(57)【要約】【課題】機能層の失活が低減され、信頼性品質を向上させた有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子基板３１上に形成された陽極２４と、陽極２４を区画するバンク５７と、少なくともバンク５７により区画された膜形成領域に形成された発光層６２を含む機能層２６と、機能層２６とバンク５７とを覆うように形成された透明性を有する陰極２５と、バンク５７と平面的に重なる陰極２５上に形成された補助配線３８と、補助配線３８及び陰極２５上に形成された封止層６５と、を有し、封止層６５及び補助配線３８と陰極２５との間にゲッター層６４が形成されており、ゲッター層６４は、補助配線３８と接していない領域に設けられたゲッター層６４ｂと、補助配線３８と接している領域に設けられたゲッター層６４ａとを含み、ゲッター層は、酸化処理が施されている。【選択図】図４
2010129334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１電極と、
前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクと、
少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に形成された発光層を含む機能層と、
前記機能層と前記バンクとを覆うように形成された透明性を有する第２電極と、
前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に形成された補助配線と、
前記補助配線及び前記第２電極上に形成された封止層と、を有し、
前記封止層及び前記補助配線と前記第２電極との間にゲッター層が形成されており、
前記ゲッター層は、前記補助配線と接していない領域に設けられた第１ゲッター層と、前記補助配線と接している領域に設けられた第２ゲッター層とを含み、
前記第１ゲッター層は、酸化処理が施されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
基板上に形成された第１電極と、
前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクと、
少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に形成された発光層を含む機能層と、
前記機能層と前記バンクとを覆うように形成された透明性を有する第２電極と、
前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に形成された補助配線と、
前記補助配線及び前記第２電極上に形成された封止層と、を有し、
前記封止層及び前記補助配線と前記第２電極との間にゲッター層が形成されており、
前記ゲッター層は、前記補助配線と接していない領域に設けられた第１ゲッター層と、前記補助配線と接している領域に設けられた第２ゲッター層とを含み、
前記第１ゲッター層の電気抵抗と比較して、前記第２ゲッター層の電気抵抗が小さいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
基板上に形成された第１電極と、
前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクと、
少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に形成された発光層を含む機能層と、
前記機能層と前記バンクとを覆うように形成された透明性を有する第２電極と、
前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に形成された補助配線と、
前記補助配線及び前記第２電極上に形成された封止層と、を有し、
前記バンク上における前記第２電極と前記封止層との間にゲッター層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記ゲッター層は、前記補助配線に沿って形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
基板上に形成された第１電極と、
前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクと、
少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に形成された発光層を含む機能層と、
前記機能層と前記バンクとを覆うように形成された透明性を有する第２電極と、
前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に形成された補助配線と、
前記補助配線及び前記第２電極上に形成された封止層と、
前記封止層上に形成されたカラーフィルタ層と、を有し、
前記第２電極と前記カラーフィルタ層との間、かつ、非表示領域にゲッター層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記ゲッター層の材料は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｎｄの少なくとも１つを含むことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記ゲッター層の膜厚は、２ｎｍ〜３０ｎｍであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記ゲッター層の膜厚は、２ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項９】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記基板上に前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクを形成する工程と、
少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に発光層を含む機能層を形成する工程と、
前記機能層と前記バンクとを覆うように透明性を有する第２電極を形成する工程と、
前記第２電極上にゲッター層を形成する工程と、
前記バンクと平面的に重なる前記ゲッター層上に補助配線を形成する工程と、
前記補助配線及び前記ゲッター層上に封止層を形成する工程と、を有し、
前記補助配線を形成する工程の後に、前記ゲッター層に酸化処理を施す工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記基板上に前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクを形成する工程と、
少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に発光層を含む機能層を形成する工程と、
前記機能層と前記バンクとを覆うように透明性を有する第２電極を形成する工程と、
前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に補助配線を形成する工程と、
前記補助配線及び前記第２電極上に封止層を形成する工程と、を有し、
前記封止層を形成する工程の前に、前記バンクと平面的に重なる前記第２電極と前記封止層との間にゲッター層を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記ゲッター層を形成する工程は、前記補助配線に沿って前記ゲッター層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記基板上に前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクを形成する工程と、
少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に発光層を含む機能層を形成する工程と、
前記機能層と前記バンクとを覆うように透明性を有する第２電極を形成する工程と、
前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に補助配線を形成する工程と、
前記第２電極及び前記補助配線上にカラーフィルタ層を形成する工程と、を有し、
