(57)【要約】【課題】表示品質や信頼性を向上させることができる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】一対の基板のうち少なくとも一方の基板としての対向基板１３に紫外線硬化型のシール材１４を塗布する塗布工程と、シール材１４に直接紫外線４１を照射する第１紫外線照射工程と、対向基板１３と他方の基板とを貼り合わせる貼合せ工程と、一対の基板に挟まれたシール材１４に再び紫外線４１を照射する第２紫外線照射工程と、を有する。【選択図】図６
2010224094.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板のうち少なくとも一方の基板に紫外線硬化型のシール材を塗布する塗布工程
と、
前記シール材に直接紫外線を照射する第１紫外線照射工程と、
前記一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる貼合せ工程と、
前記一対の基板に挟まれた前記シール材に再び紫外線を照射する第２紫外線照射工程と
、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記シール材は、光反応遅延剤を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１紫外線照射工程は、前記シール材が塗布された少なくとも前記一方の基板の温
度を室温よりも低温にすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２紫外線照射工程は、少なくとも前記一方の基板の温度を前記第１紫外線照射工
程より高温にすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２紫外線照射工程は、前記一方の基板及び前記他方の基板の両側から前記シール
材に前記紫外線を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
一対の基板のうち少なくとも一方の基板に紫外線硬化型のシール材を塗布する塗布工程
と、
前記シール材に直接紫外線を照射する紫外線照射工程と、
前記一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる貼合せ工程と、
前記一対の基板を加熱する加熱工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記シール材は、光反応遅延剤を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記紫外線照射工程は、前記シール材が塗布された少なくとも前記一方の基板の温度を
室温よりも低温にすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記シール材の少なくとも一部は、表示領域の周辺部に設けられた遮光膜と平面的に重
なるように形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シール材を硬化させて一対の基板を貼り合わせる電気光学装置の製造方法に
関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、シール材１１１
を介して素子基板１１２と対向基板１１３との間に液晶１１４が挟持された構造の液晶装
置１０１がある。シール材１１１は、例えば、紫外線硬化型の接着材である。
【０００３】
液晶装置１０１の製造方法は、まず、素子基板１１２（又は対向基板１１３）にシール
材１１１を塗布する。次に、シール材１１１を介して素子基板１１２と対向基板１１３と
を貼り合わせる。その後、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、シール材１
１１に紫外線１１７を照射してシール材１１１を硬化させる。次に、シール材１１１の一
部に形成された液晶注入孔１１５からシール材１１１で囲まれた内部に液晶１１４を注入
し、液晶注入口１１５を封止剤１１６で封止する。以上により、液晶装置１０１が完成す
る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１５６１２号公報
【特許文献２】特開平７−２８７２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、対向基板１１３（又は素子基板１１２）に設けられた電極や配向膜など
により紫外線１１７が吸収され、シール材１０１を硬化（反応）させるために必要な紫外
線量が得られないことがあった。よって、一対の基板１１２，１１３が確実に貼り合わさ
れず、例えば、硬化していないシール材１１１から液晶１１４に不純物が拡散して汚染さ
れ、その結果、表示品質や信頼性が低下する恐れがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形
態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、一対の基板のうち少なくとも
一方の基板に紫外線硬化型のシール材を塗布する塗布工程と、前記シール材に直接紫外線
を照射する第１紫外線照射工程と、前記一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる貼合せ
工程と、前記一対の基板に挟まれた前記シール材に再び紫外線を照射する第２紫外線照射
工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、第１紫外線照射工程によってシール材に直接紫外線を照射するので
、基板を通してシール材に紫外線を照射する場合と比較して、シール材が硬化するのに必
要な紫外線が基板に吸収されることを防ぐ（紫外線の損失を少なくする）ことが可能とな
る。よって、シール材の硬化を確実に促進（進行）させることができる。更に、第２紫外
