(57)【要約】【課題】酸化距離のばらつきが小さい酸化装置を提供する。【解決手段】水蒸気を発生させる水蒸気発生装置と、該水蒸気発生装置で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱する水蒸気加熱装置５０３０と、該水蒸気加熱装置５０３０で加熱された水蒸気が供給され、該水蒸気の温度を維持するヒータを有する酸化反応器５０４０と、開閉可能な隔壁５０６０を介して酸化反応器５０４０と連結された準備室５０５０と、酸化対象物を加熱するヒータを有し、酸化対象物が載置されるテーブル装置と、該テーブル装置を駆動し、酸化開始時に酸化対象物を準備室５０５０から酸化反応器５０４０に移動させ、酸化終了後に酸化対象物を酸化反応器５０４０から準備室５０５０に移動させる駆動装置とを備えている。【選択図】図１１
2010129894.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水蒸気を用いて対象物を酸化するための酸化装置であって、
酸化温度近くまで加熱された水蒸気が供給される酸化反応室と；
開閉可能な隔壁を介して前記酸化反応室と連結され、酸化温度よりも低い温度に加熱された対象物を収容するための準備室と；を備える酸化装置。
【請求項２】
前記対象物が載置され、該対象物を加熱するための加熱装置を有するテーブル装置と；
前記テーブル装置を駆動し、前記対象物を前記準備室から前記酸化反応室に移動させるための駆動機構と；を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の酸化装置。
【請求項３】
前記テーブル装置の移動方向は、前記酸化反応室における水蒸気の流れる方向に垂直な方向と略同一であることを特徴とする請求項２に記載の酸化装置。
【請求項４】
前記酸化反応室における水蒸気の流れる方向は、前記対象物の表面に平行な方向と略同一であることを特徴とする請求項３に記載の酸化装置。
【請求項５】
前記駆動機構は、前記テーブル装置を回転させるための回転機構を更に有することを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の酸化装置。
【請求項６】
前記テーブル装置は、
前記対象物が前記酸化反応室内にあるとき、前記隔壁に代わって前記酸化反応室と前記準備室との間を閉鎖するための分離板を有することを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の酸化装置。
【請求項７】
水蒸気を発生させるための水蒸気発生装置を更に備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の酸化装置。
【請求項８】
前記水蒸気発生装置で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱するための水蒸気加熱装置を更に備えることを特徴とする請求項７に記載の酸化装置。
【請求項９】
前記準備室を加熱するための加熱装置を更に備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の酸化装置。
【請求項１０】
前記酸化反応室を加熱するための加熱装置を更に備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の酸化装置。
【請求項１１】
前記酸化反応室は、前記対象物を観察するための窓を有していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の酸化装置。
【請求項１２】
前記対象物は、基板上に活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられ被選択酸化層を含む反射鏡が積層された面発光レーザ用の積層体であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の酸化装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の酸化装置を用いて対象物を酸化する酸化方法であって、
酸化温度近くまで加熱された水蒸気を前記酸化反応室に供給する工程と；
前記対象物を前記準備室内にセットし、該対象物を酸化温度よりも低い温度まで加熱する工程と；
前記隔壁を開き、前記対象物を前記酸化反応室内に移動させる工程と；
前記対象物を酸化温度まで加熱する工程と；を含む酸化方法。
【請求項１４】
活性層を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた反射鏡、及びアルミニウムを一成分とする被選択酸化層の選択酸化によって形成された狭窄構造体を有する面発光レーザ素子において、
前記被選択酸化層の選択酸化が請求項１３に記載の酸化方法によってなされたことを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項１５】
請求項１４に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。
【請求項１６】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１４に記載の面発光レーザ素子を有する光源と；
前記光源からの光を偏向する偏向手段と；
前記偏向手段で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置。
【請求項１７】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１５に記載の面発光レーザアレイを有する光源と；
前記光源からの光を偏向する偏向手段と；
前記偏向手段で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置。
【請求項１８】
少なくとも１つの像担持体と；
前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも１つの請求項１６又は１７に記載の光走査装置と；を備える画像形成装置。
【請求項１９】
前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項１８に記載の画像形成装置。
【請求項２０】
入力される電気信号に応じた光信号を生成する光伝送モジュールであって、請求項１５に記載の面発光レーザアレイと；
前記面発光レーザアレイを、前記入力される電気信号に応じて駆動する駆動装置と；を備える光伝送モジュール。
【請求項２１】
請求項２０に記載の光伝送モジュールと；
前記光伝送モジュールで生成された光信号を伝達する光伝達媒体と；
前記光伝達媒体を介した光信号を電気信号に変換する変換器と；を備える光伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化装置、酸化方法、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システムに係り、更に詳しくは、水蒸気を用いて対象物を酸化するための酸化装置、該酸化装置を用いた酸化方法、基板に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、前記面発光レーザ素子あるいは面発光レーザアレイを有する光走査装置、該光走査装置を備える画像形成装置、前記面発光レーザアレイを有する光伝送モジュール及び光伝送システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直共振器型の面発光レーザ素子（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）は、基板に垂直な方向に光を射出するものであり、基板に平行な方向に光を射出する端面発光型の半導体レーザ素子よりも低価格、低消費電力、小型、２次元デバイスに好適、かつ、高性能であることから、近年、注目されている。
【０００３】
面発光レーザ素子の応用分野としては、プリンタにおける光書き込み系の光源（発振波長：７８０ｎｍ帯）、光ディスク装置における書き込み用光源（発振波長：７８０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯）、光ファイバを用いるＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）などの光伝送システムの光源（発振波長：１．３μｍ帯、１．５μｍ帯）が挙げられる。さらには、ボード間、ボード内、集積回路（ＬＳＩ：Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）のチップ間、及び集積回路のチップ内の光伝送用の光源としても期待されている。
【０００４】
面発光レーザ素子は、電流流入効率を高めるために狭窄構造体を有している。この狭窄構造体としては、Ａｌ（アルミニウム）Ａｓ（ヒ素）層の選択酸化による狭窄構造体（以下では、便宜上「酸化狭窄構造体」ともいう。例えば、特許文献１参照）が良く用いられている。この酸化狭窄構造体は、ｐ−ＡｌＡｓからなる被選択酸化層が側面に露出している所定の大きさのメサを形成した後、高温の水蒸気雰囲気中に置いて、Ａｌをメサ側面から選択的に酸化させ、メサの中心付近に、被選択酸化層における酸化されていない領域を残留させたものである。この酸化されていない領域が、面発光レーザ素子の駆動電流の通過領域（電流注入領域）となる。
