(57)【要約】【課題】各種インクのインク塗布性とインク転写性を両立できるインク層転写方法およびインク層転写装置を提供すること。【解決手段】インクに対して撥液性を有する材料にて形成された撥インク領域１２ａと、インクに対して親液性を有する材料にて形成された親インク領域１１ａとからなるインク被塗布領域を表面に有するインクの被塗布基体１Ａ１を用い、撥インク領域１２ａにインクとの間の界面張力を低減させる溶媒を含浸する工程（Ａ）と、被塗布基体１Ａ１のインク被塗布領域にインクを塗布してインク層Ｉを形成する工程（Ｂ）と、形成されたインク層Ｉを被転写基体１Ｂに接触させ離間させる工程（Ｃ）とを含み、工程（Ｃ）において、撥インク領域１２ａのインク層Ｉａのみが被転写基体１Ｂに転写されることを特徴とするインク層転写方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクに対して撥液性を有する材料にて形成された撥インク領域と、インクに対して親液性を有する材料にて形成された親インク領域とからなるインク被塗布領域を表面に有するインクの被塗布基体を用い、前記撥インク領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒を含浸する工程（Ａ）と、
被塗布基体の前記インク被塗布領域にインクを塗布してインク層を形成する工程（Ｂ）と、
形成されたインク層を被転写基体に接触させ離間させる工程（Ｃ）とを含み、
工程（Ｃ）において、撥インク領域のインク層のみが被転写基体に転写されることを特徴とするインク層転写方法。
【請求項２】
工程（Ｃ）の前に、被転写基体の表面にインク層との離型性を高める溶媒を含浸する工程をさらに含む請求項１に記載のインク転写方法。
【請求項３】
インクに対して撥液性を有する材料にて形成された撥インク領域と、インクに対して親液性を有する材料にて形成された親インク領域とを表面に有する被転写基体を用い、被塗布基体の表面のインク被塗布領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒を含浸する工程（Ａ）と、
被塗布基体の前記インク被塗布領域にインクを塗布してインク層を形成する工程（Ｂ）と、
形成されたインク層を被転写基体に接触させ離間させる工程（Ｃ）とを含み、
工程（Ｃ）において、親インク領域のみにインク層が転写されることを特徴とするインク層転写方法。
【請求項４】
工程（Ｃ）の前に、被転写基体の撥インク領域にインク層との離型性を高める溶媒を含浸する工程をさらに含む請求項３に記載のインク層転写方法。
【請求項５】
凸部と凹部とを表面に有する被転写基体を用い、被塗布基体の表面のインク被塗布領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒を含浸する工程（Ａ）と、
被塗布基体の前記インク被塗布領域にインクを塗布してインク層を形成する工程（Ｂ）と、
形成されたインク層を被転写基体に接触させ離間させる工程（Ｃ）とを含み、
工程（Ｃ）において、凸部のみにインク層が転写されることを特徴とするインク層転写方法。
【請求項６】
工程（Ｃ）の前に、被転写基体の凸部にインク層との離型性を高める溶媒を含浸する工程をさらに含む請求項５に記載のインク層転写方法。
【請求項７】
工程（Ｃ）の後に、被転写基体に転写されたインク層または被塗布基体に残存したインク層を、被転写媒体に転写する二次転写工程をさらに含む請求項１〜６のいずれか１つに記載のインク層転写方法。
【請求項８】
前記撥インク領域が、フッ素系またはシリコン系の樹脂またはゴムから形成され、撥インク領域に含浸させる溶媒が、アルコール系溶剤、グリコール系溶剤、エステル系溶剤およびシリコーンオイルのうちの少なくとも１つを含む溶剤からなる請求項１または３に記載のインク層転写方法。
【請求項９】
前記被塗布基体のインク被塗布領域が、フッ素系またはシリコン系の樹脂またはゴムから形成され、撥インク領域に含浸させる溶媒が、アルコール系溶剤、グリコール系溶剤、エステル系溶剤およびシリコーンオイルのうちの少なくとも１つを含む溶剤からなる請求項３または５に記載のインク層転写方法。
【請求項１０】
請求項１、３または５に記載のインク層転写方法を用いるインク層転写装置であって、前記溶媒を前記被塗布基体に含浸させる溶媒含浸部と、被塗布基体にインクを塗布してインク層を形成する塗布部と、被塗布基体から前記被転写基体へインク層を転写する転写部とを備えたインク層転写装置。
【請求項１１】
前記転写部が、転写後の被転写基体のインク層を被転写媒体へ二次転写するように構成された請求項１０に記載のインク層転写装置。
【請求項１２】
前記転写部が、転写後の被塗布基体に残存するインク層を被転写媒体へ転写するように構成された請求項１０に記載のインク層転写装置。
【請求項１３】
請求項７に記載のインク層転写方法を用いて被転写媒体上に所定パターン形状で転写されたインク層を有してなるパターン印刷物。
【請求項１４】
請求項７に記載のインク層転写方法を用いて耐熱性基板からなる被転写媒体上に所定パターン形状で転写されたインク層を焼成してなるプリント基盤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インク層転写方法およびインク層転写装置に関する。より詳細には、各種インクの版への塗布性および版から被転写体へのインク層の転写性を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の印刷技術として、オフセット印刷法が知られている。オフセット印刷法とは、所定形状の表面パターンを有する版上にインクを塗布し、版上のインク層を被転写体に所定パターン形状で転写し、被転写体から紙あるいは基板などの媒体に二次転写する方法である。
このオフセット印刷法を用いて、電子デバイスの微細パターンを形成する技術が公知である。
例えば、特許文献１では、画線部を形成する撥インク層と、非画線部を形成する親インク層とを表面に有する版を用い、版の全面にインクを塗布し、撥インク層上のインク層のみを被転写体に転写し、被転写体上のインク層を基板に二次転写して画線パターンを形成する印刷方法が提案されている。
【０００３】
また、高い撥液性を有する版上にインク層を均一に塗布する方法としては、版を表面処理してインクに対する濡れ性を改善する方法や、より表面張力の小さなインクを用いる方法が知られている。
表面処理の例としては、撥液性の高い版の表面に、インクとの密着性の高い下地層をコートすることでインク塗布性を改善する方法等が挙げられる。
