(57)【要約】【課題】焼成前の低融点ガラスペーストのペースト層の凹部又は凸部の平坦化を行うことができるＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法電極が形成された基板上に低融点ガラスペーストからなるペースト層を形成し、前記ペースト層を焼成することによって誘電体層を形成する工程を備え、前記ペースト層が凹部又は凸部を有する場合、前記ペースト層の焼成前に、前記凹部又は凸部に対して電気的な力を作用させることによって前記凹部又は凸部を平坦化する平坦化処理を行うことを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成された基板上に低融点ガラスペーストからなるペースト層を形成し、前記ペースト層を焼成することによって誘電体層を形成する工程を備え、
前記ペースト層が凹部又は凸部を有する場合、前記ペースト層の焼成前に、前記凹部又は凸部に対して電気的な力を作用させることによって前記凹部又は凸部を平坦化する平坦化処理を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項２】
前記平坦化処理は、前記凹部又は凸部に対して局所的に正イオン又は負イオンを照射するか、正極端子、負極端子又はＧＮＤ端子を前記凹部又は凸部に近づけることによって行う請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化処理の前に前記ペースト層の全体に正イオン又は負イオンを照射する工程をさらに備える請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と称する。）用基板構体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１８は、従来のＰＤＰ構造の一例を示す分解斜視図である。このＰＤＰは、前面側基板構体１と背面側基板構体２を有している。
【０００３】
前面側基板構体１では、ガラス基板１ａ上に複数の表示電極３が配置されている。表示電極３は、それぞれ、透明電極３ａ及びバス電極３ｂを備えている。表示電極３は、誘電体層４で覆われている。誘電体層４は、ＭｇＯ等からなる保護層５で覆われている。
【０００４】
背面側基板構体２では、表示電極３に対してほぼ垂直方向に延びるアドレス電極６がガラス基板２ａ上に配置されている。アドレス電極６は、誘電体層９で覆われている。誘電体層９上の、アドレス電極６の両側位置には隔壁７が配置され、列方向のセルを区分けしている。さらに誘電体層９上と、隔壁７の側面には紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の可視光を発生する蛍光体層８が形成されている。
【０００５】
保護層５と隔壁７が接するように前面側基板構体１と背面側基板構体２を対向させた状態で周縁部を封止用部材により封着させて内部に放電空間を形成し、放電空間内を排気後、放電空間内にＮｅ−Ｘｅ等の放電ガスを封入し、ＰＤＰが作製される。このＰＤＰにおいては、表示は、対をなす２本の表示電極３間での繰り返し放電によって行なわれる。
【０００６】
ところで、ＰＤＰの誘電体層の形成方法の一つとしてダイコータ装置を用いて低融点ガラスペーストを塗布する方法が知られている。一般のダイコータ装置では、ガラス基板を塗布ステージ上に真空吸引などの方法を用いて固定した状態で低融点ガラスペーストの塗布を行っている（例えば、特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開２００６−１３４８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般に、塗布ステージの材質には石などの硬い材質が使用されているため、塗布ステージと基板の間に異物が入り込んだ状態でガラス基板を固定した時、局所的なガラス基板の隆起が起こり、この状態で低融点ガラスペーストを塗布すると隆起部分においてペースト層の厚さが局所的に薄く形成されてペースト層に凹部が形成されてしまう。
また、逆に、塗布面に残った異物等の原因によりペースト層が局所的に盛り上がってペースト層に凸部が形成されてしまう場合もある。
【０００８】
低融点ガラスペーストは、一般に粘性が高くレベリングしにくい性質を有するため、ペースト層に凹部や凸部が一旦形成されると、この凹部や凸部は、焼成後でもほぼ同じ形状で残る。このような凹部や凸部は、表示ムラの原因になるため、発生を防止することと、発生した場合に平坦化を行うことが重要である。
【０００９】
凹部や凸部の発生を防ぐために種々の対策が施されているものの、凹部や凸部の発生を防ぐことは極めて難しい。
また、焼成後の誘電体層の凹部や凸部の平坦化を行うことは、平坦化を行った箇所が不均一になったり、再焼成の際に基板割れ等の不具合が生じ易いので技術的に困難である。また、品質を低下させる可能性がある。従って、焼成後の誘電体層の凹部や凸部の平坦化を行うことは、極めて難しい。
