(57)【要約】【課題】発熱性の半導体素子を含む半導体装置において、簡易な構成により放熱性に優れ、信頼性の高い半導体装置を提供するとともに、経済性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子３と制御部品２とを金属からなる配線部材１１、１１０、１２、１２０に実装し、樹脂モールド７によって半導体素子３と制御部品２と配線部材１１、１１０、１２、１２０の所定の範囲とを覆い、一体のパッケージモジュール１０となして、樹脂モールド７から引き出された配線部材の一部１１、１２をパッケージモジュール１０が収納される筐体２０の底部２２０から露出せしめて、外部に接続するコネクタ端子に利用する。【選択図】  図２
2010093130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも発熱性の半導体素子と該半導体素子を制御する制御部品とを含む半導体装置であって、
上記半導体素子と上記制御部品とを金属からなる配線部材に実装し、樹脂モールドによって上記半導体素子と上記制御部品と上記配線部材の所定の範囲とを覆い一体のパッケージモジュールとなして、
上記樹脂モールドから引き出された上記配線部材の一部を上記パッケージモジュールが収納される筐体の底部から露出せしめて外部に接続するコネクタ端子となしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記配線部材は、少なくとも略板状の金属部材を所定の配線回路に形状に加工してなる複数のリード部と、該リード部の内所定のリード部に連なり上記半導体素子を実装する半導体素子実装部とを具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記パッケージモジュールに接して上記半導体素子で発生する熱を発散するヒートシンクを具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
内燃機関の気筒毎に設けられたグロープラグへの通電を上記半導体素子のスイッチングによって制御するグロープラグ制御装置に適用したことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、金属からなる略板状のケーク材を用いて複数のリード部と実装部とを具備するリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、該リードフレーム形成工程により得られたリードフレーム上に発熱性の半導体素子と該半導体素子のスイッチングを制御する制御部品とを実装する実装工程と、上記半導体素子と上記制御部品と上記リードフレームの所定と部位とを導通せしめるボンディング工程と、上記半導体素子と上記制御部品と上記リードフレームとの所定の範囲をモールド樹脂によって封止せしめるモールド工程と、該モールド工程により得られたパッケージモジュールの上記モールド樹脂から露出する上記リード部を所定の形状に加工するリード加工工程と、該パッケージモジュールにヒートシンクを固着するヒートシンク固着工程と、上記リード部を挿通するリード挿通孔を具備する筐体内に上記パッケージモジュールを組み付けて上記リード部をコネクタ端子となす組み付け工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱性の半導体素子を含む半導体装置にかかり、放熱性、搭載性、量産性に優れた半導体装置、及び、その製造方法に関するものであり、特にグロープラグ制御装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
自動車等の車両には、半導体素子のスイッチング機能を利用して、燃料噴射制御、点火制御、モータ制御、油圧制御、電力分配制御等の様々な制御を行う半導体装置が種々と搭載されている。近年、これらの半導体装置の更なる高機能化、応答性向上を図るべく、半導体素子には高い信頼性とともに高電力化、高周波化、小型化等が要求されている。
