(57)【要約】【課題】誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合であっても、所望の誘電特性や温度特性を確保しつつ信頼性を向上させる。【解決手段】ＢａＴｉＯ３系の主成分粉末と、焼成によりＬｉ２ＯとなるＬｉ化合物及び焼成によりＴｉＯ２となるＴｉ化合物を用意し、それぞれ所定量秤量して混合し、セラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成する。Ｌｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＬｉ２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部添加し、Ｔｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＴｉＯ２に換算して０．０５〜４．０モル部添加する。副成分として特定希土類元素酸化物、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｖ化合物、Ｂａ化合物、Ｃａ化合物、Ｓｉ化合物を適量添加してもよい。Ｂａの一部をＣａ又は／及びＳｒ、Ｔｉの一部をＺｒ又は／及びＨｆで置換してもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢａＴｉＯ３系化合物からなる主成分粉末と、焼成によりＬｉ酸化物となるＬｉ化合物及び焼成によりＴｉ酸化物となるＴｉ化合物を少なくとも含む複数の副成分粉末とを用意し、前記複数の副成分粉末をそれぞれ所定量秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成することを特徴とする誘電体セラミックの製造方法。
【請求項２】
前記Ｌｉ化合物の前記所定量は、焼成後の主成分１００モル部に対し、焼成後のＬｉ２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部であり、前記Ｔｉ化合物の前記所定量は、焼成後の主成分１００モル部に対し、焼成後のＴｉＯ２に換算して０．０５〜４．０モル部であることを特徴とする請求項１記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項３】
ＢａＴｉＯ３系化合物は、Ｂａの一部をＣａ及びＳｒのうちの少なくともいずれか一方で置換し、Ｔｉの一部をＺｒ及びＨｆのうちの少なくともいずれか一方で置換していることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項４】
（Ｂａ1-xＣａｘ）ｍＴｉＯ３（ｘは０≦ｘ≦０．２０、ｍは０．９６０≦ｍ≦１．０３０である。）で表される主成分粉末を用意すると共に、副成分粉末として、Ｌｉ化合物、Ｔｉ化合物、Ｒ化合物（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及びＹの中から選択される少なくとも１種を示す。）、Ｍ化合物（ＭはＭｎ及びＶのうちの少なくともいずれか１種を示す。）、及びＳｉ化合物を用意し、
焼成後の組成が、主成分１００モル部に対し、Ｌｉ２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部、ＴｉＯ２に換算して０．０５〜４．０モル部、ＲＯ3/2に換算して０．２〜５．０モル部、ＭＯｎ（ｎはＭの価数によって一義的に決まる正の数を示す。）に換算して０．２〜１．０モル部、ＳｉＯ２に換算して０．５〜４．０モル部となるように、前記各副成分粉末をそれぞれ秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成することを特徴とする誘電体セラミックの製造方法。
【請求項５】
焼成後の組成が、前記主成分１００モル部に対し、ＭｇＯに換算して２．０モル部以下となるように、Ｍｇ化合物を秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製することを特徴とする請求項４記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項６】
前記Ｂａの一部を０．２０モル部以下の範囲でＣａと置換することを特徴とする請求項４又は請求項５記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項７】
前記主成分１００モル部に対するＢａ化合物の添加量をＢａＯに換算してαモル部、Ｃａ化合物の添加量をＣａＯに換算してβモル部とし、前記主成分１００モル部に対するＴｉ化合物の添加量を、ＴｉＯ２に換算してｆモル部とした場合、焼成後におけるｍ、α、β、ｆが、
０．９６０≦ｍ＋（α＋β）／１００≦１．０３０、及び
α＋β＜ｆ
を満足するように、Ｂａ化合物及びＣａ化合物をそれぞれ秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製することを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の誘電体セラミックの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の製造方法で製造されたことを特徴とする誘電体セラミック。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の誘電体セラミックの製造方法の製造過程で作製されるセラミック原料粉末をシート状に成形し、誘電体セラミック層となるべきセラミックグリーンシートを作製した後、前記セラミックグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布して内部電極層となるべき導電パターンを形成し、次いで該導電パターンの形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、該積層体を焼成してセラミック焼結体を作製し、該セラミック焼結体に外部電極を形成することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
