(57)【要約】【課題】厚みばらつきの小さいポリイミド金属積層体を提供すること、並びにポリイミド金属積層体を用いたインピーダンスコントロールが容易なプリント配線板を提供すること。【解決手段】本発明のポリイミド金属積層体は、ポリイミド層と、ポリイミド層の少なくとも片面に金属層を有するポリイミド金属積層体において、ポリイミド層の平均厚みを１００％としたとき、該ポリイミド層の厚みばらつきが１．０％以下であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド層と、前記ポリイミド層の少なくとも片面に積層される金属層とを有するポリイミド金属積層体において、前記ポリイミド層の平均厚みを１００％としたとき、該ポリイミド層の厚みばらつきが１．０％以下であることを特徴とするポリイミド金属積層体。
【請求項２】
前記金属層の前記ポリイミド層と接する面の十点平均粗さＲｚが１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のポリイミド金属積層体。
【請求項３】
前記金属層が厚み１８μｍ以下の銅箔であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のポリイミド金属積層体。
【請求項４】
前記ポリイミド層が、非熱可塑性ポリイミドフィルムおよび熱圧着可能なポリイミド層を含み、前記熱圧着可能なポリイミド層を前記非熱可塑性ポリイミドフィルムの少なくとも片面に有していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のポリイミド金属積層体。
【請求項５】
回路基板と、請求項１から請求項４のいずれかに記載のポリイミド金属積層体と、を具備することを特徴とするプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリイミド金属積層体、およびそれらを用いたインピーダンスの整合がなされたプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線板は、電子部品や半導体チップなどを実装するために広く用いられている。近年の電子機器の高速化、高周波化に伴い、電気信号を反射による損失なく効率良く伝送するために、実装部品や接続ケーブルとの間、およびプリント配線板伝送路内のインピーダンスを整合させることが強く求められている。
【０００３】
特にこれまでは、ガラス織布にエポキシ樹脂を含浸したプリプレグを用いるいわゆるリジッドプリント配線板で高周波化が進み、そうした基板内の電気信号伝送路ではインピーダンス整合がなされてきた（特許文献１及び特許文献２）。
【０００４】
プリント配線板内のインピーダンスは、配線の幅や絶縁層の厚みなどによって決まるため、それらのばらつきが小さいほどインピーダンスのばらつきが小さくなる。リジッド板では補強のために織布に絶縁樹脂を含浸させるため、織布がもともと持っている凹凸によって絶縁層厚みのバラつきを抑えることが困難となるが、この解決のために、コア基材の表面を研磨して平滑化する技術や、ポリアミド接着剤を塗布して平滑化する技術が開示されている（特許文献３）。
【０００５】
一方、近年は、リジッドプリント配線板部分とポリイミド層と銅層からなるフレキシブルプリント配線板部分とを一体化して製造するリジッドフレキシブルプリント配線板においても、リジッドプリント配線板部分とフレキシブルプリント配線板部分間でのインピーダンスの整合を取り、さらにフレキシブルプリント配線板部分内でのインピーダンスのばらつきを小さく管理することが必須となってきている。インピーダンスのばらつきは、±５％以下が求められている。
【０００６】
ところで、フレキシブルプリント配線板部分に用いられる基材としては、絶縁層として織布を用いないポリイミド樹脂と銅箔からなる二層ＦＣＣＬと呼ばれるポリイミド金属積層体が使用されている。通常の用途に用いられる二層ＦＣＣＬでは、ポリイミドの厚みは６μｍ〜３８μｍ程度であるが、上記用途の場合はインピーダンス整合の観点からそれより厚いものが使用されることが多い。ポリイミドないしその前駆体溶液は一般に沸点の高い有機溶媒を使用するため、得ようとするポリイミド層の厚みが厚くなるほど生産が困難になる。この解決のため、上記用途用のポリイミド層厚が５０μｍ超の厚い場合について生産性に優れる製造方法が開示されている（特許文献４）。しかし、生産性と同様に、かかる厚膜において上記用途に十分なポリイミド層の厚み精度を出すのは困難であり、それを解決するためにどのような製造方法を用いるべきかという点はなお開示されていない。さらに、インピーダンスのばらつきを小さくするためにどのようなポリイミドや銅箔を使えば良いかという点も十分に明らかにされていない。
