(57)【要約】【課題】チャンバ内の温度が変化することを抑制し、チャンバ内を真空雰囲気に減圧することができる真空装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】内部が真空雰囲気となるチャンバ１５に接続される真空装置において、該チャンバ１５内又は該チャンバ１５内に連通する連通部３６内を減圧するターボ分子ポンプ３４と、該ターボ分子ポンプ３４の近傍に配置され、該ターボ分子ポンプ３４から該チャンバ１５内へ放射される熱輻射を低減する輻射熱吸収機構４６と、該輻射熱吸収機構４６の温度を予め設定された温度となるように調整する制御装置と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が真空雰囲気となるチャンバに接続される真空装置において、
前記チャンバ内又は前記チャンバ内に連通する連通部内を減圧する真空ポンプと、
前記真空ポンプの近傍に配置され、前記真空ポンプから前記チャンバ内へ放射される熱輻射を低減する第１の受熱部と、
前記第１の受熱部の温度を予め設定された温度となるように調整する第１の温度調整部と、を備えたことを特徴とする真空装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空装置において、
前記第１の受熱部の温度を検出する第１の温度センサを備え、
前記第１の温度調整部は、前記第１の温度センサの検出結果に基づき、前記第１の受熱部の温度を調整することを特徴とする真空装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の真空装置において、
前記連通部内における前記真空ポンプと対向する位置であって且つ前記第１の受熱部よりも前記真空ポンプから遠い位置に配置されて前記熱輻射を低減する第２の受熱部を備えることを特徴とする真空装置。
【請求項４】
請求項３に記載の真空装置において、
前記第２の受熱部の温度を調整する第２の温度調整部を備えたことを特徴とする真空装置。
【請求項５】
請求項４に記載の真空装置において、
前記第２の受熱部の温度を検出する第２の温度センサを備え、
前記第２の温度調整部は、前記第２の温度センサの検出結果に基づき、前記第２の受熱部の温度を調整することを特徴とする真空装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の真空装置において、
前記連通部内の温度を検出する第３の温度センサを備え、
前記第１の温度調整部及び前記第２の温度調整部の少なくとも一方は、前記第３の温度センサの検出結果に基づき、前記第１の受熱部及び前記第２の受熱部のうち各々が対応する受熱部の温度を調整することを特徴とする真空装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記第１の受熱部には、前記真空ポンプの駆動に伴い前記連通部内に流入した気体が前記真空ポンプ側に向けて流動する流動部が形成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項８】
請求項７に記載の真空装置において、
前記流動部は、前記連通部内において前記真空ポンプ側に向けて延びるように形成されており、
前記第１の受熱部は、前記連通部内において前記流動部が延びる方向と交差する方向に間隙を介して隣り合うように配置された複数の受熱部材を含んで構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項９】
請求項８に記載の真空装置において、
前記受熱部材には、熱媒体が流動する管路を内部に有した管部材が接続されていることを特徴とする真空装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の真空装置において、
前記複数の受熱部材は、多層構造となるようにそれぞれ配置されていることを特徴とする真空装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の真空装置において、
前記流動部は、前記連通部内において前記真空ポンプ側に向けて延びるように形成されており、
前記第１の受熱部は、前記連通部内において前記流動部が延びる方向と交差する面全域に分散するように蛇行した形状であって且つ熱媒体が流動する管路を内部に有した管部材により構成されていることを特徴とする真空装置。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記真空ポンプの駆動に伴って生じる振動を減衰させる減衰機構を備えたことを特徴とする真空装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記真空ポンプは、ターボ分子ポンプであることを特徴とする真空装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１２のうち何れか一項に記載の真空装置において、
前記真空ポンプは、クライオポンプであることを特徴とする真空装置。
【請求項１５】
プラズマを生成し、該プラズマから放射される光を供給する光源装置であって、
請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載の真空装置を備えたことを特徴とする光源装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の光源装置と、
該光源装置から出力される前記光で第１面を照明可能な照明光学系と、
所定のパターンの像を前記第１面とは異なる第２面上に投影可能な投影光学系と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載の真空装置と、
プラズマを生成し、該プラズマから放射される光を供給する光源装置と、
前記光源装置から出力される光で第１面を照明可能な照明光学系と、
所定のパターンの像を前記第１面とは異なる第２面上に投影可能な投影光学系と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１８】
デバイスの製造方法において、
請求項１６又は請求項１７に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャンバ内を真空雰囲気に減圧させる真空装置、該真空装置を備える光源装置、該光源装置を備える露光装置、該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、EUV（Extreme Ultraviolet）光やEB（Electron Beam）を露光光として用いて基板にパターン像を転写する露光装置には、露光光の減衰を抑制するために、チャンバ内を真空雰囲気に減圧させる真空ポンプが設けられている。このような露光装置において、例えば、真空ポンプとしてターボ分子ポンプを適用した場合、ターボ分子ポンプは、動翼が固定翼に向けて気体分子を弾く際に発熱することで、チャンバ内の部材よりも高温となる。そして、ターボ分子ポンプとチャンバ内の部材との間で温度差を生じた場合、チャンバ内の部材は、ターボ分子ポンプからの輻射熱を受熱することで（又はターボ分子から放射された熱輻射により）、予め設定した温度からズレを生じて、その動作に悪影響を及ぼす虞があった。特に、チャンバ内の光学素子に温度変化が生じた場合、その光学特性に悪影響を及ぼすため、それを回避することが望まれていた。そこで、通常、露光装置には、特許文献１に記載されるように、真空ポンプからの輻射熱をチャンバ内の部材が受熱して温度変化することを規制するための機構が設けられている。
【０００３】
