(57)【要約】【課題】溝のサイズよりも小さいサイズの基板に成膜を行う場合であっても、基板を溝に固定できるようにする。【解決手段】基板４０を加熱処理するための反応室１１に、一面３１を有すると共に一面３１に溝３２が設けられた基板ホルダ３０を配置し、溝３２に基板４０を配置する。このとき、溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０が溝３２に配置された状態では、基板４０の側面４１と溝３２の壁面３３との間にダミー基板５０を配置する。これにより、溝３２内で基板４０の位置を固定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（４０）を加熱処理するための反応室（１１）に、一面（３１）を有すると共に前記一面（３１）に溝（３２）が設けられた基板ホルダ（３０）を配置し、前記溝（３２）に前記基板（４０）を配置して、前記基板ホルダ（３０）を前記基板ホルダ（３０）の一面（３１）に垂直な中心軸を中心に回転させた状態で前記基板（４０）に成膜を行う成膜装置であって、
前記溝（３２）のサイズよりも小さいサイズの基板（４０）が前記溝（３２）に配置された状態で、前記基板（４０）の側面（４１）と前記溝（３２）の壁面（３３）との間に配置されたダミー基板（５０）を備えていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
基板（４０）を加熱処理するための反応室（１１）に、一面（３１）を有すると共に前記一面（３１）に複数の溝（３２）が設けられた基板ホルダ（３０）を配置し、前記複数の溝（３２）に前記基板（４０）をそれぞれ配置して、前記基板ホルダ（３０）を前記基板ホルダ（３０）の一面（３１）に垂直な中心軸を中心に回転させた状態で前記基板（４０）に成膜を行う成膜装置であって、
前記複数の溝（３２）のうち前記溝（３２）のサイズよりも小さいサイズの基板（４０）が前記溝（３２）に配置されたものにおいて、前記基板（４０）の側面（４１）と前記溝（３２）の壁面（３３）との間に配置されたダミー基板（５０）を備えていることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
前記ダミー基板（５０）の重さは、前記溝（３２）のサイズより小さいサイズの基板（４０）の重さと前記ダミー基板（５０）の重さとの和が前記溝（３２）のサイズと同じサイズの前記基板（４０）の重さと同じになる重さであることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記ダミー基板（５０）の厚さは、前記溝（３２）のサイズと同じサイズの前記基板（４０）の厚さ以上、もしくは前記溝（３２）のサイズより小さいサイズの基板（４０）の厚さ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項５】
前記ダミー基板（５０）はリング状をなしていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項６】
前記リング状のダミー基板（５０）の中空部分の中心は、前記基板ホルダ（３０）の中心軸上に配置されることを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記ダミー基板（５０）のうち前記基板ホルダ（３０）の一面（３１）に露出する面はＳｉＣで構成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項８】
前記ダミー基板（５０）はＳｉＣで構成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項９】
前記基板（４０）はＳｉＣで構成されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１つに記載の成膜装置を用いた製造方法であって、前記溝（３２）のサイズよりも小さいサイズの基板（４０）が前記溝（３２）に配置された状態で、前記基板（４０）の側面（４１）と前記溝（３２）の壁面（３３）との間にダミー基板（５０）を配置した状態で成膜を行うことを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板ホルダに基板を配置して成膜を行う成膜装置およびそれを用いた製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、結晶基板上に結晶層を成長させるＣＶＤ成膜装置が、例えば特許文献１で提案されている。具体的に、特許文献１では、反応容器筐体中に設置されたプロセスチャンバに複数の基板ホルダを支持する円板状の搭載プレートが備えられたＣＶＤ成膜装置が提案されている。搭載プレートおよび基板ホルダは、成膜中に一定方向に回転するようにそれぞれ構成されている。
