(57)【要約】【課題】  各単位回路に関する移動度補償の実行時間をばらつかせない。【解決手段】電気光学装置は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子、発光素子に駆動電流を出力する駆動トランジスター、駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る第１トランジスター、及び、一端が駆動トランジスターのゲートに接続され他端がデータ線に接続されたデータ書込用トランジスター、を含む単位回路を複数備える。前記各種のトランジスターは、それぞれ、走査線に含まれる各配線に供給される制御信号によって制御されるが、移動度補償動作時において、これらのうちの第１トランジスターを導通状態とする際には、その制御信号として、ランプ波形を含む前記第１制御信号（ＧＥＬ[ｉ]）が利用される。【選択図】図４
2010266498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、を含む電気光学装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、
前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターに前記駆動電流を流すか否かを司る第１トランジスターと、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、
を含み、
前記複数の走査線の各々は、
当該走査線の延在方向に沿って並ぶ前記第１トランジスターのゲートに、当該第１トランジスターの導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての第１制御信号の伝送路となる第１制御線を含み、
前記走査線駆動回路は、
所定のタイミングにおいて、
前記第１制御線に、前記第１トランジスターを導通状態とする、ランプ波形を含む前記第１制御信号を供給する、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の走査線の各々は、前記第１制御線のほか、
前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給するか否かを決める前記スイッチング素子の導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての第２制御信号の伝送路となる第２制御線を含み、
前記走査線駆動回路は、
前記第２制御線に、前記スイッチング素子を導通状態とする前記第２制御信号を供給している最中において、
前記第１制御線に、前記ランプ波形を含む前記第１制御信号を供給する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記ランプ波形は、
前記第１制御信号が一のレベルから他のレベルへ至るまでの遷移時間をＴｓ１、
前記他のレベルから前記一のレベルへ至るまでの遷移時間をＴｓ２、
前記Ｔｓ１の開始時点から前記Ｔｓ２の終了時点までの時間をＴａ、とする場合において、
（Ｔｓ１＋Ｔｓ２）／Ｔａ＞０．５
が成立するように定められる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、電源線と、を含む電気光学装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
発光素子と、
前記発光素子と前記電源線との間に介挿された駆動トランジスターと、
前記電源線と前記駆動トランジスターとの間に介挿された第１トランジスターと、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、
を含み、
前記複数の走査線の各々は、
当該走査線の延在方向に沿って並ぶ前記第１トランジスターのゲートに電気的に接続された第１制御線を含み、
前記走査線駆動回路は、
開始パルスをクロック信号に従って転送して転送パルスを生成するシフトレジスターと、
前記転送パルスを契機にランプ波形を生成し、前記第１制御線に供給する回路と、
を備える、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、ゲートに供給されるデータ電位に応じた前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記発光素子に前記駆動電流を供給するか否かを司る発光制御トランジスターと、を備えた電気光学装置 の駆動方法であって、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され他端が前記データ電位を供給するデータ線に接続されたスイッチング素子を導通状態として前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給する第１工程と、
前記第１工程の最中において、前記発光制御トランジスターを導通状態とするランプ波形を含む発光制御信号によって、前記発光制御トランジスターを導通状態とする第２工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（ｅｌectro luminescent）素子等の発光素子を含む電気光学装置、及びその駆動方法、並びに、当該電気光学装置を含む電子機器法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これにより、当該有機薄膜ないしは有機ＥＬ素子は発光する。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１及び２に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１３３２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような有機ＥＬ素子は、適当な構成をもつ駆動回路によって駆動される。駆動回路としては例えば、駆動トランジスターのゲート電位に応じてそのソース・ドレイン間に流れる電流を有機ＥＬ素子に供給するものがある。この場合、そのゲート電位の調整を通じて、有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等が可能になる。
