(57)【要約】【課題】基板上に金属カバーを取り付けた構造のモジュールにおいて、基板上での半田の塗布量を安定化させる。【解決手段】回路基板１２の側面には、金属カバー１４の突出部１４ｄを受け入れる受入部１６が設けられており、回路基板１２の実装面上から受入部１６内にかけて導電パターン１８が形成されている。突出部１４ｄを受入部１６内で半田付けするため、その製造過程で回路基板１２の実装面上にクリーム半田２０が塗布されるが、その塗布領域１８ｂでは半田レジスト２６に開口部２６ａが設けられており、その範囲内で受入部１６の近傍から実装面の内側に拡張されている。このため、クリーム半田２０を導電パターン１８上に直接塗布することができ、ディスペンスノズル等による塗布量を安定させることができる。【選択図】図４
2010129720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される実装面を有した回路基板と、
前記回路基板に取り付けられて前記実装面を覆い、かつ、この取付状態で前記回路基板の側面に沿って前記実装面と反対側の面に向けて延びる突出部を有した金属カバーと、
前記回路基板の側面に形成され、前記金属カバーが前記回路基板に取り付けられた状態で前記突出部を受け入れる受入部と、
少なくとも前記実装面上の側端縁部から側面の前記受入部内に連なって形成され、予め前記実装面上で塗布されたクリーム半田を、そのクリーム半田が溶融する際に前記受入部内に向けて流動させる流動路を形成するとともに、その流動後の半田により前記受入部内にて前記突出部を半田付けするための導電パターンと、
前記実装面上に形成され、前記流動路となる範囲を残して前記導電パターンの周囲を囲み、かつ、前記実装面上でクリーム半田が塗布される予定の塗布位置を規定するべく前記受入部の近傍から前記実装面の内側へ向けて前記導電パターンを露出させる開口部を有した半田レジストと
を備えた電子モジュール。
【請求項２】
電子部品が実装される実装面を有した回路基板と、
前記回路基板に取り付けられて前記実装面を覆い、かつ、この取付状態で前記回路基板の側面に沿って前記実装面と反対側の面に向けて延びる突出部を有した金属カバーと、
前記回路基板の側面に形成され、前記金属カバーが前記回路基板に取り付けられた状態で前記突出部を受け入れる受入部と、
少なくとも前記実装面上の側端縁部から側面の前記受入部内に連なって形成され、予め前記実装面上で塗布されたクリーム半田を、そのクリーム半田が溶融する際に前記受入部内に向けて流動させる流動路を形成するとともに、その流動後の半田により前記受入部内にて前記突出部を半田付けするための導電パターンとを備え、
前記導電パターンは、
前記実装面上の側端縁部で前記受入部の近傍に設けられて前記流動路となる第１の領域と、
前記実装面上で前記第１の領域から前記実装面の内側に向けて拡がり、かつ、前記実装面上でクリーム半田が塗布される予定の塗布位置となる第２の領域とを有することを特徴とする電子モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子モジュールにおいて、
前記金属カバーは、
前記実装面との間に間隔をおいて前記回路基板と対向する天板と、
前記天板の縁辺から前記実装面に向けて延び、前記回路基板への取付状態で前記実装面上の側端縁部に載置されるとともに前記受入部に対応する位置に前記突出部が形成された側板とを有しており、
前記導電パターンの前記塗布位置は、前記実装面上の側端縁部で前記側板が載置される位置よりも前記回路基板の内側に離隔されていることを特徴とする電子モジュール。
【請求項４】
電子部品が実装される実装面を有した回路基板と、この回路基板に取り付けられて前記実装面を覆い、かつ、前記回路基板の側面に沿って前記実装面と反対側の面に向けて延びる突出部を有した金属カバーとを備え、前記回路基板の側面には、前記金属カバーの取付状態で前記突出部を受け入れる受入部が形成された電子モジュールの製造方法であって、
少なくとも前記実装面上の側端縁部から側面の前記受入部内に連なり、かつ、前記実装面上で周囲を半田レジストで囲まれた導電パターンが形成された状態の前記回路基板を用意する工程と、
前記導電パターンのうち、予め前記実装面上で前記半田レジストから露出する範囲を前記受入部の近傍から前記実装面の内側に拡張することで規定された塗布位置にクリーム半田を塗布する工程と、
前記クリーム半田が塗布された前記回路基板に対し、前記突出部を前記受入部内に進入させた状態で前記実装面上に前記金属カバーを載置する工程と、
前記金属カバーが載置された前記回路基板をリフロー加熱処理することで、前記実装面上で塗布されたクリーム半田を、そのクリーム半田が溶融する際に前記導電パターンに沿って前記受入部内に向けて流動させ、その流動後の半田により前記受入部内にて前記突出部を前記導電パターンに半田付けする工程と
を有する電子モジュールの製造方法。
【請求項５】
