(57)【要約】【課題】薄膜センサの出力電流に混入するノイズ電流の影響を除去できる薄膜センサ装置を提供すること。【解決手段】光センサ２０を構成するＴＦＴ２０ａの電流出力端子の配線とＣＯＭ配線１４ａとの間にシールド配線２１を設け、電流出力配線とＣＯＭ配線１４ａとの間の電位差が時間的に変動しないように、シールド配線２１の電位を所定電位に固定しておく。これにより、光センサ２０の出力電流へのノイズ電流の混入が防止される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出部にて検出した対象物に関する検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、
前記薄膜センサの近傍に配置され且つ電位レベルが時間的に変動する信号が供給される配線と前記電流出力端子との間に少なくとも設けられ、前記電流出力端子との間の電位差が時間的に変動しないように電位レベルが設定されたシールド配線と、
を具備することを特徴とする薄膜センサ装置。
【請求項２】
前記シールド配線は、前記薄膜センサを囲むように延伸されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜センサ装置。
【請求項３】
前記薄膜センサは、電源用の接続端子を有し、
前記シールド端子は前記電源用の接続端子に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜センサ装置。
【請求項４】
前記シールド配線は一端が開放状態であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
【請求項５】
前記シールド配線の幅は、少なくとも前記配線の幅と同じであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の薄膜装置。
【請求項６】
前記薄膜センサ装置と同一基板上に前記薄膜センサ装置と別の回路が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
【請求項７】
前記薄膜センサ装置は、画像を表示する表示装置に設けられ、前記別の回路は前記表示装置の駆動回路であることを特徴とする請求項６に記載の薄膜センサ装置。
【請求項８】
前記表示装置は液晶表示装置であって、前記配線は前記液晶表示装置のコモン電極用の配線であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜センサ装置。
【請求項９】
前記薄膜センサは、照度の変化に従った電流を出力する光センサであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
【請求項１０】
前記薄膜センサは、温度の変化に従った電流を出力する温度センサであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜プロセスにて作成される薄膜センサを用いた薄膜センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスシリコンやポリシリコン等から構成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を応用して作成される薄膜センサが知られている。この種の薄膜センサは、ガラス基板上等に形成できるため、例えばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の表示装置と同一基板上に形成することも可能である。このため、薄膜センサに関して各種の応用例が提案されている。例えば、特許文献１においては、薄膜トランジスタを用いた光センサに関する提案がなされている。
【０００３】
ここで、特許文献１において提案されているような従来の薄膜プロセスを応用した光センサは、ＴＦＴのゲート電極に負の電圧（例えば、−５Ｖ〜−１０Ｖ程度）を印加したときに、光の照度に応じてＴＦＴのドレイン−ソース間に流れる電流を検出するものである。この出力電流は、非常に小さいため、上記特許文献１において提案されているような薄膜センサを光センサとして利用するためには、光センサからの電流を増幅してから取り出すことが望ましい。このため、通常、薄膜センサを用いる場合には、薄膜センサの作成プロセスとは別プロセスで作成された増幅回路を接続した薄膜センサ装置として用いることが多い。