すなわち、この特許文献１の露光装置では、ターボ分子ポンプによりチャンバ内の空気（気体）を吸引して排出するための通気口が、チャンバの内外を連通するように形成されている。そして、チャンバ内における通気口の近傍位置に、ターボ分子ポンプに対向するように配置されたシールドと、該シールドを外周から包囲するように通気口の端縁に沿って配置された輻射部材とを備えている。そして、ターボ分子ポンプから通気口を介してチャンバ内に放射された輻射熱は、輻射率の低いシールドにて、その一部がターボ分子ポンプ側に反射されるとともに、その他の部分が輻射部材側に反射されて輻射部材内を循環する冷媒により吸収される。そのため、ターボ分子ポンプから放射された輻射熱がチャンバ内の部材に到達することはほとんどなく、チャンバ内の部材に温度変化を生じることが抑制されるようになっている。
【特許文献１】特開２００７−３１１６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、一般的な露光装置では、真空ポンプとチャンバ内の部材との間に介在するシールドには、そのシールド自体の温度を調整するための温調機構が具備されていない。そのため、例えば、そのシールドが、真空ポンプから放射された熱輻射により温度が変化した場合には、そのシールド自体の温度変化を抑制することができず、例えば加熱されたシールドからチャンバ内に向けて新たに輻射熱が放射されることで、チャンバ内の部材に温度変化を生じるという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、チャンバ内の温度が変化することを抑制しつつ、チャンバ内を真空雰囲気に減圧することができる真空装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１４に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の第１の実施態様である真空装置は、内部が真空雰囲気となるチャンバ（１５，２８）に接続される真空装置（２７，７０）において、前記チャンバ（１５，２８）内又は前記チャンバ（１５，２８）内に連通する連通部（３６，６９，９０）内を減圧する真空ポンプ（３５，６６）と、前記真空ポンプ（３５，６６）の近傍に配置され、前記真空ポンプ（３５，６６）から前記チャンバ（１５，２８）内に放射される熱輻射を低減する第１の受熱部（４６，７１，８２，９２，９３）と、該第１の受熱部（４６，７１，８２，９２，９３）の温度を予め設定された温度となるように調整する第１の温度調整部（７９）と、を備えたことを要旨とする。
【０００７】
本発明の第２の実施態様である光源装置は、プラズマを生成し、該プラズマから放射される光を供給する光源装置（１２）であって、第１の実施態様の真空装置を備えたことを要旨とする。
【０００８】
本発明の第３の実施態様である露光装置は、第２の実施態様の光源装置と、該光源装置（１２）から出力される前記光で第１面を照明可能な照明光学系（１６）と、所定のパターンの像を前記第１面とは異なる第２面上に投影可能な投影光学系（１８）と、を備えたことを要旨とする。
【０００９】
本発明の第４の実施態様である露光装置は、第１の実施態様の真空装置と、プラズマを生成し、該プラズマから放射される光を供給する光源装置（１２）と、前記光源装置から出力される光で第１面を照明可能な照明光学系（１６）と、所定のパターンの像を前記第１面とは異なる第２面上に投影可能な投影光学系（１８）と、を備えたことを要旨とする。
【００１０】
本発明の第５の実施態様であるデバイスの製造方法は、第３の実施態様又は第４の実施態様の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記露光された基板を処理する工程と、を含むことを要旨とする。
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、チャンバ内の温度が変化することを抑制しつつ、チャンバ内を真空雰囲気に減圧することができる真空装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態について図１〜図７に基づき説明する。
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される波長が１００ｎｍ程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV（Extreme  Ultraviolet）光を露光光ELとして用いるEUV露光装置であって、フロア１３上に支持台１４を介して設置されるチャンバ１５を備えている。チャンバ１５内は、真空雰囲気に設定されており、その真空度は、チャンバ１５内でEUV光を用いて露光処理を行うために適切な高真空となっている。
【００１３】
そして、チャンバ１５内には、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲ及び表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷが収容され、光源装置１２からの露光光ELが入射するようになっている。このようにチャンバ１５内に入射した露光光ELは、該チャンバ１５内に配置される照明光学系１６を介してレチクルステージ１７にて保持されるレチクルRを照明し、レチクルRで反射した露光光ELは、チャンバ１５内に配置される投影光学系１８を介してウエハステージ１９に保持されるウエハWを照射するようになっている。
【００１４】
照明光学系１６は、チャンバ１５の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体２０を備えている。この筐体２０内には、光源装置１２から筐体２０内に入射された露光光ELを反射可能な複数枚の図示しない反射ミラーが設けられており、各反射ミラーによって順に反射された露光光ELは、後述する鏡筒２１内に配置された折り返し用の反射ミラー２２に入射し、該反射ミラー２２で反射した露光光ELがレチクルステージ１７に保持されるレチクルRに導かれる。なお、照明光学系１６を構成する各反射ミラー（折り返し用の反射ミラー２２も含む。）の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。
【００１５】
レチクルステージ１７は、投影光学系１８の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着する吸着面２３ａを有する静電チャック２３と、レチクルRをY軸方向（図１における左右方向）に所定ストロークで移動させる図示しないレチクルステージ駆動部と、静電チャック２３を支持する支持ステージ２４とを備えている。レチクルステージ駆動部は、レチクルRをX軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθｚ方向（Z軸周りの回転方向）にも移動可能に構成されている。なお、レチクルRの第１面としてのパターン面Raに露光光ELが照明される場合、該パターン面Raの一部には、X軸方向に延びる矩形状の照明領域が形成される。
【００１６】
投影光学系１８は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン面Ｒａを照射することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、チャンバ１５の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２１を備えている。この鏡筒２１内には、複数枚（一例としては６枚であって、図１では１枚のみ図示）の反射型のミラー２５が収容されている。そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、各ミラー２５に順に反射され、ウエハステージ１９に保持されるウエハWの第２面としての被照射面Ｗａに導かれる。なお、各ミラー２５の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。
【００１７】
