(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴのドレイン領域との間を容易に電気接続することができるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子と、ＴＦＴと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴとの間に、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設ける。【選択図】図１
2010186755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極および下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機ＥＬ素子と、当該有機ＥＬ素子の発光制御用の薄膜トランジスタと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、
有機ＥＬ素子の下部電極を形成する際の平坦化された下地として平坦化膜が設けてあり、
前記有機ＥＬ素子と前記薄膜トランジスタとの間で、該平坦化膜の側端の斜面上に非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設けたこと、を特徴とするアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記非結晶性導電酸化物が、インジウム亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記非結晶性導電酸化物の比抵抗を１×１０−３Ω・ｃｍ以下の値とすることを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記非結晶性導電酸化物が、ドーパントを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記上部電極および下部電極、あるいはいずれか一方の電極を、インジウム亜鉛酸化物あるいはインジウムスズ酸化物から構成してあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記下部電極と、前記電気接続部材とが、非結晶性導電酸化物を用いて一体的に形成してあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記電気接続部材の一部に、メタライズ部が設けてあることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記電気接続部材の厚さを０．０１〜１００μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記有機ＥＬ素子における発光面側に、蛍光媒体およびカラーフィルタ、あるいはいずれか一方の色変換媒体が設けてあることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記色変換媒体が、前記有機ＥＬ素子と薄膜トランジスタを支持する支持基板内に埋設してあることを特徴とする請求項９に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と称する場合がある。）、およびその製造方法に関する。さらに詳しくは、発光制御用の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する場合がある。）を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、およびその製造方法に関する。
なお、本願明細書の特許請求の範囲等に記載している「ＥＬ」は、「エレクトロルミネッセンス」を省略表記したものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、陽極層および陰極層の間に有機発光層を挟持して構成した有機ＥＬ素子を、ＸＹマトリックス状に配置した電極構造により駆動させる単純駆動型アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が知られており、例えば、特許文献１や、特許文献２に開示されている。
このような単純駆動型有機ＥＬ表示装置では、いわゆる線順次駆動を行うので、走査線数が数百本ある場合には、要求される瞬間輝度が、観察輝度の数百倍となり、結果として、以下のような問題が生じていた。
（１）駆動電圧が、直流定常電圧の場合の２〜３倍以上と高くなるため、発光効率が低下したり、消費電力が大きくなる。
（２）瞬間的に流れる電流量が数百倍となるため、有機発光層が劣化しやすい。
（３）（２）と同様に、電流量が非常に大きいため、電極配線における電圧降下が大きくなる。
【０００３】
そのため、単純駆動型有機ＥＬ表示装置の有する問題点を解決すべく、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ，thin  film  transistor）を備えて、有機ＥＬ素子を駆動させる各種のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が提案されている。
このようなアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の構造例を図１８に示すが、単純駆動型有機ＥＬ表示装置と比較して、駆動電圧が大幅に低電圧化し、発光効率が向上し、しかも、消費電力が低減できる等の効果を得ることができる。
しかしながら、このようなアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置２０４においても、有機ＥＬ素子２０２と、ＴＦＴ２００との間を電気接続しようとしても、接続信頼性や耐湿性等に乏しいという問題が見られた。
例えば、電気接続部材として、アルミニウムやクロム等の金属薄膜を用いて電気接続することが提案されているが、有機ＥＬ素子２０２の透明電極２０９と、電気接続部材との間で容易に剥離したり、あるいは、周囲の水分により電気接続部材が腐食したり、さらには、マイグレーションが生じてリーク電流が発生するなどの問題が見られた。なお、図１８上、透明電極２０９と、電気接続部材とを一体的に表示してある。
【０００４】
また、特許文献３や、特許文献４には、図１９に示すように、有機ＥＬ素子１２６と、ＴＦＴ１３７とを具備するとともに、これらの部材１２６、１３７を電気接続するための複合材料からなる電気接続部材１２８を有するアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置１００が開示されている。
すなわち、複合材料からなる電気接続部材１２８として、下層１５０の低抵抗材料からなる金属薄膜と、上層１５１の耐食性に優れた窒化チタン薄膜とから構成された電気接続部材１２８が開示されており、アルミニウム／窒化チタン、タングステン／窒化チタン、またはモリブテン／窒化チタン等からなるバリアメタルが使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平２−３７３８５号公報
【特許文献２】特開平３−２３３８９１号公報
【特許文献３】特開平８−３３０６００号公報
【特許文献４】特開平１０−２５４３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献３や、特許文献４に開示された電気接続部材１２８は、下層１５０の金属薄膜と、上層１５１の窒化チタン薄膜とを正確に重ね合わせて形成しなければならず、エッチング精度が乏しくなったり、製造工程数が多くなるなどの製造上の問題が見られた。
また、電気接続部材１２８として、金属薄膜および窒化チタン薄膜からなるバリアメタルを用いたとしても、当該バリアメタルの、有機ＥＬ素子１２６の透明電極１２２に対する接続信頼性が、未だ乏しいという問題も見られた。
【０００７】
そこで、本発明の発明者らは上記問題を鋭意検討したところ、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間の電気接続部材を、特定の酸化物から構成することにより、上述した問題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明は、有機ＥＬ素子とＴＦＴとの間の電気接続部材を非結晶性導電酸化物から構成することにより、製造が容易であり、しかも有機ＥＬ素子の透明電極との接続信頼性に優れたアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、およびこのようなアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が効率的に得られる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、上部電極および下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機ＥＬ素子と、当該有機ＥＬ素子の発光制御用のＴＦＴと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置であり、有機ＥＬ素子と、薄膜トランジスタとの間に、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設けたアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が提供される。
このように有機ＥＬ表示装置を構成することにより、非結晶性導電酸化物が有する良好な耐湿性や耐熱性の特性を生かして、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間で、良好な接続信頼性を得ることができる。
また、非結晶性導電酸化物は、エッチング特性に優れるとともに、有機酸等を用いてもエッチングが可能であることから、高精細の電気接続部材を容易に設けることができる。
【０００９】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、上部電極および下部電極のいずれか一方の電極が、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）あるいはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から構成してあることが好ましい。
