(57)【要約】【課題】パターンの重ね形成における重ね合わせ精度を正確且つ簡便に評価する。【解決手段】予めアライメントマークが設けられ、表面にレジスト層が形成されたテストウエハをステージ上にロードする（ステップＳ１）。そのテストウエハに対し、アライメントマークの検出を伴うアライメント（ＥＧＡ）を行い（ステップＳ２）、その結果に基づいて１回目の露光を行いレジスト層にテストパターンの潜像を形成する（ステップＳ３）。そして、テストウエハをステージ上に載せ直し（ステップＳ４，Ｓ５）、現像することなく、再度アライメント（ＥＧＡ）を行い（ステップＳ６）、その結果に基づいて２回目の露光を行いレジスト層にテストパターンの潜像を形成する（ステップＳ７）。テストウエハを現像後得られる、２つのパターン（レジスト像）の位置関係に基づいて重ね合わせ精度を評価する（ステップＳ８）。【選択図】図６
2010073963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン生成装置を用いてパターンを基板上に重ね合わせて形成する露光装置で用いられる重ね合わせ精度評価方法であって、
所定の位置関係で複数の位置合わせマークが予め形成され、かつその表面に感応層を有するテスト基板を移動体上に載置し、保持させる第１工程と；
前記パターン生成装置の基準点との関係が既知の原点を有する基準座標系上における、前記複数の位置合わせマークの少なくとも一部の位置情報を、前記移動体上に存在するマークを検出するマーク検出系と前記移動体の位置を計測する位置計測系とを用いて計測する第２工程と；
前記位置情報の計測結果に基づいて前記移動体を駆動し、前記パターン生成装置を用いて前記テスト基板に対する１回目の露光を行い、第１パターンの潜像を前記感応層に形成する第３工程と；
前記テスト基板の前記移動体による保持状態を解除する第４工程と；
前記テスト基板を、現像工程を経ることなく、前記移動体上に再度保持させる第５工程と；
前記少なくとも一部の位置合わせマークの前記基準座標系上における位置情報を、再度計測する第６工程と；
前記位置情報の再度の計測結果に基づいて前記移動体を駆動し、前記パターン生成装置を用いて前記テスト基板に対する２回目の露光を行い、第２パターンの潜像を前記感応層に形成する第７工程と；
前記２回目の露光が行われた前記テスト基板を、前記移動体から搬出して現像するとともに、現像後に前記テスト基板上に形成された第１、第２パターン相互の位置関係の計測結果に基づいて、重ね合わせ精度を評価する第８工程と；を含む重ね合わせ精度評価方法。
【請求項２】
前記第３工程では、前記１回目の露光に際して、前記位置情報の計測結果に基づいて、前記テスト基板上の被露光領域の中心が前記基準座標系上の第１位置に位置合わせされるように前記移動体を駆動し、
前記第７工程では、前記２回目の露光に際して、前記位置情報の再度の計測結果に基づいて、前記テスト基板上の被露光領域の中心が前記基準座標系上の第２位置に位置合わせされるように前記移動体を駆動し、
前記第８工程では、前記第１位置と第２位置との位置関係にさらに基づいて、前記重ね合わせ精度を評価する請求項１に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【請求項３】
前記第３工程では、前記位置情報の計測結果に基づいて、所定の統計演算により前記基板上の複数の区画領域の配列座標を算出し、該算出結果に基づいて、前記複数の区画領域の中心が前記第１位置に順次位置合わせされるように前記移動体を駆動し、前記１回目の露光を前記複数の区画領域それぞれに対して行い、前記第１パターンの潜像を前記感応層の前記複数の区画領域に対応する位置にそれぞれ形成し、
前記第７工程では、前記位置情報の再度の計測結果に基づいて、前記所定の統計演算により前記基板上の複数の区画領域の配列座標を算出し、該算出結果に基づいて、前記複数の区画領域の中心が前記第２位置に順次位置合わせされるように前記移動体を駆動し、前記２回目の露光を前記複数の区画領域それぞれに対して行い、前記第２パターンの潜像を前記感応層の前記複数の区画領域に対応する位置にそれぞれ形成し、
前記第８工程では、現像後に前記テスト基板上の前記複数の区画領域それぞれに対応する位置に形成された第１、第２パターン相互の位置関係の計測結果と、前記第１位置と第２位置との位置関係とに基づいて、重ね合わせ精度を評価する請求項２に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【請求項４】
前記第１パターンと前記第２パターンとは、同一形状のマークパターンである請求項１〜３のいずれか一項に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【請求項５】
前記第１パターンと前記第２パターンとは、同一のパターン原板に形成された同一のマークパターンである請求項１〜４のいずれか一項に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【請求項６】
前記第１パターンと前記第２パターンとは、大きさの異なる主マークと副マークとを含む、バーニアマークのパターンである請求項１〜５のいずれか一項に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【請求項７】
前記テスト基板表面の前記感応層は、後退接触角が６０以上の撥液性を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【請求項８】
前記第８工程では、現像に先立って、前記２回目の露光が行われた前記テスト基板に加熱処理を施す請求項７に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【請求項９】
前記パターン生成装置として、光学系と、該光学系と前記移動体上の基板との間に液体を供給する局所液浸装置とを有するものが用いられる、請求項７又は８に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【請求項１０】
前記第４工程の処理終了後、前記第５工程に先だって、前記テスト基板をクールプレートを用いて冷却する工程をさらに含む請求項１〜９のいずれか一項に記載の重ね合わせ精度評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重ね合わせ精度評価方法に係り、さらに詳しくは、パターンを基板上に重ね合わせて形成する露光装置で用いられる重ね合わせ精度評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子（集積回路等）、液晶表示素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが、主として用いられている。
【０００３】
この種の露光装置では、解像力の向上のみならず、いわゆる重ね合わせ精度が高いことが要求される。このため、重ね合わせ精度を、正確に評価できることが重要になる。
【０００４】
従来、ステッパ等では、レジストが塗布されたテスト基板をレチクル及び投影光学系を介して露光光で露光し、そのテスト基板上に第１パターンを転写して現像し、現像後にテスト基板に再度レジストを塗布し、そのテスト基板を露光し、該テスト基板上に第２パターンを重ね合わせて転写した後、第２回目の現像を行う。そして、現像後に、テスト基板上に形成される第１パターンのレジスト像と第２パターンのレジスト像との位置関係を、例えば重ね合わせ測定装置などを用いて計測することで、重ね合わせ精度が評価されていた。
【０００５】
しかしながら、集積回路の微細化に伴い、より一層の解像力の向上が要求されるようになり、近時においては、液浸法を利用した露光装置（液浸露光装置）が注目されるようになってきた（例えば特許文献１参照）。液浸露光装置では、投影光学系と基板との間に液体を供給し、その液体を介して基板に塗布されたレジストにエネルギビームを投射することによって、基板上にパターンを形成する。
【０００６】
最近になって、後退接触角が高く、撥液性を有するレジスト（トップコートレスレジスト）が開発された。このトップコートレスレジストを液浸露光装置で用いると、液体のレジスト層への浸み込みを避けることができる。従って、レジスト層の上に施されていた撥液性を有するトップコートが不要となった。
【０００７】
しかるに、基板上にトップコートレスレジストを用いてレジスト層を形成する場合、露光後に基板を現像するときに、撥液性のままでは現像が困難であることから、露光後現像前に過熱処理（ＰＥＢ）を行い、そのレジスト層を親水性に変化させる。すなわち、トップコートレスレジストは熱を加えると撥液性から親水性に変化する性質を有する。
【０００８】
ここで、トップコートレスレジストを用いる液浸露光装置に、前述した従来の重ね合わせ精度の評価手法を適用する場合を考える。この場合、１回目の現像が終了しテスト基板上にレジストパターンが形成された段階で、レジストの硬化、基板との密着性強化等のため、熱処理（ポストベーク）が行われるのが通常である。しかし、上記の熱処理の影響によりテスト基板上にトップコートレスレジストを塗布してもそのトップコートレスレジストは親水性である可能性が高い。ここで、トップコートレスレジストが親水性のまま、液浸露光装置による露光を行った場合、液体のレジスト層への浸み込みなどにより、精度（及び信頼性）の高い重ね合わせ精度の評価結果が得られず、得られた重ね合わせ精度の評価結果に基づいて露光装置の性能を十分に維持できなくなるおそれがある。従って、２回目の露光の際には、トップコートレスレジストの表面にトップコートを施す必要があった。
