(57)【要約】【課題】有機感光体の生産時の負荷を少なくして、モアレによる画質低下を防止し、切削加工面の凸部のリークに伴う黒ポチなどの画像欠陥の発生がない高画質の電子写真画像を得ることが出来る有機感光体、画像形成方法及び画像形成装置の提供。【解決手段】導電性支持体上に、少なくとも中間層、感光層を設けた有機感光体において、前記中間層の乾燥膜厚が０．５μｍ以上、１０．０μｍ以下であり、前記導電性支持体の粗さ曲線の突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が下記式（１）の関係を有することを特徴とする有機感光体。【選択図】図１
2010186123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に、少なくとも中間層、感光層を設けた有機感光体において、前記中間層の乾燥膜厚が０．５μｍ以上、１０．０μｍ以下であり、前記導電性支持体の粗さ曲線の突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が下記式（１）の関係を有することを特徴とする有機感光体。
Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ≦Ｒｋ          式（１）
【請求項２】
前記導電性支持体の粗さ曲線の突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が下記式（２）の関係を有することを特徴とする請求項１に記載の有機感光体。
Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ≦Ｒｋ／２      式（２）
【請求項３】
前記突出山部高さＲｐｋ（μｍ）及び突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）が、それぞれ０．０１μｍ以上、０．５０μｍ以下であり、前記コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が、０．１０μｍ以上、１．５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機感光体。
【請求項４】
前記中間層が、Ｎ型半導電性粒子を含有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機感光体。
【請求項５】
前記Ｎ型半導電性粒子が、酸化チタン微粒子又は酸化亜鉛微粒子であることを特徴とする請求項４に記載の有機感光体。
【請求項６】
有機感光体の表面を帯電させる帯電工程、帯電された有機感光体上にレーザー光で露光して静電潜像を形成する露光工程、有機感光体上の潜像をトナーにて現像してトナー像を形成する現像工程、有機感光体上のトナー像を転写媒体に転写する転写工程を有する画像形成方法において、前記有機感光体が請求項１〜５の何れか１項に記載の有機感光体であることを特徴とする画像形成方法。
【請求項７】
有機感光体、有機感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された有機感光体上に露光して静電潜像を形成する露光手段、有機感光体上の潜像をトナーにて現像してトナー像を形成する現像手段、有機感光体上のトナー像を転写媒体に転写する転写手段を有する画像形成装置において、前記有機感光体が請求項１〜５の何れか１項に記載の有機感光体であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真方式の画像形成装置等に用いる有機感光体、該有機感光体を用いた画像形成方法及び画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機感光体はセレン系感光体、アモルファスシリコン感光体の様な無機感光体に比して素材の選択の幅が広いこと、環境適性に優れていること、生産コストが安いこと等の大きなメリットがあり、近年無機感光体に代わって電子写真感光体の主流となっている。
【０００３】
電子写真感光体を使用した電子写真画像形成方法では、一般にカールソン法を用いることが多い。カールソン法に基づく画像形成方法においては、有機感光体上に帯電、静電潜像を形成し、トナー画像を形成した後、該トナー画像を転写紙に転写し、これを定着して最終画像が形成される。
【０００４】
静電潜像を形成する方法としては、原稿に対するハロゲンランプの反射光を照射して潜像を形成するアナログ露光方式、画像信号に基づいてＬＥＤやレーザー光を用いて潜像を形成するデジタル方式が知られている。特に近年は、装置の多様化、カラー化に対して有利であるデジタル方式の潜像形成方法が主流になっている。特に、半導体レーザー光による露光が、コストや画質の観点から有利であり露光方式の主流になっている。又、近年のカラー化やオフィス領域からＰＯＤ（Ｐｒｉｎｔ・Ｏｎ・Ｄｅｍａｎｄ）領域への拡大に伴い、高画質で安定した画像に対する市場の要求はますます高くなっている。
【０００５】
しかしながら、現在主流となっているレーザー光を用いた画像形成装置において、レーザー光が可干渉光であることに起因する所謂、干渉縞（以下、モアレとも云う）という画像ムラが問題となっている。モアレとは、入射光と導電性支持体界面での反射光とが干渉して潜像に縞状の干渉模様となって顕在化する画像ムラの総称である。
【０００６】
この課題に対して、導電性支持体の表面性について算術平均粗さ（Ｒａ）、十点平均粗さ（Ｒｚ）、最大高さ粗さ（Ｒｙ）、平均山間隔（Ｓｍ）などの粗さパラメータを制御して、モアレを防止する方法が知られている（特許文献１〜４参照。）。
【０００７】
しかしながら、特許文献１〜４に記載の導電性支持体の表面を算術平均粗さ（Ｒａ）、十点平均粗さ（Ｒｚ）、最大高さ粗さ（Ｒｙ）、平均山間隔（Ｓｍ）等の粗さのパラメータを制御してモアレを防止する方法は、モアレによる画像ムラを基準内に抑制するために、必要最低限以上に支持体の表面粗さを上げて対応する場合が多い。これは、導電性支持体の表面形状が切削具や研磨具の使用状態及び使用頻度によって少しずつ変化するため、これに対応したマージンの確保のためでもある。一方、表面粗さの上限は、切削スジなどのモアレ以外の画質で制限されるため、従来の手法では表面粗さを非常に狭い幅で管理する必要があった。更に、表面粗さの確認も高頻度で行う必要があり、生産管理上も大きな負担となっている。
【０００８】
更に、モアレを防止するために加工された有機感光体の導電性支持体、即ち、表面を切削加工等で粗面化したアルミニウム支持体等を用いると、切削加工面の凸部が帯電した時リークし電荷が乗らなく黒ポチを発生し易いという問題がある。
【０００９】
この様な問題に対して、導電性支持体と感光層の間に中間層を設け、該中間層には酸化チタン粒子を樹脂中に分散した構成を有する有機感光体が知られている。
【００１０】
しかしながら、これらの技術を用いても、切削加工面の凸部が帯電した時、リークし電荷が乗らなく黒ポチを防止するには、中間層を例えば、５μｍ以上の十分な膜厚で構成することが必要となり、中間層の膜厚を厚くすると繰り返し使用に伴う残留電位が上昇し、画像濃度が低下し易く、切削加工面の凸部のリークに伴う黒ポチの発生防止と十分な画像濃度の両立を達成することが困難であった。
【００１１】
この様に、従来の技術では、近年の高画質化の要請に応えられるレベルで、モアレと切削加工面の凸部のリークに伴う黒ポチの発生とを両立した有機感光体は得られていない。
【００１２】
この様な状況から、有機感光体の生産時の負荷を少なくして、モアレによる画質低下を防止し、切削加工面の凸部のリークに伴う黒ポチ等の画像欠陥の発生がない高画質の電子写真画像を得ることが出来る有機感光体、画像形成方法及び画像形成装置の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−２０５９４７号公報
【特許文献２】特開２００５−１９６１４８号公報
【特許文献３】特開２００７−３３４３４２号公報
【特許文献４】特開２００８−１７６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は有機感光体の生産時の負荷を少なくして、モアレによる画質低下を防止し、切削加工面の凸部のリークに伴う黒ポチなどの画像欠陥の発生がない高画質の電子写真画像を得ることが出来る有機感光体、画像形成方法及び画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の上記課題は、下記の構成により達成された。
【００１６】
１．導電性支持体上に、少なくとも中間層、感光層を設けた有機感光体において、前記中間層の乾燥膜厚が０．５μｍ以上、１０．０μｍ以下であり、前記導電性支持体の粗さ曲線の突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が下記式（１）の関係を有することを特徴とする有機感光体。
【００１７】
Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ≦Ｒｋ          式（１）
２．前記導電性支持体の粗さ曲線の突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が下記式（２）の関係を有することを特徴とする前記１に記載の有機感光体。
