(57)【要約】【課題】浮上量を高速かつ高精度に制御可能であり、製造が容易な磁気ヘッドアセンブリ、サスペンションアーム及び磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】スライダー２１の一端側に磁気ヘッド１３が形成された磁気ヘッド部２３を備えた磁気ヘッドアセンブリ１４において、スライダー２１と磁気ヘッド部２３との間にアクチュエータ２２を設ける。アクチュエータ２２は、スライダー２１の端面上に、第１の電極３１、圧電体膜３２及び第２の電極３３が積層された構造を有している。第１の電極３１及び第２の電極３３間に所定の電圧を印加すると、圧電体膜３２の上側の部分が電圧印加方向に伸縮してアクチュエータ２２が上下方向に湾曲し、磁気ヘッド１３の浮上量を調整できる。【選択図】図６
2010129117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面が磁気記録媒体に対向して配置されるスライダーと、
前記磁気記録媒体に情報を書き込む記録素子及び前記磁気記録媒体から情報を読み出す再生素子を備え、前記スライダーの第２の面側に配置された磁気ヘッド部と、
前記スライダーの前記第２の面と前記磁気ヘッド部との間に配置されたアクチュエータとを有し、
前記アクチュエータは、
圧電体膜と、前記圧電体膜の前記スライダー側の面及び前記圧電体膜の前記磁気ヘッド部側の面に形成されて前記圧電体膜の一部のみに電圧を印加する第１及び第２の電極とを含み、前記第１及び第２の電極に電圧を印加して前記圧電体膜を部分的に電圧印加方向に伸縮させて前記磁気ヘッド部の前記記録素子及び再生素子を前記磁気記録媒体に対して接離する方向に変位させるものであることを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項２】
前記第２の電極は、前記第１の電極よりも小さなサイズに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項３】
前記第２の電極は、前記第２の面に平行な前記圧電体膜の面の一部であって、前記第１の面から離れた領域を覆うように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項４】
前記アクチュエータは、さらに、前記第２の電極と同じ面に第３の電極を備えることを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項５】
磁気ヘッドアセンブリを支持するサスペンションアームであって、
前記磁気ヘッドアセンブリが、
第１の面が磁気記録媒体に対向して配置されるスライダーと、
前記磁気記録媒体に情報を書き込む記録素子及び前記磁気記録媒体から情報を読み出す再生素子を備え、前記スライダーの第２の面側に配置された磁気ヘッド部と、
前記スライダーの前記第２の面と前記磁気ヘッド部との間に配置されたアクチュエータとを有し、
前記アクチュエータは、
圧電体膜と、前記圧電体膜の前記スライダー側の面及び前記圧電体膜の前記磁気ヘッド部側の面に形成されて前記圧電体膜の一部のみに電圧を印加する第１及び第２の電極とを含み、前記第１及び第２の電極に電圧を印加して前記圧電体膜を部分的に電圧印加方向に伸縮させて前記磁気ヘッド部の前記記録素子及び再生素子を前記磁気記録媒体に対して接離する方向に変位させるものであることを特徴とするサスペンションアーム。
【請求項６】
磁気記録媒体と、
磁気ヘッドアセンブリと、
前記磁気ヘッドアセンブリを支持するサスペンションアームと、
前記サスペンションアームを駆動して前記磁気ヘッドアセンブリを前記磁気記録媒体の半径方向に移動させるサスペンションアーム駆動部とを具備し、
前記磁気ヘッドアセンブリが、
第１の面が磁気記録媒体に対向して配置されるスライダーと、
前記磁気記録媒体に情報を書き込む記録素子及び前記磁気記録媒体から情報を読み出す再生素子を備え、前記スライダーの第２の面側に配置された磁気ヘッド部と、
前記スライダーの前記第２の面と前記磁気ヘッド部との間に配置されたアクチュエータとを有し、
前記アクチュエータは、
