(57)【要約】    【課題】  基板保持具の着脱を安全に而も容易に行える基板保持具装着治具を提供する。    【解決手段】  基板保持具８の周縁を支持する基板保持具支持テーブル５３と、該基板保持具支持テーブルに設けられ、該基板保持具支持テーブルに載置された基板保持具が転倒するのを防止する転倒防止具５５と、前記基板保持具支持テーブルを支持し、移動自在にされた支持部４６とを有する。    【選択図】          図２
2010016080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持具の周縁を支持する基板保持具支持テーブルと、該基板保持具支持テーブルに設けられ、該基板保持具支持テーブルに載置された前記基板保持具が転倒するのを防止する転倒防止具と、前記基板保持具支持テーブルを支持し、移動自在にされた支持部とを有することを特徴とする基板保持具装着治具。
【請求項２】
請求項１の前記基板保持具装着治具を用いる半導体製造装置であって、前記基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室の下方に設けられる予備室と、前記基板保持具の底面中央部を支持する支持体と、前記予備室と前記処理室との間で前記基板保持具を前記支持体で支持しつつ搬送する搬送装置とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造装置に用いられる基板保持具の着脱の際に用いられる基板保持具装着治具、及び該基板保持具装着治具を用いて基板保持具の着脱を可能とした半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置は、処理室を画成する反応管、該反応管を収納する様に設けられ、反応管、処理室を加熱する加熱装置、前記処理室に処理ガス等のガスを供給するガス供給系、処理室のガスを排気する排気系等から構成される処理を具備しており、前記処理室には基板保持具に保持されたシリコンウェーハ等の基板が装入され、基板表面に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング、アニール処理等の処理を実行して半導体装置を製造する。
【０００３】
例えば、成膜処理を行う場合、反応生成物は基板表面だけでなく、反応管の壁面、基板保持具にも付着堆積する。付着堆積した反応生成物はやがて剥離してパーティクルとなって基板を汚染するので、定期的或は所定稼働時間毎に清浄して除去する必要がある。
【０００４】
反応管、基板保持具を清浄する場合、反応管、基板保持具は半導体製造装置から取外されるが、反応管は大型で重量があり、而も半導体製造装置内部の狭小な空間での作業となり、作業者の負担が大きく、又反応管の破損事故の虞れもあった。
【０００５】
この為、特許文献１に於いて、反応管着脱用台車が提案され、反応管については着脱作業が安全に又容易に行える様になった。
【０００６】
一方で、前記基板保持具については、作業者が狭小な空間での手作業により直接着脱を行っている為、基板保持具の着脱については依然として、作業性が悪く、又破損の虞れがあった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２３９１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板保持具の着脱を安全に而も容易に行える基板保持具装着治具及び該基板保持具装着治具が使用可能な半導体製造装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板保持具の周縁を支持する基板保持具支持テーブルと、該基板保持具支持テーブルに設けられ、該基板保持具支持テーブルに載置された前記基板保持具が転倒するのを防止する転倒防止具と、前記基板保持具支持テーブルを支持し、移動自在にされた支持部とを有する基板保持具装着治具に係るものである。
【００１０】
又本発明は、請求項１の前記基板保持具装着治具を用いる半導体製造装置であって、前記基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室の下方に設けられる予備室と、前記基板保持具の底面中央部を支持する支持体と、前記予備室と前記処理室との間で前記基板保持具を前記支持体で支持しつつ搬送する搬送装置とを備える半導体製造装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板保持具の周縁を支持する基板保持具支持テーブルと、該基板保持具支持テーブルに設けられ、該基板保持具支持テーブルに載置された前記基板保持具が転倒するのを防止する転倒防止具と、前記基板保持具支持テーブルを支持し、移動自在にされた支持部とを有するので、狭小な空間での前記基板保持具の支持を作業者が負担する必要がなくなり、又前記基板保持具が安定に支持されるので、該基板保持具の着脱作業が安全容易になり、作業性が向上すると共に破損事故の発生が防止できる。
【００１２】
