(57)【要約】【課題】エピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減させるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。【解決手段】半導体ウェーハＷを載置する凹状のウェーハ載置部２１を上面に有する気相成長装置用のサセプタ２を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させる酸化膜形成工程と、酸化膜形成工程を経た後、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を下側にして、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置するウェーハ載置工程と、ウェーハ載置工程を経た後、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程と、を備える。【選択図】図７
2010016312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを載置する凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記半導体ウェーハの裏面に酸化膜を形成させる酸化膜形成工程と、
前記酸化膜形成工程の後、前記半導体ウェーハの裏面を下側にして、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置するウェーハ載置工程と、
前記ウェーハ載置工程の後、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程と、を備えるエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記酸化膜形成工程では、前記酸化膜を前記半導体ウェーハの裏面の少なくとも外周縁部に形成させる請求項１に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記ウェーハ載置部は、前記サセプタの上面から下側に凹んだ円形の第１凹部と、前記第１凹部よりも小径で前記第１凹部の底面から下側に凹んでおりかつ前記第１凹部と同心の円形の第２凹部と、からなり、前記第２凹部の外周縁側の位置に前記第１凹部の底面で前記半導体ウェーハを支持する半導体ウェーハ支持部が形成されており、
前記ウェーハ載置工程では、前記半導体ウェーハの裏面の外周縁部が前記半導体ウェーハ支持部に支持されるように、前記半導体ウェーハを該ウェーハ支持部に載置する請求項１または２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記酸化膜形成工程では、前記半導体ウェーハの裏面をＳＣ−１液で洗浄することにより、前記酸化膜を前記半導体ウェーハの裏面に形成させる請求項１から３のいずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャルウェーハは、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させたものである。近年、半導体デバイスの集積度、デザインルール（微細化パターン）の微細化等に伴い、高平坦度で高精度なエピタキシャルウェーハが求められている。エピタキシャルウェーハを製造するために、エピタキシャル層を半導体ウェーハの主表面に成長させる気相成長装置が使用されている。
【０００３】
気相成長装置によれば、例えば、以下の手順により半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させることができる。内部に円盤状のサセプタを有し、内部に反応ガスを供給可能な反応容器におけるサセプタの上に半導体ウェーハを載置する。サセプタの上面は凹状のウェーハ載置部となっており、ウェーハ載置部に半導体ウェーハを載置し、反応容器の外面に配置したヒータにて半導体ウェーハを加熱しながら、反応容器の内部を通過する反応ガスと半導体ウェーハとを反応させ、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させる。
【０００４】
しかし、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させる際、半導体ウェーハの裏面の外周縁部にエピタキシャル層が成長される傾向がある。
【０００５】
また、半導体ウェーハ表面にエピタキシャル層を成長させる際、半導体ウェーハの裏面とサセプタとの接触痕（スティッキング）が半導体ウェーハの裏面の外周縁部に残る場合がある。また、ヒータの昇降温時及び高温状態における半導体ウェーハの熱膨張の差異によるスティッキング等により、半導体ウェーハの裏面に歪みが発生し、歪みが特に多い半導体ウェーハの裏面の外周縁部では歪みの方向に統一性がなく、デバイス工程における多結晶シリコンのフォトリソグラフィー処理前の熱処理においてランダム方向にパターンのズレが発生し補正を行うことができないために、フォトリソグラフィー処理におけるアライメント不良が発生するという問題があった。
【０００６】
そこで、例えば、エピタキシャルウェーハの形状品質について、エピタキシャルウェーハの主表面及び裏面の面形状をエピタキシャルウェーハの径方向に沿って測定し、測定した面形状のデータの所定領域から基準線を算出し、この基準線と面形状データとの厚さ方向における差を表すローカルスロープを求めることでエピタキシャルウェーハの面形状を評価する方法が提案されている（例えば、特許文献１等を参照）。
【特許文献１】特開２００６−５１６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１ではエピタキシャルウェーハの面形状を評価する方法のみが開示されており、エピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減させる方法は具体的に開示されていない。
