(57)【要約】【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層を薄層化すると誘電体層を構成する焼結体粒子の粒子径のばらつきの影響が大きくなるため、粗大になった焼結体粒子によって絶縁抵抗不良率が顕著に悪化する課題があった。【解決手段】誘電体層１の形成は、チタン酸バリウムの原料粉末と副成分の粉末とを混合した後、仮焼する工程を含み、混合前のチタン酸バリウムの原料粉末は、比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上であり、かつ仮焼における仮焼温度９００℃〜９５０℃より１５０℃高い温度にて熱処理して評価した比表面積が、この熱処理前の比表面積に対し０．５以上の比を有するものを用いる。これによって仮焼や焼成における焼結反応のバラツキを低減して焼結体粒子の粒成長を抑制でき誘電体層を薄膜化しても絶縁抵抗不良率を低減することができる。【選択図】図１
2010021382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
前記誘電体層の形成は、チタン酸バリウムの原料粉末と副成分の粉末とを混合した後、仮焼する工程を含むものであり、前記混合する前の前記チタン酸バリウムの原料粉末は、比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上であり、かつ前記仮焼の仮焼温度より１５０℃高い温度にて熱処理して評価した比表面積が前記熱処理前の比表面積に対し０．５以上の比を有するものを用いる積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記仮焼温度は、９００℃〜９５０℃である請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記チタン酸バリウムの原料粉末は、格子定数の比ｃ／ａが１．００８５〜１．０１０５である請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チタン酸バリウム粉末を用いて誘電体層を形成する積層セラミックコンデンサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、これらの機器で使用される積層セラミックコンデンサは、小型大容量化が要求されている。
【０００３】
これに対応するために、積層セラミックコンデンサは誘電体層の薄層化と多層化を図っている。
【０００４】
積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とを交互に積層したセラミック素体を備え、セラミック素体の両端面に露出した内部電極と導通するように外部電極が配設されている。
【０００５】
積層セラミックコンデンサの形成は、まず微粒子化した原料のチタン酸バリウム粉末に希土類元素等の副成分を添加した粉末を混合した後、仮焼、粉砕しセラミック粉砕粉を作製する。次にセラミック粉砕粉を含有するセラミックグリーンシートを形成し、誘電体層となるこのセラミックグリーンシートに内部電極層となる内部電極ペーストを印刷する。
【０００６】
さらに内部電極ペーストが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層し、焼成するものである。
【０００７】
特に、静電容量の温度特性がＢ特性の積層セラミックコンデンサは薄層化が顕著であり、誘電体層を１μｍ〜３μｍに薄層化することによって小形大容量化を図っている。
【０００８】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１に示すものが知られている。
【特許文献１】特開２００６−２９０６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、このような従来の積層セラミックコンデンサは、誘電体層を薄層化すると誘電体層を構成する焼結体粒子の粒子径のばらつきの影響が大きくなるため、粗大になった焼結体粒子によって絶縁抵抗不良率が顕著に悪化する課題があった。
【００１０】
本発明は、このような従来の課題を解決し、誘電体層を薄層化しても絶縁抵抗不良率を小さくできる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、チタン酸バリウムの原料粉末を熱処理して評価した比表面積の比を所定の範囲とすることにより、誘電体層の絶縁抵抗不良率を顕著に低減できる知見を見出し、この発明を完成するに至った。
