(57)【要約】【課題】多層配線板のセミアディチィブ製造工程において無電解めっき触媒として絶縁層に析出させるパラジウム金属の安定した除去を実現させ、絶縁信頼性に優れた多層配線板の製造方法を提供するものである。【解決手段】第一導体回路に絶縁層を形成する工程（Ａ）、前記絶縁層に第二導体回路を無電解めっきと電解めっきにて形成する工程（Ｂ）を含む多層配線板の製造方法であって、第一導体回路に絶縁層を形成する工程（Ａ）が、（Ａ１）第一導体回路に絶縁層を貼り付ける工程、（Ａ２）絶縁層の表面を粗化した後に絶縁層を硬化する工程、を含み、前記絶縁層に第二導体回路を無電解めっきと電解めっきにて形成する工程（Ｂ）が、（Ｂ１）無電解めっき時にパラジウム金属を絶縁層に析出させる工程、（Ｂ２）第二導体回路を形成する工程、（Ｂ３）第二導体回路を形成後に析出させたパラジウム金属を除去する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法。【選択図】図３
2010073986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導体回路に絶縁層を形成する工程（Ａ）、前記絶縁層に第二導体回路を無電解めっきと電解めっきにて形成する工程（Ｂ）を含む多層配線板の製造方法であって、
第一導体回路に絶縁層を形成する工程（Ａ）が、
（Ａ１）第一導体回路に絶縁層を貼り付ける工程、
（Ａ２）絶縁層の表面を粗化した後に絶縁層を硬化する工程、を含み、
前記絶縁層に第二導体回路を無電解めっきと電解めっきにて形成する工程（Ｂ）が、
（Ｂ１）無電解めっき時にパラジウム金属を絶縁層に析出させる工程、
（Ｂ２）第二導体回路を形成する工程、
（Ｂ３）第二導体回路を形成後に析出させたパラジウム金属を除去する工程
を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ａ２）の絶縁層を硬化する工程が熱硬化である請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項３】
前記工程（Ａ２）後の絶縁層の硬化度が５０％以上である請求項１または２に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ｂ３）の後に、さらに、絶縁層を硬化させる工程（Ｂ４）を含む請求項１乃至３の何れか一項に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項５】
前記工程（Ｂ３）に使用するパラジウム金属を除去する薬液が、パラジウム金属を絶縁層表面から取り除く薬液である請求項１乃至４の何れか一項に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項６】
前記工程（Ｂ３）に使用するパラジウム金属を除去する薬液が、パラジウム金属の活性を失活させる薬液である請求項１乃至４の何れか一項に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の多層配線板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層配線板。
【請求項８】
請求項７に記載の多層配線板を用いて半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線板の製造方法、多層配線板および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実装化が進んでいる。これらの電子機器に使用されるプリント配線板の回路配線は高密度化する傾向にあり、ビルドアップした多層配線構造が採用されている。
回路配線パターンを形成する方法として、一般的には銅箔をエッチングする手法（サブトラクティブ法）がある。サブトラクティブ法で形成される回路厚みは、使用する銅箔の厚みで規定されるという特徴があり、回路幅の精度は、エッチング液の反応特性および使用するエッチング装置の能力に依存する。そのため、サブトラクティブ法は、極薄金属箔を用いる一部の用途を除くと、一般的には高密度化に不向きとされている。
また、ビルドアップ基板や多層配線板の製造に一般的に適用されている工法にセミアディティブ工法がある。この工法では、絶縁層上に回路配線層として給電層を形成した後に給電層をフラッシュエッチングにより回路配線間の絶縁層上にある微小の導電部分を除去し、回路配線間の絶縁性を確保する。この絶縁層上に給電層を形成する方法として、無電解めっき方法が採用されることが多い。そして、この無電解めっき方法としては、絶縁層表面に無電解めっき用触媒を付与した後に無電解めっき液に浸漬して処理を行うのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
無電解めっき用触媒としては、錫−パラジウムコロイド水溶液やパラジウムイオン−アミノ系錯化剤を含む触媒液を用いて触媒を付与する方法が知られている。これらの触媒を用いることにより、絶縁層表面にパラジウム金属を析出させることができる。