【特許文献１】特開平３−８２１７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、従来の薄膜センサ装置においては、薄膜センサから出力される電流が増幅回路に入力される際に、各種のノイズ電流が混入することが知られている。薄膜センサの出力電流がノイズ電流に対して十分大きければ、多少のノイズ電流の混入は問題にはならないが、実際には薄膜センサの素子サイズの制約から、薄膜センサの出力電流を必要以上に大電流とすることができず、ノイズ電流が非常に大きな問題となっている。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、薄膜センサの出力電流に混入するノイズ電流の影響を除去できる薄膜センサ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様の薄膜センサ装置は、検出部にて検出した対象物に関する検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、前記薄膜センサの近傍に配置され且つ電位レベルが時間的に変動する信号が供給される配線と前記電流出力端子との間に少なくとも設けられ、前記電流出力端子との間の電位差が時間的に変動しないように電位レベルが設定されたシールド配線とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、薄膜センサの出力電流に混入するノイズ電流の影響を除去できる薄膜センサ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。  
図１（ａ）、図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る薄膜センサ装置を備えた表示装置の一例としての液晶表示装置の全体構成を示す図である。なお、本実施形態においては、薄膜センサを光センサに応用した例について説明する。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、表示装置は、表示パネル１０と、光センサ２０と、バックライトコントローラ３０とを有している。
【００１０】
表示パネル１０は、図１（ｂ）に示すように、表示部が形成されるガラス基板１０ａとコモン電極が形成されるガラス基板１０ｂとを液晶層を介して貼り合わせることで構成されている。
【００１１】
ガラス基板１０ａには、表示部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、クロスパッド１４とが実装されている。そして、表示部１１は、配線１２ａを介してゲートドライバ１２に接続されるとともに、配線１３ａを介してソースドライバ１３に接続されている。また、ゲートドライバ１２は、配線１２ｂを介してフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）４０に接続されている。同様に、ソースドライバ１３は、配線１３ｂを介してＦＰＣ４０に接続されている。また、クロスパッド１４は配線（ＣＯＭ配線）１４ａを介してＦＰＣ４０に接続されている。さらに、表示部１１の背面にバックライト１５が配されている。
【００１２】
表示部１１は、複数の走査線Ｓと複数のデータ線Ｄと各走査線Ｓと各データ線Ｄの各交点近傍に形成されたａ−ＳｉのＴＦＴ１１ａと該ＴＦＴ１１ａに接続された液晶層ＬＣ等からなる画素が配されて構成されている。この液晶層ＬＣはＴＦＴ１１ａに接続された画素電極とガラス基板１０ｂに形成されたコモン電極とによって挟持されている。このような構成の画素は液晶層ＬＣに印加される電圧に応じてガラス基板１０ａの背面に配されたバックライト１５からの光の透過率を変化させるものである。
【００１３】
ゲートドライバ１２は、走査線Ｓに接続されたＴＦＴ１１ａをオン状態又はオフ状態とするための走査信号を走査線Ｓの１行毎に印加する。このゲートドライバ１２はＦＰＣ４０を介して印加される水平制御信号に基づいて動作する。また、ソースドライバ１３は、データ線Ｄに表示データに応じた階調レベルに対応した画素信号を印加する。このソースドライバ１３はＦＰＣ４０を介して印加される垂直制御信号に基づいて動作する。
【００１４】
ゲートドライバ１２によってＴＦＴ１１ａがオン状態とされると、ＴＦＴ１１ａを介してデータ線Ｄに印加された画素信号が画素電極に印加される。この画素電極と共通電極との電位差に応じた電圧が液晶層ＬＣに印加されることによって液晶層ＬＣの光の透過率が変化する。これにより表示パネル１０おいて階調表示を行うことが可能である。
【００１５】
