(57)【要約】【課題】半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、ワイヤ流れにより隣接リード端子に接触することを、完全に防止することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子１を載置する載置片１０及び基端部１１ａ〜１５ａを備えたリード端子１１〜１５で構成されるリードフレーム９において、半導体素子１の接続端子とリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間にワイヤ２１〜２５が接続されると共に、封止樹脂によりモールドされて形成される半導体装置１ａを、封止樹脂によりモールドされる際に、注入された該封止樹脂の流動圧力により生じるワイヤ流れによりリード端子１２，１４と隣接する隣接リード端子１１，１５の基端部１１ａ，１５ａに接続されたワイヤ２１，２５が、リード端子１２，１４に接触することを防止するための接触防止手段３１ａ，３１ｂを、リード端子１２，１４の基端部１２ａ，１４ａに備えて構成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が載置された載置片、及び、該載置片の端縁と対面する基端部を備えた複数のリード端子で構成されるリードフレームにおいて、前記半導体素子の接続端子と、前記リード端子の前記基端部との間に、ワイヤが架橋されて接続されると共に、前記半導体素子、及び、前記ワイヤと、前記リードフレームの前記載置片、及び、前記リード端子の前記基端部とが、封止樹脂によりモールドされて覆われて形成される半導体装置であって、
前記封止樹脂によりモールドされる際に、注入された該封止樹脂の流動圧力により生じるワイヤ流れにより、前記リード端子と隣接する隣接リード端子の基端部に接続された前記ワイヤが、前記リード端子に接触すること、又は、前記リード端子の基端部に接続された前記ワイヤが、該リード端子と隣接する隣接リード端子に接触すること、のいずれか、或いは、双方を防止するための接触防止手段が、前記リード端子の前記基端部、又は、隣接する前記リード端子の前記基端部相互の間、若しくは、これらの双方に備えられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記接触防止手段は、前記載置片の端縁と対面する前記リード端子の前記基端部の端縁と、該リード端子の隣接リード端子と対面する該リード端子の該基端部の側端縁とで形成されるコーナに、前記ワイヤの架橋側と同一側に突出して形成された絶縁性の突起である半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記接触防止手段は、前記リード端子の前記基端部と、該リード端子の隣接リード端子の前記基端部との間に、前記ワイヤの架橋側と同一側に突出して形成された絶縁性の突起である半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３記載の半導体装置において、
前記半導体素子の接続端子と、前記リード端子の前記基端部との間のワイヤの架橋接続は、前記絶縁性の突起が形成された後になされている半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記接触防止手段は、前記ワイヤが架橋されて接続された前記リード端子の前記基端部の表面が、絶縁性の物質でポッティングされて覆われて形成されている覆物である半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記接触防止手段は、前記ワイヤが架橋されて接続された前記リード端子の前記基端部が、絶縁性の物質でモールドされて覆われて形成されている覆物である半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置を搭載した回路基板が備えられている電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤ流れにより生じる接触を防止する接触防止手段を備えた半導体装置、及び、該半導体装置を搭載した回路基板を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、従来から、一般に、半導体素子を載置する載置片と外部接続用の複数のリード端子とで構成されるリードフレームが用いられる。このリードフレームを用いた従来例の半導体装置は、例えば、次のようにして、形成される。
【０００３】
図２１〜図２４は、このリードフレーム９を用いた従来例の半導体装置１の形成過程を示した平面図である。このリードフレーム９は、上述したように、載置片１０と複数のリード端子１１〜１５とで構成される。これらの複数のリード端子１１〜１５は、それぞれ、載置片１０の端縁と対面する基端部１１ａ〜１５ａを備えている。又、これらの複数のリード端子１１〜１５は、横枠１６、及び、タイバー１７で相互に結合されている。又、載置片１０は、リード端子１３と結合されている。
【０００４】
まず、図２１に示すように、リードフレーム９の載置片１０に半導体素子２、半導体素子３を載置する。次に、図２２に示すように、半導体素子２と半導体素子３の接続端子間、及び、半導体素子２、半導体素子３の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間に、ワイヤ２０〜ワイヤ２６を架橋して接続する。
【０００５】
