(57)【要約】【課題】スループット速度が改善された基板の特性を測定するための方法および装置を提供する。【解決手段】基板の特性を測定するための方法および装置である。ターゲットが基板上に存在しており、基板の走査移動の間に測定が実行される。基板の走査移動は、リニアな移動であり、測定は、パルス光源を用いてターゲットの反射像を取得することを含む。１つの光パルスの持続時間は１００ｐｓｅｃである。リソグラフィ装置は、このような測定装置を含み、デバイス製造方法は、このような測定方法を含む。【選択図】図２
2010093250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の特性を取得するための測定装置であって、
前記基板上のターゲットを照射するよう構成された光源と、
前記基板のリニアな走査移動の間に、前記ターゲットからの反射像を取得するよう構成された検出器と、を備え、
前記光源は、パルス光源であり、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満であることを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記パルス光源の繰り返し率は、１０〜１００ＭＨｚの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記光源と、前記基板の移動速度に関係するデータを供給するよう構成された基板位置制御部とに接続された制御部をさらに備え、前記制御部は、前記パルス光源の繰り返し率を前記基板の移動速度に適合させるよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記繰り返し率を２つの連続するターゲット間の距離および前記基板の移動速度に適合させるようさらに構成されていることを特徴とする請求項３に記載の測定装置。
【請求項５】
前記光源と、前記基板の移動速度に関係するデータを供給するよう構成された基板位置制御部とに接続された制御部をさらに備え、前記制御部は、前記パルス光源と前記基板の移動を同期させるよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項６】
前記パルス光源は、第１の波長範囲の出力を放射するよう構成されたコヒーレント光源であることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項７】
前記パルス光源は、短いコヒーレンス長を有する光源であることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項８】
前記光源と、波長可変フィルタとに接続された制御部をさらに備え、前記波長可変フィルタが、前記光源の出力ビームを受けるよう構成され且つ前記制御部に接続されており、前記制御部がさらに、１つ以上のスペクトルの波長を選択するよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項９】
パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するよう構成されたリソグラフィ装置であって、
請求項１に記載の測定装置を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１０】
基板を支持するよう構成された基板支持部と、
パターニングデバイスからのパターンを前記基板上に転写するよう構成された投影系と、
前記基板の特性を測定するよう構成された測定装置であって、
前記基板上のターゲットを照射するよう構成されたパルス光源であって、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満であるパルス光源と、
前記基板のリニアな走査移動の間に、前記ターゲットからの反射像を取得するよう構成された検出器と、を備える測定装置と、
を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１１】
基板の特性を測定する方法であって、
前記基板のリニアな走査移動の間に、パルス光源を用いて前記基板上のターゲットの反射像を取得するステップであって、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満であるステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するステップと、
前記基板のリニアな走査移動の間にパルス光源を用いて前記基板上のターゲットの反射像を取得することにより前記基板の特性を測定するステップであって、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満であるステップと、
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の特性の測定方法、測定装置、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板に、通常は基板の目標部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。この場合、マスク、レチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いて、放射ビームの断面に、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば、一つまたは複数のダイの部分からなる）に転写され得る。パターンの転写は、一般的には基板上に設けられた放射線感受性材料（レジスト）の層への結像によりなされる。一般に、単一の基板は、連続してパターン形成される隣接する目標部分のネットワークを有する。既知のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナとがある。ステッパでは、各目標部分にパターンの全体を一度に露光することによって、各目標部分が照射される。スキャナでは、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームを用いてパターンを走査する一方、この方向と平行にまたは逆平行に基板を同期させて走査することによって、各目標部分が照射される。パターンを基板にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ装置で用いられる測定プロセスにおいて画像を取得する間に、測定ステージのスループットは、必要な画質を得るためにターゲットの像が（ほとんど）静止した状態となる必要があるという条件により制限される。これは、測定時間の間に多くの基板の加速および減速をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