【０００８】
したがって、本発明は、エピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減させるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）  本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、半導体ウェーハを載置する凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記半導体ウェーハの裏面に酸化膜を形成させる酸化膜形成工程と、前記酸化膜形成工程の後、前記半導体ウェーハの裏面を下側にして、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置するウェーハ載置工程と、前記ウェーハ載置工程の後、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
（２）  前記酸化膜形成工程では、前記酸化膜を前記半導体ウェーハの裏面の少なくとも外周縁部に形成させることが好ましい。
【００１１】
（３）  前記ウェーハ載置部は、前記サセプタの上面から下側に凹んだ円形の第１凹部と、前記第１凹部よりも小径で前記第１凹部の底面から下側に凹んでおりかつ前記第１凹部と同心の円形の第２凹部と、からなり、前記第２凹部の外周縁側の位置に前記第１凹部の底面で前記半導体ウェーハを支持する半導体ウェーハ支持部が形成されており、前記ウェーハ載置工程では、前記半導体ウェーハの裏面の外周縁部が前記半導体ウェーハ支持部に支持されるように、前記半導体ウェーハを該ウェーハ支持部に載置することが好ましい。
【００１２】
（４）  前記酸化膜形成工程では、前記半導体ウェーハの裏面をＳＣ−１液で洗浄することにより、前記酸化膜を前記半導体ウェーハの裏面に形成させることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、エピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施形態について図面を参照にしながら説明する。まず、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施形態で使用される気相成長装置について説明する。図１は、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施形態で使用される気相成長装置を模式的に示す断面図である。図２は、サセプタの断面図である。
【００１５】
［気相成長装置］
本形態の気相成長装置１は、図１に示すように、シリコンウェーハからなる半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを気相成長させて、エピタキシャルウェーハＥＷを製造する装置である。この気相成長装置１は、サセプタ２と、反応容器３と、加熱装置４とを備える。
【００１６】
反応容器３は、その内部にサセプタ２が設置され、その内部に反応ガスを供給可能に構成されている。そして、反応容器３は、サセプタ２の上に載置された半導体ウェーハＷに反応ガスを供給することで、半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる。この反応容器３は、上側ドーム３１と、下側ドーム３２と、ドーム取付体３３と、サセプタ支持部３４とを備える。
【００１７】
上側ドーム３１及び下側ドーム３２は、石英等の透光性部材から構成されている。
【００１８】
ドーム取付体３３は、上方及び下方が開放された略筒状部材から構成され、上方側の開口部分及び下方側の開口部分にて上側ドーム３１及び下側ドーム３２を支持する。
【００１９】
このドーム取付体３３の側面には、反応ガス供給管３３１が設けられており、反応ガス供給管３３１に対向するドーム取付体３３の側面には、反応ガス排出管３３２が設けられている。反応ガス供給管３３１及び反応ガス排出管３３２は、反応容器３の内部と反応容器３の外部とを連通するように形成されている。
【００２０】
反応ガス供給管３３１からは、反応ガスが反応容器３の内部に供給される。反応ガスは、例えば、ＳｉＨＣｌ３のＳｉソースを水素ガスで希釈し、それにドーパントガスを微量混合してなる。供給された反応ガスは、サセプタ２に載置された半導体ウェーハＷの主表面を水平に通過した後、反応ガス排出管３３２から反応容器３の外に排出される。
【００２１】
サセプタ２は、半導体ウェーハＷを載置する部材であり、反応容器３の内部に設置される。サセプタ２は、回転軸Ｒに連なるサセプタ支持部３４によって、その下面が支持され、回転軸Ｒの駆動により回転する。サセプタ２の材質は特に限定されないが、例えば炭素基材の表面にＳｉＣ被膜をコーティングしたものが好ましい。
【００２２】
サセプタ２へ半導体ウェーハＷを搬入する方式、サセプタ２から半導体ウェーハＷを搬出する方式としては特に限定されず、例えば、ベルヌイチャックを用いて搬送治具の昇降により半導体ウェーハＷを移載するものや、半導体ウェーハＷの下面をピンで支持してピンの昇降により半導体ウェーハＷを移載するもの等が挙げられる。
【００２３】
図２に示すように、サセプタ２の上面には、半導体ウェーハＷの直径よりも大きい径の凹部からなるウェーハ載置部２１が形成されている。このウェーハ載置部２１は、第１凹部２１１と、第２凹部２１２とからなる。第１凹部２１１は、サセプタ２の上面から下側に凹んだ円形の凹部である。第２凹部２１２は、第１凹部２１１よりも小径で第１凹部２１１の底面から下側に凹んでおり、かつ、第１凹部２１１と同心の円形の凹部である。また、サセプタ２には、第２凹部２１２の外周縁側の位置に、第１凹部２１１の底面で半導体ウェーハＷを支持するウェーハ支持部２１３が形成されている。
