(57)【要約】【課題】導電性又は半導電性塗布液の塗膜に交流電界を付与しない場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される導電性又は半導電性膜の形成装置を提供すること。【解決手段】基板１０の表面に、導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出する液滴吐出ヘッド２０と、導電性又は半導電性塗布液の液滴が基板１０の表面に着弾して形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａに対して、交流電界を付与するための一対の交流電界付与電極４０と、一対の交流電界付与電極４０に交流電圧を印加するための交流電圧印加装置４１と、を備える導電性又は半導電性膜の形成装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に、導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、
前記導電性又は半導電性塗布液の液滴が前記基板の表面に着弾して形成された前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜に対して、交流電界を付与するための一対の電極と、
前記一対の電極に交流電圧を印加するための交流電圧印加手段と、
を備える導電性又は半導電性膜の形成装置。
【請求項２】
前記液滴吐出手段と前記基板とを相対的に移動させる移動手段をさらに有する請求項１に記載の導電性又は半導電性膜の形成装置。
【請求項３】
前記一対の電極が、前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜に対して、前記基板の表面に沿った方向の交流電界を付与するように配設される請求項１に記載の導電性又は半導電性膜の形成装置。
【請求項４】
前記液滴吐出手段が、前記塗膜の形成領域幅よりも長い液滴吐出領域を持つ請求項１に記載の導電性又は半導電性膜の形成装置。
【請求項５】
液滴吐出手段により導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出し、当該液滴を基板の表面に着弾させて、前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜を形成する工程と、
一対の電極により前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜に対して交流電界を付与しつつ、導電性又は半導電性膜を形成する工程と、
を有する導電性又は半導電性膜の形成方法。
【請求項６】
前記液滴吐出手段と前記基板とを相対的に移動させて、前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜を形成する請求項５に記載の導電性又は半導電性膜の形成方法。
【請求項７】
前記一対の電極により前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜に対して前記基板の表面に沿った方向の交流電界を付与する請求項５に記載の導電性又は半導電性膜の形成方法。
【請求項８】
前記液滴吐出手段が、前記塗膜の形成領域幅よりも長い液滴吐出領域を持つ請求項５に記載の導電性又は半導電性膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット方式を利用して、導電性又は半導電性塗布液を吐出して基板表面に導電性又は半導電性膜を形成することが行われている。この形成方法は、例えば、有機電界発光素子や、有機トランジスタ等の機能素子を各構成層（例えば、電極層、半導体層）に利用され、昨今、様々な研究がなされている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、液膜から溶媒を蒸発させるとき、該液膜の周縁部での溶媒の蒸発量を低減して成膜する手法が提案されている。
また、特許文献２には、真空ポンプによる減圧環境下で、インクジェット方式により成膜することで、膜厚変動の少ない薄膜を得る手法が提案されている。
また、特許文献３には、凹部を含むバンクを形成し、当該凹部に電極を形成する手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１６１２４５公報
【特許文献２】特開２００６−２８９３５５公報
【特許文献３】特開２００６−２４５５８２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、導電性又は半導電性塗布液の塗膜に交流電界を付与しない場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される導電性又は半導電性膜の形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
基板の表面に、導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、
前記導電性又は半導電性塗布液の液滴が前記基板の表面に着弾して形成された前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜に対して、交流電界を付与するための一対の電極と、
前記一対の電極に交流電圧を印加するための交流電圧印加手段と、
を備える導電性又は半導電性膜の形成装置。
【０００７】
請求項２に係る発明は、
前記液滴吐出手段と前記基板とを相対的に移動させる移動手段をさらに有する請求項１に記載の導電性又は半導電性膜の形成装置。