前記カラーフィルタ層を形成する工程の前に、前記第２電極と前記カラーフィルタ層との間、かつ、非表示領域にゲッター層を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記ゲッター層の材料は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｎｄの少なくとも１つを含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記ゲッター層の膜厚は、２ｎｍ〜３０ｎｍであることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記ゲッター層の膜厚は、２ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。このような有機ＥＬ装置において、大型化に伴い陰極膜の電気抵抗が高くなることから補助配線を形成している。例えば、特許文献１に記載のＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬ装置において、補助配線と陰極とを同一工程で形成し、工程を簡略化することが提案されている。
【０００３】
一方、ＲＧＢ（有機層）塗り分け方式ではない白色発光（有機層）＋ＣＦ（カラーフィルタ）方式の有機ＥＬ装置は、有機層を基板前面に成膜するため、例えば、図１９に示すように、補助配線１１１を陰極１１２上に形成している。この場合の製造工程は、「基板前面成膜（陰極１１２）⇒マスク成膜（補助配線１１１）⇒封止層１１３成膜」となる。また、陰極１１２上に封止層１１３を形成するが、図２０に示すように、この封止層１１３に亀裂（クラック）１１４等が生じていた場合、酸素や水分などが陰極１１２に吸着し、封止の信頼性が低下する。よって、例えば、特許文献２及び特許文献３に記載のような、酸素や水分などの悪影響を回避するための酸素吸収層や不活性液体（以下、「ゲッター層」と称する。）を陰極１１２上に設けている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２０７２１７号公報
【特許文献２】特開平７−１６９５６７号公報
【特許文献３】特開平９−３５８６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図２１に示すように、白色発光＋ＣＦ方式の有機ＥＬ装置１０１に光学的に損失の小さい層（透明層）を用いてゲッター層１１５を形成する場合、ゲッター層１１５は電気抵抗が比較的大きいことから、補助配線１１１を形成した後にゲッター層１１５を形成する。この場合の製造工程は、「基板前面成膜（陰極１１２）⇒マスク成膜（補助配線１１１）⇒基板前面成膜（ゲッター層１１５）⇒封止層１１３成膜」となり、ゲッター層１１５を設けることによる工程の増加や生産能力の低下等の課題がある。
【０００６】
一方、図２２に示すように、ゲッター層１１５を形成した後に補助配線１１１を形成すると、製造工程は「基板前面成膜（陰極１１２、ゲッター層１１５）⇒マスク成膜（補助配線１１１）⇒封止層１１３成膜」となり、工程を増やさなくてもよい。しかしながら、透明なゲッター層１１５は一般的に高い絶縁性を有し、補助配線１１１と陰極１１２との接触抵抗が大きくなり、補助配線１１１の機能が発揮できないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上に形成された第１電極と、前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクと、少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に形成された発光層を含む機能層と、前記機能層と前記バンクとを覆うように形成された透明性を有する第２電極と、前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に形成された補助配線と、前記補助配線及び前記第２電極上に形成された封止層と、を有し、前記封止層及び前記補助配線と前記第２電極との間にゲッター層が形成されており、前記ゲッター層は、前記補助配線と接していない領域に設けられた第１ゲッター層と、前記補助配線と接している領域に設けられた第２ゲッター層とを含み、前記第１ゲッター層は、酸化処理が施されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、補助配線と接している第２ゲッター層は酸化処理がされていないので、第２ゲッター層を介して補助配線と第２電極との電気的伝導度が高く、補助配線の機能を損ねることを防ぐことができる。一方、補助配線が形成されていない領域（発光領域）の第１ゲッター層は酸化処理されているので、第１ゲッター層の透明性を高くすることができる（所定の膜厚の範囲内であれば、可視光透過率を上げることができる）。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置において、発光領域の光の取り出し効率を高めることができる。また、封止層及び補助配線と第２電極との間に第１ゲッター層及び第２ゲッター層を設けたので、封止層にわずかな亀裂が生じていたとしても、第２電極や発光層などを水分や酸素から守ることができる。また、ゲッター層を基板前面に形成することが可能となり、工程を増やすことなく対応することができる。
【００１０】
［適用例２］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上に形成された第１電極と、前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクと、少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に形成された発光層を含む機能層と、前記機能層と前記バンクとを覆うように形成された透明性を有する第２電極と、前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に形成された補助配線と、前記補助配線及び前記第２電極上に形成された封止層と、を有し、前記封止層及び前記補助配線と前記第２電極との間にゲッター層が形成されており、前記ゲッター層は、前記補助配線と接していない領域に設けられた第１ゲッター層と、前記補助配線と接している領域に設けられた第２ゲッター層とを含み、前記第１ゲッター層の電気抵抗と比較して、前記第２ゲッター層の電気抵抗が小さいことを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、補助配線と接している第２ゲッター層の抵抗は、補助配線が形成されていない領域の第１ゲッター層の抵抗と比較して小さいので、第２ゲッター層を介して補助配線と第２電極との電気的伝導度が高く、補助配線の機能を損ねることを防ぐことができる。一方、補助配線が形成されていない領域（発光領域）の第１ゲッター層は、例えば、電気抵抗の高い透明材料によって、ゲッター層の透明性を高くすることができる。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置において、発光領域の光の取り出し効率を高めることができる。また、封止層と第２電極との間に第１ゲッター層及び第２ゲッター層を設けたので、封止層にわずかな亀裂が生じていたとしても、第２電極や発光層などを水分や酸素から守ることができる。
【００１２】
［適用例３］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上に形成された第１電極と、前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクと、少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に形成された発光層を含む機能層と、前記機能層と前記バンクとを覆うように形成された透明性を有する第２電極と、前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に形成された補助配線と、前記補助配線及び前記第２電極上に形成された封止層と、を有し、前記バンク上における前記第２電極と前記封止層との間にゲッター層が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、平面視でバンクが形成された領域における第２電極と封止層との間にゲッター層が形成されているので、透明でない金属（例えば、酸化されていない金属）を用いることにより、補助配線と第２電極との電気的伝導度が高く、補助配線の機能を損ねることを防ぐことができる。また、バンク上のみにゲッター層が形成されているので、ゲッター層が透明でなくても表示品質に影響を与えることはない。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置において、表示領域の光の取り出し効率を高めることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記ゲッター層は、前記補助配線に沿って形成されていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、補助配線に沿ってゲッター層を設けるので、同一マスクを用いて、補助配線とゲッター層とを形成することができる。よって、生産効率を向上させたり、かかる費用を抑えたりすることができる。
