(57)【要約】      （修正有）【課題】電子デバイスのパッケージにおいて、ガラス材料からなるベース基板とガラス材料から成るリッド基板を陽極接合で接合し、キャビティを封止したパッケージに、低コストで簡便にマーキングを行う製造方法を提供する。【解決手段】ガラス材料からなるリッド基板３とベース基板２で電子デバイス４を保護する電子デバイスパッケージ１において、リッド基板であるガラス基板に凹みを作り、キャビティ５を形成する工程と、キャビティを形成した側のリッド基板表面全体に陽極接合用及びマーキング用の金属膜６を成膜する工程と、金属膜の部分にレーザーで製品識別用の文字を刻印する工程と、電子デバイスが実装されたベース基板とリッド基板を陽極接合する工程からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス材料からなる２枚の基板と、
前記２枚の基板のうち１枚に形成されるキャビティと、
前記２枚の基板の一方に実装される電子デバイスと、
前記電子デバイスが実装されていない他方の基板に形成される金属膜と、
により構成される電子デバイスパッケージにおいて、
前記金属膜は前記２枚の基板の間に前記キャビティと前記電子デバイスと前期金属膜が内側に来るように接合される接合部と、
前記金属膜の一部に刻印するマーキング部と、
により構成されることを特徴とする電子デバイスパッケージ。
【請求項２】
前記２枚の基板において、前記電子デバイスが実装されない他方の基板に前記キャビティが形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ。
【請求項３】
前記２枚の基板において、前記電子デバイスが実装される基板に前記キャビティが形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ。
【請求項４】
前記金属膜は前記２枚の基板を接合する際に用いる前期接合部と前記マーキング部が一体形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ。
【請求項５】
前記２枚の基板は、陽極接合により接合されることを特徴とする請求項１ないし４に記載の電子デバイスパッケージ。
【請求項６】
ガラス材料からなる２枚の基板と、前記２枚の基板の間にキャビティを設け、前記キャビティ内部に実装された電子デバイスパッケージにおいて、
前記２枚の基板のうち１枚に凹部を作り、キャビティを形成する工程と、
前記２枚の基板のどちらかに電子デバイスを実装する工程と、
電子デバイスが実装されていない基板の他の基板に対向する面に金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜の部分にレーザーで製品識別用の文字を刻印する工程と、
前記２枚の基板を接合する工程と、
各パッケージを個別に切断する工程と、
からなることを特徴とする電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記キャビティを形成する工程において、電子デバイスが実装されない他方の基板にキャビティを形成することを特徴とする請求項６に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項８】
前記キャビティを形成する工程において、電子デバイスが実装される基板にキャビティを形成することを特徴とする請求項６に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記基板を接合する工程において、前記金属膜は前記２枚の基板を接合する際に用いる接合部とマーキング部が一体形成されることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記基板を接合する工程において、陽極接合により接合されることを特徴とする請求項６ないし９に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合された２枚の基板の間に形成されたキャビティ内にデバイスが封止された表面実装型（ＳＭＤ）のパッケージ、特にパッケージの大きさが３．２ｍｍ×２．５ｍｍ以下の小型パッケージに関するものである。特にパッケージのマーキングの方法とその製造方法について提案する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、表面実装型の小型パッケージを用いた電子デバイスが多く用いられている。この中で、振動子やＭＥＭＳ、ジャイロ、加速度センサなど、中空のキャビティ構造のパッケージが必要な部品も多い。この種の電子デバイスは、引き回し電極が形成されたベース基板上に電子デバイスが固定され、金属製のリッド基板で封止されたものが一般的に知られている。
