(57)【要約】      （修正有）【課題】銀薄膜層の表面抵抗値の低下がなされた積層体物品を提供する。【解決手段】積層体物品は、基材１と、基材上に形成された薄膜積層体とを有し、該薄膜積層体は、酸化亜鉛薄膜層１１と、該薄膜の基材とは反対側に接する銀薄膜層１２とからなる薄膜積層部を含み、前記酸化亜鉛薄膜１１は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法にて、酸化亜鉛の（００２）結晶面による回折ピークを回折角度２θで３３．９°以下に示し、前記銀薄膜層１２は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法にて、銀の（１１１）結晶面による回折ピークを回折角度２θで３８．１°以下に示す。【選択図】図２
2010253921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、基材上に形成された薄膜積層体とを有する積層体物品であり、該薄膜積層体は、酸化亜鉛薄膜層と、該薄膜の基材とは反対側に接する銀薄膜層とからなる薄膜積層部を含み、前記酸化亜鉛薄膜層は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法にて、酸化亜鉛の（００２）結晶面によるによる回折ピークを回折角度２θで３３．９°以下に示し、前記銀薄膜層は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法にて、銀の（１１１）結晶面による回折ピークを回折角度２θで３８．１°以上に示すものであることを特徴とする積層体物品。
【請求項２】
前記薄膜積層部を１〜３含むことを特徴とする請求項１乃至３に記載の積層体物品。
【請求項３】
銀薄膜層の厚みが８〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層体物品。
【請求項４】
前記酸化亜鉛薄膜層の薄膜表面における二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が１．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項
に記載の積層体物品。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の積層体物品よりなる窓用ガラス積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀薄膜層を有する薄膜積層体を有する積層体物品に関して、当該銀薄膜層の表面抵抗値を小さいものとすることで、Ｌｏｗ−Ｅ（低放射）ガラスなどとして窓ガラスなどに好適に適用可能な積層体物品に関する。
【背景技術】
【０００２】
銀薄膜層を有する薄膜積層体を有する積層体物品は、Ｌｏｗ−Ｅ（低放射）ガラスとして使用されている。Ｌｏｗ−Ｅ（低放射）ガラスは、対向する２枚のガラス基材の周辺部をスペーサーと封止剤とで封止されてなる複層ガラスのガラス基材として使用されており、対向する２枚のガラス基材間は、乾燥空気、Ａｒ等の希ガスなどで満たされている。
【０００３】
Ｌｏｗ−Ｅガラスは、窓ガラスを通して、夏季は室外から室内への流入する日射熱、冬季は室内から室外への流出する暖房熱を反射することで冷暖房費を抑え、省エネルギーに役立つ窓ガラスとして広く用いられている。そして、高い遮熱性と高い可視光透過率を有するＬｏｗ−Ｅガラスを得る方法として特許文献１、２が開示されている。
【０００４】
また、銀薄膜層を有する積層構造体物品は、銀薄膜層の電気導電性を活用することによる太陽電池やディスプレイなど電子デバイスの電極部材等への利用（非特許文献１）、さらには、プラズマディスプレイ等に組み込まれる前面パネル用の近赤外線カットフィルターへの利用（非特許文献２）等が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２０６４２４号公報
【特許文献２】特開２００７−１９１３８４号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】D.R.Sahu et al.、ZnO/Ag/ZnO multilayer films for the application of a very low resistance transparent electrode、Applied Surface Science、Vol. 252、Issue 20、2005、p7509-7514