【００１６】
［適用例５］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上に形成された第１電極と、前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクと、少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に形成された発光層を含む機能層と、前記機能層と前記バンクとを覆うように形成された透明性を有する第２電極と、前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に形成された補助配線と、前記補助配線及び前記第２電極上に形成された封止層と、前記封止層上に形成されたカラーフィルタ層と、を有し、前記第２電極と前記カラーフィルタ層との間、かつ、非表示領域にゲッター層が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、非表示領域における第２電極とカラーフィルタ層との間にゲッター層が形成されているので、ゲッター層に電気的伝導度の高い材料を用いることにより、補助配線の機能を損ねることを防ぐことができる。また、ゲッター層が透明でなくても表示に影響を受けることはない。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置において、表示領域の光の取り出し効率を高めることができる。また、水分や酸素が侵入しやすいパネルの周囲である非表示領域（表示領域の周囲）にゲッター層を設けたので、第２電極や発光層などを水分や酸素からより守ることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記ゲッター層の材料は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｎｄの少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、ゲッター層が上記の材料を少なくとも１つ含んでいるので、水分や酸素を吸着させやすくすることができる。よって、水分や酸素が陰極や機能層（発光層）まで侵入することを防ぐことができ、表示品質が劣化することを抑えることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記ゲッター層の膜厚は、２ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、上記のような厚みのゲッター層によって、ゲッター層を第２電極上の全面に形成したとしても、発光領域の部分に酸化処理を施すことにより、光学的なロスを少なくすることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記ゲッター層の膜厚は、２ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。
【００２３】
この構成によれば、上記のような厚みのゲッター層によって、ゲッター層を第２電極上の全面に形成したとしても、発光領域の部分に酸化処理を施すことにより、より光学的なロスを少なくすることができる。
【００２４】
［適用例９］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記基板上に前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクを形成する工程と、少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に発光層を含む機能層を形成する工程と、前記機能層と前記バンクとを覆うように透明性を有する第２電極を形成する工程と、前記第２電極上にゲッター層を形成する工程と、前記バンクと平面的に重なる前記ゲッター層上に補助配線を形成する工程と、前記補助配線及び前記ゲッター層上に封止層を形成する工程と、を有し、前記補助配線を形成する工程の後に、前記ゲッター層に酸化処理を施す工程を有することを特徴とする。
【００２５】
この方法によれば、酸化処理によって、補助配線と接している部分のゲッター層は酸化処理がされていないので、ゲッター層を介して補助配線と第２電極との電気的伝導度が高く、補助配線の機能を損ねることを防ぐことができる。一方、補助配線が形成されていない領域（発光領域）のゲッター層は酸化処理されているので、ゲッター層の透明性を高くすることができる。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置において、発光領域の光の取り出し効率を高めることができる。また、封止層及び補助配線と第２電極との間にゲッター層を設けたので、封止層にわずかな亀裂が生じていたとしても、第２電極や発光層などを水分や酸素から守ることができる。また、ゲッター層を基板前面に形成することが可能となり、工程を増やすことなく対応することができる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記基板上に前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクを形成する工程と、少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に発光層を含む機能層を形成する工程と、前記機能層と前記バンクとを覆うように透明性を有する第２電極を形成する工程と、前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に補助配線を形成する工程と、前記補助配線及び前記第２電極上に封止層を形成する工程と、を有し、前記封止層を形成する工程の前に、前記バンクと平面的に重なる前記第２電極と前記封止層との間にゲッター層を形成する工程を有することを特徴とする。
【００２７】
この方法によれば、バンクと平面的に重なる第２電極と封止層との間にゲッター層を形成するので、ゲッター層に透明でない金属（例えば、酸化されていない金属）を用いることにより、補助配線と第２電極との電気的伝導度が高く、補助配線の機能を損ねることを防ぐことができる。また、バンク上のみにゲッター層を形成するので、ゲッター層が透明でなくても表示品質に影響を与えることはない。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置において、表示領域の光の取り出し効率を高めることができる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ゲッター層を形成する工程は、前記補助配線に沿って前記ゲッター層を形成することが好ましい。
【００２９】
この方法によれば、補助配線に沿って（又は補助配線が形成される領域に沿って）ゲッター層を形成するので、同一マスクを用いて、補助配線とゲッター層とを形成することができる。よって、生産効率を向上させたり、かかる費用を抑えたりすることができる。
【００３０】
［適用例１２］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記基板上に前記第１電極に配置される発光領域を区画するバンクを形成する工程と、少なくとも前記バンクにより区画された膜形成領域に発光層を含む機能層を形成する工程と、前記機能層と前記バンクとを覆うように透明性を有する第２電極を形成する工程と、前記バンクと平面的に重なる前記第２電極上に補助配線を形成する工程と、前記第２電極及び前記補助配線上にカラーフィルタ層を形成する工程と、を有し、前記カラーフィルタ層を形成する工程の前に、前記第２電極と前記カラーフィルタ層との間、かつ、非表示領域にゲッター層を形成する工程を有することを特徴とする。
【００３１】
