(57)【要約】【課題】例えば、相互に異なる層に形成され複数の導電膜の夫々を相互に電気的に確実に接続する。【解決手段】コンタクトホール（３３ａ）及び（３３ｂ）は、画素電極（９）に各々が電気的に接続されており、画素電極（９）から中継層（７）に向かって延びている。これらコンタクトホールの先端部（３３ａａ）及び（３３ｂｂ）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）の基板面を基準にしてＴＦＴアレイ基板（１０）の厚み方向に沿って相互に異なる高さに位置しており、先端部（３３ａａ）のみが中継層（７）に電気的に接続されている。したがって、コンタクトホール（３３ａ）及び（３３ｂ）のうちいずれか一つのコンタクトホールを介して中継層（７）及び画素電極（９）を相互に電気的に接続可能である。【選択図】図７
2010160306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域のうち光を透過させない領域である非開口領域に形成された第１導電膜と、
前記基板上において、前記第１導電膜の上層側に形成された第２導電膜と、
前記第２導電膜に各々が電気的に接続されており、前記第２導電膜から前記第１導電膜に向かって延びる複数の導電部とを備え、
前記複数の導電部の夫々の先端部は、前記複数の導電部の少なくとも一の導電部が前記第１導電膜に電気的に接続されるように、前記基板の基板面を基準にして前記基板の厚み方向に沿って相互に異なる高さに位置していること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記表示領域を構成する複数の画素部の夫々に設けられた画素スイッチング用トランジスタ素子を備え、
前記第２導電膜は、前記表示領域のうち光を透過可能な開口領域に形成され、且つ前記画素部毎に設けられた透明な画素電極であり、
前記第１導電膜は、前記画素スイッチング用トランジスタ素子の出力端子及び前記画素電極を相互に電気的に中継する中継層であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極の下層側において、前記非開口領域から前記開口領域に渡って延びる透明な容量電極と、
前記容量電極及び前記画素電極間に延びる透明な誘電体膜とを備え、
前記画素電極、前記容量電極、及び、前記誘電体膜は、前記画素電極に供給された画像信号に応じて前記画素電極に設定された電位を保持する蓄積容量を構成していること
を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、基板上に、スイッチング素子として薄膜トランジスタが画素毎に配置された液晶装置等の電気光学装置、及び、そのような電気光学装置を備えたプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備えることにより、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。ここで、アクティブマトリクス駆動では、走査線に走査信号を供給することで前記ＴＦＴの動作を制御すると共に、ＴＦＴがＯＮ（オン）駆動されるタイミングでデータ線に画像信号を供給することによって、画像表示が実現される。このような電気光学装置では、基板上で互いに異なる層に形成された複数の配線部等を相互に接続するようにコンタクトホール等の接続部が設けられている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２８３７９０号公報
【特許文献２】特開２００５−８４２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、相互に異なる層に各々形成された配線部等を相互に電気的に接続するコンタクトホールを形成する場合、一の層からその下層側に向かって穴部を掘り込む際の穴部の深さを規定する堀り込み精度が十分でないと、下層に設けられた配線等を穴部が突き抜けてしまったり、逆に、接続先である配線部まで穴部が到達しなかったりし、相互に異なる層を電気的に接続することができなくなる問題点が生じる。
【０００５】
加えて、配線部等の膜厚が薄くなるほど、より高い堀り込み精度、言い換えれば、エッチング処理におけるよりエッチング精度が要求されるため、基板上に形成される回路構成の複雑化に伴い、相互に積層される配線部等の導電膜、及び絶縁膜の夫々の膜厚が薄膜化するほど相互に異なる層に形成された配線部等を接続することが技術的に困難になる。加えて、穴部を掘り込むエッチング処理装置には堀り込み精度にばらつきがあるため、接続先である配線部等の導電膜まで正確に穴部を掘り込むことがより一層困難になる。
【０００６】
また、コンタクトホールの接続先である導電膜上に異物が付着している場合には、接続先である導電膜まで穴部を正確に掘り込むことが困難になる。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、相互の異なる層に形成され複数の配線部等の導電膜の夫々を相互に電気的に接続可能な電気光学装置、及び、そのような電気光学装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の表示領域のうち光を透過させない領域である非開口領域に形成された第１導電膜と、前記基板上において、前記第１導電膜の上層側に形成された第２導電膜と、前記第２導電膜に各々が電気的に接続されており、前記第２導電膜から前記第１導電膜に向かって延びる複数の導電部とを備え、前記複数の導電部の夫々の先端部は、前記複数の導電部の少なくとも一の導電部が前記第１導電膜に電気的に接続されるように、前記基板の基板面を基準にして前記基板の厚み方向に沿って相互に異なる高さに位置している。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、前記複数の導電部は、例えば、第２導電膜から第２導電膜に向かって延びる複数のコンタクトホールである。本発明に係る電気光学装置によれば、複数のコンタクトホールがその典型例である複数の導電部の夫々の先端部は、前記複数の導電部の少なくとも一の導電部が前記第１導電膜に電気的に接続されるように、前記基板の基板面を基準にして前記基板の厚み方向に沿って相互に異なる高さに位置している。
