(57)【要約】【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、
成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法。
【請求項２】
成膜に先立って前記処理容器内にＴｅ原料を導入して、ガスの通流経路壁および／または反応空間壁にＴｅを含有する膜を形成することにより、ガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成することを特徴とする請求項１に記載のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法。
【請求項３】
成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅを含有する部材を設けることにより、ガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成することを特徴とする請求項１に記載のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法。
【請求項４】
気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料を用いて行う第１の成膜と、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を用いＴｅ原料を用いない第２の成膜を交互に行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法。
【請求項５】
成膜の際に、ガスの通流経路および／または反応空間に形成されたＴｅ含有材料から膜中に取り込まれるＴｅの量に基づいて、膜が所定の組成になるように、流量を制御して、気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法。
【請求項６】
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の組成がＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法。
【請求項７】
Ｇｅ原料、Ｓｂ原料およびＴｅ原料は、アルキル基を含む化合物よりなることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法。
【請求項８】
コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項１から請求項７のいずれかの成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤによりＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、情報記録媒体として、相変化型光記録媒体が注目されている。相変化型光記録媒体は、レーザー光の照射によって記録層に非晶質状態と結晶状態とを可逆的に生じさせ、その相変化を利用して情報を記録する。このような相変化型光記憶媒体は、情報の高速処理が可能であり、しかも記録容量が大きいという利点がある。
【０００３】
このような相変化型光記録媒体に用いる記録層の材料としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜が多用されている（特許文献１等）。このＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜は、特許文献１に記載されているようにスパッタリングにより形成されるのが一般的であったが、スパッタリングではステップカバレッジが十分でないことから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜をステップカバレッジの良好なＣＶＤにより成膜することが試みられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２５６１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜としては、現在、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の組成のものが使われており、これを一般的な金属有機化合物であるアルキル基を含むＧｅ化合物、Ｓｂ化合物、Ｔｅ化合物でＣＶＤを行った場合、膜中Ｇｅが目標組成に比べて少なくなり、目標組成であるＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を得難いという問題が生じることが判明した。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供することを目的とする。
