(57)【要約】【課題】基板の残留体を再生する両面研磨ステップを必要としない改善された再生プロセスを提供する。【解決手段】発明は、表面、具体的には、シリコン表面が、第１の材料からなる層を少なくとも備える隆起残余トポグラフィーを備えている基板の表面を再生する方法に関する。基板の表面の非隆起領域に充填材を提供し、その後に研磨することにより、従来技術に用いられた材料を消費する両面研磨ステップがもはや必要ではないように、再生が実行される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面、具体的には、シリコン表面が、具体的には、層転写プロセスによって生じる、シリコンのような第１の材料からなる層を少なくとも備える隆起残余トポグラフィーを備え、
ａ）基板の表面の非隆起領域に、充填材、具体的にはシリコンを提供するステップと、
ｂ）表面を研磨するステップ、
を有し、
充填材と隆起残余トポグラフィーの少なくとも一部が、研磨ステップｂ）の間、同時に研磨されることを特徴とする基板の表面を再生する方法。
【請求項２】
第１の材料と充填材は、ステップｂ）における研磨が実質的に同じ除去速度で生じることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の材料は、単結晶相であり、充填材は、多結晶相であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ステップｂ）は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
充填材による層の厚さは、第１の材料の厚さの５０％〜１５０％の範囲内にあり、特に、第１の材料の厚さの８０％〜１２０％の範囲内にあり、さらには、第１の材料の厚さに一致することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
隆起トポグラフィーは、第１の層を覆って、具体的には第１の層の上に、第１の材料、具体的には、ＳｉＯ2からなる第２の層を備え、
ステップａ）は、
（ａ．ｉ．）シリコン前駆体、さらに具体的にはシラン（ＳｉＨ4）を用いて、特に、反応器内で、隆起トポグラフィーの第２の材料の上及び非隆起領域の上に充填材を蒸着させるステップと、
（ａ．ｉｉ．）第２の層を取り去り、それによって、同時に、隆起トポグラフィーを覆う充填材を取り去るステップ、
を備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
基板は、ステップ（ａ．ｉ．）の間、隆起トポグラフィーを有する表面の反対側の表面が充填材の層がない状態のままであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
隆起トポグラフィーは、第１の層を覆って、具体的には第１の層の上に、第１の材料、具体的には、ＳｉＯ2からなる第２の層を備え、
ステップａ）は、
（ａ．１．）選択的蒸着を許容するシリコン前駆体、さらに具体的にはジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ4）を用いて、特に、反応器内で、マスクとして第２の層を用いて非隆起領域の上にのみ充填材料を蒸着させるステップ、
を備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
（ａ．２．）第２の層を取り去るステップをさらに備えていることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ステップ（ａ．ｉｉ．）またはステップ（ａ．２．）は、特に、ＨＦ浴を用いる脱酸素ステップを備えていることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
ステップｂ）の間、少なくとも、第１の層の厚さに一致する厚さが取り去られることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
ステップｂ）の間、材料の除去は、注入欠陥を持つ領域を超えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
材料の除去は、２０００Å〜１２０００Åの範囲内であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板の面取りされた境界領域のイオン注入領域を取り去る境界研磨ステップをさらに備えることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
ベース、該ベースを覆う、特にベースの境界領域にあるイオン注入領域と非イオン注入領域、該イオン注入領域の第１の材料からなる第１の層、及び非イオン注入領域上の充填材からなる充填層を備えている基板。