スループット速度が改善された、リソグラフィプロセスにおいて基板の特性を測定するための測定方法および装置を得ることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のある態様によれば、基板の特性の測定方法が提供される。この方法は、基板上にターゲットを設けるステップと、基板の走査移動の間に測定を実行するステップとを備える。基板の走査移動は、リニアな移動（すなわち、安定した、単一の固定速度であって、加速／減速のない移動）である。この測定は、パルス光源を用いてターゲットの反射像を取得するステップであって、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満であるステップを備える。
【０００６】
本発明のある態様によれば、基板の特性を測定する方法が提供される。この方法は、前記基板のリニアな走査移動の間に、測定を実行するステップを備える。この測定は、パルス光源を用いて基板上のターゲットの反射像を取得するステップを備え、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満である。
【０００７】
基板の特性の測定は、本明細書において、限界寸法（ＣＤ）等のプロセス関連パラメータの測定、オーバーレイ測定だけでなく、例えば、基板のアライメント測定（例えばリソグラフィ装置における）、基板上の測定ターゲットの位置測定、およびその他の基板の使用によって生じる測定などを含むと理解されることを留意されたい。
【０００８】
本発明のある態様によれば、基板の特性を取得するよう構成された測定装置が提供される。この測定装置は、基板上のターゲットを照射するよう構成された光源と、基板の走査移動の間に、ターゲットからの反射像を取得するよう構成された検出器とを含む。基板の走査移動はリニアな移動であり、光源はパルス光源であり、１つの光パルスの持続時間は１００ｐｓｅｃ未満である。
【０００９】
本発明のある態様によれば、パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するよう構成されたリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、本発明の実施形態に係る測定装置を備える。
【００１０】
本発明のある態様によれば、パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するステップを備えるデバイス製造方法が提供される。この方法は、本発明の実施形態の１つに係る、基板の特性を測定するための方法をさらに備える。
【００１１】
本発明のある態様によれば、基板の特性を測定するための方法が提供される。この方法は、基板のリニアな走査移動の間に、パルス光源を用いて基板上のターゲットの反射像を取得するステップであって、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満であるステップを備える。
【００１２】
本発明のある態様によれば、基板を支持するよう構成された基板支持部と、パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するよう構成された投影系と、基板の特性を測定するよう構成された測定装置とを含むリソグラフィ装置が提供される。測定装置は、基板上のターゲットを照射するよう構成されたパルス光源であって、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満であるパルス光源と、基板のリニアな走査移動の間に、ターゲットからの反射像を取得するよう構成された検出器とを含む。
【００１３】
本発明のある態様によれば、パターニングデバイスからのパターンを基板上に転写するステップと、基板のリニアな走査移動の間に、パルス光源を用いて基板上のターゲットの反射像を取得することにより、基板の特性を測定するステップであって、１つの光パルスの持続時間が１００ｐｓｅｃ未満であるステップとを含むデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
本発明の実施の形態は、例示のみを目的として、添付の図面を参照して説明される。図面では、対応する参照番号は、対応する部分を示す。
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明に係る測定装置の実施形態の概略図である。
【図３】本発明に係る測定装置のさらなる実施形態の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整する照明系（照明器）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１位置決め装置ＰＭに接続される支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成された第２位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴと、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つまたは複数のダイからなる）に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するよう構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳとを備える。
【００１７】
照明系は、放射を導き、成形し、または制御するために、屈折光学素子、反射光学素子、磁気光学素子、電磁気光学素子、静電光学素子などの様々なタイプの光学素子、またはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００１８】
支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちパターニングデバイスの重みを支える。支持構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的クランプ、バキュームクランプ、またはその他のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、フレーム状またはテーブル状であってもよく、例えば、必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。支持構造により、例えば投影系に対してパターニングデバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなしてよい。
