(57)【要約】【課題】保護テープが貼付された半導体ウエハにおいて、ノッチの位置を確実に検出することができる技術を提供する。【解決方法】半導体ウエハ１０は、裏面１０ｂに保護テープ２０が貼付されており、保護テープ２０の外周縁２２に遮光性の突出部２４が形成されている。突出部２４は半導体ウエハ１０に形成されたノッチ１４に対応した位置に貼付されている。突出部２４は、半導体ウエハ１０の外周縁から突出している。ノッチ検出装置３０は、突出部２４の位置を検出する装置であり、発光器３２と、アライナ３４と、受光器３６と、アンプ３８を備えている。発光器３２は、アライナ３４に載置された半導体ウエハ１０の外周縁の外側に光３３を照射し、受光器３６が光３３を受光する。アンプ３８は、受光器３６が受光した光量から突出部２４の位置を検出する。突出部２４の位置を検出することにより、ノッチ１４の位置を検出することができる。【選択図】  図１
2010129821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護テープが貼付された半導体ウエハであって、
前記半導体ウエハの外周縁にはノッチが形成されており、
前記保護テープの外周縁には、前記ノッチに対応する位置に遮光性を有する突出部が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２】
請求項１の半導体ウエハに形成されたノッチの位置を検出する装置であって、
前記半導体ウエハの厚み方向の一方側で、半導体ウエハの外周縁の外側範囲に向けて光を照射する照射手段と、
前記半導体ウエハの厚み方向の他方側で、前記照射手段が照射した光を受光する受光手段と、
前記半導体ウエハに対して前記照射手段及び前記受光手段を半導体ウエハの外周に沿って相対移動させる移動手段と、
前記受光手段が受光した光量から前記突出部の位置を特定する特定手段と、
を備える装置。
【請求項３】
前記特定手段は、前記受光手段が受光した光量の変化率を計算し、計算した光量の変化率から前記突出部の位置を特定することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記特定手段は、前記受光手段が受光した光量の変化率に関して、正の値である第１閾値と負の値である第２閾値を記憶しており、前記受光手段が受光した光量の変化率が第１閾値を上回る第１位置と、前記受光手段が受光した光量の変化率が第２閾値を下回る第２位置を特定し、特定した第１位置と第２位置に基づいて前記突出部の位置を特定することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
半導体ウエハに形成されているノッチの位置を検出する方法であって、
前記半導体ウエハに貼付する保護テープの外周縁の、半導体ウエハのノッチに対応する位置に、遮光性の突出部を設けておく工程と、
前記半導体ウエハに貼付された保護テープの突出部の位置を特定する工程と、
を備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノッチが形成された半導体ウエハ、及び、その半導体ウエハに形成されたノッチの位置を検出する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（以下、ウエハと省略することがある）には、その位相（中心軸回りの回転位置）を特定するために、ノッチが形成されている。ノッチは、ウエハの外周縁の一部に設けられたＶ字状の切り欠きであり、結晶方位に対して特定の位置に形成されている。ウエハに加工や検査を実施する際には、ウエハに形成されたノッチの位置を検出し、ノッチを基準にウエハの位相合わせが行われる。
【０００３】
