(57)【要約】【課題】近接場光による記録媒体に対する光照射位置とライトヘッドによる記録位置とを高精度に位置合わせ可能とし、近接場光による熱アシスト作用による磁気記録を可能とする磁気ヘッドを提供する。【解決手段】熱アシスト機構として近接場光発生部３０を備える磁気ヘッドであって、浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を備える主磁極２１と、前記磁極コア部の外形線をリーディング側に延長させた線と外形位置が一致し、一端が浮上面に露出して形成された近接場光コア部３４とを備え、該近接場光コア部を厚さ方向に挟む光導波路層と、近接場光コア部３４の側面を被覆する光導波路層とにより設けられた光導波路３２と、該光導波路３２の外面を被覆する、光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層とを備える。【選択図】図２
2010152942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  金属からなる近接場光コア層を厚さ方向に挟む配置に光導波路層を形成する工程と、
（ｂ）  前記光導波路層よりも屈折率の小さい誘電体層を介して前記光導波路層上に主磁極層を形成する工程と、
（ｃ）  前記主磁極層をエッチングし、浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を成形するとともに、該磁極コア部の外形に沿って厚さ方向に延長する向きに前記光導波路層とともに前記近接場光コア層をエッチングし、端面が浮上面に露出する近接場光コア部と光導波路コア部を成形する工程と、
（ｄ）  前記近接場光コア部の側面を光導波路層により被覆し、前記近接場光コア部を包囲する光導波路を形成する工程と、
（ｅ）  前記光導波路の外面を、該光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層により包囲する工程と、
を備える、熱アシスト機構として近接場光発生部を備えた磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程においては、
下層の光導波路層を形成し、該下層の光導波路上に近接場光コア層を形成し、該近接場光コア層上に上層の光導波路層を形成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記（ｃ）工程においては、
前記主磁極層上に、前記磁極コア部を含む主磁極の平面パターンに形成されたレジストマスクを形成し、
該レジストマスクが被着された状態においてイオンミリングを施し、前記磁極コア部、前記近接場光コア部及び前記光導波路コア部を成形することを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記（ｄ）工程においては、
前記近接場光コア部を包囲する部位を除く光導波路層の部位を除去することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記（ａ）工程の前工程として、ウエハ上にリードヘッドを形成する工程と、
前記光導波路層の下層に、該光導波路層よりも屈折率の小さい誘電体層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
熱アシスト機構として近接場光発生部を備える磁気ヘッドであって、
浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を備える主磁極と、
前記磁極コア部の外形線をリーディング側に延長させた線と外形位置が一致し、一端が浮上面に露出して形成された近接場光コア部とを備え、
該近接場光コア部を厚さ方向に挟む光導波路層と、近接場光コア部の側面を被覆する光導波路層とにより設けられた光導波路と、
該光導波路の外面を被覆する、光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層とを備えることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項７】
前記光導波路は、一端が浮上面に露出し、他端が磁気ヘッドの裏面側に延出して設けられていることを特徴とする請求項６記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記近接場光コア部は、他端が、前記主磁極の幅広部から延出する前記磁極コア部内に配置されていることを特徴とする請求項６または７記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記近接場光コア部は、他端が、前記主磁極の幅広部内に配置されていることを特徴とする請求項６または９記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
磁気記録媒体に情報を書き込むライトヘッドと、熱アシスト機構として近接場光発生部とを有する磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを媒体上で支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記磁気ヘッドによる情報の書き込みと前記熱アシスト機構を制御する制御部とを備え、
前記磁気ヘッドは、
浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を備える主磁極と、
前記磁極コア部の外形線をリーディング側に延長させた線と外形位置が一致し、一端が浮上面に露出して形成された近接場光コア部と、
該近接場光コア部を厚さ方向に挟む光導波路層と、
