(57)【要約】【課題】本発明は、パッドの上面に設けられた絶縁層に形成されるビアホールの形成方法に関し、小径化されたビアホールを形成できると共に、ビアホールの製造コストを低減することのできるビアホールの形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁層１６の上面１６Ａに、印刷法により、ビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａを露出する開口部３２を有した金属マスク３１を形成し、次いで、金属マスク３１の上面３１Ａにおいて、開口部３２の直径Ｒ４よりも大きい直径Ｒ５とされたビーム径を有するレーザビーム３５を、開口部３２から露出された部分の絶縁層１６、及び開口部３２を構成する部分の金属マスク３１の上面３１Ａに照射することにより、ビアホール１８を形成する。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に形成されたパッドの上面に配置された部分の絶縁層に形成されるビアホールの形成方法であって、
前記パッドが形成された前記絶縁体上に、前記パッドを覆う前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の上面に、印刷法により、前記ビアホールの形成位置に対応する部分の前記絶縁層の上面を露出する開口部を有した金属マスクを形成する金属マスク形成工程と、
前記金属マスクの上面において、前記開口部の直径よりも大きい直径とされたレーザビームを、前記開口部から露出された前記絶縁層、及び前記開口部を構成する部分の前記金属マスクの上面に照射することにより、前記開口部に露出された部分の前記絶縁層に、前記パッドの上面を露出する前記ビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記ビアホール形成工程後に、前記金属マスクを除去する金属マスク除去工程と、を含むことを特徴とするビアホールの形成方法。
【請求項２】
前記金属マスク形成工程では、インクジェット法により前記金属マスクを形成することを特徴とする請求項１記載のビアホールの形成方法。
【請求項３】
前記金属マスクの材料は、Ｃｕ又はＣｕ合金であることを特徴とする請求項１または２記載のビアホールの形成方法。
【請求項４】
前記パッドの材料と前記金属マスクの材料が同じ場合、前記金属マスクの厚さを前記パッドの厚さよりも薄くすることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載のビアホールの形成方法。
【請求項５】
前記絶縁体は、前記パッドが形成されるパッド形成領域と、前記パッドが形成されない非パッド形成領域と、を有しており、
前記金属マスクは、前記パッド形成領域に対応する部分の前記絶縁層の上面にのみ形成することを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載のビアホールの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビアホールの形成方法に係り、特に、パッドの上面に配置された部分の絶縁層に形成されるビアホールの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線基板（例えば、多層プリント配線基板）には、上下方向に配置されたパッド間を電気的に接続する導体として、ビアが用いられている。ビアは、パッド上に配置された部分の絶縁層（例えば、樹脂層）にレーザビームを照射することで形成されるビアホールに配設されている。ビアホールは、パッドの上面を露出するように形成されている。
【０００３】
近年、配線基板の小型化及び高密度化（言い換えれば、配線基板の微細化）の開発が進められている。このような配線基板の微細化に対応するために、ビアホールの小径化が望まれている。従来、小径化されたビアホールの形成方法として、コンフォーマルマスク法と呼ばれるビアホールの形成方法がある（図１〜図８参照）。
【０００４】
図１〜図８は、従来のビアホールの形成工程を示す図である。
【０００５】
図１〜図８を参照して、従来のビアホール２１３の形成方法について説明する。始めに、図１に示す工程では、配線基板本体２０１の最上部に設けられた絶縁層２０２の上面２０２Ａに、配線２０３及びパッド２０４を形成する。配線基板本体２０１は、積層された複数の絶縁層（図示せず）と、複数の絶縁層に形成されたビアホール（図示せず）と、ビアホールに設けられたビア（図示せず）と、複数の絶縁層に形成され、ビアと電気的に接続される配線パターン（図示せず）とを有した構成とされている。
【０００６】
次いで、図２に示す工程では、絶縁層２０２の上面２０２Ａに、配線２０３及びパッド２０４を覆う絶縁層２０６を形成する。絶縁層２０６としては、例えば、絶縁樹脂層を用いることができる。この場合、絶縁層２０６は、図１に示す構造体の上面に樹脂フィルムを貼り付けることで形成する。
