(57)【要約】【課題】ステージ可変速描画におけるステージ速度の算出単位であるブロックのサイズを、スループットの観点から最適化することが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。【解決手段】暫定的なブロックサイズＬの各ブロックの描画速度を平均化した平均描画速度Ｍと、平均描画速度Ｍからの各ブロックの描画速度のバラツキσとを算出する（Ｓ１２）。ブロックサイズＬのブロックでステージを加減速させることによって到達する最大速度Ｖｍａｘを算出する（Ｓ１３）。“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が成立しないと判別された場合、暫定的なブロックサイズＬを増加させる（Ｓ１５）。“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が成立すると判別された場合、ブロックサイズＬを最適値とする（Ｓ１６）。【選択図】図４
2010186882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向とこれに直交する第２の方向に移動可能であって試料が載置されるステージの速度を変化させながら荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム描画装置において、
試料の描画領域を前記第１の方向に短冊状に分割して得られた所定領域を更に前記第２の方向に分割して得られた複数の小領域について、各小領域の描画時間を取得する描画時間取得部と、
少なくとも１以上の小領域を纏めたブロックの暫定的なブロックサイズを決定するブロックサイズ決定部であって、各ブロックに含まれる小領域の数はいずれも同じであり、各ブロックの描画速度の平均である平均描画速度と、この平均描画速度からの各ブロックの描画速度のばらつきとから、このばらつきが所定値以下になるように前記ブロックサイズを決め直すものと、
前記ブロックサイズ決定部により決め直されたブロックサイズのブロック毎に、ステージ速度を算出するステージ速度算出部と、
前記ステージ速度算出部により算出されたステージ速度に基づいて、前記ステージの移動を制御するステージ制御部とを備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記ブロックサイズ決定部は、前記ステージを前記第２方向に沿って動かし、前記暫定的なブロックサイズのブロックの一方の端部におけるステージ速度が平均描画速度であり、加速（又は減速）させた後に減速（又は加速）させてブロックの他方の端部におけるステージ速度が平均描画速度に戻る動作をさせたときの前記ステージの最大速度（もしくは最小速度）を取得し、
前記所定値が、前記最大速度から前記平均描画速度を減算（又は前記平均描画速度から前記最小速度を減算）した値であることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
第１の方向とこれに直交する第２の方向に移動可能であって試料が載置されるステージの速度を変化させながら荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記試料の描画領域を前記第１の方向に短冊状に分割して得られた所定領域を更に前記第２の方向に分割して得られた複数の小領域について、各小領域の描画時間を取得するステップと、
少なくとも１以上の小領域を纏めたブロックの暫定的なブロックサイズを決定するステップと、
暫定的なブロックサイズのブロック毎に描画速度を算出し、各ブロックの描画速度の平均である平均描画速度を算出し、この平均描画速度からの各ブロックの描画速度のばらつきを算出し、このばらつきが所定値以下になるように前記ブロックサイズを決め直すステップと、
前記決め直されたブロックサイズのブロック毎にステージ速度を算出するステップと、
前記算出されたステージ速度で前記ステージを移動させながら、前記パターンを描画するステップとを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項４】