【００１８】
Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ≦Ｒｋ／２      式（２）
３．前記突出山部高さＲｐｋ（μｍ）及び突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）が、それぞれ０．０１μｍ以上、０．５０μｍ以下であり、前記コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が、０．１０μｍ以上、１．５０μｍ以下であることを特徴とする前記１又は２に記載の有機感光体。
【００１９】
４．前記中間層が、Ｎ型半導電性粒子を含有することを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載の有機感光体。
【００２０】
５．前記Ｎ型半導電性粒子が、酸化チタン微粒子又は酸化亜鉛微粒子であることを特徴とする前記４に記載の有機感光体。
【００２１】
６．有機感光体の表面を帯電させる帯電工程、帯電された有機感光体上にレーザー光で露光して静電潜像を形成する露光工程、有機感光体上の潜像をトナーにて現像してトナー像を形成する現像工程、有機感光体上のトナー像を転写媒体に転写する転写工程を有する画像形成方法において、前記有機感光体が前記１〜５の何れか１項に記載の有機感光体であることを特徴とする画像形成方法。
【００２２】
７．有機感光体、有機感光体の表面を帯電させる帯電手段、帯電された有機感光体上に露光して静電潜像を形成する露光手段、有機感光体上の潜像をトナーにて現像してトナー像を形成する現像手段、有機感光体上のトナー像を転写媒体に転写する転写手段を有する画像形成装置において、前記有機感光体が前記１〜５の何れか１項に記載の有機感光体であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の効果】
【００２３】
有機感光体の生産時の負荷を少なくして、モアレによる画質低下を防止し、切削加工面の凸部のリークに伴う黒ポチなどの画像欠陥の発生がない高画質の電子写真画像を得ることが出来る有機感光体、画像形成方法及び画像形成装置を提供することが出来た。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の感光体の層構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す感光体の導電性支持体の表面をＪＩＳ  Ｂ０６７１２−２：２００２に準じて測定し得られた粗さ曲線である。
【図３】導電性支持体の表面粗さの概念を示す模式図である。
【図４】本発明の感光体を用いたカラー画像形成装置の概略断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明について図１から図４を参照しながら説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
【００２６】
図１は、本発明の感光体の層構成の一例を示す概略断面図である。
【００２７】
本発明に使用する感光体は、（ａ）〜（ｃ）に示される積層型もしくは分散型の機能分離型感光体とするのが望ましい。
【００２８】
（ａ）に付き説明する。図中、１ａは感光体を示す。感光体１ａは、導電性支持体１０１の外周に、中間層１０２を設け、その上に電荷発生層１０３を形成し、これに電荷輸送層１０４を積層して感光層１０５を形成したものである。
【００２９】
（ｂ）に付き説明する。図中、１ｂは感光体を示す。感光体１ｂは、導電性支持体１０１の外周に中間層１０２を設け、その上に電荷輸送層１０４を形成し、これに電荷発生層１０３を積層して感光層１０５′を形成したものである。
【００３０】
（ｃ）に付き説明する。図中、１ｃは感光体を示す。感光体１ｃは、導電性支持体１０１の外周に中間層１０２を設け、その上に電荷発生物質１０６と電荷輸送物質１０７を含有する感光層１０５″を形成したものである。
【００３１】
中間層１０２は、帯電した時に導電性支持体１０１と感光層とを絶縁状態にするためにバリヤー機能を備えている。
【００３２】
本発明の感光体の構成は、（ａ）〜（ｃ）で示される何れの構成でもよいが、最表層には更に保護層を設けることが出来る。これらの感光体は図４に示されるフルカラー画像形成装置及び単色画像形成装置に使用することが可能である。
【００３３】
中間層１０２の乾燥膜厚は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下である。乾燥膜厚が０．５μｍ未満の場合は、耐リーク性の低下により、黒ポチが発生しやすくなるため好ましくない。乾燥膜厚が１０．０μｍを超える場合は、中間層内の電荷の蓄積により、残留電位が高くなるため好ましくない。
【００３４】
本発明の中間層の乾燥膜厚とは、４０〜１５０℃の温度下で５分〜１２０分乾燥して、塗布液に含まれる溶媒が十分蒸発して塗膜になった状態での膜厚を意味する。通常、塗膜の残留溶媒は１％以下である。
【００３５】
膜厚測定法
中間層の乾燥膜厚は、塗膜をランダムに１０ケ所測定し、その平均値を中間層の乾燥膜厚とする。膜厚測定器は渦電流方式の膜厚測定器ＥＤＤＹ５６０Ｃ（ＨＥＬＭＵＴ  ＦＩＳＣＨＥＲ  ＧＭＢＴＥ  ＣＯ社製）を用いて行う。
【００３６】
図２は図１に示す感光体の導電性支持体の表面をＪＩＳ  Ｂ０６７１２−２：２００２に準じて測定し得られた粗さ曲線である。
【００３７】
次に、感光体の導電性支持体の表面の突出山部高さＲｐｋ、コア部のレベル差Ｒｋ、突出谷部高さＲｖｋのＪＩＳ規格Ｂ０６７１−２（２００２）に準じた測定方法について説明する。
【００３８】
突出山部高さＲｐｋ、コア部のレベル差Ｒｋ、突出谷部高さＲｖｋは、図２に示すように、対象面の粗さ曲線Ｓから負荷曲線Ｔを作図し、次いで、負荷曲線上で相対負荷長さ率ｔｐの方向に４０％の幅を取り、その両端の高さの差が最小になる２点を通る最小傾斜線Ｕを作図し、次に、最小傾斜線Ｕと相対負荷長さ率ｔｐ０％及び１００％限界線との交点ａ、ｂ、及びその交点ａ、ｂを通る水平線と負荷曲線Ｔとの交点ｃ、ｄを求めることにより、算出される。
【００３９】
突出山部高さＲｐｋ、コア部のレベル差Ｒｋ、突出谷部高さＲｖｋは、ＪＩＳ規格Ｂ０６７１−２に基づいて図２から求められる。突出山部高さＲｐｋは、図２において、ａｃを底辺とし頂点が相対負荷長さ率ｔｐ０％限界線上にある直角三角形の高さであり、その値は、その直角三角形の面積が相対負荷長さ率ｔｐ０％限界線と辺ａｃと負荷曲線で囲まれる部分の面積と等しくなるように算出される。コア部のレベル差Ｒｋは、図２のｃ、ｄ間の高さの差で表される。突出谷部高さＲｖｋは、図２において、ｂｄを底辺とし頂点が相対負荷長さ率ｔｐ１００％限界線上にある直角三角形の高さであり、その値は、その直角三角形の面積が相対負荷長さ率ｔｐ１００％限界線と辺ｂｄと負荷曲線で囲まれる部分の面積と等しくなるように算出される。
【００４０】
突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）は下記に示す式（１）の関係をしている。
【００４１】
Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ≦Ｒｋ          式（１）
感光体の導電性支持体の表面が上記、式（１）に示す関係を有することで、モアレと帯電した時突出山部のリークを防止し黒ポチの発生を防止し、高画質の電子写真画像を形成することが出来る。
【００４２】
更に、感光体の導電性支持体の表面が下記に示す式（２）に示す関係を有することが好ましい。
【００４３】
Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ≦Ｒｋ／２      式（２）
図３は導電性支持体の表面粗さの概念を示す模式図である。
【００４４】
（ａ）は突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が、Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ≦Ｒｋの関係を有する時の導電性支持体の表面粗さの概念を示す模式図である。
【００４５】
（ｂ）は突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）が、Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ＞Ｒｋの関係を有する時の導電性支持体の表面粗さの概念を示す模式図である。
【００４６】
Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ＞Ｒｋの場合は、導電性支持体の表面の多くの面積を占めるコア部の表面粗さが不十分な状態になってしまうこととなるため、レーザー光の散乱が少なく干渉縞を発生し易くなる。又、突出山部高さＲｐｋ、突出谷部高さＲｖｋが大きい状態であるため、帯電した時この部分においてリークが発生し電荷が乗らなく黒ポチを発生し易くなり、高画質の電子写真画像を形成することが出来なくなる。
【００４７】
