(57)【要約】【課題】極めて小型で、低周波数の外部振動からも効率よく電気を発生させる圧電型発電機およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板２、基板２の上方に形成された絶縁層３、および該絶縁層３の上方に形成された半導体層４を有する基体１と、半導体層４の一部からなる支持部４０と、半導体層４の一部からなり、一端を支持部４０に固定し他端を自由端１０ａとし、外部より加わる機械的振動により振動する振動部１０と、該振動部１０の上方に形成され、振動部１０の屈曲振動により歪みが生じ、機械振動エネルギから電気エネルギを発生させる圧電変換部２０と、振動部１０の自由端１０ａ近傍に設けられた振動部１０の振動を促すドット状に形成された錘５０とを有する圧電型発電機１００。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板の上方に形成された絶縁層、および前記絶縁層の上方に形成された半導体層を有する基体と、
前記半導体層の一部からなる支持部と、
前記半導体層の一部からなり、一端を前記支持部に固定し他端を自由端とし、外部より加わる機械振動により振動する振動部と、
前記振動部の上方に形成され、前記振動部の屈曲振動により歪みが生じ、機械振動エネルギから電気エネルギを発生させる圧電変換部と、
前記振動部の前記自由端近傍に設けられた前記振動部の振動を促すドット状に形成された錘と、を有することを特徴とする圧電型発電機。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電型発電機において、
前記圧電変換部は、第１電極と、前記第１電極の上方に形成された圧電体層と、前記圧電体層の上方に形成された第２電極と、を有することを特徴とする圧電型発電機。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の圧電型発電機において、
前記基体は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板であることを特徴とする圧電型発電機。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の圧電型発電機において、
前記圧電体層の一端は、平面視において、前記振動部の固定端に揃っており、前記圧電体層の前記振動部に対する長さ比は、０．３以上０．７以下であることを特徴とする圧電型発電機。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の圧電型発電機において、
前記振動部の厚さは、２０μｍ以下であることを特徴とする圧電型発電機。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の圧電型発電機において、
前記振動部の長さは、１０ｍｍ以下であることを特徴とする圧電型発電機。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の圧電型発電機において、
固有周波数は、２００Ｈｚ以下であることを特徴とする圧電型発電機。
【請求項８】
基板、前記基板の上方に形成された絶縁層、および前記絶縁層の上方に形成された半導体層を有する基体を用意する工程と、
前記基体の上方に圧電変換部を形成する工程と、
前記半導体層をパターニングして、支持部、前記支持部を基端とし、他端を自由とした自由端、前記自由端を前記支持部に接しないように設けられた振動部、および前記絶縁層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した部分から前記絶縁層の一部を除去して、少なくとも前記振動部の下方に空隙部を形成する工程と、前記振動部の前記自由端近傍に前記振動部の振動を促すドット状の錘を形成する工程と、を有することを特徴とする圧電型発電機の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の圧電型発電機の製造方法において、
前記圧電変換部を形成する工程は、第１電極を形成する工程と、前記第１電極の上方に圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層の上方に第２電極を形成する工程と、を有することを特徴とする圧電型発電機の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
圧電型発電機に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の圧電型発電機としては、例えば、特許文献１に示すような圧電発電装置がある。この圧電発電装置においては、図１に示すごとく、圧電セラミック板７１を燐青銅板７２の両面に張り付けた圧電変換振動子７３が採用されている。この圧電変換振動子７３は、その固定端部７４にて基板（図示せず）に固定されて当該基板から片持ち梁状に延出している。そして、固定端部７４を基準に圧電変換振動子７３を振動させることで、両圧電セラミック板７１に歪みを生じさせてこれら圧電セラミック板７１から圧電変換作用に応じて交流電圧を発生させる。なお、圧電変換振動子７３の先端部には、立方体形状の錘７５が設けられており、この錘７５に力Ｆを断続的に加えることで、圧電変換振動子７３を円滑に振動させる。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１０７７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような圧電変換振動子７３においては、燐青銅板７２の厚さを最小でも１００μｍ程度にしかできないため、２００Ｈｚ以下の固有周波数を得る場合、長さが２０ｍｍ以上になり、小型化が困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するように、以下の形態または適用例として実現される。
