(57)【要約】【課題】従来に比べセンサ特性変動が少ない樹脂モールド半導体センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体センサ素子（３）を第１樹脂材料（７）にて封止して成型されるセンサユニット（１０）と、上記第１樹脂材料に対して密着力の低い第２樹脂材料（１３）にて上記センサユニットを内部に封止して成型されるハウジングケース（１４）とを備え、上記ハウジングケースは、上記リードフレームに平行又は略平行な上記センサユニットの側面（Ｚ１、Ｚ２）と上記第２樹脂材料との間に空隙部（８）を有する。【選択図】図１Ｂ
2010071723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体センサ素子及び該半導体センサ素子を実装したリードフレームを第１樹脂材料にて封止して成型されるセンサユニットと、
熱可塑性であって硬化収縮性のある第２樹脂材料にて上記センサユニットを封止して成型されるハウジングケースと、を備えた樹脂モールド半導体センサであって、
上記ハウジングケースは、上記センサユニットを形成する側面の内、最も大きな面積を有する大面積側面との間に空隙部を有することを特徴とする樹脂モールド半導体センサ。
【請求項２】
上記大面積側面は、上記リードフレームに平行又は略平行な上記センサユニットの側面である、請求項１に記載の樹脂モールド半導体センサ。
【請求項３】
上記第１樹脂材料は、エポキシ系熱硬化性樹脂であり、上記第２樹脂材料は、熱可塑性飽和ポリエステル樹脂である、請求項１又は２記載の樹脂モールド半導体センサ。
【請求項４】
上記大面積側面に対応する上記ハウジングケースにおける領域の厚さは、その他の領域における厚さよりも厚い、請求項１から３のいずれか１項に記載の樹脂モールド半導体センサ。
【請求項５】
半導体センサ素子及び該半導体センサ素子を実装したリードフレームを第１樹脂材料にて封止してセンサユニットを成型するとき、上記リードフレームに平行又は略平行な側面の面積をその他の側面の面積に比べて大きくしてセンサユニットを成型し、
上記センサユニットを第２樹脂材料にて封止してハウジングケースを成型する、樹脂モールド半導体センサの製造方法であって、
上記第２樹脂材料は、熱可塑性であって硬化収縮性のある材料であることを特徴とする樹脂モールド半導体センサの製造方法。
【請求項６】
上記ハウジングケースを成型するとき、上記センサユニットにおける放熱を促進し、上記センサユニットにおける大面積側面に接する上記第２樹脂材料の界面部分に硬化収縮を生じさせる、請求項５記載の樹脂モールド半導体センサの製造方法。
【請求項７】
上記センサユニットの成型後、上記ハウジングケースの成型前に、上記センサユニットにおける大面積側面に上記第２樹脂材料の密着力を低下させる離型剤を塗布する、請求項５又は６記載の樹脂モールド半導体センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム上に固定された半導体センサ素子を樹脂モールドによりパッケージ化した樹脂モールド半導体センサと、その製造方法に関し、例えば自動車用の加速度センサモジュールや振動センサモジュールに適用可能な樹脂モールド半導体センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度センサは、例えば次のように構成されている。即ち、リードフレーム上に実装され固定された、加速度を検出する半導体センサ素子及びその制御回路は、ワイヤを介して出力端子やコネクタに結線される。さらに、半導体センサ素子及びワイヤが大気に直接触れて腐食することで加速度センサが劣化するのを防止するため、半導体センサ素子及びワイヤ等は、樹脂材料にて封止される。このようにして樹脂モールドされパッケージ化された加速度センサが作製される。
【０００３】
上述の、樹脂モールドされパッケージ化された加速度センサを備えた、従来の加速度センサユニットでは、上記加速度センサを実装した基板がハウジングに固定され、さらにハウジングには、加速度センサを密閉する蓋となるプレートが取り付けられ、防水性を維持している（例えば特許文献１）。
【０００４】
