(57)【要約】【課題】成膜室とスパッタ装置との間にシャッターを設けることなく、無機配向膜の膜質に悪影響を及ぼす箇所にスパッタ粒子が付着することを防止して、無機配向膜の膜質を向上させることができる液晶装置の製造装置を提供する。【解決手段】成膜室２と、成膜室２内にて基板Ｗに配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置３と、基板Ｗを保持して搬送する搬送トレイ６と、を備え、搬送トレイ６の基板Ｗを保持する面とは反対側の裏面６ｒに、スパッタ装置３から放出されたスパッタ粒子５ｐを捕捉する捕捉部材６ｃが設けられていることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、
成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置と、前記基板を保持して搬送する搬送トレイと、を備え、
前記搬送トレイの前記基板を保持する面とは反対側の裏面に、前記スパッタ装置から放出されたスパッタ粒子を捕捉する捕捉部材が設けられていることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項２】
前記成膜室には、前記成膜室内にスパッタガスを流通させるガス供給手段が設けられ、
前記捕捉部材は、前記スパッタガスの流通方向に板面が沿うように立設された複数のフィン状の部材であることを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造装置。
【請求項３】
前記捕捉部材の配置間隔が、前記スパッタ粒子の平均自由行程以下であることを特徴とする請求項２記載の液晶装置の製造装置。
【請求項４】
前記捕捉部材の前記スパッタガスの流通方向の長さが、前記スパッタ粒子の平均自由行程以上であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項５】
前記捕捉部材の高さが前記スパッタ粒子の平均自由行程以上であることを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項６】
前記捕捉部材は、前記搬送トレイの前記基板の搬送方向の前方側の端部及び後方側の端部の少なくともいずれか一方に設けられていることを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項７】
前記捕捉部材は、前記搬送トレイの前記スパッタガスの流通方向の上流側の端部及び下流側の端部の少なくともいずれか一方に設けられていることを特徴とする請求項２ないし請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項８】
前記捕捉部材の前記スパッタ粒子を捕捉する捕捉面には、前記スパッタ粒子が付着して形成されるスパッタ膜の剥離を防止する表面処理が施されていることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項９】
前記成膜室の内壁には、前記スパッタ粒子を捕捉する第２の捕捉部材が設けられ、
前記第２の捕捉部材は、前記スパッタ装置の前記スパッタ粒子を放出する開口部に対して、前記スパッタ粒子の放出方向に対向するように配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項１０】
前記第２の捕捉部材の前記スパッタ粒子を捕捉する捕捉面には、前記スパッタ粒子が付着して形成されるスパッタ膜の剥離を防止する表面処理が施されていることを特徴とする請求項９記載の液晶装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶装置の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶層が封止されて構成されている。その一対の基板の内面側には液晶層に電圧を印加する電極が形成され、これら電極の内面側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。このような構成によって液晶装置は、非選択電圧印加時と選択電圧印加時との液晶分子の配向変化に基づいて光源光を変調し、表示画像を形成するようになっている。
【０００３】
ところで、前述した配向膜としては、側鎖アルキル基を付加したポリイミド等からなる高分子膜の表面に、ラビング処理を施したものが一般に用いられている。しかし、このようなラビング法は簡便であるものの、物理的にポリイミド膜をこすることでポリイミド膜に対して配向特性を付与するために、種々の不都合が指摘されている。具体的には、（１）配向性の均一さを確保することが困難であること、（２）ラビング処理時の筋跡が残り易いこと、（３）配向方向の制御およびプレチルト角の選択的な制御が可能ではなく、また広視野角を得るために用いられるマルチドメインを使用した液晶パネルには適さないこと、（４）ガラス基板からの静電気による薄膜トランジスタ素子の破壊や、配向膜の破壊が生じ、歩留まりを低下させること、（５）ラビング布からのダスト発生による表示不良が発生しがちであること、などである。
【０００４】
また、このような有機物からなる配向膜では、液晶プロジェクタのような高出力光源を備えた機器に用いた場合、光エネルギーにより有機物がダメージを受けて配向不良を生じてしまう。特に、プロジェクタの小型化および高輝度化を図った場合には、液晶パネルに入射する単位面積あたりのエネルギーが増加し、入射光の吸収によりポリイミドそのものが分解し、また、光を吸収したことによる発熱でさらにその分解が加速される。その結果、配向膜に多大なダメージが付加され、機器の表示特性が低下してしまう。
【０００５】
そこで、このような不都合を解消するため、ターゲットから放出されるスパッタ粒子が１方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施することにより、基板に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。このような方法によれば、得られる無機配向膜は高い信頼性を有するものと期待されている。
