(57)【要約】【課題】装置コストを上昇させずにプローブの基準位置からの誤差を算出する。【解決手段】処理部は、第２検査ヘッドの第２プローブの針先７ａを線対称形状の導体パターン２１，２２に交互に接触させつつ、第１検査ヘッドの第１プローブの針先６ａを導体パターン２１，２２間の領域内でＸ軸に沿って移動させると共に、各プローブ間の静電容量を測定させて、第２プローブの針先７ａを第１導体パターン２１に接触させたときに測定される静電容量Ｃ１および第２プローブの針先７ａを第２導体パターン２２に接触させたときに測定される静電容量Ｃ２が等しくなる第１検査ヘッドの位置を特定し、特定した位置と校正基板３上に予め規定された基準点ＡとのＸ軸方向に沿った誤差Δｘ１を算出する誤差算出処理と、算出した誤差Δｘ１で各検査ポイントにプローブの針先６ａ，７ａを接触させる際の各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する。【選択図】図４
2010071800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１プローブが装着された第１検査ヘッドと、
第２プローブが装着された第２検査ヘッドと、
検査対象基板が配設されるテーブルと平行なＸ−Ｙ直交座標平面内で前記各検査ヘッドを個別に移動させると共に、当該Ｘ−Ｙ直交座標平面と直交するＺ軸方向に沿って当該各検査ヘッドを個別に移動させる移動機構と、
前記移動機構を制御して前記各検査ヘッドを移動させることにより、前記各プローブの針先を前記テーブルに配設された前記検査対象基板上の検査ポイントに接触させて当該検査対象基板の検査を実行する処理部とを備えた回路基板検査装置であって、
前記各プローブ間の静電容量を測定する測定部と、
前記テーブルに配設されると共に、線対称形状の第１導体パターンおよび第２導体パターンが前記Ｘ−Ｙ直交座標平面におけるＸ軸方向およびＹ軸方向のうちの一方の軸方向に沿って離間して形成された校正基板を備え、
前記処理部は、前記移動機構を制御して前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンに交互に接触させつつ、前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を当該第１および第２導体パターン間の領域内で前記一方の軸方向に沿って移動させると共に、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該第２プローブの前記針先を前記第１導体パターンに接触させたときに測定される前記静電容量および当該第２プローブの前記針先を前記第２導体パターンに接触させたときに測定される前記静電容量が等しくなる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された第１基準点との前記一方の軸方向に沿った誤差を算出する誤差算出処理と、
当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する回路基板検査装置。
【請求項２】
前記校正基板には、線対称形状の第３導体パターンおよび第４導体パターンが前記Ｘ軸方向および前記Ｙ軸方向のうちの他方の軸方向に沿って離間して形成され、
前記処理部は、前記誤差算出処理において、前記移動機構を制御して前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンに交互に接触させつつ、前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を当該第３および第４導体パターン間の領域内で前記他方の軸方向に沿って移動させると共に、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該第２プローブの前記針先を前記第３導体パターンに接触させたときに測定される前記静電容量および当該第２プローブの前記針先を前記第４導体パターンに接触させたときに測定される前記静電容量が等しくなる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された第２基準点との前記他方の軸方向に沿った誤差を算出し、前記補正処理において、当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置をさらに補正する請求項１記載の回路基板検査装置。
【請求項３】
第１プローブが装着された第１検査ヘッドと、
第２プローブが装着された第２検査ヘッドと、
検査対象基板が配設されるテーブルと平行なＸ−Ｙ直交座標平面内で前記各検査ヘッドを個別に移動させると共に、当該Ｘ−Ｙ直交座標平面と直交するＺ軸方向に沿って当該各検査ヘッドを個別に移動させる移動機構と、
前記移動機構を制御して前記各検査ヘッドを移動させることにより、前記各プローブの針先を前記テーブルに配設された前記検査対象基板上の検査ポイントに接触させて当該検査対象基板の検査を実行する処理部とを備えた回路基板検査装置であって、
前記各プローブ間の静電容量を測定する測定部と、
前記テーブルに配設されると共に、線対称形状の第１導体部位および第２導体部位が前記Ｘ−Ｙ直交座標平面におけるＸ軸方向およびＹ軸方向のうちの一方の軸方向に沿って離間して配置された第１導体パターンが形成された校正基板を備え、
前記処理部は、前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記第１導体パターンに接触させた状態において、前記移動機構を制御して前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を前記第１導体部位および前記第２導体部位間の領域内で前記一方の軸方向に沿って移動させつつ、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該静電容量が最小となる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された第１基準点との前記一方の軸方向に沿った誤差を算出する誤差算出処理と、
当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する回路基板検査装置。
【請求項４】
前記校正基板には、線対称形状の第３導体部位および第４導体部位が前記Ｘ軸方向および前記Ｙ軸方向のうちの他方の軸方向に沿って離間して配置された第２導体パターンが形成され、
前記処理部は、前記誤差算出処理において、前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記第２導体パターンに接触させた状態において、前記移動機構を制御して前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を前記第３導体部位および前記第４導体部位間の領域内で前記他方の軸方向に沿って移動させつつ、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該静電容量が最小となる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された第２基準点との前記他方の軸方向に沿った誤差を算出し、前記補正処理において、当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置をさらに補正する請求項３記載の回路基板検査装置。
【請求項５】
第１プローブが装着された第１検査ヘッドと、
第２プローブが装着された第２検査ヘッドと、
検査対象基板が配設されるテーブルと平行なＸ−Ｙ直交座標平面内で前記各検査ヘッドを個別に移動させると共に、当該Ｘ−Ｙ直交座標平面と直交するＺ軸方向に沿って当該各検査ヘッドを個別に移動させる移動機構と、
前記移動機構を制御して前記各検査ヘッドを移動させることにより、前記各プローブの針先を前記テーブルに配設された前記検査対象基板上の検査ポイントに接触させて当該検査対象基板の検査を実行する処理部とを備えた回路基板検査装置であって、
前記各プローブ間の静電容量を測定する測定部と、
前記テーブルに配設されると共に、円環状導体パターンが形成された校正基板を備え、
前記処理部は、前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記円環状導体パターンに接触させた状態において、前記移動機構を制御して前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を前記円環状導体パターンの内側領域で移動させつつ、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該静電容量が最小となる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された基準点との前記Ｘ−Ｙ直交座標平面におけるＸ軸およびＹ軸方向に沿った各誤差を算出する誤差算出処理と、
当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する回路基板検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブが装着された検査ヘッドを用いて検査対象基板の検査を実行可能に構成された回路基板検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の回路基板検査装置では、検査ヘッドにプローブを取り付けているが、このプローブの取付け時（交換時も含む）において、検査ヘッドおよびプローブの製造公差に起因して、取付け後におけるプローブの針先の位置が設計上の基準位置から変位することがある。このため、この種の回路基板検査装置では、予めこの誤差を測定（吸収）し、検査対象基板上に規定された検査ポイントについての座標をこの誤差で補正する補正処理が通常実施されている。
【０００３】
