に不活性ガスを導入することが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、第２の圧力計と真空処理室との間に、第１の遮蔽機構を設けているので、実プロセス時に第２の圧力計と真空処理室との間の雰囲気を第１の遮蔽機構により遮蔽することにより、第２の圧力計がプロセスガスの雰囲気に曝されることを防止でき、実プロセスによる膜の堆積などによる第２の圧力計の狂いを防止することができ、第１の圧力計の校正を精度よく行うことができる。しかも、校正時において膜の堆積などがなく、第２の圧力計の狂いを防止することができ、第１の圧力計の校正を精度よく行うことができる。
【００２１】
また、上記構成の真空処理装置においては、圧力制御装置は、実プロセス時に第１の圧力計による圧力測定結果をもとに真空処理室内の圧力を制御し、校正時に第２の圧力計による圧力測定結果をもとに真空処理装置内の圧力を制御し、第１の圧力計の測定値を第２の圧力計の測定値をもとに校正することが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、校正時において、狂いのない第２の圧力計を用いて圧力制御するので、真空処理室内の圧力を実プロセス時の圧力値に精度よく制御することができ、第２の圧力計による正確な圧力測定値により、実プロセス時の圧力のもとで第１の圧力計を精度よく校正することができる。
【００２３】
また、上記構成の真空処理装置においては、真空処理室内に不活性ガスを導入し、実プロセス圧力を中心に少なくとも２点以上の異なった圧力帯での圧力制御を、製品を処理しない任意のタイミングで実施し、第１の圧力計の測定値と第２の圧力計の測定値とが異なっていた場合、第１の圧力計を実プロセス域で校正する機能を有することが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、第１の圧力計を実プロセス域の圧力下で直接的に校正するので、高真空時のゼロ点校正による間接的な校正とは異なり、製品処理時の圧力制御を安定して実施することができる。
【００２５】
また、上記構成の真空処理装置においては、第２の圧力計は、プロセスガス導入時の実プロセス時には第１の遮蔽機構により、真空処理室内とは隔離されて動作することなく、常に不活性ガスにて校正された状態を維持していることが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、実プロセス時に第２の圧力計と真空処理室との間の雰囲気を第１の遮蔽機構により遮蔽することにより、第２の圧力計がプロセスガスの雰囲気に曝されることを防止でき、実プロセスによる膜の堆積などによる第２の圧力計の狂いを防止することができ、第１の圧力計の校正を精度よく行うことができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の真空処理装置、例えばプラズマ窒化膜処理に使用する枚葉式プラズマＣＶＤ装置において、実プロセス時に制御する圧力値で制御用の圧力計の校正を精度よく行うことが可能となり、その結果成膜処理時の圧力制御を常に実プロセス時に制御する圧力値で校正された圧力計によって制御することが可能となり、圧力計の異常により、成膜圧力が変動することが要因で発生する膜応力が規格外の値へシフトした際の、下地との膜剥がれを防止することが可能となり、半導体製品の不良発生を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例のプラズマ処理装置の構成を示す概要図である。
【図２】窒化膜の成膜圧力と膜応力との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００３０】
図１に本発明の実施例のプラズマ処理装置の概要図を示す。図１において、符号１００は真空処理室を示す。符号１０１は真空処理室１００内に設けられて下側電極を兼ねる基板ステージを示す。符号１０２は真空処理室１００に設けられたガス導入口を示す。符号１０３は真空処理室１００に設けられた排気口を示す。符号１０４は真空処理装置１００の排気口に結合された圧力制御装置を示す。符号１０５は基板ステージ１０１に載置された製品基板を示す。符号１０６は真空処理室１００に設けられたピラニー真空計を示す。符号１０７は真空処理室１００に設けられた圧力制御用の第１の圧力計を示す。符号１０８は真空処理室１００と第１の圧力計１０７との間に設けられた遮蔽機構としての遮蔽バルブを示す。符号１０９は真空処理室１００内に設けられた上側電極を示す。なお、圧力制御装置１０４には、排気口１０３から排気するための排気装置（図示せず）が連結されている。
【００３１】
符号２００は真空処理室１００に設けられた圧力校正用の第２の圧力計を示す。符号２０１は真空処理室１００と第２の圧力計２０１との間に設けられた遮蔽機構としての遮蔽バルブを示す。符号２０２は第１および第２の圧力計１０７、２００の圧力測定値の差を演算するデータ演算部を示す。符号２０３はデータ演算部２０２からの出力信号に基づいて構成あるいは交換の指示を出す装置指示部を示す。
【００３２】
符号３００は制御用の第１の圧力計の圧力測定データをデータ演算部２０２へ伝送する制御用の第１の圧力計データ送信部を示す。符号３０１は校正用の第２の圧力計の圧力測定データをデータ演算部２０２へ伝送する校正用の第２の圧力計データ送信部を示す。符号３０２はデータ演算部２０２から装置指示部２０３へ圧力計校正および交換指示のための信号を伝送する圧力計校正および交換指示送信部を示す。
