(57)【要約】  【課題】  通過帯域近傍の帯域外減衰量と、通過帯域外のより高周波側における帯域外減衰量とを両立させて向上させることができる弾性表面波装置、及び通信装置を得る。  【解決手段】  第１の基準電位貫通導体１７は環状電極１２の第１部位の直下に形成されるとともに、第２の基準電位貫通導体１８は環状電極１２の第２部位の直下に形成されており、第２のＩＤＴ電極２の基準電位バスバー電極は、環状電極１２の第１の部位２５から所定距離離れた部位に接続され、第４のＩＤＴ電極４の基準電位バスバー電極は、環状電極１２の第２の部位２６から所定距離離れた部位に接続された構成とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の主面に形成された、前記圧電基板の主面を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極を有する弾性表面波素子と、
前記主面に前記弾性表面波素子を取り囲むように形成された環状電極と、
前記圧電基板の主面に対向して前記圧電基板を実装するとともに、前記環状電極に接続される第１の基準電位貫通導体と、第２の基準電位貫通導体とを有する実装基板と、を具備している弾性表面波装置であって、
前記第１の基準電位貫通導体は前記伝搬方向の延長上にある前記環状電極の第１の部位の直下に形成され、前記第２の基準電位貫通導体は前記伝搬方向の延長上にある前記環状電極における前記第１の部位に対向する第２の部位の直下に形成されており、
中央の前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極が、前記伝搬方向に直交する方向の延長上にある前記環状電極の第３の部位に接続されており、
中央の前記ＩＤＴ電極に対して一方の側に配置された前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極が、前記環状電極の前記第３の部位と前記第１の部位を挟んで反対側であって前記第１の部位から所定距離離れた第１の接続部位に接続されているとともに、中央の前記ＩＤＴ電極に対して他方の側に配置された前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極が、前記環状電極の前記第３の部位と前記第２の部位を挟んで反対側であって前記第２の部位から所定距離離れた第２の接続部位に接続されている弾性表面波装置。
【請求項２】
前記所定距離が１００μｍ以上である請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
中央の前記ＩＤＴ電極に対して一方の側に配置された前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極と前記環状電極とを接続する第１の接続配線の長さ、及び中央の前記ＩＤＴ電極に対して他方の側に配置された前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極と前記環状電極とを接続する第２の接続配線の長さが、中央の前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極と前記環状電極の前記第３の部位とを接続する第３の接続配線の長さよりも長い請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記弾性表面波素子と前記入力信号端子との間、または前記弾性表面波素子と前記出力信号端子との間に、前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する弾性表面波共振子が接続されている請求項１乃至３のいずれか記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか記載の弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えた通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信機器に用いられる弾性表面波フィルタや弾性表面波共振器等の弾性表面波装置及びこれを備えた通信装置に関し、特に、通過帯域外減衰量を十分に取ることができる弾性表面波フィルタとしての弾性表面波装置及び通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話や自動車電話等の移動体通信機器のＲＦ（無線周波数）段に用いられる周波数選択フィルタ（以下、フィルタともいう）として、弾性表面波フィルタが広く用いられている。一般に、周波数選択フィルタに求められる特性としては、広通過帯域、低損失、高減衰量等の諸特性が挙げられる。
【０００３】
