(57)【要約】      （修正有）【課題】より高い平坦性を有する平坦化物が得られる平坦化物の製造方法、平坦化物、及び被処理面の平坦化方法を提供する。【解決手段】少なくとも基材１を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光４ａ，４ｂ，４ｃを用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有する平坦化物の製造方法とする。また、平坦化物は、この平坦化物の製造方法で製造される。さらに、被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面２の最大突起５ａ，５ｂ，５ｃ長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とする。【選択図】図１
2010110897.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基材を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光を用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有することを特徴とする平坦化物の製造方法。
【請求項２】
前記近接場エッチング処理工程の前に、前記被処理面を事前に平坦化処理する前処理工程を設ける、請求項１に記載の平坦化物の製造方法。
【請求項３】
前記基材の表面を前記被処理面とする、請求項１又は２に記載の平坦化物の製造方法。
【請求項４】
前記近接場エッチング処理工程の前に、前記基材の上に第１セラミック層を形成する第１セラミック層形成工程を設け、前記第１セラミック層の表面を前記被処理面とする、請求項１又は２に記載の平坦化物の製造方法。
【請求項５】
前記近接場エッチング処理工程の後に、第２セラミック層を形成する第２セラミック層形成工程を設ける、請求項４に記載の平坦化物の製造方法。
【請求項６】
前記近接場エッチング処理工程の前に、前記基材の上に透明導電層を形成する透明導電層形成工程を設け、前記透明導電層の表面を前記被処理面とする、請求項１又は２に記載の平坦化物の製造方法。
【請求項７】
塩素が存在する雰囲気下に前記被処理面を保持し、該被処理面に存在する突起近傍で発光する近接場光によって塩素ラジカルを発生させ、該塩素ラジカルを前記突起と反応させて前記突起を除去することにより、前記近接場エッチング処理工程が行われる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の平坦化物の製造方法。
【請求項８】
前記平坦化物の表面の最大突起長（Ｒｍａｘ）が１０ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の平坦化物の製造方法。
【請求項９】
前記基材が樹脂フィルム又はガラス板である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の平坦化物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の平坦化物の製造方法で製造されることを特徴とする平坦化物。
【請求項１１】
前記平坦化物がガスバリア性シートである、請求項１０に記載の平坦化物。
【請求項１２】
近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、該被処理面の最大突起長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とすることを特徴とする被処理面の平坦化方法。
【請求項１３】
塩素が存在する雰囲気下に前記被処理面を保持し、該被処理面に存在する突起近傍で発光する近接場光によって塩素ラジカルを発生させ、該塩素ラジカルを前記突起と反応させて前記突起を除去することにより前記エッチングが行われる、請求項１２に記載の被処理面の平坦化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平坦化物の製造方法、この製造方法で得られる平坦化物、及び被処理面の平坦化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
食品や医薬品等の包装材料として用いられるガスバリア性シートにおいては、内容物の品質を劣化させる要因である酸素・水蒸気の影響を防ぐために、樹脂フィルム基材上にガスバリア層が形成されている。しかしながら、樹脂フィルム基材表面の凹凸により、ガスバリア層が樹脂フィルム基材の表面を十分に被覆することができない場合があり、十分なガスバリア特性を得ることが容易ではないという問題がある。
【０００３】
また、ディスプレイ用フィルム基板等、昨今ガラス基板にかわる電子デバイス用基板にも、素子の劣化を防ぐための酸素・水蒸気に対するガスバリア性が必要であるので、上記ガスバリア性シートの採用が試みられているが、樹脂フィルム基材表面の凹凸ひいてはガスバリア性シートの表面の凹凸により、十分な特性を有するものが得られていないのが現状である。さらに、有機ＥＬディスプレイ素子等の用途に用いられるガスバリア性シートにおいては、ガスバリア性シートの表面に設けられた透明導電層（電極）の凹凸（突起）により、電流が短絡するという問題もある。
【０００４】
以上から、樹脂フィルム基材の凹凸、ひいてはガスバリア性シート表面の凹凸を低減して、平坦な樹脂フィルム基材、ガスバリア性シートを得ることが重要な課題となっている。
【０００５】
こうした課題につき、特許文献１には、被加工物を、反応ガスを含む雰囲気中に配置し、被加工物に電気エネルギーまたは光エネルギーを加え、プラズマを発生させ、被加工物を構成する原子または分子を揮発性物質に変えて、被加工物の少なくとも片面を平滑化処理するもので、被加工物が基材自体、基材上にガスバリア層を積層したもの、基材上にガスバリア層、透明導電層を積層したものの中の少なくとも一つである平滑化処理方法が記載されている。
【０００６】
また、特許文献２には、チャンバー内に被加工物を配置し、チャンバー内に加圧状態のガスを噴出させて、断熱膨張によりガスクラスターを形成し、形成されたガスクラスターが電子を照射され、ガスクラスターイオンとなり、被加工物にこのガスクラスターイオンを照射して、被加工物の少なくとも片面を平滑化処理するもので、被加工物が基材自体、基材上にガスバリア層を積層したもの、基材上にガスバリア層、透明導電層を積層したものの中の少なくとも一つである平滑化処理方法が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−５０７１１号公報（請求項１、第００３０段落、第００３３段落、第００３８段落）
