(57)【要約】【課題】アンダーシュート磁界の発生を抑制することができる磁気ヘッドおよび磁気記憶装置を提供すること。【解決手段】磁気記録媒体に磁界を加える主磁極と、２個の領域を含むサイドシールドとを有する磁気ヘッドであって、サイドシールドの第１の領域が、主磁極の近傍に位置し、かつ、磁気記録媒体の進行方向の寸法である進行方向側寸法が主磁極の位置までになる形状であり、サイドシールドの第２の領域が、第１の領域と隣接し、かつ、進行方向側寸法が第１の領域の進行方向側寸法よりも磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長くなる形状であること。【選択図】図１
2010160845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に磁界を加える主磁極と、
前記主磁極から磁気記録媒体のクロストラック方向および進行方向に発生する漏れ磁界を抑制し、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成されるサイドシールドと
を備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記サイドシールドは、前記主磁極の位置よりも前記磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長い形状を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記サイドシールドは、
前記主磁極の近傍に位置し、かつ、前記磁気記録媒体の進行方向の寸法である進行方向側寸法が前記主磁極の位置までになるように、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成された第一の領域と、
前記主磁極から離れた方向に前記第一の領域と隣接し、かつ、進行方向側寸法が前記第一の領域の進行方向側寸法よりも前記磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長い第二の領域と
を含むことを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第二の領域は、該第二の領域間の距離が、前記主磁極のコア幅の十倍以上になるように形成されたことを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第二の領域は、該第二の領域の進行方向側寸法が、前記第一の領域の進行方向側寸法の二倍以上になるように形成されたことを特徴とする請求項３または４に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
磁気記録媒体に情報を読み書きする磁気ヘッドを有する磁気記憶装置であって、
前記磁気ヘッドが、
前記磁気記録媒体に磁界を加える主磁極と、
前記主磁極から磁気記録媒体のクロストラック方向および進行方向に発生する漏れ磁界を抑制し、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成されるサイドシールドと
を備えたことを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報（磁気記録信号）を高密度に記録することが可能である垂直磁気記録方式を用いた磁気記憶装置が注目されている。垂直磁気記録方式を用いた磁気記憶装置において、情報を高密度に記録するためには、ヘッドから磁気記録媒体へ与えられる磁界の分布が急峻であることが求められる。近年では、磁界勾配を向上させることを目的として、主磁極にトレーリングシールドが設けられている磁気ヘッドがある。
【０００３】
ここで、図１３および図１４を用いて、主磁極にトレーリングシールドが設けられている従来の磁気ヘッドについて説明する。図１３は、従来の磁気ヘッド９の構造を示す図である。なお、図１３では、磁気ヘッド９を浮上面（磁気記録媒体面）から見た図を示す。図１３に示すように、磁気ヘッド９は、主磁極９１と、トレーリングシールド９２と、サイドシールド９３とを有する。
【０００４】
主磁極９１は、磁気記録媒体面に対して磁界を垂直に加えることにより、磁気記録媒体に情報を記録させる。トレーリングシールド９２は、主磁極９１のトレーリング側（媒体走行流出側）に設けられる磁性膜である。トレーリングシールド９２は、主磁極９１から発生する不要な記録磁界を吸収することにより、磁気記録媒体に分布する磁界勾配を向上させる。
