(57)【要約】【課題】フラットパネルディスプレイの隔壁欠陥部の修復において、欠陥修正箇所と正常箇所の形状差、特性差を生じることなく、欠陥修復箇所に対して局所塗布、露光、現像、洗浄、熱硬化を行うことなく、基板全面に亘り一括修復を行う方法を提供すること。【解決手段】基板上への隔壁樹脂分散液塗布に始まり、露光、現像、洗浄、熱硬化させることで基板上に所定のパターンで形成された隔壁において、検査により検出された欠陥を、この隔壁の欠陥部を含む基板全面に亘り、隔壁と同じ樹脂を分散させた溶液を再被覆（塗布）し、本基板とレチクルとをアライメント位置補正し、同位置で隔壁パターン状に再露光、再現像し、隔壁を形成した後、隔壁を熱硬化することで隔壁欠陥部を修復する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットパネルディスプレイの隔壁欠陥部を修復する方法であって、
隔壁が形成された基板上に前記隔壁の樹脂材料を分散させた溶液を塗布する第１工程と、
前記基板を隔壁パターン状に露光した後、前記基板を現像／洗浄することで隔壁を形成する第２工程と、
前記基板を加熱することで前記隔壁を熱硬化させる第３工程と、
前記基板に形成された隔壁パターンを検査し、検査結果から隔壁の欠陥を判別する第４工程と、
前記隔壁に欠陥部があると判別された場合、前記隔壁の欠陥部を修復する第５工程と、を備えること
を特徴とするフラットパネルディスプレイのパターン形成方法。
【請求項２】
前記第５工程は、隔壁の欠陥部を含む基板全面に、前記隔壁の樹脂材料を分散させた溶液を再塗布する第５１工程と、
前記基板とフォトマスクとのアライメントを取り、同位置で隔壁パターン状に再露光する第５２工程と、
前記基板を再現像した後、洗浄することで隔壁を形成する第５３工程と、
前記基板を再加熱することで前記隔壁を熱硬化させる第５４工程と、で構成される請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
隔壁は一方向に複数本形成され、隔壁に撥液材料を用いて、
隣接する各隔壁間にのみ隔壁の樹脂材料を分散させた溶液が充填される工程と、
前記第５２工程から前記第５４工程に至る工程と、
を繰り返し行う請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
基板全面に塗布する隔壁の樹脂材料を分散させた溶液の濃度と、初期に塗布した隔壁の樹脂材料を分散させた溶液の濃度が異なる
請求項３記載のパターン形成方法。
【請求項５】
基板全面に塗布する隔壁の樹脂材料を分散させた溶液の濃度と、初期に塗布した隔壁の樹脂材料を分散させた溶液の濃度の現像タイプが異なる
請求項３または４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
基板上に形成された現像タイプの異なる上下２層の隔壁樹脂層を選択露光用マスクパターンを介して露光する工程と、前記上下２層の隔壁樹脂層をスプレー法にて選択局所現像する工程と、隔壁樹脂層を熱硬化させる工程と、を行う
請求項５記載のパターン形成方法。
【請求項７】
隔壁頂部上面及び基板と隔壁をなす角をレーザーにより任意の形状に成型加工する
請求項１〜６の何れか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
ＵＶ−Ｏ３をマスクパターンを介し隔壁欠陥修正箇所に選択照射する
請求項１〜５の何れか一項に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイのパターン形成方法に関し、特にフラットパネルディスプレイの隔壁欠陥部の修正方法に関する。
【０００２】
例えばフラットパネルディスプレイとして、隔壁で区切られた領域に有機発光材料が充填された有機ＥＬディスプレイ（以下ＯＬＥＤ）や無機蛍光材料が充填されたプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）を挙げることができる。また、充填物に顔料分散熱硬化型有機材料（ＲＧＢ）を用いることで、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用カラーフィルターが製造できる。
