(57)【要約】【課題】機能素子の可動部分を配置した凹部を封止する封止膜の変形を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５の底面に下端を接する支柱部１１、及び支柱部１１を囲むように凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える半導体チップ１０と、支柱部１１の上端上に配置された柱状部２０２、及び半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置された環状部２０１を有するスペーサ２０と、スペーサ２０の柱状部２０２の上面２０２ａ及び環状部２０１の上面２０１ａに接し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って配置された封止膜３０とを備える。【選択図】図１
2010073886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹部が形成され、該凹部の底面に下端を接する支柱部、及び前記支柱部を囲むように前記凹部内に配置された可動部分を有する機能素子を備える半導体チップと、
前記支柱部の上端上に配置された柱状部、及び前記半導体チップの前記表面上で前記凹部を囲んで環状に配置された環状部を有するスペーサと、
前記スペーサの前記柱状部の上面及び前記環状部の上面に接し、空洞を形成するように前記凹部の上方を覆って配置された封止膜と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記封止膜が樹脂膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記スペーサが樹脂膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの前記表面と前記可動部分の上面が同一平面に位置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップ及び前記封止膜が樹脂によりモールド封止されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記可動部分が、前記凹部の内側面に固定端が固定され、該固定端から前記凹部がなす空間に自由端が延在する片持ち梁を有する加速度センサであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記機能素子が、ＭＥＭＳ素子、表面弾性波素子、圧電薄膜共振器のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体チップの表面に凹部及び該凹部の底面に下端を接する支柱部を形成するステップと、
前記支柱部を囲むように前記凹部内に配置された可動部分を有する機能素子を形成するステップと、
前記支柱部の上端上に配置された柱状部、及び前記半導体チップの前記表面上で前記凹部を囲んで環状に配置された環状部を有するスペーサを形成するステップと、
空洞を形成するように前記凹部の上方を覆って前記スペーサの前記柱状部の上面及び前記環状部の上面に接する封止膜を配置するステップと
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記機能素子を形成するステップが、前記凹部の内側面に固定端が固定され、該固定端から前記凹部がなす空間に自由端が延在する片持ち梁を形成するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支柱部の側面と前記片持ち梁の側面を同時に形成することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記スペーサがスクリーン印刷法により形成されることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体チップ及び前記封止膜をモールド封止するステップを更に含むことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可動部分を有する機能素子を有する半導体装置に係り、特に可動部分の配置された凹部を封止する封止膜を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可動部分を有する機能素子を有するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）素子、表面弾性波（ＳＡＷ）素子、圧電材料を使用した圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）等が、ジャイロセンサや圧力センサ等に使用されている。一般的に、ＭＥＭＳ素子、ＳＡＷ素子、ＦＢＡＲ等は、半導体チップに振動子等の可動部分が形成される。
【０００３】
半導体チップの表面に形成した凹部内に機能素子の可動部分を配置する場合、凹部を封止して機能素子の可動部分を保護する必要がある。機能素子の特性変動を防止するためである。例えば、凹部を樹脂等の封止膜で封止する（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−１９９２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、樹脂の封止膜は強度が低いため、半導体チップをモールド封止する際等に封止膜が変形する場合がある。この場合、凹部内に配置された機能素子の可動部分と封止膜とが接触して、機能素子がダメージを受けるという問題があった。凹部上方の封止膜を変形させずに半導体チップをモールド封止するためには、封止膜の厚みを例えば数百μｍ程度に厚くする必要があり、半導体装置の薄型化が阻害される。
