(57)【要約】【課題】リテーナリングが磨耗により溝が浅くなっても、ウエハの研磨に必要な研磨特性を、より長く維持できること。【解決手段】リテーナリングのウエハ研磨面側に、ウエハ研磨面にスラリーを導入し、かつ研磨クズをウエハ研磨面から外に排出するための溝を有し、さらにこの溝が、その開口部から底部に至る間に、幅を大きくした幅広部分を有するリテーナリング。【選択図】図３
2010129863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にスラリーの供給を受ける研磨パッドと、被研磨物の半導体ウエハを保持し、研磨パッドに対して相対的に回転しつつ半導体ウエハを研磨する研磨ヘッドとを備えた化学機械的研磨装置の該研磨ヘッドに装着され、半導体ウエハをその周縁を囲んで保持するリテーナリングであって、                            
該リテーナリングのウエハ研磨側面部に、ウエハ研磨面にスラリーを誘導し、かつ研磨クズをスラリーと共にウエハ研磨面から外に排出するための溝を有し、さらに、この溝が、その開口部から底部に至る間に、溝幅を大きくした幅広部分を有することを特徴とするリテーナリング。
【請求項２】
前記幅広部分が、溝の開口部から底部に向って形成された請求項１に記載のリテーナリング。
【請求項３】
前記溝が、該溝の開口部からの前記幅広部分と、この幅広部分に続き、底部に向ってその幅を同一とする同幅部分とを有する請求項２に記載のリテーナリング。
【請求項４】
前記溝の幅広部分と同幅部分が繰り返され、該溝の開口部から底部に向って、溝幅を略階段状に大きくされた請求項３に記載のリテーナリング。
【請求項５】
前記溝の幅広部分が、該溝の開口部から底部に向って、溝幅を曲線的に大きくしてなる請求項１〜４のいずれか１つに記載のリテーナリング。
【請求項６】
前記溝が、その開口部における加工角度を９５〜１２０度としてなる請求項１〜５のいずれか１つに記載のリテーナリング。
【請求項７】
前記溝がその開口部から底部に向ってその幅を同一とする同幅部分を有し、前記幅広部分が前記同幅部分に続き、底部に向かう請求項１に記載のリテーナリング。
【請求項８】
前記溝の同幅部分と幅広部分が繰り返され、該溝の開口部から底部に向って、溝幅を略階段状に大きくされた請求項７に記載のリテーナリング。
【請求項９】
前記溝の幅広部分が、底部に向って溝幅を曲線的に大きくしてなる請求項７または８に記載のリテーナリング。
【請求項１０】
前記溝が使用により１．８ｍｍ浅くなったときに、少なくとも該溝の初期横断面積の５０％以上残る請求項１〜９のいずれか１つに記載のリテーナリング。
【請求項１１】
前記溝が、その方向を、環状、直線放射状、格子状、曲線放射状または渦巻き状としてなる請求項１〜１０のいずれか１つに記載のリテーナリング。
【請求項１２】
表面にスラリーの供給を受ける研磨パッドと、
被研磨物の半導体ウエハを保持し、研磨パッドに対して相対的に回転しつつ半導体ウエハを研磨する研磨ヘッドと、
研磨ヘッドに装着され、半導体ウエハをその周縁を囲んで保持する請求項１〜１０のいずれか１つに記載のリテーナリングと
を備えたことを特徴とする化学機械的研磨装置。
【請求項１３】
リテーナリングが、研磨ヘッドに対し着脱可能である請求項１２に記載の化学機械的研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リテーナリングおよびそれを備えた化学機械的研磨装置に関し、さらに詳しくは、ウエハ（被研磨体）を化学機械的に研磨するＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；化学機械的研磨）装置の保持ヘッド内に配設（装着）されるリテーナリング、特に、ウエハと研磨パッドとの接触面へのスラリーの供給および排液を行うための溝を、リテーナリングの厚みの変動に対してプロセス変動がないように加工し、特定の断面形状にするリテーナリングおよびそれを備えた化学機械的研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの高密度化は限界を見せず進展を続けており、高密度化に伴う様々の障害のいくつかは、種々の技術、方法により克服されつつある。大きな課題のひとつとして、グローバルなデバイス面の平坦化がある。デバイスの集積度が上がるにつれ、電極、その他の更なる積層化は避けられない。リソグラフィの短波長化に付随した、露光時の焦点深度短縮を考慮すると、少なくとも露光エリア程度の範囲で、層間層を精度良く平坦化することへの要求は大きい。また、金属電極層の埋め込みの要求も高く、この場合、積層後の余分な金属層の除去及び平坦化が必須のものとして要求される。
