(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を含み、前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。【選択図】図２Ｃ
2010021556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、
前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極と、を含み、
前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第２ゲッタリングサイトは、前記半導体層のドレイン領域に位置することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第２ゲッタリングサイトは、前記チャネル領域と前記ドレイン領域との界面から０．５ないし１０μｍの距離に位置することを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記第２ゲッタリングサイトは、二つ以上存在することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜内には、前記第１ゲッタリングサイトを露出する第１ホール及び前記第２ゲッタリングサイトを露出する第２ホールが位置することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記ソース／ドレイン電極は、前記第１ホールを介して前記半導体層のソース／ドレイン領域と接続されることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記第１ゲッタリングサイト及び前記第２ゲッタリングサイトは、ゲッタリングのための不純物または格子損傷の領域を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記第１ゲッタリングサイト及び前記第２ゲッタリングサイトは、前記半導体層の表面から所定深さで形成され、前記半導体層内において前記結晶化誘起金属よりも拡散係数の小さい金属または金属シリサイドからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記金属または前記金属シリサイドは、前記半導体層内における拡散係数が前記結晶化誘起金属の拡散係数の１／１００以下であることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記金属または前記金属シリサイドは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、これらの合金、またはこれらの金属シリサイドからなる群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
複数個の前記チャネル領域と、前記チャネル領域間に位置する複数個の前記第２ゲッタリングサイトからなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
前記半導体層は、前記ゲート電極と交差する一つまたはそれ以上のボディ部及び互いに隣接する前記ボディ部を連結するための一つまたはそれ以上の連結部を含み、前記第１ゲッタリングサイトは、前記ボディ部の連結部によって連結されていない側の一端部分に位置することを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
前記第２ゲッタリングサイトは、前記半導体層のソース領域よりも前記半導体層のドレイン領域に近く位置することを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
前記第２ゲッタリングサイトは、前記チャネル領域とドレイン領域との界面から前記ドレイン領域方向に０．５ないし１０μｍの距離に位置することを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
基板を提供する工程と、
前記基板上に結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層をパターニングしてソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜をパターニングして前記半導体層の所定領域を露出させる第１ホール及び前記第１ホールと離隔されて位置する第２ホールを形成する工程と、
前記第１ホール及び前記第２ホールによって露出された前記半導体層の所定領域にゲッタリングサイトを形成する工程と、
前記ゲッタリングサイトを用いて前記半導体層のチャネル領域に存在する前記結晶化誘起金属をゲッタリングする工程と、
前記第１ホールを介して前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記第２ホールを、前記半導体層のドレイン領域上に形成することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１７】
前記第２ホールを、前記チャネル領域と前記ドレイン領域との界面から０．５ないし１０μｍの距離に形成することを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１８】
前記第１ホール及び前記第２ホールにより露出された前記半導体層の所定領域にゲッタリングサイトを形成し、前記ゲッタリングサイトを用いて前記半導体層のチャネル領域に存在する前記結晶化誘起金属をゲッタリングする際に、
前記第１ホール及び前記第２ホールによって露出された前記半導体層の所定領域内にゲッタリングのための不純物を注入し、またはプラズマ処理により格子損傷領域を形成し、その後熱処理することを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１９】
前記第１ホール及び前記第２ホールにより露出された前記半導体層の所定領域にゲッタリングサイトを形成し、前記ゲッタリングサイトを用いて前記半導体層のチャネル領域に存在する前記結晶化誘起金属をゲッタリングする際に、
前記第１ホール及び前記第２ホールが形成された前記層間絶縁膜上に前記半導体層内における拡散係数が前記結晶化誘起金属よりも小さい金属または金属シリサイドを含む金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層を形成して熱処理することを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２０】
前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層は、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、これらの合金、及びこれらの金属シリサイドからなる群から選択された一つであることを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２１】
前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層を形成した後に、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層上に熱酸化防止膜を形成することを特徴とする請求項１９または２０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２２】
前記多結晶シリコン層は、ＳＧＳ結晶化法を用いて結晶化されることを特徴とする請求項１５〜２１のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２３】
基板と、
