(57)【要約】【課題】表面に凹凸が残存しても安定して潤滑剤層が形成でき、また経時的な潤滑剤層の膜厚減少が生じない磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】磁気記録媒体３０の表面の潤滑剤に対する濡れ性が高い第１の潤滑剤１２ａを磁気記録媒体３０の表面に塗布する工程と、第１の潤滑剤１２ａを塗布した磁気記録媒体３０の表面に第２の潤滑剤１２ｂを塗布する工程とによって、磁気記録媒体３０の表面に潤滑剤層１２を形成することを特徴とする磁気記録媒体３０の製造方法。【選択図】図１
2010061708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁性層を磁気的に分離した磁気パターンを有し、前記磁気パターンは前記磁性層とその周囲に形成された分離領域とにより形成され、前記分離領域は前記磁気パターンに対して凹部を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
磁気記録媒体の表面の潤滑剤に対する濡れ性が高い第１の潤滑剤を当該磁気記録媒体の表面に塗布する工程と、
前記第１の潤滑剤を塗布した前記磁気記録媒体の表面に第２の潤滑剤を塗布する工程とによって、前記磁気記録媒体の表面に潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の潤滑剤の分子量が、前記第２の潤滑剤の分子量よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
磁気記録媒体の表面に第１の潤滑剤を塗布した後、前記磁気記録媒体の表面に塗布した前記第１の潤滑剤の一部を洗い流し、その後、当該磁気記録媒体の表面に第２の潤滑剤を塗布することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
磁気記録媒体の表面に第１の潤滑剤を塗布する前に、前記磁気録媒体の表面を水洗することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法で製造した磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部とからなる磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気ヘッドへの信号入力と当該磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段とを組み合わせて具備してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大されその重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特にＭＲヘッド、およびＰＲＭＬ（partial response maximum likelihood）技術の導入以来、面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドなども導入され、１年に約１００％ものペースで増加を続けている。これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されており、そのために磁性層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮＲ）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられている。
【０００３】
最新の磁気記録装置においてはトラック密度１１０ｋＴＰＩにも達している。しかしながら、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損ないやすいという問題があった。ＳＮＲの低下は、そのままビットエラーレート（Bit Error rate）の低下につながるため、記録密度の向上に対して障害となっている。
面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚を確保する必要がある。しかしながら、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
【０００４】
また、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術を要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮＲを確保することがむずかしいという問題がある。
【０００５】
このような熱揺らぎの問題やＳＮＲの確保、あるいは十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体の表面にトラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的または磁気的に分離することによってトラック密度を上げようとする試みがなされている。このような技術を以下にディスクリートトラック法、それによって製造された磁気記録媒体をディスクリートトラック媒体と呼ぶ。
【０００６】
ディスクリートトラック媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板に磁気記録媒体を形成して、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなる磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層が形成されており、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と物理的に分断された磁気記録領域が形成されている。
【０００７】
この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。
ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法と、あらかじめ基板表面に直接或いはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法とがある（例えば、特許文献２，特許文献３参照。）。このうち、前者の方法は、しばしば磁気層加工型とよばれており、一方、後者はしばしばエンボス加工型とよばれている。
