(57)【要約】【課題】基板の裏面を下側にして基板を回転しつつ非回転の部材に形成されたノズルから基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理装置において、ノズルが形成された部材に液滴が残ることを抑制すること。【解決手段】基板であるウエハを裏面を下側にして水平にした状態で回転させながらウエハ裏面に処理液を供給して液処理を行う液処理装置は、ウエハＷの下方に非回転状態で、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズル２０および乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズル２１を有するノズル部材５が設けられ、処理液吐出ノズル２０は基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口２０ａを有し、ガス吐出ノズル２１は、ウエハＷに向けて乾燥ガスを吐出する第１のガス吐出口２１ａと、ノズル部材５の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第２のガス吐出口２１ｂとを有する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給して液処理を施す液処理装置であって、
基板を水平にした状態で回転可能に保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構を回転させる回転機構と、
基板の下方に非回転状態で設けられ、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズルを有するノズル部材と、
前記処理液吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、
前記ガス吐出ノズルへ乾燥ガスを供給するガス供給機構と
を具備し、
前記処理液吐出ノズルは基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口を有し、
前記ガス吐出ノズルは、基板に向けて乾燥ガスを吐出する第１のガス吐出口と、前記ノズル部材の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第２のガス吐出口とを有することを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記回転機構は、前記保持機構を鉛直に延びる中空の回転軸を介して回転させ、前記ノズル部材は、前記処理液吐出ノズルおよびガス吐出ノズルを有するヘッド部と、前記回転軸の中に鉛直に延びるように設けられ、下方から前記処理液吐出ノズルおよびガス吐出ノズルにそれぞれ処理液および乾燥ガスを供給するための処理液通流路およびガス通流路を有する通流部とを有することを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記ノズル部材を昇降させる昇降機構をさらに具備し、前記ヘッド部は、その上端に基板を支持する基板支持部として機能し、前記ノズル部材を上昇させた搬送位置で前記支持部に対する基板の授受が行われ、かつ処理中には下降位置に位置され、処理後に上昇して基板を前記搬送位置に上昇させることを特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記処理液吐出ノズルと前記ガス吐出ノズルは隣接して設けられ、前記処理液吐出ノズルの処理液吐出口から処理液を吐出する際に、前記ガス吐出ノズルのガス吐出口から乾燥ガスを吐出した際に、処理液のミストを形成可能であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の液処理装置。
【請求項５】
基板の下方に非回転状態で設けられ、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズルを有するノズル部材を有する液処理装置を用いて、基板に処理液を供給して液処理を施す液処理方法であって、
基板を水平にした状態で保持する工程と、
その状態の基板を回転させつつ、前記処理液吐出ノズルから下方から上方に向けて処理液を吐出して基板に液処理を施す工程と、
前記液処理の後、基板を回転させつつ、前記ガス吐出ノズルから、基板に向けて乾燥ガスを吐出するとともに、前記ノズル部材の上面に沿って放射状に乾燥ガスを吐出して基板および前記ノズル部材の上面を乾燥させる工程と
を有することを特徴とする液処理方法。
【請求項６】