【背景技術】
【０００３】
近年のインターネットを中心とした高度映像情報化社会の進展は目覚しいものがあり、急速な技術革新によりライフスタイルは大きく変化しようとしている。これに伴いより見やすく、より精細な画面で、より薄く軽いディスプレイが求められるようになり、現在までにそれに見合った表示方式が各種提案されている。以下に代表例を示す。
【０００４】
一つは一般的なテレビに用いられているＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ）方式で、問題点は画面のサイズが大きくなると、ＣＲＴの奥行きが長くなり、ディスプレイは必然的に大きく重くなることである。これらのデメリットを改良する目的で開発された方式がＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）である。ＬＣＤは白色バックライト（ＣＣＦＬ）を光源にし、液晶素子に光シャッターとしての機能をもたせ、その前面にカラーフィルターを置き、光の透過をコントロールすることによってフルカラー表示を行っている。従って、画像の色はフィルターからの透過光であり、余色に相当する。また、液晶素子は視野角が狭いので、両サイドからの視認性が乏しいという欠点もある。
【０００５】
一方で、ＣＲＴと比較して著しいダウンサイジングが可能となり、壁掛テレビやノート型ＰＣのディスプレイとして多用されている。更にＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）を用いた方式が開発されるに至り、市販されたテレビは薄く、軽くなっている。ＰＤＰは光源に光の三原色のプラズマ放電管を用い、表面に電子線と近赤外線を遮蔽するフィルターが用いられている。
【０００６】
もう一つの方式がＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）で、基板と封止を含めてもわずか２ｍｍの厚さであり、大幅なダウンサイジングが可能となる。また、光の三原色を自発光かつ面発光させることにより広視野角が得られ、高コントラスト性や高速応答性も有すことから従来のディスプレイにない鮮明な画像が得られる。
【０００７】
更に、バックライトが不要で低電圧駆動、低電力消費により電池でも作動する。現在のところ、技術的容易さから携帯電話用、車載用ディスプレイなどに利用されており、次いで、ＰＣやテレビに段階的に実用化されていくと考えられる。また、ＯＬＥＤは先行しているＣＲＴ、ＬＣＤ、ＰＤＰなどとデバイス構造が大きく異なっている。他の方式がすべてセル構造を取っているのに対し、ＯＬＥＤでは基板上に固体薄膜を積層させるだけで機能を発揮できる。このことは、薄型・軽量、耐衝撃性、柔軟性において原理的に勝っていることを意味する。また大画面化に対して制約がなく、製造コストを低く抑えられると期待される。
【０００８】
有機ＥＬ素子は、２つの電極間に有機発光層を挟持した構造を有し、電極間に電流を流すことにより有機発光層を発光させるものである。有機発光層は一層から多層のものがあるが、効率よく発光させるためには、それぞれの層の膜厚が非常に重要であり、有機発光層全体では１μｍ以下の薄膜にする必要がある。更にこれをディスプレイ化するためには有機発光層を高精細にパターニングする必要があり、このパターニング方法が重要な課題となる。
【０００９】
また、発光した光を取り出すために、どちらか一方の電極を透明にする必要がある。そして、透明電極としてインジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電膜等を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
図７は特許文献１に記載された有機ＥＬディスプレイの構成を示す断面概略図である。
【００１１】