【００３３】
つぎに、この真空処理装置における圧力計校正手順について説明する。
【００３４】
真空処理室１００内での製品処理が終了し、基板ステージ１０１上の製品基板１０５が真空処理室１００から取り出された後に、真空処理室１００内の雰囲気をガス導入口１０２より供給した不活性ガスで置換し、その後、いったん不活性ガスの供給を止め、真空処理室１００内を排気口１０３より排気する。
【００３５】
真空処理室１００内が、到達真空度に排気されたことをピラニー真空計１０６で確認した後、校正用の第２の圧力計２００と真空処理室１００の間に設けられた遮蔽バルブ２０１を開放し、ガス導入口１０２より不活性ガスを導入しながら、圧力制御装置１０４にて第１の成膜時の圧力設定の指示を行う。その際、圧力コントロールは、校正用の第２の圧力計２００に基づいて圧力制御装置１０４が実施し、校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値と制御用の第１の圧力計１０７が示す圧力値とを制御用の第１の圧力計データ送信部３００および、校正用の第２の圧力計データ送信部３０１を介し、データ演算部２０２に送信する。そして、データ演算部２０２では、送信された校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値と制御用の第１の圧力計１０７が示す圧力値との差を演算により求める。具体的には、校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値を基準にして、制御用の第１の圧力計が示す圧力値が何パーセントずれているかを算出する。
【００３６】
ここで、データ演算部２０２で演算された、校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値と制御用の第１の圧力計１０７が示す圧力値との差が、±５％以上の場合に、圧力計校正および交換指示送信部３０２を介し、装置指示部２０３より制御用の第１の圧力計１０７の校正の指示があった後、制御用の第１の圧力計１０７の調整を実施し、校正用の第２の圧力計２００の値に合わせ込む。上記の差が±５％未満の場合には、校正動作を行わない。
【００３７】
調整終了後、一旦不活性ガスの供給を中止し、真空処理室１０１内が到達真空度になるまで排気口１０３より排気する。真空処理室１００内がピラニー真空計１０６で到達真空度となった後、再度真空処理室１００内にガス導入口１０２より不活性ガスを供給し、第２の成膜時の圧力に設定の指示を行う。同様に、圧力コントロールは、校正用の第２の圧力計２００に基づいて圧力制御装置１０４が実施し、校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値と制御用の第１の圧力計１０７が示す圧力値とを、制御用の第１の圧力計データ送信部３００および校正用の第２の圧力計データ送信部３０１を介し、データ演算部２０２に送信する。そして、データ演算部２０２では、送信された校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値と制御用の第１の圧力計１０７が示す圧力値との差を演算により求める。具体的には、校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値を基準にして、制御用の第１の圧力計が示す圧力値が何パーセントずれているかを算出する。
【００３８】
ここで、データ演算部２０２で演算された、校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値と制御用の第１の圧力計１０７が示す圧力値との差が、±５％以上の場合に、圧力計校正および交換指示送信部３０２を介し、装置指示部２０３より制御用の第１の圧力計１０７の校正の指示があった後、制御用の第１の圧力計１０７の調整を実施し、校正用の第２の圧力計２００の値に合わせ込む。上記の差が±５％未満の場合には、校正動作を行わない。その後、校正用の第２の圧力計２００と真空処理室１００との間に設けられた、遮蔽バルブ２０１を遮蔽する。
【００３９】
その後、不活性ガスの供給を停止し、不活性ガスの排気を行うために真空処理室１００内の真空引きを実施する。真空処理室１００内がピラニー真空計１０６で到達真空度に到達した後、次の製品の処理を開始する。
【００４０】
上記校正動作の中で、校正用の第２の圧力計２００が示す圧力値と、制御用の第１の圧力計１０７が示す圧力値との差が、±５％以上の場合に制御用の第１の圧力計１０７の調整を実施するが、校正用の第２の圧力計２００の値に合わせ込むことができなかった場合は、制御用の第１の圧力計１０７の使用続行は不可能と判断し、圧力計校正および交換指示送信部３０２を介し、装置指示部２０３より制御用の第１の圧力計１０７交換の指示が出される。その後、校正用の第２の圧力計２００と真空処理室１００の間に設けられた遮蔽バルブ２０１を遮蔽し真空処理室１００内への不活性ガスの供給を停止し、真空処理室１００内がピラニー真空計１０６で到達真空度となるように排気口１０３より排気を行う。
【００４１】
次に、制御用の第１の圧力計１０７と真空処理室１００の間に設けられた遮蔽バルブ１０８を遮蔽し、制御用の第１の圧力計１０７を取り外し、校正された新しい制御用の第１の圧力計１０７を取り付けた後、制御用の第１の圧力計１０７と真空処理室１００の間に設けられた遮蔽バルブ１０８を開放し、真空処理室１００内と同じ雰囲気とする。
