(57)【要約】【課題】可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性に優れる光半導体素子搭載用基板及び光半導体素子搭載用基板の製造方法、並びにこの基板を用いた光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層と該絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備え、上記絶縁層を貫通し上記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を有するベース基板、及び上記ベース基板の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材を備えることを特徴とする光半導体素子搭載用基板を提供する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と前記絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備え、前記絶縁層を貫通し前記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を有するベース基板、及び
前記ベース基板の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材を備えることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【請求項２】
前記外部接続端子形成用開口部の少なくとも１つが、前記凹部に搭載される光半導体素子の搭載位置の直下に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の光半導体素子搭載用基板。
【請求項３】
前記外部接続端子形成用開口部の内面が高熱伝導性材料で被覆されていることを特徴とする、請求項１に記載の光半導体素子搭載用基板。
【請求項４】
前記外部接続端子形成用開口部に形成される外部接続端子が、はんだボール、はんだペースト、電極パッド、及び針状端子のいずれかであることを特徴とする、請求項１に記載の光半導体素子搭載用基板。
【請求項５】
請求項１に記載の光半導体素子搭載用基板と、
前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子と、
前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層とを少なくとも備えることを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
絶縁層と前記絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備えるベース基板に、前記絶縁層を貫通し前記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を形成する工程と、
前記ベース基板の上面に光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材を形成する工程と
を有し、前記凹部を形成する光反射性部材の少なくとも内周側面を、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料を必須成分とする熱硬化性光反射用樹脂組成物から形成することを特徴とする、光半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
前記複数の配線回路を備えたベース基板の上面に、前記熱硬化性光反射用樹脂組成物をトランスファー成形によって、前記光反射性部材を一体成形することを特徴とする、請求項６に記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項８】
前記光反射性部材を一体成形する前に、前記複数の配線回路の上に、ソルダーレジスト層を形成することを特徴とする、請求項７に記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の光半導体素子搭載用基板の凹部底面に少なくとも１つの光半導体素子を搭載する工程と、
前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に蛍光体含有透明封止樹脂層を形成する工程とを備えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
凹部を２以上有する請求項１に記載の光半導体素子搭載用基板に、前記凹部毎に少なくとも１つの光半導体素子を搭載する工程と、
前記光半導体素子を覆うように前記凹部内にそれぞれ蛍光体含有透明封止樹脂層を形成する工程と、
先の工程によって得られる連続した２以上の光半導体装置を個々の光半導体装置に分割する工程と
を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びにその基板を用いた光半導体装置及び光半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の分野では、小型軽量化に加えて高性能多機能化が進み、電子機器には電子部品が高密度に実装されるようになってきている。電子機器に使用される電子部品については、プリント基板上に表面実装できるＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ：表面実装素子）と呼ばれるものが主流となってきている。ＳＭＤは、プリント基板上の配線パターン上にリフローはんだ付け等の方法によって接続することができ、様々な用途で使用されている。
【０００３】
例えば、光半導体の分野で使用される電子部品として、ＳＭＤ型ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）が挙げられる。ＬＥＤは、光半導体素子と蛍光体とを組み合わせた光半導体装置であり、省電力で寿命が長い発光装置として注目されている。近年、光半導体素子の高輝度、高出力化、及び発光波長の短波長化といった性能向上に関する研究開発が活発に行われており、ＬＥＤは次世代の光源として非常に期待されている。
【０００４】
一般的なＳＭＤ型ＬＥＤについて図１に沿って説明する。図１は、従来のＳＭＤ型ＬＥＤの構造の一例を示す斜視図である。図１に示したように、ＳＭＤ型ＬＥＤ１００は、ＬＥＤ用パッケージ基板１１０と、その凹部に搭載された光半導体素子１２０とから概略構成される。ＬＥＤ用パッケージ基板１１０は、メタル基板１１２と、その上に接着シート１１４を介して設けられた樹脂基板１１６とから構成される。メタル基板１１２の上面には光半導体素子１２０を各電極に電気的に接続するための一対の接続端子が形成されており（不図示）、各電極には銀めっき等の表面処理が施されている。