この方法によれば、非表示領域における第２電極とカラーフィルタ層との間にゲッター層を形成するので、ゲッター層に電気的伝導度の高い材料を用いることにより、補助配線の機能を損ねることを防ぐことができる。また、非表示領域にゲッター層を形成するので、ゲッター層が透明でなくても表示に影響を受けることはない。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置において、表示領域の光の取り出し効率を高めることができる。また、水分や酸素が侵入しやすいパネルの周囲である非表示領域（表示領域の周囲）にゲッター層を設けるので、第２電極や機能層などを水分や酸素からより守ることができる。
【００３２】
［適用例１３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ゲッター層の材料は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｎｄの少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００３３】
この方法によれば、ゲッター層が上記の材料を少なくとも１つ含んでいるので、水分や酸素を吸着させやすくすることができる。よって、水分や酸素が陰極や機能層（発光層）まで侵入することを防ぐことができ、表示品質が劣化することを抑えることができる。
【００３４】
［適用例１４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ゲッター層の膜厚は、２ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。
【００３５】
この方法によれば、上記のような厚みにゲッター層を形成することによって、ゲッター層を第２電極上の全面に形成したとしても、発光領域の部分に酸化処理を施すことにより、光学的なロスを少なくすることができる。
【００３６】
［適用例１５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ゲッター層の膜厚は、２ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。
【００３７】
この方法によれば、上記のような厚みにゲッター層を形成することによって、ゲッター層を第２電極上の全面に形成したとしても、発光領域の部分に酸化処理を施すことにより、より光学的なロスを少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、この有機ＥＬ装置は、発光層に白色発光の有機ＥＬ材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行う。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、陰極に透明な材料を用いることにより、発光層で発光する光を陰極側から出射させるトップエミッション構造を採用したものである。
【００３９】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、データ線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００４０】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用ＴＦＴ２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む第１電極としての陽極２４と、第２電極としての陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００４１】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光部２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光部２７で構成される表示領域を備えている。
【００４２】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００４３】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。図３は、有機ＥＬ装置の表示領域の構成を具体的に示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成及び表示領域の構成を、図２及び図３を参照しながら説明する。
【００４４】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板としての素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（一点鎖線と一点鎖線との間の領域）とダミー領域３２ｂ（図中一点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００４５】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及び駆動用ＴＦＴ２３（図１参照）の動作に伴って、白色光を発光する構成となっている。
【００４６】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００４７】
素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００４８】
また、図３に示すように、有機ＥＬ装置１１（実表示領域３２ａ）は、一方向（Ｙ方向）に配列するサブ画素３４間に、一方向と直交する他方向（Ｘ方向）に向かって延在する帯状の補助配線３８が配置されている。
【００４９】
（第１実施形態）
図４は、図３に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図４を参照しながら説明する。なお、各構成要素は、断面的な位置関係を示すものであり、相対関係は度外視されている。
【００５０】
図４に示すように、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１は、素子基板３１上に駆動用ＴＦＴ２３が形成されている。この駆動用ＴＦＴ２３は、例えば、ポリシリコン膜からなる半導体膜４１に形成されたソース領域４１ａ、ドレイン領域４１ｂ、チャネル領域４１ｃと、半導体膜４１の表面に形成されたシリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜４２を介してチャネル領域４１ｃに対向するゲート電極４３とによって主に構成されている。
【００５１】
ソース領域４１ａ及びドレイン領域４１ｂは、不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域４１ｃとなる。ゲート電極４３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などから形成される。
【００５２】
素子基板３１としては、本実施形態のようにトップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１の場合、有機ＥＬ素子４４が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００５３】
ゲート絶縁膜４２上には、駆動用ＴＦＴ２３を覆うように、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などからなる第１層間絶縁膜４５が形成されている。第１層間絶縁膜４５には、第１層間絶縁膜４５を貫通して半導体膜４１に達するコンタクトホール４６，４７が形成されている。コンタクトホール４６，４７内には、それぞれソース電極５１、ドレイン電極５２が埋設されている。ドレイン電極５２は、ドレイン領域４１ｂに導通接続されている。ソース電極５１は、ソース領域４１ａに導通接続されている。
【００５４】
第１層間絶縁膜４５上には、第２層間絶縁膜５３（平坦化膜）が形成されている。この第２層間絶縁膜５３上には、陽極２４が形成されている。陽極２４の一部は、第２層間絶縁膜５３に貫設されたコンタクトホールに埋設されており、ドレイン電極５２と導電接続されている。また、陽極２４は、発光領域５４（画素領域）ごとに形成されている。
【００５５】
陽極２４は、例えば、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、平面視で略矩形の形状となっている。なお、図示を省略したが、陽極２４の下層（第２層間絶縁膜５３側）に、絶縁層を介してアルミネオジム（ＡｌＮｄ）からなる反射層５６が設けられている。反射層５６は、機能層２６における発光をカラーフィルタ基板５５側に反射するものである。また、反射層５６はアルミネオジムに限定されず、発光を反射する機能（反射面）を有していればよい。
