(57)【要約】【課題】高周波域での信号端子の性能を良好に維持しつつ、部品点数や製造工数をさらに削減する。【解決手段】高周波回路ユニット１０は、高周波回路が形成された回路基板１４を枠体１２内に収容した構造であり、回路基板１４には端子１６〜２２の配列が形成されている。端子配列内には高周波信号を伝送する信号端子１６が含まれており、その両側にはグランド端子１８や電源用端子２０等のローインピーダンス端子が配置されている。さらに枠体１２には、信号端子１６の近傍に接地板１２ｆが配置されており、接地板１２ｆは枠体１２とともに高周波回路内のグランドに接続されている。【選択図】図１
2010129559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠体と、
前記枠体内に収容して設けられ、この状態で前記枠体がグランドに接続される所定の高周波回路が形成された回路基板と、
前記回路基板上で１つの縁辺に沿って少なくとも一方向に間隔をおいて設けられた端子配列の一部を構成し、前記高周波回路で使用される高周波信号を伝送するための信号端子と、
前記端子配列内で前記信号端子の両側にそれぞれ設けられて前記信号端子とともに前記端子配列を構成し、かつ、個々に前記高周波回路内でグランドとしての特性を有する複数のローインピーダンス端子と、
前記枠体と一体的に形成され、前記端子配列に沿う位置で前記信号端子の近傍を前記回路基板の厚み方向に延び、かつ、前記枠体とともに前記高周波回路のグランドに接続された接地板と
を備えた高周波回路ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波回路ユニットにおいて、
前記枠体は、
前記回路基板を収容した状態でその四方の縁辺を取り囲み、かつ、前記回路基板の厚み方向でみて所定の高さを有した周壁を含むものであり、
前記信号端子及び複数の前記ローインピーダンス端子は、
前記回路基板の厚み方向でみて前記周壁の一端縁の高さよりも長く突出しており、
前記接地板は、
前記周壁の一端縁から前記信号端子及び複数の前記ローインピーダンス端子の突出方向に突出して形成されていることを特徴とする高周波回路ユニット。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高周波回路ユニットにおいて、
前記接地板は、
前記回路基板とは別に前記端子配列が半田付けされることで前記高周波回路と接続される電気回路が形成されたマザー基板に対し、少なくとも前記信号端子の近傍で半田付けされることにより、前記枠体を前記マザー基板に対して固定することを特徴とする高周波回路ユニット。
【請求項４】
請求項３に記載の高周波回路ユニットにおいて、
前記接地板は、
前記マザー基板に半田付けされた状態で、さらに前記電気回路のグランドと接続されることを特徴とする高周波回路ユニット。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の高周波回路ユニットにおいて、
複数の前記ローインピーダンス端子は、
前記高周波回路内でコンデンサに接続された電源用端子か、もしくは前記高周波回路内でグランドに接続されたグランド端子の少なくともいずれかであることを特徴とする高周波回路ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高周波用チューナ等の高周波回路内で使用される高周波信号を伝送する信号端子を有した高周波回路ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、枠体内に収容された回路基板から枠体外に突出する複数の端子が設けられた高周波機器において、枠体外にシールド板を配置して一部の端子をシールドする先行技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この先行技術によれば、予めシールド板を枠体と電気的に接続しておくことで、枠体がマザー基板に取り付けられた際に一部の端子が露出したとしても、その露出部がシールド板でシールドされた状態となるため、端子への妨害電波の侵入を確実に防止することができる。
