(57)【要約】【課題】信頼性の向上を実現し得る回路基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  複数の配線層２４，３２，４０，４８，５６と絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｈ，５８Ｈとが交互に積層された積層体１０を有し、積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分１２内の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈの弾性率、及び、積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分１４内の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率は、第１の部分と第２の部分との間の第３の部分１６内の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率より高い。【選択図】  図１
2010129942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層と絶縁層とが交互に積層された積層体を有し、
前記積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分内の前記絶縁層の弾性率、及び、前記積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分内の前記絶縁層の弾性率は、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分内の前記絶縁層の弾性率より高い
ことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
請求項１記載の回路基板において、
前記第１の部分内の前記絶縁層の厚さと前記第２の部分内の前記絶縁層の厚さとが互いに等しい
ことを特徴とする回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載の回路基板において、
前記第１の部分内の前記絶縁層の層数と前記第２の部分内の前記絶縁層の層数とが互いに等しい
ことを特徴とする回路基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回路基板において、
前記第１の部分内の前記絶縁層の材料と前記第２の部分内の前記絶縁層の材料とが同じである
ことを特徴とする回路基板。
【請求項５】
支持基板上に複数の絶縁層と配線層とを交互に積層することにより積層体を形成する工程であって、前記積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分内の前記絶縁層の弾性率、及び、前記積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分内の前記絶縁層の弾性率が、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分内の前記絶縁層の弾性率より高い前記積層体を形成する工程と、
前記積層体を前記支持基板から分離する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項６】
複数の配線層と絶縁層とが交互に積層された積層体を有し、前記積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分内の前記絶縁層の弾性率、及び、前記積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分内の前記絶縁層の弾性率が、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分内の前記絶縁層の弾性率より高い回路基板と、
前記回路基板上に実装された半導体素子と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
支持基板上に複数の絶縁層と配線層とを交互に積層することにより積層体を形成する工程であって、前記積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分内の前記絶縁層の弾性率、及び、前記積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分内の前記絶縁層の弾性率が、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分内の前記絶縁層の弾性率より高い前記積層体を形成する工程と、
前記積層体を前記支持基板から分離する工程と、
前記積層体を有する回路基板上に半導体素子を実装する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時では、回路基板上にＬＳＩ等の半導体素子（半導体チップ）が搭載され、回路基板の下面に半田バンプ（半田ボール）が形成されたＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージが注目されている。このようなＢＧＡパッケージ等の半導体装置は、マザーボード等の他の回路基板上に実装される。
【０００３】
このような半導体装置に用いられる回路基板は、例えばコア層上に樹脂層と配線層とを交互に積層することにより形成されている。
【特許文献１】特開２００３−２０４１６９号公報
【特許文献２】特開２００１−３６２５３号公報
【特許文献３】国際公開第２００５／０７４３４０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような回路基板では、回路基板が熱等により大きく変形してしまう場合があり、半導体素子と回路基板との間の電気的接続に不良が生じてしまう場合があった。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の向上を実現し得る回路基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の一観点によれば、複数の配線層と絶縁層とが交互に積層された積層体を有し、前記積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分内の前記絶縁層の弾性率、及び、前記積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分内の前記絶縁層の弾性率は、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分内の前記絶縁層の弾性率より高いことを特徴とする回路基板が提供される。
【０００７】
実施形態の他の観点によれば、支持基板上に複数の絶縁層と配線層とを交互に積層することにより積層体を形成する工程であって、前記積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分内の前記絶縁層の弾性率、及び、前記積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分内の前記絶縁層の弾性率が、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分内の前記絶縁層の弾性率より高い前記積層体を形成する工程と、前記積層体を前記支持基板から分離する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。      
【０００８】
実施形態の更に他の観点によれば、複数の配線層と絶縁層とが交互に積層された積層体を有し、前記積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分内の前記絶縁層の弾性率、及び、前記積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分内の前記絶縁層の弾性率が、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分内の前記絶縁層の弾性率より高い回路基板と、前記回路基板上に実装された半導体素子とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００９】
実施形態の更に他の観点によれば、支持基板上に複数の絶縁層と配線層とを交互に積層することにより積層体を形成する工程であって、前記積層体のうちの一方の面側の部分である第１の部分内の前記絶縁層の弾性率、及び、前記積層体のうちの他方の面側の部分である第２の部分内の前記絶縁層の弾性率が、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分内の前記絶縁層の弾性率より高い前記積層体を形成する工程と、前記積層体を前記支持基板から分離する工程と、前記積層体を有する回路基板上に半導体素子を実装する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の回路基板及び半導体装置によれば、積層体の上層部と下層部とに弾性率が比較的高い絶縁層が設けられており、中層部に弾性率の比較的低い絶縁層が設けられている。このため、全体として、弾性率が比較的高い部分と弾性率が比較的高い部分との間に、弾性率が比較的低い部分が配された構造となっている。即ち、比較的硬い部分と比較的硬い部分との間に比較的柔らかい部分が配された構造になっている。比較的硬い上層部と下層部は全体として強度の確保に寄与し、比較的柔らかい中層部はストレスの緩和に寄与し得る。開示の回路基板及び半導体装置によれば、比較的硬い上層部と比較的硬い下層部との間に比較的柔らかい部分が配された構造になっているため、回路基板の変形を抑制することができ、信頼性の高い回路基板及び半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
［一実施形態］
一実施形態による回路基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法を図１乃至図１４を用いて説明する。
【００１２】
（回路基板）
まず、本実施形態による回路基板について図１を用いて説明する。図１は、本実施形態による回路基板を示す断面図である。
【００１３】
本実施形態による回路基板（多層回路基板）２は、複数の配線層２４，３２，４０，４８，５６と絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｈ，５８Ｈとが交互に積層された積層体１０を有している。積層体１０は、積層体１０のうちの一側（上面側）の部分である第１の部分（上層部）１２と、積層体１０のうちの他側（下面側）の部分である第２の部分（下層部）１４と、第１の部分１２と第２の部分１４との間の部分である第３の部分（中層部）１６とに大別される。第１の部分（上層部）１２及び第２の部分（下層部）１４は、第３の部分（中層部）１６にそれぞれ隣接している。
【００１４】
積層体１０のうちの下面側の部分である第２の部分（下層部）１４内には、絶縁層１８Ｈが形成されている。絶縁層１８Ｈは、弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。絶縁層１８Ｈの材料としては、例えば、弾性率、強度等が比較的高い繊維に樹脂を含浸させた材料が用いられている。具体的には、絶縁層１８Ｈの材料として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した材料が用いられている。より具体的には、絶縁層１８Ｈの材料として、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）等を用いることができる。かかる絶縁層形成用フィルム１８Ｈの室温における弾性率は、例えば１５ＧＰａ程度である。絶縁層１８Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００１５】