前記液処理は、基板に対して、処理液として薬液を用いた第１の液処理を施し、その後、処理液として純水を用いたリンス処理としての第２の液処理を行い、  前記第２の液処理を行った後、前記処理液ノズルから純水を吐出しつつ前記ガス吐出ノズルから乾燥ガスを吐出して純水のミストを生成して基板裏面に対してミスト処理を施す工程をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板に液処理を施す液処理装置および液処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハやガラス基板に処理液を供給して洗浄やエッチング等の液処理を行うプロセスが多用されている。
【０００３】
このような液処理装置としては、半導体ウエハ等の基板を回転可能に保持し、基板を回転させた状態でウエハの裏面に処理液を供給してウエハの表面または裏面に処理液を供給して液処理を行う枚葉式のものが知られている。
【０００４】
基板の裏面に処理液を供給して液処理を行う装置としては、基板の裏面を下側に向けて保持部材によりスピンチャックに保持し、基板の裏面に薬液・純水・Ｎ２ガスを下から上に吐出する非回転の吐出口を設け、基板を回転しつつ、吐出口から薬液を供給し、基板裏面に液処理を施し、次いで、吐出口から純水を供給してリンス処理を施し、その後、吐出口からＮ２ガスを上方にブローして基板を乾燥させるものが知られている（例えば特許文献１）。
【０００５】
しかしながら、上記吐出口を設けた部材は回転しないため、リンス処理の後に薬液や純水の液滴が残存し、Ｎ２ガスをブローしても液滴が除去されず、その液滴が次の基板処理に悪影響を及ぼす場合がある。例えば、液滴が薬液の場合には、薬液が昇華して薬液雰囲気を形成し、それが基板に悪影響を及ぼす。また、特許文献２に示すように、基板の裏面に処理液やガスを吐出するノズルが設けられた部材により基板の昇降を行う場合には、ノズルが設けられた部材に付着した液滴が基板裏面に転写されて基板に悪影響を及ぼす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−４５８３９号公報
【特許文献２】特開平９−２９８１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板を回転しつつ非回転の部材に形成されたノズルから基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理装置において、ノズルが形成された部材に液滴が残ることを抑制することができる液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、基板に処理液を供給して液処理を施す液処理装置であって、基板を裏面を下側にして水平にした状態で回転可能に保持する基板保持機構と、前記基板保持機構を回転させる回転機構と、基板の下方に非回転状態で設けられ、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズルを有するノズル部材と、前記処理液吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、前記ガス吐出ノズルへ乾燥ガスを供給するガス供給機構とを具備し、前記処理液吐出ノズルは基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口を有し、前記ガス吐出ノズルは、基板に向けて乾燥ガスを吐出する第１のガス吐出口と、前記ノズル部材の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第２のガス吐出口とを有することを特徴とする液処理装置を提供する。
【０００９】
上記第１の観点において、前記回転機構は、前記保持機構を鉛直に延びる中空の回転軸を介して回転させ、前記ノズル部材は、前記処理液吐出ノズルおよびガス吐出ノズルを有するヘッド部と、前記回転軸の中に鉛直に延びるように設けられ、下方から前記処理液吐出ノズルおよびガス吐出ノズルにそれぞれ処理液および乾燥ガスを供給するための処理液通流路およびガス通流路を有する通流部とを有するものとすることができる。
【００１０】
また、前記ノズル部材を昇降させる昇降機構をさらに具備し、前記ヘッド部は、その上端に基板を支持する基板支持部として機能し、前記ノズル部材を上昇させた搬送位置で前記支持部に対する基板の授受が行われ、かつ処理中には下降位置に位置され、処理後に上昇して基板を前記搬送位置に上昇させるように構成することができる。
【００１１】
