(57)【要約】【課題】入力信号を出力ターミナルに選択的に供給するためのスイッチ（２０）を提供する。【解決手段】このスイッチ２０は、第１の導波管ターミナル４０と、第２の導波管ターミナル４２と、第１の導波管ターミナルを第２の導波管ターミナルに接続する減小幅導波管２６と、第１および第２の導波管ターミナルの間で減小幅導波管２６に架橋する少なくとも１つのスイッチング素子３４とを含む。減小幅導波管２６は、少なくとも１つのスイッチング素子３４が第１の状態にあるときは第１の導波管ターミナル４０から第２の導波管ターミナル４２まで信号を通過させ、少なくとも１つのスイッチング素子３４が第２の状態にあるときは信号を遮るように構成される。いくつかの実施形態においては、このスイッチはまた、少なくとも１つの追加の導波管ターミナル５９を含み、減小幅導波管はまた、第１の導波管ターミナルを少なくとも１つの追加の導波管ターミナルに接続する。【選択図】図１
2010021996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を出力ターミナルに選択的に供給するためのスイッチ（２０、５０）であって、
第１の導波管ターミナル（４０）と、
第２の導波管ターミナル（４２）と、
前記第１の導波管ターミナルを前記第２の導波管ターミナルに接続する減小幅導波管（２６）と、
前記第１および第２の導波管ターミナルの間で前記減小幅導波管に架橋する少なくとも１つのスイッチング素子（３４）とを含み、前記減小幅導波管は、前記少なくとも１つのスイッチング素子は第１の状態にあるときは前記第１の導波管ターミナルから前記第２の導波管ターミナルまで信号を通過させるように構成され、前記少なくとも１つのスイッチング素子が第２の状態にあるときは前記第１の導波管ターミナルから前記第２の導波管ターミナルまで信号を遮るように構成され、前記少なくとも１つのスイッチング素子はダイオードであり、前記第１の状態が逆方向バイアスを含み、前記第２の状態は順方向バイアスを含み、前記減小幅導波管は前記第１および第２の導波管ターミナルに比べて少なくとも８分の１に幅を縮小され、前記減小幅導波管は前記第１および第２の導波管ターミナルの幅から減小幅域（３３）までのテーパを含み、前記減小幅導波管は、
基板（２８）と、
第１の導電域（３０）と、
第２の導電域（３２）とを含み、
前記減小幅域（３３）が前記第１および第２の導電域の間に存在し、前記スイッチング素子は前記減小幅域（３３）に架橋し、かつ前記第１の導電域および前記第２の導電域に接続され、前記第１および第２の導電域は前記基板上にプリントされた金属パターンを含む、
スイッチ。
【請求項２】
少なくとも１つの追加の導波管ターミナル（５９）をさらに含み、
減小幅導波管（５６）がまた、第１の導波管ターミナル（５５）を前記少なくとも１つの追加の導波管ターミナルに接続し、少なくとも１つのスイッチング素子（６６）が前記第１の導波管ターミナルと前記少なくとも１つの追加の導波管ターミナルの間で前記減小幅導波管に架橋し、前記第１の導波管ターミナルと前記少なくとも１つの追加の導波管ターミナルの間で前記減小幅導波管に架橋する前記少なくとも１つのスイッチング素子（６６）がダイオードであり、前記少なくとも１つの追加の導波管ターミナルが第３の導波管ターミナルである、請求項１に記載のスイッチ（５０）。
【請求項３】
入力信号を出力ターミナルに選択的に切り替える方法であって、
入力信号を第１の導波管ターミナル（４０）において受けるステップと；
前記第１の導波管ターミナルを、出力ターミナルとして働く第２の導波管ターミナル（４２）に接続する減小幅導波管（２６）に架橋するスイッチング素子（３４）に、制御信号を選択的に加えるステップとを含み、制御信号を選択的に加えるステップは、
ダイオードのスイッチング素子（３４）を順方向バイアス状態に置いて前記入力信号が前記第２の導波管ターミナル（４２）まで通過するのを遮るために、正の制御電圧を印加するステップと、
前記ダイオードのスイッチング素子（３４）を逆方向バイアス状態に置いて前記第１の導波管ターミナル（４０）から前記第２の導波管ターミナル（４２）まで前記入力信号が通過することを可能にするために、負の制御電圧を印加するステップとを含む、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
