(57)【要約】【課題】伝搬中の照射光が主磁極に吸収されるのを抑えつつ、主磁極と光の照射位置とが近接配置された磁気ヘッド等を提供する。【解決手段】磁気ヘッド１００において、コア層１３１とクラッド層１３２と有し浮上面Ｆに向かって延びてコア層の一面Ｅ寄りの、コア層の厚み方向Ｔの一部分が浮上面に露出し、照射光を伝搬して出射する光導波路１３１と、コア層の一面Ｅ側に形成されてコア層とは離間しコア層と平行に浮上面に向かって延び、浮上面寄りの部分でコア層に近づきながら浮上面に向かって斜めに延び、浮上面近傍がコア層に接触又は近接して浮上面に露出する主磁極１２１とを備える。【選択図】        図２
2010061704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層構造を有し、該層構造の一端面からなる浮上面を、相対移動する記憶媒体に向けて浮上し、該記憶媒体に情報を磁気的に記録する磁気ヘッドであって、
コア層とクラッド層と有し前記浮上面に向かって延びて該コア層の両面のうちの一面寄りの、該コア層の厚み方向の一部分が該浮上面に露出し、前記記憶媒体に照射する照射光を伝搬して該浮上面から出射する光導波路と、
前記記憶媒体に情報を記録するための磁力を導いて前記記憶媒体に作用させる、層形状の主磁極であって、前記コア層の前記一面側に形成されて該コア層とは離間し該コア層と平行に前記浮上面に向かって延び、前記浮上面寄りの部分で該コア層に近づきながら該浮上面に向かって斜めに延び、該浮上面近傍が該コア層に接触又は近接して該浮上面に露出する主磁極とを有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記コア層の前記浮上面寄りの先端部に、該浮上面に露出し該浮上面から照射光を出射する、前記一面寄りの光伝搬層と、該先端部のうちの該光伝搬層を除く、該コア層の両面のうちの前記一面とは反対側の一面寄りの部分からなる、伝搬されてきた照射光を前記光伝搬層に向けて偏向する光偏向層とを有することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該主磁極先端部の両側に延び、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率を有する非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該主磁極先端部の両側に延び、周囲より高い熱伝導性を有する材料で形成された放熱部を備えたものであることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該光伝搬層の両側に延びた、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記光伝搬層は、浮上面に近づくに従い細幅となるテーパ形状を有したものであり、
前記屈折率補正部は、テーパ形状の前記光伝搬層の両側縁に沿って形成されたものであることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記主磁極と前記光伝搬層の間に、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記光偏向層の前記浮上面側先端を覆った、前記照射光の透過を防ぐ遮光部を備え、
前記遮光部が、磁性材料で形成された、前記主磁極から出力された磁力が戻る副磁極を兼ねたものであることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記遮光部が、前記光伝搬層に隣接した、前記主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成された隣接部を備えたことを特徴とする請求項８記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
情報が磁気的に記録される記憶媒体と、
層構造を有し、該層構造の一端面からなる浮上面を、相対移動する前記記憶媒体に向けて浮上し、該記憶媒体に情報を磁気的に記録する磁気ヘッドとを備え、
前記磁気ヘッドが、
コア層とクラッド層と有し前記浮上面に向かって延びて該コア層の両面のうちの一面寄りの、該コア層の厚み方向の一部分が該浮上面に露出し、前記記憶媒体に照射する照射光を伝搬して該浮上面から出射する光導波路と、
前記記憶媒体に情報を記録するための磁力を導いて前記記憶媒体に作用させる、層形状の主磁極であって、前記コア層の前記一面側に形成されて該コア層とは離間し該コア層と平行に前記浮上面に向かって延び、前記浮上面寄りの部分で該コア層に近づきながら該浮上面に向かって斜めに延び、該浮上面近傍が該コア層に接触又は近接して該浮上面に露出する主磁極とを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置（ＨＤＤ）に代表される磁気ディスク装置では、記録密度の向上のため、記憶媒体における磁性層の結晶粒の微細構造化が、熱揺らぎが問題となるほどに進んでいる。この熱揺らぎを低減するには、磁性層に保磁力の高い元素の添加が適しているが、保磁力が高いほど、磁気ヘッドによる磁界では書き込めなくなりつつある。そこで記憶媒体上に微小な熱スポットを形成して急加熱し、熱によって一時的に保磁力を下げて磁界で記録し、急冷することで保磁力を回復させて記録する熱アシスト記録方式が提案されている。この熱スポットは、磁気ヘッドから光スポットを記憶媒体に照射し、記憶媒体で吸収させることで発生させる。高密度記録のためには、磁界の及ぶ範囲と熱スポットの範囲が小さいものに限られることから、熱スポットを、磁極の近傍に形成することが求められている。これに対し、光が伝搬する導波路を組み込んだ構造のヘッドが提案されている。
【０００３】
例えば、光ヘッドにおいて、基板の上に、光が伝搬するコアと、コアを挟んだクラッドからなる光導波路が積層された構造が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この光ヘッドでは、基板上に設けられた光導波路の先端に、光スポットを発生させる開口部を備えた第１の多層膜が形成されており、その上に、コア内を伝搬してきた光を多層膜側に偏向する第２の多層膜や反射ミラーが設けられている。この構造では、コア内を伝搬してきた光が第２の多層膜で基板上の第１の多層膜側に大きく偏向され開口部から照射される。
【０００４】
