(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子の放熱性が高いとともに光ファイバとの光結合効率が高い半導体レーザモジュールを提供すること。【解決手段】載置面を有するサブマウントと、メタライズ層またはメッキ層からなる接合層を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記レーザ光を受け入れて他方の端部から出力する光ファイバと、前記サブマウントの載置面上の前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの一方の端部との間に載置され、前記レーザ光を前記光ファイバの一方の端部に結合させるレンズ部材と、を備え、前記接合層の厚さは、前記半導体レーザ素子と前記レンズ部材と前記光ファイバとの光軸が一致するように調整されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置面を有するサブマウントと、
メタライズ層またはメッキ層からなる接合層を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記レーザ光を受け入れて他方の端部から出力する光ファイバと、
前記サブマウントの載置面上の前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの一方の端部との間に載置され、前記レーザ光を前記光ファイバの一方の端部に結合させるレンズ部材と、
を備え、前記接合層の厚さは、前記半導体レーザ素子と前記レンズ部材と前記光ファイバとの光軸が一致するように調整されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記接合層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｓｎの少なくともいずれか一つからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記半導体レーザ素子は、基板を有するとともに、前記活性層が前記基板と前記サブマウントとの間に位置するように該サブマウントに載置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記レンズ部材は、円柱型レンズであり、中心軸が前記載置面と平行になるように前記サブマウントに載置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記サブマウントは、前記載置面の所定の領域に凹部を有し、前記円柱型レンズは該凹部上に載置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子、前記レンズ部材、および前記光ファイバが載置される前記載置面の各領域間の少なくとも一箇所に段差を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記サブマウントは、前記載置面の所定の領域に溝部を有し、前記光ファイバは該溝部に嵌るように載置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブマウント上に半導体レーザ素子が載置された半導体レーザモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光通信等に用いられる半導体レーザモジュールは、筐体内に収容されたペルチェ素子等を用いた電子冷却装置上にベースマウントを載置し、さらにこのベースマウント上に各部材を載置した構造を有する。また、半導体レーザ素子は、ベースマウント上にさらにサブマウントを介して載置されている（例えば特許文献１参照）。なお、特許文献１に記載の半導体レーザモジュールにおいては、光ファイバとしてその先端が楔形状をしているレンズドファイバを用いているが、通常の光ファイバを用いる場合は、ベースマウントまたはサブマウント上に、半導体レーザ素子から出力したレーザ光を光ファイバに結合するためのレンズ部材がさらに載置される。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３３２６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体レーザモジュールにおいて、より高い光出力を実現するために、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合効率を高めることが重要である。この光結合効率を高めるには、半導体レーザ素子とレンズ部材と光ファイバとの光軸の位置、特に高さ方向の位置を精度よく設定する必要がある。
