(57)【要約】【課題】複数の素子を同時に転写する一括転写を適用することでスループットを維持しつつ、初期の素子配列における発光特性の分布を拡散して良好な表示画質の表示装置を得ることが可能な表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１工程では、第１基板１上に配列形成された発光素子Ｓのうち所定個数置きに配置された発光素子Ｓを、第２基板２上に設定された第１転写エリアＳ１-1〜Ｓ１-4に一括転写する。次の第２工程では、第２基板２上の第１転写エリアＳ１-1〜Ｓ１-4に対して、第１基板１を移動させるか当該第１基板を面内で回転させた少なくとも一方の状態とし、第２基板２上に移載した複数の発光素子Ｓ間に、第１基板１上に残された発光素子Ｄを転写する。【選択図】図１-2
2010251360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に配列形成された発光素子のうち所定個数置きに配置された発光素子を、第２基板上に設定された転写エリアに一括転写する第１工程と、
前記第２基板上の転写エリアに対して、前記第１基板を移動させるか当該第１基板を面内で回転させた少なくとも一方の状態とし、当該第２基板上に移載した複数の発光素子間に、前記第１基板上に残された発光素子を転写する第２工程とを行なう
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第1工程および第2工程では、前記第２基板上に配列設定された互いに隣接する複数の転写エリアに対して、前記第1基板を移動させながら順次、前記発光素子を一括転写することにより、当該第２基板上に所定のピッチで前記発光素子を配列させる
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程では、前記基板上に配列された発光素子のうちの、所定の複数個置きに配置された発光素子を前記第２基板の転写エリアに対して一括転写し、
前記第２工程では、前記第１工程において当該第２基板上に移載した発光素子間に、前記第１基板上に残された発光素子を転写することにより、前記第２基板上の素子ピッチを前記第１基板上の素子ピッチよりも広くする
請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第1基板上の発光素子は、当該第１基板上の面内中央から両側に向かって発光特性が変化する分布を有して配列されており、
前記第２工程では、前記第１工程において前記第２基板上に設定した転写エリアに対して前記発光特性が変化する方向に１／２の寸法だけずらした新たな転写エリアを当該第２基板上に設定し、前記第1基板上に残された発光素子を当該第２基板上の新たな転写エリアに一括転写する
請求項１〜３の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第1基板上の発光素子は、当該第１基板上の面内において中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布を有して配列されており、
前記第２工程では、前記第１工程において前記第２基板上に設定した転写エリアに対して縦方向および横方向に１／２の寸法だけずらした新たな転写エリアを当該第２基板上に設定し、前記第1基板上に残された発光素子を当該第２基板上の新たな転写エリアに一括転写する
請求項１〜３の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第1基板上の発光素子は、当該第１基板上の面内において一端角から放射状に発光特性が変化する分布を有して配列されており、
前記第２工程では、前記第1工程において前記第２基板上に設定した転写エリアにおいて前記第1基板を面内で１８０°回転させた状態で、前記第1基板上に残された発光素子を当該転写エリアに一括転写する
請求項１〜３の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第1基板上の発光素子は、当該第１基板上の面内において一端角方向に偏った中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布を有して配列されており、
前記第１工程では、前記第１基板上に配列形成された発光素子のうちの１／４個の発光素子を前記第２基板上に転写し、
前記第２工程では、
前記第1工程において前記第２基板上に設定した転写エリアにおいて前記第1基板を面内で１８０°回転させた状態で、前記第1基板上に残された発光素子のうちの１／３を当該転写エリアに一括転写する第１シーケンスと、
前記第1工程において前記第２基板上に設定した転写エリアに対して当該転写エリアの縦方向および横方向に１／２の寸法だけずらした新たな転写エリアを当該第２基板上に設定し、前記第1基板上に残された発光素子のうちの１／３を当該第２基板上の新たな転写エリアに一括転写する第２シーケンスと、
前記第１シーケンスで設定した前記新たな転写エリアにおいて前記第1基板を面内で１８０°回転させた状態で、前記第1基板上に残された発光素子のうちの１／３を当該転写エリアに一括転写する第３シーケンスとを行なう
請求項１〜３の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１工程と前記第２工程とで前記第２基板上に転写された発光素子のうち、隣接する２つの発光素子で１画素を形成する
請求項１〜７の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１工程を行なう前に、前記第１基板上に配列形成された前記発光素子の発光特性の面内分布を検知する工程を行ない、
前記第２工程では、検知された発光特性の面内分布にしたがって、前記第２基板に対して前記第１基板を移動させるか当該第１基板を面内で回転させた少なくとも一方の状態として前記発光素子の転写を行う
請求項１〜８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
発光特性が所定の分布となるように複数の発光素子を配列してなる第１素子群と、
前記第１素子群と同様の分布で発光素子を配列してなると共に、当該第１素子群に対して配列エリアをずらすか当該第１素子群の配列状態を面内で回転させた少なくとも一方の状態で当該第１素子群を構成する発光素子間に配置された複数の発光素子からなる第２素子群とを有する
表示装置。
【請求項１１】
前記第１素子群および第２素子群は、それぞれが互いに隣接する複数の配列エリアに設けられている
請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１素子群および第２素子群は、配列エリアの面内中央から両側に向かって発光特性が変化する分布で前記発光素子を配列してなり、
前記第１素子群の配列エリアに対して、前記第２素子群の配列エリアが前記発光特性の変化する方向に１／２の寸法だけずらして設けられている
請求項１０または１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１素子群および第２素子群は、配列エリアの面内において中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布で前記発光素子を配列してなり、
前記第１素子群の配列エリアに対して、前記第２素子群の配列エリアが縦方向および横方向に１／２の寸法だけずらして設けられている
請求項１０または１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１素子群および第２素子群は、前記配列エリアの面内において一端角から放射状に発光特性が変化する分布で前記発光素子を配列してなり、
前記第１素子群における配列状態を面内において１８０°回転させた配列状態で前記第２素子群が設けられている
請求項１０または１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１素子群および第２素子群は、面内において一端角方向に偏った中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布で前記発光素子を配列してなり
前記第２素子群は、
前記第１素子群における配列状態を面内において１８０°回転させた配列状態で設けられた第１グループと、
前記第１素子群の配列エリアに対して、縦方向および横方向に１／２の寸法だけずらした配列エリアに設けられた第２グループと、
前記第１素子群の配列エリアに対して、縦方向および横方向に１／２の寸法だけずらした配列エリアにおいて当該第１素子群における配列状態を面内において１８０°回転させた配列状態で設けられた第３グループとを有する
請求項１０または１１に記載の表示装置。
【請求項１６】
隣接して配置された第１素子群の発光素子と第２素子群の発光素子とで、１画素を形成する
請求項１０〜１５の何れかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置の製造方法および表示装置に関し、特にはウェハに配列形成された発光素子を実装基板上に再配列する表示装置の製造方法および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（light Emitting Diode：ＬＥＤ）をマトリクス状に配列した表示装置の製造においては、成長基板上（サイズ５０〜1５０ｍｍφ）に配列形成された微小サイズ（数〜数十μｍ角）の単結晶ＬＥＤを、装置基板上に実装する工程が行なわれる。この際、成長基板上から、目的とする表示装置の画素ピッチ周期（ＬＥＤ形成周期の整数倍）に配置されたＬＥＤを選択して装置基板へ一括転写し、それを繰り返すことで、目的とするサイズおよび画素数の表示装置を作製することができる。
【０００３】
例えば、３０ｍｍ×３０ｍｍの成長基板上に２０μｍのピッチで配列されたＬＥＤを、３００μｍピッチに拡大して装置基板上に再配置する場合、成長基板上に配列されたＬＥＤのうちの１５素子に1素子を成長基板全体にわたって選択的に一括転写する。これにより、１００×１００のＬＥＤが３００μｍピッチで一度に装置基板上に一括転写されることになる。
【０００４】
さらに、装置基板上において転写済みの領域に隣接する領域に、成長基板上に残ったＬＥＤを同じ周期で同様に一括転写することを繰り返すことで、３０ｍｍ×３０ｍｍの成長基板１枚から大型の表示装置の１色分が形成できる（例えば下記特許文献１参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１４０３９８号公報（段落００１７および図１参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、成長基板上へのＬＥＤの形成においては、通常ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル結晶成長によって発光層を含む各層の成膜が行われている。特に青・緑色発光のＬＥＤに関しては、数ｎｍと言う非常に薄いＩｎＧａＮ量子井戸層を形成する必要があり、その厚さと組成（In組成比）に、ＬＥＤの発光波長や発光効率が大きく依存する。
【０００７】
しかしながら、ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル結晶成長では、成膜する膜の厚さや組成のパラメータとなる結晶成長時の成長基板の温度分布や、原料・キャリアガスの流れを、面内で完全に均一に保つことが困難である。このため、成長基板上に形成されたＬＥＤには、基板面内においた数ｎｍの発光波長（ピーク波長または主波長）の分布が生じる。
【０００８】
したがって、このような分布を有してＬＥＤが形成された成長基板を用いて、上記の選択的繰り返し転写を行って表示装置を作製した場合、1回の転写エリアの大きさを単位としてパネル表示面内で周期的に波長が変化しているものとなる。そして、そのピーク波長または主波長の変化幅（むら）が約２ｎｍ以上の場合には、目視すると色むらとして見えることになる。また同時に、単色を全面同一電流で駆動した場合であれば、発光効率の違いや波長の違いによる視感度の違いから輝度むらも見えることになる。この色むらや輝度むらがあると、ディスプレイの表示画質を落とすことになり、実用性が阻害される。
【０００９】
このような色むらや輝度むらを防止するためには、輝度および発光波長が基準値の範囲のＬＥＤのみを選択して装置基板上に配置する方法もある。しかしながら、個人用・家庭用画像表示装置としては、画素ピッチが１ｍｍ未満で、３０万〜２００万画素が必要となる。このような用途に、０．２ｍｍ角以上のＬＥＤを1つずつ実装することは、コスト面で実用的ではない。
【００１０】
そこで本発明は、複数の素子を同時に転写する一括転写を適用することでスループットを維持しつつ、初期の素子配列における発光特性の分布を拡散して良好な表示画質の表示装置を得ることが可能な表示装置の製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、このような製造方法によって、画質の向上が図られた表示特性を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的を達成するための本発明の表示装置の製造方法は、次の工程を行う。先ず第１工程では、第１基板上に配列形成された発光素子のうち所定個数置きに配置された発光素子を、第２基板上に設定された転写エリアに一括転写する。次の第２工程では、第１の転写によって第１基板から第２基板上に移載された複数の発光素子間に、第１基板上に残された発光素子を転写する。特にこの第２工程では、第２基板上の転写エリアに対して、第１基板を移動させるか当該第１基板を面内で回転させた少なくとも一方の状態として転写を行う。
