(57)【要約】      （修正有）【課題】回路ダイと冷却用ソルーションとを備えるマイクロプロセッサ構造における、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられる熱インターフェイス材料であって、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面において十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れる熱インターフェイス材料を提供する。【解決手段】マイクロプロセッサ構造は、回路ダイ１００と、冷却用ソルーション２００と、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられた熱インターフェイス材料１０とを備えており、該熱インターフェイス材料１０は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含む熱インターフェイス材料であって、該カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上である。【選択図】図４
2010073842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路ダイと、冷却用ソルーションと、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられた熱インターフェイス材料とを備えるマイクロプロセッサ構造であって、
該熱インターフェイス材料は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含む熱インターフェイス材料であって、
該カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上である、
マイクロプロセッサ構造。
【請求項２】
前記熱インターフェイス材料が、回路ダイの表面と接触する第１の表面と、冷却用ソルーションの表面と接触する第２の表面とを有し、該第１の表面と該第２の表面とが互いに実質的に平行であり、該接触前における前記カーボンナノチューブの長さが３００μｍ以上である、請求項１に記載のマイクロプロセッサ構造。
【請求項３】
前記複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である、請求項１または２に記載のマイクロプロセッサ構造。
【請求項４】
前記層数分布の最頻値が、層数２層から層数１０層の範囲に存在する、請求項３に記載のマイクロプロセッサ構造。
【請求項５】
前記複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である、請求項１または２に記載のマイクロプロセッサ構造。
【請求項６】
前記層数分布の最頻値が層数６層以下に存在する、請求項５に記載のマイクロプロセッサ構造。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれかに記載のマイクロプロセッサ構造を含む、電子機器。
【請求項８】
回路ダイと冷却用ソルーションとを備えるマイクロプロセッサ構造における、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられる熱インターフェイス材料であって、
該熱インターフェイス材料は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含み、
該カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上である、
熱インターフェイス材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロプロセッサ構造に関する。詳細には、回路ダイと、冷却用ソルーションと、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられた熱インターフェイス材料とを備えるマイクロプロセッサ構造に関する。また、本発明は、本発明のマイクロプロセッサ構造を用いた電子機器に関する。さらに、本発明は、回路ダイと冷却用ソルーションとを備えるマイクロプロセッサ構造における、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられる熱インターフェイス材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロプロセッサにおいては、ヒートスプレッダのような冷却用ソルーションを熱インターフェイス材料（ＴＩＭ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）により回路ダイの表面に結合している。
【０００３】
回路ダイと冷却用ソルーションとの間の熱抵抗を減少させるため、種々の熱インターフェイス材料が用いられている。
【０００４】
一例として、熱インターフェイス材料として耐熱グリースが用いられている（特許文献１、非特許文献１参照）。耐熱グリースは、バルク熱伝導率が高いとともに、回路ダイと冷却用ソルーションの表面の凹凸に追随できるからである。しかし、回路ダイが発熱して反りが生じると、グリースが押し出され、相分離が起こるという問題がある。
【０００５】
別の例として、熱インターフェイス材料としてエポキシのような接着剤が用いられている（特許文献２参照）。しかし、硬化プロセスを必要とするという問題がある。
【０００６】
別の例として、熱インターフェイス材料として半田が用いられている（特許文献３参照）。しかし、半田は硬いので、熱がかかったときの熱膨張係数の関係でクラックを引き起こしやすいという問題がある。
【０００７】
別の例として、熱インターフェイス材料としてシリコンやオレフィンを材料とする種々の耐熱ジェルが用いられている。しかし、硬化プロセスを必要とするという問題や、耐熱グリースに比べると熱伝導率が低いという問題がある。
【０００８】
別の例として、熱インターフェイス材料としてウレタンゴムのような特定のエラストマーが用いられている。高いバルク伝導率を有するからである。しかし、接触抵抗が高いため、熱接合点に少なくとも１００ｐｓｉの高圧力を印加しなければならないという問題がある。
【０００９】
別の例として、熱インターフェイス材料として低分子量のポリエステルのような特定の相変化物質が用いられている。しかし、耐熱グリースに比べると熱伝導率が低いという問題がある。
【００１０】
カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  ＮａｎｏＴｕｂｅ：ＣＮＴ）は、良好な熱拡散性および良好な導電性を有する。そこで、マイクロプロセッサにおける熱インターフェイス材料として、カーボンナノチューブを用いた複合材料が検討されている。
【００１１】
マイクロプロセッサにおける熱インターフェイス材料として有用な複合材料として、ポリマー材料と複数のカーボンナノチューブとを含む複合材料が検討されている。該複合材料は、該複数のカーボンナノチューブが該ポリマー材料に垂直方向で嵌入されている。このように、該複数のカーボンナノチューブが該ポリマー材料に垂直方向で嵌入されていることにより、高い熱拡散性および高い導電性が発現できる（特許文献４、５参照）。
