(57)【要約】      （修正有）【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、一面に無電解めっき電極膜１１０が形成された基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と無電解めっき電極膜１１０の一面とを接続するボンディングワイヤ１５０とを含む。ここで、無電解めっき電極膜１１０の一面のボンディングワイヤ１５０との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に無電解めっき電極膜が形成された基板と、
前記基板の前記一面に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップと前記無電解めっき電極膜の一面とを接続するボンディングワイヤと、
を備え、
前記無電解めっき電極膜の前記一面の前記ボンディングワイヤとの接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の前記一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ボンディングワイヤは、前記無電解めっき電極膜との接合部における最小厚が２．０μｍ以上である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記無電解めっき電極膜は、無電解めっき金属層と、当該無電解めっき金属層の上に形成された無電解めっきＡｕ層とを含み、
前記無電解めっき金属層のビッカース硬度（Ｈｖ）が４００以上である半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記無電解めっき金属層が、Ｎｉを含む半導体装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の半導体装置において、
前記無電解めっき金属層は、無電解めっきＮｉ層と当該無電解めっきＮｉ層と前記無電解めっきＡｕ層との間に形成された無電解めっきＰｄ層とを含む半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記無電解めっき金属層の前記無電解めっきＮｉ層の膜厚が、１．０μｍ以上１５．０μｍ以下の範囲である半導体装置。
【請求項７】
請求項３から６いずれかに記載の半導体装置において、
前記無電解めっきＡｕ層の膜厚が、０．０１μｍ以上０．７μｍ以下の範囲である半導体装置。
【請求項８】
請求項１から７いずれかに記載の半導体装置において、
前記無電解めっき電極膜は、Ｐ（リン）を含む半導体装置。
【請求項９】
請求項１から７いずれかに記載の半導体装置において、
前記無電解めっき電極膜は、非晶質である半導体装置。
【請求項１０】
一面に無電解めっき電極膜が形成された基板と、前記基板の前記一面に搭載された半導体チップと、を備える半導体装置の前記半導体チップと前記無電解めっき電極膜の一面とをボンディングワイヤで接続する工程を含み、
当該ボンディングワイヤで接続する工程は、前記ボンディングワイヤの一部分をキャピラリの先端から導出し、当該キャピラリを前記無電解めっき電極膜の前記一面に当接して、当該一面の前記ボンディングワイヤとの接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の前記一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下となるようにして当該ボンディングワイヤの前記一部分を前記無電解めっき電極膜に接続する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングワイヤの前記一部分を前記無電解めっき電極膜に接続する工程において、前記ボンディングワイヤの前記無電解めっき電極膜との接合部における最小厚が２．０μｍ以上となるように、前記ボンディングワイヤの前記一部分を前記無電解めっき電極膜に接続する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングワイヤで接続する工程は、前記ボンディングワイヤの前記一部分を前記無電解めっき電極膜に接続する工程の前に、前記キャピラリの先端から前記ボンディングワイヤの一端を導出して当該一端を前記半導体チップに接続する工程をさらに含み、