【００１２】
このような方法では、第１基板上に所定の分布で発光特性が変化するように発光素子が配列形成されていても、第１工程で基板上に一括転写された発光素子における発光特性の分布を打ち消すように、第２の工程において発光素子間に発光素子が転写される。
【００１３】
また本発明の表示装置は、上述した製造方法によって作製されるものであり、所定の分布で発光特性が変化するように基板上に配列された第１素子群と、当該第１素子群を構成する発光素子間に配置された複数の発光素子からなる第２素子群とを有する。特に第２素子群は、第１素子群と同様の分布で発光素子を配列してなる。また、第２素子群は、当該第１素子群に対して配列エリアを面内でずらしてシフトさせるか当該第１素子群の配列状態を面内で回転させた少なくとも一方の状態で配列されている。
【００１４】
このような表示装置は、第１素子群を構成する発光素子の発光特性の分部が、第２素子群の発光特性の分布によって打ち消されたものとなる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば、複数の素子を同時に転写する一括転写を適用することでスループットを維持しつつ、初期の素子配列における発光特性の分布を拡散して良好な表示画質の表示装置を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１−１】第１実施形態が適用される発光素子の発光特性分布を示す平面図である。
【図１−２】第１実施形態を適用した再配列を説明する平面図である。
【図１−３】第１実施形態を適用して発光素子を再配列した第２基板の平面図である。
【図１−４】通常の手順で発光素子を再配列した第２基板の平面図である。
【図２−１】第２実施形態が適用される発光素子の発光特性分布を示す平面図である。
【図２−２】第２実施形態を適用した再配列を説明する平面図である。
【図２−３】第２実施形態を適用して発光素子を再配列した第２基板の平面図である。
【図２−４】通常の手順で発光素子を再配列した第２基板の平面図である。
【図３−１】第３実施形態が適用される発光素子の発光特性分布を示す平面図である。
【図３−２】第３実施形態を適用した再配列を説明する平面図である。
【図３−３】第３実施形態を適用して発光素子を再配列した第２基板の平面図である。
【図３−４】通常の手順で発光素子を再配列した第２基板の平面図である。
【図４−１】第４実施形態が適用される発光素子の発光特性分布を示す平面図である。
【図４−２】第４実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その１）である。
【図４−３】第４実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その２）である。
【図４−４】第１実施形態を適用して発光素子を再配列した第２基板の平面図である。
【図４−５】通常の手順で発光素子を再配列した第２基板の平面図である。
【図５−１】第５実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その１）である。
【図５−２】第５実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その２）である。
【図６−１】第６実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その１）である。
【図６−２】第６実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その２）である。
【図７−１】第７実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その１）である。
【図７−２】第７実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その２）である。
【図７−３】第７実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その３）である。
【図７−４】第７実施形態を適用した再配列を説明する平面図（その４）である。
【図８−１】第８実施形態の表示装置の製造工程を示す断面工程図（その１）である。
【図８−２】第８実施形態の表示装置の製造工程を示す断面工程図（その２）である。
【図８−３】第８実施形態の表示装置の製造工程を示す断面工程図（その３）である。
【図８−４】第８実施形態の表示装置の製造工程を示す断面工程図（その４）である。
【図８−５】第８実施形態で得られる表示装置の断面図および平面図である。
【図９−１】本発明が適用される表示装置の回路構成を示す図である。
【図９−２】本発明が適用される表示装置の回路構成の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の各実施の形態を以下の順序で説明する。
１．第１実施形態（中央から両側に発光特性が変化する分布で配列された発光素子を再配列する例）
２．第２実施形態（中心部から放射状に発光特性が変化する分布で配列された発光素子を再配列する例）
３．第３実施形態（一端角から放射状に発光特性が変化する分布で配列された発光素子を再配列する例）
４.第４実施形態（一端角方向に偏った中心部から放射状に発光特性が変化する分布で配列された発光素子を再配列する列）
５．第５実施形態（２つの発光素子で１画素を構成する第１実施形態および第２実施形態の変形例）
６．第６実施形態（２つの発光素子で１画素を構成する第３実施形態の変形例）
７．第７実施形態（２つの発光素子で１画素を構成する第４実施形態の変形例）
８．第８実施形態（第１〜第７実施形態の再配列を適用した表示装置の製造方法）
９．第９実施形態（本発明が適用される表示装置の回路構成）
【００１８】
＜第１実施形態＞
図１-1〜図１-3は、本発明を適用した第１実施形態の表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図である。ここでは、これらの図に基づいて、発光ダイオード（light Emitting Diode：ＬＥＤ）のような発光素子をマトリクス状に配列した表示装置の製造において、第１基板上から第２基板上に発光素子を移載する方法を説明する。
【００１９】
ここで第１基板は、例えば発光素子が形成された成長基板、または成長基板上に配列形成された発光素子を一時的に移載した保持基板であることとする。そして第２基板は、配線等が設けられた装置基板（配線基板）、または発光素子を一時的に移載する保持基板であることとする。
【００２０】
そして、第１基板上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で配列された発光素子を、第２基板上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１の整数倍に拡大した拡大ピッチｐｘ２、ｐｙ２にして移載する手順を示す。この拡大ピッチｐｘ２、ｐｙ２は、例えば画素ピッチに相当する。尚、ここでは説明のために、初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１の２倍の拡大ピッチｐｘ２、ｐｙ２とする。また第１基板１上に８行×８列で配列された６４個の各発光素子Ｓには、１１〜８８までの行番号と列番号とからなる番号を付し、特定の発光素子Ｓについては、例えば第１行第１列の発光素子Ｓ１１のように番号を付して表す。
【００２１】
先ず図１-1に示すように、第１基板1上には所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で配列された複数の発光素子Ｓについて、発光光の色度や輝度などの発光特性の面内分布を検知する。ここで検知する発光特性は、発光波長、発光輝度、斜め方向と正面方向の発光輝度の比、温度変化に対する発光輝度の変化率などであり、例えばここでは発光波長を検知する。
【００２２】
そして各発光素子Ｓの発光特性を濃淡で示したように、第１基板１上には、面内中央から図面上の左右方向であって行方向の両側に向かって発光特性が変化する分布を有して発光素子Ｓが配列されていることが検知される。つまり、第１基板１上における波長分布が、第１基板１上の縦方向または横方向（ここでは縦方向）の中央を軸として、この軸からの距離に依存して波長が一方向に変化した分布であることが検知される。この場合、次の様に第１基板１上の発光素子Ｓの移載を行う。
【００２３】
先ず、図１-2（1）に示す第１工程では、第１基板１上から発光素子Ｓを移載する第２基板上に、第１基板１の面積と同等の大きさで互いに隣接する複数の第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4を設定する。ここで第２基板２は、例えば第１基板１の縦方向２倍×横方向２倍の面積を有していることとする。
【００２４】
そして第２基板２上に設定した各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して、第１基板１を対向配置させ、例えば以降に説明するレーザ転写によって発光素子Ｓを順次一括転写していく。
【００２５】
この際先ず、第１転写エリアＡ１-1に第１基板１を対向配置する。そして、第１基板1上において行列方向に２素子以上の複数素子置き（ここでは３素子置き）に配置された発光素子Ｓ１１，Ｓ１５，Ｓ５１，Ｓ５５および、これらと市松模様を構成する発光素子Ｓ３３，Ｓ３７，Ｓ７３，Ｓ７７に選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第１転写エリアＡ１-1に対して、上記８つの発光素子Ｓ１１，Ｓ１５，…を一括で転写して移載する。
【００２６】
次に、第１転写エリアＡ１-1の右隣の第１転写エリアＡ１-2上に第１基板１を移動させる。そして、第１基板1上において先の発光素子Ｓ１１，Ｓ１５，…の右隣の発光素子Ｓ１２，Ｓ１６，Ｓ５２，Ｓ５６および、発光素子Ｓ３４，３８，７４，７８に対して選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第１転写エリアＡ１-2に対してこれらの８つの発光素子Ｓ１２，Ｓ１６，…を一括で転写して移載する。
【００２７】
同様に、第１転写エリアＡ１-3に対しても第１基板１を移動させて８つの発光素子Ｓ２１，２５，…を一括で転写して移載し、第１転写エリアＡ１-4に対しても第１基板１を移動させて８つの発光素子Ｓ２２，Ｓ２６，…を一括で転写して移載する。
【００２８】
このような発光素子Ｓの一括転写による移載は、４つの第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に移載された各発光素子Ｓの配列が行方向および列方向に揃うように、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して第１基板１を位置合わせした状態で行われることとする。また、これらの４つの第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対する発光素子Ｓの一括転写は、どの順番で行っても良い。
【００２９】
そして以上のような第１工程での一括転写によって、第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4内には、第１基板１上と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第１素子群Ｇ１が移載される。
【００３０】
次に、図１-2（２）に示す第２工程では、第２基板２上に、新たな転写エリア(第２転写エリア）Ａ２-1〜Ａ２-6を設定する。これらの第２転写エリアＡ２-1〜Ａ２-6は、先の第１工程で設定されていた第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）に対して、発光素子Ｓの発光特性が変化する方向（図面上の左右方向であって発光素子Ｓの配列の行方向）に１／２の寸法だけずらしてシフトさせた位置とする。
【００３１】
これにより、中央の第２転写エリアＡ２-2，Ａ２-5は、第１基板１および第１工程で設定されていた第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）と同様の大きさ（形状）で設定される。これに対して、これらの左右側両端の第２転写エリアＡ２-1，Ａ２-3，Ａ２-4，Ａ２-6は、中央の第２転写エリアＡ２-2，Ａ２-5を行方向に２分割した大きさ（形状）で設定される。尚、第１基板１に対して第２基板２が十分に大きい場合には、第１基板１および第１工程で設定されていた第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）と同様の大きさ（形状）に設定される第２転写エリアＡ２-2，Ａ２-5が大多数になる。
【００３２】
以上の様に設定した第２基板２上の各第２転写エリアＡ２-1〜Ａ２-6に対して、第１基板１を対向配置させ、例えば以降に説明するレーザ転写によって発光素子Ｓを順次一括転写していく。
【００３３】