【非特許文献２】J.H.Lee et al.、Characterization of the optical and structural properties for low-emissivity filters with Ti、TiOx、and ITO barrier layers、Journal of the Korean Physical Society、Vol.46,June 2005、pp. S154〜S158
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
銀薄膜層を含む薄膜積層体を有する積層体物品の遮熱性、可視光透過率、電気導電性などは、銀薄膜層の表面抵抗値に大きく影響を受ける。また、これらは、銀薄膜層の厚みにも影響を受けるが、銀薄膜層の厚膜化は、遮熱性、電気導電性に向上をもたらすが、可視光透過率の低下、コスト増をもたらすので、当該層の厚膜化は、良い解決手段とはなりえない。
【０００８】
遮熱性、可視光透過率、電気導電性などが良好な銀薄膜層を得るためには、銀薄膜層の表面抵抗値を小さくすることがポイントとなる。特許文献１、２で作製された銀薄膜層は、それぞれ表面抵抗値が小さく、良好なものが得られているが、さらなる改善を図ることで、銀薄膜層を含む薄膜積層体を有する積層体物品の遮熱性、可視光透過率、電気導電性などの諸性能を向上がなされる。
【０００９】
本発明は、銀薄膜層の表面抵抗値の低下がなされた積層体物品を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の積層体物品は、基材と、基材上に形成された薄膜積層体とを有し、該薄膜積層体は、酸化亜鉛薄膜層と、該薄膜の基材とは反対側に接する銀薄膜層とからなる薄膜積層部を含み、前記酸化亜鉛薄膜層は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法にて、酸化亜鉛の（００２）結晶面によるによる回折ピークを回折角度２θで３３．９°以下、好ましくは３３．８°以下に示し、前記銀薄膜層は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法にて、銀の（１１１）結晶面による回折ピークを回折角度２θで３８．１°以上、好ましくは３８．１１°以上に示すものであることを特徴とする。
【００１１】
薄膜積層体は、スパッタリング法等の蒸着プロセスにより成膜されて形成されることが好ましく、特に前記薄膜積層部は、スパッタリングのターゲット背後に磁石を配置し、発生する磁場により、ターゲット表面近傍にプラズマを閉じ込め、ターゲットからスパッタリングされた粒子により成膜を行うマグネットスパッタリング法により成膜されてなることで、酸化亜鉛薄膜層上の銀薄膜層は、表面抵抗値がある程度低いものが得られる。
【００１２】
本発明の積層体物品では、銀薄膜層が、例えば、１０ｎｍの厚みで、５．５Ω／□以下、さらには４．３Ω／□の表面抵抗値とでき、従来品の６〜８Ω／□のものと比べ遥かに低い表面抵抗値を持つ銀薄膜層を得ることができる。
【００１３】
また、本発明の積層体物品中の銀薄膜層は、驚くべきことに、屈折率ｎと消衰係数ｋの積ｎｋを小さいものとでき、銀薄膜層が、例えば、１０ｎｍの厚みで、５５０ｎｍの光波長に対して、ｎｋを０．５以下にでき、銀薄膜層による可視光の吸収を小さくでき、可視光透過率が良好な銀薄膜層を得ることができる。
【００１４】
本発明では、酸化亜鉛の（００２）結晶面によるによる回折ピークを回折角度２θで３３．９°以下である酸化亜鉛薄膜層上に、銀の（１１１）結晶面による回折ピークを回折角度２θで３８．１°以上の銀薄膜層を形成することで、意外にも銀薄膜層の表面抵抗値が低いものになることが見出された。
【００１５】
前記酸化亜鉛の（００２）結晶面によるによる回折ピークを回折角度２θの下限値は特に限定されないが、３３．３°未満であると、無歪み酸化亜鉛粉末の回折角３４．４２１°とのずれが大きく、すなわち酸化亜鉛薄膜層の残留歪み（圧縮応力）が大きくなり、薄膜積層体が基材上から剥離するなど、経年劣化する可能性がある。そのため、前記酸化亜鉛の（００２）結晶面によるによる回折ピークを回折角度２θは、３３．３°以上と設定してもよい。
【００１６】
また、銀の（１１１）結晶面による回折ピークを回折角度２θの上限は特に限定されないが、３８．６°を超える場合、無歪み銀塊の回折角３８．１１６°とのずれが大きく、銀薄膜層の残留歪み（引っ張り応力）が大きくなり、銀薄膜が経時的に凝集しやすくなり、薄膜積層体に点欠陥を生じることがある。そのため、銀の（１１１）結晶面による回折ピークは、３８．６°以下と設定してもよい。
