(57)【要約】【課題】電気光学装置用基板における意図しないエッチングに起因する影響を抑制し、電気光学装置に好適な電気光学装置用基板を提供する。【解決手段】電気光学装置用基板（２００）は、基板（２１０）と、基板上に形成された透光性を有する絶縁層（２２０）と、絶縁層上に配設された導電性パターン（２３０）とを備える。該導電性パターンは、絶縁層上に所定の厚さに積層された第１金属層（２３２）と、第１金属層の上層側に積層され、モリブデンを含んでなる第２金属層（２３１）とを有し、第１金属層は、フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより第１金属層がエッチングされる度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガスによりエッチングされる度合いが、塩素系ガスにより前記絶縁層がエッチングされる度合いに比べて大きい金属を含んでなる。【選択図】図１
2010152254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された透光性を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に配設された導電性パターンと
を備え、
前記導電性パターンは、
前記絶縁層上に所定の厚さに積層された第１金属層と、
前記第１金属層の上層側に積層され、モリブデンを含んでなる第２金属層と
を有し、
前記第１金属層は、フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスによ
り前記第２金属層がエッチングされる度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガスによりエッ
チングされる度合いが、塩素系ガスにより前記絶縁層がエッチングされる度合いに比べて
大きい金属を含んでなる
ことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記第１金属層は、前記絶縁膜上に積層された前記金属を含んでなる層に、塩素系ガス
を用いたドライエッチング処理が施されることにより形成され、
前記第２金属層は、前記金属を含んでなる層の上層側に積層されたモリブデンを含んで
なる層に、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理が施されることにより形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記金属は、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、クロム及びクロムを含む合金の
うち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板
。
【請求項４】
前記所定の厚さは、５０ナノメートル以下であることを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
当該電気光学装置用基板は、前記基板上に配設され、前記導電性パターンの少なくとも
一部をゲート電極とするトランジスタを更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記第２金属層は、前記第１金属層の直上に積層されていることを特徴とする請求項１
乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記導電性パターンの断面形状は、順テーパー形状であることを特徴とする請求項１乃
至６のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
基板と、前記基板上に形成された透光性を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配設された
導電性パターンとを備え、前記導電性パターンは、前記絶縁層上に所定の厚さに積層され
た第１金属層と、前記第１金属層の上層側に積層され、モリブデンを含んでなる第２金属
層とを有し、前記第１金属層は、フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素
系ガスにより前記第２金属層がエッチングされる度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガス
によりエッチングされる度合いが、塩素系ガスにより前記絶縁層がエッチングされる度合
いに比べて大きい金属を含んでなる電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記絶縁層上に、前記金属を含み前記所定の厚さを有する層である第１層を積層する第
１積層工程と、
前記積層された第１層の上層側に、モリブデンを含んでなる層である第２層を積層する
第２積層工程と、
前記積層された第２層の上に、レジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記形成されたレジストパターンをマスクとして、前記積層された第２層に、フッ素系
ガスを用いたドライエッチング処理を施して前記第２金属層を形成すると共に前記第１層
を部分的に露出する第１エッチング工程と、
前記形成されたレジストパターン及び前記形成された第２金属層をマスクとして、前記
露出された第１層に、塩素系ガスを用いたドライエッチング処理を施して前記第１金属層
を形成すると共に前記絶縁層を部分的に露出する第２エッチング工程と、
前記形成されたレジストパターンを除去して前記導電性パターンを形成する除去工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属は、フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより前記
第２金属層がエッチングされる度合いに比べてｎ（ｎは２以上の整数）倍以上小さく、
前記第２層の厚さは、前記所定の厚さの２ｎ倍以上である
ことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする
電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、該電気
光学装置用基板の製造方法、該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、及び該電
気光学装置を備えた、例えば携帯電話機、携帯情報端末機等の電子機器の技術分野に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板として、例えば、低抵抗のアルミニウム（Ａｌ）を含む下層導電膜の上に
