(57)【要約】【課題】センシング部からの信号を処理する回路部を保護するとともに組付作業性を向上させ得るセンサチップおよびその製造方法並びに圧力センサを提供する。【解決手段】センシング部４０ａは、基準室用凹部４１ｂおよび歪みゲージ４４を近接させるように第１のシリコン基板４１の一側面４１ａと第２のシリコン基板４２の一側面４２ａとを貼り合わせることで基準室用凹部４１ｂおよび一側面４２ａにより密閉されて形成される圧力基準室４６を備えるとともに、この圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から回路部４５に入力されるように構成される。そして、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂには、回路部４５からの信号を取り出すための貫通電極４８が形成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力媒体の圧力を検出可能なセンシング部を備えるセンサチップであって、
基準室用凹部が一側面に形成される第１の基板と、圧力検出部が形成されてダイアフラムとして機能する薄肉部と前記圧力検出部からの信号を処理するための回路部とが一側面に形成される第２の基板とを備えており、
前記センシング部は、前記基準室用凹部および前記圧力検出部を近接させるように前記第１の基板の前記一側面と前記第２の基板の前記一側面とを貼り合わせることで前記基準室用凹部および前記第２の基板の前記一側面により密閉されて形成される圧力基準室を備えるとともに、この圧力基準室の基準圧力と前記圧力媒体の圧力との圧力差に基づく前記ダイアフラムの変位に応じた信号が前記圧力検出部から前記回路部に入力されるように構成され、
前記第２の基板の他側面には、前記回路部からの信号を取り出すための電極が形成されることを特徴とするセンサチップ。
【請求項２】
圧力媒体の圧力を検出可能なセンシング部を備えるセンサチップであって、
圧力検出部が形成されてダイアフラムとして機能する薄肉部が一側面に形成される第１の基板と、前記圧力検出部からの信号を処理するための回路部と基準室用凹部とが一側面に形成される第２の基板とを備えており、
前記センシング部は、前記薄肉部および前記基準室用凹部を近接させるとともに前記圧力検出部および前記回路部を電気的に接続するように前記第１の基板の前記一側面と前記第２の基板の前記一側面とを貼り合わせることで前記薄肉部および前記基準室用凹部により密閉されて形成される圧力基準室を備えるとともに、この圧力基準室の基準圧力と前記圧力媒体の圧力との圧力差に基づく前記ダイアフラムの変位に応じた信号が前記圧力検出部から前記回路部に入力されるように構成され、
前記第２の基板の他側面には、前記回路部からの信号を取り出すための電極が形成されることを特徴とするセンサチップ。
【請求項３】
前記回路部は、前記電極周囲にノイズを除去するためのキャパシタを備えることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサチップ。
【請求項４】
前記回路部が形成される前記一側面は、面方位が（１１０）面であり、
前記回路部を構成する各拡散抵抗は、＜１１０＞軸方向に対して４５°傾斜する方向に配置されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセンサチップ。
【請求項５】
圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部を有するセンシング部とこのセンシング部からの信号を処理するための回路部とを備えるセンサチップの製造方法であって、
基準室用凹部を第１の基板の一側面に形成する第１工程と、
前記圧力検出部とこの圧力検出部に電気的に接続されて当該圧力検出部からの信号を処理するための回路部とを第２の基板の一側面に形成する第２工程と、
前記基準室用凹部と前記圧力検出部とを近接させるように前記第１の基板の前記一側面と前記第２の基板の前記一側面とを貼り合わせることにより前記基準室用凹部と前記第２の基板の前記一側面とでもって前記圧力基準室を形成する第３工程と、
前記第２の基板の他側面から前記圧力検出部近傍の厚さを薄くするダイアフラム用凹部を形成することにより前記ダイアフラムを構成するとともに前記回路部の外部接続用端子を露出するための電極用凹部を形成する第４工程と、
前記外部接続用端子を介して前記回路部から信号を取り出すための電極を前記電極用凹部および前記第２の基板の前記他側面に形成する第５工程と、
を備えることを特徴とするセンサチップの製造方法。
【請求項６】
圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部を有するセンシング部とこのセンシング部からの信号を処理するための回路部とを備えるセンサチップの製造方法であって、
前記圧力検出部を第１の基板の一側面に形成する第１工程と、
前記第１の基板の他側面から前記圧力検出部近傍の厚さを薄くすることにより前記ダイアフラムとして機能する薄肉部を形成する第２工程と、
前記圧力検出部からの信号を処理するための回路部と基準室用凹部とを第２の基板の一側面に形成する第３工程と、
前記薄肉部と前記基準室用凹部とを近接させるように前記第１の基板の前記一側面と前記第２の基板の前記一側面とを貼り合わせることにより前記薄肉部と前記基準室用凹部とでもって前記圧力基準室を形成するとともに前記圧力検出部および前記回路部を電気的に接続する第４工程と、
前記第２の基板の他側面から前記回路部の外部接続用端子を露出するための電極用凹部を形成する第５工程と、
前記外部接続用端子を介して前記回路部から信号を取り出すための電極を前記電極用凹部および前記第２の基板の前記他側面に形成する第６工程と、
を備えることを特徴とするセンサチップの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のセンサチップ又は請求項５および６のいずれか一項に記載のセンサチップの製造方法にて製造されるセンサチップと、
前記圧力媒体を導入するための圧力導入通路が形成されてこの圧力導入通路に前記センシング部を露出させるように前記センサチップが取り付けられるケースと、
を備える圧力センサであって、
前記ケースの内面のうち前記センサチップを取り付けるための取付面には、前記センシング部からの信号を取り出すための配線部材が形成されており、
前記センサチップは、前記電極を前記配線部材に電気的に接続させた状態で前記第２の基板の他側面にて前記取付面に取り付けられることを特徴とする圧力センサ。
【請求項８】
前記センサチップのうち前記センシング部および前記電極の間の部分と前記取付面との間に、接着部材として機能するガラス部材を配置することで、当該センサチップが前記取付面に取り付けられるとともに、
