(57)【要約】 【課題】露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供する。【解決手段】複数の基板を順次露光する露光方法は、複数の基板のうちの第１基板の露光前の温度に関する第１温度情報を取得することと、第１基板に露光光を照射して、第１基板を露光することと、第１基板の露光後の温度に関する第２温度情報を取得することと、第１温度情報及び第２温度情報に基づいて、複数の基板のうちの第２基板に対する露光条件を調整して、第２基板を露光することと、を含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を順次露光する露光方法であって、
複数の前記基板のうちの第１基板の露光前の温度に関する第１温度情報を取得することと、
前記第１基板に露光光を照射して、前記第１基板を露光することと、
前記第１基板の露光後の温度に関する第２温度情報を取得することと、
前記第１温度情報及び前記第２温度情報に基づいて、前記複数の基板のうちの第２基板に対する露光条件を調整して、前記第２基板を露光することと、
を含む露光方法。
【請求項２】
前記露光条件は、前記基板の基準温度における大きさ及び物性に関する情報を含む特性情報と、前記第１温度情報及び前記第２温度情報とに基づいて調整される請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記第２基板の露光前の温度に関する第３温度情報を取得することを含み、
前記露光条件は、前記特性情報と、前記第１温度情報及び前記第２温度情報と、前記第３温度情報とに基づいて調整される請求項２記載の露光方法。
【請求項４】
前記第１温度情報及び前記第２温度情報に基づいて、前記第２基板の露光時の伸縮量を推定することを含み、
前記露光条件は、前記伸縮量に基づいて調整される請求項１〜３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５】
前記第１基板を保持部材に保持させることを含み、
前記第１基板を露光することは、前記第１基板を保持した前記保持部材を前記露光光の照射領域に移動させることを含み、
前記第１温度情報を取得することは、前記第１基板の露光前における前記第１基板及び前記保持部材の少なくとも一方の温度を検出することを含む請求項１〜４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６】
前記第２温度情報を取得することは、前記第１基板の露光後における前記第１基板及び前記保持部材の少なくとも一方の温度を検出することを含む請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
前記第１基板を保持部材に保持させることを含み、
前記第１基板を露光することは、前記第１基板を保持した前記保持部材を前記露光光の照射領域に移動させることを含み、
前記第２温度情報を取得することは、前記第１基板の露光後における前記第１基板及び前記保持部材の少なくとも一方の温度を検出することを含む請求項１〜４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項８】
前記第２基板を前記保持部材に保持させることと、
前記第１基板の露光後における前記保持部材の温度に基づいて、前記保持部材が未保持の前記第２基板の温度を調整することと、を含む請求項６又は７記載の露光方法。
【請求項９】
前記露光条件の調整は、前記露光光の照射領域の調整を含む請求項１〜８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１０】
前記第２基板を露光することは、投影光学系を介して前記露光光を前記第２基板に照射することを含み、
前記露光条件の調整は、前記投影光学系の投影条件の調整を含む請求項１〜９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１１】
前記投影光学系が、前記基板の表面とほぼ平行な所定面内において複数配置される請求項１０記載の露光方法。
【請求項１２】
前記露光光の照射領域に対して前記第２基板が所定方向に移動しながら露光され、
前記露光条件の調整は、前記所定方向に関する前記第２基板の移動速度の調整を含む請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１３】
投影光学系の物体面側でマスクを所定方向に移動しながら、前記投影光学系の像面側で前記第２基板を所定方向に移動しつつ、前記マスク及び前記投影光学系からの前記露光光で前記第２基板が露光され、
前記露光条件の調整は、前記マスクと前記第２基板との速度比の調整を含む請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１５】
複数の基板を順次露光する露光装置であって、
前記基板の温度に関する温度情報を取得可能な取得装置と、
前記取得装置が取得した、複数の前記基板のうちの第１基板の露光前の温度に関する第１温度情報及び前記第１基板の露光後の温度に関する第２温度情報に基づいて、前記複数の基板のうちの第２基板に対する露光条件を調整する調整装置と、
を備える露光装置。
【請求項１６】
露光光の照射領域に基板を保持して移動可能な保持部材を備え、
前記取得装置は、前記第１基板の露光前における前記第１基板及び前記保持部材の少なくとも一方の温度を検出して、前記第１温度情報を取得する請求項１５記載の露光装置。
【請求項１７】
露光光の照射領域に基板を保持して移動可能な保持部材を備え、
前記取得装置は、前記第１基板の露光後における前記第１基板及び前記保持部材の少なくとも一方の温度を検出して、前記第２温度情報を取得する請求項１５又は１６記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第１基板の露光後における前記保持部材の温度に基づいて、前記保持部材が未保持の前記第２基板の温度を調整する温度調整装置を備える請求項１７記載の露光装置。
【請求項１９】
請求項１５〜１８のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ等の電子デバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持する基板ステージを有し、その基板ステージに基板を搬送して、複数の基板を順次露光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−０９３８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光装置において、基板が熱変形する可能性がある。基板ステージに保持された基板が熱変形した状態で、その基板に投影光学系によりパターンの像を投影すると、例えば基板にパターンを初期の状態で形成することが困難となる可能性がある。その結果、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光方法、及び露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、複数の基板を順次露光する露光方法であって、複数の基板のうちの第１基板の露光前の温度に関する第１温度情報を取得することと、第１基板に露光光を照射して、第１基板を露光することと、第１基板の露光後の温度に関する第２温度情報を取得することと、第１温度情報及び第２温度情報に基づいて、複数の基板のうちの第２基板に対する露光条件を調整して、第２基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、複数の基板を順次露光する露光装置であって、基板の温度に関する温度情報を取得可能な取得装置と、取得装置が取得した、複数の基板のうちの第１基板の露光前の温度に関する第１温度情報及び第１基板の露光後の温度に関する第２温度情報に基づいて、複数の基板のうちの第２基板に対する露光条件を調整する調整装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置の一部を模式的に示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る投影システム及び基板ステージの一例を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る投影領域の一例を示す模式図である。
【図６】第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図７】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図８】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図９】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。
【図１０】第１実施形態に係る記憶装置に記憶されている情報の一例を模式的に示す図である。
【図１１】第１実施形態に係る投影領域の一例を示す模式図である。
【図１２】第１実施形態に係る投影領域の一例を示す模式図である。
【図１３】第１実施形態に係る投影領域の一例を示す模式図である。
【図１４】第１実施形態に係る投影領域の一例を示す模式図である。