多くのミリメートル波のレーダセンサおよび通信システムは、迅速な応答性能を可能にするために、高速高絶縁スイッチを使用する。しかし、高絶縁のソリッドステート・スイッチは、通常、送信機出力電力および受信機感度を低下させる高い挿入損失を有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
したがって、低挿入損失を有する改良された高絶縁スイッチの必要性が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明は、入力信号を出力ターミナルに選択的に供給するためのスイッチを含む。このスイッチは、第１の導波管ターミナルと、第２の導波管ターミナルと、第１の導波管ターミナルを第２の導波管ターミナルに接続する減小幅導波管と、第１および第２の導波管ターミナルの間で減小幅導波管に架橋する少なくとも１つのスイッチング素子とを含む。減小幅導波管は、少なくとも１つのスイッチング素子が第１の状態にあるときは第１の導波管ターミナルから第２の導波管ターミナルまで信号を通過させるように構成され、また少なくとも１つのスイッチング素子が第２の状態にあるときは第１の導波管ターミナルから第２の導波管ターミナルまで信号を遮るように構成される。
【０００４】
本発明のさらなる態様によれば、スイッチング素子はダイオードであり、第１の状態は逆方向バイアスを含み、第２の状態は順方向バイアスを含む。
本発明の他の態様によれば、減小幅導波管は、第１および第２のターミナルの幅から縮小幅部分までのテーパを含む。
【０００５】
本発明のさらに他の態様によれば、減小幅導波管は、基板と、第１の導電域と、第２の導電域とを含む。減小幅域は第１と第２の導電域の間に存在し、スイッチング素子は減小幅域に架橋し、スイッチング素子は第１の導電域および第２の導電域に接続される。
【０００６】
本発明のさらに他の態様によれば、第１および第２の導波管ターミナルは１つのブロックの中に形成され、減小幅導波管は、第１と第２の導波管ターミナルの間のブロックの中に形成された溝の中に位置する。
【０００７】
本発明のさらに他の態様によれば、スイッチは、第１の部分および第２の部分を有する、分割されたブロックハウジングを含む。減小幅導波管は、分割されたブロックハウジングの第１と第２の部分の間に位置する。
【０００８】
本発明のさらに他の態様によれば、スイッチは少なくとも１つの追加の導波管ターミナルを含み、減小幅導波管はまた、第１の導波管ターミナルを少なくとも１つの追加の導波管ターミナルに接続する。少なくとも１つのスイッチング素子は、第１の導波管ターミナルと少なくとも１つの追加の導波管ターミナルの間で減小幅導波管に架橋する。
【０００９】
本発明の好ましくかつ代替的な実施形態を、以下の図面を参照しながら以下に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態により形成されたスイッチのエックス線透視図である。
【図２】図１に示すスイッチの減小幅導波管の中で使用される、装着されたダイオードを有する基板を示す概略図である。
【図３】本発明の一実施形態により形成された３ターミナルのスイッチの頂部のエックス線透視図を示す概略図である。
【図４】図３に示すスイッチの頂部に対応する底部および減小幅導波管の斜視図を示す概略図である。
【図５】図４に示す減小幅導波管の斜視図を示す概略図である。
【図６】図３および図４に示すスイッチの頂部、底部、および減小幅導波管を一緒に組み合わせて示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１および図２は、本発明の一実施形態により形成された単極単投（ＳＰＳＴ）スイッチ２０の概略図である。例示的な一実施形態においては、スイッチ２０は、第１の部分２２と、第２の部分２４と、第１の部分２２および第２の部分２４の間の１対の溝２５とを有するブロックを含む。減小幅導波管２６は、第１の部分２２と第２の部分２４の間で溝２５の中に配置される。スイッチ２０の中央部分において、第１の部分２２および第２の部分２４は、スイッチ２０の動作周波数範囲に応じて、典型的には約０．６３５ミリメートル（２５ミル）と５．５８８ミリメートル（２２０ミル）の間の広さである距離２７だけ離れて配置された内壁を含む。スイッチ２０の第１の部分２２および第２の部分２４は、スイッチ２０の第１の端部において第１の導波管ターミナル４０を、また、スイッチ２０の第２の端部において第２の導波管ターミナル４２を画定する。スイッチ２０は、第１の導波管ターミナル４０における送信機（図示せず）からの入力信号が、この例では出力ターミナルとして使用される第２の導波管ターミナル４２におけるアンテナ（図示せず）に送られることを選択的に可能にするためなど、様々な用途において使用することができる。スイッチ２０は、例えば、ミリメートル波パルスレーダ、または時分割多重（ＴＤＭ）通信システムにおいて、使用することができる。
