(57)【要約】【課題】プロセス時間を増大させることなく、金属箔基板上に十分な絶縁性と平坦性が確保された絶縁膜を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】金属箔基板５上に絶縁性のシート状樹脂１を貼り合わせ、貼り合わせたシート状樹脂１の上に半導体素子を形成する工程を行う。シート状樹脂１を貼り合わせた後、半導体素子を形成する前に、シート状樹脂１を硬化させる工程を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔基板上に絶縁性のシート状樹脂を貼り合わせる工程と、
前記シート状樹脂上に半導体素子を形成する工程とを行う
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シート状樹脂を貼り合わせた後、前記半導体素子を形成する前に、当該シート状樹脂を硬化させる工程を行う
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属箔基板の表面には接着剤層が設けられ、当該接着剤層を介して当該金属箔基板に前記シート状樹脂を貼り合わせる
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記シート状樹脂を貼り合わせた後、前記半導体素子を形成する前に、当該接着剤層を硬化させる工程を行う
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記シート状樹脂を貼り合わせる前に、前記金属箔基板の表面の改質処理を行うことにより当該金属箔基板の表面における当該シート状樹脂の密着性を改善する
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記シート状樹脂を貼り合わせる前に、前記金属箔基板上に成膜処理を行うことにより当該金属箔基板の表面における当該シート状樹脂の密着性を改善する
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体素子を形成する工程では、前記シート状樹脂上に有機半導体層を用いた半導体素子を形成する
請求項１〜６の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属箔基板としてステンレス鋼を用いる
請求項１〜７の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にはフレキシブルな薄型基板上に素子を配列形成してなる構成の半導体装置に適する製造方法である。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）のような有機材料を用いた素子を有する薄型の半導体装置においては、ガスバリア性の高い金属箔基板を用いることにより、外部からの酸素や水蒸気の侵入が防止されて素子の劣化が抑制されることが知られている。また金属箔基板は、熱伝導率も高いため素子の駆動時に発生する熱の放熱性も高い。しかも、膜厚２５〜１００μｍ程度の金属箔基板はフレキシブルであり、素子を形成した半導体装置を曲面状にすることも可能である。
【０００３】
このような金属箔基板を用いた半導体装置においては、優良な電気導体である金属箔基板の上部に絶縁膜を介して素子が設けられる。金属箔基板上への絶縁膜の形成には、例えば金属箔基板上へのＳＯＧ成膜や樹脂材料の塗布成膜、さらには無機・有機絶縁膜のＣＶＤ成膜が適用されている（下記非特許文献１参照)。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Journal of Society for  Information Displays 15, 445 (2007)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、金属箔基板上に、十分な絶縁性と平坦性が確保された絶縁膜を成膜することは非常に困難であり、またこのような絶縁膜の成膜は非常に時間がかかる。これは、基板サイズが大型化した場合にさらに顕著になる。
