(57)【要約】【課題】プリント基板に設けられたアクティブマトリクスを機械的および電磁気的に保護する上で有利な表示体を提供する。【解決手段】表示体は、観察者側に位置する図示しない前面板と、該前面板に対向して配置される背面板とを備えている。背面板は、前記前面板に対向する面に形成された画素電極１０１と、該画素電極１０１を駆動するアクティブマトリクスとを有している。背面板は、プリント基板で構成されている。プリント基板は、画素電極層と、第１絶縁層１１３ａと、ソース線層およびゲート線層と、２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃと、トランジスタ層と、第３絶縁層１１４と、グランド層１１２と、第４絶縁層１１５とがこの順番で前面板から離れる方向に積層されて構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察者側に位置する前面板と、該前面板に対向して配置される背面板とを備え、
前記背面板は、前記前面板に対向する面に形成された画素電極と、該画素電極を駆動するアクティブマトリクスとを有する表示体であって、
前記背面板は、プリント基板で構成され、
前記プリント基板は、
前記画素電極が形成された画素電極層と、
前記画素電極層を覆う第１絶縁層と、
ソース線層およびゲート線層と、
前記ソース線層およびゲート線層を覆う第２絶縁層と、
前記アクティブマトリクスを構成するトランジスタ層と、
前記トランジスタ層を覆う第３絶縁層と、
前記第３絶縁層を覆うアースされたグランド層と、
前記グランド層を覆う第４絶縁層とがこの順番で前記前面板から離れる方向に積層されて構成され、
前記画素電極層と前記トランジスタ層とは、前記第１、第２絶縁層を貫通する第１貫通孔を介して電気的に接続され、
前記ソース線層と前記トランジスタ層とは、前記第２絶縁層を貫通する第２貫通孔を介して電気的に接続され、
前記ゲート線層と前記トランジスタ層とは、前記第２絶縁層を貫通する第３貫通孔を介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする表示体。
【請求項２】
前記ソース線層および前記ゲート線層は、前記積層される方向において異なった位置に設けられている、
ことを特徴とする請求項１記載の表示体。
【請求項３】
前記ソース線層および前記ゲート線層は、前記積層される方向において同一の箇所に設けられている、
ことを特徴とする請求項１記載の表示体。
【請求項４】
前記トランジスタ層に、前記トランジスタのドレイン端子に接続されたストレージキャパシタと、該ストレージキャパシタに接続されたストレージキャパシタ端子とが設けられ、
前記第２絶縁層で覆われたストレージキャパシタ線層をさらに備え、
前記ストレージキャパシタ線層と前記ストレージキャパシタ端子とは、前記第２絶縁層を貫通する第４貫通孔を介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３に何れか１項記載の表示体。
【請求項５】
前記表示体と外部機器との接続装置、および前記表示体に搭載する電子部品が、前記背面板の前記前面板と反対側の面に設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至４に何れか１項記載の表示体。
【請求項６】
複数の前記表示体を、縦横に並置連結させて、より大きな表示面を構成することを特徴とする請求項５記載の表示体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクスを使用した表示体に関する。
【背景技術】
【０００２】
大型の液晶ディスプレイ（以下ＬＣＤ）を使用した公衆向け表示体が、近年登場してきている。これらは、大型のＬＣＤの利用が、テレビ以外に広がってきていることを示しており、今後もより大型の表示体が求められていることが分かる。
【０００３】
ＬＣＤは、２枚の対向する基板の間に、液晶材料を狭持する構造を有している。ここでは、２枚の対向する基板のうち、観察者側の基板を前面板、もう一方の基板を背面板と呼ぶ。多くのＬＣＤでは、前面板にカラーフィルタ（以下ＣＦ）と共通電極、背面板に数百万におよぶ画素電極を有する。さらに背面板には、画素電極を駆動するために、アクティブマトリクスと呼ばれる回路を設けている。
【０００４】
アクティブマトリクスとは、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とも呼ばれるものであり、各画素電極毎に薄膜電界効果型トランジスタを設けるものである。この薄膜電界効果型トランジスタ（以下、トランジスタと呼ぶ）は、ソース、ゲート、ドレインの３つの端子を有し、ソース端子、ゲート端子は、制御ドライバＩＣに繋がり、ドレイン端子は画素電極に繋がっている。ゲート端子への信号印加により、ソースとドレインの間の電荷移動のオンオフが制御される。また、画素電極に生じた電圧を保持するために、画素電極と対になってコンデンサを形成するよう、ストレージキャパシタ電極もアクティブマトリクスには設けられている。