しかしながら、上述のパラジウム金属は、腐食性が高いため一度付着させると除去することが困難である。このためフラッシュエッチングにより不要な無電解めっき層（皮膜）を除去した後にもパラジウム金属が残ってしまい、回路配線間のギャップが狭い高密度化のプリント配線板の場合には絶縁信頼性を著しく低下させる原因となっている。
このような問題を解決するために無電解めっき用触媒の処理条件を最適化してパラジウム金属触媒の付着量を少なくする方法、フラッシュエッチング後に絶縁層のエッチング液による処理を行い絶縁層ごと除去する方法、パラジウム金属除去剤の種類や処理条件を最適化してパラジウム金属を除去する方法などが実施されている。
【特許文献１】特開平８−６４９３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、パラジウム金属触媒の付着量を少なくする方法では、部分的にパラジウム金属未析出部が発生し無電解めっき層（皮膜）形成不良が起こる場合がある。
また、絶縁層のエッチング液を用いる方法では、回路配線下部の絶縁層までエッチングしてしまい絶縁層と回路配線間の密着性を低下させる恐れがある。
さらにパラジウム金属除去剤の種類や処理条件を最適化する方法では、パラジウム金属の除去効果が乏しいという問題や除去性能が非常に高い除去剤を用いた場合に絶縁層までエッチングしてしまい樹脂と回路配線間の密着性を低下させる問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、絶縁信頼性に優れた多層配線板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記［１］〜［８］に記載の本発明により達成される。
［１］第一導体回路に絶縁層を形成する工程（Ａ）、前記絶縁層に第二導体回路を無電解めっきと電解めっきにて形成する工程（Ｂ）を含む多層配線板の製造方法であって、
第一導体回路に絶縁層を形成する工程（Ａ）が、
（Ａ１）第一導体回路に絶縁層を貼り付ける工程、
（Ａ２）絶縁層の表面を粗化した後に絶縁層を硬化する工程、を含み、
前記絶縁層に第二導体回路を無電解めっきと電解めっきにて形成する工程（Ｂ）が、
（Ｂ１）無電解めっき時にパラジウム金属を絶縁層に析出させる工程、
（Ｂ２）第二導体回路を形成する工程、
（Ｂ３）第二導体回路を形成後に析出させたパラジウム金属を除去する工程
を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法。
［２］  前記工程（Ａ２）の絶縁層を硬化する工程が熱硬化である前記［１］項に記載の多層配線板の製造方法。
［３］  前記工程（Ａ２）後の絶縁層の硬化度が５０％以上である前記［１］または［２］項に記載の多層配線板の製造方法。
［４］  前記工程（Ｂ３）の後に、さらに、絶縁層を硬化させる工程（Ｂ４）を含む前記［１］乃至［３］項の何れか一項に記載の多層配線板の製造方法。
［５］  前記工程（Ｂ３）に使用するパラジウム金属を除去する薬液が、パラジウム金属を絶縁層表面から取り除く薬液である前記［１］乃至［４］項の何れか一項に記載の多層配線板の製造方法。
［６］  前記工程（Ｂ３）に使用するパラジウム金属を除去する薬液が、パラジウム金属の活性を失活させる薬液である前記［１］乃至［４］項の何れか一項に記載の多層配線板の製造方法。
［７］  前記［１］乃至［６］項の何れか一項に記載の多層配線板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層配線板。
［８］  前記［７］項に記載の多層配線板を用いて半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の製造方法により作製された多層配線板および半導体装置は、絶縁信頼性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。図１は、本発明の多層配線板の製造方法を説明するための断面図の例示である。
【０００８】
本発明の多層配線板の製造方法としては、まず、第一導体回路の作製方法の一例を説明する。ベース基材である両面銅張積層板１０１の表裏の導通を確保するためのスルーホール１０２の形成を行う。このスルーホール加工方法としては、機械的なドリルによる加工、またはレーザービームを照射して穴あけ加工を行った後に、デスミア、無電解めっき、電解めっきを行い表裏の導通を確保する。その後、導電ペーストを印刷することによりスルーホールを穴埋め、表裏に電解銅めっきを行った後にサブトラクティブ法により回路形成を行うことによりスルーホールおよび第一導体回路が形成されたベース基材１０３を得る（図１（ａ））。
【０００９】
この後、第一導体回路層に絶縁層を形成する工程（Ａ）を行う（図１（ｂ））。工程（Ａ）は、前記第一導体回路が形成されたベース基材１０３の第一導体回路表面に絶縁層１０４をベース基材１０３の両面に熱圧着させる工程（Ａ１）と絶縁層の表面を粗化した後に絶縁層を硬化する工程（Ａ２）を含むものである。