【００１２】
例示的な一実施形態においては、第１の導波管ターミナル４０および第２の導波管ターミナル４２は、ミリメートル波信号での使用のための典型的な大きさおよび構造を有し、スイッチ２０の第１の部分２２および第２の部分２４は、アルミニウムの単一ブロックから形成される。第１の導波管ターミナル４０および第２の導波管ターミナル４２は、例えば、米国電子工業会（ＥＩＡ）により記載されるようなＫａ帯、Ｕ帯、Ｖ帯、またはＷ帯用の標準的な寸法を含むことができる。しかし、第１の導波管ターミナル４０および第２の導波管ターミナル４２はまた、いくつかの例示的な実施形態において、他の帯域用のインターフェース定寸を使用することができ、あるいは特注の寸法も使用することができる。他の例示的な実施形態においては、スイッチ２０は、アルミニウムの単一ブロックで形成された第１の部分２２および第２の部分２４ではなく、分割ブロックハウジングを含むことができる。分割ブロックハウジングは、例えばねじ（図示せず）を用いるなど、通常の方法で組み立てられる、分離した第１の部分および第２の部分を含むことができ、減小幅導波管２６は、第１の部分と第２の部分の間に配置される。
【００１３】
図２に最もよく示すように、減小幅導波管２６は、好ましくは誘電体基板である基板２８を含む。基板２８は、ミリメートル波の用途に使用されるときは、典型的には約０．１２７ミリメートル（５ミル）と約０．５０８ミリメートル（２０ミル）の間の厚みである。基板２８は、例えばテフロン（登録商標）、デュロイド（登録商標）、または石英であってよい。しかし、他の基板の種類も使用されてよい。減小幅導波管２６は、また、第１の導電域３０および第２の導電域３２で形成されるフィンライン（ｆｉｎｌｉｎｅ）のテーパ遷移部を含む。第１の導電域３０および第２の導電域３２は、例えば銅、または金メッキされた銅の金属パターンなど、基板２８上にプリントされた金属パターンであってよい。第１の導電域３０および第２の導電域３２は、基板２８の片面の上にあるのが好ましいが、基板２８の両面の上に含まれてもよい。第１の導電域３０および第２の導電域３２は、第１の導電域３０および第２の導電域３２によって覆われない基板２８を介して、狭い減小幅域３３を画定する。減小幅導波管２６が、図１に示すスイッチ２０の溝２５の中に挿入される場合は、基板２８と、中央部分にあって壁間に距離２７を有する、第１の部分２２および第２の部分２４の両内壁との間に、隙間が存在することが望ましい。基板２８と両内壁との間の隙間の幅は、スイッチ２０の所望の動作周波数の範囲に応じて、典型的には約０．２５４ミリメートル（１０ミル）から約２．５４ミリメートル（１００ミル）までの広さに及ぶ。明確にするために、いくつかの隠れ線は示されていない。
【００１４】
例示的な一実施形態においては、第１の導電域３０および第２の導電域３２は、第１のターミナル４０および第２のターミナル４２の幅から減小幅域３３の幅にかけて、余弦関数から導かれる曲線に全体的に倣うテーパ状に先細りになる部分を画定する。しかし、他の実施形態においては、直線テーパなど、他のテーパ形状が使用されてよい。異なる幅が、減小幅域３３に使用されてよい。例示的な一実施形態においては、減小幅域３３は、その最も狭い点において、約５×１／１０００インチ（ミル）と約１０ミルの間の広さであることが好ましい。これは、約０．１２７ミリメートル（ｍｍ）から約０．２５４ｍｍに相当する。一般に、減小幅域３３は、第１のターミナル４０および第２のターミナル４２に比べて、少なくとも８分の１に幅を縮小される。しかし、スイッチ２０に対する所望の絶縁レベルに応じて、他の幅縮小係数が使用されてよい。
【００１５】
