(57)【要約】【課題】所望の寸法を有し且つ安価に製造できる成形型、光学素子の製造方法、及び光学機器を提供すること。【解決手段】ガラスプリフォームをプレスするために用いられる成形型５０は、ガラスプリフォームが設置される下型５１と、この下型５１に接近及び離隔してガラスプリフォームを押圧する上型５３と、下型５１及び上型５３を包囲して接近及び離隔の軌道を規定する胴型５５と、を備え、胴型５５の内周面５５１には、所定の厚みを有する層５５３が形成されている。【選択図】図１
2010260736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスプリフォームをプレスするために用いられる成形型であって、
ガラスプリフォームが設置される下型と、この下型に接近及び離隔して前記ガラスプリフォームを押圧する上型と、前記下型及び上型を包囲して前記接近及び離隔の軌道を規定する胴型と、を備え、
前記胴型の内周面には、所定の厚みを有する層が形成されている成形型。
【請求項２】
前記層は、前記胴型よりも低い線膨張係数を有する低膨張素材からなる低膨張層である請求項１記載の成形型。
【請求項３】
前記低膨張素材は、前記上型よりも低い線膨張係数を有する請求項２記載の成形型。
【請求項４】
前記低膨張素材は、▲、▲、及び▲から選ばれる群より選ばれる１種以上からなる請求項２又は３記載の成形型。
【請求項５】
前記層は、室温において▲μｍ以上▲μｍ以下の厚みを有する請求項１から４いずれか記載の成形型。
【請求項６】
前記層の表面と、前記上型との距離は、室温において▲μｍ以上▲μｍ以下である請求項１から５いずれか記載の成形型。
【請求項７】
前記層は、前記胴型の軸方向に関して、全体的に、又は部分的に複数個所に形成されている請求項１から６いずれか記載の成形型。
【請求項８】
前記層は、前記胴型の周方向に関して対称的に形成されている請求項１から７いずれか記載の成形型。
【請求項９】
前記層は、前記胴型の内面の全周に亘り形成されている請求項８記載の成形型。
【請求項１０】
光学素子の製造方法であって、
請求項１から９いずれか記載の成形型を用い、
下型にガラスプリフォームを設置し、
前記下型及び上型が前記胴型で包囲されるように成形型を組み立て、
前記成形型を加熱した状態で前記下型及び前記上型を接近することで、前記ガラスプリフォームを押圧し、
前記成形型を冷却した後に前記上型を前記胴型から外し、光学素子を回収する工程を有する製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の製造方法で製造される光学素子を用いた光学機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形型、光学素子の製造方法、及び光学機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光学素子等のガラス成形体は、ガラスプリフォームを成形型でプレスすることで製造されるのが一般的である。成形型は、ガラスプリフォームが設置される下型を備え、この下型に上型が接近及び離隔してガラスプリフォームを押圧する。また、成形型は胴型を更に備え、この胴型が下型及び上型を包囲して接近及び離隔の軌道を規定する（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
このような成形型によれば、上型及び下型が一定軌道で接近及び離隔するため、所望の形状のガラス成形体を高い再現性で製造することができる。従って、成形型を用いたプレスは、光学素子のように形状の正確性が要求されるガラス成形体の製造において有用である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−２９２６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来の成形型は、上型及び下型の接近及び離隔の軌道を一定化するべく、上型及び下型と胴型とが密着するように設計され、精密に成形して製造されている。しかし、このような成形型の製造は、ガラス成形体の製造コストを大きく嵩ませる結果につながる。
【０００６】
