(57)【要約】  【課題】加工対象物に分断の起点となる起点部を形成する際に、加工対象物にかかる押圧力を抑制すること。  【解決手段】第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７を透過させてＴＦＴ基板２に照射し、ＴＦＴ基板２内に改質領域Ｕ１ａ〜Ｕ３ａを形成するようにした。それゆえ、例えば、ＴＦＴ基板２に物理的にスクライブ溝を形成する方法と異なり、ＴＦＴ基板２に分断の起点となる起点部を形成する際に、ＴＦＴ基板２に押圧力がかかることを抑制できる。【選択図】図３
2010110818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物の第１面に、第１のレーザ光を透過し且つ前記第１面を保護する保護シートを貼り付ける第１の工程と、
前記加工対象物に前記第１面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記保護シートを透過させて前記加工対象物の内部に集光し、前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する第２の工程と、
前記改質領域を形成した部分で前記加工対象物を分断した場合に前記加工対象物に形成される分断面と前記第１面とが交差する線上にある前記保護シートの部分を前記第１面から除去する第３の工程と、を有し、
前記改質領域を形成した部分で前記加工対象物を分断することを特徴とする加工対象物分断方法。
【請求項２】
加工対象物の第１面に、第１のレーザ光を透過し且つ前記第１面を保護する保護シートを貼り付ける第１の工程と、
前記加工対象物に前記第１面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記保護シートを透過させて前記加工対象物の前記第１面に集光し、前記加工対象物の前記第１面にスクライブ溝を形成する第２の工程と、
前記スクライブ溝の開口部と対向する前記保護シートの部分を前記加工対象物の前記第１面から除去する第３の工程と、を有し、
前記スクライブ溝を形成した部分で前記加工対象物を分断することを特徴とする加工対象物分断方法。
【請求項３】
前記第３の工程では、前記保護シートに、前記保護シートで吸収される第２のレーザ光を照射することで、前記保護シートの部分を融除することを特徴とする請求項１または２に記載の加工対象物分断方法。
【請求項４】
前記加工対象物は、液晶パネルの素材となる液晶ガラス基板であり、
前記第１の工程では、前記保護シートとして、直線偏光特性を有する偏光板を用いることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の加工対象物分断方法。
【請求項５】
前記第２の工程では、前記第１のレーザ光として、前記偏光板と偏光面が同一であるレーザ光を用いることを特徴とする請求項４に記載の加工対象物分断方法。
【請求項６】
前記加工対象物は、第１の基板と、前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの一方の面に自基板の厚さ方向の両面のうちの一方の面が対向して配された第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に配され、液晶を封入する領域を囲むシール材と、を有する液晶ガラス基板であり、
前記第１の工程は、
前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面を前記加工対象物の前記第１面とし、当該他方の面に、前記保護シートとして、直線偏光特性を有する第１の偏光板を貼り付ける工程と、
前記加工対象物の前記第１面に対する反対面である、前記２の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面に、直線偏光特性を有する第２の偏光板を貼り付ける工程と、を含み、
前記第２の工程は、
前記第１の基板に前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記第１の偏光板を透過させて前記第１の基板の内部に集光し、前記第１の基板の内部に前記改質領域を形成する工程と、
前記第２の基板に前記第２の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記第２の偏光板を透過させて前記第２の基板の内部に集光し、前記第２の基板の内部に前記改質領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の加工対象物分断方法。
【請求項７】
前記第２の工程では、前記第１の基板の前記改質領域と前記第２の基板の前記改質領域とを、前記加工対象物の厚さ方向で互いに対向する位置に形成することを特徴とする請求項６に記載の加工対象物分断方法。
【請求項８】
前記加工対象物は、第１の基板と、前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの一方の面に自基板の厚さ方向の両面のうちの一方の面が対向して配された第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に配され、液晶を封入する領域を囲むシール材と、を有する液晶ガラス基板であり、
前記第１の工程は、
前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面を前記加工対象物の前記第１面とし、当該他方の面に、前記保護シートとして、直線偏光特性を有する第１の偏光板を貼り付ける工程と、
前記第２の工程は、
前記第１の基板に前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記第１の偏光板を透過させて前記第１の基板の内部に集光し、前記第１の基板の内部に前記改質領域を形成する工程と、
前記第２の基板に前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記第１の偏光板および前記第１の基板を透過させて前記第２の基板の内部に集光し、前記第２の基板の内部に前記改質領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の加工対象物分断方法。
【請求項９】
前記シール材として、前記第１のレーザ光を透過させるシール材を用いることを特徴とする請求項８に記載の加工対象物分断方法。
【請求項１０】