【０００７】
次いで、図３に示す工程では、絶縁層２０６の上面２０６Ａに、銅箔２０７を貼り付ける。次いで、図４に示す工程では、ビアホール２１３の形成位置に対応する部分の銅箔２０７の上面２０７Ａを露出する開口部２０８Ａを有したレジスト膜２０８を形成する。レジスト膜２０８は、例えば、ドライフィルムレジストを銅箔２０７の上面２０７Ａに貼り付け、その後、開口部２０８Ａに対応する部分のドライフィルムレジストを露光、現像することで形成する。
【０００８】
次いで、図５に示す工程では、レジスト膜２０８をマスクとするエッチングにより、開口部２０８Ａに露出された部分の銅箔２０７に開口部２０７Ｂを形成する。
【０００９】
次いで、図６に示す工程では、図５に示すレジスト膜２０８を除去する。次いで、図７に示す工程では、開口部２０７Ｂに露出された部分の絶縁層２０６に、開口部２０７Ｂよりも直径の大きいレーザビーム２１１を照射することで、絶縁層２０６にパッド２０４の上面２０４Ａを露出するビアホール２１３を形成する。
【００１０】
このように、開口部２０７Ｂよりも直径の大きいレーザビーム２１１を照射することで、レーザ加工装置から照射されるレーザビーム２１１の位置ずれを吸収することが可能となるため、パッド２０４上に小径化されたビアホール２１３を形成することができる。
【００１１】
次いで、図８に示す工程では、エッチングにより、図７に示す開口部２０７Ｂが形成された銅箔２０７を除去する（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特表２００５−５３２６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、従来のビアホール２１３の形成方法では、レーザビーム２１１を照射する際のマスクとなる開口部２０７Ｂを有した銅箔２０７を形成するために、絶縁層２０６の上面２０６Ａに銅箔２０７を貼り付けた後、銅箔２０７上に開口部２０８Ａを有したレジスト膜２０８を形成する工程、レジスト膜２０８をマスクとするエッチングにより銅箔２０７に開口部２０７Ｂを形成する工程、及び開口部２０７Ｂを形成後にレジスト膜２０８を除去する工程を行う必要があった。
【００１３】
そのため、図１〜図８を参照して説明したコンフォーマルマスク法を用いた場合、ビアホール２１３の製造コストが増加してしまうという問題があった。
【００１４】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、小径化されたビアホールを形成できると共に、ビアホールの製造コストを低減することのできるビアホールの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一観点によれば、絶縁体上に形成されたパッドの上面に配置された部分の絶縁層に形成されるビアホールの形成方法であって、前記パッドが形成された前記絶縁体上に、前記パッドを覆う前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の上面に、印刷法により、前記ビアホールの形成位置に対応する部分の前記絶縁層の上面を露出する開口部を有した金属マスクを形成する金属マスク形成工程と、前記金属マスクの上面において、前記開口部の直径よりも大きい直径とされたレーザビームを、前記開口部から露出された前記絶縁層、及び前記開口部を構成する部分の前記金属マスクの上面に照射することにより、前記開口部に露出された部分の前記絶縁層に、前記パッドの上面を露出する前記ビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ビアホール形成工程後に、前記金属マスクを除去する金属マスク除去工程と、を含むことを特徴とするビアホールの形成方法が提供される。
【００１６】
本発明によれば、絶縁層の上面に、印刷法により、ビアホールの形成位置に対応する部分の絶縁層の上面を露出する開口部を有した金属マスクを形成し、次いで、金属マスクの上面において、開口部の直径よりも大きい直径とされたレーザビームを、開口部から露出された部分の絶縁層、及び開口部を構成する部分の金属マスクの上面に照射することにより、開口部の下方に位置する部分の絶縁層に、パッドの上面を露出する小径化されたビアホールを形成することができる。
【００１７】
また、印刷法を用いて、ビアホールの形成位置に対応する部分の絶縁層の上面を露出する開口部を有した金属マスクを形成することにより、金属マスクを１つの工程で形成することが可能となる。これにより、従来のビアホールの形成方法で使用するマスク（レーザビームを照射する際に使用するマスク）と比較して、金属マスクを形成する際の工程数が少なくなるため、ビアホールの製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、小径化されたビアホールを形成できると共に、ビアホールの製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２０】
