(57)【要約】【課題】スループットの低下を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、露光光を射出する光学部材と、基板を保持する第１，第２保持部と、第１，第２保持部の周囲の少なくとも一部に配置された第１，第２面とを有し、所定面上を基板を保持して移動可能な第１，第２部材を備える。第１，第２面は、第１，第２エッジを有し、第１，第２保持部に保持された基板の少なくとも１つのショット領域の露光は、光学部材に対して第１，第２部材を第１，第２エッジと非平行且つ非垂直な第１，２方向に移動しながら実行される。光学部材と第１面とが対向する第１状態が、光学部材と第２面とが対向する第２状態に変化する間に、第１エッジと第２エッジとを接近又は接触させた状態が維持されるように第１，第２部材を移動する。【選択図】図３
2010016111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光を射出する光学部材と、
基板を保持する第１保持部と、該第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置された第１面とを有し、所定面上を基板を保持して移動可能な第１部材と、
基板を保持する第２保持部と、該第２保持部の周囲の少なくとも一部に配置された第２面とを有し、前記所定面上を基板を保持して移動可能な第２部材と、を備え、
前記第１面は、第１エッジを有し、
前記第２面は、第２エッジを有し、
前記第１保持部に保持された基板の少なくとも１つのショット領域の露光は、前記光学部材に対して前記第１部材を前記第１エッジと非平行且つ非垂直な第１方向に移動しながら実行され、
前記第２保持部に保持された基板の少なくとも１つのショット領域の露光は、前記光学部材に対して前記第２部材を前記第２エッジと非平行且つ非垂直な第２方向に移動しながら実行され、
前記光学部材の射出面の少なくとも一部と前記第１面とが対向する第１状態が、前記光学部材の射出面の少なくとも一部と前記第２面とが対向する第２状態に変化する間に、前記第１エッジと前記第２エッジとを接近又は接触させた状態が維持されるように前記第１部材と前記第２部材とを移動する露光装置。
【請求項２】
前記第１エッジ及び前記第２エッジはそれぞれ直線であり、
前記第１エッジと前記第２エッジとを接近又は接触させた状態が維持されるように、前記第１エッジ及び前記第２エッジと交差する方向に、前記第１部材と前記第２部材とを移動する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１状態が前記第２状態に変化する間に、前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方と前記光学部材の射出面との間の空間は液体を保持可能である請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１部材及び前記第２部材のそれぞれは、前記露光光の照射位置を含む第１領域、基板交換位置を含み前記第１領域の一側に配置される第２領域、及び前記第１領域の他側に配置される第３領域を有する所定面上で移動可能であり、
前記第１部材が前記第１領域内に配置されているとき、前記第２部材を前記第２領域から前記第３領域へ移動する請求項１〜３のいずれいか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１部材の前記第１保持部に保持された基板の露光中に、前記第２部材が前記第２領域から前記第３領域へ移動される請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２部材が前記第２領域から前記第３領域へ移動した後に、前記第１エッジと前記第２エッジとを接近又は接触させた状態を維持しつつ前記第１部材と前記第２部材とを移動する請求項４又は５記載の露光装置。
【請求項７】
前記第２状態において、前記第２部材が前記第１領域に配置される請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１部材の前記第１領域から前記第２領域への移動の少なくとも一部と並行して、前記第２部材上の基板を露光するために、前記第２部材が前記第３領域から前記第１領域へ移動する請求項４〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
基板の複数のショット領域が順次露光され、
前記第２部材上の基板の最初に露光されるショット領域と前記照射位置との距離が短くなるように、前記第２部材を前記第３領域へ移動する請求項４〜８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１部材は、前記第１保持部の周囲に配置され、第１プレート部材を保持する第３保持部を有し、
前記第２部材は、前記第２保持部の周囲に配置され、第２プレート部材を保持する第４保持部を有し、
前記第１面は、前記第３保持部に保持された前記第１プレート部材の表面を含み、
前記第２面は、前記第４保持部に保持された前記第２プレート部材の表面を含む請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
基板の複数のショット領域が順次露光され、
前記第１エッジに近い前記第１部材上の基板のショット領域を最後に露光し、
前記第２エッジに近い前記第２部材上の基板のショット領域を最初に露光する請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光を射出する光学部材と、
基板を保持する第１保持部を有し、前記露光光の照射位置を含む第１領域、基板交換位置を含み前記第１領域の一側に配置される第２領域、及び前記第１領域の他側に配置される第３領域を有する所定面上を基板を保持して移動可能な第１部材と、
基板を保持する第２保持部を有し、前記所定面上を基板を保持して移動可能な第２部材と、を備え、
前記第１部材が前記第１領域に配置されているとき、前記第２部材を前記第２領域から前記第３領域へ移動する露光装置。
【請求項１３】
前記所定面上で前記第１、第２部材を移動するための平面モータを含む請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光光で基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。