ウエハステージ１９は、ウエハWを静電吸着する吸着面２６ａを有する静電チャック２６と、ウエハＷをY軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハＷをX軸方向及びZ軸方向（図１における上下方向）にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ１９には、静電チャック２６を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのZ軸方向における位置及びX軸周り、Y軸周りの傾斜角を調整する図示しないZレベリング機構とが組み込まれている。なお、チャンバ１５における投影光学系１８の鏡筒２１の近傍位置には、チャンバ１５内から気体を吸引して外部に排出することでチャンバ１５内を真空雰囲気となるように減圧する真空装置２７が接続されている。
【００１８】
なお、本実施形態の露光装置１１にてウエハＷにパターンの像を投影する場合、レチクルＲは、上記レチクルステージ駆動部の駆動によって、Y軸方向に所定ストローク毎に移動する。すると、レチクルＲにおける照明領域は、該レチクルＲのパターン面Ｒａの−Y軸方向側から＋Y軸方向側（図１では左側から右側）に沿って移動する。すなわち、レチクルＲのパターンが−Y方向側から＋Y方向側に順にスキャンされる。また、ウエハＷは、上記ウエハステージ駆動部の駆動によって、レチクルＲのY軸方向への移動に対して投影光学系１８の縮小倍率に応じた速度比で＋Y方向に同期して移動する。その結果、ウエハＷの一つのショット領域には、レチクルＲ及びウエハＷの同期移動に伴って、レチクルＲ上のパターンが所定の縮小倍率だけ縮小された状態で形成される。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成処理が連続して行われる。
【００１９】
次に、光源装置１２について図２に基づき説明する。
本実施形態の光源装置１２は、波長が「５〜５０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）」となるEUV光を露光光ＥＬとしてチャンバ１５内に射出するレーザ励起型プラズマ光源装置により構成されている。具体的には、図２に示すように、光源装置１２は、内部が真空雰囲気に設定されたチャンバ２８を備えており、チャンバ２８内には、プラズマＰＬを発生させるプラズマ発生部２９と、プラズマＰＬから放射させる露光光ＥＬを集光させるための筒状の集光ミラー３０とが収容されている。プラズマ発生部２９は、EUV光発生物質（ターゲット）としての高密度のキセノン（Ｘｅ）ガスを高速で噴出するノズル３１と、半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザ３２とを備えている。そして、高出力レーザ３２から射出されたレーザ光がノズル３１から射出されるキセノンガスを照射することによりプラズマＰＬが生成され、該プラズマＰＬからはEUV光が露光光ELとして放出される。そして、放出された露光光ＥＬは、集光ミラー３０の入射側（−Ｙ方向側であって、図２では左側）の開口から集光ミラー３０内に入射する。なお、高出力レーザ３２は、例えば、CO２レーザであってもよい。
【００２０】
集光ミラー３０は、入射した露光光ＥＬの光軸方向における各部位の断面形状が円環状をなすように形成されており、集光ミラー３０の内周面には露光光ＥＬを反射可能な反射層が形成されている。そして、プラズマＰＬからの露光光ＥＬは、集光ミラー３０の内周面に反射された後、集光ミラー３０の射出側の開口（＋Ｙ方向側であって、図２では右側）から射出され、照明光学系１６に向けて出力される。
【００２１】
次に、真空装置２７について図３に基づき説明する。
図３に示すように、真空装置２７は、チャンバ１５を支持する支持台１４の＋Y方向側（図２では右側）に隣接する支持台３３上に配置された真空ポンプとしてのターボ分子ポンプ３４を備えている。そして、ターボ分子ポンプ３４は、ターボ分子ポンプ３４で発生する振動を減衰させる減衰機構としての振動減衰部３５を介して内部が中空の連通部３６に連結されている。連通部３６は、振動減衰部３５との連結部位である−Ｚ方向側の端部から鉛直上方に延びるとともに、その途中位置にてチャンバ１５側となる−Ｙ方向側に向けてほぼ直角に屈曲した略L字状の筒体をなすように構成され、チャンバ１５の側壁（図２では右側壁）に開口形成された排気口３７を覆うようにチャンバ１５に接続される。
【００２２】
ターボ分子ポンプ３４は、振動減衰部３５との連結部位である＋Ｚ方向側の上壁面に連通口３８ａが形成された本体ケース３８と、該本体ケース３８内において−Ｚ方向側（即ち、支持台３３側）に配置されるモータ３９とを備え、該モータ３９は、Ｚ軸方向に沿って延びる回転軸４０を有している。また、ターボ分子ポンプ３４には、本体ケース３８の内周壁に支持される複数枚の固定翼４１と、回転軸４０に支持される複数枚の動翼４２とが設けられている。そして、モータ３９の駆動に基づき各動翼４２が回転軸４０の軸中心である回転軸線４３を中心に回転する場合、各動翼４２は、チャンバ１５内から連通部３６及び振動減衰部３５を介して本体ケース３８内に流入した気体分子を弾いて固定翼４１に当て、最終的に気体分子を図示しない排気部を介して露光装置１１外に押しやるようになっている。
【００２３】
振動減衰部３５は、円筒形状をなすステンレス製の蛇腹部材４４を備え、該蛇腹部材４４は、Ｚ軸方向に伸縮自在とされている。こうした蛇腹部材４４は、その−Ｚ方向側の端部がターボ分子ポンプ３４における本体ケース３８の上壁面に対して連通口３８ａを覆うように固定されるとともに、その＋Ｚ方向側の端部が連通部３６の−Ｚ方向側の端部に固定されている。また、蛇腹部材４４の外周側には、該蛇腹部材４４をＺ軸方向における伸縮を可能にした状態で保護するゴム製の保護部材４５が設けられている。そして、ターボ分子ポンプ３４が駆動した場合、ターボ分子ポンプ３４は、チャンバ１５内から排気口３７、連通部３６、振動減衰部３５の蛇腹部材４４、及び連通口３８ａを介して気体を本体ケース３８内に吸引した後、露光装置１１外に排気させる。
【００２４】
なお、ターボ分子ポンプ３４が駆動する際、各動翼４２は、気体分子を固定翼４１に当てるために気体分子を弾くようになっている。そのため、各動翼４２、特に各動翼４２の回転軸線４３を中心とした径方向外側には、気体分子を弾いた際の発熱によって、熱エネルギーがそれぞれ蓄熱される。もし仮に動翼４２のうち熱エネルギーが蓄熱される部分（動翼４２の径方向外側部）とチャンバ１５内に配置される部材（例えば反射ミラー）との間に介在する部材が何もなかったとすると、動翼４２からの輻射熱によって反射ミラーの温度が上昇する虞がある。そこで、本実施形態では、連通部３６内においてターボ分子ポンプ３４とチャンバ１５の排気口３７とを結んだ直線上には、ターボ分子ポンプ３４から直線状に放射される輻射熱を吸収することで、その輻射熱が排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に到達することを規制する第１の受熱部としての輻射熱吸収機構４６が配置されている。
【００２５】
図４〜図６に示すように、輻射熱吸収機構４６は、互いに径の異なる複数（本実施形態では７つ）の略円筒状をなす受熱部材としての輻射熱吸収部材４７が、連通部３６の−Ｚ方向側の端部が延びる方向（即ち、Ｚ軸方向）に沿う軸線４８を中心として径方向に等間隔となるように同心状に配置された多層フィン構造をなす環状部４９を有している。そして、各輻射熱吸収部材４７は、軸線４８と直交する径方向（即ち、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）において互いに隣り合う輻射熱吸収部材４７同士の間に間隙５０を形成することで、これらの間隙５０が、ターボ分子ポンプ３４の駆動に伴ってチャンバ１５内から連通部３６内に流入した空気流（気体流）（図３では点線で示す）をターボ分子ポンプ３４側に向けて流動させる流動部として機能する。なお、各輻射熱吸収部材４７の表面には、輻射率の高い材質からなる輻射膜が形成されており、ターボ分子ポンプ３４から輻射された輻射熱を連通部３６の内壁面に向けて反射させることなく高効率に吸収することで、連通部３６の内壁面がターボ分子ポンプ３４からの輻射熱により加熱されることを抑制している。その結果、連通部３６が、その温度上昇に伴って、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に向けて新たに輻射する輻射熱は極めて小量となる。