前記ブロックサイズを決め直すステップでは、前記ステージを前記第２方向に沿って動かし、前記暫定的なブロックサイズのブロックの一方の端部におけるステージ速度が平均描画速度であり、加速（又は減速）させた後に減速（又は加速）させてブロックの他方の端部におけるステージ速度が平均描画速度に戻る動作をさせたときの前記ステージの最大速度（もしくは最小速度）を取得し、
前記所定値が、前記最大速度から前記平均描画速度を減算（又は前記平均描画速度から前記最小速度を減算）した値であることを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
前記ブロックサイズを決め直すステップでは、前記最大速度から前記平均描画速度を減算（又は前記平均描画速度から前記最小速度を減算）した値と前記ばらつきとの差分が最小となるように前記ブロックサイズを決め直すことを特徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路パターンが微細化されている。半導体デバイスに微細な回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（即ち、レチクル或いはマスク。）が必要となる。原画パターンを製造するために、優れた解像性を有する電子ビーム描画装置が用いられている。
【０００３】
この種の電子ビーム描画装置では、図形パターンの形状及び位置が定義された描画データから、描画領域が短冊状に分割された描画ストライプ領域のショットデータを生成する。そして、このショットデータに含まれるパターンが描画されるように、主偏向データ及び副偏向データを生成し、各偏向データをＤＡＣアンプ（以下「アンプ」と略す。）によりＤＡ変換及び増幅して主偏向器及び副偏向器に印加することによって、試料にパターンを描画している。
【０００４】
試料へのパターンの描画は、ステージをＸ方向に連続的に移動させながら行われる。描画時間を短縮するため、ショット密度に応じてステージの移動速度（以下「ステージ速度」という。）を変化させながら描画を行うステージ可変速描画がある。
【０００５】
ステージ速度を算出する方法として、描画ストライプ領域を描画方向に更に分割した複数の小領域であるコンパートメント領域（以下「ＣＰＭ」という。）について、ＣＰＭ毎にステージ速度を算出する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１記載の方法によれば、ショットデータに基づいて各ＣＰＭの描画時間を算出し、算出した各ＣＰＭの描画時間をＣＰＭサイズ（ＣＰＭ幅）で除することによってＣＰＭ毎にステージ速度が算出される。
【０００６】
また、所定の数のＣＰＭを纏めて複数のブロックを生成し、ブロック毎にステージ速度を算出する方法もある。この方法によれば、各ブロックに含まれる複数のＣＰＭの描画時間を積算することで各ブロックの描画時間を算出し、算出した各ブロックの描画時間をブロックサイズ（ブロック幅）で除することによって、各ブロックのステージ速度が算出される。このブロックサイズは、通常、描画条件ファイルに記述されている固定値である。
【０００７】
然し、描画条件ファイルに記述されているブロックサイズのブロック毎にステージ速度を算出すると、隣接するブロックのステージ速度の差が大きくなり、描画するまでの間にステージ速度を加速できない場合がある。この場合、算出されたステージ速度を低くしなければならず、スループットの向上を図ることができない。このように、従来、ステージ可変速描画におけるステージ速度の算出単位であるブロックサイズは、スループットの観点から最適に設定されたものでは無かった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−１８２０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、上記課題に鑑み、ステージ可変速描画におけるステージ速度の算出単位であるブロックのサイズを、スループットの観点から最適化することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、第１の方向とこれに直交する第２の方向に移動可能であって試料が載置されるステージの速度を変化させながら荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム描画装置において、試料の描画領域を第１の方向に短冊状に分割して得られた所定領域を更に第２の方向に分割して得られた複数の小領域について、各小領域の描画時間を取得する描画時間取得部と、少なくとも１以上の小領域を纏めたブロックの暫定的なブロックサイズを決定するブロックサイズ決定部であって、各ブロックに含まれる小領域の数はいずれも同じであり、各ブロックの描画速度の平均である平均描画速度と、この平均描画速度からの各ブロックの描画速度のばらつきとから、このばらつきが所定値以下になるようにブロックサイズを決め直すものと、ブロックサイズ決定部により決め直されたブロックサイズのブロック毎に、ステージ速度を算出するステージ速度算出部と、ステージ速度算出部により算出されたステージ速度に基づいて、ステージの移動を制御するステージ制御部とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明において、所定領域は、描画ストライプ領域又はフレーム領域とすることができる。
【００１２】
この第１の態様において、ブロックサイズ決定部は、ステージを第２方向に沿って動かし、暫定的なブロックサイズのブロックの一方の端部におけるステージ速度が平均描画速度であり、加速（又は減速）させた後に減速（又は加速）させてブロックの他方の端部におけるステージ速度が平均描画速度に戻る動作をさせたときのステージの最大速度（もしくは最小速度）を取得し、所定値が、最大速度から平均描画速度を減算（又は平均描画速度から最小速度を減算）した値であることが好ましい。
【００１３】
本発明の第２の態様は、第１の方向とこれに直交する第２の方向に移動可能であって試料が載置されるステージの速度を変化させながら荷電粒子ビームを照射して、試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、試料の描画領域を第１の方向に短冊状に分割して得られた所定領域を更に第２の方向に分割して得られた複数の小領域について、各小領域の描画時間を取得するステップと、少なくとも１以上の小領域を纏めたブロックの暫定的なブロックサイズを決定するステップと、暫定的なブロックサイズのブロック毎に描画速度を算出し、各ブロックの描画速度の平均である平均描画速度を算出し、この平均描画速度からの各ブロックの描画速度のばらつきを算出し、このばらつきが所定値以下になるようにブロックサイズを決め直すステップと、決め直されたブロックサイズのブロック毎にステージ速度を算出するステップと、算出されたステージ速度で前記ステージを移動させながら、パターンを描画するステップとを含むことを特徴とする。
【００１４】
この第２の態様において、ブロックサイズを決め直すステップでは、ステージを第２方向に沿って動かし、暫定的なブロックサイズのブロックの一方の端部におけるステージ速度が平均描画速度であり、加速（又は減速）させた後に減速（又は加速）させてブロックの他方の端部におけるステージ速度が平均描画速度に戻る動作をさせたときのステージの最大速度（もしくは最小速度）を取得し、所定値が、最大速度から平均描画速度を減算（又は平均描画速度から最小速度を減算）した値であることが好ましい。
【００１５】
この第２の態様において、ブロックサイズを決め直すステップでは、最大速度から平均描画速度を減算（又は平均描画速度から最小速度を減算）した値とばらつきとの差分が最小となるようにブロックサイズを決め直すことが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の第１の態様によれば、各ブロックの描画速度が平均化された平均描画速度と、この平均描画速度からの各ブロックの描画速度のばらつきとから、このばらつきが所定値以下になるようにブロックサイズが決め直され、この決め直されたブロックサイズのブロック毎にステージ移動速度が算出されるため、固定のブロックサイズのブロック毎にステージ移動速度を算出する場合に比べて、スループットを向上させることができる。
【００１７】