もっとも、このような駆動回路には様々な解決すべき課題がある。例えば、その１つに、前記駆動トランジスターの移動度、あるいは閾値電圧等の各種特性のバラツキがある。前述した画像表示装置は通常、多数の有機ＥＬ素子、及びそれら各々に付随する前記駆動トランジスターを含む駆動回路を備えるが、製造プロセス上の各種パラメータのバラツキ等が要因となって、これら複数の駆動トランジスターの各々の特性がばらつけば、各有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等にもバラツキが生じることになり、その結果、表示画像の品質向上の障害となる。
【０００５】
前記特許文献１は、このような課題に関する技術を開示する。すなわち、特許文献１は、発光制御トランジスター、駆動トランジスター及び有機ＥＬ素子が直列に接続され、このうち駆動トランジスターのゲートにデータ電位書込用トランジスターが接続された構成をもつ駆動回路において、移動度補償動作を実行する技術を開示する。特許文献１では、この移動度補償動作は、以下の２つの動作、即ち〔１〕発光制御トランジスターをオフ状態、データ書込用トランジスターをオン状態として、前者のゲートにデータ電位を書込む動作（書込動作）と、〔２〕発光制御トランジスターをオン状態、データ書込用トランジスターをオフ状態として、駆動トランジスター由来の電流を有機ＥＬ素子に供給する動作（発光動作）と、の間において実行され、具体的には、〔３〕発光制御トランジスター及びデータ書込用トランジスターをともにオン状態として、駆動トランジスターに移動度に応じた電流を流す工程を含む（特許文献１の〔図５〕中の「Ｔ６」及び「Ｔ７」間、あるいは〔００３１〕等参照）。
この〔３〕の動作により、駆動トランジスターのソース電位は、自身を流れる電流によって上昇し、その結果、ゲート・ソース間電圧は小さくなるが、その電流の減衰度は各駆動トランジスターの移動度に応じることから、結局、個々の駆動トランジスターに関して前記〔３〕の動作を同一の時間だけ実行すれば、それら各々のゲート・ソース間電圧は、当該各々の移動度の大きさに応じた値をもつことになる（つまり、個々の駆動トランジスターに関する移動度特性のバラツキが補償される。）。
【０００６】
しかしながら、この特許文献１の技術では、次のような問題がある。すなわち、前記〔３〕の動作を好適に行うためには、その実行時間の長短が極めて重要になる。つまり、前述の〔１〕と〔３〕との間を画する発光制御トランジスターをオン状態とする時間と、前述の〔３〕と〔２〕との間を画するデータ書込用トランジスターをオフ状態とする時間とが、個々の駆動回路に関して正確に管理されなければならない。そうでなければ、個々の駆動トランジスターに関し、前述した電流の減衰の程度が、あるものについては行き過ぎ、またあるものについて足りない、というようにばらばらとなってしまい、意図した移動度補償効果が確保されないことになるからである。
しかし、そのような時間管理を正確に行うことは一般に困難である。例えば、駆動回路がマトリクス状に配列されていれば、ある行に並ぶデータ書込用トランジスターをオフ状態とするための制御信号を、そのデータ書込用トランジスターに対して供給する必要があるが、当該制御信号の供給線がもつ寄生容量や寄生抵抗等の存在によって、その信号の波形が供給線を伝わるに連れて歪むなどの結果、その行の先頭に位置する駆動回路と最後尾に位置するそれとで、当該データ書込用トランジスターの開閉時間に差が生じてしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置、及びその駆動方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置、及びその駆動方法、並びに電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置、及びその駆動方法、並びに電子機器を提供することをも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、を含む電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターに前記駆動電流を流すか否かを司る第１トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、を含み、前記複数の走査線の各々は、当該走査線の延在方向に沿って並ぶ前記第１トランジスターのゲートに、当該第１トランジスターの導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての第１制御信号の伝送路となる第１制御線を含み、前記走査線駆動回路は、所定のタイミングにおいて、前記第１制御線に、前記第１トランジスターを導通状態とする、ランプ波形を含む前記第１制御信号を供給する。
【０００９】
本発明によれば、第１制御線にランプ波形を含む第１制御信号が供給される。ここでいう「ランプ波形」には、より具体的に言えば、第１に、一のレベルから他のレベルへの遷移が（垂直的にはではなく）所定の傾きをもって、あるいは所定の遷移時間でもって行われる部分、第２に、遷移後の他のレベルが一定期間維持される部分、第３に、その他のレベルから前記一のレベルへの遷移が（垂直的にはではなく）所定の傾きをもって、あるいは所定の遷移時間をもって行われる部分、の３つの部分を含む波形が含まれる。この場合、前記他のレベルにおいて、第１トランジスターが導通状態となる場合が想定される。
