(57)【要約】【課題】幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成する。【解決手段】パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を基板３０上に滴下し、乾燥させる第１の工程と、液体材料が乾燥してなる乾燥体上に液体材料を滴下する第２の工程とにより、基板３０にラインパターンを形成する。第２の工程においては、第１の工程よりも少ない吐出量により液体材料を滴下し、第１の工程および第２の工程における液体材料の基板への打摘ピッチを、ジャギー発生限界以下とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を基板上に滴下し、乾燥させる第１の工程と、
前記液体材料が乾燥してなる乾燥体上に、前記液体材料を滴下する第２の工程とを有し、
該第２の工程は、前記第１の工程よりも少ない吐出量により前記液体材料を滴下し、前記第１の工程および前記第２の工程における前記液体材料の前記基板への打摘ピッチが、ジャギー発生限界以下であることを特徴とするラインパターン形成方法。
【請求項２】
前記第２の工程における前記液体材料の吐出量が、前記乾燥体上に形成される凹部の断面積に応じて決定されてなることを特徴とする請求項１記載のラインパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、前記基板上に滴下した前記液体材料を強制乾燥させることを特徴とする請求項１または２記載のラインパターン形成方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記基板上に滴下した前記液体材料の乾燥を抑制することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載のラインパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１の工程および前記第２の工程において、同一の吐出手段により前記液体材料を吐出することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載のラインパターン形成方法。
【請求項６】
前記第１の工程および前記第２の工程において、それぞれ異なる吐出手段により前記液体材料を吐出することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載のラインパターン形成方法。
【請求項７】
前記液体材料は、インクジェット方式、またはディスペンサ方式の吐出手段により吐出されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載のラインパターン形成方法。
【請求項８】
前記パターン形成材料は、金属、該金属の酸化物または合金の微粒子であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載のラインパターン形成方法。
【請求項９】
前記金属は、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムまたはスズであることを特徴とする請求項８記載のラインパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載のラインパターン形成方法を用いて形成された部分を有することを特徴とするデバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデバイスを備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を用いたラインパターン形成方法、デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線基板の配線パターン製造法としては、フォトリソグラフィー法、転写法、マスク印刷法、およびめっき等の技術が用いられているが、近年、導電性微粒子を分散させた導電微粒子ペーストをインクジェット法により基板に直接印刷する手法が注目されている。
【０００３】
しかしながら、インクジェット法によって吐出できるインクは低粘度で広がりやすく、細線パターンを描画することは困難であった。また、インクの乾燥後の形状は、液の縁部と中央部とでの蒸発速度の不均一によるコーヒーステイン現象が起こり、縁部に粒子が堆積し、中央部との膜厚不均一が生じるという問題がある。このため、膜厚不均一を抑制するための製膜方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載された方法は、膜形成成分を含有した液状体からなる液滴を基板上に滴下してラインパターンを形成する第１吐出工程と、ラインパターンを乾燥させる乾燥工程と、乾燥工程により基板に形成された乾燥体における凹状部分に液滴を滴下する第２吐出工程とを有するものである。このように、特許文献１に記載された方法においては、第１吐出工程においてラインパターンを形成した後、コーヒーステイン現象を促進する乾燥工程を設けて乾燥体に意図的に高低差を造って凹形状とし、その凹形状となる部分に第２の吐出工程において再び液滴を滴下することにより、ラインパターンの平坦化を実現できる。
【０００５】
