(57)【要約】【課題】基板からの異物の発生を抑制し、配線基板の製造歩留りを向上させる。【解決手段】絶縁性基材の少なくとも片面に金属導体層が形成された基板に対し、配線パターン及び位置決めマークが形成されたフォトマスクを介して光を照射し、金属導体層上に予め形成したフォトレジスト層に配線パターン及び位置決めマークを転写する露光工程と、フォトレジスト層に転写された位置決めマークが所定位置に移動するまで基板を搬送する搬送工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。【選択図】図１
2010016313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の少なくとも片面に金属導体層が形成された基板に対し、配線パターン及び位置決めマークが形成されたフォトマスクを介して光を照射し、前記金属導体層上に予め形成したフォトレジスト層に前記配線パターン及び前記位置決めマークを転写する露光工程と、
前記フォトレジスト層に転写された位置決めマークが所定位置に移動するまで前記基板を搬送する搬送工程と、
を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記フォトマスクには位置調整マークが形成されており、
前記搬送工程の後、前記フォトレジスト層に転写された位置決めマークと前記フォトマスクに形成された位置調整マークとの相対的な位置関係が所定の関係となるように調整する位置調整工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記フォトマスクに形成された位置決めマーク及び前記フォトマスクに形成された位置調整マークは、前記フォトマスクに形成された配線パターンを前記基板の搬送方向に沿って両側から挟むように設けられており、
前記搬送工程の後、前記フォトレジスト層に転写された位置決めマークと前記フォトマスクに形成された位置調整マークとが所定の距離に近接あるいは重複するように、前記フォトマスクあるいは前記基板のうち少なくともいずれか一方の位置を調整する位置調整工程を有する
ことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記フォトマスクに形成された位置調整マークは窓として構成されており、
前記搬送工程の後、所定の方向から前記フォトマスクを介して前記基板を見た場合に、前記フォトレジスト層に転写された位置決めマークが前記窓内に入るように、前記フォトマスクあるいは前記基板のうち少なくともいずれか一方の位置を調整する位置調整工程を有する
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記フォトマスクには第１結果確認マーク及び第２結果確認マークが形成されており、
前記露光工程と前記搬送工程とを１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返した後、前のサイクルでの露光工程で前記フォトレジスト層に転写された前記第１結果確認マークと、次のサイクルでの露光工程で前記フォトレジスト層に転写された前記第２結果確認マークとの相対的な位置関係に基づいて、露光位置精度の良否を判断する結果判断工程を備える
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記フォトマスクに形成された第１結果確認マーク及び前記フォトマスクに形成された第２結果確認マークは、前記フォトマスクに形成された配線パターンを前記基板の搬送方向に沿って両側から挟むように設けられており、
前記露光工程と前記搬送工程とを１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことにより、前のサイクルでの露光工程で前記フォトレジスト層に転写される第１結果確認マークと次のサイクルでの露光工程で前記フォトレジスト層に転写される第２結果確認マークとを近接あるいは重複させ、
前記結果判断工程では、前記近接あるいは重複するように転写された前記第１結果確認マークと前記第２結果確認マークとの間の距離あるいは重複度合を基に露光位置精度の良
否を判断する
ことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記フォトマスクに形成された第１結果確認マーク及び前記フォトマスクに形成された第２結果確認マークのうち、いずれか一方を外環形状の外マークとして構成し、他方を前記外マーク内に包含されうる内マークとして構成し、
前記結果判断工程では、前記フォトレジスト層に転写された外マーク内に前記フォトレジスト層に転写された内マークが包含されている場合には露光位置精度が良好であると判断し、前記フォトレジスト層に転写された外マーク内に前記フォトレジスト層に転写された内マークが包含されていない場合には露光位置精度が不良であると判断する
ことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
露光位置精度の許容値がＥ（ｍｍ）以内であるときに、前記内マークの外径Ｄ２（ｍｍ）及び前記外環形状の外マークの内径Ｄ１（ｍｍ）を、Ｅ＝（Ｄ２−Ｄ１）／２の関係を満たすようにそれぞれ設定する
ことを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁性基材の少なくとも片面に、金属導体からなる配線パターンと位置決めマークとの対を、前記絶縁性基材の長手方向に沿って等間隔に備える