、耐腐食性とピンホール抑制に効果を有する高融点金属のモリブデン（Ｍｏ）からなる上
層導電膜が積層された積層構造のゲート電極を有する基板が提案されている。ここでは特
に、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチング処理により、Ａｌを含む膜の上に積層され
、Ｍｏからなる膜をパターニングして上層導電膜を形成すると共にＡｌを含む膜の一部を
露呈した後に、陽極酸化法により、該形成された上層導電膜の表面及び露呈されたＡｌを
含む膜の一部を絶縁体化することによって、下層導電膜及び上層導電膜を備えるゲート電
極の断面形状を順テーパー形状とする技術が開示されている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１３９５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線抵抗を下げるために、配線の構造を特許文献１のように導電材料にＡｌを用い、Ａ
ｌの欠点を補うためにバリア金属であるＭｏとの積層構造にすることが行われている。
【０００５】
しかしながら、プロセスの簡略化や配線や素子等の微細化を図る目的で、導電材料にＡ
ｌを用いずに、ゲート電極に用いられるＭｏを使って、同じプロセスで導電層を形成した
いという要望がある。
【０００６】
この種の基板の製造方法では、微細化の要求に伴い、ドライエッチング処理が採用され
ることが多い。この種の基板の製造方法として、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）膜上に積層
されたＭｏ膜を、ドライエッチング処理を用いてパターニングする際、六フッ化硫黄（Ｓ
Ｆ６）を用いてＭｏ膜の一部をエッチングした後に、塩素（Ｃｌ２）を用いてＭｏ膜の他
の部分をエッチングする方法が提案されている。
【０００７】
ところで、上述の製造方法では、ＳＦ６を用いてＭｏ膜にドライエッチング処理を施す
場合、バラツキが発生するおそれがある。具体的には例えば、Ｍｏ膜の温度ムラ等に起因
して局所的に反応速度が速くなり、例えばＭｏ膜を全てエッチングしてしまい、露出した
ＳｉＮ等の下地膜がエッチングされるおそれがある。この結果、製造された基板を、本発
明に係る電気光学装置の一例としての液晶装置に用いた場合、例えば表示ムラ等が生じる
おそれがあるという技術的問題点がある。
【０００８】
加えて、上述の製造方法では、Ｃｌ２を用いてＭｏ膜をエッチングした場合に、揮発性
の比較的低い、例えば五塩化モリブデン（ＭｏＣｌ５）、テトラクロロオキソモリブデン
（ＭｏＯＣｌ４）等の反応生成物がドライエッチング装置のチャンバーの内壁に付着し、
該付着した反応生成物に起因して、次回ＳＦ６を用いてＭｏ膜をエッチングする際にエッ
チングレートが変動してしまう。ここで、ＳＦ６を用いたドライエッチング処理の処理時
間は固定値とされていることが多い。このため、Ｃｌ２を用いてＭｏ膜をエッチングする
時間が長くなり、Ｍｏ膜の表面に沿う方向へのエッチング（所謂、サイドエッチング又は
アンダーカット）が生じるおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００９】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、意図しないエッチングに起
因する影響を抑制することができ電気光学装置に好適な電気光学装置用基板、意図しない
エッチングの発生を抑制することができる電気光学装置用基板の製造方法、該電気光学装
置用基板を備えてなる電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器を提供す
ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置用基板は、上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形
成された透光性を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配設された導電性パターンとを備え、
前記導電性パターンは、前記絶縁層上に所定の厚さに積層された第１金属層と、前記第１
金属層の上層側に積層され、モリブデンを含んでなる第２金属層とを有し、前記第１金属
層は、フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより前記第２金属
層がエッチングされる度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガスによりエッチングされる度
合いが、塩素系ガスにより前記絶縁層がエッチングされる度合いに比べて大きい金属を含
んでなる。
【００１１】
本発明の電気光学装置用基板によれば、例えば石英基板、ガラス基板等の基板上に形成
された透光性を有する絶縁層と、該絶縁層上に配設された導電性パターンとを備える。こ
こに、本発明に係る「導電性パターン」とは、何らかの機能を持たせるために所定の形状
に成型された、一又は複数の金属層からなる構造物を意味する。尚、「何らかの機能」は
、例えば、当該電気光学装置用基板を備える装置に供給される各種信号等が入力される配
線の少なくとも一部としての機能、電界シールド膜や遮光膜の少なくとも一部としての機
能等である。
【００１２】
尚、「透光性」とは、光が透過する性質を意味する。ここで、光が絶縁層を透過する度
合い（例えば、透過率）は、絶縁層を通して向こう側が透けて見える程度に高いことが望
ましい。
【００１３】
導電性パターンは、絶縁層上に所定の厚さに積層された第１金属層と、該第１金属層の
上層側に積層され、モリブデンを含んでなる第２金属層とを有する。第１金属層は、フッ
素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより第２金属層がエッチング
される度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガスによりエッチングされる度合いが、塩素系
ガスにより絶縁層がエッチングされる度合いに比べて大きい金属を含んでなる。
【００１４】
ここに、「フッ素系ガス」とは、フッ素（Ｆ２）ガス、例えばＳＦ６、四フッ化炭素（
ＣＦ４）等のフッ素を含む化合物（即ち、フッ素化合物）のガス、及びフッ素ガス又はフ
ッ素化合物ガスと他のガスとが混合された混合ガスを意味する。また、「塩素系ガス」と