線照射工程によって、硬化が始まったシール材を確実に硬化させることが可能となる。そ
の結果、一対の基板を確実に貼り合わせることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記シール材は、光
反応遅延剤を含むことが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、シール材が光反応遅延剤を含むので、シール材に紫外線を照射して
からシール材が硬化するまでの時間を、含まない場合と比較して遅くすることが可能とな
る。よって、シール材に直接紫外線を照射しても、すぐに硬化しないようにすることがで
きると共に、確実に硬化させることができる。加えて、紫外線を照射した後、一対の基板
を貼り合わせたり、互いの基板の位置を調整したりする時間を設けることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１紫外線照射
工程は、前記シール材が塗布された少なくとも前記一方の基板の温度を室温よりも低温に
することが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、少なくとも一方の基板を室温よりも低温にしてシール材に紫外線を
照射するので、シール材が硬化する進行速度を遅くすることができる。よって、シール材
が硬化するまでに基板を貼り合わせたり基板の位置合わせを行ったりすることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２紫外線照射
工程は、少なくとも前記一方の基板の温度を前記第１紫外線照射工程より高温にすること
が好ましい。
【００１４】
この方法によれば、少なくとも一方の基板を高温にしてシール材に紫外線を照射するの
で、シール材が硬化する進行速度を速くすることができる。よって、硬化が始まったシー
ル材を確実に硬化することが可能となり、その結果、一対の基板を貼り合わせることがで
きる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２紫外線照射
工程は、前記一方の基板及び前記他方の基板の両側から前記シール材に前記紫外線を照射
することが好ましい。
【００１６】
この方法によれば、一対の基板の両側から紫外線を照射するので、片側から紫外線を照
射する場合と比較して、速く確実にシール材を硬化させることができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、一対の基板のうち少なくとも
一方の基板に紫外線硬化型のシール材を塗布する塗布工程と、前記シール材に直接紫外線
を照射する紫外線照射工程と、前記一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる貼合せ工程
と、前記一対の基板を加熱する加熱工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、紫外線照射工程によってシール材に直接紫外線を照射するので、基
板を通してシール材に紫外線を照射する場合と比較して、シール材が硬化するのに必要な
紫外線が基板に吸収されることを防ぐ（紫外線の損失を少なくする）ことが可能となる。
よって、シール材の硬化を確実に促進（進行）させることができる。更に、加熱工程によ
って、硬化が始まったシール材を確実に硬化させることが可能となる。その結果、一対の
基板を確実に貼り合わせることができる。また、言い換えれば、１回の紫外線の照射でシ
ール材を硬化させることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記シール材は、光
反応遅延剤を含むことが好ましい。
【００２０】
この方法によれば、シール材が光反応遅延剤を含むので、シール材に紫外線を照射して
からシール材が硬化するまでの時間を、含まない場合と比較して遅くすることが可能とな
る。よって、シール材に直接紫外線を照射しても、すぐに硬化しないようにすることがで
きると共に、確実に硬化させることができる。加えて、紫外線を照射した後、一対の基板
を貼り合わせたり、互いの基板の位置を調整したりする時間を設けることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記紫外線照射工程
は、前記シール材が塗布された少なくとも前記一方の基板の温度を室温よりも低温にする
ことが好ましい。
【００２２】
この方法によれば、少なくとも一方の基板を室温よりも低温にしてシール材に紫外線を
照射するので、シール材が硬化する進行速度を遅くすることができる。よって、シール材
が硬化するまでに基板を貼り合わせたり基板の位置合わせを行ったりすることができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記シール材の少な
くとも一部は、表示領域の周辺部に設けられた遮光膜と平面的に重なるように形成するこ
とが好ましい。
【００２４】
この方法によれば、第１紫外線照射工程（紫外線照射工程）でシール材に直接紫外線を
照射するので、遮光膜と平面的に重なるようにシール材を形成した場合でも、シール材の
硬化を進行させることが可能となり、その結果、シール材を硬化させることができる。加
えて、シール材と遮光膜とが平面的に重なっているので、狭額縁化にすることが可能とな
り、単位面積当たりの取り個数を増やすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図。
【図５】液晶装置における一対の基板の貼り合わせ方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【図６】液晶装置における一対の基板の貼り合わせ方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図。
