(57)【要約】【課題】  ゴーストが抑制された画像形成方法を提供する。【解決手段】  画像形成方法に用いられる電子写真感光体は基体上にａ−Ｓｉで構成された下部光導電層および上部光導電層とａ−ＳｉＣで構成された表面層とをこの順に形成してなり、下部光導電層はさらにホウ素原子を含有し、上部光導電層はホウ素原子を含有しない／ホウ素原子を含有するがホウ素原子密度が下部光導電層におけるホウ素原子密度よりも小さく、表面層のケイ素原子密度と炭素原子密度の和が６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上であり、電子写真感光体に照射された前露光光の光量のうち下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａ〔μＪ／ｃｍ２〕が−１２．０≦Ｌｎ（Ａ）≦−４．５を満たす。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体の表面に前露光光を照射して該電子写真感光体の表面を除電する前露光工程と、該電子写真感光体の表面に正電荷を付与する一次帯電工程と、該電子写真感光体の表面に像露光光を照射して該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する像露光工程と、該静電潜像をトナーによって可視化して該電子写真感光体の表面にトナー像を形成する現像工程と、該電子写真感光体の表面に負電荷を付与する二次帯電工程とをこの順に繰り返すことによって画像形成を行う画像形成方法であって、
該電子写真感光体は、基体上に、水素化アモルファスシリコンで構成された下部光導電層および上部光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とをこの順に形成してなるものであり、
該下部光導電層は、さらにホウ素原子を含有する層であり、
該上部光導電層は、ホウ素原子を含有しない層、あるいは、ホウ素原子を含有するがホウ素原子の原子密度が該下部光導電層におけるホウ素原子の原子密度よりも小さい層であり、
該表面層は、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上である層であり、
該前露光工程により該電子写真感光体に照射された前露光光の光量のうち、該下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａ〔μＪ／ｃｍ２〕が下記式（１）を満たすことを特徴とする画像形成方法。
−１２．０≦Ｌｎ（Ａ）≦−４．５  ・・・（１）
【請求項２】
前記光量Ａ〔μＪ／ｃｍ２〕が下記式（２）を満たす請求項１に記載の画像形成方法。
−１１．０≦Ｌｎ（Ａ）≦−６．０  ・・・（２）
【請求項３】
前記上部光導電層におけるホウ素原子の原子密度（Ｘ）〔原子／ｃｍ３〕と前記下部光導電層におけるホウ素原子の原子密度（Ｙ）〔原子／ｃｍ３〕との関係が下記式（３）を満たす請求項１または２に記載の画像形成方法。
０．００≦Ｘ／Ｙ＜０．５０  ・・・（３）
【請求項４】
前記表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．６１以上０．７５以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項５】
前記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３０以上０．４５以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項６】
前記表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が６．８１×１０２２原子／ｃｍ３以上である請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項７】
前記表面層のラマンスペクトルにおける１４８０ｃｍ−１におけるピーク強度（ＩＧ）に対する１３９０ｃｍ−１のピーク強度（ＩＤ）との比（ＩＤ／ＩＧ）が０．２０以上０．７０以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項８】
前記下部光導電層が前記基体側の第一下部光導電層と前記表面層側の第二下部光導電層を有し、該第二下部光導電層および前記上部光導電層における水素原子の原子密度が該第一下部光導電層における水素原子の原子密度よりも小さく、前記像露光工程により前記電子写真感光体に照射された像露光光の光量のうち、該第一下部光導電層に到達する像露光光の光量Ｂ〔μＪ／ｃｍ２〕が下記式（４）を満たす請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像形成方法。
Ｌｎ（Ｂ）≦−６．５  ・・・（４）
【請求項９】
前記第一下部光導電層における水素原子の原子密度の平均値（α）〔原子／ｃｍ３〕と前記第二下部光導電層および上部光導電層における水素原子の原子密度の平均値（β）〔原子／ｃｍ３〕との関係が下記式（５）を満たす請求項８に記載の画像形成方法。
０．５≦β／α＜１  ・・・（５）
【請求項１０】
前記画像形成方法が、前記電子写真感光体の表面に前露光光を照射して前記電子写真感光体の表面を除電する前露光工程と、前記電子写真感光体の表面に正電荷を付与する一次帯電工程と、前記電子写真感光体の表面に像露光光を照射して前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する像露光工程と、前記静電潜像をトナーによって可視化して前記電子写真感光体の表面にトナー像を形成する現像工程と、前記電子写真感光体の表面に負電荷を付与する転写前帯電工程と、前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写する転写工程とをこの順に繰り返すことによって画像形成を行う画像形成方法である請求項１〜９のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真方式を用いた画像形成方法（以下「電子写真プロセス」とも称する）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子写真プロセスに関して、高画質化を目的とした技術が種々提案されている。特許文献１には、帯電能を低下させずにゴーストを低減するために、光導電層中の局在準位密度と電子写真感光体（以下単に「感光体」とも称する）にかかる電界と感光体の表面の移動速度とが特定の関係になるように制御する技術が開示されている。特許文献２には、帯電能および電位シフトを劣化させずにゴーストを低減するために、光導電層の光が入射する部分において、サブバンドギャップ光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーと局在状態密度とを特定の範囲とし、さらに除電光の波長と光強度とを規定した技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０６−２６６１３８号公報
【特許文献２】特開平０８−１７９６６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子写真プロセスに用いる感光体の一種として、水素化アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」とも称する）で構成された光導電層を有する感光体が（以下「ａ−Ｓｉ感光体」とも称する）知られている。感光体としてａ−Ｓｉ感光体を用いる場合は、前周の露光履歴が現れる残像現象（以下「ゴースト」と称する）が出力画像に発生する場合があった。このゴーストは、像露光によって光導電層中で生成した電子の一部が、光導電層中の欠陥に捕捉されて光導電層中に蓄積され、この蓄積された電子が翌周の画像形成時に正電荷と結合し、出力画像に影響を与えることが原因であると本発明者らは推察している。従来、このゴーストに対しては、一次帯電工程（「主帯電工程」または単に「帯電工程」と呼ばれることもある）前に感光体の表面全体に露光光（以下「前露光光」と称する）を照射し、光導電層中に多量に発生させた電荷により、上記蓄積された電子による出力画像への影響を低減することで改善がなされてきた。また、従来、ａ−Ｓｉ感光体の光導電層を複数の層構成とし、電子の走行性向上に主眼を置いた層と正孔の走行性向上に主眼を置いた層とに機能分離した層設計も行われてきた。そして、感光体の表面側の光導電層で前露光が概ね吸収されるように調整することにより、他の電子写真特性を良好に維持しつつ、ゴーストに対する改善がなされてきた。
