(57)【要約】【課題】画像表示の時の各画素からの光の伝搬を阻害することなく、各画素の補正を行うときに用いる各画素の発光輝度を適切に測定できるようにする。【解決手段】受光センサ３は、ＥＬパネル２における注目画素の発光輝度を測定する。受光センサ３は、ＥＬパネル２の表示面は異なる面である受光面７１に配置される。受光面７１とＥＬパネル２との配置は、受光面７１の法線ベクトルとＥＬパネル２の法線ベクトルとのなす角度θが、所定の閾値の範囲内である第１の状態と、所定の閾値の範囲外である第２状態とすることができる。受光面７１とＥＬパネル２との配置は、受光センサ３が発光輝度を測定するときには第１状態とし、通常発光時には第２状態とすることができる。本発明は、例えば、自発光素子を用いたパネルに適用できる。【選択図】図１１
2010152065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光素子により発光する画素が複数配置されているパネルと、
前記パネルを構成する前記画素の発光輝度を測定する受光センサと、
前記パネルとは異なる面であって、前記受光センサを配置する受光面と
を備え、
前記受光面と、前記パネルの表示面との配置の状態として、
前記パネルの表示面に対して、前記受光センサが前記画素の発光輝度を測定可能な位置に前記受光面が配置される第１状態と、
前記パネルの表示面に対して、前記受光センサが前記画素の発光輝度を測定不可能な位置に前記受光面が配置される第２状態と
を有する表示装置。
【請求項２】
前記受光面の法線ベクトルと前記パネルの法線ベクトルとのなす角度θのうち、前記受光センサが前記画素の発光輝度を測定可能な所定角度を閾値として、前記角度θが前記閾値の範囲内である状態を前記第１の状態として採用し、前記角度θが前記閾値の範囲外である状態を前記第２状態として採用する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記パネルに対する着脱自在なカバーをさらに備え、
前記カバーを構成する一つの面を前記受光面として採用する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記受光面を回動させて、前記パネルの表示面に対して開閉自在にさせるヒンジ部をさらに備え、
前記受光面が前記パネルの表示面に対して開いている状態を第１の状態として採用し、
前記受光面が前記パネルの表示面に対して閉じている状態を第２の状態として採用する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記パネルを構成する前記画素のうちの１つが注目画素となり、前記受光センサにより、前記注目画素の発光輝度が測定され、アナログの受光信号が出力された場合、前記注目画素の受光信号を、所定の増幅率で増幅する増幅部と、
前記増幅部による増幅後の前記受光信号をデジタルデータに変換して出力する変換部と、
前記変換部から出力された前記デジタルデータに基づいて、経時劣化による輝度低下の補正データを演算し、その補正データに基づいて、前記注目画素に対応する映像信号を補正し、補正された前記映像信号を前記注目画素に供給させる信号処理部と
をさらに備える請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記パネルと同じ面上であって、前記パネルとは異なる位置に配置される発光輝度測定専用の画素と、
前記受光面に配置される前記発光輝度測定専用の画素の発光輝度を測定するための受光センサ
をさらに備える請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、画像表示の時の各画素からの光の伝搬を阻害することなく、各画素の補正を行うときに用いる各画素の発光輝度を適切に測定できるようになった表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子として有機ＥＬ(Electro Luminescent)デバイスを用いた平面自発光型のパネル（ＥＬパネル）の開発が近年盛んになっている。有機ＥＬデバイスは、ダイオード特性を有し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用したデバイスである。有機ＥＬデバイスは、印加電圧が１０Ｖ以下で駆動するため低消費電力であり、自ら光を発する自発光素子である。このため、有機ＥＬデバイスは、照明部材を必要とせず軽量化及び薄型化が容易であるという特長を有する。また、有機ＥＬデバイスの応答速度は数μｓ程度と非常に高速である。よって、ＥＬパネルは、動画表示時の残像が発生しないという特性を有する。
【０００３】
有機ＥＬデバイスを画素に用いた平面自発光型のパネルの中でも、とりわけ駆動素子として薄膜トランジスタを各画素に集積形成したアクティブマトリクス型のパネルの開発が盛んである。アクティブマトリクス型平面自発光パネルは、例えば次の特許文献１乃至５に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２５５８５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献３】特開２００４−１３３２４０号公報
【特許文献４】特開２００４−０２９７９１号公報
【特許文献５】特開２００４−０９３６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、有機ＥＬデバイスはまた、発光量および発光時間に比例して輝度効率が低下するという特性を有している。有機ＥＬデバイスの発光輝度は電流値と輝度効率の積で表されるため、輝度効率の低下は発光輝度の低下につながる。画面に表示される内容として、各画素で一様な表示を行う画像は稀であり、画素ごとに発光量が異なるのが一般的である。従って、過去の発光量および発光時間の違いにより、同一の駆動条件下であっても各画素で発光輝度の低下の度合いが異なることになる。その結果、輝度効率の低下度合が他と比較して著しい画素において、あたかも焼き付きが生じているような現象（以下、焼き付き現象と称する）がユーザに視認される。
【０００６】
このため、有機ＥＬデバイスを搭載する表示装置の中には、輝度効率低下がまちまちである各画素に対して、各輝度効率を統一にする補正（以下、焼き付き補正と称する）を行っているものも存在する。なお、焼き付き補正を行う場合、各画素ごとの発光輝度を測定する必要がある。各画素ごとの発光輝度を測定するためには、例えばＥＬパネルの表面に発光輝度を受光するセンサ（以下、受光センサと称する）を配置する必要がある。しかしながら、受光センサをＥＬパネルの表面に配置すると、各画素がＥＬパネルに画像を表示するために発光するときにおいて、この受光センサが障害物となってしまう。即ち、視聴者からすると、受光センサは、各画素から発光された光の伝搬（自身の目までの伝搬）を阻害する要因となってしまう。
【０００７】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、画像表示の時の各画素からの光の伝搬を阻害することなく、各画素の補正を行うときに用いる各画素の発光輝度を適切に測定できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面の表示装置は、自発光素子により発光する画素が複数配置されているパネルと、前記パネルを構成する前記画素の発光輝度を測定する受光センサと、前記パネルとは異なる面であって、前記受光センサを配置する受光面とを備え、前記受光面と、前記パネルの表示面との配置の状態として、前記パネルの表示面に対して、前記受光センサが前記画素の発光輝度を測定可能な位置に前記受光面が配置される第１状態と、前記パネルの表示面に対して、前記受光センサが前記画素の発光輝度を測定不可能な位置に前記受光面が配置される第２状態とを有する。
