(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な構成にも拘わらず、フレキシブル基板の湾曲に起因する装置の寿命を予測し得る画像表示装置の提供。【解決手段】ゲート信号線ＧＬに電流を流すゲート信号線用第１電流センサ回路ＧＩ１とゲート信号線用第２電流センサ回路ＧＩ２と、ゲート信号線ＧＬのゲート信号線用第１電流センサ回路ＧＩ１とゲート信号線用第２電流センサ回路ＧＩ２との間の電圧を測定するゲート信号線用第１電圧センサ回路ＧＶ１とゲート信号線用第２電圧センサ回路ＧＶ２とが形成され、ドレイン信号線ＤＬに電流を流すドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１とドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２と、ドレイン信号線ＤＬのドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１とドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２との間の電圧を測定するドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１とドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２とが形成されている。【選択図】図１
2010224092.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板を備え、前記フレキシブル基板の画像表示領域に、第１方向に伸長し前記第１方向に交差する第２方向に並設されるゲート信号線と、前記第２方向に伸長し前記第１方向に並設されるドレイン信号線とが形成され、
隣接する一対の前記ゲート信号線と隣接する一対の前記ドレイン信号線とで囲まれる領域に画素が形成される画像表示装置であって、
前記画像表示領域の外側の領域に、少なくとも一つの前記ゲート信号線に電流を流すゲート信号線用第１電流センサ回路とゲート信号線用第２電流センサ回路と、前記ゲート信号線の前記ゲート信号線用第１電流センサ回路と前記ゲート信号線用第２電流センサ回路との間の電圧を測定するゲート信号線用第１電圧センサ回路とゲート信号線用第２電圧センサ回路とが形成され、
前記画像表示領域の外側の領域に、少なくとも一つの前記ドレイン信号線に電流を流すドレイン信号線用第１電流センサ回路とドレイン信号線用第２電流センサ回路と、前記ドレイン信号線の前記ドレイン信号線用第１電流センサ回路と前記ドレイン信号線用第２電流センサ回路との間の電圧を測定するドレイン信号線用第１電圧センサ回路とドレイン信号線用第２電圧センサ回路とが形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記画像表示領域の外側の領域であって、前記ゲート信号線の少なくとも一端側にゲート信号制御回路が形成され、
このゲート信号制御回路が形成された側に配置されるゲート信号線用電流センサ回路およびゲート信号線用電圧回路は、前記画像表示領域に対して前記ゲート信号制御回路の外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記画像表示領域の外側の領域であって、前記ドレイン信号線の少なくとも一端側にドレイン信号制御回路が形成され、
このドレイン信号制御回路が形成された側に配置されるドレイン信号線用電流センサ回路およびドレイン信号線用電圧回路は、前記画像表示領域に対して前記ドレイン信号制御回路の外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記ゲート信号線用第１電圧センサ回路と前記ゲート信号線用第２電圧センサ回路によって計測される電圧値からゲート信号線の抵抗を算出し、
予め求めた前記画像表示装置の前記ゲート信号線の方向の湾曲の回数と前記ゲート信号線の抵抗との関係を参照することによって、画像表示装置の寿命を予測する請求項１に記載の画像表示装置の寿命予測方法。
【請求項５】
前記ドレイン信号線用第１電圧センサ回路と前記ドレイン信号線用第２電圧センサ回路によって計測される電圧値からドレイン信号線の抵抗を算出し、
予め求めた前記画像表示装置の前記ドレイン信号線の方向の湾曲の回数と前記ドレイン信号線の抵抗との関係を参照することによって、画像表示装置の寿命を予測する請求項１に記載の画像表示装置の寿命予測方法。
【請求項６】
ゲート信号線の抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてゲート信号線に供給する走査信号の電圧を増大させる制御回路を備えていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項７】
ドレイン信号線の抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてドレイン信号線に供給する映像信号の電圧を増大させる制御回路を備えていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項８】
フレキシブル基板を備え、前記フレキシブル基板の画像表示領域に、第１方向に伸長し前記第１方向に交差する第２方向に並設され走査信号が供給されるゲート信号線と、前記第２方向に伸長し前記第１方向に並設され映像信号が供給されるドレイン信号線とが形成され、
隣接する一対の前記ゲート信号線と隣接する一対の前記ドレイン信号線とで囲まれる領域に画素が形成され、
前記画像表示領域の外側の領域であって、少なくとも一つの前記ゲート信号線の一端側にゲート信号線用第１電圧センサ回路と他端側にゲート信号線用第２電圧センサ回路とが形成され、