【特許文献２】特開２００４−５８４１５号公報（請求項１、第００３０段落、第００３３段落、第００３８段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１，２で採用される平滑化処理方法は、基材の表面等を大きく平坦化できる方法として非常に有用なものではある。しかしながら、ガスバリア性シートには、より高いガスバリア性、短絡を防止するためのより高い平坦性が求められるようになっており、さらなる平坦化を実現する新しい平坦化物の製造方法、被処理面の平坦化方法が求められている。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、より高い平坦性を有する平坦化物が得られる平坦化物の製造方法を提供することを目的とする。より具体的には、平坦化物表面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない平坦化物の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、より高い平坦性を有する平坦化物の製造方法で製造された平坦化物を提供することを目的とする。より具体的には、平坦化物表面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない平坦化物を提供することを目的とする。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、より高い平坦性を有する被処理面が得られる被処理面の平坦化方法を提供することを目的とする。より具体的には、被処理面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない被処理面が得られる被処理面の平坦化方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者が鋭意検討した結果、近接場光を用いて被処理面をエッチングする手法を利用することにより、被処理面をナノレベルで平坦化できることがわかった。より具体的には、近接場光を用いることにより、被処理面に存在する微小突起を選択的にエッチング除去できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１３】
上記課題を解決するための本発明の平坦化物の製造方法は、少なくとも基材を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光を用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有することを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、少なくとも基材を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光を用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有するので、被処理面をナノレベルで平坦化することができるようになり、その結果、より高い平坦性を有する平坦化物が得られる平坦化物の製造方法を提供することができる。
【００１５】
本発明の平坦化物の製造方法においては、前記近接場エッチング処理工程の前に、前記被処理面を事前に平坦化処理する前処理工程を設けることが好ましい。
【００１６】
この発明によれば、近接場エッチング処理工程の前に、被処理面を事前に平坦化処理する前処理工程を設けるので、近接場エッチング処理工程の前の段階であらかじめ平坦性が高い被処理面を得ることができ、微小突起を選択的にエッチングする近接場エッチングの利点をより発揮しやすくなり、その結果、より高い平坦性を有する被処理面を得やすくなる。
【００１７】
本発明の平坦化物の製造方法においては、前記基材の表面を前記被処理面とすることが好ましい。
【００１８】
この発明によれば、基材の表面を被処理面とするので、平坦化物表面の表面粗さに影響を与える一因となる基材表面の凹凸を除去してその表面の平坦性を高くすることができるようになり、その結果、平坦化物の平坦性をより高くしやすくなる。
【００１９】
本発明の平坦化物の製造方法においては、前記近接場エッチング処理工程の前に、前記基材の上に第１セラミック層を形成する第１セラミック層形成工程を設け、前記第１セラミック層の表面を前記被処理面とすることが好ましい。
【００２０】
この発明によれば、近接場エッチング処理工程の前に、基材の上に第１セラミック層を形成する第１セラミック層形成工程を設け、この第１セラミック層の表面を被処理面とするので、平坦化物表面の表面粗さに影響を与える一因となる第１セラミック層表面の凹凸を除去してその表面の平坦性を高くすることができるようになり、その結果、平坦化物の平坦性をより高くしやすくなる。
【００２１】
本発明の平坦化物の製造方法においては、前記近接場エッチング処理工程の後に、第２セラミック層を形成する第２セラミック層形成工程を設けることが好ましい。
【００２２】
この発明によれば、近接場エッチング処理工程の後に、第２セラミック層を形成する第２セラミック層形成工程を設けるので、平坦化された第１セラミック層の上に第２セラミック層をさらに形成することになり、その結果、表面突起のより少ない平坦化物が得やすくなる。
【００２３】
本発明の平坦化物の製造方法においては、前記近接場エッチング処理工程の前に、前記基材の上に透明導電層を形成する透明導電層形成工程を設け、前記透明導電層の表面を前記被処理面とすることが好ましい。
【００２４】
この発明によれば、近接場エッチング処理工程の前に、基材の上に透明導電層を形成する透明導電層形成工程を設け、透明導電層の表面を被処理面とするので、透明導電層表面を平坦化することができるようになり、その結果、平坦化物を、例えば有機ＥＬディスプレイ素子のような微小突起の影響を受けやすい電子デバイス・ディスプレーに適用できるようになる。
【００２５】
本発明の平坦化物の製造方法においては、塩素が存在する雰囲気下に前記被処理面を保持し、該被処理面に存在する突起近傍で発光する近接場光によって塩素ラジカルを発生させ、該塩素ラジカルを前記突起と反応させて前記突起を除去することにより、前記近接場エッチング処理工程が行われることが好ましい。
【００２６】
この発明によれば、塩素が存在する雰囲気下に被処理面を保持し、この被処理面に存在する突起近傍で発光する近接場光によって塩素ラジカルを発生させ、この塩素ラジカルを上記突起と反応させて突起を除去することにより、近接場エッチング処理工程が行われるので、被処理面に存在する微小突起を選択的にエッチング除去しやすくなり、その結果、平坦化物の平坦性をより高くしやすくなる。
【００２７】
本発明の平坦化物の製造方法においては、前記平坦化物の表面の最大突起長（Ｒｍａｘ）が１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
この発明によれば、平坦化物の表面の最大突起長（Ｒｍａｘ）が１０ｎｍ以下であるので、被処理面をナノレベルで平坦化することとなり、その結果、平坦化物の平坦性をより高くしやすくなる。
【００２９】
本発明の平坦化物の製造方法においては、前記基材が樹脂フィルム又はガラス板であることが好ましい。
【００３０】
