(57)【要約】【課題】金属封止材を溶融させるために加えた熱が、基体と蓋体とを接合する低融点金属に伝わり、低融点金属からガスが多量に発生してしまうため、基体と蓋体とを低融点金属により接合した後、金属封止材を用いて基体に設けられた貫通孔を封止することにより、パッケージ内部を封止する場合、パッケージ内の内圧をより小さくすることが困難であった。【解決手段】主面上に形成された凹部と該凹部から裏面にかけて貫通する貫通孔とを有する基体と、前記凹部内に配設されたゲッター材と、前記基体の主面上に配設され、前記凹部を封止する蓋体と、前記基体と前記蓋体との間に位置し、前記基体と前記蓋体とを接合する接合部材と、前記貫通孔内に位置し、前記接合部材の主成分よりも融点の低い成分を主成分とする封止部材と、を備えたパッケージとする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に形成された凹部と該凹部から裏面にかけて貫通する貫通孔とを有する基体と、
前記凹部内に配設されたゲッター材と、
前記凹部を封止するように前記基体上に配設された蓋体と、
前記基体と前記蓋体との間に位置し、前記基体と前記蓋体とを接合する接合部材と、
前記貫通孔内に位置し、前記接合部材の主成分よりも融点の低い成分を主成分とする封止部材と、を備えたパッケージ。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記基体の裏面側における内径よりも前記主面側における内径が小さいことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記基体中には、前記接合部材よりも前記封止部材に近い位置にヒータを備えたことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記貫通孔内にヒータを備えたことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項５】
主面上に形成された凹部と該凹部から裏面にかけて貫通する貫通孔とを有する基体を準備する第１の工程と、
前記凹部内にゲッター材を配設する第２の工程と、
前記凹部を封止するように前記基体の主面上に蓋体を配設する第３の工程と、
前記基体と前記蓋体とを接合部材を介して接合する第４の工程と、
常圧よりも低圧下において、前記貫通孔を前記接合部材の主成分よりも融点の高い成分を主成分とする封止部材により封止する第５の工程と、を備えたパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記第５の工程において、前記封止部材の主成分の融点よりも高い温度であって、前記接合部材の主成分の融点よりも低い温度で、前記封止部材を溶融し、前記封止部材で前記貫通孔を封止することを特徴とする請求項５に記載のパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記第５の工程において、前記封止部材を溶融するのと同時に、前記ゲッター材を加熱することにより、前記ゲッター材を活性することを特徴とする請求項６に記載のパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度センサ、赤外線センサ、ジャイロセンサ及び水晶振動子のようなデバイスを真空封止するパッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
加速度センサ、赤外線センサ、ジャイロセンサ及び水晶振動子のようなデバイスが内部に封止されたパッケージにおいては、上記のデバイスの特性を高めるため、パッケージ内部の内圧を小さくすることが求められている。パッケージ内の内圧を高めるため、特許文献１に開示されているように、パッケージ内にゲッター材を配設することが知られている。ゲッター材を配設することにより、パッケージ内に存在する気体分子がゲッター材に吸着されるので、パッケージ内の内圧を小さくすることができる。また、特許文献１においては、基体と蓋体とを低融点金属により接合した後、基体に設けられた貫通孔を、金属封止材を用いてレーザー光により封止することによってパッケージを封止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５１２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、現在、パッケージ内部の内圧をより小さくすることが求められている。一方、特許文献１に開示されているパッケージでは、基体と蓋体とを低融点金属により接合した後、金属封止材を用いて基体に設けられた貫通孔を封止することにより、パッケージ内部を封止していることから、パッケージ内の内圧をより小さくすることが困難である。