(57)【要約】【課題】重量を増加することなく、あるいは、製造工程を複雑化することなく、磁束漏洩を低減するディスクドライブを提供する。【解決手段】ディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）において、強磁性板上に形成された成形部は、ＶＣＭにより発生された磁束のパスを変えるように形作られて配置され、ＶＣＭからの磁束漏れを低減する。この成形部は、強磁性板に物質を付加することなく、強磁性板の製造に用いられる型打ち工程により、形成される。【選択図】図２
2010277675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶ディスクと、
前記記憶ディスクに対してデータの読み取りおよび書き込みを行う変換素子を有するアクチュエータアーム・アッセンブリと、
前記アクチュエータアーム・アッセンブリを位置決めするボイスコイルモータと、を備え、前記ボイスコイルモータは、少なくとも１つの磁石が載置された強磁性板を有し、前記強磁性板は成形部を有し、この成形部は、（i）前記強磁性板の他の部分とほぼ同一の厚さを有し、（ii）前記少なくとも１つの磁石から離れる方向に突出し、（iii）前記少なくとも１つの磁石の中立区域の近傍に設けられているディスクドライブ。
【請求項２】
前記成形部は、前記強磁性板を型打ちすることにより形成されている請求項１に記載のディスクドライブ。
【請求項３】
前記成形部は、磁束流に垂直な方向の磁束の流れを規制する形状に形成され前記磁束流とほぼ平行な方向に延びる複数の壁を有する請求項１に記載のディスクドライブ。
【請求項４】
前記強磁性板の表面に対する前記成形部の深さは、前記磁束流の方向において前記中立区域の両側でゼロに近付いている請求項３に記載のディスクドライブ。
【請求項５】
前記成形部の前記磁束流の方向と平行な断面形状は、円弧状である請求項４に記載のディスクドライブ。
【請求項６】
前記成形部の前記磁束流の方向と平行な断面形状は、三角形である請求項４に記載のディスクドライブ。
【請求項７】
前記成形部の前記磁束流の方向と平行な断面形状は、台形である請求項４に記載のディスクドライブ。
【請求項８】
前記ボイスコイルモータは、少なくとも２つの磁石が間に配設された第１強磁性板および第２強磁性板と、
（i）前記第１強磁性板の他の部分とほぼ同一の厚さを有し、（ii）前記２つの磁石から離間する方向に突出し、（iii）前記磁石の中立区域の近傍に設けられ、前記第１強磁性板に形成された第１成形部と、
（i）前記第２強磁性板の他の部分とほぼ同一の厚さを有し、（ii）前記２つの磁石から離間する方向に突出し、（iii）前記磁石の中立区域の近傍に設けられ、前記第２強磁性板に形成された第２成形部と、を備えている請求項１に記載のディスクドライブ。
【請求項９】
磁石が実装された第１強磁性板と、
磁石が実装された第２強磁性板と、を備え、
前記第１強磁性板は、（i）前記第１強磁性板の他の部分とほぼ同一の厚さを有し、（ii）前記磁石から離間する方向に突出し、（iii）前記磁石の中立区域の近傍に設けられた、型打ちされた領域を有しているディスクドライブのボイスコイルモータ。
【請求項１０】
前記型打ちされた領域は、磁束流とほぼ平行な方向に延びる複数の端縁を有している請求項９に記載のボイスコイルモータ。
【請求項１１】
前記型打ちされた領域は、磁束流に垂直な方向の磁束の流れを規制する形状に形成され前記磁束流とほぼ平行な方向に延びる複数の壁を有している請求項９に記載のボイスコイルモータ。
【請求項１２】
前記強磁性板の表面に対する前記型打ちされた領域の深さは、前記磁束流の方向において前記中立区域の両側でゼロに近付いている請求項９に記載のボイスコイルモータ。
【請求項１３】
前記型打ちされた領域の前記磁束流の方向と平行な断面形状は、円弧状である請求項１２に記載のボイスコイルモータ。
【請求項１４】
前記型打ちされた領域の前記磁束流の方向と平行な断面形状は、三角形である請求項１２に記載のボイスコイルモータ。
【請求項１５】