また、プレスを繰り返し行うにつれ、成形型が磨耗して上型及び下型と胴型との隙間が大きくなる。すると、接近及び離隔の軌道が不均一になって成形精度を低下させることが懸念されるため、成形型が磨耗した場合には、磨耗した部材（上型、下型、又は胴型）を交換する必要がある。しかし、この部材交換も、ガラス成形体の製造コストを大きく嵩ませる結果につながる。
【０００７】
本発明は、以上の実情に鑑みてなされたものであり、所望の寸法を有し且つ安価に製造できる成形型、光学素子の製造方法、及び光学機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、胴型の内周面に所定の厚みを有する層を形成することで、成形型の製造コストを低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【０００９】
（１）  ガラスプリフォームをプレスするために用いられる成形型であって、
ガラスプリフォームが設置される下型と、この下型に接近及び離隔して前記ガラスプリフォームを押圧する上型と、前記下型及び上型を包囲して前記接近及び離隔の軌道を規定する胴型と、を備え、
前記胴型の内周面には、所定の厚みを有する層が形成されている成形型。
【００１０】
（２）  前記層は、前記胴型よりも低い線膨張係数を有する低膨張素材からなる低膨張層である（１）記載の成形型。
【００１１】
（３）  前記低膨張素材は、前記上型よりも低い線膨張係数を有する（２）記載の成形型。
【００１２】
（４）  前記低膨張素材は、貴金属系材料、遷移金属系材料、及び炭素系材料から選ばれる群より選ばれる１種以上からなる（２）又は（３）記載の成形型。
【００１３】
（５）  前記層は、室温において０．００１μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有する（１）から（４）いずれか記載の成形型。
【００１４】
（６）  前記層の表面と、前記上型との距離は、室温において０．００１μｍ以上５０μｍ以下である（１）から（５）いずれか記載の成形型。
【００１５】
（７）  前記層は、前記胴型の軸方向に関して、全体的に、又は部分的に複数個所に形成されている（１）から（６）いずれか記載の成形型。
【００１６】
（８）  前記層は、前記胴型の周方向に関して対称的に形成されている（１）から（７）いずれか記載の成形型。
【００１７】
（９）  前記層は、前記胴型の内面の全周に亘り形成されている（８）記載の成形型。
【００１８】
（１０）  光学素子の製造方法であって、
（１）から（９）いずれか記載の成形型を用い、
下型にガラスプリフォームを設置し、
前記下型及び上型が前記胴型で包囲されるように成形型を組み立て、
前記成形型を加熱した状態で前記下型及び前記上型を接近することで、前記ガラスプリフォームを押圧し、
前記成形型を冷却した後に前記上型を前記胴型から外し、光学素子を回収する工程を有する製造方法。
【００１９】
（１１）  （１０）記載の製造方法で製造される光学素子を用いた光学機器。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、胴型の内周面に所定の厚みを有する層を形成したので、層の厚みを調節したり、層のみを交換したりするだけで、所望の寸法を維持することができる。従って、本発明に係る成形型は、所望の寸法を有し且つ安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係る成形型の縦断面図である。
【図２】図１の成形型を用いた光学素子の製造装置の断面図である。
【図３】図２の製造装置の平面図である。
【図４】図１の成形型を用いた光学素子の製造過程を示す図である。
【図５】図１の成形型を用いた光学素子の製造過程を示す図である。
【図６】図５の成形型のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【図７】図１の成形型を用いた光学素子の製造過程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、第１実施形態以外の各実施形態の説明において、第１実施形態と共通するものについては、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２３】
