(57)【要約】【課題】エキスパンド状態を保持するための部品を設ける必要を無くし、製造コストおよび工数の低減を図ったウエハ加工用テープ及びウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１とその上に形成された粘着剤層１２とからなる粘着フィルム１３と、粘着フィルム１３上に積層された接着剤層１４とを有する。粘着剤層１２は、上層粘着剤層１２ａと下層粘着剤層１２ｂとが積層された２層構造の粘着剤層である。上層粘着剤層１２ａは、放射線重合性化合物と、第１の波長λ１の光に反応する第１の光重合開始剤とを含む。下層粘着剤層１２ｂは放射線重合性化合物と、第２の波長λ２の光に反応する第２の光重合開始剤とを含む。下層粘着剤層１２ｂを硬化させることにより、特別な部品を用いずにエキスパンド状態を維持することができる。【選択図】図１
2010209243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、
前記粘着剤層は積層された多層の粘着剤層からなり、
前記多層の粘着剤層のうち、前記接着剤層と接する層を含む少なくとも２層のうち一の層は、外部から第１のエネルギーを受けて硬化される第１の粘着剤層であり、前記少なくとも２層のうち他の層は、外部から第２のエネルギーを受けて硬化される第２の粘着剤層であることを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
前記一の層は、放射線重合性化合物と、前記第１のエネルギーである第１の波長の光に反応する第１の光重合開始剤とを含み、前記他の層は、放射線重合性化合物と、前記第２のエネルギーである、前記第１の波長とは異なる第２の波長の光に反応する第２の光重合開始剤とを含むことを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
前記一の層は、放射線重合性化合物と、前記第１のエネルギーである光に反応する光重合開始剤とを含み、前記他の層は、前記第２のエネルギーである熱により重合し硬化する熱重合性化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記接着剤層に半導体ウエハを貼り付ける工程と、
前記接着剤層に貼り付けられた前記半導体ウエハを、個片化した接着剤層付き半導体チップに分断するダイシング工程と、
前記ダイシング工程後に、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすエキスパンド工程と、
前記個片化した接着剤層付き半導体チップを前記粘着剤層からピックアップするピックアップ工程と、
前記ピックアップ工程前に、前記粘着剤層の前記接着剤層と接する層を、前記第１のエネルギー及び前記第２のエネルギーの一方により硬化させて前記接着剤層と剥離可能にする工程と、
前記エキスパンド工程後に、前記粘着剤層の前記接着剤層と接する層とは別の層を、前記第１のエネルギー及び前記第２のエネルギーの他方により硬化させて前記ウエハ加工用テープのエキスパンド状態を維持する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハを半導体素子（チップ）に切断するダイシング工程と、切断されたチップをリードフレームや他のチップに接着するダイボンディング工程との両工程に使用されるウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに伸縮性且つ粘着性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位で切断（ダイシング）する工程、ウエハ加工用テープを引き伸ばす（エキスパンドする）工程、さらに切断されたチップをピックアップする工程が実施される。
【０００３】
上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材フィルムとこの上に形成された粘着剤層とからなる粘着フィルム（ダイシングテープ）の他、その粘着フィルム上に接着剤層（ダイボンディングフィルム）が積層された構造を有するダイシング・ダイボンディングフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一般に、ダイシング・ダイボンディングフィルムを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面にダイシング・ダイボンディングフィルムの接着剤層を貼り付けて半導体ウエハを固定する。これとともに、その粘着剤層をリングフレームに貼り付けてリング押さえでリングフレームを押さえることにより、ダイシング・ダイボンディングフィルムを装置に固定する。その後、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハ及び接着剤層をチップ単位にダイシングする。あるいは、半導体ウエハ内部に焦点を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する。その後、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材をダイシング・ダイボンディングフィルムの下面側から上昇させることにより、ダイシング・ダイボンディングフィルムを周方向にエキスパンドして、チップ同士の間隔を広げる。
【０００５】
ここで、切断されたチップをピックアップする前に、半導体ウエハ及びエキスパンドされたダイシング・ダイボンディングフィルムをピックアップ装置へ搬送するために、突き上げ部材をダイシング・ダイボンディングフィルムの下方へ下降させる（エキスパンド状態を解除）とともに、リング押さえによるリングフレームの押さえを解除した場合、ダイシング・ダイボンディングフィルムの収縮あるいは弛みにより、個片化されたチップの接着剤層同士がくっついてしまい、チップ同士がくっつくピックアップ不良などを発生し、半導体装置の製造歩留まりが低下する。また、ダイシング・ダイボンディングフィルムの収縮あるいは弛みにより、チップ同士が接触することによってチップが破損してしまう。
【０００６】
そこで、上記エキスパンド状態を保持するための機構が提案されている（例えば特許文献２、特許文献３参照）。
