(57)【要約】      （修正有）【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極１０４とする。ついで、ゲート絶縁膜１０５を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜１０１’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極１０２，１０３を形成し、薄膜トランジスタとする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも金属酸化物微粒子及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜を形成した後、前記薄膜に電磁波を照射することにより、導電性薄膜を形成することを特徴とする電極の製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化物微粒子が、チタン、銅、ニッケル、亜鉛、錫及びインジウムのいずれかを含む酸化物微粒子であることを特徴とする請求項１に記載の電極の製造方法。
【請求項３】
前記金属酸化物の前駆体が、亜鉛、錫、インジウムの無機酸塩、ハロゲン化物又は水酸化物を含むことを特徴とする請求項２に記載の電極の製造方法。
【請求項４】
前記金属酸化物の前駆体が、亜鉛、錫及びインジウムのいずれかの金属の硝酸塩を含むことを特徴とする請求項２に記載の電極の製造方法。
【請求項５】
前記薄膜を塗布により形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電極の製造方法。
【請求項６】
前記電磁波が、マイクロ波（周波数０．３〜３０ＧＨｚ）であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電極の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電極の製造方法によって形成された電子回路パターンを用いて作成することを特徴とする薄膜トランジスタ素子。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電極の製造方法を用いて陽極を形成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属酸化物微粒子及び金属酸化物の前駆体から薄膜パターンを形成し、該薄膜パターンから電磁波を照射することにより電極を形成する電極の形成方法、また、この方法で得られた導電性薄膜を用いて作成される薄膜トランジスタ素子、また有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯ（錫含有酸化インジウム）、ＳｎＯ２（酸化錫）、ＩＺＯ（亜鉛含有酸化インジウム）などは可視光透過性及び視覚的透明性が良く、高い導電性を示すことから、液晶ディスプレイ、タッチパネル、センサー、太陽電池、有機・無機エレクトロルミネッセンス、薄膜トランジスタ、電子ペーパーなどに用いられている。
【０００３】
これら透明導電膜は、スパッタリング法等の物理的手法により製造することができるが、この製造方法では製造装置及び製造コストが高くなってしまうデメリットがある。これに対し、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＩＺＯ等の透明導電性微粒子を溶剤等に分散させた微粒子分散液を、基材上に塗布する方法は、透明導電膜を安価に製造できる可能性がある。
【０００４】
しかし、分散液を基材上に塗布し形成した透明導電膜は、物理的手法を用い製造された膜に比べて抵抗が高い。その理由としては、透明導電膜が微粒子によって形成されているため、粒子界面が増加することが挙げられる。また、分散のため粒子表面に付着させる界面活性剤も、抵抗を増加させる。
【０００５】
透明導電膜の抵抗を下げるためには、微粒子を、高温で焼成（焼結）させればよい。しかし、樹脂フィルム上の塗膜については、高温で焼成することができず、充分に微粒子間の焼結ができない。
【０００６】
この問題を解決するために、特許文献１に記載の透明導電膜の製造技術では、透明導電性微粒子の塗膜にマイクロ波を照射して粒子間の焼結を行っている。マイクロ波を用いると誘電体損失の大きいもの以外は加熱されないため、被加熱物自体を直接的且つ同時に発熱させることができ、外部加熱法に比べ基材の熱変質が少ないことが期待される。
【０００７】
しかしながら、それでも得られる膜の抵抗は物理的手法によるものと比較して大きくなってしまう。また、透明導電膜の場合、透明性も低くなってしまう。
【０００８】
また、さらに低抵抗化のために透明導電性微粒子の塗膜に圧力を加えた後マイクロ波を照射する試みも行われている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
しかしながら、さらに低抵抗化された透明導電膜が必要とされており、また特に、薄膜トランジスタのゲート電極等として使用するとき、これに充分な表面平滑性は得られていない。
【特許文献１】特開平１１−２４２９１６号公報
【特許文献２】特開２００８−９１１２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、透明導電性微粒子を含む分散液等の流動性材料を基板上に塗布して透明導電膜を製造する際に、従来よりも低抵抗、かつ、薄膜トランジスタのゲート電極として充分な表面平滑性をもった透明導電膜を得ることにあり、又、これを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
【００１２】
１．基板上に、少なくとも金属酸化物微粒子及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜を形成した後、前記薄膜に電磁波を照射することにより、導電性薄膜を形成することを特徴とする電極の製造方法。
【００１３】
２．前記金属酸化物微粒子が、チタン、銅、ニッケル、亜鉛、錫及びインジウムのいずれかを含む酸化物微粒子であることを特徴とする前記１に記載の電極の製造方法。
【００１４】
３．前記金属酸化物の前駆体が、亜鉛、錫、インジウムの無機酸塩、ハロゲン化物又は水酸化物を含むことを特徴とする前記２に記載の電極の製造方法。
【００１５】
４．前記金属酸化物の前駆体が、亜鉛、錫及びインジウムのいずれかの金属の硝酸塩を含むことを特徴とする前記２に記載の電極の製造方法。
【００１６】
５．前記薄膜を塗布により形成することを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の電極の製造方法。
【００１７】
６．前記電磁波が、マイクロ波（周波数０．３〜３０ＧＨｚ）であることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載の電極の製造方法。
【００１８】
７．前記１〜６のいずれか１項に記載の電極の製造方法によって形成された電子回路パターンを用いて作成することを特徴とする薄膜トランジスタ素子。
【００１９】
８．前記１〜６のいずれか１項に記載の電極の製造方法を用いて陽極を形成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００２０】
塗布プロセスにより、高平滑性、低抵抗のゲート電極、また、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等の電子デバイスに有用に用いられる電極を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２２】
先ず、本発明に係る電極の塗布による製造プロセスについて説明する。
【００２３】
本発明に係る導電性薄膜からなる電極の、流動性材料を用いた塗布による製造の各ステップについて、以下、順に説明する。
【００２４】
（ステップ１）
透明導電性粒子を含む流動性材料を作成する。
【００２５】
本発明においては、透明導電性粒子として、例えば、Ｓｎ（錫）含有酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３（ＩＴＯとも呼ばれる））を水、またアルコール系の溶媒に分散させることにより、流動性材料としての分散液を作成する。なお、透明導電性粒子の粒子径は、１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
透明導電性粒子として用いる金属酸化物微粒子としては、チタン、銅、ニッケル、亜鉛、錫及びインジウムの酸化物微粒子のうちの少なくとも一つを含む酸化物粒子であり、例えば、前記のＳｎ含有Ｉｎ２Ｏ３（ＩＴＯ）以外にも、例えばＺｎ含有Ｉｎ２Ｏ３（ＩＺＯ）、Ｆ含有Ｉｎ２Ｏ３（ＦＴＯ）、Ｓｂ含有ＳｎＯ２（ＡＴＯ）、ＺｎＯ、Ａｌ含有ＺｎＯ（ＡＺＯ）、Ｇａ含有ＺｎＯ（ＧＺＯ）、ＣｄＳｎＯ３、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２等の金属酸化物粒子を用いてよい。また、これらを単独で用いてもよいし、２種類以上を任意に組み合わせてもよい。この中で特にＩｎ又はＳｎを主体とした金属酸化物が、導電性及び透明性を両立する上で好ましい。