クロスパッド１４は、ガラス基板１０ｂに形成されたコモン電極と電気的に接続されるように構成されており、ＦＰＣ４０を介して供給されるコモン電圧（ＣＯＭ電圧）をコモン電極に供給する。
【００１６】
一般に、長寿命化等の理由で、液晶の駆動には交流駆動（液晶層ＬＣに印加される電圧の極性を所定期間毎に変動させる）が必須である。この交流駆動のために、画素信号の電位レベルとコモン電圧の電位レベルとを例えば１フレーム毎（表示部１１の１画面分の表示期間毎）に変動させる。
【００１７】
バックライト１５は、例えばＬＥＤとＬＥＤからの光を表示部１１に導く導光板等から構成され、表示部１１の背面から光照射を行う。
【００１８】
光センサ２０は、表示パネル１０のガラス基板１０ａ上に実装され、表示部１１の周囲の明るさ（表示部１１に入射する外光の照度）を検出し、検出した外光の照度に応じた電流信号Ｉｏｕｔをバックライトコントローラ３０に出力する電流出力型の薄膜センサである。この光センサ２０は画素を構成するＴＦＴ１１ａと同様の薄膜プロセスによって製作することが可能である。なお、光センサ２０の詳細については後述する。
【００１９】
バックライトコントローラ３０は、光センサ２０とフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０を介して接続されている。このバックライトコントローラ３０は、光センサ２０からの電流信号Ｉｏｕｔを取り込み、取り込んだ電流信号の大きさに応じてバックライト１５の輝度を制御する。
【００２０】
ＦＰＣ４０は、外部の図示しない電源や制御信号の印加回路等と表示パネル１０とを接続している。ＦＰＣ５０は、光センサ２０とバックライトコントローラ３０とを接続している。
【００２１】
図２は、バックライトコントローラ３０の内部構成を示すブロック図である。図２に示すように、バックライトコントローラ３０は、Ｉ−Ｖ変換部３１と、レベル変換部３２と、ＬＥＤドライバ３３とを有している。Ｉ−Ｖ変換部３１は、光センサ２０から入力される電流信号Ｉｏｕｔを電圧信号Ｖｏｕｔ（Ｖｏｕｔ＝−Ｉｏｕｔ×Ｒ）に変換する。ここで、Ｉ−Ｖ変換部３１は、単なる電流−電圧変換だけを行うものではなく、増幅回路としても機能する。即ち、Ｒの値を大きくすることにより、光センサ２０から出力される電流信号が微小であっても大きな電圧信号を取り出すことが可能である。レベル変換部３２は、Ｉ−Ｖ変換部３１において得られた電圧信号Ｖｏｕｔをレベル変換（ゲイン調整）する。ＬＥＤドライバ３３は、レベル変換部３２で得られた電圧信号に従ってバックライト１５のＬＥＤ１５ａを駆動するための電圧を生成して、バックライト１５に供給する。ＬＥＤドライバ３３は、光センサ２０によって検出される外光の照度に比例するように、ＬＥＤ１５ａの駆動電圧を制御する。ＬＥＤ１５ａの駆動電圧の変化は連続的であっても離散的であってもよい。光センサ２０によって検出される外光の照度が強い場合にはＬＥＤ１５ａの輝度が高くなるようにＬＥＤ１５ａの駆動電圧が上昇する。これによって表示部１１の見えを改善することができる。一方、光センサ２０によって検出される外光の照度が弱い場合にはＬＥＤ１５ａの輝度が低くなるようにＬＥＤ１５ａの駆動電圧が降下する。これによって低消費電力化を図ることができる。
【００２２】
以下、光センサ２０の詳細について説明する。図３は、本実施形態における光センサ２０の構成を示す図である。図３に示す光センサ２０は、ａ−Ｓｉの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０ａから構成されている。図３に示すように、ＴＦＴ２０ａのゲート電極は光センサ２０における制御端子である。図３において、ＴＦＴ２０ａのゲート電極はＦＰＣ５０上に設けられた接続端子５０ｃに例えば異方性導電膜を介して接続され、接続端子５０ｃは、ＦＰＣ５０上に設けられた配線を介してバックライトコントローラ３０の内部に設けられた負の電圧源Ｖｇ（例えば所定の基準電位ＧＮＤに対して−１０Ｖの電圧源）に接続されている。また、ＴＦＴ２０ａのソース電極は光センサ２０における電源用の接続端子である。図３において、ＴＦＴ２０ａのソース電極はＦＰＣ５０上に設けられた接続端子５０ｂに接続され、接続端子５０ｂはＦＰＣ５０上に設けられた配線を介してバックライトコントローラ３０の内部に設けられた正の電圧源Ｖｄ（例えば所定の基準電位ＧＮＤに対して＋１０Ｖの電圧源）に接続されている。また、ＴＦＴ２０ａのドレイン電極は光センサ２０における電流出力端子である。図３において、ＴＦＴ２０ａのドレイン電極はＦＰＣ５０上に設けられた接続端子５０ａに接続され、接続端子５０ａはＦＰＣ５０上に設けられた配線を介してバックライトコントローラ３０のＩ−Ｖ変換部３１に接続されている。