【０００３】
ここで従来の電子デバイスパッケージの構成は、電子デバイスと、凹型に形成されたベース基板と、ベース基板に接合部で接合された金属製のリッド基板から構成されている。
【０００４】
ベース基板には凹部が形成され、リッド基板で封止することでキャビティが構成される。該電子デバイスは前記キャビティ内に収納される。
【０００５】
ベース基板は、セラミック基板で構成され、ベース基板の底面には、側面に亘って外部電極が形成されている。
【０００６】
リッド基板はセラミック基板あるいは金属基板で構成され、ベース基板上の接合材でシーム溶接あるいはＡｕ−Ｓｎ溶接されて、キャビティを封止する。
【０００７】
従来、ひとつひとつの製品に、会社ロゴ、製品名称、製造番号のいずれか１つ以上がリッド基板上に記載されている。記載方法は、これまで印刷やインクジェック方式などのインクによる記載が主な方法であったが、近年の圧電振動子の小型化により、金属製のリッド基板にレーザーで小型の文字を刻印していく方式が主流となっている。例えば、特許文献１では金属板にレーザーマーキング装置を用いてマーキングを行なっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２‐２８０８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来のパッケージのマーキング方法には、以下の課題が残されている。
【００１０】
始めに、金属製のリッド基板にレーザーでマーキングを行うことは有用であるが、リッド基板がセラミック基板やガラス基板であると、基板上に直接刻印をすることは難しい。そのため、リッド基板上に何らかの膜を成膜し、その膜にレーザーで刻印をすることでマーキングを行う必要がある。この場合、リッド基板上に膜を成膜する工程が必要となり、パッケージのコストアップになってしまうという課題があった。さらに、リッド基板上に膜を形成すると、パッケージの輸送時や実装時に膜に傷がつき、刻印した文字が認識できなくなる恐れがあるという課題がある。
【００１１】
また、リッド基板にインクを用いて文字を印刷し、マーキングする方法もある。この場合、レーザーを用いないので、リッド基板の表面に膜を形成する必要が無い。しかし、印刷の場合文字の大きさを小さくすることが難しいため、特にパッケージが小型になった場合、マーキングをすることは困難となる。
【００１２】
本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、ガラス材料からなるベース基板とガラス材料から成るリッド基板を陽極接合で接合し、キャビティを封止したパッケージに、低コストで簡便にマーキングを行う製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
【００１４】
本発明に係る電子デバイスパッケージとマーキングについて説明をする。電子パッケージは可視光を透過する材料からなるリッド基板と、可視光を透過する材料からなるベース基板が陽極接合される。可視光を透過する材料とは例えばガラスなどが挙げられる。前記ベース基板と前記リッド基板との間にキャビティが形成され、前記ベース基板上に電子デバイスを実装する。本発明の工程は、リッド基板であるガラス基板に凹みを作りキャビティを形成する工程と、キャビティを形成した側のリッド基板表面全体に陽極接合用の接合膜を成膜する工程と、キャビティの底の部分にレーザーで製品識別用の文字を刻印する工程と、電子デバイスが実装されたベース基板と前記リッド基板を陽極接合する工程と、各パッケージを個別に切断する工程からなることを特徴とするものである。
【００１５】
さらに、前記リッド基板と前記ベース基板はお互いに対向させた状態で陽極接合される。前記リット基板と前記ベース基板は可視光を透過する材料である。前記ベース基板と前記リッド基板との間にキャビティを形成し、前記ベース基板上に電子デバイスを実装する。本発明の工程は、平板のリッド基板片面全体に陽極接合用の接合膜を成膜する工程と、ベース基板であるガラス基板に凹みを作り、キャビティを形成する工程と、キャビティの天井部分に相当するベース基板上の前記接合膜にレーザーで製品識別用の文字を刻印する工程と、前記キャビティの中に電子デバイスが実装された前記ベース基板と前記リッド基板を陽極接合する工程と、各パッケージを個別に切断する工程からなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る電子デバイスパッケージのマーキングとその製造方法によれば、以下の（１）〜（５）の効果が得られる。
