(57)【要約】      （修正有）【課題】最小のゴースト特性、許容される光誘起放電（ＰＩＤＣ）値、優れた横方向の電荷移動（ＬＣＭ）抵抗、および優れたサイクル安定特性が可能となる光導電体を提供する。【解決手段】電荷発生層が、下記の式（Ｉ）で表されるホスホネートを含み、ここで、Ｒ1は、アルキルおよびアリールの少なくとも１つであり；Ｒ2およびＲ3は、各々独立に、水素、アルキル、およびアリールの少なくとも１つである、光導電体が提供される。2010015146.tif 000022【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基体と、電荷発生層と、少なくとも１種類の電荷輸送成分を含む少なくとも１層の電荷輸送層と、を含む光導電体であって、ここで、前記電荷発生層が、下記の式（Ｉ）で表されるホスホネートを含み、
【化１】
2010015146.tif 000016
ここで、Ｒ1は、アルキルおよびアリールの少なくとも１つであり；Ｒ2およびＲ3は、各々独立に、水素、アルキル、およびアリールの少なくとも１つである、光導電体。
【請求項２】
前記ホスホネートが、Ｎ，Ｎ‐ビス‐（２‐ヒドロキシエチル）アミノメタンホスホン酸ジエチルエステル、（メチルチオメチル）ホスホン酸ジエチルエステル、２‐ヒドロキシエチルホスホン酸ジメチルエステル、シアノメチルホスホン酸ジエチルエステル、ジ‐ｎ‐ブチルＮ，Ｎ‐ジエチルカルバモイルメチルホスホネート、ジブチルＮ，Ｎ‐ジエチルカルバモイルホスホネート、ジエチル（フタルイミドメチル）ホスホネート、ジエチル１‐ピロリジンメチルホスホネート、ジエチル３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジルホスホネート、ジフェニル（２，３‐ジヒドロ‐２‐チオキソ‐３‐ベンゾキサゾリル）ホスホネート、モノエチル３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジルホスホネート、テトラエチル［４，４’‐ビフェニリレンビス（メチレン）］ビスホスホネート、ジエチル４‐メトキシフェニルホスホネート、テトラエチル［アントラセン‐９，１０‐ジイルビス（メチレン）］ビスホスホネート、ジエチルベンジルホスホネート、ビス（２，２，２‐トリフルオロエチル）（メトキシカルボニルメチル）ホスホネート、ジエチルフェナシルホスホネート、ジエチル（３‐クロロベンジル）ホスホネート、ジエチルシアノホスホネート、およびジエチルフェニルホスホネートの少なくとも１種類から成る群より選択され、
前記電荷輸送成分が、
【化２】
2010015146.tif 000017
の少なくとも１種類を含み、
ここで、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンの少なくとも１つから成る群より選択される、請求項１に記載の光導電体。
【請求項３】
前記電荷発生層が、少なくとも１種類の電荷発生顔料、および前記ホスホネートを含み、ここで、前記電荷発生顔料が、ペリレン、金属フタロシアニン、および無金属フタロシアニンの少なくとも１種類を含み、前記の少なくとも１層の電荷輸送層が、１〜３層である、請求項１に記載の光導電体。
【請求項４】
電荷発生層と、１〜４層の電荷輸送層と、を順に含む光導電体であって；ここで、前記電荷発生層が、ホスホネートおよび電荷発生顔料を含み；前記ホスホネートが、
【化３】
2010015146.tif 000018
【化４】
2010015146.tif 000019
の少なくとも１つによって表される、光導電体。
【請求項５】
前記電荷輸送成分が、下記のいずれかの構造式によって表されるアリールアミンであり、
【化５】
2010015146.tif 000020
【化６】
2010015146.tif 000021
前記式（Ｉ）において、前記Ｒ1は、Ｎ，Ｎ‐ビス‐（２‐ヒドロキシルエチル）アミノメタン、メチルチオメチル、２‐ヒドロキシエチル、シアノメチル、Ｎ，Ｎ‐ジエチルカルバモイルメチル、Ｎ，Ｎ‐ジエチルカルバモイル、フタルイミドメチル、１‐ピロリジンメチル、３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジル、２，３‐ジヒドロ‐２‐チオキソ‐３‐ベンゾキサゾリル、３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジル、４‐メトキシフェニル、ベンジル、メトキシカルボニルメチル、フェナシル、３‐クロロベンジル、フェニル、およびシアノの少なくとも１つであり；前記Ｒ2およびＲ3は、各々独立に、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ‐ブチル、イソブチル、フェニル、および２，２，２‐トリフルオロエチルの少なくとも１つである、請求項１に記載の光導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は全般に、ゼログラフィ画像形成等の画像形成部材および印刷部材、感光体、ならびに光導電体等に関する。
【背景技術】
【０００２】
層状の光応答画像形成部材が、電荷発生層とアリールアミンホール輸送層とを含む画像形成部材を記載する特許文献１などの多くの米国特許に記載されている。
【０００３】
特許文献２には、クロロインジウムフタロシアニン電荷発生層を用いた層状の画像形成部材が記載されている。特許文献３には、例えば、ペリレン、顔料電荷発生成分、を用いた画像形成部材が記載される。
【０００４】
特許文献４〜６は、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンの製造方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第４，２６５，９９０号
【特許文献２】米国特許第４，５５５，４６３号
【特許文献３】米国特許第４，５８７，１８９号
【特許文献４】米国特許第５，５２１，３０６号
【特許文献５】米国特許第５，４８２，８１１号
【特許文献６】米国特許第５，４７３，０６４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は全般的に、ゼログラフィ画像形成等の画像形成部材および印刷部材、感光体、ならびに光導電体等に関する。より詳細には、本開示は、基体等の支持媒体、電荷発生層、ならびに第一の電荷輸送層および第二の電荷輸送層等の複数の電荷輸送層を含む電荷輸送層を含むドラム状、多層ドラム状、および可撓性ベルト状の画像形成部材または装置に関し、ここで、電荷発生（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ）層は、添加剤またはドーパントとしてホスホネートを含有し、ならびに、基体等の支持媒体、ホスホネート含有電荷発生層、および電荷輸送層を含む光導電体に関し、例えば、実施形態では、ゼログラフィ画像等の現像された画像上の、種々の相対湿度での許容されるゴーストを含む望ましくないゴーストの最小化または実質的な排除；優れたサイクル特性および安定した電気的特性；電荷発生層および電荷輸送層の樹脂バインダーとの相溶性；ならびに、例えば、優れたＬＣＭ抵抗等、許容される横方向の電荷移動（ｌａｔｅｒａｌ  ｃｈａｒｇｅ  ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）（ＬＣＭ）特性、等の数多くの利点を有する光導電体を得る結果となるものに関する。実施形態において、少なくとも１の、とは、例えば、１、１〜約１０、２〜約６；２〜約４；および２、等を意味する。
【０００７】