前記型打ちされた領域の前記磁束流の方向と平行な断面形状は、台形である請求項１２に記載のボイスコイルモータ。
【請求項１６】
前記第２強磁性板は、（i）前記第２強磁性板の他の部分とほぼ同一の厚さを有し、（ii）前記２つの磁石から離間する方向に突出し、（iii）前記磁石の中立区域の近傍に設けられた、型打ちされた領域を備えている請求項９に記載のボイスコイルモータ。
【請求項１７】
一対の強磁性板間に設けられた少なくとも１つの磁石を備え、前記強磁性板の一方は、前記少なくとも１つの磁石の中立区域の近傍で前記強磁性板に形成された型打ちされた領域を有し、前記型打ちされた領域は、前記少なくとも１つの磁石から離間する方向に突出し磁束流に最小の磁気抵抗を与えるように構成されているディスクドライブのボイスコイルモータ。
【請求項１８】
前記型打ちされた領域の中央部で、前記磁束流の方向に垂直な方向に沿った断面の形状は、矩形状である請求項１７に記載のボイスコイルモータ。
【請求項１９】
前記型打ちされた領域の全ての部分で、前記磁束流の方向に垂直な方向に沿った断面の形状は、矩形状である請求項１７に記載のボイスコイルモータ。
【請求項２０】
前記強磁性板の表面に対する前記型打ちされた領域の深さは、前記磁束流の方向において前記中立区域の両側でゼロに近付いている請求項１９に記載のボイスコイルモータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、ディスクドライブに関し、特に、磁束漏洩を低減したディスクドライブに関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスクドライブ、特に、モバイル機器用のディスクドライブは、低価格、低重量、および低電力消費を同時に達成することが要求されている。このようなディスクドライブは、より高い性能、例えば、より短いシークタイム、およびより大きなデータ容量が望まれるため、コスト、重量、電力消費の要求を満たすことが困難となってきている。このことは、所望のデータ記憶トラック上にリード／ライトヘッドを位置決めするディスクドライブのボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）にとって特に現実的な問題となっている。
【０００３】
より短いシークタイムが望まれる場合、あるいは、より高い駆動能力を可能にするためにヘッドスタック・アセンブリの慣性が増加される場合、ＶＣＭはより高いトルクを持っている必要がある。一般に、電力消費の増加は受け入れられないため、ＶＣＭの中の磁束密度を上げることによって、より高いトルクを得ている。より高いエネルギー磁石材料の使用により、および／あるいは、磁石の体積を増加させることにより、磁束密度を増加することができる。いずれの場合も、ＶＣＭへの他の設計変更を行わないと、磁束密度の増加に伴ってディスクドライブの外部に漏洩する磁束が増加し、許容不能な高レベルになる可能性がある。
【０００４】
ＶＣＭからの磁束漏洩、すなわち、ディスクドライブからの磁束漏洩は、一般に、磁束のリターンパスを大きくすることにより、あるいは、磁束のリターンパスを増やすことにより抑制される。ディスクドライブのＶＣＭにおいて、通常、磁束のリターンパスは鋼板により形成されている。より高いエネルギーあるいはより大きな体積の磁石が使用される場合、磁束密度の高い領域において鋼板の幅および／あるいは厚さを増大することにより、磁束漏れを抑制することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、鋼板の高磁束密度領域に物質を追加する場合、すなわち、鋼板の幅および／あるいは厚さを増加する場合、ＶＣＭの重量が増加するとともにＶＣＭの製造コストが増大する。このような重量の増加を相殺するために、鋼板の他の領域の重量を削減すると、一般に鋼板の成形に用いられる打ち抜き工程が複雑となる。更に、鋼板の他の領域の材料を除去する場合、設計を妥協することになり、ディスクドライブの設計の自由度を低減させ、製造コストが増大し、かつ、性能を制限することになる。
【０００６】