また、磁気ヘッドの上にコアを直接配置し、コアの先端には、光を照射する開口部を備えた第１の多層膜と、コアを伝搬してきた光を第１の多層膜に偏向する第２の多層膜が配置された構造が知られている（例えば、特許文献２参照。）。コアの先端面は第１の多層膜と第２の多層膜の双方に接している。
【０００５】
また、磁極のコア側に、特殊な金属の層を設けることによって、金属表面で発生するプラズモン効果を利用して光を導き、コアのサイズよりも小さな光スポットを発生させる構造が知られている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開２００６−３３１５０８号公報
【特許文献２】特開２００６−７３１０５号公報
【特許文献３】特開２００７−１６４９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、コアとクラッドとからなる光導波路で伝導された光を基板上の第１の多層膜側に大きく偏向させる光ヘッドは、コア中心の高さから基板近傍の高さまで、すなわちコアの厚さの半分にクラッドの厚さを加えた高さに渡って光を偏向させる必要がある。このための製造が難しく、光スポットを磁極に近接させることが容易でない。
【０００７】
また、磁気ヘッドの上にコアを直接配置した構造では、光が磁気ヘッドの金属部分に吸収される問題がある。例えば、磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性材料は、光学的にはｎ＝２を超える高い屈折率を有することが一般的である。さらに、可視光領域における屈折率は、一般に波長が長いほど高くなる。相対的に短い波長の青紫レーザが使用される場合、主磁極材料の屈折率は光導波路で使用される材料の屈折率と比べ同程度かまたはそれより低い。しかし、製造が容易な発光素子で出力できる赤色レーザが使用される場合、主磁極材料の屈折率が光導波路材料の屈折率を上回るため、光が磁極側に偏向され、光の一部が磁極に吸収される。コアと磁極の接触距離が長いと、光の損失が増大する。さらに、磁極に吸収された光は熱となり磁極の温度を上昇させる。主磁極は記録トラックに合わせた微小構造の部材であるため、熱の伝導が妨げられ温度が上昇しやすい。磁極の温度上昇によって磁力の発生効率が低下する。
【０００８】
また、プラズモン効果を用いる構成では、光を導くのが透明材料ではなく金属であるため、金属による光の吸収が避けられない。また、吸収された光によって金属と磁極の双方が加熱され、磁力の発生効率が低下する。
【０００９】
上記事情に鑑み、本件開示の磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置の課題は、伝搬中の照射光が主磁極に吸収されるのを抑えつつ、主磁極と光の照射位置とを近接させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本件開示の磁気ヘッドの基本形態は、層構造を有し、この層構造の一端面からなる浮上面を、相対移動する記憶媒体に向けて浮上し、この記憶媒体に情報を磁気的に記録する磁気ヘッドであって、
コア層とクラッド層と有し上記浮上面に向かって延びてこのコア層の両面のうちの一面寄りの、このコア層の厚み方向の一部分がこの浮上面に露出し、上記記憶媒体に照射する照射光を伝搬してこの浮上面から出射する光導波路と、
上記記憶媒体に情報を記録するための磁力を導いて上記記憶媒体に作用させる、層形状の主磁極であって、上記コア層の上記一面側に形成されてこのコア層とは離間しこのコア層と平行に上記浮上面に向かって延び、上記浮上面寄りの部分でこのコア層に近づきながらこの浮上面に向かって斜めに延び、この浮上面近傍がこのコア層に接触又は近接してこの浮上面に露出する主磁極とを有する。
【００１１】
また、本件開示の磁気ディスク装置の基本形態は、
情報が磁気的に記録される記憶媒体と、
層構造を有し、この層構造の一端面からなる浮上面を、相対移動する上記記憶媒体に向けて浮上し、この記憶媒体に情報を磁気的に記録する磁気ヘッドとを備え、
上記磁気ヘッドが、
コア層とクラッド層と有し上記浮上面に向かって延びてこのコア層の両面のうちの一面寄りの、このコア層の厚み方向の一部分がこの浮上面に露出し、上記記憶媒体に照射する照射光を伝搬してこの浮上面から出射する光導波路と、
上記記憶媒体に情報を記録するための磁力を導いて上記記憶媒体に作用させる、層形状の主磁極であって、上記コア層の上記一面側に形成されてこのコア層とは離間しこのコア層と平行に上記浮上面に向かって延び、上記浮上面寄りの部分でこのコア層に近づきながらこの浮上面に向かって斜めに延び、この浮上面近傍がこのコア層に接触又は近接してこの浮上面に露出する主磁極とを有する。
【００１２】
これらの基本形態によれば、主磁極は、コア層に沿って浮上面に向かって延びるが、浮上面近傍までコア層に接触又は近接しない。このため、主磁極がコア層より高屈折率の磁性材料で形成されていても、浮上面近傍までは、コア層の照射光が主磁極に吸収されない。したがって、伝搬中の照射光が主磁極に吸収されるのを抑えつつ、主磁極と光の照射位置とが近接可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
以上の本件開示の磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置の上記基本形態によれば、伝搬中の照射光が主磁極に吸収されるのを抑えつつ、主磁極と光の照射位置を近接配置させことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本件開示の磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置の具体的な実施形態について説明する。
【００１５】
図１は、磁気ディスク装置の具体的な実施形態を表した図である。
【００１６】
図１に示す磁気ディスク装置１には、図に垂直な方向を回転軸とする回転駆動力を発生するロータリアクチュエータ６が設けられている。このロータリアクチュエータ６は、サスペンションアーム５を支持している。サスペンションアーム５は、ロータリアクチュエータ６の回転駆動力を受けて回動する。サスペンションアーム５の先端には、支持具としてのジンバル４を介して磁気ヘッド１００が取り付けられている。磁気ヘッド１００は、詳細には、ジンバル４に取り付けられた磁気ヘッドスライダの先端に形成されており、磁気ディスク２上に磁気ヘッドスライダと一体となって浮上する。磁気ヘッド１００は、磁気ディスク２からの情報の読み取りや磁気ディスク２への情報の書き込みを行う。
