(57)【要約】【課題】レーザ光の外部端子電極外の電子部品外表面への照射を確実に防止するように外部端子電極表面にレーザ光を余裕をもって照射することを可能とする電子部品を提供することにある。【解決手段】対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂと、対向し合う第１の側面２ｅ，２ｆ及び対向し合う第１，第２の端面２ｃ，２ｄを有する電子部品本体２と、第１の主面２ａに設けられた第１，第２の外部端子電極５，６とを備え、第１，第２の外部端子電極５，６がギャップ領域Ｇを挟んで隔てられており、第１，第２の端面を結ぶ方向である電子部品本体２の長さ方向寸法をＬ、第１，第２の側面２ｅ，２ｆを結ぶ幅方向寸法をＷ、ギャップ領域Ｇの上記長さ方向に沿う寸法をｇとしたときに、Ｗ＜Ｌ−ｇ＜２ＷかつＬ−ｇ＋Ｗ−｛２（Ｌ−ｇ）Ｗ｝１／２＞（Ｌ−ｇ）／２を満足する、電子部品２。【選択図】図１
2010129737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向し合う第１の主面及び第２の主面と、対向し合う第１の側面及び第２の側面と、対向し合う第１の端面及び第２の端面とを有する電子部品本体と、
前記電子部品本体の第１の主面に設けられた第１の外部端子電極と、
前記電子部品本体の第１の主面において、所定のギャップ領域を挟んで前記第１の外部端子電極とを隔てられるように設けられた第２の外部端子電極とを備え、
前記第１の外部端子電極及び前記第２の外部端子電極は、前記第１の主面上において、上底と下底と、前記ギャップに臨む辺である斜辺とを有する略台形形状を有し、
前記第１の外部端子電極において前記ギャップ領域に臨む斜辺と、前記第２の外部端子電極の前記ギャップ領域に臨む斜辺とが平行であり、
前記電子部品の前記第１，第２の端面を結ぶ方向である長さ方向の寸法をＬ、前記第１の側面及び第２の側面を結ぶ幅方向の寸法をＷ、前記ギャップ領域の前記長さ方向に沿う寸法をｇとしたときに、Ｗ＜Ｌ−ｇ＜２ＷかつＬ−ｇ＋Ｗ−｛２（Ｌ−ｇ）Ｗ｝１／２＞（Ｌ−ｇ）／２を満足する、電子部品。
【請求項２】
前記第１，第２の外部端子電極が、前記第１の主面上に位置している部分の略台形形状の上底及び下底が、前記第１の主面と前記第１の側面及び前記第２の側面とのなす端縁にそれぞれ位置しており、前記台形形状の上底及び下底及び前記ギャップに臨む斜辺を除く残りの辺が、前記第１の主面と前記第１または第２の端面とのなす端縁に位置している、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記電子部品本体内に形成されており、前記第１の外部端子電極または前記第２の外部端子電極に電気的に接続されている内部電極をさらに備える、請求項１また２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記内部電極が、前記第１の外部端子電極に接続される第１の内部電極と、前記第２の外部端子電極に電気的に接続される第２の内部電極とを有する、請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１の内部電極を前記第１の外部端子電極に電気的に接続する第１の接続導体と、前記第２の内部電極を前記第２の外部端子電極に電気的に接続する第２の接続導体とをさらに備える、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１，第２の端子電極が、前記電子部品本体の前記第２の主面にも形成されており、前記第２の主面上に位置している第１，第２の外部端子電極部分が、前記第１の主面上に位置している、前記第１，第２の外部端子電極部分と同じ形状とされている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１，第２の外部端子電極が、前記電子部品本体の第２の主面上においては、前記略台形形状の電極部分を有せず、前記略台形形状の部分が、前記第１の主面上にのみ設けられている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品と、
第１の主面と、第１の主面と対向する第２の主面とを有し、内部に前記電子部品が収納されている基板とを備え、
前記基板の前記第１の主面または第２の主面から前記基板の第１，第２の主面を結ぶ厚み方向に延びる貫通孔が前記基板に形成されており、該貫通孔が前記電子部品の前記第１または第２の外部端子電極を露出させるように設けられており、前記基板の前記第１の主面または第２の主面から前記貫通孔に至り、かつ第１または第２の外部端子電極に電気的に接続されているビアホール導体をさらに備える、電子部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、積層セラミックコンデンサなどの電子部品及び該電子部品を内蔵してなる電子部品内蔵基板に関し、より詳細には、外表面に複数の外部端子電極が形成されている電子部品と、該外部端子電極に電気的に接続される部分を有する基板に、該電子部品が内蔵されている電子部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレーヤーなどの各種電子機器では、小型化及び薄型化が進んでいる。それに伴って、電子機器に搭載される配線基板や配線基板に搭載される電子部品においても、小型化が進んでおり、さらに高密度実装が進んでいる。また、さらなる小型化を図るために、配線基板内に電子部品が埋めこまれている、電子部品内蔵基板も開発されてきている。