突出山部高さＲｐｋ及び突出谷部高さＲｖｋは、それぞれ帯電した時のリーク、リークに伴う黒ポチの発生等を考慮し、０．０１μｍ以上、０．５μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、０．０３μｍ以上、０．２５μｍ以下である。
【００４８】
コア部のレベル差Ｒｋは、モアレの発生、導電性支持体の加工スジによる画像欠陥等を考慮し、０．１μｍ以上、１．５μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下である。
【００４９】
突出山部高さＲｐｋ、突出谷部高さＲｖｋ、コア部のレベル差ＲｋはＪＩＳ  Ｂ０６７１２−２：２００２に準じて表面粗さ計（東京精密社製  Ｓｕｒｆｃｏｍ  １４００Ｄ）を使用して測定した値である。
【００５０】
又、突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）の測定は、以下の測定条件で行った。
【００５１】
測定条件
測定機：表面粗さ計（東京精密社製  Ｓｕｒｆｃｏｍ  １４００Ｄ）
測定長さＬ：４．０ｍｍ
カットオフ波長λｃ：０．０８ｍｍ
触針先端形状：先端角度６０°円錐
触針先端半径：０．５μｍ
測定速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ
測定倍率：１０００００倍
測定位置：上、中、下の３カ所、（円筒状支持体の場合は、軸心の中心と軸心と端部の中間点の３カ所）
上記３カ所のそれぞれの平均値を突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）の値とする。
【００５２】
感光体の導電性支持体の表面を式（１）（Ｒｐｋ＋Ｒｖｋ≦Ｒｋ）を満たす性状は第１ステップの荒加工、第２ステップの仕上げ加工による切削加工により形成することが出来、切削加工を行った後、サンドブラスト処理等で、表面粗さを調整してもよい。切削加工に使用するバイトとして、第１ステップの荒加工では通常多結晶ダイヤモンド焼結体が用いられ、第２ステップの仕上げ加工としては単結晶ダイヤモンド、又は多結晶ダイヤモンド焼結体からなるバイトを用いる。
【００５３】
第１ステップの荒加工に使用する多結晶ダイヤモンド焼結体からなるバイトとしては、ノーズ形状は平、Ｒのどちらを用いてもよいが、Ｒ形状の場合ノーズの丸みのＲは１０ｍｍから３０ｍｍ程度のものを使用することが好ましい。粒度が０．２μｍから１５μｍのものを用い、バイトの切削面における研磨仕上げ粗さは最大粗さＲｔで０．３μｍ以上、２．０μｍ以下となるように研磨することが好ましい。
【００５４】
第２ステップの仕上げ加工に使用する単結晶ダイヤモンドからなるバイトとしては、ノーズ形状は平、Ｒのどちらを用いてもよく、Ｒ形状の場合ノーズの丸みの半径Ｒは１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度のものを使用することが好ましい。
【００５５】
多結晶ダイヤモンド焼結体からなるバイトとしては、ノーズ形状は平、Ｒのどちらを用いてもよいが、Ｒ形状の場合ノーズの丸みの半径Ｒは１０ｍｍから２５ｍｍ程度のものを使用することが好ましい。
【００５６】
単結晶ダイヤモンドからなるバイト及び多結晶ダイヤモンド焼結体からなるバイトは粒度が、０．３μｍから１２μｍのものを用い、バイトの切削面における研磨仕上げ粗さは最大粗さＲｔで０．４μｍから１．５μｍとなるように研磨することが好ましい。
【００５７】
バイトの切削面の最大粗さＲｔは、表面粗さ計「サーフコム１４００Ｄ」（東京精密社製）により測定される。切削バイトの研磨は、工具研磨盤に取り付けたダイヤモンドホイールによって研磨されることが好ましい。
【００５８】
又、切削送り速度は第１ステップの荒加工の場合、１００μｍ／ｒｅｖから６００μｍ／ｒｅｖが好ましく、更に、１５０μｍ／ｒｅｖから４５０μｍ／ｒｅｖが好ましい。
【００５９】
切削送り速度は第２ステップの仕上げ加工の場合、１００μｍ／ｒｅｖから５００μｍ／ｒｅｖが好ましく、更に、１５０μｍ／ｒｅｖから３５０μｍ／ｒｅｖが好ましい。
【００６０】
又、切削加工する時、バイトの押し込み角度は、８０°から１２０°が好ましい。
【００６１】
バイトの押し込み深さは３μｍから５００μｍが好ましい。導電性支持体の回転数は、３０００ｒｐｍから８０００ｒｐｍが好ましい。
【００６２】
又、切削加工後にサンドブラスト、ドライアイスブラスト及び高圧ジェット水処理等を行うことも可能である。
【００６３】
サンドブラスト処理の場合、使用する粒子の大きさは、１５μｍから５０μｍが好ましく、吹き付け強度は０．０５ＭＰａから１．０ＭＰａが好ましい。
【００６４】
ドライアイスブラスト処理の場合、使用する粒子の大きさは、１０μｍから６０μｍが好ましく、吹き付け強度は、０．２ＭＰａから５．０ＭＰａが好ましい。
【００６５】
高圧ジェット水処理の場合、吹き付け強度は０．２ＭＰａから５．０ＭＰａが好ましい。
【００６６】
尚、切削加工については、特開２００７−２６４３７９号公報、ドライアイスブラスト法については、特開２００５−２９２５６５号公報、サンドブラスト法については、特開２０００−１０５４８１号公報、特開２０００−１５５４３６号公報、高圧ジェット法については、特開２００６−３０５８０号公報等で開示された方法を参照することが出来る。
【００６７】
次に、本発明の感光体を用いた画像形成装置について説明する。
【００６８】
図４は本発明の感光体を用いたカラー画像形成装置の概略断面構成図である。
【００６９】
図中、Ｗはカラー画像形成装置を示す。カラー画像形成装置Ｗは、タンデム型カラー画像形成装置と称せられるもので、４組の画像形成部（画像形成ユニット）１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｂｋと、無端ベルト状中間転写体ユニット７と、給紙搬送手段２１及び定着手段２４とからなる。カラー画像形成装置Ｗの本体Ａの上部には、原稿画像読み取り装置ＳＣが配置されている。
【００７０】
イエロー色の画像を形成する画像形成部１０Ｙは、第１の像担持体としてのドラム状の感光体１Ｙの周囲に配置された帯電手段（帯電工程）２Ｙ、露光手段（露光工程）３Ｙ、現像手段（現像工程）４Ｙ、一次転写手段（一次転写工程）としての一次転写ローラ５Ｙ、クリーニング手段６Ｙを有する。
【００７１】
マゼンタ色の画像を形成する画像形成部１０Ｍは、第１の像担持体としてのドラム状の感光体１Ｍ、帯電手段２Ｍ、露光手段３Ｍ、現像手段４Ｍ、一次転写手段としての一次転写ローラ５Ｍ、クリーニング手段６Ｍを有する。
【００７２】
シアン色の画像を形成する画像形成部１０Ｃは、第１の像担持体としてのドラム状の感光体１Ｃ、帯電手段２Ｃ、露光手段３Ｃ、現像手段４Ｃ、一次転写手段としての一次転写ローラ５Ｃ、クリーニング手段６Ｃを有する。
【００７３】
黒色画像を形成する画像形成部１０Ｂｋは、第１の像担持体としてのドラム状の感光体１Ｂｋ、帯電手段２Ｂｋ、露光手段３Ｂｋ、現像手段４Ｂｋ、一次転写手段としての一次転写ローラ５Ｂｋ、クリーニング手段６Ｂｋを有する。
【００７４】
４組の画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｂｋは、ドラム状の感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｂｋを中心に、回転する帯電手段２Ｙ、２Ｍ、２Ｃ、２Ｂｋと、像露光手段３Ｙ、３Ｍ、３Ｃ、３Ｂｋと、回転する現像手段４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｂｋ、及び、ドラム状の感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｂｋをクリーニングするクリーニング手段５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｂｋより構成されている。ドラム状の感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｂｋは図１から図３（ａ）に示される本発明の有機感光体が使用されている。
【００７５】
画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｂｋは、ドラム状の感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｂｋにそれぞれ形成するトナー画像の色が異なるだけで、同じ構成であり、画像形成ユニット１０Ｙを例にして詳細に説明する。
【００７６】
画像形成ユニット１０Ｙは、像形成体であるドラム状の感光体１Ｙの周囲に、帯電手段２Ｙ（以下、単に帯電手段２Ｙ、或いは、帯電器２Ｙという）、露光手段３Ｙ、現像手段４Ｙ、クリーニング手段５Ｙ（以下、単にクリーニング手段５Ｙ、或いは、クリーニングブレード５Ｙという）を配置し、ドラム状の感光体１Ｙ上にイエロー（Ｙ）のトナー画像を形成するものである。又、画像形成ユニット１０Ｙのうち、少なくともドラム状の感光体１Ｙ、帯電手段２Ｙ、現像手段４Ｙ、クリーニング手段５Ｙを一体化するように設けている。
【００７７】
帯電手段２Ｙは、ドラム状の感光体１Ｙに対して一様な電位を与える手段であって、ドラム状の感光体１Ｙにコロナ放電型の帯電器２Ｙが用いられている。
【００７８】