（実施の形態）
図９は、本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の断面図である。
【００２１】
図９を参照するに、本実施の形態に係るビアホール１８の形成方法が適用された配線基板１０は、配線基板本体１１と、配線１３と、パッド１４，２３と、絶縁層１６と、ビアホール１８と、ビア２２とを有する。
【００２２】
配線基板本体１１は、積層された複数の絶縁層（図示せず）と、複数の絶縁層に形成されたビアホール（図示せず）と、ビアホールに設けられたビア（図示せず）と、複数の絶縁層に形成され、ビアと電気的に接続される配線パターン（図示せず）とを有する。積層された複数の絶縁層（図示せず）の最上層には、絶縁体２５が設けられている。絶縁体２５としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる絶縁樹脂層を用いることができる。絶縁体２５は、パッド１４が形成されるパッド形成領域Ａと、パッド１４が形成されない非パッド形成領域Ｂとを有する。
【００２３】
配線１３は、非パッド形成領域Ｂに対応する部分の絶縁体２５の上面２５Ａに設けられている。配線１３は、配線基板本体１１に設けられたビア及び配線パターン（共に図示せず）と電気的に接続されている。配線１３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００２４】
パッド１４は、パッド形成領域Ａに対応する部分の絶縁体２５の上面２５Ａに設けられている。パッド１４は、配線基板本体１１に設けられたビア及び配線パターン（共に図示せず）と電気的に接続されている。パッド１４の直径Ｒ１は、例えば、６５μｍとすることができる。パッド１４の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。この場合、パッド１４の厚さは、例えば、１８μｍとすることができる。
【００２５】
絶縁層１６は、配線１３及びパッド１４（但し、ビア２２と接続される部分のパッド１４の上面１４Ａを除く）を覆うように、絶縁体２５の上面２５Ａに設けられている。絶縁層１６としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる絶縁樹脂層を用いることができる。この場合、パッド１４の上面１４Ａに配置された部分の絶縁層１６の厚さは、例えば、３０μｍとすることができる。
【００２６】
ビアホール１８は、パッド１４の上面１４Ａに配置された部分の絶縁層１６に形成されている。ビアホール１８は、パッド１４の上面１４Ａを露出するように形成されている。パッド１４の直径Ｒ１が６５μｍの場合、ビアホール１８のボトムの直径Ｒ２は、例えば、４０μｍとすることができ、ビアホール１８のトップの直径Ｒ３は、例えば、５０μｍとすることができる。ビアホール１８は、配線基板１０の微細化に対応する小径化されたビアホールである。
【００２７】
ビア２２は、ビアホール１８に設けられている。ビア２２の下端は、パッド１４と接続されている。これにより、ビア２２は、パッド１４を介して、配線基板本体１１に設けられたビア及び配線パターン（共に図示せず）と電気的に接続されている。ビア２２の上端は、パッド２３と一体的に構成されている。
【００２８】
パッド２３は、パッド形成領域Ａに対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａに設けられている。パッド２３は、ビア２２の上端と一体的に構成されている。これにより、パッド２３は、ビア２２を介して、パッド１４と電気的に接続されている。上記構成とされたビア２２及びパッド２３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００２９】
図１０〜図１５は、本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の製造工程を示す図である。図１０〜１５において、図９に示す配線基板１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００３０】
図１０〜図１５を参照して、配線基板１０を製造する場合を例に挙げて、本実施の形態のビアホール１８の形成方法について説明する。
【００３１】
始めに、図１０に示す工程では、絶縁体２５の上面２５Ａに、配線１３及びパッド１４を形成する。配線基板本体１１は、積層された複数の絶縁層（図示せず）と、複数の絶縁層に形成されたビアホール（図示せず）と、ビアホールに設けられたビア（図示せず）と、複数の絶縁層に形成され、ビアと電気的に接続される配線パターン（図示せず）とを有する。積層された複数の絶縁層（図示せず）の最上層には、絶縁体２５が設けられている。絶縁体２５としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる絶縁樹脂層を用いることができる。絶縁体２５は、パッド１４が形成されるパッド形成領域Ａと、パッド１４が形成されない非パッド形成領域Ｂとを有する。
