(57)【要約】【課題】分離層を設けることなく、より精度良く所定パターンを転写する微細構造の製造方法を提供する。【解決手段】微細構造の製造方法に、所定のパターンを有する面上に膜が形成された基体を、前記基体が第１温度になるように熱処理する第１工程と、前記第１工程後に、前記基体が前記第１温度と異なる第２温度となるように、前記基体を熱処理する第２工程と、前記第１工程と前記第２工程とを含む熱処理サイクルを複数回繰り返した後に、前記基体から前記膜を分離する第３工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンを有する面上に膜が形成された基体を、前記基体が第１温度になるように熱処理する第１工程と、
前記第１工程後に、前記基体が前記第１温度と異なる第２温度となるように、前記基体を熱処理する第２工程と、
前記第１工程と前記第２工程とを含む熱処理サイクルを複数回繰り返した後に、前記基体から前記膜を分離する第３工程とを備えること
を特徴とする微細構造の製造方法。
【請求項２】
前記所定のパターンは、前記基体上に形成された凹凸構造であることを特徴とする請求項１記載の微細構造の製造方法。
【請求項３】
前記膜に、前記基体と異なる第２基体を接合する接合工程をさらに備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の微細構造の製造方法。
【請求項４】
前記第１および第２温度は、前記膜のガラス転移点よりも低い温度であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の微細構造の製造方法。
【請求項５】
前記第１および第２温度は、前記基体のガラス転移点よりも低い温度であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の微細構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体においては、記録密度をより高度化するために、磁性層をパターニングして磁性層を複数の領域に物理的に分割したパターンドメディア（以下、ＰＭという）が提案されている。ＰＭの製造プロセスには微細構造パターンの作製が要求される。また、ＰＭ以外にも、半導体デバイスや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）など、数ｎｍオーダーの解像度を必要とする製造プロセスにおいても、微細構造パターンの作製が要求される。この微細構造パターンの作製には、ソフトリソグラフィ法やナノインプリント法が用いられる。
【０００３】
ソフトリソグラフィ法とは、例えば、表面に凹凸形状を有するモールド（鋳型）に、液状の転写用材料を注ぎ（毛細管現象で凹凸形状を充填するように液状の転写用材料が流れ込む）、固化した転写用材料から前記モールドを剥離すること（以下、離型）によって、凹凸形状である微細構造パターンを前記転写用材料に作製する方法である。
【０００４】
しかし、ソフトリソグラフィ法は、モールドと転写用材料とが密着するため、離型が困難であるという問題を有する。ソフトリソグラフィ法に限らず、ナノインプリント法もまた、離型において同様な問題を有する。そして、剥離できたとしても、離型時の力のかかり方によっては、転写した微細構造が破壊されたり、変形したりする可能性がある。
【０００５】
そこで、上述の問題を解決するために、所定のパターンが形成された基体と機能性膜との間に、熱処理により分解する材料を用いて分離層を設け、熱処理によって機能性膜を基体から容易に剥離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、上述の問題を解決するために、レーザー光が透過可能な、所定のパターンが形成された基板と薄膜素子との間に、照射される光を吸収しその層内および／または界面において剥離を生じるような性質を有する分離層を設け、基板側からレーザー光を照射することで、分離層において剥離を生じさせる方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１９４８１号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、特許文献１に記載の方法では、基体と機能性膜との間に分離層を設けるので、所定パターンの転写性が低下してしまう。また、離型時に分離層の残渣が機能性膜に存在するので、高精度に所定パターンを転写することが難しい。
