(57)【要約】【課題】チャンバ内に配置された光学素子等の部品に付着したデブリを排除することができる極端紫外光源装置を提供する。【解決手段】この極端紫外光源装置は、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザ装置と、クリーニング用パルスレーザ光を射出するクリーニングレーザ装置と、チャンバ内に設置された部品にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、該部品の表面に付着したデブリを除去するように、クリーニングレーザ装置から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する制御部とを含む。【選択図】図１
2010186995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、
前記ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザ装置と、
クリーニング用パルスレーザ光を射出するクリーニングレーザ装置と、
前記チャンバ内に設置された部品にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、前記部品の表面に付着したデブリを除去するように、前記クリーニングレーザ装置から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する制御部と、
を具備する極端紫外光源装置。
【請求項２】
前記クリーニングレーザ装置が、紫外領域の光を含むクリーニング用パルスレーザ光を射出する、請求項１記載の極端紫外光源装置。
【請求項３】
前記制御部が、前記部品の表面を走査するようにクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御すると同時に、該クリーニング用パルスレーザ光のエネルギー密度を調整する、請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項４】
前記チャンバ内に設置された部品が、前記プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラーを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項５】
極端紫外光のファーフィールドパターンを検出するファーフィールド検出器をさらに具備し、
前記制御部が、極端紫外光のファーフィールドパターンに基づいて前記集光ミラーの表面における汚れの位置を検出し、該汚れの位置にクリーニング用パルスレーザ光を照射してデブリを除去するように、前記クリーニングレーザ装置から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する、請求項１〜４のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項６】
前記集光ミラーの反射面の像を検出するミラー表面イメージ検出器をさらに具備し、
前記制御部が、前記ミラー表面イメージ検出器の出力信号に基づいて前記集光ミラーの反射面における汚れの位置を検出し、該汚れの位置にクリーニング用パルスレーザ光を照射してデブリを除去するように、前記クリーニングレーザ装置から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する、請求項１〜５のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項７】
前記クリーニングレーザ装置が、前記ドライバレーザ装置がドライバ用パルスレーザ光の複数のパルスを発生するタイミングと異なるタイミングでクリーニング用パルスレーザ光を発生する、請求項１〜６のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項８】
ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内に前記ターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、
前記ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してプラズマを生成すると共に、クリーニング用パルスレーザ光を射出するドライバレーザ装置と、
前記チャンバ内に設置された部品にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、前記部品の表面に付着したデブリを除去するように、前記ドライバレーザ装置から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する制御部と、
を具備する極端紫外光源装置。
【請求項９】
前記チャンバ内に設置された部品が、前記プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラーを含み、
前記チャンバから前記集光ミラーを退避させて、前記集光ミラーの反射面にクリーニング用パルスレーザ光が照射されてデブリが除去された後に、前記集光ミラーを前記チャンバに戻す移動機構を備えた洗浄室をさらに具備する、請求項１〜３のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項１０】
１対の前記洗浄室と、１対の前記集光ミラーとを具備し、
前記制御部が、一方の集光ミラーが前記チャンバ内で稼働している間に他方の集光ミラーが前記１対の洗浄室のいずれか一方において洗浄されるように前記移動機構を制御する、請求項９記載の極端紫外光源装置。
【請求項１１】
ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を発生する極端紫外光源装置において、極端紫外光の生成が行われるチャンバ内に設置された部品をクリーニングする方法であって、
クリーニングレーザ装置からクリーニング用パルスレーザ光を射出するステップと、
前記部品の表面を走査するように前記部品の表面にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、前記部品の表面に付着したデブリを除去するステップと、
を具備するクリーニング方法。
【請求項１２】
ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を発生する極端紫外光源装置において、極端紫外光の生成が行われるチャンバ内に設置された部品をクリーニングする方法であって、
ドライバレーザ装置からクリーニング用パルスレーザ光を射出するステップと、
前記部品の表面を走査するように前記部品の表面にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、前記部品の表面に付着したデブリを除去するステップと、
を具備するクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultraviolet）光源装置、及び、そのようなＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内に設置された部品をクリーニングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、６０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を発生するＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光源として、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ生成プラズマ）光源（以下において、「ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置」ともいう）がある。ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、真空チャンバ内に存在するターゲット、例えば、スズ（Ｓｎ）に、ドライバ用パルスレーザ光を集光することによりプラズマを生成する。生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光を含む様々な波長成分が放射されるので、その内の所望の波長成分（例えば、１３．５ｎｍの波長を有する成分）を、集光ミラー（ＥＵＶ集光ミラー）を用いて選択的に反射集光し、ＥＵＶ光を利用する露光機等の機器に出力する。
【０００４】
ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、光源の周囲に電極等の構造物が無く、ほぼ等方的な放射角度分布を持つ点光源であるので、２πから４πステラジアンという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点を有する。このため、ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、数十ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。
【０００５】
図２２は、露光装置の光源として用いられるＬＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の構成を示す概念図である。液滴又は粒滴として真空チャンバ内に供給されるターゲット物質に対して、ドライバレーザ装置からのパルスレーザ光を照射することにより、ターゲット物質が励起してプラズマ化する。このプラズマからＥＵＶ光を含む様々な波長成分が放射される。そこで、ＥＵＶ光の波長成分を選択的に反射するＥＵＶ集光ミラーを用いて特定波長のＥＵＶ光を反射集光し、露光機に出力する。ＥＵＶ集光ミラーの反射面には、例えば、モリブデン（Ｍｏ）の薄膜とシリコン（Ｓｉ）の薄膜とを交互に積層した多層膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）が形成されている。この多層膜は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を６０％から７０％程度反射する。
【０００６】
ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置においては、ターゲットの一部はプラズマ発生時の衝撃波等により分裂、飛散し、デブリとなる。デブリは、高速イオンや、プラズマにならなかったターゲットの残滓を含む。飛散したデブリは、真空チャンバ内に配置された光学素子等の部品、例えば、ＥＵＶ集光ミラー、レーザ集光レンズ、ミラー、レーザ光入射ウインドウ、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ：Spectrum Purity Filter）、光学式センサの入射窓等の表面に付着する。このため、光学素子の反射率又は透過率が減少して、ＥＵＶ光の出力が低下したり、光学式センサの感度が低下したりするという問題が発生する。
【０００７】
特に、ＥＵＶ集光ミラーは、プラズマ近傍においてプラズマを取り囲むように設置されるので、プラズマやターゲットから放出される中性粒子がＥＵＶ集光ミラーの反射面に付着してＥＵＶ集光ミラーの反射率を低下させる一方、プラズマから放出されるイオンがスパッタリング作用によりＥＵＶ集光ミラーの反射面に形成されている多層膜を削り取ってＥＵＶ光の選択率を低下させる。
【０００８】
現状においては、ＥＵＶ光源装置の出力に対する要求に応ずるターゲット材料として、高いＥＵＶ変換効率を有するスズ（Ｓｎ）等の金属が有望と考えられている。ＥＵＶ集光ミラーの反射面にデブリにより金属が付着したときには、ＥＵＶ光は、その金属膜を往復する間に吸収される。したがって、例えば、ＥＵＶ集光ミラーの当初の反射率Ｒ０を６０％として、デブリによる金属膜の光透過率Ｔが約９５％であると、ＥＵＶ集光ミラーの反射率Ｒは５４．２％に低下して、反射率Ｒの低下率が約１０％になる。
【０００９】
ＥＵＶ集光ミラーは、反射面に特殊な表面加工を施す必要があり、例えば０．２ｎｍ（ｒｍｓ）程度の高い平坦性等の高い光学的精度を要求されるので、非常に高価である。また、露光装置の運転コスト削減や、メンテナンス時間の低減等の観点から、ＥＵＶ集光ミラーの長寿命化が求められている。露光用ＥＵＶ光源装置におけるＥＵＶ集光ミラーの寿命は、例えば、反射率Ｒが１０％低下するまでの期間とされ、少なくとも1年間の寿命が要求されている。
【００１０】
１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ光に対して、ＥＵＶ集光ミラーの反射率の低下が１０％以下であるためには、デブリによる金属の堆積厚さの許容値は、スズ（Ｓｎ）の場合に約０．７５ｎｍ、リチウム（Ｌｉ）の場合に約５ｎｍであり、極めて僅かな値である。このため、ＥＵＶ集光ミラーへのスズ付着防止技術が様々提案されているが、1年間の寿命を達成するためには、付着したスズを除去することも有効なので、クリーニングについても種々の試みがなされている。
【００１１】
関連する技術として、特許文献1には、ＥＵＶプラズマ発生チャンバ内にエッチャントガスを導入してクリーニングを行うＥＵＶ光生成装置が開示されている。このＥＵＶ光生成装置は、エッチャントガスをスズと反応させて化合物とし、この化合物を気化して除去する。しかしながら、このＥＵＶ光生成装置においては、チャンバ内の部品をエッチャントガスに耐える材料で構成する必要があり、また、十分なエッチング速度を確保するために、エッチング促進プラズマを生成したり、イオン加速器を用いたり、ＥＵＶ集光ミラーを加熱したりする必要があった。特許文献1によれば、多層膜にダメージを与えることなく効率良くスズデブリを除去することができるが、チャンバ内でエッチャントガスによる屈折率の分布が発生し、ＥＵＶ光やドライバ用パルスレーザ光の波面が歪む。このため、ＥＵＶ光やドライバ用パルスレーザ光の集光性能を維持することが困難であった。
【００１２】
また、特許文献２には、露光装置の光学素子のコンタミネーションをパルスレーザ光ではない紫外光で除去する方法が開示されている。この方法は、例えば、ＵＶ−ＬＥＤやＵＶ−レーザダイオード等の連続発振の半導体光源を用いて紫外光を光学素子に照射し、光学素子に付着したカーボン等の有機物と光化学反応させて除去する。ただし、紫外光はスズ等の金属と光化学反応しないので、ＥＵＶ集光ミラーに付着した金属膜に対しては効果がない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特表２００８−５１８４８０号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００８／０２１２０４５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされた。本発明の目的は、チャンバ内に配置された光学素子等の部品、特に、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に付着したデブリを排除することができる極端紫外光源装置、及び、そのような極端紫外光源装置において用いられるクリーニング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の１つの観点に係る極端紫外光源装置は、ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザ装置と、クリーニング用パルスレーザ光を射出するクリーニングレーザ装置と、チャンバ内に設置された部品にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、該部品の表面に付着したデブリを除去するように、クリーニングレーザ装置から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する制御部とを具備する。
【００１６】
また、本発明の１つの観点に係るクリーニング方法は、ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を発生する極端紫外光源装置において、極端紫外光の生成が行われるチャンバ内に設置された部品をクリーニングする方法であって、クリーニングレーザ装置からクリーニング用パルスレーザ光を射出するステップと、該部品の表面を走査するように該部品の表面にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、該部品の表面に付着したデブリを除去するステップとを具備する。
【００１７】
ここで、クリーニング用パルスレーザ光は、赤外領域から真空紫外領域の波長を有するパルスレーザ光でも良い。特に、ＥＵＶ集光ミラーの多層膜にダメージがほとんどなく、効率良くデブリを除去できる点において、紫外領域の波長を有するパルスレーザ光であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
デブリが付着したＥＵＶ集光ミラーの反射面にパルスレーザ光を照射すると、反射面の多層膜に対してダメージを与えることなく、反射面に付着したデブリを効率よく除去することができる。その理由は、次の通りである。パルスレーザ光のエネルギーにより、付着粒子（デブリ）が急激に熱膨張する。このため、非付着物に対して付着粒子の加速度が生じる。この加速度が、付着粒子と非付着物との間の分子間力を断ち切ることにより、付着粒子を遊離して除去すると考えられる。
【００１９】
本発明によれば、従来のエッチャントガスによるクリーニングにおいて必要であったエッチャントガス対策、エッチング促進プラズマ装置、イオン加速装置、ＥＵＶ集光ミラーの高温化等の様々な付帯技術を必要とせずに、常温でしかも真空又は低真空の状態でも容易に効率良くデブリを除去することができる。さらに、パルスレーザ光の照射強度を最適化することにより、ＥＵＶ集光ミラーにダメージを与えることなく、付着したデブリのみを除去することができる。このようにして、ＥＵＶ集光ミラー等の光学素子の表面に付着したデブリを除去することにより、光学素子の寿命を延長して装置のコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置におけるレーザクリーニング装置の構成を示す図である。
【図２】本発明に係るレーザクリーニングの性能を確認するための照射試験装置の概念図である。
【図３】照射サンプルのレーザ光未照射領域とレーザ光照射領域における基板表面のＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）による元素分析結果を示す表である。
【図４】本発明におけるクリーニング原理を説明する概念図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
【図６】図５におけるＥＵＶ光の発生タイミングとクリーニング用パルスレーザ光の出力タイミングの例を示すタイミングチャートである。
【図７】図５に示すＥＵＶ光源装置の動作例を示すメインフローチャートである。
【図８】図７に示すレーザクリーニング開始判断サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図９】図７に示すレーザクリーニング開始判断サブルーチンの別の例を示すフローチャートである。
【図１０】図７に示すレーザクリーニングサブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図１１】ＥＵＶ露光準備サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
【図１３】図１２に示すＥＵＶ光源装置におけるクリーニング手順を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の第４の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
【図１５】図１４に示すＥＵＶ光源装置におけるクリーニング手順を示すフローチャートである。
【図１６】本発明の第５の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
【図１７】第５の実施形態におけるレーザクリーニングサブルーチンを示すフローチャートである。
【図１８】本発明の第６の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。
【図１９】図１８に示すＥＵＶ光源装置におけるクリーニング手順の一例を示すメインフローチャートである。
【図２０】図１９に示すクリーニング手順におけるＥＵＶ集光ミラー交換サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図２１】本発明の第７の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置におけるレーザクリーニング装置の構成を示す図である。
