(57)【要約】【課題】例えば、液晶装置における光抜けを低減する。【解決手段】開口領域（１０ｂ）の角部（Ｃ１）は、データ線（６）及び走査線（１１）が相互に交差する交差領域において、曲線部分に規定されることがない。即ち、開口領域（１０ｂ）の角部（Ｃ１）は、光が透過可能な開口領域（１０ｂ）に入射する光の偏光方向に各々沿った方向に延びる縁（１０ｂｘ）及び（１０ｂｙ）のみによって規定されている。したがって、液晶装置１によれば、開口領域（１０ｂ）を透過する光、或いは透過した光が、本来偏光されるべき偏光方向と異なる偏光方向に偏光されることを低減できるため、液晶装置（１）が黒表示をする際に発生する光抜けを低減することができ、液晶装置１が画像を表示する表示性能を向上させることが可能である。【選択図】図９
2010160308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に表示領域において互いに交差する第１方向及び第２方向の夫々に各々が延びており、前記基板上において互いに異なる層に形成された複数の第１遮光膜及び複数の第２遮光膜とを備え、
前記第１方向及び前記第２方向は、前記表示領域を構成する複数の画素領域の夫々において光が透過可能な開口領域に入射する光、又は前記開口領域から出射する光の偏光方向に沿った方向であり、
前記開口領域は、前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜の夫々の縁のうち前記第１方向及び前記第２方向の夫々に沿って延びる部分によって規定されていること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜の夫々の平面形状は、前記第１方向及び前記第２方向の夫々にのみ沿って延びる帯状であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の画素領域の夫々に形成された画素電極とを備え、
前記第１遮光膜は、前記基板上において前記画素領域に対応して設けられた画素スイッチング用トランジスタ素子の動作を制御する走査信号を前記画素スイッチング用トランジスタ素子に供給する走査線であり、
前記第２遮光膜は、前記画素電極に画像信号を供給するデータ線であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記開口領域に形成された透明な容量電極と、
前記開口領域において前記透明導電膜上に形成された透明な誘電体膜とを備え、
前記画素電極は、透明な導電材料で構成され、且つ、前記画素スイッチング用トランジスタ素子の出力端子に電気的に接続されており、
前記画素電極、前記誘電体膜、及び前記容量電極は、前記画像信号に応じた電位に前記画素電極の電位が保持されるように動作する蓄積容量を構成していること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、基板上にスイッチング素子として薄膜トランジスタが画素毎に配置された液晶装置等の電気光学装置、及び、そのような電気光学装置を液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、その動作時において、画像信号に応じた電位が画素電極に維持されるように、画素電極に蓄積容量が電気的に接続されている。このような蓄積容量は、例えば、画像を表示する表示領域のうち、不透明な配線部等が形成された領域であり、且つ、実質的に光を透過させない非開口領域に設けられている（例えば、特許文献１参照。）。画素電極に画像信号を供給するためのデータ線と、画素電極をスイッチング制御するための画素スイッチング用素子の動作を切り替える走査信号を当該素子に供給する走査線とは、当該液晶装置の表示性能を低下させないように、非開口領域に形成されている。このような非開口領域は、表示領域において、データ線及び走査線の夫々が延びる方向に沿って格子状の領域を構成する。液晶装置における表示領域のうち光が実質的に透過可能な開口領域は、例えば、格子状の領域である非開口領域によって相互に隔てられ、且つ表示領域においてマトリクス状に配列されている。
【０００３】
また、この種の液晶装置では、光を偏光させる偏光板等の偏光素子が、液晶装置の光源光が入射する光入射側、及び、液晶装置を透過した光が当該液晶装置から出射される光出射側の夫々に設けられる。これら偏光素子によって偏光された光が液晶装置の表示領域に入射したり、表示領域から出射された光が偏光されたりする。光が偏光される偏光方向は、例えば、表示領域においてデータ線及び走査線の夫々が延びる方向である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−４７２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液晶装置が画像を表示する表示性能を向上させることを目的として蓄積容量の容量値を増大させると共に、画素領域のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させないためには、蓄積容量は、格子状に延びる非開口領域に形成される。より具体的には、例えば、蓄積容量の容量電極は、その面積を最大限広げるように、データ線及走査線の夫々が交差する交差に対応して十字型に形成される。この際、データ線及走査線の夫々が交差する交差領域において、容量電極のパターニング精度に起因して容量電極の角部が直角に形成されず、曲線部分として形成されてしまう。このような曲線部分によれば、開口領域を透過する光が本来偏光されるべき方向と異なる方向に偏光されてしまい、光抜けが発生してしまう。