【図７】液晶装置における一対の基板の貼り合わせ方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＤ−Ｄ'線に沿う模式断面図。
【図８】液晶装置における一対の基板の貼り合わせ方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＥ−Ｅ'線に沿う模式断面図。
【図９】液晶装置の構造の変形例を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図及び拡大図、（ｂ）は模式側面図。
【図１０】従来の液晶装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＦ−Ｆ'線に沿う模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜液晶装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図２は、図１
に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１及
び図２を参照しながら説明する。
【００２７】
図１及び図２に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用
いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を
構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼
り合わされている。
【００２８】
素子基板１２及び対向基板１３は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料からなる。
また、素子基板１２及び対向基板１３は、透明ではあるが、ある程度紫外線を吸収する。
【００２９】
シール材１４は、例えば、カチオン系重合型の紫外線硬化型樹脂である。また、シール
材１４には、光反応遅延剤が含まれている。これにより、シール材１４に紫外線を照射し
て硬化反応が開始された後から完全に硬化するまでの時間を遅くすることが可能となる。
また、このシール材１４は、硬化反応速度が温度に依存する。つまり、温度が高くなるに
つれて重合速度が速くなる。
【００３０】
また、液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成
になっている。なお、液晶層１５を注入及び封止するために、液晶注入口１６と封止材１
７が設けられている。
【００３１】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶
装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁
遮光膜１８ａが対向基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８ａの内側の領域が表
示領域１９となっている。
【００３２】
額縁遮光膜１８ａは、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、対
向基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００３３】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は
、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域
には、信号線駆動回路２２及び外部接続端子２３が素子基板１２の一辺（図１における下
側）に沿って形成されている。
【００３４】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回
路２４がそれぞれ形成されている。素子基板１２の残る一辺（図１における上側）には、
検査回路２５が形成されている。対向基板１３側に形成された額縁遮光膜１８ａは、例え
ば、素子基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（
言い換えれば、平面的に重なる位置）に形成されている。
【００３５】
額縁遮光膜１８ａは、表示する際、光源からの光が漏れて表示領域１９に入り込まない
ような領域幅を有して形成されている。また、額縁遮光膜１８ａの下方には、例えば、素
子基板１２に下側遮光膜１８ｂが部分的に形成されている。
【００３６】
一方、対向基板１３の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素
子基板１２と対向基板１３との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設され
ている。
【００３７】
また、図２に示すように、素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形
成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素
電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３８】
一方、対向基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス
）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そし
て、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等
の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３９】
液晶装置１１は透過性であって、素子基板１２及び対向基板１３（一対の基板）におけ
る光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板等が配置されて用いられる。なお、電気光学装