圧電体膜と、前記圧電体膜の前記スライダー側の面及び前記圧電体膜の前記磁気ヘッド部側の面に形成されて前記圧電体膜の一部のみに電圧を印加する第１及び第２の電極とを含み、前記第１及び第２の電極に電圧を印加して前記圧電体膜を部分的に電圧印加方向に伸縮させて前記磁気ヘッド部の前記記録素子及び再生素子を前記磁気記録媒体に対して接離する方向に変位させるものであることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの浮上量制御に好適なアクチュエータを備えた磁気ヘッドアセンブリ、サスペンションアーム及び磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの情報機器には、小さな部品の微小距離の移動制御にアクチュエータが用いられている。例えば、光学系を備えた情報機器においては、焦点補正や傾角制御にアクチュエータが用いられている。また、インクジェットプリンタや磁気ディスク装置では、プリンタヘッドまたは磁気ヘッドの移動制御にアクチュエータが使用されている。近年、これらの情報機器の小型化及び高性能化が促進されており、それにともなって微小距離の移動を高精度に制御可能なアクチュエータが要望されている。
【０００３】
磁気ディスク装置は、高速で回転する磁気ディスク（記録媒体）の表面を記録素子により磁化して情報を磁気的に記録する装置である。磁気ディスクに記録された情報は再生素子により読み取り、電気信号に変換して出力される。以下、記録素子及び再生素子をまとめて磁気ヘッドという。
【０００４】
磁気ディスク装置の大容量化の要求にともなって、磁気ディスク１枚当たりの記録容量が著しく増大している。磁気ディスクの大きさを変えずに記録容量を増大するには、単位長さ当たりのトラック数（Track Per Inch：ＴＰＩ）を多くすること、つまりトラック幅を狭くして高密度に配置することが必須である。
【０００５】
磁気ヘッドは、スライダーと呼ばれるほぼ直方体の形状の部材の端面に配置される。スライダーは板ばね状のサスペンションの先端部に支持されており、磁気ディスクの回転によって生じる空気流によって磁気ディスクから若干浮上する。磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔は、磁気ディスクの回転により生じる空気流の強さとスライダーに対するサスペンションの付勢力とにより決定される。
【０００６】
近年、磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔のわずかな変動で書き込みエラー及び読み出しエラーが発生するようになった。そのため、磁気ヘッドと磁気ディスク装置との間隔（以下、「浮上量」ともいう）をより高精度に制御することが求められるようになった。
【特許文献１】特開平０６−２３６６４号公報
【特許文献２】特開平０９−８１９２４号公報
【特許文献３】特開２０００−３４８３２１号公報
【特許文献４】特開２００５−１１４１３号公報
【特許文献５】特開２００５−７８７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
高記録密度の磁気ディスクを搭載した磁気ディスク装置では、浮上量を高速かつ高精度に制御する必要がある。また、浮上量を制御する機構が比較的簡単で製造が容易であることが要求される。
【０００８】
しかしながら、現状ではこれらの要求を満足させるには至っていない。よって、浮上量を高速かつ高精度に制御可能であり、製造が容易な磁気ヘッドアセンブリ、サスペンションアーム及び磁気ディスク装置が要望されている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一観点によれば、第１の面が磁気記録媒体に対向して配置されるスライダーと、前記磁気記録媒体に情報を書き込む記録素子及び前記磁気記録媒体から情報を読み出す再生素子を備え、前記スライダーの第２の面側に配置された磁気ヘッド部と、前記スライダーの前記第２の面と前記磁気ヘッド部との間に配置されたアクチュエータとを有し、前記アクチュエータは、圧電体膜と、前記圧電体膜の前記スライダー側の面及び前記圧電体膜の前記磁気ヘッド部側の面に形成されて前記圧電体膜の一部のみに電圧を印加する第１及び第２の電極とを含み、前記第１及び第２の電極に電圧を印加して前記圧電体膜を部分的に電圧印加方向に伸縮させて前記磁気ヘッド部の前記記録素子及び再生素子を前記磁気記録媒体に対して接離する方向に変位させるものである磁気ヘッドアセンブリが提供される。