【０００９】
前記受光面の法線ベクトルと前記パネルの法線ベクトルとのなす角度θのうち、前記受光センサが前記画素の発光輝度を測定可能な所定角度を閾値として、前記角度θが前記閾値の範囲内である状態を前記第１の状態として採用し、前記角度θが前記閾値の範囲外である状態を前記第２状態として採用する。
【００１０】
前記パネルに対する着脱自在なカバーをさらに備え、前記カバーを構成する一つの面を前記受光面として採用する。
【００１１】
前記受光面を回動させて、前記パネルの表示面に対して開閉自在にさせるヒンジ部をさらに備え、前記受光面が前記パネルの表示面に対して開いている状態を第１の状態として採用し、前記受光面が前記パネルの表示面に対して閉じている状態を第２の状態として採用する。
【００１２】
前記パネルを構成する前記画素のうちの１つが注目画素となり、前記受光センサにより、前記注目画素の発光輝度が測定され、アナログの受光信号が出力された場合、前記注目画素の受光信号を、所定の増幅率で増幅する増幅部と、前記増幅部による増幅後の前記受光信号をデジタルデータに変換して出力する変換部と、前記変換部から出力された前記デジタルデータに基づいて、経時劣化による輝度低下の補正データを演算し、その補正データに基づいて、前記注目画素に対応する映像信号を補正し、補正された前記映像信号を前記注目画素に供給させる信号処理部とをさらに備える。
【００１３】
前記パネルと同じ面上であって、前記パネルとは異なる位置に配置される発光輝度測定専用の画素と、前記受光面に配置される前記発光輝度測定専用の画素の発光輝度を測定するための受光センサとをさらに備える。
【００１４】
本発明の一側面においては、自発光素子により発光する画素が行列状に複数配置されているパネルと、前記パネルを構成する前記画素の発光輝度を測定する受光センサと、前記パネルとは異なる面であって、前記受光センサを配置する受光面とが備えられる。前記受光面と、前記パネルの表示面との配置の状態として、前記パネルの表示面に対して、前記受光センサが前記画素の発光輝度を測定可能な位置に前記受光面が配置される第１状態と、前記パネルの表示面に対して、前記受光センサが前記画素の発光輝度を測定不可能な位置に前記受光面が配置される第２状態とが有される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一側面によれば画像表示の時の各画素からの光の伝搬を阻害することなく、各画素の補正を行うときに用いる各画素の発光輝度を適切に測定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
＜本発明の実施の形態＞
［表示装置の構成］
図１は、本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【００１７】
図１の表示装置１は、ＥＬパネル２、複数の受光センサ３からなるセンサ群４、および制御部５を含むように構成されている。ＥＬパネル２は、有機ＥＬデバイスを自発光素子として用いたパネルとして構成されている。受光センサ３は、ＥＬパネル２の発光輝度を測定するセンサとして構成されている。制御部５は、複数の受光センサ３から得たＥＬパネル２の発光輝度に基づいてＥＬパネル２の表示を制御する。
【００１８】
［ＥＬパネルの構成］
図２は、ＥＬパネル２の構成例を示すブロック図である。
【００１９】
ＥＬパネル２は、画素アレイ部１０２、水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１０３、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１０４、および電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１０５を含むように構成されている。画素アレイ部１０２は、Ｎ×Ｍ個（Ｎ,Ｍは相互に独立した１以上の整数値）の画素（画素回路）１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）が行列状に配置されて構成されている。水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１０３、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１０４、および電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１０５は、画素アレイ部１０２を駆動する駆動部として動作する。
【００２０】
また、ＥＬパネル２は、Ｍ本の走査線ＷＳＬ１０−１乃至１０−Ｍ、Ｍ本の電源線ＤＳＬ１０−１乃至１０−Ｍ、およびＮ本の映像信号線ＤＴＬ１０−１乃至１０−Ｎも有する。
【００２１】
なお、以下において、走査線ＷＳＬ１０−１乃至１０−Ｍそれぞれを特に区別する必要がない場合、単に、走査線ＷＳＬ１０と称する。また、映像信号線ＤＴＬ１０−１乃至１０−Ｎそれぞれを特に区別する必要がない場合、単に、映像信号線ＤＴＬ１０と称する。画素１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）および電源線ＤＳＬ１０−１乃至１０−Ｍについても同様に、画素１０１および電源線ＤＳＬ１０と称する。
【００２２】
画素１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）のうちの第１行目の画素１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，１）は、走査線ＷＳＬ１０−１でライトスキャナ１０４と、電源線ＤＳＬ１０−１で電源スキャナ１０５とそれぞれ接続されている。また、画素１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）のうちの第Ｍ行目の画素１０１−（１，Ｍ）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）は、走査線ＷＳＬ１０−Ｍでライトスキャナ１０４と、電源線ＤＳＬ１０−Ｍで電源スキャナ１０５とそれぞれ接続されている。画素１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）の行方向に並ぶその他の画素１０１についても同様である。
【００２３】
また、画素１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）のうちの第１列目の画素１０１−（１，１）乃至１０１−（１，Ｍ）は、映像信号線ＤＴＬ１０−１で水平セレクタ１０３と接続されている。画素１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）のうちの第Ｎ列目の画素１０１−（Ｎ，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）は、映像信号線ＤＴＬ１０−Ｎで水平セレクタ１０３と接続されている。画素１０１−（１，１）乃至１０１−（Ｎ，Ｍ）の列方向に並ぶその他の画素１０１についても同様である。