有機ＥＬ素子の成膜法は乾式法と湿式法に大別される。乾式法は、低分子材料を真空蒸着させて薄膜を形成する。低分子系の正孔注入材料、発光材料は、真空中での基板からの再蒸発を防ぐため、少なくとも分子量（Ｍｗ）３５０程度以上の化合物であるのが好ましい。かつ分解や炭化を防ぐため、５００℃以下の低い蒸発源温度で十分な蒸着速度が得られるよう、通常はＭｗ１２００程度以下の材料が使用される。
【００１２】
蒸着可能な低分子材料には分子間力が低い材料が多い。このような材料は、分子が動き易く、分子量が小さく、単純な分子構造を有するため、有機溶媒に溶解して得た溶液を用いて成膜した有機膜は、時間が経つと分子同士が会合して結晶化し、膜に凹凸が生じ易い。そのため、このような有機膜を用いて有機ＥＬ素子を作製すると、膜にピンホールが生じて駆動時にショートするという問題があった。これに対し、低分子材料であっても、非対称性の立体的なアモルファス性分子構造にすることで結晶化を防ぐことが可能であるため、このような分子構造の低分子材料により有機膜を形成することが考えられる。
【００１３】
また、乾式法（低分子蒸着法）は抵抗加熱により、るつぼに入れた有機ＥＬ材料を蒸発させ、基板上に薄膜を積層する。３色の有機発光層を併置する場合にフォトリソグラフィなどの湿式法は下地の有機層にダメージを与えるため適用できない。そこでシャドーマスクを用いて必要な箇所にだけ成膜する必要がある。パターン精度を上げるためには、るつぼと基板の距離は大きくとる必要があり、装置が大型になる。連続運転のためには有機材料毎の蒸着槽が必要となる。このため装置が大掛かりとなり、初期投資が大きくなる。また、高精度のマスクアライメントが必要になる。
【００１４】
湿式法は高分子材料を溶媒に溶解または分散させ、溶液（インキ）として、スピンコート法や印刷法（インクジェット法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等）により基板上に塗布、乾燥して薄膜を形成する。また、正孔注入層として水溶性のポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（以下ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を使用することにより、その上に水と混ざらない有機溶媒を用いたインターレイヤ（電子ブロッキング層）や発光層を積層することが可能となる。一方、印刷法ではインキに流動性があるため隔壁（仕切部材）を設け、その中にインキを充填してインキ混じり（混色）、ドット形状崩れをなくす必要がある。
【００１５】
画素領域に有機発光材料（インキ）を充填する場合、吐出されたインキが隣の画素領域に流出することを防止するために、前述の画素領域を仕切る隔壁を設けて、隔壁に囲まれる画素領域にインキを充填する。隔壁で囲まれた画素領域には成膜後の体積に比べてはるかに大きいインキが充填される。しかし表示装置は一般に薄いことが要求されるため、隔壁をむやみに高く形成することができない。このことから隔壁や隔壁で囲まれた画素領域が、インキに対してどのような濡れ性（親和性）を示すかで充填されたインキの挙動が異なる。
【００１６】
従来から、半導体基板、液晶表示装置、あるいはカラーフィルター用基板等に対して、膜厚が比較的薄い塗布膜を形成する技術として、スピンコート法、ロールコート法等の塗布方法が知られている。これらの塗布方法のうち、μｍオーダーの薄くて均一な塗布膜を形成する場合には、スピンコート法が一般に好適とされている。このスピンコート法は塗布膜が形成される被塗布基板をスピンチャックに保持して、その中央部に塗布すべき液状物、例えばレジスト材料を滴下し、その後、その基板を高速回転させて発生した遠心力により基板中央部から外周部に向かって、その液状物を拡散させて塗布膜を形成する方法である。
【００１７】
