(57)【要約】【課題】  単純な構成であるにもかかわらず、また単純な手法であるにもかかわらず、容易に極薄な金属箔を得ることができる、支持体付き金属箔及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数による剥離層と、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数による導電性を有する金属による金属層と、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数による金属メッキ層と、をこの順に積層してなる支持体付き金属箔とした。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に、
剥離層と、
導電性を有する金属による金属層と、
金属メッキによる金属メッキ層と、をこの順に積層してなること、
を特徴とする、支持体付き金属箔であって、
前記剥離層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであり、
前記金属層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数であり、
前記金属メッキ層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数によるものであり、
前記金属層と前記金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ前記金属層と前記金属メッキとは同一の金属を用いてなり、
前記支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であること、
を特徴とする、支持体付き金属箔。
【請求項２】
基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に剥離層を積層してなる剥離層積層工程と、
前記剥離層の表面に導電性を有する金属を金属層として積層してなる金属積層工程と、
前記金属層の表面に金属メッキを施して金属メッキ層としてなるメッキ工程と、
よりなり、
前記金属積層工程後に前記金属層表面を酸化させる場合には、前記メッキ工程の前に前記金属層の表面を酸化させる酸化工程を行うこと、
を特徴とする、支持体付き金属箔の製造方法であって、
前記剥離層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであり、
前記金属が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数であり、
前記金属メッキが銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数によるものであり、
前記金属層と前記金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ前記金属層と前記金属メッキとは同一の金属を用いてなり、
前記支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であること、
を特徴とする、支持体付き金属箔の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の支持体付き金属箔、又は請求項２に記載の製造方法により得られる支持体付き金属箔を、フレキシブル回路基板における配線加工用金属箔として用いてなること、
を特徴とする、フレキシブル回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は支持体がついた金属箔、及びその製造方法、並びに該金属箔を用いて得られてなるフレキシブル回路基板に関する発明であって、具体的には極薄金属箔がその表面に積層されている積層体、及びその製造方法、並びに極薄の金属箔を用いて得られてなるフレキシブル回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機械器具における配線として、いわゆるプリント配線基板が広く用いられている。これは絶縁性を有する、又は付与された基板上に、銅箔などの導電体によって回路配線を構成したものである。このプリント配線基板は従来は基板の表面にメッキ等種々の手法を用いて銅などの導電体を配していた。しかし電子機械器具の軽薄短小化、特に携帯機器、モバイル機器等と称呼される電子機械器具にあっては従来のプリント配線基板では限界があるため、これらの機器ではフレキシブル回路基板に取って代わられているのが現状である。
【０００３】