【０００３】
そして、基板の表面上に反応膜を成長させる際、基板を基板ホルダの上に載せて固定する。一般に、基板ホルダには、基板のサイズに応じた溝が形成されている。したがって、基板のサイズにほぼ一致する溝が形成された専用の基板ホルダを用いて該溝に基板を嵌め込み、溝に基板を固定する。このような基板ホルダを用いて、基板表面上に成膜を行う。
【特許文献１】特表２００４−５０７６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、基板ホルダに設けられた溝のサイズは一定であるので、溝のサイズより小さなサイズの基板を溝に載せると、その基板が溝の中を動いてしまうという問題が生じる。すなわち、溝の壁面と基板の側面との間に空間が形成されるため、搭載プレートや基板ホルダが回転することに伴って、基板が溝の底面を滑って動いてしまう。これにより、基板に安定して成膜を行うことができず、膜厚が不均一になったり、反応膜の性能や品質が低下してしまうという問題が生じる。
【０００５】
このため、溝と基板とのサイズが異なる場合には、基板のサイズと同じサイズの溝が設けられた基板ホルダを用いる必要がある。しかし、基板の数やサイズごとに基板ホルダを用意しなければならないし、成膜装置内の基板ホルダを基板のサイズに合ったものに交換しなければならならない。
【０００６】
本発明は、上記点に鑑み、溝のサイズよりも小さいサイズの基板に成膜を行う場合であっても、基板を溝に固定できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、
基板（４０）を加熱処理するための反応室（１１）に、一面（３１）を有すると共に一面（３１）に溝（３２）が設けられた基板ホルダ（３０）を配置し、溝（３２）に基板（４０）を配置して、基板ホルダ（３０）を基板ホルダ（３０）の一面（３１）に垂直な中心軸を中心に回転させた状態で基板（４０）に成膜を行う成膜装置であって、溝（３２）のサイズよりも小さいサイズの基板（４０）が溝（３２）に配置された状態で、基板（４０）の側面（４１）と溝（３２）の壁面（３３）との間に配置されたダミー基板（５０）を備えていることを特徴とする。
【０００８】
これにより、ダミー基板（５０）によって溝（３２）内で基板（４０）の位置を固定することができる。このため、基板ホルダ（３０）が回転しても基板（４０）が溝（３２）内を滑って移動することはなく、基板（４０）に安定して成膜を行うことができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明では、基板（４０）を加熱処理するための反応室（１１）に、一面（３１）を有すると共に一面（３１）に複数の溝（３２）が設けられた基板ホルダ（３０）を配置し、複数の溝（３２）に基板（４０）をそれぞれ配置して、基板ホルダ（３０）を基板ホルダ（３０）の一面（３１）に垂直な中心軸を中心に回転させた状態で基板（４０）に成膜を行う成膜装置であって、複数の溝（３２）のうち溝（３２）のサイズよりも小さいサイズの基板（４０）が溝（３２）に配置されたものにおいて、基板（４０）の側面（４１）と溝（３２）の壁面（３３）との間に配置されたダミー基板（５０）を備えていることを特徴とする。
【００１０】
これにより、基板ホルダ（３０）に複数の溝（３２）が設けられたものにおいても、ダミー基板（５０）によって溝（３２）内に基板（４０）の位置を固定することができる。したがって、請求項１と同様に、基板（４０）に安定して成膜を行うことができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明では、ダミー基板（５０）の重さは、溝（３２）のサイズより小さいサイズの基板（４０）の重さとダミー基板（５０）の重さとの和が溝（３２）のサイズと同じサイズの基板（４０）の重さと同じになる重さであることを特徴とする。
【００１２】