【０００５】
通常、アクティブマトリクスは、ガラス基板へ、真空蒸着法、スパッタリング法などのドライプロセスと、露光、現像、エッチングを行うフォトリソグラフィ法などのウェットプロセスを組み合わせて作製される。耐熱性、平坦性などの諸要求から、無アルカリガラス基板が専ら使われているが、プロセス条件を最適化したり、転写法を工夫したりして非ガラス基板へのアクティブマトリクス形成も試みられている（特許文献１参照）。
【０００６】
アクティブマトリクスを構成するトランジスタの活性層材料として、長年シリコンが使用されているが、近年これに代わる材料として、有機半導体、酸化物半導体、ナノ粒子半導体が注目されている。これらの材料を使い、併せてプロセスを最適化することにより、ガラス基板以外の材質の基板にアクティブマトリクスを形成できることが開示されている（特許文献２参照）。
【０００７】
非ガラス基板として、プリント基板を使用することも考えられており、この場合は、ガラス基板にはない特徴として、電気的な接合や電子部品の配置を非表示面側に設けることが可能であることが開示されている（特許文献３参照）。
【０００８】
この技術によれば、従来取り扱いに注意を要するガラスに代わり、機械的強度のあるプリント基板を背面板に適用できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平８−２８８５２２号公報
【特許文献２】特表２００６−５１６７５４号公報
【特許文献３】特開２００７−１０８４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、この技術によれば、アクティブマトリクスの構成要素であるトランジスタとして作用する部分が、表示体の非表示面、または背面板の最外面近傍にあるため、外部からの衝撃を受けやすい上、静電気の影響や電磁波の影響などの電磁気的外乱を受けやすく、そのために、アクティブマトリクスが損傷を受けたり、誤動作する問題があった。
【００１１】
本発明は、この問題を鑑みてなされたものであり、プリント基板に設けられたアクティブマトリクスを機械的および電磁気的に保護する上で有利な表示体を提供することを目的とする。加えて、表示面の外側部分にある非表示部（以下、額縁と呼ぶ）を削減することと、一枚の大きな表示体を作製せずに大型の表示体を得る上で有利な表示体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成する為、請求項１の発明は、観察者側に位置する前面板と、該前面板に対向して配置される背面板とを備え、前記背面板は、前記前面板に対向する面に形成された画素電極と、該画素電極を駆動するアクティブマトリクスとを有する表示体であって、前記背面板は、プリント基板で構成され、前記プリント基板は、前記画素電極が形成された画素電極層と、前記画素電極層を覆う第１絶縁層と、ソース線層およびゲート線層と、前記ソース線層およびゲート線層を覆う第２絶縁層と、前記アクティブマトリクスを構成するトランジスタ層と、前記トランジスタ層を覆う第３絶縁層と、前記第３絶縁層を覆うアースされたグランド層と、前記グランド層を覆う第４絶縁層とがこの順番で前記前面板から離れる方向に積層されて構成され、前記画素電極層と前記トランジスタ層とは、前記第１、第２絶縁層を貫通する第１貫通孔を介して電気的に接続され、前記ソース線層と前記トランジスタ層とは、前記第２絶縁層を貫通する第２貫通孔を介して電気的に接続され、前記ゲート線層と前記トランジスタ層とは、前記第２絶縁層を貫通する第３貫通孔を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
請求項２の発明は、前記ソース線層および前記ゲート線層は、前記積層される方向において異なった位置に設けられていることを特徴とする請求項１記載の表示体である。
請求項３の発明は、前記ソース線層および前記ゲート線層は、前記積層される方向において同一の箇所に設けられていることを特徴とする請求項１記載の表示体である。
請求項４の発明は、前記トランジスタ層に、前記トランジスタのドレイン端子に接続されたストレージキャパシタと、該ストレージキャパシタに接続されたストレージキャパシタ端子とが設けられ、前記第２絶縁層で覆われたストレージキャパシタ線層をさらに備え、前記ストレージキャパシタ線層と前記ストレージキャパシタ端子とは、前記第２絶縁層を貫通する第４貫通孔を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３に何れか１項記載の表示体である。
