(57)【要約】【課題】水分や酸素などのガス成分の影響を受けにくい発光素子を用いた自発光表示装置を提供する。【解決手段】自発光装置は、絶縁性基板１上に、第１電極６と、有機発光層９と、第２電極１０とが、この順に形成された発光素子を、該絶縁性基板１上に２次元配置することにより、表示領域を構成する。そして、第１電極６は、少なくとも反射層を有する反射電極であって、かつ、反射電極の少なくとも側壁面の一部が絶縁体６’となっている。【選択図】  図１
2010251202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極と、有機発光層と、第２電極とが、この順に形成された発光素子を、前記基板上に２次元配置することにより、表示領域を構成する自発光表示装置であって、
前記第１電極は、少なくとも反射層を有する反射電極であって、かつ、前記反射電極の少なくとも側壁面の一部が絶縁体であることを特徴とする自発光表示装置。
【請求項２】
前記第１電極は、反射層と該反射層上に形成された導電層からなり、前記導電層で覆われていない前記反射層の表面が絶縁体であることを特徴とする請求項１に記載の自発光表示装置。
【請求項３】
前記絶縁体は、金属酸化物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の自発光表示装置。
【請求項４】
前記絶縁体の絶対反射率は、３５０〜８００ｎｍの全波長において２０％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の自発光表示装置。
【請求項５】
前記絶縁体は、陽極酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の自発光表示装置。
【請求項６】
基板上に、第１電極と、有機発光層と、第２電極とが、この順に形成された発光素子を、前記基板上に２次元配置することにより、表示領域を構成する自発光表示装置の製造方法であって、
前記第１電極は、少なくとも反射層を有する反射電極として形成し、かつ、前記反射電極の少なくとも側壁面の一部は、絶縁体として形成することを特徴とする自発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁体は、陽極酸化法により形成することを特徴とする請求項６に記載の自発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は自発光表示装置及びその製造方法に関し、特に、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置に好適に用いられる自発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の劣化が加速される原因のひとつとして、水分や酸素などのガス成分の浸入が知られている。特に有機ＥＬ素子において、有機発光層に水分や酸素などのガス成分が浸入した箇所は非発光状態となり、輝度の低下、発光効率の低下、非発光画素が発生する。
【０００３】
発光素子においては、周辺環境からの水分、酸素などのガス成分を防ぐために、ガス透過性の低い材料もしくは構造体により発光素子が封入／封止されており、周辺環境から発光素子への水分、酸素などのガス成分の浸入を極めて小さく抑えることができる。しかし、発光素子を構成する要素に樹脂材料を用いる場合には、樹脂材料に含まれる水分や酸素などのガス成分が問題となる。すなわち、封止された発光素子内部にて、樹脂材料から水分や酸素などのガス成分が放出されると、発光素子の劣化が進行する。
【０００４】
特に、従来の有機ＥＬ素子においては、図７に示すように、画素間に分離膜８を形成した場合に、分離膜８と有機発光層９が直接接触することになる。このため、分離膜８に水分や酸素などのガス成分が多いと、有機ＥＬ素子の劣化を大きく進行させてしまう原因となっている。なお、図７は、従来の自発光表示装置の画素構成を示す概略断面図であり、本発明の実施形態と同様の機能を有する部分には同一の符号を付してある。
【０００５】
特許文献１に開示されている発光素子からなる有機電界発光装置においては、画素間分離膜となる絶縁層に対して、基板加熱、減圧雰囲気により脱水・脱ガス処理した後に、有機発光層を形成している。すなわち、絶縁層が保持している水分や酸素などのガス成分の一部を、基板加熱と減圧雰囲気により絶縁層から除去することによって、有機発光層に浸入する水分や酸素などのガス成分を極力少なくし、発光素子の劣化を抑制するとされている。
【０００６】
