(57)【要約】【課題】  半導体集積回路のチップ面積を増大させることなく、配線層の剥離防止構造を作製し、チップへの応力による配線の切断を防止する。【解決手段】    多層配線構造の半導体集積回路チップ周辺部の金属配線層２０２〜２０５上に、当該金属配線層同士を接続するためのスルーホール、或いは最下層の金属配線層と基板上に形成された素子とを電気的に接続するためのコンタクトホールを、夫々、当該金属配線層の直上にスルーホールが形成される領域１０１と、当該金属配線層の直下にスルーホール或いはコンタクトホールが形成される領域１０２とが基板面内で重なり合わないように、金属配線層上に複数、集中して配置する。【選択図】        図１
2010251668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三層以上の配線層を有し、前記配線層間、及び、最下層の前記配線層と基板間を電気的に絶縁する層間絶縁膜、及び、前記配線層間の前記層間絶縁膜を貫通して前記層間絶縁膜を介して隣接する前記配線層同士を電気的に接続するスルーホール、及び、前記基板上の前記層間絶縁膜を貫通して最下層の前記配線層と前記基板上の能動素子或いは受動素子とを電気的に接続するコンタクトホールにより多層配線構造が形成される半導体集積回路において、
前記層間絶縁膜を介して隣接する少なくとも三層の前記配線層からなる剥離防止配線層の夫々が基板面に垂直な方向に重なり合う第１領域を有し、
前記第１領域内において、前記各剥離防止配線層間の前記層間絶縁膜毎に、複数の前記スルーホールが集中して形成される閉じた単一の輪郭線を有する第２領域を夫々有し、
最上層と最下層を除く前記剥離防止配線層の夫々につき、
当該剥離防止配線層の直上の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域が、直下の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域と、基板面に垂直な方向に重なり合い、
当該剥離防止配線層の直上の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域内の個々の領域が、直下の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域内の複数の領域の夫々と、基板面に垂直な方向に重なり合わない、
配線剥離防止構造を有することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記剥離防止配線層は最下層の前記配線層を含み、
最下層の前記剥離防止配線層の直上の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域内において、前記基板上の前記層間絶縁膜を貫通する複数の前記コンタクトホールが集中的に形成され、
前記コンタクトホールが集中して形成される個々の領域は、
最下層の前記剥離防止配線層の直上に前記スルーホールが形成される前記第２領域内の複数の領域の夫々と、基板面に垂直な方向に重なり合わないことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
複数の配線層を有し、前記配線層間、及び、最下層の前記配線層と基板間を電気的に絶縁する層間絶縁膜、及び、前記配線層間の前記層間絶縁膜を貫通して前記層間絶縁膜を介して隣接する前記配線層同士を電気的に接続するスルーホール、及び、前記基板上の前記層間絶縁膜を貫通して最下層の前記配線層と前記基板上の能動素子或いは受動素子とを電気的に接続するコンタクトホールにより多層配線構造が形成される半導体集積回路において、
前記層間絶縁膜を介して隣接する最下層の前記配線層とその上層の前記配線層の２層からなる剥離防止配線層の夫々が基板面に垂直な方向に重なり合う第１領域を有し、
前記第１領域内において、前記剥離防止配線層間の前記層間絶縁膜に複数の前記スルーホールが集中して形成される閉じた単一の輪郭線を有する第２領域を有し、
前記第２領域内において、前記基板上の前記層間絶縁膜を貫通する複数の前記コンタクトホールが集中的に形成され、
前記コンタクトホールが集中して形成される個々の領域は、前記第２領域内の前記スルーホールが形成される複数の領域の夫々と、基板面に垂直な方向に重なり合わない、
配線剥離防止構造を有することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