は、塩素ガス、例えば塩化水素（ＨＣｌ）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）等の塩素を含む化
合物（即ち、塩素化合物）のガス、及び塩素ガス又は塩素化合物ガスと他のガスとが混合
された混合ガスを意味する。
【００１５】
「フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより第１金属層がエ
ッチングされる度合いに比べて小さい」とは、第１金属層に含まれる金属が、第２金属層
に比べて、フッ素系ガスによりエッチングされ難いことを意味する。尚、第１金属層に含
まれる金属は、フッ素系ガスにより全く又は殆どエッチングされないことが望ましい。
【００１６】
また、「塩素系ガスによりエッチングされる度合いが、塩素系ガスにより絶縁層がエッ
チングされる度合いに比べて大きい」とは、第１金属層に含まれる金属が、絶縁層に比べ
て、塩素系ガスによりエッチングされ易いことを意味する。尚、絶縁層は、塩素系ガスに
より全く又は殆どエッチングされないことが望ましい。
【００１７】
ここで、第１金属層は、典型的には、絶縁層上に積層された、フッ素系ガスによりエッ
チングされ難い金属（例えば、Ａｌを含む金属、クロム（Ｃｒ）を含む金属等）を含んで
なる層に、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング処理が施されることにより形成さ
れる。他方、第２金属層は、典型的には、フッ素系ガスによりエッチングされ難い金属を
含んでなる層の上層側に積層されたＭｏを含んでなる層に、フッ素系ガスを用いたドライ
エッチング処理が施されることにより形成される。
【００１８】
本発明に係る「所定の厚さ」は、例えば５０ｎｍ（ナノメートル）等であり、第１金属
層となるべき層（即ち、フッ素系ガスによりエッチングされ難い金属を含んでなる層）に
、ドライエッチング処理が施されている期間中に、少なくとも形成された第２金属層又は
既に形成された第１金属層にサイドエッチング又はアンダーカットが生じないような厚さ
として設定されている。
【００１９】
このような「所定の厚さ」は、経験的若しくは実験的に、又はシミュレーションによっ
て、例えば、第１金属層を構成する金属と、該金属のドライエッチング処理に用いるガス
に対するエッチングレートとの関係を求め、該求められた関係に基づいて、第１金属層と
なるべき層をエッチングして第１金属層を形成するまでの時間が、形成された第２金属層
にサイドエッチング又はアンダーカットが生じない時間となるような厚さとして設定すれ
ばよい。
【００２０】
尚、第１金属層及び第２金属層間には、第２金属層が第１金属層の上層側に配置されて
いる限りにおいて、他の導電性の層が積層されていてもよい。
【００２１】
本願発明者の研究によれば、Ｍｏを含んでなる層を、ＳＦ６ガスを用いて一部をエッチ
ングした後に、Ｃｌ２ガスを用いて他の部分をエッチングして導電性パターンを形成する
場合、例えば、Ｍｏを含んでなる層の下地層が、意図しないエッチングに起因して削れて
しまったり、付着した反応生成物によるドライエッチング装置のチャンバー汚れや、エッ
チングレート変動が生じてしまったりするおそれがある。
【００２２】
これに対して、Ｍｏを含んでなる層の下に、導電性パターンの一部となるべき、例えば
Ａｌを含んでなる層を積層して、Ｍｏを含んでなる層をＳＦ６ガスのみを用いてエッチン
グした後に、Ａｌを含んでなる層を、例えばＣｌ２ガスを用いてエッチングして導電性パ
ターンを形成することが考えられる。しかしながら、単に、例えばＡｌを含んでなる層を
積層しただけでは、Ａｌを含んでなる層、及びＳＦ６ガスを用いて既にエッチングされた
Ｍｏを含んでなる層に、サイドエッチング又はアンダーカットが生じるおそれがあること
が判明している。
【００２３】
しかるに本発明では、第２金属層の下層側に、フッ素系ガスによりエッチングされる度
合いが、フッ素系ガスにより第２金属層がエッチングされる度合いに比べて小さい金属を
含んでなる、所定の厚さの第１金属層が積層されている。このため、第２金属層となるべ
きＭｏを含んでなる層を、フッ素系ガスを用いてエッチングする際に、第１金属層がエッ
チングストッパー層として機能し、フッ素系ガスのみにより第２金属層を形成することが
できる。この結果、導電性パターンの下地層が、意図しないエッチングに起因して削れて
しまうことを防止することができる。加えて、Ｃｌ２にてエッチングする必要がない為、
ドライエッチング装置に、例えばＭｏＣｌ５、ＭｏＯＣｌ４等の反応生成物に起因するチ
ャンバー汚れやエッチングレートの変動の発生を抑制することができる。
【００２４】
本発明では特に、第１金属層の厚さが所定の厚さとなるように構成されている。このた
め、第１金属層となるべき層が、例えば塩素系ガスによりエッチングされている期間中に
、形成された第２金属層又は既に形成された第１金属層にサイドエッチング又はアンダー
カットが生じることを抑制することができる。
【００２５】
以上の結果、本発明の電気光学装置用基板によれば、意図しないエッチングに起因する
影響を抑制することができ、電気光学装置に好適な電気光学装置用基板を提供することが
できる。
【００２６】
本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記第１金属層は、前記絶縁膜上に積層さ
れた前記金属を含んでなる層に、塩素系ガスを用いたドライエッチング処理が施されるこ
とにより形成され、前記第２金属層は、前記金属を含んでなる層の上層側に積層されたモ
リブデンを含んでなる層に、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理が施されること
により形成される。
【００２７】
当該電気光学装置用基板の製造工程において、基板上に下層側から、フッ素系ガスによ
りエッチングされ難い金属を含んでなる層、Ｍｏを含んでなる層の順に積層され、典型的
には、該積層されたＭｏを含んでなる層の上に所定パターンのレジストパターンが形成さ
れる。続いて、Ｍｏを含んでなる層にフッ素系ガスを用いたドライエッチング処理が施さ
れることにより第２金属層が形成された後に、フッ素系ガスによりエッチングされ難い金
属を含んでなる層に塩素系ガスを用いたドライエッチング処理が施されることにより第１
金属層が形成される。
【００２８】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記金属は、アルミニウム、アルミニウ
ムを含む合金、クロム及びクロムを含む合金のうち少なくとも一つを含む。
【００２９】
この態様によれば、比較的安価にして、当該電気光学装置用基板を製造することができ
、実用上非常に有利である。