特許文献１に、ウエハのノッチの位置を検出する技術が開示されている。特許文献１の技術では、ウエハの厚み方向の一方側に、ウエハの外周縁に向けて光を照射する光源を配置し、ウエハの厚み方向の他方側に、光源が照射した光を受光する受光センサを配置する。ノッチが形成されていない位置では、光源からの光がウエハによって遮光されるため、受光センサが受光する光量は小さくなる。一方、ノッチが形成された位置では、光源からの光がウエハによって遮光されないので、受光センサが受光する光量は大きくなる。特許文献１の技術では、この関係を利用することによって、ウエハに形成されたノッチの位置を検出している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２３７５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１にも開示されているように、ウエハには、保護テープが貼付されることがある。通常、保護テープは、ノッチ部分にも一様に貼付される。ウエハ表面よりも窪んだノッチ部分の保護テープには、塵埃等の異物が付着しやすく、また、その異物を除去することも難しい。ノッチ部分の保護テープに異物が付着した場合、ノッチ部分における光透過率が低下するので、受光センサが受光する光量の変化からノッチの有無を判別することが困難となる。この場合、ノッチの位置を正確に検出することができない。
【０００６】
本発明は上記の課題を解決する。すなわち本発明は、保護テープが貼付された半導体ウエハにおいて、ノッチの位置をより確実に検出することができる技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、保護テープが貼付された半導体ウエハに具現化される。半導体ウエハの外周縁には、ノッチが形成されている。半導体ウエハに貼付されている保護テープの外周縁には、遮光性を有する突出部が形成されている。保護テープは、突出部が半導体ウエハに形成されたノッチに対応する位置となるように半導体ウエハに貼付されている。半導体ウエハに保護テープを貼付することで、保護テープの突出部が半導体ウエハの外周縁よりも外側に突出する。
【０００８】
本発明の半導体ウエハでは、ノッチが形成されている位置に対応して、保護テープに遮光性の突出部が形成されている。そのため、半導体ウエハに形成されたノッチの位置を検出する際には、ノッチを直接的に検出する必要がなく、保護テープの突出部の位置を検出すれば足りる。突出部の検出は、突出部の遮光性を利用して、光学的なセンサによって容易に行うことができる。
本発明の半導体ウエハによれば、ノッチの位置を検出する際に、ノッチが形成された部分の光透過率を用いる必要がない。そのため、異物がノッチ部分の保護テープに付着し、ノッチが形成された部分の光透過率が低下した場合でも、ノッチの位置を検出することができる。また、ノッチの位置を検出する際には、突出部の遮光性を利用することから、異物が突出部に付着した場合でも、ノッチの位置を確実に検出することができる。
【０００９】
本発明は、上記の半導体ウエハのノッチの位置を検出するために用いられる装置にも具現化される。本発明のノッチ検出装置は、照射手段と、受光手段と、移動手段と、特定手段を備えている。
照射手段は、半導体ウエハの厚み方向の一方側で、半導体ウエハの外周縁の外側範囲に向けて光を照射する。受光手段は、前記半導体ウエハの厚み方向の他方側で、照射手段が照射した光を受光する。移動手段は、半導体ウエハに対して、照射手段及び受光手段を、半導体ウエハの外周に沿って相対移動させる。受光手段は、受光した光量から、保護テープに設けられた突出部の位置を特定する。
【００１０】
本発明のノッチ検出装置では、照射手段がウエハの外周縁の外側に光を照射し、受光手段がその光を受光する。そのため、照射手段と突出部の位置関係によっては、照射手段から照射された光がウエハの外周縁よりも外側に突出した突出部へと照射される。遮光性を有する突出部に光が照射された場合、照射手段から照射された光が突出部によって遮られ、受光手段に到達する光量が減少する。逆に、突出部に光が照射されない場合、照射手段から照射された一定量の光が受光手段に照射され、受光手段に到達する光量が一定に保たれる。つまり、受光手段が受光した光量の変化から、突出部が照射手段と受光手段の間に位置しているか否かを検出することができる。突出部の位置は、ウエハに形成されたノッチの位置に対応しているので、突出部の位置を特定することで、ウエハに形成されたノッチの位置を検出することができる。
本発明のノッチ検出装置によれば、突出部の遮光性を用いて、突出部の位置を検出することができる。そのことから、異物が突出部に付着した場合でも、ノッチの位置を確実に検出することができる。