インクの表面張力を低下させる例としては、インクに界面活性剤を添加して表面張力を低下させ、版への塗布性を改善する方法が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２４９６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の印刷方法は、版から被転写体へインク層を所定パターンで高精度に転写する転写性を高めるために、インク層の転写部分と接触する版の表面部分に撥インク層を有しているが、撥インク層は親インク層よりもインクの濡れ性（塗布性）が低いため、版全面にインクを塗布しても撥インク層上にインクが乗り難いという問題がある。
この問題を解決するために、版全面を前記表面処理して撥インク層上へのインク塗布性を改善する方法が考えられるが、表面処理された撥インク層に対するインク層の密着性が高められることにより、撥インク層上のインク層の被転写体への転写性が低下するという新たな問題が生じる。
また、界面活性剤を用いてインクの表面張力を低減させることにより、撥インク層上へのインク塗布性を改善する方法も考えられる。しかしながら、界面活性剤のインク溶媒への溶解性や、界面活性剤がインク層に残存することによるデバイス動作影響の観点で、一部の用途のインクにしか適用できず、電子デバイスに広く利用される配線層または絶縁層を形成するためのインクには適用できない。
【０００６】
本発明は、このような課題を鑑みてなされたものであり、各種インクのインク塗布性とインク転写性を両立できるインク層転写方法およびインク層転写装置を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かくして、本発明によれば、次の第１〜第３のインク層転写方法が提供される。
第１のインク層転写方法は、インクに対して撥液性を有する材料にて形成された撥インク領域と、インクに対して親液性を有する材料にて形成された親インク領域とからなるインク被塗布領域を表面に有するインクの被塗布基体を用い、前記撥インク領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒を含浸する工程（Ａ）と、被塗布基体の前記インク被塗布領域にインクを塗布してインク層を形成する工程（Ｂ）と、形成されたインク層を被転写基体に接触させ離間させる工程（Ｃ）とを含み、工程（Ｃ）において、撥インク領域のインク層のみが被転写基体に転写されることを特徴とする。
【０００８】
第２のインク層転写方法は、インクに対して撥液性を有する材料にて形成された撥インク領域と、インクに対して親液性を有する材料にて形成された親インク領域とを表面に有する被転写基体を用い、被塗布基体の表面のインク被塗布領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒を含浸する工程（Ａ）と、被塗布基体の前記インク被塗布領域にインクを塗布してインク層を形成する工程（Ｂ）と、形成されたインク層を被転写基体に接触させ離間させる工程（Ｃ）とを含み、工程（Ｃ）において、親インク領域のみにインク層が転写されることを特徴とする。
【０００９】
第３のインク層転写方法は、凸部と凹部とを表面に有する被転写基体を用い、被塗布基体の表面のインク被塗布領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒を含浸する工程（Ａ）と、被塗布基体の前記インク被塗布領域にインクを塗布してインク層を形成する工程（Ｂ）と、形成されたインク層を被転写基体に接触させ離間させる工程（Ｃ）とを含み、工程（Ｃ）において、凸部のみにインク層が転写されることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の別の観点によれば、前記インク層転写方法を用いるインク層転写装置であって、前記溶媒を前記被塗布基体に含浸させる溶媒含浸部と、被塗布基体にインクを塗布してインク層を形成する塗布部と、被塗布基体から前記被転写基体へインク層を転写する転写部とを備えたインク層転写装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る第１〜第３のインク層転写方法では、インクの被塗布基体上にインク層を形成する工程（Ｂ）の前に、インクとの界面張力を低減させる溶媒を被塗布基体に含浸する工程（Ａ）を行う。この際、第１〜第３のインク層転写方法では被塗布基体のインク被塗布領域に溶媒が含浸する。
この結果、被塗布基体のインク被塗布領域は、インクとの間の界面張力が低減したものとなるため、工程（Ｂ）におけるインク被塗布領域のインク塗布性が向上し、インク被塗布領域全面にムラ無くインク層を形成することができる。
特に、第１のインク層転写方法では、被塗布基体がインク被塗布領域に撥インク領域を有しているが、工程（Ａ）後の撥インク領域は溶媒を含浸してインク塗布性が改善されているため、撥インク領域と親インク領域に均一なインク層を形成することができる。
【００１２】
さらに、次の工程（Ｃ）では、被塗布基体に含浸した溶媒が、離型剤の役割を果たして被塗布基体からのインク層の離型性を高める効果があることに加え、第１〜第３のインク層転写方法で使用される被塗布基体および被転写基体の各構成との相乗効果により、被塗布基体から被転写基体へのインク層の転写性が向上する。
つまり、第１のインク層転写方法では、溶媒により撥インク領域のインク層の離型性がより高まるため、撥インク領域のみをより容易にかつ高精度に被転写基体へ転写することができる。
また、第２のインク層転写方法では、被転写基体がインク被塗布領域に撥インク領域と親インク領域を有しているため、親インク領域のみにインク層をより容易かつ高精度に転写することができる。
また、第３のインク層転写方法では、被転写基体がインク被塗布領域に凸部と凹部を有しているため、凸部のみにインク層をより容易かつ高精度に転写することができる。
【００１３】
このように、本発明のインク層転写方法は、良好な転写性を有していると共に、インク層を形成し難い撥液性を有している被塗布基板に対しても、インク層を形成することができるため、非常に良好な印刷パターンの形成を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は本発明に係るインク層転写方法の実施形態１−１ａを説明する工程図である。
【図２】図２は図１の工程の続きの工程を説明する工程図である。