前記ボンディングワイヤの前記一部分を前記無電解めっき電極膜に接続する工程において、前記一部分は、前記半導体チップに前記一端が接続された前記ボンディングワイヤの他の部分である半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを搭載する多層配線基板等の基板には、半導体チップの電極（パッド）とボンディングワイヤで接続するためのステッチと言われる金属膜が形成されている。従来、ステッチとしては、電解めっき法で形成された電解めっき電極膜が用いられていた。しかし、半導体チップの高集積化によりパッド数が増大し、ステッチから引き回される配線の密度が上昇し、電解めっき法で金属膜を形成するためのめっき用配線の配置を行うことが困難になってきた。そのため、今後はこのようなめっき用配線を必要としない、無電解めっき法での金属膜の形成が望まれている。
【０００３】
しかし、無電解めっき法で形成した無電解めっき電極膜は、電解めっき電極膜に比べると硬度が固く、これまでの電解めっき電極膜と同じ条件でワイヤボンディングを行なったのでは、良好な接続が得られないという問題があった。
【０００４】
特許文献１（特開２００１−２９８０３８号公報）には、無電解金（Ａｕ）／ニッケル（Ｎｉ）めっきテープキャリアの導体パターンのボンディングパッド部（ステッチ）と、半導体チップの素子電極（パッド）とを金ワイヤで接続するワイヤボンディングを、超音波併用熱圧着式ワイヤボンダにより、０．７５Ｗ（ワット）以上の超音波出力を与え、且つ１５〜３０ｇｆの低荷重で行うことが記載されている。これにより、無電解めっきテープキャリア上への良好な金ワイヤボンディング性が保証されるとされている。
【０００５】
特許文献２（特開２０００−２０８５４８号公報）には、（絶縁）基板上に形成した外部電極（ステッチ）と半導体素子と、前記外部電極と半導体素子（上のパッド）間を接続するＡｕワイヤとからなり、前記外部電極は前記絶縁基板上に形成したＣｕ配線膜と、該配線膜上に形成した多層金属膜とからなる半導体装置において、前記多層金属膜は最表面層に形成した無電解Ａｕめっき膜と、該無電解Ａｕめっき膜と前記Ｃｕ配線膜間に形成した下地金属膜からなり、該下地金属膜のビッカース硬度は略１００以下である構成が記載されている。
【０００６】
特許文献３（特開２００１−２７４２０２号公報）には、接着剤付き絶縁フィルム上に貼り合わせた銅箔に、ランド（外部接続用電極）を持つ配線パターンを形成してなるポッティングあるいはトランスファーモールドＢＧＡ（Ball Grid Array）用のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用テープにおいて、銅箔として、厚さが３μｍ〜２５μｍで、銅箔のビッカース硬さ（Ｈｖ：測定荷重１０ｇｆ）が１８０以上である硬い銅箔を用いる構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２９８０３８号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８５４８号公報
【特許文献３】特開２００１−２７４２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１においては、ワイヤボンディングを行う際の荷重や超音波等の条件を所定の範囲にすることにより、無電解めっきテープキャリア上への良好な金ワイヤボンディングが行えるとされている。
【０００９】
しかし、本発明者らは、鋭意検討した結果、無電解めっき電極膜を用いた場合に高いワイヤ接合力を得るためには、荷重や超音波等の条件というよりも、ボンディングワイヤの無電解めっき電極膜との接合部の根元の形状や無電解めっき電極膜のボンディングワイヤとの接合部の形状が重要であることを見出した。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、
一面に無電解めっき電極膜が形成された基板と、
前記基板の前記一面に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップと前記無電解めっき電極膜の一面とを接続するボンディングワイヤと、
を備え、