置としての液晶装置１１の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であって
もよい。
【００４０】
図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な
構成を、図３を参照しながら説明する。
【００４１】
図３に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有
している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領
域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００４２】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素
子３３のソース側には、信号線３４が電気的に接続されている。各信号線３４には、例え
ば、信号線駆動回路２２（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるよ
うになっている。
【００４３】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。各走査
線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図１参照）から所定のタイミングでパルス的
に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３
のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００４４】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子で
あるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、信号線３４から供給された画
像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミング
で書き込まれるようになっている。
【００４５】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極
２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。な
お、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電
極２７と容量線３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００４６】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液
晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像
光が生成されるようになっている。
【００４７】
＜電気光学装置の製造方法＞
図４は、液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図である。図５〜図８は、液晶装置の
製造方法のうち、一対の基板の貼り合わせ方法を工程順に示す模式平面図及び模式断面図
である。以下、液晶装置の製造方法を、図４〜図８を参照しながら説明する。なお、図５
〜図８は、素子基板及び対向基板に形成されている画素電極、共通電極、配向膜（第１配
向膜、第２配向膜）等の図示及び説明を省略している。
【００４８】
まず、素子基板１２側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラスや石英等の
透光性材料からなる素子基板１２上に、ＴＦＴ素子３３（図３参照）を形成する。具体的
には、素子基板１２上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術
を用いて形成する。
【００４９】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォト
リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、素子基板１２（ＴＦＴ素子３３）上に画
素電極２７を形成する。
【００５０】
ステップＳ１３では、画素電極２７上に第１配向膜２８を形成する。第１配向膜２８の
形成方法は、例えば、配向膜材料としてのポリイミドやポリアミック酸を含む有機溶液を
塗布して、溶媒成分を除去する乾燥・焼成を行う。塗布方法としては、スピンコート、ス
リットコート等の方法や、オフセット等の印刷法が挙げられる。その後、成膜化した第１
配向膜２８に、ラビング処理を施す。以上により、素子基板１２側が完成する。
【００５１】
次に、対向基板１３側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラスや石
英等の透光性材料からなる対向基板１３上に、共通電極３１を形成する。具体的には、ま
ず、対向基板１３上に額縁遮光膜１８ａ等を形成する。次に、各画素の透過領域にカラー
表示を可能にするためのカラーフィルター（図示せず）を形成する。次に、カラーフィル
ターを含む対向基板１３上に共通電極３１を形成する。
【００５２】
ステップＳ２２では、共通電極３１上に第２配向膜３２を形成する。なお、第２配向膜
３２の形成方法は、上記した第１配向膜２８の形成方法と同様である。以上により、対向
基板１３側が完成する。引き続いて、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる方法
を説明する。
【００５３】
ステップＳ３１（塗布工程）では、図５に示すように、対向基板１３上にシール材１４