【００３０】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記所定の厚さは、５０ｎｍ以下である
。
【００３１】
この態様によれば、第１金属層又は第２金属層にサイドエッチング又はアンダーカット
が生じることを抑制することができる。或いは、第１金属層がＡｌを含んでいる場合に、
塩素系ガスを用いたドライエッチング処理の後に基板上に残留した塩素により、第１金属
層に腐食（即ち、コロージョン）が生じることを抑制することができる。
【００３２】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、当該電気光学装置用基板は、前記基板上
に配設され、前記導電性パターンの少なくとも一部をゲート電極とするトランジスタを更
に備える。
【００３３】
この態様によれば、例えば、ゲート電極とソース・ドレイン電極との間の絶縁性やトラ
ンジスタの電気的特性等の向上を図ることができ、実用上非常に有利である。これは、第
２金属層が比較的高い融点を有するＭｏを含んでなるので、当該電気光学装置用基板の製
造工程における加熱工程において、導電性パターンの表面に微細な突起（所謂、ヒロック
）が生じることを抑制することができるためである。
【００３４】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記第２金属層は、前記第１金属層の直
上に積層されている。
【００３５】
この態様によれば、Ｍｏを含んでなる層（即ち、第２金属層となるべき層）にフッ素系
ガスを用いたドライエッチング処理を施す際に、第１金属層をエッチングストッパー層と
して機能させることができる。
【００３６】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記導電性パターンの断面形状は、順テ
ーパー形状である。
【００３７】
この態様によれば、導電性パターンの上に積層される層が、導電性パターンの端部近傍
において切断されることを防止することができる。この結果、導電性パターンの上層側に
積層される配線の断線或いは短絡を防止することができ、実用上非常に有利である。尚、
「順テーパー形状」とは、導電性パターンの断面形状の上辺の長さが下辺の長さよりも短
い台形形状となっていることを意味する。
【００３８】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、上記課題を解決するために、基板と、前記
基板上に形成された透光性を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配設された導電性パターン
とを備え、前記導電性パターンは、前記絶縁層上に所定の厚さに積層された第１金属層と
、前記第１金属層の上層側に積層され、モリブデンを含んでなる第２金属層とを有し、前
記第１金属層は、フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより前
記第２金属層がエッチングされる度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガスによりエッチン
グされる度合いが、塩素系ガスにより前記絶縁層がエッチングされる度合いに比べて大き
い金属を含んでなる電気光学装置用基板の製造方法であって、前記絶縁層上に、前記金属
を含み前記所定の厚さを有する層である第１層を積層する第１積層工程と、前記積層され
た第１層の上層側に、モリブデンを含んでなる層である第２層を積層する第２積層工程と
、前記積層された第２層の上に、レジストパターンを形成するレジスト形成工程と、前記
形成されたレジストパターンをマスクとして、前記積層された第２層に、フッ素系ガスを
用いたドライエッチング処理を施して前記第２金属層を形成すると共に前記第１層を部分
的に露出する第１エッチング工程と、前記形成されたレジストパターン及び前記形成され
た第２金属層をマスクとして、前記露出された第１層に、塩素系ガスを用いたドライエッ
チング処理を施して前記第１金属層を形成すると共に前記絶縁層を部分的に露出する第２
エッチング工程と、前記形成されたレジストパターンを除去して前記導電性パターンを形
成する除去工程とを備える。
【００３９】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置用基
板と同様に、意図しないエッチングの発生を防止することができる。
【００４０】
尚、本発明の電気光学装置用基板の製造方法においても、上述した本発明の電気光学装
置用基板における各種態様を採ることが可能である。
【００４１】
第１積層工程において、絶縁層上に、フッ素系ガスによりエッチングされ難い金属を含
み所定の厚さを有する第１層（即ち、第１金属層となるべき層）が積層される。第２積層
工程において、積層された第１層の上層側に、Ｍｏを含んでなる層である第２層（即ち、
第２金属層となるべき層）が積層される。レジスト形成工程において、積層された第２層
の上にレジストパターンが形成される。
【００４２】
第１エッチング工程において、形成されたレジストパターンをマスクとして、積層され
た第２層にフッ素系ガスを用いたドライエッチング処理が施され第２金属層が形成される
と共に、第１層が部分的に露出される。第２エッチング工程において、形成されたレジス
トパターン及び形成された第１金属層をマスクとして、積層された第１金属層に塩素系ガ
スを用いたドライエッチング処理が施され第１金属層が形成されると共に絶縁層が露出さ
れる。除去工程において、形成されたレジストパターンが除去され、導電性パターンが形
成される。
【００４３】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法の一態様では、前記金属は、フッ素系ガスによ
りエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより前記第２金属層がエッチングされる度
合いに比べてｎ（ｎは２以上の整数）倍以上小さく、前記第２層の厚さは、前記所定の厚
さの２ｎ倍以上である。
【００４４】
この態様によれば、第２金属層を形成する際に、下地層である絶縁層がエッチングされ
ることを確実に防止することができ実用上非常に有利である。ここに、「フッ素系ガスに
よりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより前記第２金属層がエッチングされる
度合いに比べてｎ倍以上小さい」とは、第１層のフッ素系ガスによるエッチング速度は、
第２層（即ち、Ｍｏを含んでなる層）のエッチング速度に比べて、ｎ倍以上遅いこと、言
