(57)【要約】【課題】発光素子にエネルギーを補給する補助容量を用いることなく、発光素子の状態の変化に対応した早い応答速度で出力電流を安定化させること。【解決手段】ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇを発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとに設け、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇでそれぞれ与えられるゲインは、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとに出力電流が変化される時に、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流の応答性や安定性が良くなるように設定する。【選択図】        図１
2010021205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の発光量を得るために必要な電流値が異なる少なくとも２つの発光素子を駆動する発光素子の駆動装置において、
直流電圧を断続的に導通させる半導体スイッチ素子のデューティー比が制御されることで、前記発光素子に所定の電流を供給する電力変換部と、
前記電力変換部から電流が供給される発光素子を順次選択する発光素子選択部と、
前記電力変換部からの出力電流と目標電流との差分にゲインを乗じた値に基づいて、前記半導体スイッチ素子のデューティー比を制御するデューティー比制御部と、
前記発光素子選択部により選択された発光素子に応じて前記ゲインを変化させるゲイン選択部とを備えることを特徴とする発光素子の駆動装置。
【請求項２】
前記ゲイン選択部は、前記発光素子の発光色ごとに設けられた抵抗とコンデンサとスイッチ素子の直列体を並列に接続して構成され、
前記発光素子選択部により選択された発光素子に応じて前記スイッチ素子をオンさせることで、前記ゲインの値を変化させるゲイン切換制御部を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の駆動装置。
【請求項３】
前記ゲイン選択部はマイクロコンピュータに搭載され、前記マイクロコンピュータにて前記ゲインを変化させることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の駆動装置。
【請求項４】
前記発光素子に流れている電流を低下させる電流調整期間を設定する電流調整期間設定部を備え、
現在選択されている発光素子に供給される電流の電流値が、次に選択される発光素子に供給される電流の電流値よりも大きい場合、前記電流調整期間設定部は、前記次に選択される発光素子に電流が供給される前に、前記現在選択されている発光素子に流れている電流を低下させる電流調整期間を設定することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光素子の駆動装置。
【請求項５】
所定の発光量を得るために必要な電流値が異なる少なくとも２つの発光素子を駆動する発光素子の駆動装置において、
直流電圧を断続的に導通させる半導体スイッチ素子のデューティー比が制御されることで、前記発光素子に所定の電流を供給する電力変換部と、
前記電力変換部から電流が供給される発光素子を順次選択する発光素子選択部と、
前記発光素子に流れている電流を低下させる電流調整期間を設定する電流調整期間設定部とを備え、
現在選択されている発光素子に供給される電流の電流値が、次に選択される発光素子に供給される電流の電流値よりも大きい場合、前記電流調整期間設定部は、前記次に選択される発光素子に電流が供給される前に、前記現在選択されている発光素子に流れている電流を低下させる電流調整期間を設定することを特徴とする発光素子の駆動装置。
【請求項６】
前記発光素子選択部は、発光色の異なる発光素子を１回ずつ順次選択する１周期分の期間において、前記電流値の小さな発光素子から前記電流値の大きな発光素子へ順に切り換えることを特徴とする請求項４または５に記載の発光素子の駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子の駆動装置に関し、特に、所定の発光量を得るために必要な電流値の異なる複数の発光素子の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）にそれぞれ発光するＬＥＤなどの発光素子を光源として使用し、それら発光素子を時分割駆動してＲＧＢを色別に順次発光させることでカラー画像を投影することが可能な表示装置がある。このような表示装置において、回路規模を削減するために、各色の発光素子に対して電源供給部を共通化し、この電源供給部からの電源を各発光素子に順次印加させる方法がある。この場合、各色の発光素子が所定の輝度で発光するための定格電流値は互いに異なることから、各色の発光素子を発光させるタイミングごとに、各色の発光素子に供給される電流値も可変させる必要がある。
【０００３】
ここで、各色の発光素子に供給される電流値を可変させるため、特許文献１には、各発光素子に対応した設定電流値に可変設定する可変設定部を設け、各発光素子に対応した抵抗をスイッチ素子により切り換えることで設定電流値を変更する方法が開示されている。また、特許文献１には、発光素子の駆動電圧に合った電圧を補助容量に蓄え、その補助容量を所定のタイミングで各発光素子に並列接続させることで、切り替え直後の電力量が不足している発光素子に不足分のエネルギーを補給するとともに、電力量が余っている発光素子のエネルギーを吸収させ、各発光素子に流れる電流を安定化させる方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７３６６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術によれば、各発光素子に対応した抵抗をスイッチ素子にて切り換えることで設定電流値が変更されるため、発光素子の状態（電流や電圧）の変化に対応した早い応答速度で出力電流を安定化させるのは困難であるという問題があった。