一方、インクジェット法により塗布膜を形成するに際し、第１吐出工程により塗布膜を形成後、塗布膜に形成される凹部を埋めるような液量の液滴を、第２吐出工程により滴下して、平坦な塗布膜を形成する手法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３１８５１６号公報
【特許文献２】特開２００４−１６９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された方法においては、第１吐出工程および乾燥工程により形成される乾燥体の凹状部分が小さい場合、第２吐出工程においてラインパターン形成に適切なドットピッチにより液滴を滴下すると、凹状部分よりも大きい体積の液滴を打滴することになるため、乾燥体の凹状部分に滴下された液滴が乾燥したときに、凸形状の断面を有するラインパターンが形成されてしまう。この場合、第２吐出工程における打滴ピッチを、ラインパターンの形成に適切な打滴ピッチよりも大きくして、液滴を疎となるように打滴することが考えられる。しかしながら、液滴を疎となるように打滴するとジャギーが発生するため、均一なラインパターンを形成することができない。また、このように均一な厚さのラインパターンを形成できないと、形成された配線のラインパターンにおいて、電流密度の不均一による断線の可能性が高くなる。
【０００８】
一方、特許文献２に記載された方法は、塗布膜形成時に第１吐出工程において形成された塗布膜の凹部を埋めるように第２吐出工程の液適量を制御するものである。このため、特許文献３に記載された手法を、ラインパターンの形成にそのまま適用することはできない。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によるラインパターン形成方法は、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を基板上に滴下し、乾燥させる第１の工程と、
前記液体材料が乾燥してなる乾燥体上に、前記液体材料を滴下する第２の工程とを有し、
該第２の工程は、前記第１の工程よりも少ない吐出量により前記液体材料を滴下し、前記第１の工程および前記第２の工程における前記液体材料の前記基板への打摘ピッチが、ジャギー発生限界以下であることを特徴とするものである。
【００１１】
なお、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記第２の工程における前記液体材料の吐出量を、前記乾燥体上に形成される凹部の断面積に応じて決定するようにしてもよい。
【００１２】
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記第１の工程において、前記基板上に滴下した前記液体材料を強制乾燥させるようにしてもよい。
【００１３】
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記第２の工程において、前記基板上に滴下した前記液体材料の乾燥を抑制するようにしてもよい。
【００１４】
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記第１の工程および前記第２の工程において、同一の吐出手段により前記液体材料を吐出するようにしてもよく、前記第１の工程および前記第２の工程において、それぞれ異なる吐出手段により前記液体材料を吐出するようにしてもよい。
【００１５】
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記液体材料を、インクジェット方式、またはディスペンサ方式の吐出手段により吐出してもよい。
【００１６】
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記パターン形成材料を、金属、該金属の酸化物または合金の微粒子としてもよい。
【００１７】
この場合、前記金属を、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムまたはスズとしてもよい。
【００１８】
また、本発明によるデバイスは、本発明によるラインパターン形成方法を用いて形成された部分、例えば配線パターンを有することを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明による電子機器は、本発明によるデバイスを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のラインパターン形成方法によれば、第２の工程における液体材料の吐出量を第１の工程よりも少なくしたため、幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成することができる。また、第１の工程および第２の工程における液体材料の基板への打摘ピッチをジャギー発生限界以下としているため、ジャギーのないラインパターンを形成できる。したがって、本発明により配線パターンを形成した場合、高密度な配線が可能となり、さらには、配線パターンの厚さが均一となるため、電流密度が均一となり、断線の可能性も抑制される。
【００２１】
また、第２の工程における液体材料の吐出量を、乾燥体上に形成される凹部の断面積に応じて決定することにより、ラインパターンの上面が平坦となるように第２の工程における吐出量を決定できるため、より厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成することができる。