この補正処理に際して実施される誤差の測定方法として、本願出願人は、下記特許文献１に開示された測定方法を既に提案している。この測定方法では、まず、カメラの取付け誤差を測定し、その誤差を吸収（調整）する。具体的には、カメラ取付け誤差吸収用のマーク上にカメラを移動させてその図形を撮像し、画像処理手段にてその重心を求める。そして、カメラの座標データを同重心位置に合わせるように調整する。次に、プローブに打痕シート上の特定点（ｘ，ｙ）に打触するように指令信号を出力する。しかる後、カメラの中心を特定点（ｘ，ｙ）上に移動させ、プローブによる打痕（プローブの針先によって形成される打痕）を撮像する。これにより、画像処理手段にてその打痕形状から重心が求められる。例えば、重心の座標データはＣＰＵに入力され、特定点（ｘ，ｙ）との差が求められる。ここで、重心の座標データが（ｘＬ，ｙＬ）であるとすると、プローブの針先と特定点（基準位置）との間の誤差が｜ｘ−ｘＬ｜，｜ｙ−ｙＬ｜として求められる。この求めた誤差は、プローブの座標を設定する際に加味される（プローブの座標を補正する際に使用される）。
【特許文献１】特開平６−３３１６５３号公報（第３頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、この誤差測定方法には、以下のような解決すべき課題が存在している。すなわち、この誤差測定方法では、打痕シートの使用によってこの打痕シートの張り替え作業が必要となると共に、プローブの小型化に伴って打痕も微細化する傾向にあることから、打痕を撮像するカメラに高精度のものを使用する必要があるため、装置コストが上昇するという課題が存在している。
【０００５】
本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、装置コストを上昇させることなく、プローブまたはこのプローブが取り付けられた検査ヘッドの基準位置からの誤差を算出し得る回路基板検査装置を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板検査装置は、第１プローブが装着された第１検査ヘッドと、第２プローブが装着された第２検査ヘッドと、検査対象基板が配設されるテーブルと平行なＸ−Ｙ直交座標平面内で前記各検査ヘッドを個別に移動させると共に、当該Ｘ−Ｙ直交座標平面と直交するＺ軸方向に沿って当該各検査ヘッドを個別に移動させる移動機構と、前記移動機構を制御して前記各検査ヘッドを移動させることにより、前記各プローブの針先を前記テーブルに配設された前記検査対象基板上の検査ポイントに接触させて当該検査対象基板の検査を実行する処理部とを備えた回路基板検査装置であって、前記各プローブ間の静電容量を測定する測定部と、前記テーブルに配設されると共に、線対称形状の第１導体パターンおよび第２導体パターンが前記Ｘ−Ｙ直交座標平面におけるＸ軸方向およびＹ軸方向のうちの一方の軸方向に沿って離間して形成された校正基板を備え、前記処理部は、前記移動機構を制御して前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンに交互に接触させつつ、前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を当該第１および第２導体パターン間の領域内で前記一方の軸方向に沿って移動させると共に、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該第２プローブの前記針先を前記第１導体パターンに接触させたときに測定される前記静電容量および当該第２プローブの前記針先を前記第２導体パターンに接触させたときに測定される前記静電容量が等しくなる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された第１基準点との前記一方の軸方向に沿った誤差を算出する誤差算出処理と、当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する。
【０００７】
また、請求項２記載の回路基板検査装置は、請求項１記載の回路基板検査装置において、前記校正基板には、線対称形状の第３導体パターンおよび第４導体パターンが前記Ｘ軸方向および前記Ｙ軸方向のうちの他方の軸方向に沿って離間して形成され、前記処理部は、前記誤差算出処理において、前記移動機構を制御して前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンに交互に接触させつつ、前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を当該第３および第４導体パターン間の領域内で前記他方の軸方向に沿って移動させると共に、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該第２プローブの前記針先を前記第３導体パターンに接触させたときに測定される前記静電容量および当該第２プローブの前記針先を前記第４導体パターンに接触させたときに測定される前記静電容量が等しくなる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された第２基準点との前記他方の軸方向に沿った誤差を算出し、前記補正処理において、当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置をさらに補正する。
【０００８】
また、請求項３記載の回路基板検査装置は、第１プローブが装着された第１検査ヘッドと、第２プローブが装着された第２検査ヘッドと、検査対象基板が配設されるテーブルと平行なＸ−Ｙ直交座標平面内で前記各検査ヘッドを個別に移動させると共に、当該Ｘ−Ｙ直交座標平面と直交するＺ軸方向に沿って当該各検査ヘッドを個別に移動させる移動機構と、前記移動機構を制御して前記各検査ヘッドを移動させることにより、前記各プローブの針先を前記テーブルに配設された前記検査対象基板上の検査ポイントに接触させて当該検査対象基板の検査を実行する処理部とを備えた回路基板検査装置であって、前記各プローブ間の静電容量を測定する測定部と、前記テーブルに配設されると共に、線対称形状の第１導体部位および第２導体部位が前記Ｘ−Ｙ直交座標平面におけるＸ軸方向およびＹ軸方向のうちの一方の軸方向に沿って離間して配置された第１導体パターンが形成された校正基板を備え、前記処理部は、前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記第１導体パターンに接触させた状態において、前記移動機構を制御して前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を前記第１導体部位および前記第２導体部位間の領域内で前記一方の軸方向に沿って移動させつつ、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該静電容量が最小となる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された第１基準点との前記一方の軸方向に沿った誤差を算出する誤差算出処理と、当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する。
【０００９】
また、請求項４記載の回路基板検査装置は、請求項３記載の回路基板検査装置において、前記校正基板には、線対称形状の第３導体部位および第４導体部位が前記Ｘ軸方向および前記Ｙ軸方向のうちの他方の軸方向に沿って離間して配置された第２導体パターンが形成され、前記処理部は、前記誤差算出処理において、前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記第２導体パターンに接触させた状態において、前記移動機構を制御して前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を前記第３導体部位および前記第４導体部位間の領域内で前記他方の軸方向に沿って移動させつつ、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該静電容量が最小となる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された第２基準点との前記他方の軸方向に沿った誤差を算出し、前記補正処理において、当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置をさらに補正する
【００１０】
また、請求項５記載の回路基板検査装置は、第１プローブが装着された第１検査ヘッドと、第２プローブが装着された第２検査ヘッドと、検査対象基板が配設されるテーブルと平行なＸ−Ｙ直交座標平面内で前記各検査ヘッドを個別に移動させると共に、当該Ｘ−Ｙ直交座標平面と直交するＺ軸方向に沿って当該各検査ヘッドを個別に移動させる移動機構と、前記移動機構を制御して前記各検査ヘッドを移動させることにより、前記各プローブの針先を前記テーブルに配設された前記検査対象基板上の検査ポイントに接触させて当該検査対象基板の検査を実行する処理部とを備えた回路基板検査装置であって、前記各プローブ間の静電容量を測定する測定部と、前記テーブルに配設されると共に、円環状導体パターンが形成された校正基板を備え、前記処理部は、前記第２検査ヘッドの前記第２プローブの前記針先を前記円環状導体パターンに接触させた状態において、前記移動機構を制御して前記第１検査ヘッドの前記第１プローブの前記針先を前記円環状導体パターンの内側領域で移動させつつ、前記測定部に対して当該各プローブ間の静電容量を測定させることにより、当該静電容量が最小となる当該第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ当該特定した位置と前記校正基板上に予め規定された基準点との前記Ｘ−Ｙ直交座標平面におけるＸ軸およびＹ軸方向に沿った各誤差を算出する誤差算出処理と、当該算出した誤差で前記各検査ポイントに前記各プローブの針先を接触させる際の前記各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１記載の回路基板検査装置では、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のうちの一方の軸方向に沿って離間する線対称形状の第１および第２導体パターンが形成された校正基板を備え、処理部が、移動機構を制御して第２検査ヘッドの第２プローブの針先を第１導体パターンおよび第２導体パターンに交互に接触させつつ、第１検査ヘッドの第１プローブの針先を第１および第２導体パターン間の領域内で一方の軸方向に沿って移動させると共に、測定部に対して各プローブ間の静電容量を測定させることにより、第２プローブの針先を第１導体パターンに接触させたときに測定される静電容量および第２プローブの針先を第２導体パターンに接触させたときに測定される静電容量が等しくなる第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ特定した位置と校正基板上に予め規定された第１基準点との一方の軸方向に沿った誤差を算出する誤差算出処理と、算出した誤差で各検査ポイントに各プローブの針先を接触させる際の各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する。
