(57)【要約】【課題】外部検査システムにおいて半導体ウエハ等の被処理体の検査等を行っても半導体ウエハの在庫等を正確に把握して管理すること。【解決手段】製造ライン外に配置された外部処理システム８によって半導体ウエハ２等の被処理体に対する処理とは別の処理を行うときに、外部処理システム８による被処理体に対する処理を製造ライン上の処理として扱い、かつ外部処理システム８により取得された処理結果を取り込み、製造ライン上の処理として扱った外部処理システム８による被処理体の処理を認識して被処理体の管理を行わせる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造ラインに配置された少なくとも１つの装置によりそれぞれ行われる被処理体に対する少なくとも処理を管理すると共に、前記少なくとも１つの装置で処理される前記被処理体の製造管理を行う製造管理装置であって、
前記製造ライン外に配置され、前記被処理体に対する前記処理とは別の処理を行う外部処理システムと、
前記外部処理システムにより前記被処理体の処理を行うときに、前記外部処理システムによる前記被処理体に対する処理を前記製造ライン上の処理として扱い、かつ前記外部処理システムにより取得された処理結果を取り込むダミー工程作成部と、
前記ダミー工程作成部により前記製造ライン上の処理として扱った前記外部処理システムによる前記被処理体の処理を認識して前記被処理体の管理を行う管理制御部と、
を具備することを特徴とする製造管理装置。
【請求項２】
前記ダミー工程作成部は、前記外部処理システムによる前記被処理体に対する前記別の処理を行うため着工予約と、前記外部処理システムへの前記被処理体のロードと、前記別の処理の着工と、前記別の処理の完工と、前記外部処理システムからの前記被処理体のアンロードとの各指令を作成することを特徴とする請求項１記載の製造管理装置。
【請求項３】
前記ダミー工程作成部により作成される前記着工予約と、前記ロードと、前記着工と、前記完工と、前記アンロードとの各指令は、前記少なくとも１つの装置に対してそれぞれ発せられる着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令と同一であることを特徴とする請求項２記載の製造管理装置。
【請求項４】
前記管理制御部は、前記ダミー工程作成部により作成された前記ロードと、前記アンロードとの各指令に基づいて前記被処理体の管理を行うことを特徴とする請求項３記載の製造管理装置。
【請求項５】
前記管理制御部は、前記ダミー工程作成部により取り込んだ前記外部処理システムからの前記処理結果に基づいて前記製造ライン上に前記被処理体を搬送するか否かを判断することを特徴とする請求項１記載の製造管理装置。
【請求項６】
前記管理制御部は、前記ダミー工程作成部により前記製造ライン上の処理として扱った前記外部処理システムからの少なくとも前記被処理体の処理結果のデータが書き込まれないと、その旨を報知することを特徴とする請求項１記載の製造管理装置。
【請求項７】
前記被処理体は、半導体ウエハであり、
前記外部処理システムは、寸法測定装置であり、
前記寸法測定装置は、前記装置の検査により取得された前記半導体ウエハの画像データを受け取り、この画像データと基準画像データとを比較して一致度を求め、この一致度に基づいて前記半導体ウエハの良否を判定する、
ことを特徴とする請求項１記載の製造管理装置。
【請求項８】
前記管理制御部は、前記寸法測定装置から前記半導体ウエハが不良の判定結果を受け取ると、前記不良と判定された前記半導体ウエハをカウントせずに前記管理から除くことを特徴とする請求項７記載の製造管理装置。
【請求項９】
前記管理制御部は、前記半導体ウエハを複数枚のロット単位で前記管理することを特徴とする請求項７記載の製造管理装置。
【請求項１０】
製造ラインに配置された少なくとも１つの装置によりそれぞれ行われる被処理体に対する少なくとも処理を管理すると共に、前記少なくとも１つの装置で処理される前記被処理体の製造を行う製造管理方法であって、
前記製造ライン外に配置された外部処理システムによって前記被処理体に対する前記処理とは別の処理を行うときに、前記外部処理システムによる前記被処理体に対する処理を前記製造ライン上の処理として扱い、かつ前記外部処理システムにより取得された処理結果を取り込むダミー工程と、
前記製造ライン上の処理として扱った前記外部処理システムによる前記被処理体の処理を認識して前記被処理体の管理を行う管理制御工程と、
を有することを特徴とする製造管理方法。
【請求項１１】