本発明においては、このようなランプ波形を含む第１制御信号が、所定のタイミングにおいて、第１制御線に供給される。この場合、ランプ波形は前述のような波形を含んでいることから、第１制御線が寄生抵抗や寄生容量等をもっていても、その基端と終端とで、第１制御信号の波形に歪み等が生じる可能性は極めて低い。したがって、「所定のタイミング」が、例えば“移動度補償動作を行うタイミング”であれば、その実行時間の管理は、全単位回路に関して極めて正確に行われ得ることになる。
【００１０】
この発明の電気光学装置では、前記複数の走査線の各々は、前記第１制御線のほか、前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給するか否かを決める前記スイッチング素子の導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての第２制御信号の伝送路となる第２制御線を含み、前記走査線駆動回路は、前記第２制御線に、前記スイッチング素子を導通状態とする前記第２制御信号を供給している最中において、前記第１制御線に、前記ランプ波形を含む前記第１制御信号を供給する、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記スイッチング素子が導通状態にありながら、第１制御線に、第１トランジスターを導通状態とするランプ波形を含む第１制御信号が供給される。これにより、駆動トランジスターのゲートにはデータ電位が供給されつつ、そのソース・ドレイン間には電流が流れることになる。そして、この電流の大きさ、あるいは減衰度は、駆動トランジスターの移動度に応じることから、第１トランジスターを導通状態とする時間が、全単位回路についてある所定の時間で一定とされているならば、全駆動トランジスターに関する移動度補償動作が好適に実行されることになる。
この点、本発明においては、前述のように、第１トランジスターを導通状態とする時間が前記ランプ波形を含む第１制御信号によって確定されるようになっているのだから、前記移動度補償を実行する時間は正確に管理される。したがって、本態様によれば、より好適な、あるいはより実効的な移動度補償動作が行われる。
【００１１】
また、本態様では特に、前記スイッチング素子を導通状態としている「最中」において、第１制御線にランプ波形を含む第１制御信号が供給される。つまり、これによると、書込信号の状態が、ハイレベル又はローレベルのいずれか一方（どちらであるかは「スイッチング素子」を導通状態とするのがいずれのレベルであるかによって決まる。）に維持されながら、第１トランジスターは非導通状態から導通状態へ、そしてまた導通状態から非導通状態へと遷移する。このことから、本態様においては、移動度補償動作が、ランプ波形を含む第１制御信号の供給の有無だけに基づいて行われることになる。
このように、本態様では、移動度補償動作の実行が、第１トランジスターの挙動１つ、あるいは、第１制御信号の挙動１つによって司られるようになっており、例えば複数のトランジスターが関与することによって移動度補償動作の実行時間が画定されるなどという場合に比べて、その制御態様がより簡易化される。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置では、前記ランプ波形は、前記第１制御信号が一のレベルから他のレベルへ至るまでの遷移時間をＴｓ１、前記他のレベルから前記一のレベルへ至るまでの遷移時間をＴｓ２、前記Ｔｓ１の開始時点から前記Ｔｓ２の終了時点までの時間をＴａ、とする場合において、
（Ｔｓ１＋Ｔｓ２）／Ｔａ＞０．５
が成立するように定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、当該ランプ波形において他のレベルが維持される時間が、全時間Ｔａの半分以下となることを意味する。逆に言えば、全時間Ｔａに占める遷移時間Ｔｓ１及びＴｓ２の割合がより大きいということである。
このように、遷移時間Ｔｓ１及びＴｓ２がより長くなるのならば、そのランプ波形についての、前述したような歪みの影響は相対的により小さくなるといえる。したがって、本態様によれば、前述した本発明に係る作用効果がより実効的に奏される。
ちなみに、このような場合においては（あるいは、本発明一般に関して）、前述したような遷移時間Ｔｓ１及びＴｓ２の双方がともに一致している必要はない。つまり、Ｔｓ１≠Ｔｓ２であってよい。
【００１３】
また、本発明の他の電気光学装置は、上記課題を解決するため、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、電源線と、を含む電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、発光素子と、前記発光素子と前記電源線との間に介挿された駆動トランジスターと、前記電源線と前記駆動トランジスターとの間に介挿された第１トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、を含み、前記複数の走査線の各々は、当該走査線の延在方向に沿って並ぶ前記第１トランジスターのゲートに電気的に接続された第１制御線を含み、前記走査線駆動回路は、開始パルスをクロック信号に従って転送して転送パルスを生成するシフトレジスターと、前記転送パルスを契機にランプ波形を生成し、前記第１制御線に供給する回路と、を備える。
【００１４】
本発明によれば、走査線駆動回路がランプ波形を生成し、これを第１制御線に供給することから、冒頭に述べた本発明に係る電気光学装置によって奏された作用効果と略同様の作用効果が奏される。
なお、本発明において、ランプ波形は、転送パルスを「契機」として生成されるが、この「契機」という用語には、転送パルスの生成から、ランプ波形の生成までの間に、一定の時間の遅れ等が設定されてよいこと、即ち、両者間に遅延回路等が設けられてよいこと等を含意する。
【００１５】
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を備えてなるので、移動度補償動作が好適に実行された上での、高品質な画像表示が可能である。
【００１６】