前記請求項１から９のいずれか１項に記載の加工対象物分断方法で前記加工対象物から製造対象物を分断することを特徴とする対象物製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工対象物を分断する加工対象物分断方法および対象物製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。特許文献１に記載の技術では、まず、液晶パネルの素材である液晶ガラス基板の両面に偏光板を貼り付ける。次に、剥離カッタにより、液晶ガラス基板から偏光板の一部を帯状に切削して、液晶ガラス基板を帯状に表出させる。次に、ホイールカッタにより、表出した液晶ガラス基板の帯状領域に沿って分断用のスクライブ溝を形成する。これにより、スクライブ溝に沿って液晶ガラス基板を分断することで、複数の液晶パネルを製造するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１１６９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、ホイールカッタを用いて、液晶ガラス基板にスクライブ溝を形成するため、スクライブ溝の形成時に、液晶ガラス基板に押圧力が作用する。それゆえ、スクライブ溝を形成する位置の裏側の偏光板が切削され、当該位置において液晶ガラス基板を支えるものがない場合には、液晶ガラス基板が撓んで、設定した分断予定位置と異なる位置で液晶ガラス基板が割れてしまう可能性があった。
本発明は、上記のような点に着目してなされたもので、加工対象物に分断の起点となる起点部を形成する際に、加工対象物にかかる押圧力を抑制することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の各態様は、以下のような構成からなる。
本発明の第１の態様は、加工対象物の第１面に、第１のレーザ光を透過し且つ前記第１面を保護する保護シートを貼り付ける第１の工程と、前記加工対象物に前記第１面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記保護シートを透過させて前記加工対象物の内部に集光し、前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する第２の工程と、前記改質領域を形成した部分で前記加工対象物を分断した場合に前記加工対象物に形成される分断面と前記第１面とが交差する線上にある前記保護シートの部分を前記第１面から除去する第３の工程と、を有し、前記改質領域を形成した部分で前記加工対象物を分断することを特徴とする。
【０００６】
このように、第１の態様では、第１のレーザ光を、保護シートを透過させて加工対象物に照射し、加工対象物内に改質領域を形成するようにした。それゆえ、例えば、加工対象物に物理的にスクライブ溝を形成する方法と異なり、加工対象物に分断の起点となる起点部を形成する際に、加工対象物に押圧力がかかることを抑制できる。
また、第２の態様は、加工対象物の第１面に、第１のレーザ光を透過し且つ前記第１面を保護する保護シートを貼り付ける第１の工程と、
前記加工対象物に前記第１面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記保護シートを透過させて前記加工対象物の前記第１面に集光し、前記加工対象物の前記第１面にスクライブ溝を形成する第２の工程と、前記スクライブ溝の開口部と対向する前記保護シートの部分を前記加工対象物の前記第１面から除去する第３の工程と、を有し、前記スクライブ溝を形成した部分で前記加工対象物を分断することを特徴とする。
このように、第２の態様では、第１のレーザ光を、保護シートを透過させて加工対象物に照射し、加工対象物の第１面にスクライブ溝を形成するようにした。それゆえ、例えば、加工対象物に物理的にスクライブ溝を形成する方法と異なり、加工対象物に分断の起点となる起点部を形成する際に、加工対象物に押圧力がかかることを抑制できる。
【０００７】
さらに、第３の態様は、前記第３の工程では、前記保護シートに、前記保護シートで吸収される第２のレーザ光を照射することで、前記保護シートの部分を融除することを特徴とする。
このように、第３の態様では、加工対象物にかかる押圧力をより適切に抑制できる。
また、第４の態様は、前記加工対象物は、液晶パネルの素材となる液晶ガラス基板であり、前記第１の工程では、前記保護シートとして、直線偏光特性を有する偏光板を用いることを特徴とする。
このように、第４の態様では、完成した液晶パネルには、外面に偏光板が貼り付けられた状態となる。そのため、偏光板の貼り付けに要する手間が少なくて済む。
さらに、第５の態様は、前記第２の工程では、前記第１のレーザ光として、前記偏光板と偏光面が同一であるレーザ光を用いることを特徴とする。
このように、第５の態様では、第１のレーザ光が、偏光板で遮られることなく、偏光板を通過する。これにより、第１のレーザ光を液晶ガラス基板に照射できる。
【０００８】
また、第６の態様は、前記加工対象物は、第１の基板と、前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの一方の面に自基板の厚さ方向の両面のうちの一方の面が対向して配された第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に配され、液晶を封入する領域を囲むシール材と、を有する液晶ガラス基板であり、前記第１の工程は、前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面を前記加工対象物の前記第１面とし、当該他方の面に、前記保護シートとして、直線偏光特性を有する第１の偏光板を貼り付ける工程と、前記加工対象物の前記第１面に対する反対面である、前記２の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面に、直線偏光特性を有する第２の偏光板を貼り付ける工程と、を含み、前記第２の工程は、前記第１の基板に前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記第１の偏光板を透過させて前記第１の基板の内部に集光し、前記第１の基板の内部に前記改質領域を形成する工程と、前記第２の基板に前記第２の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記第２の偏光板を透過させて前記第２の基板の内部に集光し、前記第２の基板の内部に前記改質領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
このように、第６の態様では、第２の基板内に改質領域を形成する際に、第２の基板側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、第２の偏光板を透過させて前記第１のレーザ光を第２の基板に照射するようにした。それゆえ、例えば、第１の基板側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、第１の偏光板および第１の基板を透過させて第２の基板内に集光する方法と異なり、第１の基板と第２の基板との間に、エネルギー密度の高い第１のレーザ光が透過することを回避できる。そのため、第１のレーザ光により、第１の基板と第２の基板との間に配されている液晶等が損傷することを防止できる。