【００１２】
本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層セラミックコンデンサの製造方法であって、前記誘電体層の形成は、チタン酸バリ
ウムの原料粉末と副成分の粉末とを混合した後、仮焼する工程を含むものであり、前記混合する前の前記チタン酸バリウムの原料粉末は、比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上であり、かつ前記仮焼の仮焼温度より１５０℃高い温度にて熱処理して評価した比表面積が前記熱処理前の比表面積に対し０．５以上の比を有するものを用いる積層セラミックコンデンサの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように本発明の積層セラミックコンデンサは、仮焼温度より１５０℃高い温度にて熱処理して評価したチタン酸バリウムの原料粉末の比表面積が、前記熱処理前の比表面積に対し０．５以上の比を有することによって、仮焼における過大な焼結反応のバラツキを低減でき、これによって焼結において焼結体粒子が粗大となってしまう粒子成長も抑制でき、誘電体層を薄膜化しても絶縁抵抗不良率を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施の形態）
本発明の実施の形態の積層セラミックコンデンサについて説明する。
【００１５】
図１は、積層セラミックコンデンサの一部断面斜視図である。
【００１６】
図１に示すように、積層セラミックコンデンサは誘電体層１と内部電極層２とが交互に積層された矩形状のセラミック素体３に外部電極４を設けたものである。
【００１７】
誘電体層１はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）を主成分とする誘電体磁器組成物の焼結体粒子から構成され、内部電極層２はニッケル等を主成分とする卑金属を含有している。
【００１８】
外部電極４は、セラミック素体３の両端面に露出した内部電極層２と導通してセラミック素体３の両端部に配設され、外部電極４はセラミック素体３の表面に設けた下地電極と、この下地電極の表面にめっき処理により形成された金属層を備えている。
【００１９】
誘電体層１は内部電極層２間に挟まれた厚みが３μｍ以下であることが好ましく、誘電体層１の薄層化によって大容量化ができる。また誘電体層１の厚みが０．８μｍ以上であることが好ましく、高い絶縁抵抗の誘電体層１が得られ絶縁抵抗不良率を低減することができる。
【００２０】
誘電体層１は焼結体粒子により構成され、焼結体粒子の平均粒子径は０．３０μｍ以下が好ましく、絶縁抵抗不良率を低減できる。また焼結体粒子の平均粒子径は０．１５μｍより大きいことが好ましく、高い誘電率を得ることができる。
【００２１】
また、誘電体層１は、副成分として希土類元素のＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙから選ばれる少なくとも１種類と、Ｍｎ及びＶから選ばれる少なくとも１種類と、Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種類と、Ｂａと、Ｍｇとを含有することが好ましい。
【００２２】
誘電体層１に含有される前記副成分は、チタン酸バリウム１００重量部に対する含有量を以下とすることが好ましい。
【００２３】
希土類元素のＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙから選ばれる少なくとも１種類の含有量は、選ばれた元素をその元素の酸化物（Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3）に換算して夫々０．０１重量部〜０．４重量部であり、これによって焼結体粒子がコアシェル構造を形成し静電容量の温度特性及びＤＣバイアス特性を向上することができる。
【００２４】
Ｍｎ及びＶから選ばれる少なくとも１種類の含有量は、選ばれた元素をその元素の酸化物（Ｍｎ2Ｏ4、Ｖ2Ｏ5）に換算して夫々０．００５重量部〜０．０２重量部であり、これによって誘電体層１の耐還元性を向上し信頼性を高めることができる。