（１）陽極接合用の接合膜にレーザーでマーキングを行うため、新たにマーキングのための膜を成膜する必要がなくなり、製造コストを削減できるという効果がある。
【００１７】
（２）刻印された文字はガラスキャビティの内部にあるため、パッケージの輸送時や実装時に、リッド基板に傷がついても文字には傷がつかないという効果がある。
（３）金属材料である接合膜にマーキングを行うため、レーザーでの刻印が可能となり、特にパッケージのサイズが３．２ｍｍ×２．５ｍｍ以下の場合の文字の大きさである０．４ｍｍ×０．１５ｍｍ程度の文字を刻印することができるという効果がある。
（４）リッド基板上の接合膜にレーザーで文字を刻印し、その後、電子デバイスが実装されたベース基板と、接合膜が形成されたリッド基板を陽極接合するので、レーザーで飛ばされた接合膜の粒子が電子デバイスに付着する可能性を無くす効果がある。
（５）電子デバイスが振動にかかわるデバイス、例えば振動子やセンサなどであった場合、金属粒子などが付着すると振動特性が変わり、製品としての歩留を低下させる原因となるが、本発明に係るパッケージのマーキングとその製造方法では、電子デバイスにレーザー刻印で飛ばされた金属粒子が付着することはないので、信頼性も高くなり、製品歩留も向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法の実施例１を示すフロー断面図である。
【図２】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施例１を示すＡ−Ａ’断面図である。
【図３】本発明に係る電子デバイスパッケージの製造方法の実施例２を示すフロー断面図である。
【図４】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施例２を示すＡ−Ａ’断面図である。
【図５】本発明に係る電子デバイスパッケージを上面からみたイメージ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施形態を、図１から図５を参照して説明する。
【００２０】
本実施形態の電子デバイスのパッケージ１は、図２に示すように、ベース基板２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティ５内に電子デバイス４が収納された表面実装型パッケージである。
【００２１】
ここで図５について図面の詳細を説明する。その後、本発明に係る２つの実施例について説明を加える。
【００２２】
図５は本発明に係る電子デバイスパッケージ１を上面からみたイメージ図である。電子デバイスパッケージ１の紙面手前側に図示はしないがリッド基板で全面が覆われており、前記リッド基板表面に文字を印字するマーキング部７が形成される。本発明においてリッド基板は透過性のある材料を使用しているため、中の構造を外部から容易に確認することが出来る。電子デバイス４が電子デバイスパッケージ１の中心に配置され、前記電子デバイス４を電気的に接続するための引回し電極１５が図示しないがベース基板の紙面手前側表面に形成されている。前記引回し電極１５は貫通電極１１に電気的に接続されている。図５において、引回し電極１５と貫通電極１1は４本ずつ形成されている。また、図５のＡ−Ａ’は切断線を示しており、前述した図２および図４の断面図に対応している。
これらの図１から図５で示される電子デバイス４とは、ＬＳＩやＭＥＭＳ、センサ、振動子、あるいはその複合体である。
【実施例１】
【００２３】
ここで本発明における実施例１を図１と図２を用いて説明する。
【００２４】
図１の詳細な説明をする。図１の（ａ）から（ｄ）までは実施例１の電子デバイス製造方法に関する一連のフローである。図１（ａ）は本発明における電子デバイスパッケージ１のリッドに相当するリッド基板３である。前記リッド基板３には複数のリッドが形成されている状態を表している。前記リッド基板３に複数の矩形状の凹部が形成され、凹部の空間であるキャビティ５が複数形成されている。図１（ｂ）において、前記リッド基板３の前記キャビティ５形成側の全面に金属膜６が１層形成されている状態を表している。ここでいう金属膜６は後述する陽極接合のための接合膜と同一のものである。図１（ｃ）ではそれぞれ前記キャビティ５の前記金属膜６に会社ロゴ、製品名称、製造番号など個体を認識するためのマーキングが印字されている状態を表している。図１（ｄ）では電子デバイスパッケージ１のベースに相当するベース基板２と前記リッド基板３が陽極接合されている状態を表している。また、前記キャビティ５には電子デバイス４がベース基板２上に実装されている。前記マーキング部７は前記金属膜６に印字された文字に対応する。図１では貫通孔及び貫通電極に関しては省略する。