【０００６】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、光抜けを低減することによって表示性能を向上可能な液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に表示領域において互いに交差する第１方向及び第２方向の夫々に各々が延びており、前記基板上において互いに異なる層に形成された複数の第１遮光膜及び複数の第２遮光膜とを備え、前記第１方向及び前記第２方向は、前記表示領域を構成する複数の画素領域の夫々において光が透過可能な開口領域に入射する光、又は前記開口領域から出射する光の偏光方向に沿った方向であり、前記開口領域は、前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜の夫々の縁のうち前記第１方向及び前記第２方向の夫々に沿って延びる部分によって規定されている。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置によれば、表示領域のうち第１遮光膜及び第２遮光膜が形成された領域は、光が透過しない領域、即ち非開口領域である。逆にいえば、表示領域のうち実質的に光が透過可能な開口領域は、第１遮光膜及び第２遮光膜の夫々の縁によって規定されている。より具体的には、前記開口領域は、前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜の夫々の縁のうち前記第１方向及び前記第２方向の夫々に沿って延びる部分によって規定されている。加えて、第１遮光膜及び第２遮光膜は、相互に異なる層に形成されているため、これら遮光膜が相互に交差する交差領域において、開口領域の角部は、曲線部分に規定されることない。即ち、開口領域の角は、光が透過可能な開口領域に入射する光の偏光方向に各々沿った方向である第１方向及び第２方向の夫々に沿って延びる縁のみによって規定されている。
【０００９】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、開口領域を透過する光、或いは透過した光が、本来偏光されるべき偏光方向と異なる偏光方向に偏光されることを低減できるため、電気光学装置が黒表示をする際に発生する光抜けを低減することができ、当該電気光学装置が画像を表示する表示性能を向上させることが可能である。尚、第１遮光膜及び第２遮光膜は、遮光機能を有するだけでなく、基板上の回路部の一部を構成するように、配線、又は電極と共用されていてもよい。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜の夫々の平面形状は、前記第１方向及び前記第２方向の夫々にのみ沿って延びる帯状であってもよい。
【００１１】
この態様によれば、表示領域において格子状に非開口領域を規定しつつ、当該非開口領域によって相互に隔てられ、且つ表示領域においてマトリクス状に配列された開口領域を規定することが可能である。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記複数の画素領域の夫々に形成された画素電極とを備え、前記第１遮光膜は、前記基板上において前記画素領域に対応して設けられた画素スイッチング用トランジスタ素子の動作を制御する走査信号を前記画素スイッチング用トランジスタ素子に供給する走査線であり、前記第２遮光膜は、前記画素電極に画像信号を供給するデータ線であってもよい。
【００１３】
この態様によれば、データ線及び走査線によって開口領域を規定可能であるため、別途遮光膜を設けなくてもよい。
【００１４】
この態様では、前記開口領域に形成された透明な容量電極と、前記開口領域において前記透明導電膜上に形成された透明な誘電体膜とを備え、前記画素電極は、透明な導電材料で構成され、且つ、前記画素スイッチング用トランジスタ素子の出力端子に電気的に接続されており、前記画素電極、前記誘電体膜、及び前記容量電極は、前記画像信号に応じた電位に前記画素電極の電位が保持されるように動作する蓄積容量を構成していてもよい。
【００１５】
この態様によれば、開口領域に蓄積容量を形成することが可能であるため、非開口領域に蓄積容量を形成する必要がなくなり、データ線及び走査線のみによって開口領域を規定できる。また、蓄積容量確保のために広い容量電極を非開口領域に設ける必要がないため、開口率を上げることができる。
【００１６】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００１７】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００１８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。以下では、本発明の電気光学装置の一例として、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採用した液晶装置を挙げる。
【００２０】
＜１：液晶装置＞
＜１−１：液晶装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。
【００２１】
図１は、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を示した平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【００２２】
図１及び図２において、液晶装置１は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、本発明の「基板」の一例である。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０は、例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。画像表示領域１０ａは、本発明の「表示領域」の一例である。
【００２３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００２４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。
【００２６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。
【００２７】
ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。