しかし、基板加熱及び減圧雰囲気下で除去できる絶縁層に含まれる水分やガス成分は、限定的である。すなわち、絶縁層内部で強く吸着している水分やガス成分は、基板加熱、減圧雰囲気だけでは除去することができず、素子劣化を抑制するには効果が得られるものの、絶縁層に含まれる水分やガス成分による素子劣化を排除することはできない。また、樹脂材料においては、発光素子に付加される環境からの熱や光により材料分解が発生し、これに伴って水分やガス成分が新たに発生する。新たに発生した水分やガス成分が発光素子に浸入すると、発光素子の劣化を招き、輝度や発光効率の低下だけではなく、非発光画素が発生してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３５３１５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、発光素子の画素間分離膜から放出される水分や酸素などのガス成分が発光素子に浸入すると、発光素子の劣化が加速される。そして、水分や酸素などのガス成分が浸入した箇所は非発光状態となり、輝度や発光効率の低下だけではなく、非発光画素が発生する。
【０００９】
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、水分や酸素などのガス成分の影響を受けにくい発光素子を用いた自発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の自発光表示装置は、上述した課題を解決するため、以下の特徴を有している。すなわち、本発明の自発光表示装置は、基板上に、第１電極と、有機発光層と、第２電極とが、この順に形成された発光素子を、基板上に２次元配置することにより、表示領域を構成する自発光表示装置である。そして、第１電極は、少なくとも反射層を有する反射電極であって、かつ、反射電極の少なくとも側壁面の一部が絶縁体であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の自発光表示装置によれば、画素間の分離膜を必要としないため、分離膜に含まれる水分や酸素などのガス成分が拡散することによる発光素子の劣化を排除することができる。また、環境負荷により分離膜の内部で新たに発生する水分やガス成分もないため、耐環境性に優れた発光素子とすることができる。
【００１２】
さらに、分離膜を形成するための工程を省くことができるため、製造コストを低減することができる。また、分離膜形成のためのスペースが不要となるため、１画素あたりの発光面積を拡大することができ、画素開口率が向上し、発光素子の寿命を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例１に係る自発光表示装置の画素構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る自発光表示装置全体像の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施例１に係る自発光表示装置の画素レイアウトの一例を示す上面図である。
【図４】本発明の実施例１に係る自発光表示装置において、その絶縁体の形成方法の一例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施例２に係る自発光表示装置の画素構成を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施例２に係る自発光表示装置において、その絶縁体の形成方法の一例を示す概略断面図である。
【図７】従来の自発光表示装置の画素構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る自発光表示装置の実施の形態について説明する。
【００１５】
本発明の実施形態に係る自発光表示装置は、基板上に、第１電極と、有機発光層と、第２電極とが、この順に形成された発光素子を用いる。そして、発光素子を基板上に２次元配置することにより、表示領域を構成する。
【００１６】
本発明の実施形態に係る自発光装置において、第１電極は、少なくとも反射層を有する反射電極であって、かつ、反射電極の少なくとも側壁面の一部が絶縁体となっている点に特徴がある。また、第１電極は、反射層と該反射層上に形成された導電層からなり、導電層で覆われていない反射層の表面を絶縁体とすることができる。ここで、絶縁体は、金属酸化物により形成することができる。この絶縁体の絶対反射率は、３５０〜８００ｎｍの全波長において２０％以下であることが好ましい。また、絶縁体は、陽極酸化膜により形成することができる。さらに、絶縁体は、陽極酸化法により形成することができる。
【実施例】
【００１７】
［実施例１］
図面を参照して、本発明に係る自発光表示装置の具体的な実施例を説明する。
【００１８】