【０００８】
また、特許文献４には、ディスクリートトラック媒体の磁気トラック間領域を、あらかじめ形成した磁性層に窒素イオンや酸素イオンを注入し、または、レーザを照射することにより形成する方法が開示されている。
さらに特許文献５には、磁性層をイオンミリング加工するためのマスクに炭素を用いることが記載されている。また特許文献６には、基板上にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれかの元素を含む強磁性体層を形成し、強磁性体層表面を選択的にマスクし、露出部を、ハロゲンを含む反応ガスに曝し、化学反応により該露出部およびその下層を、化学的に磁性を変質させ、非強磁性体領域とすることが記載されている。
【０００９】
なお、磁気記録媒体の表面には、硬質カーボンによる保護層が形成される。この保護層は、記録層に記録された情報を偶発的な磁気ヘッドの接触から保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める効果を発揮している。しかしながら、保護層を設けただけでは磁気記録媒体の耐久性が劣るため、保護層の表面に厚さが０．５〜１０ｎｍ程度の潤滑剤を塗布して保護層の耐久性を改善している。潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤や脂肪族炭化水素系潤滑剤が知られており、この様な潤滑剤の主な役割は、保護層の表面に吸着して磁気ヘッドスライダが保護層と直接接触するのを防止するとともに、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドスライダの摩擦力を著しく低減させることにある。
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７８７９４号公報
【特許文献４】特開平５−２０５２５７号公報
【特許文献５】特開２００６−３１８４９号公報
【特許文献６】特開２００２−３５９１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ディスクリート方式、または、ビットパターン方式の磁気記録媒体の製造に際しては、表面に凹凸形状を有する磁性層を形成した後、その凹部に非磁性材料を充填し、表面を平滑にするのが一般的である。これに対し、磁性層の表面に磁気パターンに対応したマスク層を形成し、イオン注入等により磁性層を部分的に非磁性化し、磁性層に磁気パターンを形成する方法を採用した場合は、非磁性材料による充填を行わなくとも、この磁気記録媒体の表面は平滑である。
【００１１】
一方、磁気記録媒体の表面が平滑ではなく、表面に凹凸を有する場合には、この磁気記録媒体の表面に潤滑剤をきれいに塗布できないという問題があった。また、一旦は均一に潤滑剤層が形成できた場合であっても、経時的に潤滑剤層の膜厚が減少してしまい、ハードディスクドライブの内部で磁気記録再生ヘッドがクラッシュする虞があった。
【００１２】
本発明は、ディスクリート方式、または、ビットパターン方式の磁気記録媒体で、表面に凹凸が残存しても安定して潤滑剤層が形成でき、また経時的な潤滑剤層の膜厚減少が生じない磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
ところで、上記特許文献に記載された磁気記録媒体の製造方法に対して本発明者は、磁性層の表面に磁気パターンに対応してマスク層を設け、このマスク層から露出する磁性層の表面を酸素ガス等と化学反応させて、磁性層を部分的に非磁性化する方法を開発した。そして、本発明者らは、この方法を採用する場合に磁性層の反応領域表面を僅かに除去した方が、酸素ガス等と磁性層との反応性が増すことを見出している。
【００１４】
すなわち、この製造方法によって得られた磁気記録媒体は、その表面に僅かな凹凸が生ずる。この凹凸は、凹部に非磁性材料を充填して平滑化するのが好ましいが、非磁性材料を充填する平滑化プロセスは、磁気記録媒体の表面を汚染させる可能性が高く、また、製造プロセスが複雑になり磁気記録媒体のコストアップにもつながるため採用が困難である。よって、清浄な磁気記録媒体表面を得るために、磁気記録媒体の表面に許容する範囲での凹凸を表面に残存させることとなる。
【００１５】
ここで、このような凹凸を有する磁気記録媒体の表面に潤滑剤層を形成する場合、上述したように潤滑剤がきれいに塗布できないという問題が生じてしまう。また、一旦は均一に潤滑剤層が形成できた場合でも、経時的に潤滑剤層の膜厚が減少して、ハードディスクドライブの内部で磁気記録再生ヘッドがクラッシュする虞が生じてしまう。
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明者は鋭意努力研究した結果、本発明に到達した。すなわち本発明は以下に関する。
（１）  非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁性層を磁気的に分離した磁気パターンを有し、前記磁気パターンは前記磁性層とその周囲に形成された分離領域とにより形成され、前記分離領域は前記磁気パターンに対して凹部を有する磁気記録媒体の製造方法であって、磁気記録媒体の表面の潤滑剤に対する濡れ性が高い第１の潤滑剤を当該磁気記録媒体の表面に塗布する工程と、前記第１の潤滑剤を塗布した前記磁気記録媒体の表面に第２の潤滑剤を塗布する工程とによって、前記磁気記録媒体の表面に潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２）  前記第１の潤滑剤の分子量が、前記第２の潤滑剤の分子量よりも小さいことを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３）  磁気記録媒体の表面に第１の潤滑剤を塗布した後、前記磁気記録媒体の表面に塗布した前記第１の潤滑剤の一部を洗い流し、その後、当該磁気記録媒体の表面に第２の潤滑剤を塗布することを特徴とする前項（１）又は（２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（４）  磁気記録媒体の表面に第１の潤滑剤を塗布する前に、前記磁気録媒体の表面を水洗することを特徴とする前項（１）〜（３）の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（５）  前項（１）〜（４）の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法で製造した磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部とからなる磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気ヘッドへの信号入力と当該磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段とを組み合わせて具備してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ディスクリート方式、または、ビットパターン方式の磁気記録媒体において、磁気記録媒体の表面に凹凸が残存している場合であっても安定した潤滑剤層を形成することができる。