前記ダミー工程は、前記外部処理システムによる前記被処理体に対する前記別の処理を行うため着工予約と、前記外部処理システムへの前記被処理体のロードと、前記別の処理の着工と、前記別の処理の完工と、前記外部処理システムからの前記被処理体のアンロードとの各指令を作成することを特徴とする請求項１０記載の製造管理方法。
【請求項１２】
前記ダミー工程により作成される前記着工予約と、前記ロードと、前記着工と、前記完工と、前記アンロードとの各指令は、前記少なくとも１つの装置に対してそれぞれ発せられる着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令と同一であることを特徴とする請求項１１記載の製造管理方法。
【請求項１３】
前記管理制御工程は、前記ダミー工程により作成された前記ロードと、前記アンロードとの各指令に基づいて前記被処理体の管理を行うことを特徴とする請求項１２記載の製造管理方法。
【請求項１４】
前記管理制御工程は、前記ダミー工程により取り込んだ前記外部処理システムからの前記処理結果に基づいて前記製造ライン上に前記被処理体を搬送するか否かを判断することを特徴とする請求項１０記載の製造管理方法。
【請求項１５】
前記管理制御工程は、前記ダミー工程により前記製造ライン上の処理として扱った前記外部処理システムからの少なくとも前記被処理体の処理結果のデータが書き込まれないと、その旨を報知することを特徴とする請求項１０記載の製造管理方法。
【請求項１６】
前記管理制御工程は、前記ダミー工程から前記被処理体が不良である判定結果を受け取ると、前記不良と判定された前記被処理体をカウントせずに前記管理から除くことを特徴とする請求項１記載の製造管理方法。
【請求項１７】
前記管理制御工程は、前記被処理体を複数枚のロット単位で前記管理することを特徴とする請求項１記載の製造管理方法。
【請求項１８】
コンピュータにより実行され、製造ラインに配置された少なくとも１つの装置によりそれぞれ行われる被処理体に対する少なくとも処理を管理すると共に、前記少なくとも１つの装置で処理される前記被処理体の製造を行う製造管理プログラムであって、
前記製造ライン外に配置された外部処理システムによって前記被処理体に対する前記処理とは別の処理を行うときに、前記外部処理システムによる前記被処理体に対する処理を前記製造ライン上の処理として扱い、かつ前記外部処理システムにより取得された処理結果を取り込み、
前記製造ライン上の処理として扱った前記外部処理システムによる前記被処理体の処理を認識して前記被処理体の管理を行わせる、
ことを特徴とする製造管理プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、製造ラインに配置された複数の装置においてそれぞれ行われる半導体ウエハ等の被処理体に対する少なくとも処理、検査等を管理すると共に、複数の装置に流れる半導体ウエハ等の被処理体の在庫管理を行う製造管理装置及びその方法並びに製造管理プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体ウエハの製造ラインには、複数の装置が配置されている。これら装置は、それぞれ半導体ウエハに対して露光処理やエッチング処理等を行う。又、これら装置は、露光処理やエッチング処理等の行われた半導体ウエハに対する寸法測定等の検査を行う。このような半導体ウエハの製造ラインには、製造管理装置（ＭＥＳ：Manufacturing Executing System）が設けられている。この製造管理装置は、製造ラインに配置された複数の装置によりそれぞれ行われる半導体ウエハに対する少なくとも処理、検査等を管理すると共に、複数の装置に流れる複数の半導体ウエハの在庫管理を行う。半導体ウエハの在庫管理は、製造ラインにおいて複数の半導体ウエハをフープ等の容器に収納して搬送するので、これらフープ等の容器に収納して搬送される複数の半導体ウエハをロット単位として管理される。半導体ウエハ等の在庫管理に係る技術としては、例えば特許文献１乃至６がある。
【０００３】
一方、半導体ウエハ製造の歩留まりの低下を防止するために製造ラインの外部に設けられた外部検査システムによって通常の検査では検出できない半導体ウエハの欠陥を検出することが行われる。製造ラインに配置された複数の装置には、例えば走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）が設けられている。外部検査システムは、製造ライン上の装置の走査電子顕微鏡により取得された半導体ウエハの画像データを受け取り、この半導体ウエハの画像データと基準画像データとを比較することによって半導体ウエハ上に形成されたパターンの寸法等を測定する。