【００１０】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、複数の導電部の夫々を形成するために設けられた複数の穴部の堀り込み精度が十分でない場合でも、これら複数の穴部の深さを相互に違えておくことによって、複数の導電部のうち少なくとも一の導電部を介して第１導電膜及び第２導電膜が相互に電気的に接続可能である。加えて、導電部及び第１導電膜の電気的な接続を阻害する付着物が第１導電膜の表面に付着していた場合であっても、複数の導電部の夫々の先端部の位置が相互に異なっているため、一の導電部を第１導電膜に確実に接続することが可能である。
【００１１】
よって、本発明に係る電気光学装置によれば、導電部を形成するための穴部を掘り込む堀り込み精度、言い換えれば、穴部の深さを制御する精度が十分でない場合、或いは、ばらつきがある場合であっても、確実に第１導電膜及び第２導電膜を相互に電気的に接続することが可能である。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記表示領域を構成する複数の画素部の夫々に設けられた画素スイッチング用トランジスタ素子を備え、前記第２導電膜は、前記表示領域のうち光を透過可能な開口領域に形成され、且つ前記画素部毎に設けられた透明な画素電極であり、前記第１導電膜は、前記画素スイッチング用トランジスタ素子の出力端子及び前記画素電極を相互に電気的に中継する中継層であってもよい。
【００１３】
この態様によれば、画素スイッチング用トランジスタ素子及び画素電極を確実に電気的に接続することができ、当該電気光学装置の動作時において、画素スイッチング用トランジスタ素子、及び一の導電部を介して画像信号を画素電極に供給可能である。
【００１４】
この態様では、前記画素電極の下層側において、前記非開口領域から前記開口領域に渡って延びる透明な容量電極と、前記容量電極及び前記画素電極間に延びる透明な誘電体膜とを備え、前記画素電極、前記容量電極、及び、前記誘電体膜は、前記画素電極に供給された画像信号に応じて前記画素電極に設定された電位を保持する蓄積容量を構成していてもよい。
【００１５】
この態様によれば、画素電極及び容量電極が相互に重なる領域で蓄積容量を構成可能であるため、当該電気光学装置が画像を表示する表示性能を低下させないように非開口領域にのみ蓄積容量を形成する場合に比べて、蓄積容量の容量値を大きくすることができ、当該電気光学装置が画像を表示する表示性能を高めることが可能である。
【００１６】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００１７】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００１８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。本実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採用した液晶装置を挙げる。
【００２０】
＜１：液晶装置＞
＜１−１：液晶装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。
【００２１】
図１は、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を示した平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【００２２】
図１及び図２において、液晶装置１は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、本発明の「基板」の一例である。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０は、例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。画像表示領域１０ａは、本発明の「表示領域」の一例である。
【００２３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００２４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。
【００２６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。
【００２７】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。
【００２８】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２９】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。
【００３０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、本発明の「第２導電膜」の一例である画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。
