(57)【要約】【課題】ＦＥＴのゲート端子を固定極側に凝集フラックスを介在させることなく電気的に接続して雑音の発生を防止できるようにしたコンデンサマイクロホンユニットおよびその製造方法の提供。【解決手段】ＦＥＴ１２から引き出されたゲート端子１４を固定極側との間に介在させたコンタクトスプリング１７に電気的に接続する接続処理は、ＦＥＴ１２の本体部１３の上面１３ｂ側と交差する方向に立ち上げたゲート端子１４の開放端部１４ａ側にコンタクトスプリングの基台片部側を配置し、相互を超音波溶接して形成される溶接部位を介して一体化させる第１の工程とゲート端子１４とコンタクトスプリング１７との溶接部位２０を本体部１３の上面１３ｂ側に定置させる第２の工程とを経て行うことで、漏洩電流に起因する雑音の発生を防止したコンデンサマイクロホンユニットを製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定極側から印加される高インピーダンスの信号電圧をインピーダンス変換器側に入力させるべく、該インピーダンス変換器から引き出されたゲート端子を前記固定極側との間に介在させたコンタクトスプリングに電気的に接続する接続処理を少なくとも含むコンデンサマイクロホンユニットの製造方法において、
前記接続処理は、前記インピーダンス変換器の本体部の上面側と交差する方向に立ち上げた前記ゲート端子の開放端部側に前記コンタクトスプリングの基台片部側を配置し、相互を超音波溶接して形成される溶接部位を介して一体化させる第１の工程と、該第１の工程を経た前記ゲート端子と前記コンタクトスプリングとの前記溶接部位を本体部の前記上面側に定置させる第２の工程とを少なくとも含むことを特徴とするコンデンサマイクロホンユニットの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法により製造したことを特徴とするコンデンサマイクロホンユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固定極側に対しインピーダンス変換器の入力側端子側を電気的に接続して製造されるコンデンサマイクロホンユニットおよびその製造方法に関する技術である。
【背景技術】
【０００２】
コンデンサマイクロホンは、振動板と固定極とを対設して形成したコンデンサ部の信号電圧化された電気容量変化を高インピーダンスで入力し、低インピーダンスで出力することのできるインピーダンス変換器を少なくとも備えて形成されている。
【０００３】
例えば、入力側端子としてゲート端子を備える電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）は、インピーダンス変換器としてコンデンサマイクロホンに使用されている。
【０００４】
該コンデンサマイクロホンには、例えば下記特許文献１の図２に開示されているように、固定極との間に介装させた中継部材にゲート端子を接触させて固定極側との導通を確保するようにしているものがある。
【特許文献１】特開２００６−１５７３３２号公報
【０００５】
また、コンデンサマイクロホンには、固定極側との間の導通を強固なものとすべく、固定極側となるコンタクトスプリングに対しインピーダンス変換器が備えるゲート端子をはんだ付けしたものもある。
【０００６】
図２は、下記特許文献２中に図３として示されているように、インピーダンス変換器としてＦＥＴを用いた場合における固定極側に対するゲート端子の従来から行われているはんだ付け状況を示す説明図であり、そのうちの（ａ）は正面図を、（ｂ）は右側面図をそれぞれ示す。
【特許文献２】特開２００８−１４７８０６号公報
【０００７】
同図によれば、プリント基板１に実装されたＦＥＴ２は、その本体部３の一側面３ａ側から図示しない固定極側に引き出されたゲート端子４と、本体部３の同じ一側面３ａ側からプリント基板１側に向けて引き出されているドレイン端子５とソース端子６とを少なくとも備えて構成されている。
【０００８】
このうち、ゲート端子４は、図示しない固定極との対面側へと折り返され、ＦＥＴ２と固定極の間に介装されたコンタクトスプリング７にはんだ付けされて形成されるハンダ付け部８を介して一体化されている。
【０００９】
この場合、ゲート端子４は、漏洩電流の発生を回避すべく本体部３から所定の距離を離間させて引き回されている。
【００１０】
