(57)【要約】【課題】レーザ照射によって流動しやすくなる条状の付着物を確実に、しかも基板の性能を損なわないように除去する。【解決手段】照射部２３からレーザＬを基板９０上の条状付着物９１に照射する。移動機構５１ｙによって、レーザＬの照射スポットＳｐを条状付着物９１ｙの延びる方向に相対移動させる第１処理動作と、照射スポットＳｐを第１処理動作での移動軌跡と並行に相対移動させる第２処理動作とを交互に行ない、かつ、偏位機構５１ｘによって、第１処理動作では、照射スポットＳｐを条状付着物９１ｙの幅方向の一側に偏らせ、第２処理動作では、照射スポットＳｐを条状付着物９１の幅方向の他側に偏らせる。好ましくは、第１処理動作と第２処理動作の切り替えの度に、ずれ幅を前回の切り替え時のずれ幅より小さくする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に付着した条状の付着物をレーザを用いて除去処理する方法であって、
前記レーザの照射スポットを、前記条状付着物の幅方向の一側に偏らせて前記条状付着物の延びる方向に前記基板に対し相対移動させる第１処理動作と、前記レーザの照射スポットを、前記幅方向の他側に偏らせて前記第１処理動作での移動軌跡と並行に前記基板に対し相対移動させる第２処理動作とを交互に行なうことを特徴とする付着物除去方法。
【請求項２】
前記条状付着物の除去処理開始からの前記第１、第２処理動作の切り替えの回数が相対的に少ないときは第１、第２処理動作どうし間の照射スポットの前記幅方向のずれ幅を相対的に大きくし、前記切り替え回数が相対的に多いときは前記ずれ幅を相対的に小さくすることを特徴とする請求項１に記載の付着物除去方法。
【請求項３】
前記第１、第２処理動作の切り替えの度にこれら処理動作どうし間の照射スポットの前記幅方向のずれ幅を直前の切り替え時のずれ幅より小さくすることを特徴とする請求項１又は２に記載の付着物除去方法。
【請求項４】
前記第１処理動作での前記照射スポットの相対移動方向と前記第２処理動作での前記照射スポットの相対移動方向とが、互いに逆向きであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の付着物除去方法。
【請求項５】
基板に付着した条状の付着物を除去処理する装置であって、
基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持された基板の前記条状付着物にレーザを収束させて照射する照射部と、
前記レーザの照射スポットが前記条状付着物の延びる方向に前記支持部に対し相対移動するよう、前記照射部又は支持部を動作させる第１処理動作と、前記照射スポットが前記第１処理動作での移動軌跡と並行に前記支持部に対し相対移動するよう、前記照射部又は支持部を動作させる第２処理動作とを交互に行なう移動機構と、
前記照射スポットが、前記第１処理動作では前記条状付着物の幅方向の一側に相対的に偏り、前記第２処理動作では前記幅方向の他側に相対的に偏るよう、前記第１、第２処理動作の切り替え時に前記照射部又は支持部を動作させる偏位機構と、
を備えたことを特徴とする付着物除去装置。
【請求項６】
前記偏位機構が、前記条状付着物の除去処理開始からの前記第１、第２処理動作の切り替えの回数が相対的に少ないときは第１、第２処理動作どうし間の照射スポットのずれ幅が相対的に大きくなるよう、かつ前記切り替え回数が相対的に多いときは前記ずれ幅が相対的に小さくなるよう、前記照射部又は支持部を動作させることを特徴とする請求項５に記載の付着物除去装置。
【請求項７】
前記偏位機構が、前記第１、第２処理動作の切り替えの度にこれら処理動作どうし間の照射スポットのずれ幅が直前の切り替え時のずれ幅より小さくなるよう、前記照射部又は支持部を動作させることを特徴とする請求項５又は６に記載の付着物除去装置。
【請求項８】
前記移動機構が、前記第１処理動作での前記照射スポットの相対移動方向と前記第２処理動作での前記照射スポットの相対移動方向とが互いに逆向きになるよう、前記照射部又は支持部を動作させることを特徴とする請求項５〜７の何れか１項に記載の付着物除去装置。
【請求項９】