このように構成すると、上部電極あるいは下部電極と、非結晶性導電酸化物、例えば、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなる電気接続部材との電気接続性がより良好となる。
【００１０】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、非結晶性導電酸化物の比抵抗を１×１０-3Ω・ｃｍ以下の値とすることが好ましい。
このように構成すると、電気接続部材に使用可能な構成材料の種類が過度に制限されることもなく、また、抵抗損失も少なくなる。
【００１１】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、非結晶性導電酸化物が、ドーパントを含むことが好ましい。
このように構成することにより、電気接続部材の導電率の調整がより容易になる。
【００１２】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、上部電極および下部電極あるいは陰極層のいずれか一方と、電気接続部材とが、非結晶性導電酸化物、例えば、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）により一体的に形成してあることが好ましい。
このように構成すると、より優れた電気接続性が得られ、しかも形成が容易となるばかりか、電気接続箇所の数を減少することができる。
【００１３】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、電気接続部材の少なくとも一部に、メタライズ部が設けてあることが好ましい。
このように構成すると、有機ＥＬ素子、およびＴＦＴにおけるそれぞれの電気接続部材での接続抵抗を、より低抵抗化することができる。
【００１４】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、電気接続部材の厚さを０．０１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成すると電気接続部材での抵抗損失を少なくできるとともに、所定の耐久性や均一な成膜性を得ることができる。
【００１５】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、有機ＥＬ素子のＥＬ発光側に、蛍光媒体およびカラーフィルタ、あるいはいずれか一方の色変換媒体を有することが好ましい。
このように構成することにより、外部に取り出した発光をカラーフィルター又は蛍光媒体で色変換して、フルカラー表示を行うことができる。
【００１６】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、色変換媒体が、支持基板内に埋設してあることが好ましい。
このように構成すると、色変換媒体の固定が容易となるばかりか、ＴＦＴの接続箇所と、有機ＥＬ素子との接続箇所との段差を少なくすることができるため、より優れた電気接続性を得ることができる。
【００１７】
また、本発明の別の態様は、上部電極および下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子の発光制御用のＴＦＴと、これらの有機ＥＬ素子およびＴＦＴの間を電気接続するための電気接続部材と、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、
ＴＦＴを形成する工程と、
非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を形成する工程と、
有機ＥＬ素子を形成する工程と、
を含むことを特徴としている。
このように実施すると、有機ＥＬ表示装置において、良好な接続信頼性を有し、かつ、精度に優れた電気接続部材を形成することができる。
【００１８】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、下部電極と、電気接続部材とを、非結晶性導電酸化物を用いて一体的に形成することが好ましい。
このように実施すると、電気接続部材を容易かつ短時間で形成することができるとともに、電気接続箇所を減少させることができる。
【００１９】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材を、スパッタリング法により形成することが好ましい。
このように実施することにより、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を容易かつ精度良く形成することができる。
【００２０】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材を、ゾル−ゲル法により形成することが好ましい。
このように実施することにより、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を塗布および比較的低温加熱により容易に形成することができる。
【００２１】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材を、有機酸によりエッチングして形成することが好ましい。
このように実施することにより、ＴＦＴや有機ＥＬ素子の一部にＡｌやＣｒを使用している場合であっても、当該ＡｌやＣｒを侵すことなく、非結晶性導電酸化物のみをエッチングすることができる。
【００２２】
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材の少なくとも一部を、メタライズ化する工程を含むことが好ましい。
このように実施することにより、電気接続箇所でのさらなる低抵抗化や、優れた接続信頼性を有するアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置によれば、電気接続部材を非結晶性導電酸化物から構成することにより、有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴのドレイン領域との間を容易に、しかも高い接続信頼性で電気接続することが可能になった。
また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、このようなアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施形態におけるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】下部電極の構造例を示す図である。
【図３】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構造を説明するために供する図である。
【図４】ＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す回路図である。
【図５】ＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す平面透視図である。
【図６】インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のＸ線回折チャートの一例を示す図である。
【図７】電気接続部材の変形例（ビアホール）を示す図である。
【図８】電気接続部材の変形例（メタライズ）を示す図である。
【図９】第２の実施形態におけるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１０】斜行部材を説明するために供する図である。
【図１１】第３の実施形態におけるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１２】ＴＦＴの位置調節層を説明するために供する図である。
【図１３】ＴＦＴの形成工程の一部を示す図である。
【図１４】第４の実施形態におけるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造工程図である（その１）。
【図１５】第４の実施形態におけるアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造工程図である（その２）。
【図１６】電気接続部材の変形例（一体成形）を示す図である。
【図１７】電気接続部材のエッチング工程を示す図である。
【図１８】従来のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の断面図である（その１）。
【図１９】従来のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の断面図である（その２）。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。また、図面では、断面を表すハッチングを省略する場合がある。
【００２６】
［第１の実施形態］
第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、
支持基板１０と、
この支持基板１０上の電気絶縁膜１２（ゲート絶縁膜を兼ねる。）に埋設されたＴＦＴ１４と、
このＴＦＴ１４上に形成された層間絶縁膜（平坦化膜）１３と、
この層間絶縁膜１３上に形成された有機ＥＬ素子２６と、
この有機ＥＬ素子２６の発光面側に設けられた色変換媒体６０と、
さらに、これらのＴＦＴ１４および有機ＥＬ素子２６を電気接続するための非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材２８と、
を備えた有機ＥＬ表示装置３０である。
以下、第１の実施形態において、図１等を適宜参照しながら、その構成要素等について説明する。
【００２７】
１．支持基板
有機ＥＬ表示装置における支持基板（以下、基板と称する場合がある。）は、有機ＥＬ素子や、ＴＦＴ等を支持するための部材であり、そのため機械的強度や、寸法安定性に優れていることが好ましい。
このような基板としては、具体的には、ガラス板、金属板、セラミックス板、あるいはプラスチック板（ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等）等を挙げることができる。
【００２８】
また、これらの材料からなる基板は、有機ＥＬ表示装置内への水分の侵入を避けるために、さらに無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布することにより、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。