また、上記目的を達成するための方法を実行させるプログラムが記憶された記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するため検討を重ねた結果、Ｔｅ化合物ガスは、流量構成として、他のＧｅ化合物ガスおよびＳｂ化合物ガスよりも少ない流量にしても、反応空間に供給すると、膜へのＧｅの取り込みを阻害し、それが目標組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得難い原因であることを見出した。そこで、さらに検討した結果、予めガスの通流経路壁や反応空間壁にＴｅ含有材料を形成しておくことにより、Ｔｅ化合物ガスを供給しなくても通流経路壁や反応空間壁からのＴｅを膜中に含ませることができ、これにより膜へのＧｅの取り込み阻害を抑制して所望の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜が得られることを見出した。
【０００８】
本発明はそのような知見に基づいて完成されたものであり、処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供する。
【０００９】
上記構成において、成膜に先立って前記処理容器内にＴｅ原料を導入して、ガスの通流経路壁および／または反応空間壁にＴｅを含有する膜を形成することにより、ガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成することができる。また、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅを含有する部材を設けることによっても、ガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成することができる。
【００１０】
また、気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料を用いて行う第１の成膜と、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を用いＴｅ原料を用いない第２の成膜を交互に行うことによって成膜を行うことができる。
【００１１】
さらに、成膜の際に、ガスの通流経路および／または反応空間に形成されたＴｅ含有材料から膜中に取り込まれるＴｅの量に基づいて、膜が所定の組成になるように、流量を制御して、気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入するようにすることができる。
【００１２】
本発明が適用されるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の組成としては、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を挙げることができる。また、Ｇｅ原料、Ｓｂ原料およびＴｅ原料としては、アルキル基を含む化合物よりなるものであることが好ましい。
【００１３】
本発明は、また、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＣＶＤによりＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する際に、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成するので、Ｔｅ原料によるＧｅの取り込み阻害を軽減しつつ必要なＴｅ量を確保することができ、所望の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法の実施に用いることができる成膜装置の概略構成を示す断面図。
【図２】本発明の成膜方法を説明するためのフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明に係るＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法の実施に用いることができる成膜装置の概略構成を示す断面図である。図１に示す成膜装置１００は、例えばアルミニウムなどにより円筒状あるいは箱状に成形された処理容器１を有しており、処理容器１内には、基板Ｓが載置される載置台３が設けられている。載置台３は厚さ１ｍｍ程度の例えばグラファイト板あるいはＳｉＣで覆われたグラファイト板などのカーボン素材、窒化アルミニウムなどの熱伝導性の良いセラッミクス等により構成される。
【００１７】
載置台３の外周側には、処理容器１底部より起立させた円筒体状の例えばアルミニウムよりなる区画壁１３が形成されており、その上端を例えばＬ字状に水平方向へ屈曲させて屈曲部１４を形成している。このように、円筒体状の区画壁１３を設けることにより、載置台３の裏面側に不活性ガスパージ室１５が形成される。屈曲部１４の上面は、載置台３の上面と実質的に同一の平面上にあり、載置台３の外周から離間しており、この間隙に連結棒１２が挿通されている。載置台３は、区画壁１３の上部内壁より延びる３本（図示例では２本のみ記す）の支持アーム４により支持されている。
【００１８】