【００１７】
情報の読み取りや書き込みの際には、ロータリアクチュエータ６によりサスペンションアーム５が回転駆動されることで、磁気ヘッド１００が磁気ディスク２上の目標位置に移動し、磁気ディスク２からの情報の読み取りや磁気ディスク２への情報の書き込みを行う。円盤状の磁気ディスク２の表面には、同心円状に多数のトラック７が設けられており、各トラック７には、情報を記憶する記憶領域がある。この記憶領域に並んだ磁化の向きにより情報が表される。この磁気ディスク２は、円盤の中心を回転中心として図の面内を回転し、磁気ディスク２表面近くに配置された磁気ヘッド１００は、回転する磁気ディスク２の記憶領域に順次近接する。
【００１８】
情報の記録時には、磁気ディスク２に近接した磁気ヘッド１００に電気的な記録信号と光が入力され、磁気ヘッド１００は、入力された記録信号に応じて磁界と光を印加して、その記録信号に担持された情報をそれらの記憶領域の磁化方向の形式で記録する。また、情報の再生時には、磁気ヘッド１００は、各記憶領域において磁化方向の形式で記録された情報を、磁化それぞれから発生する磁界に応じて電気的な再生信号を生成することにより取り出す。ここで、磁気ディスク２は、上述した基本形態における記憶媒体の一例に相当する。
【００１９】
［第１実施形態］
図２、図３および図４は、磁気ヘッドの具体的な第１実施形態を示す図である。図２は磁気ヘッド内部の主要部の構造を斜めから示した透視図であり、図３は断面図であり、図４は磁気ディスクの側から見た図である。
【００２０】
図２〜図４に示す磁気ヘッド１００は層構造を有しており、層構造の一端面からなる浮上面Ｆ（図３参照）を磁気ディスク２に向けて浮上する。磁気ディスク２のトラックは、トラック方向Ｔとして示す矢印の向きに移動する。すなわち、磁気ヘッド１００はトラック上を、トラック方向Ｔの矢印とは反対方向に相対移動することとなる。トラック方向Ｔと交わる方向をクロストラック方向Ｃとする。磁気ヘッド１００は、トラック方向Ｔに積層された層構造を有しており、以降、各層の厚み方向をトラック方向Ｔとも称し、幅方向をクロストラック方向Ｃとも称する。
【００２１】
磁気ヘッド１００は、再生素子１１、記録素子１２、および光導波路１３を備えている。なお図２では再生素子１１の図示を省略している。
【００２２】
再生素子１１は、磁界を検知し磁界に応じた再生信号を出力する。再生素子１１は例えばＧＭＲ（巨大磁気抵抗）素子である。再生素子１１は、一対の磁気シールド１４で挟まれており、さらに別の磁気シールド１５によって記録素子１２から隔てられている。
【００２３】
光導波路１３は、コア層１３１およびコア層１３１を挟んだクラッド層１３２を有している。光導波路１３は、浮上面Ｆに向かって延びており、図示しない発光装置から出射されてくるレーザ光を浮上面Ｆに伝播させる。図２では、構造を見やすくするためクラッド層１３２の図示を省略し、図３では、クラッド層１３２にハッチングを施している。磁気ヘッド１００では、例えば６６０ｎｍの波長を有する赤色レーザ光が使用される。コア層１３１およびクラッド層１３２は、使用されるレーザ光の波長に対し、ｎ＊＝ｎ−ｊｋで表される複素屈折率の消衰係数（ｋ）に有意な値を持たず（ｋ≒０）、即ち透明であり、かつ非磁性の材料で形成されている。コア層１３１の材料としては、例えばＴａ２Ｏ５（ｎ＝２．１１）やＴｉＯ２（ｎ＝２．２９）に代表される、クラッド層１３２の材料より高い屈折率を有する材料が採用可能である。また、クラッド層１３２の材料としては、例えばＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）やＡｌ２Ｏ３（ｎ＝１．７７）に代表される、コア層１３１の材料より低い屈折率を有する材料が採用可能である。
【００２４】
また、光導波路１３には、浮上面Ｆ寄りの先端に光ヘッド１３３が備えられている。光ヘッド１３３は、浮上面Ｆから照射光を出射する光伝搬層１３４と、伝搬されてきた照射光を光伝搬層１３４に向けて偏向する光偏向層１３５を有している。
【００２５】
光伝搬層１３４は、コア層１３１の両面のうちの一面である主磁極面Ｅ寄りの、コア層１３１の厚み方向の一部分が浮上面Ｆに露出した部分である。また、光偏向層１３５は、コア層１３１から光伝搬層１３４を除いた部分であり、コア層１３１の主磁極面Ｅとは反対側の一面寄りの部分である。光偏向層１３５は複層構造を有しており、各層間の屈折率差を利用して光伝搬層１３４に向けて光を偏向する。光偏向層１３５の浮上面Ｆ側は光シールド１３６によって覆われている。光偏向層１３５は、各層間の屈折率差、光偏向層１３５自身の長さおよび厚さが調整されることによって、光伝搬層１３４から出射される光における結合効率の高い入射角や入射位置を制御する。光偏向層１３５の各層は、光伝搬層１３４に近い側の層が相対的に高い屈折率を有する材料で形成され、光伝搬層１３４から遠い側の層が相対的に低い屈折率の材料で形成されている。例えば、光伝搬層１３４に近い側の層の材料として、例えばコアと同じＴａ２Ｏ５が採用可能である。また、光伝搬層１３４から遠い側の層の材料として、例えばＳｉＯ２が採用可能である。
【００２６】
なお、コア層１３１の厚さが使用される光の波長程度に薄い場合、光偏向層１３５には、上述した複層構造以外に、Ｔａ２Ｏ５の単層構造が採用可能である。単層構造の場合、光偏向層１３５はコア層１３１と同時に作製することができる。
【００２７】
光伝搬層１３４は、使用する光の波長の１０分の１程度であるサブ波長以下の厚さの多層構造を有しており、また、浮上面Ｆに近づくに従いクロストラック方向Ｃにおいて細幅となるテーパ形状を有している。各層のうち、外側の層は、複素屈折率（ｎ＊＝ｎ−ｊｋ）における消衰係数（ｋ）に有意な値を持つ材料で形成されている。外側の層の材料としては、例えばＳｉやＧｅなどの比誘電率（ε）が高い誘電体や、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕなど比誘電率（ε）が低い金属が採用可能である。また、各層のうち、内側の層の少なくとも１層は、複素屈折率における吸収係数（ｋ）に有意な値を持たない、すなわち使用する光の波長にとって透明な材料で形成されている。内側の層の材料としては、例えばＴａ２Ｏ５やＴｉＯ２といった材料が採用される。多層構造によって、光伝搬層１３４を伝搬する光が透明な内側の層内に閉じ込められるとともに、主磁極１２１への光の染み出しも低減される。
【００２８】
