(57)【要約】      （修正有）【課題】反り量が小さい大口径のシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により育成され、ボロンとゲルマニウムとが添加されたシリコン単結晶インゴットをスライスして作製された直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハ１であって、ボロン濃度が８．５×１０１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上ドープされ、ゲルマニウムが、式１の関係式を満たす範囲でドープされたシリコンウェーハ１の表面に、シリコンエピタキシャル層２を成長させた。2010016366.tif 000015【選択図】図１
2010016366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により育成され、ボロンおよびゲルマニウムがドープされた単結晶インゴットをスライスして作製された直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハであって、
ボロンが８．５×１０１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上の濃度でドープされ、
ゲルマニウムが、
【数１】
2010016366.tif 000013
の関係式を満たす範囲でドープされたシリコンウェーハの表面に、
シリコンエピタキシャル膜を成長させたことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
（ただし、［Ｂ］はボロン濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）、［Ｇｅ］はゲルマニウム濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）、rはウェーハ半径(μｍ)、tepiはエピタキシャル成長厚さ(μｍ)、tsubはウェーハ厚さ(μｍ)を示す。）
【請求項２】
前記シリコンウェーハの結晶方位が（１１０）であることを特徴とする請求項１記載のシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項３】
前記シリコンエピタキシャル膜の膜厚が４μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項４】
前記シリコンエピタキシャル膜の膜厚が４μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載のシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項５】
チョクラルスキー法によりボロンとゲルマニウムとが添加されたシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、このインゴットをスライスして直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハを作製する工程と、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を成長させる工程とを有するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記シリコンウェーハは、ボロン濃度が８．５×１０１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上ドープされ、
ゲルマニウムが、
【数１】
2010016366.tif 000014
の関係式を満たす範囲でドープされていることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
（ただし、［Ｂ］はボロン濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）、［Ｇｅ］はゲルマニウム濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）、rはウェーハ半径(μｍ)、tepiはエピタキシャル成長厚さ(μｍ)、tsubはウェーハ厚さ(μｍ)を示す。）
【請求項６】
前記シリコンウェーハの結晶方位が（１１０）であることを特徴とする請求項５記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記シリコンエピタキシャル膜の膜厚が４μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項５記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項８】
前記シリコンエピタキシャル膜の膜厚が４μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低抵抗かつ大口径であっても反りが抑制されたシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電源コントロールなどの用途として、パワー半導体デバイスが用いられている。パワー半導体デバイス用のウェーハとしては、チョクラルスキー（ＣＺ）法により育成されたシリコン単結晶インゴットをスライスし、得られたシリコンウェーハの表面に、結晶欠陥をほぼ完全に含まないシリコンエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハが主に利用されている。一般に、パワー半導体デバイス用のシリコンウェーハとしては、ドーパントが高濃度にドープされた抵抗率の低いシリコンウェーハが用いられている。
【０００３】
パワー半導体デバイスの更なる低消費電力化に向け、抵抗率がより低いシリコンウェーハが要求されている。ｐ型シリコンウェーハの場合は、ドーパントである、例えば、ボロン（Ｂ）を高濃度にドープして低抵抗のシリコンウェーハを作製する。また、デバイスの生産性を向上させる目的で、シリコンウェーハの直径は、２００ｍｍに代わって３００ｍｍが主流となっている。さらに、パワー半導体デバイスの高耐圧化に伴い、シリコンエピタキシャル層の膜厚も厚くなる傾向にある。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１１２１２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、低抵抗のシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層を成長させると、シリコンウェーハの格子定数とシリコンエピタキシャル層の格子定数との間に差があるため、シリコンエピタキシャルウェーハに反りが発生する。この反りは、ウェーハの直径が大きくなると、または、シリコンエピタキシャル層の膜厚が厚くなると増大する。この反りが増大すると、デバイス製造工程におけるマスク合わせや、真空チャックによる保持等が困難となり、最悪の場合にはデバイスの製造が不可能となる。従って、エピタキシャルウェーハの反りをできるだけ小さくすることは重要な課題となっている（特許文献１）。