この発明によれば、基材が樹脂フィルム又はガラス板であるので、平坦化物としてフィルム状のもの、又はガラス平板状のものを得ることができるようになり、その結果、ガスバリア性シートやガラス基材を用いた透明電極を提供できるようになる。
【００３１】
上記課題を解決するための本発明の平坦化物は、本発明の平坦化物の製造方法で製造されることを特徴とする。
【００３２】
この発明によれば、平坦化物が本発明の平坦化物の製造方法で製造されるので、被処理面をナノレベルで平坦化することができるようになり、その結果、より高い平坦性を有する平坦化物の製造方法で製造された平坦化物を提供することができる。
【００３３】
本発明の平坦化物においては、前記平坦化物がガスバリア性シートであることが好ましい。
【００３４】
この発明によれば、平坦化物がガスバリア性シートであるので、より高い平坦性が求められる分野に本発明の平坦化物を適用することになり、その結果、本発明を用いる意義が大きくなる。
【００３５】
上記課題を解決するための本発明の被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、該被処理面の最大突起長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とすることを特徴とする。
【００３６】
この発明によれば、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面の最大突起長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とするので、被処理面をナノレベルで平坦化することとなり、その結果、より高い平坦性を有する被処理面が得られる被処理面の平坦化方法を提供することができる。
【００３７】
本発明の被処理面の平坦化方法においては、塩素が存在する雰囲気下に前記被処理面を保持し、該被処理面に存在する突起近傍で発光する近接場光によって塩素ラジカルを発生させ、該塩素ラジカルを前記突起と反応させて前記突起を除去することにより前記エッチングが行われることが好ましい。
【００３８】
この発明によれば、塩素が存在する雰囲気下に被処理面を保持し、この被処理面に存在する突起近傍で発光する近接場光によって塩素ラジカルを発生させ、この塩素ラジカルを上記突起と反応させて突起を除去することによりエッチングが行われるので、被処理面に存在する微小突起を選択的にエッチング除去しやすくなり、その結果、被処理面の平坦性をより高くしやすくなる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の平坦化物の製造方法によれば、より高い平坦性を有する平坦化物が得られる平坦化物の製造方法を提供することができる。より具体的には、平坦化物表面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない平坦化物が得られる平坦化物の製造方法を提供することができる。
【００４０】
本発明の平坦化物によれば、より高い平坦性を有する平坦化物の製造方法で製造された平坦化物を提供することができる。より具体的には、平坦化物表面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない平坦化物を提供することができる。
【００４１】
本発明の被処理面の平坦化方法によれば、より高い平坦性を有する被処理面が得られる被処理面の平坦化方法を提供することができる。より具体的には、被処理面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない被処理面が得られる被処理面の平坦化方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
次に、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００４３】
［平坦化物の製造方法］
本発明の平坦化物の製造方法は、少なくとも基材を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光を用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有する。これにより、被処理面をナノレベルで平坦化することができるようになり、その結果、より高い平坦性を有する平坦化物が得られる平坦化物の製造方法を提供することができる。
【００４４】
（近接場エッチング処理工程）
近接場エッチング処理工程では近接場光を用いて被処理面がエッチングされる。すなわち、通常、微小な突起が存在する被処理面に光を照射すると、突起の先端に近接場光が発生するので、これを利用してこれら突起のエッチングを行うのである。こうしたエッチング方法は、特に制限はされないが、塩素が存在する雰囲気下に被処理面を保持し、この被処理面に存在する突起近傍で発光する近接場光によって塩素ラジカルを発生させ、この塩素ラジカルを突起と反応させて突起を除去する方法によって行われることが好ましい。これにより、被処理面に存在する微小突起を選択的にエッチング除去しやすくなり、その結果、平坦化物の平坦性をより高くしやすくなる。
【００４５】
図１は、近接場エッチング処理工程の一例を示す模式的概念図（断面図）である。図１に示すように、平坦化物の製造過程における中間品１を、不活性な塩素分子（光吸収端波長４００ｎｍ）を所定の圧力（例えば１００Ｐａ）で封入した雰囲気中に保持する。そして、中間品１の表面を被処理面２として、５３２ｎｍのレーザー光３（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー光、２Ｗ）を照射する。これにより、被処理面２の突起近傍５ａ，５ｂ，５ｃの部分で近接場光４ａ，４ｂ，４ｃが発光し、非断熱過程によって塩素分子を分解（塩素ラジカルが発生）して、この塩素ラジカルが突起５ａ，５ｂ，５ｃと反応することで、突起５ａ，５ｂ，５ｃのエッチングが行われる。そして、エッチングによって平坦化が進み、突起５ａ，５ｂ，５ｃが除去されると、近接場光が発生しなくなるので、エッチング反応が自動的に停止することになる。
【００４６】
なお、図１では、近接場エッチング処理工程での塩素が存在する雰囲気として不活性な塩素分子を所定の圧力で封入しているが、エッチング処理特性に応じて封入する圧力を適宜調整してもよい。また、照射する光としては、５３２ｎｍのレーザー光３（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー光、２Ｗ）に限られず、光発振器として、例えば、ＧａＡｓ等の半導体レーザー、ＡｒＦ等のガスレーザー等の各種レーザーを用いることもできる。また、レーザー光の強度も適宜調整すればよい。
【００４７】
（前処理工程）
近接場エッチング処理工程の前に、被処理面を事前に平坦化処理する前処理工程を設けることが好ましい。これにより、近接場エッチング処理工程の前の段階であらかじめ平坦性が高い被処理面を得ることができ、微小突起を選択的にエッチングする近接場エッチングの利点をより発揮しやすくなり、その結果、より高い平坦性を有する被処理面を得やすくなる。
【００４８】