絶縁層１８Ｈには、ビアホール（開口部、貫通孔）２０が形成されている。ビアホール２０内及び絶縁層１８Ｈ上には、ビア（導電体）２２及び配線層（配線、導電膜）２４が形成されている。ビア２２及び配線層２４の材料としては、例えばＣｕ（銅）が用いられている。
【００１６】
また、積層体１０のうちの下面側の部分である第２の部分（下層部）１４内には、絶縁層２６Ｈが形成されている。絶縁層２６Ｈは、ビア２２及び配線２４が形成された絶縁層１８Ｈ上に形成されている。絶縁層２６Ｈは、絶縁層１８Ｈに接している。絶縁層２６Ｈも、絶縁層１８Ｈと同様に、弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。絶縁層２６Ｈの材料としては、絶縁層１８Ｈと同様に、例えば、弾性率、強度等が比較的高い繊維に樹脂を含浸させた材料が用いられている。具体的には、絶縁層２６Ｈの材料として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した材料が用いられている。より具体的には、絶縁層２６Ｈの材料として、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）等を用いることができる。絶縁層２６Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００１７】
第２の部分１４内の複数の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの材料は、互いに同じであることが好ましい。第２の部分１４内の複数の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの材料を互いに同じにするのは、第２の部分１４内の複数の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの熱膨張率を互いに等しくし、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【００１８】
このように、第２の部分１４内には、２層の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈが設けられている。第２の部分１４内に設けられた絶縁層１８Ｈ，２６Ｈは、いずれも弾性率が比較的高い絶縁層である。即ち、第２の部分１４内に設けられたすべての絶縁層１８Ｈ，２６Ｈが、弾性率が比較的高い絶縁層である。第２の部分１４内には、弾性率が比較的低い絶縁層は設けられていない。
【００１９】
絶縁層２６Ｈには、ビアホール２８が形成されている。ビアホール２８内及び絶縁層２６Ｈ上には、ビア３０及び配線層（配線、導電膜）３２が形成されている。ビア３０及び配線層３２の材料としては、例えばＣｕが用いられている。ビア３０及び配線層３２は、ビア２２及び配線２４に電気的に接続されている。
【００２０】
積層体１０のうちの第１の部分１２と第２の部分１４との間の部分である第３の部分（中層部）１６内には、絶縁層３４Ｌが形成されている。絶縁層３４Ｌは、ビア３０及び配線３２が形成された絶縁層２６Ｈ上に形成されている。絶縁層３４Ｌは、絶縁層２６Ｈに接している。絶縁層３４Ｌは、弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）である。絶縁層３４Ｌの材料としては、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁層３４Ｌとして、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３）を用いる。かかる絶縁層形成用フィルム３４Ｌの室温における弾性率は、例えば４ＧＰａ程度である。即ち、絶縁層３４Ｌの弾性率は、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率より低い。絶縁層３４Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００２１】
絶縁層３４Ｌには、ビアホール３６が形成されている。ビアホール３６内及び絶縁層３４Ｌ上には、ビア３８及び配線層（配線、導電膜）４０が形成されている。ビア３８及び配線層４０の材料としては、例えばＣｕが用いられている。ビア３８及び配線層４０は、ビア３０及び配線層３２に電気的に接続されている。
【００２２】
また、積層体１０のうちの第１の部分１２と第２の部分１４との間の第３の部分（中層部）１６には、絶縁層４２Ｌが形成されている。絶縁層４２Ｌは、ビア３８及び配線４０が形成された絶縁層３４Ｌ上に形成されている。絶縁層４２Ｌは、絶縁層３４Ｌに接している。絶縁層４２Ｌも、絶縁層３４Ｌと同様に、弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）である。絶縁層４２Ｌの材料としては、絶縁層３４Ｌと同様に、例えば樹脂が用いられている。具体的には、絶縁層４２Ｌの材料として、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁層４２Ｌとして、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３）を用いる。絶縁層４２Ｌの弾性率は、絶縁層３４Ｌと同様に、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率より低い。絶縁層４２Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００２３】
第３の部分１６内の複数の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料は、互いに同じであることが好ましい。第３の部分１６内の複数の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料を互いに同じにするのは、第３の部分１６内の複数の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの熱膨張率を互いに等しくし、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【００２４】
このように、第３の部分１６内には、２層の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌが設けられている。第３の部分１６内に設けられた絶縁層３４Ｌ，４２Ｌは、いずれも弾性率が比較的低い絶縁層である。即ち、第３の部分１６内に設けられたすべての絶縁層３４Ｌ，４２Ｌが、弾性率が比較的低い絶縁層である。第３の部分１６内に設けられた絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率は、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率より低い。第３の部分１６内には、弾性率が比較的高い絶縁層は設けられていない。
【００２５】
絶縁層４２Ｌには、ビアホール４４が形成されている。ビアホール４４内及び絶縁層４２Ｌ上には、ビア４６及び配線層（配線、導電膜）４８が形成されている。ビア４６及び配線層４８の材料としては、例えばＣｕが用いられている。ビア４６及び配線４８は、ビア３８及び配線４０に電気的に接続されている。
【００２６】
積層体１０のうちの上面側の部分である第１の部分（上層部）１２内には、絶縁層５０Ｈが形成されている。絶縁層５０Ｈは、ビア４６及び配線４８が形成された絶縁層４２Ｌ上に形成されている。絶縁層５０Ｈは、絶縁層４２Ｌに接している。絶縁層５０Ｈは、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈと同様に、弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。絶縁層５０Ｈの材料としては、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈと同様に、例えば、弾性率、強度等が比較的高い繊維に樹脂を含浸させた材料が用いられている。具体的には、絶縁層５０Ｈの材料として、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈと同様に、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した材料が用いられている。より具体的には、絶縁層５０Ｈの材料として、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈと同様に、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）等を用いることができる。絶縁層５０Ｈの弾性率は、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率と同様に、絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率より高い。絶縁層５０Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００２７】
絶縁層５０Ｈには、ビアホール５２が形成されている。ビアホール５２内及び絶縁層５０Ｈ上には、ビア５４及び配線層（配線、導電膜）５６が形成されている。ビア５４及び配線層５６の材料としては、例えばＣｕが用いられている。ビア５４及び配線層５６は、ビア４６及び配線層４８に電気的に接続されている。
【００２８】
また、積層体１０のうちの上面側の部分である第１の部分（上層部）１２には、絶縁層５８Ｈが形成されている。絶縁層５８Ｈは、ビア５４及び配線５６が形成された絶縁層５０Ｈ上に形成されている。絶縁層５８Ｈは、絶縁層５０Ｈに接している。絶縁層５８Ｈも、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈと同様に、弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。絶縁層５８Ｈの材料としては、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈと同様に、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した材料が用いられている。より具体的には、絶縁層５８Ｈの材料として、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈと同様に、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）等を用いることができる。絶縁層５８Ｈの弾性率は、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈの弾性率と同様に、絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率より高い。絶縁層５８Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００２９】
第１の部分１２内の複数の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈの材料は、互いに同じであることが好ましい。第１の部分１２内の複数の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈの材料を互いに同じにするのは、第１の部分１２内の複数の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈの熱膨張率を互いに等しくし、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【００３０】
