(57)【要約】【課題】ボトムゲート・トップコンタクト構造において、ソース・ドレイン−ゲート電極間の寄生容量を効果的に抑えることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板１上にパターン形成されたゲート電極３をゲート絶縁膜５で覆う。ゲート絶縁膜５上に有機半導体層７と電極膜１３とをこの積層順に形成する。有機半導体層７および電極膜１３が形成された基板１上にネガ型感光性のレジスト膜１５を成膜し、ゲート電極３を遮光マスクとした基板１側からの裏面露光とその後の現像処理によりレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、電極膜１３をエッチングしてソース・ドレインを形成するためのマスクとして用いる。【選択図】図１−３
2010251574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターン形成されたゲート電極をゲート絶縁膜で覆う第１工程と、
前記ゲート絶縁膜上に有機半導体層と電極膜とをこの積層順に形成する第２工程と、
前記有機半導体層および電極膜が形成された基板上にネガ型感光性のレジスト膜を成膜し、前記ゲート電極を遮光マスクとした前記基板側からの裏面露光とその後の現像処理により、前記電極膜をエッチングしてソース・ドレインを形成するためのマスクとなるレジストパターンを形成する第３工程とを行う
薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記第３工程では、前記ゲート電極と交差する開口部を備えた露光マスクを前記基板側に配置した状態で前記裏面露光を行う
請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記第２工程では、パターン形成された前記有機半導体層を覆う状態で前記電極膜を成膜する
請求項１または２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記第２工程では、前記電極膜として、前記有機半導体層と同一パターンにエッチングされた第１電極膜と、当該有機半導体層および当該第１電極膜を覆う第２電極膜とを形成する
請求項１または２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記第３工程の後、前記レジストパターンをマスクにして前記ゲート電極上における前記電極膜をエッチングし、当該電極膜からなるソース・ドレインを形成する第４工程を行う
請求項１〜４の何れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記第４工程の後、前記基板上を層間絶縁膜で覆い、当該層間絶縁膜上に前記ソース・ドレインに接続される各配線を形成する第５工程を行う
請求項５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記第２工程では、前記有機半導体層を覆う状態で前記電極膜を成膜し、さらに当該電極膜上にマスク形成層を成膜し、
前記第３工程では、前記マスク形成層上に前記レジストパターンを形成し、
前記第３工程の後、前記レジストパターンをマスクにして前記ゲート電極上における前記マスク形成層をエッチングしてマスクパターンを形成し、
その後前記マスクパターンをマスクして前記ゲート電極上における前記電極膜をエッチングし、当該電極膜からなるソース・ドレインを形成する第４工程を行う
請求項１または２の何れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第２工程では、前記電極膜として、前記有機半導体層と同一パターンにエッチングされた第１電極膜と、当該有機半導体層および当該第１電極膜を覆う第２電極膜とを形成し、さらに当該電極膜上にマスク形成層を成膜し、
前記第３工程では、前記マスク形成層上に前記レジストパターンを形成し、
前記第３工程の後、前記レジストパターンをマスクにして前記ゲート電極上における前記マスク形成層をエッチングしてマスクパターンを形成し、
その後前記マスクパターンをマスクして前記ゲート電極上における前記電極膜をエッチングし、当該電極膜からなるソース・ドレインを形成する第４工程を行う
請求項１または２の何れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記第２工程では、前記有機半導体層と前記電極膜とをこの順に成膜し、さらに当該電極膜上にマスク形成層を成膜した後、これらを同一パターンにエッチングし、
前記第３工程では、前記マスク形成層上に前記レジストパターンを形成し、
前記第３工程の後、前記レジストパターンをマスクにして前記ゲート電極上における前記マスク形成層をエッチングしてマスクパターンを形成し、
その後前記マスクパターンをマスクして前記ゲート電極上における前記電極膜をエッチングし、当該電極膜からなるソース・ドレインを形成する第４工程を行う
請求項１または２の何れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記マスクパターンを形成した後、前記ゲート電極の両脇における前記電極膜上に各配線を形成する工程を行ない、
前記第４工程では、前記マスクパターンと共に前記配線をマスクにして前記電極膜をエッチングする
請求項７〜９の何れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記マスクパターンを形成した後、前記第４工程の前に前記レジストパターンを除去する
請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記第３工程の後、前記ゲート電極の両脇における前記電極膜上に配線をパターン形成し、当該配線と前記レジストパターンをマスクにして前記ゲート電極上における前記電極膜をエッチングし、当該電極膜からなるソース・ドレインを形成する第４工程を行う
請求項１〜５の何れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
基板上にパターン形成されたゲート電極およびこれを覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた有機半導体層と、
前記ゲート電極の幅方向の両端縁に対してそれぞれ端縁を一致させた状態で前記有機半導体層上に設けられたソース・ドレインとを備えた
薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
前記ソース・ドレインは、前記基板側からの裏面露光において前記ゲート電極をマスクにしたパターン形状を有している
請求項１３記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
前記ゲート電極は遮光性を有し、
前記ゲート電極を除く前記基板から前記電極膜までの間の各層は、光透過性を有している
請求項１３または１４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
前記ソース・ドレイン上に当該ソース・ドレインと同一パターン形状のネガレジストを備えた
請求項１３〜１５の何れかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
前記ソース・ドレイン上に配線がパターン形成され、
前記ソース・ドレインの一部は前記配線と同一パターンを有している
請求項１３〜１５の何れかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１８】
前記ソース・ドレインは、前記有機半導体層上に設けられた第１電極膜と、当該第１電極膜上から前記ゲート絶縁膜上に引き出された第２電極膜との積層構造で構成されている
請求項１７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１９】
前記有機半導体層は島状にパターン形成され、
前記ソース・ドレインは前記有機半導体層上においてパターン形成され、
前記ソース・ドレイン上から前記ゲート絶縁膜上に配線が設けられている