載置台３の下方には、複数本、例えば３本のＬ字状のリフタピン５（図示例では２本のみ記す）がリング状の支持部材６から上方に突出するように設けられている。支持部材６は、処理容器１の底部から貫通して設けられた昇降ロッド７により昇降可能となっており、昇降ロッド７は処理容器１の下方に位置するアクチュエータ１０により上下動される。載置台３のリフタピン５に対応する部分には載置台３を貫通して挿通穴８が設けられており、アクチュエータ１０により昇降ロッド７および支持部材６を介してリフタピン５を上昇させることにより、リフタピン５をこの挿通穴８に挿通させて基板Ｓを持ち上げることが可能となっている。昇降ロッド７の処理容器１への挿入部分はベローズ９で覆われており、その挿入部分から処理容器１内に外気が侵入することを防止している。
【００１９】
載置台３の周縁部には、基板Ｓの周縁部を保持してこれを載置台３側へ固定するため、例えば円板状の基板Ｓの輪郭形状に沿った略リング状の例えば窒化アルミニウムなどのセラミック製のクランプリング部材１１が設けられている。クランプリング部材１１は、連結棒１２を介して上記支持部材６に連結されており、リフタピン５と一体的に昇降するようになっている。リフタピン５や連結棒１２等はアルミナなどのセラミックスにより形成される。
【００２０】
リング状のクランプリング部材１１の内周側の下面には、周方向に沿って略等間隔で配置された複数の接触突起１６が形成されており、クランプ時には、接触突起１６の下端面が、基板Ｓの周縁部の上面と当接してこれを押圧するようになっている。なお、接触突起１６の直径は１ｍｍ程度であり、高さは略５０μｍ程度であり、クランプ時にはこの部分にリング状の第１ガスパージ用間隙１７を形成する。なお、クランプ時の基板Ｓの周縁部とクランプリング部材１１の内周側とのオーバラップ量（第１ガスパージ用間隙１７の流路長さ）Ｌ１は数ｍｍ程度である。
【００２１】
クランプリング部材１１の外周縁部は、区画壁１３の上端屈曲部１４の上方に位置され、ここにリング状の第２ガスパージ用間隙１８が形成される。第２ガスパージ用間隙１８の幅（高さ）は、例えば５００μｍ程度であり、第１ガスパージ用間隙１７の幅よりも１０倍程大きい幅とされる。クランプリング部材１１の外周縁部と屈曲部１４とのオーバラップ量（第２ガスパージ用間隙１８の流路長さ）は、例えば略１０ｍｍ程度である。これにより、不活性ガスパージ室１５内の不活性ガスは、両間隙１７、１８から処理空間側へ流出できるようになっている。
【００２２】
処理容器１の底部には、上記不活性ガスパージ室１５に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１９が設けられている。このガス供給機構１９は、不活性ガス例えばＡｒガス（バックサイドＡｒ）を不活性ガスパージ室１５に導入するためのガスノズル２０と、不活性ガスとしてのＡｒガスを供給するためのＡｒガス供給源２１と、Ａｒガス供給源２１からガスノズル２０にＡｒガスを導くガス配管２２とを有している。また、ガス配管２２には、流量制御器としてのマスフローコントローラ２３および開閉バルブ２４，２５が設けられている。不活性ガスとしてＡｒガスに替えてＨｅガス等の他の希ガスを用いてもよい。
【００２３】
処理容器１の底部の載置台３の直下位置には、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓３０が気密に設けられており、この下方には、透過窓３０を囲むように箱状の加熱室３１が設けられている。この加熱室３１内には、加熱手段として複数個の加熱ランプ３２が、反射鏡も兼ねる回転台３３に取り付けられている。回転台３３は、回転軸を介して加熱室３１の底部に設けられた回転モータ３４により回転される。したがって、加熱ランプ３２より放出された熱線が透過窓３０を透過して載置台３の下面を照射してこれを加熱する。
【００２４】
また、処理容器１底部の周縁部には、排気口３６が設けられ、排気口３６には図示しない真空ポンプに接続された排気管３７が接続されている。そして、この排気口３６および排気管３７を介して排気することにより処理容器１内を所定の真空度に維持し得るようになっている。また、処理容器１の側壁には、基板Ｓを搬入出する搬入出口３９と、搬入出口３９を開閉するゲートバルブ３８が設けられる。
【００２５】
一方、載置台３と対向する処理容器１の天井部には、ソースガスなどを処理容器１内へ導入するためシャワーヘッド４０が設けられている。シャワーヘッド４０は、例えばアルミニウム等により構成され、内部に空間４１ａを有する円盤状をなすヘッド本体４１を有している。ヘッド本体４１の天井部にはガス導入口４２が設けられている。ガス導入口４２には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜に必要な処理ガスを供給する処理ガス供給機構５０がその配管５１によって接続されている。ヘッド本体４１の底部には、ヘッド本体４１内へ供給されたガスを処理容器１内の処理空間へ放出するための多数のガス噴射孔４３が全面に亘って配置されており、基板Ｓの全面にガスを放出するようになっている。また、ヘッド本体４１内の空間４１ａには、多数のガス分散孔４５を有する拡散板４４が配設されており、基板Ｓの表面に、より均等にガスを供給可能となっている。さらに、処理容器１の側壁内およびシャワーヘッド４０の側壁内およびガス噴射孔４３の配置されたウエハ対向面内には、それぞれ温度調整のためのカートリッジヒータ４６，４７が設けられており、ガスとも接触する側壁やシャワーヘッド部を所定の温度に保持できるようになっている。