特許文献２には、上記エキスパンド状態を保持するための機構として、昇降ステージと別体のサブリングが開示されている。このサブリングをウエハの裏面に貼着したウエハ加工用テープの下方より押し込み、ウエハ加工用テープに張力を加えて引き伸ばした際に、サブリングの張り出し片の先端部がウエハ加工用テープを介してリングフレームの上面に係合してリングフレームとサブリングとが一体化することにより、ウエハ加工用テープの引き伸ばされた状態が維持される。
特許文献３には、上記エキスパンド状態を保持するための機構として、エキスパンドリング上で伸張されたウエハ加工用テープのウエハ外領域に装着され、同テープの伸張を保持するサブリングが開示されている。このサブリングは、伸張されたウエハ加工用テープのウエハ外領域を上部材と下部材とで挟んでウエハ加工用テープの伸張状態を維持する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３０３２７５号公報
【特許文献２】特開２００７−１４２１９９号公報
【特許文献３】特開２００７−１３４５２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献２に記載の従来技術では、ウエハ加工用テープの引き伸ばされた状態を維持するためのサブリングは、その張り出し片の先端部がウエハ加工用テープを介して環状部材の上面に係合した状態で、エキスパンド工程以降の工程へピックアップが終了するまで搬送される。また、上記特許文献３に記載の従来技術では、サブリングは、ウエハ加工用テープの伸張状態を維持したまま、エキスパンド工程以降の工程へピックアップが終了するまで搬送される。
このように、上記従来技術では、ウエハ加工用テープの引き伸ばされた状態を維持するためのサブリングは、エキスパンド工程の後、ピックアップが終了するまで、各工程を搬送されるため、ある程度の個数が必要になり、コストがかかる。また、サブリングは、ピックアップ工程の終了後、リングフレームとともに回収する必要があり、その回収作業が煩雑になる。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、エキスパンド状態を保持するための部品を設ける必要を無くし、製造コストおよび工数の低減を図ったウエハ加工用テープ及びウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明に係るウエハ加工用テープは、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、前記粘着剤層は積層された多層の粘着剤層からなり、前記多層の粘着剤層のうち、前記接着剤層と接する層を含む少なくとも２層のうち一の層は、外部から第１のエネルギーを受けて硬化される第１の粘着剤層であり、前記少なくとも２層のうち他の層は、外部から第２のエネルギーを受けて硬化される第２の粘着剤層であることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、接着剤層と接する層を含む少なくとも２層のうち一の層は、外部から第１のエネルギーを与えることで硬化させることができ、少なくとも２層のうち他の層は、外部から第２のエネルギーを与えることで硬化させることができる。これにより、多層の粘着剤層のうち、接着剤層と接する層を含む少なくとも２層のうち一の層と他の層とを個別に硬化させることが可能になる。このため、ウエハ加工用テープがエキスパンドされた状態で、多層の粘着剤層のうち、接着剤層と接する層を除く１層或いは複数の層のみを硬化させることにより、特別な部品を用いずにエキスパンド状態を維持することができる。
また、エキスパンド状態を維持できるので、個片化されたチップの接着剤層同士がくっつき、或いはチップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生するのを抑制することができる。これにより、半導体装置の製造歩留まりが向上する。また、エキスパンドされたウエハ加工用テープの収縮あるいは弛みを抑制できるので、チップ同士が接触することによってチップが破損するのを防止することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明に係るウエハ加工用テープは、前記一の層は、放射線重合性化合物と、前記第１のエネルギーである第１の波長の光に反応する第１の光重合開始剤とを含み、前記他の層は、放射線重合性化合物と、前記第２のエネルギーである、前記第１の波長とは異なる第２の波長の光に反応する第２の光重合開始剤とを含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明に係るウエハ加工用テープは、前記一の層は、放射線重合性化合物と、前記第１のエネルギーである光に反応する光重合開始剤とを含み、前記他の層は、前記第２のエネルギーである熱により重合し硬化する熱重合性化合物とを含むことを特徴とする。
【００１４】
請求項４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記接着剤層に半導体ウエハを貼り付ける工程と、前記接着剤層に貼り付けられた前記半導体ウエハを、個片化した接着剤層付き半導体チップに分断するダイシング工程と、前記ダイシング工程後に、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすエキスパンド工程と、前記個片化した接着剤層付き半導体チップを前記粘着剤層からピックアップするピックアップ工程と、前記ピックアップ工程前に、前記粘着剤層の前記接着剤層と接する層を、前記第１のエネルギー及び前記第２のエネルギーの一方により硬化させて前記接着剤層と剥離可能にする工程と、前記エキスパンド工程後に、前記粘着剤層の前記接着剤層と接する層とは別の層を、前記第１のエネルギー及び前記第２のエネルギーの他方により硬化させて前記ウエハ加工用テープのエキスパンド状態を維持する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、接着剤層と接する層を含む少なくとも２層のうち一の層と他の層とを個別に硬化させることができるので、ウエハ加工用テープがエキスパンドされた状態で、多層の粘着剤層のうち、接着剤層と接する層を除く１層或いは複数の層のみを硬化させることにより、特別な部品を用いずにエキスパンド状態を維持することができる。このため、上記特許文献２や特許文献３の従来技術のように、エキスパンド状態を保持するための伸張保持リング等の部品を用いる必要が無くなり、製造コストおよび工数を低減することができる。
