(57)【要約】【課題】メッキ偏差を減少させることができるトレンチ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】ベース基板１０２、前記ベース基板１０２の一面または両面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された絶縁層１１２、及び前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む回路層１２４を含む。製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域にメッキ偏差の改善のためのトレンチが形成されることにより、メッキ工程の際、絶縁層上に形成されるメッキ層の偏差を改善することができる。【選択図】図１１
2010251676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板；
前記ベース基板の一面または両面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された絶縁層；及び
前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む回路層；
を含むことを特徴とする、トレンチ基板。
【請求項２】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチの内部を含み前記絶縁層に積層された外層絶縁層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のトレンチ基板。
【請求項３】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチは、線形、円形、三角形、四角形、十字形、または多角形の形状を持つことを特徴とする、請求項１に記載のトレンチ基板。
【請求項４】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチは、陰刻部または突起が形成された陰刻部であることを特徴とする、請求項１に記載のトレンチ基板。
【請求項５】
ベース基板；
前記ベース基板の一面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された第１絶縁層；
前記ベース基板の他面に積層され、回路領域にビアホールが形成された第２絶縁層；
前記第１絶縁層の前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む第１回路層；及び
前記第２絶縁層に形成されたビアを含む第２回路層；
を含むことを特徴とする、トレンチ基板。
【請求項６】
前記第１絶縁層の前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチの内部を含み前記第１絶縁層に積層された第１外層絶縁層；及び
前記第２絶縁層に積層された第２外層絶縁層；
をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載のトレンチ基板。
【請求項７】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチは、線形、円形、三角形、四角形、十字形、または多角形の形状を持つことを特徴とする、請求項５に記載のトレンチ基板。
【請求項８】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチは、陰刻部または突起が形成された陰刻部であることを特徴とする、請求項５に記載のトレンチ基板。
【請求項９】
（Ａ）ベース基板の一面または両面に積層された絶縁層の回路領域を含み製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域にトレンチを加工する段階；
（Ｂ）前記トレンチの内部を含み前記絶縁層にメッキ層を形成する段階；
（Ｃ）前記絶縁層上部に過剰に形成された前記メッキ層を除去する段階；及び
（Ｄ）前記回路領域にエッチングレジストを塗布し、前記製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域に形成された前記メッキ層を除去した後、前記エッチングレジストを除去する段階；
を含むことを特徴とする、トレンチ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｄ）段階の後に、
（Ｅ）前記製品間の切断領域に沿ってダイシングを行って個別トレンチ基板にする段階；
を含むことを特徴とする、請求項９に記載のトレンチ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｄ）段階の後に、
（Ｅ）前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチの内部を含み前記絶縁層に外層絶縁層を積層する段階；
を含むことを特徴とする、請求項９に記載のトレンチ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記（Ａ）段階において、前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチは、線形、円形、三角形、四角形、十字形、または多角形の形状を持つことを特徴とする、請求項９に記載のトレンチ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ａ）段階において、前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチは、陰刻部または突起が形成された陰刻部であることを特徴とする、請求項９に記載のトレンチ基板の製造方法。
【請求項１４】
（Ａ）ベース基板の一面に第１絶縁層を積層し、前記ベース基板の他面に第２絶縁層を積層する段階；
（Ｂ）前記第１絶縁層の回路領域を含み製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域にトレンチを加工し、前記第２絶縁層の回路領域にビアホールを加工する段階；
（Ｃ）前記トレンチを含み前記第１絶縁層に第１メッキ層を形成し、前記ビアホールを含み前記第２絶縁層に第２メッキ層を形成する段階；
（Ｄ）前記第１絶縁層の上部に過剰に形成された第１メッキ層を除去する段階；
（Ｅ）前記第１絶縁層の回路領域に第１エッチングレジストを塗布し、前記第２絶縁層に回路形成用開口部を持つ第２エッチングレジストを塗布する段階；及び
