(57)【要約】【課題】透過率と応答時間とが両立されたＦＦＳ方式の液晶装置を得る。【解決手段】互いに対向して配置された第１の基板１０及び第２の基板１１と、第１の基板１０及び前記第２の基板１１との間に挟持された液晶層５０と、第１の基板１０の液晶層５０側に形成された第１の電極２１と、第１の電極２１と誘電層３４を介して対向する第２の電極２２と、を備える液晶装置であって、第１の電極２１と第２の電極２２とのうちの一方の電極は所定の間隔２８を有して互いに平行に延在する複数の帯状電極部２７を有しており、間隔２８をＳ（μｍ）とし、帯状電極部２７の幅をＬ（μｍ）とし、液晶層５０のセル厚をｄ（μｍ）とし、誘電層の層厚をｔ（ｎｍ）とし、ドライバーＩＣの耐圧をＶICとしたとき、下記の（１）式を満たすことを特徴とする液晶装置。８０≦ｔ≦（７０×ＶIC−２５０）ｅｘｐ（（Ｌ＋Ｓ）／ｄ）・・（１）。【選択図】図１２
2010151884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置された第１の基板及び第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板の前記液晶層側に形成された第１の電極と、
前記第１の電極と誘電層を介して対向する第２の電極と、
を備える液晶装置であって、
前記第１の電極と前記第２の電極とのうちの一方の電極は所定の間隔を有して互いに平行に延在する複数の帯状電極部を有しており、
前記間隔をＳ（μｍ）とし、前記帯状電極部の幅をＬ（μｍ）とし、前記液晶層のセル厚をｄ（μｍ）とし、前記誘電層の層厚をｔ（ｎｍ）としたとき、下記の（１）式を満たすことを特徴とする液晶装置。
８０≦ｔ≦（７０×ＶIC−２５０）ｅｘｐ（（Ｌ＋Ｓ）／ｄ）・・・・（１）
なお、ＶICはドライバーＩＣの耐圧である。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置の一形式である、画素毎にスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成されたアクティブマトリクス型の液晶装置は、高精細な画像の表示が可能であり、近年利用が急増している。そして、かかるアクティブマトリクス型のうち、視野角の向上を目的として、横電界方式であるＩＰＳ（Ｉｎ・Ｐｌａｎｅ・Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式、あるいはＦＦＳ（（Ｆｒｉｎｇｅ・Ｆｉｅｌｄ・Ｓｗｉｔｃｈ）方式の採用が進んでいる。ＦＦＳ方式とは、誘電層を介して積層されたスリットを有する液晶層側の上部電極と平板状の下部電極との間に、上述のスリットを介して電界を形成する方式である。かかる一対の電極のいずれか一方が画素電極で他方が共通電極である。
【０００３】
ＦＦＳ方式の液晶装置の表示特性は、（一方の電極は平板状であるため）スリットの（短軸）幅、該スリット間の距離である帯状電極部（帯状電極）幅、及び誘電層厚等が大きく影響する。そのため、表示特性の向上を目的として、スリット幅及び帯状電極部幅を一定値以上に保つ構成が、特許文献１に開示されている。また、誘電層厚を画像が表示される領域である表示領域内における画素密度等によって決定する構成が、特許文献２に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１１１６４８４号公報
【特許文献２】特開２００８−１１１６４８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら上述の構成は、透過率が最大となるときの電圧が誘電層厚によって影響されることを考慮していない。さらに、ＦＦＳ方式の液晶装置において、透過率と応答時間が背反するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］互いに対向して配置された第１の基板及び第２の基板と、上記第１の基板及び上記第２の基板との間に挟持された液晶層と、上記第１の基板の上記液晶層側に形成された第１の電極と、上記第１の電極と誘電層を介して対向する第２の電極と、