【０００３】
電子部品内蔵基板では、配線基板の内部に予め電子部品が埋めこまれている。配線基板の配線と、埋めこまれている電子部品とは電気的に接続される必要はあるが、様々な方法で電気的接続が行われている。
【０００４】
例えば、下記の特許文献１には、以下の電気的接続方法が開示されている。先ず、電子部品を配線基板内に埋め込む。次に、配線基板から内部の電子部品の外部端子電極を狙って、レーザ光を照射してビアホールを形成する。ビアホールの内部に導電性材料を充填し、配線基板の配線と、電子部品の外部端子電極とを電気的に接続する。
【０００５】
図１２は、このような従来のレーザ光を用いたビアホール形成方法を説明するための模式的平面図である。ここでは、配線基板内に埋設されている電子部品の上面のみが示されている。図１２に示す電子部品１０１は、上面１０１ａ上に、第１，第２の外部端子電極１０２，１０３が形成されている。電子部品１０１の周囲には、配線基板部分が位置している。
【０００６】
第１，第２の外部端子電極１０２，１０３は、配線基板の基板層により覆われているが、特許文献１に記載の電気的接続方法では、基板側からレーザ光を照射し、第１の外部端子電極１０２を露出させるビアホール、あるいは第２の外部端子電極１０３を露出させるビアホールが形成されることになる。外部端子電極１０２，１０３は、レーザ光を反射する金属メッキ膜、例えばＣｕメッキ膜により形成されている。外部端子電極１０２，１０３が設けられている部分以外の電子部品１０１の外表面、例えば外部端子電極１０２と外部端子電極１０３との間のギャップ領域Ｇにレーザ光が照射されると、電子部品１０１が損傷を受けることとなる。
【特許文献１】特開２００３−３０９３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図１２に示したように、外部端子電極１０２，１０３にそれぞれレーザ光を照射する場合、レーザ光の照射領域がギャップ領域Ｇに至らないようにする必要がある。レーザ光は、直進性を有し、外部端子電極１０２，１０３に直交するようにレーザ光が照射されると、照射領域は円形となる。従って、図１２に示すように、ギャップ領域Ｇに接する破線Ａがレーザ光照射領域として許容される最大の領域となる。言い換えれば、上記破線Ａで示されている円形の領域内に納まる径の照射領域となるようにレーザ光を照射すればよい。
【０００８】
上記破線Ａで示す円の径は、上記電子部品１０１の長さ方向寸法をＬ、幅方向寸法をＷ、上記第１，第２の外部端子電極１０２，１０３間のギャップＧの長さ方向に沿う寸法をｇとした場合、上記破線Ａで示す円の径は、（Ｌ−ｇ）／２となり、これが径の上限値であった。よって、従来の電子部品１０１では、レーザ光の照射によるビアホール形成に際してのレーザ光の照射において、レーザ光を高精度に照射しなければならず、照射領域の位置の制御に際しての許容度が低かった。
【０００９】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、レーザ光の外部端子電極外の電子部品外表面への照射を確実に防止するように外部端子電極表面にレーザ光を余裕をもって照射することを可能とする電子部品、並びに該電子部品の基板に内蔵されている電子部品内蔵基板であって、上記電子部品の外部端子電極に到達するビアホール導体を容易にかつ高精度に形成することが可能とされている電子部品内蔵基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、対向し合う第１の主面及び第２の主面と、対向し合う第１の側面及び第２の側面と、対向し合う第１の端面及び第２の端面とを有する電子部品本体と、前記電子部品本体の第１の主面に設けられた第１の外部端子電極と、前記電子部品本体の第１の主面において、所定のギャップ領域を挟んで前記第１の外部端子電極とを隔てられるように設けられた第２の外部端子電極とを備え、前記第１の外部端子電極及び前記第２の外部端子電極は、前記第１の主面上において、上底と下底と、前記ギャップに臨む辺である斜辺とを有する略台形形状を有し、前記第１の外部端子電極において前記ギャップ領域に臨む斜辺と、前記第２の外部端子電極の前記ギャップ領域に臨む斜辺とが平行であり、前記電子部品の前記第１，第２の端面を結ぶ方向である長さ方向の寸法をＬ、前記第１の側面及び第２の側面を結ぶ幅方向の寸法をＷ、前記ギャップ領域の前記長さ方向に沿う寸法をｇとしたときに、Ｗ＜Ｌ−ｇ＜２ＷかつＬ−ｇ＋Ｗ−｛２（Ｌ−ｇ）Ｗ｝１／２＞（Ｌ−ｇ）／２を満足する、電子部品が提供される。
【００１１】