光シールド１３６は、光偏向層１３５で光伝搬層１３４に偏向しきれなかった光が、浮上面Ｆから出射されて磁気ディスク２の目的外の場所が加熱されてしまうことを防止する。光シールド１３６は、光偏向層１３５の浮上面Ｆ側を覆い、浮上面Ｆに沿って広がった形状を有する。この光シールド１３６は、本実施形態では副磁極としても機能するが、副磁極としての機能については後述する。
【００２９】
記録素子１２は、磁力を導いて磁気ディスク２に作用させる層形状の主磁極１２１、副磁極として機能する光シールド１３６と主磁極１２１との間を接続する接続部１２３、記録用の磁界を発生する薄膜コイル１２４、および放熱部１２５を備えている。主磁極１２１と、副磁極として機能する光シールド１３６と、接続部１２３とは、磁気記録時に発生する磁束の磁路の一部を構成する。薄膜コイル１２４は、この磁路と鎖交するように配置されている。磁気ヘッド１００は、垂直磁気記録型の磁気ヘッドであり、主磁極１２１のトレーリング側すなわちトラック方向Ｔにおける下流側の位置で磁気ディスク２への記録が行われる。
【００３０】
主磁極１２１は、コア層１３１の主磁極面Ｅ側に形成されており、光伝搬層１３４とはトラック方向Ｔに並んで配置されている。以降、主磁極１２１と光伝搬層１３４が並んだ方向をトラック方向Ｔとも称し、主磁極１２１と光伝搬層１３４が並んだ方向に交わる方向をクロストラック方向Ｃとも称する。主磁極１２１は、コア層１３１とは離間しコア層１３１と平行に浮上面Ｆに向かって延び、浮上面Ｆ寄りの部分でコア層１３１に近づきながら浮上面Ｆに向かって斜めに延び、浮上面Ｆ近傍がコア層１３１に接触して浮上面Ｆに露出している。主磁極１２１の、コア層１３１とは離間しコア層１３１と平行に延びた部分、斜めに延びた部分、およびコア層１３１に接触した部分を、それぞれ平行部１２１ａ、斜行部１２１ｂ、および接触部１２１ｃと称する。平行部１２１ａおよび斜行部１２１ｂは、コア層１３１との間にクラッド層１３２を挟んで配置されている。平行部１２１ａは、浮上面Ｆに向かって延びる主磁極１２１の大半を占めている。
【００３１】
主磁極１２１は、高い飽和磁化材料で形成されている。主磁極１２１の材料としては、Ｆｅ、Ｃｏといった単原子材料や、ＦｅＣｏといった合金材料が採用可能である。主磁極１２１は単層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。主磁極１２１に採用される、高い飽和磁化となる磁性材料は、実効的な屈折率がｎ＞２のものが一般的であり、光導波路で用いるコア層１３１の屈折率に対し同等またはそれ以上の屈折率を有する。
【００３２】
ここで、仮に、主磁極１２１がコア層１３１と接触しながら、浮上面Ｆまで一直線上に延びた構造であるとした場合、コア層１３１を伝搬される光は、コア層１３１より高い屈折率を有する主磁極１２１の側に偏向され、主磁極１２１に吸収される。この結果、浮上面Ｆから磁気ディスクに向けて照射される光が減衰するだけでなく、吸収された光によって主磁極が加熱するため磁力も低減する。
【００３３】
これに対し、本実施形態の主磁極１２１は、浮上面Ｆに露出する接触部１２１ｃでのみコア層１３１と接触している。主磁極１２１は、平行部１２１ａおよび斜行部１２１ｂのいずれもコア層１３１と接触しておらず、コア層１３１との間にクラッド層１３２を挟んで配置されている。このため、光の減衰が抑えられる。また、主磁極１２１の加熱による磁力の低下も抑えられる。また、主磁極１２１は、浮上面Ｆに露出する接触部１２１ｃでコア層１３１の光伝搬層１３４に隣接しており、出射光による光スポットは、主磁極１２１からの磁界の及ぶ範囲と、記録に十分な程度に重なることとなる。
【００３４】
本実施形態における光シールド１３６は副磁極としても機能し、主磁極１２１から出て磁気ディスク２内を通過した磁束が戻る経路を形成する。薄膜コイル１２４に記録のための電流が流れると、薄膜コイル１２４を取り囲んだ主磁極１２１、磁気ディスク２、副磁極として機能する光シールド１３６、および接続部１２３に磁路が形成される。主磁極１２１から磁気ディスク２に向かう磁界の垂直成分によって情報が記録される。ここで、上述した基本形態に対し、「光偏向層の上記浮上面側先端を覆った、上記照射光の透過を防ぐ遮光部を備え、上記遮光部が、磁性材料で形成された、上記主磁極から出力された磁力が戻る副磁極を兼ねたものである」という応用形態が好適である。光偏向層は、光伝搬層を挟んで主磁極の反対側に配置されており、光偏向層の浮上面側を覆った遮光部が副磁極を兼ねることにより、主磁極と副磁極が光伝搬層を挟んで、記憶媒体内の磁路形成に適切な距離に配置される。また、磁気ヘッドの形成工程が簡略化される。光シールド１３６は、上記応用形態における遮光部の一例に相当する。光シールド１３６は、使用波長に対して複素屈折率（ｎ＊＝ｎ−ｊｋ）の消衰係数（ｋ）に有意な値を持つ材料で形成されることが望ましく、また、本実施形態では磁性材料で形成されることが望ましい。光シールド１３６の材料としては、例えば、Ｆｅ（ｎ＊＝３．３１−３．７５ｊ）、Ｃｏ（ｎ＊＝２．２８−４．１７ｊ）、Ｎｄ（ｎ＊＝０．３４−１．３４ｊ）等や、これらの合金が採用可能である。
【００３５】
放熱部１２５は、主磁極１２１で生じた熱を周辺に放熱するための部材である。放熱部１２５は、クロストラック方向Ｃであってかつ浮上面Ｆと平行に主磁極１２１先端部の両側に延びており、詳細には、主磁極１２１のうち、光伝搬層１３４に接した接触部１２１ｃの両側に延びている。より詳細には、放熱部１２５はクロストラック方向Ｃに延びた柱状であり、中央部分に接触部１２１ｃが埋没した構造を有している。接触部１２１ｃは、光伝搬層１３４に接触しており、光伝搬層１３４で伝搬される光の一部が吸収される。光の吸収で生じる熱は放熱部１２５によって接触部１２１ｃの外部に放熱されるため、主磁極１２１の温度上昇に起因する磁力の低下が抑えられる。放熱部１２５は、周囲よりも高い熱伝導率を有する非磁性材料で形成されている。放熱部１２５の材料としては、例えば、Ａｌ（＝２３７  Ｗ／（ｍ・Ｋ））、Ａｕ（＝３１７  Ｗ／（ｍ・Ｋ））、Ｃｕ（＝４０１  Ｗ／（ｍ・Ｋ））やこれらの合金、およびＳｉ（＝１４８  Ｗ／（ｍ・Ｋ））等が採用可能である。
【００３６】
図２〜４に示す磁気ヘッド１００は、公知の手法によって基板に対し各材料の積層および選択的エッチングを繰返すことによって作成される。主磁極１２１の斜行部１２１ｂは、浮上面Ｆに向かって斜めに延びた形状を有している。この部分は、主磁極１２１の下層のうち、斜行部１２１ｂが形成される領域以外の領域をレジスト膜等で覆い、例えばイオンミリング法またはＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）で下層を斜めに削った後、レジスト膜を除去して磁性材料を積層することで形成される。