請求項１３〜１５の何れかに記載の薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタに関し、特には有機半導体装置を用いたボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタの製造方法、およびこの方法によって得られる薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、チャネル層として有機半導体を利用した薄膜トランジスタ、（thin film transistor：ＴＦＴ）、いわゆる有機ＴＦＴが注目されている。有機ＴＦＴは、有機半導体からなるチャネル層を低温で塗布成膜することが可能であるため、低コスト化に有利であると共に、プラスチック等の耐熱性のないフレキシブルな基板上への形成も可能である。このような有機ＴＦＴにおいては、ボトムゲート・トップコンタクト構造とすることにより、ボトムコンタクト構造と比較して、熱などのストレスによる特性劣化が抑えられることが知られている。
【０００３】
このようなボトムゲート・トップコンタクト構造の有機ＴＦＴの製造においては、有機半導体パターン上に高精度にソース電極およびドレイン電極をパターン形成する方法が検討されている。例えば、下記特許文献１には、基板上の空間を２分する横断部を設け、２方向からの蒸着によって有機半導体パターンを形成した後、横断部で分断されるように金属材料を蒸着させるソース電極およびドレイン電極を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１６７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタにおいては、ソース・ドレインとゲート電極と層間に有機半導体層が挟持される。このため、ソース・ドレインとゲート電極とが重なる部分に寄生容量が発生し、動作電圧の上昇やばらつき、動作速度の低下が生じ易く、これレを補正するためお補正回路の付与等のデメリットの原因になる。
【０００６】
しかしながら、一般的なステンシルマスクを用いた蒸着成膜の最小加工サイズおよび重ね合わせ精度は２０μｍ程度であり、特に大面積プロセスであれば合わせ精度が基板面内でばらつくため、上述した寄生容量の発生を効果的に抑えることは困難である。これは上述した引用文献１の方法であっても同様である。
【０００７】
そこで本発明は、ボトムゲート・トップコンタクト構造において、ソース・ドレイン−ゲート電極間の寄生容量を効果的に抑えることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供し、またこの方法によって得られる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上のような目的を達成するための本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、次の工程を行うことを特徴としている。先ず第１工程では、基板上にパターン形成されたゲート電極をゲート絶縁膜で覆う。次の第２工程では、ゲート絶縁膜上に有機半導体層と電極膜とをこの積層順に形成する。その後第３工程では、有機半導体層および電極膜が形成された基板上にネガ型感光性のレジスト膜を成膜し、ゲート電極を遮光マスクとした基板側からの裏面露光と現像処理とを行う。これにより、電極膜をエッチングしてソース・ドレインを形成するためのマスクとなるレジストパターンを形成する。
【０００９】
このような製造方法により、次のような本発明構成の薄膜トランジスタが得られる。すなわち本発明では薄膜トランジスタは、基板上にパターン形成されたゲート電極とこれを覆うゲート絶縁膜とを有し、この上部に有機半導体層が設けられ、さらにゲート電極の幅方向の両端縁に対してそれぞれ端縁を一致させた状態でソース・ドレインが配置された構成となる。
【００１０】
このような構成によれば、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜上に、ゲート電極に対して自己整合的に位置合わせされたソース・ドレインが設けられる。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように本発明によれば、ゲート電極に対して自己整合的に位置合わせされたソース・ドレインが設けられることから、ボトムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタにおいてソース・ドレイン−ゲート電極間の寄生容量を効果的に抑えることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１−１】第１実施形態の製造方法を説明する工程図（その１）である。
【図１−２】第１実施形態の製造方法を説明する工程図（その２）である。
【図１−３】第１実施形態の製造方法を説明する工程図（その３）である。
【図１−４】第１実施形態の製造方法を説明する工程図（その４）である。
【図１−５】第１実施形態の製造方法を説明する工程図（その５）である。
【図２−１】第２実施形態の製造方法を説明する工程図（その１）である。
【図２−２】第２実施形態の製造方法を説明する工程図（その２）である。
【図２−３】第２実施形態の製造方法を説明する工程図（その３）である。
【図２−４】第２実施形態の製造方法を説明する工程図（その４）である。
【図３−１】第３実施形態の製造方法を説明する工程図（その１）である。
【図３−２】第３実施形態の製造方法を説明する工程図（その２）である。
【図３−３】第３実施形態の製造方法を説明する工程図（その３）である。
【図３−４】第３実施形態の製造方法を説明する工程図（その４）である。
【図４−１】第４実施形態の製造方法を説明する工程図（その１）である。
【図４−２】第４実施形態の製造方法を説明する工程図（その２）である。
【図４−３】第４実施形態の製造方法を説明する工程図（その３）である。
【図４−４】第４実施形態の製造方法を説明する工程図（その４）である。
【図５−１】第５実施形態の製造方法を説明する工程図（その１）である。
【図５−２】第５実施形態の製造方法を説明する工程図（その２）である。
【図５−３】第５実施形態の製造方法を説明する工程図（その３）である。
【図５−４】第５実施形態の製造方法を説明する工程図（その４）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて、次に示す順に実施の形態を説明する。
１．第１実施形態（ソース電極およびドレイン電極が単層構造の例）
２．第２実施形態（ソース電極およびドレイン電極が積層構造の例）
３．第３実施形態（ソース電極およびドレイン電極が配線の一部を兼ねる例）
４．第４実施形態（ソース電極およびドレイン電極が積層構造で配線の一部を兼ねる例）５．第５実施形態（ソース電極およびドレイン電極の一部に配線を重ねた例）
尚、第１実施形態〜第５実施形態においては、薄膜トランジスタの製造方法を説明し、次いで得られた薄膜トランジスタの構成を説明する。
【００１４】
＜１．第１実施形態＞
図１-1〜図１-5は本発明の第１実施形態を説明する工程図であり、以下これらの図に基づいて第１実施形態の薄膜トランジスタの製造方法を説明する。
【００１５】
先ず、図１-1（1）に示すように、露光光に対する光透過性を有する基板１上に遮光性のゲート電極３をパターン形成し、これを覆う状態で光透過性を有するゲート絶縁膜５を成膜する。
【００１６】
基板１は、光透過性材料からなることが重要である。このような基板１としては、例えば、ガラス、プラスチック等の透明基板、またはそれらの多層構造からなる透明基板上に、必要に応じて水蒸気・酸素のバリア層及びバッファー層を形成したものであることとする。
【００１７】
ゲート電極３は、遮光性を有していることが重要である。このようなゲート電極３は、Ａｌ,ＡｌＮｄ,Ｃｕ,Ａｕ,Ｎｉ,Ｗ,Ｍｏ,Ｃｒ,Ｔｉ,Ｔａ,Ａｇ等或いはこれらの多層膜からなることとする。このようなゲート電極３の形成方法が限定されることはない。
【００１８】