【００１２】
しかし、特許文献４、５に記載の複合材料の発現できる熱拡散性および導電性はある程度高いレベルではあるものの、実際にマイクロプロセッサにおける熱インターフェイス材料として用いることを想定した場合、十分に高い熱拡散性および十分に高い導電性を発現させるにはまだまだ改良の余地がある。
【００１３】
また、上記複合材料をマイクロプロセッサにおける熱インターフェイス材料として用いる場合、該複合材料は２つのデバイス（例えば、回路ダイと冷却用ソルーション）の表面間に配置して確実に固定させる必要がある。このため、該複合材料はデバイス表面に十分に接着される必要がある。さらに、上記マイクロプロセッサの製造過程においては、該複合材料を介して配置した２つのデバイスを、配置ずれの修正等のために、剥がして貼り直す必要が生じる場合がある。このため、該複合材料はデバイス表面からのリワーク性に優れる（糊残りが無く容易に剥がして再接着できる）必要がある。
【００１４】
このように、マイクロプロセッサにおける熱インターフェイス材料であって、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面において十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れる熱インターフェイス材料は、これまでに得られていない。
【特許文献１】特開２００３−１２４４１１号公報
【特許文献２】特開２００１−２５７２８８号公報
【特許文献３】特表２００５−５２２０１７号公報
【特許文献４】特開２００３−２４９６１３号公報
【特許文献５】特開２００７−２８４６７９号公報
【非特許文献１】Ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｒｅｖｉｅｗ  ２００４．４  春号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の課題は、回路ダイと冷却用ソルーションとを備えるマイクロプロセッサ構造における、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられる熱インターフェイス材料であって、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面において十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れる熱インターフェイス材料を提供することにある。また、該熱インターフェイス材料を用いたマイクロプロセッサ構造を提供することにある。さらに、該マイクロプロセッサ構造を含む電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のマイクロプロセッサ構造は、
回路ダイと、冷却用ソルーションと、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられた熱インターフェイス材料とを備えるマイクロプロセッサ構造であって、
該熱インターフェイス材料は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含む熱インターフェイス材料であって、
該カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上である。
好ましい実施形態においては、本発明のマイクロプロセッサ構造は、上記熱インターフェイス材料が、回路ダイの表面と接触する第１の表面と、冷却用ソルーションの表面と接触する第２の表面とを有し、該第１の表面と該第２の表面とが互いに実質的に平行であり、該接触前における上記カーボンナノチューブの長さが３００μｍ以上である。
好ましい実施形態においては、上記複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である。
好ましい実施形態においては、上記層数分布の最頻値が、層数２層から層数１０層の範囲に存在する。
好ましい実施形態においては、上記複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である。
好ましい実施形態においては、上記層数分布の最頻値が層数６層以下に存在する。
本発明の別の局面によれば、電子機器が提供される。
本発明の電子機器は、本発明のマイクロプロセッサ構造を含む。
本発明の別の局面によれば、熱インターフェイス材料が提供される。
本発明の熱インターフェイス材料は、
回路ダイと冷却用ソルーションとを備えるマイクロプロセッサ構造における、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられる熱インターフェイス材料であって、
該熱インターフェイス材料は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含み、
該カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、回路ダイと冷却用ソルーションとを備えるマイクロプロセッサ構造における、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられる熱インターフェイス材料であって、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面において十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れる熱インターフェイス材料を提供することができる。また、該熱インターフェイス材料を用いたマイクロプロセッサ構造を提供することができる。さらに、該マイクロプロセッサ構造を含む電子機器を提供することができる。
【００１８】
本発明においては、熱インターフェイス材料として、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を利用し、該カーボンナノチューブとして特定構造（層数・層数分布、長さなど）のカーボンナノチューブを設計して用いることにより、熱拡散性および導電性が非常に高いレベルとなり、且つ、表面において十分な接着力を発現できるようになり、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れるようになるという格別の効果を発現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
〔熱インターフェイス材料〕
本発明の熱インターフェイス材料は、回路ダイと冷却用ソルーションとを備えるマイクロプロセッサ構造における、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられる熱インターフェイス材料であって、該熱インターフェイス材料は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含む熱インターフェイス材料である。
【００２０】
図１は、本発明の好ましい実施形態における熱インターフェイス材料の概略断面図（各構成部分を明示するために縮尺は正確に記載されていない）を示す。
【００２１】