【００１０】
一方、焼成前の低融点ガラスペーストのペースト層は、ペースト粘性の関係で糸を引く等により表面状態が悪化する傾向が強いため、焼成前の低融点ガラスペーストのペースト層の凹部や凸部の平坦化を行うことも難しい。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、焼成前の低融点ガラスペーストのペースト層の凹部又は凸部の平坦化を行うことができるＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【００１２】
本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、電極が形成された基板上に低融点ガラスペーストからなるペースト層を形成し、前記ペースト層を焼成することによって誘電体層を形成する工程を備え、前記ペースト層が凹部又は凸部を有する場合、前記ペースト層の焼成前に、前記凹部又は凸部に対して電気的な力を作用させることによって前記凹部又は凸部を平坦化する平坦化処理を行うことを特徴とする。
【００１３】
本発明者は鋭意研究を行ったところ、焼成前のペースト層のペーストが電気力によって移動する性質を有することを見出した。そして、この性質を利用することによって、ペースト層に形成された凹部又は凸部に対して電気的な力（引力又は斥力）を作用させることによって凹部又は凸部を平坦化することができることを見出し、本発明の完成に到った。また、本発明によれば、凹部又は凸部に接触することなく凹部又は凸部の平坦化を行うことができるので、表面状態の悪化を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を例示する。
【００１４】
前記平坦化処理は、前記凹部又は凸部に対して局所的に正イオン又は負イオンを照射するか、正極端子、負極端子又はＧＮＤ端子を前記凹部又は凸部に近づけることによって行ってもよい。
前記平坦化処理の前に前記ペースト層の全体に正イオン又は負イオンを照射する工程をさらに備えてもよい。
ここで示した実施形態は、互いに組み合わせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の種々の実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。
【００１６】
１．ＰＤＰ用基板構体の製造方法
図１（ａ）〜（ｄ）を用いて、本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程を示す断面図である。ここでは、電極が透明電極３ａと金属電極３ｂとからなる表示電極３である場合を例にとって説明を進める。以下の説明は、電極が金属電極３ｂのみからなる表示電極３である場合や、電極がアドレス電極である場合にも基本的に当てはまる。
【００１７】
１−１．表示電極形成工程
まず、図１（ａ）に示すように、基板１ａ上に複数の表示電極３を形成する。
【００１８】
基板１ａは、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。
【００１９】
複数の表示電極３は、それぞれ、透明電極３ａと金属電極３ｂとを備える。透明電極３ａは、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 などの透明電極材料膜をスパッタリング法等によって形成し、この透明電極材料膜を図１（ａ）の符号３ａで示す透明電極３ａの形状にパターニングすることによって形成することができる。金属電極３ｂは、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属膜又はその積層膜をスパッタリング法等によって形成し、この膜を図１（ａ）の符号３ｂで示す金属電極３ｂの形状にパターニングすることによって形成することができる。上記パターニングは、フォトエッチング法で行うことができる。透明電極３ａ及び金属電極３ｂの厚さは、一例では、それぞれ、０．１μｍ及び３．５μｍである。
【００２０】
複数の表示電極３は、２本ずつがペアになって表示ラインを構成するが、電極配列形態として電極ペア間に非放電領域（逆スリットともいう）を設けた配列、電極を等間隔に配列して隣接する電極間が全て放電領域となるＡＬＩＳ形式の配列のいずれかによって配置されている。
【００２１】
１−２．誘電体層形成工程
次に、図１（ｂ）に示すように、表示電極３が形成された基板１ａ上に低融点ガラスペーストからなるペースト層１１を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、ペースト層１１を焼成することによって誘電体層４を形成する。