前記ガラス部材により、前記センシング部と前記配線部材とが仕切られていることを特徴とする請求項７に記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力媒体の圧力を検出可能なセンシング部を含む部位のみが圧力媒体中に露出するセンサチップおよびその製造方法並びに圧力センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、圧力媒体の圧力を検出可能なセンシング部を含む部位のみが圧力媒体中に露出するセンサチップに関する技術として、例えば、下記特許文献１に開示される半導体圧力センサがある。この半導体圧力センサのセンサチップは、台座用ガラスの上にシリコン基板を設け、このシリコン基板の被測定媒体（圧力媒体）と接触する部位に、被測定媒体の圧力に応じて変位するダイアフラム部を形成してなるセンシング部を備えている。そして、センサチップのうちセンシング部を含む部位のみが被測定媒体中に露出するように、センサチップとハウジングとの間が低融点ガラスからなる封止部材で気密封着されている。
【０００３】
そして、ダイアフラム部の変位に基づく応力が歪みゲージに加わって、その圧力に応じた電気信号がボンディングワイヤを介して他の基板の増幅回路へ出力される。この増幅回路にて増幅された電気信号は、ターミナル等を介して外部装置へ出力される。
【特許文献１】特許第２７９２１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような増幅回路等、センシング部からの信号を処理するための回路部をセンサチップに設ける場合、この回路部を圧力媒体等に起因する汚染から保護するためにセンサチップ内に設ける必要がある。しかしながら、上述のような回路部をセンサチップ内に設けると、この回路部から信号を取り出すための電極が必要になるため、電極を形成する工程が必要になり、さらにこの電極が形成される場所によっては電極に対する電気的接続作業を含めた組付作業が困難になるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、センシング部からの信号を処理する回路部を保護するとともに組付作業性を向上させ得るセンサチップおよびその製造方法並びに圧力センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１の発明では、圧力媒体の圧力を検出可能なセンシング部を備えるセンサチップであって、基準室用凹部が一側面に形成される第１の基板と、圧力検出部が形成されてダイアフラムとして機能する薄肉部と前記圧力検出部からの信号を処理するための回路部とが一側面に形成される第２の基板とを備えており、前記センシング部は、前記基準室用凹部および前記圧力検出部を近接させるように前記第１の基板の前記一側面と前記第２の基板の前記一側面とを貼り合わせることで前記基準室用凹部および前記第２の基板の前記一側面により密閉されて形成される圧力基準室を備えるとともに、この圧力基準室の基準圧力と前記圧力媒体の圧力との圧力差に基づく前記ダイアフラムの変位に応じた信号が前記圧力検出部から前記回路部に入力されるように構成され、前記第２の基板の他側面には、前記回路部からの信号を取り出すための電極が形成されることを特徴とする。
【０００７】
請求項２の発明は、圧力媒体の圧力を検出可能なセンシング部を備えるセンサチップであって、圧力検出部が形成されてダイアフラムとして機能する薄肉部が一側面に形成される第１の基板と、前記圧力検出部からの信号を処理するための回路部と基準室用凹部とが一側面に形成される第２の基板とを備えており、前記センシング部は、前記薄肉部および前記基準室用凹部を近接させるとともに前記圧力検出部および前記回路部を電気的に接続するように前記第１の基板の前記一側面と前記第２の基板の前記一側面とを貼り合わせることで前記薄肉部および前記基準室用凹部により密閉されて形成される圧力基準室を備えるとともに、この圧力基準室の基準圧力と前記圧力媒体の圧力との圧力差に基づく前記ダイアフラムの変位に応じた信号が前記圧力検出部から前記回路部に入力されるように構成され、前記第２の基板の他側面には、前記回路部からの信号を取り出すための電極が形成されることを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明では、請求項１または２に記載のセンサチップにおいて、前記回路部は、前記電極周囲にノイズを除去するためのキャパシタを備えることを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセンサチップにおいて、前記回路部が形成される前記一側面は、面方位が（１１０）面であり、前記回路部を構成する各拡散抵抗は、＜１１０＞軸方向に対して４５°傾斜する方向に配置されることを特徴とする。
【００１０】
請求項５の発明は、圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部を有するセンシング部とこのセンシング部からの信号を処理するための回路部とを備えるセンサチップの製造方法であって、基準室用凹部を第１の基板の一側面に形成する第１工程と、前記圧力検出部とこの圧力検出部に電気的に接続されて当該圧力検出部からの信号を処理するための回路部とを第２の基板の一側面に形成する第２工程と、前記基準室用凹部と前記圧力検出部とを近接させるように前記第１の基板の前記一側面と前記第２の基板の前記一側面とを貼り合わせることにより前記基準室用凹部と前記第２の基板の前記一側面とでもって前記圧力基準室を形成する第３工程と、前記第２の基板の他側面から前記圧力検出部近傍の厚さを薄くするダイアフラム用凹部を形成することにより前記ダイアフラムを構成するとともに前記回路部の外部接続用端子を露出するための電極用凹部を形成する第４工程と、前記外部接続用端子を介して前記回路部から信号を取り出すための電極を前記電極用凹部および前記第２の基板の前記他側面に形成する第５工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項６の発明は、圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部を有するセンシング部とこのセンシング部からの信号を処理するための回路部とを備えるセンサチップの製造方法であって、前記圧力検出部を第１の基板の一側面に形成する第１工程と、前記第１の基板の他側面から前記圧力検出部近傍の厚さを薄くすることにより前記ダイアフラムとして機能する薄肉部を形成する第２工程と、前記圧力検出部からの信号を処理するための回路部と基準室用凹部とを第２の基板の一側面に形成する第３工程と、前記薄肉部と前記基準室用凹部とを近接させるように前記第１の基板の前記一側面と前記第２の基板の前記一側面とを貼り合わせることにより前記薄肉部と前記基準室用凹部とでもって前記圧力基準室を形成するとともに前記圧力検出部および前記回路部を電気的に接続する第４工程と、前記第２の基板の他側面から前記回路部の外部接続用端子を露出するための電極用凹部を形成する第５工程と、前記外部接続用端子を介して前記回路部から信号を取り出すための電極を前記電極用凹部および前記第２の基板の前記他側面に形成する第６工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項７の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセンサチップ又は請求項５および６のいずれか一項に記載のセンサチップの製造方法にて製造されるセンサチップと、前記圧力媒体を導入するための圧力導入通路が形成されてこの圧力導入通路に前記センシング部を露出させるように前記センサチップが取り付けられるケースと、を備える圧力センサであって、前記ケースの内面のうち前記センサチップを取り付けるための取付面には、前記センシング部からの信号を取り出すための配線部材が形成されており、前記センサチップは、前記電極を前記配線部材に電気的に接続させた状態で前記第２の基板の他側面にて前記取付面に取り付けられることを特徴とする。