【００２５】
Ｓｉ及びＡｌから選ばれる少なくとも１種類は、選ばれた元素をその元素の酸化物（ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3）に換算して夫々０．１重量部〜０．２重量部であり、これによって焼結体粒子の焼結反応性を向上することができる。
【００２６】
Ｂａは、Ｂａを炭酸塩（ＢａＣＯ3）に換算して１重量部〜３重量部であり、これによって焼結体粒子の焼結反応性を安定にすることができる。
【００２７】
Ｍｇは、Ｍｇを水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2）に換算して０．５重量部〜３重量部であり、これによって静電容量の温度特性を安定にすることができる。
【００２８】
内部電極層２は、厚みが１．０μｍ〜２．５μｍであることが好ましく、内部電極層２の実効面積を確保し静電容量を維持しながら、クラック等の構造欠陥の発生を低減でき絶縁抵抗不良率を小さくすることができる。
【００２９】
次に、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【００３０】
まず、誘電体層１の形成に用いるチタン酸バリウム粉末の原料粉末を用意する。
【００３１】
このチタン酸バリウム粉末の原料粉末は、熱処理して評価する前の比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上を有するものであり、３．５ｍ2／ｇより小さくなると焼結体粒子が大きくなり誘電体層１を３μｍ以下に薄層化すると誘電体層１の厚み方向の焼結体粒子数が少なくなるため絶縁抵抗不良率が著しく悪化する。
【００３２】
また、チタン酸バリウムの原料粉末は、熱処理して評価する前の比表面積が５．０ｍ2／ｇ以下であることが好ましく、５．０ｍ2／ｇより大きくなると誘電体層１の誘電率が小さくなり静電容量の確保が困難になる。
【００３３】
また、チタン酸バリウムの原料粉末は、原料粉末を仮焼の仮焼温度より１５０℃高い温度にて熱処理して評価した比表面積が、この熱処理して評価する前の原料粉末の比表面積に対し０．５以上の比とするものである。仮焼温度より１５０℃高い温度で熱処理して評価した比表面積の比が熱処理前の比表面積に対し０．５より小さいと、仮焼や焼成において焼結反応のバラツキが大きく焼結体粒子の粒成長が過大となり誘電体層１を薄膜化した場合に絶縁抵抗不良率が急激に増加する。
【００３４】
さらに、チタン酸バリウムの原料粉末は、原料粉末を仮焼温度より１５０℃高い温度にて熱処理して評価した比表面積が、この熱処理前の比表面積に対し０．８以下の比となることが好ましく、０．８を超えるとセラミック素体の焼結強度が低下し絶縁抵抗不良率が悪化する。
【００３５】
ここで、仮焼温度は後述する仮焼の温度プロファイルにおける最高温度を示すものである。
【００３６】
また、チタン酸バリウムの原料粉末の比表面積を評価する熱処理は空気中で行い、熱処理の温度プロファイルは、仮焼と同じ昇温速度で昇温させた後、所定の熱処理温度に到達した時点で保持し、さらに熱処理温度から仮焼と同じ降温速度で降温させるものであり、
また所定の熱処理温度における保持時間は、仮焼の工程の仮焼温度における保持時間と同じとするものである。
【００３７】
比表面積は、窒素吸着によるＢＥＴ法により測定したものであり、その測定方法は、ＢＥＴ比表面積測定装置（マウンテック製、Ｍａｃｓｏｒｂ、ＨＭ−１２０８）を用い、測定する粉末１．０ｇを用意し３００℃で３０分間保持して吸着物質を除去する熱処理を行った後、窒素ガスを流入させて測定を行ったものである。
【００３８】
また、チタン酸バリウムの原料粉末は、結晶格子軸のａ軸とｃ軸の格子定数の比ｃ／ａが１．００８５〜１．０１０５であることが好ましく、格子定数の比ｃ／ａが１．００８５より小さくなると誘電率が小さくなり静電容量を確保することができなく、格子定数の比ｃ／ａが１．０１０５より大きくなると原料粉末の粒子径が大きくなり絶縁抵抗不良率が著しく悪化する。
【００３９】
さらに、チタン酸バリウムの原料粉末は、ＢａとＴｉのモル比であるＢａ／Ｔｉ比が０．９９５〜１．０１０が好ましく、Ｂａ／Ｔｉ比が０．９９５より小さくなると静電容量の正接が高くなり、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０１０より大きくなると誘電率が小さくなり静電容量を確保することができない。
