(57)【要約】【課題】ウェハ表面側のダイシングストリートの細幅化によるチップの高い収率を実現する。【解決手段】主表面１８に複数の回路パターンが形成されたウェハ１０を個片化する半導体チップの製造方法であって、ウェハ１０の裏面１９から、ブレードを用いて回路パターンの境界領域に溝を形成する切削工程と、ウェハ１０の主表面１８または裏面１９から、レーザーＬの照射により回路パターンの境界領域に改質層１４を形成する照射工程と、改質層１４を破断してウェハ１０を個片化する破断工程と、を有し、改質層１４は溝部１６の底面１７とウェハ１０の主表面１８との間に形成され、かつ改質層１４の形成幅ＷＭは溝部１６の幅よりも小さい半導体チップの製造方法。【選択図】図２
2010016361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に複数の回路パターンが形成されたウェハを個片化する半導体チップの製造方法であって、
前記ウェハの他方の面から、ブレードを用いて前記回路パターンの境界領域に溝を形成する工程と、
前記ウェハの前記一方の面または前記他方の面から、レーザー照射により前記回路パターンの境界領域に改質層を形成する工程と、
前記改質層を破断して前記ウェハを個片化する工程と、を有し、
前記改質層は前記溝の底面と前記ウェハの前記一方の面との間に形成され、かつ前記改質層の幅は前記溝の幅よりも小さい半導体チップの製造方法。
【請求項２】
前記回路パターンが、前記溝の底面と前記ウェハの前記一方の面との間に形成されている請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
前記溝を形成する前記工程において前記ウェハを前記他方の面からハーフカットしたのちに、
前記ハーフカットされた前記ウェハの切り残し領域の前記一方の面または内部に対して前記レーザー照射をおこなうことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
前記切り残し領域の厚さが２０μｍから２００μｍである請求項３に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
前記ウェハを個片化する前記工程を、前記溝および前記改質層が予め形成された前記ウェハに対しておこなうことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記レーザー照射により前記回路パターンの境界領域を溶断することにより、前記改質層を形成する前記工程とともに前記ウェハを個片化する前記工程をおこなうことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
前記レーザー照射を、前記ウェハの前記他方の面から照射する請求項１から６のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項８】
前記レーザー照射を、前記ウェハの前記一方の面から照射する請求項１から６のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項９】
前記ウェハが、基板と、前記基板に対して前記一方の面側に形成された多層配線構造とを含み、
前記多層配線構造は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりも比誘電率が低い低誘電率層を含み、かつ、
前記溝を形成する前記工程において、前記溝を、前記低誘電率層よりも前記他方の面側に形成することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
前記多層配線構造が、前記低誘電率層と、前記基板と前記低誘電率層との間に形成されて前記低誘電率層よりも比誘電率の高い絶縁層と、を含む請求項９に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１１】
前記溝を形成する工程において、前記溝を、前記基板と前記多層配線構造との界面に至る深さまで、または前記基板を貫通して前記絶縁層の内部に至る深さまで形成することを特徴とする請求項１０に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１２】
前記ブレードの刃先断面が凹形状である請求項１から１１のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体チップの製造方法により個片化された半導体チップを含む半導体装置であって、
前記半導体チップは、前記一方の面の幅寸法が前記他方の面の幅寸法よりも大きく、
前記半導体チップの側壁面は、前記一方の面にむけて拡径する段差部を有し、かつ、
前記段差部には、前記他方の面にむけて伸びる返し部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェハを個々の半導体チップに個片化する半導体チップの製造方法、および個片化された半導体チップを含む半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の発明に関し、下記特許文献１には、ダイシングラインに沿ってウェハ裏面側より太幅のダイシングブレードでハーフカットを行い、その後ウェハ表面側から細幅のダイシングブレードでフルカットして半導体チップを個片化する製造方法が記載されている。
かかるダイシング方法によれば、表面側からフルカットする際のダイシング厚さが低減されるため、ダイシング位置の精度が向上し、半導体チップ表面に欠けやクラックが発生することが防止されると記載されている。
また下記特許文献２には、ウェハ裏面側よりベベルカット用ブレードによりＶ溝を形成し、その後ウェハ表面側からＶ溝よりも細幅のダイシングブレードでフルカットを行う半導体チップの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２２２３５９号公報
【特許文献２】特開平６−２３２２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、液晶ディスプレイのドライバ用半導体装置に例示される表示デバイスのように、半導体チップの主表面の縦横比が大きな半導体装置が開発されている。半導体チップの主表面の縦横比が大きくなってチップ全体が長細くなると、半導体チップは曲げやねじりなどの外力によって割れやすくなるため、厚み寸法を比較的大きく確保してその機械的強度を確保している。一例として液晶ディスプレイのドライバ用半導体装置については、半導体チップの主表面の短辺寸法が８００μｍ程度であるのに対して、厚み寸法が４００〜７００μｍ程度と厚くなっている。