又本発明によれば、前記基板保持具装着治具を用いる半導体製造装置であって、前記基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、該処理室の下方に設けられる予備室と、前記基板保持具の底面中央部を支持する支持体と、前記予備室と前記処理室との間で前記基板保持具を前記支持体で支持しつつ搬送する搬送装置とを備えるので、前記基板保持具の清浄を行う保守時での該基板保持具の着脱作業が安全容易になり、作業性が向上し、保守時間の短縮が図れ、半導体製造装置稼働率の向上が図れるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１４】
先ず、図１に於いて、半導体製造装置に具備される処理炉の一例を説明する。
【００１５】
処理炉１は予備室１０の上方に立設され、該予備室１０の内部と前記処理炉１の内部（処理室７）とは連通され、該処理炉１は下端に形成される炉口部が炉口シャッタ（図示せず）、或はシール蓋１３によって気密に閉塞される様になっている。
【００１６】
前記処理室７には基板保持具であるボート８が収納され、該ボート８には被処理基板であるウェーハ３５が水平姿勢で多段に保持される。前記予備室１０の内部には、該予備室１０と前記処理室７間での基板保持具搬送装置であるボートエレベータ２６が設けられ、該ボートエレベータ２６からは基板保治具の支持体である昇降アーム３０が水平方向に延出している。前記ボート８は前記シール蓋１３を介して前記昇降アーム３０に支持され、前記ボートエレベータ２６により前記昇降アーム３０が昇降されることで、前記ボート８が前記処理室７に装脱される様になっている。
【００１７】
前記処理炉１は、加熱機構としてのヒータ２を有する。該ヒータ２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース３に支持されることにより垂直に据付けられている。
【００１８】
前記ヒータ２の内側には、該ヒータ２と同心円に反応管としてのプロセスチューブ４が配設されている。該プロセスチューブ４は内部反応管としてのインナチューブ５と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウタチューブ６とから構成されている。前記インナチューブ５は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状である。前記インナチューブ５の内側には処理室７が画成されており、該処理室７にボート８が装入される。
【００１９】
前記アウタチューブ６は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径が前記インナチューブ５の外径よりも大きく上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状に形成されており、前記インナチューブ５と同心円状に設けられている。該インナチューブ５と前記アウタチューブ６との間には筒状空間９が形成される。
【００２０】
前記アウタチューブ６の下方には、該アウタチューブ６と同心円状にマニホールド１１が配設され、該マニホールド１１は、例えばステンレス等からなり、前記インナチューブ５、前記アウタチューブ６は前記マニホールド１１によって支持されている。
【００２１】
尚、該マニホールド１１と前記アウタチューブ６との間にはシール部材としてのＯリング１２が設けられている。前記マニホールド１１が前記ヒータベース３に支持されることにより、前記プロセスチューブ４は垂直に据付けられた状態となっている。該プロセスチューブ４と前記マニホールド１１により反応容器が形成され、該マニホールド１１の下端開口部は炉口部を形成し、該炉口部は前記シール蓋１３によって気密に閉塞される様になっている。
【００２２】
該シール蓋１３にはガス導入部としてのノズル１４が前記処理室７内に連通する様に接続されており、前記ノズル１４にはガス供給管１５が接続されている。該ガス供給管１５の上流側には、ガス流量調整器（マスフローコントローラ）１６を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ガス流量調整器１６にはガス流量制御部１７が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００２３】
前記マニホールド１１には、前記処理室７内の雰囲気を排気する排気管１８が連通されている。該排気管１８は、前記筒状空間９の下端部に連通している。
【００２４】
前記排気管１８には下流側に向って圧力検出器としての圧力センサ１９及び弁装置２０が設けられ、前記排気管１８は真空ポンプ等の真空排気装置２１に接続されている。
【００２５】
前記弁装置２０及び前記圧力センサ１９には、圧力制御部２２が電気的に接続されており、該圧力制御部２２は前記圧力センサ１９により検出された圧力に基づいて前記弁装置２０により前記処理室７内の圧力が所望の圧力（真空度）となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００２６】