【００２６】
処理ガス供給機構５０は、Ｔｅ原料を貯留するＴｅ原料貯留部５２と、Ｓｂ原料を貯留するＳｂ原料貯留部５３と、Ｇｅ原料を貯留するＧｅ原料貯留部５４と、処理容器１内のガスを希釈するためのアルゴンガス等の希釈ガスを供給する希釈ガス供給源５５とを有している。
【００２７】
シャワーヘッド４０に接続されている配管５１には、Ｔｅ原料貯留部５２から延びる配管５６、Ｓｂ原料貯留部５３から延びる配管５７、Ｇｅ原料貯留部５４から延びる配管５８が接続されており、配管５１には上記希釈ガス供給源５５が接続されている。配管５１には、流量制御器としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）６０とその前後の開閉バルブ６１，６２が設けられている。また、配管５８には、流量制御器としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）６３とその前後の開閉バルブ６４，６５が設けられている。
【００２８】
Ｔｅ原料貯留部５２には、Ａｒ等のバブリングのためのキャリアガスを供給するキャリアガス供給源６６が配管６７を介して接続されている。配管６７には、流量制御器としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）６８とその前後の開閉バルブ６９，７０が設けられている。また、Ｓｂ原料貯留部５３にも、Ａｒ等のキャリアガスを供給するキャリアガス供給源７１が配管７２を介して接続されている。配管７２には、流量制御器としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７３とその前後の開閉バルブ７４，７５が設けられている。Ｔｅ原料貯留部５２、Ｓｂ原料貯留部５３には、それぞれヒータ７６、７７が設けられている。そして、Ｔｅ原料貯留部５２に貯留されたＴｅ原料およびＳｂ原料貯留部５３に貯留されたＳｂ原料は、これらヒータ７６、７７で加熱された状態で、バブリングにより処理容器１に供給されるようになっている。また、Ｇｅ原料貯留部５４に貯留されたＧｅ原料はマスフローコントローラ（ＭＦＣ）６３により流量制御しつつ処理容器１に供給されるようになっている。図示してはいないが、Ｇｅ原料、Ｓｒ原料およびＴｉ原料を気化した状態で供給する処理容器１までの配管やマスフローコントローラにもヒータが設けられている。
【００２９】
なお、本実施形態では、Ｇｅ原料をマスフローコントローラ供給とし、Ｓｂ原料およびＴｅ原料をバブリング供給した例を示したが、Ｇｅ原料をバブリング供給してもよいし、Ｓｂ原料、Ｔｅ原料をマスフローコントローラ供給してもよい。また、液体の状態の原料を液体マスフローコントローラで流量制御して気化器により気化して供給するようにしてもよい。
【００３０】
Ｇｅ原料、Ｓｂ原料、Ｔｅ原料としては、気体供給が可能な化合物であれば用いることができる。蒸気圧が高い化合物であれば気化しやすく有利である。アルキル基を含む化合物は、蒸気圧が高く安価であるため、好適に用いることができる。ただし、アルキル基を含むものに限定されない。
【００３１】
アルキル基を含むものとして具体的には、Ｇｅ原料としては、メチルゲルマニウムＧｅ（ＣＨ３）Ｈ３、ターシャリブチルゲルマニウム［Ｇｅ（（ＣＨ３）３Ｃ）Ｈ３］、テトラメチルゲルマニウム［Ｇｅ（ＣＨ３）４］、テトラエチルゲルマニウム［Ｇｅ（Ｃ２Ｈ５）４］、テトラジメチルアミノゲルマニウム［Ｇｅ（（ＣＨ３）２Ｎ）４］等を挙げることができ、Ｓｂ原料としては、トリイソプロピルアンチモン［Ｓｂ（ｉ−Ｃ３Ｈ７）３］、トリメチルアンチモン［Ｓｂ（ＣＨ３）３］、トリスジメチルアミノアンチモン［Ｓｂ（（ＣＨ３）２Ｎ）３］等を挙げることができ、Ｔｅ原料としては、ジイソプロピルテルル［Ｔｅ（ｉ−Ｃ３Ｈ７）２］、ジターシャリブチルテルル［Ｔｅ（ｔ−Ｃ４Ｈ９）２］、ジエチルテルル［Ｔｅ（Ｃ２Ｈ５）２］等を挙げることができる。
【００３２】
処理容器１の側壁上部には、クリーニングガスであるＮＦ３ガスを導入するクリーニングガス導入部８１が設けられている。このクリーニングガス導入部８１にはＮＦ３ガスを供給する配管８２が接続されており、この配管８２にはリモートプラズマ発生部８３が設けられている。そして、このリモートプラズマ発生部８３において配管８２を介して供給されたＮＦ３ガスがプラズマ化され、これが処理容器１内に供給されることにより処理容器１内がクリーニングされる。なお、リモートプラズマ発生部をシャワーヘッド４０の直上に設け、クリーニングガスをシャワーヘッド４０を介して供給するようにしてもよい。また、ＮＦ３の代わりにＦ２を用いてもよいし、リモートプラズマを使用せず、ＣｌＦ３等によるプラズマレスの熱クリーニングを行うようにしてもよい。