【０００５】
サイドシールド９３は、主磁極９１のクロストラック方向の両側に設けられる磁性膜である。サイドシールド９３は、主磁極９１から発生する磁界が隣接トラックに漏洩することを防止することにより、サイドイレーズ現象を抑制する。
【０００６】
図１４に、従来の磁気ヘッド９を用いた場合における磁気記録媒体の裏打ち層（ＳＵＬ：Soft  Under  Layer）に分布する磁界の強度を示す。図１４において、領域Ｅ１１は、主磁極９１の近傍に分布する磁界を示す。図１４では、かかる領域Ｅ１１に分布する磁界の強度が最も大きく、次に、領域Ｅ１２に分布する磁界の強度が大きく、次に、領域Ｅ１３に分布する磁界の強度が大きい。このように、磁界の強度は、主磁極９１の近傍になるほど大きくなり、主磁極９１から位置が離れているほど小さくなる。従来の磁気ヘッド９は、トレーリングシールド９２が設けられることにより磁気記録媒体に分布する磁界勾配を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１２３６００号公報
【特許文献２】特開２００７−２０７４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した従来技術には、記録磁界と逆方向の磁界であるアンダーシュート磁界が発生するという問題があった。かかる問題点について、図１３に示した例を用いて説明する。図１３に示した従来の磁気ヘッド９は、トレーリングシールド９２の媒体走行流出側にリターンヨークが設けられている。かかるリターンヨークは、磁気記録媒体の裏打ち層に分布している磁界を、トレーリングシールドを介して吸収する。このため、トレーリングシールドのエッジ部分（図１３に示したエッジ部分Ｅ）にアンダーシュート磁界が発生する。このようなアンダーシュート磁界は、記録対象のトラック以外のトラックに記憶されている情報を消してしまうおそれがあるという問題を招く。
【０００９】
図１５に、図１３に示した磁気ヘッド９によって磁気記録媒体に加えられる磁界の分布を示す。図１５において、領域Ｅ２１付近に分布している磁界は、磁気記録媒体に情報を記録するための記録磁界を示す。図１５に示した例では、かかる磁界の強度は、約８０００〜１３０００［Ｏｅ（エルステッド）］である。一方、図１５において、領域Ｅ２２は、トレーリングシールド９２のエッジ部分Ｅに分布している磁界を示す。かかる領域Ｅ２２の強度は、約−２０００〜−１０００［Ｏｅ］であり、記録磁界と逆方向の磁界である。すなわち、領域Ｅ２２に分布している磁界は、アンダーシュート磁界である。
【００１０】
開示の技術は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、アンダーシュート磁界の発生を抑制することができる磁気ヘッドおよび磁気記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本願に開示する磁気ヘッドは、磁気記録媒体に磁界を加える主磁極と、前記主磁極から磁気記録媒体のクロストラック方向および進行方向に発生する漏れ磁界を抑制し、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成されるサイドシールドとを備えたことを要件とする。
【００１２】
また、他の態様では、上記態様において、前記サイドシールドは、前記主磁極の位置よりも前記磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長い形状を含むことを要件とする。
【００１３】
また、他の態様では、本願に開示する磁気記憶装置は、磁気記録媒体に情報を読み書きする磁気ヘッドを有する磁気記憶装置であって、前記磁気ヘッドが、前記磁気記録媒体に磁界を加える主磁極と、前記主磁極から磁気記録媒体のクロストラック方向および進行方向に発生する漏れ磁界を抑制し、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成されるサイドシールドとを備えたことを要件とする。
【発明の効果】
【００１４】
本願に開示した磁気ヘッドによれば、アンダーシュート磁界を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施例に係る磁気ヘッドの構造を示す図である。
【図２】図２は、実施例に係る磁気ヘッドによって磁気記録媒体に加えられる磁界の分布を示す図である。
【図３−１】図３−１は、図１３に示した磁気ヘッドの立体図である。