又、上述のような従来の加速度センサユニットに対し、加速度センサを実装した基板や蓋となるプレートを無くし、低コスト化を図ったセンサ構造も存在する。該センサ構造では、外部出力端子を備えたリードフレームが樹脂材にてモールドされ、リードフレームと上記樹脂材にてなるパッケージ部材とが一体化される。さらに、パッケージ部材に形成された素子搭載部に半導体センサ素子が固定されている。
【０００５】
このような樹脂製パッケージでは、パッケージ部材でリードフレームをモールドするときの初期応力や、リードフレーム、半導体センサ素子及びパッケージ部材の各部材間における熱膨張係数差による歪みに起因して、センサ特性に変動が生じる。
そこで、上記センサ構造では、パッケージ部材のクリープ変形に伴い発生しセンサ特性を変動させるクリープ応力が、小さくなるもしくは半導体センサ素子へ伝わりにくくなるように、センサ素子搭載部が凹形状にて形成され、樹脂の薄肉化が図られている。さらに、半導体センサ素子が搭載されたリードフレームの反搭載側において、パッケージ部材には、空間部を形成している。該空間部を設けることで、パッケージ部材にクリープ変形が発生した場合でも、クリープ応力が半導体センサ素子へ伝わるのを抑制している（例えば特許文献２）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１０６５８４号公報
【特許文献２】特開２０００−３５６５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献２に開示される構造では、上記空間部は、リードフレームと接しており、又、上記特許文献２は、半導体センサ素子を封止したパッケージをさらに別の樹脂材で封止する構造を開示していない。さらに、上記空間部が開放状態である場合には、外部から水分等が空間部に浸入し、半導体センサ素子やワイヤに腐食劣化が発生してしまう。一方、上記空間部を外部から遮断した封止構造を採るためには、空間部に蓋を取り付け密閉する封止工程が必要であり、コストアップにつながるという問題点が生じる。
【０００８】
本発明では、上述したような問題点を解決するためになされたものであり、従来に比べセンサ特性変動が少ない樹脂モールド半導体センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第１態様における樹脂モールド半導体センサは、半導体センサ素子及び該半導体センサ素子を実装したリードフレームを第１樹脂材料にて封止して成型されるセンサユニットと、熱可塑性であって硬化収縮性のある第２樹脂材料にて上記センサユニットを封止して成型されるハウジングケースと、を備えた樹脂モールド半導体センサであって、上記ハウジングケースは、上記センサユニットを形成する側面の内、最も大きな面積を有する大面積側面との間に空隙部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の第１態様における樹脂モールド半導体センサによれば、半導体センサ素子を第１樹脂材料にて封止したセンサユニットを内部に保持して、第１樹脂材料とは異なる第２樹脂材料にてなるハウジングケースがインサート成型される。インサート成型されるハウジングケースに用いられる第２樹脂材料は、熱可塑性であって硬化収縮性のある材料である。よって、ハウジングケースの第２樹脂材料の硬化時に生じる収縮により、センサユニットと第２樹脂材料との界面部分、特にセンサユニットにて最も大きな面積を有する大面積側面部分には、空隙部が形成される。この空隙部により、ハウジングケースに生じた応力は、半導体センサ素子を有するセンサユニットに伝わりにくくなる。したがって、従来に比べセンサ特性変動が少ない安定した樹脂モールド半導体センサ及びその製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態である、樹脂モールド半導体センサ及びその製造方法について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。
【００１２】
実施の形態１．
図１Ａは、本発明の実施の形態１による樹脂モールド半導体センサ１の概略構成図であり、図１Ｂは、図１Ａに示すＡ−Ａ’部における断面図である。尚、図１Ａは、図１Ｂに示す樹脂モールド半導体センサ１の水平方向における断面状態を示しているが、図示の明瞭化のため断面用ハッチングの図示を省略している。又、図２Ａは、樹脂モールド半導体センサ１内に埋め込まれる、以下に詳細を説明する、センサユニット１０の概略構成図であり、図２Ｂは、図２Ａに示すＢ−Ｂ’部における断面図である。