【特許文献１】特開２００７−２８６４０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来のスパッタ装置では、より膜質の良好な無機配向膜を形成するために、基板への成膜前にスパッタ装置内に予めプラズマを発生させてプラズマを安定させるプレスパッタを行う場合がある。プレスパッタを行うと、スパッタ装置からスパッタ粒子が放出され、基板への成膜開始前や成膜中にスパッタ粒子が基板の周辺に付着したり、成膜室の内壁に付着したりするという課題がある。このように、スパッタ粒子が付着すると、基板周辺や成膜室の内壁等にスパッタ膜が堆積し、その膜が剥離してパーティクルを発生させる原因となる。
【０００７】
このような課題を解決するために、スパッタ粒子を放出するスパッタ装置の開口部の近傍に、スパッタ粒子を遮蔽するシャッターを設けることが考えられる。しかし、このようなシャッターを設けると、シャッターの開閉に伴って、シャッターに付着したスパッタ膜が剥離し、スパッタ装置のターゲットにパーティクルが付着する虞がある。スパッタ装置のターゲットにパーティクルが付着すると、基板に形成される無機配向膜の膜質に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００８】
また、シャッターは基板が通過する領域とスパッタ装置の開口部との間の狭い領域に設けられる。そのため、シャッターにより成膜室内やスパッタ装置内のスパッタガスの流通が妨げられ、成膜時の基板の周辺のスパッタガスの分圧に影響を及ぼすという課題がある。基板の周囲のスパッタガスの分圧が変動すると、基板に形成される無機配向膜の膜質に悪影響を及ぼす虞がある。
また、基板とスパッタ装置の開口部との間にシャッターを設けるためのスペースを確保すると、スパッタ装置と基板の成膜面との距離（Ｔ−Ｓ距離）が遠くなり、無機配向膜の形成時の生産性が低下するという課題がある。
【０００９】
そこで、この発明は、成膜室とスパッタ装置との間にシャッターを設けることなく、無機配向膜の膜質に悪影響を及ぼす箇所にスパッタ粒子が付着することを防止して、無機配向膜の膜質を向上させることができる液晶装置の製造装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置と、前記基板を保持して搬送する搬送トレイと、を備え、前記搬送トレイの前記基板を保持する面とは反対側の裏面に、前記スパッタ装置から放出されたスパッタ粒子を捕捉する捕捉部材が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
このように構成することで、スパッタ装置から放出されたスパッタ粒子が搬送トレイの裏面側に回りこんだとしても、捕捉部材によってスパッタ粒子を捕捉することができる。これにより、搬送トレイの裏面にスパッタ粒子が付着してスパッタ膜が形成されることが防止され、基板搬送時に搬送トレイの裏面のスパッタ膜が剥離してパーティクルが発生することを防止できる。
したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、シャッターを設けることなく、無機配向膜の膜質に悪影響を及ぼす搬送トレイの裏面へスパッタ粒子の付着を防止して、無機配向膜の膜質を向上させることができる。また、基板への成膜開始前にプレスパッタを行うことが可能となり、無機配向膜の膜質を向上させることができる。
また、シャッターを設ける場合と比較して、パーティクルの発生を減少させ、成膜時の基板の周辺のスパッタガスの分圧を均一にして無機配向膜の膜質を向上させることができる。また、シャッターを設ける場合と比較して、スパッタ装置と基板の成膜面との間の距離を短くして、基板に無機配向膜を形成する工程の生産性を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記成膜室には、前記成膜室内にスパッタガスを流通させるガス供給手段が設けられ、前記捕捉部材は、前記スパッタガスの流通方向に板面が沿うように立設された複数のフィン状の部材であることを特徴とする。
【００１３】
このように構成することで、成膜室内のスパッタガスの流通が捕捉部材によって妨げられることを防止して、良好な無機配向膜を形成することができる。また、捕捉部材の表面積を増大させて、より効果的にスパッタ粒子を捕捉することが可能となる。したがって、より確実にパーティクルの発生を防止して、無機配向膜の膜質をより向上させることができる。
【００１４】
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記捕捉部材の配置間隔が、前記スパッタ粒子の平均自由行程以下であることを特徴とする。また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記捕捉部材の前記スパッタガスの流通方向の長さが、前記スパッタ粒子の平均自由行程以上であることを特徴とする。また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記捕捉部材の高さが前記スパッタ粒子の平均自由行程以上であることを特徴とする。
【００１５】
このように構成することで、搬送トレイの裏面側に回り込んだスパッタ粒子をより確実に捕捉部材に付着させ、より効果的に捕捉することができる。したがって、より確実にパーティクルの発生を防止して、無機配向膜の膜質をより向上させることができる。
【００１６】
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記捕捉部材は、前記搬送トレイの前記基板の搬送方向の前方側の端部及び後方側の端部の少なくともいずれか一方に設けられていることを特徴とする。
【００１７】
このように構成することで、プレスパッタ等、基板の成膜面に成膜を行う前にスパッタ装置によりスパッタ粒子を放出させた場合であっても、搬送トレイの裏面側に回り込んだスパッタ粒子が、搬送トレイの裏面に付着することを防止できる。