前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、
前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極と、
前記ソース／ドレイン電極のひとつと電気的に接続される第１電極と、
前記第１電極上に位置し、発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に位置する第２電極と、を含み、
前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２４】
前記第２ゲッタリングサイトは、前記半導体層のドレイン領域に位置することを特徴とする請求項２３に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項２５】
前記第２ゲッタリングサイトは、前記チャネル領域と前記ドレイン領域との界面から０．５ないし１０μｍの距離に位置することを特徴とする請求項２４に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置に関し、より詳しくは、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層で形成された半導体層を含む薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域に残存する前記結晶化誘起金属を効果的に除去してリーク電流が著しく減少した薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを用いる有機発光ダイオード表示装置関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、多結晶シリコン層は、高い電界効果移動度を有し、高速動作回路または相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）回路に適用できるため、薄膜トランジスタ用半導体層の用途として広く用いられる。このような多結晶シリコン層を用いた薄膜トランジスタは、主にアクティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）の能動素子、またはアクティブマトリクス型有機発光ダイオード表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）のスイッチング素子もしくは駆動素子として用いられている。
【０００３】
非晶質シリコン半導体層を多結晶シリコンに結晶化する方法は、固相結晶化法（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、エキシマレーザ熱処理法（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、金属誘起結晶化法（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）及び金属誘起ラテラル結晶化法（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などがあり、固相結晶化法は表示装置用薄膜トランジスタ中で使用されているガラス基板の変形温度である約７００℃以下の温度にて非晶質シリコン層を数時間ないし数十時間かけて熱処理する方法である。エキシマレーザ熱処理法は、エキシマレーザを非晶質シリコン層に照射して短時間で局所的に高い温度で加熱して非晶質シリコン層を結晶化する方法である。金属誘起結晶化法は、ニッケル、パラジウム、金、アルミニウムなどの金属を非晶質シリコン層と接触させたり注入したりして、前記金属により、非晶質シリコン層から多結晶シリコン層への相変化を誘導する方法である。また、金属誘起ラテラル結晶化法は、金属とシリコンが反応して生成したシリサイドが横方向に拡散しながら順に非晶質シリコン層を結晶化する方法である。
【０００４】
しかし、前記の固相結晶化法は高温で長時間、基板を熱処理するため、基板が損傷しやすいという短所があり、エキシマレーザ熱処理法は高価なレーザ装置が必要であるということと、多結晶化された表面に突起（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）が発生して半導体層とゲート絶縁膜との界面特性が悪くなるという短所がある。
【０００５】
最近、金属を用いて非晶質シリコン層を結晶化する方法は、固相結晶化法よりも低い温度で短時間に結晶化することができるため、非常に多く研究されている。金属を用いた結晶化方法としては、金属誘起結晶化（ＭＩＣ、Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法と金属誘起ラテラル結晶化（ＭＩＬＣ、Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法、ＳＧＳ結晶化方法（Ｓｕｐｅｒ  Ｇｒａｉｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などがある。しかし、結晶化誘起金属を用いた前記方法の場合は、結晶化誘起金属による汚染によって薄膜トランジスタの素子特性が低下するという問題点がある。したがって、結晶化誘起金属を用いて非晶質シリコン層を結晶化した後には前記結晶化誘起金属を除去するためのゲッタリング（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）工程が行われる。
【０００６】
前記ゲッタリング工程のためには、半導体層内にゲッタリングサイトを形成する。通常は、半導体層のソース／ドレイン領域とソース／ドレイン電極とを連結するためのコンタクトホールを用いて、前記半導体層領域にゲッタリングのための物質を注入する方法で前記ゲッタリングサイトを形成する。しかし、チャネル領域と前記コンタクトホールとの距離が遠い場合、前記コンタクトホールで形成されたゲッタリングサイトだけを用いてゲッタリング工程を実施するとゲッタリング効率が落ちるという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１００６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなる半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層のチャネル領域に存在する前記結晶化誘起金属を効果的にゲッタリングすることができリーク電流などの電気的特性の優れた薄膜トランジスタを提供することを目的とする。また、本発明は、前記薄層トランジスタの製造方法及び前記薄層トランジスタを含む有機発光ダイオード表示装置を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術的課題を解決するために本発明は、基板と、前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極とを含み、前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。
【００１０】