図１は本発明の一実施形態に係る成形型５０の縦断面図である。図２は図１の成形型５０を用いた光学素子ＯＤの製造装置１０の断面図であり、図３は図２の製造装置１０の平面図である。
【００２４】
ガラスプリフォームＧＰをプレスするために用いられる成形型５０は、プリフォームＧＰが設置される下型５１と、この下型５１に接近及び離隔してプリフォームＧＰを押圧する上型５３と、下型５１及び上型５３を包囲して接近及び離隔の軌道を規定する胴型５５と、を備える。これにより、下型５１及び上型５３が一定軌道で接近及び離隔するため、所望の形状のガラス成形体を高い再現性で製造することができる。
【００２５】
下型５１及び上型５３の対向する部分（本実施形態では、下型５１の上面及び上型５３の下面の略中央）に、成形面５１２，５３２がそれぞれ設けられている。成形面５１２上にプリフォームＧＰが設置され、成形面５３２との間で押圧されて成形される。本実施形態では、成形面５１２，５３２が互いに略対称な凹面であるが、これに限定されず、製造すべきガラス成形体の形状に応じて適宜設計されてよい。
【００２６】
本実施形態の下型５１は、成形面５１２が設けられている下型本体５１１と、この下型本体５１１の下端から外方へと膨出する鍔部５１７とを備える。そして、鍔部５１７上に筒状の胴型５５が配置されると、図１に示されるように、下型本体５１１の下型外周面５１３と胴型５５の内周面５５１とが対向する。この下型外周面５１３と内周面５５１との隙間の大きさに応じて、下型５１の移動軌道の厳格性が変化する。
【００２７】
同様に、本実施形態の上型５３は、成形面５３２が設けられている上型本体５３１と、この上型本体５３１の上端から外方へと膨出する鍔部５３７とを備える。そして、上型本体５３１が胴型５５内に挿入されると、図１に示されるように、上型本体５３１の上型外周面５３３と胴型５５の内周面５５１とが対向する。この上型外周面５３３と内周面５５１との隙間の大きさに応じて、上型５３の移動軌道の厳格性が変化する。
【００２８】
ここで、胴型５５の内周面５５１には、所定の厚みを有する層５５３が形成されている。これにより、上記隙間は、下型外周面５１３及び上型外周面５３３と層５５３との間に介在することになるため、層５５３の厚みを調節することで、所望の大きさに容易に設定することができる。
【００２９】
また、層５５３の厚みを調節したり、層５５３のみを交換したりするだけで、胴型５５を所望の寸法を維持することができる。従って、成形型５０は、所望の寸法を有し且つ安価に製造することができる。なお、本実施形態では、層５５３が下型５１及び上型５３の双方に対向する範囲に設けられているが、下型５１又は上型５３の一方に対向する範囲であってもよい。
【００３０】
層５５３は、任意の素材で構成されてよいが、ガラスプリフォームをプレスする際に高熱に曝されるため、耐熱性に優れる素材で構成されることが好ましい。また、層５５３は、後述のようにプレス時には下型外周面５１３及び上型外周面５３３と略密着した状態で摺動するため、平滑であり且つ耐摩擦性に優れる素材で構成されることも好ましい。なお、層５５３の形成は、化学蒸着、スパッタリング等の従来周知の方法に従って行えばよい。
【００３１】
このような成形型５０は、例えば図２及び３に示す光学素子ＯＤの製造装置１０において使用される。製造装置１０はチャンバ２０、図示しない選択手段としての選択部、及び搬送手段としての搬送装置３０を備える。
【００３２】
チャンバ２０は、成形型５０の搬送方向（図２における右方向）に沿って順に、加熱ステージ２１、押圧ステージ２５、及び冷却ステージ２７を有する。供給位置４１に位置する成形型５０ｇについて、成形型５０ｇの下型５１ｇ上にプリフォームＧＰが供給され、その後、上型５３ｇが被せられる。
【００３３】
かかる成形型５０ｇは導入位置４３に搬送され、適宜のタイミングで導入扉２２が開くと、チャンバ２０内に導入される。チャンバ２０は、加熱、冷却、押圧時の温度を安定化したり、ホコリ等の侵入を防いだりするために、加熱ステージ２１、押圧ステージ２５、及び冷却ステージ２７を含む内部空間を有し、この内部空間が外部空間に対して遮断されていることが好ましい。
【００３４】
