(57)【要約】【課題】中間電極層における光の吸収によって減衰する発光光を補償することを可能にする有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】基板１０と、下部反射電極２１と、第一発光層を含む第一有機ＥＬ層３１と、第一中間電極層２２と、第二発光層を含む第二有機ＥＬ層３２と、第二中間電極層２３と、第三発光層を含む第三有機ＥＬ層３３と、第三中間電極層２４と、補助発光層を含む補助ＥＬ層３４と、上部電極２５と、から構成され、第一中間電極層２２が光透過性と光反射性とを有し、第一発光層と補助発光層との発光色が同じであり、第一有機ＥＬ層３１において、下記式〔１〕及び〔２〕で示される干渉条件式を満たすことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置１。2010160936.tif 0000222010160936.tif 000023【選択図】図１
2010160936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられる下部反射電極と、
該下部反射電極上に設けられ第一発光層を含む第一有機ＥＬ層と、
該第一有機ＥＬ層上に設けられる第一中間電極層と、
該第一中間電極層上に設けられ第二発光層を含む第二有機ＥＬ層と、
該第二有機ＥＬ層上に設けられる第二中間電極層と、
該第二中間電極層上に設けられ第三発光層を含む第三有機ＥＬ層と、
該第三有機ＥＬ層上に設けられる第三中間電極層と、
該第三中間電極層上に設けられ補助発光層を含む補助ＥＬ層と、
該補助ＥＬ層上に設けられる上部電極と、から構成され、
該第一中間電極層が光透過性と光反射性とを有し、
該第一発光層と該補助発光層との発光色が同じであり、
該第一有機ＥＬ層において、下記式〔１〕及び〔２〕で示される干渉条件式を満たすことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【数１】
2010160936.tif 000018
2010160936.tif 000019
（式〔１〕において、Ｌ0は、第一有機ＥＬ層の発光面と下部反射電極の反射面との間の光路長を表す。λは、第一発光層から取り出される光のピーク波長を表す。δは、下部反射電極で反射する際に生じる位相シフト量を表す。ｍは、自然数を表す。式〔２〕において、Ｌは、下部反射電極の反射面と第一中間電極層の反射面との光路長を表す。Φは、第一中間電極層で反射する際に生じる位相シフト量を表す。ｍ’は、自然数を表す。）
【請求項２】
基板と、該基板上に並列して設けられる第一副画素及び第二副画素と、から構成され、
該第一副画素が、該基板上に設けられる下部反射電極と、
該下部反射電極上に設けられ第一発光層を含む第一有機ＥＬ層と、
該第一有機ＥＬ層上に設けられる第一中間電極層と、
該第一中間電極層上に設けられ第二発光層を含む第二有機ＥＬ層と、
該第二有機ＥＬ層上に設けられる第二中間電極層と、
該第二中間電極層上に設けられ補助発光層を含む補助ＥＬ層と、
該補助ＥＬ層上に設けられる上部電極と、を備えており、
該第二副画素が、該基板上に設けられる下部反射電極と、
該下部反射電極上に設けられ第一発光層を含む第一有機ＥＬ層と、
該第一有機ＥＬ層上に設けられる第一中間電極層と、
該第一中間電極層上に設けられ第三発光層を含む第三有機ＥＬ層と、
該第三有機ＥＬ層上に設けられる第二中間電極層と、
該第二中間電極層上に設けられ補助発光層を含む補助ＥＬ層と、
該補助ＥＬ層上に設けられる上部電極と、を備えており、
該第一中間電極層が光透過性と光反射性とを有し、
該第一発光層と該補助発光層との発光色が同じであり、
該第一有機ＥＬ層において、下記式〔１〕及び〔２〕で示される干渉条件式を満たすことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【数２】
2010160936.tif 000020
2010160936.tif 000021
【請求項３】
前記第一発光層の発光色が青色であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第一有機ＥＬ層と前記補助ＥＬ層とが同一の駆動トランジスタで駆動されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第一有機ＥＬ層と前記補助ＥＬ層とが異なる駆動トランジスタで駆動されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電場発光素子の中でも、有機化合物を発光体とする有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで有機ＥＬ表示装置に求められる特性として、素子寿命及び高効率化がある。素子寿命を向上させる方法として、例えば、特許文献１にて開示されている電極層と発光層を有する有機ＥＬ層とが交互に積層されている多色発光表示装置が提案されている。電極層と有機ＥＬ層とが交互に積層されていることで実質的な発光面積が増えるので素子寿命を向上させる効果がある。また高効率化を向上させる方法として、例えば、特許文献２にて開示されている有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子内の光の干渉を利用することで発光効率を高める技術が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特表平１０−５０３８７８号公報
【特許文献２】特開２００３−１０９７７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に開示されている構成、即ち、電極層と発光層を有する有機ＥＬ層とが交互に積層されている構成であったとしても、単に積層させるだけでは発光効率の調整等はなされない。
【０００５】
