(57)【要約】【課題】  磁気センサの素子面上に保護金属カバーを備えた磁気センサ組立体において、磁気センサの磁気抵抗効果素子を形成する抵抗ブリッジの中点電位差が環境温度の影響を受けて大きく変化し、設計値に対してオフセットを生じる。【解決手段】  保護金属カバーのうち磁気抵抗効果素子と対向する面の一部を薄肉化して凹部を形成する。磁気抵抗効果素子と保護金属カバーとの間隔が局部的に広くなることで、環境温度の影響を受けて保護金属カバーと磁気センサの素子面との対向状態が変化しても、磁気抵抗効果素子内の温度分布が不均一になり難く、中点電位差が変化しにくい磁気センサ組立体となる。【選択図】      図１
2010223652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に外部磁界の変化を検出する磁気抵抗効果素子と前記磁気抵抗効果素子からの信
号を伝える配線部と基板の表裏を貫通する貫通電極に前記配線部を接続する電極部とが形
成された磁気センサと、前記磁気センサの素子面上に設けられた保護金属カバーとからな
る磁気センサ組立体において、
前記保護金属カバーのうち前記磁気抵抗効果素子と対向する面の一部が薄肉化され、少な
くとも前記磁気抵抗効果素子の一つと対向する凹部が形成されていることを特徴とする磁
気センサ組立体。
【請求項２】
基板上に外部磁界の変化を検出する磁気抵抗効果素子と前記磁気抵抗効果素子からの信
号を伝える配線部と外付け配線に前記配線部を接続する電極部とが形成された磁気センサ
と、前記磁気センサの素子面上に設けられた保護金属カバーとからなる磁気センサ組立体
において、
前記保護金属カバーのうち前記磁気抵抗効果素子と対向する面の一部が薄肉化され、少な
くとも前記磁気抵抗効果素子の一つと対向する凹部と前記外付け配線と対向する凹部とが
形成されていることを特徴とする磁気センサ組立体。
【請求項３】
前記保護金属カバーが樹脂を介して前記磁気センサの素子面上に設けられていることを
特徴とする請求項１および請求項２に記載の磁気センサ組立体。
【請求項４】
前記保護金属カバーが非磁性ステンレスからなることを特徴とする請求項１ないし請求
項３に記載の磁気センサ組立体。
【請求項５】
前記保護金属カバーの凹部が前記保護金属カバーのハーフエッチングにより形成されて
いることを特徴とする請求項１ないし請求項４に記載の磁気センサ組立体。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５に記載の磁気センサ組立体と磁気媒体とからなることを特徴と
する磁気エンコーダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、磁気センサ素子面上に保護金属カバーを備えた磁気センサ組立体および磁
気エンコーダに関するもので、特に、外部磁界検出素子である磁気抵抗効果素子を形成す
る抵抗ブリッジの中点電位差が環境温度の影響を受けて変化しにくく、耐腐食環境性に優
れた磁気センサ組立体および磁気エンコーダに関する。
【背景技術】
【０００２】
図９は、従来の磁気センサ組立体１０の一例を示す断面模式図である。なお、図９の磁
気センサ組立体１０は、磁気センサ１の出力信号を処理する回路基板と、筐体５から外部
に信号を取出す引き出し配線の図示を省略している。
【０００３】
磁気センサ１は、非磁性の基板１ａ上に外部磁界の変化を検出する磁気抵抗効果素子１
ｂと、磁気抵抗効果素子１ｂからの出力信号を伝える配線部１ｃと、基板１ａの表裏を貫
通する貫通電極１ｆに配線部１ｃを接続する電極部１ｄとが形成され、その表面は保護層
１ｅで覆われ、磁気抵抗効果素子１ｂからの出力信号は、基板１ａの裏面に設けられた裏