【０００５】
しかしながら、たとえば各部材の高さ方向の位置が精度よく一致するようにサブマウント形状を形成したとしても、部材のサイズのばらつき等があるため、高さ調整をする必要がある。この高さ調整を行うために、たとえば厚さが異なる板材を複数枚用意し、これを適宜半導体レーザ素子とサブマウントとの間に１枚または複数枚介挿させて高さ調整を行うことも考えられる。
【０００６】
ところが、このように板材を介挿する場合、半導体レーザ素子とサブマウントとの間に余剰な部材が介在することになり、半導体レーザ素子の放熱性が低下するという問題がある。また、板材を介挿する場合、板材の厚さの誤差が問題になる。これに加え、半導体レーザ素子と板材との間、板材とサブマウントとの間、さらには板材と板材との間に接合剤の層が存在することとなるため、接合剤層の厚さのばらつき等によってさらに厚さの誤差が累積し、かえって高さ調整が困難になる場合があるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体レーザ素子の放熱性が高いとともに光ファイバとの光結合効率が高い半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザモジュールは、載置面を有するサブマウントと、メタライズ層またはメッキ層からなる接合層を介して前記サブマウントの載置面上に載置され、活性層からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記サブマウントの載置面上に一方の端部が載置されるとともに、該一方の端部から前記レーザ光を受け入れて他方の端部から出力する光ファイバと、前記サブマウントの載置面上の前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの一方の端部との間に載置され、前記レーザ光を前記光ファイバの一方の端部に結合させるレンズ部材と、を備え、前記接合層の厚さは、前記半導体レーザ素子と前記レンズ部材と前記光ファイバとの光軸が一致するように調整されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記接合層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｓｎの少なくともいずれか１つからなることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記半導体レーザ素子は、基板を有するとともに、前記活性層が前記基板と前記サブマウントとの間に位置するように該サブマウントに載置されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記レンズ部材は、円柱型レンズであり、中心軸が前記載置面と平行になるように前記サブマウントに載置されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記サブマウントは、前記載置面の所定の領域に凹部を有し、前記円柱型レンズは該凹部上に載置されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記サブマウントは、前記半導体レーザ素子、前記レンズ部材、および前記光ファイバが載置される前記載置面の各領域間の少なくとも一箇所に段差を有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記サブマウントは、前記載置面の所定の領域に溝部を有し、前記光ファイバは該溝部に嵌るように載置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る半導体レーザモジュールは、メタライズ層またはメッキ層からなる接合層の厚さが、半導体レーザ素子とレンズ部材と光ファイバとの光軸が一致するように調整されているので、サブマウントと半導体レーザ素子との間に余剰な部材が介在しないようにできる。したがって、熱抵抗を小さくできるとともに、少ない誤差で高精度に光軸合わせができるので、半導体レーザ素子の放熱性が高いとともに光ファイバとの光結合効率が高い半導体レーザモジュールを実現できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、図面を参照して本発明に係る半導体レーザモジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１７】
（実施の形態）