【００２２】
また、第１の工程において、基板上に滴下した液体材料を強制乾燥させることにより、コーヒーステイン現象が促進され、乾燥体の断面形状を確実に凹形状を有するものとすることができる。
【００２３】
また、第２の工程において、基板上に滴下した液体材料の乾燥を抑制することにより、コーヒーステイン減少の発生を抑制することができ、その結果、第２の工程において滴下された液体材料の乾燥後の断面形状に凹部が発生しにくくなる。したがって、第１の工程において形成される乾燥体上の凹部を埋めるような断面形状を有するラインパターンを形成することができ、これにより、厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを確実に形成することができる。
【００２４】
本発明のデバイスによれば、デバイスの小型化や薄膜化を可能にし、かつ断線や短絡等の不良が生じにくい。
【００２５】
本発明の電子機器によれば、電子機器の小型化や薄膜化を可能にし、かつ断線や短絡等の不良が生じにくい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図
【図２】第１の工程において基板に形成された乾燥体の断面形状を示す図
【図３】第１の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図（その１）
【図４】第１の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図（その２）
【図５】第１の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図（その３）
【図６】第１の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図（その４）
【図７】第１の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図（その５）
【図８】本発明の第１の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の変形例の構成を示す概略斜視図
【図９】本発明の第２の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図
【図１０】本発明の第３の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本発明は、基板上にラインパターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を滴下して乾燥させる第１の工程、および液体材料が乾燥してなる乾燥体上に、第１の工程よりも少ない吐出量により液体材料を滴下する第２の工程により、基板上にラインパターンを形成するものである。
【００２８】
図１は本発明の第１の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図１に示すように、第１の実施形態によるラインパターン形成装置１０は、１対のガイド１２ａ，１２ｂ、ステージ１４、駆動部１６、吐出部（吐出手段）１８、計測部２０、および制御部２２を備える。
【００２９】
制御部２２は、吐出部１８、駆動部１６および計測部２０に接続されており、これらの駆動を制御するものである。
【００３０】
ラインパターン形成装置１０においては、長尺のガイド１２ａ，１２ｂが所定の間隔を空けて配置されている。ガイド１２ａ，１２ｂには、例えば、直動ガイドが用いられる。また、ガイド１２ａ，１２ｂには、ガイド１２ａ，１２ｂの長手方向（以下、Ｘ方向という）に移動可能にステージ１４が設けられている。なお、ステージ１４には、ラインパターンが形成される基板３０が載置される。
【００３１】
また、ステージ１４には、駆動部１６からの指示によってＸ方向に移動可能な移動機構（図示せず）が設けられている。そして、駆動部１６が制御部２２により制御されて移動機構に指示を行うことにより、ステージ１４がＸ方向に移動する。なお、駆動部１６は、ガイド１２ａ，１２ｂ上のものを動かすことができるものであれば、その構成はとくに限定されるものではない。
【００３２】
本実施形態においては、ガイド１２ａ，１２ｂの上方に配置された吐出部１８から、後述するように基板３０の表面３０ａに所定のラインパターン状に液体材料が滴下される。このため、駆動部１６は、ラインパターンを形成することができる移動分解能を有する。
【００３３】
吐出部１８は、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を、基板３０の表面３０ａに、所定のラインパターン状に滴下するものであり、滴下位置を調節するための位置決め機構（図示せず）が設けられている。
【００３４】
吐出部１８は、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を吐出することができれば、その構成はとくに限定されるものではない。なお、吐出部１８としては、インクジェットヘッドを用いることが好ましい。インクジェットヘッドを用いた場合、液体材料の吐出量、液体材料の吐出周波数、液体材料の着弾位置が正確に制御可能である。また、インクジェットヘッドとしては、例えば、圧電方式、サーマル方式、静電アクチュエータ方式、および静電吸引方式等の種々の方式のインクジェットヘッドを用いることができる。