なお、以下の説明において、特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。また、以下に説明する実施例は、発明の幾つかの実施例であって、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００１９】
図１は、本発明の実施例１に係る自発光表示装置の画素構成を示す概略断面図であり、画素の断面構造を模式的に示している。また、図２は、本発明の実施例１に係る自発光表示装置全体像の一例を示す斜視図であり、図３は、本発明の実施例１に係る自発光表示装置の画素レイアウトの一例を示す上面図である。また、図４は、本発明の実施例１に係る自発光表示装置において、その絶縁体の形成方法の一例を示す概略断面図である。なお、図１に示す断面構造は、図３におけるＡ−Ａ’の断面構造に対応する。なお、各図において、同様の機能を有する部分には同一の符号を付してある。
【００２０】
実施例１の自発光装置は、図１に示す断面構造を有する画素により、図２に示す表示領域１５が構成されている。なお、図２に示すように、表示領域１５の側部には、接続端子１４が設けられている。そして、図１に示すように、第１絶縁層２、薄膜トランジスタ３、第２絶縁層４、平坦化層５が形成された絶縁性基板１の上に、第１電極６、有機発光層９、第２電極１０、封止膜１１、保護膜１２が形成されている。
【００２１】
第１電極６は各画素に対応するパタン電極から構成され、画素毎に制御される薄膜トランジスタ３とコンタクトホール１３を介して接続している。すなわち、第１電極６が発光素子毎に薄膜トランジスタ３と接続されている。そして、各画素の発光制御は、第１電極６と第２電極１０の間に印加する電圧を制御することによって行われる。
【００２２】
第１電極６のパタン端部表面及び側壁面には、図１及び図３に示すように、絶縁体６’が形成されている。また、コンタクトホール１３の直上においても、第１電極６の表面に絶縁体６’が形成されている。
【００２３】
実施例１における第１電極６の構成では、絶縁体６’が形成されていない領域において、有機発光層９に電子もしくはホール注入が行われるため、絶縁体６’の形成領域により各画素の発光面積が決められている。
【００２４】
第１電極６は高反射率材料であって、かつ導電性を有する材料から構成される。コンタクトホール１３の直上の第１電極６の表面は絶縁体６’が形成されているが、表面以外は導電性材料で接続されており、コンタクトホール１３を介して薄膜トランジスタ３との電気的接続が維持されている。
【００２５】
絶縁体６’は、絶縁性が確保できれば、その形成方法は限定されてないが、例えば、金属酸化物である陽極酸化膜を用いることができる。また、絶縁体６’の形成領域は非発光領域となるため、外光反射を避けるために、低反射率であることが好ましい。具体的には、絶対反射率は、３５０〜８００ｎｍの全波長において、２０％以下であることが好ましい。
【００２６】
実施例１において、図７に示す従来の自発光表示装置で形成されている分離膜８は設ける必要がない。そのため、分離膜８に由来する水分や酸素などのガス成分による発光素子の劣化は排除される。
【００２７】
従来の自発光表示装置における分離膜８には、第１電極６の端部保護の目的があった。第１電極６の厚さが５０ｎｍ〜３００ｎｍであるのに対して、有機発光層９の厚さも５０ｎｍ〜３００ｎｍであり、両者は同程度である。従来の自発光表示装置において分離膜８を形成しないと、第１電極６上に形成した有機発光層９は第１電極６の端部を十分に覆うことはできない。このため、次に形成される第２電極１０と第１電極６とが接触ショートし、第１電極６と第２電極１０の間に電圧を印加できないため、非発光画素が発生する。特に、有機発光層９を直進性の高い、例えば加熱蒸着や転写で形成し、第２電極１０を回り込みの大きいスパッタで形成する場合には、より一層、第１電極６の端部におけるショートが問題となる。
【００２８】
本発明の構成では、第１電極６の端部表面及び側壁面には絶縁体６’が形成されている。このため、仮に絶縁体６’と第２電極１０とが接触する場所があったとしても、第１電極６と第２電極１０とがショートすることはなく、電極間に電圧を印加して発光させることができる。
【００２９】
実施例１の構成では、１画素を単色発光させることが可能であり、３個の画素にてＲＧＢを発光制御することで、１ピクセルとして表示させることができる。
【００３０】
上述した実施例１の構成によれば、従来の自発光表示装置における分離膜８を形成する必要がないため、分離膜８が含有したり分解したりすることで発生する水分や酸素などのガス成分の影響を排除できる。このため、発光素子の劣化を抑制することができる。
【００３１】