【００１７】
なお、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により測定される酸化亜鉛および銀の回折角度は２θ、Ｘ線回折測定装置（リガク製、ＲＩＮＴ−ＵｌｔｉｍａIII）に付随した汎用プログラムによって求めることができる。
【００１８】
また、本発明では、酸化亜鉛薄膜層の表面の二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が小さくなるほど、銀薄膜層の表面抵抗値が低いものになることが見出された。酸化亜鉛薄膜層のＲｍｓを１．５ｎｍ以下とし、下限は特に限定しないが、０．２ｎｍ以上としても差し支えない。１．５ｎｍを越えると、銀薄膜層の表面抵抗値が高いものとなるだけでなく、高いＲｍｓに起因した可視光の散乱により、可視光透過率が低下する可能性がある。
【００１９】
なお、酸化亜鉛薄膜層の表面の二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は、Ｘ線回折測定装置（リガク製、ＲＩＮＴ−ＵｌｔｉｍａIII）を用いたＸ線反射率測定法により測定することができ、装置に付随した汎用プログラムによって求めることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の積層体物品は、銀薄膜層の表面抵抗値を従来のものと比べて低いものとでき、積層体物品の遮熱性、可視光透過率、電気導電性などの向上に奏功する。また、積層体物品中の銀薄膜層の屈折率と消衰係数の積を従来品よりも小さいものとでき、可視光透過率の良好なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】マグネトロンスパッタ装置の概略を示す図である。
【図２】積層体物品の構造を表す断面模式図である。
【図３】比較例４における基材上に形成された銀薄膜を表す断面模式図である。
【図４】参考例における銀薄膜の膜厚と相対充填密度とを表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の積層体物品は、基材と基材上に形成された薄膜積層体とを有する積層体物品であり、該薄膜積層体は、酸化亜鉛薄膜層と、該薄膜の基材とは反対側に接する銀薄膜層とからなる薄膜積層部を有し、薄膜積層体は、スパッタリング法等の蒸着プロセスを用いて形成されることが好ましい。
【００２３】
前記酸化亜鉛薄膜層を、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法にて、酸化亜鉛の（００２）結晶面によるによる回折ピークを回折角度２θで３３．９°以下とする好適な方法として、例えば、スパッタリング法を用いる場合、真空チャンバー内に酸素ガスなどを導入し、真空チャンバーと真空ポンプの間に設置されたバルブの開度を制御することで、真空チャンバー内の圧力を１．０Ｐａ以下、好ましくは０．５Ｐａ以下に調整して、前記酸化亜鉛薄膜層を形成しても良い。スパッタリングターゲットとしては、亜鉛金属が最も好適に用いられるが、亜鉛にＳｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｇａなどから選ばれる少なくとも一つの金属を含む亜鉛合金を用いても良い。
【００２４】
前記銀薄膜層を、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法にて、銀の（１１１）結晶面による回折ピークを回折角度２θで３８．１°以上とする好適な方法として、例えば、スパッタリング法を用いる場合、スパッタリングターゲットに印加される電圧を４００Ｖ以下、好ましくは３５０Ｖ以下に調整して、前記銀薄膜層を形成しても良い。また、スパッタリングターゲットに印加される電圧を低くするほど、銀薄膜層の残留応力が低下し、銀の充填密度が高くなることが明らかとなった（後述の参考例を参照）。一般的に、銀薄膜層の厚みを一定とした場合、充填密度が高くなると表面抵抗値は低くなるとされており、スパッタリングターゲットに印加される電圧を低くすることは、銀薄膜層の表面抵抗値を低下せしめることに奏功すると推察される。
【００２５】
スパッタリングターゲットに印加される電圧を調整する方法として、スパッタリングターゲットの裏側に配置されたマグネットによりその表面に発生する垂直方向の磁束密度が７０ｍＴ以上、好ましくは１００ｍＴ以上となるマグネットを用いても良い。スパッタリングターゲットとしては、銀が最も好適に用いられるが、銀にパラジウム、金、白金、ニッケル、銅などの金属を少なくとも一種類の金属を含む銀合金を用いても良い。