図１において、本発明の熱インターフェイス材料１０は、複数層を有するカーボンナノチューブ１の複数が長さ方向に配列しており、複数層を有するカーボンナノチューブ１の複数は、それぞれ先端部１２を備える。本発明の熱インターフェイス材料１０は、互いにファンデルワールス力によってカーボンナノチューブ集合体として存在し得るので、本発明の熱インターフェイス材料１０は、樹脂層（図２参照）や基材を備えないカーボンナノチューブ集合体として存在し得る。本発明の熱インターフェイス材料１０は、上記のような構造を有することにより、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面において十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れる。
【００２２】
図２は、本発明の別の好ましい実施形態における熱インターフェイス材料の概略断面図（各構成部分を明示するために縮尺は正確に記載されていない）を示す。
【００２３】
図２において、本発明の熱インターフェイス材料１０は、複数層を有するカーボンナノチューブ１の複数が樹脂層２を厚み方向に貫通している。複数層を有するカーボンナノチューブ１の複数は、樹脂層２の両面から、それぞれ露出部分１１を露出している。露出部分１１はそれぞれ先端部１２を備える。本発明の熱インターフェイス材料１０は、上記のような構造を有することにより、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面において十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れる。
【００２４】
上記露出部分１１の長さは、全ての露出部分１１中における３００μｍ以上の長さの含有割合が、好ましくは８０〜１００％、より好ましくは９０〜１００％、さらに好ましくは９５〜１００％、特に好ましくは９８〜１００％、最も好ましくは実質的に１００％である。ここで、「実質的に１００％」とは、測定機器における検出限界において１００％であることを意味する。
【００２５】
上記露出部分１１の長さは、いずれも３００μｍ以上であることが特に好ましい。露出部分１１の長さがいずれも３００μｍ以上の場合、より詳細には、３００〜１００００μｍであることが好ましく、３００〜５０００μｍであることがより好ましく、３００〜２０００μｍであることがさらに好ましく、３００〜１０００μｍであることが特に好ましい。露出部分１１の長さが３００μｍ未満の場合、本発明の熱インターフェイス材料１０は、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性を発現できないおそれがあり、且つ、表面において十分な接着力を発現できないおそれがあり、さらに、接着作業の際のリワーク性にも劣るおそれがある。
【００２６】
上記樹脂層２としては、任意の適切な樹脂から形成される層を採用し得る。上記樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＰＥＴ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂が挙げられる。
【００２７】
上樹脂層２の厚みは、目的や用途に応じて、任意の適切な厚みを採用し得る。例えば、５〜２０００μｍであることが好ましく、５〜１５００μｍであることがより好ましく、１０〜１０００μｍであることがさらに好ましく、２０〜５００μｍであることが特に好ましい。
【００２８】
本発明の熱インターフェイス材料において、カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力、すなわち、複数層を有するカーボンナノチューブ１の先端部１２の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力は、１５Ｎ／ｃｍ２以上である。上記せん断接着力は、好ましくは１５〜２００Ｎ／ｃｍ２、より好ましくは２０〜２００Ｎ／ｃｍ２、さらに好ましくは２５〜２００Ｎ／ｃｍ２、特に好ましくは３０〜２００Ｎ／ｃｍ２である。上記せん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２未満の場合、本発明の熱インターフェイス材料１０は、表面において十分な接着力を発現できないおそれがある。
【００２９】
本発明の熱インターフェイス材料は、接着作業の際のリワーク性に優れる（糊残りが無く容易に剥がして再接着できる）という特徴を有する。この特徴を有することにより、本発明の熱インターフェイス材料を２つのデバイス（例えば、回路ダイと冷却用ソルーション）の表面間に配置させた際に配置ずれが起こった場合、糊残りが無く容易に剥がして再接着できる。
【００３０】
上記リワーク性は、剥離角度と接着強さで表すことができる。例えば、本発明の熱インターフェイス材料をポリプロピレン樹脂（厚み２５μｍ）に圧着（５ｋｇのシリンダーローラを一往復）した積層体を、剥離速度５０ｍｍ／分で剥離した場合、本発明の熱インターフェイス材料は、好ましくは、剥離角度（本発明の熱インターフェイス材料とポリプロピレン樹脂とのなす角度）が１５°以上において接着強さが１Ｎ／１０ｍｍ以下である。剥離角度が１５°における接着強さの下限値は、小さければ小さいほど剥離しやすいので、小さいほど好ましく、例えば、好ましくは０．０１Ｎ／１０ｍｍである。
【００３１】
本発明の熱インターフェイス材料は、好ましくは、回路ダイの表面と接触する第１の表面と、冷却用ソルーションの表面と接触する第２の表面とを有し、該第１の表面と該第２の表面とが互いに実質的に平行である。このような構造を有することにより、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面において十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れる。なお、ここにいう「第１の表面」および「第２の表面」とは、実質的に「表面」と表現できるものであり、具体的には、カーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体の先端部分が構成する面を意味する。
【００３２】
本発明の熱インターフェイス材料は、好ましくは、上記接触前における前記カーボンナノチューブの長さが３００μｍ以上である。上記接触前における前記カーボンナノチューブの長さは、より好ましくは３００〜１００００μｍであり、さらに好ましくは３００〜１０００μｍ、特に好ましくは３００〜９００μｍである。上記接触前における前記カーボンナノチューブの長さが３００μｍ未満の場合、本発明の熱インターフェイス材料は、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性を発現できないおそれがあり、且つ、表面において十分な接着力を発現できないおそれがあり、さらに、接着作業の際のリワーク性にも劣るおそれがある。
【００３３】
〔熱インターフェイス材料の第１の好ましい実施形態〕
本発明の熱インターフェイス材料の好ましい実施形態の１つ（以下、第１の好ましい実施形態と称することがある）は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含む熱インターフェイス材料であって、該カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上であり、該複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である。