以上のことから、本技術分野において、重量を増加することなく、あるいは、製造工程を複雑化することなく、ディスクドライブからの磁束の漏洩を低減する技術が必要となっている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の１つあるいは複数の態様は、ディスクドライブの重量を増加させず、あるいは、製造工程を複雑にすることなく、ディスクドライブからの磁束漏洩を低減する手段を提供するものである。実施形態では、ディスクドライブのボイスコイルモータにおける少なくとも１つの強磁性板に形成された成形部あるいは凸部が考慮されている。強磁性板はＶＣＭの磁石の磁束リターンパスを形成している。上記成形部は、ＶＣＭにより発生された磁束のパスを変えるように形作られて配置され、ＶＣＭからの磁束漏れを低減する。この成形部は、強磁性板に物質を付加することなく、強磁性板の製造に用いられる型打ち工程により、形成される。
【０００８】
この発明の形態に係るディスクドライブは、少なくとも１つの記憶ディスクと、前記記憶ディスクに対してデータの読み取りおよび書き込みを行う変換素子を有する少なくとも１つのアクチュエータアーム・アッセンブリと、前記アクチュエータアーム・アッセンブリを位置決めするボイスコイルモータと、を備え、前記ボイスコイルモータは、少なくとも１つの磁石が載置された少なくとも１つの強磁性板を有し、前記強磁性板は成形部を有し、この成形部は、（i）前記強磁性板の他の部分とほぼ同一の厚さを有し、（ii）前記少なくとも１つの磁石から離れる方向に突出し、（iii）前記磁石の中立区域の近傍に設けられている。前記中立区域は、異なる磁極領域間の変遷位置に相当している。
【０００９】
この発明の形態に係るディスクドライブのボイスコイルモータは、磁石が載置された第１強磁性板と、磁石が載置された第２強磁性板と、を備え、前記第１強磁性板は型打ちされた領域を有し、この型打ちされた領域は、（i）前記第１強磁性板の他の領域とほぼ同一の厚さを有し、（ii）前記２つの磁石から離れる方向に突出し、（iii）前記２つの磁石の中立区域の近傍に設けられている。
【００１０】
この発明の他の形態に係るディスクドライブのボイスコイルモータは、一対の強磁性板の間に設けられた少なくとも１つの磁石を備え、前記強磁性板の一方は、前記少なくとも１つの磁石の中立区域の近傍に形成された型打ちされた領域を有し、前記型打ちされた領域は、前記少なくとも１つの磁石から離れる方向に突出し、磁束流れに最小限の磁気抵抗を加える。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、この発明の実施形態に係るディスクドライブの平面図。
【図２】図２は、この発明の実施形態に係るボイスコイルモータ（ＶＣＭ）の一部を示す平面図。
【図３Ａ】図３Ａは、この発明の１つあるいは複数の実施例を適用できるあるタイプのＶＣＭ構造を示す断面図。
【図３Ｂ】図３Ｂは、この発明の１つあるいは複数の実施例を適用できる他のタイプのＶＣＭ構造を示す断面図。
【図３Ｃ】図３Ｃは、この発明の１つあるいは複数の実施例を適用できる単磁石タイプのＶＣＭ構造を示す断面図。
【図４】図４は、ＶＣＭの強磁性板に形成された成形部を示す平面図。
【図５】図５は、図４の線Ｂ−Ｂに沿った前記成形部の断面図。
【図６Ａ】図６Ａは、ＶＣＭの強磁性板に実施された成形部の構成を示す断面図。
【図６Ｂ】図６Ｂは、ＶＣＭの強磁性板に実施された成形部の構成を示す断面図。
【図６Ｃ】図６Ｃは、ＶＣＭの強磁性板に実施された成形部の構成を示す断面図。
【００１２】