近接場光コア部の側面を被覆する光導波路層とにより設けられた光導波路と、
該光導波路の外面を被覆する、光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層とを備えることを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いる熱アシスト機構として近接場光発生部を備えた磁気ヘッド及びその製造方法、及び前記磁気ヘッドを備える磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置においては、記録密度を向上させるために磁気記録媒体の磁性粒子の微細化が進められている。しかしながら、磁性粒子を微細化すると、磁性粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が生じる。このため、磁気異方性の大きな磁性材料を使用して磁性粒子の磁化の熱安定性を高め、データ記録時に記録ビットを加熱して磁性粒子の保磁力を低下させて書き込みする熱アシストによる磁気記録方式が検討されている。
【０００３】
記録ビットを加熱する方法としてレーザ光を利用して加熱する方法がある。レーザ光は光エネルギーが集中して記録媒体に照射されることから、効果的に記録ビットを加熱することができる。しかしながら、記録ビットがさらに微小化し、より大きな磁気異方性を有する磁性材料を使用するようになると、従来のレーザ光によるエネルギー密度では十分な加熱ができなくなる。このため、レーザ光の光エネルギーをさらに集中させて記録媒体に作用させて加熱する方法として、近接場光を利用する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
近接場光は、光導波路の出口部分に金属からなるコア部を配置し、光導波路にレーザ光を導入するとコア部の表面（頂部）に局所的にきわめて密度の高い光が発生する作用を利用したものである。この近接場光を利用すると、磁気ヘッドに対向する記録媒体の微細領域を効率的に加熱することができる。
【特許文献１】特開２００８−４７２６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近接場光を利用して記録媒体を加熱して記録する方法においては、近接場光の照射領域がきわめて限られるから、記録媒体上における近接場光の照射位置とライトヘッドによる記録位置とを正確に同一トラック上に位置させる必要がある。とくに、記録密度が向上するとともに媒体のトラック幅が狭くなり、一方、近接場光による光照射部の幅はレーザ光の波長よりも狭い領域であるから、近接場光による光照射部とライトヘッドによる記録位置との位置合わせ精度が書き込み性能に大きく影響を及ぼす。
【０００６】
本発明は、近接場光による記録媒体に対する光照射位置とライトヘッドによる記録位置とを高精度に位置合わせすることを可能とし、近接場光による熱アシスト作用を利用する磁気記録を可能とする磁気ヘッド及びその好適な製造方法、並びに近接場光を利用した磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
磁気ヘッドの製造方法についての実施形態の一観点として、（ａ）金属からなる近接場光コア層を厚さ方向に挟む配置に光導波路層を形成する工程と、（ｂ）前記光導波路層よりも屈折率の小さい誘電体層を介して前記光導波路層上に主磁極層を形成する工程と、（ｃ）前記主磁極層をエッチングし、浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を成形するとともに、該磁極コア部の外形に沿って厚さ方向に延長する向きに前記光導波路層とともに前記近接場光コア層をエッチングし、端面が浮上面に露出する近接場光コア部と光導波路コア部を成形する工程と、（ｄ）前記近接場光コア部の側面を光導波路層により被覆し、前記近接場光コア部を包囲する光導波路を形成する工程と、（ｅ）前記光導波路の外面を、該光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層により包囲する工程と、を備える、熱アシスト機構として近接場光発生部を備えた磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【０００８】
また、熱アシスト機構として近接場光発生部を備える磁気ヘッドについての実施形態の一観点から、浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を備える主磁極と、前記磁極コア部の外形線をリーディング側に延長させた線と外形位置が一致し、一端が浮上面に露出して形成された近接場光コア部とを備え、該近接場光コア部を厚さ方向に挟む光導波路層と、近接場光コア部の側面を被覆する光導波路層とにより設けられた光導波路と、該光導波路の外面を被覆する、光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層とを備える磁気ヘッドが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、ライトヘッドの主磁極に形成される磁極コア部と近接場光発生部の近接場光コア部とを正確に位置合わせして形成することができ、近接場光の照射位置に対しライトヘッドによる記録位置を正確に位置合わせすることができ、高密度記録が可能な磁気ヘッドを提供することができる。また、近接場光コア部と磁極コア部とを高精度に位置合わせすることにより、近接場光による熱アシスト作用を効果的に利用して書き込み精度を向上させ、磁気記録装置の歩留まり向上、品質の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（磁気記録装置）