【００３４】
上記複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の分布幅は、より好ましくは１０〜３０層、さらに好ましくは１０〜２５層、特に好ましくは１０〜２０層である。
【００３５】
上記複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の「分布幅」とは、複数層を有するカーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数との差をいう。
【００３６】
本発明の熱インターフェイス材料の第１の好ましい実施形態において、複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の分布幅が上記範囲内にあることにより、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００３７】
本発明において、カーボンナノチューブの層数、層数分布は、任意の適切な装置によって測定すれば良い。好ましくは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定される。例えば、カーボンナノチューブ集合体から少なくとも１０本、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブをＳＥＭあるいはＴＥＭによって測定し、層数および層数分布を評価すれば良い。
【００３８】
上記最大層数は、好ましくは５〜３０層、より好ましくは１０〜３０層、さらに好ましくは１５〜３０層、特に好ましくは１５〜２５層である。上記最小層数は、好ましくは１〜１０層、より好ましくは１〜５層である。
【００３９】
本発明の熱インターフェイス材料の第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数が上記範囲内にあることにより、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００４０】
上記層数分布の最頻値の相対頻度は、より好ましくは１〜２５％、さらに好ましくは５〜２５％、特に好ましくは１０〜２５％、最も好ましくは１５〜２５％である。
【００４１】
本発明の熱インターフェイス材料の第１の好ましい実施形態において、層数分布の最頻値の相対頻度が上記範囲内にあることにより、より一層高い非常に熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００４２】
上記層数分布の最頻値は、層数２層から層数１０層に存在することが好ましく、より好ましくは層数３層から層数１０層に存在する。
【００４３】
本発明の熱インターフェイス材料の第１の好ましい実施形態において、層数分布の最頻値が上記範囲内にあることにより、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００４４】
上記カーボンナノチューブの形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、ｎ角形（ｎは３以上の整数）等が挙げられる。
【００４５】
上記カーボンナノチューブの比表面積、密度は、任意の適切な値に設定され得る。
【００４６】
〔熱インターフェイス材料の第２の好ましい実施形態〕
本発明の熱インターフェイス材料の別の好ましい実施形態の１つ（以下、第２の好ましい実施形態と称することがある）は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含む熱インターフェイス材料であって、該カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上であり、該複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である。
【００４７】
上記複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の分布幅は、より好ましくは９層以下であり、さらに好ましくは１〜９層、特に好ましくは２〜８層、最も好ましくは３〜８層である。
【００４８】
上記複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の「分布幅」とは、複数層を有するカーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数との差をいう。
【００４９】
本発明の熱インターフェイス材料の第２の好ましい実施形態において、複数層を有するカーボンナノチューブの層数分布の分布幅が上記範囲内にあることにより、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００５０】
本発明において、カーボンナノチューブの層数、層数分布は、任意の適切な装置によって測定すれば良い。好ましくは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定される。例えば、カーボンナノチューブ集合体から少なくとも１０本、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブをＳＥＭあるいはＴＥＭによって測定し、層数および層数分布を評価すれば良い。
【００５１】
上記最大層数は、好ましくは１〜２０層、より好ましくは２〜１５層、さらに好ましくは３〜１０層である。上記最小層数は、好ましくは１〜１０層、より好ましくは１〜５層である。
【００５２】
本発明の熱インターフェイス材料の第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数が上記範囲内にあることにより、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００５３】
上記層数分布の最頻値の相対頻度は、より好ましくは３０〜１００％、さらに好ましくは３０〜９０％、特に好ましくは３０〜８０％、最も好ましくは３０〜７０％である。
【００５４】
本発明の熱インターフェイス材料の第２の好ましい実施形態において、層数分布の最頻値の相対頻度が上記範囲内にあることにより、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００５５】
上記層数分布の最頻値は、好ましくは層数１層から層数１０層、より好ましくは層数２層から層数８層、さらに好ましくは層数２層から層数６層に存在する。
【００５６】
本発明の熱インターフェイス材料の第２の好ましい実施形態において、層数分布の最頻値が上記範囲内にあることにより、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性が発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００５７】
上記カーボンナノチューブの形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、ｎ角形（ｎは３以上の整数）等が挙げられる。
【００５８】
上記カーボンナノチューブの比表面積、密度は、任意の適切な値に設定され得る。
【００５９】
〔熱インターフェイス材料の製造方法〕