【００２７】
透明導電性微粒子がＩｎとＳｎからなる場合には、Ｓｎの含有量を２０質量％以下にするのが好ましい。これは、透明導電性微粒子に含有されるＳｎの量が多くなると、キャリアの散乱が起こって抵抗が悪化するからである。また、さらに好ましくは５〜１５質量％である。これは、透明導電性微粒子に含有されるＳｎの量が少なすぎると、キャリア密度が少なくなって抵抗が悪化するからである。
【００２８】
これら透明導電性微粒子については市販されており、市場から直接入手することもできる。シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  Ｓｌｕｒｒｙ  ＩＴＯ、また、ＳｎＯ２などが挙げられる。
【００２９】
また、流動性材料に対する透明導電性微粒子の質量比は５〜５０質量％にするのが好ましい。さらに好ましくは、１０〜４０質量％である。これは、流動性材料に対する透明導電性粒子の質量比が少なすぎると、流動性材料の粘度が小さくなりすぎて後述するステップ２で流動性材料を基板上に塗布する際に塗膜の膜厚が不均一となってしまう恐れがあるからである。また、流動性材料に対する透明導電性微粒子の質量比が大きくなりすぎると、微粒子の分散安定性が悪化し、塗膜後の膜密度が低くなってしまう可能性がある。
【００３０】
また、本発明において、薄膜を形成する流動性材料（塗布液）中には前記金属酸化物微粒子と共に金属酸化物の前駆体を含んでいる。これらの前駆体としては、亜鉛、錫、インジウムの無機酸塩、ハロゲン化物又は水酸化物を含んでいることが好ましい。具体的には硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩等があり、また塩化亜鉛、塩化錫、塩化インジウム、また、これらの水酸化物である。
【００３１】
これらの中でも金属酸化物の前駆体が、亜鉛、錫、インジウムのいずれかの金属の硝酸塩を含むことが好ましい。具体的には、硝酸亜鉛、硝酸錫、硝酸インジウム等が上げられる。
【００３２】
流動性材料中に含まれるこれらの金属酸化物の前駆体の量としては、前記金属酸化物微粒子に対して、１０〜９０質量％の範囲であり、塗膜中、これらが共存する、或いは、粒子表面また粒子界面にこれらの前駆体が介在することで、電磁波の照射による焼成（焼結）時に、金属酸化物微粒子自身も焼成されると同時に粒子間の融着が促進される。
【００３３】
（ステップ２）
上記ステップ１で作成した流動性材料を基板に塗布する。基板としては、ガラス、各種セラミック基板、樹脂基板（フィルム）等、限定はないが、樹脂フィルム基板が、可撓性があり好ましい。例えば、流動性材料としての分散液を、透明な基板の一例として樹脂フィルムに塗布する。透明な基板としては、例えばセルローストリアセテート、セルロースジアセテート、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド等を材料として用いることができる。これらの中でも、透明性に優れ、安価であるポリエチレンテレフタレートを用いるのが好ましい。
【００３４】
本発明の実施の一形態では、例えば、３μｍのアプリケータを用いて流動性材料としての金属酸化物の前駆体を含む金属酸化物微粒子分散液を樹脂フィルム上に塗布することにより塗膜を形成する。流動性材料を基板に塗布する方法としては、アプリケータを用いる以外にも、例えばロールコート、スクリーン印刷、スプレーコート、ディップコート及びスピンコート等の公知の方法を使用することができる。
【００３５】
また、インクジェット法等により導電性パターンをプリントする方法によってもよい。
【００３６】
（ステップ３）
ステップ３では、基板に塗布した塗膜を乾燥させる。乾燥温度としては、基板として用いた高分子フィルムの軟化点以下になるように設定するのが好ましい。具体的に説明すると、例えば、フィルムにポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いた場合には乾燥温度を８０℃以下に設定するのが好ましい。
【００３７】
また、特開２００８−９１１２６号公報に記載されたように、塗膜を乾燥させたのち、塗膜に圧力を加えてもよい。
【００３８】
例えば、ロールプレス等を用いて塗膜の密度が例えば、特開２００８−９１１２６号公報に記載されたように、３．０ｇ／ｃｍ３以上程度になるように塗膜の面に圧力を加える。
【００３９】
ロールプレスの線圧は２００ｋｇ／ｃｍ以上あればよく、これにより、塗膜の密度を３．０ｇ／ｃｍ３以上として、膜密度を上昇させ、塗膜表面を滑らかにする。なお、塗膜に圧力を加える方法として、例えばシートプレス等公知の圧力手段を用いてもよい。
【００４０】
（ステップ４）
膜に電磁波を照射し、塗膜の金属酸化物の前駆体を含有する透明導電性微粒子を焼結させることにより透明導電膜を形成する。本発明においては、電磁波として例えばマイクロ波（周波数０．３〜３０ＧＨｚ）を用いるのが好ましい。
【００４１】
本発明においては、例えば、電磁波として２．４５ＧＨｚの周波数のマイクロ波を１０００Ｗで１０分間、塗膜に照射する。この場合に基板として樹脂フィルムを用いれば誘電損失が少ないため、マイクロ波を照射しても吸収が起こらず、樹脂フィルムが加熱されることはない。これに対して、樹脂フィルム上に成膜された金属酸化物の塗膜は誘電損失が大きいため、マイクロ波を照射すると熱が発生する。これを利用して高分子フィルム上の塗膜のみを選択的に加熱することができる。また、酸化物の塗膜は、マイクロ波高速応答性能を有しているので、加熱時間や出力調整により必要な温度への到達時間の制御を容易に行うことができる。
【００４２】
前記金属酸化物微粒子、金属酸化物の前駆体を含有する塗膜に、マイクロ波照射を行って、焼成処理を行う方法は、短時間で選択的に、融着、また、反応を進行させる方法である。但し、熱伝導により少なからず基材にも熱が伝わるため、特に樹脂基板のような耐熱性の低い基材の場合は、マイクロ波の出力、照射時間、さらには照射回数を制御することで基板温度が５０℃〜２００℃、前駆体を含有する薄膜の表面温度が２００〜６００℃になる様に処理することが好ましい。薄膜表面の温度、基板の温度等は熱電対を用いた表面温度計、また非接触の表面温度計により測定が可能である。
【００４３】
本発明においては、これらのマイクロ波は樹脂基板を通して、金属酸化物の塗膜の反対側から照射されるのが一般的である。
【００４４】
マイクロ波は内部に設置されたマイクロ波発振機により発生させられ、基体を通してマイクロ波吸収源パターンに照射される。マイクロ波発振機としては、例えば、ヒッタイト・マイクロウェーブ社（２ＧＨｚ〜２４．８ＧＨｚ）、テクトロール・サイクロティック社（電圧制御クリスタル発振器、４０ＭＨｚ〜６００ＭＨｚ）、モドコ社（電圧制御発振器５ＭＨｚ〜６．４ＧＨｚ）、スピンネーカー・マイクロウェーブ社（１．０ＧＨｚから２０ＧＨｚ）等があり、またこれ以外にも各種市販されており、用いることができる。
【００４５】
（ステップ５）
上記ステップ１〜４の手順により、基板上に透明導電膜が形成される。
【００４６】
以上によれば、透明導電膜を製造する際に基板上に透明導電性微粒子及び金属酸化物の前駆体を含む流動性材料を塗布して塗膜を形成し、この塗膜に電磁波を照射したことによって、塗膜を構成する透明導電性微粒子間の燒結を促進させることができ、透明導電性微粒子を含む流動性材料を基板上に塗布する従来公知の透明導電膜の製造技術で製造される透明導電膜よりも抵抗が低く、且つ可視光透過性及び視覚的透明性に優れた、平滑性のよい透明導電膜を製造することが可能になる。これにより、スパッタリング法等の物理的手法を用いて製造された透明導電膜と同等以上の特性を備えた透明導電膜を、透明導電性微粒子を含む流動性材料を基板上に塗布する手順による透明導電膜の製造方法を用いて安価に製造することが可能になる。
【００４７】
特に、粒子径が１００ｎｍ以下である錫含有酸化インジウムを透明導電性微粒子として用いた場合には、塗膜内での光の散乱を生じさせず、視覚的透明性が非常に高い透明導電膜を製造することが可能になる。好ましくは、粒径は５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲である。
【００４８】
以上、本発明によれば、透明導電性微粒子分散溶媒を塗布し、粒子を焼結させた後の抵抗が１００Ω／□未満、ヘイズが２％未満、全光透過率が８５％以上、また中心線平均粗さＲａが１５０ｎｍ以下である透明導電膜が提供される。
【００４９】