【０００３】
また上記の先行技術では、シールドする対象の端子をアンテナ端子とした場合、その隣にグランド端子を配置し、このグランド端子をシールド板に半田付けした構造を採用することもできる。このような構造であれば、グランド端子との半田付けによってシールド板がグランド（ＧＮＤ）に接続された状態となるので、より良好なシールド性能を得ることができる。
【特許文献１】特開２００７−１２８９６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した先行技術の手法は、高周波域で使用する信号端子の性能を良好に維持できる点で優れており、その技術的価値は極めて高い。ただし、先行技術の手法では、枠体とは別のシールド板を設けたり、さらにシールド板とグランド端子とを半田付けしたりする必要があることから、それだけ部品点数や製造工数が多くなっている点も決して軽視することはできない。
【０００５】
そこで本発明は、高周波域での信号端子の性能を良好に維持しつつ、部品点数や製造工数をさらに削減することができる技術の提供を課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するため以下の解決手段を採用する。
解決手段１：本発明の高周波回路ユニットは、枠体と、この枠体内に収容して設けられた回路基板とを備えている。回路基板には高周波回路が形成されており、回路基板が枠体に収容された状態で枠体は高周波回路のグランドに接続されている。また回路基板上には、その１つの縁辺に沿って少なくとも一方向に間隔をおいて端子配列が設けられており、この端子配列内には、高周波回路内で使用される高周波信号を伝送するための信号端子が含まれる。さらに端子配列内には、信号端子の両側にそれぞれ設けられて信号端子とともに端子配列を構成し、かつ、個々に高周波回路内でグランドとしての特性を有する複数のローインピーダンス端子が含まれている。そして枠体には、端子配列に沿う位置で信号端子の近傍を回路基板の厚み方向に延び、かつ、枠体とともに高周波回路のグランドに接続された接地板が一体的に形成されている。
【０００７】
上記のように本発明の高周波回路ユニットは、高周波信号を外部へ伝送する際に信号端子を用いる必要があるが、端子配列内で信号端子の両側にはグランドとしての特性を有するローインピーダンス端子が設けられている。さらに端子配列に沿う位置で信号端子の近傍には、枠体と一体的に接地板が形成されており、この接地板は枠体とともにグランドに接続されている。
【０００８】
このため信号端子は、端子配列の方向ではその両側にそれぞれローインピーダンス端子が位置し、端子配列の方向以外では近傍に接地板が位置していることになる。したがって、高周波信号の伝送時に、これらローインピーダンス端子及び接地板を信号端子に対するシールドとして使用することができるため、信号端子から周囲への電界干渉を防止したり、その高周波特性を良好に維持したりすることができる。
【０００９】
また本発明では、端子配列が少なくとも一方向にだけあればよいので、例えば信号端子の周囲（配列の方向以外）にまで端子を数多く配置する必要がない。したがって、回路基板上で端子配列の占める面積を不用意に拡大することなく、全体としてコンパクトに端子配列を構成することができる。
【００１０】
解決手段２：上記の枠体は、回路基板を収容した状態でその四方の縁辺を取り囲み、かつ、回路基板の厚み方向でみて所定の高さを有した周壁を含むものであってもよい。また信号端子及び複数のローインピーダンス端子は、回路基板の厚み方向でみて周壁の一端縁の高さよりも長く突出している。そして接地板は、周壁の一端縁から信号端子及び複数のローインピーダンス端子の突出方向に突出して形成されていることが好ましい。
【００１１】