を備える液晶装置であって、上記第１の電極と上記第２の電極とのうちの一方の電極は所定の間隔を有して互いに平行に延在する複数の帯状電極部を有しており、上記間隔をＳ（μｍ）とし、上記帯状電極部の幅をＬ（μｍ）とし、上記液晶層のセル厚をｄ（μｍ）とし、上記誘電層の層厚をｔ（ｎｍ）としたとき、下記の（１）式を満たすことを特徴とする液晶装置。
８０≦ｔ≦（７０×ＶIC−２５０）ｅｘｐ（（Ｌ＋Ｓ）／ｄ）・・・・（１）
なお、ＶICはドライバーＩＣの耐圧である。
【０００８】
かかる構成の液晶装置であれば、上記帯状電極部の幅、上記間隔の幅、並びに上記液晶層のセル厚に応じて誘電層の層厚を決定できるため、消費電力や製造コストを上昇させることなく透過率を向上できる。
【０００９】
［適用例２］上述の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【００１０】
このような構成によれば、消費電力や製造コストを上昇させることなく、表示品質が向上した電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
先ず、本実施形態にかかるＦＦＳ方式を用いた半透過反射型の液晶装置について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の全ての図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る液晶装置の等価回路を示す図である。液晶装置１の表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０２及び共通線１０６とＹ方向に延在する複数のデータ線１０４とが格子状に形成されている。かかる格子状のデータ線１０４及び走査線１０２によって囲まれた略方形の領域が画素領域４１であり、各画素領域４１毎に画素４０が形成されている。各々の画素４０には、第１の電極としての画素電極２１と該画素電極をスイッチング制御するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２０、及び後述する第２の画素電極としての共通電極２２（図２参照）等が設けられている。なお、画素領域４１とは平面的な領域を示しており、画素４０は機能的な意味を含んでいる。
【００１３】
画素４０には、赤色光を射出する赤色画素４０Ｒと緑色光を射出する緑色画素４０Ｇと青色光を射出する青色画素４０Ｂとがあり、夫々がＸ方向に規則的に配置されている。かかる三種類の画素４０の発光強度が個別に制御されることで、該三種類の画素４０からなる領域から任意の波長範囲を有する光が形成され射出される。なお、上述の三種類の画素４０（４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ）を「サブ画素」と表記し、三種類のサブ画素の組み合わせを「画素」と表記することもあるが、本明細書では「サブ画素」の表記は用いない。また、「画素４０」の表記は上述の三種類の画素の総称として用いている。
【００１４】
後述するように、ＴＦＴ２０のソース電極２０ｓ（図２参照）はデータ線１０４の一部が突出されたものであり、ＴＦＴ２０のゲート電極２０ｇ（図２参照）は走査線１０２の一部が突出されたものである。そして、ＴＦＴ２０のドレイン電極２０ｄ（図２参照）は画素電極２１と電気的に接続されている。データ線１０４はデータ線駆動回路１１４に接続されており、該データ線駆動回路から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、各画素４０に供給される。走査線１０２は走査線駆動回路１１２に接続されており、該走査線駆動回路から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは各画素４０に供給される。データ線駆動回路１１４からデータ線１０４に供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給されてもよく、互いに隣接する複数のデータ線１０４同士に対してグループ毎に供給されてもよい。また、走査線駆動回路１１２からは、走査線１０２に対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で供給される。