本発明の熱インターフェイス材料の製造方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。
【００６０】
〔熱インターフェイス材料の好ましい製造方法の一例〕
本発明の熱インターフェイス材料の好ましい製造方法の一例としては、下記の工程（１）で製造する方法が挙げられる。この製造方法によれば、図１に示すような熱インターフェイス材料が得られる。
【００６１】
（１）基板上に、基板から実質的に垂直に配向した複数のカーボンナノチューブを成長させる。
【００６２】
上記工程（１）における、基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させる方法としては、任意の適切な方法を採用され得る。
【００６３】
例えば、平滑な基板の上に触媒層を構成し、熱、プラズマなどにより触媒を活性化させた状態で炭素源を充填し、カーボンナノチューブを成長させる、化学蒸着気相法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）によって、基板から実質的に垂直に配向したカーボンナノチューブ集合体を製造する方法が挙げられる。
【００６４】
上記基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。例えば、平滑性を有し、カーボンナノチューブの製造に耐え得る高温耐熱性を有する材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、石英ガラス、シリコン（シリコンウェハなど）、アルミニウムなどの金属板などが挙げられる。
【００６５】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるための装置としては、任意の適切な装置を採用し得る。例えば、熱ＣＶＤ装置としては、図３に示すような、筒型の反応容器を抵抗加熱式の電気管状炉で囲んで構成されたホットウォール型などが挙げられる。その場合、反応容器としては、例えば、耐熱性の石英管などが好ましく用いられる。
【００６６】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるために用い得る触媒（触媒層の材料）としては、任意の適切な触媒を用い得る。例えば、鉄、コバルト、ニッケル、金、白金、銀、銅などの金属触媒が挙げられる。
【００６７】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させる際、必要に応じて、基板と触媒層の中間にアルミナ／親水性膜を設けても良い。
【００６８】
アルミナ／親水性膜の作製方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、基板の上にＳｉＯ２膜を作製し、Ａｌを蒸着後、４５０℃まで昇温して酸化させることにより得られる。このような作製方法によれば、Ａｌ２Ｏ３が親水性のＳｉＯ２膜と相互作用し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着したものよりも粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成される。基板の上に、親水性膜を作製することを行わずに、Ａｌを蒸着後に４５０℃まで昇温して酸化させても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。また、基板の上に、親水性膜を作製し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着しても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。
【００６９】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるために用い得る触媒層の厚みは、微粒子を形成させるため、好ましくは０．０１〜２０ｎｍ、より好ましくは０．１〜１０ｎｍである。基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるために用い得る触媒層の厚みが上記範囲内にあることによって、得られるカーボンナノチューブ集合体は、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性を発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００７０】
触媒層の形成方法は、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、金属触媒をＥＢ（電子ビーム）、スパッタなどにより蒸着する方法、金属触媒微粒子の懸濁液を基板上に塗布する方法などが挙げられる。
【００７１】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるために用い得る炭素源としては、任意の適切な炭素源を用い得る。例えば、メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼンなどの炭化水素；メタノール、エタノールなどのアルコール；などが挙げられる。
【００７２】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させる温度としては、任意の適切な温度を採用し得る。たとえば、本発明の効果を十分に発現し得る触媒粒子を形成させるため、好ましくは４００〜１０００℃、より好ましくは５００〜９００℃、さらに好ましくは６００〜８００℃である。
【００７３】
〔熱インターフェイス材料の別の好ましい製造方法の一例〕
本発明の熱インターフェイス材料の別の好ましい製造方法の一例としては、下記の工程（１）〜（７）で製造する方法が挙げられる。この製造方法によれば、図２に示すような熱インターフェイス材料が得られる。
【００７４】
（１）基板上に、基板から実質的に垂直に配向した複数のカーボンナノチューブを成長させる。
（２）基板上に得られた複数のカーボンナノチューブの末端部に保護シートを圧着する。
（３）基板を除去する。
（４）基板が除去されて露出した複数のカーボンナノチューブの末端部に保護シートを圧着する。
（５）両端部が保護シートで覆われたカーボンナノチューブの側面から硬化性樹脂シロップを流し込んで充填する。
（６）ＵＶ照射等によって硬化性樹脂シロップを硬化させ、樹脂層を形成する。
（７）保護シートを除去する。
【００７５】
上記工程（１）における、基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させる方法としては、任意の適切な方法を採用され得る。
【００７６】
例えば、平滑な基板の上に触媒層を構成し、熱、プラズマなどにより触媒を活性化させた状態で炭素源を充填し、カーボンナノチューブを成長させる、化学蒸着気相法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）によって、基板から実質的に垂直に配向したカーボンナノチューブ集合体を製造する方法が挙げられる。
【００７７】