【０００５】
しかしながら、従来は問題にならなかったわずかなゴーストも、近年は改善が求められている。特に、一次帯電工程が感光体の表面に正電荷を付与する工程であって、かつ、一次帯電工程とは別に感光体の表面に負電荷を付与する二次帯電工程をさらに有する電子写真プロセスにａ−Ｓｉ感光体を用いた場合、前述したゴーストの改善技術を用いても十分な効果が得られない場合があった。そのような二次帯電工程としては、感光体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写する転写工程（転写帯電工程）や、トナー像の転写の安定性を向上させるための転写前帯電工程などが挙げられる。転写前帯電工程は、通常、現像工程と転写工程との間で行われる。また、二次帯電工程を有する電子写真プロセスによって繰り返し画像出力を行った際、画像出力条件によっては、画像濃度低下が発生する場合があった。これらの原因は様々であるが、感光体に着目した場合には、感光体の表面に原因がある場合が多い。その原因の１つとして、感光体の表面に物質が付着する現象が挙げられる。感光体の表面に付着した物質は、通常の電子写真プロセスでは、クリーニング工程により除去される。しかしながら、例えば、融点が非常に低いトナーを使用したり、感光体とクリーニング部材との当接圧力を極端に下げたり、印字率の低い文字原稿を繰り返し出力したりした場合は、感光体の表面に付着した物質が十分に除去されないことがある。このような物質としては、例えば、紙粉や、トナー中に含まれる樹脂成分・ワックス成分などが挙げられる。また、他の原因としては、感光体の表面層が変質して、感光体の表面に酸化膜が形成される現象が挙げられる。この酸化膜も、通常の使用環境や通常の電子写真プロセスでは、クリーニング工程により除去される。しかしながら、電子写真装置の異常や周辺環境の急激な変化によっては、感光体に印加される電流または電圧に大きな変化が生じたり、クリーニング条件が大きく変化したりする場合がある。このような場合、酸化膜が感光体の表面に残存する場合がある。
【０００６】
本発明の目的は、感光体に正電荷を付与する一次帯電工程と、感光体に負電荷を付与する二次帯電工程を有する画像形成方法において、ゴーストが抑制された画像形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、電子写真感光体の表面に前露光光を照射して該電子写真感光体の表面を除電する前露光工程と、該電子写真感光体の表面に正電荷を付与する一次帯電工程と、該電子写真感光体の表面に像露光光を照射して該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する像露光工程と、該静電潜像をトナーによって可視化して該電子写真感光体の表面にトナー像を形成する現像工程と、該電子写真感光体の表面に負電荷を付与する二次帯電工程とをこの順に繰り返すことによって画像形成を行う画像形成方法であって、該電子写真感光体は、基体上に、水素化アモルファスシリコンで構成された下部光導電層および上部光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とをこの順に形成してなるものであり、該下部光導電層は、さらにホウ素原子を含有する層であり、該上部光導電層は、ホウ素原子を含有しない層、あるいは、ホウ素原子を含有するがホウ素原子の原子密度が該下部光導電層におけるホウ素原子の原子密度よりも小さい層であり、該表面層は、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上である層であり、該前露光工程により該電子写真感光体に照射された前露光光の光量のうち、下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａ〔μＪ／ｃｍ２〕が下記式（１）を満たすことを特徴とする画像形成方法である。
−１２．０≦Ｌｎ（Ａ）≦−４．５  ・・・（１）
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、下部光導電層に到達する前露光光の光量が上記所定の値となるように前露光光の光量や感光体の層構成を調整することにより、帯電能を維持しつつ、負電荷を感光体の表面に付与する二次帯電を行った場合においても、ゴーストが抑制される。それとともに、感光体の表面側に原子密度の高い水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層を設けることで、長期間使用した際においても、感光体の表面での酸化膜の形成や、感光体の表面への物質の付着が抑制される。そのため、酸化膜の形成や表面への物質の付着に起因した画像濃度低下やゴーストが抑制される。これらを組み合わせることにより、ゴーストの抑制効果、画像濃度低下の抑制効果を、長期間維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の電子写真装置の一例を示す概略構成図。
【図２】本発明の感光体の一例を示す層構成の概略断面図。
【図３】本発明のａ−Ｓｉ感光体の作製に用いられるプラズマＣＶＤ装置の一例を模式的に示した図。
【図４】表面への物質の付着評価で用いた測定器の概略図。
【図５】（ａ）サンプル作製時に用いた円筒状基体とサンプルの配置を示す概略断面図。（ｂ）サンプル作製時に用いた円筒状基体とサンプルの配置を示す概略側面図。
【図６】ゴースト評価で用いたテストチャート。
【図７】従来のゴーストのメカニズムを説明するための説明図。
【図８】二次帯電（転写前帯電）によるゴーストのメカニズムを説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明者らは、二次帯電工程、特に転写前帯電工程を有する電子写真プロセス（電子写真方式を用いた画像形成方法）におけるゴーストを抑制するための検討を行った。以下、主として、負電荷を感光体（電子写真感光体）の表面に付与する二次帯電工程が転写前帯電工程である場合を例にとって説明する。本発明者らは、検討の結果、一次帯電工程で感光体の表面に付与する正電荷に対して逆極性の負電荷を感光体の表面に付与する転写前帯電工程を用いた電子写真プロセスにおいて生じるゴーストは、前述した従来のゴースト（以下「像露光ゴースト」と称する）と転写前帯電起因のゴースト（以下「転写前帯電ゴースト」と称する）が組み合わさったものであることを見出した。そこで、本発明者らは、像露光ゴーストと転写前帯電ゴーストの発生メカニズムの違いについて推察をした。
【００１１】
はじめに、前述した光導電層が２つの層に機能分離された正帯電用感光体（一次帯電工程で感光体の表面に正電荷を付与する電子写真プロセスに用いられる感光体）での像露光ゴーストの発生メカニズムについて図７を用いて説明する。正帯電用感光体においては、基体側の光導電層（以下「下部光導電層」と称する）が正孔の走行性向上に主眼を置いた層である。また、表面層側の光導電層（以下「上部光導電層」と称する）が電子の走行性向上に主眼を置いた層である。なお、像露光ゴーストの発生には、像露光により生成した電子および正孔がともに関与しているが、以下では電子に着目して説明を行う。まず、一次帯電工程により正電荷が感光体の表面に付与される。そして、像露光によって静電潜像が感光体の表面に形成された際、照射された像露光光は光導電層で吸収されて、正孔および電子が生成される（図７（ａ））。この光導電層中で生成した正孔や電子の一部は再結合して消滅してしまうが、生成した電子の一部は、一次帯電工程により感光体の表面に付与された正電荷と結合して静電潜像を形成する（図７（ｂ））。また、像露光により生成した電子の中には光導電層中の欠陥に捕捉されて、光導電層中に蓄積してしまうものも存在する（図７（ｃ））。そのため、光導電層中では、静電潜像形成時に像露光光が照射されていない部分よりも像露光光が照射された部分の方が、多くの電子が蓄積する。この光導電層中に蓄積された電子の一部は、その後、再励起され、次の一次帯電工程で正電荷の付与により電位差が生じると、感光体の表面側へ移動し、一次帯電工程により付与された正電荷と結合する。そのため、蓄積された電子が多い部分の方が、一次帯電工程後の感光体の表面での正電荷が少なくなり、静電潜像形成時に像露光光が照射されていない部分と像露光光が照射された部分とで電位差が発生する（図７（ｄ））。この電位差がトナーによって可視化されたものが、像露光ゴーストであると本発明者らは推測している。
【００１２】