【００２６】
輻射熱吸収機構４６において環状部４９の外側には、熱媒体としての冷媒が流動する管路５１を内部に中空状に形成した略円環状の管部材としての冷却部５２が軸線４８周りに環状部４９を外周から包囲するように配置されている。また、冷却部５２の内周面には、径方向に延びる２枚の平板状の金属板５３が互いに直角に交差するように架設されている。すなわち、環状部４９を構成する各輻射熱吸収部材４７には、２枚の金属板５３を軸線４８と直交するＸ軸方向及びＹ軸方向に沿うように配置した状態で挿通可能とする挿通孔５４が形成されており、これらの各挿通孔５４に挿通されることで各金属板５３は環状部４９の各輻射熱吸収部材４７に連結されている。また、冷却部５２における＋Ｙ方向側の端部及び−Ｙ方向側の端部には、冷却装置５５から延設された冷媒供給流路５６が、連通孔５７（図６参照）を介して管路５１内に連通するようにそれぞれ接続されている。そして、冷却装置５５から冷媒供給流路５６を介して冷却部５２の管路５１内に冷媒が流動した場合、管路５１の内壁面を介して冷却部５２から冷媒に向けて熱が伝播して冷却部５２が冷却され、冷媒により冷却された冷却部５２には、各金属板５３を介して環状部４９から熱が伝播して環状部４９が冷却される。
【００２７】
なお、冷却装置５５から冷媒供給流路５６を介して冷却部５２の管路５１内に流入した冷媒は、＋Ｘ軸方向側の管路と−Ｘ軸方向側の管路とをほぼ同一距離だけ流動した後に、冷媒供給流路５６を介して冷却装置５５内に回収される。そのため、冷媒が＋Ｘ軸方向側を流動する際の管路５１の流路抵抗と、冷媒が−Ｘ軸方向側を流動する際の管路５１の流路抵抗とがほぼ均一となる。そのため、一方側の管路５１を流動する際の流路抵抗が相対的に大きくなることで、冷媒の流速が低下して冷媒の冷却効率が低下する場合と比較して、冷却部５２による環状部４９の冷却効率が領域毎にばらつくことが抑制される。
【００２８】
また、環状部４９には、輻射熱吸収部材４７の温度を検出する第１の温度センサ５８が配置されている。そして、本実施形態では、第１の温度センサ５８は、複数の輻射熱吸収部材４７のうち、径方向内側から数えて２番目の位置に配置された輻射熱吸収部材４７の温度を検出するようになっている。なお、輻射熱吸収部材４７は、熱伝導率の高い材質により構成されており、その全域が均一な温度分布となるように、冷却部５２から金属板５３を介して冷却される。すなわち、環状部４９は、冷却部５２により均一に冷却された金属板５３を介して、その全域が均一な温度分布となるように冷却される。そのため、第１の温度センサ５８は、環状部４９全域の温度を検出する温度センサとして機能する。また、第１の温度センサ５８は、その大きさが環状部４９の大きさと比して極めて小さな構造となっており、ターボ分子ポンプ３４が各輻射熱吸収部材４７間の間隙５０を介して空気（気体）を吸引する際の吸引力に影響を及ぼすことが抑制される。
【００２９】
また、図１及び図３に示すように、連通部３６においてターボ分子ポンプ３４と対向する位置には、ターボ分子ポンプ３４から直線状に放射された輻射熱が、各輻射熱吸収部材４７間の間隙５０を通過して連通部３６の内壁面に到達した場合に、その輻射熱により加熱された連通部３６の内壁面から新たに放射された輻射熱が排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に到達することを規制する第２の受熱部としてのヒートシンク５９が配置されている。このヒートシンク５９内には、冷却装置６０から冷媒供給流路６１を介して供給される冷媒が流動する冷媒流路６２が形成されており、冷媒流路６２内を流動する冷媒は、ヒートシンク５９から熱エネルギーを吸熱するようになっている。
【００３０】
また、連通部３６内におけるヒートシンク５９の近傍位置には、連通部３６の内壁面の温度を検出する第２の温度センサ６３が配置されている。また、連通部３６内における排気口３７の近傍位置であって且つ排気口３７と輻射熱吸収部材４７とを結ぶ直線上には、連通部３６内の温度を検出する第３の温度センサ６４が配置されている。なお、第２の温度センサ６３及び第３の温度センサ６４は、その大きさが連通部３６の内部と比して極めて小さな構造となっており、ターボ分子ポンプ３４が連通部３６を介して空気を吸引する際の吸引力に影響を及ぼすことが抑制されるようになっている。
【００３１】
また、図１に示すように、光源装置１２には、上記の真空装置２７と同様に、支持台６５上に配置された真空ポンプとしてのターボ分子ポンプ６６と、該ターボ分子ポンプ６６に対して減衰機構としての振動減衰部６７を介して接続され且つ排気口６８を覆うようにチャンバ２８に接続される連通部６９とにより構成される真空装置７０が配置されている。そして、連通部６９内には、ターボ分子ポンプ６６からの輻射熱を吸収する第１の受熱部としての輻射熱吸収機構７１が配置されている。また、連通部６９においてターボ分子ポンプ６６と対向する位置には、ターボ分子ポンプ６６からの輻射熱を吸収する第２の受熱部としてのヒートシンク７２が配置されている。ヒートシンク７２内には、冷却装置７３から冷媒供給流路７４を介して供給される冷媒が流動する冷媒流路７５が形成されており、冷媒流路７５内を流動する冷媒は、ヒートシンク７２から熱エネルギーを吸熱するようになっている。また、連通部６９内には、輻射熱吸収機構７１の温度を検出する第１の温度センサ７６（図７参照）、ヒートシンク７２の温度を検出する第２の温度センサ７７、及び、連通部６９内の温度を検出する第３の温度センサ７８が配置されている。
【００３２】
次に、本実施形態の露光装置１１における制御構成について説明する。
図７に示すように、露光装置１１における装置全体の駆動状態を制御する制御装置７９は、ＣＰＵ８０などを備えたコントローラと、各装置を駆動させるための駆動回路（図示略）とを主体として構成されている。制御装置７９の入力側インターフェース（図示略）には、連通部３６，６９内に設けられた温度センサ５８，６３，６４，７６，７７，７８がそれぞれ接続されており、温度センサ５８，６３，６４，７６，７７，７８からの入力信号を受信するようになっている。一方、制御装置の出力側インターフェース（図示略）には、輻射熱吸収機構４６，７１を冷却するための冷却装置５５，８１、及びヒートシンク５９，７２を冷却するための冷却装置６０，７３がそれぞれ接続されている。そして、制御装置７９は、温度センサ５８，６３，６４，７６，７７，７８からの入力信号に基づき、冷却装置５５，６０，７３，８１から供給される冷媒の温度を個別に制御するようになっている。
【００３３】
次に、上記のように構成された露光装置１１の作用について、特に、チャンバ１５内を減圧する際の作用に着目して以下説明する。
さて、露光装置１１において、ターボ分子ポンプ３４によりチャンバ１５内を高効率に吸引するには、チャンバ１５内とターボ分子ポンプ３４とを連結する連通部３６を、十分な流路面積を維持しつつ短縮することで、連通部３６内を流動する空気の流路抵抗を低減する必要がある。しかしながら、そのような場合、チャンバ１５の排気口３７とターボ分子ポンプ３４とが連通部３６内を介して直線上に結ばれる位置に配置されることで、ターボ分子ポンプ３４から直線状に放射された輻射熱が、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に到達して、それらの部材が加熱されてその動作に悪影響を及ぼす虞があった。特に、チャンバ１５内のミラー２２，２５が加熱された場合には、その光学特性に影響を及ぼすため、回避することが望まれていた。