請求項５の発明は、前記表示体と外部機器との接続装置、および前記表示体に搭載する電子部品が、前記背面板の前記前面板と反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４に何れか１項記載の表示体である。
請求項６の発明は、複数の前記表示体を、縦横に並置連結させて、より大きな表示面を構成することを特徴とする請求項５記載の表示体である。
【発明の効果】
【００１３】
アクティブマトリクスを構成するトランジスタ層が第４絶縁層とグランド層によって覆われるため、アクティブマトリクスを機械的および電磁気的に保護する上で有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による背面板の一画素電極分の断面構造の概略図である。
【図２】従来技術による背面板の一画素電極分の断面構造の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明をより詳細に説明する。
図１に、本発明の背面板の断面構造概略図を示す。これは、画素電極１つ分のものである。本発明は、アクティブマトリクスの動作原理に基づく限り、様々な設計が可能であり、図１の構造に限定されるものではない。また、実際は、以下に記すように三次元的な構造を有するが、説明のため、図１は構成部品の配置などを二次元的に描画してある。
【００１６】
通常、ガラス基板にアクティブマトリクスを形成する場合、画素電極と同じ面に画素電極に隣接してトランジスタを設けることになる。これは、プロセスが片面のみで済むという理由と、硬いガラスに貫通孔を形成することが困難であるためである。
【００１７】
その結果、画素電極を含めてアクティブマトリクスは、対向する２枚のガラス基板で構成される表示体の内側に位置することになり、強固で帯電しにくいガラスによってアクティブマトリクスは保護されることとなる。
【００１８】
一方、プリント基板にアクティブマトリクスを形成する場合、ガラスと違って貫通孔を容易に形成できる上、多層化した構造を取ることが可能である。したがって、ガラス基板の場合と同様に、画素電極とアクティブマトリクスを同じ面に形成する構成の他、画素電極とアクティブマトリクスを異なる面に形成することも可能である。
【００１９】
同じく、アクティブマトリクスを異なる層に分解することも出来る。つまり、トランジスタだけでなく、これに繋がる配線を画素電極１０１やトランジスタ（１０３、１０５、１０６、１０９、１１０で構成される構造体）と異なる面に設けることが可能である。配線は、まずゲート端子１０５、ソース端子１０３にそれぞれ繋がるゲート線１０４、ソース線１０２が必要で、これらの配線は、互いに絶縁されて縦横に交差するように基板内に配置される。ドレイン端子１０６と画素電極１０１は、貫通孔で繋がれる。ストレージキャパシタ１１１は、隣接する画素電極のストレージキャパシタと連結されるため、ストレージキャパシタ線１０８も必要となる。
【００２０】
画素電極１０１は、基板の片方の最外面に位置する必要がある。これに加え、アクティブマトリクスとして機能するためには、トランジスタ層（ソース端子１０３、ゲート端子１０５、ドレイン端子１０６、ゲート絶縁層１０９、活性層１１０で構成される構造体の層）、ゲート線層（ゲート線１０４の層）、ソース線層（ソース線１０２の層）が必要である。ストレージキャパシタ１１１は、絶縁誘電体材料を介して導電材料を重ね合わせて形成する手法、絶縁誘電体材料を介して導電材料を隣接させる手法、チップコンデンサ部品を搭載する手法などを適用して作製することができる（図1は、後者２つの手法に相当する）。設計によっては、ストレージキャパシタ線層は、単独で層を成す他に、図1のようにゲート線層またはソース線層と混在させることが可能である。絶縁材料１１３を介して、各層は重ねられ、層間の電気的接続は、絶縁材料の層である絶縁層に設けた貫通孔を介してなされる。ドレイン端子１０６と画素電極１０１を繋ぐ線も、貫通孔を介して設けるため、独立したドレイン線層（ドレイン端子１０６に接続された線の層）は不要であるが、設計によって設けてもよい。
【００２１】