【０００９】
そして、特許文献２に記載の方法では、高密度のエネルギーを持つレーザー光を照射することで、薄膜素子に転写された所定パターンを損傷してしまう。さらに離型時に分離層の残渣が機能性膜に存在するので、高精度に所定パターンを転写することが難しい。
【００１０】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、分離層を設けることなく、より精度良く所定パターンを転写する微細構造の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る微細構造の製造方法は、所定のパターンを有する面上に膜が形成された基体を、前記基体が第１温度になるように熱処理する第１工程と、前記第１工程後に、前記基体が前記第１温度と異なる第２温度となるように、前記基体を熱処理する第２工程と、前記第１工程と前記第２工程とを含む熱処理サイクルを複数回繰り返した後に、前記基体から前記膜を分離する第３工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、基体が有する所定のパターンを、高精度に、例えば、転写用材料等によって形成された前記膜に転写することができる。
【００１３】
また、上記微細構造の製造方法において、前記所定のパターンは、前記基体上に形成された凹凸構造であることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、基体が有する凹凸構造を、高精度に転写用材料に転写することができる。
【００１５】
また、上記微細構造の製造方法において、前記膜に、前記基体と異なる第２基体を接合する接合工程をさらに備えることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、前記第２基体に前記膜を備えた、高精度の所定のパターンを有する、所望のデバイスを得ることができる。
【００１７】
また、上記微細構造の製造方法において、前記第１および第２温度は、前記膜のガラス転移点よりも低い温度であることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、前記膜が溶融することはないので、前記所定のパターンが損傷することはない。
【００１９】
また、上記微細構造の製造方法において、前記第１および第２温度は、前記基体のガラス転移点よりも低い温度であることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、前記基体が溶融することはないので、転写された前記所定のパターンが損傷することはない。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、分離層を設けることなく、より精度良く所定パターンを転写する微細構造の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係る微細構造の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態に係る微細構造の製造方法の各工程を説明するための図である。
【図３】本発明の実施形態における熱処理サイクルを説明するための図である。
【図４】本発明の実施形態における熱処理サイクルを説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態における基体と膜との密着性低下率を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明にかかる実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。
【００２４】
（実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る微細構造の製造方法を示すフローチャートである。図２は、本発明の実施形態に係る微細構造の製造方法の各工程を説明するための図であって、（Ａ）〜（Ｈ）は各工程を示す図である。
【００２５】
