(57)【要約】【課題】配線等の導電性部材においての外光反射を防止することが可能でこれによって光学特性の向上を図ることが可能な光学パッケージ素子を提供することを目的とする。【解決手段】発光素子（光学機能素子）３ｒ，３ｇ，３ｂが光透過性のパッケージ樹脂５に埋め込まれ、さらにパッケージ樹脂５ｇに埋め込まれた発光素子（光学機能素子）３ｒ，３ｇ，３ｂに対して走査配線（導電性部材）７が接続された構成の光学パッケージ素子１ａに関する。発光素子（光学機能素子）３ｒ，３ｇ，３ｂは、発光面（光学的機能面）３Ａを備えている。また、パッケージ樹脂５は、発光面（光学的機能面）３Ａと対向する面を光透過面５Ａとしている。そして特に、走査配線（導電性部材）７において光透過面５Ａに向かう面上に、遮光層９を設けたことを特徴としている。【選択図】図１
2010073841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的機能面を有する光学機能素子と、
前記光学機能素子を埋め込み、当該光学機能素子における光学的機能面と対向する面を光透過面とした光透過性のパッケージ樹脂と、
前記パッケージ樹脂に埋め込まれた前記光学機能素子に対して接続された導電性部材と、
前記導電性部材において前記光透過面に向かう面上に設けられた遮光層とを備えた
光学パッケージ素子。
【請求項２】
請求項1記載の光学パッケージ素子において、
前記光学機能素子は、発光素子および受光素子の少なくとも一方である
請求項1記載の光学パッケージ素子。
【請求項３】
前記遮光層は、レジスト材料からなる
請求項1または２に記載の光学パッケージ素子。
【請求項４】
前記遮光層は、導電性材料からなる
請求項1または２に記載の光学パッケージ素子。
【請求項５】
前記遮光層は、前記導電性部材のうち前記光学機能素子よりも前記光透過面側に配置された導電性部材に対して設けられており、当該導電性部材と同一パターンを有している
請求項１〜４の何れか１項に記載の光学パッケージ素子。
【請求項６】
前記パッケージ樹脂中には、前記光学機能素子として複数の発光素子が埋め込まれている
請求項１〜５の何れか１項に記載の光学パッケージ素子。
【請求項７】
前記パッケージ樹脂中には、前記光学機能素子と共に、当該光学機能素子を駆動するための駆動素子が埋め込まれており、
前記駆動素子における前記光透過面側が、遮光層で覆われている
請求項１〜６の何れか1項に記載の光学パッケージ素子。
【請求項８】
発光面を有する発光素子と、
前記発光素子を埋め込み、当該発光素子における発光面と対向する面を光透過面とした光透過性のパッケージ樹脂と、
前記パッケージ樹脂に埋め込まれた前記発光素子に対して接続された導電性部材と、
前記導電性部材において前記光透過面に向かう面上に設けられた遮光層とを備えた光学パッケージ素子を有し、
基板上に前記光学パッケージ素子が搭載された
表示装置。
【請求項９】
前記基板上には、前記発光素子を駆動するための駆動素子がパッケージ樹脂中に埋め込まれた状態で搭載されており、
前記機能性素子における前記光透過面側が、遮光層で覆われている
請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記駆動素子は、前記発光素子と同一のパッケージ樹脂中に埋め込まれている
請求項９記載の表示装置。
【請求項１１】
前記パッケージ樹脂中には、前記発光素子と共に受光素子が埋め込まれており、
前記受光素子に接続された導電性部材における前記光透過面側に遮光層が設けられている
請求項８〜１０の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
光学的機能面を有する光学機能素子と、
前記光学機能素子を埋め込み、当該光学機能素子における光学的機能面と対向する面を光透過面とした光透過性のパッケージ樹脂と、
前記パッケージ樹脂に埋め込まれた前記光学機能素子に対して接続された導電性部材と、
前記導電性部材において前記光透過面に向かう面上に設けられた遮光層とを備えた光学パッケージ素子を有し、
基板上に前記光学パッケージ素子が搭載された
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子や受光素子などの光学機能素子に電極や配線等の導電性部材を接続させた光学パッケージ素子、およびこのような光学パッケージ素子を搭載した表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（light Emitting Diode：ＬＥＤ）をマトリクス状に配列した表示装置は、赤色、青色、緑色を発光する各ＬＥＤを直接光らせるため、色再現性が広く、またコントラストが高い表示を行なうことが可能である。
【０００３】