【０００８】
請求項３に係る発明は、
前記一対の電極が、前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜に対して、前記基板の表面に沿った方向の交流電界を付与するように配設される請求項１に記載の導電性又は半導電性膜の形成装置。
【０００９】
請求項４に係る発明は、
前記液滴吐出手段が、前記塗膜の形成領域幅よりも長い液滴吐出領域を持つ請求項１に記載の導電性又は半導電性膜の形成装置。
【００１０】
請求項５に係る発明は、
液滴吐出手段により導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出し、当該液滴を基板の表面に着弾させて、前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜を形成する工程と、
一対の電極により前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜に対して交流電界を付与しつつ、導電性又は半導電性膜を形成する工程と、
を有する導電性又は半導電性膜の形成方法。
【００１１】
請求項６に係る発明は、
前記液滴吐出手段と前記基板とを相対的に移動させて、前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜を形成する請求項５に記載の導電性又は半導電性膜の形成方法。
【００１２】
請求項７に係る発明は、
前記一対の電極により前記導電性又は半導電性塗布液の塗膜に対して前記基板の表面に沿った方向の交流電界を付与する請求項５に記載の導電性又は半導電性膜の形成方法。
【００１３】
請求項８に係る発明は、
前記液滴吐出手段が、前記塗膜の形成領域幅よりも長い液滴吐出領域を持つ請求項５に記載の導電性又は半導電性膜の形成方法。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に係る発明によれば、導電性又は半導電性塗布液の塗膜に交流電界を付与しない場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される。
請求項２に係る発明によれば、導電性又は半導電性塗布液の塗膜に交流電界を付与しない場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される。
請求項３に係る発明によれば、基板の表面に沿った方向以外の方向の交流電界を塗膜に付与した場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される。
請求項４に係る発明によれば、他の方式に比べコーヒーステイン現象の発生が発生し易い液滴吐出手段を採用し場合でも、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される。
請求項５に係る発明によれば、導電性又は半導電性塗布液の塗膜に交流電界を付与しない場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される。
請求項６に係る発明によれば、導電性又は半導電性塗布液の塗膜に交流電界を付与しない場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される。
請求項７に係る発明によれば、基板の表面に沿った方向以外の方向の交流電界を塗膜に付与した場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される。
請求項８に係る発明によれば、他の方式に比べコーヒーステイン現象の発生が発生し易い液滴吐出手段を採用し場合でも、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置を示す概略斜視図である。
【図２】本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置を示す概略正面図である。
【図３】本実施形態に係る本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置における、液滴吐出ヘッドの液滴吐出領域と塗膜の形成領域幅との関係を示す模式図である。
【図４】本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成方法を示す工程図である。
【図５】他の本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置を示す概略斜視図である。
【図６】他の本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置を示す概略正面図である。
【図７】実施例１で形成した銀電極の膜厚プロファイルを示す図である。
【図８】比較例１で形成した銀電極の膜厚プロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置を示す概略斜視図である。図２は、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置を示す概略正面図である。図３は、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置における、液滴吐出ヘッドの液滴吐出領域と塗膜の形成領域幅との関係を示す模式図である。
【００１７】