これは、金属封止材を用いて基体に設けられた貫通孔を封止する工程において、金属封止材を溶融させるために加えた熱が、基体と蓋体とを接合する低融点金属に伝わり、低融点金属からガスが多量に発生してしまうためである。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、パッケージ内部の内圧をより小さくすることが可能なパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のパッケージは、主面に形成された凹部と該凹部から裏面にかけて貫通する貫通孔とを有する基体と、前記凹部内に配設されたゲッター材と、前記凹部を封止するように前記基体上に配設された蓋体と、前記基体と前記蓋体との間に位置し、前記基体と前記蓋体とを接合する接合部材と、前記貫通孔内に位置し、前記接合部材の主成分よりも融点の低い成分を主成分とする封止部材と、を備えている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のパッケージによれば、基体に形成された貫通孔内に位置して貫通孔を封止する封止部材が、基体と蓋体とを接合する接合部材の主成分よりも融点の低い成分を主成分としている。そのため、貫通孔を封止する工程において封止部材を溶融させるために加えた熱が、基体と蓋体とを接合する接合部材に伝わったとしても、接合部材からのガスの発生を抑制することができる。これにより、パッケージの内圧をより小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるパッケージを示す平面図である。
【図２】図１に示す実施形態のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態にかかるパッケージを示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態にかかるパッケージを示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態にかかるパッケージの製造方法における第１の工程を示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態にかかるパッケージの製造方法における第２の工程を示す断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態にかかるパッケージの製造方法における第３の工程を示す断面図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態にかかるパッケージの製造方法における第４の工程を示す断面図である。
【図５Ｅ】本発明の一実施形態にかかるパッケージの製造方法における第５の工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明のパッケージについて図面を用いて詳細に説明する。
【００１０】
図１，２に示すように、本発明の第１の実施形態にかかるパッケージ１は、主面７ａに形成された凹部３と凹部３から裏面７ｂにかけて貫通する貫通孔５とを有する基体７と、凹部３内に配設されたゲッター材９と、凹部３を封止するように基体７上に配設された蓋体１１と、基体７と蓋体１１との間に位置し、基体７と蓋体１１とを接合する接合部材１３と、貫通孔５内に位置し、接合部材１３の主成分よりも融点の低い成分を主成分とする封止部材１５と、を備えている。
【００１１】
換言すれば、本実施形態にかかるパッケージ１は、接合部材１３の主成分の融点が、封止部材１５の主成分の融点よりも高い。そのため、貫通孔５を封止する工程において封止部材１５を溶融させるために加えた熱が、基体７と蓋体１１とを接合する接合部材１３に伝わったとしても、接合部材１３からのガスの発生を抑制することができる。これにより、接合部材１３から発生したガスにより、パッケージ１の内圧が大きくなることが抑制される。結果として、パッケージ１の内圧をより小さくすることができる。また、接合部材１３が溶融する可能性を小さくすることができるので、基体７と蓋体１１の接合性が低下する可能性を小さくすることができる。
【００１２】
本実施形態にかかるパッケージ１は、主面７ａに形成された凹部３と凹部３から裏面７ｂにかけて貫通する貫通孔５とを有する基体７を備えている。この凹部３内に、後述するデバイス１７を配設するとともに、蓋体１１を用いて凹部３を封止することにより、パッケージ１として用いることができる。基体７としては、絶縁性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、例えば、アルミナセラミックス及びムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分としたものを用いることができる。
【００１３】