電子部品が実装される実装面を有した回路基板と、この回路基板に取り付けられて前記実装面を覆い、かつ、前記回路基板の側面に沿って前記実装面と反対側の面に向けて延びる突出部を有した金属カバーとを備え、前記回路基板の側面には、前記金属カバーの取付状態で前記突出部を受け入れる受入部が形成された電子モジュールの製造方法であって、
少なくとも前記実装面上の側端縁部から側面の前記受入部内に連なり、かつ、前記実装面上の側端縁部で前記受入部の近傍に設けられた第１の領域及びこの第１の領域から前記実装面の内側に向けて拡張された第２の領域を有する導電パターンが形成された状態の前記回路基板を用意する工程と、
前記導電パターンのうち、前記実装面上の前記第２の領域にクリーム半田を塗布する工程と、
前記クリーム半田が塗布された前記回路基板に対し、前記突出部を前記受入部内に進入させた状態で前記実装面上に前記金属カバーを載置する工程と、
前記金属カバーが載置された前記回路基板をリフロー加熱処理することで、前記実装面上で塗布されたクリーム半田を、そのクリーム半田が溶融する際に前記導電パターンに沿って前記受入部内に向けて流動させ、その流動後の半田により前記受入部内にて前記突出部を前記導電パターンに半田付けする工程と
を有する電子モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の電子モジュールの製造方法において、
前記金属カバーは、
前記実装面との間に間隔をおいて前記回路基板と対向する天板と、
前記天板の縁辺から前記実装面に向けて延び、前記回路基板への取付状態で前記受入部に対応する位置に前記突出部が形成された側板とを有しており、
前記実装面上で前記クリーム半田が塗布される塗布位置は、
前記金属カバーを載置する工程において前記実装面上の側端縁部に前記側板が載置される位置よりも前記回路基板の内側に離隔されていることを特徴とする電子モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種の電子部品が実装された回路基板の実装面を金属カバーで覆った構造の電子モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シールドケース等の金属カバーを有する基板にシールドケースの枠部材を半田付けするためのアースパターンランドを設けるとともに、このアースパターンランド上に半田レジストを形成した状態でクリーム半田を塗布してから枠部材を半田付けする先行技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
上記の先行技術によれば、電子部品やシールドケースの枠部材をリフロー加熱によって半田付けする際、アースパターンランド上の枠部材が載置される位置には半田レジストが残留した状態となる。これにより、リフロー加熱時に枠部材の真下には半田が付着しないため、溶融した半田とともに枠部材の位置がずれたり、固化した半田が枠部材の下部に入り込んで枠部材を持ち上げたりすることがなくなり、半田付け後の枠部材の位置を安定させることができると考えられる。
【特許文献１】特開平７−２４０５９１号公報（段落０００８、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、先行技術のようにパターンランド上を半田レジストで覆い、その上からクリーム半田を塗布する手法では、半田レジストの膜厚のばらつきによって半田の塗布量が不安定になりやすいという問題がある。
【０００５】
例えば、クリーム半田の塗布時に上方から基板にディスペンスノズルを近接させ、その上面から一定のギャップをおいた位置でノズル口からクリーム半田を吐出する方式では、１回の吐出により塗布するクリーム半田の量がギャップの大きさに依存して決まる。このとき、基板上面に対してディスペンスノズルを近接させる位置を正確にコントロールしていても、クリーム半田の塗布位置でレジストの膜厚がばらついていると、ノズル口から塗布位置までのギャップがばらついてしまう。その結果、クリーム半田の塗布量が不安定となり、あちこちで半田塗布量の過不足が生じる原因となる。このように、半田を塗布する工程で塗布量の安定性に欠けると、その後のリフロー加熱時において半田付け品質が悪化する。
【０００６】
また近年、製品（モジュール）の小型化や基板上での高密度実装化の要望から、クリーム半田を塗布できるスペースも縮小される傾向にある。ところが、上記のように基板上でレジストの膜厚がばらついていると、予め塗布量が不安定になることを考慮して多め（過剰）にクリーム半田を塗布する必要があり、それだけ余計な塗布スペースを確保しなければならないことから、これが製品の小型化にとって妨げとなっている。
【０００７】
そこで本発明は、基板上でのクリーム半田の塗布量を安定化させる技術を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の解決手段を採用する。