次に、転写前帯電ゴーストの発生メカニズムに関して、正帯電用感光体をアナログ電子写真装置やＢＡＥ（像露光光が照射されていない部分にトナー像が形成される電子写真プロセス）のデジタル電子写真装置に用いた場合について、図８を用いて説明する。図８では、転写前帯電ゴーストの発生に関与するもののみを図示している。なお、アナログ電子写真装置の場合も、感光体に像露光光が照射されなかった部分にトナー像が形成される。一方、正帯電用感光体をＩＡＥ（像露光光が照射された部分にトナー像が形成される電子写真プロセス）のデジタル電子写真装置に用いた場合には、以下で説明するＢＡＥで発生する転写前帯電ゴーストと同様の発生メカニズムのゴースト（転写ゴースト）が、転写工程における転写帯電起因により発生する場合がある。ＩＡＥのデジタル電子写真装置の場合、一次帯電工程が感光体の表面に正電荷を付与する工程であれば、転写工程は感光体の表面に負電荷を付与する工程になるからである。まず、一次帯電工程により正電荷を感光体の表面に付与し、像露光によって静電潜像形成を行った際の光導電層中の状態は、前述した像露光ゴーストと同様である（図７（ｂ））。次に、感光体の表面に形成された静電潜像をトナー（負帯電トナー）により可視化（現像）して感光体の表面にトナー像を形成すると、像露光光が照射されていない部分にトナー像が形成される（図８（ａ））。そして、転写前帯電工程では、前述した理由により、一次帯電工程で感光体の表面に付与する正電荷に対して逆極性の負電荷を感光体の表面に付与する。これにより、像露光光が照射されていない部分では、主にトナーに電荷が供給される。一方、像露光光が照射された部分では、感光体に負電荷が供給されるため、転写前帯電工程で付与された電子が感光体内に蓄積される（図８（ｂ））。その結果、像露光光が照射されない部分よりも像露光光が照射された部分の方が感光体内に蓄積される電子の数が多くなる。転写材にトナー像が転写された後、再び一次帯電工程により感光体の表面に正電荷が付与されると、像露光光が照射された部分に蓄積された電子が多いため、一次帯電工程により付与された正電荷をより多く消去してしまう（図８（ｃ））。これにより、一次帯電工程後の感光体の表面電位は、前周で像露光光が照射された部分の方が低下する。このため、像露光光が照射された部分と像露光光が照射されていない部分での電位差は、転写前帯電工程が無い場合よりもさらに大きくなる（図８（ｄ））。その結果、出力画像での濃度差は、像露光ゴースト単独の場合よりも顕著となる。これは、像露光ゴーストに転写前帯電ゴースト分が上乗せされているためであると本発明者らは推測している。この転写前帯電ゴーストの原因となる感光体内における電荷の蓄積に関して、本発明者らは検討を行った。その結果、感光体の光導電層の層構成を複数化した場合に、転写前帯電ゴーストが顕著となる場合があることを見出した。このことから、感光体内に蓄積された電荷は、主として、複数化された光導電層間の界面部分に蓄積されるものと推察される。
【００１３】
以上のように、像露光ゴーストは、像露光により生成した電子が光導電層中で蓄積されることにより発生する。一方、転写前帯電ゴーストは、さらに、転写前帯電工程により一次帯電工程で感光体の表面に付与する正電荷に対して逆極性の負電荷が感光体の表面に付与されることで、電子が複数化された光導電層間の界面に蓄積されることにより発生すると推察される。このように、像露光ゴーストと転写前帯電ゴーストの発生メカニズムが異なるため、それぞれに対して対策が必要であると考えられる。像露光ゴーストを改善するためには、像露光で生成した電荷の走行性を向上させることが有効であると考えられる。それとともに、感光体の表面全体に前露光光を照射することで、光導電層中に残存する静電潜像形成時の電荷による出力画像への影響を低減することが有効であると考えられる。転写前帯電ゴーストを改善するためには、複数化された光導電層間の界面に蓄積される電子を低減することが有効であると推察される。そこで、本発明者らは、その界面に蓄積された電子を前露光により消去することで、転写前帯電ゴーストの抑制が可能であると考え、鋭意検討を行った。その結果、上部光導電層および表面層に吸収される前露光光の光量を制御して、下部光導電層に到達する前露光光の光量を所定の範囲内にすることにより、ゴーストが抑制可能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１４】
本発明者らは、さらに、電子写真プロセスにより繰り返し画像形成を行った場合に発生するゴーストや画像濃度低下を解決するための検討を行った。その結果、繰り返し画像形成により、感光体の表面に物質が付着すると、感光体に入射する実質的な前露光光の光量が電子写真装置の使用開始時よりも減少するため、感光体の表面のうち物質が付着した部分でゴーストが発生する。また、表面層に形成された酸化膜が残存すると、感光体に入射する実質的な前露光光の光量が電子写真装置の使用開始時よりも増加するため、感光体の表面のうち酸化膜が残存している部分で画像濃度低下が発生することを見出した。感光体の表面の酸化膜の残存による画像濃度低下および感光体の表面への物質の付着によるゴーストの発生メカニズムは、以下のように推察される。まず、感光体の表面の酸化膜の残存による画像濃度低下の発生メカニズムについて説明する。帯電生成物によって感光体の表面は変質し、酸化膜が形成される。この酸化膜の屈折率は、空気の屈折率と、水素化アモルファスシリコンカーバイド（以下「ａ−ＳｉＣ」とも称する）で構成された表面層（以下「ａ−ＳｉＣ表面層」と称する）の屈折率との中間の値となるため、酸化膜が反射防止膜として作用する。このため、形成された酸化膜がクリーニング部材により十分に除去されないと、酸化膜の残存部では、感光体の表面に照射された前露光光の反射率が低下する。そのため、所定の光量の前露光光を感光体に照射したとしても、酸化膜の残存部が多くなるにつれて、実質的に感光体内に入射する前露光光の光量が増加する。これにより、下部光導電層に到達する前露光光の光量が電子写真装置の使用開始時の設定光量よりも多くなり、前露光により生成する電荷が増加する。この結果、次の一次帯電工程で感光体の表面に付与される正電荷をより多く消去してしまうため、画像濃度が低下する場合があると推察される。次に、感光体の表面への物質の付着によるゴーストの発生メカニズムについて説明する。帯電生成物による感光体の表面の変質により形成される酸化膜中には、多数の極性基が存在している。そのため、形成された酸化膜がクリーニング部材により十分に除去されないと、感光体の表面の表面自由エネルギーも増加する。このように、感光体の表面の表面自由エネルギーが高い状態で画像を繰り返し出力すると、感光体の表面に物質が付着する場合がある。そして、感光体の表面に物質が付着すると、感光体の表面での前露光光の反射率が増加する。このため、所定の光量の前露光光を感光体に照射したとしても、表面への物質の付着が進行するにつれて、実質的に感光体内に入射する前露光光の光量が減少する。これにより、電子写真装置の使用開始時に設定された下部光導電層に到達する前露光光の光量からずれが生じるため、ゴーストの抑制が不十分になる場合があると推察される。このような酸化膜の残存による画像濃度低下、および、表面への物質の付着によるゴーストの発生は、画像領域の一部のみで発生する場合が多い。これは以下の理由によるものと推察される。例えば、感光体とクリーニング部材との当接圧力を極端に下げた電子写真プロセスにおいては、感光体の表面とクリーニング部材との摺擦力の低い領域が部分的に発生しやすくなる。このような摺擦力の低い領域では、感光体の表面に形成された酸化膜の除去が不十分となり、酸化膜が残存してしまう。また、感光体の表面への物質の付着が発生しやすくなる。これにより、酸化膜の残存部や表面への物質の付着が発生した部分のみが、電子写真装置の使用開始時に設定された前露光条件からずれを生じる。そのため、感光体の長手方向（周方向に直交する方向）において、部分的に画像濃度低下やゴーストが発生すると推察される。このことから、本発明者らは、帯電生成物によるａ−ＳｉＣ表面層の変質を抑制することにより、部分的に発生する画像濃度低下およびゴーストを抑制が可能であると考えた。そこで、本発明者らは、帯電生成物による変質の抑制に優れたａ−ＳｉＣ表面層に関して、鋭意検討を行った。その結果、ａ−ＳｉＣ表面層を構成するケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和を所定の値より大きくすることにより、前述した課題に対して大きな効果があることを見出した。以下、ケイ素原子の原子密度を「Ｓｉ密度」と称し、炭素原子の原子密度を「Ｃ密度」と称し、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和を「Ｓｉ＋Ｃ密度」と称する。