【０００５】
上記問題点を鑑み、本発明は、機能素子の可動部分を配置した凹部を封止する封止膜の変形を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、（イ）表面に凹部が形成され、その凹部の底面に下端を接する支柱部、及び支柱部を囲むように凹部内に配置された可動部分を有する機能素子を備える半導体チップと、（ロ）支柱部の上端上に配置された柱状部、及び半導体チップの表面上で凹部を囲んで環状に配置された環状部を有するスペーサと、（ハ）スペーサの柱状部の上面及び環状部の上面に接し、空洞を形成するように凹部の上方を覆って配置された封止膜とを備える半導体装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、（イ）半導体チップの表面に凹部及びその凹部の底面に下端を接する支柱部を形成するステップと、（ロ）支柱部を囲むように凹部内に配置された可動部分を有する機能素子を形成するステップと、（ハ）支柱部の上端上に配置された柱状部、及び半導体チップの表面上で凹部を囲んで環状に配置された環状部を有するスペーサを形成するステップと、（ニ）空洞を形成するように凹部の上方を覆ってスペーサの柱状部の上面及び環状部の上面に接する封止膜を配置するステップとを含む半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、機能素子の可動部分を配置した凹部を封止する封止膜の変形を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、図面を参照して、本発明の第１乃至第４の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１０】
又、以下に示す第１乃至第４の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１１】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態における半導体装置は、図１に示すように、表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５の底面に下端を接する支柱部１１、及び支柱部１１を囲むように凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える半導体チップ１０と、支柱部１１の上端上に配置された柱状部２０２、及び半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置された環状部２０１を有するスペーサ２０と、スペーサ２０の柱状部２０２の上面２０２ａ及び環状部２０１の上面２０１ａに接し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って配置された封止膜３０とを備える。
【００１２】
図１に示した例では、半導体チップ１０が、第１シリコン膜層１０１、酸化シリコン膜層１０２及び第２シリコン膜層１０３が積層された構造を有する。後述するように、第２シリコン膜層１０３と酸化シリコン膜層１０２のそれぞれ一部がエッチング除去されて、支柱部１１及び機能素子１００の可動部分が形成される。つまり、凹部１５の底面は、第１シリコン膜層１０１の表面１０１ａである。支柱部１１の上端面は、半導体チップ１０の表面１０ａ及び可動部分の上面と同一平面レベルに位置する。なお、機能素子１００の可動部分が他の方法により形成されてもよいことはもちろんである。半導体チップ１０の表面１０ａ上に配置された電極パッド１５１は、後述するように、機能素子１００の可動部分への電圧印加や、機能素子１００が生成する検出信号の出力等に使用される。
【００１３】
スペーサ２０には、例えば、ポリミイド系、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系等の樹脂系接着剤を採用可能である。スクリーン印刷や塗布可能な樹脂系接着剤をスペーサ２０に使用できる。
【００１４】
封止膜３０には、例えば、感光性樹脂フィルム等の樹脂膜が採用可能である。封止膜３０の膜厚は、数十〜百μｍ程度である。封止膜３０の膜厚は、凹部１５の面積や形状、及び凹部１５内に配置された支柱部１１の数や配置等に応じて決定される。
【００１５】
図１に示した半導体装置では、凹部１５を囲んで半導体チップ１０の表面１０ａ上で配置された環状部２０１以外に、凹部１５内に配置された支柱部１１の上端上に配置された柱状部２０２によって、封止膜３０が支持される。このため、例えば凹部１５上方の封止膜３０に上部から圧力がかかっても、封止膜３０の変形を抑制できる。
【００１６】
例えば、深さ５０μｍで形成された凹部１５の周囲の形状が１ｍｍ×１ｍｍの矩形である場合、凹部１５の中心付近に上端面形状が５０μｍ×５０μｍの矩形の支柱部１１を配置する。図１では支柱部１１が１つの場合を例示したが、凹部１５内に複数の支柱部１１を配置してもよい。
【００１７】
機能素子１００の有する「可動部分」は、外部からの衝撃等の外因に応じて物理的に形状が変化したり、位置が変化したりする部分である。例えば、圧力センサやジャイロセンサの振動子等が可動部分である。
【００１８】