【図２２】露光装置の光源として用いられるＬＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の構成を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
（実施形態１）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置におけるレーザクリーニング装置の構成を示す図である。レーザクリーニング装置以外の構成は、例えば、図５に示す第２の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成と同様である。
【００２２】
第１の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、レーザクリーニング装置を用いて、回転楕円体の形状を有するＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２を所定のエネルギー密度で走査してデブリを除去する。このため、レーザクリーニング装置は、クリーニング用パルスレーザ光を射出するクリーニングレーザ装置１３と、クリーニング用パルスレーザ光の光軸方向におけるエネルギー密度が所定の範囲内となるようにクリーニング用パルスレーザ光の収束状態を制御する光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５と、クリーニング用パルスレーザ光をＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入するクリーニング用パルスレーザ光導入光学系２０と、クリーニング用パルスレーザ光でクリーニング対象物を走査するための走査光学系２３とを含んでいる。
【００２３】
また、ＥＵＶ光源装置のコントロールシステム（制御部）１０は、ＥＵＶ光源装置の各部を制御するコントローラ１１と、レーザクリーニングコントローラ１２と、ビーム走査コントローラ１４とを含んでいる。レーザクリーニングコントローラ１２は、コントローラ１１の制御の下で、クリーニングレーザ装置１３及びビーム走査コントローラ１４を制御する。ビーム走査コントローラ１４は、光軸方向エネルギー密度アクチュエータ１６及びスキャニングアクチュエータ２４を制御する。
【００２４】
レーザクリーニング動作において、コントロールシステム１０は、ＥＵＶチャンバ５０内に設置された部品にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、該部品の表面に付着したデブリを除去するように、クリーニングレーザ装置１３から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する。
【００２５】
光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５は、光軸方向エネルギー密度アクチュエータ１６と、凸レンズ１８と、凹レンズ１９とを含んでいる。クリーニングレーザ装置１３から射出されるクリーニング用パルスレーザ光は、光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５の凸レンズ１８及び凹レンズ１９を透過する。このとき、光軸方向エネルギー密度アクチュエータ１６が凸レンズ１８を光軸方向に移動させることにより、集光位置が光軸方向に変化する。ＥＵＶ集光ミラー５１は球面ミラーに比べて中央部が深く窪んでいるので、レーザ光照射位置によって集光位置を変化させて、クリーニング用パルスレーザ光のエネルギー密度が所望のエネルギー密度となるように調節される。
【００２６】
クリーニング用パルスレーザ光導入光学系２０は、クリーニング用パルスレーザ光をＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入するためのＨＲ（高反射）ミラー２１及びウインドウ２２を含んでいる。光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５から出力されたクリーニング用パルスレーザ光は、ＨＲミラー２１及びウインドウ２２を介して、ＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入される。
【００２７】
ＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入されたクリーニング用パルスレーザ光は、走査光学系２３に入射する。走査光学系２３は、スキャニングアクチュエータ２４と、スキャニングミラー（回転ミラー）２５とを含んでいる。スキャニングミラー２５の設置角度を少なくとも２軸で変化させるミラーホルダをスキャニングアクチュエータ２４が駆動することにより、回転楕円体の形状を有するＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２をクリーニング用パルスレーザ光が走査できるようになっている。
【００２８】
以下、このレーザクリーニング装置の動作について説明する。
ＥＵＶ光源装置を制御するコントローラ１１から、クリーニング用パルスレーザ光を用いたデブリ洗浄の命令がレーザクリーニングコントローラ１２に入力されると、レーザクリーニングコントローラ１２は、現状におけるＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２におけるレーザ光照射位置と光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５との間の光路上の距離を算定又は計測して、レーザ光照射位置におけるクリーニング用パルスレーザ光のエネルギー密度を所望のエネルギー密度に設定する制御信号を光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５に送信する。また、レーザクリーニングコントローラ１２は、クリーニングレーザ装置１３に制御信号を送信し、デブリを除去できる所定のパルス数で発振させる。
【００２９】
次に、ビーム走査コントローラ１４の制御の下で、スキャニングアクチュエータ２４が、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２におけるレーザ光照射位置を変更する。レーザクリーニングコントローラ１２は、変更後のレーザ光照射位置と光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５との間の光路上の距離を算定又は計測して、レーザ光照射位置におけるクリーニング用パルスレーザ光のエネルギー密度を所望のエネルギー密度に設定する制御信号を光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５に送信する。また、レーザクリーニングコントローラ１２は、クリーニングレーザ装置１３に制御信号を送信し、クリーニングレーザ装置１３を、デブリを除去できる所定のパルス数で発振させる。
【００３０】
このような動作を繰り返すことにより、回転楕円体の形状を有するＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２をクリーニング用パルスレーザ光で万遍なく照射することにより、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２に付着したデブリを確実に除去し、かつ、反射面５２の多層膜にダメージを与えないようにすることができる。
【００３１】
図２は、本発明に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置におけるレーザクリーニングの性能を確認するための照射試験装置の概念図である。クリーニングレーザ装置７１は、Ｎｄ：ＹＡＧ（neodymium doped yttrium aluminum garnet）レーザであって、４倍高調波（４ω、波長２６６ｎｍ）でパルス幅１０ｎｓを有するパルスレーザ光７４を射出する。照射サンプル７３は、ＥＵＶ光を放射しているレーザ生成Ｓｎプラズマに暴露されたことにより表面に厚み約２ｎｍのスズ（Ｓｎ）が堆積したＭｏ／Ｓｉ多層膜ミラー（ＥＵＶ集光ミラー）の基板である。
【００３２】
クリーニングレーザ装置７１から射出されるパルスレーザ光７４を、照射サンプル７３の表面に照射した。照射サンプル７３の温度は常温とし、レーザ照射により照射サンプル７３から剥がれた粒子がより遠くまで飛ぶように、真空チャンバ７２内は低真空状態（〜２０Ｐａ）とした。照射エネルギー密度の平均値は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜のダメージ閾値とされる２０ｍＪ／ｃｍ２（レンジ：８ｍＪ／ｃｍ２〜６２ｍＪ／ｃｍ２）であり、１０００ショットの照射を行った。
【００３３】
図３は、照射サンプルのレーザ光未照射領域とレーザ光照射領域における基板表面のＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）による元素分析結果を示す表である。レーザ光未照射領域とレーザ光照射領域とを比較すると、スズ（Ｓｎ）のＸＰＳ信号強度は４．７ａｔ％（厚み２ｎｍ相当）から０．３ａｔ％（厚み０．１ｎｍ以下相当）へと減少し、レーザ照射によるクリーニング効果があることが確認された。加えて、炭素（Ｃ）のＸＰＳ信号強度も大幅に減少し、炭素（Ｃ）のクリーニング効果があることも確認された。また、基板上の第１層目の元素であるシリコン（Ｓｉ）及び第２層目の元素であるモリブデン（Ｍｏ）の信号強度が増加していることからも、スズ（Ｓｎ）及び炭素（Ｃ）がクリーニングされていることが分かった。
【００３４】
また、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜のダメージ閾値とされる２０ｍＪ／ｃｍ２以下の照射エネルギー密度であれば、多層膜にダメージを与えずにレーザクリーニング可能であることが分かった。今回の実験におけるクリーニングレートは、約２ｎｍ／１０００ショット以上であったが、照射エネルギー密度を維持したまま、レーザ光の高繰り返し化又はレーザ光の短パルス化を行うことによって、高速なクリーニングが可能となる。
【００３５】