【０００７】
一方、ポリイミドフィルムの両面に熱可塑性のポリイミド層を形成し、熱可塑性ポリイミド層の両側に金属箔層を重ねて加熱圧着して二層ＦＣＣＬを製造する方法が開示されており（特許文献５）、熱可塑性ポリイミド層塗布方法について例示されているが、上記の目的に適うポリイミド層を得るために必須の熱可塑性ポリイミド層塗布方法については特定されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−１６２１１５号公報
【特許文献２】特開２００１−３０８５４１号公報
【特許文献３】特開２００５−２２３０５２号公報
【特許文献４】特開２００７−４５００８号公報
【特許文献５】特開２００８−３０２６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、厚みばらつきの小さいポリイミド金属積層体を提供することを目的とする。また、ポリイミド金属積層体を用いたインピーダンスコントロールが容易なプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、特定の方法で塗布した熱圧着可能なポリイミド層を持ち、特定の厚みばらつき以下のポリイミド層に特定の表面粗度を持つ金属を積層して得られるポリイミド金属積層体を用いたプリント配線板が上記目的に適していることを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明は以下の通りである。
【００１１】
本発明のポリイミド金属積層体は、ポリイミド層と、前記ポリイミド層の少なくとも片面に積層される金属層とを有するポリイミド金属積層体において、前記ポリイミド層の平均厚みを１００％としたとき、該ポリイミド層の厚みばらつきが１．０％以下であることを特徴とする。
【００１２】
本発明のポリイミド金属積層体においては、前記金属層の前記ポリイミド層と接する面の十点平均粗さＲｚが１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
本発明のポリイミド金属積層体においては、前記金属層の厚みが１８μｍ以下である銅箔を用いることが好ましい。
【００１４】
本発明のポリイミド金属積層体においては、前記ポリイミド層が、非熱可塑性ポリイミドフィルムおよび熱圧着可能なポリイミド層を含み、前記熱圧着可能なポリイミド層を前記非熱可塑性ポリイミドフィルムの少なくとも片面に有していることが好ましい。
【００１５】
本発明のプリント配線板は、回路基板と、上記ポリイミド金属積層体と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、厚みバラつきの小さいポリイミド金属積層体及びを提供することができる。また、ポリイミド金属積層体より得られるプリント配線板は、インピーダンスのばらつきが小さく高周波用途に適している。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係るバックアップロールを有する塗布装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る厚み測定時の測定箇所を示す図である。
【図３】従来のフィルムと塗布装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
本発明は、インピーダンスの整合がなされたプリント配線板に適したポリイミド金属積層体、およびそれらを用いたプリント配線板に関するものである。本発明に係るポリイミド金属積層体は、ポリイミド層の片面または両面に金属層があり、該ポリイミド層は非熱可塑性ポリイミドフィルムと熱圧着可能なポリイミド層を含む。そして、該非熱可塑性ポリイミドフィルムと金属層とが該熱圧着可能なポリイミド層を介して結合された積層体である。
【００１９】
（非熱可塑性ポリイミドフィルムに関して）
本発明に係る非熱可塑性ポリイミドフィルムは、公知のあらゆるポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を適用することができる。本発明に用いられるポリアミド酸は、通常、テトラカルボン酸二無水物の少なくとも１種と、ジアミンの少なくとも１種とを実質的等モル量、有機溶媒中に溶解、反応させて得ることができる。