【００４０】
次に、このチタン酸バリウムの原料粉末と副成分の粉末とを混合し、乾燥させセラミック混合粉を作製する。
【００４１】
副成分の粉末は、希土類元素の酸化物Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、Ｍｎ2Ｏ4、Ｖ2Ｏ5から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3から選ばれる少なくとも１種類の酸化物と、ＢａＣＯ3とＭｇ（ＯＨ）2とであり、夫々の粉末の比表面積は５．０ｍ2／ｇ〜１２０．０ｍ2／ｇを有していることが好ましい。
【００４２】
混合は、湿式の媒体撹拌ミルを用い、チタン酸バリウムの原料粉末と副成分の粉末を媒体のジルコニアボール、純水とともに混合する。ジルコニアボールは、直径が０．０１ｍｍ〜２．０ｍｍのものを用いることが好ましく効率良く混合することができる。
【００４３】
混合は、副成分を均一に分散させ、チタン酸バリウムの原料粉末の２次粒子の凝集体の一部を解砕させるために行い、乾燥させた後のセラミック混合粉の比表面積が４．５ｍ2／ｇ〜７．０ｍ2／ｇになるように調整して混合を行う。
【００４４】
また、ジルコニアボール、純水にボールミルを加え混合してもよい。
【００４５】
続いて、セラミック混合粉を仮焼する。
【００４６】
仮焼は空気中で行い、仮焼の温度プロファイルは、５００℃以上において昇温速度１℃／分〜１５℃／分で昇温させ、最高温度の仮焼温度に到達した後、仮焼温度にて２時間保持し、その後５００℃以上において降温速度１℃／分〜１５℃／分で降温するものである。
【００４７】
仮焼温度は９００℃〜９５０℃が好ましく、混合した後の仮焼におけるチタン酸バリウムの原料粉末の焼結反応性について混合の工程を行う前に精度良く判別することができ、仮焼における過大な焼結反応のバラツキを低減できる顕著な作用効果を有し、これによって焼結において焼結体粒子の粗大となってしまう粒成長も抑制でき絶縁抵抗不良率を低減することができる。
【００４８】
続いて、湿式の媒体撹拌ミルを用いて仮焼後の粉末を粉砕した後、乾燥してセラミック粉砕粉を作製する。
【００４９】
粉砕は、仮焼後の粉末とジルコニアボールと純水とを容器に投入して行われ、媒体のジルコニアボールは直径が０．０１ｍｍ〜２．０ｍｍのものを用いることが好ましく、セラミック粉砕粉の比表面積が４．５ｍ2／ｇ〜６．５ｍ2／ｇになるように調整して粉砕を行う。
【００５０】
次に、セラミック粉砕粉とバインダー、可塑剤、溶剤とを混合してセラミック粉砕粉が分散されたセラミックスラリーを作製し、このセラミックスラリーをドクターブレード等の方法を用いて基体上に塗布、乾燥して誘電体層１となるセラミックグリーンシートを形成し、さらにセラミックグリーンシート上に内部電極層２となる内部電極ペーストをグラビア印刷法、スクリーン印刷法等により印刷する。
【００５１】
内部電極ペーストは、Ｎｉ又はＮｉ合金等の卑金属の金属粉、バインダー、可塑剤、溶剤を混合したものであり、金属粉の平均粒子径は０．１μｍ〜０．３μｍが好ましく、また共材としてチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末を内部電極ペースト１００重量部に対し３０重量部を超えないように添加してもよい。
【００５２】
続いて、保護層となるセラミックグリーンシートからなる保護シート、次に内部電極ペーストが印刷されたセラミックグリーンシート、さらに保護シートを順次、複数枚重ねて、積層圧着し、内部電極ペーストがセラミックグリーンシートを挟んで対向して交互に積層された積層体を形成する。
【００５３】
さらに、積層体を切断し、個片に分離した後、還元雰囲気中で焼成温度まで昇温し焼成を行い、セラミック素体３を形成する。
【００５４】
焼成温度は、副成分の含有量が少ない場合は１１８０℃〜１３００℃が好ましく、誘電率が高く、静電容量の温度特性及びＤＣバイアス特性を良好にすることができる。
【００５５】
次に、セラミック素体３の両端に外部電極４を形成する。
【００５６】
外部電極４は、セラミック素体３に導電性ペーストを塗布、焼成し下地電極を形成後、下地電極上に湿式めっきにより金属層を形成し、積層セラミックコンデンサを作製する。
【００５７】