このような表示装置においては、各ＬＥＤでの発光光の取り出し効率の最大化を図ることを目的として、次のような構成が提案されている。すなわち、発光ダイオード構造を形成する各層の側壁をエッチングすることにより、これらの層の主面に対して例えば４５度程度傾斜した端面を形成する。またさらに、上記発光ダイオード構造における光取り出し側の層（例えばｎ型層）に積層させて、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）などからなる透明電極を形成する。以上により、発光ダイオード構造内において発生した発光光を、４５度傾斜した端面で全反射させて光取り出し側のｎ型層に向かわせ、また透明電極を透過させることによりｎ型層側からの光の取り出し効率を高めるようにしている（下記特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３３５７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しなしながら、以上のようにＬＥＤをマトリクス状に配列した表示装置においては、発光ダイオードとこれを駆動するための配線、さらには発光ダイオードを駆動するための駆動回路などが装置基板上に配置される。また、ＬＥＤの光取出側には、透明電極ではなく、金属配線を積層させた構造も考えられる。このため、これらの配線や駆動回路などの反射表面での外光反射が、表示画像におけるコントラストの低下を招く要因となっている。
【０００６】
そこで本発明は、配線等の導電性部材においての外光反射を防止することが可能でこれによって光学特性の向上を図ることが可能な光学パッケージ素子、およびこの光学パッケージ素子が設けられたことにより、表示コントラストの向上を図ることが可能な表示装置および光学特性の向上を図ることが可能な電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するための本発明は、発光素子や受光素子のような光学機能素子が光透過性のパッケージ樹脂に埋め込まれ、さらにパッケージ樹脂に埋め込まれた機能性素子に対して導電性部材が接続された構成の光学パッケージ素子に関する。ここで光学機能素子は、発光面や受光面のような光学的機能面を備えている。また、パッケージ樹脂は、光学機能素子における光学的機能面と対向する面を光透過面としている。そして特に、導電性部材において前記光透過面に向かう面上に、遮光層を設けたことを特徴としている。
【０００８】
また本発明は、このような構成の光学パッケージ素子を基板上に搭載した表示装置および電子機器でもある。
【０００９】
このような構成の光学パッケージ素子では、光透過面からパッケージ樹脂に入射した外光は、遮光層で遮られて導電性部材で反射することが防止される。このため、例えば光学機能素子からの発光に対して外光反射性分が加わることが抑えられる。また外光がパッケージ内における各界面で多重に反射した成分が光学機能素子に入射することが抑えられる。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明によれば、光学機能素子に対する外光の影響を防止することができ、これによって光学パッケージ素子における光学特性の向上を図ることが可能になる。また、この光学パッケージ素子を設けた表示装置においては、外光反射を抑えて表示コントラストの向上を図ることが可能になる。さらにこの光学パッケージ素子を設けた電子機器においては、光学特性の向上を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
≪第１実施形態≫
＜パッケージ素子＞
図１には、第１実施形態の光学パッケージ素子1ａの平面図と、平面図におけるＡ−Ａ’断面図を示す。
【００１３】
これらの図に示すように、光学パッケージ素子1ａは、光学機能素子として３つの発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂをパッケージ樹脂５中に埋め込んでなる発光ユニットである。
【００１４】
各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂは、例えば発光ダイオード（light Emitting Diode：ＬＥＤ）であって、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（Ｂ）の各色に発光する３つの素子を１組として、パッケージ樹脂５中に埋め込まれている、いわゆるトリオチップ素子である。パッケージ樹脂５中に埋め込まれた状態において、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂは、その光学機的能面である発光面３Ａを、光学パッケージ素子1ａにおけるパッケージ樹脂５の光透過面５Ａ側に向けた状態となっている。これにより、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂで発生して発光面（光学的機能面）３Ａ側から放出された光ｈは、パッケージ樹脂５の光透過面５Ａから取り出される構成となっている。
【００１５】