以下、実施例１についてさらに詳細に説明する。
【００３２】
実施例１では、第１電極６は高反射率の導電性材料からなり、反射層を有する反射電極となる。例えば、第１電極６は、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属を５０〜３００ｎｍ程度形成した膜から形成することが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。また、これらの金属膜は導電性が高く、電極材料として優れている。特に、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔａなどや、それらを少なくとも一種類含む合金は陽極酸化が可能な材料であり、より一層好ましい。
【００３３】
第２電極１０は透過率の高い導電性材料であり、光取り出し電極となる。各画素から発せられた光は、第２電極１０を介して取り出される。すなわち、実施例１の自発光装置（有機ＥＬ表示装置）はトップエミッション型となっている。
【００３４】
第２電極１０の電極材料としては、透過率の高い材料が好ましい。例えば、第２電極１０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜であってもよいし、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどの金属を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度形成した半透過膜であってもよい。
【００３５】
第１電極６及び絶縁体６’は、図４に示すようにして形成される。図４は、自発光表示装置における絶縁体の形成方法の一例を示す概略断面図である。
【００３６】
パタン形成された第１電極６上に感光性レジストを塗布し、露光、現像により、第１電極６の端部及びコンタクトホール１３が露出するようにレジストパタン１６を形成する（図４（ａ））。続いて、露出した第１電極６に対して、陽極酸化法を用いてレジストパタンで覆われていない第１電極６の表面及び側壁面を酸化処理し、絶縁体６’となる陽極酸化膜を形成する（図４（ｂ））。剥離液によりレジストパタン１６を除去し、実施例１の第１電極６及び絶縁体６’を形成する（図４（ｃ））。
【００３７】
レジストパタン１６の除去工程において、レジスト変質により剥離がうまくいかない場合には、ドライエッチング、アッシングなどによりレジスト表面の変質層を取り除いた後に、レジストパタン１６を剥離すればよい。
【００３８】
陽極酸化法は、第１電極６の材料の表面を十分に酸化し、絶縁体６’を形成できれば特に限定されず、液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ基板のゲート絶縁膜等の製造で用いられる公知のプロセスで行うことができる。しかし、陽極酸化を行う際、成膜した金属膜に直接通電すると、第１電極６が島状であるため均一な絶縁体６’を得ることができない。そこで、薄膜トランジスタ３を形成するアノード線、信号線、ゲート線などの基板に形成された全ての端子に導通し、トランジスタやスルーホールを介して金属膜に電流を流す必要がある。
【００３９】
さらに、絶縁体６’となる陽極酸化膜としては、酸化クロム膜や黒色アルマイトを用いてもよく、この際、絶対反射率は、３５０〜８００ｎｍの全波長において、２０％以下とすることが好ましい。絶縁体６’を低反射率とすることで、外光反射によるコントラスト低下を抑えて良好な表示特性を有する自発光表示装置を得ることができる。
【００４０】
具体的には、以下の工程により絶縁体６’となる陽極酸化膜を形成した。
【００４１】
第１電極６として形成したＡｌ合金パタンを形成した基板を、３％の酒石酸をアンモニアにより、ｐＨ６．２５±０．０５に調整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した液からなる陽極酸化液中に浸漬する。そして、化成電流密度が０．２ｍＡ／ｃｍ2になるように調整する（定電流化成）。次に、所定のＡｌ2Ｏ3膜の厚さが得られるのに必要な化成電圧１００Ｖに達するまで陽極酸化を行う。その結果、レジストパタン１６で覆われていない第１電極６の表面及び側壁面に、Ａｌ2Ｏ3からなる陽極酸化膜の絶縁体６’が形成される。さらにその後、均一な絶縁体６’を得るために、数１０分保持することが好ましい（定電圧化成）。この際、コンタクトホール１３を介しての導電パスが切断されないように条件を設定する必要がある。
【００４２】
なお、陽極酸化する際に、成膜した金属膜に直接通電すると、第１電極６が島状であるためで均一な絶縁体６’を得ることができない。そこで、アノード線、信号線、ゲート線などの基板に形成された全ての端子に導通し、トランジスタやスルーホールを介して金属膜に電流を流す必要がある。