すなわち、近接場エッチング処理工程は、上述のとおり、一般には、近接場光を用いて被処理面上に存在する微小な突起をエッチングするものである。このため、近接場エッチング処理工程での作用効果をより発揮する観点から、同工程が施される前にあらかじめ被処理面を前処理して、被処理面を微小な突起が存在する程度まで平坦化をしておくことが好ましい。こうした前処理工程は、特に制限はなく、従来公知の表面処理手法を適宜用いることができる。ただ、被処理面を相対的に平坦化し、被処理面の表面粗さに寄与する主要因が表面上の微小な突起となるようにするという観点からは、湿式エッチング、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により被処理面を研磨することが好ましい。また、通常のＣＭＰ法で用いられる研磨テープよりも細かい研磨テープが用い、よりソフトな研磨を行うことによりナノレベルの表面処理を行ってもよい。このように、前処理工程の際の手法・条件は、被処理面の材質、堅さ、粗さ等の諸条件を考慮して、最適なものを適宜選択すればよい。
【００４９】
（近接場エッチング処理工程を行うタイミング）
本発明の平坦化物の製造方法において、近接場エッチング処理工程が施されるタイミングは、特に制限されず、平坦化物の層構成に応じて適宜被処理面を選択すればよい。そこで、以下では、近接場エッチング処理工程を行う好ましいタイミングについてそのいくつかを説明する。具体的には、基板を被処理面とする例、第１セラミック層を被処理面とする例、及び透明導電層を被処理面とする例について説明する。
【００５０】
（イ）基板を被処理面とする例
本発明の平坦化物の製造方法においては、基材の表面を被処理面とすることが好ましい。すなわち、平坦化物に用いる基材の表面に対して近接場エッチング処理工程を施すことが好ましい。これにより、平坦化物表面の表面粗さに影響を与える一因となる基材表面の凹凸を除去してその表面の平坦性を高くすることができるようになり、その結果、平坦化物の平坦性をより高くしやすくなる。
【００５１】
基材としては、特に制限はないが、樹脂フィルム又はガラス板であることが好ましい。これにより、平坦化物としてフィルム状のもの、又はガラス平板状のものを得ることができるようになり、その結果、ガスバリア性シートやガラス基材を用いた透明電極を提供できるようになる。但し、被処理面の平坦性を向上させるという近接場エッチング処理工程の意義からは、基材の表面が一定程度の表面粗さを有することが好ましいので、基材として、平坦性の高いガラス板よりも、樹脂フィルムを用いることが好ましい。
【００５２】
基材に用いる樹脂フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリウレタンアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリイミド、ポリシルセスキオキサン、ポリノルボルネン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、環状ポリオレフィン等のフレキシブル基板を用いることができる。基材として用いる樹脂フィルムは、好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１５０℃以上の耐熱性を有するものが適当である。また、樹脂フィルムは、積層体として用いてもよい。
【００５３】
基材の厚さについても特に制限はないが、可とう性及び形態保持性の観点から、通常６μｍ以上、好ましくは１２μｍ以上、また、通常４００μｍ以下、好ましくは２５０μｍ以下の範囲とする。
【００５４】
基材は、基材準備工程において製造される。基材として樹脂フィルムを用いる場合には、その製造方法も従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。また、基材に延伸フィルムを用いてもよい。延伸の方法も従来公知の一般的な方法を用いればよい。延伸倍率は、基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ２〜１０倍とすることが好ましい。また、基材としてガラス板を用いる場合にも、その製造方法は従来公知の一般的な方法により製造することができる。
【００５５】
基材準備工程において製造された基材は、近接場エッチング処理工程、又は前処理工程及び近接場エッチング処理工程を施され、その表面が平坦化される。そして、基材の表面を平坦化することにより、製造される平坦化物の表面の粗さも抑えることができるようになる。上述のとおり、樹脂フィルムを用いた基材は、その表面が一定程度の粗さを有するので、近接場エッチング処理工程、又は前処理工程及び近接場エッチング処理工程を行う意義が大きい。
【００５６】
基材の表面を被処理面とする場合における、本発明の平坦化物の製造方法の具体的な工程例につき、以下その数例を紹介する。平坦化物を基材のみで構成する場合には、基材準備工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）、を行うことになる。また、平坦化物を基材／第１セラミック層で構成する場合には、基材準備工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）→第１セラミック層形成工程、を行うことになる。さらに、平坦化物を基材／第１セラミック層／第２セラミック層で構成する場合には、基材準備工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）→第１セラミック層形成工程→第２セラミック層形成工程、を行うことになる。そして、平坦化物を基材／第１セラミック層／第２セラミック層／透明導電層で構成する場合には、基材準備工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）→第１セラミック層形成工程→第２セラミック層形成工程→透明導電層形成工程、を行うことになる。なお、第１セラミック層形成工程、第２セラミック層形成工程、及び透明導電層形成工程についての詳細は後述する。また、基材と第１セラミック層との間、第１セラミック層と第２セラミック層との間、第２セラミック層と透明導電層との間に、他の層を挿入する場合には、所定の工程（所定の層の形成工程）を所定のタイミングで行えばよい。
【００５７】
（ロ）第１セラミック層を被処理面とする例
本発明の平坦化物の製造方法においては、近接場エッチング処理工程の前に、基材の上に第１セラミック層を形成する第１セラミック層形成工程を設け、この第１セラミック層の表面を被処理面とすることが好ましい。すなわち、基材上に直接又は他の層を介して第１セラミック層を設け、この第１セラミック層の表面に対して近接場エッチング処理工程を施すことが好ましい。これにより、平坦化物表面の表面粗さに影響を与える一因となる第１セラミック層表面の凹凸を除去してその表面の平坦性を高くすることができるようになり、その結果、平坦化物の平坦性をより高くしやすくなる。
【００５８】