【０００６】
そこで本発明は、プロセス時間を増大させることなく、金属箔基板上に十分な絶縁性と平坦性が確保された絶縁膜を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するための本発明の半導体装置の製造方法は、金属箔基板上に絶縁性のシート状樹脂を貼り合わせる工程を行い、このシート状樹脂上に半導体素子を形成する工程を行う。
【０００８】
このような製造方法では、予めシート状に成膜されているシート状樹脂を金属箔基板上に貼り合わせるため、金属箔基板上において絶縁膜を成膜する工程を行なう必要がない。したがって、面積に依存せずに短時間で、金属箔基板の表面を絶縁性および平坦性に優れた絶縁膜で覆うことが可能になる。
【発明の効果】
【０００９】
以上説明したように本発明によれば、金属箔基板を用いたフレキシブル基板上に絶縁性を保って半導体素子を配列してなる半導体装置を製造する際の、製造時間の短縮と大面積化とを図ることが可能になる。この結果、大型基板を用いた半導体装置の大量生産のプロセスにおいても、金属箔を基板として用いることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の製造工程を説明する断面工程図（その１）である。
【図２】第１実施形態の製造工程を説明する断面工程図（その２）である。
【図３】貼り合わせによって得られた基板の絶縁性を確認するためのサンプル図である。
【図４】貼り合わせによって得られた基板の絶縁性の評価結果を示す電圧−電流のグラフである。
【図５】第２実施形態の製造工程の特徴部を示す断面工程図である。
【図６】第３実施形態の製造工程の特徴部を示す断面工程図である。
【図７】第４実施形態の製造工程の特徴部を示す断面工程図である。
【図８】第５実施形態の製造工程の特徴部を示す断面工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて、次に示す順に実施の形態を説明する。
１．第１実施形態（セパレータで挟持されたシート状樹脂を用いる例）
２．第２実施形態（基板上に成膜されたシート状樹脂を用いる例）
３．第３実施形態（金属箔基板とシート状樹脂との間に接着剤を設ける例）
４．第４実施形態（金属箔基板の表面を改質処理する例）
５．第５実施形態（金属箔基板の表面を成膜処理する例）
【００１２】
≪１．第１実施形態≫
図１および図２は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための断面工程図である。以下にこれらの図に基づいて第１実施形態の製造方法を説明する。
【００１３】
先ず、図１（１）に示すように、シート状樹脂１を用意する。ここで用いるシート状樹脂１は、バリア性を確保するために、吸水率が少なくガス透過性が低い樹脂を用いて構成されることが好ましい。また、電気的な絶縁性を確保するためにイオン不純物等の不純物が少なく、絶縁特性のよい材料を用いることが必要である。
【００１４】
またシート状樹脂１は、完全に硬化する前の前躯体の状態であって良く、これによって接着性を有していることとする。また、シート状樹脂１は、光ラジカル重合、光アニオン重合、光カチオン重合、光エン・チオール重合、光ラジカル架橋等、紫外線照射によって硬化する材料、または熱ラジカル重合、熱カチオン重合、熱アニオン重合、熱架橋等の熱によって硬化する材料が用いられる。
【００１５】
以上のようなシート状樹脂１を構成する樹脂材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ユリア・メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ビニル樹脂、ニトリル樹脂およびこれらの複合樹脂が挙げられる。
【００１６】
また、シート状樹脂１の端面からのガスの進入を防ぐために、シート状樹脂１の厚みは５０μｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