上記のように、端子配列を構成する信号端子及び複数のローインピーダンス端子を枠体の周壁から突出させた構造であっても、端子配列の方向では信号端子の両側にローインピーダンス端子が位置しているし、端子配列の方向以外では接地板が信号端子の近傍に位置している。このため、枠体（周壁）の外部でも信号端子を良好にシールドすることで、その高周波特性（高アイソレーション、低リターンロス等）を良好に維持することができる。
【００１２】
解決手段３：上記の解決手段１，２において、接地板は、回路基板とは別に端子配列が半田付けされることで高周波回路と接続される電気回路が形成されたマザー基板に対し、少なくとも信号端子の近傍で半田付けされることにより、枠体をマザー基板に対して固定することができる。
【００１３】
上記の構造であれば、端子配列をマザー基板に半田付けすることで高周波回路をマザー基板の電気回路に接続するとともに、接地板をマザー基板に半田付けすることで、接地板を介して枠体全体、つまり、高周波回路ユニット全体をマザー基板上に固定することができる。
【００１４】
また、解決手段２のように枠体（周壁）から端子配列が突出している構造であっても、枠体とマザー基板との間で信号端子をローインピーダンス端子と接地板とで良好にシールドすることができる。これにより、信号端子の高周波特性を良好に維持することができる。
【００１５】
解決手段４：解決手段３において、接地板は、マザー基板に半田付けされた状態で、さらに電気回路のグランドと接続されることが好ましい。
【００１６】
この場合、接地板の半田付けにより、高周波回路ユニット内（高周波回路）のグランドが接地板及びこれと一体の枠体を通じてマザー基板側（電気回路）のグランドと略同電位となり、それに伴って信号端子の両側にあるローインピーダンス端子をマザー基板側のグランドと略同電位に保つことができる。その結果、信号端子の伝送環境を同軸ケーブルに匹敵するレベルにまで改善することができる。
【００１７】
解決手段５：なお解決手段１から４において、複数のローインピーダンス端子は、高周波回路内でコンデンサに接続された電源用端子か、もしくは高周波回路内でグランドに接続されたグランド端子の少なくともいずれかであればよい。すなわち、ローインピーダンス端子はグランド端子だけで構成されていてもよいし、電源用端子だけで構成されていてもよいし、あるいはグランド端子と電源用端子の両方で構成されていてもよい。
【００１８】
いずれにしても複数のローインピーダンス端子は、その全てが直接的にグランドに接続されていなくても、高周波回路内ではグランドとしての特性を有している。すなわち、高周波回路内でコンデンサに接続された電源用端子（給電用の端子）は、信号端子に比較してインピーダンスが極端に低いことから、高周波域ではグランドと同じ特性を示す。したがって電源用端子をローインピーダンス端子として使用しても、高周波信号の伝送時に信号端子から周囲に発生する電界を良好にシールドすることができ、それによって他への電界干渉を確実に防止することができる。
【００１９】
また解決手段５によれば、グランド端子だけでなく、電源用端子をも有効に活用してシールド効果を得ることができるため、シールドのためだけにグランド端子を設ける必要がない。したがって、端子本数を無用に増加させたり、全体的な端子配列を不用意に大型化したりすることなく、回路基板上でコンパクトなまとまりのよい端子配列を構築することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の高周波回路ユニットは、シールド板のような別部材を設けることなく、本来必要な端子や枠体の一部を利用して信号端子の高周波特性を改善することができ、それだけ部品点数や製造工数の増加を抑えることができる。また、コンパクトな構造で信号端子のシールド性を高めることができるので、設置する端子本数を最小限に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１は、一実施形態の高周波回路ユニット１０の構成を概略的に示す斜視図である。高周波回路ユニット１０は枠体１２を備えており、この枠体１２は略直方体形状の外形を有している。枠体１２の内部には回路基板１４が設置されており、この回路基板１４には、図示しない高周波回路（例えば５０ＭＨｚ帯〜１．５ＧＨｚ帯のチューナ回路）が形成されている。