第１セラミック層形成工程は、セラミック材料（無機材料）で第１セラミック層を形成するものであればよく特に制限はない。好ましいのは、第１セラミック層を、ガスバリア性を有する無機材料で形成することである。すなわち、第１セラミック層をガスバリア層とすることが好ましい。この場合、セラミック材料（無機材料）としては、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化インジウム、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ホウ素、酸化ハフニウム、酸化バリウム、酸化錫、酸化亜鉛等の酸化物；窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化マグネシウム等の窒化物；炭化珪素等の炭化物、硫化物等を挙げることができる。また、それらから選ばれた二種以上の複合体を用いてもよい。こうした複合体としては、例えば、２種以上の酸化物を用いる複合酸化物、２種以上の酸化物及び窒化物を用いる複合金属酸窒化物、酸素と窒素を含有する無機酸化窒化物、さらに炭素を含有してなる無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等を挙げることができる。より具体的には、無機酸化物（ＭＯｘ）、無機窒化物（ＭＮｙ）、無機炭化物（ＭＣｚ）、無機酸化炭化物（ＭＯｘＣｚ）、無機窒化炭化物（ＭＮｙＣｚ）、無機酸化窒化物（ＭＯｘＮｙ）、無機酸化窒化炭化物（ＭＯｘＮｙＣｚ）で、好ましいＭは、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属元素である。なかでも、ＭをＳｉとし、酸化珪素からなる膜は、透明性が高くかつガスバリア性も良好となり、一方、窒化珪素はさらに高いガスバリア性を発揮するので好ましく用いられる。特に好ましくは、酸化珪素と窒化珪素の複合体（無機酸化窒化物（ＳｉＯｘＮｙ））である。酸化珪素の含有量が多いと透明性が向上し、窒化珪素の含有量が多いとガスバリア性が向上する。その他、２種以上の酸化物を用いる複合酸化物として、例えば、ＭａＭｂＯｘ、ＭａＭｂＭｃＯｘ等を挙げることができる。さらに、２種以上の酸化物及び窒化物を用いる複合金属酸窒化物として、例えば、ＭａＭｂＯｘＮｙや、ＭａＭｂＭｃＯｘＮｙ等を挙げることができる。ここで、Ｍａ、Ｍｂ、及びＭｃは異なる金属元素を表し、それぞれ、例えば、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ等を挙げることができる。また、第１セラミック層には、上述の材料の他所定の添加剤や不純物が所定量含有されていてもよい。
【００５９】
第１セラミック層形成工程における第１セラミック層の形成方法は、特に制限はないが、セラミック材料（無機材料）を用いるという観点から、真空成膜法とすることが好ましい。具体的には、第１セラミック層は、真空蒸着法、スパッタリング法（例えば、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法）、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、及びプラズマＣＶＤ法等の方法を適用して形成される。これらの方法は、基材や第１セラミック層の種類、成膜材料の種類、成膜のし易さ、工程効率等を考慮して、適宜選択する。
【００６０】
第１セラミック層形成工程において形成される第１セラミック層（ガスバリア層）の厚さは、通常１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下とする。この範囲とすれば、ガスバリア性、フレキシビリティを確保しつつ、色味の調整もしやすくなり、生産性も確保しやすい。なお、第１セラミック層を被処理面として、近接場エッチング処理工程、又は前処理工程及び近接場エッチング処理工程を施す場合には、研磨による第１セラミック層の厚さの減少を考慮し、第１セラミック層形成工程において、上記減少分を予測して、厚さを所望の厚さよりも多少厚く形成することが好ましい。
【００６１】
第１セラミック層形成工程により、基材の上に第１セラミック層が形成されるが、第１セラミック層は、直接基材上に形成されてもよいし、基材と第１セラミック層との間に、接着性を確保するためのアンカー層や平坦性を確保するための平坦化層等の１以上の他の層を挿入し、これら各層の上に第１セラミック層を形成してもよい。
【００６２】
第１セラミック層形成工程において製造された第１セラミック層は、近接場エッチング処理工程、又は前処理工程及び近接場エッチング処理工程を施され、その表面が平坦化される。そして、第１セラミック層の表面を平坦化することにより、製造される平坦化物の表面の粗さも抑えることができるようになる。
【００６３】
第１セラミック層形成工程、近接場エッチング処理工程、又は前処理工程・近接場エッチング処理工程を経た後に、第２セラミック層を形成する第２セラミック層形成工程を設けることが好ましい。これにより、平坦化された第１セラミック層の上に第２セラミック層をさらに形成することになり、その結果、表面突起のより少ない平坦化物が得やすくなる。
【００６４】
第２セラミック層形成工程では、セラミック材料（無機材料）で第２セラミック層を形成するものであればよく特に制限はない。好ましいのは、第２セラミック層を、ガスバリア性を有する無機材料で形成することである。このように、第２セラミック層は、第１セラミック層で説明したものと同様の材料、製造方法、厚さ等で形成すればよいので、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。
【００６５】
第１セラミック層の表面を被処理面とする場合における、本発明の平坦化物の製造方法の具体的な工程例につき、以下その数例を紹介する。平坦化物を基材／第１セラミック層で構成する場合には、基材準備工程→第１セラミック層形成工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）、を行うことになる。さらに、平坦化物を基材／第１セラミック層／第２セラミック層で構成する場合には、基材準備工程→第１セラミック層形成工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）→第２セラミック層形成工程、を行うことになる。そして、平坦化物を基材／第１セラミック層／第２セラミック層／透明導電層で構成する場合には、基材準備工程→第１セラミック層形成工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）→第２セラミック層形成工程→透明導電層形成工程、を行うことになる。なお、透明導電層形成工程についての詳細は後述する。また、基材と第１セラミック層との間、第１セラミック層と第２セラミック層との間、第２セラミック層と透明導電層との間等に、他の層を挿入する場合には、所定の工程（所定の層の形成工程）を所定のタイミングで行えばよい。また、基材表面や透明導電層表面も被処理面として、これら被処理面に対して近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）をさらに行ってもよい。