【００３５】
また、吐出部１８はディスペンサでもよい。ディスペンサは、インクジェットよりも吐出量が多く、より大きなラインパターンを形成することができる。
【００３６】
ここで、液体材料のパターン形成材料は、金属もしくはその金属の酸化物または合金の微粒子であることが好ましい。金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムまたはスズ等である。また、金属もしくはその金属の酸化物または合金の微粒子の粒子径は、１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３７】
液体材料のパターン形成材料を、上記金属またはその金属の酸化物および合金の微粒子とすることにより、加熱焼成処理を施すと導電性が得られる。
【００３８】
本実施形態においては、液体材料のパターン形成材料は、導電性高分子材料等の他の導電性を有する材料を用いてもよい。
【００３９】
パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料は、例えば、ハリマ化成製ＮＳＰ−Ｊ（商品名）を用いることができる。
【００４０】
パターン形成材料を分散または溶解させる分散媒または溶媒には、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、およびシクロヘキシルベンゼン等の炭化水素系化合物、またはエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン等のエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、およびシクロヘキサノン等の極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、さらに好ましい分散媒または溶媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒または溶媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用することができる。
【００４１】
なお、液体材料のドットピッチは、例えば、「The Impact and Spreading of Ink Jet Printed Droplets,Jonathan Stringer and Brian Derby, Digital Fabrication, 2006, 128-130」に記載されている、ジャギーを発生させない条件を満たすように決定すればよい。すなわち、ドットピッチをｐ、吐出部１８から吐出された着弾前の液体材料の直径をｄ、基板３０に着弾して平衡状態となったときの液体材料の直径をｄeqm、βeqm＝ｄeqm／ｄ、基板３０と液体材料との接触角をθとしたとき、ドットピッチｐが下記の式（１）に示すジャギー発生限界以下となるように、ドットピッチｐを決定する。
【数１】
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【００４２】
計測部２０は、例えばレーザ計測装置からなり、あらかじめ第１の工程のみを実行することにより基板３０に形成された乾燥体の断面形状を計測し、計測結果を制御部２２に出力する。図２は基板３０に形成された乾燥体の断面形状を示す図である。なお、図２においては、横軸にラインパターンの幅方向の距離をとり、縦軸に高さをとっている。図２に示すように、第１の工程において基板３０に形成されたラインパターンは、コーヒーステイン現象により凹型の断面形状を有する。
【００４３】
本実施形態においては、第２の工程において、乾燥体の凹部の断面が埋まり、かつ形成されたラインパターンの上部が平坦となるように、第２の工程における液体材料の吐出量を決定する。このため、制御部２２は、乾燥体の断面形状から凹部の断面積Ｓを算出する。ここで、吐出量／ドットピッチｐ＝断面積Ｓとなるため、吐出量＝ｐ×Ｓにより算出することができる。なお、液体材料の分散液は蒸発するため、蒸発体積を考慮して、ｐ×Ｓよりも蒸発体積分大きくなるように、吐出量を決定することが好ましい。
【００４４】
なお、本実施形態において、基板３０には、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板等、種々の材質で形成された板状部材を用いることができる。
【００４５】
また、基板３０は可撓性を有するフィルム材、すなわち、湾曲可能なフィルム材でもよい。この場合、基板３０には、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリシクロオレフィンフィルム、２軸延伸ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ塩化ビニールフィルム、メタクリル−スチレン樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、シリコーン樹脂フィルム、およびフッ素樹脂フィルム等の各種プラスチックフィルムを用いることができる。
【００４６】