【請求項１６】
第１の材料は、単結晶相であり、充填材は、多結晶相であることを特徴とする請求項１５に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面、具体的にはシリコン表面が、典型的には、イオン注入ステップ、ボンディング・ステップ（a bonding step）及び剥離ステップを備える層転写プロセスによって特に生ずる、隆起残余トポグラフィー（a protruding residual topography）を備える基板の表面を再生する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示される、いわゆるスマート・カット（Smart Cut）（登録商標）プロセスは、高品質の絶縁層上のシリコン薄膜（silicon on insulator）（ＳＯＩ）基板を提供する。このプロセス中、通常は、シリコン・ウエーハであるハンドル基板（a handle substrate）１０１及びドナー基板（a donor substrate）１０３と呼ばれる２つの基板は、一定数のプロセスのステップを経て、ドナー基板１０３の所定の厚さを有する層をハンドル基板１０１上に転写する。プロセス中、ドナー基板１０３は、典型的には酸化され１０５、その後、ＳＯＩ構造体の埋め込み酸化物層（ＢＯＸ）を形成する。また、イオン注入ステップが、転写されるべき層を画定する所定の分割領域１０７を形成するのに適用される。続いて、ソース基板（the source substrate）１０３は、分子間力を利用して、具体的にはボンディングを介してハンドル基板１０１に取り付けられ、ソース−ハンドル合成物１０９が取得される。機械的及び／または熱的に処理されると、埋め込み酸化物層１１３とともに半導体層１１１の剥離が所定の分割領域１０７において発生し、結果として、２つの層がハンドル基板１０１上に転写され、所望のＳＯＩ構造体１１５が取得される。
【０００３】
ネガティブ（the negative）とも呼ばれるドナー基板１０３の残りの部分１１７は、再生処理され、スマート・カット（登録商標）形式のプロセスにおいて、新しいドナー基板またはハンドル基板として再度使用され得る。スマート・カット（登録商標）形式のＳＯＩ製造プロセスは、再生処理プロセスによるかなりの経済的利点を有する。確かに、当該製造プロセスは、原材料、例えば、シリコン・ウエーハの最適化された使用を提供する。
【０００４】
ネガティブは、図１に示されるように、初めのウエーハ１０３及び／または１０１の境界（the edge）の形状によって層転写が全く発生しなかった領域に対応する境界領域（an edge area）にある隆起残留物１１９ａ及び１１９ｂを表す特有のトポグラフィーを有している。隆起残留物１１９ａと１１９ｂとの間のネガティブ１１７の表面は、そこで剥離が発生し、ハンドル基板１０１上に転写された層１１１を提供する第１の内部領域１２１であって、標準のシリコン・ウエーハに対する１−３Åに比べて、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）によって測定されたＲＭＳで典型的には６０−７０Åに近いかなり粗い表面を有する第１の内部領域１２１を有する。隆起残留物１１９ａ及び１１９ｂを有する残留体１１７の境界は、実際に、面取りされた形状を有し、イオン注入された所定の分割領域１２９の残余部分を覆う埋め込み酸化物層１２５と非転写シリコン１２７の残余部分を含んでいる、内部領域１２１から見て階段状の構造体１２３をさらに含んでいる。ところで、ネガティブ１１７の境界１３１と背面１３３も、酸化物で覆われている。
【０００５】
ネガティブ１１７の段部１２３は、典型的には、約１０００−１００００Å、大部分は、２０００―３０００Åの厚さのシリコン、１００−１００００Åの厚さの酸化ケイ素を有し、横方向に１−３ｍｍの幅ｗを有する。
【０００６】
ドナー基板１０３またはハンドル基板１０１としてネガティブ１１７を再利用する前に、内部領域１２１の表面粗さは、小さくする必要があり、隆起残余トポグラフィー１１９ａ及び１１９ｂは、取り去られる必要がある。そのようにする方法は、例えば、特許文献１及び２から知られている。典型的には、以下の工程が隆起残余トポグラフィーを取り除くために適用される。再生プロセスは、残留体１１７の境界の隆起残余トポグラフィーの上ばかりでなく、側面１３１やその背面１３３の酸化物層１２５を取り去る脱酸素ステップで始まる。脱酸素は、例えば、酸が酸化物層１２５、１３１及び１３３を消費するＨＦ浴を利用して実行される。続いて、基板１０３の境界領域の最初の研磨ステップが実行され、境界の隆起シリコン部分１２７を少なくとも部分的に取り去る。次に、両面研磨（ＤＳＰ）ステップが実行され、内部領域１２１の表面粗さを改善するが、また、隆起残余トポグラフィー１１９ａ及び１１９ｂの方向に段部１２３をさらに取り去る。最後に、残留体１１７の前面における適切な表面粗さを得るために、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）ステップが実行される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】欧州特許出願公開第１１５６５３１号明細書