さらに、第７の態様は、前記第２の工程では、前記第１の基板の前記改質領域と前記第２の基板の前記改質領域とを、前記加工対象物の厚さ方向で互いに対向する位置に形成することを特徴とする。
このように、第７の態様では、加工対象物を厚さ方向に容易に分断することができる。
【００１０】
また、第８の態様は、前記加工対象物は、第１の基板と、前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの一方の面に自基板の厚さ方向の両面のうちの一方の面が対向して配された第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に配され、液晶を封入する領域を囲むシール材と、を有する液晶ガラス基板であり、前記第１の工程は、前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面を前記加工対象物の前記第１面とし、当該他方の面に、前記保護シートとして、直線偏光特性を有する第１の偏光板を貼り付ける工程と、前記第２の工程は、前記第１の基板に前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記第１の偏光板を透過させて前記第１の基板の内部に集光し、前記第１の基板の内部に前記改質領域を形成する工程と、前記第２の基板に前記第１の基板の厚さ方向の両面のうちの他方の面側から前記第１のレーザ光を照射し、前記第１のレーザ光を、前記第１の偏光板および前記第１の基板を透過させて前記第２の基板の内部に集光し、前記第２の基板の内部に前記改質領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
このように、第８の態様では、第１の基板内に改質領域を形成する際には、第１の基板側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、第１の偏光板を透過させて第１の基板内に集光するようにした。また、第２の基板内に改質領域を形成する際には、第１の基板側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、第１の偏光板および第１の基板を透過させて第２の基板内に集光するようにした。それゆえ、第１の基板内に改質領域を形成する際と、第２の基板内に改質領域を形成する際とで、加工対象物に対する第１のレーザ光の照射方向が同一方向となる。そのため、例えば、第２の基板側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、第２の偏光板を透過させて第２の基板内に集光する方法と異なり、加工対象物に対する第１のレーザ光の照射方向の変更をせずに済む。
【００１２】
さらに、第９の態様は、前記シール材として、前記第１のレーザ光を透過させるシール材を用いることを特徴とする。
このように、第９の態様では、第２の基板内に改質領域を形成する際に、第１の偏光板および第１の基板を透過した第１のレーザ光をシール材が遮ることを防止できる。
また、第１０の態様は、前記請求項１から９のいずれか１項に記載の加工対象物分断方法で前記加工対象物から製造対象物を分断することを特徴とする。
このように、第１０の態様では、製造対象物を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】液晶ガラス基板１の外観を示す斜視図である。
【図２】第１の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。
【図３】第２の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。
【図４】比較例を示す液晶ガラス基板１の側面図である。
【図５】比較例を示す液晶ガラス基板１の側面図である。
【図６】第２の工程の変形例を示す液晶ガラス基板１の側面図である。
【図７】第３の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。
【図８】第４の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。
【図９】第２実施形態の第２の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。
【図１０】第３の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。
【図１１】第４の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
この実施形態では、液晶パネルの素材となる液晶ガラス基板を分断し、複数の液晶パネルを製造する手順について詳述する。
図１は、液晶ガラス基板１の外観を示す斜視図である。図１（ａ）は、液晶ガラス基板１の外観をＴＦＴ基板２側から見た場合の斜視図である。図１（ｂ）は、液晶ガラス基板１の外観をカラーフィルタ基板３側から見た場合の斜視図である。
【００１５】
（事前の準備）
まず、液晶ガラス基板１を準備する。液晶ガラス基板１は、図１（ａ）に示すように、互いに同一の長方形状のＴＦＴ(Thin Film Transistor)基板２およびカラーフィルタ基板３を張り合わせて形成する。ここで、ＴＦＴ基板２およびカラーフィルタ基板３は、光を通す透明材料で形成する。例えば、ホウケイ酸ガラス、ＡＮ−１００、ＯＡ−１０等を用いる。また、張り合わせは、ＴＦＴ基板２の厚さ方向の両面のうちの一方の面と、カラーフィルタ基板３の厚さ方向の両面のうちの一方の面とを対向させて行う。
また、ＴＦＴ基板２は、ＴＦＴ基板２の分断予定線Ｕ１で内部が２つに区切られている。ここで、分断予定線Ｕ１とは、ＴＦＴ基板２の外面に設定され、ＴＦＴ基板２の長手方向と直交する方向に伸びている直線である。ＴＦＴ基板２の外面とは、ＴＦＴ基板２の厚さ方向の両面のうちの他方の面である。これにより、ＴＦＴ基板２の内部には、ＴＦＴ基板２の長手方向に並んだ２つのＴＦＴ基板セル４が形成されている。
【００１６】
さらに、カラーフィルタ基板３は、図１（ｂ）に示すように、カラーフィルタ基板３の分断予定線Ｑ１で内部が２つに区切られている。ここで、分断予定線Ｑ１とは、カラーフィルタ基板３の外面に設定され、カラーフィルタ基板３の長手方向と直交する方向に伸びている直線である。分断予定線Ｑ１は、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とを張り合わせた場合に、液晶ガラス基板１の厚さ方向で分断予定線Ｕ１と対向する直線となる。また、カラーフィルタ基板３の外面とは、カラーフィルタ基板３の厚さ方向の両面のうちの他方の面である。これにより、カラーフィルタ基板３の内部には、カラーフィルタ基板３の長手方向に並んだ２つのカラーフィルタ基板セル５が形成されている。
【００１７】