即ちプリント基板の中でも、特に小型であることが求められるにもかかわらず構成が複雑なわりに多くの部品を詰め込む必要がある製品に対しては、フレキシブル回路基板と呼ばれるプリント配線基板が用いられるのである。このフレキシブル回路基板は薄くて柔軟性があることから、機器に組み込む際の自由度を高めることが容易であり、例えば携帯電話やノート型パーソナルコンピュータなどの小型の電子機器などに広く使われている。
【０００４】
このようなフレキシブル回路基板を得るための方法として例えばフレキシブル回路基板の基材にメッキにより導電体を積層し、次いで必要な回路部分のみを残して後はエッチングにより除去する方法が行われる。しかしこの場合ではメッキを行う際に有害物質を多様することもあり、環境問題が問われる昨今にあって問題を含む手法と見なされてしまうおそれがある。そこでこれに代わり転写法を用いることが行われることがある。具体的には、フレキシブル回路基板の基材となるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の高分子樹脂フィルムの表面に支持体付きの金属箔（銅箔）を貼着し、そして支持体付き金属箔（銅箔）から支持体を剥離することにより、メッキと同様に基材表面に導電体（銅箔）が積層されたことになる。そしてその後エッチングにより不要な部分を除去して回路が完成される。
【０００５】
この方法に用いる銅箔などの金属箔それ自体は、通常、圧延や電界メッキ等により作成されている。しかしさらに軽薄短小化が求められるようになると、フレキシブル回路基板そのものの厚みも極限まで薄くすることが求められるようになってきた。そのため、導電体である金属箔それ自体も極めて薄いものとすることが求められるようになっている。しかし前述の圧延等の方法であれば薄くするのにも限界があり、しかし極薄の金属箔を得るために、圧延等の方法で得られた金属箔をエッチングするなどして所望の薄さまでに仕上げていた。しかし金属箔をエッチングを行うとなると、金属箔自体の破損が生じやすくなり、また上述した手法であるとコストがかさむ、製造工程も増加しかつ複雑になる、という問題が生じてしまう。
【０００６】
そこでこのような製造方法に用いる極薄金属箔として、例えば特許文献１では、支持体／粘着層／アルミニウム／銅箔、という構成を有する支持体付き極薄銅箔に関する発明が開示されている。また特許文献２では、支持体金属層／有機系剥離層／極薄銅箔／有機絶縁層、という構成を有する樹脂付複合箔に関する発明が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２８０６８９号公報
【特許文献２】特許登録第３６１２５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この特許文献１に記載された支持体付き極薄銅箔であれば、確かに厚さが２μｍ以下の極薄銅箔を得ることができ、これは前述した軽薄短小化への要望に充分応えられる厚みであると言える。しかしこの支持体付極薄銅箔であれば、銅箔を転写するに際して厚さ２０μｍ以下のアルミニウム層が部分的であっても銅箔側に付着したままの状態が生じてしまい、そのために銅箔の転写が完了した後にアルミニウム層を除去するためのエッチング作業が必要となってしまい問題である。さらにはそのエッチング作業が完全にかつ美麗に行われればよいが、誤って必要な銅箔部分を傷めてしまう可能性もあり、さらに問題であった。特にピッチ幅と称される回路間の幅が狭くなる程、係る損傷を生じる可能性が高くなってしまう。
【０００９】
また特許文献２に記載された銅箔であれば５μｍ以下の厚みであっても得られるとされており、やはり前述した軽薄短小化への要望に充分応えられる厚みであると言える。しかし係る銅箔を得るために製造される積層体においては、窒素含有化合物、イオウ含有化合物及びカルボン酸からなる群から選択される化合物により形成される有機系剥離層が必要であるとされている。即ち極薄銅箔を得るために、わざわざ有機系剥離層をいったん積層する工程を経る必要があることを意味し、要すれば極薄銅箔を得るための余分な作業工程が増えることとなる。さらにこの剥離層を得るためにいわゆる有機系物質を用いる必要が生じ、これは作業環境という観点から必ずしも好ましいこととは言えず、やはり問題である。
【００１０】
そこで本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、単純な構成であるにもかかわらず、また単純な手法であるにもかかわらず、容易に極薄な金属箔を得ることができる、支持体付き金属箔及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本願発明の請求項１に記載の発明は、基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に、剥離層と、導電性を有する金属による金属層と、金属メッキによる金属メッキ層と、をこの順に積層してなること、を特徴とする、支持体付き金属箔であって、前記