【００２６】
前記酸化亜鉛薄膜層は、ＺｎＯそのものの、又はＳｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｇａから選ばれる少なくとも１つの金属を含む複合酸化亜鉛化合物としてもよく、この場合、これら金属は、Ｚｎの原子数に対して０．４倍まで含有させてもよい。
【００２７】
また、前記銀薄膜層は、Ａｇそのもの、又はＡｇを主成分とする銀合金としてもよく、パラジウム、金、白金、ニッケル、銅などの金属を５重量％まで含むものとしてよい。
【００２８】
スパッタリング法において、プラズマ発生源には直流電源、交流電源、または交流と直流を重畳した電源、いずれの電源も好適に用いられるが、交流と直流を重畳した電源は連続生産性に優れており、好適に用いられる。
【００２９】
成膜装置としては、図１に示すようなマグネトロンスパッタ装置が好適に用いられる。ガラス１を基材ホルダー２に保持させた後、真空チャンバー３内を真空ポンプ４によって排気し、成膜中、真空ポンプ４は連続して稼働させ、真空チャンバー内の雰囲気ガスは、ガス導入管５より導入し、ガスの流量をマスフローコントローラー（図示せず）により制御して調整する。なお、基材ホルダー２は、膜厚の分布を最小限に抑えるために回転させて、成膜した。成膜中の真空チャンバ−内の圧力は、真空チャンバーと真空ポンプの間に設置されたバルブ６の開度を制御することで調節する。裏側にマグネット７が配置されたターゲット８を用い、ターゲットへ電源ケーブル９を通じで電源１０より投入する。ここで、真空ポンプの種類、ターゲットの個数や種類、直流電源と交流電源の選択は適宜なされれば良く、特に限定しない。なお、図１についての詳細は、実施例で後述する。
【００３０】
前記基材は、特に限定されるものではないが、例えば、建築物用窓ガラスや通常使用されているフロ−ト板ガラス、又はロ−ルアウト法で製造されたソーダ石灰ガラス等無機質の透明性がある板ガラスを使用できる。当該板ガラスには、クリアガラス、高透過ガラス等の無色のもの、熱線吸収ガラス等の緑等に着色されたもの共に使用可能で、ガラスの形状等に特に限定されるものではないが、可視光透過率を考慮すると、クリアガラス、高透過ガラス等の無色ガラスを使用することが好ましい。また、平板ガラス、曲げ板ガラスはもちろん風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の各種強化ガラスの他に網入りガラスも使用できる。さらには、ホウケイ酸塩ガラス、低膨張ガラス、ゼロ膨張ガラス、低膨張結晶化ガラス、ゼロ膨張結晶化ガラス等の各種ガラス基材を用いることができる。また、ガラス基材以外の例としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂、ポリエチレン樹脂等の非晶質の樹脂基材が挙げられる。
【００３１】
前記薄膜積層体は、前記薄膜積層部に加えて、保護薄膜層と金属酸化物薄膜層を有することが好ましい。保護薄膜層は、銀薄膜層の上に直接形成されることが好ましく、前記薄膜積層部に引き続いて形成される金属酸化物薄膜層を形成する際に発生する酸素プラズマによる銀薄膜層の酸化を防ぐ目的で使用することができる。なお、金属酸化物薄膜層を形成した後、保護薄膜層は部分的もしくは完全に酸化される。
【００３２】
該保護薄膜層には、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌ、ＮｉＣｒ、Ｃｒ、Ｚｎ合金、Ｓｎ合金、および各金属にＡｌ，Ｓｂ金属を０．０〜１０．０重量％含んだもの、さらには、該金属または該合金の低級酸化物薄膜等を用いることができ、金属酸化物薄膜層との密着性などを考慮して適宜選択される。
【００３３】
また、金属酸化物薄膜層は、薄膜表面の可視光反射を、干渉効果により低減する目的等で使用することができる。該金属酸化物薄膜層には、酸化亜鉛膜の他に、Ｓｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ等の酸化物膜、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ等の窒化物膜や窒酸化物膜のなかから少なくとも１種類以上を選んでなる金属酸化物膜を用いてもよい。この金属酸化物薄膜層は、薄膜積層部と基材との間に設けられてもよい。
【００３４】