【０００５】
樹脂基板１１６は、リフレクタとして機能するように構成されるものであり、その中央部には、円形の上部開口１１６ａ及び下部開口１１６ｂ並びにその内壁１１６ｃからなる貫通穴１１８が形成されている。貫通穴１１８は、樹脂基板１１６が接着シート１１４を介してメタル基板１１２に接続されることで、カップ状の凹部を形成する。なお、接着シート１１４の下部開口１１６ｂに対応する部分は除去されている。
【０００６】
次に、ＳＭＤ型ＬＥＤの製造方法の一例について説明する。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、複数の光半導体素子をマトリックス状に配置したＬＥＤパッケージを製造する従来方法における工程を説明する概略図である。このような方法によれば、一度に複数個のＬＥＤを作製することができる。
【０００７】
具体的な作業工程では、図２（ａ）に示したように、光半導体素子２２０を所定の位置に予め実装させたメタル基板２１２の上に、予め開口部２１４ａを設けた接着シート２１４を介して、リフレクタとなる樹脂基板２１６を加圧及び加熱し、それらを互いに接着することによってＬＥＤ用パッケージ基板２１０を作製する。なお、接着シート２１４の開口部２１４ａの位置は、樹脂基板２１６の下部開口２１６ｂの位置にそれぞれ対応している。このようにして得られたＬＥＤ用パッケージ基板２１０は、次に図２（ｂ）に示すように、２方向のダイシングライン２３０に沿って、個々のＬＥＤに切り離され、最終的には図１に示すようなＳＭＤ型ＬＥＤ１００が得られる。
【０００８】
上述のＳＭＤ型ＬＥＤでは、光半導体素子の性能向上に伴って、素子自身から発生する熱や光エネルギーは増加傾向にある。光半導体素子から発生した熱は、光半導体素子や光半導体装置の温度を上昇させる。特に、図３に示すようにインサート式のリードフレームをベース基材とするＳＭＤ型ＬＥＤ３００の場合には、リード端子を電気的な外部接続端子として装置側面に設置することになる。なお、図中、参照符号３１２はメタル基板、３１２ａはリードフレーム、３１６はリフレクタ、３２０は光半導体素子、３３０はワイヤボンド、３４２は透明封止樹脂、３４４は蛍光体、３５０はダイボンド材である。このようなＳＭＤ型ＬＥＤにおいて、特に、熱対策を施さない場合には、熱伝導性の乏しい透明封止樹脂３４２で囲まれた光半導体素子３２０から発生した熱の放熱経路は、リードフレーム３１２ａとリード端子と接続した外部電極（不図示）までとなる。従って、熱源である光発光素子から外部電極までの距離が長いために、熱抵抗が大きく光半導体素子の温度上昇が避けられない構造となる。
【０００９】
光半導体素子の温度上昇は、光半導体素子を劣化させ、光半導体装置の輝度低下や短寿命化といった性能及び信頼性の低下を招くため望ましくない。温度上昇を抑制する方法として、素子を搭載する基板や光半導体装置等を構成する部材に高熱伝導性材料を使用するか、部材が低熱抵抗となるように構造設計する方法がある。しかし、高熱伝導性材料の部材として、ヒートシンクや高熱伝導性メタル／セラミックパッケージ等を使用した場合、全体の部品点数や製造工程数が増加し、コストや生産性に劣る傾向がある。
【００１０】
このような状況下、放熱性、耐熱性、及び耐紫外光特性等に優れた熱可塑性樹脂を用い、各種成形法によって光半導体素子搭載用基板のリフレクタ部位（凹部）を形成するいくつかの方法が開示されている。
【００１１】
特許文献１（特開２００６−１４０２０７号公報）では、耐熱性及び耐光性を有する特定の熱硬化性光反射用樹脂組成物を用い、トランスファー成形法によってリフレクタ部位を形成する、光半導体素子搭載用基板の製造方法を開示している。開示された方法に従って製造された光半導体素子搭載用基板は、樹脂組成物の配線基板に対する接着性が良く、また樹脂組成物に起因する反りの発生が少ないこと等から信頼性に優れている。
【００１２】
また、特許文献２（特開２００７−１４２２５３号公報）では、発光素子用配線板の製造において、配線パターンを形成した繊維入り樹脂基板の上に、接着材層を介在させずに、モールド成形によってレフレクタ部位を直接形成してモールド成形基板を製造する方法を開示している。
【００１３】
上述の方法によれば、光半導体素子搭載領域となる凹部を配線回路付き基板と一体成形することが可能である。しかし、それら基板を、図２（ａ）及び（ｂ）に示したような光半導体素子をマトリクス状に複数配列する２０ｍｍ２以上の大型の成形物として成形した場合、線膨張率の違いから応力による反りが発生し、その後の工程を進めることが困難となる等の課題がある。また、樹脂組成物をトランスファー成形して凹部を形成した際には、リード端子表面等の外部接続端子部に樹脂バリが発生し、これを除去する工程の追加が必要となる可能性が高い。さらに、電気入力のために光半導体素子と外部接続端子とが複雑に配置される配線回路の間に樹脂が未充填となりやすい。このように配線回路の間に樹脂の未充填部位が存在すると、後に凹部に透明封止樹脂を充填する際に、その未充填部位から透明樹脂が漏れ、充填不可能となり、その後の製造工程に進むことが困難となる場合がある。
【特許文献１】特開２００６−１４０２０７号公報
【特許文献２】特開２００７−１４２２５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従って、上述の課題を解決し得る、光半導体搭載用基板や光半導体装置等の部材を構成する材料及び部材の構造設計に関するさらなる開発が必要とされている。また、今後、高出力及び高輝度のＬＥＤが製造する場合、多数の光半導体素子を基板に搭載することが予想される。そして、搭載される光半導体素子の数の増加に伴って、素子を外部電極に接続するための外部接続端子の数も増加させる必要がある。そのため、素子を外部接続端子に容易に接続することが可能な光半導体搭載用基板の構造及びそれを低コストで効率良く製造する方法が望まれている。
【００１５】
本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性に優れる光半導体素子搭載用基板及び光半導体素子搭載用基板の製造方法並びにこの基板を用いた光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は以下に示す（１）〜（１０）に記載の事項をその特徴とする。
【００１７】
（１）絶縁層と上記絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備え、上記絶縁層を貫通し上記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を有するベース基板、及び上記ベース基板の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材を備えることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【００１８】