（Ｆ）前記第１絶縁層の前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記第１メッキ層及び前記回路形成用開口部によって露出した前記第２メッキ層を除去した後、前記第１エッチングレジスト及び前記第２エッチングレジストを除去する段階；
を含むことを特徴とする、トレンチ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（Ｆ）段階の後に、
（Ｇ）前記製品間の切断領域に沿ってダイシングを行って個別トレンチ基板にする段階；
を含むことを特徴とする、請求項１４に記載のトレンチ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記（Ｆ）段階の後に、
（Ｇ）前記第１絶縁層の前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチの内部を含み前記第１絶縁層に第１外層絶縁層を積層し、前記第２絶縁層に第２外層絶縁層を積層する段階；
を含むことを特徴とする、請求項１４に記載のトレンチ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記（Ｂ）段階において、前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチは、線形、円形、三角形、四角形、十字形、または多角形の形状を持つことを特徴とする、請求項１４に記載のトレンチ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記（Ｂ）段階において、前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチは、陰刻部または突起が形成された陰刻部であることを特徴とする、請求項１４に記載のトレンチ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はトレンチ基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの高密度化及び信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、半導体チップをプリント基板に直接実装する技術に対する要求が増大している。これに応じて、半導体チップの高密度化に対応することが可能な高密度及び高信頼性のプリント基板の開発が要求されている。
【０００３】
高密度及び高信頼性のプリント基板に対する要求仕様は半導体チップの仕様に密接に関連しているが、回路の微細化、高度な電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多大な課題がある。このような要求仕様に対応した微細回路パターン及びマイクロビアホールを形成することができるプリント基板製造技術が要求されている。
【０００４】
通常、プリント基板の回路パターンを形成する方法は、サブトラクティブ法（ｓｕｂｒａｃｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、フールアディティブ法（ｆｕｌｌ ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、及びセミアディティブ法（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）などがある。このような方法のうち、回路パターンの微細化が可能なセミアディティブ法が現在注目を浴びている。
【０００５】
図１〜図６は従来の一例によるセミアディティブ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図であり、これを参照して回路パターンの形成方法を説明すれば次のようである。
【０００６】
まず、図１に示すように、一面に金属層１４が形成された絶縁層１２にビアホール１６を加工する。
【０００７】
ついで、図２に示すように、ビアホール１６の内壁を含み絶縁層１２上に無電解メッキ層１８を形成する。この際、無電解メッキ層１８は以後に行われる電解メッキ工程の前処理工程の役目をする。電解メッキ層２４を形成するためには、一定厚さ以上（例えば、１μｍ以上）の無電解メッキ層１８を形成しなければならない。
【０００８】
ついで、図３に示すように、ドライフィルム２０を積層し、回路パターン形成領域を露出させる開口部２２を持つようにパターニングする。
【０００９】
ついで、図４に示すように、ビアホール１６を含み開口部２２に電解メッキ層２４を形成する。
【００１０】
ついで、図５に示すように、ドライフィルム２０を除去する。
【００１１】
最後に、図６に示すように、フラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）、クィックエッチング（ｑｕｉｃｋ ｅｔｃｈｉｎｇ）などによって、電解メッキ層２４が形成されない無電解メッキ層１８を除去することで、ビア２６を含む回路パターン２８を形成する。
【００１２】
しかし、従来のセミアディティブ法で形成された回路パターン２８は、絶縁層１２上に陽刻部の形状に形成されているから、絶縁層１２から分離される問題点があった。特に、次第に回路パターン２８が微細化していくにつれて絶縁層１２と回路パターン２８間の接着面積が減少して接着力が弱化し、回路パターン２８の分離が酷くなる問題点があった。
【００１３】
近年には、このような限界を克服するために新工法が提案されている。その一つとして、絶縁層上にレーザーでトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）を形成し、メッキ、研磨、エッチングの工程によって回路パターンを製造するＬＰＰ法（Ｌａｓｅｒ Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）が注目を浴びている。
【００１４】
図７〜図１０は従来の他の例によるＬＰＰ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図であり、これを参照して回路パターン形成方法を説明すれば次のようである。
【００１５】
まず、図７に示すように、一面に金属層５４が形成された絶縁層５２に回路パターン用トレンチ５６ａ及びビア用トレンチ５６ｂを含むトレンチ５６を加工する。
【００１６】
ついで、図８に示すように、トレンチ５６の内壁を含み絶縁層５２上に無電解メッキ層５８を形成する。
【００１７】
