(57)【要約】      （修正有）【課題】貫通孔に金属導体を充填してなる導通孔を、気密性よく、短時間で形成することができる導通孔の形成方法および導通孔を有する電子部品を提供する。【解決手段】電子部品の基材１に形成された前記貫通孔２の内壁面３に、無電解めっき液を用いてめっき膜６を形成する第１めっき処理工程、少なくとも表面がめっき可能に処理された導体Ｃを前記貫通孔２内に配置させる導体配置工程、および、前記導体Ｃが配置された貫通孔２内の空隙部をめっき７で充填する第２めっき処理工程を順に行なう。【選択図】図３
2010021164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に形成された貫通孔の内壁面に、無電解めっき液を用いてめっき膜を形成する第１めっき処理工程、
少なくとも表面がめっき可能に処理された導体を前記貫通孔内に配置させる導体配置工程、
および、
前記導体が配置された前記貫通孔内の空隙部をめっき処理によって導体で充填する第２めっき処理工程、
を順に経ることを特徴とする導通孔の形成方法。
【請求項２】
前記導体は球形あるいは紡錘形とされていることを特徴とする請求項１または２の導通孔の形成方法。
【請求項３】
前記第１めっき処理工程の前に、前記貫通孔の内壁面をエッチング液で処理するエッチング処理工程を経ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の導通孔の形成方法。
【請求項４】
第１めっき処理工程および／または第２めっき処理工程に無電解銅めっき処理が行われる場合においては、前記基材を浸漬させる銅めっき液は、銅イオン、ニッケルイオン、還元剤としてのホルムアルデヒド、および錯化剤としての酒石酸または酒石酸塩を含み、前記銅イオンの添加量は、０．０４１〜０．０５５ｍｏｌ／Ｌであり、前記ニッケルイオンの添加量は、前記銅イオンの１００ｍｏｌに対し１〜３０ｍｏｌであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の導通孔の形成方法。
【請求項５】
無電解めっき処理が行われる第１めっき処理工程後に、前記基材を加熱する加熱処理工程、または、加圧しながら加熱する加熱・加圧処理工程を経ることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の導通孔の形成方法。
【請求項６】
貫通孔に金属導体を充填してなる導通孔を有する電子部品であって、前記導通孔は、内壁面がめっき処理された貫通孔内に、少なくとも表面がめっき可能に処理された導体が挿入、配置されており、前記貫通孔内の空隙部をめっきにより充填されていることを特徴とする導通孔を有する電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材に形成された貫通孔に金属導体を充填してなる導通孔をめっき法を利用して形成する導通孔の形成方法と、この導通孔が形成された基板等の電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば、半導体等の電子部品に用いられる多層配線基板を構成するガラス、セラミック、樹脂等からなる基板には、前記基板の両面に形成された導体パターンを電気的に接続するべく、前記基板を貫通する貫通孔（スルーホール）に導体金属が充填された導体充填貫通孔（以下、導通孔（ヴィアホール）という）が形成されている。
【０００３】
前記導通孔の形成方法には、例えば、特開２００５−９６９６４（特許文献１）に示すように、サンドブラスト法などにより形成した基板を貫通する円筒状の貫通孔内に、めっきにより導体となる金属を充填して形成する方法がある。
【０００４】
この特許文献１に開示された方法は、まず、絶縁材料からなる基板に円筒状の貫通孔を形成したあと、貫通孔の内壁を含む基板表面に無電解めっき方法によって薄膜金属層を形成する。その後、貫通孔を含む薄膜金属層を覆うように塗布したレジストにパターニングを施し、貫通孔と配線パターンを形成する部分の薄膜金属層を露出させる。次いで、薄膜金属層を給電層とする電解めっきを施し、貫通孔を充填するとともに薄膜金属層の露出面にめっき金属層を形成する。その後、レジストを除去するとともに、露出する薄膜金属層を除去し、基板両面に所望の配線パターンと、この配線パターンに端部が接続されてなる導通孔が形成された配線基板を得るというものである。