これらの接続は、ワイヤ２０〜ワイヤ２６をボンディングすることにより行われ、最初に、例えば、ワイヤ２１〜２６の一端を、各ワイヤ毎に、まず、半導体素子２の各接続端子にボンディングし（ファーストボンディング）、次に、ワイヤ２１〜２６の他端を、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａにボンディングする（セカンドボンディング）。
【０００６】
ワイヤ２０〜ワイヤ２６の接続が終了すると、図２３に示すように、矢印５の方向から封止樹脂を注入してモールドし、モールド体３０を形成する。このモールドには、図示されていない金型が使用される。この封止樹脂の注入の際には、注入される封止樹脂により、ゲート部３０ａが形成される。
【０００７】
このモールド体３０の形成が完了すると、図２４に示すように、ゲート部３０ａを削除する。そして、リードフレーム９に対して、複数のリード端子１１〜１５を結合している横枠１６、及び、タイバー１７を、その一部をカットすると共に、必要により、リード端子１１〜１５をリード端子フォーミングして、半導体装置１の形成を完了する。
【０００８】
ところで、上記のような半導体装置の分野においては、近年、半導体装置の実装の高密度化が進行しており、多数のリード端子が、非常に狭い間隔で設けられるようになっている。このため、半導体装置の製造過程において、封止樹脂によりモールドする際に、注入される封止樹脂の流動圧力により生じる所謂ワイヤ流れにより、半導体素子の接続端子と、リード端子の基端部との間に接続されたワイヤが、隣接するリード端子に接触して、リード端子間がショート状態となる不具合が、発生している。
【０００９】
即ち、例えば、上記の半導体装置１の例では、図２５に示すように、半導体素子２とリード端子１１の基端部１１ａとを架橋して接続しているワイヤ２１が、封止樹脂の流動圧力により、矢印５の方向に湾曲する。そのため、このワイヤ２１が、リード端子１１の隣接リード端子１２の基端部１２ａと接触する事態が、生じているのである。同様の現象が、半導体素子２とリード端子１５の基端部１５ａとを架橋して接続するワイヤ２５においても、生じているのである。
【００１０】
そこで、このような封止樹脂の流動圧力により生じる所謂ワイヤ流れの影響を防止するために、各種の対策が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の方法は、上述した半導体装置とは、多少異なる形状の半導体装置に対する対策であるが、この対策は、モールド時における注入された封止樹脂の流動圧力を減じるような突起部を、リードフレーム上に形成することにより、モールド時における注入された封止樹脂の流動圧力を減じることで、ワイヤ流れを抑制しようとするものである。
【特許文献１】特開昭６１−２９２９４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記の特許文献１に記載の方法では、リードフレーム上に突起部を形成することによって、この突起部にモールド時に注入された封止樹脂が衝突することで、封止樹脂の流動圧力を減じることにより、間接的に、ワイヤ流れを抑制しようとするものである。
【００１２】
従って、流動圧力を減じるような突起部をリードフレーム上に形成したからといって、必ずしも、ワイヤ流れの発生を防止できるものとはいえない。そのため、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、ワイヤ流れにより、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子にも接触する事態を完全に防ぐことは、必ずしも達成できるとは限らない。
【００１３】
そこで、この発明は、このような状況に対処するためになされたものであって、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、ワイヤ流れにより、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することが達成可能な半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の半導体装置は、半導体素子が載置された載置片、及び、該載置片の端縁と対面する基端部を備えた複数のリード端子で構成されるリードフレームを用いた半導体装置である。
【００１５】
上記の半導体装置は、上記のリードフレームにおいて、半導体素子の接続端子と、リード端子の基端部との間に、ワイヤが架橋されて接続されると共に、半導体素子、及び、ワイヤと、リードフレームの載置片、及び、リード端子の基端部とが、封止樹脂によりモールドされて覆われて形成される半導体装置である。
【００１６】
上記の半導体装置では、以下に述べるような接触防止手段が、リード端子の基端部、又は、隣接するリード端子の基端部相互の間、若しくは、これらの双方に備えられていることを特徴としている。
【００１７】
上記の接触防止手段とは、上記の半導体装置において、封止樹脂によりモールドされる際に、注入された該封止樹脂の流動圧力により生じるワイヤ流れにより、リード端子と隣接する隣接リード端子の基端部に接続されたワイヤが、上記のリード端子に接触すること、又は、リード端子の基端部に接続されたワイヤが、該リード端子と隣接する隣接リード端子に接触すること、のいずれか、或いは、双方を防止するための接触防止手段である。
【００１８】
上記の半導体装置によれば、リード端子の基端部、又は、隣接するリード端子の基端部相互の間、若しくは、これらの双方に、接触防止手段が備えられており、ワイヤ流れが生じても、上記の接触防止手段により、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することが達成できる。