【００１３】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、樹脂モールド半導体センサ１は、例えば加速度等の力学量を検出するセンサ部分であるセンサユニット１０をモールド樹脂１３にて封止し成型した構造を有するセンサモジュールである。以下に、樹脂モールド半導体センサ１の製造工程に従いながら、樹脂モールド半導体センサ１の各構成部分について説明を行う。
【００１４】
センサユニット１０には、リードフレーム２、半導体センサ素子３、信号処理回路４、ワイヤ５、コネクタピン６、及びモールド樹脂７が含まれる。
リードフレーム２は、例えば４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金）と呼ばれる合金板を型抜き成型した基板である。
【００１５】
半導体センサ素子３は、主にシリコンなどの半導体にて構成され上記力学量を検出する素子であり、本実施形態では加速度を検出する素子である。尚、半導体センサ素子３としては、加速度センサ素子に限らず、外力歪みや変形を検出して信号を出力する圧力センサ又は歪みセンサ等の様々な力学量センサ素子が使用可能である。信号処理回路４は、半導体センサ素子３が出力する力学量情報を処理する回路部分である。
【００１６】
これらの半導体センサ素子３及び信号処理回路４は、導電性ペーストやハンダ材などを接着剤としてリードフレーム２に固定され、半導体センサ素子３、信号処理回路４、及びリードフレーム２は、ボンディング工程にて、金等の低電気抵抗材料の部材にてなるワイヤ５にて相互に電気的に接続される。
【００１７】
コネクタピン６は、当該樹脂モールド半導体センサ１と外部機器とを電気的に接続する端子であり、本実施形態では、リードフレーム２とは別に設けられた細長い板状の部材にてなり、リードフレーム２の延在方向４１に沿って延在する。コネクタピン６は、２本設けられ、平行に並設される。各コネクタピン６は、リードフレーム２とワイヤ５にて電気的に接続され、信号処理回路４が出力する電気信号を当該樹脂モールド半導体センサ１の外部機器へ送出する。尚、リードフレーム２及びコネクタピン６は、ワイヤ接続ではなく同一部材で一体形成してもよい。
【００１８】
このように構成されたリードフレーム２、半導体センサ素子３、信号処理回路４、ワイヤ５、及びコネクタピン６は、上述のボンディング工程後、第１モールド工程において、モールド樹脂７により封止され成型され、センサユニット１０が形成される。モールド樹脂７は、第１樹脂材料の一例に相当する樹脂材であり、半導体センサ素子３の構造材、例えばシリコン、と熱膨張係数が近い材料が選択される。具体的には、モールド樹脂７は、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂材である。エポキシ系の熱硬化性樹脂材は、耐水性、耐薬品性、電気絶縁性に優れ、硬化の際における収縮が少なく、強度があり、半導体封止材料として用いられている樹脂材料である。
【００１９】
又、モールド樹脂７は、ほぼ直方体形状となるように成型され、リードフレーム２に平行又は略平行に位置する平坦なモールド樹脂７の各側面Ｚ１、Ｚ２が、その他の平坦な各側面Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２よりも面積においてそれぞれ広くなるように、成型される。ここで、側面Ｚ１，Ｚ２が大面積側面に相当し、側面Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２は、リードフレーム２の厚み方向４２に平行又は略平行に位置する側面である。又、側面Ｘ１及び側面Ｘ２は、上記延在方向４１に位置する側面であり互いに対向し、側面Ｙ１及び側面Ｙ２は、延在方向４１及び厚み方向４２に直交する幅方向４３に位置する側面であり互いに対向する。又、コネクタピン６は、側面Ｘ１から延在方向４１に沿って突出する。
【００２０】