図４は、本発明におけるクリーニング原理を説明する概念図である。本発明の基本原理は、パルスレーザ光の照射により、付着粒子（デブリ）１０２が急激に熱膨張するため生じる加速度が付着粒子１０２と基板表面１０１との間の分子間力を絶つことにより、付着粒子（デブリ）１０２を除去するものと考えられる。このため、パルスエネルギーが同じ場合には、レーザ光のパルス幅が短いほど大きな加速度を得ることができることになる。例えば、１０ｎｓのパルス幅を有するパルスレーザ光の照射は、１００ＭＨｚの超音波衝撃を与えることに相当する。
【００３６】
距離ｒの２つの分子間に働くファンデルワールス力（Van der Walls）Ｆｖは、遠方では、次式（１）によって表される。
Ｆｖ＝ｋｒ−７  ・・・（１）
ここで、ｋは所定の係数である。
【００３７】
一方、基板を無限平面状に配列した分子の層が無数に重なった物とみなすと、基板表面の分子からの距離ｒにおける分子間力による引力は、半無限空間における分子間力の積分により、ｒ３分だけ次元が上がり、次式（２）によって表される。
Ｆｖ＝４ｋｒ−４  ・・・（２）
【００３８】
したがって、図４に示すように、基板表面の分子と分子間距離ｒ０で接する半径ｄ／２の球（付着粒子１０２）との間に働くファンデルワールス力は、次式（３）によって表される。
【数１】
2010186995.tif 000003
ここでｄ／ｒ０＞＞１なので、大括弧内の第２項は第１項に比べて無視することができる。したがって、付着力は、次式（４）によって表される。
Ｆｖ＝２πｋｄ／ｒ０２  ・・・（４）
【００３９】
付着粒子１０２の質量ｍはｄ３に比例するので、直径ｄの付着粒子１０２と基板表面の分子との分子間力を断ち切るのに必要な加速度ａは、次式（５）によって表される。
【数２】
2010186995.tif 000004
この加速度ａを発生させ、かつ、多層膜にダメージを与えないレーザパルス光をＥＵＶ集光ミラーの反射面に照射することにより、ＥＵＶ集光ミラーの反射面を傷つけずに付着粒子（デブリ）を除去することができる。
【００４０】
以上説明したように、短いパルス幅（数十ｎＳ以下）を有するパルスレーザ光であれば、波長に関係なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面上の付着粒子（デブリ）を除去することができる。例えば、短パルスレーザであれば、ＥＵＶ光を発生するために用いられるドライバレーザ装置であるＣＯ２レーザ（波長：１０．６μｍ）やＹＡＧレーザ（波長：１．０６μｍ）から出力されるパルスレーザ光でも、ＥＵＶ集光ミラーの多層膜にダメージを与えずにレーザクリーニングを行うことが可能である。
【００４１】
しかしながら、レーザクリーニングを行うためのパルスレーザ光としては、真空紫外領域から紫外線領域の波長を有するパルスレーザ光が望ましい。なぜならば、デブリである金属（Ｓｎ、Ｌｉ等）は、この波長領域のパルスレーザ光に対して高い吸収率を有する。また、この波長領域のパルスレーザ光は、ＥＵＶ集光ミラーの深くまで到達しないので、ＥＵＶ集光ミラーの多層膜に損傷を与えることなく、表面に付着したデブリを除去することができる。
【００４２】
（実施形態２）
図５は、本発明の第２の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。図５に示すＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、コントロールシステム１０と、図１に示す第１の実施形態におけるのと同様なレーザクリーニング装置と、ＥＵＶ光生成チャンバ５０と、ＥＵＶ集光ミラー５１と、ターゲット供給装置５３と、ターゲット回収装置５４と、ドライバレーザ装置５７と、ドライバ用パルスレーザ光のための集光光学系５８と、ドライバ用パルスレーザ光のためのレーザダンパ６０と、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）６１と、ピンホール板６３と、ゲートバルブ６４と、２つの電磁石７５とを含んでいる。
【００４３】
レーザクリーニング装置は、クリーニングレーザ装置１３と、光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５と、ＨＲミラー２１及びスキャニングミラー（回転ミラー）２５を有する走査光学系とを含んでいる。クリーニングレーザ装置１３から射出されたパルスレーザ光は、ウインドウ２２を介してＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入され、ＨＲミラー２１及びスキャニングミラー２５を有する走査光学系に入射する。走査光学系に入射したパルスレーザ光は、ＨＲミラー２１によって反射され、さらに、スキャニングミラー２５によって反射されて、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２を走査することにより、反射面５２をクリーニングする。
【００４４】
ターゲット供給装置５３から供給されたドロプレットターゲット５５が回転楕円体の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー５１の第１焦点位置（プラズマ発光点）５６に到達すると、それに同期してドライバレーザ装置５７からパルスレーザ光が出力され、ドライバ用パルスレーザ光のための集光光学系５８及びウインドウ５９を介してドロップレット上に集光照射される。これにより、第１焦点位置５６においてドロップレットターゲットがプラズマ化して、プラズマからＥＵＶ光が発生する。このＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー５１により、第２焦点位置６２に集光される。この第２焦点位置６２を、中間集光点（ＩＦ：：intermediate focusing point）とも呼ぶ。
【００４５】
図５においては、ドライバ用パルスレーザ光のための集光光学系５８が１つの集光レンズで構成されているが、本発明はこの実施形態に限定されることなく、例えば、軸外放物面ミラーによってドライバ用パルスレーザ光を集光しても良いし、集光性能を調節するために、凹レンズと凸レンズとの組合せ、凹面ミラーと凸面ミラーとの組合せ、又は、レンズとミラーとの組合せにより、ドライバ用パルスレーザ光を集光しても良い。また、ドライバ用パルスレーザ光のための集光光学系５８の一部又は全ての光学素子が、ウインドウ５９と第１焦点位置５６との間に配置されていても良い。
【００４６】
本実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー５１とＩＦ６２との間の光路中に、１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ光のみを透過させるスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）６１が配置されている。さらに、ＩＦ６２付近にピンホール板６３が配置されており、ＥＵＶ光は、ゲートバルブ６４を介して露光機６５に入射する。また、本実施形態においては、第１焦点位置５６のプラズマから発生するイオンを閉じ込めるために、２つの電磁石７５が、ＥＵＶ光生成チャンバ５０の図中上下に配置されている。
【００４７】
ここで、クリーニングレーザ装置１３から射出されたパルスレーザ光は、ウインドウ２２を透過し、ＥＵＶ光生成チャンバ５０の内部に配置された走査光学系のＨＲミラー２１及びスキャニングミラー２５によって偏向される。このようにして、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２をクリーニング用パルスレーザ光で走査することにより、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２に堆積したデブリを除去することができる。
【００４８】
本発明の各実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２を洗浄する場合について説明しているが、本発明はこれらの実施形態に限定されることなく、以下の光学素子や機械部品を洗浄しても良い。
（ａ）光学素子の例：ドライバ用パルスレーザ光のためのウインドウ５９、ドライバ用パルスレーザ光のための集光光学系５８の一部の光学素子がＥＵＶ光生成チャンバ５０に内蔵されている場合には、ＥＵＶ光生成チャンバ５０に内蔵されている一部の光学素子、クリーニング用パルスレーザ光のためのウインドウ２２、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）６１、ＥＵＶ光強度検出器等のレーザ光又はＥＵＶ光のための光学素子であれば、何でも対象になる。さらに、ドロプレット等の計測をする計測器のためのウインドウ等も対象になる。
（ｂ）機械部品の例：ＥＵＶ光生成チャンバ５０の内壁面、ターゲット供給装置５３、ターゲット回収装置５４、ドライバ用パルスレーザ光のためのレーザダンパ６０等が対象になる。
【００４９】
図６は、図５におけるＥＵＶ光の発生タイミングとクリーニング用パルスレーザ光の出力タイミングの例を示すタイミングチャートである。図６に示す例では、ＥＵＶ光の発生と次のＥＵＶ光の発生との間のタイミングに、クリーニングレーザ装置が、クリーニング用パルスレーザ光を出力している。
【００５０】
ドライバ用パルスレーザ光をドロップレットターゲットに照射することによりＥＵＶ光が発生するので、ドライバ用パルスレーザ光の照射タイミングとＥＵＶ光の発生タイミングとは略一致している。そこで、本実施形態においては、ドライバレーザ装置５７がドライバ用パルスレーザ光の複数のパルスを発生するタイミングと異なるタイミングでクリーニング用パルスレーザ光を発生するように、コントロールシステム１０がクリーニングレーザ装置１３を制御する。
【００５１】
このように、ＥＵＶ光の発生タイミングと異なるクリーニング用パルスレーザ光の出力タイミングを選ぶことにより、露光機６５にＥＵＶ光を供給している期間、即ち、露光機６５がウエハを露光している稼働期間中に、同時にレーザクリーニングを行うことができる。したがって、稼働期間中に、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２にデブリが付着することを防止することができ、また、反射面５２に付着したデブリを除去することもできる。その結果、ＥＵＶミラー５１の反射率の低下も少なく、露光機６５の稼働率が向上する。
【００５２】