また、エネルギーの供給や吸収を補助容量で行う方法では、切り換え時の電流差が大きい場合、大きな容量が必要となることから、電源供給部からの出力電流の応答性が悪化し、早い応答速度で出力電流を安定化させるのがさらに困難となるとともに、装置の大形化や高価格化を招くという問題もあった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、発光素子にエネルギーを補給する補助容量を用いることなく、発光素子の状態の変化に対応した早い応答速度で出力電流を安定化させることが可能な発光素子の駆動装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、所定の発光量を得るために必要な電流値が異なる少なくとも２つの発光素子を駆動する発光素子の駆動装置において、直流電圧を導通させる半導体スイッチ素子のデューティー比が制御されることで、前記発光素子に所定の電流を供給する電力変換部と、前記電力変換部から電流が供給される発光素子を順次選択する発光素子選択部と、前記電力変換部からの出力電流と目標電流との差分にゲインを乗じた値に基づいて、前記半導体スイッチ素子のデューティー比を制御するデューティー比制御部と、前記発光素子選択部により選択された発光素子に応じて前記ゲインを変化させるゲイン選択部とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、発光素子にエネルギーを補給する補助容量を用いることなく、発光素子の状態の変化に対応した早い応答速度で出力電流を安定化させることが可能という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明に係る発光素子の駆動装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、本発明に係る発光素子の駆動装置が適用される表示装置の実施の形態１の概略構成を示すブロック図である。図１において、発光素子の駆動装置には、並列接続されている発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに所定の電流を供給する電力変換部としてのＤＣ／ＤＣコンバータ部１００、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００から電流が供給される発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇを順次選択する発光素子選択部としての発光素子選択回路部２００および発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに流れる電流を制御する制御回路部３００が設けられている。
【００１１】
なお、発光素子ＬＤ＿ＲはＲ（赤）に発光し、発光素子ＬＤ＿ＢはＢ（青）に発光し、発光素子ＬＤ＿ＧはＧ（緑）に発光することができ、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇが所定の輝度でそれぞれ発光するための定格電流値は互いに異なっていてもよい。また、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇとしては、例えば、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）またはＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いることができる。
【００１２】
なお、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの発光色は、赤、青、緑に必ずしも限定されることなく、それ以外の色を含んでいてもよいし、それ以外の組み合わせであってもよい。また、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの個数も必ずしも３個に限定されることなく、複数の発光素子があれば何個でもよい。なお、図１に示すように発光素子が３個の場合には、１フレームを３つに時分割し、赤、青、緑の各色が順次発光するようにして画像を構成する。
【００１３】
また、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００としては、非絶縁性降圧形ＤＣ／ＤＣコンバータを用いるようにしてもよいし、非絶縁性昇圧形ＤＣ／ＤＣコンバータ、トランスを用いた絶縁性フォワード形ＤＣ／ＤＣコンバータあるいはフライバック形ＤＣ／ＤＣコンバータを用いるようにしてもよい。
【００１４】
ここで、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００には、直流電圧を断続的に導通させる電界効果トランジスタＭＯＳｍが設けられ、電界効果トランジスタＭＯＳｍは、逆並列接続された寄生ダイオードを含み、図１において、それをダイオードＤｍとして示している。また、電界効果トランジスタＭＯＳｍのドレイン端子は、コンデンサＣｉｍおよび抵抗Ｒｓを順次介して接地され、電界効果トランジスタＭＯＳｍのソース端子は、コイルＬｍおよびコンデンサＣｏｍを順次介して接地されている。また、ダイオードＤｉｍのカソード端子は、電界効果トランジスタＭＯＳｍのソース端子に接続されるとともに、ダイオードＤｉｍのアノード端子は、コンデンサＣｉｍと抵抗Ｒｓとの接続点に接続されている。また、コンデンサＣｉｍには、直流電源Ｖｓが並列接続され、コイルＬｍとコンデンサＣｏｍとの接続点は、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇのアノード端子に接続されている。
【００１５】
また、発光素子選択回路部２００には、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに流れる電流をそれぞれ導通させる電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇが設けられている。そして、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇは、逆並列接続された寄生ダイオードを含み、図中それらをダイオードＤ＿Ｒ、Ｄ＿Ｂ、Ｄ＿Ｇとして示している。また、電界効果トラン１ジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのドレイン端子は、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇのカソード端子にそれぞれ接続され、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのソース端子は接地されている。
【００１６】
また、制御回路部３００には、ゲイン選択部としてのゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇ、オペアンプＯＰＡ１、ＯＰＡ２、コンパレータＣＰ、ゲート駆動回路３０Ｍおよび信号形成回路３０１が設けられている。
【００１７】