像露光手段３Ｙは、帯電器２Ｙによって一様な電位を与えられたドラム状の感光体１Ｙ上に、画像信号（イエロー）に基づいて露光を行い、イエローの画像に対応する静電潜像を形成する手段であって、この露光手段３Ｙとしては、レーザー光学系などが用いられる。
【００７９】
カラー画像形成装置Ｗとしては、ドラム状の感光体と、現像器、クリーニング器等の構成要素をプロセスカートリッジ（画像形成ユニット）として一体に結合して構成し、この画像形成ユニットを装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。又、帯電器、像露光器、現像器、転写又は分離器、及びクリーニング器の少なくとも１つをドラム状の感光体とともに一体に支持してプロセスカートリッジ（画像形成ユニット）を形成し、装置本体に着脱自在の単一画像形成ユニットとし、装置本体のレールなどの案内手段を用いて着脱自在の構成としてもよい。
【００８０】
無端ベルト状中間転写体ユニット７は、複数のローラにより巻回され、回動可能に支持された半導電性エンドレスベルト状の第２の像担持体としての無端ベルト状中間転写体７０を有する。
【００８１】
画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｂｋより形成された各色の画像は、一次転写手段としての一次転写ローラ５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｂｋにより、回動する無端ベルト状中間転写体７０上に逐次転写されて、合成されたカラー画像が形成される。給紙カセット２０内に収容された転写材（定着された最終画像を担持する支持体：例えば普通紙、透明シート等）としての転写材Ｐは、給紙手段２１により給紙され、複数の中間ローラ２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ、レジストローラ２３を経て、二次転写手段としての二次転写ローラ５ｂに搬送され、転写材Ｐ上に二次転写してカラー画像が一括転写される。カラー画像が転写された転写材Ｐは、定着手段２４により定着処理され、排紙ローラ２５に挟持されて機外の排紙トレイ２６上に載置される。ここで、中間転写体や転写材等の感光体上に形成されたトナー画像の転写支持体を総称して転写媒体と云う。
【００８２】
一方、二次転写手段としての二次転写ローラ５ｂにより転写材Ｐにカラー画像を転写した後、転写材Ｐを曲率分離した無端ベルト状中間転写体７０は、クリーニング手段６ｂにより残留トナーが除去される。
【００８３】
画像形成処理中、一次転写ローラ５Ｂｋは常時、ドラム状の感光体１Ｂｋに当接している。他の一次転写ローラ５Ｙ、５Ｍ、５Ｃはカラー画像形成時にのみ、それぞれ対応するドラム状の感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃに当接する。
【００８４】
二次転写ローラ５ｂは、ここを転写材Ｐが通過して二次転写が行われる時にのみ、無端ベルト状中間転写体７０に当接する。又、装置本体Ａから筐体８を支持レール８２Ｌ、８２Ｒを介して引き出し可能にしてある。
【００８５】
筐体８は、画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｂｋと、無端ベルト状中間転写体ユニット７とを有している。
【００８６】
画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｂｋは、垂直方向に縦列配置されている。ドラム状の感光体１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｂｋの図示左側方には無端ベルト状中間転写体ユニット７が配置されている。無端ベルト状中間転写体ユニット７は、ローラ７１、７２、７３、７４を巻回して回動可能な無端ベルト状中間転写体７０、一次転写ローラ５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｂｋ、及びクリーニング手段６ｂとを有している。
【００８７】
本発明の画像形成装置としては、本発明の感光体と、現像器、クリーニング器等の構成要素をプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このユニットを装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。又、帯電器、像露光器、現像器、転写又は分離器、及びクリーニング器の少なくとも１つを感光体とともに一体に支持してプロセスカートリッジを形成し、装置本体に着脱自在の単一ユニットとし、装置本体のレールなどの案内手段を用いて着脱自在の構成としてもよい。
【００８８】
〈トナー〉
本発明のドラム状の感光体の上に形成された静電潜像は現像によりトナー像として顕像化される。現像に用いられるトナーは、粉砕トナーでも、重合トナーでもよいが、本発明に係わるトナーとしては、安定した粒度分布を得られる観点から、重合法で作製出来る重合トナーが好ましい。
【００８９】
重合トナーとはトナー用バインダーの樹脂の生成とトナー形状がバインダー樹脂の原料モノマーの重合と、必要によりその後の化学的処理により形成されるトナーを意味する。より具体的には懸濁重合、乳化重合等の重合反応と、必要によりその後に行われる粒子同士の融着工程を経て形成されるトナーを意味する。
【００９０】
尚、トナーの体積平均粒径（５０％体積粒径（Ｄｖ５０））は２μｍから９μｍ、より好ましくは３μｍから７μｍであることが望ましい。この範囲とすることにより、解像度を高くすることが出来る。更に上記の範囲と組み合わせることにより、小粒径トナーでありながら、微細な粒径のトナーの存在量を少なくすることが出来、長期に亘ってドット画像の再現性が改善され、鮮鋭性の良好な、安定した画像を形成することが出来る。
【００９１】
〈現像剤〉
トナーは、一成分現像剤でも二成分現像剤として用いてもよい。一成分現像剤として用いる場合は、非磁性一成分現像剤、或いはトナー中に０．１μｍから０．５μｍ程度の磁性粒子を含有させ磁性一成分現像剤としたものが挙げられ、何れも使用することが出来る。
【００９２】
又、キャリアと混合して二成分現像剤として用いることが出来る。この場合は、キャリアの磁性粒子として、鉄、フェライト、マグネタイト等の金属、それらの金属とアルミニウム、鉛等の金属との合金等の従来から公知の材料を用いることが出来る。特にフェライト粒子が好ましい。上記磁性粒子は、その体積平均粒径としては１５μｍから１００μｍ、より好ましくは２５μｍから８０μｍのものがよい。
【００９３】
キャリアの体積平均粒径の測定は、代表的には湿式分散機を備えたレーザー回折式粒度分布測定装置「ヘロス（ＨＥＬＯＳ）」（シンパティック（ＳＹＭＰＡＴＥＣ）社製）により測定することが出来る。
【００９４】
キャリアは、磁性粒子が更に樹脂により被覆されているもの、或いは樹脂中に磁性粒子を分散させた、所謂樹脂分散型キャリアが好ましい。コーティング用の樹脂組成としては、特に限定はないが、例えば、オレフィン系樹脂、スチレン系樹脂、スチレン−アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、エステル系樹脂、或いはフッ素含有重合体系樹脂等が用いられる。又、樹脂分散型キャリアを構成するための樹脂としては、特に限定されず、例えば、スチレン−アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂等公知のものを使用することが出来る。
【００９５】
本発明の画像形成装置は電子写真複写機、レーザープリンター等の電子写真装置一般に適応するが、更に、電子写真技術を応用したディスプレー、記録、軽印刷、製版及びファクシミリ等の装置にも幅広く適用することが出来る。
【００９６】
次に、本発明の感光体を構成している材料に付き説明する。
【００９７】
（導電性支持体）
導電性支持体としてはシート上でも円筒状でもよいが、好ましくは円筒状導電性支持体が好ましい。円筒状導電性支持体とは回転することによりエンドレスに画像を形成出来るに必要な円筒状の支持体を意味し、真直度で０．１ｍｍ以下、振れ０．１ｍｍ以下の範囲にある導電性の支持体が好ましい。この真直度及び振れの範囲を超えると、良好な画像形成が困難になる。
【００９８】
円筒状導電性支持体としては直径が１０ｍｍから３００ｍｍのものが好ましいが、本発明の効果が顕著に現れ、支持体と中間層等の接着性が改善され、同時に黒ポチの発生が防止される等の効果が著しいものは、直径１０ｍｍから５０ｍｍの小径の円筒状導電性支持体が挙げられる。
【００９９】
導電性支持体の材料としてはアルミニウム、ニッケルなどの金属ドラム、又はアルミニウム、酸化錫、酸化インジュウムなどを蒸着したプラスチックドラム、又は導電性物質を塗布した紙・プラスチックドラムを使用することが出来る。導電性支持体としては常温で比抵抗１０３Ωｃｍ以下が好ましい。
【０１００】
（中間層）