【特許文献１】米国特許第６２６２７９６号明細書
【特許文献２】米国特許第６３４１００７号明細書
【特許文献３】米国特許第７３７２５３８号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
露光装置においては、複数の基板が順次露光される。例えば第１の基板の露光が終了してから、次の第２の基板の露光が開始されるまでの時間が長くなると、スループットが低下する可能性がある。その結果、デバイスの生産性が低下する可能性がある。
【０００４】
本発明の態様は、スループットの低下を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、生産性の低下を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光を射出する光学部材と、基板を保持する第１保持部と、第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置された第１面とを有し、所定面上を基板を保持して移動可能な第１部材と、基板を保持する第２保持部と、第２保持部の周囲の少なくとも一部に配置された第２面とを有し、所定面上を基板を保持して移動可能な第２部材と、を備え、第１面は、第１エッジを有し、第２面は、第２エッジを有し、第１保持部に保持された基板の少なくとも１つのショット領域の露光は、光学部材に対して第１部材を第１エッジと非平行且つ非垂直な第１方向に移動しながら実行され、第２保持部に保持された基板の少なくとも１つのショット領域の露光は、光学部材に対して第２部材を第２エッジと非平行且つ非垂直な第２方向に移動しながら実行され、光学部材の射出面の少なくとも一部と第１面とが対向する第１状態が、光学部材の射出面の少なくとも一部と第２面とが対向する第２状態に変化する間に、第１エッジと第２エッジとを接近又は接触させた状態が維持されるように第１部材と第２部材とを移動する露光装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光を射出する光学部材と、基板を保持する第１保持部を有し、露光光の照射位置を含む第１領域、基板交換位置を含み第１領域の一側に配置される第２領域、及び第１領域の他側に配置される第３領域を有する所定面上を基板を保持して移動可能な第１部材と、基板を保持する第２保持部を有し、所定面上を基板を保持して移動可能な第２部材と、を備え、第１部材が第１領域に配置されているとき、第２部材を第２領域から第３領域へ移動する露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、第１，第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、スループットの低下を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１０】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１１】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持して移動可能な第１，第２基板ステージ１，２と、ベース部材４のガイド面５上でマスクステージ３を移動するための駆動システム６と、ベース部材７のガイド面８上で第１，第２基板ステージ１，２を移動するための駆動システム９と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する液浸部材１０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置１１とを備えている。
【００１２】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００１３】
マスクステージ３は、マスクＭをリリース可能に保持する。マスクステージ３は、照明領域ＩＲを含むベース部材４のガイド面５上をマスクＭを保持して移動可能である。ガイド面５は、ＸＹ平面とほぼ平行である。マスクステージ３は、駆動システム６の作動により、ガイド面５上を移動する。本実施形態において、駆動システム６は、ガイド面５上でマスクステージ３を移動するための平面モータを含む。マスクステージ３を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ３に配置されたマグネットアレイ３Ｍと、ベース部材４に配置されたコイルアレイ４Ｃとを有する。本実施形態においては、マスクステージ３は、平面モータを含む駆動システム６の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００１４】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸はＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００１５】
第１，第２基板ステージ１，２のそれぞれは、基板Ｐをリリース可能に保持する。第１，第２基板ステージ１，２のそれぞれは、投影領域ＰＲを含むベース部材７のガイド面８上を基板Ｐを保持して移動可能である。ガイド面８は、ＸＹ平面とほぼ平行である。第１，第２基板ステージ１，２は、駆動システム９の作動により、ガイド面８上を移動する。本実施形態において、駆動システム９は、ガイド面８上で第１，第２基板ステージ１，２を移動するための平面モータを含む。第１，第２基板ステージ１，２を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、第１，第２基板ステージ１，２に配置されたマグネットアレイ１Ｍ，２Ｍと、ベース部材７に配置されたコイルアレイ７Ｃとを有する。本実施形態においては、第１，第２基板ステージ１，２は、平面モータを含む駆動システム９の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００１６】
