(57)【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。【解決手段】磁気記録ヘッドの主磁極を製造するときに、絶縁分離層３の上に非磁性体層２９を形成した後に磁性体層３０を積層する。ハードマスク３４ａを使って磁性体層３０をイオンミリングにより加工してから、非磁性体層２９に対してウェットエッチングを行う。ウェットエッチングは、磁性体層３０の下部にある非磁性体層２９が一部侵食されるまで行い、その後にイオンミリングで磁性体層３０の両側部を加工する。非磁性体層２９が除去された部分の磁性体層３０の加工が促進され、両側面を斜めに加工される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に非磁性体層を成膜する工程と、
前記非磁性体層の上に磁性体層を成膜する工程と、
前記磁性体層上にマスクを形成する工程と、
前記磁性体層に対して第１のイオンミリングとドライエッチングのいずれかを行い、前記マスクから露出した部分を除去する工程と、
前記非磁性体層に対してウェットエッチングを行い、前記非磁性体層を前記磁性体層の幅より狭くする工程と、
前記磁性体層に対して第２のイオンミリングを行い、前記磁性体層の幅を狭める工程と、
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記非磁性体層に対してウェットエッチングを行う工程は、前記磁性体層と前記マスクとは反応せずに、前記非磁性体層を溶解させる工程であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
ウェットエッチングで使用するエッチング液は、アンモニア水又は酢酸であることを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記非磁性体層に対してウェットエッチングを行い、前記非磁性体層の幅を前記磁性体層の幅の１／３以下にすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第２のイオンミリングにより、前記磁性体層を前記基板側の幅が前記マスク側の幅より細くなる逆台形状又は逆三角形状のいずれかに加工することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された非磁性体層と、
前記非磁性体層上に設けられ、前記基板側の幅が前記非磁性体層の幅と略等しく、且つ前記基板側に幅が対向する片の幅より狭い逆三角形形状又は逆台形形状を有する主磁極と、
前記主磁極を励磁する励磁コイルと、
前記励磁コイル上に形成された磁性層からなるリターンヨークと、
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドに関し、特に、記録用ヘッドの主磁極の形成工程を有する磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ、オーディオ等において使用される種々の記録装置のうち磁気記録装置は歴史的に古く、一般に広く普及している。磁気記録装置の１つとして、円盤状の磁気記録媒体とその上を浮上する磁気ヘッドとを有する磁気ディスク装置がある。
【０００３】
現在まで市場に供給されている磁気ディスク装置の記録方式の大部分は、記録層に記録される磁化の方向が面方向に向いた面内磁気記録方式と呼ばれるものである。この面内磁気記録方式において高記録密度を得るためには、磁気記録媒体の記録層を薄くするととともに、記録層を構成する磁性結晶粒を微細化することが必要となる。
【０００４】
しかしながら、磁気記録媒体の記録層を薄くすると磁気ディスクに熱が加わったときに情報が消失する現象、即ち熱揺らぎ現象が起きてしまい、高記録密度化を阻む一つの要因となっている。
これに対して、記録層における磁化の方向を記録層の面に垂直方向に向ける垂直磁気記録方式があり、近年実用化されてきている。
【０００５】
垂直磁気記録方式は、面内磁気記録方式と比較して、記録層の表面における一つ一つの磁区の面積を小さくできるので、より大きな記録密度を達成することが可能となる。さらに、記録層の膜面に対して垂直方向に記録磁化が向いているので、記録層を薄膜化した場合に発生する熱揺らぎ現象の発生が防止され、記録層を厚くすることによる不都合がなくなる。