【００２３】
なお、接続端子５０ａと、接続端子５０ｂと、接続端子５０ｃとはそれぞれ例えば絶縁膜によって絶縁されているものである。
【００２４】
図４は、光センサ２０を構成するＴＦＴ２０ａの断面図を示す図である。図４に示すＴＦＴにおいて、表示パネル１０のガラス基板１０１上にはゲート電極１０２が形成されている。このゲート電極１０２は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属膜をスパッタリングによってガラス基板１０１上に形成し、この金属膜をエッチングすることによって形成される。また、図４において、ゲート電極１０２が形成されたガラス基板１０１上にはＳｉＯ２やＳｉＮｘ等からなるゲート絶縁膜１０３が形成されている。ゲート絶縁膜１０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成される。
【００２５】
また、図４において、ゲート絶縁膜１０３上には真性ａ−Ｓｉ層１０４とｎ＋  ａ−Ｓｉ層１０５とが形成されている。真性ａ−Ｓｉ層１０４は、後述する如く、受光量に対応した検出電流を出力する検出部の機能を有する。これら真性ａ−Ｓｉ層１０４とｎ＋  ａ−Ｓｉ層１０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成される。また、真性ａ−Ｓｉ層１０４とｎ＋  ａ−Ｓｉ層１０５の間にはエッチングストッパ１０６が形成されている。
【００２６】
また、図４において、ｎ＋  ａ−Ｓｉ層１０５上にはソース電極及びドレイン電極１０７が形成されている。これらソース電極及びドレイン電極１０７は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属膜をスパッタリングによってｎ＋  ａ−Ｓｉ層１０５上に形成し、この金属膜をエッチングすることによって形成される。エッチングストッパ１０６は、ドレイン電極及びソース電極１０７を形成するためのエッチングの際に、真性ａ−Ｓｉ層１０４にダメージを与えないようにするために形成されるものである。
【００２７】
このような構成において、ＴＦＴ２０ａのゲート電極に−１０Ｖ程度の負電圧が印加されているときにＴＦＴ２０ａの真性ａ−Ｓｉ層１０４に光照射がなされると、その光の照度に応じた光電流信号が電流出力端子であるＴＦＴ２０ａのドレイン電極から出力される。図５は、ＴＦＴへの光照射時のゲート電圧Ｖｇ−ドレイン電流Ｉｄ特性を示している。この電流Ｉｄを検出することでＴＦＴを光センサとして用いることが可能である。なお、ＴＦＴ２０ａのチャネル長Ｌを小さくするか又はチャネル幅Ｗを長くすることで電流出力端子から出力される電流Ｉｄを大きくすることが可能である。
【００２８】
ここで、本実施形態においては、光センサ２０（特に電流出力端子であるＴＦＴ２０ａのドレイン端子）とコモン電極用の配線（ＣＯＭ配線）１４ａとの間にシールド配線２１が設けられており、このシールド配線２１と光センサ２０の出力配線との間の電位差の関係が直流となるようにシールド配線２１の電位を設定してする。本実施形態の例では、シールド配線２１の電位レベルをグランド（ＧＮＤ）電位に固定している。なお、固定の電位であればＧＮＤ電位でなくとも良い。また、出力が時間的に変動するようなセンサの近傍にシールド配線２１を設ける場合には、時間変動するセンサの出力に対してシールド配線２１の電位も変動させる。
【００２９】
以下、シールド配線２１の作用について説明する。  
比較のために、まず、シールド配線２１を設けない場合について説明する。図６は、シールド配線２１を設けない場合の光センサ２０、ＦＰＣ５０、ＣＯＭ配線１４ａ、バックライトコントローラ３０（図にはＩ−Ｖ変換部３１のみを示している）の等価回路図である。
【００３０】
図１に示す例において、光センサ２０は、ＣＯＭ配線１４ａに隣接している。この場合、光センサ２０の出力配線とＣＯＭ配線１４ａとは図６に示すように寄生容量Ｃを介して接続されていると考えられる。この場合、交流駆動のため等でＣＯＭ配線１４ａに印加されるＣＯＭ電圧のレベルが変動すると、この電位レベルの変動に応じたノイズ電流が寄生容量Ｃを介して光センサ２０の出力電流に混入する。なお、寄生容量Ｃは、３次元静電解析等の手法によって求めることができる。例えば、対角２インチ程度の表示部１１に光センサ２０を設ける場合を考えると、図６の寄生容量Ｃはおよそ０.１ｆＦ〜１.０ｆＦ程度のオーダーとなる。また、交流駆動としてＣＯＭ電圧の電位レベルを１フレーム毎に変動させるフレーム反転駆動を用いたとすると、ノイズ電流Ｉは以下の式から求めることが可能である。  