図２に、機能素子１００の有する可動部分の例を示す。ここでは、機能素子１００が加速度センサである例を説明する。図２は、図１に示した半導体装置を封止膜３０を透過してみた上面図である。図１は、図２のＩ−Ｉ方向に沿った断面図である。図２に示すように、機能素子１００の有する可動部分は、凹部１５の内側面に固定端が固定され、その固定端から凹部１５がなす空間に自由端が延在する片持ち梁１１１１〜１１１６、１１２１〜１１２３、１１３１〜１１３６、１１４１〜１１４３と、凹部の中心領域に配置された中央可動部１０５を有する。
【００１９】
片持ち梁１１１１〜１１１６は、紙面に向かって上方向に延伸する。片持ち梁１１２１〜１１２３は、紙面に向かって左方向に延伸する。片持ち梁１１３１〜１１３６は、紙面に向かって下方向に延伸する。片持ち梁１１４１〜１１４３は、紙面に向かって右方向に延伸する。以下では、片持ち梁１１１１〜１１１６、１１２１〜１１２３、１１３１〜１１３６、１１４１〜１１４３を「外周梁部」１１０と総称する。
【００２０】
中央可動部１０５の中心領域に空洞が形成され、この空洞を貫通して支柱部１１が配置されている。中央可動部１０５の四隅は支持部１０５１〜１０５４によって凹部１５の内側面に固定されている。中央可動部１０５の四方の外縁部に片持ち梁１０１１〜１０１５、１０２１〜１０２４、１０３１〜１０３５、１０４１〜１０４４が配置されている。以下において、中央可動部１０５の外縁部に配置された片持ち梁１０１１〜１０１５、１０２１〜１０２４、１０３１〜１０３５、１０４１〜１０４４を「中央梁部」１０６と総称する。
【００２１】
図２に示したように、片持ち梁１１１１〜１１１６と片持ち梁１０１１〜１０１５は交差指状に配置されている。同様に、片持ち梁１１２１〜１１２３と片持ち梁１０２１〜１０２４、片持ち梁１１３１〜１１３６と片持ち梁１０３１〜１０３５、片持ち梁１１４１〜１１４３と片持ち梁１０４１〜１０４４は交差指状に配置されている。
【００２２】
図２のＩＩＩ−ＩＩＩ方向に沿った断面図を図３に示す。凹部１５の酸化シリコン膜層１０２がエッチング除去されて、第２シリコン膜層１０３をパターニングした外周梁部１１０及び中央梁部１０６が形成される。
【００２３】
図１に示した半導体チップ１０の動作例を以下に説明する。中央梁部１０６と外周梁部１１０間に電圧が印加された状態で半導体チップ１０に外力が加わると、外力の影響により中央梁部１０６と外周梁部１１０が機械的に振動し、中央梁部１０６と外周梁部１１０との梁間距離が変動する。機能素子１００は、可動部分が変位して生じる中央梁部１０６と外周梁部１１０間の静電容量の変化を検出する。つまり、機能素子１００の可動部分の機械的な変位が静電容量の変化として検出される。機能素子１００は、検出された静電容量の変化を検出信号として生成する。検出信号を処理することにより、半導体チップ１０に生じた加速度が検出される。中央梁部１０６や外周梁部１１０への電圧印加や検出信号の外部への出力は、半導体チップ１０の表面１０ａ上に配置された電極パッド１５１〜１５３等を介して行われる。
【００２４】
図１、図３に示したように、機能素子１００の上面の位置と半導体チップ１０の表面１０ａの位置は同一平面レベルである。中央梁部１０６と外周梁部１１０は機械的に振動する。このため、中央梁部１０６及び外周梁部１１０が振動しても中央梁部１０６或いは外周梁部１１０と封止膜３０とが接触しないように、半導体チップ１０と封止膜３０とを隔てるスペーサ２０の厚さｄは一定の大きさが必要である。厚さｄの値は、材料や形状に応じて定まる中央梁部１０６と外周梁部１１０の振動幅に応じて設定される。スペーサ２０の厚さｄは数十μｍ程度、例えば５０μｍ程度に設定される。
【００２５】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置では、環状部２０１及び柱状部２０２を有するスペーサ２０により、半導体チップ１０上の封止膜３０が支持される。このため、図１に示した半導体装置によれば、機能素子１００の可動部分を配置した凹部１５の上方から封止膜３０に圧力が加わっても、凹部１５を封止する封止膜３０の変形を抑制できる。その結果、機能素子１００の可動部分と封止膜３０が接触する問題を防止できる。図１に示した半導体装置によれば、凹部１５の周辺領域に配置した環状部２０１だけで封止膜３０を支持する場合に比べて、半導体装置を薄型化できる。
【００２６】
図４〜図９を参照して、図１に示した半導体装置の製造方法を説明する。なお、以下に述べる半導体装置の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。
【００２７】
（イ）図４に示すように、第１シリコン膜層１０１、酸化シリコン膜層１０２及び第２シリコン膜層１０３が積層された半導体チップ１０の表面１０ａに、熱酸化法等によって酸化シリコン膜２１１を形成する。
【００２８】
（ロ）フォトレジスト膜をマスクにしたフォトリソグラフィ技術等を用いて酸化シリコン膜２１１の一部をエッチング除去して、酸化シリコン膜２１１をパターニングする。具体的には、図５に示すように、中央梁部１０６と外周梁部１１０を形成する領域上、及び支柱部１１を形成する領域上の酸化シリコン膜２１１を残す。電極パッド１５１〜１５３を配置する領域上の酸化シリコン膜２１１は除去される。
【００２９】
（ハ）半導体チップ１０の表面１０ａにアルミニウム（Ａｌ）膜を配置する。フォトリソグラフィ技術等を用いてＡｌ膜をパターニングすることにより、図６に示すように半導体チップ１０の表面１０ａ上に電極パッド１５１を形成する。
【００３０】
（ニ）図７に示すように、酸化シリコン膜２１１をマスクにして第２シリコン膜層１０３をエッチング除去し、中央可動部１０５と外周梁部１１０の側面部を形成する。このとき、中央可動部１０５の中央領域が開口され、支柱部１１の側面部が同時に形成される。
