(57)【要約】【課題】有機発光ダイオードの劣化を補償できるようにした画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】データ信号に対応して発光又は非発光する有機発光ダイオードと、前記データ信号と関係なく非発光状態に設定されるダミー有機発光ダイオードと、走査線及びデータ線と接続され、走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第１トランジスタと、前記データ線に供給される前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、前記有機発光ダイオード及び前記ダミー有機発光ダイオードの間に接続され、前記有機発光ダイオードの劣化に対応して前記第２トランジスタのゲート電極の電圧を制御するための補償部と、を備える。【選択図】図２
2010186154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ信号に対応して発光又は非発光する有機発光ダイオードと、
前記データ信号と関係なく非発光状態に設定されるダミー有機発光ダイオードと、
走査線及びデータ線と接続され、走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第１トランジスタと、
前記データ線に供給される前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、
前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、
前記有機発光ダイオード及び前記ダミー有機発光ダイオードの間に接続され、前記有機発光ダイオードの劣化に対応して前記第２トランジスタのゲート電極の電圧を制御するための補償部と
を備えることを特徴とする画素。
【請求項２】
前記第２トランジスタと前記有機発光ダイオードとの間に接続され、少なくとも前記走査信号が供給される期間にターンオフされる第３トランジスタを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画素。
【請求項３】
前記第３トランジスタは、前記走査線と平行に形成される発光制御線と接続され、前記発光制御線に発光制御信号が供給される時にターンオフされ、その他の場合にターンオンされることを特徴とする請求項２に記載の画素。
【請求項４】
前記発光制御信号は、前記走査信号よりも広い幅で前記走査信号と重なるように供給されることを特徴とする請求項３に記載の画素。
【請求項５】
前記補償部は、
前記有機発光ダイオードと前記ダミー有機発光ダイオードとの間に接続される第４トランジスタ及び第５トランジスタと、
前記第４トランジスタ及び第５トランジスタの共通ノードと前記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタと
を備えることを特徴とする請求項２に記載の画素。
【請求項６】
前記第４トランジスタ及び第５トランジスタは、ターンオン時間が重ならないことを特徴とする請求項５に記載の画素。
【請求項７】
前記第４トランジスタは、前記有機発光ダイオードの閾値電圧が前記共通ノードに供給されるように、前記データ信号に対応する電圧が前記ストレージキャパシタに充電される期間にターンオンされ、その他の期間にターンオフされることを特徴とする請求項６に記載の画素。
【請求項８】
前記第５トランジスタは、前記第４トランジスタのターンオフ期間にターンオンされて、前記ダミー有機発光ダイオードの閾値電圧を前記共通ノードに供給することを特徴とする請求項７に記載の画素。
【請求項９】
走査線及びデータ線と接続されるように位置する画素と、
前記走査線に走査信号を順次供給するための走査駆動部と、
前記データ線にデータ信号を供給するためのデータ駆動部と
を備え、
前記画素のそれぞれは、
前記データ信号に対応して発光又は非発光する有機発光ダイオードと、
前記データ信号と関係なく非発光状態に設定されるダミー有機発光ダイオードと、
前記走査線及びデータ線と接続され、前記走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第１トランジスタと、
前記データ線に供給される前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、
前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、
前記有機発光ダイオード及び前記ダミー有機発光ダイオードの間に接続され、前記有機発光ダイオードの劣化に対応して前記第２トランジスタのゲート電極の電圧を制御するための補償部と
を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２トランジスタと前記有機発光ダイオードとの間に接続され、少なくとも前記走査信号が供給される期間にターンオフされる第３トランジスタを更に備えることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第３トランジスタは、前記走査線と平行に形成される発光制御線と接続され、前記発光制御線に発光制御信号が供給される時にターンオフされ、その他の場合にターンオンされることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記走査駆動部は、前記発光制御線に前記走査信号よりも広い幅を有する前記発光制御信号を供給することを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記補償部は、
前記有機発光ダイオードと前記ダミー有機発光ダイオードとの間に接続される第４トランジスタ及び第５トランジスタと、
前記第４トランジスタ及び第５トランジスタの共通ノードと前記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタと
を備えることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第４トランジスタ及び第５トランジスタはターンオン時間が重ならないことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記第４トランジスタは、前記有機発光ダイオードの閾値電圧が前記共通ノードに供給されるように、前記データ信号に対応する電圧が前記ストレージキャパシタに充電される期間にターンオンされ、その他の期間にターンオフされることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記第５トランジスタは、前記第４トランジスタのターンオフ期間にターンオンされて、前記ダミー有機発光ダイオードの閾値電圧を前記共通ノードに供給することを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置に関し、特に、有機発光ダイオードの劣化を補償できるようにした画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）の短所である重さと体積を減らすことができる各種平板表示装置が開発されている。平板表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）などが挙げられる。
【０００３】
平板表示装置のうち、有機電界発光表示装置は電子と正孔の再結合によって光を発生する有機発光ダイオードを用いて映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は、速い応答速度を有すると同時に、低い消費電力で駆動されるという長所がある。
【０００４】
図１は、従来の有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。
図１を参照すれば、従来の有機電界発光表示装置の画素４は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを制御するための画素回路２を備える。
【０００５】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路２に接続され、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路２から供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
【０００６】
画素回路２は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時に、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応して、有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御する。そのために、画素回路２は、第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に接続された第２トランジスタＭ２と、第２トランジスタＭ２、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎの間に接続された第１トランジスタＭ１と、第２トランジスタＭ２のゲート電極と第１電極との間に接続されたストレージキャパシタＣｓｔとを備える。
【０００７】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続される。ここで、第１電極はソース電極及びドレイン電極のいずれかに設定され、第２電極は第１電極と異なる電極に設定される。例えば、第１電極がソース電極に設定されれば、第２電極はドレイン電極に設定される。走査線Ｓｎ及びデータ線Ｄｍに接続された第１トランジスタＭ１は、走査線Ｓｎから走査信号が供給される時にターンオンされて、データ線Ｄｍから供給されるデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔに供給する。このとき、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【０００８】
第２トランジスタＭ２のゲート電極はストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続され、第１電極はストレージキャパシタＣｓｔの他側端子及び第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このような第２トランジスタＭ２は、ストレージキャパシタＣｓｔに格納された電圧値に対応して、第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第２トランジスタＭ２から供給される電流量に対応する光を生成する。
【０００９】
しかしながら、このような従来の有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化による効率の変化によって所望の輝度の映像を表示できないという問題がある。即ち、時間が経過するにつれて有機発光ダイオードが劣化し、これにより、所望の輝度の映像を表示できない。実際に、有機発光ダイオードが劣化するほど、低い輝度の光が生成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】大韓民国特許公開第２００８−０３１７００号
【特許文献２】大韓民国特許公開第２００６−０６１５００９号
【特許文献３】大韓民国特許公開第２００６−００５４６０３号
【特許文献４】大韓民国特許公開第２００５−０１１０９６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従って、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、有機発光ダイオードの劣化を補償できるようにした画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の実施形態に係る画素は、データ信号に対応して発光又は非発光する有機発光ダイオードと、前記データ信号と関係なく非発光状態に設定されるダミー有機発光ダイオードと、走査線及びデータ線と接続され、走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第１トランジスタと、前記データ線に供給される前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、前記有機発光ダイオード及び前記ダミー有機発光ダイオードの間に接続され、前記有機発光ダイオードの劣化に対応して前記第２トランジスタのゲート電極の電圧を制御するための補償部とを備える。