【００２４】
ライトスキャナ１０４は、走査線ＷＳＬ１０−１乃至１０−Ｍに水平周期（１Ｈ）で順次制御信号を供給して画素１０１を行単位で線順次走査する。電源スキャナ１０５は、線順次走査に合わせて電源線ＤＳＬ１０−１乃至１０−Ｍに第１電位（後述するＶｃｃ）または第２電位（後述するＶｓｓ）の電源電圧を供給する。水平セレクタ１０３は、線順次走査に合わせて各水平期間内（１Ｈ）で映像信号に対応する信号電位Ｖｓｉｇと基準電位Ｖｏｆｓとを切換えて列状の映像信号線ＤＴＬ１０−１乃至１０−Ｍに供給する。
【００２５】
［画素１０１の配列構成］
図３は、ＥＬパネル２の各画素１０１が発光する色の配列を示している。
【００２６】
画素アレイ部１０２の各画素１０１は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、または青（Ｂ）のいずれかの色を発光するいわゆる副画素（サブピクセル）に相当し、行方向（図面左右方向）に並ぶ赤、緑、および青の３つの画素１０１で表示単位としての１画素が構成される。
【００２７】
なお、図３では、ライトスキャナ１０４が画素アレイ部１０２の左側に配置されるとともに、走査線ＷＳＬ１０および電源線ＤＳＬ１０が画素１０１の下側から接続されている点が図２と異なる。水平セレクタ１０３、ライトスキャナ１０４、電源スキャナ１０５、および、各画素１０１と接続される配線は、必要に応じて適切な位置に配置することができる。
【００２８】
［画素１０１の詳細回路構成］
図４は、ＥＬパネル２に含まれるＮ×Ｍ個の画素１０１のうちの１つの画素１０１を拡大することにより、画素１０１の詳細な回路構成を示したブロック図である。
【００２９】
なお、図４において画素１０１と接続されている走査線ＷＳＬ１０、映像信号線ＤＴＬ１０、および電源線ＤＳＬ１０のそれぞれは、図２に対応させると次のようになる。即ち、図２における画素１０１−（ｎ，ｍ）（ｎ＝１，２，・・・，Ｎ，ｍ＝１，２，・・・，Ｍ）に対する、走査線ＷＳＬ１０−（ｎ，ｍ）、映像信号線ＤＴＬ１０−（ｎ，ｍ）、および電源線ＤＳＬ１０−（ｎ，ｍ）のそれぞれが対応する。
【００３０】
図４の画素１０１は、サンプリング用トランジスタ３１、駆動用トランジスタ３２、蓄積容量３３、および発光素子３４を有する。サンプリング用トランジスタ３１のゲートは走査線ＷＳＬ１０と接続され、サンプリング用トランジスタ３１のドレインは映像信号線ＤＴＬ１０と接続されるとともに、ソースが駆動用トランジスタ３２のゲートｇと接続されている。
【００３１】
駆動用トランジスタ３２のソース及びドレインの一方は発光素子３４のアノードに接続され、他方が電源線ＤＳＬ１０に接続される。蓄積容量３３は、駆動用トランジスタ３２のゲートｇと発光素子３４のアノードに接続されている。また、発光素子３４のカソードは所定の電位Ｖｃａｔに設定されている配線３５に接続されている。この電位ＶｃａｔはGNDレベルであり、従って、配線３５は接地配線である。
【００３２】
サンプリング用トランジスタ３１および駆動用トランジスタ３２は、いずれもＮチャネル型トランジスタである。よって、サンプリング用トランジスタ３１および駆動用トランジスタ３２は、低温ポリシリコンよりも安価に作成できるアモルファスシリコンで作成することができる。これにより、画素回路の製造コストをより安価にすることができる。勿論、サンプリング用トランジスタ３１および駆動用トランジスタ３２は、低温ポリシリコンや単結晶シリコンで作成しても構わない。
【００３３】
発光素子３４は、有機ＥＬ素子で構成される。有機ＥＬ素子はダイオード特性を有する電流発光素子である。よって、発光素子３４は、供給される電流値Ｉｄｓに応じた階調の発光を行う。
【００３４】
以上のように構成される画素１０１において、サンプリング用トランジスタ３１が、走査線ＷＳＬ１０からの制御信号に応じてオン（導通）し、映像信号線ＤＴＬ１０を介して階調に応じた信号電位Ｖｓｉｇの映像信号をサンプリングする。蓄積容量３３は、映像信号線ＤＴＬ１０を介して水平セレクタ１０３から供給された電荷を蓄積して保持する。駆動用トランジスタ３２は、第１電位Ｖｃｃにある電源線ＤＳＬ１０から電流の供給を受け、蓄積容量３３に保持された信号電位Ｖｓｉｇに応じて駆動電流Ｉｄｓを発光素子３４に流す（供給する）。発光素子３４に所定の駆動電流Ｉｄｓが流れることにより、画素１０１が発光する。
【００３５】
画素１０１は、閾値補正機能を有する。閾値補正機能とは、駆動用トランジスタ３２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を蓄積容量３３に保持させる機能である。閾値補正機能を発揮させることで、ＥＬパネル２の画素毎のばらつきの原因となる駆動用トランジスタ３２の閾値電圧Ｖｔｈの影響をキャンセルすることができる。
【００３６】
また、画素１０１は、上述した閾値補正機能に加え、移動度補正機能も有する。移動度補正機能とは、蓄積容量３３に信号電位Ｖｓｉｇを保持する際、駆動用トランジスタ３２の移動度μに対する補正を信号電位Ｖｓｉｇに加える機能である。
【００３７】
さらに、画素１０１は、ブートストラップ機能も備えている。ブートストラップ機能とは、駆動用トランジスタ３２のソース電位Ｖｓの変動にゲート電位Ｖｇを連動させる機能である。ブートストラップ機能の発揮により、駆動用トランジスタ３２のゲートとソース間の電圧Ｖｇｓを一定に維持することが出来る。
【００３８】
［画素１０１の動作説明］
図５は、画素１０１の動作を説明するタイミングチャートである。
【００３９】
図５は、同一の時間軸（図面横方向）に対する走査線ＷＳＬ１０、電源線ＤＳＬ１０、および映像信号線ＤＴＬ１０の電位変化と、それに対応する駆動用トランジスタ３２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの変化を示している。
【００４０】
図５において、時刻ｔ1までの期間は、前の水平期間（１Ｈ）の発光がなされている発光期間Ｔ1である。
【００４１】
発光期間Ｔ1が終了した時刻ｔ1から時刻ｔ4までは、駆動用トランジスタ３２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓを初期化することで閾値電圧補正動作の準備を行う閾値補正準備期間Ｔ2である。
【００４２】
閾値補正準備期間Ｔ2では、時刻ｔ1において、電源スキャナ１０５が、電源線ＤＳＬ１０の電位を高電位である第１電位Ｖｃｃから低電位である第２電位Ｖｓｓに切換える。そして、時刻ｔ2において、水平セレクタ１０３が、映像信号線ＤＴＬ１０の電位を信号電位Ｖｓｉｇから基準電位Ｖｏｆｓに切換える。次に、時刻ｔ3において、ライトスキャナ１０４が、走査線ＷＳＬ１０の電位を高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ３１をオンさせる。これにより、駆動用トランジスタ３２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓにリセットされ、且つ、ソース電位Ｖｓが映像信号線ＤＴＬ１０の第２電位Ｖｓｓにリセットされる。
【００４３】