【００５６】
また、第２層間絶縁膜５３上には、例えば、有機材料からなるバンク５７（隔壁）が積層されている。次に、陽極２４及びバンク５７上に形成された有機ＥＬ素子４４について説明する。
【００５７】
有機ＥＬ素子４４は、陽極２４と、陽極２４上に形成された正孔注入／輸送層６１と、正孔注入／輸送層６１上に形成された白色の発光層６２と、発光層６２上に形成された電子注入／輸送層６３と、電子注入／輸送層６３上に形成された陰極２５とによって構成されている。発光層６２は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質（有機物）の層である。これら正孔注入／輸送層６１と、発光層６２と、電子注入／輸送層６３とは、機能層２６（有機機能層）を構成している。
【００５８】
正孔注入層の材料としては、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）が挙げられる。その他の材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）や、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体を用いてもよい。
【００５９】
正孔輸送層は、正孔注入層と発光層６２との間に設けられ、発光層６２に対する正孔の輸送性（注入性）を向上させると共に、発光層６２から正孔注入層に電子が浸入することを抑制するために設けられている。すなわち、発光層６２における正孔と電子との結合による発光の効率を改善するものである。正孔輸送層の材料としては、例えば、ジアミン誘導体（α−ＮＰＤ）が挙げられる。その他の材料としては、正孔輸送性が良好なトリフェニルアミン系ポリマーを含んだものが挙げられる。
【００６０】
発光層６２の蒸着材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。
【００６１】
また、電子注入／輸送層６３の蒸着材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）やシロール誘導体等が挙げられる。その他の材料としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等のアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物、マグネシウムリチウム等の合金等を用いることができる。
【００６２】
電子注入／輸送層６３上には、陰極２５が形成されている。陰極２５の材料としては、透明な材料である、例えば、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ、合金比１：１〜１：２０程度）が挙げられる。Ｍｇは、低仕事関数の金属であり、有機層への電子注入性に優れている。ただし、Ｍｇ単体での蒸着が困難であるため、Ａｇなどと合金化して基板への付きまわりを改善している。陰極の厚みは、例えば、１０ｎｍである。
【００６３】
陰極２５上には、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子４４の劣化を防止するために、ゲッター層６４が形成されている。ゲッター層６４の材料としては、水分や酸素などと反応しやすい、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、ネオジム（Ｎｄ）、亜鉛（Ｚｎ）などが良く、特に、マグネシウムを含んでいることが好ましい。
【００６４】
ゲッター層６４は、上記したように、水分や酸素を吸着することができる層である。また、ゲッター層６４は、前述の機能を有していてもよいし、水分や酸素を浸入させないような機能を有していてもよい。
【００６５】
また、陰極２５にＭｇＡｇを用い、ゲッター層６４としてＭｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｎｄ、Ｚｎ及びこれらを含んだ酸化物を形成することで、電子注入に関与する層と、水分を吸収する層とに機能分離させることができる。陰極２５の膜厚は３０ｎｍ以下が良く、電気的・光学的には１０〜２０ｎｍが好ましい。ゲッター層６４は３０ｎｍ以下（例えば、２ｎｍ〜３０ｎｍ）で、光学的には薄いほうが良く、２ｎｍ〜１０ｎｍだとさらに良い。
【００６６】
Ｘ方向に延びるバンク５７の領域（図３、図４参照）と平面視で重なるゲッター層６４上には、補助配線３８が形成されている。補助配線３８が形成されていない部分のゲッター層６４ｂは、酸化処理がされている。言い換えれば、少なくとも発光領域５４のゲッター層６４は酸化処理されている。一方、補助配線３８が形成された下側のゲッター層６４ａは、酸化処理がされていない。また、補助配線３８が形成された下側のゲッター層６４ａの電気抵抗は、補助配線３８が形成されていない領域のゲッター層６４ｂの電気抵抗と比較して小さい。
【００６７】
つまり、発光領域５４は、透明性の高い酸化物のゲッター層６４があるため、光取り出し効率を大きく損ねることなく、また封止信頼性を向上させることができる。また、補助配線３８下のゲッター層は酸化処理されていないため、電気的伝導度が高く、補助配線３８の機能を損ねることを防ぐことができる。
【００６８】
補助配線３８は、上記したように、ゲッター層６４を介して陰極２５と導通接続されている。補助配線３８は、例えば、厚みが０．１μｍ〜２．０μｍであり、アルミニウム（Ａｌ）により形成されている。補助配線３８の他の材料としては、例えば、銀ペーストや、金属粒子と有機樹脂との混合物等であってもよい。
【００６９】
ゲッター層６４及び補助配線３８上には、水や酸素の侵入を防ぐための、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）からなる封止層６５が積層されている。封止層６５の他の材料としては、例えば、樹脂やエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
【００７０】
さらに、素子基板３１と対向してカラーフィルタ基板５５が設けられている。このカラーフィルタ基板５５上（有機ＥＬ素子４４側）には、三原色の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応するカラーフィルタ層としてのカラーフィルタ６６と遮光用のＢＭ（Black Matrix）パターン６７が形成されている。また、カラーフィルタ基板５５は、素子基板３１側の発光領域５４とカラーフィルタ６６とが対向するように設けられている。また、封止層６５とカラーフィルタ６６及びＢＭパターンとの間には、充填剤６８が充填されている。
【００７１】
上記のような有機ＥＬ装置１１は、いわゆるトップエミッション構造となっており、陽極２４と陰極２５との間に駆動電流を流して機能層２６で発光した光を反射層５６で反射させてカラーフィルタ基板５５側から取り出す。したがって、カラーフィルタ基板５５はガラス等の透明性を有する基板が使用される。
【００７２】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図５〜図１３は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図５〜図１３を参照しながら説明する。なお、各種配線や駆動用ＴＦＴ等を形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００７３】
図５に示す工程では、素子基板３１上に駆動用ＴＦＴ２３、ゲート絶縁膜４２、第１層間絶縁膜４５、ソース電極５１、ドレイン電極５２、及び第２層間絶縁膜５３を周知の方法で形成する。また、第２層間絶縁膜５３にコンタクトホールを形成しておく。
【００７４】
図６に示す工程では、第２層間絶縁膜５３上に陽極２４を形成する。まず、蒸着法により第２層間絶縁膜５３上に、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を全面成膜する。次に、フォトリソグラフィ法により、この膜をパターンニングし、陽極２４を形成する。これにより、コンタクトホール内にも陽極２４が形成され、駆動用ＴＦＴ２３のドレイン電極５２と陽極２４とが電気的に導通した状態となる。
【００７５】