特に、有機発光媒体への水分の侵入を避けるために、基板における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。具体的に、支持基板の含水率を０．０００１重量％以下の値およびガス透過係数を１×１０-13ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ2・ｓｅｃ．ｃｍＨｇ以下の値とすることがそれぞれ好ましい。
なお、第１の実施形態では、基板と反対側、すなわち、上部電極側からＥＬ発光を取り出すため、基板は必ずしも透明性を有する必要はない。
【００２９】
２．有機ＥＬ素子
（１）有機発光媒体
有機発光媒体は、電子と正孔とが再結合して、ＥＬ発光が可能な有機発光層を含む媒体と定義することができる。かかる有機発光媒体は、例えば、下部電極上に、以下の各層を積層して構成することができる。
[1]有機発光層
[2]正孔注入層／有機発光層
[3]有機発光層／電子注入層
[4]正孔注入層／有機発光層／電子注入層
[5]有機半導体層／有機発光層
[6]有機半導体層／電子障壁層／有機発光層
[7]正孔注入層／有機発光層／付着改善層
これらの中で、[4]の構成が、より高い発光輝度が得られ、耐久性にも優れていることから通常好ましく用いられる。
【００３０】
ａ．構成材料
有機発光媒体における発光材料としては、例えば、ｐ−クオーターフェニル誘導体、ｐ−クィンクフェニル誘導体、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、金属キレート化オキシノイド化合物、オキサジアゾール系化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、ブタジエン系化合物、ナフタルイミド化合物、ペリレン誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体、ポリフェニル系化合物等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。
【００３１】
また、これらの有機発光材料のうち、芳香族ジメチリディン系化合物としての、４，４´−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル（ＤＴＢＰＢＢｉと略記する。）や、４，４´−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉと略記する。）、およびこれらの誘導体がより好ましい。
さらに、ジスチリルアリーレン骨格等を有する有機発光材料をホスト材料とし、当該ホスト材料に、ドーパントとしての青色から赤色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系材料、あるいはホストと同様の蛍光色素をドープした材料を併用することも好適である。より具体的には、ホスト材料として、上述したＤＰＶＢｉ等を用い、ドーパントとして、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノベンゼン（ＤＰＡＶＢと略記する。）等を用いることが好ましい。
【００３２】
ｂ．厚さ
また、有機発光媒体の厚さについては特に制限はないが、例えば、厚さを５ｎｍ〜５μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、有機発光媒体の厚さが５ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合があり、一方、有機発光媒体の厚さが５μｍを超えると、印加電圧の値が高くなる場合があるためである。
したがって、有機発光媒体の厚さを１０ｎｍ〜３μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３３】
（２）電極
以下、上部電極および下部電極について説明する。ただし、有機ＥＬ素子の構成に対応して、これらの上部電極および下部電極が、陽極層および陰極層に該当したり、あるいは、陰極層および陽極層に該当する場合がある。
【００３４】
ａ．下部電極
下部電極は、有機ＥＬ表示装置の構成に応じて陽極層あるいは陰極層に該当するが、例えば、陽極層に該当する場合には、仕事関数の大きい（例えば、４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、金、白金、パラジウム等の電極材料を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を２種以上組み合わせて使用することが好ましい。
これらの電極材料を使用することにより、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、ＣＶＤ法(Chemical  Vapor  Deposition）、ＭＯＣＶＤ法(Metal  Oxide  Chemical  Vapor  Deposition）、プラズマＣＶＤ法（Plasma  Enhanced  Chemical  Vapor  Deposition）等の乾燥状態での成膜が可能な方法を用いて、均一な厚さを有する下部電極を形成することができる。
なお、下部電極側からＥＬ発光を取り出す場合には、当該下部電極を透明電極とする必要がある。その場合、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＣｕＩｎ、ＳｎＯ２，ＺｎＯ等の透明導電性材料を使用して、ＥＬ発光の透過率を７０％以上の値とすることが好ましい。
【００３５】
また、下部電極の膜厚も特に制限されるものではないが、例えば、１０〜１０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのがより好ましい。
この理由は、下部電極の膜厚をこのような範囲内の値とすることにより、例えば、導電性があり、かつ、７０％以上のＥＬ発光の透過率を得ることができるためである。
【００３６】
ｂ．上部電極
一方、上部電極についても、有機ＥＬ表示装置の構成に対応して陽極層あるいは陰極層に該当するが、例えば、陰極層に該当する場合には、陽極層と比較して、仕事関数の小さい（例えば、４．０ｅＶ未満）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物あるいは含有物を使用することが好ましい。
具体的には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、セシウム、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、インジウム、希土類金属、これらの金属と有機発光媒体材料との混合物、およびこれらの金属と電子注入層材料との混合物等からなる電極材料を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を２種以上組み合わせて使用することが好ましい。
【００３７】
また、上部電極の膜厚についても、特に制限されるものではないが、具体的に１０〜１，０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのがより好ましい。
この理由は、上部電極の膜厚をこのような範囲内の値とすることにより、導電性があり、かつ、１０％以上のＥＬ発光の透過率を得ることができ、より好ましくは７０％以上のＥＬ発光の透過率を得ることができるためである。
【００３８】
ｃ．構造１
また、下部電極２２の構造を、図２（ａ）、および（ｂ）に示すように、先端部２９を分岐させたり、穴開き円形としたり、あるいは、図２（ｃ）、および（ｄ）に示すように、先端部２９に垂直方向の窪みや、凹凸構造を設けることが好ましい。
このように構成すると、下部電極に対する電気接続部材２８の密着性を向上させることができるとともに、電気接続部材の接触面積が大きくなり、接続抵抗を有効に低下させることができる。
なお、図２（ａ）〜（ｄ）において、電気接続部材の接続位置が理解可能なように、点線で電気接続部材２８を示してある。また、この接続構造は、この場合の逆の構造、すなわち、図２において、電気接続部材の先端を実線部分とし、下部電極を点線で示す部分としてもよい。
その他、図示はしないが、下部電極と、電気接続部材との間の接続抵抗をさらに低下するために、下部電極の一部にメタライズ部やバンプを設けることも好ましい。
【００３９】
ｄ．構造２
一方、上部電極２０は、図１に示すように、透明性導電材料からなる主電極１６と、低抵抗材料からなる補助電極１８とから構成することが好ましい。
このように構成することにより、上部電極２０側からＥＬ発光を取り出した場合であっても、補助電極１８により上部電極２０の面抵抗を低下させることができる。また、上部電極２０側からＥＬ発光を取り出すことができるため、ＴＦＴを設けた場合であっても開口率を大きくすることができる。
さらには、このように構成することにより、ＴＦＴの配置が容易になるため、有機発光媒体に流れる電流密度が低減でき、結果として、有機発光媒体の寿命を著しく伸ばすことができる。
【００４０】
（３）層間絶縁膜
第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置における層間絶縁膜は、有機ＥＬ素子およびＴＦＴの近傍または周辺に存在し、主に、蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸を平坦化して、有機ＥＬ素子の下部電極を形成する際の平坦化された下地として使用される。また、層間絶縁膜は、高精細な配線材料を形成するための電気絶縁、有機ＥＬ素子の下部電極と上部電極との間の電気絶縁（短絡防止）、ＴＦＴの電気絶縁や機械的保護、さらには、ＴＦＴと有機ＥＬ素子との間の電気絶縁等を目的として用いられる。
したがって、第１の実施形態において、層間絶縁膜は、必要に応じて、平坦化膜、電気絶縁膜、隔壁、スぺーサー、斜行部材等の名称で呼ぶ場合があり、本発明では、いずれをも包含するものである。
【００４１】
ａ．構成材料
層間絶縁膜に用いられる構成材料としては、通常、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、環状ポリオレフィン、ノボラック樹脂、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