【００２０】
ポリイミドは前駆体であるポリアミド酸をイミド化して得られるが、イミド化には、熱キュア法およびケミカルキュア法のいずれかを用いる。熱キュア法は、脱水閉環剤等を作用させずに、加熱だけでイミド化反応を進行させる方法である。また、ケミカルキュア法は、ポリアミド酸有機溶媒溶液に、無水酢酸等の酸無水物に代表される化学的転化剤（脱水剤）と、イソキノリン、β−ピコリン、ピリジン等の第三級アミン類等に代表される触媒とを作用させる方法である。ケミカルキュア法と熱キュア法を併用することも出来る。イミド化の反応条件は、ポリアミド酸の種類、フィルムの厚さ、熱キュア法および／またはケミカルキュア法の選択等により変動し得る。
【００２１】
本発明に関わる非熱可塑性ポリイミドフィルムにおけるテトラカルボン酸二無水物成分としては、従来公知のものを使用することができる。具体的には、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフランカルボン酸−１，４−フェニレンエステル、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、オキシジフタル酸、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸等の酸二無水物があげられる。熱膨張係数やガラス転移温度等の耐熱性の観点から、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフランカルボン酸−１，４−フェニレンエステル二無水物、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物を使用することが好ましい。また、各々のテトラカルボン酸二無水物を単独で用いても、併用して用いてもよい。
【００２２】
本発明に関わる非熱可塑性ポリイミドフィルムにおけるジアミン成分においても、従来公知のものを使用することができる。例えば、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンズアニリド、２，２−ジメチル−４，４−ジアミノビフェニル、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス(４−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン等があげられる。熱膨張係数やガラス転移温度等の耐熱性の観点から、パラフェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを使用することが好ましい。また、各々のジアミンを単独で用いても、併用してもよい。
【００２３】
本発明に関わる非熱可塑性ポリイミドフィルムに特に好ましい酸二無水物成分とジアミン成分の組み合わせは、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物およびピロメリット酸二無水物およびｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）から選ばれた酸二無水物と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルおよび／またはパラフェニレンジアミンとの組み合わせである。これらのモノマーを組み合わせて合成したポリイミドは適度な弾性率、寸法安定性、低吸水率等の優れた特性を発現し、本発明に係るポリイミド金属積層体に用いるのに好適である。
【００２４】
ポリアミド酸を合成するための好ましい溶媒は、アミド系溶媒、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等であり、これらを単独あるいは、混合して使用できる。
【００２５】
本発明に関わる非熱可塑性ポリイミドフィルムには、公知の方法で無機あるいは有機物のフィラー、有機リン化合物等の滑剤や酸化防止剤を添加することが出来る。
【００２６】
また、本発明に関わる非熱可塑性ポリイミドフィルムの表面は、プラズマ処理やコロナ処理や、サンドブラスト処理などといった公知慣用の処理がされていても良い。
【００２７】
本発明に関わる非熱可塑性ポリイミドフィルムの厚みは、２μｍ〜１２５μｍであることが好ましい。さらにインピーダンスの整合がし易いという観点から５μｍ〜７５μｍが好ましい。