これにより、信頼性の高い磁気記録再生装置を提供可能となる効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。
先ず、本発明の一実施形態として図１に示すような磁気記録媒体３０の表面に形成された潤滑剤層１２の構成について説明する。この潤滑剤層１２は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、磁気記録媒体３０の表面に形成された保護層（図示略）の表面に吸着して、磁気ヘッドスライダがこの保護層と直接接触するのを防止するとともに、磁気記録媒体３０上を摺動する磁気ヘッドスライダの摩擦力を著しく低減させるものである。
【００１９】
本発明は、非磁性基板１の少なくとも一方の表面に、磁性層２を磁気的に分離した磁気パターンを有し、磁気パターンは潤滑剤層１２側から見て磁性層２とその周囲に形成された分離領域とにより形成され、分離領域は磁気パターンに対して凹部２２を形成する磁気記録媒体３０の製造方法に関し、磁気記録媒体３０の表面の潤滑剤に対する濡れ性を高めるための第１の潤滑剤１２ａを磁気記録媒体３０の表面に塗布する工程と、第１の潤滑剤１２ａを塗布した磁気記録媒体３０の表面に第２の潤滑剤１２ｂを塗布する工程とによって、磁気記録媒体３０の表面に潤滑剤層１２を形成することを特徴としている。
【００２０】
ここで、従来の磁気記録媒体の製造方法では、磁気記録媒体の表面が高度に平滑であるため、この磁気記録媒体の表面に潤滑剤を塗布すると潤滑剤は均一に表面に広がり、磁気記録媒体の表面の全面において均一な膜厚の潤滑剤層を得ることができた。
【００２１】
一方、本発明の磁気記録媒体のように表面に凹凸が残存すると、潤滑剤がきれいに塗布できないという問題が生ずると共に、一旦は全体を覆って潤滑剤層が形成できた場合であっても、潤滑剤層の内部に空間があるため経時的に潤滑剤層の膜厚が減少してしまい、ハードディスクドライブの内部で磁気記録再生ヘッドがクラッシュする虞がある。
【００２２】
これについて、本発明者がさらに解析したところ、例えば、図５（ａ）に示すように、凹凸が残存する磁気記録媒体１３０の表面に潤滑剤１１２を塗布した場合、磁気記録媒体１３０の表面の凸部１２３のエッジ部に潤滑剤が凝集し、磁気記録媒体１３０の表面に均一に潤滑剤層１１２が形成できないことが明らかになった。また、例えば、図５（ｂ）に示すように、この凝集した潤滑剤が経時的に凹部１２２や凸部１２３の上表面に移動し、磁気記録媒体の凸部側面における潤滑剤層１１２の膜厚が減少してしまい、潤滑剤層１１２による保護性能が低下して磁気記録再生ヘッドがクラッシュする虞があることが明らかになった。
【００２３】
本発明ではこのような問題を解消するために、例えば、図１（ａ）に示すように、磁気記録媒体３０の表面に第１の潤滑剤１２ａを塗布して磁気記録媒体３０の表面の潤滑剤に対する濡れ性を高めた後、この磁気記録媒体３０の表面に第２の潤滑剤１２ｂを塗布して、磁気記録媒体の全面に潤滑剤層１２を均一に形成するものである。
【００２４】
本発明で用いられる潤滑剤層１２としては、化学的に安定で、低摩擦であり、低吸着性の潤滑剤であれば適用することができ、特に限定されるものではない。この潤滑剤には、一般的にはフッ素樹脂系潤滑剤が用いられる。また、フッ素樹脂系潤滑剤としては、特にパーフルオロポリエーテルが広く使用される。さらに、パーフルオロポリエーテルとしては、例えばＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製の商品名Fomblin Z-DOL、Fomblin  Z-TETRAOL等を例示することができる。
【００２５】
また、これらの物質を単体で用いる場合の他、環状トリフォスファゼン系潤滑剤とパーフルオロポリエーテル系潤滑剤とを組み合わせた潤滑剤や、末端基にホスファゼン環を有するパーフルオロポリエーテル化合物と、末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物とを組み合わせた潤滑剤等も適用することができる。
【００２６】
上記のフッ素樹脂系潤滑剤は、フッ素系溶媒に溶解または分散させて磁気記録媒体３０の表面上に形成された保護膜上に塗布する場合が多い。フッ素樹脂系潤滑剤を塗布する方法としては、潤滑剤を含む溶液を磁気記録媒体３０の表面にスピンコートする方法や、溶液を潤滑剤貯槽に入れ、この潤滑剤貯槽に磁気記録媒体３０を浸漬し、その後、潤滑剤貯槽から磁気記録媒体３０を所定の速度で引き上げて磁気記録媒体３０の表面に均一な膜厚の潤滑剤膜を形成する方法（ディップ法）等を例示することができる。また、フッ素樹脂系潤滑剤の溶解等に用いられるフッ素系溶媒としては、例えば、三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（商品名）等を用いることができる。
【００２７】
本発明の潤滑剤層１２を構成する第１の潤滑剤１２ａ及び第２の潤滑剤１２ｂには、同一の化合物を適用してもよく、異なる化合物を使用してもよい。異なる化合物を使用する場合は、第１の潤滑剤１２ａ及び第２の潤滑剤１２ｂを同一の分子量としてもよい。
そして、潤滑剤層１２を構成する第１の潤滑剤１２ａ及び第２の潤滑剤１２ｂを異なる化合物とし、同一の分子量とする場合には、平均分子量が５００〜５０００の範囲とすることが好ましく、５００〜３０００の範囲とすることがより好ましい。ここで、平均分子量が５００未満であると、ハードディスクドライブの使用中に揮発しやすくなり、潤滑作用が不十分であるため好ましくなく、５０００を超えると、粘度が増大して流動性、塗布性が悪化するため好ましくない。一方、平均分子量が上記範囲であると、流動性、塗布性、経時安定性に優れるため好ましい。