すなわち、基板への成膜時には、スパッタ装置からスパッタ粒子を放出させた状態で、基板を搬送トレイにより搬送方向後方側から前方側へ移動させていく。すると搬送トレイは、搬送方向の前方側の端部からスパッタ粒子が放出されている領域に進入する。このとき、搬送トレイの裏面の搬送方向の前方側の端部に捕捉部材が設けられていると、搬送トレイの前方側の端部から搬送トレイの裏面側に回り込んだスパッタ粒子が、その捕捉部材によって捕捉され、それよりも基板の搬送方向の後方側に回り込むことが防止される。したがって、搬送トレイの基板搬送方向の前方側の端部に捕捉部材が設けられている場合には、その捕捉部材よりも基板の搬送方向の後方側の搬送トレイの裏面にスパッタ膜が形成されることが防止される。
搬送トレイによって基板をさらに搬送方向の前方に移動させていくと、やがて搬送トレイの基板の搬送方向の後方側の端部が、スパッタ粒子が放出されている領域に進入する。このとき、搬送トレイの基板搬送方向の後方側の端部に捕捉部材が設けられていると、搬送方向の後方側の端部から搬送トレイの裏面側に回りこんだスパッタ粒子が、その捕捉部材によって捕捉され、それよりも基板の搬送方向の前方側に回りこむことが防止される。したがって、搬送トレイの基板搬送方向の後方側の端部に捕捉部材が設けられている場合には、その捕捉部材よりも基板の搬送方向の前方側の搬送トレイの裏面にスパッタ膜が形成されることが防止される。
【００１８】
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記捕捉部材は、前記搬送トレイの前記スパッタガスの流通方向の上流側の端部及び下流側の端部の少なくともいずれか一方に設けられていることを特徴とする。
【００１９】
このように構成することで、プレスパッタ等、基板の成膜面に成膜を行う前にスパッタ装置によりスパッタ粒子を放出させた場合であっても、搬送トレイの裏面側に回り込んだスパッタ粒子が、搬送トレイの裏面に付着することを防止できる。
すなわち、基板への成膜時には、スパッタ装置からスパッタ粒子を放出させた状態で、基板を搬送トレイにより搬送方向後方側から前方側へ移動させていく。すると搬送トレイは、搬送方向の前方側の端部からスパッタ粒子が放出されている領域に進入する。また、スパッタガスは、成膜室内を基板の搬送方向に沿って流通し、基板の成膜面上と搬送トレイの裏面上を流通している。
このとき、搬送トレイの裏面のスパッタガスの流通方向の上流側の端部に捕捉部材が設けられていると、搬送トレイのスパッタガスの流通方向の上流側の端部から搬送トレイの裏面側に回り込んだスパッタ粒子が捕捉部材によって捕捉され、それよりもスパッタガスの流通方向の下流側に回り込むことが防止される。したがって、搬送トレイのスパッタガスの流通方向の上流側の端部に捕捉部材が設けられている場合には、その捕捉部材よりもスパッタガスの流通方向の下流側の搬送トレイの裏面にスパッタ膜が形成されることが防止される。
また、搬送トレイのスパッタガスの流通方向下流側の端部では、スパッタガスに乱流が発生する場合がある。このとき、搬送トレイの裏面のスパッタガスの流通方向の下流側の端部に捕捉部材が設けられていると、スパッタガスの乱流によってスパッタガスの流通方向下流側から搬送トレイの裏面側に回りこんだスパッタ粒子が捕捉部材によって捕捉され、それよりもスパッタガスの流通方向の上流側に回り込むことが防止される。したがって、搬送トレイのスパッタガスの流通方向の下流側の端部に捕捉部材が設けられている場合には、その捕捉部材よりもスパッタガスの流通方向の上流側の搬送トレイの裏面にスパッタ膜が形成されることが防止される。
【００２０】
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記捕捉部材の前記スパッタ粒子を捕捉する捕捉面には、前記スパッタ粒子が付着して形成されるスパッタ膜の剥離を防止する表面処理が施されていることを特徴とする。
【００２１】
このように構成することで、捕捉部材からスパッタ膜が剥離してパーティクルが発生することが防止される。したがって、スパッタ装置の異常放電や基板へのパーティクルの付着が防止され無機配向膜の膜質を向上させることができる。
【００２２】
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記成膜室の内壁には、前記スパッタ粒子を捕捉する第２の捕捉部材が設けられ、前記第２の捕捉部材は、前記スパッタ装置の前記スパッタ粒子を放出する開口部に対して、前記スパッタ粒子の放出方向に対向するように配置されていることを特徴とする。
【００２３】
このように構成することで、成膜室内において、スパッタ装置の開口部のスパッタ粒子の放出方向に、基板や搬送トレイが位置していない場合であっても、スパッタ装置から放出されたスパッタ粒子を第２の捕捉部材によって捕捉することができる。
そのため、基板への成膜前にスパッタ装置からスパッタ粒子を放出させた場合であっても、成膜室の内壁にスパッタ粒子が付着してスパッタ膜が形成されることが防止される。これにより、成膜室の内壁からスパッタ膜が剥離してパーティクルが発生することが防止される。したがって、スパッタ装置の異常放電や基板へのパーティクルの付着が防止され無機配向膜の膜質を向上させることができる。
【００２４】
また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記第２の捕捉部材の前記スパッタ粒子を捕捉する捕捉面には、前記スパッタ粒子が付着して形成されるスパッタ膜の剥離を防止する表面処理が施されていることを特徴とする。
【００２５】
このように構成することで、第２の捕捉部材からスパッタ膜が剥離してパーティクルが発生することが防止される。したがって、スパッタ装置の異常放電や基板へのパーティクルの付着が防止され無機配向膜の膜質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。また、以下では、基板の搬送方向をＸ方向、基板の成膜面に平行でＸ方向に直交する方向をＹ方向、基板の厚さ方向をＺ方向とする直交座標系を用いて説明する。また、スパッタ粒子の放出方向をＺａ方向、スパッタ装置のターゲットに垂直な方向をＸａ方向としている。