フォトリソグラフィ法は基板上へのフォトレジスト（感光性樹脂）分散液塗布に始まり、露光、現像、エッチングを行い、使用済みのフォトレジストを除去する一連のプロセスである。プロセスを大きく二つに分類すると、前半はフォトレジスト膜への回路パターンの転写、即ちフォトレジスト処理工程を行う。後半はそのフォトレジストパターンを用いた下地膜の加工、即ちエッチングとフォトレジスト除去である。フォトリソグラフィ工程の前半は写真製版工程でいえば現像までであり、最終的にフォトレジストに回路パターンが焼付けられるまでである。回路パターンはレチクルから露光装置によってフォトレジスト膜上に選択的に紫外線（ＵＶ）照射され、フォトレジスト内部の光化学反応によりパターンが潜像として出来上がる。それを現像によってイメージとして顕在化させる。
【００１８】
フォトレジストは各世代ごとに用いられる紫外線の波長に対して十分な感度を持ち、高い解像度が得られるような感光性ポリマー材料開発の成果物である。金属汚染やパーティクル管理が厳重に行われ、ロット内、ロット間の均質性が問われる材料であり、精密化学の産物でもある。一般的な材料でありながら、ＵＬＳＩ用としての付加価値は極めて高い。光源の短波長化と同時にフォトレジスト特性に対する要求も厳しくなり、ベーキングや現像条件などで高い管理レベルが必要である。特にＫｒＦ、ＡｒＦ光源によるリソグラフィ用の化学増幅型レジストではその取り扱い、例えばベーク時の温度管理などはこれまでとは格段に異なる厳しさが必要と言われている。
【００１９】
フォトレジストは通常、感光性樹脂成分を有機溶剤中に溶解させたものであり、基板上に回転塗布などによって膜付けする。装置はスピンコーターやベーキングオーブンなどをインライン化させたウェハトラックと呼ばれる方式が用いられる。フォトレジストにはネガ型とポジ型の二種類があるが、現在では解像度の点からポジ型が主流となっている。ネガ型では露光された部分が重合して硬化し、現像によって未露光部が溶出して露光部による像が出来上がる。一方、ポジ型では露光部が解重合するか、あるいは現像液に対して可溶性の構造に変わり、現像によって未露光部分を残す。従って、同一の下地膜パターンを形成する場合、ネガ型とポジ型では白黒反転のパターンを持つレチクルを用いることになる。
【００２０】
ネガ型は残すべきレジストパターン（露光部分）が現像液で膨潤して解像度を低下させるため、安定性や定着性、取扱いが微妙で困難であっても、高解像度が得られることからポジ型が用いられる。ポジ型は感光性材料（キノンジアジド系化合物）とフェノール系樹脂が有機溶剤中に含まれるもので、アルカリ不溶性である。しかし、光照射によって分解（カルボン酸に変化しアルカリへの溶解性向上）してアルカリ可溶性となる。従って、アルカリ溶液を用いればパターンの現像が可能な状態となる。ネガ型は感光特性を持つビスジアジド系化合物と環化ゴム系樹脂が有機溶剤中に含まれるもので、光照射により架橋が起こり、重合して硬化し、現像液として用いられるキシレンなどに不溶となる。即ち、露光部と未露光部の溶解度に差が生じることでパターンが現像できる。
【００２１】
なお、フォトレジストはフォトアライナー光源の短波長化（ｇ線４３６ｎｍ〜ｉ線３６５ｎｍ）とともに改良が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】特許第３５０１１４８号公報
【特許文献２】特開２００７−９０３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
近年、基板大型化に伴うＯＬＥＤ面内のゴミや異物の増加によって、全くの無欠陥でＯＬＥＤを製造することが困難になってきている。そこで、ＯＬＥＤの製造工程においてゴミや異物の発生起点を把握し除去対策を取るとともに、ゴミや異物付着により欠陥が発生した隔壁や有機発光層に関しては、欠陥箇所を修正して良品化し、全体的な製造コストを低減させることが重要となってきている。
【００２４】
隔壁や有機発光層の欠陥箇所の修正方法として、針方式、ディスペンス方式、インクジェット方式等の局所吐出法が知られている。しかし、局所吐出法では欠陥形態によって吐出量の制御範囲を大きくする必要があり、更に吐出後の液滴濡れ広がりと相まって、正常箇所と修正箇所の形状、表面撥水性能などに差が生じるという問題がある。一方で形成膜の環境感受性（耐性）を考慮して、修正箇所の乾燥時間を短くするため、溶媒を低沸点化し、かつ濡れ広がり抑制のため、分散液の高粘度化を図る必要があるが、これを行った場合、分散液がヘッド目詰まりや不吐出などを引き起こす原因となる。