以上のようなシート状樹脂１は、セパレータ３ａ−３ｂ間に挟持された状態で、保管されていることとする。
【００１８】
そして図１（２）に示すように、シート状樹脂１から一方のセパレータ３ａを剥がし取ることにより、シート状樹脂１の一主面側を露出させる。
【００１９】
次に、図１（３）に示すように、シート状樹脂１の露出面側に金属箔基板５を貼り合わせる。この際、例えば真空ラミネーターなどの貼り合わせ機を用いた圧着による貼り合せを行う。金属箔基板５としては、薄膜であっても表面平坦性が良好でありながらフレキシブルに屈曲することが好ましい。このような金属箔基板５として、ステンレス鋼からなる金属箔が例示される。
【００２０】
その後、図１（４）に示すように、金属箔基板５に貼り合わせたシート状樹脂１からセパレータ３ｂを剥がしとり、シート状樹脂１の一面を露出させる。この露出させた面が、プロセス面となる。
【００２１】
そして図１（５）に示すように、シート状樹脂１の硬化処理を行う。この際の硬化処理としては、シート状樹脂１を構成する樹脂材料によって、紫外線照射、加熱処理、またはその両方を行うことを選択する。
【００２２】
以上により、硬化させた絶縁性のシート状樹脂１で金属箔基板５上を覆ってなるフレキシブルな支持基板７を形成する。
【００２３】
次に、このような支持基板７上に、半導体素子を形成する手順を説明する。尚ここでは、半導体素子としてトップコンタクト・ボトムゲート構造の有機ＴＦＴの形成を説明するが、支持基板７上に形成する半導体素子がこれに限定されることはなく、他の積層順の有機ＴＦＴであっても良いし、また有機ＴＦＴに限定されることもない。
【００２４】
先ず、図２（１）に示すように、作製した支持基板７における絶縁性のシート状樹脂１の上部に、ゲート電極１１を形成する。このゲート電極１１は、例えば金（Ａｕ）等の金属材料膜をスパッタリング法や他の成膜法によって成膜し、次いでフォトリソグラフィー法により金属材料膜上にレジストパターンを形成し、これをマスクにして金属材料膜をエッチングすることによって形成される。尚、ゲート電極１１の形成方法が限定されることはなく、例えば印刷法を適用しても良い。
【００２５】
次に図２（２）に示すように、ゲート電極１１を覆う状態で、シート状樹脂１の上部にゲート絶縁膜１３を成膜する。ゲート絶縁膜１３の成膜は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機材料からなるゲート絶縁膜１３であれば、ＣＶＤ法やスパッタリング法による成膜を行う。一方、ポリビニルフェノール、ＰＭＭＡ、ポリイミド、フッ素樹脂等の有機高分子材料からなるゲート絶縁膜１３であれば、塗布法や印刷法による成膜を行なう。
【００２６】
次いで図２（３）に示すように、ゲート絶縁膜１３上においてゲート電極１１上に重なる位置に有機半導体層１５を形成する。有機半導体層１５の形成は、例えば印刷法や、マスク蒸着を適用することができ、ここで用いる有機半導体材料によって適する方法で形成して良く、例えばベンタセンを用いた場合であればマスク蒸着によってパターン形成することができる。尚、有機半導体層１５の形成は、印刷法やマスク蒸着法によるパターン形成の他、有機半導体材料膜を形成し、この材料膜をパターンエッチングしても良い。
【００２７】
その後、図２（４）に示すように、有機半導体層１５が設けられたゲート絶縁膜１３上におけるゲート電極１１脇に、端部を有機半導体層１５上に積層させた形状のソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄを形成する。これらのソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄの形成は、ゲート電極１１の形成と同様に行うことができる。
【００２８】
以上により、金属箔基板５上を絶縁性のシート状樹脂１で覆ってなるフレキシブルな支持基板７上に、トップコンタクト・ボトムゲート構造の有機ＴＦＴ１９が形成された半導体装置２１が得られる。この半導体装置２１は、基板として金属箔基板５を用いたことにより、外部から金属箔基板５側の外部から有機ＴＦＴ１９側へのガス透過が防止されたものとなる。