【００１３】
好ましくは、前記補償部は、前記有機発光ダイオードと前記ダミー有機発光ダイオードとの間に接続される第４トランジスタ及び第５トランジスタと、前記第４トランジスタ及び第５トランジスタの共通ノードと前記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタとを備える。
【００１４】
本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、走査線及びデータ線と接続されるように位置する画素と、前記走査線に走査信号を順次供給するための走査駆動部と、前記データ線にデータ信号を供給するためのデータ駆動部とを備え、前記画素のそれぞれは、前記データ信号に対応して発光又は非発光する有機発光ダイオードと、前記データ信号と関係なく非発光状態に設定されるダミー有機発光ダイオードと、前記走査線及びデータ線と接続され、前記走査線に走査信号が供給される時にターンオンされる第１トランジスタと、前記データ線に供給される前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、前記有機発光ダイオード及び前記ダミー有機発光ダイオードの間に接続され、前記有機発光ダイオードの劣化に対応して前記第２トランジスタのゲート電極の電圧を制御するための補償部とを備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の画素及びこれを用いた有機電界発光表示装置によれば、有機発光ダイオードの劣化を補償して所望の輝度の映像を表示できるという効果を奏する。特に、本発明ではダミー有機発光ダイオードを用いるため、第２電源の電圧降下と関係なく有機発光ダイオードの劣化を補償できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来の画素を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
【図３】図２に示す画素の実施形態を示す図である。
【図４】図３に示す補償部の第１実施形態を示す図である。
【図５】図４に示す画素の駆動方法を示す波形図である。
【図６】図３に示す補償部の第２実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる、好適な実施形態に添付された図２〜図６を参照して詳細に説明すれば、以下の通りである。
【００１８】
図２は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
図２を参照すれば、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、走査線Ｓ１〜Ｓｎ、第１制御線ＣＬ１１〜ＣＬ１ｎ、第２制御線ＣＬ２１〜ＣＬ２ｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍと接続されるように位置する画素２４０を含む画素部２３０と、走査線Ｓ１〜Ｓｎ、第１制御線ＣＬ１１〜ＣＬ１ｎ、第２制御線ＣＬ２１〜ＣＬ２ｎ及び発光制御線Ｅ１〜Ｅｎを駆動するための走査駆動部２１０と、データ線Ｄ１〜Ｄｍを駆動するためのデータ駆動部２２０と、走査駆動部２１０及びデータ駆動部２２０を制御するためのタイミング制御部２５０とを備える。
【００１９】
走査駆動部２１０は、タイミング制御部２５０から走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受ける。走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部２１０は走査信号を生成し、生成された走査信号を走査線Ｓ１〜Ｓｎに順次供給する。また、走査駆動部２１０は走査駆動制御信号ＳＣＳに応答して第１制御信号及び第２制御信号を生成し、生成された第１制御信号を順次第１制御線ＣＬ１１〜ＣＬ１ｎに供給すると同時に、第２制御信号を順次第２制御線ＣＬ２１〜ＣＬ２ｎに供給する。そして、走査駆動部２１０は発光制御信号を生成し、生成された発光制御信号を発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに順次供給する。
【００２０】
ここで、発光制御信号は走査信号の幅よりも広い幅に設定される。実際に、ｉ（ｉは自然数）番目の発光制御線Ｅｉに供給される発光制御信号は、ｉ番目の走査線Ｓｉに供給される走査信号と重なるように供給される。そして、ｉ番目の第１制御線ＣＬ１ｉに供給される第１制御信号は発光制御信号の幅よりも広い幅に設定され、ｉ番目の発光制御線Ｅｉに供給される発光制御信号と重なるように供給される。また、ｉ番目の第２制御線ＣＬ２ｉに供給される第２制御信号は発光制御信号の幅と同じ幅で同時に供給され、互いに反対の極性に設定される。
【００２１】
一方、第１制御線ＣＬ１１〜ＣＬ１ｎ及び第２制御線ＣＬ２１〜ＣＬ２ｎは、画素２４０の構造に対応して省略され得る。
【００２２】
データ駆動部２２０は、タイミング制御部２５０からデータ駆動制御信号ＤＣＳの供給を受ける。データ駆動制御信号ＤＣＳの供給を受けたデータ駆動部２２０はデータ信号を生成し、生成されたデータ信号を走査信号と同期するようにデータ線Ｄ１〜Ｄｍに供給する。
【００２３】
タイミング制御部２５０は、外部から供給される同期信号に対応してデータ駆動制御信号ＤＣＳ及び走査駆動制御信号ＳＣＳを生成する。タイミング制御部２５０で生成されたデータ駆動制御信号ＤＣＳはデータ駆動部２２０に供給され、走査駆動制御信号ＳＣＳは走査駆動部２１０に供給される。そして、タイミング制御部２５０は外部から供給されるデータＤａｔａをデータ駆動部２２０に供給する。
【００２４】