解決手段１：本発明は、電子部品が実装される実装面を有した回路基板と、この回路基板に取り付けられて実装面を覆い、かつ、この取付状態で回路基板の側面に沿って実装面と反対側の面に向けて延びる突出部を有した金属カバーと、回路基板の側面に形成され、金属カバーが回路基板に取り付けられた状態で突出部を受け入れる受入部と、少なくとも実装面上の側端縁部から側面の受入部内に連なって形成され、予め実装面上で塗布されたクリーム半田を、そのクリーム半田が溶融する際に受入部内に向けて流動させる流動路を形成するとともに、その流動後の半田により受入部内にて突出部を半田付けするための導電パターンと、実装面上に形成され、流動路となる範囲を残して導電パターンの周囲を囲み、かつ、実装面上でクリーム半田が塗布される予定の塗布位置を規定するべく受入部の近傍から実装面の内側へ向けて導電パターンを露出させる開口部を有した半田レジストとを備えた電子モジュールである。
【０００９】
解決手段１の電子モジュールによれば、回路基板の実装面上で導電パターンの周囲が半田レジストに囲まれているものの、クリーム半田が塗布される予定の塗布位置には半田レジストに開口部が設けられているため、この塗布位置にクリーム半田（半田ペースト）を塗布する際、半田レジストの厚さのばらつきに影響されることなく、安定した量の半田を塗布することができる。なお、塗布位置に塗布されたクリーム半田は、例えばリフロー加熱時に導電パターンに沿って流動し、受入部内に流れ込むことで突出部を導電パターンに半田付けする。これにより、安定した適正量の半田を用いて突出部の半田付けを行うことができ、その結果、半田付け品質の向上を図ることができる。
【００１０】
解決手段２：あるいは、本発明は以下の構成態様を有するものでもよい。
すなわち本発明の電子モジュールは、電子部品が実装される実装面を有した回路基板と、この回路基板に取り付けられて実装面を覆い、かつ、この取付状態で回路基板の側面に沿って実装面と反対側の面に向けて延びる突出部を有した金属カバーと、回路基板の側面に形成され、金属カバーが回路基板に取り付けられた状態で突出部を受け入れる受入部と、少なくとも実装面上の側端縁部から側面の受入部内に連なって形成され、予め実装面上で塗布されたクリーム半田を、そのクリーム半田が溶融する際に受入部内に向けて流動させる流動路を形成するとともに、その流動後の半田により受入部内にて突出部を半田付けするための導電パターンとを備えるものである。そして導電パターンは、実装面上の側端縁部で受入部の近傍に設けられて流動路となる第１の領域と、実装面上で第１の領域から実装面の内側に向けて拡がり、かつ、実装面上で半田が塗布される予定の塗布位置となる第２の領域とを有する。
【００１１】
解決手段２の電子モジュールによれば、回路基板の実装面上で導電パターンが第１の領域と第２の領域とで構成されており、このうち第２の領域が受入部の近傍から実装面に内側へ拡がることにより、クリーム半田の塗布位置を形成している。この場合、導電パターンはいわゆる独立したランド（半田レジストで囲まれない形態）となるため、この塗布位置（ランド）にクリーム半田（半田ペースト）を塗布する際にも、特に半田レジストの厚さのばらつきに影響されることなく、安定した量のクリーム半田を塗布することができる。なお、塗布位置に塗布されたクリーム半田は、例えばリフロー加熱時に導電パターンに沿って流動し、第２の領域から第１の領域を通じて受入部内に流れ込むことで突出部を導電パターンに半田付けする。これにより、安定した適正量の半田を用いて突出部の半田付けを行うことができ、その結果、半田付け品質の向上を図ることができる。
【００１２】
また本発明の電子モジュールは、上記の解決手段１，２に共通して以下の特徴を有する。
【００１３】
解決手段３：金属カバーは、実装面との間に間隔をおいて回路基板と対向する天板と、天板の縁辺から実装面に向けて延び、回路基板への取付状態で実装面上の側端縁部に載置されるとともに受入部に対応する位置に突出部が形成された側板とを有している。そして導電パターンの塗布位置は、実装面上の側端縁部で側板が載置される位置よりも回路基板の内側に離隔されている。
【００１４】
解決手段３の特徴を有していれば、実装面上で塗布位置に塗布された状態の半田と金属カバーの側板とが接触しないので、側板の外側に半田がはみ出してしまったり、側板によって受入部への半田の流動が妨げられたりすることがない。これにより、本来意図していない箇所に半田が付着してしまうのを防止し、半田付けの品質を向上することができる。
【００１５】
解決手段４：また本発明は、電子部品が実装される実装面を有した回路基板と、この回路基板に取り付けられて実装面を覆い、かつ、回路基板の側面に沿って実装面と反対側の面に向けて延びる突出部を有した金属カバーとを備え、回路基板の側面には、金属カバーの取付状態で突出部を受け入れる受入部が形成された電子モジュールの製造方法であって、以下の工程を有する。
【００１６】
工程１：少なくとも実装面上の側端縁部から側面の受入部内に連なり、かつ、実装面上で周囲を半田レジストで囲まれた導電パターンが形成された状態の回路基板を用意する。
【００１７】
工程２：導電パターンのうち、予め実装面上で半田レジストから露出する範囲を受入部の近傍から実装面の内側に拡張することで規定された塗布位置にクリーム半田を塗布する。