前記配線剥離防止構造において、前記基板上の前記層間絶縁膜を前記第２領域内で貫通する前記コンタクトホールの夫々は、前記コンタクトホールの径以上の間隔を空けて、二次元的に配置されることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記配線剥離防止構造において、前記剥離防止配線層間の前記層間絶縁膜を前記各第２領域内で貫通する前記スルーホールの夫々は、前記スルーホールの径以上の間隔を空けて、二次元的に配置されることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記剥離防止配線層は、前記半導体集積回路に電源を供給するための電源配線としても用いられることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路に関し、特に複数の配線層で構成される集積回路チップにおいて、チップにかかる応力による配線の切断を防止する構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在の半導体集積回路設計においては、微細化、高速動作性の要求から、半導体基板上の能動素子或いは受動素子同士を接続するための複数の配線層を有する多層配線構造が用いられている。当該複数の配線層の夫々は層間絶縁膜により分離形成され、配線層同士の接続は層間絶縁膜を貫通するスルーホールによりなされている。配線層同士を分離する層間絶縁膜の材料としては、シリコン酸化膜などの無機酸化物誘電体材料が挙げられる。最近では、配線遅延を抑制するため、従来の無機酸化物誘電体材料に替えて低誘電率の有機高分子材料或いは多孔質材料が用いられる。
【０００３】
しかしながら、製造プロセス或いは信頼性テストの際にチップに加えられるストレスにより、層間絶縁膜と配線層の界面で多層膜が剥離し、配線層の間にクラックが生じる虞がある。特に、上記低誘電率材料は従来の無機酸化物誘電体材料と比べて一般に接着強度がかなり低く、また弾性率や熱膨張率に大きな差があるので、機械的ストレス及び熱的ストレスにより、上記低誘電層間絶縁膜の界面で剥離が生じ、配線層の間にクラックが生じやすい。
【０００４】
上述の剥離を防止するために、図５に示されるように、多層からなる導電パッド５０１を金属配線層により接続して網目状の配線パターン５０２を形成し、さらに導電ビア（スルーホール及びコンタクトホール）を導電パッド内の領域５０３に形成した構造をチップの周辺部分に配置する方法が特許文献１に開示されている。図６は当該構造を図５のＡ面から見た断面図であり、配線層２０２〜２０５同士が層間絶縁膜２０６〜２０８中に設けられたスルーホール２１０〜２１２により接続され、各配線層において、上下に形成されるスルーホール２１０〜２１２及びコンタクトホール２１３の形成領域が重なり合うことにより剥離防止構造を形成し、配線層の剥離、クラックを防止している。
【０００５】
特許文献２は多層配線構造の製造方法に係る特許である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２４３４０１号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７２９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図５及び図６に示される従来例では、配線とは別の領域に剥離防止構造を配置する必要があるため、剥離防止構造を配置する領域が制約され、他の回路部分の面積縮小によるチップ全体の面積縮小の効果が薄れる。
【０００８】
更に、従来例では、各配線層で形成された導電パッドの領域に、最上層から最下層までの各配線層間を接続するスルーホールが、基板面に垂直な方向に重なり合う形で形成されており、上部に形成されるスルーホールが、下部の配線層および絶縁層の平坦性が不足した場合に不安定になる恐れがある。これは、配線が多層になればなるほど多層膜形成プロセスでのバラツキなどが加算され、非常に波打った（凸凹のある、不安定な）膜構造になるため、多層配線構造になればなるほど顕著な問題となる。