ここで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇは、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとに設けられ、オペアンプＯＰＡ２のゲインを発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとに選択することができる。オペアンプＯＰＡ１は、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００からの出力電流を電圧に変換することができる。オペアンプＯＰＡ２は、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００からの出力電流と目標電流との差分にゲインを乗じて出力することができる。ここで、目標電流とは、発光素子が所望の明るさで発光させるために必要な電流である。コンパレータＣＰは、オペアンプＯＰＡ２からの出力に応じてデューティー比が変化するパルス信号を出力することができる。ゲート駆動回路３０Ｍは、電界効果トランジスタＭＯＳｍを駆動するゲート駆動信号を生成することができる。信号形成回路３０１は、発光素子選択回路部２００および制御回路部３００を制御する各種の制御信号を生成することができる。
【００１８】
そして、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇには、コンデンサＣｒ、Ｃｂ、Ｃｇ、抵抗ｒｒ、ｒｂ、ｒｇおよびスイッチ素子Ｓｗ＿ＧＲ、Ｓｗ＿ＧＢ、Ｓｗ＿ＧＧがそれぞれ設けられている。そして、コンデンサＣｒ、Ｃｂ、Ｃｇ、抵抗ｒｒ、ｒｂ、ｒｇおよびスイッチ素子Ｓｗ＿ＧＲ、Ｓｗ＿ＧＢ、Ｓｗ＿ＧＧはそれぞれ直列に接続されている。なお、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＲ、Ｓｗ＿ＧＢ、Ｓｗ＿ＧＧとしては、例えば、半導体素子で構成された双方向のスイッチを用いることができる。
【００１９】
また、信号形成回路３０１には、参照信号生成部１１、ゲイン切換制御部１２、電流指示値生成部１３およびゲート駆動信号生成部１４が設けられている。ここで、ゲート駆動信号生成部１４は、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇをそれぞれオン／オフするゲート駆動信号Ｓｉｇ＿Ｒ、Ｓｉｇ＿Ｂ、Ｓｉｇ＿Ｇを生成することができる。参照信号生成部１１は、オペアンプＯＰＡ２からの出力レベルと比較される参照信号Ｓｉｇ＿ｔｒｉを生成することができる。なお、参照信号Ｓｉｇ＿ｔｒｉの波形は、例えば、こぎり刃状または三角波状とすることができる。
【００２０】
ゲイン切換制御部１２は、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＲ、Ｓｗ＿ＧＢ、Ｓｗ＿ＧＧをそれぞれオン／オフする切り替え信号Ｒ＿Ｇ、Ｂ＿Ｇ、Ｇ＿Ｇを生成することができる。なお、ゲイン切換制御部１２は、ゲート駆動信号生成部１４から出力されるゲート駆動信号Ｓｉｇ＿Ｒ、Ｓｉｇ＿Ｂ、Ｓｉｇ＿Ｇにそれぞれ同期して切り替え信号Ｒ＿Ｇ、Ｂ＿Ｇ、Ｇ＿Ｇを出力することができる。電流指示値生成部１３は、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の目標電流を与える電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒを生成することができる。
【００２１】
そして、オペアンプＯＰＡ１の反転入力端子は、抵抗Ｒ１を介してコンデンサＣｉｍと抵抗Ｒｓとの接続点に接続されるとともに、抵抗Ｒ２を介してオペアンプＯＰＡ１の出力端子に接続されている。また、オペアンプＯＰＡ１の非反転入力端子は、抵抗Ｒ４を介して接地されるとともに、抵抗Ｒ３を介して基準電源Ｖｒｅｆに接続されている。また、オペアンプＯＰＡ１の出力端子は、抵抗ｒｉを介してオペアンプＯＰＡ２の反転入力端子に接続されている。
【００２２】
また、オペアンプＯＰＡ２の反転入力端子は、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇをそれぞれ介してオペアンプＯＰＡ２の出力端子およびコンパレータＣＰの正側入力端子に接続されている。また、オペアンプＯＰＡ２の非反転入力端子は、電流指示値生成部１３に接続されている。
【００２３】
また、コンパレータＣＰの負側入力端子は、参照信号生成部１１に接続されている。また、コンパレータＣＰの出力端子は、ゲート駆動回路３０Ｍの入力端子に接続され、ゲート駆動回路３０Ｍの出力端子は、電界効果トランジスタＭＯＳｍのゲートに接続されている。
【００２４】
また、ゲイン切換制御部１２は、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＲ、Ｓｗ＿ＧＢ、Ｓｗ＿ＧＧの切り替え端子に個別に接続されている。また、ゲート駆動信号生成部１４は、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのゲートに個別に接続されている。
【００２５】
そして、直流電源Ｖｓにて発生された直流電圧は、電界効果トランジスタＭＯＳｍのオン／オフ動作にてパルス電圧に変換される。そして、電界効果トランジスタＭＯＳｍがオンの時は、直流電源Ｖｓ→電界効果トランジスタＭＯＳｍ→コイルＬｍ→コンデンサＣｏｍ→抵抗Ｒｓ→直流電源Ｖｓという経路で電流が流れ、電界効果トランジスタＭＯＳｍがオフの時は、ダイオードＤｉｍ→コイルＬｍ→コンデンサＣｏｍ→抵抗Ｒｓ→ダイオードＤｉｍという経路で電流が流れることで、電界効果トランジスタＭＯＳｍから出力されたパルス電圧が直流電圧に変換され、直流電源Ｖｓにて発生された直流電圧を降圧した直流電圧としてコンデンサＣｏｍに発生し、調整された電圧が発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ印加される。
【００２６】
ここで、電界効果トランジスタＭＯＳｍのゲート端子には、制御回路部３００にて発生されたパルス電圧が印加され、そのパルス電圧のオンデューティー比を増減させることで、コンデンサＣｏｍに発生する直流電圧が増減し、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００から発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ出力される出力電流が増減される。
【００２７】
なお、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の動作の詳細については、電気学会・半導体電力変換システム調査専門委員会：“パワーエレクトロニクス回路”、オーム社、ｐｐ．２４５−２６５、２０００に記載されている。
【００２８】
