(57)【要約】【課題】例えば、液晶装置の画像表示領域のうち非開口領域が占める割合を増大させることなく、画素スイッチング用素子等の半導体素子における光リーク電流を低減する。【解決手段】第１層間膜（４１）は、第２遮光膜（１１）上に形成されている。第１層間膜（４１）は、第２遮光膜（１１）の形状に対応してＴＦＴアレイ基板１０の上方に向かって突出した第１突状部（４１ａ）を有している。このような第１層間膜（４１）は、半導体層（１ａ）の下地になる絶縁膜である。したがって、第２遮光膜（１１）上に第１層間膜（４１）が形成されるだけで、第１層間膜（４１）のうち第２遮光膜１１に重なる部分が第２遮光膜（１１）の形状に対応した形状を有する第１突状部４１ａになる。【選択図】図５
2010101934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域に形成されており、前記基板の上方に向かって突出した突出部と、
前記突出部上に形成されており、前記突出部の形状に対応して前記上方に向かって突出した第１突状部を有する第１層間膜と、
前記基板上の一方向に沿って前記突出部の幅以上の幅を有し、且つ前記第１突状部上において前記突出部に重なっており、前記基板上に設けられた他の導電部に電気的に接続された半導体層と、
前記半導体層上に形成されており、前記第１突出部に対応して前記上方に向かって突出した第２突状部を有する第２層間膜と、
前記第２突状部上に形成され、且つ前記第２突状部を覆う第１遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記突出部は、前記半導体層の下側から前記半導体層に照射される光を遮光する第２遮光膜であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記半導体層は、前記表示領域を構成する複数の画素部の夫々をスイッチング制御するスイッチング用素子である薄膜トランジスタの一部を構成しており、
前記薄膜トランジスタは、前記表示領域における開口領域を相互に隔てる非開口領域に形成されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
基板の上方に向かって突出した突出部を前記基板上の表示領域に形成する工程と、
前記突出部の形状に対応して前記上方に向かって突出した第１突状部を有する第１層間膜を前記突出部上に形成する工程と、
前記基板上の一方向に沿って前記突出部の幅以上の幅を有し、且つ前記第１突状部上において前記突出部に重なっており、前記基板上に設けられた他の導電部に電気的に接続された半導体層を、前記第１突状部上に形成する工程と、
前記第１突出部に対応して前記上方に向かって突出した第２突状部を有する第２層間膜を前記半導体層上に形成する工程と、
前記第２突状部を覆う第１遮光膜を前記第２突状部上に形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置、及びその製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、画素スイッチング用素子として各画素部に設けられたＴＦＴを遮光する遮光膜が当該素子の上層側及び下層側に設けられる場合が多い（特許文献１参照。）。遮光膜は、ＴＦＴ等の半導体素子が形成される基板上において実質的に光が透過可能な開口領域を隔て、且つ光を透過させない非開口領域に設けられており、画素スイッチング用素子に発生する光リーク電流を低減する。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１６４８７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、遮光膜によってＴＦＴを遮光することを目的として当該遮光膜のサイズを大きくした場合、画像を表示する表示領域のうち非開口領域が占める割合が大きくなってしまい、液晶装置が画像を表示する表示性能を低下させてしまう問題点が生じる。
【０００５】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、表示領域のうち非開口領域が占める割合を増大させることなく、より好ましく非開口領域が占める割合を低減しつつ、画素スイッチング用素子等の半導体素子における光リーク電流を低減可能な電気光学装置、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の表示領域に形成されており、前記基板の上方に向かって突出した突出部と、前記突出部上に形成されており、前記突出部の形状に対応して前記上方に向かって突出した第１突状部を有する第１層間膜と、前記基板上の一方向に沿って前記突出部の幅以上の幅を有し、且つ前記第１突状部上において前記突出部に重なっており、前記基板上に設けられた他の導電部に電気的に接続された半導体層と、前記半導体層上に形成されており、前記第１突出部に対応して前記上方に向かって突出した第２突状部を有する第２層間膜と、前記第２突状部上に形成され、且つ前記第２突状部を覆う第１遮光膜とを備える。
【０００７】
本発明に係る電気光学装置によれば、突出部は、例えば、基板上の表示領域に形成された下地膜から上方の突出するように、或いは基板からその上方に突出するように形成されている。
【０００８】
第１層間膜は、例えば、半導体層の下地になる絶縁膜であり、前記突出部上に形成されている。したがって、突出部上に第１層間膜を形成するだけで、第１層間膜のうち突出部に重なる部分が前記突出部の形状に対応して前記上方に向かって突出した第１突状部となる。
【０００９】
半導体層は、前記基板上の一方向に沿って前記突出部の幅以上の幅を有し、且つ前記第１突状部上において前記突出部に重なっており、前記基板上に設けられた配線部等の他の導電部に電気的に接続されている。
