(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳデバイスにおいて、構造の複雑化及び製造工数の増加を抑制しつつ、信頼性や性能を向上させることのできる構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＭＥＭＳデバイスは、基板１０と、該基板１０上に形成され、配線１４、１６と絶縁膜１３、１５、１７とが積層されてなる配線構造部３０と、該配線構造部３０によって周囲を平面的に取り囲まれた空洞部２０Ｃと、該空洞部２０Ｃ内において前記基板１０上に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、を具備するＭＥＭＳデバイスであって、前記配線構造部３０の一部として、前記ＭＥＭＳ構造体２０の周囲を、少なくとも前記ＭＥＭＳ構造体２０が形成される高さ範囲において平面的に取り囲むように構成された導体壁３１と、前記導体壁３１の内側に配置され、前記ＭＥＭＳ構造体２０と前記導体壁３１とを導電接続する接続配線２５と、を具備することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成され、配線と絶縁膜とが積層されてなる配線構造部と、該配線構造部によって周囲を平面的に取り囲まれた空洞部と、該空洞部内において前記基板上に形成されたＭＥＭＳ構造体と、を具備するＭＥＭＳデバイスであって、
前記配線構造部の一部として、前記ＭＥＭＳ構造体の周囲を、少なくとも前記ＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲において平面的に取り囲むように構成された導体壁と、
前記ＭＥＭＳ構造体と前記導体壁とを導電接続する接続配線と、
を具備することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記接続配線は、前記導体壁の内側に配置され、前記ＭＥＭＳ構造体と前記導体壁とを導電接続する内側接続配線部と、前記導体壁からさらに外側へ引き出される外側接続配線部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記導体壁と絶縁されるとともに前記導体壁の前記基板側若しくは前記基板の内部を通過して、前記ＭＥＭＳ構造体から前記導体壁の外側へ引き出される第２の接続配線をさらに具備することを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
前記ＭＥＭＳ構造体と離間して前記空洞部を上方から覆うとともに前記空洞部と連通する開口を備えた導電性の被覆層をさらに具備し、該被覆層は前記導体壁と一体に構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記ＭＥＭＳ構造体は、前記基板上に固定された固定電極と、該固定電極上に間隙を介して対向する可動部を含む可動電極とを有し、前記固定電極と前記可動電極の間の静電力により前記可動部が前記間隙を増減させる態様で動作することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
基板上にＭＥＭＳ構造体を形成する工程と、前記基板上に配線と絶縁膜を積層してなる配線構造部を形成する工程と、前記ＭＥＭＳ構造体上に形成された前記配線構造部の少なくとも一部を削除して前記ＭＥＭＳ構造体の周囲に空洞部を形成する工程と、を具備するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記ＭＥＭＳ構造体を形成する工程と前記配線構造部を形成する工程の少なくともいずれか一方において、前記配線構造部の一部として、前記ＭＥＭＳ構造体の周囲を、少なくとも前記ＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲において平面的に取り囲むように構成された導体壁と、前記導体壁の内側に配置され、前記ＭＥＭＳ構造体と前記導体壁とを導電接続する接続配線と、を形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記導体壁は、前記ＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲において前記ＭＥＭＳ構造体と同時に前記ＭＥＭＳ構造体に含まれる導電体と同材質で形成され、前記ＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲を越える範囲において前記配線構造部を形成する工程と同時に前記配線と同材質で形成されることを特徴とする請求項６に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記接続配線は、前記ＭＥＭＳ構造体に含まれる導電体と同時に同材質で形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記配線構造部を形成する工程では、前記ＭＥＭＳ構造体と離間して前記ＭＥＭＳ構造体を上方から覆うとともに前記導体壁と一体に接続され、かつ、前記ＭＥＭＳ構造体の周囲に空洞部を形成する工程を可能とするための開口を備えた導電性の被覆層を、前記配線と同時に同材質で形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＥＭＳデバイス及びその製造方法に係り、特に、ＭＥＭＳデバイスの信頼性や性能を高める場合に好適な構造及び製造工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）は微小構造体形成技術の一つで、例えばミクロンオーダー等の微細な電子機械システムを作る技術やその製品のことを言う。半導体チップはシリコン基板上にシリコン、酸化膜、金属等の薄膜を積み重ねて電子回路を作ることから、その回路構造は通常は平面的なパターンで構成されるが、ＭＥＭＳで上記半導体チップの製造技術、すなわち半導体製造技術を用いる場合には、機械加工のようにシリコンを切り出し、ミクロンサイズの板ばね、鏡、回転軸などを形成するので、ＭＥＭＳ構造体は立体的な構造を有する。
【０００３】
上記のようなＭＥＭＳ構造体を有するＭＥＭＳデバイスにおいては、基板上にＭＥＭＳ構造体とともに配線と絶縁膜とを積層してなる配線構造部を設けることで、デバイス構造をコンパクトに構成することが可能になり、また、半導体回路等の他の構成要素と一体化を図ることが可能になる。通常、ＭＥＭＳ構造体は上記配線構造部の一部をエッチング等によって除去することで形成された空洞部の内部に配置される。この空洞部は上方に開口したままの状態とされることもあれば、ＭＥＭＳ構造体を封止するために空洞部を覆う被覆層などで構成される蓋体を伴う場合もある。