また、エキスパンド状態を維持できるので、個片化されたチップの接着剤層同士がくっつき、或いはチップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生するのを抑制することができる。これにより、半導体装置の製造歩留まりが向上する。また、エキスパンドされたウエハ加工用テープの収縮あるいは弛みを抑制できるので、チップ同士が接触することによってチップが破損するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用テープを示す断面図である。
【図２】（Ａ）はウエハ加工用テープに半導体ウエハとリングフレームを貼り合せる工程を説明するための図、（Ｂ）はダイシング工程を説明するための図である。
【図３】（Ａ）は上層粘着剤層を硬化させる工程を説明するための図、（Ｂ）はリング押さえを解除し、次の工程へ搬送される様子を示す図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）はエキスパンド工程を説明するための図である。
【図５】（Ａ）は下層粘着剤層を硬化させてエキスパンド状態を維持する工程を説明するための図、（Ｂ）はエキスパンド解除状態を示す図、（Ｃ）はピックアップ工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を示す断面図である。このウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１とその上に形成された粘着剤層１２とからなる粘着フィルム１３と、この粘着フィルム１３上に積層された接着剤層１４とを有する。ウエハ加工用テープ１０は、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの２つの機能を有するダイシング・ダイボンディングフィルムであり、半導体ウエハを半導体素子（チップ）に切断するダイシング工程と、切断されたチップをリードフレームや他のチップに接着するダイボンディング工程との両工程に使用される。
【００１８】
本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０は、以下の構成を有する点に特徴がある。
（１）粘着剤層１２は、接着剤層１４と接する層である上層粘着剤層１２ａと、下層粘着剤層１２ｂとが積層された２層構造の粘着剤層である。
（２）２層構造の粘着剤層１２のうち、上層粘着剤層１２ａは外部から第１のエネルギーを受けて硬化される第１の粘着剤層であり、放射線重合性化合物と、第１のエネルギーである第１の波長λ１の光（放射線）に反応する第１の光重合開始剤とを含む。
（３）２層構造の粘着剤層１２のうち、下層粘着剤層１２ｂは外部から第２のエネルギーを受けて硬化される第２の粘着剤層であり、放射線重合性化合物と、第２のエネルギーである、第１の波長λ１とは異なる第２の波長λ２の光（放射線）に反応する第２の光重合開始剤とを含む。
（４）上層粘着剤層１２ａと下層粘着剤層１２ｂは、個別に硬化可能である。
なお、粘着剤層１２は３層以上の粘着剤層が積層された多層の粘着剤層で構成されていてもよい。なお、図１においては、接着剤層１４を保護するため、剥離ライナー１５がウエハ加工用テープ１０に設けられている様子が示されている。
以下、本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。
【００１９】
（接着剤層）
接着剤層１４は、半導体ウエハＷ（図２（Ａ）参照）が貼り付けられてダイシングされた後、半導体チップＣ（図２（Ｂ）参照）をピックアップする際に、粘着フィルム１３から剥離して半導体チップＣに付着し、半導体チップＣを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層１４は、ピックアップ工程において、個片化された半導体チップＣに付着したままの状態で、粘着フィルム１３から剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディング工程において、半導体チップＣを基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。
【００２０】
接着剤層１４は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。
【００２１】
接着剤層１４の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ましい。また、接着剤層１４は、粘着フィルム１３の上層粘着剤層１２ａの全面に積層してもよいが、本実施形態では、予め貼り付けられる半導体ウエハＷに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着剤層１４を上層粘着剤層１２ａの一部に積層している。半導体ウエハＷに応じた形状に切断された接着剤層１４を積層した場合、図２（Ａ）に示すように、半導体ウエハＷが貼り付けられる部分には接着剤層１４があり、ダイシング用のリングフレーム２０が貼り付けられる部分には接着剤層１４がなく粘着フィルム１３の粘着剤層１２のみが存在する。一般に、接着剤層１４は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤層１４を使用することで、リングフレーム２０は粘着フィルム１３に貼り付けることができ、使用後のフィルム剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
【００２２】
（粘着フィルム）
粘着フィルム１３は、半導体ウエハＷをダイシングする際には半導体ウエハＷが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップＣをピックアップする際には容易に接着剤層１４から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。