また、図６に示す例に限らず、ＥＵＶミラー５１の反射面５２における所望の領域に必要なクリーニング用パルスレーザ光の照射を行うために、プログラムに従って、予め設定したタイミングでクリーニングを実施しても良い。あるいは、コントロールシステム１０は、例えば、マスク交換時やウエハ交換時等において露光機６５が露光を停止する時に露光停止信号を露光機６５から受け取り、そのときにレーザクリーニングを実施しても良い。
【００５３】
図７は、図５に示すＥＵＶ光源装置の動作例を示すメインフローチャートであり、図８〜図１０は、図７におけるサブルーチンを示すフローチャートである。
まず、ステップＳ１１において、レーザクリーニングを開始するか否かを判断するサブルーチンが実行される。その結果、レーザクリーニングが必要と判断された場合（ＹＥＳ）には、処理がステップＳ１２に移行し、レーザクリーニングが不要と判断された場合（ＮＯ）には、処理がステップＳ１７に移行する。
【００５４】
ステップＳ１２において、コントロールシステム１０が、露光機６５に対して、レーザクリーニングの許可を求めるレーザクリーニング要求信号を送信する。次に、ステップＳ１３において、コントロールシステム１０は、露光機６５からレーザクリーニングを許可するレーザクリーニング許可信号が受信されているか否かを判定する。レーザクリーニング許可信号が受信されている場合には、処理がステップＳ１４に移行し、ステップＳ１４において、コントロールシステム１０が、レーザクリーニングサブルーチンを実行する。
【００５５】
その後、コントロールシステム１０は、ステップＳ１５において、ＥＵＶ露光準備サブルーチンを実行する。即ち、コントロールシステム１０は、ＥＵＶ光を発生するように各部を制御し、ＥＵＶ集光ミラー５１によってＥＵＶ光が所望のＩＦ６２に集光されて所望のエネルギーを有するように各部を調節し、露光の準備を完了する。次に、ステップＳ１６において、コントロールシステム１０は、レーザクリーニングが完了したことを知らせるレーザクリーニング完了信号を露光機６５に送信する。そして、ステップＳ１７において、コントロールシステム１０が露光機６５からＥＵＶ光発生信号を受信することによって、ＥＵＶ光源装置から露光機６５にＥＵＶ光が入力される。
【００５６】
図８は、レーザクリーニング開始判断サブルーチン（図７におけるステップＳ１１）の一例を示すフローチャートである。図８に示すレーザクリーニング開始判断サブルーチンは、ＥＵＶ光の発光のショット数に基づいて、レーザクリーニングを管理する。
【００５７】
まず、ステップＳ１０１において、コントロールシステム１０が、前回のクリーニング後からのＥＵＶ光発生の回数Ｎをカウントする。次に、ステップＳ１０２において、コントロールシステム１０は、カウントされた回数Ｎを、クリーニングを必要とするＥＵＶ光発生のショット数Ｎｃと比較する。カウントされた回数Ｎが所定のショット数Ｎｃ以上である場合（Ｎ≧Ｎｃ）には、処理がステップＳ１０３に移行し、ステップＳ１０３において、カウントされた回数Ｎがゼロにリセットされ、次のステップＳ１０５において、レーザクリーニングを実行すべき時期であることを表す「ＹＥＳ」で、処理がメインフローにリターンする。一方、カウントされた回数Ｎが所定のショット数Ｎｃよりも小さい場合（Ｎ＜Ｎｃ）には、処理がステップＳ１０４に移行し、レーザクリーニングを実行すべき時期ではないことを表す「ＮＯ」で、処理がメインフローにリターンする。
【００５８】
図９は、レーザクリーニング開始判断サブルーチン（図７におけるステップＳ１１）の別の例を示すフローチャートである。図９に示すレーザクリーニング開始判断サブルーチンは、ＥＵＶ光の反射率に相当するパラメータに基づいて、レーザクリーニングを管理する。
【００５９】
まず、ステップＳ２０１において、コントロールシステム１０が、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射率に相当するパラメータＲを計測するように各部を制御する。次に、ステップＳ２０２において、コントロールシステム１０は、計測されたパラメータＲを、クリーニングを必要とするＥＵＶ集光ミラー５１の反射率に相当するしきい値Ｒｃと比較する。パラメータＲがしきい値Ｒｃ以下である場合（Ｒ≦Ｒｃ）には、処理がステップＳ２０３に移行し、レーザクリーニングを実行すべき時期であることを表す「ＹＥＳ」で、処理がメインフローにリターンする。一方、パラメータＲがしきい値Ｒｃよりも大きい場合（Ｒ＞Ｒｃ）には、処理がステップＳ２０４に移行し、レーザクリーニングを実行すべき時期ではないことを表す「ＮＯ」で、処理がメインフローにリターンする。
【００６０】
ここで、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射率に相当するパラメータＲとしては、以下の例が挙げられる。
（１）ＥＵＶ光の発光点（第１焦点位置５６）における光強度Ｅｓｏｕｒｃｅと、ＥＵＶ集光ミラー５１によりＩＦ６２に集光されるＥＵＶ光の強度Ｅｉｆを計測することにより、反射率に相当するパラメータＲ＝Ｅｉｆ／Ｅｓｏｕｒｃｅを求める。
（２）ファーフィールド検出器（図１２の説明にて後述する）をＥＵＶ光源装置に備えている場合には、ファーフィールドパターンにおける強度分布のコントラストＣ＝（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）をパラメータＲとし、クリーニングを必要とするコントラストをしきい値Ｒｃとしても良い。
（３）ファーフィールド検出器をＥＵＶ光源装置に備えている場合には、ファーフィールドパターンにおける強度分布の平均値ＥａｖとＥＵＶ光の発光点における光強度Ｅｓｏｕｒｃｅとの比を求めて、Ｒ＝Ｅａｖ／Ｅｓｏｕｒｃｅとしても良い。
（４）ファーフィールド検出器又はミラー表面イメージ検出器（ミラー表面イメージ検出器に関しては、図１４の説明にて後述する）を、ＥＵＶ光源装置に備えている場合には、デブリ付着エリアＡｄｅと全体のエリアＡとの比を求めて、Ｒ＝Ａｄｅ／Ａとしても良い。
【００６１】
図１０は、レーザクリーニングサブルーチン（図７におけるステップＳ１４）の一例を示すフローチャートである。
まず、ステップＳ３０１において、コントロールシステム１０が、クリーニング用パルスレーザ光を出力するようにクリーニングレーザ装置１３を制御し、ステップＳ３０２において、クリーニング用パルスレーザ光でＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２を走査するように走査光学系（ＨＲミラー２１及びスキャニングミラー２５）を制御する。そして、ステップＳ３０３において、コントロールシステム１０は、デブリが除去されたか否かを確認する。ここで、デブリが除去されたことが確認された場合（ＹＥＳ）には、処理がメインフローにリターンし、デブリが除去されたことが確認されない場合（ＮＯ）には、処理がステップＳ３０１に戻り、レーザクリーニングを繰り返す。この例では、ＥＵＶミラー５１の反射面５２を走査する場合を示したが、本発明はこの例に限定されることなく、その他の光学素子や機械部品の表面を走査して、デブリを除去しても良い。
【００６２】
図１１は、ＥＵＶ露光準備サブルーチン（図７におけるステップＳ１５）の一例を示すフローチャートである。
まず、ステップＳ４０１において、コントロールシステム１０が、ＥＵＶ集光ミラー５１を高精度にアライメントする。例えば、ＥＵＶ光を使用せずに、ＥＵＶ集光ミラー５１の第１焦点位置５６が所望の位置となるように調節する。次に、ステップＳ４０２において、コントロールシステム１０は、露光機６５にＥＵＶ光が入力するのを防ぐために、シャッタ等でＥＵＶ光を遮光する。そして、ステップＳ４０３において、コントロールシステム１０は、ドロップレットターゲット５５を発生するようにターゲット供給装置５３を制御し、ターゲット供給装置５３の動作を安定化してドロップレットを安定化させる。
【００６３】
次に、ステップＳ４０４において、コントロールシステム１０は、ドロップレットターゲット５５がＥＵＶ集光ミラー５１の第１焦点位置５６に到達するのと同期して、ドライバ用パルスレーザ光を出力するようにドライバレーザ装置５７を制御する。ステップＳ４０５において、コントロールシステム１０は、発生されたＥＵＶ光を検出し、ターゲット供給装置５３の動作タイミングやドライバレーザ装置５７の発振タイミングやＥＵＶ集光ミラー５１の位置及び姿勢を制御して、ＥＵＶ光発生を調節制御する。ステップＳ４０６において、コントロールシステム１０は、所望のＥＵＶ光が発生しているか否かを判定する。所望のＥＵＶ光が発生していない場合には、処理がステップＳ４０５に戻る。一方、所望のＥＵＶ光が発生している場合には、処理がステップＳ４０７に移行し、コントロールシステム１０は、ＥＵＶ光発生の調節制御を停止して、処理がメインフローにリターンする。
【００６４】
このサブルーチンのステップＳ４０６において、所望のＥＵＶ光が発光しているか否かの判定基準として、以下の例が挙げられる。
（１）ＥＵＶ光の発生位置がＥＵＶ集光ミラー５１の第１焦点位置５６の近傍における所定の範囲内にあるか否かをＣＣＤ等を用いて検出して判定が行われる。
（２）ファーフィールドパターンにおける強度分布が所望の均一性を有するか否かに基づいて判定が行われる。
（３）ＩＦ６２における発光点の像の位置、大きさ、又は、エネルギーを検出する計測器を用いて、検出値が所定の範囲内に入っているか否かに基づいて判定が行われる。
【００６５】
（実施形態３）
図１２は、本発明の第３の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。第３の実施形態に係るＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２におけるデブリ付着領域（状態）を観測するためにＥＵＶ光のファーフィールドパターンを検出するファーフィールド検出器２６を備えている。その他の点に関しては、図５に示す第２の実施形態と同様である。一般に、ファーフィールドパターンとは、ＥＵＶ集光ミラー５１の第１焦点位置５６におけるＥＵＶ光の像が転写される第２焦点位置（ＩＦ）６２よりも第１焦点位置５６から遠い位置において広がったＥＵＶ光の照度分布パターン（ビームパターン）と定義される。
【００６６】
本実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー５１とＩＦ６２との間にスペクトル純化フィルタ（ＳＰＦ）６６を配置して、このＳＰＦ６６の反射光が一旦集光した位置よりもＳＰＦ６６から遠い位置におけるビームパターンをファーフィールド検出器２６で計測することにより、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２の状態を観測することができる。ファーフィールド検出器２６は、例えば、蛍光板とＣＣＤカメラとによって構成することができる。