このように、第１の部分１２内には、２層の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈが設けられている。第１の部分１２内に設けられた絶縁層５０Ｈ，５８Ｈは、いずれも弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。即ち、第１の部分１２内に設けられたすべての絶縁層５０Ｈ，５８Ｈが、弾性率が比較的高い絶縁層である。樹脂層５０Ｈ，５８Ｈの弾性率は、樹脂層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率と同様に、樹脂層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率より高い。第１の部分１２内には、弾性率が比較的低い絶縁層は設けられていない。
【００３１】
第１の部分（上層部）１２内の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈの材料と第２の部分（下層部）１４内の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの材料とは、互いに同じであることが好ましい。第１の部分１２と第３の部分１６との熱膨張率の差に起因するストレスと、第２の部分１４と第３の部分１６との熱膨張率の差に起因するストレスとの差を小さくすることにより、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【００３２】
絶縁層１８Ｈの厚さ、絶縁層２６Ｈの厚さ、絶縁層５０Ｈの厚さ及び絶縁層５８Ｈの厚さは、互いに等しいことが好ましい。そして、第１の部分１２内の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈの総厚（総膜厚）と第２の部分１４内の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの総厚（総膜厚）とが、互いに等しいことが好ましい。第１の部分１２と第３の部分１６との熱膨張率の差に起因するストレスと、第２の部分１４と第３の部分１６との熱膨張率の差に起因するストレスとの差を小さくし、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【００３３】
第１の部分（上層部）１２内の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈ及び第２の部分（下層部）１４内の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率は、第３の部分（中層部）１６内の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率の３倍以上であることが好ましい。第３の部分１６内の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率に対して、第１の部分１２内の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈ及び第２の部分１４内の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率が十分に高くない場合には、回路基板の変形を必ずしも十分に抑制し得ない。これに対し、第１の部分１２内の絶縁層５０Ｈ，５８Ｈ及び第２の部分１４内の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈの弾性率を、第３の部分１６内の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率の３倍以上とすれば、回路基板の変形を十分に抑制することが可能となる。
【００３４】
絶縁層５８Ｈには、ビアホール６０が形成されている。ビアホール６０内には、ビア６２が埋め込まれている。ビア６２の材料としては、例えばＣｕが用いられている。ビア６２は、ビア５４及び配線層５６に電気的に接続されている。
【００３５】
絶縁層の１８Ｈの下面側及び絶縁層５８Ｈの上面側には、それぞれソルダーレジスト膜６４，６６がそれぞれ形成されている。ソルダーレジスト膜６４，６６としては、例えば太陽インキ製造株式会社製のソルダーレジスト（品名：ＰＳＲ−４０００ＳＰ）等を用いることができる。ソルダーレジスト膜６４，６６には、ビア２２，６２に達する開口部６７，６８がそれぞれ形成されている。
【００３６】
開口部６７，６８内には、電極（電極パッド）７０，７２がそれぞれ形成されている。電極７０，７２は、絶縁層１８Ｈ，５８Ｈに埋め込まれたビア２２，６２にそれぞれ接続されている。電極７０，７２は、例えばニッケル膜（図示せず）の表面に金めっき（図示せず）等を施すことにより形成されている。電極７０上には、半田バンプ７４が形成される。
【００３７】
こうして、本実施形態による回路基板２が形成されている。
【００３８】
このように、本実施形態では、上層部１２と下層部１４とに弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈが設けられており、中層部１６に弾性率の比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌが設けられている。このため、本実施形態では、弾性率が比較的高い部分１２と弾性率が比較的高い部分１４との間に、弾性率が比較的低い部分１６が配された構造となっている。即ち、本実施形態では、比較的硬い部分１２と比較的硬い部分１４との間に比較的柔らかい部分１６が配された構造になっている。本実施形態によれば、比較的硬い部分１２と比較的硬い部分１４との間に比較的柔らかい部分１６が配された構造となっているため、回路基板の変形を抑制することが可能となり、信頼性の高い回路基板を提供することが可能となる。
【００３９】
（回路基板の製造方法）
次に、回路基板の製造方法について図２乃至図１０を用いて説明する。図２乃至図１０は、本実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００４０】
まず、図２（ａ）に示すように、支持基板７６を用意する。支持基板７６は、支持板７８と接着層８０，８４と金属膜８２，８６とを積層することにより形成されている。支持板７８としては、例えば表面が粗化された銅板が用いられている。接着層８０は、支持板７８の一方の面側（上面側）に形成されている。接着層８０上には、金属膜８２が形成されている。金属膜８２としては、例えば銅箔（銅膜）が用いられている。接着層８４は、支持板７８の他方の面側（下面側）に形成されている。接着層８４上には、金属膜８６が形成されている。金属膜８６としては、例えば銅箔（銅膜）が用いられている。支持基板７６は、例えば、支持板７８の一方の面側に接着層８０と金属膜８２とを順次積層し、支持板７８の他方の面側に接着層８４と金属膜８６とを順次積層し、これらを例えばプレス等により貼り合わせることにより形成されている。
【００４１】
なお、本実施形態による回路基板の製造方法では、支持基板７６の一方の面側（上面側）及び他方の面側（下面側）に、回路基板２となる積層体１０（図１参照）をそれぞれ形成する。本実施形態において、支持基板７６の一方の面側のみならず他方の面側にも積層体１０を形成するのは、支持基板７６の一方の面側にのみ積層体１０を形成すると、積層体１０の形成過程で支持基板７６及び積層体１０に変形が生じる虞があるためである。また、支持基板７６の一方の面側のみならず他方の面側にも積層体１０を形成すれば、効率的に回路基板２を製造し得るためである。
【００４２】
次に、支持基板７６の一方の面側（上面側）及び他方の面側（下面側）に、例えば絶縁シート（絶縁フィルム）１８Ｈをそれぞれ配置する。絶縁シート１８Ｈは、絶縁層となるものである。絶縁シート１８Ｈの材料としては、弾性率が比較的高い材料を用いる。例えば、絶縁シート１８Ｈの材料として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた材料を用いる。より具体的には、絶縁シート１８Ｈとして、例えば味の素ファインテクノ株式会社製の絶縁シート（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）を用いることができる。かかる絶縁シート１８Ｈの弾性率は、例えば１５ＧＰａ程度である。絶縁シート１８Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００４３】
次に、例えば真空ラミネート法により、各々の絶縁シート１８Ｈを支持基板７６の上面側及び下面側に貼り付ける。こうして、支持基板７６の上面側及び下面側に絶縁層１８Ｈがそれぞれ形成される（図２（ｂ）参照）。
【００４４】
次に、例えばレーザビームを用いて、各々の絶縁層１８Ｈにビアホール（開口部）２０を形成する（図２（ｃ）参照）。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ等を用いる。
【００４５】
次に、例えば無電解めっき法により、ビアホール２０内及び絶縁層１８Ｈ上にシード層（図示せず）を形成する。シード層は、後工程において、電解めっき法によりめっき膜を成長するためのものである。シード層を無電解めっき法により形成する際には、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製の無電解めっき液等を用いることができる。
【００４６】
次に、絶縁層１８Ｈ上に、それぞれフォトレジスト膜（めっきレジスト膜）（図示せず）を形成する。フォトレジスト膜の材料としては、例えば、日立化成株式会社製の感光性フィルム（フォトレジストドライフィルム）（品名：フォテック  ＲＹ−３２２９）等を用いることができる。このような材料を用いれば、絶縁層１８Ｈにフィルム状のフォトレジスト膜を貼り付けることにより、絶縁層１８Ｈ上にフォトレジスト膜を形成することができる。
【００４７】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、配線層２４を形成するためのものである。
【００４８】
次に、電解めっき法により、開口部内及びビアホール２０内に、ビア２２及び配線層２４を形成する。ビア２２及び配線層２４の材料は、例えばＣｕとする。ビア２２及び配線層２４を電解めっき法により形成する際には、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製の電解めっき液等を用いることができる。この後、フォトレジスト膜を除去する。
【００４９】
次に、ビア２２、配線２４が形成された箇所を除く領域のシード層をエッチング除去する。こうして、ビアホール２０内及び絶縁層１８Ｈ上に、ビア２２及び配線層２４が形成される（図２（ｄ）参照）。
【００５０】
次に、ビア２２及び配線層２４が形成された絶縁層１８Ｈ上に、例えば絶縁シート２６Ｈをそれぞれ配置する。絶縁シート２６Ｈは、絶縁層となるものである。絶縁シート２６Ｈとしては、絶縁層１８Ｈを形成した際と同様に、弾性率が比較的高い材料を用いる。絶縁シート２６Ｈとしては、絶縁層１８Ｈを形成する際に用いられた絶縁シート１８Ｈと同じ絶縁シートを用いることが好ましい。例えば、絶縁シート２６Ｈの材料として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた材料を用いる。より具体的には、絶縁シート２６Ｈとして、例えば味の素ファインテクノ株式会社製の絶縁シート（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）を用いることができる。