【００４２】
また、層間絶縁膜を無機酸化物から構成する場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケイ素（ＳｉＯ2またはＳｉＯx）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3またはＡｌＯx）酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3またはＹＯx）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2またはＧｅＯx）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯまたはＭｇＯx）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、ほう酸（Ｂ2Ｏ3）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）等を挙げることができる。なお、無機酸化物を表す構造式中のｘは、１〜３の範囲内の値である。
また、特に耐熱性が要求される場合には、これらの層間絶縁膜の構成材料のうち、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド、環状ポリオレフィン、エポキシ樹脂、無機酸化物を使用することが好ましい。
なお、これらの層間絶縁膜は、感光性基を導入してフォトリソグラフィー法で所望のパターンに加工するか、印刷手法にて所望のパターンに形成することが好ましい。
【００４３】
ｂ．層間絶縁膜の厚さ等
層間絶縁膜の厚さは、表示の精細度、有機ＥＬ素子と組み合わせられる蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸にもよるが、好ましくは１０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸を十分に平坦化できるとともに、高精細表示の視野角依存性を低減することができるためである。
したがって、層間絶縁膜の厚さを１００ｎｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００４４】
ｃ．形成方法
層間絶縁膜の形成方法は特に制限されるものではないが、例えば、スピンコート法、キャスト法、スクリーン印刷法等の方法を用いて成膜するか、あるいは、スパッタリング法、蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、イオンプレーティング法等の方法で成膜することが好ましい。
【００４５】
３．薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
（１）構成
第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の実施形態（変形例を含む。）は、図１および図３〜図５に示すように、基板１０上に、少なくとも一つのＴＦＴ１４と、このＴＦＴ１４により駆動される有機ＥＬ素子２６とを有している。
また、このＴＦＴ１４と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２との間には、平坦化された層間絶縁膜１３が配設してあり、かつＴＦＴ１４のドレイン４７と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２とが、層間絶縁膜１３に設けられた非結晶性導電無機酸化物からなるコンタクトホール５４を介して電気的に接続されている。
【００４６】
また、図４の回路図が示すように、ＴＦＴ１４には、ＸＹマトリックス状に配設された複数（ｎ本、ｎは、例えば１〜１、０００の範囲内の値）の走査電極線（Ｙj〜Ｙj+n）５０と信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）５１が電気接続されており、さらに、この信号電極線５１に対して平行に設けられた共通電極線（Ｃi〜Ｃi+n）５２が、ＴＦＴ１４に電気接続してある。
そして、これらの電極線５０、５１、５２が、ＴＦＴ１４に電気接続されており、コンデンサー５７とともに、有機ＥＬ素子２６を駆動させるための電気スイッチを構成していることが好ましい。すなわち、かかる電気スイッチは、走査電極線５０および信号電極線５１等に電気接続されているとともに、例えば、１個以上の第１のトランジスタ（以下、Ｔｒ１と称する場合がある。）５５と、第２のトランジスタ（以下、Ｔｒ２と称する場合がある。）５６と、コンデンサー５７とから構成してあることが好ましい。
なお、第１のトランジスタ５５は、発光画素を選択する機能を有し、第２のトランジスタ５６は、有機ＥＬ素子を駆動する機能を有していることが好ましい。
【００４７】
また、図３に示すように、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６の活性層４４は、ｎ型にドーピングされた半導体領域４５、４７、およびドーピングされていない半導体領域４６から構成されており、ｎ+／ｉ／ｎ+と表すことができる。
そして、ｎ型にドーピングされた半導体領域が、それぞれソース４５およびドレイン４７となり、ドーピングされていない半導体領域の上方にゲート酸化膜１２を介して設けられたゲート４３とともに、全体として、トランジスタ５５、５６を構成することになる。
【００４８】
なお、活性層４４において、ｎ型にドーピングされた半導体領域４５、４７を、ｎ型の代わりにｐ型にドーピングして、ｐ+／ｉ／ｐ+とした構成であっても良い。また、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６の活性層４４は、ポリシリコン等の無機半導体や、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等の有機半導体から構成してあることが好ましい。特に、ポリシリコンは、アモルファスＳｉ（α−Ｓｉ）に比べて、通電に対し充分な安定性を示すことから、好ましい材料である。
【００４９】
（２）駆動方法
次ぎに、ＴＦＴによる有機ＥＬ素子の駆動方法につき説明する。
ＴＦＴは、図４に示す回路図のように、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６を含んでいるととともに、電気スイッチを構成していることが好ましい。
すなわち、このように電気スイッチを構成することにより、ＸＹマトリックスの電極を介して走査信号パルスおよび信号パルスを入力し、スイッチ動作を行わせることにより、有機ＥＬ素子２６を駆動させることができる。
より具体的に言えば、電気スイッチにより、有機ＥＬ素子２６を発光させたり、あるいは発光を停止させることにより、画像表示を行うことが可能である。
【００５０】
このように電気スイッチによって有機ＥＬ素子２６を駆動させるに際し、走査電極線（ゲート線と称する場合がある。）（Ｙj〜Ｙj+n）５０を介して伝達される走査パルスと、信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）５１を介して伝達される走査パルスによって、所望の第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５が選択され、共通電極線（Ｃi〜Ｃi+n）５２と第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５のソース４５との間に形成してあるコンデンサー５７に所定の電荷が充電されることになる。
これにより第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のゲート電圧が一定値となり、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６はＯＮ状態となる。そして、このＯＮ状態において、次にゲートパルスが伝達されるまでゲート電圧がホールドされるため、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のドレイン４７に接続されている有機ＥＬ素子２６の下部電極２２に電流を供給しつづけることになる。
したがって、供給された電流により、有機ＥＬ素子２６を駆動することが可能になり、有機ＥＬ素子２６の駆動電圧を大幅に低下させるとともに、発光効率が向上し、しかも、消費電力を低減することができるようになる。
【００５１】
４．電気接続部材
（１）構成材料
ａ．種類１
第１の実施形態では、電気接続部材を非結晶性導電酸化物から構成することを特徴としている。
すなわち、緻密な非結晶性導電酸化物が有する優れた耐湿性や、耐熱性等の特性をいかして、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間の良好な電気接続を得ることができる。
また、非結晶性導電酸化物が有する優れたエッチング特性をいかして、優れた精度を有する電気接続部材を容易に形成することができる。
【００５２】
また、第１の実施形態では、電気接続部材の構成材料の結晶構造をアモルファス（非結晶）とすることが必要である。
この理由は、かかる構成材料を非結晶とすることにより、エッチング特性が飛躍的に向上し、高精細な電極ピッチを形成することができるためである。
ただし、電気接続部材の構成材料の全体量を１００重量％としたときに、一部結晶構造を含むことも可能であるが、その場合であっても結晶構造の含有量を３重量％以下の値とすることが好ましく、１重量％以下の値とすることがより好ましく、０．５重量％以下の値とすることがさらに好ましい。
また、電気接続部材の構成材料における非結晶性は、後述する真空蒸着法やスパッタリング法の条件（ターゲットの種類を含む。）、あるいは、添加するドーパントの種類や添加量を調整することにより、容易に制御することができる。そして、かかる構成材料の非結晶性は、Ｘ線回折構造を測定することにより確認することができる。
例えば、図６に、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のＸ線回折チャート例を示すが、このように２θが５°〜６０°において結晶ピークが観察されないことから、電気接続部材の構成材料が非結晶であることが確認できる。
【００５３】
ｂ．種類２