【００１９】
上記の半導体装置において、上述した接触防止手段として、例えば、載置片の端縁と対面するリード端子の基端部の端縁と、該リード端子の隣接リード端子と対面する該リード端子の該基端部の側端縁とで形成されるコーナに、ワイヤの架橋側と同一側に突出した絶縁性の突起を形成するようにしてもよい。
【００２０】
或いは、上記の半導体装置において、上述した接触防止手段として、例えば、リード端子の基端部と、該リード端子の隣接リード端子の基端部との間に、ワイヤの架橋側と同一側に突出した絶縁性の突起を形成するようにしてもよい。
【００２１】
上記のリード端子の基端部に形成される絶縁性の突起、或いは、上記のリード端子の基端部相互の間に形成される絶縁性の突起を用いる上記の半導体装置において、半導体素子の接続端子と、リード端子の基端部との間のワイヤの架橋接続は、上記の絶縁性の突起が形成された後になされるのが好適である。
【００２２】
又、上記の半導体装置において、上述した接触防止手段として、例えば、ワイヤが架橋されて接続されたリード端子の基端部の表面が、絶縁性の物質でポッティングされて覆われる覆物を形成するようにしてもよい。
【００２３】
或いは、上記の半導体装置において、上述した接触防止手段として、例えば、ワイヤが架橋されて接続されたリード端子の基端部を、絶縁性の物質でモールドして覆う覆物を形成するようにしてもよい。
【００２４】
又、上記の半導体装置に関して、当該半導体装置を搭載した回路基板が備えられている電子機器を、構成することができる。この上記の半導体装置を搭載した回路基板が備えられている電子機器では、該電子機器が備える回路基板に搭載されている半導体装置は、リード端子の基端部、又は、隣接するリード端子の基端部相互の間、若しくは、これらの双方に、接触防止手段を備えている。
【００２５】
従って、この半導体装置において、ワイヤ流れが生じても、上記の接触防止手段により、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。そのため、このような半導体装置を搭載した回路基板が備えられている電子機器は、この電子機器の信頼性の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の半導体装置によれば、リード端子の基端部、又は、隣接するリード端子の基端部相互の間、若しくは、これらの双方に、接触防止手段が備えられており、ワイヤ流れが生じても、上記の接触防止手段により、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に、本発明の半導体装置に関して、第１実施形態における半導体装置〜第４実施形態における半導体装置について、図面に基づき、詳細に説明する。尚、以下の各説明で用いる半導体装置の構成の基本的な部分は、前述の図２１〜図２４を用いて説明した従来例の半導体装置と同じである。
【００２８】
即ち、以下の各説明で用いる半導体装置では、半導体素子を載置する載置片１０と外部接続用の複数のリード端子１１〜１５とで構成されるリードフレーム９が用いられる。これらの複数のリード端子１１〜１５は、それぞれ、載置片１０の端縁と対面する基端部１１ａ〜１５ａを備えている。又、これらの複数のリード端子１１〜１５は、横枠１６、及び、タイバー１７で相互に結合されている。又、載置片１０は、リード端子１３と結合されている。
【００２９】
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態における半導体装置について説明する。図１〜図３は、第１実施形態における半導体装置１ａの形成過程を示した平面図である。まず、載置片１０と５本のリード端子１１〜１５とで形成されたリードフレーム９の載置片１０に、半導体素子２、及び、半導体素子３を載置する。
【００３０】
そして、リードフレーム９のリード端子１２の基端部１２ａにおいて、前記載置片１０の端縁と対面する端縁と、このリード端子１２の隣接リード端子であるリード端子１１と対面する側端縁とで形成されるコーナに、絶縁性の突起３１ａを形成する（図１）。
【００３１】
この突起３１ａは、絶縁性の樹脂で形成する。この絶縁性の樹脂は、後述するモールド体３０の形成に用いられる樹脂と同じである。又、突起３１ａの突出方向は、半導体素子２の接続端子とリード端子１２の基端部１２ａとの間に架橋して接続される、後述するワイヤ２２の架橋される側と同じ側である。又、突起３１ａの突出高さは、上記のワイヤ２２の架橋高さよりも高く、且つ、後述するモールド体３０の高さよりも低くする。
【００３２】
又、上記の突起３１ａと同様にして、リードフレーム９のリード端子１４の基端部１４ａにおいて、載置片１０の端縁と対面する端縁と、このリード端子１２の隣接リード端子であるリード端子１５と対面する側端縁とで形成されるコーナに、絶縁性の突起３１ｂを形成する。上記の絶縁性の突起３１ａ、突起３１ｂが、前述の接触防止手段に相当する。又、上記の絶縁性の突起３１ａ、突起３１ｂの形成には、図示されていない金型が用いられる（図１）。
【００３３】
第１実施形態における半導体装置１ａにおいて、絶縁性の突起として、リードフレーム９のリード端子１２の基端部１２ａの突起３１ａ、及び、リードフレーム９のリード端子１４の基端部１４ａの突起３１ｂを設けているのは、第１実施形態における半導体装置１ａにおける、ワイヤ２１〜ワイヤ２５の架橋接続の経路において、特に、ワイヤ２１とワイヤ２５とが、本来接続されるリード端子１１、リード端子１５以外のリード端子である隣接リード端子と接触する可能性が高いことから、これらの接触を防ぐためである。