上述した実施形態においては、透明導電性粒子を含む流動性材料が分散液である場合について説明したが、透明導電性粒子を含む流動性材料は、例えば半液体、ペースト、溶融物、溶液、分散液、懸濁液又は粒状材料等であってもよい。また、流動性材料を塗料化する場合の塗料化の方法としてはボールミル、ビーズミル、サンドグラインダー、ペイントシェーカー等の方法を用いることができる。流動性材料を作成する際に透明導電性粒子を混入させる溶媒としては、例えば水、アルコール、ケトン、エーテル、エステル等の溶媒を使用することができる。また、場合によっては、界面活性剤、バインダ等を添加してもよい。
【００５０】
上述した実施形態においては、流動性材料を塗布する透明な基板が、例えばセルローストリアセテート、セルロースジアセテート、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド等を材料として用いた樹脂フィルムである場合について説明したが、流動性材料を塗布する透明な基板は、これら以外を材料とするフィルムであってもよい。また、流動性材料を塗布する基板は、透明でなくてもよい。
【００５１】
上述した実施形態においては、電磁波として２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１０００Ｗで１０分間、塗膜に照射する場合について説明したが、照射する電磁波の周波数は０．３〜３０ＧＨｚであってもよい。また、マイクロ波の照射投入電力は例えば５００〜１０００Ｗ等、その他の値であってもよい。マイクロ波の照射時間は、長くなると基板に熱が伝達されてダメージを与える原因となるので、例えば１〜１０分にするのが好ましい。
【００５２】
マイクロ波の照射は、大気雰囲気、窒素雰囲気下又不活性雰囲気或いは還元雰囲気等、その他の雰囲気中で行ってもよい。なお、大気雰囲気中で電磁波を照射する場合には、塗膜の金属酸化物の前駆体が、酸化が進み、塗膜２中のキャリアが減少することで、抵抗が悪化する可能性があるため注意が必要である。不活性雰囲気又は還元雰囲気中で塗膜にマイクロ波の照射を行うのが好ましい。
【００５３】
本発明の方法により形成した透明導電膜は、低抵抗でかつ表面平滑性に優れたものであり、中心線平均粗さＲａが１５０ｎｍ以下となり薄膜トランジスタのゲート電極として使用するに充分な表面平滑性を有している。好ましくは０．１〜１０ｎｍの範囲である。
【００５４】
前駆体自身も発熱により金属酸化物に変換するので、これにより粒子間の融着が促進されるものと考えられる。
【００５５】
尚、本発明における中心線平均粗さＲａ（μｍ）の測定は、非接触３次元表面解析装置（ＷＹＫＯ社ＲＳＴ／ＰＬＵＳ）を用いて測定した。なおＲａの定義は、ＪＩＳ表面粗さ（Ｂ０６０１）に従った。
【００５６】
即ち、形成した導電性薄膜１．２ｍｍ×０．９ｍｍの面積に対して、層表面の中心線平均粗さＲａ（μｍ）を求めた。
【００５７】
本発明の方法により形成した透明導電膜は、薄膜トランジスタ素子のゲート電極として、又、有機ＥＬ素子等の電極として用いることができる。
【００５８】
薄膜トランジスタのゲート電極として用いることができれば、透明な回路が組めることのほか、これをマイクロ波吸収源（発熱源）として用いて、薄膜トランジスタの製造工程を効率的に組むことができる。
【００５９】
例えばこれを発熱源として、後述するように半導体前駆体を半導体に転換したり、またソース、ドレイン電極等の焼成に用いたり、絶縁膜の形成にも適用できる。
【００６０】
本発明の方法により作成した導電性薄膜をゲート電極として用いた薄膜トランジスタ素子について説明する。
【００６１】
図１に、薄膜トランジスタ素子の構成例を示す。
【００６２】
（素子構成）
図１（ａ）〜（ｃ）はトップゲート型の素子の例である。
【００６３】
同図（ａ）は、支持体１０６上にソース電極１０２、ドレイン電極１０３を形成し、これを基材（基板）として、両電極間に半導体層１０１を形成し、その上に絶縁層１０５を形成し、さらにその上にゲート電極１０４を形成して電界効果薄膜トランジスタを形成したものである。同図（ｂ）は、半導体層１０１を、（ａ）では電極間に形成したものを、電極および支持体表面全体を覆うように形成した例を表す。（ｃ）は、支持体１０６上に先ず半導体層１０１を形成し、その後ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、絶縁層１０５、ゲート電極１０４を形成したものを表す。
【００６４】
図１（ｄ）〜（ｆ）はトップゲート型の例であり、同図（ｄ）は、前記の例の如く、支持体１０６上にゲート電極１０４、絶縁層１０５を形成し、その上に、ソース電極１０２およびドレイン電極１０３を形成し、該電極間に半導体層１０１を形成したものである。その他同図（ｅ）、（ｆ）に示すような構成をとることもできる。
【００６５】
これら素子構成において、ゲート電極の作成に本発明が有利に適用される。
【００６６】
また、図２には、複数の薄膜トランジスタが配置される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）シートの一例を等価回路図で示した。
【００６７】
図２は、例えばプラスチックのシート（フィルム）上に、複数の表示素子（画素）また複数の薄膜トランジスタ素子が配置された薄膜トランジスタシート１０を示している。
【００６８】
薄膜トランジスタシート１０はマトリクス配置された多数の薄膜トランジスタ素子１４を有する。１１は各薄膜トランジスタ素子１４のゲート電極のゲートバスラインであり、１２は各薄膜トランジスタ素子１４のソース電極のソースバスラインである。各薄膜トランジスタ素子１４のドレイン電極には、出力素子１６が接続され、この出力素子１６は例えば液晶、電気泳動素子等であり、表示装置における画素を構成する。図示の例では、出力素子１６として液晶が、抵抗とコンデンサからなる等価回路で示されている。１５は蓄積コンデンサ、１７は垂直駆動回路、１８は水平駆動回路である。
【００６９】
本発明の導電性薄膜の、薄膜トランジスタ素子のゲート電極への適用の一実施形態について、図３を用いて説明する。なお、これは一例であり、これのみに限定されるものではない。
【００７０】
例えば、Ｓｎ（錫）含有酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３（ＩＴＯとも呼ばれる））微粒子（粒子径１００ｎｍ以下）をアルコール系の溶媒に分散させ、硝酸インジウム、硝酸スズ（それぞれＩＴＯに対し１０質量％添加する）の溶液を加えた流動性材料を、支持体（例えばガラス基板）１０６上にスピンコートにより塗布する（１０４″は塗布層を表す）。これにマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を照射することで、これらのＩＴＯ前駆体が、自身発熱体として作用して、触媒的に焼成され、導電性薄膜１０４′が形成される（図３（２））。
【００７１】
ＩＴＯ薄膜は、感光性レジスト等を用いてゲート電極を基板上でパターニングする。図３中１０４は基板１０６上に形成されたＩＴＯからなるゲート電極を示す（厚み１００ｎｍ）（図３（３））。
【００７２】
また、ここで、導電性薄膜１０４′のパターニングは、インクジェット法により、予め流動性材料を基板上に直接吐出して、塗布層をパターン印刷で行ってもよい。
【００７３】
次いで、大気圧プラズマＣＶＤ法等により、例えば、厚さ２００ｎｍの酸化珪素からなるゲート絶縁膜１０５を形成する（図３（４））。
【００７４】
次ぎに、半導体として、ここでは前駆体から形成される酸化物半導体層を形成する例を示す。即ち、半導体前駆体として、硝酸インジウム、硝酸亜鉛、硝酸ガリウムを金属比率で１：１：１（モル比）で混合した１０質量％水溶液としたものをインクとしてチャネル形成部にインクジェット塗布し、乾燥して半導体前駆体材料薄膜１０１′得た（図３（５））。
【００７５】
その後、この基板に、酸素と窒素の分圧が１：１の雰囲気下、大気圧条件で、例えば、５００Ｗの出力でマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を照射する。電磁波出力を調整しながら２００℃で１５分間保持する。
【００７６】
マイクロ波の照射により、半導体前駆体薄膜１０１′は、ＩＴＯからなるゲート電極部が最初に高温まで昇温するので、ゲート電極に近接した絶縁層上の半導体前駆体薄膜１０１′は電極部と同等程度に加熱され、熱酸化を受け酸化物半導体膜に変換される。これにより半導体層１０１が形成される（厚さ５０ｎｍ）（図３（６））。
【００７７】
次に、マスクを介して金を蒸着することで、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３を形成することで薄膜トランジスタ素子が形成される。電極サイズは、例えば、幅１０μｍ、長さ５０μｍ（チャネル幅）厚さ５０ｎｍであり、ソース電極、ドレイン電極の距離（チャネル長）は１５μｍ程度となるよう作成する。
【００７８】
以上の方法により作製したＩＴＯをゲート電極とした酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタはｎ型のエンハンスメント動作を示す。
【００７９】