【００１３】
請求項８の発明は、請求項７に記載の圧力センサにおいて、前記センサチップのうち前記センシング部および前記電極の間の部分と前記取付面との間に、接着部材として機能するガラス部材を配置することで、当該センサチップが前記取付面に取り付けられるとともに、前記ガラス部材により、前記センシング部と前記配線部材とが仕切られていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１の発明では、センシング部は、基準室用凹部および圧力検出部を近接させるように第１の基板の一側面と第２の基板の一側面とを貼り合わせることで基準室用凹部および第２の基板の一側面により密閉されて形成される圧力基準室を備えるとともに、この圧力基準室の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号が圧力検出部から回路部に入力されるように構成される。そして、第２の基板の他側面には、回路部からの信号を取り出すための電極が形成される。
【００１５】
これにより、回路部がセンサチップの内部に形成されるので当該回路部を圧力媒体等に起因する汚染から保護することができる。また、回路部からの信号を取り出すための電極が第２の基板の他側面に形成されるので、センサチップをこの他側面にてケースの取付面に取り付ける際にこの取付面に設けられる出力用の配線部材に電極を電気的に接続する場合には、センサチップに対する取付作業および電気的接続作業が同時に実施されるので、センサチップの組付作業性を向上させることができる。
したがって、センシング部からの信号を処理する回路部を保護するとともに組付作業性を向上させることができる。
【００１６】
請求項２の発明では、センシング部は、薄肉部および基準室用凹部を近接させるとともに圧力検出部および回路部を電気的に接続するように第１の基板の一側面と第２の基板の一側面とを貼り合わせることで薄肉部および基準室用凹部により密閉されて形成される圧力基準室を備えるとともに、この圧力基準室の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号が圧力検出部から回路部に入力されるように構成される。そして、第２の基板の他側面には、回路部からの信号を取り出すための電極が形成される。
【００１７】
このようにしても、上記請求項１の発明と同様に、センシング部からの信号を処理する回路部を保護するとともにセンサチップに対する組付作業性を向上させることができる。
【００１８】
請求項３の発明では、回路部は、電極周囲にノイズを除去するためのキャパシタを備えている。電極はノイズの発生源になりやすいので、電極周囲にノイズを除去するためのキャパシタを設けることにより、ノイズの発生を抑制することができる。特に、請求項２の発明では、圧力検出部と回路部とが別基板に設けられるため、回路部が設けられる第２の基板の一側面において電極周囲にキャパシタを広範囲に形成することができるので、キャパシタによるノイズ抑制効果を高めることができる。
【００１９】
請求項４の発明では、回路部が形成される第２の基板の一側面は、面方位が（１１０）面であり、この回路部を構成する各拡散抵抗は、＜１１０＞軸方向に対して４５°傾斜する方向に配置される。このため、センサチップをケースの取付面に接着剤等を介して取り付ける場合、接着剤等を介する応力に基づくピエゾ効果が各拡散抵抗に発生しないので、回路部に対するノイズの発生を抑制することができる。
【００２０】
請求項５の発明では、基準室用凹部が形成される第１の基板の一側面と圧力検出部および回路部が形成される第２の基板の一側面とを貼り合わせることにより圧力基準室が形成される。そして、第２の基板の他側面から圧力検出部近傍の厚さを薄くするダイアフラム用凹部の形成によりダイアフラムが構成されるとともに回路部の外部接続用端子を露出するための電極用凹部が形成される。そして、外部接続用端子を介して回路部から信号を取り出すための電極が電極用凹部および第２の基板の他側面に形成される。
【００２１】
これにより、回路部を内部に収容したセンサチップが製造されるので当該回路部を圧力媒体等に起因する汚染から保護することができる。また、このセンサチップには回路部からの信号を取り出すための電極が第２の基板の他側面に形成されるので、この他側面にてセンサチップをケースの取付面に取り付ける際に電極を取付面に設けられるリードフレーム等の配線部材に電気的に接続することにより、センサチップに対する取付作業および電気的接続作業が同時に実施されるので、センサチップの組付作業性を向上させることができる。
【００２２】
特に、ダイアフラム用凹部および電極用凹部が同一の工程で形成されるので、両凹部が異なる工程で形成される場合と比較して、製造工程が削減されてセンサチップを製造するための製造コストを低減することができる。
【００２３】
請求項６の発明では、圧力検出部および薄肉部が形成される第１の基板の一側面と回路部および基準室用凹部が形成される第２の基板の一側面とを貼り合わせることにより、圧力基準室が形成されるとともに圧力検出部および回路部が電気的に接続される。そして、回路部の外部接続用端子を露出するための電極用凹部が形成される。そして、外部接続用端子を介して回路部から信号を取り出すための電極が電極用凹部および第２の基板の他側面に形成される。
【００２４】
これにより、回路部を内部に収容したセンサチップが製造されるので当該回路部を保護することができる。また、このセンサチップには回路部からの信号を取り出すための電極が第２の基板の他側面に形成されるので、この他側面にてセンサチップをケースの取付面に取り付ける際に電極を取付面に設けられるリードフレーム等の配線部材に電気的に接続することにより、センサチップに対する取付作業および電気的接続作業が同時に実施されるので、センサチップの組付作業性を向上させることができる。
【００２５】
請求項７の発明では、ケースの取付面には、センシング部からの信号を取り出すための配線部材が形成されており、センサチップは、電極を配線部材に電気的に接続させた状態で第２の基板の他側面にて取付面に取り付けられる。
【００２６】