次いで、ラインパターン形成装置１０を用いてのラインパターン形成方法について説明する。図３〜図７は、第１の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図である。なお、図３〜図７においては、基板３０のみを示し、ラインパターン形成装置１０の構成についての図示は省略する。なお、本実施形態においては、液体材料として、例えば、金属の微粒子を溶媒中に分散させた金属微粒子分散インク４０（以下、単にインク４０という）を用いて、インク４０を吐出部１８から基板３０上に滴下して、例えば、配線ラインパターンを形成するものとする。
【００４７】
まず、第１の工程において、制御部２２を介してステージ１４を駆動部１６により矢印Ｄ方向に、吐出部１８に対して相対的に移動させ、吐出部１８と基板３０との矢印Ｄ方向における相対的な位置を変えながら、図３に示すように、吐出部１８からインク４０を基板３０の表面３０ａに所定のラインパターン状に滴下する。このとき、図４に示すように基板３０に着弾したインク４０は蒸発し、完全に広がる前に乾燥が始まる。そして、コーヒーステイン現象によって、図５に示すように、凹型の断面形状を有する乾燥体４２が形成される。乾燥の方法は、自然乾燥、および基板３０を加熱したり基板３０に温風を吹きつけたりする強制乾燥の他、任意の手法を用いることができる。なお、強制乾燥を行う場合には、図８に示すように、吐出部１８および計測部２０の間に、基板３０を加熱したり基板３０に温風を吹きつけたりするためのヒータ２４を設ければよい。ここで、ヒータ２４の温度および送風量等は、制御部２２により制御される。例えば、ヒータ２４は、基板３０の温度を６０℃とするように、制御部２２により制御される。また、本実施形態においては、凹型の断面形状を維持できるならば、インク４０の溶媒が若干残ったような半乾燥状態でも構わない。
【００４８】
次に、第２の工程において、ステージ１４を駆動部１６により矢印Ｒ方向、すなわち、吐出部１８側に移動させる。そして、吐出部１８と基板３０との矢印Ｒ方向における相対的な位置を変えながら、基板３０にインク４０により形成されたラインパターンと同じ位置に、すなわち、図５に示す乾燥体４２の凹部４２ａにインク４０ａを滴下する。これにより、図６に示すように、凹部４２ａがインク４０ａにより埋められる。
【００４９】
このとき、インク４０ａの吐出量は、インク４０の吐出量よりも小さく、乾燥体４２の凹部４２ａを埋め、かつラインパターンの上部が平坦となるように決定されている。このため、インク４０ａが乾燥すると、図７に示すように、上部が平坦な乾燥体４４が形成される。したがって、本実施形態によれば、細く、かつ厚さが均一な、矩形に近い断面形状の配線部４６を有する配線パターンを形成することができる。
【００５０】
なお、第１の実施形態においては、第１の工程と第２の工程とでは基板３０の搬送方向が逆になる。このため、制御部２２においては、第１の工程の後、インク４０の吐出パターンを反転させて第２の工程を行う。
【００５１】
次に、ラインパターン形成後、一定時間加熱焼成して粒子同士を融着させ、ラインパターンに導電性を付与することにより、細く、かつ厚さが均一な矩形断面を持つ配線パターンが形成される。
【００５２】
このように、第１の実施形態においては、第２の工程における液体材料の吐出量を第１の工程よりも少なくしたため、幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成することができる。したがって、本実施形態により配線パターンを形成した場合、高密度な配線が可能となり、さらには、配線パターンの厚さが均一となるため、電流密度が均一となり、断線の可能性も抑制される。
【００５３】
また、第１の工程により得られる乾燥体４２に形成される凹部４２ａの断面積を計測し、断面積に応じて第２の工程における液体材料の吐出量を決定することにより、上面が平坦となるようにラインパターンを形成することができる。
【００５４】
また、第１の工程および第２の工程における液体材料のドットピッチを、上記式（１）に示すジャギー発生限界以下となるように決定することにより、ジャギーのないラインパターンを形成できる。このため、配線パターンを形成した場合に、断線の可能性をより低減できる。
【００５５】
次いで、本発明の第２の実施形態について説明する。図９は本発明の第２の実施形態によるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。なお、図９において図１と同一の構成については同一の参照番号を付与し、詳細な説明は省略する。第２の実施形態によるラインパターン形成装置１０Ａは、２つの吐出部１８，１８Ａを備えた点が第１の実施形態と異なる。なお、２つの吐出部１８，１８Ａは、吐出可能な吐出量の範囲が異なるものを用いることが好ましい。例えば、吐出ノズル径が異なるものを用いればよい。
【００５６】
吐出部１８Ａは、吐出部１８と同一の構成を有する。そして、第２の実施形態によるラインパターン形成装置１０Ａにおいては、基板３０を矢印Ｄ方向に移動させつつ、第１の工程において、基板３０に吐出部１８からインク４０を滴下し、次に、第２の工程において、第１の工程と同様にして決定した吐出量により、乾燥体４２に吐出部１８Ａからインク４０ａを滴下して、配線パターンを形成するものである。
【００５７】
第２の実施形態によるラインパターン形成装置１０Ａにおいても、第１の実施形態によるラインパターン形成装置１０と同様に、図３から図７に示す工程により、細く、かつ厚さが均一な断面形状の配線部４６を有する配線パターンを形成することができる。
【００５８】