低融点ガラスペーストは、例えば、低融点ガラスフリットにバインダと溶剤を加えたものからなる。ペースト層１１の形成方法は特に限定されず、ダイコータ装置を用いて低融点ガラスペーストを塗布することによって形成してもよく、低融点ガラスペーストをスクリーン印刷することによって形成してもよい。誘電体層４の厚さは、一例では、２０〜３５μｍ程度である。
【００２２】
図１（ｂ）に示すようにペースト層１１の表面が平坦である場合はそのままペースト層１１を焼成すればよいが、図２（ａ）や図２（ｂ）に示すように、ペースト層１１が凹部１１ａ又は凸部１１ｂを有する場合、凹部１１ａ又は凸部１１ｂに対して電気的な力を作用させることによって凹部１１ａ又は凸部１１ｂを平坦化する平坦化処理を行う（なお、図２（ａ）及び（ｂ）では表示電極３を図示していない。）。この平坦化処理によってペースト層１１表面を平坦にすることができ、その結果、誘電体層４を平坦にすることができ、表示ムラの発生を抑制することができる。
凹部１１ａ及び凸部１１ｂの大きさは、特に限定されないが、例えば１〜５０ｍｍ程度である。深さ又は高さは、特に限定されないが、例えば３〜１０μｍ程度である。
【００２３】
平坦化処理の方法は、凹部１１ａ又は凸部１１ｂに対して電気的な力を作用させる方法であれば特に限定されないが、例えば、凹部１１ａ又は凸部１１ｂに対して局所的に正イオン又は負イオンを照射するか、正極端子１３ｐ、負極端子１３ｎ又はＧＮＤ端子１３ｇを凹部１１ａ又は凸部１１ｂに近づけてペーストを移動させることによって行うことができる。正イオン又は負イオンの照射は、イオナイザ等のイオン照射器１２を用いて行うことができる。また、平坦化処理を行う前にペースト層１１の全体に正イオン又は負イオンを照射してもよい。この照射によってペースト層１１を確実に正又は負に帯電させることができ、ペーストの動きの制御が容易になる。なお、ペーストの移動量は、イオン照射器１２又は端子の位置、イオンの照射量、ペースト層からの端子の距離、端子に印加する電圧等のパラメータを調節することによって適宜調節可能である。これらのパラメータの調節は、作業者が手動で行ってもよく、平坦化処理装置が凹部１１ａ又は凸部１１ｂの位置とサイズに基づいて自動で行ってもよい。
【００２４】
以下、凹部１１ａ又は凸部１１ｂの平坦化処理の種々の具体例を示す。
【００２５】
（１）凹部１１ａの平坦化
（１−１）ペースト層１１が正に帯電している場合
ペースト層１１が正に帯電している場合、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように凹部１１ａに対して局所的に正イオンを照射するか、図４（ａ）〜（ｂ）に示すように負極端子１３ｎを凹部１１ａに近づけることによって凹部１１ａを平坦化することができる。
前者の場合、正イオンの照射によって凹部１１ａの電位の絶対値が周囲よりも大きくなり、周囲のペーストが凹部１１ａに引き寄せられて凹部１１ａが平坦化される。なお、電位の絶対値が高い方にペーストが引き寄せられる点は、実験的に確認された。後者の場合、正に帯電したペーストが負極端子１３ｎに引き寄せられて凹部１１ａが平坦化される。
【００２６】
（１−２）ペースト層１１が負に帯電している場合
ペースト層１１が負に帯電している場合、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように凹部１１ａに対して局所的に負イオンを照射するか、図６（ａ）〜（ｂ）に示すように正極端子１３ｐを凹部１１ａに近づけることによって凹部１１ａを平坦化することができる。
前者の場合、負イオンの照射によって凹部１１ａの電位の絶対値が周囲よりも大きくなり（例えば、凹部１１ａの電位：−５００Ｖ、周囲の電位：−２００Ｖのような状態になり）、周囲のペーストが凹部１１ａに引き寄せられて凹部１１ａが平坦化される。後者の場合、負に帯電したペーストが正極端子１３ｐに引き寄せられて凹部１１ａが平坦化される。
【００２７】
（１−３）ペースト層１１が帯電していない場合
ペースト層１１が負に帯電していない場合、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように凹部１１ａに対して局所的に正イオン（又は負イオン）を照射するか、図８（ａ）〜（ｂ）に示すように正極端子１３ｐ（又は負極端子１３ｎ）を凹部１１ａに近づけることによって凹部１１ａを平坦化することができる。
前者の場合、凹部１１ａの電位の絶対値が周囲よりも大きくなり、周囲のペーストが凹部１１ａに引き寄せられて凹部１１ａが平坦化される。後者の場合、正極端子１３ｐをペーストに近づけるとペースト表面に負電荷が誘起され、この負電荷と正極端子１３ｐとの間の静電引力によってペーストが正極端子１３ｐに引き寄せられて凹部１１ａが平坦化される。正負を逆にした場合も同様である。
【００２８】
（２）凸部１１ｂの平坦化
（２−１）ペースト層１１が正に帯電している場合