【００２８】
なお、潤滑剤層１２は、第１の潤滑剤１２ａと第２の潤滑剤１２ｂとが基本的に類似する種類の潤滑剤を用いるため、第２の潤滑剤１２ｂの塗布後には両潤滑剤は相互に拡散すると考えられる。したがって、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す模式図のように、断面顕微鏡観察によって第１の潤滑剤１２ａと第２の潤滑剤１２ｂとの境界が明確に識別されないと考えられる。ただし、潤滑剤層１２の際表面は、第２の潤滑剤１２ｂの単分子によって覆われていると考えられる。
【００２９】
また、本発明では、第１の潤滑剤１２ａ及び第２の潤滑剤１２ｂとして、重合度を変えた同一構造の有機化合物を使用し、第１の潤滑剤１２ａの分子量が、第２の潤滑剤１２ｂの分子量よりも小さいことが好ましい。
ところで、一般的に潤滑剤は、分子量を高めた方が沸点は高くなり高温安定性が増すことが知られている。このため、ハードディスクドライブの内部では、使用環境により８０℃近くの高温となるため、分子量の高い潤滑剤が用いられる。一方で、分子量の高い潤滑剤は粘度が高いため、表面に凹凸が残存するような磁気記録媒体に塗布した場合、その表面に特に潤滑剤が凝集しやすくなる。
【００３０】
そこで、本発明では、先ず第１の潤滑剤１２ａとして分子量の低い潤滑剤を用いることにより、凹凸が残存した磁気記録媒体３０の表面における潤滑剤の被覆率を高めるとともに、潤滑剤に対する濡れ性を高める。次に、第１の潤滑剤１２ａを塗布した磁気記録媒体３０の表面に第２の潤滑剤１２ｂを塗布して、磁気記録媒体３０の全面に潤滑剤層１２を形成することが好ましい。
ここで、第１の潤滑剤１２ａは、平均分子量が５００〜２５００の範囲とすることが好ましく、５００〜２０００の範囲とすることがより好ましい。一方、第２の潤滑剤１２ｂは、平均分子量が第１の潤滑剤１２ａよりも高く、１０００〜４０００の範囲とすることが好ましく、１５００〜３０００の範囲とすることがより好ましい。
【００３１】
さらに、本発明では、磁気記録媒体３０の表面に第１の潤滑剤１２ａを塗布した後、磁気記録媒体３０を溶媒に浸漬して磁気記録媒体３０の表面に塗布した第１の潤滑剤１２ａの一部を洗い流し、その後、磁気記録媒体３０の表面に第２の潤滑剤１２ｂを塗布するのが好ましい。前述したように、分子量の低い潤滑剤は粘性が低く、凹凸が残存した磁気記録媒体表面への塗布性は良いものの、沸点が低いため磁気記録媒体表面の保護性は高いとはいえない。したがって、図１（ｂ）に示すように、磁気記録媒体３０の表面に第２の潤滑剤１２ｂよりも分子量が小さい上記第１の潤滑剤１２ａを塗布することによって磁気記録媒体３０の表面の潤滑剤に対する濡れ性を高めた後、磁気記録媒体３０を溶媒に浸漬して磁気記録媒体３０の表面に塗布した第１の潤滑剤１２ａの余分なものを洗い流し、その後、磁気記録媒体３０に第２の潤滑剤１２ｂを塗布することにより分子量が高く沸点の高い潤滑剤層１２を均一に塗布することが可能となる。本発明では、第１の潤滑剤の洗い流しに使用できる溶媒として、フッ素系溶媒が好ましく、例えば、三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（商品名）等を用いることが好ましい。
【００３２】
更にまた、本発明では、磁気記録媒体３０の表面に第１の潤滑剤１２ａを塗布する前に、磁気録媒体３０の表面を水洗するのが好ましい。磁気記録媒体３０の表面の水洗は、磁気記録媒体３０の０表面に付着した埃等を洗い流す効果があると共に、磁気記録媒体３０の表面の潤滑剤に対する濡れ性を高める効果があり、磁気記録媒体３０の表面に均一に潤滑剤層１２を形成する上で効果がある。
【００３３】
次に、本実施形態に適用する磁気記録媒体について、図２を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施形態では、ディスクリート方式の磁気記録媒体の製造方法を用いるが、ビットパターン方式の磁気記録媒体においても類似した製造方法を用いることができる。
【００３４】
図２に示すように、本実施形態に適用する磁気記録媒体３０は、一般に非磁性基板１の表面に軟磁性層と、中間層と、磁気的パターンが形成された磁性領域及び分離領域からなる磁性層２と、保護膜層とが積層されて形成されている。
また、磁気記録媒体３０の最表面には、潤滑膜が形成された構造を有している。そして磁気的パターン領域である磁性領域が分離領域により分離された構造を有する。なお、図２には基板１及び磁性層２のみを示している。
また、磁性層２には、所定の箇所にその表層部が除去されて凹部２２が形成されている。ここで、ｄは凹部２２の深さである。凹部２２の底面は、非磁性化等により磁気特性が低下した領域（以下、磁気特性低下領域という）２１である。
図２に示すように、この磁気特性低下領域２１と凹部２２とにより、磁性層２が分離され、磁性領域となる凸部２３が形成される。なお、本実施形態では、非磁性化領域には磁気特性低下領域２１も含まれるものとする。
【００３５】
次に、本実施形態の磁気記録媒体３０の製造方法について、図３を参照しながら詳細に説明する。
図３に示すように、磁気記録媒体３０の製造方法は、非磁性基板１に、少なくとも磁性層２を形成する工程Ａと、磁性層２の上に炭素マスク層３を形成する工程Ｂと、炭素マスク層３の上にレジスト層４を形成する工程Ｃと、レジスト層４に磁気パターンのネガパターン（記録トラックを分離するため、記録トラックに対応してレジスト層に凹部を形成したものを本発明ではネガパターンという）を、スタンプ５を用いて転写することにより形成する工程Ｄと（工程Ｄにおける矢印はスタンプ５の動きを示す。また、８はネガパターンの形成で残ったレジスト層を示す。）、転写で残ったレジスト層８及び炭素マスク層３の磁気パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程Ｅと、炭素マスク３が除去されて露出した磁性層２の表層部をイオンミリング６により除去する工程Ｆ（７はその除去された箇所を示す。）と、表層部が除去された磁性層２に非磁性化領域を形成するステップと、例えば酸素やオゾン１０を暴露するステップあるいはレーザを照射するステップと、次いでレジスト４及び炭素マスク層３を除去するステップとからなる工程Ｇとを、この順に有するものである。