また、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの発光面（光学的機能面）３Ａ側に設けられた第１電極３-1には、導電性部材として走査配線７が接続されている。この走査配線（導電性部材）７は、パッケージ樹脂５中に埋め込まれた状態で設けられており、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの発光面（光学的機能面）３Ａ上からその外側に引き出され、引き出された位置において1つの配線に共通化されている。このような構成の走査配線（導電性部材）７は、導電性の良好な金属材料からなり、例えばアルミニウムのような光反射性を有している。
【００１６】
そして、この走査配線（導電性部材）７の、光透過面５Ａ側（パッケージ樹脂５の表面）に向かう面上に、本発明に特徴的である遮光層９が設けられている。この遮光層９は、走査配線（導電性部材）７と略同一パターンであることが好ましい。このような遮光層９は、光吸収性が高い材料であれば、クロム（Ｃｒ）などの金属材料であっても良く、この場合には、遮光層９を走査配線（導電性部材）７の補助配線として機能させることができる。また遮光層９は、ブラックレジストのような感光性樹脂材料であっても良く、この場合には、リソグラフィー技術によって遮光層９を形成し、これをマスクにしたエッチングによって走査配線（導電性部材）７を形成することが可能である。
【００１７】
以上のような発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂ、走査配線（導電性部材）７、および遮光層９が埋め込まれたパッケージ樹脂５には、光透過面５Ａと反対側の裏面に、接続孔１１および接続孔１３が設けられていても良い。これらの接続孔１１，１３は、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの第２電極に達する接続孔１１と、走査配線（導電性部材）７に達するに接続孔１３である。
【００１８】
そして、各接続孔１１内には、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの第２電極３-2に接続された各プラグ１５が設けられている。また接続孔１３内には、走査配線（導電性部材）７に接続されたプラグ１７が設けられている。
【００１９】
尚、遮光層９は、走査配線（導電性部材）７だけではなく、光パッケージ素子１ａに設けられた他の導電性部材にも設けて良い。例えば、他の導電性部材が光反射性を有し光透過面５Ａ側に対向する面を有していれば、その面に遮光層９を設けることが好ましい。例えば、これらのプラグ１５，１７の周壁が、光透過面５Ａ側に対向するテーパ形状である場合、これらのプラグ１５，１７の周壁上にも遮光層を設けても良い。
【００２０】
以上のようにして、光学パッケージ素子1ａが形成されている。尚、光学パッケージ素子1ａを構成するパッケージ樹脂５は、ここでの図示は省略したがプロセスの必要に応じた層構造で構成されていることとする。
【００２１】
＜表示装置＞
図２は、上述した構成の光学パッケージ素子1ａを用いた表示装置２０ａの構成を示す図であり、表示装置の１画素分の平面図と、平面図におけるＡ−Ａ’断面図と、平面図におけるＢ−Ｂ’断面図である。
【００２２】
これらの図に示す表示装置２０ａは、基板２１の一主面側の各画素に光学パッケージ素子1ａを搭載したものであり、垂直方向および水平方向にマトリックス状に光学パッケージ素子1ａが配列されている。
【００２３】
基板２１は、透明材料からなる透明基板であり、ガラス材料やプラスチック材料などで構成されている。この基板２１の一主面上には、例えば３本の信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂが垂直方向に配線されている。これらの信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂは、垂直方向に配列された各画素の光学パッケージ素子1ａに対して共通に設けられている。
【００２４】
そして、これらの信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂを覆う状態で、基板２１上の全面に絶縁膜２５が設けられている。さらにこの絶縁膜２５上には、光学パッケージ素子1ａと同程度の高さを有する絶縁性の隔壁層２７が設けられている。この隔壁層２７には、開口部２７ａが設けられており、この開口部２７ａ内に嵌入された状態で光学パッケージ素子1ａが基板２１上に搭載されている。
【００２５】
隔壁層２７の開口部２７ａ内に嵌入された状態において、光学パッケージ素子1ａは、その光透過面５Ａを基板２１側に向けると共に、信号線２３ｒ，２３ｂ，２３ｂの延設方向に沿って発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂを配列させる。この状態で、光透過面５Ａが接着剤２９を介して基板２１上の絶縁膜２５に固定されている。