【００２９】
以上の第１実施形態によれば、予めシート状に成膜されているシート状樹脂１を金属箔基板５上に貼り合わせることにより、有機ＴＦＴ１９を配列形成する支持基板７を形成する手順である。このため、支持基板７の作製にあたり、金属箔基板５上において絶縁膜を成膜する工程を行なう必要がない。
【００３０】
したがって、絶縁性と平坦性とを兼ねた所望サイズのシート状樹脂１を予め用意しておくことでこのようなシート状樹脂１の成膜時間に影響されることなく、金属箔基板５の表面を良質な絶縁膜（シート状樹脂１）で覆った支持基板７を作製することが可能になる。またこれにより、外部からのガス透過に対してバリア性の高い金属箔基板上に簡便に歩留まりよく欠陥のない絶縁性のシート状樹脂１を設けた支持基板７を作製することができる。
【００３１】
この結果、金属箔基板５を用いたフレキシブルな支持基板７上に絶縁性を保って有機ＴＦＴを配列してなる半導体装置２１を製造する際の、製造時間の短縮と大面積化とを図ることが可能になる。この結果、大型基板を用いた半導体装置の大量生産のプロセスにおいても、金属箔を基板として用いることが可能になる。さらに、上述したようにガスバリア性の高い金属箔基板５を用いて半導体装置２１を作製することができ、結果として半導体素子（例えば有機ＴＦＴ１９）の寿命を大きく延長することができる。
【００３２】
ここで図３に示すように、金属箔基板５にシート状樹脂１を貼り合わせた支持基板７を作製し、その絶縁性を検討した結果を説明する。金属箔基板５はステンレス鋼(ＳＵＳ）を用いた。シート状樹脂１は、膜厚２０μｍのＵＶ硬化型の樹脂からなるもので、真空ラミネーターを用いて金属箔基板５に圧着後、ＵＶ照射によって硬化させたものである。
【００３３】
この支持基板７のシート状樹脂１側に、アルミニウム（Ａｌ）膜１１ａを蒸着成膜してキャパシタ構造を作製し、アルミニウム膜１１ａと金属箔基板５との間に電圧を印加して電流値を測定した。
【００３４】
この結果、図４に示すように、３０Ｖの印加電圧に対してもシート状樹脂１が良好な絶縁性を維持し、ピンホール等の欠陥なく、４インチの金属箔基板５上に均一にシート状樹脂１が設けられていることが確認された。
【００３５】
また、このような支持基板７上に、図２を用いて説明した手順により、ペンタセンからなる有機半導体層１５を用いた有機ＴＦＴ１９を形成した。その後、形成した有機ＴＦＴ１９を±３０Ｖの駆動電圧で駆動した際、金属箔基板５と有機ＴＦＴとの間のリーク電流は１０-12Ａ以下に抑えられていることが確認された。
【００３６】
≪２．第２実施形態≫
図５は、第２実施形態の半導体装置の製造方法の特徴部を説明するための断面工程図である。以下にこの図に基づいて第２実施形態の製造方法を説明する。尚、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。
【００３７】
先ず、図５（１）に示すように、シート状樹脂１を形成するための基板２１を用意する。この基板２１は、プラスチック基板、ガラス基板、金属基板、半導体基板など、表面が平坦な基板であれば特に材質や板厚等が限定されることはない。
【００３８】
用意した基板３１上に、塗布成膜によってシート状樹脂１を成膜する。ここで成膜するシート状樹脂１は、第１実施形態で説明したシート状樹脂１と同様の材質であって良く、成膜後には樹脂材料に対して用いた塗布溶剤を除去する工程を行なう。
【００３９】
次に、図５（２）に示すように、基板３１上のシート状樹脂１に、金属箔基板５を貼り合わせる。この際、必要に応じて例えば真空ラミネーターなどの貼り合わせ機を用いた圧着による貼り合せを行う。また金属箔基板５としては、表面平坦性が良好でフレキシブルに屈曲することが好ましい。このような金属箔基板５として、ステンレス鋼からなる金属箔が例示される。
【００４０】