本発明の積層体物品では、薄膜積層体が、前記薄膜積層部を好ましくは１又は２〜３、より好ましくは２有することが好ましい。薄膜の層数を増やすに従って、光学干渉の効果により、反射率を０％近くまで低減できる波長が増え、ある反射率以下になる２つの波長の比（バンド幅比）を大きくすることができるので、反射防止効果が大きく、ニュートラルな透過色調および反射色調を得ることが出来る。
【００３５】
銀薄膜層の厚みは好ましくは８〜２０ｎｍ、より好ましくは、１０〜１８ｎｍでとされる。銀薄膜層の厚みが８ｎｍ未満では、銀薄膜層による日射遮蔽性能が得られにくくなることがある。また、薄膜が薄すぎて、不連続な領域が存在し、局所的な欠陥を生じることがある。一方、２０ｎｍを越えると、良好な可視光透過率を得られないことがある。
【実施例】
【００３６】
１．積層体物品の作製
実施例１
図２に示すような、ガラス基材１に酸化亜鉛薄膜１１と銀薄膜１２を順次積層した薄膜積層体を作製した。ガラス基材としては、厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラスを用いた。薄膜積層体の成膜は、図１に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いて行った。
【００３７】
酸化亜鉛薄膜の成膜は、ガラス基材１を基材ホルダー２に保持させた後、真空チャンバー３内を真空ポンプ４によって排気して行った。成膜中、真空ポンプ４は連続して稼働させ、真空チャンバー内の雰囲気ガスは、ガス導入管５より、酸素ガスを導入し、酸素ガスの流量をマスフローコントローラー（図示せず）により制御して調整した。真空ポンプ４にはターボ分子ポンプを用いた。成膜中の真空チャンバ−内の圧力は、真空チャンバーと真空ポンプの間に設置された排気バルブ６の開度を制御することで０．１Ｐａに調節した。裏側にマグネット７が配置されたターゲット８には、Ｚｎターゲットを用い、Ｚｎターゲットへ電源ケーブル９を通じで電源１０より投入される電力は１００Ｗとし、電源１０には直流電源を用いた。テスラメータ（カネテック社製、ＴＭ−７０１）により、ターゲット中心における最大磁束密度を測定したところ、９２ｍＴであった。また、酸化亜鉛薄膜の厚さが３７ｎｍになるように、成膜時間を制御した。なお、以降いずれの膜についても、成膜時間を制御することで所望の膜厚を得ており、意図的な基材加熱は行わなかった。
【００３８】
次に、酸化亜鉛薄膜の上に銀薄膜を、真空を維持したまま連続的して成膜した。ターゲット８に銀ターゲットを用いて、真空チャンバー３内の雰囲気ガスは、ガス導入管５より、アルゴンを導入し、圧力は、排気バルブ６を制御して０．５Ｐａに調節した。銀ターゲット８へ電源ケーブル９を通じて電源１０より投入する電力は５０Ｗとし、電源１０には直流電源を用いた。ターゲット中心における最大磁束密度を測定したところ、１４９ｍＴであった。銀薄膜の厚さが１０ｎｍになるように、成膜時間を制御した。
【００３９】
実施例２
酸化亜鉛薄膜の成膜中の圧力を０．３Ｐａとした以外は、実施例１と同様にして、積層体物品を作製した。
【００４０】
実施例３
酸化亜鉛薄膜の成膜中の圧力を１．１Ｐａとした以外は、実施例１と同様にして、積層体物品を作製した。
【００４１】
比較例１
酸化亜鉛薄膜の成膜中の圧力を１．６Ｐａとした以外は、実施例１と同様にして、積層体物品を作製した。
【００４２】
比較例２
酸化亜鉛薄膜の成膜中の圧力を０．６Ｐａとし、銀ターゲットの裏側に配置されたマグネット７による磁束密度は、ターゲット中心で５７ｍＴとなるマグネットを使用し、その他の成膜条件は、実施例１と同様にして、積層体物品を作製した。
【００４３】
比較例３
酸化亜鉛薄膜の成膜中の圧力を１．５Ｐａとし、銀ターゲットの裏側に配置されたマグネット７による磁束密度は、ターゲット中心で５７ｍＴとなるマグネットを使用し、その他の成膜条件は、実施例１と同様にして、積層体物品を作製した。
【００４４】
比較例４
図３に示すように、ガラス基材上に銀薄膜を作製した。ガラス基材としては、厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラスを用いた。銀薄膜の成膜は、図１に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いて行い、銀薄膜の成膜条件は実施例１と同様にした。
【００４５】
比較例５
図２に示すような、ガラス基材１に酸化スズ薄膜１１と銀薄膜１２を順次積層した積層体物品を作製した。ガラス基材としては、厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラスを用いた。薄膜積層体の成膜は、図１に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いて行った。