【００２８】
また、非熱可塑性ポリイミドフィルムとして市販のポリイミドフィルムも使用できる。例えば、ユーピレックス（登録商標）Ｓ、ユーピレックス（登録商標）ＳＧＡ、ユーピレックス（登録商標）ＳＮ（宇部興産社製、商品名）、カプトン（登録商標）Ｈ、カプトン（登録商標）Ｖ、カプトン（登録商標）ＥＮ（東レ・デュポン社製、商品名）、アピカル（登録商標）ＡＨ、アピカル（登録商標）ＮＰＩ、アピカル（登録商標）ＮＰＰ、アピカル（登録商標）ＨＰ、アピカル（登録商標）ＦＰＩ（株式会社カネカ製、商品名）等があげられる。
【００２９】
（熱圧着可能なポリイミド層に関して）
本発明に係る熱圧着可能なポリイミド層は、可溶性ポリイミド溶液を塗布した後、加熱により溶媒を乾燥させるか、またはポリアミド酸溶液を塗布し加熱により溶媒を乾燥させた後、加熱もしくは加熱とイミド化触媒の併用によりアミド酸部位を閉環イミド化することで得られる。塗布後の工程が溶媒の乾燥だけでよいため厚み精度が出易いという観点から、可溶性ポリイミド溶液を用いることが好ましい。
【００３０】
可溶性ポリイミドの構造は、金属箔と加熱加圧下で接着できるものなら、特に制限はなく公知慣用のものが使用できるが、銅箔との密着性の観点から、ビシクロ［２，２，２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３，５−ジアミノ安息香酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンを成分に含む構造であることが好ましい。異なる２種類以上のテトラカルボン酸二無水物成分および／またはジアミン成分を用いる場合は、それより得られる可溶性ポリイミドはランダム構造であってもブロック構造であっても良い。また、それらポリマーの末端はモノアミンまたは酸無水物で封止されていても良い。本発明において、「可溶性」とは、溶解した時に塗布剤として使用可能な溶媒に室温２０℃〜１００℃の温度範囲において１質量％以上溶解することをいう。
【００３１】
また、ポリアミド酸の構造は、それをイミド化したポリイミドが金属箔と加熱加圧下で接着できるものなら、特に制限はなく公知慣用のものが使用できる。イミド化には加熱キュア法または、加熱キュア法とケミカルキュア法の併用により行われる。異なる２種類以上のテトラカルボン酸二無水物成分および／またはジアミン成分を用いる場合は、それより得られるイミド化後のポリイミドはランダム構造であってもブロック構造であっても良い。また、それらポリマーの末端はモノアミンまたは酸無水物で封止されていても良い。
【００３２】
本発明に係る熱圧着可能なポリイミド層に用いられる可溶性ポリイミド溶液またはポリアミド酸溶液には、非熱可塑性ポリイミドフィルムとの密着力向上などの目的でアルキル化メラミン樹脂やアルキル化尿素樹脂の加えても良く、また物性を損なわない範囲で他の耐熱性樹脂、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニルスルフィド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステル、シアネートエステル等を適当量配合することも可能である。
【００３３】
また、物性を損なわない範囲で、添加剤として、脱水剤、シリカ等のフィラー、およびシランカップリング剤やチタネートカップリング剤等の表面改質剤をさらに加えてもよい。それらフィラー類は、予め上記の表面改質剤で処理されていてもよい。
【００３４】
（金属層に関して）
本発明に係るポリイミド金属積層体に用いる金属層としては、本発明の目的に適う限り、公知の金属箔、合金箔が適用可能であるが、配線形成性の観点から、電解銅箔、圧延銅箔、キャリア付銅箔が好ましい。さらに、柔軟性の観点から、１８μｍ以下の銅箔が好ましい。銅箔表面には、粗化処理、ニッケルや亜鉛など公知のメッキ処理、クロメート処理、アルミニウムアルコラート処理、アルミニウムキレート処理、シランカップリング剤処理等の表面処理を行ってもよい。
【００３５】
金属箔のポリイミドに接する側の十点平均粗さ（Ｒｚ）は高周波信号伝送性の観点から、１.０μｍ以下のものが好ましく、０．７μｍ以下がより好ましい。また、金属箔の粗度は、金属箔にポリイミドフィルムを積層するため、ポリイミドフィルムの金属箔と接する面側に保持されると考えられる。よって、ポリイミド金属積層体から、金属箔を除去し、ポリイミドフィルムの金属箔と接する面側の粗度を測定することで、ポリイミドフィルムと接していた面の金属箔の粗度とすることができる。