ゲート電極３の形成方法の一例としては、上記の金属材料膜を成膜した後、レジストをマスクにエッチングすることによって形成することが可能である。金属材料膜の成膜は、蒸着法、スパッタリング法、またはメッキ法などで形成する。また、Ａｕナノ粒子やＡｇナノ粒子等の金属微粒子からなる導電性インクを、塗布法により成膜しても良い。レジストパターンの形成方法は、フォトリソグラフィー法や印刷法を適用することができる。
【００１９】
ゲート電極３の形成方法の他の例としては、Ａｕナノ粒子やＡｇナノ粒子等の金属微粒子からなる導電性インクを、印刷法によって直接パターン形成しても良い。
【００２０】
尚、上述した塗布法としては、スピンコート法、エアドクタコーター法，ブレードコーター法，ロッドコーター法，ナイフコーター法，スクイズコーター法，リバースロールコーター法，トランスファーロールコーター法，グラビアコーター法，キスコーター法，キャストコーター法，スプレーコーター法，スリットオリフィスコーター法，カレンダーコーター法，浸漬法等が例示され、以下の実施形態において同様である。
【００２１】
また上述した印刷法としては、スクリーン印刷，インクジェット印刷，凸版印刷，平板印刷，凹版印刷，やそれらを組み合わせた印刷方法が例示され、以下の実施形態において同様である。
【００２２】
ゲート絶縁膜５は、光透過性を有していることが重要である。このようなゲート絶縁膜５は無機材料または有機材料からなる。二酸化珪素、チッ化珪素、ＴａＯｘ、ＨｆＯｘ、ＡｌＯｘ等の無機材料からなるゲート絶縁膜５であれば、スパッタリング法、ＣＤＶ法、ＰＥＣＶＤ等で成膜することが可能である。一方、ポリビニルフェノール、ＰＭＭＡ、ポリイミド、フッ素樹脂等の有機材料からなるゲート絶縁膜であれば、塗布法によって成膜可能である。また有機高分子材料からなるゲート絶縁膜５であれば、印刷法によって成膜可能である。
【００２３】
次に、図１-1（２）に示すように、ゲート絶縁膜５上に、露光光に対して光透過性を有する有機半導体層７を成膜する。
【００２４】
また、以上のような有機半導体層７を構成する材料としては、以下の材料が例示される。
【００２５】
ポリピロールおよびポリピロール置換体、
ポリチオフェンおよびポリチオフェン誘導体、
ポリイソチアナフテンなどのイソチアナフテン類、
ポリチェニレンビニレンなどのチェニレンビニレン類、
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、
ポリアニリンおよびポリアニリン誘導体、
ポリアセチレン類、
ポリジアセチレン類、
ポリアズレン類、
ポリピレン類、
ポリカルバゾール類、
ポリセレノフェン類、
ポリフラン類、
ポリ（ｐ−フェニレン）類、
ポリインドール類、
ポリピリダジン類、
ナフタセン，ペンタセン，ヘキサセン，ヘプタセン，ジベンゾペンタセン，テトラベンゾペンタセン，ピレン，ジベンゾピレン，クリセン，ペリレン，コロネン，テリレン，オバレン，クオテリレン，サーカムアントラセンなどのアセン類、
アセン類の炭素の一部をＮ，Ｓ，Ｏなどの原子，カルボニル基などの官能基に置換した誘導体（例えばトリフェノジオキサジン，トリフェノジチアジン，ヘキサセン−６，１５−キノン，TIPSペンタセン，TES-アントラジチオフェンなど，ポリビニルカルバゾール，ポリフエニレンスルフィド，ポリビニレンスルフィドなどのポリマーおよび多環縮合体など）、
以上ポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類、
金属フタロシアニン類、
テトラチアフルバレンおよびテトラチアフルバレン誘導体、
テトラチアペンタレンおよびテトラチアペンタレン誘導体、
ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド，Ｎ，Ｎ'−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ'−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル），Ｎ，Ｎ'−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）、およびＮ，Ｎ'−ジオクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、
ナフタレン２，３，６，７テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、
アントラセン２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、
Ｃ６０，Ｃ７０，Ｃ７６，Ｃ７８，Ｃ８４等フラーレン類、
ＳＷＮＴなどのカーボンナノチューブ、
メロシアニン色素類およびヘミシアニン色素類などの色素
【００２６】
以上のような材料からなる有機半導体層７の成膜は、昇華点を持つ材料は蒸着により成膜することが可能であり、溶媒に溶解させ溶液を形成すれば塗布法や印刷方法法で成膜することも可能である。
【００２７】
次に、この有機半導体層７をパターニングする際の保護膜９を、有機半導体層７上に成膜する。保護膜９は、金属材料や酸化物などからなり、光透過性を備えている必要はない。保護膜９を構成する材料の具体例としては、保護膜９を成膜する。この保護膜９は、例えば金属材料を用いて構成される。保護膜９を構成する金属材料としては、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ）, タングステン（Ｗ）,タンタル（Ｔａ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ）,インジウム（Ｉｎ），錫（Ｓｎ），マンガン（Ｍｎ），ルテニウム（Ｒｈ），ルビジウム（Ｒｂ）、およびそれらの化合物が例示される。尚、保護膜９は、上述した材料の積層であっても良い。
【００２８】
次に、図１-1（3）に示すように、保護膜９上においてゲート電極３に重なる位置に、レジストパターン１１を形成する。レジストパターン１１の形成は、フォトリソグラフィー法または印刷法を適用して行なわれる。印刷法としては、インクジェット印刷，スクリーン印刷，オフセット印刷，グラビア印刷，フレキソ印刷，マイクロコンタクト印刷等を用いることができる。尚、レジストパターン１１の形成においては、保護膜９によって有機半導体層７が保護される。
【００２９】
次いで、レジストパターン１１をマスクに用いて保護膜９をエッチングする。これにより、有機半導体層７上に保護膜パターン９ａを形成する。
【００３０】
次に、図１-1（４）に示すように、保護膜パターン９ａをマスクにして有機半導体層７をエッチングし、ゲート電極３上の一部をゲート電極３の幅方向にわたって覆う状態で、有機半導体をパターンニングする。ここではドライエッチングまたは，半導体を溶かす溶媒でウエットエッチングを行うこととする。これにより、ここで形成する薄膜トランジスタの素子分離を行う。
【００３１】
その後は保護膜パターン９ａを剥離除去する。保護膜パターン９ａの剥離除去は、ウェットエッチングによって行なう。この際エッチング溶液には，例えば硝酸、硫酸、塩酸、酢酸、シュウ酸、フッ酸、過酸化水素等の酸もしくはフッ化アンモニウム、ヨウ化カリウム、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の塩およびこれらの混合液からなる溶液が用いられる。有機半導体層７へのダメージを抑制するためにエッチング液中のこれらの酸の濃度が２０％以下であることが好ましい。また安定したエッチングレートを確保するために、有機窒素化合物等の添加物を添加しても良い。尚、ゲート絶縁膜５への有機半導体層７のパターン形成は、印刷法を適用したパターン形成であっても良く、この場合には、上記のエッチングプロセスによるパターニングは必要ない。
【００３２】
以上により、図１-2（1）断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、基板１上のゲート電極３を覆う状態でゲート絶縁膜５が成膜され、このゲート絶縁膜５上に有機半導体層７を島状にパターン形成した構成を得る。
【００３３】