前記無電解めっき電極膜の前記一面の前記ボンディングワイヤとの接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の前記一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である半導体装置が提供される。
【００１１】
本発明によれば、
一面に無電解めっき電極膜が形成された基板と、前記基板の前記一面に搭載された半導体チップと、を備える半導体装置の前記半導体チップと前記無電解めっき電極膜の一面とをボンディングワイヤで接続する工程を含み、
当該ボンディングワイヤで接続する工程は、前記ボンディングワイヤの一部分をキャピラリの先端から導出し、当該キャピラリを前記無電解めっき電極膜の前記一面に当接して、当該一面の前記ボンディングワイヤとの接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の前記一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下となるようにして当該ボンディングワイヤの前記一部分を前記無電解めっき電極膜に接続する工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
この構成によれば、無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、高いワイヤ接合力を得ることができる。ボンディングワイヤを無電解めっき電極膜に接続する際には、キャピラリを用いて、キャピラリを無電解めっき電極膜に押しつけるため、硬さの固い無電解めっき電極膜にボンディングワイヤを接続しようとすると、無電解めっき電極膜の凹みが大きくなっていた。しかし、本発明者らは、鋭意検討した結果、無電解めっき電極膜にボンディングワイヤを接続する場合、ボンディングワイヤの無電解めっき電極膜との接合部の根元のつぶれが少ない方が高いワイヤ接合力が得られることを見出した。また、本発明者らは、このようなボンディングワイヤの形状を得るためには、無電解めっき電極膜のボンディングワイヤとの接合部の窪み量が１．５μｍ以下となるようにすることが好ましいことを見出した。
【００１３】
従来、電解めっき電極膜を用いた場合は、電解めっき電極膜自体が柔らかかったため、電解めっき電極膜のボンディングワイヤとの接合部の形状がワイヤ接合力に与える影響は極めて軽微であったと考えられる。また、特許文献１〜３に記載の技術では、このような無電解めっき電極膜のボンディングワイヤとの接合部の形状は考慮していない。特許文献１には、荷重や超音波等の条件が記載されているが、後述するように、このような条件では、無電解めっき電極膜の接合部の形状を適切に形成することができない。
【００１４】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における無電解めっき電極膜上にボンディングワイヤが接合される際の手順を示す拡大断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における無電解めっき電極膜とボンディングワイヤとの接合部を示す拡大断面図である。
【図６】無電解めっき電極膜とボンディングワイヤとの引っ張り強度と無電解めっき電極膜のボンディングワイヤとの接合部の窪み量との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１８】
図１は、本実施の形態における半導体装置の製造手順を示す断面図である。
半導体装置１００は、一面に無電解めっき電極膜１１０（ステッチ）が形成された基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１２０とを含む。本実施の形態において、基板１０２は、複数の配線層と絶縁層とが積層された多層配線基板とすることができる。ここで、無電解めっき電極膜１１０は、基板１０２両表面の少なくとも片方に形成された構成とすることができる。
【００１９】
本実施の形態において、半導体チップ１２０の基板１０２と接着した面と反対側の面には、電極パッド１２２が形成されている。ここでは、電極パッド１２２と無電解めっき電極膜１１０の基板１０２と接する面とは反対側の一面とをボンディングワイヤ１５０で接続する手順を説明する。なお、本実施の形態において、半導体装置１００のパッケージ構造は、とくに限定されず、たとえばＢＧＡ（Ball Grid Array）やＬＧＡ（Land Grid Array）等とすることができる。