【００１０】
第２層間膜は、前記半導体層上に形成されている。したがって、第２層間膜を半導体層上に形成するだけで、第２層間膜のうち第２突状部に重なる部分が前記第１突出部に対応して前記上方に向かって突出した第２突状部になる。
【００１１】
第１遮光膜は、前記第２突状部上に形成され、且つ前記第２突状部を覆うように形成されている。したがって、第１遮光膜は、一方向に沿って半導体層の幅より広い第２突状部の表面に沿って延びており、３次元的に見て半導体層をその上側から覆うように半導体層の周辺まで延びている。
【００１２】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、基板の上方から半導体層に向かって照射される光を第１遮光膜によって効率良く遮光できる。より具体的には、半導体層上に平坦な遮光膜を形成する場合に比べて、一方向に沿った幅が狭い第１遮光膜によって、半導体層上と、半導体層に対する斜め方向との夫々から半導体層に向かって照射される光を遮光できる。
【００１３】
よって、本発明に係る電気光学装置によれば、第１遮光膜によって狭められる開口領域を極力狭めないようにすることができ、電気光学装置の表示性能を向上させることが可能であると共に、半導体層に対する遮光性を高めることによって光リーク電流を低減できる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記突出部は、前記半導体層の下側から前記半導体層に照射される光を遮光する第２遮光膜であってもよい。
【００１５】
この態様によれば、基板の下側から半導体層に照射される光も遮光でき、光リーク電流の発生をより一層低減できる。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記半導体層は、前記表示領域を構成する複数の画素部の夫々をスイッチング制御するスイッチング用素子である薄膜トランジスタの一部を構成しており、前記薄膜トランジスタは、前記表示領域における開口領域を相互に隔てる非開口領域に形成されていてもよい。
【００１７】
この態様によれば、表示領域のうち開口領域が占める割合、即ち開口率を高めることができ、当該電気光学装置の表示性能を高めることが可能である。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板の上方に向かって突出した突出部を前記基板上の表示領域に形成する工程と、前記突出部の形状に対応して前記上方に向かって突出した第１突状部を有する第１層間膜を前記突出部上に形成する工程と、前記基板上の一方向に沿って前記突出部の幅以上の幅を有し、且つ前記第１突状部上において前記突出部に重なっており、前記基板上に設けられた他の導電部に電気的に接続された半導体層を、前記第１突状部上に形成する工程と、前記第１突出部に対応して前記上方に向かって突出した第２突状部を有する第２層間膜を前記半導体層上に形成する工程と、前記第２突状部を覆う第１遮光膜を前記第２突状部上に形成する工程とを備えている。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の電気光学装置と同様に、第１遮光膜によって狭められる開口領域を極力狭めないようにすることができ、当該電気光学装置の表示性能を向上させることが可能であると共に、半導体層に対する遮光性を高めることによって光リーク電流を低減できる電気光学装置を製造可能である。
【００２０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置、及びその製造方法を説明する。以下では、本発明に係る電気光学装置の一実施形態として、液晶装置を挙げる。
【００２２】
＜１：液晶装置＞
＜１−１：液晶装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【００２３】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部７２（図３参照。）が設けられる表示領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００２５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００２６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２７】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００２８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２９】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３０】
＜１−２：液晶装置の電気的な構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の電気的な構成を説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【００３１】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に配列された複数の画素領域の夫々には、画素電極９ａ、及び、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時にＩＴＯ等の透明導電膜で構成された画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用素子である。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３２】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００３３】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。蓄積容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、一方の容量電極が固定電位線３００に電気的に接続されていると共に、他方の容量電極が画素電極９ａに電気的に接続されている。このような蓄積容量７０は、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。