一例として、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの作成について説明したが、無機半導体に限らず、有機半導体を用いた薄膜トランジスタにも本発明は適用できる。
【００８０】
ゲート電極にＩＴＯ等の導電膜を用いると、このように、ゲート電極４パターンに従って、半導体或いは電極の前駆体をＩＴＯ薄膜の、電磁波吸収による発熱を利用して形成でき、好ましい。
【００８１】
ＩＴＯ電極形成と同様に、マイクロ波のような電磁波加熱においては、電磁波（マイクロ波）吸収は吸収が強い物質に集中し、尚且つ、非常に短時間で５００〜６００℃まで昇温することが可能なため、電子デバイスが形成される基板自身は殆ど電磁波による加熱の影響をうけず、短時間に電磁波吸収能をもつ物質のみを昇温でき、例えばトランジスタ素子において、半導体形成、或いは電極形成にこれを用いたとき、ＩＴＯ電極自身、また、隣接した例えば薄膜の金属酸化物半導体前駆体材料エリアを瞬時に加熱することができるため、これを迅速に半導体、また電極に変換することが可能である。また、加熱温度、加熱時間は照射するマイクロ波の出力、照射時間で制御することが可能であり、前駆体材料、基板材料に合わせて調整することが可能である。
【００８２】
本発明の薄膜トランジスタ素子においては、前記酸化物半導体のほか、半導体として公知の有機、無機の半導体いずれをも用いることができ、例えば、ペンタセン等の蒸着膜、またチオフェンオリゴマー等の有機半導体薄膜等を用いることができる。前記の例において半導体層の作成をこれらに代えて用いればよい。
【００８３】
本発明においては、金属酸化物半導体が、半導体前駆体のウェットプロセス（例えば塗布法）を用いた成膜と熱酸化或いはプラズマ酸化等、熱変換によって得られることから特に好ましい。
【００８４】
酸化物半導体の前駆体としては、硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩又は蓚酸塩から選ばれる金属塩、また有機金属錯体等を用いるのが好ましい。
【００８５】
金属塩また有機金属錯体における金属としては、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を挙げることができる。
【００８６】
本発明において、これらの金属塩においては、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）のいずれかの塩を１つ以上を含むことが好ましく、それらを併用して混合させてもよい。
【００８７】
また、その他の金属として、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム（Ａｌ）のいずれかの塩を含むことが好ましい。
【００８８】
本発明においては、前駆体として、上記金属の硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩又は蓚酸塩から選ばれる金属塩を好適に用いることができ、これらを用いることによりキャリア移動度の大きい、ＴＦＴ素子としたときｏｎ／ｏｆｆ比の大きい良好な特性を示す金属酸化物半導体を得ることができる。
【００８９】
上記金属塩中、硝酸塩の硝酸が、特に解離エネルギーが小さいと予想され、これらの中でも硝酸塩が最も好ましい。
【００９０】
これらの塩を用いると、また、半導体変換処理として電磁波（マイクロ波）で実質低温において変換するときも照射時間を短くでき好ましい。
【００９１】
（前駆体薄膜の成膜方法、パターン化方法）
これらの金属酸化物半導体の前駆体である金属塩を含有する薄膜を形成するためには、公知の成膜法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などを用いることができるが、本発明においては、前記硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩又は蓚酸塩から選ばれる金属塩を適切な溶媒に溶解した溶液を用い基板上に連続的に塗設することが好ましく、これにより生産性を大幅に向上させることができる。
【００９２】
金属塩を溶解する溶媒としては、水のほか、用いる金属化合物を溶解するものであれば特に制限されず、水や、エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどのアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等グリコールエーテル系、また、アセトニトリルなど、更に、キシレン、トルエン等の芳香族系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン、トリデカンなど、α−テルピネオール、また、クロロホルムや１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒、Ｎ−メチルピロリドン、２硫化炭素等を用いることができる。本発明においては、水溶液、即ち、水を主体とする溶媒を用いて塗布することが好ましい。水を主体とするとは溶液を構成する溶媒のうち最大の成分が水であり、また、全溶媒の少なくとも５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上を水が占めるものをいう。好ましくは８０質量％以上、さらには９０質量％が水であることが好ましい。
【００９３】
本発明に係る前記の硝酸塩等の金属塩は、水に対して分解性がなく、水を溶媒として用いることができるので、製造工程上、また環境上も好ましい。
【００９４】
金属塩を含有する水溶液を基材上に適用して、金属酸化物半導体の前駆体薄膜を形成する方法としては、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、ミスト法、など、凸版、凹版、平版、スクリーン印刷、インクジェットなどの印刷法等、広い意味での塗布による方法が挙げられ、また、これによりパターン化する方法などが挙げられる。
【００９５】
また、塗布膜からフォトリソグラフ法、レーザーアブレーションなどによりパターン化してもよい。これらのうち、好ましいのは薄膜の塗布が可能な、インクジェット法、スプレーコート法等である。
【００９６】
（金属の組成比）
本発明において、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、また、その他の金属として、ガリウム（Ｇａ）をその組成に含むものが好ましく、これらの金属を成分として含む前駆体溶液を作製する場合、好ましい金属の組成比としては、Ｉｎ、Ｓｎの金属塩から選ばれる塩に含有される金属（金属Ａ）と、Ｇａ、Ａｌの金属塩から選ばれる塩に含有される金属（金属Ｂ）と、Ｚｎの金属塩に含有される金属（金属Ｃ＝Ｚｎ）とのモル比率（金属Ａ：金属Ｂ：金属Ｃ）が、以下の関係式を満たすことが好ましい。
【００９７】
金属Ａ：金属Ｂ：金属Ｃ＝１：０．２〜１．５：１〜５
金属塩としては、硝酸塩が最も好ましいので、Ｉｎ、Ｓｎ（金属Ａ）と、Ｇａ、Ａｌ（金属Ｂ）と、Ｚｎ（金属Ｃ）とのモル比率（Ａ：Ｂ：Ｃ）が、上記の関係式を満たすように、各金属の硝酸塩を、水を主成分とした溶媒に溶解・形成した塗布液を用いて金属無機塩を含む前駆体薄膜を塗布により形成することが好ましい。
【００９８】
また、前駆体となる金属無機塩を含む薄膜の膜厚は１〜２００ｎｍ、より好ましくは５〜１００ｎｍである。
【００９９】
（非晶質酸化物）
形成される金属酸化物半導体としては、単結晶、多結晶、非晶質のいずれの状態も使用可能だが、好ましくは非晶質の薄膜を用いる。
【０１００】
金属酸化物半導体の前駆体となる金属化合物材料から形成された、本発明に係る金属酸化物である非晶質酸化物の電子キャリア濃度は１０１８／ｃｍ３未満が実現されていればよい。電子キャリア濃度は室温で測定する場合の値である。室温とは、例えば２５℃であり、具体的には０℃から４０℃程度の範囲から適宜選択されるある温度である。なお、本発明に係るアモルファス酸化物の電子キャリア濃度は、０℃から４０℃の範囲全てにおいて、１０１８／ｃｍ３未満を充足する必要はない。例えば、２５℃において、キャリア電子密度１０１８／ｃｍ３未満が実現されていればよい。また、電子キャリア濃度をさらに下げ、１０１７／ｃｍ３以下、より好ましくは１０１６／ｃｍ３以下にするとノーマリーオフのＴＦＴが歩留まり良く得られる。
【０１０１】
電子キャリア濃度の測定は、ホール効果測定により求めることができる。
【０１０２】
金属酸化物である半導体の膜厚としては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性は、半導体膜の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は、半導体により異なるが、一般に１μｍ以下、特に１０〜３００ｎｍが好ましい。
【０１０３】