それらいずれの記録方式においても、磁気ディスク装置についてはさらなる大容量化、高記録密度化が要求されている。
【０００６】
高記録密度化の要求に応えるためには、磁気記録媒体の保磁力を高くする一方で、磁気記録ヘッドから磁気記録媒体に強い磁界を出力する必要がある。磁気記録ヘッドは、記録磁界を発生する励磁コイルと、記録磁界を磁気記録媒体に導く磁極とを有している。そして、強い記録磁界を出力するために、例えば、高い飽和磁束密度等の磁気特性を有する磁性材から磁極を構成している。
【０００７】
磁気記録媒体に情報を書き込む場合には、磁気記録媒体の微小エリアに磁気記録ヘッドから強い磁界を加えるが、磁気記録媒体の保持力以上の磁界が隣の微小エリアに加わると、その隣の微小エリアの磁気情報が消去されることがある。なお、このような磁気情報の消去は、サイドイレーズ現象と呼ばれることもある。
【０００８】
そのような書き込みエラーを無くすには、磁気記録媒体の高記録密度化が進めば進むほど、磁極の書き込み部分の微小化、特に垂直磁気記録ヘッドでは主磁極の先端部の微細化が重要になってくる。
垂直磁気記録ヘッドの主磁極先端部の端面は、台形、又は略Ｔ字型にすることによりトラックからのはみ出しが防止できる。
【０００９】
主磁極の形成方法としては、レジスト及びハードマスクを使用して磁性層をパターニングすることが知られている。そのパターニング方法は次のような工程を有する。
【００１０】
まず、図７（ａ）に示すように、基板（不図示）の上方に形成された絶縁膜１０１上に磁性体層１０２、ハードマスク層１０３を形成した後に、ハードマスク層１０３上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像してレジストパターン１０４を形成する。レジストパターン１０４は、主磁極と同じ平面形状に形成される。
【００１１】
続いて、図７（ｂ）に示すように、レジストパターン１０４に覆われない領域のハードマスク層１０３をドライエッチングすることにより、レジストパターン１０４の形状をハードマスク層１０３に転写する。これによりパターニングされたハードマスク層１０３をハードマスク１０３ａとする。
【００１２】
さらに、図７（ｃ）に示すように、ハードマスク１０３ａに覆われない領域の磁性体層１０２を１回目のイオンミリングにより除去し、これによりハードマスク１０３ａの下に残された磁性体層１０２を主磁極１０２ａとする。
【００１３】
続いて、図７（ｄ）に示すように、主磁極１０２ａに対して２回目のイオンミリングを斜めに実施することにより、幅を調整するとともに断面形状を逆台形にする。その後に、ハードマスク１０３ａを除去する。
以上のような工程により形成された主磁極１０２ａは、図８に示す平面形状を有し、先端部１０２ｂと支持部１０２ｃを有している。なお、図７（ｄ）は、図８のＸ−Ｘ線から見た断面図である。
【特許文献１】特開２００６−７３０５８号公報
【特許文献２】特開２００６−２７７８３４号公報
【特許文献３】特表２００５−５２７１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述した主磁極１０２ａの先端部１０２ｂは、最終的に支持部１０２ｃから分離されて磁気記録媒体に記録磁界を発生させる部分となる。このため、磁気ディスクの高記録密度化の要求に伴って先端部１０２ｂをさらに狭くする必要があり、そのパターニングに使用されるレジストパターン１０４を高精度に細くすることが要求される。
【００１５】
主磁極１０２ａの先端部１０２ｂを微細にする方法として、例えば、短波長光露光、ＥＢ露光を使用し、低分子フォトレジストを使用し、或いはフォトレジスト材料の分子量分布の狭域化などを最適化することなどが行われている。しかし、フォトレジスト材料の開発や露光精度を高めるだけでは主磁極１０２ａの先端部１０２ｂの幅を微細化するには十分ではなかった。
【００１６】
また、２回目のイオンミリングを斜めに実施しても、主磁極１０２ａの側面の傾斜角度にばらつきが生じ易く、所望する傾斜角度に整形することが難しかった。
【００１７】