【００１９】
本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能であるデバイスを参照するものとして、広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆる補助フィーチャを含む場合には、放射ビームに与えられるパターンが基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意されたい。通常、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に形成されるデバイス内の特定の機能層と対応している。
【００２０】
パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、プログラム可能なＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、バイナリマスク、交互位相シフト（alternating phase-shift）マスク、ハーフトーン型位相シフト（attenuated phase-shift）マスク、および様々なハイブリッド型マスクタイプなどのマスクタイプがある。プログラム可能なミラーアレイの例では、小型ミラーがそれぞれ個別に傾斜して入射する放射ビームを異なる方向に反射させることが可能な、小型ミラーのマトリックス配列を使用する。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射ビームにパターンを付与する。
【００２１】
本明細書で使用される「投影系」という用語は、例えば、使用中の露光照射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁気光学系、および静電光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影系」と同義であるとみなしてよい。
【００２２】
図示するように、装置は透過型（例えば、透過型マスクを使用）である。代替的に、装置は反射型（例えば、上述したタイプのプログラム可能なミラーアレイを使用、または反射型マスクを使用）であってもよい。
【００２３】
リソグラフィ装置は、二つの基板テーブルを有するタイプ（デュアルステージ）であっても、より多数の基板テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」の装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、または、一以上のテーブルに対して準備ステップを実行する一方、一以上の他のテーブルを露光用として使用してもよい。
【００２４】
リソグラフィ装置は、投影系と基板の間の空間を満たすように、例えば水などの比較的屈折率の高い液体により基板の少なくとも一部が覆われるタイプの装置であってもよい。液浸露光用の液体は、例えばマスクと投影系との間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
【００２５】
図１に示されるように、照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別個のものであってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な配向ミラー（directing mirror）および／またはビーム・エキスパンダを備えるビーム伝送系ＢＤを用いて、放射源ＳＯから照明器ＩＬに放射ビームが渡される。他の場合、例えば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィ装置と一体的な部品であってもよい。放射源ＳＯと照明器ＩＬ、必要であればビーム伝送系ＢＤを合わせて、放射系と称してもよい。
【００２６】
照明器ＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節する調節器ＡＤを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および／または内径範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる）を少なくとも調節することができる。加えて、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮおよび集光器ＣＯ等の様々な他の構成要素を通常備えてもよい。照明器は、その断面において所望の均一性および強度分布を有するよう放射ビームを調整するために用いられてもよい。
【００２７】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによりパターン形成される。マスクＭＡを横切ると、放射ビームＢは投影系ＰＳを通過し、そこでビームが基板Ｗの目標部分Ｃに合焦される。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを正確に移動して、例えば異なる目標部分Ｃを放射ビームＢの経路に配置することができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示せず）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に配置することができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、位置決め装置ＰＭおよびＰＷの一部を形成する長ストロークモジュール（粗い位置決め）と短ストロークモジュール（微細な位置決め）を用いて達成することができる。これらは、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成する。同じように、基板テーブルＷＴの移動は、長ストロークモジュールおよび短ストロークモジュールを用いて達成することができる。これらは、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成する。ステッパの場合には、スキャナとは対照的に、マスクテーブルＭＴが短ストロークのアクチュエータにのみ接続されていてもよいし、または固定されていてもよい。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを用いて、マスクＭＡと基板Ｗを位置合わせしてもよい。図示されるように、基板アライメントマークは専用の目標部分を占有しているが、これらは目標部分の間のスペースに配置されてもよい（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同じように、二つ以上のダイがマスクＭＡ上に設けられる場合には、マスクのアライメントマークはダイの間に配置されてもよい。