本発明においては、前駆体材料（金属塩）、組成比、製造条件などを制御して、例えば、電子キャリア濃度を、１０１２／ｃｍ３以上１０１８／ｃｍ３未満とする。より好ましくは１０１３／ｃｍ３以上１０１７／ｃｍ３以下、さらには１０１５／ｃｍ３以上１０１６／ｃｍ３以下の範囲にすることが好ましいものである。
【０１０４】
前記半導体変換処理、即ち金属無機塩から形成された前駆体薄膜を金属酸化物半導体に変換する方法としては、酸素プラズマ法、熱酸化法、ＵＶオゾン法等の酸化処理が挙げられる。また前記のマイクロ波照射を用いることができる。
【０１０５】
熱酸化としては、１００℃以上４００℃以下の温度域で酸素の存在下加熱処理することが好ましい。半導体前駆体である硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩又は蓚酸塩等の金属塩を用いることで比較的低い温度において半導体変換処理を行うことができる。
【０１０６】
また、変換処理による金属酸化物の形成はＥＳＣＡ等により検知でき、半導体への変換が充分行われる条件を予め選択することができる。
【０１０７】
また、酸素プラズマ法としては大気圧プラズマ法を用いるのが好ましい。また酸素プラズマ法、ＵＶオゾン法においては、基板を５０℃〜３００℃の範囲で加熱させることが好ましい。
【０１０８】
大気圧プラズマ法では、大気圧下で、アルゴンガス等の不活性ガスを放電ガスとして、これと共に反応ガス（酸素を含むガス）を放電空間に導入して、高周波電界を印加して、放電ガスを励起させ、プラズマ発生させ、反応ガスと接触させて酸素を含むプラズマを発生させ、基体表面をこれに晒すことで酸素プラズマ処理を行う。大気圧下とは、２０〜１１０ｋＰａの圧力を表すが、好ましくは９３〜１０４ｋＰａである。
【０１０９】
大気圧プラズマ法を用いて、酸素含むガスを反応性ガスとして、酸素プラズマを発生させ、金属塩を含有する前駆体薄膜を、プラズマ空間に晒すことでプラズマ酸化により前駆体薄膜は酸化分解して、金属酸化物からなる層が形成する。
【０１１０】
高周波電源として０．５ｋＨｚ以上、２．４５ＧＨｚ以下、また、対向電極間に供給する電力は、好ましくは０．１Ｗ／ｃｍ２以上、５０Ｗ／ｃｍ２以下である。
【０１１１】
使用するガスは、基本的に、放電ガス（不活性ガス）と、反応ガス（酸化性ガス）の混合ガスである。反応ガスは好ましくは酸素ガスであり混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。０．１〜１０体積％であることがより好ましいが、さらに好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０１１２】
上記不活性ガスとしては、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンや、窒素ガス等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴン、窒素ガスが好ましく用いられる。
【０１１３】
また、反応ガスを放電空間である電極間に導入するには、常温常圧で構わない。
【０１１４】
大気圧下でのプラズマ法については特開平１１−６１４０６号、同１１−１３３２０５号、特開２０００−１２１８０４号、同２０００−１４７２０９号、同２０００−１８５３６２号等に記載されている。
【０１１５】
また、ＵＶオゾン法は、酸素の存在下で、紫外光を照射し、酸化反応を進行させる方法である。紫外光の波長は、１００ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に好ましくは１５０〜３００ｎｍ程度の所謂、真空紫外光を照射することが好ましい。光源は、低圧水銀灯、重水素ランプ、キセノンエキシマーランプ、メタルハライドランプ、エキシマーレーザーなどを用いることができる。
【０１１６】
ランプの出力としては４００Ｗ〜３０ｋＷ、照度としては１００ｍＷ／ｃｍ２〜１００ｋＷ／ｃｍ２、照射エネルギーとしては１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。
【０１１７】
紫外線照射の際の照度は１ｍＷ〜１０Ｗ／ｃｍ２が好ましい。
【０１１８】
また、本発明においては、酸化処理に加えて前記酸化処理の後、或いは前記酸化処理と同時に加熱処理を施すことが好ましい。これにより酸化分解を促進できる。
【０１１９】
また、金属塩を含有する薄膜を酸化処理したのち、基材を５０℃〜２００℃、好ましくは８０℃〜１５０℃の範囲で、加熱時間としては１分〜１０時間の範囲で加熱することが好ましい。
【０１２０】
加熱処理は、酸化処理と同時に行ってもよく、酸化による金属酸化物半導体への変換を迅速に行うことができる。
【０１２１】
金属酸化物半導体への変換後、形成される半導体薄膜の膜厚は１〜２００ｎｍ、より好ましくは５〜１００ｎｍが好ましい。
【０１２２】
本発明においては、また、半導体変換処理として、酸素の存在下、前記同様にマイクロ波（０．５〜５０ＧＨｚ）照射を用いることが好ましい。
【０１２３】
マイクロ波の照射を用いると、前記金属塩を含有する半導体前駆体層に、短時間で選択的に酸化反応を進行させ半導体変換処理を行うことができる。
【０１２４】
また、薄膜トランジスタを構成する他の各要素について以下説明する。
【０１２５】
（電極）
本発明において、薄膜トランジスタ素子を構成するソース電極、ドレイン電極、ゲート電極等の電極に用いられる導電性材料としては、電極として実用可能なレベルでの導電性があればよく、特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、また、例えば、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛等の電磁波吸収能をもつ電極材料、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。
【０１２６】
また、導電性材料として、導電性ポリマーや金属微粒子などを好適に用いることができる。
【０１２７】
金属微粒子を含有する分散物としては、例えば公知の導電性ペーストなどを用いてもよいが、好ましくは、粒子径が１ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍの金属微粒子を含有する分散物である。金属微粒子から電極を形成するには、前述の方法を同様に用いることができ、金属微粒子の材料としては上記の金属を用いることができる。
【０１２８】
（電極等の形成方法）
電極の形成方法としては、本発明の方法を用いない場合、上記を原料として、マスクを介して蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成する方法、また蒸着やスパッタリング等の方法により形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液或いは分散液、金属微粒子を含有する分散液等を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや金属微粒子を含有する導電性インク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【０１２９】
また、ソース、ドレイン電極等、またゲートバスライン、ソースバスライン等を、エッチング又はリフトオフ等感光性樹脂等を用いた金属薄膜のパターニングなしに形成する方法として、無電解メッキ法による方法が知られている。
【０１３０】
無電解メッキ法による電極の形成方法に関しては、特開２００４−１５８８０５号にも記載されたように、電極を設ける部分に、メッキ剤と作用して無電解メッキを生じさせるメッキ触媒を含有する液体を、例えば印刷法（インクジェット印刷含む。）によって、パターニングした後に、メッキ剤を、電極を設ける部分に接触させる。そうすると、前記触媒とメッキ剤との接触により無電解メッキが施されて、電極パターンが形成されるというものである。
【０１３１】
無電解メッキの触媒とメッキ剤の適用を逆にしてもよく、またパターン形成をどちらで行ってもよいが、メッキ触媒パターンを形成し、これにメッキ剤を適用する方法が好ましい。
【０１３２】
印刷法としては、例えば、スクリーン印刷、平版、凸版、凹版又インクジェット法による印刷などが用いられる。
【０１３３】
（ゲート絶縁膜）
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜としては、種々の絶縁膜を用いることができる。特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【０１３４】
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
【０１３５】
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤或いは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。
【０１３６】
これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ法である。
【０１３７】
ゲート絶縁膜（層）が陽極酸化膜又は該陽極酸化膜と絶縁膜とで構成されることも好ましい。陽極酸化膜は封孔処理されることが望ましい。陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な金属を公知の方法により陽極酸化することにより形成される。
【０１３８】
陽極酸化処理可能な金属としては、アルミニウム又はタンタルを挙げることができ、陽極酸化処理の方法には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
【０１３９】
また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、或いはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂等を用いることもできる。
【０１４０】
無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚としては、一般に５０ｎｍ〜３μｍ、好ましくは、１００ｎｍ〜１μｍである。
【０１４１】
〔保護層〕
また有機薄膜トランジスタ素子上には保護層を設けることも可能である。保護層としては無機酸化物又は無機窒化物、アルミニウム等の金属薄膜、ガス透過性の低いポリマーフィルム及びこれらの積層物等が挙げられ、このような保護層を有することにより、有機薄膜トランジスタの耐久性が向上する。これらの保護層の形成方法としては、前述したゲート絶縁膜の形成法と同様の方法を挙げることができる。また、ポリマーフィルム上に各種の無機酸化物等が積層されたフィルムを単にラミネートするなどといった方法で保護層を設けても良い。
【０１４２】
（基板）
基板を構成する支持体材料としては、種々の材料が利用可能であり、例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウム、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、紙、不織布などを用いることができるが、本発明において支持体（基板）は樹脂からなることが好ましく、例えばプラスチックフィルムシートを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
【０１４３】
本発明の導電性薄膜は有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の電極として好ましく用いることができる。
【０１４４】
以下、有機ＥＬ素子について説明する。
【０１４５】
図４は、有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。図４は封止フィルムを貼着した有機ＥＬ素子の構成層を示す概略断面図である。
【０１４６】
図４に示される有機ＥＬ素子の層構成につき説明する。
【０１４７】
図中、１ｂは有機ＥＬ素子を示す。有機ＥＬ素子１ｂは、基材１上に、第一電極２と、正孔輸送層３と、発光層４と、電子注入層５と、第二電極６と、接着剤層８と、封止フィルム９とをこの順番に有している。図に示される有機ＥＬ素子において、第一電極２と正孔輸送層３の間に正孔注入層（不図示）を設けてもよい。又、発光層４と電子注入層５との間に電子輸送層（不図示）を設けてもよい。本図に示される有機ＥＬ素子１ｂでは、第一電極２と基材１との間にガスバリア膜（不図示）を設けても構わない。
【０１４８】
本発明に係る電極の製造方法により形成されるＩＴＯ等の導電性薄膜は、図４に示される有機ＥＬ素子の陽極として好ましく用いることができる。塗布により形成することができるため、スパッタ法等による大がかりな装置が必要とされる製造方法に比べ容易に形成できるのが特徴である。
【０１４９】
有機ＥＬ素子は前記の層構成のほか、代表的な層構成例として、次の構成が挙げられる。
【０１５０】
（１）基材／陽極／発光層／電子輸送層／陰極／封止層
（２）基材／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極／封止層
（３）基材／陽極／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極／封止層
（４）基材／陽極／陽極バッファー層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極／封止層
二つの電極に挟まれた有機機能層に電界をかけることで、キャリアが注入され、発光層中において、キャリアが再結合することで、発光が取り出される。キャリアの層中或いは層間の移動を効率よく行うために上記各機能層が陽極（第一電極）及び陰極（第二電極）の二つの電極間に所定の順で配置される。
【０１５１】
次に、有機ＥＬ素子を構成するこれら各有機機能層において用いられる材料について説明する。
【０１５２】
有機機能層のうち、発光層中に含有される有機発光材料としては、カルバゾール、カルボリン、ジアザカルバゾール等の芳香族複素環化合物、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体或いは複合オリゴ体等が挙げられるが、本発明においてはこれに限られるものではなく、広く公知の材料を用いることができる。
【０１５３】
また層中（成膜材料）には、好ましくは０．１〜２０質量％程度のドーパントが発光材料中に含まれてもよい。ドーパントとしては、ペリレン誘導体、ピレン誘導体等公知の蛍光色素等、また、リン光発光タイプの発光層の場合、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナート）イリジウム、ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジン）（ピコリナート）イリジウム、などに代表されるオルトメタル化イリジウム錯体等の錯体化合物が同様に０．１〜２０質量％程度含有される。これら発光層の膜厚は、１ｎｍ〜数百ｎｍの範囲に亘る。
【０１５４】
正孔注入・輸送層中に用いられる材料としては、フタロシアニン誘導体、ヘテロ環アゾール類、芳香族三級アミン類、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）などに代表される導電性高分子等の高分子材料が、また、発光層に用いられる、例えば、４，４′−ジカルバゾリルビフェニル、１，３−ジカルバゾリルベンゼン等のカルバゾール系発光材料、（ジ）アザカルバゾール類、１，３，５−トリピレニルベンゼンなどのピレン系発光材料に代表される低分子発光材料、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類などに代表される高分子発光材料などが挙げられる。
【０１５５】
電子注入・輸送層材料としては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛等の金属錯体化合物もしくは以下に挙げられる含窒素五員環誘導体がある。即ち、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等が挙げられる。
【０１５６】
有機ＥＬ素子、各有機層の膜厚は、０．０５〜０．３μｍ程度必要であり、好ましくは０．１〜０．２μｍ程度である。
【０１５７】
また、各有機機能層（有機ＥＬ各機能層）の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法等種々の成膜方法を用いることができるが、ウェットプロセスである塗布及び印刷等が好ましい。例えば、ダイコート方式、スクリーン印刷方式、フレキソ印刷方式、インクジェット方式、ワイヤーバー方式、キャップコート法、スプレー塗布法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等の塗布機の使用が可能である。これらの湿式塗布機の使用は有機化合物層の材料に応じて適宜選択することが可能となっている。
【０１５８】
各有機材料には溶解特性（溶解パラメータやイオン化ポテンシャル、極性）がそれぞれにあり、溶解できる溶媒には限定がある。またその際には溶解度もそれぞれ違うため、一概に濃度も決めることができないが、本発明において用いられる溶媒の種類は、成膜しようとする有機ＥＬ材料に応じて、前記の条件に適ったものを、公知の溶媒から選択すればよく、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、メタノールや、エタノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、２−メトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタン、テトラリン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ピリジン、アニリン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル等のニトリル系溶媒、チオフェン、二硫化炭素などの硫黄系溶媒が挙げられる。