また、ゲート駆動信号生成部１４にて生成されたゲート駆動信号Ｓｉｇ＿Ｒ、Ｓｉｇ＿Ｂ、Ｓｉｇ＿Ｇは、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのゲート端子にそれぞれ入力され、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇが順次オンオフされることで、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流が流れる発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇが順次選択される。
【００２９】
そして、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流が発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに順次流れることで、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿ＧがＲ（赤）、Ｂ（青）、Ｇ（緑）で時分割的にそれぞれ順次発光する。
【００３０】
一方、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流は、抵抗Ｒｓにて検出され、電圧に変換されることで、電流検出信号Ｉ＿ｍｅａｓが生成される。なお、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流をＩ、抵抗Ｒｓの値をＲｓとすると、電流検出信号Ｉ＿ｍｅａｓは、以下の式で与えることができる。
Ｉ＿ｍｅａｓ＝−Ｒｓ×Ｉ
【００３１】
そして、抵抗Ｒｓにて電圧に変換された電流検出信号Ｉ＿ｍｅａｓは、抵抗Ｒ１を介してオペアンプＯＰＡ１の反転入力端子に入力されるとともに、基準電源Ｖｒｅｆにて発生された基準電圧は、抵抗Ｒ３を介してオペアンプＯＰＡ１の非反転入力端子に入力され、オペアンプＯＰＡ１からの出力が、抵抗ｒｉを介してオペアンプＯＰＡ２の反転入力端子に入力される。なお、基準電源Ｖｒｅｆにて発生された基準電圧をＶｒｅｆ、抵抗Ｒ１〜Ｒ４の値をそれぞれＲ１〜Ｒ４とし、Ｒ１＝Ｒ４かつＲ２＝Ｒ３という関係が成り立つものとすると、オペアンプＯＰＡ１からの出力ＰＯＵＴ１は、以下の式で与えることができる。
ＰＯＵＴ１＝Ｖｒｅｆ−Ｒ２／Ｒ１×Ｉ＿ｍｅａｓ
【００３２】
また、電流指示値生成部１３にて生成された電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒは、オペアンプＯＰＡ２の非反転入力端子に入力される。なお、電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒは、目標電流をＩｓとすると、以下の式で与えることができる。
Ｉ＿Ｏｒｄｅｒ＝Ｖｒｅｆ＋Ｒ２／Ｒ１×Ｒｓ×Ｉｓ
【００３３】
ここで、電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒは、例えば、発光素子ＬＤ＿Ｒが選択された時は、発光素子ＬＤ＿Ｒに１３Ａの電流が流れ、発光素子ＬＤ＿Ｂが選択された時は、発光素子ＬＤ＿Ｂに２０Ａの電流が流れ、発光素子ＬＤ＿Ｇが選択された時は、発光素子ＬＤ＿Ｇに３０Ａの電流が流れるように設定することができる。
【００３４】
そして、オペアンプＯＰＡ２において、電流指示値Ｉ＿ＯｒｄｅｒとオペアンプＯＰＡ１からの出力ＰＯＵＴ１との差分は、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇのいずれかによって与えられるゲインに応じて増幅され、コンパレータＣＰの正側入力端子に入力される。
【００３５】
ここで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇでそれぞれ与えられるゲインは、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとに設定され、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ流れる電流や発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの特性に応じて決定することができる。そして、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇでそれぞれ与えられるゲインは、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとに出力電流が変化される時に、出力電流の応答性や安定性が良くなるように設定することができる。例えば、電流が流れる発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇを切り替えた時の電流の差分が大きい場合、所定の電流がより早い時間で流れるように切り替えられた発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに対応するゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇで与えられるゲインを大きくすることができる。
【００３６】
そして、ゲイン切換制御部１２にて生成された切り替え信号Ｒ＿Ｇ、Ｂ＿Ｇ、Ｇ＿Ｇは、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＲ、Ｓｗ＿ＧＢ、Ｓｗ＿ＧＧの切り替え端子にそれぞれ入力されることで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿ＧのいずれかによってオペアンプＯＰＡ２のゲインが与えられ、そのゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇによって与えられるゲインに応じて、電流指示値Ｉ＿ＯｒｄｅｒとオペアンプＯＰＡ１からの出力ＰＯＵＴ１との差分が増幅される。
【００３７】
また、参照信号生成部１１にて生成された参照信号Ｓｉｇ＿ｔｒｉは、コンパレータＣＰの負側入力端子に入力される。
【００３８】
そして、コンパレータＣＰにおいて、参照信号Ｓｉｇ＿ｔｒｉとオペアンプＯＰＡ２からの出力ＰＯＵＴ２とが比較され、オペアンプＯＰＡ２からの出力レベルに応じてデューティー比が変化するパルス信号Ｓｉｇ＿ＤＣＤＣがゲート駆動回路３０Ｍに出力される。
【００３９】
そして、ゲート駆動回路３０Ｍにおいて、コンパレータＣＰから出力されたパルス信号Ｓｉｇ＿ＤＣＤＣは、電界効果トランジスタＭＯＳｍのソース端子の電位を基準としたゲート駆動信号に変換され、電界効果トランジスタＭＯＳｍのゲート端子に出力される。
【００４０】
そして、ゲート駆動回路３０Ｍから出力されたゲート駆動信号にて、電界効果トランジスタＭＯＳｍのゲート端子が駆動されることで、電界効果トランジスタＭＯＳｍのオン／オフのデューティー比が変化し、電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒで指示される目標電流にそれぞれ近づくように、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ流れる電流が制御される。