一方、特許文献２にて開示されている技術を電極層と有機ＥＬ層とが交互に積層されている構成においてそのまま適用したとしても、干渉により強めあった光は、複数の中間電極層を通過する中で当該中間電極層を構成する電極材料によって吸収され減衰する。これにより、所望の発光輝度が得られないという問題があった。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するため成されたものである。その目的は、中間電極層における光の吸収によって減衰する発光光を補償することを可能にする有機ＥＬ表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、
該基板上に設けられる下部反射電極と、
該下部反射電極上に設けられ第一発光層を含む第一有機ＥＬ層と、
該第一有機ＥＬ層上に設けられる第一中間電極層と、
該第一中間電極層上に設けられ第二発光層を含む第二有機ＥＬ層と、
該第二有機ＥＬ層上に設けられる第二中間電極層と、
該第二中間電極層上に設けられ第三発光層を含む第三有機ＥＬ層と、
該第三有機ＥＬ層上に設けられる第三中間電極層と、
該第三中間電極層上に設けられ補助発光層を含む補助ＥＬ層と、
該補助ＥＬ層上に設けられる上部電極と、から構成され、
該第一中間電極層が光透過性と光反射性とを有し、
該第一発光層と該補助発光層との発光色が同じであり、
該第一有機ＥＬ層において、下記式〔１〕及び〔２〕で示される干渉条件式を満たすことを特徴とする。
【０００８】
【数１】
2010160936.tif 000003
2010160936.tif 000004
（式〔１〕において、Ｌ0は、第一有機ＥＬ層の発光面と下部反射電極の反射面との間の光路長を表す。λは、第一発光層から取り出される光のピーク波長を表す。δは、下部反射電極で反射する際に生じる位相シフト量を表す。ｍは、自然数を表す。式〔２〕において、Ｌは、下部反射電極の反射面と第一中間電極層の反射面との光路長を表す。Φは、第一中間電極層で反射する際に生じる位相シフト量を表す。ｍ’は、自然数を表す。）
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、中間電極層における光の吸収によって減衰する発光光を補償することを可能にする有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
［実施形態１］
本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態について以下に説明する。ここで言う第一の実施形態とは、基板と、下部反射電極と、第一有機ＥＬ層と、第一中間電極層と、第二有機ＥＬ層と、第二中間電極層と、第三有機ＥＬ層と、第三中間電極層と、補助ＥＬ層と、上部電極と、から構成される有機ＥＬ表示装置である。
【００１１】
第一の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置において、下部反射電極は、基板上に設けられる光反射性の電極層である。第一有機ＥＬ層は、下部反射電極上に設けられ第一発光層を含む有機ＥＬ層である。第一中間電極層は、第一有機ＥＬ層上に設けられ光透過性と光反射性とを有する電極層である。第二有機ＥＬ層は、第一中間電極層上に設けられ第二発光層を含む有機ＥＬ層である。第二中間電極層は、第二有機ＥＬ層上に設けられる電極層である。第三有機ＥＬ層は、第二中間電極層上に設けられ第三発光層を含む有機ＥＬ層である。第三中間電極層は、第三有機ＥＬ層上に設けられる電極層である。補助ＥＬ層は、第三中間電極層上に設けられ補助発光層を含む有機ＥＬ層である。尚、第一有機ＥＬ層に含まれる第一発光層と、補助ＥＬ層に含まれる補助発光層との発光色が同じである。上部電極は、補助ＥＬ層上に設けられる電極層である。
【００１２】
また上述した第一有機ＥＬ層においては、下記式〔１〕及び〔２〕で示される干渉条件式を満たしている。
【００１３】
【数２】
2010160936.tif 000005
2010160936.tif 000006
【００１４】
式〔１〕において、Ｌ0は、第一有機ＥＬ層の発光面と下部反射電極の反射面との間の光路長を表す。
【００１５】
式〔１〕において、λは、第一発光層から取り出される光のピーク波長を表す。
【００１６】
式〔１〕において、δは、下部反射電極で反射する際に生じる位相シフト量を表す。
【００１７】
式〔１〕において、ｍは、自然数を表す。
【００１８】
式〔２〕において、Ｌは、下部反射電極の反射面と第一中間電極層の反射面との光路長を表す。
【００１９】
式〔２〕において、Φは、第一中間電極層で反射する際に生じる位相シフト量を表す。
【００２０】
式〔２〕において、ｍ’は、自然数を表す。
【００２１】
尚、式〔２〕において、λは、式〔１〕中のλと同様である。
【００２２】
次に、図面を参照しながら本実施形態の有機ＥＬ表示装置を詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。図１の有機ＥＬ装置１は、基板１０上に、下部反射電極２１、第一有機ＥＬ層３１、第一中間電極層２２、第二有機ＥＬ層３２、第二中間電極層２３、第三有機ＥＬ層３３、第三中間電極層２４、補助ＥＬ層３４及び上部電極２５がこの順に積層されている。
【００２４】
基板１０は、絶縁性基材１０１と、絶縁性基材１０１上に設けられている回路素子部１０２を、回路素子部１０２上に形成されている平坦化層１０３と、からなる部材である。ここで回路素子部１０２には、図示していないが、スイッチング用薄膜トランジスタ及び駆動用薄膜トランジスタ、並びに走査信号線、情報信号線及び電源供給線からなる配線構造が設けられている。
【００２５】
有機ＥＬ層（第一有機ＥＬ層３１、第二有機ＥＬ層３２、第三有機ＥＬ層３３、補助ＥＬ層３４）は、層構成中に発光層が含まれていれば、その層構成については特に限定されるものではない。発光層の他に、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を含んでいてもよい。
【００２６】
各有機ＥＬ層は、当該有機ＥＬ層を挟持する電極層から電圧を印加することで、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが、発光層において再結合することにより発光が起こる。