本実施形態に係る微細構造の製造方法は、所定のパターンを有する面上に膜が形成された基体を、前記基体が第１温度になるように熱処理する第１工程と、前記第１工程後に、前記基体が前記第１温度と異なる第２温度となるように、前記基体を熱処理する第２工程と、前記第１工程と前記第２工程とを含む熱処理サイクルを複数回繰り返した後に、前記基体から前記膜を分離する第３工程とを備える。
【００２６】
より具体的には、本実施形態に係る微細構造の製造方法は、膜（固化した転写用材料）が形成された基体（モールド）を準備し（ステップＳ１）、前記膜が形成された基体に対して、加熱処理（ステップＳ２）と、冷却処理（ステップＳ３）とを含む熱処理サイクルを所定の回数繰り返した後に、膜と基体とを分離する（ステップＳ４〜ステップＳ５）。
【００２７】
（ステップＳ１）
まず、ステップＳ１において、所定のパターンを有する基体１（モールド）と転写用材料２とが用意された後、基体１上に転写用材料２が塗布され、転写用材料２が固化される。このように基体１上に転写用材料２を形成することで、固化した転写用材料２（膜）が形成された基体１（モールド）が準備される。以下、ステップＳ１の詳細な手順について説明する。
【００２８】
まず、基体１（モールド）が用意される。基体１は、所定のパターンを有するモールドである。所定パターンは、例えば、図２（Ａ）に示すように、凹凸形状からなる微細構造である。ＰＭの製造用には、例えば、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍのドーナツ形状に成形された板状部材の一方の面に、直径５０ｎｍ、深さ５０ｎｍの円柱状の凹部が周方向にピッチ１００ｎｍで複数形成された凹部列を、径方向に複数形成する基体１が用意される。この凹凸形状を形成する方法としては、特に制限されず、公知の微細加工技術や転写技術、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、ソフトリソグラフィ、電子線描画（電子線リソグラフィ）、及びナノインプリント法等が挙げられる。基体１は、例えば、シクロオレフィン樹脂及びポリメチルペンテン樹脂等のポリオレフィン系樹脂、シリコン、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、トリアセチルセルロール（ＴＡＣ）等のセルロース系樹脂等の樹脂や、石英等のガラス転移を起こす材料から成る。
【００２９】
次に、転写用材料２が用意される。この転写用材料２は、基体１の有する所定のパターンを転写する材料であり、（必要に応じて溶媒に溶解させた）溶液である。転写用材料２は、例えば、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、紫外線硬化樹脂等やアモルファスシリコン等のガラス転移を起こす材料から成る。ＳＯＧは、半導体プロセスの層間絶縁膜や配線構造の平坦化等に用いる材料である。
【００３０】
次に、基体１上に転写用材料２が塗布される。塗布方法は、特に制限されず、公知の塗布方法を用いることができる。例えば、ディスペンサ等による滴下塗布であってもよいし、スピンコート法やディップコート法等であってもよいし、ワイヤーバー及びアプリケータ等を用いて塗り広げてもよい。スピンコート法は、例えば、図２（Ｂ）に示すように、スピンコート装置１０が用いられ、基体１を回転することによって、基体１上に載せられた転写用材料２を遠心力により塗り広げて塗布する方法である。
【００３１】
続いて、基体１上に塗布された転写用材料２は固化される。固化は、転写用材料に応じた手法が適宜用いられ、転写用材料２を乾燥させる乾燥方法、又は、転写用材料２に光を照射する光照射方法などによって行われる。乾燥方法としては、特に制限なく、公知の乾燥方法を用いることができる。例えば、室温で放置してもよいが、さらに、減圧、送風及び加熱等を行うと、乾燥をより早める点から好ましい。光照射方法はこのようにして、例えば、図２（Ｃ）に示すような、固化した転写用材料２（以下、膜２）が形成された基体１を準備し、ステップＳ２に進む。
【００３２】
（ステップＳ２〜ステップＳ３）
ステップＳ２において、例えば、図２（Ｄ）に示すように、好ましくは、膜２が形成された基体１全体は、均一な温度に加熱する加熱手段により、第１温度Ｔ１にまで加熱される。第１温度Ｔ１は、基体１および転写用材料２のガラス転移温度より低い。このように第１温度Ｔ１を設定することで、転写用材料２に転写された所定のパターンが損傷することがない。膜２が形成された基体１は第１温度Ｔ１で所定の時間加熱される。