【００２３】
粘着フィルム１３の基材フィルム１１としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述するように、本実施形態においては、上層粘着剤層１２ａ及び下層粘着剤層１２ｂとして、エネルギー硬化性の材料のうち放射線硬化性の放射線重合性化合物を使用することから、放射線透過性を有するものを使用する。
【００２４】
例えば、基材フィルム１１の材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテン共重合体もしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１１はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルム１１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。
【００２５】
本実施形態においては、図１に示す２層構造の粘着剤層１２のうち、上層粘着剤層１２ａは、放射線重合性化合物と、第１の波長λ１の光に反応する第１の光重合開始剤とを含む。紫外線などの放射線（第１の波長λ１の光）を上層粘着剤層１２ａに照射することにより、上層粘着剤層１２ａを硬化させ、上層粘着剤層１２ａを接着剤層１４から剥離しやすくしている。
また、２層構造の粘着剤層１２のうち、下層粘着剤層１２ｂは、放射線重合性化合物と、第１の波長λ１とは異なる第２の波長λ２の光に反応する第２の光重合開始剤とを含む。紫外線などの放射線（第２の波長λ２の光）を下層粘着剤層１２ｂに照射することにより、下層粘着剤層１２ｂを硬化させてウエハ加工用テープ１０のエキスパンド状態（引き伸ばされた状態）を維持できるようにしている。
【００２６】
上層粘着剤層１２ａ及び下層粘着剤層１２ｂの樹脂には、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。上層粘着剤層１２ａ及び下層粘着剤層１２ｂの厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、それぞれ５〜３０μｍが好ましい。
【００２７】
その放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物や、光重合性炭素−炭素二重結合基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、放射線重合性化合物として、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エステル類の共重合体等が適用可能である。
【００２８】
また、放射線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、各粘着剤層１２ａ，１２ｂには、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。
【００２９】
なお、上層粘着剤層１２ａの樹脂には、放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、第１の波長λ１の光に反応する第１の光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して上層粘着剤層１２ａが調製される。一方、下層粘着剤層１２ｂの樹脂には、放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、第２の波長λ２の光に反応する第２の重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して下層粘着剤層１２ｂが調製される。
【００３０】
光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体１００質量部に対して０．０１〜５質量部が好ましい。
【００３１】
ここで、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２メチルプロパン−１−オン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等のアセトフェノン系光重合開始剤は紫外線領域の有効励起波長２２０〜２６０ｎｍを、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン等のベンゾフェノン系光重合開始剤は紫外線領域の有効励起波長２１０〜２６０ｎｍを、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン，２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン等のチオキサントン系光重合開始剤は紫外線領域の有効励起波長２５９〜２６０ｎｍを、ベンゾインエーテル系光重合開始剤のベンゾインイソプロピルエーテルは紫外線領域の有効励起波長３６０ｎｍを有する。従って、これらの光重合開始剤を適宜組合せることにより、反応する波長が異なる第１の光重合開始剤及び第２の光重合開始剤を上層粘着剤層１２ａ及び下層粘着剤層１２ｂにそれぞれ含ませることができる。なお、上層粘着剤層１２ａ及び下層粘着剤層１２ｂとで、反応する波長が異なっていれば、それぞれに複数種類の光重合開始剤を含ませてもよい。
【００３２】
（半導体装置の製造方法）
図１に示す第１実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を用いて半導体装置を製造する方法を、図２乃至図５を用いて説明する。
（貼り付け工程）
まず、接着剤層１４に半導体ウエハＷを貼り付ける工程と、粘着剤層１２にリングフレーム２０を固定する工程とを実施する。
この工程では、図２（Ａ）に示すように、粘着フィルム１３の上層粘着剤層１２ａをリングフレーム２０に貼り付け、半導体ウエハＷを接着剤層１４に貼り付ける。これらの貼り付け順序に制限はなく、半導体ウエハＷを接着剤層１４に貼り付けた後に粘着フィルム１３の上層粘着剤層１２ａをリングフレーム２０に貼り付けてもよい。また、粘着フィルム１３のリングフレーム２０への貼り付けと、半導体ウエハＷの接着剤層１４への貼り付けとを、同時に行っても良い。