ウェハのダイシングにあたっては、ダイシングブレードの刃先を所定以上に厚くする必要がある。ダイシング深さ（刃先出し量）に対して刃先厚さが所定以下になると、刃先に撓みが生じて正確にダイシングを行うことができなくなるためである。
このため、上記特許文献に記載の半導体チップの製造方法に関しても、ハーフカットされたウェハを表面側からフルカットするダイシングブレードの刃先厚さの薄型化には限界があった。
【０００５】
これに対し、近年の半導体装置や光導波装置においては、ウェハ上に設けられるダイシングラインを細幅化してウェハ内における半導体チップの収率を向上することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、一方の面に複数の回路パターンが形成されたウェハを個片化する半導体チップの製造方法であって、
前記ウェハの他方の面から、ブレードを用いて前記回路パターンの境界領域に溝を形成する工程と、
前記ウェハの前記一方の面または前記他方の面から、レーザー照射により前記回路パターンの境界領域に改質層を形成する工程と、
前記改質層を破断して前記ウェハを個片化する工程と、を有し、
前記改質層は前記溝の底面と前記ウェハの前記一方の面との間に形成され、かつ前記改質層の幅は前記溝の幅よりも小さい半導体チップの製造方法が提供される。
【０００７】
上記発明における複数の工程を実行する順番は、明示の場合を除き任意である。特に、ウェハに溝を形成する工程と、レーザー照射により改質層を形成する工程の先後に関しては任意に設定することができる。
【０００８】
よって、溝を形成する上記工程をおこなった後に改質層を形成する上記工程をおこなう場合、溝およびその底面が予め形成されたウェハに対してレーザー照射して改質層を形成する。一方、改質層を形成する上記工程を予めおこなった後に、溝を形成する上記工程をおこなう場合、溝およびその底面が未形成のウェハに対してレーザーが照射されることとなる。
したがって、上記発明において、改質層が溝の底面とウェハの一方の面との間に形成されるとは、予め形成された溝の底面とウェハの一方の面との間に改質層が形成される場合と、溝の底面の形成予定位置とウェハの一方の面との間に改質層が形成される場合とを含む。
【０００９】
また、上記発明における複数の工程は、明示の場合を除き、個々に相違するタイミングで実行されることに限定されず、ある工程の実行中に他の工程が発生すること、ある工程の実行タイミングと他の工程の実行タイミングとの一部ないし全部が重複していること、等でもよい。特に、レーザー照射により改質層を形成する工程と、形成される改質層を破断してウェハを個片化する工程とを同時におこなってもよい。
【００１０】
上記発明によれば、回路パターンが形成されたウェハの一方の面側にレーザー照射により改質層を形成し、この改質層を破断してウェハを半導体チップに個片化する。これにより、ウェハの上記一方の面をブレードで切削して切断する方式に比べ、回路パターンの形成面におけるダイシングラインを細幅化することができる。これにより、ウェハ内での半導体チップの収率を向上することができる。
【００１１】
なお、本発明の各種の構成要素は、個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体チップの製造方法によれば、回路パターンの形成面におけるダイシングラインが細幅化されるため、半導体チップの収率が高められる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）はウェハの斜視図であり、（ｂ）は本発明の第一実施形態における切削工程の様子を模式的に示す斜視図であり、（ｃ）はブレードの送り方向に対して垂直に切ったウェハの縦断面図である。
【図２】（ａ）は第一実施形態における照射工程の様子を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）はレーザーの送り方向に対して垂直に切ったウェハの縦断面図である。
【図３】第一実施形態における破断工程の様子を示す模式図であり、（ａ）は破断前のウェハの立面図、（ｂ）はウェハを多数のチップに個片化する様子を示す立面図、（ｃ）は個片化されたチップを装置基板に搭載してなる装置の立面図である。
【図４】（ａ）は第二実施形態における照射工程の様子を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）はレーザーの送り方向に対して垂直に切ったウェハの縦断面図である。
【図５】（ａ）は第三実施形態に用いられるブレードの刃先部の断面形状であり、（ｂ）はハーフカットされたウェハの断面図であり、（ｃ）は個片化されたチップを装置基板に接合してなる装置を示す断面図である。
【図６】（ａ）は本実施形態の第一変形例に用いられるブレードの刃先部の断面形状であり、（ｂ）はハーフカットされたウェハの断面図であり、（ｃ）は個片化されたチップを装置基板に接合してなる装置を示す断面図である。
【図７】（ａ）は本実施形態の第二変形例に用いられるブレードの刃先部の断面形状であり、（ｂ）はハーフカットされたウェハの断面図であり、（ｃ）は個片化されたチップを装置基板に接合してなる装置を示す断面図である。
【図８】第四実施形態に用いられるウェハの積層断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、第四実施形態の切断工程が施されたウェハの積層断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１５】
図１（ａ）は、個片化されるウェハ１０の斜視図である。ウェハ１０の主表面１８は図中上方にあたる。同図（ｂ）は、切削工程の様子を模式的に示す斜視図である。ウェハ１０の主表面１８は図中下方にあたる。同図（ｃ）は、ブレード２０の送り方向に対して垂直に切ったウェハ１０の縦断面図である。
図２（ａ）は、照射工程の様子を模式的に示す斜視図である。同図（ｂ）は、レーザーＬの送り方向に対して垂直に切ったウェハ１０の縦断面図である。
図３は、破断工程の様子を示す模式図である。同図（ａ）は、裏面側に溝部１６が削成され、表面側に改質層１４が形成された、破断前のウェハ１０の立面図である。同図（ｂ）は、ウェハ１０の主表面１８が接合された表面保護シート５０を面内で伸展させて、ウェハ１０を多数のチップ３０に個片化する様子を示す立面図である。同図（ｃ）は、個片化されたチップ３０を表面保護シート５０より剥離して上下反転させたうえで、装置基板４２に搭載してなる装置１００の立面図である。