（２）上記外部接続端子形成用開口部の少なくとも１つが、上記凹部に搭載される光半導体素子の搭載位置の直下に設けられていることを特徴とする、上記（１）に記載の光半導体素子搭載用基板。
【００１９】
（３）上記外部接続端子形成用開口部の内面が高熱伝導性材料で被覆されていることを特徴とする、上記（１）又は（２）に記載の光半導体素子搭載用基板。
【００２０】
（４）上記外部接続端子形成用開口部に形成される外部接続端子が、はんだボール、はんだペースト、電極パッド、及び針状端子のいずれかであることを特徴とする、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の光半導体素子搭載用基板。
【００２１】
（５）上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光半導体素子搭載用基板と、上記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子と、上記光半導体素子を覆うように上記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層とを少なくとも備えることを特徴とする光半導体装置。
【００２２】
（６）上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、絶縁層と上記絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備えるベース基板に、上記絶縁層を貫通し上記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を形成する工程と、上記ベース基板の上面に光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材を形成する工程とを有し、上記凹部を形成する光反射性部材の少なくとも内周側面を、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料を必須成分とする熱硬化性光反射用樹脂組成物から形成することを特徴とする、光半導体素子搭載用基板の製造方法。
【００２３】
（７）上記複数の配線回路を備えたベース基板の上面に、上記熱硬化性光反射用樹脂組成物をトランスファー成形によって、上記光反射性部材を一体成形することを特徴とする、上記（６）に記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法。
【００２４】
（８）上記光反射性部材を一体成形する前に、上記複数の配線回路の上に、ソルダーレジスト層を形成することを特徴とする、上記（７）に記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法。
【００２５】
（９）上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光半導体素子搭載用基板の凹部底面に少なくとも１つの光半導体素子を搭載する工程と、上記光半導体素子を覆うように上記凹部内に蛍光体含有透明封止樹脂層を形成する工程とを備えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【００２６】
（１０）凹部を２以上有する上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光半導体素子搭載用基板に、上記凹部毎に少なくとも１つの光半導体素子を搭載する工程と、上記光半導体素子を覆うように上記凹部内にそれぞれ蛍光体含有透明封止樹脂層を形成する工程と、先の工程によって得られる連続した２以上の光半導体装置を個々の光半導体装置に分割する工程とを備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の光半導体素子搭載用基板によれば、基板表面に実装された光半導体素子から発生した熱は、光半導体素子の直下に配置した基板背部の外部接続端子が熱伝導経路となり実装基板へと移動する。その結果として光半導体素子や光半導体装置の温度上昇を抑え、光半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、本発明による光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置の製造方法によれば、その製造工程を簡素化できるため、生産性を向上させ、低コスト化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明について詳細に説明する。  
図４（ａ）は、本発明による光半導体素子搭載用基板の一実施形態を模式的に示す側面断面の部分拡大図である。また図４（ｂ）は、本発明による光半導体素子搭載用基板の一実施形態を模式的に示す背面図である。図４（ａ）に示したように、本発明による光半導体素子搭載用基板４１０は、複数の配線回路４１２ａ及び絶縁層４１２ｂを備えたベース基板４１２と、ベース基板４１２の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材（リフレクタ）４１６とを備え、ベース基板４１２の下面側に絶縁層４１２ｂを貫通し配線回路４１２ａに到達する、少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部４１８が設けられていることを特徴とする。本発明による基板は、その外部接続端子形成用開口部４１８に外部電極に接続するための外部接続端子を設けることによって、実装基板に容易に搭載することができる。そして、図４（ｂ）に示したような基板裏面に対して設けられる外部接続端子が熱伝導経路となり、基板から発生した熱を実装基板に移行させることができる。そのため、インサート式のリードフレームをベース基板とした場合（図３を参照）と比較して、熱伝導経路が短くなり、熱抵抗を低下させることが可能となる。
【００２９】
本発明による光半導体素子搭載用基板では、光半導体素子と外部電極との距離を最短とし、熱抵抗を減少させる観点から、基板裏面に設けられる外部接続端子形成用開口部は、光半導体素子が搭載される位置の直下となるように形成することが好ましい。さらに、外部接続端子形成用開口部を形成した後に、その開口部の内面を、銅等の高熱伝導性材料でめっき処理することが好ましい。このような実施形態の光半導体素子搭載用基板は後述する図５（ａ）に対応している。図５（ａ）中、参照符号５２０は光半導体素子、５１９は外部接続端子形成用開口部の内面に設けられた高熱伝導性材料のめっき層、さらに５１８ａは開口部内部に外部接続端子として設けた、はんだボールを示す。