【図１５】第２実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図１６】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図、図２は、図１の一部を模式的に示す平面図である。
【００１４】
図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明システムＩＳと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影システムＰＳと、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測可能な干渉計システム３と、基板Ｐを搬送する搬送システム４と、基板Ｐの温度を調整可能な温度調整装置５と、基板Ｐの温度及び基板ステージ２の温度の少なくとも一方を検出可能な検出システム７と、少なくとも投影システムＰＳ及び基板ステージ２を収容するチャンバ装置８と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置９と、制御装置９に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置１０とを備えている。
【００１５】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜（塗布された感光剤）とを含む。本実施形態において、基板Ｐは、マザーガラスと呼ばれる大型のガラスプレートを含み、その基板Ｐの一辺のサイズは、例えば５００ｍｍ以上である。本実施形態においては、基板Ｐの基材として、一辺が約３０００ｍｍの矩形のガラスプレートを用いる。
【００１６】
チャンバ装置８は、実質的に閉ざされた内部空間８Ｈを形成するチャンバ部材８Ａと、内部空間８Ｈの環境（温度、湿度、クリーン度、及び圧力等）を制御する空調装置８Ｂとを有する。基板ステージ２は、内部空間８Ｈを移動する。
【００１７】
本実施形態においては、内部空間８Ｈに、照明システムＩＳの少なくとも一部、マスクステージ１、投影システムＰＳ、基板ステージ２、搬送システム４、温度調整装置５、及び検出システム７が配置される。なお、例えば温度調整装置５が、チャンバ装置８によって形成される内部空間８Ｈの外側に配置されてもよい。例えば、チャンバ装置８に接続される第２チャンバ装置が設けられている場合、その第２チャンバ装置によって形成される内部空間に、温度調整装置が配置されてもよい。
【００１８】
照明システムＩＳは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬの照射領域である。照明システムＩＳは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。
【００１９】
マスクステージ１は、マスクＭの下面の少なくとも一部を保持する保持部１１を有し、マスクＭを保持した状態で、第１定盤１２のガイド面１２Ｇ上を移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１は、例えばリニアモータ等を含む第１駆動システム（不図示）の作動により、照明領域ＩＲにマスクＭを保持して移動可能である。本実施形態において、マスクステージは、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２０】
投影システムＰＳは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影システムＰＳから射出される露光光ＥＬの照射領域である。投影システムＰＳは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影システムＰＳは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を投影する。
【００２１】
基板ステージ２は、基板Ｐの裏面の少なくとも一部を保持する保持部１３を有し、基板Ｐを保持した状態で、第２定盤１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、例えばリニアモータ等を含む第２駆動システム（不図示）の作動により、投影領域ＰＲに基板Ｐを保持して移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２２】
干渉計システム３は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１（マスクＭ）の位置を光学的に計測可能な第１干渉計ユニット３Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２（基板Ｐ）の位置を光学的に計測可能な第２干渉計ユニット３Ｂとを有する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置９は、干渉計システム３の計測結果に基づいて、第１，第２駆動システムを作動して、マスクステージ１（マスクＭ）及び基板ステージ２（基板Ｐ）の位置制御を実行する。
【００２３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置９は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、投影システムＰＳの光軸（露光光ＥＬの光路）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＸ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＸ軸方向とする。基板Ｐの露光時、マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、投影システムＰＳの物体面側でＸ軸方向に移動し、基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影システムＰＳの像面側でＸ軸方向に移動する。制御装置９は、投影システムＰＳの像面側で投影システムＰＳの投影領域ＰＲに対して基板ＰをＸ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＸ軸方向への移動と同期して、投影システムＰＳの物体面側で照明システムＩＳの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＸ軸方向に移動しつつ、マスクＭ及び投影システムＰＳを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板ＰはマスクＭ及び投影システムＰＳからの露光光ＥＬで露光される。
【００２４】
搬送システム４は、基板ステージ２に基板Ｐを搬入（ロード）する動作、及び基板ステージ２から基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を実行可能である。本実施形態において、搬送システム４は、基板ステージ２に基板Ｐを搬入可能な第１搬送部材４１と、基板ステージ２から基板Ｐを搬出する第２搬送部材４２とを備えている。本実施形態において、第１搬送部材４１は、第２搬送部材４２の上方（＋Ｚ方向）に配置される。
【００２５】
搬送システム４は、第１搬送部材４１を用いて、露光前の基板Ｐを基板ステージ２に搬入し、第２搬送部材４２を用いて、露光後の基板Ｐを基板ステージ２から搬出する。以下の説明において、基板ステージ２に基板Ｐを搬入する動作、及び基板ステージ２から基板Ｐを搬出する動作の少なくとも一方を含む処理を適宜、基板交換処理、と称する。
【００２６】
基板ステージ２は、投影システムＰＳから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置ＥＰと、基板交換処理が実行される位置ＣＰとの間を移動可能である。位置ＥＰは、露光光ＥＬが射出される投影システムＰＳの射出面と対向する位置を含む。位置ＣＰは、位置ＥＰと異なる位置であって、本実施形態においては、位置ＥＰの＋Ｘ側に配置される。以下の説明において、位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称し、位置ＣＰを適宜、基板交換位置ＣＰ、と称する。
【００２７】
基板交換処理を実行するとき、制御装置９は、基板交換位置ＣＰに基板ステージ２を移動する。制御装置９は、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２に、第１搬送部材４１を用いて露光前の基板Ｐを搬入する。また、制御装置９は、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２から、第２搬送部材４２を用いて露光後の基板Ｐを搬出する。
【００２８】
本実施形態において、基板Ｐは、トレイＴｒに支持された状態で、基板ステージ２に搬入されるとともに、基板ステージ２から搬出される。本実施形態において、第１搬送部材４１は、基板Ｐを支持したトレイＴｒを基板ステージ２に搬入可能である。第２搬送部材４２は、基板Ｐを支持したトレイＴｒを基板ステージ２から搬出可能である。基板Ｐを支持したトレイＴｒが基板ステージ２に搬入されることによって、基板Ｐが基板ステージ２に搬入される。基板Ｐを支持したトレイＴｒが基板ステージ２から搬出されることによって、基板Ｐが基板ステージ２から搬出される。
【００２９】