【００２８】
図示する装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。
【００２９】
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴと、基板テーブルＷＴとが本質的に静止状態を保つ一方、放射ビームＢに与えられたパターン全体が目標部分Ｃ上に一度に投影される（つまり、単一の静的露光）。続いて、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して、異なる目標部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光領域の最大サイズにより、単一の静的露光で像が与えられる目標部分Ｃのサイズが制限される。
【００３０】
２．走査モードでは、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴとが同期して走査される一方、放射ビームＢに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定されてもよい。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の（非走査方向における）幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
【００３１】
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴは、プログラム可能なパターニングデバイスを基本的に静止状態で保持し続け、基板テーブルＷＴは移動または走査される一方、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、プログラム可能なパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後に、または走査中の連続放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなプログラム可能なミラーアレイのタイプなどのプログラム可能なパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
【００３２】
上述の使用モードの組み合わせおよび／または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。
【００３３】
上述のリソグラフィ装置においては、実際の露光ステップの前に、マスクＭに対する基板Ｗのアライメントだけでなく、限界寸法（ＣＤ）測定やオーバーレイ測定などのいくつかの測定が行われる。一般的に、これらの測定においては、ターゲット１２が基板Ｗ上に設けられる（図２参照）。ターゲット１２は、光源を用いて照射される。その後、ターゲット１２から散乱した放射は、例えばターゲット１２の反射像を得ることにより検出され、処理される。一般的に、レーザ等のコヒーレント光源が用いられる。
【００３４】
測定プロセスは、通常、基板Ｗ上の多数のターゲット１２に対して為され、基板Ｗは、次の測定のためにターゲット１２からターゲット１２へと移動される。すなわち、測定は、基板Ｗの走査移動の間に実行される。このプロセスは、ターゲット１２からターゲット１２への基板Ｗ（またはウェハテーブルＷＴ）の加速及び減速を含む。
【００３５】
本発明の実施形態によれば、測定プロセスは、基板Ｗのリニアな移動を伴った「オンザフライ」で実行される。本明細書でのリニアな移動とは、加速または減速しない、安定した、単一の速度の移動を意味している。この測定は、図２に示すようなパルス光源１０を用いて実行される。図２は、例えばリソグラフィ装置における測定アセンブリの概略図を示している。図２は、多数の測定ターゲット１２が設けられた基板Ｗを示す。基板Ｗは、基板位置制御部１５を用いて移動される。基板位置制御部１５は、例えば、ウェハの位置を制御するためにリニアモータおよびセンサを含んだ、周知のウェハ／ウェハテーブル移動システムであってよい。基板Ｗの正確な位置情報は、干渉計に基づいた位置検出システムを用いて取得することもできる。
【００３６】
光源１０は、制御部１１により制御される。制御部１１は、基板位置制御部１５から基板Ｗの位置（および／または速度または加速度などのその他のパラメータ）に関する情報を受け取る。検出器１４は、例えば、基板Ｗ上のターゲット１２の像などの測定データを収集するために設けられている。検出器１４は、ＣＣＤカメラまたはターゲット１２からの後方散乱放射からの像を取得するように構成された同種のものを備えていてもよい。
【００３７】
光源１０は、パルス状のコヒーレント光源、例えば、スーパーコンティニウム光源として知られる白色光レーザである。光源１０は、波長の範囲にわたって、範囲内の全ての波長にわたって連続的な出力レベルで光パルスを供給可能である。さらに、回折格子のターゲット１２を用いた場合など、コヒーレント光を必要とする各種の測定を可能とするために、放射光もまたコヒーレントである。光源１０は、（狭線幅の単一波長の放射を有する標準的なレーザ放射源と比較して）例えば数センチオーダの短いコヒーレンス長を有する光を放射する。
【００３８】
放射された光パルスのパルス長は、１００ｐｓｅｃ未満であり、１０ｐｓｅｃ未満であってもよい。これにより、測定目的のために、基板Ｗの移動を実質的にフリーズ（freeze）することが可能となる。検出器１４を用いてターゲット１２の像が取得されるとき、例えばスミア（smearing）や移動による不鮮明（movement unsharpness）により生じる画像の不自然さ（artifact）は、実質的に低下し、さらなる画像処理が可能となる。基板Ｗが３〜１０ｍ／ｓの速度で移動しているとき、パルス長を１００ｐｓｅｃとすることにより、測定ビームにさらされている間の基板Ｗの移動は０．３〜１ｎｍとなる。これは、リソグラフィアプリケーションにおいて十分正確な測定を可能とする。
【００３９】