【００３４】
＜１−３：画素部の具体的な構成＞
図４及び図５を参照しながら、画素部７２の具体的な構成を説明する。図４は、画像表示領域１０ａの一部の構成を示した平面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ´断面図である。尚、図４には、遮光膜２５の上層側と、半導体層１ａの下層側との夫々の側に設けられた液晶装置１の構成要素の図示を説明の便宜上省略したうえで、相互に隣り合う４つの画素部を示している。
【００３５】
図４に示すように、液晶装置１のＴＦＴアレイ基板１０上には、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿ってマトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ´により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線（不図示）及び走査線３ａが設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａのうち縦横に延びるデータ線及び走査線３ａ等の不透明な配線、並びに、第１遮光膜２５が形成された領域は、画像表示領域１０ａのうち実質的に光が透過しない非開口領域である。また、画素領域のうち画像表示に寄与する光が透過可能な領域が開口領域である（図５参照。）。画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、走査線３ａと、第１遮光膜２５に重なるデータ線とが相互に交差する領域の夫々に設けられている。
【００３６】
走査線３ａのうち、半導体層１ａの一部であり、且つ図４中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ｃに対向するように重なる部分が、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａ２である。ゲート電極３ａ２は、金属膜等の導電膜をパターニングすることによって形成されている。
【００３７】
ＴＦＴ３０は、チャネル長方向であるＹ方向に沿って延びる半導体層１ａを備えている。半導体層１ａが、本発明の「半導体層」の一例である。半導体層１ａは、ゲート電極３ａ２と、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａ中のチャネル領域１ｃと、チャネル領域１ｃの両側に設けられたソース領域１ｓ及びドレイン領域１ｄと、コンタクト部１ｆ及び１ｇとを備えている。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有していてもよい。ＬＤＤ構造を有するＴＦ３０によれば、ＴＦＴ３０トランジスタの高速動作が可能となり、液晶装置１の表示性能を高めることが可能である。ＴＦＴ３０は、コンタクト部１ｆに電気的に接続されたコンタクトホール８１を介してデータ線に電気的に接続されていると共に、コンタクト部１ｇに電気的に接続されたコンタクトホール８３を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。したがって、ＴＦＴ３０によれば、ＴＦＴ３０による画素部のスイッチング制御によって画素電極９ａへの画像信号の供給を確実に行うことが可能であり、画像信号に応じた高品位の画像を表示可能である。
【００３８】
図５に示すように、液晶装置１は、本発明の「突出部」の一例である第２遮光膜１１、第１層間膜４１、半導体層１ａ、第２層間膜４２、及び遮光膜２５を備えている。
【００３９】
第２遮光膜１１は、ＴＦＴアレイ基板１０から図中上方に突出するように形成されている。このような第２遮光膜１１は、半導体層１ａの下側から半導体層１ａに照射される光を遮光する。したがって、第２遮光膜１１によれば、液晶装置１の動作時において、半導体層１ａに発生する可能性がある光リーク電流を低減できる。
【００４０】
第１層間膜４１は、第２遮光膜１１上に形成されている。第１層間膜４１は、第２遮光膜１１の形状に対応して図中ＴＦＴアレイ基板１０の上方に向かって突出した第１突状部４１ａを有している。このような第１層間膜４１は、半導体層１ａの下地になる絶縁膜である。したがって、第２遮光膜１１上に第１層間膜４１が形成されるだけで、第１層間膜４１のうち第２遮光膜１１に重なる部分が第２遮光膜１１の形状に対応した形状を有する第１突状部４１ａになる。半導体層１ａは、図中Ｘ方向に沿って第２遮光膜１１の幅Ｗ１以上の幅Ｗ２を有し、且つ第１突状部４１ａ上において第２遮光膜１１に重なっている。
【００４１】
第２層間膜４２は、半導体層１ａ上に形成されており、第１突出部４１ａに対応してＴＦＴアレイ基板１０の上方に向かって突出した第２突状部４２ａを有している。したがって、第２層間膜４２を半導体層１ａ上に形成するだけで、第２層間膜４２のうち第１突状部４１ａに重なる部分が第１突出部４１ａに対応してＴＦＴアレイ基板１０の上方に向かって突出した第２突状部４２ａになる。ここで、半導体層１ａの幅Ｗ２が、第２遮光膜１１の幅Ｗ１以上の大きさであることから、第２突状部４２ａの表面は、３次元的に見て半導体層１ａを覆うように形成されている。