本実施形態において、マスクステージ３、第１基板ステージ１、及び第２基板ステージ２の位置情報は、レーザ干渉計を含む干渉計システム（不図示）によって計測される。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置１１は、干渉計システムの計測結果に基づいて、駆動システム６，９を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、第１基板ステージ１（基板Ｐ）、及び第２基板ステージ２（基板Ｐ）の位置制御を実行する。
【００１７】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光処理が実行される露光ステーションＳＴ１と、露光に関する所定の計測処理及び基板Ｐの交換処理が実行される計測ステーションＳＴ２とを備えている。第１，第２基板ステージ１，２のそれぞれは、基板Ｐを保持した状態で、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間で移動可能である。ベース部材７のガイド面８は、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２とに亘るように配置されている。第１，第２基板ステージ１，２のそれぞれは、ガイド面８に沿って露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間で移動可能である。
【００１８】
露光ステーションＳＴ１には、照明系ＩＬ、マスクステージ３、及び投影光学系ＰＬ等が配置されている。露光ステーションＳＴ１は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１４から射出される露光光ＥＬの照射位置ＥＰを有する。投影領域ＰＲは、露光光ＥＬの照射位置ＥＰを含む。
【００１９】
計測ステーションＳＴ２には、ＸＹ平面内における基板Ｐの位置情報を取得するためのアライメント系１２、及び基板Ｐの表面の位置情報を取得するためのフォーカス・レベリング検出系（不図示）等、基板Ｐの露光に関する計測を実行可能な各種計測装置が配置されている。アライメント系１２は、基板Ｐのアライメントマークを検出して、ＸＹ平面内における基板Ｐのショット領域Ｓの位置情報を計測する。
【００２０】
計測ステーションＳＴ２は、基板交換位置ＲＰを有する。計測ステーションＳＴ２の近傍には、基板Ｐを搬送可能な搬送装置１３が配置されている。搬送装置１３は、基板Ｐの交換処理を実行可能である。制御装置１１は、第１基板ステージ１（又は第２基板ステージ２）を計測ステーションＳＴ２の基板交換位置ＲＰに移動して、搬送装置１３を用いて、その基板交換位置ＲＰに配置された第１基板ステージ１（又は第２基板ステージ２）から露光後の基板Ｐを搬出（アンロード）する動作、及び第１基板ステージ１（又は第２基板ステージ２）に露光前の基板Ｐを搬入（ロード）する動作の少なくとも一方を含む基板Ｐの交換処理を実行可能である。
【００２１】
ガイド面８は、露光光ＥＬの照射位置ＥＰを含む第１領域１５と、基板交換位置ＲＰを含み、第１領域１５の＋Ｙ側に配置される第２領域１６と、第１領域１５の−Ｙ側に配置される第３領域１７とを有する。第１，第２基板ステージ１，２のそれぞれは、第１，第２，第３領域１５，１６，１７を含むガイド面８上で移動可能である。
【００２２】
図２は、本実施形態に係る第１，第２基板ステージ１，２、及び液浸部材１０の一例を示す側断面図である。
【００２３】
図２において、第１基板ステージ１は、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部１８と、第１保持部１８の周囲に配置された上面１９とを有する。本実施形態において、第１保持部１８は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。上面１９は、ＸＹ平面とほぼ平行である。本実施形態において、第１保持部１８に保持された基板Ｐの表面と、上面１９とは、ほぼ同一平面内に配置される（面一である）。
【００２４】
第２基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する第２保持部２０と、第２保持部２０の周囲に配置された上面２１とを有する。本実施形態において、第２保持部２０は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。上面２１は、ＸＹ平面とほぼ平行である。本実施形態において、第２保持部２０に保持された基板Ｐの表面と、上面２１とは、ほぼ同一平面内に配置される（面一である）。
【００２５】
また、本実施形態においては、制御装置１１は、上面１９と上面２１とがほぼ同一平面内に配置されるように、第１，第２基板ステージ１，２の位置を調整することができる。
【００２６】
第１，第２保持部１８，２０のそれぞれは、所謂、ピンチャック機構を有する。第１保持部１８は、第１基板ステージ１のチャック面２２に配置され、基板Ｐの裏面を支持する複数の凸部２３と、チャック面２２において複数の凸部２３の周囲に配置された第１周壁２４と、第１周壁２４の内側のチャック面２２に設けられ、気体を吸引可能な複数の吸引口２５とを備えている。基板Ｐの裏面と第１周壁２４とチャック面２２とで囲まれた空間の気体が吸引口２５により吸引され、その空間が負圧になることによって、基板Ｐの裏面が凸部２３に吸着保持される。また、吸引口２５を用いる吸引動作が停止されることによって、第１保持部１８より基板Ｐを外すことができる。第２保持部２０は、第１保持部１８と同等の構成を有し、基板Ｐをリリース可能に保持する。第２保持部２０についての説明は省略する。
【００２７】
本実施形態において、第１基板ステージ１は、基板Ｐの周囲に配置される第１プレート部材Ｔ１と、第１保持部１８の周囲に配置され、第１プレート部材Ｔ１をリリース可能に保持する第３保持部２６とを有する。第２基板ステージ２は、基板Ｐの周囲に配置される第２プレート部材Ｔ２と、第２保持部２０の周囲に配置され、第２プレート部材Ｔ２をリリース可能に保持する第４保持部２７とを有する。
【００２８】