【０００９】
しかしながら、トップコートレスレジストの表面にトップコートを施すことは、実際のデバイス製造の際にはありえない。すなわち、再度の露光のためにトップコートレスレジストの表面にトップコートを施すと、実際の露光と異なる条件の下で重ね合わせ精度を評価することになる。
【００１０】
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上述の事情の下でなされたものであり、パターン生成装置を用いてパターンを基板上に重ね合わせて形成する露光装置で用いられる重ね合わせ精度評価方法であって、所定の位置関係で複数の位置合わせマークが予め形成され、かつその表面に感応層を有するテスト基板を移動体上に載置し、保持させる第１工程と；前記パターン生成装置の基準点との関係が既知の原点を有する基準座標系上における、前記複数の位置合わせマークの少なくとも一部の位置情報を、前記移動体上に存在するマークを検出するマーク検出系と前記移動体の位置を計測する位置計測系とを用いて計測する第２工程と；前記位置情報の計測結果に基づいて前記移動体を駆動し、前記パターン生成装置を用いて前記テスト基板に対する１回目の露光を行い、第１パターンの潜像を前記感応層に形成する第３工程と；前記テスト基板の前記移動体による保持状態を解除する第４工程と；前記テスト基板を、現像工程を経ることなく、前記移動体上に再度保持させる第５工程と；前記少なくとも一部の位置合わせマークの前記基準座標系上における位置情報を、再度計測する第６工程と；前記位置情報の再度の計測結果に基づいて前記移動体を駆動し、前記パターン生成装置を用いて前記テスト基板に対する２回目の露光を行い、第２パターンの潜像を前記感応層に形成する第７工程と；前記２回目の露光が行われた前記テスト基板を、前記移動体から搬出して現像するとともに、現像後に前記テスト基板上に形成された第１、第２パターン相互の位置関係の計測結果に基づいて、重ね合わせ精度を評価する第８工程と；を含む重ね合わせ精度評価方法である。
【００１２】
これによれば、第１及び第２パターンの潜像が感応層に形成された後に、第８工程において、２回目の露光が行われたテスト基板を、移動体から搬出して現像するとともに、現像後にテスト基板上に形成された第１、第２パターン相互の位置関係の計測結果に基づいて、重ね合わせ精度を評価する。現像が１回のみ行われるので、仮にテスト基板の感応層を前述のトップコートレスレジストを用いて形成した場合であっても、その現像に先立って過熱処理を行い、感応層を親水性にして現像を良好に行うことができ、その現像後にテスト基板上に形成された第１、第２パターン相互の位置関係の計測結果に基づいて、重ね合わせ精度を正確に評価することが可能になる。従って、基板に対して液浸露光方式によりパターンを形成する露光装置におけるパターンの重ね合わせ精度を正確に評価することが可能になる。また、テスト基板の現像は、１回で足りる上、仮に感応層にトップコートレスレジストを用いる液浸露光装置に適用する場合であっても、トップコートレスレジストの表面にトップコートを施す必要などはない。従って、実際の露光と同じ条件の下で重ね合わせ精度を評価することができる。
【００１３】
また、第３工程においてパターン生成装置を用いて前記テスト基板に対する１回目の露光を行う際と、第７工程においてパターン生成装置を用いて前記テスト基板に対する２回目の露光を行う際とで、移動体上に存在する同一のマークの位置情報の計測結果に基づいて移動体が駆動される。このため、そのマークは、マーク検出系により検出が可能であれば足り、その形成に際しての精度は要求されない。従って、規格通りに基準となるパターンが形成されたテスト基板（いわゆる基準基板）を用いて重ね合わせ精度を評価する場合と比較すると、製造コストが高い基準基板が不要である分、コストの低減が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図１９（Ｂ）に基づいて説明する。
【００１５】
図１には、本発明の重ね合わせ精度評価方法が適用される一実施形態に係る露光装置１００の構成が概略的に示されている。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。
【００１６】
露光装置１００は、照明系１０、レチクルステージＲＳＴ、投影ユニットＰＵ、局所液浸装置８、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２を有するステージ装置５０、ウエハ搬送系６０、及びこれらの制御系等を備えている。これらの構成各部（照明系１０の一部を除く）は、クリーン度がクラス１００〜１０００程度のクリーンルーム内に設置されている。露光装置１００には、図示は省略されているが、実際には、コータ・デベロッパがインラインにて接続されている。
【００１７】
照明系１０は、レチクルブラインド（マスキングシステムとも呼ばれる）で規定されたレチクルＲ上のスリット状の照明領域ＩＡＲを、照明光（露光光）ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。照明系１０の構成は、例えば米国特許出願公開第２００３／０２５８９０号明細書などに開示されている。ここで、照明光ＩＬとして、一例として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。
【００１８】
レチクルステージＲＳＴは、照明系１０の図１における下方に配置されている。レチクルステージＲＳＴ上には、そのパターン面に回路パターンなどが形成されたレチクルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系１１（図１では不図示、図３参照）によって、ＸＹ平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（ここでは、図１における紙面内左右方向であるＹ軸方向とする）に所定の走査速度で駆動可能となっている。
【００１９】
レチクルステージＲＳＴのＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１１５によって、移動鏡１５を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計１１５の計測値は、主制御装置２０（図１では不図示、図３参照）に送られる。なお、移動鏡１５に代えてレチクルステージＲＳＴの端面に反射面を形成しても良い。
【００２０】
投影ユニットＰＵは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方に配置され、鏡筒４０と鏡筒４０内に保持された投影光学系ＰＬとを有する。投影光学系ＰＬとしては、例えば、Ｚ軸方向と平行な光軸ＡＸに沿って配列される複数の光学素子（レンズエレメント）から成る屈折光学系が用いられる。投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率（例えば１／４倍、１／５倍又は１／８倍など）を有する。このため、照明系１０によってレチクルＲ上の照明領域ＩＡＲが照明されると、投影光学系ＰＬの第１面（物体面）とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬ（投影ユニットＰＵ）を介してその照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（回路パターンの一部の縮小像）が、投影光学系ＰＬの第２面（像面）側に配置される、表面にレジスト（感応剤）が塗布されたウエハＷ上の照明領域ＩＡＲに共役な領域（以下、露光領域とも呼ぶ）ＩＡに形成される。そして、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとの同期駆動によって、照明領域ＩＡＲ（照明光ＩＬ）に対してレチクルＲを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させるとともに、露光領域ＩＡ（照明光ＩＬ）に対してウエハＷを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させることで、ウエハＷ上の１つのショット領域（区画領域）の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系１０、レチクルＲ及び投影光学系ＰＬによってウエハＷ上にパターンが生成され、照明光ＩＬによるウエハＷ上の感応層（レジスト層）の露光によってウエハＷ上にそのパターンが形成される。
【００２１】