ついで、図９に示すように、無電解メッキ層５８上に電解メッキ層６０を形成する。
【００１８】
最後に、図１０に示すように、エッチング工程またはグラインディング工程によって、絶縁層５２の上部に突出した無電解メッキ層５８及び電解メッキ層６０を除去してビア６２を含む埋込型回路パターン６４を形成する。
【００１９】
しかし、図９から分かるように、トレンチ５６の内部を含み絶縁層５２上に形成される電解メッキ層６０は、トレンチ５６が形成される領域とそうではない領域の間で高低差（メッキ偏差）を持つことになる。よって、エッチング工程またはグラインディング工程で絶縁層５２の上部に突出した無電解メッキ層５８及び電解メッキ層６０を除去しても均一な高さを持つようにすることに限界があった。
【００２０】
特に、トレンチ５６が形成された領域に比べ、トレンチ５６が形成されない領域は絶縁層５２の上部に相対的に高く電解メッキ層６０が形成されるから、その除去工程で電解メッキ層６０がすっかり除去されなくて回路パターン６４が互いに分離されない問題点が発生するか、これを過度に除去する過程で回路パターン６４及びビア６２の電解メッキ層６０が除去されて消失される問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
したがって、本発明は前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、メッキ偏差を減少させることができるトレンチ基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記目的を達成するために、本発明の一面によるトレンチ基板は、ベース基板；前記ベース基板の一面または両面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された絶縁層；及び前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む回路層；を含んでなる。
【００２３】
前記トレンチ基板は、前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチの内部を含み前記絶縁層に積層された外層絶縁層をさらに含むことができる。
【００２４】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチは、線形、円形、三角形、四角形、十字形、または多角形の形状を持つことができる。
【００２５】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチは、陰刻部または突起が形成された陰刻部であることができる。
【００２６】
前記目的を達成するために、本発明の他の面によるトレンチ基板は、ベース基板；前記ベース基板の一面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された第１絶縁層；前記ベース基板の他面に積層され、回路領域にビアホールが形成された第２絶縁層；前記第１絶縁層の前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む第１回路層；及び前記第２絶縁層に形成されたビアを含む第２回路層；を含んでなる。
【００２７】
前記トレンチ基板は、前記第１絶縁層の前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチの内部を含み前記第１絶縁層に積層された第１外層絶縁層；及び前記第２絶縁層に積層された第２外層絶縁層；をさらに含むことができる。
【００２８】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチは、線形、円形、三角形、四角形、十字形、または多角形の形状を持つことができる。
【００２９】
前記製品縁部のダミー領域に形成された前記トレンチは、陰刻部または突起が形成された陰刻部であることができる。
【００３０】
前記目的を達成するために、本発明の他の面によるトレンチ基板の製造方法は、（Ａ）ベース基板の一面または両面に積層された絶縁層の回路領域を含み製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域にトレンチを加工する段階；（Ｂ）前記トレンチの内部を含み前記絶縁層にメッキ層を形成する段階；（Ｃ）前記絶縁層上部に過剰に形成された前記メッキ層を除去する段階；及び（Ｄ）前記回路領域にエッチングレジストを塗布し、前記製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域に形成された前記メッキ層を除去した後、前記エッチングレジストを除去する段階；を含んでなる。
【００３１】
前記方法は、前記（Ｄ）段階の後に、（Ｅ）前記製品間の切断領域に沿ってダイシングを行って個別トレンチ基板にする段階を含むことができる。
【００３２】
前記方法は、前記（Ｄ）段階の後に、（Ｅ）前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチの内部を含み前記絶縁層に外層絶縁層を積層する段階を含むことができる。
【００３３】
前記（Ａ）段階において、前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチは、線形、円形、三角形、四角形、十字形、または多角形の形状を持つことができる。
【００３４】
前記（Ａ）段階において、前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチは、陰刻部または突起が形成された陰刻部であることができる。
【００３５】
前記目的を達成するために、本発明の他の面によるトレンチ基板の製造方法は、（Ａ）ベース基板の一面に第１絶縁層を積層し、前記ベース基板の他面に第２絶縁層を積層する段階；（Ｂ）前記第１絶縁層の回路領域を含み製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域にトレンチを加工し、前記第２絶縁層の回路領域にビアホールを加工する段階；（Ｃ）前記トレンチを含み前記第１絶縁層に第１メッキ層を形成し、前記ビアホールを含み前記第２絶縁層に第２メッキ層を形成する段階；（Ｄ）前記第１絶縁層の上部に過剰に形成された第１メッキ層を除去する段階；（Ｅ）前記第１絶縁層の回路領域に第１エッチングレジストを塗布し、前記第２絶縁層に回路形成用開口部を持つ第２エッチングレジストを塗布する段階；及び（Ｆ）前記第１絶縁層の前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記第１メッキ層及び前記回路形成用開口部によって露出した前記第２メッキ層を除去した後、前記第１エッチングレジスト及び前記第２エッチングレジストを除去する段階；を含んでなる。