【００１６】
＜第一実施形態＞
はじめに、本実施形態による半導体チップ（以下、チップと略記する場合がある。）の製造方法の概要について説明する。
本実施形態の製造方法は、一方の面（主表面１８）に複数の回路パターンＣＰが形成されたウェハ１０を個片化するものである。
本実施形態の製造方法は、ウェハ１０の他方の面（裏面１９）から、ブレード２０を用いて回路パターンＣＰの境界領域（ダイシング領域１１ｄ）に溝（溝部１６）を形成する工程（切削工程）と、ウェハ１０の主表面１８または裏面１９から、レーザー照射によりダイシング領域１１ｄに改質層１４を形成する工程（照射工程）と、改質層１４を破断してウェハ１０を個片化する工程（破断工程）とを有する。
そして本実施形態の製造方法は、改質層１４が溝部１６の底面とウェハ１０の主表面１８との間に形成され、かつ改質層１４の幅は溝部１６の幅よりも小さいものとしている。
【００１７】
（ウェハ）
本実施形態でダイシングされるウェハ１０は、基板（図８に示す基板８０を参照）の一方の面を主表面１８として、複数の回路パターンＣＰがその表面および内部にパターン配置されている。基板としてはシリコン基板やガラス基板を例示することができる。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、ウェハ１０には、回路パターンＣＰが形成された領域（チップ領域１１ｃ）と、これを囲んで縦横に伸びるストライプ状のダイシング領域１１ｄとが設けられている。ダイシング領域１１ｄは、隣接する回路パターンＣＰ同士の境界領域である。
チップ領域１１ｃおよびダイシング領域１１ｄは、ウェハ１０に区画形成された空間領域である。そして、ダイシング領域１１ｄのうち、その内側に含まれる所定幅の帯状領域であるダイシングストリート１１ｓをダイシング幅として、ウェハ１０を厚み方向に切断（ダイシング）することにより、チップ３０が個片化される（図３（ｃ）を参照）。
【００１９】
帯状のダイシングストリート１１ｓの幅中心をダイシングライン１５という。本実施形態のダイシングライン１５は、回路パターンＣＰをそれぞれ囲む格子状である。
【００２０】
個片化されたチップ３０は、後の工程において装置基板４２に実装されるなどして半導体装置やシステムオンガラス（ＳＯＧ：Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、または光導波装置などのデバイス装置に用いられる。
【００２１】
なお、本実施形態の製造方法では、ウェハ１０の主表面１８側と裏面１９側とで、ダイシングストリート１１ｓの幅を相違させる。具体的には、裏面１９側についてはブレード２０を用いてより太幅に切削する。一方、主表面１８側についてはレーザーＬを照射してウェハ１０に改質層１４を形成し、これを破断または溶断することで、より細幅にダイシングストリート１１ｓを形成する。
以下、断りなくダイシングストリート１１ｓと呼称した場合は、ウェハ１０内のチップ収率に影響する主表面１８側のダイシング幅をいうものとする。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態で切断されるウェハ１０は略円形をなし、これを縦横に切断することで矩形状のチップ３０に個片化される。本実施形態では、ウェハ厚さＴＷを４００〜７００μｍ程度とする。
ウェハ１０は、切断工程に先駆けて、ウェハ厚さＴＷが所定厚さとなるよう、裏面１９を研磨してよい。
【００２３】
回路パターンＣＰはウェハ１０の主表面１８から内部にかけて、チップ領域１１ｃの内部に形成されている。回路パターンＣＰの形成位置および形成深さＤＣは限定されるものではないが、本実施形態ではウェハ１０の主表面１８より２０〜３０μｍの厚さで、各チップ領域１１ｃの内側に分散して形成されている。
【００２４】
ダイシング領域１１ｄの内側には、アクセサリと呼ばれる金属皮膜が部分的に形成される場合がある。アクセサリとしては、回路パターンＣＰの成膜性を良好にするダミーパターンや、これを検証するテストパターンのほか、ウェハ１０を位置合わせするためのアライメントマークなどが形成される。アクセサリは、回路パターンＣＰと同等の深さ位置に形成してもよく、これよりも主表面１８側に薄く形成してもよい。
【００２５】
（切削工程）
図１（ｂ）に示す切削工程では、ウェハ１０の裏面１９側からダイシング領域１１ｄに沿って、ブレード２０を使用して深さＤＧまでウェハ１０を切削する。切削工程は、後述する照射工程の前におこなってもよく、照射工程の後におこなってもよい。
本実施形態では、照射工程に先だって切削工程をおこなうこととしている。
本実施形態の切削工程は、ブレード２０を使用してウェハ１０の裏面（他方の面）側からハーフカットしておこなう。
【００２６】
ウェハ１０の主表面１８には表面保護シート５０が被着されている。表面保護シート５０は、ウェハ１０の回路パターンＣＰを研削時に保護する樹脂フィルムである。
【００２７】
切削工程により、ウェハ１０の裏面１９に溝部１６が形成され、溝部１６の底面１７と主表面１８との間の厚さ部分が、切り残し領域１２として残置される。溝部１６はダイシング領域１１ｄに沿って設けられる。
ここで、溝部１６の溝幅ＷＧ、すなわちブレード２０の刃厚ＴＢに切削しろを合わせた裏面側のダイシング幅は、ダイシング領域１１ｄの幅ＷＤよりも太幅である。
したがって、溝部１６は、ウェハ１０の裏面側においてチップ領域１１ｃと部分的に重なり合っている。
【００２８】
本実施形態の場合、具体的にはブレード２０の刃厚ＴＢを７０〜８０μｍ程度とし、これに切削しろを併せた溝部１６の溝幅ＷＧを７５〜１００μｍ程度とすることができる。
ブレード２０としては、ニッケルなどの金属材料にダイヤモンドの砥粒を分散させた、いわゆる電鋳ブレードを用いることができる。このほか、いわゆるレジンボンドブレードやメタルボンドブレードを用いてもよい。
【００２９】
ブレード２０によるハーフカットの深さは特に限定されるものではないが、本実施形態では、溝部１６の底面１７とウェハ１０の主表面１８との間に回路パターンＣＰが形成されている。よって、ブレード２０により切削される溝部１６の深さＤＧ位置は、ウェハ１０の表面側内部に設けられる回路パターンＣＰの形成深さ（ＤＣ）位置よりもウェハ１０の裏面側としている。すなわち、切り残し領域１２の厚さＴＲは、回路パターンＣＰの形成深さＤＣ以上である。
【００３０】
一方、切り残し領域１２の厚さＴＲは、後述の照射工程をレーザーＬの少ない照射回数および照射時間で行うことができるよう、ウェハ厚さＴＷの半分以下としている。具体的には、切り残し領域１２の厚さＴＲを、２０〜２００μｍとし、好ましくは５０〜１００μｍとしている。