【００１２】
したがって、この回路基板検査装置によれば、打痕シートおよびカメラを使用することなく、第１検査ヘッドおよび第２検査ヘッドに装着された各プローブについての一方の軸方向に沿った誤差を算出して、各検査ヘッドについての検査対象基板に規定された検査ポイントの一方の軸方向に沿った位置を補正することができるため、打痕シートの張り替え作業および高価なカメラを不要にすることができる結果、装置コストの上昇を回避することができる。
【００１３】
また、請求項２記載の回路基板検査装置では、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のうちの他方の軸方向に沿って離間した状態で線対称形状の第３導体パターンおよび第４導体パターンを校正基板にさらに形成し、処理部が、誤差算出処理において、第２プローブの針先を第３導体パターンに接触させたときに測定される静電容量および第２プローブの針先を第４導体パターンに接触させたときに測定される静電容量が等しくなる第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ特定した位置と校正基板上に予め規定された第２基準点との他方の軸方向に沿った誤差を算出し、補正処理において、算出した誤差で各検査ポイントに各プローブの針先を接触させる際の各検査ヘッドの位置をさらに補正する。したがって、この回路基板検査装置によれば、装置コストの上昇を回避しながら、第１検査ヘッドおよび第２検査ヘッドに装着された各プローブについての他方の軸方向に沿った誤差を算出して、各検査ヘッドについての検査対象基板に規定された検査ポイントの他方の軸方向に沿った位置を補正することができる。
【００１４】
また、請求項３記載の回路基板検査装置では、線対称形状の第１導体部位および第２導体部位がＸ軸方向およびＹ軸方向のうちの一方の軸方向に沿って離間して配置された第１導体パターンが形成された校正基板を備え、処理部が、第２検査ヘッドの第２プローブの針先を第１導体パターンに接触させた状態において、移動機構を制御して第１検査ヘッドの第１プローブの針先を第１導体部位および第２導体部位間の領域内で一方の軸方向に沿って移動させつつ、測定部に対して各プローブ間の静電容量を測定させることにより、この静電容量が最小となる第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ特定した位置と校正基板上に予め規定された第１基準点との一方の軸方向に沿った誤差を算出する誤差算出処理と、この算出した誤差で各検査ポイントに各プローブの針先を接触させる際の各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する。
【００１５】
したがって、この回路基板検査装置によれば、打痕シートおよびカメラを使用することなく、第１検査ヘッドおよび第２検査ヘッドに装着された各プローブについての一方の軸方向に沿った誤差を算出して、各検査ヘッドについての検査対象基板に規定された検査ポイントの一方の軸方向に沿った位置を補正することができるため、打痕シートの張り替え作業および高価なカメラを不要にすることができる結果、装置コストの上昇を回避することができる。さらに、この回路基板検査装置では、一方の検査ヘッドに装着されたプローブについての一方の軸方向に沿った誤差の算出の際に、他方の検査ヘッドに装着されたプローブは、誤差の算出に際して使用している１つの導体パターンに接触させておけばよく、接触させる導体パターンを変更する必要がない。このため、より短い時間で誤差を算出して、各検査ヘッドについての検査対象基板に規定された検査ポイントの一方の軸方向に沿った位置を補正することができる。
【００１６】
また、請求項４記載の回路基板検査装置では、線対称形状の第３導体部位および第４導体部位がＸ軸方向およびＹ軸方向のうちの他方の軸方向に沿って離間して配置された第２導体パターンが形成された校正基板を備え、処理部が、誤差算出処理において、第２検査ヘッドの第２プローブの針先を第２導体パターンに接触させた状態において、移動機構を制御して第１検査ヘッドの第１プローブの針先を第３導体部位および第４導体部位間の領域内で他方の軸方向に沿って移動させつつ、測定部に対して各プローブ間の静電容量を測定させることにより、静電容量が最小となる第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ特定した位置と校正基板上に予め規定された第２基準点との他方の軸方向に沿った誤差を算出し、補正処理において、算出した誤差で各検査ポイントに各プローブの針先を接触させる際の各検査ヘッドの位置をさらに補正する。したがって、この回路基板検査装置によれば、装置コストの上昇を回避しながら、第１検査ヘッドおよび第２検査ヘッドに装着された各プローブについての他方の軸方向に沿った誤差を算出して、各検査ヘッドについての検査対象基板に規定された検査ポイントの他方の軸方向に沿った位置を補正することができる。
【００１７】
また、請求項５記載の回路基板検査装置では、円環状導体パターンが形成された校正基板を備え、処理部が、第２検査ヘッドの第２プローブの針先を円環状導体パターンに接触させた状態において、移動機構を制御して第１検査ヘッドの第１プローブの針先を円環状導体パターンの内側領域で移動させつつ、測定部に対して各プローブ間の静電容量を測定させることにより、静電容量が最小となる第１検査ヘッドの位置を特定し、かつ特定した位置と校正基板上に予め規定された基準点とのＸ−Ｙ直交座標平面におけるＸ軸およびＹ軸方向に沿った各誤差を算出する誤差算出処理と、この算出した誤差で各検査ポイントに各プローブの針先を接触させる際の各検査ヘッドの位置を補正する補正処理とを実行する。
【００１８】
したがって、この回路基板検査装置によれば、打痕シートおよびカメラを使用することなく、第１検査ヘッドおよび第２検査ヘッドに装着された各プローブについての誤差を算出することができるため、打痕シートの張り替え作業および高価なカメラを不要にすることができる結果、装置コストの上昇を回避することができる。さらに、この回路基板検査装置では、一方の検査ヘッドに装着されたプローブについてのＸ軸およびＹ軸方向に沿った誤差の算出の際に、他方の検査ヘッドに装着されたプローブは、円環状導体パターンに接触させたままの状態でよく、接触させる導体パターンを変更する必要がない。このため、さらに短い時間で誤差を算出することができ、各検査ヘッドについての検査対象基板に規定された検査ポイントの各軸方向に沿った位置についての補正処理完了までの時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る回路基板検査装置の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００２０】
最初に、回路基板検査装置１の構成について、図１〜図３を参照して説明する。
【００２１】
回路基板検査装置１は、図１に示すように、テーブル２、校正基板３、第１検査ヘッド４、第２検査ヘッド５、第１プローブ６、第２プローブ７、移動機構８、測定部９、記憶部１０、操作部１１および処理部１２を備え、テーブル２の表面２ａに載置された検査対象基板（以下、「基板」ともいう）１３を検査可能に構成されている。
【００２２】
テーブル２は、図１，２に示すように、その表面２ａに予め規定された検査位置に基板１３を載置可能に構成されている。校正基板３は、一例として、図２，３に示すように、独立した４つの第１導体パターン２１、第２導体パターン２２、第３導体パターン２３および第４導体パターン２４が一方の面（本例では表面であるが、裏面（テーブル２との対向面）でもよい）に形成されている。また、第１導体パターン２１および第２導体パターン２２は、一例としてその平面形状がＸ−Ｙ直交座標平面（テーブル２の表面２ａと平行な平面。以下、「Ｘ−Ｙ座標平面」ともいう）におけるＹ軸と平行な仮想直線Ｌ１（校正基板３に規定された基準点Ａを通る直線）を基準とした線対称形状に形成されている。具体的には、第１導体パターン２１および第２導体パターン２２は、Ｙ軸と平行な同一形状の長方形（長手方向がＹ軸と平行な長方形）であって、一方の軸（Ｘ軸）方向に沿って離間して形成されている。一方、第３導体パターン２３および第４導体パターン２４は、一例としてその平面形状がＸ−Ｙ座標平面におけるＸ軸と平行な仮想直線Ｌ２（基準点Ａを通る直線）を基準とした線対称形状に形成されている。具体的には、第３導体パターン２３および第４導体パターン２４は、Ｘ軸と平行な同一の長方形（長手方向がＸ軸と平行な長方形）であって、他方の軸（Ｙ軸）方向に沿って離間して形成されている。本例では、各導体パターン２１〜２４は、図３に示すように、基準点Ａを中心とする仮想正方形Ｂの四辺上に互いに独立した状態（非接触の状態）で形成されている。このため、基準点Ａは、後述するように、本発明における一方の軸（Ｘ軸）の誤差を算出するための第１基準点でもあり、また本発明における他方の軸（Ｙ軸）の誤差を算出するための第２基準点でもある。また、校正基板３は、図２に示すように、テーブル２の表面２ａに載置された基板１３と隣接する位置に取り付けられている。なお、各第１導体パターン２１、第２導体パターン２２、第３導体パターン２３および第４導体パターン２４の大きさおよび間隔については、発明の理解を容易にするため、実際のものよりも誇張して図示している。