ここで、第２の実施形態においては、基板３０を矢印Ｄ方向のみしか移動させないため、吐出部１８における第１の工程のインク４０の吐出パターンと、吐出部１８Ａにおける第２の工程のインク４０ａの吐出パターンとは同じである。このため、制御部２２においては、ラインパターン形成装置１０とは異なり、第１の工程の後、１回目のインク４０の吐出パターンを反転させて、第２の工程の吐出パターンを生成する必要がない。
【００５９】
次いで、本発明の第３の実施形態について説明する。図１０は本発明の第３の実施形態によるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。なお、図１０において図１と同一の構成については同一の参照番号を付与し、詳細な説明は省略する。第３の実施形態によるラインパターン形成装置１０Ｂは、第２の工程おいて基板３０を冷却して、乾燥体４２の凹部４２ａに吐出したインク４０ａの乾燥を抑制するため冷却ユニット２６を備えた点が第１の実施形態と異なる。なお、第３の実施形態においては、ヒータ２４も備えている。ここで、冷却ユニット２６は、ヒータ２４とＸ方向において間隔を空けて、ガイド１２ａ，１２ｂの間に設けられている。
【００６０】
冷却ユニット２６は、第２の工程において、基板３０を冷却してインク４０ａの温度を例えば室温等の所定の温度に低下させることにより、乾燥体４２の凹部４２ａに吐出したインク４０ａを蒸発しにくくしてインク４０ａの乾燥を抑制するためのものであり、例えば、ペルチェ素子あるいは冷却ファン等により構成される。冷却ユニット２６は、制御部２２に接続されており、制御部２２により、冷却ユニット２６の温度が調節される。また、冷却ユニット２６が冷却ファンを有する場合、制御部２２により冷却ファンの回転数等が調節される。そして、冷却ユニット２６上にステージ１４が配置されて、ステージ１４とともに基板３０が所定の温度に冷却され、その温度に保持される。
【００６１】
第３の実施形態によるラインパターン形成装置１０Ｂにおいても、第１の実施形態によるラインパターン形成装置１０と同様に、図３から図７に示す工程により配線パターンを形成するが、第３の実施形態においては、図５に示すように乾燥体４２が形成された後、基板３０を冷却ユニット２６により冷却し、その後ステージ１４を吐出部１８側に移動させて、乾燥体４２の凹部４２ａにインク４０ａを滴下する。これにより、図６に示すように、凹部４２ａがインク４０ａにより埋められる。この際、第３の実施形態においては、基板３０が冷却されているため、インク４０ａの蒸発量は小さく、コーヒーステイン現象が生じにくく、インク４０ａの乾燥後も凹部４２ａの内側に凹形状を作ることがない。したがって、図７に示すように、乾燥体４２の凹部４２ａ内を埋めるような乾燥体４４を形成することができる。
【００６２】
なお、第３の実施形態においては、２回目のインク４０ａを吐出する前に、基板３０の温度を下げることにより、インク４０ａの乾燥を抑制するようにしたが、基板３０の温度を冷却ユニット２６により下げることに代えて、基板３０の周囲の湿度を高くし、乾燥体４２の湿度を上昇させてもよい。この場合、基板３０の周囲の湿度を高くするために、インク４０ａの分散媒成分を蒸発させた蒸気を加湿装置から噴出させればよい。
【００６３】
なお、上記第２の実施形態によるラインパターン形成装置１０Ａにおいても、冷却ユニット２６を設けるようにしてもよい。この場合、冷却ユニットは、吐出部１８と吐出部１８Ａとの間に設けるようにすればよい。
【００６４】
また、上記第１から第３の実施形態においては、計測部２０により、あらかじめ第１の工程により形成される乾燥体４２の断面形状を計測して、第２の工程における液体の吐出量を決定しているが、第１の工程が終了した後に計測部２０による乾燥体４２の断面形状の計測、および第２の工程における吐出量の決定を行い、決定された吐出量により第２の工程を行うようにしてもよい。これにより、実際のラインパターンに適合するように吐出量を決定できるため、ラインパターンの上部をより精度よく平坦にすることができる。
【００６５】
なお、上記第１から第３の実施形態のラインパターン形成方法によって、例えば、デバイスの配線パターンが形成される。
【００６６】
本実施形態において、デバイスとは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、およびプラズマ表示装置等の画像表示装置、プリント配線基板、アンテナ回路等であるが、デバイスは、これらに限定されるものではない。
【００６７】
また、このデバイスを備えた電子機器としては、例えば、テレビ、パソコン、携帯電話およびＲＦＩＤ等であるが、電子機器は、これらに限定されるものではない。
【００６８】
以上、本発明のラインパターン形成方法、デバイスおよび電子機器について詳細に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【符号の説明】
【００６９】
１０，１０Ａ，１０Ｂ  ラインパターン形成装置
１２ａ，１２ｂ  ガイド
１４  ステージ
１６  駆動部
１８，１８Ａ  吐出部（吐出手段）
２０  計測部
２２  制御部
２４  ヒータ
２６  冷却ユニット
３０  基板
４０  金属微粒子分散インク（インク）
４２  乾燥体
４２ａ  凹部
４６  配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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