【図３−２】図３−２は、図１３に示した磁気ヘッドの立体図である。
【図４−１】図４−１は、実施例に係る磁気ヘッドの立体図を示す図である。
【図４−２】図４−２は、実施例に係る磁気ヘッドの立体図を示す図である。
【図５】図５は、実施例に係る磁気ヘッドを用いた場合における磁気記録媒体の裏打ち層に分布する磁界の強度を示す図である。
【図６】図６は、実施例に係る磁気ヘッドを有する磁気記憶装置の構造を示す図である。
【図７】図７は、コア幅比と記録磁界の強度との関係を示す図である。
【図８】図８は、コア幅比とアンダーシュート磁界の強度との関係を示す図である。
【図９】図９は、サイドシールドの膜厚方向の寸法比とアンダーシュート磁界の強度との関係を示す図である。
【図１０】図１０は、実施例に係る磁気ヘッドの断面図を示す図である。
【図１１】図１１は、実施例に係る磁気ヘッドの製造手順を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、実施例に係る磁気ヘッドの構造を示す図である。
【図１３】図１３は、従来の磁気ヘッドの構造を示す図である。
【図１４】図１４は、従来の磁気ヘッドを用いた場合における磁気記録媒体の裏打ち層に分布する磁界の強度を示す図である。
【図１５】図１５は、従来の磁気ヘッドによって磁気記録媒体に加えられる磁界の分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本願に開示する磁気ヘッドおよび磁気記憶装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により本願に開示する磁気ヘッドおよび磁気記憶装置が限定されるものではない。
【実施例】
【００１７】
まず、本実施例に係る磁気ヘッドの構造について説明する。図１は、本実施例に係る磁気ヘッド１の構造を示す図である。図１に示すように、磁気ヘッド１は、主磁極１１と、トレーリングシールド１２と、サイドシールド１３とを有する。主磁極１１は、図１３に示した従来の磁気ヘッド９が有する主磁極９１と同様であり、トレーリングシールド１２は、図１３に示した従来の磁気ヘッド９が有するトレーリングシールド９２と同様である。
【００１８】
サイドシールド１３は、主磁極１１のクロストラック方向の両側に設けられる。本実施例におけるサイドシールド１３は、主磁極１１の近傍に位置する領域１３ａと、主磁極１１から離れた場所に位置する領域１３ｂとを有する。そして、領域１３ａにおける磁気記録媒体の進行方向側の寸法（以下、「媒体進行側寸法」という）と、領域１３ｂにおける媒体進行側寸法は異なる。具体的には、図１に示すように、領域１３ａの媒体進行側寸法Ｈ１は、主磁極１１のリーディング側Ｒ１を覆う程度の寸法である。また、領域１３ｂの媒体進行側寸法Ｈ２は、媒体進行側寸法Ｈ１よりも磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長い。
【００１９】
このような構造の磁気ヘッド１は、アンダーシュート磁界を抑制することができる。図２を用いて具体的に説明する。図２は、本実施例に係る磁気ヘッド１によって磁気記録媒体に加えられる磁界の分布を示す図である。図２において、領域Ｅ３２に分布している磁界は、トレーリングシールドのエッジ部分に分布しているアンダーシュート磁界である。
【００２０】
図２に示した磁界分布と、図１５に示した磁界分布とを比較すると、図１５に示した領域Ｅ２２の範囲よりも、図２に示した領域Ｅ３２の範囲の方が狭い。すなわち、従来の磁気ヘッド９を用いた場合よりも、本実施例に係る磁気ヘッド１を用いた方が、アンダーシュート磁界が分布する範囲が狭い。このように、本実施例に係る磁気ヘッド１は、従来の磁気ヘッド９と比較して、アンダーシュート磁界を抑制することができる。
【００２１】
ここで、磁気ヘッド１を用いた場合にアンダーシュート磁界を抑制することができる点について、考え得る理由を説明する。まず、本実施例に係る磁気ヘッド１と比較するために、図３−１および図３−２を用いて、従来の磁気ヘッド９について説明する。図３−１および図３−２は、図１３に示した磁気ヘッド９の立体図である。なお、図３−２は、図３−１に示した方向Ａから磁気ヘッド９を見た図である。
【００２２】
図３−１に示すように、磁気ヘッド９は、主磁極９１の両側にサイドシールド９３が設けられている。このような構造により、主磁極９１のネック９１ａから発生する記録磁界は、磁気記録媒体２に垂直に加えられ、ネック９１ａやフレア９１ｂから発生する不要な記録磁界は、サイドシールド９３に吸収される。しかし、全ての不要な記録磁界がサイドシールド９３に吸収されるとは限らない。