【００２６】
そして、隔壁層２７と光学パッケージ素子1ａとの上面が平坦化絶縁膜３１で覆われ、さらに隔壁層２７と光学パッケージ素子1ａとの隙間が、この平坦化絶縁膜３１で埋め込まれた状態となっている。そして、この平坦化絶縁膜３１から、光学パッケージ素子1ａのプラグ１５，１７が露出した状態となっている。
【００２７】
また、平坦化絶縁膜３１、隔壁層２７、および絶縁膜２５には、信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂに達する接続孔３３が設けられ、各接続孔３３を介して信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂに接続された信号配線３５ｒ，３５ｇ，３５ｂが平坦化絶縁膜３１上に配線されている。これらの信号配線３５ｒ，３５ｇ，３５ｂは、光学パッケージ素子1ａのプラグ１５に接続され、このプラグ１５を介して各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂにおける第２電極３-2に接続されている。
【００２８】
また平坦化絶縁膜３１上には、信号配線３５ｒ，３５ｇ，３５ｂと同一層からなる走査線３５が配線されている。この走査線３５は、水平方向に延設されており、水平方向に配列された各画素の光学パッケージ素子1ａに対して共通に設けられている。この走査線３５は、光学パッケージ素子1ａのプラグ１７に接続され、このプラグ１７および走査配線（導電性部材）７を介して、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの第１電極３-1に接続されている。
【００２９】
以上のような構成の表示装置２０ａにおいては、走査線３５によって選択された光学パッケージ素子1ａの各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂが、信号線２３ｇ，２３ｂ，２３ｒからの信号量に応じた光ｈを発生させる。そして、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂで発生させた光ｈが、光学パッケージ素子1ａの光透過面５Ａを通過して基板２１側から取り出され、基板２１を表示面とした表示が行われる。
【００３０】
そして特に、本第１実施形態の表示装置２０ａでは、光パッケージ素子１における走査配線（導電性部材）７の、光透過面５Ａに向かう面上に遮光層９を設けた構成である。これにより、基板２１を介して光学パッケージ素子1ａの光透過面５Ａ側から入射した外光Ｈが、遮光層９で遮られて走査配線（導電性部材）７の表面で反射することを防止できる。これにより、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂから取り出される光ｈに対して、外光Ｈの反射が加わり表示コントラストが低下することが防止される。尚、走査配線（導電性部材）７以外の導電性材料、例えばプラグ１５，１７の周壁に遮光層を設けた場合であれば、この周壁での外光Ｈの反射も防止できる。
【００３１】
しかも、遮光層９は、走査配線（導電性部材）７と略同一パターンを有している。このため、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂで発生した光ｈの取り出しを妨げることも無く、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂ自体で発生させた光ｈの取り出し効率を維持することができる。
【００３２】
この結果、この光学パッケージ素子1ａおよび、これを設けた表示装置２０ａにおける表示コントラストの向上を図ることが可能になる。
【００３３】
また、光学パッケージ素子１ａ側に遮光層を設けたことにより、光学パッケージ素子１ａを基板２１上に実装する際に遮光層に対してアライメントを行なう必要がなく、遮光層と導電性部材とのアライメント精度やパターン精度が確保される。
【００３４】
≪第２実施形態≫
＜パッケージ素子＞
図３（ａ），（ｂ）には、第２実施形態の光学パッケージ素子1ｂ，１ｂ’の断面図を示す。
【００３５】
これらの図に示す光学パッケージ素子１ｂ，１ｂ’は、第１実施形態と同様のパッケージ樹脂５中に、ここでの図示は省略した発光素子（光学機能素子）と共に、この発光素子を駆動するための駆動素子３１が埋め込まれたものである。この駆動素子３１は、一例としてトランジスタや容量素子が形成された半導体チップであり、例えばパッケージ樹脂５中において発光素子と同一の層に埋め込まれている。
【００３６】
またここでの図示は省略したが、パッケージ樹脂５内には、駆動素子３１と発光素子（光学機能素子）とを接続する導電性部材が設けられている。
【００３７】