トレイＴｒは、フレーム部材とそのフレーム部材の内側に格子状に配置された複数のロッド部材とを含むフレーム構造を有する。基板ステージ２（保持部１３）は、トレイＴｒのフレーム部材及びロッド部材を配置可能な溝を有する。基板Ｐを支持可能なフレーム構造のトレイ、トレイの少なくとも一部を配置可能な溝を有する基板ステージ（保持部）、及び基板Ｐを支持した状態でトレイを搬送可能な搬送システム（搬送部材）に関する技術の一例は、例えば特開２００１−１００１６９号公報、特開２００１−１７６９４７号公報、特開２００３−２５８０７８号公報、及び特開２００４−２７３７０２号公報等に開示されている。それら技術が、本実施形態に係るトレイＴｒ、基板ステージ２、及び搬送システム４に適用されている。
【００３０】
第１搬送部材４１によって、基板Ｐを支持したトレイＴｒが基板ステージ２に搬入されると、トレイＴｒが基板ステージ２の溝に配置され、トレイＴｒの上面が保持部１３の上面（保持面）より下方に配置されるとともに、基板Ｐの裏面が保持部１３に保持される。また、第２搬送部材４２によって、トレイＴｒが基板ステージ２から搬出されると、基板Ｐの裏面がトレイＴｒに支持され、基板ＰとトレイＴｒとが基板ステージ２から一緒に搬出される。
【００３１】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板交換位置ＣＰの＋Ｘ側に配置された中継部（ポート部）１５を有する。中継部１５は、トレイＴｒを支持可能な支持機構１６を有する。本実施形態において、支持機構１６は、複数のロッド部材（ピン部材）を有し、そのロッド部材の上端でトレイＴｒを支持する。搬送システム４は、中継部１５と基板ステージ２との間で、基板Ｐを支持したトレイＴｒを搬送可能である。トレイＴｒは、基板Ｐを支持した状態で、中継部１５と基板ステージ２との間を移動可能である。
【００３２】
温度調整装置５は、露光位置ＥＰ、基板交換位置ＣＰ、及び中継部１５と異なる位置に配置されている。温度調整装置５は、基板ステージ２が未保持の基板Ｐの温度を調整可能である。温度調整装置５は、基板Ｐを保持する基板保持部材５Ｈと、その基板保持部材５Ｈに保持された基板Ｐの温度を調整する温度調整機構１７とを有する。温度調整機構１７は、基板Ｐを加熱可能なヒータ機構、及び基板Ｐを冷却可能なクーリング機構を含む。本実施形態においては、温度調整機構１７は、基板保持部材５Ｈの内部に配置されている。
【００３３】
なお、温度調整機構１７が、所定温度に調整された気体を基板Ｐに供給する給気口を有する給気ノズルを備えてもよい。給気口は、例えば基板保持部材５Ｈに保持された基板Ｐと対向する位置に配置されてもよい。その給気口より所定温度に調整された気体が基板Ｐに供給されることによって、基板Ｐの温度が調整される。
【００３４】
本実施形態においては、露光前の基板Ｐの温度が、温度調整装置５によって調整される。例えば、露光処理に対する前処理を施された基板Ｐは、温度調整装置５に搬送され、その温度調整装置５の基板保持部材５Ｈに保持される。なお、前処理は、基板Ｐに感光剤を塗布するコーティング処理を含む。制御装置９は、温度調整装置５を制御して、基板保持部材５Ｈに保持された露光前の基板Ｐの温度を調整可能である。
【００３５】
温度調整装置５によって温度調整された基板Ｐは、中継部１５に搬送される。中継部１５にはトレイＴｒが配置されており、温度調整装置５によって温度調整された基板Ｐは、中継部１５に配置されているトレイＴｒに載置される。これにより、露光前の基板Ｐは、中継部１５においてトレイＴｒに支持される。制御装置９は、搬送システム４（第１搬送部材４１）を用いて、中継部１５において基板Ｐを支持したトレイＴｒを、基板ステージ２に搬送することができる。
【００３６】
なお、温度調整装置５が、露光後の基板Ｐの温度を調整してもよい。
【００３７】
検出システム７は、基板Ｐの温度及び基板ステージ２（保持部１３）の温度の少なくとも一方を検出可能である。本実施形態において、検出システム７は、中継部１５に配置され、中継部１５に配置された基板Ｐの温度を検出する第１検出装置７１と、基板交換位置ＣＰに配置され、基板交換位置ＣＰに配置された基板Ｐの温度及び基板ステージ２の温度の少なくとも一方を検出可能な第２検出装置７２とを有する。
【００３８】
本実施形態において、第１検出装置７１は、非接触で、基板Ｐの温度を検出可能である。また、第２検出装置７２は、非接触で、基板Ｐの温度及び基板ステージ２の温度の少なくとも一方を検出可能である。
【００３９】
本実施形態において、第１検出装置７１は、基板Ｐの温度を非接触で検出可能な温度センサ７３を複数有する。第２検出装置７２は、基板Ｐの温度及び基板ステージ２の温度の少なくとも一方を非接触で検出可能な温度センサ７３を複数有する。温度センサ７３は、例えば赤外放射温度センサである。なお、基板Ｐの温度及び基板ステージ２の温度を非接触で検出可能であれば、温度センサ７３は、赤外放射温度センサに限られない。
【００４０】
なお、第１検出装置７１が、基板Ｐに接触して基板Ｐの温度を検出してもよい。また、第２検出装置７２が、基板Ｐ（基板ステージ２）に接触して、基板Ｐ（基板ステージ２）の温度を検出してもよい。例えば、温度センサ７３が、熱電対温度センサでもよい。
【００４１】
本実施形態において、第１検出装置７１は、中継部１５に配置された温度センサ７３を有する。第１検出装置７１は、温度センサ７３を用いて、中継部１５に配置された基板Ｐの温度を検出可能である。第１検出装置７１の温度センサ７３は、支持機構１６に支持されたトレイＴｒより下方（−Ｚ方向）に配置される。第１検出装置７１の温度センサ７３は、トレイＴｒに支持された基板Ｐの裏面と対向可能である。第１検出装置７１は、トレイＴｒに支持された状態の基板Ｐの温度を検出可能である。なお、第１検出装置７１が、トレイＴｒに支持されていない状態の基板Ｐの温度を検出してもよい。また、第１検出装置７１の温度センサ７３が、基板Ｐの表面と対向する位置に配置されてもよい。
【００４２】
第１検出装置７１の温度センサ７３は、ＸＹ平面内において、複数配置されている。本実施形態において、第１検出装置７１は、温度センサ７３を５つ有する。第１検出装置７１は、５つの温度センサ７３を用いて、基板Ｐの裏面（表面）の中心、及び四隅の温度を検出することができる。第１検出装置７１は、それら複数の温度センサ７３の検出結果に基づいて、基板Ｐの温度、及び基板Ｐの表面（裏面）における温度分布に関する情報を取得することができる。
【００４３】
本実施形態において、第２検出装置７２は、基板交換位置ＣＰに配置された温度センサ７３を有する。第２検出装置７２は、温度センサ７３を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板Ｐの温度を検出可能である。第２検出装置７２の温度センサ７３は、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２の上方（＋Ｚ方向）に配置される。第２検出装置７２の温度センサ７３は、基板交換位置ＣＰに配置され、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面と対向可能である。第２検出装置７２は、基板ステージ２に保持された状態の基板Ｐの温度を検出可能である。なお、第２検出装置７２が、基板ステージ２に保持されていない状態の基板Ｐの温度を検出してもよい。例えば、第２検出装置７２は、トレイＴｒを介して搬送システム４（第１，第２搬送部材４１，４２）に支持された状態の基板Ｐの温度を検出することができる。また、第２検出装置７２の温度センサ７３が、基板Ｐの裏面と対向する位置に配置されてもよい。
【００４４】
また、基板ステージ２（保持部１３）が基板Ｐを保持していない状態において、第２検出装置７２は、基板ステージ２（保持部１３）の温度を検出可能である。基板ステージ２（保持部１３）が基板Ｐを保持していない状態において、第２検出装置７２の温度センサ７３は、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２の保持部１３と対向可能である。第２検出装置７２は、温度センサ７３を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２（保持部１３）の温度を検出可能である。
【００４５】
第２検出装置７２の温度センサ７３は、ＸＹ平面内において、複数配置されている。本実施形態において、第２検出装置７２は、温度センサ７３を５つ有する。第２検出装置７２は、５つの温度センサ７３を用いて、基板Ｐの表面（裏面）の中心、及び四隅の温度を検出することができる。また、第２検出装置７２は、５つの温度センサ７３を用いて、基板ステージ２（保持部１３）の上面の中心、及び四隅の温度を検出することができる。第２検出装置７２は、それら複数の温度センサ７３の検出結果に基づいて、基板Ｐの温度、及び基板Ｐの表面（裏面）における温度分布に関する情報を取得することができる。また、第２検出装置７２は、複数の温度センサ７３の検出結果に基づいて、基板ステージ２（保持部１３）の温度、及び基板ステージ２（保持部１３）における温度分布に関する情報を取得することができる。
【００４６】
図３は、本実施形態に係る照明システムＩＳ、マスクステージ１、投影システムＰＳ、及び基板ステージ２の近傍を示す斜視図である。
【００４７】