【図３】図３は実施形態１−１ａのインク層転写方法を用いて被転写媒体に所定パターン形状を有するインク層を転写するためのインク層転写装置を示す概略構成図である。
【図４】図４は本発明に係るインク層転写方法の実施形態１−１ｂを説明する工程図である。
【図５】図５は本発明に係るインク層転写方法の実施形態１−１ｃを説明する工程図である。
【図６】図６は本発明に係るインク層転写方法の実施形態２−１ａを説明する工程図である。
【図７】図７は本発明に係るインク層転写方法の実施形態３−１ａを説明する工程図である。
【図８】図８は式（１）の関係を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明のインク層転写方法は、インクの被塗布基体または被転写基体を用い、被塗布基体にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒を含浸する工程（Ａ）と、溶媒を含浸した被塗布基体のインク被塗布領域にインクを塗布してインク層を形成する工程（Ｂ）と、被塗布基体上のインク層の一部を選択的に被転写基体に転写する工程（Ｃ）とを含み、具体的には、前記第１〜第３の方法が挙げられる。
【００１６】
一般に、ある固体表面に液滴を滴下したとき、その液滴の濡れ性を決める接触角θは、固体表面張力γs、液体表面張力γL、界面張力γsLから式（１）で示す関係で決定される。
cosθ = (γs − γsL) / γL        ・・・（１）
図８は式（１）の関係を説明する図であり、図８中において、符号１は固体、２は液滴、３は固体表面張力を示す矢印、４は液体表面張力を示す矢印、５は界面張力を示す矢印、６は固体と液滴との接触角をそれぞれ表している。
【００１７】
ここで、塗布性を確保するためには、前記接触角θを小さくすることが必要であるため、固体表面張力γsを大きくすること（対策１）、界面張力γsLを小さくすること（対策２）および液体表面張力γLを小さくすること（対策３）のいずれか１つが求められる。
一方、転写時における離型性を高めるためには、固体表面張力γsを小さくする必要がある（対策４）。
また、一般的に電子部品に使用される材料は、液体表面張力γLの小さな溶媒に対する溶解性が小さいことから、対策１ならびに対策３での対応は困難であり、対策２での対応が求められる。
【００１８】
本発明は、工程（Ａ）において被塗布基体とインクとの間の界面張力γsLを低減させることが重要なポイントであり、界面張力γsLを低減させることにより、液体表面張力γLを大きくできないインクであっても、塗布性(θの低減化)と転写性(γsの低減化)を両立することができる。
したがって、本発明のインク層転写方法において、被塗布基体の少なくともインク被塗布領域は、工程（Ａ）で用いる前記溶媒を含浸可能な後述の材料にて形成されている。
【００１９】
本発明のインク層転写方法に用いることができるインクとしては、特に限定はなく、最終的にパターン膜として利用する物性(例えば導電性、絶縁性)を発揮しうる材料と溶媒とを含むインクに対し、このインク転写方法に適用できる範囲に粘度、表面張力等のインク物性を調整して使用すればよい。
本発明のインク層転写方法の適用は特に限定されないが、前記のように固体表面張力γsを大きくすること（対策１）および液体表面張力γLを小さくすること（対策３）が困難な条件でのインク層転写に適しており、プリント基盤の製造に特に好適である。
【００２０】
本発明のインク層転写方法は、工程（Ｃ）の前に、被転写基体の表面にインク層との離型性を高める溶媒を含浸する工程をさらに含んでいてもよい。この溶媒は、被塗布基体に含浸する溶媒と同じものでもよく、異なるものでもよい。以下、被塗布基体に含浸する溶媒を「第１溶媒」といい、被転写基体に含浸する溶媒を「第２溶媒」という場合がある。
この場合、第２溶媒を含浸する被転写基体の表面とは、第１のインク層転写方法では少なくともインク層が転写される表面領域を指し、第２のインク層転写方法では撥インク領域を指し、第３のインク層転写方法では凸部を指す。なお、言うまでも無いが、被転写基体における少なくともインク層が転写される前記表面領域、撥インク領域および凸部は、第２溶媒を含浸可能な後述の材料にて形成されている。
以下、被塗布基体と被転写基体を統合して「基体」という場合がある。
【００２１】
被塗布基体および被転写基体に溶媒を含浸する方法としては、溶媒中に基体を浸漬する方法、溶媒を基体上に塗布する方法、溶媒の蒸気下に基体を接触させる方法等が挙げられ、必要であれば基体表面に残った液滴を除去してもよい。
【００２２】
本発明のインク層転写方法は、工程（Ｃ）の後に、被転写基体に転写されたインク層または被塗布基体に残存したインク層を、被転写媒体に転写する二次転写工程をさらに含んでいてもよい。
この二次転写工程を経ることにより、例えば、紙、樹脂シート、ガラス基板等の被転写媒体上に所定パターン形状で転写されたインク層を有してなるパターン印刷物を得ることができ、さらには、耐熱性基板からなる被転写媒体上に所定パターン形状で転写されたインク層を焼成してなるプリント基盤を得ることができる。
【００２３】
二次転写工程において、被転写基体に前記溶媒が含浸している場合、被転写基体のインク層との離型性が高められている、すなわち密着性が低下しているため、被転写基体から被転写媒体へのインク層の転写性が向上すると共に、効率よく二次転写を行うことができる。
このように、被塗布基体上のインク層の一部を被転写基体に一次転写し、被転写基体上のインク層または被塗布基体に残存するインク層を、被転写媒体へ二次転写するためには、前記の各基体および媒体の転写領域におけるインク層の密着性が、被塗布基体＜被転写基体の関係、被転写基体＜被転写媒体の関係または被塗布基体＜被転写媒体の関係になるように、被塗布基体と被転写基体と被転写媒体を構成する材料を選択する必要がある。なお、これについて詳しくは後述する。
【００２４】
被塗布基体および被転写基体の形状は、例えば、平板形およびロール形を採用することができ、被塗布基体および被転写基体の両方が平板形またはロール形である組み合わせ、あるいはいずれか一方が平板形で他方がロール形である組み合わせとすることができる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係るインク層転写方法の各種の実施形態について詳説する。なお、各実施形態では、被塗布基体および被転写基体の両方が平板形である組み合わせの場合を例示しているが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００２５】