時刻ｔ4から時刻ｔ5までは、閾値補正動作を行う閾値補正期間Ｔ3である。閾値補正期間Ｔ3では、時刻ｔ4において、電源スキャナ１０５により、電源線ＤＳＬ１０の電位が高電位Ｖｃｃに切換えられ、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が、駆動用トランジスタ３２のゲートとソースとの間に接続された蓄積容量３３に書き込まれる。
【００４４】
時刻ｔ5から時刻ｔ7までの書き込み＋移動度補正準備期間Ｔ4では、走査線ＷＳＬ１０の電位が高電位から低電位に一旦切換えられる。また、時刻ｔ7の前の時刻ｔ6において、水平セレクタ１０３が、映像信号線ＤＴＬ１０の電位を基準電位Ｖｏｆｓから階調に応じた信号電位Ｖｓｉｇに切換える。
【００４５】
そして、時刻ｔ7から時刻ｔ8までの書き込み＋移動度補正期間Ｔ5において、映像信号の書き込みと移動度補正動作が行われる。即ち、時刻ｔ7から時刻ｔ8までの間、走査線ＷＳＬ１０の電位が高電位に設定され、これにより、映像信号に対応する信号電位Ｖｓｉｇが閾値電圧Ｖｔｈに足し込まれる形で蓄積容量３３に書き込まれる。また、移動度補正用の電圧ΔＶμが蓄積容量３３に保持された電圧から差し引かれる。
【００４６】
書き込み＋移動度補正期間Ｔ5終了後の時刻ｔ8において、走査線ＷＳＬ１０の電位が低電位に設定され、それ以降、発光期間Ｔ6として、信号電圧Ｖｓｉｇに応じた発光輝度で発光素子３４が発光する。信号電圧Ｖｓｉｇは、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と移動度補正用の電圧ΔＶμとによって調整されているため、発光素子３４の発光輝度は駆動用トランジスタ３２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μのばらつきの影響を受けることがない。
【００４７】
なお、発光期間Ｔ6の最初でブートストラップ動作が行われ、駆動用トランジスタ３２のゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈ−ΔＶμを一定に維持したまま、駆動用トランジスタ３２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓが上昇する。
【００４８】
また、時刻ｔ8から所定時間経過後の時刻ｔ9において、映像信号線ＤＴＬ１０の電位が、信号電位Ｖｓｉｇから基準電位Ｖｏｆｓに落とされる。図５において、時刻ｔ2から時刻ｔ9までの期間は水平期間（１Ｈ）に相当する。
【００４９】
以上のようにして、ＥＬパネル２の各画素１０１では、駆動用トランジスタ３２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μのばらつきの影響を受けることがなく、発光素子３４を発光させることができる。
【００５０】
［画素１０１の動作の別の例説明］
図６は、画素１０１の動作の別の例を説明するタイミングチャートである。
【００５１】
上述した図５の例では、閾値補正動作は１Ｈ期間に１回行われていた。ただし、１Ｈ期間が短く、１Ｈ期間内で閾値補正動作を行うことが難しい場合がある。そのような場合には、複数の１Ｈ期間にわたって複数回の閾値補正動作を行わせることができる。行うこともできる。
【００５２】
図６の例では、閾値補正動作は、連続する３Ｈ期間で行われる。即ち、図６の例では、閾値補正期間Ｔ3が３回に分割されている。なお、その他の画素１０１の動作は、図５の例の動作と同様である。よって、これらの動作の説明については省略する。
【００５３】
［焼き付き補正制御の説明］
ところで、有機ＥＬデバイスは、発光量および発光時間に比例して発光輝度が低下する特性を有している。そのため、所定の時間が経過すると、同一の駆動条件下でも、それまでの発光量および発光時間に応じて各画素１０１の輝度効率の低下の度合いが異なってくる。このため、各画素１０１の輝度効率低下のばらつきにより、輝度効率の低下度合が他と比較して著しい画素１０１が生じる。その結果、かかる画素１０１において、あたかも焼き付きが生じているような現象（以下、焼き付き現象と称する）がユーザに視認される。そこで、表示装置１は、輝度効率低下がまちまちである各画素１０１に対して、各輝度効率を統一にする補正（以下、焼き付き補正と称する）を行っている。
【００５４】
［焼き付き補正制御を実行するために必要な表示装置１の機能的構成例］
【００５５】
図７は、焼き付き補正制御を実行するために必要な表示装置１の機能的構成例を示す機能ブロック図を示している。
【００５６】
受光センサ３は、ＥＬパネル２の表示面に対向する位置に配置される。また、ＥＬパネル２は複数の領域に区分されており、その領域毎に１つの受光センサ３が、ＥＬパネル２に対向して配置されている。即ち、１つの領域につき１個の割合で均等に配置された複数の受光センサ３により、センサ群４が構成されている。さらにセンサ群４は、ＥＬパネル２の表示面とは異なる所定の面７１（以下、受光面７１と称する）に配置されている。なお、受光面７１の具体例については、図１０以降の図面を参照して後述する。例えば、図７の例では、センサ群４は９個の受光センサ３により構成されている。勿論ＥＬパネル２に対向して配置される受光センサ３の個数は、図７の例に限定されるものではない。
【００５７】
各受光センサ３のそれぞれは、自分の担当する領域内の各画素１０１の発光輝度を測定する。具体的には、所定領域内の各画素１０１が１つずつ順次、処理の対象として注目すべき画素（以下、注目画素Ｐと称する）として設定される。注目画素Ｐは所定の階調の輝度で発光する。すると、注目画素Ｐの発光輝度が、その所定領域を担当する受光センサ３により順次測定される。即ち、受光センサ３は、注目画素Ｐからの光を受光し、その受光輝度に応じたアナログの受光信号（電圧信号）を生成し、制御部５に供給する。
【００５８】
図７の例では、制御部５は、増幅部５１、Ａ／Ｄ変換部５２、および信号処理部５３を含むように構成されている。
【００５９】
増幅部５１は、各受光センサ３から供給されるアナログの受光信号を増幅してＡ／Ｄ変換部５２に供給する。Ａ／Ｄ変換部５２は、増幅部５１から供給される増幅後のアナログの受光信号をデジタルの信号（輝度データ）に変換し、信号処理部５３に供給する。
【００６０】
信号処理部５３のメモリ６１には、画素アレイ部１０２の各画素１０１について、輝度データの初期値（出荷状態時の輝度データ）が初期データとして記憶されている。信号処理部５３は、注目画素ＰについてのデジタルデータがＡ／Ｄ変換部５２から供給されてきたとき、そのデジタルデータに基づいて、所定期間経過後（経時劣化後）の注目画素Ｐの輝度データを認識する。信号処理部５３は、注目画素Ｐについて、所定期間経過後の輝度値の初期データ（初期輝度値）に対する輝度低下量を算出する。そして、信号処理部５３は、注目画素Ｐについて、輝度低下を補正する補正データを、その輝度低下量に基づいて演算する。このような補正データは、画素アレイ部１０２の各画素１０１が注目画素Ｐに順次設定されることで、各画素１０１毎に算出され、メモリ６１に記憶される。
【００６１】
なお、信号処理部５３のうち、上述の補正データを演算する部分は、例えば、FPGA（Field Programmable Gate Alley）、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)などの信号処理ICで構成することができる。
【００６２】
以上説明したように、メモリ６１には、所定期間経過時点の各画素１０１の補正データが記憶される。また、メモリ６１には、各画素１０１についての初期データも記憶される。その他、メモリ６１には、後述する各種処理を実現する上で必要な各種情報も記憶される。