【００１１】
上記したノッチ検出装置では、受光手段が受光した光量の変化率を計算し、計算した光量の変化率から突出部の位置を特定することが好ましい。
受光手段が受光した光量の変化が小さい場合、光量の変化から突出部の位置を特定することが難しく、突出部の位置を精度よく特定することができない。光量の変化量を距離や時間等の単位量で割った光量の変化率では、単位量を細かく設定しておくことで、光量の変化率が光量の変化量に対して増幅することができる。
このノッチ検出装置では、この光量の変化率を用いて突出部の位置を特定する。そのため、光量の変化量が小さい場合でも、光量の変化量に対して増幅した光量の変化率を用いて、突出部の位置を精度よく特定することができる。
【００１２】
また、この突出部検出装置では、光量の変化量に対して光量の変化率を増幅することができることを利用して、突出部の面積を縮小することができる。突出部の面積を縮小した場合でも、光量の変化量を算出する際に用いられる単位量を細かく設定しておくことで、光量の変化量を一定に保つことができる。つまり、単位量を細かく設定しておくことで、突出部の面積を縮小することができる。これによって、ウエハに貼付する保護テープの突出部の面積を縮小することができ、保護テープに過大な面積の突出部を設ける必要がなくなる。
【００１３】
上記したノッチ検出装置では、特定手段が、受光手段が受光した光量の変化率に関して、正の値である第１閾値と負の値である第２閾値を記憶していることが好ましい。この場合、特定手段は、受光手段が受光した光量の変化率が第１閾値を上回る第１位置と、受光手段が受光した光量の変化率が第２閾値を下回る第２位置を特定することが好ましい。そして、特定手段は、特定した第１位置と第２位置に基づいて、突出部の位置を特定することが好ましい。
【００１４】
突出部が照射手段と受光手段の間を通過する場合、最初に、突出部の周方向前端が照射手段と受光手段の間を通過し、次いで、突出部の周方向後端が、照射手段と受光手段の間を通過する。突出部の周方向前端が照射手段と受光手段の間を通過する際、受光手段が受光する光量は急速に減少する。即ち、受光手段が受光する光量の変化率は、有意な大きさを有する負の値となる。一方、突出部の周方向後端が照射手段と受光手段の間を通過する際は、受光手段が受光する光量が急速に増加する。即ち、受光手段が受光する光量の変化率は、有意な大きさを有する正の値となる。以上の関係から、予め正の値である第１閾値を定めておき、受光手段が受光する光量の変化率が第１閾値を上回る位置（第１位置）を特定することで、突出部の周方向後端の位置を特定することができる。また、予め負の値である第２閾値を定めておき、受光手段が受光する光量の変化率が第２閾値を下回る位置（第２位置）を特定することで、突出部の周方向前端の位置を特定することができる。そして、突出部の周方向の両端位置を特定することができれば、例えば突出部の周方向における中央位置を正確に特定することが可能となり、ウエハに形成されたノッチの位置を厳密に検出することが可能となる。
【００１５】
本発明は、半導体ウエハのノッチの位置を検出するノッチ検出方法にも具現化される。このノッチ検出方法は、主に、以下の２つの工程を備えている。
（１）半導体ウエハに貼付する保護テープの外周縁の、半導体ウエハのノッチに対応する位置に、遮光性の突出部を設けておく工程。
（２）半導体ウエハに貼付された保護テープの突出部の位置を特定する工程
この方法によっても、保護テープが貼付された半導体ウエハのノッチの位置を、確実に検出することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、保護テープが貼付された半導体ウエハにおいて、ノッチの位置を確実に検出することができる。これによって、検出したノッチの位置を用いて、半導体ウエハの位相を確実に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に説明する実施例の主要な特徴を整理する。