【００３３】
ステップＳ３において、例えば、図２（Ｅ）に示すように、好ましくは、膜２が形成された基体１全体は、均一な温度に冷却する冷却手段により、第２温度Ｔ２にまで冷却される。第２温度Ｔ２は、基体１または転写用材料２のガラス転移温度より低い。このように第１温度を設定することで、転写用材料２に転写された所定のパターンが損傷することがない。膜２が形成された基体１は第２温度Ｔ２で所定の時間冷却される。
【００３４】
ステップＳ２とステップＳ３とを含む熱処理サイクルは、例えば、膜２が形成された基体１（被処理基板）を均一に所望の温度で所定の時間保つ熱処理が可能な熱処理装置によって実現される。熱処理装置は、例えば、第１チャンバと、第２チャンバと、第３チャンバおよびそれぞれを制御する制御部とを備えて構成される。前記第１チャンバは前記第３チャンバに連結され、前記第３チャンバは前記第２チャンバに連結されている。
【００３５】
第１チャンバは、制御部から入力される制御信号に基づいて、第３チャンバにより搬入された被処理基板を第１温度Ｔ１で所定の時間ほぼ均一に加熱する。第１チャンバは、例えば、シャッタと加熱機構とを備えた石英チャンバである。シャッタは、例えば、後述する第３チャンバと第１チャンバとの間に設けられる。シャッタが閉じることにより、第３チャンバからの熱輻射を遮断することが可能であり、シャッタが開くことにより、第３チャンバに対する被処理基板の搬入出が可能な開口部が形成される。加熱機構は，例えば、ヒータ、ホットプレートやハロゲンランプ等である。第１チャンバは、被処理基板を均一に加熱するため、被処理基板温度を測定する温度測定センサをさらに備えてもよい。
【００３６】
第２チャンバは、制御部から入力される制御信号に基づいて、第３チャンバにより搬入された被処理基板を第２温度Ｔ２で所定の時間ほぼ均一に冷却する。第２チャンバは、例えば、シャッタと冷却機構とを備えた石英チャンバである。シャッタは、例えば、後述する第３チャンバと第２チャンバとの間に設けられる。シャッタが閉じることにより、第３チャンバからの熱輻射を遮断することが可能であり、シャッタが開くことにより、第２チャンバに対する被処理基板の搬出入が可能な開口部が形成される。冷却機構は、例えば、冷却ファン等である。第２チャンバは、被処理基板を均一に冷却するため、被処理基板温度を測定する温度測定センサをさらに備えてもよい。
【００３７】
第３チャンバは、制御部から入力される制御信号に基づいて、熱処理装置外部との間での被処理基板を受け渡しや、第２チャンバと第３チャンバとの間で被処理基板の受け渡しを行う。第３チャンバは、例えば、第２チャンバと第３チャンバとの間に設けられた、基板搬送モジュールとを備えた石英チャンバである。基板搬送モジュールは、例えば、ロボットなどである。
【００３８】
制御部は、第１チャンバ、第２チャンバおよび第３チャンバの各制御プログラム等を格納するＲＯＭ（Read Only Memory）、演算処理や制御処理用のデータを格納するＲＡＭ（Random Access Memory）、及び当該制御プログラム等をＲＯＭから読み出して実行するＣＰＵ（中央演算処理装置）等からなり、熱処理装置全体の動作制御を司るものである。
【００３９】
制御部は、第３チャンバに被処理基板を装置内部に搬送させて、処理を開始する。制御部は、第１チャンバのシャッタを開き、基板搬送モジュールによって第１チャンバに被処理基板を搬送し、第１チャンバのシャッタを閉じると同時に熱処理を開始させる。第１チャンバは、第１温度Ｔ１で所定の時間被処理基板を加熱する。加熱処理後、制御部は、第１チャンバのシャッタを開き、基板搬送モジュールによって第１チャンバから被処理基板を排出し第１チャンバのシャッタを閉じる。続いて、制御部は、第２チャンバのシャッタを開き、基板搬送モジュールによって第２チャンバに被処理基板を搬送し、第２チャンバのシャッタを閉じると同時に熱処理を開始させる。第２チャンバは、第２温度Ｔ２で所定の時間被処理基板を冷却する。制御部は、第１チャンバ、第２チャンバおよび第３チャンバのそれぞれに制御信号を出力することで、ステップＳ２とステップＳ３とを含む熱処理サイクルを所定の回数繰り返す。
【００４０】
この繰り返しによって基体１と膜２との密着力が低下し、膜２から基体１を剥離することが容易になる。通常、基体１と膜２とは異なる膨張率であるため、第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２との温度差に応じて、それぞれ異なる体積変化を起こし、結果として基体１と膜２との密着力が低下すると、本願発明者は推測している。