前記導電性ペーストは、導電性材料がＮｉを主成分としていることを特徴と積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０記載の製造方法で製造されたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は誘電体セラミックの製造方法と誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサの製造方法と積層セラミックコンデンサに関し、より詳しくは、ＢａＴｉＯ３系材料を主成分とした低温焼成可能な誘電体セラミックの製造方法と、その製造方法により製造された誘電体セラミック、及びこの誘電体セラミックの製造方法を適用した積層セラミックコンデンサの製造方法と、その製造方法を使用した小型・大容量で良好な信頼性を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、積層セラミックコンデンサは携帯電話等の各種電子機器に広く使用されている。そして、近年の高性能かつ小型化の進展に伴い、より一層の小型・大容量の積層セラミックコンデンサの実現が要求されている。
【０００３】
この種の積層セラミックコンデンサは、通常、誘電体セラミック層となるべきセラミックグリーンシートと内部電極層となるべき導電膜とを交互に積層したセラミック積層体を共焼成してセラミック焼結体を作製し、その後  セラミック焼結体の両端面に外部電極を形成することにより製造される。
【０００４】
したがって、積層セラミックコンデンサを小型化・大容量化するためには、誘電体セラミック層や内部電極層を薄層化する必要があり、最近では、誘電体セラミック層の厚みが１μｍ以下の積層セラミックコンデンサが求められている。
【０００５】
しかしながら、このように誘電体セラミック層や内部電極層を薄層化すると、誘電体セラミック層と内部電極層の厚みが近くなってくるため、内部電極層が平滑でないと、絶縁不良を招きやすく、信頼性に欠けるおそれがある。
【０００６】
そして、セラミック積層体を高温で焼成すると、内部電極を構成する導電性粒子が球状化し、内部電極層の平滑性を損なうことから、焼結助剤を使用して極力低温で焼成するのが望ましい。
【０００７】
そこで、例えば、特許文献１には、誘電体セラミック層は、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化亜鉛と、酸化ニッケルとからなり、次の組成式、（１−α−β）（ＢａＯ）ｍＴｉＯ２ ＋αＹ２Ｏ３＋β（Ｚｎ1-xＮｉｘ）Ｏ但し、０．００２５≦α≦０．０３０．００２５≦β≦０．０８０＜β／α≦８０＜ｘ＜１１．０００≦ｍ≦１．０３５で表される主成分１００モルに対して、副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して０．２〜２．５モル、酸化マンガンをＭｎＯに換算して０．０５〜２．０モル含有し、さらに、上記主成分と副成分との合計を１００重量部として、Ｌｉ２Ｏ−ＲＯ−（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｏ２（但し、ＲはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ及びＭｇのうち少なくとも１種類）系の酸化物ガラスを０．２〜３．０重量部含有する材料によって構成され、前記内部電極は、ニッケル又はニッケル合金によって構成された積層セラミックコンデンサが提案されている。
【０００８】
また、上記酸化物ガラスは、Ｌｉ２Ｏが２〜４５モル％、ＭＯが０〜４０モル％、ＲＯが５〜４０モル％、（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｏ２ が３５〜７０モル％｛但し、（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｏ２のうちＳｉＯ２成分は１５モル％以上｝の組成範囲にあり、上記成分を１００重量部として、Ａｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２のうち少なくとも１種類が合計で２０重量部以下（但し、ＺｒＯ２は１０重量部以下）含有されており、この合成されたＬｉ系酸化物ガラスをチタン酸バリウム等と混合している。
【０００９】
特許文献１では、Ｌｉ系酸化物ガラスを添加することにより、低温焼成が可能となり、これにより内部電極中のＮｉ粒子が粗大化するのを抑制することが可能である。そして、これにより誘電体セラミック層が局所的に薄くなるのを回避することができ、絶縁性が改善され、信頼性の向上を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平０８−１９１０３２号公報（請求項１、２、段落番号〔００２８〕〜〔００３１〕）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記特許文献１では、誘電体セラミック層の厚みが１０μｍを超えるような場合は、信頼性を改善できるものの、誘電体セラミック層の厚みが１．０μｍ以下の薄層になると、導電性粒子の粗大化により内部電極層の平滑性を十分に確保できなくなり、誘電体セラミック層が局所的に薄くなるおそれがある。そしてその結果、高温負荷時には絶縁抵抗の早期低下により寿命が短くなり、十分な信頼性を確保できなくなるという問題点があった。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合であっても、所望の誘電特性や温度特性を確保しつつ信頼性を向上させることができる誘電体セラミックの製造方法と誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサの製造方法と積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合であっても、良好な信頼性を得るべく、ＢａＴｉＯ３系セラミック材料を使用して鋭意研究を行ったところ、合成された酸化物ガラスを主成分粉末と混合させるのではなく、焼成によりＬｉ酸化物となるＬｉ化合物粉末及び焼成によりＴｉ酸化物となるＴｉ化合物粉末をそれぞれ単独で主成分粉末と混合させてセラミック原料粉末を作製した。そして、このセラミック原料粉末を成形して焼成させたところ、より一層の低温焼成が可能であることが分かり、これにより誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合であっても、誘電特性や温度特性を損なうことなく信頼性の向上を図ることができるという知見を得た。