各層の重なる順序に制約はないが、トランジスタ層（ソース端子１０３、ゲート端子１０５、ドレイン端子１０６、ゲート絶縁層１０９、活性層１１０で構成される構造体の層）を、画素電極層（画素電極１０１の層）とは反対面の最外面にするのが、最も作りやすい。基本的に導電性材料だけで構成される他の層と異なり、トランジスタ層（ソース端子１０３、ゲート端子１０５、ドレイン端子１０６、ゲート絶縁層１０９、活性層１１０で構成される構造体の層）は、導電性材料からなるゲート端子１０５、ソース端子１０３、ドレイン端子１０６、半導体材料からなる活性層１１０、絶縁材料からなるゲート絶縁層１０９の３種の材料からなる層パターンを高い位置精度および厚み精度で組み合わせることが求められるからである。本発明のトランジスタの形成方法は、ドライプロセス、フォトリソグラフィ、インクジェット、スクリーン印刷、転写など、トランジスタの構成材料に合わせて適宜使用できる。
【００２２】
図1は、ボトムゲート型トランジスタを描いている。トランジスタの構造は、ボトムゲート型、トップゲート型など様々な構造があるが、本発明のトランジスタの構造はいずれの構造であっても構わない。ただし、アクティブマトリクスとして動作させるため、ゲート電圧がない時にはチャネルが生じないエンハンスメント形である必要がある。
【００２３】
導電性材料としては、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの導電性金属、スズドープ酸化インジウム、酸化亜鉛などの金属酸化物、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電性高分子、グラファイト、カーボンナノチューブ、フラーレンなどの炭素材料、およびそれらの混合物を適用することが出来る。
【００２４】
半導体材料としては、シリコン、ゲルマニウムなどのIV族半導体、セレン化亜鉛、硫化カドミウム、酸化亜鉛などのII-VI族半導体、ガリウム砒素、沃化インジウム、窒化ガリウムなどのIII-V族半導体、炭化シリコンなどのIV族化合物半導体、カルコパイライト系半導体などのI-III-VI族半導体、テトラセンやペンタセンなどのアセン類、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、ルブレンなど、ポリ（3-アルキルチオフェン）に代表されるポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリトリアリルアミンなどの有機半導体、およびそれらの混合物を適用することができる。
【００２５】
絶縁材料としては、ガラス、ガラス繊維、酸化シリコンなどの絶縁性酸化物、ポリエステル、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタンなどの合成樹脂、シリコーン樹脂、およびそれらの混合物を適用することができる。
【００２６】
先に記したように、トランジスタ層を最外面に設けると作りやすくなるが、そのままでは外部からの機械的ストレス、電磁気的ストレスを受けやすくなる。そこで、トランジスタ層を絶縁材料の層１１４で覆い、さらに導電材料の層１１２（以下グランド層と呼ぶ）で覆う。ここでの絶縁材料の層１１４の厚みは、電気的な絶縁を確保し、かつ外部からの機械的ストレスを緩和できる厚みであればよい。適用する材料の機械的特性および電気的特性によって、この厚みは変化するが、数１０〜数百ミクロンあればよい。グランド層１１２は、何らパターンを有さない面状のグランド層であり、電気的にアースされていることが望ましい。グランド層１１２自体を外部の機械的ストレスから保護するために、グランド層をさらなる絶縁材料の層１１５で覆ってもよい。
【００２７】
図１を参照してより詳細に説明する。
表示体は、観察者側に位置する図示しない前面板と、該前面板に対向して配置される背面板とを備えている。
背面板は、前記前面板に対向する面に形成された画素電極１０１と、該画素電極１０１を駆動するアクティブマトリクスとを有している。
背面板は、プリント基板で構成されている。
プリント基板は、画素電極層と、第１絶縁層１１３ａと、ソース線層およびゲート線層と、２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃと、トランジスタ層と、第３絶縁層１１４と、グランド層１１２と、第４絶縁層１１５とがこの順番で前面板から離れる方向に積層されて構成されている。
【００２８】
画素電極層は画素電極１０１が形成された層である。
第１絶縁層１１３ａは、画素電極層を覆う絶縁層である。
ソース線層は、ソース線１０２が形成された層である。
ゲート線層は、ゲート線１０４が形成された層である。
第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃはソース線層およびゲート層を覆う絶縁層である。
本実施の形態では、ソース線層およびゲート線層は、積層される方向において異なった位置に設けられている。
したがって、ソース線層は２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃのうちの一方の第２絶縁層１１３ｂによって覆われている。