【００３４】
即ち、当該リード端子と隣接する隣接リード端子の基端部に接続されたワイヤが、当該リード端子に接触することを防止するためである。
【００３５】
上記の突起３１ａ、突起３１ｂの形成が終了すると、次に、半導体素子２と半導体素子３の接続端子間、及び、半導体素子２、半導体素子３の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間に、ワイヤ２０〜ワイヤ２６を架橋して接続する（図２）。
【００３６】
これらの接続は、ワイヤ２０〜ワイヤ２６をボンディングすることにより行われ、最初に、例えば、ワイヤ２１〜２６の一端を、各ワイヤ毎に、まず、半導体素子２の各接続端子にボンディングし（ファーストボンディング）、次に、ワイヤ２１〜２６の他端を、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａにボンディングする（セカンドボンディング）。
【００３７】
ワイヤ２０〜ワイヤ２６の接続が終了すると、次に、矢印５の方向から封止樹脂を注入してモールドし、モールド体３０を形成する。このモールドには、図示されていない金型が使用される。この封止樹脂の注入の際には、注入される封止樹脂により、ゲート部３０ａが形成される（図３）。
【００３８】
この封止樹脂の注入の際に、前述したように、注入される封止樹脂の流動圧力により所謂ワイヤ流れが生じる。しかし、第１実施形態における半導体装置では、図３に示すように、例えば、リードフレーム９のリード端子１２の基端部１２ａに、突起３１ａが形成されているので、半導体素子２の接続端子とリード端子１１の基端部１１ａとの間に架橋接続されるワイヤ２１は、突起３１ａにより、リード端子１２の基端部１２ａに接触するのを、防止することができる。
【００３９】
同様にして、リードフレーム９のリード端子１４の基端部１４ａに、突起３１ｂが形成されているので、半導体素子２の接続端子とリード端子１５の基端部１５ａとの間に架橋接続されるワイヤ２５は、突起３１ｂにより、リード端子１４の基端部１４ａに接触するのを、防止することができる。尚、図４は、図３における半導体素子２の接続端子とリード端子１５の基端部１５ａとの間に架橋接続されるワイヤ２５と、リード端子１４の基端部１４ａに形成される突起３１ｂとの関係を示した半導体装置１ａの部分断面図である。
【００４０】
上記のモールド体３０の形成が完了すると、ゲート部３０ａを削除する。そして、リードフレーム９に対して、複数のリード端子１１〜１５を結合している横枠１６、及び、タイバー１７を、その一部をカットすると共に、必要により、リード端子１１〜１５をリード端子フォーミングして、半導体装置１ａの形成を完了する。
【００４１】
上記の第１実施形態における半導体装置１ａにおいて、突起の突出高さを、上記のワイヤの架橋高さよりも高くするのは、半導体素子２の接続端子とリード端子の基端部との間に架橋接続されるワイヤが、本来接続されるリード端子以外のリード端子の基端部に接触することを防止する効果を、完全にするためである。又、突起の突出高さを、モールド体３０の高さよりも低くするのは、半導体装置１ａの形状に影響を及ぼさないようにするためである。
【００４２】
上記の第１実施形態では、上記の第１実施形態における半導体装置１ａのほか、さらに、この第１実施形態における半導体装置１ａにおける絶縁性の突起３１ａ、突起３１ｂに追加して、図５に示す半導体装置１ｂのように、リードフレーム９のリード端子１２の基端部１２ａにおいて、載置片１０の端縁と対面する端縁と、このリード端子１２の隣接リード端子であるリード端子１３と対面する側端縁とで形成されるコーナに、絶縁性の突起３１ｃを形成するようにしてもよい。
【００４３】
又、上記の絶縁性の突起３１ｃと同様にして、リードフレーム９のリード端子１４の基端部１４ａにおいて、載置片１０の端縁と対面する端縁と、このリード端子１４の隣接リード端子であるリード端子１３と対面する側端縁とで形成されるコーナに、絶縁性の突起３１ｄを形成するようにしてもよい。
【００４４】
上記のように、絶縁性の突起３１ａ〜絶縁性の突起３１ｄを形成した後、図６に示すように、半導体素子２と半導体素子３の接続端子間、及び、半導体素子２、半導体素子３の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間に、ワイヤ２０〜ワイヤ２６を架橋して接続する。
【００４５】
ワイヤ２０〜ワイヤ２６の接続が終了すると、次に、矢印５の方向から封止樹脂を注入してモールドし、モールド体３０を形成する。このモールドには、図示されていない金型が使用される。この封止樹脂の注入の際には、注入される封止樹脂により、ゲート部３０ａが形成される（図７）。
【００４６】
このモールド体３０の形成が完了すると、ゲート部３０ａを削除する。そして、リードフレーム９に対して、複数のリード端子１１〜１５を結合している横枠１６、及び、タイバー１７を、その一部をカットすると共に、必要により、リード端子１１〜１５をリード端子フォーミングして、半導体装置１ｂの形成を完了する。
【００４７】
上記の半導体装置１ｂにおいて、上記の絶縁性の突起突起３１ｃは、図７に示すように、半導体素子２の接続端子とリード端子１２の基端部１２ａとの間に架橋接続されるワイヤ２２が、リード端子１３の基端部１３ａに接触するのを、防止するためである。同様に、上記の突起３１ｄは、半導体素子２の接続端子とリード端子１４の基端部１４ａとの間に架橋接続されるワイヤ２４が、リード端子１３の基端部１３ａに接触するのを、防止するためである。