【００３３】
（ダイシング工程）
次に、接着剤層１４に貼り付けられた半導体ウエハＷを、個片化した接着剤層付き半導体チップＣに分断するダイシング工程を実施する。
この工程では、図２（Ｂ）に示すように、ウエハ加工用テープ１０をダイシング装置のステージ２１上に載置し、リングフレーム２０をリング押さえ２２で押さえる。これにより、リングフレーム２０を介してウエハ加工用テープ１０をダイシング装置のステージ２１に固定する。この状態で、レーザー光を用いたステルスダイシングを実施する。この場合、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウエハＷ内部に焦点を合わせてレーザー光２３を照射することにより、半導体ウエハＷの内部に多光子吸収による改質領域２４を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する。
【００３４】
（上層粘着剤層を硬化させる工程）
次に、ピックアップ工程前に、粘着剤層１２の接着剤層１４と接する層を、第１のエネルギーまたは第２のエネルギーの一方のエネルギーにより硬化させて接着剤層１４と剥離可能にする工程を実施する。
この工程では、図３（Ａ）に示すように、粘着剤層１２の接着剤層１４と接する上層粘着剤層１２ａを、基材フィルム１１の裏面側から第１の波長λ１の紫外線を照射することにより硬化させて接着剤層１４と剥離可能にする。硬化した上層粘着剤層１２ａは粘着力が低下するため、接着剤層１４を上層粘着剤層１２ａから剥離させることが可能となる。
【００３５】
次に、図３（Ｂ）に示すように、リング押さえ２２を図３（Ａ）の位置から上方へ移動させて解除して、ウエハ加工用テープ１０をダイシング装置のステージ２１から取り外し、次の工程のエキスパンド装置へ搬送する。
【００３６】
（エキスパンド工程）
次に、ウエハ加工用テープ１０をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。
この工程では、図４（Ａ）に示すように、分割された複数の半導体チップＣを保持するウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置のステージ２１上に載置し、リングフレーム２０をリング押さえ２２ａで押さえる。これにより、リングフレーム２０を介してウエハ加工用テープ１０をエキスパンド装置のステージ２５に固定する。この状態で、例えば、ウエハ加工用テープ１０を５℃〜−１５℃程度の温度下で周方向にエキスパンドしてチップ同士の間隔を広げるクールエキスパンドを実施する。具体的には、図４（Ｂ）に示すように、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材２６を基材フィルム１１の下面側から上昇させ、粘着フィルム１３をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばす。
【００３７】
（エキスパンド状態を維持する工程）
エキスパンド工程後に、粘着剤層１２の接着剤層１４と接する層とは別の層を、粘着剤層１２の接着剤層１４と接する層を硬化させたエネルギーとは別の第１のエネルギーまたは前記第２のエネルギーにより硬化させてウエハ加工用テープ１０のエキスパンド状態（引き伸ばされた状態）を維持する工程を実施する。
この工程では、図５（Ａ）に示すように、粘着剤層１２の下層接着剤層１２ｂを、基材フィルム１１の裏面側から第２の波長λ２の紫外線を照射することにより硬化させる。下層接着剤層１２ｂが硬化することにより、ウエハ加工用テープ１０のエキスパンド状態（引き伸ばされた状態）が維持される。
【００３８】
次に、リング押さえ２２ａを図５（Ａ）の位置から上方へ移動させて解除して、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンド装置のステージ２５から取り外し、次の工程のピックアップ装置へ搬送する。このとき、下層接着剤層１２ｂが硬化してウエハ加工用テープ１０のエキスパンド状態が維持されているので、上記従来技術のようなエキスパンド状態を維持するための特別な部材（サブリング）を用いずにウエハ加工用テープ１０のエキスパンド状態を維持することができる。
【００３９】
（ピックアップ工程）
次に、個片化した接着剤層付き半導体チップＣを粘着剤層１４からピックアップするピックアップ工程を実施する。
この工程では、図５（Ｂ）に示すように、エキスパンド状態が維持されたウエハ加工用テープ１０をピックアップ装置のステージ２７上に載置し、リングフレーム２０をリング押さえ２２ｂで押さえる。これにより、リングフレーム２０を介してウエハ加工用テープ１０をステージ２７に固定する。この状態で、図５（Ｂ）に示すように、粘着フィルム１３の下側から半導体チップＣをピン（図示省略）によって突き上げるとともに、吸着冶具２８で半導体チップＣを吸着することで、個片化された接着剤層付き半導体チップＣを接着剤層１４とともにピックアップする。
【００４０】
（ダイボンディング工程）
次に、ダイボンディング工程を実施する。
この工程では、ピックアップ工程で半導体チップＣとともにピックアップされた接着剤層１４により、半導体チップＣをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を完成させる。
【００４１】
（実施例）
次に、上記第１実施形態に係るウエハ加工用テープ１０の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４２】
（基材フィルム）
基材フィルム１１として、エラストマー添加ポリプロピレンを使用した。ポリプロピレン（ＰＰ）の配合量は８０％で、エラストマーの配合量は２０％である。
【００４３】
（粘着剤層組成物の調製）
【００４４】
＜組成１の粘着剤層組成物＞
