(57)【要約】【課題】高速信号線路を伝送される高周波信号の劣化が少なく、かつ高速信号線路以外の他の線路を伝導する高周波の伝導ノイズが抑制されたプリント配線板を提供する。【解決手段】高周波信号が伝送される高速信号線路１２と、高速信号線路１２と離間して対向配置された導体層１４と、高速信号線路１２および導体層１４と離間して対向配置された抵抗体層１６とを有し、導体層１６が高速信号線路１２と抵抗体層１６との間に配置されているプリント配線板１０。【選択図】図４
2010073786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号が伝送される高速信号線路と、
前記高速信号線路と離間して対向配置された導体層と、
前記導体層と離間して対向配置された抵抗体層とを有し、
前記導体層が、前記高速信号線路と前記抵抗体層との間に配置されている、プリント配線板。
【請求項２】
前記導体層が、前記高速信号線路と対向している領域（Ｉ）および前記高速信号線路と対向していない領域（II）とを有し、
前記高速信号線路の長さ方向に直交する方向における前記領域（II）の幅Ｌと、前記高速信号線路の厚さ方向における前記高速信号線路と前記導体層との間隔ｔとが、下記式（１）を満足する、請求項１に記載のプリント配線板。
Ｌ≧３×ｔ  ・・・（１）。
【請求項３】
さらに前記高速信号線路以外の他の線路を有し、
前記他の線路が前記抵抗体層と対向し、かつ前記他の線路と前記抵抗体層との間に前記導体層は配置されていない、請求項１または２に記載のプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝導ノイズ抑制機能付きプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器、通信機器等にあっては、信号伝送速度が向上している。そして、信号伝送速度の向上に伴い、高速信号線路を伝送される電気信号が高周波化されている。しかし、高速信号線路に高周波信号を供給する半導体素子等で発生した不要な高周波電流、あるいは高速信号線路のインピーダンス不整合箇所での反射による共鳴等により発生した不要な高周波電流が、電源線路等の他の線路に流れ込み、これが高周波の伝導ノイズとなって、高速信号線路を伝送される高周波信号等に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。
【０００３】
伝導ノイズ抑制機能付きプリント配線板としては、例えば、下記のものが提案されている。
信号伝送層とグランド層との間、および／または電源層とグランド層との間に、抵抗体からなるノイズ抑制層を配置した多層回路基板（特許文献１）。
【０００４】
該多層回路基板においては、ノイズ抑制層によって各層を流れる高周波の伝導ノイズを減衰させている。しかし、前記信号伝送層が高周波信号を伝送する高速信号線路である場合、高速信号線路を伝送される高周波信号も、高周波の伝導ノイズとともにノイズ抑制層によって減衰してしまうおそれがある。
【特許文献１】特開２００６−２９５１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、高速信号線路を伝送される高周波信号の劣化が少なく、かつ高速信号線路以外の他の線路を伝導する高周波の伝導ノイズが抑制されたプリント配線板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、高周波信号が伝送される高速信号線路と、前記高速信号線路と離間して対向配置された導体層と、前記導体層と離間して対向配置された抵抗体層とを有し、前記導体層が、前記高速信号線路と前記抵抗体層との間に配置されていることを特徴とする。
【０００７】
前記導体層は、前記高速信号線路と対向している領域（Ｉ）および前記高速信号線路と対向していない領域（II）とを有し、前記高速信号線路の長さ方向に直交する方向における前記領域（II）の幅Ｌと、前記高速信号線路の厚さ方向における前記高速信号線路と前記導体層との間隔ｔとは、下記式（１）を満足することが好ましい、
Ｌ≧３×ｔ  ・・・（１）。
【０００８】
本発明のプリント配線板は、さらに前記高速信号線路以外の他の線路を有し、前記他の線路が前記抵抗体層と対向し、かつ前記他の線路と前記抵抗体層との間に前記導体層は配置されていないことが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のプリント配線板は、高速信号線路を伝送される高周波信号の劣化が少なく、かつ高速信号線路以外の他の線路を伝導する高周波の伝導ノイズが抑制されたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本明細書において「対向」しているとは、プリント配線板の表面に直交する方向から見たときに少なくとも一部が重なり合う状態をいう。