【０００９】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、多層配線構造が用いられる半導体集積回路において、チップ面積を増大させることなく、チップの応力による配線の切断を防止することのできる配線層の剥離防止構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体集積回路は、三層以上の配線層を有し、前記配線層間、及び、最下層の前記配線層と基板間を電気的に絶縁する層間絶縁膜、及び、前記配線層間の前記層間絶縁膜を貫通して前記層間絶縁膜を介して隣接する前記配線層同士を電気的に接続するスルーホール、及び、前記基板上の前記層間絶縁膜を貫通して最下層の前記配線層と前記基板上の能動素子或いは受動素子とを電気的に接続するコンタクトホールにより多層配線構造が形成される半導体集積回路において、前記層間絶縁膜を介して隣接する少なくとも三層の前記配線層からなる剥離防止配線層の夫々が基板面に垂直な方向に重なり合う第１領域を有し、前記第１領域内において、前記各剥離防止配線層間の前記層間絶縁膜毎に、複数の前記スルーホールが集中して形成される閉じた単一の輪郭線を有する第２領域を夫々有し、最上層と最下層を除く前記剥離防止配線層の夫々につき、当該剥離防止配線層の直上の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域が、直下の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域と、基板面に垂直な方向に重なり合い、当該剥離防止配線層の直上の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域内の個々の領域が、直下の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域内の複数の領域の夫々と、基板面に垂直な方向に重なり合わない、配線剥離防止構造を有することを第１の特徴とする。
【００１１】
更に、本発明に係る半導体集積回路は、上記第１の特徴に加えて、前記剥離防止配線層は最下層の前記配線層を含み、最下層の前記剥離防止配線層の直上の前記層間絶縁膜を貫通する前記スルーホールが形成される前記第２領域内において、前記基板上の前記層間絶縁膜を貫通する複数の前記コンタクトホールが集中的に形成され、前記コンタクトホールが集中して形成される個々の領域は、最下層の前記剥離防止配線層の直上に前記スルーホールが形成される前記第２領域内の複数の領域の夫々と、基板面に垂直な方向に重なり合わないことを第２の特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る半導体集積回路は、複数の配線層を有し、前記配線層間、及び、最下層の前記配線層と基板間を電気的に絶縁する層間絶縁膜、及び、前記配線層間の前記層間絶縁膜を貫通して前記層間絶縁膜を介して隣接する前記配線層同士を電気的に接続するスルーホール、及び、前記基板上の前記層間絶縁膜を貫通して最下層の前記配線層と前記基板上の能動素子或いは受動素子とを電気的に接続するコンタクトホールにより多層配線構造が形成される半導体集積回路において、前記層間絶縁膜を介して隣接する最下層の前記配線層とその上層の前記配線層の２層からなる剥離防止配線層の夫々が基板面に垂直な方向に重なり合う第１領域を有し、前記第１領域内において、前記剥離防止配線層間の前記層間絶縁膜に複数の前記スルーホールが集中して形成される閉じた単一の輪郭線を有する第２領域を有し、前記第２領域内において、前記基板上の前記層間絶縁膜を貫通する複数の前記コンタクトホールが集中的に形成され、前記コンタクトホールが集中して形成される個々の領域は、前記第２領域内の前記スルーホールが形成される複数の領域の夫々と、基板面に垂直な方向に重なり合わない、配線剥離防止構造を有することを第３の特徴とする。
【００１３】
更に、本発明に係る半導体集積回路は、上記第２又は第３の何れかの特徴に加えて、前記配線剥離防止構造において、前記基板上の前記層間絶縁膜を前記第２領域内で貫通する前記コンタクトホールの夫々は、前記コンタクトホールの径以上の間隔を空けて、二次元的に配置されることを第４の特徴とする。
【００１４】
更に、本発明に係る半導体集積回路は、上記第１乃至第４の何れかの特徴に加えて、前記配線剥離防止構造において、前記剥離防止配線層間の前記層間絶縁膜を前記各第２領域内で貫通する前記スルーホールの夫々は、前記スルーホールの径以上の間隔を空けて、二次元的に配置されることを第５の特徴とする。
【００１５】
更に、本発明に係る半導体集積回路は、上記第１乃至第５の何れかの特徴に加えて、前記剥離防止配線層は、前記半導体集積回路に電源を供給するための電源配線としても用いられることを第６の特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に依れば、配線剥離防止構造は、第１領域内において、剥離防止配線層の直上の層間絶縁膜を貫通する複数のスルーホールが形成される個々の領域と、直下の層間絶縁膜を貫通する複数のスルーホール或いは複数のコンタクトホールが形成される個々の領域の夫々が、互いに重なり合わず、スルーホール或いはコンタクトホールが上下に交互に配置されることにより、チップに加わる応力を分散させることができ、配線層の剥離及びクラックを防止できる。