さらに、前記処理液吐出ノズルと前記ガス吐出ノズルは隣接して設けられ、前記処理液吐出ノズルの処理液吐出口から処理液を吐出する際に、前記ガス吐出ノズルのガス吐出口から乾燥ガスを吐出した際に、処理液のミストを形成可能であるように構成することができる。
【００１２】
さらにまた、前記基板の表面に高温の乾燥溶剤を供給する乾燥溶剤供給機構をさらに具備する構成とすることができる。
【００１３】
本発明の第２の観点では、基板の下方に非回転状態で設けられ、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズルを有するノズル部材を有する液処理装置を用いて、基板に処理液を供給して液処理を施す液処理方法であって、基板を裏面を下側にして水平にした状態で保持する工程と、その状態の基板を回転させつつ、前記処理液吐出ノズルから下方から上方に向けて処理液を吐出して基板裏面に液処理を施す工程と、前記液処理の後、基板を回転させつつ、前記ガス吐出ノズルから、基板に向けて乾燥ガスを吐出するとともに、前記ノズル部材の上面に沿って放射状に乾燥ガスを吐出して基板の裏面および前記ノズル部材の上面を乾燥させる工程とを有することを特徴とする液処理方法を提供する。
【００１４】
上記第２の観点において、前記液処理は、基板に対して、処理液として薬液を用いた第１の液処理を施し、その後、処理液として純水を用いたリンス処理としての第２の液処理を行うものとすることができる。
【００１５】
また、前記第２の液処理を行った後、前記処理液ノズルから純水を吐出しつつ前記ガス吐出ノズルから乾燥ガスを吐出して純水のミストを生成して基板裏面に対してミスト処理を施す工程をさらに有するようにすることができる。
【００１６】
さらに、前記基板の裏面および前記ノズル部材の上面を乾燥させる工程を実施している際に、基板の表面に高温の乾燥溶剤を供給して基板表面の乾燥処理を施す工程をさらに有するようにすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板の下方に非回転状態で設けられ、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズルを有するノズル部材として、ガス吐出ノズルが、基板に向けて乾燥ガスを吐出する第１のガス吐出口と、前記ノズル部材の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第２のガス吐出口とを有するものを用いるので、第１のガス吐出口から乾燥ガスを吐出して基板裏面の乾燥を行うと同時に、複数の第２のガス吐出口から乾燥ガスを放射状に吐出することにより、ノズル部材の上面に液滴が残存することを抑制することができ、液滴の残存により基板への悪影響を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１の液処理装置に用いられたノズル部材の断面図である。
【図３】図１の液処理装置に用いられたノズル部材の平面図である。
【図４】図１の液処理装置に設けられた制御部の構成を示すブロック図である。
【図５】図１の液処理装置においてウエハを受け取った際の状態を示す図である。
【図６】図１の液処理装置において、ウエハをスピンチャックに装着した状態を示す図である。
【図７】図１の液処理装置において、薬液処理を行っている状態を示す図である。
【図８】図１の液処理装置において、リンス処理を行っている状態を示す図である。
【図９】図１の液処理装置において、ミスト処理を行っている状態を示す図である。
【図１０】従来のガス吐出ノズルにより乾燥ガスを吐出して乾燥処理を行っている状態を示す図である。
【図１１】図１の液処理装置において、乾燥ガスを吐出して乾燥処理を行っている状態を示す図である。
【図１２】図１の処理装置において、ウエハを搬出するために上昇させた状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について具体的に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す断面図である。ここでは、基板として半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）を用い、その裏面に対して洗浄処理を施す場合について説明する。
【００２０】