前記画像表示領域の外側の領域であって、少なくとも一つの前記ドレイン信号線の一端側にドレイン信号線用第１電圧センサ回路と他端側にドレイン信号線用第２電圧センサ回路とが形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
前記画像表示領域の外側の領域であって、前記ゲート信号線の少なくとも一端側にゲート信号制御回路が形成され、
このゲート信号制御回路が形成された側に配置されるゲート信号線用電圧回路は、前記画像表示領域に対して前記ゲート信号制御回路の外側に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記画像表示領域の外側の領域であって、前記ドレイン信号線の少なくとも一端側にドレイン信号制御回路が形成され、
このドレイン信号制御回路が形成された側に配置されるドレイン信号線用電圧回路は、前記画像表示領域に対して前記ドレイン信号制御回路の外側に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
ゲート信号線に走査信号を供給する際に、前記ゲート信号線用第１電圧センサ回路と前記ゲート信号線用第２電圧センサ回路における前記走査信号の測定によって前記走査信号の遅延時間を計測し、
予め求めた前記画像表示装置の前記ゲート信号線の方向の湾曲の回数と前記ゲート信号線における前記走査信号の遅延時間との関係を参照することによって、画像表示装置の寿命を予測する請求項８に記載の画像表示装置の寿命予測方法。
【請求項１２】
ドレイン信号線に映像信号を供給する際に、前記ドレイン信号線用第１電圧センサ回路と前記ドレイン信号線用第２電圧センサ回路における前記映像信号の測定によって前記映像信号の遅延時間を計測し、
予め求めた前記画像表示装置の前記ドレイン信号線の方向の湾曲の回数と前記ドレイン信号線における前記映像信号の遅延時間との関係を参照することによって、画像表示装置の寿命を予測する請求項８に記載の画像表示装置の寿命予測方法。
【請求項１３】
ゲート信号線の抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてゲート信号線に供給する走査信号の電圧を増大させる制御回路を備えていることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
ドレイン信号線の抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてドレイン信号線に供給する映像信号の電圧を増大させる制御回路を備えていることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像表示装置およびその寿命予測方法に係り、特に、基板が樹脂等のフレキシブル基板によって構成されている画像表示装置（フレキシブルディスプレィ）およびその寿命予測方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば液晶表示装置等の画像表示装置は、画像表示領域となる基板の表面に、並設された複数のゲート信号線と並設された複数のドレイン信号線とが交差するようにして配置され、隣接する一対のゲート信号線と隣接する一対のドレイン信号線とで囲まれる領域を画素領域としている。
【０００３】
ゲート信号線は、走査信号の供給によって、当該ゲート信号線に沿って並設される複数の画素からなる画素群を選択し、ドレイン信号線は、前記画素群の選択のタイミングに合わせて、前記画素群のそれぞれの画素に映像信号を供給するようになっている。ここで、ゲート信号線、ドレイン信号線は、前記基板の表面に形成した金属膜を、フォトリソグラフィ技術による選択エッチングによってパターン化することによって構成されている。
【０００４】
また、近年、画像表示装置の基板を、従前のガラス基板に替えて、樹脂等のフレキシブル基板にする構成のものが知られるに至っている。フレキシブル基板を備える画像表示装置は、落下によって破損し難く、軽量であるとともに、画像表示領域を湾曲させて用いることができるメリットを有する。
【０００５】
なお、上述した従来技術の他に、本願発明に関する文献として、たとえば、下記に示すように、特許文献１、特許文献２がある。特許文献１は、有機ＥＬ表示装置において、その有機ＥＬ素子の抵抗経時変化を電流制御用薄膜トランジスタの抵抗成分によって補償させた旨の開示がある。特許文献２は、フラットケーブルの耐屈曲寿命を予測する方法に係り、複合体の抵抗値が初期値の１２０％に増加する屈曲回数を寿命とした旨の開示がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３１６２９号公報
【特許文献２】特開平８−１６６３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、フレキシブル基板を備える画像表示装置は、その駆動時に限らず、湾曲させる頻度が多く、これに伴って、ゲート信号線あるいはドレイン信号線に応力が頻繁に発生し、ゲート信号線あるいはドレイン信号線の劣化を免れ得ないものとなっている。
【０００８】
この場合、ゲート信号線あるいはドレイン信号線の劣化に原因する画像表示装置の寿命を予測できるようにすることは、当該画像表示装置の管理上極めて好ましいものになる。
【０００９】
また、ゲート信号線あるいはドレイン信号線の劣化によって、画質の劣化が生じる場合、これを補償する手段を備えることも極めて好ましいものになる。
【００１０】
本発明の目的は、簡単な構成にも拘わらず、フレキシブル基板の湾曲に起因する装置の寿命を予測し得る画像表示装置を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、簡単な構成にも拘わらず、フレキシブル基板の湾曲に起因する画質の劣化を補償し得る画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の画像表示装置は、少なくとも、ゲート信号線あるいはドレイン信号線の抵抗を計測できる回路、あるいは、ゲート信号線あるいはドレイン信号線に供給する信号の遅延時間を計測する手段を設けるように構成したものである。