このため、これらの半導体素子としては、パワーＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜型電界効果トランジスタ）、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ＢＳＩＴ（バイポーラモード静電誘導トランジスタ）等のパワーデバイスが用いられている。
これらのパワーデバイスの多くは、作動に伴って発熱し、制御回路の性能や信頼性に影響を与える虞があることから、これらの発熱性の半導体素子を含む半導体装置には種々と放熱対策が講じられている。
【０００３】
特許文献１には、第１の電子素子と前記第１の電子素子よりも大きい電流が流れ且つ大きな発熱を行う第２の電子素子とを備える半導体装置において、ヒートシンクと前記ヒートシンクの一面上に搭載され、それぞれ分離された第１の配線基板、第２の配線基板とを備え、第１の電子素子は、前記第１の配線基板上に実装され、前記第２の電子素子は、前記第２の配線基板上に実装されていることを特徴とする半導体装置が開示されている。
【０００４】
ところで、近年、ディーゼルエンジンの着火を補助するグロープラグにおいて、始動時における高速昇温を図るべく低定格化が進んでおり、また、燃費向上、燃焼排気エミッションの低減等の要求から、ＰＷＭ（パルス幅変調）制御等により、始動時のみならずグロープラグへの常時通電が行われるようになっている。
このため、グロープラグの制御を行うグロープラグ制御装置（以下、ＧＣＵと略す）では、数十Ａの大電流を流す必要があり、スイッチング素子としてパワーＭＯＳＦＥＴが搭載され、安定した大電流の入出力と高い放熱性とを兼ね備えたＧＣＵが望まれている。
【０００５】
図１３に示すような、従来のＧＣＵ１ｘでは、ガラスエポキシ樹脂やポリアミド等からなる基板と銅等の金属薄膜とを積層したプリント基板ＰＣＢ上に制御用集積回路２ｘ、及び、抵抗、コンデンサ等の電子部品ＳＭＤが実装され、ＧＰを駆動する半導体素子３ｘは、放熱性の悪いＰＣＢ上ではなく、放熱性の良いアルミニウム等で作られたヒートシンク８ｘ上に実装され、半導体素子３ｘのリードは、ハンダ付け等によりＰＣＢ上に形成された回路と接続されている。
また、図略の外部電源やＥＣＵに接続される端子部ＴＲＭは、インサート成形等によりコネクタ２０ｘ内に一体に収納され、さらに半導体素子３ｘのリードと同様、ＰＣＢ上に形成された回路とハンダ付け等により接続されている。
半導体素子３ｘが実装されるヒートシンク８ｘとＰＣＢとは階層構造に配設され、エポキシ樹脂等によって形成された筐体に収納されている。
【０００６】
また、図１４に示すような、放熱性の改善を図ったＧＣＵ１ｚでは、アルミナ等のセラミック基板ＣＳＵＢが用いられている。セラミック基板ＣＳＵＢ上には、パワーＭＯＳＦＥＴ等の半導体素子３ｚの駆動を制御する制御用集積回路２ｚ、及び、抵抗、コンデンサ、コイル等の所定の電子部品が実装、又は、印刷形成されている。
さらに、セラミック基板ＣＳＵＢには、これらの電子部品と制御用集積回路２ｚと半導体素子３ｚとを繋ぐ図略の配線回路及び入出力端子ＥＬが形成されている。セラミック基板ＣＳＵＢは筐体内に収納され、外部の電源やＥＣＵ等に接続すべく、筐体に設けられたコネクタ２０ｚの端子部ＴＲＭと入出力端子ＥＬとがワイヤボンディングＢＮＤ等により接続されている。さらに、底部には、熱伝導率が高く放熱性に優れたアルミニウム、アルミニウム合金、銅等の金属からなるヒートシンク８ｚが配設され、発熱性の半導体素子３ｚの放熱を図っている。
【特許文献１】特開２００５−３２８０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、図１３に示すような従来のＧＣＵ１ｘでは、ヒートシンク８ｘによって放熱を行っているが、プリント基板自体の耐熱性・信頼性が低いため、アフターグローによってＧＰを常時通電するような長時間通電には適していない。
また、放熱性の悪いＰＣＢ上に実装された制御集積回路２ｚが発熱性の半導体素子３ｘからの放熱の影響を受けないように、半導体素子３ｘが実装されるヒートシンク８ｘとＰＣＢとは所定の距離を隔てて階層構造に配設されているので、小型化が困難である。
さらに、階層構造に設けられたＰＣＢとヒートシンク８ｘとを架橋するように半導体素子３ｘのリードが接続されているので、半導体素子３ｘの放熱によるＰＣＢとヒートシンク８ｘとの熱膨張の差がリードにストレスを与えるので長期の使用によりリードが断線する虞もある。