【０００５】
しかしながら、この従来の導通孔の形成方法においては、貫通孔をめっきにより充填させるために、相当の時間を要するという問題点があった。例えば、前述のように電解めっき法によって貫通孔を銅めっきで充填させる場合の銅めっきの形成速度は通常約  μm／ｈ、無電解めっき法の場合は、更に、銅めっきの形成速度は通常約１μm／ｈであり、その充填に多くの時間を費やしていた。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３０９３７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、貫通孔に金属導体を充填してなる導通孔を、気密性よく、短時間で形成することができる導通孔の形成方法および導通孔を有する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明の導通孔の形成方法の特徴は、電子部品の基材に形成された前記貫通孔の内壁面に、無電解めっき液を用いてめっき膜を形成する第１めっき処理工程、少なくとも表面がめっき可能に処理された導体を前記貫通孔内に配置させる導体配置工程、および、前記導体が配置された貫通孔内の空隙部をめっきで充填する第２めっき処理工程を順に経る点にある。
【０００９】
本発明によれば、貫通孔の内壁面をめっき処理することで、被処理面である導通孔の内壁面とめっき膜との密着力を高めることができ、貫通孔内に導体を配設させることで、第２めっき処理工程でめっきを充填させる空隙部を狭小とすることができるので、第２めっき処理工程に要する時間を大幅に短縮すことが可能となる。なお、第２めっき処理工程におけるめっき方法は、無電解めっき法、電解めっき法のいずれであってもよい。
【００１０】
また、本発明の導通孔の形成方法の他の特徴は、前記導体は球形あるいは紡錘形とされている点にある。
【００１１】
本発明によれば、球形あるいは紡錘形とされた前記導体を、その最太部となる赤道近傍部を前記貫通孔の内壁に当接させるようにして前記貫通孔内に嵌着させることで、貫通孔の内壁面に形成されためっきと、これに接触するようにして配設された前記導体と、充填されためっきとの間で電気的導通を確保することができ、電気的接続の信頼性の優れたものとなる。
【００１２】
また、本発明の導通孔の形成方法の他の特徴は、前記第１めっき処理工程の前に、前記貫通孔の内壁面をエッチング液で処理するエッチング処理工程を経る点にある。
【００１３】
本発明によれば、例えば、前記貫通孔が機械的な穿孔法であるサンドブラスト法により形成されている場合等に、その貫通孔の内壁面をエッチング液で処理することにより、被処理面の微細な凹凸からなる欠陥部をエッチング除去して平滑面とすることができるので、残留するマイクロクラックなどによって基材と充填されためっき導体との間に隙間が生じたりすることを防ぐことができる。なお、ここでいうエッチング処理工程には、エッチング液で基材をエッチングして前記貫通孔を形成する場合をも含む。その場合においても、貫通孔の内壁面はエッチング液で平滑処理されているからである。
【００１４】
また、本発明の導通孔の形成方法の他の特徴は、第１めっき処理工程および／または第２めっき処理工程に無電解銅めっき処理が行われる場合においては、前記基材を浸漬させる銅めっき液は、銅イオン、ニッケルイオン、還元剤としてのホルムアルデヒド、および錯化剤としての酒石酸または酒石酸塩を含み、前記銅イオンの添加量は、０．０４１〜０．０５５ｍｏｌ／Ｌであり、前記ニッケルイオンの添加量は、前記銅イオンの１００ｍｏｌに対し１〜３０ｍｏｌである点にある。
【００１５】
この本発明の導通孔の形成方法によれば、銅めっき液が、銅イオン、ニッケルイオン、ホルムアルデヒド、および酒石酸または酒石酸塩を含み、前記銅イオンの添加量を、０．０４１〜０．０５５ｍｏｌ／Ｌ、前記ニッケルイオンの添加量を、前記銅イオンの１００ｍｏｌに対し１〜３０ｍｏｌとすることにより、基材と銅めっき膜との密着力を十分確保することができる。これとともに、銅めっきを貫通電極として使用する際に、抵抗が大幅に高くなってしまうのを防止することができる。
【００１６】