図７に示す工程では、第２層間絶縁膜５３上にバンク５７を形成する。このバンク５７は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。バンク５７は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、バンク５７をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口を設ける。
【００７６】
図８に示す工程では、陽極２４及びバンク５７の上面全体に有機機能層を形成する。有機機能層は、正孔注入／輸送層６１と、発光層６２と、電子注入／輸送層６３とを有する。これらは、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される（基板前面成膜）。
【００７７】
図９に示す工程では、電子注入／輸送層６３上の全面に陰極２５を形成する。この工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）の順に成膜する。これらは、周知の蒸着法に基づいて蒸着する（基板前面成膜）。
【００７８】
図１０に示す工程では、陰極２５上の全面に、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子４４の劣化を防止するためのゲッター層６４を形成する。ゲッター層６４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）を周知の蒸着法に基づいて蒸着する（基板前面成膜）。
【００７９】
図１１に示す工程では、Ｘ方向に延びるバンク５７の領域と平面視で重なる（図３、図４参照）ゲッター層６４上に、補助配線３８を形成する。補助配線３８は、マスクを用いたマスク蒸着法で形成することができる（マスク成膜）。
【００８０】
図１２に示す工程では、補助配線３８が形成されていない領域のゲッター層６４に酸素プラズマ処理を施す。これにより、補助配線３８の下側の第２ゲッター層としてのゲッター層６４ａは酸化が抑えられ、ゲッター層６４ａを介して補助配線３８と陰極２５とが電気的に接続された状態となる。一方、補助配線３８が形成されていない領域の第１ゲッター層としてのゲッター層６４ｂは酸化され、透明性を有した状態となる。
【００８１】
また、補助配線３８と接しているゲッター層６４ａは、補助配線３８と接していないゲッター層６４ｂと比較して、電気抵抗が小さい。つまり、電気的伝導度が高いゲッター層６４ａを介して補助配線３８と陰極２５とを接続させることにより、補助配線３８の機能を損ねることを防ぐことができる。
【００８２】
図１３に示す工程では、ゲッター層６４ｂ及び補助配線３８上の全体に亘って封止層６５を形成する。封止層６５は、例えば、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）であり、ＣＶＤ法で成膜する（封止成膜）。封止層６５は、水分の侵入を防ぎ、有機ＥＬ素子４４を劣化させないよう、積層構造とすることが好ましい。その後、ドライエッチング法でドライバー端子部のシリコン酸窒化膜を除去する。そして、カラーフィルタ６６及びＢＭパターン６７を形成し、カラーフィルタ基板５５と素子基板３１とを、充填剤６８とシール剤（図示せず）とを用いて貼り合わせて、有機ＥＬ装置１１を完成させる。
【００８３】
図１４は、比較例、実施例１、実施例２、実施例３における有機ＥＬ装置の封止性能の評価結果を示す図表である。以下、封止性能の評価結果について、図１４を参照しながら説明する。
【００８４】
図１４に示す図表は、初期輝度（ｃｄ／ｍ2）と非発光領域（％）とについて、比較例、実施例１、実施例２、実施例３で比較したものである。非発光領域（ダークスポット）は、初期と、１００時間（ｈ）後と、２０００時間（ｈ）後とで比較している。非発光領域は、例えば、陰極と水分が接触して陰極の機能が損なわれたり、水分が発光層まで浸透して発光層が光らなくなったりする部分である。
【００８５】
＜比較例＞
比較例は、次のような条件で行ったものである。反射層５６は、アルミネオジム（ＡｌＮｄ）である。陽極２４は、ＩＴＯである。正孔注入層は、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）である。正孔輸送層は、ジアミン誘導体（α−ＮＰＤ）である。電子輸送層は、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）である。陰極２５は、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ、１０：１、１０ｎｍ）である。補助配線３８は、アルミ（Ａｌ）である。封止層６５は、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）である。このように比較例は、ゲッター層６４が無い場合である。
【００８６】
＜実施例１＞
実施例１は、次のような条件で行ったものである。反射層５６は、ＡｌＮｄである。陽極２４は、ＩＴＯである。正孔注入層は、ＣｕＰＣである。正孔輸送層は、α−ＮＰＤである。電子輸送層は、Ａｌｑ３である。陰極２５は、ＬｉＦ（１ｎｍ）、ＭｇＡｇ（１０：１、１０ｎｍ）である。ゲッター層６４は、Ｍｇ（３ｎｍ）である。補助配線３８は、Ａｌである。封止層６５は、ＳｉＯＮである。比較例との違いは、陰極２５にＬｉＦとＭａＡｇを用いている点と、ゲッター層６４を用いている点である。
【００８７】
＜実施例２＞
実施例２は、次のような条件で行ったものである。反射層５６は、ＡｌＮｄである。陽極２４は、ＩＴＯである。正孔注入層は、ＣｕＰＣである。正孔輸送層は、α−ＮＰＤである。電子輸送層は、Ａｌｑ３である。陰極２５は、ＬｉＦ（１ｎｍ）、ＭｇＡｇ（１０：１、１０ｎｍ）である。ゲッター層６４は、Ｍｇ（５ｎｍ）である。補助配線３８は、Ａｌである。封止層６５は、ＳｉＯＮである。実施例１との違いは、ゲッター層６４の厚みが厚くなっている。
【００８８】
＜実施例３＞
実施例３は、次のような条件で行ったものである。反射層５６は、ＡｌＮｄである。陽極２４は、ＩＴＯである。正孔注入層は、ＣｕＰＣである。正孔輸送層は、α−ＮＰＤである。電子輸送層は、Ａｌｑ３である。陰極２５は、ＬｉＦ（１ｎｍ）、ＭｇＡｇ（１０：１、１０ｎｍ）である。ゲッター層６４は、カルシウム（Ｃａ、５ｎｍ）である。補助配線３８は、Ａｌである。封止層６５は、ＳｉＯＮである。実施例１との違いは、ゲッター層６４にＣａを用いている点である。
【００８９】
評価方法として、比較例は、初期輝度が２００ｃｄ／ｍ2になるように電流値を調整する。そのときの電流値は０．９５ｍＡであり、電圧は１０Ｖである。実施例は、前述した同一の電流値で駆動させる。そして、同一電流でパネルを点灯させ、発光面を撮影して発光領域５４に対するダークスポット領域（非発光領域）の面積を調べる。
【００９０】
ここで、劣化を加速させるため、温度６０℃、湿度８０％の環境下で試験を行う。それぞれのサンプル（有機ＥＬ装置１１）で初期、１００時間後、２０００時間後における非発光領域を算出し、封止性能の評価を行う。
【００９１】
図表からいえることは、ゲッター層６４（Ｍｇ膜）が成膜され、かつゲッター層６４が厚くなると光損失が大きくなり、初期輝度が低下するのがわかる（例えば、膜厚が３ｎｍである実施例１が１８８ｃｄ／ｍ2、膜厚が５ｎｍである実施例２が１６４ｃｄ／ｍ2）。また、非発光領域は、ゲッター層６４（Ｍｇ膜）が厚くなると改善する（例えば、２０００時間後において、膜厚が３ｎｍである実施例１が３．５％、膜厚が５ｎｍである実施例２が０．１５％）。
【００９２】
初期輝度が低下した原因は、酸化処理が不十分だったためと推測できる。ゲッター層６４が厚くなると、内部まで酸化するのが難しくなるためである。一方、封止性能（非発光領域）は、ゲッター層６４が厚い方が良く、これらはトレードオフの関係であるため、製品用途や他の封止性能を決める要因（例えば、封止膜の膜質、材料、膜厚やシール剤の構成など）と総合して判断し、選択して設計することが好ましい。
【００９３】
以上詳述したように、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９４】