第１プレート部材Ｔ１は、基板Ｐを配置可能な開口を有する。第３保持部２６は、第１保持部１８に保持された基板Ｐの周囲に第１プレート部材Ｔ１が配置されるように、第１プレート部材Ｔ１を保持する。第１保持部１８は、第１プレート部材Ｔ１の開口の内側で、基板Ｐを保持する。第１保持部１８に保持された基板Ｐの外側エッジと、第３保持部２６に保持された第１プレート部材Ｔ１の開口の内側エッジとの間に、所定のギャップが形成される。第３保持部２６は、第１プレート部材Ｔ１の表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、第１プレート部材Ｔ１を保持する。第１保持部１８に保持された基板Ｐの表面と第３保持部２６に保持された第１プレート部材Ｔ１の表面とは、ほぼ同一平面内に配置される。本実施形態において、第１基板ステージ１の上面１９は、第３保持部２６に保持された第１プレート部材Ｔ１の表面を含む。
【００２９】
第２プレート部材Ｔ２は、基板Ｐを配置可能な開口を有する。第４保持部２７は、第２保持部２０に保持された基板Ｐの周囲に第２プレート部材Ｔ２が配置されるように、第２プレート部材Ｔ２を保持する。第２保持部２０は、第２プレート部材Ｔ２の開口の内側で、基板Ｐを保持する。第２保持部２０に保持された基板Ｐの外側エッジと、第４保持部２７に保持された第２プレート部材Ｔ２の開口の内側エッジとの間に、所定のギャップが形成される。第４保持部２７は、第２プレート部材Ｔ２の表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、第２プレート部材Ｔ２を保持する。第２保持部２０に保持された基板Ｐの表面と第４保持部２７に保持された第２プレート部材Ｔ２の表面とは、ほぼ同一平面内に配置される。本実施形態において、第２基板ステージ２の上面２１は、第４保持部２７に保持された第２プレート部材Ｔ２の表面を含む。
【００３０】
第３，第４保持部２６，２７のそれぞれは、所謂、ピンチャック機構を有する。第３保持部２６は、第１基板ステージ１のチャック面２８において第１周壁２４の周囲に形成された第２周壁２９と、チャック面２８において第２周壁２９の周囲に形成された第３周壁３０と、第２周壁２９と第３周壁３０との間のチャック面２８に形成され、第１プレート部材Ｔ１の裏面を支持する複数の凸部３１と、第２周壁２９と第３周壁３０との間のチャック面２８に設けられ、気体を吸引可能な複数の吸引口３２とを備えている。
【００３１】
第１プレート部材Ｔ１の裏面と第２周壁２９と第３周壁３０とチャック面２８とで囲まれた空間の気体が吸引口３２により吸引され、その空間が負圧になることによって、第１プレート部材Ｔ１の下面が凸部３１に吸着保持される。また、吸引口３２を用いる吸引動作が停止されることによって、第３保持部２６よりプレート部材Ｔを外すことができる。第４保持部２７は、第３保持部２６と同等の構成を有し、第２プレート部材Ｔ２をリリース可能に保持する。第４保持部２７についての説明は省略する。
【００３２】
液浸部材１０は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成できる。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。液浸部材１０は、投影光学系ＰＬの終端光学素子１４の近傍に配置される。液浸部材１０は、環状の部材である。液浸部材１０は、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。
【００３３】
本実施形態において、液浸部材１０は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、あるいは欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材であって、液体ＬＱを供給する供給口３３と、液体ＬＱを回収する回収口３４とを有する。液浸部材１０は、終端光学素子１４の射出面３５から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材１０は、終端光学素子１４と、露光光ＥＬの照射位置ＥＰ（投影領域ＰＲ）に配置された物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液浸部材１０は、物体と対向可能な下面３６を有し、下面３６と物体との間で液体ＬＱを保持可能である。本実施形態において、照射位置ＥＰに配置可能な物体は、照射位置ＥＰに移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、第１，第２基板ステージ１，２、及び第１，第２基板ステージ１，２に保持された基板Ｐの少なくとも一つを含む。
【００３４】
少なくとも基板Ｐの露光時、終端光学素子１４の射出面３５から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、一方側の終端光学素子１４及び液浸部材１０と他方側の基板Ｐとの間に液体ＬＱが保持され、液浸空間ＬＳが形成される。本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）の少なくとも一部は、液浸部材１０の下面３６と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。制御装置１１は、供給口３３を用いる液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３４を用いる液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１４及び液浸部材１０と他方側の基板Ｐ（物体）との間に、液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００３５】
図３は、本実施形態に係る第１，第２基板ステージ１，２の一例を示す平面図である。図３に示すように、基板Ｐは、露光対象領域である複数のショット領域Ｓを有する。ショット領域Ｓは、基板Ｐ上にマトリクス状に配置されている。
【００３６】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態において、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【００３７】