【００２３】
第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５は、同一に構成されて、図１に示すように、テーブル２の表面２ａ側に配置されている。また、各検査ヘッド４，５は、移動機構８によってそれぞれ支持されて、Ｘ−Ｙ座標平面内で独立して移動可能であると共に、Ｘ−Ｙ座標平面と直交するＺ軸方向に沿って移動可能となっている。第１プローブ６および第２プローブ７は、針先６ａ，７ａを備えて同一に構成されて、第１プローブ６は第１検査ヘッド４に、第２プローブ７は第２検査ヘッド５に、各針先６ａ，７ａの延出方向がＺ軸方向に沿うようにそれぞれ取り付けられている。
【００２４】
移動機構８は、一例として、不図示の２つの一次元移動機構（移動対象体を上記のＺ軸方向に沿って移動させる２つの移動機構）と、各一次元移動機構を上記のＸ−Ｙ座標平面内で二次元的に独立して移動させる不図示の２つの二次元移動機構とを備えて構成されている。また、上記の２つの一次元移動機構のうちの一方の一次元移動機構には、第１検査ヘッド４が移動対象体として取り付けられ、他方の一次元移動機構には、第２検査ヘッド５が移動対象体として取り付けられている。この構成により、移動機構８は、処理部１２によって制御されて、各検査ヘッド４，５を指定された位置に個別に移動させる。
【００２５】
測定部９は、各検査ヘッド４，５に装着された各プローブ６，７と配線材を介して電気的に接続されている。また、測定部９は、処理部１２によって制御されて、各プローブ６，７間に電圧信号などの検査用信号を出力すると共に、この検査用信号の出力時において各プローブ６，７間に発生する電気量（例えば電流）に基づいて、各プローブ６，７と接触している電気部品（基板１３に形成された配線パターンや、基板１３に実装された電子部品）の電気的パラメータ（例えば、電圧信号の電圧値と電流の電流値とに基づいて算出される抵抗や、電圧信号および電流の各波形に基づいて算出される静電容量やインダクタンス）を測定する。
【００２６】
記憶部１０は、例えばＲＯＭおよびＲＡＭなどの半導体メモリで構成されて、処理部１２のための動作プログラムや、基板１３に規定された複数の検査ポイントＣＰに各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを接触させる際の各検査ヘッド４，５のＸ−Ｙ座標平面内での座標を示す位置データ、校正基板３の基準点Ａおよび校正基板３に形成された各導体パターン２１〜２４に各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを接触させるときの各検査ヘッド４，５のＸ−Ｙ座標平面内での座標を示す位置データ、および各検査ヘッド４，５のＸ−Ｙ座標平面内での不図示の待機位置の座標を示す位置データを含む位置データＤｐが予め記憶されている。本例では発明の理解を容易にするため、校正基板３の基準点Ａに各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを移動させるときの各検査ヘッド４，５の位置を計測位置といい、校正基板３に形成された第１導体パターン２１、第２導体パターン２２、第３導体パターン２３および第４導体パターン２４に各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを接触させるときの各検査ヘッド４，５の位置を第１接触位置、第２接触位置、第３接触位置および第４接触位置という。
【００２７】
操作部１１は、設定キー、実行キーおよび停止キーなどを含む複数種類のキー（いずれも図示せず）を備えて、各キーに対する操作内容を示す操作データＤｏを処理部１２に出力する。処理部１２は、ＣＰＵなどで構成されて、各検査ヘッド４，５を計測位置に位置させたときにおける各プローブ６，７の針先６ａ，７ａについての上記した基準点Ａからの誤差（基準点Ａからの各プローブ６，７の針先６ａ，７ａのＸ軸に沿った誤差（離間距離）、およびＹ軸に沿った誤差（離間距離））を算出する誤差算出処理、算出した誤差に基づいて基板１３に規定された各検査ポイントの座標を示す位置データを補正する補正処理、および基板１３に対する検査処理を実行する。
【００２８】
次に、回路基板検査装置１による基板１３に対する検査動作について説明する。
【００２９】
テーブル２に基板１３が載置された状態において、操作部１１に対する操作が行われて、処理部１２に対して検査の開始が指示されたときには、処理部１２は、最初に、誤差算出処理を実行する。
【００３０】
この誤差算出処理では、処理部１２は、検査ヘッド４，５に装着されている各プローブ６，７の針先６ａ，７ａについての上記した誤差を順次算出する。まず、処理部１２は、第１プローブ６の針先６ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差およびＹ軸方向に沿った誤差）を算出する第１算出処理を実行する。この第１算出処理では、処理部１２は、最初に、Ｘ軸方向に沿った誤差を算出するＸ軸誤差算出処理を実行して、第１プローブ６の針先６ａについてのＸ軸方向に沿った誤差を算出する。
【００３１】
この処理では、処理部１２は、まず、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａを校正基板３の基準点Ａに移動させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から計測位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第１検査ヘッド４を計測位置に移動させる。この場合、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａは、理論上は校正基板３の基準点Ａに移動させられることになるが、上記した第１検査ヘッド４および第１プローブ６の製造公差等に起因して、取り付ける都度、第１プローブ６の針先６ａについての第１検査ヘッド４に対する相対位置がばらつくため、実際には、図３に示すように基準点Ａから外れて、Ｘ軸方向に沿ってΔｘ１だけ変位し、かつＹ軸方向に沿ってΔｙ１だけ変位した位置Ｅに移動させられる。また、処理部１２は、移動機構８を制御して第１検査ヘッド４をＺ軸方向に所定距離だけ移動させて、校正基板３に接触する前に停止させる。これにより、図４に示すように、第１プローブ６の針先６ａは、位置Ｅにおいて、校正基板３の表面から若干浮いた状態となっている。
【００３２】
次いで、処理部１２は、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを第１導体パターン２１に接触させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から第１接触位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５を第１接触位置に移動させ、続いてＺ軸方向に移動させて校正基板３に当接させる。これにより、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａは、図３に示す位置Ｆにおいて、校正基板３に形成された第１導体パターン２１と接触した状態となる。なお、第１導体パターン２１の幅および第１接触位置の座標は、検査ヘッド４，５およびプローブ６，７の製造公差等に起因して、検査ヘッド４，５に対するプローブ６，７の各針先６ａ，７ａの相対位置がばらついたとしても、針先６ａ，７ａが第１導体パターン２１と確実に接触し得るように予め規定されている。同様にして、第２導体パターン２２の幅および第２接触位置（プローブ６，７の針先６ａ，７ａの位置が図３における位置Ｇとなる検査ヘッド４，５の位置）の座標、第３導体パターン２３の幅および第３接触位置（プローブ６，７の針先６ａ，７ａの位置が図３における位置Ｈとなる検査ヘッド４，５の位置）の座標、および第４導体パターン２４の幅および第４接触位置（プローブ６，７の針先６ａ，７ａの位置が図３における位置Ｉとなる検査ヘッド４，５の位置）の座標についても同様に規定されている。
【００３３】
次いで、処理部１２は、測定部９を制御して各プローブ６，７間の静電容量を測定させる。これにより、測定部９は、プローブ７の針先７ａが接触している第１導体パターン２１と第１プローブ６（具体的には第１プローブ６の針先６ａ）との間の静電容量Ｃ１（図４参照）を測定して、処理部１２に出力する。処理部１２は、この静電容量Ｃ１を入力して記憶部１０に記憶させる。
【００３４】
続いて、処理部１２は、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを第２導体パターン２２に接触させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から第２接触位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５を第２接触位置に移動させ、続いてＺ軸方向に移動させる。これにより、第２プローブ７の針先７ａは、図４に示す位置Ｇに位置して、第２導体パターン２２と接触した状態となる。次いで、処理部１２は、測定部９を制御して各プローブ６，７間の静電容量を測定させる。これにより、測定部９は、プローブ７の針先７ａが接触している第２導体パターン２２と第１プローブ６との間の静電容量Ｃ２（図４参照）を測定して、処理部１２に出力する。処理部１２は、この静電容量Ｃ２を入力して記憶部１０に記憶させる。