例えば、先ず中央の第２転写エリアＡ２-2に第１基板１を対向配置する。そして、第１基板1上において行方向および列方向に３素子分置きに配置された発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，Ｓ５３，Ｓ５７および、これらと市松模様を構成する発光素子Ｓ３１，Ｓ３５，Ｓ７１，Ｓ７５に対して選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第２転写エリアＡ２-2に対して上記８つの発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，…を一括で転写して移載する。
【００３４】
次に、第２転写エリアＡ２-2の右隣の第２転写エリアＡ２-3上に第１基板１を移動させる。そして、第２転写エリアＡ２-3に対して重なる第１基板1上において、先の第２転写エリアＡ２-2に転写された発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，…の右隣に配置された発光素子Ｓ１４，Ｓ３２，Ｓ５４，Ｓ７２に対して選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第２転写エリアＡ２-3に対してこれらの４つの発光素子Ｓ１４，Ｓ３２，Ｓ５４，Ｓ７２を一括で転写して移載する。
【００３５】
同様に、第２転写エリアＡ２-1，Ａ２-4〜Ａ２-6に対しても、第１基板１を移動させてそれぞれ４つまたは８つの発光素子Ｓを一括で転写して移載する。
【００３６】
以上の６回の一括転写による発光素子Ｓの移載は、第１工程で既に第２基板２上に移載されている発光素子Ｓ間の中央に、各発光素子Ｓが均等に入れ子状に配置されるように、各第２転写エリアＡ２-1〜Ａ２-6に対して第１基板１を位置合わせした状態で行われることとする。またさらに、６つの第２転写エリアＡ２-1〜Ａ２-6に転写される各発光素子Ｓの配列が行方向および列方向に揃うように、上記位置合わせが行われる。尚、以上のような６回の一括転写は、どの順番で行っても良い。
【００３７】
また以上のような第２工程での一括転写によって、第２基板２上の各第２転写エリアＡ２-1〜Ａ２-6内には、第１基板１上と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第２素子群Ｇ２が設けられる。
【００３８】
以上により、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で８行×８列に配列された６４個の発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８は、第２基板２上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を、整数倍の画素ピッチに拡大した拡大ピッチｐｘ２，ｐｙ２で８行×８列に再配列される。
【００３９】
図１-3には、以上のようにして第２基板２上に複数の発光素子Ｓを再配列して移載した状態を示す。図１-3（１）は、各発光素子Ｓに付与した番号を示し、図１-3（２）は各発光素子Ｓの発光特性を濃淡で示した。
【００４０】
第２基板２上においては、上述したように、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で８行×８列に配列された６４個の発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８が、初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を２倍に拡大した拡大ピッチｐｘ２，ｐｙ２で８行×８列に再配列される。
【００４１】
第２基板２上に再配列された発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８は、図１-2（1）に示す第１工程で移載された第１素子群Ｇ１と、図１-2（２）に示す第２工程で移載された第２素子群Ｇ２とに分類される。
【００４２】
第１素子群Ｇ１は、第２基板２上において隣接する各配置エリア（すなわち上述した第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4であり、以下第１転写エリアと記す）内に、それぞれ配置されている。また第２素子群Ｇ２も、第２基板２上において隣接する各配置エリア（すなわち上述した第２転写エリアＡ２-1〜Ａ２-6であり、以下第２転写エリアと記す）内に、それぞれ配置されている。
【００４３】
第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓは、第１基板１上における発光素子Ｓと同様の発光特性分布で配列されている。つまり、第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２が配置される各転写エリア（配列エリア）の面内中央から両側に向かって、発光特性が変化する分布となっている。ただし、第２素子群Ｇ２のうち、第２基板２の周縁に配置される第２素子群Ｇ２は、転写エリアの形状に切り取った発光特性分布となる。
【００４４】
また第１素子群Ｇ１が設けられる第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4と、第２素子群Ｇ２が設けられる第２転写エリアＡ２-1〜Ａ２-6とは、発光特性の変化する方向に１／２の寸法だけシフトさせた状態で、第２基板２上において重ね合わせて設けられている。このため、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に配置された第１素子群Ｇ１を構成する発光素子Ｓと、各第２転写エリアＡ２-1〜Ａ２-6に配置された第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓとは、互いに入れ子状に配置された構成となっている。
【００４５】
以上の第１実施形態によれば、第１基板１上の面内中央から両側に向かって発光特性が変化する分布で配列された発光素子Ｓを、一括転写を適用しつつも、発光特性分布を打ち消すように第２基板２上に再配列させることができる。つまり、第２基板２上において行方向（横方向）に隣接する発光素子Ｓは、第１基板１上における行方向(横方向）のサイズの１／２だけはなれた場所にあった発光素子Ｓが実装されることになる。このため、第１基板１上の面内中央から両側に向かって発光特性が変化する分布が、第２基板２上において隣接する発光素子Ｓ間で打ち消されるのである。また、第１基板1上における発光素子Ｓの数が多ければ、発光素子Ｓの全体の特性平均値を挟んだ両側の特性を有する発光素子Ｓが隣接した状態で第２基板上に移載される。
【００４６】
特に、人の視覚特性における色差の空間分解能が輝度差のそれより低いことから、第２基板２上の発光素子Ｓの配列で作製された表示装置の画像を、推奨視距離以上から見た場合、隣接した画素の色差が認識され難くなる。そして、２×２程度の画素を平均化した色、言い換えれば色に関して空間的なローパスフィルタをかけた状態で認識される。これにより本来の色むら（表示装置全体での色差）が見かけ上１／２以下となるのである。
【００４７】
また、第１基板1上における発光素子Ｓの配置の配置間隔を、所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を拡大した間隔ｐｘ２，ｐｙ２で再配列させることができる。
【００４８】
以上の結果、一括転写を適用することでスループットを維持しつつ、初期の素子配列における発光特性の分布を拡散させて色むらの視認を防止した良好な表示画質の表示装置を得ることが可能になる。
【００４９】
また本発明は、以上のように色むらの視認が抑えられることから、基本的な繰り返し選択転写方法に比べて、成長基板上に配列形成される発光素子の発光主波長のむらの許容値を２倍以上にできる。また、色むらを補正する補正回路を不要にしたり簡素化することも可能になるため、表示装置の消費電力、コストが低減される。さらに、信号処理により色むら補正した場合に比べて色再現範囲を広くできる。
【００５０】
しかも、本件の方法を用いない場合に比べて、より大きな波長むらを持つ発光素子の成長基板を使用でき、また成長基板の有効面積を大きく利用することができることからも、表示装置のコスト低減を図ることが可能になる。
【００５１】
尚、比較として図１-4には、通常の一括転写を適用して第２基板２上に発光素子Ｓを移載した状態を、各発光素子Ｓの発光特性の濃淡で示した。ここで通常の一括転写とは、第２基板２を行列方向に４分割した各領域に対して、第１基板１上の発光素子Ｓを、行列方向の1素子置きに一括転写する方法である。この図１-4に示すように、通常の一括転写では、第２基板２上の４分割された領域において、中央から両側に向かって発光特性が変化する分布で発光素子Ｓが配列された状態がそのまま残ってしまうことが分かる。
【００５２】
＜第２実施形態＞
図２-1〜図２-3は、本発明を適用した第２実施形態の表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図である。本第２実施形態は、第１実施形態の応用例である。以下これらの図に基づいて、第１実施形態と同様に、表示装置の製造において第１基板上から第２基板上に発光素子を移載する方法を説明する。
【００５３】
先ず図２-1に示すように、第１基板1上に所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で配列形成された複数の発光素子Ｓについて、発光光の色度や輝度などの発光特性（ここでは発光波長）の面内分布を検知する。
【００５４】
これにより、各発光素子Ｓの発光特性を濃淡で示したように、第１基板１上には、面内において中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布を有して発光素子Ｓが配列されていることが検知される。つまり、第１基板１上における波長分布が近似的に軸対称な単調関数すなわち、第１基板１の中心を原点とした円座標で見ると、方位角に依らず中心からの距離に依存して中心が短波長で周辺が長波長またはその逆の波長分布であることが検知される。このような発光特性の分布は、発光素子Ｓを形成する場合の結晶成長時に、組成と膜厚の均一性を高めるために基板を回転させることに依存して生じる。この場合、次の様に第１基板１上の発光素子Ｓの移載を行う。
【００５５】
先ず、図２-2（1）に示す第１工程は、第１実施形態と同様に行う。すなわち、第１基板１上から発光素子Ｓを移載する第２基板上に第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4を設定する。そして、第１基板１上に配列形成された発光素子Ｓのうち、所定個数置きに配置された発光素子Ｓを、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に一括転写する。これにより、第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に、第１基板１上と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第１素子群Ｇ１を移載する。
【００５６】
次に、図２-2（２）に示す第２工程では、第２基板２上に、新たな転写エリア(第２転写エリア）Ａ２’-1〜Ａ２’-9を設定する。これらの第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9は、先の第１工程で設定されていた第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）に対して、縦方向および横方向、すなわち発光素子Ｓの配列の行方向および列方向に、１／２の寸法だけシフトさせた位置に設定されることとする。
【００５７】
これにより、中央の第２転写エリアＡ２’-5は、第１基板１および第１工程で設定されていた第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）と同様の大きさ（形状）で設定される。これに対して、第２基板２の周縁に配置される第２転写エリアＡ２’-2，Ａ２’-4，Ａ２’-6，Ａ２’-8は、中央の第２転写エリアＡ２’-5を行方向または列方向に２分割した大きさ（形状）で設定される。さらに、第２基板２の角部に配置される第２転写エリアＡ２’-1，Ａ２’-3，Ａ２’-7，Ａ２’-9は、中央の第２転写エリアＡ２’-5を行列方向に４分割した大きさ（形状）で設定される。尚、第１基板１に対して第２基板２が十分に大きい場合には、第１基板１および第１工程で設定されていた第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）と同様の大きさ（形状）に設定される第２転写エリアＡ２’-5が大多数になる。
【００５８】
以上の様に設定した第２基板２上の各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に対して、第１基板１を対向配置させ、発光素子Ｓを順次一括転写していく。
【００５９】
例えば、先ず中央の第２転写エリアＡ２’-5に第１基板１を対向配置する。そして、第１基板1上において行方向および列方向に３素子分置きに配置された発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，Ｓ５３，Ｓ５７および、これらと市松模様を構成する発光素子Ｓ３１，Ｓ３５，Ｓ７１，Ｓ７５に対して選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第２転写エリアＡ２’-5に対して上記８つの発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，…を一括で転写して移載する。