【００２７】
各有機ＥＬ層の構成材料としては、公知の材料を使用することができる。尚、補助ＥＬ層に含まれる補助発光層の構成材料は、第一有機ＥＬ層に含まれる第一発光層の構成材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。また、各有機ＥＬ層を成膜するときは公知の方法を適用して成膜することができる。
【００２８】
また本発明の有機ＥＬ表示装置は、表示装置として機能できるように、四種類の発光層（第一発光層、第二発光層、第三発光層、補助発光層）の発光色は、赤、青、緑のいずれかであるがその組み合わせについては特に限定されない。ただし、第一発光層の発光色と、補助発光層の発光色とは同じ発光色である。
【００２９】
四種類の発光層の発光色の組み合わせとして、好ましくは、第一発光層及び補助発光層の発光色を青色とし、第二発光層の発光色を緑色とし、第三発光層の発光色を赤色とする組み合わせである。これにより、緑色や赤色に比べ発光効率の劣る青色発光を、下部反射電極２１と第一中間電極層２２の間で形成される共振器構造により強めあうことができる。またこの共振器構造により強めあった青色発光が中間電極層（第二中間電極層、第三中間電極層）を通過するときに減衰したとしても、補助発光層からの発光により補填することができる。
【００３０】
本発明において、第一発光層から取り出される光のピーク波長、及び補助発光層から取り出される光のピーク波長の大小関係については特に限定されない。
【００３１】
下部反射電極２１は、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料を使用することができる。下部反射電極２１の構成材料を光反射性の部材とすることで、光取り出し効率を向上させることができる。ただし、下部反射電極は、上記の光反射性の部材からなる一層構造に限定されるものではない。例えば、下部反射電極２１が、光反射機能を有する金属材料等からなる反射層と、電極機能を有するＩＴＯ膜等からなる透明導電層とからなる積層構成としてもよい。この場合、下部反射電極２１の反射面は上述した反射層の表面となる。
【００３２】
第一中間電極層２２は、光透過性と光反射性とを有する電極層であるが、構成材料としては、半透明性の部材であることが好ましい。例えば、Ａｇ等の金属材料を膜厚１０ｎｍ〜２０ｎｍに成膜した金属薄膜を使用することができる。また当該金属薄膜と、ＩＴＯ、ＩＺＯといった透明導電膜とを積層した積層薄膜を使用してもよい。ここで第一中間電極層２２に半透明性の部材を使用すると共に、式〔１〕及び〔２〕に示される干渉条件式を満たすように第一有機ＥＬ層３１の膜厚を調整する。こうすることにより、下部反射電極２１と第一中間電極層２２との間で、第一有機ＥＬ層３１に含まれる第一発光層から発せられる光を共振させるための共振器構造を形成することができる。
【００３３】
第二中間電極層２３、第三中間電極層２４及び上部電極２５の構成材料は、下部電極２１と第一中間電極層２２とで形成した共振器構造により強め合った第一有機ＥＬ層３１からの発光光を減衰させないように、光透過率が高いことが望ましい。これらの電極層として、具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯといった透明導電膜、ＡｇやＡｌの金属材料を実質的に透明と考えられる薄い膜厚で成膜した金属薄膜が挙げられる。またこれらの電極層として、上記透明導電膜と上記金属薄膜とを積層した積層薄膜を使用してもよい。
【００３４】
尚、上述した各電極層の成膜手法としては、公知の方法を適用することができる。一方、第一中間電極層２２、第二中間電極層２３及び第三中間電極層２４は、単一の層にしてもよいし、導電層／絶縁層／導電層といった構成にして、隣接する２つの有機ＥＬ層を独立して駆動できるようにしてもよい。
【００３５】
次に、下部反射電極と第一中間電極層との間に形成される共振器構造について、図面を参照しながら説明する。
【００３６】
図１の有機ＥＬ表示装置において、第一有機ＥＬ層３１に含まれる第一発光層からＥＬ発光が生じた場合、この発光は、有機ＥＬ表示装置を構成する各層の屈折率及び吸光係数の違いにより、反射、屈折、透過、吸収等を繰り返して外部に取り出される。ここで取り出される光において、様々な経路を通ってきた光が互いに干渉し、強め合うことによりその光量が増大する。
【００３７】
図１に示されるように、第一有機ＥＬ層３１の発光領域から発せられる光は、主に、以下に示す経路Ａ、経路Ｂ及び経路Ｃのいずれかを通って外部に放出される。
（経路Ａ）第一中間電極層２２を透過し直接取り出し方向へ向かう経路
（経路Ｂ）下部反射電極２１の反射面で反射した後取り出し方向へ向かう経路
（経路Ｃ）下部反射電極２１と第一中間電極層２２との間で多重反射した後取り出し方向へ向かう経路
【００３８】
実際には、上述していないその他の各層間においてもある割合で第一有機ＥＬ層３１の発光領域から発せられる光は反射されるが、ここでは影響が大きいと考えられる上述の経路Ａ、経路Ｂ及び経路Ｃの光について言及する。
【００３９】
ここで、第一有機ＥＬ層３１の発光領域から下部反射電極２１の反射面までの光路長をＬ0とする。また、下部反射電極２１の反射面から第一中間電極層２２の下側界面までの光路長をＬとする。尚、光路長とは材料の屈折率に膜厚を掛けたものである。また光路長を求める際に使用する屈折率は分光エリプソメトリー等の光学測定器を用いて測定することができる。
【００４０】
ここで上述した光路長Ｌ0及びＬを適宜調節することにより、下部反射電極２１と第一中間電極層２２との間で第一発光層から発せられる光を共振させることが可能となり、第一発光層から発せられる光を強め合うことができる。ここで光路長の調節方法として、具体的には、有機ＥＬ層の膜厚を調整することが挙げられる。
【００４１】
次に、光の干渉による強めあいの条件について説明する。
【００４２】
図１に示される経路Ａを進行する光と、経路Ｂを進行する光とが干渉して強め合うための条件は、下記式〔１〕の干渉条件式によって求められる。