【００２３】
具体的には、図３−２に示すように、ネック９１ａやフレア９１ｂから発生する不要な記録磁界のうち磁界Ｍ９１は、サイドシールド９３に吸収される。一方、ネック９１ａやフレア９１ｂから発生する不要な記録磁界のうち磁界Ｍ９２は、磁気記録媒体２に加えられる。このため、磁気記録媒体２の裏打ち層には、かかる漏れ磁界も分布することになる。
【００２４】
上述したように、磁気ヘッド９のリターンヨークは、トレーリングシールド９２を介して、裏打ち層に分布する磁界を吸収する。このため、裏打ち層に分布する漏れ磁界の強度が大きいほど、磁気記録媒体２から磁気ヘッド９方向への磁界であるアンダーシュート磁界Ｕ１は大きくなると考えられる。すなわち、ネック９１ａやフレア９１ｂから多くの不要な記録磁界が磁気記録媒体２に加えられるほど、アンダーシュート磁界Ｕ１は大きくなると考えられる。
【００２５】
続いて、図４−１および図４−２に、本実施例に係る磁気ヘッド１の立体図を示す。なお、図４−２は、図４−１に示した方向Ｂから磁気ヘッドを見た図である。図４−１に示すように、サイドシールド１３の領域１３ａは、媒体進行側寸法が主磁極１１を覆う程度に形成される。また、サイドシールド１３の領域１３ｂは、媒体進行側寸法が領域１３ａの媒体進行側寸法よりも長くなるように形成される。このような構造により、磁気ヘッド１は、従来の磁気ヘッド９よりも、ネック１１ａやフレア１１ｂから発生する不要な記録磁界をサイドシールド１３に吸収させることができる。
【００２６】
具体的には、図４−２に示すように、ネック１１ａやフレア１１ｂから発生する不要な記録磁界のうち磁界Ｍ１１は、サイドシールド１３の領域１３ａにより吸収される。また、不要な記録磁界のうち磁界Ｍ１２も、サイドシールド１３の領域１３ｂにより吸収される。すなわち、本実施例に係る磁気ヘッド１は、図３−２に示したような磁界Ｍ９２もサイドシールド１３に吸収させることができる。このように、磁気ヘッド１を用いた場合、従来の磁気ヘッド９と比較して、サイドシールド１３の領域１３ｂにより多くの不要な記録磁界が吸収される。このため、磁気ヘッド１を用いると、従来の磁気ヘッド９を用いた場合と比較して、磁気記録媒体２の裏打ち層に分布する漏れ磁界の強度は小さくなる。
【００２７】
図５に、本実施例に係る磁気ヘッド１を用いた場合における磁気記録媒体の裏打ち層に分布する磁界の強度を示す。図５において、領域Ｅ４１は、主磁極１１の近傍に分布する磁界を示す。図５では、かかる領域Ｅ４１に分布する磁界の強度が最も大きく、次に、領域Ｅ４２に分布する磁界の強度が大きく、次に、領域Ｅ４３に分布する磁界の強度が大きい。
【００２８】
図５に示した磁界分布と図１４に示した磁界分布とを比較すると、磁気記録媒体２の裏打ち層に分布する磁界の強度は、本実施例に係る磁気ヘッド１を用いた方が小さい。例えば、図１４に示した領域Ｅ１１〜Ｅ１３よりも、図５に示した領域Ｅ４１〜Ｅ４３の方が狭い。これは、磁気ヘッド１の場合、従来の磁気ヘッド９よりも多くの不要な記録磁界が、サイドシールド１３に吸収されるからである。
【００２９】
したがって、磁気ヘッド１を用いた場合、リターンヨークによって磁気記録媒体の裏打ち層から吸収される磁界の強度は、従来の磁気ヘッド９を用いた場合よりも小さくなると考えられる。その結果、トレーリングシールド１２のエッジ部分に発生するアンダーシュート磁界は、従来の磁気ヘッド９よりも磁気ヘッド１を用いた方が小さくなると考えられる。
【００３０】
このように、本実施例に係る磁気ヘッド１は、図１に示したような形状のサイドシールド１３を有するので、不要な記録磁界を多くサイドシールド１３に吸収させることができる。これにより、磁気記録媒体の裏打ち層に分布する磁界の強度を小さくすることができる。その結果、磁気ヘッド１は、アンダーシュート磁界を小さくすることができる。これにより、磁気ヘッド１は、隣接トラックに記憶されている情報を消してしまうおそれを減少させることができる。
【００３１】
次に、図６を用いて、本実施例に係る磁気ヘッド１を有する磁気記憶装置について説明する。図６は、本実施例に係る磁気ヘッド１を有する磁気記憶装置１００の構造を示す図である。図６に示すように、磁気記憶装置１００は、磁気ヘッド１と、磁気記録媒体２と、アーム３と、ボイスコイルモータ（以下、「ＶＣＭ」という）４と、スピンドルモータ（以下、「ＳＰＭ」という）５とを有する。
【００３２】