工程（Ａ１）の絶縁層１０４を第一導体回路が形成されたベース基材１０３に張り合わ
せて熱圧着する方法としては、真空ラミネート、真空プレスなどの方法で積層したりする方法が挙げられる。
絶縁層１０４を第一導体回路が形成されたベース基材１０３の両面に熱圧着させる前に、第一導体回路表面の粗化を行うことにより、密着性を向上させることが可能である。第一導体回路表面の粗化としては、例えば、機械研磨による粗化方法として湿式バフロール、ベルトサンダー、ブラシスクラブ、ジェットスクラブ法があり、また化学的粗化処理方法として硫酸、過酸化水素混合液による処理、過硫酸塩水溶液による処理、黒化処理と呼ばれる微細な針状の酸化第一銅または酸化第二銅を形成する処理などにより行うものである。
【００１０】
工程（Ａ２）の絶縁層の表面を粗化する方法としては、以下のようなデスミア工程を行ったものや、物理的な処理による粗化、プラズマエッチング法、ＵＶ処理法などが挙げられる。
工程（Ａ１）で作製した第一導体回路が形成されたベース基材１０３の両面に熱圧着した絶縁層１０４の所定の位置にレーザーによりビア１０５を形成する（図１（ｃ））。レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、紫外線レーザー、エキシマレーザなどを使用することができる。その後、レーザーによるビア底の絶縁層の樹脂残渣除去と後の工程で絶縁層表面に形成される導体回路との密着性向上の為の絶縁層の粗化を目的としてデスミアを行う。
デスミアは、膨潤（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ）工程、樹脂エッチング工程、中和工程からなる。膨潤（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ）工程とは、水溶性有機溶剤と苛性ソーダなどの強アルカリを含む処理液を用いて樹脂表面を改質するために行われる工程である。樹脂エッチング工程とは、過マンガン酸溶液を用いて、酸化作用により樹脂表面を酸化除去（酸化エッチング）して、その表面に微細な凹凸を形成するために行う工程である。また、中和工程とは、硫酸を主成分とする酸溶液を用い、前記樹脂エッチング工程中で付着した過マンガン酸液を除去することを目的とした工程である。これにより、後述する第二導体回路のめっきの付着力が向上する。
【００１１】
次に、工程（Ａ２）の絶縁層を硬化する工程は、光、熱などにより硬化できものであり、熱処理による熱硬化であることがより好ましく、熱処理を行うことにより硬化度を調整する。前記工程（Ａ２）後の絶縁層の硬化度は、５０％以上が好ましく、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上である。上記範囲とすることにより、無電解銅めっきの触媒であるパラジウム金属の除去を容易にすることができる。
ここでいう硬化度とは、熱圧着させる前の絶縁層を５℃／分で３５０℃まで昇温させて熱硬化させた後の絶縁層の発熱量を１としたとき、２００℃以上２時間以上硬化させた後の絶縁層の発熱量を比較し、残存発熱量が０の場合を硬化度１００％、残存発熱量が０．５の場合を硬化度５０％として、熱圧着させる前の絶縁層の発熱量に対する工程（Ａ２）で硬化した後の絶縁層の発熱量を硬化度で表した。
【００１２】
次に、前記絶縁層に第二導体回路を無電解めっきと電解めっきにて形成する工程（Ｂ）を行う。工程（Ｂ）としては、無電解めっき時にパラジウム金属を絶縁層に析出させる工程（Ｂ１）、第二導体回路を形成する工程（Ｂ２）、第二導体回路を形成後に析出させたパラジウム金属を除去する工程（Ｂ３）を含むものである。
工程（Ｂ１）としては、前記作製した絶縁層に一般的な錫−パラジウムコロイド水溶液やパラジウムイオン−アミノ系錯化剤を含む無電解めっき前処理液を用いて絶縁層１０４表面を処理し、無電解めっき触媒であるパラジウム金属１０６を析出させる（図１（ｄ））。
【００１３】
その後、工程（Ｂ２）として、銅などの導体層をパラジウム金属１０６上に無電解めっきにより無電解めっき層１０７を形成する（図１（ｅ））。続いて、形成された無電解め
っき層上に、パターン化されたレジスト膜１０８などを形成した後（図１（ｆ））、電解めっきにより導体ポスト１０９および導体層１１０を形成する（図２（ｇ））。その後、レジスト膜１０８を薬液により剥離し、さらに第二導体回路以外の部分の無電解めっき層１０６をエッチングにより除去して、第二導体回路１１１が得られる。
無電解めっき層１０７を形成した後に、絶縁層と導体層の密着性を向上させる目的で熱処理を行ってもよい。
【００１４】
次に、工程（Ｂ３）として、第二導体回路の回路配線間に残存する無電解めっき触媒であるパラジウム金属をパラジウム金属除去剤により除去する。
ここで用いられるパラジウム金属除去剤としては、触媒であるパラジウム金属を除去する薬液や触媒であるパラジウム金属の触媒活性を失活させる薬液を使用することができる。