【０００６】
〔適用例１〕本適用例の圧電型発電機は、基板、前記基板の上方に形成された絶縁層、および前記絶縁層の上方に形成された半導体層を有する基体と、前記半導体層の一部からなる支持部と、前記半導体層の一部からなり、一端を前記支持部に固定し他端を自由端とし、外部より加わる機械振動により振動する振動部と、前記振動部の上方に形成され、前記振動部の屈曲振動により歪みが生じ、機械振動エネルギから電気エネルギを発生させる圧電変換部と、前記振動部の前記自由端近傍に設けられた前記振動部の振動を促すドット状に形成された錘と、を有することを特徴とする。
【０００７】
〔適用例２〕上記適用例に記載の圧電型発電機において、前記圧電変換部は、第１電極と、前記第１電極の上方に形成された圧電体層と、前記圧電体層の上方に形成された第２電極と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例に係る圧電型発電機では、振動部は、基体の半導体層によって構成されるため、振動部の厚さを非常に薄くすることができる。これにより、本適用例に係る圧電型発電機の固有周波数を高くすることなく、振動部の長さを短くすることができる。即ち、従来の燐青銅に圧電素子を張り合わせた圧電型発電機に比べて、小型化することができる。
なお、本適用例に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上方」に形成された他の特定のもの（以下「Ｂ」という）」などと用いている。本適用例に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂが形成されているような場合と、Ａ上に他のものを介してＢが形成されているような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【０００９】
〔適用例３〕上記適用例に記載の圧電型発電機において、前記基体は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板であることを特徴とする。
【００１０】
〔適用例４〕上記適用例に記載の圧電型発電機において、前記圧電体層の一端は、平面視において、前記振動部の固定端に揃っており、前記圧電体層の前記振動部に対する長さ比は、０．３以上０．７以下であることができる。
なお、本適用例において、前記振動部の長さとは、平面視における前記振動部の固定端から自由端までの距離をいう。また、前記振動部の長さ方向に直交する方向の前記振動部の両端の距離を、前記振動部の幅という。また、例えば、前記圧電体層の長さとは、前記振動部の長さ方向の前記圧電体層の長さをいい、前記圧電体層の幅とは、前記振動部の幅方向の前記圧電体層の長さをいう。
【００１１】
〔適用例５〕上記適用例に記載の圧電型発電機において、前記振動部の厚さは、２０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
〔適用例６〕上記適用例に記載の圧電型発電機において、前記振動部の長さは、１０ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
〔適用例７〕上記適用例に記載の圧電型発電機において、固有周波数は、２００Ｈｚ以下であることを特徴とする。
【００１４】
〔適用例８〕本適用例に係る圧電型発電機の製造方法は、基板、前記基板の上方に形成された絶縁層、および前記絶縁層の上方に形成された半導体層を有する基体を用意する工程と、前記基体の上方に圧電変換部を形成する工程と、前記半導体層をパターニングして、支持部、前記支持部を基端とし、他端を自由とした自由端、前記自由端を前記支持部に接しないように設けられた振動部、および前記絶縁層を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部により露出した部分から前記絶縁層の一部を除去して、少なくとも前記振動部の下方に空隙部を形成する工程と、前記振動部の前記自由端近傍に前記振動部の振動を促すドット状の錘を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
〔適用例９〕上記適用例に記載の圧電型発電機の製造方法において、前記圧電変換部を形成する工程は、第１電極を形成する工程と、前記第１電極の上方に圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層の上方に第２電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
本適用例に係る圧電型発電機の製造方法では、前記振動部の下方に前記空隙部を形成した後に、前記ドット状の錘を形成するため、錘量を調整することで、容易に前記圧電型発電機の固有周波数を調整することができる。このような発電機の出力は、外部振動の周波数が固有周波数に等しいときに最大になる。外部振動の周波数成分が予め判っているときには、錘量を調整して固有周波数を適切な領域に設定することで出力を最大にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
１．まず、本実施形態に係る圧電型発電機１００について説明する。図２は、本実施形態に係る圧電型発電機１００を概略的に示す平面図であり、図３は、圧電型発電機１００を概略的に示す図２のII−II線断面図である。