【００６７】
コントロールシステム１０は、ＥＵＶ光のファーフィールドパターンに基づいてＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２における汚れの位置を検出し、該汚れの位置にクリーニング用パルスレーザ光を照射してデブリを除去するように、クリーニングレーザ装置１３から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する。
【００６８】
ファーフィールド検出器２６によって検出されたＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２の像において、光強度が強いエリアはデブリの付着が少なく反射率が高くなり、光強度が弱いエリアはデブリの付着が多く反射率が低くなる。この検出結果に基づいて、コントロールシステム１０は、デブリが付着した領域をクリーニング用パルスレーザ光で走査しながらクリーニングするように、走査光学系（ＨＲミラー２１及びスキャニングミラー２５）を制御する。なお、本実施形態においては、ファーフィールドパターンを観測するためにＥＵＶ光を利用したが、スズ（Ｓｎ）等のデブリが反射面５２に付着することによってＥＵＶ集光ミラー５１の反射率が変化する波長領域の光であれば、ＥＵＶ光でなくても利用することができる。
【００６９】
図１３は、図１２に示すＥＵＶ光源装置におけるクリーニング手順を示すフローチャートである。
コントロールシステム１０は、レーザクリーニング装置１３を制御することにより検査用にＥＵＶ光を発生させ（ステップＳ２１）、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２のファーフィールドパターンをファーフィールド検出器２６から入手して、反射率が低下した領域が存在するか否かを判定する（ステップＳ２２）。反射率低下領域が存在しない場合には、処理が再びステップＳ２１に戻って、コントロールシステム１０は、ＥＵＶ光を発生させてデブリの付着を監視する。一方、反射率低下領域が存在する場合には、コントロールシステム１０は、反射率が低下した領域をクリーニング用パルスレーザ光で走査しながらクリーニングを実施し（ステップＳ２３）、その後、初めからクリーニング手順を繰り返す。
【００７０】
また、本実施形態におけるレーザクリーニング装置は、ファーフィールドパターンを常時観測し、反射率の最も低い領域をクリーニング用パルスレーザ光で走査することによって、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２をクリーニングする。その結果、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２を清浄に維持し、反射面５２の一部に付着した汚れを選択的にクリーニングして、反射率分布を常に所望の状態に維持することが可能である。ここで、ファーフィールドパターンの判定や走査光学系の制御は、コントロールシステム１０において自動的に行うことができる。
【００７１】
（実施形態４）
図１４は、本発明の第４の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。第４の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、第３の実施形態におけるのと同様に、ＥＵＶ集光ミラー５１のデブリ付着領域（状態）を検出する検出器を備えて、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５１に付着したデブリをクリーニング用パルスレーザ光で除去するものである。
【００７２】
図１４に示すように、このＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶミラー５１の反射面５２を照明する照明光源２７と、反射面５２を効率良く照明するための照明光学系２８と、反射面５２におけるデブリ付着領域（状態）を観測するために反射面５２の画像を検出するＣＣＤ等の２次元センサを有するミラー表面イメージ検出器２９と、ＥＵＶミラー５１の反射面５２の像をミラー表面イメージ検出器２９のセンサ面に転写させる転写光学系３０とを含んでいる。照明光源２７は、スズ（Ｓｎ）等のデブリが付着した部分とデブリが付着していない部分とを判別できる波長の光を発生する光源である。
【００７３】
コントロールシステム１０は、ミラー表面イメージ検出器２９の出力信号に基づいて集光ミラー５１の反射面５２における汚れの位置を検出し、該汚れの位置にクリーニング用パルスレーザ光を照射してデブリを除去するように、クリーニングレーザ装置１３から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する。
【００７４】
本実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２を照明して、反射面５２の像をミラー表面イメージ検出器２９のセンサ面に転写して結像させることにより、ミラー表面イメージ検出器２９が、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２の転写像（ミラー表面イメージ）を検出する。これにより、ＥＵＶミラー５１の反射面５２における汚れの位置を検出し、デブリが付着した領域を明らかにして、その領域をクリーニング用パルスレーザ光で走査してクリーニングを実施することができる。
【００７５】
図１５は、図１４に示すＥＵＶ光源装置におけるクリーニング手順を示すフローチャートである。
コントロールシステム１０は、レーザクリーニング装置を制御することにより検査用にＥＵＶ光を発生させ（ステップＳ３１）、ミラー表面イメージ検出器２９からＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２の画像を入手して、反射率が低下した領域が存在するか否かを判定する（ステップＳ３２）。反射率低下領域が存在しない場合には、処理が再びステップＳ３１に戻って、コントロールシステム１０は、ＥＵＶ光を発生させてデブリの付着を監視する。反射率低下領域が存在する場合には、コントロールシステム１０は、反射率が低下した領域をクリーニング用パルスレーザ光で走査しながらクリーニングを実施し（ステップＳ３３）、その後、初めからクリーニング手順を繰り返す。
【００７６】
本実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２を一度に観測する場合について説明したが、ＥＵＶ集光ミラー５１が大きい場合等においては、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２の一部を収める視野で反射面５２全体をスキャンして、反射面５２に付着したデブリを検出しても良い。また、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２の画像を常時観測し、反射率の最も低い領域を常時走査しながらクリーニングしたり、反射率分布が常に所望の状態になるようにクリーニングしたりすることも可能である。
【００７７】
（実施形態５）
図１６は、本発明の第５の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。第５の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ集光ミラー５１をＥＵＶ集光ミラー用クリーニングチャンバ（洗浄室）３１に移動させて、クリーニングチャンバ３１でクリーニングレーザ装置１３からＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２にパルスレーザ光を照射してデブリ除去し、その後、清浄なＥＵＶ集光ミラー５１をＥＵＶ光生成チャンバ５０内の元の位置に戻す。このＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光生成チャンバ５０内でＥＵＶ光を用いた露光を行っている時にはＥＵＶ集光ミラー５１のクリーニングを行わず、ＥＵＶ集光ミラー５１のクリーニングが必要になった時に露光を中止して、ＥＵＶ集光ミラー５１をクリーニングチャンバ３１に退避させてクリーニングする。
【００７８】
本実施形態においては、ＥＵＶ光生成チャンバ５０とクリーニングチャンバ３１とが、ゲートバルブ３２を介して接続されている。ＥＵＶ集光ミラー５１をＥＵＶ光生成チャンバ５０からクリーニングチャンバ３１に移動したり、ＥＵＶ集光ミラー５１をＥＵＶ光生成チャンバ５０内の元の設置位置に戻すために、クリーニングチャンバ３１には、移動ステージ６９を含む移動機構が設置されている。
【００７９】
クリーニングレーザ装置１３によって発生したパルスレーザ光は、ウインドウ３４を透過してクリーニングチャンバ３１内に導入される。コントロールシステム１０が、クリーニング用の走査光学系３５を構成する集光ミラーの設置角度を少なくとも２軸で変化させることによって、クリーニング用パルスレーザ光が、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２を走査する。このようにして、クリーニングチャンバ３１内に収納されたＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２にパルスレーザ光を照射することによって、デブリが除去される。
【００８０】
本実施形態におけるクリーニング手順は、図７に示す第２の実施形態におけるクリーニング手順のメインフローチャートにおいて、レーザクリーニングサブルーチン（ステップＳ１４）の内容が異なるだけである。したがって、以下では、主に、本実施形態におけるレーザクリーニングサブルーチンの一例について説明する。
【００８１】
図１７は、第５の実施形態におけるレーザクリーニングサブルーチンを示すフローチャートである。デブリが付着して、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射率が低下した場合には、コントロールシステム１０が、露光機６５に、ＥＵＶ集光ミラー５１をクリーニングするクリーニングモードに入る必要があることを表す信号を送信し、露光機６５から、クリーニングモードに入って良いことを表す信号を受信する。
【００８２】