本発明の第２の態様によれば、各ブロックの描画速度が平均化された平均描画速度を算出し、この平均描画速度からの各ブロックの描画速度のばらつきを算出し、算出したばらつきが所定値以下になるようにブロックサイズが決め直され、この決め直されたブロックサイズのブロック毎にステージ移動速度が算出されるため、固定のブロックサイズのブロック毎にステージ移動速度を算出する場合に比べて、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態における電子ビーム描画装置の構成を示す図である。
【図２】描画ストライプ領域ＳＲをＸ方向に分割して得られたＣＰＭと、暫定的なブロックサイズＬａと、決め直された最適なブロックサイズＬｂとを示す模式図である。
【図３】図１に示すステージ速度算出部２０５の構成を示す図である。
【図４】本実施形態によるブロックサイズの算出方法を示すフローチャートである。
【図５】ブロックサイズＬでＣＰＭを纏めることで生成される複数のブロックを示す図である。
【図６】ブロックサイズＬと、平均描画速度Ｍと、バラツキσと、最大速度Ｖｍａｘ−平均描画速度Ｍの値と、描画時間との関係を示す図である。
【図７】Ｖｍａｘ−Ｍ＝σの関係が成立するときのステージ速度の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本実施形態における電子ビーム描画装置の構成を示す図である。図１に示す電子ビーム描画装置１は、描画部１００と制御部２００とを備えている。
【００２１】
描画部１００は、試料室１１０と、その試料室１１０上方に配置された電子鏡筒１２０とを備えている。試料室１１０内には、試料１１１であるマスクを載置したステージ１１２が収容されている。ステージ１１２は、後述するステージ制御部２０７の制御によって、Ｘ方向（紙面に平行な方向）とＹ方向（紙面に垂直な方向）に移動する。このステージ１１２の移動位置は、図示省略する公知のレーザ干渉計等を用いて測定される。
【００２２】
電子鏡筒１２０内には、電子銃１２１、各種レンズ１２３、１２４、ビーム走査用の主偏向器１２５及び副偏向器１２６等が配置されている。
【００２３】
主偏向器１２５は、電子ビーム１２２を所定のサブフィールド（副偏向領域）に位置決めするものである。また、副偏向器１２６は、サブフィールド内で図形描画単位の位置決めを行うものである。
【００２４】
主偏向器１２５には、後述する偏向制御部２０６からの主偏向信号をＤ／Ａ変換して増幅するためのＤＡＣアンプ１３１が接続されている。副偏向器１２６には、偏向制御部２０６からの副偏向信号をＤ／Ａ変換して増幅するためのＤＡＣアンプ１３２が接続されている。
【００２５】
電子ビームによる描画工程では、図２に示すように、ステージ１１２をＸ方向に連続的に移動させながら、主偏向器１２５の偏向幅に応じて試料１１１の描画領域ＲをＹ方向に短冊状に分割して得られた描画ストライプ領域（「フレーム領域」ともいう。）ＳＲに描画処理を行う。その際、ショット密度に応じてステージ１１２の移動速度を変化させている。次いで、Ｘ方向と直交するＹ方向にステージ１１２をステップ移動する。そして、ステージ１１２を反対のＸ方向に連続的に移動させながら、同じように描画処理を行う。これを繰り返すことにより、各描画ストライプ領域ＳＲが順次描画される。
【００２６】
制御部２００は、電子ビーム描画装置１の全体的な制御を行う制御計算機２０１と、この制御計算機２０１にバスを介して接続された磁気ディスク装置等の記憶装置２０２、ショットデータ生成部２０３、描画時間データ算出部２０４、ステージ速度算出部２０５、偏向制御部２０６、ステージ制御部２０７とを備えている。記憶装置２０２には、ＬＳＩの描画データが格納されている。この描画データには、図形パターンの形状及び位置が定義されている。
【００２７】
ショットデータ生成部２０３は、描画ストライプ領域を描画するために必要な描画データを記憶装置２０２から読み出し、読み出した描画データに定義された図形パターンをショット単位に分割したショットデータを生成するものである。偏向制御部２０６は、ショットデータ生成部２０３により生成されたショットデータに基づいて、主偏向器１２５を制御する主偏向信号を生成すると共に、副偏向器１２６を制御する副偏向信号を生成するものである。
【００２８】
描画時間算出部である描画時間データ生成部２０４は、試料１１１の描画領域ＲをＹ方向に短冊状に分割して得られた描画ストライプ領域ＳＲを更にＸ方向に所定幅（例えば、９０μｍ。）で分割して得られた複数のＣＰＭについて（図２参照）、各ＣＰＭの描画時間を算出し、各ＣＰＭの描画時間を記述した描画時間データ（以下「ＣＰＭデータ」という。）を生成するものである。