【００１５】
また、本発明においては、下部光導電層はホウ素原子を含有する層であり、上部光導電層は、ホウ素原子を含有しない層であるか、または、ホウ素原子を含有するがホウ素原子の原子密度が下部光導電層におけるホウ素原子の原子密度よりも小さい層であることを特徴としている。以下、ホウ素原子の原子密度を「Ｂ密度」と称する。これにより、上部光導電層よりも下部光導電層の方が正孔の走行性が向上し、かつ、下部光導電層よりも上部光導電層の方が電子の走行性が向上する。よって、像露光によって生成した正孔は基体側に走行しやすくなり、電子は感光体の表面側に走行しやすくなるため、光導電層で蓄積される正孔および電子の数を低減することが可能となる。その結果、像露光によって生成した電荷に起因するゴーストを抑制することができる。
【００１６】
また、前述のように、本発明の画像形成方法は、前露光工程により感光体に照射される前露光光の光量のうち、下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａ〔μＪ／ｃｍ２〕が下記式（１）を満たすことを特徴とする。Ｌｎ（Ａ）はＡを自然対数で返したものである。−１２．０≦Ｌｎ（Ａ）≦−４．５  ・・・（１）。転写前帯電ゴーストを改善するためには、図８（ｂ）に示すように、下部光導電層と上部光導電層間の界面に蓄積された電子を前露光により消去する必要がある。これにより、下部光導電層に所定の光量の前露光光を吸収させ、発生した電荷によって下部光導電層と上部光導電層間の界面に蓄積された電子を消去することができる。このため、転写前帯電ゴーストを抑制することができると本発明者らは考えている。一方、下部光導電層に到達する前露光光の光量が多すぎる場合においては、前露光により生成した電荷が、次の一次帯電工程において感光体の表面に付与される正電荷を消去する場合があり、所望の帯電能を維持することができない場合がある。そのため、本発明においては、下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａに係るＬｎ（Ａ）を前述の範囲とし、下部光導電層と上部光導電層間の界面より深い部分（下部光導電層側）に到達する前露光光の光量を所定の値に設定している。このことにより、転写前帯電工程によって感光体内に蓄積される電子を前露光によって十分に消去することができ、かつ、前露光により上部光導電層で生成される電荷による、一次帯電工程で感光体の表面に付与される正電荷への影響を抑制することができる。この結果、帯電能を維持しつつ、転写前帯電ゴーストを抑制することが可能となると考えられる。
【００１７】
さらに、前述のように、本発明の感光体は、基体上にａ−Ｓｉ（水素化アモルファスシリコン）で構成された下部光導電層および上部光導電層と、ａ−ＳｉＣ表面層とをこの順に形成してなるものである。さらに、ａ−ＳｉＣ表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度は、６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上である。本発明の感光体のａ−ＳｉＣ表面層は、原子密度が高いため、表面層の膜構造の骨格を形成するケイ素原子および炭素原子の原子間距離が短くなっている。そのため、骨格を形成する原子同士の結合力が向上すると推測される。このような表面層を有する感光体を用いた場合、コロナ放電などを用いた一次帯電工程による表面層の変質（酸化反応）が抑制される。そのため、感光体の表面に反射防止層として機能する酸化膜の形成が抑制され、感光体内に入射する前露光光の光量の増加が抑制される。これにより、下部光導電層に到達する前露光光の光量の増加が抑制され、下部光導電層中で発生する過剰な電荷生成が抑制されるため、帯電能の低下が抑制される。この結果、酸化膜の形成による画像濃度低下が抑制される。また、感光体の表面の酸化膜の形成が抑制されることにより、酸化膜中の極性基の生成も抑制される。これにより、感光体の表面自由エネルギーの増加が抑制されるため、感光体の表面への物質の付着も抑制される。この結果、感光体の表面に物質が付着することによる前露光照射時の感光体の表面での反射率の増加が低減されるため、感光体内に照射される前露光光の光量の低下も抑制される。これにより、下部光導電層に到達する前露光光の光量の減少が抑制されるため、安定して下部光導電層と上部光導電層間の界面に蓄積された電子を消去することが可能となる。この結果、感光体の長手方向において、感光体の表面に部分的に物質が付着することによる転写前帯電ゴーストの発生が抑制される。
【００１８】
このように、下部光導電層および上部光導電層のホウ素原子の含有量を制御しつつ、下部光導電層に到達する前露光光の光量を上記範囲となるように層構成を設定したうえで、さらに、表面層を原子密度の高いａ−ＳｉＣ表面層とすることで、良好な帯電能を維持しつつ、ゴースト抑制効果の長期間維持が可能となる。
【００１９】
本発明においては、さらに以下のような層構成および像露光条件とすることで、帯電能の低下を抑えながらも、より顕著なゴースト抑制効果を得ることができる。まず、図２（ｂ）に示すように、下部光導電層２００５を基体側の第一下部光導電層２００７と上部光導電層２００６側の第二下部光導電層２００８に２層化する。第二下部光導電層２００８、上部光導電層２００６における水素原子の原子密度は第一下部光導電層２００７における水素原子の原子密度よりも小さくする。以下、水素原子の原子密度を「Ｈ密度」と称する。そして、本発明においては、像露光工程により照射された像露光のうち、第一下部光導電層に到達する像露光光の光量Ｂ〔μＪ／ｃｍ２〕が下記式（４）を満たすように設定する。Ｌｎ（Ｂ）≦−６．５  ・・・（４）。ａ−Ｓｉで構成された膜においては、Ｈ密度が大きいほど光学的バンドギャップが広がるため、帯電能を向上させるためにはＨ密度が大きいほど好ましい。そのため、本発明においては、第一下部光導電層におけるＨ密度を第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度よりも大きくすることが好ましい。一方、Ｈ密度が大きいと、膜中の欠陥が増加する場合があるため、露光により生成する電荷（光キャリア）が光導電層中の欠陥に捕捉されて蓄積されてしまう場合がある。そのため、像露光光の吸収が多い上部光導電層および第二下部光導電層におけるＨ密度を第一下部光導電層におけるＨ密度よりも小さくしたうえで、第一下部光導電層に到達する像露光光の光量を所定値以下とすることで、像露光ゴーストがより抑制される。このようなゴースト抑制効果を安定して得るためにも、感光体の表面層は前述した条件を満たしている必要がある。前述のように、本発明の感光体の表面層は、感光体の表面での酸化膜の形成が抑制される。そのため、第一下部光導電層に到達する像露光光の光量が電子写真装置の使用に伴って増加することが抑制される。その結果、電子写真装置の使用に伴って像露光ゴーストが悪化することが抑制される。
【００２０】
＜本発明の電子写真装置＞ａ−Ｓｉ感光体を用いた電子写真装置を用いた画像形成方法（電子写真プロセス）を、図１を用いて説明する。まず、図１中、感光体（電子写真感光体）１００１を時計方向に回転させ、一次帯電器１００２により感光体１００１の表面に正電荷を付与する。その後、像露光装置により感光体１００１の表面に光（像露光光１００６）を照射し、感光体１００１の表面に静電潜像を形成した後、現像器１０１２より供給されるトナーを用いて静電潜像の現像を行う。この結果、感光体１００１の表面にトナー像が形成される。次に、安定した転写を行うため、転写前帯電器１０１３により感光体１００１の表面に電荷を付与することにより、トナー像を形成しているトナーにさらに電荷が供給される。この転写前帯電器１０１３で付与される電荷の極性は、ＢＡＥの場合、一次帯電器１００２で感光体１００１の表面に付与される電荷の極性とは逆極性、すなわち負である。転写前帯電器１０１３は、現像器１０１２の下流側で、前露光装置１００３の上流側に設けられている。そして、さらに電荷が供給されたトナー像を、転写帯電器１００４により転写材１０１０に転写する。なお、転写材１０１０は、搬送手段１０１１により搬送される。そして、感光体１００１から転写材１０１０を分離して、トナー像を転写材１０１０に定着させる。転写材１０１０へのトナー像の転写後、感光体１００１の表面に残留するトナーはクリーナー１００９により除去される。その後、感光体１００１の表面を除電するため、前露光装置１００３により前露光光を感光体１００１の表面に照射することにより、感光体１００１中の静電潜像時の電荷（残キャリア）による出力画像への影響を低減する。