以下に示す実施形態では、明確にするため、複数の図面間で所望の共通の要素については、共通の参照符号を用いている。１つの実施形態の複数の特徴は、他の実施形態に組み入れてもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。この発明の１つあるいは複数の態様は、ディスクドライブの重量を増加させず、あるいは、製造工程を複雑にすることなく、ディスクドライブからの磁束漏出を低減する手段を提供するものである。複数の実施形態は、ディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）における強磁性板に形成された成形部、つまり、バンプを備え、この強磁性板は、ＶＣＭの１つの磁石、あるいは複数の磁石の磁気リターンパスを形成している。成形部は、ＶＣＭの能力にほとんど影響を与えることなくＶＣＭからの磁束漏れを十分に低減するように、ＶＣＭにより発生された磁束線の通路を変える形状および位置に設けられている。
【００１４】
成形部は、強磁性板の磁束飽和領域に、および／あるいは、飽和状態に近い領域に配置される。また、成形部は、ＶＣＭの磁石から離れる方向へ強磁性板の平面から突出し、また、ＶＣＭからの磁束漏れを十分に低減するように、ＶＣＭにより発生された磁束線の通路を変える形状および位置に設けられ少なくとも１つの型打ちされた端縁を有している。１つの実施形態において、型打ちされた端縁は、強磁性板の平面に対してほぼ垂直であり、また、強磁性板の高磁束密度領域における磁束の流れの一次線とほぼ平行に延びている。このように方向付けした場合、成形部の型打ちされた端縁あるいは複数の端縁は、強磁性板の高磁束密度領域において、磁束線の収束あるいは集中を妨げ、磁束線を強磁性板全体により均一に分散させる。他の実施形態において、成形部は、磁束の一次線の方向に磁気抵抗をほとんどあるいは全く加えず、磁束の一次線に垂直な方角に実質的により多くの磁気抵抗を与える他の形状、例えば、非常に鋭利な変遷を有する形状であってもよい。成形部は、強磁性板に物質を付加することなく形成され、また、強磁性板の製造に用いられる同一の型打ち工程により形成される。従って、上述した成形部は、ディスクドライブからの磁束漏洩を十分に低減するにも拘わらず、ディスクドライブの重量を増加することがなく、また、製造工程を複雑化することもない。
【００１５】
図１は、この発明の実施形態に係るディスクドライブ１００の平面図である。明確にするため、ディスクドライブ１００は、トップカバーを取外した状態で示されている。ディスクドライブ１００は、ベース１０４と、アクチュエータアーム・アセンブリ１１６と、磁気ディスク１０８と、を備えている。説明を明確にするため、ディスクドライブ１００は、単一の記憶ディスク１０８およびアクチュエータアーム・アセンブリ１１６を有して示されている。しかしながら、ディスクドライブ１００は、複数の記憶ディスク１０８および複数のアクチュエータアーム・アセンブリ１１６を含んでいてもよい。記憶ディスク１０８は、ハブ１１２の中、あるいは、ハブ１１２の下に配設された図示しないスピンドルモータによりベース１０４と相互に連結され、ベース１０４に対して回転自在に支持されている。アクチュエータアーム・アセンブリ１１６は、軸受１２０によりベース１０４と相互に連結され、また、アクチュエータアーム・アッセンブリ１１６上に形成された変換素子１２４を備えている。変換素子１２４は、読み取り素子および書き込み素子を含み、記憶ディスク１０８の表面に対してデータの書き込みおよびデータの読み取りを行う。ＶＣＭ１２８は、アクチュエータアーム・アッセンブリ１２４を軸受１２０の周りで回動させ、記憶ディスク１０８に対して変換素子１２４を径方向に位置決めする。記憶ディスク１０８に対する変換素子１２４の径方向位置を変えることにより、変換素子１２４は記憶ディスク１０８上の異なるトラックにアクセスする。ＶＣＭ１２８は、図示しないホストコンピュータに動作的に接続されたコントローラ１３６により作動される。チャンネル１４０は、変換素子１２４によって記憶ディスク１０８から読み出された情報を処理し、サーボ制御システム１４４は、後述するように、特定のトラック１３２に対する変換素子１２４の位置を制御する。
【００１６】