【００６６】
（ハ）透明導電層を被処理面とする例
本発明の平坦化物の製造方法においては、近接場エッチング処理工程の前に、基材の上に透明導電層を形成する透明導電層形成工程を設け、この透明導電層の表面を被処理面とすることが好ましい。すなわち、基材上に直接又は他の層を解して透明導電層を設け、この透明導電層の表面に対して近接場エッチング処理工程を施すことが好ましい。これにより、透明導電層表面を平坦化することができるようになり、その結果、平坦化物を、例えば有機ＥＬディスプレイ素子のような微小突起の影響を受けやすい電子デバイス・ディスプレーに適用できるようになる。また、基材上に透明導電層を設けることで、平坦性を具備した透明電極とすることができる。ここで、基材に樹脂フィルムを用いれば透明電極フィルムとすることができ、基材にガラス板を用いれば透明電極板とすることができる。
【００６７】
透明導電層形成工程は、透明な導電材料で透明導電層を形成するものであればよく特に制限はない。透明導電層に用いる材料としては、例えば、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＩＺＯ又は銀等を挙げることができる。
【００６８】
透明導電層形成工程における透明導電層の形成方法は、特に制限はないが、例えば、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等のドライコート法、めっき法、印刷法、スプレーコート法等のウェットコート法を挙げることができる。
【００６９】
透明導電層形成工程において形成される透明導電層の厚さは、通常２ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下とする。この範囲とすれば、導電性を確保しつつ、それ自身の応力も制御されてフレキシビリティに優れ、透明性も高く保ちやすくなる。また、上記範囲とすれば、生産性も確保しやすくなる。なお、透明導電層を被処理面として、近接場エッチング処理工程、又は前処理工程及び近接場エッチング処理工程を施す場合には、研磨による透明導電層の厚さの減少を考慮し、透明導電層形成工程において、上記減少分を予測して、厚さを所望の厚さよりも多少厚く形成することが好ましい。
【００７０】
透明導電層形成工程により、基材の上に透明導電層が形成されるが、透明導電層は、直接基材上に形成されてもよいし、基材と透明導電層との間に、接着性を確保するためのアンカー層、平坦性を確保するための平坦化層、第１セラミック層、及び第２セラミック層等の１以上の他の層を挿入してもよい。透明導電層は電極として使用されるのが通常なので、透明導電層は平坦化物の最上面（表面）に設けられることが好ましい。
【００７１】
透明導電層形成工程において製造された透明導電層は、近接場エッチング処理工程、又は前処理工程及び近接場エッチング処理工程を施され、その表面が平坦化される。そして、透明導電層の表面を平坦化することにより、製造される平坦化物の表面の粗さも抑えることができるようになる。
【００７２】
透明導電層の表面を被処理面とする場合における、本発明の平坦化物の製造方法の具体的な工程例につき、以下その数例を紹介する。平坦化物を透明電極として用いるため、平坦化物を基材／透明導電層で構成する場合には、基材準備工程→透明導電層形成工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）、を行うことになる。ここで、基材と透明導電層との間に他の層を挿入する場合には、所定の工程（所定の層の形成工程）を所定のタイミングで行えばよい。また、基材表面も被処理面として、近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）をさらに行ってもよい。
【００７３】
さらに、平坦化物を透明電極付きのガスバリア性シート等として用いるため、平坦化物を基材／第１セラミック層／透明導電層で構成する場合には、基材準備工程→第１セラミック層形成工程→透明導電層形成工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）、を行うことになる。ここで、基材と第１セラミック層との間、第１セラミック層と透明導電層との間、に他の層を挿入する場合には、所定の工程（所定の層の形成工程）を所定のタイミングで行えばよい。また、基材表面や第１セラミック層表面を被処理面として、これら被処理面に対して近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）をさらに行ってもよい。
【００７４】
また、平坦化物を透明電極付きのガスバリア性シート等として用いるため、平坦化物を基材／第１セラミック層／第２セラミック層／透明導電層で構成する場合には、基材準備工程→第１セラミック層形成工程→第２セラミック層形成工程→透明導電層形成工程→近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）、を行うことになる。ここで、基材と第１セラミック層との間、第１セラミック層と第２セラミック層との間、及び第２セラミック層と透明導電層との間、に他の層を挿入する場合には、所定の工程（所定の層の形成工程）を所定のタイミングで行えばよい。また、基材表面や第１セラミック層表面を被処理面として、これら被処理面に対して近接場エッチング処理工程（必要に応じて近接場エッチング処理工程の前に前処理工程を行う。）をさらに行ってもよい。
【００７５】
（製造される平坦化物）
本発明の平坦化物の製造方法で製造される平坦化物の表面の最大突起長（Ｒｍａｘ）は、１０ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、被処理面をナノレベルで平坦化することとなり、その結果、平坦化物の平坦性をより高くしやすくなる。
【００７６】
以上説明した、本発明の平坦化物の製造方法を用いることにより、より高い平坦性を有する平坦化物が得られやすくなる。より具体的には、平坦化物表面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない平坦化物を提供しやすくなる。
【００７７】
［平坦化物］
本発明の平坦化物は、上述の本発明の平坦化物の製造方法で製造される。これにより、被処理面をナノレベルで平坦化することができるようになり、その結果、より高い平坦性を有する平坦化物の製造方法で製造された平坦化物を提供することができる。こうした平坦化物は、採用する層構成により種々の用途に用いることができ、例えば、食品や医薬品等の包装材料、タッチパネル、ディスプレイ用フィルム基板、照明用フィルム基板、太陽電池用フィルム基板、サーキットボード用フィルム基板等を挙げることができる。また、ディスプレイ用封止フィルム、照明用封止フィルム、太陽電池用封止フィルム、サーキットボード用封止フィルムなど従来ガラスを利用していたものに代替できる、軽くて割れない、曲げられる電子デバイス用部材に用いる封止フィルムとして本発明の平坦化物を利用することもできる。さらに、本発明の平坦化物は、ガラスや金属、ウエハー基板上に薄膜を形成した形態で利用することもできる。このように、表面の平坦性がナノレベルで要求されるような用途に本発明の平坦化物を採用することができるのである。以下に、上記用途に採用可能な本発明の平坦化物の具体例をいくつか説明する。