ことを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
絶縁性基材の少なくとも片面に、金属導体からなる第１結果確認マークと第２結果確認マークとの対を、前記配線パターン毎に備える
ことを特徴とする請求項９に記載の配線基板。
【請求項１１】
絶縁性基材の少なくとも片面に、金属導体からなる外環形状の外マークと前記外マークに包含され金属導体からなる内マークとの対を、前記配線パターン毎に備える
ことを特徴とする請求項９に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板を製造する方法として、基板を順次搬送させながら露光して配線パターンを形成する方法が行われてきた。かかる方法では、絶縁性基材の少なくとも片面に金属導体層が形成された基板に対し、配線パターンが形成されたフォトマスクを介して光を照射し、金属導体層上に予め形成したフォトレジスト層に配線パターンを転写する工程と、基板を所定の距離だけ搬送する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返していた。
【０００３】
かかる方法において、基板を所定の距離だけ搬送する工程では、基板の搬送方向に沿って基板上に所定の間隔で予め形成された位置決め穴を検出することにより、基板の搬送を停止する位置を決定していた。位置決め穴は、転写する工程と搬送する工程とのサイクルを繰り返す前に、打ち抜き加工やレーザ加工等により予め形成することとしていた。
【特許文献１】特開昭６０−１６７７０４号公報
【特許文献２】特開平５−２５３８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、位置決め用穴を形成する従来の配線基板の製造方法では、基板から発生する破片や粉末等の異物により、配線基板の製造歩留りが悪化してしまう場合があった。
【０００５】
そこで本発明は、基板からの異物の発生を抑制し、配線基板の製造歩留りを向上させることが可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、絶縁性基材の少なくとも片面に金属導体層が形成された基板に対し、配線パターン及び位置決めマークが形成されたフォトマスクを介して光を照射し、前記金属導体層上に予め形成したフォトレジスト層に前記配線パターン及び前記位置決めマークを転写する露光工程と、前記フォトレジスト層に転写された位置決めマークが所定位置に移動するまで前記基板を搬送する搬送工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す配線基板の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、前記フォトマスクには位置調整マークが形成されており、前記搬送工程の後、前記フォトレジスト層に転写された位置決めマークと前記フォトマスクに形成された位置調整マークとの相対的な位置関係が所定の関係となるように調整する第１の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様によれば、前記フォトマスクに形成された位置決めマーク及び前記フォトマスクに形成された位置調整マークは、前記フォトマスクに形成された配線パターンを前記基板の搬送方向に沿って両側から挟むように設けられており、前記搬送工程の後、前記フォトレジスト層に転写された位置決めマークと前記フォトマスクに形成された位置調整マークとが所定の距離に近接あるいは重複するように、前記フォトマスクあるいは前記基板のうち少なくともいずれか一方の位置を調整する第２の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様によれば、前記フォトマスクに形成された位置調整マークは窓として構成されており、前記搬送工程の後、所定の方向から前記フォトマスクを介して前記基板を見た場合に、前記フォトレジスト層に転写された位置決めマークが前記窓内に入るように、前記フォトマスクあるいは前記基板のうち少なくともいずれか一方の位置を調整する第２又は第３の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様によれば、前記フォトマスクには第１結果確認マーク及び第２結果確認マークが形成されており、前記露光工程と前記搬送工程とを１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返した後、前のサイクルでの露光工程で前記フォトレジスト層に転写された前記第１結果確認マークと、次のサイクルでの露光工程で前記フォトレジスト層に転写された前記第２結果確認マークとの相対的な位置関係に基づいて、露光位置精度の良否を判断する結果判断工程を備える第１〜第４のいずれかの態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様によれば、前記フォトマスクに形成された第１結果確認マーク及び前記フォトマスクに形成された第２結果確認マークは、前記フォトマスクに形成された配線パターンを前記基板の搬送方向に沿って両側から挟むように設けられており、前記露光工程と前記搬送工程とを１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことにより、前のサイクルでの露光工程で前記フォトレジスト層に転写される第１結果確認マークと次のサイクルでの露光工程で前記フォトレジスト層に