次に、図１-2（２）に示すように、以上のようにしてパターニングされた有機半導体層７を覆う状態で、ゲート絶縁膜５上の全面に光透過性を有する電極膜１３を成膜し、さらにこの上部にネガ型感光性のレジスト膜１５を成膜する。
【００３４】
電極膜１３は、ここで作製する薄膜トランジスタがp型チャンネル型である場合には、少なくとも有機半導体層７と接する側の層にＡｕ,Ｐｔ,Ｐｄ,Ｃｕ,ＣｕＯｘ,ＩＴＯ，ＺｎＯ,Ａｇナノ粒子等の仕事関数の大きい導電材料が好適に用いられる。そして、これらの材料層の上部に別の金属材料を形成しても良い。一方、ここで作製する薄膜トランジスタがｎチェンネル型である場合には、少なくとも有機半導体層７と接する側の層にＭｇ,Ａｇ,Ｃａやそれらの化合物が好適に用いられる。ただし、これら材料は大気中で酸化されやすいので、その上部にさらに別の金属を成膜して覆う必要がある。
【００３５】
以上のような材料で構成される電極膜１３は、露光光に対する光透過性を有していることが重要である。このため、ここでは特に電極膜１３の膜厚を、露光光として用いるＵＶ光が透過可能な値に抑えることとし、典型的には１ｎｍ〜５０ｎｍとする。
【００３６】
レジスト膜１５は、ネガ型の感光性を有していれば良い。
【００３７】
尚、以上までで得られた構成において重要なところは、レジスト膜１５の下層において、ゲート電極３を除く基板１から導電膜１３までの各層が、全て露光光に対して光透過性を有しており、これらの層を合計した全層を露光光が透過可能なところである。尚、露光光とは、次に行うフォトリソグラフィーにおいて用いる光であり、例えば紫外光（ＵＶ）であることとする。
【００３８】
次に、図１-3の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、基板１側からの露光光ｈとしてＵＶ光をレジスト膜１５に照射する裏面露光を行う。この際、基板１側に露光マスク１７を配置し、この露光マスク１７を介して露光光ｈの照射を行う。
【００３９】
露光マスク１７は、ゲート電極３と交差する開口部１７ａを備えていることとする。この開口部１７ａは、ゲート電極３の両脇に露光光ｈが照射される構成であれば良い。図示したように、ゲート電極３の延設方向における有機半導体層７の範囲内に開口部１７ａが配置される場合には、この開口部１７ａの開口幅がゲート幅Ｗとなり、ゲート幅Ｗの寸法制御性が良好であるため好ましい。一方、ゲート電極３の延設方向における有機半導体層７の範囲を越えて開口部１７ａが配置される場合には、有機半導体層７の寸法Ｌがゲート幅となる。
【００４０】
以上のような露光マスク１７を介しての裏面露光により、露光マスク１７の開口部１７ａ内において、ゲート電極１３で遮光されていない部分のレジスト膜１５に露光光ｈが照射されて露光部１５ａとなり、レジスト材料が硬化する。
【００４１】
その後、図１-4（1）に示すように、レジスト膜１５の現像処理を行うことにより、露光部１５ａのみが電極膜１３上にレジストパターン１５ｂとして残される。このレジストパターン１５ｂは、ゲート電極３に対して自己整合的に現像される。
【００４２】
この際のゲート電極３の端縁とレジストパターン１５ｂの端縁との面内一致精度は、レジスト膜１５へのＵＶ照射量、ゲート電極３の形状、およびゲート絶縁膜５の膜厚に依存した露光光（ｈ）の回折量等に依存する。例えば、ゲート電極３の膜厚を３００ｎｍ、ゲート絶縁膜５の膜厚を５００ｎｍとした場合、典型的には面内一致精度３μｍ以下にすることが可能である。これは、蒸着マスクを用いたパターン成膜では実現不可能な精度であるばかりでなく、プラスチックからなる基板１を用いた場合では、基板１の工程中の収縮のために通常の表面側からのフォトリソグラフィーであっても実現が極めて困難な精度である。
【００４３】
次に、図１-4（２）の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、レジストパターン１５ｂをマスクにして電極膜１３をパターンエッチングする。これにより、ゲート電極３上における電極膜１３をエッチング除去し、電極膜１３からなるソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1を、ゲート電極３に対して自己整合的に形成する。
【００４４】
このような電極膜１３のパターンエッチングは、例えば有機半導体層７がペンタセンからなり、電極膜１３がＡｕで構成されている場合であれば、ヨウ素とヨウ化カリウムとをベースとしたエッチング液を用いたウェットエッチングが可能である。
【００４５】
以上の後、図１-5の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、ソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1が形成された基板１上に層間絶縁膜１９を成膜する。この際、レジストパターン１５ｂを除去する必要はなく、そのまま残して層間絶縁膜１９で覆って良い。そして、この層間絶縁膜１９およびレジストパターン１５ｂに対して、ソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1に達する各接続孔１９ａを形成する。次いで、接続孔１９ａを介してソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1に接続された各配線２１を層間絶縁膜１９上に形成し、薄膜トランジスタ２３-1を完成させる。
【００４６】
接続孔１９ａの形成は、層間絶縁膜１９が感光性の樹脂材料（例えば感光性ＰＶＡ）からなる層であれば、露光及び現像によって層間絶縁膜１９に接続孔を形成し、さらにレジストパターン１５ｂをエッチングして接続孔１９ａを形成する。また、層間絶縁膜１９が非感光性の樹脂材料（フッ素樹脂やポリパラキシリレン）からなる層であれば、フォトリソグラフィーと酸素プラズマＲＩＥにより接続孔１９ａの形成を行う。
【００４７】
配線２１の形成は、配線材料の成膜とパターンエッチングか、または印刷法を適用して行う。例えば，ここで作製した薄膜トランジスタが、アクティブマトリックス回路のスイッチトランジスタとして用いられる場合であれば、２本の配線２１のうちの何れか一方がデータ線まで延長され、残りの一方はストレージキャパシタの電極まで延長される。尚この場合、ゲート電極３は走査線まで延長されていることとする。
【００４８】
以上のようにして得られた薄膜トランジスタ２３-1は、ゲート電極３を覆うゲート絶縁膜５上に有機半導体層７が設けられ、この有機半導体層７上に一部を積層させたソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1が設けられたボトムゲート・トップコンタクト構造となる。またこの薄膜トランジスタ２３-1においては、ソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1は、パターニングされた有機半導体層７上からゲート絶縁膜５上に引き出されて形成される。
【００４９】
特に、ソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1は、基板１側からの裏面露光においてゲート電極３をマスクにしたパターン形状を有している。これにより、ソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1は、ゲート電極３の幅方向の両端縁に対して、それぞれ端縁を一致させた状態でゲート電極３に対して自己整合的に位置合わせされたものとなる。
【００５０】
またこのような薄膜トランジスタ２３-1の特徴は、上述した裏面露光を行うために、ゲート電極３を除く、基板１からソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1を構成する電極膜１３までの間の各層が、光透過性を有している構成となる。
【００５１】
また、ソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1上に残されるレジストパターン１５ｂは、ソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1と同一パターン形状のネガレジストであることも特徴的である。