本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置は、図１乃至図２に示すように、インクジェット方式を利用した液滴吐出装置である。具体的には、導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出するための液滴吐出ヘッド２０（液滴吐出手段）と、基板１０を搬送するための搬送台３０（移動手段）と、基板１０の表面に形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａに交流電界を付与するための一対の交流電界付与電極４０と、当該交流電界付与電極４０に当該交流電界を発生させる交流電圧を印加するための交流電圧印加装置４１と、を備える。
【００１８】
液滴吐出ヘッド２０は、ピエゾ方式等の周知の構成のヘッドが採用される。液滴吐出ヘッド２０は、図３に示すように、例えば、導電性又は半導電性塗布液の液滴が吐出されるノズル２０Ａの配設された液滴吐出領域２０Ｂを持っている。そして、当該液滴吐出領域２０Ｂは、長さＲ１（長手方向長さ）が導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａの形成領域１０Ａの幅Ｒ２（液滴吐出ヘッド２０の長手方向の長さ）よりも長く構成されている。つまり、液滴吐出ヘッド２０は、ヘッドを基板１０搬送方向と交差する方向に移動させず、塗膜領域以上の幅のヘッドで１ライン以上同時塗布する走査方式のヘッドである。
ここで、液滴吐出領域２０Ｂとは、液滴吐出ヘッド２０のノズル２０Ａから導電性又半導電性塗布液の液滴が吐出可能領域を意味する。一方、導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａの形成領域１０Ａとは、基板１０の表面のうち、連続又は断続した当該塗膜１１Ａが形成され得る領域を意味する。
【００１９】
液滴吐出ヘッド２０は、搬送台３０により搬送されてくる基板１０の搬送方向に対して、長手方向が基板１０搬送方向に交差（例えば直交）し、かつ搬送されてくる基板１０の表面と特定の間隙を持って配設されている。そして、液滴吐出ヘッド２０のノズル２０Ａ群から液滴を滴下することで、塗膜１１Ａを形成する。
【００２０】
搬送台３０は、例えば、基板配置面とは反対の面に基板搬送方向に沿って凹部が設けられた２つのガイド部材３０Ａが配設されている。また、搬送台３０は、例えば、基板配置面とは反対の面に、螺子軸３２を通す貫通口とその内壁に螺子軸３２の螺旋溝に嵌めこまれる凸部（不図示）を有する送り部材３０Ｂが配設されている。一方、搬送台３０の基板配置面とは反対の面下方に、２つのガイドレール３３と、２つの支持部材１０３に支持されモータ（不図示）で回転する螺子軸３２と、が基板搬送方向に沿って配設されている。
【００２１】
そして、搬送台３０は、例えば、ガイド部材３０Ａの凹部にガイドレール３３を嵌め込ませて支持させると共に、送り部材３０Ｂの貫通口に螺子軸３２を通して配設されている。これにより、螺子軸３２の回転に伴い送り部材３０Ｂが基板搬送方向に移動することで、搬送台３０がガイドレール３３に案内されつつ、基板搬送方向に移動する。
【００２２】
一対の交流電界付与電極４０は、その各電極が例えば板状電極で構成されている。一対の交流電界付与電極４０は、その電極間に挟まれる領域が液滴吐出ヘッド２０よりも搬送台３０による基板１０の搬送方向下流側か液滴吐出ヘッド２０の一部を含む位置に位置して配設されている。そして、一対の交流電界付与電極４０は、その電極間に挟まれる領域内に搬送される基板１０の表面に形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａが位置するように配設される。
【００２３】
そして、一対の交流電界付与電極４０は、基板１０の表面に形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａに対して、基板１０の表面に沿った方向（例えば、基板１０の表面と平行方向）の交流電界を付与するように配設されている。つまり、一対の交流電界付与電極４０は、基板１０の表面に形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａ面に沿った方向（例えば、塗膜１１Ａの表面と平行方向）の交流電界を付与するように配設されている。言い換えれば、一対の交流電界付与電極４０は、その対向方向が基板１０の表面に沿った方向（例えば、基板１０の表面と平行方向）となるように配設される。
【００２４】
また、一対の交流電界付与電極４０は、導電性又は半導電性塗布液の液滴が基板１０の表面に着弾したとき（塗膜１１Ａが形成されたとき）から交流電界が付与されるように、各電極の一端部同士が液滴着弾部（塗膜１１Ａ形成部）を挟む位置に配設されている。
【００２５】
具体的には、例えば、一対の交流電界付与電極４０は、搬送台３０の幅方向両端部に、各電極が搬送台３０の搬送方向に沿ってそれぞれ支持板４２により支持・固定されている。そして、一対の交流電界付与電極４０は、各電極が液滴吐出ヘッド２０（液滴着弾部（塗膜１１Ａ形成部））から基板１０搬送方向に延在するように配設されている。
【００２６】
そして、一対の交流電界付与電極４０は、交流電圧印加装置４１に接続されている。この交流電圧印加装置４１としては、例えば、交流電源が採用される。
【００２７】
ここで、一対の交流電界付与電極４０により導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａに対して付与する交流電界は、例えば、電界強度が０．１Ｖ／ｃｍ以上１０  ｋＶ／ｃｍ以下で、周波数１ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下であることがよく、望ましくは、電界強度が１Ｖ／ｃｍ以上１ｋＶ／ｃｍ以下で、周波数１０Ｈｚ以上１００ｋＨｚ以下であり、より望ましくは電界強度が１０Ｖ／ｃｍ以上１００Ｖ／ｃｍ以下で、周波数１００Ｈｚ以上１０ｋＨｚ以下である。