これにより、センサチップを第２の基板の他側面にてケースの取付面に取り付ける際に、上記他側面に設けられる電極を上記取付面に設けられる配線部材に電気的に接続することにより、センサチップに対する取付作業および電気的接続作業が同時に実施されるので、センサチップの組付作業性を向上させることができる。
【００２７】
請求項８の発明では、センサチップのうちセンシング部および電極の間の部分と取付面との間に、接着部材として機能するガラス部材を配置することで、当該センサチップが取付面に取り付けられるとともに、ガラス部材により、センシング部と配線部材とが仕切られている。これにより、圧力導入通路から導入された圧力媒体により、配線部材が腐食などの影響を受けることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明に係る圧力センサの各実施形態について図を参照して説明する。
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。図１は、本第１実施形態に係るセンサチップ４０を採用する圧力センサ１０の全体概略断面図である。
【００２９】
圧力センサ１０は、たとえば自動車に搭載され、燃料圧力、エンジンや駆動系の潤滑用オイル圧、あるいはエアコンの冷媒圧、さらには排気ガス圧等の圧力媒体の被測定圧力を検出する圧力センサ等に適用できる。
【００３０】
図１に示すように、圧力センサ１０は、主に、圧力媒体の圧力に応じた電気信号を出力可能なセンシング部４０ａを有するセンサチップ４０と、このセンシング部４０ａからの信号を取り出すためのリード２２を有するコネクタケース２０と、センサチップ４０が低融点ガラス部材などよりなる接着剤５０を介して支持されてセンシング部４０ａに圧力媒体を導入するための圧力導入通路３１が形成されるハウジング３０と、を備えている。
【００３１】
コネクタケース２０は、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂を型成形することにより略円柱状に形成されている。このコネクタケース２０の一端部側２０ａの下端面中央には、コネクタケース２０の収納空間を構成する凹部２１が形成されている。
【００３２】
また、図１に示すように、コネクタケース２０には、センサチップ４０と外部の回路等とを電気的に接続するための複数個の金属製棒状のリード２２が設けられている。各リード２２の一側端部は、コネクタケース２０の凹部２１の内部に露出して、後述するハウジング３０の各リードフレーム３４を介してセンサチップ４０の各貫通電極４８にそれぞれ電気的に接続されており、それによって、センサチップ４０は、各リード２２を介して外部と電気的に接続可能になっている。
【００３３】
各リード２２は、例えば、黄銅にＮｉメッキ等のメッキ処理を施した材料よりなり、インサートモールドによりコネクタケース２０と一体に成形されてコネクタケース２０内にて保持されている。
【００３４】
また、図１に示すように、コネクタケース２０の他端部側２０ｂには、開口部２３が形成されており、この開口部２３内に各リード２２の他側端部が突出した形でそれぞれ露出している。
【００３５】
このようにコネクタケース２０の開口部２３に露出する各リード２２の他側端部は、例えば、ワイヤハーネス等の図略の外部配線部材を介して外部回路（車両のＥＣＵ等）に電気的に接続されるようになっている。つまり、コネクタケース２０の他端部側は、各リード２２の他端部とともに、外部との接続を行うための接続部、すなわち、コネクタ部１２として構成されている。
【００３６】
また、コネクタケース２０には、当該コネクタケース２０の凹部２１と外部とを遮断する蓋部２４が設けられている。この蓋部２４は、凹部２１と外部とを連通する開口部を遮蔽するように、コネクタケース２０に対して取り付けられている。
【００３７】
蓋部２４は、特に材質を限定するものではないが、コネクタケース２０と同様の樹脂あるいは金属、セラミックなどよりなり、コネクタケース２０に対して溶着や接着などにより、接合されている。
【００３８】
次に、ハウジング３０について説明すると、このハウジング３０は、例えば、ステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料をプレスや切削加工により図１中の上下方向に延びる中空筒状に成形されている。
【００３９】
圧力導入通路３１は、ハウジング３０の中空部として構成されたものである。つまり、圧力導入通路３１は、ハウジング３０の一端部側３０ａおよび他端部側３０ｂにそれぞれ開口部３１ａ，３１ｂを有し、ハウジング３０の内部にて両端部側間３０ａ，３０ｂを連通するように設けられたものである。
【００４０】
また、ハウジング３０の一端部側３０ａの外面には、圧力センサ１０を自動車の適所、例えば、エアコンの冷媒配管や自動車の燃料配管などの被検出体の適所に固定するためのネジ部３２が形成されている。
【００４１】
そして、この被検出体から圧力導入通路３１を介して圧力媒体が導入されるようになっている。この圧力媒体は、例えば、上述したエアコンの冷媒、ガソリンなどのエンジンの燃料、エンジンや駆動系の潤滑用オイル、あるいは排気ガスなどである。
【００４２】
ハウジング３０の開口部３１ｂには、センサチップ４０を取り付けるための取付面３３が形成されており、この取付面３３には、コネクタケース２０の一端部側２０ａとハウジング３０の他端部側３０ｂとを連結するとき、各リード２２の一側端部に電気的に接続されるリードフレーム３４がそれぞれ形成されている。なお、リードフレーム３４は、特許請求の範囲に記載の「配線部材」の一例に相当する。
【００４３】
上述のように構成されるコネクタケース２０は、その一端部側２０ａにてハウジング３０の他端部側３０ｂに連結される。このとき、コネクタケース２０の各リード２２とハウジング３０の各リードフレーム３４とがそれぞれ電気的に接続される。コネクタケース２０とハウジング３０との連結方法は特に限定するものではないが、溶接、接着、かしめなどが挙げられる。
【００４４】
本第１実施形態では、ハウジング３０の他端部側３０ｂにコネクタケース２０の一端部側２０ａが挿入された状態で、ハウジング３０の他端部側３０ｂの一部３５がコネクタケース２０にかしめ固定されている。これにより、コネクタケース２０およびハウジング３０は一体に組み付けられ、本第１実施形態のケース１１が構成されている。
【００４５】
また、ハウジング３０の他端部側３０ｂとコネクタケース２０の一端部側２０ａとの間には、ハウジング３０とコネクタケース２０の間を気密的に封止するためのＯリング２５が配設されている。このＯリング２５は、例えば、シリコンゴム等の弾性材料よりなる。
【００４６】
次に、センサチップ４０の構造について図２を参照して説明する。図２は、図１のセンサチップ４０の詳細断面図である。
図２に示すように、センサチップ４０は、第１のシリコン基板４１と第２のシリコン基板４２とを絶縁層４３を介して貼り合わせて構成されている。これら両シリコン基板４１，４２はともに、単結晶シリコンよりなる。
【００４７】