【００３１】
（照射工程）
図２に示す照射工程においては、切削工程でハーフカットされたウェハ１０の切り残し領域１２の表面または内部に対し、レーザーＬを照射して改質層１４を形成する。
そして、改質層１４におけるウェハ１０の破断を容易とすることで、照射工程と同時に、または照射工程後の破断工程において、ブレードを用いることなく切り残し領域１２を破断する。
【００３２】
より具体的には、ウェハ１０の主表面１８側または裏面１９側からレーザーＬを照射することにより、ブレード２０で切削される幅領域（溝幅ＷＧ）の内側かつ切削される深さＤＧよりも主表面１８側に、ダイシングライン１５に沿って改質層１４を形成する。
【００３３】
ここで、照射工程は、ブレード２０で溝部１６が予めハーフカットされたウェハ１０に対してレーザーＬを照射しておこなってもよく、または、溝部１６が未形成のウェハ１０に対して溝部１６の形成予定位置の内側領域に対してレーザーＬを照射しておこなってもよい。
また、レーザーＬはウェハ１０の表面側から照射してもよく、または、ウェハ１０の裏面側から照射してもよい。
【００３４】
より具体的に、本実施形態では、切削工程の後に照射工程をおこなうこととしている。すなわち、ブレード２０により予めハーフカットされたウェハ１０の切り残し領域１２の表面または内部に対して改質層１４を形成する。したがって、改質層１４は溝部１６に沿って、すなわち、回路パターンＣＰをそれぞれ囲んで格子状に形成される。
改質層１４を形成する深さ位置は特に限定されるものではなく、切り残し領域１２の表面側表層部、裏面側表層部または内部のいずれに形成してもよい。
【００３５】
レーザーＬは、ウェハ１０の材質およびこれに起因する吸収波長に応じて適宜のものを選択して用いることができる。
一例としてウェハ１０がシリコンからなる場合、ＹＡＧ三倍波レーザー（波長３５５ｎｍ）を用いるとよい。また、ウェハ１０が石英ガラスからなる場合は、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザー（波長１０．６μｍ）を用いるとよい。
【００３６】
レーザーＬは、連続レーザーでもパルスレーザーでもよい。レーザーＬとしてパルスレーザーを照射する場合、パルス同士をダイシングライン１５に沿って部分的に重ね合わせながらスキャンするとよい。
【００３７】
具体的には、ウェハ１０として単結晶シリコンウェハを用いる場合、光源として上記のＹＡＧ三倍波レーザーを用い、レーザーパワーを１．２Ｗ、スキャン速度を３００ｍｍ／ｓｅｃ、スキャン本数を１本として、ウェハ１０にレーザーＬを照射するとよい。
【００３８】
本実施形態では、ウェハ１０の裏面１９に対向して設けられた集光レンズＣによって、レーザーＬをウェハ１０の所定の深さ位置に集光して改質層１４を形成する。集光されて高密度エネルギーとなったレーザーＬは、ウェハ１０の材料にレーザー照射痕を形成する。
レーザー照射痕としては様々な態様が存在する。例えば、微小なクラックの集合体（クラックスポット）として、または溶融および再固化領域として、または結晶構造が変化した領域として、ウェハ１０にはレーザー照射痕が生じる。本実施形態では、かかるレーザー照射痕を改質層という。
【００３９】
本実施形態の照射工程では、ウェハ１０の裏面側からレーザーＬを照射する。
したがって、集光レンズＣから改質層１４までの焦点距離ＢＶは、溝部１６の深さＤＧよりも大きい。図２（ｂ）の上方に設置された照射装置（図示せず）から照射されたレーザーＬは、集光レンズＣを通過することで集光され、ウェハ１０の裏面１９に予め形成された溝部１６の溝幅ＷＧ内を通過して、溝部１６の底面１７より切り残し領域１２の内部に入光する。
【００４０】
本実施形態では、レーザーＬの集光点を切り残し領域１２のうちの主表面１８近傍とする。これにより、切り残し領域１２のうち、主表面１８側の一部厚さに対して改質層１４が形成される。
【００４１】
集光点におけるレーザーＬの照射幅は、切り残し領域１２の幅、すなわち溝部１６の溝幅ＷＧよりも細幅である。本実施形態では、かかる照射幅を１０μｍ以下としている。そして本実施形態で形成される改質層１４の形成幅ＷＭは、ブレード２０の幅（刃厚ＴＢ）よりも細幅であって、さらに、レーザーＬの照射幅のうち、よりエネルギー密度の高い中央の一部となる。したがって、本実施形態で形成される改質層１４の形成幅ＷＭは、１〜数μｍである。
【００４２】
切り残し領域１２の幅内におけるレーザーＬの照射位置は、すなわちウェハ１０の表面側のダイシングライン１５の位置となる。
ここで、ウェハ１０の裏面側のダイシングラインである溝部１６の幅中心と、表面側のダイシングラインである改質層１４の幅中心とは、表裏で互いに一致していても、ずれあっていてもよい。
【００４３】
（破断工程）
本実施形態では、図３（ａ）に示すように、ウェハを個片化する破断工程を、溝部１６および改質層１４が予め形成されたウェハ１０に対しておこなう。本実施形態の破断工程では、ウェハ１０を改質層１４に沿って破断してチップ３０に個片化する。
改質層１４に沿ってウェハ１０を破断するに際しては、人為的な外力をウェハ１０に負荷する方法と、自然に割れを発生させる方法とがある。外力を負荷する場合、その負荷方法および負荷方向は特に限定されるものではない。例えば、ウェハ１０に引張応力、曲げ応力または剪断応力を与えたり、温度差に基づく熱応力を与えたりするなどの方法が挙げられる。
【００４４】
本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、ウェハ１０の主表面１８に貼着された表面保護シート５０を面内方向（矢印方向）に伸長（エキスパンド）することにより、溝部１６および改質層１４が形成されたウェハ１０を幅方向に引っ張る。これにより、ウェハ１０は改質層１４において破断する。
したがって、表面保護シート５０には伸縮性のエキスパンドテープを用いるとよい。
【００４５】
破断されたチップ３０は、表面保護シート５０から剥がされ、必要に応じて図３（ｃ）に示すように上下反転させたうえで装置基板４２にマウントされる。ただし、チップ３０がフリップチップタイプの半導体チップの場合、上下反転は不要である。
【００４６】
上記本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態によるチップの製造方法は、ウェハ１０の裏面側からブレード２０を使用してダイシング領域１１ｄに溝部１６を形成する切削工程と、ウェハ１０の表面側または裏面側からレーザーＬを照射してダイシング領域１１ｄに改質層１４を形成する照射工程と、改質層１４を破断してウェハ１０を個片化する破断工程とを含む。これにより、回路パターンＣＰが形成された主表面１８側においてはチップサイズを大きく確保してチップ収率を向上することができる。