【００１３】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１４】
（１）本発明の画像表示装置は、フレキシブル基板を備え、前記フレキシブル基板の画像表示領域に、第１方向に伸長し前記第１方向に交差する第２方向に並設されるゲート信号線と、前記第２方向に伸長し前記第１方向に並設されるドレイン信号線とが形成され、
隣接する一対の前記ゲート信号線と隣接する一対の前記ドレイン信号線とで囲まれる領域に画素が形成される画像表示装置であって、
前記画像表示領域の外側の領域に、少なくとも一つの前記ゲート信号線に電流を流すゲート信号線用第１電流センサ回路とゲート信号線用第２電流センサ回路と、前記ゲート信号線の前記ゲート信号線用第１電流センサ回路と前記ゲート信号線用第２電流センサ回路との間の電圧を測定するゲート信号線用第１電圧センサ回路とゲート信号線用第２電圧センサ回路とが形成され、
前記画像表示領域の外側の領域に、少なくとも一つの前記ドレイン信号線に電流を流すドレイン信号線用第１電流センサ回路とドレイン信号線用第２電流センサ回路と、前記ドレイン信号線の前記ドレイン信号線用第１電流センサ回路と前記ドレイン信号線用第２電流センサ回路との間の電圧を測定するドレイン信号線用第１電圧センサ回路とドレイン信号線用第２電圧センサ回路とが形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（２）本発明の画像表示装置は、（１）において、前記画像表示領域の外側の領域であって、前記ゲート信号線の少なくとも一端側にゲート信号制御回路が形成され、
このゲート信号制御回路が形成された側に配置されるゲート信号線用電流センサ回路およびゲート信号線用電圧回路は、前記画像表示領域に対して前記ゲート信号制御回路の外側に配置されていることを特徴とする。
【００１６】
（３）本発明の画像表示装置は、（１）において、前記画像表示領域の外側の領域であって、前記ドレイン信号線の少なくとも一端側にドレイン信号制御回路が形成され、
このドレイン信号制御回路が形成された側に配置されるドレイン信号線用電流センサ回路およびドレイン信号線用電圧回路は、前記画像表示領域に対して前記ドレイン信号制御回路の外側に配置されていることを特徴とする。
【００１７】
（４）本発明の画像表示装置の寿命予測方法は、（１）において、前記ゲート信号線用第１電圧センサ回路と前記ゲート信号線用第２電圧センサ回路によって計測される電圧値からゲート信号線の抵抗を算出し、
予め求めた前記画像表示装置の前記ゲート信号線の方向の湾曲の回数と前記ゲート信号線の抵抗との関係を参照することによって、画像表示装置の寿命を予測する。
【００１８】
（５）本発明の画像表示装置の寿命予測方法は、（１）において、前記ドレイン信号線用第１電圧センサ回路と前記ドレイン信号線用第２電圧センサ回路によって計測される電圧値からドレイン信号線の抵抗を算出し、
予め求めた前記画像表示装置の前記ドレイン信号線の方向の湾曲の回数と前記ドレイン信号線の抵抗との関係を参照することによって、画像表示装置の寿命を予測する。
【００１９】
（６）本発明の画像表示装置は、（１）において、ゲート信号線の抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてゲート信号線に供給する走査信号の電圧を増大させる制御回路を備えていることを特徴とする。
【００２０】
（７）本発明の画像表示装置は、（１）において、ドレイン信号線の抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてドレイン信号線に供給する映像信号の電圧を増大させる制御回路を備えていることを特徴とする。
【００２１】
（８）本発明の画像表示装置は、フレキシブル基板を備え、前記フレキシブル基板の画像表示領域に、第１方向に伸長し前記第１方向に交差する第２方向に並設され走査信号が供給されるゲート信号線と、前記第２方向に伸長し前記第１方向に並設され映像信号が供給されるドレイン信号線とが形成され、
隣接する一対の前記ゲート信号線と隣接する一対の前記ドレイン信号線とで囲まれる領域に画素が形成され、
前記画像表示領域の外側の領域であって、少なくとも一つの前記ゲート信号線の一端側にゲート信号線用第１電圧センサ回路と他端側にゲート信号線用第２電圧センサ回路とが形成され、
前記画像表示領域の外側の領域であって、少なくとも一つの前記ドレイン信号線の一端側にドレイン信号線用第１電圧センサ回路と他端側にドレイン信号線用第２電圧センサ回路とが形成されていることを特徴とする。
【００２２】
（９）本発明の画像表示装置は、（８）において、前記画像表示領域の外側の領域であって、前記ゲート信号線の少なくとも一端側にゲート信号制御回路が形成され、
このゲート信号制御回路が形成された側に配置されるゲート信号線用電圧回路は、前記画像表示領域に対して前記ゲート信号制御回路の外側に配置されていることを特徴とする。
【００２３】
（１０）本発明の画像表示装置は、（８）において、前記画像表示領域の外側の領域であって、前記ドレイン信号線の少なくとも一端側にドレイン信号制御回路が形成され、
このドレイン信号制御回路が形成された側に配置されるドレイン信号線用電圧回路は、前記画像表示領域に対して前記ドレイン信号制御回路の外側に配置されていることを特徴とする。
【００２４】
（１１）本発明の画像表示装置の寿命予測方法は、（８）において、ゲート信号線に走査信号を供給する際に、前記ゲート信号線用第１電圧センサ回路と前記ゲート信号線用第２電圧センサ回路における前記走査信号の測定によって前記走査信号の遅延時間を計測し、