前記照射スポットに前記条状付着物と反応する反応ガスを供給する反応ガス供給系を、更に備えたことを特徴とする請求項５〜８の何れか１項に記載の付着物除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の表面に条状（線状）に延びるように形成された付着物を除去する方法及び装置に関し、特に加熱により溶融して流動しやすい対象物に適した除去方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体基板の製造に使用される装置としてレチクルが知られている。レチクルは、石英からなる基板であり、その表面にＣｒ等の金属材料にて回路パターンの原版が描かれている。この回路パターンが、ステッパーと呼ばれる光学装置を用いて半導体ウェハーに転写される。レチクルにゴミ等の異物が付いていた場合、その異物も転写されてしまう。そこで、レチクルにペリクルと呼ばれるカバーを被せる。ペリクルは、透明なフィルムの周縁にアルミ等からなるフレームを設けたものである。ペリクルのフレームが、レチクルの回路パターンを囲むようにしてレチクルの表面上に配置され、接着剤にてレチクルと接着される。ペリクルの透明フィルムが、レチクルの回路パターンをペリクルのフレームの厚さ分だけ離れて覆う。したがって、異物がペリクルの透明フィルムに付着することはあっても、回路パターンに付着することはない。また、ステッパーの光路に沿ってペリクルの透明フィルムがレチクルの回路パターンに対しずれているから、透明フィルムに付いた異物が、転写対象の半導体ウェハー上で結像するのを防止できる。
【０００３】
ペリクルは汚れ具合に応じて随時交換する必要がある。交換に際し、ペリクルのフレームをレチクルから剥がすと、接着剤の一部がレチクルにこびり付いて残る。この残留接着剤は、ペリクルのフレームの跡に沿って条状になっている。一般的には、上記の残留接着剤をピラニア洗浄等のウェット洗浄にて除去する。ピラニア洗浄では、加熱された硫酸過水などの強力な薬液を用いる。この薬液にレチクルの全面を晒す。そのため、レチクルの石英や回路パターンが薬液に浸蝕され、ヘイズや損傷を招きやすい。また、回路パターンと石英の線膨張率の違いにより、パターン倒れが起きやすい。よって、ウェット洗浄は、レチクルの短寿命化の原因になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３５２８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明者等は、上記のウェット方式の問題点を解消するために、レーザを用いたドライ方式によって残留接着剤を除去することを発案した。すなわち、レーザを残留接着剤に局所的に照射し、残留接着剤を加熱して気化させ除去する。残留接着剤は条状になっているから、レーザを残留接着剤の延び方向に沿って移動させる。残留接着剤が少量で、その幅がレーザのスポット径以内の箇所では、一度のレーザ照射で残留接着剤をほぼ完全に除去できる。一方、残留接着剤が厚く、その幅がレーザのスポット径の何倍もある箇所では、レーザを一度照射するだけでは残留接着剤を除去しきれない。
【０００６】
そこで、図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、レーザＬを残留接着剤９１の延び方向（図４の紙面と直交する方向）に移動させる操作を複数回反復し、かつ反復するたびにレーザＬを残留接着剤９１の幅方向の一側から他側へ少しずつずらす。
【０００７】
しかし、図４（ｃ）に示すように、レーザＬの熱で残留接着剤９１が溶融すると、この溶融成分が、レーザに押され、レーザ照射側とは反対側すなわち上記幅方向の他側へ流動する。図４（ｄ）に示すように、レーザＬを上記幅方向の他側へ更にずらすと、残留接着剤９１の溶融成分がますます幅方向の他側へ流動する。しかも、一度流動が起きると、残留接着剤９１とレチクルとの界面が剥離しやすくなるためか、レーザ照射で気化されるよりも幅方向の他側へ流動する成分が多くなる。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、例えば上記残留接着剤等のように、レーザ照射によって流動しやすくなる条状の付着物を確実に、しかもレチクル等の基板の性能を損なわないように除去することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る付着物除去方法は、基板に付着した条状の付着物をレーザを用いて除去処理する方法であって、