【００１７】
また、スルーホール或いはコンタクトホールが上下に交互に配置されることで、膜形成プロセスでのばらつきが分散されることにより、多層膜構造で顕著となる膜構造の不安定性（凸凹、波うち構造）を吸収し、むしろ、より平坦な多層配線構造を得ることができる。ここで、層間絶縁膜中に集中して形成されるスルーホール或いはコンタクトホールの間隔は、当該スルーホール或いはコンタクトホール１個分以上離して形成すればよい。これにより、より平坦な配線層を当該スルーホール或いはコンタクトホール上層に形成できる。
【００１８】
更に、コンタクトホールを用いずに剥離防止構造を構成する場合は、チップ上に配置されているデバイス領域による配置の制約を受けることがない。この結果、配線の自由度が向上し、チップ面積の縮小がしやすくなる。
【００１９】
上記配線剥離防止構造は、２層以上の多層配線構造を有する半導体集積回路において適用可能であり、特に３層以上の配線層を有する場合に効果的である。３層以上の多層配線構造を有する半導体集積回路においては、配線層の全層を剥離防止配線層として用いることが望ましい。尤も、最下層の配線層を含む少なくとも２層の配線層を剥離防止配線層として用いることで配線剥離防止構造は作製可能である。その場合、及び、配線層が２層の場合には、剥離防止配線層２層と、剥離防止配線層間に形成されるスルーホールと、下層の剥離防止配線層と基板上に形成された素子とを電気的に接続するコンタクトホールによって配線剥離防止構造が作製可能である。
【００２０】
これにより、大電流を流すため配線幅の広い多層配線層で構成された配線領域内に配線剥離防止構造を設けることで、例えば電源ＩＣのような半導体集積回路の電源系配線の剥離防止を同時に行うことができる。
【００２１】
従って、本発明に依れば、製造工程の変更なく、チップサイズの増大を抑制して配線剥離防止を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線剥離防止構造において、スルーホールの形成パターン（剥離防止パターン）を示す図。
【図２】本発明の第１実施形態に係る配線剥離防止構造の構造断面図。
【図３】本発明第２実施形態に係る配線剥離防止構造において、スルーホールの形成パターン（剥離防止パターン）を示す図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る配線剥離防止構造の構造断面図。
【図５】従来技術における、配線の剥離防止のための配線パターン及びスルーホールの形成パターン（剥離防止パターン）を示す図。
【図６】従来技術における配線剥離防止構造の構造断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
〈第１実施形態〉
本発明における配線剥離防止構造の一例を図１及び図２に示す。図１は基板面に垂直な方向からみたスルーホールの形成パターン（以降、「剥離防止パターン」と称す）を示し、図１のＡ面からみた構造断面図を図２に示す。尚、以降の図面では配線剥離防止構造の要部、特に配線層とスルーホールが強調して示されており、実際の配線剥離防止構造の各部と、図面に示される各部との寸法比は必ずしも一致していない。
【００２４】
図２に示されるように、基板２００上の絶縁層２０１上に剥離防止配線層として金属配線層２０２〜２０５が４層、層間絶縁膜２０６〜２０９を介して形成され、当該層間絶縁膜２０６〜２０８を介して隣接する金属配線層２０２〜２０５の夫々が、層間絶縁膜２０６を貫通する複数の第１のスルーホール２１０、層間絶縁膜２０７を貫通する複数の第２のスルーホール２１１、及び、層間絶縁膜２０８を貫通する複数の第３のスルーホール２１２により相互に電気的に接続されている。金属配線層２０２〜２０５の配線幅は、各スルーホール２１０〜２１２の１個分のサイズよりも十分に大きく、金属配線層２０２〜２０５は内部回路の配線幅よりも大きく作られる電源配線である。
【００２５】
剥離防止配線層でもある金属配線層２０２〜２０５の夫々が基板面に垂直な方向に重なり合い、当該重なり部分（以降、第１領域と称す）の一部の領域に第１〜第３のスルーホール２１０〜２１２が集中して形成されることで配線剥離防止構造が形成されている。図１は、当該金属配線層２０２〜２０５の夫々が基板面に垂直な方向に重なり合う第１領域内において第１〜第３のスルーホールが形成されるパターンを示している。配線剥離防止構造は、第１〜第３の各スルーホール２１０〜２１２が集中して形成される第１領域内の領域（以降、第２領域と称す）１０３〜１０５を層間絶縁膜２０６〜２０８毎に夫々有しているが、当該第２領域１０３〜１０５は基板面に垂直な方向に重なり合っている。