【００３５】
続いて、処理部１２は、記憶部１０に記憶されている各静電容量Ｃ１，Ｃ２を比較し、各静電容量Ｃ１，Ｃ２が相違するときには、移動機構８を制御して、第１および第２導体パターン２１，２２のうちの第１プローブ６の針先６ａとの間の静電容量値の小さな方へ第１検査ヘッド４をＸ軸に沿って予め決められた単位距離（微小距離）だけ移動させて停止させる。
【００３６】
次いで、処理部１２は、測定部９を制御して各プローブ６，７間の静電容量を測定させる。これにより、測定部９は、第２プローブ７の針先７ａが接触している第２導体パターン２２とプローブ６との間の静電容量Ｃ２（図４参照）を測定して処理部１２に出力し、処理部１２がこの静電容量Ｃ２を記憶部１０に記憶させる。続いて、処理部１２は、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５を第１接触位置に移動させると共に、Ｚ軸方向に移動させることにより、第２プローブ７の針先７ａを、再度、図３に示す位置Ｆに移動させて第１導体パターン２１に接触させ、第１導体パターン２１とプローブ６との間の静電容量Ｃ１（図４参照）を測定して記憶部１０に記憶させる。次いで、処理部１２は、記憶部１０に記憶されている新たな静電容量Ｃ１，Ｃ２同士を比較し、各静電容量Ｃ１，Ｃ２が相違するときには、移動機構８を制御して、第１および第２導体パターン２１，２２のうちの第１プローブ６の針先６ａとの間の静電容量値の小さな方へ第１検査ヘッド４をＸ軸に沿って単位距離だけ移動させて停止させる。
【００３７】
その後、処理部１２は、移動機構８を制御して第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを校正基板３の各導体パターン２１，２２に交互に接触させつつ、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａを各導体パターン２１，２２間の領域内でＸ軸（一方の軸）方向に沿って単位距離ずつ移動させると共に、移動の都度、測定部９に対して各プローブ６，７間の静電容量を測定させることにより、第２プローブ７の針先７ａを第１導体パターン２１に接触させたときの静電容量Ｃ１および第２プローブ７の針先７ａを第２導体パターン２２に接触させたときに測定される静電容量Ｃ２の各測定処理と、測定された両静電容量Ｃ１，Ｃ２の比較処理とを、両静電容量Ｃ１，Ｃ２が一致するまで繰り返し実行する。その結果、両静電容量Ｃ１，Ｃ２が一致したときには、処理部１２は、このときの第１検査ヘッド４の位置を特定し、この特定した位置と、Ｘ軸誤差算出処理の開始時における第１検査ヘッド４の位置（計測位置）との距離（移動量）を算出して、この算出した距離を第１プローブ６の針先６ａについての基準点Ａから位置ＥまでのＸ軸方向に沿った誤差Δｘ１として記憶部１０に記憶させる。これにより、第１算出処理におけるＸ軸誤差算出処理が完了する。本例では、第１導体パターン２１および第２導体パターン２２は同一平面形状（長方形）に形成されると共に、互いに平行な状態で配置されているため、第１プローブ６の針先６ａが第１導体パターン２１および第２導体パターン２２の中間位置（仮想直線Ｌ１上）に位置したときに、両静電容量Ｃ１，Ｃ２が等しくなる。したがって、Ｘ軸誤差算出処理の開始時における第１検査ヘッド４の位置（計測位置）から、上記の特定された位置（両静電容量Ｃ１，Ｃ２が一致する位置）までの第１検査ヘッド４の移動量は、上記の誤差Δｘ１と一致することになる。
【００３８】
次いで、処理部１２は、第１算出処理におけるＹ軸誤差算出処理を実行する。この処理では、処理部１２は、再度、記憶部１０から計測位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して第１検査ヘッド４を計測位置に移動させ、次いで、移動機構８を制御して第１検査ヘッド４をＺ軸方向に所定距離だけ移動させて停止させる。これにより、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａは、再度、図３に示す位置Ｅにおいて、図４に示すように、校正基板３の表面から若干浮いた状態となる。
【００３９】
次いで、処理部１２は、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを第３導体パターン２３に接触させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から第３接触位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５を第３接触位置に移動させ、続いてＺ軸方向に移動させる。これにより、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａは、図３に示す位置Ｈに位置し、かつ第３導体パターン２３と接触した状態となる。
【００４０】
次いで、処理部１２は、測定部９を制御して各プローブ６，７間の静電容量を測定させる。これにより、測定部９は、プローブ７の針先７ａが接触している第３導体パターン２３と第１プローブ６（具体的には第１プローブ６の針先６ａ）との間の静電容量Ｃ１（図４参照）を測定して、処理部１２に出力する。処理部１２は、この静電容量Ｃ１を入力して記憶部１０に記憶させる。
【００４１】
続いて、処理部１２は、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを第４導体パターン２４に接触させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から第４接触位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５を第４接触位置に移動させ、続いてＺ軸方向に移動させる。これにより、第２プローブ７の針先７ａは、図３に示す位置Ｉに位置して、第４導体パターン２４と接触した状態となる。次いで、処理部１２は、測定部９を制御して各プローブ６，７間の静電容量を測定させる。これにより、測定部９は、プローブ７の針先７ａが接触している第４導体パターン２４と第１プローブ６との間の静電容量Ｃ２（図４参照）を測定して、処理部１２に出力する。処理部１２は、この静電容量Ｃ２を入力して記憶部１０に記憶させる。
【００４２】
続いて、処理部１２は、記憶部１０に記憶されている各静電容量Ｃ１，Ｃ２を比較し、各静電容量Ｃ１，Ｃ２が相違するときには、移動機構８を制御して、第１および第２導体パターン２１，２２のうちの第１プローブ６の針先６ａとの間の静電容量値の小さな方へ第１検査ヘッド４をＹ軸に沿って予め決められた単位距離（微小距離）だけ移動させて停止させる。
【００４３】
この後、処理部１２は、上記したＸ軸誤差算出処理と同様にして、移動機構８を制御して第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを各導体パターン２３，２４に交互に接触させつつ、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａを各導体パターン２３，２４間の領域内でＹ軸（他方の軸）方向に沿って単位距離ずつ移動させると共に、移動の都度、測定部９に対して各プローブ６，７間の静電容量を測定させることにより、第２プローブ７の針先７ａを第３導体パターン２３に接触させたときの静電容量Ｃ１および第２プローブ７の針先７ａを第４導体パターン２４に接触させたときに測定される静電容量Ｃ２の測定と、測定された両静電容量Ｃ１，Ｃ２の比較とを、両静電容量Ｃ１，Ｃ２が一致するまで繰り返し実行する。その結果、両静電容量Ｃ１，Ｃ２が一致したときには、処理部１２は、このときの第１検査ヘッド４の位置を特定し、この特定した位置と、Ｙ軸誤差算出処理の開始時における第１検査ヘッド４の位置（計測位置）との距離（移動量）を算出して、この算出した距離を第１プローブ６の針先６ａについての基準点Ａから位置ＥまでのＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１として記憶部１０に記憶させる。これにより、第１算出処理におけるＹ軸誤差算出処理が完了する。本例では、第３導体パターン２３および第４導体パターン２４は同一平面形状（長方形）に形成されると共に、互いに平行な状態で配置されているため、第１プローブ６の針先６ａが第３導体パターン２３および第４導体パターン２４の中間位置（仮想直線Ｌ２上）に位置したときに、両静電容量Ｃ１，Ｃ２が等しくなる。したがって、Ｙ軸誤差算出処理の開始時における第１検査ヘッド４の位置（計測位置）から、上記の特定された位置（両静電容量Ｃ１，Ｃ２が一致する位置）までの第１検査ヘッド４の移動量は、上記の誤差Δｙ１と一致することになる。これにより、第１算出処理が完了して、記憶部１０には、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ１およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１）が記憶される。
【００４４】
次いで、処理部１２は、第２プローブ７の針先７ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ２およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ２）を算出する第２算出処理を実行する。この第２算出処理においても、上記した第１算出処理と同様にして、処理部１２は、まず、Ｘ軸誤差算出処理を実行して、第２プローブ７の針先７ａについてのＸ軸方向に沿った誤差Δｘ２を算出し、次いで、Ｙ軸誤差算出処理を実行して、第２プローブ７の針先７ａについてのＹ軸方向に沿った誤差Δｙ２を算出する。なお、この第２算出処理でのＸ軸誤差算出処理およびＹ軸誤差算出処理は、上記した第１算出処理でのＸ軸誤差算出処理およびＹ軸誤差算出処理において、第１検査ヘッド４と第２検査ヘッド５とを入れ替える読み替えを行うと共に、第１プローブ６と第２プローブ７とを入れ替える読み替えを行った処理内容と同じであるため、説明は省略する。処理部１２が、この第２算出処理を実行することにより、記憶部１０には、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ２およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ２）が記憶される。これにより、誤差算出処理が完了する。