【０００５】
酸化狭窄構造体におけるＡｌの酸化（ＡｌｘＯｙ）した層（以下では、「酸化層」と略述する）の屈折率は、１．６程度であり、半導体層に比べて低い。これにより、共振器構造体内に横方向の屈折率差が生じ、光がメサ中央に閉じ込められるので、発光効率を向上させることができる。その結果、低閾値電流、高効率等の優れた特性を実現することが可能となる。
【０００６】
そこで、酸化狭窄構造体を形成するための装置が種々考案されている（例えば非特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５４９３５７７号明細書
【特許文献２】特開２００８−１０５９６号公報
【非特許文献１】禅野由明、他２名、「面発光レーザ作成用新型酸化装置の開発」、光アライアンス、日本工業出版、２００４年、４月、ｐ４２−４６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記面発光レーザ素子の応用分野では、射出される光が単一基本モードの光であることが必要とされる場合が多い。例えば、光書き込み系では精密で複雑な光路の制御（屈折、反射、ビームの絞込み）を行うので単一基本モードの光を射出する光源が必要である。また、光伝送システムでは光ファイバ中の伝播速度が波長により異なるので信号波形を崩さずに伝送するには単一波長の光を射出する光源が必要である。
【０００９】
面発光レーザ素子で単一基本横モード発振を得るためには、酸化狭窄構造体における狭窄部の大きさ（例えば、狭窄径）を小さくして高次モードの回折損失を大きくする必要がある。具体的には、狭窄部の一辺の大きさ又は直径を発振波長の３〜４倍程度まで狭くする必要がある。例えば、発振波長が０．８５μｍの場合、狭窄部の一辺の長さは、約４．０μｍ以下にする必要がある。また、発振波長が１．３μｍの場合、狭窄部の一辺の長さは、約５．０μｍ以下にする必要がある。
【００１０】
しかしながら、非特許文献１及び特許文献２に開示されている装置では、ロット（ウエハ）間、チップ間、及びチップ内での酸化距離にばらつきが多く、製造歩留まりが低いという不都合があった。
【００１１】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、酸化対象物における酸化距離のばらつきが小さい酸化装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の第２の目的は、酸化対象物における酸化距離のばらつきが小さい酸化方法を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の第３の目的は、製造歩留まりが高い面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイを提供することにある。
【００１４】
また、本発明の第４の目的は、高コスト化を招くことなく、安定した光走査を行うことができる光走査装置を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の第５の目的は、高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成することができる画像形成装置を提供することにある。
【００１６】
また、本発明の第６の目的は、高コスト化を招くことなく、安定した光信号を生成することができる光伝送モジュールを提供することにある。
【００１７】
また、本発明の第７の目的は、高コスト化を招くことなく、高品質の光伝送を行うことができる光伝送システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、第１の観点からすると、水蒸気を用いて対象物を酸化するための酸化装置であって、酸化温度近くまで加熱された水蒸気が供給される酸化反応室と；開閉可能な隔壁を介して前記酸化反応室と連結され、酸化温度よりも低い温度に加熱された対象物を収容するための準備室と；を備える酸化装置である。
【００１９】
これによれば、酸化対象物におけるロット間、チップ間及びチップ内での酸化距離のばらつきを小さくすることが可能となる。
【００２０】
本発明は、第２の観点からすると、本発明の酸化装置を用いて対象物を酸化する酸化方法であって、酸化温度近くまで加熱された水蒸気を前記酸化反応室に供給する工程と；前記対象物を前記準備室内にセットし、該対象物を酸化温度よりも低い温度まで加熱する工程と；前記隔壁を開き、前記対象物を前記酸化反応室内に移動させる工程と；前記対象物を酸化温度まで加熱する工程と；を含む酸化方法である。
【００２１】
これによれば、酸化対象物におけるロット間、チップ間及びチップ内での酸化距離のばらつきを小さくすることが可能となる。
【００２２】
本発明は、第３の観点からすると、活性層を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた半導体多層膜反射鏡、及びアルミニウムを一成分とする被選択酸化層の選択酸化によって形成された狭窄構造体を有する面発光レーザ素子において、前記被選択酸化層の選択酸化が本発明の酸化方法によってなされたことを特徴とする面発光レーザ素子である。
【００２３】
これによれば、製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【００２４】
本発明は、第４の観点からすると、本発明の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイである。
【００２５】
これによれば、本発明の面発光レーザ素子が集積されているため、結果として製造歩留まりを従来よりも向上させることができる。
【００２６】
本発明は、第５の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザ素子を有する光源と；前記光源からの光を偏向する偏向手段と；前記偏向手段で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置である。
【００２７】
これによれば、光源が本発明の面発光レーザ素子を有しているため、結果として高コスト化を招くことなく、安定した光走査を行うことが可能となる。
【００２８】
本発明は、第６の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザアレイを有する光源と；前記光源からの光を偏向する偏向手段と；前記偏向手段で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置である。
【００２９】
これによれば、光源が本発明の面発光レーザアレイを有しているため、結果として高コスト化を招くことなく、安定した光走査を行うことが可能となる。
【００３０】
本発明は、第７の観点からすると、少なくとも１つの像担持体と；前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも１つの本発明の光走査装置と；を備える画像形成装置である。
【００３１】
これによれば、本発明の光走査装置を備えているため、結果として高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成することが可能となる。
【００３２】
本発明は、第８の観点からすると、入力される電気信号に応じた光信号を生成する光伝送モジュールであって、本発明の面発光レーザアレイと；前記面発光レーザアレイを、前記入力される電気信号に応じて駆動する駆動装置と；を備える光伝送モジュールである。
【００３３】
これによれば、本発明の面発光レーザアレイを備えているため、結果として高コスト化を招くことなく、安定した光信号を生成することが可能となる。
【００３４】
本発明は、第９の観点からすると、本発明の光伝送モジュールと；前記光伝送モジュールで生成された光信号を伝達する光伝達媒体と；前記光伝達媒体を介した光信号を電気信号に変換する変換器と；を備える光伝送システムである。
【００３５】
これによれば、本発明の光伝送モジュールを備えているため、結果として高コスト化を招くことなく、高品質の光伝送を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図１２を用いて説明する。図１には、一実施形態に係るレーザプリンタ１０００の概略構成が示されている。
【００３７】
このレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【００３８】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【００３９】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図１における矢印方向に回転するようになっている。
【００４０】
帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電チャージャ１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【００４１】
帯電チャージャ１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【００４２】