この液処理装置１は、チャンバ（図示せず）と、チャンバのベースとなるベースプレート２と、チャンバ内に設けられたスピンチャック（基板保持機構）３と、スピンチャック３を回転させる回転機構４と、処理液および乾燥ガスを吐出するノズル部材５と、ノズル部材５に処理液を供給する処理液供給機構６と、ノズル部材５に乾燥ガスを供給するガス供給機構７と、排液を受け止める排液カップ８と、ウエハＷ表面に高温の乾燥溶剤である高温ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給する高温ＩＰＡ供給機構９と、制御部１０とを有している。
【００２１】
スピンチャック３は、回転プレート１１と、回転プレート１１の中央部に接続された回転軸１２と、回転プレート１１の表面に設けられ、ウエハＷを回転プレート１１から浮かせた状態で支持する支持ピン１３ａと、回転プレート１１の周縁に円環状に設けられ、ウエハＷをガイドするガイドリング１３とを有している。そして、スピンチャック３は、ウエハＷを裏面を下側にして水平にした状態で保持する。ウエハＷを保持する際には、支持ピン１３ａに支持させ、次いでウエハＷ回転させることにより、その際に生じる、ウエハＷ上面と下面との間に生じる差圧によりウエハＷを保持するようになっている。ここで、ウエハＷの裏面とは、ウエハＷのデバイスが形成されていない面をいう。
【００２２】
回転機構４は、モータ１４と、モータ１４により回転されるプーリー１５と、プーリー１５と回転軸１２の下端に巻き掛けられたベルト１６とを有し、モータ１４の回転によりプーリー１５およびベルト１６を介して回転軸１２を回転するようになっている。
【００２３】
回転軸１２は円筒状（中空）をなしベースプレート２を貫通して下方に延びている。回転プレート１１の中心部には、回転軸１２内の孔１２ａに連通するすり鉢の孔１１ａが形成されている。そして、ノズル部材５は、孔１２ａおよび孔１１ａ内を昇降可能に設けられている。
【００２４】
図２、図３に示すように、ノズル部材５は、非回転であり、ウエハＷを支持する支持部材を構成する杯状のヘッド部１９と、ヘッド部１９の下方に連続し、鉛直下方に延びる通流部１８とを有している。そして、ウエハＷ処理時においては、通流部１８は回転軸１２内の孔１２ａの内部に位置し、ヘッド部１９は孔１１ａ内に位置するようになっている。
【００２５】
通流部１８およびヘッド部１９の内部には、処理液通流路１８ａおよびガス通流路１８ｂが鉛直に設けられている。ヘッド部１９の上面の処理液通流路１８ａに対応する位置には処理液を吐出する処理液吐出ノズル２０が設けられ、ガス通流路１８ｂに対応する位置には乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズル２１が設けられている。そして、処理液通流路１８ａの下部に処理液供給機構６から処理液が供給されて下方から処理液通流路１８ａを通って処理液吐出ノズル２０に処理液が供給され、ガス通流路１８ｂの下部にガス供給機構７から乾燥ガスが供給されて下方からガス通流路１８ｂを通ってガス吐出ノズル２１にガスが供給される。
【００２６】
処理液吐出ノズル２０には、処理液通流路１８ａに連続するように、処理液を上方に吐出する処理液吐出口２０ａが形成されている。また、ガス吐出ノズル２１には、ガス通流路１８ｂに連続するように、乾燥ガスを上方に吐出する１個の第１のガス吐出口２１ａと、乾燥ガスをヘッド部１９の上面に沿って放射状に吐出する複数（図では８個）の第２のガス吐出口２１ｂとが形成されている。
【００２７】
ノズル部材５はウエハ昇降部材としての機能を兼備しており、支持部材を構成するヘッド部１９の上面には３個のウエハ支持ピン１９ａが設けられている。そして、ノズル部材５の下端には接続部材２２を介してシリンダ機構２３が接続されており、このシリンダ機構２３によってノズル部材５を昇降させることによりウエハＷを昇降させてウエハＷのローディングおよびアンローディングを行うようになっている。
【００２８】
処理液供給機構６は、ノズル部材５の処理液通流路１８ａの下端に接続された処理液供給配管２４と、この処理液供給配管２４に接続された薬液を貯留する薬液タンク２５と、処理液供給配管２４に設けられた開閉バルブ２６と、処理液供給配管２４のバルブ２６の下流側部分に接続されたリンス液としての純水を供給する純水供給配管２７と、純水供給配管２７に接続された純水（ＤＩＷ）を供給する純水供給源２８と、純水供給配管２７に設けられた開閉バルブ２９とを有している。そして、処理液として、薬液貯留タンク２５に貯留された所定の薬液および純水供給源２８からの純水（ＤＩＷ）をノズル部材５の処理液通流路１８ａに供給するようになっている。
【００２９】
薬液としては、酸薬液である希フッ酸（ＤＨＦ）、アルカリ薬液であるアンモニア過水（ＳＣ１）等を挙げることができる。
【００３０】