このような駆動素子３１が埋め込まれた光学パッケージ素子１ｂ，１ｂ’の特徴的なところは、駆動素子３１において、パッケージ樹脂５の光透過面５Ａに向かう面側が、遮光層３３，３３’で覆われているところにある。この遮光層３３，３３’は、駆動素子３１の全面を十分に覆う程度の大きさであって、かつ同一のパッケージ樹脂５内に埋め込まれた光学機能素子（発光素子）の配置領域にまでは達しない形状であることとする。
【００３８】
また、駆動素子３１と発光素子（光学機能素子）とを接続する導電性部材にも、光透過面５Ａに向けう面上に遮光層を設けることとする。この遮光層は、導電性部材と同一のパターン形状であって良い。
【００３９】
特に図３（ｂ）に示す光学パッケージ素子１ｂ’のように、遮光層３３’は、光透過面Ａに対して駆動素子３１の周壁側も覆う形状であっても良い。
【００４０】
また以上のような光学パッケージ素子１ｂ’におけるパッケージ樹脂５には、光透過面５Ａと反対側の裏面に、駆動素子３１に達する接続孔３５が設けられていても良い。これらの接続孔３５は、駆動素子３１における電極パッド部（図示省略）に達しており、さらに内部がプラグ３７で埋め込まれている。
【００４１】
尚、光学パッケージ素子1ｂ，１ｂ’を構成するパッケージ樹脂５は、プロセスの必要に応じた層構造で構成されていて良いことは、第１実施形態と同様である。
【００４２】
＜表示装置＞
上述した構成の光学パッケージ素子1ｂ、１ｂ'を用いて構成される表示装置は、第１実施形態において図２を用いて説明したと同様に基板２１上に搭載される。ただし、基板２１上に設けられる信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂ、信号配線３５ｒ，３５ｇ，３５ｂ、さらには走査線３５等の配線は、必要に応じた回路構成で配線されることとする。
【００４３】
そして特に、本第２実施形態の表示装置では、さらに駆動素子３１を設けた光パッケージ素子１ｂ，１ｂにおいて、この駆動素子３１における光透過面５Ａに向かう面上にも遮光層３３，３３’を設けた構成である。これにより、光学パッケージ素子1ｂ，１ｂ’の光透過面５Ａ側から入射した外光Ｈが、遮光層３３，３３’で遮られて駆動素子３１の表面で反射することを防止できる。これにより、同一パッケージ内に埋め込まれた発光素子から取り出される光ｈに対して、外光Ｈの反射が加わり表示コントラストが低下することが防止される。
【００４４】
特に、図３（ｂ）に示したように、駆動素子３１の周壁側も遮光層３３’で覆う構成とすることで、発光素子が光ｈを出力した際、この光ｈが横へ伝播することによるクロストークを抑える効果もあり、これによるコントラストの改善も見込まれる。
【００４５】
また、駆動素子３１に対して外光Ｈが入射することによる光電効果によって、駆動素子３１にドリフトなどの誤動作が発生することを防止できる。
【００４６】
以上の結果、パッケージ内に駆動素子３１が埋め込まれた光学パッケージ素子1ｂ，１ｂ’であても、これを設けた表示装置における表示コントラストの向上を図ると共に、精度良好に駆動された表示を行うことが可能になる。
【００４７】
尚、上述した第２実施形態においては、駆動素子３１が、発光素子（光学機能素子）と同一のパッケージ樹脂５内に埋め込まれていることとした。しかしながら、駆動素子３１は、発光素子（光学機能素子）とは別のパッケージ樹脂内に埋め込まれていても良く、光学パッケージ素子とは個別に基板上に搭載されていても良い。この場合であっても、駆動素子３１において、光透過面５Ａ側に向かう面上に遮光層３３，３３’を設けることで、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
また、発光素子（光学機能素子）と同一のパッケージ樹脂５内には、例えば表示環境の明るさに応じて発光素子での発光強度を調整するために、表示環境の明るさを測定する受光素子を埋め込んでも良い。
【００４９】
受光素子は、光学機能素子の１つであり、光学的機能面として受光面を有している。このため、受光素子は、受光面をパッケージ樹脂５の光透過面５Ａに対向させた状態でパッケージ樹脂内に埋め込む。この場合、受光素子に接続された配線等の導電性部材において、光透過面５Ａ側に向かう面上に遮光層を設ける。これにより、光学パッケージ素子の光透過面５Ａ側から入射した外光Ｈが、遮光層で遮られてパッケージ内における各界面で多重に反射して受光素子の受光面に入射することが防止される。この結果、上述した表示コントラストの向上と共に、受光素子による受光光の測定においてノイズ成分が除去された受光精度の向上を図ることが可能になる。
【００５０】
尚、このような受光素子は、発光素子（光学機能素子）とは別のパッケージ樹脂内に埋め込まれていて別の光学パッケージ素子を構成しても良く、発光素子が埋め込まれた光学パッケージ素子とは個別に基板上に搭載されていても良い。この場合であっても、受光素子と共に配線された導電性部材において、パッケージ樹脂の光透過面側に向かう面上に遮光層を設けることで、上述と同様の効果を得ることができる。
【００５１】