本実施形態において、投影システムＰＳは、投影光学系ＰＬを複数有する。投影光学系ＰＬは、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面内において複数配置されている。照明システムＩＳは、複数の投影光学系ＰＬに対応するように、照明モジュールＩＬを複数有する。また、上述したように、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向（Ｘ軸方向）に同期移動しながら、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。
【００４８】
本実施形態において、投影システムＰＳは、投影光学系ＰＬを７つ有する。照明システムＩＳは、照明モジュールＩＬを７つ有する。なお、投影光学系ＰＬ及び照明モジュールＩＬの数は７つに限定されず、例えば投影システムＰＳが、投影光学系ＰＬを１１個有し、照明システムＩＳが、照明モジュールＩＬを１１個有してもよい。
【００４９】
本実施形態において、照明システムＩＳは、異なる７つの照明領域ＩＲのそれぞれを露光光ＥＬで照明する。照明システムＩＳは、マスクＭのうち照明領域ＩＲに配置された部分を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬとして、水銀ランプＬＳから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）を用いる。
【００５０】
本実施形態において、投影システムＰＳは、異なる７つの投影領域ＰＲのそれぞれにマスクＭのパターンの像を投影する。投影システムＰＳは、基板Ｐのうち投影領域ＰＲに配置された部分に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。
【００５１】
図４は、本実施形態に係る投影システムＰＳ、及び投影領域ＰＲに配置された基板ステージ２の一例を示す図である。
【００５２】
投影システムＰＳは、投影システムＰＳの結像特性（光学特性）を調整する結像特性調整装置３０を備えている。結像特性調整装置３０は、複数の投影光学系ＰＬのそれぞれに設けられている。
【００５３】
以下、図４を参照して、複数の投影光学系ＰＬのうち、１つの投影光学系ＰＬ及びその投影光学系ＰＬに設けられている結像特性調整装置３０について説明する。その１つの投影光学系ＰＬの構成と、他の投影光学系ＰＬの構成とは、同じであるため、他の投影光学系ＰＬについての説明は省略する。
【００５４】
投影光学系ＰＬは、照明モジュールＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に正立等倍で形成する。結像特性調整装置３０は、像面調整部３３と、シフト調整部３４と、二組の反射屈折型光学系３１，３２と、視野絞り３５と、ローテーション調整部３６と、スケーリング調整部３７とを備えている。
【００５５】
照明領域ＩＲに照射され、マスクＭを透過した露光光ＥＬは、像面調整部３３に入射する。像面調整部３３は、投影光学系ＰＬの像面の位置をＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に調整可能である。像面調整部３３は、くさび形状の２つの光学部材を有し、それら光学部材の少なくとも一方を移動させることによって、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する投影光学系ＰＬの像面の位置を調整することができる。
【００５６】
像面調整部３３を通過した露光光ＥＬは、シフト調整部３４に入射する。シフト調整部３４は、投影光学系ＰＬの投影像（マスクＭのパターンの像）の位置をＸ軸、及びＹ軸方向に調整可能である。シフト調整部３４は、平行平板からなる２つの光学部材を有し、それら光学部材の少なくとも一方を移動させることによって、Ｘ軸、及びＹ軸方向に関する投影光学系ＰＬの投影像の位置を調整することができる。
【００５７】
シフト調整部３４を透過した露光光ＥＬは、１組目の反射屈折型光学系３１に入射する。反射屈折型光学系３１は、直角プリズム、レンズ、及び凹面鏡を有する。反射屈折型光学系３１は、マスクＭのパターンの中間像を形成する。反射屈折型光学系３１から射出された露光光ＥＬは、視野絞り３５に供給される。視野絞り３５は、反射屈折型光学系３１により形成されるパターンの中間像の位置に配置されている。視野絞り３５は、投影領域ＰＲ及び照明領域ＩＲを規定する。本実施形態において、視野絞り３５は、基板Ｐ上における投影領域ＰＲ及びマスクＭ上における照明領域ＩＲを台形状に規定する。視野絞り３５を通過した露光光ＥＬは、２組目の反射屈折型光学系３２に入射する。反射屈折型光学系３２は、反射屈折型光学系３１と同様に構成されている。
【００５８】
ローテーション調整部３６は、投影光学系ＰＬの投影像（マスクＭのパターンの像）の位置をθＺ方向に調整可能である。ローテーション調整部３６は、反射屈折型光学系３１，３２それぞれの直角プリズムを含み、それら直角プリズムの少なくとも一方を移動させることによって、θＺ方向に関する投影光学系ＰＬの投影像の位置を調整することができる。
【００５９】
反射屈折型光学系３２から射出された露光光ＥＬは、スケーリング調整部３７に入射する。スケーリング調整部３７は、マスクＭのパターンの像の倍率（スケーリング）を調整可能である。スケーリング調整部３７は、例えば、凹レンズ、凸レンズ、及び凹レンズを有し、２つの凹レンズの間に位置する凸レンズをＺ軸方向に移動させることによって、マスクＭのパターンの像の倍率（スケーリング）を調整することができる。
【００６０】
図５は、７つの投影光学系ＰＬそれぞれの投影領域ＰＲ（ＰＲ１〜ＰＲ７）と、基板Ｐとの位置関係の一例を示す模式図であり、基板Ｐの表面を含む平面内の位置関係を示している。図５に示すように、本実施形態においては、７つの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれは、ＸＹ平面内において台形である。７つの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７は、投影システムＰＳの中心ＡＸの周囲に配置される。本実施形態においては、４つの投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置され、３つの投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７は、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６に対して−Ｘ側に配置されている。また、Ｙ軸方向に関して、投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の間に、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が配置される。
【００６１】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について、図６のフローチャート、及び図７〜図１４の模式図を参照しながら説明する。
【００６２】
本実施形態においては、露光装置ＥＸは、複数の基板Ｐを順次露光する。以下、説明の簡単のため、複数の基板Ｐのうちの第１基板Ｐ１を露光し、その後、第２基板Ｐ２を露光する場合を例にして説明する。
【００６３】
図６に示すように、本実施形態においては、第１基板Ｐ１の露光前の温度に関する第１温度情報を取得する処理（ステップＳＡ１）と、第１基板Ｐ１に露光光ＥＬを照射して、第１基板Ｐ１を露光する処理（ステップＳＡ２）と、第１基板Ｐ１の露光後の温度に関する第２温度情報を取得する処理（ステップＳＡ３）と、第１温度情報及び第２温度情報に基づいて、第２基板Ｐ２に対する露光条件を調整して、第２基板Ｐ２を露光する処理（ステップＳＡ５）とが実行される。
【００６４】
露光前の第１基板Ｐ１が、外部装置より露光装置ＥＸに搬入される。外部装置は、基板Ｐに感光剤の膜を形成するコーティング装置を含む。外部装置から露光装置ＥＸに搬入された第１基板Ｐ１は、温度調整装置５によって温度調整される。温度調整装置５で温度調整された第１基板Ｐ１は、中継部１５に搬送され、トレイＴｒに載置される。
【００６５】
制御装置９は、第１基板Ｐ１の露光前の温度に関する第１温度情報を取得する処理を実行する（ステップＳＡ１）。本実施形態において、第１温度情報を取得する処理は、第１基板Ｐ１の露光前における第１基板Ｐ１の温度を検出する処理を含む。制御装置９は、検出システム７を用いて、第１基板Ｐ１の温度を検出する。
【００６６】
図７に示すように、制御装置９は、中継部１５に配置された第１基板Ｐ１の露光前の温度を、第１検出装置７１の温度センサ７３を用いて検出する。中継部１５において、第１基板Ｐ１は、トレイＴｒに支持されている。第１検出装置７１は、トレイＴｒに支持された状態の第１基板Ｐ１の温度を検出する。
【００６７】
なお、中継部１５において、基板ステージ２に対する第１基板Ｐ１（トレイＴｒ）の大まかな位置合わせ処理（プリアライメント処理）が実行される。例えば、中継部１５に設けられているラインセンサによって、θＺ方向に関する第１基板Ｐ１の位置が検出され、その検出結果に基づいて、第１基板Ｐ１のプリアライメント処理が実行される。
【００６８】
第１検出装置７１による第１基板Ｐ１の温度を検出する処理が終了した後、制御装置９は、第１搬送部材４１を用いて、第１基板Ｐ１を支持したトレイＴｒを、基板ステージ２に搬入する。基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰに配置されており、制御装置９は、基板交換位置ＣＰにおいて、第１基板Ｐ１を支持したトレイＴｒを、基板ステージ２に搬入する。これにより、トレイＴｒの少なくとも一部が、基板ステージ２（保持部１３）の溝に配置されるとともに、第１基板Ｐ１が、基板ステージ２（保持部１３）に保持される。