また、好ましい非結晶性導電酸化物の具体例としては、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらのうち、特に幅広い焼結温度、例えば１００〜７００℃の焼結温度において、非結晶性とすることができるとともに、得られた薄膜の耐湿性が優れていることから、インジウム亜鉛酸化物であることが好ましい。
また、このような非結晶性導電酸化物をゾル−ゲル法で作製する場合には、酢酸インジウム、酢酸亜鉛等のカルボン酸塩、塩化インジウム、塩化亜鉛等の塩化物、インジウムエトキシド、亜鉛エトキシド等のアルコキシ化合物を原料化合物とすることが好ましい。
なお、これらの非結晶性導電酸化物の原料化合物において、優れた保存安定性を得るとともに、より均一な薄膜が得られることから、アルカノールアミン等の有機溶媒を使用することが好ましい。
【００５４】
ｃ．種類３
また、非結晶性導電酸化物が、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）であり、インジウムのモル比をＩｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表した場合に、当該モル比を０．５〜０．９５の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるインジウムのモル比が、０．５未満となると透明性や導電率が低下する場合があるためであり、一方、かかるインジウムのモル比が、０．９５を超えると、結晶しやすくなる場合があるためである。
したがって、かかるインジウムのモル比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ））を０．７５〜０．９０の範囲内の値とすることがより好ましく、０．８〜０．９０の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、かかるインジウムのモル比は、ＩＣＰ分析（Inductively  Coupled  Plasma）により、測定することができる。
【００５５】
ｄ．種類４
また、非結晶性導電酸化物中に、ドーパントを含むことが好ましい。このようにドーパントを含むことにより、非結晶性導電酸化物の導電率の調整がより容易となる。
ここで、好ましいドーパントとしては、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
なお、このようなドーパントは、スパッタ法の場合には、予めスパッタリングターゲットに混合して、そのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることが好ましく、一方、ゾル−ゲル法の場合にはゾル状態で均一に添加することができることから、ジメトキシスズ、トリメトキシアンチモン、トリエトキシガリウム、テトラメトキシゲルマニウム等のアルコキシ化合物や、塩化スズ、塩化アンチモン、塩化ガリウム、塩化ゲルマニウム等の塩化物として添加することが好ましい。
【００５６】
また、ドーパントの添加量を、全体量に対して、０．１〜５０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるドーパントの添加量が０．１重量％未満となると、添加効果が発現しない場合があるためであり、一方、かかるドーパントの添加量が５０重量％を超えると、耐熱性や耐湿性が低下する場合があるためである。
したがって、ドーパントの添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、１０〜２０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００５７】
ｅ．比抵抗
また、電気接続部材における構成材料の比抵抗を１×１０-3Ω・ｃｍ以下の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる比抵抗が１×１０-3Ω・ｃｍを超えると、抵抗損失が過度に大きくなり、ＴＦＴのスイッチ動作に支障を来す場合があるためである。
したがって、電気接続部材における構成材料の比抵抗を５×１０-4Ω・ｃｍ以下の値とすることがより好ましく、１×１０-4Ω・ｃｍ以下の値とすることがさらに好ましい。
【００５８】
ｆ．面抵抗
また、電気接続部材の面抵抗を０．０１〜１００Ω／□の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる面抵抗が０．０１Ω／□未満となると、使用可能な構成材料の種類が過度に制限される場合があるとともに、ＩＴＯやＩＺＯ等からなる下部電極（透明電極）との電気接続性が低下する場合があるためである。一方、かかる面抵抗が１００Ω／□を超えると、抵抗損失が過度に大きくなり、ＴＦＴのスイッチ動作に支障を来す場合があるためである。
したがって、電気接続部材の面抵抗を０．１〜２０Ω／□の範囲内の値とすることがより好ましく、０．１〜１０Ω／□の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００５９】
（２）構成２
また、図７に示すように、電気接続部材が、層間絶縁膜１３内に形成したビアホール４０であることも好ましい。
このように電気接続部材がビアホールであれば、接触面積を大きくすることができるため、良好な電気接続性が得られるためである。
また、ビアホールの口径を０．１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、ビアホールの口径が０．１μｍ未満となると、形成するのが困難となったり、接続信頼性が低下する場合があるためである。一方、ビアホールの口径が１００μｍを超えると、逆に形成するのが困難となったり、隣接するビアホール間でショートが発生しやすくなる場合があるためである。
なお、このようなビアホールは、例えば、フォトエッチング法や、機械的切削により形成することが好ましい。
【００６０】
（３）構成３
また、図８に示すように、電気接続部材２８を非結晶性導電酸化物から構成するとともに、当該電気接続部材２８の一部または全面にメタライズ部３１および３５が設けてあることが好ましい。
このように構成すると、電気接続部材２８と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２との間、およびＴＦＴ１４との間におけるそれぞれの電気接続箇所での接続抵抗を、より低抵抗化することができる。
ここで、メタライズ部３１および３５は同一の形成材料から構成されていてもよく、あるいは、それぞれが異なる形成材料から構成されていてもよい。また、メタライズ部の好ましい形成材料としては、例えば、アルミニウム、白金、金、銀、銅、ニッケル、クロム、タンタル、タングステン、ＴｉＮ、ＴａＮ等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。これらの金属であれば、接続端部での接続抵抗を、確実に低抵抗化することができるためである。
また、特にメタライズ部３１ではアルミニウムを、またメタライズ部３５ではクロムやタングステンをそれぞれ用いて形成することが好ましい。このように構成すると、上部電極側でも、下部電極側でも、接続端部での接続抵抗をより低抗化することができるとともに、上部電極側の耐腐食性も向上させることができる。
さらに、メタライズ部の形成方法についても特に制限されるものではないが、例えば、メッキ法、蒸着法、あるいは、スパッタリング法を採ることが好ましい。
【００６１】
なお、メタライズ部の厚さは、電気接続箇所での接続抵抗の値を考慮して定めることが好ましいが、具体的に、０．０１〜５０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、メタライズ部の厚さが０．０１μｍ未満の値となると、電気接続箇所での接続抵抗の値が低下しない場合があるためであり、一方、５０μｍを超えると、メタライズ部の形成に時間がかかる場合があるためである。
したがって、メタライズ部の厚さを０．０１〜３０μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．０３〜１０μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００６２】
（４）構成４
また、図１に示すように、電気接続部材２８の厚さを０．０１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、電気接続部材の厚さが０．０１μｍ未満となると、耐久性が乏しくなったり、抵抗損失が著しく大きくなる場合があるためであり、一方、かかる厚さが１００μｍを超えると、形成するのに過度に時間がかかったり、脆くなる場合があるためである。
したがって、電気接続部材の厚さを０．０１〜８０μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．０３〜５０μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００６３】
５．色変換媒体
色変換媒体としては、カラーフィルタや、ＥＬ発光とは異なる色を発光するための蛍光膜があるが、これらの組合わせも含むものである。
【００６４】
（１）カラーフィルタ
ａ．構成
カラーフィルタは、光を分解またはカットして色調整またはコントラストを向上するために設けられ、色素のみからなる色素層、または色素をバインダー樹脂中に溶解または分散させて構成した層状物として構成される。
また、カラーフィルタの構成として、青色、緑色、赤色の色素を含むことが好適である。このようなカラーフィルタと、白色発光の有機ＥＬ素子とを組み合わせることにより、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカラー表示が可能であるためである。
なお、カラーフィルタは、蛍光媒体と同様に、印刷法や、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることが好ましい
【００６５】
ｂ．厚さ
カラーフィルタの厚さは、有機ＥＬ素子の発光を十分に受光（吸収）するとともに、色変換機能を妨げるものでなければ、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．５μｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１μｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、カラーフィルタの厚さが５μｍ以上の値になると、その上に設けてある下部電極の高さ位置が高くなって、当該下部電極と、ＴＦＴとの電気接続の信頼性が低下することが判明している。したがって、本発明の傾斜した電気接続部材は、カラーフィルタの厚さが５μｍ以上の値の場合に、その効果をより発揮することができると言える。