【００２３】
〔枠体〕
枠体１２は金属板を組み合わせた構造体であり、主に周壁１２ａ，１２ｂ及び上面カバー１２ｃから構成されている。このうち周壁１２ａ，１２ｂは、枠体１２内に回路基板１４が収容された状態で、その周囲（四方の縁辺）を取り囲むようにして矩形状に組み合わされている。また上面カバー１２ｃは、周壁１２ａ，１２ｂを組み合わせた状態で、その上面を覆う位置に取り付けられている。
【００２４】
また枠体１２には、例えばその１つの周壁１２ｂにＲＦコネクタ１２ｄが取り付けられている。このＲＦコネクタ１２ｄは、枠体１２の内部で回路基板１４の高周波回路に接続されている。なおＲＦコネクタ１２ｄには、例えば図示しないＲＦケーブル（同軸ケーブル）が接続されるものとなっている。
【００２５】
〔回路基板及び端子配列〕
回路基板１４は、上記のように枠体１２内に収容した状態で設置されている。この回路基板１４には、その一方の面（図１中で下向きの面）に多数の端子（図中参照符号１６，１８，２０，２２）が直立した姿勢で設けられており、これら端子１６〜２２は、回路基板１４の１つの縁辺に沿って一方向に間隔をおいて配列された端子配列を構成している。
【００２６】
端子配列を構成する多数の端子１６〜２２は、いずれも回路基板１４の一方の面からその厚み方向に延び、枠体１２からさらに外側へ突出している。すなわち、図１中で下方に高さをとる場合、枠体１２の周壁１２ａ，１２ｂは、回路基板１４の厚み方向でみてある程度の高さを有しており、周壁１２ａ，１２ｂの一端縁（下端縁）は回路基板１４の下面から離れた位置にある。これに対し、端子１６〜２２は周壁１２ｂの一端縁を越えてさらに下方に突出しており、いずれも先端部は枠体１２の外側にまで達している。このため高周波回路ユニット１０は、これら端子１６〜２２を通じて他のマザー基板３０に半田付け（接続）することができる。
【００２７】
〔信号端子〕
回路基板１４に設けられた端子配列中、その内側（図１では右上から３番目）に位置する１本の信号端子１６は、図示しない高周波回路で用いられる高周波信号（例えば１．０ＧＨｚ〜１．５ＧＨｚ帯の信号）を伝送するためのものである。この信号端子１６は、例えば図示しない高周波回路内の出力ライン（例えば高周波フィルタ出力）に接続されている。
【００２８】
〔ローインピーダンス端子〕
また端子配列中には、複数のグランド端子１８及び電源用端子２０がローインピーダンス端子として含まれている。本実施形態では、信号端子１６を挟んで端子配列の一方側（図１中の右上方向）にグランド端子１８が位置し、他方側（図１中の左下方向）に電源用端子２０が位置している。
【００２９】
このうちグランド端子１８は、図示しない高周波回路内でグランド（ＧＮＤ）に直接接続されている。また電源用端子２０は、図示しない高周波回路内で電力ライン上のコンデンサに接続されている。図示しない高周波回路内において、グランド端子１８のインピーダンスは最も低い部類に属する。一方、電源用端子２０は直接的にグランドに接続されていないが、そのインピーダンスは信号端子１６より低く、高周波的にはグランドとしての特性を有するものである。
【００３０】
なお、その他の端子２２には、例えば信号端子１６とは別の低周波信号（例えば５ＭＨｚ〜５０ＭＨｚ帯の信号）を出力するものや（例えばＴＸフィルタ出力端子）、上記のグランド端子１８や電源用端子２０と同種のもの、バス信号用の端子等が含まれている（特に符号を区別していない。）。
【００３１】
〔枠足及び接地板〕
上記の枠体１２には、例えば長手方向に対向する周壁１２ｂにそれぞれ２本の枠足１２ｅが一体的に形成されている。これら枠足１２ｅは、枠体１２をマザー基板３０に対して固定する際の半田付け部となっている。
【００３２】