また、本発明は、基板を提供する工程と、前記基板上に結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層をパターニングしてソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜をパターニングして前記半導体層の所定領域を露出させる第１ホール及び前記第１ホールと離隔されて位置する第２ホールを形成する工程と、前記第１ホール及び前記第２ホールによって露出された前記半導体層の所定領域にゲッタリングサイトを形成する工程と、前記ゲッタリングサイトを用いて前記半導体層のチャネル領域に存在する前記結晶化誘起金属をゲッタリングする工程と、前記第１ホールを介して前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、基板と、前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極と、前記ソース／ドレイン電極に電気的に接続される第１電極と、前記第１電極上に位置し、発光層を含む有機膜層と、前記有機膜層上に位置する第２電極と、を含み、前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層を用いて形成された半導体層を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層のチャネル領域に存在する結晶化誘起金属を効果的にゲッタリングすることができ、それによって前記結晶化誘起金属が効果的に除去され、リーク電流などの電気的特性の優れた薄膜トランジスタが提供され、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置も提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】本発明の一実施例に係る結晶化工程の断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施例に係る結晶化工程の断面図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施例に係る結晶化工程の断面図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施例に係る結晶化工程の断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施例に係る薄膜トランジスタを製造する工程を示す断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施例に係る薄膜トランジスタを製造する工程を示す断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施例に係る薄膜トランジスタを製造する工程を示す断面図２Ｂの断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施例に係る薄膜トランジスタを製造する工程を示す断面図である。
【図２Ｅ】本発明の第１実施例に係る薄膜トランジスタを製造する工程を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施例に係るデュアルゲート薄膜トランジスタを製造する工程を示す平面図である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施例に係るデュアルゲート薄膜トランジスタを製造する工程を示す平面図である。
【図３Ｃ】本発明の第２実施例に係るデュアルゲート薄膜トランジスタを製造する工程を示す平面図である。
【図３Ｄ】本発明の第２実施例に係るデュアルゲート薄膜トランジスタを製造する工程を示す平面図である。
【図４Ａ】図３Ａの断面図である。
【図４Ｂ】図３Ｂの断面図である。
【図４Ｃ】図３Ｃの断面図である。
【図４Ｄ】図３Ｄの断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る有機発光ダイオード表示装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。しかしながら、本発明は、ここで説明する実施例に限定されるわけではなく、他の形態で具体化することができる。なお、説明の都合上、図面において、層及び領域の厚みは誇張されており、図示する形態が実際とは異なる場合がある。明細書の全体において同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
【００１５】
図１Ａないし図１Ｄは、本発明の一実施例に係る結晶化工程の断面図である。
【００１６】
まず、図１Ａに示すように、ガラスまたはプラスチックのような基板１００上にバッファ層１１０を形成する。前記バッファ層１１０は化学的蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法または物理的蒸着（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜のような絶縁膜からなる単層またはこれらの多重層で形成される。この場合、前記バッファ層１１０は前記基板１００から発生する水分または不純物の拡散を防止したり、結晶化時に熱の伝達速度を調節したりすることによって、非晶質シリコン層の結晶化を促進する。
【００１７】
続いて、前記バッファ層１１０上に非晶質シリコン層１２０を形成する。この場合、前記非晶質シリコン層１２０の形成には化学的蒸着法または物理的蒸着法を用いることができる。また、前記非晶質シリコン層１２０を形成する際、あるいは、形成した後に、脱水素処理して水素濃度を低くする工程を行うことができる。
【００１８】
次いで、前記非晶質シリコン層１２０を多結晶シリコン層に結晶化する。本発明では金属誘起結晶化（ＭＩＣ、Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法、金属誘起ラテラル結晶化（ＭＩＬＣ、Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法、またはＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ  Ｇｒａｉｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）結晶化法などのような結晶化誘起金属を利用した結晶化方法を用いて前記非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する。
【００１９】
前記ＳＧＳ結晶化法は、非晶質シリコン層に拡散する結晶化誘起金属を低濃度に制御して、結晶粒サイズを数μｍないし数百μｍに制御することができる結晶化方法である。ＳＧＳ結晶化法は、非晶質シリコン層上に結晶化誘起金属の拡散を制御するキャッピング層を形成し、前記キャッピング層上に結晶化誘起金属層を形成した後、熱処理して結晶化誘起金属を前記非晶質シリコン層へ拡散し、多結晶シリコンへと結晶化することができる。また、キャッピング層を形成しない場合においても、結晶化誘起金属層を低濃度で形成することによって、非晶質シリコン層へ拡散する結晶化誘起金属を低減することもできる。
【００２０】
金属誘起結晶化法または金属誘起ラテラル結晶化法に比べて、キャッピング層を用いたＳＧＳ結晶化法は非晶質シリコン層へ拡散する結晶化誘起金属の濃度がより効果的に制御できることから、結晶化はＳＧＳ結晶化法によるものであることが好ましい。以下に実施例を説明する。
【００２１】
図１Ｂは、前記非晶質シリコン層上にキャッピング層及び結晶化誘起金属層を形成する工程の断面図である。
【００２２】
図１Ｂに示すように、前記非晶質シリコン１２０上にキャッピング層１３０を形成する。この場合、前記キャッピング層１３０は、後工程で形成される結晶化誘起金属層に含まれる金属が熱処理工程を介して拡散できるシリコン窒化膜で形成するのが好ましく、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜との二重層を用いることができる。前記キャッピング層１３０は化学的蒸着法または物理的蒸着法などの方法で形成する。この場合、前記キャッピング層１３０の厚さは、１ないし２０００Åで形成する。前記キャッピング層１３０の厚さが１Å未満の場合は、前記非晶質シリコン層１２０へ拡散する結晶化誘起金属の量を制御することが困難である。また、２０００Åを超えた場合は、前記非晶質シリコン層１２０に拡散する結晶化誘起金属の量が少なく、非晶質シリコン層１２０が多結晶シリコン層に結晶化することが困難である。