ゲート線層は２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃのうちの他方の第２絶縁層１１３ｃによって覆われている。
なお、他の態様として、ソース線層とゲート線層の図で云う上下の関係は上下が逆でも設計可能である。
また、ソース線層およびゲート線層は、積層される方向において同一の箇所に設けられていてもよい。
【００２９】
トランジスタ層は、アクティブマトリクスを構成するものであり、ソース端子１０３、ゲート端子１０５、ドレイン端子１０６、ゲート絶縁層１０９、活性層１１０を含んで構成されている。
さらに、トランジスタ層に、トランジスタのドレイン端子１０６に接続されたストレージキャパシタ１１１と、該ストレージキャパシタ１１１に接続されたストレージキャパシタ端子１０７とが設けられている。
また、ストレージキャパシタ線１０８が形成されたストレージキャパシタ線層が２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃの間に形成されている。
すなわち、ストレージキャパシタ線層は第２絶縁層１１３ｂで覆われている。
【００３０】
画素電極１０１とドレイン端子１０６とは、第１、第２絶縁層１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃを貫通する第１貫通孔を介して電気的に接続されている。
すなわち、画素電極層とトランジスタ層とは、第１、第２絶縁層１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃを貫通する第１貫通孔を介して電気的に接続されている。
【００３１】
ソース線１０２とソース端子１０３とは、第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃを貫通する第２貫通孔を介して電気的に接続されている。
すなわち、ソース線層とトランジスタ層とは、第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃを貫通する第２貫通孔を介して電気的に接続されている。
【００３２】
ゲート線１０４とゲート端子１０５とは、第２絶縁層１１３ｃを貫通する第３貫通孔を介して電気的に接続されている。
すなわち、ゲート線層とトランジスタ層とは、第２絶縁層１１３ｃを貫通する第３貫通孔を介して電気的に接続されている。
【００３３】
ストレージキャパシタ線１０８とストレージキャパシタ端子１０７とは、第２絶縁層１１３ｃを貫通する第４貫通孔を介して電気的に接続されている。
すなわち、ストレージキャパシタ線層とストレージキャパシタ端子１０７とは、第２絶縁層１１３ｃを貫通する第４貫通孔を介して電気的に接続されている。
【００３４】
従来のガラス基板を用いたアクティブマトリクスでは、基板の片面のみにすべての配線、トランジスタなどの電子素子、接続端子やコネクタなどの接続装置、ドライバＩＣなどの電子部品を搭載していた。特に接続装置や電子部品は、表示面の外側、つまり表示体の端部に所定の領域を設けて搭載していた。本発明では、配線設計の自由度が高いプリント基板を用いるため、接続装置や電子部品を、表示面とは反対の面（以下、裏面と呼ぶ）に搭載することができる。このため、額縁を極限まで狭くすることができる。
【００３５】
額縁が狭くなることで、本発明の表示体は、縦横に隙間なく並べられて、より大きな表示面を違和感なく構成することが出来る。この場合も、接続装置や電子部品が裏面にあるため、表示体の設置が容易になる。
【００３６】
本発明が適用できる表示方式としては、液晶、有機エレクトロルミネセンス、電子ペーパーがあげられるが、アクティブマトリクスが適用できる表示方式であれば、特に表示方式の制約はない。
【００３７】
本実施の形態によれば、グランド層の存在により、アクティブマトリクスがその機能を発揮するために重要なトランジスタ層が、機械的、電磁気的に保護されるため、故障や誤動作がなくなる。加えて、アクティブマトリクス自体が発する電磁波も遮断されるため、他の電子機器類への影響もなくなる。グランド層に、銅やアルミニウムなど熱伝導性も優れる材料を用いた場合は、表示体の熱分布の均一化にも寄与するため、表示体の動作安定性を向上させる。これにより、プリント基板をベースにしたアクティブマトリクスの背面板の信頼性も向上するため、従来ガラス基板を用いた表示体を、より壊れにくい表示体に切り替えることが可能になる。加えて、電気的な接続部や部品が表示体の端部から裏面へ移動できるために、表示体同士の連結が容易になり、一つの表示体を大型化することなく、より大型の表示体を構成することが可能となる。
【００３８】
図２は従来の表示体を示す図である。