一方、本発明の電気光学装置の駆動方法では、上記課題を解決するために、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、ゲートに供給されるデータ電位に応じた前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る発光制御トランジスターと、を備えた電気光学装置 の駆動方法であって、一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され他端が前記データ電位を供給するデータ線に接続されたスイッチング素子を導通状態として前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給する第１工程と、前記第１工程の最中において、前記発光制御トランジスターを導通状態とするランプ波形を含む発光制御信号によって、前記発光制御トランジスターを導通状態とする第２工程と、を含む。
【００１７】
本発明によれば、上述した本発明の電気光学装置によって奏された作用効果と同様の作用効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ装置を構成する単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】走査線駆動回路の詳細を示すブロック図である。
【図４】図２の単位回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】走査線駆動回路（１０３）からみて遠くに位置する発光制御トランジスター（Ｔｅｌ）に対しては、近くに位置するそれに対してよりも、より歪みの大きい信号が供給されること、及び、それに対して本実施形態ではそのような懸念が少なくなること、を説明するための説明図である。
【図６】移動度補償動作を実行する時間に対する、駆動トランジスターのドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（移動度の異なる駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕〜Ｔｄｒ〔Ｃ〕（における当該移動度）がパラメータである。）。
【図７】好適なランプ波形について説明するための説明図である。
【図８】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図４を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図３に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００２０】
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、電源線１１３、走査線駆動回路１０３、及びデータ線駆動回路１０６である。
【００２１】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられる。それら複数の有機ＥＬ素子８はＮ行×Ｍ列のマトリクス状に配列されている（Ｎ，Ｍは自然数）。有機ＥＬ素子８の各々は、陽極としての画素電極、発光機能層及び陰極としての対向電極から構成されている。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
【００２２】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３に接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。なお、電源線１１３は、データ線６と並行するように配列されている。この電源線１１３には、高電源電位Ｖｅｌが供給される。
前記のうち走査線駆動回路１０３は、走査線３のそれぞれを順番に選択するための回路である。また、データ線駆動回路１０６は、走査線駆動回路１０３によって選択された走査線３に対応する各有機ＥＬ素子８に向けて、各データ線６を通じてデータ信号を供給するための回路である。
【００２３】
各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
単位回路Ｐは、図２に示すように、有機ＥＬ素子８を含むほか、駆動トランジスターＴｄｒ、発光制御トランジスターＴｅｌ、第１〜第３トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ３、及び容量素子Ｃ１を含む。
なお、図１では便宜的に１本の配線として図示された走査線３は、図２に示すように実際には４本の配線を含む。各配線には走査線駆動回路１０３から所定の信号が供給される。より詳細には、これら各配線には、それぞれ、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]、及び発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。これら各信号の具体的な意義やこれに応じた単位回路Ｐの動作については後述する。なお、ここで使われた記号ｉは、前記マトリクス状配列の中の行番号を意味する（図１参照。１本の走査線３が４本の配線からなるので、全走査線３に含まれる配線数は結局、４Ｎ本である。）。
【００２４】
本実施形態においては特に、上記各種信号のうちの発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が、所定形状のランプ波形を含むことに特徴があるが、この点については後に改めて触れる。
また、前述した走査線駆動回路１０３は、図３に示すように、前記各種信号に対応するシフトレジスターＳＬ１乃至ＳＬ４を含んでいる。これら各シフトレジスターＳＬ１乃至ＳＬ４は、図示しない複数の単位シフト回路を含み、そのうちの第１段目の単位シフト回路が開始パルスの入力を受けると、これら複数の単位シフト回路の各々は、そのうちの前段のものから後段のものに向かって発せされる転送パルスを生成する。マトリクス状に並ぶ単位回路Ｐの各行には、この転送パルスを契機として、前記走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]等々の各種信号が供給される。