【００６０】
次に、第２転写エリアＡ２’-5の右隣の第２転写エリアＡ２’-6上に第１基板１を移動させる。そして、第２転写エリアＡ２’-6に対して重なる第１基板1上において、先の第２転写エリアＡ２’-5に転写された発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，…の右隣に配置された発光素子Ｓ１４，Ｓ３２，Ｓ５４，Ｓ７２に対して選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第２転写エリアＡ２’-6に対してこれらの４つの発光素子Ｓ１４，Ｓ３２，Ｓ５４，Ｓ７２を一括で転写して移載する。
【００６１】
同様に、第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-4，Ａ２’-7〜Ａ２’-9に対しても、第１基板１を移動させる。そして、これらの各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-4，Ａ２’-7〜Ａ２’-9に対して重なる第１基板1上位置に配置された４つまたは２つの発光素子Ｓを一括で転写して移載する。
【００６２】
以上の９回の一括転写による発光素子Ｓの移載は、第１工程で既に第２基板２上に移載されている発光素子Ｓ間の中央に、各発光素子Ｓが均等に入れ子状に配置されるように、各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に対して第１基板１を位置合わせした状態で行われることとする。またさらに、９ヶ所の第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に転写される各発光素子Ｓの配列が行方向および列方向に揃うように、上記位置合わせが行われる。尚、以上のような９回の一括転写は、どの順番で行っても良い。
【００６３】
また以上のような第２工程での一括転写によって、第２基板２上の各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内には、第１基板１上と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第２素子群Ｇ２が設けられる。
【００６４】
以上により、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で８行×８列に配列された６４個の発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８は、第２基板２上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を、整数倍の画素ピッチに拡大した拡大ピッチｐｘ２，ｐｙ２で８行×８列に再配列される。
【００６５】
図２-3には、以上のようにして第２基板２上に複数の発光素子Ｓを再配列して移載した状態を示す。図２-3（１）は、各発光素子Ｓに付与した番号を示し、図２-3（２）は各発光素子Ｓの発光特性を濃淡で示した。
【００６６】
第２基板２上には、第１実施形態と同様に、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で８行×８列に配列された６４個の発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８が、初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を２倍に拡大した拡大ピッチｐｘ２，ｐｙ２で８行×８列に再配列される。
【００６７】
第２基板２上に再配列された発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８は、図２-2（1）に示す第１工程で移載された第１素子群Ｇ１と、図２-2（２）に示す第２工程で移載された第２素子群Ｇ２とに分類される。
【００６８】
第１素子群Ｇ１は、第２基板２上において隣接する各配置エリア（すなわち上述した第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4であり、以下第１転写エリアと記す）内に、それぞれ配置されている。また第２素子群Ｇ２も、第２基板２上において隣接する各配置エリア（すなわち上述した第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9であり、以下第２転写エリアと記す）内に、それぞれ配置されている。
【００６９】
第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓは、第１基板１上における発光素子Ｓと同様の発光特性分布で配列されている。つまり、第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２が配置される各転写エリア（配列エリア）の面内において中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布となっている。ただし、第２素子群Ｇ２のうち、第２基板２の周縁に配置される第２素子群Ｇ２は、転写エリアの形状に切り取った発光特性分布となる。
【００７０】
また第１素子群Ｇ１が設けられる第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して、第２素子群Ｇ２が設けられる第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9は、発光素子Ｓの配列の行方向および列方向に、１／２の寸法だけシフトさせた状態で重ね合わされている。このため、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に配置された第１素子群Ｇ１を構成する発光素子Ｓと、各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に配置された第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓとは、互いに入れ子状に配置された構成となっている。また、第２基板２上において隣接配置される発光素子Ｓは、第１基板１上に配置された発光素子Ｓのなかで、縦横とも転写サイズの約１／２だけ離れた場所にあった発光素子Ｓとなる。
【００７１】
以上の第２実施形態によれば、中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布で第１基板１上に配列された発光素子Ｓを、複数の素子を同時に転写する一括転写を適用しつつ、発光特性分布を打ち消すように第２基板２上に再配列させることができる。つまり、第２基板２上において行方向（横方向）および列方向（縦方向）に隣接する発光素子Ｓは、第１基板１上における行方向(横方向）および列方向（縦方向）のサイズの１／２だけはなれた場所にあった発光素子Ｓが実装されることになる。このため、第１基板１上の中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布が、第２基板２上において隣接する発光素子Ｓ間で打ち消されるのである。したがって、第１実施形態と同様に、本来の色むら（表示装置全体での色差）を見かけ上１／２以下とすることが可能である。また、第１基板1上における発光素子Ｓの数が多ければ、発光素子Ｓの全体の特性平均値を挟んだ両側の特性を有する発光素子Ｓが隣接した状態で第２基板上に移載される。
【００７２】
また、第１基板1上における発光素子Ｓの配置の配置間隔を、所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を拡大した間隔ｐｘ２，ｐｙ２で再配列させることができる。
【００７３】
この結果、第１実施形態と同様に、一括転写を適用することでスループットを維持しつつ、初期の素子配列における発光特性の分布を拡散させて色むらの視認を防止し抑えた良好な表示画質の表示装置を得ることが可能になる。
【００７４】
尚、比較として図２-4には、通常の一括転写を適用して第２基板２上に発光素子Ｓを移載した状態を、各発光素子Ｓの発光特性の濃淡で示した。ここで通常の一括転写とは、第２基板２を行列方向に４分割した各領域に対して、第１基板１上の発光素子Ｓを、行列方向の1素子置きに一括転写する方法である。この図２-4に示すように、通常の一括転写では、第２基板２上の４分割された領域において、中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布で発光素子Ｓが配列された状態がそのまま残ってしまうことが分かる。
【００７５】
＜第３実施形態＞
図３-1〜図３-3は、本発明を適用した第３実施形態の表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図である。以下これらの図に基づいて、第１実施形態と同様に、表示装置の製造において第１基板上から第２基板上に発光素子を移載する方法を説明する。
【００７６】
先ず図３-1に示すように、第１基板1上に所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で配列形成された複数の発光素子Ｓについて、発光光の色度や輝度などの発光特性（ここでは発光波長）の面内分布を検知する。
【００７７】
これにより、各発光素子Ｓの発光特性を濃淡で示したように、第１基板１上には、面内において一端角から放射状に発光特性が一方向に単調に変化する分布を有して発光素子Ｓが配列されていることが検知される。この場合、次の様に第１基板１上の発光素子Ｓの移載を行う。
【００７８】
先ず、図３-2（1）に示す第１工程は、第１実施形態と同様に行う。すなわち、第１基板１上から発光素子Ｓを移載する第２基板上に第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4を設定する。そして、第１基板１上に配列形成された発光素子Ｓのうち、所定個数置きに配置された発光素子Ｓを、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に一括転写する。これにより、第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に、第１基板１上と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第１素子群Ｇ１を移載する。
【００７９】
次に、図３-2（２）に示す第２工程では、先の第１工程で設定されていた各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して、第１基板１を面内で１８０°回転させた状態とする。そして第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して、例えばレーザ転写によって発光素子Ｓを順次一括転写していく。
【００８０】
例えば、先ず第１転写エリアＡ1-1に１８０°回転させた第１基板１を対向配置する。そして、第１基板1上において行方向および列方向に３素子分置きに配置された発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，Ｓ５３，Ｓ５７および、これらと市松模様を構成する発光素子Ｓ３１，Ｓ３５，Ｓ７１，Ｓ７５に対して選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第１転写エリアＡ１-1に対して上記８つの発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，…を一括で転写して移載する。
【００８１】
次に、第１転写エリアＡ１-1の右隣の第１転写エリアＡ１-2上に、１８０°回転させた第１基板１を移動させる。そして先に第１転写エリアＡ１-1に転写された発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，…の右隣に配置された発光素子Ｓ１４，Ｓ１８，Ｓ５４，Ｓ５８および、これらと市松模様を構成する発光素子Ｓ３２，Ｓ３６，Ｓ７２，Ｓ７６に対して選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第１転写エリアＡ１-2に対してこれらの８つの発光素子Ｓ１４，Ｓ１７，…を一括で転写して移載する。
【００８２】
同様に、第１転写エリアＡ１-3，Ａ１-4に対しても、１８０°回転させた第１基板１を移動させて８つの発光素子Ｓを一括で転写して移載する。
【００８３】
以上の４回の一括転写による発光素子Ｓの移載は、第１工程で既に第２基板２上に移載されている発光素子Ｓ間の中央に、各発光素子Ｓが均等に配置されるように、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して第１基板１を位置合わせした状態で行われることとする。またさらに、４ヶ所の第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に転写される各発光素子Ｓの配列が行方向および列方向に揃うように、上記位置合わせが行われる。尚、以上のような４回の一括転写は、どの順番で行っても良い。
【００８４】
また以上のような第２工程での一括転写によって、第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4内には、第１工程で移載された第１素子群Ｇ１を面内で１８０°回転させた第２素子群Ｇ２が設けられる。