【００１４】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る誘電体セラミックの製造方法は、ＢａＴｉＯ３系化合物からなる主成分粉末と、焼成によりＬｉ酸化物となるＬｉ化合物及び焼成によりＴｉ酸化物となるＴｉ化合物を少なくとも含む複数の副成分粉末とを用意し、前記複数の副成分粉末をそれぞれ所定量秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成することを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の誘電体セラミックの製造方法は、前記Ｌｉ化合物の前記所定量は、焼成後の主成分１００モル部に対し、焼成後のＬｉ２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部であり、前記Ｔｉ化合物の前記所定量は、焼成後の主成分１００モル部に対し、焼成後のＴｉＯ２に換算して０．０５〜４．０モル部であることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の誘電体セラミックの製造方法は、ＢａＴｉＯ３系化合物は、Ｂａの一部をＣａ及びＳｒのうちの少なくともいずれか一方で置換し、Ｔｉの一部をＺｒ及びＨｆのうちの少なくともいずれか一方で置換していることを特徴としている。
【００１７】
そして、本発明者らの更なる鋭意研究の結果、所定量のＬｉ化合物及びＴｉ化合物を単独でそれぞれ主成分粉末と混合するのであれば、所定範囲内で必要に応じて希土類元素酸化物や特定の金属酸化物、ケイ素酸化物を添加しても誘電特性や温度特性を損なうことなく所望の信頼性を確保できることが分かった。
【００１８】
すなわち、本発明に係る誘電体セラミックの製造方法は、（Ｂａ1-xＣａｘ）ｍＴｉＯ３（ｘは０≦ｘ≦０．２、ｍは０．９６０≦ｍ≦１．０３０である。）で表される主成分粉末を用意すると共に、副成分粉末として、Ｌｉ化合物、Ｔｉ化合物、Ｒ化合物（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及びＹの中から選択される少なくとも１種を示す。）、Ｍ化合物（ＭはＭｎ及びＶのうちの少なくともいずれか１種を示す。）、及びＳｉ化合物を用意し、焼成後の組成が、主成分１００モル部に対し、Ｌｉ２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部、ＴｉＯ２に換算して０．０５〜４．０モル部、ＲＯ3/2に換算して０．２〜５．０モル部、ＭＯｎ（ｎはＭの価数によって一義的に決まる正の数を示す。）に換算して０．２〜１．０モル部、ＳｉＯ２に換算して０．５〜４．０モル部となるように、前記各副成分粉末をそれぞれ秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成することを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の誘電体セラミックの製造方法は、焼成後の組成が、前記主成分１００モル部に対し、ＭｇＯに換算して２．０モル部以下となるように、Ｍｇ化合物を秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製することを特徴としている。
【００２０】
また、本発明の誘電体セラミックの製造方法は、前記Ｂａの一部を０．２０モル部以下の範囲でＣａと置換することを特徴としている。
【００２１】
さらに、本発明の誘電体セラミックの製造方法は、前記主成分１００モル部に対するＢａ化合物の添加量をＢａＯに換算してαモル部、Ｃａ化合物の添加量をＣａＯに換算してβモル部とし、前記主成分１００モル部に対するＴｉ化合物の添加量を、ＴｉＯ２に換算してｆモル部とした場合、焼成後におけるｍ、α、β、ｆが、０．９６０≦ｍ＋（α＋β）／１００≦１．０３０、及びα＋β＜ｆを満足するように、Ｂａ化合物及びＣａ化合物をそれぞれ秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製することを特徴としている。
【００２２】
また、本発明に係る誘電体セラミックは、上記いずれかの製造方法で製造されたことを特徴としている。
【００２３】
また、本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、上記いずれかに記載の誘電体セラミックの製造方法の製造過程で作製されるセラミック原料粉末をシート状に成形し、誘電体セラミック層となるべきセラミックグリーンシートを作製した後、前記セラミックグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布して内部電極層となるべき導電パターンを形成し、次いで該導電パターンの形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、該積層体を焼成してセラミック焼結体を作製し、該セラミック焼結体に外部電極を形成することを特徴としている。
【００２４】
さらに、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記導電性ペーストは、導電性材料がＮｉを主成分としていることを特徴としている。
【００２５】
また、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、上記製造方法で製造されたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
上記誘電体セラミックの製造方法によれば、ＢａＴｉＯ３系化合物からなる主成分粉末と、焼成によりＬｉ酸化物となるＬｉ化合物及び焼成によりＴｉ酸化物となるＴｉ化合物を少なくとも含む複数の副成分粉末とを用意し、前記複数の副成分粉末をそれぞれ所定量秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成するので、Ｌｉ化合物及びＴｉ化合物を一体の合成物としてではなく、それぞれを単独で主成分粉末に添加されることとなり、これにより、より一層の低温焼成が可能となる。したがって、誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した積層セラミックコンデンサを製造する場合であっても、内部電極材料となるＮｉやＣｕの導電性粒子の球状化が生じにくくなり、導電性粒子の粗大化を抑制することができる。そしてその結果、誘電体セラミック層が局所的に薄くなるのを抑制でき、高温下で長時間放置しても絶縁抵抗の低下を極力抑制することができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００２７】