減小幅域３３は、第１の導電域３０および第２の導電域３２に接続された少なくとも１つのスイッチング素子によって架橋される。図示の例示的な実施形態においては、第１のダイオード３４、第２のダイオード３６、および第３のダイオード３８が、スイッチング素子として使用される。例示的な一実施形態においては、ダイオード３４、３６、および３８は、ビームリードのピーアイエヌ（ＰＩＮ）ダイオードである。しかし、メサ型ダイオードなどの他の種類のダイオードが使用されてもよい。ダイオードは、例えば半田付け、ワイヤボンディングによるなど、または銀エポキシの使用によるなど、通常の方法で接着される。この例示的な実施形態においては３つのダイオードが示されているけれども、他のダイオード数、または他の種類のスイッチング素子が使用されてもよい。好ましくは、少なくとも２つで４つ以下のダイオードが、切り替えられるべき所定の信号の波長の約４分の１の間隔距離を各ダイオード間に設けて使用される。しかし、他の間隔距離が使用されてもよい。減小幅導波管２６の減小幅域３３を限られた数のスイッチング素子と組み合わせることで、スイッチ２０が高絶縁低挿入損失性能を達成することが可能になる。いくつかの実施形態においては、約４０〜６０ｄＢもの高い絶縁性能ならびに約０．２〜０．５ｄＢもの低い挿入損失が、３つのダイオードを使用して達成されうる。一般に、スイッチ２０の減小幅導波管部が電磁界の侵入を抑制することができ、それにより漏れが通常の大きさの導波管に比べて著しく小さくなるために、高絶縁が達成される。減小幅導波管を用いると、少ない数のダイオードを使用して必要な絶縁を達成することができ、それが結果的に低挿入損失につながる。
【００１６】
減小幅導波管２６は、第１の導波管ターミナル４０から第２の導波管ターミナル４２まで延びる。ダイオード３４、３６、および３８は、第１の導波管ターミナル４０と第２の導波管ターミナル４２の間で、減小幅導波管２６に架橋する。減小幅導波管２６は、第１の導波管ターミナル４０を第２の導波管ターミナル４２に接続する。減小幅導波管２６は、ダイオード３４、３６、および３８が逆方向バイアス状態にあるときは第１の導波管ターミナル４０から第２の導波管ターミナル４２まで信号を通過させ、ダイオード３４、３６、および３８のうちの１つまたは複数が順方向バイアス状態にあるときは信号を遮るように構成される。いくつかの実施形態においてはまた、減小幅導波管を通る信号の様々な減衰が可能である。また、スイッチ２０が限られた絶縁を有するならば、ダイオード３４、３６、および３８が順方向バイアス状態にあるときは、スイッチ２０を通る少量の信号漏れが発生する可能性がある。図２に示す例においては、ダイオード３４、３６、および３８は、それらのカソードが第２の導電域３２に接続され、かつそれらのアノードが第１の導電域３０に接続されるように方向付けられる。例示的な一実施形態においては、ダイオード３４、３６、および３８は、第２の導電域３２がグランドに接続される状態において負または正のいずれかの制御電圧をそれぞれ第１の導電域３０に印加することにより、逆方向バイアス状態から順方向バイアス状態に切り替えられる。例示的な一実施形態においては、第１の導電域３０は、導波管２６が溝２５内に挿入されるとき、第２の部分２４などのスイッチハウジングと接触する。スイッチハウジングはまた、いくつかの実施形態において、グランドに接続されてもよい。第２の導電域３２をスイッチハウジングから絶縁するために、第２の導電域３２は、例えばマイラー・テープなどの薄い絶縁テープで覆われる。絶縁テープは、いくつかの実施形態において、約０．０２５４ミリメートル（１ミル）の厚さである。いくつかの例においては、第２の導電域３２はまた、ＤＣ制御電圧が印加されうるように制御回路（図示せず）に接続される。典型的な制御電圧は、使用される制御回路およびスイッチ２０の電力取り扱い要求事項に応じて、±３Ｖ、５Ｖ、１２Ｖ、または１５Ｖである。しかし、他の制御電圧が使用されてよい。他の実施形態においては、ダイオード３４、３６、および３８が反対に方向付けられてよいが、それに対応して反転された電圧極性が、ダイオードを順方向または逆方向にバイアスするために必要となる。制御回路（図示せず）または他のシステム（図示せず）が、制御電圧をダイオード３４、３６、および３８に印加するために使用されてよい。
【００１７】