このように、ＴＦＴ基板２の内部には、ＴＦＴ基板２の長手方向に並んだ２つのＴＦＴ基板セル４が形成されている。また、カラーフィルタ基板３の内部には、カラーフィルタ基板３の長手方向に並んだ２つのカラーフィルタ基板セル５が形成されている。それゆえ、ＴＦＴ基板２およびカラーフィルタ基板３を張り合わせてなる液晶ガラス基板１の内部には、ＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５が２組形成されている。
さらに、各一対のＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５の間には、液晶（不図示）、および液晶を封入する領域を囲む環状のシール材６が配されている。
なお、本実施形態では、液晶ガラス基板１として、ＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５の間に液晶を封入したものを用いる例を示したが、他の方法を採用することもできる。例えば、液晶を封入していない状態のものを用いてもよい。
また、各ＴＦＴ基板セル４の外面の一端側には、分断予定線Ｕ２、Ｕ３を設定する。分断予定線Ｕ２、Ｕ３とは、分断予定線Ｕ１と平行な方向に伸びている直線である。
【００１８】
（第１の工程）
次に、第１の工程を実行する。
図２は、第１の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。
第１の工程では、まず、図２に示すように、ＴＦＴ基板２の外面にＴＦＴ側偏光板７を貼り付ける。ＴＦＴ側偏光板７とは、特定の振動方向に振動する光のみを通す直線偏光特性を有するシートである。また、ＴＦＴ側偏光板７は、ＴＦＴ基板２の外面を保護する機能を有する。例えば、樹脂フィルムに二色性物質を吸着配向させて形成する。
ここで、ＴＦＴ側偏光板７としては、ＴＦＴ基板２と同一形状のものを用いる。ＴＦＴ側偏光板７の貼り付けはＴＦＴ側偏光板７がＴＦＴ基板２の外面全体を覆うように行う。
【００１９】
なお、本実施形態では、ＴＦＴ基板２の外面にＴＦＴ側偏光板７を貼り付ける例を示したが、他の方法を採用することもできる。例えば、ＴＦＴ側偏光板７に代えて、後述する第１のレーザ光を透過でき、後述する第２のレーザ光を吸収できる他の保護フィルムを用いてもよい。例えば、ＰＥＴ(Polyethylene Terephthalate)を採用することができる。また、ＴＦＴ側偏光板７をＴＦＴ基板２に貼り付けるとともに、ＴＦＴ側偏光板７の外面に当該保護フィルムを貼り付けてもよい。貼り付ける保護フィルムは、一枚または複数枚であってもよい。ＴＦＴ側偏光板７の外面に保護フィルムを貼り付ける場合には、保護フィルムは、液晶パネル１４の使用時に剥がせるものを用いる。
次に、カラーフィルタ基板３の外面にカラーフィルタ側偏光板８を貼り付ける。カラーフィルタ側偏光板８とは、特定の振動方向に振動する光のみを通す直線偏光特性を有するシートである。また、カラーフィルタ側偏光板８は、カラーフィルタ基板３の外面を保護する機能を有する。例えば、ＴＦＴ側偏光板７と同じ材質のものを用いる。
【００２０】
このように、本実施形態では、分断前の液晶ガラス基板１にＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８を貼り付けるようにした。そのため、全体として強度を向上することができる。それゆえ、液晶ガラス基板１が薄い・大きい等の要因により、液晶ガラス基板１の強度が低い場合でも、液晶ガラス基板１の取り扱いが容易になる。
また、本実施形態では、液晶ガラス基板１を分断する前に、液晶ガラス基板１の外面に大判のＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８を一括に貼り付けるようにした。そのため、液晶ガラス基板１の分断後に、分断した液晶ガラス基板１の一つ一つにＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８を貼り付ける方法に比べ、ＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８の貼り付けに要する手間が少なくて済む。
【００２１】
（第２の工程）
次に、第２の工程を実行する。
図３は、第２の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。図３（ａ）は、ＴＦＴ基板２に第１のレーザ光を照射する工程の説明に用いる側面図である。図３（ｂ）は、ＴＦＴ基板２に改質領域を形成した状態の説明に用いる側面図である。図３（ｃ）は、カラーフィルタ基板３に第１のレーザ光を照射する工程の説明に用いる側面図である。図３（ｄ）は、カラーフィルタ基板３に改質領域を形成した状態の説明に用いる側面図である。図４および図５は、比較例を示す液晶ガラス基板１の側面図である。図６は、本実施形態の第２の工程の変形例を示す液晶ガラス基板１の側面図である。
第２の工程では、まず、図３（ａ）に示すように、第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７を透過させ、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ基板２内に集光する。
【００２２】
ここで、第１のレーザ光には、ＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８を透過しやすく、ＴＦＴ基板２およびカラーフィルタ基板３で吸収されやすい性質のパルスレーザを用いる。例えば、ＴＦＴ基板２およびカラーフィルタ基板３が、ガラス種類：０Ａ１０、ガラス厚：１００μｍである場合には、第１のレーザ光として、レーザ種類：フェムト秒レーザ、波長：８００ｎｍ、パルス繰り返し数：５ｋＨｚ、パルス幅：１００フェムト秒、パルスエネルギ３μＪ、スキャン速度：１ｍｍ/秒、レンズ開口数：ＮＡ０．８のものを採用する。また、第１のレーザ光の振動方向は、ＴＦＴ側偏光板７が通す光の振動方向と同一方向に設定する。即ち、第１のレーザ光の偏光面を、ＴＦＴ側偏光板７の偏光面と同一方向に設定する。これにより、第１のレーザ光が、ＴＦＴ側偏光板７で遮られることなく、ＴＦＴ側偏光板７を通過して、ＴＦＴ基板２に到達する。
【００２３】
また、第１のレーザ光の集光には、第１のレーザ照射機構９を利用する。ここで、第１のレーザ照射機構９とは、第１のレーザ光源（不図示）から出射される第１のレーザ光をＴＦＴ基板２の外面側、つまり、ＴＦＴ側偏光板７が貼り付けられている面側から当該面に垂直に入射する方向に照射し、照射した第１のレーザ光をレンズ１０でＴＦＴ基板２内に集光する機構である。そして、第１のレーザ照射機構９に、ＴＦＴ基板２内の分断予定線Ｕ１〜Ｕ３それぞれに沿った位置にレーザ光を集光させ、第１のレーザ照射機構９を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ基板２の端から端まで移動させる。これにより、第１のレーザ光の集光領域を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ基板２の端から端まで移動させる。そして、図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板２内に分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿って多光子吸収による改質領域Ｕ１ａ〜Ｕ３ａを形成する。改質領域Ｕ１ａ〜Ｕ３ａとは、微細なクラックが発生する領域である。