転写される第２結果確認マークとを近接あるいは重複させ、前記結果判断工程では、前記近接あるいは重複するように転写された前記第１結果確認マークと前記第２結果確認マークとの間の距離あるいは重複度合を基に露光位置精度の良否を判断する第５の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第７の態様によれば、前記フォトマスクに形成された第１結果確認マーク及び前記フォトマスクに形成された第２結果確認マークのうち、いずれか一方を外環形状の外マークとして構成し、他方を前記外マーク内に包含されうる内マークとして構成し、前記結果判断工程では、前記フォトレジスト層に転写された外マーク内に前記フォトレジスト層に転写された内マークが包含されている場合には露光位置精度が良好であると判断し、前記フォトレジスト層に転写された外マーク内に前記フォトレジスト層に転写された内マークが包含されていない場合には露光位置精度が不良であると判断する第６の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第８の態様によれば、露光位置精度の許容値がＥ（ｍｍ）以内であるときに、前記内マークの外径Ｄ２（ｍｍ）及び前記外環形状の外マークの内径Ｄ１（ｍｍ）を、Ｅ＝（Ｄ２−Ｄ１）／２の関係を満たすようにそれぞれ設定する第７の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第９の態様によれば、絶縁性基材の少なくとも片面に、金属導体からなる配線パターンと位置決めマークとの対を、前記絶縁性基材の長手方向に沿って等間隔に備える配線基板が提供される。
【００１５】
本発明の第１０の態様によれば、絶縁性基材の少なくとも片面に、金属導体からなる第１結果確認マークと第２結果確認マークとの対を、前記配線パターン毎に備える第１９の態様に記載の配線基板が提供される。
【００１６】
本発明の第１１の態様によれば、絶縁性基材の少なくとも片面に、金属導体からなる外環形状の外マークと前記外マークに包含され金属導体からなる内マークとの対を、前記配線パターン毎に備える第９の態様に記載の配線基板が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明にかかる配線基板の製造方法及び配線基板によれば、基板からの異物の発生を抑制し、配線基板の製造歩留りを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明にかかる配線基板の製造方法及び配線基板の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態における配線基板の製造方法のフロー図である。図２は、本発明の実施形態における露光工程及び搬送工程を例示する模式図であり、（ａ）は１回目の露光工程直前における基板及びフォトマスクの上面構成を、（ｂ）は１回目の露光工程直後における基板の上面構成を、（ｃ）は２回目の露光工程直前における基板及びフォトマスクの上面構成を、（ｄ）は２回目の露光工程直後における基板の上面構成をそれぞれ示している。図３は、本実施形態にかかる基板の断面構造を例示する模式図である。図４は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法で用いる基板、フォトマスク、露光光源の配置関係を例示する模式図である。図５は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法で用いるフォトマスクの上面構成を例示する模式図である。図６は、前のサイクルでの露光工程でフォトレジスト層に転写された第１結果確認マークと、次のサイクルでの露光工程でフォトレジスト層に転写された第２結果確認マークとの相対的な位置関係を例示する模式図であり、（ａ）は露光位置精度が良好である場合を、（ｂ）は露光位置精度が不良である場合をそれぞれ示している。
【００２０】
＜配線基板の製造方法＞
（基材準備工程（Ｓ１））
はじめに、テープ状（長尺状）の絶縁性基材４を準備する（ステップ１）。絶縁性基材４は、図３に断面構造を例示するように、ガラスクロス１を含有する高分子樹脂２を備えている。このとき、高分子樹脂２としては、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂などの単体やこれらの複合樹脂を用いることができる。また、絶縁性基材４は、ガラスクロス１を含有する高分子樹脂２を複数枚重ね合わせて構成してもよい。
【００２１】
（金属導体層形成工程（Ｓ２））
次に、絶縁性基材４の少なくとも片面（図３では上面）に金属導体層３を接着することにより基板５を製造する。金属導体層３の材料は限定されないが、電気導電性やめっき加工性の観点から判断すると銅や銅の合金が望ましい。なお、金属導体層３は、接着により形成する場合に限らず、めっき等の他の手法により形成してもよい。
【００２２】
（フォトレジスト層形成工程（Ｓ３））
次に、金属導体層３上に、例えば、ラミネート装置を用いて大気圧または減圧環境下でネガ型ドライフィルムレジストを貼り付けることにより、フォトレジスト層６を形成する。なお、本発明は、ネガ型ドライフィルムレジストを用いる場合に限らず、ポジ型ドライフィルムレジストを用いることとしてもよい。また、フォトレジスト層６は、ドライフィルムレジストを張り付けることにより形成する場合に限らず、レジスト液を塗布することにより形成してもよい。
【００２３】
（搬送準備工程（Ｓ４））