【発明の効果】
【００１０】
上記一観点によれば、スライダーと磁気ヘッド部との間に、浮上量（磁気ヘッドの記録素子及び再生素子と磁気記録媒体との間の距離）を調整するアクチュエータが配置されている。このアクチュエータは、圧電体膜と、この圧電体膜をスライダー側及び磁気ヘッド部側から挟む第１及び第２の電極を備えている。第１及び第２の電極は圧電体膜の一部分のみに電圧を印加し、圧電体膜を部分的に電圧印加方向に伸縮させる。これにより、アクチュエータを湾曲させて磁気ヘッド部を変位させることができる。
【００１１】
このように、アクチュエータを磁気ヘッド部の近くに配置し、当該アクチュエータにより磁気ヘッド部を直接駆動することで、浮上量を高速かつ高精度に制御することができる。また、圧電体膜の伸縮する方向（第２の面に垂直な方向）に電圧を印加して分極処理をすればよいので、駆動電極とは別に分極処理用電極を形成する工程や、その分極処理用電極を分極処理後に除去する工程が不要となる。したがって、磁気ヘッドアセンブリの製造が容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１３】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係る磁気ディスク装置を示す平面図、図２は同じくその磁気ディスク装置の構成の概要を示すブロック図である。また、図３は、サスペンションの先端部と磁気ヘッドアセンブリとを示す分解図、図４は磁気ヘッドアセンブリの上面図である。なお、図３、図４において、Ｘは磁気ディスクのトラックの伸びる方向を示し、Ｙはトラック幅方向を示し、Ｚは磁気ディスクの表面に垂直な方向を示している。これらのＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、相互に直交する方向である。
【００１４】
図１、図２に示すように、本実施形態に係る磁気ディスク装置は、金属製の筺体１０と、筺体１０内に収納された円盤状の磁気ディスク（磁気記録媒体）１１と、スピンドルモータ１２と、磁気ヘッドアセンブリ１４と、サスペンションアーム１５と、ボイスコイルモータ（サスペンションアーム駆動部）１６と、浮上量検出部１７と、制御部（電子回路）１８とを有している。
【００１５】
磁気ディスク１１は、スピンドルモータ１２の回転軸１２ａに固定され、スピンドルモータ１２により高速で回転する。サスペンションアーム１５は、基端側のキャリッジアーム１５ａと、先端側の板ばね状のサスペンション１５ｂとを有している。サスペンションアーム１５はボイスコイルモータ１６により駆動制御され、回転軸１６ａを中心として所定の角度範囲内を回転して、磁気ヘッドアセンブリ１４を磁気ディスク１１の半径方向に移動させる。これらのスピンドルモータ１２及びボイスコイルモータ１６は、制御部１８からの信号により制御される。
【００１６】
図３に示すように、サスペンション１５ｂの先端部には“Ｃ”字状の切り欠きで囲まれたジンバル１５ｃが設けられている。磁気ヘッドアセンブリ１４は、接着剤２４によりジンバル１５ｃの磁気ディスク１１側の面に接合されている。
【００１７】
磁気ヘッドアセンブリ１４は、スライダー２１と、スライダー２１の一端面（Ｘ方向に直交する面）上に配置された浮上量制御用アクチュエータ２２と、アクチュエータ２２に支持された磁気ヘッド部２３とを有している。アクチュエータ２２は、浮上量検出部１７の出力に基づく制御部１８からの信号により制御される。
【００１８】
スライダー２１は、アルチック（ＡｌＴｉＣ）等のセラミックスによりほぼ直方体形状に形成されている。スライダー２１の長さＬ（Ｘ方向の長さ）は例えば８５０μｍ、幅Ｗ（Ｙ方向の長さ）は例えば７００μｍ、厚さｔ（Ｚ方向の厚さ）は例えば２４０μｍである（図４参照）。本実施形態では、スライダー２１の面のうち磁気ディスク１１に対向する面を第１の面、アクチュエータ２２及び磁気ヘッド部２３が配置される面を第２の面と呼んでいる。
【００１９】