【００４５】
続いて、処理部１２は、算出した誤差（Δｘ１、Δｙ１），（Δｘ２、Δｙ２）に基づいて基板１３に規定された検査ポイントＣＰの座標を示す位置データを補正する補正処理を実行する。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から読み出した検査ポイントＣＰの座標を示す位置データを誤差（Δｘ１、Δｙ１）で補正することにより、第１プローブ６が装着された第１検査ヘッド４についての各検査ポイントＣＰ用の位置データを算出して、記憶部１０に補正済み位置データとして記憶させる。また、同様にして、処理部１２は、記憶部１０から読み出した検査ポイントＣＰの座標を示す位置データを誤差（Δｘ２、Δｙ２）で補正することにより、第２プローブ７が装着された第２検査ヘッド５についての各検査ポイントＣＰ用の位置データを算出して、記憶部１０に補正済み位置データとして記憶させる。これにより、補正処理が完了する。
【００４６】
次いで、処理部１２は、基板１３に対する検査処理を実行する。この検査処理では、処理部１２は、まず、各検査ヘッド４，５用の検査ポイントＣＰについての補正済み位置データを記憶部１０から読み出しつつ、移動機構８に対する制御を実行して、第１プローブ６および第２プローブ７を基板１３上の目標とする検査ポイントＣＰに接触させる。次いで、処理部１２は、測定部９に対する制御を実行して、検査用信号を各プローブ６，７間に出力することにより、各プローブ６，７と接触している電気部品の電気的パラメータを測定し、測定した電気的パラメータを検査ポイントＣＰに対応させて記憶部１０に記憶させる。処理部１２は、検査すべき電気部品の電気的パラメータがすべて完了したときには、検査処理を終了させる。これにより、基板１３に対する検査が完了する。
【００４７】
このように、この回路基板検査装置１では、Ｘ軸およびＹ軸のうちの一方の軸（Ｘ軸）方向に沿って離間する一対の導体パターン２１，２２、および他方の軸（Ｙ軸）方向に沿って離間する一対の導体パターン２３，２４が形成された校正基板３を使用して、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての各導体パターン２１，２２（または各導体パターン２３，２４）との間の静電容量Ｃ１，Ｃ２に基づいて、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての一方の軸（Ｘ軸）方向に沿った誤差Δｘ１，Δｘ２、および他方の軸（Ｙ軸）方向に沿った誤差Δｙ１，Δｙ２を算出すると共に、算出した誤差（Δｘ１、Δｙ１），（Δｘ２、Δｙ２）に基づいて、各検査ヘッド４，５についての基板１３に規定された検査ポイントＣＰの座標を示す位置データを補正する。したがって、この回路基板検査装置１によれば、打痕シートおよびカメラを使用することなく、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての誤差（Δｘ１，Δｙ１），（Δｘ２，Δｙ２）を算出して、各検査ヘッド４，５についての基板１３に規定された検査ポイントＣＰの座標を示す位置データを補正することができるため、打痕シートの張り替え作業および打痕を撮像するための高価なカメラを不要にすることができる結果、装置コストの上昇を回避することができる。
【００４８】
なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、上記の回路基板検査装置１では、各軸方向の誤差（Ｘ軸方向の誤差（Δｘ１，Δｘ２）、Ｙ軸方向の誤差（Δｙ１，Δｙ２））を算出するため、各軸に対応する二対の導体パターン（第１および第２導体パターン２１，２２と、第３および第４導体パターン２３，２４）が形成された校正基板３を使用しているが、図５に示すような平面形状（コ字状またはＵ字状。本例では一例としてコ字状）の第１および第２導体パターン３１，３２が形成された校正基板３Ａを使用する構成（図１参照）を採用することもできる。
【００４９】
校正基板３Ａについて具体的に説明すると、第１導体パターン３１は、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についてのＸ軸方向に沿った誤差Δｘ１，Δｘ２を算出するためのものであり、校正基板３に規定された基準点Ａ１を通りＹ軸と平行な仮想直線Ｌ１を基準とした線対称形状（本例では、一方の軸（Ｘ軸）方向に沿って離間して配置され、かつ長手方向がＹ軸と平行な同一形状の長方形）に形成された第１導体部位３１ａおよび第２導体部位３１ｂと、第１導体部位３１ａおよび第２導体部位３１ｂを連結する連結導体部位３１ｃとを備えて形成されている。一方、第２導体パターン３２は、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についてのＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１，Δｙ２を算出するためのものであり、校正基板３に規定された基準点Ａ２を通りＸ軸と平行な仮想直線Ｌ２を基準とした線対称形状（本例では、他方の軸（Ｙ軸）方向に沿って離間して配置され、かつ長手方向がＸ軸と平行な同一形状の長方形）に形成された第３導体部位３２ａおよび第４導体部位３２ｂと、第３導体部位３２ａおよび第４導体部位３２ｂを連結する連結導体部位３２ｃとを備えて形成されている。
【００５０】
この校正基板３Ａを備えた回路基板検査装置１Ａについて説明する。なお、回路基板検査装置１と比較して、校正基板３Ａの２つの基準点Ａ１，Ａ２および校正基板３Ａに形成された各導体パターン３１，３２に各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを接触させるときの各検査ヘッド４，５のＸ−Ｙ座標平面内での座標を示す位置データが位置データＤｐに含まれている点と、処理部１２によって実行される各検査ヘッド４，５に装着された各プローブ６，７の針先６ａ，７ａについての各誤差を算出する誤差算出処理とが主として相違するため、これらの相違点について説明する。なお、以下では、発明の理解を容易にするため、校正基板３Ａの基準点Ａ１に各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを移動させるときの各検査ヘッド４，５の位置を第１計測位置といい、校正基板３Ａの基準点Ａ２に各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを移動させるときの各検査ヘッド４，５の位置を第２計測位置という。また、校正基板３に形成された第１導体パターン３１、第２導体パターン３２に各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを接触させるときの各検査ヘッド４，５の位置を第１接触位置および第２接触位置という。
【００５１】
次に、回路基板検査装置１Ａによる誤差算出処理について説明する。
【００５２】
この誤差算出処理では、処理部１２は、まず、第１プローブ６の針先６ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ１およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１）を算出する第１算出処理を実行する。この第１算出処理では、処理部１２は、最初に、Ｘ軸誤差算出処理を実行して、第１プローブ６の針先６ａについてのＸ軸方向に沿った誤差Δｘ１を算出する。
【００５３】
具体的には、処理部１２は、まず、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａを校正基板３Ａの基準点Ａ１に移動させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から第１計測位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第１検査ヘッド４を第１計測位置に移動させる。この場合も、第１検査ヘッド４および第１プローブ６の製造公差等に起因して、第１プローブ６の針先６ａについての第１検査ヘッド４に対する相対位置がばらつくため、実際には、図５に示すように基準点Ａ１から外れて、Ｘ軸方向に沿ってΔｘ１だけ変位した位置Ｅ１に移動させられる。また、処理部１２は、移動機構８を制御して第１検査ヘッド４をＺ軸方向に所定距離だけ移動させて停止させる。これにより、図示はしないが、第１プローブ６の針先６ａは、位置Ｅ１において、校正基板３Ａの表面から若干浮いた状態となっている。
【００５４】
次いで、処理部１２は、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを第１導体パターン３１に接触させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から第１接触位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５を第１接触位置に移動させ、続いてＺ軸方向に移動させる。これにより、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａは、図５に示す位置Ｊに位置し、かつ校正基板３Ａに形成された第１導体パターン３１と接触した状態となる。
【００５５】
次いで、処理部１２は、測定部９を制御して各プローブ６，７間の静電容量の測定を開始させる。これにより、測定部９は、第２プローブ７の針先７ａが接触している第１導体パターン３１と第１プローブ６（具体的には第１プローブ６の針先６ａ）との間の静電容量Ｃ３（図７参照）を繰り返し測定して、処理部１２に出力する。