第１のシリコン基板４１の一側面４１ａには、基準室用凹部４１ｂおよび回路部用凹部４１ｃが形成されている。また、第２のシリコン基板４２の一側面４２ａには、圧力検出部として機能する歪みゲージ４４とこの歪みゲージ４４に導電層等（図示略）を介して電気的に接続されて当該歪みゲージ４４からの信号を処理するための回路部４５とが形成されている。なお、歪みゲージ４４は、特許請求の範囲に記載の「圧力検出部」の一例に相当する。
【００４８】
そして、第１のシリコン基板４１の一側面４１ａと第２のシリコン基板４２の一側面４２ａとを基準室用凹部４１ｂおよび歪みゲージ４４を近接させるとともに回路部用凹部４１ｃにて回路部４５を覆うように絶縁層４３を介して貼り合わせることで、基準室用凹部４１ｂおよび一側面４２ａにより圧力基準室４６が密閉されて形成される。
【００４９】
また、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂには、歪みゲージ４４が形成される部位の厚さを薄くするようにダイアフラム用凹部４２ｃが形成されている。これにより、圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づき変位するダイアフラム４７として機能する薄肉部４７が構成される。すなわち、圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から出力されるセンシング部４０ａが構成されることとなる。
【００５０】
また、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂには、回路部４５の外部接続用端子４５ａを介して回路部４５からの信号を出力するための貫通電極４８が、電極用凹部４２ｄ上の絶縁層４９を介して形成されている。ここで、貫通電極４８や導電層等には、低クリープであってオーミック性に優れるチタン（Ｔｉ）が採用されているが、アルミニウムを採用してもよい。なお、貫通電極４８は、特許請求の範囲に記載の「電極」の一例に相当する。
【００５１】
このように構成されるセンサチップ４０は、センシング部４０ａがハウジング３０の圧力導入通路３１内に露出するように、各貫通電極４８を対応するリードフレーム３４にそれぞれ電気的に接続させた状態で第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂにて取付面３３に取り付けられている。さらに、センサチップ４０は、センシング部４０ａおよび貫通電極４８の間の部分と取付面３３との間に、接着剤５０が配置されることで、取付面３３に取り付けられている。このため、接着剤５０により、センシング部４０ａと各リードフレーム３４および各リード２２等の配線部材とが仕切られることとなる。
【００５２】
そして、センシング部４０ａは、圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に応じてダイアフラム４７が変位したとき、この変位に応じた信号を圧力検出信号として各貫通電極４８等を介して各リードフレーム３４に出力する。
【００５３】
なお、第１のシリコン基板４１を酸化シリコン（ＳｉＯ２）にて形成する場合には、接着剤５０の材料によっては当該接着剤５０との接着強度を高めることができる。特に、貫通電極４８に対向する第１のシリコン基板４１の他側面の部位に接着剤５０が設けられる場合には、各貫通電極４８と各リードフレーム３４との接続が強固になる。
【００５４】
次に、上述したセンサチップ４０を製造方法の工程を図３および図４を用いて詳細に説明する。図３（Ａ）〜（Ｃ）および図４（Ｄ）〜（Ｆ）は、第１実施形態におけるセンサチップ４０の製造方法の工程を示す説明図である。なお、図３および図４および後述する図５，図６，図１０および図１１にて示す工程では、説明の便宜上、１枚のウエハに複数のセンサチップを同時に製造する工程において、１つのセンサチップを製造する工程を図示している。
【００５５】
まず、図３（Ａ）に示すように、第１のシリコン基板４１を用意する。そして、この第１のシリコン基板４１の一側面４１ａに、トレンチエッチング等を施して基準室用凹部４１ｂおよび回路部用凹部４１ｃを形成する。
【００５６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、第２のシリコン基板４２を用意する。そして、この第２のシリコン基板４２の一側面４２ａに、接着層としても機能する絶縁層４３を形成するとともに、この絶縁層４３上に公知の半導体プロセスにより歪みゲージ４４および回路部４５を形成する。なお、歪みゲージ４４および回路部４５は、配線部材等（図示略）を介して電気的に接続されるように形成される。
【００５７】
そして、図３（Ｃ）に示すように、基準室用凹部４１ｂと歪みゲージ４４とを近接させるとともに回路部用凹部４１ｃにて回路部４５を覆うように、第１のシリコン基板４１の一側面４１ａと第２のシリコン基板４２の一側面４２ａとを絶縁層４３を介して貼り合わせることにより基準室用凹部４１ｂと第２のシリコン基板４２の一側面４２ａとでもって圧力基準室４６を形成する。
【００５８】
次に、図４（Ｄ）に示すように、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂから歪みゲージ４４近傍の厚さを薄くするダイアフラム用凹部４２ｃを形成することによりダイアフラム４７を構成するとともに回路部４５の外部接続用端子４５ａを露出するための電極用凹部４２ｄを形成する。これにより、圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から出力されるセンシング部４０ａが構成される。
【００５９】
そして、図４（Ｅ）に示すように、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂとダイアフラム用凹部４２ｃおよび電極用凹部４２ｄとに絶縁層４９を形成し、この絶縁層４９に外部接続用端子４５ａに連通するコンタクトホール４９ａを形成する。
【００６０】
次に、図４（Ｆ）に示すように、外部接続用端子４５ａを介して回路部４５から信号を取り出すための貫通電極４８を電極用凹部４２ｄおよび第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂに形成する。これにより、図２に示すセンサチップ４０が完成する。
【００６１】
なお、図３（Ａ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項５に記載の「第１工程」の一例に相当し、図３（Ｂ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項５に記載の「第２工程」の一例に相当し、図３（Ｃ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項５に記載の「第３工程」の一例に相当し、図４（Ｄ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項５に記載の「第４工程」の一例に相当し、図４（Ｆ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項５に記載の「第５工程」の一例に相当する。