【特許文献２】米国特許第７４０２５２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
スマート・カット（登録商標）プロセスに再利用され得る、上述した再生プロセスで再生処理された基板を取得することは可能であるけれども、ドナー基板の残留体を再生する両面研磨ステップをもはや必要としない改善された再生プロセスを提供することが本発明の目的である。確かに、ＤＳＰプロセスのステップは、研磨中、最大１０μｍ（基板の各面で５μｍ）が隆起残余トポグラフィー１１９ａ及び１１９ｂを排除するために取り去られるという大きな欠点を有する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的は、クレーム１に係る方法により達成される。したがって、表面、具体的にはシリコンの表面が特に層転写プロセスによって生じる隆起残余トポグラフィーを備え、少なくともシリコンのような第１材料（a first material）の層を備える基板の表面を再生する方法は、ａ）基板の表面の非隆起領域の充填材（a filling material）、具体的には、シリコンを用意するステップ、及び、ｂ）表面を研磨するステップを備え、充填剤及び少なくとも隆起残余トポグラフィーの一部は、研磨ステップｂ）の間、同時に研磨される。隆起領域及び充填剤を有する非隆起領域を平らにすることにより、材料を消費する両面研磨を排除することが可能となる。結果として、基板は、もっと多く再使用され得る。
【００１０】
第１材料及び充填材は、ステップｂ）における研磨が同じ除去速度で実質的に生じるように選択され得ることが好ましい。これに関連して、充填材は、その機械的及び／または化学的研磨特性が第１材料の研磨特性に一致するように選択されることが好ましい。このことは、研磨ステップｂ）を最適化する。
【００１１】
充填材及び第１材料は、同じ化学的性質を持っていることが好ましい。本発明に係るこの方法では、両面研磨ステップを排除することが可能である。
【００１２】
隆起残余トポグラフィーの第１材料は、単結晶相であり、充填材は、多結晶相であり得ることが好ましい。研磨に関して、物質が単結晶であるかまたは多結晶であるかは問題にならない。１つには、結晶相の成長に比較して多結晶相に蒸着される材料のより迅速な蒸着を利用することができる。このことは、本発明に係る方法をさらに効果的にする。
【００１３】
ステップｂ）は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を備えることが有利である。１０μｍ（片側で５μｍ）オーダーの総材料除去を有するＤＳＰ法を適用することに代えて、本発明は、研磨中最高でわずか１μｍの物質が取り去られるＣＭＰ研磨のみを必要とする。このわずかな材料除去により、ドナー基板は、もっと多く再使用されるとともに、材料厚さ及び形状に関するＳＥＭＩ標準の範囲内に留まる。
【００１４】
充填材を有する層の厚さは、隆起トポグラフィーの第１材料の厚さの５０％〜１５０％の範囲内に、さらには、第１材料の厚さの８０％〜１２０％の範囲内にあり得ることが、さらにいうなら第１材料の厚さに一致することが有利である。充填材の厚さのこの範囲内において、標準的研磨プロセス（例えば、ＣＭＰ）が基板の表面を再生するために実行されるとともに、同時に、境界領域の形状が確保され得る。
【００１５】
第１の好ましい変形例によれば、隆起トポグラフィーは、隆起残余トポグラフィーの第１の層を覆って、具体的には第１の層の上に、第２の材料、具体的には、二酸化ケイ素の第２の層を備え、ステップａ）は、特に、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、Ｓｉ3Ｈ8のようなシリコン前駆体を用いて、反応器内で、隆起トポグラフィーの第１材料上及び非隆起領域上に充填材を蒸着させるステップ、及び、第２の層を取り去り、それにより、同時に、隆起トポグラフィーの上の充填材を取り去るステップを備え得る。この実施態様においては、したがって、例えば、酸化物である第２材料は、物理的マスクの役割を果たす。実際に、充填材は、それが第２材料（酸化物）か第１材料（シリコン）であるかとは無関係に全表面に蒸着する。
【００１６】