【００３０】
図５（ａ）に示すように、開口部の内面を高熱伝導性材料でめっき処理することによって、高温になった光半導体素子からの熱を、光半導体素子搭載用基板の厚み方向、すなわち実装基板と対向する基板の裏面側に効率良く放熱することが可能となる。開口部の設置位置は、光半導体素子の直下に限らず、その他、複数箇所に設けてもよい。複数個の開口部を設けることによって、熱抵抗値をさらに低下させることができる。以下、本発明による光半導体素子搭載用基板を構成する主なエレメントについて説明する。
【００３１】
本発明において光半導体素子搭載用基板に使用されるベース基板は、絶縁層の上に複数の配線回路を形成することによって得られる。配線回路は、特に限定されるものではないが、銅、４２アロイ等の金属から構成され、その表面にＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｂ／フラッシュＡｕ及びＮｉ／Ｐｄ等の材料によるめっきを施したものが望ましい。配線回路の形成方法は、特に制限されるものではなく、通常の銅箔用エッチング液を適用したサブトラクト法、又は金属箔上に予め電気めっき法によって配線回路を形成し、絶縁樹脂を塗布した基材上にそれらを埋め込むことで配線回路を転写し、次いで金属箔を選択的に剥離又は除去する方法等が適用できる。また配線回路は、印刷法、写真法等の他の方法によって形成してもよい。一方、絶縁層の形成方法は特に制限されるものではなく、例えばソルダーレジスト等の絶縁材料を用い、印刷法及び写真法等の公知の方法に従って形成することができる。絶縁層は、単層構造に限らず、必要に応じて追加の絶縁層を設けて多層構造として構成してもよい。また、図４（ｃ）に示すように、必要に応じてベース基板の絶縁層（参照符号４１２ｂ）に、さらに追加の絶縁層（参照符号４１７）を積層してもよい。
【００３２】
特に限定するものではないが、本発明ではベース基板として、以下に説明するプリント配線板、リードフレーム、フレキシブル配線板、及びメタルベース配線板の少なくとも１種を使用することができる。
【００３３】
プリント配線板：プリント配線板は、配線回路形成用の銅箔を備えたガラス強化樹脂基板を用い、公知の手法に従って配線回路を形成し、次いでその配線回路上に絶縁用の樹脂を設けることによって得られる。回路絶縁用の樹脂及びガラス強化樹脂基板に用いる樹脂は、それぞれＬＥＤ素子からの光を効率よく反射できるように白色の絶縁樹脂であることが望ましい。
【００３４】
リードフレーム：リードフレームは、銅や４２アロイ等からなる基板を用い、公知の手法に従って配線回路を形成することで得ることができる。その基板表面は、ＬＥＤ素子からの光を効率よく反射できるように、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｂ／フラッシュＡｕ、及びＮｉ／Ｐｄ等の材料によるめっき処理を施しておくことが望ましい。
【００３５】
フレキシブル配線板：フレキシブル配線板は、配線回路形成用の銅箔を備えたポリイミド基板を用い、公知の手法に従って配線回路を形成した後、その配線回路の上に絶縁用の樹脂を設けることによって得られる。回路絶縁用の樹脂は、ＬＥＤ素子からの光を効率よく反射できるように白色の絶縁樹脂であることが望ましい。
【００３６】
メタルベース配線板：メタルベース配線板は、銅やアルミニウムからなる金属基板に絶縁層を形成した後に、公知の手法に従って回路を形成し、さらにその回路上に絶縁用の樹脂を設けることによって得られる。金属基板上の絶縁層及び回路絶縁用の樹脂は、ＬＥＤ素子からの光を効率よく反射できるように白色の絶縁樹脂を形成することが望ましい。
【００３７】
外部接続端子形成用開口部は、絶縁層を穴あけ加工することによって形成される。開口部の具体的な形成方法は特に限定されないが、適用可能な方法として、例えば（１）公知のドリルやパンチ加工等によって絶縁層に貫通孔を設け、次いで、絶縁層の片面に銅箔を加熱・加圧することによって貫通孔の片側を塞ぐ方法、（２）絶縁層の片面に銅箔を加熱・加圧した後、炭酸ガスレーザー等によって銅箔に達するまで非貫通の孔を直接形成する方法、（３）絶縁層の両面に銅箔を加熱・加圧した後、一方の銅箔をエッチング除去し、（２）項と同様に非貫通の孔を直接形成する方法が挙げられる。なお、（２）及び（３）の方法を適用する場合、開口部を形成するための銅箔の加工は、配線回路形成用の銅箔を加工してベース基板を形成する前に実施しても、配線回路形成用銅箔を加工してベース基板を形成した後に実施してもよい。
【００３８】
外部接続端子形成用開口部は、高熱伝導性材料でめっき処理されていることが好ましい。外部接続端子を介してベース基板表面の配線回路と、実装基板の電極とを容易に接続できるように、開口部の底部及び側面を含む全ての内面が高熱伝導性材料によって処理されていることが好ましい。高熱伝導性材料の具体例としては、銅、アルミニウム、鉄、鋼、鉛、銀、金及びこれら金属の合金等が挙げられる。めっき処理は、例えば、電気めっき、化学めっき等の公知のめっき方法によって実施することが可能である。
【００３９】
外部接続端子形成用開口部に形成される外部接続端子は、外部接続端子形成用開口部の底部と実装基板とが電気的に接続できるものであれば特に限定されない。例えば、はんだボール、はんだペースト、ピン、電極パッド、針状端子等の公知の方法に従って形成されたものであってよい。放熱特性の観点から、外部接続端子は、高熱伝導性のはんだボールとして形成されることが好ましい。高熱伝導性はんだボールとしては、特に制限はないが、銅コアに鉛フリーはんだをコーティングすることによって得られる、銅ボール等が挙げられる。なお、図５（ａ）では、外部接続端子形成用開口部に、外部接続端子として、はんだボール５１８ａを設けた場合を例示している。
【００４０】
ベース基板の配線回路上には、光反射性部材が形成される。光反射性部材は、ベース基板上に光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成するように、少なくとも１つの開口を有する形状となっている。このような光反射性部材は、例えば、熱硬化性光反射用樹脂組成物から形成することができる。なお、光反射性部材の形成方法については、後述する基板の製造方法において詳細に説明する。
【００４１】