【００６６】
（２）蛍光媒体
ａ．構成
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置における蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有しており、平面的に分離配置された層状物として構成されている。各蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光領域、例えば下部電極と上部電極との交差部分の位置に対応して配置してあることが好ましい。
このように構成することにより、下部電極と上部電極との交差部分における有機発光層が発光した場合に、その光を各蛍光媒体が受光して、異なる色（波長）の発光を外部に取り出すことが可能になる。特に、有機ＥＬ素子が青色発光するとともに、蛍光媒体によって、緑色、赤色発光に変換可能な構成とすると、一つの有機ＥＬ素子であっても、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカラー表示が可能であることから好適である。
【００６７】
また、各蛍光媒体間に、有機ＥＬ素子の発光及び各蛍光媒体からの光を遮断して、コントラストを向上させ、視野角依存性を低減するための遮光層（ブラックマトリックス）を配置することも好ましい。
なお、蛍光媒体は、外光によるコントラストの低下を防止するため、上述したカラーフィルタと組み合せて構成してもよい。
【００６８】
ｂ．形成方法
蛍光媒体が、主に蛍光色素からなる場合は、所望の蛍光媒体のパターンが得られるマスクを介して、真空蒸着またはスパッタリング法で成膜することが好ましい。
一方、蛍光媒体が、蛍光色素と樹脂からなる場合は、蛍光色素と樹脂と適当な溶剤とを混合、分散または可溶化させて液状物とし、当該液状物を、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォトリソグラフィー法で所望の蛍光媒体のパターンにパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望のパターンにパターニングして、蛍光媒体を形成するのが好ましい。
【００６９】
ｃ．厚さ
蛍光媒体の厚さは、有機ＥＬ素子の発光を十分に受光（吸収）するとともに、蛍光の発生機能を妨げるものでなければ、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．５μｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１μｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、蛍光媒体の厚さが５μｍ以上の値になると、下部電極と、ＴＦＴとの電気接続の信頼性が低下することは、カラーフィルタの場合と同様である。したがって、本発明の傾斜した電気接続部材は、蛍光媒体を設けた場合であっても、その厚さが５μｍ以上の場合に、その効果をより発揮することができると言える。
【００７０】
［第２の実施形態］
第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図９に示すように、
支持基板１０と、
この支持基板１０上に形成されたＴＦＴ１４および色変換媒体６０と、
この色変換媒体６０の側端６１に設けられた斜面６２上に形成された非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材２８と、
色変換媒体６０上に形成された有機ＥＬ素子２６と、
を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置３４である。
このように電気接続部材２８を色変換媒体６０の斜面に沿って設けることにより、電気接続部材２８が色変換媒体６０の熱膨張等に追随しやすくなるので、ＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２６との間で、より優れた接続信頼性を得ることができる。
以下、第２の実施形態において、図９および図１０を適宜参照しながら、特徴点について説明する。
【００７１】
（１）構成１
図９に示すように、電気接続部材２８を傾斜させて設けることが好ましい。このように構成すると、電気接続部材２８の形成が容易となり、しかも、有機ＥＬ素子２６と、ＴＦＴ１４との間で、電気接続部材２８がバネ的な動作をするため、良好な接続信頼性を得ることができる。
また、電気接続部材２８を傾斜させる場合に、図９に示す電気接続部材２８の傾斜角度（θ）を１０°〜８０°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる傾斜角度が８０°を超えると、電気接続部材の形成が困難となる場合があるためであり、一方、かかる傾斜角度が１０°未満となると、開口率が低下する場合があるためである。
したがって、電気接続部材の傾斜角度を２０°〜７０°の範囲内の値とすることがより好ましく、３０°〜６０°の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００７２】
（２）構成２
また、図９に示すように、色変換媒体６０自体の側端６１を斜面６２としてあるとともに、当該斜面６２に沿って、電気接続部材２８が設けてあることが好ましい。
このように構成すると、色変換媒体６０の側端６１を電気接続部材２８の支持部として利用することができ、傾斜した電気接続部材２８を容易に設けることができる。
また、このように構成すると、色変換媒体６０が加熱されて熱膨張した場合であっても、電気接続部材２８が容易に追随することができるので、優れた接続信頼性を得ることができる。例えば、色変換媒体６０の側端６１を傾斜角度１０°〜８０°の斜面６２としておき、スパッタリング法等を用いて、金属薄膜を積層するだけで、傾斜した電気接続部材２８を容易に設けることができる。
【００７３】
（３）構成３
また、図１０に示すように、電気絶縁性材料を用いて、色変換媒体６０の側端６１に斜行部材６３を設けることも好ましい。
このように斜行部材６３を設けることにより、色変換媒体６０が熱膨張等した場合であっても、当該斜行部材６３が緩衝材となって、電気接続部材２８を介して、優れた接続信頼性を得ることができる。なお、この斜行部材は、色変換媒体上の平坦化膜として形成してもよい。
また、斜行部材６３の構成材料としては、層間絶縁膜と同様の電気絶縁性材料を使用することが好ましい。したがって、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）等を使用することが好ましい。
なお、斜行部材６３の形態についても一部に斜面が設けてあれば特に制限されるものではないが、概ね三角形であることが好ましい。
【００７４】
［第３の実施形態］
第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１１に示すように、
支持基板１０と、
この上に形成されたＴＦＴ１４および色変換媒体６０と、
この色変換媒体６０上に形成された有機ＥＬ素子２６と、
このＴＦＴ１４および有機ＥＬ素子２６の下部電極２２を電気接続するための非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材２８と、
有機ＥＬ素子２６の周囲を覆う封止部材５８と、
を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置３６である。
そして、第３の実施形態では、色変換媒体６０の一部を層間絶縁膜１２内に埋設してあることを特徴としている。
以下、第３の実施形態において、図１１を適宜参照しながら、特徴点について説明する。
【００７５】
（１）埋設構造
有機ＥＬ表示装置３６において、色変換媒体６０の一部または全部を、層間絶縁膜１２内、または支持基板１０内に埋設することが好ましい。
このように構成することにより、特別な固定手段を用いることなく、色変換媒体を強固に固定することができるとともに、その上に形成する下部電極２２の位置を低下させることができる。
したがって、色変換媒体の取り扱いが容易になるばかりか、ＴＦＴにおける電気接続箇所（ドレイン電極）の位置と、下部電極における電気接続箇所の位置との段差を小さくすることができる。
よって、電気接続部材の長さを短くすることができ、電気接続部材における電気接続が容易になるばかりか、抵抗損失を小さくすることができることから、有機ＥＬ素子の駆動が良好となる。
【００７６】
また、色変換媒体をどの程度埋設するかは、ＴＦＴと、下部電極との間の電気接続の容易性や接続信頼性を考慮して定めることが好ましいが、具体的に、色変換媒体の埋設量を０．１〜５μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる埋設量が０．１μｍ未満になると、厚手の色変換媒体においては、電気接続部材２８の長さがほとんど短縮されない場合があるためであり、一方、かかる埋設量が５μｍを超えると、色変換媒体を埋設するのが困難となる場合があるためである。
したがって、かかる埋設量を０．２〜４μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．３〜３μｍの範囲内の値とすることがよりさらに好ましい。
なお、色変換媒体を支持基板内に埋設する方法についても特に制限されるものではないが、例えば、支持基板の該当箇所を切削することによって、色変換媒体の一部を埋設することが好ましい。
【００７７】
（２）位置調節層
また、第３の実施形態において、図１２に示すように、ＴＦＴの位置調節層３３を設けることも好ましい。
このように構成することにより、位置調節層３３の厚さを変えるだけで、その上に形成するＴＦＴ１４における接続箇所の位置を高くすることができる。したがって、ＴＦＴ１４における電気接続箇所（ドレイン電極）の位置と、下部電極２２における電気接続箇所の位置との段差を小さくすることができ、電気接続部材２８の長さを短くしたり、電気接続部材２８における抵抗損失を小さくすることができる。
【００７８】