また、ＧＳＭ(Global System for Mobile Communications)などのＲｘフィルタは受信周波数の信号波（基本波）だけでなく、２倍波、３倍波の信号が漏れてくるために、２倍波、３倍波の周波数における帯域外減衰量を確保することが要求されている。しかし、ＰＣＳ（Personal Communication Services）など３倍波の周波数が６ＧＨｚ付近である場合、ＩＤＴ電極間での電気的な干渉が発生し易いために、減衰量を大きくすることが難しい。従って、６ＧＨｚといった高周波帯域における減衰量を大きくすることに対する要望が大きい。
【０００４】
これらの要求特性に対して、電気信号を弾性表面波に変換させるＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極及び反射器電極を有する弾性表面波素子をラダー型に構成したラダー型回路を有する弾性表面波フィルタが提案されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、圧電基板上に複数の弾性表面波素子によりラダー型回路を構成した弾性表面波フィルタが開示されている。並列弾性表面波素子（並列弾性表面波共振子）に直列にインダクタを付加した構成により、通過帯域外に減衰極を形成し、帯域外減衰量を向上させる技術が開示されている（特許文献１を参照）。
【０００６】
また、引用文献２には、並列腕共振子（並列弾性表面波共振子）に、直列にインピーダンス素子を接続し、通過帯域外に減衰極を形成することにより、帯域外減衰量を増大させることが開示されている。
【０００７】
また、特許文献３には、並列腕共振子に、それぞれ直列にインダクタを付加することにより、帯域外減衰量を向上させることが開示されている。
【特許文献１】特開平５−１８３３８０号公報
【特許文献２】特開平１０−１６３８０８号公報
【特許文献３】特開２００４−７２５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の技術においては、減衰極を設定する位置を調整することが難しく、通過帯域近傍の帯域外減衰量と、通過帯域外のより高周波側における帯域外減衰量とを両立させて向上させることが困難であるといる問題点があった。
【０００９】
従って、本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、通過帯域近傍の帯域外減衰量と、通過帯域外のより高周波側における帯域外減衰量とを両立させて向上させることができる弾性表面波装置、及び通信装置を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板の主面に形成された、前記圧電基板の主面を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた３個以上の奇数個のＩＤＴ電極を有する弾性表面波素子と、前記主面に前記弾性表面波素子を取り囲むように形成された環状電極と、前記圧電基板の主面に対向して前記圧電基板を実装するとともに、前記環状電極に接続される第１の基準電位貫通導体と、第２の基準電位貫通導体とを有する実装基板と、を具備している弾性表面波装置であって、前記第１の基準電位貫通導体は前記伝搬方向の延長上にある前記環状電極の第１の部位の直下に形成され、前記第２の基準電位貫通導体は前記伝搬方向の延長上にある前記環状電極における前記第１の部位に対向する第２の部位の直下に形成されており、中央の前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極が、前記伝搬方向に直交する方向の延長上にある前記環状電極の第３の部位に接続されており、中央の前記ＩＤＴ電極に対して一方の側に配置された前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極が、前記環状電極の前記第３の部位と反対側であって前記第１の部位から所定距離離れた部位に接続されているとともに、中央の前記ＩＤＴ電極に対して他方の側に配置された前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極が、前記環状電極の前記第３の部位と反対側であって前記第２の部位から所定距離離れた部位に接続されているものである。
【００１１】
上記の弾性表面波装置において、前記所定距離が１００μｍ以上であることが好ましい。
【００１２】
また上記の弾性表面波装置において、中央の前記ＩＤＴ電極に対して一方の側に配置された前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極と前記環状電極とを接続する第１の接続配線の長さ、及び中央の前記ＩＤＴ電極に対して他方の側に配置された前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極と前記環状電極とを接続する第２の接続配線の長さが、中央の前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極と前記環状電極の前記第３の部位とを接続する第３の接続配線の長さよりも長いことが好ましい。