本発明の導通孔の形成方法の特徴は、無電解めっき処理が行われる第１めっき処理工程後に、前記基材を加熱する加熱処理工程、または、加圧しながら加熱する加熱・加圧処理工程を経る点にある。
【００１７】
本発明の導通孔の形成方法によれば、基材に対してめっき膜を形成した後に、基材を加熱することにより、被処理面としての貫通孔の内壁面と、第１めっき処理工程において形成されためっき膜との界面に存在する水素を除去することができ、また、前記基材を加圧しながら加熱することにより、前記内壁面と前記めっき膜との間隙を縮めることができるとともに、さらに前記内壁面と前記めっき膜との界面に入り込んだ水素を除去することができる。これにより、前記内壁面に対するめっき膜の密着力をより向上させることができる。
【００１８】
さらに、本発明の導通孔を有する電子部品の特徴は、貫通孔に金属導体を充填してなる導通孔を有する電子部品であって、前記導通孔は、内壁面がめっき処理された貫通孔内に、少なくとも表面がめっき可能に処理された導体が挿入、配置されており、前記貫通孔内の空隙部をめっきにより充填されている点にある。
【００１９】
この本発明の導通孔を有する電子部品によれば、貫通孔の内壁面に形成されためっきと、少なくとも表面がめっき可能に処理された導体と、空隙部を埋めるように充填されためっき膜とが導通することで、該貫通孔は導通孔として作用する。その際、前記導体が配設された導通孔は気密性、電気的接続の信頼性に優れたものとなる。
【発明の効果】
【００２０】
以上述べたように、本発明の導通孔の形成方法によれば、貫通孔に金属導体を充填してなる導通孔を気密性よく、短時間で形成することができ、本発明の導通孔を有する電子部品は、電気的接続の信頼性に優れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の導通孔の形成方法の実施形態とその導通孔を有する電子部品を図１および図２を参照して説明する。
【００２２】
図１は、本実施形態の導通孔の形成方法の各工程を示すフローチャートであり、図２は、、図１に示す本実施形態の導通孔の形成方法における前処理となる、導体金属が埋設される貫通孔を電子部品の基材に形成するまでの各工程を示すフローチャートである。図３（ａ）〜（ｈ）は、本実施形態の導通孔の形成方法における前記基材の前処理の段階から導通孔が形成されるまでの各工程を示す概略図である。また、図４は、本実施形態における導通孔を有する電子部品の要部拡大断面図である。
【００２３】
ここで、本実施形態においては、基材としてのガラス基板に形成された貫通孔に銅を充填して貫通電極として作用する導通孔を形成する場合を用いて説明するが、本発明の導通孔の形成方法および導通孔を有する電子部品において、貫通孔に充填される金属は銅に限定されず、種々の導電性金属を用いることができる。また、前記電子部品の基材についても特に限定されず、例えば、セラミック基材等の他、ポリイミド、エポキシ、ポリカーボネート等の樹脂を材料とする樹脂基材等の種々の基材を用いることができる。
【００２４】
本実施形態においては、後に導電金属としての銅めっき７が充填されて導通孔８となる貫通孔２が形成された、基材としてのガラス基板１を用意する。このガラス基板１には、導通孔８を形成する前処理（ＳＴ１）の一環として、紫外線を照射したり（紫外線処理：ＳＴ１１）、純水等を用いて洗浄する（洗浄処理：ＳＴ１２）等により清浄化を行っておくことが好ましい。基材としてのガラス基板１に付着したゴミや油脂類等の不純物を予め除去することにより、触媒をガラス基板1に密着させるためである。
【００２５】
前記貫通孔２は、例えば、エッチング法やサンドブラスト法等の公知の穿孔方法により、前記前処理（ＳＴ１）の一環として、ガラス基板１に形成しておく。前記貫通孔２をエッチング法により形成する場合には、図３（ａ）に示すガラス基板１に対し、まず、図３（ｂ）に示すようにレジスト４を塗布して露光現像を行うことにより、前記ガラス基板１の一面側（例えば、表面側）に所望の直径寸法とされた円形の抜きパターンを形成する（パターン形成処理：ＳＴ１３）。その後、エッチング液を用いて所定の温度、エッチング速度、エッチング時間の条件下でエッチングを行ない、図３（ｃ）に示すように、前記ガラス基板１のレジスト４の開口部位４ａに貫通孔２を形成する（穿孔処理：ＳＴ１４）。前記エッチング液としては、フッ酸（ＨＦ）と塩酸（ＨＣｌ）の混酸、あるいは、フッ酸（ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＨＮ４Ｆ）と塩酸（HCｌ）との混酸を用いることができる。