また、位置調節層の厚さは、ＴＦＴと、下部電極との間の電気接続の容易性や接続信頼性を考慮して定めることが好ましいが、具体的に、位置調節層の厚さを０．１〜５μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、位置調節層の厚さが０．１μｍ未満になると、厚手の色変換媒体においては、電気接続部材２８の長さがほとんど短縮されない場合があるためであり、一方、かかる位置調節層の厚さが５μｍを超えると、形成するのが困難となる場合があるためである。
したがって、位置調節層の厚さを０．２〜４μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．３〜３μｍの範囲内の値とすることがよりさらに好ましい。
【００７９】
また、位置調節層の構成材料についても、特に制限されるものではないが、層間絶縁膜と同様の電気絶縁性材料を使用することが好ましい。したがって、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）等を使用することが好ましい。
なお、位置調節層の形成方法についても特に制限されるものではないが、例えば、蒸着法や光硬化性樹脂を用いた光硬化法を用いて形成することが好ましい。
【００８０】
（３）封止用部材
有機ＥＬ表示装置における封止用部材は、内部への水分侵入を防止するために当該アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の周囲に設けるか、さらには、このように設けた封止用部材と、有機ＥＬ表示装置との間に、公知の封止媒体、例えば、乾燥剤、ドライガス、フッ化炭化水素等の不活性液体を封入することが好ましい。また、かかる封止用部材は、蛍光媒体や、カラーフィルターを上部電極の外部に設ける場合の、支持基板としても使用することができる。
このような封止用部材としては、支持基板と同種の材料、例えば、ガラス板を用いることができる。また、封止用部材の形態についても、特に制限されるものでなく、例えば、板状やキャップ状とすることが好ましい。そして、例えば、板状とした場合、その厚さを、０．０１〜５ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。
さらに、封止用部材は、有機ＥＬ表示装置の所定場所に溝等を設けておき、それに圧入して固定することも好ましいし、あるいは、光硬化型の接着剤等を用いて、有機ＥＬ表示装置の所定場所に固定することも好ましい。
【００８１】
［第４の実施形態］
第４の実施形態は、図１に示す第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０の製造方法であって、具体的に、支持基板１０上に、電気絶縁膜１２に埋設されたＴＦＴ１４と、上部電極２０および下部電極２２の間に有機発光媒体２４を含んでなる有機ＥＬ素子２６と、これらのＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２６とを電気接続するための電気接続部材２８と、を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置３０の製造方法である。
そして、第４の実施形態では、図１３、図１４、および図１５に示すように、ＴＦＴ１４を形成する工程と、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材２８を形成する工程と、有機ＥＬ素子２６を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
以下、第４実施形態において、図１３、図１４および図１５等を適宜参照しながら、その特徴部分等について説明する。
【００８２】
（１）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の形成工程
ＴＦＴの形成工程（アクティブマトリックス基板の作製工程）について、図１３（ａ）〜（ｉ）を参照しながら、説明する。
【００８３】
ａ．活性層の形成
まず、図１３（ａ）に示すように、支持基板１０上に、減圧ＣＶＤ（Low  Pressure  Chemical  Vapor  Deposition,ＬＰＣＶＤ）等の手法により、α−Ｓｉ層７０を積層する。
この時、α−Ｓｉ層７０の厚さを、４０〜２００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。また、用いられる基板１０は、水晶のような結晶材料が好ましいが、より好ましくは、低膨張ガラスである。なお、低膨張ガラス基板を用いる場合には、製造工程全体において、溶融したり、歪みが発生するのを回避し、さらには、能動領域内にドーパントの外側拡散（out-diffusion）を回避するために低温プロセス温度、例えば、１，０００℃以下、より好ましくは６００℃以下で実施するのが好ましい。
【００８４】
次いで、図１３（ｂ）に示すように、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）レーザーなどのエキシマーレーザーをα−Ｓｉ層７０に照射して、アニール結晶化を行い、ポリシリコンとする（SID´96、Digest  of  technical  papers  p１７〜２８参照）。
このエキシマレーザーを用いたアニーリング条件として、基板温度を１００〜３００℃の範囲内の値、およびエキシマレーザー光のエネルギー量を１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2の範囲内の値とするのが好ましい。
【００８５】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、アニール処理して結晶化されたポリシリコンを、フォトリソグラフィによりアイランド状にパターン化する。なお、エッチングガスとしては、優れた解像度が得られることからＣＦ4ガスを用いることが好ましい。
次いで、図１３（ｄ）に示すように、得られたアイランド化ポリシリコン７１および基板１０の表面に、絶縁ゲート材料７２を化学蒸着（ＣＶＤ）等により積層して、ゲート酸化物絶縁層７２とする。
このゲート酸化物絶縁層７２は、好ましくはプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、または減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）のような化学蒸着（ＣＶＤ）が適用可能なように二酸化シリコンから構成することが好ましい。
また、ゲート酸化物絶縁層７２の厚さを、１００〜２００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。
さらに、基板温度としては２５０〜４００℃が好ましく、さらに高品質の絶縁ゲート材料を得るためには、アニールを３００〜６００℃で、１〜３時間程度施すのが好ましい。
【００８６】
次いで、図１３（ｅ）に示すように、ゲート電極７３を、蒸着またはスパッタリングで成膜して形成する。なお、ゲート電極７３の好ましい構成材料としては、ＴａＮ等が挙げられ、その厚さを、２００〜５００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。
次いで、図１３（ｆ）〜（ｈ）に示すように、ゲート電極７３をパターニングするとともに、陽極酸化を行う。また、Ａｌゲートを使用するときは、図１３（ｆ）〜（ｈ）に示すように、電気絶縁するために陽極酸化を２回にわたり行うのが好ましい。なお、陽極酸化の詳細に関しては、特公平８−１５１２０号公報に詳細に開示されている。
次いで、図１３（ｉ）に示すように、イオンドーピング（イオン注入）により、ｎ+またはｐ+のドーピング領域を形成し、活性層を形成して、ソースおよびドレインとする。なお、イオンドーピングを有効に行うことができるように、イオンドーピング中に、窒素ガスを導入するとともに、３００℃、３時間程度の条件で加熱処理をすることが好ましい。
【００８７】
一方、ゲート電極７３として、α−シリコンから形成されたポリシリコンを用いることも好ましい。すなわち、ポリシリコンゲート電極７３を、ゲート絶縁層上に形成した後、砒素等のｎ型ドーパントをイオンインプラントし、さらにその後に、ソース領域とドレイン領域を、それぞれポリシリコン領域内に形成可能なように、ポリシリコンアイランド上にフォトリソグラフィすることによりパターン化して形成することができる。
なお、ポリシリコンからなるゲート電極７３は、コンデンサーの底部電極として供することができる。
【００８８】
ｂ．信号電極線および走査電極線の形成
次に、図示はしないが、得られた活性層上に電気絶縁層、例えばＳｉＯ層をＥＣＲＣＶＤ法（Electron  Cyclotron  Resonance  Chemical  Vapor  Deposition）により設けた後、信号電極線および走査電極線（配線電極と称する場合もある。）等の形成および連結をする。具体的に、信号電極線および走査電極線の形成、およびコンデンサーの上部電極の形成、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のソースと走査電極線との連結、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５のソースと信号電極線との連結等を行う。
その際、Ａｌ合金、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏなどの金属線を、フォトリソグラフィ法により形成するとともに、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のドレイン、ソースなどのコンタクトは、これらの表面側に設けた電気絶縁層の開口部を傾斜した状態で設けておき、蒸着法等を用いて形成することが好ましい。
【００８９】
ｃ．層間絶縁膜の形成
次の段階では、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、チッ化シリコン、ポリイミドなどで構成される層間絶縁膜を、活性層およびその上の電気絶縁層全体にわたり適用する。
なお、二酸化シリコンからなる絶縁膜は、ＰＥＣＶＤ法により、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを供給して、基板温度２５０〜４００℃の条件で得ることができる。
また、層間絶縁膜は、ＥＣＲＣＶＤ法により、基板温度を１００〜３００℃の範囲内の温度条件としても得ることができる。
ただし、これらの無機絶縁膜では平坦化するのに、一般に時間がかかるため、有機物からなる層間絶縁膜を形成することがより好ましい。