溶媒のトルエン４００ｇ中に、n−ブチルアクリレート２４０ｇ、メチルメタアクリレート１３３ｇ、メタクリル酸６ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整して加え、反応温度および反応時間を調整し、官能基を持つ化合物（１）の溶液を得た。次にこの化合物（１）溶液に、放射性硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として２−ヒドロキシエチルメタアクリレート２．５ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノンを、適宜、滴下量を調整して加え、反応温度および反応時間を調整して放射性硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（２）（放射性重合性化合物）の溶液を得た。
【００４５】
次にトルエン４００ｇ中に、イソオクチルアクリレート６４３ｇ、メチルメタアクリレート３３ｇ、メタクリル酸０．５ｇ、ベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整して加え、反応温度および反応時間を調整し、官能基を持つ化合物（３）の溶液を得た。次にこの化合物（３）の溶液に、３−ヒドロキシエチルメタアクリレート２．５ｇ、ハイドロキノンを適宜滴下量調整して加え、反応温度および反応時間を調整して放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（４）（放射性重合性化合物）の溶液を得た。続いて、化合物（２）の溶液に溶液中の化合物（２）１００重量部に対して化合物（４）の溶液を溶液中の化合物（４）を１００重量部分だけ加え、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン製）を２重量部加え、光重合開始剤としてイルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）を１重量部、溶媒として酢酸エチルを３００重量部加え、攪拌して組成１の粘着剤層組成物を得た。
組成１の粘着剤層組成物において、光重合開始剤として用いたイルガキュアー184（日本チバガイギー社製）の最大吸収波長（以下、λｍａｘという。）が２４０ｎｍである。
【００４６】
＜組成２の粘着剤層組成物＞
組成２の粘着剤層組成物では、上記組成１の粘着剤層組成物において、光重合開始剤として、イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）に代えて、λｍａｘが３６０ｎｍであるカヤキュアＢＰ（日本化薬社製）を用いた。組成２の粘着剤層組成物のその他の組成は、組成１の粘着剤層組成物と同じである。
【００４７】
＜組成３の粘着剤層組成物＞
組成３の粘着剤層組成物では、上記組成１の粘着剤層組成物において、光重合開始剤として、イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）に代えて、λｍａｘが２２０ｎｍであるダイトキュアＯＢ（大東化学社製）を用いた。組成３の粘着剤層組成物のその他の組成は、組成１の粘着剤層組成物と同じである。
【００４８】
＜組成４の粘着剤層組成物＞
組成４の粘着剤層組成物は、１層目（図１に示す上層粘着剤層１２ａ）と２層目（下層粘着剤層１２ｂ）の２つの層からなる。
組成４の１層目の粘着剤層組成物は、上記組成１の粘着剤層組成物と同じ組成を有する。この粘着剤層組成物では、光重合開始剤として、λｍａｘが２４０ｎｍであるイルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）を用いた。この波長２４０ｎｍが上記第１の波長λ１である。
組成４の２層目の粘着剤層組成物では、上記組成１の粘着剤層組成物において、光重合開始剤として、イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）に代えて、λｍａｘが３６０ｎｍであるカヤキュアＢＰ（日本化薬社製）を用いた。その他の組成は、組成１の粘着剤層組成物と同じである。この波長３６０ｎｍが上記第２の波長λ２である。
【００４９】
＜組成５の粘着剤層組成物＞
組成５の粘着剤層組成物は、１層目（上層粘着剤層１２ａ）と２層目（下層粘着剤層１２ｂ）の２つの層からなる。
組成５の１層目の粘着剤層組成物では、上記組成１の粘着剤層組成物において、光重合開始剤として、イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）に代えて、λｍａｘが３６０ｎｍであるカヤキュアＢＰ（日本化薬社製）を用いた。その他の組成は、組成１の粘着剤層組成物と同じである。この波長３６０ｎｍが上記第１の波長λ１である。
組成５の２層目の粘着剤層組成物では、上記組成１の粘着剤層組成物において、光重合開始剤として、イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）に代えて、λｍａｘが２２０ｎｍであるダイトキュアＯＢ（大東化学社製）を用いた。その他の組成は、組成１の粘着剤層組成物と同じである。この波長２２０ｎｍが上記第２の波長λ２である。
【００５０】
＜組成６の粘着剤層組成物＞
組成６の粘着剤層組成物は、１層目（上層粘着剤層１２ａ）と２層目（下層粘着剤層１２ｂ）の２つの層からなる。
組成６の１層目の粘着剤層組成物では、上記組成１の粘着剤層組成物において、光重合開始剤として、イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）に代えて、λｍａｘが２２０ｎｍであるダイトキュアＯＢ（大東化学社製）を用いた。その他の組成は、組成１の粘着剤層組成物と同じである。この波長２２０ｎｍが上記第１の波長λ１である。
組成６の２層目の粘着剤層組成物では、上記組成１の粘着剤層組成物において、光重合開始剤として、イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）に代えて、λｍａｘが３６０ｎｍであるカヤキュアＢＰ（日本化薬社製）を用いた。その他の組成は、組成１の粘着剤層組成物と同じである。この波長３６０ｎｍが上記第２の波長λ２である。
【００５１】
（接着剤組成物の調整）
＜接着剤組成物＞
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間混錬した。これにアクリル樹脂として官能基を持つ化合物（１）の溶液を（１）が１００質量部分だけ加え、硬化剤としてコロネートＬを１質量部加え、攪拌混合して接着剤組成物を得た。