【００２７】
（液晶装置の製造装置）
図１（ａ）は本発明の実施の形態に係る液晶装置の製造装置の一実施の形態を示す概略構成図である。図１（ｂ）は、スパッタ装置３をＸａ方向に観察した側面構成図である。
図１（ａ）に示すように、製造装置１は、液晶装置の構成部材となる基板Ｗ上にスパッタ法により無機配向膜を成膜する装置である。製造装置１は、基板Ｗを収容する真空チャンバーである成膜室２と、基板Ｗの表面に無機材料からなる配向膜をスパッタ法により形成するスパッタ装置３とを備えている。
【００２８】
スパッタ装置３は、そのプラズマ生成領域に放電用のアルゴンガスを流通させる第１のガス供給手段２１を備えている。
成膜室２は、内部に収容された基板Ｗ上に飛来する配向膜材料と反応して無機配向膜を形成する反応ガスとしての酸素ガスを供給する第２のガス供給手段２２を備えている。
成膜室２には、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための排気制御装置２０が配管２０ａを介して接続されている。また、成膜室２の図示下側の壁面から外側に突出するようにして、スパッタ装置３の接続部を成す装置接続部２５が形成されている。
【００２９】
装置接続部２５は、成膜室２内部に収容される基板Ｗの成膜面法線方向（図示Ｚ軸方向）と所定の角度（θ１）を成して斜め方向に延びて形成されている。また、装置接続部２５は、その先端部に接続されるスパッタ装置３を基板Ｗに対して所定の角度で斜めに向けて配置することができるようになっている。
【００３０】
第２のガス供給手段２２は、装置接続部２５に関して排気制御装置２０と反対側に接続されており、第２のガス供給手段２２から供給される酸素ガスは、矢印２２ｆで示すように、成膜室２の＋Ｘ側から基板Ｗ上を経由して排気制御装置２０側へ図示−Ｘ方向に流通するようになっている。
【００３１】
また実際の製造装置では、成膜室２の真空度を保持した状態での基板Ｗの搬入／搬出を可能とするロードロックチャンバーが、成膜室２のＸ軸方向外側に備えられている。ロードロックチャンバーにも、これを独立して真空雰囲気に調整する排気制御装置が接続されている。ロードロックチャンバーと成膜室２とは、チャンバー間を気密に閉塞するゲートバルブを介して接続されている。かかる構成により、成膜室２を大気に解放することなく基板Ｗの出し入れを行えるようになっている。
【００３２】
スパッタ装置３は、２枚のターゲット５ａ，５ｂを対向配置してなる対向ターゲット型のスパッタ装置である。
第１のターゲット５ａは略平板状の第１電極９ａに装着され、第２のターゲット５ｂは略平板状の第２電極９ｂに装着されている。電極９ａ，９ｂに支持されたターゲット５ａ，５ｂは、基板Ｗ上に形成する無機配向膜の構成物質を含む材料、例えばシリコンからなるものとされる。またターゲット５ａ，５ｂは図示Ｙ方向に延びる細長い板状のものが用いられており（図２参照）、互いの対向面がほぼ平行になるように設置されている。
【００３３】
第１電極９ａには直流電源又は高周波電源からなる電源４ａが接続され、第２電極９ｂには直流電源又は高周波電源からなる電源４ｂが接続されている。そして、各電源４ａ，４ｂから供給される電力によりターゲット５ａ，５ｂが対向する空間（プラズマ生成領域）にプラズマＰｚを発生させるようになっている。
【００３４】
第１電極９ａのターゲット５ａと反対側にはターゲット５ａを冷却するための第１の冷却手段８ａが設けられている。第１の冷却手段８ａには、第１の冷媒循環手段１８ａが配管等を介して接続されている。
また第２電極９ｂのターゲット５ｂと反対側には、ターゲット５ｂを冷却するための第２の冷却手段８ｂが設けられている。第２の冷却手段８ｂには、配管等を介して第２の冷媒循環手段１８ｂが接続されている。
【００３５】
第１の冷却手段８ａは、図１（ｂ）に示すようにターゲット５ａとほぼ同一の平面寸法に形成されている。また、第１の冷却手段８ａは、図１（ａ）に示す第１電極９ａを介してターゲット５ａと平面視で重なる位置に配設されている。また特に図示はしないが、第２の冷却手段８ｂについても同様にターゲット５ｂと平面視で重なる位置に配設されている。冷却手段８ａ，８ｂは内部に冷媒を流通させる冷媒流路を備えており、かかる冷媒流路に対して冷媒循環手段１８ａ，１８ｂから供給される冷媒を循環させることでターゲット５ａ，５ｂの冷却を行うようになっている。
【００３６】
また、図１（ｂ）に示すように、平面視矩形状の第１の冷却手段８ａを取り囲むようにして矩形枠状の永久磁石、電磁石、これらを組み合わせた磁石等からなる第１の磁界発生手段１６ａが配設されている。図１（ａ）に示す第２の冷却手段８ｂを取り囲む第２の磁界発生手段１６ｂも同様の形状である。
なお、冷却手段８ａ，８ｂは、導電部材により作製してそれぞれ第１電極９ａ，９ｂと電気的に接続してもよく、この場合には冷却手段８ａ，８ｂに対しそれぞれ電源４ａ，４ｂを電気的に接続することができる。また、第１電極９ａ，９ｂの内部に冷媒流路を形成することで第１電極９ａ，９ｂが冷却手段を兼ねる構成としてもよい。
【００３７】
図２は、図１（ａ）に示すスパッタ装置３の構成を示す図である。図２（ａ）はスパッタ装置３を成膜室２側から見た平面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＧ−Ｇ’線に沿う矢視断面図である。
図１及び図２に示すように、第１電極９ａ及び第２電極９ｂは、それらの一端部（−Ｚａ側端部）に接続された側壁部材１９と、第１電極９ａ及び第２電極９ｂのＹ軸方向両端部にそれぞれ接続された側壁部材９ｃ、９ｄとともにスパッタ装置３の真空チャンバーとなる箱形筐体を構成している。ただし、箱形筐体を構成する第１電極９ａ，第２電極９ｂ、及び側壁部材（９ｃ、９ｄ、１９）は互いに絶縁された構造である。箱形筐体は、第１電極９ａ及び第２電極９ｂの側壁部材１９と反対側の端部にスパッタ粒子が排出される開口部３ａを有している。そして、開口部３ａを介して成膜室２に突出形成された装置接続部２５と接続され、かかる接続構造により箱形筐体の内部は成膜室２の内部と連通している。