【００２０】
無電解めっき電極膜１１０は、基板１０２表面のＣｕ配線層（不図示）上に形成された無電解めっき金属層と、当該無電解めっき金属層の上に形成された無電解めっきＡｕ層とを含む構成とすることができる。無電解めっき金属層は、ビッカース硬度（Ｈｖ）が４００以上とすることができる。本実施の形態において、無電解めっき金属層は、無電解めっきＮｉ層を含むことができる。無電解めっきＮｉ層は、たとえば、パラジウム触媒を含む触媒溶液に基板１０２を浸漬させ、基板１０２表面のＣｕ配線層（不図示）の表面にパラジウムを置換させた後にＮｉの無電解めっきを行うことにより形成することができる。この後、Ａｕの無電解めっきを行うことにより無電解めっきＡｕ層を形成することができる。
また、無電解めっきＮｉ層と無電解めっきＡｕ層との間には、無電解めっきＰｄ(パラジウム)層が形成された構成とすることもできる。これにより、はんだ接続信頼性を向上させることができる。この場合、基板１０２表面のＣｕ配線層（不図示）の表面に無電解めっきＮｉ層を形成した後、パラジウムおよびＡｕの無電解めっきを行うことにより無電解めっきＰｄ層および無電解めっきＡｕ層を形成することができる。
ここで、無電解めっきＮｉ層の膜厚は、たとえば１．０μｍ以上１５．０μｍ以下の範囲とすることができる。また、無電解めっきＡｕ層の膜厚は、たとえば０．０１μｍ以上０．７μｍ以下の範囲とすることができる。本実施の形態において、一例として、無電解めっき電極膜１１０は、たとえば無電解Ｎｉ層（膜厚約５μｍ）の上に無電解めっきＰｄ層（膜厚約０．０３μｍ）、さらにその上に無電解めっきＡｕ層（膜厚約０．０５μｍ）が形成された構成とすることができる。
また、ここで、無電解めっき電極膜１１０は、Ｐ（リン）を含むかまたは非晶質とすることができ、この点で電解めっき膜と異なる。たとえば、無電解めっきＮｉ層は、Ｐ（リン）を含むかまたは非晶質とすることができる。
【００２１】
ボンディングワイヤ１５０の接続は、キャピラリ２００およびカットクランプ２０２を用いて行う。キャピラリ２００の先端からは、ボンディングワイヤ１５０が導出される。カットクランプ２０２は、ボンディングワイヤ１５０を保持するとともに切断する。
【００２２】
まず、キャピラリ２００の先端からボンディングワイヤ１５０の一端を導出して当該一端を電極パッド１２２に接続する（図１（ａ））。次いで、電極パッド１２２に一端が接続されたボンディングワイヤ１５０の他の部分をキャピラリ２００の先端から導出し、キャピラリ２００を無電解めっき電極膜１１０の一面に当接して、ボンディングワイヤ１５０の他の部分を無電解めっき電極膜１１０に接合する（図１（ｂ））。
【００２３】
この手順を図２および図３を参照して詳細に説明する。
まず、キャピラリ２００の先端にボンディングワイヤ１５０の一端を導出した状態（ＳＴＥＰ０）で、スパークロッド２０４とボンディングワイヤ１５０との間でボール形成のための放電を行い、ボンディングワイヤ１５０の先端に初期ボール１５２を形成する（ＳＴＥＰ１）。次いで、電極パッド１２２に向かってキャピラリ２００を降下させ（ＳＴＥＰ２）、初期ボール１５２が電極パッド１２２に接した後、所定の条件の荷重および超音波を印加しながら初期ボール１５２を電極パッド１２２に接合する（ＳＴＥＰ３）。この際、基板１０２（図１参照）は所定の温度に加熱されている。この後、キャピラリ２００を引き上げ，ボンディングワイヤ１５０を繰り出す（ＳＴＥＰ４）。
【００２４】
次いで、キャピラリ２００を無電解めっき電極膜１１０の一面上に移動させ（ＳＴＥＰ５）、そのまま、キャピラリ２００を無電解めっき電極膜１１０の一面に当接して、所定の条件の荷重および超音波を印加しながら、ボンディングワイヤ１５０の他の部分を無電解めっき電極膜１１０に接合する（ＳＴＥＰ６）。この後、キャピラリ２００を引き上げ、金線を繰り出した後（ＳＴＥＰ７）、カットクランプ２０２によりボンディングワイヤ１５０を挟みながら、無電解めっき電極膜１１０から引きちぎる（ＳＴＥＰ８）。以上で、１本分のボンディングワイヤ１５０のボンディングが完了し、ＳＴＥＰ０の状態となり、以降、ＳＴＥＰ１から所定分のボンディングワイヤ１５０のボンディングを繰り返す。
【００２５】
図４は、無電解めっき電極膜１１０上にボンディングワイヤ１５０が接合される際の手順を示す拡大断面図である。また、図５は、無電解めっき電極膜１１０とボンディングワイヤ１５０との接合部を示す拡大断面図である。