【００８５】
以上により、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で８行×８列に配列された６４個の発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８は、第２基板２上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を整数倍（２倍）の画素ピッチに拡大した拡大ピッチｐｘ２，ｐｙ２で８行×８列に再配列される。
【００８６】
図３-3には、以上のようにして第２基板２上に複数の発光素子Ｓを再配列して移載した状態を示す。図３-3（１）は、各発光素子Ｓに付与した番号を示し、図３-3（２）は各発光素子Ｓの発光特性を濃淡で示した。
【００８７】
第２基板２上には、第１実施形態と同様に、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で８行×８列に配列された６４個の発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８が、初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を２倍に拡大した拡大ピッチｐｘ２，ｐｙ２で８行×８列に再配列される。
【００８８】
第２基板２上に再配列された発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８は、図３-2（1）に示す第１工程で移載された第１素子群Ｇ１と、図３-2（２）に示す第２工程で移載された第２素子群Ｇ２とに分類される。
【００８９】
第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓは、第１基板１上における発光素子Ｓと同様の発光特性分布で配列されている。つまり、第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓは、隣接して設けられた各転写エリア（配列エリア）の面内において一端角から放射状に発光特性が変化する分布となっている。
【００９０】
また、第２素子群Ｇ２は、上述したように第１素子群Ｇ１における発光素子Ｓの配列状態を面内で回転させたものとなる。さらに、第１素子群Ｇ１を構成する発光素子Ｓと、第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓとは、互いに入れ子状に配置された構成となっている。また、各転写エリアの各部に配置される第１素子群Ｇ１の発光素子と第２素子群Ｇ２の発光素子とは、第１基板１上において中心に対してほぼ対称な位置にあった素子となる。
【００９１】
これにより、以上の第３実施形態によれば、一端角から放射状に発光特性が変化する分布で第１基板１上に配列された発光素子Ｓを、複数の素子を同時に転写する一括転写を適用しつつ、発光特性分布を打ち消すように第２基板２上に再配列させることができる。つまり、第２基板２上において隣接する発光素子Ｓは、第１基板１上において中心に対してほぼ対称な位置にあった発光素子である。このため、第１基板１上の一端角から放射状に発光特性が変化する分布が、第２基板２上において隣接する発光素子Ｓ間で打ち消されるのである。したがって、第１実施形態と同様に、本来の色むら（表示装置全体での色差）を見かけ上において低減することが可能である。また、第１基板1上における発光素子Ｓの数が多ければ、発光素子Ｓの全体の特性平均値を挟んだ両側の特性を有する発光素子Ｓが隣接した状態で第２基板上に移載される。
【００９２】
また、第１基板1上における発光素子Ｓの配置の配置間隔を、所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を拡大した間隔ｐｘ２，ｐｙ２で再配列させることができる。
【００９３】
この結果、第１実施形態および第２実施形態と同様に、一括転写を適用することでスループットを維持しつつ、初期の素子配列における発光特性の分布を拡散させて色むらの視認を防止した良好な表示画質の表示装置を得ることが可能になる。
【００９４】
尚、比較として図３-4には、通常の一括転写を適用して第２基板２上に発光素子Ｓを移載した状態を、各発光素子Ｓの発光特性の濃淡で示した。ここで通常の一括転写とは、第２基板２を行列方向に４分割した各領域に対して、第１基板１上の発光素子Ｓを、行列方向の1素子置きに一括転写する方法である。この図３-4に示すように、通常の一括転写では、第２基板２上の４分割された領域において、一端角から放射状に発光特性が変化する分布で発光素子Ｓが配列された状態がそのまま残ってしまうことが分かる。
【００９５】
＜第４実施形態＞
図４-1〜図４-4は、本発明を適用した第４実施形態の表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図である。以下これらの図に基づいて、第１実施形態と同様に、表示装置の製造において第１基板上から第２基板上に発光素子を移載する方法を説明する。
【００９６】
先ず図４-1に示すように、第１基板1上に所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で配列形成された複数の発光素子Ｓについて、発光光の色度や輝度などの発光特性（ここでは発光波長）の面内分布を検知する。
【００９７】
これにより、各発光素子Ｓの発光特性を濃淡で示したように、第１基板１上には、面内において一端角方向に偏った中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布を有して発光素子Ｓが配列されていることが検知される。この場合、上述した第２実施形態の手法と第３実施形態の手法とを組み合わせて、次の様に第１基板１上の発光素子Ｓの移載を行う。
【００９８】
先ず、図４-2（1）に示す第１工程は、第１実施形態とほぼ同様に行うが、第２基板２上に一括転写する発光素子Ｓの数が、第１実施形態の第１工程とは異なる。すなわち、第２基板２上に設定した各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対しては、第１基板1上において行列方向に３素子置きに配置された４つの発光素子Ｓのみを一括転写によって移載する。
【００９９】
例えば、先ず第１転写エリアＡ１-1に第１基板１を対向配置する。そして、第１基板1上において行列方向に３素子置きに配置された発光素子Ｓ１１，Ｓ１５，Ｓ５１，Ｓ５５に選択的にレーザ光を照射する。これにより、第２基板２の第１転写エリアＡ１-1に対して、上記４つの発光素子Ｓ１１，Ｓ１５，…を一括で転写して移載する。
【０１００】
同様に、第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対しても、第１基板１を移動させて各４つの発光素子Ｓを一括で転写して移載する。
【０１０１】
以上により、第１工程では、第１基板１上に配列形成された発光素子Ｓのうちの１／４個が第２基板２上に移載される。
【０１０２】
尚、第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4が、第１基板１の面積と同等の大きさであって、第２基板２上に互いに隣接した状態で設定されていることは、第１実施形態と同様である。また、４つの第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に移載された各発光素子Ｓの配列が行方向および列方向に揃うように位置合わせされること、および４つの第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対する一括転写は、どの順番で行っても良いことも、第１実施形態と同様である。
【０１０３】
そして以上のような第１工程での一括転写によって、第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に第１基板１上と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第１素子群Ｇ１を移載する。
【０１０４】
次に、図４-2（２）に示す第２工程の第１シーケンスを、第３実施形態の第２工程と同様に行う。すなわち、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4の面内で第1基板１を１８０°回転させた状態で、第２基板２上の発光素子Ｓ（図中破線で示す）間に、第１基板１上の発光素子Ｓを一括転写によって移載する。
【０１０５】
例えば、第１転写エリアＡ１-1に１８０°回転させた第１基板１を対向配置する。そして、第１工程で移載した発光素子Ｓと同一の複数列に配置された４つの発光素子Ｓ３１，Ｓ３５，Ｓ７１，Ｓ７５が、第２基板２の第１転写エリアＡ１-1に移載されている発光素子Ｓにおける列方向間に配置されるように、第２基板２上に第１基板１を位置合わせする。この状態で、これらの４つの発光素子Ｓ３１，Ｓ３５，…に対して選択的にレーザ光を照射し、第２基板２上に一括で転写して移載する。
【０１０６】
以上のような一括転写を、他の第１転写エリアＡ１-2〜Ａ１-4に対して同様に行う。これにより、第１工程の後に第１基板１上に残された発光素子Ｓのうちの１／３個を、第２基板２上に移載する。
【０１０７】
このような第２工程の第１シーケンスでの一括転写によって、第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に、第１素子群Ｇ１における発光素子Ｓの配列状態を面内で回転させた第２素子群（第１グループ）Ｇ２（１）を移載する。
【０１０８】
次に、図４-3（１）に示す第２工程の第２シーケンスを、第２実施形態の第２工程と同様に行う。すなわち、先ず第２基板２上に、先に設定された第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）に対して、縦方向および横方向、すなわち発光素子Ｓの配列の行方向および列方向に、１／２の寸法だけシフトさせた位置に、新たな第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9を設定する。
【０１０９】
そして、第２基板２に対する第１基板１の回転状態を、第１工程と同様の状態に１８０°回転させて戻し、発光素子Ｓを順次一括転写していく。
【０１１０】
この際例えば、先ず中央の第２転写エリアＡ２’-5に第１基板１を対向配置する。そして、第１工程で移載した発光素子Ｓと第１基板１上において同一の複数行に配置された４つの発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，Ｓ５３，Ｓ５７が、第２基板２に移載されている発光素子Ｓにおける行方向間に配置されるように、第２基板２上に第１基板１を位置合わせする。この状態で、これらの４つの発光素子Ｓ１３，Ｓ１７，…に対して選択的にレーザ光を照射し、第２基板２上に一括で転写して移載する。
【０１１１】
以降、各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-4，Ａ２’-6〜Ａ２’-9上に第１基板１を移動させ、これらに対して重なる第１基板1上位置に配置された２つまたは１つの発光素子Ｓを一括で転写して第２基板２上に移載する。これにより、第１工程の後に第１基板１上に残された発光素子Ｓのうちの１／３個を、第２基板２上に移載する。
【０１１２】
このような第２工程の第２シーケンスでの一括転写によって、第２基板２上の各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内に、第１素子群Ｇ１と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第２素子群（第２グループ）Ｇ２（２）を移載する。ただし、第２素子群(第２グループ）Ｇ２（２）のうち、第２基板２の周縁においては転写エリアの形状に切り取った発光特性分布となる。
【０１１３】
さらに、図４-3（２）に示す第２工程の第３シーケンスを、第３実施形態の第２工程と同様に行う。すなわち、各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に対して、第1基板１を１８０°回転させた状態とし、第２基板２上の発光素子Ｓ（図中破線で示す）間に、第１基板１上の発光素子Ｓを一括転写によって移載する。
【０１１４】
例えば、中央の第２転写エリアＡ２’-5に１８０°回転させた第１基板１を対向配置する。そして、第２シーケンスで移載した発光素子Ｓと第１基板１上において同一の複数列に配置された４つの発光素子Ｓ３３，Ｓ３７，Ｓ７３，Ｓ７７を、第２基板２の第２転写エリアＡ２’-5に移載されている発光素子Ｓ間に配置されるように、第２基板２上に第１基板１を位置合わせする。この状態で、これらの４つの発光素子Ｓ３３，Ｓ３７，…に対して選択的にレーザ光を照射し、第２基板２上に一括で転写して移載する。
【０１１５】
以上のような一括転写を、各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-4，Ａ２’-6〜Ａ２’-9上に対して同様に行う。これにより、第１工程の後に第１基板１上に残された発光素子Ｓのうちの１／３個を第２基板２上に移載することにより、全ての発光素子Ｓを第２基板２上に移載する。
【０１１６】