これにより、溝（３２）のサイズよりも小さいサイズの基板（４０）を溝（３２）のサイズと同じサイズの基板（４０）と同じ重さとみなすことができる。したがって、基板（４０）のサイズが小さくなったとしても、基板ホルダ（３０）の回転は変わらずに安定する。このため、成長膜の品質も基板サイズに依存せずに、安定させることができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明のように、ダミー基板（５０）の厚さを、溝（３２）のサイズと同じサイズの基板（４０）の厚さ以上、もしくは溝（３２）のサイズより小さいサイズの基板（４０）の厚さ以上とすることもできる。
【００１４】
請求項５に記載の発明では、ダミー基板（５０）はリング状をなしていることを特徴とする。これにより、リング状のダミー基板（５０）の中空部分に基板（４０）を嵌め込んで固定することができる。
【００１５】
請求項６に記載の発明では、リング状のダミー基板（５０）の中空部分の中心は、基板ホルダ（３０）の中心軸上に配置されることを特徴とする。これにより、基板ホルダ（３０）の回転のバランスを良くすることができる。このため、成長膜の面内均一性を良くすることができる。
【００１６】
請求項７に記載の発明のように、ダミー基板（５０）のうち基板ホルダ（３０）の一面（３１）に露出する面はＳｉＣで構成されているものを用いることができる。ダミー基板（５０）の表面がＳｉＣであるため、１６００℃の高温でも安定して繰り返し使用することができる。
【００１７】
請求項８に記載の発明のように、ダミー基板（５０）はＳｉＣで構成されているものを用いることができる。ダミー基板（５０）がＳｉＣであるため、１６００℃の高温でも安定して繰り返し使用することができる。
【００１８】
請求項９に記載の発明のように、基板（４０）はＳｉＣで構成されているものをもちいることができる。ダミー基板（５０）と基板（４０）とを同じＳｉＣにすることによって、１６００℃の高温でも繰り返し成膜しても安定な膜を得ることができる。
【００１９】
上記では、成膜装置について述べたが、該成膜装置を用いた製造方法についても同様のことが言える。すなわち、請求項１０に記載の発明のように、溝（３２）のサイズよりも小さいサイズの基板（４０）が溝（３２）に配置された状態で、基板（４０）の側面（４１）と溝（３２）の壁面（３３）との間にダミー基板（５０）を配置した状態で成膜を行うことができる。
【００２０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００２２】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される成膜装置は、半導体基板にＣＶＤ法によって成長膜を形成するＣＶＤ装置である。
【００２３】
図１は、本発明の第１実施形態に係る成膜装置の概略断面図である。この図に示されるように、成膜装置１は、成長容器１０と、サセプタ２０と、基板ホルダ３０とを備えている。
【００２４】
成長容器１０は、基板４０を加熱処理するための反応室１１を有するものである。反応室１１は、例えば大気圧から減圧されて反応ガス（成膜ガス）で満たされる。このため、成長容器１０には反応室１１に反応ガスを導入するための導入通路１２と、反応ガスを反応室１１から排出するための排出通路１３とが設けられている。導入通路１２は反応ガスを導入するための図示しない反応ガス供給機構に接続され、排出通路１３は反応ガスを処理するための図示しない反応ガス処理機構に接続されている。
【００２５】
また、反応室１１には、導入通路１２を介して反応室１１に導入された反応ガスの流れを指定するガイド１４が設けられている。これにより、導入通路１２を介して反応室１１に導入された反応ガスが反応室１１の中央部から外縁部に流れるようになっている。
【００２６】
なお、基板４０を加熱するために、図示されていない高周波コイルまたは複数のランプがサセプタ２０の近傍に配置されている。これによってサセプタ２０と共に基板４０が加熱される。
【００２７】
サセプタ２０は、一面２１および他面２２を有する円板状のテーブルである。サセプタ２０の他面２２には、該他面２２に対し垂直方向に延びる棒状のシャフト２３の一端が取り付けられている。シャフト２３の中心軸はサセプタ２０の中心軸と一致している。また、シャフト２３の他端は反応室１１から外部に延びて図示しない回転機構に取り付けられている。これにより、サセプタ２０はシャフト２３を介して一方向に回転させられるようになっている。
【００２８】
また、サセプタ２０は、一面２１に複数の基板ホルダ３０が配置されるものである。図１に示されるように、サセプタ２０の一面２１に複数の溝部２４が設けられている。そして、各溝部２４に円盤状の基板ホルダ３０が配置されている。