また、貫通孔５は、基体７の裏面７ｂ側における内径よりも主面７ａ側における内径が小さいことが好ましい。具体的には、例えば、貫通孔５が、基体７の裏面７ｂ側における内径よりも主面７ａ側における内径が小さくなるテーパ構造を有していることが好ましい。これにより、封止部材１５を貫通孔５内に配設するときに、位置決めを容易に行うことができるからである。
【００１４】
また、凹部３内には、加速度センサ、赤外線センサ、ジャイロセンサ及び水晶振動子のようなデバイス１７が配設されている。例えば、赤外線センサ用パッケージ１を作製する場合には、デバイス１７として赤外線センサを凹部３内に配設すればよい。また、加速度センサ用パッケージ１を作製する場合には、デバイス１７として加速度センサを凹部３内に配設すればよい。本実施形態にかかるパッケージ１においては、パッケージ１の内圧をより小さくすることができることから、デバイス１７の特性を高めることができる。封止部材１５によるデバイス１７内での電気的な短絡を抑制するため、デバイス１７は貫通孔５から離隔した位置に配設されることが好ましい。
【００１５】
本実施形態にかかるパッケージ１は、凹部３内に配設されたゲッター材９を備えている。凹部３内に配設されたゲッター材９を備えていることにより、パッケージ１内の内圧を小さくすることができる。これは、パッケージ１内に存在する気体分子がゲッター材９に吸着されるからである。パッケージ１内に存在する気体分子としては、パッケージ１の製造時及び使用時において、基体７、蓋体１１、接合部材１３及び封止部材１５のようなパッケージ１を構成する部材から発生するガス並びに製造時に混入するＨ２Ｏなどの気体が挙げられる。
【００１６】
本実施形態においてゲッター材９は、凹部３表面に配設されているが、基体７の凹部３内に配設されていれば良く、特にこれに限られるものではない。例えば、基体７の凹部３内に金属板を配設し、この金属板の片面あるいは両面にゲッター材９を担持させてもよい。また、蓋体１１の内表面上に配設してもよい。ゲッター材９としては、化学的に活性な部材を用いることが好ましい。具体的には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｆｅ及びＶを主成分とする金属粉を用いることができる。
【００１７】
また、ゲッター材９の厚みとしては、０．１〜２００μｍであることが好ましい。ゲッター材９の厚みが０．１μｍ以上であることにより、ゲッター材９による気体分子に対する所望の吸着効果を得ることができるからである。また、ゲッター材９の厚みが２００μｍ以下であることにより、熱容量が小さいため、加熱時に均等に活性しやすいという利点が得られる。
【００１８】
本実施形態にかかるパッケージ１は、基体７の主面７ａ上に配設され、凹部３を封止する蓋体１１を備えている。蓋体１１としては、基体７と同様に、絶縁性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、例えば、セラミックス及びガラスのような絶縁部材、シリコンのような光学部材並びに金属部材を用いることができる。また、上記の部材を組み合わせて接合したものであってもよい。蓋体１１として、セラミックス及びガラスのような絶縁部材を用いる場合には、基体７との接合箇所にメタライズ層が配設されたものを用いることが好ましい。これにより、基体７と蓋体１１の接合性を高めることができるからである。
【００１９】
本実施形態にかかるパッケージ１は、基体７と蓋体１１との間に位置し、基体７と蓋体１１とを接合する接合部材１３を備えている。接合部材１３を用いて基体７と蓋体１１とを接合することにより、基体７と蓋体１１との間を封止することができる。接合部材１３としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓｎ及びこれらの合金を主成分とするものを用いることができる。
【００２０】
本実施形態にかかるパッケージ１は、貫通孔５内に位置する封止部材１５を備えている。そして、封止部材１５は、接合部材１３の主成分よりも融点の低い成分を主成分としている。このように、本実施形態にかかるパッケージ１は、接合部材１３の主成分の融点が、封止部材１５の主成分の融点よりも高い。そのため、貫通孔５を封止する工程において、接合部材１３からのガスの発生を抑制することができる。結果として、パッケージ１の内圧をより小さくすることができる。封止部材１５としては、Ｓｎ，Ｐｂ及びこれらの合金を主成分とするものを用いることができる。
【００２１】
次に、本発明の第２の実施形態について説明をする。
【００２２】
図３に示すように、本実施形態のパッケージ１は、第１の実施形態と比較して、基体７中には、接合部材１３よりも封止部材１５に近い位置にヒータ１９を更に備えたことを特徴としている。上記のヒータ１９を備えていることにより、接合部材１３からのガスの発生をさらに抑制することができるため、パッケージ１の内圧をさらに小さくできるからである。
