(57)【要約】【課題】隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続されるように絶縁性透光基板上に複数の薄膜太陽電池セルが配設された薄膜太陽電池を製造するに際して、隣接する薄膜太陽電池セル間の短絡を検出することができる薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を得ること。【解決手段】隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続するように、絶縁性透光基板上に、第１電極層と光電変換層と第２電極層とをこの順で含む複数の薄膜太陽電池セルを形成する第１工程と、前記隣接する薄膜太陽電池セルの前記第２電極層間に電圧を印加し、前記第２電極層間に流れる電流に基づいて前記隣接する薄膜太陽電池セル間の短絡の有無を検出する第２工程と、を含む。【選択図】        図１
2010021517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続するように、絶縁性透光基板上に、第１電極層と光電変換層と第２電極層とをこの順で含む複数の薄膜太陽電池セルを形成する第１工程と、
前記隣接する薄膜太陽電池セルの前記第２電極層間に電圧を印加し、前記第２電極層間に流れる電流に基づいて前記隣接する薄膜太陽電池セル間の短絡の有無を検出する第２工程と、
を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程が、
前記絶縁性透光基板に前記１電極層と前記光電変換層と前記第２電極層とを順次積層する積層工程と、
前記光電変換層と前記第２電極層とに対して前記絶縁性透光基板における前記１電極層と反対側からレーザースクライブを行なうことにより前記光電変換層と前記第２電極層とを分割して複数のセルに分割する分割工程と、
を含み、
前記積層工程と前記分割工程との間において、前記第２工程において前記隣接する薄膜太陽電池セルの前記第２電極層間に電圧を印加する電圧印加手段を用いて、前記分割する前の前記第２電極層に電圧を印加し、前記電圧印加手段と前記１電極層との間の接触不良の有無を検出すること、
を特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程が、
前記絶縁性透光基板に前記１電極層と前記光電変換層と前記第２電極層とを順次積層する積層工程と、
前記光電変換層と前記第２電極層とに対して前記絶縁性透光基板における前記１電極層と反対側からレーザースクライブを行なうことにより前記光電変換層と前記第２電極層とを分割して複数のセルに分割する分割工程と、
を含み、
前記分割工程では、前記第２工程において前記隣接する薄膜太陽電池セルの前記第２電極層間に電圧を印加する電圧印加手段を用いて前記第２電極層に電圧を印加しながら前記レーザースクライブを行ない、
前記第２工程では、前記分割工程終了直後に前記隣接する薄膜太陽電池セルの前記第２電極層間に流れる電流に基づいて、前記隣接する薄膜太陽電池セル間の短絡の有無を検出すること、
を特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記隣接する薄膜太陽電池セルの前記第２電極層間に印加する電圧は、０Ｖ以上、開放電圧以下であること、
を特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記第１工程では、レーザースクライブ装置内において前記光電変換層と前記第２電極層とをレーザースクライブにより同時にパターニングして各薄膜太陽電池セルにセル化し、
前記第２工程を前記第１工程に引き続いて前記レーザースクライブ装置内において行うこと、
を特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記第２工程において前記隣接する薄膜太陽電池セル間の短絡を検出した後に、短絡を検出した前記薄膜太陽電池セルに対して該薄膜太陽電池セルのセル面積が本来のセル面積よりも縮小するように、前記光電変換層と前記第２電極層とをレーザースクライブにより同時にパターニングする第３工程を有すること、
を特徴とする請求項５に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記短絡を検出した薄膜太陽電池セルに対して、前記第２工程と前記第３工程とを該薄膜太陽電池セルの短絡が検出されなくなるまで繰り返し行なうこと、
を特徴とする請求項６に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記第３工程における前記レーザースクライブは、前記短絡を検出した前記薄膜太陽電池セルに対してレーザースクライブによる加工溝幅をＤとした場合に、該セルに対して前回行なわれたレーザースクライブ位置からの移動距離αが０＜α＜Ｄであること、
を特徴とする請求項７に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項９】
第１電極層と光電変換層と第２電極層とがこの順で形成された絶縁性透光基板にレーザー照射を行って前記光電変換層と前記第２電極層とを薄膜太陽電池セル毎に分離することにより、隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続する複数の薄膜太陽電池セルを有する薄膜太陽電池を作製する薄膜太陽電池の製造装置であって、
前記絶縁性透光基板を支持する基板支持手段と、
前記絶縁性透光基板にレーザー照射を行うレーザー照射手段と、
前記レーザー照射により分離された前記隣接する薄膜太陽電池セル間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記隣接する薄膜太陽電池セルの前記第２電極層間に流れる電流を測定する電流測定手段と、
を備えることを特徴とする薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項１０】
前記電圧印加手段は、
前記絶縁性透光基板上に形成された前記薄膜太陽電池セルのそれぞれに１つずつ接触して配置される前記薄膜太陽電池セルと同数のプローブと、
前記プローブを介して前記薄膜太陽電池セルに電圧を印加する電圧源と、
を備えることを特徴とする請求項９に記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項１１】
前記プローブと前記電圧源との間に、前記薄膜太陽電池セルに対する電圧の印加を制御するスイッチを備えること、