【０００４】
また、上記ＭＥＭＳ構造体の周囲を平面的に取り巻くように配線構造部に設けられた導電体よりなる導体壁（ガードリング）が設けられる場合もある。このような構成は、以下の特許文献１乃至４に開示されている。このような導体壁を設けることにより、ＭＥＭＳ構造体の周囲に上記空洞部を形成するためのエッチングによるリリース工程において配線構造部へのエッチング液の周囲への侵入を防止することができる。
【特許文献１】特開２００６−２２４２２０号公報
【特許文献２】特開２００７−３５２９０号公報
【特許文献３】特開２００８−１１５３５４号公報
【特許文献４】特開２００８−２２１５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来のＭＥＭＳデバイスの設計例としては、図１２乃至図１４に示す構造が考えられる。ここで、図１２はＭＥＭＳデバイスの概略平面図、図１３は図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った概略縦断面図、図１４は図１２のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った概略縦断面図である。この構造では、基板１上の絶縁膜２ａ及び下地層２ｂ上に固定電極３ａ及び可動電極３ｂを備えたＭＥＭＳ構造体３を形成し、これに導電接続される接続配線３ｃ、３ｄを上記導電壁４と絶縁するとともに、この導電壁４に間隙４ａ，４ｂを形成し、この間隙４ａ，４ｂを通して上記接続配線３ｃ、３ｄを外側へ引き出している。なお、被覆層５には空洞部３Ｃに連通する開口５ａが設けられ、その上に封止層６が形成されることで開口５ａが閉鎖されている。
【０００６】
しかしながら、上記のように導体壁４の一部に間隙４ａ，４ｂを設けると、空洞部３Ｃを形成するためのエッチング時において当該間隙４ａ，４ｂを通してエッチング液が周囲に侵入して残留し、後に周囲の配線構造部の配線を腐食させるなど、デバイスの信頼性を低下させる虞があった。すなわち、上記間隙４ａ，４ｂにはエッチング耐性を有しない絶縁膜が配置されているために当該間隙４ａ，４ｂ内のエッチングが進行し、この部分からエッチング液が周囲に染み出すことで、後に周囲の配線構造部内の配線が腐食し、電気的な問題が生ずる虞があった。そして、このような信頼性の低下を回避するためにはエッチング時間を抑制する必要があることから、エッチング量の不足によりＭＥＭＳ構造体の解放（リリース）が不完全となりデバイス不良が発生するなど、製造工程のプロセスマージンの低下や製品歩留まりの低下をもたらすという問題点もあった。
【０００７】
一方、導体壁がＭＥＭＳ構造体を平面的に完全に取り巻くように構成する場合には、エッチングされる範囲が導体壁４の内側に限定されるため、信頼性の低下等の問題は生じなくなるが、特許文献２に記載されているように上記接続配線４ａ，４ｂを導体壁４の下方を通過するように構成する必要があり、このため、基板上の階層構造が複雑になるとともに製造工数も増加するという問題点がある。
【０００８】
さらに、上記のいずれの構造であっても、ＭＥＭＳ構造体３と導体壁４の寄生容量や基板１と導体壁４の寄生容量が大きくなることから、これによってＭＥＭＳデバイスの性能が低下するという問題点も考えられる。
【０００９】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、ＭＥＭＳデバイスにおいて、構造の複雑化及び製造工数の増加を抑制しつつ、信頼性や性能を向上させることのできる構造及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
斯かる実情に鑑み、本発明のＭＥＭＳデバイスは、基板と、該基板上に形成され、配線と絶縁膜とが積層されてなる配線構造部と、該配線構造部によって周囲を平面的に取り囲まれた空洞部と、該空洞部内において前記基板上に形成されたＭＥＭＳ構造体と、を具備するＭＥＭＳデバイスであって、前記配線構造部の一部として、前記ＭＥＭＳ構造体の周囲を、少なくとも前記ＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲において平面的に取り囲むように構成された導体壁と、前記ＭＥＭＳ構造体と前記導体壁とを導電接続する接続配線と、を具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、配線構造部においてＭＥＭＳ構造体の周囲を少なくともＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲において平面的に取り囲む導体壁を設け、この導体壁に対して接続配線を介してＭＥＭＳ構造体を導電接続することにより、ＭＥＭＳ構造体の周囲に導体壁を設けることで空洞部の形成工程のマージンを高めてＭＥＭＳデバイスの信頼性を高めることができるとともに、ＭＥＭＳ構造体と導体壁の間の寄生容量又は導体壁と基板との間の寄生容量を低減することができるため、ＭＥＭＳデバイスの性能を高めることが可能になる。また、従来のように導体壁と接続配線との絶縁を確保する必要がないため、当該接続配線を導体壁を迂回して引き出す必要がなくなることから、導体壁の構成に拘らずＭＥＭＳ構造体の周囲構造を簡易に構成でき、構造の複雑化や製造工数の増加を抑制できる。
【００１２】
なお、本発明において、導体壁はＭＥＭＳ構造体を平面的に完全に取り巻くように構成することができ、これがＭＥＭＳデバイスの信頼性を高めるとともに製造時の空洞部を形成するエッチング工程のプロセスマージンを確保する上で最も好ましい態様であるが、必ずしもこのように構成される必要はない。例えば、導体壁はＭＥＭＳ構造体を平面的に取り巻くように構成されているが、当該導体壁に間隙が設けられていてもよい。また、この間隙を通して上記接続配線とは別のＭＥＭＳ構造体に導電接続された接続配線（例えば後述する第２の接続配線）が外側へ引き出されていてもよい。
【００１３】
本発明の一の態様においては、前記接続配線は、前記導体壁の内側に配置され、前記ＭＥＭＳ構造体と前記導体壁とを導電接続する内側接続配線部と、前記導体壁からさらに外側へ引き出される外側接続配線部と、を含む。これによれば、導体壁の内側に配置された内側接続配線によりＭＥＭＳ構造体と導体壁とが導電接続されるとともに、外側接続配線により導体壁をその外側の配線構造部内の適宜の構造、たとえば、半導体回路、各種の電子素子、端子等に導電接続することができる。
【００１４】