【００３３】
成膜装置１００はマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ９０を有しており、成膜装置１００の各構成部がこのプロセスコントローラ９０に接続されて制御される構成となっている。また、プロセスコントローラ９０には、オペレータが成膜装置１００の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、成膜装置１００の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース９１が接続されている。さらに、プロセスコントローラ９０には、成膜装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ９０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１００の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピや、各種データベース等が格納された記憶部９２が接続されている。処理レシピは記憶部９２の中の記憶媒体（図示せず）に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
【００３４】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース９１からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部９２から呼び出してプロセスコントローラ９０に実行させることで、プロセスコントローラ９０の制御下で、成膜装置１００での所望の処理が行われる。
【００３５】
次に、以上のように構成された成膜装置を用いて行われる成膜処理方法の実施形態について図２のフローチャートを参照しつつ説明する。
【００３６】
まず、処理容器１内に基板Ｓは搬入せずに、予めガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成する（工程１）。この処理は、成膜の際にＴｅ原料ガスを供給しないとき、あるいはＴｅ原料ガスを少なくしたときのＴｅ供給源を確保するための処理である。
【００３７】
この工程１は、成膜に先立って、Ｔｅ原料ガスを所定の真空雰囲気に保持された処理容器１内に予め流し、ガス通流経路壁、すなわち配管５１の内壁やシャワーヘッド４０の内壁、および／または反応空間壁、すなわち処理容器１の内壁にＴｅ含有膜を形成することによって行うことができる。あるいは処理容器１の側壁に設けたノズル（図示せず）から液状のＴｅ原料を噴霧して、Ｔｅ含有膜を形成してもよい。また、ガス通流経路および／または反応空間にＴｅを含有する部材を設けることによっても行うことができる。このＴｅを含有する部材を設けることは、ガス通流経路壁および／または反応空間壁にＴｅを含有する箔やＴｅを含有する部材を貼り付けてもよいし、ガス通流経路および／または反応空間に単にＴｅを含有する部材を置くだけでもよい。
【００３８】
次に、ゲートバルブ３８を開けて、搬入出口３９から処理容器１内に基板Ｓを搬入する（工程２）。そして、基板Ｓを載置台３の上に載置し、処理容器１内を排気して所定の真空度に調整する。載置台３はあらかじめ加熱ランプ３２により放出され透過窓３０を透過した熱線により加熱されており、その熱により基板Ｓを加熱する。
【００３９】
次に、Ｇｅ原料ガス、Ｓｂ原料ガス、Ｔｅ原料ガスを所定流量で流し、基板Ｓ上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する（工程３）。この工程３においては、まず希釈ガス供給源５５から希釈ガスとして例えばＡｒガスを１００〜１０００ｍＬ／ｓｅｃ（ｓｃｃｍ）の流量で供給しつつ、図示しない真空ポンプにより排気口３６および排気管３７を介して処理容器１内を排気することにより処理容器１内の圧力を６０〜１３３０Ｐａ程度に真空排気する。この際の基板Ｓの加熱温度は、例えば２００〜６００℃に、好ましくは３００〜４００℃に設定される。
【００４０】
そして、希釈用ガス、例えばＡｒガスの流量を１００〜５００ｍＬ／ｓｅｃ（ｓｃｃｍ）としつつ、処理容器１内の圧力を成膜圧力である６０〜６６５０Ｐａに制御し、実際の成膜を開始する。なお、処理容器１内の圧力調整は、排気管３７に設けられた自動圧力制御器（ＡＰＣ）によりなされる。
【００４１】
この状態で、例えば所定流量のキャリアガスを流してバブリングにより、Ｔｅ原料貯留部５２からのＴｅ原料ガスおよびＳｂ原料貯留部５３からのＳｂ原料ガスを処理容器１内に導入し、さらに、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）６３によりＧｅ原料貯留部５４から所定流量のＧｅ原料ガスを処理容器１内に導入する。
【００４２】