【００６９】
図８に示すように、制御装置９は、基板交換位置ＣＰにおいて、第１基板Ｐ１の露光前の温度を、第２検出装置７２の温度センサ７３を用いて検出する。第２検出装置７２は、基板交換位置ＣＰにおいて、基板ステージ２に保持されている状態の第１基板Ｐ１の温度を検出する。
【００７０】
本実施形態において、第１基板Ｐ１の露光前の温度に関する第１温度情報を取得する処理は、中継部１５において第１検出装置７１を用いて第１基板Ｐ１の露光前における第１基板Ｐ１の温度を検出する処理、及び基板交換位置ＣＰにおいて第２検出装置７２を用いて第１基板Ｐ１の露光前における第１基板Ｐ１の温度を検出する処理を含む。本実施形態において、第１温度情報は、第１検出装置７１が検出した第１基板Ｐ１の露光前の温度と、第２検出装置７２が検出した第１基板Ｐ１の露光前の温度との平均値を含む。なお、第１温度情報が、第１検出装置７１及び第２検出装置７２のいずれか一方が検出した第１基板Ｐ１の露光前の温度を含むものであってもよい。
【００７１】
第２検出装置７２による第１基板Ｐ１の温度を検出する処理が終了した後、制御装置９は、露光前の第１基板Ｐ１を保持した基板ステージ２を、基板交換位置ＣＰから露光位置ＥＰへ移動する。
【００７２】
なお、少なくとも第１基板Ｐ１の露光が開始される前に、マスクステージ１には、マスクＭが保持される。また、少なくとも第１基板Ｐ１の露光が開始される前に、ベースライン計測処理等のセットアップ処理が実行される。ベースライン計測処理は、投影システムＰＳによるマスクＭのパターン像の位置（投影領域ＰＲの位置）と、基板Ｐ上のアライメントマークを検出するマーク検出装置の検出領域との位置関係（ベースライン量）を計測する処理である。また、制御装置９は、第１基板Ｐ１の露光が開始される前に、マーク検出装置で基板Ｐ上のアライメントマークを検出して、投影領域ＰＲに対する第１基板Ｐ１の露光対象領域（ショット領域）の位置を導出する。
【００７３】
図９に示すように、制御装置９は、第１基板Ｐ１を保持した基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、第１基板Ｐ１を露光する処理を開始する（ステップＳＡ２）。制御装置９は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、投影システムＰＳ（投影光学系ＰＬ）の物体面側で照明領域ＩＲに対してマスクＭをＸ軸方向に移動しながら、投影システムＰＳ（投影光学系ＰＬ）の像面側で投影領域ＰＲに対して基板ＰをＸ軸方向に移動しつつ、照明システムＩＳより露光光ＥＬを射出させる。これにより、第１基板Ｐ１は、投影領域ＰＲに対してＸ軸方向に移動しながら、マスクＭ及び投影システムＰＳ（投影光学系ＰＬ）からの露光光ＥＬで露光される。
【００７４】
第１基板Ｐ１の露光処理が終了した後、制御装置９は、その露光後の第１基板Ｐ１を保持した基板ステージ２を、露光位置ＥＰから基板交換位置ＣＰまで移動する。
【００７５】
制御装置９は、第１基板Ｐ１の露光後の温度に関する第２温度情報を取得する処理を実行する（ステップＳＡ３）。本実施形態において、第２温度情報を取得する処理は、第１基板Ｐ１の露光後における第１基板Ｐ１の温度を検出する処理を含む。制御装置９は、検出システム７を用いて、第１基板Ｐ１の露光後の温度を検出する。
【００７６】
制御装置９は、基板交換位置ＣＰにおいて、第１基板Ｐ１の露光後の温度を、第２検出装置７２の温度センサ７３を用いて検出する。第２検出装置７２は、基板交換位置ＣＰにおいて、基板ステージ２に保持されている状態の第１基板Ｐ１の露光後の温度を検出する。
【００７７】
第２検出装置７２による第１基板Ｐ１の露光後の温度を検出する処理が終了した後、制御装置９は、第２搬送部材４２を用いて、第１基板Ｐ１を支持したトレイＴｒを、基板ステージ２から搬出する。制御装置９は、基板交換位置ＣＰに配置されている基板ステージ２から、第１基板Ｐ１を支持したトレイＴｒを搬出する。第１基板Ｐ１は、トレイＴｒとともに、基板ステージ２から搬出される。
【００７８】
制御装置９は、第２搬送部材４２を制御して、第１基板Ｐ１を支持したトレイＴｒを、中継部１５に搬送する。制御装置９は、中継部１５に配置された第１基板Ｐ１の露光後の温度を、第１検出装置７１の温度センサ７３を用いて検出する。中継部１５において、第１基板Ｐ１は、トレイＴｒに支持されている。第１検出装置７１は、トレイＴｒに支持された状態の第１基板Ｐ１の露光後の温度を検出する。
【００７９】
本実施形態において、第１基板Ｐ１の露光後の温度に関する第２温度情報を取得する処理は、基板交換位置ＣＰにおいて第２検出装置７２を用いて第１基板Ｐ１の露光後における第１基板Ｐ１の温度を検出する処理、及び中継部１５において第１検出装置７１を用いて第１基板Ｐ１の露光後における第１基板Ｐ１の温度を検出する処理を含む。本実施形態において、第２温度情報は、第２検出装置７２が検出した第１基板Ｐ１の露光後の温度と、第１検出装置７１が検出した第１基板Ｐ１の露光後の温度との平均値を含む。なお、第２温度情報が、第１検出装置７１及び第２検出装置７２のいずれか一方が検出した第１基板Ｐ１の露光後の温度を含むものであってもよい。
【００８０】
露光後の第１基板Ｐ１は、露光装置ＥＸより外部装置に搬出される。外部装置は、基板Ｐ（感光剤）を現像するデベロッパ装置等を含む。
【００８１】
制御装置９は、検出システム７を用いて取得した、第１温度情報及び第２温度情報に基づいて、第１基板Ｐ１の後に露光される第２基板Ｐ２の露光時の伸縮量（熱変形量）を推定する（ステップＳＡ４）。
【００８２】
本実施形態において、制御装置９は、検出システム７を用いて検出した、第１基板Ｐ１の露光前の温度及び第１基板Ｐ１の露光後の温度に基づいて、第２基板Ｐ２の露光時の伸縮量を推定する。
【００８３】
本実施形態においては、制御装置９は、露光前と露光後との第１基板Ｐ１の温度差に基づいて、基準温度Ｔ０（例えば２３℃）における基板Ｐの大きさに対する、第１基板Ｐ１の後に露光される第２基板Ｐ２の露光時における伸縮量を推定する。
【００８４】
本実施形態においては、記憶装置１０に、基板Ｐの基準温度Ｔ０における大きさ、及び基板Ｐの物性に関する情報を含む特性情報が記憶されている。
【００８５】
図１０は、記憶装置１０に記憶されている特性情報の一例を示す模式図である。基板Ｐの物性に関する情報は、基板Ｐの材料特性、及びその材料特性に応じた熱膨張係数に関する情報を含む。図１０において、横軸は、基板Ｐの温度Ｔ、縦軸は、基板Ｐの大きさ（プレートサイズ）Ｓを示す。ラインＬ１は、第１物性（第１熱膨張係数）を有する基板Ｐａに関する温度Ｔと大きさＳとの関係を示し、ラインＬ２は、第２物性（第２熱膨張係数）を有する基板Ｐｂに関する温度Ｔと大きさＳとの関係を示し、ラインＬ３は、第３物性（第３熱膨張係数）を有する基板Ｐｃに関する温度Ｔと大きさＳとの関係を示す。
【００８６】
露光光ＥＬの照射により、基板Ｐが伸縮（熱変形）する可能性がある。すなわち、露光光ＥＬの照射によって基板Ｐが加熱されるので、その熱によって基板Ｐが伸縮する可能性がある。例えば、第１基板Ｐ１が、第１物性を有する基板Ｐａである場合において、第１基板Ｐ１の温度Ｔが基準温度Ｔ０である場合、その基準温度Ｔ０における第１基板Ｐ１の大きさＳは、基準大きさＳ０である。例えば、第１基板Ｐ１の温度Ｔが基準温度Ｔ０に対して変化し、第１温度Ｔ１となった場合、その第１温度Ｔ１における第１基板Ｐ１の大きさＳは、第１大きさＳ１となる。また、第１基板Ｐ１の温度Ｔが、第２温度Ｔ２となった場合、その第２温度Ｔ２における第１基板Ｐ１の大きさＳは、第２大きさＳ２となる。
【００８７】
このような、基板Ｐ（第１基板Ｐ１）の温度Ｔと、基板Ｐ（第１基板Ｐ１）の大きさ（プレートサイズ）Ｓとの関係が、既知情報として、記憶装置１０に記憶されている。換言すれば、記憶装置１０には、基準温度Ｔ０における基板Ｐの基準大きさＳ０に対する、任意の温度（Ｔ１，Ｔ２等）における基板Ｐの大きさＳに関する情報、すなわち、基板Ｐ（第１基板Ｐ１）の温度変化に応じた、基準大きさＳ０に対する基板Ｐの伸縮量に関する情報が、既知情報として、記憶装置１０に記憶されている。
【００８８】
本実施形態においては、露光前の露光後との第１基板Ｐの温度Ｔが検出され、第１基板Ｐ１の露光前の温度に関する情報を含む第１温度情報と、第１基板Ｐ１の露光後の温度に関する情報を含む第２温度情報とが取得されているので、制御装置９は、記憶装置１０に記憶されている特性情報と、第１温度情報と及び第２温度情報とに基づいて、露光光ＥＬの照射による、露光前の第１基板Ｐ１の大きさに対する露光後の第１基板Ｐ１の伸縮量を求めることができる。すなわち、制御装置９は、露光光ＥＬにより、基準温度Ｔ０における第１基板Ｐ１の大きさに対して、その第１基板Ｐ１がどのくらい伸縮したのかを求めることができる。
【００８９】
本実施形態において、第１基板Ｐ１と第２基板Ｐ２とは、同じ物性（熱膨張係数等）である。また、基準温度Ｔ０における第１基板Ｐ１の大きさと第２基板Ｐ２の大きさとは同じである。また、第１基板Ｐ１は、露光前において温度調整装置５によって温度調整され、第２基板Ｐ２も、露光前において温度調整装置５によって温度調整される。したがって、第１基板Ｐ１の露光前の温度及び大きさと、第２基板Ｐ２の露光前の温度及び大きさとは、ほぼ同じである。
【００９０】