基板は、蒸着ステップの間、隆起トポグラフィーを有する表面と反対側の表面が充填材の層のない状態のままであるように整えられることが有利である。このことは、第２の層が少なくとも部分的に除去剤（the removal agent）に接近し易い状態にあるので、第２の層の除去を容易にする。
【００１７】
第２の好ましい変形例によれば、隆起トポグラフィーは、第１の層を覆って、具体的には第１の層の上に、第２の材料、具体的には、酸化ケイ素の第２の層を備え、充填材を用意するステップは、マスクとして第２の層を利用して、非隆起領域上にのみ充填材を蒸着するステップを備える。確かに、充填材の蒸着は、選択的であり、反応器内で用いられる前駆体の選択による。例えば、ジクロロシラン（ＤＳＣ：ＳｉＨ2Ｃｌ2）、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ3）、ＳｉＣｌ4が選択的蒸着を取得するために使用され得る。特に、酸化物によって覆われている隆起領域上には蒸着がないのに対して、非隆起領域上には蒸着が得られる。この場合、隆起トポグラフィー上の第２の層は、その化学的特性により、その表面の充填材の蒸着を妨げる化学的マスクの役割を果たす。この変形例は、第２の層、したがってマスクを取り去るさらなるステップを備えることが有利である。この変形例に係るプロセスは、（充填材の蒸着ばかりでなく第２の層の除去に関連する）バッチ処理として実行され得る。基板の背面、したがって、隆起トポグラフィーが存在する側の反対側は、格別の役割を果たさない。
【００１８】
第２の層の除去ステップは、具体的にＨＦ浴を利用する脱酸素ステップを備えることが有利である。第１の変形例において、このことは、同時に、隆起トポグラフィー上に存在する充填材の持ち上げ（lift-off）による除去をもたらす。背面側の充填材の蒸着を妨げたことにより、ＨＦ浴は、酸化物の所望の持ち上げ及び除去をもたらす背面を介して侵蝕することができる。第２の変形例においては、隆起領域上の充填材の蒸着を妨げる化学的マスクは、効果的に取り去られ得る。
【００１９】
ステップｂ）の間、少なくとも、第１の層の厚さに一致する厚さが取り去られ得ることが好ましい。したがって、隆起トポグラフィー全体が取り去られ、平坦な再生表面が取得される。
【００２０】
材料の除去は、注入欠陥を有する領域を超え得ることが有利である。両面研磨の間と同じ量の材料を取り去る必要なしに、基板の品質は、それにもかかわらず、基板が再利用されることができるように、適当なレベルまで回復し得る。
【００２１】
材料の除去は、特に、イオンのエネルギが注入の深さを画定している、イオン注入プロセスに関連している隆起トポグラフィーの最大高さににもよるが、２０００−１２０００Åの範囲内にあることが好ましい。
【００２２】
好ましい実施態様によれば、方法は、境界研磨ステップをさらに備え、基板の面取りした境界領域のイオン注入領域を取り去ることができる。このさらなるステップは、再生された基板の品質をさらに向上させるのに役立つ。
【００２３】
本発明は、また、ベース、ベースを覆う、具体的には、ベースの境界領域の、イオン注入領域ばかりでなく非イオン注入領域、イオン注入領域上の第１の材料の第１の層、及び非イオン注入領域上の充填材の充填層を備えるクレーム１５に係る基板に関連する。そのような基板は、研磨ステップ、特に、ＣＭＰ研磨ステップを適用することにより容易に再生処理され、基板にスマート・カット（登録商標）形式の適用の再利用の準備を整えさせ得る。
【００２４】
第１の材料は、単結晶相であり、充填材は、多結晶層であることが好ましい。上述したように、多結晶の充填層を提供することにより、所望の構造体が迅速に取得され得る。
【００２５】
発明の有利な実施態要は、以下の図面に関して詳細に説明されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来のスマート・カット（登録商標）プロセスを示す図である。
【図２】残留体の酸化物層が物理的マスクとして利用される、本発明に係る第１の実施態様を示す図である。
【図３】酸化物層が化学的マスクの役割を果たす第２の実施態様を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図２（ａ）−（ｅ）は、残留体の酸化物層が物理的マスクとして利用される、本発明に係る第１の実施態様を示す。
【００２８】
図２（ａ）は、例えば、図１に関連して上述されたスマート・カット（登録商標）プロセスのような層転写プロセスに使用されたドナー基板の残留体２１を概略的に示している。図２（ａ）に示される残留体２１は、実質的に、図１に示されたネガティブ１１７に対応する。
【００２９】