画素部２３０は、外部から第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２電源ＥＬＶＳＳの供給を受けて、それぞれの画素２４０に供給する。第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２電源ＥＬＶＳＳの供給を受けた画素２４０のそれぞれは、データ信号に対応する光を生成する。画素２４０のそれぞれには補償部（図示せず）が設置されて有機発光ダイオードの劣化を補償する。
【００２５】
図３は、本発明の実施形態に係る画素を示す回路図である。図３では説明の便宜上、第ｎの走査線Ｓｎ及び第ｍのデータ線Ｄｍと接続された画素を示す。
【００２６】
図３を参照すれば、本発明の実施形態に係る画素２４０は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、走査線Ｓｎ及びデータ線Ｄｍと接続される第１トランジスタＭ１と、ストレージキャパシタＣｓｔに充電された電圧に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御するための第２トランジスタＭ２と、有機発光ダイオードＯＬＥＤと第２トランジスタＭ２との間に位置する第３トランジスタＭ３と、有機発光ダイオードＯＬＥＤ及びダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化を補償するための補償部２４２とを備える。
【００２７】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は第３トランジスタＭ３に接続され、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第２トランジスタＭ２から第３トランジスタＭ３を経由して供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
【００２８】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極は第２トランジスタＭ２（駆動トランジスタ）のゲート電極に接続される。このような第１トランジスタＭ１は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時に、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号を第２トランジスタＭ２のゲート電極に供給する。
【００２９】
第２トランジスタＭ２のゲート電極は第１トランジスタＭ１の第２電極に接続され、第１電極は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極は第３トランジスタＭ３の第１電極に接続される。このような第２トランジスタＭ２は、自身のゲート電極に印加される電圧に対応して、第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。そのために、第１電源ＥＬＶＤＤの電圧値は第２電源ＥＬＶＳＳの電圧値よりも高く設定される。
【００３０】
第３トランジスタＭ３のゲート電極は発光制御線Ｅｎに接続され、第１電極は第２トランジスタＭ２の第２電極に接続される。そして、第３トランジスタＭ３の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このような第３トランジスタＭ３は発光制御信号が供給される時にターンオフされ、その他の場合にターンオンされる。実際に、第３トランジスタＭ３は最少走査信号が供給される期間にターンオフされて、画素２４０を非発光状態に設定する。
【００３１】
ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子は第２トランジスタＭ２のゲート電極に接続され、他側端子は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。このようなストレージキャパシタＣｓｔは第１トランジスタＭ１がターンオンされた時にデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００３２】
補償部２４２は、ダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤ及び有機発光ダイオードＯＬＥＤに接続される。このような補償部２４２は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化が補償され得るように、第２トランジスタＭ２のゲート電極電圧を制御する。
【００３３】
図４は、図３に示す補償部の第１実施形態を示す図である。
図４を参照すれば、補償部２４２は、有機発光ダイオードＯＬＥＤ及びダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤの間に位置する第４トランジスタＭ４及び第５トランジスタＭ５と、第４トランジスタＭ４及び第５トランジスタＭ５の共通ノードである第１ノードＮ１と第２トランジスタＭ２のゲート電極との間に位置するフィードバックキャパシタＣfｂとを備える。
【００３４】
第４トランジスタＭ４は、第１ノードＮ１と有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極との間に位置し、第２制御線ＣＬ２ｎから供給される第２制御信号により制御される。
【００３５】
第５トランジスタＭ５は、第１ノードＮ１とダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤとの間に位置し、第１制御線ＣＬ１ｎから供給される第１制御信号により制御される。このような第４トランジスタＭ４及び第５トランジスタＭ５は、第１ノードＮ１に所定の電圧を供給するために用いられるものであって、ターンオン時間が重ならない。例えば、第４トランジスタＭ４及び第５トランジスタＭ５は交互にターンオンされながら、第１ノードＮ１の電圧を制御する。
【００３６】
フィードバックキャパシタＣfｂは、第１ノードＮ１の電圧変化量を第２トランジスタＭ２のゲート電極に伝達する。
【００３７】
図５は、図４に示す画素の駆動方法を示す図である。