（特徴１）移動手段は、ウエハと照射手段をウエハの中心回りに相対回転させる回転手段を備えている。移動手段は、ウエハと照射手段をウエハの中心回りに相対回転させることによって、ウエハと照射手段をウエハの外周に沿って相対移動させる。
（特徴２）特定手段は、コンピュータを用いて構成されている。コンピュータは、記憶しているソフトウェア（プログラム）によって、各処理を実行する。
（特徴３）特定手段は、回転手段に接続されている。
（特徴４）特定手段は、受光手段で受光した光量を回転手段の回転角に関連づけて記憶する。
（特徴５）半導体ウエハから保護テープを剥がす場合には、突出部を起点として保護テープを剥がす。
【実施例】
【００１８】
本発明を具現化した実施例について図面を参照しながら説明する。図１、図２、図３に、本実施例の半導体ウエハ１０（以下、ウエハ１０と呼ぶこともある）とノッチ検出装置３０の構成を示す模式図を示す。
ウエハ１０は、半導体材料（例えばシリコン）の単結晶体である。図３に示すように、ウエハ１０の外周縁１２には、ノッチ１４が形成されている。ノッチ１４は、Ｖ字状の切り欠きであり、ウエハ１０の結晶方位に対して特定の位置に設けられている。
【００１９】
ウエハ１０の裏面１０ｂには、樹脂フィルムで形成された保護テープ２０が貼付されている。保護テープ２０は、ウエハ１０と略同径の円形形状を有している。保護テープ２０の外周縁２２の一部には、周方向外側に突出する突出部２４が形成されている。保護テープ２０の突出部２４は、ウエハ１０のノッチ１４と対応する位置（ウエハ１０の中心軸Ｏに対して同一の方向）に位置しており、ウエハ１０の外周縁１２から外側に突出している。保護テープ２０の突出部２４は、保護テープ２０と一体に形成されている。
保護テープ２０の突出部２４は、着色料を用いて着色されており、遮光性を有している。なお、ここでいう遮光性とは、光の透過を完全に禁止する性質のみを意味するものではなく、光の透過を部分的に禁止する性質を含むものである。また、保護テープ２０は、突出部２４のみでなく、その全体が遮光性を有してもよい。
【００２０】
ノッチ検出装置３０は、ウエハ１０に形成されたノッチ１４の位置を検出する装置である。なお、ノッチ検出装置３０は、ウエハ１０に形成されたノッチ１４の位置を検出する際に、ノッチ１４を直接的に検出することに代えて、保護テープ２０の突出部２４を検出する。上記したように、ノッチ１４と突出部２４はウエハ１０の中心軸Ｏに対して同一の方向に存在している。そのため、ノッチ検出装置３０は、保護テープ２０の突出部２４を検出することによって、ウエハ１０に形成されたノッチ１４の位置を検出することができる。
【００２１】
図１に示すように、ノッチ検出装置３０は、発光器３２と、アライナ３４と、受光器３６と、アンプ３８を備えている。
アライナ３４は、図３に矢印１６で示すように、ウエハ１０をその中心軸Ｏ回りに回転させるためのアクチュエータであり、支柱３５がその中心軸回りに回転するように構成されている。アライナ３４がウエハ１０を回転させる際には、支柱３５の中心軸とウエハ１０の中心軸Ｏが一致するように、ウエハ１０を支柱３５の表面に載置する。アライナ３４が支柱３５を中心軸回りに回転させることによって、ウエハ１０が中心軸Ｏ回りに回転する。
【００２２】
発光器３２は、アライナ３４の周辺に配置されている。発光器３２は、支柱３５の中心軸からウエハ１０の半径だけ離れた位置に配置されている。ウエハ１０が支柱３５に載置されると、発光器３２はウエハ１０の外周縁１２近傍に位置し、かつ、ウエハ１０の表面１０ａ側に配置される。発光器３２は、ウエハ１０の厚み方向の一方側（表面１０ａ側）から、ウエハ１０の外周縁１２の外側に向けて光３３を照射する。アライナ３４がウエハ１０を回転させるとともに発光器３２が光３３を照射することで、発光器３２がウエハの外周に沿って光３３を照射することになる。
【００２３】
受光器３６は、アライナ３４の周辺に配置されている。発光器３２は、支柱３５の中心軸からウエハ１０の半径だけ離れた位置に配置されている。受光器３６は、ウエハ１０に対して発光器３２と対称となる位置に配置されている。すなわち、ウエハ１０が支柱３５に載置されると、受光器３６は発光器３２が配置されているウエハ１０の外周縁１２の近傍に位置し、かつ、ウエハ１０の裏面１０ｂ側に配置される。図２に示すように、発光器３２と受光器３６の間に突出部２４が存在しない場合、発光器３２から照射された光３３が受光器３６で受光される。