次に、フォトレジスト層６が形成された基板５を、長手方向（搬送方向９）に搬送されるように設置する。そして、基板５の上方には、フォトマスク７を、フォトレジスト層６とフォトマスク７の主面とが互いに対向するように配置する。さらに、フォトマスク７を介して基板５に光が照射されるように、半導体レーザや水銀灯等の露光光源８を配置する
。かかる様子を図４に示す。露光光源８から放射される光の波長は、フォトレジスト層６を形成するレジスト材料を感光させることのできる波長とする。
【００２４】
フォトマスク７は、露光光源８からの光に対して透光性を有する透光性基板と、透光性基板の表面に形成されたクロム等からなる遮光膜とから構成されている。図５に示すように、フォトマスク７の主面には、配線パターン７ａ、位置決めマーク７ｂ、位置調整マーク７ｃ、第１結果確認マーク７ｄ、及び第２結果確認マーク７ｅがそれぞれ２つずつ形成されている。本実施形態のように、フォトレジスト層６がネガ型レジスト材料により構成される場合には、位置決めマーク７ｂ、位置調整マーク７ｃ、第１結果確認マーク７ｄ、及び第２結果確認マーク７ｅは、遮光膜が設けられていない領域（図５で斜線に塗られていない領域であって透光性を有する窓）として形成される。
【００２５】
フォトマスク７に形成された位置決めマーク７ｂ及びフォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃは、フォトマスク７に形成された配線パターン７ａを、基板５の搬送方向９に沿って両側から挟むように設けられている。また、フォトマスク７に形成された第１結果確認マーク７ｄ及びフォトマスク７に形成された第２結果確認マーク７ｅは、フォトマスク７に形成された配線パターン７ａを、基板５の搬送方向９に沿って両側から挟むように設けられている。また、位置決めマーク７ｂと第１結果確認マーク７ｄとは、搬送方向９に対して垂直方向に同一線上に配置され、位置調整マーク７ｃと第２結果確認マーク７ｅとは、搬送方向９に対して垂直方向に同一線上に配置されている。
【００２６】
フォトマスク７に形成された第１結果確認マーク７ｄ及びフォトマスク７に形成された第２結果確認マーク７ｅのうち、いずれか一方は外環形状の外マークとして構成され、他方は外マーク内に包含されうる内マークとして構成される。本実施形態では、第１結果確認マーク７ｄは外マークとして構成され、第２結果確認マーク７ｅは第１結果確認マーク７ｄ内に包含されうる内マークとして構成されている。なお、後述する露光工程（５ａ）における露光位置精度の許容値がＥ（ｍｍ）以内であるとき、第２結果確認マーク７ｅとしての内マークの外径Ｄ２（ｍｍ）、及び第１結果確認マーク７ｄとしての外環形状の外マークの内径Ｄ１（ｍｍ）を、Ｅ＝（Ｄ１−Ｄ２）／２の関係を満たすようにそれぞれ設定することが好ましい。
【００２７】
（露光工程（Ｓ５ａ））
次に、絶縁性基材４の少なくとも片面に金属導体層３が形成された基板５に対し、配線パターン７ａ、位置決めマーク７ｂ、位置調整マーク７ｃ、第１結果確認マーク７ｄ、及び第２結果確認マーク７ｅが形成されたフォトマスク７を介して光を照射する。その結果、金属導体層３上に予め形成したフォトレジスト層６が感光し、配線パターン６ａ、位置決めマーク６ｂ、位置調整マーク６ｃ、第１結果確認マーク６ｄ、及び第２結果確認マーク６ｅがフォトレジスト層６に転写される。図２（ａ）は、露光工程（Ｓ５ａ）直前における基板５及びフォトマスク７の上面図を示し、図２（ｂ）は露光工程（Ｓ５ａ）直後における基板５の上面図を示している。
【００２８】
（搬送工程（Ｓ５ｂ））
次に、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂが所定位置に移動するまで、搬送方向９に沿って基板５を一定量搬送する。
【００２９】
（位置調整工程（Ｓ５ｃ））
搬送工程（Ｓ５ｂ）の後、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂと、フォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃとの相対的な位置関係が所定の関係となるように調整する。具体的には、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂと、フォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃとが所定の距離に近接あるいは重複する
ように、フォトマスク７あるいは基板５のうち少なくともいずれか一方の位置を調整する。本実施形態では、所定の方向（例えば基板５主面と垂直方向）からフォトマスク７を介して基板５を見た場合に、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂが、図２（ｃ）に示すように透光性の窓として構成された位置調整マーク７ｃ内に入るように、フォトマスク７あるいは基板５のうち少なくともいずれか一方の位置を調整している。
【００３０】
（繰り返し工程（Ｓ５ｄ））
その後、露光工程（Ｓ５ａ）から位置調整工程（Ｓ５ｃ）を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。その結果、フォトレジスト層６には、配線パターン６ａ、位置決めマーク６ｂ、位置調整マーク６ｃ、第１結果確認マーク６ｄ、第２結果確認マーク６ｅが、それぞれ基板５の搬送方向に沿ってそれぞれ複数個転写されることになる。各搬送工程（Ｓ５ｂ）においては、上述したように露光工程（Ｓ５ａ）にてフォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂが所定位置に移動したら搬送を停止するようにしているため、基板５の搬送距離は常に一定となり、フォトレジスト層６に転写される各パターンはそれぞれ常に一定の距離を保ちつつ配列することになる。なお、図２（ｄ）は、２回目の露光工程（Ｓ５ａ）直後における基板５の上面図を示している。