ゴーストとは、例えば、光導電体がいくつものゼログラフィ印刷エンジンにおいて正の電荷に選択的に曝露された場合、その電荷の一部が光導電体内部に入り込み、次の印刷サイクルにおいて潜像として現れることを意味する。この印刷不良は、ハーフトーンの明度の変化を引き起こす場合があり、一般に、前の印刷サイクルで発生した「ゴースト」と称される。正電荷源としては、例えば、転写コロトロン（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｃｏｒｏｔｒｏｎ）から放出された正イオン流である。転写コロトロンと光導電体との間に紙シートが位置することから、光導電体は、紙シートによって正イオンから遮蔽される。紙シート間の領域では、光導電体は完全に曝露され、従って、この紙のない領域では、正電荷が光導電体内へ入り込む場合がある。その結果、紙のサイズを大きくして、前に行った印刷では紙のなかった領域を含めるフォーマットへ切り替えた場合、この電荷が、ハーフトーン印刷での印刷不良またはゴーストを引き起こす。
【０００８】
さらには、本開示の範囲には、光導電体装置を用いた画像形成および印刷の方法も含まれる。これらの方法は、一般に、画像形成部材上での静電潜像の形成、およびそれに続く、例えば、熱可塑性樹脂、顔料などの着色剤、帯電添加剤（ｃｈａｒｇｅ  ａｄｄｉｔｉｖｅ）、および表面添加剤（ｓｕｒｆａｃｅ  ａｄｄｉｔｉｖｅ）を含むトナー組成物（米国特許第４，５６０，６３５号明細書、米国特許第４，２９８，６９７号明細書、及び米国特許第４，３３８，３９０号明細書を参照）を用いた画像の現像を含み、続いて、その画像を適切な基体へ転写し、そこへ画像を恒久的に定着させる。この装置が印刷モードで用いられる環境下では、この画像形成法は、同一の操作を含むが、ただし、露光は、レーザー装置またはイメージバー（ｉｍａｇｅ  ｂａｒ）によって達成することができる。より具体的には、本明細書で開示する画像形成部材及び可撓性ベルトは、バージョンによっては１分間に１００枚を超えるコピーを行うＸｅｒｏｘ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ｉＧＥＮ３（登録商標）用に選択することができる。デジタルおよび／またはカラー印刷を含む画像形成のプロセス、特に電子写真画像形成および印刷は、従って、本開示に包含される。
【０００９】
本明細書に開示される光導電体は、実施形態において、例えば、約４００〜約９００ナノメートル、特には、約６５０〜約８５０ナノメートルの範囲の波長領域に感度を有し、従って、光源としてはダイオードレーザーを選択することができる。さらに、本開示の光導電体は、実施形態において、高解像度カラー電子写真用途、特に、高速カラーコピーおよび印刷プロセスに有用である。
【００１０】
電荷発生層にドーパントを含有する光導電体を開示し、ここで、例えばゼログラフィ印刷機で作製される現像された画像について、最小のゴースト特性、許容される光誘起放電（ＰＩＤＣ）値、優れた横方向の電荷移動（ＬＣＭ）抵抗、および優れたサイクル安定特性が可能となる。
【００１１】
さらに、例えば、アミノシラン（本開示全体を通して、複数は非複数も含み、従って、単一のアミノシランを選択することもできる）、金属酸化物、フェノール樹脂、および所望により含まれていてもよいフェノール系化合物を含むホールブロッキング層（ｈｏｌｅ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を所望により含んでもよい可撓性ベルト状画像形成部材を開示し、このフェノール系化合物は、少なくとも２個、より具体的には、２個〜１０個のフェノール基を含み、または、例えば重量平均分子量が約５００〜約３０００の範囲であるフェノール樹脂を含み、それによって、例えば、通常、光導電体の望ましい低残留電位Ｖlowをもたらす結果となる、電子輸送効率に優れたホールブロッキング層を可能とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本開示のある態様は、支持基体と、電荷発生層と、少なくとも１種類の電荷輸送成分を含む少なくとも１層の電荷輸送層と、を含む光導電体に関し、ここで、電荷発生層は、
【化１】
2010015146.tif 000002
で表されるホスホネートを含み、ここで、Ｒ1は、アルキルおよびアリールの少なくとも１つであり；Ｒ2およびＲ3は、各々独立に、水素、アルキル、およびアリールの少なくとも１つである。また、本開示の態様は、所望によって含まれてもよい支持基体と、電荷発生層と、１〜約４層の電荷輸送層と、を順に含み；ここで、電荷発生層は、ホスホネートおよび電荷発生顔料を含み：ここで、ホスホネートは、
【化２】
2010015146.tif 000003
【化３】
2010015146.tif 000004
【化４】
2010015146.tif 000005
の少なくとも１つで表される。また、本開示の態様は、支持基体、電荷発生層、および電荷輸送層を含む光導電体に関し、ここで、電荷輸送層は、少なくとも１種類のホール輸送成分、および、
【化５】
2010015146.tif 000006
で表されるホスホネートを含み、ここで、Ｒ1は、アルキルおよびアリールの少なくとも１つであり；Ｒ2およびＲ3は、各々独立に、水素、アルキル、およびアリールの少なくとも１つである。
【００１３】
本開示は、支持基体と、電荷発生層と、少なくとも１種類の電荷輸送成分を含む少なくとも１層の電荷輸送層と、を含み、ここで、電荷発生層が、少なくとも１種類の電荷発生成分および本明細書で説明するホスホネート添加剤またはドーパントを含む光導電体；支持基体と、ホスホネート含有電荷発生層と、少なくとも１種類の電荷輸送成分を含む電荷輸送層と、を含む光導電体；所望によって含まれてもよい支持基体と、ホールブロッキング層と、接着層と、ホスホネート含有電荷発生層と、１〜３層等の少なくとも１層の電荷輸送層と、順に含む光導電体；１もしくは複数の電荷輸送層に含まれる電荷輸送成分が、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐（１，１’‐ビフェニル）‐４，４’‐ジアミン、テトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐メトキシフェニル）‐１，１‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｐ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｍ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｏ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（４‐イソプロピルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（２‐エチル‐６‐メチルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（２，５‐ジメチルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐クロロフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、およびこれらの混合物から成る群より選択されるアリールアミンである光導電体；電荷発生顔料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ハロガリウムフタロシアニン、アルコキシフタロシアニン、アルコキシガリウムフタロシアニン、無金属フタロシアニン、またはペリレンである光導電体；電荷発生層内に、ホスホネートが、例えば、約０．０１〜約２５、約０．１〜約１５、または約１〜約１０重量パーセントの量存在する光導電体；基体が、導電性材料を含み、可撓性光導電性画像形成部材が、順に、支持基体、その上の電荷発生層、電荷輸送層、および保護トップオーバーコート層を含む光導電体；ホールブロッキング層および接着層を含み、この接着層が、ホールブロッキング層と電荷発生層との間に位置し、ホールブロッキング層が、基体と接着層との間に位置する光導電体；ならびに、添加剤またはドーパントが、例えば、約１〜約１０重量パーセント等の種々の有効量で選択することができる光導電体、について説明する。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添加剤／ドーパントの例