本発明に係る電子部品のある特定の局面によれば、前記第１，第２の外部端子電極が、前記第１の主面上に位置している部分の略台形形状の上底及び下底が、前記第１の主面と前記第１の側面及び前記第２の側面とのなす端縁にそれぞれ位置しており、前記台形形状の上底及び下底及び前記ギャップに臨む斜辺を除く残りの辺が、前記第１の主面と前記第１または第２の端面とのなす端縁に位置している。この場合には、略台形形状の第１，第２の外部端子電極が、上記ギャップ領域を除いては、電子部品の第１の主面を覆っているため、レーザ光の照射による電子部品本体表面の損傷を確実に防止することができる。
【００１２】
本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記電子部品本体内に形成されており、前記第１の外部端子電極または前記第２の外部端子電極に電気的に接続されている内部電極をさらに備えられている。このように、本発明における電子部品は、内部電極を有する積層型の電子部品であってもよい。
【００１３】
本発明のより限定的な特定の局面によれば、前記内部電極が、前記第１の外部端子電極に接続される第１の内部電極と、前記第２の外部端子電極に電気的に接続される第２の内部電極とを有する。この場合には、第１，第２の内部電極間の抵抗、静電容量、インダクタンス等を取り出すことができる電子部品を本発明に従って提供することができる。
【００１４】
本発明に係る電子部品のさらに別の特定の局面では、前記第１の内部電極を前記第１の外部端子電極に電気的に接続する第１の接続導体と、前記第２の内部電極を前記第２の外部端子電極に電気的に接続する第２の接続導体とをさらに備える。このような第１，第２の接続導体の形態は、特に限定されず、ビアホール導体や、電子部品本体の第１，第２の端面等を経由する接続電極であってもよい。
【００１５】
本発明に係る電子部品のさらに特定の局面では、前記第１，第２の端子電極が、前記電子部品本体の前記第２の主面にも形成されており、前記第２の主面上に位置している第１，第２の外部端子電極部分が、前記第１の主面上に位置している、前記第１，第２の外部端子電極部分と同じ形状とされている。この場合には、電子部品本体の第２の主面上においても、第１，第２の外部端子電極部分が第１の主面上の第１，第２の外部端子電極部分と同じ形状に形成されているので、第１の主面及び第２の主面のいずれの側からも、基板に内蔵した状態で、基板外からレーザ光を照射してビアホールを高精度に形成することができる。
【００１６】
本発明に係る電子部品のさらに別の特定の局面では、前記第１，第２の外部端子電極が、前記電子部品本体の第２の主面上においては、前記略台形形状の電極部分を有せず、前記略台形形状の部分が、前記第１の主面上にのみ設けられている。このように、第１，第２の外部端子電極の上記略台形形状部分は、第１の主面に設けられていてもよく、その場合には、第１の主面側において、電子部品が内蔵される基板の外表面からレーザ光を照射すればよい。この構造では、第１，第２の外部端子電極の略台形形状の電極部分が第２の主面上には設けられていないので、低背化を進めることができる。
【００１７】
本発明によれば、本発明の電子部品と、第１の主面と、第１の主面と対向する第２の主面とを有し、外部に前記電子部品が収納されている基板とを備える、電子部品内蔵基板が提供される。この電子部品内蔵基板では、前記基板の前記第１または第２の主面から前記基板の第１，第２の主面を結ぶ厚み方向に延びる貫通孔が前記基板に形成されており、該貫通孔が前記電子部品の前記第１または第２の外部端子電極を露出させるように設けられており、前記基板の前記第１または第２の主面から前記貫通孔に至り、かつ第１，第２の外部端子電極に電気的に接続されているビアホール導体をさらに備えられている。
【００１８】
本発明の電子部品内蔵基板では、本発明の電子部品が上記基板内に収納されているため、基板の第１の主面または第２の主面からレーザ光を照射して貫通孔を容易にかつ高精度に形成することができる。従って、信頼性に優れたビアホール導体を形成することができると共に、電子部品本体のレーザ光の誤った照射による損傷も生じ難い。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る電子部品によれば、電子部品本体の第１の主面上において、第１，第２の外部端子電極が略台形形状を有し、Ｗ＜Ｌ−ｇ＜２ＷかつＬ−ｇ＋Ｗ−｛２（Ｌ−ｇ）Ｗ｝１／２＞（Ｌ−ｇ）／２を満足するため、レーザ光を外部から第１，第２の外部端子電極に向けて照射した際、レーザ光が第１，第２の外部端子電極を超えてギャップ領域に至り難い。すなわち、レーザ光が照射される円形領域の最大径を大きくすることができるので、レーザ光照射に際しての許容度を高めることができる。
【００２０】
よって、本発明の電子部品を基板内に収納し、基板外からレーザ光を照射してビアホールを形成する際に、レーザ光の照射位置の許容度が高められ、あるいはより大きな径のレーザ光を照射できるため、より大きなビアホールを形成することができる。また、より大きな径のレーザ光を照射した場合、ビアホールに充填される導電性材料と、外部端子電極との接触面積を大きくすることができ、それによって、電気的接続の信頼性を高めたり、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低めたりすることも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２２】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品としての積層セラミックコンデンサを示す平面図及び正面図であり、（ｃ）は正面断面図である。