【００１３】
また上記の弾性表面波装置において、前記弾性表面波素子と前記入力信号端子との間、または前記弾性表面波素子と前記出力信号端子との間に、前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する弾性表面波共振子が接続されていることが好ましい。
【００１４】
また本発明の通信装置は、上記の弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の弾性表面波装置によれば、奇数個のＩＤＴ電極のキャパシタと配線のインダクタの共振により高周波の減衰極が発現し、中央の前記ＩＤＴ電極の基準電位バスバー電極が、前記伝搬方向に直交する方向の延長上にある前記環状電極の第３の部位に接続されることによって配線のインダクタが増加し、共振による高周波減衰極の周波数を低く調整することができる。その結果、通過帯域外のより高周波側の帯域外減衰量を大きくすることができる。
【００１６】
また配線のインダクタを増加させることで減衰極の周波数を調整できることから、通過帯域近傍の特性に大きな影響を与えることなく、通過帯域外の高周波側の帯域外減衰量を大きくすることができる。これにより６ＧＨｚといった高周波においても弾性表面波フィルタの通過帯域外減衰量を向上させることができる。
【００１７】
本発明の通信装置は、上記弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたことにより、弾性表面波フィルタとしての弾性表面波装置のカットオフ特性が向上するので、感度が格段に良好な通信装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態にかかる弾性表面波装置および通信装置について図面を参照にしつつ詳細に説明する。本実施形態では弾性表面波装置として共振器型の弾性表面波フィルタを例にとり説明する。なお、以下に説明する図面において同一構成の部分には同一符号を付すものとする。また、各電極の大きさや電極間の距離等、電極指の本数や間隔等は、模式的に図示したものであり現実のものとは必ずしも一致しない。
【００１９】
〔弾性表面波装置〕
図１に本実施形態にかかる弾性表面波装置１０２の斜視図を示す。同図に示すように本実施形態の弾性表面波装置１０２は、圧電基板２２と、圧電基板２２が実装される実装基板２３とから主に構成されている。なお圧電基板２２は全体が封止樹脂２４で被覆されている。図面では便宜上封止樹脂２４を点線で示している。
【００２０】
図２に図１に示した圧電基板２２の実装面側の主面の平面図を示す。図２に示すように、圧電基板２２の主面には、前記主面を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って第１のＩＤＴ電極１、第２のＩＤＴ電極２、第３のＩＤＴ電極３、第４のＩＤＴ電極４、第５のＩＤＴ電極５が順に配列されている。各ＩＤＴ電極は、伝搬方向に直交する方向に長く伸びる複数の電極指と、電極指同士を接続するバスバー電極とを備えた構成を有している。
【００２１】
これら第１〜第５のＩＤＴ電極の両側には反射器電極６，７が配置されている。反射器電極６，７は、伝搬方向に直交する方向に長く伸びる複数の電極指を備えている。これら第１〜第５のＩＤＴ電極と反射器電極６，７とで弾性表面波素子が構成されている。
【００２２】
また圧電基板２２の主面には、入力信号電極８、出力信号電極９、グランド電極１０が形成されている。弾性表面波素子と入力信号端子８との間には、弾性表面波共振子１１が配置されている。弾性表面波共振子１１は、弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側に配置されたとから構成されている。弾性表面波素子と弾性表面波共振子１１とは直列に接続されている。
【００２３】
これら弾性表面波素子、弾性表面波共振子１１、各端子などを取り囲むようにして環状電極１２が形成されている。
【００２４】
図３は実装基板２３の圧電基板２２が実装される側の主面を示す平面図である。実装基板２３はセラミックスなどの絶縁体からなる。実装基板２３の主面には、圧電基板２２の実装面に形成された各種の電極と対応する位置に導体パターンが形成されている。すなわち、圧電基板２２の環状電極１２と対応する位置に環状電極２２より若干幅が広い環状導体パターン１３が形成され、圧電基板２２の入力信号電極８と対応する位置には入力信号パッド１４が形成され、圧電基板２２の出力信号電極９と対応する位置には出力信号パッド１５が形成され、圧電基板２２のグランド電極１０と対応する位置にはグランドパッド１６が形成されている。これら入力信号パッド１４、出力信号パッド１５、グランドパッド１６は、それぞれ実装基板２３を厚み方向に貫く貫通導体を介して実装基板２３の下面に形成された入力信号端子２０、出力信号端子２１、基準電位端子１９に接続されている。なお本実施形態において基準電位とはグランド電位のことであるが、かならずしもゼロボルトである必要はない。