剥離層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであり、前記金属層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数であり、前記金属メッキ層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数によるものであり、前記金属層と前記金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ前記金属層と前記金属メッキとは同一の金属を用いてなり、前記支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であること、を特徴とする。
【００１２】
本願発明の請求項２に記載の発明は、基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に剥離層を積層してなる剥離層積層工程と、前記剥離層の表面に導電性を有する金属を金属層として積層してなる金属積層工程と、前記金属層の表面に金属メッキを施して金属メッキ層としてなるメッキ工程と、よりなり、前記金属積層工程後に前記金属層表面を酸化させる場合には、前記メッキ工程の前に前記金属層の表面を酸化させる酸化工程を行うこと、を特徴とする、支持体付き金属箔の製造方法であって、前記剥離層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであり、前記金属が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数であり、前記金属メッキが銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数によるものであり、前記金属層と前記金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ前記金属層と前記金属メッキとは同一の金属を用いてなり、前記支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であること、を特徴とする。
【００１３】
本願発明の請求項３に記載のフレキシブル回路基板に関する発明は、請求項１に記載の支持体付き金属箔、又は請求項２に記載の製造方法により得られる支持体付き金属箔を、フレキシブル回路基板における配線加工用金属箔として用いてなること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように、本願発明に係る支持体付き金属箔であれば、従来であれば基材／（樹脂）離型層／（転写して利用することを目的とする）金属層／〜という構成であったため、これを転写すると金属層表面に離型層が若干残存する場合があり問題であったところ、本願発明のように、剥離層の脆さを利用して基材／剥離層／金属層／〜という構成とすることで、仮に転写直後に剥離層が金属層の表面に残存していても、これを容易にかつ美麗に除去できるので、結果として美麗な金属層の転写を可能とすることが容易に実現できる。また金属層と金属メッキ層とを同一の金属によるものとしたことで、所望する転写目的層の厚みを必要なものとするための調整が容易に可能となる。つまり、まず最初に金属層を積層した後に、厚みを調整するために必要な厚みの金属メッキを加えることができるので、より一層微細な厚み調整を行い、また厚みをコントロールすることが容易に可能となるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。尚、ここで示す実施の形態はあくまでも一例であって、必ずもこの実施の形態に限定されるものではない。
【００１６】
（実施の形態１）
本願発明に係る支持体付き金属箔及びその製造方法について第１の実施の形態として説明する。
【００１７】
本実施の形態に係る支持体付き金属箔は、基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に、剥離層と、導電性を有する金属による金属層と、金属メッキによる金属メッキ層と、をこの順に積層してなる構成を有している。
【００１８】
まず基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムであるが、これは例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の、従来転写箔の基材として用いられる周知なプラスチックフィルムであればよく、本実施の形態ではＰＥＴフィルムを用いることとする。またその厚みもやはり同様に特段限定されるものではないが、１２μｍ以上１００μｍ以下であると好ましいと言える。これは、後述するように本実施の形態に係る支持体付き金属箔を転写箔として用いる場合において、ＰＥＴフィルムが支持体として広く用いられていることより、また単純に積層体を構成する場合においてもその基材として広く用いられており、さらには取扱性がよく、その性質についてもすでに広く知られているからである。また厚みについても、転写箔として用いることを想定すれば、上記範囲内の厚みとしておけば、操作性の良好な転写箔を容易に得られる。