【００２３】
積層セラミックコンデンサ１は、電子部品本体としてのセラミック焼結体２を有する。セラミック焼結体２は、略直方体状の形状を有し、第１の主面としての２ａと、第１の主面に対向する第２の主面２ｂと、第１，第２の端面２ｃ，２ｄと、対向し合う第１，第２の側面２ｅ，２ｆとを有する。セラミック焼結体２において、第１，第２の端面２ｃ，２ｄを結ぶ方向を、以下、長さ方向、第１，第２の側面２ｅ，２ｆを結ぶ方向を幅方向、第１，第２の主面２ａ，２ｂを結ぶ方向を厚み方向とする。
【００２４】
セラミック焼結体２内には、複数の第１の内部電極３と、複数の第２の内部電極４とが、セラミック焼結体２の厚み方向において交互に配置されている。図１（ｃ）に示すように、複数の第１の内部電極３が、第１の端面２ｃに引き出されており、複数の第２の内部電極４が第２の端面２ｄに引き出されている。第１の内部電極３と、第２の内部電極４とがセラミック層を介して重なり合うように配置されている。
【００２５】
図２に示すように、第１の内部電極３と第２の内部電極４とは、セラミック層を介して重なり合うように配置されており、各内部電極３，４は、矩形の平面形状を有する。
【００２６】
セラミック焼結体２の第１の主面２ａ上においては、第１の外部端子電極５と、第２の外部端子電極６とが形成されている。第１の外部端子電極５及び第２の外部端子電極６は、第１の主面２ａの中央に設けられたギャップ領域Ｇを隔てて対向されている。第１の外部端子電極５及び第２の外部端子電極６は、台形の形状を有する。なお、台形から若干ずれた形状であってもよく、従って、第１，第２の外部端子電極５，６は略台形の形状を有し得る。
【００２７】
第１の外部端子電極５は、上記台形形状において、第１の主面２ａと側面２ｆとのなす端縁が台形の上底５ａ、第１の主面２ａと第１の側面２ｅとのなす端縁に沿う部分が下底５ｂ、ギャップ領域Ｇに臨む辺が斜辺５ｃである台形形状を有している。第１の主面２ａは矩形形状を有するため、残りの辺５ｄは、前述した幅方向に延ばされている。
【００２８】
第２の外部端子電極６も、同様の形状を有するが、第２の外部端子電極６では、第１の主面２ａと、第１の側面２ｅとのなす端縁に沿う辺６ａが上底、第１の主面２ａと第２の側面２ｆとのなす端縁に沿う辺が下底６ｂとなり、ギャップ領域Ｇに沿う辺が斜辺６ｃであり、残りの辺６ｄが、第１の主面２ａと第２の端面２ｄとのなす端縁に沿っている。
【００２９】
上記第１の外部端子電極５の斜辺５ｃと、第２の外部端子電極６の斜辺６ｃとは平行に延ばされている。従って、平行四辺形のギャップ領域Ｇが形成されている。ここで、第１の外部端子電極５と、第２の外部端子電極６とは、同じ面積の台形形状である。
【００３０】
図１（ｂ）に示すように、上記第１，第２の外部端子電極５，６と同様の形状の第１，第２の外部端子電極５Ａ，６Ａが、セラミック焼結体２の第２の主面２ｂにも形成されている。もっとも、第１の主面上のギャップ領域Ｇと、第２の主面上のギャップ領域Ｇとは、セラミック焼結体２を平面視した際に交差するように配置されている。すなわち、第１，第２の外部端子電極５Ａ，６Ａにおいては、上底及び下底の位置が、上面側の第１，第２の外部端子電極５，６の場合と反対とされている。
【００３１】
もっとも、第２の外部端子電極５Ａ，６Ａは、主面２ａ側に設けられた第１，第２の外部端子電極５，６と、セラミック焼結体２を平面視した際に重なる形状の位置に形成されていてもよい。
【００３２】
また、本実施形態では、第１，第２の外部端子電極５，６と、第１，第２の外部端子電極５Ａ，６Ａとを電気的に接続するように第１，第２の端面２ｃ，２ｄを覆うように、それぞれ、第１，第２の接続電極５Ｂ，６Ｂを有する。接続電極５Ｂ，６Ｂは、それぞれ、第１，第２の端面２ｃ，２ｄに引き出され、第１，第２の内部電極３，４に電気的に接続されている。接続電極５Ｂ，６Ｂは側面２ｅ，２ｆに回り込むようにして形成されていてもよい。
【００３３】
製造に際しては、セラミック焼結体２は、周知の積層セラミック電子部品の製造方法に従って得られる。すなわち、チタン酸バリウム系セラミックスなどの誘電体セラミックスからなるセラミックグリーンシートを用意する。該セラミックグリーンシートの上面に内部電極ペーストとして、Ａｇ−Ｐｄペーストなどをスクリーン印刷し、図６（ａ）及び（ｂ）に示す第１，第２のマザーのグリーンシート１１，１２を用意する。マザーのグリーンシート１１，１２上には、内部電極ペーストパターン１３，１４がそれぞれ印刷されている。この第１，第２のマザーのグリーンシート１１，１２を適宜の枚数交互に積層し、さらに上下に図示のマザーのセラミックグリーンシートを積層し、マザーの積層体を得る。このようにして、図７に示すマザーの積層体１５を得ることができる。次に、図７に示すようにマザーの積層体１５の上面に、印刷法などによりマザーの外部電極１６を形成する。下面にもマザーの外部電極を形成する。次に、マザーの積層体１５を図示の破線に沿って個々のセラミックコンデンサ単位の積層体に切断し、焼成する。このようにして、上記外部電極５，６，５Ａ，６Ａを有するセラミック焼結体２を得ることができる。