また、前記Ｌｉ化合物の前記所定量は、焼成後の主成分１００モル部に対し、焼成後のＬｉ２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部であり、前記Ｔｉ化合物の前記所定量は、焼成後の主成分１００モル部に対し、焼成後のＴｉＯ２に換算して０．０５〜４．０モル部であるので、上記作用効果を容易に奏することが可能となる。
【００２８】
ＢａＴｉＯ３系化合物は、Ｂａの一部をＣａ及びＳｒのうちの少なくともいずれか一方で置換し、Ｔｉの一部をＺｒ及びＨｆのうちの少なくともいずれか一方で置換した場合も、同様の作用効果を得ることができる。
【００２９】
さらに、焼成後の組成が、主成分１００モル部に対し、Ｌｉ２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部、ＴｉＯ２に換算して０．０５〜４．０モル部、ＲＯ3/2に換算して０．２〜５．０モル部、ＭＯｎ（ｎはＭの価数によって一義的に決まる正の数を示す。）に換算して０．２〜１．０モル部、ＳｉＯ２に換算して０．５〜４．０モル部となるように、前記各副成分粉末をそれぞれ秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成するので、誘電特性や温度特性を損なうことなく、所望の信頼性を確保することができる。
【００３０】
さらに、焼成後の組成が、前記主成分１００モル部に対し、ＭｇＯに換算して２．０モル部以下となるように、Ｍｇ化合物を秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製したり、或いは前記Ｂａの一部を０．２モル部以下の範囲でＣａと置換した場合も、誘電特性や温度特性を損なうことなく、所望の信頼性を確保することができる。
【００３１】
さらに、前記主成分１００モル部に対するＢａ化合物の添加量をＢａＯに換算してαモル部、Ｃａ化合物の添加量をＣａＯに換算してβモル部とし、前記主成分１００モル部に対するＴｉ化合物の添加量を、ＴｉＯ２に換算してｆモル部とした場合、焼成後におけるｍ、α、β、ｆが、０．９６０≦ｍ＋（α＋β）／１００≦１．０３０、及びα＋β＜ｆを満足するように、Ｂａ化合物及びＣａ化合物をそれぞれ秤量し、前記主成分粉末と混合してセラミック原料粉末を作製するので、誘電特性や温度特性を損なうことなく、所望の信頼性を確保することができる。
【００３２】
そして、本発明の誘電体セラミックによれば、上記製造方法で製造されているので、誘電特性や温度特性を損なうことなく、所望の信頼性を確保することができる。
【００３３】
また、上記積層セラミックコンデンサの製造方法及び積層セラミックコンデンサによれば、Ｎｉ等の内部電極材料が粗大化するのを十分に抑制できる程度に低温焼成することができるので、誘電体セラミック層が１．０μｍ以下に薄層化しても、内部電極層は良好な平滑性を有するので、誘電体セラミック層が局所的に薄くなるのを抑制でき、誘電体セラミック層は所望の平滑性を確保できる。そしてその結果、誘電特性や温度特性を損なうことなく、所望の信頼性を有する小型・大容量の積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００３４】
具体的には、１０００℃〜１０５０℃の低温で共焼成することができ、これにより誘電体セラミック層が１．０μｍ以下の薄層であっても、１５０℃の高温下、１２．５Ｖの直流電圧を印加した場合、１８０時間以上の平均寿命を有し、しかも比誘電率εｒは１３００以上、誘電損失tanδは５％未満の良好な誘電特性を有し、さらに、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性（−５５℃〜＋８５℃の温度範囲で＋２５℃を基準とした静電容量の温度変化率が±１５％以内）を満足する温度特性の良好な積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３７】
本発明に係る製造方法により製造された誘電体セラミックの一実施の形態（第１の実施の形態）は、下記一般式（Ａ）で表わすことができる。
【００３８】
１００（Ｂａ1-xＣａｘ）ｍＴｉＯ３＋ｅＬｉ２Ｏ＋ｆＴｉＯ２…（Ａ）
ここで、ｘ、ｍ、ｅ、ｆは、数式（１）〜（４）を満足している。
【００３９】
０≦ｘ≦０．２０            …（１）
０．９６０≦ｍ≦１．０３０  …（２）
０．２≦ｅ≦６．０          …（３）
０．０５≦ｆ≦４．０        …（４）
すなわち、上記誘電体セラミックは、主成分がペロブスイカイト構造（一般式ＡＢＯ３）を有するチタン酸バリウム系複合酸化物からなり、少なくとも主成分１００モル部に対しＬｉ２Ｏが０．２〜６．０モル部、ＴｉＯ２が０．０５〜４．０モル部含有されている。
【００４０】
次に、ｘ、ｍ、ｅ、及びｆが、上記（１）〜（４）の範囲に限定した理由を述べる。
【００４１】
（１）ｘ
主成分中のＢａの一部を必要に応じてＣａに置換することにより、用途に応じた特性を得ることができる。しかしながら、Ｃａの置換モル量ｘが、０．２１を超えると、高温下で長時間放置した場合、絶縁抵抗が早期に劣化し、十分な信頼性を得ることができなくなるおそれがある。
【００４２】
このためＢａの一部をＣａで置換する場合は、置換モル量ｘが０．２０以下となるように調製されている。
【００４３】
（２）ｍ
主成分中のＴｉサイト（Ｂサイト）に対するＢａサイト（Ａサイト）のモル比ｍは化学量論的には１．０００であるが、必要に応じてＢａサイトリッチ又はＴｉサイトリッチにするのも好ましい。
【００４４】
しかしながら、ＢａサイトとＴｉサイトのモル比ｍが、０．９６０未満又は１．０３０を超えると、高温下で長時間放置した場合、絶縁抵抗が早期に劣化し、十分な信頼性を得ることができなくなるおそれがある。しかも、モル比ｍが、０．９６０未満の場合は比誘電率εｒも低下し、所望の誘電特性を得ることが困難となる。