図１は本発明に係る磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置５０の平面図である。
磁気記録装置５０は、矩形の箱状に形成されたケーシング５１内に、スピンドルモータによって回転駆動される複数の磁気記録媒体５２を備える。
磁気記録媒体５２の側方には、媒体面に平行に揺動可能に支持されたアクチュエータアーム５３が配される。アクチュエータアーム５３の先端には、アクチュエータアーム５３の延長方向にサスペンション５４が取り付けられ、サスペンション５４の先端にヘッドスライダ５５が取り付けられている。ヘッドスライダ５５は、サスペンション５４の媒体に対向する面に取り付けられる。
【００１１】
ヘッドスライダ５５には薄膜工程により、磁気ヘッドが形成されている。本実施形態における磁気ヘッドは、ライトヘッドとリードヘッドに加えて、近接場光を利用して磁気記録媒体を加熱する熱アシスト機構を備える。
ケーシング５１の背面にはアクチュエータアーム５３の駆動と、熱アシスト機構に使用するレーザ光を制御する制御部を備えたプリント配線基板が実装されている。
磁気ヘッドと制御部とは、サスペンション５４の表面に形成された配線、及びアクチュエータアーム５３の側面に取り付けられたフレキシブル基板５６を介して電気的に接続される。
【００１２】
ヘッドスライダ５５に設けられた熱アシスト機構に使用するレーザ光は、磁気ヘッドの外部にレーザ光源を設けて使用する方法と、磁気ヘッド内に発光素子を設けてレーザ光を利用する方法がある。磁気ヘッドの外部にレーザ光源を設けた場合は、レーザ光源から光ファイバー等の光導波路を経由して磁気ヘッドに設けられた熱アシスト機構の光導波路にレーザ光を入射させればよい。磁気ヘッドの内部に発光素子を設けた場合は、発光素子から熱アシスト機構の光導波路にレーザ光を入射させ、近接場光を発生させる。
【００１３】
磁気ヘッドにより磁気記録媒体５２に情報を記録する操作は、熱アシスト機構から近接場光を照射するタイミングを制御部によって制御し、近接場光を照射した下流位置においてライトヘッドにより磁気記録媒体５２に対して磁気記録することによってなされる。
磁気記録媒体５２に情報を記録する操作は、制御部によりアクチュエータ５７を制御して、アクチュエータアーム５３を所定位置に揺動させる操作（シーク動作）とともになされる。
【００１４】
（磁気ヘッド）
図２は、本発明に係る磁気ヘッドの構造を、浮上面（ABS面）に直交するコア幅の中心断面（A-A線位置が浮上面）によって示す。この磁気ヘッドは、リードヘッド１０と、ライトヘッド２０と、ライトヘッド２０のリーディング側に配置された近接場光発生部３０とを備える。
【００１５】
リードヘッド１０は、アルチック（Al2O3−TiC)からなる基体５上に厚さ方向に積層して形成された下部シールド層１１及び上部シールド層１２と、下部シールド層１１と上部シールド層１２とに挟まれて配置されたリード素子１３とを備える。下部シールド層１１と上部シールド層１２との厚さ方向の離間間隔がリードギャップに相当する。
リード素子１３は、強磁性層、反強磁性層、非磁性層を多層に積層した磁気抵抗効果膜によって形成される。リード素子１３の膜構造には種々の構造が提案されている。本発明においては、リード素子１３の構造が限定されるものではない。下部シールド層１１、上部シールド層１２の構造についても同様である。
【００１６】
ライトヘッド２０は、主磁極２１と、主磁極２１に対向して配置されるトレーリングシールド２２と、リターンヨーク２３とを備える。リターンヨーク２３はハイト方向側において、バックギャップ２４により主磁極２１に連結し、バックギャップ２４のまわりを巻回するようにコイル２５が形成されている。
なお、隣接するコイル２５の中間部分、リードヘッド１０及びライトヘッド２０の各層間はアルミナ等の誘電体である絶縁材２６からなる。リターンヨーク２３の上層部分には、磁気ヘッドの保護膜２７が形成される。
【００１７】
熱アシスト機構において近接場光を発生させる部位である近接場光発生部３０は、磁気記録媒体に向けてレーザ光を放射する光導波路３２と、レーザ光を磁気記録媒体に向けて集中させて放射させる近接場光コア部３４とを備える。
光導波路３２は、磁気記録媒体の媒体面に垂直となる方向、すなわちヘッドスライダの浮上面に垂直方向に形成する。光導波路３２にはレーザ光の波長に対して透明な誘電体を使用する。
光導波路３２の一端は、ヘッドスライダの浮上面に露出し、他端は光導波路３２に入射させるレーザ光の入射位置に配置する。光導波路３２は浮上面側に向けてレーザ光を導入させる作用をなす。このため、光導波路３２の外面を包囲する絶縁材２６には、光導波路３２よりも屈折率の小さな誘電材料を使用し、光導波路３２と絶縁材２６との界面においてレーザ光が全反射するように設定する。
【００１８】
近接場光コア部３４は、光導波路３２中に埋没させ、端面をヘッドスライダの浮上面に露出させる。近接場光コア部３４は金属からなる細い柱状体として形成される。近接場光とは、光導波路３２中をレーザ光が伝播する際に、金属からなる近接場光コア部３４の表面に電界が集中し、近接場光コア部３４の表面からきわめて強い光として放射される。近接場光コア部３４の幅寸法はレーザ光の波長よりも小さく設定される。
【００１９】
近接場光はレーザ光の波長以下の領域に光エネルギーが集中して照射されるから、磁気記録媒体のきわめて狭い領域を効率的に加熱することができる。これによって、従来のレーザ光による加熱によっては使用できなかったような磁気異方性の大きな材料、言い換えれば、保磁力の大きな磁性材料を使用することが可能となり、熱アシスト作用を利用して従来よりも高密度に情報を記録することが可能になる。