【００３４】
この点、本実施形態の露光装置１１では、連通部３６内において、ターボ分子ポンプ３４と排気口３７とを結んだ直線上に輻射熱吸収部材４７が配置されており、ターボ分子ポンプ３４から輻射熱吸収部材４７の間隙５０が延びる方向（すなわち、Ｚ軸方向）と交差する方向に放射された輻射熱は、輻射熱吸収部材４７に吸収されることになるため、輻射熱吸収部材４７の間隙５０を通過してチャンバ１５内の部材に到達することはない。また、ターボ分子ポンプ３４から輻射熱吸収部材４７の間隙５０が延びる方向と平行な方向に放射された輻射熱は、輻射熱吸収部材４７の間隙５０を通過するものの、ヒートシンク５９により冷却される連通部３６の内壁面に吸収されることになるため、ターボ分子ポンプ３４からの輻射熱の照射により連通部３６が温度上昇することはなく、かかる連通部３６から排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に向けて新たに輻射熱を輻射することはない。
【００３５】
ところで、露光装置１１において、光源装置１２からの露光光ＥＬの出力強度を増大させた場合には、チャンバ１５内のミラー２２，２５の反射面に堆積するカーボンコンタミの量が増大する。そこで、通常、そのカーボンコンタミをガス化するプロセスガスの導入量を増大させることで、カーボンコンタミの増大を抑制する。このとき、プロセスガスの導入量の増大に伴ってチャンバ１５内の圧力が増大するため、チャンバ１５内の圧力を一定値に維持するために、真空装置２７の吸引力を増大させるべく、ターボ分子ポンプ３４の回転数を増大させる。
【００３６】
その結果、ターボ分子ポンプ３４には、より高量の熱が蓄熱されることで、ターボ分子ポンプ３４から放射される輻射熱が増大する。そして、この増大した熱量分だけ、輻射熱吸収部材４７は、ターボ分子ポンプ３４から輻射される輻射熱の熱量が冷却部５２を介して放出される熱量を上回ることで温度が上昇し、加熱された輻射熱吸収部材４７から排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に向けて新たに輻射熱が輻射されることで、チャンバ１５内の部材が加熱されることが有り得る。なお、連通部３６におけるヒートシンク５９の近接位置でも、ターボ分子ポンプ３４から放射される輻射熱が増大することに伴って、同様の問題を含有していた。
【００３７】
この点、本実施形態の露光装置１１では、ＣＰＵ８０は、第１の温度センサ５８が輻射熱吸収部材４７の温度が予め設定した値を上回ったことを検出した時点で、ターボ分子ポンプ３４から輻射される輻射熱が増大したことに起因して、輻射熱吸収部材４７がチャンバ１５内の部材との間で、チャンバ１５内の部材の動作に悪影響を及ぼす程度の温度変化を生じ得る輻射熱の授受を行っていると判断し、輻射熱吸収部材４７の温度を低下させるべく、冷却装置５５から冷却部５２に供給される冷媒の温度を低下させる。すなわち、本実施形態では、ＣＰＵ８０は、第１の温度センサ５８の検出結果に基づき、輻射熱吸収部材４７の温度を調整する第１の温度調整部として機能する。
【００３８】
また同時に、ＣＰＵ８０は、第２の温度センサ６３がヒートシンク５９に近接する連通部３６の内壁面の温度が予め設定した値を上回ったことを検出した時点で、ターボ分子ポンプ３４から放射される輻射熱が増大したことに起因して、連通部３６の内壁面がチャンバ１５内の部材との間で、チャンバ１５内の部材の動作に悪影響を及ぼす程度の温度変化を生じ得る輻射熱の授受を行っていると判断し、連通部３６の内壁面の温度を低下させるべく、冷却装置６０からヒートシンク５９に供給される冷媒の温度を低下させる。すなわち、本実施形態では、ＣＰＵ８０は、第２の温度センサ６３の検出結果に基づき、ヒートシンク５９の温度を調整する第２の温度調整部としても機能する。
【００３９】
また同時に、ＣＰＵ８０は、第３の温度センサ６４が、連通部３６内における排気口３７の近傍位置での温度が予め設定した値を上回ったことを検出した時点で、輻射熱吸収部材４７の温度が上昇したことに起因して、連通部３６内における排気口３７の近傍位置での温度が、輻射熱吸収部材４７とチャンバ１５内の部材との間で排気口３７を介して輻射熱が授受されることで上昇していると判断し、輻射熱吸収部材４７の温度を低下させるべく、冷却装置５５から冷却部５２に供給される冷媒の温度を低下させる。
【００４０】
その結果、輻射熱吸収部材４７及び連通部３６の内壁面は、チャンバ１５内の部材との間で予め設定された所望の温度差を満たすことになり、排気口３７を介して輻射熱が授受されることはほとんどなくなるため、ターボ分子ポンプ３４の吸引力の変化に伴って、チャンバ１５内の部材が温度変化を生じることが抑制される。
【００４１】
また、各輻射熱吸収部材４７の間には、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、排気口３７を介して連通部３６内を流動する空気流の流動方向に沿うように間隙５０が形成されている。そのため、空気流が各輻射熱吸収部材４７の間隙５０を通過する際の流路抵抗が低減されることで、連通部３６内に輻射熱吸収機構４６を配置することに伴って、ターボ分子ポンプ３４が連通部３６を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力が低下することが抑制される。
【００４２】
また、ターボ分子ポンプ３４が駆動した場合には、その駆動に基づく振動が発生するが、本実施形態の露光装置１１では、ターボ分子ポンプ３４の＋Ｚ方向側の端部は、振動減衰部３５を介して連通部３６に接続されているため、ターボ分子ポンプ３４から振動が発生しても、該振動は、振動減衰部３５の蛇腹部材４４の伸縮動作によりほとんど吸収される。すなわち、ターボ分子ポンプ３４の駆動に基づく振動がチャンバ１５に伝達されることはほとんどない。
【００４３】
なお、本実施形態では、光源装置１２についても、上記の真空装置２７と同様の真空装置７０を備えているため、チャンバ２８内に連通する連通部６９内を減圧するターボ分子ポンプ６６からの輻射熱を輻射熱吸収機構７１及びヒートシンク７２により吸収することができるようになっている。そして、各温度センサ７６〜７８の検出結果に基づき輻射熱吸収機構７１及びヒートシンク７２の温度を調整することができるようになっている。
【００４４】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、制御装置７９は、ターボ分子ポンプ３４，６６から放射された輻射熱を吸収する輻射熱吸収機構４６，７１が、チャンバ１５，２８内の部材との間で、チャンバ１５，２８内の部材の動作に悪影響を及ぼさない程度の輻射熱を授受し得る温度差となるように、冷却装置５５，８１から輻射熱吸収機構４６，７１に供給される冷媒の温度を制御する。そのため、輻射熱吸収機構４６，７１は、チャンバ１５内の部材との間で、排気口３７，６８を介して輻射熱が授受されることはほとんどなく、ターボ分子ポンプ３４，６６の駆動に伴って、チャンバ１５，２８内の部材が温度変化を生じることが抑制される。
【００４５】
（２）本実施形態では、制御装置７９は、第１の温度センサ５８，７６により検出される輻射熱吸収機構４６，７１の温度に基づき、冷却装置５５，８１から輻射熱吸収機構４６，７１に供給される冷媒の温度を制御する。そのため、ターボ分子ポンプ３４，６６から輻射熱吸収機構４６，７１に放射される輻射熱の熱量が変化して、輻射熱吸収機構４６，７１が温度変化を伴う場合であっても、その輻射熱吸収機構４６，７１の温度を、チャンバ１５，２８内の部材との間で、輻射熱の授受がほとんどない温度差となるように精密に制御することができる。
【００４６】