【００１１】
＜プリント配線板＞
図１は、本発明のプリント配線板の基本構成の一例を示す断面図である。なお、図１においては、絶縁体からなる層は省略している。該プリント配線板は、高周波信号が伝送される高速信号線路１２と、高速信号線路１２と離間して対向配置された導体層１４と、導体層１４と離間して対向配置された抵抗体層１６とを有し、導体層１４が、高速信号線路１２と抵抗体層１６との間に配置されているものである。
【００１２】
該プリント配線板においては、下記の理由から、導体層１４が、高速信号線路１２と対向している領域（Ｉ）および高速信号線路１２と対向していない領域（II）とを有し、高速信号線路１２の長さ方向に直交する方向における領域（II）の幅Ｌと、高速信号線路１２の厚さ方向における高速信号線路１２と導体層１４との間隔ｔとが、下記式（１）を満足することが好ましい。
Ｌ≧３×ｔ  ・・・（１）。
【００１３】
高速信号線路１２においては、高周波信号は表皮効果によって表面に集中して流れることから、図２に示すように、側面と上面または下面とが交わる稜部（エッジ部１３）に高周波信号が集中して流れる。そのため、エッジ部１３の周囲に電磁界変動が起きる。この電磁界変動、すなわちエッジ部１３から生じる磁束１８の密度に変化が起きると、この磁束密度の変化を妨げるように対向配置された抵抗体層１６中に渦電流１９が発生し（電磁誘導の原理）、抵抗損によりエネルギーは消費され、高速信号線路１２を流れる高周波信号は減衰していくものと考えられる。
【００１４】
よって、上述の高周波信号の減衰のメカニズムからすれば、図１に示すように、エッジ部１３から生じて抵抗体層１６へ向かう磁束１８を遮るように、導体層１４を高速信号線路１２と抵抗体層１６との間に配置すればよい。そして、エッジ部１３から生じる磁束１８をできるだけ多く遮るためには、高速信号線路１２のエッジ部１３からはみ出した導体層１４の幅、すなわち高速信号線路１２と対向していない領域（II）の幅Ｌをできるだけ広くすればよい。
【００１５】
図３は、幅Ｌを間隔ｔのｎ倍ずつ変化させた場合の４０ＧＨｚにおける高速信号線路１２についてのＳ２１パラメータ（透過減衰量）の変化を示すシミュレーション結果のグラフであり、抵抗体層１６がある場合と、抵抗体層１６がない場合の結果を示している。該シミュレーションは、シミュレーション３Ｄ電磁界シミュレータ（アジレント社製、製品名：ＥＭＤＳ）を用い、下記のデータを入力して行った。
高速信号線路１２の幅：１００μｍ、
高速信号線路１２の厚さ：１８μｍ、
間隔ｔ：５０μｍ、
導体層１４の厚さ：１８μｍ、
導体層１４と抵抗体層１６との間隔：１０μｍ、
導体層１４の両側にはみ出した抵抗体層１６の幅：それぞれ５００μｍ、
絶縁体の誘電率：３．３、絶縁体の誘電正接：０．００８、
抵抗体層の表面抵抗：５０Ω。
【００１６】
図３に示すように、幅Ｌが間隔ｔの３倍のとき、Ｓ２１パラメータが約−１．５ｄＢとなり、高周波信号の減衰が実用上問題のないレベルまで抑えられている。幅Ｌは、間隔ｔの５倍以上がより好ましく、１０倍以上が特に好ましい。
【００１７】
図４は、本発明のプリント配線板の具体的構成の一例を示す断面図である。プリント配線板１０は、基板２２の一方の表面に高速信号線路１２および高速信号線路１２以外の他の線路２４が形成され、他方の表面に導体層１４が形成されたプリント配線板本体２０と、カバーレイフィルム本体３２の片面に抵抗体層１６が形成されたカバーレイフィルム３０とが、接着剤層４０を介して貼り合わされたものである。
【００１８】
（プリント配線板本体）
プリント配線板本体２０は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工して高速信号線路１２、他の線路２４および導体層１４としたものである。
銅張積層板としては、基板２２に銅箔を接着剤で貼り合わせたのもの；銅箔上に基板２２を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。
銅箔の厚さは、１８〜３５μｍが好ましい。
【００１９】
（基板）
基板２２の材料としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルファイド、シンジオタクチックポリスチレン等が挙げられる。