ガス供給機構７は、ノズル部材５のガス通流路１８ｂの下端に接続された図示しないガス供給部から延びるガス供給配管３０と、このガス供給配管３０に設けられた開閉バルブ３１とを有している。そして、乾燥ガスとして、例えばＮ２ガスをガス供給配管３０を介してノズル部材５のガス通流路１８ｂに供給されるようになっている。
【００３１】
排液カップ８は、回転プレート１１の外側に、回転プレート１１に保持されたウエハＷの周縁部を囲繞するように設けられており、ウエハＷから飛散した排液を受け止める機能を有している。排液カップ８の底部には排液口８ａが形成されており、排液口８ａには下方に延びる排液配管３２が接続されている。
【００３２】
高温ＩＰＡ供給機構９は、高温ＩＰＡをウエハの表面に設けられたスキャン可能な高温ＩＰＡ吐出ノズル３３と、高温ＩＰＡノズル３３に接続された高温ＩＰＡ供給配管３４と、この高温ＩＰＡ供給配管３４に接続された高温ＩＰＡタンク３５とを有している。高温ＩＰＡ供給配管３４には開閉バルブ３６が設けられている。高温ＩＰＡタンク３５にはヒーター３５ａが設けられ、図示しないコントローラによりヒーター３５ａの出力を制御して高温ＩＰＡタンク３５内のＩＰＡの温度を所定の温度に保つようになっている。高温ＩＰＡとしては４０℃以上で沸点より低い温度の液体状のものが用いられる。
【００３３】
なお、ウエハＷの上方には、薬液吐出ノズルおよび純水吐出ノズル（いずれも図示せず）が設けられており、これらは薬液タンク２５および純水供給源２８に配管を介して接続されており、ウエハＷ表面にも薬液およびリンス液である純水を供給可能となっている。
【００３４】
制御部１０は、図４のブロック図に示すように、コントローラ４１と、ユーザーインターフェース４２と、記憶部４３とを有している。コントローラ４１は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、液処理装置１の各構成部、例えば開閉バルブ２６，２９，３１，３６、モータ１４、シリンダ機構２３等を制御する。ユーザーインターフェース４２はコントローラ４１に接続され、オペレータが液処理装置１を管理するためにコマンド等の入力操作を行うキーボードや、液処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる。記憶部４３もコントローラ４１に接続され、その中に液処理装置１の各構成部の制御対象を制御するためのプログラムや、液処理装置１に所定の処理を行わせるためのプログラムすなわち処理レシピが格納されている。処理レシピは記憶部４３の中の記憶媒体（図示せず）に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクのような固定的なものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、コントローラ４１は、必要に応じて、ユーザーインターフェース４２からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部４３から呼び出して実行させることで、コントローラ４１の制御下で、所定の処理が行われる。
【００３５】
次に、このような薬液処理装置１によりウエハＷ裏面を洗浄処理する動作について説明する。
図５〜図１２はこのような洗浄処理する際の動作を説明するための図である。
【００３６】
まず、図５に示すように、ノズル部材５を上昇させた状態で、図示しない搬送アームからヘッド部１９の支持ピン１９ａ上にウエハＷを受け渡す。次いで、図６に示すように、ノズル部材５を下降させ、ガイド部材１３により位置決めされ、支持ピン１３ａに支持されて回転プレート１１から浮いた状態でウエハＷを支持する。
【００３７】
この状態で、図７に示すように、回転機構４によりスピンチャック３をウエハＷとともに回転させて、ノズル部材５の処理液吐出ノズル２０に設けられた吐出口２０ａから薬液を吐出させ、ウエハＷの裏面に供給して洗浄処理を行う。このときのウエハＷの回転数は８００〜１０００ｒｐｍ程度とする。
【００３８】
このような薬液による洗浄処理が終了後、薬液の供給を停止し、図８に示すように、ウエハＷを８００〜１０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させながらリンス液としての純水（ＤＩＷ）を同じく処理液吐出ノズル２０の吐出口２０ａから吐出させ、ウエハＷの裏面に供給してリンス処理を行う。
【００３９】