予め求めた前記画像表示装置の前記ゲート信号線の方向の湾曲の回数と前記ゲート信号線における前記走査信号の遅延時間との関係を参照することによって、画像表示装置の寿命を予測する。
【００２５】
（１２）本発明の画像表示装置の寿命予測方法は、（８）において、ドレイン信号線に映像信号を供給する際に、前記ドレイン信号線用第１電圧センサ回路と前記ドレイン信号線用第２電圧センサ回路における前記映像信号の測定によって前記映像信号の遅延時間を計測し、
予め求めた前記画像表示装置の前記ドレイン信号線の方向の湾曲の回数と前記ドレイン信号線における前記映像信号の遅延時間との関係を参照することによって、画像表示装置の寿命を予測する。
【００２６】
（１３）本発明の画像表示装置は、（８）において、ゲート信号線の抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてゲート信号線に供給する走査信号の電圧を増大させる制御回路を備えていることを特徴とする。
【００２７】
（１４）本発明の画像表示装置は、（８）において、ドレイン信号線の抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてドレイン信号線に供給する映像信号の電圧を増大させる制御回路を備えていることを特徴とする。
【００２８】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２９】
以上のように構成した画像表示装置は、簡単な構成にも拘わらず、フレキシブル基板の湾曲に起因する装置の寿命を予測することができるようになる。
【００３０】
また、簡単な構成にも拘わらず、フレキシブル基板の湾曲に起因する画質の劣化を補償することができるようになる。
【００３１】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の画像表示装置の一実施例を示す要部構成図である。
【図２】本発明の画像表示装置の寿命測定方法の一実施例を示す説明図である。
【図３】本発明の画像表示装置の寿命測定方法の他の実施例を示す説明図である。
【図４】本発明の画像表示装置の画素の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の画像表示装置のドレイン信号線およびゲート信号線の一実施例を示す斜視図である。
【図６】本発明画像表示装置のパネルの全体を示す平面図である。
【図７】本発明が適用される携帯電話を示す斜視図である。
【図８】本発明が適用さるポータブルゲーム機を示す斜視図である。
【図９】本発明が適用される電子書籍を示す斜視図である。
【図１０】本発明が適用される電子ゴーグルを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【実施例１】
【００３４】
図１は、本発明の画像表示装置の実施例１を示す回路図である。図１はたとえば液晶表示パネルの回路図を示している。図１は、回路図であるが、液晶表示パネルを平面的に観た場合において幾何学的に対応させて描いた図となっている。
【００３５】
平面的に観た液晶表示パネルＰＮＬは、図中点線枠で示した画像表示部ＡＲと、この画像表示部ＡＲの周辺に設けられる周辺回路部ＣＣＴを備えている。なお、液晶表示パネルＰＮＬは、液晶を挟持して対向配置される一対のたとえば樹脂等からなるフレキシブル基板を外囲器とし、前記画像表示部ＡＲ、周辺回路部ＣＣＴは前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の液晶側の面に形成されている。
【００３６】
画像表示部ＡＲには、図中ｙ方向に伸長し図中ｘ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、図中ｘ方向に伸長し図中ｙ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域は、画素ＰＩＸを形成する領域となっている。これにより、前記画素ＰＩＸは画像表示領域ＡＲにおいてマトリックス状に配列されることになる。画素ＰＩＸは、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される電極（画素電極：図４にて符号ＰＸで示す）と、この電極との間に電界を生じさせる他方の電極（対向電極：図４にて符号ＣＴで示す）とが形成されている。対向電極はコモン信号線ＣＬを通して前記映像信号に対して基準となる基準信号が供給されるようになっている。画素電極と対向電極との間に発生する電界は当該画素の液晶の分子を駆動させるようになっている。また、該ＰＩＸには、容量素子ＣＰが前記画素電極と容量信号線ＣＰＬとの間に形成され、前記画素電極に供給された映像信号を比較的長く蓄積させるようになっている。
【００３７】
周辺回路部ＣＣＴには、図示していないが、ゲート信号線ＧＬのそれぞれに前記走査信号を供給するための走査信号駆動回路（図６にて符号Ｖで示す）、およびドレイン信号線ＤＬのそれぞれに前記映像信号を供給するための映像信号駆動回路（図６にて符号Ｈｅで示す）が形成されている。走査信号が供給されたゲート信号線ＧＬに接続される画素群（図中ｙ方向に並設される複数の画素からなる画素群）が選択され、この選択のタイミングに合わせて、ドレイン信号線ＤＬのそれぞれに映像信号を供給することによって、前記画素群の各画素をそれぞれ独立に駆動させ、画像表示領域ＡＲに画像を表示することができるようになっている。また、周辺回路部ＣＣＴには、前記ゲート信号線ＧＬの一方の側（図中上側）において、ゲート信号線用第１電流センサ回路ＧＩ１、およびゲート信号線用第１電圧センサ回路ＧＶ１が接続され、他方の側（図中下側）において、ゲート信号線用第２電流センサ回路ＧＩ２、およびゲート信号線用第２電圧センサ回路ＧＶ２が接続されている。