【００３６】
前記方法は、前記（Ｆ）段階の後に、（Ｇ）前記製品間の切断領域に沿ってダイシングを行って個別トレンチ基板にする段階；を含むことができる。
【００３７】
前記方法は、前記（Ｆ）段階の後に、（Ｇ）前記第１絶縁層の前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチの内部を含み前記第１絶縁層に第１外層絶縁層を積層し、前記第２絶縁層に第２外層絶縁層を積層する段階；を含むことができる。
【００３８】
前記（Ｂ）段階において、前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチは、線形、円形、三角形、四角形、十字形、または多角形の形状を持つことができる。
【００３９】
前記（Ｂ）段階において、前記製品縁部のダミー領域及び前記製品間の切断領域に形成された前記トレンチは、陰刻部または突起が形成された陰刻部であることができる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、回路及びビアが形成される回路領域だけではなく製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域にトレンチが形成された状態でメッキ工程が行われるので、メッキ偏差が改善され、これによって絶縁層の上部に過剰に形成されたメッキ層の除去も容易に行える。
【００４１】
また、本発明によれば、メッキ偏差の改善のために、製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域に形成できる多様な形状のトレンチ構造を提供する。
【００４２】
また、本発明によれば、一面の製品縁部のダミー領域及び製品間の切断領域に第２トレンチを形成してメッキ偏差を改善した状態で、他面の一般的な回路形成工程に適用されるエッチング工程で第２トレンチに形成されたメッキ層を除去するので、第２トレンチに形成されたメッキ層の除去に別途の工程が不要であるだけでなく、製品間切断工程を行うとき、切断器具にかかる負荷の増加を防止することができる。
【００４３】
本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。
【００４４】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来の一例によるセミアディティブ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２】従来の一例によるセミアディティブ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図３】従来の一例によるセミアディティブ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図４】従来の一例によるセミアディティブ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図５】従来の一例によるセミアディティブ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図６】従来の一例によるセミアディティブ法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図７】従来の他の例によるＬＰＰ工法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図８】従来の他の例によるＬＰＰ工法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図９】従来の他の例によるＬＰＰ工法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図１０】従来の他の例によるＬＰＰ工法で回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。
【図１１】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の断面図である。
【図１２】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の断面図である。
【図１３】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図１４】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図１５】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図１６】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図１７】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図１８】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図１９】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２０】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２１】本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２２】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２３】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２４】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２５】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２６】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２７】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２８】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図２９】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図３０】本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。