【００５２】
以上の第１実施形態によれば、ゲート電極３の幅方向の両端縁に対して、それぞれ端縁を一致させた状態でゲート電極３に対して自己整合的に位置合わせされたソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1が設けられる。このため、トムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタにおいてソース１３ｓ-1およびドレイン１３ｄ-1−ゲート電極３間の寄生容量を効果的に抑えることが可能になる。
【００５３】
＜２．第２実施形態＞
図２-1〜図２-4は本発明の第２実施形態を説明する工程図であり、以下これらの図に基づいて第２実施形態の薄膜トランジスタの製造方法を説明する。尚、第１実施形態と同様の構成についての詳細な説明は省略する。
【００５４】
先ず、図２-1（１）の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、露光光に対する光透過性を有する基板１上に遮光性のゲート電極３をパターン形成し、これを覆う状態で光透過性を有するゲート絶縁膜５および有機半導体層７を成膜する。ここまでは、第１実施形態と同様に行い、それぞれの層に用いる材料も上述したと同様である。
【００５５】
次に、この有機半導体層７の上部に露光光に対して光透過性を有する第１電極膜１３-1を成膜する。この第１電極膜１３-1は、有機半導体層７に対して保護膜となる層であり、またそのまま薄膜トランジスタの構成要素として残される層である。
【００５６】
このような第１電極膜１３-1は、ここで作製する薄膜トランジスタがp型チャンネル型である場合には、Ａｕ,Ｐｔ,Ｐｄ,Ｃｕ，ＣｕＯｘ，ＩＴＯ，ＺｎＯ,Ａｇナノ粒子等の仕事関数の大きい導電材料や、ＴＣＮＱ、塩化銀等のアクセプタ材料が好適に用いられる。一方、ここで作製する薄膜トランジスタがｎチェンネル型である場合には、Ｍｇ,Ａｇ,Ｃａやそれらの化合物が好適に用いられる。ただし、これら材料は大気中で酸化されやすいので、その上部にさらに別の金属を成膜して覆う必要がある。
【００５７】
その後、第１電極膜１３-1上にレジストパターン２５を形成し、これをマスクに用いて第１電極膜１３-1をパターンエッチングし、次いでレジストパターン２５を剥離し、第１電極膜１３-1をマスクに用いて有機半導体層７を島状にパターニングする。
【００５８】
次に、図２-1（２）に示すように、島状の有機半導体層７および第１電極膜１３-1を覆う状態で、ゲート絶縁膜５上の全面に光透過性を有する第２電極膜１３-2を成膜し、さらにこの上部にネガ型感光性のレジスト膜１５を成膜する。
【００５９】
ここで成膜する第２電極膜１３-2は、有機半導体層７に対して電荷注入可能な材料である必要はなく、より安価あるいは導電性の高い導電性材料を用いることができる。この際，第１電極膜１３-1と第２電極膜１３-2とを合わせて、光透過性を有する必要があり、典型的には合計膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍとする。
【００６０】
レジスト膜１５は、ネガ型の感光性を有していれば良いことは、第１実施形態と同様である。
【００６１】
そして、以上までで得られた構成においては、レジスト膜１５の下層において、ゲート電極３を除く基板１から第２導電膜１３-2までの各層が、全て露光光に対して光透過性を有しており、これらの層を合計した全層を露光光が透過可能なところが特徴的である。
【００６２】
以上の後には、第１実施形態と同様の手順を行って良く、次のように行う。
【００６３】
先ず、図２-2の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、基板１側からの露光光ｈとしてＵＶ光をレジスト膜１５に照射する裏面露光を行う。この際、基板１側に露光マスク１７を配置し、この露光マスク１７を介して露光光ｈの照射を行う。露光マスク１７は、ゲート電極３と交差する開口部１７ａを備えていることは、第１実施形態と同様である。
【００６４】
以上のような露光マスク１７を介しての裏面露光により、露光マスク１７の開口部１７ａ内において、ゲート電極１３で遮光されていない部分のレジスト膜１５に露光光ｈが照射されて露光部１５ａとなり、露光部１５ａのレジスト材料が硬化する。
【００６５】
その後、図２-3（1）に示すように、レジスト膜１５の現像処理を行うことにより、露光部１５ａのみが第２電極膜１３-2上にレジストパターン１５ｂとして残される。このレジストパターン１５ｂは、ゲート電極３に対して自己整合的に現像されることは、第１実施形態と同様である。
【００６６】
次に、図２-3（２）の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、レジストパターン１５ｂをマスクにして第２電極膜１３-2および第１電極膜１３-1をパターンエッチングする。これにより、ゲート電極３上における第２電極膜１３-2および第１電極膜１３-1をエッチング除去し、第２電極膜１３-2および第１電極膜１３-1からなるソース１３ｓ-2およびドレイン１３ｄ-2を、ゲート電極３に対して自己整合的に形成する。
【００６７】
以上の後、図２-4の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、ソース１３ｓ-2およびドレイン１３ｄ-2が形成された基板１上に層間絶縁膜１９を成膜し、ソース１３ｓ-2およびドレイン１３ｄ-2に達する各接続孔１９ａを形成する。次いで、接続孔１９ａを介してソース１３ｓ-2およびドレイン１３ｄ-2に接続された各配線２１を層間絶縁膜１９上に形成し、薄膜トランジスタ２３-2を完成させる。
【００６８】
以上のようにして得られた薄膜トランジスタ２３-2が、第１実施形態の薄膜トランジスタと異なるところは、ソース１３ｓ-2およびドレイン１３ｄ-2が、有機半導体層７上において第１電極膜１３-1と第２電極膜１３-2との積層構造となっているところにある。他の構成は同様である。
【００６９】
したがって、以上の第２実施形態であっても、ゲート電極３の幅方向の両端縁に対して、それぞれ端縁を一致させた状態でゲート電極３に対して自己整合的に位置合わせされたソース１３ｓ-2およびドレイン１３ｄ-2が設けられる。このため、第１実施形態と同様に、トムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタにおいてソース１３ｓ-2およびドレイン１３ｄ-2−ゲート電極３間の寄生容量を効果的に抑えることが可能になる。
【００７０】
またさらに、ソース１３ｓ-2およびドレイン１３ｄ-2が、有機半導体層７上において第１電極膜１３-1と第２電極膜１３-2との積層構造となっている。このため、第１電極膜１３-1として有機半導体層７に電荷注入可能な材料を用いれば、第２電極膜１３-2には安価な材料を使用することができ、低コスト化を図ることが可能である。さらに図２-1（１）に示したように、有機半導体層７をパターニングする際に、第１電極膜１３-1が保護膜となるため、有機半導体層７の膜質が維持されてトランジスタ特性を確保することが可能である。
【００７１】
＜３．第３実施形態＞
図３-1〜図３-4は本発明の第３実施形態を説明する工程図であり、以下これらの図に基づいて第３実施形態の薄膜トランジスタの製造方法を説明する。尚、第１実施形態と同様の構成についての詳細な説明は省略する。
【００７２】
先ず、図３-1（1）に示すように、基板１上のゲート電極３を覆う状態でゲート絶縁膜５が成膜され、このゲート絶縁膜５上に有機半導体層７を島状にパターン形成した構成を得る。
【００７３】
次に、図３-1（２）に示すように、有機半導体層７を覆う状態で、ゲート絶縁膜５上の全面に光透過性を有する電極膜１３を成膜し、さらにこの上部に光透過性のマスク形成層３１を成膜する。
【００７４】
ここで成膜する電極膜１３は、第１実施形態と同様であり、作製する薄膜トランジスタがp型チャンネル型であるかｎチャンネル型であるかによって電荷注入に適する材料を選択し、必要に応じて積層構造とすれば良い。
【００７５】