【００１８】
工程３：クリーム半田が塗布された回路基板に対し、突出部を受入部内に進入させた状態で実装面上に金属カバーを載置する。
【００１９】
工程４：金属カバーが載置された回路基板をリフロー加熱処理することで、実装面上で塗布されたクリーム半田を、そのクリーム半田が溶融する際に導電パターンに沿って受入部内に向けて流動させ、その流動後の半田により受入部内にて突出部を導電パターンに半田付けする。
【００２０】
解決手段４の製造方法によれば、工程１で用意された回路基板の実装面上では導電パターンの周囲が半田レジストに囲まれているものの、クリーム半田が塗布される予定の塗布位置では半田レジストから露出する範囲が拡張されている。このため、工程２で塗布位置にクリーム半田（半田ペースト）を塗布する際、半田レジストの厚さのばらつきに影響されることなく、安定した量のクリーム半田を塗布することができる。
【００２１】
なお、塗布位置に塗布されたクリーム半田は、この後の工程４で導電パターンに沿って流動し、受入部内に流れ込んだ状態で突出部を導電パターンに半田付けする。これにより、以上の工程を通じて安定した適正量の半田を用いて突出部の半田付けを行うことができ、その結果、半田付け品質の向上を図ることができる。
【００２２】
また工程４では、導電パターンの周囲で半田レジストがダム（堰き止め）として働くことにより、流動した半田が受入部以外の余計な箇所に流出するのを防止することができる。したがって、リフローによる加熱時の半田やフラックス等の熱ダレを抑制し、総合的な半田付けの品質を向上することができる。
【００２３】
解決手段５：あるいは、本発明は電子部品が実装される実装面を有した回路基板と、この回路基板に取り付けられて実装面を覆い、かつ、回路基板の側面に沿って実装面と反対側の面に向けて延びる突出部を有した金属カバーとを備え、回路基板の側面には、金属カバーの取付状態で突出部を受け入れる受入部が形成された電子モジュールの製造方法であって、以下の工程を有するものでもよい。
【００２４】
工程Ｉ：少なくとも実装面上の側端縁部から側面の受入部内に連なり、かつ、実装面上の側端縁部で受入部の近傍に設けられた第１の領域及びこの第１の領域から実装面の内側に向けて拡張された第２の領域を有する導電パターンが形成された状態の回路基板を用意する。
【００２５】
工程ＩＩ：導電パターンのうち、実装面上の第２の領域にクリーム半田を塗布する。
【００２６】
工程III：クリーム半田が塗布された回路基板に対し、突出部を受入部内に進入させた状態で実装面上に金属カバーを載置する。
【００２７】
工程ＩＶ：金属カバーが載置された回路基板をリフロー加熱処理することで、実装面上で塗布されたクリーム半田を、そのクリーム半田が溶融する際に導電パターンに沿って受入部内に向けて流動させ、その流動後の半田により受入部内にて突出部を導電パターンに半田付けする。
【００２８】
解決手段５の製造方法によれば、工程Ｉで用意された回路基板の実装面上で導電パターンが第１の領域と第２の領域とで構成されており、このうち第２の領域が受入部の近傍から実装面に内側へ拡がることにより、クリーム半田の塗布位置を形成する。この場合、導電パターンはいわゆる独立したランド（半田レジストで囲まれない形態）となるため、次の工程ＩＩで第２の領域を塗布位置として、ここにクリーム半田（半田ペースト）を塗布する際、特に半田レジストの厚さのばらつきに影響されることなく、安定した量のクリーム半田を塗布することができる。
【００２９】
なお、塗布位置に塗布されたクリーム半田は、この後の工程ＩＶで導電パターンに沿って流動し、第２の領域から第１の領域を通じて受入部内に流れ込んだ状態で突出部を導電パターンに半田付けする。これにより、以上の工程を通じて安定した適正量の半田を用いて突出部の半田付けを行うことができ、その結果、半田付け品質の向上を図ることができる。
【００３０】
また工程ＩＶでは、導電パターンが独立ランドの形態であるため、流動した半田自身の表面張力で導電パターンからの流出が抑えられ、受入部以外の余計な箇所に半田が付着するのを防止することができる。したがって、リフローによる加熱時の半田やフラックス等の熱ダレを抑制し、総合的な半田付けの品質を向上することができる。
【００３１】
また本発明の製造方法は、上記の解決手段４，５に共通して以下の特徴を有する。
【００３２】
解決手段６：金属カバーは、実装面との間に間隔をおいて回路基板と対向する天板と、天板の縁辺から実装面に向けて延び、回路基板への取付状態で受入部に対応する位置に突出部が形成された側板とを有している。そして、回路基板の実装面上でクリーム半田が塗布される塗布位置は、金属カバーを載置する工程（工程３又は工程III）において実装面上の側端縁部に側板が載置される位置よりも回路基板の内側に離隔されている。
【００３３】