【００４２】
この一連の動作により、真空処理室１００内の制御用の第１の圧力計１０７は実プロセス時に設定された圧力値を、±５％以内で制御することが可能となる。
【００４３】
これは、図２で示した膜剥がれを発生させない成膜圧力帯の±１０％以内を維持できることとなり、製品特性を安定に保つことが可能となる。
【００４４】
上記圧力計の校正は、枚葉処理の真空処理装置においては製品１枚の処理終了時に毎回実施することが望ましいが、ロット単位での製品処理終了後や、製品処理終了後の任意のタイミングで実施しても同様の効果が得られることは、いうまでもない。
【００４５】
また、実施例１でプラズマ窒化膜の処理を用いて説明したが、他のプラズマ成膜処理装置や、プラズマエッチング装置に用いても、同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００４６】
以上のように、この実施例の真空処理装置によれば、校正用の第２の圧力計２００を真空処理室１００に取り付けているので、真空処理室１００に対して第１の圧力計１０７と同じ環境下に第２の圧力計２００を配置することができ、第１の圧力計１０７を実プロセス時の圧力値に基づいて校正することができる。また、真空処理室１００において圧力測定値に関し圧力制御用の第１の圧力計１０７の取付位置と同一条件となる位置に校正用の第２の圧力計２００を取り付けているので、第１および第２の圧力計１０７、２００の取り付け位置の違いによる圧力測定値の誤差をなくすことができ、第１の圧力計１０７を実プロセス時の圧力値に基づいて精度よく校正することができる。また、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間に、遮蔽バルブ２０１を設けているので、実プロセス時に第２の圧力計２００と真空処理室１００との間の雰囲気を遮蔽バルブ２０１により遮蔽することにより、第２の圧力計がプロセスガスの雰囲気に曝されることを防止でき、実プロセスによる膜の堆積などによる第２の圧力計２００の狂いを防止することができ、第１の圧力計１０７の校正を精度よく行うことができる。
【００４７】
また、真空処理室１００と制御用の第１の圧力計１０７との間の雰囲気を遮蔽する遮蔽バルブ１０８を設けているので、第１の圧力計１０７の校正が不可能となって交換をするときに遮蔽バルブ１０７を閉じることで、真空処理室１００を真空状態に保ったまま、第１の圧力計１０７の交換を行うことができ、第１の圧力計１０７の交換後直ちに実プロセスに入ることができる。
【００４８】
さらに、第２の圧力計２００を、真空処理室１００内を排気装置によって排気するための排気口１０３からの距離が、排気口１０３から第１の圧力計１０７までの距離と同じとなる任意の位置に設けたので、排気中において真空処理室内１００に圧力勾配が生じることに起因して生じる、第１および第２の圧力計１０７、２００の取り付け位置の違いによる圧力測定値の誤差をなくすことができ、高精度に校正を行うことができる。
【００４９】
また、この構成によれば、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間に、遮蔽バルブ２０１を設けているので、実プロセス時に第２の圧力計２００と真空処理室１００との間の雰囲気を遮蔽バルブ２０１により遮蔽することにより、第２の圧力計２００がプロセスガスの雰囲気に曝されることを防止でき、実プロセスによる膜の堆積などによる第２の圧力計２００の狂いを防止することができ、第１の圧力計１０７の校正を精度よく行うことができる。
【００５０】
また、校正時において膜の堆積などがなく、第２の圧力計２００の狂いを防止することができ、第１の圧力計１０７の校正を精度よく行うことができる。
【００５１】
また、校正時において、狂いのない第２の圧力計２００を用いて圧力制御するので、真空処理室１００内の圧力を実プロセス時の圧力値に精度よく制御することができ、第２の圧力計２００による正確な圧力測定値により、実プロセス時の圧力のもとで第１の圧力計１０７を精度よく校正することができる。
【００５２】
また、第１の圧力計１０７を実プロセス域の圧力下で直接的に校正するので、高真空時のゼロ点校正による間接的な校正とは異なり、製品処理時の圧力制御を安定して実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明の圧力制御方法は半導体製品製造、特にキャパシタンスマノメータを用いてプロセス圧力を制御する真空処理装置に用いることにより、品質を安定させる方法として特に有用である。
【符号の説明】
【００５４】
１００    真空処理室
１０１    基板ステージ
１０２    ガス導入口
１０３    排気口
１０４    圧力制御装置
１０５    製品基板
１０６    ピラニー真空計
１０７    制御用の第１の圧力計
１０８    遮蔽バルブ
２００    校正用の第２の圧力計
２０１    遮蔽バルブ
２０２    データ演算部
２０３    装置指示部
３００    制御用の第１の圧力計データ送信部
３０１    校正用の第２の圧力計データ送信部
３０２    圧力計校正および交換指示送信部
【図１】
2010251464.tif 000003
【図２】
2010251464.tif 000004