図５（ａ）は、本発明による光半導体装置の一実施形態を模式的に示す側面断面の部分拡大図である。また図５（ｂ）は、本発明による光半導体装置の一実施形態を模式的に示す平面図である。図５（ａ）に示すように、本発明による光半導体装置５００は、上述の光半導体素子搭載用基板５１０と、その光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子５２０と、その光半導体素子５２０を覆うように基板の凹部内に形成された蛍光体含有透明樹脂層とを少なくとも備えることを特徴とする。なお、蛍光体含有透明樹脂層は、蛍光体５４４を含む透明封止樹脂５４２を使用して構成することができる。このような光半導体装置では、光半導体素子搭載用基板の裏面に、凹部に搭載される光半導体素子の数、及びその搭載位置に対応して、外部接続端子用の開口部が設けられている。なお図５（ｂ）では、基板の１つの凹部に６個の光半導体素子を搭載した場合を例示しているが、搭載する光半導体素子の数、その配置は限定されるものではない。
【００４２】
本発明による光半導体素子搭載用基板は、先に説明したような絶縁層と該絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備えるベース基板に、上記絶縁層を貫通し上記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を形成する工程と、そのベース基板の上面に光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材を形成する工程とによって製造することができる。図６（ａ）から図６（ｃ）は、本発明による光半導体素子搭載用基板の製造方法の一実施形態における各工程を説明するための模式的断面図である。例示した製造方法では、最初に、図６（ａ）に示すように、配線回路４１２ａと絶縁層４１２ｂとを備えるベース基板４１２の下面に、外部接続端子形成用開口部４１８として、絶縁層４１２ｂを貫通し、配線回路４１２ａまで到達する複数の層間接続穴を形成する。なお、配線回路４１２ａは、例えば、ベース基板として使用するプリント配線板の回路形成用銅箔をエッチング等の公知の方法を用いて所望の形状にすることにより形成することができる。開口部４１８の形成は、先に説明したとおりであり、配線回路の形成前または形成後のいずれに実施してもよい。
【００４３】
次に、上述のようにして設けられた開口部４１８を有するベース基板４１２を、図６（ｂ）に示すように、上金型６２０a及び下金型６２０ｂから構成され所定の形状を有する金型６２０内に配置し、金型６２０の樹脂注入口６２２から樹脂組成物を注入し、配線回路４１２ａ上に光反射性部材６１６を一体成形する。樹脂組成物の注入後、好ましくは金型温度１７０〜１９０℃で６０〜１２０秒、さらにアフターキュア温度１２０℃〜１８０℃で１〜３時間の条件下で樹脂組成物を熱硬化させる。硬化処理後、金型６２０を外すことによって、ベース基板の配線回路４１２ａ上に、光反射性部材（リフレクタ）６１６に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域（凹部）６４０が形成される（図６（ｃ）を参照）。最後に、図６（ｃ）に示すように、光半導体素子搭載領域（凹部）６４０の所定位置に、電気めっきによりＮｉ／銀めっき６３０を施すことによって、本発明による光半導体素子搭載用基板６１０が得られる。
【００４４】
上述した本発明による光半導体素子搭載用基板の製造方法では、図６（ｂ）に対応する光反射性部材の一体成形に先立って、ベース基板の配線回路上に配線回路保護用ソルダーレジスト（層）を形成することが好ましい。そのような実施形態について図面に沿って具体的に説明する。図７（ａ）から図７（ｃ）は、本発明による光半導体素子搭載用基板の製造方法の一実施形態における各工程を説明するための模式的断面図である。図７（ａ）では、図６（ａ）に沿って先に説明した手順に加えて、配線回路４１２ａ上に配線回路保護用ソルダーレジスト（層）７００を形成する。図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示す各工程は、先に図６（ｂ）及び図６（ｃ）に沿って説明した工程と同様にして実施することができる。このような実施形態によれば、ソルダーレジスト層７００を設けることによって、トランスファー成形時に、ベース基板表面の配線回路４１２ａと金型６２０とが直接接触することを防ぎ、さらに配線回路４１２ａの表面に樹脂バリが張り出してしまうことを防ぐことが可能となる。その結果、引き続き実施される図７（ｂ）及び図７（ｃ）の工程を良好に実施することができ、より信頼性の高い基板を提供することが可能となる。なお、配線回路保護用ソルダーレジスト層の形成方法については、特に制限はなく、印刷法、写真法等の公知の方法に基づいて実施することができる。配線回路保護用ソルダーレジスト層の材質としては、光半導体素子からの光を効率よく反射できるように、白色の絶縁性樹脂を使用することが望ましい。
【００４５】
上述した本発明による光半導体素子搭載用基板の製造方法では、光反射性部材を構成する樹脂組成物として、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料を必須成分として含む熱硬化性光反射用樹脂組成物を使用することが好ましい。樹脂組成物の詳細は以下のとおりである。
【００４６】
上記（Ａ）エポキシ樹脂としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているものを用いることができ、それを例示すればフェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂等があり、これらを適宜何種類でも併用することができる。
【００４７】
また、これらのうち比較的着色のないものが好ましく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレートを挙げることができる。
【００４８】
上記（Ｂ）硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に制限なく使用することができるが、比較的着色のないものが好ましい。例えば、酸無水物硬化剤、イソシアヌル酸誘導体、フェノール系硬化剤等が挙げられる。
【００４９】
酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸が挙げられる。イソシアヌル酸誘導体としては、１，３，５−トリス（１−カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３−ビス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート等が挙げられる。これらは、単独で用いても２種類以上併用してもよい。
【００５０】
これらの硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレートを用いることが好ましい。硬化剤は、その分子量が１００〜４００程度のものが好ましく、また無色ないし淡黄色のものが好ましい。
【００５１】
