(57)【要約】【課題】十分なウェハ強度を有しているとともに、ステージ上への位置決めとステージからの取り外しが容易な半導体ウェハを提供する。【解決手段】半導体ウェハ１００は、厚層部２と薄層部４を備えている。厚層部２は、半導体ウェハ１００の外周に沿って形成されている。薄層部４は、厚層部２に囲まれる範囲に形成されており、厚層部２よりも厚みが小さい。厚層部２に、厚層部２をウェハの径方向の外側から内側に横断する溝６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが形成されている。半導体ウェハ１００を平面視したときに、溝６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄの両側壁がウェハの劈開方向に平行な直線と交わる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの外周に沿って形成されている厚層部と、その厚層部に囲まれる範囲に形成されており、厚層部よりも厚みが小さい薄層部を備えている半導体ウェハであり、
前記厚層部に、その厚層部をウェハの径方向の外側から内側に横断する少なくとも１つの溝が形成されており、
前記半導体ウェハを平面視したときに、前記溝の両側壁がウェハの劈開方向に平行な直線と交わることを特徴とする半導体ウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化に伴い、半導体装置の製造過程において薄い半導体ウェハを用いることが要求されている。しかしながら、薄い半導体ウェハは脆く割れやすい。
【０００３】
薄い半導体ウェハにおいて、ウェハ強度を高めた半導体ウェハが知られている。この半導体ウェハでは、半導体ウェハの外周に沿って厚層部が形成されており、厚層部に囲まれる範囲に、厚層部よりも薄い薄層部が形成されている。厚層部によって薄層部の外周が補強されるため、割れにくく、高いウェハ強度を保持することができる。この種の半導体ウェハの従来例として、例えば特許文献１のものが知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１９４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体ウェハの加工のひとつに、ウェハの表面を研磨する工程がある。上記した特許文献１の半導体ウェハの場合、厚層部と薄層部が面一である側を上に向けてウェハをステージ上に載置する。このとき、半導体ウェハとステージの間に、薄層部と厚層部とステージによって囲まれる密閉空間が形成される。この密閉空間内の気圧が密閉空間外の気圧よりも高い場合、ステージ上の半導体ウェハが滑りやすくなり、半導体ウェハをステージ上の所望の位置に載置できないことがある。また、密閉空間内の気圧が密閉空間外の気圧よりも低い場合、半導体ウェハがステージ上に密着して、半導体ウェハをステージ上から容易に外せないことがある。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みて提案されたものである。本発明は、十分なウェハ強度を有しているとともに、ステージ上への位置決めと取り外しが容易にできる半導体ウェハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、厚層部と薄層部を備えている半導体ウェハに関する。厚層部は、ウェハの外周に沿って形成されている。薄層部は、厚層部に囲まれる範囲に形成されており、厚層部よりも厚みが小さい。
本発明の半導体ウェハでは、厚層部に、厚層部をウェハの径方向の外側から内側に横断する少なくとも１つの溝が形成されており、半導体ウェハを平面視したときに、溝の両側壁がウェハの劈開方向に平行な直線と交わる。
【０００８】
本発明の半導体ウェハでは、厚層部に、厚層部を横断する溝が形成されているため、半導体ウェハをステージ上に載置したときに、薄層部と厚層部とステージによって囲まれる空間が密閉されない。その結果、薄層部と厚層部とステージによって囲まれる空間内の気圧と空間外の気圧が同等の気圧に保たれる。このため、半導体ウェハをステージ上の所望の位置に載置することができるとともに、半導体ウェハをステージ上から容易に外すことができる。