解決手段６の特徴を有していれば、実装面上で塗布位置（第２の領域）に塗布された状態のクリーム半田が金属カバーの側板によって押しつぶされることはない。このため、側板の外側に半田がはみ出してしまったり、側板によって受入部への半田の流動が妨げられたりすることがない。これにより、本来意図していない箇所に半田が付着してしまうのを防止し、半田付けの品質を向上することができる。
【００３４】
また上記の解決手段１〜６において、金属カバーには複数箇所に突出部が形成されており、それぞれに対応して回路基板の側面の複数箇所に受入部が設けられていてもよい。この場合、複数箇所の受入部にそれぞれ対応して導電パターンが形成されており、各箇所に塗布位置（第２の領域）が設けられていることが好ましい。
【００３５】
上記のように、複数箇所で突出部が半田付けされている形態であっても、半田が塗布される塗布位置は全て導電パターン上の同一面となるので、複数箇所で半田の塗布量を均一化することができる。
【発明の効果】
【００３６】
以上のように本発明によれば、安定した適正量の半田を用いて金属カバーの突出部を導電パターンに半田付けした完成形態を得ることができる。また、半田付け品質を向上することにより、製品としての信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３８】
〔第１実施形態〕
図１は、第１実施形態の電子モジュール１０の構成を示した斜視図である。第１実施形態の電子モジュール１０は、回路基板１２の上面（実装面）を金属カバー１４で覆った構造を有している。なお、図１には回路基板１２の実装面が示されていないが、この実装面には例えば半導体チップやチップ抵抗、チップコンデンサ、チップコイル等の電子部品が実装されている。
【００３９】
〔回路基板〕
回路基板１２は、例えば複数のセラミック基板層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄをグリーンシートの状態で積層し、低温焼成した構造の多層基板（ＬＴＣＣ）である。あるいは、回路基板１２はガラスエポキシ銅張積層板であってもよい。なお、ここでは多層構造としているが、回路基板１２は単層構造のものであってもよい。
【００４０】
〔金属カバー〕
金属カバー１４は、回路基板１２の実装面と平行な天板１４ａを有する他、この天板１４ａの四辺からそれぞれ下方に延びた側板１４ｂ，１４ｃを有している。金属カバー１４は、全体として下面が開口した蓋形状をなしており、下面の開口を回路基板１２の実装面に向き合わせた状態で取り付けられている。
【００４１】
〔突出部〕
また金属カバー１４には、例えば長手方向の側板１４ｂに４箇所ずつ、また、短辺方向の側板１４ｃに３箇所ずつ突出部１４ｄ（取付脚）が形成されている。これら突出部１４ｄは、いずれも側板１４ｂ，１４ｃの下縁部から下方に突出しており、図１に示される取付状態では、回路基板１２の側面に沿って下方（裏面側）へ延びている。
【００４２】
〔受入部〕
一方、回路基板１２の側面には、各突出部１４ｄに対応する位置に受入部１６が形成されている。これら受入部１６は、回路基板１２の側面から内側に向けて半円形状に窪んでおり、この例では回路基板１２の厚み全体にわたって縦方向に延びている。
【００４３】
〔導電パターン〕
また回路基板１２には、各受入部１６の内側に導電パターン１８が形成されている。導電パターン１８は、例えば銅箔（その他の金属箔でもよい）で形成されている。また導電パターン１８は、受入部１６の内側の面だけでなく、回路基板１２の実装面や側面、図示しない裏面においてそれぞれ受入部１６の近傍にまで拡がって形成されている。
【００４４】
〔電子モジュールの構造〕
次に図２は、完成状態でみた電子モジュール１０の構造を概略的に示す縦断面図（図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図）である。
【００４５】
上記のように回路基板１２は、基板層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを積層した構造であり、この積層状態で上面が実装面となっている。実装面上には、図示しない電子部品が実装されている他、所望の配線パターン２２や半田レジスト２６が設けられている。また回路基板１２の内層部分には、各基板層１２ａ〜１２ｄの間に内層電極２４が設けられている。
【００４６】
また回路基板１２の両側端縁部（図２では左右の各側端縁部）には、その実装面上で受入部１６の近傍に導電パターン１８が形成されている他、その裏面（基板層１２ｄの下面）においても受入部１６の近傍に導電パターン１８が回り込むようにして形成されている。
【００４７】
〔金属カバーの半田付け状態〕
また上記のように、金属カバー１４はその内部が中空となった蓋形状をなしており、その天板１４ａが回路基板１２の実装面からある程度の間隔をおいて上方に位置している他、側板１４ｂ，１４ｃが回路基板１２の実装面上に載置された状態で取り付けられている。そして各突出部１４ｄは、それぞれ対応する位置の受入部１６内に受け入れられた状態で、半田２０により導電パターン１８に半田付けされている。
【００４８】
〔導電パターン及び半田レジストの形態〕