また、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の配合比は、（Ａ）エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、当該エポキシ基と反応可能な（Ｂ）硬化剤中の活性基（酸無水物基又は水酸基）が０．５〜１．２当量となるように配合することが好ましく、０．７〜０．８当量であることがより好ましい。
【００５２】
上記活性基が０．５未満の場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、得られる硬化体のガラス転移温度が低くなる場合があり、充分な弾性率が得られない場合がある。一方、上記活性基が１．２当量を超える場合には硬化後の強度が減少する場合がある。
【００５３】
上記（Ｃ）硬化促進剤としては、特に制限されるものではなく、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノール等の３級アミン類、２−エチル−４メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等のリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類及びこれらの誘導体等が挙げられる。これらは単独で使用してもよく又は併用してもよい。これらの硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。
【００５４】
上記（Ｃ）硬化促進剤の含有率は、エポキシ樹脂に対して、０．０１〜８．０重量％であることが好ましく、０．１〜３．０重量％であることがより好ましい。硬化促進剤の含有率が、０．０１重量％未満では、十分な硬化促進効果を得られない場合があり、また８．０重量％を超えると、得られる成形体に変色が見られる場合がある。
【００５５】
上記（Ｄ）無機充填材としては、特に制限はないが、例えば、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。熱伝導性、光反射特性、成形性、難燃性の点からシリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムのうち２種類以上の混合物を用いることが好ましい。また（Ｄ）無機充填材の中心粒径は、特に制限はないが、白色顔料とのパッキングが効率良くなるように１〜１００μｍの範囲のものを用いることが好ましい。
【００５６】
上記（Ｅ）白色顔料としては、公知のものを使用することができ、特に制限はないが、例えば、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子を用いることができ、これらは単独で用いても２種類以上を併用しても差し支えない。
【００５７】
無機中空粒子は、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラス等が挙げられる。白色顔料の粒径は、中心粒径が０．１〜５０μｍの範囲にあることが好ましい、この中心粒径が０．１μｍ未満であると粒子が凝集しやすく分散性が悪くなる傾向があり、５０μｍを超えると硬化物の反射特性が十分に得られない恐れがある。
【００５８】
上記（Ｄ）無機充填材と上記（Ｅ）白色顔料の合計配合量は、特に制限はないが、樹脂組成物全体に対して、１０〜８５体積％の範囲であることが好ましい、この合計配合量が１０体積％未満であると硬化物の光反射特性が十分に得られない恐れがあり、８５体積％を超えると樹脂組成物の成形性が悪くなり基板の作製が困難となる傾向がある。
【００５９】
本発明で用いる熱硬化性光反射樹脂組成物には、エポキシ樹脂や硬化剤と無機充填材や白色顔料との接着性を向上させる観点からカップリング剤を添加してもよい。カップリング剤としては、特に制限はないが、例えば、シランカップリング剤やチタネート系カップリング剤等がある。シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系及びこれらの複合系等が任意の付着量で多々用いられる。カップリング剤の種類や処理条件は特に制限しないが、カップリング剤の配合量は樹脂組成物に対して５重量％以下とすることが好ましい。
【００６０】
また、本発明において樹脂組成物には、必要に応じて、酸化防止剤、離型剤、イオン捕捉剤等の添加剤を添加してもよい。
【００６１】
以上のような成分を含有する本発明の熱硬化性光反射用樹脂組成物は、熱硬化前、室温（１５〜３０℃）において、加圧成形しタブレットを作製可能であり、熱硬化後の、波長３５０〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることが望まれる。
【００６２】
上記加圧成形は、例えば、室温において、５〜５０ＭＰａ、１〜５秒程度の条件下で成形を行うことができればよい。また光反射率が８０％未満であると、光半導体装置の輝度向上に充分に寄与できない傾向がある。より好ましい光反射率は９０％以上である。
【００６３】
また、本発明に用いられる熱硬化性光反射用樹脂組成物は、上記した各種成分を均一に分散混合することで得ることができ、その手段や条件等は特に制限はないが、一般的な方法として、押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって（溶融）混練し、さらに、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。
【００６４】
（溶融）混練の条件は、成分の種類や配合量により適宜決定すればよい。特に制限はないが、１５〜１００℃の範囲で５〜４０分間（溶融）にわたって混練することが好ましく、２０〜１００℃の範囲で１０〜３０分間（溶融）にわたって混練することがより好ましい。（溶融）混練温度が１５℃未満であると、各成分を（溶融）混練させることが困難であり、分散性も低下する傾向がある。一方、１００℃を超えると、樹脂組成物の高分子量化が進行し、樹脂組成物が硬化してしまう恐れがある。
【００６５】
また、（溶融）混練時間が５分未満であると、樹脂バリの発生を効果的に抑制することができない傾向があり、４０分を超えると、樹脂組成物の高分子化が進行し、樹脂組成物が硬化してしまう恐れがある。
【００６６】
本発明による光半導体装置の製造方法は、先に説明した方法に従って光半導体素子搭載用基板を形成する工程と、その光半導体素子搭載用基板の凹部底面に少なくとも１つの光半導体素子を搭載する工程と、搭載した光半導体素子を覆うように上記凹部内に蛍光体含有透明封止樹脂層を形成する工程とを備えることを特徴とする。本発明によれば、先に説明した熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いて半導体素子搭載用基板を構成することによって、光反射性部材の成形時に発生しやすい、樹脂バリ、未充填、及び反りといった不具合を低減することができる。そのため、本発明によれば光半導体素子の搭載領域となる凹部がマトリクス状に複数に配置された大型の基板を容易に一体成形することができ、光半導体装置を効率良く製造することができる。
