(57)【要約】【課題】本発明は、複数の媒質層からなる電子部品の歩留まりを向上させることを目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、前記第１のガスによるドライエッチングにおける前記第３の媒質層１３と前記第２の媒質層１２との選択比が前記第２のガスによるドライエッチングにおける前記第２の媒質層１２と前記第１の媒質層１１との選択比よりも大きい場合において、前記第３の媒質層１３にドライエッチングを施し前記第２の媒質層１２を露出させる工程と、前記第１の媒質層１２に前記第２の媒質層１２側からレーザー加工を施して前記第１の媒質層１１を改質する工程と、前記第２の媒質層１２にレーザー加工を施して前記第２の媒質層１２を改質する工程とを有する電子部品の製造方法としたものである。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の媒質層と、
前記第１の媒質層の上方に設けられた第２の媒質層と、
前記第２の媒質層の上方に設けられた第３の媒質層とからなる基板を
個片化してなる電子部品の製造方法において、
前記第３の媒質層は第１のガスによりドライエッチングされ得る材料からなり、
前記第２の媒質層は第２のガスによりドライエッチングされ得る材料からなり、
前記第１のガスによるドライエッチングにおける前記第３の媒質層と前記第２の媒質層との選択比が
前記第２のガスによるドライエッチングにおける前記第２の媒質層と前記第１の媒質層との選択比よりも大きい場合において、
前記第３の媒質層にドライエッチングを施し前記第２の媒質層を露出させる工程と、
前記第１の媒質層に前記第２の媒質層側からレーザー加工を施して前記第１の媒質層を改質する工程と、
前記第２の媒質層にレーザー加工を施して前記第２の媒質層を改質する工程とを有する
電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第１、第３の媒質層はＳｉからなり、
前記第２の媒質層はＳｉＯ2からなる
請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記第１のガスはＳＦ6からなり、
前記第２のガスはＣＦ4、ＣＦ4+Ａｒ、ＣＦ4+Ｈ2／Ａｒ、ＣＨＦ3＋Ａｒの内少なくとも１つからなる
請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
第１の媒質層と、
前記第１の媒質層の上方に設けられた第２の媒質層と、
前記第２の媒質層の上方に設けられた第３の媒質層とを備え、
前記第２の媒質層の側面の内少なくとも一部がレーザー加工面を有し、
前記第１の媒質層の側面の内少なくとも一部がレーザー加工面を有し、
前記第３の媒質層の側面の内少なくとも一部がドライエッチング加工面を有する
電子部品。
【請求項５】
前記第３の媒質層は第１のガスによりドライエッチングされ得る材料からなり、
前記第２の媒質層は第２のガスによりドライエッチングされ得る材料かならり、
前記第１のガスによるドライエッチングにおける前記第３の媒質層と前記第２の媒質層との選択比が
前記第２のガスによるドライエッチングにおける前記第２の媒質層と前記第１の媒質層との選択比よりも大きい
請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１、第３の媒質層はＳｉからなり、
前記第２の媒質層はＳｉＯ2からなる
請求項４に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１のガスはＳＦ6からなり、
前記第２のガスはＣＦ4、ＣＦ4＋Ａｒ、ＣＦ4＋Ｈ2／Ａｒ、ＣＨＦ3＋Ａｒの内少なくとも１つからなる
請求項４に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車や各種電子機器に用いられる電子部品とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の電子部品の製造方法は、図５に示すごとく、Ｓｉからなる第１の媒質層１と、前記第１の媒質層１の上方に設けられたＳｉＯ2からなる第２の媒質層２と、前記第２の媒質層２の上方に設けられたＳｉからなる第３の媒質層３とからなる基板を個片化してなる電子部品の製造方法であり、まず前記第３の媒質層３に第１のガスであるＳＦ6ガスを用いてドライエッチングを施し前記第２の媒質層２を露出させ、次に前記第２の媒質層２に第２のガスであるＣＦ4ガス等を用いてドライエッチングを施し前記第１の媒質層１を露出させ、その後前記第１の媒質層１にレーザー加工を施して前記第１の媒質層１を改質し、個片化して電子部品を製造していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００６−２８６７２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来の電子部品の製造方法では、それにより製造された電子部品の歩留まりが悪いことが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の製造方法においては、前記第２のガスであるＣＦ4ガス等によるドライエッチングにおける前記第２の媒質層２と前記第１の媒質層１との選択比が小さいため、前記第２の媒質層２をドライエッチングする際に、前記第１の媒質層１の上面をエッチングしてしまい、その表面を荒らしてしまうため、その次の工程である前記第１の媒質層１のレーザー加工工程において、前記レーザ光線が乱反射され改質できない部分が発生してしまい、その結果として歩留まりが悪くなってしまっていた。
【０００６】