【００５６】
この状態において、処理部１２は、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５をＸ軸方向に沿って移動させることにより、第２プローブ７の針先７ａを第１導体パターン３１における第１導体部位３１ａと第２導体部位３１ｂとの間で移動させつつ、静電容量Ｃ３が最小となる位置を特定する。本例では、第１導体部位３１ａおよび第２導体部位３１ｂは線対称形状（本例では同一平面形状であって、互いに平行な状態で配置された長方形）に形成されているため、第１プローブ６の針先６ａが第１導体部位３１ａおよび第２導体部位３１ｂのいずれか一方に最接近したときに静電容量Ｃ３は最大となり、この状態から第１導体部位３１ａおよび第２導体部位の中間位置（基準点Ａ１を通り、Ｙ軸と平行な仮想直線Ｌ１上）に向けて移動するに従い、静電容量Ｃ３は徐々に低下し、中間位置に達したときに静電容量Ｃ３は最小となる。したがって、Ｘ軸誤差算出処理の開始時における第１検査ヘッド４の位置（第１計測位置）から、上記の特定された位置（静電容量Ｃ３が最小となる位置）までの第１検査ヘッド４の移動量は、上記の誤差Δｘ１と一致することになる。処理部１２は、この移動量をＸ軸方向に沿った誤差Δｘ１として記憶部１０に記憶させる。これにより、第１算出処理におけるＸ軸誤差算出処理が完了する。
【００５７】
次いで、処理部１２は、第１算出処理におけるＹ軸誤差算出処理を実行して、第１プローブ６の針先６ａについてのＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１を算出する。
【００５８】
具体的には、処理部１２は、まず、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａを校正基板３Ａの基準点Ａ２に移動させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から第２計測位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第１検査ヘッド４を第２計測位置に移動させる。この場合も、第１検査ヘッド４および第１プローブ６の製造公差等に起因して、第１プローブ６の針先６ａについての第１検査ヘッド４に対する相対位置がばらつくため、実際には、図６に示すように基準点Ａ２から外れて、Ｙ軸方向に沿ってΔｙ１だけ変位した位置Ｅ２に移動させられる。また、処理部１２は、移動機構８を制御して第１検査ヘッド４をＺ軸方向に所定距離だけ移動させて停止させる。これにより、第１プローブ６の針先６ａは、位置Ｅ２において、校正基板３Ａの表面から若干浮いた状態となっている。
【００５９】
次いで、処理部１２は、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを第２導体パターン３２に接触させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から第１接触位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５を第２接触位置に移動させ、続いてＺ軸方向に移動させる。これにより、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａは、図６に示す位置Ｋに位置し、かつ校正基板３Ａに形成された第２導体パターン３２と接触した状態となる。
【００６０】
次いで、処理部１２は、測定部９を制御して各プローブ６，７間の静電容量の測定を開始させる。これにより、測定部９は、第２プローブ７の針先７ａが接触している第２導体パターン３２と第１プローブ６（具体的には第１プローブ６の針先６ａ）との間の静電容量Ｃ４（図７参照）を繰り返し測定して、処理部１２に出力する。
【００６１】
この状態において、処理部１２は、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５をＹ軸方向に沿って移動させることにより、第１プローブ６の針先６ａを第２導体パターン３２における第３導体部位３２ａと第４導体部位３２ｂとの間で移動させつつ、静電容量Ｃ４が最小となる位置を特定する。この場合も、上記した第１導体パターン３１のときと同様にして、第１プローブ６の針先６ａが第３導体部位３２ａおよび第４導体部位３２ｂの中間位置に達したときに静電容量Ｃ４は最小となる。したがって、Ｙ軸誤差算出処理の開始時における第１検査ヘッド４の位置（第２計測位置）から、上記の特定された位置（静電容量Ｃ４が最小となる位置）までの第１検査ヘッド４の移動量は、上記の誤差Δｙ１と一致することになる。処理部１２は、この移動量をＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１として記憶部１０に記憶させる。これにより、Ｘ軸誤差算出処理が完了すると共に、第１算出処理が完了して、記憶部１０には、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ１およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１）が記憶される。
【００６２】
次いで、処理部１２は、第２プローブ７の針先７ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ２およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ２）を算出する第２算出処理を実行する。この第２算出処理においても、上記した第１算出処理と同様にして、処理部１２は、まず、Ｘ軸誤差算出処理を実行して、第２プローブ７の針先７ａについてのＸ軸方向に沿った誤差Δｘ２を算出し、次いで、Ｙ軸誤差算出処理を実行して、第２プローブ７の針先７ａについてのＹ軸方向に沿った誤差Δｙ２を算出する。なお、この第２算出処理でのＸ軸誤差算出処理およびＹ軸誤差算出処理は、上記した第１算出処理でのＸ軸誤差算出処理およびＹ軸誤差算出処理において、第１検査ヘッド４と第２検査ヘッド５とを入れ替える読み替えを行うと共に、第１プローブ６と第２プローブ７とを入れ替える読み替えを行った処理内容と同じであるため、説明は省略する。処理部１２が、この第２算出処理を実行することにより、記憶部１０には、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ２およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ２）が記憶される。これにより、誤差算出処理が完了する。次いで、処理部１２は、算出した誤差（Δｘ１、Δｙ１），（Δｘ２、Δｙ２）に基づいて基板１３に規定された検査ポイントＣＰの座標を示す位置データを補正する補正処理を実行する。
【００６３】
このように、この回路基板検査装置１Ａでは、上記のような平面形状の２つの導体パターン３１，３２が形成された校正基板３Ａを使用して、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての各導体パターン３１，３２との間の静電容量Ｃ３，Ｃ４に基づいて、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての一方の軸（Ｘ軸）方向に沿った誤差Δｘ１，Δｘ２、および他方の軸（Ｙ軸）方向に沿った誤差Δｙ１，Δｙ２を算出する。したがって、この回路基板検査装置１Ａによっても、打痕シートおよびカメラを使用することなく、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての誤差（Δｘ１，Δｙ１），（Δｘ２，Δｙ２）を算出することができるため、装置コストの上昇を回避することができる。さらに、この回路基板検査装置１Ａでは、一方の検査ヘッドに装着されたプローブについての１つの軸方向に沿った誤差の算出の際に、他方の検査ヘッドに装着されたプローブは、誤差の算出に際して使用している１つの導体パターン（第１導体パターン３１または第２導体パターン３２）に接触させておけばよく、接触させる導体パターンを変更する必要がない。このため、上述した回路基板検査装置１よりも短い時間で誤差（Δｘ１，Δｙ１），（Δｘ２，Δｙ２）を算出して、各検査ヘッド４，５についての基板１３に規定された検査ポイントＣＰの座標を示す位置データを補正することができる。
【００６４】
また、上記の回路基板検査装置１，１Ａでは、複数の導体パターンが形成された校正基板３，３Ａを使用して、各軸方向の誤差（Ｘ軸方向の誤差、Ｙ軸方向の誤差）を個別に算出する構成を採用しているが、図８に示すような平面形状が円環状（真円状）の導体パターン４１（以下、「円環状導体パターン４１」ともいう）が形成された校正基板３Ｂを使用する構成（図１参照）を採用することもできる。
【００６５】
この校正基板３Ｂを備えた回路基板検査装置１Ｂについて説明する。なお、上記した回路基板検査装置１，１Ａと比較して、校正基板３Ｂの基準点Ａ（円環状導体パターン４１の中心）および円環状導体パターン４１に各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを接触させるときの各検査ヘッド４，５のＸ−Ｙ座標平面内での座標を示す位置データが位置データＤｐに含まれている点と、処理部１２によって実行される各検査ヘッド４，５に装着された各プローブ６，７の針先６ａ，７ａについての各誤差を算出する誤差算出処理とが主として相違するため、これらの相違点について説明する。なお、以下では、発明の理解を容易にするため、校正基板３Ｂの基準点Ａに各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを移動させるときの各検査ヘッド４，５の位置を計測位置といい、円環状導体パターン４１に各プローブ６，７の針先６ａ，７ａを接触させるときの各検査ヘッド４，５の位置を接触位置という。