これら一連の工程を順に繰り返すことで、画像形成が行われる。前述のように、Ｌｎ（Ａ）を−１２．０以上とすることにより、転写前帯電工程によって下部光導電層と上部光導電層の界面に蓄積された電子を前露光によって生成した電荷で十分に打ち消すことが可能となる。一方、Ｌｎ（Ａ）を−４．５以下とすることにより、前露光により生成した電荷による次の一次帯電工程において感光体の表面に付与される正電荷への影響が抑制される。その結果、帯電能を維持しつつ、転写前帯電ゴーストを抑制することが可能となり、本発明の効果を十分に得ることができる。より好ましくは、Ｌｎ（Ａ）が下記式（２）を満たすようにすることで、転写前帯電ゴーストの抑制効果がより大きく得られる。−１１．０≦Ｌｎ（Ａ）≦−６．０  ・・・（２）。電子写真プロセスの条件によって異なるが、一次帯電工程で感光体の表面に付与される電荷の極性とは逆極性の電荷を付与する工程としては、前述のとおり、転写前帯電器１０１３を用いた転写前帯電工程や、転写帯電器１００４を用いた転写工程などが挙げられる。本発明において、一次帯電工程で感光体の表面に付与される電荷の極性とは逆極性の電荷を付与する二次帯電工程で帯電器に印加される電流の条件としては、ＤＣ電流、ＡＣ電流およびＤＣ電流とＡＣ電流の組み合わせなど、ａ−Ｓｉ感光体を搭載した従来の電子写真装置に用いられた条件で特に問題はない。例えば、ＤＣ電流を用いる場合は、−１０μＡ〜−６００μＡとすることが好ましい。また、本発明の画像形成方法において、前露光光の波長に関しては、特に制限はなく、ａ−Ｓｉ感光体を搭載した従来の電子写真装置に用いられた波長で特に問題はない。前露光光の波長は、６００ｎｍ〜７００ｎｍが好ましい。また、像露光光の波長に関しても、静電潜像が形成可能な感度が得られるものであれば特に制限はなく、ａ−Ｓｉ感光体を搭載した従来の電子写真装置に用いられた波長で特に問題はない。像露光光の波長は、６３０ｎｍ〜７５０ｎｍが好ましい。
【００２１】
＜本発明の感光体＞図２は、本発明の感光体を説明する模式図である。図２（ａ）は、導電性の基体２００１の上に電荷注入阻止層２００４、光導電層２００２および表面層２００３がこの順に積層されてなる感光体である。光導電層２００２はａ−Ｓｉで構成されており、さらに下部光導電層２００５および上部光導電層２００６に機能分離されている。図２（ｂ）では、下部光導電層が、第一下部光導電層２００７と第二下部光導電層２００８に２層化されている。
【００２２】
（光導電層）本発明において、感光体の光導電層は、前述のとおり、ａ−Ｓｉで構成された下部光導電層と上部光導電層で形成されている。このように光導電層が２層化されている理由は、前述のように、電子および正孔の走行性を向上できる層構成とし、ゴーストを抑制するためである。そのため、光導電層２００２は、電子および正孔の走行性を制御可能なホウ素原子の含有量により、下部光導電層２００５と上部光導電層２００６との２層に分離されている。具体的には、本発明の感光体の下部光導電層２００５はホウ素原子を含有する。一方、上部光導電層２００６は、ホウ素原子を含有しない、または、ホウ素原子を含有するが、Ｂ密度が下部光導電層におけるＢ密度よりも少ない。それにより、上部光導電層２００６よりも下部光導電層２００５の正孔の走行性を向上させることができ、かつ、下部光導電層２００５よりも上部光導電層２００６の電子の走行性を向上させることができる。その結果、前述のように、像露光によって生成した電荷に起因するゴーストを抑制することができる。さらに、上部光導電層２００６におけるＢ密度（Ｘ）〔原子／ｃｍ３〕と、下部光導電層におけるＢ密度（Ｙ）〔原子／ｃｍ３〕との関係が下記式（３）を満たすようにすることで、より顕著に本発明の効果を得ることができる。０．００≦Ｘ／Ｙ＜０．５０  ・・・（３）。また、下部光導電層２００５におけるＢ密度は、ケイ素原子に対して１×１０−２原子ｐｐｍ以上、特に５×１０−２原子ｐｐｍ以上、さらには１×１０−１原子ｐｐｍ以上であることが好ましい。また、１×１０４原子ｐｐｍ以下、特に５×１０３原子ｐｐｍ以下、さらには１×１０３原子ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、下部光導電層を、基体側の第一下部光導電層および上部光導電層側の第二下部光導電層に２層化し、第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度を第一下部光導電層におけるＨ密度よりも小さくすることが、帯電能の低下を抑えながら、より顕著なゴースト抑制効果を得るうえで好ましい。そして、第一下部光導電層におけるＨ密度の平均値（α）と第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度の平均値（β）との関係が下記式（５）を満たすようにすることがより好ましい。０．５≦β／α＜１  ・・・（５）。上部光導電層におけるＨ密度を第二下部光導電層におけるＨ密度よりも小さくすることがさらに好ましい。このようなＨ密度の関係としたうえで、第一下部光導電層に到達する像露光光の光量を制御することで帯電能の低下を抑えながら、より顕著なゴースト抑制効果を得ることができる。水素原子の含有量の合計（第一下部光導電層、第二下部光導電層および上部光導電層の水素原子の合計含有量）は、ケイ素原子と水素原子の和に対して１０原子％以上であることが好ましく、１５原子％以上であることがより好ましい。また、３０原子％以下であることが好ましく、２５原子％以下であることがより好ましい。本発明において、感光体の光導電層の層厚（下部光導電層２００５と上部光導電層２００６の合計層厚）は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果などの点から、１５μｍ以上、特に２０μｍ以上とすることが好ましく、６０μｍ以下、特に５０μｍ以下、さらには４０μｍ��下とすることがより好ましい。光導電層の層厚を１５μｍ以上とすることにより、帯電部材への通過電流量の増大を抑制し、劣化しにくくさせることができる。
【００２３】
ａ−Ｓｉで構成された光導電層の形成は、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの方法によって可能であるが、原料供給の容易さなどから、プラズマＣＶＤ法が最も好ましい方法として採用できる。以下、光導電層の形成方法についてプラズマＣＶＤ法を例にとって記述する。光導電層を形成するには、基本的にケイ素原子供給用の原料ガスと、水素原子供給用の原料ガスを、内部を減圧にしうる反応容器内に所定のガス状態で導入し、該反応容器内にグロー放電を生起させる。グロー放電によって導入した原料ガスを分解し、あらかじめ所定の位置に設置されてある導電性の基体上にａ−Ｓｉで構成された層を形成すればよい。本発明において、ケイ素原子供給用の原料ガスは、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのシラン類が好適に使用できる。また、光導電層中に水素原子供給用の原料ガスは、前述のシラン類に加えて、水素（Ｈ２）も好適に使用できる。また、光導電層に前述のハロゲン原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子などの添加物を含有させる場合には、それぞれの原子を含むガス状の物質または容易にガス化しうる物質を材料として適宜使用すればよい。
【００２４】