【００７８】
図２は、本発明の平坦化物の一例を示す模式的な断面図である。平坦化物１０ａは、基材６から構成され、基材６の表面を被処理面２として近接場エッチング処理工程が施されている。これにより平坦性の高い基材６を得ることができるので、所定の用途に平坦化物１０ａを用いることができるようになる。基材６の詳細についてはすでに説明したので、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。
【００７９】
図３は、本発明の平坦化物の他の一例を示す模式的な断面図である。平坦化物１０ｂは、基材６と、基材６上に形成された透明導電層７から構成され、透明導電層７の表面を被処理面２として近接場エッチング処理工程が施されている。なお、平坦化物１０ｂにおいては、透明導電層７の表面に対して近接場を用いたエッチングが行われているが、これに加えて又はこれに代えて、基材６の表面を被処理面として近接場エッチング処理工程を施してもよい。
【００８０】
平坦化物１０ｂでは、透明導電層７が電極として機能する。これにより平坦性の高い透明電極を得ることができるので、所定の用途に平坦化物１０ｂを用いることができるようになる。より具体的には、基材６を樹脂フィルムとすればフィルム状の透明電極とすることができ、基材６をガラス板とすれば板状の透明電極を得ることができる。基材６、透明導電層７の詳細についてはすでに説明したので、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。
【００８１】
本発明の平坦化物は、ガスバリア性シートであることが好ましい。これにより、より高い平坦性が求められる分野に本発明の平坦化物を適用することになり、その結果、本発明を用いる意義が大きくなる。そこで、以下では、本発明の平坦化物をガスバリア性シートとする場合の具体例のいくつかを説明する。
【００８２】
図４は、本発明の平坦化物のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。平坦化物１０ｃは、基材６と、基材６上に形成された第１セラミック層８と、から構成され、第１セラミック層８の表面を被処理面２として近接場エッチング処理工程が施されている。なお、平坦化物１０ｃにおいて、第１セラミック層８の表面に対して近接場を用いたエッチングが行われているが、これに加えて又はこれに代えて、基材６の表面を被処理面として近接場エッチング処理工程を施してもよい。
【００８３】
平坦化物１０ｃでは、第１セラミック層８がガスバリア層として機能する。これにより平坦性の高いガスバリア性シートを得ることができ、所定の用途に平坦化物１０ｃを用いることができるようになる。基材６、第１セラミック層８の詳細についてはすでに説明したので、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。
【００８４】
図５は、本発明の平坦化物のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。平坦化物１０ｄは、基材６と、基材６上に形成された第１セラミック層８と、第１セラミック層８上に形成された第２セラミック層９と、から構成され、第１セラミック層８の表面を被処理面２として近接場エッチング処理工程が施されている。なお、平坦化物１０ｄにおいて、第１セラミック層８の表面に対して近接場を用いたエッチングが行われているが、これに加えて又はこれに代えて、基材６の表面を被処理面として近接場エッチング処理工程を施してもよい。
【００８５】
平坦化物１０ｄでは、第１セラミック層８及び第２セラミック層９がそれぞれガスバリア層として機能する。これにより平坦性の高いガスバリア性シートを得ることができ、所定の用途に平坦化物１０ｄを用いることができるようになる。基材６、第１セラミック層８、及び第２セラミック層９の詳細についてはすでに説明したので、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。
【００８６】
図６は、本発明の平坦化物のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。平坦化物１０ｅは、基材６と、基材６上に形成された第１セラミック層８と、第１セラミック層８上に形成された第２セラミック層９と、第２セラミック層９上に形成された透明導電層７と、から構成され、第１セラミック層８の表面を被処理面２として近接場エッチング処理工程が施されている。なお、平坦化物１０ｅにおいて、第１セラミック層８の表面に対して近接場を用いたエッチングが行われているが、これに加えて又はこれに代えて、基材６及び／又は透明導電層７の表面を被処理面として近接場エッチング処理工程を施してもよい。
【００８７】
平坦化物１０ｅにおいては、第１セラミック層８及び第２セラミック層９がそれぞれガスバリア層として機能するとともに、透明導電層７が電極として機能する。これにより平坦性の高い透明電極付きのガスバリア性シートを得ることができ、所定の用途に平坦化物１０ｅを用いることができるようになる。基材６、第１セラミック層８、第２セラミック層９、及び透明導電層７の詳細についてはすでに説明したので、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。
【００８８】
以上説明した本発明の平坦化物によれば、より高い平坦性を有する平坦化物の製造方法で製造された平坦化物が得られやすくなる。より具体的には、平坦化物表面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない平坦化物が得られやすくなる。
【００８９】
［被処理面の平坦化方法］
本発明の被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面の最大突起長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とする。これにより、被処理面をナノレベルで平坦化することとなり、その結果、より高い平坦性を有する被処理面が得られる被処理面の平坦化方法を提供することができる。
【００９０】
近接場光を用いて被処理面をエッチングする方法は、特に制限されないが、塩素が存在する雰囲気下に被処理面を保持し、この被処理面に存在する突起近傍で発光する近接場光によって塩素ラジカルを発生させ、この塩素ラジカルを上記突起と反応させて突起を除去することにより行われることが好ましい。これにより、被処理面に存在する微小突起を選択的にエッチング除去しやすくなり、その結果、被処理面の平坦性をより高くしやすくなる。こうしたエッチングの方法は、すでに説明したとおりであるので、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。