【００４３】
化成電流密度が０．２ｍＡ／ｃｍ2、有機ＥＬ素子アレイの画素サイズが５０μｍ×１５０μｍの場合、１画素あたりに流れる電流は１５ｎＡである。一般的に、１画素の薄膜トランジスタ３のソース−ドレイン間に流すことのできる電流は０．１ｍＡである。陽極酸化中は、絶縁体である陽極酸化膜に電圧が印加されることになり、薄膜トランジスタ３に高電圧が印加されることはなく、薄膜トランジスタ３は破壊されない。
【００４４】
以上の方法により、例えば、第１電極６の材質がＡｌの場合には、第１電極６のパタン端部上面及び側壁面と、コンタクトホール１３に対して、Ａｌ2Ｏ3の無機絶縁膜（陽極酸化膜）が形成され、第１電極６の表面及び側壁面が絶縁される。したがって、仮に、第２電極１０が第１電極６のパタン端部で第２電極１０と接触することがあっても、第１電極６と第２電極１０とがショートすることはない。
【００４５】
また、コンタクトホール１３は、凹構造となっているため電界分布が変化し、有機発光層９の膜厚分布と重なり、発光輝度の不均一が発生する場合があるが、コンタクトホール１３上に絶縁体６’を形成することで、不均一発光しないようにすることできる。
【００４６】
有機発光層９は以下のようにして、形成される。
【００４７】
有機発光層９は、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。正孔注入材料または正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングするか、または電子注入材料または電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。さらに、有機発光層９は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。
【００４８】
各色の有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等を使用することができる。また、これらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体を使用することができる。ただし、本発明の構成として例示の材料に限定されるものではない。
【００４９】
有機発光層９は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送の各単機能を持つ層であってもよいし、複合機能を持つ層であってもよい。有機発光層９の膜厚は、５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度が良く、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００５０】
正孔注入及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等を使用することができるが、本発明の構成として限定されるものではない。
【００５１】
電子注入及び輸送材料の例としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用することができる。
【００５２】
次に、透明電極を成膜し、第２電極１０を形成する。
【００５３】
実施例１の構成では、第１電極６の端部表面及び側壁面に絶縁体６’が形成されている。仮に、絶縁体６’と第２電極１０とが接触する場所があったとしても、第１電極６と第２電極１０とでショートすることはなく、電極間に電圧を印加して発光させることができる。
【００５４】
以上説明したように、実施例１の自発光表示装置は、画素間の分離膜を必要としないため、分離膜に含まれる水分や酸素などのガス成分が拡散することによる発光素子の劣化を排除することができる。また、環境負荷により分離膜内部で新たに発生する水分やガス成分もないため、耐環境性に優れた発光素子とすることができる。
【００５５】
さらには、分離膜を形成するための工程を省くことができるため、製造コストを低減できるほか、分離膜形成のためのスペースが不要となるため、１画素あたりの発光面積を拡大することができ、画素開口率が向上し、発光素子の寿命向上を図ることができる。
【００５６】
［実施例２］
次に、図５及び図６を参照して、本発明の実施例２に係る自発光表示装置について説明する。図５は本発明の実施例２に係る自発光表示装置の画素構成を示す概略断面図であり、画素の断面構造を模式的に示している。また、図６は本発明の実施例２に係る自発光表示装置において、その絶縁体の形成方法の一例を示す概略断面図である。
【００５７】