このような第２工程の第３シーケンスでの一括転写によって、第２基板２上の各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内に、第１素子群Ｇ１と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第２素子群(第３グループ）Ｇ２（３）を移載する。ただし、第２素子群(第３グループ）Ｇ２（３）のうち、第２基板２の周縁においては転写エリアの形状に切り取った発光特性分布となる。
【０１１７】
以上の第２工程での一括転写による発光素子Ｓの移載は、第１工程で既に第２基板２上に移載されている発光素子Ｓ間の中央に、各発光素子Ｓが均等に配置されるように、各第２基板２に対して第１基板１を位置合わせした状態で行われることとする。
【０１１８】
また、以上の各一括転写においては、第２基板２上の転写エリア毎に、発光素子Ｓの「列番号、行番号」の組み合わせを割り当てることで、第２基板２上における発光素子の抜けや重複を防止することができる。
【０１１９】
例えば、図４-2に示した各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対しては、発光素子Ｓの「列番号、行番号」が、「奇数、奇数」の素子群、「奇数、偶数」の素子群、「偶数、奇数」の素子群、「偶数、偶数」の素子群をそれぞれ割り当てて一括転写する。より具体的には、第１転写エリアＡ１-1に「奇数、奇数」の素子群、第１転写エリアＡ１-2に「奇数、偶数」の素子群、第１転写エリアＡ１-3に「偶数、奇数」の素子群を、第１転写エリアＡ１-4に「偶数、偶数」の素子群を割り当てる。
【０１２０】
そして、図４-3に示した各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に対しては、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して割り当てた「列番号、行番号」の組み合わせを、そのままシフトさせて割り当てる。より具体的には、第１転写エリアＡ１-1をシフトさせた第２転写エリアＡ２’-5に「奇数、奇数」の素子群を、第１転写エリアＡ１-2をシフトさせた第２転写エリアＡ２’-6，Ａ２’-4には「奇数、偶数」の素子群を割り当て、以下同様に割り当てる。
【０１２１】
さらに、以上のような第１〜第３シーケンス、および各シーケンス内においての一括転写は、どの順番で行っても良い。
【０１２２】
以上により、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で８行×８列に配列された６４個の発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８は、第２基板２上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を２倍の画素ピッチに拡大した拡大ピッチｐｘ２，ｐｙ２で８行×８列に再配列される。
【０１２３】
図４-4には、以上のようにして第２基板２上に複数の発光素子Ｓを再配列して移載した状態を示す。図４-4（１）は、各発光素子Ｓに付与した番号を示し、図４-4（２）は各発光素子Ｓの発光特性を濃淡で示した。
【０１２４】
第２基板２上に再配列された発光素子Ｓ１１〜Ｓ８８は、図４-2（1）に示す第１工程で移載された第１素子群Ｇ１と、図４-2（２）〜図４-3（２）に示す第２工程で移載された第２素子群Ｇ２（１）〜Ｇ２（３）とに分類される。
【０１２５】
第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２（１）〜Ｇ２（３）を構成する発光素子Ｓは、第１基板１上における発光素子Ｓと同様の発光特性分布で配列されている。つまり、第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２（１）〜Ｇ２（３）を構成する発光素子Ｓは、隣接して設けられた各転写エリア（配列エリア）の面内において一端角方向に偏った中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布となっている。
【０１２６】
さらに、第１素子群Ｇ１を構成する発光素子Ｓと、第２素子群Ｇ２（１）〜Ｇ２（３）を構成する発光素子Ｓとは、互いに入れ子状に配置された構成となっている。
【０１２７】
以上の第４実施形態によれば、一端角から放射状に発光特性が変化する分布で第１基板１上に配列された発光素子Ｓを、複数の素子を同時に転写する一括転写を適用しつつ、発光特性分布を打ち消すように第２基板２上に再配列させることができる。さらに、第１基板1上における発光素子Ｓの数が多ければ、発光素子Ｓの全体の特性平均値を挟んだ両側の特性を有する発光素子Ｓが隣接した状態で第２基板上に移載される。また、第１基板1上における発光素子Ｓの配置の配置間隔を、所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１を拡大した間隔ｐｘ２，ｐｙ２で再配列させることができる。
【０１２８】
この結果、上述した第１〜第３実施形態と同様に、一括転写を適用することでスループットを維持しつつ、初期の素子配列における発光特性の分布を拡散させて色むらの視認を防止した良好な表示画質の表示装置を得ることが可能になる。
【０１２９】
尚、図４-5には、比較として、通常の一括転写を適用して第２基板２上に発光素子Ｓを移載した状態を、各発光素子Ｓの発光特性の濃淡で示した。ここで通常の一括転写とは、第２基板２を行列方向に４分割した各領域に対して、第１基板１上の発光素子Ｓを、行列方向の1素子置きに一括転写する方法である。この図４-5に示すように、通常の一括転写では、第２基板２上の４分割された領域において、一端角方向に偏った中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布で発光素子Ｓが配列された状態がそのまま残ってしまうことが分かる。
【０１３０】
＜第５実施形態＞
図５-1〜図５-2は、本発明を適用した第５実施形態の表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図である。本第５実施形態は、第１実施形態および第２実施形態の変形例であって、２つの発光素子で１つの画素を構成する例である。以下これらの図に基づいて、第１実施形態と同様に、表示装置の製造において第１基板上から第２基板上に発光素子を移載する方法を説明する。
【０１３１】
先ず、図５-1に示すように、第１基板1上に所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で配列形成された複数の発光素子Ｓについて、発光光の色度や輝度などの発光特性（ここでは発光波長）の面内分布を検知する。これにより、第２実施形態と同様に第１基板１上には、面内において中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布を有して発光素子Ｓが配列されていることが検知されたとする。
【０１３２】
この場合であっても、先ず第１工程は、第１実施形態(第２実施形態）と同様に行う。すなわち、第１基板１上から発光素子Ｓを移載する第２基板上に第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4を設定する。そして、第１基板１上に配列形成された発光素子Ｓのうち、所定個数置きに配置された発光素子Ｓを、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に一括転写する。これにより、第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に、第１基板１上と同様の発光特性分布で発光素子Ｓが配列された第１素子群Ｇ１を移載する。
【０１３３】
ただしここでは、全ての第１エリアＡ１-1〜Ａ１-4内には、２つの発光素子Ｓで構成される複数の画素１１が、行列方向に配列されていることとする。そして、1つの画素１１を、例えば行方向に２分した一方のサイト(例えばＡサイトとする）のみに発光素子Ｓを一括転写する。したがって、第１エリアＡ１-1〜Ａ１-4内には、市松模様ではなく、Ａサイトのみに画素ピッチと同じ正方格子状に発光素子Ｓを転写する。例えば図示した例では、行方向に３素子置き、列方向に1素子置きに配置された発光素子Ｓを、第１エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に順次一括転写させる。
【０１３４】
その後、図５-2に示す第２工程では、第２基板２上に、新たな転写エリア(第２転写エリア）Ａ２’-1〜Ａ２’-9を設定する。これらの第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9は、第２実施形態と同様であり、先の第１工程で設定されていた第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）に対して、縦方向および横方向、すなわち発光素子Ｓの配列の行方向および列方向に、１／２の寸法だけシフトさせた位置に設定されることとする。
【０１３５】
そして、以上の様に設定した第２基板２上の各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に対して、第１基板１を対向配置させ、第１基板１上に残された発光素子Ｓを順次一括転写していく。この際、全ての第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内において、1つの画素１１を行方向に２分した他方のサイト(例えばＢサイトとする）のみに発光素子Ｓを一括転写していく。
【０１３６】
これにより、1つの画素１１内に、２つの発光素子Ｓが配置されるように、第２基板２の各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に発光素子Ｓを移載する。尚、１つの画素１１を構成する複数の発光素子Ｓの実装位置の差は、画素１１の配列周期よりも十分小さい（例えば１／３以下）とする。また、これらの１つの画素１１を構成する複数の発光素子Ｓは、駆動回路に対して直列または並列接続して同じ信号（直列の場は合電流、並列の場合は電圧）で駆動されることとする。
【０１３７】
以上により、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で１６行×８列に配列された１２８個の発光素子Ｓは、第２基板２上に初期ピッチｐｘ１を所定の画素ピッチに合わせて拡大し、初期ピッチｐｙ１を２倍の画素ピッチに拡大した拡大ピッチｐｙ２で１６行×８列に再配列される。
【０１３８】
このように第２基板２上に再配列された発光素子Ｓは、図５-1に示す第１工程で移載された第１素子群Ｇ１と、図５-2に示す第２工程で移載された第２素子群Ｇ２とに分類される。これらの第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓは、第２実施形態と同様であり、第１基板１上における発光素子Ｓと同様の発光特性分布で配列されている。
【０１３９】
このため、中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布で第１基板１上に配列された発光素子Ｓは、発光特性分布を打ち消して本来の色むらが見かけ上１／２以下となるように再配列されるのである。そして特に本第５実施形態においては、隣接して転写させた複数（ここでは２つ）の発光素子Ｓによって1つの画素１１が構成されることにより、1つの画素１１における発光特性を、第２基板２全体の平均値に近づくように平均化することができる。
【０１４０】
＜第６実施形態＞
図６-1〜図６-2は、本発明を適用した第６実施形態の表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図である。本第６実施形態は、第３実施形態の変形例であって、２つの発光素子で１つの画素を構成する例である。以下これらの図に基づいて、第１実施形態と同様に、表示装置の製造において第１基板上から第２基板上に発光素子を移載する方法を説明する。
【０１４１】
先ず、図６-1に示すように、第１基板1上に所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で配列形成された複数の発光素子Ｓについて、発光光の色度や輝度などの発光特性（ここでは発光波長）の面内分布を検知する。これにより、第３実施形態と同様に第１基板１上には、面内において一端角から放射状に発光特性が一方向に単調に変化する分布を有して発光素子Ｓが配列されていることが検知されたとする。
【０１４２】
この場合であっても、先ず第１工程は第１基板１上から発光素子Ｓを移載する第２基板上に第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4を設定し、第１エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に、画素１１のＡサイトのみに画素ピッチと同じ正方格子状に発光素子Ｓを転写する。これは、第５実施形態と同様である。
【０１４３】
その後、図６-2に示す第２工程では、先の第１工程で設定されていた各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して、第１基板１を面内で１８０°回転させた状態とする。そして第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に対して、発光素子Ｓを順次一括転写していく。