本発明の目的は、主磁極を従来よりも微細に、且つ高精度に製造することができる磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の１つの観点によれば、基板の上方に非磁性体層を成膜する工程と、前記非磁性体層の上に磁性体層を成膜する工程と、前記磁性体層上にマスクを形成する工程と、前記磁性体層に対して第１のイオンミリングとドライエッチングのいずれかを行い、前記マスクから露出した部分を除去する工程と、前記非磁性体層に対してウェットエッチングを行い、前記非磁性体層を前記磁性体層の幅より狭くする工程と、前記磁性体層に対して第２のイオンミリングとドライエッチングのいずれかを行い、前記磁性体層の幅を狭める工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法が提供させる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ウェットウェットエッチングで非磁性体層の幅を磁性体層より狭くしてから磁性体層の側面を斜めに整形するようにしたので、下層となる非磁性体層が取り除かれた部分の磁性体膜の加工が促進され、主磁極を微細に形成できる。
非磁性体層のエッチング量によって第２のイオンミリングまたはイオンエッチングにおける磁性体層の加工量を制御することが可能になるので、主磁極の形状を高精度に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。
【００２１】
図１に示す磁気ヘッドは、例えば、垂直磁気記録方式に適用される構造を有し、アルチック（Al2O3−TiC）のような非磁性材からなる基板１と、アルミナ（Al2O3）などの絶縁
層２を介して基板１上に形成された磁気再生ヘッド１０と、アルミナなどの絶縁分離層３を介して磁気再生ヘッド１０上に形成された磁気記録ヘッド２０とを有している。
【００２２】
非磁性の基板１は、磁気ヘッドの形成後に切断、研磨等によってスライダ形状に加工される。スライダ加工後には、磁気再生ヘッド１０と磁気記録ヘッド２０から構成される磁気ヘッドは磁気記録媒体５の記録面に対向して配置される。
【００２３】
基板１上において、磁気再生ヘッド１０は磁気記録媒体５に対してリーディング側となるように配置され、磁気記録ヘッド２０はトレーリング側に配置される。
磁気再生ヘッド１０は、絶縁層２の上に順に形成された下部磁気シールド層１１、絶縁ギャップ層１２及び上部磁気シールド層１４から構成され、絶縁ギャップ層１２の中には再生用素子１３が形成されている。
【００２４】
下部磁気シールド層１１と上部磁気シールド層１４は磁性材、例えばNiFe（例えば、Ni：８０質量％、Fe：２０質量％）合金層から構成され、また、絶縁ギャップ層１２はアルミナのような絶縁材から構成されている。再生用素子１３は、絶縁ギャップ層１２内に形成される一対の電極（不図示）に接続されるが、その素子構造によっては下部及び上部磁気シールド層１１、１４が一対の電極として兼用されることもある。
【００２５】
再生用素子１３として、例えば磁気抵抗（Magneto Resistance:ＭＲ）効果素子、巨大
磁気抵抗(Giant Magneto Resistance: ＧＭＲ)効果素子又はトンネル磁気抵抗(Tunneling
Magneto Resistance:ＴＭＲ)効果素子が形成される。
再生用素子１３は、磁気記録媒体５に対する磁気ヘッドの浮上面（ＡＢＳ面：Air Bearing Surface）、即ち媒体対向面となる領域に形成される。
【００２６】
磁気記録ヘッド２０は、絶縁分離層３上に非磁性体層２９が設けられており、さらにその上に主磁極２１が形成されている。主磁極２１上には、非磁性ギャップ層２３が設けられており、主磁極２１及び非磁性ギャップ層２３の周囲には平坦化絶縁層２２が形成されている。非磁性ギャップ層２３及び平坦化絶縁層２２上には、下地絶縁層２４ａが形成されており、下地絶縁層２４ａ上に励磁コイル２５と、励磁コイル２５を覆う被覆絶縁層２４ｂとが形成されている。
【００２７】
また、被覆絶縁層２４ｂのトレーリング側の上には、磁性層からなるリターンヨーク２６が設けられている。リターンヨーク２６の媒体対向面側の先端部には、トレーディング側磁気シールド層２７がリターンヨーク２６に接続されるように配置されている。さらに、主磁極２１のクロストラック側に近接して、図示を省略するサイド磁気シールド等が形成されている。