図２は、この発明の実施形態に係るＶＣＭの一部を示す平面図である。ＶＣＭ１２８は、上部強磁性板２０１、湾曲した上部磁石２０２、下部強磁性板２０３（図３Ａ、３Ｂ参照）、および湾曲した下部磁石２０４（図３Ａ、３Ｂ参照）を備えている。上部磁石２０２は上部強磁性板２０１の下面、つまり、図２において隠れた面、に実装され、下部磁石２０４は、下部強磁性板２０３の上面に実装されている。上部磁石２０２は、Ｎ極およびＳ極で示された対極性の２つの領域を有するように着磁され、これら２つの領域間の変遷領域が中立区域２１２となっている。代わって、上部磁石２０２は、反対方向に着磁して位置決めされた２つの独立した部材で形成してもよい。下部磁石２０４は、上部磁石と同様に構成され、図３Ａ、３Ｂに示すように、正反対の極性を有する２つの領域、およびこれらの領域間の中立区域２１４を有している。
【００１７】
図３Ａおよび図３Ｂは、この発明の１つあるいは複数の実施形態が適用される２つのタイプのＶＣＭ構造を部分的に示す断面図である。図２は、両タイプのＶＣＭ構造の平面図を示している。
【００１８】
図３Ａは、図２の線Ａ−Ａに沿った第１タイプのＶＣＭ１２８の断面図であり、上部強磁性板２０１、上部磁石２０２、下部強磁性板２０３、および下部磁石２０４の相対位置関係を示している。図３Ａに示すように方向付けされた磁極により、磁束線３０１、３０２は、ループ内を流れ、最も高い磁束密度は、中立区域２１２および／あるいは中立区域２１４の領域内に存在している。明確には図示されていない電気的なコイルが上部磁石２０２と下部磁石２０４との間のエアギャップ３０３に配置され、ＶＣＭ１２８のトルクを発生するために用いられる。上部強磁性板２０１および下部強磁性板２０３は、低炭素鋼等の強磁性体で形成されている。強磁性体は、周囲の空気よりも複数桁大きな透磁率を有しているため、磁束線の大部分は、上部強磁性板２０１および下部強磁性板２０３を通って流れる。しかし、上部強磁性板２０１および下部強磁性板２０３の材料が飽和状態に近付くと、例えば、ＶＣＭ構造がより高いエネルギーの磁石を含むように変更された場合、磁束はより低い効率で伝導され、その結果、ＶＣＭ１２８からの磁束漏洩が増加する。実施形態によれば、図２に示すように、成形部２５０が、上部強磁性板２０１の上面、および／あるいは、下部強磁性板２０３の下面に設けられ、以下に詳細に述べるように、上部強磁性板２０１内の磁束の流を変える。
【００１９】
図３Ｂは、図２の線Ａ−Ａに沿った第２タイプのＶＣＭ１２８の断面図である。このＶＣＭ１２８の構造、および、上部強磁性板２０１、上部磁石２０２、下部強磁性板２０３、および下部磁石２０４の相対位置関係は、図３Ａに示された第１タイプのＶＣＭとほぼ類似している。上部強磁性板２０１および下部強磁性板２０３は、複数の垂直脚３１０によって連結されている。垂直脚３１０も強磁性体で形成され、通常、強磁性板２０１、２０３の一方あるいは両方の一部として合体されている。図示のように、垂直脚３１０は、ＶＣＭ１２８内に複数の磁束ループ３２０を形成するために用いられる。複数の磁束ループ３２０は、中立区域を通過するトータルの磁束を低減し、逆に、上部強磁性板２０１および下部強磁性板２０３の磁束密度を低減する。垂直脚３１０を備えて構成された場合でも、成形部を有する改造が施されない限り、上部強磁性板２０１および下部強磁性板２０３は高磁束密度領域を形成し、許容できないレベルの磁束漏れを生じることが、当業者であれば理解されよう。
【００２０】
図２に示すように、成形部２５０は、上部強磁性板２０１の磁束で飽和された領域、および／あるいは、上部強磁性板の他の領域で飽和により近い領域に、設けられている。これらの領域は、しばしば、中立区域２１２の近傍に位置し、上部磁石２０２の内周２２１側にずれていることが当業者であれば理解されよう。これは、磁束線は磁気抵抗の最も小さいパスを流れるためであり、上部磁石２０２の磁束線の大部分は周囲空気よりも上部強磁性板２０１を通って流れる。また、磁気抵抗の最も小さいパスは、最も短いパスに向かう傾向があるため、中立区域２１２の近傍での上部強磁性板２０１の磁束密度は、上部強磁性板２０１の横断面において均一ではなく、上部磁石２０２の外周２２２よりも内周２２１の近傍領域に集中する。当業者であれば、従来の作成方法および直接測定方法を用いることにより、上部強磁性板２０１上における成形部２５０の最適位置を容易に決めることが可能である。