【００２６】
最上層から第２層目の金属配線層２０３上の層間絶縁膜２０６を貫通する第１のスルーホール２１０が形成される第２領域１０３内の個々の領域（図１の斜線部分１０１）は、当該金属配線層２０３下の層間絶縁膜２０７を貫通する第２のスルーホール２１１が形成される第２領域１０４内の領域（図１の白色部分１０２）の夫々と重ならないように、かつ、最上層から第３層目の金属配線層２０４上の層間絶縁膜２０７を貫通する第２のスルーホール２１１が形成される第２領域１０４内の個々の領域（図１の白色部分１０２）は、当該金属配線層２０４下の層間絶縁膜２０８を貫通する第３のスルーホール２１２が形成される第２領域１０５内の領域（図１の斜線部分１０１）の夫々と重ならないように、第１〜第３のスルーホール２１０〜２１２が、夫々複数、金属配線層２０３〜２０５上に集中して配置されている。これにより、各スルーホール２１０〜２１２の形成領域１０１，１０２は、金属配線層２０２〜２０５上において、図１に示される剥離防止パターンを形成している。
【００２７】
金属配線層２０２〜２０５に隣接して上下に形成されるスルーホール２１０〜２１２が互いに重なり合わない配置を取ることにより、チップに加わる応力を分散させることができ、金属配線層２０２〜２０５の剥離及びクラックを防止できる。また、スルーホール２１０〜２１２を上下に重なり合わないように形成することで、多層配線構造の不安定性（凸凹、波うち構造）が緩和され、より平坦な金属配線層を形成することができる。
【００２８】
〈第２実施形態〉
本発明における配線剥離防止構造の他の例を図３及び図４に示す。この例では３層の金属配線層が２層のスルーホールとコンタクトホールで接続されている。図５は基板面に垂直な方向からみたスルーホールとコンタクトホールの形成パターン（剥離防止パターン）を示し、図３のＡ面からみた構造断面図を図４に示す。図４に示されるように、基板２００上の絶縁層２０１上に剥離防止配線層として金属配線層２０２〜２０４が３層、層間絶縁膜２０６，２０７を介して形成され、当該層間絶縁膜２０６，２０７を介して隣接する金属配線層２０２〜２０４の夫々が、層間絶縁膜２０６を貫通する複数の第１のスルーホール２１０、及び、層間絶縁膜２０７を貫通する複数の第２のスルーホール２１１により相互に電気的に接続され、更に、最下層の金属配線層２０６は、絶縁膜２０１を貫通する複数のコンタクトホール２１３により基板上の素子２１４，２１５とも電気的に接続されている。第１実施形態と同様、金属配線層２０２〜２０４の配線幅は各スルーホール２１０，２１１及びコンタクトホール２１３の１個分のサイズよりも十分に大きく、金属配線層２０２〜２０４は、内部回路の配線幅よりも大きく作られる電源配線である。
【００２９】
剥離防止配線層でもある金属配線層２０２〜２０４の夫々が基板面に垂直な方向に重なり合い、当該重なり部分（以降、第１領域と称す）の一部の領域に第１〜第２のスルーホール２１０，２１１及びコンタクトホール２１３が集中して形成されることで配線剥離防止構造が形成されている。図３は、当該金属配線層２０２〜２０４の夫々が基板面に垂直な方向に重なり合う第１領域内において第１〜第２のスルーホール及びコンタクトホールが形成されるパターンを示している。当該配線剥離防止構造は、第１〜第２の各スルーホール２１０，２１１が集中して形成される第１領域内の領域（以降、第２領域と称す）３０３，３０４を層間絶縁膜２０６，２０７毎に夫々有しているが、当該第２領域３０３，３０４は基板面に垂直な方向に重なり合っている。また、当該第２領域３０３，３０４はコンタクトホール２１３が集中して形成される第１領域内の領域３０５とも基板面に垂直な方向に重なり合っている。
【００３０】