本実施形態の露光装置１００には、液浸方式の露光を行うために、局所液浸装置８が設けられている。局所液浸装置８は、液体供給装置５、液体回収装置６（いずれも図１では不図示、図３参照）、液体供給管３１Ａ、液体回収管３１Ｂ、及びノズルユニット３２等を含む。ノズルユニット３２は、図１に示されるように、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子、ここではレンズ（以下、「先端レンズ」ともいう）１９１を保持する鏡筒４０の下端部周囲を取り囲むように、投影ユニットＰＵを保持する不図示のメインフレームに吊り下げ支持されている。本実施形態では、ノズルユニット３２は、図１に示されるように、その下端面が先端レンズ１９１の下端面とほぼ同一面に設定されている。また、ノズルユニット３２は、液体Ｌｑの供給口及び回収口と、ウエハＷが対向して配置され、かつ回収口が設けられる下面と、液体供給管３１Ａ及び液体回収管３１Ｂとそれぞれ接続される供給流路及び回収流路とを備えている。
【００２２】
液体供給管３１Ａは液体供給装置５（図３参照）に、液体回収管３１Ｂは液体回収装置６（図３参照）に接続されている。ここで、液体供給装置５には、液体を貯蔵するタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。液体回収装置６には、回収した液体を貯蔵するタンク、吸引ポンプ、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。
【００２３】
主制御装置２０は、液体供給装置５（図３参照）を制御して、液体供給管３１Ａ及び供給流路を介して先端レンズ１９１とウエハＷとの間に液体を供給するとともに、液体回収装置６（図３参照）を制御して、回収流路及び液体回収管３１Ｂを介して先端レンズ１９１とウエハＷとの間から液体を回収する。このとき、主制御装置２０は、供給される液体の量と回収される液体の量とが常に等しくなるように、液体供給装置５と液体回収装置６を制御する。従って、先端レンズ１９１とウエハＷとの間には、一定量の液体Ｌｑ（図１参照）が常に入れ替わって保持され、それにより液浸領域１４（図２等参照）が形成される。なお、投影ユニットＰＵの下方に後述するウエハテーブル上のプレートが位置する場合にも、同様に先端レンズ１９１とプレートとの間に液浸領域１４が形成される。
【００２４】
本実施形態では、上述の液体として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍの光）が透過する純水（以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する）を用いるものとする。なお、ＡｒＦエキシマレーザ光に対する水の屈折率ｎは、ほぼ１．４４であり、水の中では、照明光ＩＬの波長は、１９３ｎｍ×１／ｎ＝約１３４ｎｍに短波長化される。
【００２５】
ステージ装置５０は、ベース盤１２の上方に配置された２つのウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の位置情報を計測する干渉計システム１１８（図３参照）、及びウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２を独立に駆動するステージ駆動系１２４（図３参照）等を備えている。
【００２６】
ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、それぞれの底面に設けられた非接触軸受、例えばエアベアリング（不図示）などにより、数μｍ程度のクリアランスを介して、水平に（ＸＹ平面に平行に）配置されたベース盤１２の上方に支持されている。ベース盤１２は、床面Ｆ上に防振機構（不図示）を介して支持され、その上面は平坦度が高く設定され、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２のガイド面となっている。ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、平面モータ（不図示）等を含むステージ駆動系１２４（図３参照）によって、ガイド面に沿って駆動可能となっている。
【００２７】
ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２のそれぞれは、図１に示されるように、ステージ本体９１と、ステージ本体９１上に搭載されたウエハテーブルＷＴＢとを含む。ウエハテーブルＷＴＢ及びステージ本体９１は、平面モータ及びＺ・レベリング機構（ボイスコイルモータなどを含む）を含む駆動系によって、ベース盤１２に対し、６自由度方向（Ｘ，Ｙ，Ｚ，θｘ，θｙ，θｚ）に駆動可能に構成されている。
【００２８】
干渉計システム１１８は、図１及び図２に示されるように、Ｙ干渉計１６，１７及びＸ干渉計１１６，１１７，１２６，１２７を備えている。Ｙ干渉計１６、１７は、ベース盤１２の＋Ｙ側、−Ｙ側にそれぞれ配置され、ともに、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ及び後述するアライメント系ＡＳの検出中心を通る、Ｙ軸に平行な測長軸を有する。Ｘ干渉計１１６，１２６は、ベース盤１２の−Ｘ側、＋Ｘ側にそれぞれ配置され、ともに、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸを通るＸ軸に平行な測長軸を有する。Ｘ干渉計１１７、１２７は、ベース盤１２の−Ｘ側、＋Ｘ側にそれぞれ配置され、ともに、アライメント系ＡＳの検出中心を通るＸ軸に平行な測長軸を有する。
【００２９】
Ｙ干渉計１６，１７及びＸ干渉計１１６，１１７，１２６，１２７は、それぞれの測長軸に沿って複数の測長ビームを、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に設けられた（あるいは形成された）対向する反射面に照射し、その反射面からの反射光を受光することにより、対応する反射面上の測長ビームの照射点におけるＹ軸方向の位置（Ｙ位置）、又はＸ軸方向の位置（Ｘ位置）を例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で、それぞれ検出する。Ｙ干渉計１６，１７及びＸ干渉計１１６，１１７，１２６，１２７の計測値は、主制御装置２０に供給され、主制御装置２０は、供給された計測値に基づいて、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２のＸＹ平面内での位置（θｚ回転を含む）、並びに傾斜方向（Ｘ軸回りの回転方向（θｘ方向）及びＹ軸回りの回転方向（θｙ方向））の位置を、計測（算出）する。主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の位置の計測結果に基づいて、ステージ駆動系１２４を介してウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の位置を制御する。
【００３０】
なお、本実施形態では、図２に示されるように、投影光学系ＰＬの直下の位置を含む領域（露光時移動領域）内に位置するウエハステージの位置の計測に、干渉計１６，１１６，１２６が用いられ、アライメント系ＡＳの直下の位置を含む領域（アライメント時移動領域）内に位置するウエハステージの位置の計測に、干渉計１７，１１７，１２７が用いられる。
【００３１】
また、本実施形態における露光装置１００では、上述の露光時移動領域とアライメント時移動領域との間の、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の移動経路では、不図示の計測システム、例えばエンコーダシステムが、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２のＸＹ平面内の位置の計測に用いられる。
【００３２】
ウエハテーブルＷＴＢの上面の中央には、ウエハＷを真空吸着等によって保持する不図示のウエハホルダが設けられている。ウエハホルダ（ウエハの載置領域）の外側には、図２に示されるように、液体Ｌｑに対して撥液化処理された（撥液面が形成された）プレート（撥液板）２８が設けられている。プレート２８は、その表面の全部（又は一部）がウエハホルダに吸着保持されたウエハＷの表面と面一面となるように、その高さ（又は厚さ）が設定されている。また、図２に示されるように、ウエハテーブルＷＴＢ上面の＋Ｘ側かつ＋Ｙ側の角（コーナー）の近傍には基準マーク板ＦＭが、その表面がウエハＷ及びプレート２８とほぼ同一面を形成する状態で設けられている。基準マーク板ＦＭの表面には、少なくとも、後述するレチクルアライメント検出系により検出される一対の第１基準マークと、後述するアライメント系ＡＳにより検出される第２基準マークとが形成されている。
【００３３】
なお、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２が、Ｘ軸方向又はＹ軸方向に並び、かつ対向する側面同士を接触させる（あるいは僅かな間隙（例えば３００μｍ程度）を介して近接する）スクラム状態では、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の上面により、見かけ上フルフラットな面が形成される。本実施形態では、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２が、上記スクラム状態を維持したまま、Ｘ軸方向又はＹ軸方向に移動することにより、例えば、ウエハステージＷＳＴ１上に形成されている液浸領域１４を、該液浸領域１４を形成する液体ＬｑをウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の外部に漏らすことなく、ウエハステージＷＳＴ２上に移動させることができる。これにより、主制御装置２０は、液体Ｌｑの供給及び回収を停止することなく、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２を交互に用いて複数のウエハを連続して露光することが可能である。