【００６３】
信号処理部５３はまた、水平セレクタ１０３を制御して、各画素１０１毎に、表示装置１に入力された映像信号に対応する信号電位Ｖｓｉｇを供給させる。このとき、信号処理部５３は、各画素１０１の補正データをメモリ６１から読み出して、経時劣化による輝度低下を補正した信号電位Ｖｓｉｇを決定する。
【００６４】
［画素１０１の初期データ取得処理］
図８は、表示装置１が実行する処理のうち、初期データを取得するまでの一連の処理（以下、初期データ取得処理と称する）の一例を説明するフローチャートである。
【００６５】
図８の初期データ取得処理は、例えば、ＥＬパネル２が区分された各領域毎に並行して実行される。即ち、図８の初期データ取得処理は、各受光センサ３毎に並行して実行される。
【００６６】
ステップＳ１において、信号処理部５３は、領域を構成する各画素１０１のうち輝度データが取得されていない画素１０１を、注目画素Ｐに設定する。
【００６７】
ステップＳ２において、信号処理部５３は、注目画素Ｐを、予め決められた所定の階調（明るさ）で発光させる。
【００６８】
ステップＳ３において、受光センサ３は、注目画素Ｐの受光輝度に応じたアナログの受光信号（電圧信号）を制御部５の増幅部５１に出力する。
【００６９】
ステップＳ４において、増幅部５１は、受光センサ３の受光信号を所定の増幅率で増幅し、Ａ／Ｄ変換部５２に供給する。
【００７０】
ステップＳ５において、Ａ／Ｄ変換部５２は、増幅後のアナログの受光信号を、デジタルの信号である注目画素Ｐの輝度データに変換し、信号処理部５３に供給する。
【００７１】
ステップＳ６において、信号処理部５３は、注目画素Ｐの輝度データを初期データとしてメモリ６１に記憶させる。
【００７２】
ステップＳ７において、信号処理部５３は、領域内のすべての画素１０１について輝度データを取得したか否かを判定する。ステップＳ７において、領域内のすべての画素１０１についてまだ輝度データを取得していないと判定された場合、処理はステップＳ１に戻され、ステップＳ１乃至Ｓ７の処理のループ処理が繰り返される。即ち、領域を構成する各画素１０１のそれぞれが順次注目画素Ｐに設定され、かかるループ処理が繰り返し実行されることで、領域を構成する全画素１０１の初期データが取得されメモリ６１に記憶される。
【００７３】
これにより、ステップＳ７において、領域内のすべての画素１０１について輝度データを取得したと判定されて、初期データ取得処理は終了する。
【００７４】
［受光センサ３による発光輝度の測定例］
図９は、受光センサ３による画素１０１の発光輝度の測定順序の一例について説明する図である。
【００７５】
図９のＡ乃至Ｇには、５×５の画素１０１から構成される領域が示されている。この領域の中心に対向して、受光センサ３が配置されている。
【００７６】
図９のＡは、焼き付き補正制御における注目画素Ｐの設定順序を示している。即ち、図９のＡに示される設定順序に従って、図８のステップＳ１の処理で注目画素Ｐが設定されることになる。具体的には、処理対象行がi行（図９の例では、iは１乃至５のうちの何れかの整数値）である場合、i行目に配置されている５つの画素１０１のそれぞれが、左端（１列目）の画素１０１から右端（５列目）の画素１０１に向かう順番で順次注目画素Ｐとして設定されていく。そして、i行の右端（５列目）の画素１０１が注目画素Ｐに設定されると、処理対象行は、次のi+1行に遷移し、i行と同様の順序で注目画素Ｐが順次設定されていく。
【００７７】
この場合、焼き付き補正制御においては、信号処理部５３は、注目画素Ｐのみを予め決められた所定の階調で発光させる。即ち、信号処理部５３は、それ以外の２４個の画素１０１を消光させる。上述の図８の初期データ取得処理でいうと、注目画素Ｐとして設定された画素１０１に対して、ステップＳ２の処理が実行されることになる。
【００７８】
即ち、図９のＢに示されるように、最初に、１行目が処理対象行となり、１列目の画素１０１が注目画素Ｐとなる。よって、図８のステップＳ２の処理で、１行１列目の注目画素Ｐのみが、予め決められた所定の階調で発光する。すると、ステップＳ３の処理で、受光センサ３は、注目画素Ｐの受光輝度に応じた受光信号（電圧信号）を制御部５に出力する。ステップＳ４乃至Ｓ６の処理で、制御部５は、注目画素Ｐの受光信号に基づいて、注目画素Ｐの輝度データを算出し、それを初期データとしてメモリ６１に記憶させる。
【００７９】
その後、ステップＳ７の処理でＮＯである判定されて、処理はステップＳ１に戻される。すると、ステップＳ１の処理で、図９のＣに示されるように、信号処理部５３は、これまで注目画素Ｐとされていた１行１列目の画素１０１の右隣の画素１０１、即ち、１行２列目の画素１０１を注目画素Ｐに設定する。よって、ステップＳ２の処理で、１行２列目の注目画素Ｐのみが、予め決められた所定の階調で発光する。すると、ステップＳ３の処理で、受光センサ３は、注目画素Ｐの受光輝度に応じた受光信号（電圧信号）を制御部５に出力する。ステップＳ４乃至Ｓ６の処理で、制御部５は、注目画素Ｐの受光信号に基づいて、注目画素Ｐの輝度データを算出し、それを初期データとしてメモリ６１に記憶させる。
【００８０】
以下、ステップＳ１乃至Ｓ７のループ処理が繰り返し実行される。すると、図９のＤ乃至Ｇに示されるように、上述の順番で注目画素Ｐが順次設定され、注目画素Ｐの受光信号が受光センサ３から出力される。その結果、注目画素Ｐの受光信号に基づいて、注目画素Ｐの輝度データが算出されて、それが初期データとしてメモリ６１に記憶される。
【００８１】
［画素１０１の補正データ取得処理］
図１０は、図８の初期データ処理を行ってから所定期間経過後に実行される処理であって、その所定期間経過時点の補正データを取得するまでの一連の処理（以下、補正データ取得処理と称する）の一例を説明するフローチャートである。補正データ取得処理も、図８の初期データ処理と同様に、ＥＬパネル２が区分された各領域毎に並行して実行される。
【００８２】
ステップＳ２１乃至Ｓ２５の処理は、上述した図８のステップＳ１乃至Ｓ５の処理とそれぞれ同様であるので、その説明は省略する。即ち、ステップＳ２１乃至Ｓ２５の処理によって、初期データ取得処理と同一の条件の下で、注目画素Ｐの輝度データが取得される。
【００８３】
ステップＳ２６において、信号処理部５３は、注目画素Ｐの初期データをメモリ６１から取得する。
【００８４】
ステップＳ２７において、信号処理部５３は、注目画素Ｐの輝度データの初期データに対する輝度低下量を算出する。
【００８５】
ステップＳ２８において、信号処理部５３は、注目画素Ｐの輝度低下量に基づいて、注目画素Ｐの補正データを算出し、メモリ６１に記憶させる。
【００８６】
ステップＳ２９において、信号処理部５３は、領域内のすべての画素１０１について補正データを取得したか否かを判定する。ステップＳ２９において、領域内のすべての画素１０１についてまだ補正データを取得していないと判定された場合、処理はステップＳ２１に戻され、ステップＳ２１乃至Ｓ２９の処理のループ処理が繰り返される。即ち、領域を構成する各画素１０１のそれぞれが順次注目画素Ｐに設定され、かかるループ処理が繰り返し実行されることで、領域を構成する全画素１０１の補正データが取得されてメモリ６１に記憶される。
【００８７】