【００６２】
以上説明したように、本第１実施形態に係るセンサチップ４０では、センシング部４０ａは、基準室用凹部４１ｂおよび歪みゲージ４４を近接させるように第１のシリコン基板４１の一側面４１ａと第２のシリコン基板４２の一側面４２ａとを貼り合わせることで基準室用凹部４１ｂおよび一側面４２ａにより密閉されて形成される圧力基準室４６を備えるとともに、この圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から回路部４５に入力されるように構成される。そして、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂには、回路部４５からの信号を取り出すための貫通電極４８が形成される。
【００６３】
これにより、回路部４５がセンサチップ４０の内部に形成されるので当該回路部４５を圧力媒体等に起因する汚染から保護することができる。また、回路部４５からの信号を取り出すための貫通電極４８が第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂに形成されるので、センサチップ４０をこの他側面４２ｂにてハウジング３０の取付面３３に取り付ける際にこの取付面３３に設けられるリードフレーム３４に貫通電極４８を電気的に接続することにより、センサチップ４０に対する取付作業および電気的接続作業が同時に実施されるので、センサチップ４０の組付作業性を向上させることができる。
したがって、センシング部４０ａからの信号を処理する回路部４５を保護するとともに組付作業性を向上させることができる。
【００６４】
また、本第１実施形態に係るセンサチップ４０の製造方法では、基準室用凹部４１ｂが形成される第１のシリコン基板４１の一側面４１ａと歪みゲージ４４および回路部４５が形成される第２のシリコン基板４２の一側面４２ａとを貼り合わせることにより圧力基準室４６が形成される。そして、第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂから歪みゲージ４４近傍の厚さを薄くするダイアフラム用凹部４２ｃの形成によりダイアフラム４７が構成されるとともに回路部４５の外部接続用端子４５ａを露出するための電極用凹部４２ｄが形成される。そして、外部接続用端子４５ａを介して回路部４５から信号を取り出すための貫通電極４８が絶縁層４９を介して電極用凹部４２ｄおよび第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂに形成される。
【００６５】
これにより、回路部４５を内部に収容したセンサチップ４０が製造されるので当該回路部４５を圧力媒体等に起因する汚染から保護することができる。また、上述のようにセンサチップ４０の組付作業性を向上させることができる。
【００６６】
特に、ダイアフラム用凹部４２ｃおよび電極用凹部４２ｄが同一の工程で形成されるので、両凹部が異なる工程で形成される場合と比較して、製造工程が削減されてセンサチップ４０を製造するための製造コストを低減することができる。
【００６７】
また、本第１実施形態に係る圧力センサ１０では、ハウジング３０の取付面３３には、センシング部４０ａからの信号を取り出すための各リードフレーム３４が形成されており、センサチップ４０は、各貫通電極４８を対応するリードフレーム３４に電気的に接続させた状態で第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂにて取付面３３に取り付けられる。
【００６８】
これにより、センサチップ４０を第２のシリコン基板４２の他側面４２ｂにてハウジング３０の取付面３３に取り付ける際に、上記他側面４２ｂに設けられる各貫通電極４８を上記取付面３３に設けられる各リードフレーム３４に電気的にそれぞれ接続することにより、センサチップ４０に対する取付作業および電気的接続作業が同時に実施されるので、センサチップ４０の組付作業性を向上させた圧力センサ１０を構成することができる。
【００６９】
さらに、本第１実施形態に係る圧力センサ１０では、センサチップ４０のうちセンシング部４０ａおよび貫通電極４８の間の部分と取付面３３との間に、接着剤５０を配置することで、当該センサチップ４０が取付面３３に取り付けられるとともに、接着剤５０により、センシング部４０ａと各リードフレーム３４および各リード２２等の配線部材とが仕切られている。これにより、圧力導入通路３１から導入された圧力媒体により、配線部材が腐食などの影響を受けることを防止できる。
【００７０】
図５（Ａ）〜（Ｃ）および図６（Ｄ）〜（Ｆ）は、第１の実施形態に係る圧力基準室４６の形成工程の変形例を示す説明図である。なお、図５および図６では、説明の便宜上、一部の部材を省略して図示している。
なお、第１のシリコン基板４１および第２のシリコン基板４２を貼り合せて圧力基準室４６を形成することに限らず、所定の形状に形成された第２のシリコン基板４２上にポリシリコン等を積層することで圧力基準室４６を形成してもよい。
【００７１】
具体的には、図５（Ａ）に示すように、歪みゲージ４４等が形成された第２のシリコン基板４２上に第１の酸化シリコン層６１を積層した後に、歪みゲージ４４等を電気的に接続する配線層６２を積層する。そして、この配線層６２上から第２の酸化シリコン層６３を積層する。
【００７２】
次に、図５（Ｂ）に示すように、第２の酸化シリコン層６３上に第１のポリシリコン層６４を積層した後、当該第１のポリシリコン層６４の表面を平坦化する。
【００７３】
そして、図５（Ｃ）に示すように、基準室用凹部４１ｂに対応する第１のポリシリコン層６４の部位を犠牲層６５に置換する。なお、この犠牲層６５は、第１のポリシリコン層６４を多孔質化して形成してもよいし、第１のポリシリコン層６４を除き他の物質で形成してもよい。
【００７４】
次に、図６（Ｄ）に示すように、第１のポリシリコン層６４および犠牲層６５上に第２のポリシリコン層６６を積層する。
【００７５】
そして、図６（Ｅ）に示すように、第２のポリシリコン層６６に犠牲層６５の一部を露出させるエッチングホール６６ａを形成した後、犠牲層６５を除去する。
【００７６】
そして、図６（Ｆ）に示すように、エッチングホール６６ａを閉塞するように第２のポリシリコン層６６上に第３のポリシリコン層６７を積層することにより、圧力基準室４６が形成される。
【００７７】
このように、基準室用凹部４１ｂが形成された第１のシリコン基板４１を第２のシリコン基板４２に貼り付けることなく圧力基準室４６を形成することができる。
【００７８】
また、図７に示すように、犠牲層６５を設けることなく、異方性エッチング等を施して第１のポリシリコン層６４にテーパ状の空間６４ａを形成した後、第１のポリシリコン層６４上に第３のポリシリコン層６７を積層することにより、圧力基準室４６を形成してもよい。