中間層は導電性支持体と感光層の間に設けられ、導電性支持体と感光層のとの接着性改良、及び導電性支持体からの電荷注入を防止するバリヤー機能を有する。中間層のバインダー樹脂としては、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂やメラミン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂等の熱硬化性樹脂やこれらの樹脂の繰り返し単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂が挙げられる。これらバインダー樹脂の中でポリアミド樹脂が特に好ましく、特には共重合、メトキシメチロール化等のアルコール可溶性ポリアミドが好ましい。中間層はＮ型半導電性粒子を含有することが好ましく、特に表面処理Ｎ型半導電性粒子が好ましい。
【０１０１】
Ｎ型半導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散して用いられており、Ｎ型半導電性粒子の量は、例えば表面処理酸化チタンの場合では、バインダー樹脂１００質量部に対し、１０質量部から１０，０００質量部、好ましくは５０質量部から１，０００質量部である。表面処理酸化チタンをこの範囲で用いることにより、酸化チタンの分散性を良好に保つことが出来、黒ポチの発生しない、良好な中間層を形成することが出来る。
【０１０２】
中間層は実質的に絶縁層である。ここで絶縁層とは、体積抵抗が１×１０８Ω・ｃｍから１０１５Ω・ｃｍである。又、中間層の体積抵抗は好ましくは１×１０９Ω・ｃｍから１０１４Ω・ｃｍ、更に、２×１０９Ω・ｃｍから１×１０１３Ω・ｃｍが好ましい。体積抵抗は下記のようにして測定することが出来る。
【０１０３】
測定条件：ＪＩＳ：Ｃ２３１８−１９７５に準ずる。
【０１０４】
測定器：三菱油化社製Ｈｉｒｅｓｔａ  ＩＰ
測定条件：測定プローブ  ＨＲＳ
印加電圧：５００Ｖ
測定環境：２０±２℃、６５±５ＲＨ％
中間層の表面粗さはＲｍａｘで０．２μｍから３．０μｍが好ましい。更に、０．２μｍから２．０μｍが好ましい。
【０１０５】
（Ｎ型半導電性粒子）
Ｎ型半導電性粒子とは、導電性キャリアを電子とする性質を持つ微粒子を示す。即ち、導電性キャリアを電子とする性質とは、Ｎ型半導電性粒子を絶縁性バインダーに含有させることにより、基体からのホール注入を効率的にブロックし、又、感光層からの電子に対してはブロッキング性を示さない性質を有するものを言う。
【０１０６】
Ｎ型半導電性粒子は、具体的には酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等の微粒子が挙げられる、特に酸化チタンが好ましく用いられる。
【０１０７】
Ｎ型半導電性粒子の平均粒径は、数平均一次粒径で１０ｎｍから２００ｎｍの範囲がよく、更に１５ｎｍから１５０ｎｍが好ましい。数平均一次粒径が前記範囲のＮ型半導電性粒子を用いた中間層塗布液は分散安定性が良好で、且つこの様な塗布液から形成された中間層は黒ポチ発生防止機能の他、環境特性が良好で、且つ耐クラッキング性を有する。
【０１０８】
Ｎ型半導電性粒子の数平均一次粒径は、例えば酸化チタンの場合、透過型電子顕微鏡観察によって１００００倍に拡大し、ランダムに１００個の粒子を一次粒子として観察し、画像解析によってフェレ方向平均径としての測定値である。
【０１０９】
Ｎ型半導電性粒子の形状は、樹枝状、針状及び粒状等の形状があり、この様な形状のＮ型半導電性粒子は、例えば酸化チタン粒子では、結晶型としては、アナターゼ型、ルチル型及びアモルファス型等があるが、何れの結晶型のものを用いてもよく、又２種以上の結晶型を混合して用いてもよい。その中でもルチル型のものが最もよい。
【０１１０】
Ｎ型半導電性粒子に行われる表面処理の１つは、複数回の表面処理を行い、且つ、複数回の表面処理の中で、最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物を用いた表面処理を行うものである。又、複数回の表面処理の中で、少なくとも１回の表面処理がアルミナ、シリカ、及びジルコニアから選ばれる少なくとも１種類以上の表面処理を行い、最後に反応性有機ケイ素化合物を用いた表面処理を行うことが好ましい。
【０１１１】
尚、アルミナ処理、シリカ処理、ジルコニア処理とはＮ型半導電性粒子表面にアルミナ、シリカ、或いはジルコニアを析出させる処理を云い、これらの表面に析出したアルミナ、シリカ、ジルコニアにはアルミナ、シリカ、ジルコニアの水和物も含まれる。又、反応性有機ケイ素化合物の表面処理とは、処理液に反応性有機ケイ素化合物を用いることを意味する。
【０１１２】
この様に、酸化チタン粒子の様なＮ型半導電性粒子の表面処理を少なくとも２回以上行うことにより、Ｎ型半導電性粒子表面が均一に表面被覆（処理）され、表面処理されたＮ型半導電性粒子を中間層に用いると、中間層内における酸化チタン粒子等のＮ型半導電性粒子の分散性が良好で、且つ、黒ポチ等の画像欠陥を発生させない良好な感光体を得ることが出来るのである。
【０１１３】
又、複数回の表面処理をアルミナ、シリカを用いて表面処理を行い、次いで反応性有機ケイ素化合物による表面処理を行うものが特に好ましい。
【０１１４】
尚、前述のアルミナ、シリカを用いての表面処理は同時に行ってもよいが、特にアルミナを用いての表面処理を最初に行い、次いでシリカを用いての表面処理を行うことが好ましい。又、アルミナとシリカとを用いた表面処理をそれぞれ行う場合のアルミナ及びシリカの処理量は、アルミナよりもシリカの多いものが好ましい。
【０１１５】
酸化チタン等のＮ型半導電性粒子のアルミナ、シリカ、及びジルコニア等の金属酸化物による表面処理は湿式法で行うことが出来る。例えば、シリカ、又はアルミナの表面処理を行ったＮ型半導電性粒子は以下の様に作製することが出来る。
【０１１６】
Ｎ型半導電性粒子として酸化チタン粒子を用いる場合、酸化チタン粒子（数平均一次粒子径：５０ｎｍ）を５０〜３５０ｇ／Ｌの濃度で水中に分散させて水性スラリーとし、これに水溶性のケイ酸塩又は水溶性のアルミニウム化合物を添加する。その後、アルカリ又は酸を添加して中和し、酸化チタン粒子の表面にシリカ、又はアルミナを析出させる。続いて濾過、洗浄、乾燥を行い目的の表面処理酸化チタンを得る。前記水溶性のケイ酸塩としてケイ酸ナトリウムを使用した場合には、硫酸、硝酸、塩酸等の酸で中和することが出来る。一方、水溶性のアルミニウム化合物として硫酸アルミニウムを用いた時は水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリで中和することが出来る。
【０１１７】
尚、表面処理に用いられる金属酸化物の量は、表面処理時の仕込み量にて酸化チタン粒子等のＮ型半導電性粒子１００質量部に対して、０．１質量部から５０質量部、更に好ましくは１質量部から１０質量部の金属酸化物が用いられる。尚、アルミナとシリカを用いた場合も、例えば酸化チタン粒子の場合、酸化チタン粒子１００質量部に対して各々１質量部から１０質量部用いることが好ましく、アルミナよりもシリカの量が多いことが好ましい。
【０１１８】
金属酸化物による表面処理の次に行われる反応性有機ケイ素化合物による表面処理は以下の様な湿式法で行うことが好ましい。
【０１１９】
即ち、有機溶剤や水に対して前記反応性有機ケイ素化合物を溶解又は懸濁させた液に前記金属酸化物で処理された酸化チタンを添加し、この液を数分から１時間程度撹拌する。そして場合によっては該液に加熱処理を施した後に、濾過等の工程を経た後乾燥し、表面を有機ケイ素化合物で被覆した酸化チタン粒子を得る。尚、有機溶剤や水に対して酸化チタンを分散させた懸濁液に前記反応性有機ケイ素化合物を添加しても構わない。
【０１２０】
尚、酸化チタン粒子表面が反応性有機ケイ素化合物により被覆されていることは、光電子分光法（ＥＳＣＡ）、オージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ）、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）や拡散反射ＦＩ−ＩＲ等の表面分析手法を複合することによって確認されるものである。
【０１２１】
表面処理に用いられる反応性有機ケイ素化合物の量は、表面処理時の仕込み量にて金属酸化物で処理された酸化チタン１００質量部に対し、反応性有機ケイ素化合物を０．１質量部から５０質量部、更に好ましくは１質量部から０質量部が好ましい。
【０１２２】
反応性有機ケイ素化合物としては下記一般式（１）で表される化合物が挙げられるが、酸化チタン表面の水酸基等の反応性基と縮合反応をする化合物であれば、下記化合物に限定されない。
【０１２３】
一般式（１）
（Ｒ）ｎ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｎ
（式中、Ｓｉはケイ素原子、Ｒは該ケイ素原子に炭素が直接結合した形の有機基を表し、Ｘは加水分解性基を表し、ｎは０〜３の整数を表す。）
一般式（１）で表される有機ケイ素化合物において、Ｒで示されるケイ素に炭素が直接結合した形の有機基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、ドデシル等のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチル、ビフェニル等のアリール基、γ−グリシドキシプロピル、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル等の含エポキシ基、γ−アクリロキシプロピル、γ−メタアクリロキシプロピルの含（メタ）アクリロイル基、γ−ヒドロキシプロピル、２，３−ジヒドロキシプロピルオキシプロピル等の含水酸基、ビニル、プロペニル等の含ビニル基、γ−メルカプトプロピル等の含メルカプト基、γ−アミノプロピル、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピル等の含アミノ基、γ−クロロプロピル、１，１，１−トリフロオロプロピル、ノナフルオロヘキシル、パーフルオロオクチルエチル等の含ハロゲン基、その他ニトロ、シアノ置換アルキル基を挙げられる。又、Ｘの加水分解性基としてはメトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、ハロゲン基、アシルオキシ基が挙げられる。