近接場光は従来のレーザ光よりも微小領域に光エネルギーが集中するから、磁気記録媒体上における近接場光による加熱領域とライトヘッドによる記録位置とを正確に一致させる必要がある。
【００２０】
近接場光発生部３０を利用して磁気記録媒体に情報を記録する操作は、近接場光によって磁気記録媒体の表面を加熱した直後に、ライトヘッド２０の主磁極２１が加熱領域上を通過して情報を書き込みする。したがって、近接場光発生部３０の近接場光コア部３４と主磁極２１とは近接して配置されていることが望ましい。本実施形態においては、近接場光発生部３０上に絶縁材２６を介して主磁極２１を配置し、近接場光コア部３４と主磁極２１とをできるだけ近接させた配置としている。
【００２１】
（熱アシスト機構を備える磁気ヘッドの製造方法）
以下、熱アシスト機構を備える磁気ヘッドの製造方法について説明する。
図３は、アルチック（Al2O3-TiC)からなるウエハ上に、リードヘッドを形成し、さらに絶縁材２６からなる誘電体層を形成した状態を示す。ウエハ上には、縦横に整列した配置に多数個の磁気ヘッドが形成される。以下の図においては、磁気ヘッドの製造工程をわかりやすく示すために、ウエハ上に形成する一つの磁気ヘッド部分を示す。また、ウエハ工程においては断面はあらわれないが、磁気ヘッドの構造をわかりやすく示すために、以下では断面構造を示して説明する。
【００２２】
リードヘッド１０の下部シールド層１１は、ウエハ上にNiFe等の軟磁性材を所定の平面形状に成膜して形成する。リード素子１３は、強磁性層、反強磁性層、非磁性層を多層に積層し、磁気抵抗効果膜として形成する。上部シールド層１２は、リード素子１３上に、下部シールド層１１と同様に、軟磁性材を所定の平面形状に成膜して形成する。
絶縁材２６は、上部シールド層１２を形成した後、ウエハ表面の全面に、ウエハの表面に生じている凹凸を吸収できる十分な厚さにアルミナを成膜し、研磨加工等の平坦化加工により表面を平坦化して形成する。
【００２３】
次に、絶縁材２６の表面に近接場光発生部３０の光導波路３２の下層部分となる光導波路層３２ａを形成する。光導波路層３２ａには、光導波路層３２ａの下層に設けられた誘電体である絶縁材２６よりも屈折率の大きな誘電材料を用いる。本実施形態においては、光導波路層３２ａに酸化チタン（TiO2）を使用した。絶縁材２６に使用するアルミナの屈折率は1.76、酸化チタンの屈折率は2.52である。
光導波路層３２ａは、酸化チタンをターゲットとするスパッタリングにより、ウエハの表面の全面に形成する。
【００２４】
光導波路層３２ａと絶縁材２６には、光導波路層３２ａの屈折率が絶縁材２６よりも大きくなるように適宜誘電材料を組み合わせて使用すればよい。絶縁材２６と光導波路層３２ａとしては、たとえば、アルミナ（n=1.76）、酸化チタン（n=2.52）、二酸化ケイ素（n=1.45）、酸化タンタル（n=2.23）、窒化ケイ素（n=2.02）等を組み合わせて使用することができる。
【００２５】
次に、下層の光導波路層３２ａの表面に近接場光コア部３４となる近接場光コア層３５を形成する。本実施形態においては、Pt(白金）をターゲットとするスパッタリング法により、ウエハの表面の全面に近接場光コア層３５を形成した後、所定パターンにパターン形成して近接場光コア層３５を形成した。近接場光コア層３５をパターン形成するには、ウエハ表面に形成した近接場光コア層３５の表面にレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてイオンミリングを施して、近接場光コア層３５の不要部分を除去すればよい。
図４に、光導波路層３２ａの表面に近接場光コア層３５形成した状態を示す。近接場光コア層３５の厚さは、レーザ光の波長よりも十分に薄い厚さ（500nm以下）とする。
【００２６】
近接場光コア層３５は、最終的に磁気ヘッド（ヘッドスライダ）を形成した際に浮上面（ABS面）となる位置から、ハイト方向に延出する長さを想定してパターン形成する。近接場光コア層３５のハイト方向の長さは、近接場光コア部３４のハイト方向の長さに相当する。したがって、近接場光コア層３５のハイト方向の長さを調節することによって、近接場光コア部３４の長さを調節することができる。
近接場光コア層３５には、使用するレーザ光の波長との組み合わせにより近接場光の発生に最適な金属を選択する。近接場光コア層３５には、Pt、Au、Agなどからなる単一金属または合金を使用することができる。
【００２７】
次いで、近接場光コア層３５の上層に、上層の光導波路層３２ｂを形成する（図５）。下層の光導波路層３２ａに酸化チタンを使用しているから、上層の光導波路層３２ｂも下層の光導波路層３２ａと同一材料の酸化チタンによって形成する。光導波路層３２ｂは、ウエハの表面の全面に酸化チタンをスパッタリングして形成する。
近接場光コア層３５が形成された領域の外側域は、下層の光導波路層３２ａの表面が露出している。その上に光導波路層３２ｂを成膜することにより、近接場光コア層３５が形成された領域部分を除いて、光導波路層３２ａ、３２ｂが一体化され光導波路層３２ｃとなる。図５は、近接場光コア層３５を透視した状態で示す。
【００２８】
次に、光導波路層３２ｃをパターニングして、光導波路３２を形成する。
図６は、光導波路層３２ｃをパターニンして光導波路３２を形成した状態を示す。
光導波路３２をパターン形成するには、図５に示す状態において、ウエハの表面に光導波路３２として残す領域を被覆するようにレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして光導波路層３２ｃをイオンミリングすればよい。レジストパターンは、光導波路層３２ｃの表面をレジストにより被覆し、光導波路３２の平面形状に合わせたマスクを用いてレジストを露光及び現像して形成する。
【００２９】