【００４２】
第１遮光膜２５は、第２突状部４２ａ上に形成され、且つ第２突状部４２ａを覆っている。即ち、第２突状部４２ａの表面が、３次元的に見て半導体層１ａを覆うように半導体層１ａの周辺まで延びている。第１遮光膜２５は、第２突状部４２ａの表面に沿って幅Ｗ２より大きい幅Ｗ３を有している。第１遮光膜２５上には、第３層間膜４３、画素電極９ａ、及び配向膜１６が形成されている。尚、配向膜１６上の液晶層５０等の構成要素の図示は省略されている。
【００４３】
したがって、液晶装置１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０の上方から半導体層１ａに向かって照射される光を第１遮光膜２５によって効率良く遮光できる。より具体的には、Ｘ方向に沿った平坦な遮光膜の幅より幅が狭い第１遮光膜２５を設けても、第１遮光膜２５は、当該平坦な遮光膜と同等或いはそれ以上の遮光性を有することになる。つまり、第１遮光膜２５によれば、その幅を極力狭めた状態で、半導体層１ａ上と、半導体層１ａに対する斜め方向との夫々から半導体層１ａに向かって照射される光を遮光できる。
【００４４】
よって、液晶装置１によれば、第１遮光膜２５によって狭められる開口領域を極力狭めないようにすることができ、液晶装置１の表示性能を向上させることが可能である。より具体的には、画像表示領域１０ａのうち開口領域が占める割合、即ち開口率を高めることができ、当該電気光学装置の表示性能を高めることが可能である。加えて、液晶装置１によれば、半導体層１ａに対する遮光性を高めることによって光リーク電流を低減できる。
【００４５】
＜２：液晶装置の製造方法＞
次に、図６及び図７を参照しながら、液晶装置１を製造するための液晶装置の製造方法を説明する。図６及び図７は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程断面図である。
【００４６】
図６（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の上方に向かって突出した第２遮光膜１１をＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａとなるべき領域に形成する。
【００４７】
次に、図６（ｂ）に示すように、第２遮光膜１１に重なるように第２層間膜４１を形成する。この際、第２遮光膜１１に重なるように第１層間膜４１を形成することによって、第２遮光膜１１の形状に対応してＴＦＴアレイ基板１０の上方に向かって突出した第１突状部４１ａが形成される。
【００４８】
次に、図６（ｃ）に示すように、Ｘ方向に沿って第２遮光膜１１の幅Ｗ１以上の幅Ｗ２を有し、且つ第１突状部４１ａ上において第２遮光膜１１に重なる半導体層１ａを形成する。半導体層１ａは、第１層間膜４１上にポロシリコン膜などの半導体層を形成した後、当該半導体層をパターニングすることによって形成される。また、半導体層１ａ及びコンタクトホール８１等との電気的な接続するためには、半導体層１ａ上に第２層間膜４２を形成した後、当該層間膜を部分的に除去して穴部を形成し、その中に導電膜を形成すればよい。
【００４９】
次に、図７（ｄ）に示すように、第２層間膜４２を半導体層１ａ上に形成する。これにより、第１突出部４１ａに対応してＴＦＴアレイ基板１０の上方に向かって突出した第２突状部４２ａが形成される。
【００５０】
次に、図７（ｅ）に示すように、第２突状部４２ａを覆うように第１遮光膜２５を第２突状部４２ａ上に形成する。第１遮光膜２５を形成する際には、遮光性を有する膜を第２層間膜４２上に形成した後、当該膜をパターニングすることによって形成可能である。その後、第１遮光膜２５上に形成すべき第３層間膜４３等を順に形成した後、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０を挟持することによって液晶装置１が形成される。
【００５１】
したがって、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、上述の液晶装置１と同様に、第１遮光膜２５によって狭められる開口領域を極力狭めないようにすることができ、当該液晶装置の表示性能を向上させることが可能であると共に、半導体層１ａに対する遮光性を高めることによって光リーク電流を低減できる電気光学装置を製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画素部の平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ´断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図（その１）である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図（その２）である。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・液晶装置、１ｃ・・・チャネル領域、１ｓ・・・ソース領域、１ｄ・・・ドレイン領域、１ｆ，１ｇ・・・コンタクト部、３ａ２・・・ゲート電極、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、１１，２５・・・遮光膜、３０・・・ＴＦＴ、４１・・・第１層間膜、４２・・・第２層間膜
【図１】
2010101934.tif 000003
【図２】
2010101934.tif 000004
【図３】
2010101934.tif 000005
【図４】
2010101934.tif 000006
【図５】
2010101934.tif 000007
【図６】
2010101934.tif 000008
【図７】
2010101934.tif 000009