【００９０】
（２）電気接続部材の形成工程
ａ．形成方法１
また、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材の形成方法として、真空蒸着法およびスパッタリング法あるいはいずれか一方の薄膜形成法を採用することが好ましい。
このような薄膜形成方法を使用することにより、電気接続部材を傾斜させて形成した場合であっても、均一な厚さを有する電気接続部材を容易に得ることができるためである。
また、このようにして形成した薄膜からなる電気接続部材は、耐久性に優れており、加熱したり、振動等を与えても優れた接続信頼性が得られるためである。
なお、真空蒸着法およびスパッタリング法条件については、特に制限されるものではないが、例えば、ＩＺＯを用いて、ＤＣスパッタリング法により電気接続部材を形成する場合、スパッタガス圧を０．１〜５Ｐａの範囲内の値とし、電力を０．１〜１０Ｗ／ｃｍ2の範囲内の値とし、成膜速度を５〜１００ｎｍ／分の範囲内の値とし、およびスパッタ面の温度を５０〜２００℃の範囲内の値とすることが好ましい。
【００９１】
ｂ．形成方法２
また、図１６に示すように、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材２８と、下部電極２２とを一体的に形成することが好ましい。図１６上、電気接続部材２８と、下部電極２２との間に繋ぎ目が無いのはこのことを示している。
このように製造することにより、電気接続箇所の数を減少することができるばかりか、さらに良好な接続信頼性を有する電気接続部材となる。
なお、電気接続部材と下部電極とを一体的に形成するには、スパッタリング法を採用することが好ましいが、無機酸化物を用いて、後述するゾル−ゲル法を採用することも好ましい。
【００９２】
ｃ．形成方法３
また、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を、いわゆるゾル−ゲル法により形成することも好ましい。具体的には、例えば、非結晶性導電酸化物原料溶液を塗布したのち、加熱することによりゲル化させて、電気接続部材の構成材料とするものである。次いで、フォトリソグラフィ法を用いて、パターニングすることにより、電気接続部材とするものである。
このようにゾル−ゲル法を用いることにより、特殊な形成装置を必要とすることなく、所定位置に原料溶液を塗布して、加熱（焼結）および還元するだけで非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を容易に形成することができる。また、焼結温度や還元温度が比較的低温であるため、他の構成部品に熱損傷を与えることが少なくなる。したがって、電気接続部材を形成する前に、有機ＥＬ素子を形成することも可能となる。
【００９３】
また、ゲル化させるための加熱（焼結）条件についても特に制限されるものではないが、例えば、１００〜７００℃、５分〜２０時間の加熱条件とすることが好ましく、２５０〜５００℃、５分〜２０時間の加熱条件とすることがより好ましい。
この理由は、加熱温度が１００℃未満となると、ゲル化が不十分となる場合があるためであり、一方、加熱温度が７００℃を超えると、結晶部分が形成しやすくなるためである。
さらに、還元条件についても特に制限されるものではないが、例えば、水素、窒素、アルゴン等の還元ガスを用いて、１００〜７００℃、５分〜２０時間の加熱条件とすることが好ましく、２５０〜５００℃、５分〜２０時間の加熱条件とすることがより好ましい。
【００９４】
ｄ．形成方法４
また、電気接続部材を形成する際に、図８に示すように、電気接続部材２８の一部にメタライズ部３１および３５を設ける工程を含むことが好ましい。この例では、電気接続部材２８のＴＦＴ１４側と、上部電極２２側に、それぞれメタライズ部３１および３５が設けてある。
このように構成すると、有機ＥＬ素子の下部電極、およびＴＦＴにおけるそれぞれの電気接続箇所での接続抵抗を、より低抵抗化することができる。
また、メタライズ部の形成方法については、特に制限されるものではないが、例えば、メッキ法、蒸着法、スパッタリング法を採ることが好ましい。
なお、メタライズ部の構成については、第１の実施形態と同様の内容とすることができる。
【００９５】
ｅ．形成方法５
また、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を、有機酸によりエッチングして、パターニングすることが好ましい。具体的には、図１７（ａ）〜（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用い、非結晶性導電酸化物２８に対してレジスト膜８０を形成した後、フォトマスク８２を介して、露光８１、現像して、結晶性導電酸化物の一部２８´を露出させた後、有機酸によりエッチングすることにより、パターニングして、電気接続部材２８を形成することができる。
このように有機酸により電気接続部材２８をエッチングすることにより、ＴＦＴや有機ＥＬ素子の一部にＡｌやＣｒ等の金属材料を使用している場合であっても、これらの金属材料を侵すことなく、非結晶性導電酸化物のみをエッチングすることができる。よって、電気接続部材２８を精度良く形成することができるとともに、金属マイグレーション等を容易に防止することができる。
なお、電気接続部材を非結晶性導電酸化物から構成した場合であっても、エッチング速度を高めるために、有機酸以外に、リン酸系のエッチャントや、塩酸系エッチャントを使用することも好ましい。
【００９６】
ここで、好ましい有機酸としては、蓚酸、酢酸、クエン酸等が挙げられるが、特に非結晶性導電酸化物に対するエッチング精度が優れていることから、蓚酸、および酢酸を使用することが好ましく、さらに好ましいのは蓚酸である。
また、有機酸を水やアルコール系溶媒、あるいは他の極性溶媒等に溶解させた上で、エッチング液として使用することが好ましい。このように溶媒を使用することにより、非結晶性導電酸化物に対するエッチング精度をさらに向上させることができる。
その場合、有機酸濃度を０．１〜５０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、有機酸濃度が０．１重量％未満となると、非結晶性導電酸化物に対するエッチング速度が著しく低下する場合があるためであり、一方、有機酸濃度が５０重量％を超えると、ＡｌやＣｒ等の金属材料を腐食させる場合があるためである。
したがって、有機酸濃度を１〜２０重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、２〜１０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００９７】
また、エッチング温度についても特に制限されるものではないが、２０〜１００℃の範囲内の温度とすることが好ましい。この理由は、エッチング温度が２０℃未満となると、非結晶性導電酸化物に対するエッチング速度が著しく低下する場合があるためであり、一方、エッチング温度が１００℃を超えると、ＡｌやＣｒ等の金属材料を腐食させる場合があるためである。
したがって、エッチング温度を２０〜８０℃の範囲内の温度とすることがより好ましく、２０〜４０℃の範囲内の温度とすることがさらに好ましい。
【００９８】
（３）有機ＥＬ素子の形成工程
図１４および図１５に示すように、ＴＦＴ１４や、層間絶縁膜（斜行部材）６３を形成した後、色変換媒体６０や、下部電極（陽極）２２、有機発光媒体２４（有機発光層、正孔注入層、電子注入層等）を順次に形成し、さらに上部電極（陰極）２０を形成することにより、有機ＥＬ素子を作製することができる。
ここで、色変換媒体６０については、真空蒸着法、スパッタリング法、スピンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、ミセル電解法等の方法を用いて形成することが好ましい。
また、下部電極２２や上部電極２０については、真空蒸着法や、スパッタリング法等の乾燥状態での成膜が可能な方法を用いて形成することが好ましい。
さらに、有機発光媒体２４については、真空蒸着法、スパッタリング法、スピンコート法、ラングミュアーブロジェット法（ＬＢ法、Langumuir-Blodgett法）、インクジェット法、ミセル電解法等の方法を用いて形成することが好ましい。
【００９９】
（４）封止工程等
さらに、封止工程については、有機ＥＬ素子を形成し、ＴＦＴと電気接続後、封止部材で、これらの周囲を覆うようにして固定することが好ましい。
また、封止部材と、有機ＥＬ素子等との間に、封止ガスをさらに封入することが好ましい。
さらに、封止した後に、有機発光媒体や、層間絶縁膜や、ゲート絶縁膜等に含まれる水分が、有機ＥＬ素子におけるダークスポット等の発生を誘発する場合があるため、これらの有機材料の含水率を０．０５重量％以下の値とすることが好ましい。
なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、透明電極を＋、電極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると、発光が観測できるので、封止工程前に駆動させて、有機ＥＬ素子の成膜の良し悪しを判断することも好ましい。
【符号の説明】
【０１００】
１０  支持基板
１２  層間絶縁膜（ゲート酸化膜）
１３  層間絶縁膜（平坦化膜）
１４  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１６  主電極
１７  電気絶縁体
１８  補助電極
２０  上部電極
２２  下部電極
２４  有機発光媒体
２６  有機ＥＬ素子
２８  電気接続部材
２９  先端部
３０，３２，３４，３６  アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置
３１，３５  メタライズ部
４０  ビアホール
４３  ゲート
４４  活性層
４５  ソース
４６  ゲート
４７  ドレイン
５０  走査電極線
５１  信号電極線
５２  共通電極線
５４  コンタクトホール
５５  第１のトランジスタ
５６  第２のトランジスタ
５７  コンデンサー
５８  封止部材
６０  色変換媒体
６１  側端
６２  斜面
６３  斜行部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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