【特許文献１】特開平７−１８２４２４号公報
【特許文献２】特開平８−２２７４３２号公報
【特許文献３】特開２０００−２６３３８８号公報
【特許文献４】特開２００３−１３３１９２号公報
【特許文献５】特開２００３−１３３１９３号公報
【特許文献６】特開２００３−１３３１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ロット単位で管理する半導体ウエハの在庫管理の進捗と外部検査システムにおける検査の開始、終了とは同期していない。このため、外部検査システムにおいて半導体ウエハの検査を行うと、製造管理装置では、外部検査システムで検査している半導体ウエハを認識することができず、半導体ウエハの在庫管理が正確にできない。  
このため、外部検査システムの検査の結果、半導体ウエハが不良品（ＮＧ）である場合、ロット単位の半導体ウエハの在庫管理の進捗を停止することができない。しかるに、ロット単位での半導体ウエハの在庫管理と外部検査システムでの検査とを別々に管理する必要がある。このような事から半導体ウエハの製品品質を維持するためには、非常に多くの作業工程を必要とする。
【０００５】
本発明の目的は、外部検査システムにおいて半導体ウエハ等の被処理体の検査等を行っても半導体ウエハの在庫等を正確に把握して管理することができる製造管理装置及びその方法並びに製造管理プログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の主要な局面に係る製造管理装置は、製造ラインに配置された少なくとも１つの装置によりそれぞれ行われる被処理体に対する少なくとも処理、検査を管理すると共に、複数の装置に流れる被処理体の在庫管理を行う製造管理装置において、製造ライン外に配置され、被処理体に対する検査とは別の検査を行う外部処理システムと、外部処理システムにより被処理体の検査を行うときに、外部処理システムによる被処理体に対する検査を製造ライン上の処理として扱い、かつ外部処理システムにより取得された検査結果を取り込むダミー工程作成部と、ダミー工程作成部により製造ライン上の処理として扱った外部処理システムによる被処理体の検査を認識して被処理体の在庫管理を行う管理制御部とを具備する。
【０００７】
本発明の主要な局面に係る製造管理方法は、製造ラインに配置された少なくとも１つの装置によりそれぞれ行われる被処理体に対する少なくとも処理、検査を管理すると共に、複数の装置に流れる被処理体の在庫管理を行う製造管理方法において、製造ライン外に配置された外部処理システムによって被処理体に対する検査とは別の検査を行うときに、外部処理システムによる被処理体に対する検査を製造ライン上の処理として扱い、かつ外部処理システムにより取得された検査結果を取り込むダミー工程と、製造ライン上の処理として扱った外部処理システムによる被処理体の検査を認識して被処理体の在庫管理を行う管理制御工程とを有する。
【０００８】
本発明の主要な局面に係る製造管理プログラムは、コンピュータにより実行され、製造ラインに配置された少なくとも１つの装置によりそれぞれ行われる被処理体に対する少なくとも処理を管理すると共に、少なくとも１つの装置で処理される被処理体の製造を行う製造管理プログラムであって、製造ライン外に配置された外部処理システムによって被処理体に対する処理とは別の処理を行うときに、外部処理システムによる被処理体に対する処理を製造ライン上の処理として扱い、かつ外部処理システムにより取得された処理結果を取り込み、製造ライン上の処理として扱った外部処理システムによる被処理体の処理を認識して被処理体の管理を行わせる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、外部検査システムにおいて半導体ウエハ等の被処理体の検査等を行っても半導体ウエハの在庫等を正確に把握して管理することができる製造管理装置及びその方法並びに製造管理プログラムを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。  
図１は製造管理装置の全体構成図を示す。製造ラインには、複数のウエハ処理装置１−１〜１−３が配置されている。なお、これらウエハ処理装置１−１〜１−３は、３台に限らず半導体ウエハ２の処理に応じて複数台配置される。半導体ウエハ２は、複数枚ずつフープと呼ばれる容器３に収納されて製造ラインに流れる。この容器３に収納される複数枚の半導体ウエハ２を１ロットとする。
【００１１】