【００４１】
ここで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇにて発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿ＧごとにオペアンプＯＰＡ２のゲインを設定し、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの選択動作に合わせてゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇをそれぞれ働かせることにより、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとに流れる電流が変化する場合においても、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流の応答性や安定性を向上させることが可能となり、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにエネルギーを補給する補助容量を用いることなく、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの状態の変化に対応した早い応答速度で出力電流を安定化させることが可能となる。
【００４２】
図２は、図１の電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのオン／オフ期間を示す図である。図２において、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流が発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに順次流れることで、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇが時分割的にそれぞれ順次発光する。
【００４３】
ここで、発光素子ＬＤ＿Ｒの発光期間においては、発光素子ＬＤ＿Ｒの目標電流に対応するように電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒが設定された上で、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒがオンされ、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００から発光素子ＬＤ＿Ｒに電流が供給される。そして、発光素子ＬＤ＿Ｒに電流が供給される時に、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＲがオンされることで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒで与えられるゲインがオペアンプＯＰＡ２に設定される。
【００４４】
また、発光素子ＬＤ＿Ｂの発光期間においては、発光素子ＬＤ＿Ｂの目標電流に対応するように電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒが設定された上で、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｂがオンされ、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００から発光素子ＬＤ＿Ｂに電流が供給される。そして、発光素子ＬＤ＿Ｂに電流が供給される時に、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＢがオンされることで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｂで与えられるゲインがオペアンプＯＰＡ２に設定される。
【００４５】
また、発光素子ＬＤ＿Ｇの発光期間においては、発光素子ＬＤ＿Ｇの目標電流に対応するように電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒが設定された上で、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｇがオンされ、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００から発光素子ＬＤ＿Ｇに電流が供給される。そして、発光素子ＬＤ＿Ｇに電流が供給される時に、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＧがオンされることで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｇで与えられるゲインがオペアンプＯＰＡ２に設定される。
【００４６】
図３は、図１の発光素子の駆動装置における電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒ、コイルＬｍの電流、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの電流の各波形を、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとにゲインを個別に設定した場合と、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇについて同一のゲインを設定した場合とを比較して示す図である。なお、コイルＬｍの電流は、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流に対応させることができる。また、ここでは、各発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの目標電流として、次のような電流条件を設定した。電流条件は、発光素子ＬＤ＿Ｒが１３Ａ、発光素子ＬＤ＿Ｂが２０Ａ、発光素子ＬＤ＿Ｇが３０Ａとし、６００μｓの周期で各発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの発光時間を２００μｓとした。また、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇについて同一のゲインを設定した場合、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとにゲインを個別に設定した時の発光素子ＬＤ＿Ｇについてのゲインと同じ値に設定した。
【００４７】