ちなみに、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]は、前述のようにランプ波形を含むことがあるが、ＧＥＬ用シフトレジスターＳＬ４には、これに対応するようにランプ波形生成回路Ｖが設けられている。ＧＥＬ用シフトレジスターＳＬ４から発せられた発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の基となる原発光制御信号が、このランプ波形生成回路Ｖに入力される場合は、当該発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]は、ランプ波形を含むことになる。もっとも、図示するように、このランプ波形生成回路Ｖを回避する経路もあり、原発光制御信号がランプ波形生成回路Ｖに入力されない場合は、ランプ波形を含まない発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が、単位回路Ｐに供給される。
なお、図３においては図示されないが、レベルシフター等その他の回路が、ランプ波形生成回路Ｖと走査線３との間、あるいは、ＧＥＬ用シフトレジスターＳＬ４とランプ波形生成回路Ｖとの間等に配置されてよい。
【００２５】
駆動トランジスターＴｄｒはｎチャネル型であり、電源線１１３から有機ＥＬ素子８の画素電極に至る経路上にある。この駆動トランジスターＴｄｒのドレイン（Ｄ）は発光制御トランジスターＴｅｌのソースに接続される。
この駆動トランジスターＴｄｒは、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との導通状態（ソース−ドレイン間の抵抗値）がゲート電位Ｖgに応じて変化することで当該ゲート電位Ｖgに応じた駆動電流Ｉｅｌを生成する手段である。なお、ゲート電位Ｖｇは、データ線６を通じて供給されるデータ信号Ｄａｔａの大きさに応じる。
こうして、有機ＥＬ素子８は、駆動トランジスターＴｄｒの導通状態、ないしはデータ信号Ｄａｔａに応じて駆動される。
【００２６】
発光制御トランジスターＴｅｌはｐチャネル型であり、駆動トランジスターＴｄｒと電源線１１３との間にある。この発光制御トランジスターＴｅｌのゲートには、前記発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。この発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルに遷移すると発光制御トランジスターＴｅｌがＯＮ状態に変化して有機ＥＬ素子８に対する駆動電流Ｉｅｌの供給が可能となる。これにより、有機ＥＬ素子８は駆動電流Ｉｅｌに応じた階調（輝度）で発光する。これに対して、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がハイレベルである場合には発光制御トランジスターＴｅｌがＯＦＦ状態を維持するから、駆動電流Ｉｅｌの経路が遮断されて有機ＥＬ素子８は消灯する。
なお、有機ＥＬ素子８の画素電極は、この発光制御トランジスターＴｅｌ及び前記駆動トランジスターＴｄｒを介して前述した高電源電位Ｖｅｌが供給される電源線１１３に接続され、その対向電極は低電源電位ＶＣＴが供給される電位線（不図示）に接続される。発光制御トランジスターＴｅｌは、前述のように、有機ＥＬ素子８への電流供給の有無の制御を司るが、それに伴って、駆動トランジスターＴｄｒ自身に電流を流すか否かに係る制御をも司っているとみることができる。
【００２７】
容量素子Ｃ１は、２つの電極間に誘電体が介挿された素子である。その容量値は、Ｃｈ１である。この容量素子Ｃ１の一方の電極（図中上方の電極）は駆動トランジスターＴｄｒのゲートに接続される。また、容量素子Ｃ１の他方の電極（図中下方の電極）は駆動トランジスターＴｄｒのソース（Ｓ）に接続されるとともに、後述する第３トランジスターＴｒ３のソースにも接続される。
【００２８】
第１トランジスターＴｒ１は、ノードＺ１とデータ線６との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第１トランジスターＴｒ１のゲートには前記の走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]が供給される。
第２トランジスターＴｒ２は、ノードＺ１と初期化電位ＶSTが供給される電位線との間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第２トランジスターＴｒ２のゲートには前記の第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が供給される。
第３トランジスターＴｒ３は、初期化電位ＶＩＮＩの供給線と駆動トランジスターＴｄｒのソースとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第３トランジスターＴｒ３のゲートには第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]が供給される。
【００２９】
次に、以上のような構成をもつ有機ＥＬ装置１００の動作ないし作用について、既に参照した図１及び図２に加えて図４乃至図６を参照しながら説明する。
〔ｉ〕初期化：  まず、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]と第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]がハイレベルとなることで、第２トランジスターＴｒ２と第３トランジスターＴｒ３がＯＮ状態となる。これにより、駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓはそれぞれ、図４に示すように下落して、初期化電位ＶＳＴとＶＩＮＩとなる。