【００５１】
次に、例えば真空ラミネート法により、各々の絶縁シート２６Ｈを絶縁層１８Ｈ上に貼り付ける。こうして、ビア２２及び配線層２４が形成された絶縁層１８Ｈ上に、絶縁層２６Ｈがそれぞれ形成される（図３（ａ）参照）。
【００５２】
次に、例えばレーザビームを用い、各々の絶縁層２６Ｈにビアホール２８を形成する。
【００５３】
次に、例えば無電解めっき法により、ビアホール２８内及び絶縁層２６Ｈ上にシード層（図示せず）を形成する。
【００５４】
次に、絶縁層２６Ｈ上に、それぞれフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００５５】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、配線層３２を形成するためのものである。
【００５６】
次に、電解めっき法により、開口部内及びビアホール２８内に、ビア３０及び配線層３２を形成する。ビア３０及び配線層３２の材料は、例えばＣｕとする。この後、フォトレジスト膜を除去する。
【００５７】
次に、ビア３０、配線３２が形成された箇所を除く領域のシード層をエッチング除去する。こうして、ビアホール２８内及び絶縁層２６Ｈ上に、ビア３０及び配線３２が形成される（図３（ｂ）参照）。
【００５８】
次に、ビア３０及び配線層３２が形成された絶縁層２６Ｈ上に、例えば絶縁シート３４Ｌをそれぞれ配置する。絶縁シート３４Ｌは、絶縁層となるものである。絶縁シート３４Ｌとしては、弾性率が比較的低い材料を用いる。例えば、絶縁シート３４Ｌの材料として、エポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁シート３４Ｌとして、例えば味の素ファインテクノ株式会社製の絶縁シート（品名：ＧＸ１３）を用いることができる。かかる絶縁シート３４Ｌの弾性率は、例えば４ＧＰａ程度である。絶縁シート３４Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００５９】
次に、例えば真空ラミネート法により、各々の絶縁シート３４Ｌを絶縁層２６Ｈ上に貼り付ける。こうして、ビア３０及び配線３２が形成された絶縁層２６Ｈ上に、絶縁層３４Ｌが形成される（図３（ｃ）参照）。
【００６０】
次に、例えばレーザビームを用い、各々の絶縁層３４Ｌにビアホール３６を形成する。
【００６１】
次に、例えば無電解めっき法により、ビアホール３６内及び絶縁層３４Ｌ上にシード層（図示せず）を形成する。
【００６２】
次に、絶縁層３４Ｌ上に、それぞれフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００６３】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、配線層４０を形成するためのものである。
【００６４】
次に、電解めっき法により、ビアホール３６内及び開口部内に、ビア３８及び配線層４０を形成する。ビア３８及び配線層４０の材料は、例えばＣｕとする。この後、フォトレジスト膜を除去する。
【００６５】
次に、ビア３８及び配線層４０が形成された箇所を除く領域のシード層をエッチング除去する。こうして、ビアホール３６内及び絶縁層３４Ｌ上に、ビア３８及び配線層４０が形成される（図４（ａ）参照）。
【００６６】
次に、ビア３８及び配線層４０が形成された絶縁層３４Ｌ上に、例えば絶縁シート４２Ｌをそれぞれ配置する。絶縁シート４２Ｌは、絶縁層となるものである。絶縁シート４２Ｌとしては、絶縁層３４Ｌを形成した際と同様に、弾性率が比較的低い材料を用いる。絶縁シート４２Ｌとしては、絶縁層３４Ｌを形成する際に用いられた絶縁シート３４Ｌと同じ絶縁シートを用いることが好ましい。例えば、絶縁シート４２Ｌの材料として、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁シート４２Ｌとして、例えば味の素ファインテクノ株式会社製の絶縁シート（品名：ＧＸ１３）を用いることができる。
【００６７】
次に、例えば真空ラミネート法により、各々の絶縁シート４２Ｌを絶縁層３４Ｌ上に貼り付ける。こうして、ビア３８及び配線層４０が形成された絶縁層３４Ｌ上に、それぞれ絶縁層４２Ｌが形成される（図４（ｂ）参照）。
【００６８】
次に、例えばレーザビームを用い、絶縁層４２Ｌにビアホール（開口部）４４を形成する。
【００６９】
次に、例えば無電解めっき法により、ビアホール４４内及び絶縁層４２Ｌ上にシード層（図示せず）を形成する。
【００７０】
次に、絶縁層４２Ｌの上にそれぞれフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００７１】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、配線層４８を形成するためのものである。
【００７２】
次に、電解めっき法により、ビアホール４４内及び開口部内に、ビア４６及び配線層４８を形成する。ビア４６及び配線層４８の材料は、例えばＣｕとする。この後、フォトレジスト膜を除去する。
【００７３】
次に、ビア４６及び配線層４８が形成された箇所を除く領域のシード層をエッチング除去する。こうして、ビアホール４４内及び絶縁層４２Ｌ上に、ビア４６及び配線層４８が形成される。
【００７４】
次に、ビア４６及び配線層４８が形成された絶縁層４２Ｌ上に、例えば絶縁シート５０Ｈをそれぞれ配置する。絶縁シート５０Ｈは、絶縁層となるものである。絶縁シート５０Ｈの材料としては、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈを形成した際と同様に、弾性率が比較的高い材料を用いる。
【００７５】
絶縁シート５０Ｈとしては、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈを形成する際に用いられた絶縁シート１８Ｈ，２６Ｈと同じ絶縁シートを用いることが好ましい。例えば、絶縁シート５０Ｈの材料として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた材料を用いる。より具体的には、絶縁シート５０Ｈとして、例えば味の素ファインテクノ株式会社製の絶縁シート（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）を用いることができる。かかる絶縁シートの弾性率は、上述したように例えば１５ＧＰａ程度である。
【００７６】
絶縁シート５０Ｈの厚さは、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈを形成する際に用いられた絶縁シート１８Ｈ，２６Ｈの厚さと同じであることが望ましい。絶縁シート５０Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００７７】
次に、例えば真空ラミネート法により、各々の絶縁シート５０Ｈを絶縁層４２Ｌ上に貼り付ける。こうして、ビア４６及び配線層４８が形成された絶縁層４２Ｌ上に、それぞれ絶縁層５０Ｈが形成される（図５（ｂ）参照）。
【００７８】
次に、例えばＣＯ２レーザを用い、絶縁層５０Ｈにビアホール（開口部）５２を形成する。
【００７９】
次に、例えば無電解めっき法により、ビアホール５２内及び絶縁層５０Ｈ上にシード層（図示せず）を形成する。
【００８０】
次に、絶縁層５０Ｈの上に、それぞれフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００８１】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、配線層５６を形成するためのものである。
【００８２】
次に、電解めっき法により、ビアホール５２内及び開口部内に、ビア５４及び配線層５６を形成する。ビア５４及び配線層５６の材料は、例えばＣｕとする。この後、フォトレジスト膜を除去する。
【００８３】
次に、ビア５４及び配線５６が形成された箇所を除く領域のシード層をエッチング除去する。こうして、ビアホール５２内及び絶縁層５０Ｈ上に、ビア５４及び配線５６が形成される。
【００８４】
次に、ビア５４及び配線５６が形成された絶縁層５０Ｈ上に、例えば絶縁シート５８Ｈをそれぞれ配置する。絶縁シート５８Ｈは、絶縁層となるものである。絶縁シート５８Ｈとしては、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈを形成する際に用いられた絶縁シート１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈと同じ絶縁シートを用いることが好ましい。例えば、絶縁シート５８Ｈの材料として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた材料を用いる。より具体的には、絶縁シート５８Ｈとして、例えば味の素ファインテクノ株式会社製の絶縁シート（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）を用いることができる。絶縁シート５８Ｈの厚さは、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈを形成する際に用いられた絶縁シート１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈの厚さと同じであることが望ましい。絶縁シート５８Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【００８５】
次に、例えば真空ラミネート法により、各々の絶縁シート５８Ｈを絶縁層５０Ｈ上に貼り付ける。こうして、ビア５４及び配線層５６が形成された絶縁層５０Ｈ上に、それぞれ絶縁層５８Ｈが形成される（図６（ｂ）参照）。
【００８６】
次に、例えばＣＯ２レーザを用い、絶縁層５８Ｈにビアホール（開口部）６０を形成する。
【００８７】
次に、例えば無電解めっき法により、ビアホール６０内及び絶縁層５８Ｈ上にシード層（図示せず）を形成する。
【００８８】
次に、絶縁層５８Ｈ上に、それぞれフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００８９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。
【００９０】
次に、電解めっき法により、ビアホール６０内に、ビア６２を形成する。ビア６２の材料は、例えばＣｕとする。この後、フォトレジスト膜を除去する。
【００９１】
次に、ビア６２が形成された箇所を除く領域のシード層をエッチング除去する。こうして、ビアホール６０内に、ビア６２が形成される（図７参照）。
【００９２】
こうして、支持基板７６の上面側及び下面側に、それぞれ積層体１０が形成される。
【００９３】
次に、熱処理を行うことにより、絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｈ，５８Ｈを硬化させるとともに、支持基板７６の接着層８０，８４の接着力を低下させる。熱処理温度は、例えば２５０℃とする。熱処理時間は、例えば１０分とする。
【００９４】
次に、積層体１０を支持基板７６から取り外す。接着層８０，８４の接着力が低下しているため、積層体１０を支持基板７６から容易に分離することが可能となる（図８参照）。
【００９５】
次に、絶縁層１８Ｈの下面側に存在する金属膜８２，８６をエッチング除去する（図９（ａ）参照）。
【００９６】
次に、積層体１０の上面側及び下面側に、それぞれソルダーレジスト膜６４，６６を形成する。
【００９７】
次に、ソルダーレジスト膜６４，６６に、それぞれ開口部６６，６８を形成する（図９（ｂ）参照）。
【００９８】