また枠体１２には、長手方向に延びる１つの周壁１２ａに接地板１２ｆが一体的に形成されている。この接地板１２ｆは、上記の枠足１２ｅと同様に枠体１２をマザー基板３０に固定する際に半田付けされるものとなる。ただし接地板１２ｆは、回路基板１４の端子配列に沿う位置で、特に信号端子１６の近傍（側方）に設けられており、周壁１２ａの一端縁から回路基板１４の厚み方向に突出して延びている。なお枠足１２ｅ及び接地板１２ｆは、いずれも枠体１２とともに図示しない高周波回路内のグランドと直接的に接続されている。
【００３３】
〔マザー基板〕
マザー基板３０は、その一方の面（図１中の上面）に高周波回路ユニット１０を実装した状態で使用される回路基板である。このマザー基板３０には、高周波回路ユニット１０内の高周波回路と接続される別の電気回路（例えば画像処理回路、音響処理回路等）が形成されている。
【００３４】
またマザー基板３０には、予め上記の枠足１２ｅや接地板１２ｆの配置に合わせて取付孔３０ａが形成されている他、高周波回路ユニット１０の端子配列、つまり、端子１６〜２２の配置に合わせて多数の挿通孔３０ｂ（全てに符号は付していない）が形成されている。枠足１２ｅや接地板１２ｆは、それぞれ対応する位置の取付孔３０ａ内に挿通された状態でマザー基板３０に半田付けされる。端子１６〜２２もまた、それぞれ対応する位置の挿通孔３０ｂ内に挿通された状態で、マザー基板３０に半田付けされる。
【００３５】
〔端子及び接地板の配置〕
図２は、マザー基板３０上でみた端子１６〜２２及び接地板１２ｆの配置関係を示す水平断面図（図１中のＩＩ−ＩＩ断面）である。
【００３６】
〔枠足及び接地板の接続先〕
上記のように枠足１２ｅ及び接地板１２ｆがマザー基板３０に半田付けされると、これら枠足１２ｅ及び接地板１２ｆはマザー基板３０上でグランド配線パターン３０ｃに接続された状態となる。グランド配線パターン３０ｃは、マザー基板３０上で図示しない電気回路内のグランド（ＧＮＤ）に通じているほか、各取付孔３０ａ（図２には示さず）の周囲で半田付け用のランド（図中参照符号なし）につながっている。
【００３７】
〔端子の接続先〕
また、端子１６〜２２がマザー基板３０に半田付けされると、これら端子１６〜２２もまた、マザー基板３０上で対応するグランド配線パターン３０ｃや各種の配線パターン３０ｄ，３０ｅ，３０ｆに接続される。このとき、端子配列中のグランド端子１８は上記のグランド配線パターン３０ｃに接続されることで、枠足１２ｅや接地板１２ｆと同様に図示しない電気回路内のグランドに接続された状態となる。なおグランド配線パターン３０ｃは、上記のようにマザー基板３０上で図示しない電気回路内のグランド（ＧＮＤ）に通じているほか、挿通孔３０ｂ（図２には示さず）の周囲で半田付け用のランド（図中参照符号なし）につながっている。
【００３８】
一方、信号端子１６は別の配線パターン３０ｄに接続されることで、図示しない電気回路内の信号ラインに接続された状態となる。また電源用端子２０は別の配線パターン３０ｅに接続されることで、図示しない電気回路内の電源ライン（例えばＤＣライン）に接続された状態となる。その他の端子２２もまた、それぞれ別の配線パターン３０ｆに接続されることで、図示しない電気回路内の信号ラインやバスラインに接続された状態となる。なお配線パターン３０ｄ，３０ｅ，３０ｆは、それぞれ挿通孔３０ｂ（図２には示さず）の周囲で半田付け用のランド（図中参照符号なし）につながっている。
【００３９】
〔信号端子のシールド〕
信号端子１６の周辺には、端子配列の方向でみてその一方側にグランド端子１８が位置し、他方側には電源用端子２０が位置している。そして端子配列の方向と直交する方向では、信号端子１６の近傍に接地板１２ｆが位置している。接地板１２ｆは、例えば端子配列の方向でみて幅Ｗ１を有しており、この幅Ｗ１の略中央位置に信号端子１６が位置している。
【００４０】