図３〜図６は、本発明の一実施形態により形成された３ターミナルの単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチ５０の概略図を示す。図３は、スイッチ５０の頂部５２のエックス線透視図を示す概略図である。図４は、図３に示すスイッチ５０の頂部５２に対応する底部５４の斜視図を示す概略図である。図４は、また、底部５４上の減小幅導波管５６を示す。図５は、図４に示す減小幅導波管５６の斜視図を示す概略図である。図６は、図３および図４に示すスイッチ５０の頂部５２、底部５４および減小幅導波管５６を一緒に組み合わせて示す概略図である。図６に最もよく示すように、頂部５２および底部５４は、組み合わされると、第１の導波管ターミナル５５、第２の導波管ターミナル５７、および第３の導波管ターミナル５９を画定する。例示的な一実施形態においては、第１の導波管ターミナル５５は入力信号を受ける。スイッチ５０は、入力信号を、第２の導波管ターミナル５７かまたは第３の導波管ターミナル５９のいずれかにおける出力ターミナルに方向付けるために使用される。明確にするために、図６において、すべての隠れ線が示されているわけではない。
【００１８】
図５に最もよく示すように、減小幅導波管５６は、図２に示す基板２８に類似する基板５８を含む。減小幅導波管５６はまた、第１の減小幅域６０と、第２の減小幅域６２と、第３の減小幅域６４とを含むフィンラインのテーパ遷移部を含む。フィンラインのテーパ遷移は、第１、第２、および第３の導波管ターミナル５５、５７、および５９の幅から、それぞれ減小幅域６０、６２、および６４の幅まで先細りになる直線テーパ形状を、全体的に倣う。直線テーパが示されているが、図２に示す曲線などの他のテーパ形状が使用されてもよい。第２の減小幅域６２および第３の減小幅域６４は、少なくとも１つのスイッチング素子により架橋される。図示の例示的な実施形態においては、第１のダイオード６６、第２のダイオード６８、および第３のダイオード７０は、第２の減小幅域６２に架橋する。同様にして、第３の減小幅域６４は、第４のダイオード７２、第５のダイオード７４、および第６のダイオード７６により架橋される。ダイオードはＰＩＮダイオード、メサ型ダイオード、または他のダイオードの種類を含むことができ、図２に関して記載されるような通常の方法で接続される。図２に関して記載するように、好ましくは、少なくとも２つで４つ以下のダイオードの群が、第２の減小幅域６２および第３の減小幅域６４のそれぞれに架橋するために使用され、各群におけるダイオード間の間隔は、切り替えられるべき所定の信号の波長の約４分の１である。例示的な一実施形態においては、第２の減小幅域６２および第３の減小幅域６４は、それらの最も狭い点において、約０．１２７ミリメートル（５ミル）と０．２５４ミリメートル（１０ミル）の間である。
【００１９】
第１の導電域７８は、第１の減小幅域６０の第１の側部、および第２の減小幅域６２の第１の側部に沿って延びる。第２の導電域８０は、第１の減小幅域６０の第２の側部、および第３の減小幅域６４の第１の側部に沿って延びる。第３の導電域８２は、第２の減小幅域６２の第２の側部、および第３の減小幅域６４の第２の側部に沿って延びる。導電域７８、８０、および８２は、図２の導電域３０、３２に関して記載されたものと同様のやり方で形成される。
【００２０】
図５に示す例示的な実施形態においては、第１、第２、および第３のダイオード６６、６８、および７０は、それらのカソードが第３の導電域８２に接続され、かつそれらのアノードが第１の導電域７８に接続されるように方向付けられる。第４、第５、および第６のダイオード７２、７４、および７６は、それらのカソードが第３の導電域８２に接続され、かつそれらのアノードが第２の導電域８０に接続されるように方向付けられる。例示的な一実施形態においては、第３の導電域はグランドに接続され、第１の制御電圧は第１の導電域７８に印加され、第２の制御電圧は第２の導電域８０に印加される。正の第１の制御電圧および負の第２の制御電圧の印加により、第１、第２、および第３のダイオード６６、６８、および７０が順方向にバイアスされ、一方、第４、第５、および第６のダイオード７２、７４、および７６が逆方向にバイアスされる。これにより、第２の導波管ターミナル５７まで入力信号が通過するのが遮られながら、第１の導波管ターミナル５５から第３の導波管ターミナル５９まで入力信号が通過することが可能になる。同様にして、制御信号の極性を反転することにより、第３の導波管ターミナル５９まで入力信号が通過するのが遮られながら、第１の導波管ターミナル５５から第２の導波管ターミナル５７まで入力信号が通過することが可能になる。正の電圧を第１および第２の両導電域７８、８０に印加することにより、第１の導波管ターミナル５５から、第２の導波管ターミナル５７までも第３の導波管ターミナル５９までも、入力信号が通過するのが遮られる。負の制御電圧を第１および第２の両導電域７８、８０に印加することにより、入力信号がそれぞれ半分の電力を有する２つの出力に分割されることが可能になるであろう。しかし、たいていの実施形態においては信号を分割することは意図されず、スイッチ５０は、典型的には信号分割器ではなくＳＰＤＴスイッチとして使用される。