【００４８】
即ち、当該リード端子の基端部に接続されたワイヤが、当該リード端子と隣接する隣接リード端子に接触するのを、防止するためである。
【００４９】
上記の第１実施形態における半導体装置１ａ、或いは、半導体装置１ｂにおいて、絶縁性の突起３１ａ、及び、突起３１ｂ、或いは、絶縁性の突起３１ａ〜突起３１ｄの形成後に、半導体素子２の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間のワイヤ２１〜ワイヤ２５の架橋接続を行うのは、次の理由による。
【００５０】
即ち、リード端子の基端部における絶縁性の突起の形成には、金型が使用されるが、半導体素子２の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間のワイヤ２１〜ワイヤ２５の架橋接続を先に行った後、絶縁性の突起の形成を行うと、この突起の形成に使用される金型により、既にリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに接続されているワイヤ２１〜ワイヤ２５が、切断される恐れがあることから、これを防止するためである。
【００５１】
上記の第１実施形態における半導体装置１ａ、或いは、半導体装置１ｂによれば、リード端子の基端部に、絶縁性の突起が形成されており、ワイヤ流れが生じても、この絶縁性の突起により、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。
【００５２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態における半導体装置について説明する。図８、図１０、図１１は、第２実施形態における半導体装置１ｃの形成過程を示した平面図である。まず、第１実施形態における半導体装置と同様、載置片１０と５本のリード端子１１〜１５とで形成されたリードフレーム９の載置片１０に、半導体素子２、及び、半導体素子３を載置する。
【００５３】
そして、リードフレーム９のリード端子１１〜１５において、各リード端子の基端部と、このリード端子に隣接する隣接リード端子の基端部との間に、絶縁性の基端モールド３２を形成する。この絶縁性の基端モールド３２は、リード端子１１〜１５の裏面側にも形成する。
【００５４】
さらに、この絶縁性の基端モールド３２の上に、リード端子１１の基端部１１ａとリード端子１２の基端部１２ａとの相互間におけるリード端子１２側に、絶縁性の基端間突起３３ａを形成する。又、リード端子１４の基端部１４ａとリード端子１５の基端部１５ａとの相互間におけるリード端子１４側に、絶縁性の基端間突起３３ｂを形成する（図８）。上記の絶縁性の基端間突起３３ａ、及び、基端間突起３３ｂが、前述の接触防止手段に相当する。
【００５５】
図９は、これらの基端モールド３２、絶縁性の基端間突起３３ａ、及び、絶縁性の基端間突起３３ｂを示した部分断面図である。これらの基端モールド３２、基端間突起３３ｂ、及び、基端間突起３３ａは、絶縁性の樹脂で形成する。この絶縁性の樹脂は、モールド体３０の形成に用いられる樹脂と同じである。
【００５６】
又、上記の絶縁性の基端間突起３３ａ、及び、絶縁性の基端間突起３３ｂの突出方向は、上述した第１実施形態における半導体装置の突起３１ａ〜突起３１ｄと同じく、半導体素子２の接続端子とリード端子１１の基端部１１ａとの間に架橋して接続されるワイヤ２１、或いは、半導体素子２の接続端子とリード端子１５の基端部１５ａとの間に架橋して接続されるワイヤ２５が架橋される側と同じ側である。
【００５７】
又、上記の基端間突起３３ａ、及び、基端間突起３３ｂの突出高さは、上述した第１実施形態における半導体装置の突起３１ａ〜突起３１ｄと同様の理由で、ワイヤ２１、及び、ワイヤ２５の架橋高さよりも高く、且つ、モールド体３０の高さよりも低くする。上記の絶縁性の基端間突起３３ａ、及び、基端間突起３３ｂの形成には、図示されていない金型が用いられる。
【００５８】
第２実施形態における半導体装置１ｃにおいて、絶縁性の突起として、リード端子１１の基端部１１ａとリード端子１２の基端部１２ａとの相互間に形成される絶縁性の基端間突起３３ａ、及び、リード端子１４の基端部１４ａとリード端子１５の基端部１５ａとの相互間に形成される絶縁性の基端間突起３３ｂを設けているのは、次の理由による。
【００５９】
即ち、第１実施形態における半導体装置１ａと同様、第２実施形態における半導体装置１ｃにおける、ワイヤ２１〜ワイヤ２５の架橋接続の経路において、特に、ワイヤ２１とワイヤ２５とが、本来接続されるリード端子１１、及び、リード端子１５以外のリード端子である隣接リード端子と接触する可能性が高いことから、これらの接触を防ぐためである。
【００６０】
上記の基端間突起３３ａ、基端間突起３３ｂの形成が終了すると、次に、第１実施形態における半導体装置１ａと同様にして、半導体素子２と半導体素子３の接続端子間、及び、半導体素子２、半導体素子３の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間に、ワイヤ２０〜ワイヤ２６を架橋して接続する（図１０）。
【００６１】
ワイヤ２０〜ワイヤ２６の接続が終了すると、次に、矢印５の方向から封止樹脂を注入してモールドし、モールド体３０を形成する。このモールドには、図示されていない金型が使用される。この封止樹脂の注入の際には、注入される封止樹脂により、ゲート部３０ａが形成される（図１１）。
【００６２】