はじめに、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る半導体レーザモジュールの筐体を切り欠いて示して模式的な側面図である。図１に示すように、この半導体レーザモジュール１００は、たとえばＡｌからなる筐体１と、筐体１内の底面１ａ上に載置されたペルチェ素子等を用いた電子冷却装置２と、電子冷却装置２上に載置されたたとえばＡｌＮ、ＣｕＷ、Ｓｉ、ダイヤモンドからなるベースマウント３と、ベースマウント３上に載置され下部接合層４を介して接合された、上面に載置面５ａを有するサブマウント５と、接合層６を介してサブマウント５の載置面５ａ上に載置された半導体レーザ素子７と、サブマウント５の載置面５ａ上に一方の端部が載置された光ファイバ８と、サブマウント５の載置面５ａ上の半導体レーザ素子７と光ファイバ８の一方の端部との間に載置されたレンズ部材である円柱型レンズ９と、を備える。なお、光ファイバ８は、その一方の端部が載置面５ａ上に低融点ガラスや接着剤等からなる接合部材１０により固定されているとともに、筐体１の前方に設けられた挿入部１ｂに挿通し、固着剤１１により挿入部１ｂ内に固着されている。さらに、この半導体レーザモジュール１００は、ベースマウント３上に載置された別のサブマウント１２と、サブマウント１２上に載置された、半導体レーザ素子７の出力モニタ等に使用するフォトダイオード等の受光素子１３とを備えている。
【００１８】
つぎに、図２は、図１に示す半導体レーザモジュール１００の主要部の模式的な側面図である。また、図３は、図１に示す半導体レーザモジュール１００の主要部の模式的な斜視図である。なお、図３においては、接合部材１０は図示を省略している。以下、図２、３を参照して、半導体レーザモジュール１００の主要部についてより具体的に説明する。
【００１９】
下部接合層４は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｓｎおよびこれらの合金等のメッキ層またはメタライズ層からなり、サブマウント５をベースマウント３に接合するとともに、サブマウント５からベースマウント３への熱伝導性を高くしている。また、サブマウント５は、ＡｌＮ、ＣｕＷ、Ｓｉ、ダイヤモンドからなり、高い熱伝導性を有する。サブマウント５の大きさは、たとえば幅が５ｍｍ、長さが６ｍｍ、厚さが０．５ｍｍ程度である。また、接合層６は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｓｎおよびこれらの合金等のメッキ層またはメタライズ層からなり、半導体レーザ素子７をサブマウント５に接合するとともに、半導体レーザ素子７が発生する熱がサブマウント５に効率よく伝導するようにしており、これによって半導体レーザ素子７は放熱性が高くなるとともに電子冷却装置２によって効率的に冷却される。
【００２０】
また、半導体レーザ素子７は、ストライプ幅の広いマルチモード型の半導体レーザであり、基板７ａと、基板７ａ上に形成された第一半導体層７ｂと、第一半導体層７ｂ上に形成された活性層７ｃと、活性層７ｃ上に形成された第二半導体層７ｄとを備え、電流注入により活性層７ｃの端面からレーザ光Ｌを出射するように構成されている。レーザ光Ｌは、波長がたとえば９００〜１０００ｎｍであり、光強度がたとえば１Ｗ以上である。また、半導体レーザ素子７の構成は、特に限定されないが、たとえば特許文献１に開示される半導体レーザ素子と同様の積層構造を有する。具体的には、基板７ａは、ＧａＡｓからなり、裏面にｎ側電極が形成されている。また、第一半導体層７ｂは、基板７ａ側から、ｎ−ＧａＡｓからなる第一クラッド層、ｎ−ＧａＡｓからなる第一光閉じ込め層、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる第一キャリアブロッキング層が順次積層した構造を有している。また、第二半導体層７ｄは、活性層７ｃ側から、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなる第二キャリアブロッキング層、ｐ−ＧａＡｓからなる第二光閉じ込め層、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなる第二クラッド層、ｐ−ＧａＡｓからなるコンタクト層が順次積層した構造を有し、さらにコンタクト層上にはｐ側電極が形成されている。また、活性層７ｃは、たとえば多重量子井戸型であり、井戸層／障壁層がＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなる。半導体レーザ素子７の大きさは、たとえば幅が０．５ｍｍ、長さが３〜４ｍｍ、厚さが０．１ｍｍ程度である。また、半導体レーザ素子７は、活性層７ｃが基板７ａとサブマウント５との間に位置するように、サブマウント５に載置されている。すなわち、半導体レーザ素子７は、いわゆるジャンクションダウン構造で載置されている。ここで、基板７ａ、第一半導体層７ｂ、第二半導体層７ｄの厚さは、それぞれ１００μｍ、３μｍ、４μｍ程度である。したがって、ジャンクションダウン構造の採用により、活性層７ｃはよりサブマウント５に近い位置となる。その結果、レーザ動作により発熱する活性層７ｃは、効率よくサブマウント５に伝導し、これによって半導体レーザ素子７は放熱性が高くなるとともに電子冷却装置２によって効率的に冷却される。