磁気ヘッド部２３には、図３に示すように磁気ヘッド１３が設けられている。磁気ヘッド１３は、記録素子１３ａ及び再生素子１３ｂ（図２参照）を積層して形成されている。記録素子１３ａとしては例えば単磁極ヘッドが使用され、再生素子１３ｂとしては例えばＭＲ（Magneto Resistive）素子、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子又はＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive）素子が使用される。制御部１８は、これらの記録素子１３ａ及び再生素子１３ｂを介して、磁気ディスク１１に対し情報の記録及び再生を行う。
【００２０】
図５は、ジンバル１５ｃに支持された磁気ヘッドアセンブリ１４を示す断面図である。図６は、アクチュエータ２２の動作を示す模式図である。
【００２１】
前述したように、スライダー２１と磁気ヘッド部２３との間には、浮上量制御用アクチュエータ２２が配置されている。アクチュエータ２２は、圧電体膜３２と、この圧電体膜３２のスライダー２１側に配置された第１の電極３１と、圧電体膜３２の磁気ヘッド部２２側に配置された第２の電極３３及びダミー電極３４とを備えている。電極３１、３３、３４は、例えば白金（Ｐｔ）等の導電体からなる。
【００２２】
圧電体膜３２は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）又はＰＮＮ（ニッケル酸ニオブ酸鉛）−ＰＺＴ等の圧電セラミックスからなり、ｄ３３モードで駆動される。すなわち、圧電体膜３２に第１の電極３１及び第２の電極３３から所定の電圧を印加すると、電圧印加方向の長さが伸び、電圧印加方向に垂直な方向の長さがわずかに短くなる。
【００２３】
第２の電極３３は、上側（磁気記録媒体から離れた側）に配置され、ダミー電極３４は下側（磁気記録媒体側）に配置されている。スリット３６は、第２の電極３３とダミー電極３４とを電気的に絶縁できる程度の幅（例えば幅５μｍ程度）に形成される。
【００２４】
第１の電極３１及び第２の電極３３には、図示しない配線路（配線及びビア等）を介して磁気ヘッド部２３の端子（図示せず）と電気的に接続されている。なお、ダミー電極３４は配線路とは接続されず、外部の回路から孤立している。このため、本実施形態のアクチュエータ２２は、第１の電極３１と第２の電極３３との間の圧電体膜３２のみに電圧を印加することができる。
【００２５】
以下、アクチュエータ２２の動作について説明する。
【００２６】
アクチュエータ２２に電圧を供給しないときには、図５に示すように、磁気ヘッド１３の下端の位置はスライダー２１の底面（第１の面）の位置と一致している。
【００２７】
端子及び配線路を介して第１の電極３１及び第２の電極３３間に所定の電圧を印加すると、圧電体膜３２の第２の電極３３に対応する部分が電圧印加方向（第２の面に垂直な方向）に伸長する（図６の矢印Ａ）。
【００２８】
一方、圧電体膜３２のダミー電極３４に対応する部分には電圧が印加されないため、伸長しない。この圧電体膜３２の部分的な伸長により、図６に示すように、アクチュエータ２２が変形し、このアクチュエータ２２の変形に応じて磁気ヘッド１３の下端の位置がスライダー２１の下面の位置よりも下降する。その結果、磁気ヘッド１３と磁気ディスク１１との間の距離（浮上量）が減少する。
【００２９】
なお、第２の電極３３と第１の電極３１間の電圧印加方向を逆にすることで、アクチュエータ２２の湾曲方向を逆にすることもでき、磁気ヘッド１３の浮上量を増加させることもできる。
【００３０】
浮上量を一定に制御するためには浮上量の変化を検出することが必要である。スライダー１４の浮上にともなってサスペンション１５ｂが湾曲するので、浮上量検出部１７として、例えばサスペンション１５ｂの湾曲量に応じて出力が変化する歪みセンサを用いることにより、浮上量の変化を検出することができる。また、予め磁気ディスク１１に記録した所定のデータを再生素子１３ｂにより読み出して、再生素子１３ｂの出力の変化により浮上量を検出してもよい。これらの歪みセンサ又は再生素子１３ｂの出力に応じてアクチュエータ２２に供給する電圧を制御部１８により制御することで、浮上量を一定に維持することができる。
【００３１】