【００４５】
そこで、焼成後のモル比ｍが、０．９６０≦ｍ≦１．０３０となるように調製されている。
【００４６】
（３）ｅ、ｆ
焼成によりＬｉ２ＯとなるＬｉ化合物、及び焼成によりＴｉＯ２となるＴｉ化合物をそれぞれ単独で主成分粉末に適量添加することにより、１０００℃〜１０５０℃程度の低温での焼成が可能となる。したがって、後述する積層セラミックコンデンサを作製する場合、誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化しても、内部電極材料となるＮｉやＣｕの導電性粒子の球状化が生じにくくなり、導電性粒子の粗大化が抑制される。そしてその結果、内部電極層の平滑性は良好となり、誘電体セラミック層が局所的に薄くなるのを抑制できる。そしてこれにより高温下で長時間放置しても絶縁抵抗の低下を極力抑制でき、信頼性の向上を図ることができる。
【００４７】
しかしながら、Ｌｉ２Ｏの含有モル量が、主成分１００モル部に対し０．２モル部未満又は６．０モル部を超えた場合は、高温下で長時間放置した場合、比較的早期に絶縁抵抗の低下を招くおそれがあり、十分な信頼性向上を図ることができない。
【００４８】
また、ＴｉＯ２の含有モル量についても同様、主成分１００モル部に対し０．０５モル部未満又は４．０モル部を超えた場合は、高温下で長時間放置した場合、比較的早期に絶縁抵抗の低下を招くおそれがあり、十分な信頼性向上を図ることができない。
【００４９】
そこで、Ｌｉ２Ｏ及びＴｉＯ２の含有モル量が、主成分１００モル部に対しそれぞれ０．２〜６．０モル部、及び０．０５〜４．０モル部となるように調製されている。
【００５０】
そして、本誘電体セラミックは、以下のようにして製造される。
【００５１】
すなわち、セラミック素原料としてＢａＣＯ３等のＢａ化合物、及びＴｉＯ２等のＴｉ化合物、必要に応じてＣａＣＯ３等のＣａ化合物を用意し、焼成後の（Ｂａ1-xＣａｘ）ｍＴｉＯ３が上記数式（１）、（２）を満足するようにこれらセラミック素原料を秤量する。
【００５２】
次いで、この秤量物をＰＳＺ（Partially Stabilized Zirconia：部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石及び純水と共にボールミルに投入し、湿式で十分に混合粉砕した後、１０００℃以上の温度で仮焼し、主成分粉末を作製する。
【００５３】
次いで、焼成によりＬｉ２ＯとなるＬｉ化合物、及び焼成によりＴｉＯ２となるＴｉ化合物を用意し、焼成後の主成分１００モル部に対し、焼成後に上記数式（３）、（４）を満足するように、これらＬｉ化合物、及びＴｉ化合物を秤量する。
【００５４】
そして、秤量した主成分粉末、Ｌｉ化合物、及びＴｉ化合物を玉石及び純水と共にボールミルに投入し、湿式で十分に混合粉砕した後、１０００℃以上の温度で仮焼し、これによりセラミック原料粉末を作製する。
【００５５】
そしてこの後、セラミック原料粉末を有機バインダや有機溶剤と共にボールミルに投入して湿式混合し、これによりセラミックスラリーを作製する。そして、セラミックスラリーを成形加工した後、３００℃〜５００℃の温度で脱バインダ処理を行ない、さらに、酸素分圧が１０-9〜１０-12ＭＰａに制御されたＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気下、温度１０００〜１０５０℃の温度で約２時間焼成処理を行ない、これにより上述した誘電体セラミック（セラミック焼結体）が作製される。
【００５６】
このように本第１の実施の形態では、焼成後の主成分１００モル部に対し、焼成後にはＬｉ２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部、及びＴｉＯ２に換算して０．０５〜４．０モル部となるようにＬｉ化合物及びＴｉ化合物をそれぞれ単独で主成分粉末に添加しているので、１０００℃〜１０５０℃程度のより一層の低温での焼成が可能となる。したがって、誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した積層セラミックコンデンサを作製する場合であっても，内部電極材料となるＮｉやＣｕの導電性粒子の球状化が生じにくくなり、導電性粒子の粗大化を抑制することができる。そしてその結果、該誘電体セラミック層は局所的に薄くなるのを抑制でき、高温下で長時間放置しても絶縁抵抗の低下を極力抑制することができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００５７】
さらに、本発明は、上記Ｌｉ２Ｏ、及びＴｉＯ２に加え、副成分を適量添加しても、所望の信頼性を確保することが可能である。
【００５８】
次に、第２の実施の形態に係る誘電体セラミックの製造方法を詳述する。
【００５９】
第２の実施の形態の製造方法で製造された誘電体セラミックは、一般式（Ｂ）で表わされる。
【００６０】
１００（Ｂａ1-xＣａｘ）ｍＴｉＯ３＋αＢａＯ＋βＣａＯ＋ａＲＯ3/2＋ｂＭｇＯ
＋ｃＭＯｎ＋ｄＳｉＯ２＋ｅＬｉ２Ｏ＋ｆＴｉＯ２    …（Ｂ）
すなわち、本第２の実施の形態では、副成分として、Ｌｉ化合物及びＴｉ化合物に加え、焼成後にＢａＯとなるＢａ化合物、焼成後にＣａとなるＣａ化合物、焼成後に特定の希土類元素酸化物ＲＯ3/2となるＲ化合物、焼成後にＭｇＯとなるＭｇ化合物、焼成後にＭＯｎとなるＭ化合物、焼成後にＳｉＯ２となるＳｉ化合物が添加されている。
【００６１】
尚、組成式（Ｂ）中、ＭはＭｎ及びＶの少なくともいずれか１種を示し、ｎはＭの価数によって一義的に決まる正の数である。したがって、Ｍが、Ｍｎの場合はｎは１、ＭがＶの場合はｎは５／２である。
【００６２】
また、特定の希土類元素Ｒとしては、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及びＹの中から選択された１種以上を使用することができる。
【００６３】
ここで、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、数式（５）〜（８）を満足している。
【００６４】
０．２≦ａ≦５．０  …（５）
０≦ｂ≦２．０      …（６）
０．２≦ｃ≦１．０  …（７）