（３）本実施形態では、連通部３６，６９内において、ターボ分子ポンプ３４，６６と対向する位置にヒートシンク５９，７２が配置されている。そのため、ターボ分子ポンプ３４，６６から連通部３６，６９の延びる方向に沿うように直線状に輻射熱が放射された場合に、その輻射熱により連通部３６，６９の内壁面が加熱されることが抑制される。したがって、加熱された連通部３６，６９の内壁面から排気口３７，６８を介してチャンバ１５，２８内に新たに輻射熱が放射されることを回避でき、チャンバ１５，２８内の部材に好ましくない温度変化を生じさせることが抑制される。
【００４７】
（４）本実施形態では、制御装置７９は、第２の温度センサ６３，７７により検出されるヒートシンク５９，７２近傍の連通部３６，６９の内壁面の温度に基づき、冷却装置６０，７３からヒートシンク５９，７２に供給される冷媒の温度を制御する。そのため、ターボ分子ポンプ３４，６６から連通部３６，６９の内壁面に放射される輻射熱の熱量が変化して、連通部３６，６９の内壁面が温度変化を伴う場合であっても、その連通部３６，６９の内壁面の温度を、チャンバ１５，２８内の部材との間で、輻射熱の授受がほとんどない温度差となるように精密に制御することができる。
【００４８】
（５）本実施形態では、制御装置７９は、第３の温度センサ６４，７８により検出される連通部３６，６９内における排気口３７，６８近傍の温度に基づき、冷却装置５５，８１から輻射熱吸収機構４６，７１に供給される冷媒の温度を制御する。そのため、連通部３６，６９内における排気口３７，６８近傍の温度を検出することにより、輻射熱吸収機構４６，７１とチャンバ１５，２８内の部材との間で排気口３７，６８を介して授受される輻射熱の熱量をより正確に把握することができ、輻射熱吸収機構４６，７１の温度を精密に制御することができる。
【００４９】
（６）本実施形態では、各輻射熱吸収機構４６には、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、排気口３７を介して連通部３６内を流動する空気流の流動方向に沿うように間隙５０が形成されている。そのため、空気流が各輻射熱吸収機構４６の間隙５０を通過する際の流路抵抗が低減されることになり、連通部３６内に輻射熱吸収機構４６を配置した場合でも、ターボ分子ポンプ３４が連通部３６を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力が低下することを抑制できる。
【００５０】
（７）本実施形態では、輻射熱吸収機構４６の環状部４９は、輻射熱吸収部材４７が、連通部３６の延びる方向に沿う軸線４８を中心として、該軸線４８と直交する径方向に等間隔となるように同心状に配置された多層フィン構造をなすように構成されている。そのため、輻射熱吸収部材４７は、連通部３６内において軸線４８と直交する断面全域に均等に分散して配置されることになり、ターボ分子ポンプ３４から放射された輻射熱を高効率に吸収することができる。
【００５１】
（８）本実施形態では、輻射熱吸収機構４６の冷却部５２には、冷却装置５５から供給された冷媒が流動する管路５１が形成されている。そのため、冷却部５２は、管路５１の内壁面を介して冷媒との間で高効率に熱交換をすることができ、迅速に温度調整を行うことができる。
【００５２】
（９）本実施形態では、ターボ分子ポンプ３４，６６の端部は、振動減衰部３５，６７を介して連通部３６，６９に接続されている。そのため、ターボ分子ポンプ３４，６６から振動が発生しても、該振動は、振動減衰部３５，６７の伸縮動作によりほとんど吸収される。したがって、ターボ分子ポンプ３４，６６の駆動に基づく振動がチャンバ１５，２８に伝達されることを抑制することができる。
【００５３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図８及び図９に従って説明する。なお、第２の実施形態は、ターボ分子ポンプから放射された輻射熱を吸収する輻射熱吸収機構の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００５４】
図８及び図９に示すように、本実施形態の第１の受熱部としての輻射熱吸収機構８２は、互いに径の異なる複数（本実施形態では７つ）の略半円筒状の受熱部材としての輻射熱吸収部材８３が、連通部３６の−Ｚ方向側の端部が延びる方向（即ち、Ｚ軸方向）に沿う軸線４８を中心として、該軸線４８と直交する径方向に等間隔となるように同心状に配置された多層フィン構造をなす円弧部８４を有している。そして、本実施形態では、円弧部８４は、その円弧面が、連通部３６内において、ターボ分子ポンプ３４と排気口３７とを結んだ直線上となるチャンバ１５側（図８では左側）に位置するように配置されている。
【００５５】
輻射熱吸収機構８２において円弧部８４の外側には、熱媒体としての冷媒が流動する管路５１を内部に中空状に形成した略半環状の冷却部８５が軸線４８周りに円弧部８４を外周から包囲するように配置されている。また、冷却部８５の内周面には、径方向に延びる２枚の平板状の金属板５３が互いに直角に交差するように架設されている。すなわち、円弧部８４を構成する各輻射熱吸収部材８３には、２枚の金属板５３を軸線４８と直交するＸ軸方向及びＹ軸方向に沿うように配置した状態で挿通可能とする挿通孔（図示略）が形成されており、これらの各挿通孔に挿通されることで各金属板５３は円弧部８４の各輻射熱吸収部材８３に連結されている。また、冷却部８５における＋Ｙ方向側の端部には、冷却装置５５側を基端として複数（本実施形態では２つ）に分岐した冷媒供給流路８６の先端部がそれぞれ接続されるとともに、冷却部８５における−Ｙ方向側の端部には、冷却装置５５から延設された冷媒供給流路８７が接続されている。
【００５６】
そして、ターボ分子ポンプ３４の駆動時には、チャンバ１５内から排気口３７を介して連通部３６内に流入した空気流（図８では点線で示す）は、その流動方向に沿うように形成された各輻射熱吸収部材８３の間隙５０を通過するとともに、輻射熱吸収機構８２と連通部３６の右側壁面（即ち、連通部３６においてチャンバ１５の排気口３７と対向する壁面）との間の間隙８８を通過する。そのため、空気流が連通部３６内を通過する際の流路抵抗が更に低減されることにより、連通部３６内に輻射熱吸収部材８３を配置した場合でも、ターボ分子ポンプ３４が連通部３６を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力が低下することが更に抑制されるようになっている。
【００５７】
また同時に、ターボ分子ポンプ３４から輻射熱吸収部材８３の間隙５０が延びる方向と交差する方向に斜状に放射された輻射熱は、連通部３６内において、ターボ分子ポンプ３４と排気口３７とを結んだ直線上に位置する輻射熱吸収部材８３に吸収されることになり、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に到達することはない。また、ターボ分子ポンプ３４から輻射熱吸収部材８３の間隙５０が延びる方向と平行な方向に放射された輻射熱は、輻射熱吸収部材８３の間隙５０、及び輻射熱吸収機構４６と連通部３６の右側壁面との間の間隙８８を通過するものの、ヒートシンク５９により冷却される連通部３６の内壁面に吸収されることになるため、ターボ分子ポンプ３４からの輻射熱の照射により連通部３６が温度上昇することはなく、かかる連通部３６から排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に向けて新たに輻射熱を輻射することはない。