（実施形態１−１）
本発明に係るインク層転写方法の実施形態１−１は、後述する実施形態１−１ａ、１−１ｂ、１−１ｃを含み、これらの実施形態は、撥インク領域と親インク領域からなるインク被塗布領域を表面に有するインクの被塗布基体を用いる前記第１のインク層転写方法である点、および撥インク領域が所定パターン形状を有している点が共通している。
【００２６】
《実施形態１−１ａ》
図１は本発明に係るインク層転写方法の実施形態１−１ａを説明する工程図であり、図２は図１の工程の続きの工程を説明する工程図であり、図３は実施形態１−１ａのインク層転写方法を用いて被転写媒体に所定パターン形状を有するインク層を転写するためのインク層転写装置を示す概略構成図である。
実施形態１−１ａの特有の点は、図１（Ａ）に示すように、親インク基板１１の表面上に所定パターン形状を有する撥インク層１２が積層されることにより、被塗布基体１Ａ１が作製されたことであり、撥インク層１２が撥インク領域１２ａを構成し、親インク基体１１の露出した表面が親インク領域１１ａを構成している。
撥インク層１２のパターン形状は、例えば、最終的に得ようとする配線パターンまたは絶縁膜パターンと同じ形状とされる。よって、撥インク層１２の幅および隣接する撥インク層１２、１２の間の間隔は、形成しようとするパターン形状に応じた寸法とされる。
また、撥インク層１２の厚みとしては、被塗布基体板１Ａ１の表面全面にインク層Ｉを形成する際に、被塗布基体１Ａ１の表面の凹凸によってインク層Ｉが分断されない程度、すなわち、インク層Ｉの膜厚以下とすることが好ましい。
【００２７】
実施形態１−１ａでは、この被塗布基体を用い、撥インク領域１２ａにインクとの間の界面張力を低減させる溶媒（第１溶媒）を含浸する工程（Ａ）と、図１（Ｂ）に示すように、インク被塗布領域にインクを塗布してインク層Ｉを形成する工程（Ｂ）と、図１（Ｃ）および（Ｄ）に示すように、形成されたインク層Ｉを被転写基体１Ｂに接触させ離間させる工程（Ｃ）がこの順に行われることにより、撥インク領域１２ａのインク層Ｉａのみが被転写基体１Ｂに転写される。
さらに、工程（Ｃ）の後に、図２（Ａ）および（Ｂ）に示すように、被転写基体１Ｂに転写されたインク層Ｉａを、被転写媒体Ｐに転写する二次転写工程（Ｄ）が行われる。
【００２８】
＜工程（Ａ）について＞
〔親インク基体〕
親インク基体１１の材料としては、インクに対して親液性を有する材料からなり、さらに、工程（Ｃ）において親インク領域１１ａからのインクの離型性が低く、かつ第１溶媒を含浸しない材料であることが好ましい。
具体的に親インク基体１１の材料としては、ガラス、シリコン、酸化シリコン、石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミドフィルム等の有機系樹脂材料、アルミニウム、チタン、ニッケル、タンタル等の金属、セラミック等が挙げられる。
【００２９】
〔撥インク層〕
撥インク層１２の材料としては、インクに対して撥液性を有し、かつ撥インク領域１２ａとインクとの間の界面張力を低減させる前記第１溶媒を含浸できる材料からなり、さらには、工程（Ｃ）において撥インク領域１２ａからのインクの離型性が高い材料が好ましい。
具体的に撥インク層１２の材料としては、シリコーン系の樹脂またはゴム、ジメチルシロキサン、メチルビニルシロキサン、メチルフルオロビニルシロキサンもしくはメチルフェニルビニルシロキサン等のポリマー、またはこれらのポリマーとニトリルブタジエンゴム（以下「ＮＢＲ」という）、エチレンプロピレンジエンモノマー（以下「ＥＰＤＭという」もしくはスチレンブタジエンゴム（以下「ＳＢＲ」という）とのブレンドおよび共重合系、フッ素系の樹脂またはゴム、ＮＢＲ、ＥＰＤＭもしくはＳＢＲ等にシリコーンオイル等を混ぜ込んだゴム部材などの撥液性を有する材料が挙げられる。
また、インクに対して後述の親液性を有する材料の表面に離型剤で離型処理したものを撥インク層１２の材料として用いることもできる。離型処理は、離型剤として例えば、シロキサン化合物(モノマーあるいはオリゴマー)から構成される表面処理剤等を親液性材料の表面に塗布し乾燥させて離型膜を形成することにより行われる。
【００３０】
撥インク層１２は、どのような方法で親インク基板１１の表面にパターン形成されてもよい。その一例として、例えば、親インク基板１１の表面上に、撥インク層の材料となるフッ素系感光性樹脂を塗布して塗布膜を形成し、その塗布膜を露光および現像することで、所定パターンの撥インク層１２を形成することができる。
【００３１】
〔第１溶媒〕
第１溶媒としては、インク中に含まれる固形分および溶媒と、撥インク層１２の材料に応じて選択される。具体的には、撥インク層１２が、例えばシリコーン系の樹脂またはゴム、または、フッ素系の樹脂またはゴムからなる場合、第１溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール等のグリコール系溶剤、プロピレングリコール-ｎ-メチルエーテルアセテート(PGMEA)、ジプロピレングリコール-ｎ-メチルエーテルアセテート(DPMA)等のエステル系溶剤、シリコーンオイル等の中から、インク中の固形分が分離凝集しないものが選択される。このとき、インクとの相溶性の高い溶媒もしくはインク中に含まれる溶媒と同じ溶媒を第１溶媒として選択することで、撥インク領域１２ａとインクの間の界面張力をさらに低減化することができる。
【００３２】
被塗布基体１Ａ１の撥インク層１２（撥インク領域１２ａ）に第１溶媒を含浸する方法としては、前記のように、第１溶媒中に被塗布基体１Ａ１を浸漬する、第１溶媒を被塗布基体１Ａ１上に塗布する、あるいは第１溶媒の蒸気下に被塗布基体１Ａ１を接触させる方法等が挙げられ、必要であれば被塗布基体１Ａ１の表面に残った液滴を除去してもよい。
【００３３】
＜工程（Ｂ）について＞
被塗布基体１Ａ１のインク被塗布領域にインクを塗布する方法は、特に限定されず、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、キャスト法等が挙げられる。
被塗布基体１Ａ１の表面全面にインクを塗布した際、撥インク層１２にはインクとの相溶性の高い第１溶媒が含まれているため、撥インク領域１２ａのインク濡れ性（塗布性）が改善されており、その結果図１（Ｂ）に示すように、親インク領域１１ａ上と撥インク領域１２ａ上に均一なインク層Ｉが形成される。
【００３４】
＜工程（Ｃ）について＞