これらゲート信号線用第１電流センサ回路ＧＩ１、ゲート信号線用第１電圧センサ回路ＧＶ１、ゲート信号線用第２電流センサ回路ＧＩ２、ゲート信号線用第２電圧センサ回路ＧＶ２は、図１では、一つのゲート信号線ＧＬに対して設けているように示しているが、たとえば、それぞれのゲート信号線ＧＬに対して設けられたものとなっている。同様に、周辺回路部ＣＣＴには、前記ドレイン信号線ＤＬの一方の側（図中左側）において、ドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１、およびドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１が接続され、他方の側（図中右側）において、ドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２、およびドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２が接続されている。これらドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１、ドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１、ドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２、ドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２は、図１では、一つのゲート信号線ＧＬに対して設けるように示しているが、たとえば、それぞれのゲート信号線ＧＬに対して設けられたものとなっている。
【００３８】
図２は、それぞれのドレイン信号線ＤＬにおけるドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１、ドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１、ドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２、ドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２を用い、前記ドレイン信号線ＤＬのたとえば寿命を予測する方法（４端子測定方法）を示した説明図である。
【００３９】
なお、図２は、ドレイン信号線ＤＬについて説明するが、ゲート信号線ＧＬにおいても同様の方法が採用される。ただし、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬでは、劣化要因が若干異なり、寿命を推定する際の相関関係が互いに異なる場合がある。これについては後述する。
【００４０】
まず、図２（ａ）に示すように、ドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１とドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２との間に所定の電流を流し、ドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１とドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２との間の電圧を測定する。これにより、ドレイン信号線ＤＬの画像表示領域ＡＲ内に走行する部分を含めた全体の抵抗値を演算する。このような演算は、当該ドレイン信号線ＤＬに連なるコンタクト抵抗、周辺回路のインピーダンス、寄生容量等のような外部からの様々な影響を完全にキャンセルでき、正確な抵抗値を測定することができる。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示すグラフを用いて寿命の予測を行う。図２（ｂ）に示すグラフは、横軸にドレイン信号線ＤＬの湾曲回数Ｎ（対数）を、縦軸にドレイン信号線ＤＬの抵抗Ｒをとり、次式（１）で示される直線が描かれている。
【００４２】
Ｒ  ＝  Ｒ０＋ｋ・ＬｏｇＮ    ……  （１）
ここで、Ｒ０は、ドレイン信号線ＤＬの抵抗率初期値、ｋは、湾曲の曲率、使用温度、パネルの大きさ、材料等に依存するパラメータで、設計段階から装置仕様に合わせて定められる値である。
【００４３】
フレキシブルディスプレィは、フレキシブルな基板上にドレイン信号線ＤＬを含む回路が形成され、パネルを湾曲する回数とともにドレイン信号線ＤＬの抵抗が増大することが確認されており、その抵抗増大の進行は初期の段階であれば上式（１）が成立する。このため式（１）に従い、ドレイン信号線ＤＬの抵抗Ｒの変化を外挿し、ドレイン信号線ＤＬの劣化として許容される臨界抵抗Ｒｃに達するまでの予測寿命Ｎｃが求められる。このＮｃは湾曲回数の上限値としてそのまま用いてもよい。また、時間あたりの平均湾曲回数を基にして使用時間の上限値に換算して用いてもよく、この場合の換算値は装置の予測寿命となる。
【００４４】
さらに、ドレイン信号線ＤＬの寿命を予測するだけでなく、たとえばドレイン信号線ＤＬの抵抗増大による画像表示の劣化の情報をフィードバックさせ、これにより画像表示の劣化を予防することができる。すなわち、上式（１）から抵抗増大値ΔＲ（＝Ｒ−Ｒ０）を算出し、この抵抗増大値ΔＲに駆動時の電流を乗じることで駆動電圧の劣化分の電圧値ΔＶを演算できる。この電圧値ΔＶを駆動電源回路にフィードバックさせ、駆動電圧を電圧値ΔＶ分だけ増加させることによって劣化に伴う電源電圧低下を補償でき、画像表示の劣化を予防できる。この場合、上述のような動作は、液晶表示装置の周辺回路部に備えられる制御装置によって行うようになっている。また、このような動作は、ドレイン信号線においてのみでなく、ゲート信号線においても同様に行うことができる。すなわち、ゲート信号線ＧＬの抵抗増大分を計測し、前記抵抗増大分に応じてゲート信号線ＧＬに供給する走査信号の電圧を増大させる。このようにした場合、走査信号に生じる波形なまりを電圧の増大によって防止することができるようになる。