【００１５】
液晶装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ２０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１０４から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極２１に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２１を介して液晶層５０（図３参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極２１と誘電層３４（図３参照）を介して積層された後述する共通電極２２（図３参照）との間で一定期間保持される。液晶層５０（図３参照）は、画素電極２１と共通電極２２との間に生じる横電界によって駆動される。
なお、共通線１０６は、各共通電極２２（図３参照）を行毎に電気的に接続する配線である。かかる共通線１０６により、表示領域１００内における全ての画素４０の共通電極２２は、共通の電位に保持されている。
【００１６】
図２は、本実施形態にかかる液晶装置１の画素４０の平面的な構成を模式的に示す図であり、後述する第１の基板としての素子基板１０（図３参照）を同じく後述する第２の基板としての対向基板１１（図３参照）側から垂直視した図である。ただし、反射層３５（図３参照）は図示を省略している。本図はＸ方向に並ぶ上述の三種類の画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を示しているが、かかる画素の種類は対向基板１１に形成された後述するカラーフィルター７１（図３参照）のみで定められており、素子基板１０側の構成は全て共通している。したがって、以下は総称としての画素４０の構成要素についての説明である。
【００１７】
図示するように各画素４０は、素子基板１０側において、格子状に形成された走査線１０２とデータ線１０４との交差部近傍に形成されたＴＦＴ２０と、画素電極２１と、共通電極２２と、を有している。かかる各要素間には図示しない複数の絶縁層等が形成されている。ＴＦＴ２０はデータ線１０４の一部を突出させて形成されたソース電極２０ｓと、走査線１０２の一部を突出させて形成されたゲート電極２０ｇと、データ線１０４の構成する材料層と同一の層を島状にパターニングして形成されたドレイン電極２０ｄと、島状にパターニングされたアモルファスシリコン層からなる半導体層２０ａ等から成る。
【００１８】
画素電極２１は透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・すず合金）からなる略方形の部材であり、コンタクトホール２０ｃを介してドレイン電極２０ｄと電気的に接続されている。画素電極２１は、略Ｘ方向に延在する帯状の部分（以下、「帯状電極部」と称する。）２７と、Ｙ方向に並ぶように等間隔に形成された複数の帯状電極部２７間を隔てるスリット２８と、からなる梯子状の平面形状を有している。帯状電極部２７の延在方向は、Ｘ方向に対して５度の傾きを有している。帯状電極部２７の、かかる延在方向に直交する方向の寸法、すなわち幅が帯状電極部幅Ｌであり、スリット２８における同様の寸法、すなわち幅がスリット幅Ｓである。帯状電極部幅Ｌとスリット幅Ｓの和（Ｌ＋Ｓ）が電極ピッチＰである。
【００１９】
共通電極２２は、画素電極２１と同様にＩＴＯからなる略方形の部材であり、コンタクトホール２０ｃの近傍を除き、画素電極２１と平面視で略重なる領域に形成されている。かかる画素電極２１と共通電極２２とが重なる領域が、実際に光が射出される領域である。共通電極２２は、スリット等を有しない平板状であり、ＴＦＴ２０及び画素電極２１とは電気的に絶縁されている。上述の光が射出される領域は、Ｘ方向に引かれた分割線（符号のない一点鎖線）によって透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとに区画されている。なお、スペーサー２９は柱状の部材であり、対向基板１１と素子基板１０との間隔を保持する機能を果たしている。