面電極１ｇから外部に取出される。
【０００４】
磁気抵抗効果素子１ｂは、磁気抵抗効果を示す複数の抵抗からなる抵抗ブリッジにより
形成され、外部磁界に対する抵抗変化を、抵抗ブリッジの中点電位差として出力する。一
般に、中点電位差は環境温度に対して特性変化が生じないように、常温で外部磁界が無い
条件で零に近くなるように設計される。
【０００５】
図９の磁気センサ組立体１０では、磁気センサ１の素子面に樹脂４を介して保護金属カ
バー２が取り付けられて、保護金属カバー２が筐体５に固定される。保護金属カバー２は
、外部からの衝撃や外部の腐食環境から磁気センサ１の素子面を保護するものであり、適
度に強度があり外部磁界の検出に影響を与えない非磁性の薄肉金属、例えばアルミや銅、
非磁性ステンレス箔等が用いられる。
【０００６】
上記のように、磁気センサの素子面に薄肉の保護金属カバーを備えた磁気センサ組立体
の構造は、例えば、特許文献１などに開示されている。特許文献１は、磁気センサ（特許
文献１では磁気抵抗素子Ｍとしている）の素子面に非磁性の保護金属カバーを設けた構造
であり、保護金属カバーは磁気センサと対向する面部分に薄肉部が設けられ、薄肉部が形
成する凹部に磁気センサが遊挿された状態で、磁気センサと保護金属カバーとが一体化し
ている。特許文献１は、保護金属カバーに薄肉部が設けられているものの、磁気センサの
素子全面と保護金属カバーが対向している点では、図９の磁気センサ組立体と同じ構造で
ある。
【０００７】
また、磁気センサの素子面に、絶縁層を介して高熱伝導率を有する非磁性材料の温度分
布緩和部材を設けた磁気センサ組立体の構造が、特許文献２に開示されている。特許文献
２の実施例では、温度分布緩和部材としてアルミ箔を用いた例が開示されており、磁気セ
ンサの素子面に絶縁層を介して、高熱伝導率を有する非磁性の温度分布緩和部材を設ける
ことで、素子内温度分布が不均一になり難く、磁気抵抗効果素子を形成する抵抗ブリッジ
の中点電位差が設計値に対してオフセット量を生じ難くすることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平６−２６０６９７号  公報
【特許文献２】特開２００４−１８６２７１号  公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本願発明者らは、図９のような磁気センサ組立体１０を、保護金属カバー２に厚さ１０
０μｍの非磁性ステンレスを用いて作製した。保護金属カバー２に非磁性ステンレスを用
いた理由は、非磁性ステンレスは厚さ１００μｍでも適当な強度があり磁気センサ１に取
り付け易く、磁気センサ１の素子面を外部の衝撃から保護できて、酸やアルカリに対して
耐腐食性があるためである。耐腐食環境性に優れた磁気センサ組立体１０にするためには
、材料の加工性や材料費を考えると、非磁性ステンレスからなる保護金属カバー２とする
のが好ましいものである。
【００１０】
磁気センサ１に非磁性ステンレスからなる保護金属カバー２を取り付けた磁気センサ組
立体１０の特性を評価したところ、磁気抵抗効果素子１ｂを形成する抵抗ブリッジの中点
電位差のオフセット量は、保護金属カバー２を取り付ける前に比べて僅かに小さくなる。
これは、引用文献２に示されるように、非磁性ステンレスからなる保護金属カバー２によ
り、磁気抵抗効果素子１ｂを形成する抵抗ブリッジの中点電位差が設計値に対してオフセ
ット量を生じ難くする効果と考えられる。
【００１１】
特許文献２の実施例に示されるように、非磁性ステンレスよりも熱伝導率の高いアルミ
や銅の保護金属カバー２とすれば、素子内温度分布はより一層不均一になり難く、中点電