【００２３】
続いて、前記キャッピング層１３０上に、結晶化誘起金属を蒸着して結晶化誘起金属層１４０を形成する。ここで、結晶化誘起金属としては、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｔｒ、及びＣｄからなる群から選択されたいずれか一つを用いることができるが、好ましくはニッケル（Ｎｉ）が用いられる。また、前記結晶化誘起金属層１４０は、前記キャッピング層１３０上に１０１１ないし１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の面密度で形成することが好ましい。前記結晶化誘起金属層の面密度が１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より低い場合、結晶化の核となるシード量が少なく、前記非晶質シリコン層１２０が多結晶シリコン層に結晶化することが困難となる場合がある。前記結晶化誘起金属の面密度が１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２より高い場合、非晶質シリコン層１２０に拡散する結晶化誘起金属の量が多く、多結晶シリコン層の結晶粒が小さくなる場合がある。それとともに、半導体層内に残存する結晶化誘起金属の量が多くなり、前記多結晶シリコン層をパターニングして形成される半導体層の特性が低下する場合がある。
【００２４】
図１Ｃは、前記基板を熱処理して、キャッピング層を介して結晶化誘起金属層に含まれる結晶化誘起金属を非晶質シリコン層の界面に拡散させる工程の断面図である。
【００２５】
図１Ｃに示すように、前記バッファ層１１０、非晶質シリコン層１２０、キャッピング層１３０及び結晶化誘起金属層１４０が形成された前記基板１００を熱処理して（これを１５０とする）、前記結晶化誘起金属層１４０の結晶化誘起金属のうちの一部を前記非晶質シリコン層１２０の表面に移動させる。すなわち、前記熱処理工程１５０の間、前記キャッピング層１３０を介して拡散する結晶化誘起金属１４０ａ及び１４０ｂのうち微量の結晶化誘起金属１４０ｂだけが前記非晶質シリコン層１２０の表面に拡散されることになり、大部分の結晶化誘起金属１４０ａは前記非晶質シリコン層１２０に到達することも前記キャッピング層１３０を通過することもできない。
【００２６】
したがって、前記キャッピング層１３０の拡散阻止能力によって前記非晶質シリコン層１２０の表面に到達する結晶化誘起金属の量が決定されるが、これは前記キャッピング層１３０の厚さまたは密度と密接な関係がある。すなわち、前記キャッピング層１３０の厚さまたは密度が大きいほど拡散する量は少なく結晶粒サイズは大きくなる。そして、厚さまたは密度が小さいほど拡散する量は多くなって結晶粒サイズは小さくなる。
【００２７】
この場合、前記結晶化誘起金属を拡散するため前記熱処理工程１５０を２００ないし９００℃の温度範囲で数秒ないし数時間行う。前記熱処理工程１５０を前記温度と時間により行う場合に過度の熱処理による基板の変形などを防止することができ、製造コスト及び収率の観点からも好ましい。前記熱処理工程１５０には、炉内（ｆｕｒｎａｃｅ）工程、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程、ＵＶ工程またはレーザ（Ｌａｓｅｒ）工程のうちのいずれか一つの工程を用いることができる。
【００２８】
図１Ｄは拡散された結晶化誘起金属により非晶質シリコン層が多結晶シリコン層に結晶化する工程の断面図である。
【００２９】
図１Ｄに示すように、前記キャッピング層１３０を通過して前記非晶質シリコン層１２０の表面に拡散した結晶化誘起金属１４０ｂによって前記非晶質シリコン層１２０が多結晶シリコン層１６０に結晶化される。すなわち、拡散した結晶化誘起金属１４０ｂが非晶質シリコン層のシリコンと結合して金属シリサイドを形成し、前記金属シリサイドが結晶化の核となるシード（ｓｅｅｄ）を形成し、非晶質シリコン層１２０が多結晶シリコン層１６０に結晶化する。
【００３０】
図１Ｄで示したように、前記熱処理工程は、前記キャッピング層１３０と結晶化誘起金属層１４０を除去せずに行ったが、結晶化誘起金属を前記非晶質シリコン層１２０上に拡散させて結晶化の核となる金属シリサイドを形成した後、前記多結晶シリコン層を形成するための熱処理工程の前に、前記キャッピング層１３０と結晶化誘起金属層１４０を除去してもよい。
【００３１】
（第１実施例）
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｄ及び図２Ｅは、本発明の第１実施例に係る薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。図２Ｃは、図２Ｂの平面図である。
【００３２】
図２Ａに示すように、前記キャッピング層１３０及び前記結晶化誘起金属層１４０を除去し、前記バッファ層１１０が形成された前記基板１００上に、図１Ａ〜図１Ｄに示す実施例のようにＳＧＳ結晶化法で結晶化した多結晶シリコン層（図１Ｄの１６０）をパターニングして半導体層２１０を形成する。本実施例と異なるが、前記多結晶シリコン層をパターニングすることは、後続する工程で行うこともできる。
【００３３】
続いて、前記半導体層２１０が形成された基板１００上にゲート絶縁膜２２０を形成する。ここで、前記ゲート絶縁膜２２０はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの二重層とすることができる。
【００３４】
続いて、前記ゲート絶縁膜２２０上に、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）のようなアルミニウム合金の単一層や、クロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）合金の上にアルミニウム合金が積層した多重層のゲート電極用金属層（図示せず）を形成する。ゲート電極用金属層は、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によるエッチングを行い、ゲート電極２３０を形成する。
【００３５】
続いて、前記ゲート電極２３０をマスクとして用いて半導体層２１０に導電性イオン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ）２４０を所定量注入してソース／ドレイン領域２１１、２１３及びチャネル領域２１２を形成する。このとき、前記導電性イオンとしては、ｐ型イオンまたはｎ型イオンを用いることができるが、前記ｐ型イオンとしては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群からいずれかひとつ以上を選択することができ、前記ｎ型イオンとしては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）からなる群からいずれかひとつ以上を選択することができる。一方、前記ゲート電極２３０を形成する前にフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて、導電性イオン２４０を前記半導体層２１０に注入することもできる。
【００３６】
続いて、図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、前記ゲート電極２３０を含む前記基板１００全面にかけて層間絶縁膜２５０を形成する。ここで、前記層間絶縁膜２５０は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはこれらの二重層とすることができる。