【００２３】
封止部材１５を用いて貫通孔５を封止する場合、レーザーを用いて封止部材１５を溶融させることにより、貫通孔５を封止することができるが、ヒータ１９を用いて封止部材１５を加熱溶融することによっても貫通孔５を封止することができる。このとき、本実施形態のようにヒータ１９が基体７中であって、接合部材１３よりも封止部材１５に近い位置に埋設されていることにより、接合部材１３が溶融することを抑制するとともに、封止部材１５を容易に溶融させることができる。結果として、接合部材１３からのガスの発生をさらに抑制することができるため、パッケージ１の内圧をさらに小さくできる。
【００２４】
具体的には、図に示すように、貫通孔５の周囲にヒータ１９を配設することにより、接合部材１３が溶融することを抑制するとともに、封止部材１５を容易に溶融させることができる。
【００２５】
次に、本発明の第３の実施形態について説明をする。
【００２６】
図４に示すように、本実施形態のパッケージ１は、第１の実施形態と比較して、貫通孔５内にヒータ１９を更に備えていることを特徴としている。第２の実施形態にかかるパッケージ１のように、基体７中であって、接合部材１３よりも封止部材１５に近い位置にヒータ１９を備えていてもよいが、本実施形態にかかるパッケージ１のように、基体７の貫通孔５内にヒータ１９を備えていてもよい。
【００２７】
本実施形態にかかるパッケージ１においては、基体７が貫通孔５を複数設け、凹部３内に折り返し部を有するとともに上記複数の貫通孔５から外部に引き出されたヒータ１９を用いている。このように、ヒータ１９が貫通孔５内に配設されていることから、封止部材１５と直接に接触させることができる。そのため、第２の実施形態と比較して、さらに効率良く封止部材１５を加熱溶融させることができる。結果として、接合部材１３が溶融することを抑制するとともに、封止部材１５を容易に溶融させることができる。
【００２８】
また、ヒータ１９表面にゲッター材９を配置してもよい。これにより、ヒータ１９の加熱で効率よくゲッター材９を活性化させる事が可能となる。
【００２９】
なお、本実施形態にかかるパッケージ１においては、封止部材１５を加熱溶融させるためのヒータ１９の少なくとも一部が貫通孔５内に位置していればよく、ヒータ１９全体が貫通孔５内に位置することを意味するものではない。そのため、例えば、一部が基体７に埋設されるとともに、一部が貫通孔５内に位置する形態のヒータ１９を用いてもよい。また、本実施形態にかかるパッケージ１において、ヒータ１９が貫通孔５内に位置しているとは、ヒータ１９が貫通孔５の表面と離隔している必要はなく、ヒータ１９が貫通孔５の表面上に位置していてもよい。
【００３０】
次に、本発明のパッケージの製造方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００３１】
本発明の一実施形態にかかるパッケージ１の製造方法は、主面７ａ上に形成された凹部３と凹部３から裏面７ｂにかけて貫通する貫通孔５とを有する基体７を準備する第１の工程と、凹部３内にゲッター材９を配設する第２の工程と、凹部３を封止するように基体７の主面７ａ上に蓋体１１を配設する第３の工程と、基体７と蓋体１１とを接合部材１３を介して接合する第４の工程と、常圧よりも低圧下において、接合部材１３の主成分よりも融点の高い成分を主成分とする封止部材１５により貫通孔５を封止する第５の工程と、を備えている。
【００３２】
まず、図５Ａに示すように、第１の工程として、主面７ａ上に形成された凹部３と凹部３から裏面７ｂにかけて貫通する貫通孔５とを有する基体７を準備する。具体的には、アルミナセラミックス及びムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分とするセラミックグリーンシートを積層して、主面７ａ上に形成された凹部３と凹部３から裏面７ｂにかけて貫通する貫通孔５とを有するように積層体を作製する。そして、この積層体を焼成することにより、本実施形態にかかる基体７を作製することができる。なお、上記実施形態においては、セラミックグリーンシートに予め貫通孔５を形成しているが、積層体を焼成した後に貫通孔５を形成してもよい。
【００３３】
また、図５Ｂに示すように、第２の工程として、凹部３内にゲッター材９を配設する。このように、ゲッター材９を凹部３内に配設することにより、接合部材１３を介して基体７と蓋体１１とを接合する工程及び封止部材１５を用いて貫通孔５を封止する工程並びにパッケージ１の使用時において発生するガスによるパッケージ１内圧の上昇を抑制することができる。ゲッター材９としては、化学的に活性な部材を用いることが好ましい。具体的には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｆｅ及びＶを主成分とする金属粉を用いることができる。