【００４５】
図３は、それぞれのドレイン信号線ＤＬにおけるドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１、ドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２を用い（ドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１、ドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２は用いない）、前記ドレイン信号線ＤＬのたとえば劣化を測定する方法（タイミング測定方法）を示した説明図である。
【００４６】
この方法は、ドレイン信号線ＤＬに流れる映像信号を利用することによって測定するようになっている。このため、図２に示した方法のように、測定のために積極的に電流を流すことはせず、したがってドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１、ドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２を必要としない構成となっている。図３（ａ）では、ドレイン信号線ＤＬの両端のそれぞれにドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１およびドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２が電気的に接続されていることを示している。
【００４７】
液晶表示装置の駆動において、ドレイン信号線ＤＬは各画素に映像信号を供給するようになっており、該映像信号は、デジタル、アナログ方式を問わず、最高電圧と最低電圧の間の値を周期的に切り替えながら入力されるようになっている。この場合、ある電圧が別の電圧に切り替わる際には電流が流れることになり、この電流はドレイン信号線ＤＬの劣化によってスピードに遅れが生じることになる。したがって、ドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１、ドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２を用いて、それぞれ独立に電圧の時間変化を測定し、これら両者の電圧変化の差異によってドレイン信号線ＤＬの劣化を測定することができることになる。
【００４８】
入力信号の切り替えに伴う電圧変動が一つの山状の波形の信号とすると、図３（ｂ）に示すように、信号の入力側の電圧センサ回路ＤＶ１では点線で示す初期信号を測定でき、他方の電圧センサ回路ＤＶ２では実線で示す劣化信号を測定できる。初期信号に対して劣化信号は、波形が鈍り、ピークがΔＴ分遅れて測定されるようになる。初期信号に対する劣化信号のピークずれは、電圧センサ回路ＤＶ１と電圧センサ回路ＤＶ２との間のドレイン信号線ＤＬの配線インピーダンスの増加によって生じるためである。そして、この遅延時間ΔＴはドレイン信号線ＤＬの劣化度合いと比例関係にある。
【００４９】
このため、液晶表示装置を駆動する上で許容される最大遅延時間を寿命期間とすれば、遅延時間ΔＴは装置使用とともに寿命期間に近接し、残りの許容時間から寿命が推定できることになる。
【００５０】
ここで、上述の説明において、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬは、それぞれ、劣化要因が若干異なることを明らかにしたが、その理由と使い分けを以下に説明する。
【００５１】
まず、画像表示領域ＡＲにおける画素の構造の断面図を図４に示す。前記画素は、フレキシブル基板ＦＳＢ１の上面に粘着剤ＡＤを介して接着された薄型ガラス基板ＧＳＢの上面に形成されている。前記画素の形成は比較的高温を要することから厚さの比較的大きなガラス基板の上面において行い、その後、前記ガラス基板の裏面をエッチングすることによって薄くし（前記薄型ガラス基板ＧＳＢに相当する）、前記粘着剤ＡＤによって前記フレキシブル基板ＦＳＢ１に接着させるようになっている。前記薄型ガラス基板ＧＳＢはフレキシブル基板ＦＳＢ１を透過してくる湿気あるいは汚染物質を画素側に浸透するのを防止する機能をも有する。
【００５２】
薄膜ガラス基板ＧＳＢの上面には、まず、薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。この薄膜トランジスタＴＦＴは、島状に形成されたたとえばＳｉからなる半導体層ＳＥＣと、この半導体層ＳＥＣの一端部に形成されたドレイン信号線ＤＬの一部となるドレイン電極ＤＴと、他端部に形成されたソース電極ＳＴと、半導体層ＳＥＣ、ドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＤＴ、およびソース電極ＳＴを被って形成された絶縁膜ＧＩと、この絶縁膜ＧＩ上において前記半導体層ＳＥの中央部を跨ぐようにして形成されたゲート信号線ＧＬの一部となるゲート電極ＧＴとから構成されている。このように構成された薄膜トランジスタＴＦＴを被うようにして保護膜ＰＡＳが形成され、この保護膜ＰＡＳの上面にはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは画素領域のほぼ全域に形成された面状電極として構成されている。さらに、この対向電極ＣＴをも被って層間絶縁膜ＩＮが形成され、この層間絶縁膜ＩＮの上面にはたとえばＩＴＯからなる画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは複数の並設された線状電極からなり、それら一端は互いに接続された接続部を有し、この接続部は予め前記層間絶縁膜ＩＮ、保護膜ＰＡＳ、および絶縁膜ＧＩに形成したスルーホールＴＨを通して前記ソース電極ＳＴに電気的に接続されている。このような画素を備える液晶表示装置はＩＰＳ（In Plane Switching）方式、あるいは横電方式と称されるものであるが、本発明はたとえばＴＮ（Twisted Nematic）等のいわゆる縦電界方式にも適用できる。また、図４に示した画素は、いわゆるトップゲート型と称され、半導体層ＳＥＣに対しゲート電極ＧＴが上層にある薄膜トランジスタＴＦＴを備えるものとなっている。しかし、これに限定されることはなく、いわゆるボトムゲート型と称され、半導体層ＳＥＣに対しゲート電極ＧＴが下層にある薄膜トランジスタＴＦＴを備えるものであってもよい。