したがって、制御装置９は、基板Ｐ（第１，第２基板Ｐ１，Ｐ２）の基準温度Ｔ０における基準大きさＳ０及び物性に関する情報を含む特性情報と、第１温度情報及び第２温度情報とに基づいて、露光前の第２基板Ｐ２の大きさに対する露光時（露光直後）の第２基板Ｐ２の伸縮量を推定することができる。
【００９１】
例えば、第２基板Ｐ２の露光後の大きさ（プレートサイズ）をＳ２、露光前の第２基板Ｐ２の大きさ（プレートサイズ）をＳ０、第２基板Ｐ２の熱膨張係数をＢ、第１基板Ｐ１の露光前と露光後との温度差をΔＴとした場合、
Ｓ２＝Ｓ０×Ｂ×ΔＴ
となる。
【００９２】
次に、第２基板Ｐ２を露光する手順について説明する。
【００９３】
露光前の第２基板Ｐ２が、外部装置より露光装置ＥＸに搬入される。外部装置から露光装置ＥＸに搬入された第２基板Ｐ２は、温度調整装置５によって温度調整される。温度調整装置５は、基板ステージ２が未保持の第２基板Ｐ２の温度を調整する。温度調整装置５で温度調整された第２基板Ｐ２は、中継部１５に搬送され、トレイＴｒに載置される。
【００９４】
制御装置９は、第１搬送部材４１を用いて、第１基板Ｐ１を支持したトレイＴｒを、基板ステージ２に搬入する。基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰに配置されており、制御装置９は、基板交換位置ＣＰにおいて、第１基板Ｐ１を支持したトレイＴｒを、基板ステージ２に搬入する。これにより、トレイＴｒの少なくとも一部が、基板ステージ２（保持部１３）の溝に配置されるとともに、第１基板Ｐ１が、基板ステージ２（保持部１３）に保持される。
【００９５】
制御装置９は、露光前の第２基板Ｐ２を保持した基板ステージ２を、基板交換位置ＣＰから露光位置ＥＰへ移動する。
【００９６】
制御装置９は、第２基板Ｐ２を保持した基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、第２基板Ｐ２を露光する処理を開始する。
【００９７】
本実施形態においては、ステップＳＡ４で推定した、第２基板Ｐ２の露光時における伸縮量（大きさ）に基づいて、露光条件を調整して、第２基板Ｐ２を露光する（ステップＳＡ５）。
【００９８】
露光条件の調整は、投影領域ＰＲの調整を含む。すなわち、露光条件の調整は、投影光学系ＰＬの投影条件の調整を含む。
【００９９】
図１１〜図１４は、第２基板Ｐ２の伸縮量に応じて調整される投影領域ＰＲの一例を示す模式図である。
【０１００】
例えば、露光光ＥＬの照射により、Ｘ軸方向に関して第２基板Ｐ２が伸びる（膨張する）と推定された場合、制御装置９は、結像特性調整装置３０（シフト調整部３４）を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置を調整する。例えば、図１１に示すように、制御装置９は、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適した投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の基準位置（図１１中、破線で示す）に対して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置をＸ軸方向にシフトする。
【０１０１】
なお、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適した投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の基準位置は、露光時の基板Ｐの温度が基準温度Ｔ０である場合において、先に基板Ｐに形成されているパターン（レイヤ）に、次のパターンを所望の位置関係で重ね合わせることができる投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置（中心ＡＸに対する投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置）である。
【０１０２】
例えば、制御装置９は、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７と、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６とが、Ｘ軸方向に関して離れるように、換言すれば、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７が基準位置から−Ｘ方向へシフトし、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６が基準位置から＋Ｘ方向へシフトするように、結像特性調整装置３０（シフト調整部３４）を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置を調整する。これにより、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して第２基板Ｐ２をＸ軸方向に移動しながら露光するとき、第２基板Ｐ２がＸ軸方向に伸びてしまう場合でも、先に第２基板Ｐ２に形成されるパターン（レイヤ）に、次のパターンが所望の位置関係で重なるように、パターンの像が第２基板Ｐ２に投影される。
【０１０３】
また、露光光ＥＬの照射により、Ｘ軸方向に関して第２基板Ｐ２が縮むと推定された場合、例えば、図１２に示すように、制御装置９は、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７と、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６とが、Ｘ軸方向に関して近付くように、換言すれば、投影領域ＰＲ１，ＰＲ３，ＰＲ５，ＰＲ７が基準位置から＋Ｘ方向へシフトし、投影領域ＰＲ２，ＰＲ４，ＰＲ６が基準位置から−Ｘ方向へシフトするように、結像特性調整装置３０（シフト調整部３４）を制御して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置を調整する。これにより、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して第２基板Ｐ２をＸ軸方向に移動しながら露光するとき、第２基板Ｐ２がＸ軸方向に縮んでしまう場合でも、先に第２基板Ｐ２に形成されるパターン（レイヤ）に、次のパターンが所望の位置関係で重なるように、パターンの像が第２基板Ｐ２に投影される。
【０１０４】
また、露光光ＥＬの照射により、Ｙ軸方向に関して第２基板Ｐ２が伸縮すると推定された場合、図１３に示すように、制御装置９は、結像特性調整装置３０（シフト調整部３４）を制御して、基準位置に対して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の位置をＹ軸方向にシフトする。例えば、Ｙ軸方向に関して第２基板Ｐ２が伸びると推定された場合、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれが中心ＡＸから離れるようにシフトする。一方、Ｙ軸方向に関して第２基板Ｐ２が縮むと推定された場合、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれが中心ＡＸに近付くようにシフトする。これにより、露光時に第２基板Ｐ２がＹ軸方向に伸縮してしまう場合でも、先に第２基板Ｐ２に形成されるパターン（レイヤ）に、次のパターンが所望の位置関係で重なるように、パターンの像が第２基板Ｐ２に投影される。
【０１０５】
また、露光光ＥＬの照射により、Ｙ軸方向に関して第２基板Ｐ２が伸縮すると推定された場合、図１４に示すように、制御装置９は、結像特性調整装置３０（スケーリング調整部３７）を制御して、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適した投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の基準大きさ（図１４中、破線で示す）に対して、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の大きさ（倍率、スケーリング）を調整する。これにより、露光時に第２基板Ｐ２がＸ軸方向及びＹ軸方向に伸縮してしまう場合でも、先に第２基板Ｐ２に形成されるパターン（レイヤ）に、次のパターンが所望の位置関係で重なるように、パターンの像が第２基板Ｐ２に投影される。
【０１０６】
なお、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適した投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の基準大きさは、露光時の基板Ｐの温度が基準温度Ｔ０である場合において、先に基板Ｐに形成されているパターン（レイヤ）に、次のパターンを所望の位置関係で重ね合わせることができる投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の大きさである。
【０１０７】