前記レーザの照射スポットを、前記条状付着物の幅方向の一側に偏らせて前記条状付着物の延びる方向に前記基板に対し相対移動させる第１処理動作と、前記レーザの照射スポットを、前記幅方向の他側に偏らせて前記第１処理動作での移動軌跡と並行に前記基板に対し相対移動させる第２処理動作とを交互に行なうことを特徴とする。
また、本発明に係る付着物除去装置は、基板に付着した条状の付着物を除去処理する装置であって、
基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持された基板の前記条状付着物にレーザを収束させて照射する照射部と、
前記レーザの照射スポットが前記条状付着物の延びる方向に前記支持部に対し相対移動するよう、前記照射部又は支持部を動作させる第１処理動作と、前記照射スポットが前記第１処理動作での移動軌跡と並行に前記支持部に対し相対移動するよう、前記照射部又は支持部を動作させる第２処理動作とを交互に行なう移動機構と、
前記照射スポットが、前記第１処理動作では前記条状付着物の幅方向の一側に相対的に偏り、前記第２処理動作では前記幅方向の他側に相対的に偏るよう、前記第１、第２処理動作の切り替え時に前記照射部又は支持部を動作させる偏位機構と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この特徴によれば、レーザにて基板ひいては条状付着物を局所的に加熱できる。したがって、基板の熱損傷を防止又は抑制でき、基板の性能を維持することができる。しかも、条状付着物を幅方向の一側と他側から交互に除去処理することによって、各処理動作時に条状付着物がレーザ照射に押されてレーザ照射側とは反対側に流動したとしても、次の処理動作において上記の流動部分にレーザを直接的に照射して除去できる。したがって、条状付着物が幅方向の一側と他側の何れか一方だけに偏って流動するのを抑制できる。この結果、条状付着物を確実に除去することができる。
レーザは、基板又は条状付着物に吸収されやすい波長を有することが好ましい。
【００１０】
上記除去処理方法において、前記条状付着物の除去処理開始からの前記第１、第２処理動作の切り替えの回数が相対的に少ないときは第１、第２処理動作どうし間の照射スポットの前記幅方向のずれ幅を相対的に大きくし、前記切り替え回数が相対的に多いときは前記ずれ幅を相対的に小さくすることが好ましい。
上記除去処理装置において、前記偏位機構が、前記条状付着物の除去処理開始からの前記第１、第２処理動作の切り替えの回数が相対的に少ないときは第１、第２処理動作どうし間の照射スポットのずれ幅が相対的に大きくなるよう、かつ前記切り替え回数が相対的に多いときは前記ずれ幅が相対的に小さくなるよう、前記照射部又は支持部を動作させることが好ましい。
これによって、条状付着物の除去処理の進捗に応じて照射スポットの相対位置を調節でき、条状付着物の一側部又は他側部を確実にレーザ加熱することができる。
【００１１】
上記除去処理方法において、前記第１、第２処理動作の切り替えの度にこれら処理動作どうし間の照射スポットの前記幅方向のずれ幅を直前の切り替え時のずれ幅より小さくすることがより好ましい。
上記除去処理装置において、前記偏位機構が、前記第１、第２処理動作の切り替えの度にこれら処理動作どうし間の照射スポットのずれ幅が直前の切り替え時のずれ幅より小さくなるよう、前記照射部又は支持部を動作させることがより好ましい。
これによって、前回の同じ処理動作で処理した箇所より幅方向の少し内側を処理することができ、条状付着物の幅方向の一側部及び他側部を漸次除去していくことができる。
【００１２】
上記除去処理方法において、前記第１処理動作での前記照射スポットの相対移動方向と前記第２処理動作での前記照射スポットの相対移動方向とが、互いに逆向きであることが好ましい。
上記除去処理装置において、前記移動機構が、前記第１処理動作での前記照射スポットの相対移動方向と前記第２処理動作での前記照射スポットの相対移動方向とが互いに逆向きになるよう、前記照射部又は支持部を動作させることが好ましい。
これによって、第１処理動作の終点で向きを反転させれば第２処理動作を行なうことができ、第２処理動作の終点で向きを反転させれば第１処理動作を行なうことができる。したがって、第１処理動作の始点まで戻って第２処理動作を行なったり、第２処理動作の始点まで戻って第１処理動作を行なったりする場合より処理時間を短縮できる。
【００１３】
前記照射スポットに前記条状付着物と反応する反応ガスを供給する反応ガス供給系を、更に備えたことが好ましい。