本実施形態では、加熱ステージ２１及び冷却ステージ２７の双方が、複数個、具体的には２個ずつ設けられている。そして本実施形態では、ステージ２１ａ〜２１ｂ、２５、及び２７ａ〜２７ｂの各々に対応して搬送装置３０の接触部３１１ａ〜３１１ｅが設けられており、これら接触部３１１ａ〜３１１ｅが、連結部３１３ａ〜３１３ｅを介した駆動源３３ａ〜３３ｅの駆動力で、搬送方向（図３における左方向）への移動及び停止を繰り返すことにより、成形型５０ａはステージ２１ａ〜２１ｂ、２５、及び２７ａ〜２７ｂの各々に順次移動し停止することができる。
【００３５】
ここで、ステージ２１ａ〜２１ｂ、２５、及び２７ａ〜２７ｂの下方には、加熱用下ヒータ２１１ａ〜２１１ｂ、押圧用下ヒータ２５１、冷却用下ヒータ２７１ａ〜２７１ｂが設けられており、加熱用下ヒータ２１１ａ〜２１１ｂ、押圧用下ヒータ２５１、冷却用下ヒータ２７１ａ〜２７１ｂの各々が所定の出力で熱を放出する。
【００３６】
また、ステージ２１ａ〜２１ｂ、２５、及び２７ａ〜２７ｂの上方には、加熱用上ヒータ２１３ａ〜２１３ｂ、押圧用上ヒータ２１５、冷却用上ヒータ２１７ａ〜２１７ｂが設けられており、加熱用上ヒータ２１３ａ〜２１３ｂ、押圧用上ヒータ２１５、冷却用上ヒータ２１７ａ〜２１７ｂの各々が所定の出力で熱を放出する。また、加熱用上ヒータ２１３ａ〜２１３ｂ、押圧用上ヒータ２１５、冷却用上ヒータ２１７ａ〜２１７ｂの各々は上下動可能であり、これにより成形型５０の上型５３に接触及び離間する。
【００３７】
加熱ステージ２１では、加熱用上ヒータ２１３ａ〜２１３ｂが成形型５０の上型５３に当接し、加熱用下ヒータ２１１ａ〜２１１ｂとともに成形型５０を加熱することで、プリフォームＧＰを間接的に加熱（昇温）する。加熱用下ヒータ２１１ａ〜２１１ｂ、及び加熱用上ヒータ２１３ａ〜２１３ｂの出力は、プリフォームＧＰの組成や量等に応じて調節される。また、昇温過程にあるプリフォームＧＰを強く押圧しないよう、加熱用上ヒータ２１３ａ〜２１３ｂによる上型５３の押下げ距離は調節されている。
【００３８】
押圧ステージ２５では、押圧用上ヒータ２１５が成形型５０の上型５３を更に押し下げ、上型５３及び下型５１によってプリフォームＧＰをプレスする。ここで、作製するべき光学素子ＯＤの寸法等に応じてプリフォームＧＰの変形量が変動するため、この変形量に基づいて上型の押下げ距離が調節される。つまり、変形量が大きくなるにつれ、押下げ距離は長くなる。なお、上型５３の押下げに伴い、鍔部５３７が胴型５５に係止されるため、押下げ距離が過剰になる事態は予防される。
【００３９】
その後、冷却ステージ２７では、冷却用上ヒータ２１５ａ〜２１５ｅが成形型の上型に当接し、冷却用下ヒータ２７１ａ〜２７１ｅとともに成形型を弱く加熱することで、プリフォームＧＰを徐々に冷却（降温）する。
【００４０】
プリフォームＧＰを冷却された成形型は、適宜のタイミングで導出扉２３が開くと、チャンバ２０外の導出位置４５に搬送される。その後、図３に示されるように成形型５０ｆは回収位置４７に搬送され、上型５３ｆが外されて、光学素子ＯＤが回収される。
【００４１】
そして、光学素子ＯＤの回収が終わった成形型は循環路４０を通って供給位置４１へと搬送され、再利用されることが好ましい。この場合、回収位置４７から供給位置４１への搬送の途中で、層５５３の厚み調節等のメンテナンス工程を適宜行うことができる。
【００４２】
以上説明したガラス成形体の製造工程のうち、プリフォームＧＰを供給して、成形型５０を組み立てる過程を、図４を参照しつつ説明する。まず、鍔部５１７上に胴型５５が配置されて下型５１が胴型５５に包囲され、プリフォームＧＰが成形面５１２上に供給される（図４（ａ））。次に、上型５３が胴型５５の内部に挿入されて被さることで、成形型５０が組み立てられる（図４（ｂ））。この時点では、下型５１、上型５３及び胴型５５を容易に組み立てられる点で、Ａ−Ａ線断面図及びＢ−Ｂ線断面図に示されるように、層５５３と下型外周面５１３及び上型外周面５３３との間に隙間が介在することが好ましい。
【００４３】
同様に、成形型５０を解体して光学素子ＯＤを回収する過程を、図７を参照しつつ説明する。まず、上型５３を胴型５５から外し（図７（ａ））、これにより露出した光学素子ＯＤを回収するとともに、胴型５５を下型５１から外し、次回の組立てに利用する（図７（ｂ））。この時点においても、胴型５５からの上型５３の取り外し、及び下型５１からの胴型５５の取り外しを容易に行うことができる点で、層５５３と下型外周面５１３及び上型外周面５３３との間に隙間が介在することが好ましい。
【００４４】