これらウエハ処理装置１−１〜１−３は、それぞれ半導体ウエハ２に対して例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理を行い、かつこれら処理の行われた半導体ウエハ２に対するパターン寸法等の検査を行う。又、各ウエハ処理装置１−１〜１−３は、それぞれ走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）４を備える。この走査電子顕微鏡４は、半導体ウエハ２を拡大したＳＥＭ画像を取得する。なお、図１では図示する煩雑化を避けるためにウエハ処理装置１−２のみに走査電子顕微鏡４を示してある。各ウエハ処理装置１−１〜１−３では、それぞれ半導体ウエハ２のＳＥＭ画像が走査電子顕微鏡により取得され、このＳＥＭ画像に基づいて半導体ウエハ２のパターン寸法等の検査が行われる。
【００１２】
製造管理装置（ＭＥＳ：Manufacturing Executing System）５は、コンピュータの演算処理により製造ラインに配置された各ウエハ処理装置１−１〜１−３によりそれぞれ行われる半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理、パターン寸法等の検査を管理する。  
これと共に製造管理装置５は、各ウエハ処理装置１−１〜１−３に流れる複数の半導体ウエハ２の在庫等に基づいて半導体ウエハ２の製造の進捗度合い等を管理する。半導体ウエハ２等の製造管理は、複数の半導体ウエハ２をフープ等の容器３に収納して製造ラインに搬送するので、各半導体ウエハ２を容器３に収納される複数の半導体ウエハから成るロット単位別に管理する。
【００１３】
この製造管理装置５は、コンピュータにより製造管理プログラムを実行することによりダミー工程作成部６と、管理制御部７とを有する。製造管理プログラムは、製造ラインに配置された少なくとも１つの装置によりそれぞれ行われる被処理体に対する少なくとも処理を管理すると共に、少なくとも１つの装置で処理される被処理体の製造を行う製造管理プログラムであって、製造ライン外に配置された外部処理システムによって被処理体に対する処理とは別の処理を行うときに、外部処理システムによる被処理体に対する処理を製造ライン上の処理として扱い、かつ外部処理システムにより取得された処理結果を取り込み、製造ライン上の処理として扱った外部処理システムによる被処理体の処理を認識して被処理体の管理を行わせる。
【００１４】
外部処理システム８は、製造ラインでの半導体ウエハ２の製造の歩留まりの低下を防止するために製造ラインの外部に設けられている。この外部処理システム８は、例えば各ウエハ処理装置１−１〜１−３における通常のパターン寸法等の検査では検出できない半導体ウエハ２の欠陥を検出する。この外部処理システム８は、製造ライン上の各ウエハ処理装置１−１〜１−３の走査電子顕微鏡により取得された半導体ウエハ２のＳＥＭ画像を受け取り、この半導体ウエハ２のＳＥＭ画像と基準画像データとを比較することによって半導体ウエハ２上に形成されたパターンの寸法等を精度高く測定する。
【００１５】
具体的に外部処理システム８は、各ウエハ処理装置１−１〜１−３の走査電子顕微鏡により取得された半導体ウエハ２のＳＥＭ画像を受け取り、図２に示すようにＳＥＭ画像と基準画像データＲとを比較して形状の一致度を求める。この外部処理システム８は、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとを比較して求められた形状の一致度が予め設定された判定一致度以上であれば、半導体ウエハ２を良品として判定し、予め設定された判定一致度以下であれば、半導体ウエハ２を不良品として判定する。例えば判定一致度が５０％に設定されると、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとを比較して求められた形状の一致度が５０％以上であれば、半導体ウエハ２を良品として判定する。一致度が５０％以下であれば、半導体ウエハ２を不良品として判定する。
【００１６】
なお、この外部処理システム８は、半導体ウエハ２が良品であるか、又は不良品であるかを判定する検査装置として説明しているが、これに限らず、別の処理、例えば半導体ウエハ２のＳＥＭ画像に基づいて半導体ウエハ２上に形成されている配線やコンタクトホール等の寸法測定を行い、これら配線やコンタクトホール等の寸法測定結果と予め設定されている基準の寸法値とを比較して半導体ウエハ２上の配線やコンタクトホール等の寸法の良否を判定してもよい。又、外部処理システム８は、半導体ウエハ２上に形成されている配線の形状、又は半導体ウエハ２に対して電流値や電圧値等の電気的なチェックを行ってもよい。
【００１７】