（１）第１実施形態によれば、補助配線３８と接しているゲッター層６４ａは酸化処理がされていないので、ゲッター層６４ａを介して補助配線３８と陰極２５との電気的伝導度が高く、補助配線３８の機能を損ねることを防ぐことができる。一方、補助配線３８が形成されていない領域（発光領域５４）のゲッター層６４ｂは酸化処理されているので、ゲッター層６４ｂの透明性を高くすることができる。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１において、発光領域５４の光の取り出し効率を高めることができる（光学的なロスが小さい）。また、封止層６５と陰極２５との間にゲッター層６４（６４ａ，６４ｂ）を設けたので、封止層６５にわずかな亀裂が生じていたとしても、陰極２５や発光層６２などを水分や酸素から守ることができ、発光不良を防ぐことができる。また、ゲッター層６４を基板前面に形成することが可能となり、工程を増やすことなく対応することができる。
【００９５】
（第２実施形態）
図１５は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式図である。（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１５を参照しながら説明する。なお、第２実施形態の有機ＥＬ装置７１は、バンク５７上のみにゲッター層７４を形成する部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００９６】
図１５に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置７１は、第１実施形態と同様に、第２層間絶縁膜５３上に、有機材料からなるバンク（隔壁）５７が積層されている。そして、陽極２４及びバンク５７上に、機能層２６及び陰極２５が形成されている（図４参照）。
【００９７】
第１実施形態と異なる部分として、バンク５７が形成された領域と平面視で重なる陰極２５上には、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子４４の劣化を防止するためのゲッター層７４が形成されている。ゲッター層７４の材質は、第１実施形態と同様に、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｎｄなどである。ゲッター層７４の厚みは、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、例えば、１０ｎｍである。また、Ｘ方向に延びるゲッター層７４上には、補助配線３８が形成されている。
【００９８】
有機ＥＬ装置７１の製造方法は、陰極２５を形成するまで第１実施形態と同様に行う。陰極２５を形成した後、マスクを用いて、バンク５７の領域と平面視で重なる陰極２５上に、ゲッター層７４を蒸着させる。（マスク成膜）。次に、Ｘ方向に延びるゲッター層７４上に、マスクを用いて補助配線３８を蒸着させる（マスク成膜）。なお、第１実施形態のゲッター層７４は素子基板３１上の全体に成膜したが、第２実施形態のゲッター層７４は、バンク５７上のみに形成されているので、透明性を得るためのプラズマ処理を行わない。
【００９９】
画素領域（発光領域５４）には、ゲッター層７４が形成されていないため、発光領域５４に酸化物などの膜が形成されている場合と比較して、光の取り出し効率を向上させることができる。また、ゲッター層７４を酸化させる必要がないので、電気的伝導度の高いゲッター層７４を介して補助配線３８と陰極２５とを電気的に導通させることが可能となり、補助配線３８の機能を発揮させることができる。
【０１００】
その後、第１実施形態と同様に、陰極２５上、ゲッター層７４上、補助配線３８上に封止層６５などを形成することにより、第２実施形態の有機ＥＬ装置７１が完成する。
【０１０１】
以上詳述したように、第２実施形態の有機ＥＬ装置７１によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０２】
（２）第２実施形態によれば、平面視でバンク５７が形成された領域における陰極２５と封止層６５との間にゲッター層７４が形成され、ゲッター層７４に透明でない金属層（例えば、酸化されていないＭｇなど）を用いているので、補助配線３８と陰極２５との電気的伝導度が高く、補助配線３８の機能を損ねることを防ぐことができる。また、ゲッター層７４を発光領域５４に形成せず、バンク５７上のみに形成するので、ゲッター層７４が透明でなくても表示品質に影響を受けることはない。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置７１において、表示領域３２の光の取り出し効率を高めることができる。
【０１０３】
（第３実施形態）
図１６は、第３実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式図である。（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１６を参照しながら説明する。なお、第３実施形態の有機ＥＬ装置８１は、補助配線３８上のみにゲッター層８４を形成する部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１０４】
図１６に示すように、第３実施形態の有機ＥＬ装置８１は、第１実施形態と同様に、第２層間絶縁膜５３上に、有機材料からなるバンク（隔壁）５７が積層されている。そして、陽極２４及びバンク５７上に、機能層２６及び陰極２５が形成されている（図４参照）。
【０１０５】
Ｘ方向に延びるバンク５７の領域と平面視で重なる陰極２５上には、補助配線３８が形成されている。更に、第１実施形態と異なる部分として、この補助配線３８上に、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子４４の劣化を防止するためのゲッター層８４が形成されている。ゲッター層８４の材質は、第１実施形態と同様である。ゲッター層８４の厚みは、例えば、２０ｎｍである。
【０１０６】
有機ＥＬ装置８１の製造方法は、陰極２５を形成するまで第１実施形態と同様に行う。陰極２５を形成した後、マスクを用いて、Ｘ方向に延びるバンク５７の領域と平面視で重なる陰極２５上に、補助配線３８を蒸着させる（マスク成膜）。次に、同じマスクを用いて、補助配線３８上にゲッター層８４を蒸着させる（マスク成膜）。なお、第１実施形態のゲッター層６４は素子基板３１上の全体に成膜したが、第３実施形態のゲッター層８４は、補助配線３８上のみに形成されているので、透明性を得るためのプラズマ処理を行わない。
【０１０７】
画素領域（発光領域５４）には、ゲッター層８４が形成されていないため、発光領域５４に酸化物などの膜が形成されている場合と比較して、光の取り出し効率を向上させることができる。また、同じマスクを用いて、補助配線３８とゲッター層８４を形成することができる。
【０１０８】
その後、第１実施形態と同様に、陰極２５上、ゲッター層８４上、補助配線３８上に封止層６５などを形成することにより、第３実施形態の有機ＥＬ装置８１が完成する。
【０１０９】
以上詳述したように、第３実施形態の有機ＥＬ装置８１によれば、上記した第２実施形態の（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１１０】
（３）第３実施形態によれば、補助配線３８上のみにゲッター層８４を形成するので、バンク５７上にゲッター層７４を形成した第２実施形態の有機ＥＬ装置７１と比較して封止性能が低下するものの、素子基板３１上の全面にゲッター層６４を形成した第１実施形態の有機ＥＬ装置１１と比べて輝度を向上させることができる（図１４及び後述する図１８参照）。また、補助配線３８に沿ってゲッター層８４を設けるので、同一マスクを用いて形成することができる。よって、生産効率を向上させたり、かかる費用を抑えることができる。
【０１１１】
（第４実施形態）
図１７は、第４実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式図である。（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１７を参照しながら説明する。なお、第４実施形態の有機ＥＬ装置９１は、パネル９２の外周部（非表示領域３３）にゲッター層９４を形成する部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１１２】
図１７に示すように、第４実施形態の有機ＥＬ装置９１は、第１実施形態と同様に、第２層間絶縁膜５３上に、有機材料からなるバンク（隔壁）５７が積層されている。そして、陽極２４及びバンク５７上に、機能層２６及び陰極２５が形成されている（図４参照）。
【０１１３】