【０００３】
従来から、成膜法などの改良により局所的に層間層を平坦化する方法が多く提案され、実行されている。そして、今後さらに必要とされる、より大きなエリアでの効率的な平坦化技術として注目を集めているのがＣＭＰとよばれる研磨工程である。ＣＭＰは、物理的研磨に化学的な作用（研磨剤、溶液による溶かし出し）を併用してウエハの表面凹凸を除いていく工程であり、グローバル平坦化技術の最有力な候補となっている。具体的には、酸、アルカリなどの研磨物の可溶性溶媒中に研磨粒（シリカ、アルカリ、酸化セリウムなどが一般的）を分散させたスラリーと呼ばれる研磨剤を用い、適当な研磨布でウエハ表面を加圧して相対運動により摩擦することで研磨を進行させる。ウエハ全面において、加圧と相対運動速度を一様とすることで面内を一様に研磨することが可能になる（特許文献１参照）。
【０００４】
図５は従来のＣＭＰ研磨装置の基本構成を説明する概略側面図である。
図６は従来のリテーナリングを示す図であり、（ａ）がリテーナリングの概略下面図であり、（ｂ）がその溝部分の概略断面図である。
図５において、ＫＲはＣＭＰ研磨装置であり、１００は定盤回転駆動装置１００ａにより回転駆動する定盤（プラテン）、１０１は「研磨部材」としての研磨パッド、１０２Ｒは研磨対象物（半導体ウエハ）Ｕの周縁を囲み、研磨対象物Ｕの飛び出しを防止するためのリテーナリング（環状保持部材）、１０３は研磨ヘッド駆動装置により回転及び揺動する研磨ヘッド（ホルダ）、１０４は研磨剤（スラリー）供給部、１０５は研磨剤（スラリー）である。
【０００５】
この研磨装置ＫＲは、定盤駆動装置１００ａにより回転駆動する定盤１００上に「研磨部材」としての研磨パッド１０１が設けられ、一方、研磨ヘッド１０３には「研磨対象物」であるウエハＵが保持され、このウエハＵが研磨パッド１０１上に接触している。この状態で定盤１００を回転駆動し、研磨ヘッド１０３に上方から荷重をかけ、回転させながら定盤１００の半径方向に揺動運動させる。
【０００６】
これらの動作と共に、研磨剤供給部１０４から研磨剤１０５を研磨パッド１０１上に吐出させて、この研磨剤１０５をウエハＵの研磨面に供給して、ウエハＵの最表面を平坦に研磨している。研磨剤１０５は、研磨パッド１０１で拡散し、研磨パッド１０１と、ウエハＵの相対運動に伴って研磨パッド１０１とウエハＵの間に入り込み、ウエハＵの表面を研磨する。
【０００７】
次いで、図６において、リテーナリング１０２Ｒは、研磨対象物（半導体ウエハ）Ｕの周縁を囲み、研磨対象物Ｕの飛び出しを防止する。そして、このリテーナリング１０２Ｒは、そのウエハ研磨側面部１０２Ｒｂに溝１０２Ｒａを有し、この溝が、ウエハ研磨面にスラリーを誘導し、かつ研磨クズをスラリーと共にウエハ研磨面から外に排出する。
【特許文献１】特開平１１−３３３７１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年のＣＭＰ技術の向上により、リテーナリングの役割は、単なるウエハの飛び出し防止という役割だけでなく、研磨時のウエハへの加圧により歪んだ研磨パッドの研磨面をウエハ面に沿う形で幅広く押し付ける役割も担っており、ウエハを均一に平坦化するために必須となっている。
【０００９】
図６（ａ）・（ｂ）のごとく、リテーナリング１０２Ｒには溝形状加工が施されており、溝１０２Ｒａは開口部から底部まで同一の幅である。そして、溝１０２Ｒａは、ウエハ研磨面にスラリーを供給し、かつ研磨によりウエハ研磨面から除去されたＳｉＯ2 や金属、研磨パッド破片（研磨により研磨パッド自体も、すり減る）など、いわゆる研磨クズを効率良く、ウエハ研磨面から外に排出する役割を持つ。