これによって、条状付着物を確実に除去できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板の性能を損なうことなく条状の付着物の除去処理を行うことができる。しかも、付着物がレーザ照射によって溶融し流動しやすい場合でも、該付着物の流動を抑制でき、付着物を確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る条状付着物除去処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、上記条状付着物除去処理装置の連続する４つの処理動作を、レチクル基板を基準に図示した正面断面図であり、（ａ）は第１処理動作を示し、（ｂ）は第２処理動作を示し、（ｃ）は次の第１処理動作を示し、（ｄ）は次の第２処理動作を示す。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、上記条状付着物除去処理装置の連続する４つの処理動作を、レチクル基板の位置を固定して図示した平面図であり、（ａ）は第１処理動作を示し、（ｂ）は第２処理動作を示し、（ｃ）は次の第１処理動作を示し、（ｄ）は次の第２処理動作を示す。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に至る過程で行なった参考例を示し、レチクル上の残留接着剤を除去処理した動作を連続的に示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面にしたがって説明する。
図１は、本発明の一実施形態を示したものである。この実施形態の被処理基板９０は、半導体基板の製造に用いられるレチクルである。レチクル９０は、例えば石英からなる四角形の板で構成されている。図示は省略するが、レチクル９０の表面（図１において上面）には、半導体ウェハーに転写されるべき回路パターンの原版が形成されている。９０の使用の際は、９０上にペリクルを設置し、上記回路パターンをペリクルにて覆う。汚れたペリクルを交換するためにレチクル９０から剥がすと、ペリクルのフレームが在った跡に残留接着剤９１が現れる。残留接着剤９１は、ペリクルのフレームとレチクル９０とを接着していた接着剤の一部であり、レチクル９０の表面にこびり付いたものである。残留接着剤９１は、レチクル９０の４つの縁に沿って条状（線状）に延び、全体として四角形の枠状になっている。残留接着剤９１の幅は例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。残留接着剤９１の内側に上記回路パターン（図示省略）が配置されている。
【００１７】
本実施形態の除去処理装置１は、上記レチクル９０の残留接着剤９１（条状付着物）を除去するのに用いられる。除去処理装置１は、支持部１０と、レーザ照射系２０と、反応ガス供給系３０と、吸引系４０を備えている。支持部１０は、四角形のステージにて構成されている。支持部１０の上面にレチクル９０が位置決めされて設置される。レチクル９０の２つの辺ひいては残留接着剤９１の２つの辺がｘ方向（左右方向）に向けられている。レチクル９０の他の２つの辺ひいては残留接着剤９１の他の２つの辺がｙ方向（前後方向）に向けられている。
【００１８】
支持部１０には、Ｘ−Ｙ方向スライド機構５１と回転機構５２が接続されている。Ｘ−Ｙ方向スライド機構５１は、Ｘ方向スライド機構５１ｘとＹ方向スライド機構５１ｙを含んでいる。図１では簡略化して図示されているが、Ｘ方向スライド機構５１ｘは、ｘ方向に延びるスライドガイドやスライド駆動部を含み、支持部１０をｘ方向に移動させる。Ｙ方向スライド機構５１ｙは、ｙ方向に延びるスライドガイドやスライド駆動部を含み、支持部１０をｙ方向に移動させる。回転機構５２は、回転駆動部を含み、支持部１０を鉛直な支持軸１１のまわりに回転させる。
【００１９】
レーザ照射系２０は、レーザ発振装置２１と、照射部２３を有している。レーザ発振装置２１からレーザＬが発振される。レーザは、半導体レーザでもよく、炭酸ガスレーザでもよく、ヘリウムネオンレーザでもよく、アルゴンレーザでもよく、ＹＡＧレーザでもよい。レーザは、被処理基板９０又は除去対象９１に吸収されやすい波長を有していることが好ましい。
【００２０】