【００５３】
図５（ａ）は、ドレイン信号線ＤＬを示した斜視図である。このドレイン信号線ＤＬは、ドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１、ドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１が接続される部分とドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２、ドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２が接続される部分との間の画像表示領域ＡＲにおいて、当該ドレイン信号線ＤＬに沿って並設される画素領域ごとに薄膜トランジスタＴＦＴの薄膜トランジスタＴＦＴが接続された構成となっている。
【００５４】
ドレイン信号線ＤＬは薄型ガラス基板ＧＳＢの平坦な表面に形成され、所定間隔ごとに半導体層ＳＥＣとの接続部を有する。半導体層ＳＥＣはたとえばアルミニウムなどで形成されたドレイン信号線ＤＬに比べ大きな抵抗を持つため、４端子抵抗測定法の場合はこれら半導体層ＳＥＣの存在は無視できるようになる。ここで、液晶表示装置全体を湾曲させた場合、薄型ガラス基板ＧＳＢと絶縁膜ＧＩとの間に挟持されたドレイン信号線ＤＬには内部応力が発生する。その内部応力は湾曲の曲率、温度などの使用環境に依存する。内部応力が加わると、ドレイン信号線ＤＬには微小欠陥発生やエレクトロマイグレーションなどを原因として抵抗増大が起こる。一方、薄膜トランジスタＴＦＴがオン状態の場合、半導体層ＳＥＣのチャネル部分の抵抗が減少し、ソース電極ＳＴを通じて先に接続されている画素電極ＰＸの対向電極ＣＴに対する容量成分がドレイン信号線ＤＬのインピーダンスを増大させることになる。このインピーダンス増加は上述のタイミング測定法に対し遅延時間ΔＴを増加させることになる。この場合、ドレイン信号線ＤＬに供給される映像信号は頻繁に切り替わり、それぞれについてオン状態の薄膜トランジスタＴＦＴの数を把握するのは現実的でなく、実質的にはドレイン信号線ＤＬのインピーダンスを時間的に積算して、その平均値から寿命を計測することとなる。このため、ドレイン信号線ＤＬに対してタイミング測定法を用いた寿命測定等は簡易にできるという効果を奏する。
【００５５】
図５（ｂ）は、ゲート信号線ＧＬＬを示した斜視図である。このゲート信号線ＧＬは、ゲート信号線用第１電流センサ回路ＧＩ１、ゲート信号線用第１電圧センサ回路ＧＶ１が接続される部分とゲート信号線用第２電流センサ回路ＧＩ２、ゲート信号線用第２電圧センサ回路ＧＶ２が接続される部分との間の画像表示領域ＡＲにおいて走行していることを示している。図５（ｂ）では、ゲート信号線ＧＬは、図５（ａ）に示すドレイン信号線ＤＬ上に絶縁膜ＧＩを介在させ前記ドレイン信号線ＤＬと交差する方向に走行していることを示している。
【００５６】
ゲート信号線ＧＬは、絶縁膜ＧＩの上面に形成され、絶縁膜ＧＩはその下層の薄膜トランジスタＴＦＴあるいはドレイン信号線ＤＬのパターンによる凹凸を反映し表面に起伏が存在しているため、ゲート信号線ＧＬもそれに対応した段差をもつようになる。液晶表示装置全体を湾曲させた場合、絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳに挟持されたゲート信号線ＧＬにも内部応力が発生するが、ドレイン信号線ＤＬの場合と異なり、平坦部分の応力に加えて、段差部分で複雑な分布の応力をもつようになる。段差部分の応力はゲート信号線ＧＬの屈曲部に亀裂を生じさせるよう作用しやすいため、湾曲に対する抵抗増大がより顕著になりやすい。このためドレイン信号線ＤＬとゲート信号線ＧＬでは湾曲に対する抵抗増大の度合（式（１）に示すｋ）が異なるため、それぞれのｋをあらかじめ測定した上で寿命センサに適用する必要がある。
【００５７】
図６は、液晶表示パネルＰＮＬの全体を示した平面図である。液晶表示パネルＰＮＬの僅かな周辺領域を除いた中央の領域を画像表示領域ＡＲとし、前記周辺領域を周辺回路領域ＣＣＴとしている。周辺回路領域ＣＣＴは、液晶を挟持する一対の基板ＦＳＢ１、ＦＳＢ２のうち上側の基板ＦＳＢ２（液晶に対して観察者側の基板）の液晶側の面において遮光膜（図示せず）が形成され、この領域はいわゆる額縁とも称されている。
【００５８】