なお、単位回路Ｐは、いま述べている〔ｉ〕初期化から、後に述べる〔ｖ〕駆動までの各動作を繰り返し行う。〔ｉ〕の初期化動作は、最後の〔ｖ〕の駆動動作（発光動作）が終わった後、即ち発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルからハイレベルに遷移した後に行われる。図４の最左方に示される、前記ソース電位Ｖｓの下落に先立つ、ゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの双方の下落は、そのような発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の遷移に対応している。
【００３０】
〔ｉｉ〕Ｖｔｈ補償：  次に、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]がローレベルに遷移し、続いて更に、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルに遷移する。これにより、第３トランジスターＴｒ３がＯＦＦ状態となり、続いて更に、発光制御トランジスターＴｅｌがＯＮ状態となる。このことから、ソース電位Ｖｓは初期化電位ＶＳＴの供給から開放されることになる。その結果、駆動トランジスターＴｄｒ及び高電源電位Ｖｅｌ間が導通状態となることも相まって、駆動トランジスターＴｄｒのソース電位Ｖｓは、図４に示すように上昇を開始し、そのゲート・ソース間電圧は閾値電圧Ｖｔｈに漸近する。なお、この一連の過程中、駆動トランジスターＴｄｒのゲート及びソース間は接続する容量素子Ｃ１は閾値電圧Ｖｔｈを保持する（なお、容量素子Ｃ１は、以下の各動作においても、その時々に応じた適宜の電圧を保持する。）。
以上のように、この〔ｉｉ〕における動作では、各駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈの補償が行われることになる。
【００３１】
〔ｉｉｉ〕データ書込：  次に、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]及び第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに遷移して発光制御トランジスターＴｅｌ及び第２トランジスターＴｒ２がＯＦＦ状態となる一方、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がハイレベルとなることで、第１トランジスターＴｒ１がＯＮ状態となる。この際、適当なデータ電位Ｖｄａｔａをもつデータ信号がデータ線６を通じて供給されると、それに応じてノードＺ１の電位、即ちゲート電位Ｖｇは、当該データ電位Ｖｄａｔａの足し込み分に応じた電圧だけ変動する。したがって、駆動トランジスターＴｄｒのゲート・ソース間電圧は、図４に示すようにＶｔｈ＋Ｖｄａｔａ’となる。ここでＶｄａｔａ’＝Ｖｄａｔａ・（Ｃｈ２／（Ｃｈ２＋Ｃｈ１））である。この式中、Ｃｈ２は、有機ＥＬ素子８がもつ寄生容量の容量値である。
【００３２】
〔ｉｖ〕移動度補償：  次に、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]のハイレベルが維持されたまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルへの遷移を開始する。
本実施形態においては、ここで特に、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]は、図４に示すようにランプ波形をもつ。すなわち、この場合において、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]は、第１に、ハイレベルにある状態から、なだらかにローレベルにある状態へと遷移し、第２に、ローレベルの状態に至った後当該状態を暫く維持し、第３に、このローレベルにある状態から、なだらかにハイレベルにある状態へと遷移する。この際、図３に示したランプ波形生成回路Ｖが利用される。これにより、発光制御トランジスターＴｅｌは、前述の第１の遷移において発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が所定レベル以下となったときにＯＮ状態となり、第３の遷移において、所定レベル以上となったときにＯＦＦ状態となる。
このように、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が所定レベル以下にある時間に限り、発光制御トランジスターＴｅｌは再びＯＮ状態となることから、駆動トランジスターＴｄｒのソース電位Ｖｓは上昇を開始する。図４においては、ソース電位Ｖｓの上昇後のゲート・ソース間電圧がＶｔｈ＋Ｖａになることが表現されているが、これは、当該ソース電位Ｖｓの上昇分が、“Ｖｄａｔａ’−Ｖａ”と表現可能であることを意味する。その結果、逆に、駆動トランジスターＴｄｒのゲート・ソース間電圧は小さくなることになる。
このようなソース電位Ｖｓの上昇、ないしはゲート・ソース間で電圧の下降の程度は、一般に、各単位回路Ｐに含まれる駆動トランジスターＴｄｒの各々が相異なる移動度特性を持つことに応じて、異なることになる。すなわち、定性的には、より大きな移動度μをもつ駆動トランジスターＴｄｒでは、ソース電位Ｖｓの上昇量は大きく、より小さな移動度μをもつ駆動トランジスターＴｄｒでは、ソース電位Ｖｓの上昇量は小さくなる。
以上のように、この〔ｉｖ〕における動作では、各駆動トランジスターＴｄｒの移動度補償が行われることになる。
なお、ここに述べたランプ波形の意義・作用・効果等については、後に改めて説明する。
【００３３】