このとき、ガスの通流経路壁および／または反応空間壁に予めＴｅ系材料が形成されているので、これらから昇華してきたＴｅが膜中に入る。このため、Ｇｅの膜中への取り込みを阻害するＴｅ原料を少なくすることができる。すなわち、Ｔｅ原料によるＧｅの膜中への取り込み阻害が生じると、Ｇｅ原料ガスの流量を多くしても、所望の組成、典型的にはＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の組成の膜よりもＧｅ量が少なくなってしまい、逆に、それを防止するためにＴｅ原料ガスの流量を少なくすると、Ｇｅの取り込み阻害は軽減されるがＴｅ量が所望の組成よりも少なくなってしまう。このように、ガスの通流経路壁および／または反応空間壁に予めＴｅ系材料を形成しておくことにより、Ｇｅの取り込み阻害を軽減すべくＴｅ原料ガスの流量を少なくしても、所望のＴｅ量を確保することができる。
【００４３】
この際の成膜は、ガスの通流経路壁および／または反応空間壁に予め形成したＴｅ系材料からのＴｅの取り込み量を見込んでＴｅ原料ガスの流量を少なくし、Ｇｅ原料ガスの流量を取り込み阻害を見込んで多くして、Ｇｅ原料ガス、Ｓｂ原料ガスおよびＴｅ原料ガスを同時に供給してＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜してもよいし、Ｇｅ原料ガス、Ｓｂ原料ガスおよびＴｅ原料ガスをすべて導入する成膜と、Ｔｅ原料ガスを除いたＧｅ原料ガスとＳｂ原料ガスのみによる成膜を交互に行ってＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜してもよい。
【００４４】
この工程３の成膜が終了したら、原料の供給を停止し、処理容器１内を希釈ガスによりパージした後、ゲートバルブ３８を開け、成膜後の基板Ｓを処理容器から搬出する（工程４）。
【００４５】
次に、実際にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜した実験結果について示す。
＜実験１＞
上記図１の成膜装置において、カートリッジヒータにより処理容器壁の温度を１６０℃に設定し、ランプパワーを調節して、載置台の温度を３５０℃に設定し、搬送ロボットのアームを用いて処理容器内に直径２００ｍｍの円板状をなす基板を搬入し、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜した。なお、Ｇｅ原料、Ｓｂ原料、Ｔｅ原料として、ターシャリブチルゲルマニウム、トリイソプロピルアンチモン、ジイソプロピルテルルを用いた。ターシャリブチルゲルマニウムは、常温の原料容器の後段に設置したマスフローコントローラにて蒸気流量を直接制御して処理容器に供給し、トリイソプロピルアンチモンは、５０℃に温度コントロールした原料容器にキャリアガスとして流量制御されたＡｒガスを容器内に通じたバブリング法にて処理容器に供給し、ジイソプロピルテルルは、３５℃に温度コントロールした原料容器にキャリアガスとして流量制御されたＡｒガスを容器内に通じたバブリング法にて処理容器に供給した。マスフローコントローラおよび原料容器から処理容器までの配管は、マントルータにより１６０℃に保持した。
【００４６】
そして、以下の条件でＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜した（第１の成膜）。
載置台温度：３５０℃
処理容器内圧力：６６５Ｐａ
Ｇｅ原料ガス流量：１５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）：ただしＮ２換算にて
ＴｅキャリアＡｒガス流量：５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
ＳｂキャリアＡｒガス流量：５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
希釈Ａｒガス流量：１００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
バックサイドＡｒガス流量：２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
成膜時間：１２０ｓｅｃ
【００４７】
蛍光Ｘ線分析法にて第１の成膜により得られた膜の組成を測定した結果、Ｇｅ／Ｓｂ／Ｔｅ＝９／３３／５８（ａｔ％）となり、Ｔｅ原料ガスの導入により、膜中へのＧｅの取り込みが阻害されていることがわかる。
【００４８】
次に、成膜に先立ってＴｅ原料を流して予め処理容器壁等にＴｅ含有膜を形成しておき、以下の条件でＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜した（第２の成膜）。
載置台温度：３５０℃
処理容器内圧力：６６５Ｐａ
Ｇｅ原料ガス流量：１５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