次いで、図５（３）に示すように、金属箔基板５側にシート状樹脂１を残して基板３１を除去し、金属箔基板５上にシート状樹脂１を転写する。基板３１を除去する際には、必要に応じて基板３１とシート状樹脂１との接着性を弱める処理を行う。このような処理としては、例えば基板３１側界面のシート状樹脂１に基板３１側からの光照射を行い、シート状樹脂１を硬化させることにより密着性を弱めた後に基板３１を除去する。この場合、基板３１は光透過性を有する基板を用いることになる。
【００４１】
その後は、図５（４）に示すように、シート状樹脂１の硬化処理を行う。この際の硬化処理としては、シート状樹脂１を構成する樹脂材料によって、紫外線照射、加熱処理、またはその両方を行うことを選択する。
【００４２】
以上により、硬化させた絶縁性のシート状樹脂１で金属箔基板５上を覆ってなるフレキシブルな支持基板７を形成する。このようにして得られた支持基板７上への半導体素子の形成は、第１実施形態において図２を用いて説明したと同様に行うことができる。
【００４３】
以上の第２実施形態では、金属箔基板５とは別の基板３１上に成膜したシート状樹脂１を、金属箔基板５上に貼り合わせることにより、有機ＴＦＴ１９を配列形成する支持基板７を形成する手順である。このため、第１実施形態と同様に、予めシート状に成膜されているシート状樹脂１を金属箔基板５上に貼り合わせることにより、有機ＴＦＴ１９を配列形成する支持基板７を形成する手順となる。このため、第１実施形態と同様に、支持基板７の作製にあたり、金属箔基板５上において絶縁膜を成膜する工程を行なう必要がなく、大型基板を用いた半導体装置の大量生産のプロセスにおいても、金属箔を基板として用いることが可能になる。
【００４４】
尚、金属箔基板５とは別の基板３１上に、シート状樹脂１を成膜する方法としては、図５（１）で説明した塗布成膜に限定されることはなく、蒸着法やスパッタ法などの他の成膜法を適用しても良い。ただし、蒸着法やスパッタ法などの成膜方法は、成膜時間を要する方法である。このため、金属箔基板５上への貼合せに先立ち、予め基板３１上に成膜しておくことにより、支持基板７の形成及びその後の半導体素子（有機ＴＦＴ１９）の形成プロセスの時間短縮を図ることが可能である。
【００４５】
≪３．第３実施形態≫
図６は、第３実施形態の半導体装置の製造方法の特徴部を説明するための断面工程図である。この図に示す第３実施形態の製造方法が、上述した第１実施形態および第２実施形態と異なるところは、金属箔基板５上に接着剤層３３を設けるところにある。
【００４６】
先ず、図６（１）に示すように、シート状樹脂１を貼り合わせる前の金属箔基板５上に、接着剤層３３を形成する。この接着剤層３３は、特に材質が限定されることはなく絶縁性に優れている必要はない。このため、接着剤層３３の形成は、例えば接着力のある樹脂材料を塗布成膜によって形成すれば良い。
【００４７】
その後は、例えば図６（２）に示すように、接着剤層３３を介して金属箔基板５上にシート状樹脂１を貼り合わせる。この際、第１実施形態と同様に、セパレータ３ｂ上のシート状樹脂１を貼り合わせても良く、または第２実施形態と同様に基板上に成膜したシート状樹脂１を貼り合わせても良い。
【００４８】
次に、図６（３）に示すように、金属箔基板５に貼り合わせたシート状樹脂１からセパレータ３ｂ（または基板等）を剥がしとり、シート状樹脂１の一面を露出させる。この露出させた面が、プロセス面となる。
【００４９】
次いで、図６（４）に示すように、シート状樹脂１の硬化を硬化させる工程を行う。この際、必要に応じてシート状樹脂１と共に接着剤層３３を硬化させる工程を行っても良い。この際の硬化処理としては、シート状樹脂１および接着剤層３３を構成する樹脂材料によって、紫外線照射、加熱処理、またはその両方を行うことを選択する。
【００５０】
以上により、金属箔基板５上に接着剤層３３を介して絶縁性のシート状樹脂１を設けてなるフレキシブルな支持基板７ａを形成する。このようにして得られた支持基板７ａ上への半導体素子の形成は、第１実施形態において図２を用いて説明したと同様に行うことができる。
【００５１】