このようにはんだ付けして製造されるコンデンサマイクロホンユニットは、ゲート端子４とはんだ付け部８を介して電気的に接続されたコンタクトスプリング７を固定極側に接触させることにより、ＦＥＴ２が固定極側からの信号電圧を高インピーダンスで入力する構造を付与されて製造されることとなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、図２に示すようにはんだ付けしてコンデンサマイクロホンユニットを製造する場合には、フラックスが本体部３における絶縁領域にまで広がり、該フラックスが吸湿した際に生ずる漏洩電流により雑音を発生させてしまうことから、はんだ付け後のフラックスの残渣が残らないようにアルコール等の洗剤と超音波洗浄等を用いて念入りに洗浄して除去する必要があり、作業的な煩雑さを招く不都合があった。
【００１２】
このような不具合を回避するためには、はんだ付け以外の電気的接続方法であるスポット溶接を利用することも考えられるものの、その際に印加される電圧によりＦＥＴ２が破壊されるおそれがあるという問題があった。
【００１３】
本発明は、従来技術の上記課題に鑑み、コンデンサマイクロホンにおいてインピーダンス変換器として用いられるＦＥＴにおける信号電圧のゲート端子を固定極側に、漏洩電流発生の原因となる凝集フラックスを介在させることなく電気的に接続して雑音の発生を防止できるようにしたコンデンサマイクロホンユニットおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記目的を達成すべくなされたものであり、そのうちの第１の発明（コンデンサマイクロホンユニットの製造方法）は、固定極側から印加される高インピーダンスの信号電圧をインピーダンス変換器側に入力させるべく、該インピーダンス変換器から引き出されたゲート端子を前記固定極側との間に介在させたコンタクトスプリングに電気的に接続する接続処理を少なくとも含むコンデンサマイクロホンユニットの製造方法において、前記接続処理は、前記インピーダンス変換器の本体部の上面側と交差する方向に立ち上げた前記ゲート端子の開放端部側に前記コンタクトスプリングの基台片部側を配置し、相互を超音波溶接して形成される溶接部位を介して一体化させる第１の工程と、該第１の工程を経た前記ゲート端子と前記コンタクトスプリングとの前記溶接部位を本体部の前記上面側に定置させる第２の工程とを少なくとも含むことを最も主要な特徴としている。
【００１５】
また、第２の発明（コンデンサマイクロホンユニット）は、請求項１に記載の製造方法により製造されたことを最も主要な特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、インピーダンス変換器から引き出されたゲート端子を固定極側との間に介在させたコンタクトスプリングに電気的に接続する接続処理を超音波溶接により行っているので、漏洩電流発生の原因となる凝集フラックスを介在させることなく電気的に接続して雑音の発生を確実に防止して、長期にわたり快適に使用することができるコンデンサマイクロホンユニットを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明のうち、第１の発明は、固定極側から印加される高インピーダンスの信号電圧をインピーダンス変換器側に入力させるべく、該インピーダンス変換器から引き出されたゲート端子を前記固定極側との間に介在させたコンタクトスプリングに電気的に接続する接続処理を少なくとも含むコンデンサマイクロホンユニットの製造方法に適用して実施される。
【００１８】
図１は、その際における接続処理についての工程図を例示するものであり、そのうちの（ａ）は、超音波溶接する第１の工程例を、（ｂ）は、超音波溶接後の状態例を、（ｃ）は、超音波溶接後のゲート端子とコンタクトスプリングとの溶接部位を定置させる第２の工程例をそれぞれ示す。
【００１９】
同図によれば、インピーダンス変換器１１としてのＦＥＴ１２は、図示しないゲート電極とソース電極とドレイン電極とを備える本体部１３と、該本体部１３の一側面１３ａ側から引き出されて固定極（図示せず）側に向かう入力側端子としてのゲート端子１４と、同じく一側面１３ａ側から引き出されてプリント基板２１に対しはんだ付けされたソース端子とドレイン端子との対からなる出力側端子１５とを有している。なお、図示例においては、ソース端子とドレイン端子とのうちのいずれか一方が背後に隠れているため、１本の出力側端子１５のみが示されている。
【００２０】