したがって、残留体２１は、例えば、シリコン（ケイ素）またはゲルマニウムのようなベース層２３を備えている。ベース層２３の境界領域の表面は、隆起トポグラフィー２５ａ及び２５ｂを持っている。導入部で既に開示されているように、この隆起残余トポグラフィー２５ａ、２５ｂは、面取りした領域を含むウエーハの境界形状に起因する非転写部分の結果である。この実施態様における隆起トポグラフィーは、ここでは、シリコンまたはゲルマニウムの階段状の第１の残余層２７、ここでは、酸化ケイ素または酸化ゲルマニウムの第２の層２９を備えている。第２の層は、また、ベース２３の側端部３１及び背面３３、したがって、隆起残余トポグラフィー２５ａ、２５ｂを有する側と反対側の面、の表面を覆って延在している。最後に、注入されたイオンによって形成される所定の分割領域３５が、ベース２３と隆起トポグラフィー２５ａ、２５ｂの第１の層２７との間に依然として存在している。
【００３０】
図２（ｂ）に示される次のステップとして、基板２１の表面を再生する方法は、ベース２３の表面上に、したがって、隆起部分２５ａ、２５ｂの間に、しかし、隆起部分２５ａ、２５ｂ上にも、ベース２３の側面上にも、充填材層３７を提供するステップを備えている。しかしながら、この実施態様においては、充填材は、ベース２３の背面３３上には提供されない。
【００３１】
シリコン・ベース２３に対して、及び第２の層２９としての酸化ケイ素に対して、使用される充填材は、シリコンである。充填材は、シラン（ＳｉＨ4、Ｓｉ２Ｈ6・・・）のようなシリコン前駆体を基材としてＣＶＤプロセスを用いて蒸着され得る。充填材層３７は、ＣＶＤプロセスの後、第１の隆起層２７と一緒に取り去られるだろう。それで、エピタキシャル成長（a epitaxial growth）を提供する必要がない。単結晶またはエピタキシャル蒸着プロセスに比べて再生プロセスをスピードアップするために、ＣＶＤプロセスは、アモルファスまたは多結晶層が蒸着されるように実行される。
【００３２】
充填材３７の性質は、その研磨特性が第１の材料のものに一致するように選択される。これは、具体的に、充填材及び第１の材料が同じ化学的性質を有する場合である。これに関連して、充填材及び隆起残余トポグラフィー２５ａと２５ｂの研磨は、実質的に、同じ除去速度で生じる。それにより、研磨後の表面の平面性は、ウエーハのボンディングが実行されることを可能とする。それにもかかわらず、接触研磨（a touch-polish）または鏡面研磨を使用することが、表面の粗さをさらに減少させる。
【００３３】
この実施態様において、ポリシリコンの材料層３７の厚さは、本質的に、段部を形成している第１の層２７の厚さに一致している。層３７の厚さは、後に述べられる方法の利点が達成されるように、少なくとも第１の層２７の５０％に相当し、最大でも１５０％に相当するだろう。
【００３４】
図２（ｃ）は、隆起トポグラフィー上、側面３１上、及び背面３３上の第２の層を取り去るステップからなる次のプロセスのステップの結果を示す。これは、同時に、第１及び第２の隆起トポグラフィー領域２５ａと２５ｂ内の第２の層上ばかりでなくベース２３の側面３１上に提供されている充填材層部分３９、４１の除去をもたらす。
【００３５】
第２の層の除去は、第２の層が酸化ケイ素である場合、脱酸素ステップにより達成され得る。ＨＦ浴が使用され、酸化物を取り去る。ＨＦ浴は、酸化物層２９、３１及び３３の消費をもたらし、また、隆起トポグラフィー２５ａと２５ｂ上及び側面上に蒸着される、ここではポリシリコンである充填材に関係する持ち上げ効果をもたらす。しかしながら、ベース２３上に直接配置される充填材層３７の部分は、ＨＦ浴の影響を受けず、依然として定位置にある。
【００３６】
上述したように、充填材層は、ＨＦ溶液が第２の層２９の酸化物を効果的に侵蝕することができるように、基板２１の背面３３上には提供されなかった。背面を介して酸化物を侵蝕する代わりに、側面を介して酸を侵蝕させることももちろん可能である。この場合、基板の側面の少なくとも一部は、表面に第２の層の酸化物を有していることが確保されていなければならない。
【００３７】
持ち上げ後、ベース２３、隆起トポグラフィーの第１の層２７及び隆起部分２５ａ、２５ｂの間に配置されるポリシリコンの充填材層３７は、図２（ｃ）に示されるように、そのままの状態である。
【００３８】
次のステップとして、従来例で使用されるように、境界研磨が実行され、隆起トポグラフィー２５ａ、２５ｂの階段状の第１の層２７を少なくとも部分的に取り去る。このステップの間、かなりの材料が側面にある境界４３及び背面上の面取りした部分４５から取り去られる。境界研磨後に得られた構造体が図２（ｄ）に示されている。
【００３９】
次に、研磨ステップ、好ましくは、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）ステップが適用され、残っている第１の層２７と一緒に層３７を取り去り、図２（ｅ）に示されるように、スマート・カット（登録商標）プロセスのような層転写プロセスに再利用される準備が整った、再生されたドナー基板４７が取得される。