い換えれば、選択比＝ｎ（第２層のエッチング速度／第１層のエッチング速度）以上であ
ることを意味する。
【００４５】
本願発明者の研究によれば、例えば、第２層を第１層の２ｎ倍の厚さに積層する場合、
通常、成膜時の積層厚さのバラツキが１０％発生し、エッチングの反応速度のバラツキが
３０％発生することを考慮すると、第２金属層を形成する際に、第２層は、５０％程度の
オーバーエッチングをする必要が生じることが判明している。
【００４６】
しかるに、この態様では、第１層がフッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フ
ッ素系ガスにより前記第２金属層がエッチングされる度合いに比べてｎ倍以上小さい金属
を含んでなるので、第２金属層を形成する際に、フッ素系ガスにより第１層が全てエッチ
ングされることはない。
【００４７】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置
用基板を備える。
【００４８】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板（但し、その各
種態様を含む）を備えているため、表示ムラ等が低減された高品質な画像を表示可能な電
気光学装置を提供することができる。
【００４９】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備え
る。
【００５０】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えているので、高品質
な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー
、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーシ
ョン、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００５１】
また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置
（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ及びＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用
いた表示装置を実現することも可能である。
【００５２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされ
る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、本発明に係る電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器の各実施形態を図
面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００５４】
＜電気光学装置用基板＞
（電気光学装置用基板の構成）
先ず、本発明の実施形態に係る電気光学装置用基板を、図１を参照して説明する。ここ
に、図１は、本実施形態に係る電気光学装置用基板の構成の一部を示す部分断面図である
。
【００５５】
図１において、電気光学装置用基板２００は、石英、ガラス、プラスチック等の透明材
料又は半透明材料から構成されており、透光性を有する基板２１０と、該基板２１０の上
に積層され、例えばＳｉＮ等を含んでなる透光性を有する下地層２２０と、該下地層２２
０の上に積層された導電性パターン２３０とを備えて構成されている。
【００５６】
導電性パターン２３０は、下地層２２０の上に積層されたＡｌを含んでなる金属層２３
２と、該金属層２３２の上に積層されたＭｏを含んでなる金属層２３１とを備えて構成さ
れている。ここに、本実施形態に係る「下地層２２０」、「金属層２３１」、「金属層２
３２」及び「Ａｌ」は、夫々、本発明に係る「絶縁層」、「第２金属層」、「第１金属層
」及び「フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスにより第２金属層
がエッチングされる度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガスによりエッチングされる度合
いが、塩素系ガスにより前記絶縁層がエッチングされる度合いに比べて大きい金属」の一
例である。
【００５７】
ここで、導電性パターン２３０は、Ｍｏを含んでなる層に、例えばＳＦ６ガスと酸素（
Ｏ２）ガスとの混合ガス等を用いたドライエッチング処理を施すことにより金属層２３１
を形成した後に、Ａｌを含んでなる層に、例えばＣｌ２ガスとＯ２ガスとの混合ガス等を
用いたドライエッチング処理を施すことにより金属層２３２を形成することによって、形
成される。
【００５８】
本実施形態では特に、金属層２３２の厚さが、金属層２３２となるべき層（即ち、Ａｌ
を含んでなる層）にドライエッチング処理が施されている期間中に、形成された金属層２
３１又は金属層２３２にサイドエッチング又はアンダーカットが生じないような厚さとし
て設定されている。このため、本実施形態に係る電気光学装置用基板２００によれば、意
図しないエッチングに起因する影響を抑制することができ、電気光学装置に好適な電気光
学装置用基板を提供することができる。
【００５９】
尚、金属層２３２の厚さが５０ｎｍ以下であれば、金属層２３２となるべき層にドライ
エッチング処理が施されている期間中（例えば、十数秒以下）に、形成された金属層２３
１又は金属層２３２にサイドエッチング等が生じないことが、本願発明者の研究により判
明している。
【００６０】
（電気光学装置用基板の製造方法）
次に、上述の如く構成された電気光学装置用基板２００の製造方法について、図２乃至
図６を参照して説明する。ここに、図２は、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造
工程の一部を示す工程断面図である。
【００６１】
図２に示すように、例えばスパッタリング法によって、下地層２２０の上に、所定の厚
さ（例えば、５０ｎｍ）を有する、本発明に係る「第１層」の一例としてのＡｌを含んで
なる導電層３０１が積層される。次に、図３に示すように、導電層３０１の上に、例えば
スパッタリング法によって、所定の厚さ（例えば、２００ｎｍ）を有する、本発明に係る
「第２層」の一例としてのＭｏを含んでなる導電層３０２が積層される。ここに、図３は
、図２の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００６２】