【００２６】
なお、エッチング液を用いてガラス基板１に貫通孔２を形成する場合は、貫通孔２の形成と同時に、その内壁面３を平滑化するエッチング処理も行っていることになる（エッチング処理：ＳＴ１５）。よって、別工程としての前記貫通孔２の内壁面３のエッチング処理は不要である。しかしながら、例えば、サンドブラスト法によりガラス基板１に貫通孔２を形成する場合には、形成された貫通孔２の内壁面３をフッ酸を含有するエッチング液で処理するエッチング処理を別工程として行い、粗面化されている前記内壁面３を平滑化することが好ましい。
【００２７】
また、ガラス基板１にエッチング法やサンドブラスト法によって形成される貫通孔２は、図４に示すように、レジスト４の開口部位４ａが形成された一面側が他面側よりも大径とされたテーパ状に形成される。テーパ状に形成された貫通孔２は、後述する導体Ｃを嵌着させることが容易であるが、前記貫通孔２は円筒状の貫通孔２であっても良い。その場合には、前記導体Ｃは圧入手段を用いて前記貫通孔２に嵌着させるようにする。
【００２８】
次に、このようにして形成された貫通孔２を導電金属で埋設し、導通孔８とする。
【００２９】
この導通孔８の形成は、まず、図３（ｄ）に示すように、前記ガラス基板１にレジスト５を塗布し直して被処理面以外の表面を被覆した後、前記ガラス基板１を所定温度の塩化錫水溶液に所定時間浸漬させてから、洗浄する。その後、塩化パラジウム水溶液に所定時間浸漬させる。この触媒処理の工程を２回繰り返して、前記ガラス基板１に形成された貫通孔２の内壁面３に触媒を付与する（触媒処理：ＳＴ２）。
【００３０】
続いて、図３（e）および図４に示すように、前記ガラス基板１の貫通孔２の内壁面３に銅めっき膜６を形成する（第１めっき処理：ＳＴ３）。
【００３１】
めっき処理の工程の各種めっき処理は、公知の無電解銅めっき方法を利用することがでる。例えば、銅イオン、ニッケルイオンの他、酒石酸ナトリウムカリウム四水和物等の錯化剤や、ホルムアルデヒド等の還元剤、水酸化ナトリウム等のｐＨ調整剤、およびキレート剤等を含む銅めっき液にガラス基板１を所定時間浸漬させることで、前記ガラス基板１の貫通孔２の内壁面３に銅めっき膜６を形成することができる。
【００３２】
銅めっき液における銅イオンの添加量は、０．０４１〜０．０５５ｍｏｌ／Ｌであり、ニッケルイオンの添加量は、銅めっき液に含まれる銅イオンの１００ｍｏｌに対し１〜３０ｍｏｌであることが好ましい。より好ましくは、前記ニッケルイオンの添加量は、前記銅イオンの１００ｍｏｌに対し４〜１０ｍｏｌである。ニッケルイオンが、銅イオン１００ｍｏｌに対して１ｍｏｌより少ないと、ガラス基板１に対する銅めっき膜６の十分な密着力が得られなくなってしまい、一方、ニッケルイオンが３０ｍｏｌよりも多い場合には、銅の物性が低下してしまうので、銅めっき膜６を回路電極として使用する際には、抵抗が大幅に高くなってしまうからである。
【００３３】
さらに、この銅めっき液には、ｐＨ調整のための約１．５ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）が含まれてｐＨが約１２．６に調整されているとともに、さらに、約０．１％のキレート剤が含まれている。
【００３４】
その後、図３（ｆ）に示すように、前記貫通孔２に少なくとも表面が無電解銅めっきが可能に処理された導体Ｃを挿入する（導体配置：ＳＴ４）。前記導体Ｃの大きさは、貫通孔２内に収まる大きさであることが要求されるが、その形状は特に限らない。例えば、図４に示すように球形、あるいは縦軸断面を楕円形や菱形とする紡錘形とし、貫通孔２の直径寸法と略等しい寸法とされた赤道近傍部の全周をテーパ状に形成された前記貫通孔２の内壁に当接させるようにして前記貫通孔２内に嵌着させ、配設することで、貫通孔２の内壁面３に形成された銅めっき膜６と、これに接触するようにして配設された前記導体Ｃと、充填された銅めっき７との間で電気的導通を確保することができるので、電気的接続の信頼性の優れたものとなる。なお、貫通孔２が円筒状に形成されている場合には、前記導体Ｃを前記貫通孔２に圧入させるようにする。
【００３５】