【００３４】
投影光学系ＰＬの−Ｙ側には、図１及び図２に示されるように、前述のアライメント系ＡＳが配置されている。アライメント系ＡＳとしては、一例として画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系のセンサが用いられている。アライメント系ＡＳとしては、例えば米国特許第５，７２１，６０５号明細書などに開示されるセンサを用いることができる。アライメント系ＡＳの撮像信号は、不図示のアライメント制御装置を介して主制御装置２０へ供給されている。
【００３５】
さらに、本実施形態の露光装置１００では、一対の照射系と受光系から成る多点焦点位置検出系ＡＦ（以下、多点ＡＦ系と略述する、図１では不図示、図３参照）が、投影光学系ＰＬの近傍に設けられている。多点ＡＦ系ＡＦとしては、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の焦点位置検出系を用いることができる。多点ＡＦ系ＡＦは、複数の検出点のそれぞれでウエハＷ表面のＺ軸方向の位置情報（面位置情報、凹凸情報）を計測する。多点ＡＦ系ＡＦの検出信号は、主制御装置２０に供給される（図３参照）。主制御装置２０は、走査露光中、計測されたウエハＷの凹凸情報に基づいて、ウエハＷのいわゆるフォーカス・レベリング制御を実行する。
【００３６】
さらに、本実施形態の露光装置１００では、レチクルステージＲＳＴの上方に、露光波長の光を用いた一対のＴＴＲ（Through The Reticle）アライメント系から成るレチクルアライメント検出系１３（図１では不図示、図３参照）が設けられている。ＴＴＲアライメント系の構成は、例えば米国特許第５，６４６，４１３号明細書などに開示されている。レチクルアライメント検出系１３の検出信号は、不図示のアライメント信号処理系を介して主制御装置２０に供給される（図３参照）。
【００３７】
ウエハ搬送系６０は、搬送スライダ６２及び搬送ロボット６４等を備えている。
【００３８】
搬送スライダ６２は、図２に示されるように、平面視Ｆ字状の形状を有するアーム部と、該アーム部をＺ軸方向に駆動する駆動機構（不図示）とを有している。搬送スライダ６２は、Ｙ軸に平行に延接されたＹガイド６１に沿って、不図示のスライダ駆動機構（不図示）により駆動可能な構成となっている。搬送スライダ６２は、Ｙガイド６１の−Ｙ側端部が、不図示のインライン・インタフェース部を介してコータ・デベロッパに接続されている。搬送スライダ６２は、インライン・インタフェース部を介してコータ・デベロッパから送られてきたレジストが塗布されたウエハを受け取り、そのウエハをローディングポジションＬＰまで搬送する。
【００３９】
ローディングポジションＬＰは、本実施形態では、図２に示されるように、アライメント系ＡＳの検出領域内にウエハステージＷＳＴ２（又はＷＳＴ１）の基準マーク板ＦＭ（第２基準マーク）が位置決めされるウエハステージＷＳＴ２（又はＷＳＴ１）の位置に定められている。
【００４０】
搬送スライダ６２のアーム部の一対の先端部の上面には、ウエハを吸着するための吸着機構（不図示）が設けられている。搬送スライダ６２は、アーム部の吸着機構によりウエハを吸着した状態で搬送する。アーム部の形状は、後述する回転アーム８０及びクールプレートＣＰとの間でのウエハの受け渡しが円滑に行える形状に設定されている。なお、アーム部の一対の先端部間の間隔を調整可能に構成しても良い。
【００４１】
搬送ロボット６４は、水平多関節ロボット（スカラーロボット）から成り、図２に示されるように、Ｙ軸に平行に延接されたＹガイド６３に沿ってＹ軸方向に移動可能である。搬送ロボット６４は、Ｙガイド６３の＋Ｙ側端にて、図２中に符号ＷＰで示される待機位置に位置する搬送スライダ６２から（露光済みの）ウエハＷを受け取り、Ｙガイド６３に沿って−Ｙ方向に移動して、ウエハＷをインライン・インタフェース部の搬送系に渡す。そして、そのウエハＷは、搬送系によりコータ・デベロッパに搬送され、現像される。
【００４２】
図１及び図２に示されるように、Ｙガイド６１の長手方向の中央近傍の位置に、露光前のウエハを冷却する、クールプレートＣＰが設置されている。クールプレートＣＰは、そのＸＹ平面に平行なプレート面上にウエハを真空吸着あるいは静電吸着により保持する。クールプレートＣＰの内部には、冷媒供給装置（不図示）が備えられている。冷媒供給装置により、クールプレートＣＰ内に、所望の温度の冷媒（例えば、ＨＦＥ等）が供給される。この冷媒とクールプレートＣＰ上に載置されたウエハとの間で熱交換が行われる。所定時間（例えば７〜１０秒間）以上の熱交換によりそのウエハが所望の温度、例えば約２２℃に温度調整（冷却）される。
【００４３】
ローディングポジションＬＰの上方に、図１及び図２に示されるように、第２プリアライメント装置ＰＲ２が配置されている。第２プリアライメント装置ＰＲ２は、プリアライメント装置本体８１と、回転アーム８０と、ＣＣＤカメラ８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃと、を備えている。
【００４４】
回転アーム８０は、プリアライメント装置本体８１から吊り下げ支持された回転軸と、該回転軸の下端部（−Ｚ側の端部）からＸＹ平面内で１２０度の間隔を隔てて放射状に延びる３本の爪部と、を有する。３本の爪部は、それぞれの先端に、回転軸に対して接近及び離間する方向（以下、半径方向と呼ぶ）に可動な、すなわち開閉が可能な可動部を有する。
【００４５】
ＣＣＤカメラ８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃは、図２中に二点鎖線で示される検出領域（視野）を有し、それぞれの検出領域内において回転アーム８０に保持されているウエハの外縁形状を検出する。ここで、ＣＣＤカメラ８０Ｂは、ウエハのノッチ部を検出し、ＣＣＤカメラ８０Ａ，８０Ｃは、ノッチ部以外のウエハの外縁を検出する。ＣＣＤカメラ８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃの検出結果は、プリアライメント装置本体８１を介して第２プリアライメント装置ＰＲ２の出力として主制御装置２０に送られる。
【００４６】
主制御装置２０は、クールプレートＣＰの上流側（−Ｙ側）に設置されている第１プリアライメント装置ＰＲ１（図１、図２では不図示、図３参照）により先に検出されたウエハの外縁形状を前提とし、第２プリアライメント装置ＰＲ２から送られた検出結果に基づいて、ウエハの中心位置ずれ及び回転ずれを算出する。主制御装置２０は、算出結果に基づいて、回転アーム８０の回転軸を駆動してウエハの（θｚ）回転を調整するとともに、回転アーム８０の下方に待機しているウエハステージ（ＷＳＴ２）のＸＹ位置を調整する。すなわち、主制御装置２０は、回転アーム８０とウエハステージ（ＷＳＴ２）とを用いてウエハの中心位置ずれ及び回転ずれを調整した後、回転アーム８０に保持されているウエハをウエハステージ（ＷＳＴ２）上に載置する。
【００４７】
また、主制御装置２０は、ローディングポジションＬＰにある露光済みのウエハを、回転アーム８０を用いてウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２から取り上げ、搬送スライダ６２に渡す。
【００４８】
図３には、露光装置１００の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ（又はワークステーション）から成る主制御装置２０を中心として構成されている。
【００４９】
図４（Ａ）には、重ね合わせ精度の評価のために使用されるテストウエハＷ０が示されている。テストウエハＷ０には、複数の区画領域（ショット領域）が形成されている。各ショット領域には、図４（Ｂ）に示されるように、中央に、アライメントマークＡＭｎが設けられている。なお、アライメントマークＡＭｎは、実際には、隣接するショット領域を区画するストリートライン（スクライブライン内に収まる程度、例えば長手方向のサイズが１００μｍ程度）であるが、図４（Ｂ）では、図示の便宜上から、実際より大きく図示されている。また、アライメントマークＡＭｎは、他のショット領域内に設けられるアライメントマークと所定の設計上の位置関係を満たすように配置されている。本実施形態では、複数のショット領域のうち、一例として、図４（Ａ）に示される１１個のショット領域Ｓ１〜Ｓ１１を、ＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）におけるサンプルショット領域（アライメントショット領域とも呼ばれる）とし、アライメントマークＡＭ１〜ＡＭ１１をサンプルマークとして、後述するＥＧＡ（ウエハアライメント）が行われるものとする。なお、アライメントマークＡＭｎの形状、数、位置は、任意に設定し、その中からサンプルマークを任意に選択しても良い。また、テストウエハには、アライメントマークが所定の設計上の位置関係で形成されていれば足り、複数のショット領域が形成されていることは必ずしも必要ないが、説明の便宜上から、複数のショット領域が形成されている、テストウエハＷ０を用いるものとしている。