【００３４】
しかる後、上記セラミック焼結体２の第１，第２の端面２ｃ，２ｄから第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂに至るように導電性ペーストを付与し、焼き付けることにより、上記第１，第２の外部端子電極５，６，５Ａ，６Ａ及び接続電極５Ｂ，６Ｂを形成することができる。このようにして、積層セラミックコンデンサ１を得ることができる。もっとも、上記外部端子電極５，６及び５Ａ，６Ａ並びに接続電極５Ｂ，６Ｂは、セラミック焼結体２の焼結に先立ち、導電性ペーストをセラミック素体の外表面に付与し、セラミック焼結体２の焼成に際し、同時に焼き付けることにより形成されてもよい。
【００３５】
また、セラミック焼結体２を得た後に、導電性ペーストの印刷・焼き付け以外の他の電極形成方法により、外部端子電極５，６等を形成してもよい。
【００３６】
図３に示すように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、第１の主面２ａ上において、第１，第２の外部端子電極５，６がギャップＧを隔てて配置されている。ここで、上記長さ方向に沿うセラミック焼結体２の寸法をＬ、幅方向に沿う寸法をＷとする。そして、ギャップＧの対向距離をｇとすると、積層セラミックコンデンサ１では、下記の式（１）及び（２）が満たされており、それによって、例えば後述の基板内に積層セラミックコンデンサ１を内蔵し、基板外からレーザ光を照射してビアホールを形成するに際し、レーザ光照射に際しての許容度を高めることができる。あるいは、より大きな照射径のレーザ光を照射することができる。
【００３７】
Ｗ＜Ｌ−ｇ＜２Ｗ    ………式（１）
Ｌ−ｇ＋Ｗ−｛２（Ｌ−ｇ）Ｗ｝１／２＞（Ｌ−ｇ）／２    ………式（２）
【００３８】
上記式（１）及び（２）を満たすように、積層セラミックコンデンサ１が形成されているため、上記のように、ビアホール形成に際してのレーザ光の照射位置の許容度が高められることをより具体的に説明する。
【００３９】
図３においては、第１，第２の外部端子電極５，６にレーザ光が照射される際の照射領域である円が破線で記載されている。レーザ光を外部端子電極５，６に直交するように照射した場合、照射領域は円形となることによる。
【００４０】
そして、台形形状の第１，第２の外部端子電極５，６に納まる円の内、最大の面積の円は、図３に示す直径Ｒの円である。すなわち、下底５ｂが主面２ａと第１の側面２ｅとのなす端縁に沿う第１の外部端子電極５おいては、該端縁に沿う円であって、第１の端面２ｃ側の辺及び前述した斜辺に接する円が最大の直径Ｒを有する円となる。
【００４１】
同様に、第２の外部端子電極６では、台形の下底６ｂとなる第１の主面２ａと、第２の側面２ｆとのなす端縁に沿う円と、上記斜辺と、斜辺と対向している辺とに接する円が最大直径Ｒを有する円となる。
【００４２】
図４は、図３に示した主面２ａにおいてギャップ領域Ｇを削除し、第１，第２の外部端子電極５，６が形成されている領域を付き合わせた形状に相当する矩形の第１の主面２Ａを示す。なお、図４では、説明を容易とするために、第１の主面のコーナ部の丸みは除かれている。
【００４３】
図４において、長さ方向に沿う寸法をａ、幅方向に沿う寸法をｂとする。ａ＝Ｌ−ｇであり、ｂ＝Ｗとなる。
【００４４】
図４では、第１の主面２Ａに納まる２つの円Ｃ１及びＣ２が描かれている。円Ｃ１及びＣ２は、同じ面積を有する。円Ｃ１は、一方のコーナ部分において、主面２Ａの２辺に接するように配置されている。円Ｃ２は、円Ｃ１が位置しているコーナ部と対角線上に位置しているコーナ部において、主面２Ａの２辺に接している。
【００４５】
円Ｃ１及びＣ２の面積を大きくしていくと、図５に示すように、円Ｃ１及びＣ２が、それぞれ、矩形の主面２Ａの長辺及び短辺に接し、かつ円Ｃ１とＣ２同士が接する場合に、円Ｃ１及びＣ２の面積は、円Ｃ１，Ｃ２が重なり合わない限り最大となる。
【００４６】
このとき、円Ｃ１と円Ｃ２とを接している部分を通り、主面２Ａを２分するように主面２Ａを分割するには、図５の破線Ｄで主面２Ａを分割すればよい。すなわち、この破線Ｄが前述し第１，第２の外部端子電極５，６の台形形状の斜辺に相当する。すなわち、破線Ｄの領域にギャップ領域Ｇを形成し、第１，第２の外部端子電極をギャップ領域Ｇを介して隔てれば、第１の実施形態の第１，第２の外部端子電極５，６を形成することができる。
【００４７】
次に、各部分の寸法を検討する。主面２Ａは、長方形であるため、ａ＞ｂである。ａ＝ｂの場合には、外部端子電極５，６を付き合わせた図形は、長方形ではなく正方形となる。この場合には、２つの円に接する接線が正方形の対角の頂点に達するため、分割後の外部端子電極の形状か三角形となり、好ましくない。
【００４８】
外部端子電極５，６のセラミック焼結体に対する固着力を確保するためにも、各外部端子電極５，６は、セラミック焼結体２の多くの端縁に至っていることが望ましく、すなわち台形形状であることが望ましい。
【００４９】