プリント配線板１０がフレキシブルプリント配線板の場合、基板２２としては、ポリマーフィルムが好ましい。
【００２０】
ポリマーフィルムの表面抵抗は、１×１０６Ω以上が好ましい。
ポリマーフィルムとしては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム等がより好ましい。
ポリマーフィルムの厚さは、５〜５０μｍが好ましく、屈曲性の点から、６〜２５μｍがより好ましく、１０〜２５μｍが特に好ましい。
【００２１】
（高速信号線路）
高速信号線路１２は、１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する線路である。高周波信号の周波数は、３ＧＨｚ以上が好ましく、１０ＧＨｚ以上がより好ましく、４０ＧＨｚ以上が特に好ましい。
高速信号線路１２は、離間して対向配置されたグランド層および／またはグランド線路によって、伝送特性のよいマイクロストリップ構造またはコプレーナ構造となる。
【００２２】
（導体層）
導体層１４は、面状に拡がる導体からなる層である。導体層１４としては、高周波信号の伝送を目的としない導体、例えば、グランド層、電源層等が挙げられ、通常はグランド層である。
導体層１４は、高速信号線路１２と離間して対向配置される。
導体層１４は、高速信号線路１２が抵抗体層１６の影響を受けないようにするために、高速信号線路１２と抵抗体層１６との間に配置される。
また、図５に示すように、プリント配線板が、絶縁体層５０を介して複数のプリント配線板本体２０を積層した多層配線板の場合、他のレイヤーの高速信号線路１２’が抵抗体層１６の影響を受けないようにするために、高速信号線路１２’と抵抗体層１６との間に導体層１４’を設けてもよい。
【００２３】
導体層１４の幅は、上述したように、高速信号線路１２が抵抗体層１６の影響を受けないようにするためには、できるだけ広いことが好ましい。ただし、図６に示すように、導体層１４が配置されていない部分にスルーホール２６や他の線路２４を設けることによって、プリント配線板の面積を有効利用するためには、導体層１４の幅は最小限にすることが好ましい。すなわち高速信号線路１２と対向していない領域（II）の幅Ｌは、間隔ｔの２０倍以下が好ましく、１０倍以下がより好ましい。
【００２４】
（他の線路）
他の線路２４は、高速信号線路１２以外の線路である。他の線路３２としては、電源線路、線路形状のグランド線路、高速信号線路１２よりも低い周波数の信号を伝送する低速信号線路（バイアス電圧制御用線路、光パワーモニター用制御用線路等。）等が挙げられる。
他の線路２４は、高速信号線路１２、導体層１４および抵抗体層１６と離間して配置される。
他の線路２４は、抵抗体層１６による伝導ノイズ抑制効果を発揮させるため、抵抗体層１６と対向し、かつ他の線路２４と抵抗体層１６との間に導体層１４は配置されていない。
【００２５】
（カバーレイフィルム本体）
カバーレイフィルム本体３２は、ポリマーフィルムである。
カバーレイフィルム本体３２の表面抵抗は、１×１０６Ω以上が好ましい。
カバーレイフィルム本体３２の材料としては、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリアラミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート等が挙げられる。
カバーレイフィルム本体３２の厚さは、可とう性の点から、３〜２５μｍが好ましく、表面形状への追従性が高くなる点から、３〜１０μｍが特に好ましい。
【００２６】
（抵抗体層）
抵抗体層１６は、高速信号線路１２、他の線路２４および導体層１４と離間し、他の線路２４および導体層１４に対向配置されているが、他の線路２４および導体層１４とは電気的に接続していない。
【００２７】
他の線路２４および導体層１４においては、高周波電流（伝導ノイズ）は表皮効果によって表面に集中して流れることから、側面と上面または下面とが交わる稜部（エッジ部）に高周波電流が集中して流れる。そのため、エッジ部から電磁波ノイズが放射され、エッジ部の周囲に電磁界変動が起きる。この電磁界変動、すなわちエッジ部から生じる磁束の密度に変化が起きると、この磁束密度の変化を妨げるように近傍に配置された抵抗体層１６中に渦電流が発生し（電磁誘導の原理）、抵抗損によりエネルギーは消費され、他の線路２４および導体層１４を流れる伝導ノイズは減衰していく（伝導ノイズが抑制される）ものと考えられる。
【００２８】