【００５０】
アライメントマークＡＭｎは、ウエハＷ０の表面をエッチング加工することによって、形成されている。そして、エッチング加工されたテストウエハＷ０の表面には、トップコートレスレジストが塗布され、感応層（レジスト層）が形成されている。ここで、トップコートレスレジストとしては、後退接触角が６０以上、例えば６８のポジ型フォトレジストが用いられる。なお、例えばネガ型レジストを用いてアライメントマークＡＭｎと同じ形状のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをアライメントマークＡＭｎとして用いても良い。この場合、レジストパターンが形成されたテストウエハＷ０の表面に、ポジ型レジスト（ポジ型トップコートレスレジスト）を塗布して、感応層を形成すると良い。
【００５１】
図５（Ａ）には、重ね合わせ精度の評価のために使用されるテストレチクルＲ０のパターンの一例が示されている。ここで、投影光学系ＰＬとして、屈折系かつ縮小系が用いられているため、実際には、レチクルのパターンは、ウエハ上に反転して縮小投影されるが、以下では、説明の便宜上から、ウエハ上にレチクルのパターンの等倍の正立像が形成されるものとして、説明を行う。テストレチクルＲ０には、一例として、パターン面に同じ形状の６つのテストパターンＭ１〜Ｍ６が形成されている。具体的には、パターン面の４角にテストパターンＭ１，Ｍ4，Ｍ3，Ｍ6がそれぞれ形成され、一対のテストパターンＭ１，Ｍ3の中央にテストパターンＭ2が形成され、一対のテストパターンＭ4，Ｍ6の中央にテストパターンＭ5が形成されている。
【００５２】
図５（Ｂ）には、テストパターンの１つＭｋ（ｋは１〜６のいずれか）が拡大して示されている。テストパターンＭｋは、主パターンＭａと副パターンＭｂとを有する。両パターンＭａ，Ｍｂは、大きさが異なる正方形の枠状を有する。大きい方の主パターンＭａの中心は、小さい方の副パターンＭｂの中心から＋Ｘ方向に距離Ｌｘ、＋Ｙ方向に距離Ｌｙ離間している。そのため、後述するように、テストウエハＷ０上に主パターンＭａを形成し、その内部に、主パターンＭａと分離できる程度の間隙を挟んで副パターＭｂを形成することができる（例えば、図１９（Ｂ）参照）。
【００５３】
なお、図５（Ｂ）に示されるテストパターンＭｋでは、パターンＭａ，Ｍｂの一部が重複している。上述の大きさについての条件を満たし、且つ離間距離が一意に定まっているのであれば、パターンＭａ，Ｍｂを離間させても良い。また、主パターンＭａと副パターンＭｂとを識別できるのであれば、互いに異なる形状のパターンをパターンＭａ，Ｍｂとして採用しても良い。
【００５４】
次に、露光装置１００で行われる、重ね合わせ精度評価方法の手順を、主制御装置２０の処理の流れを概略的に示す、図６のフローチャートに沿って、かつ適宜他の図面を参照して、説明する。
【００５５】
前提として、図７に示されるように、ウエハステージＷＳＴ１が投影光学系ＰＬの下方に位置し、ウエハステージＷＳＴ１上の露光済み（又は、液浸領域の維持を主目的とする専用）のウエハＷ1上に液浸領域１４が形成され、かつウエハステージＷＳＴ２がローディングポジションＬＰにて待機している状態で、以下に説明する重ね合わせ精度評価方法のステップＳ１の処理が開始される。このとき、レチクルステージＲＳＴ上には、テストレチクルＲ０がロードされているものとする。
【００５６】
《ステップＳ１》
図６のステップＳ１では、テストウエハＷ０がローディングポジションＬＰにて待機しているウエハステージ上にロード（載置）される。
【００５７】
具体的には、複数のアライメントマークＡＭｎが予め形成され、その表面にトップコートレスレジストが塗布されて感応層が形成されたテストウエハＷ０は、図７に示されるように、Ｙガイド６１の−Ｙ側端部近傍の受け渡し位置にて、不図示のインライン・インタフェース部の搬送系から搬送スライダ６２に渡される。次に、主制御装置２０は、搬送スライダ６２を用いて、テストウエハＷ０を、順に、第１プリアライメント装置ＰＲ１（図３参照）、クールプレートＣＰ、第２プリアライメント装置ＰＲ２に搬送する。
【００５８】
ここで、前述の通り、主制御装置２０は、第１プリアライメント装置ＰＲ１を用いてテストウエハＷ０の外縁形状の計測を行い、クールプレートＣＰを用いてテストウエハＷ０の冷却を行う。また、主制御装置２０は、第２プリアライメント装置ＰＲ２を用いてテストウエハＷ０の中心位置ずれ及び回転ずれを計測する（図８参照）。そして、主制御装置２０は、前述の如く、回転アーム８０及びウエハステージＷＳＴ２を用いて、テストウエハＷ０の中心位置ずれ及び回転ずれを調整した状態で、ローディングポジションＬＰにて待機しているウエハステージＷＳＴ２上にテストウエハＷ０をロード（載置）する。テストウエハＷ０のウエハステージＷＳＴ２上への載置と前後して、主制御装置２０は、搬送スライダ６２を待機位置ＷＰに待機させている。
【００５９】
《ステップＳ２》
図６のステップＳ２では、テストウエハＷ０に対するウエハアライメント（ＥＧＡ）が行われる。
【００６０】
具体的には、まず、ウエハステージＷＳＴ２がローディングポジションＬＰに待機している間に、主制御装置２０は、Ｙ干渉計１７とＸ干渉計１１７，１２７をリセット（原点を再設定）する。次に、主制御装置２０は、図８に示されるように、アライメント系ＡＳを用いて、基準マーク板ＦＭ上の第２基準マークを検出する。主制御装置２０は、その検出結果と、検出時の干渉計１７，１１７，１２７の計測結果とに基づいて、アライメント時座標系（すなわち、Ｙ干渉計１７とＸ干渉計１１７，１２７の測長軸で規定される、ＸＹ座標系）上における第２基準マークの位置を算出する。
【００６１】
次に、主制御装置２０は、図９に示されるように、干渉計１７，１１７，１２７を用いてウエハステージＷＳＴ２の位置を計測しつつ、ウエハステージＷＳＴ２をアライメント時移動領域内で移動し、アライメント系ＡＳを用いてテストウエハＷ０上のサンプルショット領域Ｓ１〜Ｓ１１内のサンプルマークＡＭ１〜ＡＭ１１を順次検出することで、サンプルマークＡＭ１〜ＡＭ１１のアライメント座標系上における位置情報を算出する。次いで、主制御装置２０は、サンプルマークＡＭ１〜ＡＭ１１の位置情報を用いて、例えば米国特許第４，７８０，６１７号明細書などに開示される、最小二乗法を用いた統計演算（ＥＧＡ演算）を行って、アライメント時座標系上におけるウエハＷ０上の全てのショット領域の配列座標を求め、その配列座標を第２基準マークの位置を基準とする座標（位置情報）に変換する。
【００６２】
ここで、上述のステップＳ１、Ｓ２における処理、すなわちテストウエハＷ０のウエハステージＷＳＴ２上へのロード、及びテストウエハＷ０に対するアライメント（ＥＧＡ）が行われる間、図７〜図９に示されるように、ウエハステージＷＳＴ１上のウエハＷ１の上面に液浸領域１４が維持される。このとき、主制御装置２０の制御下で、ウエハステージＷＳＴ１は、ウエハＷ1の各ショット領域に対して、ステップ・アンド・スキャン方式で露光が行われるときと同様の経路に沿って、ウエハステージＷＳＴ２と干渉することなく、移動している。ただし、ウエハステージＷＳＴ２と干渉するおそれがないのであれば、ウエハステージＷＳＴ１は、投影ユニットＰＵの下方に停止させていても良い。
【００６３】
テストウエハＷ０に対するアライメント（ＥＧＡ）が終了すると、主制御装置２０は、図１０に示されるように、ウエハステージＷＳＴ１を、矢印ａ１で示される経路に沿ってローディングポジションＬＰへ、ウエハステージＷＳＴ２を、矢印ａ２で示される経路に沿って露光時移動領域へ、移動させる。この時、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２をスクラム状態に設定し、そのスクラム状態を維持したままウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２をＸ軸方向（又はＹ軸方向）に移動させて、ウエハステージＷＳＴ１上に形成されていた液浸領域１４をウエハステージＷＳＴ２上に移動させる。このスクラム状態を含み、ウエハステージＷＳＴ１及び／又はＷＳＴ２が露光時移動領域にあるとき、及びウエハステージＷＳＴ１又はＷＳＴ２がアライメント時移動領域にあるときなど、干渉計システム１１８でウエハステージの位置を計測可能なときには、ウエハステージの位置計測には干渉計システム１１８が用いられる。しかし、ウエハステージＷＳＴ１又はＷＳＴ２が露光時移動領域とアライメント時移動領域との間にあるときには、ウエハステージの位置計測には不図示のエンコーダシステムが用いられる。以下においても同様である。
【００６４】
《ステップＳ３》
図６のステップＳ３では、テストレチクルＲ０を用いたテストウエハＷ０に対する１回目の露光が行われ、テストウエハＷ０の複数のショット領域のそれぞれにテストレチクルＲ０のパターンＭ１〜Ｍ６が転写される。
【００６５】