【００２０】
図３は、図２のＡ−Ａ’線における断面を模式的に示す図である。図示するように、液晶装置１は、素子基板１０と、対向基板１１と、該（素子基板１０と対向基板１１との）一対の基板間に挟持される液晶層５０、及び素子基板１０の液晶層５０側の反対側に配置される図示しない光源等からなる。液晶装置１は半透過反射型であるため、透過表示時には上述の光源から照射される光を透過表示領域Ｔを透過させて対向基板１１側から射出する。したがって、上述の一対の基板は双方とも、ガラス等の透明性を有する材料で形成されている。
【００２１】
素子基板１０の液晶層５０側の反対側の面には第１の偏光板６５が配置されており、対向基板１１の液晶層５０側の反対側の面には位相差板６７及び第２の偏光板６６が順に配置されている。なお、以下の記載において素子基板１０の液晶層５０側の方向を「上方」、「上層」あるいは「上面」と称する。
【００２２】
素子基板１０の上面には共通線１０６及び走査線１０２の一部であるゲート電極２０ｇが形成されている。そして透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとにまたがる領域に該共通線を覆う共通電極２２が形成されている。そして、反射表示領域Ｒにおいては、該共通電極と素子基板１０との間に、反射層３５と光散乱付与手段３６とが順に形成されている。反射層３５はＡｌ（アルミニウム）あるいはＡｇ（銀）等の反射率の高い金属材料からなり、反射表示時においては、対向基板１１を介して入射した外光を反射して、対向基板１１側から射出する。光散乱付与手段３６は該反射層の表面に凹凸を付与するための下地として機能しており、感光性樹脂層をハーフ露光することで形成されている。
【００２３】
共通電極２２及びゲート電極２０ｇの上層には、シリコン窒化物あるいはシリコン酸化物からなるゲート絶縁層３３が、素子基板１０の全面に形成されている。ゲート絶縁層３３の上層には、ドレイン電極２０ｄとソース電極２０ｓと半導体層２０ａとが形成されている。上述したように、該ドレイン電極等と、ゲート絶縁層３３及びゲート電極２０ｇとでＴＦＴ２０が構成されている。
【００２４】
ＴＦＴ２０の上層には、シリコン窒化物あるいはシリコン酸化物からなる層間絶縁層３０と画素電極２１と第１の配向膜６１とが順に形成されている。したがって、共通電極２２と画素電極２１との間には、ゲート絶縁層３３と層間絶縁層３０との積層体が形成されている。かかる積層体が誘電層３４である。画素電極２１とドレイン電極２０ｄとを接続するコンタクトホール２０ｃは、層間絶縁層３０をパターニングして形成されている。液晶装置１においては、該誘電層を介して画素電極２１と共通電極２２との間に形成される電界により液晶層５０を駆動して、外光の反射量あるいは図示しない光源から照射される光の透過量を制御している。
【００２５】
液晶層５０を構成する液晶材料は、誘電率異方性が負であるネガ型の液晶材料である。屈折率異方性Δｎは０．１２（波長５８９ｎｍ）である。なお、誘電率異方性が正であるポジ型の液晶材料を用いることも可能である。かかる場合は、対向基板１１と位相差板６７との間に透明導電材料からなるシールド層を配置することが好ましい。
【００２６】
対向基板１１の液晶層５０側の面における反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを除く領域には、遮光性材料を含有する樹脂からなるブラックマトリクス７２が形成されている。そしてさらに、該ブラックマトリクスの形成領域を含む対向基板１１の液晶層５０側の全面にカラーフィルター７１が形成されている。カラーフィルター７１とブラックマトリクス７２とでカラーフィルター層７０となる。カラーフィルター７１は赤色光、緑色光、青色光のいずれかの光に相当する波長域の光を透過させることで、上述の図示しない光源から照射される白色光あるいは外光を三原色のいずれかの色の光にしている。
【００２７】