この封止樹脂の注入の際に、前述したように、注入される封止樹脂の流動圧力により所謂ワイヤ流れが生じる。しかし、第２実施形態における半導体装置１ｃでは、図１１に示すように、例えば、リード端子１１の基端部１１ａとリード端子１２の基端部１２ａとの相互間におけるリード端子１２側に、絶縁性の基端間突起３３ａが形成されているので、半導体素子２の接続端子とリード端子１１の基端部１１ａとの間に架橋接続されるワイヤ２１は、基端間突起３３ａにより、リード端子１２の基端部１２ａに接触するのを、防止することができる。
【００６３】
同様にして、リード端子１５の基端部１５ａとリード端子１４の基端部１４ａとの相互間におけるリード端子１４側に、絶縁性の基端間突起３３ｂが形成されているので、半導体素子２の接続端子とリード端子１５の基端部１５ａとの間に架橋接続されるワイヤ２５は、基端間突起３３ｂにより、リード端子１４の基端部１４ａに接触するのを、防止することができる。
【００６４】
上記のモールド体３０の形成が完了すると、ゲート部３０ａを削除する。そして、リードフレーム９に対して、複数のリード端子１１〜１５を結合している横枠１６、及び、タイバー１７を、その一部をカットすると共に、必要により、リード端子１１〜１５をリード端子フォーミングして、半導体装置１ｃの形成を完了する。
【００６５】
上記の第２実施形態における半導体装置１ｃにおいて、絶縁性の基端間突起３３ａ、及び、３３ｂの形成後に、半導体素子２の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間のワイヤ２１〜ワイヤ２５の架橋接続を行うのは、第１実施形態における半導体装置１ａ、及び、半導体装置１ｂにおけるのと同様の理由による。
【００６６】
上記の第２実施形態における半導体装置１ｃによれば、隣接するリード端子同士の基端部の相互間に、絶縁性の基端間突起が形成されており、ワイヤ流れが生じても、この絶縁性の基端間突起により、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。
【００６７】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態における半導体装置について説明する。図１２、図１３、図１５は、第３実施形態における半導体装置１ｄの形成過程を示した平面図である。まず、第１実施形態における半導体装置１ａと同様、載置片１０と５本のリード端子１１〜１５とで形成されたリードフレーム９の載置片１０に、半導体素子２、及び、半導体素子３を載置する。
【００６８】
そして、次に、第１実施形態における半導体装置１ａとは異なり、半導体素子２と半導体素子３の接続端子間、及び、半導体素子２、半導体素子３の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間に、ワイヤ２０〜ワイヤ２６を架橋して接続する（図１２）。
【００６９】
ワイヤ２０〜ワイヤ２６の接続が終了すると、次に、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに対して、絶縁性の樹脂を用いた絶縁ペーストをポッティングして、ポッティング３４を形成する（図１３）。このポッティング３４が、前述の覆物に相当すると共に、前述の接触防止手段に相当する。
【００７０】
このポッティングは、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに接続されたワイヤ２１〜ワイヤ２５が、動かないように、基端部１１ａ〜１５ａに固定する機能を備えている。図１４は、半導体装置１ｄのリード端子１４の基端部１４ａにおけるポッティング３４の状態を示した部分断面図である。
【００７１】
リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに対するポッティングが終了すると、矢印５の方向から封止樹脂を注入してモールドし、モールド体３０を形成する。このモールドには、図示されていない金型が使用される。この封止樹脂の注入の際には、注入される封止樹脂により、ゲート部３０ａが形成される（図１５）。
【００７２】
この封止樹脂の注入の際に、前述したように、注入される封止樹脂の流動圧力により所謂ワイヤ流れが生じる。しかし、第３実施形態における半導体装置１ｄでは、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに、ポッティング３４が形成されている。
【００７３】
そのため、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに接続されたワイヤ２１〜ワイヤ２５は、動かないように、基端部１１ａ〜１５ａに固定されているので、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。
【００７４】
上記のモールド体３０の形成が完了すると、ゲート部３０ａを削除する。そして、リードフレーム９に対して、複数のリード端子１１〜１５を結合している横枠１６、及び、タイバー１７を、その一部をカットすると共に、必要により、リード端子１１〜１５をリード端子フォーミングして、半導体装置１ｄの形成を完了する。
【００７５】
上記の第３実施形態における半導体装置１ｄによれば、ワイヤ２１〜ワイヤ２５が接続されたリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに、ポッティング３４が形成される。そのため、ワイヤ流れが生じても、このポッティング３４により、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに接続されたワイヤ２１〜ワイヤ２５が、動かないように、基端部１１ａ〜１５ａに固定されるので、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。