又、センサユニット１０では、図示するように、大面積側面Ｚ１、Ｚ２に対して側面Ｘ１、Ｘ２を厚み方向４２に突出させて、リブ９を形成している。リブ９は、センサユニット１０の剛性を高めるために設けたもので、必要に応じて設ければよい。又、リブ９の位置や形状は、図示の形態に限定されるものではない。例えば、側面Ｙ１、Ｙ２部分に設けても良く、あるいは、側面Ｘ１、Ｘ２、及び側面Ｙ１、Ｙ２の両方の部分に設けても良い。尚、側面Ｙ１、Ｙ２の周辺端部にリブ９を形成した構造としたため、図２Ａに示すように、側面Ｙ１、Ｙ２は、僅かにセンサユニット１０の内部側へ入った形状になっている。
【００２１】
又、センサユニット１０のインサート成型後、必要により、センサユニット１０を形成するモールド樹脂７の表面に対して、バリの除去、研磨、検査などが実施される。
【００２２】
上述のように第１モールド工程にてセンサユニット１０を作製した後、第２モールド工程にて、モールド樹脂１３にてセンサユニット１０がモールドされ、当該樹脂モールド半導体センサ１がインサート成型される。成型されたモールド樹脂１３は、樹脂モールド半導体センサ１のハウジングケース１４となる。ハウジングケース１４は、当該樹脂モールド半導体センサ１と外部機器との接合部分である凹状のコネクタ部１２を有する。センサユニット１０から突出しているコネクタピン６は、凹状のコネクタ部１２内へ突出する。
【００２３】
モールド樹脂１３は、第２樹脂材料の一例に相当する樹脂材であり、例えばエンジニアリングプラスチックの熱可塑性飽和ポリエステル樹脂であるポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）や、汎用プラスチックのポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）などである。ＰＢＴ樹脂は、センサユニット１０を成型するのに用いたエポキシ系の熱硬化性樹脂にてなるモールド樹脂７に対して接合することなく密着性が低い材料であり、また、硬化収縮性が大きい材料である。
【００２４】
したがって、モールド樹脂１３では、モールド樹脂１３が冷却固化するとき、その表面が先に固化しその中心部の固化が遅れることで、いわゆる「ひけ」と呼ばれる凹形状が樹脂表面に形成される。このような樹脂材の硬化収縮による凹形状は、モールド樹脂１３がセンサユニット１０と接している領域の中央部や肉厚部で発生する。
【００２５】
このようなモールド樹脂１３の特性により、センサユニット１０を内部に保持してモールド樹脂１３にてハウジングケース１４をインサート成型したとき、センサユニット１０の外表面の内、特に、最も大きな面積を有する側面Ｚ１，Ｚ２に接する樹脂１３の領域では、冷却されやすいことから、上記凹形状が比較的容易に形成される。即ち、図１Ｂに示すように、センサユニット１０の側面Ｚ１，Ｚ２とモールド樹脂１３との間には、上記凹形状にてなる空隙部８が形成される。換言すると、モールド樹脂１３つまりハウジングケース１４は、側面Ｚ１，Ｚ２に対応する部分に空隙部８を有する。このように、センサユニット１０の側面Ｚ１，Ｚ２と、ハウジングケース１４とは、空隙部８にて非接触となり分離される。
【００２６】
一方、センサユニット１０におけるその他の側面Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２は、側面Ｚ１，Ｚ２に比べて面積が小さいことから、比較的冷却が穏やかに進むことから、空隙部８の形成は無いか、僅かである。よって、側面Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２は、モールド樹脂１３つまりハウジングケース１４と接し、あるいはハウジングケース１４にて保持される。したがって、例えば衝突時等に発生する加速度は、ハウジングケース１４を介して、ハウジングケース１４内のセンサユニット１０、具体的には半導体センサ素子３に、効果的に伝達されることが可能である。
【００２７】
又、出願人によりなされた、種々のＰＢＴ樹脂厚と上記凹形状形成との関係の検討によれば、凹形状の空隙部８が形成されるには、センサユニット１０の側面Ｚ１，Ｚ２に対応したモールド樹脂１３の領域において、上記厚さ方向４２にて、少なくとも１ｍｍ以上のモールド樹脂１３の厚さが必要であることが判った。よって、本実施形態においても、センサユニット１０の側面Ｚ１，Ｚ２に対応したモールド樹脂１３の領域は、上記厚み方向４２において１ｍｍ以上の厚みを有している。
【００２８】