【００２４】
半導体ウェーハＷは、ウェーハ支持部２１３で支持されることでウェーハ載置部２１の内側に載置される。なお、ウェーハ支持部２１３は、第１凹部２１１の外周側から第２凹部２１２の外周側にかけて下方に傾斜する形状にして半導体ウェーハＷの外周縁部を線接触で支持するようにしてもよく、あるいは、ウェーハ支持部２１３の上面に凹凸を設けて半導体ウェーハＷの外周縁部を点接触で支持するようにしてもよい。
【００２５】
サセプタ支持部３４は、石英等の透光性部材から構成され、図１に示すように、反応容器３の下側ドーム３２の略中央部分から反応容器３の内部に突出し、サセプタ２を水平状態で反応容器３の内部に支持する。そして、サセプタ支持部３４は、例えば、制御装置（図示せず）による制御の下、回転軸Ｒを中心として回転自在に構成されている。
【００２６】
加熱装置４は、反応容器３の上方側及び下方側にそれぞれ配設され、反応容器３の上側ドーム３１及び下側ドーム３２を介して、サセプタ２及びその上に載置された半導体ウェーハＷを放射熱により加熱し、半導体ウェーハＷを所定温度に設定するものである。この加熱装置４としては、例えば、ハロゲンランプや赤外ランプ等を採用できる。また、加熱装置４としては、放射熱により加熱するものの他、誘導加熱により半導体ウェーハＷを加熱する高周波加熱方式を採用してもよい。
【００２７】
［エピタキシャルウェーハの製造方法］
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施形態について説明する。図３は、裏面Ｗ２に酸化膜を形成させる前の半導体ウェーハＷを示す図で、（Ａ）は底面図、（Ｂ）は縦断面図である。図４は、裏面Ｗ２の全体に酸化膜Ｏｘを形成させた半導体ウェーハＷを示す図で、（Ａ）は底面図、（Ｂ）は縦断面図である。図５は、図４に示す状態から酸化膜Ｏｘの一部を除去した状態を示す図で、（Ａ）は底面図、（Ｂ）は縦断面図である。図６は、図５に示す半導体ウェーハＷをサセプタ２のウェーハ載置部２１に載置させた状態を示す断面図である。図７は、エピタキシャル層ＥＰを成長させた状態を示す断面図である。図８は、酸化膜Ｏｘを除去した場合のエピタキシャルウェーハの縦断面図である。本実施形態のエピタキシャルウェーハの製造方法は、前述した気相成長装置１を用いて実施される。本実施形態のエピタキシャルウェーハの製造方法は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させる酸化膜形成工程と、酸化膜形成工程の後、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を下側にして、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置するウェーハ載置工程と、ウェーハ載置工程の後、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１にエピタキシャル層ＥＰを成長させるエピタキシャル成長工程と、を備える。
【００２８】
本実施形態においては、酸化膜形成工程の前に、シリコン単結晶インゴットをスライシングして所定の厚さを有する半導体ウェーハＷを形成させる。半導体ウェーハＷの直径は、例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ及び４５０ｍｍである。スライシングした半導体ウェーハＷの表面をエッチングし、その後、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１及び裏面Ｗ２に鏡面加工を施す。その後、酸化膜形成工程、ウェーハ載置工程及びエピタキシャル成長工程が行われる。
【００２９】
＜酸化膜形成工程＞
酸化膜形成工程は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させる工程である。具体的には、図３に示すような半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を、洗浄液を用いて洗浄し、図４に示すように、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全体に酸化膜Ｏｘを形成させる。半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全体に酸化膜Ｏｘを形成させた後、図５に示すように、ウェーハ支持部２１３と接触する半導体ウェーハＷの外周縁部以外の酸化膜Ｏｘを除去し、酸化膜Ｏｘが形成されていない領域を設ける。
【００３０】
酸化膜Ｏｘが形成されている領域は、具体的には半導体ウェーハＷの外周から５ｍｍ以上の領域である。ただし、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２においては、リフトピン部（図示せず）に対応する部分の酸化膜Ｏｘが剥離されている必要がある。また半導体ウェーハＷの外周縁部の主表面Ｗ１の面取りの酸化膜Ｏｘは除去する。酸化膜Ｏｘが形成されていない領域の直径は、好ましくは半導体ウェーハＷの直径の８０％以上で、さらに好ましくは、酸化膜Ｏｘが形成されていない領域の直径は２９０ｍｍである。また、半導体ウェーハＷの外周縁部の主表面Ｗ１及び裏面Ｗ２の面取りには、酸化膜Ｏｘを形成させないことが好ましい。すなわち、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周縁部のみに酸化膜Ｏｘが形成されるようにすることが好ましい。
【００３１】
酸化膜Ｏｘが形成されていない領域を設けることは以下の点で好ましい。
【００３２】