０．５≦ｄ≦４．０  …（８）
また、ｍ、α、β、ｆは、数式（９）、（１０）を満足している。
【００６５】
０．９６０≦ｍ＋（α＋β）／１００≦１．０３０  …（９）
α＋β＜ｆ        …（１０）
一般式（Ｂ）中の各種副成分が数式（５）〜（１０）の範囲となるように設定したのは、以下の理由による。
【００６６】
主成分に対し、所定量のＬｉ２Ｏ及びＴｉＯ２を添加することにより、上述したように、１０００℃〜１０５０℃程度のより一層の低温焼成が可能となり、誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合の信頼性向上を図ることができる。そして、各副成分原料が上記組成式（Ｂ）に示すように、適量のＢａＯ、ＣａＯ、ＲＯ3/2、ＭｇＯ、ＭＯｎ(ＭはＭｎ及び／又はＶ)、及びＳｉＯ２を添加してもＬｉ２Ｏ及びＴｉＯ２の添加効果が損なわれることはなく、所望の信頼性を確保することが可能である。
【００６７】
しかしながら、これら副成分が数式（５）〜（１０）の範囲外となると、高温下で長時間放置すると、絶縁抵抗が短時間で低下し、十分な信頼性を確保することができなくなるおそれがある。また、焼成後の希土類元素酸化物ＲＯ3/2が主成分１００モル部に対し、５．０モル部を超えたり、ＳｉＯ２が４．０モル部を超えると静電容量の温度特性が悪化するおそれがある。
【００６８】
さらに、｛ｍ＋（α＋β）／１００｝が１．０３０を超えると、比誘電率εｒが低下し、所望の誘電特性を確保できなくなるおどれがある。
【００６９】
そこで、本実施の形態では、所定量のＬｉ２Ｏ及びＴｉＯ２に加え、組成式（Ｂ）に示す副成分を添加する場合は、数式（５）〜（１０）の範囲内で添加するように調製されている。  
【００７０】
上記誘電体セラミックは、以下の方法で製造することができる。
【００７１】
まず、第１の実施の形態と同様、主成分粉末を作製する。次いで、所定量のＬｉ２Ｏ及びＴｉＯ２に加え、焼成によりＢａＯ、ＣａＯ、ＲＯ3/2、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｖ２Ｏ５、ＳｉＯ２となる各副成分粉末を用意し、所定量秤量する。
【００７２】
そして、主成分粉末、及び各副成分粉末を玉石及び純水と共にボールミルに投入し、湿式で十分に混合粉砕した後、１０００℃以上の温度で仮焼し、これによりセラミック原料粉末を作製する。
【００７３】
その後は第１の実施の形態と同様、セラミックスラリーの作製→セラミック積層体の作製→焼成の各工程を経て誘電体セラミックが作製される。
【００７４】
次に、上記誘電体セラミックを使用した積層セラミックコンデンサについて説明する。
【００７５】
図１は上記積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【００７６】
該積層セラミックコンデンサは、セラミック焼結体１に内部電極層２ａ〜２ｆが埋設されると共に、該セラミック焼結体１の両端部には外部電極３ａ、３ｂが形成され、さらに該外部電極３ａ、３ｂの表面には第１のめっき皮膜４ａ、４ｂ及び第２のめっき皮膜５ａ、５ｂが形成されている。
【００７７】
すなわち、セラミック焼結体１は、上記誘電体セラミックで形成された誘電体セラミック層６ａ〜６ｇと内部電極層２ａ〜２ｆとが交互に積層されて焼成されてなり、内部電極層２ａ、２ｃ、２ｅは外部電極３ａと電気的に接続され、内部電極層２ｂ、２ｄ、２ｆは外部電極３ｂと電気的に接続されている。そして、内部電極層２ａ、２ｃ、２ｅと内部電極層２ｂ、２ｄ、２ｆとの対向面間で静電容量を形成している。
【００７８】
次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法の製造方法を説明する。
【００７９】
まず、誘電体セラミックの製造方法に係る上記第１又は第２の実施の形態と同様の方法で、セラミック原料粉末を作製する。
【００８０】
次いで、このセラミック原料粉末を有機バインダや有機溶剤と共にボールミルに投入して湿式混合し、これによりセラミックスラリーを作製する。その後、ドクターブレード法等を使用してセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製する。
【００８１】
次いで、内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を行い、前記セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電膜（導電パターン）を形成する。
【００８２】
尚、内部電極用導電性ペーストに含有される導電性材料としては、低コスト化の観点から、Ｎｉ、Ｃｕやこれら合金を主成分とした卑金属材料を使用するのが好ましく、より好ましくはＮｉ又はＮｉ合金が使用される。
【００８３】
次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製する。そしてこの後、３００℃〜５００℃の温度で脱バインダ処理を行ない、さらに、酸素分圧が１０-9〜１０-12ＭＰａに制御されたＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気下、温度１０００〜１１００℃で約２時間焼成処理を行なう。これにより導電膜とセラミックグリーンシートとが共焼成され、内部電極２ａ〜２ｆと誘電体セラミック層６ａ〜６ｇとが交互に積層されてなるセラミック焼結体１が得られる。
【００８４】
次に、セラミック焼結体１の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼付処理を行い、これにより外部電極３ａ、３ｂが形成される。
【００８５】
尚、外部電極用導電性ペーストに含有される導電性材料についても、低コスト化の観点からＣｕ等の卑金属材料を使用するのが好ましい。
【００８６】
また、外部電極３ａ、３ｂの形成方法として、セラミック積層体の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布した後、セラミック積層体と同時に焼成処理を施すようにしてもよい。
【００８７】
そして最後に、電解めっきを行って外部電極３ａ、３ｂの表面にＮｉ等からなる第１のめっき皮膜４ａ、４ｂを形成し、さらに該第１のめっき皮膜４ａ、４ｂの表面にはんだやスズ等からなる第２のめっき皮膜５ａ、５ｂを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００８８】