【００３４】
この第２の工程においては、別途準備されたゲッター材９を基体７の凹部３内に配設すればよいが、蒸着、印刷又は焼き付けにより、ゲッター材９を凹部３内に配設してもよい。また、金属部材を準備するとともに、この金属部材の表面にゲッター材９を担持させ、この金属部材を基体７の凹部３内に配設することにより、ゲッター材９を凹部３内に配設してもよい。
【００３５】
また、図５Ｃに示すように、第３の工程として、凹部３を封止するように基体７の主面７ａ上に蓋体１１を配設する。蓋体１１としては、基体７の主面７ａ上に配設され、凹部３を封止することができればよい。例えば、セラミックス及びガラスのような絶縁部材、シリコンのような光学部材並びに金属部材を用いることができる。また、上記の部材を組み合わせて接合したものであってもよい。
【００３６】
蓋体１１として、セラミックス及びガラスのような絶縁部材を用いる場合には、基体７との接合箇所にメタライズ層が配設されたものを用いることが好ましい。これにより、基体７と蓋体１１の接合性を高めることができるからである。蓋体１１として光学部材を用いる場合には、この光学部材の表面に特定の波長帯の光を透過するような金属がコーティングされていてもよい。また、蓋体１１として光学部材を用いる場合には、蓋体１１がレンズ形状であってもよい。
【００３７】
なお、第２の工程と第３の工程は同時に行ってもよい。具体的には、既に示したように、内表面上にゲッター材９が配設された蓋体１１を基体７の主面７ａ上に配設してもよい。
【００３８】
また、図５Ｄに示すように、第４の工程として、基体７と蓋体１１とを接合部材１３を介して接合する。具体的には、基体７及び蓋体１１における互いの接合面の少なくとも一方に接合部材１３を配設する。接合部材１３としては、例えば、クラッドされたもの、プリフォームされたもの、及び、ペースト状のものを用いることができる。このような接合部材１３を用いて、メタライズにより、基体７及び蓋体１１における上記接合面に接合部材１３を配設してもよい。また、ペースト状の接合部材１３を用いて印刷により、基体７及び蓋体１１における上記接合面に接合部材１３を配設してもよい。そして、基体７及び蓋体１１における上記接合面に配設された接合部材１３を加熱溶融させることにより、基体７と蓋体１１とを接合部材１３を介して接合する。
【００３９】
また、図５Ｅに示すように、第５の工程として、常圧よりも低圧下において、接合部材１３の主成分よりも融点の高い成分を主成分とする封止部材１５により貫通孔５を封止する。封止部材１５としては、例えば、クラッドされたもの、プリフォームされたもの、及び、ペースト状のものを用いることができる。このような封止部材１５を基板の裏面７ｂ上に配設する。
【００４０】
具体的には、裏面７ｂが上向き（図５Ｅを上下反転させた状態）となるように基体７を配置する。そして、封止部材１５を貫通孔５内、又は貫通孔５の周辺に配置する。例えば、封止部材１５として球状のものを用いる場合には、貫通孔５の内径よりも外径の大きい球状の封止部材１５を貫通孔５上に配置する。また、封止部材１５としてペースト状のものを用いる場合には、封止部材１５を貫通孔５内、又は貫通孔５の周辺に印刷する。このようにして基体７上に配設された封止部材１５を加熱溶融することにより、貫通孔５を封止部材１５により封止する。封止部材１５の溶融は、レーザーを用いて封止部材１５を加熱することにより行ってもよく、また、ヒータ１９を用いて封止部材１５を加熱することにより行ってもよい。
【００４１】
パッケージ１が小型である場合、レーザーを用いて封止部材１５を加熱することが好ましい。レーザーを用いた場合、局所的な加熱を行うことができるからである。また、パッケージ１が大型である場合、ヒータ１９を用いて封止部材１５を加熱することが好ましい。大型のパッケージ１であるため多くの封止部材１５を用いた場合であっても、ヒータ１９を用いた場合、レーザーを用いた場合と比較して、素早く広範囲の封止部材１５を加熱することができるからである。特に、基体７の貫通孔５内に配設されたヒータ１９を備えている場合には、封止部材１５と直接に接触させることができるため、さらに効率良く封止部材１５を加熱溶融させることができる。
【００４２】
また、ヒータ１９を用いて封止部材１５を加熱する場合、外部電源からヒータ１９に通電する通電部材（非図示）が基板の裏面７ｂ上に露出していることが好ましい。封止部材１５により貫通孔５を封止した後であっても、ヒータ１９に通電することができるからである。そのため、パッケージ１の一定期間の使用により、ゲッター材９による気体分子の吸着効果が低下して、パッケージ１の内圧が上昇した場合であっても、ゲッター材９を加熱して、ゲッター材９の表面に再度新しい活性面を形成することができる。これにより、ゲッター材９による気体分子を吸着する効果を再び向上させることができる。なお、このとき、封止部材１５が溶融しない程度の温度でゲッター材９を加熱することが必要となる。