【０００８】
一方、図１４に示すようなセラミック基板ＣＳＵＢを用いたＧＣＵ１ｚの場合、放熱性に優れているが、配線となる金属薄膜の膜厚が極めて薄く、配線抵抗が大きいので、低定格グロープラグの大容量の電流を制御するには、広い面積の配線を形成する必要がありＧＣＵ１ｚの体格を小さくすることが困難である。
また、セラミック基板ＣＳＵＢを形成するためには、所定のセラミック原料と様々な助剤とをスラリー状に調整した後、板状に形成し、金型等に所定の形状に切り出し、高温で焼成を行い、さらに複数回の印刷工程を経て回路形成する等、製造工程が極めて複雑で、プリント基板を用いた場合に比べ、製造コストの増大を招く虞もある。
【０００９】
そこで、本発明はかかる実情に鑑み、発熱性の半導体素子を含む半導体装置であって、簡易な構成により小型化が容易で、かつ、優れた放熱性を有し、信頼性の高い半導体装置を提供するとともに、該半導体装置の経済性に優れた製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明では、少なくとも、発熱性の半導体素子と該半導体素子を制御する制御部品とを含む半導体装置であって、上記半導体素子と上記制御部品とを金属からなる配線部材に実装し、樹脂モールドによって上記半導体素子と上記制御部品と上記配線部材の所定の範囲とを覆い一体のパッケージモジュールとなして、上記樹脂モールドから引き出された上記配線部材の一部を上記パッケージモジュールが収納される筐体の底部から露出せしめて外部に接続するコネクタ端子となす。
【００１１】
より具体的には、請求項２の発明のように、上記配線部材は、少なくとも略板状の金属部材を所定の配線回路に形状に加工してなる複数のリード部と、該リード部の内所定のリード部に連なり上記半導体素子を実装する半導体素子実装部とを具備する。
【００１２】
請求項３の発明では、上記パッケージモジュールに接して上記半導体素子で発生する熱を発散するヒートシンクを具備する。
【００１３】
請求項４の発明では、内燃機関の気筒毎に設けられたグロープラグへの通電を上記半導体素子のスイッチングによって制御するグロープラグ制御装置に適用する。
【００１４】
請求項５の発明では、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、金属からなる略板状のケーク材を用いて複数のリード部と実装部とを具備するリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、該リードフレーム形成工程により得られたリードフレーム上に発熱性の半導体素子と該半導体素子のスイッチングを制御する制御部品とを実装する実装工程と、上記半導体素子と上記制御部品と上記リードフレームの所定と部位とを導通せしめるボンディング工程と、上記半導体素子と上記制御部品と上記リードフレームとの所定の範囲をモールド樹脂によって封止せしめるモールド工程と、該モールド工程により得られたパッケージモジュールの上記モールド樹脂から露出する上記リード部を所定の形状に加工するリード加工工程と、該パッケージモジュールにヒートシンクを固着するヒートシンク固着工程と、上記リード部を挿通するリード挿通孔を具備する筐体内に上記パッケージモジュールを組み付けて上記リード部をコネクタ端子となす組み付け工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１の発明によれば、上記半導体素子が基板を介さず直接金属製の配線部材に実装されているので、半導体素子が発熱したとき、速やかに上記配線部材に伝達され、外部へ発散される。また、従来のような基板を用いることなく上記半導体素子を上記配線部材に実装しているので、パッケージモジュールの体格の小型化が容易である。さらに、上記筐体から露出した上記配線部材をコネクタ端子としているので半導体装置全体の体格をさらに小型化できる。
【００１６】
請求項２の発明によれば、上記配線部材が配線回路を形成可能な一定以上の板厚を有しているため、配線抵抗を低くできるため通電時の発熱を抑制できる。加えて、上記半導体素子実装部が上記半導体素子で発生する熱を伝達するヒートシンクとしても作用するため、さらに上記半導体装置の放熱性が向上する。