一方、回路パターンＣＰの形成されていない裏面側については、溝部１６の溝幅ＷＧが太くなったとしてもチップ収率には影響を及ぼさないことから、比較的太幅のブレード２０による高速切削をおこない、ダイシング工程の全体を通じて高いスループットを確保している。
【００４７】
本実施形態の製造方法に供されるウェハ１０には、その表面側の内部に回路パターンＣＰが形成されている。そして、回路パターンＣＰが溝部１６の底面１７とウェハ１０の主表面１８との間に形成されるよう、ブレード２０による切削深さを設定している。すなわち、切削工程でウェハ１０の裏面側から入り込むブレード２０の先端は、回路パターンＣＰの形成深さＤＣ位置まで到達しない。よって、切削工程の衝撃によりウェハ１０内部にチッピングが生じたとしても、これがウェハ１０を横方向（幅方向）に伸展して回路パターンＣＰに損傷を与えることがない。
【００４８】
本実施形態の製造方法では、切削工程においてウェハ１０を裏面１９側からハーフカットしたのちに、その切り残し領域１２の表面または内部に対してレーザーＬを照射して改質層１４を形成している。すなわち、切削工程の後に照射工程をおこなっている。これにより、より衝撃の大きい切削工程において、ウェハ１０が不安定に破断してしまうことがなく、切削工程時のチッピングの発生が抑制される。
【００４９】
本実施形態の製造方法では、ハーフカットされた切り残し領域１２の厚さＴＲを２０から２００μｍとしている。これを２０μｍ以上とすることにより、ウェハ１０の表面側に一般的に形成される回路パターンＣＰの深さ位置（形成深さＤＣ）までブレード２０の先端が到達することがない。特に、切り残し領域１２の厚さＴＲを５０μｍ以上とすることで、ブレード２０の到達深さ位置から回路パターンＣＰの形成深さＤＣ位置まで、厚み方向に十分な距離が確保され、切削工程におけるチッピングにより回路パターンＣＰが損傷を受けることが抑えられる。
一方、切り残し領域１２の厚さＴＲを２００μｍ以下とすることで、少ない照射時間および照射量で形成される改質層１４を用いて、ウェハ１０を破断させることが可能である。
特に、切り残し領域１２の厚さＴＲを１００μｍ以下とすることで、一回の照射工程で形成される厚さの改質層１４を用いて、ウェハ１０のエキスパンドによりこれを破断させることが可能である。
【００５０】
本実施形態の製造方法では、切削工程および照射工程が施されて溝部１６および改質層１４が予め形成されたウェハ１０に対して破断工程をおこなう。かかる製造方法によれば、溝部１６が形成されたウェハ１０の切り残し領域１２に改質層１４を設けたことで、これに沿ってウェハ１０が切断しやすくなる。特に、ウェハ１０が単結晶シリコンウェハの場合は、改質層１４を起点としてウェハ１０に劈開が生じやすくなる。したがって、細い形成幅ＷＭの改質層１４によってウェハ１０の破断が可能である。このため、切り残し領域１２をレーザーＬによって溶断する場合と比較して、改質層１４の形成幅および形成厚さをそれぞれ少なくすることができる。よって、レーザーＬの照射幅をきわめて細幅化することができ、チップ収率の向上が図られる。
【００５１】
一方、上記特許文献１に記載のチップの製造方法のように切り残し領域１２を表面側からブレードで切削する場合、ブレード自体の刃先厚さ（一般的に、少なくとも１５μｍ程度）に加え、切削しろとして通常５〜１０μｍを要することから、ウェハ１０の主表面には相応に太幅のダイシングストリートを要することとなる。
【００５２】
また、レーザーＬの照射によってウェハ１０に改質層１４を形成する際にウェハ１０の組成物が飛散することはなく、チップ３０の汚損（コンタミネーション）の原因となる異物が生じることがない。このため、切り残し領域１２をブレード切削やレーザー溶断する場合と比較して、本実施形態の照射工程および破断工程では特別な洗浄工程が不要である。
【００５３】
本実施形態では、レーザーＬを、切り残し領域１２に対してウェハ１０の裏面側から照射する。すなわち、ブレード２０によるハーフカットおよびレーザーＬの照射をいずれも裏面側からおこなう。このため、切削工程と照射工程との間でウェハ１０を表裏反転する必要がない。
【００５４】
ここで、ウェハ１０の主表面１８のうち、ダイシングストリート１１ｓの内側領域に設けられることのあるアクセサリは、アルミニウムや銅などの金属材料からなりレーザーＬを遮光する。しかし、本実施形態のように裏面側からレーザーＬを照射する場合には、金属製のアクセサリによって遮光されるおそれがない。したがって、切り残し領域１２の表面側に関するレーザー透過性によらず改質層１４を安定して形成することができる。
【００５５】
また、本実施形態の製造方法では、切り残し領域１２のもっとも表面側の一部に改質層１４を形成する。ここで、改質層１４は、破断工程においてウェハ１０を破断してチップ３０を個片化する際の起点となる領域である。よって、改質層１４を切り残し領域１２のもっとも表面側に形成することで、ウェハ１０を破断する際にその主表面１８側の近傍にはチッピングが生じにくい。したがって、本実施形態によれば、ウェハ１０の主表面に形成された回路パターンＣＰが破断時のチッピングによって損傷を受けることが防止される。
【００５６】
なお本実施形態については種々の変形を許容する。
第一の変形例として、ウェハ１０に対して照射工程をおこなって改質層１４を内部に形成したのちに、切削工程によりウェハ１０の裏面側からこれをブレード２０でハーフカットしてもよい。
【００５７】
すなわち、ウェハ１０に対して表面側または裏面側からレーザーＬを照射して、ダイシングストリート１１ｓの内部のうち、溝部１６の予定形成深さ位置よりも主表面１８側に改質層１４をまず形成する。
次に、ウェハ１０の裏面側から、ブレード２０にて所定深さ（深さＤＧ）までハーフカットする。
しかるのちに、ウェハ１０を面内方向に引っ張って外力を与え、改質層１４を破断させるとよい。
【００５８】
かかる変形例のように、切削工程に先だって照射工程をおこなう場合、ウェハ１０に回路パターンＣＰを形成したのち、表面保護シート５０を主表面１８に貼着する前に、レーザーＬを照射することができる。
【００５９】
第二の変形例として、伸縮性に乏しい表面保護シート５０によって切削工程および照射工程における主表面１８を保護する場合、照射工程後に表面保護シート５０を剥離したうえで、ウェハ１０の表面または裏面に対して伸縮性のダイシングシート（エキスパンドシート）を貼着してもよい。そして、かかるダイシングシートを面内方向にエキスパンドさせることで、改質層１４に沿ってウェハ１０を破断させてもよい。