【００６６】
次に、回路基板検査装置１Ｂによる誤差算出処理について説明する。
【００６７】
この誤差算出処理では、処理部１２は、まず、第１プローブ６の針先６ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ１およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１）を算出する第１算出処理を実行する。この第１算出処理では、処理部１２は、第１プローブ６の針先６ａについてのＸ軸方向に沿った誤差Δｘ１およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ１を算出する。
【００６８】
具体的には、処理部１２は、まず、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａを校正基板３Ｂの基準点Ａに移動させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から計測位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第１検査ヘッド４を計測位置に移動させる。この場合も、第１検査ヘッド４および第１プローブ６の製造公差等に起因して、第１プローブ６の針先６ａについての第１検査ヘッド４に対する相対位置がばらつくため、実際には、図８に示すように基準点Ａから外れて、基準点Ａを通ってＹ軸と平行な仮想直線Ｌ１からＸ軸方向に沿ってΔｘ１だけ変位し、かつ基準点Ａを通ってＸ軸と平行な仮想直線Ｌ２からＹ軸方向に沿ってΔｙ１だけ変位した位置Ｅに移動させられる。また、処理部１２は、移動機構８を制御して第１検査ヘッド４をＺ軸方向に所定距離だけ移動させて停止させる。これにより、図示はしないが、第１プローブ６の針先６ａは、位置Ｅにおいて、校正基板３Ｂの表面から若干浮いた状態となっている。
【００６９】
次いで、処理部１２は、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａを円環状導体パターン４１に接触させる。具体的には、処理部１２は、記憶部１０から接触位置についての位置データＤｐを読み出すと共に、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５をこの接触位置に移動させ、続いてＺ軸方向に移動させる。これにより、第２検査ヘッド５に装着された第２プローブ７の針先７ａは、図８に示す位置Ｍに位置し、かつ円環状導体パターン４１と接触した状態となる。
【００７０】
次いで、処理部１２は、測定部９を制御して各プローブ６，７間の静電容量の測定を開始させる。これにより、測定部９は、第２プローブ７の針先７ａが接触している円環状導体パターン４１と第１プローブ６（具体的には第１プローブ６の針先６ａ）との間の静電容量Ｃ５（図８参照）を繰り返し測定して、処理部１２に出力する。
【００７１】
この状態において、処理部１２は、移動機構８を制御して、Ｘ−Ｙ座標平面内で第２検査ヘッド５をＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って交互に移動させることにより、第２プローブ７の針先７ａを円環状導体パターン４１の内部領域で、静電容量Ｃ５が小さくなるように移動させて、静電容量Ｃ５が最小となる位置を特定する。本例では、円環状導体パターン４１は円環状に形成されているため、第１プローブ６の針先６ａが円環状導体パターン４１に最接近したときに静電容量Ｃ５は最大となり、この状態から円環状導体パターン４１の中心（基準点Ａ）に向けて移動するに従い、静電容量Ｃ５は徐々に低下し、基準点Ａに達したときに静電容量Ｃ５は最小となる。したがって、第１算出処理の開始時の第１検査ヘッド４の最初の位置（計測位置）から、上記の特定された位置（静電容量Ｃ５が最小となる位置）までの第１検査ヘッド４のＸ軸方向に沿った移動量は上記の誤差Δｘ１と一致し、またＹ軸方向に沿った移動量は上記の誤差Δｙ１と一致することになる。処理部１２は、この各移動量を誤差Δｘ１，Δｙ１として記憶部１０に記憶させる。これにより、第１算出処理が完了する。
【００７２】
次いで、処理部１２は、第２プローブ７の針先７ａについての誤差（Ｘ軸方向に沿った誤差Δｘ２およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ２）を算出する第２算出処理を実行する。この第２算出処理においても、上記した第１算出処理と同様にして、処理部１２が、移動機構８を制御して、第１検査ヘッド４に装着された第１プローブ６の針先６ａを円環状導体パターン４１に接触させ、この状態においてさらに移動機構８を制御して、第２プローブ７の針先７ａを円環状導体パターン４１の内部領域で、静電容量Ｃ５が小さくなるように移動させて、静電容量Ｃ５が最小となる位置を特定することにより、第２プローブ７の針先７ａについてのＸ軸方向に沿った誤差Δｘ２、およびＹ軸方向に沿った誤差Δｙ２を算出して記憶部１０に記憶させる。これにより、第２算出処理が完了し、誤差算出処理が完了する。
【００７３】
このように、この回路基板検査装置１Ｂでは、円環状導体パターン４１が形成された校正基板３Ｂを使用して、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての各導体パターン３１，３２との間の静電容量Ｃ５に基づいて、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての一方の軸（Ｘ軸）方向に沿った誤差Δｘ１，Δｘ２、および他方の軸（Ｙ軸）方向に沿った誤差Δｙ１，Δｙ２を算出する。したがって、この回路基板検査装置１Ｂによっても、打痕シートおよびカメラを使用することなく、第１検査ヘッド４および第２検査ヘッド５に装着された各プローブ６，７についての誤差（Δｘ１，Δｙ１），（Δｘ２，Δｙ２）を算出することができるため、打痕シートの張り替え作業および高価なカメラを不要にすることができる結果、装置コストの上昇を回避することができる。さらに、この回路基板検査装置１Ｂでは、一方の検査ヘッドに装着されたプローブについてのＸ軸およびＹ軸方向に沿った誤差の算出の際に、他方の検査ヘッドに装着されたプローブは、円環状導体パターン４１に接触させたままの状態でよく、上記した回路基板検査装置１，１Ａのように接触させる導体パターンを変更する必要がない。このため、上述した回路基板検査装置１，１Ａよりもさらに短い時間で誤差（Δｘ１，Δｙ１），（Δｘ２，Δｙ２）を算出することができ、各検査ヘッド４，５についての基板１３に規定された検査ポイントＣＰの座標を示す位置データの補正処理完了までの時間を短縮することができる。
【００７４】
なお、上記の各回路基板検査装置１，１Ａ，１Ｂでは、１つの軸方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に沿った誤差を算出する際に使用される一対の導体パターン（導体パターン２１，２２等）、および１つの導体パターンにおける一対の導体部位（導体部位３１ａ，３１ｂ等）の平面形状を線対称となる長方形としているが、基準点Ａ（または基準点Ａ１，Ａ２）を通る仮想直線（仮想直線Ｌ１またはＬ２）を基準として線対称となる図形であればよく、長方形以外の図形とすることもできる。また、上記の各回路基板検査装置１，１Ａ，１Ｂでは、各検査ヘッド４，５がＸ−Ｙ直交座標平面内で二次元的に移動する構成のため、Ｘ軸およびＹ軸方向の各誤差を算出する構成としているが、検査ヘッドが一次元的に移動する構成の回路基板検査装置に適用することもできる。この場合には、回路基板検査装置は、移動する方向の１つの軸に沿った誤差を算出すればよいため、上記したＸ軸およびＹ軸方向の各誤差を算出処理のうちの一方と同等の処理を実行して、この１つの軸に沿った誤差を算出する。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】回路基板検査装置１，１Ａ，１Ｂの構成図である。
【図２】テーブル２の表面２ａへの校正基板３および基板１３の配置状態を示す平面図である。
【図３】回路基板検査装置１による誤差算出処理を説明するためのプローブ６，７の各針先６ａ，７ａと各導体パターン２１〜２４との位置関係を示す校正基板３の平面図である。
【図４】プローブ６，７の各針先６ａ，７ａと各導体パターン２１〜２４との位置関係を示す校正基板３の正面図である。
【図５】回路基板検査装置１ＡによるＸ軸方向の誤差Δｘ１の算出処理を説明するための導体パターン３１とプローブ６，７の各針先６ａ，７ａとの位置関係を示す校正基板３Ａの平面図である。
【図６】回路基板検査装置１ＡによるＹ軸方向の誤差Δｙ１の算出処理を説明するための導体パターン３２とプローブ６，７の各針先６ａ，７ａとの位置関係を示す校正基板３Ａの平面図である。
【図７】プローブ６，７の各針先６ａ，７ａと各導体パターン３１，３２との位置関係を示す校正基板３Ａの正面図である。
【図８】プローブ６，７の各針先６ａ，７ａと円環状導体パターン４１との位置関係を示す校正基板３Ｂの平面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１，１Ａ，１Ｂ  回路基板検査装置
２  テーブル
２ａ  表面
３，３Ａ，３Ｂ  校正基板
４，５  検査ヘッド
６，７  プローブ
６ａ，７ａ  針先
８  移動機構
９  測定部
１２  処理部
１３  基板
２１〜２４，３１，３２  導体パターン
４１  円環状導体パターン
Ａ，Ａ１，Ａ２  基準点
【図１】
2010071800.tif 000003
【図２】
2010071800.tif 000004
【図３】
2010071800.tif 000005
【図４】
2010071800.tif 000006
【図５】
2010071800.tif 000007
【図６】
2010071800.tif 000008
【図７】
2010071800.tif 000009
【図８】
2010071800.tif 000010