【００３７】
続いて、前記層間絶縁膜２５０及び前記ゲート絶縁膜２２０の所定領域をエッチングして、前記半導体層２１０のソース／ドレイン領域２１１及び２１３の所定領域を露出させる第１ホール２６１及び前記第１ホール２６１と離隔されて位置する第２ホール２６２を形成する。前記第１ホール２６１は、前記ソース／ドレイン領域２１１及び２１３と後続するソース／ドレイン電極を電気的に接続するためのコンタクトホールである。そのため、前記第１ホール２６１は前記半導体層２１０の端部、すなわち前記ソース／ドレイン領域２１１及び２１３の端部に位置するように形成される。前記第２ホール２６２は、ゲッタリング効率を向上させるために追加的に形成したホールである。
【００３８】
続いて、前記第１ホール２６１及び前記第２ホール２６２を用いて前記第１ホール２６１及び前記第２ホール２６２により露出された前記半導体層２１０の所定領域に、前記チャネル領域２１２に残存する結晶化誘起金属をゲッタリングするためのゲッタリングサイト２７１及び２７２を形成する。前記第１ホール２６１により形成されるのは第１ゲッタリングサイト２７１であり、前記第２ホール２６２により形成されるのは第２ゲッタリングサイト２７２である。前記第１ゲッタリングサイト２７１及び前記第２ゲッタリングサイト２７２により前記チャネル領域２１２に残存する結晶化誘起金属がゲッタリングされることから、前記第１ゲッタリングサイト２７１及び前記第２ゲッタリングサイト２７２内の前記結晶化誘起金属の濃度は、前記チャネル領域２１２内の前記結晶化誘起金属の濃度よりも高いことがわかる。
【００３９】
前記第２ゲッタリングサイト２７２は、前記ドレイン領域２１３に位置するのが好ましい。前記ソース領域２１１に前記第２ゲッタリングサイト２７２を形成する場合は、前記ソース領域２１１と前記チャネル領域２１２との界面から前記第２ゲッタリングサイト２７２の距離が増加してもリーク電流に大きな変化はない。しかし、前記ドレイン領域２１３に前記第２ゲッタリングサイト２７２を形成する場合は、前記ドレイン領域２１３と前記チャネル領域２１２との界面から前記第２ゲッタリングサイト２７２の距離が増加するにつれて、リーク電流は次第に増加する。したがって、リーク電流は、前記ソース領域２１１に位置するゲッタリングサイトに比べ、前記ドレイン領域２１３に位置するゲッタリングサイトにより影響を受けるため、前記第２ゲッタリングサイト２７２は前記ドレイン領域２１３に位置することが好ましい。
【００４０】
また、前記第２ゲッタリングサイト２７２は、前記チャネル領域２１２とドレイン領域２１３との界面から０．５ないし１０μｍの距離に位置することが好ましい。前記第２ゲッタリングサイト２７２が前記チャネル領域２１２とドレイン領域２１３との界面から０．５μｍまたはそれ以上離れた距離に位置すると、前記第２ゲッタリングサイト２７２を形成するために前記第２ホール２６２を形成する際、前記ゲート電極２３０の損傷を防止することができる。そして、前記第２ゲッタリングサイト２７２が前記チャネル領域２１２とドレイン領域２１３との界面から１０μｍまたはそれ以下だけ離れた距離に位置した場合は、ゲッタリング効率をさらに向上させることができる。
【００４１】
前記第２ゲッタリングサイト２７２は２つまたはそれ以上形成することが好ましい。２つ以上の場合、高い効果を得ることができる。
【００４２】
前記ゲッタリングサイト２７１及び２７２は、前記第１ホール２６１及び前記第２ホール２６２を用いて前記半導体層２１０にゲッタリングのための不純物を注入したり、プラズマを用いて格子損傷領域を形成したり、または前記結晶化誘起金属と異なる金属またはこれらの金属の金属シリサイドを含む領域を形成するなどの方法を用いて形成することができる。
【００４３】
前記結晶化誘起金属と異なる金属またはこれらの金属の金属シリサイドを含む領域を形成する方法はゲッタリング効率が優れるので、本実施例ではこれについて説明する。
【００４４】
図２Ｄに示すように、前記第１ホール２６１及び前記第２ホール２６２が形成された前記層間絶縁膜２５０上に、ゲッタリングのための金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０を形成する。前記ゲッタリングのための金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０は、前記半導体層２１０内において拡散係数が前記結晶化誘起金属よりも小さい金属またはこれらの金属の合金からなる金属層、前記金属または合金の金属シリサイドからなる金属シリサイド層、または前記金属層と前記金属シリサイド層の二重層であることが好ましい。前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０を形成する金属または金属シリサイドの拡散係数は、前記半導体層２１０内における前記結晶化誘起金属の拡散係数の１／１００またはそれ以下であることがさらに好ましい。前記金属または金属シリサイドの拡散係数が前記結晶化誘起金属の１／１００またはそれ以下である場合、前記ゲッタリング用金属または金属シリサイドは、前記半導体層２１０内で前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０と接する領域である前記ゲッタリングサイト２７１、２７２から脱して前記半導体層２１０内の他の領域に拡散することを防止することができる。
【００４５】
半導体層の結晶化に利用する結晶化誘起金属としては、ニッケルが広く用いられる。このニッケルの場合、半導体層内における拡散係数は約１０−５ｃｍ２／ｓまたはそれ以下であるため、ニッケルを結晶化誘起金属として用いる場合には、前記ゲッタリング用として使用する金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０は、前記半導体層２１０内における拡散係数はニッケルの１／１００またはそれ以下の値、すなわち、０超ないし１０−７ｃｍ２／ｓ以下の値を有することが好ましい。前記金属層、金属シリサイド層、またはそれらの二重層２８０を形成する前記金属または金属シリサイドは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＴｉＮ、ＴａＮ、これらの合金、及びこれらの金属シリサイドからなる群から選択されたいずれかひとつとすることができる。
【００４６】
また、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０は、３０Åないし２０００Åの厚さで形成することが好ましい。３０Å未満の厚さで形成する場合は、前記ゲッタリングサイト２７１及び２７２により前記結晶化誘起金属がゲッタリングされる効率が低下されることもある。２０００Åを超えた厚さで形成する場合は後続するゲッタリングのための熱処理時、基板２００の全面に形成された前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０の熱膨脹により前記基板２００の変形をもたらす場合がある。
【００４７】
続いて、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０上に熱酸化防止膜２９０を形成することができる。前記熱酸化防止膜２９０はゲッタリングのために後続する熱処理時に熱処理条件によって前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０が酸化したり、窒素などのガスと反応したりすることを防止するための層であって、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層の変性を抑制することができる。前記熱酸化防止膜２９０は、シリコン酸化膜、またはシリコン窒化膜で形成することができる。また、後続する熱処理工程を不活性雰囲気で実施する場合は、前記熱酸化防止膜２９０を形成しない場合もある。