【００６０】
ウェハ１０を表面保護シート５０からダイシングシートに貼り替える際には、ウェハ１０とダイシングシートとの間にフィルム状ダイボンド材を介装してもよい。
【００６１】
＜第二実施形態＞
図４（ａ）は、本実施形態における照射工程の様子を模式的に示す斜視図である。同図（ｂ）は、レーザーＬの送り方向に対して垂直に切ったウェハ１０の縦断面図である。
【００６２】
本実施形態の照射工程では、レーザーＬの照射をウェハ１０の表面側からおこなう。
すなわち、切削工程にて所定深さ（深さＤＧ）位置までハーフカットされたウェハ１０を表裏反転し、ウェハ１０の主表面１８に対向して設けられた集光レンズＣによってレーザーＬを集光して、切り残し領域１２の表面または内部に改質層１４を形成する。改質層１４の形成位置および形成寸法は第一実施形態と共通である。
【００６３】
切削工程において主表面１８を保護していた表面保護シート５０は、照射工程に先だって剥離され、ウェハ１０の裏面１９には伸縮性のダイシングシート５２が貼着されている。
【００６４】
また、本実施形態の照射工程においては、レーザーＬの照射によって回路パターンＣＰの境界領域（ダイシング領域１１ｄ）を溶断することにより、照射工程とともに破断工程をおこなう。すなわち、第一実施形態とは照射するレーザーＬの波長および出力を相違させ、照射工程においてウェハ１０を切断する。
【００６５】
改質層１４はウェハ１０の主表面１８側に形成されることから、本実施形態による場合は、集光レンズＣから改質層１４までの焦点距離ＢＶを短くすることができる。したがって、改質層１４の形成高さ位置に関する精度が向上する。
【００６６】
ここで、ウェハ１０の所定深さ位置で集光されるレーザーＬは、ひとたびウェハ１０に入光してからは空気層に出射することなく改質層１４の集光点に至ることが好ましい。ウェハ１０と空気との界面でレーザーＬは複雑に屈折および反射するためである。したがって、図２（ｂ）に示したようにウェハ１０の裏面側からレーザーＬを照射する場合、集光レンズＣで集光されたレーザーＬは、溝部１６の溝幅ＷＧの幅内を通過して溝部１６の底面１７に至ることが好ましい。このため、ウェハ厚さＴＷが大きく焦点距離ＢＶが長いウェハ１０の場合、集光レンズＣを通過して未集光のレーザーＬが収まる程度に溝部１６の溝幅ＷＧを太くすることが望まれることとなる。
これに対し、図４（ｂ）に示す本変形例のようにウェハ１０の表面側からレーザーＬを照射する場合、溝部１６の溝幅ＷＧを比較的細くすることが可能である。
【００６７】
また、本実施形態の製造方法では、切り残し領域１２にレーザーＬを照射することでこれを溶断し、照射工程と破断工程を同時におこなっている。したがって、照射工程後の破断工程を別途要することがなく、ダイシングの工程数を低減することができる。
【００６８】
＜第三実施形態＞
図５（ａ）は、本実施形態に用いられるブレード２０の刃先部の断面形状である。同図（ｂ）は、切削工程が施されて、裏面側（図中、下方）からブレード２０によりハーフカットされたウェハ１０の断面図である。同図（ｃ）は、照射工程および破断工程がおこなわれて個片化されたチップ３０を装置基板４２に接合してなる装置１００を示す断面図である。
【００６９】
本実施形態でダイシングされるウェハ１０はシリコン基板からなる半導体ウェハであり、個片化されたチップ３０（半導体チップ）は、装置基板４２に接合されて半導体装置を構成する。
【００７０】
本実施形態で用いるブレード２０は、刃先２２の断面が凹形状である。ここで、ブレード２０の刃先２２の断面とは、ブレード２０の回転軸を通る平面で切った刃先２２の断面をいう。
本実施形態の場合、切削工程では、刃先２２の幅中央が矩形溝状に凹んだブレード２０を用いてウェハ１０のハーフカットをおこなう。すなわち、ブレード２０には断面矩形の凹溝２４が設けられている。
【００７１】
これにより、ハーフカットされたウェハ１０には、凹形状の刃先２２に対応して、切り残し領域１２に凸部６０が形成される。凸部６０は、ハーフカットされてなる溝部１６の底面１７の中央に、ウェハ１０の裏面側に突出して形成される。
【００７２】
照射工程では、ウェハ１０の表面側または裏面側からのレーザーＬの照射により、凸部６０の幅中央位置に改質層１４（図５では図示せず）を形成する。したがって、ウェハ１０は、凸部６０の幅中央にて破断されることとなる。これにより凸部６０は、隣接する二つのチップ領域１１ｃに分割されて個片化される。チップ領域１１ｃを、同図（ｂ）で破線にて示す。
【００７３】
破断工程は、上記第一または第二実施形態と同様に、レーザーＬの照射工程後にウェハ１０に外力を負荷するか、またはレーザーＬによる溶断によっておこなうことができる。本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、切削工程後のウェハ１０の裏面側（図中、下方）にダイシングシート５２を貼着し、これを面内方向に引っ張ることによりウェハ１０を改質層１４に沿って破断させる。
【００７４】
図５（ｃ）に示すように、本実施形態により個片化されたチップ３０は、表面側の幅寸法ＷＴが裏面側の幅寸法ＷＢよりも大きく、その側壁面３２には、表面側に段差部３４が突出して設けられている。そして、段差部３４には、裏面側に伸びる返し部３６が形成されている。
返し部３６は、切り残し領域１２の幅中央に裏面側に向かって突出して形成されていた凸部６０が破断されたものである。
【００７５】
個片化されたチップ３０は、マウント樹脂４０によって、その裏面１９および側壁面３２が装置基板４２と接合されている。
このとき、チップ３０の段差部３４および返し部３６によって、マウント樹脂４０の這い上がりが防止される。
すなわち、チップ３０は、側壁面３２と交差する方向に段差部３４が鍔状に形成され、さらに段差部３４の外周縁には縁取り状に、裏面１９側に向かう返し部３６が突出して形成されている。したがって、側壁面３２を這い上がったマウント樹脂４０が段差部３４に至ったとしても、返し部３６を回り込んでチップ３０の主表面１８に到達することはできない。
よって、チップ３０の主表面１８に形成された回路パターンＣＰのうち、例えばボンディングパッドなどの金属端子がマウント樹脂４０によって埋没してしまうことがない。
【００７６】
このように、本実施形態の製造方法では、刃先２２の断面が凹形状であるブレード２０を用いて切削工程をおこなうことで、チップ３０の表面側に鍔状（傘状）に形成される段差部３４の外周縁に、結果的に返し部３６が形成される。