ダミー工程作成部６は、外部処理システム８により半導体ウエハ２のパターンの寸法等の処理を行うときに、外部処理システム８による半導体ウエハ２に対する処理を製造ライン上の処理として扱い、かつ外部処理システム８により取得された処理結果、例えば半導体ウエハ２の良品又は不良品の判定結果や、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとの形状の一致度等を外部処理システム８から取り込む。
【００１８】
このダミー工程作成部６は、外部処理システム８による例えば半導体ウエハ２の良品又は不良品の判定結果や、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとの形状の一致度、半導体ウエハ２に対するパターン寸法等の高精度の処理を行うため着工予約と、外部処理システム８への半導体ウエハ２のロードと、外部処理システム８によるパターン寸法等の高精度の処理の着工と、同外部処理システム８によるパターン寸法等の高精度の処理の完工と、外部処理システム８からの半導体ウエハ２のアンロードとの各ダミーの指令をコンピュータの演算処理上で作成する。このダミー工程作成部６により作成される着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令は、各ウエハ処理装置１−１〜１−３に対して実際に発せられる着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令と同一内容である。すなわち、製造管理装置５は、各ウエハ処理装置１−１〜１−３に対して着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令を発して当該各ウエハ処理装置１−１〜１−３における半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理、パターン寸法等の処理を管理する。
【００１９】
管理制御部７は、ダミー工程作成部６により製造ライン上の処理として扱った外部処理システム８による半導体ウエハ２の検査を認識して例えば半導体ウエハ２の在庫等の管理を行う。具体的に管理制御部７は、ダミー工程作成部６により作成された外部処理システム８へのダミーのロードと、アンロードとの各指令に基づいて半導体ウエハ２の管理を行う。  
又、管理制御部７は、ダミー工程作成部６により取り込んだ外部処理システム８からの処理結果、例えば半導体ウエハ２の良品又は不良品の判定結果や、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとの形状の一致度に基づいて製造ライン上に半導体ウエハ２を搬送するか否かを判断する。  
管理制御部７は、ダミー工程作成部６により製造ライン上の処理として扱った外部処理システム８からの半導体ウエハ２の処理結果のデータが書き込まれないと、その旨の警告を発する。  
管理制御部７は、外部処理システム８から半導体ウエハ３が不良の判定結果を受け取ると、不良と判定された半導体ウエハ３をカウントせずに半導体ウエハ３の在庫等の管理から除く。この場合、管理制御部７は、半導体ウエハ３を複数枚のロット単位で管理するので、不良と判定された半導体ウエハ３を含むロットの管理を除く、又は該当するロットから不良と判定された半導体ウエハ３のカウントのみを行わない。
【００２０】
次に、上記の如く構成された装置による半導体ウエハ２の製造管理について図３に示す製造管理フローチャートを参照して概略説明する。  
製造管理装置５は、ステップＳ１において、例えばウエハ処理装置１−２に対してレジストの塗布、露光、現像等の処理の指示を行う。  
次に、ウエハ処理装置１−２は、ステップＳ２において、レジストの塗布、露光、現像等の処理を行う。  
次に、製造管理装置５は、ステップＳ３において、ウエハ処理装置１−２においてレジストの塗布、露光、現像等の処理が終了したことを確認する。
【００２１】
次に、製造管理装置５は、ステップＳ４において、ウエハ処理装置１−２におけるレジストの塗布、露光、現像等の処理の終了確認後、ダミー工程作成部６に対してダミー工程の登録を行う。  
これと共に、ウエハ処理装置１−２は、ステップＳ５において、ウエハ処理装置１−３に対して通知せずに走査電子顕微鏡４によりＳＥＭ検査４を行う。
【００２２】
次に、ダミー工程作成部６は、ステップＳ６において、着工予約、ロード、着工、外部処理の完工、アンロード等のダミー指令を作成する。  