例えば、第１基板ステージ１（第１保持部１８）に保持された基板Ｐのショット領域Ｓを露光するとき、制御装置１１は、基板Ｐを保持した第１基板ステージ１を露光ステーションＳＴ１に配置する。制御装置１１は、露光ステーションＳＴ１において、マスクステージ３及び第１基板ステージ１を制御して、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲ（終端光学素子１４）に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐのショット領域Ｓが露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が第１のショット領域Ｓに投影される。
【００３８】
本実施形態において、制御装置１１は、基板Ｐの複数のショット領域Ｓを順次露光する。例えば基板Ｐの第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、制御装置１１は、次の第２のショット領域Ｓの露光を開始するために、液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板Ｐの表面をＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動する動作（ステッピング動作）を実行し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。そして、制御装置１１は、第２のショット領域Ｓの露光を開始する。
【００３９】
制御装置１１は、終端光学素子１４（投影領域ＰＲ）に対してショット領域ＳをＹ軸方向に移動しながらそのショット領域Ｓを露光するスキャン露光動作と、そのショット領域Ｓの露光が終了した後、次のショット領域Ｓを露光開始位置に移動するためのステッピング動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【００４０】
同様に、第２基板ステージ２（第２保持部２０）に保持された基板Ｐのショット領域Ｓを露光するとき、制御装置１１は、基板Ｐを保持した第２基板ステージ２を露光ステーションＳＴ１に配置する。制御装置１１は、露光ステーションＳＴ１において、第２基板ステージ２に保持されている基板Ｐの複数のショット領域Ｓを順次露光する。
【００４１】
図３に示すように、本実施形態においては、上面１９と上面２１とは、ほぼ同じ形状であり、ほぼ同じ大きさである。本実施形態においては、第１基板ステージ１の上面１９は、基板Ｐのショット領域Ｓの露光時に、Ｘ軸とほぼ平行であり、第１保持部１８に保持された基板Ｐの中心に対して−Ｙ側に配置されるエッジＥ１と、Ｘ軸とほぼ平行であり、基板Ｐの中心に対して＋Ｙ側に配置されるエッジＥ２と、Ｙ軸とほぼ平行であり、基板Ｐの中心に対して＋Ｘ側に配置されるエッジＥ３と、Ｙ軸とほぼ平行であり、基板Ｐの中心に対して−Ｘ側に配置されるエッジＥ４と、エッジＥ１とエッジＥ３とを結ぶエッジＥ５と、エッジＥ２とエッジＥ４とを結ぶエッジＥ６とを有する。エッジＥ５，Ｅ６は、Ｘ軸（Ｙ軸）と非平行且つ非垂直である。
【００４２】
本実施形態において、エッジＥ１〜Ｅ６はそれぞれ直線である。本実施形態において、エッジＥ１（エッジＥ３）とエッジＥ５とがなす角度は、約１３５度であり、エッジＥ２（エッジＥ４）とエッジＥ６とがなす角度は、約１３５度である。なお、エッジＥ１とエッジＥ５とがなす角度、及びエッジＥ２とエッジＥ６とがなす角度は、１３５度でなくてもよい。また、本実施形態においては、エッジＥ１とエッジＥ５とがなす角度が、エッジＥ２とエッジＥ６とがなす角度と同じであるが、同じでなくてもよい。
【００４３】
また、第２基板ステージ２の上面２１は、基板Ｐのショット領域Ｓの露光時に、Ｘ軸とほぼ平行であり、第２保持部２０に保持された基板Ｐの中心に対して−Ｙ側に配置されるエッジＥ７と、Ｘ軸とほぼ平行であり、基板Ｐの中心に対して＋Ｙ側に配置されるエッジＥ８と、Ｙ軸とほぼ平行であり、基板Ｐの中心に対して＋Ｘ側に配置されるエッジＥ９と、Ｙ軸とほぼ平行であり、基板Ｐの中心に対して−Ｘ側に配置されるエッジＥ１０と、エッジＥ７とエッジＥ９とを結ぶエッジＥ１１と、エッジＥ８とエッジＥ１０とを結ぶエッジＥ１２とを有する。エッジＥ１１，Ｅ１２は、Ｘ軸（Ｙ軸）と非平行且つ非垂直である。
【００４４】
本実施形態において、エッジＥ７〜Ｅ１２はそれぞれ直線である。本実施形態において、エッジＥ７（エッジＥ９）とエッジＥ１１とがなす角度は、約１３５度であり、エッジＥ８（エッジＥ１０）とエッジＥ１２とがなす角度は、約１３５度である。なお、エッジＥ７とエッジＥ１１とがなす角度、及びエッジＥ８とエッジＥ１２とがなす角度は、１３５度でなくてもよい。また、本実施形態においては、エッジＥ７とエッジＥ１１とがなす角度が、エッジＥ８とエッジＥ１２とがなす角度と同じであるが、同じでなくてもよい。
【００４５】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について、図３〜図７の模式図を参照して説明する。図３に示すように、例えば第１基板ステージ１が露光ステーションＳＴ１の第１領域１５に配置されているときに、第２基板ステージ２が計測ステーションＳＴ２の第２領域１６において所定の処理を実行する。本実施形態においては、第２領域１６は、第１領域１５の＋Ｙ側に離れて配置されている。
【００４６】
制御装置１１は、第１領域１５において、第１基板ステージ１の移動を制御して、第１保持部１８に保持されている基板Ｐのショット領域Ｓを液体ＬＱを介して順次露光する。第１保持部１８に保持された基板Ｐのショット領域Ｓの露光は、終端光学素子１４に対して第１基板ステージ１をエッジＥ５，Ｅ６と非平行且つ非垂直なＹ軸方向に移動しながら実行される。なお、本実施形態では、ＸＹ平面において、基板ステージ（１又は２）に保持された基板Ｐの複数のショット領域Ｓの露光中に、基板ステージ（１又は２）の上面（１９又は２１）が、第１領域１５からはみ出ることはない。
【００４７】
また、第１基板ステージ１の第１保持部１８に保持された基板Ｐの露光中に、制御装置１１は、第２領域１６において、第２基板ステージ２の移動を制御して、所定処理を実行する。所定の処理は、基板Ｐの交換処理、及び例えばアライメント系１２を用いる計測処理を含む。なお、本実施形態では、ＸＹ平面において、上記所定処理の実行中に、基板ステージ（１又は２）の上面（１９又は２１）が、第２領域１６からはみ出ることはない。