【００２１】
成形部２５０は、上部強磁性板２０１の平面から、ＶＣＭの磁石から離れる方向に突出している。また、成形部２５０は、少なくとも１つの型打ちされた端縁２５１を有し、この端縁２５１は、磁束流に対し、磁束の流れの一次線の方向に比較して方向４０２へより大きな磁気抵抗を提供する形状に形成されている。一実施形態において、型打ちされた端縁２５１は、強磁性板の平面に対してほぼ垂直で磁束流の一次線とほぼ平行に延びる複数の壁を有している。成形部２５０は、図２に示すように、例えば、矩形状に形成され、ほぼ平行な２つの型打ちされた端縁２５１、２５２を有している。型打ちされた端縁２５１、２５２は、成形部２５０の近傍領域で上部強磁性板２０１の磁束密度が減少する方向に磁束流を変更する。すなわち、主流と直交するいずれの磁束成分に対して、つまり、中立区域２１２と平行な磁束成分に対して、上部強磁性板２０１内の磁気抵抗を増大することにより、上部強磁性板２０１に含まれる磁束線は、この上部強磁性板内で非対称に集中することが妨げられ、上部磁性板２０１全体により均一に分散される。このようにして、上部強磁性板２０１における磁束密度の”ホットスポット”がはっきりと低減される。成形部２５０の他の構成は、図４、５、６Ａ〜６Ｃを参照して以下に説明する。
【００２２】
ここで説明した実施形態に係る成形部２５０は、上部強磁性板２０１の製造に用いられる従来の型打ち工程の一部により、上部強磁性板２０１に形成されるため、型打ち工程の複雑化およびコスト増加を生じることはない。上部強磁性板２０１に物質を追加する必要がないため、ＶＣＭ１２８の重量は増加せず、また、ＶＣＭの性能は成形部２５０の追加によって悪影響を受けることもない。
【００２３】
ディスクドライブ１００の特定の構成に応じて、上部強磁性板２０１、下部強磁性板２０３、あるいはその両方の高磁束密度領域は、許容できないレベルの磁束漏れを生じる場合がある。この発明の一実施形態では、成形部２５０は、上部強磁性板２０１の代わりに、下部強磁性板２０３に設けられてもよい。他の実施形態では、下部強磁性板２０３および上部強磁性板２０１の両方に成形部２５０を設け、磁束密度を低減するように磁束流を変えてもよい。更に他の実施形態では、複数の成形部２５０を上部強磁性板２０１、下部強磁性板２０３、あるいはその両方に設けてもよい。これらの実施形態において、成形部２５０は、互いに接近して形成してもよく、この場合、各型打ちされた端縁は互いにほぼ平行に方向付けられる。あるいは、複数の成形部２５０は、所定の強磁性板の両端部に形成してもよく、この場合、各成形部の型打ちされた端縁の向きは変えてもよい。
【００２４】
当業者であれば、上述した複数の実施形態は、図３Ａ、３Ｂに示されたＶＣＭ以外の他のタイプのＶＣＭ、例えば、単磁石ＶＣＭ構造、にも適用可能であることは、容易に理解されよう。図３Ｃは、１つあるいは複数の成形部２５０から利益を得られる単磁石ＶＣＭ３５０の部分断面図である。図示のように、単磁石ＶＣＭ３５０は、上部強磁性板２０１、下部強磁性板２０３、および単磁石３５１を備えている。一実施形態において、成形部２５０は、単磁石が実装されていない方の強磁性板、例えば、上部強磁性板２０１上に設けられ、上部強磁性板２０１における磁束密度のホットスポットを低減するように位置決めされている。例えば、成形部２５０は、図示のように、単磁石３５１の中立区域３１４と対向して設けられる。
【００２５】
図２を参照して説明したように、この発明の複数の実施形態によれば、成形部２５０は、ＶＣＭ１２８の強磁性板において、主流と平行な磁束成分に重要な磁気抵抗を追加することなく、主流と直交する磁束成分に増大した磁気抵抗を与えるように構成されている。図４は、上述した要求を満たす、この発明の実施形態に係る成形部２５０を有する強磁性板４００の一部を示す平面図である。成形部２５０は、図示のように、ほぼ平行な２つの型打ちされた端縁２５１、２５２および２つの端２６１、２６２を有するほぼ矩形状に形成される。型打ちされた端縁２５１、２５２は図５に示され、また、端２６１、２６２の異なる実施形態が図６Ａ、６Ｂ、６Ｃに示されている。