【００４６】
酸化スズ薄膜の成膜は、ガラス１を基材ホルダー２に保持させた後、真空チャンバー３内を真空ポンプ４によって排気して行った。成膜中、真空ポンプ４は連続して稼働させ、真空チャンバー内の雰囲気ガスは、ガス導入管５より、酸素ガスを導入し、酸素ガスの流量をマスフローコントローラー（図示せず）により制御して調整した。真空ポンプ４にはターボ分子ポンプを用いた。成膜中の真空チャンバ−内の圧力は、真空チャンバーと真空ポンプの間に設置された排気バルブ６の開度を制御することで０．４Ｐａに調節した。裏側にマグネット７が配置されたターゲット８には、Ｓｎターゲットを用い、Ｓｎターゲットへ電源ケーブル９を通じで電源１０より投入される電力は１００Ｗとし、電源１０には直流電源を用いた。ターゲット中心における最大磁束密度を測定したところ、９２ｍＴであった。また、酸化スズ薄膜の厚さが３７ｎｍになるように、成膜時間を制御した。なお、以降いずれの膜についても、成膜時間を制御することで所望の膜厚を得ており、意図的な基材加熱は行わなかった。
【００４７】
次に、酸化スズ薄膜の上に銀薄膜を、真空を維持したまま連続的して成膜した。ターゲット８に銀ターゲットを用いて、真空チャンバー３内の雰囲気ガスは、ガス導入管５より、アルゴンを導入し、圧力は、排気バルブ６を制御して０．５Ｐａに調節した。銀ターゲット８へ電源ケーブル９を通じて電源１０より投入する電力は５０Ｗとし、電源１０には直流電源を用いた。マグネット７による磁束密度は、ターゲット中心で１４９ｍＴとなるマグネットを使用した。銀薄膜の厚さが１０ｎｍになるように、成膜時間を制御した。
【００４８】
実施例１乃至３、比較例１乃至５における成膜条件を表１に示す。
【００４９】
【表１】
2010253921.tif 000003
２．積層体物品の評価
薄膜積層体の表面抵抗Ｒｓを、表面抵抗測定器（Ｎａｐｓｏｎ社製、ＲｅｓｉｓｔｅｓｔVIII）を用いて測定した。
【００５０】
薄膜積層体の放射率εを、表面抵抗Ｒｓより次式を用いて算出した（参考文献：J. Szczyrbowski et al.、New low emissivity coating based on TwinMagＴＭsputtered TiO2 and Si3N4 layers、Thin Solid Films、Vol.351、Issues 1-2、1999、p 254-259）
ε＝０．０１２９×Ｒｓ−６．７×１０−５×Ｒｓ２
積層体物品の光学特性を、自記分光光度計（日立製作所製、Ｕ−４０００）を用いて測定した。
【００５１】
さらに、自記分光光度計を用いて測定した透過率と膜面の反射率から、波長５５０ｎｍにおける屈折率ｎと消衰係数ｋを算出した。
【００５２】
ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により測定される酸化亜鉛および銀の回折角度は２θ、Ｘ線回折測定装置（リガク製、ＲＩＮＴ−ＵｌｔｉｍａIII）に付随した汎用プログラムによって求めた。
【００５３】
薄膜積層体に用いた酸化亜鉛層の表面粗さと充填密度を調べるために、実施例１乃至３および比較例１で作製した酸化亜鉛層と同一条件で作製した酸化亜鉛の単層膜について、Ｘ線回折測定装置を用いて、Ｘ線反射率測定により酸化亜鉛薄膜層の表面の二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）と充填密度を測定した。Ｒｍｓと充填密度は装置に付随した汎用プログラムによって求めた。なお、充填密度は、測定された充填密度を、充填密度の最大値で割った相対充填密度として算出した。
【００５４】
実施例１乃至３、比較例１乃至５で作製した薄膜積層体の電気特性、放射率および可視光領域における光学特性を表２に、日射に対する光学特性およびＸ線回折測定結果およびＸ線反射率測定結果を表２および表３に示す。
【００５５】
【表２】
2010253921.tif 000004
【００５６】
【表３】
2010253921.tif 000005
実施例１乃至３の積層体物品は、表面抵抗が低く、放射率が低いことから、室内の暖房熱に相当する赤外線の反射率が高いことが分かり、断熱性に優れていた。
【００５７】
また、実施例１乃至３の積層体物品は、可視光の反射率が高く、吸収率が低かった。このことから、薄膜積層体の更に上層に酸化物膜を形成すれば、光学的な干渉効果が発現し、容易に可視光透過率を向上できる。
【００５８】