このとき接地板１２ｆは、上記のように図示しない電気回路内（マザー基板３０側）のグランドと略同電位である。またグランド端子１８は、高周波回路ユニット１０側のグランドと略同電位であるが、接地板１２ｆがマザー基板３０側のグランドに接続されることで、これと一体の枠体１２を介して接地板１２ｆとグランド端子１８との電位差はなくなり、これらはマザー基板３０側のグランドと略同電位となる。このため本実施形態では、信号端子１６が回路基板１４とマザー基板３０との間でシールドされた状態となり、その結果、高周波信号の伝送特性を高く維持することができる。
【００４１】
なお本実施形態では、接地板１２ｆが信号端子１６の近傍に配置されているため、マザー基板３０上で信号用の配線パターン３０ｄにグランド配線パターン３０ｃが近接しており、グランド配線パターン３０ｃを回避するようにして信号用の配線パターン３０ｄが設けられている。このような配線上の改良を合わせて行うことで、本実施形態では接地板１２ｆを信号端子１６の近傍に配置可能としている。
【００４２】
すなわち、単にマザー基板３０上での配線の容易性から考えると、通常なら信号端子１６の近傍に接地板１２ｆのような部品（グランドに接続するもの）を配置するという発想には至らない。したがって本実施形態の接地板１２ｆは、単に枠足１２ｅの配置変更だけで得られたものではない。なお、図２に示される配線パターン３０ｃ〜３０ｆの配置はあくまで一例であり、その他の配置を用いてもよい。
【００４３】
〔検証例〕
図３は、信号端子１６の高周波性能として、高周波域でのフィルタ特性を検証した例を示す図である。図３中（Ａ）は本実施形態の構造を適用しない場合の検証結果を示しており、一方、図３中（Ｂ）は本実施形態の構造を適用した場合の検証結果を示している。なおフィルタ特性は、例えば信号端子１６を高周波フィルタ（Ｍｏｃａフィルタ）の出力として使用したとき、出力信号の周波数（ＭＨｚ）に対するリターンロスの値（損失抵抗：ｄＢ）として表すことができ、リターンロスが０．０ｄＢに近いほどフィルタ特性が高いことを意味している。
【００４４】
〔本実施形態の構造非適用の場合〕
図３中（Ａ）：ここでは、本実施形態の構造を適用しない場合の例として、上記の接地板１２ｆを枠体１２に形成せず、また、端子配列内で信号端子１６の両側にローインピーダンス端子（グランド端子１８又は電源用端子２０）を配置せずに高周波信号の伝送を行った場合のフィルタ特性を示している。
【００４５】
この場合、二点鎖線で示される規格値Ｓに対し、実際のフィルタ特性は全体的にある程度まで追従しているが、信号端子１６を通常に使用する帯域（図中Ａ〜Ｂ）に着目すると、この帯域内にトラップ（特性の落ち込み）が発生していることが分かる。このようなトラップが使用帯域の中央付近に現れると、それによってフィルタ特性は大きく劣化してしまう。
【００４６】
〔本実施形態の構造適用の場合〕
図３中（Ｂ）：これに対し、本実施形態の構造を適用した場合、規格値Ｓに対して実際のフィルタ特性が全体的に追従しているだけでなく、信号端子１６の使用帯域内にトラップは全く発生しておらず、使用帯域の全域にわたって規格値Ｓを上回るフィルタ特性を示していることが分かる。
【００４７】
以上の検証結果から明らかなように、本実施形態の構造を適用することにより、信号端子１６の高周波性能を極めて高い状態に維持することができ、非適用の場合と比較しても、信号端子１６の伝送環境が同軸ケーブルを用いた場合に匹敵するレベルにまで改善されることが明らかとなった。また、端子配列内に他の出力端子（ＴＸ出力端子）等が含まれていても、信号端子１６のアイソレーションを向上することにより、信号端子１６から他の出力端子への電界干渉を確実に防止することができる。
【００４８】
〔他の構造例〕
図４は、マザー基板３０上でみた端子１６〜２２及び接地板１２ｆの別の配置関係を示す水平断面図である。なお図４中、マザー基板３０上の配線パターン３０ｃ〜３０ｆについては図示を省略している。
【００４９】
〔ローインピーダンス端子の配置〕
この構造例では、端子１６〜２２の配列内で信号端子１６の両側にいずれもグランド端子１８が配置されている。このように、信号端子１６の両側のローインピーダンス端子をグランド端子１８のみで構成した場合であっても、上述した実施形態と同様に良好なフィルタ特性を得ることができる。