【００７６】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態における半導体装置について説明する。図１６、図１７、図２０は、第４実施形態における半導体装置１ｅの形成過程を示した平面図である。まず、第３実施形態における半導体装置１ｄと同様、載置片１０と５本のリード端子１１〜１５とで形成されたリードフレーム９の載置片１０に、半導体素子２、及び、半導体素子３を載置する。
【００７７】
そして、次に、第３実施形態における半導体装置１ｄと同様、半導体素子２と半導体素子３の接続端子間、及び、半導体素子２、半導体素子３の接続端子と、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間に、ワイヤ２０〜ワイヤ２６を架橋して接続する（図１６）。
【００７８】
ワイヤ２０〜ワイヤ２６の接続が終了すると、次に、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに対して、絶縁性の樹脂を用いて、基端包括モールド３５を形成する（図１７）。この基端包括モールド３５が、前述の覆物に相当すると共に、前述の接触防止手段に相当する。
【００７９】
この基端包括モールド３５は、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに接続されたワイヤ２１〜ワイヤ２５が、動かないように、基端部１１ａ〜１５ａに固定する機能を備えている。
【００８０】
図１８は、金型３６を用いて、基端包括モールド３５の形成時における半導体装置１ｅのリード端子１４の基端部１４ａにおける状態を示した部分断面図、図１９は、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａにおける基端包括モールド３５全体の状態を示した部分断面図である。上記の基端包括モールド３５の形成に用いられる樹脂は、モールド体３０の形成に用いられる樹脂と同じである。
【００８１】
基端包括モールド３５の形成が終了すると、矢印５の方向から封止樹脂を注入してモールドし、モールド体３０を形成する。このモールドには、図示されていない金型が使用される。この封止樹脂の注入の際には、注入される封止樹脂により、ゲート部３０ａが形成される（図２０）。
【００８２】
この封止樹脂の注入の際に、前述したように、注入される封止樹脂の流動圧力により所謂ワイヤ流れが生じる。しかし、第４実施形態における半導体装置１ｅでは、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに、基端包括モールド３５が形成されている。
【００８３】
そのため、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに接続されたワイヤ２１〜ワイヤ２５は、動かないように、基端部１１ａ〜１５ａに固定されているので、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。
【００８４】
上記のモールド体３０の形成が完了すると、ゲート部３０ａを削除する。そして、リードフレーム９に対して、複数のリード端子１１〜１５を結合している横枠１６、及び、タイバー１７を、その一部をカットすると共に、必要により、リード端子１１〜１５をリード端子フォーミングして、半導体装置１ｅの形成を完了する。
【００８５】
上記の第４実施形態における半導体装置１ｄによれば、ワイヤ２１〜ワイヤ２５が接続されたリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに、基端包括モールド３５が形成される。そのため、ワイヤ流れが生じても、この基端包括モールド３５により、リード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａに接続されたワイヤ２１〜ワイヤ２５が、動かないように、基端部１１ａ〜１５ａに固定されるので、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。
【００８６】
上述した各実施形態における半導体装置に関して、これらのいずれかの半導体装置を搭載した回路基板が備えられている電子機器を、構成することができる。これらの半導体装置を搭載した回路基板が備えられている電子機器では、該電子機器が備える回路基板に搭載されている半導体装置は、リード端子の基端部、又は、隣接するリード端子の基端部相互の間、若しくは、これらの双方に、上述したように、前述の接触防止手段に相当するものを備えている。
【００８７】
従って、この半導体装置において、ワイヤ流れが生じても、上記の接触防止手段に相当するものにより、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、本来のリード端子とは異なる隣接リード端子に接触することを、完全に防止することができる。そのため、このような半導体装置を搭載した回路基板が備えられている電子機器は、この電子機器の信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その１）である。
【図２】第１実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その２）である。