【００１０】
しかしながら、リテーナリング１０２Ｒ自体は、ウエハＵと同様に研磨布に加圧され研磨ヘッド１０３と共に回転運動が加えられるために磨耗は避けることができない。そのため、リテーナリング１０２Ｒの溝１０２Ｒａが浅くなってウエハＵと接触するスラリー１０５の成分および量が変動し、それによって、研磨特性の変動を引き起こす。例えば、研磨レートの変動や研磨クズの残留による研磨面の損傷（スクラッチ）を引き起こすという問題が生じる。
【００１１】
そこで、本発明の主要な目的の１つは、リテーナリングの磨耗により溝が浅くなっても、ウエハの研磨に必要な研磨特性をより長く維持できるリテーナリングおよびそれを備えた化学機械的研磨装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、表面にスラリーの供給を受ける研磨パッドと、被研磨物の半導体ウエハを保持し、研磨パッドに対して相対的に回転しつつ半導体ウエハを研磨する研磨ヘッドとを備えた化学機械的研磨装置の該研磨ヘッドに装着され、半導体ウエハをその周縁を囲んで保持するリテーナリングであって、                  
該リテーナリングのウエハ研磨側面部に、ウエハ研磨面にスラリーを誘導し、かつ研磨クズをスラリーと共にウエハ研磨面から外に排出するための溝を有し、さらに、この溝が、その開口部から底部に至る間に、溝幅を大きくした幅広部分を有することを特徴とするリテーナリングを提供する。
【００１３】
本発明は、別の観点によれば、表面にスラリーの供給を受ける研磨パッドと、被研磨物の半導体ウエハを保持し、研磨パッドに対して相対的に回転しつつ半導体ウエハを研磨する研磨ヘッドと、研磨ヘッドに装着され、半導体ウエハをその周縁を囲んで保持する上記のリテーナリングと
を備えたことを特徴とする化学機械的研磨装置を提供できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、リテーナリングのウエハ研磨側面部に形成された溝が、その開口部から底部に至る間に、溝幅を大きくした幅広部分を有するので、リテーナリングの磨耗により溝が浅くなっても、スラリーの誘導や研磨クズの排出に対する影響を少なくでき、それによってウエハの研磨に必要な研磨特性を、より長く維持できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、表面にスラリーの供給を受ける研磨パッドと、被研磨物の半導体ウエハを保持し、研磨パッドに対して相対的に回転しつつ半導体ウエハを研磨する研磨ヘッドとを備えた化学機械的研磨装置の該研磨ヘッドに装着され、半導体ウエハをその周縁を囲んで保持するリテーナリングを対象とする。
ここで、リテーナリングは、半導体ウエハ（以下、単にウエハと称することもある）をその周縁を囲んで保持し、半導体ウエハの飛び出しを防止するので、環状保持部材、またはリング状保持部材と称されることもある。
【００１６】
そして、本発明は、リテーナリングのウエハ研磨側面部に、ウエハ研磨面にスラリーを誘導し、かつ研磨クズをスラリーと共にウエハ研磨面から外に排出するための溝を有し、さらに、この溝が、その開口部から底部に至る間に、溝幅を大きくした幅広部分を有することを特徴とする。
【００１７】
ここで、幅広部分は、具体的には、例えば、溝幅を、直線的に、略階段的に、曲線的にそれぞれ大きくして形成される。
そして、幅広部分の位置は、（１）溝の開口部から底部に至るまで、（２）溝の開口部から底部に向かって途中まで、（３）溝の途中から底部に向かって底部の手前まで、または（４）溝の途中から底部に至るまで形成できる。
【００１８】
これらの幅広部分を有する溝は、さらに、その開口部からの幅広部分と、この幅広部分に続き、底部に至るまで、または底部に向って途中まで、溝幅を同一とする同幅部分とをそれぞれ有してもよい。そして、溝の幅広部分と同幅部分とが繰り返され、溝の開口部から底部に向って、溝幅を略階段状に大きくしてもよい。
これらの溝の開口部における溝の加工角度、つまり溝の開口部における表面（リテーナリングのウエハ研磨面側の面）に対する、溝の開口部における側壁の傾斜角度または勾配（例えば、図３のαに相当）は、好ましくは９５〜１２０度、より好ましくは１００〜１１０度である。