【００２８】
なお、磁気記録ヘッド２０においては、主磁極２１のトレーリング側だけでなく、リーディング側にも励磁コイルとリターンヨークが配置される構造もある。
主磁極２１は、図２の斜視図に示すように、四角形のヨーク部２１ａと、ヨーク部２１ａからＡＢＳ面（媒体対向面）側に突出するテーパー状の絞り（フレア）部２１ｂと、絞り部２１ｂのうちＡＢＳ面側の先端から突出するストライプ状の先端部２１ｃとから構成されている。
【００２９】
主磁極２１のヨーク部２１ａは、励磁コイル２５のほぼ中央の隙間を通して形成されるコンタクトホール２８を通してリターンヨーク２６に磁気的に接続されている。先端部２１ｃの上面は、例えば、幅５０ｎｍ〜１２０ｎｍ、長さ２００ｎｍ〜２５０ｎｍの平面形状を有している。
【００３０】
次に、主磁極２１の形成工程を図３、図４及び図５に基づいて説明する。なお、図３及び図４は、図２のＩ−Ｉ線から見た形成工程の断面図を示し、図５は上から見た形成工程の平面図を示している。
まず、基板１の上に、図１に示した絶縁層２、磁気再生ヘッド１０及び絶縁分離層３を順に形成する。絶縁分離層３の厚さを例えば５００ｎｍとする。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、絶縁分離層３の上に非磁性体層２９を形成する。非磁性体層２９は、例えば厚さ２００ｎｍの銅（Cu）からなり、スパッタ法により形成する。なお、非磁性体層２９は、Al，Cr，Inでも良い。非磁性体層２９の厚さは、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲であることが好ましい。非磁性体層２９の厚さが１００ｎｍより薄いと、次に工程で形成しようとする磁性体膜３０の下部の加工が促進され難くなる。一方、非磁性体層２９の厚さが３００ｎｍを越えると、磁性体層３０から磁気再生ヘッド１０までの距離が大きくなり過ぎる。
【００３２】
さらに、非磁性体層２９の上に磁性体層３０を形成する。磁性体層３０は、高飽和磁束密度（高Ｂｓ）磁性体層３１と、反強磁性体層３２とを交互にスパッタ法により形成した積層構造を有し、図３（ａ）には一例として４層の積層構造が図示されている。なお、磁性体層３０は、FeCoNiなどの単層構造でもよい。
【００３３】
高Ｂｓ磁性体層３１は、例えば厚さ５０ｎｍの鉄コバルトニッケル（FeCoNi）、鉄コバルト（FeCo）等の高飽和磁束密度磁性材から構成される。FeCoNiの組成は、例えばFeを６５質量％、Coを２５質量％、Niを１０質量％とする。
反強磁性体層３２は、例えば厚さ１ｎｍのクロム（Cr）から構成する。なお、反強磁性体層３２の代わりにアルミナ、ルテニウム等の非磁性層を形成してもよい。
【００３４】
続いて、磁性体層３０上に非磁性ギャップ層２３をスパッタ法により５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。非磁性ギャップ層２３として、本実施形態ではニッケルクロム（NiCr）層を形成するが、ルテニウム（Ru）、又は反強磁性体層３２とは異なるその他の非磁性材から構成してもよい。
【００３５】
さらに、非磁性ギャップ層２３上に、厚さ１００ｎｍのアルミナ（Al2O3）と厚さ１００ｎｍのチタン（Ti）からなる二層構造のハードマスク層３４をスパッタ法により形成する。続いて、ハードマスク層３４上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、第１のマスクとなるレジストパターン３５を形成する。フォトレジストとして例えばKrF露光用レジストを使用する。
【００３６】
レジストパターン３５は、図５（ａ）に示すように、主磁極２１の相似形で且つ主磁極２１よりも大きな平面形状を有するとともに、先端部２１ｃに対応する部分には三角形を接続した形状の支持部を有し、さらに、先端部２１ｃに対応する領域の幅は例えば約５００ｎｍとなっている。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示すように、レジストパターン３５に覆われずに露出した領域のハードマスク層３４をハロゲン系ガスである塩素（Cl2）ガス又は塩素化合物ガス又はフッ