【００７９】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を図８〜図１１を参照して説明する。図８は、第２実施形態に係るセンサチップ７０の断面図である。図９（Ａ）は、図８に示す９Ａ−９Ａ線相当の切断面による断面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）において破線で囲んだ領域９Ｂの拡大図である。図１０（Ａ）〜（Ｄ）および図１１（Ｅ）〜（Ｇ）は、第２実施形態におけるセンサチップ７０の製造方法の工程を示す説明図である。
【００８０】
図８に示すように、本第２実施形態に係るセンサチップ７０では、第１のシリコン基板４１および第２のシリコン基板４２に代えて第１のシリコン基板７１および第２のシリコン基板７２を採用する点が、上記第１実施形態にて述べたセンサチップ４０と主に異なる。したがって、第１実施形態のセンサチップ４０と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００８１】
センサチップ７０は、第１のシリコン基板７１と第２のシリコン基板７２とを後述するように絶縁層４３を介して貼り合せて構成されている。これら両シリコン基板７１，７２はともに、単結晶シリコンよりなる。
【００８２】
第１のシリコン基板７１の一側面７１ａには、歪みゲージ４４が形成されるとともに、厚さの薄い薄肉部４７が形成されている。また、第２のシリコン基板７２の一側面７２ａには、歪みゲージ４４からの信号を処理するための回路部７３と、基準室用凹部７２ｃが形成されている。ここで、回路部７３が形成される一側面７２ａは、面方位が（１１０）面である。
【００８３】
そして、第１のシリコン基板７１の一側面７１ａと第２のシリコン基板７２の一側面７２ａとを薄肉部４７および基準室用凹部７２ｃを近接させるとともに歪みゲージ４４および回路部７３を電気的に接続するように絶縁層４３を介して貼り合わせることで、薄肉部４７および基準室用凹部７２ｃにより圧力基準室４６が密閉されて形成される。これにより、薄肉部４７が圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づき変位するダイアフラム４７として構成される。すなわち、圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から出力されるセンシング部７０ａが構成されることとなる。
【００８４】
また、第２のシリコン基板７２の他側面７２ｂには、回路部７３の外部接続用端子７３ａを介して回路部７３からの信号を出力するための貫通電極４８が、電極用凹部７２ｄ上の絶縁層４９を介して形成されている。
【００８５】
図９（Ａ）に示すように、回路部７３は、歪みゲージ４４から入力される信号を処理して外部接続用端子７３ａを介して出力する信号処理部７３ｂと、外部接続用端子７３ａの周囲に配置されてノイズを除去するためのキャパシタとして機能するノイズ除去部７３ｃとを備えている。なお、信号処理部７３ｂとノイズ除去部７３ｃとは、トレンチ分離等により絶縁分離されている。そして、図９（Ｂ）に示すように、信号処理部７３ｂを構成する各拡散抵抗７４の一部（例えば、接着剤５０を介して応力をうける部位に配置される拡散抵抗７４）は、＜１１０＞軸方向に対して４５°傾斜する方向に配置されている。なお、全ての各拡散抵抗７４が＜１１０＞軸方向に対して４５°傾斜する方向に配置されてもよい。
【００８６】
このように構成されるセンサチップ７０は、センシング部７０ａがハウジング３０の圧力導入通路３１内に露出するように、各貫通電極４８を対応するリードフレーム３４にそれぞれ電気的に接続させた状態で第２のシリコン基板７２の他側面７２ｂにて取付面３３に取り付けられている。さらに、センサチップ７０は、接着剤５０を介してハウジング３０の開口部３１ｂに支持されている。
【００８７】
そして、センシング部７０ａは、圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に応じてダイアフラム４７が変位したとき、この変位に応じた信号を圧力検出信号として各貫通電極４８等を介して各リードフレーム３４に出力する。
【００８８】
このとき、回路部７３において、貫通電極４８に電気的に接続される外部接続用端子７３ａ周囲にはノイズ除去部７３ｃが設けられているので、ノイズの発生源になりやすい貫通電極４８等に起因するノイズの発生を抑制することができる。なお、本第２実施形態では、歪みゲージ４４と回路部７３とが別基板に設けられるので、回路部７３が設けられる第２のシリコン基板７２の一側面７２ａにおいて、外部接続用端子７３ａ周囲にノイズ除去部７３ｃを広範囲に形成することができる。このため、ノイズ除去部７３ｃを、外部接続用端子７３ａ周囲に限らず、さらに広範囲に形成してもよい。
【００８９】
信号処理部７３ｂを構成する各拡散抵抗７４の一部は、＜１１０＞軸方向に対して４５°傾斜する方向に配置されているため、センサチップ７０がハウジング３０の取付面３３に接着剤５０を介して取り付けられる状態では、接着剤５０を介する応力に基づくピエゾ効果が各拡散抵抗７４に発生しないので、回路部７３に対するノイズの発生が抑制される。特に、接着剤５０が配置される領域が、回路部７３の投射面上に被る場合には、顕著に効果を得ることができる。
【００９０】
次に、上述したセンサチップ７０を製造方法の工程を図１０および図１１を用いて詳細に説明する。図１０（Ａ）〜（Ｄ）および図１１（Ｆ）〜（Ｇ）は、第２実施形態におけるセンサチップ７０の製造方法の工程を示す説明図である。
【００９１】
まず、図１０（Ａ）に示すように、第１のシリコン基板７１を用意する。そして、この第１のシリコン基板７１の一側面７１ａに、公知の半導体プロセスにより歪みゲージ４４を形成する。
【００９２】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、第１のシリコン基板７１の他側面７１ｂから歪みゲージ４４の厚さを薄くするようにダイアフラム用凹部７１ｃを設けることにより薄肉部４７を形成する。
【００９３】
そして、図１０（Ｃ）に示すように、第２のシリコン基板７２を用意する。そして、この第２のシリコン基板７２の一側面７２ａに、基準室用凹部７２ｃを形成するとともに公知の半導体プロセスにより回路部７３の信号処理部７３ｂおよびノイズ除去部７３ｃ等を形成する。このとき、信号処理部７３ｂの各拡散抵抗７４の一部は、＜１１０＞軸方向に対して４５°傾斜するように形成される。
【００９４】
そして、図１０（Ｄ）に示すように、薄肉部４７と基準室用凹部７２ｃとを近接させるように第１のシリコン基板７１の一側面７１ａと第２のシリコン基板７２の一側面７２ａとを絶縁層４３を介して貼り合わせることにより薄肉部４７と基準室用凹部７２ｃとでもって圧力基準室４６を形成する。これにより、圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から出力されるセンシング部７０ａが構成される。
【００９５】