【００１９】
この高分子樹脂フィルムによる部材は本実施の形態においては「基材でありかつ支持体となる」のであり、これに関して説明する。本実施の形態に係る支持体付き金属箔は後述のように金属層と金属メッキ層部分を転写箔として利用することが可能であり、またそのように利用することが本願発明の目的の１つである。即ち金属層と金属メッキ層部分を転写箔として利用する場合、金属層／金属メッキ層を合わせた部分が後述の通り極薄箔となるのである。例えばこの極薄箔である金属層／金属メッキ層を単体で運搬し、又は利用することは極薄であるが故に破損しやすい、等の理由により非常に困難であり又は不可能であることは明白である。つまり金属層／金属メッキ層よりなる極薄箔を破損せずに所望の箇所まで容易に運搬し、所望の箇所に対して正しく利用できるようにするためにこれを支持する部材が必要であり、それが「支持体となる」ということなのである。一方種々の積層物を積層する際に最初の基礎となる部材は当然必要であり、それが「基材であり」ということなのである。即ち本実施の形態におけるＰＥＴフィルムは、金属箔の積層が完了するまでは基材であり、金属箔の積層が完了した後は支持体となる、ということである。
【００２０】
次にこの高分子樹脂フィルムの表面に積層される剥離層につき説明する。
本実施の形態における剥離層としては銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであればよく、また金属層表面を酸化させる場合には、後述する金属メッキを行う前に金属層の表面を酸化させる酸化工程を行うことにより、剥離層の表面が酸化した状態のものとする。そして本実施の形態においては剥離層を銅によるものとする。その理由については後述する。
【００２１】
この剥離層の積層につき説明する。
まず最初に剥離層のもととなる銅層をＰＥＴフィルムの表面に積層する。ここでこれらの間には充分な層間密着力が生じていることが必要である。これは、後述するように本実施の形態に係る支持体付き金属箔を転写箔として用いる場合、これらの層間に充分な密着力がないと、いざ金属層を剥離しようとしたときに剥離層まで一緒に基材フィルムから剥離してしまう可能性があるからである。
【００２２】
ＰＥＴフィルム表面への銅の積層方法については従来公知の手法であってよく、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、又はイオンプレーティング法等の従来公知な手法とすることが考えられ、本実施の形態ではスパッタリング法によるものとするが、これに限定されるものではないことを断っておく。
【００２３】
次にこのようにＰＥＴフィルム表面に積層された銅のさらに表面を酸化する。この酸化の方法についても種々の手法が考えられ、また従来公知の手法により表面を酸化すればよいが、最も単純にして効果的な酸化方法は大気開放することである。
【００２４】
即ち前述のようにスパッタリング法によりＰＥＴフィルム表面へ銅を銅層として積層した後、例えばいったんスパッタリング法を行う装置から銅が積層された状態のＰＥＴフィルムを装置外へ取り出す、又は後述する一連の作業中においてＰＥＴフィルム表面へ銅を積層した工程の後に、引き続き銅層の表面を大気中に露出する、又は大気と同等の雰囲気中にさらす、等の従来公知の手法により銅層の表面を酸化させる。
【００２５】
このＰＥＴフィルムの表面に銅層を積層するに際しての銅層の厚みは、１００Å以上５００Å以下であることが好ましい。これは１００Å以下であると、銅層を積層した後にその表面を酸化させようとしてもそれは膜とはならず、いわゆる島状構造にしかならないため、本実施の形態においては不適当な構造となってしまうため好ましくない。また５００Å以上とすると、本実施の形態に係る支持体付き金属箔全体の柔軟性、又は可撓性が充分なものとはならない可能性が大きいため、好ましくない。
【００２６】
本実施の形態に係る支持体付き金属箔では、上述したようにＰＥＴフィルムの表面に銅を積層し、次いでその表面を酸化して剥離層、即ち表面酸化銅層としているが、これ以外に最初から酸化している物質、例えば酸化珪素を積層することとしても構わない。
【００２７】
次にこの剥離層（表面酸化銅層）の表面に積層されている金属層につき説明する。
本実施の形態に係る金属層は銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数であればよいが、重要な点は、係る金属層に薄膜状とした場合でも好適な導電性が備わっていることである。そして本実施の形態において金属層は銅であるものとする。その理由については後述する。