【００３６】
（ポリイミド金属積層体に関して）
本発明に係るポリイミド金属積層体は、ポリイミド層の片面または両面に金属層があり、該ポリイミド層は非熱可塑性ポリイミドフィルムと熱圧着可能なポリイミド層とを含む。そして、該非熱可塑性ポリイミドフィルムと金属層とが該熱圧着可能なポリイミド層を介して結合されたポリイミド金属積層体である。
【００３７】
その製造方法としては、例えば、加熱処理後に熱圧着可能なポリイミド層となるポリアミド酸溶液または可溶性ポリイミド溶液を塗布し、加熱処理を行って得た多層ポリイミド層に金属箔（以下「金属層」ともいう）を貼り合わせる方法がある。
【００３８】
上記方法では、加熱処理後に熱圧着可能なポリイミド層となるポリアミド酸溶液または可溶性ポリイミド溶液の非熱可塑性ポリイミドフィルム上への塗布は、精密な膜厚管理ができるという観点から、図１に示すバックアップロールを有する塗布装置が好ましく用いられる。図１に示すパックアップロールを用いた塗布装置は、例えば、図３に示すロール間をパスしているフィルムに塗布する従来の方法などと比較して、バックアップロールを使用した際には、フィルムがばたつかず、塗布厚みを一定に維持でき、塗布工程の後、加熱処理をすることで厚みばらつきが小さい多層ポリイミド層が得られる。バックアップロールを用いた塗布装置としては、スロットダイコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、コンマコーター、リップコーター、クローズドエッジダイコーターなどがあり、厚みに応じて適用できるが、ポリアミド酸溶液や可溶性ポリイミド溶液には吸湿し易い塗布溶剤が用いられるため、液を密閉系で用いて吸湿を抑えることができ、塗工中に液性変化が少ないという観点から、スロットダイコーターやリップコーターやクローズドエッジダイコーターが特に好ましい。
【００３９】
多層ポリイミド層として、非熱可塑性ポリイミドフィルムの両面に、熱圧着可能なポリイミド層を形成した両面接着性ポリイミド層を用いると、両面金属のポリイミド金属積層体が得られる。そのような両面接着性ポリイミド層を得るには、上記のような方法にて両面それぞれに熱圧着可能ポリイミド層となるポリアミド酸溶液または可溶性ポリイミド溶液を塗布した後、両面をまとめて加熱処理を行う方法、片面塗布後にその面がタックフリーとなる程度まで加熱処理した後さらに反対面を塗布してから両面合わせて加熱処理を行う方法、または、塗布と加熱処理を片面ずつ逐次で行う方法、いずれを用いても良い。また、両面に形成される熱圧着可能なポリイミド層の組成は同じでも、異なっていてもよい。また、それぞれの膜厚は同じでも異なっていてもよい。熱圧着可能なポリイミド層の厚みには特に制限はないが、０．５μｍ〜１０μｍが好適に利用できる。生産性および多層ポリイミド層として耐熱性を損なわないという観点から、好ましくは、０．５μｍ〜５μｍである。
【００４０】
加熱処理方法としては、非熱可塑性ポリイミドフィルムの片面に塗布する場合は、通常のロール搬送のドライヤーが使用できる。また、非熱可塑性ポリイミドフィルムの両面に塗布する場合はフローティングドライヤーが好適である。
【００４１】
加熱処理は塗布膜中に残存する溶媒量が所定量に減少するまで行う。熱圧着可能なポリイミド層内の残存溶媒量は、銅箔と積層させる際、あるいは、ポリイミド金属積層体からなるプリント配線板をはんだ耐熱試験に供した場合に発泡を防ぐという観点から、残存溶媒量が加熱処理後膜の質量に対して１質量％以下が好ましい。
【００４２】
上記の多層ポリイミド層を用いた本発明に係るポリイミド金属積層体は、該多層ポリイミド層の片側または両側に金属箔を重ね、公知の加熱および／または加圧を伴った方法により、該多層ポリイミド層と金属箔とを積層することで得ることができる。積層方法は単板プレスによるバッチ処理、熱ロールラミネートあるいはダブルベルトプレスによる連続処理等公知の方法を用いることができる。長尺を得る場合には、均一な圧力を掛けられる点でダブルベルトプレスを用いることが好ましく、特に、加熱オイルや加熱ガスといった熱媒を用いてベルトを加圧する方式のダブルベルトプレスがより均一な圧の印加が可能という点で好ましい。
【００４３】