素ガスを使用して例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により除去する。これにより、ハードマスク層３４にはレジストパターン３５の形状が転写されるので、このハードマスク３４ａを第２のマスクとして使用する。ここで、エッチング後に残されたレジストパターン３５を溶剤により除去する。
【００３８】
続いて、図３（ｃ）、図５（ｂ）に示すように、ハードマスク３４ａに覆われずに露出した領域の非磁性ギャップ層２３、磁性体層３０を第１のイオンミリングにより除去する。これにより、ハードマスク３４ａの下方に残された磁性体層３０は、ハードマスク３４ａの形状が転写され、平面形状三角の支持部２１ｄを先端部２１ｃに接続した形状の主磁極２１が形成される。
【００３９】
図３（ｃ）に示すように、第１のイオンミリングは、ハードマスク３４ａに覆われない位置で磁性体層３０が非磁性体層２９上に残らずに基板１上面に対して略垂直になるようにする。これにより、磁性体層３０の断面形状は膜の積層方向で細長の略長方形になる。また、第１のイオンミリングの替わりにメタノールを使用するＲＩＥ法により非磁性ギャップ層２３及び磁性体層３０をエッチングしてもよい。
なお、第１のイオンミンリング又はドライエッチングの条件によっては、ハードマスク３４ａから露出する非磁性体層２９の一部がエッチングされ、図示を省略する凹部を形成することもある。また、第１のイオンミンリング又はドライエッチングでハードマスク３４ａから露出する非磁性体層２９を全て除去しても良い。
【００４０】
続いて、図４（ａ）に示すように、非磁性体層２９に対してウェットエッチングを行って磁性体層３０の下方の一部を残して除去する。即ち、磁性体層３０の下の両端にもエッチング液を浸入させ、非磁性体層２９の幅を磁性体層３０の幅より狭くする。
非磁性体層２９はその表面から等方的に溶解するので、最初に磁性体層３０から露出する部分が溶解され、次に磁性体層３０の下の部分が断面視の両側面から均等に除去される。
【００４１】
これにより、非磁性体層２９は、幅方向の略中央部分のみが残る。ウェットエッチング後に残る非磁性体層２９の幅は、絶縁分離層３側が広く、磁性体層３０側が狭くなり、絶縁分離層３側から磁性体層３０側に至るまでの間は滑らかな曲面形状になる。なお、磁性体層３０の側方から露出する部分では、非磁性体層２９は完全に除去される。
【００４２】
ウェットエッチングをした後の非磁性体層２９の幅は、磁性体層３０側で磁性体層３０の幅の１／３以下であることが好ましい。非磁性体層２９の幅が１／３を越えると、磁性体層３０の側面に十分な傾斜角度を形成することが困難になる。
なお、先端部２１ｃの下の非磁性体層２９の幅をゼロ、即ち非磁性体層２９を完全に除去しても良い。しかしながら、非磁性体層２９を残しておけば、後の工程で磁性体層３０の下を非磁性物質で覆うときに、隙間なく非磁性物質を充填し易くなる。
【００４３】
ここで、エッチング液には、アンモニア水、酢酸などを用いて、非磁性体層２９を選択エッチングするが、ハードマスク３４ａや磁性体層３０、絶縁分離層３はエッチングしない溶液を用いる。例えば、エッチング液に酢酸を使用する場合の非磁性体層２９のエッチングレートは、２５℃で約４ｎｍ／分となったので、エッチング時間を管理すれば磁性体層３０下に残す非磁性体層２９の幅を制御できる。この他にも、エッチャントの種類、エッチャント濃度の管理によって、非磁性体層２９のエッチング量、即ち磁性体層３０下に残す非磁性体層２９の幅を高精度で制御することができる。しかも、ウェットエッチングを採用することで、基板１上での面内のエッチングのバラツキを抑制することが可能になる。
【００４４】
そして、非磁性体層２９のウェットエッチングを行った後は、基板１を十分に水洗する。
【００４５】
次に、図４（ｂ）及び図５（ｃ）に示すように、磁性体層３０に対して第２のイオンミリングを実行する。図中に矢印で示すように、第２のイオンミリングは、絶縁分離層３の上面に対して例えば７０°〜７５°の傾斜角度でイオンを照射する。
磁性体層３０は、ハードマスク３４ａに覆われた上部に対して、非磁性体層２９が除去された磁性体層３０の下部の両側部分の方が多くエッチングされ、磁性体層３０の左側面と右側面のそれぞれが斜めに整形されると共に、その幅が磁性体層３０の上部より狭くなる。
【００４６】