【００２８】
金属層（銅層）は、剥離層（表面酸化銅層）とを基材フィルム表面に積層するのと同様に、剥離層（表面酸化銅層）の表面にスパッタリング法、真空蒸着法、又はイオンプレーティング法等の従来公知な手法により積層される。本実施の形態ではスパッタリング法によるものとするがこれに限定されるものではない。また本実施の形態において金属層の厚みは後述の金属メッキ層の厚みとの合計で１０μｍ以下であることとするが、これは後述するように、昨今求められている極薄金属箔の厚みが１０μｍ以下だからである。当然これ以上の厚みであっても、例えば転写箔として用いる目的を達することができるが、本実施の形態では極薄の金属箔を得ることを目的としているので、ここではその厚みを１０μｍ以下と設定しているのである。また昨今ではさらに薄い金属箔、具体的には５μｍ以下のものも望まれるようになっているが、本実施の形態に係る箔であればその厚みのものでも充分に対処可能であることを述べておく。
【００２９】
この金属層のさらに表面に金属メッキによる金属メッキ層が積層されている。この金属メッキ層は、単純に金属層の表面に電解メッキ法又は無電解メッキ法により金属メッキを施して得られる層である。本実施の形態における金属メッキ層は銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、又はチタンの何れか又は複数によるものであればよく、本実施の形態では銅メッキによるものとする。
【００３０】
ここで金属メッキ層を設ける理由であるが、これは本実施の形態に係る金属箔が出来るだけ薄くかつ表面が均質な箔であるものとすることであり、特に表面が均質であることが重要だからである。つまり単純にスパッタリング法により積層された金属層のみを金属箔とするのであれば所望の膜厚にコントロールすることが困難であること、また表面が均質な膜、即ち凹凸のない、膜厚が略均一である箔を、スパッタリング法による金属層だけで形成することが技術的には可能であってもやはりそのコントロールが容易ではないこと、が主たる理由である。
【００３１】
即ち、本実施の形態に係る支持体付き金属箔にあっては、剥離層（表面酸化銅層）と金属層（銅層）との間で剥離が生じ、金属層（銅層）とそのさらに表面に積層されている金属メッキ層（銅メッキ層）とを合わせて極薄の金属箔（銅箔）として用いるのであるが、金属層（銅層）だけであれば箔（銅箔）としての膜厚及び膜の均質性をコントロールすることが容易ではないため、本実施の形態においては膜厚及び膜の均質性をコントロールしやすい金属メッキによる金属メッキ層（銅メッキ層）を金属層（銅層）に加えることで極薄の金属箔（銅箔）として用いることとしたのである。つまり極薄の金属箔（銅箔）の厚みを所望する厚みとするため、金属メッキ層（銅メッキ層）を用いてコントロールするのであり、略側面視における微細な凹凸をも金属メッキにより埋めていくことにより、最終的に膜厚を均一なものとするのである。
【００３２】
また逆の観点から考えると、電解メッキを確実にかつ美麗に行うためには電解メッキにおける電解シード層と呼ばれる層を予め設けることが好適であることは周知であり、その意味において本実施の形態では金属層を積層しているのである。そして電解メッキにおいて電解シード層として作用する金属層が積層している剥離層の酸化面と、電解シード層である金属層とが美麗に剥離することで、金属層と金属メッキ層とよりなる極薄の金属箔が、極薄の金属箔として美麗に剥離するのである。
【００３３】
本実施の形態においては上記効果を得ることを目的とするものであり、そのために最も望ましい態様とは、剥離層と金属層と金属メッキ層とが全て同一の金属で構成されていることであると言える。つまり、金属層と金属メッキ層とが異なる素材であってもさほど問題は生じないものと思われるが、実際の使用状況を考えた場合、例えばフレキシブル回路の回路パターンを形成する金属として銅を用いる場合、ここに銅以外の金属が存在することで導電性の点において支障が生じる可能性がある。また結局のところ異なる金属による２層構成とした場合、層間剥離が生じる可能性が微少ではあっても存在する可能性があるが、これらを全く同一の金属、例えば銅とした場合、銅の表面に銅をメッキすることとなり、これらの間で剥離が生じることを確実に防ぐことができる。さらにまた剥離層も同じ物質、例えば銅とすることで、例えば剥離層と金属層と金属メッキ層とをスパッタリング法により積層する場合、全く同一の装置で実行することが可能であり、即ち製造工程を簡易化でき、製造面及び製造コスト面で大変好適なものとできるのである。
【００３４】