具体的には、主制御装置２０は、露光に先立って、図１０に示されるように、投影光学系ＰＬの直下にウエハステージＷＳＴ２上の基準マーク板ＦＭを位置決めする。そして、主制御装置２０は、レチクルアライメント検出系１３（図４参照）を用いて基準マーク板ＦＭ上の一対の第１基準マークを検出し、第１基準マークと対応するテストレチクルＲ０上のレチクルアライメントマーク（不図示）のウエハ面上投影像の相対位置を検出する。そして、主制御装置２０は、この検出結果と、先に求めた第２基準マークを基準とするテストウエハＷ０上の各ショット領域の位置情報と、に基づいて、テストレチクルＲ０のパターンの投影位置（投影光学系ＰＬの投影中心）とテストウエハＷ０上の各ショット領域の相対位置関係を算出する。そして、その相対位置関係に基づいて、主制御装置２０は、図１１に示されるように、干渉計１６，１１６，１２６を用いてウエハステージＷＳＴ２の位置を計測しつつ、ステップ・アンド・スキャン方式の露光を行って、テストウエハＷ０上の全ショット領域に、順次、テストレチクルＲ０のパターンＭ１〜Ｍ６を転写する。なお、ステップ・アンド・スキャン方式の露光中を含み、露光時移動領域内では、ウエハステージＷＳＴ２の位置は、露光時座標系（すなわち、干渉計１６，１１６，１２６の測長軸で規定されるＸＹ座標系）上で管理される。
【００６６】
上記の１回目の露光後、テストウエハＷ０のショット領域Ｓｎには、図１８に示されるように、その表面の感応層に、パターンＭ１〜Ｍ６の潜像Ｍ１’〜Ｍ６’（図１８中の破線参照）が形成されている。
【００６７】
テストウエハＷ０に対するパターンＭ１〜Ｍ６の転写と並行して、主制御装置２０は、図１０及び図１１に示されるように、ウエハステージＷＳＴ１をローディングポジションＬＰに待機させている。
【００６８】
《ステップＳ４》
図６のステップＳ４では、パターンＭ１〜Ｍ６の転写のための露光が終了したテストウエハＷ０のウエハステージＷＳＴ２からのアンロードが行われる。具体的には、主制御装置２０は、先と同様に、図１２に示されるように、ウエハステージＷＳＴ１を、矢印ａ１で示される経路に沿って露光時移動領域へ、ウエハステージＷＳＴ２を、矢印ａ２で示される経路に沿ってローディングポジションＬＰへ移動させる。この時、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２をスクラム状態に設定し、そのスクラム状態を維持したままウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２をＸ軸方向（又はＹ軸方向）に移動させて、ウエハステージＷＳＴ２上に形成されていた液浸領域１４をウエハステージＷＳＴ１上に移動させる。
【００６９】
ウエハステージＷＳＴ２がローディングポジションＬＰに到着後、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ２によるテストウエハＷ０の保持状態を解除し、テストウエハＷ０をウエハステージＷＳＴ２からアーム８０を用いてアンロードした後、図１２に示されるように、搬送スライダ６２を用いてテストウエハＷ０をクールプレートＣＰに搬入する。これにより、クールプレートＣＰにより、テストウエハＷ０の冷却が行われる。
《ステップＳ５》
図６のステップＳ５では、テストウエハＷ０がウエハステージＷＳＴ２上に再度ロードされる。
【００７０】
具体的には、主制御装置２０は、クールプレートＣＰ上で冷却されているテストウエハＷ０を搬送スライダ６２を用いて第２プリアライメント装置ＰＲ２に搬送する。図１３には、テストウエハＷ０が第２プリアライメント装置ＰＲ２に搬送された状態が示されている。そして、主制御装置２０は、再度、第２プリアライメント装置ＰＲ２を用いて、テストウエハＷ０の中心位置及び回転位置を計測する。そして、主制御装置２０は、その計測結果に基づいて、回転アーム８０及びウエハステージＷＳＴ２を用いて、テストウエハＷ０の中心位置ずれ及び回転ずれを調整した状態で、ローディングポジションＬＰにて待機しているウエハステージＷＳＴ２上にテストウエハＷ０をロードする。
【００７１】
なお、テストウエハＷ０の冷却、及び中心位置及び回転位置の再計測の必要がない場合には、主制御装置２０は、ステップＳ４及びステップＳ５の処理に代えて、次のような処理を行っても良い。ウエハステージＷＳＴ２がローディングポジションＬＰに到着後、主制御装置２０は、回転アーム８０を用いてテストウエハＷ０をアンロードし（取り上げ）、先に計測したテストウエハＷ０の外縁形状、中心位置、及び回転位置に基づいてテストウエハＷ０をウエハステージＷＳＴ２上に再ロードする。あるいは、主制御装置２０は、ウエハホルダによるテストウエハＷ０の真空吸着を瞬間的に解除し、再度吸着保持する。要は、ステップＳ３における１回目の露光と相関なく、後述するステップＳ７における２回目の露光を実行できれば良く、そのためには、テストウエハＷ０のウエハステージＷＳＴ２による保持状態が解除されれば良い。
【００７２】
《ステップＳ６》
図６のステップＳ６では、テストウエハＷ０に対する再度のアライメント（ＥＧＡ）が行われる。
【００７３】
具体的には、まず、ウエハステージＷＳＴ２がローディングポジションＬＰに待機している間に、主制御装置２０は、Ｙ干渉計１７とＸ干渉計１１７，１２７をリセット（原点を再設定）する。次に、主制御装置２０は、図１３に示されるように、アライメント系ＡＳを用いて、基準マーク板ＦＭ上の第２基準マークを検出する。主制御装置２０は、その検出結果と、検出時の干渉計１７，１１７，１２７の計測結果とに基づいて、アライメント時座標系上における第２基準マークの位置を算出する。
【００７４】
次に、主制御装置２０は、ステップＳ２と同様に、図１４に示されるように、干渉計１７，１１７，１２７を用いてウエハステージＷＳＴ２の位置を計測しつつ、ウエハステージＷＳＴ２をアライメント時移動領域内で移動し、アライメント系ＡＳを用いてテストウエハＷ０上のサンプルショット領域Ｓ１〜Ｓ１１内のサンプルマークＡＭ１〜ＡＭ１１を順次検出することで、サンプルマークＡＭ１〜ＡＭ１１のアライメント座標系上における位置情報を算出する。次いで、主制御装置２０は、サンプルマークＡＭ１〜ＡＭ１１の位置情報を用いて、前述のＥＧＡ演算を行って、アライメント座標系上におけるウエハＷ０上の全てのショット領域の配列座標を求め、その配列座標を第２基準マークの位置を基準とする座標に変換する。なお、ステップＳ２のアライメント（ＥＧＡ）において使用したサンプルショット領域Ｓ１〜Ｓ１１と異なるショット領域に設けられたアライメントマークをサンプルマークとしても良い。
【００７５】
ここで、上述のステップＳ４における処理、すなわちテストウエハＷ０のウエハステージＷＳＴ２からのアンロード開始から、ステップＳ５における処理、すなわちテストウエハＷ０のウエハステージＷＳＴ２上への再ロード終了直前まで、ウエハステージＷＳＴ１は、露光時移動領域の所定の位置に停止している。また、再ロード終了直後からステップＳ６の処理、すなわちテストウエハＷ０に対するアライメント（ＥＧＡ）が終了するまでの間、主制御装置２０の制御下で、ウエハステージＷＳＴ１は、ウエハＷ1の各ショット領域に対して、ステップ・アンド・スキャン方式で露光が行われるときと同様の経路に沿って、ウエハステージＷＳＴ２と干渉することなく、移動している。ただし、ウエハステージＷＳＴ２と干渉するおそれがないのであれば、ウエハステージＷＳＴ１は、投影ユニットＰＵの下方に停止させていても良い。
【００７６】
テストウエハＷ０に対するアライメント（ＥＧＡ）が終了すると、主制御装置２０は、図１５に示されるように、ウエハステージＷＳＴ１を矢印ａ１で示される経路に沿ってローディングポジションＬＰへ、ウエハステージＷＳＴ２を矢印ａ２で示される経路に沿って露光時移動領域へ、移動させる。この時、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２をスクラム状態に設定し、そのスクラム状態を維持したままウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２をＸ軸方向（又はＹ軸方向）に移動させて、ウエハステージＷＳＴ１上に形成されていた液浸領域１４をウエハステージＷＳＴ２上に移動させる
【００７７】
《ステップＳ７》
図６のステップＳ７では、テストウエハＷ０に対する２回目の露光が行われ、テストウエハＷ０上に、テストレチクルＲ０のパターンＭ１〜Ｍ６が転写される。
【００７８】
具体的には、主制御装置２０は、ステップＳ３と同様に、露光に先立って、図１５に示されるように投影光学系ＰＬの直下にウエハステージＷＳＴ２上の基準マーク板ＦＭを位置決めする。そして、主制御装置２０は、レチクルアライメント検出系１３（図４参照）を用いて基準マーク板ＦＭ上の一対の第１基準マークを検出し、第１基準マークと対応するテストレチクルＲ０上のレチクルアライメントマーク（不図示）のウエハ面上投影像の相対位置を検出する。そして、主制御装置２０は、この検出結果と、先にステップＳ６において求めた第２基準マークを基準とするテストウエハＷ０上の各ショット領域の位置情報と、に基づいて、テストレチクルＲ０のパターンの投影位置（投影光学系ＰＬの投影中心）とテストウエハＷ０上の各ショット領域の相対位置関係を算出する。そして、その相対位置関係に基づいて、主制御装置２０は、図１６に示されるように、干渉計１６，１１６，１２６を用いてウエハステージＷＳＴ２の位置を計測しつつ、ステップ・アンド・スキャン方式の露光を行って、テストウエハＷ０上に、順次、テストレチクルＲ０のパターンＭ１〜Ｍ６を転写する。
【００７９】