【００４１】
（ステップＳ４〜ステップＳ５）
ステップＳ４において、後述する接合手段によって、被転写体３は膜２に接合される。接合手段は、例えば、紫外線硬化接着剤、粘着剤および表面活性化接合などである。被転写体３は、例えば、石英ガラスやシリコンなどの材料からなる基板である。転写性向上のため面精度の優れた基板を用いることが好ましい。
【００４２】
ステップＳ５において、基体１と被転写体３を離間する方向にそれぞれ引っ張ることによって、膜２から基体１を剥離させる（図２（Ｇ））。このようにして、微細構造が転写された被転写体３を得る（図２（Ｆ））。このようにして得られた被転写体３をステップＳ１において、基体１として用いてもよい。
【００４３】
ステップＳ２〜ステップＳ３の工程を経ることで膜２と基体１との密着力を低下させているので、膜２から基体１を容易に剥離でき、微細構造を損傷することがない。また、従来技術のように、剥離後の膜２と基体１とには分離層等による残渣がないので、より精度よく膜２に転写することができる。また、残渣を取り除く処理なしに基体１を再利用することが可能である。
【００４４】
上記実施形態において、第１温度Ｔ１は第２温度Ｔ２より高い温度に設定したが、これに限定されるものではなく、第１温度Ｔ１を第２温度Ｔ２より低い温度に設定し、ステップＳ２において冷却、ステップＳ３において加熱してもよい。また、加熱時間、および冷却時間は一定である必要はなく、基体１と膜２との組み合わせによって適宜変更すればよい。
【００４５】
（他の実施形態）
他の実施形態において、ステップＳ４は、必ずしもステップＳ２〜ステップＳ３の後に行われる必要はなく、ステップＳ２の前に行ってもよい。すなわち、ステップＳ１において形成された基体１に形成された膜２に被転写体３を接合してもよい。
【００４６】
また、この他の実施形態において、ステップＳ４を省略することができる。言い換えれば必ずしも膜２を被転写体３に転写する必要はなく、予め所望のパターンに成形された膜２を得てもよい。
【実施例１】
【００４７】
発明者は、ステップＳ２における第１温度Ｔ１および時間、ステップＳ３における第２温度および時間やステップＳ２とステップＳ３との繰り返し回数（ステップＳ２とステップＳ３との１周期を１回として）などの条件を変えて、基体１と膜２との密着力を試験した。以下の各工程Ｘ１〜Ｙ２での試験結果について説明する。
【００４８】
なお、いずれの工程Ｘ１〜Ｙ２においても、ステップＳ１における基体１、膜２の材料として、それぞれポリカーボネート（ガラス転移温度は約１３５〜１４５℃の範囲）、スピンオングラスの一種である有機ＳｉＯ２系被膜形成用塗布液（ガラス転移温度は約４００〜５００℃）を用いた。
【００４９】
また、膜２と基体１との密着力は、以下のように測定した。基体１に形成された膜２の基体１と対向する面に、両面テープなどを用いて試験片（幅１０ｍｍ、長さ７０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ、ＰＥＴ製）を接着する。両面テープの接着面には、接着面に膜１と化学的に反応しない接着剤（エポキシ系樹脂等）が使用されている。基体１に垂直に一定の引張速度で、試験片をアクチュエータ等を用いて引っ張り、試験片に接着された膜２を基体１から分離させるに至るまでに到達した応力の最大値を測定する。この応力の最大値が、膜１と基体２との密着力に相当する。なお、各測定において、同じ試験片を用いて同じ引張速度で引っ張る。以上の測定に代えて、米国材料試験協会規格であるＡＳＴＭ  Ｄ４５４１に準拠した試験で測定してもよい。
【００５０】
＜工程Ｘ１＞
第１温度Ｔ１：１００℃
第２温度Ｔ２：０℃
ステップＳ２における加熱時間：４分
ステップＳ３における冷却時間：４分
ステップＳ２とステップＳ３との繰り返し回数：３回
工程Ｘ１では、図３（Ａ）に示すように、膜２が形成された基体１が、第１温度Ｔ１（１００℃）で４分間加熱される加熱処理と第２温度Ｔ２（０℃）で４分間冷却される冷却処理とを含む熱処理サイクルを１回として、この熱処理サイクルが３回繰り返される。
【００５１】
＜工程Ｘ２＞
第１温度Ｔ１：１００℃
第２温度Ｔ２：０℃
ステップＳ２における加熱時間：８分
ステップＳ３における冷却時間：８分