本発明の一の態様においては、前記導体壁と絶縁されるとともに前記導体壁の前記基板側若しくは前記基板の内部を通過して、前記ＭＥＭＳ構造体から前記導体壁の外側へ引き出される第２の接続配線をさらに具備する。例えば、ＭＥＭＳ振動子（共振子）、ＭＥＭＳスイッチ、ＭＥＭＳアクチュエータ等といったＭＥＭＳ構造体においては相互に絶縁された二以上の接続配線を接続する必要があるので、この場合には上記内側接続配線と外側接続配線で構成される一つの接続配線（すなわち、後述する第１の接続配線）とは別の第２の接続配線が必要となる。この第２の接続配線は導体壁とは絶縁されていなければならず、そのために導体壁とは離間してその下方を通過するように構成する。
【００１５】
上記の第２の接続配線を有する構成としては、前記ＭＥＭＳ構造体は前記基板側に配置された第１の構造部と、該第１の構造部と絶縁され、前記第１の構造部より前記基板とは反対側（例えば、第１の構造部より導体壁により近い側）に配置された第２の構造部とを有し、前記第１の構造部は前記第２の接続配線と導電接続され、前記第２の構造部は前記内側接続配線と導電接続される場合がある。この場合には、基板とは反対側に配置された第２の構造部が内側接続配線と導電接続されているので、第２の構造部と導体壁が導電接続されることから、ＭＥＭＳ構造体と導体壁との間の寄生容量を低減することができる。また、基板側に配置された第１の構造部が導体壁の下方を通過する第２の接続配線に導電接続されるので、接続配線に対するＭＥＭＳ構造体の接続構成を簡易に構成することができる。
【００１６】
上記の第２の接続配線を有する構成としては、前記ＭＥＭＳ構造体は前記基板側に配置された第１の構造部と、該第１の構造部と絶縁され、前記第１の構造部より前記基板とは反対側（例えば、第１の構造部より導体壁により近い側）に配置された第２の構造部とを有し、前記第１の構造部は前記内側接続配線と導電接続され、前記第２の構造部は前記第２の接続配線と導電接続される場合もある。この場合には、第２の接続配線を基板電位とすることで導体壁と基板間の寄生容量を低減することができる。
【００１７】
本発明の他の態様においては、前記ＭＥＭＳ構造体と離間して前記空洞部を上方から覆うとともに前記空洞部と連通する開口を備えた導電性の被覆層をさらに具備し、該被覆層は前記導体壁と導電接続される。これによれば、ＭＥＭＳ構造体の上方を覆う被覆層が導体壁と導電接続されることにより、ＭＥＭＳ構造体の上方及び側方が共に一体の導電体で覆われることとなるので、外部の電磁界による影響を低減することが可能になる。
【００１８】
この場合に、前記被覆層と前記導体壁との接続部は前記ＭＥＭＳ構造体の周囲を平面的に取り囲むように構成されることが好ましい。このようにすると、ＭＥＭＳ構造体は基板上において全て一体の導電体に囲まれることとなるので、外部の電磁界による影響をさらに低減できると共に、エッチング工程による信頼性への影響もさらに低減できる。
【００１９】
本発明の別の態様においては、前記ＭＥＭＳ構造体は、前記基板上に固定された固定電極と、該固定電極上に間隙を介して対向する可動部を含む可動電極とを有し、前記固定電極と前記可動電極の間の静電力により前記可動部が前記間隙を増減させる態様で動作する。このような構成は、例えば、ＭＥＭＳスイッチ、ＭＥＭＳアクチュエータなどの多くのＭＥＭＳデバイスが有する具体的な構造に相当する。この場合には特に、前記ＭＥＭＳ構造体は、前記可動部が振動する振動子を構成するＭＥＭＳ振動子である場合がある。なお、上記固定電極は上記の第１の構造部に相当し、上記可動電極は上記第２の構造部に相当する。
【００２０】
次に、本発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板上にＭＥＭＳ構造体を形成する工程と、前記基板上に配線と絶縁膜を積層してなる配線構造部を形成する工程と、前記ＭＥＭＳ構造体上に形成された前記配線構造部の少なくとも一部を削除して前記ＭＥＭＳ構造体の周囲に空洞部を形成する工程と、を具備するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、前記ＭＥＭＳ構造体を形成する工程と前記配線構造部を形成する工程の少なくともいずれか一方において、前記配線構造部の一部として、前記ＭＥＭＳ構造体の周囲を、少なくとも前記ＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲において平面的に取り囲むように構成された導体壁と、前記導体壁の内側に配置され、前記ＭＥＭＳ構造体と前記導体壁とを導電接続する接続配線と、を形成することを特徴とする。
【００２１】
本発明において、上記導電壁及び接続配線は、ＭＥＭＳ構造体と同時に同材質で形成されてもよく、或いは、配線構造部の配線と同時に同材質で形成されてもよい。いずれの場合であっても、製造工数を増加させることなく導体壁、内側接続配線及び外側接続配線を形成することが可能になる。
【００２２】
本発明の一の態様においては、前記導体壁は、前記ＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲において前記ＭＥＭＳ構造体と同時に前記ＭＥＭＳ構造体に含まれる導電体と同材質で形成され、前記ＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲を越える範囲において前記配線構造部を形成する工程と同時に前記配線と同材質で形成される。これによれば、導体壁のうちＭＥＭＳ構造体が形成される高さ範囲ではＭＥＭＳ構造体の導電体と同時に同材質で形成し、上記高さ範囲を越える範囲では配線と同時に同材質で形成することで、製造工数を増加させずに基板上の高い層レベルまで導体壁を形成することができる。
【００２３】
また、前記接続配線は、前記ＭＥＭＳ構造体に含まれる導電体と同時に同材質で形成されることが好ましい。この場合には、ＭＥＭＳ構造体の導電体と上記各接続配線を同時に同材質で形成することで、ＭＥＭＳ構造体とこれらの接続配線との導電接続性やパターンずれ等の問題を回避することができる。
【００２４】
本発明の他の態様においては、前記配線構造部を形成する工程では、前記ＭＥＭＳ構造体と離間して前記ＭＥＭＳ構造体を上方から覆うとともに前記導体壁と一体に接続され、かつ、前記ＭＥＭＳ構造体の周囲に空洞部を形成する工程を可能とするための開口を備えた導電性の被覆層を、前記配線と同時に同材質で形成する。これによれば、被覆層の形成工程を配線構造部の配線を形成する工程で同時に形成することにより、被覆層の形成工程を別に設ける必要性がなくなるので、製造工数の低減や製造コストの低減を図ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のＭＥＭＳデバイス及びその製造方法によれば、ＭＥＭＳデバイスの構造の複雑化や製造工数の増大を回避しつつ、ＭＥＭＳデバイスの信頼性や性能の向上を図ることができるという優れた効果を奏し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２７】