（表面層）本発明では、前述のように、ａ−ＳｉＣ表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上にすることを特徴としている。ａ−ＳｉＣ表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上とすることで、感光体の表面での酸化膜の形成および表面への物質の付着の抑制される。これにより、感光体内に入射する前露光光の光量の変化が低減されるため、下部光導電層に到達する前露光光の光量の変化が抑制される。この結果、前述の感光体の表面での酸化膜の形成や表面への物質の付着といった変化に起因した帯電能の低下やゴーストの悪化が抑制される。酸化膜の形成や表面への物質の付着が抑制されるメカニズムは以下のように推察される。ａ−ＳｉＣ表面層におけるＳｉ密度およびＣ密度を高くすることにより、ケイ素原子と炭素原子との結合を切れにくくすること、および、空間率が低減するため炭素原子と酸化物質との反応確率を低減させることが可能になると考えられる。これは、ａ−ＳｉＣの酸化反応が、炭素原子の酸化および脱離によりケイ素原子と炭素原子との結合が切断され、新たに生成したケイ素原子のダングリングボンドに酸化物質が反応することによって生じるためである。電子写真プロセスにおいては、一次帯電工程により生成したイオン種と炭素原子との反応により、炭素原子の酸化および脱離が生じると考えられる。よって、炭素原子の酸化をできるだけ抑制することによりケイ素原子の酸化が抑制されると考えられる。そのためには、ケイ素原子と炭素原子との結合を切れにくくするか、もしくは、炭素原子の酸化を抑制するために反応確率を下げることが必要である。これを実現するためには、各原子間距離の短縮および空間率の低減が必要であると考えられる。ａ−ＳｉＣ表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を高くすることにより、各原子間距離の短縮および空間率の低減が可能となるため、ａ−ＳｉＣ表面層の表面での酸化膜の形成および極性基の生成が抑制されると考えられる。この結果、感光体の表面における反射防止膜の形成を抑制し、さらに、感光体の表面への物質の付着が抑制される。そのため、感光体内に入射する前露光光の光量の変化が抑制され、感光体の長手方向における帯電能の低下やゴーストの悪化が抑制されると推察される。これにより、下部光導電層に到達する前露光光の光量を制御することによるゴーストの抑制の効果を長期間維持することができる。このような理由により、ａ−ＳｉＣ表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度が高い方がより好ましく、６．８１×１０２２原子／ｃｍ３以上にすることで、さらに、安定して感光体内に所定の前露光光の光量を入射することが可能となる。ａ−ＳｉＣ表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度が最も高くなるのは、結晶となったときである。よって、本発明において、Ｓｉ密度とＣ密度の和の上限値としては、ＳｉＣ結晶の原子密度（９．６４×１０２２原子／ｃｍ３）とダイヤモンドの原子密度（１７．６５×１０２２原子／ｃｍ３）を目安とし、ケイ素原子の原子数と炭素原子の原子数の和に対する炭素原子の原子数の比に応じて算出される結晶時の原子密度が上限となる。
【００２５】
また、ａ−ＳｉＣ表面層のケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数の比（以下「Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）」と称する）を０．６１以上０．７５以下とすることにより、さらに優れた電子写真特性を得ることが可能となる。ａ−ＳｉＣ表面層においてＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．６１以上にすると、原子密度の高いａ−ＳｉＣを作製した場合であっても、ａ−ＳｉＣの抵抗の低下が抑制される。これにより、静電潜像形成時における表面層中での電荷の横流れによる孤立ドットの低減が抑制される。その結果、出力画像において低濃度側での階調性に優れた感光体を作製することが可能となる。また、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．７５以下にすると、原子密度の高いａ−ＳｉＣを作製した場合であっても、ａ−ＳｉＣ表面層での光吸収を低減可能となる。この結果、静電潜像形成時に必要となる像露光光の光量が低減し、感度特性に優れた感光体を作製することが可能となる。
【００２６】
また、本発明においては、感光体の表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）、炭素原子の原子数（Ｃ）および水素原子の原子数（Ｈ）の和に対する水素原子の原子数の比（以下「Ｈ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ）」と称する）を０．３０以上０．４５以下にすることが好ましい。これにより、電子写真特性が良好で、かつ、感光体の表面の酸化膜および極性基の生成が抑制される。原子密度の高いａ−ＳｉＣ表面層においては、光学的バンドギャップが狭くなり、光吸収が増加することにより感度が低下する場合がある。しかしながら、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）を０．３０以上含有させることで、光学的バンドギャップが広がり、感度の良化が図れる。よって、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）を０．３０以上とすることが好ましい。一方、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）が０．４５より多くなると、ａ−ＳｉＣ表面層中には、メチル基のような水素原子の多い終端基が増加する傾向がみられる。メチル基のような複数の水素原子を有する終端基がａ−ＳｉＣ表面層中に存在すると、ａ−ＳｉＣの構造中に大きな空間を形成するとともに、周囲に存在する原子間の結合にひずみを生じさせる。このような構造上弱い部分は、酸化に対して非常に弱い部分となってしまうと考えられる。また、水素原子をａ−ＳｉＣ表面層中に多量に含有させると、ａ−ＳｉＣ表面層における骨格原子であるケイ素原子と炭素原子のネットワーク化の促進が図りづらくなる。このような理由により、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）を０．４５以下とすることで、ａ−ＳｉＣ表面層におけるケイ素原子と炭素原子のネットワーク化が促進され、原子間の結合に生じていたひずみが低減されると考えられる。その結果、さらにａ−ＳｉＣ表面層の変質が抑制される。つまり、原子密度の高いａ−ＳｉＣ表面層においては、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）を０．３０以上０．４５以下にすることにより、電子写真特性が良好で、かつ、感光体の表面の酸化膜および極性基の生成が抑制される。
【００２７】
また、ａ−ＳｉＣ表面層のラマンスペクトルにおける１４８０ｃｍ−１のピーク強度（ＩＧ）に対する１３９０ｃｍ−１のピーク強度（ＩＤ）の比（ＩＤ／ＩＧ）を、０．２０以上０．７０以下にすることにより、さらに感光体の表面の酸化膜および極性基の生成の抑制に大きな効果が得られる。まず、ａ−ＳｉＣ表面層のラマンスペクトルについて、ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」と称する）と比較しながら説明する。ｓｐ３構造とｓｐ２構造から形成されているＤＬＣのラマンスペクトルは、１５４０ｃｍ−１近傍に主ピークを持ち、１３９０ｃｍ−１近傍にショルダーバンドを有する非対称なラマンスペクトルが観察される。ＲＦ−ＣＶＤ法で作製されたａ−ＳｉＣ表面層では、１４８０ｃｍ−１近傍に主ピークを持ち、１３９０ｃｍ−１近傍にショルダーバンドを有するＤＬＣに類似したラマンスペクトルが観察される。ａ−ＳｉＣ表面層の主ピークがＤＬＣよりも低波数側にシフトしているのは、ａ−ＳｉＣ表面層にはケイ素原子が含まれているためである。このことから、ＲＦ−ＣＶＤ法で作製されたａ−ＳｉＣ表面層は、ＤＬＣに非常に近い構造を有する材料であることがわかる。一般的に、ＤＬＣのラマンスペクトルにおいて、高波数バンドのピーク強度に対する低波数バンドのピーク強度の比が小さいほど、ＤＬＣのｓｐ３性が高い傾向があることが知られている。よって、ａ−ＳｉＣ表面層においても、ＤＬＣと非常に近い構造であることから、高波数バンドのピーク強度に対する低波数バンドのピーク強度の比が小さいほど、ｓｐ３性が高い傾向を示すと考えられる。本発明の原子密度の高いａ−ＳｉＣ表面層において、ラマンスペクトルにおける１４８０ｃｍ−１近傍のピーク強度（ＩＧ）に対する１３９０ｃｍ−１近傍のピーク強度（ＩＤ）の比（ＩＤ／ＩＧ）を０．７０以下にすることで、ａ−ＳｉＣ表面層の変質の抑制に大きな効果が得られる。以下、ピーク強度（ＩＧ）を１４８０ｃｍ−１のピーク強度とし、ピーク強度（ＩＤ）を１３９０ｃｍ−１のピーク強度とする。この理由としては、ｓｐ３性が向上すると、ｓｐ２の２次元のネットワーク数が減少し、ｓｐ３の３次元ネットワークが増加するため、骨格原子の結合数が増加し、強固な構造体が形成可能となるためだと考えている。そのため、ａ−ＳｉＣ表面層のラマンスペクトルにおける１４８０ｃｍ−１のピーク強度（ＩＧ）に対する１３９０ｃｍ−１のピーク強度（ＩＤ）の比（ＩＤ／ＩＧ）が小さい方がより好ましいが、量産レベルで作製される感光体のａ−ＳｉＣ表面層では、完全にｓｐ２構造を取り除くことはできない。そのため、本発明において、ａ−ＳｉＣ表面層のラマンスペクトルにおける１４８０ｃｍ−１のピーク強度（ＩＧ）に対する１３９０ｃｍ−１のピーク強度（ＩＤ）の比（ＩＤ／ＩＧ）の下限値としては、実施例でａ−ＳｉＣ表面層の酸化および表面への物質の付着の良好な範囲として確認された０．２とする。