【００３１】
（ホ）酸化シリコン膜２１１及び酸化シリコン膜層１０２をエッチング除去する。このとき、図８に示すように、第２シリコン膜層１０３をマスクにして、第１シリコン膜層１０１の表面１０１ａが露出するまで酸化シリコン膜層１０２をエッチング除去する。その結果、中央梁部１０６と外周梁部１１０が形成される。同時に、支柱部１１が形成される。つまり、凹部１５の底面に下端を接する支柱部１１と、支柱部１１を囲むように凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００が形成される。第２シリコン膜層１０３及び第２シリコン膜層１０３が積層された構造の支柱部１１の上端面は、半導体チップ１０の表面１０ａ及び可動部分の上面と同一平面レベルに位置する。
【００３２】
（ヘ）図９に示すように、支柱部１１の上端面に配置された柱状部２０２、及び半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置された環状部２０１を形成する。例えば、エポキシ樹脂を厚さ５０μ程度でスクリーン印刷し、エポキシ樹脂を熱硬化する。上記より、柱状部２０２と環状部２０１を有するスペーサ２０が形成される。
【００３３】
（ト）空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って、スペーサ２０の柱状部２０２の上端面及び環状部２０１の上面に接する封止膜３０を配置する。例えば、半導体チップ１０に感光性樹脂シートをラミネートした後、フォトリソグラフィ技術等を用いて感光性樹脂シートの一部をエッチング除去して、所望のパターンの封止膜３０を配置する。以上により、図１に示した半導体装置が完成する。
【００３４】
以上に説明したように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、環状部２０１及び柱状部２０２を有するスペーサ２０により半導体チップ１０上の封止膜３０が支持された半導体装置が提供される。つまり、機能素子１００の可動部分を配置した凹部１５の上方から封止膜３０に圧力が加わっても、凹部１５を封止する封止膜３０の変形を抑制できる半導体装置を提供できる。
【００３５】
図１０に、図１に示した半導体装置を基板４０上に配置し、モールド樹脂５０で半導体装置をモールド封止した例を示す。基板４０はプリント配線基板等である。半導体チップ１０上に配置された電極パッド１５１と基板４０上に配置された電極パッド４５１とはボンディングワイヤーで接続される。
【００３６】
上記に説明したように、図１０に示した半導体装置では、半導体チップ１０及び封止膜３０をモールド樹脂５０で覆っても、封止膜３０の変形に起因する機能素子１００の可動部分と封止膜３０との接触が生じない。図１１に示した半導体装置によれば、機能素子１００の可動部分を配置した凹部１５内への異物の混入や水分の浸入がモールド樹脂５０により防止される。そのため、半導体チップ１０の特性に変動が生じないため、半導体装置の歩留りが向上する。なお、モールド樹脂以外の封止材によって、半導体チップ１０及び封止膜３０を覆ってもよいことはもちろんである。
【００３７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態における半導体装置は、図１１に示すように、封止膜３０上に信号処理用半導体チップ６０が配置された構造を有する。信号処理用半導体チップ６０には、処理回路６００が形成されている。処理回路６００は、機能素子１００が可動部分の機械的な変位を静電容量の変化として検出した検出信号を受信する。そして、処理回路６００は、検出信号を処理することにより、半導体チップ１０に生じた加速度を検出する。
【００３８】
処理回路６００は、信号処理用半導体チップ６０の封止膜３０に面する裏面と対向する表面６０ａに形成されている。図１１に示した例では、信号処理用半導体チップ６０の表面６０ａ上に配置された電極パッド６５１と、半導体チップ１０の表面１０ａに配置された電極パッド１５１とがワイヤーボンディングされて、処理回路６００と機能素子１００が電気的に接続される。また、信号処理用半導体チップ６０の表面６０ａ上に配置された電極パッド６５２と基板４０の表面４０ａ上に配置された電極パッド４５２とがワイヤーボンディングされて、処理回路６００と基板４０上の配線パターンが電気的に接続される。
【００３９】
既に説明したように、環状部２０１及び柱状部２０２を有するスペーサ２０により半導体チップ１０上の封止膜３０が支持されている。このため、凹部１５の上方から封止膜３０に圧力が加わっても、凹部１５を封止する封止膜３０の変形を抑制できる。したがって、図１１に示すように、封止膜３０上に信号処理用半導体チップ６０を配置することが可能である。
【００４０】
信号処理用半導体チップ６０が凹部１５の面積より小さい場合には、信号処理用半導体チップ６０で凹部１５に蓋をすることができない。しかし、封止膜３０上に信号処理用半導体チップ６０を配置することにより、半導体チップ１０と信号処理用半導体チップ６０を重ねて実装できる。
【００４１】
図１１に示した半導体装置によれば、環状部２０１及び柱状部２０２を有するスペーサ２０を半導体チップ１０上に配置することにより、凹部１５の上方から封止膜３０に圧力が加わっても機能素子１００の可動部分と封止膜３０とは接触しない。更に、可動部分を有する機能素子１００を備える半導体チップ１０と、可動部分の変位による電気信号を処理する信号処理用半導体チップ６０を重ねて実装することにより、半導体装置を小型化できる。他は、第１の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００４２】