磁気記録媒体２は、ＳＰＭ５により回転駆動される。磁気記録媒体２の読み書きは、ヘッド支持機構であるアーム３の一方の先端に設けられた磁気ヘッド１によって行われる。磁気ヘッド１は、磁気記録媒体２の回転によって生じる揚力によって、磁気記録媒体２の表面からわずかに浮いた状態を維持して読み書きを実行する。また、アーム３のもう一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるＶＣＭ４の駆動により、アーム３が軸６を中心とする円弧上を回動し、磁気ヘッド１が磁気記録媒体２のトラック横断方向にシーク移動し、読み書きする対象のトラックを変更する。
【００３３】
次に、図７〜図９を用いて、図１に示したサイドシールド１３の寸法について具体的に説明する。図７は、コア幅比と記録磁界の強度との関係を示す図である。なお、本明細書において「コア幅比」とは、図１に示した主磁極１１のコア幅Ｘを「１」とした場合におけるサイドシールド１３の領域１３ｂ間の幅Ｙを示す。
【００３４】
図７に示したひし形に注目すると、領域１３ｂ間の幅Ｙが主磁極１１のコア幅Ｘの１０倍以上である場合、記録磁界の強度は、図７中に示した従来の磁気ヘッドにおける記録磁界の強度とほぼ等しくなる。一方、幅Ｙがコア幅Ｘの５倍より小さくなると、記録磁界の強度は低下し、従来の磁気ヘッドにおける記録磁界の強度より小さくなる。記録磁界の強度が小さすぎると磁気記録媒体２に情報を記録することができなくなるおそれがある。したがって、コア幅比は「１０」以上であることが好ましい。なお、図７に示した黒丸（リターンヨークまで）については後に説明する。
【００３５】
続いて、コア幅比とアンダーシュート磁界の強度との関係について説明する。図８は、コア幅比とアンダーシュート磁界の強度との関係を示す図である。図８に示したひし形に注目すると、コア幅比が３０程度までの場合、アンダーシュート磁界の絶対値は、従来の磁気ヘッドにおいて発生するアンダーシュート磁界の強度よりも小さい。なお、図８に示した黒丸（リターンヨークまで）については後に説明する。
【００３６】
図７および図８に示したようなことから、コア幅比は１０〜３０程度であることが好ましい。具体的には、サイドシールド１３の領域１３ｂ間の幅Ｙは、主磁極１１のコア幅Ｘの数十（１０〜３０）倍程度であることが好ましい。このように構成することにより、記録磁界の強度を磁気記録媒体２に情報を記録できる程度の大きさにすることができるとともに、アンダーシュート磁界の強度を小さくすることができる。
【００３７】
続いて、サイドシールド１３の膜厚方向の寸法比とアンダーシュート磁界の強度との関係について説明する。なお、本明細書において「膜厚方向の寸法比」とは、図１に示したサイドシールド１３の領域１３ａの寸法Ｈ１と領域１３ｂの寸法Ｈ２との比を示す。図９は、サイドシールド１３の膜厚方向の寸法比とアンダーシュート磁界の強度との関係を示す図である。
【００３８】
図９に示すように、サイドシールド１３の膜厚方向の寸法比が２以上の場合、アンダーシュート磁界の絶対値は、従来の磁気ヘッドにおいて発生するアンダーシュート磁界の強度よりも小さい。また、サイドシールド１３の膜厚方向の寸法比が大きくなるほどアンダーシュート磁界の絶対値は小さくなる。このため、サイドシールド１３の膜厚方向の寸法比は、２以上であることが好ましい。
【００３９】
次に、本実施例に係る磁気ヘッド１の断面図および製造方法について説明する。図１０に、本実施例に係る磁気ヘッド１の断面図を示す。図１０に示すように、磁気ヘッド１は、主磁極１１と、トレーリングシールド１２と、サイドシールド１３、下部磁気シールド層１４と、ＴＭＲ（Tunneling  Magneto  Resistive）素子１５と、上部磁気シールド層１６と、下部リターンヨーク１７と、ライトコイル１８ａおよび１８ｂと、主磁極補助層１９と、上部リターンヨーク２０とを有する。なお、図１０では、電解メッキ工程において形成されるメッキベース層を図示することを省略している。
【００４０】
図１１を用いて、図１０に示した磁気ヘッド１の製造方法について説明する。図１１は、本実施例に係る磁気ヘッド１の製造手順を示すフローチャートである。図１１に示すように、磁気ヘッド１を製造する場合、まず、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板上にＡｌ２Ｏ３膜を介して下部磁気シールド層１４と、ＴＭＲ素子１５と、上部磁気シールド層１６と、下部リターンヨーク１７とを形成する（ステップＳ１０１）。なお、図１０では、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板上およびＡｌ２Ｏ３膜を図示することを省略している。