【０１４４】
この際、全ての第１エリアＡ１-1〜Ａ１-4内において、1つの画素１１を行方向に２分した他方のサイト(例えばＢサイトとする）のみに発光素子Ｓを一括転写していく。
【０１４５】
これにより、1つの画素１１内に、２つの発光素子Ｓが配置されるように、第２基板２の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4に発光素子Ｓを移載する。尚、１つの画素１１を構成する複数の発光素子Ｓの実装位置の差は、画素１１の配列周期よりも十分小さいこと、１つの画素１１を構成する複数の発光素子Ｓは同じ信号で駆動されることは、第５実施形態と同様である。
【０１４６】
以上により、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で１６行×８列に配列された１２８個の発光素子Ｓは、第２基板２上に初期ピッチｐｘ１を所定の画素ピッチに合わせて拡大し、初期ピッチｐｙ１を２倍の画素ピッチに拡大した拡大ピッチｐｙ２で１６行×８列に再配列される。
【０１４７】
このように第２基板２上に再配列された発光素子Ｓは、図６-1に示す第１工程で移載された第１素子群Ｇ１と、図６-2に示す第２工程で移載された第２素子群Ｇ２とに分類される。これらの第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２を構成する発光素子Ｓは、第３実施形態と同様であり、第１基板１上における発光素子Ｓと同様の発光特性分布で配列されている。
【０１４８】
このため、面内において一端角から放射状に発光特性が変化する分布で第１基板１上に配列された発光素子Ｓは、発光特性分布を打ち消して本来の色むらが見かけ上１／２以下となるように再配列されるのである。そして特に本第６実施形態においては、隣接して転写させた複数（ここでは２つ）の発光素子Ｓによって1つの画素１１が構成されることにより、1つの画素１１における発光特性を、第２基板２全体の平均値に近づくように平均化することができる。
【０１４９】
＜第７実施形態＞
図７-1〜図７-4は、本発明を適用した第７実施形態の表示装置の製造方法の特徴部を示す工程図である。本第７実施形態は、第４実施形態の変形例であって、２つの発光素子で１つの画素を構成する例である。以下これらの図に基づいて、第１実施形態と同様に、表示装置の製造において第１基板上から第２基板上に発光素子を移載する方法を説明する。
【０１５０】
先ず、図７-1に示すように、第１基板1上に所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で配列形成された複数の発光素子Ｓについて、発光光の色度や輝度などの発光特性（ここでは発光波長）の面内分布を検知する。これにより、第４実施形態と同様に第１基板１上には、面内において一端角方向に偏った中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布を有して発光素子Ｓが配列されていることが検知されたとする。
【０１５１】
この場合であっても、先ず第１工程は第１基板１上から発光素子Ｓを移載する第２基板上に第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4を設定する。そして、第１エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に設定した画素１１のうち、市松模様に1つ置きの画素１１のＡサイトのみに発光素子Ｓを転写する。
【０１５２】
次に、図７-2に示す第２工程では、第４実施形態における第２工程の第１シーケンスと第１シーケンスとを入れ替えて行う。先ず第２シーケンスとして、先に設定された第１転写エリア（Ａ１-1〜Ａ１-4）に対して、発光素子Ｓの配列の行方向および列方向に、１／２の寸法だけシフトさせた位置に新たな第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9を設定する。そして、各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9に対して、第１基板１を対向配置させ、第１基板１上に残された発光素子Ｓを順次一括転写していく。この際、全ての第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内において、1つの画素１１における残りのＡサイトのみに発光素子Ｓを一括転写していく。
【０１５３】
このような第２工程の第２シーケンスでの一括転写によって、第２基板２上の各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内に、第１素子群Ｇ１における発光素子Ｓの配列状態を面内でシフトさせた第２素子群（第２グループ）Ｇ２（２）を移載する。尚、図面においては、第１工程の一括転写で移載した第１素子群Ｇ１の発光素子Ｓを二点鎖線で示している。
【０１５４】
次に、図７-3に示す第２工程の第１シーケンスとして、第２基板２上に設定した各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4の面内で第1基板１を１８０°回転させた状態で、第２基板２上の発光素子Ｓ（図中破線で示す）間に、第１基板１上の発光素子Ｓを一括転写によって移載する。この際、第１エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に設定した画素１１のうち、市松模様に1つ置きの画素１１のＢサイトのみに発光素子Ｓを転写する。
【０１５５】
このような第２工程の第１シーケンスでの一括転写によって、第２基板２上の各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4内に、第１素子群Ｇ１における発光素子Ｓの配列状態を面内で回転させた第２素子群（第１グループ）Ｇ２（１）を移載する。尚、図面においては、第１工程の一括転写で移載した第１素子群Ｇ１の発光素子Ｓ、および第２工程の第２シーケンスで移載した第２素子群（第２グループ）Ｇ２（２）の発光素子Ｓを二点鎖線で示している。
【０１５６】
次に、図７-4に示す第２工程の第３シーケンスでは、第２基板２上に設定した各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9の面内で第1基板１を１８０°回転させた状態で、第２基板２上の発光素子Ｓ（図中破線で示す）間に、第１基板１上の発光素子Ｓを一括転写によって移載する。この際、全ての第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内において、1つの画素１１における残りのＢサイトのみに発光素子Ｓを一括転写していく。
【０１５７】
このような第２工程の第３シーケンスでの一括転写によって、第２基板２上の各第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内に、第１素子群Ｇ１における発光素子Ｓの配列状態を面内でシフトさせて回転させた第２素子群（第３グループ）Ｇ２（３）を移載する。
【０１５８】
これにより、1つの画素１１内に、２つの発光素子Ｓが配置されるように、第２基板２上に発光素子Ｓを移載する。尚、１つの画素１１を構成する複数の発光素子Ｓの実装位置の差は、画素１１の配列周期よりも十分小さいこと、１つの画素１１を構成する複数の発光素子Ｓは同じ信号で駆動されることは、第５実施形態と同様である。
【０１５９】
以上により、第１基板１上に初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で１６行×８列に配列された１２８個の発光素子Ｓは、第２基板２上に初期ピッチｐｘ１を所定の画素ピッチに合わせて拡大し、初期ピッチｐｙ１を２倍の画素ピッチに拡大した拡大ピッチｐｙ２で１６行×８列に再配列される。
【０１６０】
このように第２基板２上に再配列された発光素子Ｓは、図７-1に示す第１工程で移載された第１素子群Ｇ１と、図７-2〜図７-4に示す第２工程の第１シーケンス〜第３シーケンスで移載された第２素子群Ｇ２（１）〜Ｇ２（３）とに分類される。これらの第１素子群Ｇ１および第２素子群Ｇ２（１）〜Ｇ２（３）を構成する発光素子Ｓは、第４実施形態と同様であり、第１基板１上における発光素子Ｓと同様の発光特性分布で配列されている。
【０１６１】
このため、面内において一端角方向に偏った中心部から外側に向かって放射状に発光特性が変化する分布で第１基板１上に配列された発光素子Ｓは、発光特性分布を打ち消して本来の色むらが見かけ上１／２以下となるように再配列されるのである。そして特に本第７実施形態においては、隣接して転写させた複数（ここでは２つ）の発光素子Ｓによって1つの画素１１が構成されることにより、1つの画素１１における発光特性を、第２基板２全体の平均値に近づくように平均化することができる。
【０１６２】
特に、上述したシーケンスの手順では、１つの画素１１は、第１基板１をシフトさせた位置の発光素子Ｓで構成されることになる。したがって、第１基板１内の波長分布の対称性が高い場合には、このような手順を選択することで、効果的に画素内平均波長の偏差が小さくできる。
【０１６３】
尚、以上のような第７実施形態の第２工程においては、第１〜第３シーケンス、および各シーケンス内においての一括転写は、どの順番で行っても良い。例えば、第４実施形態と同様に、第２工程の第１シーケンスでは、各第１転写エリアＡ１-1〜Ａ１-4の面内で第1基板１を１８０°回転させた状態で、画素１１のうちの残りのＡサイトに発光素子Ｓを一括転写しても良い。そして、第２工程の第２シーケンスでは、第１転写エリアをシフトさせた第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9を設定し、画素１１のうち、市松模様に1つ置きの画素１１のＢサイトのみに発光素子Ｓを転写する。また第２工程の第３シーケンスは、シフトさせた第２転写エリアＡ２’-1〜Ａ２’-9内において、第1基板１を１８０°回転させた状態で、画素１１のうちの残りのＢサイトに発光素子Ｓを一括転写する。
【０１６４】
この場合、１つの画素１１は、第１基板１を１８０°回転させた位置の発光素子Ｓで構成されることになる。したがって、第１基板１内の波長分布の反対称性が高い場合には、このような手順を選択することで、効果的に画素内平均波長の偏差が小さくできる。
【０１６５】
＜第８実施形態＞
図８-1〜図８-5は、第１〜第７実施形態の再配列が適用される表示装置の製造方法を示す工程図である。以下これらの図に基づいて、第１基板1上への発光素子の形成から表示装置の作製までの手順を説明する。
【０１６６】
先ず、図８-1（１）に示すように、サファイア等からなる結晶成長用の成長基板２１を用意する。そしてこの成長基板２１上に、ｎ−ＧａＮからなるｎ型クラッド層２３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮを積層した多重井戸構造（ＭＱＷ構造）の発光層２５、ｐ−ＧａＮからなるｐ型クラッド層２７を順次成膜する。成膜は、例えばＭＯＣＶＤ法によって行う。
【０１６７】
次に、図８-1（２）に示すように、ｐ型クラッド層２７上の各素子領域にｐ型電極２９をパターン形成する。ｐ型電極２９の形成は、電極膜の蒸着成膜と、リソグラフィー法を適用して形成したマスクパターン上からの電極膜のエッチングとによって行う。
【０１６８】
その後、図８-1（３）に示すように、ｐクラッド層２９、発光層２５、およびｎクラッド層２３を、素子領域毎にパターニングして素子分離を行なう。この素子分離は、例えばリソグラフィー法を適用して形成したマスクパターン上からのエッチングによって行う。
【０１６９】
次に、図８-1（4）に示すように、成長基板２１における素子形成面側に、接着層３１を介して支持基板３３を貼合せる。この支持基板３３は、例えば樹脂材料からなることとする。特に本実施形態においては、この支持基板３３を、上述した第１〜第７実施形態における第１基板１として用いることとする。このため、この支持基板３３は、レーザ光を透過する材料で構成されることが重要である。
【０１７０】
次いで、図８-2（１）に示すように、成長基板２１側からｎクラッド層２３にレーザ光ｈを照射する。このレーザ光ｈは、紫外線パルス波であることとする。
【０１７１】
これにより、図８-2（２）に示すように、ｎクラッド層２３と成長基板２１との間を剥離させて、支持基板３３側から成長基板２１にｎクラッド層２３などを残して成長基板２１を剥がし取る。
【０１７２】
その後、図８-2（３）に示すように、素子分離された各ｎクラッド層２３上にｎ型電極３５をパターン形成し、素子分離されたｎクラッド層２３間において接着層３１をパターニングして素子際分離を行う。この際、ｎ型電極３５の形成は、電極膜の蒸着成膜と、リソグラフィー法を適用して形成したマスクパターン上からの電極膜のエッチングとによって行う。また、素子際分離は、例えばリソグラフィー法を適用して形成したマスクパターン上からのエッチングによって行う。
【０１７３】
以上により、支持基板３３上に、所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１でＬＥＤからなる発光素子Ｓを配列形成する。これらの発光素子Ｓは、例えばｎ型電極３５の形成面側を発光面とする。
【０１７４】