被転写基体１Ｂは平板形に形成されており、その材料としては、被塗布基体１Ａ１の撥インク層１２よりもインクとの密着性が高く、かつ被塗布基体１Ａ１の親インク層１１よりもインクとの密着性が低くなるように、被塗布基体１Ａ１の撥インク層１２の前記材料と親インク層１１の前記材料の範囲内から選択することができる。
工程（Ｃ）では、図１（Ｃ）に示すように、まず被塗布基体１Ａ１と被転写基体１Ｂを相対的に接近させる方向に移動させることにより、被塗布基体１Ａ１上のインク層Ｉに被転写基体１Ｂの表面を接触させる。その後、被塗布基体１Ａ１と被転写基体１Ｂを相対的に離間させる方向に移動させることにより、図１（Ｄ）に示すように、撥インク領域１２ａの所定パターン形状を有するインク層Ｉａのみが被転写基体１Ｂに転写される。
【００３５】
このとき、被塗布基体１Ａ１の撥インク層１２に含まれる第１溶媒の役割によって、撥インク領域１２ａからのインク層Ｉａの離型性が高められているため、より効率的に被転写基体１Ｂへ所定パターン形状のインク層Ｉａを転写することができる。
なお、工程（Ｃ）の前に、被転写基体１Ｂにインクの離型性を高める第２溶媒を含浸する第２溶媒含浸工程を行ってもよい。この工程を含むことで、被転写基体１Ｂから後述の被転写媒体へ転写するインク層Ｉａの転写性および転写効率が向上する。
【００３６】
＜工程（Ｄ）について＞
被転写媒体Ｐは、被転写基体１Ｂよりもインクとの密着性が高い材料であれば、特に限定されず、被転写基体１Ｂの材料としてのガラス、シリコン、酸化シリコン、石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミドフィルム等の有機系樹脂材料、アルミニウム、チタン、ニッケル、タンタル等の金属、セラミック等の中から選択することができる。
【００３７】
二次転写工程（Ｄ）では、図２（Ａ）に示すように、まず平板形の被転写基体１Ｂと平板形の被転写媒体Ｐを相対的に接近させる方向に移動させることにより、被転写基体１Ｂ上のインク層Ｉａに被転写媒体Ｐの表面を接触させる。その後、被転写基体１Ｂと被転写媒体Ｐを相対的に離間させる方向に移動させることにより、図２（Ｂ）に示すように、被転写基体Ｂ１の所定パターン形状を有するインク層Ｉａ全体が被転写媒体Ｐに転写される。
このとき、被転写基体１Ｂに含まれる第２溶媒の役割によって、被転写基体１Ｂからのインク層Ｉａの離型性（転写性）が高められているため、より効率的に被転写媒体Ｐへ所定パターン形状のインク層Ｉａを転写することができる。
【００３８】
＜インク層転写装置＞
図３は実施形態１−１ａで用いられるインク層転写装置を示す概略構成図である。
このインク層転写装置Ｍは、第１溶媒Ｓを被塗布基体１Ａ１に含浸させる溶媒含浸部１１０と、第１溶媒Ｓを含浸した被塗布基体１Ａ１の表面の液滴を除去する液滴除去部１２０と、被塗布基体１Ａ１にインクを塗布してインク層を形成する塗布部１３０と、被塗布基体１Ａ１から被転写基体１Ｂへインク層を転写する転写部とを備えている。
【００３９】
〔溶媒含浸部〕
第１溶媒Ｓ中に平板形の被塗布基体１Ａ１を浸漬する方式の場合、溶媒含浸部１１０として、例えば、被塗布基体１１０を立てた状態で第１溶媒Ｓ中に浸漬可能とする浸漬槽を用いることができる。
なお、被塗布基体がロール形の場合、被塗布基体の外周面がインク被塗布領域となり、外周面に撥インク領域および親インク領域が形成される。この場合、被塗布基体の下部を浸漬槽に浸漬し、被塗布基体を水平軸廻りに回転させることでインク被塗布領域の撥インク層に第１溶媒を含浸させることができる。
【００４０】
〔液滴除去部〕
液滴除去部１２０としては、例えば、ドクターブレードを用いたワイプ機構、エアー、窒素ガス等を被塗布基体１Ａ１に吹き付けるブロー機構等を用いることができる。実施形態１−１ａではブロー機構を採用した場合を例示している。
【００４１】
〔塗布部〕
塗布部１３０としては、例えば、スピンコーター、スリットコーター、ディップコーター、キャストコーター等を用いることができる。なお、被塗布基体１Ａ１にインクを塗布した後、ブレードを用いて塗布膜の膜厚を均一化してもよい。
【００４２】
〔転写部〕
転写部は、ステージ１４１と、ステージ１４１上に設けられて被塗布基体１Ａ１および被転写基体Ｐを搬送方向の所定位置まで移動させるベルト搬送機構１４２と、被塗布基体１Ａ１を１枚ずつ溶媒含浸部１１０からベルト搬送機構１４２の搬送方向の一端に移動させる第１移動機構１４３と、ベルト搬送機構１４２の一端と他端の間に設けられて被転写基体１Ｂを昇降可能に保持する第２移動機構１４４と、被転写媒体Ｐを１枚ずつベルト搬送機構１４２の他端に移動させる第３移動機構１４５とを備え、さらに、被転写基体１Ｂに第２溶媒を含浸する図示しない第２溶媒含浸部を有している。
溶媒含浸部１１０はベルト搬送機構１４２の一端側に配置され、液滴除去部１２０はベルト搬送機構１４２の一端側上方に配置され、塗布部１３０は液滴除去部１２０と第２移動機構１４４の間に配置されている。
【００４３】
次に、前記した第１のインク層転写方法に基くインク層転写装置Ｍの動作について説明する。
まず、溶媒含浸部１１０の第１溶媒Ｓ中に浸漬されている複数枚のうちの1枚の被塗布基体１Ａ１が、第１移動機構１４３にて第１溶媒Ｓ中から取り出され、インク被塗布領域が上に向けられた状態でベルト搬送機構１４２の一端上に載置される。
その後、被塗布基体１Ａ１は、ベルト搬送機構１４２にて他端側へ移動して液滴除去部（ブロー機構）１２０の下を通過することにより、エアー流または窒素ガス流によってインク被塗布領域に残存する第１溶媒Ｓの液滴が除去され、続いて、塗布部１３０の下を通過することにより、インク被塗布領域上にインクが均一に塗布されてインク層Ｉが形成される（図１（Ｂ）参照）。
【００４４】
次に、被転写基体１Ｂの真下位置までインク層Ｉを有する被塗布基体１Ａ１が移動したところでベルト移動機構１４２が停止し、第２移動機構１４４にて被転写基体１Ｂが下降してその下面がインク層Ｉに接触し（図１（Ｃ）参照）、引き続いて、第２移動機構１４４にて被転写基板１Ｂが上昇して被塗布基体１Ａ１から離間する（図１（Ｄ）参照）。これにより、被塗布基体１Ａ１の撥インク領域１２ａのインク層Ｉａのみが被転写基体１Ｂに転写される。なお、図１（Ｃ）および（Ｄ）における矢印は被転写基体１Ｂの移動方向を表している。
【００４５】
その後、ベルト搬送機構１４２の他端近傍に複数枚積載されているうちの1枚の被転写媒体Ｐが、第３移動機構１４５にて取り出されてベルト搬送機構１４２の他端上に載置され、ベルト搬送機構１４４にて被転写媒体Ｐが被転写基体１Ｂの真下位置まで移動したところでベルト移動機構１４２が停止し、第２移動機構１４４にて被転写基体１Ｂが下降してインク層Ｉａを被転写媒体Ｐの上面に接触させ（図２（Ａ）参照）、引き続いて、第２移動機構１４４にて被転写基板１Ｂが上昇して被転写媒体Ｐから離間する（図２（Ｂ）参照）。これにより、被転写基体１Ｂのインク層Ｉａが被転写媒体Ｐに転写される。