ペースト層１１が正に帯電している場合、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように凸部１１ｂに対して局所的に負イオンを照射するか、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように正極端子１３ｐを凸部１１ｂに近づけるか、図１１（ａ）〜（ｂ）に示すようにＧＮＤ端子１３ｇを凸部１１ｂに近づけることによって凸部１１ｂを平坦化することができる。
凸部１１ｂに対して局所的に負イオンを照射すると、凸部１１ｂの正電荷が負イオンによって打ち消されて凸部１１ｂの電位の絶対値が周囲よりも小さくなる。このため、凸部１１ｂのペーストが周囲に引き寄せられて凸部１１ｂが平坦化される。正極端子１３ｐを凸部１１ｂに近づけると正に帯電したペーストが正極端子１３ｐから遠ざかる方向に移動して凸部１１ｂが平坦化される。ＧＮＤ端子１３ｇを凸部１１ｂに近づけたときにペーストがＧＮＤ端子１３ｇから離れる点は、実験によって確認されている。この作用は必ずしも明らかではないが、ＧＮＤ端子１３ｇを近づけることによって凸部１１ｂの電位の絶対値が周囲よりも小さくなることが原因であると推測される。
【００２９】
（２−２）ペースト層１１が負に帯電している場合
ペースト層１１が負に帯電している場合、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように凸部１１ｂに対して局所的に正イオンを照射するか、図１３（ａ）〜（ｂ）に示すように負極端子１３ｎを凸部１１ｂに近づけるか、図１４（ａ）〜（ｂ）に示すようにＧＮＤ端子１３ｇを凸部１１ｂに近づけることによって凸部１１ｂを平坦化することができる。
凸部１１ｂに対して局所的に正イオンを照射すると、凸部１１ｂの負電荷が正イオンによって打ち消されて凸部１１ｂの電位の絶対値が周囲よりも小さくなる。このため、凸部１１ｂのペーストが周囲に引き寄せられて凸部１１ｂが平坦化される。負極端子１３ｎを凸部１１ｂに近づけると負に帯電したペーストが負極端子１３ｎから遠ざかる方向に移動して凸部１１ｂが平坦化される。ＧＮＤ端子１３ｇを凸部１１ｂに近づけたときにペーストがＧＮＤ端子１３ｇから離れる点は、実験によって確認されている。この作用は必ずしも明らかではないが、ＧＮＤ端子１３ｇを近づけることによって凸部１１ｂの電位の絶対値が周囲よりも小さくなることが原因であると推測される。
【００３０】
１−３．保護層形成工程
次に、図１（ｄ）に示すように、誘電体層４上に保護層５を形成し、前面側基板構体の製造を完了する。保護層５は、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム又は酸化バリウム等の金属（より具体的には２価の金属）酸化物からなり、好ましくは、酸化マグネシウムからなる。保護層５は、蒸着法、スパッタ法又は塗布法等で形成される。保護層５の厚さは、一例では、８０００Å程度である。
【００３１】
２．ＰＤＰ
上記実施形態の方法で作製した前面側基板構体と、別途作製した、アドレス電極、誘電体層、隔壁及び蛍光体層等が形成された背面側基板構体とを対向させて封止材で封着することにより内部に気密な放電空間を有するパネルを形成し、このパネルの放電空間内を排気し、ネオンやキセノンなどからなる放電ガスを放電空間内に導入することによって、ＰＤＰを製造することができる。
【００３２】
３．効果実証実験
以下、電気力によって凹部又は凸部の平坦化を行うことができることを実証する実験を行った。以下の実験では、低融点ガラスペーストには、無鉛ガラスフリットに樹脂と溶剤を混合したものを用いた。無鉛ガラスフリットは、ＳｉＯ2（酸化ケイ素），Ｂ2Ｏ3（酸化ホウ素），ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分とし、ＮａＯ（酸化ナトリウム），Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム），ＣｕＯ（酸化銅），Ｉｎ2Ｏ3（酸化インジウム），ＳｎＯ2（酸化錫）などを含むものである。ＰｂＯ（酸化鉛）の含有量は、ＲｏＨＳ規定値以下である。
【００３３】
３−１．局所電位差とペーストの動きの関係
以下の方法によって局所電位差とペーストの動きの関係について調べた。
【００３４】
まず、ステージ上にペースト層形成前のガラス基板を配置した。このガラス基板は、搬送コロによってステージ上まで搬送されたものであり、搬送時に搬送コロとの摩擦等が原因で帯電している。また、ステージにはガラス基板をステージから引き離す際に用いるリフトピンを収容するリフトピン穴が設けられている。このリフトピン穴の部分ではガラス基板はステージと接触していない。ガラス基板のサイズは１２１０ｍｍ×２０２０ｍｍである。リフトピン穴のサイズは、φ４５ｍｍであり、２４箇所に設けられている。
【００３５】
次に、ペースト層形成前に、任意の１つのリフトピン穴の中心の電位Ｖ１と、リフトピン穴の中心から５０ｍｍ離れた位置での電位Ｖ２を測定した。この測定は、ガラス基板の上方から静電気テスター（住友スリーエム（３Ｍ）社製、品番７１８）を用いて行った。