【００２５】
また環状導体パターン１３の直下の所定の位置には、点線で示した第１の基準電位貫通導体１７と、第２の基準電位貫通導体１８が形成されている。第１の基準電位貫通導体１７および第２の基準電位貫通導体１８は実装基板２３を厚み方向に貫く貫通導体である。第１の基準電位貫通導体１７、第２の基準電位貫通導体１８は、実装基板２３の下面に形成された基準電位用端子１９に接続されている。第１の基準電位貫通導体１７、第２の基準電位貫通導体１８は、例えば、実装基板２３の上下主面間を貫通する貫通孔にＡｇから成る導体を充填して形成される。第１の基準電位貫通導体１７、第２の基準電位貫通導体１８の直径は５０〜１００μｍ程度である。５０〜１００μｍ程度とすることによって、環状導体１１との電気的、機械的な接続を良好なものとすることができる。
【００２６】
図２には、第１の基準貫通導体１７と対応する位置に点線で１７’を、第２の基準電位貫通導体１８と対応する位置に点線で１８’を示してある。
【００２７】
第１の基準電位貫通導体１７は、弾性表面波の伝搬方向の延長線上にある環状電極１２の第１の部位２５の直下に形成されている。一方、第２の基準電位貫通導体１８は、弾性表面波の伝搬方向の延長線上で第１の部位２５とは反対側の第２の部位２６の直下に形成されている。また中央のＩＤＴ電極（第３のＩＤＴ電極３）の基準電位バスバー電極３ａは、弾性表面波の伝搬方向に直交する方向の延長上にある環状電極１２の第３の部位２７に第１配線パターン３０を介して接続されている。
【００２８】
また中央のＩＤＴ電極３に対して一方の側に配された第２のＩＤＴ電極２の基準電位バスバー電極２ａは、環状電極１２の第１の部位２５から所定距離だけ離れた第１の接続部位３４に第２配線パターン３１を介して接続されている。また中央のＩＤＴ電極３に対して他方の側に配された第３のＩＤＴ電極３の基準電位バスバー電極３ａは、環状電極１２の第２の部位２６から所定距離だけ離れた第２の接続部位３５に第３配線パターン３２を介して接続されている。換言すれば、環状電極１２における第３の部位２７と第１の接続部位３４との間に第１の基準電位貫通導体１７が位置しており、環状電極１２における第３の部位２７と第２の接続部位３４との間に第２の基準電位貫通導体１８が位置している。
【００２９】
第１、第２、第３配線パターン３０，３１，３２はそれぞれ立体配線構造となっている。たとえば第１配線パターン３０は、第２のＩＤＴ電極２と出力電極９とを接続する配線パターンと交差するが、この交差部分における両者の間には絶縁層３３が介在されている。
【００３０】
本実施形態にかかる弾性表面波装置では、第１配線パターン３０、環状電極１２の第３の部位２７から第１の部位２５まで、および第１基準電位貫通導体１７という経路によって第１インダクタＬ１が形成されている。同様に、第１配線パターン３０、環状電極１２の第３の部位２７から第２の部位２６まで、および第２基準電位貫通導体１８という経路によって第２インダクタＬ２が形成されている。また第２配線パターン３１、第２配線パターン３１と環状電極１２との接続部から環状電極１２の第１の部位２５、および第１基準電位貫通導体１７という経路によって第３インダクタＬ３が形成されている。さらに第３配線パターン３２、第３配線パターン３２と環状電極１２との接続部から環状電極１２の第２の部位２６、および第２基準電位貫通導体１８という経路によって第４インダクタＬ４が形成されている。このように第１〜第４インダクタＬ１〜Ｌ４を設けたことによって、高周波側に減衰極が発現し、通過帯域外の高周波側における減衰量を大きくすることができる。この場合、ＩＤＴ電極のピッチ調整といった複雑な作業を行うことなく配線パターンだけで減衰極の周波数調整をすることができ、通過帯域近傍の帯域外減衰量に与える影響を小さく抑えた上でより高周波側の帯域外減衰量を大きくすることができる。
【００３１】
また、第１、第３、第５ＩＤＴ電極１、３、５は入力電極８に接続されており、第４、第６ＩＤＴ電極４、６は出力電極９に接続されている。
【００３２】
また、圧電基板２２の環状電極１２と実装基板２３の環状導体パターン１３とはハンダなどの導電性接合材を介して接続されており、各ＩＤＴ電極を封止している。
【００３３】
次に、本実施形態にかかる弾性表面波装置の製造方法について説明する。まず第１〜第５ＩＤＴ電極１〜５および反射器電極６，７からなる弾性表面波素子、環状電極１２、入出力電極８，９、グランド電極１０、第１〜第３配線パターン３０，３１，３２を形成する。これらの電極や配線パターンは、ＡｌもしくはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｔｉ系）などの導電性材料からなり、蒸着法、スパッタリング法、またはＣＶＤ法等の薄膜形成法により製膜した後、フォトリソグラフィ法などによりパターニングすることで形成される。これらの電極や配線パターンの厚みは、例えば０．１〜０．３μｍ程度である。