厚層部に溝を形成すると、溝のない厚層部に比べてウェハの強度が低下する。そこで本発明の半導体ウェハでは、半導体ウェハを平面視したときに、溝の両側壁が劈開方向に平行な直線と交わるように溝が形成されている。半導体ウェハは劈開方向に沿って割れ易いが、溝を上記のように形成すると、劈開方向に平行な全ての直線が必ず厚層部の最厚部（溝が形成されていない厚層部分）を通過するので、溝を設けたことによる強度低下を抑制することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、十分なウェハ強度を保持できるとともに、ステージへの位置決めと取り外しが容易にできる半導体ウェハを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
下記に説明する実施例の好ましい特徴を列記する。
（第１特徴）半導体ウェハの結晶方位および厚層部の幅に応じて、溝の両側壁がウェハの劈開方向に平行な直線と交わるように溝の位置および幅が調整されている
（第２特徴）溝の幅が最大となるように溝が形成されている。
（第３特徴）厚層部に複数の溝が形成されている。
【実施例】
【００１１】
（第１実施例）
図１に、第１実施例の半導体ウェハ１００の断面図を示す。また、図２に、半導体ウェハ１００の斜視図を示す。図１は、図２のI−I線に沿った断面を示している。
図１および図２に示すように、半導体ウェハ１００は、厚層部２と薄層部４を備えている。厚層部２は、半導体ウェハ１００の外周に沿って形成されている。厚層部２は、半導体ウェハ１００の外周を一巡している。薄層部４は、厚層部２に囲まれる範囲に形成されている。薄層部４の厚みＷ２は厚層部２の厚みＷ１より小さい。厚層部２と薄層部４によって、凹部８が形成されている。厚層部２には、厚層部２を半導体ウェハ１００の径方向の外側から内側に横断する溝６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが形成されている。溝６ａは溝６ｂと対向する位置に形成されており、溝６ｃは溝６ｄと対向する位置に形成されている。溝６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは、半導体ウェハ１００を平面視したときに外側と凹部８に通じていれば良く、その深さは限定されない。
【００１２】
図３に、半導体ウェハ１００をステージ上に載置したときの側面図を示す。図３は、図１および図２の半導体ウェハ１００を上下反転させてステージ上に載置したときの側面図を示している。半導体ウェハ１００をそのようにステージに載置するのは、たとえば厚層部２と薄層部４が面一となる半導体ウェハ１００の表面を研磨するときである。
半導体ウェハ１００とステージ１０の間には、凹部８によって、空間１２が形成されている。空間１２は、厚層部２に形成されている溝６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄによって、空間１２の外側と連通している。なお、図３では、溝６ｃと６ｄは図示されていない。
【００１３】
図４に、半導体ウェハ１００の平面図を示す。なお、図４では、半導体ウェハ１００の凹部８が開口している側を上面とする。
半導体ウェハ１００の結晶方位は＜０１１＞である。この場合、図４に示すように、半導体ウェハ１００の劈開方向は、半導体ウェハ１００を平面視したときの中心位置Ｃ１から見て０°，９０°，１８０°，２７０°の方向に平行な方向となる。
【００１４】
図５に、図４における半導体ウェハ１００に形成されている溝６ｂを拡大した平面図を示す。
図５の参照符号Ｄ１は、半導体ウェハ１００の劈開方向に平行な直線を示している。図５に示すように、半導体ウェハ１００では、溝６ｂは、その側壁６ｂ１，６ｂ２が直線Ｄ１と２点Ｐ１，Ｐ２で交わるような位置および幅Ｗ１で形成されている。換言すれば、半導体ウェハ１００を平面視したときに、溝６ｂの両側壁６ｂ１，６ｂ２が直線Ｄ１と交差する。直線Ｄ１上には線分Ｌ１，Ｌ２に示す範囲に厚層部２のうち溝６ｂが形成されていない部分が存在する。このため、劈開方向に平行な全ての直線上に厚層部２のうち溝６ｂが形成されていない部分が存在する。なお、半導体ウェハ１００では、他の溝６ａ，６ｃ，６ｄについても同様に、溝の両側壁が劈開方向に平行な直線と交わるような位置および幅で形成されている。
【００１５】