図１において仮想線で示すように、除去処理装置１は、処理ヘッド２を備えている。処理ヘッド２は、図示しない架台によって支持部１０の上方に位置するよう支持されている。処理ヘッド２の内部に照射部２３が収容されている。照射部２３は、伝送路２２を介してレーザ発振装置２１と光学的に接続されている。伝送路２２は、ミラーやレンズを組み合わせて構成されていてもよく、光ファイバーにて構成されていてもよい。レーザ発振装置２１及び伝送路２２についても処理ヘッド２内に収容されていてもよい。
【００２１】
詳細な図示は省略するが、照射部２３にはレンズ等の収束光学系が設けられている。レーザ発振装置２１からのレーザＬが、伝送路２２によって照射部２３に伝送され、照射部２３の収束光学系から下方へ収束するように出射される。レーザＬは、残留接着剤９１の左側のｙ方向に延びる部分９１ｙ上又はその近傍で焦点を結び、上記残留接着剤９１ｙ上又はその近傍にレーザＬの照射スポットＳｐが配置される。照射スポットＳｐの大きさ（レーザ径）は、半値全幅（ＦＷＨＭ）で０．１ｍｍ〜３ｍｍ程度である。
【００２２】
反応ガス供給系３０は、反応ガス供給源３１と、供給ノズル３３を有している。反応ガス供給源３１は、例えばオゾナイザーにて構成されている。オゾナイザーは、酸素（Ｏ２）を原料にしてオゾン（Ｏ３）を生成する。反応ガス供給源３１から供給路３２が延びている。供給路３２に供給ノズル３３が連なっている。供給ノズル３３は、処理ヘッド２に収容されている。供給ノズル３３は、細い管状になっている。供給ノズル３３は、照射スポットＳｐよりｙ方向の奥側に配置され、かつ平面視でｙ方向に延びるとともに、先端に向かうにしたがって下に傾けられている。供給ノズル３３の延長線上に照射スポットＳｐがほぼ位置される。反応ガス供給源３１のオゾン含有ガス（反応ガス）が、供給路３２を経て供給ノズル３３から該供給ノズル３３の延長線に沿って吹き出される。
【００２３】
吸引系４０は、吸引手段４１と、吸引ノズル４３を有している。吸引ノズル４３は、処理ヘッド２に収容されている。吸引ノズル４３は、供給ノズル３３より太い管状になっている。吸引ノズル４３は、平面視で照射スポットＳｐを挟んで供給ノズル３３とは反対側（ｙ方向の手前側）に配置され、かつ平面視でｙ方向に延びるとともに、先端に向かうにしたがって下に傾けられている。吸引ノズル４３の先端部の近傍に照射スポットＳｐがほぼ位置される。
【００２４】
吸引ノズル４３の基端部から吸引路４２が延びている。吸引路４２が、吸引手段４１に接続されている。吸引手段４１は、吸引ポンプや除害設備を含む。吸引手段４１の駆動によって、吸引ノズル４３の先端部の周辺のガスが吸引ノズル４３に吸い込まれ、吸引路４２を経て、吸引手段４１で除害処理されたうえで排出される。
【００２５】
上記構成の除去処理装置１によってレチクルすなわち被処理基板９０の残留接着剤９１を除去する方法を説明する。
レーザ照射系２０のレーザＬを照射部２３から下方へ放射する。このレーザＬが、残留接着剤９１のｙ方向に延びる部分９１ｙ上又はその近傍のレチクル表面にスポット状に照射される。この照射スポットＳｐのレチクル９０にレーザＬのエネルギーが吸収される。これによって、レチクル９０が局所的に加熱される。この熱が残留接着剤９１に伝わる。これによって、残留接着剤９１の照射スポットＳｐの周辺部分を局所的に高温化でき、局所的に気化させることができる。さらに、反応ガス供給系３０の反応ガス（Ｏ２＋Ｏ３）を供給ノズル３３から吹き出す。反応ガスは、レチクル９０の照射スポットＳｐの周辺部分に局所的に吹き付けられる。ひいては、残留接着剤９１の局所加熱された部分に反応ガスが接触する。これによって、残留接着剤９１が局所的に反応ガスと反応してアッシングされる。この結果、残留接着剤９１を局所的に確実に除去できる。さらに、照射スポットＳｐの周辺の処理済みの反応ガス及び反応副生成物を吸引系４０の吸引ノズル４３にて吸い込み、排出する。
【００２６】
この除去処理方法によれば、レチクル９０を局所的に加熱するものであり、レチクル９０の全体を加熱するものではないため、レチクル９０の残留接着剤９１より内側の石英部分や回路パターンに熱の影響が及ぶのを防止できる。さらに、反応ガスを加熱箇所に局所的に吹き付け、かつその直近で吸引するため、レチクル９０の残留接着剤９１より内側の石英部分や回路パターンが反応ガスによって損傷を受けるのを防止できる。これによって、レチクル９０の長寿命化を図ることができる。
【００２７】