【００３１】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００３２】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００３３】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００３４】
＜１−２：液晶装置の電気的な構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の画像表示領域１０ａにおける電気的な構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００３５】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極９、及び、本発明の「画素スイッチング用トランジスタ素子」の一例であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、液晶装置１の動作時において、画素電極９に対する画像信号の供給及び非供給を相互に切り替えるように、画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３６】
ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。
【００３７】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００３８】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照。）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００３９】
＜１−３：液晶装置の具体的な構成＞
次に、図４乃至図７を参照しながら、液晶装置１の画素の具体的な構成を説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を図式的に示した平面図である。図５及び図６は、画像表示領域１０ａの一部の構成を詳細に示した平面図である。図５及び図６の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０上において互いに異なる層を実線で示しており、図４より若干広い領域における平面構造を示している。図７は、図４乃至図６の夫々におけるＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。尚、図４乃至図７では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４０】
図４乃至図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１及びデータ線６との夫々が、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って延びている。データ線６及び走査線１１の交差付近において、走査線１１に重なるようにＴＦＴ３０（即ち、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂ）が形成されている。走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されており、ＴＦＴ３０の半導体層３０aを含むように半導体層ａより幅広に形成されている。ここで、後述するように、走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、このように走査線１１をＴＦＴ３０の半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置１の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流が低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００４１】
走査線１１は、遮光性を有しているため、データ線６と共に、画像表示領域１０ａにおける非開口領域を規定している。尚、走査線１１及びデータ線６の夫々は、走査線１１及びデータ線６の夫々の縁が非開口領域を規定していない場合でもよい。言い換えれば、走査線１１及びデータ線６の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された他の遮光性の膜によって規定された非開口領域に形成されていればよい。
【００４２】
ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを有して構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３含んで形成されている。ここで、チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００４３】
ゲート電極３０ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａのチャネル領域と重なる領域にゲート絶縁膜を介して形成されている。図４では図示を省略しているが、ゲート電極３０ｂは、下層側に配置された走査線１１にコンタクトホール３４を介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御している。
【００４４】