パラジウム金属を除去する薬液としては、パラジウム金属を絶縁層表面から取り除くものが好ましく、塩化水素を主成分とする水溶液、アンモニウム塩とチオ尿素を含有する水溶液などを用いることができる。
パラジウム金属の触媒活性を失活させる薬液としては、塩酸と硝酸とカチオン性ポリマーを含有する水溶液、含窒素脂肪族有機化合物と含ヨウ素無機化合物を含有する水溶液などを用いることができる。（図２（ｈ））。
工程（Ｂ３）の後に、必要に応じて絶縁層を硬化させる工程（Ｂ４）を行ってもよい。特に、工程（Ａ２）の硬化度が５０％〜９５％の場合は、さらに熱処理を行い、絶縁層の硬化度を高くする工程（Ｂ４）が必要である。
【００１５】
その後、導体回路の層数に応じて図１（ｂ）〜（ｆ）と図２（ｇ）〜（ｈ）の工程を繰り返して多層配線板を作製する。最外層にソルダーレジスト１１２を形成し、レジスト開口部にＮｉ／Ａｕめっき１１３を施すことにより、本発明により作製された多層配線板１１４が得られる（図２（ｉ））。
【００１６】
本発明の製造方法で用いられる絶縁層は、特に限定されるものではないが、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、絶縁層の耐熱性を向上することができる。
前記熱硬化性樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂などが挙げられる。
またこれらの中でも、特にシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、絶縁層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、絶縁層の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機機械強度などにも優れる。
前記熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物には、上記熱硬化性樹脂以外に、硬化剤、硬化促進剤、充填材、添加剤などを含んでいてもよく、特に限定されるものではない。
【００１７】
上記作製された多層配線板１１４に半田ボール２０１付の半導体素子２０２を搭載し、その後半田バンプの保護のために多層配線板と半導体素子の間に封止樹脂２０３を形成することにより、本発明により作製された多層配線板を用いた半導体装置を得ることができる（図３）。
【実施例】
【００１８】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。（実施例１）
銅張積層板（住友ベークライト社製  ＥＬＣ−４７８５ＧＳ、０．４ｍｍｔ）を用い、両面に導体回路（第一導体回路）を形成したベース基材にベクレルラミネーター（名機製作所社製  ＭＶＬＰ−２Ａ）を用いて、絶縁層として熱硬化性樹脂のシアネート樹脂を含むＢＬα３７００ＧＳ（住友ベークライト社製、以下ＢＬα）を両面にラミネート（Ａ１工程）した後に、乾燥機を用いてＢＬαを半硬化させた。その後、レーザービア加工（炭酸ガスレーザー）を行い、続いて、デスミア工程（アトテック社製  Ｐプロセス）を行った後、前記絶縁層のＢＬαの硬化度が８５％になるように熱処理により硬化させた（Ａ２工程）。
その後、無電解銅めっき（上村工業社製  スルカップＰＥＡプロセス）の前工程の処理により粗化されたＢＬα表面にパラジウム金属を析出させた（Ｂ１工程）後、無電解銅めっき層（皮膜）の形成を行った。
無電解銅めっき層（皮膜）上に微細回路配線加工用のドライフィルムレジスト（旭化成社製ＳＵＮＦＯＲＴ１５５）を形成して、一般的なフォトリソグラフィーの工程により最小回路幅１０μｍの回路配線パターンを作画した。この作画したレジストの開口部に電解銅めっきを８μｍ析出させ、その後レジストの除去し、第二導体回路を形成した（Ｂ２工程）。
その後、無電解銅めっき層（皮膜）をクイックエッチング処理（荏原電産社製  ＳＡＣプロセス）を行うことにより除去し、ＢＬα表面に付着しているパラジウム金属をパラジウム金属除去剤（塩化水素を主成分としてアンモニウム塩を含有するパラムーバーＬＴＮ−６６（上村工業社製））で除去した（Ｂ３工程）。
第二導体回路の粗化を行った後に、さらに、絶縁層としてＢＬαを積層し熱処理によりＢＬαを半硬化させて、第二導体回路上にＢＬαを形成した。
その後、上記の第二導体回路の作製と同様にレーザービア加工、デスミア、無電解銅めっき、電解めっき、フォトリソグラフィーの工程を行うことにより外層回路を作製した。外層回路の粗化を行った後にソルダーレジストを形成し、絶縁信頼性評価用端子部、導通評価用端子部、半導体素子搭載部のソルダーレジストを開口し、この開口部の銅上にＮｉ／Ａｕを無電解めっきにより形成し、その後Ａｕめっき皮膜上にプレソルダー加工を施すことにより絶縁信頼性および導通評価用の多層配線板とした。
得られた多層配線板について、評価し、その結果を表１に示した。
【００１９】
[評価方法]
（絶縁層の硬化度測定）