を塗布する。詳しくは、対向基板１３とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的
な位置関係を変化させて、対向基板１３における表示領域１９の周縁部に（表示領域１９
を囲むように）シール材１４を塗布する。
【００５４】
このときのシール材１４の高さは、例えば、２５μｍである。また、シール材１４の幅
は、例えば、１００μｍ〜３００μｍである。シール材１４は、上記したように、重合遅
延材等が添加されており、シール材１４の重合反応の速度が調整されている。
【００５５】
ステップＳ３２（第１紫外線照射工程、紫外線照射工程）では、図６に示すように、シ
ール材１４に１回目の紫外線（ＵＶ）４１を照射する。具体的には、対向基板１３におけ
るシール材１４が塗布された面側から直接シール材１４に紫外線４１を照射する。紫外線
４１の光源としては、高圧水銀ランプが挙げられる。このシール材１４に含まれている光
反応開始剤が反応するのに必要な波長としては、３１３ｎｍ程度である。照射強度は、例
えば、１５０ｍＷ／ｃｍ2である。照射時間は、例えば、３０秒である。照射量は、例え
ば、４０００ｍＪである。
【００５６】
また、このときの対向基板１３（又は周囲の環境）の温度としては、低温としての略１
０℃〜２０℃（室温程度）である。圧力は、常圧が望ましい。また、１回目の紫外線４１
の照射は、シール材１４が塗布されていない面側からシール材１４に向けて行うようにし
てもよい。しかしながら、対向基板１３や透明電極及び第２配向膜３２による光吸収の影
響を受けない方からの照射が望ましい。
【００５７】
このように、シール材１４に直接紫外線４１を照射することにより、シール材１４の硬
化を開始させることが可能となり、その結果、シール材１４を確実に硬化させることがで
きる。また、シール材１４に直接紫外線４１を照射することにより、シール材１４と重な
る領域に額縁遮光膜１８ａが形成されている場合でも、対向基板１３や電極などに紫外線
４１（紫外線量）が影響されることなく、必要な波長の紫外線４１（必要な紫外線量）を
シール材１４に照射することができる。よって、液晶装置１１の狭額縁化を実現すること
ができる。
【００５８】
また、対向基板１３におけるシール材１４が塗布された面側から紫外線４１を照射する
ので、対向基板１３に形成された第２配向膜３２が劣化する等の悪影響を受ける恐れがあ
る。そこで、シール材１４が塗布された領域以外、つまり、第２配向膜３２の領域をマス
クで覆うようにすることが望ましい。これにより、第２配向膜３２が劣化することを抑え
ることが可能となり、液晶装置１１の表示品質及び信頼性を向上させることができる。
【００５９】
ステップＳ３３（貼合せ工程）では、図７に示すように、素子基板１２と対向基板１３
とを貼り合わせる。具体的には、対向基板１３に塗布されたシール材１４を介して素子基
板１２と対向基板１３とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１２，１３の平面
的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００６０】
ステップＳ３４（第２紫外線照射工程）では、図８に示すように、シール材１４に２回
目の紫外線４１を照射すると共に、一対の基板１２，１３を圧着する。具体的には、紫外
線４１を素子基板１２及び対向基板１３の両側からシール材１４に向けて照射する。より
具体的には、例えば、最初に対向基板１３側から紫外線４１を照射した後、一対の基板（
１２，１３）を表裏逆にして、今度は素子基板１２側から紫外線４１を照射する。
【００６１】
このときの基板（１２，１３）（又は周囲の環境）の温度としては、高温としての略２
０℃〜８０℃である。一対の基板１２，１３は、例えば、ホットプレート上に載置される
。照射強度は、例えば、１５０ｍＷ／ｃｍ2である。照射時間は、例えば、２０秒である
。圧力は、常圧が望ましい。そして、２回目の紫外線４１を照射すると共に、セルギャッ
プを確保しながら一対の基板１２，１３を圧着（プレス）する。これにより、硬化が始ま
ったシール材１４を確実に硬化させることができ、一対の基板１２，１３が貼り合わされ
る。
【００６２】
圧着後のシール材１４の高さ、つまり、セルギャップは、２μｍ〜３μｍである。シー
ル材１４の幅は、例えば、５００μｍ〜１０００μｍである。この状態では、液晶が封入
されていない空の構造体が形成される。
【００６３】
ステップＳ３５では、液晶注入口１６（図１参照）から構造体の内部に液晶を注入し、
その後、液晶注入口１６を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材１７が用いられ
る。以上により、液晶装置１１が完成する。
【００６４】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６５】
（１）本実施形態によれば、１回目の紫外線４１を照射する工程（第１紫外線照射工程
）によって光反応遅延剤を含むシール材１４に直接紫外線４１を照射するので、対向基板
１３（又は素子基板１２）を通してシール材１４に紫外線４１を照射する場合と比較して
、シール材１４が硬化するのに必要な紫外線４１（紫外線量）が対向基板１３に吸収され
ることを防ぐ（紫外線４１の損失を少なくする）ことが可能となる。これにより、シール
材１４の硬化を確実に促進（進行）させることができる。更に、光反応遅延剤によって硬
化が進行しているシール材１４に２回目の紫外線４１を照射するので（第２紫外線照射工
程）、シール材１４を確実に硬化させることが可能となる。その結果、素子基板１２と対
向基板１３とを確実に貼り合わせることができる。加えて、このようなシール材１４によ
って確実に素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせることが可能となるので、表示品
質や信頼性を向上させることができる。
【００６６】