位差が設計値に対してオフセット量を生じ難くできると考えられる。しかし、酸やアルカ
リに対して腐食性のあるアルミや銅の保護金属カバー２にするのは、耐腐食環境性に優れ
た磁気センサ組立体１０とする上で好ましいとは言えない。
【００１２】
上記の磁気センサ組立体１０を、ヒートショック試験（−２５℃〜８５℃×１００サイ
クル）に供し、試験後に磁気抵抗効果素子１ｂを形成する抵抗ブリッジの中点電位差を測
定したところ、ヒートショック試験前と比べて、磁気抵抗効果素子１ｂを形成する抵抗ブ
リッジの中点電位差が設計値に対して大きいオフセット量を生じていた。設計値に対する
中点電位差のオフセット量が大きくなってしまうと、磁気センサ組立体１０の温度特性が
悪くなるので好ましいことではない。
【００１３】
さらに、ヒートショック試験後の磁気センサ組立体１０を分解し、保護金属カバー２を
取り外して、再度、中点電位差を測定したところ、設計値に対する中点電位差のオフセッ
ト量は小さくなり、磁気センサ１単体の中点電位差のオフセット量に回復した。以上から
、ヒートショック試験後に中点電位差のオフセット量が大きくなった原因は、保護金属カ
バー２に関係していることが明らかである。
【００１４】
ヒートショック試験では、磁気センサ１と保護金属カバー２を接着する樹脂４とが膨張
・収縮を繰り返すが、樹脂４と磁気センサ１、あるいは樹脂４と保護金属カバー２との熱
膨張差から、一部の接着界面で僅かに剥がれが生じたり、熱サイクルにより樹脂４自体が
僅かに劣化して、一部試験前の状態に戻らなかったりする可能性がある。従って、ヒート
ショック試験後に中点電位差のオフセット量が大きくなった原因は、保護金属カバー２と
磁気センサ１の素子面との対向状態が変化して、磁気抵抗効果素子１ｂ内温度分布がより
不均一になったためと考えられる。
【００１５】
磁気センサ１の素子面に保護金属カバー２を設けて、上記のような問題を回避するには
、保護金属カバー２をより薄肉の金属にして熱拡散効果を高めるか、樹脂４を厚くするこ
とで磁気抵抗効果素子１ｂと保護金属カバー２との間隔を広くして、磁気抵抗効果素子１
ｂに与える保護金属カバー２の影響を小さくする２通りの方法が考えられる。
【００１６】
しかし、これらいずれの方法にも以下のような問題がある。図１０は、図９の磁気セン
サ組立体１０と磁気媒体２０とを組合せて磁気エンコーダ３０を形成した例を示す模式図
である。磁気センサ組立体１０と磁気媒体２０とは、エアギャップｇ’をもって組み立て
られ、磁気センサ１の磁気抵抗効果素子１ｂと磁気媒体２０とは、磁気ギャップｇをもっ
て対向する。
【００１７】
保護金属カバー２をより薄肉にしようとする場合、保護金属カバー２の強度が問題にな
る。保護金属カバー２は磁気センサ１の取り付け時に歪まないことが重要である。保護金
属カバー２が歪むと、組立時に磁気ギャップｇを制御しにくくなるのと同時に、磁気媒体
２０に対して磁気センサ１が傾いて取り付けられてしまう可能性がある。磁気媒体２０に
対する磁気センサ１の姿勢を制御するのは、磁気センサ１の磁界検出特性を安定化させる
上で重要である。保護金属カバー２をより薄肉にするのは、磁気センサ１の取り付け時に
歪みを生じる可能性があるので好ましい方法とは言えない。
【００１８】
また、保護金属カバー２の厚さをそのままにして、保護金属カバー２と磁気センサ１の
素子面との間の樹脂４を厚くしようとすると、磁気センサ組立体１０と磁気媒体２０との
間のエアギャップｇ’が小さくなってしまう。エアギャップｇ’は、磁気媒体２０の取り
付け誤差や磁気媒体２０自身に生じる振動などによって、ある範囲をもって変動するもの
であり、磁気エンコーダ３０はこの変動を考慮に入れて設計する必要がある。また、エア