上記レーザＬの照射及び反応ガスの給排と併行して、処理ヘッド２と支持部１０を相対移動させ、照射スポットＳｐを残留接着剤９１の延び方向に相対移動させる。すなわち、Ｙ方向スライド機構５１ｙにて支持部１０をｙ方向に移動させる。これによって、残留接着剤９１の除去範囲をｙ方向に進展させ、残留接着剤９１の左側のｙ方向に延びる部分９１ｙの全体を除去できる。
【００２８】
残留接着剤９１が薄く幅細の場合、１回の相対移動で除去できる。残留接着剤９１が厚肉又は幅広の場合、上記相対移動を複数回反復して除去処理する。残留接着剤９１の厚さ及び幅は、非接触式の段差計（図示せず）等を用いて測定できる。測定結果に応じて、残留接着剤９１の一部分が厚肉又は幅広である場合、その部分だけを複数回反復して除去処理してもよく、更には測定結果に応じて反復回数を調節してもよい。
【００２９】
残留接着剤９１が厚肉で幅広の場合の除去処理方法について詳述する。
図２及び図３に示すように、この場合の除去処理方法は、第１処理動作（図２（ａ）及び（ｃ）、図３（ａ）及び（ｃ））と、第２処理動作（図２（ｂ）及び（ｄ）、図３（ｂ）及び（ｄ））を含む。第１処理動作と第２処理動作を交互に実行する。第１処理動作では、レーザＬの照射スポットＳｐを、残留接着剤９１ｙの左側（幅方向の一側）に偏らせて、上記残留接着剤９１ｙが延びるｙ方向にレチクルすなわち基板９０に対し相対移動させる。第２処理動作では、レーザＬの照射スポットＳｐを、残留接着剤９１ｙの右側（幅方向の他側）に偏らせて、第１処理動作での移動軌跡と並行に基板９０に対しｙ方向に相対移動させる。しかも、上記照射スポットＳｐの偏り（ずれ幅）を段階的に小さくし、好ましくは処理動作を切り替える度に小さくする。以下、更に詳述する。
【００３０】
図２（ａ）及び図３（ａ）に示すように、第１処理動作の実行に際し、Ｘ方向スライド機構５１ｘによって支持部１０をｘ方向に位置調節し、照射スポットＳｐが残留接着剤９１ｙの左側に偏るようにする。Ｘ方向スライド機構５１ｘは、偏位機構を構成する。そして、レーザＬの照射及び反応ガスの給排を行ないながら、Ｙ方向スライド機構５１ｙによって支持部１０をｙ方向（図２の紙面と直交する方向）の手前側から奥側へ移動させる。したがって、照射部２３を含む処理ヘッド２ひいては照射スポットＳｐが、基板９０に対しｙ方向の奥側（図３（ａ）の上側）から手前側（図３（ａ）の下側）へ相対移動する。Ｙ方向スライド機構５１ｙは、移動機構を構成する。移動機構５１ｙによって照射スポットＳｐを残留接着剤９１ｙの全長にわたって相対移動させる。これによって、残留接着剤９１ｙの左側の部分が気化又はアッシングされて除去される。また、残留接着剤９１ｙが軟化又は溶融してレーザ照射に押されるように流動し、図２（ａ）及び図３（ａ）において仮想線で示すように、残留接着剤９１ｙの一部９１ａがレーザ照射側とは反対側すなわち右側へずれる場合がある。
なお、最初の第１処理動作では、基板９０に対して、照射スポットＳｐを残留接着剤９１ｙより左外側に外れた位置に合わせることが好ましい。この時の照射スポットＳｐと残留接着剤９１ｙの左側の縁との距離は残留接着剤９１ｙの幅の平均値の約半分程度の大きさとすることが好ましい。これによって、残留接着剤９１ｙの左側部分を漏れなく確実に除去できる。
【００３１】
図２（ｂ）及び図３（ｂ）に示すように、上記の第１処理動作の後、第２処理動作に切り替える。切り替え時に、Ｘ方向スライド機構５１ｘすなわち偏位機構５１ｘによって支持部１０を左側にずらす。したがって、相対的に、照射部２３を含む処理ヘッド２が、基板９０ひいては残留接着剤９１ｙに対し右側にずれる。除去処理の初期段階のずれ幅Ｐ１は、比較的大きくする。ずらす期間、レーザ照射を第１処理動作から継続して行なってもよく中断してもよい。反応ガスの吹出し又は吸引操作についても同様である。そして、レーザ照射及び反応ガス給排を中断した場合はこれを再開したうえで、Ｙ方向スライド機構すなわち移動機構５１ｙによって支持部１０をｙ方向の奥側から手前側へ移動させる。したがって、照射部２３ひいては照射スポットＳｐが、基板９０に対しｙ方向の手前（図３（ｂ）の下側）から奥側（図３（ｂ）の上側）へ相対移動する。これによって、残留接着剤９１ｙの右側の部分が気化又はアッシングされて除去される。このとき除去される残留接着剤９１ｙの右側部分は、直前の第１処理動作（図２（ａ））で右側に流動して来た部分９１ａを含む。この流動部分９１ａにレーザＬを直接的に照射でき、かつ反応ガスを直接的に吹き付けることができる。これによって、流動部分９１ａを確実に除去することができる。一方、図２（ｂ）及び図３（ｂ）において仮想線で示すように、残留接着剤９１ｙの一部９１ｂが、レーザ照射に押されて左側へ流動し得る。