【００２９】
図２は、サセプタ２０の一面２１側から他面２２側を見た平面図である。この図に示されるように、本実施形態ではサセプタ２０の一面２１に６個の溝部２４が設けられており、各溝部２４に基板ホルダ３０がそれぞれ配置されている。
【００３０】
基板ホルダ３０は、基板４０を保持するものである。基板ホルダ３０について、図３を参照して説明する。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ断面図であり、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ断面図である。なお、図３ではサセプタ２０の断面を省略している。
【００３１】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示されるように、基板ホルダ３０は一面３１を有しており、該一面３１が凹んだ溝３２を有している。溝３２のサイズは例えば３インチ基板を載せる場合、基板４０のサイズである３インチよりわずか（例えば０．２〜２ｍｍ）に大きいサイズになっており、溝３２の深さは基板の厚さと同じ例えば０．３〜０．５ｍｍ程度である。このような形状の溝３２を備えた基板ホルダ３０が図２に示されるようにサセプタ２０の各溝部２４に固定されている。
【００３２】
また、基板ホルダ３０は、一面３１とは反対側の面に例えば遊星歯車やガス駆動等の図示しない回転機構を有している。したがって、基板ホルダ３０は、該基板ホルダ３０の一面３１に垂直な中心軸を中心に、図２の矢印のように回転するようになっている。このような基板ホルダ３０は、例えばカーボンなどにより構成されている。
【００３３】
そして、図３（ａ）に示される基板ホルダ３０の溝３２には、該溝３２のサイズよりわずかに小さいサイズの３インチの基板４０が嵌め込まれている。これにより、基板４０の位置は溝３２に固定されている。本実施形態では、基板４０としてＳｉＣで構成されたものが用いられる。
【００３４】
一方、図３（ｂ）に示される基板ホルダ３０の溝３２には、基板ホルダ３０の溝３２よりも小さいサイズの基板４０が溝３２に配置されている。図３（ｂ）に示される基板４０のサイズは例えば２インチである。また、基板４０の側面４１と溝３２の壁面３３との間にダミー基板５０が備えられている。
【００３５】
ダミー基板５０は、基板４０のサイズが基板ホルダ３０の溝３２のサイズよりも小さいときに用意され、基板４０と共に溝３２に配置される。図４は、ダミー基板５０の平面図である。この図に示されるように、本実施形態ではダミー基板５０はリング状をなしている。これにより、リング状のダミー基板５０の中空部分に基板４０を嵌め込んで固定することが可能となる。
【００３６】
また、リング状のダミー基板５０の内周と外周との中心は同一になっており、さらにリング状のダミー基板５０の中空部分の中心（つまり内周の中心）は、基板ホルダ３０の中心軸上に配置される。これにより、基板ホルダ３０の回転のバランスを良くすることが可能となり、成長膜の面内均一性が良くなる。
【００３７】
そして、ダミー基板５０の重さは、溝３２のサイズより小さいサイズの基板４０の重さとダミー基板５０の重さとの和が溝３２のサイズと同じサイズの基板４０の重さと同じになる重さになっている。言い換えると、ダミー基板５０の重さは、溝３２のサイズと同じサイズの基板４０の重さから溝３２のサイズより小さいサイズの基板４０の重さを差し引いた重さになっている。
【００３８】
すなわち、図３（ａ）に示される１枚の基板４０の重さと、図３（ｂ）に示される基板４０とダミー基板５０とを合わせた２枚の重さとが同じになっている。これにより、基板ホルダ３０ごとに重さの偏りが生じないので、基板ホルダ３０はそれぞれ安定に回転する。このため、成長する膜厚の均一性も安定する。
【００３９】
また、ダミー基板５０の厚さは、溝３２のサイズと同じサイズの基板４０の厚さ、もしくは溝３２のサイズより小さいサイズの基板４０の厚さと同じになっている。すなわち、図３の各図に示されるように、基板ホルダ３０の溝３２に基板４０やダミー基板５０が配置されたとき、基板４０およびダミー基板５０が基板ホルダ３０の一面３１と同じ高さになっている。
【００４０】