ギャップｇ’は、異物等の噛み込みにより磁気エンコーダ３０が誤動作しないよう、余裕
を持った間隔で設計する必要もある。更に、エアギャップｇ’は、高精度の磁気エンコー
ダ３０を設計しようとする場合、磁気媒体２０上の信号ピッチが狭くなると共に磁気媒体
２０からの漏洩磁界が小さくなるので、できるだけ小さく設計する必要もある。以上の理
由から、磁気センサ組立体１０と磁気媒体２０とを組合せて磁気エンコーダ３０とするの
に、樹脂４を厚くしてエアギャップｇ’を小さくするのは、磁気センサ組立体の配置の設
計自由度を下げてしまうので好ましい方法とは言えない。
【００１９】
本願発明は上記問題を解決すべく発明されたもので、磁気センサ素子面上に保護金属カ
バーを備えた磁気センサ組立体および磁気エンコーダに関して、特に、外部磁界検出素子
である磁気抵抗効果素子を形成する抵抗ブリッジの中点電位差が環境温度の影響を受けて
変化しにくく、外部磁界に対する配置の設計自由度が高く、非磁性ステンレスからなる保
護金属カバーとすることで耐腐食環境性に優れた磁気センサ組立体および磁気エンコーダ
を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本願発明の磁気センサ組立体は、基板上に外部磁界の変化を検出する磁気抵抗効果素子
と前記磁気抵抗効果素子からの信号を伝える配線部と基板の表裏を貫通する貫通電極に前
記配線部を接続する電極部とが形成された磁気センサと、前記磁気センサの素子面上に設
けられた保護金属カバーとからなる磁気センサ組立体であって、前記保護金属カバーのう
ち前記磁気抵抗効果素子と対向する面の一部が薄肉化され、少なくとも前記磁気抵抗効果
素子の一つと対向する凹部が形成されていることを特徴としている。
【００２１】
また、本願発明の磁気センサ組立体は、基板上に外部磁界の変化を検出する磁気抵抗効
果素子と前記磁気抵抗効果素子からの信号を伝える配線部と外付け配線に前記配線部を接
続する電極部とが形成された磁気センサと、前記磁気センサの素子面上に設けられた保護
金属カバーとからなる磁気センサ組立体であって、前記保護金属カバーのうち前記磁気抵
抗効果素子と対向する面の一部が薄肉化され、少なくとも前記磁気抵抗効果素子の一つと
対向する凹部と前記外付け配線と対向する凹部とが形成されていることも特徴としている
。
【００２２】
さらに、本願発明の磁気センサ組立体は、前記保護金属カバーが樹脂を介して前記磁気
センサの素子面上に設けられていることも特徴としている。
【００２３】
さらに、本願発明の磁気センサ組立体は、前記保護金属カバーが非磁性ステンレスから
なることも特徴としている。
【００２４】
さらに、本願発明の磁気センサ組立体は、前記保護金属カバーの薄肉部が前記保護金属
カバーのハーフエッチングにより形成されていることも特徴としている。
【００２５】
さらに、本願発明では、前記磁気センサ組立体と磁気媒体とからなる磁気エンコーダで
あることも特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本願発明によれば、磁気センサ素子面上に保護金属カバーを備えた磁気センサ組立体お
よび磁気エンコーダにおいて、保護金属カバーのうち磁気抵抗効果素子と対向する面の一
部を薄肉化して、少なくとも磁気抵抗効果素子の一つと対向する凹部を形成することで、
外部磁界検出素子である磁気抵抗効果素子の中点電位差が環境温度の影響を受けて変化し
にくく、外部磁界に対する配置の設計自由度が高く、非磁性ステンレスからなる保護金属
カバーとすることで耐腐食環境性に優れた磁気センサ組立体および磁気エンコーダにする