【００９１】
以上説明した、本発明の被処理面の平坦化方法によれば、より高い平坦性を有する被処理面が得られる被処理面の平坦化方法を提供することができる。より具体的には、被処理面の凹凸が低減され、また電流短絡を引き起こす起因となる大きな突起がない被処理面が得られる被処理面の平坦化方法を提供することができる。
【実施例】
【００９２】
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００９３】
（実施例１）
基材として、ソーダライム研磨ガラス（セントラル硝子株式会社製、厚さ：０．７ｍｍ、Ｒｍａｘ：４ｎｍ）を用い、この研磨ガラス表面を被処理面として、近接場エッチング処理工程を行った。具体的には、上記ソーダライム研磨ガラスを純水超音波洗浄した後に、近接場エッチング装置にセットした。そして、同装置内を排気した後、塩素ガスを導入し、装置内圧力を１００Ｐａにした。次いで、５３２ｎｍのレーザー光（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー光、２Ｗ）を基板表面に照射し、１５０分経過後に、上記ソーダライム研磨ガラスを装置から取り出した。そして、近接場エッチング処理後の被処理面たるソーダライム研磨ガラスの表面粗さを測定したところ、Ｒｍａｘ＝１ｎｍとなっていた。
【００９４】
なお、被処理面の表面粗さ（Ｒｍａｘ）の測定は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）として、セイコーインスツルメンツ社製のＮａｎｏｐｉｃｓ−１０００を用い、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に準拠して、２０μｍの範囲にて最大突起長（Ｒｍａｘ）を測定することにより評価を行った。表面粗さの測定は、以下の実施例、比較例でも同様の方法を用いた。
【００９５】
（実施例２）
基材として、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポン株式会社製：Ｑ−６５Ｆ（商品名）、厚さ：２００μｍ）を用い、基材上に第１セラミック層としてのＳｉＯＮ膜を、ＲＦスパッタリング法（高純度化学製ＳｉＯＮターゲット：純度３Ｎ）にて、厚さ１００ｎｍとなるように形成して第１セラミック層形成工程を行った。次いで、超音波洗浄を５分間行い、１６０℃×１時間の高温処理を行った。
【００９６】
こうして得た中間品につき、第１セラミック層の表面を被処理面として近接場エッチング処理工程を行ったが、まず処理前に第１セラミック層の表面粗さを測定したところ、Ｒｍａｘ＝１５ｎｍであった。次いで、実施例１と同様の方法で、被処理面に対して近接場エッチング処理工程を施し、平坦化物を得た。その結果、処理後の被処理面（第１セラミック層）の表面粗さは、Ｒｍａｘ＝５ｎｍとなった。
【００９７】
（実施例３）
実施例２で得た中間品につき、被処理面たる第１セラミック層表面に対して近接場エッチング処理工程を行う前に、前処理工程として以下の処理を行った。すなわち、研磨装置（トッキ株式会社製：アルミナ研磨テープ１μｍ研磨剤）にて、表面研磨前処理（研磨圧力３０ｇ／ｃｍ２、揺動速度６０ｒｐｍ、研磨速度２ｍｍ／ｓｅｃ）を行った。次いで、超音波洗浄を５分間行い、１６０℃×１時間の高温処理を行った。上記研磨装置は、基本的にはＣＭＰ法を用いるものであり、通常のＣＭＰ法で用いられる研磨テープよりも細かい研磨テープが用いられることによりソフトな研磨が可能となり、ナノレベルの表面処理がされるようになっている。
【００９８】
ここで、研磨処理後の第１セラミック層表面の表面粗さを測定したところ、Ｒｍａｘ＝９ｎｍであった。
【００９９】
次いで、第１セラミック層の表面を被処理面として、実施例１と同様の方法で被処理面に対して近接場エッチング処理工程を施した。そして、近接場エッチング処理工程の後、第１セラミック層表面の表面粗さを測定したところ、Ｒｍａｘ＝３ｎｍであった。その後、さらに、実施例２と同様のＲＦスパッタリング法を用いて、第１セラミック層の上に第２セラミック層としてのＳｉＯＮ膜（厚さ１００ｎｍ）を形成して第２セラミック層形成工程を行った。得られた平坦化物の表面粗さ（第２セラミック層の表面粗さ）を測定したところ、Ｒｍａｘ＝３ｎｍとなった。
【０１００】
（比較例１）
前処理工程及び近接場エッチング処理工程を行わなかったこと以外は、実施例３と同様にして平坦化物を得た。第２セラミック層の表面粗さを測定したところ、Ｒｍａｘ＝２４ｎｍとなった。
【０１０１】
（実施例４）
実施例３で得られた平坦化物に対して、第２セラミック層上に、さらに透明導電層としてのＩＴＯを、ＤＣスパッタリング法（東ソー製ＩＴＯターゲット：純度３Ｎ）にて厚さ１５０ｎｍとなるように形成して透明導電層形成工程を行った。そして、透明導電層の表面粗さを測定したところ、Ｒｍａｘ＝８ｎｍとなった。
【０１０２】
（比較例２）
比較例１で得られた平坦化物に対して、第２セラミック層上に、さらに透明導電層としてのＩＴＯを、実施例４と同様にして形成した。そして、透明導電層の表面粗さを測定したところ、Ｒｍａｘ＝７１ｎｍとなった。
【０１０３】
（実施例５）
実施例４で得られた平坦化物に対して、透明導電層の表面を被処理面とし、実施例１と同様の方法で、被処理面に対して近接場エッチング処理工程を施した。処理後に、平坦化層の表面粗さ（透明導電層の表面粗さ）を測定したところ、Ｒｍａｘ＝２ｎｍとなった。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】近接場エッチング処理工程の一例を示す模式的概念図である。
【図２】本発明の平坦化物の一例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明の平坦化物の他の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の平坦化物のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明の平坦化物のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。
【図６】本発明の平坦化物のさらに他の一例を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１  中間品
２  被処理面
３  レーザー光
４，４ａ，４ｂ，４ｃ  近接場光
５，５ａ，５ｂ，５ｃ  突起
６  基材
７  透明導電層
８  第１セラミック層（ガスバリア層）
９  第２セラミック層（ガスバリア層）
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ  平坦化物
【図１】
2010110897.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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