【００５０】
なお、特に図示していないが、信号端子１６の両側のローインピーダンス端子を電源用端子２０のみで構成してもよい。また一実施形態と同様に、信号端子１６の両側にグランド端子１８と電源用端子２０をそれぞれ配置する場合であっても、図２と逆の配置関係にしてもよい。
【００５１】
〔接地板の配置〕
図４の構造例では、接地板１２ｆの幅Ｗ２が一実施形態よりも延長されている。この場合、信号端子１６を中心として、その両側のローインピーダンス端子（グランド端子１８）を含む３本の端子配列の近傍に接地板１２ｆが配置された状態となっている。このような構造であっても、同じく上述した実施形態と同様に良好なフィルタ特性を得ることができる。
【００５２】
上述した実施形態の高周波回路ユニット１０によれば、特にシールド板のような別部材を設けたり、グランド端子１８の本数を増やしたりすることなく、信号端子１６の高周波性能を高く維持することができる。これにより、部品点数や製造工数の増加を抑え、より安価で高性能な製品を提供することができる。また、回路基板１４上にシールド板のような別部品を設けていないため、他のマザー基板３０に高周波回路ユニット１０を接続する際の半田付け作業が容易である。
【００５３】
また一実施形態では、シールド効果を得るためだけにグランド端子１８の本数を増やすのではなく、電源用端子２０をも有効に活用して高周波性能を改善しているため、それだけ端子配列に無駄がなく、全体としてコンパクトな端子配列を構築することができる。また、端子配列は少なくとも一方向にだけあればよいため、回路基板１４上で端子配列の占める面積を小さく抑えることができる。
【００５４】
なお、一実施形態やその他の構造例で挙げた端子配列はあくまで好ましい例示であり、各種端子の本数やピッチ、長さ等の条件は適宜に変更してもよい。また、一実施形態では端子１６〜２２の配列が１箇所で一方向だけに構成されているが、端子配列は２箇所以上（二方向以上）に構成されていてもよい。
【００５５】
さらに、端子配列内で信号端子１６の本数は１本だけでなく、複数の信号端子１６が設けられていてもよい。この場合、個々の信号端子１６の両側にローインピーダンス端子（グランド端子１８又は電源用端子２０）を配置し、また、枠体１２には各信号端子１６の近傍に接地板１２ｆを形成することで、一実施形態と同様の高い高周波性能を得ることができる。
【００５６】
また一実施形態では、ローインピーダンス端子としてグランド端子１８及び電源用端子２０を挙げているが、その他の端子を信号端子１６の周囲に接地してもよい。例えば、高周波信号を伝送しないバス信号用端子のように、高周波回路内でグランドとしての特性を有するものであれば、これを信号端子１６の両側に設置することで、一実施形態と同様に高い高周波性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】一実施形態の高周波回路ユニットの構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】マザー基板上でみた端子及び接地板の配置関係を示す水平断面図（図１中のＩＩ−ＩＩ断面）である。
【図３】信号端子の高周波性能として、高周波域でのフィルタ特性を検証した例を示す図である。
【図４】マザー基板上でみた端子及び接地板の別の配置関係を示す水平断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０    高周波回路ユニット
１２    枠体
１２ａ，１２ｂ  周壁
１２ｃ  カバー
１２ｅ  枠足
１２ｆ  接地板
１４    回路基板
１６    信号端子
１８    グランド端子
２０    電源用端子
【図１】
2010129559.tif 000003
【図２】
2010129559.tif 000004
【図３】
2010129559.tif 000005
【図４】
2010129559.tif 000006