前記炉口部を開閉する前記シール蓋１３は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記シール蓋１３の上面には前記マニホールド１１の下端と当接するシール部材としてのＯリング２３が設けられる。
【００２７】
前記シール蓋１３の下側には前記ボート８を回転させる回転機構２４が設置されている。該回転機構２４の回転軸２５は前記シール蓋１３を貫通して、前記ボート８に接続されており、該ボート８を回転可能となっている。
【００２８】
前記シール蓋１３は前記昇降アーム３０により支持され、又該昇降アーム３０は前記ボートエレベータ２６に昇降可能に支持され、該ボートエレベータ２６により前記昇降アーム３０が昇降されることで、前記ボート８は前記処理室７に装入、装脱可能となっている。前記回転機構２４及び前記ボートエレベータ２６には駆動制御部２７が電気的に接続されており、所望の動作をする様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。ここで、前記回転軸２５、前記シール蓋１３、前記昇降アーム３０等はボート支持部を構成する。
【００２９】
前記ボート８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ３５を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート８の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２８が水平姿勢で多段に複数枚配置された断熱部２９を構成し、前記ヒータ２からの熱が前記マニホールド１１側に伝わり難くなる様になっている。
【００３０】
前記プロセスチューブ４内には、温度センサ３１が設置され、該温度センサ３１及び前記ヒータ２には、温度制御部３２が電気的に接続されており、前記温度センサ３１により検出された温度情報に基づき前記ヒータ２への通電具合を調整することにより前記処理室７の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３１】
前記ガス流量制御部１７、前記圧力制御部２２、前記駆動制御部２７、前記温度制御部３２及び図示しない操作部、入出力部は、基板処理装置全体を制御する主制御装置３３に電気的に接続されている。
【００３２】
次に、上記構成に係る前記処理炉１を用いて、半導体デバイスの製造工程の１工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ３５上に薄膜を生成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は前記主制御装置３３により制御される。
【００３３】
所定枚数のウェーハ３５が前記ボート８に装填されると、該ボート８は、前記ボートエレベータ２６によって前記処理室７に装入（ボートローディング）される。この状態では、前記シール蓋１３は前記Ｏリング２３を介して炉口部を気密に閉塞する。
【００３４】
前記処理室７が所望の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置２１によって真空排気される。この際、前記処理室７の圧力は、前記圧力センサ１９で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力制御部２２が、前記弁装置２０をフィードバック制御する。
【００３５】
又、前記処理室７が所望の温度となる様に前記ヒータ２によって加熱される。この際、前記処理室７が所望の温度分布となる様に前記温度センサ３１が検出した温度情報に基づき前記ヒータ２への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構２４により、前記ボート８が回転され、同時にウェーハ３５が回転される。
【００３６】
次いで、図示しない処理ガス供給源から処理ガスが供給され、前記ガス流量調整器１６にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管１５を流通して前記ノズル１４から前記処理室７に導入される。導入されたガスは前記処理室７を上昇し、前記インナチューブ５の上端開口を折返し、前記筒状空間９を流下して前記排気管１８から排気される。ガスは前記処理室７を通過する際にウェーハ３５の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ３５の表面上に薄膜が堆積される。
【００３７】
予め設定された処理時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室７が不活性ガスに置換されると、前記弁装置２０が閉塞され、前記処理室７の圧力が常圧に復帰される。
【００３８】
その後、前記ボートエレベータ２６により前記シール蓋１３が降下され、炉口部が開口されると共に、処理済ウェーハ３５が前記ボート８に保持された状態で前記処理室７から引出される。その後、処理済ウェーハ３５は図示しない基板移載装置によって前記ボート８から払出される。
【００３９】
基板処理を繰返し実行した後、堆積物除去の為に、前記プロセスチューブ４、前記インナチューブ５、前記ボート８に付着生成した堆積物の清浄作業が行われる。