【００４１】
続いて、選択電解メッキ法を用いて、Ｃｕを選択的に成膜して平面スパイラル状のライトコイル１８ａを形成する（ステップＳ１０２）。続いて、ライトコイル１８ａの絶縁層を設けて平坦化処理を行う（ステップＳ１０３）。続いて、選択電解メッキ法を用いて、主磁極補助層１９を形成する（ステップＳ１０４）。なお、主磁極補助層１９は、例えば、ＮｉＦｅである。続いて、選択電解メッキ法を用いて、サイドシールド１３を形成する（ステップＳ１０５）。なお、サイドシールド１３は、例えば、ＣｏＮｉＦｅである。
【００４２】
続いて、スパッタリング法を用いて、全面にＡｌ２Ｏ３膜を堆積させた後、ＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いて平坦化処理を施すことにより、凹部をＡｌ２Ｏ３で埋め込む。続いて、選択電解メッキ法を用いて、主磁極１１を形成する（ステップＳ１０６）。なお、主磁極１１は、例えば、ＣｏＦｅ膜である。
【００４３】
続いて、主磁極先端部を形成する（ステップＳ１０７）。具体的には、図示しないレジストパターンをマスクとしてＡｒイオンを照射するイオンミリングを施すことによって、主磁極１１の先端部を選択的に除去して、断面が逆台形状である主磁極先端部を形成する。なお、主磁極先端部は、例えば、トレーリング側の幅が２００［ｎｍ（ナノメートル）］である。
【００４４】
続いて、スパッタリング法を用いて、再度、全面にＡｌ２Ｏ３膜を堆積させた後、ＣＭＰ方を用いて平坦化することによって、Ａｌ２Ｏ３埋込層を形成する。続いて、レジストパターンをマスクとしてＡｒイオンを照射するイオンミリングによって、主磁極先端部を所定の厚さだけ除去する（ステップＳ１０８）。続いて、スパッタリング法を用いて、全面に非磁性体（例えば、Ａｌ２Ｏ３）であるギャップ層を形成する（ステップＳ１０９）。
【００４５】
続いて、選択電解メッキ法を用いて、ギャップ層上にＣｕを選択的に成膜して平面スパイラル状のライトコイル１８ｂを形成する（ステップＳ１１０）。続いて、上部リターンヨーク２０とトレーリングシールド１２とを形成する（ステップＳ１１１）。具体的には、ライトコイル１８ｂを覆うようにフォトレジストを設けて、かかるフォトレジストを被覆絶縁膜とした後、再度、選択電解メッキ法を用いて、例えばＮｉＦｅ層を堆積させて上部リターンヨーク２０とし、磁気記録媒体２に対向するヘッド面の側面に堆積したＮｉＦｅ層をトレーリングシールド１２とする。
【００４６】
そして、磁気記録媒体２に対向するヘッド面を切断して、素子の高さを調整するようにＡＢＳ（Air  Bearing  Surface）面を研磨する（ステップＳ１１２）。このようにして、図１０に示した磁気ヘッド１は製造される。
【００４７】
上述してきたように、本実施例に係る磁気ヘッド１は、図１に示したような形状のサイドシールド１３を有するので、アンダーシュート磁界を小さくすることができる。これにより、磁気ヘッド１は、隣接トラックに記憶されている情報を消してしまうおそれを減少させることができる。
【００４８】
特に、サイドシールド１３の形状について、コア幅比を１０〜３０程度とし、膜厚方向の寸法比を２以上にすることによって、磁気ヘッド１は、情報を記録できる程度の記録磁界を磁気記録媒体２に加えることができるとともに、アンダーシュート磁界を抑制することができる。
【００４９】
なお、上記実施例において、サイドシールド１３の領域１３ｂは、下部リターンヨーク１７と結合するように形成されてもよい。図１２を用いて具体的に説明する。図１２に示すように、サイドシールド１３の領域１３ｂは、トレーリングシールド１２と下部リターンヨーク１７とを連結するように形成される。以下では、図１２に示した磁気ヘッドを磁気ヘッド１ａとする。
【００５０】
ここで、磁気ヘッド１ａにおけるコア幅比と記録磁界の強度との関係について説明する。図７に示した黒丸は、図１２に示したように形成された磁気ヘッド１ａにおけるコア幅比と記録磁界の強度との関係を示している。図７に示すように、コア幅比が「１０」以上であれば、磁気ヘッド１ａにおける記録磁界の強度は、従来の磁気ヘッドにおける記録磁界の強度とほぼ等しくなる。
【００５１】
続いて、磁気ヘッド１ａにおけるコア幅比とアンダーシュート磁界の大きさとの関係について説明する。図８に示した黒丸は、磁気ヘッド１ａにおけるコア幅比とアンダーシュート磁界の大きさとの関係を示している。図８に示すように、磁気ヘッド１ａは、上記実施例において説明した磁気ヘッド１よりも、アンダーシュート磁界の絶対値が小さくなる。