【００２８】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２９】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。
【００３０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。
【００３１】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００３２】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００３３】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００３４】
＜１−２：液晶装置の電気的な構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の画像表示領域１０ａにおける電気的な構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００３５】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素領域の夫々には、画素電極９、及び、本発明の「画素スイッチング用トランジスタ素子」の一例であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、液晶装置１の動作時において、画素電極９に対する画像信号の供給及び非供給を相互に切り替えるように、画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、本発明の「第２遮光膜」の一例であり、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３６】
ＴＦＴ３０のゲートには、本発明の「第１遮光膜」の一例である走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。
【００３７】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００３８】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００３９】
＜１−３：液晶装置の具体的な構成＞
次に、図４乃至図１０を参照しながら、液晶装置１の画素の具体的な構成を説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を図式的に示した平面図である。図５及び図６は、画像表示領域１０ａの一部の構成を詳細に示した平面図である。図５及び図６の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０上において互いに異なる層を実線で示しており、図４より若干広い領域における平面構造を示している。図７は、図４乃至図６の夫々におけるＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。尚、図４乃至図７では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図８は、画像表示領域１０ａにおける開口領域及び非開口領域の区分けを示した平面図である。図９は、開口領域の角を拡大して示した拡大平面図である。図１０は、図９の比較例に係る平面図である。
【００４０】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、本発明の「第１遮光膜」の一例である走査線１１と、本発明の「第２遮光膜」の一例であるデータ線６との夫々が、本発明の「第１方向」及び「第２方向」の夫々の典型例であるＸ方向及びＹ方向の夫々に沿って延びている。データ線６及び走査線１１の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０上において相互に交差している。データ線６及び走査線１１の夫々の縁のうち図中Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って延びる縁は、画像表示領域１０ａのうち実質的に光が透過可能な領域である開口領域を規定している。逆にいえば、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａにおいて、データ線６及び走査線１１が形成された領域は、光が透過しない非開口領域に形成されていることになる。尚、本実施形態では、データ線６及び走査線１１の夫々と重なる領域全体が非開口領域に一致している。したがって、データ線６及び走査線１１によれば、別途遮光膜を設けなくてもＴＦＴ３０遮光できる。加えて、開口領域に蓄積容量７０を形成可であるため、非開口領域に蓄積容量を形成する必要がなくなり、データ線６及び走査線１１のみによって開口領域を規定できる。
【００４１】
データ線６及び走査線１１の交差付近において、走査線１１に重なるようにＴＦＴ３０（即ち、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂ）が形成されている。走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されており、ＴＦＴ３０の半導体層３０aを含むように半導体層ａより幅広に形成されている。ここで、後述するように、走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、このように走査線１１をＴＦＴ３０の半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置１の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流が低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００４２】
ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを有して構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３含んで形成されている。ここで、チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００４３】
ゲート電極３０ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａのチャネル領域と重なる領域にゲート絶縁膜を介して形成されている。図４では図示を省略しているが、ゲート電極３０ｂは、下層側に配置された走査線１１にコンタクトホール３４を介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御している。
【００４４】
データ線６は、ＴＦＴ３０上においてＴＦＴ３０に重なっているため、ＴＦＴ３０をその上側から遮光可能である。データ線６は、コンタクトホール３１に電気的に接続されている。データ線６は、例えば、ＴＦＴ３０のソース領域３０ａ１（図７参照。）に電気的に接続され、且つ画像信号をＴＦＴ３０に供給する。
【００４５】
一方、ドレイン領域３０ａ３は、本発明の「出力端子」の一例を構成するコンタクトホール３２及び中継層７、及び、コンタクトホール３３を介して画素電極９に電気的に接続されている（図７参照。）。
【００４６】
図５において、容量電極７１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、画素電極９と共に、蓄積容量７０における一対の容量電極を構成している。容量電極７１は、画像表示領域１０ａの略全体に重なっており、光が透過可能な開口領域においてデータ線６の上層側に延びている。
【００４７】
画像表示領域１０ａを構成する複数の画素領域、即ち画素電極９の夫々が設けられた領域に対応する領域は、データ線６及び走査線１１によって区分けされている。容量電極７１は、画素電極９（図５において図示省略）より下層側に形成されており、画素領域毎に開口部５ａを有している。開口部５ａの内側には、画素電極９及びドレイン領域３０ａ３（図７参照。）間を電気的に接続するコンタクトホール３３が、図中上下方向、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の厚み方向に沿って形成されている。したがって、コンタクトホール３３によれば、画素電極９の下層側に形成された容量電極７１に電気的に短絡することなく、画素電極９にドレイン領域３０ａ３から出力される画像信号電位を供給可能である。その結果、画素電極９の下層側に容量電極７１を設けつつ、画素電極９をオン／オフ駆動することができるので、極めて効率的な配線レイアウトを有する液晶装置１を実現することができる。
【００４８】
加えて、蓄積容量７０の一部である一対の容量電極の一方を構成する容量電極７１のサイズを極力大きく取りつつ、コンタクトホール３３を介して画素電極９及びドレイン領域３０ａ３間相互における電気的な接続が可能になる。
【００４９】
図６において、画素電極９は、画素領域毎に島状に形成されている。本実施形態では、各画素領域はデータ線６及び走査線１１によってマトリクス状に区分けされている。そして、図４において点線のライン９ａで示したように、画素電極９は各画素領域において、その端部がＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときに、データ線６及び走査線１１に部分的に重なるように形成されている。蓄積容量７０は、容量電極７１及び画素電極９が相互に重なる領域に形成されている。
【００５０】
図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、絶縁膜１２、１３、１４、及び１５、並びに、誘電体膜７２が形成されている。走査線１１、ＴＦＴ３０、データ線６、容量電極７１、及び画素電極９の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０、絶縁膜１２、絶縁膜１４、絶縁膜１５、及び誘電体膜７２の夫々の上に形成されている。
【００５１】
誘電体膜７２は、光が透過可能な開口領域において、容量電極７１上に形成された透明な膜である。誘電体膜７２は、他の誘電体膜より相対的に誘電率が高いアルミナで構成されており、開口領域において、容量電極７１及び画素電極９と共に蓄積容量７０を構成している。アルミナは他の誘電材料に比べて相対的に誘電率が高いため、蓄積容量７０のサイズが一定である場合に設定可能な容量値を高めることが可能である。尚、誘電体膜７２の膜厚が薄いほうが、蓄積容量７０の容量値を高めるためにはより好ましい。
【００５２】
蓄積容量７０は、各々が透明な容量電極７１、誘電体膜７２及び画素電極９によって構成されているため、開口領域を狭めることもなく、画素領域のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させることもない。加えて、このような蓄積容量７０によれば、開口領域に蓄積容量７０を形成可能であるため、非開口領域にのみ蓄積容量を形成する場合に比べてその容量値を増大させることが可能である。
【００５３】
したがって、液晶装置１によれば、蓄積容量７０の容量値を大きくし、且つ開口領域のサイズを広げることが可能であるため、液晶装置１の表示性能を向上させることが可能である。
【００５４】
次に、図８乃至図１０を参照しながら、データ線６及び走査線１１の夫々の縁によって規定される開口領域の平面形状を詳細に説明する。
【００５５】
図８において、開口領域１０ｂは、データ線６及び走査線１１の夫々の縁によって規定されている。より具体的には、開口領域１０ｂは、Ｘ方向に沿って延びる走査線１１の縁１０ｂｘと、Ｙ方向に沿って延びるデータ線６の縁１０ｂｙとによって囲まれた領域である。このような開口領域１０ｂが、画像表示領域１０ａにマトリクス状に設けられている。
【００５６】
複数の開口領域１０ｂの夫々は、画像表示領域１０ａにおいて格子状に延びる非開口領域１０ｃによって相互に隔てられている。
【００５７】