次に、外部処理システム８は、ステップＳ７において、外部処理を行う。例えば、外部処理システム８は、各ウエハ処理装置１−１〜１−３の走査電子顕微鏡により取得された半導体ウエハ２のＳＥＭ画像を受け取り、上記図２に示すようにＳＥＭ画像と基準画像データＲとを比較して形状の一致度を求め、この一致度が予め設定された判定一致度以上であれば、半導体ウエハ２を良品として判定し、予め設定された判定一致度以下であれば、半導体ウエハ２を不良品として判定する。
【００２３】
次に、管理制御部７は、ステップＳ８において、外部処理システム８の処理結果、すなわち半導体ウエハ２が良品であるか不良品であるかの判定結果等を受ける。  
次に、ダミー工程作成部６は、ステップＳ９において、ダミー指令を削除する。  
次に、管理制御部７は、ステップＳ１０において、外部処理システム８の処理結果から半導体ウエハ２が良品である場合、当該対象となった良品の半導体ウエハ２をカウントし、一方、半導体ウエハ２が不良と判定された場合、当該対象となった不良品の半導体ウエハ２をカウントせずに製造管理装置５に通知する。
【００２４】
次に、管理制御部７は、ステップＳ１１において、外部処理システム８の処理結果から不良の半導体ウエハ２であった場合、当該対象となった半導体ウエハ２を搬送するか否かを判断する。  
次に、製造管理装置５は、ステップＳ１２において、管理制御部７からの通知を受け、半導体ウエハ２が良品であれば、当該半導体ウエハ２に対する処理数をカウントし、ウエハ処理装置１−２に対してレジストの塗布、露光、現像等の処理の指示を行う。  
次に、製造管理装置５は、ステップＳ１３において、管理制御部７からの通知を受け、半導体ウエハ２が不良品であれば、当該半導体ウエハ２に対する処理数をカウントせず、ウエハ処理装置１−３に対してレジストの塗布、露光、現像等の処理の指示を行う。
【００２５】
次に、半導体ウエハ２の製造管理について具体的に説明する。  
フープと呼ばれる容器３には、複数枚ずつ半導体ウエハ２が収納される。この容器３に収納される複数枚の半導体ウエハ２を１ロットとする。この容器３は、複数のウエハ処理装置、例えば３台のウエハ処理装置１−１〜１−３が配置された製造ラインに流される。
【００２６】
この状態に、製造管理装置５は、コンピュータの演算処理により製造ラインに配置された各ウエハ処理装置１−１〜１−３によりそれぞれ行われる半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理、パターン寸法等の検査を管理する。これにより、各ウエハ処理装置１−１〜１−３は、それぞれ半導体ウエハ２に対して例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理を行う。
【００２７】
具体的に製造管理装置５は、図４に示すように各ウエハ処理装置１−１〜１−３に対してそれぞれ着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令を発して当該各ウエハ処理装置１−１〜１−３における半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理、パターン寸法等の処理を管理する。  
先ず、各ウエハ処理装置１−１〜１−３のうち例えばウエハ処理装置１−１は、製造管理装置５からの着工予約の指令を受けて容器３内に収納されている複数の半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理の予約を受け入れる。  
次に、ウエハ処理装置１−１は、製造管理装置５からのロードの指令を受けて製造ラインに流れる容器３を内部にロードする。  
次に、ウエハ処理装置１−１は、製造管理装置５から着工の指令を受けて内部にロードした容器３内に収納されている複数の半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理を行う。  
次に、ウエハ処理装置１−１は、製造管理装置５に対して容器３内に収納されている複数の半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理が終了したことを示す完工の指令を発する。  
次に、ウエハ処理装置１−１は、製造管理装置５からアンロードの指令を受けて容器３内に複数の半導体ウエハ２を収納した状態で当該容器３を製造ラインにアンロードする。
【００２８】
他の各ウエハ処理装置１−２〜１−３も上記ウエハ処理装置１−１と同様に、それぞれ製造管理装置５から発せられる着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令を受けて半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理を行う。