【００４６】
前記インク層転写方法では、適切にインク固形分の選択を行うことで、被転写媒体Ｐ上に配線パターン、絶縁膜パターン等を形成することができる。
具体的には、配線材料として、銀パターンを形成する場合、例えば、アルミニウムからなる親インク基板１１上に強撥液性のシリコーン樹脂からなる撥インク層１２が形成されてなる被塗布基体１Ａ１を、PGMEA溶媒中に例えば１０分間浸漬し、窒素ブローにより表面に残存する液滴を除去した後、配線材料インクとしての銀インクを塗布部１３０（例えばバーコーター）により塗布し乾燥させれば、均一なインク層Ｉを形成できる。続いて、被塗布基体１Ａ１上のインク層Ｉに弱撥液性のシリコーンゴムからなる被転写基体１Ｂを接触させ離間させることで、撥インク層１２の上面に位置する所定パターン形状を有するインク層Ｉａのみを被転写基体１Ｂに一次転写できる。その後、被転写基体１Ｂのインク層Ｉａにガラス基板からなる被転写媒体Ｐを接触させ離間させることで、被転写媒体Ｐ上に所定パターン形状を有するインク層Ｉａを二次転写できる。その後、被転写媒体Ｐ上のインク層Ｉａを所定条件(例えば２５０℃、３０分)で焼成することにより、被転写媒体Ｐ上に配線パターンを形成できる。
【００４７】
また、絶縁膜パターンを形成する場合、例えば、ガラスからなる親インク基板１１上にフッ素系樹脂からなる撥インク層１２が形成されてなる被塗布基体１Ａ１を、PGMEA溶媒中に例えば１５分間浸漬し、窒素ブローにより表面に残存する液滴を除去した後、絶縁膜材料インクとしてのポリイミド系材料、アクリル系材料またはフッ素含有材料等を塗布部１３０(例えばスリットコーター)により塗布し乾燥させれば、均一なインク層Ｉを形成できる。続いて、被塗布基体１Ａ１上のインク層Ｉに弱撥液性のシリコーンゴムからなる被転写基体１Ｂを接触させ離間させることで、撥インク層１２の上面に位置する所定パターン形状を有するインク層Ｉａのみを被転写基体１Ｂに一次転写できる。その後、被転写基体１Ｂのインク層Ｉａにガラス基板からなる被転写媒体Ｐを接触させ離間させることで、被転写媒体Ｐ上に所定パターン形状を有するインク層Ｉａを二次転写できる。その後、被転写媒体Ｐ上のインク層Ｉａを所定条件(例えば２００℃〜３００℃、３０分〜２時間、窒素雰囲気下)で焼成することにより、被転写媒体Ｐ上に絶縁膜パターンを形成できる。
【００４８】
《実施形態１−１ｂ》
図４は本発明に係るインク層転写方法の実施形態１−１ｂを説明する工程図である。なお、図４において、図１中の要素と同様の要素には、同一の符号を付している。
実施形態１−１ｂの特有の点は、図４（Ａ）に示すように、親インク基板１１の表面に、インク層膜厚以下の範囲の深さを有する凹溝が所定パターン形状で形成され、この凹溝に撥インク層１２が埋め込まれることにより、フラットなインク被塗布領域を表面に有する被塗布基体１Ａ２が作製されたことである。実施形態１−１ｂにおいて、その他は実施形態１−１ａと同様である。
【００４９】
この被塗布基体１Ａ２は、例えば、レーザ加工により親インク基板１１の表面に所定パターン形状の凹溝を形成した後、親インク基板１１の表面に撥インク層の樹脂材料を塗布して硬化させ、塗布膜を研磨して凹溝内のみに塗布膜を残す方法で作製できる。
あるいは、露光によって親液性が低下する樹脂材料を基板（例えばガラス基板）上に塗布し硬化させ、その塗布膜を所定パターン形状で露光することにより、露光部分が撥液性を有する撥インク層１２（撥インク領域１２ａ）となり、非露光部分が親インク層１１（親インク領域１１ａ）となり、このようにして被塗布基体１Ａ２を作製してもよい。
【００５０】
実施形態１−１ｂも実施形態１−１ａと同様に、図４（Ｂ）に示すように、この被塗布基体１Ａ２の表面にインク層Ｉを形成し、図４（Ｃ）および（Ｄ）に示すように、被塗布基体１Ａ２上のインク層Ｉに被転写基体１Ｂを接触させ離間させることにより、撥インク領域１２ａに位置するインク層Ｉａのみが被転写基体１Ｂに転写される。
その後、図２で説明したように、被転写基体１Ｂのインク層Ｉａを被転写媒体Ｐに二次転写することができる。
【００５１】
《実施形態１−１ｃ》
図５は本発明に係るインク層転写方法の実施形態１−１ｃを説明する工程図である。なお、図５において、図１中の要素と同様の要素には、同一の符号を付している。
実施形態１−１ｃの特有の点は、図５（Ａ）に示すように、撥インク基板１１２の表面に所定パターン形状の開口部を有する親インク層１１１が積層され、親インク層１１１の表面が親インク領域１１１ａとされ、親インク層１１１の開口部で露出する撥インク基板１１２の表面が撥インク領域１１２ａとされた被塗布基体１Ａ３が作製されたことである。実施形態１−１ｃにおいて、その他は実施形態１−１ａと同様である。
【００５２】
この被塗布基体１Ａ３は、例えば、撥インク基板１１２の表面上に、親インク層１１１の材料となるフッ素系感光性樹脂を塗布して塗布膜を形成し、その塗布膜を露光および現像することで、所定パターンの開口部を有する親インク層１１１を形成することができる。なお、親インク層１１１の厚みは、実施形態１−１ａの撥インク層１２と同程度とすることができる。
実施形態１−１ｃも実施形態１−１ａと同様に、図５（Ｂ）に示すように、この被塗布基体１Ａ３の表面にインク層Ｉを形成し、図５（Ｃ）および（Ｄ）に示すように、被塗布基体１Ａ３上のインク層Ｉに被転写基体１Ｂを接触させ離間させることにより、撥インク領域１１２ａに位置するインク層Ｉａのみが被転写基体１Ｂに転写される。
その後、図２で説明したように、被転写基体１Ｂのインク層Ｉａを被転写媒体Ｐに二次転写することができる。
【００５３】
（実施形態１−２）
実施形態１−１では、撥インク層をパターニングした被塗布基体を用いたが、親インク層をパターニングした被塗布基体を用いてもよい。
【００５４】
（実施形態２−１）
本発明に係るインク層転写方法の実施形態２−１は、後述する実施形態２−１ａ、２−１ｂ、２−１ｃを含み、これらの実施形態は、撥インク領域と親インク領域からなるインク被塗布領域を表面に有するインクの被転写基体を用いる前記第２のインク層転写方法である点、および撥インク領域が所定パターン形状を有している点が共通している。
【００５５】
《実施形態２−１ａ》