【００２８】
（電荷注入阻止層）本発明の感光体では、基体と光導電層との間に基体側からの電荷の注入を阻止する働きを有する電荷注入阻止層を設けることが効果的である。すなわち、電荷注入阻止層は、一次帯電工程において感光体の表面が一定極性の電荷を付与された際、基体から光導電層への電荷の注入を阻止する機能を有している。このような機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比べて比較的多く含有させる。伝導性を制御するために電荷注入阻止層に含有させる原子としては、第１３族原子を用いることができる。伝導性を制御するために電荷注入阻止層に含有させる原子は、電荷注入阻止層中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよいし、また、層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、基体側に多く分布するように含有させるのが好適である。しかしながら、いずれの場合においても、伝導性を制御する原子を基体の表面に対して平行面内方向に均一な分布で含有することが、特性の均一化を図る上からも好ましい。さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子を含有させることにより、電荷注入阻止層を基体との間の密着性の向上を図ることが可能となる。電荷注入阻止層に含有される炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子は、層中に均一に分布されてもよいし、また、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも、基体の表面に対して平行面内方向に均一な分布で含有することが、特性の均一化を図る上からも好ましい。電荷注入阻止層の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果などの点から、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．３〜５μｍ、さらに好ましくは０．５〜３μｍである。層厚を０．１μｍ以上とすることにより、基体からの電荷の注入阻止能を十分に有することができ、好ましい帯電能を得ることができる。一方、５μｍ以下とすることにより、作製時間の延長による製造コストの増加を防ぐことができる。
【００２９】
（基体）基体としては、導電性を有するもの（導電性基体）であって、表面に形成される光導電層および表面層を保持しうるものが好適に用いられる。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅなどの金属、および、これらの合金、例えば、Ａｌ合金、ステンレスが挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミドなどの合成樹脂のフィルム、または、シート、ガラス、セラミックなどの電気絶縁性基体も使用できる。この場合、電気絶縁性基体の少なくとも光導電層を形成する側の表面を導電処理することが好ましい。
【００３０】
＜本発明の感光体を製造するための製造装置および製造方法＞図３に、本発明のａ−Ｓｉ感光体の作製に用いられるプラズマＣＶＤ装置の一例を模式的に示す。このプラズマＣＶＤ装置は、主に、反応容器３１１０を有する堆積装置３１００、原料ガス供給装置３２００、および、反応容器３１１０内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置３１００中の反応容器３１１０内には、アースに接続された導電性の基体３１１２、基体加熱用ヒーター３１１３、および、原料ガス導入管３１１４が設置されている。さらに、カソード電極３１１１には、高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。原料ガス供給装置３２００は、主に、ＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＯ、Ｂ２Ｈ６などの原料ガスのボンベ３２２１〜３２２５、バルブ３２３１〜３２３５、圧力調整器３２６１〜３２６５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５およびマスフローコントローラ３２１１〜３２１５から構成されている。各原料ガスを封入したガスのボンベは、補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１０内の原料ガス導入管３１１４に接続されている。
【００３１】
次に、このプラズマＣＶＤ装置を使った堆積膜（層）の形成方法について説明する。まず、あらかじめ脱脂洗浄した基体３１１２を反応容器３１１０に受け台３１２３を介して設置する。次に、排気装置（図示せず）を運転し、反応容器３１１０内を排気する。真空計３１１９の表示を見ながら、反応容器３１１０内の圧力が所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）になったところで、基体加熱用ヒーター３１１３に電力を供給し、基体３１１２を所定の温度（例えば５０〜３５０℃）に加熱する。このとき、ガス供給装置３２００より、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器３１１０に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。次に、ガス供給装置３２００より、堆積膜形成に用いるガスを反応容器３１１０に供給する。すなわち、必要に応じてバルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５を開き、マスフローコントローラ３２１１〜３２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラの流量が安定したところで、真空計３１１９の表示を見ながらメインバルブ３１１８を操作し、反応容器３１１０内の圧力が所定の圧力になるように調整する。所定の圧力が得られたところで高周波電源３１２０より高周波電力を印加するとともに高周波マッチングボックス３１１５を操作し、反応容器３１１０内にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所定の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５および補助バルブ３２６０を閉じ、原料ガスの供給を終える。それとともに、メインバルブ３１１８を全開にし、反応容器３１１０内を所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）まで排気する。以上で堆積膜の形成を終えるが、複数の堆積膜を形成する場合、再び前述の手順を繰り返してそれぞれの堆積膜を形成すればよい。原料ガス流量や、圧力などを光導電層形成用の条件に一定の時間で変化させて、接合領域の形成を行うこともできる。すべての堆積膜の形成が終わった後、メインバルブ３１１８を閉じ、反応容器３１１０内に不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、基体３１１２を取り出す。
【００３２】
本発明の感光体は、従来の感光体の表面層に比べて原子密度の高い膜構造の表面層を有している。前述のように、本発明の感光体の原子密度の高いａ−ＳｉＣ表面層を形成する場合には、表面層形成時の条件にもよるが、反応容器に供給するガス量が少ない方がよく、高周波電力は高い方がよく、反応容器内の圧力が高い方がよく、さらに、基体の温度が高い方がよい。まず、反応容器内に供給するガス量を減らし、かつ、高周波電力を上げることにより、ガスの分解を促進させることができる。これにより、ケイ素原子供給用の原料ガス（例えばＳｉＨ４）よりも分解しにくい炭素原子供給用の原料ガス（例えばＣＨ４）を効率よく分解することができる。その結果、水素原子の少ない活性種が生成され、基体上に堆積した膜中の水素原子が減少するため、原子密度の高いａ−ＳｉＣ表面層が形成可能となる。また、反応容器内の圧力を高めることで、反応容器内に供給された原料ガスの滞留時間が長くなり、また、原料ガスの分解により生じた水素原子による弱結合水素の引き抜き反応が生じるため、ケイ素原子と炭素原子のネットワーク化が促進されると本発明者らは考えている。さらに、基体の温度を上げることにより、基体に到達した活性種の表面移動距離が長くなり、より安定した結合をつくることができる。その結果、ａ−ＳｉＣ表面層として、より構造的に安定した配置に各原子が結合できると考えられる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例および比較例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