続いて、貫通孔２内に導体Ｃが配設されたガラス基板１を、再び、所定温度に設定された前記めっき液に所定時間浸漬させ、図３（ｇ）および図４に示すように、前記ガラス基板１の貫通孔２に形成された空隙部を銅めっき７を充填させる（第２めっき処理：ＳＴ５）。このとき、前記導体Ｃが核となり貫通孔２内に銅めっき７が充填される。
【００３６】
最後に、図３（ｈ）に示すように、ガラス基板１からレジストを剥離させた後、ガラス基板１を所定温度によって所定時間加熱する加熱処理、または、この加熱処理に代えて、所定の圧力の雰囲気内においてガラス基板１を加圧しながら加熱する加熱・加圧処理を行ない（ＳＴ６）、導通孔８の形成を完成させる。これにより、ガラス基板１の内表面とめっき膜との間隔を縮めてシール性を向上させることができる。加熱処理、または加熱・加圧処理は、実質的に酸素および水素を含まない雰囲気内でおこなわれる事が望ましい。このことにより、めっき膜表面の酸化を抑え、水素の離脱も妨げずシール性を向上させることができる。
【００３７】
なお、レジスト剥離および加熱処理（加熱・加圧処理）は、第１めっき処理後、導体配設処理の前であってもよい（実施例２参照）。
【００３８】
次に、本実施形態の作用について説明する。
【００３９】
本実施形態においては、前記第１めっき処理の工程の前に、前記貫通孔２の内壁面３をエッチング液で処理することにより、被処理面の微細な凹凸からなる欠陥部をエッチング除去して平滑面とすることができるので、前記内壁面３に対する銅めっき膜６の密着力をより高めることができる。
【００４０】
そして、貫通孔２の内壁面３を第１めっき処理の工程において銅めっき処理することで、被処理面である導通孔８の内壁面３と銅めっき膜６との密着力を高めることができる。
【００４１】
また、貫通孔２内に、少なくとも表面がめっき可能に処理された、例えば銅などの金属により被覆処理された導体Ｃを配設させることで、第２めっき処理の工程で銅めっき７を充填させる空隙部を狭小とすることができるので、第２めっき処理に要する時間を大幅に短縮することが可能となる。
【００４２】
さらに、前記第１めっき処理の工程後に、加熱することにより、前記貫通孔２の内壁面３と、第１めっき処理の工程において形成された銅めっき膜６との界面に存在する水素を除去することができ、また、加圧しながら加熱することにより、前記内壁面３と前記めっき膜との間隙を縮めることができるとともに、さらに前記内壁面３と前記銅めっき膜６との界面に入り込んだ水素を除去することができる。これにより、前記内壁面３に対する銅めっき膜６の密着力をより向上させることができる。
【００４３】
そして、このようにして形成された本実施形態の導通孔８を有する電子部品は、貫通孔２の内壁面３と銅めっき膜６とのシール性も高く、また、導通孔８内に埋設された導電金属としての銅の気密性も高いので、この導通孔８を貫通電極として用いる際に、電気的接続の信頼性に優れたものとなる。
【００４４】
なお、本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて種々変更することが可能である。
【実施例】
【００４５】
以下に、実施例により本発明を具体的に示す。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１）
まず、前記ガラス基板１として、２５μｍの厚さ寸法のホウ珪酸ガラスからなるガラス基板１を用意し、このガラス基板１に、キセノンエキシマーＵＶを用いて波長が１７２ｎｍ、光量が２０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を２分間照射して紫外線処理を行った（ＳＴ１、ＳＴ１１）。
【００４７】
続いて、前記ガラス基板１を超音波によるキャビティーションを利用したメガソニック洗浄法により、純水を用いて１分間洗浄して洗浄処理を行った（ＳＴ１：ＳＴ１２）。
【００４８】
次に、ガラス基板１にレジスト４を塗布し、露光現像を行って基板の表面における貫通孔２形成部に２５μmφの抜きパターンを形成し（ＳＴ１、ＳＴ１３）、その後、エッチング法により、貫通孔２を形成する（ＳＴ１、ＳＴ１４）と同時に、前記貫通孔２の内壁面３をエッチング処理して平滑面とした（ＳＴ１、ＳＴ１５）。
【００４９】