【００４８】
第１領域１５において第１保持部１８に保持された基板Ｐの露光が終了する前に、第２領域１６における第２基板ステージ２の所定の処理が終了する。第２基板ステージ２の第２保持部２０には、露光前の基板Ｐが保持される。制御装置１１は、第１基板ステージ１が第１領域１５に配置されているとき、第２基板ステージ２を第２領域１６から第３領域１７へ移動する。第３領域１７は、第１領域１５の−Ｙ側に隣接して配置されている。
【００４９】
本実施形態においては、第１基板ステージ１の第１保持部１８に保持された基板Ｐの露光中に、第２基板ステージ２が第２領域１６から第３領域１７へ移動する。制御装置１１は、露光動作中の第１基板ステージ１の移動を妨げないように、例えば第１基板ステージ１に第２基板ステージ２が接触しないように、第２基板ステージ２を第２領域１６から第３領域１７へ移動する。
【００５０】
図４は、第１保持部１８に保持された基板Ｐの複数のショット領域Ｓのうち、最後のショット領域Ｓｅの露光が終了した直後の状態を示す。図４に示すように、本実施形態において、制御装置１１は、エッジＥ５に近い第１基板ステージ１上の基板Ｐのショット領域Ｓｅを最後に露光する。本実施形態においては、第１基板ステージ１上の基板Ｐの最後のショット領域Ｓｅの露光が終了する前に、第２領域１６から第３領域１７への第２基板ステージ２の移動が完了している。
【００５１】
制御装置１１は、第１基板ステージ１上の基板Ｐの最後のショット領域Ｓｅの露光が終了した後、第２基板ステージ２上の基板Ｐの露光を開始するための動作を実行する。第２基板ステージ２上の基板Ｐの露光を開始するための動作は、第１基板ステージ１を第１領域１５から第２領域１６へ移動する動作と、その第１基板ステージ１の第１領域１５から第２領域１６への移動の少なくとも一部と並行して、第２基板ステージ２を第３領域１７から第１領域１５へ移動する動作とを含む。
【００５２】
すなわち、本実施形態においては、第２領域１６から第３領域１７への第２基板ステージ２の移動が終了し、第１基板ステージ１上の基板Ｐの最後のショット領域Ｓｅの露光が終了した後、第２基板ステージ２上の基板Ｐの最初のショット領域Ｓｆの露光を開始するために、終端光学素子１４の射出面３５の少なくとも一部と第１基板ステージ１の上面１９とが対向する第１状態から、終端光学素子１４の射出面３５の少なくとも一部と第２基板ステージ２の上面２１とが対向する第２状態に変化するように、第１，第２基板ステージ１，２のそれぞれが移動する。
【００５３】
本実施形態において、制御装置１１は、エッジＥ１２に近い第２基板ステージ２上の基板Ｐのショット領域Ｓｆを最初に露光する。本実施形態においては、制御装置１１は、第２基板ステージ２上の基板Ｐの最初に露光されるショット領域Ｓｆと投影領域ＰＲ（照射位置ＥＰ）との距離が短くなるように、第２基板ステージ２を第３領域１７へ移動している。
【００５４】
本実施形態においては、図４に示すように、制御装置１１は、第１基板ステージ１の上面１９（又は基板Ｐ）の少なくとも一部を終端光学素子１４の射出面３５及び液浸部材１０の下面３６と対向する位置に配置した状態で、エッジＥ５とエッジＥ１２とを接近又は接触させる。この状態においては、照射位置ＥＰと第２基板ステージ２上の基板Ｐの最初に露光されるショット領域Ｓｆとの距離は十分に短い。
【００５５】
制御装置１１は、エッジＥ５とエッジＥ１２とを接近又は接触させた後、第１状態から第２状態へ変化するように、第１，第２基板ステージ１，２の移動を開始する。制御装置１１は、第１状態が第２状態に変化する間に、エッジＥ５とエッジＥ１２とが接近又は接触した状態を維持したまま、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを移動する。
【００５６】
本実施形態においては、図５に示すように、制御装置１１は、エッジＥ５とエッジＥ１２とを接近又は接触させた状態が維持されるように、エッジＥ５及びエッジＥ１２と交差する方向に、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを移動する。
【００５７】
本実施形態においては、エッジＥ５とエッジＥ１２とを接近又は接触させた状態が維持されるように、エッジＥ５及びエッジＥ１２に直交する方向、すなわちＸＹ平面において、Ｘ軸及びＹ軸に対して４５度傾斜した方向に、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを移動する。なお、エッジＥ５及びエッジＥ１２と交差する方向は、エッジＥ５及びエッジＥ１２に直交する方向に限られない。
【００５８】
これにより、第１状態が第２状態に変化する間に、上面１９及び上面２１の少なくとも一方と終端光学素子１４の射出面３５及び液浸部材１０の下面３６との間に形成される空間は、液体ＬＱを保持することができる。
【００５９】
すなわち、制御装置１１は、第１基板ステージ１及び第２基板ステージ２の少なくとも一方と終端光学素子１４及び液浸部材１０との間に液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、第１基板ステージ１（第１プレート部材Ｔ１）の上面１９と第２基板ステージ２（第２プレート部材Ｔ２）の上面２１とを接近又は接触させた状態で、第１基板ステージ１の上面１９及び第２基板ステージ２の上面２１の少なくとも一方と終端光学素子１４の射出面３５及び液浸部材１０の下面３６とを対向させつつ、終端光学素子１４に対して、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とをガイド面８上で、エッジＥ５，Ｅ１２と交差する方向に同期移動させる。これにより、液体ＬＱの漏出が抑制されつつ、第１基板ステージ１の上面１９から第２基板ステージ２の上面２１へ液体ＬＱの液浸空間ＬＳが移動可能である。
【００６０】
そして、第２状態においては、第２基板ステージ２が第１領域１５に配置される。第２基板ステージ２が第１領域１５に配置され、液体ＬＱが終端光学素子１４及び液浸部材１０と第２基板ステージ２との間に保持された後、図６に示すように、制御装置１１は、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを離し、第１基板ステージ１を第２領域１６へ移動する。