【００４３】
【数３】
2010160936.tif 000007
【００４４】
式〔１〕で示される干渉条件式を満足すれば、経路Ａを進行する光及び経路Ｂを進行する光をそれぞれ外部へ取り出す時の位相が揃う。このため双方の光は干渉により強め合うことになる。尚、取り出される光のピーク波長は、多重干渉の結果取り出される光のピーク波長に相当し、干渉によって強度を強めたい波長を示す。従って、干渉によって強度を強めたい光の波長とＰＬスペクトルのピーク波長とが異なっていてもよい。
【００４５】
一方、図１に示される経路Ａを進行する光と、経路Ｃを進行する光とが干渉して強め合うための条件は、下記式〔２〕の干渉条件式によって求められる。
【００４６】
【数４】
2010160936.tif 000008
【００４７】
尚、干渉条件式〔１〕及び〔２〕は、Ｄｅｐｐｅ  Ｊ．Ｍｏｄｅｒｎ．Ｏｐｔｉｃｓ  Ｖｏｌ．４１，Ｎｏ２，ｐ３２５（１９９４）における、共振器構造でのＥＬ発光スペクトルの干渉の強め合いの条件より導出されている。また位相シフト量δ、Φについては、各電極のｎ（屈折率）、ｋ（吸収係数）及びこの電極に接している有機ＥＬ層の屈折率ｎを用いて計算することができる。（例えば、「光学の原理」、Ｐｒｉｃｉｐｌｅｓ  ｏｆ  Ｏｐｔｉｃｓ，Ｍａｘ  Ｂｏｒｎ  ａｎｄ  Ｅｍｉｌ  Ｗｏｌｆ等参照）
ところで下部反射電極２１及び第一中間電極層２２が金属薄膜からなる場合、金属反射での位相シフト量δ、Φは、ほぼπラジアンと考えてよい。このためこの場合、式〔１〕は下記式〔３〕に近似され、式〔２〕は下記式〔４〕に近似される。
【００４８】
【数５】
2010160936.tif 000009
2010160936.tif 000010
【００４９】
従って、発光領域から下部反射電極２１の反射面までの光路長Ｌ0がλ／４の奇数倍であって、かつ下部反射電極２１の反射面から第一中間電極層２２の反射面までの光路長Ｌがλ／２の整数倍のとき、光が共振により強め合うことになる。
【００５０】
以上を考慮して、第一有機ＥＬ層における光路長Ｌ0及びＬ、並びに第一発光層から取り出される光のピーク波長λを下記表１のように設定する。
【００５１】
【表１】
2010160936.tif 000011
【００５２】
このように光路長及び取り出される光のピーク波長を調節することにより、下部反射電極２１と第一中間電極層２２との間で第一発光層からの青色発光を共振させる共振器構造を形成している。このため、当該青色発光を強め合うことができる。
【００５３】
ただし第一発光層から発せられる青色発光は、光取り出し電極である上部電極２５まで進行する間に中間電極層（第二中間電極層２３、第三中間電極層２４）を通過する。このとき、中間電極層を構成する電極材料の吸収により当該青色発光は減衰する。しかし、本実施形態では、青色発光を発する補助発光層を有する補助ＥＬ層３４を中間電極層よりも上方に備えている。ここで補助発光層から発せられる青色発光は、第一発光層から発せられる青色発光と異なり中間電極層による減衰を受けずに取り出すことができる。従って、本実施形態では、第一発光層からの発光が中間電極層を通過するときに減衰したとしても減衰した分を補助発光層からの発光によって補填することができる。
【００５４】
以上のように、本実施形態では、第一発光層及び補助発光層３４から発せられる青色発光を利用できる。このため、表示に必要な輝度を達成するために要する有機ＥＬ層一層当たりの電流密度を下げることができるため、従来の有機ＥＬ表示装置に対して駆動電圧を低減することができる。
【００５５】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の具体的な駆動方法について図面を参照しながら説明する。
【００５６】
図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態の配線接続形態の一例を示す該略図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）の等価回路を示す回路図である。図２において、図２（ａ）にて示される各有機ＥＬ層（３１、３２、３３、３４）は、それぞれ図２（ｂ）にて示される各有機ＥＬ素子部（第一有機ＥＬ素子部３１０、第二有機ＥＬ素子部３２０、第三有機ＥＬ素子部３３０、補助ＥＬ素子部３４０）に対応する。尚、図２（ａ）にて示される有機ＥＬ表示装置は、その基本構成が図１の有機ＥＬ表示装置と同一であるが、第三中間電極層２４の層構成が、下部導電層２４１と、中間部絶縁層２４２と、上部導電層２４３とがこの順に積層してなる３層構成となっている。
【００５７】
本発明の有機ＥＬ表示装置において、第一有機ＥＬ素子部３１０及び補助ＥＬ素子部３４０の駆動形式は特に限定されるものではない。図２（ｂ）に示すように、同一の駆動トランジスタ６０２ｂで駆動してもよいし、別々の駆動トランジスタで駆動してもよい。尚、第一有機ＥＬ素子部３１０及び補助ＥＬ素子部３４０を別々の駆動トランジスタで駆動する形式については後述する。
【００５８】
図２（ｂ）に示すように、同一の駆動トランジスタで駆動する場合は、回路素子部のトランジスタの個数を低減することができる。また、駆動トランジスタ６０２ｂのドレイン電極と、有機ＥＬ層を挟持する電極層の接続に必要なコンタクトホールを第一有機ＥＬ層と補助ＥＬ層とで共通に用いることができる。このためコンタクトホールの個数を低減することができる。これにより、発光領域として利用できる面積を増大させることができる。
【００５９】
次に、図２（ｂ）に示される等価回路について説明する。
【００６０】
各画素は、図２（ｂ）に示されるように、２組の駆動回路Ａ及びＢに電気接続されている。ここで駆動回路Ａは、スイッチング用ＴＦＴ６０１ａと、駆動用ＴＦＴ６０２ａと、コンデンサー６０３ａとで構成されている。一方、駆動回路Ｂは、スイッチング用ＴＦＴ６０１ｂと、駆動用ＴＦＴ６０２ｂと、コンデンサー６０３ｂとで構成されている。
【００６１】