図６は本発明に係るインク層転写方法の実施形態２−１ａを説明する工程図である。なお、図６において、図１中の要素と同様の要素には、同一の符号を付している。
本発明に係るインク層転写方法の実施形態２−１ａは、図６（Ｂ）に示すように、実施形態１−１ａにおける被塗布基体１Ａ１（図１（Ａ）参照）を被転写基体２Ｂ１として用い、実施形態１−１ａにおける被転写基体１Ｂ（図１（Ｃ）参照）を被塗布基体２Ａとして用いている。
【００５６】
実施形態２−１ａでは、インクに対して撥液性を有する材料にて形成された撥インク領域１２ａと、インクに対して親液性を有する材料にて形成された親インク領域１１ａとを表面に有する被転写基体２Ｂ１を用い、被塗布基体２Ａの表面のインク被塗布領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒（第１溶媒）を含浸する工程（Ａ）と、図７（Ａ）に示すように、被塗布基体２Ａのインク被塗布領域にインクを塗布してインク層Ｉを形成する工程（Ｂ）と、図７（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、形成されたインク層Ｉを被転写基体２Ｂ１に接触させ離間させる工程（Ｃ）を行う。なお、転写前に、被転写基体２Ｂ１に第２溶媒を含浸してもよい。
【００５７】
これにより、工程（Ｃ）において、被転写基体２Ｂ１の親インク領域１１ａのみにインク層Ｉａが転写され、被塗布基体２Ａの表面には所定パターン形状を有するインク層Ｉが残存する。
その後は、図示省略するが、被塗布基体２Ａ上のインク層Ｉに被転写媒体を接触させ離間させることにより、被転写媒体に所定パターン形状を有するインク層Ｉを二次転写することができる。
【００５８】
《実施形態２−１ｂ》
実施形態２−１ｂの特有の点は、図７における被転写基体２Ａの撥インク層１２が、図４（Ａ）で説明した実施形態１−１ｂのように親インク基板１１の表面形成された凹溝内に埋め込まれることにより、フラットなインク被塗布領域を表面に有する被塗布基体が作製されたことである（図示省略）。
実施形態２−１ｂにおいて、その他は実施形態２−１ａと同様であるため、図７説明したように、転写工程で被塗布基体上に所定パターン形状を有するインク層が残存し、被塗布基体から被転写媒体へ所定形状を有するインク層を二次転写することができる。
【００５９】
《実施形態２−１ｃ》
実施形態２−１ｃの特有の点は、図７における被転写基体２Ａが、図５（Ａ）に示すように、撥インク基板１１２の表面に所定パターン形状の開口部を有する親インク層１１１が積層され、親インク層１１１の表面が親インク領域１１１ａとされ、親インク層１１１の開口部で露出する撥インク基板１１２の表面が撥インク領域１１２ａとされた点である。
実施形態２−１ｃにおいて、その他は実施形態２−１ａと同様であるため、図７説明したように、転写工程で被塗布基体上に所定パターン形状を有するインク層が残存し、被塗布基体から被転写媒体へ所定形状を有するインク層を二次転写することができる。
【００６０】
（実施形態２−２）
実施形態２−１では、撥インク層をパターニングした被転写基体を用いたが、親インク層をパターニングした被転写基体を用いてもよい。
【００６１】
（実施形態３−１）
本発明に係るインク層転写方法の実施形態３−１は、後述する実施形態３−１ａおよび３−１ｂを含み、凸部と凹部を表面に有する被転写基体を用いる前記第３のインク層転写方法である点が共通している。
【００６２】
《実施形態３−１ａ》
図７は本発明に係るインク層転写方法の実施形態３−１ａを説明する工程図である。なお、図７において、図６中の要素と同様の要素には、同一の符号を付している。
実施形態３−１ａの場合、図７（Ｂ）に示すように、被転写基体３Ｂ１は平板の一面（下面）に、所定パターン形状を有する凸部１３と、凸部１３の周囲の凹部１４とを有している。
この被転写基体３Ｂ１の少なくとも凸部１３は、凸部１３と被塗布基体２Ａの表面におけるインク層Ｉの密着性が、凸部１３＞被塗布基体２Ａの表面の関係となるような材料にて構成されることが好ましい。
【００６３】
実施形態３−１ａでは、凸部１３と凹部１４とを表面に有する被転写基体３Ｂ１を用い、被塗布基体２Ａの表面のインク被塗布領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒（第１溶媒）を含浸する工程（Ａ）と、図７（Ａ）に示すように、被塗布基体２Ａのインク被塗布領域にインクを塗布してインク層Ｉを形成する工程（Ｂ）と、図７（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、形成されたインク層Ｉを被転写基体３Ｂ１に接触させ離間させる工程（Ｃ）を行う。なお、転写前に、被転写基体３Ｂ１に第２溶媒を含浸してもよい。
【００６４】
実施形態３−１ａでは、工程（Ｃ）において、被転写基体３Ｂ１の凸部１３のみに所定パターン形状を有するインク層Ｉａが転写される。
その後、図２（Ａ）および（Ｂ）で説明したように、被転写基体３Ｂ１の凸部１３のインク層Ｉａに被転写媒体を接触させ離間させることにより、被転写媒体に所定パターン形状を有するインク層Ｉａを二次転写することができる。
【００６５】
《実施形態３−１ｂ》
実施形態３−１ａでは、所定パターンで形成された凸部を有する被転写基体を用いたが、所定パターンで形成された凹部を有する被転写基体を用いてもよい。この場合、実施形態３−１ａの工程（Ｃ）に続き、被塗布基体２Ａに残存するインク層Ｉに被転写媒体を接触させ離間させることにより、被転写媒体に所定パターン形状を有するインク層Ｉを二次転写することができる。
【００６６】
（他の実施形態）
図３で説明したインク層転写装置における転写部は、被塗布基体および被転写基体がいずれも平板形の組み合わせの場合であるが、平板形とローラ形の組み合わせの場合はローラが平板上で回転できる移動機構を採用し、ローラ形とローラ形の組み合わせの場合は双方のローラが近接した状態で逆方向に回転できる移動機構を採用すればよい。
【実施例】
【００６７】
（準備例）
実施例および比較例で用いる表１に示した被塗布基体を準備した。
各被塗布基体は、図１で説明した構造のものであって、ライン／スペースが４０μｍ（撥インク領域の幅４０μｍ、隣接する２つの撥インク領域の間の間隔４０μｍ）、撥インク領域の厚さが２μｍである。
【００６８】
【表１】
2010208286.tif 000003
【００６９】
Ｎｏ．１〜３の被塗布基体は、洗浄したガラス基板上に感光性フッ素系樹脂をスピンコートし、露光および現像処理して撥インク領域を形成した。このとき、フッ素量が異なる感光性フッ素系樹脂を用いることで、撥インク層の撥液性が異なるＮｏ．１〜３の被塗布基体を作製した。