【００３２】
第２処理動作での照射スポットＳｐの相対移動の向きは、第１処理動作での向きとは逆向きである。したがって、支持部１０を第１処理動作の終了時のｙ方向位置から折り返すことで第２処理動作に移行できる。支持部１０を第１処理動作の開始時のｙ方向位置に戻したうえで第２処理動作を行なう必要がなく、処理時間を短縮できる。
なお、最初の第２処理動作では、基板９０に対して、照射スポットＳｐを残留接着剤９１ｙより右外側に外れた位置に合わせることが好ましい。この時の照射スポットＳｐと残留接着剤９１ｙの右側の縁との距離は残留接着剤９１ｙの幅の平均値の約半分程度の大きさとすることが好ましい。これによって、残留接着剤９１ｙの右側部分を漏れなく確実に除去できる。
【００３３】
続いて、図２（ｃ）及び図３（ｃ）に示すように、第２処理動作から再び第１処理動作に切り替える。切り替え時に、偏位機構５１ｘによって支持部１０を右側にずらすことにより、相対的に照射部２３を基板９０ひいては残留接着剤９１ｙに対し左側にずらす。ずれ幅Ｐ２は、前回の切り替え時のずれ幅Ｐ１より小さくする（Ｐ２＜Ｐ１）。連続する２回の切り替え時のずれ幅どうしの差ΔＰは、例えばΔＰ＝０．１ｍｍ程度とするのが好ましい。したがって、照射スポットＳｐの基板９０に対する相対位置が、前回の第１処理動作での位置（図２（ａ））よりΔＰだけ右側すなわち残留接着剤９１ｙの内側へずれる。そして、移動機構５１ｙによって支持部１０をｙ方向の手前から奥側へ移動させることにより、照射部２３ひいては照射スポットＳｐを基板９０に対しｙ方向の奥側（図３（ｃ）の上側）から手前（図３（ｃ）の下側）へ相対移動させる。これによって、前回の第１処理動作（図２（ａ））で処理した後の残留接着剤９１ｙの左側部分を気化又はアッシングして除去処理することができる。このとき除去される残留接着剤９１ｙの左側部分は、直前の第２処理動作（図２（ｂ））で左側に流動して来た部分９１ｂを含む。この流動部分９１ｂにレーザＬを直接的に照射でき、かつ反応ガスを直接的に吹き付けることができる。これによって、流動部分９１ｂを確実に除去することができる。一方、図２（ｃ）及び図３（ｃ）において仮想線で示すように、残留接着剤９１ｙの一部９１ｃが、レーザ照射に押されて右側へ流動し得る。
支持部１０を第２処理動作の終了時のｙ方向位置から折り返すことで第１処理動作に移行でき、処理時間を短縮できる点は、上述した第２処理動作への移行操作と同様である。
【００３４】
続いて、図２（ｄ）及び図３（ｄ）に示すように、第１処理動作から再び第２処理動作に切り替える。切り替え時に、偏位機構５１ｘによって支持部１０を左側にずらすことにより、相対的に照射部２３を基板９０ひいては残留接着剤９１ｙに対し右側にずらす。ずれ幅Ｐ３は、前回の切り替え時のずれ幅Ｐ２よりΔＰだけ小さくする（Ｐ３＜Ｐ２）。したがって、照射スポットＳｐの基板９０に対する相対位置が、前回の第２処理動作での位置（図２（ｂ））よりΔＰだけ左側すなわち残留接着剤９１ｙの内側にずれる。そして、移動機構５１ｙによって支持部１０をｙ方向の奥側から手前へ移動させることにより、照射部２３ひいては照射スポットＳｐを基板９０に対しｙ方向の手前（図３（ｄ）の下側）から奥側（図３（ｄ）の上側）へ相対移動させる。これによって、前回の第２処理動作（図２（ｂ））で除去処理した後の残留接着剤９１ｙの右側部分を気化又はアッシングして除去処理することができる。このとき除去される残留接着剤９１ｙの右側部分は、直前の第１処理動作（図２（ｃ））で右側に流動して来た部分９１ｃを含む。この流動部分９１ｃにレーザＬを直接的に照射でき、かつ反応ガスを直接的に吹き付けることができる。これによって、流動部分９１ｃを確実に除去することができる。一方、図２（ｄ）及び図３（ｄ）において仮想線で示すように、残留接着剤９１ｙの一部９１ｄが、レーザ照射に押されて左側へ流動し得る。
【００３５】