レジストパターンをマスクとして光導波路層３２ｃをイオンミリングする際には、絶縁材２６の表面が露出する深さにまでイオンミリングする。これによって、光導波路３２として残す部位以外の光導波路層３２ｃについては、絶縁材２６上から完全に除去される。光導波路層３２ｃの内部に形成されている近接場光コア層３５の不要部分も、イオンミリングによって、光導波路層３２ｃの不要部分とともに除去される。光導波路３２の両側面に近接場光コア層３５の側面が露出する。
【００３０】
図６は、イオンミリングによって光導波路層３２ｃの不要部分を除去した後、レジストパターンを除去した状態を示す。
光導波路３２の平面形状は、レジストパターンの平面形状を設定することにより適宜形状とすることができる。図６に示す光導波路３２は、浮上面からハイト方向に一定幅に光導波路３２を形成した例である。光導波路層３２ｃはウエハ表面の全面に形成されているから、浮上面から磁気ヘッドの裏面側まで光導波路３２を伸ばすよう形状にすることも可能である。その際に、裏面側の光導波路３２については浮上面側よりも広幅に形成するといったデザインとすることもできる。
【００３１】
磁気ヘッドのリードヘッド１０、近接場光コア部３４、及びライトヘッド２０は、コア幅方向に対して同一位置となるように形成する。したがって、光導波路層３２ｃをパターン形成する際には、コア幅の中心位置に近接場光コア部３４が確保できるように、近接場光コア層３５の幅寸法及び配置位置を設定する。
【００３２】
次に、光導波路３２の上面及び側面を光導波路３２に用いる誘電材料よりも屈折率の小さな誘電材料（絶縁材）によって被覆する（図７）。光導波路３２の外面を光導波路３２よりも屈折率の小さな誘電材料によって包囲することにより、光導波路３２と誘電体層との界面における全反射により、レーザ光を効率的に光導波路３２の光出射面に導くことができる。
本実施形態においては、ウエハの全面に誘電材料である絶縁材３６としてアルミナをスパッタリングにより成膜した。絶縁材３６を成膜する際には、光導波路３２による段差を解消できる十分な厚さに形成する。
次いで、ウエハの表面を研磨加工し、絶縁材３６の表面を平坦化する（図８）。光導波路３２は、絶縁材３６の内層に配置されている。
【００３３】
次に、ライトヘッド２０の主磁極２１を形成する工程に進む。
図９は、主磁極２１となる主磁極層４０をパターン形成した状態を示す。主磁極２１には飽和磁束密度の大きな、たとえばFeCoといった軟磁性材料を使用する。主磁極層４０は、前工程において平坦化加工されたウエハ表面の全面に磁性材料をスパッタリングして形成する。
次いで、主磁極層４０の表面に主磁極２１となる平面形状に合わせてレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして主磁極層４０をイオンミリングして、所要の平面パターンに主磁極層４０を形成する。
【００３４】
次に、主磁極２１の先端に形成する磁極コア部と、近接場光コア部を形成するためのレジストマスクを形成する。
図１０は、ウエハの表面に、磁極コア部と近接場光コア部を成形するレジストマスク４２を形成した状態を示す。主磁極２１の磁極コア部は、主磁極２１の幅広部から細幅に絞られた形状に延出する。レジストマスク４２には、この主磁極２１の磁極コア部の平面形状に合わせた細幅部４２ａが形成される。
レジストマスク４２は、ウエハ表面を所定の厚さのレジストにより被覆し、主磁極２１の平面形状にしたがってレジストを露光及び現像して形成する。
【００３５】
図１１は、レジストマスク４２が形成されたウエハの表面を、主磁極層４０から下層の絶縁材２６が形成されている層に向けてイオンミリングした状態を示す。イオンミリングにより、レジストマスク４２から露出している部位のウエハの表面から下層に向けて徐々に各層が除去される。この工程においては、絶縁材２６の表面が露出する深さまでイオンミリングする。
【００３６】
主磁極２１の磁極コア部は、隣接トラックへの記録磁界の影響を抑えるために、端面形状を逆台形状に形成する。このため、イオンミリングの向きを、レジストマスク４２の面に垂直方向からわずかに傾斜させる向きとしてイオンミリングする。図１１において、レジストマスク４２の細幅部４２ａの下層に柱状に残っている部位の端面形状が逆台形状となっているのは、若干、斜め方向にイオンミリングしたことによる。
【００３７】
図１２に、イオンミリング工程後にレジストマスク４２を除去した状態を示す。
主磁極層４０の磁極コア部２１ａは、浮上面における端面形状が逆台形状に形成され、磁極コア部２１ａの基部位置からハイト方向に幅広部２１ｂが形成される。
一方、磁極コア部２１ａの下層には、誘電体である絶縁材３６を介して近接場光コア部３４ａが細幅に絞られた形状に成形される。近接場光コア部３４ａは、光導波路コア部３２ｄ、３２ｅとにより挟まれた配置となる。
【００３８】
近接場光コア部３４ａは、レジストマスク４２を用いるイオンミリング工程により、磁極コア部２１ａの外形位置に沿って、厚さ方向に近接場光コア層３５がエッチングされ、磁極コア部２１ａの外形線をリーディング側に延長した線（面）と外形線を一致させた形状に成形される。
こうして、近接場光コア部３４ａの浮上面における端面形状は逆台形状となる。近接場光コア部３４の端面形状は、近接場光コア層３５の厚さ、主磁極２１の磁極コア部２１ａの側面の設定角度によって異なる。近接場光コア層３５の厚さを比較的厚く形成した場合で、厚さに対して相対的に幅が狭い場合には、近接場光コア部３４ａの端面形状は逆三角形に近い形状となる。
【００３９】
近接場光コア部３４ａの端面形状は、とくに制限されるものではなく、逆台形状、逆三角形状であっても機能上は差し支えない。主磁極２１の磁極コア部２１ａは幅及び高さが１００nm以下であり、近接場光コア部３４ａは磁極コア部２１ａよりも幅狭となるから、近接場光コア部３４ａは使用するレーザ光の波長よりも十分に小さな寸法となる。