【００２４】
本実施例のノッチ検出装置３０は、後述する各種の処理を実行するアンプ３８を備えている。アンプ３８は汎用のコンピュータを用いて構成されており、そのハードウエア及びソフトウェアによって各種の処理が実行される。
アンプ３８は、受光器３６に接続されており、受光器３６が受光した光量Ｐの情報を受け取る。アンプ３８はまた、図示されていない配線によってアライナ３４に接続されており、支柱３５の回転角θ（つまり、ウエハ１０の回転角θに等しい）の情報を受け取る。アンプ３８は、受光器３６から受け取る光量Ｐの情報を、アライナ３４から受け取るウエハ１０の回転角θの情報に関連付けて記憶する。即ち、アンプ３８には、ウエハ１０の回転角θ毎に、受光器３６が受光した光量Ｐが記憶されていく。
また、アンプ３８は、光量Ｐの変化量ΔＰを、支柱３５の回転角の変化量Δθ（つまり、ウエハ１０の回転角の変化量Δθに等しい）で除した光量Ｐの変化率Ｑ（＝ΔＰ／Δθ）を算出することができる。そして、アンプ３８は、計算した光量Ｐの変化率Ｑの情報を、アライナ３４から受け取るウエハ１０の回転角θの情報に関連付けて記憶する。即ち、アンプ３８には、ウエハ１０の回転角θ毎に、受光器３６が受光した光量Ｐの変化率Ｑが記憶されていく。
【００２５】
アンプ３８は、ウエハ１０の回転角θの情報に関連つけて記憶した光量Ｐの情報から突出部２４の位置を特定する処理を行う。
本実施例では、図１、図２に示すように、ウエハ１０を回転させながら発光器３２から照射された光３３を受光器３６で受光する。そのため、図１に示すように、発光器３２と受光器３６の間に突出部２４が存在する状態と、図２に示すように、発光器３２と受光器３６の間に突出部２４が存在しない状態が交互に生じる。
【００２６】
図１に示すように、発光器３２と受光器３６の間に突出部２４が存在する場合、発光器３２から照射された光３３は、遮光性の突出部２４によって遮られる。そのことから、図４に示すように、受光器３６で受光される光量Ｐが、比較的に少ない値Ｐ１となる。従って、光量Ｐが値Ｐ１となる期間Ｔ２が、発光器３２と受光器３６の間に突出部２４が存在する期間に対応する。期間Ｔ２の間、受光器３６で受光される光量Ｐは略一定であり、その変化率Ｑは略ゼロとなる。
【００２７】
他方、図２に示すように、発光器３２と受光器３６の間に突出部２４が存在しない場合、発光器３２から照射された光３３は、遮光されることなく受光器３６で受光される。発光器３２からは、一定量の光が照射されている。そのことから、図４に示すように、受光器３６で受光される光量Ｐが、比較的に大きい値Ｐ０となる。従って、光量Ｐが値Ｐ０となる期間Ｔ１が、発光器３２と受光器３６の間に突出部２４が存在しない期間に対応する。期間Ｔ１の間、受光器３６で受光される光量Ｐは略一定であり、その変化率Ｑは略ゼロとなる。
【００２８】
期間Ｔ２から期間Ｔ１に移行する際に、つまり図１に示す状態から図２に示す状態に移行する際に、受光器３６の受光する光量Ｐは、値Ｐ１から値Ｐ０へと増加する。このときの光量Ｐの変化率Ｑは、光量Ｐの増加にともなって、有意な大きさを有する正の値Ｑ１となる。ここで、期間Ｔ２から期間Ｔ１に移行する際の光量Ｐの変化率Ｑ１は、突出部２４の回転方向後側の端部２４ｂ（図３参照）の形状に応じて相違する。例えば本実施例のように、当該端部２４ｂが径方向に略平行に伸びている場合、当該光量Ｐの変化率Ｑ１は比較的に大きな値となる。一方、当該端部２４ｂが径方向に対して角度を成し、周方向に傾斜している場合には（例えば、突出部２４が三角形の場合：図６参照）、当該光量Ｐの変化率Ｑ１は比較的に小さな値となる。
【００２９】
先に説明したように、アンプ３８は、受光器３６が受光した光量Ｐの変化率Ｑを算出し、ウエハ１０の回転角θ毎に、算出した光量Ｐの変化率Ｑを記憶している。アンプ３８は、回転角θ毎に記憶する光量Ｐの変化率Ｑから、期間Ｔ２から期間Ｔ１に移行する回転角θを特定する処理を行うことができる。本実施例のアンプ３８には、上記した正の変化率Ｑ１に基づく正の閾値Ｓ１が記憶されている。それにより、アンプは、光量Ｐの変化率Ｑが閾値Ｓ１を超えて大きくなった場合に、そのときの回転角θ１を期間Ｔ２から期間Ｔ１に移行した回転角であると特定することができる。