を備えることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性透光基板上に作製した薄膜太陽電池の製造方法および製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電は、化石燃料による火力発電の代替エネルギーとして期待されており、太陽光発電システムの生産量は年々増加している。このために、シリコン基板を原材料に用いるバルク型太陽電池においては、シリコンウエハが不足するという事態が発生し、シリコン基板の価格高騰により、製造コストの増大が懸念されている。このため、シリコン基板の供給量に製造コストが左右されない薄膜太陽電池が注目を集めている。
【０００３】
従来の薄膜太陽電池の一例として、ガラス基板上に作製するアモルファスシリコン薄膜太陽電池がある。アモルファスシリコン太陽電池は、液晶ディスプレイの製造に用いられるアモルファスシリコンＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition、化学的気相成長法）技術を用いて、大面積で比較的簡便に製造できることから急速に生産量が増加している。また、薄膜太陽電池のパターニングは、一般に基板材料（ガラスなど）が透光性であることを利用して、基板裏面からのレーザー照射によるパターニング（レーザースクライブ）が用いられている。
【０００４】
しかし、このようなガラス基板上に作製するアモルファスシリコン薄膜太陽電池の製造に用いられるガラス基板の大面積化にともない、製造装置間の基板搬送時やプロセス装置内において、ガラス基板にゴミ（異物）が堆積する確率が高くなる。例えば、アモルファスシリコン膜形成中に導電性の異物が基板表面に付着すると、薄膜太陽電池セルの上部電極層と下部電極層の間がこの異物により短絡し、当該セルの発電電圧が低下して歩留りの低下を引き起こす原因となる。また、ガラス基板の裏面側に異物が堆積した場合、アモルファスシリコン層および金属電極層をレーザースクライブする際に、この異物がマスクとなり隣接するセルの上部電極層が分離されないため、当該セルの発電電圧が低下して歩留りの低下を引き起こす原因となる。
【０００５】
以下に、上部電極層と下部電極層間の短絡を検出し救済する方法の一例を示す。例えば、アモルファスシリコンから成る光電変換層は、一般にＰ型／Ｉ型／Ｎ型のシリコン層の積層膜で構成されるため、ダイオード特性を有する。これを利用して、薄膜太陽電池セル作製後に上部電極層と下部電極層の間に逆バイアスを印加し、リーク箇所に流れる電流のジュール発熱を赤外線センサで検知し、検知したリーク箇所の座標情報を基に、リーク箇所にレーザー光を照射してリーク箇所を除去するリーク箇所検出リペア装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、例えば、薄膜太陽電池セル作製後に、セルの微小領域にレーザー出力の小さいレーザーを照射して、この微小領域で発生した光リーク電流を測定してリークの有無を検出し、リークが発生している場合には、このリーク箇所の透明電極層および光電変換層を刃物もしくはフェムト秒レーザーなどで除去する短絡部除去装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−２６６３２２号公報
【特許文献２】特開２００６−２２９０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の先行例１（特許文献１）および先行例２（先行文献２）は、何れも上部電極と下部電極とにプローブを接触させて、上部電極と下部電極間の短絡箇所を検出する方法であり、隣接セル間の短絡を検出することができないという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続されるように絶縁性透光基板上に複数の薄膜太陽電池セルが配設された薄膜太陽電池を製造するに際して、隣接する薄膜太陽電池セル間の短絡を検出することができる薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる薄膜太陽電池の製造方法は、隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続するように、絶縁性透光基板上に、第１電極層と光電変換層と第２電極層とをこの順で含む複数の薄膜太陽電池セルを形成する第１工程と、前記隣接する薄膜太陽電池セルの前記第２電極層間に電圧を印加し、前記第２電極層間に流れる電流に基づいて前記隣接する薄膜太陽電池セル間の短絡の有無を検出する第２工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、隣接するセル間の上部電極層を介した短絡を容易且つ確実に検出することができる、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明にかかる薄膜太陽電池の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法を適用して作製した薄膜太陽電池の断面模式図である。図１に示す薄膜太陽電池は、複数の薄膜太陽電池セル（以下、セルと呼ぶ）５を備え、隣接するセル５が電気的に直列に接続された構造を有する。セル５は、ガラス基板１上に第１電極である下部電極層２と、光電変換層３と、第２電極である上部電極層４と、がこの順で順次積層された構造を有する。
【００１４】
この実施の形態１にかかる薄膜太陽電池においては、上部電極層４が正常にセル５毎に分離されていないことに起因した隣接するセル５間の短絡がなく、上部電極層４を介したセル５間の短絡によるセル５の発電電圧の低下が防止されているため、歩留りの良い薄膜太陽電池が実現されている。
【００１５】
つぎに、図１に示す薄膜太陽電池の製造方法について説明する。まず、絶縁性透光基板であるガラス基板１の上に、酸化スズ（ＳｎＯ２）膜により下部電極層２を形成する。この下部電極層２は、ガラス基板１の表面に達する開口部が形成されるように、ガラス基板１の裏面側（下部電極層２が形成されていない側）よりレーザースクライブを行うことによりパターニングされる。
【００１６】
続いて、ＣＶＤ法によりボロン（Ｂ）をドープしたＰ型アモルファスシリコン膜３ａ、ノンドープＩ型アモルファスシリコン膜３ｂ、リン（Ｐ）をドープしたＮ型アモルファスシリコン膜３ｃをこの順で堆積させて、Ｐ−Ｉ−Ｎ接合を有する光電変換層３を形成する。光電変換層３は、下部電極層２の表面に達する開口部が形成されるように、ガラス基板１の裏面側よりレーザースクライブを行なうことによりパターニングされる。
【００１７】
引き続き、アルミニウム（Ａｌ）により上部電極層４を形成する。上部電極層４は、光電変換層３と共に下部電極層２の表面に達する開口部が形成されるように、ガラス基板１の裏面側よりレーザースクライブを行なうことにより、複数のセル５にセル化される。このような方法により、図１に示すように第１セル５ａ、第２セル５ｂ、および第３セル５ｃがガラス基板１上に直列接続された薄膜太陽電池６が得られる。