またマスク形成層３１は、露光光に対する光透過性を有することが重要であり、電極膜１３に対して選択的なエッチングが可能な材料であることとする。このようなマスク形成層３１は、有機材料であっても無機材料であっても良く、また導電性材料であっても絶縁性材料であっても良い。
【００７６】
一例として、電極膜１３をＡｕで構成した場合であれば、マスク形成層３１はＴｉやＡｌ等の金属、ＳｉＯ2やＳｉＮｘ等の無機絶縁膜材料，ＰＶＰやＰＭＭＡ等の有機絶縁膜材料が用いられる。これらの各材料は、無機材料であればスパッタ法またはＣＶＤ法等によって成膜可能であり、有機絶縁膜材料は塗布プロセスで成膜することが可能である。
【００７７】
以上までにおいて重要なところは、ゲート電極３を除く基板１からマスク形成層３１までの各層が、全て露光光に対して光透過性を有しており、これらの層を合計した全層においても露光光に対して光透過性を有するところである。
【００７８】
次に、図３-1（３）に示すように、マスク形成層３１上にネガ型感光性のレジスト膜１５を成膜する。このレジスト膜１５は、ネガ型の感光性を有していれば良いことは、第１実施形態と同様である。
【００７９】
以上の後には、図３-2の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、基板１側からの露光光ｈとしてＵＶ光をレジスト膜１５に照射する裏面露光を行う。この際、基板１側に露光マスク１７を配置し、この露光マスク１７を介して露光光ｈの照射を行う。露光マスク１７は、ゲート電極３と交差する開口部１７ａを備えていることは、第１実施形態と同様である。
【００８０】
以上のような露光マスク１７を介しての裏面露光により、露光マスク１７の開口部１７ａ内において、ゲート電極１３で遮光されていない部分のレジスト膜１５に露光光ｈが照射されて露光部１５ａとなり、露光部１５ａのレジスト材料が硬化する。
【００８１】
その後、図３-3（1）に示すように、レジスト膜１５の現像処理を行うことにより、露光部１５ａのみがマスク形成層３１上にレジストパターン１５ｂとして残される。このレジストパターン１５ｂは、ゲート電極３に対して自己整合的に現像されることは、第１実施形態と同様である。
【００８２】
次に、図３-3（２）に示すように、レジストパターン１５ｂをマスクにしてマスク形成層３１を選択的にパターンエッチングする。この際、電極膜１３がＡｕであれば、マスク形成層３１の材料毎に次のようなエッチングが行われる。すなわちマスク形成層３１がＴｉやＡｌやＳｉＯ２であれば、フッ化アンモニウムの水溶液を用いたウェットエッチングが可能である。また、マスク形成層３１がＳｉＮｘであれば、加熱燐酸を用いたウェットエッチングが可能である。マスク形成層３１がＰＶＰやＰＭＭＡ等の有機絶縁膜材料であれば、酸素プラズマを用いたエッチングが可能である。
【００８３】
以上により、ゲート電極３上におけるマスク形成層３１をエッチング除去してなるマスクパターン３１ａを、ゲート電極３に対して自己整合的に形成する。このパターンエッチングの後には、レジストパターン１５ｂを除去する。尚、このマスクパターン３１ａは、レジストパターン１５ｂをそのまま用いても良いが、レジストパターン１５ｂとは別のマスクパターン３１ａを設けることにより、以降に行う配線１３の選択エッチングにおいて、下地となる有機半導体層７へのダメージを防止する効果が高い方法を広範囲に選択可能である。
【００８４】
次に図３-3（３）に示すように、ゲート電極３の両脇における電極膜１３上に各配線３３を形成する。これらの配線３３は、電極膜１３によって構成されるソースおよびドレインに接続されるものであり、またソースおよびドレインをパターン形成する際のマスクにもなる。したがって、各配線３３は、マスクパターン３１上に積層する状態で形成されていることが重要である。
【００８５】
このような配線３３を構成する材料膜は、導電性の良好な材料であれば有機半導体層７に対して電荷注入可能な材料である必要はなく、より安価な材料を用いて構成することができる。このような材料としては、配線３３を構成する材料としては、ＡｌＮｄ,Ｃｕ,Ａｕ,Ｎｉ,Ｗ,Ｍｏ,Ｃｒ,Ｔｉ,Ｔａ,Ａｇ等、またはこれらの積層膜を用いることが可能である。このような配線３３の形成方法が特に限定されることはなく、第１実施形態で説明したゲート電極３の形成と同様に行うことができる。
【００８６】
次に、図３-4の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、マスクパターン３１ａおよび配線３３をマスクにしたエッチングにより、電極膜１３をパターンエッチングする。ここでは、電極膜１３がＡｕであり、マスクパターン３１ａがＴｉやＡｌやＳｉＯ２やＳｉＮｘ，またはＰＶＰやＰＭＭＡ等の有機絶縁膜材料であれば、ヨウ素とヨウ化カリウムを含むエッチング液を用いたウェットエッチングを行う。これにより、Ａｕからなる電極膜１３の選択的なエッチングによるパターングが可能である。
【００８７】
尚、このような電極膜１３のエッチングは、配線３３に対して電極膜１３の膜厚が十分に薄ければ、配線３３の形成のためのエッチングと同時に行っても良く、これにより工程が簡略化される。
【００８８】
以上により、ゲート電極３上における電極膜１３をエッチング除去し、電極膜１３からなるソース１３ｓ-3およびドレイン１３ｄ-3を、ゲート電極３に対して自己整合的に形成し、薄膜トランジスタ２３-3を完成させる。
【００８９】
以上のようにして得られた薄膜トランジスタ２３-3が、第１実施形態の薄膜トランジスタと異なるところは、ソース１３ｓ-3およびドレイン１３ｄ-3の形状にある。すかわちソース１３ｓ-3およびドレイン１３ｄ-3は、ゲート電極３上において対向する位置から有機半導体層７の外部に引き出され、さらに配線３３の下層にも配線層３３と同一のパターン形状で設けられているのである。
【００９０】
またこれらのソース１３ｓ-3およびドレイン１３ｄ-3は、第１実施形態と同様にゲート電極３に対して自己整合的に形成されたレジストパターン１５ｂをマスクにしたエッチングで得られたマスクパターン３１ａ上からのエッチングによって得られたものである。したがって、以上の第３実施形態であっても、ゲート電極３の幅方向の両端縁に対して、それぞれ端縁を一致させた状態でゲート電極３に対して自己整合的に位置合わせされたソース１３ｓ-3およびドレイン１３ｄ-3が設けられる。このため、第１実施形態と同様に、トムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタにおいてソース１３ｓ-3およびドレイン１３ｄ-3−ゲート電極３間の寄生容量を効果的に抑えることが可能になる。
【００９１】
＜４．第４実施形態＞
図４-1〜図４-4は本発明の第４実施形態を説明する工程図であり、以下これらの図に基づいて第４実施形態の薄膜トランジスタの製造方法を説明する。本第４実施形態は、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせたものであり、上述した第１実施形態〜第３実施形態と同様の構成についての詳細な説明は省略する。
【００９２】
先ず図４-1（１）に示すように、基板１上にゲート電極３をパターン形成し、これを覆う状態でゲート絶縁膜５を成し、このゲート絶縁膜５上に有機半導体層７と第１電極膜１３-1とを積層させたパターンを形成する。ここまでは、ゲート電極３を除いた全ての層が光透過性を有していることとする。また第１電極膜１３-1は、有機半導体層７に対して保護膜となる層であり、またそのまま薄膜トランジスタの構成要素として残される層として形成する。
【００９３】
次に、図４-1（２）に示すように、第１有機半導体層７および第１電極膜１３-1を覆う状態で、ゲート絶縁膜５上の全面に光透過性を有する第２電極膜１３-2を成膜する。ここで成膜する第２電極膜１３-2は、有機半導体層７に対して電荷注入可能な材料である必要はなく、より安価あるいは導電性の高い導電性材料を用いることができる。この際，第１電極膜１３-1と第２電極膜１３-2とを合わせて、光透過性を有する必要があり、典型的には合計膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍとする。
