(57)【要約】【課題】出荷後に発見された素子の欠陥につき、その欠陥発生の解析に有用な特性測定方法及びこの方法に用いられる基板を得る。【解決手段】基板１１に設けられた多数の被測定素子（厚膜抵抗体２０）の特性（抵抗値）を測定する方法。多数の被測定素子を複数のグループ（第１〜第７のグループ）に分け、各グループに属する被測定素子を一のグループごとに順次測定する。各グループに属する被測定素子の測定結果を基板１１上に設けたマーキングエリア２５の所定箇所にマーキングＡ〜Ｇとして記録する。測定結果が不良の場合は所定箇所を空欄にしておく。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた多数の被測定素子の特性を測定する方法において、
前記多数の被測定素子を複数のグループに分け、各グループに属する被測定素子を一のグループごとに順次測定する工程と、
各グループに属する被測定素子の測定結果を前記基板に設けたマーキングエリアの所定箇所に記録する工程と、
を備えたことを特徴とする特性測定方法。
【請求項２】
一のグループに属する被測定素子の特性を測定するとともに、その測定結果を前記マーキングエリアの所定箇所に記録し、次に他のグループに属する被測定素子の特性を測定するとともに、その測定結果を前記マーキングエリアの所定箇所に記録すること、を特徴とする請求項１に記載の特性測定方法。
【請求項３】
前記基板は、多数の被測定素子を備えた複数の子基板が配列された集合基板であり、前記マーキングエリアは子基板にそれぞれ設けられていること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の特性測定方法。
【請求項４】
前記基板は、多数の被測定素子を備えた複数の子基板が配列された集合基板であり、前記マーキングエリアは集合基板に設けられていること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の特性測定方法。
【請求項５】
前記測定結果を前記マーキングエリアに目視可能に記録することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の特性測定方法。
【請求項６】
各グループに属する被測定素子の測定結果が良である場合は前記マーキングエリアの所定箇所にその旨を記録し、不良の場合は前記所定箇所を空欄にしておくこと、を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の特性測定方法。
【請求項７】
前記被測定素子は厚膜抵抗体であり、該厚膜抵抗体の抵抗値を測定することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の特性測定方法。
【請求項８】
多数の被測定素子を設けた基板であって、
前記多数の被測定素子を複数のグループに分けて、各グループに属する被測定素子を一のグループごとに順次測定した結果を各グループごとに所定箇所に記録するマーキングエリアを備えたこと、
を特徴とする基板。
【請求項９】
多数の被測定素子を備えた複数の子基板が配列された集合基板であって、前記マーキングエリアは子基板にそれぞれ設けられていること、を特徴とする請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
多数の被測定素子を備えた複数の子基板が配列された集合基板であって、前記マーキングエリアは集合基板に設けられていること、を特徴とする請求項８に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特性測定方法及び基板、特に、基板に設けられた多数の被測定素子の特性を測定する方法及びこの方法に用いられる基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、回路基板上に高密度に形成された厚膜抵抗体などの素子の抵抗値を測定し、良品と不良品とを識別するには、多数の厚膜抵抗体を複数のグループに分け、各グループに属する厚膜抵抗体ごとに特性を測定していた。そして、厚膜抵抗体の抵抗値が全て良であれば、その基板を良品として出荷していた。
【０００３】
しかしながら、出荷後に欠陥が発見された場合、特性測定を含む製造工程にミスがあったのか、出荷後のトラブルで欠陥を生じたのか判別することは困難であった。
【０００４】