また、Ｙ軸方向に関して第２基板Ｐ２が伸縮すると推定された場合、制御装置９は、シフト調整部３４による投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のＹ軸方向に関する位置の調整、及びスケーリング調整部３７による投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の大きさの調整の両方を実行することが望ましい。これにより、例えば図１４に示すように、基板ＰをＸ軸方向に移動しながら露光することによって基板Ｐ上で重なり合う、例えばＹ軸方向に関して隣接する投影領域ＰＲ６の一部（継ぎ部）ＴＧと、投影領域ＰＲ７の一部（継ぎ部）ＴＧとの位置関係を調整しつつ、先に第２基板Ｐ２に形成されるパターン（レイヤ）に、次のパターンが所望の位置関係で重なるように、パターンの像を第２基板Ｐ２に投影することができる。同様に、投影領域ＰＲ２の継ぎ部と投影領域ＰＲ３の継ぎ部との位置関係も調整可能である。投影領域ＰＲ３（ＰＲ４，ＰＲ５，ＰＲ６）の継ぎ部と、投影領域ＰＲ４（ＰＲ５，ＰＲ６，ＰＲ７）の継ぎ部との位置関係も調整可能である。
【０１０８】
また、露光条件の調整が、Ｘ軸方向（走査方向）に関する露光時における第２基板Ｐ２の移動速度の調整を含んでもよい。例えば、露光光ＥＬの照射により、Ｘ軸方向に関して第２基板Ｐ２が伸縮すると推定された場合、制御装置９は、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適したＸ軸方向に関する基板Ｐ（基板ステージ２）の基準移動速度に対して、基板Ｐ（基板ステージ２）の移動速度を変化させる。これにより、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して第２基板Ｐ２をＸ軸方向に移動しながら露光するとき、第２基板Ｐ２がＸ軸方向に伸縮してしまう場合でも、先に第２基板Ｐ２に形成されるパターン（レイヤ）に、次のパターンが所望の位置関係で重なるように、パターンの像が第２基板Ｐ２に投影される。
【０１０９】
なお、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適した基板Ｐの基準移動速度は、露光時の基板Ｐの温度が基準温度Ｔ０である場合において、先に基板Ｐに形成されているパターン（レイヤ）に、次のパターンを所望の位置関係で重ね合わせることができるＸ軸方向に関する基板Ｐの移動速度である。
【０１１０】
また、露光条件の調整が、Ｘ軸方向（走査方向）に関するマスクＭと第２基板Ｐ２との速度比の調整を含んでもよい。例えば、露光光ＥＬの照射により、Ｘ軸方向に関して第２基板Ｐ２が伸びると推定された場合、制御装置９は、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適したＸ軸方向に関するマスクＭ（マスクステージ１）と基板Ｐ（基板ステージ２）との速度比に対して、その速度比を変化させる。
【０１１１】
なお、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適したマスクＭと基板Ｐとの速度比は、露光時の基板Ｐの温度が基準温度Ｔ０である場合において、先に基板Ｐに形成されているパターン（レイヤ）に、次のパターンを所望の位置関係で重ね合わせることができるＸ軸方向に関するマスクＭと基板Ｐとの速度比である。
【０１１２】
上述したように、本実施形態において、投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に正立等倍で形成する。例えば基板Ｐを−Ｘ方向に移動しながら露光するとき、マスクＭも−Ｘ方向に移動され、基板Ｐを＋Ｘ方向に移動しながら露光するとき、マスクＭも＋Ｘ方向に移動される。また、基板Ｐを露光するときの基板Ｐの移動速度とマスクＭの移動速度とは、ほぼ等しい。
【０１１３】
例えば、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適したＸ軸方向に関するマスクＭの移動速度が基準速度Ｖｍ、基板Ｐの移動速度が基準速度Ｖｐである場合において、露光時に第２基板Ｐ２がＸ軸方向に伸びると推定された場合、制御装置９は、第２基板Ｐ２の露光時において、第２基板Ｐ２の移動速度を基準速度Ｖｐより速くすること、及びマスクＭの移動速度を基準速度Ｖｍより遅くすることの少なくとも一方を実行する。これにより、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対してマスクＭ及び第２基板Ｐ２をＸ軸方向に移動しながら露光するとき、第２基板Ｐ２がＸ軸方向に伸びてしまう場合でも、先に第２基板Ｐ２に形成されるパターン（レイヤ）に、次のパターンが所望の位置関係で重なるように、パターンの像が第２基板Ｐ２に投影される。
【０１１４】
また、基準温度Ｔ０の基板Ｐを露光するのに適したＸ軸方向に関するマスクＭの移動速度が基準速度Ｖｍ、基板Ｐの移動速度が基準速度Ｖｐである場合において、露光時に第２基板Ｐ２がＸ軸方向に縮むと推定された場合、制御装置９は、第２基板Ｐ２の露光時において、第２基板Ｐ２の移動速度を基準速度Ｖｐより遅くすること、及びマスクＭの移動速度を基準速度Ｖｍより速くすることの少なくとも一方を実行する。これにより、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対してマスクＭ及び第２基板Ｐ２をＸ軸方向に移動しながら露光するとき、第２基板Ｐ２がＸ軸方向に縮んでしまう場合でも、先に第２基板Ｐ２に形成されるパターン（レイヤ）に、次のパターンが所望の位置関係で重なるように、パターンの像が第２基板Ｐ２に投影される。
【０１１５】
このように、制御装置９は、第１基板Ｐ１の温度を検出することによって取得した、第１温度情報及び第２温度情報に基づいて、第２基板Ｐ２に対する露光条件を調整して、第２基板Ｐ２を露光する。
【０１１６】
第２基板Ｐ２の露光処理が終了した後、制御装置９は、その露光後の第２基板Ｐ２を保持した基板ステージ２を、露光位置ＥＰから基板交換位置ＣＰまで移動する。
【０１１７】
制御装置９は、第２搬送部材４２を用いて、第２基板Ｐ２を支持したトレイＴｒを、基板ステージ２から搬出する。制御装置９は、基板交換位置ＣＰに配置されている基板ステージ２から、第２基板Ｐ２を支持したトレイＴｒを搬出する。第２基板Ｐ２は、トレイＴｒとともに、基板ステージ２から搬出される。
【０１１８】
制御装置９は、第２搬送部材４２を制御して、第２基板Ｐ２を支持したトレイＴｒを、中継部１５に搬送する。その露光後の第２基板Ｐ２は、露光装置ＥＸより外部装置に搬出される。外部装置は、基板Ｐ（感光剤）を現像するデベロッパ装置等を含む。
【０１１９】
以下、第２基板Ｐ２を露光する手順と同様の手順で、第３，第４，…，第ｎ基板が順次露光される。
【０１２０】
以上説明したように、本実施形態によれば、複数の基板Ｐを順次露光する場合において、第１基板Ｐ１の露光前の温度に関する第１温度情報、及び第１基板Ｐ１の露光後の温度に関する第２温度情報に基づいて、第１基板Ｐ１の後に露光される第２基板Ｐ２の露光時における伸縮量を推定し、その推定した伸縮量に基づいて、第２基板Ｐ２に対する露光条件を調整して、第２基板Ｐ２を露光するようにしたので、第２基板Ｐ２にパターンを初期の状態で形成することができる。例えば、先に第２基板Ｐ２に形成されているパターン（レイヤ）に、次のパターンを所望の位置関係で重ね合わせることができる。したがって、第２基板Ｐ２に形成されるパターンに欠陥が生じることを抑制でき、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１２１】
また、本実施形態によれば、第１基板Ｐ１（例えばロット先頭の基板）についての温度情報の取得動作（検出システム７を用いる第１基板Ｐ１の温度を検出する動作）を実行するだけで、その後の第２，第３，…，第ｎ基板についての温度情報の取得動作を実行することなく、それら第２，第３，…，第ｎ基板の露光時の伸縮量を推定することができる。したがって、スループットの低下を抑制しつつ、第２，第３，…，第ｎ基板を露光する際のパターンの重ね合わせ精度の低下を抑制できる。
【０１２２】
なお、本実施形態において、第１温度情報を取得する処理が、検出システム７を用いて第１基板Ｐ１の露光前の温度を検出することを含むこととしたが、第１基板Ｐ１の露光前における基板ステージ２（保持部１３）の温度を検出することを含むこととしてもよい。例えば、基板交換位置ＣＰに配置され、露光前の第１基板Ｐ１が保持部１３に搬入される直前の、基板ステージ２（保持部１３）の温度を、第２検出装置７２で検出し、その検出された保持部１３の温度を、第１温度情報としてもよい。保持部１３に保持されることによって、第１基板Ｐ１の温度は、保持部１３の温度とほぼ同じになる。すなわち、保持部１３の温度と、第１基板Ｐ１の温度とは、等価とみなすことができる。したがって、保持部１３の温度を、第１温度情報としてもよい。
【０１２３】
同様に、第２温度情報を取得する処理が、第１基板Ｐ１の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度を検出することを含むこととしてもよい。例えば、基板交換位置ＣＰに配置され、露光後の第１基板Ｐ１が保持部１３から搬入された直後の、基板ステージ２（保持部１３）の温度を、第２検出装置７２で検出し、その検出された保持部１３の温度を、第２温度情報としてもよい。
【０１２４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２５】
第１実施形態においては、第１基板Ｐ１の露光前及び露光後の温度のみを検出し、第２基板Ｐ２の温度は検出しないこととした。第１実施形態と異なる第２実施形態の特徴的な部分は、第２基板Ｐ２の露光前の温度に関する第３温度情報を取得することにある。
【０１２６】