【００６１】
制御装置１１は、終端光学素子１４及び液浸部材１０と基板Ｐ（第２基板ステージ２）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。制御装置１１は、第１領域１５において、第２基板ステージ２の移動を制御して、第２保持部２０に保持されている基板Ｐのショット領域Ｓを液体ＬＱを介して順次露光する。第２保持部２０に保持された基板Ｐのショット領域Ｓの露光は、終端光学素子１４に対して第２基板ステージ２をエッジＥ１１，Ｅ１２と非平行且つ非垂直なＹ軸方向に移動しながら実行される。
【００６２】
露光後の基板Ｐを保持した第１基板ステージ１は、第１領域１５から第２領域１６へ移動した後、その第２領域１６において所定の処理を実行する。所定の処理は、基板Ｐの交換処理、及び計測処理を含む。制御装置１１は、露光後の基板Ｐを保持した第１基板ステージ１を第２領域１６の基板交換位置ＲＰに移動して、露光後の基板Ｐを第１基板ステージ１からアンロードする動作、及び露光前の基板Ｐを第１基板ステージ１にロードする動作を含む基板Ｐの交換処理を実行する。また、制御装置１１は、第２領域１６において、第１基板ステージ１に保持された露光前の基板Ｐの計測処理を実行する。
【００６３】
第２領域１６における第１基板ステージ１の所定の処理が終了した後、制御装置１１は、第２基板ステージ２が第１領域１５に配置されている状態で、第１基板ステージ１を第２領域１６から第３領域１７へ移動する。
【００６４】
制御装置１１は、第２基板ステージ２上の基板Ｐの最後のショット領域Ｓｅの露光が終了した後、第１基板ステージ１上の基板Ｐの最初のショット領域Ｓｆの露光を開始するための動作を開始する。図７に示すように、本実施形態において、制御装置１１は、エッジＥ６に近い第１基板ステージ１上の基板Ｐのショット領域Ｓｆを最初に露光する。本実施形態においては、第１基板ステージ１上の基板Ｐの最初に露光されるショット領域Ｓｆと投影領域ＰＲ（照射位置ＥＰ）との距離が短くなるように、第２領域１６から第３領域１７への第１基板ステージ１の移動が実行されている。
【００６５】
制御装置１１は、上述の動作と同様に、終端光学素子１４の射出面３５の少なくとも一部と第２基板ステージ２の上面２１とが対向する第２状態から、終端光学素子１４の射出面３５の少なくとも一部と第１基板ステージ１の上面１９とが対向する第１状態に変化するように、エッジＥ１１とエッジＥ６とを接近又は接触させつつ、エッジＥ１１及びエッジＥ６に交差する方向に第１，第２基板ステージ１，２を移動する。
【００６６】
本実施形態においては、エッジＥ６とエッジＥ１１とを接近又は接触させた状態が維持されるように、エッジＥ６及びエッジＥ１１に直交する方向、すなわちＸＹ平面において、Ｘ軸及びＹ軸に対して４５度傾斜した方向に、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを移動する。なお、エッジＥ５及びエッジＥ１２と交差する方向は、エッジＥ５及びエッジＥ１２に直交する方向に限られない。
【００６７】
これにより、液体ＬＱの漏出が抑制されつつ、第２基板ステージ２の上面２１から第１基板ステージ１の上面１９へ液体ＬＱの液浸空間ＬＳが移動可能である。
【００６８】
第１基板ステージ１が第１領域１５に配置され、液体ＬＱが終端光学素子１４及び液浸部材１０と第１基板ステージ１との間に保持された後、制御装置１１は、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とを離し、第２基板ステージ２を第２領域１６へ移動する。制御装置１１は、第１領域１５において第１基板ステージ１上の基板Ｐの露光を実行する。第２基板ステージ２は、第２領域１６において所定の処理を実行する。以下、同様の処理が繰り返される。
【００６９】
以上説明したように、本実施形態によれば、上面１９，２１のそれぞれにエッジＥ５，Ｅ１２を設け、第１状態から第２状態へ変化させる際、エッジＥ５とエッジＥ１２とが接近又は接触した状態を維持するように、第１，第２基板ステージ１，２を移動するようにしたので、第１基板ステージ１上の基板Ｐの最後のショット領域Ｓｅの露光終了後、第２基板ステージ２上の基板Ｐの最初に露光されるショット領域Ｓｆを照射位置ＥＰに配置するまでの第１，第２基板ステージ１，２の移動距離、及び移動時間を短くすることができる。同様に、上面１９，２１のそれぞれにエッジＥ６，Ｅ１１を設け、第２状態から第１状態へ変化させる際、エッジＥ６とエッジＥ１１とが接近又は接触した状態を維持するように、第１，第２基板ステージ１，２を移動するようにしたので、第２基板ステージ２上の基板Ｐの最後のショット領域Ｓｅの露光終了後、第１基板ステージ１上の基板Ｐの最初に露光されるショット領域Ｓｆを照射位置ＥＰに配置するまでの第１，第２基板ステージ１，２の移動距離、及び移動時間を短くすることができる。したがって、スループットの低下を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる。
【００７０】
また、本実施形態においては、第１領域１５に第１基板ステージ１（又は第２基板ステージ２）が配置されている間に、第２領域１６において所定の処理を実行した第２基板ステージ２（又は第１基板ステージ１）を第３領域１７に移動するようにしたので、第１領域１５において第１基板ステージ１上（又は第２基板ステージ２上）の基板Ｐの最後のショット領域Ｓｅの露光が終了した時点から、第２基板ステージ２上（又は第１基板ステージ１上）の基板Ｐの最初のショット領域Ｓｆの露光が開示される時点までの時間を短くすることができる。したがって、スループットの低下を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる。
【００７１】
なお、本実施形態においては、第１保持部１８（又は第２保持部２０）に保持された基板Ｐの露光が終了する前に、第２領域１６から第３領域１７への第２基板ステージ２（又は第１基板ステージ１）の移動が終了することとしたが、例えば第２領域１６から第３領域１７への第２基板ステージ２（又は第１基板ステージ１）の移動中に、第１保持部１８（又は第２保持部２０）に保持されている基板Ｐの露光が終了してもよいし、第２領域１６から第３領域１７への第２基板ステージ２（又は第１基板ステージ１）の移動が開始される前に、第１保持部１８（又は第２保持部２０）に保持されている基板Ｐの露光が終了してもよい。