また、本実施形態では、ａ＜２ｂである。ａが２ｂ以上の場合には、長方形の主面２Ａ上において、直径ｂの円が長さ方向に並び得ることになり、従来例に相当する構造となる。従って、レーザ光の照射領域の許容度を高めることができない。
【００５０】
図５においては、２つの円の面積が最大化されるには、各円Ｃ１，Ｃ２の直径ｒが、従来例における最大直径であるａ／２よりも大きくなればよい。ここで、長方形の左下のコーナを原点Ｏとしたとき、中心Ｐの座標は（ｒ／２，ｒ／２）、円Ｃ２の中心Ｑの座標は（ａ−ｒ／２，ｂ−ｒ／２）となる。
【００５１】
従って、中心Ｐと中心Ｑとの間の距離をｄとしたとき、ｄ＝ｒであり、下記の式（３）が成り立つ。
【００５２】
ｄ２＝｛（ａ−ｒ／２）―ｒ／２｝２＋｛（ｂ−ｒ／２）−ｒ／２｝２
＝（ａ−ｒ）２＋（ｂ−ｒ）２      ………式（３）
よって、ｄ＝ｒと、上記式（３）より、ｒ＝ａ＋ｂ−（２ａｂ）１／２となる。従って、
ｒ＞ａ／２    ………式（４）
及びａ＋ｂ−（２ａｂ）１／２＞ａ／２    ………式（５）
が成り立つこととなる。ここで、式（５）にａ＝Ｌ−ｇ及びｂ＝Ｗを代入すると、
（Ｌ−ｇ）＋Ｗ−｛２（Ｌ−ｇ）Ｗ｝１／２＞（Ｌ−ｇ）／２    ………式（２）が成り立つこととなる。
【００５３】
また、実際に外部端子電極５，６を設計する際に備え、上記台形の上底と下底との長さを求める場合、下底の長さは線分ＰＱに直交する直線と、図５のＸ軸との交点により求めることができる。線分ＰＱの傾きは、（ｂ−ｒ）／（ａ−ｒ）である。従って、直交する上記直線の傾きは、−（ａ−ｒ）／（ｂ−ｒ）であり、この直線は座標（ａ／２，ｂ／２）を通るため、
ｙ＝−（ａ−ｒ）／（ｂ−ｒ）（ｘ−ａ／２）＋ｂ／２が成り立つ。ｙ＝０を代入すると、
ｘ＝ｂ（ｂ−ｒ）／２（ａ−ｒ）＋ａ／２となる。従って、下底の長さは、ｂ（ｂ−ｒ）／２（ａ−ｒ）＋ａ／２となり、上底の長さは、−ｂ（ｂ−ｒ）／２（ａ−ｒ）＋ａ／２となる。このａ及びｂにＬ、Ｗ、及びＧを代入すれば、下底の長さはＷ（Ｗ−ｒ）／２（Ｌ−ｇ−ｒ）＋（Ｌ−ｇ）／２、上底の長さは−Ｗ（Ｗ−ｒ）／２（Ｗ−ｇ−ｒ）＋（Ｗ−ｇ）／２となる。
【００５４】
上記のように、式（１）及び（２）が成り立つ場合、外部端子電極５，６に含まれる円Ｃ１，Ｃ２の大きさを最大とすることができ、従って、レーザ光を照射してセラミックコンデンサ１が内蔵される基板に外部からビアホールを形成する場合、外部端子電極５，６に至るビアホールを容易にかつ高精度に形成することができる。すなわち、レーザ光照射に際しての照射位置の許容度を高めることができる。逆に、より大きな径のレーザ光を照射したビアホールを形成することができるので、電気的接続の信頼性を高めることができ、かつＥＳＲを低めることかできる。
【００５５】
なお、上記第１，第２の外部端子電極５，６，５Ａ，６Ａ及び接続電極５Ｂ，６Ｂを構成する材料についても特に限定されず、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｕまたはＡｇ−Ｐｄ合金などを用いることができる。
【００５６】
また、外部端子電極５，６の厚みは、最も厚い部分で１０〜５０μｍ程度とすることが好ましい。１０μｍ未満では、レーザ光の照射により、外部端子電極の一部が除去され、セラミック焼結体２にレーザ光が至るおそれがある。５０μｍを超えると、レーザ光を効果的に反射し得るものの、コストが高くつく。
【００５７】
また、外部端子電極５，６の表面には、メッキ膜が形成されていてもよい。メッキ膜を構成する材料についても特に限定されない。例えば、Ｃｕ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕまたはこれらの合金等を適宜用いることができる。メッキ膜は複数層形成されていてもよい。メッキ膜の厚みは、１層当たり１〜１０μｍ程度であることが好ましい。
【００５８】
なお、後述の電子部品内蔵基板のように、基板にレーザ光を照射してビアホールすなわち貫通孔を形成する場合には、レーザ光を反射する外部端子電極５，６であることが必要である。その場合には、反射性に優れたＣｕメッキ膜等を形成することが望ましい。
【００５９】
また、外部端子電極５，６においては、主電極材料と上記メッキ膜との間に応力緩和用の樹脂層が形成されていてもよい。
【００６０】
上記内部電極３，４は、適宜の導電性ペースト、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、ＡｕまたはＡｇ−Ｐｄ合金などを含む導電ペーストを用いて形成することができる。内部電極の厚みは特に限定されず、０．３〜２．０μｍ程度とすることが好ましい。
【００６１】
なお、本実施形態では、セラミック焼結体２内に、第１，第２の内部電極３，４が形成されていたが、本発明は、内部電極を有しない電子部品本体に用いた電子部品にも適用することができる。
【００６２】
図８は、第１の実施形態の積層セラミックコンデンサ１の変形例に係る電子部品２１を示す正面断面図である。第１の実施形態では、第２の主面２ｂにも、第１，第２の外部端子電極５Ａ，６Ａが形成されていたが、本変形例の電子部品２１では、第２の主面２Ｂ上には、第１，第２の外部端子電極は形成されていない。このように、第１の主面２ａ側にのみ第１，第２の外部端子電極５，６を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１の低背化を進めることができる。