【００７７】
これにより、マウント樹脂４０の這い上がりが防止されて、チップ３０の主表面１８の全体を素子領域として有効に活用することができる。このため、ウェハ１０におけるチップ収率を向上するという上記効果と相まって、ウェハ１０における素子領域としての利用効率が向上する。
【００７８】
なお本実施形態についても種々の変形を許容する。
図６（ａ）は、本実施形態の第一の変形例にて用いられるブレード２０の刃先部の断面形状である。同図（ｂ）は、切削工程が施されて、裏面側（図中、下方）からブレード２０によりハーフカットされたウェハ１０の断面図である。同図（ｃ）は、照射工程および破断工程がおこなわれて個片化されたチップ３０を装置基板４２に接合してなる装置１００を示す断面図である。
【００７９】
本実施形態で用いるブレード２０は、刃先２２の断面が凹形状である。具体的には、刃先２２の全体が三角溝状に凹んでいる。すなわち、ブレード２０には断面三角形の凹溝２４が設けられている。
【００８０】
かかるブレード２０を用いてハーフカットしてなるウェハ１０においては、同図（ｂ）に示すように、溝部１６の底面１７が裏面側に三角形状に突出する。
そして、かかるウェハ１０を個片化してなるチップ３０は、同図（ｃ）に示すように、側壁面３２の主表面１８側に段差部３４が突出して形成されるとともに、側壁面３２と段差部３４とが鋭角に交差する。段差部３４の下面側には、側壁面３２から離れるほど裏面側に下がるスロープ状の返し部３６が形成されている。
【００８１】
これにより、チップ３０を装置基板４２に接合するに際して、マウント樹脂４０が側壁面３２を這い上がったとしても、側壁面３２から裏面側にむかって鋭角に突出する段差部３４によってマウント樹脂４０の這い上がりが停止される。これにより、マウント樹脂４０がチップ３０の主表面１８に至ることがない。
【００８２】
図７（ａ）は、本実施形態の第二の変形例にて用いられるブレード２０の刃先部の断面形状である。同図（ｂ）は、切削工程が施されて、裏面側（図中、下方）からブレード２０によりハーフカットされたウェハ１０の断面図である。同図（ｃ）は、照射工程および破断工程がおこなわれて個片化されたチップ３０を装置基板４２に接合してなる装置１００を示す断面図である。
【００８３】
本実施形態で用いるブレード２０は、刃先２２の断面が凹形状である。具体的には、刃先２２の全体が円形（半円形）溝状に凹んでいる。すなわち、ブレード２０には断面半円形の凹溝２４が設けられている。
【００８４】
かかるブレード２０を用いてハーフカットしてなるウェハ１０においては、同図（ｂ）に示すように、溝部１６の底面１７が裏面側に半円形状に突出する。
そして、かかるウェハ１０を個片化してなるチップ３０は、同図（ｃ）に示すように、四分の一円弧状の段差部３４が側壁面３２の主表面１８側に突出して形成されて、側壁面３２と段差部３４とが鋭角に交差する。
【００８５】
これにより、第一変形例と同様に、マウント樹脂４０が側壁面３２を這い上がったとしても、側壁面３２から裏面側にむかって鋭角に突出する段差部３４によってマウント樹脂４０の這い上がりが停止される。これにより、マウント樹脂４０がチップ３０の主表面１８に至ることがない。
【００８６】
＜第四実施形態＞
図８は、本実施形態に用いられるウェハ１０の積層断面図である。
ウェハ１０は、基板８０と、基板８０に対して一方の面（主表面１８）側に形成された多層配線構造８２とを含んでいる。
多層配線構造８２は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりも比誘電率が低い低誘電率層８４を含んでいる。
【００８７】
多層配線構造８２の全厚さに亘って低誘電率層８４を形成してもよく、または多層配線構造８２の一部の層を低誘電率層８４としてもよい。
本実施形態の多層配線構造８２は、低誘電率層８４に加えて絶縁層８３を含んでいる。絶縁層８３は、基板８０と低誘電率層８４との間に形成されており、かつ、低誘電率層８４よりも比誘電率が高い。
【００８８】
なお、絶縁層８３と二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）との比誘電率の大小は特に限定されないが、配線層間の寄生容量を低減する観点から、絶縁層８３の比誘電率は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の比誘電率と同等、またはこれより小さいことが好ましい。
【００８９】
図８に示す本実施形態の多層配線構造８２は、六層の配線層９１〜９６（以下、基板８０に近接する側から順に、第一から第六配線層という場合がある）を互いに積層して構成されている。配線層９１〜９６には、銅（Ｃｕ）などの金属配線（図示せず）が埋め込まれて回路パターンＣＰが構成されている。
配線層９１〜９６の膜厚は、たとえば５０ｎｍから１２０ｎｍ程度とすることができる。
なお、同図では、基板８０上のトランジスタや、配線層９１〜９６同士の間に形成される層間膜、およびパッド電極等については図示を省略している。
【００９０】
本実施形態のウェハ１０においては、第一、第五および第六配線層９１、９５、９６が絶縁層８３を構成している。
また、配線層９１〜９６のうちの一部、本実施形態では第二から第四配線層９２〜９４の三層が低誘電率層８４を構成している。より具体的には、低誘電率層８４は、配線層９１〜９６のうち最外層にあたる第一配線層９１および第六配線層９６を除く、多層配線構造８２の内部に配置されている。
【００９１】
低誘電率層８４は、基板８０および絶縁層８３（配線層９１、９５、９６）よりも比誘電率が低い。
より具体的には、本実施形態の基板８０はシリコン（Ｓｉ）からなり、絶縁層８３（第一、第五および第六配線層９１、９５、９６）は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２：酸化シリコン）からなる。
そして、低誘電率層８４を構成する第二から第四配線層９２〜９４は、低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）である。
すなわち、本実施形態の多層配線構造８２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりも比誘電率が低い低誘電率膜が形成された厚み領域を含んでいる。
【００９２】
低誘電率膜は、たとえば、ポーラスシリカ、ポーラスＳｉＯＣ、ポーラスＳｉＯＣＨ、ポーラスでない（ノンポーラス）ＳｉＯＣやＳｉＯＣＨ、ＨＳＱ（Hydrogen Silsesquioxane）、ラダーオキサイド（Ｌｏｘ：Ladder Oxide）、アモルファスカーボン等の通常用いられる低誘電率材料により構成することができる。