【００４８】
続いて、前記半導体層２１０に残留する、特に前記半導体層２１０のチャネル領域２１２に残留している前記結晶化誘起金属を除去するために熱処理工程を行う。前記熱処理工程を行うことにより、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０と接する前記半導体層２１０の表面から前記金属層の金属が前記半導体層２１０内の領域に拡散したり、または前記半導体層２１０のシリコンと結合して金属シリサイドを形成する。また、前記金属シリサイド層の金属シリサイドは前記半導体層２１０内の領域に拡散する。その結果、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０と接する領域２７１及び２７２では、前記半導体層２１０の表面から所定深さまで前記結晶化誘起金属と異なる金属または前記金属の金属シリサイドが存在する領域が形成され、前記領域２７１及び２７２はゲッタリングサイトとなる。前記結晶化誘起金属と異なる金属または前記金属の金属シリサイドが存在する領域は、熱処理温度及び時間によって異なるが、前記半導体層２１０の表面から２ないし４００Åの深さまで形成することができる。
【００４９】
前記熱処理工程により前記半導体層２１０のチャネル領域２１２に残存する前記結晶化誘起金属が前記ゲッタリングサイト２７１及び２７２に拡散すると、前記結晶化誘起金属は前記ゲッタリングサイト２７１及び２７２に沈澱してそれ以上拡散しない。これは前記結晶化誘起金属がシリコンで形成された半導体層２１０内部よりも、他の金属または金属シリサイドが存在する前記ゲッタリングサイト２７１及び２７２にあった方が熱力学的に安定するためである。したがって、このような原理によって前記半導体層２１０の前記チャネル領域２１２に残存する前記結晶化誘起金属を除去することができる。
【００５０】
ここで、前記熱処理は５００ないし９９３℃の温度範囲で行い、１０秒から１０時間の間で加熱した方がよい。前記熱処理温度を５００℃未満とした場合は、前記半導体層２１０内で前記結晶化誘起金属の拡散が起こらず、前記結晶化誘起金属が前記ゲッタリングサイト２７１及び２７２に移動することが困難となり、また、半導体層２１０内の結晶化誘起金属であるニッケルの共融点（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｐｏｉｎｔ）が９９３℃であるため、前記熱処理温度は９９３℃またはそれ以下で行うほうがよい。
【００５１】
また、前記熱処理時間を１０秒未満とした場合は、前記半導体層２１０のチャネル領域２１２に残存する前記結晶化誘起金属を充分に除去することができない場合がある。そして、前記熱処理時間が１０時間を超えた場合は長期間の熱処理により基板が変形し、生産コスト及び収率の問題が発生する場合がある。その反面、比較的高温で行う場合は、比較的短時間の加熱で結晶化誘起金属を除去することができる。
【００５２】
続いて、図２Ｅに示すように、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０及び前記熱酸化防止膜２９０を除去する。この際、前記熱酸化防止膜２９０を除去し、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０をパターニングして前記第２ホール２６２に位置する導電性パターン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）２９１を形成することができる。前記導電性パターン２９１は低抵抗器として機能する。あるいは前記導電性パターン２９１は形成しなくてもよい。
【００５３】
続いて、前記第１ホール２６１を介して前記ソース／ドレイン領域２１１及び２１３と接続されるソース／ドレイン電極２９２及び２９３を形成する。ここで、前記ソース／ドレイン電極２９２及び２９３は、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン合金（Ｍｏ  ａｌｌｏｙ）、アルミニウム合金（Ａｌ  ａｌｌｏｙ）、及び銅合金（Ｃｕ  ａｌｌｏｙ）からなる群から選択されたいずれかひとつ以上により形成することができる。
【００５４】
以上のように、前記熱酸化防止膜２９０を除去し、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層２８０をパターニングして前記ソース／ドレイン電極２９２及び２９３及び前記導電性パターン２９１を形成する。これによって、本発明の第１実施例に係る薄膜トランジスタが完成する。
【００５５】
表１は、本発明の第１実施例により第２ゲッタリングサイトが一つ形成された薄膜トランジスタと第２ゲッタリングサイトを形成しない従来の薄膜トランジスタのリーク電流を示す表である。本発明及び従来の前記薄膜トランジスタにおいて半導体層のチャネル領域の幅／長さは２５μｍ／２０μｍであって、前記チャネル領域の界面から第１ゲッタリングサイトまでの距離は５０μｍである。また、本発明の薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域の界面から第２ゲッタリングサイトまでの距離は４μｍである。
【００５６】
【表１】
2010021556.tif 000003
【００５７】
表１に示すように、本発明の第１実施例により第２ゲッタリングサイトを形成した場合、従来に比較してリーク電流は著しく減少していることを確認することができる。
【００５８】
表２は、本発明における前記第２ゲッタリングサイトの個数による薄膜トランジスタのリーク電流と前記第２ゲッタリングサイトを持たない従来の薄膜トランジスタのリーク電流を示す表である。本発明及び従来の薄膜トランジスタにおいて半導体層のチャネル領域の幅／長さは２５μｍ／２０μｍであって、前記チャネル領域の界面から第１ゲッタリングサイトまでの距離は５０μｍである。また、本発明の薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域の界面から第２ゲッタリングサイトまでの距離は４μｍである。
【００５９】
【表２】
2010021556.tif 000004
【００６０】
表２に示すように、前記第２ゲッタリングサイトが２個またはそれ以上形成された場合は、前記第２ゲッタリングサイトが１個形成された場合に比べてリーク電流がさらに減少したことを確認することができる。
【００６１】
表３は、チャネル領域とドレイン領域との界面からドレイン領域に形成されたゲッタリングサイトまでの距離を４μｍ、１０μｍ、３０μｍ、及び５０μｍに変更して測定したリーク電流を示す表である。使用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層のチャネル領域の幅／長さは２５μｍ／２０μｍであって、前記チャネル領域とソース領域の界面からソース領域に形成されるゲッタリングサイトまでの距離は約４μｍである。一方、表４は、チャネル領域とソース領域との界面からソース領域に形成されたゲッタリングサイトまでの距離を４μｍ、１０μｍ、３０μｍ、及び５０μｍに変更して測定したリーク電流を示す表である。使用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層のチャネル領域の幅／長さは２５μｍ／２０μｍであって、前記チャネル領域とドレイン領域の界面からドレイン領域に形成されるゲッタリングサイトまでの距離は約４μｍである。
【００６２】
【表３】
2010021556.tif 000005
【００６３】
【表４】
2010021556.tif 000006
【００６４】