光走査装置１０１０は、帯電チャージャ１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。なお、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００４３】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【００４４】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００４５】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、該給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚づつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。該レジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、該記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００４６】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００４７】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次スタックされる。
【００４８】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
【００４９】
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電チャージャ１０３１に対向する位置に戻る。
【００５０】
次に、前記光走査装置１０１０の構成について説明する。
【００５１】
この光走査装置１０１０は、一例として図２に示されるように、偏向器側走査レンズ１１ａ、像面側走査レンズ１１ｂ、ポリゴンミラー１３、光源１４、カップリングレンズ１５、開口板１６、アナモルフィックレンズ１７、反射ミラー１８、及び走査制御装置（図示省略）などを備えている。そして、これらは、ハウジング３０の中の所定位置に組み付けられている。
【００５２】
なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
【００５３】
カップリングレンズ１５は、光源１４から出力された光束を略平行光とする。
【００５４】
開口板１６は、開口部を有し、カップリングレンズ１５を介した光束のビーム径を規定する。
【００５５】
アナモルフィックレンズ１７は、開口板１６の開口部を通過した光束を、反射ミラー１８を介してポリゴンミラー１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【００５６】
光源１４とポリゴンミラー１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ１５と開口板１６とアナモルフィックレンズ１７と反射ミラー１８とから構成されている。
【００５７】
ポリゴンミラー１３は、一例として内接円の半径が１８ｍｍの６面鏡を有し、各鏡がそれぞれ偏向反射面となる。このポリゴンミラー１３は、副走査対応方向に平行な軸の周りを等速回転しながら、反射ミラー１８からの光束を偏向する。
【００５８】
偏向器側走査レンズ１１ａは、ポリゴンミラー１３で偏向された光束の光路上に配置されている。
【００５９】
像面側走査レンズ１１ｂは、偏向器側走査レンズ１１ａを介した光束の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ１１ｂを介した光束が、感光体ドラム１０３０の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【００６０】
ポリゴンミラー１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ１１ａと像面側走査レンズ１１ｂとから構成されている。なお、偏向器側走査レンズ１１ａと像面側走査レンズ１１ｂの間の光路上、及び像面側走査レンズ１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されても良い。
【００６１】
光源１４は、一例として図３に示されるように、面発光レーザ素子１００を有している。なお、本明細書では、レーザ発振方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な面内における互いに直交する２つの方向をＸ軸方向及びＹ軸方向として説明する。
【００６２】
面発光レーザ素子１００は、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザ素子であり、基板１０１、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。
【００６３】
基板１０１は、表面が鏡面研磨面であり、図４（Ａ）に示されるように、鏡面研磨面（主面）の法線方向が、結晶方位［１  ０  ０］方向に対して、結晶方位［１  １  １］Ａ方向に向かって１５度（θ＝１５度）傾斜したｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。すなわち、基板１０１はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図４（Ｂ）に示されるように、結晶方位［０  −１  １］方向が＋Ｘ方向、結晶方位［０  １  −１］方向が−Ｘ方向となるように配置されている。
【００６４】
図３に戻り、バッファ層１０２は、基板１０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【００６５】
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層１０２の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−Ａｌ０．９３Ｇａ０．０７Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４２．５ペア有している。各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００６６】
下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓからなる層である。
【００６７】
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層され、ＧａＩｎＡｓＰ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓからなる３重量子井戸構造の活性層である。
【００６８】
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓからなる層である。
【００６９】
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれている。
【００７０】
上部半導体ＤＢＲ１０７は、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９３Ｇａ０．０７Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３２ペア有している。各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００７１】
上部半導体ＤＢＲ１０７における低屈折率層の１つには、ｐ−Ａｌ０．９９Ｇａ０．０１Ａｓからなる被選択酸化層が厚さ３０ｎｍで挿入されている。この被選択酸化層の挿入位置は、上部スペーサ層１０６から２ペア目の低屈折率層中である。
【００７２】
コンタクト層１０９は、上部半導体ＤＢＲ１０７の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００７３】
なお、このように基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
【００７４】
図５には、面発光レーザ素子１００を製造する際に用いられる酸化装置５０００が示されている。この酸化装置５０００は、水蒸気発生装置５０１０、水蒸気加熱装置５０３０、酸化反応器５０４０、準備室５０５０などを有している。また、水蒸気発生装置５０１０と水蒸気加熱装置５０３０は、配管５０２０を介して接続されている。
【００７５】
水蒸気発生装置５０１０は、水蒸気を発生させる装置である。ここで発生された水蒸気は、配管５０２０を介して水蒸気加熱装置５０３０に送られる。
【００７６】
ここでは、水蒸気発生装置５０１０は、一例として図６に示されるように、マスフローコントローラ５０１１、気化器５０１２、液体マスフローコントローラ５０１３、及び水供給器５０１４を備えている。
【００７７】