すなわち、１．０ｍｏｌ／Lのフッ酸（ＨＦ）と、３．０ｍｏｌ／Lのフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）と、４．０ｍｏｌ／Lの塩酸（HCｌ）とで組成された混酸をエッチング液として用意し、前記ガラス基板１を液温が２３℃に設定され、エッチング速度を２．１μm／ｍｉｎとされた前記エッチング液に１３分間浸漬させて、前記ガラス基板１に約２５μmφの貫通孔２を形成すると同時に、前記貫通孔２の内壁面３をエッチング処理した。
【００５０】
次に、エッチング用のレジスト４を除去し、無電解銅めっき用に、貫通孔２の内壁面３のみを露出させる新たなレジスト（マスキング）５を施し、そのガラス基板１を、塩化第１錫の濃度が１．３％の塩化錫水溶液に３分間浸漬させてから、リンスした後、パラジウムイオンの濃度が０．０１５％の塩化パラジウム水溶液に２分間浸漬させた。この触媒処理の工程を２回繰り返して、前記ガラス基板１に形成された貫通孔２の内壁面３に触媒を付与した（ＳＴ２）。
【００５１】
続いて、前記ガラス基板１の貫通孔２の内壁面３に銅めっき膜６を形成した（ＳＴ３）。この第１めっき処理の工程においては、０．０４７ｍｏｌ／Ｌの銅イオンと、０．００２８ｍｏｌ／Ｌのニッケルイオンが添加され、錯化剤として酒石酸ナトリウムカリウム４水和物（ロッシェル塩）と、還元剤として、約０．２％のホルムアルデヒドと、約０．１％のキレート剤とを含む銅めっき液を用意した。さらに、前記銅めっき液には、ｐＨ調整として約１．５ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）が含まれており、ｐＨは１２．６に調整されている。そして、前記ガラス基板１を、液温が３０℃に設定された前記めっき液に１時間浸漬させて、前記ガラス基板１の貫通孔２の内壁面３に銅めっき膜６を形成した。
【００５２】
その後、前記貫通孔２に、該貫通孔２の直径寸法と同じ約２５μmφの球形とされた銅からなる導体Ｃを挿入した（ＳＴ４）。
【００５３】
続いて、貫通孔２に導体Ｃを配設したガラス基板１を、再び、液温が３０℃に設定された前記めっき液に５時間浸漬させて、前記ガラス基板１の貫通孔２に形成された空隙部を銅めっき７で充填させた（ＳＴ５）。
【００５４】
その後、ガラス基板１から無電解銅めっき用のレジストを除去し、熱処理温度を４００℃に設定し、大気圧において、熱処理時間を１時間として窒素雰囲気中において前記ガラス基板１を加熱した（ＳＴ６）。これにより、ガラス基板１の貫通孔２を導電金属としての銅で充填させて導通孔８を完成させた。
【００５５】
（実施例２）
前述の実施例１における貫通孔２の導体による充填の工程において、以下の点を異ならせた。
【００５６】
すなわち、本実施例２においては、前記ガラス基板１の貫通孔２の内壁面３に銅めっき膜６を形成した後、ガラス基板１から無電解銅めっき用のレジスト５を除去し、前記貫通孔２に約２５μm直径の球形とされた前記導体Ｃを挿入した。そして、熱処理温度を４００℃に設定し、大気圧において、熱処理時間を１時間として窒素雰囲気中において前記ガラス基板１を加熱し、ガラス基板１と銅との密着性を高めた。続いて、ガラス基板１に対し、１０分間の電解銅めっきを行ない、前記ガラス基板１の貫通孔２に形成された空隙部を銅めっき７で充填させ、導通孔８を完成させた。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本実施形態の導通孔の形成方法の各の工程を示すフローチャート
【図２】図１に示す本実施形態の導通孔の形成方法における前処理となる、導体金属が埋設される貫通孔を電子部品の基材に形成するまでの各の工程を示すフローチャート
【図３】（ａ）〜（ｈ）は、本実施形態の導通孔の形成方法における前記基材の前処理の段階から導通孔８が形成されるまでの各の工程を示す概略図
【図４】本実施形態における導通孔を有する電子部品の要部拡大断面図
【符号の説明】
【００５８】
１  ガラス基板
２  貫通孔
３  内壁面
４  （穿孔用）レジスト
４ａ  開口部位
５  （めっき用）レジスト
６  銅めっき膜
７  （充填用）銅めっき
８  導通孔
Ｃ  導体
【図１】
2010021164.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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