図３において、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとにゲインを個別に設定することで、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ流れる電流Ｉ＿Ｒ、Ｉ＿Ｂ、Ｉ＿Ｇの波形のアンダーシュートを低減することができ、応答性の良い安定した電流Ｉ＿Ｒ、Ｉ＿Ｂ、Ｉ＿Ｇを発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ流すことができた。
【００４８】
実施の形態２．
図４は、本発明に係る発光素子の駆動装置が適用される表示装置の実施の形態２の概略構成を示すブロック図である。図４において、この発光素子の駆動装置には、図１の発光素子の駆動装置の構成に加え、電流調整期間設定部１５が設けられている。
【００４９】
実施の形態１のように、発光素子ＬＤ＿Ｇから発光素子ＬＤ＿Ｒに流れる電流を切り替えた場合、発光素子ＬＤ＿Ｒに流れる電流は発光素子ＬＤ＿Ｇに流れる電流よりも少なくなり、コイルＬｍに蓄えられた大きなエネルギーの行き場がなくなることから、発光素子ＬＤ＿Ｒに供給される。このため、発光素子ＬＤ＿Ｇから発光素子ＬＤ＿Ｒに流れる電流を切り替えた直後には、発光素子ＬＤ＿Ｒに目標値よりも大きな電流が一時的に流れる。
【００５０】
図４において、電流調整期間設定部１５は、現在選択されている発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに供給される電流の電流値が、次に選択される発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに供給される電流の電流値よりも大きい場合、次に選択される発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに電流が供給される前に、現在選択されている発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに流れている電流を低下させる電流調整期間を設定することができる。なお、現在選択されている発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに流れている電流を低下させる場合、その低下後の電流の値は、次に選択される発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの目標電流の値に設定することができる。
【００５１】
この場合、発光素子選択回路部２００は、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇを１回ずつ順次選択する１周期分の期間において、電流値の小さな発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇから電流値の大きな発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇへ順に切り換えることが好ましい。例えば、発光素子ＬＤ＿Ｒの目標電流が１３Ａ、発光素子ＬＤ＿Ｂの目標電流が２０Ａ、発光素子ＬＤ＿Ｇの目標電流が３０Ａである場合、発光素子ＬＤ＿Ｒ→発光素子ＬＤ＿Ｂ→発光素子ＬＤ＿Ｇという順序で発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに切り換えることができる。
【００５２】
そして、電流調整期間設定部１５にて電流調整期間が設定された場合、電流指示値生成部１３にて生成された電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒは、例えば、発光素子ＬＤ＿Ｒが選択された時は、発光素子ＬＤ＿Ｒに１３Ａの電流が流れ、発光素子ＬＤ＿Ｂが選択された時は、発光素子ＬＤ＿Ｂに２０Ａの電流が流れ、発光素子ＬＤ＿Ｇが選択された時は、発光素子ＬＤ＿Ｇに３０Ａの電流が流れた後、発光素子ＬＤ＿Ｒに切り替わる直前の電流調整期間に１３Ａの電流が流れるように設定することができる。
【００５３】
そして、電流指示値生成部１３にて生成された電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒは、オペアンプＯＰＡ２の非反転入力端子に入力され、電流指示値Ｉ＿ＯｒｄｅｒとオペアンプＯＰＡ１からの出力ＰＯＵＴ１との差分は、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇのいずれかによって与えられるゲインに応じて増幅され、コンパレータＣＰの正側入力端子に入力される。
【００５４】
そして、コンパレータＣＰにおいて、オペアンプＯＰＡ２からの出力ＰＯＵＴ２は参照信号Ｓｉｇ＿ｔｒｉと比較され、オペアンプＯＰＡ２からの出力レベルに応じてデューティー比が変化するパルス信号Ｓｉｇ＿ＤＣＤＣが生成される。
【００５５】
そして、コンパレータＣＰにて生成されたパルス信号Ｓｉｇ＿ＤＣＤＣに基づいて、電界効果トランジスタＭＯＳｍのゲート端子が駆動されることで、電界効果トランジスタＭＯＳｍのオン／オフのデューティー比が変化し、電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒで指示される発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの目標電流にそれぞれ近づくように、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ流れる電流が制御されるとともに、電流調整期間においては、発光素子ＬＤ＿Ｒの目標電流に近づくように、発光素子ＬＤ＿Ｇに流れる電流が制御される。
【００５６】
図５は、図４の電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのオン／オフ期間および電流調整期間を示す図である。図５において、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流が発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに順次流れることで、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇが時分割的にそれぞれ順次発光する。
【００５７】
ここで、発光素子ＬＤ＿Ｒの発光期間においては、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒがオンされるとともに、発光素子ＬＤ＿Ｒの目標電流に対応するように電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒが設定された上で、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＲがオンされることで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒで与えられるゲインがオペアンプＯＰＡ２に設定される。