特に、ボロンを高濃度にドープしたシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層を成長させたｐ／ｐ＋シリコンエピタキシャルウェーハでは、ボロンがドープされたシリコンウェーハとドープされていないエピタキシャル層との格子定数の差が大きいため、エピタキシャル成長させた後のウェーハの反り量が大きいという問題があった。また、結晶方位が（１１０）のシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層を成長させた場合は、結晶方位が（１００）のシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層を成長させた場合に比べてより反り易い傾向があることが判明した。
【０００６】
この発明は、低抵抗でかつ大口径のシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル膜を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの反りを抑制することを、その目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、チョクラルスキー法により育成され、ボロンとゲルマニウムとが添加されたシリコン単結晶インゴットをスライスして作製された直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル膜を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法の改良である。
【０００８】
その特徴ある構成は、シリコンウェーハはボロン濃度が８．５×１０１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上ドープされ、
ゲルマニウムが、
【０００９】
【数１】
2010016366.tif 000003
の関係式を満たす範囲でドープされているところにある。
【００１０】
特に、シリコンウェーハは、結晶方位が（１１０）のシリコンウェーハであることが好ましい。
また、シリコンエピタキシャル膜の膜厚は４μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。膜厚が４μｍ未満の場合は、反りは発生しない。一方、膜厚が２０μｍを超える場合は、反りの発生を抑制するためにゲルマニウム濃度を高くする必要があり、ウェーハの製造コストの上昇につながる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、ボロンを高濃度にドープしたシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハを得るにあたり、シリコンより格子定数が大きいゲルマニウムのドープ量（ゲルマニウム濃度）を式１の範囲に制御するので、直径３００ｍｍ以上のシリコンエピタキシャルウェーハであっても反り量を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係るシリコンエピタキシャルウェーハを示す断面図である。
【図２】図１に示すシリコンエピタキシャルウェーハの反り量を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
本実施形態のシリコンエピタキシャルウェーハは、図１に示すようにシリコンウェーハ１の表面にシリコンエピタキシャル層２を成長させたものである。シリコンウェーハ１は、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットをスライスして得られる。単結晶インゴットの育成時にシリコン融液にボロンとゲルマニウムとが添加される。ボロンはボロン濃度が８．５×１０１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上となるようにドープされ、これに対してゲルマニウムは上記式１を満たす範囲の濃度となるようにドープされる。
【００１５】
本実施形態のシリコンウェーハは、直径３００ｍｍ以上の大口径であって、特に結晶方位が（１１０）である。
【００１６】
次に、上記式１について説明する。
【００１７】
図２に示すように、ウェーハ上に薄膜が存在する時、膜中の歪みεは下記(２)式で与えられる。ただし、初期のウェーハの反り量δは０と仮定する。すなわち、エピタキシャル膜を成長させる前後での反り量の変化を求めることとなる。
【００１８】
（２）式において、ｔｓｉはウェーハの厚み、ｔｅｐｉはエピタキシャル膜の厚み、δはウェーハの反り量，ｒはウェーハの半径である。
【００１９】
【数２】
2010016366.tif 000004
また、ｐ＋層とｐ−層の格子定数の差による歪みεは、下記（３）式で与えられる。ここで、ΔαSi-B-Geは［Ｂ］と［Ｇｅ］を含むｐ＋結晶とドープしていないｐ−結晶との格子定数の差、αSiはｐ−結晶の格子定数である。
【００２０】
【数３】
2010016366.tif 000005
なお、ΔαSi-B-Geは以下のように求められる。すなわち、ボロン濃度の変化による格子定数変化（ΔαＳｉ−Ｂ、単位はオングストローム）は、下記の式（Ｖｅｇａｒｄ則）で計算される。
【００２１】
【数４】
2010016366.tif 000006
（４）式において、ｒＳｉはシリコン（Ｓｉ）原子の半径、ｒＢはボロン（Ｂ）原子の半径、［Ｂ］はボロン濃度、［Ｓｉ］はシリコン濃度を示している。シリコン原子の半径は１．１７オングストローム、ボロン原子の半径は０．８８オングストロームである。高純度シリコン結晶の格子定数（αＳｉ）は５．４３オングストロームである。また、シリコン単結晶のＳｉ原子密度は５．０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
【００２２】
これにより（４）式は、
【００２３】
【数５】
2010016366.tif 000007
となる。この式から明らかなように、高濃度にボロンを添加したシリコンウェーハの場合、ボロンを添加しないものに比べて格子定数が小さくなる。
【００２４】
一方、ゲルマニウムをドープした場合の格子定数変化（ΔαＳｉ−Ｇｅ、単位はオングストローム）も（４）式と同様に（Ｖｅｇａｒｄ則）を用いて計算される。
【００２５】
【数６】
2010016366.tif 000008