次に、ソルダーレジスト膜６４，６６の開口部６６，６８内に電極パッド７０，７２を形成する。電極パッド７０，７２は、ソルダーレジスト膜６４，６６に形成された開口部６，６８内に、例えば無電解めっき法によりニッケル膜を形成し、かかるニッケル膜の表面に例えば金めっきを施すことにより形成される。
【００９９】
次に、電極パッド７０に半田バンプ（半田ボール）７４を形成する（図１０参照）。
【０１００】
こうして、本実施形態による回路基板２が製造される。
【０１０１】
（半導体装置及びその製造方法）
次に、本実施形態による半導体装置及びその製造方法について図１１及び図１２を用いて説明する。図１１及び図１２は、本実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【０１０２】
図１１に示すように、回路基板１０上には、ＬＳＩ等の半導体素子４が実装される。半導体素子４の電極８８は、半田バンプ９０を介して回路基板２の電極７２に電気的に接続される。
【０１０３】
半田バンプ９０が形成された半導体素子４を回路基板２上に搭載する際には、半田バンプ９０を溶融すべく熱処理（リフロー）等が行われる。また、本実施形態による半導体装置を実際に使用する際においても、半導体装置に外部から熱が加わったり、半導体素子４から熱が発生したりする。本実施形態によれば、回路基板２が変形するのを十分に抑制することができるため、半導体素子４と回路基板２との間に加わるストレスを抑制することができ、半導体素子４と回路基板２との電気的接続の信頼性を向上することが可能となる。
【０１０４】
半導体素子４と回路基板２との間には、アンダーフィル樹脂層（封止樹脂層）９２が形成される。アンダーフィル樹脂層９２の材料としては、例えば住友ベークライト株式会社製の半導体用液状封止樹脂（品名：ＣＲＰ−４０７５Ｓ３）を用いることができる。
【０１０５】
図１２に示すように、回路基板２は、例えばマザーボード等の他の回路基板６上に実装される。回路基板２の下面側に形成された電極７０は、半田バンプ７４を介して他の回路基板６の電極９４に電気的に接続されている。回路基板２を他の回路基板６上に搭載する際には、半田バンプ７４を溶融すべく熱処理（リフロー）等が行われる。本実施形態によれば、回路基板２が変形するのを抑制し得るため、回路基板２を他の回路基板６上に実装する際等に回路基板２が変形してしまうのを抑制することができる。回路基板２が変形してしまうのを抑制し得るため、半導体素子４と回路基板２との間に加わるストレスや、回路基板６と回路基板２との間に加わるストレスを抑制することができる。このため、半導体素子４と回路基板２との電気的接続の信頼性及び回路基板２と他の回路基板６の電気的接続の信頼性を向上することが可能となる。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
【０１０６】
（評価結果）
次に、本実施形態による回路基板の評価結果を図１３及び図１４を用いて説明する。
【０１０７】
図１３は、実施例及び比較例１〜３による回路基板の構成を示す概念図である。図１３（ａ）は、実施例による回路基板の構成を示す概念図である。図１３（ｂ）は、比較例１による回路基板の構成を示す概念図である。図１３（ｃ）は、比較例２による回路基板の構成を示す概念図である。図１３（ｄ）は、比較例３による回路基板の構成を示す概念図である。いずれの場合においても、導電膜９６と絶縁層１８Ｌ，１８Ｈ，２６Ｌ，２６Ｈ，３４Ｌ，３４Ｈ，４２Ｋ，４２Ｈ，５０Ｌ，５０Ｈ，５８Ｌ，５８Ｈとを交互に積層することにより、回路基板となる積層体１０，１００，１００ａ、１００ｂを形成した。
【０１０８】
実施例は、本実施形態による回路基板に対応するものである。積層体１０の一方の面側（上面側）の部分である第１の部分１２内には、弾性率が比較的高い絶縁層５０Ｈ，５８Ｈを２層設けた。また、積層体１０の他方の面側（下面側）の部分である第２の部分１４内には、弾性率が比較的高い絶縁層５０Ｈ，５８Ｈを２層設けた。また、第１の部分１２と第２の部分１４との間の第３の部分１６には、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌを設けた。
【０１０９】
比較例１では、積層体１００に含まれる６層の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，３４Ｈ，４２Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈのすべてに、弾性率が比較的高い絶縁層を用いた。
【０１１０】
比較例２では、積層体１００ａの中心部に弾性率が比較的高い絶縁層２６Ｈ，３４Ｈ，４２Ｈ，５０Ｈを４層設け、積層体１００ａの上面側に弾性率が比較的低い絶縁層５８Ｌを１層設け、積層体１００ｂの下面側に弾性率が比較的低い絶縁層１８Ｌを設けた。
【０１１１】
比較例３では、積層体１００ｂに含まれる６層の絶縁層１８Ｌ，２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌ，５８Ｌのすべてに、弾性率が比較的低い絶縁層を用いた。
【０１１２】
弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）としては、味の素ファインテクノ株式会社製の絶縁シート（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）を用いた。かかる絶縁シートは、上述したように、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させることにより形成されたものである。
【０１１３】
弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）としては、味の素ファインテクノ株式会社製の絶縁シート（品名：ＧＸ１３）を用いた。かかる絶縁シートは、上述したように、エポキシ樹脂により形成されたものである。
【０１１４】
導電膜９６の材料としては、いずれもＣｕを用いた。
【０１１５】
図１４は、回路基板の反りの大きさの測定結果を示すグラフである。図１４（ａ）は、回路基板全体における反りの大きさを示すグラフである。図１４（ｂ）は、回路基板のうちの半導体素子が搭載される領域における反りの大きさを示すグラフである。なお、反りを測定する際には、アクロメトリックス社の反り測定装置（サーモレイ  ＰＳシリーズ）を用いた。
【０１１６】
いずれの場合にも、熱処理前と熱処理後の反りを測定した。熱処理温度は、２３０℃とした。熱処理前の測定結果は、ハッチングを付すことなく示している。熱処理後の測定結果は、ハッチングを付して示している。
【０１１７】
図１４から分かるように、比較例３では、積層体１００ｂの反りが非常に大きい。比較例３において反りが非常に大きくなるのは、６層の絶縁層１８Ｌ，２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌ，５８Ｌのすべてが比較的弾性率の低い絶縁層であるためと考えられる。比較例３では、６層の絶縁層１８Ｌ，２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌ，５８Ｌのすべてが比較的柔らかい絶縁層であるため、容易に変形してしまうものと考えられる。
【０１１８】
図１４から分かるように、比較例２では、比較例３の場合より積層体１００ａの反りが小さくなっている。比較例２において比較例３の場合より反りが小さくなるのは、比較的弾性率が高い絶縁層２６Ｈ，３４Ｈ，４２Ｈ，５０Ｈが積層体１００ａに含まれているためと考えられる。比較例２では、比較的弾性率が高い絶縁層２６Ｈ，３４Ｈ，４２Ｈ，５０Ｈが積層体１００ａに含まれているため、すべての絶縁層１８Ｌ，２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌ，５８Ｌの弾性率が比較的低い比較例３と比較して、反りを低減し得る。但し、比較例３では、必ずしも十分に反りが低減されているとはいえない。
【０１１９】
図１４から分かるように、比較例１では、比較例３の場合より積層体１００ａの反りが小さくなっている。比較例１において比較例３の場合より反りが小さくなるのは、すべての絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，３４Ｈ，４２Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの弾性率が比較的高いためと考えられる。比較例１では、すべての絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，３４Ｈ，４２Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈが積層体１００に含まれているため、すべての絶縁層１８Ｌ，２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌ，５８Ｌの弾性率が比較的低い比較例３と比較して、反りを低減し得る。但し、比較例２では、必ずしも十分に反りが低減されているとはいえない。
【０１２０】
図１４から分かるように、実施例の場合には、反りが十分に低減されている。実施例において反りが十分に低減されるのは、上層部１２及び下層部１４に弾性率が比較的高い絶縁層５０Ｈ，５８Ｈ，１８Ｈ，２６Ｈが設けられ、中層部１６に弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌが設けられているためと考えられる。実施例では、比較的硬い部分１２と比較的硬い部分１４との間に設けられた比較的柔らかい部分１６が、ストレスの緩和に寄与していると考えられる。
【０１２１】
これらのことから分かるように、比較例１，２のように単に比較的硬い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，３４Ｈ，４２Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈを用いただけでは、積層体１００，１００ａの変形を必ずしも十分に低減し得ない。積層体１０の変形を十分に低減するためには、実施例のように、比較的硬い上層部１２と比較的硬い下層部１４との間に比較的柔らかい部分を設けることが有効と考えられる。上層部１２と下層部１４の比較的硬い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈは積層体１０全体の強度を確保するのに寄与し、中層部１６の比較的柔らかい絶縁層３４Ｌ，４２Ｌはストレスの緩和に寄与し得ると考えられる。
【０１２２】
このように、本実施形態では、積層体１０の上層部１２と下層部１４とに弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈが設けられており、中層部１６に弾性率の比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌが設けられている。このため、本実施形態では、弾性率が比較的高い部分１２と弾性率が比較的高い部分１４との間に、弾性率が比較的低い部分１６が配された構造となっている。即ち、本実施形態では、比較的硬い部分１２と比較的硬い部分１４との間に比較的柔らかい部分１６が配された構造になっている。本実施形態によれば、比較的硬い部分１２と比較的硬い部分１４との間に比較的柔らかい部分１６が配された構造となっているため、回路基板の変形を抑制することが可能となり、信頼性の高い回路基板及び半導体装置を提供することが可能となる。
【０１２３】
（変形例（その１））
次に、本実施形態の変形例（その１）による回路基板について図１５を用いて説明する。図１５は、本変形例による回路基板を示す断面図である。
【０１２４】