【００２８】
また、一対の交流電界付与電極４０は、例えば、その電極間距離が０．１ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であることがよく、望ましくは１ｍｍ以上１００ｍｍ以下であり、より望ましくは３ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。
【００２９】
なお、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置において、基板１０の表面に形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａを固化するための、固化装置（例えば、加熱手段、冷却手段、又は送風手段等）が配設されていてもよい。
【００３０】
以下、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成方法について説明する。図４は、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成方法を示す工程図である。
【００３１】
本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成方法では、まず、図４（Ａ）に示すように、搬送ベルト３０により搬送されてきた基板１０の表面に向かって、液滴吐出ヘッド２０から導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出する。そして、導電性又は半導電性塗布液の液滴が基板１０の表面に着弾することで、導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａが形成される。なお、塗膜１１Ａのパターニングは、基板１０搬送方向（所謂主走査方向）の制御と、基板１０の幅方向（所謂副走査方向）が液滴吐出ヘッド２０から吐出するノズル２０Ａの制御と、で行う。
【００３２】
次に、図４（Ｂ）に示すように、交流電圧印加装置４１より一対の交流電界付与電極４０に交流電圧を印加することで、基板１０の表面に形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａに対し、当該一対の交流電界付与電極４０により交流電界を付与する。この交流電界は、基板１０の表面に沿った方向で塗膜１１Ａに付与される。
【００３３】
そして、図４（Ｃ）に示すように、交流電界を付与した状態で、導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａを固化させて、導電性又は導電性膜１１Ｂを形成する。ここで、交流電界を付与する時期は、導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａ形成後（当該塗布液の液滴が基板１０表面に着弾後）から、少なくとも半固化されるまでの間に付与することがよい。半固化とは、指触乾燥状態と同じ状態を意味し、塗膜１１Ａ（塗面）の中央部に指先で軽く触れて指先が汚れない状態を意味する（ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−１−１  ４．３．５  ａ）
【００３４】
以上の工程を経て、導電性又は半導電性膜が形成される。
【００３５】
本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法では、導電性又は半導性塗布液の塗膜１１Ａに対して、一対の交流電界付与電極４０により交流電界を付与して、導電性又は半導電性膜を形成している。
【００３６】
ここで、導電性又は半導電性膜に限られるわけではないが、導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａを固化させて、導電性又は半導電性膜を形成する際、コーヒーステイン現象が生じ易く、導電性又は半導電性膜特性、強いては当該膜を構成部材の一つとする素子特性が悪化したり、歩留りの向上の妨げとなることがある。
【００３７】
このコーヒーステイン現象とは、塗膜１１Ａの内部に比べ周縁部の方が固化し易いことから（例えば塗膜１１Ａの溶媒が蒸発し易かったり、冷却されて固化され易いことから）、塗膜１１Ａ中の膜構成材料（本実施形態では、導電性又は半導電性材料）が内部対流により塗膜１１Ａ内部から塗膜１１Ａ周縁部に移動し易くなり、塗膜１１Ａ内部から移動した膜構成材料が塗膜１１Ａ周縁部で析出することにより塗膜１１Ａ周縁部に突起部が生じる現象である（図８参照）。
【００３８】
そこで、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法では、上記如く、導電性又は半導性塗布液の塗膜１１Ａに対して、一対の交流電界付与電極４０により交流電界を付与して、導電性又は半導電性膜を形成することで、当該交流電界により塗膜１１Ａ中の膜構成材料（本実施形態では、導電性又は半導電性材料）を振動させ、上記塗膜１１Ａ中における膜構成材料の内部対流を抑制し、塗膜１１Ａ内部から塗膜１１Ａ周縁部に移動することが抑制されると考えられる。なお、周縁部とは、導電性又は半導電性膜の面積をＦ（ｍｍ２）、外周の長さをＬ（ｍｍ）としたと、外周からＦ／Ｌ（ｍｍ）以内の部分を意味する。
【００３９】