【００２５】
また、隔壁や有機発光層の修正において、局所加熱（熱硬化）が周辺部への熱伝播（潜熱履歴の変化）から困難であり、このことも正常箇所と修正箇所の架橋または重合度合の差という点で特性に違いを及ぼす。
【００２６】
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、フラットパネルディスプレイの隔壁欠陥部の修正において、欠陥修正箇所と正常箇所の形状差、特性差を生じることなく、また欠陥修正箇所に対して局所塗布、露光、現像、洗浄、熱硬化を行うことなく、基板全面に亘り一括修正を行う方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明は上記課題を解決させるために、フォトリソグラフィ技術を用いて基板上に所定のパターンで形成された隔壁の欠陥を修正する方法であり、基板上への隔壁樹脂分散液塗布に始まり、露光、現像、洗浄、熱硬化させることで基板上に所定のパターンで形成された隔壁において、検査により検出された欠陥を、この隔壁の欠陥部を含む基板全面に亘り、隔壁と同じ樹脂を分散させた溶液を再被覆（塗布）し、本基板とレチクルとをアライメントを取り、同位置で隔壁パターン状に再露光、再現像し、隔壁を形成した後、本基板を再加熱し、隔壁を熱硬化することを特徴とするパターン形成方法である。
【発明の効果】
【００２８】
基板に形成された隔壁の欠陥部に対し、隔壁樹脂分散液の局所吐出や局所加熱を行うことなく、また現像タイプが初期と異なる隔壁樹脂を用いた場合に対しても、隔壁形成工程を繰り返し行うという簡便な方法で、隔壁の欠陥部修正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明のネガ型レジスト工程（マスク合わせ〜ＰＥＢ）の説明図
【図２】本発明のポジ型レジスト工程（マスク合わせ〜ＰＥＢ）の説明図
【図３】本発明の欠陥部を含めた基材全面へのレジスト塗布工程の模式図
【図４】本発明の欠陥部を含めた基材全面への露光工程の模式図
【図５】本発明の欠陥部を含めた基材全面への現像工程の模式図
【図６】本発明の欠陥修復後（ＰＥＢ後）の基材の模式図
【図７】従来の有機ＥＬディスプレイの構成を示す断面概略図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて、具体的に説明する。
【００３１】
本発明のネガ型レジスト工程（マスク合わせ〜ＰＥＢ）の説明図を図１に、ポジ型レジスト工程（マスク合わせ〜ＰＥＢ）の説明図を図２に、欠陥部を含めた基材全面へのレジスト塗布工程の模式図を図３に、欠陥部を含めた基材全面への露光工程の模式図を図４に、欠陥部を含めた基材全面への現像工程の模式図を図５に、欠陥修復後（ＰＥＢ後）の基材の模式図を図６に、それぞれ示した。
【００３２】
図１において、下地層６である正孔注入層が形成されたガラス基板５に、ネガ型レジスト７をスピンコート法もしくはスリットコート法により基板全面に塗布する。次いで、この塗布基板とレチクル２をアライメント位置補正しながら合体させ、ＵＶ光１をＣｒマスキング部２ｂを介してパターン照射し、露光を行う。次いで、露光処理をした基板にシャワーヘッド２７にてアルカリ現像液２９を噴射し、未露光部を溶出させた後、乾燥、熱硬化（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行うネガ型フォトリソグラフィ工程である。
【００３３】
図２において、下地層６である正孔注入層が形成されたガラス基板５に、ポジ型レジスト７をスピンコート法もしくはスリットコート法により基板全面に塗布する。次いで、この塗布基板とレチクル２をアライメント位置補正しながら合体させ、ＵＶ光１をＣｒマスキング部２ｂを介してパターン照射し、露光を行う。次いで、露光処理をした基板にシャワーヘッド２７にてアルカリ現像液２９を噴射し、解重合した露光部を溶出させた後、乾燥、熱硬化を行うポジ型フォトリソグラフィ工程である。
【００３４】