ここで、導電層３０１の厚さは、上述した５０ｎｍ以下に加えて、更に、次のことを考
慮して決められる。
【００６３】
即ち、導電層３０２の厚さには、成膜時の誤差により場所によってバラツキ（例えば、
１０％程度）が生じる。さらに、導電層３０２のドライエッチング処理における反応速度
でも、場所によってバラツキ（例えば、３０％程度）が生じる。従って、ドライエッチン
グ処理時に、バラツキの影響を受けてエッチング途中のＭｏが残らないようにするには、
オーバーエッチング（通常では、５０％程度のオーバーエッチング）を行う必要がある。
導電層３０１は、導電層３０２のオーバーエッチングの最中に、導電層３０１がエッチオ
フして下地層２２０が露出しないように、フッ素系ガスによる導電層３０２と導電層３０
１の選択比（導電層３０２のエッチング速度／導電層３０１のエッチング速度＝２以上）
を考慮した厚さに形成する必要がある。
【００６４】
よって、導電層３０１の厚さを５０ｎｍで形成する場合には、選択比が２（＝ｎ）であ
れば、導電層３０２は、２００ｎｍ（５０ｎｍ×２×ｎ（＝２））に形成することができ
る。この場合、金属層２３１は２０ｎｍ以上に形成される。尚、選択比を大きくするほど
、導電層３０２を厚くして、導電性を高めることができるとともに、導電層３０１を薄く
して、後述する反応生成物の発生を抑えることができる。
【００６５】
次に、図４に示すように、導電層３０２の上に、有機物からなるレジスト層が形成され
た後に、該形成されたレジスト層にレジスト現像液を用いたレジスト現像処理が施される
ことによって、所定のレジストパターン３０３が形成される。ここに、図４は、図３の工
程に続く工程を示す工程断面図である。
【００６６】
次に、図５に示すように、レジストパターン３０３をマスクとして、ＳＦ６とＯ２との
混合ガス（ＳＦ６／Ｏ２）により導電層３０２がエッチングされて金属層２３１が形成さ
れると共に、導電層３０１が部分的に露出される。ここで本実施形態では、典型的には、
ドライエッチング処理の一例としての反応性イオンエッチング処理（所謂、プラズマエッ
チング処理）が採用される。尚、図５は、図４の工程に続く工程を示す工程断面図である
。
【００６７】
尚、ＳＦ６／Ｏ２は、導電層３０１であるＡｌを含んでなる層との選択比（導電層３０
２のエッチング速度／導電層３０１のエッチング速度＞１０）が高く、２００ｎｍに形成
した導電層３０２を５０％のオーバーエッチング、すなわち、１００ｎｍ余分にエッチン
グしても、導電層３０１が５０ｎｍあれば、１０ｎｍエッチングされるだけなので、導電
層３０１がエッチオフして、下地層２２０が露出して、下地層２２０がエッチングされる
ことはない。
【００６８】
次に、図６に示すように、レジストパターン３０３及び金属層２３１をマスクとして、
Ｃｌ２とＯ２との混合ガス（Ｃｌ２／Ｏ２）よりなる塩素系ガスにより導電層３０１がエ
ッチングされて金属層２３２が形成されると共に、下地層２２０が部分的に露出される。
【００６９】
尚、Ｃｌ２／Ｏ２は、下地層２２０であるＳｉＮ膜との選択比が高く、また、導電層３
０１の膜厚が薄く、エッチング時間が短いため、下地層２２０への影響は少なく、下地層
２２０が削られて、色味に差が生じることを抑制することができる。
【００７０】
金属層２３２が形成された後に、レジストパターン３０３にＯ２ガスを用いたアッシン
グ処理が施される。続いて、レジストパターン３０３が、例えばアミン及び水を含んでな
る剥離液により剥離され、導電性パターン２３０が形成される。ここに、図６は、図５の
工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００７１】
尚、導電層３０１及び３０２に反応性イオンエッチング処理が施されることに起因して
レジストパターン３０３表面が少なくとも部分的に変質する。本実施形態では、レジスト
パターン３０３表面の変質部分を除去して、剥離液によりレジストパターン３０３を剥離
し易くするために、レジストパターン３０３にアッシング処理を施しているが、アッシン
グ処理のみによってレジストパターン３０３を除去してもよい。
【００７２】
本実施形態では特に、Ａｌを含んでなる導電層３０１がＭｏを含んでなる導電層３０２
の下に積層されている。このため、ドライエッチング装置内において、基板２１０を支持
する支持部材（図示せず）の、例えば形状に起因して、導電層３０２に温度ムラが生じ反
応速度が速くなっても、導電層３０１がエッチングストッパー層として機能するので、下
地層２２０がＳＦ６／Ｏ２ガスによってエッチングされることを防止することができる。
【００７３】
また、導電層３０１が所定の厚さに積層されているので、導電層３０１のエッチング時
間を比較的短くすることができ、基板２１０上に残留した塩素に起因するコロージョンの
発生を抑制することができる。加えて、導電層３０１のエッチング時間が比較的短いので
、形成された金属層２３１がＣｌ２／Ｏ２ガスによりエッチングされたり、導電層３０１
にサイドエッチング等が生じたりすることを抑制することができる。この結果、形成され
た導電性パターン２３０の断面形状を順テーパー形状とすることができ、例えば導電性パ
ターン２３０の上層側に積層される配線の断線或いは短絡を防止することができる。
【００７４】
更に、Ｍｏを含んでなる導電層３０２をエッチングする際には、塩素系ガスが用いられ
ず、また導電層３０１のエッチング時間が比較的短いので、例えばＭｏＣｌ５、ＭｏＯＣ
ｌ４等の反応生成物に起因するドライエッチング装置のチャンバー汚れやエッチングレー
ト変動の発生を抑制することができる。
【００７５】
尚、導電層３０２は、Ａｌに代えて、Ａｌを含んでなる合金、Ｃｒ又はＣｒを含んでな
る合金を含んで構成されていてもよい。特に、Ｃｒ又はＣｒを含んでなる合金を用いた場
合には、コロージョンの発生を防止することができ、実用上非常に有利である。
【００７６】
＜電気光学装置＞
次に、上述した本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置の実施
形態について、図７乃至図９を参照して説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の
一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ア
クティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。該液晶装置において、上述した本実
施形態に係る導電性パターンは、ＴＦＴにおけるゲート電極に適用されている。
【００７７】
図７及び図８において、液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０