ここで、層５５３の表面と、下型外周面５１３及び上型外周面５３３との距離Ｔは、過小であると成形型５０を円滑に組み立てるのが困難である一方、過大であると下型５１及び上型５３の接近及び離隔の軌道が不安定になり、プレス精度が低下しやすい。そこで、距離Ｔの下限は、室温において０．００１μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ、最も好ましくは１．０μｍであり、上限は５０μｍであることが好ましく、より好ましくは２０μｍ、最も好ましくは２．０μｍである。ただし、距離Ｔの好ましい範囲は、後述するような層５５３の線膨張率値に応じて変化するため、諸条件を考慮して適宜設定されてよい。
【００４５】
次に、図５（ａ）は、加熱ステージ２１において加熱されている成形型５０’の状態を示し、（ｂ）は押圧ステージ２５において押圧されている成形型５０’の状態を示す。また、図６は、図５（ａ）の成形型５０’のＶＩ−ＶＩ線断面図である。これらの図に示されるように、加熱及び押圧、特に押圧の際には、上型５３を下型５１に接近させるため、その軌道を一定化するべく、層５５３の表面と、下型外周面５１３及び上型外周面５３３との隙間が無視できる程度であることが望まれる。
【００４６】
他方、前述のように成形型５０の組立て及び解体時には、層５５３の表面と、下型外周面５１３及び上型外周面５３３との間に隙間が介在することが好ましい。そこで、層５５３は、胴型５５よりも高い線膨張係数を有する高膨張素材からなる高膨張層であることが好ましい。これにより、層５５３の表面と、上型５３及び下型５１との距離が、組立て時（つまり、室温等の常温時）には確保されつつ、層５５３が存在しない従来の成形型に比べ、加熱及び押圧時には小さくすることができる。また、加熱及び押圧時における上記隙間を効果的に狭めるためには、高膨張素材が上型５３及び／又は下型５１よりも高い線膨張係数を有することがより好ましい。
【００４７】
このような高膨張素材は、下型５１、上型５３、胴型５５の素材が有する線膨張率に応じて、従来公知の素材の中から適宜選択されてよく、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）からなる群より選ばれる１種以上の金属を含む貴金属系材料又は遷移金属系材料、及び例えば炭素ナノチューブ、Ｃ６０、ダイアモンド、ＤＬＣを含む炭素系材料から選ばれる群より選ばれる１種以上からなることが好ましい。
【００４８】
また、層５５３の厚みが過小であると、磨耗によって短期間で消失してしまい維持作業が面倒である。一方、層５５３の厚みが過大であると、層形成が困難であったり、層形成費用が嵩んだりといった問題が生じやすい。そこで、層５５３の厚みの下限は、室温において０．００１μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ、最も好ましくは１．０μｍであり、上限は、室温において５０μｍであることが好ましく、より好ましくは２０μｍ、最も好ましくは２．０μｍである。なお、層５５３の厚みとは、内周面５５１に直交する方向に関する層５５３の幅の平均値を指す。
【００４９】
本実施形態のように、層５５３は、下型５１及び上型５３の接近及び離隔の軌道を安定化できる点で、胴型５５の軸方向（図１における上下方向）に関して、全体的に形成されていることが好ましい。
【００５０】
ただし、これに限られず、層が部分的に複数個所に形成されていることも好ましい。これにより、押圧、加熱時における下型５１、上型５３が胴型に対して複数個所で接触し、その姿勢が安定化するため、上記軌道も安定化される。また、層の形成コストを低減することも期待できる。これに対して、層が胴型の軸方向に対して部分的に一箇所にのみ形成されている態様も本発明の範囲には属するが、軌道の安定化という観点で好ましくない。
【００５１】
同様の観点から、層５５３は、胴型５５の周方向に関して対称的に形成されていることが好ましい。これにより、下型５１及び上型５３がその周方向に関して均等に胴型５５から支持されるので、下型５１及び上型５３の接近及び離隔の軌道をより安定化することができる。
【００５２】
なお、層５５３は、軌道の安定化の観点では、図４及び図６に示されるように、胴型５５の内周面５５１の全周に亘って形成されることが好ましい。ただし、これに限られず、層は胴型５５の内周面５５１の周方向に関して部分的に形成されていてもよく、好ましくは周方向に関して複数個所に形成されている。