【００３２】
パッド１４は、パッド形成領域Ａに対応する部分の絶縁体２５の上面２５Ａに形成する。パッド１４は、配線基板１０の微細化に対応する小径化されたパッドである。パッド１４の直径Ｒ１は、例えば、６５μｍとすることができる。配線１３は、非パッド形成領域Ｂに対応する部分の絶縁体２５の上面２５Ａに形成する。配線１３及びパッド１４は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。
【００３３】
次いで、図１１に示す工程では、配線１３及びパッド１４が形成された絶縁体２５の上面２５Ａに、配線１３及びパッド１４を覆う絶縁層１６を形成する（絶縁層形成工程）。絶縁層１６としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる絶縁樹脂層を用いることができる。絶縁層１６として絶縁樹脂層を用いる場合、例えば、図１０に示す構造体上に樹脂フィルムを貼り付けることで絶縁層１６を形成する。パッド１４の上面１４Ａに形成された部分の絶縁層１６の厚さは、例えば、３０μｍとすることができる。
【００３４】
次いで、図１２に示す工程では、絶縁層１６の上面１６Ａ全体に、印刷法により、ビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａを露出する開口部３２を有した金属マスク３１を形成する（金属マスク形成工程）。具体的には、例えば、インクジェット法を用いて、絶縁層１６の上面１６Ａ全体に、金属マスク３１の母材となる金属材料（例えば、Ｃｕ又はＣｕ合金）を吹き付けることで、開口部３２を有した金属マスク３１を形成する。金属マスク３１は、レーザビーム３５（図１３参照）をビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６のみに照射するためのマスクである。パッド１４の直径Ｒ１が６５μｍの場合、開口部３２の直径Ｒ４は、例えば、５０μｍとすることができる。
【００３５】
このように、インクジェット法を用いて、絶縁層１６の上面１６Ａ全体に、レーザビーム３５をビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６のみに照射するための金属マスク３１を形成することにより、従来のマスクである開口部２０７Ｂを有した銅箔２０７を形成する際に必要であったレジスト膜２０８（図４及び図５参照）を用いることなく、１つの工程で、ビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａを露出する開口部３２を有した金属マスク３１を形成することが可能となる。これにより、従来のマスク（開口部２０７Ｂを有した銅箔２０７）と比較して、金属マスク３１を形成する際の工程数が少なくなるため、ビアホール１８の製造コストを低減することができる。
【００３６】
また、パッド１４の材料と金属マスク３１の材料とが同じ場合（例えば、パッド１４及び金属マスク３１の材料としてＣｕを用いた場合）、金属マスク３１の厚さは、パッド１４の厚さよりも薄くするとよい。具体的には、パッド１４の厚さが１８μｍの場合、金属マスク３１の厚さは、例えば、１μｍ〜５μｍとするとよい。
【００３７】
このように、パッド１４の材料と金属マスク３１の材料とが同じ場合、金属マスク３１の厚さをパッド１４の厚さよりも薄くすることにより、後述する図１４に示す工程（金属マスク除去工程）において、エッチングにより金属マスク３１を除去する際、パッド１４のエッチング量を少なくすることができる（言い換えれば、パッド１４の厚さが薄くなることを防止することができる。）。
【００３８】
次いで、図１３に示す工程では、レーザ加工装置（図示せず）により、金属マスク３１の上面３１Ａにおいて、金属マスク３１に形成された開口部３２の直径Ｒ４よりも大きい直径Ｒ５とされたビーム径を有するレーザビーム３５を、開口部３２から露出された部分の絶縁層１６、及び開口部３２を構成する部分の金属マスク３１の上面３１Ａに照射して、開口部３２に露出された部分の絶縁層１６に、パッド１４の上面１４Ａを露出するビアホール１８を形成する（ビアホール形成工程）。なお、開口部３２を構成する部分の金属マスク３１の上面３１Ａに照射されたレーザビーム３５は、金属マスク３１によりカットされる。
【００３９】
このように、金属マスク３１に形成された開口部３２の直径Ｒ４よりも大きい直径Ｒ５とされたレーザビーム３５を、開口部３２から露出された部分の絶縁層１６、及び開口部３２を構成する部分の金属マスク３１の上面３１Ａに照射して、ビアホール１８を形成することにより、開口部３２よりも直径Ｒ５の大きいビーム径を有したレーザビーム３５が照射されるため、レーザ加工装置（図示せず）から照射されるレーザビーム３５の位置ずれを吸収することが可能となるので、パッド１４上に配置された部分の絶縁層１６に小径化されたビアホール１８を形成することができる。