【０１５９】
なお、使用可能な溶媒は、これらに限るものではなく、これらを二種以上混合して溶媒として用いてもよい。
【０１６０】
これらのうち好ましい例としては、有機ＥＬ材料において、各機能層材料によっても異なるものの、大凡、良溶媒としては、例えば芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒などであり、好ましくは、芳香族系溶媒、エーテル系溶媒である。また、貧溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒などが挙げられ、なかでもアルコール系溶媒、パラフィン系溶媒である。
【０１６１】
また、本発明では、上記の各機能層において、反応性基をもつ有機化合物（反応性有機化合物）を用いてもよい。反応性有機化合物を用いる層としては特に制限はなく、各層に用いることができる。それぞれ各機能層に反応性基をもつそれぞれの機能をもつ有機材料を用いればよい。
【０１６２】
反応性有機化合物塗布層を形成後基板上で反応させ、有機分子によるネットワークポリマーを形成させ、硬化させることができる。ネットワークポリマーが生成することで、構成層のＴｇ（ガラス転移点）調整による素子劣化の抑制させることができる。
【０１６３】
一方、製造面では、例えば、塗布により積層する工程の場合では、下層が上層の塗布液に溶解しないことが好ましいため、下層を樹脂化し溶剤溶解性を劣化させることで、上層塗布を可能とすることができる。例えば、正孔輸送層をこのように架橋した有機層として樹脂化することで、上層として発光層を塗布する際に下層の溶解、又浸透を防止することができる。
【０１６４】
用いることのできる反応性基としては、特に限定されないが、例えば、ビニル基、エチニル基、イソシアネート基、エポキシ基等が代表的には挙げられる。
【０１６５】
また、二つの電極のうち、第一電極である正孔の注入を行う陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数をもつものが適しており、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＴＯ等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。透光性であることが好ましく、本発明の方法により作成されるＩＴＯ膜等の導電性薄膜をこれら陽極として用いることは導電性の高い透明な膜を、塗布を用いて形成でき、製造工程上好ましい。
【０１６６】
また、第二電極である陰極として使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数をもつものが適しており、マグネシウム、アルミニウム等。合金としては、マグネシウム／銀、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられる。また、その形成方法は、マスク蒸着、フォトリソパターニング、メッキ、印刷等が使用できるが、これに限られるものではない。
【０１６７】
有機ＥＬ素子に用いられる支持体としては、前記同様の、ガラス、セラミックまた、透明樹脂フィルムが用いられる。
【０１６８】
樹脂フィルムを用いるときこれら支持体上にガスバリア層を形成したガスバリアフィルムを用いることが好ましい。ガスバリア層としては例えば、厚み数ｎｍ〜数百ｎｍの酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等透湿度の低い材料からなる水分透過率が小さい薄膜が挙げられる。
【０１６９】
又、封止フィルムで覆って接着、封止することも好ましい。封止フィルムとしては、水分透過率が小さいガスバリア性の樹脂フィルムであることが好ましい。これらのフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン等の上記可撓性支持体として挙げられたフィルム上に透明な厚み数ｎｍ〜数百ｎｍの酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等透湿度の低い材料からなる薄膜を形成したフィルム、また、ガスバリア性の被膜である、アルミナ蒸着膜等を形成したフィルム、等が挙げられる。例えば、金属蒸着フィルムである凸版印刷製、ＧＸフィルム、テックバリア（三菱樹脂）等のシリカ蒸着フィルム、また、アルミナ蒸着フィルム等ガスバリア層を形成した上記フィルム等を用いることができる。
【０１７０】
封止に用いる接着剤としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂等からなるＵＶ硬化型接着剤組成物を用いることができ、例えば、ナガセケムテック（株）製、ＵＶレジン  ＸＮＲ５５１６等のＵＶ硬化型接着剤（樹脂）を用いることができる。また、勿論、熱接着型樹脂でもよい。
【実施例】
【０１７１】
以下実施例により本発明の導電性薄膜について具体的に説明する。
【０１７２】
［比較例１］
透明導電性粒子としてＳｎＯ２を１５質量％含有したＩＴＯ粉末（ＢＥＴ粒径３０ｎｍ）７．５ｇを、アルコール系の溶媒１７．５ｇ及びアニオン系界面活性剤０．２２５ｇと混合し、遊星ボールミル（フリッチェ製Ｐ−５型、容器容量８０ｍｌ、ビーズＰＳＺ  ０．３ｍｍ）にて、３００ｒｐｍで３０分間回転させ、流動性材料としての分散液を作成した。このようにして得たＩＴＯ含量が３０質量％のＩＴＯ分散液をアプリケータ（送り速度５ｍ／ｍｉｎ）にて、基板としてのＰＥＴフィルム（東レ製  ルミラー１００Ｔ  ヘイズ１．５％  全光透過率８９％）上に塗布し、８０℃の温度にて乾燥させた。その後、ロールプレス（フィルム送り速度２．５ｍ／ｍｉｎ）を用いてこのＰＥＴフィルムを線圧２００ｋｇ／ｃｍで加圧し、ＰＥＴフィルム上の塗膜の密度を３．０ｇ／ｃｍ３にした。その後、窒素雰囲気下で、この透明導電膜に周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１０００Ｗで１０分間照射した。
【０１７３】
以上の手順により得られた透明導電膜の表面抵抗、及び全光透過率、ヘイズを表１に示した。
【０１７４】
［比較例２］
比較例２は、ロールプレスの線圧を３００ｋｇ／ｃｍとしたこと以外は、比較例１と同様の手順で製造した。
【０１７５】
［比較例３］
比較例３は、比較例１の場合と同様にして作成した分散液をアプリケータで基板上に塗布し、８０℃で乾燥した後、ロールプレスをかけずにマイクロ波を１０００Ｗで１０分間照射して製造した。
【０１７６】
［実施例１］
透明導電性粒子としてＳｎＯ２を１５質量％含有したＩＴＯ粉末（ＢＥＴ粒径３０ｎｍ）７．５ｇを、硝酸錫０．１２ｇ、硝酸インジウム０．６３ｇ、アルコール系の溶媒１７．５ｇ及びアニオン系界面活性剤０．２２５ｇと混合し、遊星ボールミル（フリッチェ製Ｐ−５型、容器容量８０ｍｌ、ビーズＰＳＺ  ０．３ｍｍ）にて、３００ｒｐｍで３０分間回転させ、流動性材料としての分散液を作成した。このようにして得たＩＴＯ含量が３０質量％のＩＴＯ分散液をアプリケータ（送り速度５ｍ／ｍｉｎ）にて、基板としてのＰＥＴフィルム（東レ製  ルミラー１００Ｔ  ヘイズ１．５％  全光透過率８９％）上に塗布し、８０℃の温度にて乾燥させた。その後、窒素雰囲気下で、この透明導電膜に周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１０００Ｗで１０分間照射した。
【０１７７】
［実施例２］
実施例２は、マイクロ波照射の時間を５分間にしたこと以外は、実施例１と同様の手順で製造した。
【０１７８】
［実施例３］
実施例３は、マイクロ波照射を５００Ｗで行った以外は、実施例１と同様の手順で製造した。
【０１７９】
［実施例４］
実施例４は、添加した硝酸錫、硝酸インジウムの量を硝酸錫０．０６ｇ、硝酸インジウム０．３１ｇに代えた以外は、実施例１と同様の手順で製造した。
【０１８０】
［実施例５］
添加した硝酸錫、硝酸インジウムを、硝酸亜鉛０．６ｇ、硝酸アルミニウム０．０６ｇに代えた以外は、実施例１と同様の手順で製造した。実施例１の場合と同様にして作成した分散液をアプリケータで基板上に塗布し、８０℃で乾燥した後、マイクロ波を１０００Ｗで１０分間照射して製造した。
【０１８１】
導電性薄膜の表面抵抗、全光透過率、及びヘイズは以下の方法で測定した。
【０１８２】
〈ＢＥＴ粒径〉
透明導電膜（塗膜）の透明導電性微粒子のＢＥＴ粒径は、下記式により計算した。
【０１８３】
ＢＥＴ粒径（ｎｍ）＝６／（ρ×比表面積）×１０９
但し、ρは透明導電性微粒子の真比重であり、例えば、透明導電性微粒子がＩＴＯ（錫含有酸化インジウム）である場合には、ρ＝７．１３×１０９（ｇ／ｍ３）となる。また、比表面積は、ＢＥＴ法（一点法）により求めた。