が対向配置されている。ここに、図７は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図８は、図７のＨ−Ｈ´線断面図である
。
【００７８】
ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板から
なり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１
０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに配置さ
れたシール材５２により相互に接着されている。
【００７９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、
又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造工程においてＴＦＴアレイ基板１０上に
塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。画像表示領域１０
ａ及び画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラス
ビーズ等のギャップ材が配置されている。尚、ギャップ材を、画像表示領域１０ａ等に配
置されるものに加えて若しくは代えて、シール材５２に混入するようにしてもよい。
【００８０】
図７において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表
示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。
但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光
膜として設けられてもよい。
【００８１】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域に
は、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺
に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７
が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この
一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側の額縁領域５３ａに、額縁遮光膜５
３に覆われるようにして設けられている。
【００８２】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両
基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これ
らにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができ
る。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４
、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００８３】
図８において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴ
ＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。複数の走査線及
び複数のデータ線は、相互に交差して配線され、これら交差に対応して画素に対応する画
素部がマトリクス状に設けられている。この積層構造の詳細な構成については図８では図
示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ
）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されてい
る。
【００８４】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の
画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面す
る側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成され
ている。
【００８５】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されて
いる。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形
成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光
膜２３によって区切られた領域が、例えば直視用のバックライトから出射された光を透過
させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規
定するようにしてもよい。また、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、
開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、カラーフィルタが形成されていてもよい。
【００８６】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対
向して形成されている。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜
２２が形成されている。
【００８７】
尚、図７及び図８に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電
圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造
途中や出荷時の当該液晶装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成し
てもよい。
【００８８】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層構造について、図９を参照して説明す
る。ここに、図９は、図８の一部を拡大して示す拡大断面図である。尚、図９では、説明
の便宜上、後述するソース・ドレイン電極７１及び７２より上側に位置する部分の図示を
省略している。
【００８９】
図９において、ＴＦＴ３０は、下地絶縁膜１２の上に積層された半導体層１、及びゲー