【００３１】
なお、上述した通り、フォトマスク７に形成された位置決めマーク７ｂ及びフォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃは、フォトマスク７に形成された配線パターン７ａを、基板５の搬送方向９に沿って両側から挟むように設けられている。そのため、前のサイクルの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂと、次のサイクルの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写される位置調整マーク６ｃとは、常に近接あるいは重複するように転写される。
【００３２】
そして、位置調整工程（Ｓ５ｃ）において、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂとフォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃとが重複するようにフォトマスク７あるいは基板５のうち少なくともいずれか一方の位置を調整した場合には、図２（ｄ）に示すように、前のサイクルの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂと、次のサイクルの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写される位置調整マーク６ｃとが重複して転写された状態（すなわち位置決めマーク６ｂが位置調整マーク６ｃにより上書きされた状態）となる。
【００３３】
また、フォトマスク７に形成された第１結果確認マーク７ｄ及びフォトマスク７に形成された第２結果確認マーク７ｅは、フォトマスク７に形成された配線パターン７ａを基板５の搬送方向に沿って両側から挟むように設けられている。そのため、前のサイクルの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写される第１結果確認マーク６ｄと、次のサイクルの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写される第２結果確認マーク６ｅとは、常に近接あるいは重複するように転写される。
【００３４】
そして、第１結果確認マーク７ｄが外マークとして構成され、第２結果確認マーク７ｅが内マークとして構成されており、搬送工程（Ｓ５ｂ）において、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂとフォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃとが重複するようにフォトマスク７あるいは基板５のうち少なくともいずれか一方の位置を調整した場合には、前のサイクルの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写される第１結果確認マーク６ｄの内側に、次のサイクルの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写される第２結果確認マーク６ｅが包含されることとなる。
【００３５】
そして、第２結果確認マーク７ｅとしての内マークの外径がＤ２（ｍｍ）、第１結果確認マーク７ｄとしての外環形状の外マークの内径Ｄ１（ｍｍ）であるときに、基板５の搬送位置のズレが（Ｄ１−Ｄ２）／２（ｍｍ）以内である場合には、フォトレジスト層６に
転写された外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）内に、フォトレジスト層６に転写された内マーク（第２結果確認マーク６ｅ）が完全に包含されることとなる。また、基板５の搬送位置のズレが（Ｄ１−Ｄ２）／２（ｍｍ）を超えた場合には、フォトレジスト層６に転写された外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）内に、フォトレジスト層６に転写された内マーク（第２結果確認マーク６ｅ）が完全には包含されないこととなる。
【００３６】
（現像工程（Ｓ６））
繰り返し工程（Ｓ５ｄ）の終了後、感光されていないフォトレジスト層６を除去し、金属導体層３上にレジストパターンを形成する。
【００３７】
（エッチング工程（Ｓ７）、レジストパターン剥離工程（Ｓ８））
次に、形成したレジストパターンをマスクとし、金属導体層３上にエッチング液等を供給して不要な金属導体層３を除去し、金属導体からなる配線パターンを形成する（Ｓ７）。その後、残存しているフォトレジストパターンを完全に除去する（Ｓ８）。
【００３８】
（結果判断工程（Ｓ９））
次に、前のサイクルでの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写された第１結果確認マーク６ｄと、次のサイクルでの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写された第２結果確認マーク６ｅとの相対的な位置関係に基づいて、露光位置精度の良否を判断する。すなわち、近接あるいは重複するように転写された第１結果確認マーク６ｄと第２結果確認マーク６ｅとの間の距離あるいは重複度合を基に露光位置精度の良否を判断する。