【００３７】
放熱部１２５は、周囲よりも高い熱伝導率を有する非磁性材料で形成されるが、さらに、主磁極１２１の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の非磁性材料で形成することが、屈折率分布の点からより好ましい。このような材料としては、例えば、Ｓｉ（＝１４８  Ｗ／（ｍ・Ｋ））等が採用可能である。
【００３８】
ここで、屈折率分布について説明する。光伝搬層１３４には主磁極１２１が浮上面Ｆ近傍で隣接している。主磁極１２１は磁性材料で形成されており、光伝搬層１３４に比べ高い屈折率を有している。ここで、仮に、放熱部１２５の材料として、光伝搬層１３４に比べ低い屈折率の材料を採用すると、主磁極１２１を中心にクロストラック方向Ｃとトラック方向Ｔの屈折率の分布を見た場合、主磁極１２１の位置で屈折率が高い不均等な分布となる。この屈折率の分布内に光伝搬層１３４が主磁極１２１と隣接していることにより、光伝搬層１３４の同じ層内で主磁極１２１に近い部分の実効屈折率が高く、他の部分が低い不均等な分布を生じる。光伝搬層１３４は、トラック方向Ｔに積層された層構造によって光を内部に閉じ込め伝搬するが、内部の実効的な屈折率の分布が不均等になると、光伝搬層１３４で伝搬される光が屈折率のピークに対応する主磁極１２１の中心に向かって、積層方向に対し斜めに偏向する傾向が高まるため、層構造による光の伝搬制御が妨げられる。
【００３９】
本実施形態の磁気ヘッド１００では、放熱部１２５が、主磁極１２１の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の非磁性材料で形成されることによって、トラック方向Ｔにおける主磁極１２１の位置でクロストラック方向Ｃに屈折率を見た屈折率の分布が均一化する。したがって、光伝搬層１３４で伝搬される光の損失が抑えられる。
【００４０】
このことは、上述した基本形態に対し、「上記主磁極と上記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行にこの主磁極先端部の両側に延びた、この主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率を有する非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えた」応用形態が好ましいことを意味する。ここで、第１実施形態の放熱部１２５が、上記応用形態の屈折率補正部の一例に相当する。
【００４１】
また、上述した基本形態に対し「屈折率補正部が、周囲より高い熱伝導性を有する材料で形成された放熱部を兼ねたものである」応用形態は好適である。屈折率補正部が放熱部を兼ねる場合、主磁極の両側に延びた屈折率補正部の構造によって、主磁極の熱が両側に効率よく放熱され、磁力の低下が抑えられる。
【００４２】
また、上述した基本形態に対し「上記コア層の上記浮上面寄りの先端部に、この浮上面に露出しこの浮上面から照射光を出射する、上記一面寄りの光伝搬層と、この先端部のうちのこの光伝搬層を除く、このコア層の両面のうちの上記一面とは反対側の一面寄りの部分からなる、伝搬されてきた照射光を上記光伝搬層に向けて偏向する光偏向層とを有する」応用形態は好適である。照射光を出射する光伝搬層を主磁極が形成された一面側とすることによって、反対側とした場合に比べ、主磁極が斜めに延びる部分の傾斜を緩やかにすることができる。
【００４３】
［変形例］
上述した第１実施形態では、トラック方向Ｔで、再生素子１１、主磁極１２１、光伝搬層１３４、および光シールド１３６が順に配置された磁気ヘッド１００の構成を説明したが、上述した基本形態における磁気ヘッドは、別の順で配置されたものであってよい。次に、第１実施形態に対し配置順序が異なる変形例を説明する。これらの変形例は、図２に示した磁気ヘッド１００の主要部構造と共通の構造を有している。したがって、実施形態における各要素と同一の要素には符号を省略するか同一の符号を付けて示し、第１実施形態との相違点について説明する。
【００４４】
図５および図６のそれぞれは、図２〜図４に示す磁気ヘッドに対し各素子の配置が異なる変形例を示す断面図である。
【００４５】
図５に示す磁気ヘッド２００は、トラック方向Ｔで、再生素子２１、光シールド２３６、光伝搬層２３４、および主磁極２２１が順に配置されている。磁気ヘッド２００は、面内記録型磁気ヘッドであり、主磁極２２１のリーディング側すなわちトラック方向Ｔにおける上流側の位置で磁気ディスク２への記録が行われる。光伝搬層２３４は、主磁極２２１のリーディング側に配置されており、磁気ディスク２上の記録が行われる領域に熱スポットが生じる。
【００４６】
図６に示す磁気ヘッド３００は、光シールド３３６と副磁極３２２とが別の部材で構成されている。磁気ヘッド３００は、単磁極型の垂直磁気記録型磁気ヘッドであり、トラック方向Ｔで、再生素子３１、副磁極３２２、主磁極３２１、光伝搬層３３４、および光シールド３３６が順に配置されている。光シールド３３６は、磁極として機能せず、光を遮蔽する部材である。したがって、光シールド３３６は、使用する光の波長における複素屈折率（ｎ＊＝ｎ−ｊｋ）の消衰係数（ｋ）に有意な値を持つ材料であれば、材料磁性材料に限らず非磁性材料で形成することが可能である。磁気ヘッド３００における光シールド３３６の材料としては、例えば、Ｓｉ（ｎ＊＝４．２２−１．４６ｊ）、Ｇｅ（ｎ＊＝４．８９−１．４６ｊ）、Ｔａ（ｎ＊＝１．３５−２．６ｊ）、Ｃｕ（ｎ＊＝０．１４−３．６７ｊ）、Ａｕ（ｎ＊＝０．１０−３．８１ｊ）、Ａｌ（ｎ＊＝１．３５−７．０９ｊ）といった非磁性材料や、Ｆｅ（ｎ＊＝３．３１−３．７５ｊ）、Ｃｏ（ｎ＊＝２．２８−４．１７ｊ）、Ｎｄ（ｎ＊＝０．３４−１．３４ｊ）や、これらの合金といった磁性材料が採用可能である。
【００４７】
［第２実施形態］
上述した実施形態では、クロストラック方向Ｃにおける主磁極の両側に延びた放熱部を高屈折率の材料で形成することにより屈折率分布を調整する例を説明した。次に、放熱部を低屈折率の材料で形成可能な、磁気ヘッドの具体的な第２実施形態について説明する。以下の第２実施形態の説明にあたっては、これまで説明してきた実施形態における各要素と同一の要素には同一の符号を付けて示し、前述の実施形態との相違点について説明する。
【００４８】