反射表示領域Ｒにおけるカラーフィルター層７０の液晶層５０側には、液晶層厚調整層６８が形成され、さらに該液晶層厚調整層を覆うように第２の配向膜６２が形成されている。また、素子基板１０の画素電極２１の上層には第１の配向膜６１が形成されている。したがって、液晶層５０は第１の配向膜６１と第２の配向膜６２とで挟持されている。該双方の配向膜のラビング方向すなわち配向規制方向はＹ方向（図２参照）すなわちデータ線１０４の延在方向であり、上記一対の電極間に電界が形成されていない状態における液晶層５０中の液晶分子の長軸をＹ方向に揃えている。一方、上記一対の偏光板の偏光軸は、第１の偏光板６５の偏光軸がＹ方向、第２の偏光板６６の偏光軸がＸ方向と互いに直交している。
【００２８】
（最適化）
上述したように、本実施形態にかかる液晶装置１のようなＦＦＳ型の液晶装置は、画素電極２１の帯状電極部２７と共通電極２２との間に、スリット２８及び誘電層３４すなわち層間絶縁層３０とゲート絶縁層３３の積層体を介して形成された電界により液晶層５０を駆動して画像を表示する。したがって、かかる各要素の寸法等を最適化することで、表示品質を向上できる。本実施形態にかかる液晶装置１では、上記寸法等を以下のように決定している。
【００２９】
図４はスリット幅Ｓを一定として帯状電極部幅Ｌを変化させたときの上記一対の電極間に印加される駆動電圧と透過率との関係（以下、「Ｖ−Ｔ特性」と称する。）を示す図、図５は帯状電極部幅Ｌを一定としてスリット幅Ｓを変化させたときのＶ−Ｔ特性を示す図、図６は電極ピッチＰ（帯状電極部幅Ｌ＋スリット幅Ｓ）を変化させたときのＶ−Ｔ特性を示す図である。上記３図から、帯状電極部幅Ｌ、スリット幅Ｓ、あるいは電極ピッチＰを縮小することで透過率が向上することが判る。しかし一方で、透過率が最大となる時の駆動電圧（以下、「Ｖｍａｘ」と称する。）が上昇する。Ｖｍａｘの上昇は消費電力を増加させるため好ましくない。また、駆動電圧が５．０（Ｖ）を超えると汎用のドライバーＩＣを使用できないため、製造コスト上昇の要因となり得る。
【００３０】
図７は、誘電層３４の層厚（以下、「誘電層厚」と称する。）を変化させたときのＶ−Ｔ特性を示す図である。図示するように、誘電層厚を薄くするのに伴いＶｍａｘが低下する。したがって、誘導層厚を制御することで、Ｖｍａｘを上昇することなく透過率を向上できることとなる。
図８は、セル厚ｄすなわち液晶層５０の層厚を変化させたときのＶ−Ｔ特性を示す図である。帯状電極部幅Ｌとスリット幅Ｓと電極ピッチＰは一定であり、液晶層５０の位相差も一定である。図示するように、セル厚ｄの増加に伴い透過率は向上する。しかし、ＦＦＳ型の液晶装置においては、セル厚ｄの増加は応答時間を上昇させることが知られている。すなわち、ＦＦＳ型の液晶装置においては、透過率と応答時間とが背反する点が課題となる。
【００３１】
図９は、白表示透過率と電極ピッチＰとの関係を、図８で測定したセル厚ｄ毎にプロットした図である。ここで、白表示透過率とは、最大透過率の９５％の透過率と定義している。図示するように、セル厚ｄの縮小に伴い透過率が低下する傾向はあるが、セル厚ｄ＝３．０μｍで電極ピッチＰ＝８．０μｍにおいて白表示透過率０．２５を示すのに対して、セル厚ｄ＝２．０μｍで電極ピッチＰ＝６．０μｍにおいて、同じく白表示透過率０．２５を示している。すなわち、セル厚ｄに応じて電極ピッチＰ（あるいは帯状電極部幅Ｌとスリット幅Ｓ）を設定することにより透過率並びに応答特性を維持又は向上できる。
【００３２】
図１０は、電極ピッチＰとセル厚ｄとの比に対する白表示透過率の変化を３段階に分けてプロットした図である。電極ピッチＰとセル厚ｄとの比が縮小するに伴い透過率が向上すること、そしてかかる透過率の向上は電極ピッチＰとセル厚ｄとの比が略２．０に達すると飽和することが判る。透過率は１０％程度の変動であれば表示品質に与える影響は小さいことから、電極ピッチＰとセル厚ｄとの比は略２．７まで許容できる。また、電極ピッチＰを構成する帯状電極部幅Ｌとスリット幅Ｓとの比が変化しても透過率には殆んど影響しないことも判る。
【００３３】