その後、図９に示すように、ウエハＷの回転を維持し、リンス液を吐出した状態のまま、ノズル部材５のガス吐出ノズル２１に設けられた第１の吐出口２１ａおよび第２の吐出口２１ｂから乾燥ガス、例えばＮ２ガスを吐出する。このとき、処理液吐出ノズル２０およびガス吐出ノズル２１は隣接して設けられているため、処理液吐出口２０ａから上方に吐出している純水に主に第２の吐出口２１ｂからヘッド部１９の上面に沿って吐出された乾燥ガスがブローされることにより、純水のミストが形成される。これにより、ミストがヘッド部１９の上面に供給され、ヘッド部１９の上面がミストにより洗浄される。ただし、ヘッド部１９の上面を洗浄する必要がない場合には必ずしも純水を吐出しながら乾燥ガスをブローすることは必要ではない。
【００４０】
その後、ウエハＷを８００〜１０００ｒｐｍ程度の回転数で、例えばミスト洗浄の際と同じ回転数で回転させながら、純水の供給を停止し、乾燥ガスの供給を継続させて乾燥処理を行う。
【００４１】
このとき、ウエハＷの裏面の乾燥のみを目的とする場合には、図１０に示すように、ガス吐出ノズル２１の吐出口を上方に向かって吐出する第１の吐出口２１ａのみとすればよいが、この場合には、ヘッド部１９の上面に乾燥ガスがほとんど供給されずにヘッド部１９の上面の乾燥は不十分となり、液滴が残存した状態となる。
【００４２】
そこで、本実施形態では、図１１に示すように、ガス吐出ノズル２１に第１のノズル孔２１ａの他に、乾燥ガスをヘッド部１９の上面に沿って放射状に吐出する複数（この例では８個）の第２のノズル２１ｂを設けたので、この第２のノズル２１ｂから乾燥ガスを吐出することにより、ヘッド部１９の上面の全面に乾燥ガスがブローされ、そこに付着した液滴を有効に吹き飛ばすことができ、ヘッド部１９の上面を液滴がほとんど存在しない状態まで乾燥することができる。
【００４３】
ウエハＷの表面の洗浄処理を行う場合には、ウエハＷ裏面の薬液処理およびリンス処理の間に、ウエハＷを回転させた状態でウエハＷ表面の上方に設けられた薬液吐出ノズル（図示せず）から薬液を吐出してウエハＷ表面の薬液処理を行い、その後、純水吐出ノズル（図示せず）から純水を吐出してウエハＷ表面のリンス処理を行う。
【００４４】
そして、上述のようなウエハＷ裏面とノズル部材５のヘッド部１９の上面の乾燥処理を行っている間は、高温ＩＰＡノズル３３をスキャンしながら、高温ＩＰＡノズル３３からウエハＷの表面へ高温のＩＰＡを供給してウエハＷ表面の乾燥処理を行う。
【００４５】
以上のような乾燥処理の後、ウエハＷを５００〜１０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させて振り切り乾燥し、その後、ウエハＷの回転を停止し、図１２に示すように、ノズル部材５を上昇させて、ヘッド部１９によりウエハＷを上昇させ、図示しない搬送アームによりウエハＷを搬出する。
【００４６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、ガス吐出ノズル２１の第２の吐出口２１ｂの数を８個としたが、これに限るものではなく、ノズルが形成された部材であるノズル部材５（ヘッド部１９）の上面の液滴を有効に除去できればこれに限るものではない。
【００４７】
また、上記実施形態では処理液として希フッ酸や硫酸過水等の薬液とリンス液である純水を用いて洗浄処理する場合について示したが、これに限るものではなく、その他の種々の処理液を用いて種々の液処理を行う場合に適用することができる。
【００４８】
さらに、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板等、他の基板に適用可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４９】
１；薬液処理装置
２；ベースプレート
３；スピンチャック
４；回転機構
５；ノズル部材
６；処理液供給機構
７；ガス供給機構
８；排液カップ
９；高温ＩＰＡ供給機構
１０；制御部
１１；回転プレート
１２；回転軸
１３；ガイドリング
１３ａ；支持ピン
１４；モータ
１８；通流部
１８ａ；処理液通流路
１８ｂ；ガス通流路
１９；ヘッド部
１９ａ；ウエハ支持ピン
２０；処理液吐出ノズル
２０ａ；処理液吐出口
２１；ガス吐出ノズル
２１ａ；第１のガス吐出口
２１ｂ；第２のガス吐出口
２３；シリンダ機構
２４；処理液配管
２５；薬液タンク
２７；純水配管
２８；純水供給源
３２；排液配管
３３；高温ＩＰＡ吐出ノズル
３４；高温ＩＰＡ供給配管
３５；高温ＩＰＡタンク
４１；コントローラ
４２；ユーザーインターフェース
４３；記憶部
Ｗ；半導体ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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