［第１実施形態］
まず、図１及び図２を参照して本発明に係る第１実施形態のＭＥＭＳデバイスの構造について説明する。図１は本実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図、図２は同実施形態の概略縦断面図である。なお、図面に描かれ、以下に説明するＭＥＭＳデバイスは、ＭＥＭＳ振動子を構成する場合を前提とするものであるが、後述するように、本発明はＭＥＭＳ振動子に限定されるものではない。
【００２８】
図１に示すように、本実施形態は、単結晶シリコン等の半導体からなる基板（ウエハ）１０を基体とし、この基板１０上にＭＥＭＳ構造体２０を形成してなるＭＥＭＳデバイスである。ただし、ＭＥＭＳデバイスを単に構成するための基板１０は半導体に限らず、ガラス、セラミックス、樹脂などの種々の素材で構成されたものを用いることが可能である。
【００２９】
基板１０の表面上には必要に応じて酸化シリコン等よりなる絶縁膜１１が形成され、基板１０との絶縁が確保される。もっとも、基板１０がガラス、セラミックス、樹脂、低ドーピングの半導体などの絶縁性の高い素材で構成されている場合、あるいは、表面に絶縁膜を形成済みの基板（例えばＳＯＩ基板など）を用いる場合には当該絶縁膜１１は不要である。
【００３０】
また、基板１０の表面上には後述するリリース工程のエッチングに耐性を有する下地層１２が形成される。一般的なシリコンをベースとした半導体製造技術を用いる場合には、下地層１２はＣＶＤ法などで形成される窒化シリコン膜で構成される。この下地層１２は上記リリース工程において必要とされる範囲に限定的に形成されることが好ましい。
【００３１】
本実施形態では、絶縁膜１１上に上記の第２の接続配線２４が形成される。この第２の接続配線２４は、アルミニウム、銅などの金属、ドーピング等により導電性を付与された半導体（ポリシリコン層）などによって構成される。
【００３２】
基板１０上には、所定のパターニングにより導電体よりなる下層パターンが形成され、この下層パターンにより固定電極として機能しうる第１の構造部２１が形成される。この第１の構造部２１は下地層１２に形成された開口１２ａを通して上記第２の接続配線２４と導電接続される。また、この第１の構造部２１上には上層パターンが形成され、この上層パターンにより、第１の構造部２１と間隙を介して対向し、可動電極として機能しうる第２の構造部２２と、相互に一体化された第１の接続配線２５及び環状パターン部２６とが形成される。上記の第１の構造部（固定電極）２１及び第２の構造部（可動電極）２２は下地層１２上に配置されたＭＥＭＳ構造体２０を構成する。
【００３３】
基板１０上には、配線１４、１６と絶縁膜１３、１５、１７とが交互に積層されてなる配線構造部３０が形成される。この配線構造部３０は、配線と絶縁膜とが積層されたものであればよいので、配線及び絶縁膜がそれぞれ１層のみ形成されたものであってもよく、いずれかが二層以上形成されたものであってもよい。この配線構造部３０は上記ＭＥＭＳ構造体２０を平面的に取り囲むように構成される。図示例の場合、配線構造部３０はＭＥＭＳ構造体２０を平面的に完全に包囲するように取り囲み、ＭＥＭＳ構造体２０の周囲には配線構造部３０が存在しない空洞部２０Ｃが形成されている。
【００３４】
配線構造部３０には、上記ＭＥＭＳ構造体２０又は空洞部２０Ｃの周囲に配置された導体壁３１が含まれる。この導体壁３１は、上層パターンの一部として構成された環状パターン部２６と、この環状パターン部２６上に接続された配線１４の一部で構成される環状壁部１４Ｘと、この環状壁部１４Ｘ上に接続された配線１６の一部で構成される環状壁部１６Ｘと、を有する。
【００３５】
なお、本願明細書で環状という言葉は、或る物を平面的に取り囲むように構成されたものと定義される。したがって、平面的に閉じた図形を構成する態様のものであれば、円環状であることを要さず、矩形枠状などの任意の平面形状を有するものであってよいこととする。
【００３６】
上記環状壁部１４Ｘは、絶縁膜１５上に配置される上層の環状パターン部１４Ｕと、この環状パターン部１４Ｕと一体に構成され、絶縁膜１３を貫通して上記環状パターン部２６に導電接続された環状貫通部１４Ｌとから構成される。また、上記環状壁部１６Ｘは、絶縁膜１７上に配置される上層の環状パターン部１６Ｕと、この環状パターン部１６Ｕと一体に構成され、絶縁膜１５を貫通して上記環状パターン部１４Ｕに導電接続された環状貫通部１６Ｌとから構成される。上記の環状パターン部２６、環状壁部１４Ｘ及び環状壁部１６Ｘはそれぞれ環状に構成されるとともに、これらの相互間の各接続部分も環状に構成され、これによってＭＥＭＳ構造体２０を平面的に包囲する一体の導体壁３１が構成される。
【００３７】
図示例では空洞部２０Ｃの内側面に上記導体壁３１が露出し、当該導体壁３１の内側には配線構造部３０の絶縁膜１３、１５、１７及び後述する犠牲層が存在しないように構成される。これによって、当該絶縁膜１３、１５、１７及び犠牲層に含まれうる不純物によるＭＥＭＳ構造体への影響を低減することができる。ただし、本発明では導体壁３１の内側に上記絶縁膜１３、１５、１７及び犠牲層が多少残存していても構わない。
【００３８】
本実施形態では、第１の構造部２１の両側から第２の構造部２２の可動部２２ａが張り出し、当該可動部２２ａが第１の構造部２１の上方（基板とは反対側）に対向配置されている。第２の構造部２２は上記第１の構造部２１の両側にある部分が第１の構造部２１を平面的に回避した接続部２２ｂにより一体に接続されている。そして、第１の構造部２１と第２の構造部２２との間に電位差を与えることで可動部２２ａが静電力により動作するように構成される。図示例はＭＥＭＳ振動子の構成例であるので、両構造部間に交流信号を与えることで上記可動部２２ａが上下に振動する。また、可動部２２ａは幅方向全体に第１の構造部２１と平面的に重なるように配置されるとともに、第１の構造部２１は平面的に見て可動部２２ａの幅方向の縁部よりそれぞれ両側に張り出すように形成されている。
【００３９】
第１の構造部２１から引き出される第２の接続配線２４は第２の構造部２２と平面的に重ならないように平面的に回避した経路を辿り、上記導体壁３１の下方を通過して平面的に見て導体壁３１の外側へ引き出される。この第２の接続配線２４は、デバイス構成に応じて、基板１０に接地されたり、図示しない半導体回路若しくは電子素子に接続されたり、或いは、ＭＥＭＳデバイスの表面に形成された接続端子部に導電接続されたりする。また、第２の接続配線２４は、必要であれば、配線構造部３０に含まれる配線１４、１６の一部の配線パターン部や基板１０の表層部に設けられた不純物領域などを介して上記半導体回路若しくは電子素子や接続端子部に接続される。