次に、図１１（Ｅ）に示すように、第２のシリコン基板７２の他側面７２ｂから回路部７３の外部接続用端子７３ａを露出するための電極用凹部７２ｄを形成する。
【００９６】
そして、図１１（Ｆ）に示すように、第２のシリコン基板７２の他側面７２ｂおよび電極用凹部７２ｄに絶縁層４９を形成し、この絶縁層４９に外部接続用端子７３ａに連通するコンタクトホール４９ａを形成する。
【００９７】
次に、図１１（Ｇ）に示すように、外部接続用端子７３ａを介して回路部７３から信号を取り出すための貫通電極４８を電極用凹部７２ｄおよび第２のシリコン基板７２の他側面７２ｂに形成する。これにより、図８に示すセンサチップ７０が完成する。
【００９８】
なお、図１０（Ａ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項６に記載の「第１工程」の一例に相当し、図１０（Ｂ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項６に記載の「第２工程」の一例に相当し、図１０（Ｃ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項６に記載の「第３工程」の一例に相当し、図１０（Ｄ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項６に記載の「第４工程」の一例に相当し、図１１（Ｅ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項６に記載の「第５工程」の一例に相当し、図１１（Ｇ）に示す工程は、特許請求の範囲の請求項６に記載の「第６工程」の一例に相当する。
【００９９】
以上説明したように、本第２実施形態に係るセンサチップ７０では、センシング部７０ａは、薄肉部４７および基準室用凹部７２ｃを近接させるとともに歪みゲージ４４および回路部７３を電気的に接続するように第１のシリコン基板７１の一側面７１ａと第２のシリコン基板７２の一側面７２ａとを貼り合わせることで薄肉部４７および基準室用凹部７２ｃにより密閉されて形成される圧力基準室４６を備えるとともに、この圧力基準室４６の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム４７の変位に応じた信号が歪みゲージ４４から回路部７３に入力されるように構成される。そして、第２のシリコン基板７２の他側面７２ｂには、回路部７３からの信号を取り出すための貫通電極４８が形成される。
【０１００】
このようにしても、上記第１実施形態と同様に、センシング部７０ａからの信号を処理する回路部７３を保護するとともにセンサチップ７０に対する組付作業性を向上させることができる。
【０１０１】
また、本第２実施形態に係るセンサチップ７０では、回路部７３は、電極周囲にノイズを除去するためのキャパシタとして機能するノイズ除去部７３ｃとを備えている。これにより、ノイズの発生源になりやすい貫通電極４８等に起因するノイズの発生を抑制することができる。特に、本第２実施形態では、歪みゲージ４４と回路部７３とが別基板に設けられるため、回路部７３が設けられる第２のシリコン基板７２の一側面７２ａにおいて外部接続用端子７３ａ周囲にノイズ除去部７３ｃを広範囲に形成することができるので、ノイズ除去部７３ｃによるノイズ抑制効果を高めることができる。
【０１０２】
さらに、本第２実施形態に係るセンサチップ７０では、回路部７３が形成される第２のシリコン基板７２の一側面７２ａは、面方位が（１１０）面であり、この回路部７３の一部を構成する各拡散抵抗７４は、＜１１０＞軸方向に対して４５°傾斜する方向に配置される。このため、センサチップ７０をハウジング３０の取付面３３に接着剤５０を介して取り付ける場合、接着剤５０を介する応力に基づくピエゾ効果が各拡散抵抗７４に発生しないので、回路部７３に対するノイズの発生を抑制することができる。
【０１０３】
なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、上記各実施形態と同等の作用・効果が得られる。
（１）上記第１実施形態において、センサチップ４０の回路部４５に上記第２実施形態にて述べた信号処理部７３ｂおよびノイズ除去部７３ｃを設けてもよい。これにより、センサチップ４０においても、ノイズの発生源になりやすい貫通電極４８等に起因するノイズの発生を抑制することができる。
【０１０４】
（２）上記第２実施形態において、ノイズ除去部７３ｃは外部接続用端子７３ａの周囲に配置に配置されることなく、一側面７２ａの全面に配置するようにしてもよい。これによりノイズを抑制できる領域を広くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】図１は、本第１実施形態に係るセンサチップを採用する圧力センサの全体概略断面図である。
【図２】図１のセンサチップの詳細断面図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。
【図４】図４（Ｄ）〜（Ｆ）は、第１実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力基準室の形成工程の変形例の一部を示す説明図である。
【図６】図６（Ｄ）〜（Ｆ）は、第１の実施形態に係る圧力基準室の形成工程の変形例の一部を示す説明図である。
【図７】第１の実施形態に係る圧力基準室の変形例の一部を示す説明図である。
【図８】第２実施形態に係るセンサチップの断面図である。
【図９】図８に示す９Ａ−９Ａ線相当の切断面による断面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）において破線で囲んだ領域９Ｂの拡大図である。
【図１０】図１０（Ａ）〜（Ｄ）は、第２実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。
【図１１】図１１（Ｅ）〜（Ｇ）は、第２実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０…圧力センサ
１１…ケース
２０…コネクタケース
２２…リード
３０…ハウジング
３１…圧力導入通路
３３…取付面
３４…リードフレーム（配線部材）
４０，７０…センサチップ
４０ａ，７０ａ…センシング部
４１，７１…第１のシリコン基板（第１の基板）
４１ａ，７１ａ…一側面
４１ｂ，７１ｃ…基準室用凹部
４２，７１…第２のシリコン基板（第２の基板）
４２ａ，７２ａ…一側面
４２ｂ，７２ｂ…他側面
４２ｃ，７１ｃ…ダイアフラム用凹部
４２ｄ，７２ｄ…電極用凹部
４４…歪みゲージ（圧力検出部）
４５，７３…回路部
４５ａ，７３ａ…外部接続用端子
４６…圧力基準室
４７…ダイアフラム，薄肉部
４８…貫通電極（電極）
７３ｂ…信号処理部
７３ｃ…ノイズ除去部
７４…拡散抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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