【００５８】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）〜（６）、（８）、（９）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（１０）本実施形態では、輻射熱吸収機構８２の円弧部８４は、その円弧面が、連通部３６内において、ターボ分子ポンプ３４と排気口３７とを結んだ直線上となる位置に配置されている。そのため、輻射熱吸収機構８２と連通部３６との間には、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、排気口３７を介して連通部３６内を流動する空気流が通過する間隙８８が形成されている。したがって、空気流が連通部３６内を通過する際の流路抵抗が更に低減されることで、連通部３６内に輻射熱吸収機構４６を配置することに伴って、ターボ分子ポンプ３４が連通部３６を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力が低下することを抑制できる。
【００５９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図１０及び図１１に従って説明する。なお、第３の実施形態は、ターボ分子ポンプとチャンバとを連通する連通部の構成、及び、ターボ分子ポンプから放射された輻射熱を吸収する輻射熱吸収機構の構成が第１の実施形態及び第２の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態及び第２の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態及び第２の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００６０】
図１０に示すように、本実施形態の真空装置８９は、略直円筒状の連通部９０が、振動減衰部３５との連結部位から鉛直上方（＋Ｚ方向側）に延びるとともに、チャンバ１５の底面に形成された排気口９１を覆うようにチャンバ１５に接続される。そして、連通部９０内におけるＺ軸方向の両端側には、第１の受熱部としての輻射熱吸収機構９２，９３が、連通部９０の延びる方向に沿うように並列してそれぞれ配置されている。
【００６１】
図１１（ａ）に示すように、連通部９０内における＋Ｚ方向側に配置された輻射熱吸収機構９２は、冷却装置９４から供給される冷媒が流動する管路を内部に形成した中空状の管部材９５により構成されている。具体的には、管部材９５は、連通部９０の＋Ｙ方向及び−Ｙ方向の端面にて、連通部９０の内外を貫通するように形成された挿通孔９６にそれぞれ挿通されることで連通部９０に固定されている。また、管部材９５は、連通部９０内における挿通孔９６の近傍位置にて、該連通部９０の延びる方向（即ち、Ｚ軸方向）と直交する＋Ｘ方向側に湾曲して、連通部９０の内壁面に当接する位置に至るまで直線状に延びる。続いて、管部材９５は、−Ｘ方向側に湾曲して、連通部９０の内壁面に当接する位置に至るまで直線状に延びる。そして、管部材９５は、このようにＸ軸方向に沿うように湾曲しながら連通部９０内において連通部９０の−Ｚ方向側の端部が延びる方向（即ち、Ｚ軸方向）と直交する面全域に分散するように蛇行した形状となっている。
【００６２】
また、図１１（ｂ）に示すように、連通部９０内における−Ｚ方向側に配置された輻射熱吸収機構９３も同様に、冷却装置９７から供給される冷媒が流動する管路を内部に形成した中空状の管部材９８により構成されている。具体的には、管部材９８は、Ｙ軸方向に沿うように湾曲しながら連通部９０内において連通部９０の−Ｚ方向側の端部が延びる方向（即ち、Ｚ軸方向）と直交する面全域に分散するように蛇行した形状となっている。なお、これらの管部材９５，９８と連通部９０の内壁面との間の隙間９９，１００は、ターボ分子ポンプ３４を駆動した場合に、排気口９１を介して連通部９０内に流入した空気がターボ分子ポンプ３４側に流動するための流動部として機能する。
【００６３】
そして、図１１（ｃ）に示すように、これらの上下２つの管部材９５，９８は、＋Ｚ軸方向側から見た場合に、連通部９０内において、Ｚ軸方向と直交する断面全域に均等に分散された網目状をなすように交差して配置されている。そのため、ターボ分子ポンプ３４からＺ軸方向に沿うように直線状に放射された輻射熱は、これらの管部材９５，９８内を流動する冷媒により高効率に吸熱される。したがって、この輻射熱が、排気口９１を介してチャンバ１５内の部材に到達することが抑制され、チャンバ１５内の部材の動作に影響を及ぼすことはほとんどない。
【００６４】
また、これらの管部材９５，９８は、連通部９０内において、Ｚ軸方向に十分に離間した位置に配置されている。そのため、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、チャンバ１５内から排気口９１を介して連通部９０内に流動する空気流は、＋Ｚ方向側の管部材９５の隙間９９を通過した後に、−Ｚ方向側の管部材９８の隙間１００に向けて流動方向を変化させる場合にも、十分な空間域を確保して流動することになる。したがって、この空気流が、これらの管部材９５，９８を通過する際の流路抵抗は低減されることになり、ターボ分子ポンプ３４が連通部９０を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力が低下することを抑制できる。
【００６５】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）〜（５）、（９）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（１１）本実施形態では、各管部材９５，９８は、ターボ分子ポンプ３４側から見た場合に、連通部９０内において、該連通部９０の延びる方向と直交する断面全域に均等に分散された網目状をなすように交差して配置されている。そのため、ターボ分子ポンプ３４から放射された輻射熱を高効率に吸収することができる。
【００６６】
（１２）本実施形態では、各管部材９５，９８は、連通部９０内において、該連通部９０の延びる方向に十分に離間した位置に配置されている。そのため、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、チャンバ１５内から排気口９１を介して連通部９０内に流動する空気流は、排気口９１側の管部材９５の隙間９９を通過した後に、ターボ分子ポンプ３４側の管部材９８の隙間１００に向けて流動方向を変化させる場合にも、十分な空間域を確保して流動することになる。したがって、この空気流が、これらの管部材９５，９８を通過する際の流路抵抗は低減されることになり、ターボ分子ポンプ３４が連通部９０を介してチャンバ１５内に作用させる吸引力が低下することを抑制できる。
【００６７】
（１３）本実施形態では、各管部材９５，９８は、ターボ分子ポンプ３４から放射された輻射熱を吸収する輻射熱吸収機構としての機能と、輻射熱を受熱することで生じる温度上昇を抑制するための冷却部としての機能を兼備している。そのため、これらの部材を個別に設ける場合と比較して、部品点数が削減されることで、装置の小型化を図ることができる。
【００６８】
なお、上記実施形態は、以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記第３の実施形態において、輻射熱吸収機構９２，９３は、振動減衰部３５内に配置してもよい。この場合、振動減衰部３５がチャンバ１５とターボ分子ポンプ３４とを接続する連通部として機能することになり、実施形態での連通部９０を省略することができる。なお、この場合、輻射熱吸収機構９２，９３は、ターボ分子ポンプ３４の駆動時に、チャンバ１５内から排気口９１を介して流動する空気流の流路抵抗を低減するために、振動減衰部３５の伸縮方向の十分に離間した位置に配置することが望ましい。
【００６９】
・上記第１の実施形態において、連通部３６は、振動減衰部３５との連結部位から直線状に延びるように構成してもよい。この場合、輻射熱吸収部材４７は、連通部３６内において、該連通部３６の延びる方向と直交する断面全域に均等に分散して配置されることで、ターボ分子ポンプ３４から放射された輻射熱を高効率に吸収する。そのため、この輻射熱が、排気口３７を介してチャンバ１５内の部材に到達することはほとんどなく、チャンバ１５内の部材の動作に影響を及ぼすことが抑制される。