このように上記積層セラミックコンデンサによれば、１０００〜１０５０℃の低温で焼成することができるので、Ｎｉ等の内部電極材料が粗大化するのを抑制できる。したがって、誘電体セラミック層が１．０μｍ以下に薄層化しても局所的に薄くなるのを抑制でき、誘電体セラミック層は所望の平坦性を確保できる。そしてその結果、誘電特性や温度特性を損なうことなく、所望の信頼性を有する小型・大容量の積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００８９】
具体的には、誘電体セラミック層が１．０μｍ以下の薄層であっても、１５０℃の高温下、１２．５Ｖの直流電圧を印加した場合、１８０時間以上の平均寿命を有し、しかも比誘電率εｒは１３００以上、誘電損失tanδは５％未満の良好な誘電特性を有し、また、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性（−５５℃〜＋８５℃の温度範囲で＋２５℃を基準とした静電容量の温度変化率が±１５％以内）を満足する温度特性の良好な積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００９０】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記副成分は一例であって、Ｌｉ化合物とＴｉ化合物の添加効果を阻害しない範囲で種々の副成分を添加するのも好ましい。
【００９１】
また、上記実施の形態では、Ｂａの一部をＣａで置換することを許容しているが、Ｃａに代えて或いはＣａに加えてＳｒで置換しても、本発明の所期の作用効果を奏することができ、また、Ｔｉの一部をＨｆ及びＺｒのうちの少なくとも１種で置換しても、本発明の所期の作用効果を奏することができる。
【００９２】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例】
【００９３】
〔試料の作製〕
セラミック素原料としてＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３及びＴｉＯ２を用意し、表１及び表２の組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した。
【００９４】
そして、これら秤量物を混合して、ボールミルに投入し、湿式混合し、凝集物を解砕し、組成式（Ｂａ1-xＣａｘ）ｍＴｉＯ３で表される主成分粉末を得た。
【００９５】
次に、副成分粉末としてＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｒ２Ｏ３（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及びＹ）、ＭｇＣＯ３、ＭｎＣＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｌｉ２ＣＯ３、ＴｉＯ２を用意した。
【００９６】
そして、組成式が下記化学式（Ｂ）を満たすように主成分粉末及び副成分粉末を秤量した。
【００９７】
１００（Ｂａ1-xＣａｘ）ｍＴｉＯ３＋αＢａＯ＋βＣａＯ＋ａＲＯ3/2＋ｂＭｇＯ
＋ｃＭＯｎ＋ｄＳｉＯ２＋ｅＬｉ２Ｏ＋ｆＴｉＯ２    …（Ｂ）
ここで、ＭはＭｎ及びＶのうちの少なくとも１種であり、ＭがＭｎの場合はｎは１、ＭがＶの場合はｎは５／２である。
【００９８】
次いで、これら秤量物を混合し、ボールミルに投入して湿式で混合し、蒸発乾燥させてセラミック原料粉末を得た。
【００９９】
次に、このセラミック原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダ及びエタノールを加えて、ボールミルにより十分に湿式で混合し、セラミックスラリーを作製した。このセラミックスラリーをリップ法でシート成形し、セラミックグリーンシートを得た。
【０１００】
次に、セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを主成分とする導電ぺ一ストをスクリーン印刷し、内部電極層となるべき導電膜を形成した。そして、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを導電膜の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、セラミック積層体を得た。次いで、このセラミック積層体をＮ２雰囲気中、３００℃の温度に加熱し、バインダを燃焼除去した後、酸素分圧１０-10ＭＰａのＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気中、１０２５℃の温度で２時間焼成し、セラミック焼結体を得た。
【０１０１】
そしてその後、セラミック焼結体の両端面にＢ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯガラスフリットを含有したＣｕを主成分とする導電性ペ一ストを塗布し、Ｎ２雰囲気中で８００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し、実施例試料１〜２７及び比較例試料３１〜５１の各試料（積層セラミックコンデンサ）を得た。
【０１０２】
作製した各試料の外形寸法は長さＬが２．０ｍｍ、幅Ｗが１.２ｍｍ、厚さＴが１.０ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは０.８９μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の総数は１００であり、一層当たりの対向電極面積は１.４ｍｍ２であった。
【０１０３】
〔特性評価〕
実施例試料１〜２７及び比較例試料３１〜５１の各試料について、比誘電率εｒ、誘電損失tanδ、及び静電容量の温度変化率ΔＣ／Ｃ25を求めた。
【０１０４】
すなわち、自動ブリッジ式測定器を使用し、周波数１ｋＨｚ、実効電圧０．５Ｖｍｓ、温度２５℃の条件で静電容量Ｃ、及び誘電損失tanδを測定し、静電容量Ｃと試料寸法から比誘電率εｒを求めた。そして、比誘電率εｒが１３００以上、誘電損失tanδが５％未満を良品とした。