【００１９】
これらの溝の構成に対して、溝が、その開口部から、底部に向ってその幅を同一とする同幅部分を有し、上記幅広部分が前記同幅部分に続き、底部に向かうよう構成してもよい。そして、前記溝の同幅部分と幅広部分が繰り返され、該溝の開口部から底部に向って、溝幅を略階段状に大きくしてもよい。
また、幅広部分を曲線的に形成する場合は、例えば、溝の横断面の輪郭線に、円形、半円形、または円弧などの線を含めることができる。
なお、上記各溝は、（２）の途中から、または（３）の底部の手前から、それぞれ底部までは、溝幅を小さくした幅狭部分を含んでもよい。
【００２０】
本発明においては、リテーナリングの使用により、溝が１．８ｍｍ浅くなったときに、少なくとも該溝の初期横断面積の５０％以上残るようにするのが好ましい。そして、溝が２．８ｍｍ以下の設定値でリテーナリングを新しいものに交換できるようにすることによって、リテーナリングの磨耗により溝が浅くなっても、スラリーの誘導や研磨クズの排出に対する影響を少なくでき、それによってウエハの研磨に必要な研磨特性を、より長く維持することができる。
【００２１】
そして、リテーナリングに形成される溝は、リテーナリングのウエハ研磨側面部に沿って、環状（複数の同芯円状溝）、直線放射状（等角度間隔の複数溝）、格子状、曲線放射状（等角度間隔の複数溝）または渦巻き状などとされ、リテーナリングの回転に伴って、ウエハ研磨面にスラリーを誘導し、かつ研磨クズをスラリーと共にウエハ研磨面から外に排出する機能を有する。
【００２２】
ここで、リテーナリングは、文字通りリング状に形成されるが、そのリングの内径は２００．５〜２０１．０ｍｍ、リング幅は４６．５〜４８．０ｍｍ、リング厚みは１５〜２０ｍｍが好ましい。
そして、このリテーナリングに形成される溝は、その幅広部分の最小幅（開口部の最小幅）が２．０〜７．５ｍｍ、好ましくは２．５〜５．０ｍｍ、幅広部分の最大幅が２．８〜１３．５ｍｍ、好ましくは４．５〜６．５ｍｍ、幅広部分の深さが２．０〜６．０ｍｍ、好ましくは３．０〜４．５ｍｍにそれぞれ設定される。また、溝が、その開口部から底部に向ってその幅を同一とする同幅部分を有する場合には、同幅部分の幅を２．５〜４．５ｍｍ、同幅部分の開口部からの深さを２．５〜４．５ｍｍに設定するのが好ましい。
【００２３】
本発明は、さらに、表面にスラリーの供給を受ける研磨パッドと、被研磨物の半導体ウエハを保持し、研磨パッドに対して相対的に回転しつつ半導体ウエハを研磨する研磨ヘッドと、半導体ウエハの飛び出しを防止するために研磨ヘッドに装着された上記リテーナリングとを備えたことを特徴とする化学機械的研磨装置を提供できる。
【００２４】
ここで、リテーナリングは、研磨ヘッドに対し止めネジなどにより着脱可能とすることによって、リテーナリングの磨耗により溝が浅くなって、適切な研磨特性を維持できなくなったときに、新しいリテーナリングと交換できるので、好ましい。
【００２５】
以下、図に示す実施の形態に基づいて本発明を説明する。
[実施の形態１]
図１は本発明に係る化学機械的研磨装置の基本構成を説明する概略構成説明側面図、図２はリテーナリング周りの、一部断面を含む構成説明側面図である。
図３は、半導体ウエハを保持したリテーナリングの説明図であり、（ａ）がリテーナリングの概略下面図、（ｂ）がその溝部分の概略断面図である。また、（ｃ），（ｄ）は，本発明に係る他のリテーナリング例の溝部分の概略断面図である。
図４は研磨レートの均一性を示すグラフ図である。なお、図５および６と実質的に同じ構成の部分には、同じ符号を付した。
【００２６】
まず、図１の化学機械的研磨装置Ｋにおいて、１００は定盤回転駆動装置１００ａにより回転駆動する定盤（プラテン）、１０１は「研磨部材」としての研磨パッド、１０２は「研磨対象物」（半導体ウエハ、以下、ウエハと称する）Ｕの周縁を囲み、研磨対象物Ｕの飛び出しを防止するためのリテーナリング（環状保持部材）、１０３は研磨ヘッド駆動装置（図示省略）により回転及び揺動する研磨ヘッド（ホルダ）である。なお、１０４は研磨剤（スラリー）供給部、１０５は研磨剤（スラリー）である。