ト電極３を含んで構成されている。ゲート電極３は、Ｍｏを含んでなる金属層３ａ及びＡ
ｌを含んでなる金属層３ｂを備えて構成されている。半導体層１には、層間絶縁膜４１及
び４２を貫通して夫々形成されたコンタクトホール４２ａ及び４２ｂを介して、ソース・
ドレイン電極７１及び７２が電気的に接続されている。尚、半導体層１は、例えば低温プ
ロセス多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｉ：ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を含
んで構成されている。
【００９０】
ここに、図９における「ゲート電極３」、「金属層３ａ」、「金属層３ｂ」、「ＴＦＴ
アレイ基板１０」及び「層間絶縁膜４１」は、夫々、図１における「導電性パターン２３
０」、「金属層２３１」、「金属層２３２」、「基板２１０」及び「下地層２２０」に対
応している。
【００９１】
尚、下地絶縁層１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴ
アレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング
用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有している。
【００９２】
液晶装置１００は、上述した電気光学装置用基板２００を備えているため、例えば画素
ムラ等が低減された高品質な画像を表示することができる。本実施形態では特に、金属層
３ａが比較的高い融点を有するＭｏを含んでなるので、当該液晶装置１００の製造工程に
おける加熱工程において、ゲート電極３の表面にヒロックが発生することを抑制すること
ができる。この結果、例えば、ゲート電極３ａとソース・ドレイン電極７１及び７２との
間の絶縁性やＴＦＴ３０の電気的特性等の向上を図ることができる。
【００９３】
＜電子機器＞
次に、上述した本実施形態に係る液晶装置を備えてなる電子機器の例を、図１０及び図
１１を参照して説明する。
【００９４】
図１０は、上述した液晶装置１００が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータ
の斜視図である。図１０において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備え
た本体部１２０４と、表示画面１００５として上述した液晶装置１００を含んでなる液晶
表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶装置１
００の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００９５】
次に、上述した液晶装置１００を携帯電話に適用した例について説明する。図１１は、
電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図１１において、携帯電話１３００は、
複数の操作ボタン１３０２とともに、半透過反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液
晶装置１００と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。
【００９６】
これらの電子機器においても、上述した液晶装置１００を含んでいるため、上述した各
種効果を好適に享受することができる。
【００９７】
尚、図１０及び図１１を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファ
インダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ペ
ージャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、Ｐ
ＯＳ端末、タッチパネルを備えた直視型の表示装置や、液晶プロジェクター等の投射型の
表示装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもな
い。
【００９８】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読
み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を
伴う電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置及び電子機器も
また本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置用基板の構成の一部を示す部分断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電気光学装置用基板の製造工程の一部を示す工程断面図である。
【図３】図２の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図４】図３の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図５】図４の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図６】図５の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図８】図７のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図９】図８の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【０１００】
１…半導体層、３…ゲート電極、３ａ、３ｂ、２３１、２３２…金属層、３０…ＴＦＴ
、１００…液晶装置、２００…電気光学装置用基板、２１０…基板、２２０…下地層、２
３０…導電性パターン、３０１、３０２…導電層、３０３…レジストパターン
【図１】
2010152254.tif 000003
【図２】
2010152254.tif 000004
【図３】
2010152254.tif 000005
【図４】
2010152254.tif 000006
【図５】
2010152254.tif 000007
【図６】
2010152254.tif 000008
【図７】
2010152254.tif 000009
【図８】
2010152254.tif 000010
【図９】
2010152254.tif 000011
【図１０】
2010152254.tif 000012
【図１１】
2010152254.tif 000013