電荷発生添加剤またはドーパントの例としては、例えば、数多くの適切なホスホネートが挙げられる。
【００１５】
１もしくは複数の電荷発生層に含まれるホスホネートの例は、以下の構造／式で表すことができ、
【化６】
2010015146.tif 000007
ここで、Ｒ1は、アルキルまたはアリール、およびこれらの誘導体基（ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ）であり；Ｒ2およびＲ3は、各々独立して、水素、アルキルまたはアリール、およびこれらの誘導体基である。
【００１６】
Ｒのアルキル基の例としては、１〜約２５個の炭素原子を含むもの、１〜約１８個の炭素原子を含むもの、および１〜約１０個の炭素原子を含むものが挙げられ、メチル、エチル、ｎ‐プロピル、イソプロピル、ｎ‐ブチル、イソブチル等であり；アリールは、例えば、６〜約４２個の炭素原子のもの、および６〜約２４個の炭素原子のものであって、フェニル、ナフチル、スチリル、およびビフェニリル等であり；誘導体基としては、例えば、アルキル、アリール、アルコキシ、およびハロ（ｈａｌｏ）等が挙げられる。
【００１７】
ホスホネートの例としては、例えば、Ｒ1が、Ｎ，Ｎ‐ビス‐（２‐ヒドロキシエチル）アミノメタン、メチルチオメチル、２‐ヒドロキシエチル、シアノメチル、Ｎ，Ｎ‐ジエチルカルバモイルメチル、Ｎ，Ｎ‐ジエチルカルバモイル、フタルイミドメチル、１‐ピロリジンメチル、３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジル、２，３‐ジヒドロ‐２‐チオキソ‐３‐ベンゾキサゾリル、３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジル、４‐メトキシフェニル、ベンジル、メトキシカルボニルメチル、フェナシル、３‐クロロベンジル、フェニル、およびシアノ等の少なくとも１つであり；Ｒ2およびＲ3が、水素、メチル、エチル、ｎ‐プロピル、イソプロピル、ｎ‐ブチル、イソブチル、フェニル、および２，２，２‐トリフルオロエチル等の少なくとも１つであるものが挙げられる。
【００１８】
ホスホネートの具体例は、Ｎ，Ｎ‐ビス‐（２‐ヒドロキシエチル）アミノメタンホスホン酸ジエチルエステル、（メチルチオメチル）ホスホン酸ジエチルエステル、２‐ヒドロキシエチルホスホン酸ジメチルエステル、シアノメチルホスホン酸ジエチルエステル、ジ‐ｎ‐ブチルＮ，Ｎ‐ジエチルカルバモイルメチルホスホネート、ジブチルＮ，Ｎ‐ジエチルカルバモイルホスホネート、ジエチル（フタルイミドメチル）ホスホネート、ジエチル１‐ピロリジンメチルホスホネート、ジエチル３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジルホスホネート、ジフェニル（２，３‐ジヒドロ‐２‐チオキソ‐３‐ベンゾキサゾリル）ホスホネート、モノエチル３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジルホスホネート、テトラエチル［４，４’‐ビフェニリレンビス（メチレン）］ビスホスホネート、ジエチル４‐メトキシフェニルホスホネート、テトラエチル［アントラセン‐９，１０‐ジイルビス（メチレン）］ビスホスホネート、ジエチルベンジルホスホネート、ビス（２，２，２‐トリフルオロエチル）（メトキシカルボニルメチル）ホスホネート、ジエチルフェナシルホスホネート、ジエチル（３‐クロロベンジル）ホスホネート、ジエチルシアノホスホネート、およびジエチルフェニルホスホネート等である。
【００１９】
実施形態において、少なくとも１種類の電荷発生顔料および樹脂バインダーも含む電荷発生層に組み込まれるホスホネートは、以下の構造／式、の少なくとも１つによって表されるか、または包含される。
【化７】
2010015146.tif 000008
【化８】
2010015146.tif 000009
【化９】
2010015146.tif 000010
【００２０】
光導電性層の成分
本明細書で開示される光導電体に対しては、基体、電荷発生層、電荷輸送層、ホールブロッキング層、接着層、および保護オーバーコート層等、数多くの公知の層を選択することができる。これらの層の多くの例、厚さ、および具体的な成分としては、以下のものが挙げられる。
【００２１】
本明細書で説明する光導電体に対して、数多くの公知の支持基体を選択することができ、例えば、その上の層を効果的なものとする基体等である。基体層の厚さは、経済的な考慮および電気的特性等を含む多くの因子に依存し、従って、この層は、例えば、３０００ミクロン超等の相当な厚さであってよく、約１０００〜約３５００、約１０００〜約２０００、約３００〜約７００ミクロン等、または、例えば、約１００〜約５００ミクロン等の最小の厚さであってもよい。実施形態では、この層の厚さは、約７５〜約３００ミクロン、または約１００〜約１５０ミクロンであってもよい。
【００２２】
基体は、不透明なものまたは実質的に透明なもの等多くの異なる材料から成っていてよく、適切ないかなる材料を含んでいてもよい。従って、基体は、無機または有機組成物等、非導電性または導電性材料の層を含んでもよい。非導電性材料としては、本目的のために公知の種々の樹脂を用いることができ、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、およびポリウレタン等が挙げられ、これらは、薄状のウェブとして可撓性である。導電性基体は、例えば、アルミニウム、ニッケル、スチール、および銅等の適切ないかなる金属であっても、カーボンおよび金属粉等の導電性物質を充填した上述のポリマー材料であっても、または有機導電性材料であってもよい。電気絶縁性または導電性基体は、エンドレス可撓性ベルト、ウェブ、剛性シリンダー、およびシート等の形状とすることができる。基体層の厚さは、所望される強度および経済的考慮を含む多くの因子に依存する。ドラムの場合、この層は、例えば、最大何センチメートルもの相当な厚さであっても、または１ミリメートル未満の最小の厚さであってもよい。同様に、可撓性ベルトは、最終的な電子写真装置に悪影響を及ぼさない限りにおいて、例えば、約２５０ミクロン等の相当な厚さであってもよく、または約５０ミクロン未満の最小の厚さであってもよい。基体層が導電性でない実施形態では、導電性コーティングによってその表面を導電性としてもよい。導電性コーティングの厚さは、光透過性、所望されるフレキシビリティの度合い、および経済的な因子に応じて、非常に広い範囲で様々となり得る。
【００２３】
説明のための基体の例は、本明細書で示すようなものであり、より具体的には、基体が不透明であっても実質的に透明であってもよい、本開示の画像形成部材に選択される層は、チタンを含有する市販のポリマーであるＭＹＬＡＲ（登録商標）等の無機もしくは有機ポリマー材料を含む絶縁材料の層を含む。
【００２４】