【００３４】
次に、弾性表面波素子を覆って保護するための絶縁膜を成膜する。絶縁膜の材料としては、Ｓｉ，ＳｉＯ2，ＳｉＮx，Ａｌ2Ｏ3等を用いることができる。その成膜方法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、電子ビーム蒸着法等を用いることができる。
【００３５】
なお、ＩＤＴ電極、反射器電極において、電極指の本数は数本〜数１００本にも及ぶので、簡単のため、図においてはそれらの形状を簡略化して図示している。
【００３６】
また、弾性表面波装置の圧電基板としては、３６°±３°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶、４２°±３°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶、６４°±３°ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、４１°±３°ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、４５°±３°ＸカットＺ伝搬四ホウ酸リチウム単結晶は電気機械結合係数が大きく、かつ、周波数温度係数が小さいため、圧電基板２２として好ましい。また、これらの焦電性圧電単結晶のうち、酸素欠陥やＦｅ等の固溶により焦電性を著しく減少させた圧電基板１であれば、弾性表面波装置の信頼性上良好である。圧電基板１の厚みは、例えば０．１〜０．５ｍｍ程度がよく、０．１ｍｍ未満では圧電基板２３が脆くなり、０．５ｍｍを超えると材料コストと部品寸法が大きくなり好ましくない。
【００３７】
〔通信装置〕
本実施形態の通信装置は、上述した弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたことにより、弾性表面波フィルタのカットオフ特性を向上させることができるので、感度が格段に良好な通信装置を実現することができる。
【００３８】
即ち、少なくとも受信回路または送信回路の一方を備え、弾性表面波装置をこれらの回路に含まれるバンドパスフィルタとして用いる。例えば、送信回路から出力された送信信号をミキサでキャリア周波数にのせて、不要信号をバンドパスフィルタで減衰させ、その後、パワーアンプで送信信号を増幅して、デュプレクサを通ってアンテナより送信することができる送信回路を備えた通信装置、または、受信信号をアンテナで受信し、デュプレクサを通った受信信号をローノイズアンプで増幅し、その後、バンドパスフィルタで不要信号を減衰して、ミキサでキャリア周波数から信号を分離し、この信号を取り出す受信回路へ伝送するような受信回路を備えた通信装置に適用可能である。
【００３９】
図４は、本実施形態の通信装置を示すブロック回路図である。図５において、アンテナ１４０に送信回路Ｔｘと受信回路Ｒｘが分波器１５０を介して接続されている。送信される高周波信号は、フィルタ２１０によりその不要信号が除去され、パワーアンプ２２０で増幅された後、アイソレータ２３０と分波器１５０を通り、アンテナ１４０から放射される。また、アンテナ１４０で受信された高周波信号は、分波器１５０を通りローノイズアンプ１６０で増幅されフィルタ１７０でその不要信号を除去された後、アンプ１８０で再増幅されミキサ１９０で低周波信号に変換される。
【００４０】
従って、本実施の形態の弾性表面波装置を採用すれば、感度が格段に良好な優れた通信装置を提供できる。
【実施例】
【００４１】
本発明の弾性表面波装置の実施例について以下に説明する。図１に示す弾性表面波装置を具体的に作製した実施例について説明する。
【００４２】
３８．７°ＹカットのＸ方向伝搬とするＬｉＴａＯ3単結晶からなる圧電基板２２上に、Ａｌ（９９質量％）−Ｃｕ（１質量％）合金から成る、ＩＤＴ電極１〜５及び反射器電極６，７を有する弾性表面波素子、環状電極１１、入出力電極８，９、グランド電極１０、第１〜第３配線パターン３０，３１，３２を形成した。これら電極や配線パターンの作製は、スパッタリング装置、縮小投影露光機（ステッパー）、及びＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置によりフォトリソグラフィを施すことにより行った。
【００４３】
まず、圧電基板２２をアセトン，ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等によって超音波洗浄し、有機成分を落とした。次に、クリーンオーブンによって充分に圧電基板２２の乾燥を行った後、各電極や配線パターンとなる金属層の成膜を行った。金属層の成膜にはスパッタリング装置を使用し、金属層の材料としてＡｌ（９９質量％）−Ｃｕ（１質量％）合金を用いた。このときの金属層の厚みは約０．１５μｍとした。