【００２１】
別の例示的な実施形態においては、第１、第２、および第３のダイオード６６、６８、および７０は、上記のように、それらのカソードが第３の導電域８２に接続される状態に方向付けられる。しかし、第４、第５、および第６のダイオード７２、７４、および７６は、それらのアノードが第３の導電域８２に接続され、かつそれらのカソードが第２の導電域８０に接続されるように方向付けられる。第１の導電域７８および第２の導電域８０は、この例においてはグランドに接続され、単一の制御電圧が第３の導電域８２に印加される。正の制御電圧の印加により、第１、第２、および第３のダイオード６６、６８、および７０は逆方向にバイアスされ、第４、第５、および第６のダイオード７２、７４、および７６は順方向にバイアスされる。これにより、第３の導波管ターミナル５９まで信号が通過するのが遮られながら、第１の導波管ターミナル５５から第２の導波管ターミナル５７まで入力信号が通過することが可能になる。負の制御電圧の印加により、第１、第２、および第３のダイオード６６、６８、および７０は順方向にバイアスされ、第４、第５、および第６のダイオード７２、７４、および７６は逆方向にバイアスされる。これにより、第２の導波管ターミナル５７まで信号が通過するのが遮られながら、第１の導波管ターミナル５５から第３の導波管ターミナル５９まで入力信号が通過することが可能になる。制御回路（図示せず）または他のシステム（図示せず）が、制御電圧をダイオード６６、６８、７０、７２、７４、および７６に印加するために使用されてよい。
【００２２】
本発明の好ましい実施形態を、上記の通り例示し説明してきたが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく多くの変更が成されることができる。例えば、減小幅導波管は、異なる基板材料、または異なる導電性材料を使用して形成されることができる。また、第１、第２、および任意の追加の導波管は、他の材料を使用して、あるいは長方形でない開口など、他の形状に形成されることができる。また、単極多投（ＳＰＭＴ）および他の種類のスイッチが、ＳＰＳＴおよびＳＰＤＴスイッチに加えて本発明の原理にしたがって形成されることができる。したがって、本発明の範囲は、好ましい実施形態の開示により限定されない。そうではなく、本発明は、以下の特許請求の範囲を参照することにより完全に決定されるべきである。
【符号の説明】
【００２３】
２０  スイッチ
２２  第１の部分
２４  第２の部分
２５  溝
２６  減小幅導波管
２７  距離
２８  基板
３０  第１の導電域
３２  第２の導電域
３３  減小幅域
３４  ダイオード、スイッチング素子
３６  ダイオード
３８  ダイオード
４０  第１の導波管ターミナル
４２  第２の導波管ターミナル
５０  スイッチ
５２  頂部
５４  底部
５５  第１の導波管ターミナル
５６  減小幅導波管
５７  第２の導波管ターミナル
５８  基板
５９  第３の導波管ターミナル、追加の導波管ターミナル
６０  第１の減小幅域
６２  第２の減小幅域
６４  第３の減小幅域
６６  第１のダイオード、スイッチング素子
６８  第２のダイオード
７０  第３のダイオード
７２  第４のダイオード
７４  第５のダイオード
７６  第６のダイオード
７８  第１の導電域
８０  第２の導電域
８２  第３の導電域
【図１】
2010021996.tif 000003
【図２】
2010021996.tif 000004
【図３】
2010021996.tif 000005
【図４】
2010021996.tif 000006
【図５】
2010021996.tif 000007
【図６】
2010021996.tif 000008
【外国語明細書】
2010021996000001.pdf