特許文献１には、各測定グループごとに別々のプローブカードを用意し、１枚のプローブカードについて多数個取り基板の全てのピースのトリミングを一巡するごとに、次のプローブカードに移行して同様の動作を繰り返すことが記載されている。そして、あるピースで厚膜抵抗体の不良が検出されたときに、そのピースについてはそれ以降のプローブカードで最初に抵抗値を測定する厚膜抵抗体を断線状態にトリミングするとともに、不良が検出されたピースについては不良が検出された測定グループの残りの厚膜抵抗体のトリミングを行わずに次のピースのトリミングに移るようにしている。
【０００５】
特許文献１に記載のトリミング方法では確かにトリミング作業の能率が向上する。全てのトリミングが終了すれば、厚膜抵抗体は全て特性が満たされているものと判断することができる。しかし、出荷後に欠陥が発見された場合、抵抗値の測定を含む製造工程にミスがあったのか、出荷後のトラブルで欠陥を生じたのか判別することが困難であることに変わりはない。
【特許文献１】特開２００１−３０７９１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、出荷後に発見された素子の欠陥につき、その欠陥発生の解析に有用な特性測定方法及びこの方法に好適に用いることのできる基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明の第１形態である特性測定方法は、
基板に設けられた多数の被測定素子の特性を測定する方法において、
前記多数の被測定素子を複数のグループに分け、各グループに属する被測定素子を一のグループごとに順次測定する工程と、
各グループに属する被測定素子の測定結果を前記基板に設けたマーキングエリアの所定箇所に記録する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２形態である基板は、
多数の被測定素子を設けた基板であって、
前記多数の被測定素子を複数のグループに分けて、各グループに属する被測定素子を一のグループごとに順次測定した結果を各グループごとに所定箇所に記録するマーキングエリアを備えたこと、
を特徴とする。
【０００９】
前記特性測定方法及び前記基板においては、各グループに属する被測定素子の測定結果がマーキングエリアの所定箇所に記録される。マーキングエリアの記録が全て良である基板のみを出荷することになる。それゆえ、出荷後に素子の欠陥が発見された場合、測定までの製造工程にミスは生じていなかったことが直ちに判明し、出荷後のトラブルを解明すればよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数のグループに属する被測定素子の測定結果がマーキングエリアの所定箇所に記録されているため、良否の判別が容易であるとともに、出荷後に発見された素子の欠陥についてはその欠陥発生の解析が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る特性測定方法及び基板の実施例について添付図面を参照して説明する。
【００１２】
図１に、本発明の一実施例である基板について説明する。この基板は点線で示すカットライン１２で仕切られた子基板１１を含む集合基板１０として形成されている。図１は集合基板１０の裏面側を示しており、各子基板１１の図示しない表面側には所定の電子部品が搭載されている。裏面側には、多数の厚膜抵抗体２０が所定のパターンで形成され、所定の範囲に収まる抵抗値にトリミングされている。
【００１３】
図２に、一つの子基板１１を拡大して示す。子基板１１の外形線は図１に示したカットライン１２に相当する。子基板１１の裏面に形成されている多数の厚膜抵抗体２０は、それぞれ、図３に示すように、子基板１１上に形成した一対の電極パッド２１，２１に跨って印刷されている。この厚膜抵抗体２０の抵抗値を測定するには、一対のプローブ３２，３２の先端を厚膜抵抗体２０と電極パッド２１，２１の接合部付近に当接させて行う。
【００１４】
子基板１１上の多数の厚膜抵抗体２０の抵抗値を一度に測定することは不可能であり、厚膜抵抗体２０を複数のグループに分け、各グループに属する厚膜抵抗体２０を一のグループごとに順次測定する。本実施例においては、厚膜抵抗体２０を第１〜第７の七つのグループに分けている。図２においては、各厚膜抵抗体２０に付した１〜７の数字が第１〜第７グループの分類を示している。
【００１５】
抵抗値の測定具３０は、図４に示すように、前記第１〜第７グループに属する厚膜抵抗体２０の抵抗値を測定するための専用プローブ３２，３２を枠体３１に設けたものである。図４（Ａ）に示す測定具３０は第１グループに属する厚膜抵抗体２０をまとめて測定するためのものであり、図４（Ｂ）に示す測定具３０は第２グループに属する厚膜抵抗体２０をまとめて測定するためのものである。第３〜第７グループに属する厚膜抵抗体２０を測定するための測定具は図示しないが、図４（Ａ）,（Ｂ）と基本的には同様である。