次に、図８-3（１）に示すように、支持基板３３を、上述した第１〜第７実施形態における第１基板１とし、この支持基板３３（第１基板１）から一時保持基板３７側に、ピッチを拡大して発光素子Ｓを移載する。この一時保持基板３７は、第１〜第７実施形態における第２基板２となるものである。この一時保持基板３７は、例えば平面視的な縦横サイズが第１基板１の整数倍であってここで作製する表示装置と略等しい形状であるか、あるいはその縦横サイズが表示装置の縦横サイズのそれぞれ略整数分の1の大きさであることとする。以下、単に第１基板１および第２基板２と記す。
【０１７５】
この際先ず、第２基板２の一主面上に、シリコーンゴム等の微粘着性を有する弾性素材からなる微粘着性の粘着層３９を形成し、この粘着層３９の形成面側に、第１基板１における発光素子Ｓの形成面側を対向させて配置する。この際、第１基板1と第２基板２における粘着層３９との間隔ｄは、発光素子Ｓの２倍を超える大きさに設定されることとが重要である。
【０１７６】
この状態で、第１基板１側から、第２基板２側に転写する発光素子Ｓ部分の接着層３１に対して、選択的にレーザ光ｈを照射する。この際、ここでの図示は省略した遮光マスクを第１基板1側に配置してレーザ光ｈの照射を行うことにより、複数の発光素子Ｓ部分に対して同時にレーザ光ｈを照射する。これにより、レーザ光ｈの照射部分の接着層３１をアブレーションさせ、対応する複数の発光素子Ｓを一括で第２基板２側に転写させる。このアブレーションにおいては、レーザ光ｈを吸収した接着層３１（犠牲層）が、そのエネルギーによって急激に温度上昇し、気化することで素子が剥離されそのガス圧によりほぼ垂直方向に飛び出し、素子受容基板上の接着剤部分に着地するのである。
【０１７７】
以上の一括転写は、第１〜第７実施形態における第１工程の一括転写として行われ、第２基板２に設定された各領域に対して、選択された発光素子Ｓが移載されるように行われる。
【０１７８】
次に、図８-3（２）に示すように、第２基板２に対して第１基板１を面内でシフトさせるかまたは回転させる。この際、第１基板1と第２基板２における接着層３９との間隔ｄを、発光素子Ｓの２倍を超える大きさに維持することにより、先の第１工程で第１基板１上に移載された発光素子Ｓに係わり無く、第２基板２に対する第１基板1の配置状態を設定できる。
【０１７９】
この状態で、第１基板１側から、第２基板２側に転写する発光素子Ｓ部分の接着層３１に対して、選択的にレーザ光ｈを照射する。この際、第１工程と同様に、ここでの図示は省略した遮光マスクを第１基板1側に配置してレーザ光ｈの照射を行うことにより、複数の発光素子Ｓ部分に対して同時にレーザ光ｈを照射する。これにより、レーザ光ｈの照射部分の接着層３１をアブレーションさせ、対応する複数の発光素子Ｓを一括で第２基板２側に転写させる。
【０１８０】
以上の一括転写は、第１〜第７実施形態における第２工程の一括転写として行われ、第２基板２に設定された各領域において、第２基板２上に既に移載されている発光素子Ｓ間に発光素子Ｓが転写されるように行われる。
【０１８１】
以上のような第１工程および第２工程での一括転写により、所定の初期ピッチｐｘ１，ｐｙ１で第１基板1上に配列された発光素子Ｓを、画素ピッチに拡大した拡大ピッチｐｓ２，ｐｙ２で第２基板２上に再配列する。尚、第５〜第７実施形態を適用して発光素子Ｓを再配列させた場合には、図８-3（１）の第１工程で移載した発光素子Ｓと、図８-3（２）の第２工程で移載した発光素子Ｓとからなる、隣接する２つの発光素子Ｓが同一の画素領域内に近づけて配置される。尚図８-3（１）で示した第１基板１から第２基板２への第１回目の発光素子Ｓの移載においては、第１基板１上の発光素子Ｓが第２基板２側に接する状態で行っても良い。
【０１８２】
次に、図８-4（１）に示すように、表示装置の駆動配線等が形成された装置基板４１を用意する。この装置基板４１には、例えば複数の走査線４５が設けられており、各走査線４５上における画素領域には導電性接着層４５がパターン形成されていることとする。このような装置基板４１における導電性接着層４５の形成面側に、第２基板２の発光素子Ｓ保持面側を対向させて配置し、各導電性接着層４５に発光素子Ｓが１：１で対応するように装置基板４１と第２基板２とを位置合わせする。
【０１８３】
この状態で、装置基板４１に対して第２基板２を押し圧し、導電性接着層４５に発光素子Ｓを接着固定させる。この際、ここでの図示を省略した未硬化の接着材を装置基板４１側に設けて置くことにより、基板２−４１を圧着する。
【０１８４】
次に、図８-4（２）に示すように、発光素子Ｓを導電性接着層４５に固定した状態で装置基板４１上に残し、第２基板２（一時保持基板３７）とこの上部の接着層３９を装置基板４１側から剥がし取る。これにより、装置基板４１上の接着材が第２基板２上の微粘着層の粘着力より十分に大きな粘着力を持つことによって、発光素子Ｓが第２基板２から離れて装置基板４１側に移載されることになる。
【０１８５】
続く工程を図８-5の断面図および平面図に示す。断面図は平面図におけるＡ−Ａ’断面に相当する。これらの図に示すように、発光素子Ｓが所定の画素ピッチ（拡大ピッチ）ｐｓ２，ｐｙ２で配列された装置基板４１上を層間絶縁膜４７（断面図のみに図示）で覆う。次いで層間絶縁膜４７に、各発光素子Ｓのｎ型電極３５を露出させる接続孔４７ａ（断面図のみに図示）を形成する。
【０１８６】
その後、層間絶縁膜４７上に、接続孔４７ａを介してｎ型電極３５に接続された配線を、例えば信号線４９として形成する。この信号線４９は、走査線４５に対して垂直方向に延され、１本の信号線４９に対して複数の発光素子Ｓを接続させた状態で配置される。また、走査線４５と信号線４９との各交差部に設定される画素毎に、発光素子Ｓが配置される構成となっている。
【０１８７】
尚、第５〜第７実施形態を適用して発光素子Ｓを再配列させた場合には、走査線４５と信号線４９との各交差部に設定される画素毎に、複数の（２つの）発光素子Ｓが配置されることになる。これらの２つの発光素子Ｓは、同一の走査線４３と信号線４９との間に、直列または並列に接続される。
【０１８８】
以上のようにして、複数の発光素子Ｓを所定の画素ピッチｐｓ２，ｐｙ２で再配列してなる表示装置５１を完成させる。
【０１８９】
このようにして得られる表示装置５１は、図８-4（１）および図８-4(2)に示した工程で、上述した第１〜第７実施形態で説明したように一括転写によって発光素子Ｓを再配列させたものである。このため、成長基板２１上および第１基板１上の素子配列における発光特性の分布が拡散されて、色むらの視認が防止された良好な表示画質での表示が可能なものとなる。
【０１９０】
尚、以上の第８実施形態においては、図８-3を用いて説明した工程において、支持基板３３（第１基板１）から一時保持基板３７（第２基板２）側に、ピッチを拡大して発光素子Ｓを移載する手順を説明した。しかしながら本発明は、異なる基板間において発光素子Ｓの配列状態を第１〜第７実施形態で説明したように変化させて再配列させることができる様々な移載手順に適用可能であり、第１〜第７実施形態で説明したと同様の効果を得ることができる。例えば、第２基板が一時保持基板３７に限定されることはなく、一時保持基板３７に換えて、配線等が設けられた装置基板（配線基板）を第２基板として用いるようにしても良い。また、1枚の支持基板３３（第１基板１）に対して、複数の一時保持基板３７を用いても良い。さらに、一時保持基板３７に第１回目の発光素子Ｓの移載を行った後、引き続き一時保持基板３７から装置基板（配線基板）に発光素子Ｓを移載し、これを繰り返し行う手順であっても良い。
【０１９１】
＜第９実施形態＞
図９-1および図９-2は、本発明が適用される表示装置の回路構成を示す図である。以下これらの図に基づいて、表示装置の回路構成を説明する。
【０１９２】
先ず図９-1に示す表示装置５１ａは、パッシブマトリックス型の表示装置であり、次のような回路構成となっている。すなわち装置基板４１上には、表示領域４１ａとその周辺領域４１ｂとが設定されている。表示領域４１ａには、複数の走査線４３と複数の信号線４９とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素１１が設けられた画素アレイ部として構成され、各画素１１に発光素子Ｓが配置されている。
【０１９３】
尚、第５〜第７実施形態を適用して１つの画素１１に複数の発光素子Ｓを再配列させた場合には、上述したように走査線４５と信号線４９との間に複数の発光素子Ｓが直列または並列に接続配置される。
【０１９４】
また周辺領域４１ｂには、走査線４３を走査駆動する行駆動回路５３と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線４９に供給する列駆動回路５５とが配置されている。
【０１９５】
これにより、走査線４３と信号線４９とで選択された画素１１の発光素子Ｓに信号量に応じた電流が供給され、この電流値に応じた輝度で発光素子Ｓが発光する。
【０１９６】
図９-2に示す表示装置５１ｂは、アクティブマトリックス型の表示装置であり、次のような回路構成となっている。すなわち装置基板４１上には、表示領域４１ａとその周辺領域４１ｂとが設定されている。表示領域４１ａには、複数の走査線４３と複数の信号線４９とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素１１が設けられた画素アレイ部として構成されている。また周辺領域４１ｂには、走査線４３を走査駆動する行駆動回路５３と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線４９に供給する列駆動回路５５とが配置されている。
【０１９７】
走査線４３と信号線４９との各交差部に設けられる各画素１１には画素回路が設けられている。各画素回路は、例えばスイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２、保持容量Ｃｓ、および発光素子Ｓで構成されている。スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１は走査線４３と信号線４９とに接続され、この薄膜トランジスタＴｒ１に駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２と保持容量Ｃｓとが接続されている。また、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２と保持容量Ｃｓとは、共通の電源供給線（Ｖｃｃ）５７に接続され、発光素子Ｓは駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２と電源線５９とに接続されている。そして行駆動回路５３による駆動により、スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１を介して信号線４９から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２から発光素子Ｓに供給され、この電流値に応じた輝度で発光素子Ｓが発光する。
【０１９８】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域１ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【符号の説明】
【０１９９】
１…第１基板、２…第２基板、１１…画素、５１，５１ａ，５１ｂ…表示装置、Ａ１-1〜Ａ１-4…第１転写エリア（配列エリア）、Ａ２-1〜Ａ２-6，Ａ２’-1〜Ａ２’-9…第２転写エリア（配列エリア）、Ｇ１…第１素子群、Ｇ２…第２素子群、Ｇ２（１）…第２素子群（第１グループ）、Ｇ２(2)…第２素子群（第２グループ）、Ｇ２(3)…第２素子群（第３グループ）、ｐｘ１，ｐｙ１…初期ピッチ、ｐｘ２，ｐｙ２…拡大ピッチ、Ｓ，Ｓ１１〜Ｓ８８…発光素子
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図１−４】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図２−３】
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【図２−４】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図３−４】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図４−４】
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【図４−５】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図７−３】
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【図７−４】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図８−３】
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【図８−４】
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【図８−５】
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【図９−１】
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【図９−２】
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