表３及び表４に示すように、チャネル領域とソース領域との界面からソース領域に形成されたゲッタリングサイトまでの距離が増加してもリーク電流には大きな変化が見られなかった。一方、チャネル領域とドレイン領域の界面からドレイン領域に形成されたゲッタリングサイトまでの距離が増加した場合はリーク電流が増加していることを分かる。したがって、リーク電流は、ソース領域に位置するゲッタリングサイトに比べて、前記ドレイン領域に位置するゲッタリングサイトによって影響を受けるため、追加的に形成される第２ゲッタリングサイトは前記ドレイン領域に形成した方がよいことがわかる。
【００６５】
表５は、チャネル領域の界面からソース及びドレイン領域にそれぞれ形成されたゲッタリングサイトまでの距離を４μｍ、１０μｍ、３０μｍ、及び５０μｍに変更して測定したリーク電流を示す表である。使用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層のチャネル領域の幅／長さは２５μｍ／２０μｍである。
【００６６】
【表５】
2010021556.tif 000007
【００６７】
表５に示すように、チャネル領域の界面からゲッタリングサイトまでの距離が１０μｍを超えた場合は１０−１２Ａ／μｍまたはそれ以上のリーク電流値を有し好ましくない。したがって、追加的に形成される第２ゲッタリングサイトは、チャネル領域の界面から１０μｍまたはそれ以下の距離に位置した方がよい。
【００６８】
（第２実施例）
図３Ａないし図３Ｄは、本発明の第２実施例に係るデュアルゲート薄膜トランジスタを形成する工程を示す平面図であり、図４Ａないし図４Ｄは、図３Ａないし図３Ｄの切断線１Ａ−１Ａ’による断面構造を示す断面図である。以下の実施例で特別に言及したこと以外については、上述した実施例（図２Ａないし図２Ｅ）を参照する。
【００６９】
図３Ａ及び図４Ａに示すように、バッファ層３１０が形成された基板３００上に、図１Ａないし図１Ｄの実施例と同様にＳＧＳ結晶化法に結晶化された多結晶シリコン層（図１Ｄの１６０）をパターニングして、半導体層３２０を形成する。この際、ボディ部３２０ａ及び３２０ｃと前記ボディ部３２０ａ及び３２０ｃを連結するための連結部３２０ｂを備えた「コ」状の構造を有するように半導体層３２０を形成する。図面では「コ」状の構造で示した（図３Ａ）が、これに限らず「Ｅ」または「己」状の構造及びこれらの組み合わせからなるボディ部を備えることもできる。
【００７０】
続いて、図３Ｂ及び図４Ｂに示すように、前記半導体層３２０上にゲート絶縁膜３３０を形成する。続いて、前記ゲート絶縁膜３３０上にゲート電極３４０を形成する。この際、前記ゲート電極３４０は前記半導体層３２０のボディ部３２０ａ及び３２０ｃと交差するように形成される。前記ゲート電極３４０が第１ボディ部３２０ａとオーバーラップした部分３２１が第１ゲートとして作用し、第２ボディ部３２０ｃとオーバーラップした部分３２２が第２ゲートとして作用してデュアルゲートが得られる。
【００７１】
また、前記半導体層３２０が「コ」形状ではない多数のボディ部を備えたジグザグ形状を有する場合には、それぞれのボディ部とオーバーラップした部分がゲートとして作用するため、マルチゲート薄膜トランジスタを形成することができる。
【００７２】
続いて、前記ゲート電極３４０をマスクとして用いて前記半導体層３２０に導電性イオンを所定量注入する。前記ゲート電極３４０とオーバーラップした部分３２１及び３２２が複数個のチャネル領域となり、前記ボディ部３２０ａ及び３２０ｃの外側の領域、すなわち連結部３２０ｂと連結していない領域がソース／ドレイン領域３２３及び３２４となる。
【００７３】
続いて、前記ゲート電極３４０を含む前記基板３００全面にかけて層間絶縁膜３５０を形成する。
【００７４】
続いて、図３Ｃ及び図４Ｃに示すように、前記層間絶縁膜３５０及び前記ゲート絶縁膜３３０をエッチングして前記半導体層３２０のソース／ドレイン領域３２３及び３２４の一部を露出させる第１ホール３６１及び前記第１ホール３６１と離隔されて位置し、前記チャネル領域３２１及び３２２との間の領域の一部を露出させる第２ホール３６２を形成する。前記第１ホール３６１は前記ソース／ドレイン領域３２３及び３２４と後続するソース／ドレイン電極を電気的に接続するためのコンタクトホールであり、前記第２ホール３６２はゲッタリング効率を向上させるために追加的に形成するホールである。
【００７５】
続いて、前記第１ホール３６１及び前記第２ホール３６２を用いて、前記第１ホール３６１及び前記第２ホール３６２により露出された前記半導体層３２０の所定領域に、前記チャネル領域３２１及び３２２に残存する結晶化誘起金属をゲッタリングするためのゲッタリングサイト３７１及び３７２を形成する。前記第１ホール３６１により形成されるのは第１ゲッタリングサイト３７１であり、前記第２ホール３６２により形成されるのは第２ゲッタリングサイト３７２である。
【００７６】
前記第２ゲッタリングサイト３７２は、前記ソース領域３２３よりも前記ドレイン領域３２４により近く位置することが好ましい。前記第２ゲッタリングサイト３７２を前記ソース領域３２３の近くに形成する場合、前記チャネル領域３２１及び３２２の界面から前記第２ゲッタリングサイト３７２の距離が増加してもリーク電流に大きな変化は見られない。しかし、前記第２ゲッタリングサイト３７２をドレイン領域３２４の近くに形成する場合、前記チャネル領域３２１及び３２２の界面から前記第２ゲッタリングサイト３７２の距離が増加するとリーク電流はますます増加する。したがって、リーク電流は前記ドレイン領域３２４に近く位置するゲッタリングサイトによって大きく影響を受けるので、前記第２ゲッタリングサイト３７２は前記ソース領域３２３よりも前記ドレイン領域３２４により近く位置した方がよい。
【００７７】
また前記第２ゲッタリングサイト３７２は、前記チャネル領域３２１及び３２２の界面から０．５ないし１０μｍの距離に位置した方がよい。前記第２ゲッタリングサイト３７２が前記チャネル領域３２１及び３２２の界面から０．５μｍまたはそれ以上離隔した距離に位置すると、前記第２ゲッタリングサイト３７２を形成するための前記第２ホール３６２形成時に前記ゲート電極３４０が損傷することを防止することができ、前記第２ゲッタリングサイト３７２が前記チャネル領域３２１及び３２２の界面から１０μｍまたはそれ以下に離隔された距離に位置すると、ゲッタリング効率をさらに向上させるため好ましい。
【００７８】
ゲッタリング効率をさらに高めるため、前記第２ゲッタリングサイト３７２は、２つまたはそれ以上形成した方が好ましい。
【００７９】
前記ゲッタリングサイト２７１及び２７２は、前記第１ホール３６１及び前記第２ホール３６２を用いて前記半導体層３２０に不純物を注入したり、プラズマを用いて格子損傷領域を形成したり、または前記結晶化誘起金属とは異なる金属またはこれらの金属の金属シリサイドを含む領域を形成するなどの方法を用いて形成することができる。
【００８０】
続いて熱処理工程を行って前記チャネル領域３２１及び３２２に残留している前記結晶化誘起金属を前記第１ゲッタリングサイト３７１及び前記第２ゲッタリングサイト３７２へゲッタリングする。
【００８１】
続いて、図３Ｄ及び図４Ｄに示すように、前記第１ホール３６１を介して前記ソース／ドレイン領域３２３及び３２４と接続されるソース／ドレイン電極３８１及び３８２を形成する。この際、前記ソース／ドレイン電極３８１及び３８２の形成時において、前記第２ホール３６２を介して前記半導体層３２０と接続する導電性パターン３８３を形成することができる。また、前記導電性パターン３８３は低抵抗器（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｒｅｄｕｃｅｒ）としても機能できる。
【００８２】
表６は、第２ゲッタリングサイトが一つ形成された本発明のデュアルゲート薄膜トランジスタと第２ゲッタリングサイトを形成しない従来のデュアルゲート薄膜トランジスタのリーク電流を示す表である。本発明及び従来の前記デュアルゲート薄膜トランジスタで半導体層のチャネル領域の幅／長さは７μｍ／１４μｍである。また、本発明のデュアルゲート薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル領域の界面から第２ゲッタリングサイトまでの距離は４μｍである。