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施例の磁気センサ組立体の断面模式図である。
【図２】実施例の保護金属カバーの上面模式図である。
【図３】実施例の磁気センサおよび磁気センサ組立体における中点電位差の変化を示す図である。
【図４】比較例の磁気センサおよび磁気センサ組立体における中点電位差の変化を示す図である。
【図５】他の実施例の磁気センサ組立体の断面模式図である。
【図６】他の実施例の保護金属カバーの上面模式図である。
【図７】他の実施例の磁気センサ組立体の断面模式図である。
【図８】他の実施例の保護金属カバーの上面模式図である。
【図９】従来の磁気センサ組立体の一例を示す断面模式図である。
【図１０】従来の磁気エンコーダの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本願発明について図面を参照しながら実施例に基づいて詳細に説明する。説明を
判り易くするため、同一の部品、部位には同じ符号を用いている。
【００２９】
（実施例１）
図１は、本願発明の磁気センサ組立体１０の一例を示す断面模式図である。なお、図１
の磁気センサ組立体１０は、磁気センサ１の出力信号を処理する回路基板と、筐体５から
外部に信号を取出す引き出し配線の図示を省略している。
【００３０】
磁気センサ１は、非磁性の基板１ａ上に外部磁界の変化を検出する磁気抵抗効果素子１
ｂと、磁気抵抗効果素子１ｂからの出力信号を伝える配線部１ｃと、基板１ａの表裏を貫
通する貫通電極１ｆに配線部１ｃを接続する電極部１ｄが形成され、その表面は保護層１
ｅで覆われ、磁気抵抗効果素子１ｂからの出力信号は、基板１ａの裏面に設けられた裏面
電極１ｇから外部に取出される。
【００３１】
具体的には、非磁性の基板１ａとして、７ｍｍ×７ｍｍで厚さ０．５ｍｍのガラス基板
を用い、基板１ａ上には、ＮｉＦｅ系薄膜からなる磁気抵抗効果素子１ｂと、Ｃｕ／Ｃｒ
積層膜からなる配線部１ｃと、Ｎｉ／Ｃｒ積層膜からなる電極部１ｄとを、フォトリソグ
ラフィー技術によりパターニング形成した。素子表面には、保護層１ｅとして厚さ１μｍ
のＳｉＯ膜と、厚さ３μｍのポリイミド樹脂を順に成膜した。基板１ａには、予め開けた
貫通孔にＡｇフィラーを含む導電性樹脂を充填して硬化した貫通電極１ｆを設け、基板裏
面には、貫通電極１ｆと接続して磁気センサ１の出力信号を取出す裏面電極１ｇを、Ａｕ
／Ｎｉ／Ｃｒ積層膜のパターニングで形成した。
【００３２】
磁気抵抗素子１ｂは、ＮｉＦｅ系薄膜を短冊状にパターニングした４本の抵抗を接続し
て、ホイートストンブリッジを形成したもので、入力電圧５Ｖに対する抵抗ブリッジの中
点電位差を磁気センサ１の出力とした。なお、本実施例では、抵抗ブリッジを形成する個
々の抵抗値は４００Ωとした。
【００３３】
磁気センサ組立体１０は、上記の磁気センサ１の素子面に樹脂４を介して保護金属カバ
ー２を取り付け、最後に保護金属カバー２を筐体５に固定した。
【００３４】
具体的には、上記の方法で作製した磁気センサ１の素子面に、エポキシ樹脂からなる樹
脂４を塗布し、保護金属カバー２を押しつけながら熱硬化して、磁気センサ１と保護金属
カバー２を接着した。本実施例では、磁気センサ１と保護金属カバー２との間の樹脂の厚
さは５μｍとした。磁気センサ１を貼り付けた保護金属カバー２は、導電性樹脂（図示な
し）で筐体５に固定した。
【００３５】
図２に保護金属カバー２の上面模式図を示す。本実施例では、保護金属カバー２に厚さ
１００μｍのＳＵＳ３１６Ｌ製の箔を用いたが、オーステナイト系の非磁性ステンレスで
あるＳＵＳ３０４やＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１０Ｓ製の箔を用いても良い。保護金属カバ