本発明に係るポリイミド金属積層体は、リジッドフレキシブルプリント配線板やフレキシブルプリント配線板製造に用いることができる。それらプリント配線板を製造する際の積層方法における加熱方式は特に限定されるものではなく、例えば、熱循環方式、熱風加熱方式、誘導加熱方式等、所定の温度で加熱し得る従来公知の方式を採用した加熱手段を用いることができる。同様に、上記積層方法における加圧方式も特に限定されるものではなく、例えば、油圧方式、空気圧方式、ギャップ間圧力方式等、所定の圧力を加えることができる従来公知の方式を採用した加圧手段を用いることができる。
【００４４】
本発明に係るポリイミド金属積層体において、ポリイミド層の厚みばらつきは、インピーダンスの整合の観点から、１．０％以下のものが好ましく、インピーダンス整合のより厳密な管理の観点から０．６％以下がより好ましい。
【００４５】
本発明で得られるプリント配線板は、本発明に係るポリイミド層の平均厚みばらつきが１．０％以下にすることができるので、インピーダンスの整合に優れている。
【００４６】
（厚みばらつきに関して）
ポリイミド層の厚みばらつきとは、接触式膜厚計で測定した厚みデータの平均値χと標準偏差σとから、下記式（１）によって算出される変動係数ＣＶ値のことを意味する。
ＣＶ（％）＝（σ／χ）×１００  （１）
【００４７】
（十点平均粗さＲｚに関して）
本発明で言う、十点平均粗さＲｚとは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１−１９８２に記載の方法で測定したものを意味する。
【実施例】
【００４８】
本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例において、ポリイミド金属積層体におけるポリイミド層の厚み測定は、次のようにして行った。
【００４９】
［厚み測定］
ポリイミド金属積層体の金属層をエッチングで除去した後、ポリイミド層の厚みを接触式膜厚計（ミツトヨ社製：ライトマチックＶＬ−５０ＡＳ、測定力０．２６Ｎ）で測定した。厚み測定時の測定個所は、図２に示すように多層ポリイミド層が製造される方向と垂直な直線ａ上を５ｃｍ間隔で１１箇所（ａ１〜ａ１１）、直線ａから該多層ポリイミド層が製造される方向に６０ｍ離れた直線ｂ上を５ｃｍ間隔に１１箇所（ｂ１〜ｂ１１）をとり、ａ１〜ａ１１、ｂ１〜ｂ１１において厚みを測定した。また、厚みは同一箇所を３回測定し、平均値を求めた。
【００５０】
［インピーダンスばらつき測定］
ポリイミド金属積層体を用い、線路長２００ｍｍのマイクロストリップ線路を作成した。線路幅は、特性インピーダンスが５０Ωになるよう設計した。線路長２００ｍｍのマイクロストストリップ線路を１０個作成し、ＴＤＲ法（Ｔｉｍｅ  Ｄｏｍａｉｎ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ)を用いて線路の特性インピーダンスの測定を実施した。測定には、アジレントテクノロジー社ＰＮＡシリーズ８６１００Ａ−５４７５４Ａを使用した。インピーダンスのばらつきは、測定した特性インピーダンス平均値を１００％とした時の、各測定値と平均値との差を求め、差の絶対値の最大値をばらつきとした。
【００５１】
［熱圧着可能なポリイミドワニスの合成］
１リッター容量の三つ口セパラブルフラスコにテフロン（登録商標）製のイカリ型攪拌器、窒素ガス導入管及びストップコックのついたトラップの上にジムロート冷却管をつけた還流冷却器を取り付け、窒素ガス気流中で反応させた。
【００５２】
ビシクロ［２，２，２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物１２．４１ｇ（５０ミリモル）、３，５−ジアミノ安息香酸３．８０ｇ（２５ミリモル）、γ−バレロラクトン１．５ｇ（１５ミリモル）、ピリジン１．８ｇ（２０ミリモル）、γ−ブチロラクトン８０ｇとトルエン３０ｇを加えた。これに窒素ガスを通じながら１８０℃（浴温）で１時間反応した。トルエンと水の共沸物を除いた。この反応液中に、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン３６．５４ｇ（１２５ミリモル）、γ−ブチロラクトン１００ｇとトルエン１０ｇを加え、窒素ガスを通じながら室温で１時間反応した。３，５−ジアミノ安息香酸の成分量は４．６質量％であった。次いで１８０℃（浴温）で４．５時間、トルエンと水の共沸物を除きながら反応した。得られた溶液を冷却後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを加え固形分濃度を１８質量％とした。これにＮ−メチル−２−ピロリドンとメシチレンを２：１の割合で加え、固形分濃度１０質量％の熱圧着可能なポリイミドワニスを得た。