以上の第３実施形態においては、予めシート状に成膜されているシート状樹脂１を、接着剤層３３を介して金属箔基板５上に貼り合わせることにより、有機ＴＦＴ１９を配列形成する支持基板７を形成する手順である。このため、第１実施形態と同様に、支持基板７ａの作製にあたり、金属箔基板５上において絶縁膜を成膜する工程を行なう必要がなく、面積に依存せずに短時間で支持基板７ａを作製することが可能である。また特に本第３実施形態では、金属箔基板５とシート状樹脂１との間に接着剤層３３を設けた構成であるため、金属箔基板５とシート状樹脂１との材質によらず、これらの間の接着性を確実にすることができる。しかも接着剤層３３は、特に絶縁性などの材質が問われることはないため、プロセス時間が短い塗布法で形成して良い。したがって、第１実施形態の硬化が損なわれることもない。
【００５２】
尚、本第３実施形態においては、接着剤層３３によって金属箔基板５とシート状樹脂１との間の接着性が確保される。このため、金属箔基板５に貼り合わせる前のシート状樹脂１に接着性が要求されることはない。したがって、金属箔基板５に貼り合わせる前に、シート状樹脂１を硬化させても良い。
【００５３】
≪４．第４実施形態≫
図７は、第４実施形態の半導体装置の製造方法の特徴部を説明するための断面工程図である。この図に示す第４実施形態の製造方法が、上述した第１〜第３実施形態と異なるところは、金属箔基板の表面の改質処理を行うことにより当該金属箔基板の表面におけるシート状樹脂の密着性を改善する工程を行うところにある。
【００５４】
先ず、図７（１）に示すように、金属箔基板５の表面に対して改質処理を行うことにより、金属箔基板５の表面にシート状樹脂との密着性の向上を図るための密着性改善層３５を形成する。ここでの改質処理としては、例えばＵＶオゾン処理、プラズマ処理、シランカップリング材等の表面改質材による処理を行うこととする。これにより、金属箔基板５の表面層を親水化・疎水化し、または表面平坦性を変化させてなる密着性改善層３５を形成する。
【００５５】
その後は、他の実施形態と同様に行って良い。例えば図７（２）に示すように、密着性改善層３５を介して金属箔基板５上にシート状樹脂１を貼り合わせる。この際、第１実施形態と同様に、セパレータ３ｂ上のシート状樹脂１を貼り合わせても良く、または第２実施形態と同様に基板上に成膜したシート状樹脂１を貼り合わせても良い。
【００５６】
次に、図７（３）に示すように、金属箔基板５に貼り合わせたシート状樹脂１からセパレータ３ｂ（または基板など）を剥がしとり、シート状樹脂１の一面を露出させる。この露出させた面が、プロセス面となる。
【００５７】
次いで、図７（４）に示すように、シート状樹脂１の硬化を硬化させる工程を行う。
【００５８】
以上により、密着性改質層３５が設けられた金属箔基板５上を絶縁性のシート状樹脂１で覆ってなるフレキシブルな支持基板７ｂを形成する。このようにして得られた支持基板７ｂ上への半導体素子の形成は、第１実施形態において図２を用いて説明したと同様に行うことができる。
【００５９】
以上の第４実施形態であっても、予めシート状に成膜されているシート状樹脂１を、金属箔基板５上に貼り合わせることにより、有機ＴＦＴ１９を配列形成する支持基板７ｂを形成する手順である。このため、第１実施形態と同様に、支持基板７ｂの作製にあたり、金属箔基板５上において絶縁膜を成膜する工程を行なう必要がなく、面積に依存せずに短時間で支持基板７ｂを作製することが可能である。また特に本第４実施形態では、金属箔基板５とシート状樹脂１との間に密着性改善層３５を設けた構成であるため、金属箔基板５とシート状樹脂１との材質によらず、これらの間の接着性を確実にすることができる。
【００６０】
尚、本第４実施形態においては、密着性改善層３５によって金属箔基板５とシート状樹脂１との間の接着性が確保される。このため、金属箔基板５に貼り合わせる前のシート状樹脂１に接着性が要求されることはない。したがって、第３実施形態と同様に、金属箔基板５に貼り合わせる前に、シート状樹脂１を硬化させても良い。
【００６１】
≪５．第５実施形態≫
図８は、第５実施形態の半導体装置の製造方法の特徴部を説明するための断面工程図である。この図に示す第５実施形態の製造方法が、上述した第１〜第４実施形態と異なるところは、金属箔基板上に成膜処理を行うことにより当該金属箔基板の表面におけるシート状樹脂の密着性を改善する工程を行うところにある。