以上のように本発明の実施の形態の積層セラミックコンデンサの製造方法は、副成分の粉末と混合する前のチタン酸バリウムの原料粉末は、熱処理して評価する前の比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上であり、かつ仮焼温度より１５０℃高い温度にて熱処理して評価した比表面積がこの熱処理前の比表面積に対し０．５以上の比を有するものであり、これによって積層セラミックコンデンサの仮焼における過大な焼結反応のバラツキを低減でき、さらに焼結における焼結体粒子の粒子成長をも抑制でき誘電体層１を薄膜化しても絶縁抵抗不良率を低減することができる。
【実施例】
【００５８】
以下、具体的な実施例について説明する。
【００５９】
まず、（表１）に示す試料番号１〜１１のチタン酸バリウムの原料粉末を準備した。
【００６０】
【表１】
2010021382.tif 000003
【００６１】
（表１）は、チタン酸バリウムの原料粉末を熱処理して評価する前の各試料番号のチタン酸バリウムの原料粉末の比表面積、格子定数の比ｃ／ａ、平均粒子径を示している。
【００６２】
さらに、この各試料番号のチタン酸バリウムの原料粉末を各熱処理温度（９００℃、９５０℃、１０５０℃、１１００℃、１１５０℃）にて熱処理して評価した比表面積の前記熱処理前の比表面積に対する比を示したものである。
【００６３】
また、各試料番号のチタン酸バリウムの原料粉末のＢａ／Ｔｉ比は、０．９９６のものを用いた。
【００６４】
熱処理は空気中で行い、熱処理の温度プロファイルは、（表１）に示す熱処理温度まで昇温後、熱処理温度で２時間保持したものであり、昇温速度及び降温速度は夫々仮焼における昇温速度及び降温速度と同じであり５００℃以上の温度において一定の温度勾配５℃／分で行った。
【００６５】
次に、チタン酸バリウムの原料粉末に添加する副成分の粉末を下記の組成比となるように秤量した。
【００６６】
組成比は、各試料番号のチタン酸バリウムの原料粉末１００重量部に対し、Ｄｙ2Ｏ3とＨｏ2Ｏ3とＥｒ2Ｏ3を夫々０．０１重量部、Ｍｎ2Ｏ4とＶ2Ｏ5を夫々０．０１重量部、ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3を夫々０．１重量部、ＢａＣＯ3を１重量部、Ｍｇ（ＯＨ）2を０．５重量部とした。
【００６７】
次に、チタン酸バリウムの原料粉末と副成分の粉末を直径０．１ｍｍのジルコニアボールと純水と共に湿式の媒体撹拌ミルを用い混合した後、脱水乾燥しセラミック混合粉を作製した。このとき（表１）の各試料番号のチタン酸バリウムの原料粉末を用いたセラミック混合粉の比表面積が夫々５．５ｍ2／ｇとなるように混合を行った。
【００６８】
続いて、各試料番号のチタン酸バリウムのセラミック混合粉を抜き取り、仮焼条件１及び仮焼条件２の温度プロファイルを有する仮焼を空気中で行った。
【００６９】
仮焼条件１は、温度プロファイルが５００℃以上において昇温温度５℃／分で昇温させ
仮焼温度９００℃に達した後、９００℃で２時間保持し、さらに５００℃以上において降温速度５℃／分で降温したものである。
【００７０】
仮焼条件２は、仮焼条件１と仮焼温度が異なる以外は仮焼条件１と同じ昇温速度、降温速度を有する温度プロファイルであり、仮焼温度が９５０℃で２時間保持したものである。
【００７１】
次に、仮焼後の粉末を、直径０．５ｍｍのジルコニアボール、純水とともに容器に投入し湿式の媒体撹拌ミルを用いて粉砕した後、乾燥してセラミック粉砕粉を作製した。このとき各試料番号のチタン酸バリウムを用いた仮焼条件１及び仮焼条件２のセラミック粉砕粉の比表面積が夫々５．２ｍ2／ｇになるように粉砕を行った。
【００７２】
さらに、セラミック粉砕粉と、ポリビニルブチラール樹脂のバインダーと、フタル酸エステルの可塑剤と、ブタノールの溶剤とを混合しセラミックスラリーを作製し、ドクターブレード法を用いてセラミックスラリーをＰＥＴフィルム上に塗布、乾燥してセラミックグリーンシートを形成した。
【００７３】
次に、平均粒子径が０．２μｍのＮｉ粉と共材としてチタン酸バリウムの粉末とを含有した内部電極ペーストを、グラビア印刷を用いてセラミックグリーンシート上に形成した。
【００７４】
さらに、内部電極ペーストが印刷されたセラミックグリーンシートを１６０層、積層し圧着し、積層体を形成した。
【００７５】
続いて、積層体を切断し個片に分離した後、内部電極となるＮｉが過度に酸化されないように水素ガスと炭酸ガスの還元雰囲気中で１２００℃まで昇温を行い、焼成し焼結体を得た。