上記基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。例えば、平滑性を有し、カーボンナノチューブの製造に耐え得る高温耐熱性を有する材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、石英ガラス、シリコン（シリコンウェハなど）、アルミニウムなどの金属板などが挙げられる。
【００７８】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるための装置としては、任意の適切な装置を採用し得る。例えば、熱ＣＶＤ装置としては、図３に示すような、筒型の反応容器を抵抗加熱式の電気管状炉で囲んで構成されたホットウォール型などが挙げられる。その場合、反応容器としては、例えば、耐熱性の石英管などが好ましく用いられる。
【００７９】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるために用い得る触媒（触媒層の材料）としては、任意の適切な触媒を用い得る。例えば、鉄、コバルト、ニッケル、金、白金、銀、銅などの金属触媒が挙げられる。
【００８０】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させる際、必要に応じて、基板と触媒層の中間にアルミナ／親水性膜を設けても良い。
【００８１】
アルミナ／親水性膜の作製方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、基板の上にＳｉＯ２膜を作製し、Ａｌを蒸着後、４５０℃まで昇温して酸化させることにより得られる。このような作製方法によれば、Ａｌ２Ｏ３が親水性のＳｉＯ２膜と相互作用し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着したものよりも粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成される。基板の上に、親水性膜を作製することを行わずに、Ａｌを蒸着後に４５０℃まで昇温して酸化させても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。また、基板の上に、親水性膜を作製し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着しても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。
【００８２】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるために用い得る触媒層の厚みは、微粒子を形成させるため、好ましくは０．０１〜２０ｎｍ、より好ましくは０．１〜１０ｎｍである。基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるために用い得る触媒層の厚みが上記範囲内にあることによって、得られるカーボンナノチューブ集合体は、より一層非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性を発現でき、且つ、表面においてより一層十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にもより一層優れる。
【００８３】
触媒層の形成方法は、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、金属触媒をＥＢ（電子ビーム）、スパッタなどにより蒸着する方法、金属触媒微粒子の懸濁液を基板上に塗布する方法などが挙げられる。
【００８４】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させるために用い得る炭素源としては、任意の適切な炭素源を用い得る。例えば、メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼンなどの炭化水素；メタノール、エタノールなどのアルコール；などが挙げられる。
【００８５】
基板上に複数のカーボンナノチューブを成長させる温度としては、任意の適切な温度を採用し得る。たとえば、本発明の効果を十分に発現し得る触媒粒子を形成させるため、好ましくは４００〜１０００℃、より好ましくは５００〜９００℃、さらに好ましくは６００〜８００℃である。
【００８６】
上記保護シートとしては、任意の適切な材料から形成されるシート状物を採用し得る。例えば、水溶性材料から形成されるシートやテープが挙げられる。
【００８７】
上記硬化性樹脂シロップとしては、任意の適切な硬化性樹脂から形成される硬化性樹脂シロップを採用し得る。硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（ＵＶ硬化性樹脂など）が挙げられる。
【００８８】
上記保護シートとして水溶性材料から形成されるシートやテープを採用すると、上記工程（６）において樹脂層を形成した後に水洗することで、水溶性の保護シートを容易に除去できるので、好ましい。
【００８９】
〔マイクロプロセッサ構造、電子機器への適用例〕
本発明の熱インターフェイス材料は、非常に高い熱拡散性および非常に高い導電性を発現でき、且つ、表面において十分な接着力を発現でき、さらに、接着作業の際のリワーク性にも優れる。したがって、マイクロプロセッサ構造における熱接触面材料として有用である。すなわち、本発明のマイクロプロセッサ構造は、回路ダイと、冷却用ソルーションと、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられた熱インターフェイス材料とを備えるマイクロプロセッサ構造であって、該熱インターフェイス材料は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配列したカーボンナノチューブ集合体を含む熱インターフェイス材料であって、該カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上である。本発明のマイクロプロセッサ構造が備える熱インターフェイス材料の詳細については、上述した本発明の熱インターフェイス材料の説明が援用される。
【００９０】
図４は、本発明の熱インターフェイス材料１０をマイクロプロセッサ構造における熱接触面材料に適用した例を示す概略断面図である。本発明の熱インターフェイス材料は、特に、カーボンナノチューブ集合体の両端の２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上である。このため、シリコンチップからなる回路ダイ１００と冷却用ソルーション２００の間に配置する熱インターフェイス材料１０として特に有用である。
【００９１】
本発明の熱インターフェイス材料をシリコンチップからなる回路ダイと冷却用ソルーションの間に配置する熱インターフェイス材料として用いた場合、シリコンチップからなる回路ダイとのせん断接着力が１５Ｎ／ｃｍ２以上であるので、表面において十分な接着力を発現でき、本発明の熱インターフェイス材料とシリコンチップからなる回路ダイとの界面に接着層が不要となり、接着層がある場合に起こりうる熱拡散性の低下および導電性の低下を効果的に抑制し得る。また、本発明の熱インターフェイス材料は接着作業の際のリワーク性にも優れるので、マイクロプロセッサ構造の製造過程において該熱インターフェイス材料の配置にずれが生じた際に、糊残りが無く容易に剥がして再接着できる。