該ノイズ抑制のメカニズムからすれば、他の線路２４および導体層１４のエッジ部から生じる磁束を受ける抵抗体層１６の有効面積が大きいことが好ましい。よって、プリント配線板１０の表面に直交する方向から見たとき、抵抗体層１６は、他の線路２４および導体層１４の端部から大きくはみ出していることが好ましい。具体的には、他の線路２４および導体層１４からはみ出した抵抗体層１６の幅は、０．１ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましく、１．０ｍｍ以上がさらに好ましい。該幅が０．１ｍｍ以上であれば、有効に磁束を十分に受けることができ、渦電流を十分に発生できる。該幅の上限は、プリント配線板１０の大きさに応じて決定される。伝導ノイズの周波数が、１ＧＨｚ以上で、高くなればなるほど、伝導ノイズがエッジ部に集中しやすいため、該幅が小さくても、伝導ノイズを効率よく抑制できる。
【００２９】
抵抗体層１６は、プリント配線板１０の外部に露出していないことが好ましい。抵抗体層１６がプリント配線板１０の側面等からの外部に露出すると、抵抗体層１６の劣化、抵抗体層１６を構成している材料のマイグレーション等の問題が生じるおそれがある。
【００３０】
抵抗体層１６の表面抵抗は、５〜５００Ωが好ましい。抵抗体層１６の表面抵抗が５Ω未満では、渦電流が発生しても十分な抵抗損を得にくく、伝導ノイズ抑制効果が小さくなる。抵抗体層１６の表面抵抗が５００Ωを超えると、渦電流が発生しにくくなり、効率よく伝導ノイズを抑制しにくくなる。
【００３１】
抵抗体層１６の材料としては、金属、導電性セラミックス、炭素材料等が挙げられる。材料の固有抵抗が低い場合は、抵抗体層１６を薄くすることで、表面抵抗を高く調整できるが、厚さのコントロールが難しくなるため、抵抗体層１６の材料としては、比較的高い固有抵抗を有する材料が好ましい。
【００３２】
金属としては、強磁性金属、常磁性金属等が挙げられる。
強磁性金属としては、鉄、カルボニル鉄、鉄合金（Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等。）、コバルト、ニッケル、これらの合金等が挙げられる。
常磁性金属としては、金、銀、銅、錫、鉛、タングステン、ケイ素、アルミニウム、チタン、クロム、タンタル、モリブデン、それらの合金、アモルファス合金、強磁性金属との合金等が挙げられる。
金属としては、酸化に対して抵抗力のある点から、ニッケル、鉄クロム合金、タングステン、クロム、タンタルが好ましく、実用的には、ニッケル、ニッケルクロム合金、鉄クロム合金、タングステン、クロム、タンタルがより好ましく、ニッケルまたはニッケル合金が特に好ましい。
【００３３】
導電性セラミックスとしては、金属と、ホウ素、炭素、窒素、ケイ素、リンおよび硫黄からなる群から選ばれる１種以上の元素とからなる合金、金属間化合物、固溶体等が挙げられる。具体的には、窒化ニッケル、窒化チタン、窒化タンタル、窒化クロム、炭化チタン、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化バナジウム、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、炭化タングステン、ホウ化クロム、ホウ化モリブデン、ケイ化クロム、ケイ化ジルコニウム等が挙げられる。
導電性セラミックスは、物理的蒸着法における反応性ガスとして、窒素、炭素、ケイ素、ホウ素、リンおよび硫黄からなる群から選ばれる１種以上の元素を含むガスを用いることによって容易に得られる。
炭素材料としては、アモルファスカーボン、グラファイト、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等が挙げられる。
【００３４】
抵抗体層１６は、例えば、カバーレイフィルム本体３２の表面に、物理的蒸着法（ＥＢ蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパッタ法等。）により形成された抵抗体蒸着膜を、公知の湿式法（湿式エッチング法）、乾式法（プラズマエッチング法、レーザーアブレーション法）等により所望のパターンに加工することによって形成される。
抵抗体層１６の厚さは、可とう性の点から、５〜５０ｎｍが好ましい。
【００３５】
（接着剤層）
接着剤層４０は、例えば、市販の接着剤シート（ボンディングシート）が硬化または固化したものである。従来のカバーレイフィルムの製法のように、カバーレイフィルム本体に湿式の接着剤を塗布、乾燥させて接着剤層を形成すると、（ｉ）パターン状の抵抗体層が形成されたカバーレイフィルムがカールし、その後の位置あわせが困難になる、（ii）加熱によってパターニング寸法が変化してしまい位置あわせ精度が低下する、（iii）抵抗体層の劣化を促す、等の不具合がある。このような不具合を避けるためにも、ドライな接着剤シートを用いることが好ましく、さらに抵抗体層をエッチング加工した後、直ちにプリント配線板本体と積層プレスを行うことができ、非常に簡便に接着加工を行うことができる。