図２に示すように、従来の表示体では、プリント基板は、画素電極２０１が形成された層と、絶縁層２１３と、ソース線２０２が形成されたソース線層およびゲート線２０４が形成されたゲート線層と、アクティブマトリクスを構成するトランジスタ層（ソース端子２０３、ゲート端子２０５、ドレイン端子２０６、ゲート絶縁層２０９、活性層２１０で構成される構造体の層）とがこの順番で前面板から離れる方向に積層されて構成されている。
また、ストレージキャパシタ線２０８が形成されたストレージキャパシタ線層が絶縁層２１３に形成されている。
さらに、ストレージキャパシタ線２０８とストレージキャパシタ端子２０７とは、絶縁層２１３を貫通する貫通孔を介して電気的に接続されている。
このような構成では、アクティブマトリクスを構成するトランジスタ層が露出しているため、アクティブマトリクスが機械的、電磁気的に保護されず、故障や誤動作の発生を防止する上で不利となっている。
【実施例１】
【００３９】
ガラスクロスで補強されたエポキシ樹脂基板１１３ｂを芯材とし、その両面に厚さ１２μｍの銅箔を有するＦＲ−４規格の両面銅張積層板の銅箔を、それぞれソース線パターン、ゲート線パターンを有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法により、ソース線１０２、ゲート線１０４となるストライプ形状の銅箔のパターニングを施した。ゲート線１０４と同時に、ストレージキャパシタ線１０８も、同じ面に形成した。
【００４０】
この基板の両面に、絶縁層１１３ａ、１１３ｃを貼り合わせ、その外側両面に銅箔を貼り合わせた。貼り合わせた銅箔を、それぞれ画素電極パターン、トランジスタパターン（ソース端子、ゲート端子、ドレイン端子のパターン）を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法により、画素電極１０１、ソース端子１０３、ゲート端子１０５、ドレイン端子１０６となるパターニングを施した。トランジスタパターンの形成と同時に、ストレージキャパシタ端子１０７のパターニングも施した。
【００４１】
ＮＣドリルを用いて、ソース線１０２とソース端子１０３、ゲート線１０４とゲート端子１０５、ドレイン端子１０６と画素電極１０１、ストレージキャパシタ線１０８とストレージキャパシタ端子１０７を繋ぐ貫通孔を開け、銅を無電解メッキして、それぞれを電気的に接続させた。
【００４２】
ソース端子１０３、ゲート端子１０５、ドレイン端子１０６の所定部分を覆うよう、ポリイミドインク（三菱ガス化学製ネオプリム）をゲート絶縁層として塗布し、膜厚１μｍのゲート絶縁膜１０９を形成した。
【００４３】
次に、ゲート絶縁層１０９の上に、有機半導体材料であるＬｉｓｉｃｏｎ  ＳＰ２００（Ｍｅｒｃｋ製）をテトラリン（関東化学製）で０．５重量％になるように溶解させた溶液をディスペンサで塗布し、活性層１１０を形成した。
【００４４】
ドレイン端子１０６とストレージキャパシタ端子１０７を繋ぐように、ストレージキャパシタ１１１として、チップコンデンサを搭載した。
【００４５】
トランジスタ層（ソース端子１０３、ゲート端子１０５、ドレイン端子１０６、ゲート絶縁層１０９、活性層１１０で構成される構造体の層、ここでは、ストレージキャパシタ端子１０７、ストレージキャパシタ１１１も含む）上に、エポキシ樹脂を塗布し、これを介してガラスクロスで補強されたエポキシ樹脂基板１１４を芯材とし、その片面に厚さ１２μｍの銅箔を有するＦＲ−４規格の片面銅張積層板を貼り合わせた。この片面銅張積層板の銅箔を、グランド層１１２とした。その後、グランド層１１２にアクリル系塗料を塗って、背面板とした。
【００４６】
背面板の画素電極１０１の面に、電子ペーパーとしてマイクロカプセル型電気泳動方式の表示媒体フィルムＶｉｚｐｌｅｘ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｆｉｌｍ（Ｅ  Ｉｎｋ社製）を貼り合わせた。これを、外部駆動回路と接続し、アクティブマトリクスを動作させて、電子ペーパーに所定の表示が出ることを確認した。帯電した樹脂材を、グランド層側に近づけても、表示動作に影響がないことを確認した。
【符号の説明】
【００４７】
１０１…画素電極、１０２…ソース線、１０３…ソース端子、１０４…ゲート線、１０５…ゲート端子、１０６…ドレイン端子、１０７…ストレージキャパシタ端子、１０８…ストレージキャパシタ線、１０９…ゲート絶縁層、１１０…活性層、１１１…ストレージキャパシタ、１１２…グランド層、１１３ａ…第１絶縁層、１１３ｂ、１１３ｃ……第２絶縁層、１１４…第３絶縁層、１１５…第４絶縁層。
【図１】
2010224391.tif 000003
【図２】
2010224391.tif 000004