データ線６は、ＴＦＴ３０上においてＴＦＴ３０に重なっているため、ＴＦＴ３０をその上側から遮光可能である。データ線６は、ＴＦＴ３０の入力端子として機能するコンタクトホール３１を介してＴＦＴ３０のソース領域３０ａ１（図７参照。）に電気的に接続されている。
【００４５】
ドレイン領域３０ａ３は、本発明の「出力端子」の一例であるコンタクトホール３２、中継層７、及び、本発明の「一の導電部」の一例であるコンタクトホール３３ａを介して画素電極９に電気的に接続されている（図７参照。）。コンタクトホール３３ａは、コンタクトホール３３ｂと共に、本発明の「複数の導電部」の一例を構成している。コンタクトホール３３ａ及び３３ｂは、透明な導電性材料であるＩＴＯで構成されているので、画素表示領域１０ａにおける開口領域が狭められることがない。
【００４６】
図５において、本発明の「第１導電膜」の一例である容量電極７１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、画素電極９と共に、蓄積容量７０における一対の容量電極を構成している。容量電極７１は、画像表示領域１０ａの略全体に重なっており、光が透過可能な開口領域においてデータ線６の上層側に延びている。
【００４７】
データ線６及び走査線１１は夫々、Ｙ方向及びＸ方向に延在している。各画素は、データ線６及び走査線１１によって区分けされている。容量電極７１は、画素電極９（図５において図示省略）より下層側に形成されており、画素毎に開口部５ａを有している。開口部５ａの内側には、画素電極９及びドレイン領域３０ａ３（図７参照。）間を電気的に接続するコンタクトホール３３ａと、コンタクトホール３３ｂとが、図中上下方向、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の厚み方向に沿って形成されている。
【００４８】
図６において、画素電極９は、画素毎に島状に形成されている。本実施形態では、各画素はデータ線６及び走査線１１によってマトリクス状に区分けされている。そして、図４において点線のライン９ａで示したように、画素電極９は各画素において、その端部がＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときに、データ線６及び走査線１１に部分的に重なるように形成されている。蓄積容量７０は、容量電極７１及び画素電極９が相互に重なる領域に形成されている。
【００４９】
図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、絶縁膜１２、１３、１４、及び１５、並びに、誘電体膜７２が形成されている。走査線１１、ＴＦＴ３０、データ線６、容量電極７１、及び画素電極９の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０、絶縁膜１２、絶縁膜１４、絶縁膜１５、及び誘電体膜７２の夫々の上に形成されている。
【００５０】
誘電体膜７２は、光が透過可能な開口領域において、容量電極７１上に形成された透明な膜である。誘電体膜７２は、他の誘電体膜より相対的に誘電率が高いアルミナで構成されており、開口領域において、容量電極７１及び画素電極９と共に蓄積容量７０を構成している。アルミナは他の誘電材料に比べて相対的に誘電率が高いため、蓄積容量７０のサイズが一定である場合に設定可能な容量値を高めることが可能である。尚、誘電体膜７２の膜厚が薄いほうが、蓄積容量７０の容量値を高めるためにはより好ましい。
【００５１】
蓄積容量７０は、各々が透明な容量電極７１、誘電体膜７２及び画素電極９によって構成されているため、開口領域を狭めることもなく、画素のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させることもない。加えて、このような蓄積容量７０によれば、開口領域に蓄積容量７０を形成可能であるため、非開口領域にのみ蓄積容量を形成する場合に比べてその容量値を増大させることが可能である。
【００５２】
したがって、液晶装置１によれば、蓄積容量７０の容量値を大きくし、且つ開口領域のサイズを広げることが可能であるため、液晶装置１の表示性能を向上させることが可能である。
【００５３】
液晶装置１は、本発明の「中継層」の一例である中継層７を備えている。中継層７は、コンタクトホール３２及びコンタクトホール３３ａの夫々に電気的に接続されており、ＴＦＴ３０及び画素電極９を電気的に中継する中継部分の一部を構成している。
【００５４】
コンタクトホール３３ａ及び３３ｂは、画素電極９に各々が電気的に接続されており、画素電極９から中継層７に向かって延びている。これらコンタクトホールの先端部３３ａａ及び３３ｂｂは、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面を基準にしてＴＦＴアレイ基板１０の厚み方向に沿って相互に異なる高さに位置しており、先端部３３ａａのみが中継層７に電気的に接続されている。
【００５５】
したがって、液晶装置１によれば、複数のコンタクトホール３３ａ及び３３ｂの夫々を形成するために設けられた複数の穴部の堀り込み精度が十分でない場合でも、これら複数の穴部の深さを相互に違えておくことによって、コンタクトホール３３ａ及び３３ｂのうちいずれか一つのコンタクトホールを介して中継層７及び画素電極９を相互に電気的に接続可能である。加えて、画素電極９から中継層７に向かって延びるコンタクトホール及び中継層７の電気的な接続を阻害する付着物が中継層７の表面に付着していた場合であっても、複数のコンタクトホール３３ａ及び３３ｂの夫々の先端部３３ａａ及び３３ｂｂの位置が相互に異なっているため、コンタクトホール３３ａを中継層７に確実に接続することが可能である。