【００７６】
次に、焼結体を面取りして焼結体の両端面に内部電極を完全に露出させ、外径寸法が１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍであるセラミック素体を得た。
【００７７】
さらに、セラミック素体の両端面にＣｕを主成分とする粉末とガラスフリットとを含有する導電性ペーストを塗布した後、８００℃の窒素雰囲気中で焼付けを行って下地電極を形成した。
【００７８】
この下地電極の上にＮｉめっき、Ｓｎめっきの金属層を順次形成してセラミック素体の表面に外部電極を形成し、誘電体層の厚みが１．８μｍの積層セラミックコンデンサの試料を得た。
【００７９】
次に、積層セラミックコンデンサの各試料、１００個についての絶縁抵抗不良率と静電容量を（表２）、（表３）に示す。
【００８０】
【表２】
2010021382.tif 000004
【００８１】
【表３】
2010021382.tif 000005
【００８２】
（表２）の試料番号１ａ〜１１ａは、夫々（表１）の試料番号１〜１１のチタン酸バリウム粉末を用い仮焼温度が９００℃の仮焼条件１により仮焼を行った積層セラミックコンデンサであり、（表３）の試料番号１ｂ〜１１ｂは、夫々（表１）の試料番号１〜１１のチタン酸バリウム粉末を用い仮焼温度が９５０℃の仮焼条件２により仮焼を行った積層セラミックコンデンサである。
【００８３】
また、（表２）、（表３）に示すチタン酸バリウムの原料粉末の熱処理前の比表面積は、（表１）に示す試料番号１〜１１のチタン酸バリウムの原料粉末の対応する特性を転記したものであり、チタン酸バリウムの原料粉末を１０５０℃、１１００℃にて熱処理して評価した比表面積の熱処理前の比表面積に対する比は、同様に（表１）に示す試料番号１〜１１のチタン酸バリウムの原料粉末の対応する特性を転記したものであり、（表２）、（表３）に示す原料粉末の熱処理温度１０５０℃、１１００℃は、夫々仮焼条件１、仮焼条件２の仮焼温度より１５０℃高い温度を示している。
【００８４】
また、絶縁抵抗不良率は、絶縁抵抗値が１．０×１０7Ωより小さいものを不良とし、絶縁抵抗不良率が１０％を超えたものを本発明の実施の形態の範囲外とした。
【００８５】
静電容量は、２０℃の温度で、１Ｖｒｍｓの電圧を印加し１ｋＨｚで測定を行ったものの平均値であり、静電容量の目標値は１．００μＦとし、この目標値に対し±１０％を超える静電容量のものは本発明の実施の形態の範囲外とした。
【００８６】
（表２）に示すように、仮焼温度が９００℃の場合、試料番号６ａ、７ａについては、チタン酸バリウムの原料粉末を１０５０℃にて熱処理して評価した比表面積の比が、この熱処理前の比表面積に対し夫々０．４９、０．４９であり０．５より小さく、絶縁抵抗不良率が１０％より高くなっている。
【００８７】
これに対し、試料番号１ａ〜５ａ、８ａ〜１０ａは、チタン酸バリウムの原料粉末を１０５０℃にて熱処理して評価した比表面積の比が、熱処理前の比表面積に対し０．５以上であり、絶縁抵抗不良率が著しく改善できていることがわかる。
【００８８】
次に（表３）の仮焼温度が９５０℃の場合、試料番号５ｂ〜７ｂ、９ｂについては、チタン酸バリウムの原料粉末を１１００℃にて熱処理して評価した比表面積の比が、熱処理前の比表面積に対し夫々０．４４、０．４２、０．４４、０．４６となり０．５より小さく、絶縁抵抗不良率が１０％より悪化している。
【００８９】
また、（表２）の試料番号１１ａ、（表３）の試料番号１１ｂは、チタン酸バリウムの原料粉末が夫々１０５０℃、１１００℃にて熱処理して評価した比表面積の比が、熱処理前の比表面積に対し夫々０．７０、０．６７で０．５以上であるが、絶縁抵抗不良率が著しく悪化している。
【００９０】
これは、試料番号１１ａ、１１ｂは、チタン酸バリウムの原料粉末の熱処理前の比表面積が３．２ｍ2／ｇであり、熱処理前の比表面積が３．５ｍ2／ｇより小さいとチタン酸バリウムの原料粉末の粒子径が大きくなり、焼結体粒子径が粗大になるものが生じるためである。
【００９１】
次に、仮焼温度より１５０℃を超える温度にて熱処理して評価した比表面積の熱処理前の比表面積に対する比と、絶縁抵抗不良率との関係について述べる。
【００９２】