本願発明者らは、上述の磁気ヘッドアセンブリ１４について、磁気ヘッド１３の浮上量の変位量をシミュレーション計算した。このシミュレーション計算において、スライダー部２１の長さＬを８５０μｍ、幅Ｗを７００μｍ、厚さｔを２４０μｍとし、圧電体膜３２のＸ方向の長さを１０μｍ、磁気ヘッド部２３のＸ方向の長さを３５μｍとした。そして、第２の電極３３のＺ方向の長さとダミー電極３４のＺ方向の長さとの比を様々に変えながら磁気ヘッドの浮上量を計算により求めた。この結果、第２の電極３３のＺ方向の長さと、ダミー電極３４のＺ方向の長さとの比を７：１とすることにより、最も大きな浮上量変化が得られることが判明した。この場合、第１の電極３１と第２の電極３３との間に３０Ｖの電圧を印加したときに、磁気ヘッド１３の浮上量が２．２７ｎｍ程度減少するものと見積もられた。
【００３２】
なお、図５、図６に示す例では、第２の電極３３をダミー電極３４よりも大きくしたが、本実施形態はこれに限定されるものではない。必要に応じて、第２の電極３３及びダミー電極３４のＺ方向の長さの比を、例えば３：１〜９：１の範囲で適宜選択できる。
【００３３】
図７（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【００３４】
まず、上面が平坦なアルチック基板４１を用意し、図７（ａ）に示すように、アルチック基板４１の上面に、順に、第１の導電膜４２（第１の電極３１に対応）、ＰＺＴ膜４３（圧電体膜３２に対応）及び第２の導電膜４４（第２の電極３３及びダミー電極３４に対応）を形成する。
【００３５】
第１の導電膜４２は、例えば、厚さ５０ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）膜を密着層として形成し、その上に厚さ３５０ｎｍ程度の白金（Ｐｔ）膜を形成して得られる。ＰＺＴ膜４３は、第１の導電膜４２の上にＰＺＴを厚さ１０μｍ程度に堆積させて得られる。ＰＺＴ膜４３に代えて、ＰＮＮ−ＰＺＴ膜等を形成してもよい。第２の導電膜４４は、例えば白金（Ｐｔ）を厚さ３５０ｎｍ程度に堆積して形成する。なお、第１の導電膜４２、圧電体膜４３及び第２の導電膜４４は、スパッタ法等で形成できる。
【００３６】
次に、図７（ｂ）に示すように、例えばドライエッチングプロセスにより、第２の導電膜４４をパターニングして、例えば幅５μｍ程度のスリット３６を形成する。これにより、第２の導電膜４４が、第２の電極３３となる部分と、ダミー電極３４となる部分に分割される。
【００３７】
次いで、公知の磁気ヘッド形成プロセスを用いて、図７（ｃ）に示すように第２の導電膜４４の上方に、記録素子及び再生素子を有する磁気ヘッド部４５（磁気ヘッド部２３に対応）を形成する。
【００３８】
再生素子としてＭＲ素子を採用する場合は、ＮｉＦｅ合金からなるＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）層と、Ｔａ等からなる非磁性層と、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ層とを積層し、これらをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングして形成する。一方、記録素子として単磁極ヘッドを採用する場合には、磁性材料により主磁極及びリターンヨークを形成し、銅又はアルミニウム等の導電材料によりコイルを形成する。この磁気ヘッド形成プロセスでは、記録素子及び再生素子の形成と同時に、第１の電極３１及び第２の電極３３に電気的に接続される図示しない配線路（配線及びビア等）を形成する。
【００３９】
このようにしてアルチック基板４１上に、第１の導電膜４２、ＰＺＴ膜４３、第２の導電膜４４及び磁気ヘッド部４５を形成した後、図７（ｄ）に示すように、アルチック基板４１をダイシングソーにより切断して、個々の磁気ヘッドアセンブリに分離する。これにより、図５に示す磁気ヘッドアセンブリ１４が完成する。
【００４０】
このようにして形成された磁気ヘッドアセンブリ１４を接着剤２４によりサスペンション１５ｂ（ジンバル１５ｃ）に取り付ける（図３参照）。その後、ワイヤボンディング等により磁気ヘッドアセンブリ１４の各端子（アクチュエータ２２、記録素子及び再生素子の各電極）とサスペンション１５ｂに設けられた配線とを電気的に接続する。
【００４１】