酸化膜Ｏｘは、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２へのプロセスガスの流入によって局所的にエッチングされる可能性があり、結果としてフラットネスの悪化をもたらす。そこで前述の半導体ウェーハＷを昇降させるリフトピン部等に対応する領域には、特に酸化膜Ｏｘを形成させないことが好ましい。また、半導体ウェーハＷの面取り部は、酸化膜Ｏｘがあると側面からの輻射が違ってくるため、半導体ウェーハＷの周縁部の温度バランスがくずれてスリップが発生することがある。そのため、半導体ウェーハＷの面取り部に酸化膜Ｏｘを形成させないことが好ましい。
【００３３】
酸化膜Ｏｘの形成は、バッチ式の洗浄装置や枚葉式の洗浄装置等を使用して、洗浄液で半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を洗浄することにより行う。洗浄液で半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を洗浄すると、洗浄液による酸化膜Ｏｘが残存する。
【００３４】
酸化膜Ｏｘを形成させる洗浄液は、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させることができれば特に限定されないが、例えば、ＳＣ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ）−１液、ＳＣ−２液、オゾン水、ＨＦ−ＨＮＯ３液、ＨＦ−Ｈ２Ｏ２液等、公知の種々の洗浄液が挙げられる。これらは、単独で使用してもよく、複数組み合わせて使用してもよい。なお、ＳＣ−１液とは、ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５の容量比で混合されている混合液である。また、ＳＣ−２液とは、ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５の容量比で混合されている混合液である。
【００３５】
酸化膜Ｏｘの膜厚は５〜３０Åであることが好ましい。酸化膜Ｏｘの膜厚が５Å未満であると、エピタキシャルウェーハＥＷの裏面Ｗ２の歪みを低減させることができない場合がある。一方、酸化膜Ｏｘの膜厚が３０Åを超えると、後述するエピタキシャル成長工程後、酸化膜Ｏｘを除去することが困難となる場合がある。
【００３６】
また、半導体ウェーハＷを洗浄する際の洗浄装置の内部の温度は、常温（室温）〜９０℃が好ましい。
【００３７】
酸化膜Ｏｘの膜厚は、洗浄液の濃度、洗浄時間、温度等を調整することによって適宜変更することができる。
【００３８】
＜ウェーハ載置工程＞
ウェーハ載置工程は、酸化膜形成工程の後に行う。半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させた後、図６に示すように、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２を下側にして、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置する。すなわち、酸化膜Ｏｘとウェーハ支持部２１３が接触するように半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置する。
【００３９】
半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置させる方法は、特に限定されず、公知の種々の方法で半導体ウェーハＷを載置させることができる。
【００４０】
＜エピタキシャル成長工程＞
エピタキシャル成長工程は、ウェーハ載置工程の後に行う。エピタキシャル成長は、反応ガスを反応ガス供給管３３１から反応容器３の内側へ導入し、１０００〜１２００℃の高温に熱せられた半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に、反応ガスの熱分解または還元によって生成されたシリコンを反応速度０．５〜６．０μｍ／分で成長させることにより行う。反応ガスは、例えば、ＳｉソースであるＳｉＨＣｌ３を水素ガスとを混合してなる。また、必要に応じてドーパントガスを混合させてもよい。
【００４１】
これにより、図７に示すように、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１にエピタキシャル層ＥＰが成長し、エピタキシャルウェーハＥＷが得られる。
【００４２】
エピタキシャル成長工程の後、エピタキシャルウェーハＥＷの裏面Ｗ２の外周縁部に酸化膜Ｏｘが形成されたままで次工程を行う。または、エピタキシャル成長工程の後、エピタキシャルウェーハＥＷの裏面Ｗ２の酸化膜ＯｘをＨＦ溶液、ＢＨＦ溶液、ＤＨＦ溶液等を用いて洗浄し、酸化膜Ｏｘを除去してもよい。これにより、図８に示すように、酸化膜Ｏｘを有していないエピタキシャルウェーハＥＷが製造される。
【００４３】
以上、本発明の実施形態について図面を参照にしながら詳細に説明したが、本発明は、以上の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。
【００４４】
例えば、上述した実施形態では、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周縁部に酸化膜Ｏｘを形成させているが、これに制限されず、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２から酸化膜Ｏｘを除去せずに、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全面に酸化膜Ｏｘを形成させた状態で、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置し、エピタキシャル成長を行ってもよい。
【００４５】
また、例えば、サセプタ２のウェーハ載置部２１は、第２凹部２１２を有していなくてもよい。すなわち、ウェーハ載置部２１は、１段の凹部でもよい。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４７】
［実施例１］