ＴｅキャリアＡｒガス流量：０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
ＳｂキャリアＡｒガス流量：２０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
希釈Ａｒガス流量：１００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
バックサイドＡｒガス流量：２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
成膜時間：１２０ｓｅｃ
【００４９】
蛍光Ｘ線分析法にて第２の成膜により得られた膜の組成を測定した結果、Ｇｅ／Ｓｂ／Ｔｅ＝３７／５５／８（ａｔ％）となり、Ｔｅ原料ガスを導入しないためＧｅの取り込み阻害が生じておらず、また、Ｔｅ原料を導入しないのにもかかわらず、処理容器壁に成膜されたＴｅ含有膜からのＴｅの昇華により、膜中にＴｅが取り込まれたことが確認された。
【００５０】
次に、成膜時間を２０ｓｅｃにした他は上記第１の成膜条件と同じ条件によるステップＡと、成膜時間を４０ｓｅｃにした他は上記第２の成膜条件と同じ条件によるステップＢとを交互に２回ずつ繰り返してＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜した（第３の成膜）。
【００５１】
蛍光Ｘ線分析法にて第３の成膜により得られた膜の組成を測定した結果、Ｇｅ／Ｓｂ／Ｔｅ＝１５／３７／４８（ａｔ％）となり、第１の成膜であるステップＡと第２の成膜であるステップＣとを組み合わせることにより、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の組成を制御することができ、目標組成であるＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５により近い組成が得られることが確認された
【００５２】
＜実験２＞
ここでは、実験１と同様の装置を用い、成膜に先立ってＴｅ原料を流して予め処理容器壁等にＴｅ含有膜を形成しておき、以下の条件でＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜した。Ｇｅ原料、Ｓｂ原料、Ｔｅ原料として、トリメチルゲルマニウム、トリイソプロピルアンチモン、ジイソプロピルテルルを用いた。トリメチルゲルマニウムは、マスフローコントローラにより処理容器に供給した。
【００５３】
成膜条件は以下の通りとした。
載置台温度：３５０℃
処理容器内圧力：６６５Ｐａ
Ｇｅ原料ガス流量：５５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）：ただしＮ２換算にて
ＴｅキャリアＡｒガス流量：５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
ＳｂキャリアＡｒガス流量：２０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
希釈Ａｒガス流量：３００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
バックサイドＡｒガス流量：２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
成膜時間：１８０ｓｅｃ
【００５４】
蛍光Ｘ線分析法にて得られた膜の組成を測定した結果、Ｇｅ／Ｓｂ／Ｔｅ＝２２．２／２２．２／５５．６（ａｔ％）となり、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５膜が得られたことが確認された。
【００５５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず種々限定可能である。
成膜装置としてランプ加熱で被処理基板を加熱するものを示したが、抵抗加熱ヒータで加熱するものであってもよい。
【００５６】
また、上記実施形態では、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５組成の膜を形成する場合について示したが、これに限らず種々の組成の膜に対応することができる。Ｔｅの割合が低い膜を成膜する場合には、Ｔｅ原料を全く導入せずに成膜を行うこともできる。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明に係るＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜は、相変化型光記録媒体に用いる記録層の材料として有効である。
【符号の説明】
【００５８】
１；処理容器
３；載置台
３２；加熱ランプ
４０；シャワーヘッド
５０；処理ガス供給機構
５２；Ｔｅ原料貯留部
５３；Ｓｂ原料貯留部
５４；Ｇｅ原料貯留部
９０；プロセスコントローラ
９２；記憶部
１００；成膜装置
Ｓ；基板
【図１】
2010159471.tif 000003
【図２】
2010159471.tif 000004