ここで、図１０に示すように、液晶装置１の比較例に係る液晶装置では、データ線６及び走査線１１が相互に交差す交差領域において蓄積容量を構成するための容量電極７３の角部７３ａの縁Ｒは、容量電極７３を形成する際のパターニング精度等の加工条件に起因して曲線部となってしまう。この容量電極は必要な蓄積容量値を確保するためにある程度面積を大きくすることが必要であり、データ線や走査線の幅よりも広くなる場合が多く、開口領域を規定する境界部となる。したがって、開口領域の角部Ｃ２は、曲線部である縁Ｒで規定されてしまう。このような角部Ｃ２によれば、開口領域１０ｂを透過する光が、本来偏光されるべき偏光方向と異なる方向、より具体的には、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に対する斜め方向に偏光されてしまうため、画像表示領域１０ａに黒表示を行った場合に光抜けが生じてしまう。
【００５８】
そこで、液晶装置１では、以下で説明する特有の構成により、画像表示領域１０ａにおける光抜けを低減できる。図９及び図１０において、開口領域１０ｂの角部Ｃ１は、データ線６及び走査線１１が相互に交差する交差領域において、曲線部分に規定されることがない。即ち、開口領域１０ｂの角部Ｃ１は、光が透過可能な開口領域１０ｂに入射する光の偏光方向に各々沿った方向に延びる縁１０ｂｘ及び１０ｂｙのみによって規定されている。
【００５９】
したがって、液晶装置１によれば、開口領域１０ｂを透過する光、或いは透過した光が、本来偏光されるべき偏光方向と異なる偏光方向に偏光されることを低減できるため、液晶装置１が黒表示をする際に発生する光抜けを低減することができ、液晶装置１が画像を表示する表示性能を向上させることが可能である。
【００６０】
（変形例）
次に、図１１を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置の変形例を説明する。図１１は、本例に係る液晶装置の画像表示領域における開口領域及び非開口領域の区分けを示した平面図である。
【００６１】
図１１に示すように、本発明の「第１遮光膜」及び「第２遮光膜」の夫々一例である走査線１１ａ及びデータ線６ａの夫々の平面形状は、図中Ｘ方向及びＹ方向の夫々にのみ沿って延びる帯状である。走査線１１ａ及びデータ線６ａは、画像表示領域１０ａにおいて、格子状に非開口領域１０ｃを規定しつつ、当該非開口領域１０ｃによって相互に隔てられ、且つ画像表示領域１０ａにおいてマトリクス状に配列された開口領域１０ｂを規定することが可能である。即ち、このような走査線６ａ及びデータ線６ａが相互に重なることによって規定される開口領域１０ｂの角部Ｃ３は、曲線部で構成されることなく、図中Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って延びる縁で規定された直角な部分である。
【００６２】
したがって、本例に係る液晶装置によれば、走査線１１ａ及びデータ線６ａの夫々の縁の位置関係に関係なく、これら走査線１１ａ及びデータ線６ａが相互に重なっているだけで、開口領域１０ｂの角部Ｃ３が相互に直角に交差する縁によって規定されるため、製造プロセスを煩雑化させることなく、画像表示領域１０ａにおける光抜けを低減可能である。
【００６３】
このような非開口領域の構成を単純化する本例の構成は、特に蓄積容量を透明な部材で構成し開口領域に配置したことが貢献している。
【００６４】
＜２：電子機器＞
次に、図１２を参照しながら、上述した液晶装置を、電子機器の一例であるプロジェクタにライトバルブとして適用した例を説明する。図１２は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００６５】
図１２において、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００６６】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００６７】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００６８】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００６９】
尚、図１２を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７０】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置において互いに異なる層の一の層における各構成要素のレイアウトを示した平面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置において互いに異なる層の他の層における各構成要素のレイアウトを示した平面図である。
【図７】図４乃至図６の夫々のＶＩＩ−ＶＩＩ´断面図である。
【図８】画像表示領域における開口領域及び非開口領域の区分けを示した平面図である。
【図９】開口領域の角部を拡大して示した拡大平面図である。
【図１０】図９の比較例に係る平面図である。
【図１１】本実施形態に係る電気光学装置の変形例における開口領域及び非開口領域の区分けを示した平面図である。
【図１２】本実施形態の電気光学装置を適用した電子機器の一例であるプロジェクタの構成を示した平面図である。
【符号の説明】
【００７３】
５ａ・・・開口部、６，６ａ・・・データ線、７・・・中継層、９・・・画素電極、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１０ａ・・・画像表示領域、１０ｂ・・・開口領域、１０ｃ・・・非開口領域、１１，１１ａ・・・走査線、３０・・・ＴＦＴ、３０ａ・・・半導体層、３０ａ１・・・ソース領域、３０ａ２・・・チャネル領域、３０ａ３・・・ドレイン領域、３０ｂ・・・ゲート電極、５０・・・液晶、７０・・・蓄積容量、７１・・・容量電極
【図１】
2010160308.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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