そこで本発明は、複数の媒質層からなる電子部品の歩留まりを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、第１の媒質層と、前記第１の媒質層の上方に設けられた第２の媒質層と、前記第２の媒質層の上方に設けられた第３の媒質層とからなる基板を個片化してなる電子部品の製造方法において、前記第３の媒質層は第１のガスによりドライエッチングされ得る材料からなり、前記第２の媒質層は第２のガスによりドライエッチングされ得る材料からなり、前記第１のガスによるドライエッチングにおける前記第３の媒質層と前記第２の媒質層との選択比が前記第２のガスによるドライエッチングにおける前記第２の媒質層と前記第１の媒質層との選択比よりも大きい場合において、前記第３の媒質層にドライエッチングを施し前記第２の媒質層を露出させる工程と、前記第１の媒質層に前記第２の媒質層側からレーザー加工を施して前記第１の媒質層を改質する工程と、前記第２の媒質層にレーザー加工を施して前記第２の媒質層を改質する工程とを有する電子部品の製造方法としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この製造方法により、前記第２のガスによるドライエッチングにおける前記第１の媒質層との選択比が小さい前記第２の媒質層をドライエッチングすることなく個片化することを可能とし、前記第１の媒質層の上面が荒らされることによるレーザー光線の乱反射の発生を抑制し、その結果として電子部品の歩留まりを向上させることができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における電子部品とその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
図１に示すごとく、本実施の形態に示す電子部品は、第１の媒質層１１と、前記第１の媒質層１１の上方に設けられた第２の媒質層１２と、前記第２の媒質層１２の上方に設けられた第３の媒質層１３とからなる基板を個片化してなるものである。
【００１１】
ここで、前記第１の媒質層１１と前記第３の媒質層１３とはＳｉにより形成しており、前記第２の媒質層１２はＳｉＯ2により形成している。
【００１２】
そして、このＳｉからなる第１、第３の媒質層１１、１３は第１のガスであるＳＦ6ガスによりドライエッチングが可能であり、第２の媒質層１２は第２のガスであるＣＦ4、ＣＦ4＋Ａｒ、ＣＦ4＋Ｈ2／Ａｒ、ＣＨＦ3＋Ａｒの内少なくとも１つからなるガスによりドライエッチングが可能である。
【００１３】
この第１のガスであるＳＦ6ガスによるドライエッチングにおいては、前記第３の媒質層１３と前記第２の媒質層との選択比がおよそ２００であり、第２のガスであるＣＦ4、ＣＦ4＋Ａｒ、ＣＦ4＋Ｈ2／Ａｒ、ＣＨＦ3＋Ａｒの内少なくとも１つから成るガスによるドライエッチングにおいては、前記第２の媒質層１２と前記第１の媒質層１１との選択比が、ＣＦ4＋Ａｒを用いた場合はおよそ１、ＣＦ4＋Ｈ2／Ａｒを用いた場合はおよそ１０、ＣＨＦ3＋Ａｒを用いた場合はおよそ３０であり、前者の選択比に比べて後者の選択比が小さい。
【００１４】
このような場合において、本実施の形態に示す電子部品の個片化は、以下の手順を踏んで行う。
【００１５】
まず、図２に示すごとく、前記第３の媒質層１３に第１のガスであるＳＦ6ガスによるドライエッチングを施し前記第２の媒質層１２を露出させる。その際、前記第３の媒質層１３と前記第２の媒質層との選択比は、上述したとおりおよそ２００であり、第２のガスであるＣＦ4、ＣＦ4＋Ａｒ、ＣＦ4＋Ｈ2／Ａｒ、ＣＨＦ3＋Ａｒの内少なくとも１つからなるガスによるドライエッチングにおける前記第２の媒質層１２と前記第１の媒質層１１との選択比と比較して、相対的に大きいため、前記第２の媒質層の上面が荒らされる度合いが低い。
【００１６】
次に、図３に示すごとく、前記第２の媒質層１２の上面からレーザー光線を照射し、第１の媒質層１１にレーザー加工を施して前記第１の媒質層１１を改質する。上述のとおり、第３の媒質層１３のドライエッチングの際に前記第２の媒質層１２の上面が荒らされている度合いが低いため、第１の媒質層１１においてレーザー光線が乱反射され改質できない部分が発生してしまう可能性が低い。
【００１７】
その後、図４に示すごとく、前記第２の媒質層１２の上面からレーザー光線を照射し、レーザー加工を施して前記第２の媒質層１２を改質する。
【００１８】
このようにレーザーで改質された基板に何らかの外力を加え、レーザーの改質部を起点に電子部品を個辺化する。
【００１９】
このような製造方法により、前記第２のガスＣＦ4、ＣＦ4＋Ａｒ、ＣＦ4＋Ｈ2／Ａｒ、ＣＨＦ3＋Ａｒのいずれかによるドライエッチングにおける前記第１の媒質層１１との選択比が小さい前記第２の媒質層１２をドライエッチングすることなく個片化することを可能とし、前記第１の媒質層１１の上面が荒らされることによるレーザー光線の乱反射の発生を抑制し、その結果として電子部品の歩留まりを向上させることができるのである。
【００２０】
また、レーザーを用いて第３の媒質層１３を改質させる方法であれば、第３の媒質層１３の厚みが５０μｍ以下であると、焦点合わせが難しくなってしまうが、上記製造方法によれば、第３の媒質層１３の厚みが５０μｍ以下であっても生産性高く製造することができるのである。
【００２１】
そして、このような製造方法により個片化され、製造された電子部品は、前記第１の媒質層１１の側面の内少なくとも一部がレーザー加工面を有し、前記第２の媒質層１２の側面の内少なくとも一部がレーザー加工面を有し、前記第３の媒質層１３の側面の内少なくとも一部がドライエッチング加工面を有する構成となる。
【００２２】
なお、第２の媒質層１２の切断方法としてフッ酸系を用いたウェットエッチングを行うことも考えられるが、第２の媒質層１２以外の部分が腐食されてしまう可能性があるのに対し、本発明の製造方法によれば、そのようなリスクを低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明の電子部品の製造方法は、製造された電子部品の歩留まりを向上させることができるという効果を有し、自動車や各種電子機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図５】従来の電子部品の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
【００２５】
１１  第１の媒質層
１２  第２の媒質層
１３  第３の媒質層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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