【００４０】
清浄作業に伴う、前記プロセスチューブ４、前記インナチューブ５、前記ボート８の着脱については、反応管着脱用台車、基板保持具装着治具が使用される。
【００４１】
先ず、図２に於いて、反応管着脱用台車３８、基板保持具装着治具３９について概略を説明する。
【００４２】
図２中、４１は半導体製造装置であり、４２は架体を示している。該架体４２は前記半導体製造装置４１の底部に所要高さ、所要幅の空間４３を形成する様に構成されている。
【００４３】
前記反応管着脱用台車３８は、主フレーム４４、該主フレーム４４から床面に沿って延出する支持脚４５、前記主フレーム４４の上面に取付けられ、床面と平行に、即ち水平に延出する反応管支持テーブル４６を具備している。該反応管支持テーブル４６は前記支持脚４５の上方に片持支持されている。
【００４４】
該支持脚４５の先端には小径の車輪４７、前記主フレーム４４の下面には大径の車輪４８が設けられ、前記反応管着脱用台車３８は走行自在となっている。前記支持脚４５は前記空間４３に進入可能であり、又前記反応管支持テーブル４６は半導体製造装置４１の内部に進入可能である。尚、図２中、４９は把手である。
【００４５】
前記支持脚４５が前記空間４３に進入する様に前記反応管着脱用台車３８を進めると、前記反応管着脱用台車３８に支持された前記反応管支持テーブル４６も前記半導体製造装置４１内に進入し、前記処理炉１の直下に位置することができる。従って、前記プロセスチューブ４、前記インナチューブ５を前記反応管支持テーブル４６上に載置することができる（特許文献１参照）。
【００４６】
本発明では、前記反応管支持テーブル４６に前記基板保持具装着治具３９を着脱可能とし、該基板保持具装着治具３９を前記反応管支持テーブル４６に取付けることで、前記ボート８の着脱を可能としている。
【００４７】
図３〜図６に於いて、前記基板保持具装着治具３９について説明する。
【００４８】
前記支持脚４５は、２股フォーク状となっており、前記昇降アーム３０が降下した場合に前記回転機構２４等、ボートエレベータ２６の部材と干渉しない様になっている。前記反応管支持テーブル４６には、Ｕ字形の欠切部５１が形成され、該欠切部５１は前記プロセスチューブ４、前記インナチューブ５が自在に進退可能な大きさとなっている。
【００４９】
前記反応管支持テーブル４６に前記基板保持具装着治具３９が取付けられる。前記反応管支持テーブル４６は移動可能な前記反応管着脱用台車３８の一部であり、又前記基板保持具装着治具３９を支持する支持部となっている。
【００５０】
前記基板保持具装着治具３９は、主に前記反応管支持テーブル４６に取付けられる治具ベース５２、ボート８を支持する基板保持具支持テーブル５３、該基板保持具支持テーブル５３を前記反応管支持テーブル４６に対して所定の高さに支持する支持脚柱５４、前記基板保持具支持テーブル５３に設けられた転倒防止具５５から主に構成される。
【００５１】
前記治具ベース５２には前記欠切部５１と同心で、同形状或は同形状の欠切部５６が形成されている。前記治具ベース５２に前記支持脚柱５４が立設され、更に該支持脚柱５４の上端に前記基板保持具支持テーブル５３が取付けられる。
【００５２】
該基板保持具支持テーブル５３はリング形状の一部が欠切され前記欠切部５６と同様の形状となっており、該基板保持具支持テーブル５３の断面は、内縁上部が矩形に切除されたＬ形状となっており、切除部には保持具受け５７が内嵌し、固定されている。該保持具受け５７は前記基板保持具支持テーブル５３と相似形状で、リングの一部が欠切された形状であり、材質にはフッ素樹脂等非金属材料が用いられ、前記ボート８との接触で該ボート８が損傷しない様な保護材質となっている。
【００５３】
前記保持具受け５７の断面も前記基板保持具支持テーブル５３と同様にＬ形状となっており、前記保持具受け５７の切除部５９は後述する様に、前記ボート８のフランジ周縁を支持する段差面５８を有している（図５参照）。前記保持具受け５７の前記切除部５９に臨接する内縁上部は面取６１され、前記ボート８のフランジが前記切除部５９に嵌脱する場合のガイドとなっている。又、前記保持具受け５７の上端は、前記基板保持具支持テーブル５３の上面より上方に突出し、前記保持具受け５７の内縁は前記基板保持具支持テーブル５３の内縁よりも中心側に突出し、前記ボート８のフランジが直接、金属製の前記基板保持具支持テーブル５３に接触しない様になっている。
【００５４】
前記基板保持具支持テーブル５３の上面にザグリ部５３ａが円弧に沿って等間隔で所要数設けられている。ザグリ部５３ａには、前記転倒防止具５５が円弧に沿って等間隔で所要数（図示では４個）設けられている。ザグリ部５３ａにより、転倒防止具５５は位置決めされる。前記転倒防止具５５は、前記基板保持具支持テーブル５３の進行方向手前側（把手４９がある側）のみに設けられている。これにより、基板処理装置内という内部の幅が小さく、メンテナンスしにくい空間内であっても、装置外から作業者が容易に転倒防止具５５にアクセスすることができる。
【００５５】