【００２４】
このように、本実施形態では、第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７を透過させてＴＦＴ基板２に照射し、ＴＦＴ基板２内に改質領域Ｕ１ａ〜Ｕ３ａを形成するようにした。それゆえ、例えば、物理的にスクライブ溝を形成する方法と異なり、ＴＦＴ基板２に分断の起点となる起点部を形成する際に、ＴＦＴ基板２に押圧力がかかることを抑制できる。その結果、ＴＦＴ基板２が分断予定線Ｕ１〜Ｕ３と異なる位置で割れることを抑制できる。
ちなみに、図４に示すように、ＴＦＴ側偏光板７を帯状に除去し、表出したＴＦＴ基板２の帯状領域に沿って、ホイールカッタ１１によりＴＦＴ基板２の外面にスクライブ溝を形成する方法では、スクライブ溝の形成時に、ＴＦＴ基板２に押圧力が作用する。それゆえ、スクライブ溝を形成する位置の裏側のカラーフィルタ側偏光板８が切削され、当該位置においてＴＦＴ基板２およびカラーフィルタ基板３を補強するものがない場合には、液晶ガラス基板１が撓んで分断予定線Ｕ１〜Ｕ３と異なる位置で割れてしまう。
【００２５】
また、本実施形態では、第１のレーザ光の照射を、ＴＦＴ基板２を表出させる前に行うようにした。そのため、表出したＴＦＴ基板２の両脇の、除去されずに残ったＴＦＴ側偏光板７の部分による第１のレーザ光の散乱を防止できる。
ちなみに、図５に示すように、第１のレーザ光の照射を、ＴＦＴ基板２を表出させた後に行う方法では、表出したＴＦＴ基板２の両脇の、除去されずに残ったＴＦＴ側偏光板７の部分に第１のレーザ光が入射した場合、入射した第１のレーザ光が散乱する。それゆえ、第１のレーザ光をＴＦＴ基板２内に適切に集光できない。そのため、ＴＦＴ基板２内に分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿って改質領域Ｕ１ａ〜Ｕ３ａを形成できない。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１のレーザ光を、カラーフィルタ側偏光板８を透過させ、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ基板３内に集光する。
ここで、第１のレーザ光の振動方向は、第１のレーザ光をＴＦＴ基板２に照射する場合と同様に、カラーフィルタ側偏光板８が通す光の振動方向と同一方向に設定する。即ち、第１のレーザ光の偏光面を、カラーフィルタ側偏光板８の偏光面と同一方向に設定する。これにより、第１のレーザ光が、カラーフィルタ側偏光板８で遮られることなく、カラーフィルタ側偏光板８を通過して、カラーフィルタ基板３に到達する。
【００２７】
また、第１のレーザ光の照射には、第１のレーザ照射機構９を利用する。ここで、第１のレーザ照射機構９を利用するにあたり、液晶ガラス基板１に対する第１のレーザ光の照射方向を変更する。具体的には、第１のレーザ照射機構９により、第１のレーザ光源から出射される第１のレーザ光をカラーフィルタ基板３の外面側、つまり、カラーフィルタ側偏光板８が貼り付けられている面側から当該面に垂直に入射する方向に照射し、照射した第１のレーザ光をレンズ１０でカラーフィルタ基板３内に集光する。そして、第１のレーザ照射機構９に、カラーフィルタ基板３内の分断予定線Ｑ１に沿った位置にレーザ光を集光させ、第１のレーザ照射機構９を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ基板３の端から端まで移動させる。これにより、第１のレーザ光の集光領域を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ基板３の端から端まで移動させる。そして、図３（ｄ）に示すように、カラーフィルタ基板３内に分断予定線Ｑ１に沿って多光子吸収による改質領域Ｑ１ａを形成する。これによって、ＴＦＴ基板２の改質領域Ｕ１ａとカラーフィルタ基板３の改質領域Ｑ１ａとが、液晶ガラス基板１の厚さ方向で互いに対向する位置に形成される。
【００２８】
このように、本実施形態では、カラーフィルタ基板３の内部に改質領域を形成する際に、カラーフィルタ基板３側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、第２の偏光板を透過させてカラーフィルタ基板３に照射するようにした。それゆえ、例えば、ＴＦＴ基板２側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、ＴＦＴ基板２を透過させてカラーフィルタ基板３の内部に集光する方法と異なり、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に、エネルギー密度の高い第１のレーザ光が透過することを回避できる。そのため、第１のレーザ光により、液晶やシール材６等、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に配されている部材が損傷することを防止できる。
また、本実施形態では、ＴＦＴ基板２の改質領域とカラーフィルタ基板３の改質領域とを、液晶ガラス基板１の厚さ方向で互いに対向する位置に形成するようにした。それゆえ、液晶ガラス基板１を厚さ方向に分断し易いものとすることができる。
【００２９】
なお、本実施形態では、カラーフィルタ基板３に、カラーフィルタ基板３の外面側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、カラーフィルタ側偏光板８を透過させてカラーフィルタ基板３の内部に集光する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図６に示すように、カラーフィルタ基板３に、ＴＦＴ基板２の外面側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７およびＴＦＴ基板２を透過させてカラーフィルタ基板３の内部に集光してもよい。そのようにすれば、ＴＦＴ基板２の内部に改質領域を形成する際には、ＴＦＴ基板２側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７を透過させてＴＦＴ基板２の内部に集光することになる。また、カラーフィルタ基板３の内部に改質領域を形成する際には、ＴＦＴ基板２側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７およびＴＦＴ基板２を透過させてカラーフィルタ基板３の内部に集光することになる。それゆえ、ＴＦＴ基板２の内部に改質領域を形成する際と、カラーフィルタ基板３の内部に改質領域を形成する際とで、液晶ガラス基板１に対する第１のレーザ光の照射方向が同一方向となる。そのため、液晶ガラス基板１に対する第１のレーザ光の照射方向を変更せずに済む。