【００２１】
また、光ファイバ８は、たとえばコア径が１０５μｍ、クラッド外径が１２５μｍであり、ＮＡがたとえば０．２２の石英ガラス系マルチモード型光ファイバである。また、円柱型レンズ９は、石英系ガラスからなり、直径が１２５μｍ、長さが５ｍｍである。また、円柱型レンズ９は、その中心軸が載置面５ａと平行になるようにサブマウント５に載置される。なお、円柱型レンズ９としては、たとえば光ファイバ８と同一の直径の光ファイバを所望の長さに切断したものを用いることができる。
【００２２】
つぎに、この半導体レーザモジュール１００の動作について説明する。半導体レーザ素子７は、ｎ側およびｐ側電極間に電圧を印加し、活性層７ｃにキャリアを注入すると、紙面右側に位置する活性層５の前方端面からレーザ光Ｌを出射する。なお、半導体レーザ素子７内のレーザ光は、積層方向には第一半導体層７ｂと第二半導体層７ｄとよって閉じ込められるが、半導体レーザ素子７は積層方向と垂直の面方向には閉じ込め構造を有さないので、出射したレーザ光Ｌは紙面上下方向に相対的に大きな広がり角を有し、紙面に垂直方向にはあまり広がらない。円柱型レンズ９は出射したレーザ光Ｌを集光して光ファイバ８に結合させる。光ファイバ８は、結合したレーザ光Ｌを伝送し、他方の端面から出射させる。なお、半導体レーザ素子７は、活性層５の後方端面からもレーザ光の一部を出射する。受光素子１３は、このレーザ光を受光してその強度に応じた電流値を有する電気信号を出力する。この電気信号は出力端子から半導体レーザモジュール１００の外部に出力され、出力モニタ等に使用される。
【００２３】
ここで、光ファイバ８のコアの中心軸の高さを線Ｘ１で示すと、光ファイバ８と円柱型レンズ９とは同一直径であるから、円柱型レンズ９の中心軸Ｏ１の高さすなわち光軸面の高さは線Ｘ１上に位置する。一方、半導体レーザ素子７については、その光軸面となる活性層７ｃの厚さ方向の中心面が線Ｘ１上になるように、接合層６の厚さが調整されている。すなわち、この半導体レーザモジュール１００においては、接合層６の厚さが、半導体レーザ素子７と円柱型レンズ９と光ファイバ８との光軸が一致するように調整されている。このように、接合層６の厚さにより、各光軸が一致するように調整されているので、サブマウント５と半導体レーザ素子７との間に、これらを接合すべき接合層６以外の余剰な部材が介在しないようにできる。したがって、半導体レーザ素子７とサブマウント５との間の熱抵抗を小さくできる。さらに、前述のように板材を介在させて高さ調整する場合の厚さの誤差の累積等の問題も、この半導体レーザモジュール１００においては発生しないので、少ない誤差で高精度に光軸合わせができる。その結果、この半導体レーザモジュール１００は、半導体レーザ素子７の放熱性が高いとともに光ファイバ８との光結合効率が高いものとなる。
【００２４】
さらに、板材を介在させて高さ調整をする場合には、この板材に反りがある場合、この反りに起因して半導体レーザ素子７に不要な応力が掛かって歪み、その信頼性が低下するおそれがあるが、この半導体レーザモジュール１００についてはそのようなおそれもない。
【００２５】
ここで、本実施の形態において、接合前の接合層６の厚さを６０μｍ程度としたが、所望の特性により数〜１００μｍ程度の範囲で調整できる。また、接合層６の幅は、半導体レーザ素子７を安定して接合するためには半導体レーザ素子７の幅の１倍以上が好ましい。また、接合層６の幅は、広くするにつれてその放熱性は高まるが、半導体レーザ素子７の幅の３倍程度以上であれば、十分に放熱性が高く好ましい。また、接合層６の長さは、半導体レーザ素子７の長さの１倍以上であれば好ましく、たとえばサブマウント５の大きさに応じて適宜設定できる。
【００２６】
また、接合層６は、メタライズのための蒸着法やメッキ法などの公知の方法によって形成できる。この場合、たとえば半導体レーザ素子７、光ファイバ８、円柱型レンズ９を準備し、それぞれの光軸または光軸面の位置を確認した上で形成すべき接合層６の厚さを設定し、別途準備したサブマウント５の所定の領域に設定した厚さの接合層６を形成する。その後半導体レーザ素子７、円柱型レンズ９の順でサブマウント５に載置する。また、円柱型レンズ９の後に光ファイバ８を載置する場合もあるが、その際には、光ファイバ８の反対側の端面より得られる光出力が最大になるように、光ファイバ８の位置を調整することが好ましい。