【００１８】
つぎに、以下のような短絡検出方法により隣接するセル５間の短絡の有無を検出する短絡検出検査を実施する。図２は、上述した薄膜太陽電池６と同様の構成を有する薄膜太陽電池であって、隣接するセル５が上部電極層４を介して短絡した薄膜太陽電池７の断面模式図である。この薄膜太陽電池７は、製造時にガラス基板１の裏面側（下部電極層２が形成されていない側）に異物８が付着したために、上部電極層４を光電変換層３と共にレーザースクライブする際に該異物８がマスクとなってレーザー照射が正常に行なわれず、異物８の位置に対応した箇所の上部電極層４および光電変換層３がパターニングされていない。すなわち、隣接する第１セル５ａと第２セル５ｂとの上部電極層４が分離されておらず、セル５間の短絡領域９が形成されている。このため、第１セル５ａと第２セル５ｂとが上部電極層４を介して短絡して、第２セル５ｂの発電電圧を取り出すことができなくなり、薄膜太陽電池７の出力電圧が低下する。
【００１９】
そこで、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法においては、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡の有無を検出する短絡検出検査を実施する。以下、短絡検出検査について、図３〜図６−２を参照して説明する。ここでは、図２に示したように隣接する第１セル５ａと第２セル５ｂとが上部電極層４を介して短絡した薄膜太陽電池７の短絡検出方法について説明する。図３は、隣接するセル５間の短絡の有無を検出する短絡検出方法を説明するための図であり、隣接するセル５間が短絡していない場合を説明するための断面模式図である。
【００２０】
まず、図３に示すように隣接する第２セル５ｂおよび第３セル５ｃの上部電極層４に順方向の電圧Ｖを印加して、電流Ｉを測定する。図４に、隣接する第２セル５ｂおよび第３セル５ｃ間が短絡していない場合の電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す特性図であり、第３セル５ｃの光電変換層３に対して順方向の電圧を印加した場合の電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す。この場合は、第２セル５ｂと第３セル５ｃ間には短絡箇所が無いため、開放電圧Ｖｏｃ付近までは０Ｖ以下の値となり、開放電圧Ｖｏｃ付近で急激に順方向電流Ｉが増加する正常な電圧Ｖ−電流Ｉ特性（ダイオード特性）が得られる。
【００２１】
図５は、隣接するセル５間の短絡の有無を検出する短絡検出方法を説明するための図であり、隣接するセル５間が短絡している場合を説明するための断面模式図である。次に、図５に示すように、隣接する第１セル５ａおよび第２セル５ｂの上部電極層４に順方向の電圧Ｖを印加して、電流Ｉを測定する。
【００２２】
図６−１は、隣接する第１セル５ａおよび第２セル５ｂ間が短絡している場合の電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す特性図であり、第２セル５ｂの光電変換層３に対して順方向の電圧を印加した場合の電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す。この場合、第１セル５ａおよび第２セル５ｂ間は、ガラス基板１の裏面に異物８が付着したために異物８の位置に対応した箇所の上部電極層４および光電変換層３がレーザースクライブにより分離されずに短絡領域９が形成されており、電流Ｉは短絡領域９の上部電極層４を介して流れるために、電圧Ｖ−電流Ｉ特性は直線的（オーミック特性）なものとなる。
【００２３】
このように、隣接するセル５の上部電極層４に電圧Ｖを印加して電流Ｉを測定した場合の電圧Ｖ−電流Ｉ特性は、隣接するセル５間が上部電極層４を介して短絡している場合と短絡してない場合とでは、明らかに異なる特性を有する。このことから、隣接するセル５の上部電極層４間に電圧Ｖを印加し、この時に隣接するセル５の上部電極層４間に流れる電流Ｉの値に基づいて、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡を容易に検出することができる。
【００２４】
図６−２は、隣接する第１セル５ａおよび第２セル５ｂ間が短絡している場合の電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す特性図であり、第２セル５ｂの光電変換層３に対して順方向の電圧を印加した際の、短絡箇所が高抵抗である場合における電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す特性図である。短絡箇所が高抵抗である場合には、図６−２に示すように電圧Ｖ−電流Ｉ曲線の傾きが小さくなるような特性となる。この場合、印加する電圧Ｖは、０Ｖ以上、開放電圧Ｖｏｃ以下であることが好ましい。
【００２５】
印加する電圧Ｖが上記の範囲では、隣接するセル５間が上部電極層４を介して短絡している場合、電流Ｉは直線的（オーミック特性）な０以上の値となる。一方、印加する電圧Ｖが０Ｖ未満の場合には、電流Ｉは直線的（オーミック特性）となるが、隣接するセル５間が上部電極層４を介して短絡している場合と同様に０以下の値となる。また、印加する電圧Ｖが開放電圧Ｖｏｃより大である場合には、電流Ｉは直線的（オーミック特性）な正の値となるが、隣接するセル５間が上部電極層４を介して短絡している場合も正の値となる。したがって、印加する電圧Ｖを０Ｖ以上、開放電圧Ｖｏｃ以下とすることで、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡を容易且つ確実に検出することができる。
【００２６】
このようにして、電気的に直列接続された全てのセル５に対して、上述した検出方法により短絡検出検査を繰り返し行なうことで、ガラス基板１上に作製された薄膜太陽電池７の全てのセル５において、隣接するセル５間の短絡を容易に検出することができる。
【００２７】
また、上述したような隣接するセル５間の短絡の検出は、セル化のためのレーザースクライブ装置内、すなわち光電変換層３と共に上部電極層４のパターニングを行なうレーザースクライブ装置内で、セル化のためのレーザースクライブ実施後に行なうことができる。これにより、隣接するセル５間のリークを検出するための専用装置が不要となり、また搬送工程が不要となるため、生産性が向上し、また低コスト化を図ることができる。
【００２８】
また、隣接するセル５の上部電極層４に電圧Ｖを印加するための電圧印加手段（プローブ）と上部電極層４との間に接触不良がある場合やプローブと上部電極間４との間に絶縁性の異物が介入している場合（プローブの接触不良がある場合）は、隣接するセル５間の短絡検査のための電圧を印加しても電流Ｉは流れないため、実際には隣接するセル５間に短絡がある場合においても正常なセル５と誤検知する可能性がある。これを回避するために、セル化のためのレーザースクライブを行なう前にプローブを上部電極層４と接触させて、隣接するセル５間の短絡検査のための電圧印加と同様の処理を行ない、電流Ｉの値を検出することでプローブの接触不良を検知することができる。
【００２９】
具体的には、レーザースクライブ実施前の上部電極にプローブを接触させ電圧を印加した際に、プローブが上部電極層４に正常に接触している場合には、電流Ｉは上部電極層４を介して流れるため電流Ｉは非常に大きな値となる。一方、プローブに接触不良がある場合には、電流Ｉの値はほぼゼロに近い値となる。このように、電流Ｉの大きさを検出することにより、容易にプローブの接触不良を検知することが可能である。プローブの接触不良が検知された場合は、プローブの交換や異物除去のためのエアーブローを行ってコンタクト不良の原因を取り除き、プローブと上部電極層４とを正常に接触させた状態で、セル化のためのレーザースクライブおよび隣接するセル５間の短絡検査を行なうことで、隣接するセル５間の短絡検査における短絡判定の誤検知を防止することができる。
【００３０】
また、セル化のためのレーザースクライブ中に、上述したような隣接するセル５間に短絡検査のための電圧を印加しておくことで、レーザースクライブによりセル分離された直後に隣接するセル５間の短絡を検出することが可能となるため、スループットの向上が図れる。
【００３１】
上述したように、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、ガラス基板１上に下部電極層２と光電変換層３と上部電極層４とを順次積層し、上部電極層４および光電変換層３に対してガラス基板１の裏面側よりレーザースクライブを行なうことにより電気的に直列接続された複数のセル５にセル化した後に、隣接するセル５の上部電極層４間に電圧Ｖを印加し、この時に隣接するセル５の上部電極層４間に流れる電流Ｉの値に基づいて隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡の有無を検出する。したがって、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、隣接するセル５間の上部電極層４を介した短絡を容易且つ確実に検出することができる。
【００３２】
また、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、隣接するセル５の上部電極層４間に０Ｖ以上、開放電圧Ｖｏｃ以下の電圧を印加し、この時に隣接するセル５の上部電極層４間に流れる順方向電流の値を用いることで、短絡部が高抵抗の場合でも隣接するセル５間の短絡の有無を容易に検出することができる。
【００３３】
また、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、隣接するセル５間の短絡検出を、レーザー照射により光電変換層３と上部電極層４とを同時にパターニングしてセル化するためのレーザースクライブ装置内で行なうため、専用の短絡検出装置が不要となり、生産性が向上する。
【００３４】
また、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、セル化のためのレーザースクライブを行なう前に、プローブを上部電極と接触させて、隣接するセル５間の短絡検査のための電圧印加と同様の処理を行ない、電流Ｉの値を検出することでプローブの接触不良を検知することができる。そして、プローブの接触不良が検知された場合は、プローブの交換や異物除去のためのエアーブローを行ってコンタクト不良の原因を取り除き、プローブと上部電極層４とを正常に接触させた状態で、セル化のためのレーザースクライブおよび隣接するセル５間の短絡検査を行なうことで、隣接するセル５間の短絡検査における短絡判定の誤検知を防止することができる。
【００３５】
また、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、セル化のためのレーザースクライブ中に、上述したような隣接するセル５間に短絡検査のための電圧を印加しておくことで、レーザースクライブによりセル分離された直後に隣接するセル５間の短絡を検出することが可能となるため、スループットの向上が図れる。
【００３６】
なお、上記においてはセル５の上部電極層４としてアルミニウム（Ａｌ）膜を用いた場合について説明したが、上部電極層４の構成材料はこれに限定されず、銀（Ａｇ）やチタン（Ｔｉ）、およびこれらの積層膜などの光を反射する導電膜（金属膜）を用いることができる。また、光電変換層３と上部電極層４との間に酸化スズや酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明導電膜を挿入した構成としてもよい。
【００３７】
また、上記においては下部電極層２として酸化スズを用いた場合について説明したが、下部電極層２の構成材料はこれに限定されず、酸化亜鉛などの透光性を有する透明導電膜であればよい。さらに、上記においては、基板材質がガラスである場合について説明したが、透明プラスチックや透明フィルムなどの透光性且つ絶縁性を有する絶縁性透光基板であれば他の材質の基板でもよい。
【００３８】
また、上記においては、アモルファスシリコン膜からなる光電変換層３を用いた、いわゆる、単層型薄膜太陽電池について説明したが、アモルファスシリコン薄膜太陽電池、微結晶シリコン薄膜太陽電池、シリコンゲルマニウム薄膜太陽電池などの複数の薄膜太陽電池を積層した積層型薄膜太陽電池セルでも同様の効果が得られる。
【００３９】
実施の形態２．
実施の形態２では、実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法において、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡が検出されたセル５の修復方法について説明する。図７は、実施の形態２にかかる薄膜太陽電池の製造方法のプロセスフローを説明するためのフローチャートである。
【００４０】
まず、実施の形態１において説明した工程に従ってガラス基板１上に下部電極層２と光電変換層３と上部電極層４とを順次積層し、セル化のための光電変換層３および上部電極層４のレーザースクライブ（薄膜太陽電池のセル化）を実施する（ステップＳ１１０）。引き続き、隣接するセル５間の短絡検出検査を実施する。すなわち、セル化を行ったレーザースクライブ装置内において、隣接するセル５の上部電極層４間に順方向の電圧を印加し（ステップＳ１２０）、セル５の順方向電流値を検出して、隣接するセル５の上部電極層４間に短絡があるか否かの判定を行う（ステップＳ１３０）。