【００５８】
また、発光素子ＬＤ＿Ｂの発光期間においては、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｂがオンされるとともに、発光素子ＬＤ＿Ｂの目標電流に対応するように電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒが設定された上で、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＢがオンされることで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｂで与えられるゲインがオペアンプＯＰＡ２に設定される。
【００５９】
また、発光素子ＬＤ＿Ｇの発光期間においては、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｇがオンされるとともに、発光素子ＬＤ＿Ｇの目標電流に対応するように電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒが設定された上で、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＧがオンされることで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｇで与えられるゲインがオペアンプＯＰＡ２に設定される。
【００６０】
また、電流調整期間においては、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｇがオンされるとともに、発光素子ＬＤ＿Ｒの目標電流に対応するように電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒが設定された上で、スイッチ素子Ｓｗ＿ＧＧがオンされることで、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｇで与えられるゲインがオペアンプＯＰＡ２に設定される。なお、図５の例では、電流調整期間においては、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｇで与えられるゲインをオペアンプＯＰＡ２に設定する方法について説明したが、電流調整期間を設ける場合には、電流調整期間に固有のゲインを設定するゲイン選択回路を、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇと別個に設けるようにしてもよい。
【００６１】
図６は、図４の発光素子の駆動装置における電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒ、コイルＬｍの電流、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの電流の各波形を示す図である。なお、電流条件は、発光素子ＬＤ＿Ｒが１３Ａ、発光素子ＬＤ＿Ｂが２０Ａ、発光素子ＬＤ＿Ｇが３０Ａとし、６２５μｓの周期で各発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの発光時間を２００μｓ、電流調整期間を２５μｓとした。
【００６２】
図６において、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとにゲインを個別に設定することで、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ流れる電流Ｉ＿Ｒ、Ｉ＿Ｂ、Ｉ＿Ｇの波形のアンダーシュートを低減することができ、応答性の良い安定した電流Ｉ＿Ｒ、Ｉ＿Ｂ、Ｉ＿Ｇを発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ流すことができる。
【００６３】
また、電流調整期間を設けることで、発光素子ＬＤ＿Ｇから発光素子ＬＤ＿Ｒに流れる電流を切り替える直前に、発光素子ＬＤ＿Ｒに流れる電流の値を発光素子ＬＤ＿Ｇに流れる電流の値に近づけることができ、発光素子ＬＤ＿Ｇから発光素子ＬＤ＿Ｒに流れる電流を切り替えた直後に、発光素子ＬＤ＿Ｒに目標値よりも大きな電流が一時的に流れることを防止することが可能となることから、発光素子ＬＤ＿Ｒに流れる過電流によって発光素子ＬＤ＿Ｒがダメージを受けるのを防止することができる。
【００６４】
また、発光素子ＬＤ＿Ｒ→発光素子ＬＤ＿Ｂ→発光素子ＬＤ＿Ｇという順序で発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇに流れる電流を切り替えることにより、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇが１回ずつ順次選択される１周期において、電流が大きな値から小さな値に変化する回数を１回だけにすることができ、電流調整期間を１回だけ設けることで済ますことが可能となることから、電流調整期間の増大を抑制することができる。
【００６５】
なお、上述した実施の形態２では、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとにゲインを個別に設定した上で、電流調整期間を設ける方法について説明したが、発光を繰り返す周期が比較的長い場合、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの発光時間と電流が安定している時間の割合が大きくなり、電流が安定するまでの過渡的な時間を無視することができる。このため、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００からの出力電流の応答性が、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇを用いた表示装置の画質に及ぼす影響を無視することが可能となることから、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとにゲインを個別に設定することなく電流調整期間を設けるようにしてもよい。
【００６６】
実施の形態３．
図７は、本発明に係る発光素子の駆動装置が適用される表示装置の実施の形態３の概略構成を示すブロック図である。図７において、この発光素子の駆動装置には、図１の制御回路部３００の代わりに制御回路部３１０が設けられている。そして、制御回路部３１０には、オペアンプＯＰＡ１、抵抗Ｒ１〜Ｒ４、基準電源Ｖｒｅｆ、ゲート駆動回路３０Ｍおよび電源制御用ＩＣ３０２が設けられている。