なお、アクチュエータ２２を使用する前に、圧電体膜３２に対して分極処理を実施することが必要である。本実施形態では、圧電体膜３２をｄ３３モード（電圧の印加方向に伸縮するモード）で使用するので、第１の電極３１及び第２の電極３３間に所定の電圧（例えば１０〜３０Ｖ）を印加すればよい。したがって、磁気ヘッドアセンブリ１４が完成した後に分極処理することができ、分極処理用に特別の電極を形成する工程やその電極を分極処理後に除去する工程が不要である。また、磁気ヘッドアセンブリ形成後に分極処理を実施することができるので、磁気ヘッド形成プロセスでＰＺＴ膜４２（圧電体膜３２）に熱が加わり分極特性が劣化することが回避される。
【００４２】
以上のように、本実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ１４では、磁気ヘッド部２３を支持するアクチュエータ２２により浮上量を直接制御するので、浮上量を高速かつ高精度に制御することができる。また、アクチュエータ２２は構造が簡単であり、第１の導電膜４２、ＰＺＴ膜４３及び第２の導電膜４４を成膜した後、第２の導電膜４４をパターニングにより分割して形成できるので製造が容易である。さらに、分極処理用の電極を形成する工程やその電極を分極処理後に除去する工程も不要である。したがって、磁気ヘッドアセンブリ１４の製造工程も簡略化できる。
【００４３】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリを示す断面図である。なお、第２実施形態において、第１実施形態の対応する構成と同じ部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００４４】
第２実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ１４Ａは、図８に示すように、アクチュエータ２２Ａの上側（磁気記録媒体から離れた側）の部分に第１の電極３１及び第２の電極３３が交互に複数積層されている（図示の例では４層）。第２の電極３３同士はビア３７によって連結され、第１の電極３１同士はビア３８によって連結されている。
【００４５】
また、アクチュエータ２２Ａの下側（磁気記録媒体側）の部分には、ダミー電極３４が圧電体膜３２を介して積層されている。このダミー電極３４は、第２の電極３３及び第１の電極３１から絶縁されている。隣接する電極（第１の電極３１、第２の電極３３、ダミー電極３４）の間には圧電体膜３２が配置されている。圧電体膜３２は、ＰＺＴ等からなり、第１及び第２の電極３１、３３からの電圧印加方向に伸縮する。
【００４６】
第１の電極３１及び第２の電極３３には、図示しない配線路が接続され、この配線路を介して磁気ヘッド部２３の端部に形成された端子（図示せず）に電気的に接続されている。
【００４７】
第２の電極３３及び第１の電極３１間に所定の電圧を印加すると、これらの電極３１、３３ａ間に挟まれた部分の圧電体膜３２が電圧印加方向（第２の面に垂直な方向）に伸縮して、アクチュエータ２２Ａを湾曲させる。アクチュエータ２２Ａは、第２の電極３３と第１の電極３１とが交互に複数積層されているので、圧電体膜３２の単位長さ当たりに印加される電圧の大きさが第１実施形態のアクチュエータ２２よりも大きい。したがって、第２実施形態の磁気ヘッドアセンブリ１４Ａによれば、より低い駆動電圧で磁気ヘッド１３の浮上量制御を行うことができる。
【００４８】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態について説明する。図９は、第３実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリを示す断面図である。なお、第３実施形態において、第１実施形態の対応する構成と同じ部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
第３実施形態の磁気ヘッドアセンブリ１４Ｂのアクチュエータ２２Ｂは、図９に示すように、圧電体膜３２の磁気ヘッド部２３側には第２の電極３３のみが配置されており、ダミー電極３４は配置されていない。本実施形態の第２の電極３３の形状及び位置は第１実施形態の第２の電極３３と同様である。
【００５０】
以上のような第３実施形態の磁気ヘッドアセンブリ１４Ｂによっても、第１実施形態の磁気ヘッドアセンブリ１４と同様の効果が得られる。
【００５１】
（第４実施形態）