ここで、２回目の露光では、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ２の駆動制御において、目標位置Ｘ，ＹにオフセットΔＸ＝−Ｌｘ，ΔＹ＝−Ｌｙを加える。オフセットを加える理由については、後述する。オフセット設定後の目標位置に従って、ウエハステージＷＳＴ２が駆動される結果、テストウエハＷ０上にパターンＭ１〜Ｍ６が、それぞれ、ステップＳ３の１回目の露光において形成された潜像Ｍ１’〜Ｍ６’から＋Ｘ方向に距離Ｌｘ、＋Ｙ方向に距離Ｌｙ離間する位置に転写され、パターンＭ１〜Ｍ６の潜像が形成される。なお、離間距離Ｌｘ，Ｌｙは、図５（Ｂ）に示されるパターンＭｋの主パターンＭａと副パターンＭｂの離間距離と同じである。
【００８０】
図１９（Ａ）には、２回目の露光後のテストウエハＷ０のショット領域Ｓｎの状態が示されている。この図１９（Ａ）では、テストウエハＷ０の表面に設けられた感応層（レジスト層）に、パターンＭ１〜Ｍ６の潜像Ｍ１”〜Ｍ６”（図１９（Ａ）中の実線参照）が、１回目の露光により形成されたパターンＭ１〜Ｍ６の潜像Ｍ１’〜Ｍ６’（ 図１９（Ａ）中の破線（点線）参照）に、一部重ね合わされて形成されている。また、図１９（Ｂ）には、図１９（Ａ）中の潜像Ｍｋ’とＭｋ”（ｋ＝１〜６のいずれか）とが取り出して拡大して示されている。この図１９（Ｂ）に示されるように、１回目の露光により形成された潜像Ｍk’の主パターンＭａ’の内側に、２回目の露光により形成された潜像Ｍk”の副パターンＭｂ”が位置する。
【００８１】
《ステップＳ８》
図６のステップＳ８では、現像後のテストウエハＷ０を試料として、重ね合わせ精度の評価が行われる。
【００８２】
具体的には、主制御装置２０は、先と同様に、図１７に示されるように、ウエハステージＷＳＴ１を、矢印ａ１で示される経路に沿って露光時移動領域へ移動させるのと並行して、ウエハステージＷＳＴ２を、矢印ａ２で示される経路に沿ってローディングポジションＬＰへ移動させる。この時、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２をスクラム状態に設定し、そのスクラム状態を維持したままウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２をＸ軸方向（又はＹ軸方向）に移動させて、ウエハステージＷＳＴ２上に形成されていた液浸領域１４をウエハステージＷＳＴ１上に移動させる。
【００８３】
ウエハステージＷＳＴ２がローディングポジションＬＰに到着後、主制御装置２０は、テストウエハＷ０をウエハステージＷＳＴ２からアンロードし、搬送スライダ６２を用いて待機位置ＷＰに搬送し、搬送ロボット６４を用いてインライン・インタフェース部の搬送系に渡す。この搬送系により、テストウエハＷ０は、不図示のコータ・デベロッパに搬送され、現像される。
【００８４】
テストウエハＷ０の現像が終了すると、主制御装置２０は、その旨の通知をコータ・デベロッパの制御部から受け、前述と同様の手順で、現像済みのテストウエハＷ０をウエハステージＷＳＴ２上に再度ロードする。そして、主制御装置２０は、例えばアライメント系ＡＳを用いて、現像後にテストウエハＷ０上に形成されたレジスト像を検出し、１回目の露光により形成された（潜像Ｍk’に対応する）パターンＭk’の主パターンＭａ’の中心と、２回目の露光により形成された（潜像Ｍk”に対応する）パターンＭk”の副パターンＭｂ”の中心と、の位置ずれを計測する。図１９（Ｂ）に示される例では、副パターンＭｂ”の中心は主パターンＭａ’の中心から、Ｘ軸方向にΔＸ、Ｙ軸方向にΔＹ、ずれている。
【００８５】
前述の通り、主制御装置２０は、２回目の露光で、１回目の露光においてテストウエハＷ０上の複数のショット領域それぞれに形成された潜像Ｍ１’〜Ｍ６’のそれぞれから＋Ｘ方向に距離Ｌｘ、＋Ｙ方向に距離Ｌｙ離間するテストウエハＷ０上の位置に、重ね合わせてパターンＭ１〜Ｍ６を転写することとした。従って、重ね合わせ精度が十分高ければ、副パターンＭｂ”の中心位置は、主パターンＭａ’の中心位置と一致するので、上記で検出されたパターンＭｂ”，Ｍａ’のずれΔＸ、ΔＹは重ね合わせ誤差に他ならない。
【００８６】
この場合において、本実施形態では、前述した如く、１回目の露光により形成された潜像Ｍk’の主パターンＭａ’の内側に、２回目の露光により形成された潜像Ｍk”の副パターンＭｂ”が位置する。従って、現像後に得られるレジスト像においても、パターンＭk’の主パターンＭａ’の内側にパターンＭk”の副パターンＭｂ”が位置するので、パターンＭａ’とパターンＭｂ”とを、アライメント系ＡＳの撮像信号から容易に識別することができ、上記の重ね合わせ誤差を容易に検出することができる。すなわち、パターンＭａ’とパターンＭｂ”との識別を容易にするために、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴ２の駆動制御において、目標位置Ｘ，Ｙにオフセットを加えたのである。
【００８７】
従って、主制御装置２０は、この重ね合わせ誤差を、テストウエハＷ０上の全てのショット領域の全てのパターンＭk’とパターンＭk”との組について検出し、この検出結果に基づいて、所定の演算を行うことで、重ね合わせ精度を評価する。
【００８８】
なお、レジスト像の検出は、アライメント系ＡＳに限らず、専用の重ね合わせ誤差計測器、ＳＥＭ等の線幅計測装置、その他の画像処理方式のマーク検出系を備えた装置を用いて、行っても勿論良い。
【００８９】
本実施形態の露光装置では、例えば米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第５９６９４４１号明細書、及び米国特許第６２０８４０７号明細書などに開示される入れ替え式のツインステージタイプの露光装置と同様の手順で、ウエハステージＷＳＴ１とウエハステージＷＳＴ２とを交互に用いて、複数のウエハに対するレチクルＲのパターンの転写（すなわち露光処理）が行われる。従って、一方のウエハステージ上のウエハの露光処理と並行して、他方のウエハステージ上ではウエハ交換及びアライメントが行われる。そして、これらの処理が終了した段階で、両ウエハステージの入れ替えが行われるが、この際に、前述のスクラム状態への状態遷移が行われ、液浸領域１４が、一方のウエハステージから他方のウエハステージ上へ移動される。
【００９０】
以上詳細に説明したように、本実施形態に係る露光装置１００では、重ね合わせ精度評価に際し、主制御装置２０は、１回目の露光と２回目の露光とにより、それぞれ、パターンＭ１〜Ｍ６の潜像が感応層に形成された後に、ステップＳ８において、テストウエハＷ０をウエハステージＷＳＴ２から搬出して現像するとともに、現像後にテストウエハＷ０に形成されたパターンＭk’とパターンＭk”との相互の位置関係の計測結果に基づいて、重ね合わせ精度を評価する。従って、現像が１回のみ行われるので、テストウエハＷ０の感応層は前述のトップコートレスレジストを用いて形成されていても、その現像に先立って過熱処理（ＰＥＢ）を行い、トップコートレスレジスト（感応層）を親水性にして現像を良好に行うことができる。また、その現像後にテストウエハＷ０上にレジストパターンが形成された段階で、レジストの硬化、ウエハ（基板）との密着性強化等のため、熱処理（ポストベーク）を行うことができる。そして、テストウエハＷ０上に形成されたパターンＭk’とパターンＭk”との相互の位置関係の計測結果に基づいて、重ね合わせ精度を正確に評価することが可能になる。従って、ウエハに対して液浸露光方式によりパターンを形成する本実施形態の露光装置１００におけるパターンの重ね合わせ精度を簡易な手順で正確に評価することが可能になる。また、テストウエハＷ０の現像は、１回で足りる上、トップコートレスレジストの表面にトップコートを施す必要などはない。従って、実際の露光と同じ条件の下で重ね合わせ精度を正確に評価することができる。
【００９１】
また、ステップＳ３において露光装置１００を用いてテストウエハＷ０に対する１回目の露光を行う際と、ステップＳ７において露光装置１００を用いてテストウエハＷ０に対する２回目の露光を行う際とで、テストウエハＷ０上に予め形成されたアライメントマークＡＭｎを用いたアライメント計測（ＥＧＡ）の結果（マークの位置情報の計測結果）に基づいて、ウエハステージＷＳＴ２が駆動される。このため、そのアライメントマークＡＭｎは、アライメント系ＡＳにより検出が可能であれば足り、その形成に際しての精度は要求されない。従って、規格通りに基準となるパターンが形成されたテスト基板（いわゆる基準基板）を用いて重ね合わせ精度を評価する場合と比較すると、製造コストが高い基準基板が不要である分、コストの低減が可能である。
【００９２】
なお、上記実施形態では、１回目の露光と、２回目の露光とで、ウエハステージＷＳＴ２の駆動制御において、目標位置Ｘ，ＹにオフセットΔＸ＝−Ｌｘ，ΔＹ＝−Ｌｙを加える場合について説明したが、１回目の露光により形成されるパターン像（レジスト像）と２回目の露光により形成されるパターン像との位置関係が計測できるのであれば、オフセットは、必ずしも加える必要はない。また、レジスト像同士の位置関係に限らず、可能な場合には、潜像同士の位置関係を計測しても良い。この場合は、テスト基板の現像は不要になる。
【００９３】