すると、コントロールシステム１０は、ターゲット供給装置５３及びドライバレーザ装置５７の動作を停止して、ゲートバルブ３２を開き（ステップＳ５０１）、移動ステージ６９に搭載されたＥＵＶ集光ミラー５１を移動ステージ６９ごと矢印方向に移動させて、ＥＵＶ集光ミラー５１をクリーニングチャンバ３１内に搬送し（ステップＳ５０２）、ゲートバルブ３２を閉める。
【００８３】
次に、コントロールシステム１０は、クリーニング用パルスレーザ光を出力するようにクリーニングレーザ装置１３を制御する（ステップＳ５０３）。クリーング用パルスレーザ光は、光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５、ＨＲミラー３３、及び、ウインドウ３４を介して、クリーニングチャンバ３１内に導入される。コントロールシステム１０が、走査光学系３５の集光ミラーの設置角度を変化させることにより、クリーニングチャンバ３１に収納されたＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２をクリーニング用パルスレーザ光で走査して、反射面５２の全面にクリーニング用パルスレーザ光を照射し、デブリを除去する（ステップＳ５０４）。
【００８４】
クリーニングチャンバ３１内に設けられた検出器が、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２における反射率状況を検知し、コントロールシステム１０が、デブリが除去されたか否かを判定する（ステップＳ５０５）、デブリの除去が十分でない場合には、処理が再びステップＳ５０３に戻って、レーザクリーニングを繰り返す。一方、レーザクリーニングによりデブリが十分に除去されていた場合には、コントロールシステム１０が、ゲートバルブ３２を開き（ステップＳ５０６）、クリーニング済みのＥＵＶ集光ミラー５１をＥＵＶ光生成チャンバ５０内の元の位置に搬送するように移動ステージ６９を制御して、ＥＵＶ集光ミラー５１を所定位置に位置決めし（ステップＳ５０７）、ゲートバルブ３２を閉じる。その後、コントロールシステム１０は、再びＥＵＶ光発生モードに入る。
【００８５】
ＥＵＶ光発生モードにおいては、例えば、コントロールシステム１０が、ＥＵＶ集光ミラー５１のアライメントの高精度調整を行い、露光機６５にＥＵＶ光が入射しない状態として、ターゲット供給装置５３及びドライバレーザ装置５７を動作させる。そして、所望のＥＵＶ光を発生するための調整が完了すると、コントロールシステム１０は、露光機６５に露光許可信号を出力する。
【００８６】
本実施形態におけるレーザクリーニング装置は、ＥＵＶ光生成チャンバ５０の外に設けられたＥＵＶ集光ミラークリーニング専用のクリーニングチャンバ３１において、ＥＵＶ集光ミラー５１のクリーニングを行う。したがって、ＥＵＶ光発生機構との干渉が無く、装置や手法の自由度が大きくなり、クリーニングメカニズム、クリーニング装置、及び、デブリ除去確認手段等を比較的自由に選択して組み合わせることができるので、高性能なレーザクリーニング装置を構成することができる。
【００８７】
（実施形態６）
図１８は、本発明の第６の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成を示す図である。第５の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置が、１つのＥＵＶ集光ミラーを備えて、デブリ付着時にはＥＵＶ光発生を中断し、ＥＵＶ集光ミラーをクリーニングチャンバに退避してクリーニングするのに対して、第６の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、２つのＥＵＶ集光ミラーと２つのクリーニングチャンバとを備えて、２つのＥＵＶ集光ミラーを交互にレーザクリーニングすることにより、装置の運転休止時間を短縮することができる。
【００８８】
図１６に示す第５の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置に対して、図１８に示す第６の実施形態に係るＥＵＶ光源装置が異なる点は、以下の通りである。
（１）１対のクリーニングチャンバ（洗浄室）３９及び４０と、１対のＥＵＶ集光ミラー４１及び４２と、１対の走査光学系３７及び３８と、１対のゲートバルブ６７及び６８と、１対のＥＵＶ集光ミラーの移動機構とが、それぞれ、図中上下の２箇所に配置されている。コントロールシステム１０は、一方の集光ミラーがＥＵＶ光生成チャンバ５０内で稼働している間に他方の集光ミラーが１対のクリーニングチャンバ３９及び４０のいずれか一方において洗浄されるように、ＥＵＶ集光ミラーの移動機構を制御する。
（２）コントロールシステム１０の制御の下で、クリーニングレーザ装置１３から射出されるクリーニング用パルスレーザ光が、ビーム切換装置３６によって、１対の走査光学系３７及び３８の内のいずれか一方に導入される。
【００８９】
本実施形態のメリットは、一方のＥＵＶ集光ミラー４１を洗浄しているときに、洗浄済みの他方のＵＶ集光ミラー４２をＥＵＶ光生成チャンバ５０内にセットしてＥＵＶ光による露光が可能となるため、ＥＵＶ集光ミラーのレーザクリーニング中のダウンタイムをなくすことができる点にある。
【００９０】
図１９は、図１８に示すＥＵＶ光源装置におけるクリーニング手順の一例を示すメインフローチャートである。本実施形態におけるクリーニング手順は、図７に示す第２の実施形態におけるメインフローに対して、レーザクリーニングサブルーチン（ステップＳ１４）に代えて、ＥＵＶ集光ミラー交換サブルーチン（ステップＳ４４）を使うことが異なるだけであり、その他のフローは、サブルーチンを含めて、第２の実施形態におけるフローと同一である。
【００９１】
本実施形態におけるクリーニング手順は、まず、レーザクリーニング開始判断サブルーチン（ステップＳ４１）に入り、ステップＳ４１において、レーザクリーニングを開始するか否かが判断される。その結果、レーザクリーニングが必要と判断された場合（ＹＥＳ）には、処理がステップＳ４２に移行する。一方、レーザクリーニングが不要と判断された場合（ＮＯ）には、処理がステップＳ４７に移行する。
【００９２】
ステップＳ４２において、コントロールシステム１０が、露光機６５に対して、レーザクリーニングの許可を求める要求信号を送信する。次に、ステップＳ４３において、コントロールシステム１０は、露光機６５からレーザクリーニング許可信号が受信されているか否かを判定する。レーザクリーニング許可信号が受信されている場合には、処理がＥＵＶ集光ミラー交換サブルーチン（ステップＳ４４）に移行する。一方、レーザクリーニング許可信号が受信されていない場合には、コントロールシステム１０は、露光機６５からレーザクリーニング許可信号を受信するまで待機する。
【００９３】
ＥＵＶ集光ミラー交換サブルーチン（ステップＳ４４）においては、これから洗浄するＥＵＶ集光ミラー４１と洗浄済みのＥＵＶ集光ミラー４２とを交換する作業と、ＥＵＶミラー４１を洗浄する作業とが行われる。その後、コントロールシステム１０は、ＥＵＶ露光準備サブルーチン（ステップＳ４５）を実行してＥＵＶ光を発生し、ＥＵＶ光がＥＵＶ集光ミラー４２によって所望のＩＦ６２に集光され所望のエネルギーを有するように各部を調節し、露光の準備を完了する。次に、コントロールシステム１０は、レーザクリーニングが完了したことを表す完了信号を露光機６５に送信し（ステップＳ４６）、露光機６５からＥＵＶ光発生信号を受信することによって、露光機６５にＥＵＶ光を出力し、通常運転に移行する（ステップＳ４７）。
【００９４】
図２０は、クリーニング手順におけるＥＵＶ集光ミラー交換サブルーチン（図１９に示すステップＳ４４）の一例を示すフローチャートである。ＥＵＶ集光ミラー交換サブルーチンにおいては、コントロールシステム１０が、まず、どちらのクリーニングチャンバが、ＥＵＶ集光ミラーが入っていない空きクリーニングチャンバであるかを判断する（ステップＳ５０１）。クリーニングチャンバ３９が空いている場合には、処理がステップＳ５０２の系列に移行し、クリーニングチャンバ４０が空いている場合には、処理がステップＳ６０２の系列に移行する。
【００９５】
クリーニングチャンバ３９が空いている場合には、コントロールシステム１０が、ステップＳ５０２において、クリーニングチャンバ３９のゲートバルブ６７を開き、ステップＳ５０３において、ＥＵＶ集光ミラー４１をクリーニングチャンバ３９内に搬送し、ステップＳ５０４において、ゲートバルブ６７を閉じる。そして、処理がステップＳ５０５とステップＳ５０９との両方に移行して、並列で作業が実行される。
【００９６】
ステップＳ５０５の系列では、コントロールシステム１０が、ゲートバルブ６８を開き（ステップＳ５０５）、洗浄済みのＥＵＶ集光ミラー４２をクリーニングチャンバ４０からＥＵＶ光生成チャンバ５０内に搬送して（ステップＳ５０６）、クリーニングチャンバ４０のゲートバルブ６８を閉じる（ステップＳ５０７）。そして、ステップＳ５０８において、洗浄済みのＥＵＶ集光ミラー４２がＥＵＶ光生成チャンバ５０内の定位置に位置決めされ、処理がメインフローにリターンする。
【００９７】
一方、同時に実行されるステップＳ５０９の系列では、コントロールシステム１０が、ビーム切換装置３６を制御することによって、クリーニングレーザ装置１３から放射されるクリーニング用パルスレーザ光を、次にクリーニングが行われるＥＵＶ集光ミラー４１を収納した図中下側のクリーニングチャンバ３９に導入するように切り換えを行う（ステップＳ５０９）。これにより、クリーニングレーザ装置１３から放射されるクリーニング用パルスレーザ光が、クリーニングチャンバ３９内に搬入されたＥＵＶ集光ミラー４１の反射面を走査してこれを洗浄する（ステップＳ５１０）。次に、ステップＳ５１１において、コントロールシステム１０は、デブリが除去されたか否かを判定する。デブリが除去されていない場合（ＮＯ）には、処理がステップＳ５０９に戻り、デブリが除去された場合（ＹＥＳ）には、コントロールシステム１０は、次の動作まで待機する（ステップＳ５１２）。
【００９８】
初めのステップＳ５０１において、クリーニングチャンバ４０が空いていると判断された場合には、処理がステップＳ６０２に移行し、先に説明したステップＳ５０２の系列と対称的な以下のフローにおいて同様の処理が行われる。
【００９９】
即ち、クリーニングチャンバ４０が空いている場合には、コントロールシステム１０が、クリーニングチャンバ４０のゲートバルブ６８を開き（ステップＳ６０２）、これまで使用していたＥＵＶ集光ミラー４２をクリーニングチャンバ４０内に搬送して（ステップＳ６０３）、ゲートバルブ６８を閉める（ステップＳ６０４）。そして、処理がステップＳ６０５とステップＳ６０９との両方に移行して、並列で作業が実行される。