【００６２】
先ず、図８（１）に示すように、金属箔基板５の表面に対して成膜処理を行うことにより、金属箔基板５の表面にシート状樹脂との密着性の向上を図るための密着層３７を形成する。この密着層３７は、金属箔基板５とシート状樹脂との間の密着性の向上が図られるものであれば、材質が限定されることはなく、金属箔基板５とは異なる材質の金属膜、または他の無機材料膜、または有機膜が成膜される。例えばここでは、成膜処理としてスパッタや電子ビームによる金属・金属酸化物膜の蒸着，ＣＶＤ法による無機膜または有機高分子膜の成膜，表面処理剤の塗布による単分子有機膜の成膜，ポリマー溶液の塗布による有機高分子膜の成膜を行うことにより、金属箔基板５上にこれらからなる密着層３７を形成する。
【００６３】
その後は、他の実施形態と同様に行って良い。例えば図８（２）に示すように、密着層３７を介して金属箔基板５上にシート状樹脂１を貼り合わせる。この際、第１実施形態と同様に、セパレータ３ｂ上のシート状樹脂１を貼り合わせても良く、または第２実施形態と同様に基板上に成膜したシート状樹脂１を貼り合わせても良い。
【００６４】
次に、図８（３）に示すように、金属箔基板５に貼り合わせたシート状樹脂１からセパレータ３ｂ（または基板など）を剥がしとり、シート状樹脂１の一面を露出させる。
【００６５】
次いで、図８（４）に示すように、シート状樹脂１の硬化を硬化させる工程を行う。
【００６６】
以上により、密着層３７が設けられた金属箔基板５上を絶縁性のシート状樹脂１で覆ってなるフレキシブルな支持基板７ｃを形成する。このようにして得られた支持基板７ｃ上への半導体素子の形成は、第１実施形態において図２を用いて説明したと同様に行うことができる。
【００６７】
以上の第５実施形態であっても、予めシート状に成膜されているシート状樹脂１を、金属箔基板５上に貼り合わせることにより、有機ＴＦＴ１９を配列形成する支持基板７ｃを形成する手順である。このため、第１実施形態と同様に、支持基板７ｃの作製にあたり、金属箔基板５上において絶縁膜を成膜する工程を行なう必要がなく、面積に依存せずに短時間で支持基板７ｃを作製することが可能である。また特に本第５実施形態では、金属箔基板５とシート状樹脂１との間に密着層３７を設けた構成であるため、金属箔基板５とシート状樹脂１との材質によらず、これらの間の接着性を確実にすることができる。
【００６８】
尚、本第５実施形態においては、密着層３７によって金属箔基板５とシート状樹脂１との間の接着性が確保される。このため、金属箔基板５に貼り合わせる前のシート状樹脂１に接着性が要求されることはない。したがって、第３実施形態および第２実施形態と同様に、金属箔基板５に貼り合わせる前に、シート状樹脂１を硬化させても良い。
【００６９】
尚、以上説明した手順で形成した半導体装置は、例えば表示装置における画素回路や周辺回路を構成する素子を備えたバックプレーン（背面基板）として良好に用いることが可能である。表示装置としては、例えば有機電界発光素子を用いたものや、液晶表示装置、さらには電気泳動型の表示装置に適用化能である。また表示装置以外でも、様々な電子機器に搭載することが可能であり、以上のような表示装置を搭載した電子機器にも広く適用化能である。例えば、電子ペーパー、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの電子機器にも搭載可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１…シート状樹脂、５…金属箔基板、１５…有機半導体層、１９…有機ＴＦＴ（半導体素子）、２１…半導体装置、３３…接着剤層、３５…密着性改善層、３７…密着層
【図１】
2010251361.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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