【００４４】
次に、金属層上にフォトレジストを約０．５μｍの厚みにスピンコートし、縮小投影露光装置（ステッパー）により、所望形状にパターニングを行い、現像装置によって不要部分のフォトレジストをアルカリ現像液で溶解させ、所望パターンを表出させた。その後、ＲＩＥ装置により金属層のエッチングを行い、パターニングを終了し、弾性表面波装置を構成する各電極のパターンを得た。
【００４５】
中央の第３のＩＤＴ電極３に対して一方の側に配置された第２のＩＤＴ電極２の基準電位バスバー電極が、環状電極１２の第３の部位２７と反対側であって第１の部位２５から所定距離離れた部位に接続されているとともに、中央の第３のＩＤＴ電極３に対して他方の側に配置された第４のＩＤＴ電極４の基準電位バスバー電極が、環状電極１２の第３の部位２７と反対側であって第２の部位２６から１５０μｍ離れた部位に接続されているようにした。
【００４６】
また、セラミック多層基板から成る実装基板（図示せず）の環状電極１２の直下で対向する部位に第１の基準電位貫通導体１７、第２の基準電位貫通導体１８を形成した。第１、第２の基準電位貫通導体１７，１８は銀を用いて形成した。
【００４７】
この後、各電極や配線パターンの所定領域上にＣＶＤ法により、ＳｉＯ2膜からなる保護膜を形成した。なお保護膜の厚みは０．０１５μｍに設定した。
【００４８】
その後、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、ＲＩＥ装置等でフリップチップ用窓開け部のエッチングを行った。その後、そのフリップチップ用窓開け部に、スパッタリング装置を使用して、Ｃｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層を積層した構成のパッド電極を成膜した。このときのパッド電極の厚みは１．０μｍとした。
【００４９】
その後、圧電基板２２の環状電極１２と実装基板２３の環状導体パターン１３とをハンダを用いて接続することにより圧電基板２２を実装基板２３に実装した。なお実装基板２３の第１、第２基準電位貫通導体１７，１８は、実装基板２３の下面に形成した基準電用端子１９接続されるようにした。その後、Ｎ2ガス雰囲気中でベーキングを行い、パッケージ化された弾性表面波装置を完成した。
【００５０】
（比較例）
比較例のサンプルとして、図５に示す構成からなる弾性表面波装置を作製した。この弾性表面波装置の作製方法は上記実施例と同様である。
【００５１】
図５の弾性表面波装置は、第１、第３、第５のＩＤＴ電極１，３，５の基準電位バスバー電極が、グランド電極１０に接続されるとともに、第２のＩＤＴ電極２の基準電位バスバー電極を環状電極２２の第１の部位２５に、第４のＩＤＴ電極４の基準電位バスバー電極を環状電極２２の第２の部位２６にそれぞれ接続した。その他の構成は、図１の弾性表面波装置と同様である。
【００５２】
次に、本実施例及び比較例の弾性表面波装置について、それぞれの特性をコンピュータシミュレーションによって求めた。弾性表面波装置の動作周波数は０ＭＨｚ以上８０００ＭＨｚ以下とした。この動作周波数における周波数特性のグラフを図６に示す。図６は、フィルタの伝送特性を表す透過特性（減衰量）の周波数依存性を示すグラフである。
【００５３】
本実施例の弾性表面波装置のフィルタ特性は非常に良好であった。即ち、図６の破線で示した比較例の弾性表面波装置と比較して、図６の実線で示すように、６ＧＨｚ付近の高周波数において、本実施例の弾性表面波装置の帯域外減衰量が非常に大きいことが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる弾性表面波装置の斜視図である。
【図２】図１に示す弾性表面波装置を構成する圧電基板の主面の平面図である。
【図３】図１に示す弾性表面波装置を構成する実装基板の主面の平面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる通信装置のブロック図である。
【図５】比較例の弾性表面波装置を構成する圧電基板の主面の平面図である。
【図６】実施例の弾性表面波装置と比較例の弾性表面波装置についての通過特性のシミュレーション結果である。
【符号の説明】
【００５５】
１〜５：第１〜第５のＩＤＴ電極
１ａ〜５ａ：基準電位バスバー電極
６，７：反射器電極
８：入力信号電極
９：出力信号電極
１０：グランド電極
１１：弾性表面波共振子
２５〜２７：環状電極の第１〜第３の部位
３４、３５：第１、第２の接続部位
【図１】
2010011187.tif 000003
【図２】
2010011187.tif 000004
【図３】
2010011187.tif 000005
【図４】
2010011187.tif 000006
【図５】
2010011187.tif 000007
【図６】
2010011187.tif 000008