図１１は、電極ピッチＰとセル厚ｄとの比（Ｐ／ｄ）と応答時間ｔｒとの関係を示す図である。応答時間ｔｒは電極ピッチＰとセル厚ｄとの比（Ｐ／ｄ）の低下に伴って短縮し、０．８≦（Ｐ／ｄ）≦２．１の範囲で略飽和する。応答時間ｔｒは１０％程度の変動であれば表示品質に与える影響は小さいことから、０．５≦（Ｐ／ｄ）≦２．９の範囲内であれば許容できる。以上のことから、透過率及び応答時間の観点からは電極ピッチＰとセル厚ｄとの比（Ｐ／ｄ）は０．５〜２．９の範囲内が好ましい。
【００３４】
図１２は、電極ピッチＰとセル厚ｄとの比（Ｐ／ｄ）を横軸、誘電層厚ｔを縦軸にして、白表示透過率となる駆動電圧が同一となる点を結んだ図である。上述したように誘電層厚ｔを薄くするのに伴いＶｍａｘを上昇させることなく透過率を向上できるため、（Ｐ／ｄ）に合わせて誘電層厚ｔを薄くすることで、駆動電圧の上限を一定値以下に保ちつつ透過率等の表示品質を向上できる。
【００３５】
上述したように、一般的なドライバーＩＣの耐圧は５．０（Ｖ）以下であるため、駆動電圧としては４．０（Ｖ）、４．５（Ｖ）、５．０（Ｖ）の３段階を図示している。図１２より、ドライバーＩＣの耐圧に合わせて画素電極２１の帯状電極部幅Ｌ、スリット幅Ｓ並びにセル厚ｄを決定し、次に採用するドライバーＩＣの耐圧に合わせて駆動電圧の上限を設定し、かかる各要素の数値に合わせて誘電層厚ｔを設定することで、消費電力及び製造コストが抑制され、かつ、表示品質が向上した液晶装置を得られることが判る。
【００３６】
図１２に示された曲線より、最適な誘電層厚ｔ（ｎｍ）を設定する式（１）は、以下のように導出できる。
８０≦ｔ≦（７０×ＶIC−２５０）ｅｘｐ（（Ｌ＋Ｓ）／ｄ）・・・・（１）
上述したように、ＶICはドライバーＩＣの耐圧である。また、誘電層厚ｔの下限を８０ｎｍとした理由は、反射層３５の凹凸に起因する共通電極２２の上層の凹凸を考慮したものである。かかる式（１）により、例えば、セル厚ｄが３．０μｍ、電極ピッチＰが４．８μｍである場合、誘電層厚ｔを５００ｎｍ以下にすることで、白表示透過率となる駆動電圧を市販のドライバーＩＣの耐圧である５．０（Ｖ）以下に抑制できることが判る。
【００３７】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態にかかる液晶装置２について説明する。図１３は、第２の実施形態にかかる液晶装置２の模式断面図である。第１の実施形態における図２のＡ−Ａ’線と同様の位置における模式断面図である。本実施形態にかかる液晶装置２はオーバーレイヤー構造を用いていることが特徴である。かかる構造の違いを除くと、液晶装置２は第１の実施形態の液晶装置１と略同様の構成を有している。そこで共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。
【００３８】
オーバーレイヤー構造とは、ＴＦＴ２０の上層に共通電極２２等が形成されている構造である。すなわち、ＴＦＴ２０の上層に第１の層間絶縁層３１が形成され、共通電極２２は該第１の層間絶縁層の上層に形成されている。そして画素電極２１は、第２の層間絶縁層３２を介して共通電極２２と対向している。したがって、第２の層間絶縁層３２のみが誘電層３４として機能している。かかる第２の層間絶縁層３２（すなわち誘電層３４）の層厚は、液晶装置１と同様に、上述の式（１）により定められている。なお、コンタクトホール２０ｃは、第１の層間絶縁層３１と第２の層間絶縁層３２との積層体を貫通するように形成されている。
【００３９】
本実施形態にかかる液晶装置２は、ゲート絶縁層３３が誘電層３４に含まれていないため、該ゲート絶縁層層厚を自由に設定できる。また、誘電層３４の最低限の層厚（すなわち層厚の下限）を、反射層３５の凹凸のみを考慮して設定できる。したがって、各構成要素の寸法設定の自由度が向上し、工程数は若干増加するものの、表示品質の向上効果が得られる。
【００４０】
（電子機器）
図１４は、本実施形態にかかる電子機器の一例としての携帯型電話機を示す斜視図である。図１４に示す携帯型電話機９０は、上記実施形態の液晶装置（１又は２）を表示部９２として備え、複数の操作ボタン９４、受話口９６、及び送話口９８を備えて構成されている。液晶装置１又は２は駆動電圧を上げることなく透過率が改善されているため、表示品質が向上した携帯型電話機９０が、消費電力や製造コストを上昇させることなく実現されている。