ー２は、磁気抵抗効果素子１ｂと対向する面の一部分をハーフエッチングで薄肉化し、磁
気抵抗効果素子１ｂと対向する凹部３を形成した。なお、ハーフエッチングで薄肉化した
凹部３の深さは６５μｍである。保護金属カバー２を一部分だけ薄肉化したことで、保護
金属カバー２が組立中に歪むことは無く、磁気センサ１の素子面と平行に保護金属カバー
２を取り付けることができた。
【００３６】
以上の手順で作製した５個の磁気センサ組立体１０を用いて、組立前の磁気センサ１単
体、保護金属カバー２を取り付けて磁気センサ組立体１０とした後、ヒートショック試験
（−２５℃〜８５℃×１００サイクル）後、の３状態における中点電位差を評価した。
【００３７】
図３に、上記３状態において中点電位差を評価した結果を示す。組立前における磁気セ
ンサ１単体の設計値に対する中点電位差のオフセット量と比較して、保護金属カバー２を
取り付けた後のオフセット量は小さくなった。これは、非磁性ステンレスからなる保護金
属カバー２を取り付けたことで、素子内温度分布が不均一になり難くかったためと考えら
れる。
【００３８】
さらに、ヒートショック試験後の磁気センサ組立体１０の中点電位差を評価したところ
、設計値に対するオフセット量はヒートショック試験前と変化が無かった。これは、磁気
抵抗効果素子１ｂと対向する凹部３を設けたことで、磁気抵抗効果素子１ｂと保護金属カ
バー２との間隔が局部的に広いので、熱サイクルにより保護金属カバー２と磁気センサ１
の素子面との対向状態が変化しても、磁気抵抗効果素子１ｂ内温度分布が不均一になり難
かったためと考えられる。以上の結果から、本実施例の磁気センサ組立体１０は、ヒート
ショック試験のような環境温度の影響を受けても、中点電位差が変化しにくい構成である
ことが確認できた。
【００３９】
（比較例１）
比較例として、実施例１の磁気センサ組立体１０を、凹部３が形成されていない保護金
属カバー２を用いて作製した。保護金属カバー２以外は、実施例１の磁気センサ組立体と
同じ部材を用い、同じ手順で作製した。
【００４０】
図４に、比較例として作製した５個の磁気センサ組立体１０を用いて、中点電位差のを
評価した結果を示す。本比較例では、実施例１と同じように、組立前の磁気センサ１単体
、保護金属カバー２を取り付けて磁気センサ組立体１０とした後、ヒートショック試験（
−２５℃〜８５℃×１００サイクル）後、に加えて、磁気センサ組立体１０を分解して保
護金属カバー２を取り外した後、の４状態で中点電位差を評価した。
【００４１】
組立前の磁気センサ１単体の中点電位差と比較して、保護金属カバー２を取り付けた後
のオフセット量は小さくなった。これは実施例１の結果と同じである。さらに、ヒートシ
ョック試験後の磁気センサ組立体１０の中点電位差を評価したところ、設計値に対する中
点電位差のオフセット量は大きくなってしまった。これは、熱サイクルにより保護金属カ
バー２と磁気センサ１の素子面との対向状態が変化して、磁気抵抗効果素子１ｂ内温度分
布が不均一になってしまったためと考えられる。
【００４２】
磁気センサ組立体１０を分解して保護金属カバー２を取り外した後では、中点電位差の
オフセット量は磁気センサ１単体の測定値に回復した。従って、ヒートショック試験後に
中点電位差のオフセット量が大きくなった原因が、保護金属カバー２が取り付けられてい
ることにあることは明らかである。
【００４３】
以上、比較例１と実施例１の評価結果を比較することで、磁気抵抗効果素子１ｂと対向
する面の一部分をハーフエッチングにより薄肉化し、磁気抵抗効果素子１ｂと対向する凹
部３が形成された保護金属カバー２を取り付けることで、磁気抵抗効果素子１ｂの中点電