また図２（ｂ）に示される等価回路において、スイッチング用ＴＦＴ６０１ａ及び６０１ｂのゲート電極はゲート信号線５１１に電気接続されている。スイッチング用ＴＦＴ６０１ａのソース領域はソース信号線５１２ａに、ドレイン領域は駆動用ＴＦＴ６０２ａのゲート電極にそれぞれ電気接続されている。スイッチング用ＴＦＴ６０１ｂのソース領域はソース信号線５１２ｂに、ドレイン領域は駆動用ＴＦＴ６０２ｂのゲート電極にそれぞれ電気接続されている。
【００６２】
一方、駆動用ＴＦＴ６０２ａのソース領域は電源供給線５１３に、ドレイン領域は第二中間電極層２３にそれぞれ電気接続されている。また、駆動用ＴＦＴ６０２ｂのソース領域は電源供給線５１３に、ドレイン領域は下部反射電極２１及び上部導電層２４３にそれぞれ電気接続されている。尚、第一中間電極層２２及び下部導電層２４１は上部電極２５と電気接続されている。他方、コンデンサー６０３ａは、駆動用ＴＦＴ６０２ａゲート電極とＧＮＤとに電気接続され、コンデンサー６０３ｂは、駆動用ＴＦＴ６０２ｂのゲート電極とＧＮＤとに電気接続されている。このように、駆動用ＴＦＴ６０２ａ，６０２ｂと発光素子とは直列に接続されている。また、各有機ＥＬ素子部に流れる電流をソース信号線５１２ａ，５１２ｂから供給されるデータ信号に応じて駆動用ＴＦＴ６０２ａ，６０２ｂで制御することにより各有機ＥＬ素子部の発光が制御される。
【００６３】
次に、本実施例の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について図面を参照しながら説明する。図３は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置を駆動したときの主要部材の電圧及び電流の制御の一例を示す図である。
【００６４】
まず時間ｔ1において、ゲート信号線５１１の電位をＶgに設定する。そうすると、スイッチングＴＦＴ６０１ａがＯＮの状態となる。これにより、ソース信号線５１２ａの電位Ｖsig_a1がスイッチングＴＦＴ６０１ａを介してコンデンサー６０３ａ及び駆動ＴＦＴ６０２ａのゲート容量にそれぞれ充電される。また、ゲート信号線５１１の電位をＶgに設定する際に、スイッチングＴＦＴ６０１ｂもＯＮの状態になる。これにより、ソース信号線５１２ｂの電位Ｖsig_b1がスイッチングＴＦＴ６０１ｂを介してコンデンサー６０３ｂ及び駆動ＴＦＴ６０２ｂのゲート容量にそれぞれ充電される。
【００６５】
次に、時間ｔ2において、ゲート信号線５１１の電位が０Ｖに設定される。そうすると、スイッチングＴＦＴ６０１ａ及び６０１ｂがそれぞれＯＦＦの状態となり、コンデンサー６０３ａ及び６０３ｂにそれぞれ充電された電圧が保持される。
【００６６】
次に、時間ｔ3において、第一中間電極層２２、下部導電層２４１及び上部電極２５の電位がそれぞれＶcに設定される。このとき、電源供給線５１３の電位は０Ｖのままなので、各有機ＥＬ素子部、並びに駆動ＴＦＴ６０２ａ及び６０２ｂのソース−ドレイン間に電位差が生じる。これにより、第二有機ＥＬ素子部３２０には第一中間電極層２２から正孔が注入されるとともに、第二中間電極層２３から電子が注入されるため、第二有機ＥＬ素子部３２０から発光が得られる。尚、このとき、第一有機ＥＬ素子部３１０、第三有機ＥＬ素子部３３０、補助ＥＬ素子部３４０には逆方向電圧が印加されるため発光しない。ここで第二有機ＥＬ素子部３２０に流れる電流は、駆動用ＴＦＴ６０２ａ及び６０２ｂで制御され、コンデンサー６０３ａ、６０３ｂにそれぞれ充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ６０２ａのソース−ドレイン間に電流Ｉ_a1が流れる。この状態は、時間ｔ4まで維持される。
【００６７】
次に、時間ｔ4において、第一中間電極層２２、下部導電層２４１及び上部電極２５の電位が０Ｖに設定される。そうすると、各有機ＥＬ素子部、並びに駆動ＴＦＴ６０２ａ及び６０２ｂのソース−ドレイン間に電位差が無くなるので、第二有機ＥＬ素子部３２０は発光しなくなる。続いて、第三有機ＥＬ素子部３３０を発光させるための信号Ｖsig_a2がソース信号線５１２ａに設定される。一方、第一有機ＥＬ素子部及び補助ＥＬ素子部を発光させるための信号Ｖsig_b2がソース信号線５１２ｂに設定される。
【００６８】
次に、時間ｔ5において、ゲート信号線５１１の電位をＶgに設定すると、スイッチングＴＦＴ６０１ａ及び６０１ｂがそれぞれＯＮの状態となる。これにより、ソース信号線５１２ａに設定された電位Ｖsig_a2が、スイッチングＴＦＴ６０１ａを介してコンデンサー６０３ａ及び駆動ＴＦＴ６０２ａのゲート容量に充電される。同時に、ソース信号線５１２ｂに設定された電位Ｖsig_b2が、スイッチングＴＦＴ６０１ｂを介してコンデンサー６０３ｂ及び駆動ＴＦＴ６０２ｂのゲート容量に充電される。
【００６９】
次に、時間ｔ6において、ゲート信号線５１１の電位が０Ｖに設定される。そうすると、スイッチングＴＦＴ６０１ａ及び６０１ｂがＯＦＦの状態となる。これにより、コンデンサー６０３ａ及び６０３ｂに充電された電圧が保持される。
【００７０】
次に、時間ｔ7において、電源供給線５１３の電位がＶcに設定される。このとき、第一中間電極層２２、下部導電層２４１及び上部電極２５の電位が０Ｖなので、各有機ＥＬ素子部、並びに駆動ＴＦＴ６０２ａ及び６０２ｂのソース−ドレイン間に電位差が生じる。これにより、第三有機ＥＬ素子部３３０には、第二中間電極層２３から正孔が、下部導電層２４１から電子がそれぞれ注入される。一方、第一有機ＥＬ素子部３１０には、下部反射電極２１から正孔が、第一中間電極層２２から電子が注入される。他方、補助ＥＬ素子部３４０には、上部導電層２４３から正孔が、上部電極２５から電子がそれぞれ注入される。これにより、第三有機ＥＬ素子部３３０、第一有機ＥＬ素子部３１０及び補助ＥＬ素子部３４０がそれぞれ発光する。尚、このとき第二有機ＥＬ素子部３２０には逆方向電圧が印加されるため発光しない。また発光層に流れる電流は駆動用ＴＦＴ６０２ａ及び６０２ｂで制御される。さらにコンデンサー６０３ａに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ６０２ａのソース−ドレイン間に電流Ｉ_a2が流れると共に、コンデンサー６０３ｂに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ６０２ｂのソース−ドレイン間に電流Ｉ_b2が流れる。この状態は、時間ｔ8まで維持される。