【図３１Ａ】本発明の好適な実施例によるトレンチの形状を示す図である。
【図３１Ｂ】本発明の好適な実施例によるトレンチの形状を示す図である。
【図３１Ｃ】本発明の好適な実施例によるトレンチの形状を示す図である。
【図３１Ｄ】本発明の好適な実施例によるトレンチの形状を示す図である。
【図３２Ａ】本発明の好適な実施例によるトレンチの加工位置を示す図である。
【図３２Ｂ】本発明の好適な実施例によるトレンチの加工位置を示す図である。
【図３２Ｃ】本発明の好適な実施例によるトレンチの加工位置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
本発明の目的、利点及び特徴は添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例からもっと明らかになろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際して、同じ構成要素には、たとえ異なる図面に表示されていても、できるだけ同一符号を付けることにする。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにすることができると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
【００４７】
以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００４８】
トレンチ基板の構造−第１実施例
図１１は本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の断面図である。以下、同図を参照して本実施例によるトレンチ基板１００ａについて説明する。
【００４９】
図１１に示すように、本実施例によるトレンチ基板１００ａは、ベース基板１０２の一面または両面に回路領域Ｐを含み製品縁部のダミー領域Ｄにトレンチ１１４ａ、１１４ｂが形成された絶縁層１１２が積層され、回路領域Ｐに形成されたトレンチ１１４ａ、１１４ｂの内部に、メッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む回路層１２４が形成されたことを特徴とする。
【００５０】
ベース基板１０２は、例えばコア回路層１０６が両面に形成されたコア絶縁層１０４に内層回路層１１０が形成された内層絶縁層１０８が積層され、前記内層回路層１１０はコア絶縁層１０４及び内層絶縁層１０８を貫いて形成された内層ビア１１０ａを介して連結された構造を持つ。もちろん、図１１に示すベース基板１０２は例示のためのものに過ぎなく、多様な構造が採用できることは明らかである。
【００５１】
絶縁層１１２はベース基板１０２に積層され、回路領域Ｐを含み製品縁部のダミー領域Ｄにトレンチ１１４ａ、１１４ｂが形成されている。ここで、トレンチ１１４ａ、１１４ｂは、絶縁層１１２の回路領域Ｐに形成された回路パターン及びビア形成用第１トレンチ１１４ａ、及び絶縁層１１２の製品縁部のダミー領域Ｄに形成されたメッキ偏差の改善のための第２トレンチ１１４ｂでなる。この際、第２トレンチ１１４ｂはメッキ偏差の改善のために製品縁部のダミー領域Ｄに形成されるもので、最適のメッキ偏差の改善のために、多様な形状、直径、間隔、深さなどを持つことができる。これについては、図３１Ａ〜図３１Ｄ及び図３２Ａ〜図３２Ｃを参照する説明部分で詳細に説明する。
【００５２】
ここで、第２トレンチ１１４ｂは、全体が陰刻部に形成されるか、あるいは陰刻部の内部の一部領域は除去しないことにより突起が形成された陰刻部に形成されることができる。すなわち、第２トレンチ１１４ｂが広い陰刻部に形成される場合、突起をその内部に形成することで、広い陰刻部の全領域に一定厚さのメッキ層の確保が可能になる。
【００５３】
回路層１２４は、製品縁部のダミー領域Ｄの第２トレンチ１１４ｂを除き、回路領域Ｐの第１トレンチ１１４ａの内部にメッキ工程で形成される。ここで、回路パターン及びビア形成用第１トレンチ１１４ａの内部にメッキ工程が行われて、回路及びビアを含む回路層１２４が形成される。
【００５４】
一方、絶縁層１１２に、かつ製品縁部のダミー領域Ｄに形成された第２トレンチ１１４ｂの内部には外層絶縁層１２６が積層される。ここで、外層絶縁層１２６はソルダーレジスト層または多層構造のビルドアップ層を含む概念に理解しなければならない。
【００５５】
また、図１１にはベース基板１０２の両面にトレンチ回路が形成されたものが示されているが、ベース基板１０２の一面にだけトレンチ回路を形成することも本発明の範疇内に含まれるものである。
【００５６】
トレンチ基板の構造−第２実施例
図１２は本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の断面図である。以下、これを参照して本実施例によるトレンチ基板について説明する。
【００５７】
図１２に示すように、本実施例によるトレンチ基板１００ｂは、ベース基板１０２の一面には、回路領域Ｐを含み製品縁部のダミー領域Ｄにトレンチ１１４ａ、１１４ｂが形成された第１絶縁層１１２ａが積層され、ベース基板１０２の他面には、回路領域Ｐにビアホール１１４ｃが形成された第２絶縁層１１２ｂが積層され、第１絶縁層１１２ａの回路領域Ｐに形成されたトレンチ１１４ａの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む第１回路層１２４ａが形成され、第２絶縁層１１２ｂに形成されたビアを含む第２回路層１２４ｂが形成された構造を持つ。
【００５８】
すなわち、本実施例は、ベース基板１０２の一面には第１実施例と同一構造のトレンチパターンが形成され、ベース基板１０２の他面には一般的な回路層が形成されたことを特徴とする。これを除き、第１実施例と同一であるので、その重複説明は省略する。
【００５９】
トレンチ基板の製造方法−第１実施例
図１３〜図２１は本発明の好適な第１実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。以下、これを参照して本実施例によるトレンチ基板の製造方法を説明する。
【００６０】
まず、図１３に示すように、ベース基板１０２の両面に絶縁層１１２を積層する。
【００６１】