【００４１】
ステップＳ１３０における判定の結果、短絡がない場合（ステップＳ１３０否定）には、全ての隣接するセル５間の短絡検出検査が終了したか否かを判断し（ステップＳ１４０）、全ての隣接するセル５間の短絡検出検査が終了していない場合には（ステップＳ１４０否定）、ステップＳ１２０に戻って他の隣接するセル５間の短絡検出検査を実施する。また、全ての隣接するセル５間の短絡検出検査が終了した場合には（ステップＳ１４０肯定）、短絡検出検査を終了する。
【００４２】
また、ステップＳ１３０における判定の結果、短絡がある場合（ステップＳ１３０肯定）には、短絡しているセル５を修復するためのレーザースクライブ１０をガラス基板１の裏面側より行なう。図８は、セル化の実施後において、第１セル５ａと第２セル５ｂとが上部電極層４を介して短絡している薄膜太陽電池７の断面模式図である。この薄膜太陽電池７は、製造時にガラス基板１の裏面側（下部電極層２が形成されていない側）に異物８が付着したために、上部電極層４を光電変換層３と共にレーザースクライブする際に該異物８がマスクとなってレーザー照射が正常に行なわれず、異物８の位置に対応した箇所の上部電極層４および光電変換層３がパターニングされていない。すなわち、隣接する第１セル５ａと第２セル５ｂとの上部電極層４が分離されずに、短絡領域９が形成されている。
【００４３】
この場合、図９に示すように、短絡が検出された第２セル５ｂに対して、セル化のためのレーザースクライブを行なった際の加工座標（レーザースクライブの際にガラス基板１を保持する基板ステージ（図示せず）の座標）を基準に、予め設定した移動距離α分だけガラス基板１（基板ステージ）を移動させて、第２セル５ｂのセル面積が本来のセル面積よりも縮小するように、ガラス基板１の裏面側よりセル修復のためのレーザースクライブ１０を行なう（ステップＳ１５０）。すなわち、本来のセル化のためのレーザースクライブ位置（異物８の位置に対応）から、ガラス基板１の面内方向において上部電極層４および光電変換層３をセル毎に分離する分離溝１１の長手方向と略直交する方向（図９におけるＸ方向）に予め設定した移動距離α分だけ移動した位置Ｘ１０で、ガラス基板１の裏面側よりセル修復のためのレーザースクライブ１０を行なう。
【００４４】
このレーザースクライブ１０により第１セル５ａと第２セル５ｂとの光電変換層３および上部電極層４に分離溝１１’が形成され、該第１セル５ａと第２セル５ｂとの光電変換層３および上部電極層４を正常に分離して第２セル５ｂを修復することができる。これにより、第１セル５ａと第２セル５ｂとの上部電極層４が分離されてないことに起因した第１セル５ａと第２セル５ｂとの短絡を解消して、第１セル５ａと第２セル５ｂとの短絡による薄膜太陽電池７の出力電圧の低下を防止することができる。
【００４５】
上述したように、実施の形態２にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡を容易且つ確実に検出することができる。
【００４６】
また、実施の形態２にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、上部電極層４を介した短絡を検出したセル５に対して、セル化のためのレーザースクライブを行なった際の加工座標を基準に、予め設定した移動距離α分だけガラス基板１（基板ステージ）を移動させて、該セル５のセル面積が本来のセル面積よりも縮小するように、ガラス基板１の裏面側よりセル修復のためのレーザースクライブを行なう。これにより、上部電極層４を介して短絡している状態の隣接するセル５を正常に分離して短絡を容易且つ確実に解消することができ、隣接するセル５間の上部電極層４を介した短絡による薄膜太陽電池７の出力電圧の低下を防止することができ、出力電圧特性に優れた薄膜太陽電池を作製することができる。
【００４７】
また、実施の形態２にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、セル化に用いるレーザースクライブ装置内で、隣接するセル５間の短絡を検出した後に、引き続き短絡が検出されたセル５の面積が本来のセル面積よりも縮小するようにセル修復のためのレーザースクライブを行なうため、セル修復のためのレーザー照射の位置精度が向上する。
【００４８】
実施の形態３．
上述した実施の形態２における短絡したセル５の修復方法では、例えばレーザースクライブ１０を行う際のレーザーの焦点面積よりも異物８の面積が広い場合には、セル５の修復のためのレーザースクライブを行なっても、第１セル５ａと第２セル５ｂとの光電変換層３および上部電極層４が正常に分離されない場合がある。実施の形態３では、実施の形態１で示した隣接するセル５間の短絡検出と実施の形態２で示したセル５の修復のためのレーザースクライブを繰り返し行ない、隣接するセル５間の短絡を完全に解消する方法について説明する。
【００４９】
図１０は、実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法のプロセスフローを説明するためのフローチャートである。まず、実施の形態１において説明した工程に従ってガラス基板１上に下部電極層２と光電変換層３と上部電極層４とを順次積層し、セル化のための光電変換層３および上部電極層４のレーザースクライブ（薄膜太陽電池のセル化）を実施する（ステップＳ２１０）。
【００５０】
引き続き、隣接するセル５間の短絡検出検査を実施する。すなわち、セル化を行ったレーザースクライブ装置内において、隣接するセル５の上部電極層４間に順方向の電圧を印加し（ステップＳ２２０）、セル５の順方向電流値を検出して、隣接するセル５の上部電極層４間に短絡があるか否かの判定を行う（ステップＳ２３０）。
【００５１】
ステップＳ２３０における判定の結果、短絡がない場合（ステップＳ２３０否定）には、全ての隣接するセル５間の短絡検出検査が終了したか否かを判断し（ステップＳ２４０）、全ての隣接するセル５間の短絡検出検査が終了していない場合には（ステップＳ２４０否定）、ステップＳ２２０に戻って他の隣接するセル５間の短絡検出検査を実施する。また、全ての隣接するセル５間の短絡検出検査が終了した場合には（ステップＳ２４０肯定）、短絡検出検査を終了する。
【００５２】