図１５に示すように、本実施形態による回路基板２ａは、複数の配線層２４，３２，４０，４８，５６と絶縁層１８Ｈ，２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌ，５８Ｈとが交互に積層された積層体１０ａを有している。積層体１０ａは、積層体１０ａのうちの一側（上面側）の部分である第１の部分（上層部）１２ａと、積層体１０ａのうちの他側（下面側）の部分である第２の部分（下層部）１４ａと、第１の部分１２ａと第２の部分１４ａとの間の部分である第３の部分（中層部）１６ａとに大別される。
【０１２５】
積層体１０ａのうちの下面側の部分である第２の部分（下層部）１４ａ内には、絶縁層１８Ｈが形成されている。絶縁層１８Ｈは、弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。絶縁層１８Ｈの材料としては、例えば、弾性率が比較的高い繊維に樹脂を含浸させた材料が用いられている。具体的には、絶縁層１８Ｈの材料として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した材料が用いられている。より具体的には、絶縁層１８Ｈの材料として、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）等を用いることができる。かかる絶縁層形成用フィルム１８Ｈの室温における弾性率は、例えば１５ＧＰａ程度である。絶縁層１８Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１２６】
このように、第２の部分１４ａ内には、弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈが１層設けられている。
【０１２７】
絶縁層１８Ｈには、ビアホール２０が形成されている。ビアホール２０内及び絶縁層１８Ｈ上には、ビア２２及び配線層２４が形成されている。
【０１２８】
積層体１０のうちの第１の部分１２ａと第２の部分１４ａとの間の部分である第３の部分１６ａ内には、絶縁層２６Ｌが形成されている。絶縁層２６Ｌは、ビア２２及び配線２４が形成された絶縁層２６Ｌ上に形成されている。絶縁層３４Ｌは、絶縁層２６Ｈに接している。絶縁層２６Ｌは、弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）である。絶縁層２６Ｌの材料としては、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁層２６Ｌとして、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３）を用いる。かかる絶縁層形成用フィルム２６Ｌの室温における弾性率は、例えば４ＧＰａ程度である。即ち、絶縁層２６Ｌの弾性率は、絶縁層１８Ｈの弾性率より低い。絶縁層２６Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１２９】
絶縁層２６Ｌには、ビアホール２８が形成されている。ビアホール２８内及び絶縁層２６Ｌ上には、ビア３０及び配線層３２が形成されている。
【０１３０】
また、積層体１０ａのうちの第１の部分１２ａと第２の部分１４ａとの間の部分である第３の部分（中層部）１６ａ内には、絶縁層３４Ｌが形成されている。絶縁層３４Ｌは、ビア３０及び配線３２が形成された絶縁層２６Ｌ上に形成されている。絶縁層３４Ｌは、絶縁層２６Ｌに接している。絶縁層３４Ｌは、弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）である。絶縁層３４Ｌの材料としては、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁層３４Ｌとして、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３）を用いる。絶縁層３４Ｌの弾性率は、絶縁層２６Ｌの弾性率と同様に、絶縁層１８Ｈの弾性率より低い。絶縁層３４Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１３１】
絶縁層３４Ｌには、ビアホール３６が形成されている。ビアホール３６内及び絶縁層３４Ｌ上には、ビア３８及び配線層４０が形成されている。
【０１３２】
また、積層体１０ａのうちの第１の部分１２ａと第２の部分１４ａとの間の第３の部分１６ａには、絶縁層４２Ｌが形成されている。絶縁層４２Ｌは、ビア３８及び配線４０が形成された絶縁層３４Ｌ上に形成されている。絶縁層４２Ｌは、絶縁層３４Ｌに接している。絶縁層４２Ｌも、絶縁層２６Ｌ，３４Ｌと同様に、弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）である。絶縁層４２Ｌの材料としては、絶縁層２６Ｌ，３４Ｌと同様に、例えば樹脂が用いられている。具体的には、絶縁層４２Ｌの材料として、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁層４２Ｌとして、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３）を用いる。絶縁層４２Ｌの弾性率は、絶縁層２６Ｌ，３４Ｌの弾性率と同様に、絶縁層１８Ｈの弾性率より低い。絶縁層４２Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１３３】
絶縁層４２Ｌには、ビアホール４４が形成されている。ビアホール４４内及び絶縁層４２Ｌ上には、ビア４６及び配線層４８が形成されている。
【０１３４】
また、積層体１０ａのうちの第１の部分１２ａと第２の部分１４ａとの間の第３の部分１６ａには、絶縁層５０Ｌが形成されている。絶縁層５０Ｌは、ビア４６及び配線４８が形成された絶縁層５０Ｌ上に形成されている。絶縁層５０Ｌは、絶縁層４２Ｌに接している。絶縁層５０Ｌも、絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌと同様に、弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）である。絶縁層５０Ｌの材料としては、絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌと同様に、例えば樹脂が用いられている。具体的には、絶縁層５０Ｌの材料として、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁層５０Ｌとして、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３）を用いる。絶縁層５０Ｌの弾性率は、絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌの弾性率と同様に、絶縁層１８Ｈの弾性率より低い。絶縁層５０Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１３５】
第３の部分１６ａ内の複数の絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ、５０Ｌの材料は、互いに同じであることが好ましい。第３の部分１６ａ内の複数の絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌの材料を互いに同じにするのは、第３の部分１６ａ内の複数の絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌの熱膨張率を互いに等しくし、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【０１３６】
このように、第３の部分１６内には、４層の絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌが設けられている。第３の部分１６内に設けられた絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌは、いずれも弾性率が比較的低い絶縁層である。即ち、第３の部分１６内に設けられたすべての絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌが、弾性率が比較的低い絶縁層である。第３の部分１６内に設けられた絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌの弾性率は、絶縁層１８Ｈの弾性率より低い。
【０１３７】
絶縁層５０Ｌには、ビアホール５２が形成されている。ビアホール５２内及び絶縁層５０Ｌ上には、ビア５４及び配線層５６が形成されている。
【０１３８】
積層体１０ａのうちの上面側の部分である第１の部分（上層部）１２内には、絶縁層５８Ｈが形成されている。絶縁層５８Ｈは、ビア５４及び配線５６が形成された絶縁層５０Ｌ上に形成されている。絶縁層５８Ｈは、絶縁層５０Ｌに接している。絶縁層５８Ｈは、絶縁層１８Ｈと同様に、弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。絶縁層５８Ｈの材料としては、絶縁層１８Ｈと同様に、例えば、弾性率等が比較的高い繊維に樹脂を含浸させた材料が用いられている。具体的には、絶縁層５８Ｈの材料として、絶縁層１８Ｈと同様に、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した材料が用いられている。より具体的には、絶縁層５８Ｈの材料として、絶縁層１８Ｈと同様に、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）等を用いることができる。絶縁層５８Ｈの弾性率は、絶縁層１８Ｈの弾性率と同様に、絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌの弾性率より高い。絶縁層５８Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１３９】
絶縁層５８Ｈには、ビアホール６０が形成されている。ビアホール６０には、ビア６２が埋め込まれている。
【０１４０】
このように、第１の部分１２ａ内には、弾性率の比較的高い絶縁層５８Ｈが１層設けられている。
【０１４１】
第１の部分１２ａ内の絶縁層５８Ｈの材料と第２の部分１４ａ内の絶縁層１８Ｈの材料とは、互いに同じであることが好ましい。第１の部分１２ａと第３の部分１６ａとの熱膨張率の差に起因するストレスと、第２の部分１４ａと第３の部分１６ａとの熱膨張率の差に起因するストレスとの差を小さくすることにより、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【０１４２】
絶縁層１８Ｈの厚さ及び絶縁層５８Ｈの厚さは、互いに等しいことが好ましい。第１の部分１２ａと第３の部分１６ａとの熱膨張率の差に起因するストレスと、第２の部分１４ａと第３の部分１６ａとの熱膨張率の差に起因するストレスとの差を小さくし、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【０１４３】
第１の部分１２ａ内の絶縁層５８Ｈ及び第２の部分１４ａ内の絶縁層１８Ｈの弾性率は、第３の部分１６ａ内の絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌの弾性率の３倍以上であることが好ましい。弾性率の十分に高い絶縁層１８Ｈと弾性率が十分に高い絶縁層５８Ｈとの間に、弾性率の比較的低い絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌを配することにより、回路基板の変形を抑制し得るためである。
【０１４４】
絶縁層５８Ｈには、ビアホール６０が形成されている。ビアホール６０内には、ビア６２が埋め込まれている。
【０１４５】