〔ｖ〕駆動：  走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がローレベルに遷移して第１トランジスターＴｒ１がＯＦＦ状態となる一方、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が三度ローレベルとなることで、発光制御トランジスターＴｅｌがＯＮ状態となる。これにより、有機ＥＬ素子８には、ゲート電位Ｖｇに応じた大きさの駆動電流Ｉｅｌが駆動トランジスターＴｄｒから供給されることになり、当該有機ＥＬ素子８は発光する。
【００３４】
次に、前述した発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]のランプ波形について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５以降の各図面を参照しながら説明する。
本実施形態においては、上述のように、発光制御トランジスターTｅｌを制御するために、ランプ波形をもつ発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が用いられるが、その意義は以下のようである。
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置１００では、上述のように、単位回路Ｐがマトリクス状に配列されていることから（図１参照）、発光制御トランジスターTｅｌも同様にマトリクス状に配列される。したがって、そのマトリクス状配列の各行には、図５に示すように、複数の発光制御トランジスターTｅｌが属する（なお、図５では１行分のみが示されている。）。このような複数の発光制御トランジスターTｅｌを制御するためには、前述のように、走査線３を構成する４本の配線のうちの１つが用いられるが（図２及びその説明参照）、この配線３ｅｌには、同じく図５に示すように、寄生抵抗ＲＫ、寄生容量ＣＫが存在する。したがって、この配線３ｅｌに何らかの信号を供給すると、これら寄生抵抗ＲＫ、寄生容量ＣＫの存在によって、その信号の波形が歪むことが考えられる。
【００３５】
実際、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が「矩形波」をもつ場合、信号供給源たる走査線駆動回路１０３の近くに位置する発光制御トランジスターTｅｌに対しては、所望どおりの矩形波を持つ発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]を供給することができるが、より遠くに位置する発光制御トランジスターTｅｌに対しては、それが困難になる。すなわち、図示するように、信号の立下り時点においても、立上り時点においても所定のレベルとなる時点が遅れる、などということが生じ得る。このようなことは、走査線駆動回路１０３から遠ざかれば遠ざかるほど、顕著になる傾向がある。このようであると、発光制御トランジスターTｅｌをＯＮ状態に維持しておく時間が、各発光制御トランジスターTｅｌに関してばらつくことになる。
【００３６】
しかし、このようなことが前記〔ｉｖ〕の移動度補償動作に関して生じるのは具合が悪い。というのも、前述のように、本実施形態に係る移動度補償動作は、各駆動トランジスターＴｄｒの移動度の大小に応じたソース電位Ｖｓの上昇の程度を調整することを前提とするとともに、この移動度補償動作を実行する時間を適当に設定することによって、最終的には、そのような移動度のバラツキを補償することを目的としているからである。
すなわち、図６に示すように、駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕からからＴｄｒ〔Ｃ〕の順に従って移動度特性が悪くなる場合において、これら駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕に電流を流す場合における減衰度は、この順番に大きくなる。そうすると、これら駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕に関する移動度のバラツキを表象する、図６に示す各曲線については、それらが一定の範囲内に収まる領域ＸＲがあることが想定される。
最適な移動度補償時間Ｔ１は、このような領域ＸＲの存在を前提にして好適に設定される（図６参照）。
【００３７】
しかし、このような最適な移動度補償時間Ｔ１が、図５を参照して説明したように、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の歪みによって変化するならば、もはや最適な移動度補償動作を実行することは困難になる。図６においては、移動度補償時間が、当初はＴ１となるように意図されているにもかかわらず、それよりも短いＴ２なってしまうと、前記領域ＸＲから外れた地点で、駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕の移動度補償動作が完了してしまう場合が例示されている。このような場合における駆動トランジスターＴｄｒ〔Ａ〕が、図５においては、走査線駆動回路１０３からより遠い同図の最右方に位置する発光制御トランジスターTｅｌを含む単位回路Ｐ内に含まれるもの、でありうることを想定するのは容易である。
結局、このようなことになると、各駆動トランジスターＴｄｒに関して最適な移動度補償が行わる可能性は極めて低いことになってしまう。
【００３８】
この点、本実施形態では、上述のように、移動度補償動作が、ランプ波形をもつ発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]に基づいて行われるようになっているので、上述した不具合は実効的に解決される。というのも、この場合においては、図５に示すように、ランプ波形がスロープ状の遷移帯をもっているため、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]にさほど大きな歪みが生じないからである。なお、この場合でも、走査線駆動回路１０３から遠ざかれば遠ざかるほど、信号の遅延が生じる可能性はあるが（図５中の破線で示すランプ波形参照）、このことは、上述した作用効果に大きな影響を及ぼさない。この遅延による悪影響を回避するためには、簡単には例えば、図４に示す、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がハイレベルを維持する時間ｔｗを適宜に調整すればよい。具体的には例えば、図４中右端の立下り時点を遅らせるなどによって、当該時間ｔｗが、ランプ波形の全体を包み込むように継続するような長さをもてばよい。