ここで、図１３には、ベース基板１０２が、コア回路層１０６が両面に形成されたコア絶縁層１０４に内層回路層１１０が形成された内層絶縁層１０８が積層され、前記内層回路層１１０はコア絶縁層１０４及び内層絶縁層１０８を貫いて形成された内層ビア１１０ａを介して連結された構造を持つものとして示されているが、これは例示的なものに過ぎない。例えば、ベース基板１０２として絶縁層が使用されることも可能であり、この場合は、更なる絶縁層の積層工程なしに次の工程が進むことができる。
【００６２】
一方、図１３にはベース基板１０２の両面に絶縁層１１２が積層されたものが示されているが、ベース基板１０２の一面にだけ絶縁層１１２を積層した状態で次の工程が進むことも本発明の範疇内に含まれる。以下では、説明及び図示の便宜上、ベース基板１０２の両面に絶縁層１１２を積層した状態で、トレンチ基板を製造する方法について説明する。
【００６３】
ついで、図１４に示すように、ベース基板１０２に積層された絶縁層１１２の回路領域Ｐを含み製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓにトレンチ１１４ａ、１１４ｂを加工する。この際、製品間の切断領域Ｓは多数の単位基板（個別トレンチ基板）を含むパネルにおいて、各単位基板の間の領域であり、以後のダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）工程で切断される領域を意味する。
【００６４】
ここで、トレンチ１１４ａ、１１４ｂは絶縁層１１２の回路領域Ｐに形成された回路パターン及びビア形成用第１トレンチ１１４ａ、及び絶縁層１１２の製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓに形成されたメッキ偏差の改善のための第２トレンチ１１４ｂを含んでなる。
【００６５】
この際、トレンチ１１４ａ、１１４ｂは当業界に知られたものであれば特に限定されないが、例えばインプリント法またはレーザー法（例えば、Ｎｄ−ＹＡＧ（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザー、ＣＯ２レーザー、パルスＵＶ（ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）エキシマーレーザー）によって加工される。
【００６６】
ついで、図１５に示すように、トレンチ１１４ａ、１１４ｂの内壁を含み絶縁層１１２に無電解メッキ層１１６を形成する。
【００６７】
この際、無電解メッキ層１１６は、触媒を絶縁層１１２の表面に吸着した後、無電解メッキ液の構成成分が還元剤から電子を受けて銅として析出する原理で形成される。
【００６８】
この際、触媒の吸着は、クリーナー−コンディショナー過程→予備触媒処理過程→触媒処理過程→触媒還元過程で行われる。クリーナー−コンディショナー過程は、絶縁層１１２に残存し得る有機物を除去して湿潤性を良くし、界面活性剤を用いて表面張力を低めることで水溶性薬品が絶縁層１１２に内壁によく付くようにする過程であり、予備触媒処理過程は、触媒処理に先立ち、低濃度（一般的に１〜３％希薄した触媒薬品）の触媒薬品に絶縁層１１２を漬けることで、触媒処理過程で使用される薬品が汚染するか濃度が変わることを防止するための過程であり、触媒処理過程は、絶縁層１１２に例えばＰｄ−Ｓｎ（パラジウム−スズ）またはＰｄイオン錯化合物のような触媒粒子を加える過程であり、触媒還元過程は、実際に触媒として作用するＰｄ金属を得るための過程である。
【００６９】
ついで、図１６に示すように、無電解メッキ層１１６上に、トレンチ１１４ａ、１１４ｂの内部を含み絶縁層１１２に電解メッキ層１１８を形成する。以下では、説明の便宜上、無電解メッキ層１１６及び電解メッキ層１１８をメッキ層１２０と総称する。
【００７０】
この際、トレンチ１１４ａ、１１４ｂの内部をメッキする過程で絶縁層１１２の上部にもメッキ層１２０が形成される。
【００７１】
ここで、トレンチ１１４ａ、１１４ｂが形成された領域とそうではない領域との間にはメッキ偏差が発生するしかない。すなわち、トレンチ１１４ａ、１１４ｂが形成された領域にはもちろん、トレンチ１１４ａ、１１４ｂの内部にもメッキ層１２０が形成されるので、トレンチ１１４ａ、１１４ｂが形成されない領域はトレンチ１１４ａ、１１４ｂが形成された領域より絶縁層１１２の上部に高くメッキ層１２０が形成される。従来には、回路パターン及びビア形成領域にだけ第１トレンチ１１４ａを加工したため、第１トレンチ１１４ａが形成されない領域に比べてメッキ偏差が高い問題があった。特に、製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓはトレンチが形成されないため、絶縁層１１２の上部にメッキ層１２０が過剰に形成され、これを除去するのに長時間がかかる問題点があり、これを除去する過程で、第１トレンチ１１４ａの内部に形成されたメッキ層１２０が一緒に除去される問題点があった。
【００７２】
しかし、本実施例においては、製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓにメッキ偏差の改善のための第２トレンチ１１４ｂを加工することにより、従来に比べてメッキ偏差が改善される。この際、第２トレンチ１１４ｂは、回路パターン及びビアのように加工形状などが決まっていないので、最適のメッキ偏差改善のために多様な形状を持つことができ、第２トレンチ１１４ｂの直径、第２トレンチ１１４ｂ間の間隔、深さなどは制御可能である。これについては、図２９Ａ〜図２９Ｄ及び図３０Ａ〜図３０Ｃに基づく説明部分で詳細に説明する。
【００７３】
ついで、図１７に示すように、研磨工程を行うことで、絶縁層１１２の上部に過剰に形成されたメッキ層１２０を除去して平坦化する。
【００７４】
この際、研磨工程は、バフ（ｂｕｆｆ）研磨、サンドベルト（ｓａｎｄ ｂｅｌｔ）、ポリシング研磨を含む各種の機械的研磨またはこれらを組み合わせて使用するか、化学的研磨、またはＣＭＰ研磨を適用することができる。さらに、機械的研磨及び化学的研磨を連携して行うことができる。
【００７５】
本段階は、第２トレンチ１１４ｂによってメッキ偏差が改善された状態で実施されるので、従来に比べて回路パターンが分離されない問題及び回路パターンの消失される問題などが発生しなくなる。
【００７６】
ついで、図１８に示すように、エッチングレジスト１２２を絶縁層１１２の回路領域Ｐに塗布する。すなわち、製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓを露出させるように、エッチングレジスト１２２を絶縁層１１２に塗布する。