【００３０】
さらに、カラーフィルタ基板３の内部に改質領域を形成する際に、ＴＦＴ基板２側から第１のレーザ光を照射し、第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７およびＴＦＴ基板２を透過させてカラーフィルタ基板３の内部に集光する場合には、シール材６として、第１のレーザ光を透過させる材料で形成したシール材を用いてもよい。そのようにすれば、カラーフィルタ基板３の内部に改質領域を形成する際、ＴＦＴ側偏光板７およびＴＦＴ基板２を透過した第１のレーザ光をシール材が遮ることを防止できる。
【００３１】
（第３の工程）
次に、第３の工程を実行する。
図７は、第３の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。図７（ａ）は、ＴＦＴ側偏光板７に第２のレーザ光を照射する工程の説明に用いる側面図である。図７（ｂ）は、ＴＦＴ側偏光板７を融除した状態の説明に用いる側面図である。図７（ｃ）は、カラーフィルタ側偏光板８に第２のレーザ光を照射する工程の説明に用いる側面図である。図７（ｄ）はカラーフィルタ側偏光板８を融除した状態の説明に用いる側面図である。
【００３２】
第３の工程では、まず、図７（ａ）に示すように、第２のレーザ光を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７内に集光する。
ここで、第２のレーザ光としては、ＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８で吸収されやすい性質のパルスレーザを用いる。例えば、ＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８が、材質：樹脂製偏光板、板厚：２００μｍである場合には、第２のレーザ光として、レーザ種類：ＹＡＧレーザ第三高調波、波長：３５５ｎｍ、パルス繰り返し数５０ｋＨｚ、パルス幅：６０ナノ秒、パルスエネルギ：５０μＪ、スキャン速度：５０ｍｍ/秒、レンズ焦点距離：ｆ＝４０ｍｍ開口数ＮＡ０．８のものを採用する。
【００３３】
また、第２のレーザ光の集光には、第２のレーザ照射機構１２を利用する。第２のレーザ照射機構１２とは、第２のレーザ光源（不図示）から出射される第２のレーザ光をＴＦＴ側偏光板７の外面、つまり、ＴＦＴ基板２と接する面の反対面側から当該反対面に垂直に入射する方向に照射し、照射した第２のレーザ光をレンズ１３でＴＦＴ側偏光板７内に集光する機構である。そして、第２のレーザ照射機構１２に、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３それぞれに対向するＴＦＴ側偏光板７の部分にレーザ光を集光させ、第２のレーザ照射機構１２を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。これにより、第２のレーザ光の集光領域を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。そして、図７（ｂ）に示すように、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７を帯状に融除する。つまり、第１のレーザ光の集光によって改質領域を形成した部分で液晶ガラス基板１を分断した場合に、ＴＦＴ基板２に形成される分断面とＴＦＴ基板２の外面とが交差する分断予定線Ｕ１〜Ｕ３に対向するＴＦＴ側偏光板７の部分を、ＴＦＴ基板２の外面から除去する。
【００３４】
なお、本実施形態では、第２のレーザ光をＴＦＴ側偏光板７内に集光し、ＴＦＴ側偏光板７を分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿って帯状に融除する例を示したが、他の方法を採用することもできる。例えば、ＴＦＴ側偏光板７を切削可能な剥離カッタを用いて、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７を帯状に切削してもよい。
次に、図７（ｃ）に示すように、第２のレーザ光を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィル側偏光板８に照射する。
【００３５】
第２のレーザ光の照射には、第２のレーザ照射機構１２を利用する。ここで、第２のレーザ照射機構１２を利用するにあたり、液晶ガラス基板１に対する第２のレーザ光の照射方向を変更する。具体的には、第２のレーザ照射機構１２により、第２のレーザ光源から出射される第２のレーザ光をカラーフィルタ側偏光板８の外面、つまり、カラーフィルタ基板３と接する面の反対面側から当該反対面に垂直に入射する方向に照射し、照射した第２のレーザ光をレンズ１３でＴＦＴ側偏光板７内に集光する。そして、第２のレーザ照射機構１２に、分断予定線Ｑ１に対向するカラーフィルタ側偏光板８の部分にレーザ光を集光させ、第２のレーザ照射機構１２を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ側偏光板８の端から端まで移動させる。これにより、第２のレーザ光の集光領域を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ側偏光板８の端から端まで移動させる。そして、図７（ｄ）に示すように、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ側偏光板８を帯状に融除する。つまり、第１のレーザ光の集光によって改質領域を形成した部分で液晶ガラス基板１を分断した場合に、カラーフィルタ基板３に形成される分断面とカラーフィルタ基板３の外面とが交差する分断予定線Ｑ１に対向するカラーフィルタ側偏光板８の部分を、カラーフィルタ基板３の外面から除去する。
【００３６】
（第４工程）
次に、第４の工程を実行する。
図８は、第４の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。図８（ａ）は、液晶ガラス基板１に負荷を付与する工程の説明に用いる側面図である。図８（ｂ）は、液晶ガラス基板１を分断した状態の説明に用いる側面図である。
第４の工程では、図８（ａ）に示すように、液晶ガラス基板１に負荷を付与する。
ここで、液晶ガラス基板１への負荷の付与は、例えば、液晶ガラス基板１の分断予定線Ｕ１〜Ｕ３、Ｑ１に沿って液晶ガラス基板１に曲げ応力やせん断応力を加える方法、液晶ガラス基板１に温度差を与えて熱応力を発生させる方法を利用する。これにより、図８（ｂ）に示すように、各改質領域Ｕ１ａ〜Ｕ３ａ、Ｑ１ａに沿って液晶ガラス基板１が分断され、２つの液晶パネル１４が完成する。ここで、各液晶パネル１４は、一対のＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５を含んで構成される。
【００３７】