上述のように、上記厚み方向４２に対応する半導体センサ素子３の上下方向におけるセンサユニット１０の側面Ｚ１，Ｚ２に、即ちセンサユニット１０において最も大きな面積を有する側面Ｚ１，Ｚ２に対応して空隙部８を形成することで、ハウジングケース１４等からセンサユニット１０に作用する熱応力の影響を低減することができ、例えば温度変化に伴うハウジングケース１４等の変形や歪みがセンサユニット１０に作用するのを低減することができる。したがって、樹脂モールド半導体センサ１におけるセンサ特性の変動を従来に比べて低減することができる。
【００２９】
尚、センサユニット１０におけるその他の側面Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２は、側面Ｚ１，Ｚ２に比べて面積が小さいことから、側面Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２からセンサユニット１０に対する上記熱応力の影響は、元々小さく、無視可能である。したがって、上述のように側面Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２に対応した部分に空隙部８が形成されていなくてもよい。
【００３０】
又、上述のように、半導体センサ素子３及び信号処理回路４等がモールド樹脂７にて封止されて、センサユニット１０が形成され、かつ、当該樹脂モールド半導体センサ１は、センサユニット１０を内側に埋め込んでインサート成型にて作製されている。したがって、本実施形態では、従来のように半導体センサ素子収納用の凹部を形成する必要はなく、小型の樹脂モールド半導体センサの作製が可能であり、かつ上記凹部を密閉する封止工程も不要となることから、低コストでの作製が可能である。
【００３１】
尚、第２樹脂材料であるモールド樹脂１３について、第１樹脂材料であるモールド樹脂７に対する低密着性のみに着目して比較的小さい空隙部８を形成させる場合には、第２樹脂として、硬化収縮が比較的小さい樹脂材料である、ガラス繊維で補強した不飽和ポリエステル樹脂のＦＲＰ（繊維補強プラスチック）であるＢＭＣ（バルクモールディングコンパウンド）や、ＳＭＣ（シートモールディングコンパウンド）などを用いることができる。
【００３２】
又、センサユニット１０における大面積側面Ｚ１，Ｚ２に対応して、より良好に空隙部８が形成されるように、センサユニット１０の作製後、ハウジングケース１４をインサート成型する前に、側面Ｚ１，Ｚ２を予め研磨して平坦化する、又、図２Ｂに示すように、側面Ｚ１，Ｚ２とモールド樹脂１３との密着性を低下させる離型剤１６、例えばシリコーン系離型剤１６を予め側面Ｚ１，Ｚ２に塗布する、等の処理を行うことは好ましい。
【００３３】
一方、例えば衝突時等に生じる加速度を、樹脂モールド半導体センサ１内のセンサユニット１０に確実に伝達させるため、センサユニット１０端部、つまり側面Ｘ１，Ｘ２や、側面Ｙ１，Ｙ２は、モールド樹脂１３と密着させる必要がある。したがって、センサユニット１０の側面Ｘ１，Ｘ２、Ｙ１，Ｙ２は、モールド樹脂１３との密着性を増すため粗面化しておくのが望ましい。又、上述したリブ９の構造も、センサユニット１０の側面Ｘ１，Ｘ２、Ｙ１，Ｙ２をモールド樹脂１３に密着させるという観点において有効な手段である。
【００３４】
以上説明したように作製、構成された、本実施形態では加速度を検出する樹脂モールド半導体センサ１は、自動車の側部や前部等に設置され、例えばエアバックシステムにおいて加速度を検出する加速度センサとして用いられる。このため、樹脂モールド半導体センサ１には、車両取付箇所への取り付け固定用のボルト孔１１が設けられている。尚、このように樹脂モールド半導体センサ１が自動車に取り付けられたとき、本実施形態では、検出すべき加速度は、リードフレーム２に平行又はほぼ平行な方向、つまり上記延在方向４１及び上記幅方向４３又はこれらに近似する方向に作用する。又、コネクタ部１２には、外部コネクタが接続され、半導体センサ素子３にて検出された加速度情報が上記外部コネクタを介してエアバッグ展開用のＥＣＵ等に送出され、所定時には、エアバッグの展開が行われる。尚、コネクタ部１２は、外部コネクタとの接続により防水性を有する構造である。
【００３５】
実施の形態２．