【００３６】
接着剤シートの材料としては、Ｂステージ（半硬化状態）のエポキシ樹脂、熱可塑性のポリイミド等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシル変性ニトリルゴム等。）を含んでいてもよい。
接着剤シートは、離型性フィルム等の上に、所望の厚みになるよう前記材料をキャスティングすることにより形成され、その後、離型性フィルム等を剥離して連続シート状にしてもよく、あるいは、離型性フィルムまたは保護フィルム付きで貯留してもよい。
【００３７】
接着剤層４０は、抵抗体層１６と導体層１４との絶縁性を高めるために、スペーサーとして絶縁性粉体を含むことが好ましい。該粉体が、流動性調整、難燃性等の別の機能を有していても構わない。絶縁性粉体としては、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、酸化アンチモン、スズ酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、酸化ケイ素、酸化チタン、ゼオライト系、繊維状の粉体（炭酸カルシウムウィスカー、酸化亜鉛ウィスカー、ホウ酸アルミニウムウィスカー、チタン酸カリウムウィスカー等。）等が挙げられる。
このうちアスペクト比が３以上の粉体を用いることにより、接着剤層の流動により、効果的に導体層１４の稜部に配向し留まることが可能となるので好ましい。
絶縁性粉体の径は、接着剤層の厚みの１／２から１／２０が好ましい。これより小さいと、絶縁性スペーサーの機能を果たせなくなり、これより大きいと接着阻害をもたらす恐れがある。
絶縁性粉体の配合量は、接着剤層１００質量部中、おおよそ１〜３０質量部である。これより少ないと十分な絶縁性を出せず、多いと接着阻害をもたらすほか、表面形状の追従性に問題が生じて来る。
【００３８】
接着剤層４０の厚さは、１〜１００μｍが好ましい。
抵抗体層１６への濡れは、接着剤層４０の溶融によるものであり、溶剤を含んだ接着剤よりは粘度が高く、良く濡れないため、接着力が不足するが、抵抗体層１６上に、接着促進剤として、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤等の接着促進剤を塗布することが好ましい。
【００３９】
シラン系カップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４０】
チタネート系カップリング剤としては、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジ−トリデシルホスファイト）チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等が挙げられる。
【００４１】
以上説明したプリント配線板１０にあっては、導体層１４が高速信号線路１２と抵抗体層１６との間に配置されているため、高速信号線路を伝送される高周波信号の抵抗体層１６による劣化が少ない。また、抵抗体層３４が他の線路２４および導体層１４と離間して対向配置されているため、他の線路２４および導体層１４を伝導する伝導ノイズを抑制できる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例を示す。なお、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４３】
（各層の厚さ）
透過型電子顕微鏡（日立製作所社製、Ｈ９０００ＮＡＲ）を用いてサンプルの断面を観察し、各層の５箇所の厚さを測定し、平均した。
【００４４】
（表面抵抗）
石英ガラス上に金を蒸着して形成した、２本の薄膜金属電極（長さ１０ｍｍ、幅５ｍｍ、電極間距離１０ｍｍ）を用い、該電極上に被測定物を置き、被測定物上から、被測定物の１０ｍｍ×２０ｍｍの領域を５０ｇの荷重で押し付け、１ｍＡ以下の測定電流で電極間の抵抗を測定し、この値を表面抵抗とした。
【００４５】
（伝導ノイズ抑制効果）
プリント配線板１０の高速信号線路１２および他の線路２４のＳ２１パラメータをネットワークアナライザー（アンリツ社製、３７２４７Ｄ）で評価した。
【００４６】
〔例１〕