また、上記実施形態では、１回目及び２回目の露光でＥＧＡアライメントの結果に基づいてウエハ上の複数のショット領域にパターンＭ１〜Ｍ６の潜像を形成する場合について説明したが、１回目及び２回目の露光で、基板上の１つの区画領域にのみパターンを形成しても良い。
【００９４】
また、上記実施形態では、コータ・デバロッパがインラインにて接続された露光装置について説明したが、ウエハを複数枚保管可能なウエハキャリアを内部に備えた露光装置にも本発明は適用が可能である。この場合、１回目の露光が終了したテストウエハをクールプレートまでではなく、ウエハキャリアまで戻し、該ウエハキャリアから再度テストウエハを取り出し、その後、上記実施形態と同一の経路を経て、ウエハステージ上に再ロードするようにしても良い。
【００９５】
なお、上記実施形態では、２つのウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２を備える露光装置１００を例にして、本発明の重ね合わせ精度評価方法の一例について説明したが、これに限らず、単一のウエハステージのみを備える露光装置、あるいは３つ以上のウエハステージを備える露光装置に対しても、上記実施形態で説明したような重ね合わせ精度評価方法を適用することができる。また、また、例えば国際公開第２００５／０７４０１４号パンフレットなどに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材（例えば、基準マーク、及び／又はセンサなど）を含む計測ステージを備える露光装置にも本発明は適用が可能である。
【００９６】
なお、上記実施形態では、ウエハステージＷＳＴ２を用いてパターンの重ね合わせ精度を評価したが、それと並行して、ウエハステージＷＳＴ１を用いてパターンの重ね合わせ精度を評価することも可能である。
【００９７】
なお、上記実施形態では、本発明に係る重ね合わせ精度評価方法が、液浸型の露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず液体（水）を介さずにウエハＷの露光を行うドライタイプの露光装置にも本発明を適用することはできる。
【００９８】
また、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に本発明を適用しても良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明は適用することができる。
【００９９】
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系ＰＬは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。
【０１００】
なお、上記実施形態の露光装置の光源は、ＡｒＦエキシマレーザに限らず、ＫｒＦエキシマレーザ（出力波長２４８ｎｍ）、Ｆ2レーザ（出力波長１５７ｎｍ）、Ａｒ2レーザ（出力波長１２６ｎｍ）、Ｋｒ2レーザ（出力波長１４６ｎｍ）などのパルスレーザ光源、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、ＹＡＧレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許７,０２３,６１０号明細書に開示されているように、真空紫外光としてＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
【０１０１】
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ＩＬとしては波長１００ｎｍ以上の光に限らず、波長１００ｎｍ未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、７０ｎｍ以下のパターンを露光するために、ＳＯＲやプラズマレーザを光源として、軟Ｘ線領域（例えば５〜１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を発生させるとともに、その露光波長（例えば１３．５ｎｍ）の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたＥＵＶ露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置にも本発明を好適に適用することができる。この他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。
【０１０２】
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスク（レチクル）を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いても良い。
【０１０３】
また、例えば干渉縞をウエハ上に形成することによって、ウエハ上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１０４】
さらに、例えば米国特許第６，６１１，３１６号明細書に開示されているように、２つのレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上で合成し、１回のスキャン露光によってウエハ上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
【０１０５】
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体（エネルギビームが照射される露光対象の物体）はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。
【０１０６】
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明の重ね合わせ精度評価方法は、パターン生成装置を用いて基板上にパターンを重ね合わせて形成する露光装置、特にトップコートレスレジストを用いて感光層が設けられた基板に対して液浸露光方式によりパターンを重ね形成する露光装置、におけるパターンの重ね合わせ精度を評価するのに好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１の露光装置を概略的に示す平面図である。
【図３】一実施形態に係る露光装置の制御系の主要な構成を示すブロック図である。
【図４】図４（Ａ）は、重ね合わせ精度評価方法において使用するテストウエハを示す図、図４（Ｂ）は、テストウエハ上の各ショット領域に予め形成されているアライメントマークを示す図である。
【図５】図５（Ａ）は、重ね合わせ精度評価方法において使用するテストレチクルを示す図、図５（Ｂ）はテストレチクル上に形成されているテストパターンを示す図である。
【図６】本発明の重ね合わせ精度評価方法の手順を示すフローチャートである。
【図７】図６のステップＳ１における、テストウエハをウエハステージにロードする際の一状態を示す図（その１）である。
【図８】図６のステップＳ１における、テストウエハをウエハステージにロードする際の一状態を示す図（その２）である。
【図９】図６のステップＳ２における、テストウエハに対するアライメント（ＥＧＡ）の際の一状態を示す図である。
【図１０】図６のステップＳ３における、テストウエハに対するテストパターンの１回目の露光の一状態を示す図（その１）である。
【図１１】図６のステップＳ３における、テストウエハに対するテストパターンの１回目の露光の一状態を示す図（その２）である。
【図１２】図６のステップＳ４における、テストウエハをウエハステージからアンロードする際の一状態を示す図である。
【図１３】図６のステップＳ５における、テストウエハをウエハステージに再ロードする際の一状態を示す図である。
【図１４】図６のステップＳ６における、テストウエハに対する再度のアライメント（ＥＧＡ）の一状態を示す図である。
【図１５】図６のステップＳ７における、テストウエハに対するテストパターンの２回目の露光の一状態を示す図（その１）である。
【図１６】図６のステップＳ７における、テストウエハに対するテストパターンの２回目の露光の一状態を示す図（その２）である。
【図１７】図６のステップＳ８における、テストウエハをウエハステージからアンロードする際の一状態を示す図である。
【図１８】テストパターンの１回目の露光後のテストウエハ上面の状態を示す図である。
【図１９】図１９（Ａ）は、テストパターンの２回目の露光後のテストウエハ上面の状態を示す図、図１９（Ｂ）は露光されたテストパターンの１つを示す図である。
【符号の説明】
【０１０９】
８…局所液浸装置、１０…照明系、１６，１７…Ｙ干渉計、２０…主制御装置、１００…露光装置、１１６，１１７…Ｘ干渉計、１１８…干渉計システム、１２６，１２７…Ｘ干渉計、ＰＬ…投影光学系、ＡＳ…アライメント系、ＣＰ…クールプレート、Ｗ０…テストウエハ、Ｗ１…ウエハ、ＷＳＴ１，ＷＳＴ２…ウエハステージ、ＷＴＢ…ウエハテーブル、Ｒ…レチクル、Ｒ０…テストレチクル、Ｍｋ…テストパターン、Ｍａ…主パターン、Ｍｂ…副パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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