【００２７】
この研磨装置Ｋは、定盤回転駆動装置１００ａにより回転駆動する定盤１００上に「研磨部材」としての研磨パッド１０１が設けられ、一方、研磨ヘッド１０３には、「研磨対象物」であるウエハＵが保持され、このウエハが研磨パッド１０１上に接触している。この状態で定盤１００を回転駆動し、研磨ヘッド１０３に上方から荷重をかけ、回転させながら定盤１００の半径方向に揺動運動させる。
【００２８】
このような動作と共に、研磨剤供給部１０４から研磨剤１０５を研磨パッド１０１上に吐出させて、この研磨剤１０５をウエハＵの研磨面に供給して、ウエハＵの最表面を平坦に研磨している。  研磨剤１０５は、研磨パッド１０１で拡散され、研磨パッド１０１とウエハＵとの相対運動に伴って、研磨パッド１０１とウエハＵとの間に入り込み、ウエハＵの表面を研磨する。
【００２９】
研磨剤１０５を介して行われる研磨パッド１０１とウエハＵの相対運動による機械的研磨と、酸、アルカリを溶媒とする研磨剤１０５の化学的作用が相乗的に作用して良好な研磨が行われ、かつウエハＵ全面で加圧と相対運動速度を一様とすることで、面内を一様に研磨することが可能になる。研磨ヘッド１０３は、バッキングフィルムチャック方式、バキュームチャック方式等の種々の方式があるが、一般的に、ウエハの着脱機構と、加圧機構と、ウエハの飛び出し防止用のリテーナリング１０２とを備えている。
【００３０】
このリテーナリング１０２は、図２および図３（ａ）（ｂ）において、研磨パッド１０１と接触する面１０２ｂに、その端面の最外位置からウエハＵ（研磨ヘッド１０１に設置されているという前提で）に対して直線的に（略接線を引く方向に）３０度の角度間隔に１２本の溝１０２ａが形成されている。
【００３１】
図３（ｂ）に示す溝１０２aは、開口部から底部に至るまで直線的に幅を大きくする幅広部分を有する。この幅広部分は、開口部が約３．０ｍｍ、底部が約４．７ｍｍで深さは約５．０ｍｍ程度であり、開口部から底部に向かって、１００度の角度（傾斜角度、開口角度、または加工角度と称することができる）に幅広に形成されている。
【００３２】
このようなリテーナリング１０２の放射状の溝１０２ａにより、研磨パッド１０１と研磨剤の供給及び研磨クズの排出が容易になる。すなわち、研磨パッドの回転及び揺動により、主として放射状の溝１０２ａからウエハ研磨面に研磨剤が巻き込まれるように供給されるのに対して、研磨クズは溝１０２ａに沿って排出される。また、逆台形状に溝１０２ａを加工することで、リテーナリング１０２の磨耗による前記の効果の低減を抑えることができる。すなわち、リテーナリングのウエハ研磨側面部に形成された溝１０２ａが、その開口部から底部に至る間に、溝幅を大きくした幅広部分を有するので、リテーナリング１０２の磨耗により溝１０２ａが浅くなっても、スラリーの誘導や研磨クズの排出に対する影響を少なくでき、それによってウエハＵの研磨に必要な研磨特性を、より長く維持できる。
【００３３】
実施の形態１にかかるリテーナリング１０２の材料としては、アクリル樹脂（軟質系のものでも使用可能）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、テフロン（登録商標、ポリ四フッ化エチレン）、セラミック等が用いられる。溝ピッチ、溝幅、溝深さの溝構造は、実施の形態１の例に限られず、研磨条件によって、種々変更できる。
【００３４】
［実施例１］
実施の形態１のリテーナリング１０２を、図２に示すような研磨ヘッド１０３に適用して、厚さ１０，０００Åの熱酸化膜が形成されたシリコンウエハＵを、図１に示す研磨装置を用いて、以下に示す加工条件により研磨した。
研磨ヘッド１０３は、研磨ヘッド本体にリテーナリング１０２が取り付けられている。また、研磨処理を行うために空気室１４内の圧力を、弾性体膜１３を介してウエハＵに印加する。
【００３５】
加工条件
・研磨パッド回転数：１２０ｒｐｍ
・研磨ヘッド回転数：１１０ｒｐｍ
・スラリー流量：２００ｍl／ｍｉｎ
・研磨ヘッドにかける荷重：４.０ＰＳｉ
・研磨剤：ＣｅＯ2 酸性水溶液
【００３６】