【００３９】
第１結果確認マーク７ｄが外マークとして構成され、第２結果確認マーク７ｅが内マークとして構成されており、搬送工程（Ｓ５ｂ）において、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂとフォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃとが重複するようにフォトマスク７あるいは基板５のうち少なくともいずれか一方の位置を調整ようにした場合には、フォトレジスト層６に転写された外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）内に、フォトレジスト層６に転写された内マーク（第２結果確認マーク６ｅ）が完全に包含されているか否かで露光位置精度の良否を判断する。
【００４０】
具体的には、図６（ａ）に示すように、フォトレジスト層６に転写された外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）内に、フォトレジスト層６に転写された内マーク（第２結果確認マーク６ｅ）が完全に包含されている場合には、露光位置のズレがＥ（ｍｍ）以下であり、露光位置精度が良好であるものと判断する。また、図６（ｂ）に示すように、フォトレジスト層６に転写された外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）内に、フォトレジスト層６に転写された内マーク（第２結果確認マーク６ｅ）が完全には包含されていない場合には、露光位置のズレがＥ（ｍｍ）を超えており、露光位置精度が不良であるものと判断する。
【００４１】
以上のＳ１〜Ｓ９の工程により、絶縁性基材４の少なくとも片面に、金属導体からなる配線パターン６ａと、金属導体からなる位置決めマーク６ｂとの対を、絶縁性基材４の長手方向に沿って等間隔に備える配線基板が製造される。なお、本実施形態にかかる配線基板は、絶縁性基材４の少なくとも片面に、金属導体からなる第１結果確認マーク６ｄと第２結果確認マーク６ｅとの対を、配線パターン６ａ毎に備えている。特に、露光位置精度が良好であると判断された配線基板は、絶縁性基材４の少なくとも片面に、金属導体からなる外環形状の外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）と、外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）に包含され金属導体からなる内マーク（第２結果確認マーク６ｅ）との対を、配線パターン６ａ毎に備えている。
【００４２】
（２）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に述べる（ａ）〜（ｇ）のうち、１つ又は複数の効果を奏する。
【００４３】
（ａ）本実施形態によれば、露光工程（Ｓ５ａ）において、フォトレジスト層６に配線パターン６ａと位置決めマーク６ｂとを転写している。そして、搬送工程（Ｓ５ｂ）において、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂが所定位置に移動するまで基板５を一定距離搬送するようにしている。その結果、基板５に位置決め穴を予め設けることなく、配線パターン６ａを一定の距離を保ちつつ配列させることができる。すなわち、基板５からの異物の発生を抑制しつつ、配線パターン６ａをそれぞれ常に一定の距離を保ちつつ配列させ、配線基板の製造歩留りを向上させることが可能となる。
【００４４】
これに対し、図７に示す従来の配線基板の製造方法では、基板に所定の間隔で予め形成された位置決め穴を検出することにより、基板の搬送を停止する位置を決定することとしていた。すなわち、打ち抜き加工やレーザ加工等により、搬送方向に沿って基板上に複数の位置決め穴を予め形成して置く必要があった。しかしながら、位置決め用穴を形成する際に発生するバリや粉末は、基板の凹凸部分や断面部に入り込んでしまうと洗浄による除去は困難であり、洗浄後に接触したり振動を与えたりすることによって基板から脱落すると製造歩留りを悪化させる異物となってしまう場合があった。
【００４５】
なお、ポリイミド等の絶縁性基材の表面に金属導体層からなる配線パターンが形成されたＴＡＢテープ等のフレキシブル基板においては、位置決め穴だけでなく、例えばテープの取り付け用穴や搬送用スプロケット穴等の製品固有の穴が基板に形成される場合がある。発明者等の知見によれば、配線パターン毎に、また配線パターンの近傍に設けられる位置決め穴は、配線パターンから離れた位置に設けられる他種の穴よりも、製造歩留り悪化への影響度が大きいものと考えられる。本実施形態によれば、基板５にこのような位置決め穴を形成する必要がないため、配線基板の製造歩留りの悪化を効果的に抑制できる。
【００４６】
（ｂ）本実施形態によれば、搬送工程（Ｓ５ｂ）を実施した後、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂと、フォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃとの相対的な位置関係が所定の関係となるように調整する位置調整工程（Ｓ５ｃ）を実施する。これにより、搬送工程（Ｓ５ｂ）における基板５の搬送距離に揺らぎが生じてしまった場合であっても、配線パターン６ａを配列させる距離をさらに安定させ、配線基板の製造歩留りを向上させることが可能となる。