【００６７】
このように、本発明による半導体装置の製造方法の一実施形態では、半導体素子搭載領域となる凹部を２以上有する光半導体素子搭載用基板を形成する工程と、上記凹部の各々に少なくとも１つの光半導体素子を搭載する工程と、上記光半導体素子を覆うように上記凹部内に蛍光体含有透明封止樹脂層を形成する工程と、先の工程によって得られる連続した２以上の光半導体装置を個々の光半導体装置に分割する工程とを備えることを特徴とする。なお、図８は、上述の製造方法に適用される光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。図中、参照符号８１０は光半導体素子搭載用基板、８１２はベース基板、８１２ｂは絶縁層、８１６は光反射性部材（リフレクタ）、８３０はダイシングラインを示す。このような基板の各凹部に光半導体素子を搭載し、次に光半導体素子をボンディングワイヤ等の公知の方法によって配線回路に電気的に接続し、さらに凹部内に蛍光体含有透明樹脂層を形成することによってＬＥＤパッケージが得られる。最後に、得られたＬＥＤパッケージを、図中、参照符号８３０で示されるように、直行する２方向からダイシングすることによって複数のＬＥＤ単体に分離する。以上のようにして、本発明では図５（ａ）に示すような構造を有するＳＭＤ型ＬＥＤを効率的に製造することが可能である。なお、図８では、ＬＥＤの取り数を９個としてあるが、ＬＥＤの数はこれに制限されるものではなく適宜選択することができる。また、単体化の手法は、特に限定されず、レーザ加工、ウォータージェット加工、金型加工等の公知の手法を用いることができる。
【実施例】
【００６８】
以下、本発明を実施例により詳述するが、本発明はこれらに制限するものではない。
【００６９】
（実施例１）
（ａ）ベース基板の加工
ベース基板全体の厚さが０．１ｍｍであり、銅箔厚さが１８μｍである、上面に銅箔を有するガラス布−エポキシ樹脂含浸基材の積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、その下面（絶縁層）側から炭酸ガスレーザーを照射することによって、直径１ｍｍの穴あけ加工を施し、絶縁層を貫通し、銅箔まで達する、非貫通の穴（外部接続端子形成用開口部）を１０個形成した。なお、穴あけ加工は、光半導体素子の搭載位置の直下となる位置で実施した。
【００７０】
次に、周知のサブトラクト法に従って銅箔をパターン加工することによって、配線回路を形成した。さらに、先に形成した配線回路の上に白色のソルダーレジストを塗布することによって、配線回路保護用レジスト層を有する配線回路付き基板を作製した。なお、基板の層構造については図７（ａ）を参照されたい。
【００７１】
次に、先に形成した穴内部の各々に銅、銀、アルミニウム等の高熱伝導性材料を使用してめっき層を形成した。次いで、めっき層で被覆された穴内部の各々に外部接続端子として、はんだコーティングした銅ボールを設けた。
【００７２】
（ｂ）熱硬化性光反射用樹脂組成物の調製
表１に示す配合割合で各成分を配合し、それをミキサーによって十分に混練した後、ミキシングロールによって３０〜１３０℃の温度で溶融混練した。次いで、得られた混練物を、冷却し、粉砕することによって、光半導体素子搭載用基板の光反射性部材（リフレクタ）を構成する熱硬化性光反射用樹脂組成物を得た。なお、表１において各成分の配合量の単位は重量部である。
【表１】
2010021507.tif 000003
【００７３】
（注記）
＊１：トリグリシジルイソシアヌレート（エポキシ当量１００、日産化学社製、商品名「ＴＥＰＩＣ−Ｓ」）
＊２：ヘキサヒドロ無水フタル酸（和光純薬社製）
＊３：日本化学工業社製、商品名「ＰＸ−４ＥＴ」
＊４：トリメトキシエポキシシラン（東レダウコーニング社製、商品名「Ａ−１８７」）
＊５：脂肪酸エステル（クラリアント社製、商品名「ヘキストワックスＥ」）
＊６：脂肪族エーテル（東洋ペトロライト社製、商品名「ユニトックス４２０」）
＊７：溶融シリカ（電気化学工業社製、商品名「ＦＢ−３０１」）
＊８：中空粒子（住友３Ｍ社製、商品名「Ｓ６０−ＨＳ」）
＊９：アルミナ（アドマテックス社製、商品名「ＡＯ−２５Ｒ」）
（ｃ）光反射性部材の成形
先に作製した１８個の外部接続端子を備えたベース基板の上に、上述の熱硬化性光反射用樹脂組成物を使用し、反射性部材として、直径５ｍｍの光半導体搭載領域（凹部）を３個×３個の配列で合計９個備え、１０×１０×１ｍｍの外寸を有する枠体パッケージを成形した。成形条件は、成形金型の温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ及びキュア時間９０秒とした。このような条件下でトランスファー成形を実施した後、金型を外して１５０℃の温度で２時間にわたってポストキュアを実施した。以上のようにして、図８に示すような光半導体素子搭載用基板を得た。
【００７４】
（実施例２）
ベース基板として、銅箔と絶縁層としてポリイミドフィルムとを備えたフレキシブル基板を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして光半導体素子搭載用基板を作製した。
【００７５】
（実施例３）
リードフレームと有機絶縁層とを加熱圧着させたベース基板を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして光半導体素子搭載用基板を作製した。
【００７６】
（比較例１）
リードフレームを備え、その一部を外部接続端子として使用できる構成を有する基板を準備した。次いで、実施例１と同様の光反射性硬化性樹脂を用い同様の手順に従って、リードフレーム上に光反射性部材を形成し、光半導体素子搭載用基板を作製した（図３を参照）。
【００７７】
（実施例４）
（ａ）光半導体素子の実装
実施例１で作製した光半導体素子搭載用基板を使用し、その基板の凹部にダイボンド材を介して光半導体素子をそれぞれ固定し、１５０℃で１時間にわたって加熱することにより、光半導体素子を配線回路の端子に固着した。その後、金線を用いて光半導体素子と端子とを電気的に接続した。
【００７８】
（ｂ）透明封止樹脂の充填
表２に示す配合割合に従って各成分を配合し、公知のミキサーを用いて十分に混合することによって、光半導体素子を封止するための透明封止樹脂を調製した。
【表２】
2010021507.tif 000004
【００７９】
（注記）
＊１０：水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「デナコールＥＸ２５２」）
＊１１：脂環式エポキシ樹脂（ダイセル化学社製、商品名「セロキサイドＣＥＬ−２０２１Ｐ」）