研磨時間１分で研磨した場合、約２００ｎｍのＳｉＯ2 が除去したところ、溝深さが当初の５．０ｍｍの場合は研磨レート（研磨速度、研磨により単位時間当たりに除去される厚さ：ｎｍ／分）の均一性は約±３％で良好であった。さらにこの研磨レートの均一性は溝深さが約２．７ｍｍとなるまで、ほぼ同等の均一性を保つことができた。
【００３７】
［比較例］
実施例１のリテーナリング１０２の代わりに、図５および６に示す従来のリテーナリング１０２Ｒを適用した研磨ヘッド１０３を用いて、研磨時間１分で約２００ｎｍのＳｉＯ2 を除去したところ、研磨レートの均一性は溝深さが当初の５．０ｍｍの場合は約±４％で実施例とほぼ同等であった。しかし、研磨レートの均一性は溝深さが約３．０ｍｍ以下となると急激に均一性が悪化し、約２．７ｍｍでは研磨レートの均一性は約±１５％となった。
【００３８】
実施例１と比較例におけるリテーナリングの溝深さと研磨レートの均一性の関係を図４に示す。実施例１のリテーナリング１０２を用いることで、研磨レートの均一性はリテーナリング１０２の溝深さが３．０ｍｍ以下となっても安定して研磨できる。
【００３９】
また、リテーナリング１０２に形成する溝１０２ａのパターン（溝の方向）は、実施例１で示した直線放射状の溝１０２ａに限られず、環状の溝、格子状の溝、曲線（歪曲した）放射状の溝、スパイラル状の溝等を用いることができる。
【００４０】
リテーナリング１０２に形成する溝の形状（横断面）についても、実施例で示した逆台形状の溝に限られず、階段状の構造［図３（ｃ）参照］や、曲線状の構造［図３（ｄ）参照］等を用いることができる。
【００４１】
以上、説明した通り、本発明に係るリテーナリングは、研磨パッドと接触する面に形成される溝形状をリテーナリングの断面積が磨耗した場合でも長期間一定量を確保できるよう形成したので、リテーナリングの役割である研磨剤の供給及び研磨クズの排出を安定して行うことができ、ひいては研磨レートを一定に保つことができ、安定した研磨を行うことができる。
【００４２】
リテーナリングの研磨パッドとの接触面に形成する溝の形状をリテーナリングの磨耗によっても断面積を一定に保つように形成することにより、研磨特性の変動を低減することができたので、リテーナリングの材料において選択の幅が広がり、アクリル樹脂などの安価な材料を選択することができ、セラミックスなどの高価な材料を選択した場合に比べてランニングコストを下げることができる。さらに、研磨剤の流れ（研磨面への供給及び排出）が安定化できるので、少量の研磨剤で効率よくウエハを研磨することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る化学機械的研磨装置の基本構成を説明する概略構成説明側面図である。
【図２】リテーナリング周りの、一部断面を含む構成説明側面図である。
【図３】半導体ウエハを保持したリテーナリングの説明図であり、（ａ）がリテーナリングの概略下面図であり、（ｂ）がその溝部分の概略断面図である。また、（ｃ），（ｄ）は，本発明に係る他のリテーナリング例の溝部分の概略断面図である。
【図４】は研磨レートの均一性を示すグラフ図である。
【図５】は従来の化学機械的研磨装置の基本構成を説明する概略構成説明側面図である。
【図６】従来の半導体ウエハを保持したリテーナリングの説明図であり、（ａ）がリテーナリングの概略下面図であり、（ｂ）がその溝部分の概略断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１３・・・・弾性体膜
１４・・・・空気室
１００・・・定盤
１００ａ・・定盤回転駆動装置
１０１・・・研磨部材（研磨パッド）
１０２・・・リテーナリング
１０２ａ・・溝
１０２ｂ・・研磨パッドとの接触部
１０３・・・研磨ヘッド
１０４・・・研磨剤供給部
１０５・・・研磨剤（スラリー）
Ｋ・・・・・研磨装置
Ｕ・・・・・研磨対象物（ウエハ）
【図１】
2010129863.tif 000003
【図２】
2010129863.tif 000004
【図３】
2010129863.tif 000005
【図４】
2010129863.tif 000006
【図５】
2010129863.tif 000007
【図６】
2010129863.tif 000008