上記のようなダミー基板５０として、ＳｉＣで構成されたものが用いられる。ダミー基板５０は、例えば一枚のＳｉＣ基板が用意され、このＳｉＣ基板の一部に貫通孔が設けられることで形成される。また、ダミー基板５０の径方向の幅は、溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０の側面４１と溝３２の壁面３３との間の幅に一致するが、ダミー基板５０そのものが熱膨張することを考慮して、ダミー基板５０と溝３２の壁面３３との間やダミー基板５０と基板４０との間に多少の隙間が設けられている。
【００４１】
以上が、本実施形態に係る成膜装置１の構成および成膜装置１に備えられたダミー基板５０の構成である。なお、成膜装置１におけるサセプタ２０の回転速度や反応ガスの導入・排出等、反応室１１内の加熱制御等は、図示しない制御装置により行われる。
【００４２】
次に、上記の成膜装置１を用いて、基板４０に成長膜を形成する方法について説明する。まず、サセプタ２０の各溝部２４に基板ホルダ３０をそれぞれ配置し、さらに基板４０を各基板ホルダ３０の溝３２に配置する。
【００４３】
ここで、図２に示されるように、６個の基板ホルダ３０のうち、３個の基板ホルダ３０に溝３２と同じサイズの基板４０（例えば３インチ）を配置する。一方、残りの３個の基板ホルダ３０に溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０（例えば２インチ）をそれぞれ配置し、さらに基板４０の側面４１と溝３２の壁面３３との間にダミー基板５０をそれぞれ配置する。これにより、サイズが小さい基板４０の位置を溝３２内に固定する。
【００４４】
このように、６個の基板ホルダ３０に対し、３個の基板ホルダ３０においては溝３２と同じサイズの基板４０を設置できる。また、ダミー基板５０を用いることにより、溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０を他の３つの基板ホルダ３０に設置することができる。つまり、基板ホルダ３０の溝３２にダミー基板５０を配置することで、サイズの異なった基板４０に同時に成膜を行うことができるメリットがある。
【００４５】
続いて、図示しない真空ポンプにより反応室１１を真空にし、基板４０に成長膜を成長させるための成膜ガスを導入通路１２を介して反応室１１に導入し、図示しないハロゲンランプによってサセプタ２０を例えば１６００℃に加熱する。これにより、基板４０の表面上に反応膜を形成する。反応膜としては、例えばＳｉＣ膜を形成する。
【００４６】
反応膜は、ダミー基板５０の上や基板ホルダ３０の一面３１にも形成される。したがって、ダミー基板５０の厚さは、溝３２のサイズと同じサイズの基板４０の厚さ以上、もしくは溝３２のサイズより小さいサイズの基板４０の厚さ以上になることもある。
【００４７】
また、本実施形態では、リング状のダミー基板５０を基板ホルダ３０の溝３２に配置しているため、該溝３２の底面はダミー基板５０で覆われている。このため、ダミー基板５０は、溝３２の底面に反応膜が形成されないようにする役割を果たし、溝３２の底面に反応膜が形成された場合の反応膜の除去作業を行わなくても良いようになっている。
【００４８】
このように反応膜を形成する際、上述のように、図２に示される各基板ホルダ３０においては、溝３２のサイズと同じサイズの基板４０の重さと、ダミー基板５０の重さと溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０の重さとの和が同じにされている。このため、基板ホルダ３０ごとに重さの偏りが生じることはなく、基板ホルダ３０ごとに回転は変わらずに安定する。したがって、成長膜の品質も基板サイズに依存せずに、複数枚繰り返し安定した成長膜が得られる。
【００４９】
このようにして、基板ホルダ３０の溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０に成膜を行うときにはダミー基板５０を用いて成膜を行うことにより、基板４０に反応膜を形成することができる。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態では、基板ホルダ３０の溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０を溝３２に配置するときには、溝３２のうち基板４０が配置されていない場所にダミー基板５０を置くことで基板４０を固定することが特徴となっている。
【００５１】
これにより、ダミー基板５０によって溝３２内で基板４０の位置を固定できるため、基板ホルダ３０が回転しても基板４０が溝３２内を滑って移動することを防止できる。したがって、基板４０に対して安定した成膜を行うことができる。