【００４０】
近接場光コア部３４ａは主磁極２１の磁極コア部２１ａの成形に使用するレジストマスク４２を用いて、磁極コア部２１ａの成形操作と同時に成形するから、磁極コア部２１ａと近接場光コア部３４ａとは正確に位置合わせして形成することができる。
レジストマスク４２を共通に使用し、主磁極２１の磁極コア部２１ａを成形する同一のイオンミリング工程によって近接場光コア部３４ａを形成する方法は、主磁極２１と近接場光コア部３４ａとを相互に位置合わせして形成する方法として有効である。
【００４１】
近接場光コア部３４ａは近接場光コア層３５のうちレジストマスク４２によって被覆されていない部位を削除して成形される。近接場光コア層３５のハイト方向の長さが磁極コア部２１ａの長さよりも短い場合には、近接場光コア部３４ａは磁極コア部２１ａの長さ内に留まる。図１２は、磁極コア部２１ａの領域内に近接場光コア部３４ａが留まる例である。
【００４２】
なお、本実施形態においては、レジストマスクを使用しイオンミリングによって、主磁極２１の磁極コア部２１ａと近接場光コア部３４ａとを同時成形した。イオンミリングとは別の方法として、FIB(Focused Ion Beam)法を利用することも可能である。FIB法による場合も、主磁極層４０から下層の絶縁材２６に向けてイオンビームを照射することによって、図１２に示すような形態に磁極コア部２１ａと近接場光コア部３４ａを成形することができる。
【００４３】
図１２において、近接場光コア部３４から後方には光導波路３２が配置されている。主磁極２１の幅広部２１ｂの端面の下方に光導波路３２の端面が露出している。
図１２に示す状態においては、近接場光コア部３４ａの側面が露出しているから、次に、近接場光コア部３４ａの側面を光導波路層によって被覆する工程に進む。
【００４４】
図１３は、近接場光コア部３４の側面を含むウエハ表面の全面に、スパッタリングにより、光導波路材としての酸化チタンを被着形成し、光導波路層３２ｆを形成した状態を示す。磁極コア部２１ａの下方に形成されている近接場光コア部３４、光導波路コア部３２ｄ、３２ｅの側面に光導波路層３２ｆが被着されることにより、近接場光コア部３４を包囲するように光導波路３２が形成される。光導波路層３２ｆは、近接場光コア部３４を包囲する光導波路３２として必要な厚さに形成する。
【００４５】
光導波路層３２ｆは、近接場光コア部３４の周囲を包囲するように設ければよいから、ウエハの表面の全面に光導波路層３２ｆを形成した後、近接場光コア部３４の側面部分のみを残すように、不要な光導波路層３２ｆを除去してもよい。
ただし、ウエハの表面の全面に光導波路層３２ｆを設けた状態のままとしても、機能上はなんら問題はない。また、光導波路層３２ｆの不要部分を除去せずに次工程に進める方が、製造工程上は容易である。
【００４６】
次に、ウエハの表面に形成されている凹部を埋めるようにウエハの表面の全面に誘電材料として絶縁材４４を被着させる（図１４）。ウエハの表面に被着形成する絶縁材４４は、近接場光コア部３４の周囲に形成された光導波路３２の外面を包囲するように設けるものである。絶縁材４４には光導波路３２に使用している誘電材料よりも屈折率の小さな材料を選択し、光導波路３２と絶縁材４４との界面でレーザ光が全反射するようにする。本実施形態においては、絶縁材４４にアルミナを使用した。
【００４７】
次いで、絶縁材４４の表面を研磨しウエハの表面を平坦化して、主磁極２１の磁極コア部２１ａの高さを所望の高さに調整する。
図１５に、ウエハの表面を平坦化加工した状態を示す。ウエハの表面に主磁極２１の上面が露出する。図１において、主磁極２１のハイト方向側に光導波路層３２ｆがある。この光導波路層３２ｆは、近接場光コア部３４を包囲する光導波路３２を形成する工程において設けた光導波路層３２ｆである。光導波路層３２ｆが、ウエハの表面を平坦化加工した後に残っている。
【００４８】
図１６に、主磁極２１と光導波路３２及び近接場光コア部３４を平面方向から見た状態を示す。
主磁極２１は浮上面側が細幅に絞られた磁極コア部２１ａとして形成され、磁極コア部２１ａからハイト方向へは幅広部２１ｂとなっている。
熱アシスト機構の近接場光コア部３４は、浮上面に端面を露出させ、磁極コア部２１ａの下層側に、磁極コア部２１ａよりもわずかに狭幅に形成されている。光導波路３２は、磁極コア部２１ａの幅よりも若干広幅に形成され、磁極コア部２１ａと主磁極２１の幅広部２１ｂとの境界位置からは、磁極コア部２１ａの幅に対して十分に広幅に形成されて磁気ヘッドの裏面側に延出する。
【００４９】
図１７は、主磁極２１に形成される磁極コア部２１ａと、近接場光コア部３４の平面形状の例を示す。主磁極２１の磁極コア部２１ａの平面形状は、レジストマスクのパターンを変えることによって任意の形状とすることができる。
図１７（ａ）は、主磁極２１の先端の磁極コア部２１ａの形状を、磁極コア部２１ａと主磁極２１の幅広部２１ｂとの連結部分にテーパ部を設けた形状とした例である。本発明の熱アシスト機構の製造方法においては、近接場光コア部３４の平面形状が磁極コア部２１ａの平面形状を反映する。したがって、近接場光コア部３４は、図の斜線部分のように、磁極コア部２１ａの平面形状にならった形状、すなわち磁極コア部２１ａの外形位置からわずかに内側に位置する形態となる。
【００５０】
図１７（ｂ）は、磁極コア部２１ａと主磁極２１の幅広部との連結部分を湾曲形状として、磁極コア部２１ａの先端よりも幅広に形成した例である。この場合も近接場光コア部３４は磁極コア部２１ａの外形にならって形成される。