【０１００】
ステップＳ６０５の系列では、コントロールシステム１０が、洗浄済みのＥＵＶ集光ミラー４１が収まっているクリーニングチャンバ３９のゲートバルブ６７を開き（ステップＳ６０５）、洗浄済みのＥＵＶ集光ミラー４１をクリーニングチャンバ３９からＥＵＶ光生成チャンバ５０内に搬送して（ステップＳ６０６）、クリーニングチャンバ３９のゲートバルブ６７を閉じる（ステップＳ６０７）。そして、ステップＳ５０８において、洗浄済みのＥＵＶ集光ミラー４１がＥＵＶ光生成チャンバ５０内の定位置に位置決めされ、処理がメインフローにリターンする。
【０１０１】
一方、同時に実行されるステップＳ６０９の系列では、コントロールシステム１０が、ビーム切換装置３６を制御することによって、クリーニングレーザ装置１３から放射されるクリーニング用パルスレーザ光を、次にクリーニングが行われるＥＵＶ集光ミラー４２を収納した図中上側のクリーニングチャンバ４０に導入するように切り換えを行う（ステップＳ６０９）。これにより、クリーニングレーザ装置１３から放射されるクリーニング用パルスレーザ光が、クリーニングチャンバ４０内に搬入されたＥＵＶ集光ミラー４２の反射面を走査してこれを洗浄する（ステップＳ６１０）。次に、ステップＳ６１１において、コントロールシステム１０は、デブリが除去されたか否かを判定する。デブリが除去されていない場合（ＮＯ）には、処理がステップＳ６０９に戻り、デブリが除去された場合（ＹＥＳ）には、コントロールシステム１０は、次の動作まで待機する（ステップＳ６１２）。
【０１０２】
本実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置は、２つのＥＵＶ集光ミラーを備えることにより、一方のＥＵＶ集光ミラーが稼働してＥＵＶ光発生に寄与している間に他方のＥＵＶ集光ミラーをクリーニングする。したがって、稼働しているＥＵＶ集光ミラーにデブリが付着して反射性能が劣化した場合に、該ＥＵＶ集光ミラーを清浄なＥＵＶ集光ミラーに直ちに取り替えることができるので、ＥＵＶ光源装置の運転休止時間を短縮することができる。また、高価なＥＵＶ集光ミラーの可用期間が大幅に延長されるので、設備コストの低減に効果がある。
【０１０３】
以上において、図１０のステップＳ３０３、図１７のステップＳ５０５、図２０のステップＳ５１１及びステップＳ６１１におけるデブリが除去されたか否かを判定する動作の具体的な例としては、図９を参照しながら説明したレーザクリーニング開始判断サブルーチンにおいて、ステップＳ２０２における判定基準をＲ≧Ｒc２に変更したサブルーチンを実行しても良い。この場合のＲc２は、レーザクリーニング後に必要なＥＵＶ集光ミラーの反射率に相当するしきい値である。
【０１０４】
（実施形態７）
以上の実施形態においては、ドライバレーザ装置５７の他にクリーニングレーザ装置１３を別途用意して、ＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２をクリーニングしているが、第７の実施形態においては、ドライバレーザ装置５７がクリーニングレーザ装置と兼用される。
【０１０５】
図２１は、本発明の第７の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置におけるレーザクリーニング装置の構成を示す図である。レーザクリーニング装置以外の構成は、例えば、図５に示す第２の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成と同様である。
【０１０６】
第７の実施形態に係るＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置のレーザクリーニング装置は、ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してプラズマを生成すると共に、クリーニング用パルスレーザ光を射出するドライバレーザ装置５７と、パルスレーザ光の光軸方向におけるエネルギー密度が所定の範囲内となるようにパルスレーザ光の収束状態を制御する光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５と、パルスレーザ光をＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入するパルスレーザ光導入光学系２０ａと、ドライバ用パルスレーザ光がターゲット物質に照射されるように照射位置を調節すると共に、クリーニング用パルスレーザ光でクリーニング対象物を走査するための走査光学系２３とを含んでいる。
【０１０７】
また、ＥＵＶ光源装置のコントロールシステム（制御部）１０は、ＥＵＶ光源装置の各部を制御するコントローラ１１と、レーザクリーニングコントローラ１２と、ビーム走査コントローラ１４とを含んでいる。レーザクリーニングコントローラ１２は、コントローラ１１の制御の下で、ドライバレーザ装置５７及びビーム走査コントローラ１４を制御する。ビーム走査コントローラ１４は、光軸方向エネルギー密度アクチュエータ１６及びスキャニングアクチュエータ２４を制御する。
【０１０８】
レーザクリーニング動作において、コントロールシステム１０は、ＥＵＶチャンバ５０内に設置された部品にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、該部品の表面に付着したデブリを除去するように、ドライバレーザ装置５７から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する。
【０１０９】
光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５は、光軸方向エネルギー密度アクチュエータ１６と、凸レンズ１８と、凹レンズ１９とを含んでいる。ドライバレーザ装置５７から射出されるクリーニング用パルスレーザ光は、光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５の凸レンズ１８及び凹レンズ１９を透過する。このとき、光軸方向エネルギー密度アクチュエータ１６が凸レンズ１８を光軸方向に移動させることにより、集光位置が光軸方向に変化する。ＥＵＶ集光ミラー５１は球面ミラーに比べて中央部が深く窪んでいるので、照射する場所によって集光位置を変化させて、クリーニング用パルスレーザ光のエネルギー密度が所望のエネルギー密度となるように調節される。
【０１１０】
パルスレーザ光導入光学系２０ａは、クリーニング用パルスレーザ光をＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入するためのＨＲミラー２１及びウインドウ２２を含んでいる。光軸方向エネルギー密度可変モジュール１５から出力されたクリーニング用パルスレーザ光は、クリーニング用パルスレーザ光導入光学系２０のＨＲミラー２１及びウインドウ２２を介して、ＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入される。
【０１１１】
ＥＵＶ光生成チャンバ５０内に導入されたクリーニング用パルスレーザ光は、走査光学系２３に入射する。走査光学系２３は、スキャニングアクチュエータ２４と、スキャニングミラー２５とを含んでいる。スキャニングミラー２５の設置角度を少なくとも２軸で変化させるミラーホルダをスキャニングアクチュエータ２４が駆動することにより、回転楕円体の形状を有するＥＵＶ集光ミラー５１の反射面５２をクリーニング用パルスレーザ光が走査できるようになっている。このレーザクリーニング装置の動作は、図１に示す第１の実施形態におけるのと同様である。
【０１１２】
さらに、ＥＵＶ光を発生させるために用いられるドライバレーザ装置がプリパルスレーザ光を発生するプリパルスレーザ装置とメインパルスレーザ光を発生するメインパルスレーザ装置とを含み、プリパルスレーザ光によりドロプレットターゲット５５を膨張させてプリプラズマを発生させ、さらにメインパルスをプリプラズマ及び／又はターゲットに照射することによりＥＵＶ光を発生させるＥＵＶ光源装置の場合には、プリパルスレーザ装置をクリーニングレーザ装置と兼用しても良い。この場合の制御フローとしては、図７に示すメインフローを実施すれば良い。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明は、露光装置の光源として用いられるＥＵＶ光源装置において利用することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１０…コントロールシステム、１１…コントローラ、１２…レーザクリーニングコントローラ、１３…クリーニングレーザ装置、１４…ビーム走査コントローラ、１５…光軸方向エネルギー密度可変モジュール、１６…光軸方向エネルギー密度アクチュエータ、１８…凸レンズ、１９…凹レンズ、２０…クリーニング用パルスレーザ光導入光学系、２０ａ…パルスレーザ光導入光学系、２１…ＨＲミラー、２２…ウインドウ、２３…走査光学系、２４…スキャニングアクチュエータ、２５…スキャニングミラー（回転ミラー）、２６…ファーフィールド検出器、２７…照明光源、２８…照明光学系、２９…ミラー表面イメージ検出器、３０…転写光学系、３１，３９，４０…クリーニングチャンバ、３２…ゲートバルブ、３４…ウインドウ、３５，３７，３８…走査光学系、３６…ビーム切換装置、４１，４２，５１…ＥＵＶ集光ミラー、５０…ＥＵＶ光生成チャンバ、５２…反射面、５３…ターゲット供給装置、５４…ターゲット回収装置、５５…ドロプレットターゲット、５６…ＥＵＶ集光ミラーの第１焦点位置、５７…ドライバレーザ装置、５８…集光光学系、５９…ウインドウ、６０…ドライバレーザ光用レーザダンパ、６１…スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）、６２…ＥＵＶ集光ミラーの第２焦点位置（ＩＦ）、６３…ピンホール板、６４，６７，６８…ゲートバルブ、６５…露光機、６６…スペクトル純化フィルタ（ＳＰＦ）、６９…移動ステージ、７１…クリーニングレーザ装置、７２…真空チャンバ、７３…照射サンプル、７４…照射レーザ光、７５…電磁石、１０１…基板表面、１０２…付着粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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