実施形態における電荷発生層は、所望によって含まれていてもよいバインダーおよび公知の電荷発生顔料を含み、より具体的には、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、およびクロロガリウムフタロシアニン、ならびに樹脂バインダーを含んでいてもよい。一般的に、電荷発生層は、公知の電荷発生顔料、たとえば金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、アルキルヒドロキシガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ペリレン、特にはビス（ベンズイミダゾ）ペリレン、およびチタニルフタロシアニン等、より具体的には、バナジルフタロシアニン、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ならびに、無機成分、たとえばセレン、セレン合金、および三方晶セレン等、を含むことができる。電荷発生顔料は、電荷輸送層に対して選択される樹脂バインダーに類似の樹脂バインダー中に分散させることができ、または、別の選択肢として、樹脂バインダーは存在する必要がない。一般的に、電荷発生層の厚さは、その他の層の厚さ、および電荷発生層中に含有される電荷発生物質の量を含む数多くの因子に依存する。
【００２５】
近赤外線に高い感度を有するチタニルフタロシアニンをベースとする感光体を得るためには、有機光導電体では通常そうであるような顔料の純度および化学構造の制御だけでなく、特定の結晶変態を有する顔料の作製も重要であると考えられる。従って、高感度チタニルフタロシアニンを提供するプロセスによってチタニルフタロシアニンが作製された光導電体を提供することもやはり望ましい。
【００２６】
実施形態では、電荷発生層に含まれるＶ型フタロシアニン顔料は、Ｉ型チタニルフタロシアニンを、トリハロ酢酸およびハロゲン化アルキレンを含む溶液に溶解し；溶解したＩ型チタニルフタロシアニンを含む得られた混合物をアルコールおよびハロゲン化アルキレンを含む溶液に添加し、それによって、Ｙ型チタニルフタロシアニンを析出させ；得られたＹ型チタニルフタロシアニンをモノクロロベンゼンで処理することによって作製することができる。
【００２７】
実施形態では、電荷発生層のマトリックスとして選択することができるポリマーバインダー材料の例としては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂であり、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールシラノール、ポリアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリスルホン、ポリシラノールスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（酢酸ビニル）、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレンおよびアクリロニトリルコポリマー、ポリ（塩化ビニル）、塩化ビニルおよび酢酸ビニルコポリマー、アクリレートコポリマー、アルキド樹脂、セルロース系塗膜形成剤（ｃｅｌｌｕｌｏｓｉｃ  ｆｉｌｍ  ｆｏｒｍｅｒ）、ポリ（アミドイミド）、スチレンブタジエンコポリマー、塩化ビニリデン‐塩化ビニルコポリマー、酢酸ビニル‐塩化ビニリデンコポリマー、スチレン‐アルキド樹脂、ならびにポリ（ビニルカルバゾール）等が含まれる。これらのポリマーは、ブロックコポリマーであっても、ランダムコポリマーであっても、または交互コポリマーであってもよい。
【００２８】
電荷発生組成物または顔料は、樹脂性バインダー組成物中に、種々の量で存在する。しかし、一般的には、約５重量パーセント〜約９０重量パーセントの電荷発生顔料が、約１０重量パーセント〜約９５重量パーセントの樹脂性バインダー中に分散されるか、または約２０重量パーセント〜約５０重量パーセントの電荷発生顔料が、約８０重量パーセント〜約５０重量パーセントの樹脂性バインダー組成物中に分散される。一つの実施形態では、約５０重量パーセントの電荷発生顔料が、約５０重量パーセントの樹脂性バインダー組成物中に分散される。電荷発生層中の成分の重量パーセントの合計は約１００である。
【００２９】
電荷発生層を施す前に、電荷ブロッキング層またはホールブロッキング層を、所望によって、導電性表面に施してもよい。所望する場合、電荷ブロッキング層、ホールブロッキング層、または層間層（ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ  ｌａｙｅｒ）と電荷発生層との間に、接着層を含めてもよい。通常、電荷発生層は、ブロッキング層上に施され、１層の電荷輸送層または複数層の電荷輸送層は、電荷発生層上に形成される。電荷発生層は、電荷輸送層の上に施してもよく、または下に施してもよい。
【００３０】
実施形態では、光導電体は、適切な公知の接着層を含むことができる。典型的な接着層材料の例には、例えば、ポリエステルおよびポリウレタン等が含まれる。接着層の厚さは様々であってよく、実施形態では、例えば、約０．０５ミクロン（５００オングストローム）〜約０．３ミクロン（３０００オングストローム）である。接着層は、スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、巻線ロッドコーティング（ｗｉｒｅ  ｗｏｕｎｄ  ｒｏｄ  ｃｏａｔｉｎｇ）、グラビアコーティング、およびバードアプリケータコーティング（Ｂｉｒｄ  ａｐｐｌｉｃａｔｏｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）等により、ホールブロッキング層上に載せることができる。載せられたコーティングの乾燥は、例えば、オーブン乾燥、赤外線乾燥、および空気乾燥等によって行うことができる。
【００３１】
通常、ホールブロッキング層および電荷発生層と接触しているかまたはこれらの間に位置する、１もしくは複数の所望によって設けられていてもよい接着層として、コポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、およびポリアクリロニトリルを含む種々の公知の物質を選択することができる。この層は、例えば、約０．００１〜約１ミクロン、または約０．１〜約０．５ミクロンの厚さである。所望によって、この層は、適切な有効量、例えば、約１〜約１０重量パーセントの、酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化珪素、およびカーボンブラック等の導電粒子及び非導電粒子を含むことにより、例えば、本開示の実施形態において、望ましい電気的および光学的性質をさらに提供することができる。
【００３２】
本開示の光導電体のための１もしくは複数のホールブロッキング層またはアンダーコート層は、アミノシラン、ドープ処理金属酸化物、チタン、クロム、亜鉛、およびスズなどの金属の酸化物等の公知のホールブロック成分；フェノール系化合物とフェノール樹脂との混合物または２種類のフェノール樹脂の混合物、ならびに所望によって含まれていてもよいＳｉＯ2等のドーパント等、数多くの成分を含むことができる。フェノール系化合物は、通常、少なくとも２個のフェノール基を有し、たとえば、ビスフェノールＡ（４，４’‐イソプロピリデンジフェノール）、Ｅ（４，４’‐エチリデンビスフェノール）、Ｆ（ビス（４‐ヒドロキシフェニル）メタン）、Ｍ（４，４’‐（１，３‐フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、Ｐ（４，４’‐（１，４‐フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、Ｓ（４，４’‐スルホニルジフェノール）、およびＺ（４，４’‐シクロヘキシリデンビスフェノール）；ヘキサフルオロビスフェノールＡ（４，４’‐（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール）、レゾルシノール、ヒドロキシキノン、およびカテキン等である。