半導体ウェハ１００によると、半導体ウェハ１００をステージ１０上に載置したときに、溝６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが形成されていることによって、薄層部４と厚層部２とステージに１０よって囲まれる空間１２が密閉されない。空間１２内の圧力と空間１２外の圧力が同等に保たれるため、半導体ウェハ１００をステージ１０上の所望の位置に載置することができる。また、半導体ウェハ１００をステージ１０上から容易に外すことができる。また、半導体ウェハ１００では、半導体ウェハ１００を平面視したときに、劈開方向に平行な全ての直線上に厚層部２のうち溝６ｂが形成されていない部分が存在しているため、半導体ウェハ１００が劈開方向に沿って割れることが抑制される。厚層部２に溝６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが形成されていても、十分なウェハ強度を保持することができる。
【００１６】
（第２実施例）
図６に、第２実施例である半導体ウェハ２００の平面図を示す。なお、半導体ウェハ２００と半導体ウェハ１００は同一構造であり、溝２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄの配置のみが異なっている。このため、図６において、図４の参照符号に数字２０を加えた部材は、図１〜４で説明した部材と同一であり、その説明を省略する。
半導体ウェハ２００の結晶方位は＜００１＞である。この場合、図６に示すように、半導体ウェハ２００の劈開方向は、半導体ウェハ２００を平面視したときの中心位置Ｃ２から見て４５°，１３５°，２２５°，３１５°の方向に平行な方向となる。
【００１７】
半導体ウェハ２００においても、半導体ウェハ１００と同様に、半導体ウェハ２００をステージ上に載置したときに、溝２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄが形成されていることによって、半導体ウェハ２００をステージ上の所望の位置に載置することができる。半導体ウェハ２００をステージ上から容易に外すことができる。また、半導体ウェハ２００では、半導体ウェハ２００を平面視したときに、劈開方向に平行な全ての直線上に厚層部２２のうち溝２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄが形成されていない部分が存在しているため、半導体ウェハ２００が劈開方向に沿って割れることが抑制される。
【００１８】
第１実施例および第２実施例の半導体ウェハでは、半導体ウェハの結晶方位および厚層部の幅に応じて、溝の両側壁がウェハの劈開方向に平行な直線と交わるように溝の位置および幅が調整されていることが好ましい。半導体ウェハの結晶方位又は厚層部の幅が異なれば、溝の両側壁が劈開方向に平行な直線と交わるための溝の位置又は幅も異なるからである。
【００１９】
第１実施例および第２実施例の半導体ウェハでは、溝の幅が最大となるように溝が形成されていることが好ましい。具体的には、劈開方向に平行な直線が、溝の一方の側壁のウェハ外側端部近傍で交わるとともに、他方の側壁のウェハ内側端部近傍で交わるように溝を形成する。溝の幅が大きいほど、半導体ウェハをステージ上に載置したときに、薄層部と厚層部とステージによって囲まれる空間と外との間の通気性が高い。このため、半導体ウェハをより確実にステージ上の所望の位置に載置することができる。また、半導体ウェハをステージ上からより簡単に外すことができる。
【００２０】
第１実施例および第２実施例の半導体ウェハでは、厚層部に複数の溝が形成されていることが好ましい。厚層部に複数の溝が形成されていれば、半導体ウェハをステージ上に載置したときに、薄層部と厚層部とステージによって囲まれる空間と外の間で通気性を高くすることができる。このため、半導体ウェハをより確実にステージ上の所望の位置に載置することができる。また、半導体ウェハをステージ上からより簡単に外すことができる。
【００２１】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施例の半導体ウェハの断面図を示す。
【図２】半導体ウェハの斜視図を示す。
【図３】半導体ウェハをステージ上に載置したときの側面図を示す。
【図４】半導体ウェハの平面図を示す。
【図５】半導体ウェハの一部を拡大した平面図を示す。
【図６】第２実施例の半導体ウェハの平面図を示す。
【符号の説明】
【００２３】
２、２２：厚層部
４、２４：薄層部
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ：溝
６ｂ１、６ｂ２：溝の側壁
８：凹部
１０：ステージ
１２：空間
１００、２００：半導体ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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