【００７１】
次に、時間ｔ8において、電源供給線５１３の電位が０Ｖに設定される。そうすると、各有機ＥＬ素子部、並びに駆動ＴＦＴ６０２ａ及び６０２ｂのソース−ドレイン間に電位差が無くなるので、第三有機ＥＬ素子部３３０、第一有機ＥＬ素子部３１０及び補助ＥＬ素子部３４０は発光しなくなる。
【００７２】
以上の一連の動作を繰り返すことで、各有機ＥＬ素子部（３１０、３２０、３３０、３４０）を時分割で発光させることができる。具体的には、電源手段５は、人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で駆動する。こうすることにより、第二有機ＥＬ素子部３２０の発光色と、第一有機ＥＬ素子部３１０、第三有機ＥＬ素子部３３０又は補助ＥＬ素子部３４０との発光色との任意の混合色の光を表現することができる。
【００７３】
［比較形態１］
図４は、第一の実施形態の比較形態となる有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。以下、本形態を比較形態１とする。図４の有機ＥＬ装置１００１は、図１の有機ＥＬ表示装置１において、第三中間電極層２４及び補助ＥＬ層３４が省かれていることを除けば、図１の有機ＥＬ表示装置と同じである。図４の有機ＥＬ装置１００１では、表１のように光路長Ｌ0及びＬを調整することによって下部反射電極２１と第一中間電極層２２との間で第一発光層から発せられる青色発光を共振させることで、当該青色発光を強め合うことができる。しかし、強め合った光は中間電極層（第一中間電極層２２、第二中間電極層２３）において減衰してしまう。また上述した実施形態１のように、減衰された青色発光を補償する手段がない。
【００７４】
［実施形態２］
次に、本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態（以下、実施形態２ということがある。）について図面を参照しながら説明する。
【００７５】
図５は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態の等価回路を示す回路図である。実施形態２の有機ＥＬ表示装置２は、第一有機ＥＬ素子部３１０と補助ＥＬ素子部３４０とが異なる駆動トランジスタで駆動されることを除けば、実施形態１と同様の構成である。
【００７６】
図５に示すように回路接続することで、第一有機ＥＬ素子部３１０と補助ＥＬ素子部３４０とを別々に駆動することができる。本発明の有機ＥＬ表示装置は、装置自体の駆動方法は特に限定されるものではないが、駆動方法として好ましくは、画像信号を表示する際には第一有機ＥＬ素子部３１０からの発光を用い、白色を表示する際には補助ＥＬ素子部３４０からの発光を用いる。このようにすることで、共振器構造による干渉効果を利用することができる第一有機ＥＬ素子部３１０を発光させる期間を画像信号表示時のみにすることができるため、第一有機ＥＬ素子部３１０の使用寿命を延ばすことができる。
【００７７】
［実施形態３］
本発明の有機ＥＬ表示装置における第三の実施形態について以下に説明する。ここで言う第三の実施形態とは、基板と、この基板上に並列して設けられる第一副画素及び第二副画素と、から構成される有機ＥＬ表示装置である。
【００７８】
ここで第一副画素は、下部反射電極と、第一有機ＥＬ層と、第一中間電極層と、第二有機ＥＬ層と、第二中間電極層と、補助ＥＬ層と、上部電極と、を備える。
【００７９】
この第一副画素において、下部反射電極は基板上に設けられる電極層である。第一有機ＥＬ層は、下部反射電極上に設けられ第一発光層を含む有機ＥＬ層である。第一中間電極層は、第一有機ＥＬ層上に設けられ光透過性と光反射性とを有する電極層である。第二有機ＥＬ層は、第一中間電極層上に設けられ第二発光層を含む有機ＥＬ層である。第二中間電極層は、第二有機ＥＬ層上に設けられる電極層である。補助ＥＬ層は、第二中間電極層上に設けられ補助発光層を含む有機ＥＬ層である。上部電極は、補助ＥＬ層上に設けられる電極層である。
【００８０】
一方、第二副画素は、下部反射電極と、第一有機ＥＬ層と、第一中間電極層と、第三有機ＥＬ層と、第二中間電極層と、補助ＥＬ層と、上部電極と、を備える。尚、第二副画素の構成部材のうち、下部反射電極、第一有機ＥＬ層、第一中間電極層、第二中間電極層、補助ＥＬ層及び上部電極は、機能面においては第一副画素と同様である。
【００８１】
この第二副画素において、第三有機ＥＬ層は、第一中間電極層上に設けられ第三発光層を含む有機ＥＬ層である。
【００８２】
尚、本実施形態において、第一有機ＥＬ層に含まれる第一発光層と、補助ＥＬ層に含まれる補助発光層との発光色は同じである。
【００８３】
また第一有機ＥＬ層においては、下記式〔１〕及び〔２〕で示される干渉条件式を満たしている。
【００８４】
【数６】
2010160936.tif 000012
2010160936.tif 000013
【００８５】
式〔１〕において、Ｌ0は、第一有機ＥＬ層の発光面と下部反射電極の反射面との間の光路長を表す。尚、Ｌ0は、第一副画素及び第二副画素にそれぞれ個別に与えられるパラメータであり、以下、Ｌ0a、Ｌ0bと表記することがある。
【００８６】
式〔１〕において、λは、第一発光層から取り出される光のピーク波長を表す。
【００８７】
式〔１〕において、δは、下部反射電極で反射する際に生じる位相シフト量を表す。
【００８８】
式〔１〕において、ｍは、自然数を表す。
【００８９】
式〔２〕において、Ｌは、下部反射電極の反射面と第一中間電極層の反射面との光路長を表す。尚、Ｌは、第一副画素及び第二副画素にそれぞれ個別に与えられるパラメータであり、以下、Ｌa、Ｌbと表記することがある。
【００９０】
式〔２〕において、Φは、第一中間電極層で反射する際に生じる位相シフト量を表す。