【００４０】
レーザビーム３５としては、例えば、ＣＯ２レーザを用いることができる。レーザビーム３５のビーム径の直径Ｒ５は、開口部３２の直径Ｒ４の大きさ及びレーザ加工装置が照射するレーザビーム３５の位置精度に基づいて決定するとよい。
【００４１】
このように、開口部３２の直径Ｒ４の大きさ及びレーザ加工装置が照射するレーザビームの位置精度に基づいて、レーザビーム３５のビーム径の直径Ｒ５を決定することにより、開口部３２から露出された部分の絶縁層１６の上面１６Ａ全体にレーザビーム３５を確実に照射することができる。
【００４２】
開口部３２の直径Ｒ４が５０μｍ、ガルバノスキャナを用いた一般的なレーザ加工装置を用いてレーザビーム３５を照射する場合、レーザビーム３５の直径Ｒ５は、例えば、８０μｍとすることができる。
【００４３】
パッド１４の直径Ｒ１が６５μｍの場合、ビアホール１８のボトムの直径Ｒ２は、例えば、４０μｍとすることができ、ビアホール１８のトップの直径Ｒ３は、例えば、５０μｍとすることができる。
【００４４】
次いで、図１４に示す工程では、図１３に示す金属マスク３１を除去する（金属マスク除去工程）。具体的には、例えば、ウエットエッチングにより、金属マスク３１をエッチングすることで、金属マスク３１を除去する。
【００４５】
次いで、図１５に示す工程では、周知の手法により、ビアホール１８に配設されるビア２２と、ビア２２と一体的に構成され、絶縁層１６の上面１６Ａに配設されるパッド２３とを同時に形成する。これにより、配線基板１０が製造される。具体的には、ビア２２及びパッド２３は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。ビア２２及びパッド２３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００４６】
本実施の形態のビアホールの形成方法によれば、絶縁層１６の上面１６Ａに、印刷法（例えば、インクジェット法）により、ビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａを露出する開口部３２を有した金属マスク３１を形成し、次いで、金属マスク３１の上面３１Ａにおいて、開口部３２の直径Ｒ４よりも大きい直径Ｒ５とされたレーザビーム３５を、開口部３２から露出された部分の絶縁層１６、及び開口部３２を構成する部分の金属マスク３１の上面３１Ａに照射することにより、開口部３２の下方に位置する部分の絶縁層１６に、パッド１４の上面１４Ａを露出する小径化されたビアホール１８を形成することができる。
【００４７】
また、印刷法（例えば、インクジェット法）を用いて、ビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａを露出する開口部３２を有した金属マスク３１を形成することにより、開口部３２を有した金属マスク３１を１つの工程で形成することが可能となる。これにより、従来のビアホール２１３の形成方法（図１〜図８参照）で使用するマスク（開口部２０７Ｂが形成された銅箔２０７）と比較して、金属マスク３１を形成する際の工程数が少なくなるため、ビアホール１８の製造コストを低減することができる。
【００４８】
図１６〜図１９は、本発明の実施の形態に係るビアホールの他の形成工程を示す図である。図１６〜図１９において、本実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４９】
図１６〜図１９を参照して、本実施の形態に係るビアホール１８の他の形成方法について説明する。始めに、先に説明した図１０及び図１１に示す工程（絶縁層形成工程を含む）と同様な処理を行うことで、図１１に示す構造体を形成する。
【００５０】
次いで、図１６に示す工程では、印刷法（例えば、インクジェット法）により、パッド形成領域Ａに対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａにのみ金属マスク４１を形成する（金属マスク形成工程）。金属マスク４１は、パッド形成領域Ａにのみ形成すること以外は、先に説明した金属マスク３１と同様な構成（具体的には、形状、材料、及び厚さ等）とされている。
【００５１】
このように、パッド１４が形成されるパッド形成領域Ａに対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａのみに、レーザビーム３５をビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６のみに照射するためのマスクである金属マスク４１を形成することにより、金属マスク形成工程における処理時間を短縮することが可能になると共に、金属マスク３１と比較して金属マスク４１の面積を小さくすることが可能となるので、ビアホール１８の製造コストを低減することができる。