【００９４】
そして、以上までは第２実施形態と同様の手順で行って良く、ゲート電極３を除く基板１から第２導電膜１３-2までの各層が、全て露光光に対して光透過性を有しており、これらの層を合計した全層を露光光が透過可能な構成であるところが重要である。
【００９５】
次に図４-1（３）に示すように、さらにこの上部にネガ型感光性のレジスト膜１５を成膜する。レジスト膜１５は、ネガ型の感光性を有していれば良いことは、上述した各実施形態と同様である。
【００９６】
以上の後には、第３実施形態と同様の手順を行って良く、次のように行う。
【００９７】
先ず、図４-2の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、基板１側からの露光光ｈとしてＵＶ光をレジスト膜１５に照射する裏面露光を行う。この際、基板１側に露光マスク１７を配置し、この露光マスク１７を介して露光光ｈの照射を行う。露光マスク１７は、ゲート電極３と交差する開口部１７ａを備えていることは、上述した各実施形態と同様である。
【００９８】
以上のような露光マスク１７を介しての裏面露光により、露光マスク１７の開口部１７ａ内において、ゲート電極１３で遮光されていない部分のレジスト膜１５に露光光ｈが照射されて露光部１５ａとなり、露光部１５ａのレジスト材料が硬化する。
【００９９】
その後、図４-3（1）に示すように、レジスト膜１５の現像処理を行うことにより、露光部１５ａのみがマスク形成層３１上にレジストパターン１５ｂとして残される。このレジストパターン１５ｂは、ゲート電極３に対して自己整合的に現像されることは、上述した各実施形態と同様である。
【０１００】
次に、図４-3（２）に示すように、レジストパターン１５ｂをマスクにしてマスク形成層３１を選択的にパターンエッチングする。この際、電極膜１３-1，１３-2およびマスク形成層３１を構成する材料の組み合わせによってエッチング方法を適切に選択することにより、マスク形成層３１の選択的なパターンエッチングを行うことは第３実施形態と同様である。
【０１０１】
以上により、ゲート電極３上におけるマスク形成層３１をエッチング除去してなるマスクパターン３１ａを、ゲート電極３に対して自己整合的に形成する。このパターンエッチングの後には、レジストパターン１５ｂを除去する。尚、このマスクパターン３１ａは、レジストパターン１５ｂをそのまま用いても良いことも第３実施形態と同様である。
【０１０２】
次に、図４-3（３）に示すように、ゲート電極３の両脇における第２電極膜１３-2上に各配線３３を形成する。これらの配線３３は、第１電極膜１３-1および第２電極膜１３-2によって構成されるソースおよびドレインに接続されるものであり、またソースおよびドレインをパターン形成する際のマスクにもなる。したがって、各配線３３は、マスクパターン３１ａ上に積層する状態で形成されていることが重要である。
【０１０３】
このような配線３３を構成する材料膜は、導電性の良好な材料であれば有機半導体層７に対して電荷注入可能な材料である必要はなく、より安価な材料を用いて構成することができることは、第３実施形態と同様である。
【０１０４】
次に、図４-4の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、マスクパターン３１ａおよび配線３３をマスクにしたエッチングにより、第２電極膜１３-2および第１電極膜１３-1をパターンエッチングする。このエッチングは、第２電極膜１３-2および第１電極膜１３-1の材質によって1段階で行っても良く、それぞれに適するエッチング方法を適用した２段階で行っても良い。
【０１０５】
以上により、第２電極膜１３-2および第１電極膜１３-1からなるソース１３ｓ-4およびドレイン１３ｄ-4を、ゲート電極３に対して自己整合的に形成し、薄膜トランジスタ２３-4を完成させる。
【０１０６】
以上のようにして得られた薄膜トランジスタ２３-4が、第１実施形態の薄膜トランジスタと異なるところは、ソース１３ｓ-4およびドレイン１３ｄ-4の形状にある。すなわち、ソース１３ｓ-4およびドレイン１３ｄ-4は、第２実施形態と第３実施形態と特徴を合わせ持った構成であり、有機半導体層７上において第１電極膜１３-1と第２電極膜１３-2との積層構造となっている。また、さらに第２電極膜１３-2が、配線３３の下層にも配線層３３と同一のパターン形状で設けられている構成である。
【０１０７】
またこれらのソース１３ｓ-4およびドレイン１３ｄ-4は、第１実施形態と同様にゲート電極３に対して自己整合的に形成されたレジストパターン１５ｂをマスクにしたエッチングで得られたマスクパターン３１ａ上からのエッチングによって得られたものである。したがって、以上の第４実施形態であっても、ゲート電極３の幅方向の両端縁に対して、それぞれ端縁を一致させた状態でゲート電極３に対して自己整合的に位置合わせされたソース１３ｓ-4およびドレイン１３ｄ-4が設けられる。このため、第１実施形態と同様に、トムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタにおいてソース１３ｓ-4およびドレイン１３ｄ-4−ゲート電極３間の寄生容量を効果的に抑えることが可能になる。
【０１０８】
またさらに、ソース１３ｓ-4およびドレイン１３ｄ-4が、有機半導体層７上において第１電極膜１３-1と第２電極膜１３-2との積層構造となっている。このため、第１電極膜１３-1として有機半導体層７に電荷注入可能な材料を用いれば、第２電極膜１３-2には安価な材料を使用することができ、低コスト化を図ることが可能である。さらに、有機半導体層７をパターニングする際に、第１電極膜１３-1が保護膜となるため、有機半導体層７の膜質が維持されてトランジスタ特性を確保することが可能である。
【０１０９】
＜５．第５実施形態＞
図５-1〜図５-4は本発明の第５実施形態を説明する工程図であり、以下これらの図に基づいて第５実施形態の薄膜トランジスタの製造方法を説明する。尚、述した第１実施形態〜第４実施形態と同様の構成についての詳細な説明は省略する。
【０１１０】
先ず、図５-1（１）に示すように、露光光に対する光透過性を有する基板１上に遮光性のゲート電極３をパターン形成し、これを覆う状態で光透過性を有するゲート絶縁膜５および有機半導体層７を成膜する。ここまでは、第１実施形態と同様に行い、それぞれの層に用いる材料も上述したと同様である。
【０１１１】
次に、この有機半導体層７の上部に露光光に対して光透過性を有する電極膜１３を成膜し、さらにこの上部にマスク形成層３１を成膜する。これらの各層は、上述した実施形態で説明したと同様の層であり、露光光に対する透過性を有していることが重要である。
【０１１２】
その後、マスク形成層３１上にレジストパターン２５を形成し、これをマスクに用いてマスク形成層３１、電極膜１３をパターンエッチングする。次いでレジストパターン２５を剥離し、電極膜１３をマスクに用いたエッチングにより、ゲート電極３上の一部をゲート電極３の幅方向にわたって覆う島状に有機半導体をパターンニングする。
る。
【０１１３】
次に、図５-1（２）に示すように、有機半導体層７、電極膜１３、およびマスク形成層３１を覆う状態で、ゲート絶縁膜５上の全面にネガ型感光性のレジスト膜１５を成膜する。レジスト膜１５は、ネガ型の感光性を有していれば良いことは、第１実施形態と同様である。
【０１１４】
次に、図５-2の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、基板１側からの露光光ｈとしてＵＶ光をレジスト膜１５に照射する裏面露光を行う。この際、基板１側に露光マスク１７を配置し、この露光マスク１７を介して露光光ｈの照射を行う。露光マスク１７は、ゲート電極３と交差する開口部１７ａ’を備えていることは、第１実施形態と同様である。ただし、マスク形成層３１が絶縁性材料からなる場合のみにおいては、この開口部１７ａ’は、ゲート電極３の延設方向と直交する方向の両端において、マスク形成層３１よりも狭い寸法であることが必須である。
【０１１５】