【００３８】
図１に示すように、ターゲット５ａ，５ｂに挟まれるプラズマ生成領域に対して成膜室２と反対側に配置された側壁部材１９には、第１のガス供給手段２１が接続されている。第１のガス供給手段２１から供給されるアルゴンガスは、側壁部材１９側からプラズマ生成領域（ターゲット対向領域）に流入し、装置接続部２５を介して成膜室２内に流入するようになっている。
そして、成膜室２に流入したアルゴンガスは、矢印２１ｆで示すように、第２のガス供給手段２２から供給されて矢印２２ｆに沿って流通する酸素ガスと合流して排気制御装置２０側へ流れるようになっている。
【００３９】
本実施形態の製造装置１では、第１のスパッタガスであるアルゴンガスを図示Ｚａ方向に沿って成膜室２側へ流通させ、成膜室２内を−Ｘ方向に流通する酸素ガスと合流させ、その後−Ｘ方向に流通させるようになっている。また、第２のスパッタガスである酸素ガスの流通方向と前記アルゴンガスの流通方向との成す角度が鋭角になるようにしてスパッタガスを円滑に流通させるようになっている。
これにより、酸素ガスとアルゴンガスとの合流地点においてガス流が乱れるのを防止することができ、基板Ｗに対するスパッタ粒子５ｐの入射角度がばらつくのを防止することができる。
【００４０】
図１（ａ）に示すように、第１電極９ａのターゲット５ａと反対側に第１の磁界発生手段１６ａが配置され、第２電極９ｂのターゲット５ｂと反対側には第２の磁界発生手段１６ｂが配置されている。また、図２（ｂ）に示すように、第２の磁界発生手段１６ｂは、矩形状のターゲット５ｂの外周端に沿って配置された矩形枠状であり、第１の磁界発生手段１６ａも同様である。
【００４１】
したがって、第１の磁界発生手段１６ａと第２の磁界発生手段１６ｂとは、対向配置されたターゲット５ａ，５ｂの外周部で互いに対向して配置されている。そして、これらの磁界発生手段１６ａ，１６ｂがターゲット５ａ，５ｂを取り囲むＸａ方向の磁界をスパッタ装置３内に発生させ、かかる磁界によってプラズマＰｚに含まれる電子をプラズマ生成領域内に拘束する電子拘束手段を構成している。
【００４２】
図１（ａ）に示すように、成膜室２内には、基板Ｗをその被処理面（成膜面）が水平（ＸＹ面に平行）になるようにして保持する搬送トレイ６が設けられている。
搬送トレイ６の基板Ｗを保持する面とは反対側の裏面６ｒには、スパッタ装置３から放出されたスパッタ粒子５ｐを捕捉する捕捉部材６ｃが着脱自在に設けられている。捕捉部材６ｃは、例えばアルミニウム等の金属により形成され、酸素ガスの流通方向（矢印２２ｆの方向）に沿って設けられている。
【００４３】
スパッタ粒子５ｐを捕捉する捕捉部材６ｃの捕捉面６ｆには、スパッタ粒子５ｐの付着により形成されるスパッタ膜の剥離を防止する表面処理が施されている。このような表面処理法としては、例えばサンドブラスト等、捕捉面６ｆを荒らして表面積を大きくするような方法や、捕捉面６ｆにスパッタ膜の剥離を防止する剥離防止層を形成する方法等を用いることができる。
【００４４】
また、搬送トレイ６には、搬送トレイ６を図示略のロードロックチャンバー側からその反対側へ水平に搬送する移動手段６ａが接続されている。移動手段６ａ及び搬送トレイ６による基板Ｗの搬送方向は、図１においてＸ軸方向に平行であり、ターゲット５ａ，５ｂの長さ方向（Ｙ軸方向）と直交する方向となっている。
また、搬送トレイ６には、保持した基板Ｗを加熱するためのヒータ（加熱手段）７が設けられている。さらに、搬送トレイ６には、保持した基板Ｗを冷却するための第３の冷却手段８ｃが設けられている。
【００４５】
ヒータ７は、電源等を具備した制御部７ａに接続されている。そして、ヒータ７は、制御部７ａを介した昇温動作により所望の温度に搬送トレイ６を加熱し、これによって基板Ｗを所望の温度に加熱できるように構成されている。
一方、第３の冷却手段８ｃは、第３の冷媒循環手段１８ｃと配管等を介して接続されている。そして、第３の冷却手段８ｃは、第３の冷媒循環手段１８ｃから供給される冷媒を循環させることにより所望の温度に搬送トレイ６を冷却し、これによって基板Ｗを所望の温度に冷却するように構成されている。
【００４６】
図３（ａ）は、スパッタ装置３の開口部３ａ近傍の拡大断面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う搬送トレイ６の矢視平面図である。なお、図１では搬送トレイ６にヒータ７及び冷却手段が設けられている構成について説明したが、これらは搬送トレイの外部に設けられていてもよい。図３では、これらが搬送トレイ６の外部に設けられ、基板Ｗの成膜面とは反対側の裏面Ｗｒが露出されている場合について説明する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、搬送トレイ６の裏面６ｒ側には、基板Ｗの裏面Ｗｒを露出させる開口部６ｗが形成されている。搬送トレイ６の裏面６ｒの開口部６ｗの周囲には、捕捉部材６ｃが設けられている。
捕捉部材６ｃは、基板Ｗの搬送方向（Ｘ方向）及び鉛直方向（Ｚ方向）に捕捉面（板面）６ｆが沿うように、搬送トレイ６の裏面６ｒに立設された複数のフィン状の部材である。
【００４７】
図３（ｂ）に示すように、捕捉部材６ｃは、搬送トレイ６の基板Ｗの搬送方向（Ｘ方向）の前方側（＋Ｘ側）の端部及び後方側（−Ｘ側）の端部の双方に設けられている。また、搬送トレイ６の開口部６ｗの側方（±Ｙ側）に設けられた捕捉部材６ｃは、＋Ｘ側の端部から−Ｘ側の端部まで連続して形成されている。
また、捕捉部材６ｃは、矢印２２ｆで示す酸素ガスの流通方向（Ｘ方向）に関しては、搬送トレイ６の上流側（＋Ｘ側）の端部及び下流側（−Ｘ側）の端部の双方に設けられている。
【００４８】
図３（ａ）に示す捕捉部材６ｃの高さＨは、スパッタ粒子５ｐの平均自由行程以上となっている。同様に、図３（ｂ）に示す捕捉部材６ｃのＸ方向の長さＬは、スパッタ粒子５ｐの平均自由行程以上となっている。一方、捕捉部材６ｃの配置間隔Ｓは、スパッタ粒子５ｐの平均自由行程以下となっている。ここで、スパッタ粒子５ｐの平均自由行程は、例えば約１０ｍｍ程度である。また、捕捉部材６ｃのＹ方向の厚さＴは、強度を確保した上で、できるだけ薄いことが好ましく、例えば約０．１ｍｍ〜約３ｍｍ程度に形成されている。