図３は、回路基板１２の一側端縁部のみを部分的に示した平面図である。図３に示されるように、回路基板１２の実装面上には、各受入部１６の近傍に導電パターン１８が形成されている。
【００４９】
第１実施形態では、回路基板１２の実装面上において、導電パターン１８が１つのつながった配線として構成されている。ただし、導電パターン１８は各受入部１６別に半田レジスト２６で分割されており、表面上は３箇所に独立して形成されていることになる。
【００５０】
このため、例えば導電パターン１８を１箇所ずつ独立したものとした場合、個々の導電パターン１８は大きく分けて円弧状領域１８ａ及び塗布領域１８ｂから構成されている。このうち円弧状領域１８ａは、平面視で半円形状をなす受入部１６の縁に沿って設けられており、一方の塗布領域１８ｂは、円弧状領域１８ａから実装面の内側へ向けて部分円形状に拡がるようにして設けられている。
【００５１】
〔開口部との関係〕
上記の塗布領域１８ｂは、導電パターン１８上で半田レジスト２６を部分円形状に開口することよって形成されている。すなわち、半田レジスト２６には受入部１６の近傍から実装面の内側に向かって導電パターン１８の露出範囲を拡張するように開口部２６ａ（部分円形状にくり抜いた部分）が設けられており、この開口部２６ａの内側に上記の塗布領域１８ｂが形成されていることになる。
【００５２】
〔製造方法〕
上述した第１実施形態の電子モジュール１０は、例えば以下の工程を通じて製造することができる。図４は、電子モジュール１０の製造方法で行われる作業例を順に示した図である。以下、第１実施形態の電子モジュール１０の製造方法について説明する。
【００５３】
〔工程１〕
先ず、電子モジュール１０の構成部品となる上記の回路基板１２及び金属カバー１４をそれぞれ用意する。このとき回路基板１２は、例えば図２に示されるように多層構造で構成されたものを用意する。また回路基板１２には、金属カバー１４の突出部１４ｄに合わせて受入部１６を形成するとともに、導電パターン１８やその他の配線パターン２２、半田レジスト２６等を設けておく。また半田レジスト２６には、図３に示されるように開口部２６ａを形成することで、実装面上で導電パターン１８に塗布領域１８ｂを形成する。
【００５４】
〔工程２〕
図４中（Ａ）：導電パターン１８のうち、上記の塗布領域１８ｂに適正量のクリーム半田（参照符号２０）を塗布する。このときクリーム半田２０は、例えばディスペンスノズルを用いて塗布することができる。なお、具体的な塗布方法についてはさらに別の図面を用いて後述する。
【００５５】
〔工程３〕
図４中（Ｂ）：次に、回路基板１２の実装面上に金属カバー１４（図中２点鎖線）を載置する。このとき、金属カバー１４の各突出部１４ｄをそれぞれ対応する受入部１６内に進入させる。なお、上記の工程１でクリーム半田２０が塗布されている位置（塗布位置）は、この工程３で金属カバー１４の側板１４ｃが載置される位置から実装面の内側へ離れたところにある。また、ここでは特に図示していないが、長手方向の側板１４ｂについても同様に、クリーム半田２０の塗布位置から離れた位置に載置されている。
【００５６】
〔工程４〕
図４中（Ｃ）：回路基板１２に金属カバー１４を載置した状態で、これらをリフロー炉に通し、クリーム半田２０を加熱溶融させる。これに伴い、溶融状態の半田（同じく参照符号２０）を塗布領域１８ｂから円弧状領域１８ａを通じて受入部１６内へ流動させる。このとき、実装面上では半田レジスト２６がダム（堰き止め）として働くので、溶融した半田２０は意図しない箇所へ流動せず、受入部１６に向けて良好に流動する。そしてこの後、半田２０を凝固させると、受入部１６内で導電パターン１８に突出部１４ｄが半田付けされた状態となる。
【００５７】
〔半田塗布例〕
図５は、上記の工程２におけるクリーム半田２０の塗布作業例を概略的に示す図である。この作業例では、上記のようにディスペンスノズル２８を回路基板１２の上方から下降させ、そのノズル口（下端）を回路基板１２の上面に近接させた状態でクリーム半田２０を塗布している。
【００５８】
このとき、第１実施形態ではクリーム半田２０を塗布する位置（塗布領域１８ｂ）に半田レジスト２６が設けられていないため、導電パターン１８の上面に対して直接、クリーム半田２０を塗布することができる。したがって、ディスペンスノズル２８を最も近接させたときのギャップ（図中Ｇ）が略一定となり、安定した適正量のクリーム半田２０を塗布することができる。
【００５９】
〔比較例〕
上述した利点について、比較例との対比をもってさらに詳しく説明する。
図６は、上記の工程２とは異なる塗布作業の比較例を概略的に示す図である。この比較例では、クリーム半田２０を塗布する位置で導電パターン１８が半田レジスト２６に覆われている。すなわち、回路基板１２の実装面上では、予めクリーム半田２０の塗布位置が半田レジスト２６の上に設けられていることになる。なお、一般的に半田レジスト２６には、同じ回路基板１２の実装面上に形成した場合であっても、その形成過程である程度のばらつき（例えば中心厚さ＋１５μｍ〜−１０μｍ程度）が生じることが分かっている。