【０１２４】
又、一般式（１）で表される有機ケイ素化合物は、単独でもよいし、２種以上組み合わせて使用してもよい。
【０１２５】
又、一般式（１）で表される有機ケイ素化合物の具体的化合物で、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよい。同様に、ｎが２以下の場合、複数のＸは同一でも異なっていてもよい。又、一般式（１）で表される有機ケイ素化合物の２種以上を用いる時、Ｒ及びＸはそれぞれの化合物間で同一でもよく、異なっていてもよい。
【０１２６】
又、一般式（１）で表される有機ケイ素化合物は、好ましくは下記一般式（２）で示される有機ケイ素化合物が用いられる。
【０１２７】
一般式（２）
Ｒ−Ｓｉ−Ｘ３
式中、Ｒはアルキル基、アリール基、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン基を表す。
【０１２８】
一般式（２）で表される有機ケイ素化合物においては、更に好ましくはＲが炭素数４から８までのアルキル基である有機ケイ素化合物が好ましく、具体的な好ましい化合物例としては、トリメトキシｎ−ブチルシラン、トリメトキシｉ−ブチルシラン、トリメトキシヘキシルシラン、トリメトキシオクチルシランが挙げられる。
【０１２９】
又、最後の表面処理に用いる好ましい反応性有機ケイ素化合物としてはポリシロキサン化合物が挙げられる。該ポリシロキサン化合物の分子量は１０００から２００００のものが一般に入手し易く、又、黒ポチ発生防止機能も良好である。
【０１３０】
特にメチルハイドロジェンポリシロキサンを最後の表面処理に用いると良好な効果が得られる。
【０１３１】
酸化チタンの表面処理の他の１つはフッ素原子を有する有機ケイ素化合物により表面処理を施された酸化チタン粒子である。フッ素原子を有する有機ケイ素化合物による表面処理、前記した湿式法で行うのが好ましい。
【０１３２】
即ち、有機溶剤や水に対してフッ素原子を有する有機ケイ素化合物を溶解又は懸濁させ、この中に未処理の酸化チタンを添加し、この様な溶液を数分から１時間程度撹拌して混合し、場合によっては加熱処理を施した後に、濾過などの工程を経て乾燥し、酸化チタン表面をフッ素原子を有する有機ケイ素化合物で被覆する。尚、有機溶剤や水に対して酸化チタンを分散した懸濁液にフッ素原子を有する有機ケイ素化合物を添加しても構わない。
【０１３３】
尚、前記酸化チタン表面がフッ素原子を有する有機ケイ素化合物によって被覆されていることは、光電子分光法（ＥＳＣＡ）、オージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ）、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）や拡散反射ＦＩ−ＩＲ等の表面分析装置を用いて複合的に確認することが出来る。
【０１３４】
フッ素原子を有する有機ケイ素化合物としては、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、メチル−３，３，３−トリフルオロプロピルジクロロシラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルシラン、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルメチルジクロロシラン等が挙げられる。
【０１３５】
次に、表面処理が施された酸化チタン粒子等のＮ型半導電性粒子（以下、表面処理Ｎ型半導電性粒子とも言う。又、特に、表面処理が施された酸化チタン粒子を表面処理酸化チタンとも云う）を用いた中間層の構成について説明する。
【０１３６】
中間層は、複数回の表面処理を行って得られた表面処理酸化チタン等の表面処理Ｎ型半導電性粒子をバインダー樹脂とともに溶媒中に分散させた液を導電性支持体上に塗布することにより作製される。中間層を形成するために作製する中間層塗布液は、表面処理酸化チタン等の表面処理Ｎ型半導電性粒子、バインダー樹脂、分散溶媒等から構成されるが、分散溶媒としては他の感光層の作製に用いられる溶媒と同様なものが適宜用いられる。
【０１３７】
即ち、溶媒又は分散媒としては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロプロパン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ等が挙げられる。
【０１３８】
中間層塗布液溶媒としては、これらに限定されるものではないが、メタノール、エタノール、ブタノール、１−プロパノール、イソプロパノール等が好ましく用いられる。又、これらの溶媒は単独或いは２種以上の混合溶媒として用いることも出来る。
【０１３９】
又、中間層塗布溶媒としては、中間層塗布時の乾燥ムラの発生を防止するために高い樹脂溶解性を有するメタノールと直鎖アルコールとの混合溶媒を用いることが好ましく、好ましい溶媒の比率は、体積比でメタノール１に対して直鎖アルコールを０．０５から０．６の比率で混合したものがよい。この様に塗布溶媒を混合溶媒とすることで溶媒の蒸発速度が適切に保たれ、塗布時の乾燥ムラに伴う画像欠陥の発生を抑えることが出来る。
【０１４０】
中間層塗布液の作製に用いられる表面処理酸化チタンの分散手段としてはサンドミル、ボールミル、超音波分散等何れの分散手段を用いてもよい。
【０１４１】
（感光層）
本発明の感光体の感光層構成は、中間層上に電荷発生機能と電荷輸送機能を１つの層に持たせた単層構造の感光層構成でもよいが、より好ましくは感光層の機能を電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）に分離した構成を採るのがよい。機能を分離した構成を取ることにより繰り返し使用に伴う残留電位増加を小さく制御することが出来、その他の電子写真特性を目的に合わせて制御し易い。負帯電用の感光体では中間層の上に電荷発生層（ＣＧＬ）、その上に電荷輸送層（ＣＴＬ）の構成を取ることが好ましい。正帯電用の感光体では前記層構成の順が負帯電用感光体の場合の逆となる。本発明の最も好ましい感光層構成は前記機能分離構造を有する負帯電感光体構成である。
【０１４２】
以下に機能分離負帯電感光体の感光層構成について説明する。
【０１４３】
（電荷発生層）
電荷発生層には電荷発生物質（ＣＧＭ）を含有する。その他の物質としては必要によりバインダー樹脂、その他添加剤を含有してもよい。
【０１４４】
電荷発生物質（ＣＧＭ）としては公知の電荷発生物質（ＣＧＭ）を用いることが出来る。例えばフタロシアニン顔料、アゾ顔料、ペリレン顔料、アズレニウム顔料などを用いることが出来る。これらの中で繰り返し使用に伴う残留電位増加を最も小さく出来るＣＧＭは複数の分子間で安定な凝集構造を取りうる立体、電位構造を有するものであり、具体的には特定の結晶構造を有するフタロシアニン顔料、ペリレン顔料のＣＧＭが挙げられる。
【０１４５】
例えばＣｕ−Ｋα線に対するブラッグ角２θが２７．２°に最大ピークを有するチタニルフタロシアニン、同２θが１２．４に最大ピークを有するベンズイミダゾールペリレン等のＣＧＭは繰り返し使用に伴う劣化がほとんどなく、残留電位増加小さくすることが出来る。
【０１４６】
電荷発生層にＣＧＭの分散媒としてバインダーを用いる場合、バインダーとしては公知の樹脂を用いることが出来るが、最も好ましい樹脂としてはホルマール樹脂、ブチラール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。バインダー樹脂と電荷発生物質との割合は、バインダー樹脂１００質量部に対し２０〜６００質量部が好ましい。これらの樹脂を用いることにより、繰り返し使用に伴う残留電位増加を最も小さく出来る。電荷発生層の膜厚は０．０１μｍから２μｍが好ましい。
【０１４７】
（電荷輸送層）
電荷輸送層には電荷輸送物質（ＣＴＭ）及びＣＴＭを分散し製膜するバインダー樹脂を含有する。その他の物質としては必要により酸化防止剤等の添加剤を含有してもよい。
【０１４８】
電荷輸送物質（ＣＴＭ）としては公知の電荷輸送物質（ＣＴＭ）を用いることが出来る。例えばトリフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、ブタジエン化合物などを用いることが出来る。これら電荷輸送物質は通常、適当なバインダー樹脂中に溶解して層形成が行われる。これらの中で繰り返し使用に伴う残留電位増加を最も小さく出来るＣＴＭは高移動度で、且つ組み合わされるＣＧＭとのイオン化ポテンシャル差が０．５（ｅＶ）以下の特性を有するものであり、好ましくは０．２５（ｅＶ）以下である。