【００２７】
以上説明したように、本実施の形態に係る半導体レーザモジュール１００は、半導体レーザ素子７の放熱性が高いとともに光ファイバ８との光結合効率が高いものとなる。
【００２８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限られるものではない。例えば、上記実施の形態では、半導体レーザ素子は電子冷却装置により冷却されているが、半導体レーザ素子の出力や使用形態によっては、必要でない場合もある。この場合には、例えば、サブマントを直接筐体に接着する構造とすることもある。  
【００２９】
以下では、上記実施の形態の変形例について説明する。なお、以下の変形例１〜３に係る半導体レーザモジュールは、以下に説明する各主要部において上記実施の形態に係るものと異なる構成を有するが、その他の構成については上記実施の形態に係るものと同様である。
【００３０】
（変形例１）
図４は、変形例１に係る半導体レーザモジュールの主要部の模式的な側面図である。また、図５は、図４に示す半導体レーザモジュールの主要部の模式的な斜視図である。図４、５に示すように、この変形例１に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態に係る半導体レーザモジュール１００において、サブマウント５、円柱型レンズ９、接合層６を、それぞれサブマウント１５、円柱型レンズ１９、接合層１６に置き換えた構成を有している。
【００３１】
サブマウント１５は、その載置面１５ａにおいて、円柱型レンズ１９が載置される領域が、光ファイバ８が載置される領域よりも高くなるように、これらの領域間に段差Ｓを有している。一方、円柱型レンズ１９は、石英系ガラスからなり、直径が光ファイバ８のクラッド外径である１２５μｍよりも小さい８０μｍであり、その中心軸Ｏ２が載置面１５ａと平行になるようにサブマウント１５に載置される。なお、円柱型レンズ１９としては、たとえば対応する直径の光ファイバを所望の長さに切断したものを用いることができる。
【００３２】
ここで、段差Ｓの高さは、光ファイバ８のクラッド外径と円柱型レンズ１９の直径との差の１／２にほぼ等しい約２２．５μｍに設定されている。その結果、図４に示すように、光ファイバ８のコアの中心軸の高さを線Ｘ２で示すと、円柱型レンズ１９の中心軸Ｏ２の高さすなわち光軸面の高さが線Ｘ２上に位置するようになる。すなわち、本変形例１においては、サブマウント１５の載置面１５ａに設けた段差Ｓにより、光ファイバ８のクラッド外径と円柱型レンズ１９の直径との差を補正している。
【００３３】
一方、半導体レーザ素子７については、その光軸面となる活性層７ｃの厚さ方向の中心面が線Ｘ２上になるように、接合層１６の厚さが調整されている。上記のように段差Ｓを有するが、この接合層１６の厚さは円柱型レンズ１９の直径により決定される。たとえば円柱レンズ１９の直径が８０μｍの場合、接合層の厚みは円柱型レンズ１９の半径に相当する４０μｍから半導体層７ｄの厚みを除いた、３６μｍとなる。すなわち、この変形例１に係る半導体レーザモジュールにおいても、接合層１６の厚さにより、半導体レーザ素子７と円柱型レンズ１９と光ファイバ８との光軸が一致するように調整されているので、半導体レーザ素子７の放熱性が高いとともに光ファイバ８との光結合効率が高いものとなる。
【００３４】
なお、本変形例１において、サブマウント１５が有する段差Ｓは、円柱型レンズ１９が載置される領域が、光ファイバ８が載置される領域よりも高くなるように設けられているが、段差Ｓの高さは、使用する円柱型レンズと光ファイバとの外径の大小関係および差に応じて適宜設定することができる。また、さらなる変形例として、半導体レーザ素子７が載置される領域と、円柱型レンズ１９が載置される領域との間に段差を設け、半導体レーザ素子７の光軸面と円柱型レンズ１９の光軸面との高さを大まかに調整し、さらに接合層６により高さを調整するようにしてもよい。
【００３５】
（変形例２）
図６は、変形例２に係る半導体レーザモジュールの主要部の模式的な斜視図である。図６に示すように、この変形例２に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態に係る半導体レーザモジュール１００において、サブマウント５をサブマウント２５に置き換えた構成を有している。
【００３６】