【００５２】
また、基板ホルダ３０の溝３２がダミー基板５０で覆われるため、溝３２の底面に成長膜が付着する問題は起こらない。
【００５３】
さらに、異なったサイズの基板４０を複数同時に成長でき、同じサイズの基板４０しか成長できないという問題も起こらない。すなわち、基板４０のサイズごとに基板ホルダ３０を用意する必要はなく、成膜装置１内の基板ホルダ３０を基板４０のサイズに合ったものに交換する必要がないというメリットがある。
【００５４】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第１実施形態では、基板ホルダ３０に１つの溝３２が設けられたものが示されたが、本実施形態では基板ホルダ３０は複数の溝３２が設けられたものになっている。
【００５５】
図５は、本実施形態に係る成膜装置１の概略断面図である。この図に示されるように、成膜装置１は、成長容器１０内にサセプタ２０が配置され、サセプタ２０の一面２１に対向する位置にガイド１４が配置されている。成長容器１０には反応ガスの導入通路１２と排出通路１３が設けられている。
【００５６】
そして、導入通路１２を介して反応ガスが成長容器１０の反応室１１に導入されると、ガイド１４とサセプタ２０の一面２１との間を流れて排出通路１３を介して排出されるようになっている。
【００５７】
サセプタ２０の一面２１には１つの溝部２４が設けられており、該溝部２４に基板ホルダ３０が配置されている。基板ホルダ３０は、第１実施形態と同様に、該基板ホルダ３０の一面３１に垂直な中心軸を中心に回転するようになっている。また、基板ホルダ３０の一面３１に溝３２が設けられ、該溝３２に基板４０が配置されている。
【００５８】
図６は、基板ホルダ３０の一面３１を見た平面図である。この図に示されるように、本実施形態では、基板ホルダ３０の一面３１に６個の溝３２が設けられており、各溝３２に基板４０がそれぞれ配置されている。
【００５９】
図７（ａ）は図６のＣ−Ｃ断面図であり、図７（ｂ）は図６のＤ−Ｄ断面図である。図７（ａ）に示されるように、基板４０のサイズが基板ホルダ３０の溝３２とほぼ同じ場合、基板４０の位置は溝３２によって固定される。一方、図７（ｂ）に示されるように、基板４０のサイズが溝３２のサイズよりも小さい場合、基板４０の側面４１と溝３２の壁面３３との間にダミー基板５０が配置されることで基板４０の位置が固定される。このように、各溝３２に配置される基板４０のうち溝３２のサイズよりも小さいものについては、第１実施形態と同様にダミー基板５０によって位置が固定される。
【００６０】
以上のように、１つの基板ホルダ３０に複数の溝３２が設けられたものについても、溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０を溝３２に配置するときには、ダミー基板５０を用いることにより基板４０の位置を固定することができる。したがって、基板４０に安定して成膜を行うことが可能となる。
【００６１】
もちろん、サイズが異なる基板４０に同時に成膜を行うこともできるし、溝３２の底面に成長膜が付着することもない。
【００６２】
そして、図７（ａ）に示される１枚の基板４０の重さと、図７（ｂ）に示される基板４０とダミー基板５０とを合わせた２枚の重さとが同じになっている。これにより、基板ホルダ３０の中心に位置する回転軸に対して重さの偏りが生じないので、基板ホルダ３０は安定に回転する。このため、それぞれの基板４０に成長する膜厚の均一性はばらつきが小さい。
【００６３】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、基板４０としてＳｉＣを例に説明したが、他の材質によって構成された基板に成膜を行うようにしても良い。
【００６４】
上記各実施形態では、ダミー基板５０としてＳｉＣで構成されたものを用いているが、ダミー基板５０のうち基板ホルダ３０の一面３１に露出する面がＳｉＣで構成されたものを用いても良い。
【００６５】
第１実施形態では、６個の基板ホルダ３０をサセプタ２０に配置しているが、これは一例を示したものであり、サセプタ２０に載せる基板ホルダ３０の数は２個でも７個以上でも良い。第２実施形態も同様に、基板ホルダ３０に設ける溝３２の数は６個に限らず１個以上であれば良い。
【００６６】
上記各実施形態では、溝３２の底面に成長膜を付着させないという観点から、ダミー基板５０は溝３２の底面のうち基板４０を除いた領域をすべて覆う形態であることが好ましい。しかし、基板４０の位置を固定するという役割のみに着目すれば、ダミー基板５０の形態は溝３２の底面が露出するものであっても良い。