【００６３】
もっとも、第１の実施形態では、第１の主面２ａ側及び第２の主面２ｂ側の双方において、第１，第２の外部端子電極が形成されているので、方向性をなくすことができる。基板に内蔵した状態で、第１の主面２ａ側及び第２の主面２ｂ側のいずれの側からもレーザ光を照射してビアホールを形成することができる。従って、製造工程の簡略化の上では、第１の実施形態が望ましい。
【００６４】
図９は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品を示す正面断面図である。第２の実施形態の電子部品３１では、第１の内部電極３Ａ，３Ａ及び第２の内部電極４Ａ，４Ａは、セラミック焼結体２の第１，第２の端面２ｃ，２ｄには至っていない。その代わり、第１の内部電極３Ａ，３Ａを電気的に接続するように、内部電極に第１のビアホール導体３２が形成されている。第１のビアホール導体３２は、第１の内部電極３Ａ，３Ａを接続し、セラミック焼結体２の第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂに至るように、セラミック焼結体２を貫いている。第２の内部電極４Ａ，４Ａは、上記ビアホール導体３２には電気的に接続されないように、ビアホール導体３２が貫通している部分において、ビアホール導体３２よりも大きな開口部を有する。
【００６５】
同様に、第２のビアホール導体３３は、複数の第２の内部電極４Ａ，４Ａに電気的に接続され、かつセラミック焼結体の第１，第２の主面２ａ，２ｂ間に至るように、セラミック焼結体２を貫いている。そして、第２のビアホール導体３３は、第１の内部電極３Ａ，３Ａには電気的に接続されていない。
【００６６】
上記ビアホール導体３２，３３を用いて、第１の内部電極３Ａ，３Ａ同士及び第２の内部電極４Ａ，４Ａ同士が電気的に接続されているので、第１の実施形態における接続電極５Ｂ，６Ｂは形成されていない。その他の点については、電子部品３１は、積層セラミックコンデンサ１と同様である。
【００６７】
本実施形態においても、第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂのいずれにおいても、第１，第２の外部端子電極５，６及び５Ａ，６Ａは形成されているので、第１の実施形態の場合と同様に、レーザ光を照射する際の照射位置の許容度を高めることができる。また、相対的に大きな径のレーザ光を照射することができるので、大きなビアホールを形成して、電気的接続の信頼性を高め、かつＥＳＲを低めたりすることができる。
【００６８】
図１０（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態の積層セラミックコンデンサ１の他の変形例を説明するための各正面断面図である。第１の実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、セラミック焼結体２内において、複数の内部電極３，４は、第１，第２の主面２ａ，２ｂと平行な平面に配置されていた。これに対して、本変形例では、図１０（ａ）に示すように、第１の内部電極３Ｂが、第１，第２の主面２ａ，２ｂを結ぶ方向を含む平面、すなわちセラミック焼結体２の厚み方向を含む平面内に位置している。図１０（ｂ）に示す第２の内部電極４Ｂも同様である。
【００６９】
すなわち、複数の第１，第２の内部電極３Ｂ，４Ｂは、セラミック焼結体２の下面である第２の主面に対して直交する方向の平面内に位置している。このように、複数の内部電極３Ｂ，４Ｂは、セラミック焼結体２において、第１，第２の主面２ａ，２ｂに直交する方向に延び、第１，第２の側面２ｅ，２ｆ（図１参照）を結ぶ方向においてセラミック層を介して積層されていてもよい。
【００７０】
図１１は、第１の実施形態の積層セラミックコンデンサ１が内蔵されている電子部品内蔵基板の実施形態を示す正面断面図である。
【００７１】
本実施形態の電子部品内蔵基板４１は、基板４２を有する。基板４２は、第１〜第３の基板材４３〜４５をこの順序で積層することにより得られている。すなわち、第１の基板材４３上に、第２の基板材４４及び第３の基板材４５を、樹脂層４６により貼り合わせ一体化することにより、基板４２が形成されている。
【００７２】
上記基板材４３〜４５を構成する絶縁性材料としては、アルミナなどの絶縁性セラミックス、あるいは合成樹脂などの適宜の絶縁性材料を用いることができる。上記絶縁性樹脂層４６については、エポキシ樹脂系接着剤などの適宜の絶縁性樹脂材料を用いることができる。
【００７３】
第２の基板材４４には、前述した実施形態の積層セラミックコンデンサ１が収納され得る開口部４４ａが形成されている。この開口部４４ａ内に、電子部品として積層セラミックコンデンサ１が収納されている。
【００７４】
他方、第２の基板材４４上に第３の基板材４５が積層されている。第３の基板材４５には、貫通孔４５ａ，４５ｂが形成されている。この貫通孔４５ａ，４５ｂの内周面には、導電性材料を付与することにより、ビアホール電極４７，４８が形成されている。