また、ステップＳ２３０における判定の結果、短絡がある場合（ステップＳ２３０肯定）には、短絡しているセル５を修復するためのレーザースクライブ１０をガラス基板１の裏面側より行なう。図１１は、セル化の実施後において、第１セル５ａと第２セル５ｂとが上部電極層４を介して短絡している薄膜太陽電池７の断面模式図である。この薄膜太陽電池７は、製造時にガラス基板１の裏面側（下部電極層２が形成されていない側）に前述の異物８よりも大きな大異物１２が付着したために、上部電極層４を光電変換層３と共にレーザースクライブする際に該大異物１２がマスクとなってレーザー照射が正常に行なわれず、大異物１２の位置に対応した箇所の上部電極層４および光電変換層３がパターニングされていない。すなわち、隣接する第１セル５ａと第２セル５ｂとの上部電極層４が分離されず、セル５間の短絡領域１３が形成されている。
【００５３】
この場合、図１２に示すように、短絡が検出された第２セル５ｂに対して、セル化のためのレーザースクライブを行なった際の加工座標（レーザースクライブの際にガラス基板１を保持する基板ステージ（図示せず）の座標）を基準に、予め設定した移動距離α分だけガラス基板１（基板ステージ）を移動させて、第２セル５ｂのセル面積が本来のセル面積よりも縮小するように、ガラス基板１の裏面側よりセル修復のためのレーザースクライブ１０を行なう（ステップＳ２５０）。すなわち、本来のセル化のためのレーザースクライブ位置（大異物１２の位置に対応）から、ガラス基板１の面内方向において上部電極層４および光電変換層３をセル毎に分離する分離溝１１の長手方向と略直交する方向（図１２におけるＸ方向）に予め設定した移動距離α分だけ移動した位置Ｘ１０で、ガラス基板１の裏面側よりセル修復のための第１のレーザースクライブ１０を行なう。
【００５４】
ここで、大異物１２の面積が広いため、セル５ｂの修復のための第１のレーザースクライブ１０を位置Ｘ１０で行なっても、図１３に示すように第１セル５ａと第２セル５ｂとの光電変換層３および上部電極層４が正常に分離されない。
【００５５】
第１のレーザースクライブ１０の実施後、ステップＳ２２０に戻って第１セル５ａおよび第２セル５ｂ間の短絡検出検査を実施する。すなわち、図１３に示すように、レーザースクライブ装置内において第１セル５ａおよび第２セル５ｂの上部電極層４間に順方向の電圧を印加し（ステップＳ２２０）、セル５の順方向電流値を検出して、第１セル５ａと第２セル５ｂとの上部電極層４間に短絡があるか否かの判定を行う（ステップＳ２３０）。ステップＳ２３０における判定の結果、短絡がない場合（ステップＳ２３０否定）にはステップＳ２４０に進む。
【００５６】
この場合は、大異物１２が第１のレーザースクライブ１０の際にマスクとなり、第１セル５ａと第２セル５ｂとの光電変換層３および上部電極層４が正常に分離されておらず、短絡があるため（ステップＳ２３０肯定）、再度ステップＳ２５０に進む。そして、図１４に示すように、短絡が検出された第２セル５ｂに対して、前回のレーザースクライブ（セル修復のための第１のレーザースクライブ１０）を行なった際の加工座標（第１のレーザースクライブ１０の際にガラス基板１を保持する基板ステージ（図示せず）の座標）を基準に、予め設定した移動距離α分だけガラス基板１（基板ステージ）を移動させて、第２セル５ｂのセル面積がさらに減少するように、ガラス基板１の裏面側よりセル修復のための第２のレーザースクライブ１４を行なう（ステップＳ２５０）。
【００５７】
すなわち、第１のレーザースクライブ１０を行った位置Ｘ１０から予め設定した移動距離α分だけＸ方向にさらに移動した位置Ｘ１４で、ガラス基板１の裏面側よりセル修復のための第２のレーザースクライブ１４を行なう。そして、ステップＳ２２０に戻って、第１セル５ａおよび第２セル５ｂ間の短絡検出検査を実施する。この場合、第１セル５ａと第２セル５ｂとの光電変換層３および上部電極層４は、図１４に示すように、第２のレーザースクライブ１４により正常に分離されているため、図４に示したような正常な電圧Ｖ−電流Ｉ特性（ダイオード特性）が得られる。このように、短絡検出と、該短絡検出により短絡が検出されたセル５の修復のためのレーザースクライブと、を該セルの短絡が検出されなくなるまで繰り返し行なうことで、隣接するセル５間の短絡を完全に解消することができる。
【００５８】
なお、レーザー照射による加工溝幅をＤとした場合、セル修復のためのガラス基板１（基板ステージ）の移動距離αは、０≦α＜Ｄの範囲であることが好ましい。例えば、移動距離αを加工溝幅Ｄよりも大きくした場合、セル修復時のレーザースクライブで失われるセルの面積が増加し、当該セルの短絡電流Ｉｓｃが低下するため薄膜太陽電池セル７の効率が低下する。移動距離αを０≦α＜Ｄの範囲とすることにより、前回のレーザースクライブにより形成した加工溝とセル修復時のレーザー照射による加工溝がオーバーラップし、セル修復時のレーザースクライブで失われるセルの損失面積を極力少なくしつつ、セル５を修復することができる。
【００５９】
上述したように、実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡を容易且つ確実に検出することができる。
【００６０】
また、実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、上部電極層４を介した短絡を検出したセル５に対して、セル化のためのレーザースクライブを行なった際の加工座標を基準に、予め設定した移動距離α分だけガラス基板１（基板ステージ）を移動させて、該セル５のセル面積が本来のセル面積よりも減少するように、ガラス基板１の裏面側よりセル修復のためのレーザースクライブを行なう。これにより、上部電極層４を介して短絡している状態の隣接するセル５を正常に分離して短絡を容易且つ確実に解消することができ、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡による薄膜太陽電池７の出力電圧の低下を防止することができ、出力電圧特性に優れた薄膜太陽電池を作製することができる。
【００６１】
また、実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、セル化に用いるレーザースクライブ装置内で、隣接するセル５間の短絡を検出した後に、短絡が検出されたセル５の面積が本来のセル面積よりも縮小するようにセル修復のためのレーザースクライブを行なうため、セル修復のためのレーザー照射の位置精度が向上する。
【００６２】
さらに、実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法によれば、短絡検出と、該短絡検出により短絡が検出されたセルの修復のためのレーザースクライブと、を該セルの短絡が検出されなくなるまで繰り返し行なうことで、短絡部を確実に除去して隣接するセル５間の短絡を完全に解消することができ、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡による薄膜太陽電池７の出力電圧の低下を確実に防止することができる。
【００６３】