図３には、本発明の実施の形態２による樹脂モールド半導体センサ１５の断面図が示されている。上述した実施の形態１における樹脂モールド半導体センサ１と、本実施の形態２による樹脂モールド半導体センサ１５との相違点は、センサユニット１０の大面積側面Ｚ１，Ｚ２に対応するハウジングケースにおける領域の厚み方向４２における厚さが相違する点のみである。本実施の形態２による樹脂モールド半導体センサ１５におけるその他の構成は、実施の形態１における樹脂モールド半導体センサ１の構成と同じである。
【００３６】
本実施の形態２による樹脂モールド半導体センサ１５に備わる、第２樹脂材料のモールド樹脂１３にてなるハウジングケース１４−１では、空隙部８が形成されているセンサユニット１０の側面Ｚ１，Ｚ２に対応した領域１４ａの厚み方向４２における厚さは、実施の形態１の樹脂モールド半導体センサ１に備わるハウジングケース１４の対応領域の厚さに比べて厚い。このように、領域１４ａの厚みを大きくすることで、ハウジングケース１４−１の成型時における硬化収縮量が大きくなり、空隙部８の隙間量を大きくすることができる。
したがって、樹脂モールド半導体センサ１５では、実施の形態１の樹脂モールド半導体センサ１に比べて、センサユニット１０に対する熱応力の影響をさらに低減することができ、より安定したセンサ特性を得ることができる。
【００３７】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３は、第２モールド工程における樹脂モールド半導体センサの製造方法に関し、ここでは、図４に示すように実施の形態１の樹脂モールド半導体センサ１を例に採り、説明を行う。
【００３８】
上述したように、第２モールド工程では、例えば熱可塑性飽和ポリエステル樹脂であるＰＢＴのようなモールド樹脂１３を用いて、センサユニット１０を包囲したインサート成型が行われる。結晶性樹脂であるＰＢＴは、耐熱性が高く、耐溶剤性に優れ、流れ良好、という特性を有する樹脂材料であるが、収縮率が大きい。よって熱可塑性飽和ポリエステル樹脂の成型時には、成型圧を制御するとともに金型温度の均一化を図ることが一般的に行われる。上述したように本発明では、ＰＢＴなどの熱可塑性樹脂の特徴である硬化収縮性を利用し、センサユニット１０における大面積の平面と接する熱可塑性樹脂部分に空隙部８を形成する。
【００３９】
上述の実施の形態１では、第２モールド工程においてインサート成型にて樹脂モールド半導体センサ１を作製するとき、上述のように金型の温度を均一に保ってハウジングケース１４の成型が行われている。これに対し、本実施の形態３では、図４に示すように、第２モールド工程において、ハウジングケース１４の上下の外形用モールド金型２１，２２とは別に、コネクタ部用金型２３を設けてインサート成型を行う。コネクタ部用金型２３は、樹脂モールド半導体センサ１のハウジングケース１４に備わる凹状のコネクタ部１２に嵌合し、さらにセンサユニット１０よりコネクタ部１２内へ突出しているコネクタピン６と接触する金型であり、金型２１，２２と共にセンサユニット１０を保持する。
【００４０】
そして本実施の形態３では、第２モールド工程におけるモールド樹脂１３によるハウジングケース１４の成型の際、コネクタ部用金型２３を、外形用モールド金型２１，２２に比べて低温に設定する。これにより、金属製で熱伝導性がよいコネクタピン６からコネクタ部用金型２３への放熱が促進され、コネクタピン６が挿入されているセンサユニット１０の温度を低下させることができる。
【００４１】
したがって、センサユニット１０における側面Ｚ１，Ｚ２に接するモールド樹脂１３の界面部分１４ｂの温度は、比較的低く、一方、側面Ｚ１，Ｚ２に対応したハウジングケース１４の領域１４ａの内、界面部分１４ｂ以外の部分１４ｃの温度は、外形用モールド金型２１，２２の熱影響を受け、比較的高い。このように、モールド樹脂１３が硬化する際、界面部分１４ｂと、部分１４ｃとの温度差は、本実施の形態３では実施の形態１の場合に比べて大きくなる。つまり、温度分布の不均一さが本実施の形態３では大きい。その結果、温度の低い界面部分１４ｂにて、モールド樹脂１３に大きな硬化収縮が生じ、本実施の形態３では実施の形態１の場合に比べて大きな隙間量にてなる空隙部８を形成することができる。したがって本実施の形態３では、実施の形態１の場合に比べて、より安定したセンサ特性を得ることができる。
【００４２】