硬化度測定用のサンプルは、銅張積層板の銅箔を両面ともに全面エッチングしたベース基材にベクレルラミネーター（名機製作所社製  ＭＶＬＰ−２Ａ）を用いて、ＢＬαをラミネートした後に、乾燥機を用いて、ＢＬαを硬化させて硬化度測定用のサンプルを作製した。
上記作製したサンプルから硬化後のＢＬα部分のみをサンプリングし、ＤＳＣ装置（ＴＡインスツルメント社製  ＤＳＣ２９２０）を用いて残存発熱量を測定した。硬化度は、銅張積層板に圧着する前のＢＬαの発熱量を１として、硬化した後のＢＬαの発熱量より、硬化度を算出した。
（パラジウム金属の測定）
上記の多層配線板の作製途中のパラジウム金属除去剤（塩化水素を主成分としてアンモニウム塩を含有するパラムーバーＬＴＮ−６６（上村工業社製））でパラジウム金属を除去した後の基板を使用して、ＢＬα上のパラジウムを測定した。パラジウム金属の測定は、Ｘ線光電子分光分析装置（島津製作所製  ＥＳＣＡ−３４００）を用いて行い、ピーク強度を測定したピーク強度（光電子数）１００以下を合格とした。
【００２０】
（線間絶縁信頼性）
上記作製した多層配線板の最小回路幅１０μｍの回路配線パターンを図４の線間絶縁信頼性用の試験回路配線パターンとしたものを用いた。
線間絶縁信頼性試験は、１３５℃／８５％ＲＨ／３．３Ｖの条件で試験を実施した。２００時間までに電流リーク不良が発生した場合を○、電流リーク不良が発生した場合を×とした。
（半導体装置の評価）
上記線間絶縁信頼性試験で使用した多層配線板に半導体素子を搭載し、半導体素子と多層配線板の隙間に封止樹脂を充填、硬化させることで半導体装置を作製し、作動を確認し、問題なく作動することを確認した。
【００２１】
（実施例２）
デスミア工程後のＢＬαの硬化度を５０％になるように熱処理した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。半導体装置の評価では、問題なく作動することを確認した。
（実施例３）
デスミア工程後のＢＬαの硬化度を１００％になるように熱処理した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。半導体装置の評価では、問題なく作動することを確認した。（実施例４）
パラジウム除去工程後にＢＬαの硬化度を１００％になるように熱処理した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。半導体装置の評価では、問題なく作動することを確認した。
（比較例１）パラジウム除去工程なし  パラジウム除去処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。半導体装置の評価では、線間絶縁信頼性試験で問題があったため、評価しなかった。
（比較例２）
デスミア工程後のＢＬαの硬化度を４０％になるように熱処理した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。半導体装置の評価では、線間絶縁信頼性試験で問題があったため、評価しなかった。
（比較例３）
デスミア工程前にＢＬαの硬化度を１００％になるように熱処理した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。半導体装置の評価は、多層配線板が作製できなかったため、実施しなかった。
【００２２】
実施例１〜４と比較例１、２に記載の工程により作製したサンプルのＢＬα上のパラジウム金属定量評価および線間絶縁信頼性試験結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
2010073986.tif 000003
【００２４】
以上の実験結果よりデスミア工程後、無電解めっき工程前の絶縁層の硬化度を５０％以上に調整することにより、微細回路配線間の絶縁信頼性が向上することが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明によれば、絶縁信頼性に優れた多層配線板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の多層配線板の一例を示す略端面図である。
【図２】本発明の多層配線板の一例を示す略端面図である。（図１の続き）
【図３】本発明の半導体装置の一例を示す略断面図である。
【図４】実施例で使用した絶縁信頼性試験用パターンである。
【符号の説明】
【００２７】
１０１  両面銅張積層板
１０２  スルーホール
１０３  第一導体回路が形成された基材
１０４  絶縁層
１０５  ビア
１０６  パラジウム金属
１０７  無電解めっき層
１０８  パターン化されたレジスト膜
１０９  導体ポスト
１１０  導体層
１１１  導体回路
１１２  ソルダーレジスト
１１３  Ｎｉ／Ａｕめっき層
１１４  多層配線板
２０１  半田ボール
２０２  半導体素子
２０３  封止樹脂
【図１】
2010073986.tif 000004
【図２】
2010073986.tif 000005
【図３】
2010073986.tif 000006
【図４】
2010073986.tif 000007