【００１７】
請求項３の発明によれば、上記ヒートシンクによって上記半導体素子から発生した熱を効率よく放熱することができるので、さらに上記半導体装置の放熱性が向上する。
【００１８】
請求項４の発明によれば、小型で優れた放熱性を有し信頼性の高いグロープラグ制御装置が実現できる。
【００１９】
請求項５の発明によれば、製造工程が簡素であり、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の放熱性に優れた半導体装置の製造コストの大幅な削減が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、発熱性の半導体素子を備えた半導体装置、例えば、図１に示すような、ディーゼルエンジンの着火を補助するグロープラグ（以下、ＧＰと略す）への通電を制御するグロープラグ制御装置（以下、ＧＣＵと略す）１に用いられ、ＧＣＵ１の小型化、放熱性の向上を図り、ＧＰの安定した制御を可能とし、ＧＣＵ等の半導体装置の信頼性向上に資するものである。
【００２１】
イグニションキー４１が入れられると、クランク角ＣＡ、バッテリ電圧＋Ｂ、エンジン冷却水温ＴＷ、エンジン回転数ＮＥ等のエンジンの運転状況を示す情報がエンジン用電子制御装置（以下、ＥＣＵと略す）３０に集められ、エンジンの運転状況に応じてＧＰへの通電を最適条件で制御すべく演算回路ＣＰＵで最適条件が算出され通電指令信号ＳＩがＧＣＵ１に伝達される。ＧＣＵ１では、ＥＣＵ３０からの指示にしたがって制御集積回路２によって半導体素子３のスイッチングが行われ、電源４０からＧＰへの通電が制御される。また、ＧＣＵ２からＥＣＵ３０へは、ダイアグノーシス（故障診断）信号ＤＩが返されている。
なお、半導体素子３には、パワーＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜型電界効果トランジスタ）、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ＢＳＩＴ（バイポーラモード静電誘導トランジスタ）等の大電流を制御可能なパワーデバイスが好適に用いられている。
【００２２】
図２を参照して、本発明の第１の実施形態におけるＧＣＵ１のより具体的な構成について説明する。
図２（ａ）に示すように、複数の制御信号用リード部１１の所定の範囲と、所定の制御信号用リード部１１の先端に設けられた制御部品実装部１１０と、制御部品実装部１１０上に実装された制御集積回路２及びコンデンサ、抵抗、コイル、ダイオード等の図略の電子部品と、電力用リード部１２の所定の範囲と、所定の電力用リード部１２の先端に設けられた半導体素子実装部１２０と、半導体素子実装部１２０上に実装された半導体素子３と、リード部１１、１２、制御用集積回路２、半導体素子３の所定の位置を相互に接続するボンディングワイヤ４、５、６とがモールド樹脂７によって封止固定され、一体のパッケージモジュール１０が形成されている。
さらに、パッケージモジュール１０には、発熱性の半導体素子３が作動するときに発生する熱を発散するためのヒートシンク８が固着されている。通電時に半導体素子３で発生した熱は、熱伝導率の高い半導体素子実装部１２０及び肉厚部１２１に伝わり、さらにモールド樹脂７を介してヒートシンク８へ伝達され速やかに発散される。
【００２３】
また、コネクタ基体２０は、図２（ｂ）に示すようにコネクタ基体底部２２０を挟むように収納室２１とコネクタ室２３とが設けられた断面略Ｈ字形に形成されている。収納室２１には上述のパッケージモジュール１０が収納され、接着、ネジ止め、鈎爪等の係止手段によって係止部２１０にヒートシンク８の端縁が固定されている。
制御信号用リード部１１と電力用リード部１２とは、それぞれ、コネクタ基体底部２２０に設けられた制御信号用リード挿入孔２２２と電力用リード挿入孔２２４と収納室２２側からに挿入され、コネクタ室２３側に露出している。
制御信号用リード挿入孔２２２及び電力用リード挿入孔２２４は、それぞれのリードの絶縁性を確保しつつ固定する、コネクタ基体２０の側壁２２１、２２３に、設けられた略コ字型の溝部に練通している。