図１７（ｃ）は、磁極コア部２１ａと主磁極２１の幅広部との連結部分をテーパ部とし、近接場光コア部３４のハイト方向の端縁位置を、磁極コア部２１ａと主磁極２１の幅広部２１ｂとの連結位置よりもハイト方向側に延出させた例である。
近接場光コア部３４は近接場光コア層３５を幅方向にパターン形成して形成するから、近接場光コア層３５のハイト方向の寸法によって、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように磁極コア部２１ａ内に近接場光コア部３４が留まるように形成することもできるし、図１７（ｃ）に示すように、磁極コア部２１ａから延出するように形成することもできる。
【００５１】
図１５に示すように、ウエハの表面を平坦化加工した後、トレーリングシールド２２を形成する工程、コイル２５を形成する工程、リターンヨーク２３を形成する工程を行って、ライトヘッド２０を形成する。ライトヘッド２０を形成した後、ウエハ表面を保護膜２７によって被覆し、図２に示す磁気ヘッドが完成する。
【００５２】
本発明に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、主磁極２１の磁極コア部２１ａを成形する同一工程において、熱アシスト機構の近接場光コア部３４を形成する。したがって、主磁極２１と近接場光発生部３０とを別工程によって形成する方法と比較して、はるかに高精度に磁気記録媒体上における近接場光の照射位置と主磁極２１による書き込み位置とを位置合わせすることができる。
近接場光発生部３０はライトヘッド２０に対してリーディング側にあるから、近接場光発生部３０から磁気記録媒体に近接場光を照射して局所的に加熱した状態で、主磁極２１による書き込み操作がなされる。
本方法によれば、磁気記録密度が増大し、ライトヘッドの磁極コア幅、近接場光コア幅、媒体のトラック幅が狭くなった場合でも、磁極コア部と近接場光コア部とが正確に位置合わせされることにより、磁気記録媒体に対する書き込み精度を向上させることができる。
【００５３】
（付記１）（ａ）  金属からなる近接場光コア層を厚さ方向に挟む配置に光導波路層を形成する工程と、（ｂ）  前記光導波路層よりも屈折率の小さい誘電体層を介して前記光導波路層上に主磁極層を形成する工程と、（ｃ）  前記主磁極層をエッチングし、浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を成形するとともに、該磁極コア部の外形に沿って厚さ方向に延長する向きに前記光導波路層とともに前記近接場光コア層をエッチングし、端面が浮上面に露出する近接場光コア部と光導波路コア部を成形する工程と、（ｄ）  前記近接場光コア部の側面を光導波路層により被覆し、前記近接場光コア部を包囲する光導波路を形成する工程と、（ｅ）  前記光導波路の外面を、該光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層により包囲する工程と、を備える、熱アシスト機構として近接場光発生部を備えた磁気ヘッドの製造方法。
（付記２）  前記（ａ）工程においては、下層の光導波路層を形成し、該下層の光導波路上に近接場光コア層を形成し、該近接場光コア層上に上層の光導波路層を形成することを特徴とする付記１記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記３）  前記（ｃ）工程においては、前記主磁極層上に、前記磁極コア部を含む主磁極の平面パターンに形成されたレジストマスクを形成し、該レジストマスクが被着された状態においてイオンミリングを施し、前記磁極コア部、前記近接場光コア部及び前記光導波路コア部を成形することを特徴とする付記１または２記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記４）  前記（ｃ）工程においては、FIB（Focused Ion Beam）法を利用して、前記磁極コア部、前記近接場光コア部及び前記光導波路コア部を成形することを特徴とする付記１または２記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記５）  前記（ｄ）工程においては、前記近接場光コア部を包囲する部位を除く光導波路層の部位を除去することを特徴とする付記１〜４のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。 
（付記６）  前記（ａ）工程に続いて、前記光導波路層を磁気ヘッドの裏面側にまで延出するパターンに形成する工程を備えることを特徴とする付記１〜５のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記７）  前記（ａ）工程の前工程として、ウエハ上にリードヘッドを形成する工程と、前記光導波路層の下層に、該光導波路層よりも屈折率の小さい誘電体層を形成する工程を備えることを特徴とする付記１〜６のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）  前記（ｅ）工程の後工程として、ライトヘッドのトレーリングシールド、コイル及びリターンヨークを形成する工程を備えることを特徴とする付記１〜７のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記９）  熱アシスト機構として近接場光発生部を備える磁気ヘッドであって、浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を備える主磁極と、前記磁極コア部の外形線をリーディング側に延長させた線と外形位置が一致し、一端が浮上面に露出して形成された近接場光コア部とを備え、該近接場光コア部を厚さ方向に挟む光導波路層と、近接場光コア部の側面を被覆する光導波路層とにより設けられた光導波路と、該光導波路の外面を被覆する、光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層とを備えることを特徴とする磁気ヘッド。