絶縁層の１８Ｈの下面側及び絶縁層５８Ｈの上面側には、それぞれソルダーレジスト膜６４，６６がそれぞれ形成されている。ソルダーレジスト膜６４，６６には、ビア２２，６２に達する開口部６７，６８がそれぞれ形成されている。開口部６７，６８内には、電極７０，７２がそれぞれ形成されている。電極７０上には、半田バンプ７４が形成される。
【０１４６】
こうして、本実施形態による回路基板２ａが形成されている。
【０１４７】
このように、本変形例では、積層体１０ａの上層部１２ａと下層部１４ａとに弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，５８Ｈが１層ずつ設けられており、中層部１６ａに弾性率の比較的低い絶縁層２６Ｌ，３４Ｌ，４２Ｌ，５０Ｌが４層設けられている。このように、上層部１２ａの絶縁層１８Ｈの層数と、下層部１４ａの絶縁層５８Ｈの層数とが、それぞれ１層ずつであってもよい。本変形例においても、全体として、弾性率の比較的高い部分１２ａと弾性率の比較的高い部分１４ａとの間に弾性率の比較的低い部分１６ａが配された構造となっている。本変形例によっても、比較的硬い部分１２ａと比較的硬い部分１４ａとの間に比較的柔らかい部分１６ａが配された構造となっているため、回路基板２ａの変形を抑制することが可能となる。従って、本変形例によっても、信頼性の高い回路基板及び半導体装置を提供することが可能となる。
【０１４８】
（変形例（その２））
次に、本実施形態の変形例（その２）による回路基板について図１６を用いて説明する。図１６は、本変形例による回路基板を示す断面図である。
【０１４９】
図１６に示すように、本変形例による回路基板２ｂは、複数の配線層２４，４０，４８と絶縁層１８Ｈ，３４Ｌ，４２Ｌ，５８Ｈとが交互に積層された積層体１０ｂを有している。積層体１０ｂは、積層体１０ｂのうちの一側（上面側）の部分である第１の部分（上層部）１２ｂと、積層体１０ｂのうちの他側（下面側）の部分である第２の部分（下層部）１４ｂと、第１の部分１２ｂと第２の部分１４ｂとの間の部分である第３の部分（中層部）１６ｂとに大別される。
【０１５０】
積層体１０ｂのうちの下面側の部分である第２の部分（下層部）１４ｂ内には、絶縁層１８Ｈが形成されている。絶縁層１８Ｈは、弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。絶縁層１８Ｈの材料としては、例えば、弾性率が比較的高い繊維に樹脂を含浸させた材料が用いられている。具体的には、絶縁層１８Ｈの材料として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した材料が用いられている。より具体的には、絶縁層１８Ｈの材料として、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）等を用いることができる。かかる絶縁層形成用フィルム１８Ｈの室温における弾性率は、例えば１５ＧＰａ程度である。絶縁層１８Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１５１】
このように、第２の部分１４ｂ内には、弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈが１層設けられている。
【０１５２】
絶縁層１８Ｈには、ビアホール２０が形成されている。ビアホール２０内及び絶縁層１８Ｈ上には、ビア２２及び配線層２４が形成されている。
【０１５３】
積層体１０ｂのうちの第１の部分１２ｂと第２の部分１４ｂとの間の部分である第３の部分（中層部）１６ｂ内には、絶縁層３４Ｌが形成されている。絶縁層３４Ｌは、ビア２２及び配線２４が形成された絶縁層１８Ｈ上に形成されている。絶縁層３４Ｌは、絶縁層１８Ｈに接している。絶縁層３４Ｌは、弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）である。絶縁層３４Ｌの材料としては、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁層３４Ｌとして、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３）を用いる。かかる絶縁層形成用フィルム３４Ｌの室温における弾性率は、例えば４ＧＰａ程度である。即ち、絶縁層３４Ｌの弾性率は、絶縁層１８Ｈの弾性率より低い。絶縁層３４Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１５４】
絶縁層３４Ｌには、ビアホール３６が形成されている。ビアホール３６内及び絶縁層３４Ｌ上には、ビア３８及び配線層４０が形成されている。
【０１５５】
また、積層体１０ｂのうちの第１の部分１２ｂと第２の部分１４ｂとの間の第３の部分１６ｂには、絶縁層４２Ｌが形成されている。絶縁層４２Ｌは、ビア３８及び配線４０が形成された絶縁層３４Ｌ上に形成されている。絶縁層４２Ｌは、絶縁層３４Ｌに接している。絶縁層４２Ｌも、絶縁層３４Ｌと同様に、弾性率が比較的低い絶縁層（低弾性率絶縁層）である。絶縁層４２Ｌの材料としては、絶縁層３４Ｌと同様に、例えば樹脂が用いられている。具体的には、絶縁層４２Ｌの材料として、例えばエポキシ樹脂を用いる。より具体的には、絶縁層４２Ｌとして、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３）を用いる。絶縁層４２Ｌの弾性率は、絶縁層３４Ｌの弾性率と同様に、絶縁層１８Ｈの弾性率より低い。絶縁層４２Ｌの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１５６】
絶縁層４２Ｌには、ビアホール４４が形成されている。ビアホール４４内及び絶縁層４２Ｌ上には、ビア４６及び配線層４８が形成されている。
【０１５７】
第３の部分１６ｂ内の複数の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料は、互いに同じであることが好ましい。第３の部分１６ｂ内の複数の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料を互いに同じにするのは、第３の部分１６ｂ内の複数の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの熱膨張率を互いに等しくし、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【０１５８】
このように、第３の部分１６ｂ内には、２層の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌが設けられている。第３の部分１６ｂ内に設けられた絶縁層３４Ｌ，４２Ｌは、いずれも弾性率が比較的低い絶縁層である。即ち、第３の部分１６ｂ内に設けられたすべての絶縁層３４Ｌ，４２Ｌが、弾性率が比較的低い絶縁層である。第３の部分１６ｂ内に設けられたすべての絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率は、第１の部分１４ｂ内に設けられた絶縁層１８Ｈの弾性率より低い。
【０１５９】
絶縁層４２Ｌには、ビアホール４４が形成されている。ビアホール４４内及び絶縁層４２Ｌ上には、ビア４６及び配線層４８が形成されている。
【０１６０】
積層体１０ｂのうちの上面側の部分である第１の部分（上層部）１２ｂ内には、絶縁層５８Ｈが形成されている。絶縁層５８Ｈは、ビア４６及び配線４８が形成された絶縁層４２Ｌ上に形成されている。絶縁層５８Ｈは、絶縁層４２Ｌに接している。絶縁層５８Ｈは、絶縁層１８Ｈと同様に、弾性率が比較的高い絶縁層（高弾性率絶縁層）である。絶縁層５８Ｈの材料としては、絶縁層１８Ｈと同様に、例えば、弾性率等が比較的高い繊維に樹脂を含浸させた材料が用いられている。具体的には、絶縁層５８Ｈの材料として、絶縁層１８Ｈと同様に、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した材料が用いられている。より具体的には、絶縁層５８Ｈの材料として、絶縁層１８Ｈと同様に、例えば味の素株式会社製の絶縁層形成用フィルム（品名：ＧＸ１３−ＰＰ）等を用いることができる。絶縁層５８Ｈの弾性率は、絶縁層１８Ｈの弾性率と同様に、絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率より高い。絶縁層５８Ｈの厚さは、例えば４０μｍ程度とする。
【０１６１】
絶縁層５８Ｈには、ビアホール６０が形成されている。ビアホール６０には、ビア６２が埋め込まれている。
【０１６２】
このように、第１の部分１２ｂ内には、弾性率の比較的高い絶縁層５８Ｈが１層設けられている。
【０１６３】
第１の部分１２ｂ内の絶縁層５８Ｈの材料と第２の部分１４ｂ内の絶縁層１８Ｈの材料とは、互いに同じであることが好ましい。第１の部分１２ｂと第３の部分１６ｂとの熱膨張率の差に起因するストレスと、第２の部分１４ｂと第３の部分１６ｂとの熱膨張率の差に起因するストレスとの差を小さくすることにより、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【０１６４】
絶縁層１８Ｈの厚さ及び絶縁層５８Ｈの厚さは、互いに等しいことが好ましい。第１の部分１２ｂと第３の部分１６ｂとの熱膨張率の差に起因するストレスと、第２の部分１４ｂと第３の部分１６ｂとの熱膨張率の差に起因するストレスとの差を小さくし、回路基板の変形の抑制に寄与するためである。
【０１６５】
第１の部分１２ｂ内の絶縁層５８Ｈ及び第２の部分１４ｂ内の絶縁層１８Ｈの弾性率は、第３の部分１６ｂ内の絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの弾性率の３倍以上であることが好ましい。弾性率の十分に高い絶縁層１８Ｈと弾性率が十分に高い絶縁層５８Ｈとの間に、弾性率の比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌを配することにより、回路基板の変形を抑制し得るためである。
【０１６６】
絶縁層５８Ｈには、ビアホール６０が形成されている。ビアホール６０内には、ビア６２が埋め込まれている。
【０１６７】
絶縁層の１８Ｈの下面側及び絶縁層５８Ｈの上面側には、それぞれソルダーレジスト膜６４，６６がそれぞれ形成されている。ソルダーレジスト膜６４，６６には、ビア２２，６２に達する開口部６７，６８がそれぞれ形成されている。開口部６７，６８内には、電極７０，７２がそれぞれ形成されている。電極７０上には、半田バンプ７４が形成される。
【０１６８】
こうして、本実施形態による回路基板２ｂが形成されている。
【０１６９】
このように、本変形例では、積層体１０ｂの上層部１２ｂと下層部１４ｂとに弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，５８Ｈが１層ずつ設けられており、積層体１０ｂの中層部１６ｂに弾性率の比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌが２層設けられている。このように、積層体１０ｂの中層部１６ｂの層数が１層であってもよい。本変形例においても、全体として、弾性率の比較的高い部分１２ｂと弾性率の比較的高い部分１４ｂとの間に弾性率の比較的低い部分１６ｂが配された構造となっている。本変形例によっても、比較的硬い部分１２ｂと比較的硬い部分１４ｂとの間に比較的柔らかい部分１６ｂが配された構造となっているため、回路基板２ｂの変形を抑制することが可能となる。従って、本変形例によっても、信頼性の高い回路基板及び半導体装置を提供することが可能となる。
【０１７０】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０１７１】