＊１２：メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（日立化成工業社製、商品名「ＨＮ５５００」）
＊１３：２，６−ジターシャルブチル−４−メチルフェノールＢＨＴ（和光純薬社製）
＊１４：２−エチル−４−メチルイミダゾール（和光純薬社製）
上述の透明封止樹脂を、先に素子を実装した光半導体搭載用基板の凹部に、ポッティングによって流し込み、１５０℃で２時間にわたって加熱し硬化させた。
【００８０】
（ｃ）ダイシング
透明封止樹脂で封止された光半導体素子搭載用基板を、ダイシングライン（図８を参照）に沿ってダイシングすることによって、個片化し、複数の光半導体装置を得た。
【００８１】
（ｄ）光半導体装置と実装基板との接続
光半導体素子搭載用基板の外部接続端子形成用開口部に設けられた、はんだコーティング処理した銅ボールを用い、リフロー処理を施すことによって、光半導体装置と実装基板とを接続した。リフロー条件は、最高温度２６０℃で５秒間、全リフロー時間は９０秒であった。
【００８２】
（実施例５）
実施例２で作製した光半導体素子搭載用基板を使用したことを除き、実施例４と同様の手順に従って、光半導体装置と実装基板とを接続した。
【００８３】
（実施例６）
実施例３で作製した光半導体素子搭載用基板を使用したことを除き、実施例４と同様の手順に従って、光半導体装置と実装基板とを接続した。
【００８４】
（比較例２）
比較例１で作製した光半導体素子搭載用基板を使用し、基板側面に沿ったリードフレームを外部接続端子としたことを除き、実施例４と同様の手順に従って、光半導体装置と実装基板とを接続した。
【００８５】
実施例１〜３で作製した光半導体素子搭載用基板は、図５（ａ）に示した構造を有する。一方、比較例１で作製した光半導体素子搭載用基板は、図３に示した構造を有する。図面から明らかなように、本発明による実施例１〜３の基板を備える実施例４〜６の光半導体装置では、光半導体素子の直下に設けられた外部接続端子から実装基板までの間が放熱経路となる。一方、比較例１の基板を備える従来型の光半導体装置（比較例２）では、基板側面の外部接続端子が放熱経路となる。したがって、本発明によれば、光半導体素子と外部接続端子との距離が、従来型の装置よりも短距離となるため、熱抵抗を低下させることが可能である。すなわち、本発明によれば、光半導体素子から生じた熱が外部接続端子を経て、熱伝導によって効率良く放熱されるため、光半導体素子または光半導体装置の温度上昇を抑える効果がある。
【００８６】
また、本発明による実施例１〜３の基板では、配線回路付き基板の上にトランスファー成形法によって熱硬化性光反射用樹脂からなる反射性部材を形成するのに先立ち、配線回路保護用レジストを塗布することによって、反射性部材の形成時に生じる未充填や樹脂バリといった不具合を低減することができ、その後の実装工程を良好に実施することが可能であった。一方、比較例１の基板では、反射性部材の形成時に未充填や樹脂バリといった不具合が発生しやすく、その後の実装工程を行うことが困難であった。本発明による製造方法と比較して、工程が煩雑になり歩留まりが悪化することが予想され経済的ではない。
【００８７】
反射性部材の形成時に配線回路の間に未充填部位が発生する要因としては、配線回路のパターン間隔やパターンの複雑さ、使用する樹脂の流動性といった複数要因が挙げられる。これに対し、本発明では、上述の工程及び樹脂材料を使用することによって、上述の不具合を改善することが可能である。以上のことから、本発明によれば、光半導体装置を製造する全体の工程数及び構成部材数等を低減することが可能となるため、光半導体素子の低コスト化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】従来のＳＭＤ型ＬＥＤの構造の一例を示す斜視図である。
【図２】ＬＥＤパッケージを製造する従来法を説明する概略図であり、（ａ）および（ｂ）は各工程に対応する。
【図３】インサート式のリードフレームをベース基材とするＳＭＤ型ＬＥＤの構造の一例を示す側面断面図である。
【図４】本発明による光半導体素子搭載用基板を説明する図であり、（ａ）は基板の一実施形態を模式的に示す側面断面の部分拡大図であり、（ｂ）は基板の背面図であり、（ｃ）は基板の他の実施形態を模式的に示す側面断面の部分拡大図である。
【図５】本発明による光半導体装置の一実施形態を模式的に示す図であり、（ａ）は側面断面の部分拡大図、（ｂ）は平面図である。
【図６】本発明による光半導体素子搭載用基板の製造方法の一実施形態を説明するための模式的断面図であり、（ａ）から（ｃ）は各工程に対応している。
【図７】本発明による光半導体素子搭載用基板の製造方法の一実施形態を説明するための模式的断面図であり、（ａ）から（ｃ）は各工程に対応している。
【図８】本発明による光半導体装置の製造方法に適用される光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８９】
１００、２００、３００：ＳＭＤ型ＬＥＤ
１１０、２１０：ＬＥＤ用パッケージ基板
１１２、２１２、３１２：メタル基板、３１２ａ：リードフレーム
１１４、２１４：接着シート、２１４ａ：開口部
１１６、２１６：樹脂基板、３１６：リフレクタ
１１６a：上部開口、１１６ｂ、２１６ｂ：下部開口、１１６ｃ：内壁
１１８：貫通穴
１２０、２２０、３２０：光半導体素子、２３０：ダイシングライン
３３０：ワイヤボンド、３４２：透明封止樹脂、３４４：蛍光体
３５０：ダイボンド材、
４１０、５１０：光半導体素子搭載用基板、
４１２：ベース基板、４１２ａ：配線回路、４１２ｂ：絶縁層
４１６：光反射性部材（リフレクタ）
４１７：絶縁層、４１８：外部端子形成用開口部
５００：光半導体装置
５１８ａ：外部端子（はんだボール）
５１９：高熱伝導性材料のめっき層
５２０：光半導体素子
５３０：ワイヤボンド、
５４２：透明封止樹脂、
５４４：蛍光体
６１０ａ：配線回路付き基板
６２０：金型、６２０ａ：上金型、６２０ｂ：下金型、
６２２：樹脂注入口
６３０：Ｎｉ／銀めっき、６４０：光半導体素子搭載領域（基板の凹部）
７００：配線回路保護用ソルダーレジスト
８１０：光半導体素子搭載用基板、８１２：ベース基板、８１２ｂ：絶縁層
８１６：光反射性部材（リフレクタ）、８３０：ダイシングライン
【図１】
2010021507.tif 000005
【図２】
2010021507.tif 000006
【図３】
2010021507.tif 000007
【図４】
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【図５】
2010021507.tif 000009
【図６】
2010021507.tif 000010
【図７】
2010021507.tif 000011
【図８】
2010021507.tif 000012