また、実施例１乃至３の積層体物品は、ｎｋの積が小さかった。ｎｋの積は、材料の吸収係数と比例関係にあり（「朝倉書店、松村温著、物理学ライブラリー９  光学（１９８３）、初版、頁２６〜２７」）、実施例１乃至３の積層体物品は、光学的な吸収率が低いものであることが確認された。
【００５９】
また、実施例１乃至３の積層体物品は、日射の透過率が高く、吸収率が低かった。このことから、銀薄膜の厚みを若干厚くすれば、容易に日射反射率を向上できるものであることが確認された。
【００６０】
また、実施例１乃至３の積層体物品は全て、酸化亜鉛薄膜のＸ線回折角が３３．９°以下であり、かつ銀薄膜のＸ線回折角が３８．１°以上であり、本発明の請求範囲を満足していた。
【００６１】
また、実施例１乃至３の積層体物品に用いた酸化亜鉛薄膜層は、Ｒｍｓが小さく、かつ充填密度が高いことが分かった。また、上記のＲｍｓが小さいほど銀薄膜層の表面抵抗が低くなっていることが確認された。
【００６２】
以上より、実施例１乃至３において、銀薄膜の厚みを厚くしても、高い可視光透過率を有しており、さらに優れた断熱性と日射遮蔽性を有している薄膜積層体を得ることが可能な、低い可視光および日射吸収率を有している銀薄膜を含む薄膜積層体を用いた積層体物品を得ることができた。一方、比較例１乃至５においては、表面抵抗が高いことに起因して、断熱性が悪く、また可視光と日射の吸収率が高くなっており、本発明の目的には適さなかった。
【００６３】
参考例１
ガラス基材上に銀薄膜を形成した。ガラス基材としては、厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラスを用いた。成膜は、図１に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いて行った。
【００６４】
銀薄膜の成膜は、ガラス基材１を基材ホルダー２に保持させた後、真空チャンバー３内を真空ポンプ４によって排気して行った。成膜中、真空ポンプ４は連続して稼働させ、真空チャンバー内の雰囲気ガスは、ガス導入管５より、Ａｒガスを導入し、Ａｒガスの流量をマスフローコントローラー（図示せず）により制御して調整した。真空ポンプ４にはターボ分子ポンプを用いた。成膜中の真空チャンバ−内の圧力は、真空チャンバーと真空ポンプの間に設置された排気バルブ６の開度を制御することで０．５Ｐａに調節した。裏側にマグネット７が配置されたターゲット８には、Ａｇターゲットを用い、Ａｇターゲットへ電源ケーブル９を通じで電源１０より投入される電力は２００Ｗとし、電源１０には直流電源を用いた。銀ターゲットの裏側に配置されたマグネット７による磁束密度は、ターゲット中心で５７ｍＴとなるマグネットを使用した。ターゲット中心における最大磁束密度を測定したところ、１４９ｍＴであった。
【００６５】
上記によって得られた銀薄膜に関して、充填密度をＸ線回折測定装置を用いたＸ線反射率測定により測定した。なお、充填密度は装置に付随した汎用プログラムによって求め、測定された充填密度を、充填密度の最大値で割った相対充填密度として算出し、その結果を図４に記載した。また、銀薄膜の残留応力を、Ｘ線回折測定を応用した２θ−sin2ψ作図法を用いて、装置に付随した汎用プログラムによって算出した（参考文献：Ｘ線回折ハンドブック、発行：理学電気株式会社、２００３年６月、第四版、頁１０３−１０４）。なお、光学系は並傾法、回折線の測定は格子面法線一定法を採用した。その結果を表４に示した。
【００６６】
参考例２
銀ターゲットの裏側に配置されたマグネット７による磁束密度は、ターゲット中心で９１ｍＴとなるマグネットを使用した。その他の成膜条件は、参考例１と同様の方法で銀薄膜を形成し、その充填密度と残留応力を算出した。
【００６７】
【表４】
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参考例により、Ａｇターゲットに印加される電圧を低くすることで、銀薄膜の充填密度は高くなり、残留応力が小さくなることが確認された。
【符号の説明】
【００６８】
１    ガラス
２    基材ホルダー
３    真空チャンバー
４    真空ポンプ
５    ガス導入管
６    排気バルブ
７    マグネット
８    ターゲット
９    電源ケーブル
１０  電源
１１  酸化亜鉛薄膜または酸化スズ薄膜
１２  銀薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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