【０１４９】
ＣＧＭ、ＣＴＭのイオン化ポテンシャルは表面分析装置ＡＣ−１（理研計器社製）で測定される。
【０１５０】
電荷輸送層（ＣＴＬ）に用いられる樹脂としては、例えばポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂並びに、これらの樹脂の繰り返し単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂。又これらの絶縁性樹脂の他、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。
【０１５１】
これらＣＴＬのバインダーとして最も好ましいものはポリカーボネート樹脂である。ポリカーボネート樹脂はＣＴＭの分散性、電子写真特性を良好にすることにおいて、最も好ましい。バインダー樹脂と電荷輸送物質との割合は、バインダー樹脂１００質量部に対し１０質量部から２００質量部が好ましい。又、電荷輸送層の膜厚は１０μｍから４０μｍが好ましい。
【０１５２】
（表面層）
感光体の表面層として、シロキサン系樹脂層を設けることにより、最も好ましい層構成を有する感光体を得ることが出来る。
【０１５３】
中間層を含め、感光体を製造するための塗布加工方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、円形量規制型塗布等の塗布加工法が用いられるが、感光層の上層側の塗布加工は下層の膜を極力溶解させないため、又、均一塗布加工を達成するためスプレー塗布又は円形量規制型（円形スライドホッパ型がその代表例）塗布等の塗布加工方法を用いるのが好ましい。尚、前記スプレー塗布については例えば特開平３−９０２５０号及び特開平３−２６９２３８号公報に詳細に記載され、前記円形量規制型塗布については例えば特開昭５８−１８９０６１号公報に詳細に記載されている。
【実施例】
【０１５４】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、特に断りがない限り、文中の「部」は質量部を表し、「％」は質量％を表す。
【０１５５】
実施例１
下記に示す方法で基体の周面に中間層／電荷発生層／電荷発生層を順次積層し基体／中間層／電荷発生層／電荷発生層の構成を有する感光体を作製し感光体１から２２とした。
【０１５６】
感光体１の作製
基体の準備
円筒状アルミニウム基体の切削加工において、複雑な凹凸パターン加工形状を形成するダイヤモンド焼結平バイトを用い、該バイトの取り付け角度と押し込み深さを調整した後、精密サンドブラストであるＭＩＣＲＯＢＬＡＳＴＥＲ  ＭＢ１（新東ブレーター）にて、砥粒として炭化ケイ素（ＳｉＣ）、＃５０００（平均粒径２μｍ）を用いて、吹き付け圧力０．３５ＭＰａで行い、表１のように突出山部高さ（Ｒｐｋ）、突出谷部高さ（Ｒｖｋ）、コア部の高さ（Ｒｋ）を調整した。算術平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚＪＩＳ（２００１年ＪＩＳ改訂以前のＲｚと同一）についても従来技術との比較のために確認した。
【０１５７】
中間層の形成
準備した記基体の上に、下記中間層形成用塗布液（粒子種としてアナターゼ形酸化チタンＡ１を使用）を浸漬塗布法で塗布した後、１２０℃で２５分乾燥し、乾燥膜厚５．０μｍの中間層を形成した。
【０１５８】
（中間層分散液の調製）
バインダー樹脂：（例示ポリアミドＮ−１）                                １部
アナターゼ形酸化チタンＡ１（一次粒径３０ｎｍ：表面処理は、フッ化エチルトリメトキシシラン処理）                                                          ３部
イソプロピルアルコール                                                １０部
上記成分を混合し、サンドミル分散機を用い、１０時間、バッチ式にて分散して、中間層分散液を調製した。
【０１５９】
（中間層形成用塗布液の調製）
上記中間層分散液を同じ混合溶媒にて二倍に希釈し、一夜静置後に濾過（フィルター：日本ポール社製リジメッシュフィルター公称濾過精度：５μｍ、圧力：５０ｋＰａ）し、中間層形成用塗布液を調製した。
【０１６０】
電荷発生層の形成
前記中間層の上に下記の電荷発生層形成用塗布液を浸漬塗布法で塗布し、乾燥膜厚０．８μｍの電荷発生層を形成した。
【０１６１】
（電荷発生層形成用塗布液の調製）
Ｙ型オキシチタニルフタロシアニン（Ｃｕ−Ｋα特性Ｘ線によるＸ線回折のスペクトルで、最大ピーク角度が２θで２７．３）                                    ２０部
ポリビニルブチラール（＃６０００−Ｃ、電気化学工業社製）              １０部
酢酸ｔ−ブチル                                                      ７００部
４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン                            ３００部
上記成分を混合し、サンドミル分散機を用いて分散し、電荷発生層形成用塗布液を調製した。
【０１６２】
電荷輸送層の形成
前記電荷発生層の上に下記の電荷輸送層形成用塗布液を浸漬塗布法で塗布し、乾燥膜厚２４μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１６３】
電荷輸送層形成用塗布液の調製
電荷輸送物質（４−メトキシ−４′−（４−メチル−α−フェニルスチリル）トリフェニルアミン）                                                            ７５部
ポリカーボネート樹脂「ユーピロン−Ｚ３００」（三菱ガス化学社製）    １００部
酸化防止剤（ＢＨＴ−Ｆ：武田キリン社製）                                ２部
テトラヒドロフラン／トルエン（体積比７／３）                        ７５０部
上記成分を混合し、溶解して電荷輸送層塗布液を調製した。
【０１６４】
感光体２の作製
感光体１において、中間層の乾燥膜厚を１．０μｍにした以外は、感光体１と同じ方法で感光体を作製し感光体２とした。
【０１６５】
感光体３の作製
感光体１において、中間層の乾燥膜厚を５．０μｍに変更した以外は、感光体１と同じ方法で感光体を作製し感光体３とした。
【０１６６】
感光体４の作製
感光体１において、中間層の乾燥膜厚を８．０μｍに変更した以外は、感光体１と同じ方法で感光体を作製し感光体４とした。
【０１６７】
感光体５の作製
感光体１において、中間層の乾燥膜厚を１０．０μｍに変更した以外は、感光体１と同じ方法で感光体を作製し感光体５とした。
【０１６８】
感光体６の作製
感光体３において、バイトの取り付け角度と押し込み深さの調整を変更して、表１のように、Ｒｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋを変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し感光体６とした。
【０１６９】
感光体７の作製
感光体３において、バイトの取り付け角度と押し込み深さの調整を変更して、表１のように、Ｒｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋを変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し感光体７とした。
【０１７０】
感光体８の作製
感光体３において、砥粒としてダイヤモンド  ＃８０００（平均粒径１．２μｍ）を用いて、吹付圧力０．１５ＭＰａで行い、表１のようにＲｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋを変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し感光体８とした。
【０１７１】
感光体９の作製
感光体１のサンドブラストの代わりに、スーパーブラスト  ＤＳＣ−１（不二製作所）にて、ドライアイス粒子０．４ｍｍを用い、噴射圧力０．６ＭＰａにて行い、表１のようにＲｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋを変更した以外は、感光体１と同じ方法で感光体を作製し感光体９とした。
【０１７２】
感光体１０の作製
感光体９において、中間層の乾燥膜厚を５．０μｍに変更した以外は、感光体９と同じ方法で感光体を作製し感光体１０とした。
【０１７３】
感光体１１の作製
感光体９において、中間層の乾燥膜厚を１０．０μｍに変更した以外は、感光体９と同じ方法で感光体を作製し感光体１１とした。
【０１７４】
感光体１２の作製
感光体３において、中間層の酸化チタンの一次平均粒径を２５ｎｍのルチル形酸化チタンＡ２（表面処理はＡ１と同じ）に変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し感光体１２とした。
【０１７５】
感光体１３の作製