【００３９】
このようにして、本実施形態によれば、走査線駆動回路１０３からみた発光制御トランジスターTｅｌの位置の遠近に関わらず、当該発光制御トランジスターTｅｌをＯＮ状態に維持する期間が好適に管理される。したがって、本実施形態における移動度補償動作は極めて実効的に奏されることになる。
【００４０】
以上に述べたような有機ＥＬ装置１００ないし単位回路Ｐによれば、次のような効果が奏される。
（１）  まず、本実施形態の単位回路Ｐによれば、上述したように、移動度補償動作にあたって、ランプ波形をもつ発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が用いられることから、最適な移動度補償時間に基づく、好適な移動度補償動作が実行される。これにより、各有機ＥＬ素子８の発光輝度のバラツキは抑制され、より高品質な画像表示が可能になる。
【００４１】
（２）  また、本実施形態においては、移動度補償動作（特に、その実行時間）が、上述のように発光制御トランジスターTｅｌの挙動１つ、あるいは、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の挙動１つによって司られるようになっているので、前述した（１）の効果がより実効的に奏され、また、その制御態様の簡易化等が実現される。
例えば、従来技術の中においては、図２に示したような各種のトランジスターのＯＮ・ＯＦＦ間の遷移を適当に関連づけることによって、移動度補償の実行時間を確定する手法がとられることがある。例えば〔発明が解決しようとする課題〕の欄で述べたように、〔１〕発光制御トランジスターをオフ状態、データ書込用トランジスターをオン状態とする、〔３〕発光制御トランジスター及びデータ書込用トランジスターをともにオン状態とする、〔２〕発光制御トランジスターをオン状態、データ書込用トランジスターをオフ状態とする、という各動作を、〔１〕→〔３〕→〔２〕と行う場合においては、移動度補償時間は、発光制御トランジスターのオフ状態からオン状態への遷移（〔１〕→〔３〕）と、データ書込用トランジスターのオン状態からオフ状態への遷移（〔３〕→〔２〕）と、によって確定されることになる。
しかし、このように複数のトランジスターが関与する場合であると、それら各々のトランジスターを制御するための信号の各々に関して、図５に示したような歪み、あるいは遅延等が生じることを懸念しなければならない。その結果、移動度補償時間の管理にあたっては、両信号の関係如何（例えば、どちらの遅延が大きいのか等々）をも考慮に入れなければならないことになるから、移動度補償時間の最適性を維持することには、より大きな困難が伴うことになる。
【００４２】
このような観点から見て、本実施形態は、より優位に立つ。というのも、既に述べたように、本実施形態においては、移動度補償時間は、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の挙動１つによって定まるようになっているから、上述のような複数の信号の関係等に配慮する必要は特になく、その制御は、あるいは移動度補償時間の最適性の維持は、比較的容易に実現可能だからである。
【００４３】
なお、本発明は、「ランプ波形」の、その（より詳細な）形が、どのようなものであるかについては、基本的に特に限定しないが、この「ランプ波形」について、以下に記すような条件が満たされるのであれば、より好適である。
すなわち、図７に示すように、ランプ波形の開始時点から終了時点までの時間をＴａ、ハイレベルからローレベルへ至るまでの遷移時間をＴｓ１、ローレベルからハイレベルへ至るまでの遷移時間をＴｓ２とすれば、これらの間には、（Ｔｓ１＋Ｔｓ２）／Ｔａ＞０．５が成立するとよい。この場合即ち、当該ランプ波形においてローレベルが維持される時間が、全時間Ｔａの半分以下となることを意味する。逆に言えば、全時間Ｔａに占める遷移時間Ｔｓ１及びＴｓ２の割合がより大きいということである。
このように、遷移時間Ｔｓ１及びＴｓ２がより長くなるのならば、そのランプ波形についての、前述したような歪みの影響は相対的により小さくなるといえる。したがって、前述した本実施形態に係る作用効果がより実効的に奏されることになるのである。
ちなみに、このような場合においては（あるいは、本発明一般に関して）、前述したような遷移時間Ｔｓ１及びＴｓ２の双方がともに一致している必要はない。つまり、Ｔｓ１≠Ｔｓ２であってよい（図７参照）。
【００４４】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器について説明する。
図８は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図９に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
図１０に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００４５】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００４６】
１００……有機ＥＬ装置、１０３……走査線駆動回路、１０６……データ線駆動回路、Ｐ……単位回路（画素回路）、８……有機ＥＬ素子、３……走査線、６……データ線、１１３……電源線、Ｔｒ１〜Ｔｒ３……第１〜第３トランジスター、Ｃ１〜Ｃ３……第１〜第３容量素子、Ｔｄｒ……駆動トランジスター、Ｔｅｌ……第１トランジスター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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