ステップＳ２とステップＳ３との繰り返し回数：３回
工程Ｘ２では、図３（Ｂ）に示すように、膜２が形成された基体１が、第１温度Ｔ１（１００℃）で８分間加熱される加熱処理と第２温度Ｔ２（０℃）で８分間冷却される冷却処理とを含む熱処理サイクルを１回として、この熱処理サイクルが３回繰り返される。
【００５２】
＜工程Ｙ１＞
第１温度Ｔ１：１００℃
第２温度Ｔ２：−３０℃
ステップＳ２における加熱時間：４分
ステップＳ３における冷却時間：４分
ステップＳ２とステップＳ３との繰り返し回数：３回
工程Ｙ１では、図４（Ａ）に示すように、膜２が形成された基体１が、第１温度Ｔ１（１００℃）で４分間加熱される加熱処理と第２温度Ｔ２（−３０℃）で４分間冷却される冷却処理とを含む熱処理サイクルを１回として、この熱処理サイクルが３回繰り返される。
【００５３】
＜工程Ｙ２＞
第１温度Ｔ１：１００℃
第２温度Ｔ２：−３０℃
ステップＳ２における加熱時間：８分
ステップＳ３における冷却時間：８分
ステップＳ２とステップＳ３との繰り返し回数：３回
工程Ｙ２では、図４（Ｂ）に示すように、膜２が形成された基体１が、第１温度Ｔ１（１００℃）で８分間加熱される加熱処理と第２温度Ｔ２（−３０℃）で８分間冷却される冷却処理とを含む熱処理サイクルを１回として、この熱処理サイクルが３回繰り返される。
【００５４】
図５は、本発明の実施形態における基体と膜との密着性低下率を説明するための図である。縦軸の密着力低下率（％）は、ステップＳ１において準備された膜２が形成された基体１において測定された膜２と基体１との密着力を初期状態として、各工程後の密着力を計測することによる密着率の低下率を表しており、密着力低下率（％）が１００に近づくほど、膜２と基体１との密着力はより低下した状態である。図５中の工程Ｘ１〜工程Ｙ２は、それぞれ上記の工程Ｘ１〜工程Ｙ２を経た後の密着力低下率を示す。
【００５５】
工程Ｘ１および工程Ｘ２の密着力低下率を比較すると、工程Ｘ２は工程Ｘ１よりも密着力低下率が高く（すなわち、膜２と基体１との密着力はより低い）、工程Ｘ２の密着力低下率は工程Ｘ１の約２倍である。工程Ｙ１および工程Ｙ２の密着力低下率を比較すると、同様に工程Ｙ２は工程Ｙ１よりも密着力低下率が高い（すなわち、膜２と基体１との密着力はより低い）が、工程Ｙ１と工程Ｙ２とで密着力低下率の違いは顕著ではない。
【００５６】
この試験結果から、ステップＳ２における加熱時間およびステップＳ３における冷却時間が長いほど、密着力低下率は高くなる（すなわち、膜２と基体１との密着力はより低くなる）ことが推察される。
【００５７】
工程Ｘ１および工程Ｙ１の密着力低下率を比較すると、工程Ｙ１は工程Ｘ１よりも密着力低下率が高く（すなわち、膜２と基体１との密着力はより低い）、工程Ｙ１の密着力低下率は工程Ｘ１の約２．５倍である。工程Ｘ２および工程Ｙ２の密着力低下率を比較すると、同様に工程Ｙ２は工程Ｘ２よりも密着力低下率が高く（すなわち、膜２と基体１との密着力はより低い）、工程Ｙ２の密着力低下率は工程Ｘ２の約１．５倍である。
【００５８】
この試験結果から、ステップＳ３における第２温度Ｔ２が低いほど、密着力低下率は高くなる（すなわち、膜２と基体１との密着力はより低くなる）ことが推察される。
【００５９】
本発明を表現するために、上述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切且つ十分に説明したが、当業者であれば上述の実施形態を変更および／または改良することは容易に為し得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態または改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態または当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。
【符号の説明】
【００６０】
１  基体（第１基体）
２  膜（転写用材料）
３  被転写体（第２基体）
Ｔ１  第１温度
Ｔ２  第２温度
Ｔｇ  ガラス転移温度
【図１】
2010260232.tif 000003
【図２】
2010260232.tif 000004
【図３】
2010260232.tif 000005
【図４】
2010260232.tif 000006
【図５】
2010260232.tif 000007