この水蒸気発生装置５０１０の動作について簡単に説明する。水供給器５０１４に窒素（Ｎ２）ガスが導入されると、水（Ｈ２Ｏ）が液体マスフローコントローラ５０１３で流量制御されて気化器５０１２に供給され、水蒸気となる。Ｎ２キャリアガスが導入されると、マスフローコントローラ５０１１で流量制御されて気化器５０１２に供給される。そして、気化器５０１２からは、水蒸気を含むＮ２キャリアガス（以下では、便宜上「酸化雰囲気ガス」ともいう。）が配管５０２０を介して水蒸気加熱装置５０３０内に供給される。なお、気化器５０１２での設定温度は１８０℃である。また、配管５０２０は、配管温度が１２０℃となるように加熱されている。
【００７８】
水蒸気加熱装置５０３０は、配管５０２０を介して供給された酸化雰囲気ガスを酸化温度近くまで加熱する装置である。ここで加熱された酸化雰囲気ガスは、酸化反応器５０４０に送られる。
【００７９】
ここでは、水蒸気加熱装置５０３０は、一例として図７に示されるように、一端が配管５０２０に接続されている加熱容器５０３１、該加熱容器５０３１を加熱するためのヒータ５０３２、及び加熱容器５０３１内の温度を制御するための温度コントローラ（図示省略）を有している。
【００８０】
酸化反応器５０４０は、水蒸気加熱装置５０３０からの酸化雰囲気ガスで酸化対象物を酸化する。
【００８１】
ここでは、酸化反応器５０４０は、一例として図７に示されるように、水蒸気加熱装置５０３０で加熱された酸化雰囲気ガスが供給される反応容器５０４１、該反応容器５０４１を加熱するためのヒータ５０４２、及び反応容器５０４１内の温度を制御するための温度コントローラ（図示省略）を有している。
【００８２】
反応容器５０４１には、作業者が酸化対象物の状態を観察するための観察窓５０４３、及び気体を外部に排出するための排気口が設けられている。
【００８３】
ここでは、加熱容器５０３１と反応容器５０４１は、一体化されており、断面形状が矩形の石英製容器が用いられている。そして、石英製容器における加熱容器５０３１の部分（−Ｘ側の部分）と反応容器５０４１の部分（＋Ｘ側の部分）との境界部分に多孔板５０３５が配置されている。
【００８４】
多孔板５０３５は、加熱容器５０３１から反応容器５０４１に供給される酸化雰囲気ガスの流れを安定化させる。
【００８５】
観察窓５０４３は、透明石英製である。この観察窓５０４３の＋Ｚ側には、酸化対象物における酸化距離を計測するための赤外線顕微鏡（図示省略）が設置されている。
【００８６】
準備室５０５０は、酸化装置５０００に対する酸化対象物の出し入れを行うための小部屋である。ここでは、準備室５０５０は、ステンレス鋼製で、一例として図７に示されるように、酸化反応器５０４０の−Ｚ側に設けられている。
【００８７】
この準備室５０５０には、酸化対象物を出し入れするための扉（図示省略）が設けられている。また、準備室５０５０には、マスフローコントローラ５０５３によって流量制御されたガスパージ用の窒素ガス（Ｎ２パージガス）を供給するための供給口、及び該窒素ガスを排出するための排気口が設けられている。
【００８８】
準備室５０５０の周囲には、準備室５０５０を加熱するためのヒータ５０５２が配置されている。
【００８９】
準備室５０５０は、ステンレス鋼製の隔壁５０６０を介して反応容器５０４１と接続されている。隔壁５０６０は、Ｘ軸方向に移動可能であり、一例として図７及び８に示されるように、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を開閉することができるようになっている。なお、隔壁５０６０のガスシール性は、真空装置のシール部のような完全なシールは必要でなく、金属やセラミックのすり合わせ程度の構造で十分である。
【００９０】
隔壁５０６０の移動は、作業者が手動で行うことができる。
【００９１】
また、酸化装置５０００は、一例として図９に示されるように、テーブル装置５０７０を有している。このテーブル装置５０７０は、ステージ部材５０７１、均熱板５０７３、及び分離板５０７４を有している。
【００９２】
ステージ部材５０７１は、円板状の部材であり、その中には、酸化対象物を加熱するためのヒータ５０７２、及び温度を計測するための熱電対（図示省略）が設けられている。ヒータ５０７２及び熱電対（図示省略）は、外部の温度コントローラ（図示省略）に接続されている。
【００９３】
均熱板５０７３は、カーボン製の板状部材であり、ステージ部材５０７１の上（ここでは、＋Ｚ側）に載置されている。そして、この均熱板５０７３の上（ここでは、＋Ｚ側）に酸化対象物がセットされる。これにより、酸化対象物の温度をほぼ均一にすることができる。
【００９４】
テーブル装置５０７０は、一例として図１０に示されるように、準備室５０５０の中に収容されている。
【００９５】
さらに、酸化装置５０００は、テーブル装置５０７０を、Ｚ軸方向に移動させるとともに、ＸＹ面内で回転させるための駆動装置５０８０を有している。
【００９６】
駆動装置５０８０は、準備室５０５０内に一部が挿入されているロッド５０８１を有し、該ロッド５０８１の＋Ｚ側の端部にテーブル装置５０７０が固定されている。そして、駆動装置５０８０は、ロッド５０８１を介してテーブル装置５０７０の上下駆動及び回転駆動を行う。なお、ロッド５０８１と準備室５０５０との間は、シールされている。また、ロッド５０８１はステンレス鋼製である。
【００９７】
分離板５０７４は、一例として図１１に示されるように、酸化対象物が反応容器５０４１内に位置するようにテーブル装置５０７０が上昇したときに、隔壁５０６０に代わって、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を閉じる。
【００９８】
次に、面発光レーザ素子１００の製造方法について簡単に説明する。
【００９９】
（１）上記積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって作成する。
【０１００】
ここでは、III族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）、ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【０１０１】
（２）積層体の表面に所望のメサ形状に対応する１辺が２５μｍの正方形状のレジストパターンを形成する。
【０１０２】
（３）Ｃｌ２ガスを用いるＥＣＲエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとして四角柱状のメサを形成する。ここでは、エッチングの底面は下部スペーサ層１０４中に位置するようにした。
【０１０３】
（４）フォトマスクを除去する。
【０１０４】
（５）メサが形成された積層体を酸化対象物として、上記酸化装置５０００にセットし、酸化処理を行う。ここでは、メサの外周部から被選択酸化層１０８中のＡｌ（アルミニウム）が選択的に酸化される。そして、メサの中央部に、Ａｌの酸化層１０８ａによって囲まれた酸化されていない領域１０８ｂを残留させる。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域１０８ｂが電流通過領域（電流注入領域）である。
【０１０５】
ここで、酸化装置５０００による酸化処理の詳細について説明する。
【０１０６】
（５−１）準備室５０５０と反応容器５０４１との間が隔壁５０６０によって閉じられていることを確認する。もし、準備室５０５０と反応容器５０４１との間が開いていたら、隔壁５０６０を移動させて、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を閉じる。
【０１０７】
（５−２）水蒸気発生装置５０１０で水蒸気を発生させ、１．７ｇ／ｍｉｎの水蒸気と４ＳＬＭのＮ２キャリアガスからなる酸化雰囲気ガスを水蒸気加熱装置５０３０に供給する。
【０１０８】
（５−３）水蒸気加熱装置５０３０で酸化雰囲気ガスを加熱して３９０℃に昇温し、酸化反応器５０４０に供給する。
【０１０９】
（５−４）準備室５０５０の扉を開け、メサが形成されている積層体を均熱板５０７３の上にセットする。
【０１１０】
（５−５）準備室５０５０内にガスパージ用の窒素ガスを供給しながら、ヒータ５０７２でステージ部材５０７１の温度を待機温度である３００℃に昇温する。
【０１１１】
なお、酸化反応は通常の化学反応と同様に、温度が変化すると反応速度は急激に変化する。例えば、温度が３０℃低下すると反応速度は１／４程度に減少し、温度が５０℃低下すると反応速度は１／１０程度に減少する。よって、上記待機温度として、酸化温度（ここでは、４００℃）から５０℃以上低い温度に設定すれば、待機温度で水蒸気に曝されても殆ど酸化は進まず、最終的な酸化距離への影響は極めて小さい。
【０１１２】
（５−６）反応容器５０４１内での酸化雰囲気ガスの流れ及び温度が定常状態になったことを確認すると、隔壁５０６０を＋Ｘ方向に移動させ、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を開放する。
【０１１３】
（５−７）駆動装置５０８０を介して、テーブル装置５０７０を回転させながら＋Ｚ方向に移動させる。また、同時にステージ部材５０７１の温度を４００℃に昇温する。この温度が酸化温度である。
【０１１４】
（５−８）分離板５０７４によって準備室５０５０と反応容器５０４１との間が閉じられると、テーブル装置５０７０の上昇を停止させる。ここで、酸化が開始される。
【０１１５】
（５−９）赤外線顕微鏡で酸化距離をモニタする。