【００９１】
式〔２〕において、ｍ’は、自然数を表す。
【００９２】
尚、式〔２〕において、λは、式〔１〕中のλと同様である。
【００９３】
次に、図面を参照しながら本実施形態の有機ＥＬ表示装置を詳細に説明する。
【００９４】
図６は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第三の実施形態を示す断面模式図である。図６の有機ＥＬ装置３は、基板１０上に、第一副画素３ａと第二副画素３ｂとが並列して配置されている。ここで並列して配置されているとは、二種類の副画素（３ａ、３ｂ）が基板１０に対して平面的に配置されていることをいう。
【００９５】
図６の有機ＥＬ装置３を構成する第一副画素３ａは、下部反射電極２１ａ、第一有機ＥＬ層３１ａ、第一中間電極層２２ａ、第二有機ＥＬ層３２ａ、第二中間電極層２３ａ、補助ＥＬ層３４ａ及び上部電極２５ａがこの順に積層されている。一方、図５の有機ＥＬ装置３を構成する第二副画素３ｂは、下部反射電極２１ｂ、第一有機ＥＬ層３１ｂ、第一中間電極層２２ｂ、第三有機ＥＬ層３３ｂ、第二中間電極層２３ｂ、補助ＥＬ層３５ｂ及び上部電極２５ｂがこの順に積層されている。
【００９６】
尚、図６の有機ＥＬ表示装置３には図示していないが、第一副画素３ａと第二副画素３ｂとの間に素子分離膜を設けてもよい。また下部反射電極２１ａ、２１ｂは、各副画素に共通する電極層として形成してもよい。第一中間電極層２２ａ、２２ｂ、第二中間電極層２３ａ、２３ｂ、及び第三中間電極層２４ａ、２４ｂについても同様である。
【００９７】
また、第一有機ＥＬ層３１ａ、３１ｂは、各副画素に共通する有機ＥＬ層として形成してもよい。補助ＥＬ層３４ａ、３４ｂについても同様である。
【００９８】
図６の有機ＥＬ表示装置３を構成する各層の構成材料及び成膜手法は、基本的には実施形態１と同様である。
【００９９】
図６の有機ＥＬ表示装置において、四種類であって合計六つの発光層（第一発光層、第二発光層、第三発光層、補助発光層）の発光色は、赤、青、緑のいずれかであるがその組み合わせについては特に限定されない。ただし、第一発光層の発光色と、補助発光層の発光色とは同じ発光色である。第一発光層の発光色と、補助発光層の発光色とを同じ発光色にすれば先行技術の課題を解決できる。
【０１００】
本実施形態において、好ましくは、第一発光層３１ａ及び３１ｂ、並びに補助発光層３４ａ及び３４ｂの発光色は、青色発光である。これにより、緑色や赤色に比べ発光効率の劣る青色発光を、下部反射電極と第一中間電極層との間で形成される共振器構造で強めあうことができる。またこの強めあった発光が中間電極層を通過する際に減衰したとしても、補助発光層からの発光により補償することができる。
【０１０１】
また各発光層の発光色として、例えば、第一副画素３ａを構成する第一有機ＥＬ層３１ａ、第二有機ＥＬ層３２ａ及び補助ＥＬ層３４ａから発せられる光の色を、それぞれ青色、赤色、青色とする。一方、第二副画素３ｂを構成する第一有機ＥＬ層３１ｂ、第三有機ＥＬ層３３ｂ及び補助ＥＬ層３４ａから発せられる光の色を、それぞれ青色、緑色、青色とする。
【０１０２】
本実施形態では、第一副画素３ａにおいては、下部反射電極２１ａと第一中間電極層２２ａの間で第一有機ＥＬ層３１ａに含まれる第一発光層から発せられる青色発光を共振させる共振器構造を形成し、発光光を強め合っている。一方、第二副画素３ｂにおいては、下部反射電極２１ｂと第一中間電極層２２ｂの間で第一有機ＥＬ層３１ｂに含まれる第一発光層から発せられる青色発光を共振させる共振器構造を形成し、発光光を強め合っている。
【０１０３】
このとき第一発光層から発せられる青色発光を強めるための干渉条件は、式〔１〕及び式〔２〕に示される干渉条件式を満たせばよい。ところで下部反射電極２１及び第一中間電極層２２が金属薄膜からなる場合、金属反射での位相シフト量δ、Φは、ほぼπラジアンと考えてよい。このためこの場合、式〔１〕は下記式〔３〕に近似され、式〔２〕は下記式〔４〕に近似される。
【０１０４】
【数７】
2010160936.tif 000014
2010160936.tif 000015
【０１０５】
従って、第一副画素３ａに含まれる第一有機ＥＬ層３１ａにおいては、下記の条件（ｉ−ａ）及び（ｉｉ−ａ）が満たされれば発光領域から発せられた光が共振により強め合うことになる。
【０１０６】
（ｉ−ａ）下部反射電極２１ａの反射面までの光路長Ｌ0aがλ／４の奇数倍であること
（ｉｉ−ａ）下部反射電極２１ａの反射面から第一中間電極層２２ａの反射面までの光路長Ｌaがλ／２の整数倍であること
一方、第二副画素３ｂに含まれる第一有機ＥＬ層３１ｂにおいては、下記の条件（ｉ−ｂ）及び（ｉｉ−ｂ）が満たされれば発光領域から発せられた光が共振により強め合うことになる。
【０１０７】
（ｉ−ｂ）下部反射電極２１ｂの反射面までの光路長Ｌ0bがλ／４の奇数倍であること
（ｉｉ−ｂ）下部反射電極２１ｂの反射面から第一中間電極層２２ｂの反射面までの光路長Ｌbがλ／２の整数倍であること
以上を考慮して、光路長Ｌ0a及びＬa、並びに第一有機ＥＬ層３１ａから取り出される光のピーク波長λを表２のようにした。
【０１０８】
【表２】
2010160936.tif 000016
【０１０９】
同様に、光路長Ｌ0b及びＬb、並びに第一有機ＥＬ層３１ｂから取り出される光のピーク波長λを表３のようにした。
【０１１０】
【表３】
2010160936.tif 000017
【０１１１】
このように光路長及び取り出される光のピーク波長を調節することにより、第一副画素３ａにおいて、下部反射電極２１ａと第一中間電極層２２ａとの間で第一発光層からの青色発光を共振させる共振器構造を形成している。また第二副画素３ｂにおいて、下部反射電極２１ｂと第一中間電極層２２ｂとの間で第一発光層からの青色発光を共振させる共振器構造を形成している。このため、各副画素において当該青色発光を強め合うことができる。
【０１１２】