又、コネクタ部用金型２３によるセンサユニット１０の放熱性能、特にセンサユニット１０の側面Ｚ１，Ｚ２における放熱性能をより向上させるため、図５Ａ及び図５Ｂに示すようなセンサユニット１０−１を構成することもできる。センサユニット１０−１は、コネクタピン６−１、６−２を有する点でセンサユニット１０と相違する。即ち、センサユニット１０に備わるコネクタピン６は、図２Ｂ等に示すように短冊状平板の端子部のみからなるが、センサユニット１０−１のコネクタピン６−１、６−２は、端子部６ａ、及び該端子部６ａと一体的に成形されている放熱部２４，２５を有する。尚、コネクタピン６−１，６−２は、コネクタピン６と同じ材料にて形成される。
【００４３】
コネクタピン６−１における放熱部２４は、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、センサユニット１０−１の側面Ｚ１のほぼ全面に相当する面積を有し、側面Ｚ１と同一面になるように側面Ｚ１に露出して配置される。又、コネクタピン６−２における放熱部２５は、図５Ｂに示すように、センサユニット１０−１の側面Ｚ２のほぼ全面に相当する面積を有し、側面Ｚ２と同一面になるように側面Ｚ２に露出して配置される。
【００４４】
このように構成されたセンサユニット１０−１を用いて実施の形態３による第２モールド工程を実施することで、センサユニット１０−１の側面Ｚ１、Ｚ２に接するモールド樹脂１３の界面部分１４ｂの温度は、センサユニット１０の場合に比べてさらに低くなる。したがって、モールド樹脂１３には、さらに大きな硬化収縮が生じ、さらに大きな隙間量にてなる空隙部８を形成することができる。その結果、さらに安定したセンサ特性を得ることができる。
【００４５】
さらに又、コネクタ部用金型２３によるセンサユニット１０の放熱性能、特にセンサユニット１０の側面Ｚ１，Ｚ２における放熱性能をより向上させるため、図４に示すように、コネクタ部用金型２３を冷却するための冷却部２６を接続してもよい。ここで冷却部２６は、例えば、積極的にコネクタ部用金型２３を冷却する冷却装置や、コネクタ部用金型２３の放熱性を良くするための空冷フィン等が相当する。
又、要するに、ハウジングケース１４をインサート成型するとき、内部のセンサユニット１０、１０−１を冷却することができればよく、その具体的手段は、コネクタ部用金型２３や冷却部２６に限定されるものではない。
【００４６】
尚、上述した各実施形態を適宜組み合わせて構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１Ａ】本発明の実施の形態１における樹脂モールド半導体センサを示す概略構成図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す樹脂モールド半導体センサにおけるＡ−Ａ’部の断面図である。
【図２Ａ】図１Ａに示す樹脂モールド半導体センサに備わるセンサユニットの概略の斜視図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示すセンサユニットにおけるＢ−Ｂ’部の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２における樹脂モールド半導体センサを示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３による、樹脂モールド半導体センサ製造方法における第２モールド工程の実行状態を示す図である。
【図５Ａ】本発明の実施の形態３による、樹脂モールド半導体センサ製造方法における第２モールド工程の実行に適したセンサユニットの概略の斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示すセンサユニットにおけるＣ−Ｃ’部の断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  樹脂モールド半導体センサ、２  リードフレーム、３  半導体センサ素子、
７  モールド樹脂、８  空隙部、１０、１０−１  センサユニット、
１３  モールド樹脂、１４  ハウジングケース、１４ｂ  界面部分、
１５  樹脂モールド半導体センサ、１６  離型剤、
Ｚ１，Ｚ２  側面。
【図１Ｂ】
2010071723.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図１Ａ】
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