【００４７】
（ｃ）本実施形態によれば、基板５に位置決め穴を形成する必要がないため、配線パターン７ａを微細化した場合であっても配線基板の製造歩留りの悪化を効果的に抑制できる。近年、配線基板に実装するＩＣチップの微細化及び高速化、モバイル機器等の実装対象機器の小型化等を主な要因として、配線ピッチの微細化が進められている。例えば、微細な配線パターンが要求されるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージ向けの配線基板では、例えば配線ピッチが４０μｍから８０μｍとするような微細化が進められている。発明者等の知見によれば、このような微細化が進められると、従来ではあまり問題にならなかったような５μｍから２０μｍの大きさの異物が、配線基板の製造歩留りにより大きく影響するようになると考えられる。例えば、形成する配線パターンのピッチ（配線ピッチ）が８０μｍ以下であるとき、配線の隙間は通常４０μｍ以下であるから、異物の大きさは約１３μｍ（配線の隙間の１／３）未満であることが要求されるようになる。これに対し、本実施形態によれば、基板５に位置決め穴を形成する必要がないため、配線パターン７ａを微細化した場合においても、製造歩留りの悪化を効果的に抑制できる。
【００４８】
（ｄ）従来の配線基板の製造方法では、基材に含まれる樹脂が脆かったり、基材にガラス
クロスが含まれていたりすると、基材への穴あけや切断等によって樹脂やガラスクロスの破片や粉末等が発生し易く、製造歩留りが悪化し易かった。これに対して本実施形態によれば、基板５に位置決め穴を設ける必要がないため、上述のような基材を用いた場合であっても配線基板の製造歩留りの悪化を効果的に抑制できる。
【００４９】
（ｅ）本実施形態によれば、基板５に位置決め穴を予め形成する必要がないため、配線基板の製法工程を簡略化でき、配線基板の生産性を向上させることができる。
【００５０】
（ｆ）本実施形態によれば、配線基板の製造歩留りを向上させることにより、樹脂モールドパッケージの製造歩留りを飛躍的に向上させることができる。微細な配線パターンが要求されるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージ向けに使用される配線基板では、１枚のシート状の配線基板に例えば１００個以上の配線パターンが形成される場合がある。そして、各配線パターン上に半導体素子を搭載して樹脂で一括封止（モールド）した後、配線基板および樹脂を半導体素子毎にダイシング（切断）することにより、一度に１００個以上の樹脂モールドパッケージが製造される場合がある。このように一度に１００個以上の（多数の）樹脂モールドパッケージを製造するプロセスにおいては、製造した１００個の樹脂モールドパッケージのうち１個でも不良が存在すると、同じ配線基板から製造した残りの９９個をその良否にかかわらず廃棄する（配線基板単位で不良とする）ことが必要となる場合がある。本実施形態によれば、配線基板の製造歩留りを向上させることにより、樹脂モールドパッケージの製造歩留りを飛躍的に向上させることができる。
【００５１】
（ｇ）本実施形態によれば、前のサイクルでの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写された第１結果確認マーク６ｄと、次のサイクルでの露光工程（Ｓ５ａ）でフォトレジスト層６に転写された第２結果確認マーク６ｅとの相対的な位置関係に基づいて、露光位置精度の良否を判断する。例えば、第１結果確認マーク７ｄを外マークとして構成し、第２結果確認マーク７ｅを内マークとして構成し、搬送工程（Ｓ５ｂ）において、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂとフォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃとが重複するようにフォトマスク７あるいは基板５のうち少なくともいずれか一方の位置を調整した場合には、フォトレジスト層６に転写された外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）内に、フォトレジスト層６に転写された内マーク（第２結果確認マーク６ｅ）が完全に包含されているか否かで露光位置精度の良否を判断する。このように構成した結果、前のサイクルで転写されたパターンと次のサイクルで転写されたパターンとの相対距離等を具体的に測定することなく、露光位置精度の良否を一目で判断することが可能となり、検査工数を大幅に削減し、配線基板の製造コストを低減させることが可能となる。また、露光位置精度の良否を判断する際に、配線基板を切断等してサンプルを採取する必要がないため、異物の発生を抑制することが可能となる。
【実施例】
【００５２】
以下に、本発明の実施例を比較例とともに説明する。
【００５３】
本実施例では、ガラスクロス１を含有する高分子樹脂２からなる幅３５０ｍｍの絶縁性基材４を準備した。そして、絶縁性基材４の主面に、金属導体層３として厚さ１８μｍの銅箔をプレスで接着することにより、基板５を製造した。そして、金属導体層３の主面に、厚さ１５μｍのネガ型ドライフィルムレジストを貼り付けてフォトレジスト層６を形成した。そして、露光工程（Ｓ５ａ）と搬送工程（Ｓ５ｂ）とを繰り返した後（Ｓ５ｃ）、現像工程（Ｓ６）〜結果判断工程（Ｓ９）を経て配線基板を製造した。配線パターンの配線ピッチを８０μｍとし、基板５の長手方向の中心線から基板５の幅方向に向けた各位置決めマーク７ｂの位置をそれぞれ１５５ｍｍとし、外環形状の外マーク（第１結果確認マーク６ｄ）の内径Ｄ１を０．２ｍｍとし、内マーク（第２結果確認マーク６ｅ）の外径Ｄ