【００９２】
本発明の熱インターフェイス材料は、該熱インターフェイス材料の両末端の表面をそれぞれＮｉ箔（厚み：２０μｍ、東洋アルミニウム株式会社製、冷却用ソルーションをイメージしたもの）およびシリコン基板（厚み：５２５μｍ、ＫＳＴ製、シリコンチップからなる回路ダイをイメージしたもの）に挟んで圧着して得られた３層構造体について測定した熱拡散率が非常に高い。具体的には、接触式熱拡散率評価装置（Ａｉ−Ｐｈａｓｅ  Ｍｏｂｉｌｅ：株式会社アイフェイズ社製）を用い、上記３層構造体の両面を該装置に接触させ、熱拡散率を測定すると（測定条件：２．５Ｖ、４０−６０Ｈｚ）、熱拡散率が、好ましくは０．１×１０−４ｍ２／ｓ以上、より好ましくは０．５×１０−４ｍ２／ｓ以上、さらに好ましくは１．０×１０−４ｍ２／ｓ以上である。上記熱拡散率の上限は大きければ大きいほど良いが、現実的には、１１．０×１０−４ｍ２／ｓである。これらのことからも、本発明の熱インターフェイス材料は、シリコンチップからなる回路ダイと冷却用ソルーションの間に配置する熱インターフェイス材料として特に有用であることが判る。
【００９３】
本発明の熱インターフェイス材料を含むマイクロプロセッサ構造は、上述したような特徴を有するので、電子機器に好適に用いることができる。
【実施例】
【００９４】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、各種評価や測定は、以下の方法により行った。
【００９５】
＜カーボンナノチューブ集合体におけるカーボンナノチューブの層数・層数分布の評価＞
カーボンナノチューブ集合体におけるカーボンナノチューブの層数および層数分布は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および／または透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定した。得られたカーボンナノチューブ集合体の中から少なくとも１０本以上、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブをＳＥＭおよび／またはＴＥＭにより観察し、各カーボンナノチューブの層数を調べ、層数分布を作成した。
【００９６】
＜カーボンナノチューブ集合体のせん断接着力の測定方法＞
ポリプロピレン樹脂（旭洋紙パルプ株式会社製、厚み：３０μｍ）をホットプレート上で２００℃に加熱して溶融させた。基板上に形成したカーボンナノチューブ集合体の一端を上記溶融させたポリプロピレン樹脂に圧着した後、室温に冷却して固定させ、上記基板を剥離し、ポリプロピレン基材付カーボンナノチューブ集合体を得た。
得られたポリプロピレン基材付カーボンナノチューブ集合体の一端（カーボンナノチューブ末端側）にシリコン基板（厚み：５２５μｍ、ＫＳＴ製、シリコンチップからなる回路ダイをイメージしたもの）を接触させるように載置し、５ｋｇのローラーを一往復させてカーボンナノチューブの先端をシリコン基板に圧着した。その後、３０分間放置した。引張り試験機（Ｉｎｓｔｒｏ  Ｔｅｎｓｉｌ  Ｔｅｓｔｅｒ）で引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎにて、２５℃にてせん断試験を行い、得られたピークをせん断接着力とした。
【００９７】
＜熱拡散性の評価＞
熱インターフェイス材料の両末端の表面をそれぞれＮｉ箔（厚み：２０μｍ、東洋アルミニウム株式会社製、冷却用ソルーションをイメージしたもの）およびシリコン基板（厚み：５２５μｍ、ＫＳＴ製、シリコンチップからなる回路ダイをイメージしたもの）に挟んで圧着し、３層構造体を得た。
接触式熱拡散率評価装置（Ａｉ−Ｐｈａｓｅ  Ｍｏｂｉｌｅ：株式会社アイフェイズ社製）を用い、上記３層構造体の両面を該装置に接触させ、熱拡散率を測定した（測定条件：２．５Ｖ、４０−６０Ｈｚ）。
【００９８】
［実施例１］
シリコン基板（エレクトロニクス  エンド製、厚み５２５μｍ）上に、真空蒸着装置（ＪＥＯＬ製、ＪＥＥ−４Ｘ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）により、Ａｌ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した後、４５０℃で１時間酸化処理を施した。このようにして、シリコン基板上にＡｌ２Ｏ３膜を形成した。このＡｌ２Ｏ３膜上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてさらにＦｅ薄膜（厚み１ｎｍ）を蒸着させて触媒層を形成した。
次に、触媒層付シリコン基板をカットして、３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分３５０ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（１２０／８０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで３５分間で段階的に昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて１０分間放置後、温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（１０５／８０／１５ｓｃｃｍ、水分率３５０ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、４０分間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させた。
得られたカーボンナノチューブ（１Ｃ）の長さは７２０μｍであった。
得られたカーボンナノチューブ（１Ｃ）の層数分布を図５に示す。図５に示すとおり、最頻値は２層に存在し、相対頻度は６９％であった。
結果を表１にまとめた。
【００９９】
［実施例２］
シリコン基板（熱酸化膜付ウエハ、ＫＳＴ製、１０００μｍ）上に、真空蒸着装置（ＪＥＯＬ製、ＪＥＥ−４Ｘ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）により、Ａｌ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した後、４５０℃で１時間酸化処理を施した。このようにして、シリコン基板上にＡｌ２Ｏ３膜を形成した。このＡｌ２Ｏ３膜上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてさらにＦｅ薄膜（厚み２ｎｍ）を蒸着させて触媒層を形成した。
次に、触媒層付シリコン基板をカットして、３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分３５０ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（１２０／８０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで３５分間で段階的に昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて１０分間放置後、温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（１０５／８０／１５ｓｃｃｍ、水分率３５０ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、２０分間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させた。