【００７２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７３】
図８は、第２実施形態に係る第１，第２基板ステージ１Ｂ，２Ｂの一例を示す平面図である。本実施形態に係る第１，第２基板ステージ１Ｂ，２Ｂの上面１９Ｂ，２１Ｂは、Ｘ軸（Ｙ軸）と非平行且つ非垂直なエッジを有さない。第１，第２基板ステージ１Ｂ，２Ｂを用いる場合においても、第１基板ステージ１Ｂが第１領域１５に配置されているときに、第２基板ステージ２Ｂを第２領域１６から第３領域１７へ移動することによって、スループットの低下を抑制できる。また、第１基板ステージ１Ｂ上の基板Ｐのショット領域Ｓｅの露光終了後、第２基板ステージ２Ｂ上の基板Ｐのショット領域Ｓｆの露光を開始する際、図８に示すように、第２基板ステージ２Ｂ上の基板Ｐの最初に露光されるショット領域Ｓｆと照射位置ＥＰとの距離が短くなるように、第２基板ステージ２Ｂを第３領域１７に移動することによって、スループットの低下を抑制できる。図８に示す例では、制御装置１１は、第２基板ステージ２Ｂ上の基板Ｐの最初に露光されるショット領域Ｓｆと照射位置ＥＰとの距離が短くなるように、第１基板ステージ１と第２基板ステージ２とのＸ軸方向に関する位置をずらし、上面１９ＢのエッジＥ１の一部と、上面２１ＢのエッジＥ８とを接近又は接触させた状態で、第１，第２基板ステージ１Ｂ，２Ｂを移動する。
【００７４】
なお、上述の第１、第２実施形態において、第１領域１５と第２領域１６とがＹ軸方向において一部重複してもよいし、及び／又は第１領域１５と第３領域１７とがＹ軸方向において一部重複してもよい。
【００７５】
なお、上述の第１，第２実施形態においては、基板Ｐを保持して移動する基板ステージが２つ配置されている場合を例にして説明したが、基板ステージが３つ以上配置されてもよい。平面モータを含む駆動システムを用いることにより、各基板ステージを円滑に移動させることができる。
【００７６】
また、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージをガイド面８上で移動させてもよい。
【００７７】
なお、上述の第１，第２実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いたが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることもできる。
【００７８】
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００７９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００８０】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００８１】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００８２】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００８３】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。
【００８４】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【００８５】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００８６】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
【００８７】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００８８】
以上のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８９】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００９０】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る第１，第２基板ステージ、及び液浸部材の一例を示す側断面図である。
【図３】第１実施形態に係る第１，第２基板ステージの一例を示す平面図である。
【図４】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図５】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図６】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図７】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図８】第２実施形態に係る第１，第２基板ステージの一例を示す平面図である。
【図９】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９２】
１…第１基板ステージ、２…第２基板ステージ、８…ガイド面、９…駆動システム、１４…終端光学素子、１５…第１領域、１６…第２領域、１７…第３領域、１８…第１保持部、１９…上面、２０…第２保持部、２１…上面、２６…第３保持部、２７…第４保持部、３５…射出面、Ｅ１〜Ｅ１２…エッジ、ＥＬ…露光光、ＥＰ…照射位置、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＲＰ…基板交換位置、Ｓ…ショット領域、Ｔ１…第１プレート部材、Ｔ２…第２プレート部材
【図１】
2010016111.tif 000003
【図２】
2010016111.tif 000004
【図３】
2010016111.tif 000005
【図４】
2010016111.tif 000006
【図５】
2010016111.tif 000007
【図６】
2010016111.tif 000008
【図７】
2010016111.tif 000009
【図８】
2010016111.tif 000010
【図９】
2010016111.tif 000011