【００７０】
・上記第１の実施形態及び第２の実施形態において、輻射熱吸収機構４６，８２の冷却部５２，８５は、冷媒が流動する管路を内部に有さない構成としてもよい。この場合、冷却部５２，８５は、熱伝導率の高い金属等の材質により構成することが望ましい。
【００７１】
・上記第１の実施形態及び第２の実施形態において、輻射熱吸収機構４６，８２の環状部４９及び円弧部８４の形状は、略円筒形状及び略半円筒状に限定されない。すなわち、ターボ分子ポンプ３４の駆動時における空気流の流路抵抗が過大とならず、且つターボ分子ポンプ３４からの輻射熱を十分に吸収できる形状であれば、任意の形状であってもよい。
【００７２】
・上記第１の実施形態及び第２の実施形態において、制御装置７９は、連通部３６内の温度を検出する第３の温度センサ６４の検出結果に基づき、冷却装置６０からヒートシンク５９に供給される冷媒の温度を調整するようにしてもよい。
【００７３】
・上記各実施形態において、連通部３６，９０内の温度を検出する第３の温度センサ６４は、連通部３６，９０内の任意の位置に配置してもよい。
・上記各実施形態において、真空装置２７，８９は、チャンバ１５内において、ウエハＷの近傍位置、レチクルＲの近傍位置、照明光学系１６の筐体２０の近傍位置に接続する構成としてもよい。
【００７４】
・上記各実施形態において、真空ポンプとして、チャンバ１５内に連通する領域に極低温面を晒すことで、その表面に気体を凝縮させて捕捉するクライオポンプを適用してもよい。この場合、クライオポンプが、その駆動に伴って極低温となると、クライオポンプからチャンバ１５内の部材に向けて輻射熱が放射されることで、チャンバ１５内の部材の温度が予め設定した温度よりも低温になることが有り得る。
【００７５】
しかしながら、チャンバ１５内の部材とクライオポンプとの間に輻射熱吸収機構４６，８２，９２，９３を配置して、輻射熱吸収機構４６，８２，９２，９３からクライオポンプに向けて放射される輻射熱に相当する熱量分だけ輻射熱吸収機構４６，８２，９２，９３を加熱する加熱装置を冷却装置５５に代えて第１の温度調整部として設けることで、輻射熱吸収機構４６，８２，９２，９３とチャンバ１５内の部材との間の温度差を予め設定した所望の値に維持して、チャンバ１５内の部材から輻射熱吸収機構４６，８２，９２，９３に向けて輻射熱が放射されることを抑制することができる。
【００７６】
・上記各実施形態において、輻射熱吸収機構４６，８２，９２，９３は、真空ポンプ（例、ターボ分子ポンプ３４等）と振動減衰部３５との間に配置される構成としてもよい。
・上記各実施形態において、真空ポンプは、チャンバの排気口と対向する位置に配置される構成としてもよい。
【００７７】
・上記各実施形態において、輻射熱吸収部材４７，８３は、真空ポンプから放出される熱輻射を遮蔽する部材であればよく、熱輻射の少なくとも一部を反射する部材であってもよい。
【００７８】
・上記各実施形態において、ヒートシンク５９は、真空ポンプから放出される熱輻射を遮蔽する部材であればよく、熱輻射の少なくとも一部を反射する部材であってもよい。
・上記各実施形態において、複数の輻射熱吸収部材４７，８３は、環状の多層構造となるよう配置されてもよく、多角状の多層構造又は格子状構造となるように配置されてもよい。
【００７９】
・上記第１の実施形態において、複数の輻射熱吸収部材４７は、図１２（ａ）に示すように、輻射熱の熱伝播方向に沿って屈曲した形状をなすように構成されてもよい。なお、図１２（ａ）は、本実施形態における複数の輻射熱吸収部材４７を＋Ｘ方向から見た断面図である。
【００８０】
・上記第１の実施形態において、複数の輻射熱吸収部材４７は、図１２（ｂ）に示すように、輻射熱の熱伝播方向に沿って湾曲した形状をなすように構成されてもよい。なお、図１２（ｂ）は、本実施形態における複数の輻射熱吸収部材４７を＋Ｘ方向から見た断面図である。
【００８１】
・上記第２の実施形態において、複数の輻射熱吸収部材８３は、輻射熱の熱伝播方向に沿って屈曲した形状、又は湾曲した形状をなすように構成されてもよい。
・上記各実施形態において、光源装置１２は、例えばＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）、ＥＢ光等の短波長の光を出力可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。
【００８２】
・上記各実施形態において、ターゲットは、キセノンに限定されずに、例えば、気体状、固体状又は液体状の錫、或いは、その錫を含む化合物、などを用いてもよい。
・上記各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。また、露光装置１１は、縮小露光型の露光装置に限定されるものではなく、例えば等倍露光型、拡大露光型の露光装置であってもよい。
【００８３】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１３は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００８４】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００８５】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００８６】
図１４は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００８７】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１の実施形態の露光装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態の光源装置を示す概略構成図。
【図３】第１の実施形態の真空装置を示す断面図。
【図４】第１の実施形態の輻射熱吸収機構を示す斜視図。
【図５】第１の実施形態の輻射熱吸収機構を示す平面図。
【図６】図５の６−６線矢視断面図。
【図７】第１の実施形態の制御装置のブロック図。
【図８】第２の実施形態の真空装置を示す断面図。
【図９】第２の実施形態の真空装置を示す平面図。
【図１０】第３の実施形態の真空装置を示す断面図。
【図１１】（ａ）はチャンバ側に配置された輻射熱吸収機構の平面図、（ｂ）はターボ分子ポンプ側に配置された輻射熱吸収機構の平面図、（ｃ）は（ａ）（ｂ）をチャンバ側から見た平面図。
【図１２】（ａ）は本実施形態における輻射熱吸収部材の変形例を示す断面図、（ｂ）は本実施形態における輻射熱吸収部材の変形例を示す断面図。
【図１３】デバイスの製造例を示すフローチャート。
【図１４】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【符号の説明】
【００８９】
１１…露光装置、１２…光源装置、１５…チャンバ、１６…照明光学系、１８…投影光学系、２７…真空装置、２８…チャンバ、３４…ターボ分子ポンプ、３５…振動減衰部、３６…連通部、４６…輻射熱吸収機構、４７…輻射熱吸収部材、５０…間隙、５１…管路、５２…冷却部、５８…第１の温度センサ、５９…ヒートシンク、６３…第２の温度センサ、６４…第３の温度センサ、６６…ターボ分子ポンプ、６７…振動減衰部、６９…連通部、７０…真空装置、７１…輻射熱吸収機構、７２…ヒートシンク、７６…第１の温度センサ、７７…第２の温度センサ、７８…第３の温度センサ、８０…ＣＰＵ、８２…輻射熱吸収機構、８３…輻射熱吸収部材、８５…管部材、８９…真空装置、９０…連通部、９２…輻射熱吸収機構、９３…輻射熱吸収機構、９５…管部材、９８…管部材、９９…間隙、１００…間隙、ＰＬ…プラズマ、Ｒａ…パターン面、Ｗ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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