【００７５】
このビアホール電極４７，４８は、基板４２の配線４９，５０に電気的に接続されており、かつ貫通孔４５ａ，４５ｂの最奥部において、露出している第１，第２の外部端子電極５，６に電気的に接続されている。
【００７６】
製造に際しては、第１，第２の基板材４３，４４を積層し、第２の基板材４３，４４を積層し、第２の基板材４４の開口部４４ａに積層セラミックコンデンサ１を収納し、平板状の第３の基板材４５を積層する。この段階において、貫通孔４５ａ，４５ｂは未だ形成されていない。
【００７７】
しかる後、第３の基板材４５の上面からレーザ光を通して、例えばＣＯ２レーザを照射し、貫通孔４５ａ，４５ｂを形成する。次に、貫通孔４５ａ，４５ｂの内面に、導電性材料を付与し、ビアホール電極４７，４８を形成する。
【００７８】
本実施形態の電子部品内蔵基板４１では、上記貫通孔４５ａ，４５ｂの形成に際し、積層セラミックコンデンサ１の外部端子電極５，６が上記のように形成されているので、レーザ光を照射する際の照射位置の許容度が高められている。すなわち、積層セラミックコンデンサ１の上面である第１の主面２ａにおいて、外部端子電極５，６が形成されていない領域へのレーザ光の照射を確実に防止することができる。また、従来の相当の電子部品に比べ、より大きな径のレーザ光を照射することができる。従って、より大きな径の貫通孔４５ａ，４５ｂを形成し得るので、それによって、電気的接続の信頼性を高めることができると共に、等価直列抵抗ＥＳＲを低めたりすることができる。
【００７９】
なお、本実施形態では、レーザ光として、ＣＯ２レーザを用いたが、他のガスレーザあるいは固体レーザを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態の電子部品の平面図であり、（ｂ）は、正面図であり、（ｃ）は、正面断面図である。
【図２】第１の実施形態の電子部品の内部電極形状を説明するための電子部品本体としてのセラミック焼結体の平面断面図である。
【図３】第１の実施形態の電子部品としてのセラミックコンデンサの電子部品本体の第１の主面上における第１，第２の外部端子電極の形状を説明するための模式的平面図である。
【図４】第１の実施形態の外部端子電極を形成するための仮想の第１の主面を説明するための模式的平面図である。
【図５】第１の実施形態の外部端子電極を形成する際に検討した仮想の第１の主面上に最大径の円を形成した状態を示す模式的平面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態の積層セラミックコンデンサの製造に際して用意されたマザーのグリーンシートを示す各平面図である。
【図７】第１の実施形態の積層セラミックコンデンサを得るのに用意したマザーの積層体を示す模式的平面図である。
【図８】第１の実施形態の変形例に係る電子部品としての積層セラミックコンデンサを示す正面断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す正面断面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の他の変形例に係る積層セラミックコンデンサの各正面断面図である。
【図１１】本発明の実施形態としての電子部品内蔵基板を説明するための正面断面図である。
【図１２】従来の電子部品における外部端子電極径を説明するための電子部品の平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１…積層セラミックコンデンサ
２…セラミック焼結体
２Ａ…第１の主面
２Ｂ…第２の主面
２ａ…主面
２ｂ…第２の主面
２ｃ…第１の端面
２ｄ…第２の端面
２ｅ…第１の側面
２ｆ…第２の側面
３，４…内部電極
３Ａ…第１の内部電極
３Ｂ…第２の内部電極
４Ａ…第１の内部電極
４Ｂ…第２の内部電極
５…第１の外部端子電極
５Ａ…第１の外部端子電極
５Ｂ…第２の接続電極
５ａ…上底
５ｂ…下底
５ｃ…斜辺
５ｄ…辺
６…第２の外部端子電極
６ａ…辺
６ｂ…下底
６ｃ…斜辺
６ｄ…辺
１１，１２…グリーンシート
１３，１４…内部電極ペーストパターン
１５…積層体
２１，３１…電子部品
３２…第１のビアホール導体
３３…第２のビアホール導体
４１…電子部品内蔵基板
４２…基板
４３〜４５…基板材
４４ａ…開口部
４５ａ，４５ｂ…貫通孔
４６…樹脂層
４７，４８…ビアホール電極
４９，５０…配線
【図１】
2010129737.tif 000003
【図２】
2010129737.tif 000004
【図３】
2010129737.tif 000005
【図４】
2010129737.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2010129737.tif 000009
【図８】
2010129737.tif 000010
【図９】
2010129737.tif 000011
【図１０】
2010129737.tif 000012
【図１１】
2010129737.tif 000013
【図１２】
2010129737.tif 000014