【００１６】
一方、各子基板１１にはマーキングエリア２５が設けられており、第１〜第７グループに属する厚膜抵抗体２０の測定結果を該マーキングエリア２５の所定箇所に記録する。マーキングエリア２５はＡｇを主成分とする導体膜からなり、レーザによって所定箇所にマーキングＡ〜Ｇを記録していく。
【００１７】
マーキングＡは第１グループの測定結果が良であれば記録され（図６のステップＳ１，Ｓ２参照）、マーキングＢは第２グループの測定結果が良であれば記録され（図６のステップＳ３，Ｓ４参照）、以下同様にマーキングＣは第３グループ、マーキングＤは第４グループ、マーキングＥは第５グループ、マーキングＦは第６グループの測定結果が良であれば記録され、マーキングＧは第７グループの測定結果が良であれば記録される（図６のステップＳ１３，Ｓ１４参照）。各グループの測定において抵抗値の不良が一つでもあれば、そのグループ全体を不良としてマーキング箇所を空欄にしておく。
【００１８】
なお、第１〜第７グループに属する厚膜抵抗体２０をそれぞれ測定した結果をメモリに記憶しておき、全ての測定が終了した後に、まとめてマーキングエリア２５に記録を行ってもよい。
【００１９】
図５（Ａ）はマーキングＡ〜Ｇが全て記録されている場合を示し、全ての厚膜抵抗体２０の測定結果が良であることを示している。図５（Ｂ）はマーキングＡ〜Ｆが記録されているが、マーキングＧは空欄である場合を示し、第７グループに属する厚膜抵抗体２０のいずれかに不良が生じていることを示している。また、図５（Ｃ）はマーキングＣを除いて記録されている場合を示し、第３グループに属する厚膜抵抗体２０のいずれかに不良を生じていることを示している。
【００２０】
前記マーキングＡ〜Ｇは、それが記録されていること及び空欄で残されていることが目視可能であり、出荷時の目視検査で良否を容易に判別することができ、全てのマーキングＡ〜Ｇが付されている集合基板１０あるいは子基板１１のみが出荷される。
【００２１】
本実施例によれば、集合基板１０又は子基板１１を出荷した後に、厚膜抵抗体２０の欠陥が発見された場合、測定までの製造工程にミスは生じていなかったことが直ちに判明する。従って、出荷後のトラブルを解明すればよい。また、特定のグループに欠陥が数多く測定されるのであれば、そのグループに属する厚膜抵抗体２０の製造工程に瑕疵があると推測することもできる。
【００２２】
図７は集合基板１０の他の例を示し、この集合基板１０では、マーキングエリア２５が各子基板１１ではなく、集合基板１０自体に設けられている。従って、全ての子基板１１において第１〜第７グループのそれぞれに属する厚膜抵抗体２０の測定結果が良であるときに、マーキングエリア２５の所定箇所に記録が行われていく。
【００２３】
（他の実施例）
なお、本発明に係る特性測定方法及び基板は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００２４】
特に、マーキングエリア２５は導体膜上にレーザで記録する以外に種々の手法を採用することができ、例えば、油性インキなど容易に消えないマーキングであってもよい。また、マーキングは必ずしも目視可能である必要はなく、光学的な手法で検出可能であってもよい。測定結果が不良の場合、当該マーキング箇所を空欄としておくのではなく、×印などを記録してもよい。
【００２５】
さらに、被測定素子としては、厚膜抵抗体２０に限らず、コンデンサであってもよく、この場合には容量値を測定することになる。それ以外の素子及び特性が測定対象となってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施例である集合基板を示す平面図である。
【図２】前記集合基板から分割された子基板を示す平面図である。
【図３】子基板に形成された厚膜抵抗体とその特性測定状態を示す断面図である。
【図４】プローブを備えた測定具を示す平面図である。
【図５】測定結果が記録されたマーキングエリアを示す平面図である。
【図６】特性測定の手順を示すフローチャート図である。
【図７】本発明の他の実施例である集合基板を示す平面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０…集合基板
１１…子基板
２０…厚膜抵抗体
２５…マーキングエリア
３０…測定具
３２…プローブ
Ａ〜Ｇ…マーキング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010025751.tif 000008
【図７】
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