このため、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法では、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜１１Ｂが形成される（図７参照）。結果、導電性又は半導電性膜特性、強いては当該膜を構成部材の一つとする素子特性悪化の抑制、歩留り悪化の抑制が図られると考えられる。
【００４０】
また、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法では、一対の交流電界付与電極４０により、導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａに対して、基板１０の表面に沿った方向の交流電界を付与している。これにより、基板１０の表面に沿った方向以外の方向の交流電界を塗膜１１Ａに付与した場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜１１Ｂが形成される。これは、付与した交流電界により、塗膜１１Ａ内の導電性又は半導電性材料（粒子）が一方向へと移動するのを低減し、塗膜１１Ａ内の周縁部に移動する導電性又は半導電性材料（粒子）の流れが抑制されるためと考えられる。
【００４１】
また、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法では、導電性又は半導電性膜の塗膜１１Ａの形成領域１０Ａ幅よりも長い液滴吐出領域２０Ｂを持つ液滴吐出ヘッド２０を適用している。この方式の液滴吐出ヘッド２０は、所謂キャリッジ方式（液滴吐出ヘッド２０を基板１０搬送方向と交差する方向に移動させる方式）に比べ、一度に液滴が吐出される量が多いことから、コ−ヒーステイン現象が生じ易い。しかし、上記如く、当該方式の液滴吐出ヘッド２０を採用しても、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜１１Ｂが形成される。
【００４２】
本実施形態に係る機能層形成装置（機能層形成方法）は、例えば、電気光学素子、これらを製造するプリンタブルエレクトロニクス等の分野に適用される。電気光学素子としては、例えば、表示媒体（液晶素子、光スイッチング素子、有機エレクトロルミネッセンス素子等）、太陽電池、有機トランジスタ素子等が挙げられる。
【００４３】
具体的に形成される導電性又は半導電性膜１１Ｂは、各素子を構成する電極層、光スイッチング素子や有機エレクトロルミネッセンス素子等を構成する電荷輸送層、又は有機トランジスタ素子を構成する有機半導体層等が挙げられる。そして、導電性又は半導電性膜１１Ｂを形成するための、導電性又は半導電性塗布液は、例えば、導電性又は半導電性材料を溶媒に溶解又は分散したものであってもよいし、導電性又は半導電性材料を融点以下に加熱して液化したものであってもよい。
【００４４】
電極層の構成材料としては、例えば、金属（マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、クロム、タンタル、インジウム、パラジウム、リチウム、カルシウム又はこれらの合金等）、金属酸化物（酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛等）、導電性高分子（例えばポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリピリジン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等）等が挙げられる。
【００４５】
電荷輸送層の構成材料としては、例えば、低分子電荷輸送性材料（例えば、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物；、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、テトラセン系化合物、ペンタセン系化合物、ヘキサセン系化合物、ヘプタセン系化合物、ヒドラゾン系化合物の正孔輸送性化合物；等）と結着樹脂（例えばスチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリカーボネート等）との混合物や、高分子電荷輸送性材料（例えば、下記一般式（Ｉ−１）乃至（Ｉ−６）で表される構造から選択される少なくとも１種以上を、繰り返し単位構造に含む高分子電荷輸送性材料等、なお、上記一般式（Ｉ−１）乃至（Ｉ−６）中、ｎは１以上５０００以下の整数を表す。）が挙げられる。ペンタセン系化合物の例としては、下記構造式（ＩＩ−１）で示されるペンタセンの他に、構造式（ＩＩ−２）で示されるＴＩＰＳ−ペンタセン、構造式（ＩＩ−３）で示されるジチエノアントラセン等が挙げられる。構造式（ＩＩ−３）で示されるジチエノアントラセンは、当該式で示されるように、２つの異性体を持つが、これらの異性体が任意の割合で混合したものを適用することがよい。
【００４６】
有機半導体層の構成材料としては、上記電荷輸送層の構成材料と同様なものが挙げられる。
【００４７】
なお、各層の構成材料は一例に過ぎず、導電性又は半導電性材料であれば、特に制限はない。ここで、導電性とは、例えば体積抵抗率が１０７Ωｃｍ未満を意味する。また、半導電性とは例えば体積抵抗率が１０７以上１０１３Ωｃｍ未満を意味する。
【００４８】
【化１】
2010186879.tif 000003
【００４９】
【化２】
2010186879.tif 000004
【００５０】
【化３】
2010186879.tif 000005
【００５１】