【００５２】
次に、実施例及び比較例について説明する。
下記の表１には、比較例１〜６及び実施例１〜９を示している。
【表１】
2010209243.tif 000003
比較例１〜６は、粘着剤層が１層（上層粘着剤層のみ）のウエハ加工用テープであり、実施例１〜９は粘着剤層が上層粘着剤層１２ａと下層粘着剤層１２ｂの２層構造のウエハ加工用テープである。
【００５３】
（比較例１〜６）
比較例１に係るウエハ加工用テープは、表１に示すように、上記のエラストマー添加ポリプロピレン（ＰＰ８０％、エラストマ２０％）を使用した基材フィルム（厚さ１００μｍ）及び上記組成１の粘着剤層組成物を調製した後、基材フィルム上に組成１の粘着剤層組成物を乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて接着剤層を形成し、粘着フィルムを作製した。
次に、上記接着剤層組成物の塗布液を離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１３０℃で３分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の接着フィルムを作製した。作製した粘着フィルム及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層側に接着剤層を貼り付けた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、比較例１に係るウエハ加工用テープを得た。
【００５４】
比較例２に係るウエハ加工用テープは、表１に示すように、上記組成２の粘着剤層組成物を用いた点を除き、比較例１と同じである。
比較例３に係るウエハ加工用テープは、表１に示すように、上記組成３の粘着剤層組成物を用いた点を除き、比較例１と同じである。
比較例４に係るウエハ加工用テープは、表１に示すように、基材フィルムの厚さを１５０μｍとした点を除き、比較例１と同じである。
比較例５に係るウエハ加工用テープは、表１に示すように、基材フィルムの厚さを１５０μｍとした点を除き、比較例２と同じである。
比較例６に係るウエハ加工用テープは、表１に示すように、基材フィルムの厚さを１５０μｍとした点を除き、比較例３と同じである。
【００５５】
（実施例１〜９）
実施例１に係るウエハ加工用テープ１０を作製する際には、まず、上記のエラストマー添加ポリプロピレン（ＰＰ８０％、エラストマ２０％）を使用した基材フィルム（厚さ１００μｍ）１１上に、組成４の粘着剤層組成物を乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて上層粘着剤層（１層目）１２ａを形成した。次に、この上層粘着剤層１２ａ上に、組成４の粘着剤層組成物を乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて下層粘着剤層１２ｂを形成し、粘着フィルム１３を作製した。
次に、上記接着剤層組成物の塗布液を離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１３０℃で３分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の接着フィルムを作製した。作製した粘着フィルム１３及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルム１３の上層粘着剤層１２ａと接着フィルム１３の接着剤層１４とを貼り付けた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層１４から剥離し、実施例１に係るウエハ加工用テープ１０を得た。
【００５６】
実施例２に係るウエハ加工用テープ１０は、表１に示すように、上記組成５の粘着剤層組成物を用いた点を除き、実施例１と同じである。
実施例３に係るウエハ加工用テープ１０は、表１に示すように、上記組成６の粘着剤層組成物を用いた点を除き、実施例１と同じである。
実施例４に係るウエハ加工用テープ１０は、表１に示すように、下層粘着剤層１２ｂの厚さを２０μｍとした点を除き、実施例１と同じである。
実施例５に係るウエハ加工用テープ１０は、表１に示すように、下層粘着剤層１２ｂの厚さを２０μｍとした点を除き、実施例２と同じである。
実施例６に係るウエハ加工用テープ１０は、表１に示すように、下層粘着剤層１２ｂの厚さを２０μｍとした点を除き、実施例３と同じである。
実施例７に係るウエハ加工用テープ１０は、表１に示すように、基材フィルム１１の厚さを１５０μｍとした点を除き、実施例１と同じである。
実施例８に係るウエハ加工用テープ１０は、表１に示すように、基材フィルム１１の厚さを１５０μｍとした点を除き、実施例２と同じである。
実施例９に係るウエハ加工用テープ１０は、表１に示すように、基材フィルム１１の厚さを１５０μｍとした点を除き、実施例３と同じである。
【００５７】
実施例及び比較例に、厚さ８０μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウェハを７０℃で加熱貼合し、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ製、ＤＦＤ６３４０）を用いて９．５８×５．３７ｍｍサイズにダイシングした後、比較例については粘着剤層を、実施例については上層粘着剤層を硬化させるための所要の紫外線を照射した。その後、エキスパンド装置（Ｄｉｓｃｏ製、ＤＤＳ２３００）を用いて、エキスパンドを行い、実施例については、下層粘着剤層を硬化させるための所要の紫外線を照射した。その後、ピックアップ装置（キヤノンマシナリー製、ＣＡＰ−３００II）を用いて、１００チップに対してピックアップを試行し、ピックアップ成功率及びチップクラック数を求めた。その結果を表１に示す。
（成功率）
「成功率」は、所望のチップのみをピックアップできた確率である。この確率が高いほど、エキスパンド状態を解除した場合に、ウエハ加工用テープの収縮あるいは弛みにより個片化されたチップ同士がくっつくこと（チップ間融着）により発生する「ピックアップ不良」の発生確率が低く、好ましい。