また、例えば受光素子が埋め込まれた光学パッケージ素子のみを配列し、撮像装置のような電子機器を構成しても良い。この場合であっても、受光素子と共に配線された導電性部材において、パッケージ樹脂の光透過面側に向かう面上に遮光層を設けることで、受光素子による受光光の測定においてノイズ成分が除去された受光精度の向上を図ることが可能になる。
【００５２】
≪製造方法≫
次に、上述した光学パッケージ素子の製造方法と、これを用いた電子機器としての表示装置の製造方法の一例を、図４〜図７に基づいて説明する。ここでは、図１および図２を用いて説明した第１実施形態の構成の光学パッケージ素子および表示装置の製造を説明する。尚、図１および図２を用いて説明したと同一の部材には、同一の符号を付して説明を行なう。
【００５３】
先ず、図４の平面図およびそのＡ−Ａ’断面図に示すように、各色の発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂが配列形成された各半導体基板側から第１中継基板１０１側に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（Ｂ）の３色を１組とした配列状態として発光素子３ｒ，３ｇ，３ｇを移載する。この状態で、第１中継基板１０１側に発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの第１電極３-1と発光面（光学的機能面）３Ａが対向している状態であることとする。
【００５４】
以下、図４のＡ−Ａ’断面に相当する断面工程図に沿って製造手順を説明する。尚、断面図では、発光素子３ｇのみが図示されるが、他の素子に対しても同様の処理がなされる場合には、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂと記す。
【００５５】
図５（１）に示すように、第２中継基板１０２上に絶縁性樹脂層１０３を介して感光性の埋め込み樹脂層１０４を成膜する。そして、この埋め込み樹脂層１０４に対して第１中継基板１０１の発光素子３ｒ，３ｇ，３ｇ搭載面を対向配置させる。
【００５６】
この状態で、図５（２）に示すように、第１中継基板１０１と第２中継基板１０２とを互いに押し圧することにより、第１中継基板１０１上の発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂを第２中継基板１０２の埋め込み樹脂層１０４中に埋め込む。この状態で、埋め込み樹脂層１０４に紫外線を照射させて硬化させ、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂを埋め込み樹脂層１０４中に固定する。
【００５７】
その後、図５（３）に示すように、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂが埋め込み樹脂層１０４に固定された第２中継基板１０２側から第１中継基板１０１を除去する。尚、この状態においては、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの第１電極３-1を埋め込み樹脂層１０４の表面側に露出させておく。
【００５８】
次いで、図５（４）に示すように、埋め込み樹脂層１０４上に、例えばアルミニウムなどからなる導電性材料膜１０７を成膜し、この上部にフォトリソグラフィー技術によってブラックレジストからなるレジストパターンを遮光層９として形成する。
【００５９】
次に、図５（５）に示すように、遮光層９をマスクにしたエッチングにより、導電性材料膜１０７をパターンエッチングしてなる走査配線（導電性部材）７を、各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの第１電極３-1に接続させた状態で形成する。
【００６０】
以上の後、図６（１）に示すように、第２中継基板１０２の走査配線（導電性部材）７形成面側を絶縁性樹脂層１０９で覆い、この上部に剥離膜２０１を介して第３中継基板２０３を貼り合わせる。
【００６１】
次に、図６（２）に示すように、第３中継基板２０３側に発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂおよび走査配線（導電性部材）７等を残し、絶縁性樹脂層１０３上から第２中継基板１０２を除去する。
【００６２】
その後、図６（３）に示すように、絶縁性樹脂層１０３に発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂの第１電極３-1に達する接続孔１１を形成すると共に、絶縁性樹脂層１０３と埋め込み樹脂層１０４とに走査配線（導電性部材）７に達する接続孔１３を形成する。
【００６３】
次いで、図６（４）に示すように、接続孔１１を介して第１電極ｄ１に達するプラグ１５、および接続孔１３を介して走査配線５に達するプラグ１７を形成する。しかる後レーザ照射によって、３色の発光素子３ｒ，３ｇ，３ｇを一組として、絶縁性樹脂層１０３、埋め込み樹脂層１０４，絶縁性樹脂層１０９までを分離する。分離された各部分が、図１を用いて説明した各光学パッケージ素子１ａとなる。これにより、第３中継基板２０３上には、剥離層２０１を介して複数の光学パッケージ素子１ａが搭載された状態となる。尚、図６（４）の光学パッケージ素子１ａの断面図は、図１のＡ−Ａ’断面図を逆さまにした図に相当する。