図４及び図５を結びつけて図４に示す画素２４０の動作過程を詳細に説明すれば、まず第１制御線ＣＬ１ｎに第１制御信号（ハイ電圧）が供給されて第５トランジスタＭ５がターンオフされる。第５トランジスタＭ５がターンオフされると、第１ノードＮ１とダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤが電気的に遮断される。
【００３８】
第５トランジスタＭ５がターンオフされた後に、第２制御線ＣＬ２ｎに第２制御信号（ロー電圧）が供給されると同時に、発光制御線Ｅｎに発光制御信号（ハイ電圧）が供給される。発光制御信号が供給されれば、第３トランジスタＭ３がターンオフされる。第２制御信号が供給されれば、第４トランジスタＭ４がターンオンされて第１ノードＮ１に有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ１が供給される。即ち、第３トランジスタＭ３がターンオフされるため、第１ノードＮ１には有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ１が供給される。
【００３９】
その後、走査線Ｓｎに走査信号が供給されて第１トランジスタＭ１がターンオンされる。第１トランジスタＭ１がターンオンされれば、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応する電圧がストレージキャパシタＣｓｔに充電される。ストレージキャパシタＣｓｔにデータ信号に対応する電圧が充電された後、走査信号の供給が中断されて第１トランジスタＭ１がターンオフされる。
【００４０】
第１トランジスタＭ１がターンオフされた後、第２制御信号及び発光制御信号の供給が中断される。第２制御信号の供給が中断されれば、第４トランジスタＭ４がターンオフされる。発光制御信号の供給が中断されれば、第３トランジスタＭ３がターンオンされる。
【００４１】
その後、第１制御信号の供給が中断されて第５トランジスタＭ５がターンオンされる。第５トランジスタＭ５がターンオンされれば、第１ノードＮ１の電圧値がダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ２に下降する。
【００４２】
これを詳細に説明すれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤはデータ信号に対応して発光するようになる。従って、有機発光ダイオードＯＬＥＤは発光時間に対応して劣化が進む。有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化する場合、閾値電圧Ｖｔｈ１が上昇する。
【００４３】
一方、ダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤは、データ信号と関係なく常に非発光状態を維持する。従って、ダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤは劣化せず、これにより、最初の閾値電圧Ｖｔｈ２を維持する。従って、ダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ２が第１ノードＮ１に供給される場合、第１ノードＮ１の電圧は下降する。
【００４４】
第１ノードＮ１の電圧が下降すれば、第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧も下降する。実際に、第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧下降幅は下記の式１によって決定される。
ΔＶＭ２_ｇａｔｅ＝ΔＶＮ１×（Ｃｆｂ／（Ｃｓｔ＋Ｃｆｂ）・・・（式１）
式１において、ΔＶＭ２_ｇａｔｅは第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧変化量を意味し、ΔＶＮ１は第１ノードＮ１の電圧変化量を意味する。
【００４５】
式１を参照すれば、第２トランジスタＭ２のゲート電極は第１ノードＮ１の電圧変化量に対応して変化される。即ち、第１ノードＮ１の電圧が下降する時、第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧も下降する。その後、第２トランジスタＭ２は、自身のゲート電極に印加された電圧に対応する電流を、第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに供給する。すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤでは電流に対応する所定の光が生成される。
【００４６】
一方、有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ１は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応して時間が経過するほど上昇する。有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ１が上昇すれば、第１ノードＮ１の電圧下降幅が大きくなる。即ち、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化するほど、第１ノードＮ１に供給される有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ１が上昇し、これにより、第１ノードＮ１の電圧下降幅は、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化しなかった時よりも大きく設定される。
【００４７】
第１ノードＮ１の電圧下降幅が大きく設定されれば、式１のように、第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧下降幅が大きくなる。すると、同じデータ信号に対応して第２トランジスタＭ２で供給される電流量が増加する。即ち、本発明では有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化するほど、第２トランジスタＭ２で供給される電流量が増加し、これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化による輝度の低下を補償できる。