【００３６】
また上記の工程に加えて、磁性層２の磁気パターンのネガパターンに対応する部分に非磁性化領域を形成する工程の前に、その表面を、あらかじめフッ素系ガスに暴露するのが好ましい。さらに、レジスト層４および炭素マスク層３を除去する工程の後に、Ａｒ等の不活性ガス１１を照射して磁性層２の表層部をわずかに除去する工程Ｈと、その上に保護膜層９を形成する工程Ｉと、を設けることが好ましい。
【００３７】
非磁性基板１には、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラス類シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。中でもＡｌ合金基板や結晶化ガラス等のガラス製基板またはシリコン基板を用いることが好ましい。また、これら基板の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ましく、中でも０．１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
磁性層２には、面内磁性層又は垂直磁性層を適用することができるが、より高い記録密度を実現するためには垂直磁性層の適用が好ましい。これらの磁性層２には、主としてＣｏを主成分とする合金から形成するのが好ましい。
ここで、面内磁気記録媒体用の磁性層としては、例えば、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層からなる積層構造が利用できる。
一方、垂直磁気記録媒体用の磁性層としては、例えば、軟磁性のＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等からなる裏打ち層と、Ｐｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどの配向制御膜と、必要によりＲｕ等の中間層と、例えば６７Ｃｏ−１８Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金からなるグラニュラ構造の磁性層と、を積層したものを利用することがきる。
【００３９】
本実施形態では、磁性層２として、特に、グラニュラ構造の磁性層を用いることが、非磁性化領域を形成する際の反応性を高める上で好ましい。ここで、グラニュラ構造の磁性層とは、磁性粒子の周囲を酸化物が覆った構造を有する磁性層である。
酸化物には上記のＳｉＯ２の他に、Ｔｉ酸化物、Ｗ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｃｏ酸化物、Ｔａ酸化物、Ｒｕ酸化物などが用いられる。
磁性層２の厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすることが好ましい。また、磁性層２は、使用する磁性合金の種類および積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。磁性層２の膜厚は、再生の際に一定以上の出力を得ることが可能な程度の膜厚が必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメーターは出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な膜厚に設定する必要がある。通常、磁性層２はスパッタ法により薄膜として形成する。
【００４０】
本実施形態では、磁性層２の表面に炭素膜からなる炭素マスク層３を形成している。ここで、炭素マスク層３を構成する炭素膜は、酸素ガスを用いたドライエッチング（反応性イオンエッチングまたは反応性イオンミリング）が容易であるため、図３中の工程Ｇにおいて、残留物を減らし、磁気記録媒体３０の表面の汚染を減少させることができる。
上記炭素膜は、スパッタリング法、またはＣＶＤ法により成膜することができるが、ＣＶＤ法を用いた方がより緻密性の高い炭素膜を成膜することができる。
炭素マスク層３の膜厚は、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内とすることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内とする。ここで、炭素マスク層３の膜厚が５ｎｍより薄いと、炭素マスク層３のエッジ部分がだれて磁気パターンの形成特性が悪化する。また、レジスト層４及び炭素マスク層３を透過したイオンが磁性層２に侵入して、磁性層２の磁気特性を悪化させるため好ましくない。一方、炭素マスク層３の膜厚が４０ｎｍより厚くなると、炭素マスク層３のエッチング時間が長くなり生産性が低下する。また、炭素マスク層３をエッチングする際の残渣が磁性層２の表面に残留しやすくなるため好ましくない。
【００４１】
次に、炭素マスク層３の上に、レジスト層４を形成し、このレジスト層４に磁気パターンのネガパターンを形成する。レジスト層４にネガパターンを形成する方法は、通常のフォトリソグラフィー技術を用いることができるが、レジスト層４にスタンプを用いて、磁気パターンのネガパターンを転写する方法を用いることが作業効率の点から好ましい。
本実施形態では、図３中の工程Ｄに示すように、レジスト層４に磁気パターンのネガパターン形成後の、レジスト層４の凹部に残ったレジスト層８の厚さを、０〜２０ｎｍの範囲内とするのが好ましい。レジスト層４の凹部に残った厚さをこの範囲とすることにより、図３中の工程Ｅに示すような炭素マスク層３及び磁性層２のエッチング工程において、マスク層３のエッジの部分のダレを抑制することができると共に、炭素マスク層３のミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、また、炭素マスク層３による磁気パターン形成特性を向上させることができる。
【００４２】
本実施形態では、図３中の工程Ｃに示すレジスト層４に用いる材料を、放射線照射により硬化性を有する材料とし、レジスト層４にスタンプ５を用いてパターンを転写する工程に際して、または、パターン転写工程の後に、レジスト層４に放射線を照射することが好ましい。このような方法を用いることにより、レジスト層４に、スタンプ５の形状を精度良く転写することが可能となり、図３中の工程Ｅに示すような炭素マスク層３のエッチング工程において、炭素マスク層３のエッジの部分のダレを抑制し、炭素マスク層３のミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、また、炭素マスク層３による磁気パターン形成特性を向上させることができる。