これは、磁性体層３０の下部の両端に下層が取り除かれることで、この部分の磁性体層３０が除去され易くなるためであると考えられる。
先端部２１ｃの下で、非磁性体層２９は幅方向の中央部分のみに残されているので、磁性体層３０が両方の側部から略均等に、且つ略対称な形状に加工され、断面視で中央部分のみが残される。なお、第２のイオンミリング後の磁性体層３０の下部の幅と、非磁性体層２９の上部の幅とは略等しく、且つ第２のイオンミリング前の非磁性体層２９の上部の幅より少し狭くなる。
【００４７】
このようにして加工された磁性膜３０は、その断面形状が逆台形状又は逆三角形状になる。ここで、逆台形とは、対向する２つの辺のうち下側（基板側）が短い台形をいう。逆三角形というのは、三角形の一頂点が絶縁分離層３側に位置し且つこれに対向する辺が上方に位置する状態にある形状をいう。
なお、第２のイオンミリングでは、絶縁分離層３のうちハードマスク３４ａ周囲の領域に浅い凹部が形成されることもある。
【００４８】
第２のイオンミリングによる加工により、主磁極２１の先端部２１ｃ上面の幅は３００ｎｍから約１００ｎｍに絞り込まれて狭くなる。磁性体層３０の積層方向に対する側面の傾斜角度は、８°〜２０°になる。また、主磁極２１は、図５（ｄ）に示すように、平面形状になり、先端部２１ｃが支持部２１ｄに接続された状態となる。
次に、ＲＩＥ法によりハードマスク３４ａを除去する。この場合、ハードマスク３４ａを構成するアルミナ、チタンのエッチングガスとして、ハロゲンガス、例えば塩素系ガスを用いる。
【００４９】
次に、非磁性ギャップ層２３、主磁極２１及び絶縁分離層３の上に平坦化絶縁層２２としてアルミナ層をスパッタにより形成し、さらにその平坦化絶縁層２２を化学機械研磨（ＣＭＰ）法により研磨して平坦にするとともに、非磁性ギャップ層２３の上面を露出させる。
その後に、平坦化絶縁層２２及び非磁性ギャップ層２３の上に、下地絶縁層２４ａ、励磁コイル２５、被覆絶縁層２４ｂ、リターンヨーク２６等を形成し、これにより磁気ヘッド用ウェハを完成させる。
【００５０】
その後に、磁気ヘッド用ウェハを所定形状に切断、加工し、最終的に磁気ヘッドスライダを形成する。それらのプロセスにおいて、主磁極２１の支持部２１ｄを除去するとともに先端部２１ｃの長さを調整し、図２に示すような形状にする。
【００５１】
ここで、非磁性体層２９のエッチング量によって磁性体層３０の形状の角度制御や幅を容易に、且つ高精度に制御できることを図４及び図６を参照して説明する。
図６（ａ）は、磁性体層３０の下方の非磁性体層２９をウェットエッチングした後の状態を示す。ここでの横方向のエッチング量は、図４（ａ）に比べて多くしてある。即ち、磁性体層３０の下に残る非磁性体層２９の幅をさらに狭くした。この後、第２のイオンミリングを行うと、図６（ｂ）に示すように磁性体層３０の基板１側の幅がさらに狭くなった。より詳細には、第２のイオンミリングを実行する前の非磁性体層２９の幅より僅かに狭い幅になった。また、基板１側の磁性体層３０の幅を狭くすることで、ハードマスク３４ａ側の磁性体層３０の幅も狭くなった。
【００５２】
すなわち、磁性体層３０の下に残留させる非磁性体層２９の幅を大きく、即ち横方向のエッチング量を少なくすると、第２のイオンミリング後の磁性体層３０の幅を大きくできる。これに対し、磁性体層３０の下に残留させる非磁性体層２９の幅を小さく、即ち横方向のエッチング量を多くすると、第２のイオンミリング後の磁性体層３０の幅を小さくできる。
【００５３】
また、第２のイオンミリングの条件を同じにした場合、磁性体層３０の下に残留させる非磁性体層２９の幅を大きく、即ちエッチング量を少なくすると、磁性体層３０の両側面の傾斜角度は小さくなる。これに対し、非磁性体層２９の幅を小さく、即ちエッチング量を多くすると、磁性体層３０の両側面の傾斜角度が大きくなる。これは、非磁性体層２９がウェットエッチングよって除去された磁性体層３０の下側部分が、ハードマスク３４ａで覆われた上側部分より加工され易くなっているためであると考えられる。
さらに、図示を省略するが、非磁性体層２９を完全に除去した場合、磁性体層３０の幅を最も狭くでき、且つ両側面の傾斜角度を最も大きくできる。
【００５４】