圧電型発電機１００は、図２および図３に示すように、基体１と、支持部４０と、振動部１０と、圧電変換部２０とを含む。
【００１８】
基体１は、例えば図３に示すように、基板２と、基板２上に形成された絶縁層３と、絶縁層３上に形成された半導体層４とを有する。基体１としては、例えばＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板などを用いることができる。ＳＯＩ基板としては、例えばＳＩＭＯＸ（silicon implanted oxide）基板や貼り合わせＳＯＩ基板などが挙げられる。例えば、基板２としてシリコン基板、絶縁層３として酸化シリコン層、半導体層４としてシリコン層を用いることができる。半導体層４内には各種の半導体回路を作り込むことができる。半導体層４としてシリコン層を用いることが、一般的な半導体製造技術を利用できる点で有利である。絶縁層３の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍであり、半導体層４の厚さは、例えば１μｍ〜２０μｍである。半導体層４の厚さは、圧電型発電機１００の小型化のためには、２０μｍ以下であることが望ましい。なお、基板２の下には、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）などからなる酸化物層７が形成されていても良い。酸化物層７の厚さは、例えば１μｍである。支持部４０は、半導体層４の一部からなり、振動部１０を支持し、例えば図示のような矩形の枠状に形成される。
【００１９】
振動部１０は、半導体層４の一部からなり、その一端は、支持部４０の内側に固定されており、他端は自由端である。振動部１０は、１本のビームから構成されており、圧電型発電機１００は、ユニモルフ型である。振動部１０の平面形状は、例えば矩形であり、図示の例では長方形である。振動部１０は、図３に示すように、絶縁層３の一部を除去して形成された空隙部８０上に形成されている。空隙部８０は、基板２の一部および酸化物層７の一部を除去して形成された基板２および酸化物層７の第２開口部８２上に形成されている。空隙部８０および第２開口部８２の平面形状は、例えば矩形であり、本例では長方形であり、その長手方向は、振動部１０の長さ方向と同じ方向（Ｘ方向）である。
振動部１０の周りには、振動部１０の振動を許容する半導体層４の第１開口部４２が形成されている。第１開口部４２および振動部１０は、平面視（図２）において一体的に見ると、例えば、空隙部８０や第２開口部８２に一致している。
【００２０】
圧電変換部２０は、振動部１０上に形成されている。圧電変換部２０は、振動部１０の屈曲振動により歪みが生じ、圧電効果により電気エネルギを発生する。圧電変換部２０は、図２に示すように、１本のビームに対して１つ設けられている。圧電変換部２０の平面形状は、例えば矩形であり、図示の例では長方形であり、その長手方向は、振動部１０の長さ方向と同じ方向（Ｘ方向）である。圧電変換部２０は、図３に示すように、基体１（より具体的には半導体層４）の上方に形成された第１電極２２と、第１電極２２上に形成された圧電体層２４と、圧電体層２４上に形成された第２電極２６とを有する。圧電変換部２０は、さらに、半導体層４と第１電極２２との間に形成された下地層５を有することができる。圧電変換部２０の主要部は、例えば図２および図３に示すように、振動部１０の固定端側の上に形成されており、圧電変換部２０の一部（より具体的には下地層５および第１電極２２）は、例えば支持部４０の上にも形成されている。
【００２１】
圧電体層２４は、振動部１０の一部の垂直上方に形成されていることができる。圧電体層２４の長さ方向（Ｘ方向）の一端は、平面視において、例えば振動部１０の固定端１０ｂに重なっていることができる。圧電体層２４は、平面視において、圧電体層２４の長さ方向の一端が振動部１０の固定端１０ｂの位置に揃うように設けられている。この場合において、圧電体層２４の振動部１０に対する長さ比（圧電体層２４の長さ／振動部１０の長さ）は、０．３以上０．７以下であることが好ましい。この長さ比をこの範囲で設定することにより、図４に示すように、圧電型発電機１００の電気機械結合係数を大きくすることができる。その結果、圧電型発電機１００の小型化や高効率化などを図ることができる。なお、図４は、この長さ比を変化させて、圧電型発電機１００の電気機械結合係数をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。
【００２２】
下地層５は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）層、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）層等の絶縁層である。下地層５は、例えば２層以上の複合層で構成されていても良い。下地層５の厚さは、例えば１μｍである。
【００２３】
第１電極２２としては、例えばチタン（Ｔｉ）層の上に白金（Ｐｔ）層を積層したものなどを用いることができる。第１電極２２の厚さは、十分に低い電気抵抗値が得られる厚さであれば良く、例えば１０ｎｍ以上１μｍ以下とすることができる。
【００２４】