厚さ２５μｍのポリイミドフィルムと厚さ１８μｍの圧延銅箔とエポキシ系接着剤とからなる両面銅張積層板（２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ８６μｍ）の一方の表面をエッチング法にて加工し、線幅：０．１ｍｍ、線長：１５ｍｍの高速信号線路１２および他の線路２４を形成した。高速信号線路１２および他の線路２４の両端には、測定用の同軸リード線が半田付けできるように２ｍｍΦのランド部分を形成した。前記両面銅張積層板の他方の表面で、かつ高速信号線路１２と対向し、他の線路２４と対向しない箇所に、エッチング法にて２０ｍｍ×１０ｍｍの導体層１４（グランド層）を形成し、図４に示すようなプリント配線板本体２０を作製した。
【００４７】
２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ１０μｍのポリイミドフィルムの表面の全体に、マグネトロンスパッタ法にて窒素ガス流通下にニッケルを物理的に蒸着させ、厚さ２５ｎｍの窒化ニッケル蒸着膜（表面抵抗：２５Ω）を形成した。該蒸着膜を、レーザーアブレーション法にて加工して、２０ｍｍ×３．２ｍｍの抵抗体層１６を形成し、図４に示すようなカバーレイフィルム３０を作製した。
【００４８】
カバーレイフィルム３０の抵抗体層１６が形成された側の表面に、２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ２０μｍのボンディングシート（ゴム成分を含むエポキシ樹脂と潜在硬化剤とからなるエポキシ系接着剤を成膜後、乾燥させＢステージ状にしたもの、ボンディングシート１００質量部中に絶縁性粉体として平均粒径５μｍのシリカ粒子５質量部と平均繊維径１μｍ、平均繊維長２０μｍの炭酸カルシウム３質量部を含む。）を部分的に加熱し、接着した。ボンディングシートが仮止めされたカバーレイフィルム３０には、ランド部分を避ける窓部が、打ち抜きにより形成されている。
【００４９】
プリント配線板本体２０の導体層１４が形成された側の表面に、ボンディングシートが仮止めされたカバーレイフィルム３０を、プリント配線板本体２０とカバーレイフィルム３０との間にボンディングシートが位置するように、かつ抵抗体層１６と導体層１４および他の線路２４とが対向配置されるように重ねた。
【００５０】
これらを熱プレスによって一体化させ、図４に示すようなプリント配線板１０を得た。プリント配線板１０においては、導体層１４が、高速信号線路１２と抵抗体層１６との間に配置され、幅Ｌは、間隔ｔの１２倍であった。また、導体層１４と対向していない抵抗体層１６の幅は、０．６ｍｍであった。
プリント配線板１０について、ランド部分に測定用の同軸リード線を半田付けし、グランド層４４に外部導体を半田付けし、ネットワークアナライザーと接続した後、高速信号線路１２および他の線路２４のＳ２１パラメータを評価した。結果を図７に示す。
【００５１】
〔例２〕
カバーレイフィルム３０を、プリント配線板本体２０の高速信号線路１２が形成された側の表面に貼り合わせ、高速信号線路１２と抵抗体層１６とを直接対向させた以外は、例１と同様にして、プリント配線板を作製し、例１と同様にして評価した。結果を図７に示す。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のプリント配線板は、光モジュール、携帯電話、デジタルカメラ、ゲーム器等の小型電子機器用のフレキシブルプリント配線板として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のプリント配線板の基本構成の一例を示す断面図である。
【図２】抵抗体層による高速信号線路を流れる高周波信号の減衰のメカニズムを説明するための断面図である。
【図３】幅Ｌを間隔ｔのｎ倍ずつ変化させた場合の４０ＧＨｚにおける高速信号線路についてのＳ２１パラメータ（透過減衰量）の変化を示すグラフである。
【図４】本発明のプリント配線板の具体的構成の一例を示す断面図である。
【図５】本発明のプリント配線板の具体的構成の他の例を示す断面図である。
【図６】本発明のプリント配線板の具体的構成の他の例を示す断面図である。
【図７】例１および例２における伝導ノイズ抑制効果（Ｓ２１パラメータ）を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５４】
１０  プリント配線板
１２  高速信号線路
１４  導体層
１６  抵抗体層
２４  他の線路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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