以下、第４実施形態について説明する。図１０は、第４実施形態に係るアクチュエータの動作を示す模式図である。なお、第４実施形態において、第１実施形態の対応する構成と同じ部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００５２】
第４実施形態の磁気ヘッドアセンブリ１４Ｃのアクチュエータ２２Ｃは、図１０に示すように、第１実施形態のアクチュエータ２２と同様の構造である。ただし、ダミー電極３４に代えて、第３の電極３５が第２の電極３３の下側（磁気ディスク側）に配置されている。第３の電極３５には、図示しない配線路が接続されており、この配線路を介して磁気ヘッド部２３の端子（図示せず）と接続されている。
【００５３】
これにより、第４実施形態のアクチュエータ２２Ｃは、第２の電極３３と第３の電極３５とに別個に電圧を印加することができる。そして、第１の電極３１及び第２の電極３３間のみに所定の電圧を印加した場合には、図６に示すように、磁気ヘッド部２３を下側（磁気ディスク側）に変位させて磁気ヘッド１３の浮上量を減少させることができる。また、第１の電極３１及び第３の電極３５間のみに所定の電圧を印加した場合には、図１０に示すように、磁気ヘッド部２３を上側に変位させて磁気ヘッド１３の浮上量を増加させることができる。
【００５４】
このように、第４実施形態の磁気ヘッドアセンブリ１４Ｃでは、磁気ヘッド１３の浮上量を増減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置を示す平面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成の概要を示すブロック図である。
【図３】図３は、図１に示すサスペンションの先端部と磁気ヘッドアセンブリとを示す分解図である。
【図４】図４は、図３に示す磁気ヘッドアセンブリの上面図である。
【図５】図５は、図３に示すジンバルに支持された磁気ヘッドアセンブリを示す断面図である。
【図６】図６は、図４、図５に示すアクチュエータの動作を示す模式図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】図８は、第２実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリを示す断面図である。
【図９】図９は、第３実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリを示す断面図である。
【図１０】図１０は、第４実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリの動作を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…筺体、１１…磁気ディスク、１２…スピンドルモータ、１３…磁気ヘッド、１３ａ…記録素子、１３ｂ…再生素子、１４、１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ…磁気ヘッドアセンブリ、１５…サスペンションアーム、１５ａ…キャリッジアーム、１５ｂ…サスペンション、１５ｃ…ジンバル、１６…ボイスコイルモータ、１７…浮上量検出部、１８…制御部、２１…スライダー、２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ…アクチュエータ、２３…磁気ヘッド部、２４…接着材、３１…第１の電極、３２…圧電体膜、３３…第２の電極、３４…ダミー電極、３５…第３の電極、３６…スリット、３７、３８…ビア、４１…アルチック基板、４２…第１の導電膜、４３…ＰＺＴ膜、４４…第２の導電膜、４５…磁気ヘッド部。
【図１】
2010129117.tif 000003
【図２】
2010129117.tif 000004
【図３】
2010129117.tif 000005
【図４】
2010129117.tif 000006
【図５】
2010129117.tif 000007
【図６】
2010129117.tif 000008
【図７】
2010129117.tif 000009
【図８】
2010129117.tif 000010
【図９】
2010129117.tif 000011
【図１０】
2010129117.tif 000012