また、本実施形態で用いる放射線とは、熱線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波である。また、放射線照射により硬化性を有する材料とは、例えば、熱線に対しては熱硬化樹脂、紫外線に対しては紫外線硬化樹脂である。
【００４３】
本実施形態では、レジスト層４にスタンプ５を用いてパターンを転写する工程に際して、レジスト層４の流動性が高い状態で、レジスト層４にスタンプ５を押圧し、その押圧した状態で、レジスト層４に放射線を照射することによりレジスト層４を硬化させ、その後、スタンプ５をレジスト層４から離すことにより、スタンプ５の形状を精度良く、レジスト層４に転写することが可能となる。
レジスト層４にスタンプ５を押圧した状態で、レジスト層４に放射線を照射する方法としては、スタンプ５の反対側、すなわち基板１側から放射線を照射する方法、スタンプ５の材料として放射線を透過できる物質を選択し、スタンプ５側から放射線を照射する方法、スタンプ５の側面から放射線を照射する方法、熱線のように固体に対して伝導性の高い放射線を用いて、スタンプ材料または基板１からの熱伝導により放射線を照射する方法を用いることができる。この中で特に、レジスト層４の材質としてノボラック系樹脂、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類等の紫外線硬化樹脂を用い、スタンプ５の材質として紫外線に対して透過性の高いガラスもしくは樹脂を用いるのが好ましい。
【００４４】
レジスト層４の材質として、特に、ＳｉＯ２系レジストを用いるのが好ましい。上記ＳｉＯ２系レジストは、酸素ガスを用いたドライエッチングに対して耐性が高く、よって炭素マスク層３にイオンミリングを用いて磁気パターンのネガパターンを形成するに際して像のぼけを低減することができる。すなわち、炭素マスク層３は酸素ガスを用いたドライエッチングによって容易に加工が可能であり、一方で、ＳｉＯ２系レジストは酸素ガスを用いたドライエッチングに対して耐性が高いため、ドライエッチングにより炭素マスク層３を垂直に切り立った形状に加工することが可能となり、シャープな形状の磁気パターンを製造することができる。
【００４５】
また、炭素マスク層３を除去し、その前にネガパターン形成後凹部にレジストが残っている場合（図３中の工程Ｄに示す符号８）には、そのレジスト８を除去する（図３中の工程Ｅを参照）。上記炭素マスク及びレジストの除去には反応性イオンエッチング、イオンミリングなどのドライエッチングの手法が用いられる。
【００４６】
本実施形態では、磁性層２で炭素マスク層３及びレジスト層４に覆われていない箇所を前記のような方法で非磁性化する工程を設けるが、その工程の前に、該箇所の磁性層２を除去する工程を設ける。除去は好ましくは磁性層２の表層部（図３中の工程Ｆに示すｄ）を０．１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内で行う。磁性層２の表層部は、その上に積層した炭素マスク層３や、大気の影響によって変質している場合があり、そのような変質層があると、磁性層２の非磁性化反応が効果的に作用しない場合がある。
磁性層２の除去は、例えば炭素マスク層３をイオンミリング、または、反応性イオンエッチングなどでドライエッチングした後に、引き続き、磁性層２をイオンミリングにてドライエッチングする。このような方法を採用することにより、残された磁性層２のエッジ部を垂直に形成することが可能となる。これは、磁性層２の上の炭素マスク層３が垂直に切り立った形状であるため、その下の磁性層２も同様の形状となるからである。このような工程を採用することにより、フリンジ特性の優れた磁性層２を形成することができる。
【００４７】
本実施形態では、前述したように、炭素マスク層３の反応性イオンエッチングを、酸素ガスを用いて行うのが好ましい。また、磁性層２のイオンミリングを、アルゴン、窒素等の不活性ガスを用いて行うことが好ましい。すなわち、炭素マスク層３のミリングイオンと磁性層２のミリングイオンとを、それぞれ最適なものに変えるのが好ましい。
また、磁性層２で炭素マスク層３及びレジスト層４に覆われていない箇所を非磁性化処理する前に、その表面をフッ素系ガスに暴露するのが好ましい。このような処理を行うことにより、磁性層２の表面の反応性を高め、非磁性化反応をより効率的に実現することが可能となる。
【００４８】
本実施形態では、磁性層２として、上述したようにグラニュラ構造の磁性層を用いるのが好ましい。グラニュラ構造の磁性層とは、磁性粒子の周囲を酸化物が覆った構造を有する磁性層であり、磁性結晶が非磁性相で分離されているため、磁性粒間の磁気的相互作用が微弱であり、かつ、磁性結晶粒が微細であるので極めて低ノイズの磁性層を形成できる特徴を有する。このような磁性層２を酸素やオゾンで非磁性化処理した場合、粒界に存在する酸化物層を、選択的にフッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチング装置などでの処理によりエッチングでき、磁性層２中のＣｏなどの金属と酸素やオゾンとの酸化反応が促進でき、より効率よく磁性層２の磁気特性を変化させることができる。
また本実施形態において、磁性層２としてグラニュラ構造とその上に形成された非グラニュラ構造との２層構造とすることができる。
【００４９】
本実施形態の磁気記録媒体３０は、図２に示すように、記録密度を高めるため、磁気的パターンを有する磁性層２の磁性部の幅Ｗを２００ｎｍ以下、非磁性部の幅Ｌを１００ｎｍ以下とすることが好ましい。従って、トラックピッチＰ（＝Ｗ＋Ｌ）は３００ｎｍ以下の範囲で、データ領域における記録密度を高めるためにはできるだけ狭くする。
ここで、本発明の、磁気的に分離した磁気パターンとは、磁性層２が磁気記録媒体３０の表面側から見て分離されていれば、磁性層２の底部において分離されていなくとも、本発明の目的を達成することが可能であり、本発明の磁気的に分離した磁気パターンの概念に含まれる。さらに、本発明の磁気パターンとは、磁気パターンが１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるビットパターン方式によるものや、磁気パターンが、トラック状に配置された、いわゆるディスクリート方式によるものや、前述のように、サーボ情報信号パターンや、バースト信号パターン等を含んでいる。