コネクタ基体２０は、パッケージモジュール１０を収納する筐体としての機能と後述のケーブル２４との接続を行うコネクタとしての機能とを兼ね備えているため、ＧＣＵ１の体格を小さくできる。
【００２４】
図３に示すように、外部に設けられた電源４０、ＥＣＵ３０及びＧＰに接続されるケーブル２４の先端には、ケーブルコネクタ部２３が設けられている。  ケーブルコネクタ部２３にはコネクタ室２２内に挿入、固定されるコネクタヘッド２３０が形成され、コネクタヘッド２３０には、それぞれ制御信号用リード１１及び電力用リード１２に接続される制御信号用端子部１１３及び電力用端子部１２３が配設されている。
制御信号用端子部１１３の所定の端子がケーブル２４を介してＥＣＵ３０のＳＩ端子とＤＩ端子とに適宜接続されている。
また、電力用端子部１２３の所定の端子と電源４０、図略の気筒毎に設けられたＧＰに接続されている。
コネクタヘッド２３０をコネクタ基体２０のコネクタ室１１内に挿入すると、制御用端子１１３と制御用リード部１１とが接続状態となり、電力用端子１２３と電力用リード部１２とが接続状態となり、ＧＣＵ１が電源４０，ＥＣＵ３０、ＧＰと接続された状態となる。なお、ケーブルコネクタ２３とコネクタ基体２０とは、ネジ止めや弾性的に係合する鉤爪状の舌片を設ける等の公知の係合手段により固定される。
【００２５】
図４を参照して、本発明の効果について説明する。図４は、体格、放熱性、生産コストのそれぞれについて、本発明の第１の実施形態におけるＧＣＵ１を実施例1とし、図１３に示すプリント基板を用いた従来のＧＣＵ１ｚを比較例１とし、図１４に示すセラミック基板を用いたＧＣＵパッケージ１０ｘを比較例２とした特性図である。
実施例１は、体格、放熱性、生産コストのいずれも比較例１よりも優れており、一方、体格及び放熱性については比較例２よりも僅かに劣るが、生産コストは比較例２よりも遙かに低い。したがって、本実施形態におけるＧＣＵ１が、表１に示すように総合的に高い評価となる。なお、表１において二重丸印は極めて良好な評価を示し、丸印は良好な評価を示し、バツ印は低い評価を示す。
【００２６】
【表１】
2010093130.tif 000003
【００２７】
図４から図１０まで順を追って参照しつつ、本発明の第１の実施形態におけるＧＣＵ１の製造方法について説明する。
図１１は、本実施形態におけるＧＣＵ１の製造方法の概要をまとめたフローチャートである。
リードフレーム形成工程Ｐ１では、アルミニウム、銅又はこれらの合金等の良伝導性の金属からなる略板状のケーク材から金型等を用いて、図４に示すように、所定の配線パターンを有した複数の制御信号用リード１１と電力用リード部１２とが枠状のフレーム部１００に連なったリードフレーム１０１を打ち抜き形成する。
この時、リードフレーム１０１は、複数のユニットが連結した状態で打ち抜かれ、複数のユニットの製造工程を同時に進めることができる。
【００２８】
制御信号用リード部１１は、制御用信号が流れるだけであるので電流が小さく、細幅で形成しても良い。制御信号用リード部１１のうち、グランドに接続される所定のリードの先端には、制御用集積回路２及び抵抗、コンデンサ、コイル、ダイオード等、比較的発熱量の小さい電子部品を実装すべく制御部品実装部１１０が形成されている。
【００２９】
電力用リード部１２は、外部に設けられた電源４０及びグロープラグＧＰに接続され、大電流が流れるので、配線抵抗を小さくする必要があり、幅広、太径に形成される。電力用リード部１２のうち、グランドに接続される所定のリードの先端には、発熱性の半導体素子３を実装すべく半導体実装部１２０が形成されている。
なお、半導体実装部１２０の実装面に対向する背面側には、半導体３の放熱性をさらに向上すべく、ヒートシンクとして作用する厚肉部１２１を設けても良い。このような厚肉部１２１は、部分的に窪みを設けた圧延ロールを用いて平板状のケーク材を圧延し、部分的に厚肉部を有するケーク材とすることによって容易に形成することができる。
また、制御信号用リード部１１となる部位の板厚を薄くし、電力用リード部１２となる部位の板厚を厚くしたケーク材を用いても良い。
フレーム部１００は、リード部１１、１２、実装部１１０、１２０を一体に保持するとともに、以後の製造工程における移動、位置決め、保持固定等に用いられる。位置決め穴、切り欠き等が適宜設けられている。