【００６０】
このような比較例においては、半田レジスト２６の厚さのばらつきにより、ディスペンスノズル２８を最も近接させたときのギャップの設定を例えば７０μｍとした場合、ギャップ（図中Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３）が場所によって不安定となる。このため、ギャップが大きい（図中Ｇ１）ところと小さい（図中Ｇ３）ところでは、塗布されるクリーム半田２０の量に差が生じる上、特に塗布量が少ない場合、そこでの半田付けが不良となるおそれがある。
【００６１】
この点、上述した第１実施形態の構造であれば、クリーム半田２０を塗布する位置が全て導電パターン１８上の同一面であるため、ディスペンスノズル２８を最も近接させたときのギャップ（Ｇ）を複数箇所で略均一にすることができる。これにより、クリーム半田２０の塗布量を適正量で安定化させ、その半田付け品質を高めることができる。なお、導電パターン１８にも厚さのばらつきはあるが、その範囲は半田レジスト２６に比べて極僅か（例えば０．１％未満）であり、その影響は実用上で何ら問題とならないことが分かっている。
【００６２】
〔第２実施形態〕
次に、電子モジュール１０の第２実施形態について説明する。第２実施形態の電子モジュール１０は、導電パターン１８の構成が第１実施形態と異なっているが、その他の構成は第１実施形態と共通である。以下、第２実施形態の電子モジュール１０について、第１実施形態との相違点を中心として説明する。
【００６３】
〔独立ランドの形態〕
図７は、第２実施形態の電子モジュール１０における回路基板１２の一側端縁部のみを部分的に示した平面図である。図７に示されるように、第２実施形態においても、回路基板１２の実装面上には各受入部１６の近傍に導電パターン１８が形成されている。
【００６４】
第２実施形態では、回路基板１２の実装面上で導電パターン１８が受入部１６ごとに独立したランドとして構成されており、これらは互いに接続されていない。またこの場合、導電パターン１８は周囲を半田レジストで囲まれておらず、周囲には回路基板１２の実装面（図中符号１２ｅ）が露出している形態である（ただし、導電パターン１８から距離をおいて半田レジストが設けられていてもよい。）。
【００６５】
〔第１及び第２の領域〕
受入部１６ごとに独立した導電パターン１８は、第２実施形態においても大きく分けて円弧状領域１８ａ及び塗布領域１８ｂから構成されている。すなわち、円弧状領域１８ａは、平面視で半円形状をなす受入部１６の縁に沿って設けられており、一方の塗布領域１８ｂは、円弧状領域１８ａから実装面の内側へ向けて部分円形状に拡がるようにして設けられている。ただし第２実施形態の場合、塗布領域１８ｂは半田レジストの開口から露出した範囲の形状を有するのではなく、実装面上でみた銅箔そのものの形状を有するものとして構成されている。
【００６６】
〔製造方法〕
上述した第２実施形態の電子モジュール１０は、例えば以下の工程を通じて製造することができる。
【００６７】
〔工程Ｉ〕
先ず、第２実施形態の電子モジュール１０の構成部品となる上記の回路基板１２及び金属カバー１４をそれぞれ用意する。このとき回路基板１２は、例えば図２に示されるように多層構造で構成されたものを用意することができる。また回路基板１２には、金属カバー１４の突出部１４ｄに合わせて受入部１６を形成するが、導電パターン１８については、図７に示されるように受入部１６ごとに独立した形態とする必要がある。
【００６８】
〔工程ＩＩ〕
特に図示していないが、導電パターン１８のうち、上記の塗布領域１８ｂに適正量のクリーム半田２０を塗布する。なお、導電パターン１８を図７に示される形態に置き換えることで、適宜、図４中（Ａ）の例を適用してもよい。
【００６９】
〔工程III〕
同じく図示していないが、回路基板１２の実装面上に金属カバー１４（図中２点鎖線）を載置する。また、このとき金属カバー１４の各突出部１４ｄをそれぞれ対応する受入部１６内に進入させる。なお、同じく導電パターン１８を図７に示される形態に置き換えることで、適宜、図４中（Ｂ）の例を適用してもよい。また、上記の工程Ｉでクリーム半田２０が塗布されている位置（塗布位置）は、この工程IIIで金属カバー１４の側板１４ｃが載置される位置から実装面の内側へ離れたところにある。同様に、長手方向の側板１４ｂについても、クリーム半田２０の塗布位置から離れた位置に載置されている。
【００７０】
〔工程ＩＶ〕
そして、回路基板１２に金属カバー１４を載置した状態で、これらをリフロー炉に通し、クリーム半田２０を加熱溶融させる。これに伴い、溶融状態の半田（同じく参照符号２０）を塗布領域１８ｂから円弧状領域１８ａを通じて受入部１６内へ流動させる。ここでも同様に、導電パターン１８を図７に示される形態に置き換えることで、適宜、図４中（Ｃ）の例を適用してもよい。このとき、溶融した半田２０は、それ自身の表面張力によって導電パターン１８以外へ流出するのを押しとどめ、受入部１６に向けて良好に流動する。そしてこの後、半田２０を凝固させると、受入部１６内で導電パターン１８に突出部１４ｄが半田付けされた状態となる。