図７は、磁気ヘッドの具体的な第２実施形態を磁気ディスクの側から見た図である。
【００４９】
図７に示す磁気ヘッド４００は、図２〜４に示す第１実施形態の磁気ヘッド１００に対し、光伝搬層４３４と主磁極４２１とは近接しているが接しておらず、光伝搬層４３４と主磁極４２１との間に屈折率補正層４３７を備えた点が異なる。屈折率補正層４３７は、高屈折率の非磁性材料で形成された、クロストラック方向Ｃにおける長さが主磁極４２１よりも長い層である。屈折率補正層４３７の材料としては、例えばＳｉやＧｅ（＝６０  Ｗ／（ｍ・Ｋ），ｎ＊＝４．８９−１．４６ｊ）が採用可能である。
【００５０】
磁気ヘッド４００によれば、屈折率補正層４３７によって、放熱部４２５の材料に拘わらず、クロストラック方向Ｃに見た屈折率の分布が均等化される。したがって、光伝搬層１３４で伝搬される光の損失が抑えられる。第２実施形態の磁気ヘッド４００における放熱部４２５の材料は、高屈折率を有するＳｉに限られず、周囲の部材より熱伝導率は高いが屈折率の低いＡｌ、Ａｕ、Ｃｕおよびこれらの合金など広範囲の材料が採用可能である。これは、上述した基本形態に対し「上記主磁極と上記光伝搬層の間に、この主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えた」応用形態は好適であることを意味している。第２実施形態の屈折率補正層４３７は、この応用形態における屈折率補正部の一例に相当する。
【００５１】
［第３実施形態］
次に、クロストラック方向における光伝搬層の両側に高屈折率の部材が配置された、磁気ヘッドの具体的な第３実施形態について説明する。以下の第３実施形態の説明にあたっては、これまで説明してきた実施形態における各要素と同一の要素には同一の符号を付けて示し、前述の実施形態との相違点について説明する。
【００５２】
図８および図９は、磁気ヘッドの具体的な第３実施形態を示す図である。図８は、磁気ヘッドを磁気ディスクの側から見た図であり、図９は光伝搬層を含みクロストラック方向に広がる断面を示す断面図である。
【００５３】
図８および図９に示す磁気ヘッド５００は、クロストラック方向Ｃにおける光伝搬層の両側に延びた屈折率補正部５３７を有する。屈折率補正部５３７は、テーパ形状の光伝搬層１３４の両側縁１３４ａに沿って形成されている。屈折率補正部５３７は、主磁極１２１の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成されている。屈折率補正部５３７の材料としては、例えば非磁性材料では、ＳｉやＧｅなどが採用可能である。放熱性の点からは、Ｓｉがより好ましい。また磁性材料で主磁極と接しなければ、副磁極を兼ねた光シールド１３６と接続することで、磁路の一端にすることが可能である。あるいは、主磁極からの余分な磁界を低減するサイドシールとしても使用可能である。磁性材料では、Ｆｅ、Ｃｏや、これらの合金などが採用可能である。
【００５４】
図８および図９に示す磁気ヘッド５００によれば、光伝搬層１３４のトラック方向Ｔには、高屈折率の主磁極１２１が接するが、クロストラック方向Ｃの両側でも高屈折率の屈折率補正部５３７に接している。このため、浮上面Ｆにおける光伝搬層１３４近傍の屈折率の分布の対称性が高まり、光の損失が抑えられる。
【００５５】
このことは、上述した基本形態に対し「上記主磁極と上記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ上記浮上面と平行にこの光伝搬層の両側に延びた、この主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えた」応用形態、および、「上記光伝搬層は、浮上面に近づくに従い細幅となるテーパ形状を有したものであり、
上記屈折率補正部は、テーパ形状の上記光伝搬層の両側縁に沿って形成されたものである」という応用形態が好適であることを意味する。
【００５６】
［第４実施形態］
次に、光シールドが異なる屈折率の部分からなる、磁気ヘッドの具体的な第４実施形態について説明する。以下の第４実施形態の説明にあたっては、これまで説明してきた実施形態における各要素と同一の要素には同一の符号を付けて示し、前述の実施形態との相違点について説明する。
【００５７】
図１０は、磁気ヘッドの具体的な第４実施形態を示す図である。
【００５８】
図１０に示す磁気ヘッド５００は、光シールド５３６のうち、光伝搬層１３４に隣接する部分Ｐが主磁極１２１の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成されている。また、この光シールド５３６は、副磁極としても機能している。
【００５９】
光シールド５３６は、より詳細には、トラック方向Ｔにおける主磁極１２１寄りの低屈折率部５３６ｂと、反対寄りの高屈折率部５３６ａとを有している。高屈折率部５３６ａは、クロストラック方向Ｃにおける光伝搬層１３４の位置で光伝搬層１３４に向かって突出し、光伝搬層１３４に接した凸部Ｐを有している。凸部Ｐのクロストラック方向Ｃにおける幅は主磁極１２１と略同じ幅に形成されている。低屈折率部５３６ｂは、クロストラック方向Ｃにおける凸部Ｐの両側に延びた帯状である。高屈折率部５３６ａの材料としては、主磁極１２１と同じＦｅまたはＣｏや、ＦｅＣｏといった合金材料が採用可能である。また、低屈折率部５３６ｂの材料としては、ＡｕやＣｕが採用可能である。
【００６０】
磁気ヘッド５００は、トラック方向Ｔにおける光伝搬層１３４の両側それぞれに、ともに高い屈折率を有する、主磁極１２１および高屈折率部５３６ａが接しており、クロストラック方向Ｃにおける高屈折率部５３６ａの両側には、低い屈折率を有する低屈折率部５３６ｂが配置されている。これによって、放熱部５２５の材料として低屈折率の材料が採用された場合にも、光伝搬層１３４近傍の屈折率の分布の対称性が高まる。すなわち、屈折率分布のピークが、クロストラック方向Ｃにおける幅が有限な主磁極１２１の１箇所に集中することが避けられる。したがって、光の損失が抑えられる。
【００６１】
［第５実施形態］
次に、上述した第４実施形態とは光シールドの形が異なる、磁気ヘッドの具体的な第５実施形態について説明する。以下の第５実施形態の説明にあたっては、これまで説明してきた実施形態における各要素と同一の要素には同一の符号を付けて示し、前述の実施形態との相違点について説明する。
【００６２】
図１１は、磁気ヘッドの具体的な第５実施形態を示す図である。
【００６３】