即ち、補正データ取得処理でも、図９のＡに示される順序で注目画素Ｐが設定されていく。そして、図９のＢ乃至Ｇに示されるように、注目画素Ｐとして設定された各画素１０１が順次発光されていくことで、それぞれの補正データが取得されてメモリ６１に記憶される。
【００８８】
領域内のすべての画素１０１について補正データがメモリ６１に記憶されると、ステップＳ２９においてＹＥＳであると判定されて、補正データ取得処理は終了する。
【００８９】
以上のように、図８の初期データ取得処理実行後、図１０の補正データ取得処理が所定時間経過後に実行されると、画素アレイ部１０２の各画素１０１についての補正データが、メモリ６１に記憶される。即ち、その後も、随時補正データ取得処理が実行される毎に、補正データが更新されてメモリ６１に記憶される。
【００９０】
これにより、信号処理部５３の制御の下、映像信号の信号電位として、補正データにより経時劣化による輝度低下が補正された信号電位Ｖｓｉｇが、画素アレイ部１０２の各画素１０１に供給されることになる。即ち、信号処理部５３は、表示装置１に入力された映像信号の信号電位として、補正データによる電位を上乗せした信号電位Ｖｓｉｇを画素１０１に供給するように水平セレクタ１０３を制御することができるようになる。
【００９１】
なお、メモリ６１に記憶される補正データは、表示装置１に入力された映像信号の信号電位に、所定の比率を乗算するような値でも良いし、所定の電圧値をオフセットさせるような値でもよい。また、表示装置１に入力された映像信号の信号電位に対応した補正テーブルとして保有することも可能である。即ち、メモリ６１に記憶される補正データの形態は特に限定されない。
【００９２】
［受光センサ３の配置例］
表示装置１が焼き付き補正制御を実行するとき、ＥＬパネル２を構成する各画素１０１は、自身の補正データの生成を目的として発光する。このとき、注目画素Ｐからの光は、受光センサ３によって受光される。よって、以下、かかるときを、受光時と称する。換言すると、受光時には、受光センサ３は、各画素１０１からの光を受光できる位置に配置される必要がある。よって、受光時には、受光センサ３は、例えば図７を用いて上述したように、ＥＬパネル２の表示面に対向する位置に配置される。
【００９３】
これに対して、表示装置１が焼き付き補正制御を実行しないとき、ＥＬパネル２を構成する各画素１０１は、ＥＬパネル２に画像を表示する目的で発光する。以下、かかるときを、通常発光時と称する。通常発光時には、受光センサ３は、注目画素Ｐからの光は、受光センサ３によって受光される必要はない。換言すると、通常発光時には、受光センサ３は、各画素１０１からの光を受光できる位置に配置される必要は特にない。むしろ、ＥＬパネル２の表示面に対向する位置に配置されると、受光センサ３は、各画素１０１の発光の障害物となってしまう。即ち、このような場合には、視聴者からすると、受光センサ３は、各画素１０１から発光された光の伝搬（自身の目までの伝搬）を阻害する要因となってしまう。
【００９４】
そこで、本発明人は、受光センサ３の配置位置を可変できるようにし、受光時における受光センサ３の配置位置と、通常発光時における受光センサ３の配置位置とを異ならせる、という手法を発明した。以下、かかる手法を、受光センサ配置位置可変手法と称する。
【００９５】
受光センサ配置位置手法を実現すべく、受光センサ３は、ＥＬパネル２に配置されるのではなく、ＥＬパネル２とは独立した場所、即ち、図７を用いて上述した受光面７１に配置される。この場合、受光面７１とＥＬパネル２との配置関係を可変させることで、受光センサ配置位置可変手法が実現されることになる。
【００９６】
換言すると、次の第１の状態と第２の状態とを有するように、表示装置１を構成することで、受光センサ配置位置可変手法が実現されることになる。第１の状態とは、ＥＬパネル２の表示面に対して、受光センサ３が画素１０１の発光輝度を測定可能な位置に受光面７１が配置される状態をいう。第２の状態とは、ＥＬパネル２の表示面に対して、受光センサ３が画素１０１の発光輝度を測定不可能な位置に受光面７１が配置される状態をいう。この場合、表示装置１の状態を、受光時には第１の状態に遷移させ、通常発光時には第２の状態に遷移させることで、受光センサ配置位置可変手法が実現されることになる。
【００９７】
以下、受光センサ配置位置可変手法が適用された表示装置１についてさらに詳しく説明していく。
【００９８】
図１１は、表示装置１におけるＥＬパネル２と受光面７１の配置の関係の一例を示している。図１１において、ベクトルＶ71は、受光面７１の法線方向の単位ベクトルを示している。よって、以下、ベクトルＶ71を、受光面７１の法線ベクトルＶ71と称する。また、ベクトルＶ2は、ＥＬパネル２の表示面の法線方向の単位ベクトルを示している。よって、以下、ベクトルＶ2を、ＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2と称する。
【００９９】
図１１のＡは、受光時におけるＥＬパネル２と受光面７１の配置の状態のうち、第１の状態の一例を示している。図１１のＡの例では、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θが１８０度となるように、受光面７１は配置される。
【０１００】
図１１のＢは、通常発光時におけるＥＬパネル２と受光面７１の配置の状態のうち、第２の状態の一例を示している。図１１のＢの例では、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θが９０度となるように、受光面７１は配置される。
【０１０１】
ただし、受光面７１の配置の仕方は、図１１の例に限定されない。具体的には例えば、図１２に示されるように、受光面７１を可変配置させることができる。
【０１０２】
図１２は、表示装置１におけるＥＬパネル２と受光面７１の配置の関係を示している。
【０１０３】
受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θが、閾値θTH1乃至閾値θTH2の範囲の場合、受光面７１に配置された受光センサ３が、ＥＬパネル２に配置された画素１０１からの光を受光できるとする。
【０１０４】
この場合、受光面７１の配置位置に着目すると、表示装置１が取り得る状態は、次の第１の状態と第２の状態とに大別できる。即ち、第１の状態とは、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θが閾値θTH1乃至閾値θTH2の範囲内である状態をいう。第２の状態とは、当該範囲外である状態をいう。
【０１０５】
この場合、表示装置１の状態を、受光時には第１の状態に遷移させ、通常発光時には第２の状態に遷移させることで、受光センサ配置位置可変手法が実現されることになる。ここで、「受光時には第１の状態に遷移させ」るとは、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θを閾値θTH1乃至閾値θTH2の範囲内の任意の角度とするように、受光面７１を配置させることをいう。また、「通常発光時には第２の状態に遷移させる」とは、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θを閾値θTH1乃至閾値θTH2の範囲外の任意の角度とするように、受光面７１を配置させることをいう。
【０１０６】