仮焼条件１の場合、例えば仮焼温度より２００℃高い温度は１１００℃となり、（表２）の試料番号５ａ、７ａについて見ると、この試料番号で用いたチタン酸バリウムの原料粉末は、１１００℃にて熱処理して評価した比表面積の比が、この熱処理前の比表面積に対し（表１）より夫々０．４４、０．４４と同じであるが、（表２）より試料番号５ａ、７ａの絶縁抵抗不良率は夫々９％、２４％となっている。
【００９３】
また仮焼条件２の場合は、仮焼温度より２００℃高い温度は１１５０℃となり、（表３）の試料番号３ｂ、６ｂについて見ると、この試料番号で用いたチタン酸バリウムの原料粉末は、１１５０℃にて熱処理して評価した比表面積の比が、熱処理前の比表面積に対し（表１）から夫々０．３９、０．３９であるが、（表３）から絶縁抵抗不良率が夫々３％、３８％となっている。
【００９４】
このように仮焼条件１、仮焼条件２の場合、仮焼温度より２００℃高い温度にて熱処理して評価した比表面積の熱処理前の比表面積に対する比によってチタン酸バリウムの原料粉末を判別して用いることにより、絶縁抵抗不良率を低減することが困難であることがわかる。
【００９５】
さらに、仮焼温度より１５０℃より低い温度にて熱処理して評価した比表面積の熱処理前の比表面積に対する比と絶縁抵抗不良率との関係については、仮焼条件１の場合、熱処理温度が９５０℃は仮焼温度９００℃より５０℃高い温度となり、例えば（表２）の試料番号４ａ、６ａについて見ると、この試料番号で用いたチタン酸バリウムの原料粉末は、（表１）に示すように熱処理温度が９５０℃の比表面積の比が夫々０．７１、０．７１に対し、（表２）に示す絶縁抵抗不良率は４％、２５％となっている。
【００９６】
また、仮焼条件２の場合は、熱処理温度が１０５０℃は仮焼温度９５０℃より１００℃高い温度となり、例えば（表３）の試料番号９ｂは、このチタン酸バリウムの原料粉末の１０５０℃熱処理温度の比表面積の比が０．５５であり比表面積の比が０．５０以上であるが、絶縁抵抗不良率が１８％となり絶縁抵抗不良率が高くなることになる。
【００９７】
このように仮焼条件１、仮焼条件２の場合、仮焼温度より１００℃以下の低い温度にて熱処理して評価した比表面積の比が、この熱処理前の比表面積に対し０．５以上を有するチタン酸バリウムの原料粉末を用いることにより、絶縁抵抗不良率を低減することが困難であることがわかる。
【００９８】
以上のように、副成分の粉末と混合する前のチタン酸バリウムの原料粉末は、比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上であり、仮焼における仮焼温度より１５０℃高い温度にて熱処理して評価した比表面積が、この熱処理前の比表面積に対し０．５以上の比を有するものを用いることにより、絶縁抵抗不良率を低減することができる。
【００９９】
また、静電容量については、（表２）の試料番号１ａ〜９ａ、（表３）の試料番号１ｂ〜９ｂは静電容量の目標値を満足しているが、（表２）の試料番号１０ａと（表３）の１０ｂは静電容量の目標値より小さくなっている。これはチタン酸バリウムの原料粉末の格子定数の比ｃ／ａが１．００８５より小さいと誘電率が小さくなるためである。
【０１００】
（表２）の試料番号１１ａ、（表３）の試料番号１１ｂについては、（表１）に示すようにチタン酸バリウムの原料粉末の格子定数の比ｃ／ａが１．０１０８であり格子定数の比が１．０１０５より大きいと、仮焼温度が高い仮焼条件２の試料番号１１ｂは、焼結体粒子径が大きくなり誘電率が大きくなるため（表３）に示す静電容量の目標値を超えて、目標値を満足しない場合が生じることがわかる。
【０１０１】
以上のように、チタン酸バリウムの原料粉末の格子定数の比ｃ／ａを１．００８５〜１．０１０５とすることにより、積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗不良率を低減し、かつ静電容量の目標値を満足させることができることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、誘電体層を薄層化し小形大容量化しても絶縁抵抗不良率を小さくできる効果を有し、チタン酸バリウム粉末を用いて誘電体層を形成する積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】積層セラミックコンデンサの一部断面斜視図
【符号の説明】
【０１０４】
１  誘電体層
２  内部電極層
３  セラミック素体
４  外部電極
【図１】
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