以上のようにして、残留接着剤９１ｙの左側部分を除去処理する第１処理動作と、残留接着剤９１ｙの右側部分を除去処理する第２処理動作を交互に行なう。これによって、各処理動作の際に残留接着剤９１ｙがレーザ照射に押されてレーザ照射側とは反対側に流動したとしても、その流動部分９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄを次に実行する処理動作において確実に除去できる。したがって、残留接着剤９１ｙが左右の何れか一方向だけに偏って流動するのを抑制又は防止できる。この結果、第１、第２処理動作を繰り返すことで残留接着剤９１の全体を確実に除去することができる。
【００３６】
残留接着剤９１の１つの辺９１ｙの除去が終了したときは、回転機構５２によって支持部１０を９０°回転させ、更にＸ−Ｙ方向スライド機構５１によって、残留接着剤９１の別の辺がｙ方向に向き、かつ照射部２３の直下に配置されるようにする。そして、上記と同様の操作を行ない、残留接着剤９１の上記別の辺を除去する。このようにして、残留接着剤９１の４つの辺のすべてを除去する。
【００３７】
本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、当業者に自明の範囲で態様を種々改変することができる。
例えば、基板９０を固定し、処理ヘッド２ひいては照射部２３を移動又は偏位させることにしてもよい。照射部２３内の収束光学系の照射角度を調節することによって、照射スポットＳｐを移動又は偏位させることにしてもよい。
ずれ幅を処理動作の切り替えの度に小さくするのに限られず、切り替えを複数回行なうごとに小さくしてもよい。ずれ幅を一定にし、第１処理動作での照射スポットＳｐの幅方向位置と第２処理動作での照射スポットＳｐの幅方向位置をそれぞれ固定してもよい。
条状付着物９１は、各辺が直線状に延びている場合に限られず、曲線状に延びていてもよい。条状付着物９１が全体として円形になっていてもよい。条状付着物９１が環状（円形、四角形の枠状など）である場合、第１処理動作では照射スポットＳｐを条状付着物９１の外周縁及び内周縁のうち一方の周縁の全周に沿って相対移動させた後、第２処理動作に切り替え、第２処理動作では照射スポットＳｐを条状付着物９１の外周縁及び内周縁のうち他方の周縁の全周に沿って相対移動させた後、第１処理動作に切り替えることにしてもよい。
第２処理動作の相対移動の向きを、第１処理動作とは逆向きとするのに代えて、第１処理動作と同じ向きにしてもよい。
供給ノズル３３及び吸引ノズル４３の形状、位置、先端の向き等は、実施形態に限られず、種々の改変をなすことができる。例えば、吸引ノズル４３を平面視で供給ノズル３３と直交するように配置してもよい。反応ガス供給系３０の反応ガス成分は、処理対象物９１の材質に応じて適宜選択するとよい。反応ガス供給源３１として、大気圧近傍下で反応ガスをプラズマ化するプラズマ生成部を用いてもよい。
条状付着物９１がレーザ加熱のみで除去できる場合、反応ガス供給系３０及び吸引系４０を省略してもよい。
本発明は、レチクルの残留接着剤の除去に限られず、種々の基板に付着した付着物の除去に適用できる。付着物は接着剤に限られず、レジスト等の有機物でもよく、無機物でもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、例えば半導体装置の製造分野におけるレチクルの残留接着剤の除去に適用できる。
【符号の説明】
【００３９】
１      除去処理装置
２      処理ヘッド
１０    支持部
１１    支持軸
２０    レーザ照射系
２１    レーザ発振装置
２２    伝送路
２３    照射部
３０    反応ガス供給系
３１    反応ガス供給源
３２    供給路
３３    供給ノズル
４０    吸引系
４１    吸引手段（吸引ポンプ、除害設備）
４２    吸引路
４３    吸引ノズル
５１    Ｘ−Ｙ方向スライド機構
５１ｘ  Ｘ方向スライド機構（偏位機構）
５１ｙ  Ｙ方向スライド機構（移動機構）
５２    回転手段
９０    レチクル（基板）
９１，９１ｙ    残留接着剤（条状付着物）
９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄ  流動部分
Ｌ      レーザ
Ｓｐ    照射スポット
【図１】
2010160352.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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