ただし各副画素において、第一発光層から発せられる青色発光は、光取り出し電極である上部電極２５ａ、２５ｂまで進行する間に中間電極層（第二中間電極層２３ａ、２３ｂ）を通過する。このとき、中間電極層を構成する電極材料の吸収により当該青色発光は減衰する。しかし、本実施形態では、青色発光を発する補助発光層を有する補助ＥＬ層３４ａ及び３４ｂをそれぞれ中間電極層よりも上方に備えている。ここで補助発光層から発せられる青色発光は、第一発光層から発せられる青色発光と異なり中間電極層による減衰を受けずに取り出すことができる。従って、本実施形態も第一の実施形態と同様に、第一発光層からの発光が中間電極層を通過するときに減衰したとしても減衰した分を補助発光層からの発光によって補填することができる。
【０１１３】
以上のように、本実施形態も第一の実施形態と同様に、第一発光層及び補助発光層から発せられる青色発光を利用できる。このため、表示に必要な輝度を達成するために要する有機ＥＬ層一層当たりの電流密度を下げることができるため、従来の有機ＥＬ表示装置に対して駆動電圧を低減することができる。
【０１１４】
また本実施形態においても、各副画素に設けられている第一有機ＥＬ層３１ａ、３１ｂ及び補助ＥＬ層３４ａ、３４ｂは、同一の駆動トランジスタで駆動してもよいし、異なる駆動トランジスタで駆動してもよい。
【０１１５】
同一の駆動トランジスタで駆動する場合は、回路素子部のトランジスタの個数を低減することができる。また、駆動トランジスタのドレイン電極とＥＬ層を挟持する電極層とを電気接続するときに必要なコンタクトホールを第一有機ＥＬ層と補助ＥＬ層とで共通に用いることができる。このためコンタクトホールの個数を低減することができると共に、発光領域として用いる面積を増大させることができる。
【０１１６】
一方、異なる駆動トランジスタで駆動する場合は、例えば、画像信号を表示する際には第一有機ＥＬ層からの発光を用い、白色を表示する際には補助ＥＬ層からの発光を用いることで、以下の効果が得られる。即ち、共振器構造による干渉効果を利用することができる第一有機ＥＬ層を発光させる期間を画像信号表示時のみにすることができ、第一有機ＥＬ層の使用寿命を延ばすことができる。
【０１１７】
［比較形態２］
図７は、第三の実施形態の比較形態となる有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。以下、本形態を比較形態２とする。図７の有機ＥＬ装置１００２は、図６の有機ＥＬ表示装置３において、第二中間電極層２３ａ、２３ｂ及び補助ＥＬ層３４ａ、３４ｂが省かれていることを除けば、図６の有機ＥＬ表示装置と同じである。図７の有機ＥＬ装置１００２において、第一副画素１００２ａでは、表２のように光路長Ｌ0a及びＬaを調整することによって下部反射電極２１ａと第一中間電極層２２ａとの間で第一発光層から発せられる青色発光を共振させる。こうすることで、当該青色発光を強め合うことができる。しかし強め合った光は中間電極層（第一中間電極層２２ａ）と通過するときに減衰してしまう。また上述した実施形態３のように、減衰された青色発光を補償する手段がない。また第二副画素１００２ｂでは、表３のように光路長Ｌ0b及びＬbを調整することによって下部反射電極２１ｂと第一中間電極層２２ｂとの間で第一発光層から発せられる青色発光を共振させることで、当該青色発光を強め合うことができる。しかし強め合った光は中間電極層（第一中間電極層２２ｂ）を通過するときに減衰してしまう。また第一副画素１００２ａと同様に、減衰された青色発光を補償する手段がない。
【０１１８】
以上、本発明の有機ＥＬ表示装置について説明した。尚、上述した実施形態は、基板の反対側から光を取り出すトップエミッション構成に関するものであるが、基板側から光を取り出すボトムエミッション構成の有機ＥＬ表示装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態の配線接続形態の一例を示す該略図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）の等価回路を示す回路図である。
【図３】実施形態１の有機ＥＬ表示装置を駆動したときの主要部材の電圧及び電流の制御の一例を示す図である。
【図４】第一の実施形態の比較形態となる有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態の等価回路を示す回路図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ表示装置における第三の実施形態を示す断面模式図である。
【図７】第三の実施形態の比較形態となる有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【０１２０】
１，２，３  有機ＥＬ表示装置
３ａ  第一副画素
３ｂ  第二副画素
５  電源手段
１０  基板
１０１  絶縁性基材
１０２  回路素子部
１０３  平坦化層
１０４  コンタクトホール
２１，２１ａ，２１ｂ  下部反射電極
２２，２２ａ，２２ｂ  第一中間電極層
２３，２３ａ，２３ｂ  第二中間電極層
２３１  下部導電層
２３２  中間部絶縁層
２３３  上部導電層
２４  第三中間電極層
２５，２５ａ，２５ｂ  上部電極
３１，３１ａ，３１ｂ  第一有機ＥＬ層
３１０  第一有機ＥＬ素子部
３２，３２ａ  第二有機ＥＬ層
３２０  第二有機ＥＬ素子部
３３，３３ｂ  第三有機ＥＬ層
３３０  第三有機ＥＬ素子部
３４，３４ａ，３４ｂ  補助ＥＬ層
３４０  補助ＥＬ素子部
５１１  ゲート信号線
５１２ａ，５１２ｂ  ソース信号線
５１３  電源供給線
６０１ａ，６０１ｂ  スイッチング用ＴＦＴ
６０２ａ，６０２ｂ  駆動ＴＦＴ
６０３ａ，６０３ｂ  コンデンサー
【図１】
2010160936.tif 000024
【図２】
2010160936.tif 000025
【図３】
2010160936.tif 000026
【図４】
2010160936.tif 000027
【図５】
2010160936.tif 000028
【図６】
2010160936.tif 000029
【図７】
2010160936.tif 000030