位差が環境温度の影響を受けて変化しにくい磁気センサ組立体１０にできることが確認で
きた。
【００４４】
（実施例２）
本願発明の他の実施例として、図５の断面模式図に示される磁気センサ組立体１０につ
いて説明する。なお、図５の磁気センサ組立体１０においても、磁気センサ１からの出力
信号を処理する回路基板と、筐体５から外部に信号を取出す引き出し配線の図示を省略し
ている。
【００４５】
図５に示される磁気センサ組立体１０の磁気センサ１は、非磁性の基板１ａ上に外部磁
界の変化を検出する磁気抵抗効果素子１ｂと、磁気抵抗効果素子１ｂからの出力信号を伝
える配線部１ｃと、外付け配線７に配線部１ｃを接続する電極部１ｄとが形成されている
。外付け配線７と配線部１ｃははんだ６で接続されている。
【００４６】
具体的には、外付け配線７には厚さ４５μｍのＦＰＣ配線を用い、はんだ５にはＡｇ−
Ｓｎ系の鉛フリーはんだを用いた。その他の部材は実施例１の磁気センサ１と同じものを
用いた。
【００４７】
磁気抵抗素子１ｂは、ＮｉＦｅ系薄膜を短冊状にパターニングした４本の抵抗を接続し
て、ホイートストンブリッジを形成したもので、入力電圧５Ｖに対する抵抗ブリッジの中
点電位差を磁気センサ１の出力とした。なお、本実施例では、抵抗ブリッジを形成する個
々の抵抗値は４００Ωとした。
【００４８】
磁気センサ組立体１０は、上記の磁気センサ１の素子面に樹脂４を介して保護金属カバ
ー２を取り付けて、保護金属カバー２を筐体５に固定したものである。これら取り付け手
順は、実施例１の磁気センサ組立体１０と同じである。
【００４９】
図６に保護金属カバー２の上面模式図を示す。本実施例でも、保護金属カバー２に厚さ
１００μｍのＳＵＳ３１６Ｌ製の箔を用いた。保護金属カバー２は、磁気抵抗効果素子１
ｂと対向する面の一部分をハーフエッチングにより薄肉化し、磁気抵抗効果素子１ｂと対
向する凹部３と外付け配線７と対向する凹部３’を形成した。なお、ハーフエッチングに
よる凹部３の深さは６５μｍである。保護金属カバー２を一部分だけ薄肉化したことで、
保護金属カバー２が組立中に歪むことは無く、磁気センサ１の素子面と平行に保護金属カ
バー２を取り付けることができた。
【００５０】
以上の手順で作製した５個の磁気センサ組立体１０について、組立前の磁気センサ１単
体、保護金属カバー２を取り付けて磁気センサ組立体１０とした後、ヒートショック試験
（−２５℃〜８５℃×１００サイクル）後、の３状態で設計値に対する中点電位差のオフ
セット量を測定したところ、いずれの状態においても、中点電位差のオフセット量が大き
く変化することはなく、中点電位差が環境温度の影響を受けて変化しにくい磁気センサ組
立体１０であることが確認できた。
【００５１】
（実施例３）
本願発明の他の実施例として、図７の断面模式図に示される磁気センサ組立体１０につ
いて説明する。なお、図７の磁気センサ組立体１０も、磁気センサ１からの出力信号を処
理する回路基板と、筐体５から外部に信号を取出す引き出し配線の図示を省略している。
【００５２】
図７に示される磁気センサ組立体１０の磁気センサ１は、非磁性の基板１ａ上に外部磁
界の変化を検出する磁気抵抗効果素子１ｂおよび１ｂ’と、磁気抵抗効果素子１ｂおよび
１ｂ’からの出力信号を伝える配線部１ｃと、外付け配線７に配線部１ｃを接続する電極
部１ｄとが形成されている。外付け配線７と配線部１ｃははんだ６で接続されている。
【００５３】
具体的には、外付け配線７には厚さ４５μｍのＦＰＣ配線を用い、はんだ５にはＡｇ−
Ｓｎ系の鉛フリー半田を用いた。その他の部材は実施例１の磁気センサ１と同じものを用
いた。
【００５４】
本実施例の磁気センサ１は、磁気抵抗効果素子を２つ備えており、磁気抵抗効果素子１