【００４０】
また、第２の構造部２２から引き出される第１の接続配線２５は、平面的に見て導体壁３１の内側に配置された内側接続配線２５ａと、導体壁３１の外側に配置された外側接続配線２５ｂとを有する。内側接続配線２５ａはＭＥＭＳ構造体２０の第２の構造部２２と導体壁３１とを導電接続し、外側接続配線２５ｂは導体壁３１から外側へ引き出され、上記と同様の半導体回路若しくは電子素子、或いは、接続端子部などに導電接続されている。
【００４１】
本実施形態では、外側接続配線２５ｂは配線１４の一つの配線パターンを介して基板１０上に形成された半導体回路、図示例ではその中の電子素子４０に接続されている。図示例の場合、当該電子素子４０は、基板１０の表層部にそれぞれ形成された、不純物領域４１及び４２並びにこれらの不純物領域４１と４２の間に構成されたチャネル領域４３と、チャネル領域４３上に形成されたゲート絶縁膜４４と、ゲート絶縁膜４４を介して上記チャネル領域４３に対向配置されるゲート電極４５と、を備えたＭＯＳトランジスタである。なお、このゲート絶縁膜４４は後述する犠牲層と同時に同材質で形成され、ゲート電極４５は前記下層パターン若しくは上層パターンと同時に同材質で形成することができる。
【００４２】
本実施形態では、下地層１２の表面が空洞部２０Ｃの底面を構成し、この底面上に第１の接続配線２５が形成されている。すなわち、第１の接続配線２５はＭＥＭＳ構造体２０と同じ高さ範囲に設けられ、図示例では第１の構造部２１及び環状パターン部２６と同層に形成されている。第１の接続配線２５は導体壁３１と交差し、その交差部より導体壁３１の内側の部分が内側接続配線部２５ａとなり、同交差部より外側の部分が外側接続配線部２５ｂとされる。ただし、内側接続配線部２５ａと外側接続配線部２５ｂが共に上記交差部において導体壁３１と導電接続されている図示例とは異なり、内側接続配線部２５ａと外側接続配線部２５ｂとが導体壁３１の別の部位にそれぞれ導電接続されていても構わない。
【００４３】
絶縁膜１７の上には保護膜１８が形成され、この保護膜１８は上記空洞部２０Ｃを露出するための開口１８ａを備えている。保護膜１８は窒化シリコン膜で構成されることが好ましいが、他の無機膜や有機樹脂で構成されていてもよい。なお、ＭＥＭＳデバイスとしては保護膜１８を備えていなくても構わない。
【００４４】
本実施形態では、ＭＥＭＳ構造体２０の第２の構造部２２に導電接続された内側接続配線部２５ａが導体壁３１に導電接続され、この導体壁３１から外側接続配線部２５ｂが引き出されているので、第２の構造部２２を導体壁３１を介して外側の回路や端子などに導電接続することができる。この場合、従来のようにＭＥＭＳ構造体２０から導体壁３１を迂回して配線を引き出す必要がないので、ＭＥＭＳ構造体２０の周囲の階層構造を簡易に構成することが可能になり、ＭＥＭＳデバイスの小型化や製造工数の低減及びこれによる製造コストの削減を図ることができる。
【００４５】
また、内側接続配線部２５ａにより第２の構造部２２を導体壁３１と導電接続したことにより、ＭＥＭＳ構造体２０と導体壁３１との間の寄生容量を低減することが可能になる。特に、第１の構造部２１より導体壁３１側（基板１０とは反対側）に配置された第２の構造部２２が導体壁３１と導電接続されることで、寄生容量の低減効果がより高められる。これにより、たとえばＭＥＭＳ振動子ではフロアーレベルが低減できてフィルタ特性の向上（挿入損失の低減）が図れるなど、ＭＥＭＳデバイスの性能を高めることができる。
【００４６】
さらに、本実施形態では、ＭＥＭＳ構造体２０のうち、下層パターンで構成される第１の構造部２１が導体壁３１の下方を通過する第２の接続配線２４に導電接続され、上層パターンで構成される第２の構造部２２が導体壁３１に接続される第１の接続配線２５に導電接続されるので、ＭＥＭＳ構造体２０の上下配置と第１の接続配線２５と第２の接続配線２４の上下配置とが整合した構造となるため、ＭＥＭＳ構造体２０の周辺構造をさらに簡易に構成できる。
【００４７】
本実施形態では、ＭＥＭＳ構造体２０を導体壁３１が平面的に完全に取り巻くように構成されるとともに、導体壁３１の内面全体が空洞部２０Ｃに臨むように、すなわち、導体壁３１の内側に絶縁膜その他の材料が残存しないように構成される。これによって、ＭＥＭＳ構造体２０に対し、絶縁膜その他の材料による不純物の移動やガスの発生などに起因する汚染を防止することができる。ただし、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、導体壁３１の内面上に絶縁膜その他の材料が存在していても構わない。
【００４８】
なお、本実施形態においては、第２の構造部２２が第１の接続配線２５を介して半導体回路若しくは上記電子素子４０に導電接続されているが、第１の構造部２１が第２の接続配線２４を介して半導体回路若しくは上記電子素子４０に導電接続されていてもよく、或いは、第１の構造部２１と第２の構造部２２の双方がそれぞれ半導体回路若しくは電子素子に導電接続されていてもよい。また、第１の構造部２１と第２の構造部２２の一方が基板１０若しくは接地電位に導電接続されていてもよい。これらの接続態様は、ＭＥＭＳデバイスの構成、動作原理、使用方法等に応じて適宜に設定される。
【００４９】
また、第１の接続配線２５及び第２の接続配線２４はそれぞれ配線１４や１６の適宜の配線パターン部若しくは基板１０の表層部に設けられた不純物領域などのいずれの導電体を介して半導体回路若しくは電子素子、接続端子、基板１０等と接続されていても構わない。
【００５０】
［第２実施形態］
次に、図３及び図４を参照して本発明に係る第２実施形態のＭＥＭＳデバイスについて説明する。図３は本実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図、図４は同実施形態の概略縦断面図である。なお、本実施形態では、上記第１実施形態の各部に相当する部分については同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００５１】
本実施形態では、ＭＥＭＳ構造体２０の第１の構造部２１が第１の接続配線２５と導電接続され、第２の構造部２２が第２の接続配線２４と導電接続されている点で上記第１実施形態とは異なるが、他の構成、たとえば、基板、絶縁膜１１、下地層１２、ＭＥＭＳ構造体２０、空洞部２０Ｃ、配線構造部３０、導体壁３１のそれぞれについては第１実施形態と同様である。
【００５２】
本実施形態においても第１の接続配線２５と環状パターン部２６とが一体に構成され、これにより、第１の構造部２１が導体壁３１に導電接続される。また、第２の構造部２１は下地層１２に設けられた開口１２ｂを通して第２の接続配線２４に導電接続され、この第２の接続配線が配線１４の一部の配線パターンを介して半導体回路若しくは電子素子４０に導電接続される。