実施例２では、第１電極６上に導電膜７のパタンが形成されている。導電膜７が形成されていない第１電極６の表面及び側壁面には、絶縁体６’が形成されている。導電膜７は第１電極６と電気的に接続されており、第１電極６、コンタクトホール１３を介して薄膜トランジスタ３と電気的に接続されている。発光面積は導電膜７により規定される。
【００５８】
導電膜７の材料としては、電子もしくはホール注入性の高い材料が好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜などを挙げることができる。これらの導電膜７は、スパッタ、蒸着等により１０ｎｍ〜３０ｎｍの厚さで形成する。
【００５９】
図５に示す第１電極６及び絶縁体６’、導電膜７は、図６に示すようにして形成される。
【００６０】
パタン形成された第１電極６上に、第１電極６を覆うように導電膜７を形成する。続いて、感光性レジストを塗布し、露光、現像により、第１電極６の端部及びコンタクトホール１３が露出するようにレジストパタン１６を形成する（図６（ａ））。導電膜７をエッチングにより除去してパタン形成し（図６（ｂ））、さらに露出した第１電極６に対して、陽極酸化法を用いてレジストパタンで覆われていない第１電極６の表面及び側壁面を酸化処理し、絶縁体６’となる陽極酸化膜を形成する（図６（ｃ））。続いて、剥離液によりレジストパタン１６を除去し、実施例２の第１電極６及び絶縁体６’を形成する（図６（ｄ））。
【００６１】
導電膜７のエッチングには、ウエットエッチング、ドライエッチングなどを用いることができる。ウエットエッチングを用いる場合には、第１電極６の材料との組み合わせによっては電蝕反応により第１電極６のパタン、反射率が失われることがあるため、材料の組み合わせ、エッチング条件を設定することが必要である。また、ドライエッチングを行う際にも、第１電極６のパタンが失われることがないよう、条件を設定することが必要である。
【００６２】
実施例２の絶縁体６’及び導電膜７の形成方法によれば、導電膜７をパターニングするためのレジストパタンを、そのまま用いて絶縁体６’を形成できるため、絶縁体６’と導電膜７のパタンがずれて形成されることはない。このため、導電膜７で覆われていない第１電極６の表面及び側壁面は絶縁体６’で覆われることになる。
【００６３】
実施例２の構成では、第１電極６の端部表面及び側壁面には絶縁体６’が形成されている。このため、仮に、絶縁体６’と第２電極とが接触する場所があったとしても、第１電極６と第２電極１０とがショートすることはなく、電極間に電圧を印加し発光させることができる。
【００６４】
また、導電膜７の膜厚が１０ｎｍ〜３０ｎｍであるのに対して、有機発光層９の膜厚は５０ｎｍ〜３００ｎｍである。このように、導電膜７の膜厚を有機発光層９に対して一桁程度薄く形成することができるため、導電膜７のパタン端部を有機発光層９で完全に覆う構成とすることが可能となり、導電層７と第２電極１０とが接触してショートすることはない。
【００６５】
実施例２において、その他の構成については、実施例１と同様のレイアウト、画素構造を有している。
【００６６】
以上説明したように、実施例２の自発光表示装置は、画素間の分離膜を必要としないため、分離膜に含まれる水分や酸素などのガス成分が拡散することによる発光素子の劣化を排除することができる。また、環境負荷により分離膜内部で新たに発生する水分やガス成分もないため、耐環境性に優れた発光素子とすることができる。
【００６７】
さらには、分離膜を形成するための工程を省くことができるため、製造コストを低減できるほか、分離膜形成のためのスペースが不要となるため、１画素あたりの発光面積を拡大することができ、画素開口率が向上し、発光素子の寿命向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１  絶縁性基板
２  第１絶縁層
３  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
４  第２絶縁層
５  平坦化層
６  第１電極
６’  絶縁体
７  導電膜
８  分離膜
９  有機発光層
１０  第２電極
１１  封止膜
１２  保護膜
１３  コンタクトホール
１４  接続端子
１５  表示領域
１６  レジストパタン
【図１】
2010251202.tif 000003
【図２】
2010251202.tif 000004
【図３】
2010251202.tif 000005
【図４】
2010251202.tif 000006
【図５】
2010251202.tif 000007
【図６】
2010251202.tif 000008
【図７】
2010251202.tif 000009