【００５２】
次いで、図１７に示す工程では、先に説明した図１３に示す工程と同様な処理を行うことで、開口部３２の下方に位置する部分の絶縁層１６に、パッド１４の上面１４Ａを露出するビアホール１８を形成する（ビアホール形成工程）。
【００５３】
次いで、図１８に示す工程では、図１７に示す金属マスク４１を除去する（金属マスク除去工程）。具体的には、例えば、ウエットエッチングにより、金属マスク４１をエッチングすることで、金属マスク４１を除去する。
【００５４】
本実施の形態に係るビアホールの他の形成方法によれば、パッド１４が形成されるパッド形成領域Ａに対応する部分の絶縁層１６の上面１６Ａのみに、レーザビーム３５をビアホール１８の形成位置に対応する部分の絶縁層１６のみに照射するためのマスクである金属マスク４１を形成することにより、金属マスク形成工程における処理時間を短縮することが可能になると共に、金属マスク３１と比較して金属マスク４１の面積を小さくすることが可能となるので、ビアホール１８の製造コストを低減することができる。
【００５５】
なお、本実施の形態に係るビアホール１８の他の形成方法は、図１０〜図１５において説明したビアホール１８の形成方法と同様な効果を得ることができる。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５７】
例えば、配線基板本体１１に設けられた複数の絶縁層に形成されたビアホールを形成する際に、本実施の形態のビアホールの形成方法を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】従来のビアホールの形成工程を示す図（その１）である。
【図２】従来のビアホールの形成工程を示す図（その２）である。
【図３】従来のビアホールの形成工程を示す図（その３）である。
【図４】従来のビアホールの形成工程を示す図（その４）である。
【図５】従来のビアホールの形成工程を示す図（その５）である。
【図６】従来のビアホールの形成工程を示す図（その６）である。
【図７】従来のビアホールの形成工程を示す図（その７）である。
【図８】従来のビアホールの形成工程を示す図（その８）である。
【図９】本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の製造工程を示す図（その１）ある。
【図１１】本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の製造工程を示す図（その２）ある。
【図１２】本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の製造工程を示す図（その３）ある。
【図１３】本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の製造工程を示す図（その４）ある。
【図１４】本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の製造工程を示す図（その５）ある。
【図１５】本発明の実施の形態に係るビアホールの形成方法が適用された配線基板の製造工程を示す図（その６）ある。
【図１６】本発明の実施の形態に係るビアホールの他の形成工程を示す図（その１）である。
【図１７】本発明の実施の形態に係るビアホールの他の形成工程を示す図（その２）である。
【図１８】本発明の実施の形態に係るビアホールの他の形成工程を示す図（その３）である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  配線基板
１１  配線基板本体
１３  配線
１４，２３  パッド
１４Ａ，１６Ａ，２５Ａ，３１Ａ  上面
１６  絶縁層
１８  ビアホール
２２  ビア
２５  絶縁体
３１，４１  金属マスク
３２  開口部
３５  レーザビーム
Ａ  パッド形成領域
Ｂ  非パッド形成領域
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５  直径
【図１】
2010129723.tif 000003
【図２】
2010129723.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010129723.tif 000006
【図５】
2010129723.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010129723.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2010129723.tif 000012
【図１１】
2010129723.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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