ｂおよび１ｂ’は、それぞれＮｉＦｅ系薄膜を短冊状にパターニングした４本の抵抗を接
続して、ホイートストンブリッジを形成したもので、入力電圧５Ｖに対する抵抗ブリッジ
の中点電位差を磁気センサ１の出力とした。本実施例では、磁気抵抗効果素子１ｂの抵抗
ブリッジを形成する個々の抵抗値を４００Ωとし、磁気抵抗効果素子１ｂ’の抵抗ブリッ
ジを形成する個々の抵抗値を７０００Ωとした。
【００５５】
磁気センサ組立体１０は、上記の磁気センサ１の素子面に樹脂４を介して保護金属カバ
ー２を取り付けて、保護金属カバー２を筐体５に固定したものである。これら取り付け手
順は、実施例１の磁気センサ組立体１０と同じである。
【００５６】
図８に保護金属カバー２の上面模式図を示す。本実施例でも、保護金属カバー２に厚さ
１００μｍのＳＵＳ３１６Ｌ製の箔を用いた。保護金属カバー２は、磁気抵抗効果素子１
ｂと対向する面の一部分をハーフエッチングにより薄肉化し、磁気抵抗効果素子１ｂと対
向する凹部３と外付け配線７と対向する凹部３’を形成した。なお、ハーフエッチングの
エッチング深さは６５μｍである。保護金属カバー２の一部分だけ薄肉化することで、保
護金属カバー２が組立中に歪むことは無く、磁気センサ１の素子面と平行に保護金属カバ
ー２を取り付けることができた。なお、保護金属カバー２の、磁気抵抗効果素子１ｂ’と
対向する面部分には凹部は形成しなかった。
【００５７】
以上の手順で作製した５個の磁気センサ組立体１０を用いて、組立前の磁気センサ１単
体、保護金属カバー２を取り付けて磁気センサ組立体１０とした後、ヒートショック試験
（−２５℃〜８５℃×１００サイクル）後、の３状態で設計値に対する中点電位差のオフ
セット量を測定したところ、いずれの状態においても、中点電位差のオフセット量が大き
く変化することはなく、中点電位差が環境温度の影響を受けて変化しにくい磁気センサ組
立体１０であることが確認できた。
【００５８】
磁気抵抗効果素子１ｂ’の保護金属カバー２と対向する面部分に凹部を形成しなかった
にもかかわらず、磁気抵抗効果素子１ｂ’の中点電位差のオフセット量が大きく変化しな
かったのは、抵抗ブリッジを形成する個々の抵抗の抵抗値が大きく発熱量が小さいので、
素子内温度分布が不均一になり難かったためである。従って、本願発明の特徴である保護
金属カバー２の凹部は、磁気抵抗効果素子の発熱量に応じて、設けるか否かを決めること
ができる。更に、本願発明の効果は、凹部のハーフエッチング量で制御することも可能で
ある。
【００５９】
以上の実施例で作製した磁気センサ組立体１０は、磁気ドラムや磁気テープなどの磁気
媒体と組合せて、磁気エンコーダにすることができる。本願発明の磁気エンコーダは、磁
気センサ１の素子面が保護金属カバー２で覆われているので外部からの衝撃に強く、非磁
性ステンレスからなる保護金属カバー２とすることで耐腐食環境性に優れた磁気エンコー
ダにすることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１    磁気センサ、
１ａ  基板、
１ｂ，１ｂ’  磁気抵抗効果素子、
１ｃ  配線部、
１ｄ  電極部、
１ｅ  保護層、
１ｆ  貫通電極、
１ｇ  裏面電極、
２    保護金属カバー、
３，３’  凹部、
４    樹脂、
５    筐体、
６    はんだ、
７    外付け配線、
１０  磁気センサ組立体、
２０  磁気媒体、
３０  磁気エンコーダ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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