サブマウント２５は、サブマウント５とほぼ同一であるが、その載置面２５ａの所定の領域に直方体状の凹部２５ｂを有する点がサブマウント５とは異なる。円柱型レンズ９はこの凹部２５ｂ上に載置されている。このように、サブマウント２５が凹部２５ｂを有することによって、円柱型レンズ９の表面等で散乱された光がサブマウント２５の表面で反射して迷光として光ファイバ８に結合してしまうことを防止できるので、迷光によるレーザ光の雑音特性の劣化を防止できる。なお、凹部２５ｂの形状は特に限定されず、たとえば円柱状や矩形状等でもよいが、その幅としては半導体レーザ素子７の幅よりも広いことが好ましく、長さは円柱型レンズ９の直径よりも大きいことが好ましい。
【００３７】
（変形例３）
図７は、変形例３に係る半導体レーザモジュールの主要部の模式的な分解斜視図である。図７に示すように、この変形例３に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態に係る半導体レーザモジュール１００において、サブマウント５、接合層６、円柱型レンズ９をそれぞれサブマウント３５、接合層３６、円柱型レンズ３９に置き換えた構成を有している。
【００３８】
サブマウント３５は、サブマウント５とほぼ同一であるが、その載置面３５ａの所定の領域に直方体状の凹部３５ｂを有するとともに、他の所定の領域に断面がＶ字状の溝部３５ｃを有する点がサブマウント５とは異なる。そして、円柱型レンズ３９は凹部３５ｂ上に載置され、光ファイバ８は溝部３５ｃに嵌るように載置されている。
【００３９】
この変形例３においては、上記変形例２と同様に、凹部３５ｂによってサブマウント３５による反射が防止される。また、光ファイバ８が溝部３５ｃに嵌るように載置されることによって、光ファイバ８が溝部３５ｃに確実に載置され、載置位置のずれ等の問題がなくなる。なお、円柱型レンズ３９の直径は、溝部３５ｃの形状およびその深さを考慮して選択される。また、接合層３６の厚さは、半導体レーザ素子７と円柱型レンズ３９と光ファイバ８との光軸が一致するように適宜調整される。なお、溝部３５ｃの形状は断面がＶ字状のものに限られず、たとえばＵ字状や矩形状のものでもよい。
【００４０】
なお、上記変形例２、３において、変形例１と同様に段差を有するサブマウントを用いても良い。また、上記実施の形態および各変形例において、半導体レーザ素子７および光ファイバ８はマルチモード型のものであったが、シングルモード型のものを用いてもよい。また、シングルモード型の半導体レーザ素子および光ファイバを用いる場合は、レンズ部材はボールレンズまたは通常の凸レンズ、あるいはこれらを適宜組み合わせたものを用いることが好ましい。また、上記実施の形態および各変形例において、半導体レーザ素子７はいわゆるジャンクションダウン構造で載置されていたが、ジャンクションアップ構造で載置されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施の形態に係る半導体レーザモジュールの筐体を切り欠いて示して模式的な側面図である。
【図２】図１に示す半導体レーザモジュールの主要部の模式的な側面図である。
【図３】図１に示す半導体レーザモジュールの主要部の模式的な斜視図である。
【図４】変形例１に係る半導体レーザモジュールの主要部の模式的な側面図である。
【図５】図４に示す半導体レーザモジュールの主要部の模式的な斜視図である。
【図６】変形例２に係る半導体レーザモジュールの主要部の模式的な斜視図である。
【図７】変形例３に係る半導体レーザモジュールの主要部の模式的な分解斜視図である。
【符号の説明】
【００４２】
１    筐体
１ａ  底面
１ｂ  挿入部
２    電子冷却装置
３    ベースマウント
４    下部接合層
５、１２、１５、２５、３５  サブマウント
５ａ、１５ａ、２５ａ、３５ａ  載置面
６、１６、３６  接合層
７    半導体レーザ素子
７ａ  基板
７ｂ  第一半導体層
７ｃ  活性層
７ｄ  第二半導体層
８    光ファイバ
９、１９、３９  円柱型レンズ
１０    接合部材
１１    固着剤
１３    受光素子
２５ｂ、３５ｂ  凹部
３５ｃ  溝部
１００    半導体レーザモジュール
Ｌ    レーザ光
Ｏ１、Ｏ２  中心軸
Ｓ    段差
Ｘ１、Ｘ２  線
【図１】
2010073758.tif 000003
【図２】
2010073758.tif 000004
【図３】
2010073758.tif 000005
【図４】
2010073758.tif 000006
【図５】
2010073758.tif 000007
【図６】
2010073758.tif 000008
【図７】
2010073758.tif 000009