（第３の実施の形態）
図１２に、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す。図１２に示した半導体装置は、機能素子１００を備える半導体チップ１０と可動部分の変位による電気信号を処理する信号処理用半導体チップ６０とを重ねて実装せずに、半導体チップ１０と信号処理用半導体チップ６０を基板４０上に並べて配置している点が、図１１に示した半導体装置と異なる。
【００４３】
信号処理用半導体チップ６０のチップ厚が厚い場合には、半導体チップ１０と信号処理用半導体チップ６０とを重ねて配置すると、半導体装置全体の高さが所定の高さ以上になり、半導体装置を実装する上で障害になる場合等がある。図１２に示したように半導体チップ１０と信号処理用半導体チップ６０を基板４０上に並べて配置することにより、半導体装置の高さを抑制できる。
【００４４】
図１２に示した半導体装置によれば、環状部２０１及び柱状部２０２を有するスペーサ２０を半導体チップ１０上に配置することにより、凹部１５の上方から封止膜３０に圧力が加わっても機能素子１００の可動部分と封止膜３０とは接触しない。更に、信号処理用半導体チップ６０のチップ厚が厚い場合に、半導体チップ１０と信号処理用半導体チップ６０を同一の基板４０上に配置できる。他は、第１及び第２の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００４５】
（第４の実施の形態）
図１３に、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す。図１３に示した半導体装置は、機能素子１００を備える半導体チップ１０に、可動部分の変位による電気信号を処理する処理回路６００を形成したことが、図１に示した半導体装置と異なる点である。
【００４６】
図示を省略したが、ビア１５０と機能素子１００及び処理回路６００とは、半導体チップ１０の表面１０ａに配置された配線等により電気的に接続されている。半導体チップ１０を貫通するビア１５０及びバンプ４５０を介して、機能素子１００及び処理回路６００と基板４０とを電気的に接続する。
【００４７】
図１４に示した半導体装置によれば、環状部２０１及び柱状部２０２を有するスペーサ２０を半導体チップ１０上に配置することにより、凹部１５の上方から封止膜３０に圧力が加わっても機能素子１００の可動部分と封止膜３０とは接触しない。更に、処理回路６００を半導体チップ１０に形成すること、及びボンディングワイヤーを使用せずにバンプ４５０により半導体チップ１０と基板４０とを電気的に接続することにより、半導体装置を小型化できる。他は、第１乃至第３の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００４８】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１乃至第４の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４９】
既に述べた第１乃至第４の実施の形態の説明においては、半導体チップ１０に形成された機能素子１００が加速度センサである例を示したが、半導体チップ１０が加速度センサ以外のＭＥＭＳ素子、又は、ＭＥＭＳ素子以外の、例えばＳＡＷ素子或いはＦＢＡＲであってもよい。
【００５０】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の上面図である。
【図３】図２に示した機能素子のＩＩＩ−ＩＩＩ方向に沿った断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その１）。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その２）。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その３）。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その４）。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その５）。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その６）。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置をモールド封止した例の構成を示す模式図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す模式図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す模式図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…半導体チップ
１１…支柱部
１５…凹部
２０…スペーサ
３０…封止膜
４０…基板
５０…モールド樹脂
６０…信号処理用半導体チップ
１００…機能素子
１０１…第１シリコン膜層
１０２…酸化シリコン膜層
１０３…第２シリコン膜層
１０５…中央可動部
２０１…環状部
２０２…柱状部
２１１…酸化シリコン膜
６００…処理回路
１０１１〜１０４４…片持ち梁
１０５１〜１０５４…支持部
１１１１〜１１４３…片持ち梁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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