ここで、上記した正の閾値Ｓ１は、実験等によって期間Ｔ２から期間Ｔ１に移行する際の光量Ｐの変化率Ｑ１を測定し、その測定結果に基づいて予め決定することができる。このとき、ノイズ等の影響についても考慮することが好ましい。
【００３０】
また、期間Ｔ１から期間Ｔ２に移行する際に、つまり図２に示す状態から図１に示す状態に移行する際に、受光器３６の受光する光量Ｐは、値Ｐ０から値Ｐ１へと減少する。このときの光量Ｐの変化率Ｑは、光量Ｐの減少にともなって、有意な大きさ（絶対値）を有する負の値Ｑ２となる。ここで、期間Ｔ１から期間Ｔ２に移行する際の光量Ｐの変化率Ｑ２は、突出部２４の回転方向前側の端部２４ａ（図３参照）の形状に応じて相違する。
アンプ３８は、回転角θ毎に記憶する光量Ｐの変化率Ｑから、期間Ｔ１から期間Ｔ２に移行する回転角θを特定する処理を行うことができる。本実施例のアンプ３８には、上記した負の変化率Ｑ２に基づく負の閾値Ｓ２を記憶している。それにより、アンプは、光量Ｐの変化率Ｑが閾値Ｓ２を超えて小さくなった場合に、その回転角θ２を期間Ｔ１から期間Ｔ２に移行する回転角であると特定することができる。
ここで、上記した負の閾値Ｓ２についても、実験等によって期間Ｔ１から期間Ｔ２に移行する際の光量Ｐの変化率Ｑ２を測定し、その測定結果に基づいて予め決定することができる。このとき、ノイズ等の影響についても考慮することが好ましい。
【００３１】
本実施例のノッチ検出装置３０では、アンプ３８が、閾値Ｓ１を用いて図１に示す状態から図２に示す状態に移行する回転角θ１を特定する。つまり、突出部２４の回転方向後側の端部２４ｂ（図３参照）が、発光器３２と受光器３６の間から抜け出る際の回転角θ１を特定する。また、閾値Ｓ２を用いて図２に示す状態から図１に示す状態に移行する回転角θ２を特定する。つまり、突出部２４の回転方向前側の端部２４ａ（図３参照）が、発光器３２と受光器３６の間に入り込む際の回転角θ２を特定する。アンプ３８が回転角θ１、θ２を特定することで、突出部２４が存在する回転角の範囲θ１〜θ２を特定することができる。また、突出部２４の中心を対応する回転角（θ１＋θ２）／２を特定することができる。このように、本実施例のノッチ検出装置３０では、突出部２４が存在する位置を厳密に特定することができる。
本実施例のノッチ検出装置３０によれば、突出部２４の位置を、ウエハ１０の回転角θに対応付けて特定することができる。また、上述したように、ウエハ１０の表面１０ａに形成されたノッチ１４は、ウエハ１０の中心軸Ｏに対して突出部２４と同一の方向となるように設定されている。つまり、突出部２４の位置を特定する回転角θとノッチ１４の位置を特定する回転角θは等しい。そのため、突出部２４の位置が回転角θに対応付けて特定されることで、ノッチ１４の位置を回転角θに対応付けて特定することができる。
【００３２】
本実施例のノッチ検出装置３０では、ウエハ１０に貼付される保護テープ２０に遮光性の突出部２４を形成し、突出部２４の遮光性を用いて、ウエハ１０のノッチ１４の位置を検出する。ノッチ１４が形成された部分の光透過性を用いる従来の検出方法では、ウエハ１０のノッチ１４及びその位置における保護テープ２０に異物が付着した場合、ノッチ１４が形成された部分の光透過性が低下し、ノッチ１４を精度良く検出することができない。本実施例では、突出部２４の遮光性を用いる。そのため、ノッチ１４に異物が付着した場合でも、突出部２４を用いてノッチ１４の位置を検出することができる。さらに、突出部２４に異物が付着した場合でも、ノッチ１４の位置を確実に検出することができる。
【００３３】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、ウエハ１０の外周にそって発光器３２から光３３を照射する場合には、ウエハ１０を固定し、発光器３２と受光器３６をウエハ１０の中心軸Ｏ回りに回転させてもよい。また、発光器３２や受光器３６がウエハ１０の外周縁２２に沿った円周形状をしている場合には、発光器３２と受光器３６とウエハ１０を相対回転させる必要がない。円周形状の受光器３６には、円周に沿って複数の受光センサを備えている。複数の受光センサは、円周形状の発光器３２から一度に照射される光３３を受光センサ毎に受光し、円周に沿った位置ごとの光量を検出する。