（ダブルダイ）
表１に示す「ダブルダイ」は、ピックアップしようとしたチップと隣接するチップが２つ以上ピックアップされたエラー（ダブルダイ）が発生した確率である。この確率が低いほど、上記チップ間融着により発生するダブルダイの発生確率が低く、好ましい。
（ピックアップできない）
表１に示す「ピックアップできない」は、チップ間融着によりピックアップができなかった確率である。
（チップクラック）
「チップクラック」は、１００チップについてチップの断面を光学顕微鏡にて観察し、チップ端部においてチップ欠けおよびチップ割れが発生しているチップ数を数えた。つまり、エキスパンド状態を解除した場合に、ウエハ加工用テープの収縮あるいは弛みによりチップ同士が接触することによって発生するチップ欠けおよびチップ割れが発生しているチップ数を数えた。
【００５８】
表１に示すように、実施例１〜９では、比較例１〜６と比べて、成功率が高く、ダブルダイの確率が低く、ピックアップできない確率も低く、かつ、チップ欠けおよびチップ割れが発生したチップ数も非常に少ないという結果が得られた。
このような好結果が得られたのは、ウエハ加工用テープ１０がエキスパンドされた状態（図４（Ｂ））で、粘着剤層１２の下層粘着剤層１２ｂを硬化させることにより、エキスパンド状態を維持することができたためである。
【００５９】
第１実施形態に係るウエハ加工用テープ１０によれば、以下の作用効果を奏する。
（１）２層構造の粘着剤層１２のうち、接着剤層１４と接する上層粘着剤層１２ａは、外部から第１のエネルギーとして第１の波長λ１の光を与えることで硬化させることができ、下層粘着剤層１２ｂは外部から第２のエネルギーとして第１の波長λ１とは異なる第２の波長λ２の光を与えることで硬化させることができる。これにより、多層の粘着剤層１２の上層粘着剤層１２ａと下層粘着剤層１２ｂとを個別に硬化させることが可能になる。このため、ウエハ加工用テープ１０がエキスパンドされた状態（図４（Ｂ））で、粘着剤層１２の下層粘着剤層１２ｂのみを硬化させることにより、特別な部品を用いずにエキスパンド状態を維持することができ  る。従って、上記特許文献２や特許文献３の従来技術のように、エキスパンド状態を保持するための伸張保持リング等の部品を用いる必要が無くなり、製造コストおよび工数を低減することができる。
【００６０】
（２）エキスパンド状態を維持できるので、個片化された半導体チップＣ（図４（Ｂ））の接着剤層１４同士がくっつき、或いは半導体チップＣ同士がくっついてピックアップ不良などが発生するのを抑制することができる。これにより、半導体装置の製造歩留まりが向上する。
（３）エキスパンドされたウエハ加工用テープ１０の収縮あるいは弛みを抑制できるので、半導体チップＣ同士が接触することによって半導体チップＣが破損するのを防止することができる。
【００６１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係るウエハ加工用テープを説明する。
本実施形態に係るウエハ加工用テープは、図１に示す上記第１実施形態に係るウエハ加工用テープ１０と同じ構成を有するダイシング・ダイボンディングフィルムであって、以下の構成を有する点に特徴がある。
（１）２層構造の粘着剤層１２のうち、上層粘着剤層１２ａは外部から第１のエネルギーを受けて硬化される第１の粘着剤層であり、放射線重合性化合物と、第１のエネルギーである光（放射線）に反応する光重合開始剤とを含む。
（２）２層構造の粘着剤層１２のうち、下層粘着剤層１２ｂは外部から第２のエネルギーを受けて硬化される第２の粘着剤層であり、第２のエネルギーである熱により重合し硬化する熱重合性化合物を含む。
なお、上層粘着剤層１２ａが熱により重合し硬化する熱重合性化合物を含み、下層粘着剤層１２ｂが放射線重合性化合物と、光（放射線）に反応する光重合開始剤とを含む構成であっても良い。
【００６２】
熱重合性化合物としては、熱により重合するもの、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。
なお、上層粘着剤層１２ａが熱により重合し硬化する熱重合性化合物を含む構成とする場合、ウエハ加工用テープ１０の耐熱性を考慮した上で、熱によって硬化して、上層粘着剤層１２ａの硬化した部分の粘着力を低下させ、接着剤層１４と上層粘着剤層１２ａとの間で剥離可能なものを使用する。
【００６３】
第２実施形態に係るウエハ加工用テープによれば、２層構造の粘着剤層１２のうち、接着剤層１４と接する上層粘着剤層１２ａは、外部から第１のエネルギーとして光（放射線）を与えることで硬化させることができ、下層粘着剤層１２ｂは外部から第２のエネルギーとして熱を与えることで硬化させることができる。このため、ウエハ加工用テープがエキスパンドされた状態（図４（Ｂ））で、粘着剤層１２の下層粘着剤層１２ｂのみを硬化させることにより、特別な部品を用いずにエキスパンド状態を維持することができる。
【００６４】
上記各実施形態に係るウエハ加工用テープにおいて、粘着剤層１２は、２層に限らず複数層設けてもよい。なお、例えば粘着剤層１２を３層にした場合、下側２層を、エキスパンドを保持するように硬化させるとよい。
【００６５】
また、上記第１実施形態では、ダイシング工程において、レーザー光を用いたステルスダイシングを実施する場合について説明したが、ブレードを用いて、半導体ウエハＷを機械的に切断し、複数の半導体チップＣ及び接着剤層１４も分割する場合にも本発明は適用可能である。この場合、半導体ウエハＷ厚み方向全体のうち、部分的に切断するハーフカットでも、半導体ウエハＷ全体を切断するするフルカットでも良い。
【符号の説明】
【００６６】
Ｗ：半導体ウエハ
Ｃ：半導体チップ（半導体素子）
１０：ウエハ加工用テープ
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１２ａ：上層粘着剤層
１２ｂ：下層粘着剤層
１３：粘着フィルム
１４：接着剤層
【図１】
2010209243.tif 000004
【図２】
2010209243.tif 000005
【図３】
2010209243.tif 000006
【図４】
2010209243.tif 000007
【図５】
2010209243.tif 000008