【０１１６】
（５−１０）所定の酸化距離が得られると、ヒータ５０７２によるステージ部材５０７１の加熱を停止し、ステージ部材５０７１の温度を急激に下げる。
【０１１７】
（５−１１）駆動装置５０８０を介して、テーブル装置５０７０を−Ｚ方向に移動させる。このとき、テーブル装置５０７０の回転は停止させる。
【０１１８】
（５−１２）隔壁５０６０を−Ｘ方向に移動させ、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を閉じる。
【０１１９】
（５−１３）ステージ部材５０７１の温度が２７０℃以下になったことを確認すると、準備室５０５０の扉を開け、積層体を取り出す。これにより、積層体の酸化処理が完了する。
【０１２０】
（６）酸化処理が完了した積層体に対して、気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、ＳｉＮ、ＳｉＯＮあるいはＳｉＯ２からなる保護層１１１を形成する。
【０１２１】
（７）メサ上部にＰ側電極コンタクトの窓開けを行う。ここでは、フォトレジストによるマスクを施した後、メサ上部の開口部を露光してその部分のフォトレジストを除去し、ＢＨＦにて保護層１１１をエッチングして開口した。
【０１２２】
（８）メサ上部の光射出部となる領域に一辺１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成し、ｐ側の電極材料の蒸着を行なう。ｐ側の電極材料としてはＣｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。
【０１２３】
（９）光射出部の電極材料をリフトオフし、ｐ側の電極１１３を形成する。
【０１２４】
（１０）基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば１００μｍ程度）まで研磨した後、ｎ側の電極１１４を形成する。ここでは、ｎ側の電極１１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【０１２５】
（１１）アニールによって、ｐ側の電極１１３とｎ側の電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。
【０１２６】
（１２）チップ毎に切断する。
【０１２７】
上記のようにして製造された複数の面発光レーザ素子の酸化狭窄構造体をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、ロット（ウエハ）間、チップ間、チップ内での酸化距離のばらつきは、非常に小さかった。
【０１２８】
ところで、図１２には、従来の酸化装置６０００が示されている。この酸化装置６０００は、水蒸気供給部６０１０、ステンレス製反応容器６０２０、導入管６０３０、排気管６０４０、水捕集器６０５０及び温度コントローラ（図示省略）などを有している。
【０１２９】
水蒸気供給部６０１０は、マスフローコントローラ６０１１、気化器６０１２、液体マスフローコントローラ６０１３、及び水供給器６０１４を備えている。また、ステンレス製反応容器６０２０内には、酸化対象物が載置されるトレイ６０２１、該トレイ６０２１を介して酸化対象物を加熱するためのセラミックヒータ６０２４を内蔵する円板状の加熱テーブル６０２２、酸化対象物の温度を計測する熱電対６０２５、加熱テーブル６０２２を保持し回転可能な基台６０２３が収容されている。
【０１３０】
温度コントローラは、熱電対６０２５の出力信号をモニタしながらセラミックヒータ６０２４に供給する電流（又は電圧）を制御し、酸化対象物を指定された温度（保持温度）で指定された時間（保持時間）保持する。
【０１３１】
水蒸気供給部６０１０では、上記水蒸気発生装置５０１０と同様にして水蒸気を含むＮ２キャリアガスが酸化雰囲気ガスとして生成される。この酸化雰囲気ガスは導入管６０３０を介してステンレス製反応容器６０２０内に供給される。
【０１３２】
ステンレス製反応容器６０２０内に供給された酸化雰囲気ガスは、酸化対象物の周囲に供給される。これによって、酸化対象物は水蒸気雰囲気にさらされることとなり、酸化対象物は酸化される。その後、酸化雰囲気ガスは、排気管６０４０及び水捕集器６０５０を介して排気される。
【０１３３】
この従来の酸化装置６０００を用いて製造された複数の面発光レーザ素子の酸化狭窄構造体をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、ロット（ウエハ）間とチップ間を合わせた酸化距離のばらつきは、±３％以上であり、±３％未満にするのは困難であった。具体的には、メサの１辺が２５μｍのとき、従来の酸化装置６０００によって形成された酸化狭窄構造体における電流通過領域の幅のばらつきは±０．６μｍ以上になる。
【０１３４】
本願の発明者等は種々の実験を行い、酸化距離がばらつく要因を検討した。従来の酸化装置６０００では、酸化対象物は、３５０〜４５０℃の間の一定温度になるように設定され、導入される酸化雰囲気ガスの温度は１００〜２００℃程度である。この温度差が大きいため、酸化雰囲気ガスの温度及び流れ方向が一様でなくなり、これが酸化距離のばらつきを大きくしていると考えられる。そこで、高温にした酸化雰囲気ガスをステンレス製反応容器６０２０に供給することが考えられるが、この場合であっても、酸化対象物近傍で、酸化雰囲気ガスの温度及び流れ方向を安定させるのは困難であった。
【０１３５】
一方、酸化装置５０００では、酸化温度に近い温度に加熱された酸化雰囲気ガスの温度及び流れ方向が安定している反応容器５０４１内に、隔壁５０６０をスライドさせて、予熱されている酸化対象物を挿入しているので、反応容器５０４１内の酸化雰囲気ガスの温度及び流れを乱すことが少ない。そこで、酸化装置５０００では、酸化雰囲気ガスの温度と酸化対象物の温度との差を小さくするとともに、酸化対象物の周囲における酸化雰囲気ガスの温度及び流れを安定させることができる。
【０１３６】
以上の説明から明らかなように、上記面発光レーザアレイ１００の製造方法において、本発明の酸化装置が用いられ、本発明の酸化方法が実施されている。
【０１３７】
以上説明したように、本実施形態に係る酸化装置５０００によると、水蒸気を発生させる水蒸気発生装置５０１０と、該水蒸気発生装置５０１０で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱する水蒸気加熱装置５０３０と、該水蒸気加熱装置５０３０で加熱された水蒸気が供給される反応容器５０４１と、該反応容器５０４１を加熱するヒータ５０４２と、開閉可能な隔壁５０６０を介して反応容器５０４１と連結された準備室５０５０と、酸化対象物を加熱するヒータ５０７２を有し、酸化対象物が載置されるテーブル装置５０７０と、該テーブル装置５０７０を駆動し、酸化開始時に酸化対象物を準備室５０５０から反応容器５０４１に移動させ、酸化終了後に酸化対象物を反応容器５０４１から準備室５０５０に移動させる駆動装置５０８０とを備えている。
【０１３８】
この場合、酸化温度に近い温度に加熱された酸化雰囲気ガスの温度及び流れ方向が安定している反応容器５０４１内に、隔壁５０６０をスライドさせて、予熱されている酸化対象物を挿入しているので、反応容器５０４１内の酸化雰囲気ガスの温度及び流れを乱すことが少ない。そこで、酸化雰囲気ガスの温度と酸化対象物の温度との差を小さくするとともに、酸化対象物の周囲における酸化雰囲気ガスの温度及び流れを安定させることができる。
【０１３９】
従って、メサが形成された積層体に酸化狭窄構造体を形成する際に、酸化装置５０００を用いると、ロット（ウエハ）間、チップ間、チップ内での酸化距離のばらつきも小さくなり、酸化狭窄構造体における電流通過領域の幅のばらつきを許容範囲内に抑えることができる。なお、例えば、電流通過領域の幅が４．０μｍのときの許容範囲は±０．２μｍである。
【０１４０】
また、反応容器５０４１内の酸化雰囲気ガスの温度及び流れは、酸化対象物の出し入れによって乱されることが少ないので、複数ロットの酸化処理を行う場合に、作業時間を従来よりも短縮することができる。
【０１４１】
また、テーブル装置５０７０は、駆動装置５０８０によって回転駆動されるようになっている。この場合には、酸化対象物の周辺における酸化雰囲気ガスの流れや温度に偏りがあっても、その酸化距離への影響を打ち消すことができる。そこで、電流通過領域の幅のばらつきをさらに小さくすることが可能である。
【０１４２】
また、反応容器５０４１内における酸化雰囲気ガスの流れる方向は、酸化対象物の表面に平行な方向と略同一である。また、反応容器５０４１内に酸化対象物を挿入する際のテーブル装置５０７０の移動方向は、反応容器５０４１内における酸化雰囲気ガスの流れる方向に垂直な方向と略同一である。この場合には、テーブル装置５０７０におけるステージ部材５０７１よりも上側の部分だけが反応容器５０４１内に突出することになり、酸化対象物を挿入する際の反応容器５０４１内の酸化雰囲気ガスの安定した流れを乱すことが少ない。また、駆動装置５０８０における回転駆動機構をコンパクト化、単純化することができる。
【０１４３】
また、反応容器５０４１は、観察窓５０４３を有しているため、酸化反応の進行状況をリアルタイムで知ることができ、さらに再現性良く所望の寸法の電流通過領域を得ることが可能である。
【０１４４】