Ｉ＝Ｃ×Ｖ×Ｎｇ×ｆ０  
ここで、ｆ０はフレーム周波数、ＶはＣＯＭ電圧の電位変動幅、Ｎｇは走査線Ｓの本数である。上式から、約１０ｐＡ程度のノイズ電流Ｉが光センサ２０の出力電流に混入してしまうことが分かる。このノイズ電流Ｉは図５に示したＴＦＴに入射する光の照度が低い時にＴＦＴに流れる電流Ｉｄとほぼ同じオーダーである。したがって、このようなリーク電流Ｉが光センサ２０の出力電流に混入すると、光センサ２０としてのＳ／Ｎが大きく損なわれることになる。
【００３１】
図７は、シールド配線２１を設けた場合の光センサ２０、ＦＰＣ５０、ＣＯＭ配線１４ａ、バックライトコントローラ３０（図にはＩ−Ｖ変換部３１のみを示している）の等価回路図である。
【００３２】
光センサ２０とＣＯＭ配線１４ａとの間にシールド配線２１を介在させることにより、図７に示すようにＣＯＭ配線１４ａと光センサ２０の出力配線との間の寄生容量Ｃが、ＣＯＭ配線１４ａとシールド配線２１との間の寄生容量Ｃ１と、シールド配線２１と光センサ２０の出力配線との間の寄生容量Ｃ２とに分けられる。ここで、ＣＯＭ配線１４ａとシールド配線２１との間の電位差はＣＯＭ電圧の変動に応じて時間的に変動するが、シールド配線２１の電位はＧＮＤ電位に固定されているため、シールド配線２１と光センサ２０の出力配線との間の電位差は時間的に変動しない。したがって、ＣＯＭ電圧の変動に伴うノイズ電流Ｉは寄生容量Ｃ１を介してシールド配線２１に流れ、寄生容量Ｃ２を介して光センサ２０の出力配線に流れることはない。
【００３３】
なお、シールド配線２１の幅は幅広とするほど、ノイズ電流の混入防止効果を高めることができるが、実際には、シールド配線２１の幅はＣＯＭ配線１４ａと同程度の幅で良い。これは、ノイズ電流の混入防止効果を高めるためには、ＣＯＭ配線１４ａとシールド配線２１との間の容量結合を強める必要があるが、この容量結合の強さがシールド配線２１とＣＯＭ配線１４ａの何れか小さいほうで制約されるためである。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態によれば、光センサ２０の出力配線とＣＯＭ配線１４ａとの間に、シールド配線２１を配し、さらにシールド配線２１と光センサ２０の出力配線との間の電位差が時間的に変動しないようにシールド配線２１の電位を設定している。これにより、ＣＯＭ配線１４ａに印加されるＣＯＭ電圧の変動によって生じるノイズ電流Ｉが光センサ２０の出力に混入することを防止することが可能である。
【００３５】
ここで、上述の実施形態における例では、光センサ２０がＣＯＭ配線１４ａの近傍に配置されている例について説明しているが、本実施形態の技術は光センサ２０がＣＯＭ配線１４ａの近傍に配置される場合のみに限定されるものではない。即ち、光センサ２０の近傍に配置される配線の電位レベルが時間的に変動する各種の場合に、本実施形態の技術を適用することが可能である。
【００３６】
［変形例１］
以下、本実施形態の変形例について説明する。上述の実施形態においては、シールド配線２１を光センサ２０とＣＯＭ配線１４ａとの間にのみ設けている。これに対し、図８に示すように、光センサ２０を囲むようにシールド配線２１を設けるようにしても良い。ただし、図８のようにして光センサ２０を囲むようにシールド配線２１を設ける場合、シールド配線２１の一端は所定の電位（ここではＧＮＤ電位）に固定しておく必要があるが、他端については開放状態としておく必要がある。これは、シールド配線２１が回路ループを形成してしまうと、その中を時間変動する磁束が貫いた場合の磁気誘導による起電力が新たなノイズ電流の混入の原因となってしまうためである。
【００３７】
図８のような構成とすることにより、ＣＯＭ配線１４ａのみならず、光センサ２０に近接する他のノイズ源からのノイズ電流の混入も防止することが可能である。
【００３８】
［変形例２］
上述した各例においては、シールド配線２１の電位をＧＮＤ電位に固定している。しかしながら、上述したようにシールド配線２１の電位は時間的に変動しないのであれば、任意の電位に固定して良い。このため、例えば図９に示すようにしてシールド配線２１を光センサ２０の配線と共通に接続するようにしても良い。図９の例では、シールド配線２１を光センサ２０の制御端子と共通の接続端子５０ｃに接続することでシールド配線２１の電位をＶｇに固定している。シールド配線２１を光センサ２０の電源用の接続端子と共通の接続端子５０ｂに接続するようにしても良い。