【００８３】
【表６】
2010021556.tif 000008
【００８４】
表６に示すように、デュアルゲート薄膜トランジスタにおいても、第２ゲッタリングサイトが追加された場合、リーク電流が減少することを確認することができる。
【００８５】
図５は、本発明の１実施例に係る薄膜トランジスタを含む有機発光ダイオード表示装置の断面図である。
【００８６】
図５に示すように、図２Ａないし図２Ｅで説明した方法に従って製造された薄膜トランジスタを含む前記基板１００全面に絶縁膜５１０を形成する。前記絶縁膜５１０は無機膜、有機膜、あるいはそれらの積層膜で形成される。無機膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはシリコンオンガラス（ＳＯＧ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上から形成され、有機膜はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｎ）またはアクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）からなる群から選択されたいずれか一つで形成することができる。
【００８７】
前記絶縁膜５１０をエッチングして前記ソースまたはドレイン電極２９２及び２９３を露出するビアホールを形成する。前記ビアホールを介して、前記ソースまたはドレイン電極２９２及び２９３のいずれか一つと接続される第１電極５２０を形成する。前記第１電極５２０はアノードまたはカソードで形成することができる。前記第１電極５２０がアノードの場合、前記アノードはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、またはインジウムスズ亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）からなる群から選択されるいずれか一つからなる透明導電膜で形成することができ、カソードの場合、前記カソードはＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｂａまたはこれらの合金からなる群から選択されるいずれか一つを用いて形成することができる。
【００８８】
続いて、前記第１電極５２０上に、前記第１電極５２０の表面一部を露出する開口部を有する画素定義膜５３０を形成し、露出された第１電極５２０上に発光層（ＥＭＬ）を含む有機膜層５４０を形成する。前記有機膜層５４０には正孔注入層（ＨＩＬ；Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ；Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、正孔障壁層（ＨＢＬ；Ｈｏｌｅ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）、電子障壁層（ＥＢＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）及び電子輸送層（ＥＴＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）からなる群から選択された一つまたはそれ以上の層をさらに含むことができる。続いて、前記有機膜層５４０上に第２電極５５０を形成する。これにより、本発明の実施例に係る薄膜トランジスタを含む有機発光ダイオード表示装置が完成する。
【００８９】
したがって、本発明では前記ソース／ドレイン電極と半導体層のソース／ドレイン領域を連結するための第１ホールを用いて形成される第１ゲッタリングサイト以外に、前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて位置する第２ゲッタリングサイトをさらに形成し、前記第１ゲッタリングサイト及び前記第２ゲッタリングサイトを用いて半導体層のチャネル領域に残存する結晶化誘起金属を除去することができる。また、チャネル領域とゲッタリングサイトとの距離を減少させることで、ゲゲッタリング効果を増大させることができ、さらに、ゲッタリング時の熱処理時間も短縮でき、高温熱処理による基板の損傷も最小化することができる。
【００９０】
本発明は、結晶化誘起金属から結晶化された多結晶シリコン層からなる半導体を含む薄膜トランジスタ、また前記薄膜トランジスタの製造法、及び前記薄膜トランジスタを有する有機発光ダイオード表示装置に関する。前記薄膜トランジスタにおいては、結晶化誘起金属は半導体層のチャネル領域から効率的にゲッタリングでき、リーク電流特性を含む電気的特性を改善することができる。
【００９１】
本発明は、本明細書にいくつかの実施例を用いて記載したが、後述する請求項、及びその等価なものに定義された本発明の概念または背景により、種々の変更及び修飾が可能であることは、当業者に理解されうるものである。
【符号の説明】
【００９２】
１００  基板、
１１０  バッファ層、
１２０  非晶質シリコン層、
１３０  キャッピング層、
１４０  結晶化誘起金属層、
１４０ａ、１４０ｂ  結晶化誘起金属、
１５０  熱処理工程、
１６０  多結晶シリコン層（半導体層）、
２１０  半導体層、
２１１  ソース領域、
２１２  チャネル領域、
２１３  ドレイン領域、
２２０  ゲート絶縁膜、
２３０  ゲート電極、
２４０  導電性イオン、
２５０  層間絶縁膜、
２６１  第１ホール、
２６２  第２ホール、
２７１  第１ゲッタリングサイト、
２７２  第２ゲッタリングサイト、
２８０  金属層、
２９０  熱酸化防止膜、
２９１  導電性パターン、
２９２  ソース電極、
２９３  ドレイン電極、
３００  基板、
３１０  バッファ層、
３２０  半導体層、
３２０ａ、３２０ｃ  半導体のボディ部、
３２０ｂ  ３２０ａ及び３２０ｃの半導体ボディ部の連結部、
３２１  第１ゲート、
３２２  第２ゲート、
３２３  ソース領域、
３２４  ドレイン領域、
３３０  ゲート絶縁膜、
３４０  ゲート電極、
３５０  層間絶縁膜、
３６１  第１ホール、
３６２  第２ホール、
３７１  第１ゲッタリングサイト、
３７２  第２ゲッタリングサイト、
３８１  ソース電極、
３８２  ドレイン電極、
３８３  導電性パターン、
５１０  絶縁膜、
５２０  第１電極、
５３０  画素定義膜、
５４０  有機膜層、
５５０  第２電極。
【図１Ａ】
2010021556.tif 000009
【図１Ｂ】
2010021556.tif 000010
【図１Ｃ】
2010021556.tif 000011
【図１Ｄ】
2010021556.tif 000012
【図２Ａ】
2010021556.tif 000013
【図２Ｂ】
2010021556.tif 000014
【図２Ｃ】
2010021556.tif 000015
【図２Ｄ】
2010021556.tif 000016
【図２Ｅ】
2010021556.tif 000017
【図４Ａ】
2010021556.tif 000018
【図５】
2010021556.tif 000019
【図３Ａ】
2010021556.tif 000020
【図３Ｂ】
2010021556.tif 000021
【図３Ｃ】
2010021556.tif 000022
【図３Ｄ】
2010021556.tif 000023
【図４Ｂ】
2010021556.tif 000024
【図４Ｃ】
2010021556.tif 000025
【図４Ｄ】
2010021556.tif 000026