【００２９】
図３に示すように、本発明の特徴部分であるステージ速度算出部２０５は、ステージ１１２の移動速度の算出単位であるブロックのサイズを決定するブロックサイズ決定部２５０を備えている。
【００３０】
ブロックサイズ決定部２５０は、少なくとも１以上のＣＰＭを纏めたブロックの暫定的なブロックサイズＬを決め直すものである。ブロックサイズ決定部２５０は、描画速度算出手段２５１と、平均描画速度算出手段２５２と、最大ステージ速度算出手段２５３とを備えている。
【００３１】
描画速度算出手段２５１は、暫定的なブロックサイズＬでＣＰＭを纏めた複数のブロックについて、各ブロックの描画時間を算出するものである。各ブロックに含まれるＣＰＭの数は、いずれも同じである。
【００３２】
平均描画速度算出手段２５２は、描画速度算出手段２５１により算出された各ブロックの描画速度の平均である平均描画速度Ｍを算出すると共に、この平均描画速度Ｍからの各ブロックの描画速度のバラツキσを算出するものである。このバラツキσの算出には、正規分布関数や一様分布関数等を用いることができる。
【００３３】
最大ステージ速度算出手段２５３は、ステージ１１２をＸ方向に沿って動かし、図７に示すように、暫定的なブロックサイズＬのブロックの一方の端部Ｂ１におけるステージ速度が平均描画速度Ｍであり、加速（又は減速）させた後に減速（又は加速）させてブロックの他方の端部Ｂ２におけるステージ速度が平均描画速度Ｍに戻る動作をさせたときのステージの最大速度Ｖｍａｘ（又は最小速度Ｖｍｉｎ）を算出するものである。この最大速度Ｖｍａｘは、下式(1)に従って求めることができる。下式(1)において、「Ａｃｃ」はステージの加速度、「Ｔｓ」はステージの加速時間、「Ｌ」は暫定的なブロックサイズ、「Ｍ」は上記平均描画速度をそれぞれ表している。尚、最小速度Ｖｍｉｎも同様の式に従って求めることができる。以下、最大速度を用いた場合を例について説明する。
【００３４】
【数１】
2010186882.tif 000003
【００３５】
ブロックサイズ決定部２５０は、詳細は後述するが、最大速度Ｖｍａｘ（又は最小速度Ｖｍｉｎ）から平均描画速度Ｍを減算した値“Ｖｍａｘ−Ｍ”（又は平均描画速度Ｍから最小速度Ｖｍｉｎを減算した値“Ｍ−Ｖｍｉｎ”）とバラツキσとの関係に基づいて、ブロックサイズＬを決め直すものである。つまり、ブロックサイズ決定部２５０は、バラツキσが所定値（Ｖｍａｘ−Ｍ）以下になるように、ブロックサイズＬを決め直すものである。これにより、描画ストライプ領域の描画時間を最短にするブロックサイズＬに最適化される。図２に示す符号Ｌａは暫定的なブロックサイズを表し、符号Ｌｂは決め直された（最適な）ブロックサイズを表している。
【００３６】
ステージ速度算出手段２５４は、ブロックサイズ決定部２５０により決め直されたブロックサイズＬのブロック毎にステージ速度を算出するものである。
【００３７】
上記制御部２００におけるデータ処理について説明する。
【００３８】
制御計算機２０１からショットデータ生成部２０３にショット生成指示が送られると、ショットデータ生成部２０３は、記憶装置２０２から所望の描画ストライプ領域を描画するために必要な描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンをショット単位に分割したショットデータを生成する。
【００３９】
ショットデータの生成が終了すると、描画時間取得部たる描画時間データ生成部２０４は、ショットデータ生成部２０３から取得したショットデータに基づいて、ＣＰＭ毎の描画時間が記述されたＣＰＭデータを生成する。尚、予め生成されたＣＰＭデータを取得するように構成してもよい。
【００４０】
ステージ速度算出部２０５のブロックサイズ決定部２５０は、描画時間データ生成部２０４から取得した１つの描画ストライプ領域分のＣＰＭデータに基づいて、暫定的なブロックサイズのブロック毎に描画速度を算出する。そして、各ブロックの描画速度を平均化することで平均描画速度Ｍを算出すると共に、平均描画速度からの各ブロックの描画速度のバラツキσを算出する。そして、算出したバラツキσが所定値以下になるようにブロックサイズＬを決め直す。