最上層から第２層目の金属配線層２０３上の層間絶縁膜２０６を貫通する第１のスルーホール２１０が形成される第２領域３０３内の個々の領域（図３の斜線部分３０１）は、当該金属配線層２０３下の層間絶縁膜２０７を貫通する第２のスルーホール２１１が形成される第２領域３０４内の領域（図３の白色部分３０２）の夫々と重ならないように、第１及び第２のスルーホール２１０，２１１が、夫々複数、金属配線層２０３，２０４上に集中して配置されている。また、最上層から第３層目（最下層）の金属配線層２０４上の層間絶縁膜２０７を貫通する第２のスルーホール２１１が形成される第２領域３０４内の個々の領域（図３の白色部分３０２）は、当該金属配線層２０４下の絶縁膜２０１を貫通し基板上の素子２１４，２１５と接続するコンタクトホール２１３が形成される領域３０５内の領域（図３の斜線部分３０１）の夫々と重ならないように、複数のコンタクトホール２１３が、夫々、金属配線層２０４下に集中して配置されている。これにより、スルーホール２１０，２１１及びコンタクトホール２１３の形成領域３０１，３０２は、金属配線層２０３〜２０４上において、図３に示される剥離防止パターンを形成している。
【００３１】
金属配線層２０２〜２０４に隣接して上下に形成されるスルーホール２１０，２１１及びコンタクトホール２１３が互いに重なり合わない配置を取ることにより、チップに加わる応力を分散させることができ、金属配線層２０２〜２０４の剥離及びクラックを防止できる。また、スルーホール２１０、２１１及びコンタクトホール２１３を上下に重なり合わないように形成することで、多層配線構造の不安定性（凸凹、波うち構造）が緩和され、より平坦な金属配線層を形成することができる。
【００３２】
尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施形態の一例である。本発明の実施形態はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形実施が可能である。
【００３３】
〈別実施形態〉
以下に、別実施形態について説明する。
【００３４】
〈１〉上記第１及び第２実施形態において、スルーホール或いはコンタクトホール（導電ビア）が形成される領域１０１，１０２或いは３０１，３０２の夫々は、図１及び図３では正方形で示されているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、スルーホール或いはコンタクトホールの形成領域を円形、或いは長方形としても構わない。また、上記実施形態において、スルーホール或いはコンタクトホールが形成される位置は、方形の格子状の剥離防止パターンとなっているが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、三角格子、六角格子状など、他のパターンで剥離防止パターンを構成することもできる。
【００３５】
〈２〉上記第１及び第２実施形態では多層配線層の全層が剥離防止配線層を構成しているが、多層配線層の一部の層を剥離防止配線層として用い、配線剥離防止構造を作成することができる。
【００３６】
〈３〉ところで、上記第１及び第２実施形態では、金属配線層の材料としては銅を添加したアルミニウムが、層間絶縁膜の材料としてはシリコン酸化膜が、スルーホール及びコンタクトホールの材料としてはタングステンが、夫々用いられており、また、当該金属配線層と層間絶縁膜の界面において金属配線層と層間絶縁膜の接着性を良くし、金属配線の形成プロセス中にアルミニウムが層間絶縁膜と反応するのを防ぐためのチタンと窒化チタンの積層膜（ＴｉＮ／Ｔｉ）がバリアメタルとして形成されているが、本発明はこれに限られるものではない。本発明の配線剥離防止構造は任意の金属配線材料、層間絶縁膜材料、スルーホール及びコンタクトホール材料の組み合わせについて適用可能である。また、本発明の配線剥離防止構造は公知の製造プロセス技術により作製可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、多層配線構造を有する半導体集積回路に利用することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１０１，１０２,３０１，３０２，５０３：導電ビア（スルーホール或いはコンタクトホール）の形成領域
１０３〜１０５，３０３，３０４：スルーホールが集中して形成される領域
２００：  基板
２０１：  絶縁層
２０２〜２０５：  配線層
２０６〜２０８：  層間絶縁膜
２０９：  パッシベーション層
２１０〜２１２：  スルーホール
２１３：  コンタクトホール
２１４，２１５：  基板上の素子
３０５：  コンタクトホールが集中して形成される領域
５０１：  導電パッド
５０２：  網目状の配線パターン
【図１】
2010251668.tif 000003
【図２】
2010251668.tif 000004
【図３】
2010251668.tif 000005
【図４】
2010251668.tif 000006
【図５】
2010251668.tif 000007
【図６】
2010251668.tif 000008