（付記１０）  前記光導波路は、一端が浮上面に露出し、他端が磁気ヘッドの裏面側に延出して設けられていることを特徴とする付記９記載の磁気ヘッド。
（付記１１）  前記近接場光コア部は、他端が、前記主磁極の幅広部から延出する前記磁極コア部内に配置されていることを特徴とする付記９または１０記載の磁気ヘッド。
（付記１２）  前記近接場光コア部は、他端が、前記主磁極の幅広部内に配置されていることを特徴とする付記９または１０記載の磁気ヘッド。
（付記１３）  前記磁極コア部は、前記主磁極の幅広部との連結部分がテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一項記載の磁気ヘッド。
（付記１４）  磁気記録媒体に情報を書き込むライトヘッドと、熱アシスト機構として近接場光発生部とを有する磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダと、前記ヘッドスライダを媒体上で支持するサスペンションと、前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、前記磁気ヘッドによる情報の書き込みと前記熱アシスト機構を制御する制御部とを備え、前記磁気ヘッドは、浮上面における端面形状が逆台形状となる磁極コア部を備える主磁極と、前記磁極コア部の外形線をリーディング側に延長させた線と外形位置が一致し、一端が浮上面に露出して形成された近接場光コア部と、該近接場光コア部を厚さ方向に挟む光導波路層と、近接場光コア部の側面を被覆する光導波路層とにより設けられた光導波路と、該光導波路の外面を被覆する、光導波路よりも屈折率の小さい誘電体層とを備えることを特徴とする磁気記録装置。
（付記１５）  前記光導波路は、一端が浮上面に露出し、他端が磁気ヘッドの裏面側に延出して設けられていることを特徴とする付記１４記載の磁気記録装置。
（付記１６）  前記近接場光コア部は、他端が、前記主磁極の幅広部から延出する前記磁極コア部内に配置されていることを特徴とする付記１４または１５記載の磁気記録装置。（付記１７）  前記近接場光コア部は、他端が、前記主磁極の幅広部内に配置されていることを特徴とする付記１４または１５記載の磁気記録装置。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】磁気記録装置の内部構成を示す平面図である。
【図２】磁気ヘッドの断面図である。
【図３】磁気ヘッドの製造工程において、リードヘッドを形成し、さらに誘電体層（絶縁材）を形成した状態を示す斜視図である。
【図４】近接場光コア層を形成した状態の斜視図である。
【図５】光導波路層を形成した状態の斜視図である。
【図６】光導波路をパターン形成した状態の斜視図である。
【図７】誘電体（絶縁材）により光導波路を被覆した状態を示す斜視図である。
【図８】絶縁材層の表面を平坦化した状態を示す斜視図である。
【図９】主磁極層を形成した状態を示す斜視図である。
【図１０】レジストマスクを形成した状態を示す斜視図である。
【図１１】磁極コア部と近接場光コア層をエッチングした状態を示す斜視図である。
【図１２】レジストマスクを除去した状態を示す斜視図である。
【図１３】光導波路コア部を光導波路層により被覆した状態を示す斜視図である。
【図１４】光導波路層を誘電体（絶縁材）により被覆した状態を示す斜視図である。
【図１５】ウエハ表面を平坦化した状態を示す斜視図である。
【図１６】近接場光コア部、磁極コア部、光導波路の平面図である。
【図１７】磁極コア部と近接場光コア部の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  リードヘッド
１３  リード素子
２０  ライトヘッド
２１  主磁極
２１ａ  磁極コア部
２１ｂ  幅広部
２２  トレーリングシールド
２３  リターンヨーク
２４  バックギャップ
２５  コイル
２６  絶縁材
２７  保護膜
３０  近接場光発生部
３２  光導波路
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｆ  光導波路層
３２ｄ、３２ｅ  光導波路コア部
３４、３４ａ  近接場光コア部
３５  近接場光コア層
３６  絶縁材
４０  主磁極層
４２  レジストマスク
４２ａ  細幅部
４４  絶縁材
５０  磁気記録装置
５２  磁気記録媒体
５３  アクチュエータアーム
５４  サスペンション
５５  ヘッドスライダ
【図１】
2010152942.tif 000003
【図２】
2010152942.tif 000004
【図３】
2010152942.tif 000005
【図４】
2010152942.tif 000006
【図５】
2010152942.tif 000007
【図６】
2010152942.tif 000008
【図７】
2010152942.tif 000009
【図８】
2010152942.tif 000010
【図９】
2010152942.tif 000011
【図１０】
2010152942.tif 000012
【図１１】
2010152942.tif 000013
【図１２】
2010152942.tif 000014
【図１３】
2010152942.tif 000015
【図１４】
2010152942.tif 000016
【図１５】
2010152942.tif 000017
【図１６】
2010152942.tif 000018
【図１７】
2010152942.tif 000019