感光体３において、中間層の酸化チタンの一次平均粒径を３５ｎｍのルチル形酸化チタンＡ３（表面処理はＡ１と同じ）に変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し感光体１３とした。
【０１７６】
感光体１４の作製
感光体３において、中間層中のアナターゼ形酸化チタンＡ１をルチル形酸化チタンＡ４（一次平均粒径１５ｎｍ、メチルハイドロジェンシロキサン表面処理）に変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し感光体１４とした。
【０１７７】
感光体１５の作製
感光体３において、中間層中のアナターゼ形酸化チタンＡ１をブルッカイト形酸化チタンＡ５（一次平均粒径７５ｎｍ、メチルハイドロジェンシロキサン表面処理）に変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し感光体１５とした。
【０１７８】
感光体１６の作製
感光体３において、中間層中のアナターゼ形酸化チタンＡ１を酸化亜鉛Ｚ（一次粒径１５５ｎｍ、メチルハイドロジェンシロキサン表面処理）に変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し感光体１６とした。
【０１７９】
感光体１７の作製（比較）
感光体３において、切削条件を変えて、表１のように、Ｒａ、Ｒｚの値が変わらないようにＲｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋを変更した以外は、感光体１と同じ方法で感光体を作製し比較の感光体１７を作製した。
【０１８０】
感光体１８の作製（比較例）
感光体３において、感光体３で行った基体の処理の後で、更に、砥粒としてアルミナ＃８０００（平均粒径１．２μｍ）を用いて、吹付圧力０．１ＭＰａで処理を行い、表１のようにＲｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋを変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し比較の感光体１８を作製した。
【０１８１】
感光体１９の作製（比較例）
感光体３において、切削条件を変えた後で、スーパーブラストＤＳＣ−１（不二製作所）にて、ドライアイス粒子０．４ｍｍを用い、噴射圧力０．６０ＭＰａにて処理を行い、表１のようにＲｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋを変更した以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し比較の感光体１９を作製した。
【０１８２】
感光体２０の作製（比較例）
感光体３において、ブラスト処理を全く行わない以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し比較の感光体２０を作製した。
【０１８３】
感光体２１の作製（比較例）
感光体３において、中間層の乾燥膜厚を０．３μｍに変えた以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し比較の感光体２１を作製した。
【０１８４】
感光体２２の作製（比較例）
感光体３において、中間層の乾燥膜厚を１２．０μｍに変えた以外は、感光体３と同じ方法で感光体を作製し比較の感光体２２を作製した。
【０１８５】
評価
作製した各感光体１から２２を、市販のプリンター「ｂｉｚｈｕｂＣ３５０（コニカミノルタ社製）」に各々装着し、干渉縞、黒ポチに付き以下に示す評価方法で評価し、以下に示す評価ランクに基づき評価した結果を表１に示す。黒ポチはリーク特性の代用評価として行った。
【０１８６】
表中、Ａ１はアナターゼ形酸化チタン、Ａ２、Ａ３、Ａ４はルチル形酸化チタン、Ａ５はブルッカイト形酸化チタン、Ｚは酸化亜鉛を表す。
【０１８７】
尚、導電性支持体の粗さ曲線の突出山部高さＲｐｋ、突出谷部高さＲｖｋ、コア部のレベル差Ｒｋは、ＪＩＳ  Ｂ０６７１−２：２００２に準じて、又、算術平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚＪＩＳは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に準じて、表面粗さ計（東京精密社製  Ｓｕｒｆｃｏｍ  １４００Ｄ）を使用して測定した値である。
【０１８８】
又、突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）、算術平均粗さＲａ（μｍ）、十点平均粗さＲｚＪＩＳ（μｍ）の測定は、以下の測定条件で行った。
【０１８９】
測定条件
測定機：表面粗さ計（東京精密社製  Ｓｕｒｆｃｏｍ  １４００Ｄ）
測定長さＬ：４．０ｍｍ
カットオフ波長λｃ：０．０８ｍｍ
触針先端形状：先端角度６０°円錐
触針先端半径：０．５μｍ
測定速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ
測定倍率：１０００００倍
測定位置：上、中、下の３カ所、（円筒状支持体の場合は、軸心の中心と軸心と端部の中間点の３カ所）
上記３カ所のそれぞれの平均値を突出山部高さＲｐｋ（μｍ）、突出谷部高さＲｖｋ（μｍ）、コア部のレベル差Ｒｋ（μｍ）、算術平均粗さＲａ（μｍ）、十点平均粗さＲｚＪＩＳ（μｍ）の値とする。
【０１９０】
干渉縞の評価方法
感光体を低温低湿（ＬＬ：１０℃２０％ＲＨ）で２４時間放置した後、市販のプリンター「ｂｉｚｈｕｂＣ３５０（コニカミノルタ社製）」に装着し、下記の条件で露光した後、非磁性一成分現像剤（重量平均粒径６．３μｍ、０．３μｍの疎水性酸化チタンと１５ｎｍの疎水性シリカの外添剤を含有する非磁性一成分現像剤）を用いた反転現像を行い、画素率が７％の文字画像、ハーフトーン画像、ベタ白画像、ベタ黒画像がそれぞれ１／４等分にある画像サンプルを計２万枚印刷し、スタート時及び５０００枚毎に目視にて評価した。
【０１９１】
露光条件
露光部電位目標：−５０Ｖ未満にする露光量に設定。
【０１９２】
露光光源：ドット密度６００ｄｐｉ（ｄｐｉとは２．５４ｃｍ当たりのドット数）の像露光を行った。レーザーは７８０ｎｍの半導体レーザーを使用。
【０１９３】
干渉縞の評価ランク
ハーフトーン画像を出画して、干渉縞の発生レベルを目視で確認した。
【０１９４】
◎：全く問題なし
○○：部分的にわずかに発生が見られるが、実用上全く問題ないレベル
○：部分的に発生が見られるが、実用上合格下限より少し優れていて、問題がないと見なすことの出来るレベル
×：部分的に明瞭に発生し、実用上問題となるレベル
××：全面に明瞭に発生し実用上問題となるレベル。
【０１９５】
黒ポチの評価方法
感光体を高温高湿（ＨＨ：３０℃８０％ＲＨ）条件で２４時間放置した後、市販のプリンター「ｂｉｚｈｕｂＣ３５０（コニカミノルタ社製）」に装着し、干渉縞の評価方法と同じ条件で露光・反転現像を行い、画素率が７％の文字画像、ハーフトーン画像、ベタ白画像、ベタ黒画像がそれぞれ１／４等分にある画像サンプルを計２万枚印刷し、スタート時及び５０００枚毎に目視にて評価した。
【０１９６】
黒ポチの評価ランク
周期性が感光体の周期と一致し、０．４ｍｍ以上の目視出来る黒ポチが、Ａ４サイズ当たり何個あるかで判定した。
【０１９７】
◎：０．４ｍｍ以上の画像欠陥の頻度：全ての印刷画像が３個／Ａ４以下（良好）
○○：０．４ｍｍ以上の画像欠陥の頻度：全ての印刷画像が４個／Ａ４以上６個／Ａ４以下（実用上問題なし）
○：０．４ｍｍ以上の画像欠陥の頻度：７個／Ａ４以上、１０個／Ａ４以下が１枚以上発生（実用上、合格下限より少し優れていて、問題がないと見なすことの出来るレベル）
×：０．４ｍｍ以上の画像欠陥の頻度：１１個／Ａ４以上、１４個／Ａ４以下が１枚以上発生（実用上問題あり）
××：０．４ｍｍ以上の画像欠陥の頻度：１５個／Ａ４以上が１枚以上発生（実用上問題外のレベル）
【０１９８】
【表１】
2010186123.tif 000003
【０１９９】
導電性支持体の粗さ曲線のＲｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋが、本願発明の範囲内にある感光体１〜１６は、各評価項目で良好な結果を得ているのに対し、比較例の導電性支持体の粗さ曲線のＲｐｋ、Ｒｖｋ、Ｒｋが、本願発明の範囲外である感光体１７〜２２は、何れかの評価項目で、実用性が十分でない評価を示していることが見いだされる。本願発明内にある感光体の実用性は、算術平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚＪＩＳの値と必ずしも相関していないことも示している。
【符号の説明】
【０２００】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｂｋ  感光体
１０１  導電性支持体
１０２  中間層
１０３  電荷発生層
１０４  電荷輸送層
１０５、１０５′、１０５″  感光層
１０６  電荷発生物質
１０７  電荷輸送物質
Ｓ  粗さ曲線
Ｔ  負荷曲線
Ｗ  カラー画像形成装置
【図１】
2010186123.tif 000004
【図２】
2010186123.tif 000005
【図３】
2010186123.tif 000006
【図４】
2010186123.tif 000007