【００３３】
ホールブロッキング層は、例えば、約２０重量パーセント〜約８０重量パーセント、より具体的には、約５５重量パーセント〜約６５重量パーセントの、ＴｉＯ2等の金属酸化物のような適切な成分；約２０重量パーセント〜約７０重量パーセント、より具体的には、約２５重量パーセント〜約５０重量パーセントのフェノール樹脂；約２重量パーセント〜約２０重量パーセント、より具体的には、約５重量パーセント〜約１５重量パーセントの、例えば、ビスフェノールＳ等の少なくとも２個のフェノール基を含むフェノール系化合物；ならびに、約２重量パーセント〜約１５重量パーセント、より具体的には、約４重量パーセント〜約１０重量パーセントの、ＳｉＯ2等の合板抑制ドーパント（ｐｌｙｗｏｏｄ  ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ  ｄｏｐａｎｔ）を含むことができる。フェノール樹脂の例には、ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１５９および２９１０１（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能）、ならびにＤＵＲＩＴＥ（登録商標）９７（Ｂｏｒｄｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能）等のフェノール、ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノール、クレゾールとのホルムアルデヒドポリマー；ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１１２（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能）等のアンモニア、クレゾール、およびフェノールとのホルムアルデヒドポリマー；ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１０８および２９１１６（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能）等の４，４’‐（１‐メチルエチリデン）ビスフェノールとのホルムアルデヒドポリマー；ＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９４５７（ＯｘｙＣｈｅｍ  Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能）、ＤＵＲＩＴＥ（登録商標）ＳＤ‐４２３Ａ、ＳＤ‐４２２Ａ（Ｂｏｒｄｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能）等のクレゾールおよびフェノールとのホルムアルデヒドポリマー；または、ＤＵＲＩＴＥ（登録商標）ＥＳＤ５５６Ｃ（Ｂｏｒｄｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能）等のフェノールおよびｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノールとのホルムアルデヒドポリマーが含まれる。
【００３４】
電荷輸送層成分および分子としては、アリールアミン等、本明細書で示されるもの等の数多くの公知の物質が含まれ、この層は、一般に、約５〜約７５ミクロンの厚さ、より具体的には、約１０〜約４０ミクロンの厚さである。電荷輸送層成分の例には、
【化１０】
2010015146.tif 000011
が含まれ、ここで、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはこれらの混合であり、特に、これらの置換基は、Ｃｌ、ＯＣＨ3、およびＣＨ3から成る群より選択されてもよく；
ならびに、以下の式、
【化１１】
2010015146.tif 000012
の分子が含まれ、ここで、ＸおよびＹは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはこれらの混合である。
【００３５】
アルキルおよびアルコキシは、例えば、１〜約２５個の炭素原子、より具体的には、１〜約１２個の炭素原子を含み、たとえば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、および対応するアルコキシド等である。アリールは、６〜約３６個の炭素原子を含むことができ、たとえば、フェニル等である。ハロゲンには、塩素（ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ブロミド（ｂｒｏｍｉｄｅ）、ヨージド（ｉｏｄｉｄｅ）、およびフルオリド（ｆｌｕｏｒｉｄｅ）が含まれる。実施形態において、置換されたアルキル、アルコキシ、およびアリールも選択することができる。
【００３６】
アリールアミンの具体例には、アルキルが、メチル、エチル、プロピル、ブチル、およびヘキシル等から成る群より選択されるＮ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（アルキルフェニル）‐１，１‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン；ハロ置換基が、クロロ置換基であるＮ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（ハロフェニル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン；Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｐ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｍ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ジ‐ｏ‐トリル‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（４‐イソプロピルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（２‐エチル‐６‐メチルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐ブチルフェニル）‐Ｎ，Ｎ’‐ビス‐（２，５‐ジメチルフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’‐ジアミン、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐クロロフェニル）‐［ｐ‐ターフェニル］‐４，４’ ’‐ジアミン、テトラ‐ｐ‐トリル‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン、ならびにＮ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（４‐メトキシフェニル）‐１，１‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン等が含まれる。例えば、米国特許第４，９２１，７７３号および第４，４６４，４５０号を参照して、その他の公知の電荷輸送層分子を選択することができる。