例えば、上記実施形態では、第１の部分１２内及び第２の部分１４内に絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈをそれぞれ２層ずつ設ける場合を例に説明したが、第１の部分１２内及び第２の部分１４内に設ける絶縁層の層数はこれに限定されるものではない。例えば、第１の部分１２内に設けられる絶縁層の層数、及び、第２の部分１４内に設けられる絶縁層の層数が、それぞれ１層であってもよい。また、第１の部分１２内に設けられる絶縁層の層数、及び、第２の部分内に設けられる絶縁層の層数が、それぞれ３層以上であってもよい。但し、回路基板の変形を十分に抑制するためには、第１の部分１２内の絶縁層の層数と第２の部分１４内の絶縁層の層数とが互いに等しいことが望ましい。
【０１７２】
また、上記実施形態では、第１の部分１２内及び第２の部分１４内に設けられる絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの厚さが互いに等しい場合を例に説明したが、第１の部分１２内及び第２の部分１４内に設けられる絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの厚さとが互いに異なっていてもよい。但し、回路基板の変形を十分に抑制するためには、第１の部分１２内及び第２の部分１４内に設けられる絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの厚さが互いに等しいことが好ましい。
【０１７３】
また、上記実施形態では、第１の部分１２内及び第２の部分１２内の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料が互いに等しい場合を例に説明したが、第１の部分１２内及び第２の部分１２内の絶縁層の材料が互いに異なっていてもよい。第１の部分１２内及び第２の部分１４内に弾性率の比較的高い絶縁層を設け、第１の部分１２と第２の部分１４との間に弾性率の比較的低い絶縁層を設ければ、回路基板の変形をある程度抑制することは可能である。但し、回路基板の変形を十分に抑制するためには、第１の部分１２内及び第２の部分１４内の絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料を互いに等しくすることが好ましい。
【０１７４】
また、上記実施形態では、ガラス繊維に樹脂を含浸させた材料を弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料として用いる場合を例に説明したが、弾性率が比較的高い絶縁層に用いる繊維材料はこれに限定されるものではない。弾性率、強度等が比較的高い繊維材料を適宜用いることができる。例えば、アラミド繊維やカーボン繊維等を用いてもよい。即ち、アラミド繊維に樹脂を含浸させた材料や、カーボン繊維に樹脂を含浸させた材料等を、弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料として用いてもよい。
【０１７５】
また、上記実施形態では、弾性率等が比較的高い繊維にエポキシ樹脂を含浸させた材料を絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料として用いる場合を例に説明したが、弾性率等が比較的高い繊維に含浸させる樹脂はエポキシ樹脂に限定されるものではない。例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アラミド樹脂又はマレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を、弾性率等が比較的高い繊維に含浸させるようにしてもよい。
【０１７６】
また、上記実施形態では、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料として、エポキシ樹脂を用いる場合を例に説明したが、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料はエポキシ樹脂に限定されるものではない。例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アラミド樹脂又はマレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料として適宜用いてもよい。
【０１７７】
また、上記実施形態では、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた材料を絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料として用いる場合を例に説明したが、弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料はこれに限定されるものではない。例えば、樹脂より硬度の高い混合物を樹脂中に混合させた材料を、弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料として用いてもよい。樹脂より硬度の高い混合物としては、例えばセラミックスのフィラー等を用いることができる。より具体的には、混合物として、シリカフィラー、アルミナフィラー等を用いることができる。
【０１７８】
また、樹脂より硬度の高い混合物を樹脂中に混合させた材料を、弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料のみならず、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料として用いてもよい。この場合には、弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈにおける混合物の含有率を、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌにおける混合物の含有率より高く設定すればよい。
【０１７９】
また、上記実施形態では、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌとして樹脂層を用いる場合を例に説明したが、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料はこれに限定されるものではない。例えば、樹脂より硬度の低い材料を樹脂中に混合させた材料を、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料として用いてもよい。樹脂より硬度の低い混合物としては、例えばゴムのフィラー等を用いることができる。より具体的には、混合物として、アクリルゴムのフィラー、ブタジエンゴムのフィラー、ポリイソブチレンゴムのフィラー、アクリロニトリルブタジエンゴムのフィラー、フッ素系ゴムのフィラー、シリコーン系ゴムのフィラー等を用いることができる。
【０１８０】
また、樹脂より硬度の低い混合物を樹脂中に混合させた材料を、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌの材料のみならず、弾性率が比較的高い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈの材料として用いてもよい。この場合には、弾性率が比較的低い絶縁層３４Ｌ，４２Ｌにおける混合物の含有率を、弾性率が比較的低い絶縁層１８Ｈ，２６Ｈ，５０Ｈ，５８Ｈにおける混合物の含有率より高く設定すればよい。
【０１８１】
また、上記実施形態では、半導体素子４と他の回路基板６の間に設けられる回路基板２に適用する場合を例に説明したが、適用対象となる回路基板は、半導体素子４と他の回路基板６の間に設けられる回路基板に限定されるものではない。例えば、他の回路基板６等に適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】一実施形態による回路基板を示す断面図である。
【図２】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図４】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図５】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図６】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図７】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図８】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図９】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１０】一実施形態による回路基板の製造方法を示す工程断面図（その９）である。
【図１１】一実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１２】一実施形態による半導体装置及びその製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１３】実施例及び比較例１〜３による回路基板の構成を示す概念図である。
【図１４】回路基板の反りの大きさの測定結果を示すグラフである。
【図１５】一実施形態の変形例（その１）による回路基板を示す断面図である。
【図１６】一実施形態の変形例（その２）による回路基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１８３】
２、２ａ、２ｂ…回路基板
４…半導体素子
６…他の回路基板
１０、１０ａ、１０ｂ…積層体
１２、１２ａ、１２ｂ…第１の部分
１４、１４ａ、１４ｂ…第２の部分
１６、１６ａ、１６ｂ…第３の部分
１８Ｈ…高弾性率絶縁層
１８Ｌ…低弾性率絶縁層
２０…ビアホール
２２…ビア
２４…配線層
２６Ｈ…高弾性率絶縁層
２６Ｌ…低弾性率絶縁層
２８…ビアホール
３０…ビア
３２…配線層
３４Ｈ…高弾性率絶縁層
３４Ｌ…低弾性率絶縁層
３６…ビアホール
３８…ビア
４０…配線層
４２Ｈ…高弾性率絶縁層
４２Ｌ…低弾性率絶縁層
４４…ビアホール
４６…ビア
４８…配線層
５０Ｈ…高弾性率絶縁層
５０Ｌ…低弾性率絶縁層
５２…ビアホール
５４…ビア
５６…配線層
５８Ｈ…高弾性率絶縁層
５８Ｌ…低弾性率絶縁層
６０…ビアホール
６２…ビア
６４…ソルダーレジスト膜
６６…ソルダーレジスト膜
６７…開口部
６８…開口部
７０…電極
７２…電極
７４…半田バンプ
７６…支持基板
７８…支持板
８０…接着層
８２…金属膜
８４…接着層
８６…金属膜
８８…電極
９０…半田バンプ
９２…アンダーフィル樹脂層
９４…電極
９６…導電膜
１００、１００ａ、１００ｂ…積層体
【図１】
2010129942.tif 000003
【図２】
2010129942.tif 000004
【図３】
2010129942.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010129942.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010129942.tif 000009
【図８】
2010129942.tif 000010
【図９】
2010129942.tif 000011
【図１０】
2010129942.tif 000012
【図１１】
2010129942.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2010129942.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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