ここで、ｒＧｅはゲルマニウムの原子の半径で、１．２２オングストローム、［Ｇｅ］はゲルマニウムの濃度である。したがって、（６）式は、
【００２６】
【数７】
2010016366.tif 000009
と表せる。よって、ゲルマニウムを添加することでゲルマニウムを添加しない場合に比べて格子定数が大きくなる。
【００２７】
以上のことから、ボロンとゲルマニウムを同時添加した場合の格子定数変化（ΔαＳｉ−Ｇｅ−Ｂ、単位はオングストローム）は（５）式と（７）式との和で求められる。
【００２８】
【数８】
2010016366.tif 000010
このΔαＳｉ−Ｇｅ−Ｂが、（３）式の分子であり、これに対し、既述したとおり高純度シリコン結晶の格子定数（αＳｉ）は５．４３オングストロームであるから、（３）式が求められる。
【００２９】
そして、（２）式および（３）式からεを消去するように整理すると、δと［Ｂ］、ｔsi、tepi、およびrとの関係が求まる。すなわち、
【００３０】
【数９】
2010016366.tif 000011
この（９）式から、ｐ／ｐ＋エピタキシャルウェーハのエピ成長による反り量は、ボロン濃度、エピタキシャル膜厚およびウェーハ径の２乗に比例し、ウェーハ厚みの２乗に反比例することが理解される。
【００３１】
以下に、チョクラルスキー法により育成され、ボロン濃度が８．５×１０１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上ドープされ、ゲルマニウムが、上記（式１）の関係式を満たす範囲でドープされたシリコン単結晶インゴットをスライスして作製された直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハの表面に、シリコンエピタキシャル膜を２．７５〜２０μｍの範囲で成長させると、ウェーハの反り量が１８μｍ以下になることを確認した。
【００３２】
《実施例１》
ＣＺ法により結晶方位が（１１０）のシリコン単結晶インゴットを育成する際、シリコン融液にボロンおよびゲルマニウムを、ボロン濃度が２．０１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ゲルマニウム濃度が２．０３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となるようにドープし、これをスライスして直径３００ｍｍ、厚さ７７４μｍのウェーハを作製した。
【００３３】
この直径３００ｍｍのウェーハをエピタキシャル成長装置に入れ、１１５０℃で水素ベーク後、これらをエピタキシャル装置内で１０７５℃の条件下でＳｉＨＣｌ３ガスを供給し、ウェーハの表面に膜厚２．７５μｍのエピタキシャル層を成長させｐ／ｐ＋シリコンエピタキシャルウェーハを得た。
【００３４】
このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。また、上記（式１）の左辺の計算値も表１に示す。
【００３５】
《実施例２》
実施例１に対して、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．９８×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ゲルマニウムの濃度を１．０１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７７５μｍ、エピタキシャル膜の膜厚を６μｍとした以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。また、上記（式１）の左辺の計算値も表１に示す。
【００３６】
《実施例３》
実施例１に対して、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．２１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ゲルマニウムの濃度を９．００×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、エピタキシャル膜の膜厚を４μｍとした以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。また、上記（式１）の左辺の計算値も表１に示す。
【００３７】
《実施例４》
実施例１に対して、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．２１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ゲルマニウムの濃度を４．０３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７７５μｍ、エピタキシャル膜の膜厚を６μｍとした以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。また、上記（式１）の左辺の計算値も表１に示す。
【００３８】
《実施例５》
実施例１に対して、シリコン融液にドープするボロンの濃度を９．８１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ゲルマニウムの濃度を２．０１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７７５μｍ、エピタキシャル膜の膜厚を６μｍとした以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。また、上記（式１）の左辺の計算値も表１に示す。
【００３９】
《実施例６》
実施例１に対して、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．９５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ゲルマニウムの濃度を１．０１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７７５μｍ、エピタキシャル膜の膜厚を２０μｍとした以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。また、上記（式１）の左辺の計算値も表１に示す。
【００４０】
《比較例１》
実施例１の比較例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を２．０２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７７３μｍとし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００４１】
《比較例２》