【００３７】
実施形態では、電荷輸送成分は、以下の式／構造によって表すことができる。
【化１２】
2010015146.tif 000013
【化１３】
2010015146.tif 000014
【００３８】
電荷輸送層のために選択されるバインダー材料の例には、ポリカーボネート、ポリアリレート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、エポキシ、およびこれらのランダムまたは交互コポリマーが含まれる。より具体的には、ポリ（４，４’‐イソプロピリデン‐ジフェニレン）カーボネート（ビスフェノールＡポリカーボネートとも称する）、ポリ（４，４’‐シクロヘキシリデンジフェニレン）カーボネート（ビスフェノールＺポリカーボネートとも称する）、およびポリ（４，４’‐イソプロピリデン‐３，３’‐ジメチル‐ジフェニル）カーボネート（ビスフェノールＣポリカーボネートとも称する）等が含まれる。実施形態では、電荷輸送層バインダーは、重量平均分子量が約２００００〜約１０００００、または、好ましくは、分子量Ｍwが約５００００〜１０００００であるポリカーボネート樹脂を含む。一般的に、実施形態では、輸送層は、約１０〜約７５重量パーセントの電荷輸送物質を、より具体的には、約３５パーセント〜約５０パーセントのこの物質を含む。
【００３９】
実施形態における各電荷輸送層の厚さは、約５〜約７５ミクロンであるが、実施形態において、この範囲外の厚さを選択してもよい。電荷輸送層は、ホール輸送層上に置かれた静電荷が、その上の静電潜像の形成および残存の防止に十分な割合での照射の非存在下では伝導しない程度の絶縁体であるべきである。一般的に、電荷輸送層の電荷発生層に対する厚さの比は、約２：１〜２００：１、場合によっては、４００：１とすることができる。電荷輸送層は、可視光または意図される使用の領域の放射線を実質的に吸収しないが、光導電性層または電荷発生層からの光発生した（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄ）ホールの注入を可能とし、これらのホールをこの層自体を通過して輸送し、活性層表面の表面電荷の選択的な放電を可能とするという点で、電気的に「活性」である。
【００４０】
電荷輸送層の連続オーバーコート層の厚さの選択は、使用するシステム内での帯電（バイアス帯電ローラ）、クリーニング（ブレードまたはウェブ）、現像（ブラシ）、および転写（バイアス転写ローラ）等の磨耗性に依存し、最大約１０ミクロンまで可能である。実施形態では、各層のこの厚さは、約１〜約５ミクロンである。種々の適切な従来の方法を用いて、オーバーコート層コーティング混合物を混合し、その後、光導電体に塗布することができる。典型的な塗布技術としては、スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、および巻線ロッドコーティング等が含まれる。載せられたコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、および空気乾燥等の従来の適切な技術のいずれかによって行うことができる。本開示の乾燥されたオーバーコート層は、画像形成中にホールを輸送し、遊離のキャリア濃度は高すぎないほうがよい。
【００４１】
オーバーコートは、電荷輸送層と同じ成分を含むことができ、ここで、電荷輸送低分子と適切な電気的に不活性な樹脂バインダーとの間の重量比は、例えば、約０／１００〜約６０／４０、または約２０／８０〜約４０／６０である。
【００４２】
例えば、横方向の電荷移動（ｌａｔｅｒａｌ  ｃｈａｒｇｅ  ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）（ＬＣＭ）の抵抗の改善を可能とするために、電荷輸送層または少なくとも１層の電荷輸送層に所望によって組み込まれてもよい成分または物質の例には、テトラキスメチレン（３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシヒドロシナメート）メタン（ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能）、ジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、ならびに、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＢＨＴ‐Ｒ、ＭＤＰ‐Ｓ、ＢＢＭ‐Ｓ、ＷＸ‐Ｒ、ＮＷ、ＢＰ‐７６、ＢＰ‐１０１、ＧＡ‐８０、ＧＭ、およびＧＳ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．より入手可能）、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７、および５６５（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓより入手可能）、ならびにＡＤＥＫＡ  ＳＴＡＢ（商標）ＡＯ‐２０、ＡＯ‐３０、ＡＯ‐４０、ＡＯ‐５０、ＡＯ‐６０、ＡＯ‐７０、ＡＯ‐８０、およびＡＯ‐３３０（Ａｓａｈｉ  Ｄｅｎｋａ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．より入手可能）を含むその他のヒンダードフェノール系酸化防止剤等のヒンダードフェノール系酸化防止剤；ＳＡＮＯＬ（商標）ＬＳ‐２６２６、ＬＳ‐７６５、ＬＳ‐７７０、およびＬＳ‐７４４（ＳＮＫＹＯ  ＣＯ．，Ｌｔｄ．より入手可能）、ＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）１４４および６２２ＬＤ（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓより入手可能）、ＭＡＲＫ（商標）ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８、およびＬＡ６３（Ａｓａｈｉ  Ｄｅｎｋａ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．より入手可能）、ならびにＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰＳ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．より入手可能）等のヒンダードアミン酸化防止剤；ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰ‐Ｄ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．より入手可能）等のチオエーテル酸化防止剤；ＭＡＲＫ（商標）２１１２、ＰＥＰ‐８、ＰＥＰ‐２４Ｇ、ＰＥＰ‐３６、３２９Ｋ、およびＨＰ‐１０（Ａｓａｈｉ  Ｄｅｎｋａ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．より入手可能）等のホスファイト酸化防止剤；ビス（４‐ジエチルアミノ‐２‐メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、およびビス‐［２‐メチル‐４‐（Ｎ‐２‐ヒドロキシエチル‐Ｎ‐エチル‐アミノフェニル）］‐フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）等のその他の分子が含まれる。少なくとも１層の電荷輸送層中の酸化防止剤の重量パーセントは、約０〜約２０、約１〜約１０、または約３〜約８重量パーセントである。