【００４１】
ステージ速度算出手段２５４は、ブロックサイズ決定部２５０により決め直されたブロックサイズＬを取得し、そのブロックサイズＬのブロック毎にステージ速度を算出する。
【００４２】
図４を参照して、ブロックサイズ決定部２５０によるブロックサイズの算出方法について説明する。
【００４３】
図４に示すルーチンによれば、先ず、１つの描画ストライプ領域分のＣＰＭデータを取得する（ステップＳ１０）。次いで、暫定的にブロックサイズＬをＣＰＭサイズに設定する（ステップＳ１１）。このステップＳ１１では、１ブロックに含まれるＣＰＭが１個にされるため、最小のブロックサイズＬに設定される。例えば、ＣＰＭサイズが９０μｍである場合、ブロックサイズＬは９０μｍに暫定的に設定される。
【００４４】
次いで、上記ステップＳ１２で設定された暫定的なブロックサイズＬ、もしくは、後述するステップＳ１５で増加された暫定的なブロックサイズＬでの平均描画速度Ｍとバラツキσを算出する（ステップＳ１２）。このステップＳ１２では、先ず、ブロックサイズＬでＣＰＭを纏めて複数のブロックを生成する。図５に示す例では、暫定的なブロックサイズＬが１８０μｍに設定され、２つずつＣＰＭを纏めて複数のブロックを生成している。図５において、ＣＰＭの高さは、描画時間（描画速度）に比例する。次いで、各ブロックの描画速度が算出される。各ブロックの描画速度は、各ブロックに含まれるＣＰＭの描画時間を積算し、その積算値をブロックサイズＬで除することによって算出される。次いで、算出された各ブロックの描画速度を平均化することで平均描画速度Ｍが算出される。さらに、正規分布関数や一様分布関数等を用いて、この平均描画速度Ｍからの各ブロックの描画速度のバラツキσが算出される。
【００４５】
次いで、上式(1)に従って、ブロックサイズがＬであるブロックでのステージの最大速度Ｖｍａｘを算出する（ステップＳ１３）。
【００４６】
次いで、“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が成立するか否かを判別する（ステップＳ１４）。このステップＳ１４では、バラツキσが、所定値（Ｖｍａｘ−Ｍ）以下であるか否かが判別される。
【００４７】
ここで、図６を参照して、ブロックサイズＬと、平均描画速度Ｍと、バラツキσと、最大速度Ｖｍａｘ−平均描画速度Ｍの値と、１描画ストライプ領域の描画時間との関係を示している。図６に示すように、暫定的なブロックサイズＬが最小値（９０μｍ）から増大するに連れて、平均描画速度Ｍとバラツキσは徐々に減少し、一方で最大速度Ｖｍａｘが徐々に増大する。このため、“Ｖｍａｘ−Ｍ”の値は徐々に増大し、バラツキσとの差が徐々に小さくなる。そして、“Ｖｍａｘ−Ｍ＜σ”の関係が成立した状態から“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が成立した状態に変化したとき、バラツキσが所定値（Ｖｍａｘ−Ｍ）以下となり、かつ、バラツキσとこの所定値との差分が最小となる。このときのブロックサイズが、描画時間を最短にする最適なブロックサイズである。
【００４８】
図７は、“Ｖｍａｘ−Ｍ＝σ”の関係が成立するときのステージ速度の変化を示す。このようにステージ速度を変化させると、つまり、このような関係が成立するようにブロックサイズＬが決め直されると、描画時のステージ移動効率が最大となり、スループットを向上させることができる。
【００４９】
但し、ブロックサイズＬはＣＰＭサイズの自然数倍の値をとるため、ブロックサイズＬを変化させても“Ｖｍａｘ−Ｍ＝σ”の関係が成立しない場合がある。
【００５０】
そこで、本実施形態では、“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が成立すると判別された場合のブロックサイズＬが、描画時間を最短にする最適なブロックサイズＬとして決定される（ステップＳ１６）。図６に示す例では、ブロックサイズＬの最適値が７２０μｍと算出される。
【００５１】