まず、第１の工程においては、ＦＥＴ１２の本体部１３の上面１３ｂ側と略直交する方向に直立させたゲート端子１４の開放端部１４ａ側に略く字形状を呈するコンタクトスプリング１７における基台片部１８側を配置し、相互を超音波溶接して形成される溶接部位２０を介してゲート端子１４とコンタクトスプリング１７とが一体化される。
【００２１】
この場合におけるゲート端子１４とコンタクトスプリング１７とは、図１（ａ）に示すように直立させたゲート端子１４における開放端部１４ａの折り返し方向側に、コンタクトスプリング１７の基台片部１８側が位置するようにして配置する。
【００２２】
そして、基台片部１８の表出面（図示例では左側面）には、これと直交する位置関のもとで電気的に接地されているアンビル３１をあてがい、ゲート端子１４の開放端部１４ａには、音極３２側を押し当てることで、母材としての開放端部１４ａと基台片部１８とを加圧しながら超音波を与え、その超音波振動を利用して局部的に摩擦熱を発生させて溶接部位２０が形成されることになる。
【００２３】
超音波溶接を終了した後は、アンビル３１と音極３２とを退避させることで、図１（ｂ）に示すようにＦＥＴ１２のゲート端子１４とコンタクトスプリング１７の基台片部１８とが溶接されて一体化されることになる。
【００２４】
このようにしてＦＥＴ１２のゲート端子１４とコンタクトスプリング１７の基台片部１８とを一体化させた後には、図１（ｃ）に示すようにゲート端子１４の開放端部１４ａ側をＦＥＴ１２の本体部１３における上面１３ｂに溶接部位２０が位置するように折り返すことで、コンタクトスプリング１７をＦＥＴ１２に定置させることで、上記接続処理を終了する。
【００２５】
このため、本発明によれば、従来のようなハンダ付けによる接続処理二よる場合に必要であった後処理、つまり、付着した凝集フラックスを洗浄して除去する処理を不要にすることができる。
【００２６】
つまり、本発明によれば、入力側端子としてのゲート端子１４は、はんだ付けする場合に残置される凝集フラックスを一掃するなかで、その開放端部１４ａをコンタクトスプリング１７の基台片部１８に超音波溶接して形成される溶接部位２０を介して一体化させるとともに、コンタクトスプリング１７の接触片部１９を介することで図示しない固定極側と確実な導通関係を形成することができることになる。
【００２７】
したがって、上記製造方法により製造されたコンデンサマイクロホンユニットは、インピーダンス変換器１１としてのＦＥＴ１２に電気的なダメージを与えないばかりでなく、凝集フラックスが吸湿して漏洩電流を生じさせるような事態の発生も一切なくして、ＦＥＴ１２が備えるゲート端子１４側の絶縁性を確保させることにより、高い入力インピーダンスを維持させながらも漏洩電流に起因する雑音の発生を確実に防止することができる。
【００２８】
このため、ユーザーは、上記製造方法により製造されたコンデンサマイクロホン１１を長期にわたり快適に使用することができることになる。
【００２９】
以上は、本発明を図示例に基づいて説明したものであり、その具体的な構成はこれに限定されるものではない。例えば、第１の工程では、ＦＥＴ１２から引き出されるゲート端子１４を、本体部１３の上面１３ｂとは直交しない交差方向、つまり、非直立方向に立ち上げておくこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１の発明における接続処理についての工程図を例示するものであり、そのうちの（ａ）は、超音波溶接する第１の工程例を、（ｂ）は、超音波溶接後の状態例を、（ｃ）は、超音波溶接後のゲート端子とコンタクトスプリングとの溶接部位を定置させる第２の工程例をそれぞれ示す。
【図２】インピーダンス変換器としてＦＥＴを用いた場合における固定極側に対するゲート端子の従来から行われているはんだ付け状況を示す説明図であり、そのうちの（ａ）は正面図を、（ｂ）は右側面図をそれぞれ示す。
【符号の説明】
【００３１】
１１  インピーダンス変換器
１２  電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
１３  本体部
１３ａ  一側面
１３ｂ  上面
１４  ゲート端子
１４ａ  開放端部
１５  出力側端子
１７  コンタクトスプリング
１８  基台片部
１９  接触片部
２１  プリント基板
３１  アンビル
３２  音極
【図１】
2010016679.tif 000003
【図２】
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