【０１０５】
また、静電容量の温度変化率ΔＣ／Ｃ25は、−５５℃〜＋８５℃の範囲で静電容量を測定し、＋２５℃での静電容量を基準とした最大変化率を求めた。静電容量の温度変化率ΔＣ／Ｃ25が±１５％以内であれば、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足し、良品であると判断した。
【０１０６】
また、実施例試料１〜２７及び比較例試料３１〜５１の各試料１１個について、加速信頼性試験を行った。すなわち、温度１５０℃で１２.５Ｖの直流電圧を印加し、絶縁低抗値が１０５Ω以下になったときを故障とし、各試料１１個についての平均値を求め、平均故障寿命を求めた。そして、この平均故障寿命が１８０時間以上を良品と判断した。
【０１０７】
表１及び表２は実施例試料１〜２７及び比較例試料３１〜５１の成分組成をそれぞれ示し、表３及び表４はそれらの測定結果をそれぞれ示している。
【０１０８】
【表１】
2010208905.tif 000003
【０１０９】
【表２】
2010208905.tif 000004
【０１１０】
【表３】
2010208905.tif 000005
【０１１１】
【表４】
2010208905.tif 000006
【０１１２】
表２及び表４から明らかなように、比較例試料３１は、｛ｍ＋（α＋β）／１００｝が０．９５９であり０．９６０未満であるため、平均故障寿命が１６０時間と短くなることが分かった。
【０１１３】
比較例試料３２〜３５は、｛ｍ＋（α＋β）／１００｝が１．０３１であり１．０３０を超えているため、平均故障寿命が１５０〜１６０時間と短くなった。しかも、この場合は比誘電率εｒが１１００〜１２００となり、１３００未満に低下することが分かった。
【０１１４】
比較例試料３６〜３８は、（α＋β）が０．５００であり、主成分１００モルに対するＴｉＯ２の含有モル量ｆと同一値であるため、平均故障寿命は１５０時間〜１６０時間と短くなることが分かった。
【０１１５】
比較例試料３９は、主成分中のＡサイトのＣａの含有モル量ｘが０．２１と過剰であるため、平均故障時間が１７０時間となり、１８０時間未満に低下することが分かった。
【０１１６】
比較例試料４０は、希土類酸化物としてのＤｙＯ3/2のモル部ａが主成分１００モル部に対し０．１モル部と少ないため、平均故障時間が１５０時間となり、１８０時間未満に低下することが分かった。
【０１１７】
比較例試料４１は、希土類酸化物としてのＹｂＯ3/2のモル部ａが主成分１００モル部に対し５．１モル部と過剰であるため、平均故障時間が１６０時間となり、１８０時間未満に低下した。しかも、この場合、静電容量の温度変化率ΔＣ／Ｃ25も−１７％となり、温度特性が劣化し、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しなくなることが分かった。
【０１１８】
比較例試料４２は、ＭｇＯのモル部ｂが主成分１００モル部に対し２．１モル部と過剰であるため、平均故障時間が１６０時間となり、１８０時間未満に低下することが分かった。
【０１１９】
比較例試料４３は、ＭｎＯとＶＯ5/2の合計のモル部ｃが主成分１００モル部に対し０．１０モル部と少ないため、平均故障時間が１４０時間となり、１８０時間未満に低下した。
【０１２０】
比較例試料４４は、ＭｎＯとＶＯ5/2の合計のモル部ｃが主成分１００モル部に対し１．１０モル部と少ないため、平均故障時間が１６０時間となり、１８０時間未満に低下した。
【０１２１】
比較例試料４５は、ＳｉＯ２のモル部ｄが主成分１００モル部に対し０．４モル部と少ないため、平均故障時間が１５０時間となり、１８０時間未満に低下した。
【０１２２】
比較例試料４６は、ＳｉＯ２の総モル部ｄが主成分１００モル部に対し４．１モル部と多いため、平均故障時間が１５０時間となって、１８０時間未満に低下した。しかも、この場合、静電容量の温度変化率ΔＣ／Ｃ25も−１６％となり、温度特性が劣化し、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しなくなることが分かった。
【０１２３】
比較例試料４７は、Ｌｉ２Ｏのモル部ｅが主成分１００モル部に対し０．１モル部と少ないため、平均故障時間が１７０時間となり、１８０時間未満に低下した。
【０１２４】
比較例試料４８は、Ｌｉ２Ｏのモル部ｅが主成分１００モル部に対し６．１モル部と多いため、平均故障時間が１６０時間となり、１８０時間未満に低下した。
【０１２５】
比較例試料４９は、ＴｉＯ２のモル部ｆが主成分１００モル部に対し０．０４モル部と少ないため、平均故障時間が１６０時間となり、１８０時間未満に低下した。
【０１２６】
比較例試料５０は、ＴｉＯ２のモル部ｆが主成分１００モル部に対し４．１モル部と多いため、平均故障時間が１５０時間となり、１８０時間未満に低下した。
【０１２７】
比較例試料５１は、｛ｍ＋（α＋β）／１００｝が１．０５７と過剰であり、しかも、（α＋β）が５．０００と、ＴｉＯ２のモル部である４．１を大幅に超えているため、平均故障時間が１３０時間と大幅に低下した。
【０１２８】
これに対し表１及び表３から明らかなように、実施例試料１〜２７は、０．９６０≦｛ｍ＋（α＋β）／１００｝≦１．０３０、α＋β＜ｆ、０≦ｘ≦０．２０、０．２≦ａ≦０．９、０≦ｂ≦２．０、０．２≦ｃ≦１．０、０．５≦ｄ≦４．０、０．２≦ｅ≦６．０、０．０５≦ｆ≦４．０を満足し、かつ本発明の範囲内の希土類元素及び金属元素Ｍを使用しているので、平均故障寿命は１８０時間以上の良好な信頼性を有することが分かった。しかも、比誘電率εｒは１３００以上、誘電損失tanδは５％以下の良好な誘電特性を有し、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足する良好な温度特性を有する積層セラミックコンデンサを得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
誘電体セラミック層が１．０μｍ以下の薄層になっても、誘電特性や温度特性を損なうことなく、信頼性向上を図ることができ、高品質の小型・大容量の積層セラミックコンデンサを実現できる。
【符号の説明】
【０１３０】
１  セラミック焼結体
２ａ〜２ｆ  内部電極層
４ａ、４ｂ  外部電極
６ａ〜６ｇ  誘電体セラミック層
【図１】
2010208905.tif 000007