【００５２】
このように、図１２に示した磁気ヘッド１ａについても、情報を記録できる程度の記録磁界を磁気記録媒体２に加えることができるとともに、アンダーシュート磁界を抑制することができる。
【００５３】
以上の各実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００５４】
（付記１）磁気記録媒体に磁界を加える主磁極と、
前記主磁極から磁気記録媒体のクロストラック方向および進行方向に発生する漏れ磁界を抑制し、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成されるサイドシールドと
を備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
【００５５】
（付記２）前記サイドシールドは、前記主磁極の位置よりも前記磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長い形状を含むことを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
【００５６】
（付記３）前記サイドシールドは、
前記主磁極の近傍に位置し、かつ、前記磁気記録媒体の進行方向の寸法である進行方向側寸法が前記主磁極の位置までになるように、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成された第一の領域と、
前記主磁極から離れた方向に前記第一の領域と隣接し、かつ、進行方向側寸法が前記第一の領域の進行方向側寸法よりも前記磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長い第二の領域と
を含むことを特徴とする付記２に記載の磁気ヘッド。
【００５７】
（付記４）前記第二の領域は、該第二の領域間の距離が、前記主磁極のコア幅の十倍以上になるように形成されたことを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッド。
【００５８】
（付記５）前記第二の領域は、該第二の領域の進行方向側寸法が、前記第一の領域の進行方向側寸法の二倍以上になるように形成されたことを特徴とする付記３または４に記載の磁気ヘッド。
【００５９】
（付記６）磁気記録媒体に情報を読み書きする磁気ヘッドを有する磁気記憶装置であって、
前記磁気ヘッドが、
前記磁気記録媒体に磁界を加える主磁極と、
前記主磁極から磁気記録媒体のクロストラック方向および進行方向に発生する漏れ磁界を抑制し、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成されるサイドシールドと
を備えたことを特徴とする磁気記憶装置。
【００６０】
（付記７）前記サイドシールドは、前記主磁極の位置よりも前記磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長い形状を含むことを特徴とする付記６に記載の磁気記憶装置。
【００６１】
（付記８）前記サイドシールドは、
前記主磁極の近傍に位置し、かつ、前記磁気記録媒体の進行方向の寸法である進行方向側寸法が前記主磁極の位置までになるように、前記主磁極のクロストラック方向の両側に形成された第一の領域と、
前記主磁極から離れた方向に前記第一の領域と隣接し、かつ、進行方向側寸法が前記第一の領域の進行方向側寸法よりも前記磁気記録媒体の進行方向と逆側の方向に長い第二の領域と
を含むことを特徴とする付記７に記載の磁気記憶装置。
【符号の説明】
【００６２】
１、１ａ  磁気ヘッド
２  磁気記録媒体
３  アーム
４  ＶＣＭ
５  ＳＰＭ
６  軸
９  磁気ヘッド
１１、９１  主磁極
１１ａ、９１ａ  ネック
１１ｂ、９１ｂ  フレア
１２、９２  トレーリングシールド
１３、９３  サイドシールド
１４  下部磁気シールド層
１５  ＴＭＲ素子
１６  上部磁気シールド層
１７  下部リターンヨーク
１８ａ、１８ｂ  ライトコイル
１９  主磁極補助層
２０  上部リターンヨーク
１００  磁気記憶装置
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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