【００２５】
図２の詳細な説明をする。図２は本発明における実施例１に係る電子デバイスパッケージ１のＡ−Ａ’断面図である（断面線については図５を参照）。ベース基板２には電子デバイスパッケージ１の外部と接続するための外部電極１２がベース基板２の下面（図２の下方）に２箇所形成されている。ベース基板２には貫通孔が２箇所形成されており、前記外部電極１２に導通する形で貫通電極１１が２箇所ベース基板２を貫通する形でそれぞれ形成されている。前記貫通電極１１により電子デバイスパッケージ１の外部と前記電子デバイスパッケージ１のキャビディ５に設置する電子デバイス４とを引回し電極１５によって導通させる。前記電子デバイス４は前記ベース基板２上に実装されている。前記ベース基板２上には前記リッド基板３陽極接合されている。前記リッド基板３の陽極接合側の面には金属膜６が形成されている。前記陽極接合された前記金属膜６を接合部１６と呼ぶ。前記金属膜６は前記リッド基板３と前記ベース基板２の接合面だけでなく、前記リッド基板３の陽極接合側の面全体に膜が形成されている。また、前記金属膜６の一部にはレーザーマーキングにて印字されるマーキング部７が形成されている。
リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる絶縁基板である。ベース基板２が接合される接合面側に電子デバイス４が収まる矩形状の凹部（キャビティ）５が形成されている。リッド基板３はマーキング部７がリッド基板を通して判読できる必要があり、可視光を透過させることができる透明あるいは透明に近い状態でなければならない。凹部５は、両基板２、３が重ね合わされたときに、電子デバイス４を収容するキャビティ５となるキャビティ用の凹部５である。そして、リッド基板３は、この凹部５をベース基板２側に対向させた状態で該ベース基板２に対して陽極接合されている。
【００２６】
図１では、ベース基板２には該ベース基板２を貫通する電極が省略されているが、図２に示すように電子デバイス４と外部電極１２を電気的に接続するために貫通電極１１が形成されている。貫通電極１１を通すためのスルーホールは、キャビティ５内に収まるように形成されている。図２では、スルーホールはベース基板２を真っ直ぐに貫通したスルーホールを例に挙げて説明するが、この場合に限られず、例えばベース基板２の下面に向かって漸次径が縮径するテーパー状に形成しても構わない。いずれにしても、ベース基板２を貫通していれば良い。
【００２７】
そしてスルーホールには、該スルーホールを埋めるように形成された貫通電極１１が形成されている。この貫通電極１１は、スルーホールを完全に塞いでキャビティ５内の気密を維持していると共に、外部電極１２と電子デバイス４とを電気的に導通させる役割を担っている。スルーホールと貫通電極１１の隙間はベース基板２のガラス材料と熱膨張係数を合わせたガラスフリット材を用いて完全に孔を塞いでいる。
【００２８】
上記実施の形態ではスルーホールと貫通電極１１の隙間はガラスフリット材を用いてふさいでいるが、それに限定されるわけではなく、導電性接着剤や樹脂系の充填材を用いても構わない。しかし、長期的な信頼性を考慮すると、導電性接着剤や樹脂系の充填材は経時変化やアウトガスの発生を引き起こすため、スルーホールと貫通電極１１の隙間を塞ぐにはガラスフリット材が望ましい。
【００２９】
次に本発明に係る実施例１の電子デバイスパッケージとその製造方法について図１から図２を参照して説明する。
【００３０】
まず、図１（ａ）に示すように板状の透明なガラス材料であるリッド基板３に凹部を形成し、キャビティ５を形成する。凹部の形成方法については、フォトリソグラフィによるエッチングでの形成やプレス加工による形成など、方法は問わない。
次に図１（ｂ）に示すように、リッド基板３のキャビティ５を形成した側に金属膜６を形成する。形成する方法としては、蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いて形成する。金属膜６には、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒなどが用いられ、厚さ１０００〜２０００Å形成する。
【００３１】