該転倒防止具５５は、前記ボート８との接触で該ボート８が損傷しない様フッ素樹脂等の非金属材料が用いられる。前記転倒防止具５５は、ローレットボルト６２によって前記基板保持具支持テーブル５３に取付けられ、前記ローレットボルト６２を緩めることで、前記転倒防止具５５が回転可能となる。又該転倒防止具５５の先端部下面は、前記基板保持具支持テーブル５３の上面と所定の間隔を形成する様に切除されている。又ボート８が前記基板保持具支持テーブル５３の上面に支持された際に、該転倒防止具５５の先端部下面は、ボート８底板６４の上面との間に隙間Ｓ（図６参照）が形成されるように構成されている。この隙間の存在により、前記基板保持具支持テーブル５３に載置されたボート８を反応管着脱用台車３８にて搬送しても前記基板保持具支持テーブル５３とボート８底面との間、前記転倒防止具５５とボート８底板６４上面との間のこすれの問題を抑制することができる。尚、前記ローレットボルト６２は、紛失を防止する為、抜け止螺子が使用されることが好ましい。
【００５６】
次に、前記基板保持具装着治具３９に支持されるボート８について概略を説明する。
【００５７】
該ボート８はウェーハ３５を保持する基板保持部６３と、該基板保持部６３の下方に位置し、炉口部からの放熱を抑制する断熱部２９から構成されており、前記ウェーハ３５には断熱板２８が所要枚数装填されている。
【００５８】
又、前記ボート８は前記基板保持部６３と前記断熱部２９が一体に構成されたものと、前記基板保持部６３と前記断熱部２９とが分離された構成のものとがあり、図１に示すボート８は、前記基板保持部６３と前記断熱部２９が一体構造のものであり、一体構造のものでは、前記ボート８が前記シール蓋１３に支持される。
【００５９】
又、図２に示すボート８は前記断熱部２９が別構造である場合を示している。分離構造の前記ボート８では、該ボート８が前記断熱部２９に載置され、該断熱部２９を介して前記シール蓋１３に支持される。前記ボート８は下端に底板６４を有し、該底板６４の外径は、前記断熱部２９の上端の外径より大きく、前記底板６４の周縁が外側に張出している。
【００６０】
先ず、図２に示される分離構成の前記ボート８の着脱に、本発明の前記基板保持具装着治具３９が実施された場合を説明する。尚、前記支持脚柱５４の高さは、前記断熱部２９の高さに対応して設定されている。
【００６１】
前記ボートエレベータ２６により、前記昇降アーム３０を前記予備室１０に降下させ、前記ボート８を降下状態とする。
【００６２】
前記反応管着脱用台車３８を前記半導体製造装置４１内に進入させ、前記欠切部５１、前記欠切部５６の中心が前記処理炉１の中心と合致する様に位置決めする。この時、前記転倒防止具５５は先端部が外側となる様に回転されている。
【００６３】
又、前記反応管着脱用台車３８が進入する際の、前記基板保持具支持テーブル５３と前記底板６４の上下位置関係は、図５に示される様に前記底板６４の下面が前記保持具受け５７の上端より上方に位置する様に設定される。尚、上下位置の設定は、前記ボートエレベータ２６による前記昇降アーム３０の上下位置の調整により行われる。
【００６４】
更に、前記保持具受け５７の内径Ｄ１、前記断熱部２９上端の外径Ｄ２、前記底板６４の外径Ｄ３の関係は、Ｄ２＜Ｄ１＜Ｄ３の関係となっている。
【００６５】
前記基板保持部６３は前記欠切部５１、前記欠切部５６に進入し、前記反応管支持テーブル４６、前記治具ベース５２と干渉することはない。
【００６６】
前記ボートエレベータ２６により前記昇降アーム３０を所定量下降させる。前記切除部５９に前記底板６４が嵌合し、更に前記保持具受け５７に前記基板保持部６３が支持された状態で持上げられる。前記底板６４が前記断熱部２９の上端より離反する。概して、前記基板保持部６３は前記保持具受け５７に支持され、前記基板保持部６３は前記断熱部２９から切離される。
【００６７】
前記転倒防止具５５を回転させ、前記底板６４を前記転倒防止具５５と前記保持具受け５７間で挾持し、前記ローレットボルト６２を締込み固定する。各前記転倒防止具５５で前記底板６４を固定することで、前記ボート８の転倒が防止される（図６参照）。
【００６８】
尚、前記断熱部２９の着脱については、適宜作業者による人手で行われる。該断熱部２９については、小型軽量であり、作業者の負担は少ない。
【００６９】
次に、前記反応管着脱用台車３８を後退させることで、基板保持部６３即ち前記ボート８を前記半導体製造装置４１から取出すことができる。この前記反応管着脱用台車３８を後退させる際に振動等があった場合でも、前記ボート８は前記転倒防止具５５により、前記基板保持具支持テーブル５３に固定されているので転倒が防止される。
【００７０】
前記ボート８の装着時の搬入については、上記搬出時の逆の手順で行われる。
【００７１】
次に、ボート８が図１に見られる様に、基板保持部６３と断熱部２９とが一体構造であった場合、前記基板保持具装着治具３９は、前記支持脚柱５４が取外され、前記基板保持具支持テーブル５３が前記治具ベース５２に或は前記反応管支持テーブル４６に直接取付けられる。
【００７２】
例えば、前記基板保持具支持テーブル５３が前記反応管支持テーブル４６に直接固定され、前記基板保持具支持テーブル５３に前記保持具受け５７、前記転倒防止具５５がそれぞれ取付けられる。