以上のような露光マスク１７を介しての裏面露光により、露光マスク１７の開口部１７ａ’内において、ゲート電極１３で遮光されていない部分のレジスト膜１５に露光光ｈが照射されて露光部１５ａ’となり、露光部１５ａ’のレジスト材料が硬化する。
【０１１６】
その後、図５-3（1）に示すように、レジスト膜１５の現像処理を行うことにより、露光部１５ａ’のみがマスク形成層３１上にレジストパターン１５ｂ’として残される。このレジストパターン１５ｂは、ゲート電極３に対して自己整合的に現像されることは、第１実施形態と同様である。
【０１１７】
次に、図５-3（２）に示すように、レジストパターン１５ｂ’をマスクにしてマスク形成層３１を選択的にパターンエッチングする。この際、下地となる電極膜１３の構成材料によって適切なエッチングを行うことは、第３実施形態および第４実施形態と同様である。
【０１１８】
以上により、ゲート電極３上におけるマスク形成層３１をエッチング除去してなるマスクパターン３１ａ’を、ゲート電極３に対して自己整合的に形成する。このパターンエッチングの後には、レジストパターン１５ｂ’を除去する。尚、このマスクパターン３１ａ’は、レジストパターン１５ｂをそのまま用いても良いことは第３実施形態および第４実施形態と同様である。
【０１１９】
次に図５-4（１）に示すように、ゲート電極３の両脇における電極膜１３上に各配線３３を形成する。これらの配線３３は、ゲート電極３の両脇において、ゲート電極３上には積層されず、マスクパターン３１ａ’上に積層されていることが重要である。
【０１２０】
尚、このような配線３３を構成する材料膜は、導電性の良好な材料であれば有機半導体層７に対して電荷注入可能な材料である必要はなく、より安価な材料を用いて構成することができることは、第３実施形態および第４実施形態と同様である。
【０１２１】
次に、図５-4（２）の断面図（Ａ−Ａ’）および平面図に示すように、マスクパターン３１ａ’および配線３３をマスクにしたエッチングにより、電極膜１３をパターンエッチングする。ここでは、電極膜１３およびマスクパターン３１ａ’の構成材料によって適切なエッチング方法を行うことにより、電極膜１３の選択的なエッチングによるパターングが可能である。
【０１２２】
尚、このような電極膜１３のエッチングは、配線３３に対して電極膜１３の膜厚が十分に薄ければ、配線３３の形成のためのエッチングと同時に行っても良く、これにより工程が簡略化される。
【０１２３】
以上により、ゲート電極３上における電極膜１３をエッチング除去し、電極膜１３からなるソース１３ｓ-5およびドレイン１３ｄ-5を、ゲート電極３に対して自己整合的に形成し、薄膜トランジスタ２３-5を完成させる。この際、マスクパターン３１ａ’が導電性材料からなる場合であれば、このマスクパターン３１ａ’もソース１３ｓ-5およびドレイン１３ｄ-5を構成するものとなる。
【０１２４】
以上のようにして得られた薄膜トランジスタ２３-5が、上述した他の実施形態と異なるところは、ソース１３ｓ-5およびドレイン１３ｄ-5の形状にある。すかわちソース１３ｓ-5およびドレイン１３ｄ-5は、ゲート電極３上においてパターニングされた有機半導体層７上のみに島状に配置されている構成である。
【０１２５】
またこれらのソース１３ｓ-5およびドレイン１３ｄ-5は、第１実施形態と同様にゲート電極３に対して自己整合的に形成されたレジストパターン１５ｂをマスクにしたエッチングで得られたマスクパターン３１ａ’上からのエッチングによって得られたものである。したがって、以上の第５実施形態であっても、ゲート電極３の幅方向の両端縁に対して、それぞれ端縁を一致させた状態でゲート電極３に対して自己整合的に位置合わせされたソース１３ｓ-5およびドレイン１３ｄ-5が設けられる。このため、第１実施形態と同様に、トムゲート・トップコンタクト構造の薄膜トランジスタにおいてソース１３ｓ-5およびドレイン１３ｄ-5−ゲート電極３間の寄生容量を効果的に抑えることが可能になる。
【０１２６】
尚、本発明は、以上説明した実施形態に限定されることはなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば有機半導体層は，高移動度層と電極形成のためのダメージ吸収層の二層あるいは、それ以上の積層構造にしてもよい。このような高移動度層としてペンタセン，ダメージ吸収等としてＣｕＰｃを用いることができる。また、エッチングによる半導体パターニング時にゲート絶縁膜もエッチングしてしまっても良い。
【０１２７】
また、薄膜トランジスタがｐチャネル型であれば、ソースおよびドレインと有機半導体層との間にアクセプタ型の電界移動錯体を設けても良い。一方、薄膜トランジスタがｎチャネル型であれば、ソースおよびドレインと有機半導体層との間にドナー型の電荷移動錯体を形成してもよい。さらにそれらの分子の導電性が無視できない場合は、ソースおよびドレインのパターン形成後に、弱いエネルギーの酸素プラズマや，錯体分子の溶媒でエッチングして除去しても良い。
【０１２８】
さらに有機半導体層の形成後各工程においては、有機半導体導体層へのプロセスダメージを回復させるために、低酸素・水蒸気雰囲気下、或いは真空中で加熱する工程を挿入しても良い。
【０１２９】
また以上説明した構成の薄膜トランジスタは、例えば表示装置における画素回路や周辺回路を構成する素子として良好に用いることが可能である。表示装置としては、例えば有機電界発光素子を用いたものや、液晶表示装置、さらには電気泳動型の表示装置に適用化能である。さらにこのような薄膜トランジスタは、様々な電子機器に搭載することが可能であり、以上のような表示装置を搭載した電子機器にも広く適用化能である。例えば、電子ペーパー、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの電子機器に適用することができる。つまり、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の表示装置を搭載した電子機器に適用することが可能である。
【０１３０】
さらにまた、本発明の電子機器は、表示装置に限定されることはなく、上述した薄膜トランジスタを搭載し、これに導電性パターン（例えば画素電極であっても良い）を接続させた電子機器に広く適用可能である。例えば、ＩＤタグ、センサー等の電子機器への適用が可能である。このような電子機器では、微細でかつ特性の良好な薄膜トランジスタを用いることにより、微細化された機器を安定駆動することが可能になる。
【符号の説明】
【０１３１】
１…基板、３…ゲート電極、５…ゲート絶縁膜、７…有機半導体層、１３…電極膜、１３-1…第１電極膜、１３-2…第２電極膜、１３ｓ-1，１３ｓ-2，１３ｓ-3，１３ｓ-4，１３ｓ-5…ソース、１３ｄ-1，１３ｄ-2，１３ｄ-3，１３ｄ-4，１３ｄ-5…ドレイン、１５…レジスト膜（ネガ型）、１５ａ，１５ａ’…レジストパターン、１７…露光マスク、１７ａ，１７ａ’…開口部、１９…層間絶縁膜、２１，３３…配線、２３-1，２３-2，２３-3，２３-4，２３-5…薄膜トランジスタ、３１…マスク形成層、３１ａ，３１ａ’…マスクパターン
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図１−４】
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【図１−５】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図２−３】
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【図２−４】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図３−４】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図４−４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図５−３】
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【図５−４】
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