隔壁樹脂材料を溶媒に溶解または分散させたレジストは、数μｍ程度の塗布膜を基板に対し均一に濡れ広がらせ、乾燥後に１μｍ程度の薄膜を基板上に形成するため、分散液粘度は１０ｍＰａ・ｓ程度となる。分散液粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上では、塗布膜が特に周辺部において遠心力により厚く形成され、基板面内に形成される隔壁高さが不均一となる。また、塗布、現像、洗浄、熱硬化において、塗布材料へのコンタミ、ダスト等の混入を抑制するため、ウェハトラック内のクリーン度を高める必要がある。
【００３５】
更に、現像、熱硬化においては、レジストに撥液作用付与のためドープされたフッ素成分が残渣として隣接する各隔壁間に露出（マイグレーション）するのを防ぐとともに、残留水分や反応未促進によるアウトガスを抑制するため、減圧状態で熱硬化（乾燥、焼成）を行う必要もある。
【００３６】
一方、こうしたレジストは大気中の水分を吸着しやすく、更に隔壁樹脂原体が加水分解することで分子量低下を引き起こし、粘性変化を生じやすい。このため、レジスト粘性の変化に対応するのに完全密閉型の液供給、塗布機構が必要となる。
【００３７】
図３において、基板吸着ステージ１４には隔壁パターン欠陥が検出された基板１２が載せてあり、更にステージには基板と吐出ヘッド１０先端のギャップ調整用昇降軸１１が設けられている。基板吸着ステージは基板吸着ステージ回転軸１５を中心に高速回転（５００ｒｐｍ以上）する機構が具備されている。また、レジスト供給容器１７と吐出ヘッド１０はレジスト供給配管１８により直結され、レジスト供給容器１７にはレジスト粘性変化及びコンタミ、ダスト等のレジスト混入防止のため、マイクロポアフィルター１６が具備されている。これにより、不純物が混入することなく、均整のとれた塗布膜が基板上に形成される。
【００３８】
なお、基板吸着ステージの大きさは一辺が１５０ｍｍの正方形をなしており、パネル基板サイズで５インチまでの搭載が可能な仕様である。
【００３９】
図４において、露光用ＸＹθ基板ステージ２２には、隔壁パターン欠陥部を含め、隣接する各隔壁間にレジストが充填された基板２１が載せてあり、更に基板と一定の間隔を設けた直上部にプロキシミティ（近接）露光を行うためのレチクル２が、フォトアライナー光源より照射されたＵＶ光１をスプリットし、各隔壁上部もしくは隣接する各隔壁間に照射されるよう、アライメント位置補正し配置される。なお、アライメント位置補正はＸＹθ基板ステージ２２に対し、対角位置に配置されたＣＣＤカメラ２３にてアライメントマーク２４ズレを検知、補正することでなされる。
【００４０】
図５において、現像用ＸＹ基板ステージ２８には、隔壁パターン欠陥部を含め、隣接する各隔壁間にレジストが充填された後、露光処理をした基板が載せてあり、ガントリー２５に具備されたシャワーヘッド２７からアルカリ現像液（ＴＭＡＨ：Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）２９が基板全面に噴射されるよう、シャワーヘッド２７がガイドレール２６を介してＹ方向に一定速度で可動する機構となっている。
【００４１】
図６は、図３に示す隔壁樹脂分散液塗布工程から、図４に示す露光工程、更には図５に示す現像工程を経て、隔壁パターン欠陥が修復された基板である。
【００４２】
（実施例）
基板として板厚０．７ｍｍのガラス基板を用い、基板上に反応性スパッタリング法にてタングステン酸化物（ＷＯｘ）を５０ｎｍ形成した後、フッ素がドープされたネガ型アクリル樹脂分散液を基板上にスピンコート法にて塗布した。次に温風循環乾燥機にて１１０℃で３ｍｉｎ、基板プリベーク（溶媒乾燥）を行った後、基板と一定の間隔を設けた直上部にレチクルが配置された状態で、波長４０５ｎｍのｈ線をレチクル上部より６０ｓｅｃ間照射することでプロキシミティ露光を行った。
【００４３】
最後にこの基板全面にアルカリ現像液（０．２％ＴＭＡＨ）を噴射し、更にオゾン水にて洗浄した後、温風循環乾燥機にて２２０℃で６０ｍｉｎ、基板ＰＥＢ（隔壁熱硬化）を行うことで、隔壁ピッチ６０μｍ、隔壁幅４０μｍ、隔壁高さ１μｍのストライプパターンテーパー形状隔壁をガラス基板上に形成した。