尚、ここでは電解メッキを行うことを前提に説明をしたが、必ずしも電解メッキである必要はなく、無電解メッキによる金属メッキ層形成としても構わない。また用いる金属として金属層と金属メッキ層は銅としているが、剥離層として銅以外にニッケル、クロム、チタン等を用いても問題はないことを述べておく。
【００３５】
また電解メッキであれ、無電解メッキであれ、何れの方法も従来公知のメッキ法によるものであってよく、ここではこれ以上の詳述は省略する。
【００３６】
以上説明したように、本実施の形態に係る支持体付き金属箔は、ＰＥＴフィルム／銅層（表面酸化銅層）／銅層／銅メッキ、という構成を有するものであるが、この製造方法につきここで再度簡単にまとめて説明する。
【００３７】
この製造方法全体は、基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に剥離層を積層してなる剥離層積層工程と、剥離層の表面に導電性を有する金属を金属層として積層してなる金属積層工程と、金属層の表面に金属メッキを施して金属メッキ層としてなるメッキ工程と、よりなる。
【００３８】
まず剥離層積層工程につき説明する。
ここでは最初に基材であるＰＥＴフィルムの表面に銅を積層するが、本実施の形態ではスパッタリング法により、その厚みが１００Å以上５００Å以下となるように積層する。
【００３９】
次いで積層された銅層の表面を酸化することにより表面が酸化された銅層を得る。本実施の形態における具体的な方法は、銅層をＰＥＴフィルム表面に積層した後、いったん銅層全体を大気中に露出する大気開放を行うことにより実行される。このようにして最初に積層された銅層の表面を酸化する。尚、この際酸化される部分は略断面視において銅層の最表面だけであって構わない。これは後述するように、本実施の形態に係る支持体付き金属箔を転写箔として用いた場合、この酸化した部分が離型層として作用するからである。尚、積層されるものが酸化珪素等、予め酸化物である場合にはかかる酸化工程は不要である。
【００４０】
ＰＥＴフィルム／銅層（表面酸化済）、という構成の積層体を得たら、即ち剥離層積層工程が実行されたら、次に金属積層工程を行う。本実施の形態では表面が酸化された銅層のさらに表面に銅を積層する。この場合の銅の積層方法は本実施の形態においてスパッタリング法によるものとし、またここで積層された銅層の厚みは１０μｍ以下であることが好ましい。
【００４１】
そして金属積層工程によりＰＥＴフィルム／銅層（表面酸化済）／銅層（金属層）、という構成の積層体を得たら、メッキ工程を行う。本実施の形態ではさらにその表面に銅メッキを行う。この銅メッキはいわゆる一般的に周知の電解メッキ法により実行される
【００４２】
そして最終的にＰＥＴフィルム／銅層（表面酸化済）／銅層（金属層）／銅メッキ、という構成の支持体付き金属箔を得るのであり、銅層（金属層）と銅メッキ部分とが一体化して極薄の金属箔（銅箔）となるのである。
このようにして、本実施の形態に係る支持体付き金属箔を得る。
【００４３】
次に得られた支持体付き金属箔の利用方法の一例につき説明する。尚、ここでは前述のように、ＰＥＴフィルム／銅層（表面酸化銅層）／銅層（金属層）／銅メッキ、という構成のものを想定して説明する。
【００４４】
はじめに説明したように、例えば昨今のフレキシブル回路基板にあってはますます強まる小型電子機器、モバイル機器等の軽薄短小化に応じて、フレキシブル回路基板そのものの薄型化も強く望まれている。即ちフレキシブル回路基板を構成する基材のみならず、表面の回路を形成する銅箔の厚みもより薄いものが望まれる。
【００４５】
そこで、本実施の形態に係る支持体付き金属箔であって、より具体的にはＰＥＴフィルムを支持体とした極薄銅箔を、係るフレキシブル回路基板に用いることができる。
【００４６】
具体的には次のように利用する。
まずフレキシブル回路基板の基剤となる絶縁性を備えたベースフィルムの表面に接着剤を塗布し、接着層を形成する。次いで接着層を積層した面に対し、本実施の形態に係る支持体付き金属箔を貼着する。具体的には銅層面を貼着する。
【００４７】
そしてこれを貼着をしたら、次いで貼着した支持体付き金属箔を剥離する。このようにしてベースフィルム表面に銅箔が貼着された状態となる。そして最後に貼着した銅箔のうち、回路部分のみを残し、残りはエッチングにより除去する。このようにしてベースフィルム表面に銅箔による回路が形成されることとなる。
【００４８】
また次のような方法も考えられる。即ち、支持体付き金属箔をベースフィルム表面に貼着した後、支持体を剥離する前に、支持体ごと不要な部分をエッチングで除去し、しかる後に支持体を剥離することで、ベースフィルム表面に銅箔による回路が形成されることとなる。
【００４９】
このようにして極薄のフレキシブル回路基板を簡単に得ることができるのであり、ベースフィルムも充分に薄いものとしておけば、より一層全体を薄くすることが可能である。
【００５０】