【００６７】
ここで、電源制御用ＩＣ３０２には、マイクロコンピュータ、Ａ／Ｄコンバータおよびコンパレータなどが設けられている。そして、電源制御用ＩＣ３０２は、図１のゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇ、オペアンプＯＰＡ２、コンパレータＣＰおよび信号形成回路３０１の機能を実現することができ、ゲイン選択回路Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇで与えられるゲインをマイクロコンピュータにて変化させることができる。
【００６８】
そして、電源制御用ＩＣ３０２にてゲート駆動信号Ｓｉｇ＿Ｒ、Ｓｉｇ＿Ｂ、Ｓｉｇ＿Ｇが生成され、電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのゲート端子にそれぞれ入力されることで、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００の出力電流が流れる発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇが順次選択される。
【００６９】
一方、ＤＣ／ＤＣコンバータ部１００から出力された電流検出信号Ｉ＿ｍｅａｓは、抵抗Ｒ１を介してオペアンプＯＰＡ１の反転入力端子に入力され、オペアンプＯＰＡ１からの出力ＰＯＵＴ１は、電源制御用ＩＣ３０２に入力される。
【００７０】
そして、電源制御用ＩＣ３０２において、オペアンプＯＰＡ１からの出力ＰＯＵＴ１が入力されると、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとに個別に設定されたゲインを電流指示値Ｉ＿ＯｒｄｅｒとオペアンプＯＰＡ１からの出力ＰＯＵＴ１との差分に乗じた値が生成される。そして、電源制御用ＩＣ３０２において、電流指示値Ｉ＿ＯｒｄｅｒとオペアンプＯＰＡ１からの出力ＰＯＵＴ１との差分にゲインを乗じた値に応じてデューティー比が変化するパルス信号Ｓｉｇ＿ＤＣＤＣが生成され、ゲート駆動回路３０Ｍに出力される。
【００７１】
そして、電源制御用ＩＣ３０２にて生成されたパルス信号Ｓｉｇ＿ＤＣＤＣに基づいて、電界効果トランジスタＭＯＳｍのゲート端子が駆動されることで、電界効果トランジスタＭＯＳｍのオン／オフのデューティー比が変化し、電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒで指示される発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの目標電流にそれぞれ近づくように、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇにそれぞれ流れる電流が制御される。
【００７２】
ここで、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの選択と、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇごとのゲインの切り換えと、電流検出信号Ｉ＿ｍｅａｓのレベルに応じてデューティー比が設定されたＰＷＭ電圧信号の形成を電源制御用ＩＣ３０２にて実現することで、回路規模を小さくすることができ、制御回路部３１０の小形化を図ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
以上のように本発明に係る発光素子の駆動装置は、ＬＤやＬＥＤなどに等流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子を光源として用いることでカラー画像を投影するプロジェクタなどの表示装置を駆動する方法に適している。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明に係る発光素子の駆動装置が適用される表示装置の実施の形態１の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１の電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのオン／オフ期間を示す図である。
【図３】図１の発光素子の駆動装置における電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒ、コイルＬｍの電流、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの電流の各波形を示す図である。
【図４】本発明に係る発光素子の駆動装置が適用される表示装置の実施の形態２の概略構成を示すブロック図である。
【図５】図４の電界効果トランジスタＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇのオン／オフ期間および電流調整期間を示す図である。
【図６】図４の発光素子の駆動装置における電流指示値Ｉ＿Ｏｒｄｅｒ、コイルＬｍの電流、発光素子ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇの電流の各波形を示す図である。
【図７】本発明に係る発光素子の駆動装置が適用される表示装置の実施の形態３の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００７５】
１００  ＤＣ／ＤＣコンバータ部
２００  発光素子選択回路部
３００、３１０  制御回路部
３０１  信号形成回路
３０２  電源制御用ＩＣ
１１  参照信号生成部
１２  ゲイン切換制御部
１３  電流指示値生成部
１４  ゲート駆動信号生成部
１５  電流調整期間設定部
３０Ｍ  ゲート駆動回路
Ｇａｉｎ＿Ｒ、Ｇａｉｎ＿Ｂ、Ｇａｉｎ＿Ｇ  ゲイン選択回路
Ｃｉｍ、Ｃｏｍ、Ｃｒ、Ｃｂ、Ｃｇ  コンデンサ
Ｌｍ  コイル
ＭＯＳｍ、ＭＯＳ＿Ｒ、ＭＯＳ＿Ｂ、ＭＯＳ＿Ｇ  電界効果トランジスタ
Ｄｍ、Ｄｉｍ、Ｄ＿Ｒ、Ｄ＿Ｂ、Ｄ＿Ｇ  ダイオード
ＬＤ＿Ｒ、ＬＤ＿Ｂ、ＬＤ＿Ｇ  発光素子
Ｒｓ、Ｒ１〜Ｒ４、ｒｉ、ｒｒ、ｒｂ、ｒｇ  抵抗
Ｓｗ＿ＧＲ、Ｓｗ＿ＧＢ、Ｓｗ＿ＧＧ  スイッチ素子
ＯＰＡ１、ＯＰＡ２  オペアンプ
ＣＰ  コンパレータ
Ｖｓ  直流電源
Ｖｒｅｆ  基準電源
【図１】
2010021205.tif 000003
【図２】
2010021205.tif 000004
【図３】
2010021205.tif 000005
【図４】
2010021205.tif 000006
【図５】
2010021205.tif 000007
【図６】
2010021205.tif 000008
【図７】
2010021205.tif 000009