図１５は、第２実施形態に係る基板Ｐを露光する方法の一例を示すフローチャートである。図１５に示すように、本実施形態においては、第１基板Ｐ１の露光前の温度に関する第１温度情報を取得する処理（ステップＳＢ１）と、第１基板Ｐ１に露光光ＥＬを照射して、第１基板Ｐ１を露光する処理（ステップＳＢ２）と、第１基板Ｐ１の露光後の温度に関する第２温度情報を取得する処理（ステップＳＢ３）と、第２基板Ｐ２の露光前の温度に関する第３温度情報を取得する処理（ステップＳＢ４）と、記憶装置１０に記憶されている特性情報と、第１温度情報及び第２温度情報と、第３温度情報とに基づいて、第２基板Ｐ２に対する露光条件を調整して、第２基板Ｐ２を露光する処理（ステップＳＢ６）とが実行される。
【０１２７】
図１５に示すステップＳＢ１〜ＳＢ３は、図６を参照して説明した上述の第１実施形態に係るステップＳＡ１〜ＳＡ３と同様の処理であるため、説明を省略する。
【０１２８】
第２温度情報が取得され、露光前の第２基板Ｐ２が外部装置から露光装置ＥＸ内に搬入されると、制御装置９は、温度調整装置５で第２基板Ｐ２の温度を調整する。その後、制御装置９は、検出システム７を用いて、第２基板Ｐ２の温度を検出して、第３温度情報を取得する（ステップＳＢ４）。
【０１２９】
制御装置９は、記憶装置１０に記憶されている特性情報と、第１温度情報及び第２温度情報と、検出システム７を用いて取得した、第３温度情報とに基づいて、第２基板Ｐ２の露光時の伸縮量（熱変形量）を推定する（ステップＳＢ５）。
【０１３０】
本実施形態においては、第３温度情報が取得されるので、その第３温度情報と、記憶装置１０に記憶されている特性情報とに基づいて、第２基板Ｐ２の露光前の大きさ（プレーートサイズ）Ｓ０’を推定することができる。
【０１３１】
すなわち、温度調整装置５により、第２基板Ｐ２の露光前の温度が基準温度Ｔ０になるように調整されるものの、第２基板Ｐ２の露光前の温度が基準温度Ｔ０と異なる可能性がある。
【０１３２】
本実施形態においては、温度調整装置５による温度調整後、露光前の第２基板Ｐ２の温度を検出システム７で検出することによって、第２基板Ｐ２の露光前の温度に関する情報を精確に取得することができる。
【０１３３】
したがって、制御装置９は、検出システム７を用いて取得した第３温度情報と、第１温度情報及び第２温度情報と、記憶装置１０に記憶されている特性情報とに基づいて、第２基板Ｐ２の露光時における伸縮量（プレートサイズ）をより精確に推定することができる。
【０１３４】
例えば、第２基板Ｐ２の露光後の大きさ（プレートサイズ）をＳ２’、露光前の第２基板Ｐ２の大きさ（プレートサイズ）をＳ０’、第２基板Ｐ２の熱膨張係数をＢ、第１基板Ｐ１の露光前と露光後との温度差をΔＴとした場合、
Ｓ２’＝Ｓ０’×Ｂ×ΔＴ
となる。
【０１３５】
制御装置９は、ステップＳＢ５で推定した、第２基板Ｐ２の露光時における伸縮量（大きさ）に基づいて、露光条件を調整して、第２基板Ｐ２を露光する（ステップＳＢ６）。
【０１３６】
上述の第１実施形態と同様、露光条件の調整は、投影領域ＰＲの調整、投影光学系ＰＬの投影条件の調整、第２基板Ｐ２の移動速度の調整、及びマスクＭと第２基板Ｐ２との速度比の調整の少なくとも一つを含む。露光条件の調整についての説明は省略する。
【０１３７】
以上説明したように、本実施形態においても、第２基板Ｐ２に形成されるパターンに欠陥が生じることを抑制でき、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１３８】
上述の第１，第２実施形態において、制御装置９は、第１基板Ｐ１の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度に基づいて、温度調整装置５を制御して、基板ステージ２（保持部１３）が未保時の第２基板Ｐ２の温度を調整することができる。
【０１３９】
制御装置９は、露光後の第１基板Ｐ１を基板ステージ２（保持部１３）から搬出した後、第２検出装置７２の温度センサ７３を用いて、第１基板Ｐ１の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度を検出することができる。
【０１４０】
制御装置９は、第２検出装置７２を用いて検出した、第１基板Ｐ１の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度に基づいて、第２基板Ｐ２の露光前の温度と基板ステージ２（保持部１３）の温度とがほぼ同じになるように、その第２基板Ｐ２の露光前の温度を、温度調整装置５を用いて制御することができる。
【０１４１】
制御装置９は、外部装置から露光装置ＥＸに搬入された第２基板Ｐ２を温度調整装置５の基板保持部材５Ｈで保持して、第２基板Ｐ２の温度が第１基板Ｐ１の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度とほぼ同じになるように、第２基板Ｐ２の温度を調整する。第２基板Ｐ２の温度が調整された後、制御装置９は、第２基板Ｐ２を基板ステージ２に搬入して、その第２基板Ｐ２を露光する。上述の第１，第２実施形態と同様、制御装置９は、露光条件を調整して、第２基板Ｐ２を露光する。
【０１４２】
第１基板Ｐ１の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度に基づいて、基板ステージ２（保持部１３）が未保時の第２基板Ｐ２の温度を調整した後、その第２基板Ｐ２を基板ステージ２（保持部１３）で保持させて、その第２基板Ｐ２を露光することにより、第２基板Ｐ２が基板ステージ２（保持部１３）で保持されたときの第２基板Ｐ２の変形（歪み）の発生を抑制することができる。基板ステージ２（保持部１３）の温度と第２基板Ｐ２の温度とが異なる状態で、第２基板Ｐ２が基板ステージ２（保持部１３）に保持されると、その基板ステージ２（保持部１３）と第２基板Ｐ２との温度差によって、第２基板Ｐ２が変形する可能性がある。第１基板Ｐ１の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度に基づいて、基板ステージ２（保持部１３）が未保時の第２基板Ｐ２の温度を調整することによって、第２基板Ｐ２の変形を抑制することができる。
【０１４３】
なお、第２基板Ｐ２の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度に基づいて、第２基板Ｐ２の次に露光される第３基板Ｐ３の露光前の温度を調整することができる。同様に、第３，第４，…，第（ｎ−１）基板の露光後における基板ステージ２（保持部１３）の温度に基づいて、第４，第５，…，第ｎ基板の露光前の温度を調整することができる。
【０１４４】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１４５】
なお、露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを介した露光光ＥＬで基板Ｐを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１４６】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１４７】
また、本発明は、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【０１４８】
露光装置ＥＸの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１４９】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１５０】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１５１】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１５２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板（感光剤）を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。なお、ステップ２０４では、感光剤を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層（現像された感光剤の層）を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。
【０１５３】
なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１５４】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、５…温度調整装置、７…検出システム、９…制御装置、１０…記憶装置、１３…保持部、３０…結像特性調整装置、７１…第１検出装置、７２…第２検出装置、７３…温度センサ、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明モジュール、ＩＲ…照明領域、ＩＳ…照明システム、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、ＰＲ（ＰＲ１〜ＰＲ７）…投影領域、ＰＳ…投影システム
【図１】
2010266687.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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