【図３】第１実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その３）である。
【図４】第１実施形態における半導体装置のリード端子の基端部に接続されるワイヤと該リード端子の基端部に形成される突起との関係を示した部分断面図である。
【図５】第１実施形態における他の例の半導体装置の形成過程を示した平面図（その１）である。
【図６】第１実施形態における他の例の半導体装置の形成過程を示した平面図（その２）である。
【図７】第１実施形態における他の例の半導体装置の形成過程を示した平面図（その３）である。
【図８】第２実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その１）である。
【図９】第２実施形態における半導体装置の基端モールド及び基端間突起を示した部分断面図である。
【図１０】第２実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その２）である。
【図１１】第２実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その３）である。
【図１２】第３実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その１）である。
【図１３】第３実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その２）である。
【図１４】第３実施形態における半導体装置のリード端子の基端部におけるポッティングの状態を示した部分断面図である。
【図１５】第３実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その３）である。
【図１６】第４実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その１）である。
【図１７】第４実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その２）である。
【図１８】第４実施形態における半導体装置の金型を用いた基端包括モールドの形成時におけるリード端子の基端部における状態を示した部分断面図である。
【図１９】第４実施形態における半導体装置のリード端子の基端部における基端包括モールド全体の状態を示した部分断面図である。
【図２０】第４実施形態における半導体装置の形成過程を示した平面図（その３）である。
【図２１】従来例における半導体装置の形成過程を示した平面図（その１）である。
【図２２】従来例における半導体装置の形成過程を示した平面図（その２）である。
【図２３】従来例における半導体装置の形成過程を示した平面図（その３）である。
【図２４】従来例における半導体装置の形成過程を示した平面図（その４）である。
【図２５】従来例における半導体装置の形成過程を示した平面図（その５）である。
【符号の説明】
【００８９】
１  半導体装置
１ａ  半導体装置
１ｂ  半導体装置
１ｃ  半導体装置
１ｄ  半導体装置
１ｅ  半導体装置
２  半導体素子
３  半導体素子
９  リードフレーム
１０  載置片
１１  リード端子
１１ａ  基端部
１２  リード端子
１２ａ  基端部
１３  リード端子
１３ａ  基端部
１４  リード端子
１４ａ  基端部
１５  リード端子
１５ａ  基端部
１６  横枠
１７  タイバー
２０  ワイヤ
２１  ワイヤ
２２  ワイヤ
２３  ワイヤ
２４  ワイヤ
２５  ワイヤ
２６  ワイヤ
２７  ワイヤ
３０  モールド体
３０ａ  ゲート部
３１ａ  突起
３１ｂ  突起
３１ｃ  突起
３１ｄ  突起
３２  基端モールド
３３ａ  基端間突起
３３ｂ  基端間突起
３４  ポッティング
３５  基端包括モールド
３６  金型
【図１】
2010016185.tif 000003
【図２】
2010016185.tif 000004
【図３】
2010016185.tif 000005
【図４】
2010016185.tif 000006
【図５】
2010016185.tif 000007
【図６】
2010016185.tif 000008
【図７】
2010016185.tif 000009
【図８】
2010016185.tif 000010
【図９】
2010016185.tif 000011
【図１０】
2010016185.tif 000012
【図１１】
2010016185.tif 000013
【図１２】
2010016185.tif 000014
【図１３】
2010016185.tif 000015
【図１４】
2010016185.tif 000016
【図１５】
2010016185.tif 000017
【図１６】
2010016185.tif 000018
【図１７】
2010016185.tif 000019
【図１８】
2010016185.tif 000020
【図１９】
2010016185.tif 000021
【図２０】
2010016185.tif 000022
【図２１】
2010016185.tif 000023
【図２２】
2010016185.tif 000024
【図２３】
2010016185.tif 000025
【図２４】
2010016185.tif 000026
【図２５】
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