【００３９】
図９のような構成とすることにより、ＦＰＣ５０に必要な接続端子の数を低減させることが可能である。これにより、ＦＰＣ５０を小型化することが可能である。
【００４０】
［変形例３］
上述した実施形態及びその変形例では、薄膜センサを光センサとして利用する例について示している。しかしながら、本実施形態は薄膜センサを光センサとして利用した場合にのみ適用されるものではない。即ち、本実施形態は、検出部にて検出した対象物に関する検出電流を出力する電流出力型の各種の薄膜センサについて適用可能である。ここでは、その一例として薄膜センサを温度センサとして利用する例について説明する。
【００４１】
図１０（ａ）は、温度センサを構成するＴＦＴの断面図を示す図である。ＴＦＴを温度センサとして用いる場合には、図１０（ａ）に示すように、保護膜１０８と遮光層１０９とによって真性ａ−Ｓｉ層（検出部）１０４を遮光する。
【００４２】
ａ−Ｓｉ  ＴＦＴは、単結晶やポリシリコンのＴＦＴに比べると電流の温度依存性が大きい。この電流の温度依存性は活性化エネルギーに関連している。さらに、活性化エネルギーは図１０（ｂ）に示すように、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴのゲート電圧に依存している。図１０（ｂ）に示すように、ゲート電圧が大きい（ＴＦＴを流れる電流が大きい）領域よりもゲート電圧が小さい（ＴＦＴを流れる電流が小さい）領域のほうが、活性化エネルギーが大きいので、電流の温度依存性も強くなる。したがって、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴを温度センサとして用いる場合にはＴＦＴを流れる電流を小さくする、即ちゲート電圧を小さくしておくことが望ましい。なお、ＴＦＴを流れる電流を小さくしておくことにより、ＴＦＴの発熱による温度上昇も防ぐことが可能となるという効果も生じる。
【００４３】
以上実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。
【００４４】
さらに、上記した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適当な組合せにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、上述したような課題を解決でき、上述したような効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成も発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係る薄膜センサ装置を備えた表示装置の一例としての液晶表示装置の全体構成を示す図である。
【図２】バックライトコントローラの内部構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態における光センサの構成を示す図である。
【図４】光センサを構成するＴＦＴの断面図を示す図である。
【図５】ＴＦＴへの光照射時のゲート電圧Ｖｇ−ドレイン電流Ｉｄ特性を示す図である。
【図６】シールド配線を設けない場合の光センサ、ＦＰＣ、ＣＯＭ配線、バックライトコントローラの等価回路図である。
【図７】シールド配線を設けた場合の光センサ、ＦＰＣ、ＣＯＭ配線、バックライトコントローラの等価回路図である。
【図８】光センサを囲むようにシールド配線を形成する変形例を示す図である。
【図９】光センサと共通の接続端子にシールド配線を接続する変形例を示す図である。
【図１０】ＴＦＴを温度センサとして利用する場合の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０…表示パネル、１０ａ…ガラス基板、１０ｂ…ガラス基板、１１…表示部、１１ａ…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１２…ゲートドライバ、１３…ソースドライバ、１４…クロスパッド、１５…バックライト、１２ａ，１３ａ，１４ａ…配線、２０…光センサ、２１…シールド配線、３０…バックライトコントローラ、４０，５０…フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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