【００４１】
上記実施形態に係る液晶装置は、上記携帯型電話機９０に限らず、電子ブック、パーソナルコンピューター、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型或いはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器、フィールドシーケンシャル（ＦＳ）表示方式を用いた３Ｄ液晶装置、２画面液晶装置等々の画像表示手段として好適に用いることができる。いずれの電子機器においても、消費電力や製造コストを上昇させることなく表示品質が向上されている。
【００４２】
（変形例）
上述の液晶装置１及び液晶装置２は、半透過反射型の液晶装置である。しかし、上述の式（１）は、透過型の液晶装置及び反射型の液晶装置にも適用可能である。誘電層厚を帯状電極部幅Ｌ及びセル厚ｄ等に応じて設定することで、表示品質の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の等価回路を示す図。
【図２】第１の実施形態にかかる液晶装置の画素の平面的な構成を模式的に示す図。
【図３】第１の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。
【図４】スリット幅を一定として帯状電極部幅を変化させたときのＶ−Ｔ特性図。
【図５】帯状電極部幅を一定としてスリット幅を変化させたときのＶ−Ｔ特性図。
【図６】電極ピッチを変化させたときのＶ−Ｔ特性図。
【図７】誘電層厚を変化させたときのＶ−Ｔ特性図。
【図８】セル厚を変化させたときのＶ−Ｔ特性を示す図。
【図９】白表示透過率と電極ピッチとの関係をセル厚毎にプロットした図。
【図１０】電極ピッチとセル厚の比に対する白表示透過率の変化をプロットした図。
【図１１】電極ピッチとセル厚との比と、応答時間と、の関係を示す図。
【図１２】電極ピッチとセル厚との比を横軸、誘電層厚を縦軸にして、白表示透過率となる駆動電圧が同一となる点を結んだ図。
【図１３】第２の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。
【図１４】電子機器の一例としての携帯型電話機を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４４】
１…液晶装置、２…液晶装置、１０…第１の基板としての素子基板、１１…第２の基板としての対向基板、２０…ＴＦＴ、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｃ…コンタクトホール、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、２１…第１の画素電極としての画素電極、２２…第２の画素電極としての共通電極、２７…帯状電極部、２８…スリット、２９…スペーサー、３０…層間絶縁層、３１…第１の層間絶縁層、３２…第２の層間絶縁層、３３…ゲート絶縁層、３４…誘電層、３５…反射層、３６…光散乱付与手段、４０Ｂ…青色画素、４０Ｇ…緑色画素、４０Ｒ…赤色画素、４１…画素領域、５０…液晶層、６１…第１の配向膜、６２…第２の配向膜、６５…第１の偏光板、６６…第２の偏光板、６７…位相差板、６８…液晶層厚調整層、７０…カラーフィルター層、７１…カラーフィルター、７２…ブラックマトリクス、９０…電子機器としての携帯型電話機、９２…表示部、９４…操作ボタン、９６…受話口、９８…送話口、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…データ線、１０６…共通線、１１２…走査線駆動回路、１１４…データ線駆動回路、Ｌ…帯状電極部幅、Ｐ…電極ピッチ、Ｒ…反射表示領域、Ｓ…スリット幅、Ｔ…透過表示領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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