【００５６】
よって、液晶装置１によれば、コンタクトホール３３ａ及び３３ｂを形成するために絶縁膜１５に穴部を掘り込む堀り込み精度、言い換えれば、穴部の深さを制御する精度が十分でない場合、或いは、ばらつきがある場合であっても、確実に画素電極９及び中継層７を相互に電気的に接続できる。
【００５７】
尚、液晶装置１によれば、コンタクトホール３３ａを介してＴＦＴ３０及び画素電極９を確実に電気的に接続することができるため、液晶装置１の動作時において、ＴＦＴ３０及びコンタクトホール３３ａを介して画像信号を画素電極９に確実に供給可能である。
【００５８】
加えて、コンタクトホール３３ａによれば、画素電極９の下層側に形成された容量電極７１に電気的に短絡することなく、画素電極９にドレイン領域３０ａ３から出力される画像信号電位を供給可能である。その結果、画素電極９の下層側に容量電極７１を設けつつ、画素電極９をオン／オフ駆動することができるので、極めて効率的な配線レイアウトを有する液晶装置１を実現することができる。
【００５９】
また、コンタクトホール３３ａ及び３３ｂは、透明導電材料であるＩＴＯで構成されているため、液晶装置１に開口率を低下させることもない。したがって、蓄積容量７０の一部である一対の容量電極の一方を構成する容量電極７１のサイズを極力大きく取りつつ、コンタクトホール３３ａを介して画素電極９及びドレイン領域３０ａ３間相互における電気的な接続が可能になる。
【００６０】
また、液晶装置１によれば、画素電極９及び容量電極７１が相互に重なる領域で蓄積容量７０を構成可能であるため、液晶装置１が画像を表示する表示性能を低下させないように非開口領域にのみ蓄積容量７０を形成する場合に比べて、蓄積容量７０の容量値を大きくすることができ、液晶装置１が画像を表示する表示性能を高めることが可能である。
【００６１】
（変形例）
次に、図８を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の変形例を説明する。図８は、本実施形態に係る液晶装置の変形例の構成を示した断面図であって、図７に対応する断面で変形例に係る液晶装置を切った部分断面図である。尚、以下では、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６２】
図８において、本例に係る液晶装置では、中継層７に電気的に接続された、本発明の「中継層」の一例である中継層２７を有しており、コンタクトホール３３ａの先端部３３ａａが中継層２７に電気的に接続されていう点で上述の液晶装置１と相互に異なる。
【００６３】
中継層２７は、絶縁膜１５上に形成されており、コンタクトホール３５を介して中継層７に電気的に接続されている。中継層２７上には、絶縁膜７２ａが形成されている。各々の先端部３３ａａ及び３３ｂｂの夫々の高さが相互に異なるコンタクトホール３３ａ及び３３ｂが、絶縁膜７２ａ中に形成されている。
【００６４】
したがって、本例に係る液晶装置によれば、上述の液晶装置１と同様に、コンタクトホール３３ａ及び３３ｂを形成するために絶縁膜７２ａに穴部を掘り込む堀り込み精度、言い換えれば、穴部の深さを制御する精度が十分でない場合、或いは、ばらつきがある場合であっても、確実に画素電極９及び中継層２７を相互に電気的に接続可能である。
【００６５】
＜２：電子機器＞
次に、図９を参照しながら、上述した液晶装置を、電子機器の一例であるプロジェクタにライトバルブとして適用した例を説明する。図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００６６】
図９において、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００６７】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００６８】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００６９】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７０】
尚、図９を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７１】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置において互いに異なる層の一の層における各構成要素のレイアウトを示した平面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置において互いに異なる層の他の層における各構成要素のレイアウトを示した平面図である。
【図７】図４乃至図６の夫々のＶＩＩ−ＶＩＩ´断面図である。
【図８】変形例に係る液晶装置の部分断面図である。
【図９】本実施形態の電気光学装置を適用した電子機器の一例であるプロジェクタの構成を示した平面図である。
【符号の説明】
【００７４】
５ａ・・・開口部、６・・・データ線、７，２７・・・中継層、９・・・画素電極、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１０ａ・・・画像表示領域、１１・・・走査線、３０・・・ＴＦＴ、３０ａ・・・半導体層、３０ａ１・・・ソース領域、３０ａ２・・・チャネル領域、３０ａ３・・・ドレイン領域、３０ｂ・・・ゲート電極、５０・・・液晶、７０・・・蓄積容量、７１・・・容量電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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