第１実施形態と異なる部分として、バンク５７領域の陰極２５上には、補助配線３８が形成されている。補助配線３８及び陰極２５上には、封止層６５が形成されている。そして、封止層６５上における非表示領域３３には、酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子４４の劣化を防止するためのゲッター層９４が形成されている。本実施形態では、基板における３方向の端部近傍にゲッター層９４が繋がって設けられている。ゲッター層９４の材質は、第１実施形態と同様である。ゲッター層の厚みは、例えば、５０ｎｍである。
【０１１４】
有機ＥＬ装置９１の製造方法は、陰極２５を形成するまで第１実施形態と同様に行う。陰極２５を形成した後、マスクを用いてバンク５７上に補助配線３８を形成する。次に、補助配線３８及び陰極２５上に封止層６５を形成する。その後、非表示領域３３における封止層６５上に、マスクを用いてゲッター層９４を蒸着させる（マスク成膜）。なお、第１実施形態のゲッター層６４は素子基板３１の全体に成膜したが、第４実施形態のゲッター層９４は、非表示領域３３に形成されているので、透明性を得るためのプラズマ処理を行わない。
【０１１５】
表示領域３２には、ゲッター層９４が形成されていないため、発光領域５４（表示領域３２）に酸化物などの膜が形成されている場合と比較して、光の取り出し効率を向上させることができる。また、水分や酸素は素子基板３１（カラーフィルタ基板５５）の周囲から浸入しやすいので、パネル９２の周囲にゲッター層９４を設けることで、発光領域５４への侵入を遅くすることができる。
【０１１６】
その後、ゲッター層９４及び封止層６５上に充填剤６８などを形成することにより、第４実施形態の有機ＥＬ装置９１が完成する。
【０１１７】
以上詳述したように、第４実施形態の有機ＥＬ装置９１によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１１８】
（４）第４実施形態によれば、非表示領域３３における封止層６５と充填剤６８との間にゲッター層９４が形成されているので、補助配線３８と直接接している陰極２５との電気的伝導度が高く、補助配線３８の機能を損ねることを防ぐことができる。一方、非表示領域３３にゲッター層９４が形成されているので、ゲッター層９４が透明でなくても表示品質に影響を受けることはない。よって、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置９１において、表示領域３２の光の取り出し効率を高めることができる。また、水分や酸素が侵入しやすいパネル９２の周囲である非表示領域３３にゲッター層９４を設けたので、陰極２５や発光層６２などを水分や酸素から守りやすくすることができる。
【０１１９】
図１８は、第２実施形態〜第４実施形態における有機ＥＬ装置の封止性能の評価結果を示す図表である。以下、封止性能の評価結果について、図１８を参照しながら説明する。なお、評価方法は、図１４に示す図表の場合と同様である。
【０１２０】
上記したように、第２実施形態の有機ＥＬ装置７１は、バンク５７上のみにゲッター層７４を設けている。第３実施形態の有機ＥＬ装置８１は、補助配線３８上にゲッター層８４を設けている。第４実施形態の有機ＥＬ装置９１は、素子基板３１の周囲にゲッター層９４を設けている。
【０１２１】
図表からいえることは、第２実施形態〜第４実施形態の有機ＥＬ装置７１，８１，９１は、ゲッター層７４，８４，９４が素子基板３１の全体を覆っているのではなく、発光領域５４を外した領域（バンク５７上など）に設けられているので、光の損失に殆ど影響がないことがわかる。具体的には、素子基板３１の全体をゲッター層６４で覆った第１実施形態の初期輝度は１６４〜１８８ｃｄ／ｍ2である。これに対し、発光領域を外した領域にゲッター層７４，８４，９４を形成した第２実施形態〜第４実施形態は、１９８〜２０５ｃｄ／ｍ2である。また、第２実施形態〜第４実施形態の中で比較しても大きな差はない。
【０１２２】
また、第２実施形態〜第４実施形態の有機ＥＬ装置７１，８１，９１は、２０００時間（ｈ）後の非発光領域が、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１と比較して、多くなっていることがわかる。これは、基板の全面をゲッター層６４で覆っている有機ＥＬ装置１１と、一部分を覆っている有機ＥＬ装置７１，８１，９１との差であると推測できる。
【０１２３】
また、第２実施形態〜第４実施形態の有機ＥＬ装置７１，８１，９１で比較すると、水分や酸素が浸入しやすい基板の外周にゲッター層９４を形成した第４実施形態の有機ＥＬ装置９１は、２０００時間後の非発光領域が５．４％と他の実施形態の有機ＥＬ装置７１，８１と比較して少ない。一方、ゲッター層８４の形成領域が補助配線３８上のみと一番少ない有機ＥＬ装置８１は、２０００時間後の非発光領域が７．５％と一番多い。これらは、製品用途などから判断し選択して設計することが好ましい。
【０１２４】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１２５】
（変形例１）
上記した第２実施形態は、補助配線３８の下側にゲッター層７４を形成したが、補助配線３８の上側に形成するようにしてもよい。また、Ｘ方向に延びるバンク５７とＹ方向に延びるバンク５７のどちらか一方のみにゲッター層７４を形成するようにしてもよい。
【０１２６】
（変形例２）
上記した第４実施形態は、封止層６５の上にゲッター層９４を設けるようにしたが、ゲッター層９４が表示領域３２にかからなければよく、封止層６５の下側にゲッター層９４を形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の表示領域の構成を具体的に示す模式平面図。
【図４】図３に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図８】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図９】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図１０】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図１２】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図１３】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図１４】第１実施形態における有機ＥＬ装置の封止性能の評価結果を示す図表。
【図１５】第２実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図１６】第３実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図１７】第４実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図１８】第２実施形態〜第４実施形態における有機ＥＬ装置の封止性能の評価結果を示す図表。
【図１９】従来の有機ＥＬ装置の構成を示す模式断面図。
【図２０】従来の有機ＥＬ装置の構成を示す模式断面図。
【図２１】従来の有機ＥＬ装置の構成を示す模式断面図。
【図２２】従来の有機ＥＬ装置の構成を示す模式断面図。
【符号の説明】
【０１２８】
１１…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…駆動用ＴＦＴ、２４…第１電極としての陽極、２５…第２電極としての陰極、２６…機能層、２７…発光部、３１…基板としての素子基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、３８…補助配線、４１…半導体膜、４１ａ…ソース領域、４１ｂ…ドレイン領域、４１ｃ…チャネル領域、４２…ゲート絶縁膜、４３…ゲート電極、４４…有機ＥＬ素子、４５…第１層間絶縁膜、４６，４７…コンタクトホール、５１…ソース電極、５２…ドレイン電極、５３…第２層間絶縁膜、５４…発光領域、５５…カラーフィルタ基板、５６…反射層、５７…バンク、６１…正孔注入／輸送層、６２…発光層、６３…電子注入／輸送層、６４…ゲッター層、６４ａ…第２ゲッター層としてのゲッター層、６４ｂ…第１ゲッター層としてのゲッター層、６５…封止層、６６…カラーフィルタ、６７…ＢＭパターン、６８…充填剤、７１…有機ＥＬ装置、７４…ゲッター層、８１…有機ＥＬ装置、８４…ゲッター層、９１…有機ＥＬ装置、９２…パネル、９４…ゲッター層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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