（２）本実施形態によれば、シール材１４が光反応遅延剤を含むので、シール材１４が
硬化し始めてから完全に硬化するまでの時間を遅くすることが可能となる。よって、１回
目の紫外線４１を照射した後、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせたり、素子基
板１２と対向基板１３との位置を調整したりすることができる。
【００６７】
（３）本実施形態によれば、シール材１４に直接紫外線４１を照射するので、額縁遮光
膜１８ａと平面的に重なるようにシール材１４を形成した場合でも、１回目の紫外線４１
の照射（第１紫外線照射工程）でシール材１４の硬化を進行させることが可能となり、そ
の結果、シール材１４を硬化させることができる。よって、シール材１４の位置を表示領
域１９側に近づけることが可能となり、単位面積当たりの取り個数を増やすことができる
（狭額縁化の実現）。
【００６８】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００６９】
（変形例１）
上記したように、シール材１４を硬化させるのに、紫外線４１の照射を２回に分けて行
っていることに代えて、１回の紫外線４１の照射でシール材１４を硬化させるようにして
もよい。具体的には、まず、上記した図６に示すように、低温（１０℃〜２０℃程度）の
状態で対向基板１３上に塗布されたシール材１４に直接紫外線４１を照射してシール材１
４の硬化を開始（進行）させる。その後、紫外線４１が照射されない所で素子基板１２と
対向基板１３とを組み立て、更に位置合わせを行う。次に、高温（２０℃〜８０℃程度に
加熱）の状態で圧着を行うことによりシール材１４の硬化が加速し、シール材１４を引き
続き硬化させる（加熱工程）。その結果、シール材１４が完全に硬化する。このように、
最初に硬化が進行する分だけ紫外線４１を照射し、シール材１４の硬化が除々に進行して
いる間に、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせ、その後、加熱してシール材１４
を完全に硬化させることにより１回の紫外線４１照射のみで実施することが可能となる。
【００７０】
（変形例２）
上記したように、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせるのに１チップずつ行う
ことに限定されず、例えば、図９に示すように、ウエハ単位において第１マザー基板５２
と第２マザー基板５３とを貼り合わせる方法に適用してもよい。（ａ）は、ウエハ５１を
上方から見た模式平面図である。また、ウエハ５１を構成する１つの液晶装置５１ａを拡
大して示す拡大平面図である。（ｂ）は、ウエハ５１を側方から見た模式側面図である。
【００７１】
（ａ）の拡大図に示すように、液晶装置５１ａは、シール材５４を介して素子基板５２
ａと対向基板５３ａとが貼り合わされている。また、シール材５４は、素子基板５２ａ及
び対向基板５３ａの全周に設けられている。つまり、液晶を注入する注入口は設けられて
いない。
【００７２】
この場合の液晶装置５１ａの製造方法としては、まず、例えば、第１マザー基板５２上
の液晶装置５１ａ毎にシール材５４を枠状に塗布する。次に、直接シール材５４に紫外線
４１を照射する。これにより、シール材５４の硬化が進行する。その後、シール材５４に
囲まれた領域に適量の液晶を滴下する。そして、位置合わせをしながら第２マザー基板５
３を第１マザー基板５２に貼り合わせる。次に、第１マザー基板５２及び第２マザー基板
５３の両側から紫外線４１を照射すると共に、一対のマザー基板５２，５３を圧着する。
【００７３】
こうして、シール材５４を介して第１マザー基板５２と第２マザー基板５３とが貼り合
わされると共に、第１マザー基板５２と第２マザー基板５３との間に液晶が配置されたウ
エハ５１が完成する。なお、シール材５４は、第２マザー基板５３に塗布して、第１マザ
ー基板５２を貼り合わせるようにしてもよい。
【００７４】
（変形例３）
上記したように、対向基板１３にシール材１４を塗布してからシール材１４に１回目の
紫外線４１を照射してシール材１４の硬化を開始させることに代えて、対向基板１３にシ
ール材１４を塗布しながら１回目の紫外線４１を照射してシール材１４の硬化を開始させ
るようにしてもよい。この場合も、シール材１４に光反応遅延剤が含まれている。これに
よれば、シール材１４を塗布する工程と紫外線４１を照射する工程とを別々にしなくても
同時に行うことが可能となり、製造時間を短縮することができる。
【００７５】
（変形例４）
上記した実施形態は、電気光学装置として液晶装置１１に適用することに限定されず、
例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイなどに適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１１，５１ａ…電気光学装置として液晶装置、１２，５２ａ…一対の基板を構成する素
子基板、１３，５３ａ…一対の基板を構成する対向基板、１４，５４…シール材、１５…
液晶層、１６…液晶注入口、１７…封止材、１８ａ…額縁遮光膜、１８ｂ…下側遮光膜、
１９…表示領域、２１…画素領域、２２…信号線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…
走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配
向膜、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…信号線、３５…走
査線、３６…容量線、３７…蓄積容量、４１…紫外線、５１…ウエハ、５２…第１マザー
基板、５３…第２マザー基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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