【００６７】
上記各実施形態では、ダミー基板５０の厚さは溝３２のサイズと同じサイズの基板４０の厚さ、もしくは溝３２のサイズより小さいサイズの基板４０の厚さと同じであった。ここで、基板４０とダミー基板５０とを合わせた重さが、溝３２のサイズと同じサイズの基板４０の重さと同じになることに鑑みると、ダミー基板５０の材質が基板４０よりも比重の重い材質でない限り、ダミー基板５０が基板４０よりも薄くなることはない。したがって、ダミー基板５０の厚さは、溝３２のサイズと同じサイズの基板４０の厚さ以上、もしくは溝３２のサイズより小さいサイズの基板４０の厚さ以上になっていても良い。この場合でも、溝３２と同じサイズの基板４０の重さが、ダミー基板５０の重さと溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０の重さとの和と同じになっていれば良い。
【００６８】
ここで、基板４０は通常単結晶であるため、ダミー基板５０は単結晶でもよいが、再生や作製のしやすさから多結晶ないし多孔質であってもよい。多孔質であれば、単結晶よりも比重が軽くなる。
【００６９】
上記各実施形態では、ダミー基板５０はリング状になっていたが、他の形態であっても良い。図８は、ダミー基板５０の一例を示した平面図である。例えば、図８（ａ）に示されるように、リングの内周と外周とが同心円ではなく、内周の中心と外周の中心とが一致していないものでも良い。特に、第２実施形態では重さの偏りがないことが重要である。
【００７０】
また、図８（ｂ）に示されるように、ダミー基板５０に四角形状の貫通孔が設けられたものでも良い。このダミー基板５０は、例えば、円形の基板４０を四角形状に分割したあとであっても、基板ホルダ３０の溝３２に四角形状の基板４０を配置できるものである。貫通孔は、特定の形状である必要はなく、不特定の基板形状でもその形状に合うように孔をレーザ等の加工で開けるだけで容易に作製できる。したがって、オリエンテーションフラットのあるウエハ形状でもよい。
【００７１】
さらに、図８（ｃ）に示されるように、ダミー基板５０が１つで構成されておらず、第１の部品５１と第２の部品５２とでダミー基板５０が構成されていても良い。このように、ダミー基板５０が複数の部品５１、５２で構成されていると、溝３２や基板４０の形に対する自由度が生まれる。このため、溝３２に対してダミー基板５０を嵌めやすくすることができ、ダミー基板５０に対して基板４０を嵌めやすくすることができる。
【００７２】
これら図８に示された形態のダミー基板５０も、もちろん、溝３２と同じサイズの基板４０の重さが、ダミー基板５０の重さと溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０の重さとの和と同じになっている。
【００７３】
一方、図４や図８に示されるように、ダミー基板５０に設けられる貫通孔は一つでなくても良い。すなわち、１つのダミー基板５０に複数の貫通孔が設けられ、１つのダミー基板５０で複数の基板４０の位置が固定されるようにすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る成膜装置の概略断面図である。
【図２】サセプタの一面側から他面側を見た平面図である。
【図３】（ａ）は図２のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】第１実施形態に係るダミー基板の平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る成膜装置の概略断面図である。
【図６】第２実施形態において、基板ホルダの一面を見た平面図である。
【図７】（ａ）は図６のＣ−Ｃ断面図であり、（ｂ）は図６のＤ−Ｄ断面図である。
【図８】他の実施形態において、ダミー基板の一例を示した平面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１１  反応室
３０  基板ホルダ
３１  基板ホルダの一面
３２  基板ホルダの溝
３３  溝の壁面
４０  基板
４１  基板の側面
５０  ダミー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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