一般に、圧延、打ち抜き等によって生じた歪み取りのために、リードフレーム１０１は焼鈍処理されている。また、必要に応じて、錆止め及び導通性向上のために、ニッケルメッキ等の表面処理を施しても良い。
【００３０】
部品実装工程Ｐ２では、図５に示すように、制御用集積回路２及び図略の電子部品等を制御部品実装部１１０上の所定の位置に配設して、半導体素子３を半導体素子実装部１２０上の所定の位置に配設する。
このとき、半導体素子３と半導体素子実装部１２０とは絶縁性接着剤を用いて固着しても良いし、半導体素子３の底部にグランド端子が設けられている場合には半田付けや導電性接着剤を用いて固着しても良い。
また、各電子部品は、制御部品実装部１１０に絶縁性接着剤を用いて固着し、所定のリードと配線しても良いし、配線距離をできるだけ短くするために所定のリード間に直接実装しても良い。
【００３１】
ボンディング工程Ｐ３では、図６に示すように、制御用集積回路２と半導体素子３と図略の電子部品とリード部１１、１２とのそれぞれの所定の部位とをボンディングワイヤ４、５、６によって接続し、導通せしめる。
ボンディングワイヤ４、５、６には、アルミニウム線、金線、白金線、銅線等の良電導性の金属線が用いられる。
【００３２】
モールド工程Ｐ４では、図７に示すように、制御用集積回路２、半導体素子３、その他の電子部品とリード部１１、１２の所定の範囲を金型で覆い、金型に設けられたキャビーティ内にモールド樹脂７を充填し、制御用集積回路２、半導体素子３、その他の電子部品とリード部１１、１２の所定の範囲がモールド樹脂７によって封止する。このとき、モールド樹脂７には、例えば、エポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられている。また、モールド樹脂との濡れ性が悪い部位には、適宜ポリイミド樹脂等のコーティングが施され、密着強度の向上が図られている。
【００３３】
リード加工工程Ｐ５では、図８に示すようにリード部１１、１２をフレーム部１００から切り離しつつ、コネクタ基体２０に組み付け可能となるように所定形状に加工する。
なお、リード加工工程Ｐ５は、モールド樹脂７が固化した後、金型から取り出すと同時にリード部１１、１２の加工を施すようにすれば、モールド工程Ｐ４において実施することも可能である。
以上により、制御用集積回路２、半導体素子３、その他の電子部品とリード部１１、１２の所定の範囲をモールド樹脂７で一体化したパッケージモジュール１０が得られる。
【００３４】
次いで、ヒートシンク固着工程Ｐ６では、図９に示すように、パッケージモジュール１０の背面に熱伝導率の高いアルミニウム等を用いたヒートシンク８を接着又はネジ止め等の固着手段によって固着する。
ヒートシンク８は、放熱性を高めるべく櫛形状のフィン等を設けて表面積を大きくしてある。
【００３５】
組み付け工程Ｐ７では、図１１に示すように、パッケージモジュール１０のリード部１１、１２を挿通するリード挿通孔２２２、２２４を具備するコネクタ基体２０内にパッケージモジュールを組み付けてリード部１１、１２をコネクタ室２３側に露出させコネクタ端子となす。以上により、ＧＣＵ１が完成する。
【００３６】
本発明は上記実施形態に限定するものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、適宜変更可能である。
例えば、上記実施形態において、コネクタ部２２に露出する制御信号用リード部１１、電力用リード部１２は直線的に形成した例を示したが、制御信号用リード部１１、電力用リード部１２と制御信号用端子１１３、電力用端子１２３とに弾性的に押圧しつつ接触せしめて接触抵抗を小さくするように、制御信号用リード部１１、電力用リード部１２と制御信号用端子１１３、電力用端子１２３とのいずれか一方を湾曲状に撓ませても良い。
また、上記実施形態においては、制御信号用リード部１１、電力用リード部１２を半導体素子３等が実装してある面側に向けて屈曲させ、肉厚部１２１側にヒートシンク８が配設した例を示したが、各リード部１１、１２を反対方向に屈曲させ、半導体素子３等が実装してある面側にヒートシンク８を配設しても良い。