また、本実施形態に係る面発光レーザ素子１００によると、ロット（ウエハ）間、チップ間、チップ内での酸化距離のばらつきが非常に小さいため、製造歩留まりが向上し、低コスト化を図ることができる。
【０１４５】
また、本実施形態に係る光走査装置１０１０によると、光源１４が面発光レーザ素子１００を含んでいるため、高コスト化を招くことなく、安定した光走査を行うことが可能である。
【０１４６】
また、本実施形態に係るレーザプリンタ１０００によると、光走査装置１０１０を備えているため、結果として高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成することが可能である。
【０１４７】
なお、上記実施形態では、赤外線顕微鏡でのモニタ結果から酸化処理の終了タイミングを決定する場合について説明したが、これに限らず、例えば、酸化開始から所定の時間が経過した時を終了タイミングとしても良い。
【０１４８】
また、上記実施形態では、反応容器５０４１が石英製の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、反応容器５０４１が、ステンレス鋼製、あるいはセラミックス製であっても良い。
【０１４９】
また、上記実施形態では、反応容器５０４１の断面形状が矩形の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、多角形、円形、及び楕円形であっても良い。
【０１５０】
また、上記実施形態では、均熱板５０７３がカーボン製の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、セラミックス製、金属製、及び石英製の板であっても良い。
【０１５１】
また、上記実施形態において、反応容器５０４１の排気口から延びる排気管（図示省略）の下流位置に排気ポンプを接続し、酸化反応が減圧雰囲気中で行えるようにしても良い。
【０１５２】
また、上記実施形態において、反応容器５０４１の排気口から延びる排気管（図示省略）の下流位置にコンダクタンス調整オリフィスを接続し、酸化反応が加圧雰囲気中で行えるようにしても良い。
【０１５３】
また、上記実施形態における酸化条件は一例であり、上記の値に限定されるものではない。
【０１５４】
また、上記実施形態において、一例として図１３に示されるように、準備室５０５０に接続された、前記水蒸気発生装置５０１０と同等の水蒸気発生装置５０１０´を更に備えても良い。ここでは、水蒸気発生装置５０１０´で発生した水蒸気は供給口を介して準備室５０５０内に供給されるようになっており、供給口に連結されている配管の途中に、ガスパージ用の窒素ガス（Ｎ２パージガス）と水蒸気とを切り替えるためのバルブが設けられている。
【０１５５】
そして、上記ステージ部材５０７１の温度を待機温度である３００℃に昇温する際に、水蒸気発生装置５０１０´で水蒸気を発生させ、１．７ｇ／ｍｉｎの水蒸気と４ＳＬＭのＮ２キャリアガスを準備室５０５０内に供給する。
【０１５６】
ところで、被選択酸化層であるｐ−Ａｌ０．９９Ｇａ０．０１Ａｓ層の酸化速度は、４００℃で０．４５μｍ／ｍｉｎであるが、３００℃では０．０１μｍ／ｍｉｎ以下であり、積層体をこの雰囲気に数十分放置しても殆ど酸化は進まない。
【０１５７】
この場合には、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を開放した際に、反応容器５０４１内における酸化雰囲気ガスの流れ及び温度の状態が乱されるのを更に抑制することができる。
【０１５８】
なお、上記実施形態では、加熱容器５０３１が反応容器５０４１の−Ｘ側に配置されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、図１４に示されるように、加熱容器５０３１が反応容器５０４１の＋Ｚ側に配置されても良い。この場合、反応容器５０４１の−Ｘ側にも排気口が設けられている。以下では、このような構成の酸化装置を便宜上「酸化装置５０００Ａ」という。
【０１５９】
また、上記実施形態において、加熱容器５０３１と反応容器５０４１とが一体化された石英製容器として、一例として図１５に示されるように、断面が円形の石英製容器５０９１を用いても良い。この石英製容器５０９１は、＋Ｚ側の端部に酸化雰囲気ガスが供給される供給口を有し、該供給口が配管５０２０と接続されている。また、石英製容器５０９１の−Ｚ側の端部は、中央にステージ部材５０７１が通る開口部を有するステンレス鋼製のベースプレート５０９２に接続されている。さらに、石英製容器５０９１の−Ｚ側の端部近傍には、４つの排気口が設けられている。このような構成の酸化装置を便宜上「酸化装置５０００Ｂ」という。なお、石英製容器５０９１における加熱容器５０３１の部分と反応容器５０４１の部分との間に前記多孔板５０３５が設けられても良い。
【０１６０】
また、上記実施形態において、前記水蒸気加熱装置５０３０に代えて、一例として図１６に示されるように、熱交換器５０３０Ａを用いても良い。
【０１６１】
また、上記実施形態において、前記水蒸気発生装置５０１０に代えて、一例として図１７に示される水蒸気発生装置５０１０Ａを用いても良い。ここでは、水（例えば、イオン交換水）が充填されたバブラ容器５０１５をヒータ５０１６で一定温度（例えば、９０℃）に加熱し、マスフローコントローラ５０１１で流量制御された窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガス等からなるキャリアガスで、バブラ容器５０１５内の水をバブリングし水蒸気を発生させる。
【０１６２】
また、上記実施形態では、配管温度が１２０℃となるように、配管５０２０が加熱されている場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、配管５０２０は、配管５０２０内での水蒸気の液化が防止できる温度に加熱されていれば良い。
【０１６３】
また、上記実施形態では、水蒸気発生装置５０１０におけるキャリアガスとして窒素（Ｎ２）ガスを用いる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスを用いても良い。
【０１６４】
また、上記実施形態では、基板１０１の主面の法線方向が、結晶方位［１  ０  ０］方向に対して、結晶方位［１  １  １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではない。基板１０１の主面の法線方向が、結晶方位＜１  ０  ０＞の一の方向に対して、結晶方位＜１  １  １＞の一の方向に向かって傾斜していれば良い。
【０１６５】
また、上記実施形態では、基板１０１が傾斜基板である場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１６６】
また、上記実施形態では、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
【０１６７】
また、面発光レーザ素子１００は、画像形成装置以外の用途に用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であっても良い。
【０１６８】
例えば、発振波長が８５０ｎｍ帯の面発光レーザ素子（以下では、便宜上、「面発光レーザ素子１００Ａ」という）であっても、前述した面発光レーザ素子１００と同様にして製造することができる。
【０１６９】
この場合の積層体（積層体Ａという）の構成例について簡単に説明する。
【０１７０】
基板は、ｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。下部半導体ＤＢＲは、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４２．５ペア有している。下部スペーサ層は、ノンドープのＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓからなる層である。活性層は、ＧａＡｓ／Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓからなる３重量子井戸構造の活性層である。上部スペーサ層は、ノンドープのＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓからなる層である。上部半導体ＤＢＲは、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３２ペア有している。被選択酸化層は、ｐ−ＡｌＡｓからなる層である。コンタクト層は、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。なお、上部半導体ＤＢＲの高屈折率層は、ｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓからなる層であっても良い。
【０１７１】
この面発光レーザ素子１００Ａを製造する際に、上記酸化装置５０００Ａを用いた場合の酸化処理について説明する。
【０１７２】
（Ａ−１）準備室５０５０と反応容器５０４１との間が隔壁５０６０によって閉じられていることを確認する。
【０１７３】
（Ａ−２）水蒸気発生装置５０１０で水蒸気を発生させ、３．３ｇ／ｍｉｎの水蒸気と４ＳＬＭのＮ２キャリアガスからなる酸化雰囲気ガスを水蒸気加熱装置５０３０に供給する。