【００５３】
以上の成形型５０を用いて製造されるガラス成形体は、安価な成形型を用いた高精度なプレスを経て製造されたものであるから、所望の特性を有し且つ安価である。このため、このガラス成形体は光学素子として有用であり、この光学素子を用いた光学機器も同様に有用である。
【実施例】
【００５４】
超硬合金製の胴型（内径約２０μｍ）の内周面全体に、スパッタリングにより常法に従ってパラジウム層を形成した。この層の厚みはいずれも室温において１．５μｍであり、超硬合金製の上型及び下型（本体の外径約２０μｍ）を組み合わせたときの層の表面と超硬合金製の胴型との距離は、いずれも室温において１．５μｍであった。このように、室温において層の表面と胴型との間に隙間が形成されているので、成形型の組立てが極めて容易であった。
【００５５】
この成形型を約６００℃に加熱した状態で、上型を取り外した（この取外しは容易でなかった）ところ、層の表面と下型との隙間が高度に縮まっていて、肉眼では全く確認できなかった。
【００５６】
本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５７】
１０  光学素子の製造装置
２０  チャンバ
２１  加熱ステージ
２５  押圧ステージ
２７  冷却ステージ
３０  搬送装置
３１  搬送部材
３３  駆動源
５０  成形型
５１  下型
５３  上型
５５  胴型
５１３  下型外周面
５３３  上型外周面
５５１  内周面
５５３  層
ＧＰ  プリフォーム
ＯＤ  光学素子
【図１】
2010260736.tif 000003
【図２】
2010260736.tif 000004
【図３】
2010260736.tif 000005
【図４】
2010260736.tif 000006
【図５】
2010260736.tif 000007
【図６】
2010260736.tif 000008
【図７】
2010260736.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスプリフォームをプレスするために用いられる成形型であって、
ガラスプリフォームが設置される下型と、この下型に接近及び離隔して前記ガラスプリフォームを押圧する上型と、前記下型及び上型を包囲して前記接近及び離隔の軌道を規定する胴型と、を備え、
前記胴型の内周面には、所定の厚みを有する層が形成されている成形型。
【請求項２】
前記層は、前記胴型よりも低い線膨張係数を有する低膨張素材からなる低膨張層である請求項１記載の成形型。
【請求項３】
前記低膨張素材は、前記上型よりも低い線膨張係数を有する請求項２記載の成形型。
【請求項４】
前記低膨張素材は、貴金属系材料、遷移金属系材料、及び炭素系材料から選ばれる群より選ばれる１種以上からなる請求項２又は３記載の成形型。
【請求項５】
前記層は、室温において０．００１μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有する請求項１から４いずれか記載の成形型。
【請求項６】
前記層の表面と、前記上型との距離は、室温において０．００１μｍ以上５０μｍ以下である請求項１から５いずれか記載の成形型。
【請求項７】
前記層は、前記胴型の軸方向に関して、全体的に、又は部分的に複数個所に形成されている請求項１から６いずれか記載の成形型。
【請求項８】
前記層は、前記胴型の周方向に関して対称的に形成されている請求項１から７いずれか記載の成形型。
【請求項９】
前記層は、前記胴型の内面の全周に亘り形成されている請求項８記載の成形型。
【請求項１０】
光学素子の製造方法であって、
請求項１から９いずれか記載の成形型を用い、
下型にガラスプリフォームを設置し、
前記下型及び上型が前記胴型で包囲されるように成形型を組み立て、
前記成形型を加熱した状態で前記下型及び前記上型を接近することで、前記ガラスプリフォームを押圧し、
前記成形型を冷却した後に前記上型を前記胴型から外し、光学素子を回収する工程を有する製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の製造方法で製造される光学素子を用いた光学機器。