【００２６】
図５は、図４の線Ｂ−Ｂに沿った成形部２５０の部分断面図であり、型打ちされた端縁２５１、２５２の一例を示している。図２で示したように、成形部２５０が中立区域２１２あるいは２１４の近傍に設けられている場合、型打ちされた端縁２５１、２５２は磁束の一次流線とほぼ平行で中立区域２１２あるいは２１４に対して垂直に方向付けされる。更に、型打ちされた端縁２５１、２５２は強磁性板の平面、つまり、表面４０１にほぼ垂直であり、矢印４０２と平行な磁束に対してより効率的に磁気抵抗を加える。この発明の実施形態において、成形部２５０の最適な深さＤは、通常、強磁性板の厚さＴの半分よりも小さい。深さＤが厚さＴの半分よりも十分に大きい場合、成形部２５０を囲んでいる高磁束密度領域での磁束漏れが増加する。
【００２７】
図６Ａ〜６Ｃは、ＶＣＭの強磁性板に施された成形部の他の形態をそれぞれ示す部分断面図である。強磁性板の表面に対する成形部２５０の深さは、磁束流の方向において中立区域の両側でゼロに近付いている。図６Ａにおいて、成形部２５０は、その横断面が円滑に湾曲する円弧状に形成されている。図６Ｂにおいて、成形部２５０は、その横断面に単一点を有し、単一の型打ち折り曲げ部で構成されている。すなわち、成形部２５０の磁束流の方向と平行な断面形状は、三角形に形成されている。図６Ｃにおいて、成形部２５０は、２つの平行な折曲げ部２５６、２５７で形成され、ほぼ台形状の横断面を有している。図６Ａ、６Ｂ、６Ｃに示す成形部２５０は、尖った角部を示しているが、１つあるいは複数の変遷位置で円弧状に形成してもよい。図６Ａ〜６Ｃに示された成形部２５０の実施形態は、ＶＣＭ１２８からの磁束漏洩を低減する上で有効であることがモデル化で示されている。厚さ１．２ｍｍの強磁性板を有する特定のＶＣＭでは、図６Ａに示すような０．５ｍｍの突出高さ２７１を有する成形部２５０の実施形態を適用することにより、ＶＣＭ１２８の磁束漏洩のピークが約３８０ガウスから約２９０ガウスに低減することが確認された。上記と同一の板厚および突出高さのＶＣＭに関して、図６Ｂに示された成形部２５０の実施形態では、ＶＣＭ１２８の磁束漏洩のピークが約３８０ガウスから約３００ガウスに低減することが確認された。また、上記と同一の板厚および突出高さのＶＣＭに関して、図６Ｃに示された成形部２５０の実施形態では、ＶＣＭ１２８の磁束漏洩のピークが約３８０ガウスから約２７０ガウスに低減することが確認された。
【００２８】
成形部２５０の更に他の構成も考えられるが、磁束漏洩に対する成形部２５０の効果は、成形部２５０の端２６１、２６２が、図５に示すような型打ちされた端縁２５１、２５２の階段状の垂直なオフセット特性を持たない場合に、更に高められる。代わりに、端２６１、２６２は表面４０１によって形成される平面の内側および外側に円滑に変化することが望ましい。ここで、表面４０１は、磁石、例えば、湾曲した上部磁石２０２あるいは下部磁石２０４に接触している強磁性板４００の表面である。このように、磁束の一次線流と平行な磁束は、ほとんど、あるいは、全く磁気抵抗を増加することなく、成形部２５０によって導かれる。成形部２５０の形成に用いられる型打ち工程の間、強磁性板には何ら物質が追加されないため、成形部２５０の厚さ２５５は、この成形部２５０が形成される強磁性板の厚さＴとほぼ同一である。
【００２９】
なお、この発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００３０】
１００…ディスクドライブ、１０４…ベース、１０８…記憶ディスク、
１１６…アクチュエータアーム・アッセンブリ、１２４…変換素子、
１２８…ＶＣＭ、２０１…上部強磁性板、２０２…上部磁石、２０３…下部強磁性板、
２０４…下部磁石、２５０…成形部、２１２、２１４、３１４…中立区域、
２５１、２５２…端縁、２６１、２６２…端
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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