【０１８４】
〈表面抵抗〉
導電性薄膜の表面抵抗は、三菱化学株式会社製のＬｏｒｅｓｔａＨＰを用いて、四探針法により測定した。
【０１８５】
〈全光透過率及びヘイズ〉
導電性薄膜の光透過率及びヘイズは、日本電色工業株式会社製のＮＤＨ２０００を用いて測定した。光源にはハロゲンランプを用いた。
【０１８６】
尚、塗膜の密度を算出するに用いた膜厚については、日本電子社製ＪＳＭ−６７００Ｆの走査型電子顕微鏡を用いて、倍率１００００倍にて観察し測定し、膜の密度は、以下の手順で測定した。
【０１８７】
即ち、予め、基板となるＰＥＴフィルムを５（ｃｍ）×５（ｃｍ）に切り取り、質量を測定しておく。次いで、導電性微粒子を塗布後に乾燥させて加圧した基板（下記式における「塗膜を施した基板」）を５（ｃｍ）×５（ｃｍ）に切取り、質量を測定する。次いで、走査型電子顕微鏡を用いて塗膜の膜厚を測定し、測定により得られた質量及び膜厚に基づいて下記式から膜の密度を求めた。なお、ロールプレス後の基板厚みは変化しておらず、基板質量の変化もない。
（膜密度）＝｛（塗膜を施した基板質量）−（基板質量）｝／｛（塗膜の面積）×（塗膜の膜厚）｝
以下表１に、比較例１〜３及び実施例１〜４で作成した導電性薄膜の表面抵抗、全光透過率及びヘイズを示す。
【０１８８】
【表１】
2010093165.tif 000003
【０１８９】
本発明に係る導電性薄膜は従来公知の製造方法を用いて製造された導電性薄膜に比べ、焼成時に金属酸化物の前駆体の存在によって導電性、透明性とも優れたものであることがわかる。
【０１９０】
［比較例４］
ガラス基板上に、ＩＴＯ微粒子を含む水分散液（シーアイ化成ナノテック、微粒子径１０〜１００ｎｍ、固形分濃度１５％）を塗布し、ロールプレスで加圧（線圧２００ｋｇ／ｃｍ）後、２．４５ＧＨｚの電磁波を５００Ｗで３０分照射した。
【０１９１】
この結果作成された膜は、中心線平均粗さＲａ  ２０ｎｍ、表面抵抗１００（Ω／□）であった。
【０１９２】
このようにして作成した透明導電膜をゲート電極として、上層にポリシラザン溶液（アクアミカＮＮ１１０−２０）を１０００ｒｐｍでスピンコート、後に、４５０℃で加熱してゲート絶縁膜を形成した。
【０１９３】
次いで、この絶縁膜上に硝酸インジウム、硝酸ガリウム、硝酸亜鉛各１：１：１の水溶液をインクジェット法によりパターニング塗布し、その後、大気中で２．４５ＧＨｚの電磁波を５００Ｗで１０分照射し、ＩＧＺＯ膜を成膜した。
【０１９４】
次いで、ＩＧＺＯ膜の両端に銀ナノ粒子インクをパターニング、加熱処理し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅６０μｍとなるようにソース電極、ドレイン電極を形成した。こうして作成したＴＦＴのＩｄ−Ｖｇ特性を測定したところ、ｏｆｆ電流１０ｎＡ、移動度０．０５ｃｍ２／Ｖｓであった。
【０１９５】
［実施例６］
ＩＴＯ微粒子を含む水分散液（シーアイ化成ナノテックを原料に希釈、再分散させ、微粒子径１０〜１００ｎｍ、固形分濃度３％に調整）と、硝酸インジウム、硝酸錫を水に対してそれぞれ５質量％となるように溶解した塗布液を調製した。ガラス上にこの塗布液を塗布し、２．４５ＧＨｚの電磁波を５００Ｗで３０分照射した。この結果作成された透明導電膜は、中心線平均粗さＲａ、１ｎｍ、表面抵抗１００（Ω／□）であった。
【０１９６】
このようにして作成した透明導電膜をゲート電極として、比較例４同様に、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース、ドレイン電極を順次形成し、薄膜トランジスタを作成した。
【０１９７】
このＴＦＴのＩｄ−Ｖｇ特性を測定したところ、ｏｆｆ電流１０ｐＡ、移動度０．１ｃｍ２／Ｖｓであった。比較例４の素子に比べｏｆｆ電流が低く、移動度が高く、ｏｎ／ｏｆｆ比が高い薄膜トランジスタ素子が得られた。
【０１９８】
［実施例７］
《有機ＥＬ素子》
厚さ１００μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人・デュポン社製フィルム、以下、ＰＥＮと略記する）を用い、以下に示す方法で透明ガスバリア層と陽極とを形成した。
【０１９９】
〈透明性ガスバリア層の形成〉
準備したＰＥＮ上に、大気圧プラズマ放電処理法を用い、テトラエトキシシラン（反応ガス）を用いて、厚さ約９０ｎｍの透明ガスバリア層を形成した。ＪＩＳ  Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法により水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２％ＲＨ））を測定した結果、１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であった。また、ＪＩＳ  Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法により酸素透過率を測定した結果、１０−３ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下であった。
【０２００】
〈陽極の形成〉
形成した透明ガスバリア層上に厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を実施例５と同様の方法で作成した。
【０２０１】
〈有機機能層の形成〉
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
【０２０２】
この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、５０ｍｇの正孔輸送材料１を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１５００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。窒素雰囲気下、１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約２０ｎｍの第２正孔輸送層とした。
【０２０３】
この第二正孔輸送層上に、１００ｍｇの化合物２と１０ｍｇの化合物３を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１２０℃で１時間真空乾燥し、膜厚約５０ｎｍの発光層とした。
【０２０４】
次にこの発光層上に、５０ｍｇの電子輸送材料１を１０ｍｌの１−ブタノールに溶解した溶液を５０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。６０℃で１時間真空乾燥し、膜厚約１５ｎｍの電子輸送層とした。
【０２０５】
【化１】
2010093165.tif 000004
【０２０６】
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム１．０ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。
【０２０７】
作製した有機ＥＬ素子について、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ２定電流を印加すると、発光が陽極側から観察され、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用い測定したところ、高い外部取り出し量子効率を示した。本発明の、塗布法により形成されたＩＴＯ導電性薄膜は、有機ＥＬ素子の陽極として優れた性質を示した。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１】薄膜トランジスタ素子の構成例を示す断面図である。
【図２】複数の薄膜トランジスタが配置される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）シートの一例を示す等価回路図である。
【図３】本発明の導電性薄膜の、薄膜トランジスタ素子のゲート電極への適用の一実施形態を説明する図である。
【図４】有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０２０９】
１  基材  
２  第一電極
３  正孔輸送層
４  発光層
５  電子注入層
６  第二電極
８  接着剤層
９  封止フィルム
１０１  半導体層
１０２  ソース電極
１０３  ドレイン電極
１０４  ゲート電極
１０５  絶縁層
１０  薄膜トランジスタシート
１１  ゲートバスライン
１２  ソースバスライン
１４  薄膜トランジスタ素子
１５  蓄積コンデンサ
１６  出力素子
１７  垂直駆動回路
１８  水平駆動回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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