【０１７４】
（Ａ−３）水蒸気加熱装置５０３０で酸化雰囲気ガスを加熱して３５０℃に昇温し、酸化反応器５０４０に供給する。
【０１７５】
（Ａ−４）準備室５０５０の扉を開け、メサが形成された積層体Ａを均熱板５０７３の上にセットする。
【０１７６】
（Ａ−５）準備室５０５０内にガスパージ用の窒素ガスを供給しながら、ヒータ５０７２でステージ部材５０７１の温度を待機温度である３３０℃に昇温する。
【０１７７】
（Ａ−６）反応容器５０４１内での酸化雰囲気ガスの流れ及び温度が定常状態になったことを確認すると、隔壁５０６０を＋Ｘ方向に移動させ、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を開放する。
【０１７８】
（Ａ−７）駆動装置５０８０を介して、テーブル装置５０７０を回転させながら＋Ｚ方向に移動させる。また、同時にステージ部材５０７１の温度を３８０℃に昇温する。この温度が酸化温度である。
【０１７９】
（Ａ−８）分離板５０７４によって準備室５０５０と反応容器５０４１との間が閉じられると、テーブル装置５０７０の上昇を停止させる。ここで、酸化が開始される。
【０１８０】
（Ａ−９）所定の時間が経過すると、ヒータ５０７２によるステージ部材５０７１の加熱を停止し、ステージ部材５０７１の温度を急激に下げる。
【０１８１】
（Ａ−１０）駆動装置５０８０を介して、テーブル装置５０７０を−Ｚ方向に移動させる。このとき、テーブル装置５０７０の回転は停止させる。
【０１８２】
（Ａ−１１）隔壁５０６０を−Ｘ方向に移動させ、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を閉じる。
【０１８３】
（Ａ−１２）ステージ部材５０７１の温度が２７０℃以下になると、準備室５０５０の扉を開け、積層体Ａを取り出す。これにより、積層体Ａの酸化処理が完了する。
【０１８４】
また、面発光レーザ素子１００Ａを製造する際に、水蒸気発生装置として前記水蒸気発生装置５０１０Ａを有する上記酸化装置５０００Ｂを用いた場合の酸化処理について説明する。
【０１８５】
（Ｂ−１）準備室５０５０と反応容器５０４１との間が隔壁５０６０によって閉じられていることを確認する。
【０１８６】
（Ｂ−２）水蒸気発生装置５０１０Ａにおいて、バブラ容器５０１５内の９０℃のイオン交換水を、２ＳＬＭの窒素（Ｎ２）ガスでバブリングし水蒸気を発生させ、酸化雰囲気ガスを生成する。
【０１８７】
（Ｂ−３）水蒸気加熱装置５０３０で酸化雰囲気ガスを３００℃に加熱し、酸化反応器５０４０に供給する。
【０１８８】
（Ｂ−４）準備室５０５０の扉を開け、メサが形成された積層体Ａを均熱板５０７３の上にセットする。
【０１８９】
（Ｂ−５）準備室５０５０内にガスパージ用の窒素ガスを供給しながら、ヒータ５０７２でステージ部材５０７１の温度を待機温度である２８０℃に昇温する。
【０１９０】
（Ｂ−６）反応容器５０４１内での酸化雰囲気ガスの流れ及び温度が定常状態になったことを確認すると、隔壁５０６０を＋Ｘ方向に移動させ、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を開放する。
【０１９１】
（Ｂ−７）駆動装置５０８０を介して、テーブル装置５０７０を回転させながら＋Ｚ方向に移動させる。また、同時にステージ部材５０７１の温度を３８０℃に昇温する。この温度が酸化温度である。
【０１９２】
（Ｂ−８）分離板５０７４によって準備室５０５０と反応容器５０４１との間が閉じられると、テーブル装置５０７０の上昇を停止させる。ここで、酸化が開始される。
【０１９３】
（Ｂ−９）所定の時間が経過すると、ヒータ５０７２によるステージ部材５０７１の加熱を停止し、ステージ部材５０７１の温度を急激に下げる。
【０１９４】
（Ｂ−１０）駆動装置５０８０を介して、テーブル装置５０７０を−Ｚ方向に移動させる。このとき、テーブル装置５０７０の回転は停止させる。
【０１９５】
（Ｂ−１１）隔壁５０６０を−Ｘ方向に移動させ、準備室５０５０と反応容器５０４１との間を閉じる。
【０１９６】
（Ｂ−１２）ステージ部材５０７１の温度が２７０℃以下になると、準備室５０５０の扉を開け、積層体Ａを取り出す。これにより、積層体Ａの酸化処理が完了する。
【０１９７】
また、上記実施形態において、光源１４は、前記面発光レーザ素子１００に代えて、一例として図１８に示されるように、前述した面発光レーザ素子１００の製造方法と同様な製造方法で製造された面発光レーザアレイ５００を有していても良い。
【０１９８】
この面発光レーザアレイ５００は、同一基板上に２次元的に配列されている複数（ここでは３２個）の発光部を有している。図１８におけるＭ方向は主走査対応方向であり、Ｓ方向は副走査対応方向である。なお、発光部の数は３２個に限定されるものではない。
【０１９９】
面発光レーザアレイ５００は、図１９に示されるように、Ｍ方向からＳ方向に向かって傾斜した方向であるＴ方向に沿って８個の発光部が等間隔に配置された発光部列を４列有している。そして、これら４列の発光部列は、すべての発光部をＳ方向に伸びる仮想線上に正射影したときに等間隔ｃとなるように配置されている。なお、本明細書では、「発光部間隔」とは２つの発光部の中心間距離をいう。
【０２００】
ここでは、間隔ｃは３μｍ、Ｓ方向の発光部間隔ｄ（図１９参照）は２４μｍ、Ｍ方向の発光部間隔Ｘ（図１９参照）は３０μｍである。
【０２０１】
各発光部は、図１９のＡ−Ａ断面図である図２０に示されるように、前述した面発光レーザ素子１００と同様な構造を有している。すなわち、面発光レーザアレイ５００は、面発光レーザ素子１００が集積された面発光レーザアレイである。そこで、面発光レーザ素子１００と同様な効果を得ることができる。
【０２０２】
この場合に、面発光レーザアレイ５００では、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔ｃであるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム１０３０上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。
【０２０３】
そして、上記間隔ｃが３μｍであるため、光走査装置１０１０の光学系の倍率を約１．８倍とすれば、４８００ｄｐｉ（ドット／インチ）の高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、前記間隔ｄを狭くして間隔ｃを更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯タイミングで容易に制御できる。
【０２０４】
また、この場合には、レーザプリンタ１０００では書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。
【０２０５】
ところで、２つの発光部の間の溝は、各発光部の電気的及び空間的分離のために、５μｍ以上とすることが好ましい。あまり狭いと製造時のエッチングの制御が難しくなるからである。また、メサの大きさ（１辺の長さ）は１０μｍ以上とすることが好ましい。あまり小さいと動作時に熱がこもり、特性が低下するおそれがあるからである。
【０２０６】
また、上記実施形態において、前記面発光レーザ素子１００に代えて、前記面発光レーザ素子１００と同様の製造方法で製造され、前記面発光レーザ素子１００と同様の発光部が１次元配列された面発光レーザアレイを用いても良い。
【０２０７】
また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、光走査装置１０１０を備えた画像形成装置であれば良い。
【０２０８】
例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０２０９】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０２１０】
また、一例として図２１に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００であっても良い。
【０２１１】
このカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用の「感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６」と、シアン用の「感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６」と、マゼンタ用の「感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６」と、イエロー用の「感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６」と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０２１２】
各感光体ドラムは、図２１中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０２１３】