【００５０】
本実施形態では、磁気的に分離した磁気パターンが、磁気記録トラック及びサーボ信号パターンである、いわゆる、ディスクリート方式磁気記録媒体に適用するのが、その製造における簡便性から好ましい。
本実施形態の磁気記録媒体３０を製造する場合、磁性層２を部分的に非磁性化処理した後、磁性層２の上に設けられているレジスト層４および炭素マスク層３を除去する工程を設ける。このレジスト層およびマスク層の除去方法に際しては、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリングなどの手法を用いることが好ましい。
【００５１】
本実施形態の磁気記録媒体３０を製造する場合、図３中の工程Ｈに示すように、磁性層２の表面でオゾン等により非磁性化処理された最表面層を除去する目的でＡｒなどの不活性ガスでその表層部を１〜２ｎｍの範囲内でエッチングする工程を設けるのが好ましい。この領域においては磁性層２の表面が粗面化している場合があるからである。
本実施形態では、図３中の工程Ｉに示すように、レジスト層４および炭素マスク層３を除去した後の磁性層２（図２に示す、磁性領域（凸部２３）および非磁性材料を埋め込んだ領域（磁気特性低下領域２１）、または非磁性材料を埋め込まない凹部２２の領域）の表面に、保護膜層９を形成する。
【００５２】
保護膜層９には、炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨｘＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層や、ＳｉＯ２、Ｚｒ２Ｏ３、ＴｉＮなど、通常用いられる保護膜層材料を用いることができる。また、保護膜層９は、２層以上の層から構成されてもよい。
【００５３】
保護膜層９の膜厚は、１０ｎｍ以下とする必要がある。ここで、保護膜層９の膜厚が１０ｎｍを越えるとヘッドと磁性層との距離が大きくなり、十分な出入力信号の強さが得られなくなるため好ましくない。また、保護膜層９は、スパッタ法もしくはＣＶＤ法により形成することができる。
【００５４】
そして、保護膜層９の上には、前述したように潤滑剤層１２を形成する（図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照）。この潤滑剤層１２は、通常１〜４ｎｍの厚さに形成する。
【００５５】
次に、本発明を適用した磁気記録再生装置４１の構成を図４に示す。本発明の磁気記録再生装置４１は、上述した磁気記録媒体３０と、これを記録方向に駆動する媒体駆動部３４と、記録部と再生部からなる磁気ヘッド３１と、磁気ヘッド３１を磁気記録媒体３０に対して相対運動させるヘッド駆動部３３と、磁気ヘッド３１への信号入力と磁気ヘッド３１からの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を組み合わせた記録再生信号系３２とを具備したものである。これらを組み合わせることにより記録密度の高い磁気記録再生装置４１を構成することが可能となる。磁気記録媒体３０の記録トラックを磁気的に不連続に加工したことによって、従来はトラックエッジ部の磁化遷移領域の影響を排除するために再生ヘッド幅を記録ヘッド幅よりも狭くして対応していたものを、両者をほぼ同じ幅にして動作させることができる。これにより十分な再生出力と高いＳＮＲを得ることができるようになる。
【００５６】
さらに、上述の磁気ヘッド３１の再生部をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記録再生装置４１を実現することができる。またこの磁気ヘッド３１の浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍと従来よりも低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置ＳＮＲが得られ、大容量で高信頼性の磁気記録再生装置４１を提供することができる。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１００ｋトラック／インチ以上、線記録密度１０００ｋビット／インチ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮＲが得られる。
【実施例】
【００５７】
以下に実施例及び比較例を示し、本発明の効果をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【００５８】
（磁気記録媒体の製造）
ＨＤ用ガラス基板をセットした真空チャンバをあらかじめ１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板は、Ｌｉ２Ｓｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスを材質とした。また、ガラス基板は、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）は２オングストロームである。
上記ガラス基板にＤＣスパッタリング法を用いて、軟磁性層として６０Ｆｅ３０Ｃｏ１０Ｂ、中間層としてＲｕ、グラニュラ構造の磁性層として７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金、Ｐ−ＣＶＤ法を用いて炭素マスク層の順に薄膜を積層した。それぞれの層の膜厚は、６０Ｆｅ３０Ｃｏ１０Ｂからなる軟磁性層は６０ｎｍ、Ｒｕ中間層は１０ｎｍ、磁性層は１５ｎｍ、炭素マスク層は３０ｎｍとした。その上に、ＳｉＯ２レジストをスピンコート法により塗布し、膜厚を１００ｎｍとした。
【００５９】
その上に、磁気パターンのネガパターンを有するガラス製のスタンプを用いて、スタンプを１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力で、レジスト層に押圧した。その後、スタンプをレジスト層から分離し、レジスト層に磁気パターンを転写した。レジスト層に転写した磁気パターンは、データ領域はレジストの凸部が幅１２０ｎｍの円環状とし、レジストの凹部も幅１２０ｎｍの円環状とした。