【００２６】
キャピラリ２００の先端から導出されたボンディングワイヤ１５０は、キャピラリ２００の先端と無電解めっき電極膜１１０との間に挟まれた状態で、無電解めっき電極膜１１０に接する（図４（ａ））。次いで、キャピラリ２００には、所定の条件の荷重および超音波が印加される。この後、キャピラリ２００が引き上げられる（図４（ｂ））。
【００２７】
ここで、基板の加熱温度、キャピラリに印加される荷重および超音波の条件により、ボンディングワイヤ１５０の無電解めっき電極膜１１０との接合部の根元の形状や無電解めっき電極膜１１０のボンディングワイヤ１５０との接合部の形状が決定される。本実施の形態において、無電解めっき電極膜１１０の一面のボンディングワイヤ１５０との接合部において、当該接合部の最下部の深さ（図５の線Ｂ）と当該接合部以外の前記一面の最高部の高さ（図５の線Ａ）との差である窪み量ｄが１．５μｍ以下となる条件でボンディングワイヤ１５０を無電解めっき電極膜１１０に接合する。このような構成とすることにより、後述するように、信頼性の高いワイヤ接合力が得られる。
【００２８】
また、本実施の形態において、窪み量ｄは、０．０５μｍ以上となるようにすることができる。このような構成とすることにより、無電解めっき電極膜１１０膜表面の不活性膜が破壊され、その下層の活性膜を露出することができ、無電解めっき電極膜１１０とボンディングワイヤ１５０との電気的接続を良好にすることができ、製造安定性を向上することができる。
【００２９】
また、ボンディングワイヤ１５０は、無電解めっき電極膜１１０との接合部である根元の最小厚（図５でＤ部と記載：）が２．０μｍ以上となるように形成することができる。ここで、Ｄ部は、キャピラリ２００を無電解めっき電極膜１１０に当接した際のキャピラリ２００とボンディングワイヤ１５０との接点ｃから基板１０２方向に垂線ｄを引いた際の、接点ｃと無電解めっき電極膜１１０との間の距離とすることができる。たとえば、ボンディングワイヤ１５０は、無電解めっき電極膜１１０との接合部である根元の最小厚が、他の部分のボンディングワイヤ１５０の径の１０％以上となるようにすることができる。このような構成とすることにより、後述するように、信頼性の高いワイヤ接合力が得られる。
【実施例】
【００３０】
以下の条件で、図１から４を参照して説明した手順で無電解めっき電極膜１１０にボンディングワイヤ１５０を接続する際に荷重、および超音波を異ならせて、窪み量ｄがほぼゼロ、０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ、および３．０μｍとなるようにワイヤボンディングを実施した。窪み量ｄは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）により観測した。
【００３１】
無電解めっき電極膜１１０へのボンディングワイヤ１５０のワイヤボンディングはカイジョー社製の装置名ＦＢ−７８０を用いて、以下の条件で行った。条件は代表的な一例である。
（ａ）温度１５０℃、荷重２０ｇｆ、超音波出力５０：窪み量ｄ：０μｍ以上１．５μｍ以下
（ｂ）温度１５０℃、荷重５０ｇｆ、超音波出力１００：窪み量ｄ：１．５μｍより大２．０μｍ未満
（ｃ）温度１５０℃、荷重１５０ｇｆ、超音波出力１５０：窪み量ｄ：２．０μｍ以上
【００３２】
図６は、無電解めっき電極膜とボンディングワイヤとの引っ張り（ＰＵＬＬ）強度と無電解めっき電極膜のボンディングワイヤとの接合部の窪み量ｄとの関係を示す図である。ここでは、ばらつきを考慮し、Ａｖｅ-３σとなる引っ張り強度（ｇf）の値を示す。σは標準偏差である。
【００３３】
引っ張り強度は、ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３に従って測定した。図６に示したように、無電解めっき電極膜１１０の窪み量ｄが小さいほど良好な引っ張り強度を得ることができた。規格２．５ｇｆ以上とすると、無電解めっき電極膜１１０の窪み量ｄは、１．５μｍ以下とすることができる。これにより、良好なボンディング性および高いワイヤ接合力を確保することができる。
【００３４】