【００７７】
ついで、図１９に示すように、製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓの第２トレンチ１１４ｂの内部に形成されたメッキ層１２０をエッチングで除去し、エッチングレジスト１２２を除去する。
【００７８】
ここで、第２トレンチ１１４ｂに形成されたメッキ層１２０が除去されるので、各単位基板を分離するダイシング工程で、メッキ層１２０による工程負荷の増加のような問題は発生しなくなる。
【００７９】
ついで、図２０に示すように、第２トレンチ１１４ｂの内部を含み絶縁層１１２に外層絶縁層１２６を積層する。この際、半硬化状態の外層絶縁層１２６を絶縁層１１２に積層することにより、第２トレンチ１１４ｂの内部の空間にも外層絶縁層１２６が流入される。ここで、第２トレンチ１１４ｂは、絶縁層１１２と外層絶縁層１２６の接触面積を増大させることで接着性能を向上させる役目をする。
【００８０】
最後に、図２１に示すように、製品間の切断領域Ｓに沿ってダイシング工程を行って個別トレンチ基板１００ａに分離する。上述したような製造工程によって図１１及び図２１に示すようなトレンチ基板１００ａが製造される。
【００８１】
トレンチ基板の製造方法−第２実施例
図２２〜図３０は本発明の好適な第２実施例によるトレンチ基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。本実施例は、一面の回路層はＬＰＰ工法を利用して形成し、他面の回路層は一般的な回路形成工法を用いて形成するものであり、他面の回路層形成工程で、第２トレンチに形成されたメッキ層をいっぺんに除去することができるトレンチ基板の製造方法を提供することを特徴とする。以下、図２２〜図３０を参照して本実施例によるトレンチ基板の製造方法を説明する。
【００８２】
まず、図２２示すように、ベース基板１０２の一面に第１絶縁層１１２ａを積層し、ベース基板１０２の他面に第２絶縁層１１２ｂを積層する。
【００８３】
ついで、図２３に示すように、ベース基板１０２に積層された第１絶縁層１１２ａの回路領域Ｐを含み製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓにトレンチ１１４ａ、１１４ｂを加工し、第２絶縁層１１２ｂの回路領域Ｐにビアホール１１４ｃを加工する。
【００８４】
ついで、図２４に示すように、トレンチ１１４ａ、１１４ｂの内壁を含み第１絶縁層１１２ａに第１無電解メッキ層１１６ａを形成し、ビアホール１１４ｃの内壁を含み第２絶縁層１１２ｂに第２無電解メッキ層１１６ｂを形成する。
【００８５】
ついで、図２５に示すように、トレンチ１１４ａ、１１４ｂの内部を含み第１無電解メッキ層１１６ａに第１電解メッキ層１１８ａを形成し、ビアホール１１４ｃの内部を含み第２無電解メッキ層１１６ｂに第２電解メッキ層１１８ｂを形成する。すなわち、第１絶縁層１１２ａに第１無電解メッキ層１１６ａ及び第１電解メッキ層１１８ａからなる第１メッキ層１２０ａを形成し、第２絶縁層１１２ｂに第２無電解メッキ層１１６ｂ及び第２電解メッキ層１１８ｂからなる第２メッキ層１２０ｂを形成する。
【００８６】
ついで、図２６に示すように、研磨工程を行うことで、第１絶縁層１１２ａの上部に過剰に形成された第１メッキ層１２０ａを除去して平坦化する。
【００８７】
本段階で、第２回路層１２４ｂの厚さを考慮して、第２絶縁層１１２ｂに形成された第２メッキ層１２０ｂの一部を幅方向に除去することができる。
【００８８】
ついで、図２７に示すように、第１絶縁層１１２ａの回路領域Ｐに第１エッチングレジスト１２２ａを塗布し、第２絶縁層１１２ｂにパターニングされた第２エッチングレジスト１２２ｂを塗布する。ここで、第２エッチングレジスト１２２ｂは、第２回路層１２４ｂを除く領域を露出させるオープン部を持つようにパターニングされている。
【００８９】
ついで、図２８に示すように、第１エッチングレジスト１２２ａ及び第２エッチングレジスト１２２ｂが形成されないで露出した第１メッキ層１２０ａ及び第２メッキ層１２０ｂを除去して、第１絶縁層１１２ａにトレンチ回路パターン及びトレンチビアを含む第１回路層１２４ａを形成し、第２絶縁層１１２ｂに第２回路層１２４ｂを形成する。
【００９０】
この際、第２回路層１２４ｂを形成するのに使用されるエッチング工程で、第１メッキ層１２０ａもともに除去されるので、第１絶縁層１１２ａの製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓの第２トレンチ１１４ｂに形成された第１メッキ層１２０ａを除去するための別途の工程が不要になって、工程の効率性を高めることができる。
【００９１】
ついで、図２９に示すように、第１絶縁層１１２ａの第２トレンチ１１４ｂの内部を含み第１絶縁層１１２ａに第１外層絶縁層１２６ａを積層し、第２絶縁層１１２ｂに第２外層絶縁層１２６ｂを積層する。
【００９２】
最後に、図３０に示すように、製品間の切断領域Ｓに沿ってダイシング工程を行って個別トレンチ基板１００ｂに分離する。上述したような製造工程によって図１２及び図３０に示すようなトレンチ基板１００ｂが製造される。
【００９３】
図３１Ａ〜図３１Ｄは本発明の好適な実施例によるトレンチの形状を示す図である。すなわち、本発明によれば、メッキ偏差の改善のために、回路領域Ｐを除いた製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓに形成される第２トレンチ１１４ｂは多様な形状を持つことができる。
【００９４】
図３１Ａ〜図３１Ｄに示すように、本発明の好適な実施例による第２トレンチ１１４ｂは、円形（図３１Ａ）、三角形（図３１Ｂ）、四角形（図３１Ｃ）、十字形（図３１Ｄ）の形状を持つことができる。一方、図示しなかったが、第２トレンチ１１４ｂは、線形または多角形の形状も持つことができる。ここで、ＡとＢはそれぞれトレンチの直径及びトレンチ間隔を意味する。
【００９５】
一方、下記表１には、トレンチ１１４ｂの形状によるメッキ厚さの偏差に対する実験結果データが開示されている。ここで、表１は回路領域が占める面積が８０％であるとき、例えばトレンチ１１４ｂが１００μｍの直径（Ａ）を持つとき、トレンチ形状及びトレンチ間隔によるメッキ厚さの偏差に対する実験結果データである。
【００９６】
【表１】
2010251676.tif 000003
【００９７】