【００４９】
図３（ａ）に示すように、成膜室２の＋Ｚ側の内壁には、スパッタ粒子５ｐを捕捉する第２の捕捉部材２ｃが着脱自在に設けられている。第２の捕捉部材２ｃは、搬送トレイ６の裏面６ｒの捕捉部材６ｃと同様に、例えばアルミニウム等の金属により形成されている。第２の捕捉部材２ｃは、スパッタ装置３のスパッタ粒子５ｐを放出する開口部３ａに対して、スパッタ粒子５ｐの放出方向に対向する領域に配置されている。
【００５０】
第２の捕捉部材２ｃのスパッタ粒子５ｐを捕捉する捕捉面２ｆには、捕捉部材６ｃの捕捉面６ｆと同様に、スパッタ粒子５ｐが付着して形成されるスパッタ膜の剥離を防止する表面処理が施されている。
また、スパッタ装置３の開口部３ａの近傍には、装置接続部２５や成膜室２の内壁にスパッタ粒子５ｐが付着するのを防止する防着カバー１１や、スパッタ粒子５ｐの放出方向を規制するスリット（不図示）が設けられている。
【００５１】
製造装置１により液晶装置の構成部材である基板Ｗ上に無機配向膜を形成するには、第１のガス供給手段２１からアルゴンガスを導入しつつ、第１電極９ａ及び第２電極９ｂにＤＣ電力（ＲＦ電力）を供給する。これにより、ターゲット５ａ，５ｂに挟まれる空間にプラズマＰｚを発生させ、プラズマ雰囲気中のアルゴンイオン等をターゲット５ａ，５ｂに衝突させる。そして、ターゲット５ａ，５ｂから配向膜材料（シリコン）をスパッタ粒子５ｐとしてたたき出す。さらにプラズマＰｚに含まれるスパッタ粒子５ｐのうち、プラズマＰｚから開口部３ａ側へ飛行するスパッタ粒子５ｐのみを選択的に成膜室２側へ放出する。そして、基板Ｗの面上に斜め方向から飛来したスパッタ粒子５ｐと、成膜室２を流通する酸素ガスとを基板Ｗ上で反応させることで、シリコン酸化物からなる配向膜を基板Ｗ上に形成するようになっている。
【００５２】
なお、本実施形態では、スパッタ粒子５ｐとしてのシリコンを、第２のスパッタガスである酸素ガスと反応させることでシリコン酸化物を基板Ｗ上に成膜する場合について説明しているが、ターゲット５ａ，５ｂとして例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やアルミニウム酸化物（ＡｌＯｙ等）などを用い、ターゲット５ａ，５ｂに対してＲＦ電力を入力してスパッタ動作を行うことで、これらシリコン酸化物やアルミニウム酸化物からなる無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができる。またこの場合において、第２のスパッタガス（酸素ガス）を成膜室２内に流通させておくことで、形成される無機配向膜の酸化物組成からのずれを防止することができ、無機配向膜の絶縁性を高めることができる。
【００５３】
上記構成を備えた製造装置１によれば、搬送トレイ６の裏面６ｒに捕捉部材６ｃが設けられているので、スパッタ装置３から放出されたスパッタ粒子５ｐが搬送トレイ６の裏面６ｒ側に回りこんだとしても、捕捉部材６ｃによってスパッタ粒子５ｐを捕捉することができる。これにより、搬送トレイ６の裏面６ｒや基板Ｗの裏面Ｗｒにスパッタ粒子５ｐが付着してスパッタ膜が形成されることが防止される。そのため、基板Ｗの搬送時に搬送トレイ６の裏面６ｒのスパッタ膜が剥離してパーティクルが発生することを防止して、無機配向膜の膜質を向上させることができる。また、基板Ｗの裏面Ｗｒに形成されたスパッタ膜を除去する必要が無くなる。
【００５４】
また、捕捉部材６ｃは、成膜室２内を矢印２２ｆに示すように流通する酸素ガスの流通方向に捕捉面６ｆが沿うように配置されたフィン状に形成されている。そのため、成膜室２内の酸素ガスの流通が捕捉部材６ｃによって妨げられることが防止され、酸素ガスの濃度や分圧を均一にすることができる。このように、酸素ガスの濃度や分圧を均一にすることで、良好な無機配向膜を形成することができる。
また、捕捉部材６ｃは、酸素ガスの流通方向と略垂直な方向（Ｙ方向）に複数配置されている。これにより、捕捉部材６ｃの捕捉面６ｆの表面積を増大させて、より効果的にスパッタ粒子５ｐを捕捉することが可能となる。したがって、より確実にパーティクルの発生を防止して、無機配向膜の膜質をより向上させることができる。
【００５５】
また、図３（ａ）に示す捕捉部材６ｃの高さＨ及び図３（ｂ）に示す長さＬが、スパッタ粒子５ｐの平均自由行程以上であり、捕捉部材６ｃの配置間隔Ｓがスパッタ粒子５ｐの平均自由行程以下となっている。そのため、搬送トレイ６の裏面６ｒ側に回り込んだスパッタ粒子５ｐは、一対の捕捉部材６ｃ，６ｃの捕捉面６ｆ，６ｆの間を通過する際に、そのほとんどがいずれかの捕捉面６ｆに付着する。すなわち、スパッタ粒子５ｐをより確実に捕捉部材６ｃに付着させ、より効果的に捕捉することができる。したがって、より確実にパーティクルの発生を防止して、無機配向膜の膜質をより向上させることができる。
【００５６】
また、搬送トレイ６の基板Ｗの搬送方向（Ｘ方向）の前方及び後方の端部に捕捉部材６ｃが設けられているので、プレスパッタ等、基板Ｗの成膜面に成膜を行う前にスパッタ装置３によりスパッタ粒子５ｐを放出させた場合であっても、搬送トレイ６の裏面６ｒ側に回り込んだスパッタ粒子５ｐが、搬送トレイ６の裏面６ｒや基板Ｗの裏面Ｗｒに付着することを防止できる。
【００５７】
すなわち、基板Ｗへの成膜時には、スパッタ装置３からスパッタ粒子５ｐを放出させた状態で、基板Ｗを搬送トレイ６により搬送方向後方側（−Ｘ側）から前方側（＋Ｘ側）へ移動させていく。すると搬送トレイ６は、＋Ｘ側の端部からスパッタ粒子５ｐが放出されている領域に進入する。このとき、搬送トレイ６の＋Ｘ側の端部から搬送トレイ６の裏面６ｒ側に回り込んだスパッタ粒子５ｐが、搬送トレイ６の裏面６ｒの＋Ｘ側の端部に設けられた捕捉部材６ｃによって捕捉され、それよりも−Ｘ側に回り込むことが防止される。したがって、搬送トレイ６の＋Ｘ側の端部の捕捉部材６ｃよりも−Ｘ側の搬送トレイ６の裏面６ｒや基板Ｗの裏面Ｗｒにスパッタ膜が形成されることが防止される。
【００５８】