前記したように、非磁性体層２９の幅、即ちエッチング量は、エッチング時間等でコントロールできる。したがって、磁性体層３０の幅や傾斜角度を非磁性体層２９のエッチング条件でコントロールすることが可能になる。例えば、記録密度をより向上させたい場合は、非磁性体層２９の幅を狭くすると共に、第２のイオンミリングの条件として磁性体層３０の幅が狭くなるような条件を選択するとよい。これにより、記録媒体上の隣りのエリアの磁気記録を消去してしまう、いわゆるサイドイレーズが起き難くなる。
【００５５】
なお、磁性体層３０の下部の幅を非磁性体層２９の幅と同程度まで加工する必要はなく、磁性体層３０の幅を非磁性体層２９上部のより広くしてよい。また、第２のイオンミリングの条件は、ウェットエッチングで残した非磁性体層２９の幅に依らずに一定にしてもよいが、非磁性体層２９の幅に応じて、変化させてもよい。このようにすると、ハードマスク３４ａ側の上部の磁性体層３０の幅が略同じでも、両側面の傾斜角度が大きい先端部２１ｃや、両側面の傾斜角度が小さい先端部２１ｃを形成できる。また、製造途中で主磁極２１の形状を調整することも可能になる。
【００５６】
この実施の形態によれば、ウェットエッチングによって非磁性体層２９を磁性体層３０の下部まで侵食させたので、磁性体層３０が加工し易くなり、第２のイオンミリング時に磁性体層３０を精度よく加工することが可能になる。また、このことから、磁性体層３０を所望の角度に傾斜させることが可能になる。さらに、非磁性体層３０のエッチング量に応じて磁性体層３０の形状を制御することが可能になる。
また、主磁極２１ｃの端部面積を精度良く狭くすることにより、磁気ディスク装置の高密度化に寄与することができる。
【００５７】
主磁極２１の先端部２１ｃの最終コア幅を１００ｎｍとする場合に、ドライプロセスのみで磁性膜３０をパターニングして主磁極２１を形成するとコア幅の３σ（σ：標準偏差）が１５％となった。これに対して、非磁性体層２９を設けて主磁極２１の整形をウェットエッチングにより制御したところ、３σを５％まで低減できた。
【００５８】
また、ドライプロセスのみで磁性膜３０をパターニングして主磁極２１を形成すると、その傾斜角度は１２°が限界であった。これに対して、非磁性体層２９を設けて磁性体層３０の下でウェットエッチングを実行するようにしたところ、２０°までの傾斜角度が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドにおける磁気記録ヘッドに適用される主磁極を示す斜視図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、磁気記録ヘッドの主磁極の形成工程を示す断面図である（その１）。
【図４】図４（ａ）〜（ｂ）は、磁気記録ヘッドの主磁極の形成工程を示す断面図である（その２）。
【図５】図５（ａ）〜（ｂ）は、磁気記録ヘッドの主磁極の形成工程を示す断面図であり、非磁性体層のエッチング量を多くした場合を示す図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｄ）は、磁気記録ヘッドの主磁極の形成工程を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、従来技術に係る磁気記録ヘッドの主磁極の形成工程を示す断面図である。
【図８】図８は、磁気記録ヘッドの主磁極を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  基板
２  絶縁層
３  絶縁分離層（下地層）
５  磁気記録媒体
１０  磁気再生ヘッド
２０  磁気記録ヘッド
２１  主磁極
２２  平坦化絶縁層
２３  非磁性ギャップ層
２４ａ  下地絶縁層
２４ｂ  被覆絶縁層
２５  励磁コイル
２６  リターンヨーク
２７  磁気シールド層
２９  非磁性体層
３０  磁性体層
３１  高Ｂｓ磁性体層
３２  反強磁性体層
３４  ハードマスク層
３４ａ、３４ｂ  ハードマスク
３５、３７  レジストパターン
３４ｃ、３７ａ  主磁極形成領域
３４ｄ、３８  開口部
３９  非磁性絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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