【００７３】
前記ボート８を取外す場合は、前記反応管支持テーブル４６が前記ボート８の底板６４とシール蓋１３との間に挿入され、前記ボート８の前記底板６４が前記保持具受け５７と嵌合し、ボートエレベータ２６により、前記ボート８を降下させることで、該ボート８は前記保持具受け５７に支持される。前記転倒防止具５５により、前記ボート８の前記底板６４を固定することで転倒が防止される。前記ボート８とシール蓋１３とを切離せば、前記反応管着脱用台車３８を後退させることで、一体型の前記ボート８を半導体製造装置４１の外部に搬出することができる。
【００７４】
図７は他の実施の形態を示している。
【００７５】
転倒防止具５５にローレットボルト６２の貫通孔と同心に、有底のスプリング収納穴６５を穿設し、該スプリング収納穴６５内にコイルスプリング６６を圧縮状態で嵌入する。バネ抑え６７を介して前記ローレットボルト６２を基板保持具支持テーブル５３に螺着する。尚、前記バネ抑え６７と前記転倒防止具５５の上面とは所要の間隙を残置させる。
【００７６】
該転倒防止具５５の底板６４に対する押付け力は前記コイルスプリング６６の付勢力であり、ボート８が傾く等して前記転倒防止具５５に上方への力が作用した場合、前記コイルスプリング６６が撓んで前記転倒防止具５５が上方に逃げ、前記底板６４に過度の荷重が作用することを防止する。
【００７７】
又、前記転倒防止具５５が上下方向に変位可能であるので、微調整がし易くなり、又目視にて容易に変位状態を認識し易くなり、ボートエレベータ２６による前記ボート８の上下方向の位置合わせ作業がやり易くなる。
【００７８】
尚、前記コイルスプリング６６は、前記転倒防止具５５を前記底板６４に押圧する押圧部材であり、押圧部材としてはコイルスプリングの代りに、皿バネを複数枚重ねたものであってもよく、或はゴム等の高弾性体を用いてもよい。
【００７９】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００８０】
（付記１）基板保持具の周縁を基板保持具支持テーブルで支持しつつ、該基板保持具支持テーブルに設けられた転倒防止具が前記基板保持具の転倒するのを防止した状態で、前記基板保持具支持テーブルを支持する支持部を移動させる工程と、前記基板支持具テーブルから前記基板保持具の底面中央部を支持する支持体に前記基板保持具を乗替える工程と、前記支持体に支持された前記基板保持具に基板を装着して、処理室内に搬送し、基板を処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８１】
（付記２）基板保持具の周縁を支持する基板保持具支持テーブルと、該基板保持具支持テーブルに設けられ、該基板保持具テーブルに載置された前記基板保持具が転倒するのを防止する転倒防止具と、前記基板保持具支持テーブルを支持し、移動自在にされた支持部とを有することを特徴とする基板保持具装着治具。
【００８２】
（付記３）前記転倒防止具には、前記基板保持具の移動を規制する押圧部材が設けられている付記２の基板保持具装着治具。
【００８３】
（付記４）前記転倒防止具は、前記基盤保持具支持テーブルの欠切部の円弧に沿って複数設けられている付記２の基板保持具装着治具。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明が実施される半導体製造装置に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る基板保持具装着治具の概略を示す側面図である。
【図３】該基板保持具装着治具の分解斜視図である。
【図４】該基板保持具装着治具の基板保持具支持テーブルを示す平面図である。
【図５】本発明の要部を示し、転倒防止具にボートを固定していない状態を示す断面図である。
【図６】本発明の要部を示し、転倒防止具にボートを固定した状態を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態の要部を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１              処理炉
８              ボート
１３            シール蓋
２６            ボートエレベータ
２９            断熱部
３０            昇降アーム
３８            反応管着脱用台車
３９            基板保持具装着治具
４６            反応管支持テーブル
５２            治具ベース
５３            基板保持具支持テーブル
５５            転倒防止具
５６            欠切部
５７            保持具受け
６２            ローレットボルト
６４            底板
６６            コイルスプリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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