このようにして完成した液晶パネル１４は、ＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５それぞれの外面ほぼ全域にわたってＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８それぞれが貼り付けられた状態となる。これにより、液晶パネル１４の分断時に、液晶パネル１４の表面に異物が付着することを防止できる。
また、液晶パネル１４の流動時に、液晶パネル１４の外面に傷が付くことを防止できる。それゆえ、液晶パネル１４の傷を防止することで、当該傷により液晶パネル１４の表面強度（つまり、抗折強度）が低下することを防止できる。
【００３８】
ここで、本実施形態では、図２の液晶ガラス基板１が加工対象物を構成する。以下同様に、図２のＴＦＴ側偏光板７が保護シート、偏光板および第１の偏光板を構成する。図２のＴＦＴ基板２が第１の基板を構成する。また、図２のカラーフィルタ基板３が第２の基板を構成する。さらに、図２のカラーフィルタ側偏光板８が第２の偏光板を構成する。
なお、本実施形態では、本発明を、液晶パネル１４の製造に適用する例を示したが、他の製造対象物の製造に適用することもできる。例えば、有機ＥＬ(Electro Luminescence)ディスプレイ、データ写し込み装置、ライトバルブ、タッチパネル等、各種表示パネルの製造に用いてもよい。また、例えば、インクジェットヘッド、マイクロトータルアナリシスに用いられる流路構造等、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)の製造に用いてもよい。ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)とは、機械要素部品、センサー、アクチュエータ、電子回路を一つのシリコン基板、ガラス基板、有機材料等の上に集積化したデバイスである。
【００３９】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、前記第１実施形態と同様な構成等については、同一の符号を付して説明する。
この第２実施形態では、改質領域Ｕ１ａ〜Ｕ３ａに代えて、液晶ガラス基板１の外面に、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３、Ｑ１のそれぞれに沿って液晶ガラス基板１の分断の起点となるスクライブ溝Ｕ１ｂ〜Ｕ３ｂ、Ｑ１を形成する点が、前記第１実施形態と異なる。
具体的には、前記第１実施形態とは、第１の工程が共通であるが、第２の工程、第３の工程および第４の工程が異なっている。
【００４０】
（第２の工程）
図９は、第２実施形態における、第２の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。図９（ａ）は、ＴＦＴ基板２に第１のレーザ光を照射する工程の説明に用いる側面図である。図９（ｂ）は、ＴＦＴ基板２にスクライブ溝を形成した状態の説明に用いる側面図である。図９（ｃ）は、カラーフィルタ基板３に第１のレーザ光を照射する工程の説明に用いる側面図である。図９（ｄ）は、カラーフィルタ基板３にスクライブ溝を形成した状態の説明に用いる側面図である。
第２の工程では、まず図９（ａ）に示すように、第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７を透過させ、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ基板２の外面に集光する。
ここで、第１のレーザ光の振動方向は、ＴＦＴ側偏光板７が通す光の振動方向と同一方向に設定する。即ち、第１のレーザ光の偏光面を、ＴＦＴ側偏光板７の偏光面と同一方向に設定する。これにより、第１のレーザ光が、ＴＦＴ側偏光板７で遮られることなく、ＴＦＴ側偏光板７を通過して、ＴＦＴ基板２に到達する。
【００４１】
また、第１のレーザ光の照射には、第３のレーザ照射機構１５を利用する。第３のレーザ照射機構１５とは、第３のレーザ光源（不図示）から出射される第１のレーザ光をＴＦＴ基板２の外面、つまり、ＴＦＴ側偏光板７が貼り付けられている面側から当該面に垂直に入射する方向に照射し、照射した第１のレーザ光をレンズ１６でＴＦＴ基板２の外面に集光する機構である。そして、第３のレーザ照射機構１５に、ＴＦＴ基板２上の分断予定線Ｕ１〜Ｕ３それぞれにレーザ光を集光させ、第３のレーザ照射機構１５を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ基板２の端から端まで移動させる。これにより、第１のレーザ光の集光領域を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ基板２の端から端まで移動させる。そして、図９（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板２の外面に分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿って微細クラック領域（除去領域）を形成する。これによって、ＴＦＴ基板２の外面に微細な亀裂を設け、スクライブ溝Ｕ１ｂ〜Ｕ３ｂを形成する。スクライブ溝Ｕ１ｂ〜Ｕ３ｂでは、ＴＦＴ基板２の外面から１０ミクロン程度の深さの領域がサブミクロンレベルに粉砕され、ＴＦＴ側偏光板７との間に詰まった状態となっている。
【００４２】
このように、本実施形態では、第１のレーザ光を、ＴＦＴ側偏光板７を透過させてＴＦＴ基板２に照射し、ＴＦＴ基板２の外面にスクライブ溝Ｕ１ｂ〜Ｕ３ｂを形成するようにした。それゆえ、例えば、物理的にスクライブ溝を形成する方法と異なり、ＴＦＴ基板２に分断の起点となる起点部を形成する際に、ＴＦＴ基板２に押圧力がかかることを抑制できる。その結果、ＴＦＴ基板２が分断予定線Ｕ１〜Ｕ３と異なる位置で割れることを抑制できる。
【００４３】
次に、図９（ｃ）に示すように、第１のレーザ光を、カラーフィルタ側偏光板８を透過させ、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ基板３の外面に集光する。
ここで、第１のレーザ光の振動方向は、第１のレーザ光をＴＦＴ基板２に照射する場合と同様に、カラーフィルタ側偏光板８が通す光の振動方向と同一方向に設定する。即ち、第１のレーザ光の偏光面を、カラーフィルタ側偏光板８の偏光面と同一方向に設定する。これにより、第１のレーザ光が、カラーフィルタ側偏光板８で遮られることなく、カラーフィルタ側偏光板８を通過して、カラーフィルタ基板３に到達する。
【００４４】