さらに、搬送トレイ６によって基板Ｗを＋Ｘ方向に移動させていくと、やがて搬送トレイ６の基板Ｗの−Ｘの端部が、スパッタ粒子５ｐが放出されている領域に進入する。このとき、搬送トレイ６の−Ｘ側の端部から搬送トレイ６の裏面６ｒ側に回りこんだスパッタ粒子５ｐが、搬送トレイ６の−Ｘ側の端部に設けられた捕捉部材６ｃによって捕捉され、それよりも基板Ｗの＋Ｘ側に回りこむことが防止される。したがって、搬送トレイ６の−Ｘ側の端部の捕捉部材６ｃよりも＋Ｘ側の搬送トレイ６の裏面６ｒや、基板Ｗの裏面Ｗｒにスパッタ膜が形成されることが防止される。
【００５９】
また、矢印２２ｆで示す酸素ガスの流通方向に関しては、酸素ガスの上流側及び下流側の搬送トレイ６の双方の端部に捕捉部材６ｃが設けられている。そのため、プレスパッタ等、基板Ｗの成膜面に成膜を行う前にスパッタ装置３によりスパッタ粒子５ｐを放出させた場合であっても、酸素ガスの流れにより搬送トレイ６の裏面６ｒ側に回り込んだスパッタ粒子５ｐが、搬送トレイ６の裏面６ｒや基板Ｗの裏面に付着することを防止できる。
【００６０】
すなわち、基板Ｗへの成膜時には、スパッタ装置３からスパッタ粒子５ｐを放出させた状態で、基板Ｗを搬送トレイ６により搬送方向（Ｘ方向）の後方側（−Ｘ側）から前方側（＋Ｘ側）へ移動させていく。すると搬送トレイ６は、＋Ｘ側の端部からスパッタ粒子５ｐが放出されている領域に進入する。また、酸素ガスは、矢印２２ｆで示すように、成膜室２内をＸ方向に沿って流通し、基板Ｗの成膜面上と搬送トレイ６の裏面６ｒ上を流通している。
【００６１】
このとき、搬送トレイ６の裏面６ｒの酸素ガスの流通方向の上流側（＋Ｘ側）の端部に捕捉部材６ｃが設けられているので、搬送トレイ６の＋Ｘ側の端部から、酸素ガスの流れによって搬送トレイ６の裏面６ｒ側に回り込んだスパッタ粒子５ｐが、捕捉部材６ｃによって捕捉され、それよりも酸素ガスの流通方向の下流側（−Ｘ側）に回り込むことが防止される。したがって、搬送トレイ６の＋Ｘ側の端部に捕捉部材６ｃが設けられている場合には、その捕捉部材６ｃよりもス−Ｘ側の搬送トレイ６の裏面６ｒや基板Ｗの裏面Ｗｒにスパッタ膜が形成されることが防止される。
【００６２】
また、搬送トレイ６の−Ｘ側の端部では、酸素ガスに乱流が発生する場合がある。このとき、搬送トレイ６の裏面６ｒの−Ｘ側の端部に捕捉部材が設けられていると、酸素ガスの乱流によって−Ｘ側から搬送トレイ６の裏面６ｒ側に回りこんだスパッタ粒子５ｐが捕捉部材６ｃによって捕捉され、それよりも＋Ｘ側に回り込むことが防止される。したがって、搬送トレイ６の−Ｘ側の端部に設けられた捕捉部材６ｃよりも＋Ｘ側の搬送トレイ６の裏面６ｒや基板Ｗの裏面Ｗｒにスパッタ膜が形成されることが防止される。
【００６３】
さらに、捕捉部材６ｃの捕捉面６ｆには、スパッタ膜の剥離を防止する表面処理が施されている。これにより、捕捉部材６ｃからスパッタ膜が剥離してパーティクルが発生することが防止される。したがって、スパッタ装置３のターゲット５ａ，５ｂにパーティクルが落下して付着することが防止され、スパッタ装置３の異常放電を防止することができる。また、基板Ｗの成膜面にパーティクルが付着することが防止され、無機配向膜の膜質を向上させることができる。
【００６４】
加えて、成膜室２の内壁のスパッタ粒子５ｐが放出される領域に第２の捕捉部材２ｃが設けられている。そのため、成膜室２内において、スパッタ装置３からスパッタ粒子５ｐが放出される領域に、基板Ｗや搬送トレイ６が位置していない場合であっても、スパッタ装置３から放出されたスパッタ粒子５ｐを第２の捕捉部材２ｃの捕捉面２ｆによって捕捉することができる。そのため、基板Ｗへの成膜前にスパッタ装置３からスパッタ粒子５ｐを放出させた場合であっても、成膜室２の内壁にスパッタ粒子５ｐが付着してスパッタ膜が形成されることが防止される。これにより、成膜室２の内壁からスパッタ膜が剥離してパーティクルが発生することが防止される。
したがって、スパッタ装置３の異常放電や、基板Ｗの成膜面へのパーティクルの付着が防止され、無機配向膜の膜質を向上させることができる。また、成膜前にプレスパッタを行ってスパッタ装置３のプラズマを安定させ、成膜条件を安定させてより良好な無機配向膜を形成することができる。
【００６５】
また、第２の捕捉部材２ｃの捕捉面２ｆには、スパッタ膜の剥離を防止する表面処理が施されている。これにより、第２の捕捉部材２ｃからスパッタ膜が剥離してパーティクルが発生することが防止される。したがって、スパッタ装置３のターゲット５ａ，５ｂにパーティクルが落下して付着することが防止され、スパッタ装置３の異常放電を防止することができる。また、基板Ｗの成膜面にパーティクルが付着することが防止され、無機配向膜の膜質を向上させることができる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置の製造装置１によれば、シャッターを設けることなく、無機配向膜の膜質に悪影響を及ぼす搬送トレイ６の裏面６ｒや基板Ｗの裏面Ｗｒや成膜室２の内壁へのスパッタ粒子５ｐの付着を防止して、無機配向膜の膜質を向上させることができる。また、基板Ｗへの成膜開始前にプレスパッタを行うことが可能となり、無機配向膜の膜質を向上させることができる。また、シャッターを設ける場合と比較して、パーティクルの発生を減少させ、成膜時の基板Ｗの周辺のスパッタガスの分圧を均一にして無機配向膜の膜質を向上させることができる。また、シャッターを設ける場合と比較して、スパッタ装置３と基板Ｗの成膜面との間の距離（Ｔ−Ｓ距離）を短くして、基板Ｗに無機配向膜を形成する工程の生産性を向上させることができる。
【００６７】
また、対向ターゲット型のスパッタ装置３を基板Ｗに対して所定角度（θ１）傾けて配置しているので、スパッタ装置３の開口部３ａから放出されるスパッタ粒子５ｐを所定角度で斜め方向から基板Ｗの成膜面に入射させることができる。そして、このようにして斜め方向から入射させたスパッタ粒子５ｐの堆積により、一方向に配向した柱状構造を具備した無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができるようになっている。また、対向ターゲット型のスパッタ装置３では、開口部３ａから放出されないスパッタ粒子は、主にターゲット５ａ，５ｂに入射して再利用されるため、極めて高いターゲット利用効率を得られるようになっている。さらにスパッタ装置３においては、ターゲット間隔を狭めることで開口部３ａから放出されるスパッタ粒子５ｐの指向性を高めることができるので、基板Ｗに到達するスパッタ粒子５ｐの入射角は高度に制御されたものとなり、形成される無機配向膜における柱状構造の配向性も良好なものとなる。