図１１に示す磁気ヘッド６００は、図１０に示す磁気ヘッド５００と同様に、光シールド６３６のうち、光伝搬層１３４に隣接する部分Ｐが主磁極１２１の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成されている。また、この光シールド６３６は、副磁極としても機能している。ただし、光シールド６３６の高屈折率部６３６ｂは、光伝搬層１３４に接した部分に限られており、残りは、低屈折率部６３６ａで占められている。したがって、高屈折率部６３６ｂは、光伝搬層１３４に隣接する部分を除いて低屈折率部６３６ａに取り囲まれている。
【００６４】
磁気ヘッド６００は、磁気ヘッド５００と同様に、トラック方向Ｔにおける光伝搬層１３４の両側それぞれに、ともに高い屈折率を有する、主磁極１２１および高屈折率部６３６ｂが接しており、クロストラック方向Ｃにおける高屈折率部６３６ｂの両側には、低い屈折率を有する低屈折率部６３６ａが配置されている。これによって、放熱部６２５の材料として低屈折率の材料が採用された場合にも、光伝搬層１３４近傍の屈折率の分布の対称性が高まり、光の損失が抑えられる。
【００６５】
このことは、遮光部を備えた応用形態に対し「上記遮光部が、上記光伝搬層に隣接した、上記主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成された隣接部を備えた」応用形態が好適であることを意味する。ここで、第４実施形態における高屈折率部５３６ａ、および第５実施形態における高屈折率部６３６ｂのそれぞれがこの応用形態の隣接部の一例に相当する。
【００６６】
［第６実施形態］
次に、光伝搬層の代わりにプラズモン発生素子を備えた磁気ヘッドの具体的な第６実施形態について説明する。以下の第６実施形態の説明にあたっては、これまで説明してきた実施形態における各要素と同一の要素には同一の符号を付けて示し、前述の実施形態との相違点について説明する。
【００６７】
図１２は、磁気ヘッドの具体的な第６実施形態を示す図である。
【００６８】
図１２に示す磁気ヘッド７００は、光伝搬層の代わりにプラズモン発生素子７３４が備えられている。プラズモン発生素子７３４は、プラズモン効果を生じさせやすい金属材料、例えばＣｕ／Ｔａ２Ｏ５で形成されており、今まで説明した光伝搬層と同様に、浮上面Ｆに近づくに従い細幅となるテーパ形状を有している。また、磁気ヘッド７００では、主磁極１２１への光の吸収に伴う熱を逃がすための放熱部７２５が必要とされるが、この放熱部７２５は、高屈折率材料で形成された屈折率補正部を兼ねていることが好ましい。この場合、放熱部７２５の材料としては、熱伝導率が高い非磁性材料である、例えば、単原子材料の例では、Ａｕ、Ｃｕ等が採用可能である。
【００６９】
なお、具体的な各実施形態に対する上記説明では、「課題を解決するための手段」で説明した基本形態における記憶媒体の一例として磁気ディスクが示されているが、この記録媒体は、磁気ディスク以外にも光磁気ディスクであってもよい。また各実施例は、組み合わせが可能である。
【００７０】
以下、上述した基本形態および応用形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００７１】
（付記１）
層構造を有し、該層構造の一端面からなる浮上面を、相対移動する記憶媒体に向けて浮上し、該記憶媒体に情報を磁気的に記録する磁気ヘッドであって、
コア層とクラッド層と有し前記浮上面に向かって延びて該コア層の両面のうちの一面寄りの、該コア層の厚み方向の一部分が該浮上面に露出し、前記記憶媒体に照射する照射光を伝搬して該浮上面から出射する光導波路と、
前記記憶媒体に情報を記録するための磁力を導いて前記記憶媒体に作用させる、層形状の主磁極であって、前記コア層の前記一面側に形成されて該コア層とは離間し該コア層と平行に前記浮上面に向かって延び、前記浮上面寄りの部分で該コア層に近づきながら該浮上面に向かって斜めに延び、該浮上面近傍が該コア層に接触又は近接して該浮上面に露出する主磁極とを有することを特徴とする磁気ヘッド。
【００７２】
（付記２）
前記コア層の前記浮上面寄りの先端部に、該浮上面に露出し該浮上面から照射光を出射する、前記一面寄りの光伝搬層と、該先端部のうちの該光伝搬層を除く、該コア層の両面のうちの前記一面とは反対側の一面寄りの部分からなる、伝搬されてきた照射光を前記光伝搬層に向けて偏向する光偏向層とを有することを特徴とする付記１記載の磁気ヘッド。
【００７３】
（付記３）
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該主磁極先端部の両側に延び、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率を有する非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする付記１または２記載の磁気ヘッド。
【００７４】
（付記４）
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該主磁極先端部の両側に延び、周囲より高い熱伝導性を有する材料で形成された放熱部を備えたものであることを特徴とする付記３記載の磁気ヘッド。
【００７５】
（付記５）
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該光伝搬層の両側に延びた、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする付記１から４いずれか１項記載の磁気ヘッド。
【００７６】
（付記６）
前記光伝搬層は、浮上面に近づくに従い細幅となるテーパ形状を有したものであり、
前記屈折率補正部は、テーパ形状の前記光伝搬層の両側縁に沿って形成されたものであることを特徴とする付記５記載の磁気ヘッド。
【００７７】
（付記７）
前記主磁極と前記光伝搬層の間に、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする付記１から６いずれか１項記載の磁気ヘッド。
【００７８】
（付記８）
前記光偏向層の前記浮上面側先端を覆った、前記照射光の透過を防ぐ遮光部を備え、
前記遮光部が、磁性材料で形成された、前記主磁極から出力された磁力が戻る副磁極を兼ねたものであることを特徴とする付記１から７いずれか１項記載の磁気ヘッド。
【００７９】
（付記９）
前記遮光部が、前記光伝搬層に隣接した、前記主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成された隣接部を備えたことを特徴とする付記８記載の磁気ヘッド。