液晶を挟持する一対の基板のうち下側の基板ＦＳＢ１（液晶に対して観察者と反対側の基板）の画像表示領域ＡＲには、図中ｙ方向に伸長され図中ｘ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。また、これらゲート信号線ＧＬの一方の側、および他方の側における周辺回路領域ＣＣＴにおいて、それぞれ、第１走査信号駆動回路Ｖ１、および第２走査信号駆動回路Ｖ２が配置され、これら第１走査信号駆動回路Ｖ１、第２走査信号駆動回路Ｖ２によって前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれに走査信号を供給するようになっている。また、液晶を挟持する一対の基板のうち下側の基板の画像表示領域ＡＲには、図中ｘ方向に伸長され図中ｙ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。また、これらドレイン信号線ＤＬの一方の側、および他方の側における周辺回路領域ＣＣＴにおいて、それぞれ、第１映像信号駆動回路Ｈｅ１、および第２映像信号駆動回路Ｈｅ２が配置され、これら第１映像信号駆動回路Ｈｅ１、第２映像信号駆動回路Ｈｅ２によって前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれに映像信号を供給するようになっている。なお、図６において、前記ゲート信号線ＧＬは、画像表示領域ＡＲの中央、図中左側領域、および右側領域を除いた一部のゲート信号線ＧＬのみを示し、他の領域におけるゲート信号線ＧＬの描画を省略して示している。両端に、それぞれ、ゲート信号線用第１電流センサ回路ＧＩ１、ゲート信号線用第１電圧センサ回路ＧＶ１、およびゲート信号線用第２電流センサ回路ＧＩ２、ゲート信号線用第２電圧センサ回路ＧＶ２が接続されたゲート信号線ＧＬのみを示すことによって、ゲート信号線ＧＬの全てに、電流センサ回路ＧＩ１、ＧＩ２、電圧センサ回路ＧＶ１、ＧＶ２を設ける必要がないことを示している。同様に、前記ドレイン信号線ＤＬは、画像表示領域ＡＲの中央、図中上側領域、および下側領域を除いた一部のドレイン信号線ＤＬのみを示し、他の領域におけるドレイン信号線ＤＬの描画を省略して示している。両端に、それぞれ、ドレイン信号線用第１電流センサ回路ＤＩ１、ドレイン信号線用第１電圧センサ回路ＤＶ１、およびドレイン信号線用第２電流センサ回路ＤＩ２、ドレイン信号線用第２電圧センサ回路ＤＶ２が接続されたドレイン信号線ＤＬのみを示すことによって、ドレイン信号線ＤＬの全てに、電流センサ回路ＤＩ１、ＤＩ２、電圧センサ回路ＤＶ１、ＤＶ２を設ける必要がないことを示している。  また、この実施例の場合、配線の引き回し領域を確保するため、電流センサ回路ＧＩ１、ＧＩ２、電圧センサ回路ＧＶ１、ＧＶ２、および電流センサ回路ＤＩ１、ＤＩ２、電圧センサ回路ＤＶ１、ＤＶ２は、画像表示領域ＡＲに対したとえば第１走査信号駆動回路Ｖ１の外側に配置されている。
【００５９】
液晶表示パネルＰＮＬを湾曲する場合、通常、特定の一方向にそって湾曲し、それと垂直方向には湾曲しないのが一般的である。たとえば図中ｘ方向に湾曲させる場合、ドレイン信号線ＤＬにおいて湾曲による抵抗増大が起こり、それと垂直のゲート信号線ＧＬには変化が起こらない。また図中ｙに湾曲する際はこの逆となる。また液晶表示パネルＰＮＬの対角方向に湾曲する場合、湾曲の主軸とドレイン信号線ＤＬ、ゲート信号線ＧＬのそれぞれのなす角度に応じて抵抗増大が起こる。このことから、液晶表示パネルＰＮＬの寿命を予測するだけでなく、湾曲方向の情報を得ることもできるようになる。この情報は、例えば湾曲表示に適するように画像を一方向に伸縮させて表示させるなどの用途に適用することができる。
【００６０】
図７は、本発明の画像表示装置が適用される携帯電話を示し、前記画素表示装置としてたとえば液晶表示パネルＰＮＬが用いられ、その基板はフレキシブル基板となっている。
【００６１】
図８は、本発明の画像表示装置が適用されるポータブルゲーム機を示し、前記画素表示装置としてたとえば液晶表示パネルＰＮＬが用いられ、その基板はフレキシブル基板となっている。
【００６２】
図９は、本発明の画像表示装置が適用される電子書籍を示し、前記画素表示装置としてたとえば液晶表示パネルＰＮＬが用いられ、その基板はフレキシブル基板となっている。
【００６３】
図１０は、本発明の画像表示装置が適用される電子ゴーグルを示し、前記画素表示装置としてたとえば液晶表示パネルＰＮＬが用いられ、その基板はフレキシブル基板となっている。
【００６４】
上述した実施例では、画像表示装置として液晶表示装置を例に挙げて示したものである。しかし、これに限定されることはなく、たとえば有機ＥＬ表示装置等の他の画像表示装置であってもよい。このような画像装置においても、その基板としてフレキシブル基板が用いられる場合があり、画像表示領域において、並設される複数のゲート信号線と並設される複数のドレイン信号線とが交差するようにして形成され、隣接する一対の前記ゲート信号線と隣接する一対の前記ドレイン信号線とで囲まれる領域に画素が形成される点で液晶表示装置と同様であるからである。
【００６５】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＡＲ……画像表示部、ＣＣＴ……周辺回路部、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＰＩＸ……画素、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＣＬ……コモン信号線、ＣＰ……容量素子、ＣＰＬ……容量信号線、Ｖ……走査信号駆動回路、Ｈｅ……映像信号駆動回路、ＧＩ１……ゲート信号線用第１電流センサ回路、ＧＶ１……ゲート信号線用第１電圧センサ回路、ＧＩ２……ゲート信号線用第２電流センサ回路、ＧＶ２……ゲート信号線用第２電圧センサ回路、ＤＩ１……ドレイン信号線用第１電流センサ回路、ＤＶ１……ドレイン信号線用第１電圧センサ回路、ＤＩ２……ドレイン信号線用第２電流センサ回路、ＤＶ２……ドレイン信号線用第２電圧センサ回路、ＦＳＢ１……フレキシブル基板、ＡＤ……粘着剤、ＧＳＢ……薄膜ガラス基板、ＳＥＣ……半導体層、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＧＩ……絶縁膜（ゲート絶縁膜）、ＧＴ……ゲート電極、ＰＡＳ……保護膜、ＣＴ……対向電極、ＩＮ……層間絶縁膜、ＰＸ……画素電極、ＴＨ……スルーホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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