さらに、窪み量ｄが１．５μｍ以下の試料について、無電解めっき電極膜１１０との接合部のボンディングワイヤ１５０の膜厚を測定機構付の顕微鏡で測定したところ、最小厚が２μｍ以上であった。また、この値は、ボンディングワイヤ１５０の他の部分の径（初期値）２０μｍの１０％以上であった。一方、窪み量ｄが２．０μｍ以上の試料について、無電解めっき電極膜１１０との接合部のボンディングワイヤ１５０の膜厚を測定機構付の顕微鏡で測定したところ、最小厚が２μｍ未満と薄くなっていた。
【００３５】
以上から、無電解めっき電極膜１１０のボンディングワイヤ１５０との接合部の形状が所定の範囲となるようにワイヤボンディングを行うことにより、ボンディングワイヤ１５０の無電解めっき電極膜１１０との接合部の根元の形状を良好にすることができることが明らかになった。また、これにより、無電解めっき電極膜１１０にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得ることができることが明らかになった。
【００３６】
なお、以上の実施例で用いた装置の超音波の出力値をＷ（ワット）換算したところ、超音波出力１００では約０．５Ｗ、超音波出力１５０では約１．１０Ｗであった。これにより、特許文献１に記載の条件のように、超音波の出力が０．７５Ｗ程度と大きくなると、上述した条件（ｃ）に該当し、無電解めっき電極膜の窪み量ｄが２．０μｍ以上と大きくなる。この場合、ボンディングワイヤの無電解めっき電極膜との接合部の根元の形状が好ましい形状とならず、無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、ボンディングワイヤの信頼性の高いワイヤ接合力が得られず、量産製造範囲が狭くなることがわかる。
【００３７】
また、窪み量ｄが測定値でゼロの場合も良好な引っ張り強度が得られているが、無電解めっき電極膜１１０膜表面の不活性膜を破壊し、その下層の活性膜を露出させて無電解めっき電極膜１１０とボンディングワイヤ１５０との電気的接続を良好にして、製造安定性を向上させる観点からは、窪み量ｄは、０．０５μｍ以上となるようにすることが好ましい。
【００３８】
次に、本実施の形態における半導体装置１００の効果を説明する。
ステッチにボンディングワイヤを接続する際は、キャピラリによりボンディングワイヤが押されるため、ステッチの材料硬さが固いほどボンディングワイヤの根元がつぶれやすくなる。本発明者らは、鋭意検討した結果、硬さの固い無電解めっき電極膜１１０にボンディングワイヤ１５０を接続する場合、ボンディングワイヤ１５０の無電解めっき電極膜１１０との接合部の根元のつぶれが少ない方が高いワイヤ接合力が得られることを見出した。また、本発明者らは、このようなボンディングワイヤ１５０の形状を得るためには、無電解めっき電極膜１１０のボンディングワイヤ１５０との接合部の窪み量が１．５μｍ以下となるようにすることが好ましいことを見出した。
【００３９】
また、無電解めっき電極膜１１０のボンディングワイヤ１５０との接合部の窪み量を小さくすることにより、ワイヤボンディング時にキャピラリと無電解めっき電極膜１１０とが受けるひずみを軽減することができる。このため、キャピラリの摩耗も少なく（量産性向上）、無電解めっき電極膜１１０およびその下層の多層基板内部の配線に与えるダメージ（マイクロクラック、耐Ｔ／Ｃ）の可能性等も低減することができる。これにより、半導体装置１００の信頼性向上を図ることもできる。
【００４０】
一つの半導体装置１００（パッケージ）には、数百もの多数のボンディングワイヤ１５０が存在するため、製造時に各ボンディングワイヤ１５０の接続状態を観察するのは困難である。そのため、信頼性の高い接合を行っておく必要がある。本実施の形態における半導体装置１００の構成によれば、無電解めっき電極膜１１０への良好なワイヤボンディングを行うことができ、半導体装置１００を高い信頼性で安定的に製造することができる。
【００４１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００４２】
１００ 半導体装置
１０２ 基板
１１０ 無電解めっき電極膜
１２０ 半導体チップ
１２２ 電極パッド
１５０ ボンディングワイヤ
１５２ 初期ボール
２００ キャピラリ
２０２ カットクランプ
２０４ スパークロッド
【図１】
2010251483.tif 000003
【図２】
2010251483.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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