実施例３の比較例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を２．０１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７７５μｍとし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例３と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００４２】
《比較例３》
実施例２の比較例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．９０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例２と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００４３】
《比較例４》
実施例２の比較例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を２．０１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ゲルマニウムの濃度を３．０４×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３としたこと以外は実施例２と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。また、上記（式１）の左辺の計算値も表１に示す。
【００４４】
《比較例５》
実施例３の比較例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．２３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７７５μｍとし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例３と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００４５】
《比較例６》
実施例４の比較例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．２０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例４と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００４６】
《比較例７》
実施例５の比較例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を９．７０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７７４μｍとし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例５と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００４７】
《比較例８》
実施例５の比較例として、シリコン融液にドープするゲルマニウムの濃度を２．１０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３としたこと以外は実施例５と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。また、上記（式１）の左辺の計算値も表１に示す。
【００４８】
《参考例１》
実施例１の参考例として、ウェーハの直径を２００ｍｍ、ウェーハの厚みを７２３μｍとし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００４９】
《参考例２》
実施例３の参考例として、ウェーハの直径を２００ｍｍ、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．８０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ウェーハの厚みを７２６μｍとし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例３と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００５０】
《参考例３》
実施例２の参考例として、ウェーハの直径を２００ｍｍ、ウェーハの厚みを７２１μｍとし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例２と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００５１】
《参考例４》
実施例１の参考例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を１．２０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００５２】
《参考例５》
実施例１の参考例として、シリコン融液にドープするボロンの濃度を９．７０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、エピタキシャル膜の膜厚を２．２７μｍとし、ゲルマニウムをドープしなかったこと以外は実施例１と同じ条件でシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、このシリコンエピタキシャルウェーハの反り測定を、エピタキシャル成長させる前後において実施し、それらの反り量の変化の絶対値を算出した。この結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
2010016366.tif 000012
《考  察》
実施例１〜６に示すとおり、式１を満たすゲルマニウム濃度のウェーハにエピタキシャル膜を成長させた３００ｍｍのエピタキシャルウェーハによれば、反り量の変化が最大でも１７．８μｍと良好であった。
【００５４】
これに対して、比較例１〜８に示すとおり、ゲルマニウムをドープしないウェーハおよびゲルマニウムを、式１を外れる濃度でドープしたウェーハでは、反り量の変化が最小でも２１．３μｍとなった。
【００５５】
なお、参考例１〜３に示すとおり、ウェーハの直径が２００ｍｍと小さいものについては反り量の変化はさほど大きくない。また、参考例４〜５に示すとおりエピタキシャル膜の膜厚が薄いものについても反り量の変化はさほど大きくない。
【００５６】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００５７】
１…シリコンウェーハ
２…シリコンエピタキシャル層
【図１】
2010016366.tif 000016
【図２】
2010016366.tif 000017