つまり、本実施の形態による支持体付き極薄銅箔を用いれば、この極薄銅箔の厚みは前述の通り１０μｍ以下の厚みであるので、得られるフレキシブル基材も銅箔部分に厚みがあるが故に全体の厚みを薄くできない、という状況を回避することが容易に可能となる。また本実施の形態に係る支持体付き金属箔では、いわゆる剥離層を酸化した金属層としており、特に本実施の形態では酸化された銅層を剥離層としていることより、前述したような用途において最表面の極薄銅箔に相当する銅層部分が確実にかつ美麗に剥離し、剥離した表面には離型層たる酸化された銅層は付着していない。
【００５１】
尚、剥離層と金属層とを異なる金属であったとしても、酸化された金属層は転写箔の剥離層として大変効果的に作用することを本願発明に係る発明者は見いだしており、これを利用した転写箔とすべく本願発明に係る支持体付き金属箔における剥離層としてこの考え方を用いることとしたのである。また酸化された金属層を形成するために本実施の形態では大気開放という手法により、いったん積層された剥離層、ここでは銅層、の表面を酸化させているのである。
【００５２】
このように、本願発明に係る支持体付き金属箔を用いれば、まず極薄の金属箔を容易に得ることが可能となり、なおかつ膜厚が略均一である金属箔を容易に得ることが可能となり、これを転写材として用いれば、極薄の金属箔を所望の箇所に転写することが容易に可能となる。さらに従来であれば転写される極薄金属箔に離型層の残渣が付着することが問題であったところ、本実施の形態ではそのような現象の発生を回避することができるので、最終的に転写にて得られる極薄金属箔を傷めることがなく、大変好適な極薄金属箔の転写箔とすることが容易に可能となるのである。
【実施例】
【００５３】
次に、本発明を実施例をあげて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５４】
基本的には本願発明に係る製造方法に準じて支持体付き金属箔を得た。
即ち、高分子樹脂フィルムの表面に剥離層を積層してなる剥離層積層工程と、剥離層の表面に導電性を有する金属を金属層として積層してなる金属積層工程と、金属層の表面に金属メッキを施して金属メッキ層としてなるメッキ工程と、を順次実行することにより支持体付き金属箔を得た。
【００５５】
高分子樹脂フィルムとして厚みが５０μｍのＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製：製品名「ＳＬＡ」）を用いた。
【００５６】
この高分子フィルムの表面に剥離層として金属又は無機酸化物を周知な手法によるスパッタリング法により積層し、次いで大気開放することにより積層された金属層の表面を酸化することにより剥離層積層工程を実行した。但し比較例１、２ではこの酸化工程を行わなかった。また酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタンを剥離層として積層した場合は特段の酸化工程を実行しなかった。剥離層として選択した金属種、酸化物種、及びそれぞれの厚みについては表１に記載した通りである。
【００５７】
次いでそのさらに表面に、金属積層工程として、厚みが２００ｎｍ又は１００ｎｍとなるようにスパッタリング法によって金属層である銅層を積層した。
【００５８】
次いでそのさらに表面に、メッキ工程として、その厚みが３μｍとなるように銅をメッキして金属メッキ層を得た。このようにして得られた支持体付き金属箔の剥離性に関する結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
2010069861.tif 000002
【００６０】
この結果から分かるように、本願発明に係る支持体付き金属箔とした場合、金属箔を剥離したときの剥離性は良好である一方、比較例では不良となってしまうことが分かる。
【００６１】
またこれとは別に、本願発明に係る支持体付き金属箔と同等にして（銅箔とした。）、得られる銅箔の厚みを３μｍ、８μｍ、及び１６μｍとした場合の配線加工適性を調べてみた。
【００６２】
ここでは、それぞれの厚みの銅箔とした金属箔を通常行われる周知の配線加工に用い、美麗に剥離するかどうか、換言するならば美麗に配線加工が完了するかどうかを調べてみた。得られた結果を表２に示す。尚表中ピッチ幅とあるのは、配線同士の間隔を指すものである。
【００６３】
【表２】
2010069861.tif 000003
【００６４】
この結果から分かるように、厚みが３μｍの銅箔の場合、ピッチ幅に関係なく美麗に配線加工が完了するが、厚みが８μｍの銅箔とした場合はピッチ幅が５０μｍの場合に若干切れ性が充分でない例が見られた。そして厚みが１６μｍの銅箔とした場合は、ピッチ幅が５０μｍの場合、美麗に配線加工ができず、即ちこの厚みの場合は微細な回路形成に用いることができないことが分かる。
【００６５】