一方、導電性又は半導電性膜１１Ｂを形成する基板１０（つまり、導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａを形成する基板１０）としては、シリコン単結晶基板、ガラス基板、樹脂基板（例えばポリカーボネート樹脂基板、ポリエステル樹脂基板、メタクリル樹脂基板、アクリル樹脂基板、ポリ塩化ビニル樹脂基板、セルロース樹脂基板、ウレタン樹脂基板、エポキシ樹脂基板、ポリススチレン樹脂基板、ポリビニルアセテート樹脂基板、スチレンブタジエン共重合体基板、塩化ビニルデン−アクリロニトリル共重合体基板、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体基板、シリコン樹脂基板等）が挙げられる。これらは、導電性又は半導電性膜１１Ｂを構成部材の一つとする素子や部材用途に応じて選択される。
【００５２】
また、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法では、ヘッドを基板１０搬送方向と交差する方向に移動させない方式の液滴吐出ヘッド２０を採用した形態を説明したが、これに限られず、ヘッドを基板１０搬送方向と交差する方向に移動させる方式のキャリッジ方式の液滴吐出ヘッド２０を採用した形態でもよい。本形態は、図５及び図６に示すように、例えば、液滴吐出ヘッド２０を支持する支持台２１と、支持台２１を支持すると共に基板１０搬送方向と交差方向（例えば直交方向）に案内する案内棒２２（ガイドロッド）と、支持台２１に連結されるタイミングベルト２３と、タイミングベルト２３を回転駆動するための駆動部材２４（駆動プーリ）と、を備える。本形態では、駆動部材２４によりタイミングベルト２３を回転駆動することで、液滴吐出ヘッド２０を支持した支持台２１が支持棒２２に沿って移動する。したがって、液滴吐出ヘッド２０が基板１０搬送方向と交差する方向に移動される。このため、本形態での塗膜１１Ａのパターニングは、基板１０の幅方向（所謂副走査方向）が液滴吐出ヘッド２０の当該移動の制御と、で行う。
【００５３】
また、本実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法では、搬送台  ３０により基板１０を搬送し、液滴吐出ヘッド２０と基板１０を相対的に移動する形態を説明したが、これに限られず、液滴吐出ヘッド２０を移動して、液滴吐出ヘッド２０と基板１０を相対的に移動する形態であってもよい。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。ただし、これら各実施例は、本発明を制限するものではない。
【００５５】
（実施例１）
上記実施形態に係る導電性又は半導電性膜の形成装置及び形成方法に従って、以下の条件で、導電性材料（塗布液）として銀を用いて、Ｓｉ基板上に、厚み３５０ｎｍ、大きさ１ｍｍ×１ｍｍの銀電極を形成した。
【００５６】
−一対の交流電界付与電極−
・厚み：厚み４００ｎｍ
・大きさ：１０ｍｍ×５０ｍｍ
・電極間距離：３ｍｍ
・印加交流電圧（印加交流電界）：電圧１０Ｖ、周波数１０ｋＨｚ（電界強度３３Ｖ／ｃｍ、周波数１０ｋＨｚ）
・交流電界付与方向：基板表面に沿った方向（平行な方向）
【００５７】
−その他条件−
インク液滴量１０ｐｌ、ドロップ間隔６０μｍ、印刷速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、ヘッド基板間距離１μｍ、温度２６℃（室温）
【００５８】
（実施例２）
液滴吐出ヘッドを、キャリッジ方式（図５及び図６参照）に変更した以外は、実施例１と同様にして銀電極を形成した。
【００５９】
（実施例３）
導電性材料（塗布液）として金を用いた以外は、実施例１と同様にして、Ｓｉ基板上に銀電極を形成した。
【００６０】
（実施例４）
半導電性塗布液として、低分子系有機半導体（上記構造式（ＩＩ−２））の１．５質量％の１，３，５トリメチルベンゼン溶液を用いた以外は、実施例１と同様にして、Ｓｉ基板上に電荷輸送層（有機半導体層）を形成した。
【００６１】
（比較例１〜４）
一対の交流電界付与電極を適用しない、即ち交流電界を付与しない以外は実施例１乃至４と同様にして、各層を形成した。
【００６２】
（評価）
形成した各層の膜厚プロファイルを、装置Ｄｅｋｔａｋ３０３０（アルバック）（測定条件Ｓｃａｎ  Ｌｅｎｇｔｈ：１４００  μｍ、  Ｓｐｅｅｄ：Ｌｏｗ，  Ｓｔｙｌｕｓ  Ｆｏｒｃｅ：０．２０  Ｎ）により測定した。そして、以下の評価基準に従って、コーヒーステイン現象の発生について評価した。なお、図７には、実施例１で形成した銀電極の膜厚プロファイルを示し、図８には、比較例１で形成した銀電極の膜厚プロファイルを示す。
結果を表１に示す。
−評価基準−
◎：周縁部での突出が中央膜厚の１％以下
○：周縁部での突出が中央膜厚の５％以下
△：周縁部での突出が中央膜厚の１０％以下
×：周縁部での突出が中央膜厚の１０％以上
【００６３】
【表１】
2010186879.tif 000006
【００６４】
上記結果から、本実施例は、比較例に比べ、コーヒーステイン現象の発生が抑制されていることがわかる。
【符号の説明】
【００６５】
１０   基板
１０Ａ 塗膜の形成領域
１１Ａ 塗膜
１１Ｂ 導電性又は半導電性膜
２０   液滴吐出ヘッド
２０Ａ ノズル
２０Ｂ 液滴吐出領域
２１   支持台
２２   案内棒
２２   支持棒
２３   タイミングベルト
２４   駆動部材
３０   搬送台
４０   交流電界付与電極
４１   交流電圧印加装置
【図１】
2010186879.tif 000007
【図２】
2010186879.tif 000008
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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