このように最適なブロックサイズＬに決定されると、ステージ速度算出手段２５４において、この最適なブロックサイズＬでＣＰＭを纏めて複数のブロックを生成し、ステージ加速度Ａｃｃ及びステージ加速時間Ｔｓを考慮して、ブロック毎にステージ速度（指令値）が算出される。ブロック毎に算出されたステージ速度（指令値）がステージ制御部２０７に送られると、ステージ１１２の移動が制御される。これと共に、ショットデータに基づき偏向制御部２０６により生成された主偏向信号及び副偏向信号がアンプ１３１、１３２を介して主偏向器１２５及び副偏向器１２６に送られる。これにより、試料１１１にパターンが描画される。
【００５２】
一方、上記ステップＳ１４で“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が不成立であると判別された場合、つまり、バラツキσが所定値（Ｖｍａｘ−Ｍ）よりも大きい場合には、暫定的なブロックサイズＬを増加させる（ステップＳ１５）。このステップＳ１５では、１個のブロックに含まれるＣＰＭの数が１個増やされるため、暫定的なブロックサイズＬがＣＰＭサイズの分だけ増加する。例えば、暫定的なブロックサイズＬが９０μｍである場合に、上記ステップＳ１４の関係が不成立であると判別されると、上記ステップＳ１５において暫定的なブロックサイズＬが１８０μｍに増加される。その後、ステップＳ１２の処理に戻る。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態によれば、平均描画速度Ｍからの各ブロックの描画速度のバラツキσが所定値以下となるようにブロックサイズＬが決め直され、決め直されたブロックサイズＬのブロック毎にステージ速度が算出されるため、固定のブロックサイズのブロック毎にステージ速度を算出する場合に比べて、描画スループットの向上を図ることができる。
【００５４】
ところで、例えば、ＣＰＭサイズを８０μｍとし、描画ストライプ領域のＸ方向の長さを１６０ｍｍとすると、描画ストライプ領域は２０００個のＣＰＭに分割することができる。このとき、ブロックサイズは、８０μｍ、１６０μｍ、２４０μｍ、…、１６０ｍｍの範囲内で設定することができる。各ブロックサイズについてブロック毎にステージ速度を算出すると共にそのときの描画時間をそれぞれ算出することで、描画時間を最短にするブロックサイズを求める方法が考えられる。然し、この方法は演算負荷が大きいため、最適なブロックサイズを求める時間が長くなり、結果としてスループットが低下する虞がある。これに対して、本実施形態によれば、“Ｖｍａｘ−Ｍ＜σ”の関係が成立した状態から“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が成立した状態に変化したときのブロックサイズを最適ブロックサイズとすればよいため、最適なブロックサイズを簡易に求めることができる。
【００５５】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。
【００５６】
また、上記実施形態において、ショットデータ生成部２０３と描画時間データ生成部２０４を別構成としているが、ショットデータ生成部２０３が内部に描画時間データ生成部２０４を備えるように構成してもよい。
【００５７】
また、上記実施形態において「〜部」と記載したものは、ハードウェアにより構成してもよく、或いは、コンピュータで動作可能なソフトウェアプログラムにより構成してもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１  電子ビーム描画装置
１００  描画部
１１１  試料
１１２  ステージ
１２５  主偏向器
１２６  副偏向器
２００  制御部
２０１  制御計算機
２０３  ショットデータ生成部
２０４  描画時間データ生成部（描画時間取得部）
２０５  ステージ速度算出部
２０７  ステージ制御部
２５０  ブロックサイズ決定部
２５１  描画速度算出手段
２５２  平均描画速度算出手段
２５３  最大ステージ算出手段
２５４  ステージ速度算出手段
【図１】
2010186882.tif 000004
【図２】
2010186882.tif 000005
【図３】
2010186882.tif 000006
【図４】
2010186882.tif 000007
【図５】
2010186882.tif 000008
【図６】
2010186882.tif 000009
【図７】
2010186882.tif 000010