【００７１】
〔半田塗布例〕
図８は、上記の工程ＩＩにおけるクリーム半田２０の塗布作業例を概略的に示す図である。この作業例では、上記のようにディスペンスノズル２８を回路基板１２の上方から下降させ、そのノズル口（下端）を回路基板１２の上面に近接させた状態でクリーム半田２０を塗布している。
【００７２】
第２実施形態においても、クリーム半田２０を塗布する位置（塗布領域１８ｂ）は導電パターン１８の上面であり、この上面に対して直接、クリーム半田２０を塗布することができる。したがって、ディスペンスノズル２８を最も近接させたときのギャップ（図中Ｇ）が略一定となり、安定した適正量のクリーム半田２０を塗布することができる。
【００７３】
上述した第１及び第２実施形態の電子モジュール１０は、いずれも半田の塗布位置（塗布領域１８ｂ）に安定した適正量のクリーム半田２０を塗布することができるので、その後のリフロー加熱によって金属カバー１４の突出部１４ｄを半田付けする際にも、充分な半田付け強度を確保することができる。また、使用する半田２０の量が多すぎたり、少なすぎたりすることがないため、受入部１６以外の余計な箇所にまで半田２０がはみ出てしまったり、逆に半田２０が不足してしまったりすることがなく、常に安定した半田付け品質を得ることができる。
【００７４】
また、クリーム半田２０を適正量で均一に塗布できるため、全体的な塗布量を少なくする場合であっても、ギャップのばらつきによる不足を考慮する必要がない。このため、電子モジュール１０全体の小型化に合わせて塗布領域１８ｂのスペース（面積）を縮小することができるし、余計なスペースを取らない分、回路基板１２の実装密度を高めることができる。
【００７５】
また、いずれも製造過程（工程３，工程III）において、回路基板１２の実装面上に金属カバー１４を載置する際、側板１４ｂ，１４ｃがクリーム半田２０に接触しないため、クリーム半田２０が金属カバー１４の外側にはみ出したり、余計な位置に付着したりすることがない。これにより、製品の外観不良や性能不良が生じるのを防止し、その品質を高く維持することができる。
【００７６】
なお第１及び第２実施形態では、いずれも導電パターン１８（銅箔）上の同一面上にクリーム半田２０を塗布することができるため、例えば導電パターン１８上の任意の点（１箇所）をレーザー測距装置等で高さ計測することにより、ディスペンサー装置に高さ位置（ギャップ）のフィードバックを掛けてもよい。
【００７７】
本発明は上述した実施形態に制約されることなく、さらに変形して実施することができる。各実施形態では、回路基板１２が１つ１つの電子モジュール１０として個片に切断された状態を例に挙げているが、回路基板１２は個片に切断される前の状態（複数の電子モジュール１０を構成する部分の集合体）であってもよい。
【００７８】
また、各実施形態で挙げた突出部１４ｄや受入部１６の形状、配置等はあくまで例示であり、その他の形状や配置を採用してもよい。また導電パターン１８の形状は、受入部１６の形状や配置に応じて適宜に変形することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】第１実施形態の電子モジュールの構成を示した斜視図である。
【図２】完成状態でみた電子モジュールの構造を概略的に示す縦断面図（図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図）である。
【図３】第１実施形態において回路基板の一側端縁部のみを部分的に示した平面図である。
【図４】電子モジュールの製造方法で行われる作業例を順に示した図である。
【図５】製造方法の工程２におけるクリーム半田の塗布作業例を概略的に示す図である。
【図６】製造方法の工程２とは異なる塗布作業の比較例を概略的に示す図である。
【図７】第２実施形態における回路基板の一側端縁部のみを部分的に示した平面図である。
【図８】製造方法の工程ＩＩにおけるクリーム半田の塗布作業例を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０    電子モジュール
１２    回路基板
１４    金属カバー
１４ｄ  突出部
１６    受入部
１８    導電パターン
１８ａ  円弧状領域（流動路、第１の領域）
１８ｂ  塗布領域（塗布位置、流動路、第２の領域）
２６    半田レジスト
２６ａ  開口部
【図１】
2010129720.tif 000003
【図３】
2010129720.tif 000004
【図４】
2010129720.tif 000005
【図７】
2010129720.tif 000006
【図２】
2010129720.tif 000007
【図５】
2010129720.tif 000008
【図６】
2010129720.tif 000009
【図８】
2010129720.tif 000010