【００６４】
以上のようにして形成された光学パッケージ素子１ａは、絶縁性樹脂層１０３、埋め込み樹脂層１０４、および絶縁性樹脂層１０９からなる３層構造のパッケージ樹脂５中に、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂが埋め込まれたものとなる。そして、パッケージ樹脂５における第３中継基板２０３に向かう面が光透過面５Ａとなる。
【００６５】
また、この状態においては、第３中継基板２０３側から剥離層にレーザ照射することにより、第３中継基板２０３に対する光学パッケージ１ａの固定状態が解消される。
【００６６】
一方、図７（１）に示すように、装置基板となる光透過性の基板２１を用意し、この上部に信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂをパターン形成する。そして、これらの信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂを覆う状態で、基板２１上の全面に絶縁膜２５を成膜する。またさらにこの絶縁膜２５上に、光学パッケージ素子1ａと同程度の高さを有する絶縁性の隔壁層２７を形成する。この隔壁層２７には、光学パッケージ素子1ａを嵌入させる開口部２７ａを設ける。
【００６７】
次に、図７（２）に示すように、隔壁層２７の各開口部２７ａ内に、光学パッケージ素子1ａを嵌入して固定させる。ここでは光学パッケージ素子１ａの光透過面５Ａを基板２１側に向け、信号線２３ｒ，２３ｂ，２３ｂの延設方向に沿って発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂが配列されるように基板２１に対して光学パッケージ素子１ａをアライメントする。そして、接着剤２９を介して光透過面５Ａを基板２１上の絶縁膜２５に固定させる。
【００６８】
次に、図７（３）に示すように、隔壁層２７と光学パッケージ素子1ａとの上面を平坦化絶縁膜３１で覆うと共に、隔壁層２７と光学パッケージ素子1ａとの隙間に平坦化絶縁膜３１を埋め込む。この際、光学パッケージ素子1ａのプラグ１５，１７を、平坦化絶縁膜３１から露出させる。
【００６９】
次に、図７（４）に示すように、平坦化絶縁膜３１、隔壁層２７、および絶縁膜２５に、信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂに達する接続孔３３を形成する。尚、ここでは信号線２３ｇに達する接続孔３３のみが図示されている。
【００７０】
次に、図７（５）に示すように、各接続孔３３を介して信号線２３ｒ，２３ｇ，２３ｂに接続されると共に、プラグ１５を介して各発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂに接続された信号配線３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを平坦化絶縁膜３１上に形成する。また同一工程で、プラグ１７を介して走査配線（導電性部材）７に接続された走査線３５を平坦化絶縁膜３１上に形成する。
【００７１】
以上により、図２を用いて説明した構成の表示装置２０ａを得ることができる。尚、図７（５）は、図２のＡ−Ａ’断面図を逆さまにした図に相当する。
【００７２】
尚上述した製造方法は、あくまでも一例であり、表示装置２０ａにおいての光学パッケージ素子1ａの搭載の構成も、図２に示した構成に限定されることはない。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】第１実施形態の光学パッケージ素子の構成を説明するための図である。
【図２】第１実施形態の光パッケージ素子を用いた表示装置の構成を説明するための図である。
【図３】第２実施形態の光学パッケージ素子の構成を説明するための断面構成図である。
【図４】第１実施形態の半導体パッケージの製造工程図（その１）である。
【図５】第１実施形態の半導体パッケージの製造工程図（その２）である。
【図６】第１実施形態の半導体パッケージの製造工程図（その３）である。
【図７】第１実施形態の表示装置の製造工程図である。
【符号の説明】
【００７４】
１ａ，１ｂ，１ｂ’…光学パッケージ素子、３Ａ…発光面（光学的機能面）、３ｒ，３ｇ，３ｂ…発光素子（光学機能素子）、５…パッケージ樹脂、５Ａ…光透過面、７…走査配線（導電性部材）、９，３３，３３'…遮光層、２０ａ…表示装置、２１…基板、３１…駆動素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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