次に図１（ｃ）に示すように、キャビティ５の底にあたる金属膜６の表面にレーザーで会社ロゴや製品名称、製造番号などを刻印していく。このときの文字の大きさは０．４ｍｍ×０．１５ｍｍ程度、ピッチは０．２ｍｍ程度である。この程度の文字の大きさでは、インクジェット方式やスタンプ方式での印刷による印字は難しい。そのため、レーザーでの刻印に頼らざるを得ない。レーザー照射はキャビティ５が形成されている側から照射する場合は、左右反転で文字を印字しなければならない。キャビティ５が形成されている側とは反対の側からレーザーを照射する場合は、リッド基板３越しに金属膜６に文字を刻印する。この場合、文字は正転のままで良い。
次に図１（ｄ）に示すように、電子デバイス４が実装された状態のベース基板２と金属膜６が形成されたリッド基板３を、金属膜６を介した状態で陽極接合する。この状態では1枚のウェハ内に複数の電子デバイスパッケージ１が存在している。そこで最後に、ダイシングソーやワイヤーソーを用いて、電子デバイスパッケージ１を個別にする。電子デバイスパッケージ１を個別にした状態の断面図を図２に示す。
ここでベース基板２とリッド基板３を陽極接合する効果について説明する。
【００３２】
従来のセラミック基板を用いたベース基板では圧電振動子１つ１つにリッド基板を接合する必要があった。そのため、ベース基板とリッド基板の接合時にベース基板に大きな圧力が掛かり、接合面の幅が小さいと圧力に耐えることができず、割れや欠けを生じるという課題があった。本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２とリッド基板３の接合に陽極接合を用いているため、複数の圧電振動子を同時に接合することができる。このため、接合時に１つ１つのベース基板に印加される圧力は小さくなり、接合面が小さくても割れや欠けを生じることはない。このため、小型化のパッケージを作るには非常に有効である。
【実施例２】
【００３３】
次に本発明に係る別の一実施形態である実施例２の電子デバイスパッケージとその製造方法について図３から図４を参照して説明する。
【００３４】
図３の詳細な説明をする。図３の（ａ）から（ｄ）までは実施例２の電子デバイス製造方法に関する一連のフローである。図３（ａ）は本発明における電子デバイスパッケージ１のリッドに相当するリッド基板１４を表している。前記リッド基板１４の一面には金属膜６が１層形成されている。図３（ｂ）において、前記金属膜６上に会社ロゴ、製品名称、製造番号など個体を認識するためのマーキング部７が複数印字されている状態を表す。また、この複数のマーキング部７は後述する１つの電子デバイスパッケージ１つにつき１つのマーキング部７が記載されるように印字されている。図３（ｃ）は電子デバイスパッケージ１のベースに相当するベース基板１３と、前記ベース基板１３上に実装している電子デバイス４を表している。前記ベース基板１３は複数の矩形状の凹部であるキャビティ５が形成されている。前記電子デバイス４は前記ベース基板１３の矩形状の凹部の底面に実装され、他の凹部の面には接しない。図３（ｄ）では前記ベース基板１３と前記リッド基板１４が陽極接合にて接合されている状態を表している。前記リッド基板１４は前記金属膜６を挟み込むような形で前記ベース基板１３と接合されている。前記マーキング部７は各キャビティ５に対応する。図３では貫通孔及び貫通電極に関しては省略する。
【００３５】
図４の詳細な説明をする。図４は本発明における実施例２に係る電子デバイスパッケージ１のＡ−Ａ’断面図である（断面線については図５を参照）。ベース基板１３は矩形状の凹部が形成されており、凹部に相当する空間であるキャビティ５が形成されている。前記ベース基板１３には電子デバイスパッケージ１の外部と接続するための外部電極１２が前記ベース基板１３の下面（図４の下方）に２箇所形成されている。ベース基板１３には貫通孔が２箇所形成されており、前記外部電極１２に導通する形で貫通電極１１がそれぞれ形成されている。前記貫通電極１１により電子デバイスパッケージ１の外部と前記電子デバイスパッケージ１のキャビティ５に実装する電子デバイス４は引回し電極１５によって導通される。前記電子デバイス４は前記ベース基板１３の凹部の底面に実装されている。前記ベース基板１３上には前記リッド基板３陽極接合されている。前記リッド基板１４の陽極接合側の面には金属膜６が形成されている。前記陽極接合された前記金属膜６を接合部１６と呼ぶ。前記金属膜６は前記リッド基板１４と前記ベース基板１３の接合面だけでなく、前記リッド基板１４の陽極接合側の面全体に膜が形成されている。また、前記金属膜６の一部にはレーザーマーキングにて印字されるマーキング部７が形成されている。