実施の形態４．
図１５−１および図１５−２は、従来の薄膜太陽電池の製造装置であるレーザースクライブ装置における基板支持手段を説明するための模式図であり、図１５−１は上面模式図を示し、図１５−２は図１５−１のＡ−Ａ’部の断面の模式図を示す。従来のレーザースクライブ装置では、図１５−１および図１５−２に示すように薄膜太陽電池６の外周部を基板支持手段１５である基板保持部材１６と押し付け部材１７との間に挟み込む。そして、この状態でレーザー照射手段１８により薄膜太陽電池６にレーザー照射を行ってレーザースクライブ１９を行ないつつ、基板支持手段１５により固定された薄膜太陽電池６をＸ−Ｙ方向に移動させることで、薄膜太陽電池６をセル分離するセル分離パターン２０が形成され、ガラス基板１上に直列接続された複数個のセル５を有する薄膜太陽電池６が作製される。
【００６４】
図１６−１〜図１６−３は、本発明の実施の形態４にかかる薄膜太陽電池の製造装置であるレーザースクライブ装置の基板支持手段を説明するための図である。図１６−１は、基板支持手段１５に設置された、隣接セルの短絡検査を行なうためのプローブ機構を説明するための上面模式図である。図１６−２は、基板支持手段に設置された隣接セルの短絡検査を行なうためのプローブ機構の断面を説明するための第１の模式図であり、図１６−１のＡ−Ａ’部の断面の模式図である。図１６−３は、基板支持手段に設置された、隣接セルの短絡検査を行なうためのプローブ機構の断面を説明するための第２の模式図であり、図１６−１のＢ−Ｂ’部の断面の模式図である。
【００６５】
実施の形態４にかかるレーザースクライブ装置では、図１６−１〜図１６−３に示すように、薄膜太陽電池６の外周部を基板支持手段１５である基板保持部材１６と基板押し付け部材１７間に挟み込む。そして、この状態でレーザー照射手段１８により薄膜太陽電池６にレーザー照射を行ないつつ、基板支持手段１５により固定された薄膜太陽電池６をＸ−Ｙ方向に移動させることで、セル分離パターン２０が形成され、ガラス基板１上に直列接続された複数個のセル５を有する薄膜太陽電池６が作製される。
【００６６】
また、実施の形態４にかかるレーザースクライブ装置では、上部電極層４と接触する基板押し付け部材１７に、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡が検出する短絡検査を行うための電圧印加手段としてのプローブ２１を設け、基板押し付け部材１７が薄膜太陽電池６を挟み込んだ際に、基板押し付け部材１７と共にプローブ２１が薄膜太陽電池６の上部電極層４に接触するように配置する。そして、電圧印加手段としての電圧源Ｖから、隣接するセル間の上部電極層４に順方向の電圧Ｖを印加して、電流測定手段により電流Ｉを測定する。このような構成とすることで、レーザースクライブ１９の実施後に基板支持手段１５から薄膜太陽電池６を移設することなく、隣接するセル５間の短絡検出検査を実施することができるため、短絡検出検査の処理時間を短縮することができる。
【００６７】
なお、図１６−２および図１６−３に示すように、基板押し付け部材１７は、セル分離パターン２０の形成領域およびその近傍領域における上部電極層４との間に空隙２３を設ける方が好ましい。これは、セル分離パターン２０を形成するためのレーザーがガラス基板１側から照射されるため、空隙２３を設けない場合にはレーザー照射により昇華した反応生成物が基板押し付け部材１７と上部電極層４との間から外部に排出されず、セル分離パターン２０の形状異常が発生するためである。
【００６８】
また、プローブ２１を、レーザースクライブ１９により分割されてガラス基板１上に形成される直列接続されたセル５と同数個設ける。そして、図１７に示すように各プローブ２１はプローブ端子２２を介してスイッチ２４に接続され、隣接セルの短絡検査を行なうセル５の上部電極層４に接触するプローブ２１にのみ電圧源Ｖからの電圧を順次印加して、セル５間の短絡検査を実施する。図１７は、実施の形態４にかかる薄膜太陽電池の製造装置であるレーザースクライブ装置を説明するための図であり、隣接セルの短絡検査を行なうためのプローブに設置されるスイッチ２４および電圧源Ｖの配線方法および隣接セルの短絡検出方法を説明するための電気配線図である。
【００６９】
このような構成とすることで、レーザースクライブ１９の実施後に基板支持手段１５から薄膜太陽電池６を移設することなく、隣接する薄膜太陽電池セル全ての短絡検査を行なうことができるため、短絡検出検査の処理時間をより短縮することができる。また、隣接するセル５間に上部電極層４を介した短絡が生じている場合には、短絡が検出されたセル５の修復のためのレーザースクライブの位置精度が向上する。さらに、各プローブ２１にスイッチ２４を設けて、複数個あるプローブ２１に順次電圧を印加して隣接するセル５間の短絡検査を行なうことで、１台の電圧源Ｖにより薄膜太陽電池の全ての隣接するセル５間の短絡検査を行なうことができ、検査装置の小型化および低コスト化が実現できる。
【００７０】
上述したように、実施の形態４にかかる薄膜太陽電池の製造装置によれば、上部電極層４と接触する基板押し付け部材１７に、隣接するセル５の上部電極層４を介した短絡が検出する短絡検査を行うための電圧印加手段であるプローブ２１を設けるため、レーザースクライブ１９の実施後に基板支持手段１５から薄膜太陽電池６を移設することなく、隣接するセル５間の短絡検出検査を実施することができるため、短絡検出検査の処理時間を短縮することができる。また、隣接するセル５間に上部電極層４を介した短絡が生じている場合には、短絡が検出されたセル５の修復のためのレーザースクライブの位置精度が向上する。
【００７１】
また、実施の形態４にかかる薄膜太陽電池の製造装置によれば、各プローブ２１にスイッチ２４を設けて、複数個あるプローブ２１に順次電圧を印加して隣接するセル５間の短絡検査を行なうことで、１台の電圧源Ｖにより薄膜太陽電池の全ての隣接するセル５間の短絡検査を行なうことができ、検査装置の小型化および低コスト化が実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
以上のように、本発明にかかる薄膜太陽電池の製造方法および製造装置は、隣接するセル間の短絡を検出する場合に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するための図であり、一般的な薄膜太陽電池の断面模式図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するための図であり、隣接するセルが上部電極層を介して短絡した薄膜太陽電池の断面模式図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法における短絡検出方法を説明するための図であり、隣接するセル間が短絡していない場合を説明するための断面模式図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法における短絡検出方法を説明するための図であり、隣接するセルが短絡していない場合の電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す特性図である。