光走査装置２０１０は、前記光源１４と同様な光源を色毎に有している。そこで、上記光走査装置１０１０と同様な効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、光走査装置２０１０を備えているため、上記レーザプリンタ１０００と同様な効果を得ることができる。
【０２１４】
ところで、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、光走査装置２０１０の各光源が前記面発光レーザアレイ５００と同様な面発光レーザアレイを有していると、点灯させる発光部を変更することで色ずれを低減することができる。
【０２１５】
図２２には、本発明の一実施形態に係る光伝送システム３０００の概略構成が示されている。この光伝送システム３０００は、光送信モジュール３００１と光受信モジュール３００５が光ファイバケーブル３００４で接続されており、光送信モジュール３００１から光受信モジュール３００５への一方向の光通信が可能となっている。
【０２１６】
光送信モジュール３００１は、光源３００２と、外部から入力された電気信号に応じて、光源３００２から出力されるレーザ光の光強度を変調する駆動回路３００３とを有している。
【０２１７】
光源３００２は、一例として図２３に示されるように、前記面発光レーザ素子１００と同様な製造方法で製造された面発光レーザアレイ６００を有している。この面発光レーザアレイ６００では、複数（ここでは１０個）の発光部が同一基板上に１次元配列されている。なお、発光部の数は１０個に限定されるものではない。
【０２１８】
面発光レーザアレイ６００の各発光部は、発振波長が１．３μｍ帯の面発光レーザである。この場合の積層体の構成例について簡単に説明する。
【０２１９】
基板は、ｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。下部半導体ＤＢＲは、ｎ−ＡｌＡｓからなる低屈折率層と、ｎ−ＧａＡｓからなる高屈折率層のペアを複数ペア有している。下部スペーサ層は、ノンドープのＧａＡｓからなる層である。活性層は、ＧａＩｎＮＡｓからなる３層の量子井戸層とＧａＡｓからなる４層の障壁層とを有している。上部スペーサ層は、ノンドープのＧａＡｓからなる層である。上部半導体ＤＢＲは、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−ＧａＡｓからなる高屈折率層のペアを複数ペア有している。被選択酸化層はｐ−ＡｌＡｓからなる層である。
【０２２０】
光源３００２から出力された光信号は、光ファイバケーブル３００４に結合し、該光ファイバケーブル３００４を導波して光受信モジュール３００５に入力される。なお、光ファイバケーブル３００４は、一例として図２４示されるように、面発光レーザアレイ６００の複数の発光部にそれぞれ対応する複数の光ファイバを有している。
【０２２１】
光受信モジュール３００５は、光信号を電気信号に変換する受光素子３００６と、受光素子３００６から出力された電気信号に対して信号増幅、及び波形整形等を行う受信回路３００７とを有している。
【０２２２】
本実施形態に係る光送信モジュール３００１によると、光源３００２が面発光レーザアレイ６００を有しているため、高コスト化を招くことなく、高品質の光信号を生成することが可能である。その結果として、光伝送システム３０００は、高コスト化を招くことなく、高品質の光伝送を行うことが可能である。
【０２２３】
そして、光伝送システム３０００は、家庭用、オフィスの室内用、機器内用等の短距離のデータ通信にも有効である。
【０２２４】
また、均一な特性を有する複数の発光部が同一基板上に集積されているため、容易に、同時に多数ビームによるデータ伝送が可能となり、高速通信ができる。
【０２２５】
さらに、面発光レーザは低消費電力で動作するので、特に機器の中に組み込んで利用した場合、温度上昇を低減させることができる。
【０２２６】
なお、ここでは、発光部と光ファイバとを１対１に対応させる場合について説明したが、発振波長の異なる複数の面発光レーザ素子を１次元又は２次元にアレイ状に配置して、波長多重送信することにより伝送速度をさらに増大させることも可能である。
【０２２７】
また、ここでは、一方向通信の構成例を示しているが、双方向通信の構成をとることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２２８】
以上説明したように、本発明の酸化装置によれば、酸化距離のばらつきを従来よりも小さくするのに適している。また、本発明の酸化方法によれば、酸化距離のばらつきを従来よりも小さくするのに適している。また、本発明の面発光レーザ素子によれば、製造歩留まりを従来よりも向上させるのに適している。また、本発明の面発光レーザアレイによれば、製造歩留まりを従来よりも向上させるのに適している。また、本発明の光走査装置によれば、高コスト化を招くことなく、安定した光走査を行うのに適している。また、本発明の画像形成装置によれば、高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成するのに適している。また、本発明の光伝送モジュールによれば、高コスト化を招くことなく、高品質の光信号を生成するのに適している。また、本発明の光伝送システムによれば、高コスト化を招くことなく、高品質の光伝送を行うのに適している。
【図面の簡単な説明】
【０２２９】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザプリンタの概略構成を説明するための図である。
【図２】図１における光走査装置を示す概略図である。
【図３】図３における光源に含まれる面発光レーザ素子を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、それぞれ図３における基板を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る酸化装置の概略構成を説明するための図である。
【図６】図５における水蒸気発生装置を説明するための図である。
【図７】図５における水蒸気加熱装置、酸化反応器及び準備室を説明するための図（その１）である。
【図８】図５における水蒸気加熱装置、酸化反応器及び準備室を説明するための図（その２）である。
【図９】テーブル装置を説明するための図（その１）である。
【図１０】テーブル装置を説明するための図（その２）である。
【図１１】テーブル装置を説明するための図（その３）である。
【図１２】従来の酸化装置の概略構成を説明するための図である。
【図１３】酸化装置の変形例１を説明するための図である。
【図１４】酸化装置の変形例２を説明するための図である。
【図１５】酸化装置の変形例３を説明するための図である。
【図１６】酸化装置の変形例４を説明するための図である。
【図１７】水蒸気発生装置の変形例を説明するための図である。
【図１８】面発光レーザアレイを説明するための図である。
【図１９】図１８における発光部の２次元配列を説明するための図である。
【図２０】図１９のＡ−Ａ断面図である。
【図２１】カラープリンタの概略構成を説明するための図である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る光伝送モジュール及び光伝送システムの概略構成を説明するための図である。
【図２３】図２２における光源に含まれる面発光レーザアレイを説明するための図である。
【図２４】図２２における光ファイバケーブルを説明するための図である。
【符号の説明】
【０２３０】
１１ａ…偏向器側走査レンズ（走査光学系の一部）、１１ｂ…像面側走査レンズ（走査光学系の一部）、１３…ポリゴンミラー（偏向器）、１４…光源、１００…面発光レーザ素子、１００Ａ…面発光レーザ素子、１０１…基板、１０３…下部半導体ＤＢＲ（反射鏡の一部）、１０４…下部スペーサ層（共振器構造体の一部）、１０５…活性層、１０６…上部スペーサ層（共振器構造体の一部）、１０７…上部半導体ＤＢＲ（反射鏡の一部）、１０８…被選択酸化層、５００…面発光レーザアレイ、６００…面発光レーザアレイ、１０００…レーザプリンタ（画像形成装置）、１０１０…光走査装置、１０３０…感光体ドラム（像担持体）、２０００…カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０…光走査装置、３０００…光伝送システム、３００１…光送信モジュール（光伝送モジュール）、３００２…光源、３００３…駆動回路（駆動装置）、３００４…光ファイバケーブル（光伝達媒体）、３００６…受光素子（変換器の一部）、３００７…受信回路（変換器の一部）、５０００…酸化装置、５０００Ａ…酸化装置、５０００Ｂ…酸化装置、５０１０…水蒸気発生装置、５０１０´…水蒸気発生装置、５０１０Ａ…水蒸気発生装置、５０３０…水蒸気加熱装置、５０４０…酸化反応器、５０４１…反応容器（酸化反応室）、５０４２…ヒータ（加熱装置）、５０４３…観察窓（窓）、５０５０…準備室、５０５２…ヒータ（加熱装置）、５０６０…隔壁、５０７０…テーブル装置、５０７１…テーブル部材（テーブル）、５０７２…ヒータ（加熱装置）、５０７４…分離板、５０８１…ロッド（駆動機構の一部）、Ｋ１，Ｃ１，Ｍ１，Ｙ１…感光体ドラム（像担持体）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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