【００４３】
典型的には、可撓性感光体ベルトは、光活性コーティングの種々の層を長尺のウェブ上に堆積させ、その後、これを切断してシートとすることによって製造される。各感光体シートの反対の端部同士が重ね合わされ、互いに超音波溶接されて画像形成ベルトが形成される。ウェブのコーティング作業でのスループットを上げるために、コーティングされるウェブは、最終的なベルトの幅の２倍の幅を有する。コーティングの後、ウェブは、長さ方向に切断され、その後、横方向に切断して所定の長さとし、最終的には溶接されてベルトとなる精密な寸法の感光体シートが形成される。コーティング作業でのウェブの長さは、何千フィートもの長さである場合があり、コーティング作業にかかる時間は、各層につき１時間を超える場合がある。
【実施例】
【００４４】
比較例１
厚さ３．５ミルの二軸延伸ポリエチレンナフタレート基体（ＫＡＬＥＤＥＸ（商標）２０００）を有する光導電体を作製し、その上に、０．０２ミクロンの厚さのチタン層を、二軸延伸ポリエチレンナフタレート基体（ＫＡＬＥＤＥＸ（商標）２０００）上にコーティングした。続いて、その上に、グラビアアプリケーター（ｇｒａｖｕｒｅ  ａｐｐｌｉｃａｔｏｒ）または押出コーター（ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ  ｃｏａｔｅｒ）により、５０グラムの３‐アミノプロピルトリエトキシシラン（γ‐ＡＰＳ）、４１．２グラムの水、１５グラムの酢酸、６８４．８グラムの変性アルコール、および２００グラムのヘプタンを含むホールブロッキング層溶液を塗布した。次に、この層を、強制空気乾燥機（ｆｏｒｃｅｄ  ａｉｒ  ｄｒｙｅｒ）内にて、１２０℃で約１分間乾燥した。得られたホールブロッキング層の乾燥厚さは５００オングストロームであった。次に、グラビアアプリケーターまたは押出コーターを用いてブロッキング層上にウェットコーティングを施すことにより、接着層を堆積させたが、ここで、この接着剤は、体積比６０：３０：１０のテトラヒドロフラン／モノクロロベンゼン／塩化メチレン混合物中に、コポリエステル接着剤（Ｔｏｙｏｔａ  Ｈｓｕｔｓｕ  Ｉｎｃ．より入手可能なＡＲＤＥＬ  Ｄ１００（商標））を溶液の全重量に対して０．２重量パーセント含有していた。次に、この接着層を、コーターの強制空気乾燥機内にて、１２０℃で約１分間乾燥した。得られた接着層の乾燥厚さは２００オングストロームであった。
【００４５】
電荷発生層分散液を、重量平均分子量２００００であり、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  Ｇａｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎより入手可能な公知のポリカーボネート、ＩＵＰＩＬＯＮ２００（商標）の０．４５グラム、およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の４４．６５グラムを４オンスガラスビンに導入することによって調製した。この溶液へ、２．４グラムのヒドロキシガリウムフタロシアニン（ＨＯＧａＰｃ、Ｖ型）、および３００グラムの直径１／８インチ（３．２ミリメートル）ステンレススチール球（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ  ｓｔｅｅｌ  ｓｈｏｔ）を添加した。次に、この混合物を、３時間ボールミルに掛けた。続いて、２．２５グラムのＰＣＺ‐２００を４６．１グラムのテトラヒドロフランへ溶解し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン分散液へ添加した。次に、このスラリーを、１０分間振とう機に掛けた。その後、得られた分散液を、バードアプリケータ（Ｂｉｒｄ  ａｐｐｌｉｃａｔｏｒ）により、上記の接着界面へ塗布し、湿厚さ（ｗｅｔ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）が０．５０ミルである電荷発生層を形成した。この電荷発生層を、強制空気オーブン（ｆｏｒｃｅｄ  ａｉｒ  ｏｖｅｎ）内にて、１２０℃で１分間乾燥し、厚さ０．８ミクロンの乾燥電荷発生層を形成した。
【００４６】
（Ａ）次に、Ｎ，Ｎ’‐ビス（メチルフェニル）‐１，１‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴＢＤ）と、Ｆａｒｂｅｎｆａｂｒｉｋｅｎ  Ｂａｙｅｒ  Ａ．Ｇ．よりＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）５７０５として市販されている、平均分子量Ｍwが約１２００００の公知のビスフェノールＡポリカーボネートであるポリ（４，４’‐イソプロピリデンジフェニル）カーボネートとを、重量比５０／５０でアンバーガラスビンへ投入することによって調製した単一の電荷輸送層で、電荷発生層をコーティングした。得られた混合物を、続いて、塩化メチレンへ溶解し、１５．６重量パーセントの固形分を有する溶液を形成した。この溶液を電荷発生層上に塗布し、乾燥時（１２０℃、１分間）の厚さが２９ミクロンである電荷輸送層を形成した。このコーティングプロセスの間、湿度は３０パーセントと等しいかまたはそれ未満であり、例えば２５パーセントであった。
【００４７】
（Ｂ）別の実施形態では、得られた電荷発生層を、次に、二重の電荷輸送層でコーティングした。第一の電荷輸送層は、Ｎ，Ｎ’‐ビス（メチルフェニル）‐１，１‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミン（ＴＢＤ）と、Ｆａｒｂｅｎｆａｂｒｉｋｅｎ  Ｂａｙｅｒ  Ａ．Ｇ．よりＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）５７０５として市販されている、平均分子量Ｍwが約１２００００の公知のビスフェノールＡポリカーボネートであるポリ（４，４’‐イソプロピリデンジフェニル）カーボネートとを、重量比５０／５０でアンバーガラスビンへ投入することによって調製した。得られた混合物を、続いて、塩化メチレンへ溶解し、１５．６重量パーセントの固形分を有する溶液を形成した。この溶液を電荷発生層上に塗布し、乾燥時（１２０℃、１分間）の厚さが１４．５ミクロンである電荷輸送層を形成した。このコーティングプロセスの間、湿度は３０パーセントと等しいかまたはそれ未満であり、例えば２５パーセントであった。
【００４８】
上記の第一パスの電荷輸送層（ＣＴＬ）を、次に、第二パスにより、第二トップ電荷輸送層でオーバーコーティングした。トップ層の電荷輸送層溶液は、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐メチルフェニル）‐１，１’‐ビフェニル‐４，４’‐ジアミンと、Ｆａｒｂｅｎｆａｂｒｉｋｅｎ  Ｂａｙｅｒ  Ａ．Ｇ．より市販されている、平均分子量が約５００００〜約１０００００の公知のポリカーボネートであるＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）５７０５とを、重量比０．３５：０．６５でアンバーガラスビンへ投入することによって調製した。得られた混合物を、次に、塩化メチレンへ溶解し、１５重量パーセントの固形分を有する溶液を形成した。この溶液を、２ミルのバードバー（Ｂｉｒｄ  ｂａｒ）を用いて下層の電荷輸送層上に塗布し、乾燥時（１２０℃、１分間）の厚さが１４．５ミクロンであるコーティング層を形成した。このコーティングプロセスの間、湿度は１５パーセントと等しいかもしくはそれ未満であった。二層ＣＴＬの総厚さは、２９ミクロンであった。