また、Ｎｏ．４と５の被塗布基体は、市販の水無し平版を使用した。
【００７０】
（実施例１）
実施例１では、次のインク、被塗布基体、被転写基体および被転写媒体を使用した。
インク成分：絶縁膜材料（10重量％）、界面活性剤（0.1重量％）、PGMEA（89.9重量％）
インク物性：粘度５mPa・s、表面張力１９mN/m
被塗布基体：Ｎｏ．３
被転写基体：シリコーンゴム板
被転写媒体：ガラス基板
【００７１】
まず、被塗布基体を第１溶媒としてのPGMEA中に15分間浸漬することにより撥インク領域にPGMEAを含浸し、その後、PGMEA中から取り出した被塗布基体の表面を窒素ガスを吹付けることにより、表面に残存するPGMEAを除去した。
PGMEAを含浸した被塗布基体のインク被塗布領域に、バーコーターを用いてインクを塗布したところ、インクはじきのない全面均一な塗布膜を形成できた。この塗布膜に１分間エアーを吹付けて乾燥させることで、被塗布基体のインク被塗布領域全面にインク層を形成した。
【００７２】
次に、被転写基体を被塗布基体上のインク層に接触させ離間させることで、被塗布基体の撥インク領域上のインク層のみを被転写基体に一次転写した。
続いて、被転写基体上のインク層に被転写媒体を接触させ離間させることで、被転写基体から被転写媒体へインク層を二次転写した。
最後に、被転写媒体上のインク層を250℃で１時間焼成することで、被転写媒体上に絶縁膜パターンを形成した。形成した絶縁膜パターンの膜厚は１μｍであった。
形成した絶縁膜パターンを顕微鏡観察したところ、ライン／スペースが４０μｍで、かつ膜ムラの小さい良好なパターンを形成できていることが確認できた。
【００７３】
（実施例２〜５）
実施例１と異なる被転写基体を用いること以外は、実施例１と同様の方法で、被転写媒体（ガラス基板）上に絶縁膜パターンを形成した。
このときの被塗布基体上へのインクの塗布性、被塗布基体から被転写基体への転写性、被転写基体から被転写媒体への転写性を、実施例１の結果と合わせて表２に示した。
表２において、塗布性は、塗布面の面積に対してインクはじきが５０％以上である場合を×、インクはじきが１０％〜５０％未満である場合を△、インクはじきが１０％未満である場合を○と表記した。
また、表２において、転写性１および転写性２は、転写されるべき位置に配されるインク層の面積率が５０％未満の場合を×、５０％〜９０％未満の場合を△、９０％〜１００％未満の場合を○、１００％の場合を◎と表記した。
表２に示したとおり、実施例２〜５のいずれにおいても、被転写媒体上に良好な絶縁膜パターンを形成できた。
【００７４】
（実施例６および７）
実施例１と異なる被塗布基体を用いることと、および一次転写の前に被転写基体をPGMEAに15分間浸漬することにより被転写基体にPGMEAを含浸し、PGMEA中から取り出した被転写基体の表面に残存するPGMEAに窒素ガスを吹付けて除去したこと以外は、実施例１と同様の方法で被転写媒体上に絶縁膜パターンを形成した。
このときの被塗布基体上へのインクの塗布性、被塗布基体から被転写基体への転写性、被転写基体から被転写媒体への転写性を表２に示した。
表２に示したとおり、実施例６および７のいずれも、特に二次転写での転写性が良好であり、被転写媒体上により良好な絶縁膜パターンを形成できた。
【００７５】
【表２】
2010208286.tif 000004
【００７６】
（比較例１〜５）
実施例１と異なる被塗布基体を用いること、および被塗布基体にPGMEAを含浸する工程を行わないこと以外は、実施例１と同様の方法で被転写媒体上に絶縁膜パターンの形成を試みた。このときの被塗布基体上へのインクの塗布性、被塗布基体から被転写基体への転写性、被転写基体から被転写媒体への転写性を表３に示した。なお、表３における記号表記の意味は表２の場合と同じである。
【００７７】
【表３】
2010208286.tif 000005
【００７８】
比較例１および比較例４では、インクの塗布性は確保できたが、被塗布基体から被転写基体へのインク層の転写ができなかった。
比較例２では、塗布面のエッジ部でハジキが見られ、インク層は中央部のみ、部分的に被塗布基体から被転写基体へ一次転写する結果となった。
比較例３および比較例５では、撥インク領域での塗布性が確保できず、インク被塗布領域全面に均一なインク層を形成できなかった。したがって、インクはじきが見られる被塗布基体から被転写基体へ一次転写を実施すると、インク層が部分的に被転写基体に転写する結果となった。
【００７９】
以上の比較例の結果から、撥インク領域にインクとの間の界面張力を低減させる溶媒（PGMEA）を被塗布基体に含浸しない場合、塗布性および転写性を確保できないことがわかった。
一方、実施例３と比較例３との比較、および実施例５と比較例５との比較により、被塗布基体に溶媒を含浸することで、インクの塗布性が大幅に向上することがわかった。
さらに、実施例２と比較例１との比較により、被塗布基体に溶媒を含浸することで、被塗布基体から被転写基体へのインク層の転写性が向上することがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明のインク層転写方法は、固体表面張力γsを大きくすること、および液体表面張力γLを小さくすることが困難な条件でのインク層転写に適しており、特に、プリント基盤の製造に好適である。
【符号の説明】
【００８１】
１Ａ１、１Ａ２、１Ａ３、２Ａ、  被塗布基体
１Ｂ、２Ｂ１、３Ｂ１  被転写基体
１１  親インク基板
１１ａ、１１１ａ  親インク領域
１２、１１２ａ  撥インク層
１２ａ  撥インク領域
１３  凸部
１４  凹部
１１０  溶媒含浸部
１２０  液滴除去部
１３０  塗布部
１４１  ステージ
１４２  ベルト搬送機構
１４３  第１移動機構
１４４  第２移動機構
１４５  第３移動機構
Ｉ、Ｉａ  インク層
Ｍ  インク層転写装置
Ｐ  被転写媒体
Ｓ  第１溶媒
【図１】
2010208286.tif 000006
【図２】
2010208286.tif 000007
【図３】
2010208286.tif 000008
【図４】
2010208286.tif 000009
【図５】
2010208286.tif 000010
【図６】
2010208286.tif 000011
【図７】
2010208286.tif 000012
【図８】
2010208286.tif 000013