【００３７】
加えて、上記実施形態においては、制御信号用リード部１１と電力用リード部１２とを樹脂モールド７の左右両側面に振り分けて引き出した、いわゆるＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｈｅ）タイプを例に示したが、各リード部１１、１２を樹脂モールド７の片側面に引き出した、いわゆるＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプとしても良い。
【００３８】
さらに、本発明は、半導体装置として、ディーゼルエンジンの加熱を補助するグロープラグへの通電を制御するＧＣＵに特に好適なものであるが、使用する半導体素子、集積回路の機能、形状等を適宜変更して、ガソリンエンジンの点火を制御するイグナイタや、アンチロックブレーキシステム等の小型化に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるグロープラグ制御装置全体の概要を示す回路図。
【図２】は、本発明の第１の実施形態におけるグロープラグ制御装置の構成を示し（a）は一部切り欠き斜視図、（ｂ）は本図Ａ−Ａ平面における断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態におけるグロープラグ制御装置のコネクタ部と外部の電源、ＥＣＵ並びにグロープラグと接続されるコネクタケーブルとの接続方法を示す斜視図。
【図４】本発明の効果を比較例とともに示すグラフであり、（ａ）は放熱性を示し、（ｂ）は体格を示し、（ｃ）は製造コストを示す。
【図５】リードフレームの概要を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は本図中Ａ−Ａに沿った断面図。
【図６】部品を実装した状態のリードフレームの概要を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は本図中Ａ−Ａに沿った断面図。
【図７】ボンディングを施した状態のリードフレームの概要を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は本図中Ａ−Ａに沿った断面図。
【図８】モールド樹脂で封止した状態のリードフレームの概要を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は本図中Ａ−Ａに沿った断面図。
【図９】リード部を切離し加工した状態のパッケージモジュールの概要を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は本図中Ａ−Ａに沿った断面図。
【図１０】ヒートシンクを固着した状態のパッケージモジュールの概要を示し、（ａ）はＡ矢視側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はＢ矢視側面図。
【図１１】パッケージモジュールのコネクタ部への組み付け方法を示し、（ａ）は組み付け前の斜視図、（ｂ）は組み付け後の斜視図。
【図１２】本発明の第１の実施形態におけるグロープラグ制御装置の製造工程の概要を示すフローチャート。
【図１３】比較例として示す従来のプリント基板を用いた半導体装置の概要を表し、（ａ）は、平面図、（ｂ）は断面図。
【図１４】比較例として示すセラミック基板を用いた半導体装置の概要を表し、（ａ）は、平面図、（ｂ）は断面図。
【符号の説明】
【００４０】
１  半導体装置（ＧＣＵ）
２  制御集積回路
３  半導体素子
４、５、６  ボンディングワイヤ
７  モールド樹脂
８  ヒートシンク
１０  ＧＣＵパッケージモジュール
１１  制御信号用リード部
１１０  制御部品実装部
１２  電力用リード部
１２０  半導体素子実装部
１２１  肉厚部（ヒートシンク部）
２０  コネクタ基体
２１  収納部
２２  コネクタ部
２２０  コネクタ底部
２２２、２２４  リード部挿入孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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