【００８０】
（付記１０）
情報が磁気的に記録される記憶媒体と、
層構造を有し、該層構造の一端面からなる浮上面を、相対移動する前記記憶媒体に向けて浮上し、該記憶媒体に情報を磁気的に記録する磁気ヘッドとを備え、
前記磁気ヘッドが、
コア層とクラッド層と有し前記浮上面に向かって延びて該コア層の両面のうちの一面寄りの、該コア層の厚み方向の一部分が該浮上面に露出し、前記記憶媒体に照射する照射光を伝搬して該浮上面から出射する光導波路と、
前記記憶媒体に情報を記録するための磁力を導いて前記記憶媒体に作用させる、層形状の主磁極であって、前記コア層の前記一面側に形成されて該コア層とは離間し該コア層と平行に前記浮上面に向かって延び、前記浮上面寄りの部分で該コア層に近づきながら該浮上面に向かって斜めに延び、該浮上面近傍が該コア層に接触又は近接して該浮上面に露出する主磁極とを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【００８１】
（付記１１）
前記コア層の前記浮上面寄りの先端部に、該浮上面に露出し該浮上面から照射光を出射する、前記一面寄りの光伝搬層と、該先端部のうちの該光伝搬層を除く、該コア層の両面のうちの前記一面とは反対側の一面寄りの部分からなる、伝搬されてきた照射光を前記光伝搬層に向けて偏向する光偏向層とを有することを特徴とする付記１０記載の磁気ディスク装置。
【００８２】
（付記１２）
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該主磁極先端部の両側に延び、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率を有する非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする付記１０または１１記載の磁気ディスク装置。
【００８３】
（付記１３）
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該主磁極先端部の両側に延び、周囲より高い熱伝導性を有する材料で形成された放熱部を備えたものであることを特徴とする付記１０記載の磁気ディスク装置。
【００８４】
（付記１４）
前記主磁極と前記光伝搬層とが並んだ向きとは交わる向きであってかつ前記浮上面と平行に該光伝搬層の両側に延び、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする付記１０から１３いずれか１項記載の磁気ディスク装置。
【００８５】
（付記１５）
前記光伝搬層は、浮上面に近づくに従い細幅となるテーパ形状を有したものであり、
前記屈折率補正部は、テーパ形状の前記光伝搬層の両側縁に沿って形成されたものであることを特徴とする付記１４記載の磁気ディスク装置。
【００８６】
（付記１６）
前記主磁極と前記光伝搬層の間に、該主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の非磁性材料で形成された屈折率補正部を備えたことを特徴とする付記１０から１５いずれか１項記載の磁気ディスク装置。
【００８７】
（付記１７）
前記光偏向層の前記浮上面側先端を覆った、前記照射光の透過を防ぐ遮光部を備え、
前記遮光部が、磁性材料で形成された、前記主磁極から出力された磁力が戻る副磁極を兼ねたものであることを特徴とする付記１０から１６いずれか１項記載の磁気ディスク装置。
【００８８】
（付記１８）
前記遮光部が、前記光伝搬層に隣接した、前記主磁極の材料の屈折率に比べ同等または高屈折率の材料で形成された隣接部を備えたことを特徴とする付記１７記載の磁気ディスク装置。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】磁気ディスク装置の具体的な実施形態を表した図である。
【図２】磁気ディスク装置の具体的な実施形態を表した透視図である。
【図３】磁気ディスク装置の具体的な実施形態を表した断面図である。
【図４】磁気ディスク装置の具体的な実施形態を磁気ディスクの側から見た図である。
【図５】図２〜図４に示す磁気ヘッドに対し各素子の配置が異なる変形例を表した断面図である。
【図６】図２〜図４に示す磁気ヘッドに対し各素子の配置が異なる別の変形例を表した断面図である。
【図７】磁気ヘッドの具体的な第２実施形態を磁気ディスクの側から見た図である。
【図８】磁気ヘッドの具体的な第３実施形態を磁気ディスクの側から見た図である。
【図９】磁気ヘッドの具体的な第３実施形態を示す断面図である。
【図１０】磁気ヘッドの具体的な第４実施形態を示す図である。
【図１１】磁気ヘッドの具体的な第５実施形態を示す図である。
【図１２】磁気ヘッドの具体的な第５実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００９０】
１    磁気ディスク装置
２    磁気ディスク（記憶媒体）
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００    磁気ヘッド
１１，２１，３１    再生素子
１２    記録素子
１２１，２２１，３２１，４２１    主磁極
１２５，４２５，５２５，７２５    放熱部
１３    光導波路
１３１    コア層
１３２    クラッド層
１３４，２３４，３３４，４３４    光伝搬層
１３５    光偏向層
１３６，２３６，３３６，５３６，６３６    光シールド（遮光層、副磁極）
５３６ａ，６３６ａ    高屈折率部（隣接部）
Ｅ    主磁極面（一面）
Ｆ    浮上面
Ｔ    トラック方向
Ｃ    クロストラック方法
【図１】
2010061704.tif 000003
【図２】
2010061704.tif 000004
【図３】
2010061704.tif 000005
【図４】
2010061704.tif 000006
【図５】
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【図６】
2010061704.tif 000008
【図７】
2010061704.tif 000009
【図８】
2010061704.tif 000010
【図９】
2010061704.tif 000011
【図１０】
2010061704.tif 000012
【図１１】
2010061704.tif 000013
【図１２】
2010061704.tif 000014