なお、レジスト層の層厚は８０ｎｍ、レジスト層の凹部（底部）の厚さは約５ｎｍであった。また、レジスト層凹部の基板面に対する角度は、ほぼ９０度であった。
【００６０】
先ず、凹部に残っていたレジスト層はＣＦ４を用い、０．５Ｐａ・４０ｓｃｃｍでプラズマ電力２００Ｗ、バイアス２０Ｗ、エッチング時間１０秒で除去した。
その後、レジスト層の凹部の箇所について、炭素マスク層をドライエッチングで、磁性層の表層部をイオンエッチングで除去した。ドライエッチング条件は、炭素マスク層についてはＯ２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ，高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時３０秒とした。
【００６１】
また、磁性層は、Ｎ２ガスを１０ｓｃｃｍ、圧力０．１Ｐａ、加速電圧３００Ｖでエッチング時間を５秒とした。磁性層の凹部の深さ（図３中の工程Ｆに示すｄ）は約１ｎｍであった。
その後、磁性層で炭素マスク層に覆われていない箇所をオゾンガスに暴露した。オゾンガスの暴露は、チャンバ内にオゾンガスを４０ｓｃｃｍで流し、１Ｐａ、１０秒、基板温度１５０℃の条件にて行った。
【００６２】
その後、磁気記録媒体表面の炭素マスク層およびレジスト層をドライエッチングにより除去した。その後、イオンミリング装置にてＡｒガスを１０ｓｃｃｍ，０．５Ｐａ、５秒の条件にて磁性層の表面を約１〜２ｎｍの範囲でエッチングし、ＣＶＤ法によりカーボン保護膜５ｎｍを成膜した。
【００６３】
（実施例１）
上記の方法で製造した磁気記録媒体に、第１の潤滑剤として平均分子量１５００のパーフルオロポリエーテル（Tetraol（商品名））からなる潤滑剤を１ｎｍの膜厚で塗布した。溶剤にはバートレル（商品名）を用いた。溶液の濃度は０．３質量％とした。潤滑剤を塗布した後、この磁気記録媒体を約３０分放置し、その後、第２の潤滑剤として、平均分子量２２００のパーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を１ｎｍの膜厚で塗布した。
【００６４】
（実施例２）
実施例１と同様に第１及び第２の潤滑剤を塗布したが、第１回目の潤滑剤塗布の前に、磁気記録媒体表面の純水を用いてスピン洗浄した。スピン洗浄は磁気記録媒体を２００ｒｐｍで回転させながら、磁気記録媒体の両面に純水を５ｃｃ／秒で供給しながら行った。
【００６５】
（実施例３）
実施例１と同様に第１及び第２の潤滑剤を塗布したが、第１の潤滑剤として平均分子量１０００のパーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を用いた。
【００６６】
（実施例４）
実施例３と同様に第１及び第２の潤滑剤を塗布したが、第１の潤滑剤の塗布と第２の潤滑剤の塗布の間に、磁気記録媒体を溶剤（バートレル（商品名））中に３０秒間浸浸した。また第２の潤滑剤の膜厚を１．５ｎｍとした。なお、磁気記録媒体を溶剤中に浸浸した後の第１の潤滑剤の膜厚は０．５ｎｍであった。
【００６７】
（比較例）
磁気記録媒体にパーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を２ｎｍの膜厚で塗布した。パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤には、平均分子量２２００のTetraol（商品名）を用いた。
【００６８】
（磁気記録媒体への潤滑剤の塗布性の評価）
磁気記録媒体への潤滑剤の塗布性を評価するため、実施例１〜４および比較例で製造した磁気記録媒体上に磁気記録再生ヘッドを浮上走行させた際のヘッド汚染評価を行った。ここで、磁気記録媒体表面への潤滑剤の塗布性が悪い場合には、ヘッドに潤滑剤が付着してヘッドが汚染しやすくなる。
【００６９】
ヘッド汚染評価は、検査用ヘッド（ＴＤＫ／ＳＡＥ社製：Tiger3（商品名））を用いて所定の検査条件で２５枚（５０面）の磁気記録媒体の磁気欠陥検査（Cetify Test）を行った際のヘッド汚染量を調べた。評価結果を表１に示す。
【００７０】
【表１】
2010061708.tif 000003
【００７１】
（評価結果）
表１に示すように、比較例のヘッド汚染量は５０％であるのに対して、実施例１〜４のヘッド汚染量はほとんど３％以下であった。以上の結果より、本発明を適用した実施例１〜４では、潤滑剤の付着によるヘッド汚染が抑制されることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明によれば、表面に凹凸形状の磁気パターンを有する磁気記録媒体において、磁気記録媒体の表面に潤滑剤を均一に塗布できるため磁気記録再生ヘッドの汚染や破損が少なく、信頼性の高い磁気記録再生装置を提供可能となり産業上の利用可能性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】図１は、本発明を適用した磁気記録媒体表面における潤滑剤の状態を模式的に示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した一実施形態の磁気記録媒体の基板及び磁性層の断面構造を模式的に示す図である。
【図３】図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を模式的に示す工程図である。
【図４】図４は、本発明の磁気記再生装置の構成を説明する図である。
【図５】図５は、従来の磁気記録媒体表面における潤滑剤の状態を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…非磁性基板、２…磁性層、３…炭素マスク層、４…レジスト層、５…スタンプ、６…イオンミリング、７…除去された箇所、８…レジスト層、９…保護膜層、１０…酸素又はオゾン、１１…不活性ガス、１２…潤滑剤層、１２ａ…第１の潤滑剤、１２ｂ…第２の潤滑剤、２１…磁気特性低下領域、２２…凹部、２３…凸部、３０…磁気記録媒体、３１…磁気ヘッド、３２…記録再生信号系、３３…ヘッド駆動部、３４…媒体駆動部、４１…磁気記録再生装置
【図１】
2010061708.tif 000004
【図２】
2010061708.tif 000005
【図３】
2010061708.tif 000006
【図４】
2010061708.tif 000007
【図５】
2010061708.tif 000008