【００４０】
研磨ステップの間、実際には、層３７及び階段状の第１の層２７の残りの部分が取り去られるばかりでなく、材料の除去は、両方の層を通り越し、それにより、イオン注入による欠陥を持っているベース２３の領域をも取り去る。合計で、約２０００−１２０００Åの層の厚さが取り去られる。
【００４１】
第１の実施態様に係る方法は、スマート・カット（登録商標）プロセスのような半導体プロセスにおける再利用の基準を全て満たす再生された基板４７が達成され得るという利点を有する。従来技術に比較して、両面研磨を全く必要とせず、それで、より少ない材料がベース２３から取り去られることになる。結果として、１つの基板は、それが必要以上に薄くなる前に、繰り返し再利用される数が非常に高い。さらに、特に、ボンディングが起きる表面に関し、基板の形状が一定に維持され得る。
【００４２】
図３（ａ）−（ｅ）は、表面、具体的には、シリコン表面が隆起残余トポグラフィーを備える基板の表面を再生する創意工夫に満ちた方法の第２の実施態様を示す。
【００４３】
図３（ａ）は、図２（ａ）にも図１にも既に示したように、再生されるべき基板２１を示す。したがって、基板２１及びその構成要素についての説明は、再度、詳細に繰り返されることはなく、図２（ａ）の説明を参照されたい。
【００４４】
第１の実施態様と第２の実施態様との間の違いは、充填材が別の種類のプロセスを利用して蒸着されることにある。第１の実施態様においては、充填材３７がその間に背面３３を除いて基板２１全体にわたって存在するプロセスが選択されたのに対して、第２の実施態要は、第２の層２９、したがって、酸化物の層が異なる役割を果たすプロセスを提案している。第２の実施態様においては、酸化物層２９は、化学的マスクであり、結果として、再度多結晶のシリコンである充填材５１の蒸着の間、該蒸着は、シリコンが終端となる表面上にのみ、したがって、隆起領域２５ａと２５ｂの間のベース２３上に直接的に生じる。
【００４５】
したがって、図３（ｂ）は、ベース２３上に直接ある充填材５１のみを示す。この種の蒸着は、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4のような選択的蒸着を許容するシリコン前駆体を基材とするＣＶＤプロセスを用いて達成可能である。
【００４６】
続いて、図３（ｃ）に示されるように、隆起領域２５ａ及び２５ｂばかりでなくベース２３の側面３１及び背面３３の第２の層２９の酸化物が、第１の実施態様と同様に、ＨＦ浴を用いて取り去られる。充填材５１ばかりでなく、第１の層２７がベース２３上に残る。
【００４７】
続いて、第１の実施態様と同様に境界研磨が実行され、横の境界４３ばかりでなくベース２３の面取りされた領域４５の背面から第１の層２７の一部と材料を取り去る。最後に、ＣＭＰ研磨ステップが実行され、図３（ｅ）に示されるような最終的に再生された基板５３を取得する。境界研磨及びＣＭＰステップは、第１の実施態様のステップに対応し、したがって、その説明は参照することにより援用される。
【００４８】
第１の実施態様と比較して、第２の実施態様は、充填材５１が非隆起領域のベース２３上に直接的に蒸着されるだけであるので、持ち上げプロセスのステップを全く実行する必要がないという利点を有する。したがって、どのみち背面上に存在する酸化物上に蒸着は全く生じないので、蒸着プロセスの間、基板２１の背面も前駆体にさらされ得る。したがって、複数の基板が同時に取り扱われ得るバッチ式処理が利用され得る。それとは対照的に、第１の実施態様においては、背面は、蒸着された層がない状態を維持すべく保護される必要がある。背面の欠くことのできないマスキング（masking）は、基板が基板ホルダに配置される、ウエーハを１枚ずつ処理する工具を用いて実現され得る。
【００４９】
第２の実施態様は、第１の実施態様に比べて同じ利点、すなわち、少なくとも１０μｍの材料除去がある両面研磨は、より少ない（最大約１μｍまでの）材料が再生中に取り去られるように、簡単な化学的機械的研磨に取って代わられ得るという利点を有する一方、第２の実施態様は、ウエーハがバッチ式処理で再生処理され得るので、処理能力が増大し得るというさらなる利点を有する。
【００５０】
図１−３において、境界領域は、全部の基板２１、１０１、１０３と比較されるスケール通りに示されていない。非転写領域に至る境界の形状の影響を示すことだけを例示するために、面取りされた領域は、確かに誇張されたやり方で表されている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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