前記表１から分かるように、トレンチ間隔（Ｂ）がいずれも３０μｍであるとき、円形トレンチ形状でメッキ厚さの偏差が一番改善されることが分かる（テスト１〜４参照）。また、トレンチ形状が三角形であるときには、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍのトレンチ間隔（Ｂ）のなかで３０μｍのトレンチ間隔（Ｂ）でメッキ厚さの偏差が一番され（テスト、２、５、及び６参照）、トレンチ形状が四角形であるときは、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍのトレンチ間隔（Ｂ）のなかで２０μｍのトレンチ間隔（Ｂ）でメッキ厚さの偏差が一番改善されることが分かる（テスト３、７、及び８参照）。
【００９８】
また、下記表２にはトレンチ形状が円形であるとき、トレンチ直径（Ａ）、トレンチ間隔（Ｂ）、トレンチ深さによるメッキ厚さの偏差に対する実験結果データが開示されている。ここで、表２は回路領域が占める面積が８０％であるとき、トレンチ直径（Ａ）、トレンチ間隔（Ｂ）、トレンチ深さによるメッキ厚さの偏差に対する実験結果データである。
【００９９】
【表２】
2010251676.tif 000004
【０１００】
前記表２から分かるように、第２トレンチ１１４ｂがない場合（テスト１参照）に比べ、第２トレンチ１１４ｂがある場合（テスト２〜８参照）にメッキ厚さの偏差が改善されることが分かる。また、トレンチ間隔（Ｂ）及びトレンチ深さがそれぞれ３０μｍ、１５μｍと一定であるとき、５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍのトレンチ直径（Ａ）のなかで１００μｍのトレンチ直径（Ｂ）でメッキ厚さの偏差が一番改善され（テスト２〜４参照）、トレンチ直径（Ａ）及びトレンチ深さがそれぞれ１００μｍ、１５μｍと一定であるとき、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍのトレンチ間隔（Ｂ）のなかで３０μｍのトレンチ間隔（Ｂ）でメッキ厚さの偏差が一番改善されることが分かる（テスト３、５及び６参照）。トレンチ直径（Ａ）及びトレンチ間隔（Ｂ）がそれぞれ１００μｍ、３０μｍと一定であるとき、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍのトレンチ深さのなかで１５μｍのトレンチ深さでメッキ厚さの偏差が一番改善されることが分かる（テスト３、７及び８参照）。
【０１０１】
図３２Ａ〜図３２Ｃは本発明の好適な実施例によるトレンチの加工位置を示す図である。以下、図３２Ａ〜図３２Ｃを参照して本実施例によるトレンチの加工位置について説明する。
【０１０２】
図３２Ａ〜図３２Ｃに示すように、メッキ偏差の改善のための第２トレンチ１１４ｂは多様な位置に加工できる。例えば、第２トレンチ１１４ｂは回路領域Ｐを除いた領域に一定間隔で形成されるか（図３２Ａ参照）、回路領域Ｐに隣接した領域には一定間隔で形成されるが製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓには全体領域にわたって形成されることができる（図３２Ｂ参照）。また、製品縁部のダミー領域Ｄ及び製品間の切断領域Ｓが区画されるように境界部に当たる一部分を残して形成することができる（図３２Ｃ参照）。
【０１０３】
この際、回路領域Ｐ内に形成されるトレンチ１１４ａは、回路パターンとグラウンド間の領域分離のために、所定間隔で形成されることが好ましい。
【０１０４】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による放熱パッケージ基板及びその製造方法はこれに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は、メッキ偏差を減少させることができるトレンチ基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０２    ベース基板
１１２、１１２ａ、１１２ｂ    絶縁層
１１４ａ、１１４ｂ    トレンチ
１１４ｃ    ビアホール
１１６、１１６ａ、１１６ｂ    無電解メッキ層
１１８、１１８ａ、１１８ｂ    電解メッキ層
１２０、１２０ａ、１２０ｂ    メッキ層
１２４、１２４ａ、１２４ｂ    回路層
１２６、１２６ａ、１２６ｂ    外層絶縁層
【図１】
2010251676.tif 000005
【図２】
2010251676.tif 000006
【図３】
2010251676.tif 000007
【図４】
2010251676.tif 000008
【図５】
2010251676.tif 000009
【図６】
2010251676.tif 000010
【図７】
2010251676.tif 000011
【図８】
2010251676.tif 000012
【図９】
2010251676.tif 000013
【図１０】
2010251676.tif 000014
【図１１】
2010251676.tif 000015
【図１２】
2010251676.tif 000016
【図１３】
2010251676.tif 000017
【図１４】
2010251676.tif 000018
【図１５】
2010251676.tif 000019
【図１６】
2010251676.tif 000020
【図１７】
2010251676.tif 000021
【図１８】
2010251676.tif 000022
【図１９】
2010251676.tif 000023
【図２０】
2010251676.tif 000024
【図２１】
2010251676.tif 000025
【図２２】
2010251676.tif 000026
【図２３】
2010251676.tif 000027
【図２４】
2010251676.tif 000028
【図２５】
2010251676.tif 000029
【図２６】
2010251676.tif 000030
【図２７】
2010251676.tif 000031
【図２８】
2010251676.tif 000032
【図２９】
2010251676.tif 000033
【図３０】
2010251676.tif 000034
【図３１Ａ】
2010251676.tif 000035
【図３１Ｂ】
2010251676.tif 000036
【図３１Ｃ】
2010251676.tif 000037
【図３１Ｄ】
2010251676.tif 000038
【図３２Ａ】
2010251676.tif 000039
【図３２Ｂ】
2010251676.tif 000040
【図３２Ｃ】
2010251676.tif 000041