【００４９】
実施例Ｉ
電荷発生層中に、シアノメチルホスホン酸ジエチルエステルを１０重量パーセント含有すること（４７／５３／１０の比率のＨＯＧａＰｃ／ＰＣＺ‐２００／シアノメチルホスホン酸ジエチルエステル、ＴＨＦ中、固形分６重量パーセント）以外は、比較例１（Ｂ）のプロセスを繰り返すことによって光導電体を作製し、このホスホネートは、調製した電荷発生層溶液へ、それを接着層上へコーティングする前に添加、混合した。より具体的には、上述のホスホネート添加剤を、まず電荷発生層溶媒のＴＨＦへ溶解し、次に、得られた混合物を上記の電荷発生成分へ添加した。その後、得られた混合物を接着層上に堆積させた。
【００５０】
実施例ＩＩ
電荷発生層中に、ＬＡＮＸＥＳＳ  Ｃｏｒｐ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ，ペンシルベニア州、よりＬＥＶＡＧＡＲＤ（登録商標）４０９０Ｎとして市販されているＮ，Ｎ‐ビス‐（２‐ヒドロキシエチル）アミノメタンホスホン酸ジエチルエステルを３重量パーセント含有すること（４７／５３／３の比率のＨＯＧａＰｃ／ＰＣＺ‐２００／Ｎ，Ｎ‐ビス‐（２‐ヒドロキシエチル）アミノメタンホスホン酸ジエチルエステル、ＴＨＦ中、固形分６重量パーセント）以外は、比較例１（Ｂ）のプロセスを繰り返すことによって光導電体を作製し、このホスホネートは、調製した電荷発生層溶液へ、それを接着層上へコーティングする前に添加、混合した。より具体的には、上述のホスホネート添加剤を、まず電荷発生層溶媒のＴＨＦへ溶解し、次に、得られた混合物を上記の電荷発生成分へ添加した。その後、得られた混合物を接着層上に堆積させた。
【００５１】
実施例ＩＩＩ
電荷発生層中に、（メチルチオメチル）ホスホン酸ジエチルエステル、２‐ヒドロキシエチルホスホン酸ジメチルエステル、ジ‐ｎ‐ブチルＮ，Ｎ‐ジエチルカルバモイルメチルホスホネート、ジブチルＮ，Ｎ‐ジエチルカルバモイルホスホネート、ジエチル（フタルイミドメチル）ホスホネート、ジエチル１‐ピロリジンメチルホスホネート、ジエチル３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジルホスホネート、ジフェニル（２，３‐ジヒドロ‐２‐チオキソ‐３‐ベンゾキサゾリル）ホスホネート、モノエチル３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシベンジルホスホネート、テトラエチル［４，４’‐ビフェニリレンビス（メチレン）］ビスホスホネート、ジエチル４‐メトキシフェニルホスホネート、テトラエチル［アントラセン‐９，１０‐ジイルビス（メチレン）］ビスホスホネート、ジエチルベンジルホスホネート、ビス（２，２，２‐トリフルオロエチル）（メトキシカルボニルメチル）ホスホネート、ジエチルフェナシルホスホネート、ジエチル（３‐クロロベンジル）ホスホネート、ジエチルシアノホスホネート、およびジエチルフェニルホスホネートの少なくとも１種類を５重量パーセント含有すること以外は、実施例Ｉのプロセスを繰り返すことによって数多くの光導電体を作製した。
【００５２】
電気的性質の試験
上記で作製した比較例１（Ｂ）、ならびに実施例ＩおよびＩＩの光導電体を、帯電‐消去の１サイクルに続いて帯電‐露光‐消去の１サイクルという順序の光誘起放電サイクルを得るように設定されたスキャナーで試験し、ここで、光強度をサイクルと共に徐々に増加させ、種々の露光強度における光感度および表面電位が測定される一連の光誘起放電特性曲線を作成した。表面電位を徐々に増加させることによる一連の帯電‐消去サイクルによってさらなる電気的特性を得て、いくつかの電圧対電荷密度曲線を作成した。スキャナーには、種々の表面電位において一定電圧の帯電となるよう設定されたスコロトロンを装備した。光導電体は、表面電位４００ボルトにて、露光強度を一連のニュートラルデンシティーフィルターの調節によって徐々に増加させて試験を行い；露光光源は７８０ナノメートルの発光ダイオードとした。ゼログラフィのシミュレーションは、周囲条件下（相対湿度４０パーセント、および２２℃）にて、環境制御した遮光室内で完了した。
【００５３】
ＰＩＤＣ曲線に、実質的に変化はなく、より具体的には、これらの曲線は、上記の光導電体の各々に対して実質的に同一であった。従って、ホスホネートを電荷発生層に組み込むことによる、光導電体の電気的性能への有害な影響はなかった。
【００５４】
ゴースト測定
光導電体が多くのゼログラフィ印刷機において正の電荷に選択的に曝露された場合、その電荷の一部が光導電体内部に入り込み、次の印刷サイクルにおいて潜像として現れることが観察される場合がある。この印刷不良は、ハーフトーンの明度の変化を引き起こす場合があり、一般に、前の印刷サイクルで発生した「ゴースト」と称される。
【００５５】
正電荷源としては、例えば、転写コロトロンから放出された正イオン流である。転写コロトロンと光導電体との間に紙シートが位置することから、光導電体は、紙シートによって正イオンから遮蔽される。紙シート間の領域では、光導電体は完全に曝露され、従って、この紙のない領域では、正電荷が光導電体内へ入り込む場合がある。その結果、紙のサイズを大きくして、前に行った印刷では紙のなかった領域を含めるフォーマットへ切り替えた場合、この電荷が、ハーフトーン印刷での印刷不良またはゴーストを引き起こす。
【００５６】
ゴースト試験では、光導電体を電気的なサイクルに掛けて、連続印刷をシミュレートした。１０回目毎のサイクルの最後に、既知の徐々に増加する正電荷を試験光導電体へ注入した。後続のサイクルにおいて、これらの注入電荷に対する電気応答を測定し、次に、これを評価スケールへ変換した。
【００５７】
印刷エンジンおよび電気試験設備における注入電荷に対する電気応答は、表面電位の低下を示した。この低下を印刷物のカラー値に対応させ、今度は、それを、少なくとも２人の観察者による評価の平均によるランキングスケール（ｒａｎｋｉｎｇ  ｓｃａｌｅ）へ対応させた。このスケールでは、１は、観察可能なゴーストなし、を意味し、７またはそれを超える値は、非常に強いゴーストあり、を意味する。表面電位の変化とゴーストスケールとの間の関数依存性は、わずかに超直線性（ｓｕｐｒａ‐ｌｉｎｅａｒ）であり、第一近似としては、直線スケールとすることができる。
【００５８】
スパッタリング装置を用いて、直径３／８インチ、厚さ１５０Åである金ドット（ｇｏｌｄ  ｄｏｔ）を比較例１（Ｂ）および実施例ＩＩの光導電体の輸送層上へ堆積させた。次に、光導電体を、２２℃、ＲＨ５０パーセントにて、２日間暗所に静置し（光の非存在下）、表面を緩和（ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ）させた。
【００５９】
これらの電極化された光導電体装置（電荷輸送層表面の金ドット）を、次に、試験設備でサイクルに掛け、上述の方法によって金ドットを介して正電荷を注入した。次に、注入電荷２７ｎＣ／ｃｍ2（ｎＣは電荷の単位で、ナノクーロン）に対する表面電位の変化を測定した。最後に、上述の検量線により、表面電位の変化をゴーストのランキングへ変換した。各光導電体に対してこの方法を４回繰り返し、次に、平均を算出した。種々の装置に対して試験した平均値の典型的な標準偏差は、約０．３５であった。
【００６０】
ゴーストの評価を表１に示す。実施例ＩおよびＩＩは、比較例１（Ｂ）の光導電体と比較して、ゴーストが軽減されていることが示される。電荷発生層へホスホネートを組み込むことにより、ゴーストが約３〜５段階軽減された。
【表１】
2010015146.tif 000015