また、第１のレーザ光の照射には、第３のレーザ照射機構１５を利用する。ここで、第３のレーザ照射機構１５を利用するにあたり、液晶ガラス基板１に対する第１のレーザ光の照射方向を変更する。具体的には、第３のレーザ照射機構１５により、第３のレーザ光源から出射される第１のレーザ光をカラーフィルタ基板３の外面、つまり、カラーフィルタ側偏光板８が貼り付けられている面側から当該面に垂直に入射する方向に照射し、照射した第１のレーザ光をレンズ１６でカラーフィルタ基板３の外面に集光する。そして、第３のレーザ照射機構１５に、カラーフィルタ基板３上の分断予定線Ｑ１にレーザ光を集光させ、第１のレーザ照射機構９を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ基板３の端から端まで移動させる。これにより、第１のレーザ光の集光領域を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ基板３の端から端まで移動させる。そして、図９（ｄ）に示すように、カラーフィルタ基板３の外面に分断予定線Ｑ１に沿って微細クラック領域（除去領域）を形成する。これによって、カラーフィルタ基板３の外面に微細な亀裂を設け、スクライブ溝Ｑ１ｂを形成する。
【００４５】
（第３の工程）
図１０は、第２実施形態における、第３の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。図１０（ａ）は、ＴＦＴ側偏光板７に第２のレーザ光を照射する工程の説明に用いる側面図である。図１０（ｂ）は、ＴＦＴ側偏光板７を融除した状態の説明に用いる側面図である。図１０（ｃ）は、カラーフィルタ側偏光板８に第２のレーザ光を照射する工程の説明に用いる側面図である。図１０（ｄ）は、カラーフィルタ側偏光板８を融除した状態の説明に用いる側面図である。
第３の工程では、図１０（ａ）に示すように、第２のレーザ光を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７内に集光する。
【００４６】
ここで、第２のレーザ光の集光には、第４のレーザ照射機構１７を利用する。第４のレーザ照射機構１７とは、第４のレーザ光源（不図示）から出射される第２のレーザ光をＴＦＴ側偏光板７の外面、つまり、ＴＦＴ基板２と接する面の反対面側から当該反対面に垂直に入射する方向に照射し、照射した第２のレーザ光をレンズ１８でＴＦＴ側偏光板７内に集光する機構である。そして、第４のレーザ照射機構１７に、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３それぞれと対向するＴＦＴ側偏光板７の部分にレーザ光を集光させ、第４のレーザ照射機構１７を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。これにより、第２のレーザ光の集光領域を、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７の端から端まで移動させる。そして、図１０（ｂ）に示すように、分断予定線Ｕ１〜Ｕ３のそれぞれに沿ってＴＦＴ側偏光板７を帯状に融除する。つまり、ＴＦＴ側偏光板７のうち、スクライブ溝Ｕ１ｂ〜Ｕ３ｂの開口部と対向するＴＦＴ側偏光板７の部分をＴＦＴ基板２の外面から除去する。
【００４７】
次に、図１０（ｃ）に示すように、第２のレーザ光を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ側偏光板８に集光する。
第２のレーザ光の集光には、第４のレーザ照射機構１７を利用する。ここで、第４のレーザ照射機構１７を利用するにあたり、液晶ガラス基板１に対する第２のレーザ光の照射方向を変更する。具体的には、第４のレーザ照射機構１７により、第４のレーザ光源から出射される第２のレーザ光をカラーフィルタ側偏光板８の外面、つまり、カラーフィルタ基板３と接する面の反対面側から当該反対面に垂直に入射する方向に照射し、照射した第２のレーザ光をレンズ１８でカラーフィルタ側偏光板８内に集光する。そして、第４のレーザ照射機構１７に、分断予定線Ｑ１と対向するカラーフィルタ側偏光板８の部分にレーザ光を集光させ、第４のレーザ照射機構１７を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ側偏光板８の端から端まで移動させる。これにより、第２のレーザ光の集光領域を、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ側偏光板８の端から端まで移動させる。そして、図１０（ｄ）に示すように、分断予定線Ｑ１に沿ってカラーフィルタ側偏光板８を帯状に融除する。つまり、カラーフィルタ偏光板８のうち、スクライブ溝Ｑ１ｂの開口部と対向するカラーフィルタ側偏光板８の部分をカラーフィルタ基板３の外面から除去する。
【００４８】
（第４工程）
図１１は、第４の工程の説明に用いる液晶ガラス基板１の側面図である。図１１（ａ）は、液晶ガラス基板１に負荷を付与する工程の説明に用いる側面図である。図１１（ｂ）は、液晶ガラス基板１を分断した状態の説明に用いる側面図である。
第４の工程では、図１１（ａ）に示すように、液晶ガラス基板１に負荷を付与する。
ここで、液晶ガラス基板１への負荷の付与は、例えば、液晶ガラス基板１の分断予定線Ｕ１〜Ｕ３、Ｑ１に沿って液晶ガラス基板１に曲げ応力やせん断応力を加える方法、液晶ガラス基板１に温度差を与えて熱応力を発生させる方法を利用する。これにより、図１１（ｂ）に示すように、各スクライブ溝Ｕ１ｂ〜Ｕ３ｂ、Ｑ１ｂに沿って液晶ガラス基板１が分断され、２つの液晶パネル１４が完成する。
【００４９】
このようにして完成した液晶パネル１４は、ＴＦＴ基板セル４およびカラーフィルタ基板セル５それぞれの外面ほぼ全域にわたってＴＦＴ側偏光板７およびカラーフィルタ側偏光板８それぞれが貼り付けられた状態となる。これにより、液晶パネル１４の分断時に、液晶パネル１４の表面に異物が付着することを防止できる。
また、液晶パネル１４の流動時に、液晶パネル１４の外面に傷が付くことを防止できる。それゆえ、液晶パネル１４の傷を防止することで、当該傷により液晶パネル１４の表面強度（つまり、抗折強度）が低下することを防止できる。
ここで、本実施形態では、図９の液晶ガラス基板１が加工対象物を構成する。以下同様に、図９のＴＦＴ側偏光板７が保護シート、偏光板および第１の偏光板を構成する。図９のＴＦＴ基板２が第１の基板を構成する。また、図９のカラーフィルタ基板３が第２の基板を構成する。さらに、図９のカラーフィルタ側偏光板８が第２の偏光板を構成する。
【符号の説明】
【００５０】
１は液晶ガラス基板（加工対象物）、２はＴＦＴ基板（第１の基板）、３はカラーフィルタ基板（第２の基板）、４はＴＦＴ基板セル、５はカラーフィルタ基板セル、６はシール材（シール材）、７はＴＦＴ側偏光板（保護シート、偏光板、第１の偏光板）、８はカラーフィルタ側偏光板（保護シート、第２の偏光板）、９は第１のレーザ照射機構、１０はレンズ、１１はホイールカッタ、１２は第２のレーザ照射機構、１３はレンズ、１４は液晶パネル（製造対象物）、１５は第３のレーザ照射機構、１６はレンズ、１７は第４のレーザ照射機構、１８はレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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