【００３６】
次に、低融点ガラスフリットにバインダと溶剤を加えたものからなる低融点ガラスペーストをダイコータを用いて塗布してペースト層を形成し、リフトピン穴からリフトピンを突き出してガラス基板を持ち上げ、ガラス基板をステージ外に搬出した。
【００３７】
次に、ペースト層表面を目視によって観察してクレーターの有無を調べた。クレーターは、主に、リフトピン穴に対応した位置に形成されていた。
【００３８】
ここで、局所電位差と発生したクレーター数との関係を図１５に示す。局所電位差とは、｛基板接触部（リフトピン穴以外の部分）の電位Ｖ２−基板非接触部（リフトピン穴の部分）の電位Ｖ１｝の絶対値で定義される。一般に、ペースト層全体が正に帯電している場合、Ｖ２−Ｖ１が正になり、ペースト層全体が負に帯電している場合、Ｖ２−Ｖ１が負になる。局所電位差は、周囲湿度やガラス基板の搬送速度の影響を受ける。そこで、周囲湿度が異なる状態で測定を行ったり（つまり、雨の日に測定したり、晴れの日に測定したり）、ガラス基板の搬送速度を変化させたりすることによって局所電位差を変化させた。
【００３９】
図１５を参照すると、局所電位差が１００Ｖ以下ではクレーターは見られないが、局所電位差が１００Ｖを超えるとクレーターが発生することが分かる。クレーターが発生したのは局所領域のペーストが周囲に引き寄せられたためであるので、この結果は、電位の絶対値が高い方にペーストが引き寄せられることを示している。
図１５は、ペースト層全体が正に帯電している場合のグラフであるが、図１６に示すように、ペースト層全体が負に帯電している場合にも、局所電位差が１００Ｖを超えるとクレーターが発生することが分かる。クレーターが発生したのは局所領域のペーストが周囲に引き寄せられたためであるので、この結果は、電位の絶対値が高い方にペーストが引き寄せられることを示している。
【００４０】
３−２．帯電したペースト層にＧＮＤ端子を近づけたときのペーストの動き
次に、帯電したペースト層にＧＮＤ端子を近づけたときのペーストの動きについて調べた。ペースト層は、正に帯電させる場合は＋２０００Ｖに帯電させ、負に帯電させる場合は−２０００Ｖに帯電させた。
まず、図１７（ａ）に示す実験トレイ（トレイ内には５本の電極が配置されている。）内を低融点ガラスフリットにバインダと溶剤を加えたものからなる低融点ガラスペーストで満たしてペースト層を形成した。
次に、イオナイザ（キーエンス社製、型式SJ-R228）を用いてペースト層を正に帯電させた後、ペースト層表面にＧＮＤ端子を近づけた。その結果、図１７（ｂ）に示すようにＧＮＤ端子から離れる方向にペーストが移動した。
また、イオナイザを用いてペースト層を負に帯電させた後、ペースト層表面にＧＮＤ端子を近づけた。その結果、図１７（ｃ）に示すようにＧＮＤ端子から離れる方向にペーストが移動した。
【００４１】
このように、ペースト層が正負の何れに帯電している場合であっても、ペースト層表面にＧＮＤ端子を近づけると、ペーストがＧＮＤ端子から離れる方向に移動することが分かった。また、この結果は、この現象を利用すると局所的な凸部にＧＮＤ端子を近づけることによって凸部の平坦化を行うことができることを示している。
【００４２】
３−３．ペーストの動きに関するその他の実験
図１７（ａ）の実験トレイ内を低融点ガラスペーストで満たしてペースト層を形成したものを用いて、以下の実験を行った。
【００４３】
（１）帯電させていないペースト層の上から正イオン又は負イオンを照射した。その結果、正イオン又は負イオンのどちらを照射した場合でもペーストが照射した部分に近づく方向に移動した。また、実験トレイの下から同様の方法でイオンの照射を行ったところ、同様の結果が得られた。
【００４４】
（２）ペースト層を正と負の両方に帯電させた後、ペースト層の上から正イオン又は負イオンを照射した。その結果、ペースト層を正に帯電させた場合、正イオンを照射した場合ペーストが照射した部分に近づく方向に移動し、負イオンを照射した場合ペーストが照射した部分から離れる方向に移動した。また、ペースト層を負に帯電させた場合、正に帯電させた場合とは逆方向にペーストが移動した。また、実験トレイの下から同様の方法でイオンの照射を行ったところ、同様の結果が得られた。
【００４５】
（３）ペースト層を正に帯電させた後、ペースト層にＧＮＤ端子を近づけた（非接触）。その結果、ＧＮＤ端子から遠ざかる方向にペーストが移動した。ペースト層を負に帯電させた場合でも同様の結果が得られた。さらに、実験トレイの下から同様の方法でＧＮＤ端子を近づけたところ、同様の結果が得られた。
【００４６】
（４）ペースト層を正に帯電させた後、実験トレイ内の電極を接地させた。その結果、電極から離れる方向にペーストが移動した。ペースト層を負に帯電させた場合でも同様の結果が得られた。
【００４７】
（５）ペースト層を正に帯電させた後、実験トレイ内の電極を正極に接続した。その結果、電極から離れる方向にペーストが移動した。また、実験トレイ内の電極を負極に接続した場合、電極に近づく方向にペーストが移動した。