このことより、金属層と金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ金属層と金属メッキとは同一の金属を用いてなる場合、本願発明に係る支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であることが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月18日(2009.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に、
剥離層と、
導電性を有する金属による金属層と、
金属メッキによる金属メッキ層と、をこの順に積層してなること、
を特徴とする、支持体付き金属箔であって、
前記剥離層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであり、
前記金属層が銅であり、
前記金属メッキ層が銅によるものであり、
前記金属層と前記金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ前記金属層と前記金属メッキとは同一の金属を用いてなり、
前記支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であること、
を特徴とする、支持体付き金属箔。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に剥離層を積層してなる剥離層積層工程と、
前記剥離層の表面に導電性を有する金属を金属層として積層してなる金属積層工程と、
前記金属層の表面に金属メッキを施して金属メッキ層としてなるメッキ工程と、
よりなり、
前記金属積層工程後に前記金属層表面を酸化させる場合には、前記メッキ工程の前に前記金属層の表面を酸化させる酸化工程を行うこと、
を特徴とする、支持体付き金属箔の製造方法であって、
前記剥離層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであり、
前記金属層が銅であり、
前記金属メッキ層が銅によるものであり、
前記金属層と前記金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ前記金属層と前記金属メッキとは同一の金属を用いてなり、
前記支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であること、
を特徴とする、支持体付き金属箔の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、本願発明の請求項１に記載の発明は、基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に、剥離層と、導電性を有する金属による金属層と、金属メッキによる金属メッキ層と、をこの順に積層してなること、を特徴とする、支持体付き金属箔であって、前記剥離層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであり、前記金属層が銅であり、前記金属メッキ層が銅によるものであり、前記金属層と前記金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ前記金属層と前記金属メッキとは同一の金属を用いてなり、前記支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であること、を特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願発明の請求項２に記載の発明は、基材でありかつ支持体となる高分子樹脂フィルムの表面に剥離層を積層してなる剥離層積層工程と、前記剥離層の表面に導電性を有する金属を金属層として積層してなる金属積層工程と、前記金属層の表面に金属メッキを施して金属メッキ層としてなるメッキ工程と、よりなり、前記金属積層工程後に前記金属層表面を酸化させる場合には、前記メッキ工程の前に前記金属層の表面を酸化させる酸化工程を行うこと、を特徴とする、支持体付き金属箔の製造方法であって、前記剥離層が銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、珪素又はチタンの酸化物の何れか１つ又は複数によるものであり、前記金属層が銅であり、前記金属メッキ層が銅によるものであり、記金属層と前記金属メッキ層との合計厚みが１０μｍ以下であり、かつ前記金属層と前記金属メッキとは同一の金属を用いてなり、前記支持体付き金属箔を用いて転写法によりフレキシブル回路基板を形成する際に、フレキシブル回路のピッチ幅が５０μｍ以下であってもフレキシブル回路基板の形成が可能であること、を特徴とする。