【００３４】
また、上記実施例では、アンプ３８が２種類の閾値Ｓ１、Ｓ２を備えている実施例を示したが、アンプ３８が１種類の閾値を備えていており、１種類の閾値から突出部２４の位置を特定してもよい。但し、アンプ３８が２種類の閾値Ｓ１、Ｓ２を備えていることで、突出部２４の異なる２つの端部位置を特定することができ、特定した２つの端部位置から突出部２４を厳密に特定することができる。また、アンプ３８が３種類以上の閾値を備えていてもよい。アンプ３８が備えている閾値の数によって、閾値から突出部２４の位置を検出する方法も様々に変化させることができる。
【００３５】
また、アンプ３８は光量Ｐの変化率Ｑを必ずしも検出する必要がない。図４に示すように、アンプ３８が光量Ｐに対応した閾値Ｓ３を持っており、閾値Ｓ３を用いて、光量Ｐが閾値Ｓ３を超えて大きくなった回転角θ１と、閾値Ｓ３を超えて小さくなった回転角θ２を検出してもよい。但し、上述したように、光量Ｐを用いて回転角θ１、θ２を検出する場合、大きな光量Ｐの変化量ΔＰが必要とされる。大きな光量Ｐの変化量ΔＰが得られない場合には、光量Ｐの変化率Ｑを求めることが好ましい。光量Ｐの変化量ΔＰを回転角の変化量Δθで割ることによって、光量Ｐの変化率Ｑを光量Ｐの変化量ΔＰに対して増幅させることができ、回転角θ１、θ２を精度よく検出することができる。
【００３６】
また、保護テープ２０をウエハ１０から剥がす際には、突出部２４を起点として剥がすことが好ましい。突出部２４は、ウエハ１０の外周縁より外側に突出しており、容易に摘むことができる。そのため、保護テープ２０を短時間で剥がすことができ、保護テープ２０を剥がす際に必要な時間を短縮することができる。また、突出部２４を摘んで保護テープ２０を剥がすことにより、保護テープ２０が破れてしまうような事態や、突出部２４を摘む際にウエハ１０の裏面１０ｂを傷つけてしまうような事態を、防止することができる。
【００３７】
また、突出部２４の形状も特に限定されない。図５に、半円形状をした突出部１２４が形成されているウエハ１１０を示す。図６に、三角形状をした突出部２２４が形成されているウエハ２１０を示す。突出部２４の形状によって、受光器３６で受光される光量Ｐの変化量ΔＰが変化する。図６に示すように、突出部１２４の形状を三角形状とすることで、光量Ｐの変化量ΔＰを小さく抑えることができる。また、図３に示すように、突出部２４の形状を四角形状とすることで、光量Ｐの変化量ΔＰを大きくすることができる。受光器３６やアンプ３８の規格に合わせて、突出部２４の形状が好適に選択される。
【００３８】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本実施例の半導体ウエハ１０とノッチ検出装置３０の模式図である。
【図２】本実施例の半導体ウエハ１０とノッチ検出装置３０の模式図である。
【図３】半導体ウエハ１０の上面図である。
【図４】回転角θに対応した光量Ｐと光量Ｐの変化率Ｑを示すグラフである。
【図５】半導体ウエハ１１０の上面図である。
【図６】半導体ウエハ２１０の上面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０：半導体ウエハ
１２：外周縁
１４：ノッチ
２０：保護テープ
２２：外周縁
２４：突出部
３０：ノッチ検出装置
３２：発光器
３４：アライナ
３５：支柱
３６：受光器
３８：アンプ
Ｏ：半導体ウエハの中心軸
Ｐ、Ｐ０、Ｐ１：光量
Ｑ、Ｑ１、Ｑ２：光量Ｐの変化率
Ｔ１、Ｔ２：期間
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３：閾値
θ、θ１、θ２：回転角
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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