圧電体層２４は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ3：ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛固溶体などの圧電材料からなることができる。チタン酸ジルコン酸鉛固溶体としては、例えばニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ3：ＰＺＴＮ）などが挙げられる。圧電体層２４の厚さは、半導体層４の厚さの１／１０倍以上、等倍以下程度であることが望ましい。この範囲の厚さであることにより、振動部１０の振動により、誘起される圧電体層２４の歪みは十分なものとなる。例えば、半導体層４の厚さを１μｍ〜２０μｍとした場合、圧電体層２４の厚さは０．１μｍ〜２０μｍとすることができる。
【００２５】
第２電極２６は、例えばチタン（Ｔｉ）層の上に白金（Ｐｔ）層を積層したものなどを用いることができる。第２電極２６の厚さは、十分に低い電気抵抗値が得られる厚さであれば良く、例えば１０ｎｍ以上１μｍ以下とすることができる。なお、図示の例では、圧電変換部２０において、第１電極２２と第２電極２６の間には圧電体層２４のみが存在するが、第１電極２２と第２電極２６との間に圧電体層２４以外の層を有していても良い。例えば、中間電極層を設けて、圧電体層２４を多層としても良い。
【００２６】
振動部１０の自由端１０ａ近傍にはドット状の錘５０が形成されている。この錘５０を設けたのは、外部振動により誘起される振動部１０の振幅を大きくさせ、圧電変換部２０に生じる歪量を大きくさせるためである。その結果、発生する電気エネルギが大きくなる。また、圧電型発電機１００の固有周波数を低くするためである。ドット状の錘５０は、例えばＳｉ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2などの無機物、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属、レジスト、紫外線硬化樹脂などの有機物のうち少なくとも一つからなる。ドット状の錘５０の重さは、０．１μｇ〜１０μｇとすることができる。この範囲の重さであれば、振動部１０を破損する恐れがなく、振動部１０の振幅を大きくし、圧電型発電機１００の固有周波数を低くできる。
【００２７】
２．次に、本実施形態に係る圧電型発電機１００の製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。図５〜図９は、本実施形態の圧電型発電機１００の一製造工程を概略的に示す断面図であり、それぞれ図３に示す断面図に対応している。
【００２８】
（１）まず、図５に示すように、基板２上に絶縁層３および半導体層４がこの順に配置された基体１を用意する。
【００２９】
（２）次に、図５に示すように、基体１上に圧電変換部２０を形成する。具体的には、例えば、基体１上に圧電変換部２０を構成する下地層５、第１電極２２、圧電体層２４、および第２電極２６を形成する。
まず、基体１上の全面に、下地層５、第１電極２２、圧電体層２４、および第２電極２６をこの順に成膜する。なお、下地層５を成膜する際に、同時に基板２の裏面側に酸化物層７を形成することもできる。下地層５および酸化物層７は、熱酸化法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法などにより成膜される。第１電極２２は、蒸着法、スパッタ法などにより成膜される。圧電体層２４は、溶液法（ゾルゲル法）、レーザーアブレーション法、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより成膜される。第２電極２６は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより成膜される。
次に、例えば第２電極２６および圧電体層２４をパターニングして、所望の形状にすることができる。パターニングには、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いることができる。
次に、例えば第１電極２２および下地層５をパターニングして、所望の形状にすることができる。パターニングには、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いることができる。
【００３０】
（３）次に、基体１の半導体層４を所望の形状にパターニングして、支持部４０、１本の振動部１０、および第１開口部４２を形成する。支持部４０および振動部１０は、半導体層４を刳り貫いて絶縁層３を露出させる第１開口部４２を形成することにより得られる。振動部１０は、支持部４０の内側を基端として、振動部１０のその他の端が支持部４０に接しないように設けられる。
図６に示すように、基体１上の全面にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、後に第１開口部４２となる領域以外の領域を覆う第１レジスト層９０を形成する。すなわち、後に第１開口部４２となる領域の第１レジスト層９０には、レジスト開口部９２が形成されている。次に、第１レジスト層９０をマスクとして、ドライエッチング法やウェットエッチング法などにより半導体層４の一部を除去する。これにより、レジスト開口部９２の領域の半導体層４が除去されて第１開口部４２が形成される。このエッチング工程においては、絶縁層３をエッチングストッパ層として用いることができる。即ち、半導体層４をエッチングする際には、絶縁層３のエッチング速度は、半導体層４のエッチング速度よりも遅い。
【００３１】
（４）次に、基体１の基板２および酸化物層７を所望の形状にパターニングして、第２開口部８２を形成する。第２開口部８２は、絶縁層３を露出させるように基板２および酸化物層７を刳り貫いて形成される。