【００２９】
このように製造管理装置５は、各ウエハ処理装置１−１〜１−３に対して製造ラインに流れる各容器３毎に着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令を発することにより各容器３に収納されている１ロット単位で複数枚の半導体ウエハ２の製造の進捗度合い等を管理する。
【００３０】
又、製造管理装置５は、各ウエハ処理装置１−１〜１−３によりそれぞれ例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理が行われた半導体ウエハ２に対する良品又は不良品の判定結果や、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとの形状の一致度、パターン寸法等の検査を管理する。すなわち、例えばウエハ処理装置１−２には、走査電子顕微鏡４が備えられている。この走査電子顕微鏡４は、半導体ウエハ２を拡大したＳＥＭ画像を取得する。このＳＥＭ画像は、外部処理システム８に送られる。
【００３１】
この外部処理システム８は、例えばウエハ処理装置１−２における通常のパターン寸法等の検査では検出できない半導体ウエハ２の欠陥を検出する。この外部処理システム８は、製造ライン上の例えばウエハ処理装置１−２に備えられている走査電子顕微鏡４から半導体ウエハ２のＳＥＭ画像を受け取り、この半導体ウエハ２のＳＥＭ画像と基準画像データとを比較することによって半導体ウエハ２上に形成されたパターンの寸法等を精度高く測定する。
【００３２】
具体的に外部処理システム８は、ウエハ処理装置１−２に備えられている走査電子顕微鏡４により取得された半導体ウエハ２のＳＥＭ画像を受け取り、例えば図２に示すようにＳＥＭ画像と基準画像データＲとを比較して形状の一致度を求める。これらＳＥＭ画像と基準画像データＲとを比較して求められた形状の一致度が予め設定された判定一致度（例えば５０％）以上であれば、外部処理システム８は、半導体ウエハ２を良品として判定する。  
これに対してＳＥＭ画像と基準画像データＲとを比較して求められた形状の一致度が予め設定された判定一致度（例えば５０％）以下であれば、外部処理システム８は、半導体ウエハ２を不良品として判定する。
【００３３】
このように外部処理システム８において半導体ウエハ２の良品、不良品の判定を行うときに、製造管理装置５に有するダミー工程作成部６は、外部処理システム８による半導体ウエハ２に対する処理を製造ライン上の処理として扱い、かつ外部処理システム８により取得された処理結果、例えば半導体ウエハ２の良品又は不良品の判定結果や、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとの形状の一致度等を外部処理システム８から取り込む。
【００３４】
このとき、製造管理装置５に有するダミー工程作成部６は、図５に示すように外部処理システム８による例えば半導体ウエハ２の良品又は不良品の判定結果や、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとの形状の一致度等、半導体ウエハ２に対するパターン寸法等の高精度の処理を行うため着工予約と、外部処理システム８への半導体ウエハ２のロードと、外部処理システム８によるパターン寸法等の高精度の処理の着工と、同外部処理システム８によるパターン寸法等の高精度の処理の完工と、外部処理システム８からの半導体ウエハ２のアンロードとの各ダミーの指令をコンピュータの演算処理上で作成する。
【００３５】
すなわち、先ず、ダミー工程作成部６は、外部処理システム８による例えば半導体ウエハ２の良品又は不良品の判定結果や、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとの形状の一致度等、半導体ウエハ２に対するパターン寸法等の高精度の処理を行うため着工予約の指令を発生して当該ダミー工程作成部６への予約の受け入れを行うダミーの着工予約の指令を発生する。  
次に、ダミー工程作成部６は、外部処理システム８への半導体ウエハ２のロードのダミーの指令を発生する。  
次に、ダミー工程作成部６は、外部処理システム８によるパターン寸法等の高精度の処理の着工のダミーの指令を発生する。  
次に、ダミー工程作成部６は、外部処理システム８によるパターン寸法等の高精度の処理の完工のダミーの指令を発生する。  
次に、ダミー工程作成部６は、外部処理システム８からの半導体ウエハ２のアンロードのダミーの指令を発生する。
【００３６】