リッド基板１４の一面には金属膜６が１層形成されている。
基本的に実施例１と同様であるため、差異について重点的に説明を行なう。
【００３６】
図３から図４において、リッド基板１４は板状に形成されていて、電子デバイス４が収まる矩形状の凹部（キャビティ）５はベース基板１３に形成されている。ベース基板１３にキャビティ５が形成される場合、ベース基板１３上の引き回し電極の形成が難しいため、望ましくは実施例１である図１から図２に示すリッド基板１４にキャビティ５が形成される方が良い。
【００３７】
上記ベース基板１３は、リッド基板１４と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる絶縁基板であり、実施例１では、リッド基板１４に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。ベース基板１３はリッド基板１４と異なり、必ずしも光が透過する必要は無い。
まず、図３（ａ）に示すように板状の可視光を透過するガラス材料であるリッド基板１４に陽極接合用の金属膜６を表面全体に形成する。形成する方法としては、蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いて形成する。金属膜６には、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒなどが用いられ、厚さ１０００〜２０００Å形成する。
【００３８】
次に図３（ｂ）に示すように、ベース基板１３に設けられたキャビティ５の天井にあたる金属膜６の表面にレーザーで会社ロゴや製品名称、製造番号などを刻印していく。このときの文字の大きさは０．４ｍｍ×０．１５ｍｍ程度、ピッチは０．２ｍｍ程度である。レーザー照射は金属膜６が形成されている側から照射する場合は、左右反転で文字を印字しなければならない。金属膜６が形成されている側とは反対の側からレーザーを照射する場合（ガラス材料越しに金属膜６にレーザーを照射する場合）は、リッド基板３越しに金属膜６に文字を刻印する。この場合、文字は正転のままで良い。
【００３９】
次に図３（ｃ）に示すように、ベース基板１３にキャビティ５を形成し、キャビティ５内に電子デバイス４を実装する。キャビティ５の形成方法については、フォトリソグラフィによるエッチングでの形成やプレス加工による形成など、方法は問わない。
次に図３（ｄ）に示すように、電子デバイス４が実装された状態のベース基板１３と金属膜６が形成されたリッド基板１４を、金属膜６を介した状態で陽極接合する。この状態では1枚のウェハ内に複数の電子デバイスパッケージ１が存在している。そこで最後に、ダイシングソーやワイヤーソーを用いて、電子デバイスパッケージ１を個別にする。電子デバイスパッケージ１を個別にした状態の断面図を図４に示す。
【００４０】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００４１】
例えば上記実施形態では、ベース基板２とリッド基板３の接合を陽極接合としているが、金属同士を接合する共晶接合も可能である。共晶接合の場合、接合部の金属をベース基板１３側とリッド基板１４側両方に成膜する必要があり、製造工程数が増加してしまう。このため、製造コストが上昇する可能性もあり、陽極接合の方が望ましい。
【００４２】
また、本発明で説明した２つの実施例においては、どちらも陽極接合のための接合部１６はマーキング部７を印字するための金属膜６と一体形成する。しかし、接合用とマーキング用に別々の材料で構成される金属膜６を用いてもよく、同一の金属膜６を用いる場合でも工程で膜を形成してもよいのはいうまでもない。
【符号の説明】
【００４３】
１  …電子デバイスパッケージ
２  …実施例１におけるベース基板
３  …実施例１におけるリッド基板
４  …電子デバイス
５  …キャビティ
６  …金属膜
７  …マーキング部
１１…貫通電極
１２…外部電極
１３…実施例２におけるベース基板
１４…実施例２におけるリッド基板
１５…引回し電極
１６…接合部
【図１】
2010186945.tif 000003
【図２】
2010186945.tif 000004
【図３】
2010186945.tif 000005
【図４】
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【図５】
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