【００４８】
一方、本発明では第２電源ＥＬＶＳＳと接続されたダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤを用いるため、第２電源ＥＬＶＳＳの電圧降下と関係なく、第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧を制御できる。実際に、第１ノードＮ１の電圧変化量は下記の式２のように設定される。
ΔＶＮ１＝（ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ１）-（ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ２）・・・（式２）
式２において、ΔＶＮ１は第１ノードの電圧変化量を意味する。式２を参照すれば、第１ノードＮ１の電圧変化量は第２電源ＥＬＶＳＳと関係なく、有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ１及びダミー有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ２によって決定される。従って、本発明では第２電源ＥＬＶＳＳの電圧降下と関係なく、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応する電圧のみを用いて第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧を制御できる。
【００４９】
図６は、図３に示す補償部の第２実施形態を示す図である。図６において、図４と同じ構成についての詳細な説明は省略する。
【００５０】
図６を参照すれば、本発明の第２実施形態に係る補償部２４２は、ダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に位置する第４トランジスタＭ４及び第５トランジスタＭ５と、第１ノードＮ１と第２トランジスタＭ２のゲート電極との間に位置するフィードバックキャパシタＣfｂとを備える。
【００５１】
第４トランジスタＭ４は、第１ノードＮ１と有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極との間に位置し、走査線Ｓｎから供給される走査信号により制御される。
【００５２】
第５トランジスタＭ５は、第１ノードＮ１とダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤとの間に位置し、発光制御線Ｅｎから供給される発光制御信号によって制御される。
【００５３】
このような本発明の第２実施形態に係る補償部２４２は、図４と比較して第１制御線ＣＬ１ｎ及び第２制御線ＣＬ２ｎを除去できる。即ち、本発明の第２実施形態に係る補償部２４２は、走査線Ｓｎ及び発光制御線Ｅｎと接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化を補償する。
【００５４】
動作過程を図５に示す走査信号及び発光制御信号を用いて詳細に説明すれば、まず発光制御線Ｅｎに発光制御信号が供給される。発光制御信号が供給されれば、第３トランジスタＭ３及び第５トランジスタＭ５がターンオフされる。
【００５５】
その後、走査線Ｓｎに走査信号が供給されて、第１トランジスタＭ１及び第４トランジスタＭ４がターンオンされる。第１トランジスタＭ１がターンオンされれば、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応する電圧がストレージキャパシタＣｓｔに充電される。第４トランジスタＭ４がターンオンされれば、第１ノードＮ１に有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ１が供給される。ストレージキャパシタＣｓｔにデータ信号に対応する電圧が充電された後に、走査信号の供給が中断されて第１トランジスタＭ１及び第４トランジスタＭ４がターンオフされる。
【００５６】
第１トランジスタＭ１及び第４トランジスタＭ４がターンオフされた後、発光制御線Ｅｎに発光制御信号の供給が中断される。発光制御信号の供給が中断されれば、第５トランジスタＭ５がターンオンされて、第１ノードＮ１の電圧がダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ２に下降する。第１ノードＮ１の電圧がダミー有機発光ダイオードＤＯＬＥＤの閾値電圧Ｖｔｈ２に下降すれば、式１のように、第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧も下降する。ここで、第２トランジスタＭ２のゲート電極の電圧下降幅が有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応して決定されるため、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化を補償できる。
【００５７】
一方、本発明において画素２４０の構造は図４及び図６の構造に限定されない。実際に、本発明の補償部２４２は現在公知となっている多様な形態の回路に適用できる。
【００５８】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能なのはもちろんであり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５９】
２・・・画素回路
４、２４０・・・画素
２４２・・・補償部
２１０・・・走査駆動部
２２０・・・データ駆動部
２５０・・・タイミング制御部
【図１】
2010186154.tif 000003
【図２】
2010186154.tif 000004
【図３】
2010186154.tif 000005
【図４】
2010186154.tif 000006
【図５】
2010186154.tif 000007
【図６】
2010186154.tif 000008