【００４８】
（６）ペースト層を負に帯電させた後、実験トレイ内の電極を正極に接続した。その結果、電極に近づく方向にペーストが移動した。また、実験トレイ内の電極を正極に接続した場合、電極から離れる方向にペーストが移動した。
【００４９】
３−４．まとめ
以上の実験結果から得られた知見によれば、ペースト層の凹部又は凸部に対して電気的な力を作用させることによってペーストを移動させて凹部又は凸部を平坦化することができることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰ用基板構体の製造工程を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、図１（ｂ）に対応した断面図であり、図２（ａ）はペースト層が凹部を有する場合を示し、図２（ｂ）はペースト層が凸部を有する場合を示す。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る、正に帯電したペースト層の凹部に正イオンを照射してこの凹部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、正に帯電したペースト層の凹部に負極端子を近づけてこの凹部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る、負に帯電したペースト層の凹部に負イオンを照射してこの凹部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、負に帯電したペースト層の凹部に正極端子を近づけてこの凹部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る、帯電していないペースト層の凹部に正イオンを照射してこの凹部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、帯電していないペースト層の凹部に正極端子を近づけてこの凹部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る、正に帯電したペースト層の凸部に負イオンを照射してこの凸部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、正に帯電したペースト層の凸部に正極端子を近づけてこの凸部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、正に帯電したペースト層の凸部にＧＮＤ端子を近づけてこの凸部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る、負に帯電したペースト層の凸部に正イオンを照射してこの凸部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、負に帯電したペースト層の凸部に負極端子を近づけてこの凸部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、負に帯電したペースト層の凸部にＧＮＤ端子を近づけてこの凸部を平坦化する工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の効果実証実験における、局所電位差と発生したクレーター数との関係を示すグラフである。
【図１６】本発明の効果実証実験における、局所電位差とクレーターの発生との関係を示すグラフである。
【図１７】図１７（ａ）は、本発明の効果実証実験で用いた実験トレイであり、図１７（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、この実験トレイ中の低融点ガラスペーストを正及び負に帯電させた後、ＧＮＤ端子を近づけた状態を示す。
【図１８】従来のＰＤＰの構成を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１：前面側基板構体  １ａ：前面側基板  ２：背面側基板構体  ２ａ：背面側基板  ３：表示電極  ３ａ：透明電極  ３ｂ：バス電極  ４：前面側基板構体の誘電体層  ５：保護層  ６：アドレス電極  ７：隔壁  ８：蛍光体層  ９：背面側基板構体の誘電体層  １１：ペースト層  １１ａ：ペースト層の凹部  １１ｂ：ペースト層の凸部  １２：イオン照射器  １３ｎ：負極端子  １３ｐ：正極端子  １３ｇ：ＧＮＤ端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１８】
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【図１７】
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