このダミー工程作成部６により作成される着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令は、各ウエハ処理装置１−１〜１−３に対して実際に発せられる着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令と同一内容である。
【００３７】
しかるに、管理制御部７は、ダミー工程作成部６により作成された外部処理システム８へのダミーのロードと、アンロードとの各指令に基づいてダミー工程作成部６により製造ライン上の処理として扱った外部処理システム８による半導体ウエハ２の検査を認識して例えば半導体ウエハ２の在庫等の管理を行う。
【００３８】
すなわち、管理制御部７は、ダミー工程作成部６により取り込んだ外部処理システム８からの処理結果、例えば半導体ウエハ２の良品又は不良品の判定結果や、ＳＥＭ画像と基準画像データＲとの形状の一致度に基づいて製造ライン上に半導体ウエハ２を搬送するか否かを判断する。  
又、管理制御部７は、ダミー工程作成部６により製造ライン上の処理として扱った外部処理システム８からの半導体ウエハ２の処理結果のデータが書き込まれないと、その旨の警告を発する。  
又、管理制御部７は、外部処理システム８から半導体ウエハ３が不良の判定結果を受け取ると、不良と判定された半導体ウエハ３をカウントせずに半導体ウエハ３の在庫等の管理から除く。この場合、管理制御部７は、半導体ウエハ３を複数枚のロット単位で管理するので、不良と判定された半導体ウエハ３を含むロットの管理を除く、又は該当するロットから不良と判定された半導体ウエハ３のカウントのみを行わない。
【００３９】
しかるに、製造管理装置５は、ダミー工程作成部６すなわちコンピュータの演算処理上で作成される着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令に基づいて外部処理システム８により処理された各容器３に収納されている１ロット単位の複数枚の半導体ウエハ２の製造の進捗度合い等を管理できる。
【００４０】
このように上記一実施の形態によれば、製造ライン外に配置された外部処理システム８によって半導体ウエハ２に対する例えばレジストの塗布、露光、現像等の処理とは別の例えば検査等の処理を行うときに、外部処理システム８による半導体ウエハ２に対する処理を製造ライン上の処理として扱い、かつ外部処理システム８により取得された処理結果を取り込み、製造ライン上の処理として扱った外部処理システム８による半導体ウエハ２の処理を認識して半導体ウエハ２の管理を行わせる。  
特に、ダミー工程作成部６により作成される着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令は、製造管理装置５から各ウエハ処理装置１−１〜１−３に対して実際に発せられる着工予約と、ロードと、着工と、完工と、アンロードとの各指令と同一内容である。
【００４１】
これにより、ロット単位で管理する半導体ウエハ２の在庫管理の進捗と外部検査システム８における検査の開始、終了とが同期していなくても、製造管理装置５は、外部検査システム８で検査している半導体ウエハ２を認識することができ、半導体ウエハ２の在庫管理を正確にできる。例えば外部検査システム８の検査の結果、半導体ウエハ２が不良品（ＮＧ）であってもロット単位の半導体ウエハ２の在庫管理の進捗を停止する必要がない。  
従って、外部検査システム８において半導体ウエハ２の検査等を行っても半導体ウエハ２の在庫等を正確に把握して管理することができる。
【００４２】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る製造管理装置の一実施の形態を示す構成図。
【図２】同装置における外部処理システムによる半導体ウエハの良品・不良品の判定を示す図。
【図３】同装置における製造管理フローチャート。
【図４】同装置におけるウエハ処理装置に対する着工予約とロードと着工と完工とアンロードとの各指令を示す図。
【図５】同装置におけるダミー工程作成部により作成する着工予約とロードと着工と完工とアンロードとの各指令を示す図。
【符号の説明】
【００４４】
１−１〜１−３：複数のウエハ処理装置、２：半導体ウエハ、３：容器、４：走査電子顕微鏡、５：製造管理装置（ＭＥＳ）、６：ダミー工程作成部、７：管理制御部、８：外部処理システム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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