【００４３】
また、第５の工程は、常圧よりも低圧下において行われている。そのため、パッケージ１の内圧を常圧よりも小さくすることができる。より具体的には、真空チャンバーのような減圧装置を用いることにより、常圧よりも低圧下において、貫通孔５を封止部材１５により封止することができる。このとき、減圧装置を用いることによる真空度は、要求されるパッケージ１の内圧に応じて適宜設定すればよい。
【００４４】
なお、本実施形態にかかるパッケージ１の製造方法は、少なくとも第５の工程が常圧よりも低圧下において行われていればよいことから、第１−４の工程が、第５の工程と同様に、常圧よりも低圧下において行われていてもよい。
【００４５】
さらに、本実施形態にかかるパッケージ１の製造方法においては、封止部材１５は、接合部材１３の主成分よりも融点の低い成分を主成分としている。このように、本実施形態にかかるパッケージ１の製造方法においては、接合部材１３の主成分の融点が、封止部材１５の主成分の融点よりも高い。そのため、貫通孔５を封止する工程において封止部材１５を溶融させるために加えた熱が、基体７と蓋体１１とを接合する接合部材１３に伝わったとしても、接合部材１３からのガスの発生を抑制することができる。これにより、接合部材１３から発生したガスにより、パッケージ１の内圧が大きくなることが抑制される。結果として、パッケージ１の内圧をより小さくすることができる。
【００４６】
封止部材１５は、上記第４の工程を行った後、貫通孔５内に配設することが好ましい。第４の工程において、既に封止部材１５が貫通孔５内に配設されていると、パッケージ１の内圧を小さくし難くなる可能性があるからである。具体的には、接合部材１３を加熱溶融することによって接合部材１３を介して基体７と蓋体１１とを接合する際に、封止部材１５が溶融して貫通孔５が封止される可能性がある。
【００４７】
また、ゲッター材９を加熱する工程を備えていることが好ましい。ゲッター材９の表面に酸化膜のように吸着したガスとの化合物による皮膜が形成されている場合、ゲッター材９による気体分子を吸着する効果が小さくなる。しかしながら、ゲッター材９を加熱することにより、ゲッター材９の表面に存在するガスとの化合物をゲッター材９の内部に拡散させることができる。これにより、ゲッター材９の表面に新しい活性面を形成することができるので、ゲッター材９による気体分子を吸着する効果を再び向上させることができる。ゲッター材９の表面に新しい活性面を効率良く形成するため、ゲッター材９は２５０〜５００℃で加熱することが好ましい。
【００４８】
このとき、第４の工程における接合部材１３を加熱する工程又は第５の工程における封止部材１５を加熱する工程において上記ゲッター材９を加熱することが好ましい。別途、ゲッター材９を加熱する工程が不要となるので、製造工程を短縮することができるからである。
【００４９】
特に、第５の工程における封止部材１５を加熱する工程において上記ゲッター材９を加熱することが好ましい。言い換えれば、第５の工程において、封止部材１５を溶融するのと同時に、ゲッター材９を加熱することにより、ゲッター材９を活性することが好ましい。既に示したように、封止部材１５により貫通孔５を封止したパッケージ１の内圧を低くすることが求められている。封止部材１５により貫通孔５を封止する第５の工程においてゲッター材９を活性化させることにより、ゲッター材９による気体分子を吸着する効果を高め、パッケージ１の内圧をより小さくすることができる。
【００５０】
また、第５の工程において、封止部材１５の主成分の融点よりも高い温度であって、接合部材１３の主成分の融点よりも低い温度で、封止部材１５を溶融し、封止部材１５で貫通孔５を封止することが好ましい。これにより、接合部材１３が溶融して、接合部材１３からガスが発生するとともに基体７と蓋体１１の接合性の低下する可能性を抑制しつつ、封止部材１５を溶融させて封止部材１５で貫通孔５を封止することができるからである。
【００５１】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何ら差し支えない。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・パッケージ
３・・・凹部
５・・・貫通孔
７・・・基体
７ａ・・・主面
７ｂ・・・裏面
９・・・ゲッター材
１１・・・蓋体
１３・・・接合部材
１５・・・封止部材
１７・・・デバイス
１９・・・ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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