【００５３】
［実施例１］
バックアップロールを有するクローズドエッジダイコーター（井上金属工業社製）を用いて、非熱可塑性ポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製：カプトン１５０ＥＮ−Ｃ）の両面に上記の方法で合成した熱圧着可能なポリイミドワニスを、予備乾燥後の塗布膜厚みが片面あたり３μｍになるように、ライン速度１４ｍ／ｍｉｎで片面ずつ塗布し、１５０℃で予備乾燥した。さらに溶剤を揮発させるため、ロールｔｏロール式遠赤外線加熱炉を用い、温度２６５℃、ライン速度３ｍ／ｍｉｎで乾燥した。その後、ダブルベルトプレス機（加圧媒体：加熱オイル）を用いて、乾燥後のポリイミドフィルムの両面に銅箔（三井金属鉱業社製：ＮＡ−ＤＦＦ（９μｍ厚）、ポリイミドと接する側のＲｚは０.６μｍ）を積層し、ポリイミド銅箔積層体Ａを得た。
【００５４】
このポリイミド銅箔積層体Ａの銅箔をエッチングで除去した後、ポリイミド層の厚みを測定した結果、平均値は４３．３μｍ、標準偏差は０．１３μｍ、ばらつきは０．３％であった。また、このポリイミド銅箔積層板Ａを用いたプリント配線板のインピーダンスばらつきは０．８％と小さかった。
【００５５】
［実施例２］
実施例１の銅箔厚みを１２μｍに変更した以外は実施例１と同じ条件でポリイミド銅箔積層体Ｂを得た。
【００５６】
このポリイミド銅箔積層体Ｂの銅箔をエッチングで除去した後、ポリイミド層の厚みを測定した結果、平均値は４３．３μｍ、標準偏差は０．１０μｍ、ばらつきは０．２％であった。また、このポリイミド銅箔積層板Ｂを用いたプリント配線板のインピーダンスばらつきは０．６％と小さかった。
【００５７】
［実施例３］
実施例１の銅箔厚みを１８μｍに変更した以外は実施例１と同じ条件でポリイミド銅箔積層体Ｃを得た。
【００５８】
このポリイミド銅箔積層体Ｃの銅箔をエッチングで除去した後、ポリイミド層の厚みを測定した結果、平均値は４３．３μｍ、標準偏差は０．１３μｍ、ばらつきは０．３％であった。また、このポリイミド銅箔積層板Ｃを用いたプリント配線板のインピーダンスばらつきは０．８％と小さかった。
【００５９】
［実施例４］
実施例１の塗布装置をバックアップロールを有するリップコーター（ヒラノテクシード社製）に変更した以外は実施例１と同じ条件でポリイミド銅箔積層体Ｄを得た。
【００６０】
このポリイミド銅箔積層体Ｄの銅箔をエッチングで除去した後、ポリイミド層の厚みを測定した結果、平均値は４３．３μｍ、標準偏差は０．２４μｍ、ばらつきは０．６％であった。また、このポリイミド銅箔積層板Ｄを用いたプリント配線板のインピーダンスばらつきは１．４％と小さかった。
【００６１】
［実施例５］
実施例２の塗布装置をバックアップロールを有するスロットダイコーター（康井精機社製）に変更した以外は実施例２と同じ条件でポリイミド銅箔積層体Ｅを得た。
【００６２】
このポリイミド銅箔積層体Ｅの銅箔をエッチングで除去した後、ポリイミド層の厚みを測定した結果、平均値は４３．１μｍ、標準偏差は０．４３μｍ、ばらつきは１．０％であった。また、このポリイミド銅箔積層板Ｅを用いたプリント配線板のインピーダンスばらつきは２．７％と小さかった。
【００６３】
［比較例１］
実施例１の塗布装置をバックアップロールのないＲ＆Ｒ（Ｒａｉｓｉｎｇ＆Ｒｉｓｉｎｇ）コーター（ヒラノテクシード社製）に変更し、非熱可塑性ポリイミドフィルムをカプトン１５０ＥＮ−Ｆ（東レ・デュポン社製）に、銅箔（日本電解社製：ＨＬＢ（１８μｍ厚）、ポリイミドと接する側のＲｚは１．４μｍ）に変更した以外は実施例１と同じ条件でポリイミド銅箔積層体Ｆを得た。
【００６４】
このポリイミド銅箔積層体Ｆの銅箔をエッチングで除去した後、ポリイミド層の厚みを測定した結果、平均値は４２．９μｍ、標準偏差は０．９０μｍ、ばらつきは２．１％であった。また、このポリイミド銅箔積層板Ｆを用いたプリント配線板のインピーダンスばらつきは６．１％と大きかった。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明に係るポリイミド金属積層体は、インピーダンスの整合が必要なプリント配線板の配線基材に有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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