得られたカーボンナノチューブ（２Ｃ）の長さは５９０μｍであった。
得られたカーボンナノチューブ（２Ｃ）の層数分布を図６に示す。図６に示すとおり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％であった。
結果を表１にまとめた。
【０１００】
［比較例１］
シリコン基板（エレクトロニクス  エンド製、厚み５２５μｍ）上に、真空蒸着装置（ＪＥＯＬ製、ＪＥＥ−４Ｘ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）により、Ａｌ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した後、４５０℃で１時間酸化処理を施した。このようにして、シリコン基板上にＡｌ２Ｏ３膜を形成した。このＡｌ２Ｏ３膜上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてさらにＦｅ薄膜（厚み１ｎｍ）を蒸着させて触媒層を形成した。
次に、触媒層付シリコン基板をカットして、３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分３５０ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（１２０／８０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで３５分間で段階的に昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて１０分間放置後、温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（１０５／８０／１５ｓｃｃｍ、水分率３５０ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、１０分間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させた。
得られたカーボンナノチューブ（Ｃ１Ｃ）の長さは２３０μｍであった。
得られたカーボンナノチューブ（Ｃ１Ｃ）の層数分布を図７に示す。図７に示すとおり、最頻値は２層に存在し、相対頻度は６９％であった。
結果を表１にまとめた。
【０１０１】
［比較例２］
シリコン基板（熱酸化膜付ウエハ、ＫＳＴ製、１０００μｍ）上に、真空蒸着装置（ＪＥＯＬ製、ＪＥＥ−４Ｘ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）により、Ａｌ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した後、４５０℃で１時間酸化処理を施した。このようにして、シリコン基板上にＡｌ２Ｏ３膜を形成した。このＡｌ２Ｏ３膜上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてさらにＦｅ薄膜（厚み２ｎｍ）を蒸着させて触媒層を形成した。
次に、触媒層付シリコン基板をカットして、３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分３５０ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（１２０／８０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで３５分間で段階的に昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて１０分間放置後、温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（１０５／８０／１５ｓｃｃｍ、水分率３５０ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、１５分間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させた。
得られたカーボンナノチューブ（Ｃ２Ｃ）の長さは２５０μｍであった。
得られたカーボンナノチューブ（Ｃ２Ｃ）の層数分布を図８に示す。図８に示すとおり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％であった。
結果を表１にまとめた。
【０１０２】
【表１】
2010073842.tif 000003
【０１０３】
実施例１は、比較例１に比べて、２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が非常に大きく、熱拡散率が非常に大きい（熱拡散性が非常に高い）。
【０１０４】
実施例２は、比較例２に比べて、２５℃におけるシリコンチップ表面とのせん断接着力が非常に大きく、熱拡散率が非常に大きい（熱拡散性が非常に高い）。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明の熱インターフェイス材料は、回路ダイと冷却用ソルーションとを備えるマイクロプロセッサ構造における、該回路ダイと該冷却用ソルーションの間に設けられる熱インターフェイス材料として特に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の好ましい実施形態における熱インターフェイス材料の概略断面図である。
【図２】本発明の別の好ましい実施形態における熱インターフェイス材料の概略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態におけるカーボンナノチューブ集合体製造装置の概略断面図である。
【図４】本発明の熱インターフェイス材料をマイクロプロセッサにおける熱接触面材料に適用した例を示す概略断面図である。
【図５】実施例１で得られたカーボンナノチューブ（１Ｃ）の層数分布を示す図である。
【図６】実施例２で得られたカーボンナノチューブ（２Ｃ）の層数分布を示す図である。
【図７】比較例１で得られたカーボンナノチューブ（Ｃ１Ｃ）の層数分布を示す図である。
【図８】比較例２で得られたカーボンナノチューブ（Ｃ２Ｃ）の層数分布を示す図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１０        熱インターフェイス材料
１          カーボンナノチューブ
２          樹脂層
１１        露出部分
１２        先端部
１００      回路ダイ
２００      冷却用ソルーション
【図３】
2010073842.tif 000004
【図１】
2010073842.tif 000005
【図２】
2010073842.tif 000006
【図４】
2010073842.tif 000007
【図５】
2010073842.tif 000008
【図６】
2010073842.tif 000009
【図７】
2010073842.tif 000010
【図８】
2010073842.tif 000011