【００９３】
図９（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の切断工程が施されたウェハ１０の積層断面図である。
図９各図は、図８とは上下を反転させて図示している。また、表面保護シート５０（図１を参照）は図示を省略している。
本実施形態では、溝（溝部１６）を形成する切削工程において、溝部１６を、低誘電率層８４よりも他方の面（裏面１９）側に形成する。
【００９４】
言い換えると、本実施形態では、溝部１６は低誘電率層８４（配線層９２〜９４）と干渉せず、溝部１６の底面１７は、低誘電率層８４よりも裏面１９側に離間した深さ位置に形成されている。そして、溝部１６の底面１７と低誘電率層８４との間には、基板８０、または多層配線構造８２における絶縁層８３（配線層９１）が存在している。
【００９５】
すなわち、切削工程においては、図９（ａ）に示すように、溝（溝部１６）を、基板８０と多層配線構造８２との界面８６に至る深さまで形成してもよい。または、同図（ｂ）に示すように、基板８０を貫通して多層配線構造８２の内部に至る深さまで溝部１６を形成してもよい。
【００９６】
同図（ａ）に示すウェハ１０は、基板８０と面一に溝部１６が削成されており、溝部１６の底面１７は、基板８０と多層配線構造８２との界面８６と一致している。
一方、同図（ｂ）に示すウェハ１０は、基板８０を貫通して、多層配線構造８２における非低誘電率膜である絶縁層８３（配線層９１）の内部に至る深さまで溝部１６が形成されている。溝部１６の底面１７は、配線層９１の内部に位置している。
【００９７】
なお、本実施形態における照射工程以降の各工程は、上記の第一または第二実施形態と同様である。
【００９８】
本実施形態のように、低誘電率層８４を溝部１６の底面１７とウェハ１０の主表面１８との間に内包させることにより、ブレード２０（図１を参照）が低誘電率層８４に対して直接に接触することがない。ここで、Ｌｏｗ−ｋ膜は酸化シリコン（ＳｉＯ２）に比べて機械的強度等に劣るところ、ブレード２０が低誘電率層８４（Ｌｏｗ−ｋ膜）に接触しないことで、多層配線構造８２の剥離等の不具合を抑制することができる。
【００９９】
また、本実施形態のウェハ１０では、基板８０と低誘電率層８４との間に絶縁層８３（配線層９１）が介挿されている。これにより、ブレード２０が基板８０の全厚さをダイシングした際に、ブレード２０の刃先２２（図５〜７を参照）が基板８０から主表面１８側に僅かに突出したとしても、低誘電率層８４がブレード２０によって損傷を受けることがない。
さらに、多層配線構造８２の表層（第五および第六配線層９５、９６）を酸化シリコン（ＳｉＯ２）としたことにより、多層配線構造８２の内部の低誘電率層８４が外力から保護されている。
【０１００】
なお、照射工程でレーザーＬを照射して改質層１４を形成する際に低誘電率層８４が受けるダメージは、ブレード２０による切削時に受けるダメージよりもはるかに小さい（図２を参照）。このため、本実施形態によれば、切削工程、照射工程、およびその後の破断工程を通じて、多層配線構造８２に剥離等の不具合が生じることが抑制される。
【０１０１】
また、基板８０をダイシングするにあたっては、レーザーの照射のみで全厚さを切断するレーザーダイシングよりも、ブレード２０によるブレードダイシングの方が高いスループットが得られる。
したがって、本実施形態では、基板８０に対する溝部１６の形成はブレードダイシングを用いて、かつ基板８０の全厚さに亘って溝部１６を削成している。そして、多層配線構造８２の低誘電率層８４に対してはレーザーダイシングを適用している。これにより、低誘電率層８４（Ｌｏｗ−ｋ膜）に起因する剥離等の問題を解消するとともに、高いスループットを実現することができる。
【０１０２】
なお、上述した本実施形態では多層配線構造８２のうち基板８０に接する第一配線層９１（絶縁層８３）に酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いているが、本発明はこれに限られない。すなわち、低誘電率層８４のみならず、第一配線層９１にもＬｏｗ−ｋ膜を用いることができる。
この場合、第一配線層９１（絶縁層８３）に用いるＬｏｗ−ｋ膜の比誘電率と、低誘電率層８４（たとえば第二配線層９２）に用いるＬｏｗ−ｋ膜の比誘電率とを相違させてもよい。
具体的には、ブレードダイシングに際して第一配線層９１がブレード２０から受ける損傷を低減するため、第一配線層９１の機械的強度および比誘電率を、低誘電率層８４のＬｏｗ−ｋ膜と酸化シリコン（ＳｉＯ２）との間の値とすることができる。
より具体的には、たとえば、第一配線層９１の材料を比誘電率＝２．９程度のノンポーラス膜とし、第二配線層９２の材料を比誘電率＝２．４程度のポーラス膜とすることもできる。
【０１０３】
また、上述の本実施形態のように多層配線構造８２の一部の層にＬｏｗ−ｋ膜を適用してもよく、または、第五および第六配線層９５、９６を含めて多層配線構造８２のすべての配線層にＬｏｗ−ｋ膜を適用してもよい。
【符号の説明】
【０１０４】
１０      ウェハ
１１ｃ    チップ領域
１１ｄ    ダイシング領域
１１ｓ    ダイシングストリート
１２      切り残し領域
１４      改質層
１５      ダイシングライン
１６      溝部
１７      底面
１８      主表面
１９      裏面
２０      ブレード
２２      刃先
２４      凹溝
３０      チップ
３２      側壁面
３４      段差部
３６      返し部
４０      マウント樹脂
４２      装置基板
５０      表面保護シート
５２      ダイシングシート
６０      凸部
８０      基板
８２      多層配線構造
８３      絶縁層
８４      低誘電率層
８６      界面
９１〜９６      配線層
１００      装置
【図１】
2010016361.tif 000003
【図２】
2010016361.tif 000004
【図３】
2010016361.tif 000005
【図４】
2010016361.tif 000006
【図５】
2010016361.tif 000007
【図６】
2010016361.tif 000008
【図７】
2010016361.tif 000009
【図８】
2010016361.tif 000010
【図９】
2010016361.tif 000011