光源１０から放射された光パルスは、関係する測定（例えば、画像の取得）を行うのに十分に大きな強度を有している。パルスの非常に短時間の間に検出器１４（カメラ、画像増強管、シリコンセンサ等）の感光面に十分な光子を取り入れることは、パルスの強度が十分であるときに達成可能である。典型的な実施例においては、光源１０は、５ｐｓｅｃのパルスを用いて、４６０ｎｍ〜８５０ｎｍの波長範囲にわたって４ｍＷ／ｎｍの出力密度で出力ビームを供給する。光源１０は、例えば４６０〜２４００ｎｍなど、さらに広い波長範囲で出力を放射してもよい。
【００４０】
一実施形態において、制御部１１は、基板位置制御部１５からのデータ（位置および／またはタイミングデータなど）を用いて、光源１０から放射された光パルスを基板Ｗの位置に同期させる。光源１０は、その後、基板Ｗ上のターゲット１２に「衝突」する光パルスを放射するよう同期される。制御部１１は、光源１０を正確に同期させるために、光源１０の制御遅延および反応を考慮するよう構成されてもよい。フィードバックおよびフィードフォワード制御アルゴリズムが用いられてもよい。
【００４１】
複数のターゲット１２が用いられるアライメントなどの各種の測定のために、本発明の実施形態は、基板Ｗが、測定の瞬間において加速または減速することなく一定速度で動くことを可能とする。これにより、急速な加速およびブレーキ動作が回避されるため、基板Ｗ（およびウェハテーブルＷＴ）の振動が非常に小さくなる。また、これにより、基板Ｗを移動するために用いられるリニアモータのロスがより少なくなり、熱ドリフトがより少なくなるため、安価な駆動回路を用いることが可能となる。
【００４２】
一実施形態において、制御部１１はさらに、光源１０の繰り返し周波数または繰り返し率を基板の移動速度に適合させ、放射パルスが移動する基板Ｗ上の次のターゲットに当たるように構成されてもよい。例えば、アライメント測定においては、基板Ｗ上のスクライブレーンスペースに距離をおいて設けられた多数のターゲット１２が、その後基板Ｗ上で走査される。本発明の一実施形態を用いることにより、基板Ｗを加速または減速することなくリニアな移動により、基板Ｗ上のスクライブレーンを走査することができる。繰り返し周波数は、（例えば、８０ＭＨｚなど）１０ＭＨｚよりも高くてもよい。基板Ｗの移動速度が１０ｍ／ｓの場合、１０ＭＨｚは、基板Ｗ上において１ｍｍの距離に相当する。
【００４３】
本発明の一実施形態を用いることにより、リソグラフィ装置における基板Ｗのスループット率が改善され、および／または基板Ｗ上のより多くのターゲット１２が同じ時間内で測定され得る。
【００４４】
パルス光源１０はまた、１つ以上の波長で放出される放射を用いる別の測定に用いられてもよい。図３に概略的に示される実施形態は、スーパーコンティニウム光源１０から放出された光の波長範囲から１つ以上の離散的な波長を選択するために用いられ得る。これは、制御部１１により制御される音響光学的可変フィルタ（ＡＯＴＦ）１６等の波長可変フィルタを用いた図示の実施形態において取得されてもよい。市販のＡＯＴＦ１６は、所定の線幅の８つの離散的な波長まで選択することができる。また、類似の効果を得るために、別のタイプのフィルタまたは波長選択デバイスが用いられてもよいことは明らかである。
【００４５】
ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターン（guidance and detection pattern）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、「ウェハ」または「ダイ」という用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である「基板」または「目標部分」とそれぞれ同義であるとみなしうることを認められよう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し露光されたレジストを現像する工具）または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらのおよび他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために基板を二回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことも指す場合がある。
【００４６】
ここでは特に光学的なリソグラフィを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明はたとえばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光学的なリソグラフィに限られるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板に生成されるパターンを決める。パターニングデバイスのトポグラフィが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニングデバイスは、パターンが生成されたレジストから外されて外部に移動される。
【００４７】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、あらゆるタイプの電磁放射を包含しており、イオンビームや電子ビームなどの粒子ビームだけでなく、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）、極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む。
【００４８】
文脈が許す場合、「レンズ」という用語は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気光学素子、電磁気光学素子、静電気光学素子を含む様々なタイプの光学素子のいずれか１つまたは組み合わせを参照してもよい。
【００４９】
本発明の具体的な実施形態を上述したが、本発明は説明したのとは別の方法で実行されてもよいことを理解されたい。例えば、本発明は、上述の方法を記載したコンピュータ読取可能な指示の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形をとってもよい。
【００５０】
上述の記載は、説明を意図しており、限定するものではない。従って、下記の請求項の精神から逸脱することなしに、上述の本発明に対して修正が施されてもよいことは当業者には明らかである。
【図１】
2010093250.tif 000003
【図２】
2010093250.tif 000004
【図３】
2010093250.tif 000005
【外国語明細書】
2010093250000001.pdf