【００５３】
本実施形態では、第１の構造部２１が導体壁３１に導電接続されるため、第１実施形態と同様にＭＥＭＳ構造体２０と導体壁３１の間の寄生容量を低減することができることから、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させることができる。ここで、導体壁３１に導電接続される第１の構造部２１は第２の構造部２２より基板１０側（導体壁３１とは反対側）に配置されているが、寄生容量の低減効果自体は得られる。また、第１の構造部２１が基板１０の電位とされる場合（例えば共に接地電位とされる場合）には、導体壁３１と基板１０との間の寄生容量も低減できる。
【００５４】
なお、本実施形態においても、第１実施形態において説明した各部のバリエーションについてはそれぞれ同様に構成することが可能である。
【００５５】
［第３実施形態］
次に、図５及び図６を参照して本発明に係る第３実施形態のＭＥＭＳデバイスについて説明する。図５は本実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図、図６は同実施形態の概略縦断面図である。なお、本実施形態においても、上記第１実施形態の各部に相当する部分については同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００５６】
本実施形態では、ＭＥＭＳ構造体２０の構造が異なる点以外は上記第１実施形態と同様に構成されているので、第１実施形態と同様の点については説明を省略する。また、本実施形態はＭＥＭＳ構造体２０の構造以外の点については上記第２実施形態と同様に構成することも可能である。
【００５７】
本実施形態において、ＭＥＭＳ構造体２０は、第１の構造部２１と、この第１の構造部２１の片側から第１の構造部２１の上方に張り出した可動部２２ａを有する第２の構造部２２を備えている。そして、第１の構造部２１に導電接続された第２の接続配線２４は、第２の構造部２２とは反対側に引き出されている。また、第２の構造部２２に導電接続された第１の接続配線２５は、第１の構造部２１とは反対側に引き出されている。また、可動部２２ａは幅方向全体に第１の構造部２１と平面的に重なるように配置されるとともに、第１の構造部２１は平面的に見て可動部２２ａの幅方向の縁部よりそれぞれ両側に張り出すように形成されている。
【００５８】
上記のように構成されたＭＥＭＳ構造体２０では、第１の構造部２１と第２の構造部２２からなる基本構造を簡易に構成できるので、ＭＥＭＳデバイスの小型化を図ることができる。
【００５９】
［第４実施形態］
次に、図７及び図８を参照して本発明に係る第４実施形態のＭＥＭＳデバイスについて説明する。図７は本実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図、図８は同実施形態の概略縦断面図である。なお、本実施形態では、上記第１実施形態の各部に相当する部分については同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６０】
本実施形態では、基板１０上の絶縁膜１１、下地層１２、ＭＥＭＳ構造体２０及び配線構造部３０からなる基本構造については上記第１実施形態と同様に構成されている。また、これらの基本構造は上記第３実施形態と同様に構成することもできる。したがって、以下の説明では当該基本構造についての説明は省略する。
【００６１】
本実施形態では、導体壁３１に平面的に囲まれた空洞部２０Ｃの上部に、ＭＥＭＳ構造体２０を上方から覆う被覆層１６Ｙが形成される。この被覆層１６Ｙは配線構造部３０に含まれる配線１６の一部で構成されている。被覆層１６Ｙには空洞部２０Ｃに連通する１又は複数の開口１６ａが形成されている。また、被覆層１６Ｙの上記開口１６ａは、被覆層１６Ｙ上に形成された封止層１９によって閉鎖されている。この被覆層１６Ｙ及び封止層１９は空洞部２０Ｃを密閉し、ＭＥＭＳ構造体２０を封止する蓋体を構成する。このように空洞部２０Ｃが蓋体によって密閉されることで、ＭＥＭＳ構造体２０を封止できるので、ＭＥＭＳ構造体２０の汚染や動作不良を防止することができる。また、空洞部２０Ｃを減圧（真空に）したり、不活性ガス等を充てんしたりすることができるため、ＭＥＭＳデバイスの性能の確保や向上を図ることができる。
【００６２】
本実施形態では、導体壁３１は、第１実施形態と同様の環状パターン部２６、配線１４の一部で構成された環状壁部１４Ｘ及び配線１６の一部で構成された環状壁部１６Ｘからなるが、この導体壁３１の上部が配線１６の一部で構成された被覆層１６Ｙと接続されている。特に、被覆層１６Ｙと導体壁３１の接続部分はＭＥＭＳ構造体２０を平面的に取り巻く全周に亘って設けられているので、ＭＥＭＳ構造体２０は基板１０上においては実質的に導体によって包囲されていることとなる。したがって、ＭＥＭＳ構造体２０に対する外来の電磁界の影響をほとんど遮断することができる。このような観点においては、上記封止層１９も導電体で構成することで電磁遮蔽の効果をさらに高めることができる。
【００６３】
本実施形態では空洞部２０Ｃが密閉されているので、空洞部２０Ｃ内に絶縁膜その他の材料が残存すると、ＭＥＭＳ構造体２０に対する当該絶縁膜その他の材料による不純物の移動やガスの発生などに起因する汚染の影響が大きくなる。しかしながら、図示例では、ＭＥＭＳ構造体２０を導体壁３１が平面的に完全に取り巻くように構成されるとともに、導体壁３１の内面全体が空洞部２０Ｃに臨むように、すなわち、導体壁３１の内側に絶縁膜その他の材料が残存しないように構成しているので、ＭＥＭＳ構造体２０に対する汚染を防止することができる。ただし、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、導体壁３１の内面上に絶縁膜その他の材料が存在していても構わない。
【００６４】
［第５実施形態］
次に、図９及び図１０を参照して本発明に係る第５実施形態のＭＥＭＳデバイスについて説明する。図９は本実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図、図１０は同実施形態の概略縦断面図である。なお、本実施形態では、上記第２実施形態の各部に相当する部分については同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６５】
本実施形態では、基板１０上の絶縁膜１１、下地層１２、ＭＥＭＳ構造体２０及び配線構造部３０からなる基本構造については上記第２実施形態と同様に構成されている。また、これらの基本構造は上記第３実施形態と同様に構成することもできる。したがって、以下の説明では当該基本構造についての説明は省略する。
【００６６】