【００６８】
［液晶装置の製造方法］
次に、上記製造装置１を用いた液晶装置の製造方法（基板Ｗ上に無機配向膜を形成する工程）について説明する。
まず、基板Ｗとして、液晶装置用基板としてスイッチング素子や電極等、所定の構成部材が形成された基板を用意する。次いで、基板Ｗを成膜室２に併設されたロードロックチャンバー内に収容し、ロードロックチャンバー内を減圧して真空状態とする。また、これとは別に、排気制御装置を作動させて成膜室２内を所望の真空度に調整しておく。
【００６９】
続いて、基板Ｗを成膜室２内に搬送し、搬送トレイ６にセットする。そして、配向膜形成の前処理として、搬送トレイ６のヒータ７によって基板Ｗを例えば２５０℃〜３００℃程度で加熱し、基板Ｗの表面に付着した吸着水やガスなどの脱水・脱ガス処理を行う。次いで、ヒータ７による加熱を停止した後、スパッタリングによる基板温度の上昇を抑制するため、冷媒循環手段１８ｃを作動させて冷却手段８ｃに冷媒を循環させることで基板Ｗを所定温度、例えば室温に保持する。
【００７０】
次に、アルゴンガスを第１のガス供給手段２１からスパッタ装置３内に所定流量で導入し、酸素ガスを第２のガス供給手段２２から所定流量で成膜室２内に導入するとともに、排気制御装置２０を作動させ、所定の操作圧力、例えば１０−１Ｐａ程度に調整する。酸素ガスプラズマでは酸素ラジカル、酸素の負イオンが発生するため、本実施形態の製造装置１では、プラズマ生成領域であるターゲット５ａ，５ｂの前面にはアルゴンガスのみを導入し、酸素ガスは別系統のガス供給路から基板Ｗ上へ流入させている。また、成膜中にも必要に応じてヒータ７、冷却手段８ｃを作動させることにより、基板Ｗを室温に保持することが好ましい。
【００７１】
その後、このような成膜条件のもとで、移動手段６ａにより基板Ｗを図１中のＸ方向に所定の速度で移動させ、スパッタ装置３によるスパッタリングを行う。このとき、基板Ｗへの成膜前にスパッタ装置３のプラズマを安定させるプレスパッタを行ってもよい。成膜を開始すると、ターゲット５ａ，５ｂからは、配向膜材料となるスパッタ粒子（シリコン）が放出されるが、対向ターゲット型のスパッタ装置３では、ターゲット対向方向に進行するスパッタ粒子はプラズマＰｚ内に閉じ込められ、ターゲット面方向の開口部３ａに向かって進行するスパッタ粒子５ｐのみが開口部３ａから成膜室２内に放出され、進行方向を規制されたスパッタ粒子５ｐのみが基板Ｗ上に入射するようになる。
【００７２】
スパッタ粒子５ｐは、装置接続部２５に臨む基板Ｗの成膜面に対してのみ選択的に入射、基板Ｗ上で酸素ガスと反応してシリコン酸化物の被膜を形成する。このように基板Ｗに対して斜めに傾けて配置されたスパッタ装置３から放出され、さらに基板Ｗに対してスパッタ装置３と同様に斜めに傾けて配置された装置接続部２５を通過したスパッタ粒子５ｐは、基板Ｗの成膜面に対して所定の角度、すなわち前記θ１で入射するようになる。その結果、基板Ｗ上で酸素ガスとスパッタ粒子５ｐとの反応を伴って堆積した無機配向膜は、前記の入射角θ１に対応した角度で傾斜する柱状構造を有した無機配向膜となる。
【００７３】
このように、製造装置１により基板Ｗ上に形成される無機配向膜は所望の角度で傾斜した柱状構造を有する無機配向膜であり、この配向膜を備えてなる液晶装置は、かかる無機配向膜によって液晶のプレチルト角を良好に制御することがでるものとなる。
【００７４】
また、シャッターの代わりに捕捉部材６ｃ及び第２の捕捉部材２ｃを設けることにより、パーティクルを発生させることなくプレスパッタを行うことができ、安定した成膜条件で基板Ｗへの成膜を行うことが可能となり、より良好な膜質の無機配向膜を成膜することができる。
【００７５】
以上の工程により基板Ｗ上に無機配向膜を形成したならば、別途製造した他の基板とシール材を介して貼り合わせ、基板間に液晶を封入することで液晶装置を製造することができる。なお、本発明に係る液晶装置の製造方法において、無機配向膜の形成工程以外の製造工程については公知の製造方法を適用することができる。
【００７６】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、捕捉部材は、搬送トレイの基板の搬送方向の前方側の端部のみか、または後方側の端部のみに設けられていてもよい。また、捕捉部材は、搬送トレイの酸素ガスの流通方向の上流側の端部のみか、または下流側の端部のみに設けられていてもよい。
また、成膜時の基板の搬送方向及びガスの流通方向は上述の実施形態に限定されず、例えば上述の実施形態と逆向きであってもよく、双方が同じ向きであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】実施形態に係る液晶装置の製造装置の概略構成図。
【図２】図１に示すスパッタ装置の詳細構成を示す図。
【図３】（ａ）は図１に示す液晶装置の製造装置のスパッタ装置の開口部近傍の概略構成図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う搬送トレイの矢視平面図。
【符号の説明】
【００７８】
１  製造装置、２  成膜室、２ｃ  第２の捕捉部材、２ｆ  捕捉面、３  スパッタ装置、３ａ  開口部、５ｐ  スパッタ粒子、６  搬送トレイ、６ｃ  捕捉部材、６ｒ  裏面、６ｆ  捕捉面（板面）、２２  ガス供給手段、Ｈ  高さ、Ｌ  長さ、Ｓ  間隔（配置間隔）、Ｗ  基板、Ｘ  搬送方向（流通方向）、Ｚａ  放出方向
【図１】
2010015086.tif 000003
【図２】
2010015086.tif 000004
【図３】
2010015086.tif 000005