【００４４】
基板上に形成されたテーパー形状隔壁に関しては、光干渉式平面形状計測機による非接触三次元形状計測を行い、隔壁幅、高さ異常、微小異物による隔壁欠け等のパターン欠陥検出を行った。本計測後、検出されたパターン欠陥に対して、図３の模式図に示すように、隔壁パターン欠陥部を含む基板全面に、初期に塗布した分散液と同様の組成のレジストをスピンコート法にて塗布した（プロセスフロー：隔壁欠陥修正工程−レジスト塗布）。この塗布は、ＰＥＢ後の隔壁頂部上面の撥水作用により、隣接する各隔壁間のみにレジストが充填されるというもので、既に形成されている隔壁の高さが変化することがない。
【００４５】
次に、図４の模式図に示すように、初期工程と同様、塗布基板にプリベークを行った後、隔壁形成位置を露光するよう、基板とレチクルとをアライメント位置補正し、再度プロキシミティ露光を行った（プロセスフロー：隔壁欠陥修正工程−アライメント露光）。この露光は、アライメント位置補正により、隣接する各隔壁間へのＵＶ光照射をマスキング（遮光）し、隔壁形成位置のみ照射を行うというもので、既に形成されている隔壁の幅が変化することがない。また、初期工程で形成された隔壁は光照射による架橋、加熱による重合硬化により反応が終端化しているため、再露光による隔壁表面の親撥水性が変化することもない。
【００４６】
最後に図５の模式図に示すように、初期工程と同様、露光処理基板全面に、アルカリ現像液（０．２％ＴＭＡＨ）を噴射し、現像を行い（プロセスフロー：隔壁欠陥修正工程−現像）、再度洗浄、基板ＰＥＢを行うことで、図６の模式図に示すようなパターンを再度、潜像させた。
【００４７】
上記工程完了後、隔壁パターン欠陥に対し、同様に非接触三次元形状計測（Ｎ＝３）を行った結果、アライメント位置ズレなく、隔壁ピッチ、幅の正常部に対する差±５ｎｍ、隔壁高さの正常部に対する差±０．１μｍで隔壁が修復されていることが確認できた。本修正工程は隔壁パターン欠陥部に対して、局所的な塗布、露光、現像、洗浄、熱硬化を行うことなく、２回フォトリソグラフィ工程を行うのみで欠陥修復が可能であり、微小吐出を行うための設備導入、レジストフォーミュレーションなども行う必要がない。以上の点を鑑みて、この手法は隔壁正常部との形状及び特性差異を低減させるのに効果的であると言える。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明のフラットパネルディスプレイの隔壁修正方法は、有機ＥＬディスプレイ作製に限定されるものではなく、ＰＤＰなどの表示デバイスに用いることができる他、薄膜トランジスタの配線パターンやカラーフィルターの着色部欠陥修正などにも適用可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１    ＵＶ光（ｈ線）
２    レチクル
２ａ  ガラス板
２ｂ  ＵＶ遮光部（Ｃｒマスキング部）
５    ガラス基板
６    下地層（ＨＩＬ）
７    ネガ型／ポジ型レジスト
８    露光部（重合硬化、解重合）
９    ＰＥＢ（熱硬化）後パターン隔壁
１０  吐出ヘッド（スピンコート）
１１  ギャップ調整用昇降軸
１２  隔壁パターン欠陥が検出された基板
１３  レジスト（隔壁樹脂分散液）
１４  基板吸着ステージ（スピンチャック）
１５  基板吸着ステージ回転軸
１６  マイクロポアフィルター
１７  レジスト供給容器
１８  レジスト供給配管
１９  フォトアライナー（ＵＶ）光源
２０  ＵＶスプリット照射光（ｈ線）
２１  レジストが充填された基板
２２  ＸＹθ基板ステージ（露光用）
２３  ＣＣＤカメラ
２４  アライメントマーク
２５  ガントリー
２６  ガイドレール
２７  シャワーヘッド
２８  現像用ＸＹ基板ステージ
２９  アルカリ現像液（ＴＭＡＨ）
３０  隔壁欠陥修正部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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