例えば、受光面７１をＥＬパネル２に対して取り外し可能な構成とすることで、表示装置１の状態を第１状態と第２状態とに相互に遷移させることが可能となる。具体的には例えば図示はしないが、ＥＬパネル２から着脱自在なカバーの面のうち、ＥＬパネル２に装着されている場合にＥＬパネル２と対向する面を、受光面７１として採用することができる。この場合、受光時には、カバーをＥＬパネル２に装着させることで、表示装置１の状態は第１状態に遷移する。これにより、表示装置１は、焼き付き補正制御を実行することが可能となる。
【０１０７】
また、通常発光時には、カバーをＥＬパネル２から取り外すことで、表示装置１の状態は第２状態に遷移する。これにより、カバー（受光面７１）に配置された受光センサ３は、通常発光時における表示装置１の動作を妨げないという効果を奏することが可能となる。
【０１０８】
ところで、本発明が適用される表示装置１は、様々な電子機器に入力された、若しくは、様々な電子機器内で生成した映像信号を画像若しくは映像として表示するディスプレイに適用することが可能である。さらに言えば、表示装置１を、折りたたみ可能な電子機器のディスプレイとして適用することができる。これにより、表示装置１の状態を、第１状態と第２状態とに相互に遷移させることが容易に可能となる。ここで、様々な電子機器としては、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯端末装置、テレビジョン受像機などが存在する。以下この様な表示装置１が適用された電子機器の例を示す。
【０１０９】
［受光センサ３の各種配置例］
図１３は、表示装置１を適用した電子機器の一例として、ノート型パーソナルコンピュータの外観の構成例を示している。
【０１１０】
ノート型パーソナルコンピュータ１０１は、ヒンジ部１１３を境に、本体カバー１１２と本体部１１１とに分けられており、ヒンジ部１１３を介して自在に折りたたみできるように構成されている。換言すると、本体カバー１１２はヒンジ部１１３により回動し、本体部１１１に対して開閉自在とされている。通常、本体カバー１１２は、使用時には開けられ、不使用時には閉じられる。
【０１１１】
図１３の例においては、本体カバー１１２の表示部として、ＥＬパネル２が採用されている。また、本体部１１１のキーボード１２１が配置されている面が、受光面７１として採用されている。受光センサ３は受光面７１上に配置され、例えば、キーボード１２１に埋め込まれる。
【０１１２】
図１４は、図１３のノート型パーソナルコンピュータ１０１の取り得る状態のうち、第１の状態を説明する図である。
【０１１３】
図１４のＡは、ノート型パーソナルコンピュータ１０１の本体カバー１１２が閉じられている状態を示す図である。
【０１１４】
なお、ユーザは、通常、この第１の状態でノート型パーソナルコンピュータ１０１を使用しない。
【０１１５】
図１４のＢは、図１４のＡの第１の状態の場合におけるＥＬパネル２と、受光面７１の配置の関係を示している。
【０１１６】
受光センサ３を含む受光面７１は、ＥＬパネル２の表示面と対向して配置されている。即ち、図１４の例では、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θが１８０度となるように、受光面７１は配置されている。
【０１１７】
このように、ノート型パーソナルコンピュータ１０１の状態として、図１４のＡに示される状態こそが第１の状態になることがわかる。このような第１の状態では、各受光センサ３のそれぞれは、ＥＬパネル２の表示面上の、自分の担当する領域内の各画素１０１の発光輝度を測定することが可能である。
【０１１８】
図１５は、図１３のノート型パーソナルコンピュータ１０１の取り得る状態のうち、第２の状態を説明する図である。
【０１１９】
図１５のＡは、ノート型パーソナルコンピュータ１０１の本体カバー１１２が開けられている状態を示す図である。なお、ユーザは、通常、この第２の状態でノート型パーソナルコンピュータ１０１を使用する。
【０１２０】
図１５のＢは、図１５のＡの状態の場合におけるＥＬパネル２と、受光面７１の配置の関係を示している。受光センサ３を含む受光面７１は、ＥＬパネル２の表示面と対向して配置されている。即ち、図１５の例では、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θが９０度となるように、受光面７１は配置されている。
【０１２１】
このように、ノート型パーソナルコンピュータ１０１の状態として、図１５のＡに示される状態こそが第２の状態になることがわかる。このような第２の状態では、受光面７１は、通常発光時における各画素の１０１の発光を阻害しない。換言すると、ユーザによるノート型パーソナルコンピュータ１０１の使用を阻害しないという効果を奏することが可能である。
【０１２２】
図１６は、表示装置１を適用した電子機器の一例として、携帯端末装置の外観の構成例を示している。
【０１２３】
携帯端末装置１３１は、ヒンジ部１４３を境に、上部筺体１４１と下部筺体１４２とに分けられており、ヒンジ部１４３を介して自在に折りたたみできるように構成されている。換言すると、上部筺体１４１はヒンジ部１４３により回動し、下部筺体１４２に対して開閉自在とされている。通常、上部筺体１４１は、使用時には開けられ、不使用時には閉じられる。
【０１２４】
図１６の例においては、上部筺体１４１の表示部として、ＥＬパネル２が採用されている。また、下部筺体１４２の入力ボタン１５１が配置されている面が、受光面７１として採用されている。受光センサ３は受光面７１上に配置され、例えば、入力ボタン１５１に埋め込まれる。
【０１２５】
図示しないが、携帯端末装置１３１の取り得る状態として、上部筺体１４１が、下部筺体１４２に対して閉じられている状態がある。この場合、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θが１８０度となる。このような状態が、携帯端末装置１３１における第１の状態となる。このような第１の状態では、各受光センサ３のそれぞれは、ＥＬパネル２の表示面上の、自分の担当する領域内の各画素１０１の発光輝度を測定することが可能である。
【０１２６】
これに対して、図１６に示されている状態、即ち、上部筺体１４１が、下部筺体１４２に対して開けられている状態が、第２の状態となる。このような第２の状態では、受光面７１は、通常発光時における各画素の１０１の発光を阻害しない。換言すると、ユーザによる携帯端末装置１３１の使用を阻害しないという効果を奏することが可能である。
【０１２７】
図１７は、表示装置１を適用した電子機器の一例として、デジタルビデオカメラの外観の構成例を示している。
【０１２８】
デジタルビデオカメラ１６１は、ヒンジ部１７３を境に、本体部１７１とモニタ部１７２とに分けられており、ヒンジ部１７３を介して自在に折りたたみできるように構成されている。換言すると、モニタ部１７２はヒンジ部１７３により回動し、本体部１７１に対して開閉自在とされている。
【０１２９】
図１７の例においては、モニタ部１７２の表示部として、ＥＬパネル２が採用されている。また、本体部１７１の、モニタ部１７２が閉じられた時に対向する面（以下、モニタ収納面１８１と称する）が、受光面７１として採用されている。受光センサ３は受光面７１上に配置され、例えば、モニタ収納面１８１に埋め込まれる。
【０１３０】