【図５】本発明の実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法における短絡検出方法を説明するための図であり、隣接するセル間が短絡している場合を説明するための断面模式図である。
【図６−１】本発明の実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法における短絡検出方法を説明するための図であり、隣接するセルが短絡している場合の電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す特性図である。
【図６−２】本発明の実施の形態１にかかる薄膜太陽電池の製造方法における短絡検出方法を説明するための図であり、隣接するセルが短絡しており、短絡箇所が高抵抗である場合における電圧Ｖ−電流Ｉ特性を示す特性図である。
【図７】本発明にかかる実施の形態２にかかる薄膜太陽電池の製造方法のプロセスフローを説明するためのフローチャートである。
【図８】本発明の実施の形態２にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するための図であり、隣接するセルが上部電極層を介して短絡した薄膜太陽電池の断面模式図である。
【図９】本発明の実施の形態２にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するための図であり、短絡が検出されたセルに対するセル修復のためのレーザースクライブを説明するための断面模式図である。
【図１０】本発明にかかる実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法のプロセスフローを説明するためのフローチャートである。
【図１１】本発明の実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するための図であり、隣接するセルが上部電極層を介して短絡した薄膜太陽電池の断面模式図である。
【図１２】本発明の実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するための図であり、短絡が検出されたセルに対するセル修復のための第１のレーザースクライブを説明するための断面模式図である。
【図１３】本発明の実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するための図であり、第１のレーザースクライブ実施後の短絡検出を説明するための断面模式図である。
【図１４】本発明の実施の形態３にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するための図であり、短絡が検出されたセルに対するセル修復のための第２のレーザースクライブを説明するための断面模式図である。
【図１５−１】従来のレーザースクライブ装置における基板支持手段を説明するための上面模式図である。
【図１５−２】従来のレーザースクライブ装置における基板支持手段の断面を説明するための模式図である。
【図１６−１】本発明の実施の形態４にかかる薄膜太陽電池の製造装置を説明するための図であり、基板支持手段に設置された、隣接セルの短絡検査を行なうためのプローブ機構を説明するための上面模式図である。
【図１６−２】本発明の実施の形態４にかかる薄膜太陽電池の製造装置を説明するための図であり、基板支持手段に設置された、隣接セルの短絡検査を行なうためのプローブ機構の断面を説明するための第１の模式図である。
【図１６−３】本発明の実施の形態４にかかる薄膜太陽電池の製造装置を説明するための図であり、基板支持手段に設置された、隣接セルの短絡検査を行なうためのプローブ機構の断面を説明するための第２の模式図である。
【図１７】本発明の実施の形態４にかかる薄膜太陽電池の製造装置を説明するための図であり、隣接セルの短絡検査を行なうためのプローブに設置されるスイッチおよび電圧源の配線方法および隣接セルの短絡検出方法を説明するための電気配線図である。
【符号の説明】
【００７４】
１  ガラス基板
２  下部電極層
３  光電変換層
３ａ  Ｐ型アモルファスシリコン膜
３ｂ  ノンドープＩ型アモルファスシリコン膜
３ｃ  Ｎ型アモルファスシリコン膜
４  上部電極層
５  薄膜太陽電池セル（セル）
５ａ  第１薄膜太陽電池セル（セル）
５ｂ  第２薄膜太陽電池セル（セル）
５ｃ  第３薄膜太陽電池セル（セル）
６  薄膜太陽電池
７  隣接するセルが上部電極層を介して短絡した薄膜太陽電池
８  異物
９  セル間の短絡領域
１０  第１のレーザースクライブ
１１  分離溝
１２  大異物
１３  セル間の短絡領域
１４  第２のレーザースクライブ
１５  基板支持手段
１６  基板保持部材
１７  基板押し付け部材
１８  レーザー照射手段
１９  レーザースクライブ
２０  セル分離パターン
２１  プローブ
２２  プローブ端子
２３  空隙
２４  スイッチ
【図１】
2010021517.tif 000003
【図２】
2010021517.tif 000004
【図３】
2010021517.tif 000005
【図４】
2010021517.tif 000006
【図６−１】
2010021517.tif 000007
【図６−２】
2010021517.tif 000008
【図７】
2010021517.tif 000009
【図８】
2010021517.tif 000010
【図９】
2010021517.tif 000011
【図１０】
2010021517.tif 000012
【図１１】
2010021517.tif 000013
【図１２】
2010021517.tif 000014
【図１３】
2010021517.tif 000015
【図１４】
2010021517.tif 000016
【図１５−１】
2010021517.tif 000017
【図１５−２】
2010021517.tif 000018
【図１６−１】
2010021517.tif 000019
【図１６−２】
2010021517.tif 000020
【図１６−３】
2010021517.tif 000021
【図１７】
2010021517.tif 000022
【図５】
2010021517.tif 000023