２を０．１ｍｍとし、露光位置精度の許容値Ｅを０．０５ｍｍとした。また、高分子樹脂は、１５０℃に加熱して振動数１Ｈｚで振動させた場合の動的粘弾性の測定値が０．１ＧＰａ以上であるような樹脂を用いた。その結果、配線基板の製造歩留りは９９．５％であった。
【００５４】
これに対し比較例では、露光工程（５ａ）を実施する前に、打ち抜き加工により、基板５の搬送方向に沿って基板５上に複数の位置決め穴を予め形成した。そして、搬送工程（Ｓ５ｂ）を実施する際に、基板５に所定の間隔で予め形成された位置決め穴を検出することにより、基板５の搬送を停止する位置を決定した。その他の条件は上述の実施例と同じとした。その結果、配線基板の製造歩留りは８７．５％であった。
【００５５】
＜本発明の他の実施形態＞
位置決めマーク７ｂ、位置調整マーク７ｃの形状は、本実施形態のように丸（または円）形状である場合に限定されない。すなわち、フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク６ｂと、フォトマスク７に形成された位置調整マーク７ｃとの位置関係の識別が容易である限り、多角形としてもよく、例えば十字形状などの他形状としてもよい。
【００５６】
また、第１結果確認マーク７ｄ、第２結果確認マーク７ｅの形状は、本実施形態のように丸（または円）形状である場合に限定されない。すなわち、近接あるいは重複するようにフォトレジスト層６に転写された第１結果確認マーク６ｄと第２結果確認マーク６ｅとの間の距離あるいは重複度合の識別が容易である限り、多角形としてもよく、例えば十字形状などの他形状としてもよい。
【００５７】
また、位置決めマーク７ｂ、位置調整マーク７ｃ、第１結果確認マーク７ｄ、第２結果確認マーク７ｅの個数は、本実施形態のように配線パターン７ａ毎に２つずつ設ける場合に限定されない。すなわち、配線パターン７ａ毎に１つずつ設けることとしてもよく、３つ以上ずつ設けることとしてもよい。
【００５８】
また、結果判断工程（Ｓ９）は、本実施形態の様にレジストパターン剥離工程（Ｓ９）の完了後に実施する場合に限らず、繰り返し工程（Ｓ５ｄ）や現像工程（Ｓ６）やエッチング工程（Ｓ７）の完了後に実施することとしてもよい。
【００５９】
本発明は、絶縁性基材４がガラスクロス１を含有しない場合であっても好適に適用可能である。また、本発明は、絶縁性基材４のテープ幅によらず適用可能であり、また、絶縁性基材４がテープ状（長尺状）に構成されていない場合であっても好適に適用可能である。また、本発明は、基板５がロール状に巻き取り可能なフレキシブル基板でなくても好適に適用可能である。
【００６０】
なお、本発明の技術的範囲は、以上の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の一実施形態における配線基板の製造方法のフロー図である。
【図２】本発明の実施形態における露光工程及び搬送工程を例示する模式図であり、（ａ）は１回目の露光工程直前における基板及びフォトマスクの上面構成を、（ｂ）は１回目の露光工程直後における基板の上面構成を、（ｃ）は２回目の露光工程直前における基板及びフォトマスクの上面構成を、（ｄ）は２回目の露光工程直後における基板の上面構成をそれぞれ示している。
【図３】本実施形態にかかる基板の断面構造を例示する模式図である。
【図４】本実施形態にかかる配線基板の製造方法で用いる基板、フォトマスク、露光光源の配置関係を例示する模式図である。
【図５】本実施形態にかかる配線基板の製造方法で用いるフォトマスクの上面構成を例示する模式図である。
【図６】前のサイクルでの露光工程でフォトレジスト層に転写された第１結果確認マークと、次のサイクルでの露光工程でフォトレジスト層に転写された第２結果確認マークとの相対的な位置関係を例示する模式図であり、（ａ）は露光位置精度が良好である場合を、（ｂ）は露光位置精度が不良である場合をそれぞれ示している。
【図７】複数の位置決め穴を予め形成する従来の配線基板の製造方法のフロー図である。
【符号の説明】
【００６２】
３      金属導体層
４      絶縁性基材
５      基板
６      フォトレジスト層
６ａ    フォトレジスト層６に転写された配線パターン
６ｂ    フォトレジスト層６に転写された位置決めマーク
６ｃ    フォトレジスト層６に転写された位置調整マーク
６ｄ    フォトレジスト層６に転写された第１結果確認マーク
６ｅ    フォトレジスト層６に転写された第２結果確認マーク
７      フォトマスク
７ａ    フォトマスク７に形成された配線パターン
７ｂ    フォトマスク７に形成された位置決めマーク
７ｃ    フォトマスク７に形成された位置調整マーク
７ｄ    フォトマスク７に形成された第１結果確認マーク
７ｅ    フォトマスク７に形成された第２結果確認マーク
９      搬送方向
【図１】
2010016313.tif 000003
【図６】
2010016313.tif 000004
【図７】
2010016313.tif 000005
【図２】
2010016313.tif 000006
【図３】
2010016313.tif 000007
【図４】
2010016313.tif 000008
【図５】
2010016313.tif 000009