鏡面研磨を施した直径３００ｍｍの半導体ウェーハＷを枚葉式の洗浄装置に設置し、ＳＣ−１液を半導体ウェーハＷの裏面側に噴出させて６０秒間洗浄した。洗浄後、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全体に膜厚が１０Åの酸化膜Ｏｘが形成されていた。
【００４８】
半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周縁部以外の酸化膜ＯｘをＨＦ溶液で除去した。酸化膜Ｏｘが形成されていない領域の直径は２９０ｍｍであった。
【００４９】
次に、酸化膜Ｏｘが形成された半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２が下側になるように、半導体ウェーハＷをウェーハ載置部２１に載置した。
【００５０】
ＳｉＨＣｌ３と水素ガスとドーパントガスとを混合させた反応ガスを反応ガス供給管３３１から反応容器３の内側へ導入した。半導体ウェーハＷを１１３０℃に熱し、エピタキシャル層ＥＰを反応速度２．５μｍ／分で成長させた。
【００５１】
エピタキシャル層ＥＰを成長させた後、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の酸化膜ＯｘをＨＦ溶液で洗浄し、酸化膜Ｏｘを除去した。
【００５２】
酸化膜Ｏｘを除去したエピタキシャルウェーハをＳＩＲＤ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  ＩｎｆｒｅＲｅｄ  Ｄｅｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）（テプラ社製ＳＩＲＤ  Ａ３００）を用いて、エピタキシャルウェーハＥＷの裏面Ｗ２の歪みを測定したところ、図９に示すように歪みが解消されていることがわかった。
【００５３】
［実施例２］
酸化膜Ｏｘを半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の全体に形成させた以外は実施例１と同様にエピタキシャルウェーハを製造した。実施例２のエピタキシャルウェーハＥＷの裏面Ｗ２の歪みを測定したところ、図１０に示すように歪みが解消されていることがわかった。
【００５４】
［比較例］
図３に示すように、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させなかった以外は実施例１と同様にエピタキシャルウェーハＥＷを製造した。比較例のエピタキシャルウェーハＥＷの裏面Ｗ２の歪みを測定したところ、図１１に示すように歪みが発生していることがわかった。
【００５５】
図１１に示すように、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させずにエピタキシャル成長を行うと、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周縁側に歪みが多く発生していることがわかる。一方、図９及び図１０に示すように、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に酸化膜Ｏｘを形成させた後にエピタキシャル成長を行うと、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２の外周縁側の歪みが解消されていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】気相成長装置を模式的に示した断面図である。
【図２】サセプタの断面図である。
【図３】裏面に酸化膜を形成させる前の半導体ウェーハを示す図で、（Ａ）は底面図、（Ｂ）は縦断面図である。
【図４】裏面の全体に酸化膜を形成させた半導体ウェーハを示す図で、（Ａ）は底面図、（Ｂ）は縦断面図である。
【図５】図４に示す状態から酸化膜の一部を除去した状態を示す図で、（Ａ）は底面図、（Ｂ）は縦断面図である。
【図６】図５に示す半導体ウェーハをサセプタのウェーハ載置部に載置させた状態を示す断面図である。
【図７】図６に示す状態からエピタキシャル層を成長させた状態を示す断面図である。
【図８】図７に示す状態から酸化膜を除去した場合のエピタキシャルウェーハの縦断面図である。
【図９】実施例１のエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを表した評価結果である。
【図１０】実施例２のエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを表した評価結果である。
【図１１】比較例のエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを表した評価結果である。
【符号の説明】
【００５７】
１      気相成長装置
２      サセプタ
２１    ウェーハ載置部
２１１  第１凹部
２１２  第２凹部
２１３  ウェーハ支持部
３      反応容器
４      加熱装置
ＥＰ    エピタキシャル層
ＥＷ    エピタキシャルウェーハ
Ｏｘ    酸化膜
Ｒ      回転軸
Ｗ      半導体ウェーハ
Ｗ１    主表面
Ｗ２    裏面
【図１】
2010016312.tif 000003
【図２】
2010016312.tif 000004
【図３】
2010016312.tif 000005
【図４】
2010016312.tif 000006
【図５】
2010016312.tif 000007
【図６】
2010016312.tif 000008
【図７】
2010016312.tif 000009
【図８】
2010016312.tif 000010
【図９】
2010016312.tif 000011
【図１０】
2010016312.tif 000012
【図１１】
2010016312.tif 000013