また、本実施形態では、上記被覆層１６Ｙ及び封止層１９からなる蓋体の構造及びこの蓋体と導体壁１４との関係については上記第４実施形態と同様である。したがって、蓋体を設けることによるＭＥＭＳ構造体２０の封止による効果と、電磁遮蔽効果とを第４実施形態と同様に得ることができる。
【００６７】
［第６実施形態］
次に、図１１を参照して本発明に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１１は、ＭＥＭＳデバイスの製造方法の主要工程の概略工程断面図（ａ）〜（ｄ）である。なお、この実施形態は上記第４実施形態のＭＥＭＳデバイスを製造する場合を前提とするが、上記の第１実施形態乃至第３実施形態若しくは第５実施形態についても同様に一部の工程を入れ替えたり、省略したりすることで容易に実現することができる。
【００６８】
本実施形態では、図１１（ａ）に示すように、例えばシリコン基板よりなる基板１０上に熱酸化法やＣＶＤ法などにより酸化シリコン等よりなる絶縁膜１１を形成し、その上に蒸着法やスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法等によりアルミニウムや銅などの導体パターンで第２の接続配線２４を形成する。その後、ＣＶＤ法やスパッタリング法などにより窒化シリコン等よりなる下地層１２を形成する。この下地層１２は後述するリリース工程におけるエッチングストップ層として機能する。ただし、この下地層１２には上記第２の接続配線２４に連通する開口１２ａを形成する。
【００６９】
その後、下層パターンとして、導電体、たとえば導電性のポリシリコンによりＣＶＤ法等によって成膜し、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることで第１の構造部２１を形成する。この第１の構造部２１は上記下地層１２上の上記開口１２ａを含む領域に形成され、当該開口１２ａを介して上記第２の接続配線２４と導電接続される。ただし、第２実施形態の基本構造を製造する場合には第１の構造部２１は開口１２ｂ（図４参照）を回避した領域に形成され、後述する第１の接続配線２５及び環状パターン部２６と導電接続される。
【００７０】
次に、第１の構造部２１上に犠牲層２３を形成する。図示例では犠牲層２３は第１の構造部２１全体を被覆した状態に形成されている。この場合、犠牲層２３はＣＶＤ法やスパッタリング法などで成膜することにより形成することもできるが、第１の構造部２１を表面酸化することによって形成してもよい。たとえば、第１の構造部２１がシリコン層で構成される場合、熱酸化法によって形成されるシリコン熱酸化膜を犠牲層２３とすることができる。
【００７１】
次に、上記犠牲層２３上に導電性のポリシリコン等の導電体よりなる上層パターンを形成する。そして、この上層パターンにより、第２の構造部２２と、第１の接続配線２５及び環状パターン部２６を形成する。本実施形態では、第２の構造部２２は、第１の接続配線２５及び環状パターン部２６と導電接続されるように一体のパターンとして構成される。ただし、第２実施形態の基本構造を製造する場合には、第２の構造部２２は開口１２ｂ（図４参照）を含む領域に形成され、上記第２の接続配線２４と導電接続される。
【００７２】
なお、本実施形態では下層パターンで第１の構造部２１を形成し、上層パターンで第２の構造部２２、第１の接続配線２５及び環状パターン部２６を形成しているが、これとは異なり、下層パターンで第１の構造部２１、第１の接続配線２５及び環状パターン部２６を形成し、上層パターンで第２の構造部２２を形成してもよい。本実施形態のように第１実施形態の基本構造を製造する場合には前者が好ましく、第２実施形態の基本構造を製造する場合には後者が好ましい。いずれにしても、第２の構造部２２には、犠牲層２３上に形成される可動部２２ａが設けられる。
【００７３】
上記の下層パターンや上層パターンを構成する導電体としては、上述のように導電性を付与したシリコンを用いることが好ましい。たとえば、リンなどのｎ型ドーパントを不純物として導入した多結晶シリコン若しくはアモルファスシリコンである。ドーパントとしてはｎ型ドーパントに限らず、ホウ素などのｐ型ドーパントを用いることも可能である。このような素材はＣＶＤ法、スパッタリング法等により容易に成膜することができる。ただし、上記の素材としては、ＭＥＭＳ構造体２０の動作に必要な程度の導電性を有する導電体であれば如何なるものであってもよく、たとえば、アルミニウム等の金属であってもよい。
【００７４】
その後、第１の構造部２１及び第２の構造部２２を有するＭＥＭＳ構造体２０、第１の接続配線２５及び環状パターン部２６、並びに下地層１２上に、アルミニウムや銅等の導体パターンで構成される配線１４、１６と、酸化シリコン等の層間絶縁膜で構成される絶縁膜１３、１５、１７とが交互に積層されてなる配線構造部３０が設けられる。
【００７５】
ここで、絶縁膜１３、１５には環状の開口がＭＥＭＳ構造体２０を取り囲むように設けられ、この開口を含む領域に配線１４、１６を形成することで、これらの環状の開口内に配置される環状貫通部１４Ｌ、１６Ｌと、絶縁膜１３、１５、１７上に配置される環状パターン部１４Ｕ、１６Ｕとによって環状壁部１４Ｘ、１６Ｘが形成される。そして、上記環状パターン部２６、環状壁部１４Ｘ及び１６Ｘによって導体壁３１が形成される。
【００７６】
また、上記配線１６を形成するときに、ＭＥＭＳ構造体２０上の絶縁膜１５上に被覆層１６Ｙが形成される。この被覆層１６Ｙは上述のように開口１６ａを有するが、この開口１６ａも配線１６のパターニング時に同時に形成される。なお、ＭＥＭＳ構造体２０上に積層された絶縁膜１３及び１５はＭＥＭＳ構造体２０の厚みを反映して図示のようにやや上側に凸となるように盛り上がるので、被覆層１６Ｙもまた上側に凸の曲面状となるように形成される。なお、絶縁膜１７は被覆層１６Ｙの開口１６ａを含む領域が露出するようにパターニングされる。その後、図１１（ｂ）に示すように、最上部に窒化シリコンや有機樹脂等よりなる保護膜１８を形成し、この保護膜１８にも被覆層１６Ｙの開口１６ａを含む領域を露出する開口１８ａが設けられる。
【００７７】
次に、図１１（ｂ）に示す状態で、弗酸を主体とする例えば緩衝弗酸等のエッチング液を用いて、被覆層１６Ｙの開口１６ａを通して犠牲層２３及び絶縁膜１３、１５のエッチングを行うリリース工程を実施し、図１１（ｃ）に示すように、ＭＥＭＳ構造体２０の周囲に空洞部２０Ｃを形成する。
【００７８】