図示しないが、デジタルビデオカメラ１６１の取り得る状態として、モニタ部１７２が、本体部１７１に対して閉じられている状態である場合、受光面７１の法線ベクトルＶ71とＥＬパネル２の法線ベクトルＶ2とのなす角度θが１８０度となる。このような状態が、デジタルビデオカメラ１６１における第１の状態となる。このような第１の状態では、各受光センサ３のそれぞれは、ＥＬパネル２の表示面上の、自分の担当する領域内の各画素１０１の発光輝度を測定することが可能である。
【０１３１】
これに対して、図１７に示されている状態、即ち、モニタ部１７２が、本体部１７１に対して開けられている状態が、第２の状態となる。このような第２の状態では、受光面７１は、通常発光時における各画素の１０１の発光を阻害しない。換言すると、ユーザによるデジタルビデオカメラ１６１の使用を阻害しないという効果を奏することが可能である。
【０１３２】
本発明の表示装置においては、１つの受光センサ３が、複数の画素１０１の発光輝度を測定することができる。よって、本発明の表示装置においては、焼き付き補正制御を実行するのに必要な受光センサ３の数を削減することができ、その結果、焼き付き補正制御に要するコストを削減することができる。
【０１３３】
さらに、本発明の表示装置においては、ＥＬパネル２に対して近距離で画素１０１からの光を受光することができる。その結果、焼き付き補正制御に要する時間を短縮することができる。
【０１３４】
［本発明の適用先］
ところで、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０１３５】
例えば、ＥＬパネル２と同じ面上であって、ＥＬパネル２の表示面の外側に、発光輝度測定専用の画素１０１を設けることもできる。さらに、発光輝度測定専用の画素１０１の発光輝度を測定するための受光センサ３を、受光面７１に設けることもできる。この発光輝度測定専用の画素１０１および受光センサ３を用いることにより、簡易的にＥＬパネル２を構成する各画素１０１の経時劣化の度合いを推定することが可能となる。
【０１３６】
また、例えば、上述した画素１０１のパターン構造は、有機ＥＬ(Electro Luminescent)デバイスを用いた自発光型のパネルのほか、FED(Field Emission Display)などのその他の自発光型のパネルに採用することもできる。
【０１３７】
また、上述した画素１０１は、図４を参照して説明したように、２個のトランジスタ（サンプリング用トランジスタ３１と駆動用トランジスタ３２）と１個のキャパシタ（蓄積容量３３）で構成されていたが、その他の回路構成を採用することもできる。
【０１３８】
その他の画素１０１の回路構成としては、例えば、２個のトランジスタと１個のキャパシタの構成（以下、２Ｔｒ／１Ｃ画素回路とも称する）の他に、次のような回路構成を採用できる。即ち、第１乃至第３のトランジスタを加えた、５個のトランジスタと１個のキャパシタの構成（以下、５Ｔｒ／１Ｃ画素回路とも称する）を採用することもできる。５Ｔｒ／１Ｃ画素回路を採用した画素１０１では、水平セレクタ１０３から映像信号線ＤＴＬ１０を介してサンプリング用トランジスタ３１に供給される信号電位がＶｓｉｇ固定となる。その結果、サンプリング用トランジスタ３１は駆動用トランジスタ３２への信号電位Ｖｓｉｇの供給をスイッチングする機能としてのみ動作する。また、電源線ＤＳＬ１０を介して駆動用トランジスタ３２に供給される電位が第１電位Ｖｃｃ固定となる。そして、追加された第１のトランジスタは、駆動用トランジスタ３２への第１電位Ｖｃｃの供給をスイッチングする。第２のトランジスタは、駆動用トランジスタ３２への第２電位Ｖｓｓの供給をスイッチングする。また、第３のトランジスタは、駆動用トランジスタ３２への基準電位Ｖｏｆの供給をスイッチングする。
【０１３９】
また、その他の画素１０１の回路構成としては、２Ｔｒ／１Ｃ画素回路と５Ｔｒ／１Ｃ画素回路の中間的な回路構成を採用することもできる。即ち、４個のトランジスタと１個のキャパシタからなる構成（４Ｔｒ／１Ｃ画素回路）や、３個のトランジスタと１個のキャパシタからなる構成（３Ｔｒ／１Ｃ画素回路）を採用することもできる。４Ｔｒ／１Ｃ画素回路および３Ｔｒ／１Ｃ画素回路としては、例えば、水平セレクタ１０３からサンプリング用トランジスタ３１に供給する信号電位をＶｓｉｇとＶｏｆｓでパルス化するなどする構成を取ることができる。即ち、第３のトランジスタの１つか、または、第２および第３のトランジスタの両方を省略した構成を取ることができる。
【０１４０】
さらに、２Ｔｒ／１Ｃ画素回路、３Ｔｒ／１Ｃ画素回路、４Ｔｒ／１Ｃ画素回路、または５Ｔｒ／１Ｃ画素回路には、有機発光材料部の容量成分を補う等の目的で、発光素子３４のアノード−カソード間に補助容量を追加してもよい。
【０１４１】
本明細書において、フローチャートに記述されたステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図２】図１の表示装置のＥＬパネルの構成例を示すブロック図である。
【図３】図２のＥＬパネルを構成する画素が発光する色の配列を示す図である。
【図４】図２のＥＬパネルを構成する画素の詳細な回路構成を示したブロック図である。
【図５】図２のＥＬパネルを構成する画素の動作の一例を説明するタイミングチャートである。
【図６】図２のＥＬパネルを構成する画素の動作の別の例を説明するタイミングチャートである。
【図７】図１の表示装置の機能的構成例であって、焼き付き補正制御を実行するために必要な表示装置の機能ブロック図である。
【図８】図１の表示装置が実行する初期データ取得処理の例を説明するフローチャートである。
【図９】図１の表示装置を構成する受光センサによる発光輝度の測定順序について説明する図である。
【図１０】図１の表示装置が実行する補正データ取得処理の例を説明するフローチャートである。
【図１１】図１の表示装置におけるＥＬパネルと受光面の配置を説明する図である。
【図１２】図１の表示装置におけるＥＬパネルと受光面の配置の詳細を説明する図である。
【図１３】図１の表示装置を適用した電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータを示す図である。
【図１４】図１の表示装置を適用した電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータの、第１の状態を説明する図である。
【図１５】図１の表示装置を適用した電子機器の一例としてのノート型パーソナルコンピュータの、第２の状態を説明する図である。
【図１６】図１の表示装置を適用した電子機器の一例としての携帯端末装置を示す図である。
【図１７】図１の表示装置を適用した電子機器の一例としてのデジタルビデオカメラを示す図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１  表示装置，  ２  ＥＬパネル，  ３  受光センサ，  ４  センサ群，  ５  制御部，  １１  ヒンジ部，  ３１  サンプリング用トランジスタ，  ３２  駆動用トランジスタ，  ３３  蓄積容量，  ３４  発光素子，  ５１  増幅部，  ５２  Ａ／Ｄ変換部，  ５３  信号処理部，  ６１  メモリ，  ７１  受光面  １０１  画素，  １０３  水平セレクタ（ＨＳＥＬ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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