図７に示すように、基体１の上および酸化物層７の下の全面にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法により酸化物層７の下に塗布されたレジストをパターニングすることにより、後に第２開口部８２となる領域以外の領域を覆う第２レジスト層９４を形成する。すなわち、後に第２開口部８２となる領域の第２レジスト層９４には、レジスト開口部９６が形成される。第２レジスト層９４は、例えば第１開口部４２を埋め込むことができる。次に、第２レジスト層９４をマスクとして、ドライエッチング法などにより基板２の一部および酸化物層７の一部を除去する。これにより、レジスト開口部９６の領域の基板２および酸化物層７が除去されて第２開口部８２が形成される。基板２のエッチング工程においては、絶縁層３をエッチングストッパ層として用いることができる。即ち、基板２をエッチングする際には、絶縁層３のエッチング速度は、基板２のエッチング速度よりも遅い。
【００３２】
（５）次に、第２開口部８２により露出した部分から基体１の絶縁層３の一部を除去して、図８に示すように、少なくとも振動部１０の下に空隙部８０を形成する。空隙部８０は、振動部１０の自由端１０ａに対する機械的拘束力が無くなった状態（後述する）で振動部１０が屈曲振動できるように形成される。空隙部８０は、例えば、振動部１０および第１開口部４２の下に形成される。絶縁層３が酸化シリコンからなる場合には、例えばフッ化水素酸を用いたウェットエッチング法などにより絶縁層３を除去することができる。このエッチング工程においては、基板２をマスクとして、半導体層４をエッチングストッパ層として用いることができる。即ち、絶縁層３をエッチングする際には、基板２および半導体層４のエッチング速度は、絶縁層３のエッチング速度よりも遅い。
次に、第１レジスト層９０および第２レジスト層９４をアッシングにより除去する。第１レジスト層９０および第２レジスト層９４を除去することにより、振動部１０の自由端１０ａに対する機械的拘束力が無くなり、振動部１０が十分に振動できるようになる。
【００３３】
（６）次に、図９に示すように自由端１０ａ近傍にドット状の錘５０を局所的に形成する。ドット状の錘５０を形成する箇所は振動部１０の振幅が最大になる箇所に設けるようにすることが好ましく、振動部１０の上方であっても、下方であっても良い。ドット状の錘５０は、インクジェット法、ディスペンサ法などにより、直接形成することで、複雑な製造工程を回避でき、量産性が向上する。
【００３４】
（７）以上の工程により、図２および図３に示すように、本実施形態の圧電型発電機１００が形成される。
なお、本発明に係る記載では、「上方（下方）」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上方（下方）」に形成された他の特定のもの（以下「Ｂ」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上（下）に直接Ｂが形成されているような場合と、Ａ上（下）に他のものを介してＢが形成されているような場合とが含まれるものとして、「上方（下方）」という文言を用いている。
【００３５】
３．本実施形態に係る圧電型発電機１００の具体例としては以下の通りである。
第１電極２２の厚さは０．１μｍ、圧電体層２４の厚さは１μｍ、第２電極２６の厚さは０．１μｍ、半導体層４の厚さは１０μｍ、振動部１０のビーム長さは１ｃｍ、ビーム幅は１００μｍ、ドット状の錘５０は１０μｇである。また、空隙部８０の長辺は１．５ｃｍ、短辺は２００μｍである。この構成の圧電型発電機１００について、図１０に示したような機械的モデルから運動方程式を解くと、屈曲振動の固有周波数は１００Ｈｚとなった。また加速度１ｍ/ｓ2の振動から発生する電荷は９．３×１０-14Ｃであった。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来の圧電発電装置における圧電変換振動子の取り付け状態を示す斜視図。
【図２】本実施形態に係る圧電型発電機を概略的に示す平面図。
【図３】本実施形態に係る圧電型発電機を概略的に示す断面図。
【図４】圧電体層の振動部に対する長さ比と電気機械結合係数の関係を示すグラフ。
【図５】本実施形態の圧電型発電機の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図６】本実施形態の圧電型発電機の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図７】本実施形態の圧電型発電機の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図８】本実施形態の圧電型発電機の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図９】本実施形態の圧電型発電機の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図１０】本実施形態に係る圧電型発電機の機械モデルを示す概略図。
【符号の説明】
【００３７】
１…基体、２…基板、３…絶縁層、４…半導体層、５…下地層、７…酸化物層、１０…振動部、２０…圧電変換部、２２…第１電極、２４…圧電体層、２６…第２電極、４０…支持部、４２…第１開口部、５０…錘、８０…空隙部、８２…第２開口部、９０…第１レジスト層、９４…第２レジスト層、１００…圧電型発電機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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