本実施形態では、ＭＥＭＳ構造体２０の下地面は上記エッチングに対する耐性を有する下地層１２により形成され、ＭＥＭＳ構造体２０の周囲も上記エッチングに対する耐性を有する導体壁３１により取り囲まれているため、エッチング時間を十分に採ってもエッチング範囲が下地面から下方に向けて、或いは、導体壁３１の周囲に向けて広がる虞がない。したがって、第１の構造部２１と第２の構造部２２の対向領域などの狭隘部内に犠牲層２３が残存しないように十分にエッチングを行うことができるので、当該リリース工程のマージンを十分に確保することができる。すなわち、ＭＥＭＳ構造体２０を確実に解放（リリース）することができるとともに、エッチング液の周囲への侵入により、導体壁３１の外側の絶縁膜の境界面に沿った侵食、当該外側の配線パターンの腐食などを回避できる。したがって、ＭＥＭＳデバイスの特性の安定化や再現性の向上により、特性精度の向上や歩留まりの向上を図ることができるとともに、デバイスの信頼性を高めることができる。
【００７９】
特に、本実施形態では、被覆層１６Ｙが導体壁３１と一体に接続され、しかも、被覆層１６Ｙと導体壁３１とが全周に亘って接続されているので、下地面上の高さ範囲全体に亘ってエッチング範囲を規定することができるため、上記効果をさらに高めることができる。
【００８０】
上記のように構成されたＭＥＭＳ構造体２０では、第２の構造部２２に設けられた可動部２２ａが第１の構造部２１と間隙を介して対向配置される。これによって可動部２２ａは可動状態とされるので、固定電極である第１の構造部２１と可動電極である第２の構造部２２との間に交流信号を与えると、静電力により可動部２２ａが上記間隙を増減する態様で図示上下方向に振動する。
【００８１】
また、本実施形態では、上述のように被覆層１６Ｙが上に凸となるように湾曲した曲面状とされているので、上記リリース工程時やそれ以降において、被覆層１６Ｙの上下方向の変形に対する剛性を高めることができ、製造条件等に起因する被覆層１６Ｙの陥没（これは、ＭＥＭＳデバイスの不良を招く。）が生ずる可能性を低減できる。
【００８２】
次に、図１１（ｄ）に示すように、上記被覆層１６Ｙ上に封止層１９を形成し、開口１６ａを閉鎖することにより、空洞部２０Ｃを密閉する。これによってＭＥＭＳ構造体２０は封止された状態となる。封止層１９は、たとえば、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などといった気相法により成膜することが好ましい。この場合には、別工程を設けることなく、空洞部２０Ｃを気相法の適用時と同じ減圧状態（真空状態）に封止した状態、或いは、不活性ガス等を封入した状態とすることができる。また、封止層１９は、有機樹脂等を被覆層１６Ｙ上に塗布することによって形成することも可能である。
【００８３】
本実施形態では、導体壁３１は、ＭＥＭＳ構造体２０が形成される高さ範囲では当該ＭＥＭＳ構造体２０の第１の構造部２１又は第２の構造部２２と同時に同材質で形成され、ＭＥＭＳ構造体２０が形成される高さ範囲を越える範囲では配線構造部３０の配線１４，１６と同時に同材質で形成されるので、製造工数を増加させずに基板上の高い層レベルまで導体壁３１を形成することができる。
【００８４】
もっとも、導体壁３１が図示例より低い構造であってもよい場合には、導体壁３１は、ＭＥＭＳ構造体２０が形成される高さ範囲においても配線構造部３０の配線１４，１６と同時に同材質で形成することが可能である。
【００８５】
また、本実施形態では被覆層１６Ｙが配線構造部３０の配線１６と同時に同工程にて形成されるので、この点でも製造工数の増加を抑制することができる。
【００８６】
尚、本発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。たとえば、上記実施形態ではＭＥＭＳデバイスとして片持ち梁状の動作部構造を有するＭＥＭＳデバイスを例に説明したが、本発明のＭＥＭＳデバイスとしては、可動部の両側に支持部がそれぞれ接続されてなる両持ち梁状の動作部構造を有するものであっても良く、さらには、可動部の周囲に３以上の支持部がそれぞれ接続されてなる動作部構造を有するものであっても構わない。
【００８７】
また、上記実施形態ではＭＥＭＳ振動子を例示して説明を行ったが、本発明は、支持部によって動作可能に支持された可動部を有するもの、たとえば、ＭＥＭＳアクチュエータ、ＭＥＭＳスイッチ、ＭＥＭＳセンサ（加速度センサや圧力センサなど）、或いは、基板上において立体的構造を有するものなど、種々のＭＥＭＳデバイスに広く適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図。
【図２】第１実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略縦断面図。
【図３】第２実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図。
【図４】第２実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略縦断面図。
【図５】第３実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図。
【図６】第３実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略縦断面図。
【図７】第４実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図。
【図８】第４実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略縦断面図。
【図９】第５実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略平面図。
【図１０】第５実施形態のＭＥＭＳデバイスの概略縦断面図。
【図１１】第６実施形態のＭＥＭＳデバイスの製造方法を模式的に示す概略工程断面図（ａ）〜（ｄ）。
【図１２】比較例のＭＥＭＳデバイスの概略平面図。
【図１３】比較例のＭＥＭＳデバイスの概略縦断面図。
【図１４】比較例のＭＥＭＳデバイスの別の断面位置の概略縦断面図
【符号の説明】
【００８９】
１０…基板、１１…絶縁膜、１２…下地層、１３、１５、１７…絶縁膜、１４、１６…配線、１４Ｘ、１６Ｘ…環状壁部、１４Ｌ、１６Ｌ…環状貫通部、１４Ｕ、１６Ｕ…環状パターン部、１６Ｙ…被覆層、１６ａ…開口、１８…保護膜、１９…封止層、２０…ＭＥＭＳ構造体、２１…第１の構造部、２２…第２の構造部、２２ａ…可動部、２３…犠牲層、２４…第２の接続配線、２５…第１の接続配線、２５ａ…内側接続配線、２５ｂ…外側接続配線、２６…環状パターン部、３０…配線構造部、３１…導体壁、４０…電子素子
【図１】
2010158734.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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