【００３４】
（上部光導電層サンプル作製方法）図３に示すＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ装置を用いて、幅１０ｍｍ、長さ３８ｍｍ、厚み１ｍｍのガラス基体（コーニング社製、＃７０５９）上に下記表１−１に示す条件で上部光導電層のみを形成して上部光導電層サンプルを作製した。図５に示すように、ガラス基体５００２は円筒状基体５００１の外径の任意の周方向で長手方向の中央位置に任意の周方向を基準として９０°ごとに設けられた載置個所の長手方向の中央位置に任意の周方向を基準として９０°ごとに４枚設置した。下記条件により作製した上部光導電層サンプルについて、後述する算出方法にて、波長６３０ｎｍにおける上部光導電層の吸収係数を算出した。その結果を表１−３に示す。なお、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しないため、上部光導電層におけるＢ密度と称する）は０．００原子／ｃｍ３とする。
【００３５】
【表１】
2010224534.tif 000003
【００３６】
（表面層サンプル作製方法）上部光導電層サンプル作製方法と同様に、図３に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、幅１０ｍｍ、長さ３８ｍｍ、厚み１ｍｍのガラス基体（コーニング社製、＃７０５９）上に下記表１−２に示す条件で表面層のみを形成して表面層サンプルを作製した。下記条件により作製した表面層サンプルについて、上部光導電層サンプル作製方法と同様の算出方法にて、波長６３０ｎｍにおける表面層の吸収係数を算出した。その結果を表１−３に示す。
【００３７】
【表２】
2010224534.tif 000004
【００３８】
【表３】
2010224534.tif 000005
【００３９】
（吸収係数算出方法）吸収係数の算出方法は、各成膜条件（層の形成条件）にて作製したサンプルを紫外可視分光光度計（日本電計（株）製：Ｖ−５７０型）により波長と透過率との関係を求めた。このとき、リファレンスとして、サンプル作製時に使用したガラス基体をリファレンス基体として用いた。まず、得られた波長と透過率との関係から波長６３０ｎｍでの透過率Ｔ（％）を求めた。次に、各成膜条件にて作製したサンプルを紫外可視分光光度計から取り出し、前記サンプルをカッターナイフを用いてガラス基体から堆積膜の一部を取り除いた。その後、表面段差計（ケーエルエー・テンコール（株）製：ＡＬＰＨＡ  ＳＴＥＰ  ５００）により、ガラス基体から堆積膜を取り除いた部分と取り除いていない部分との段差から、各成膜条件にて作製したサンプルの堆積膜の層厚Ｄ（ｃｍ）を測定した。そして、得られたＴおよびＤを用いて、下記式（６）により、吸収係数α＊（１／ｃｍ）を算出した。α＊＝−１／Ｄ×Ｌｎ（Ｔ／１００）  ・・・（６）。分光吸光度計による波長と透過率との関係は、スペクトルマネージャ（日本電計（株）製：Ｒｅｖ．１．００）のスペクトル解析を用いて測定した。このときの測定条件を以下に示す。測定モード：％Ｔ、レスポンス：Ｍｅｄｉｕｍ、バンド幅：０．５ｎｍ、走査速度：１０００ｎｍ／ｍｉｎ、波長範囲：３００ｎｍ〜１５００ｎｍ、データ取り込み間隔：２ｎｍ。また、層厚の測定条件は、スタイラス径：５μｍを使用し、測定長さおよび測定速度は、カッターナイフによる堆積膜を取り除いた範囲により適宜設定した。
【００４０】
＜実施例１−１＞図３に示すＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ装置を用いて、円筒状基体（直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、厚さ３ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウム製の基体）を用いて、下記表１−４に示す条件で各層を形成し、正帯電用感光体（正帯電用ａ−Ｓｉ感光体）を作製した。その際、電荷注入阻止層、下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、上部光導電層と表面層の層厚を表１−５に示す層厚となるように調整した。また、下部光導電層と上部光導電層の合計層厚が２８μｍになるように調整した。なお、上部光導電層の形成条件（成膜条件）は、層厚以外は上部光導電層サンプル作製時と同様の条件を用いた。また、表面層の形成条件（成膜条件）も層厚以外は表面層サンプル作製時と同様の条件を用いた。実施例１−１で作製した各成膜条件の感光体について、後述の評価条件にて帯電能およびゴーストの評価を行い、後述の算出方法により下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａに係るＬｎ（Ａ）を算出した。それらの結果を表７に示す。ただし、実施例１−１で作製した各成膜条件の感光体の帯電能およびゴーストの評価を行う際には、前露光ＬＥＤに接続された外部電源により感光体の表面に照射される前露光光の光量を表１−５に示す条件で行った。なお、下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量に対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入した場合、後述したＢ密度の測定により得られる下部光導電層におけるＢ密度は、２．４１×１０１６原子／ｃｍ３であった。また、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、上部光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。また、実施例１−１で作製した各成膜条件の感光体の表面層について、後述の分析方法によりＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を求めたところ、６．８１×１０２２原子／ｃｍ３であった。
【００４１】
【表４】
2010224534.tif 000006
【００４２】
【表５】
2010224534.tif 000007
【００４３】
＜比較例１−１＞実施例１−１と同様に、表１−４に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、上部光導電層と表面層の層厚を表１−６に示す層厚になるように調整した。比較例１−１で作製した各成膜条件の感光体について、実施例１−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）、帯電能およびゴーストの評価を行った。それらの結果を表１−７に示す。ただし、比較例１−１で作製した各成膜条件の感光体の帯電能およびゴーストの評価を行う際には、前露光ＬＥＤに接続された外部電源により感光体の表面に照射される前露光光の光量を表１−６に示す条件で行った。
【００４４】
【表６】
2010224534.tif 000008
【００４５】
（帯電能評価）帯電能の評価方法は、キヤノン（株）製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０７５（ＢＡＥ）の改造機を用いた。この電子写真装置は、一次帯電器のワイヤーおよびグリットならびに波長６３０ｎｍの前露光ＬＥＤに外部電源が接続されている。この電子写真装置を、２５℃／５０％ＲＨの環境下に設置し、感光体用ヒーターをＯＮとした。また、前露光ＬＥＤに接続されている外部電源により、前露光ＬＥＤから出力される光量を所定の値に調整した。作製した感光体を前述の電子写真装置に設置した後、現像器の位置に電位センサーを感光体の長手方向の中央位置に相当する場所に設置した。次に、前述の条件にて前露光を点灯させて、像露光を切った状態で帯電器のワイヤーおよびグリットに、それぞれ外部電源を接続し、グリット電位を８２０Ｖとし、帯電器のワイヤーに＋７５０μＡを印加した時の現像器位置での表面電位を測定した。この表面電位を用いて、帯電能の評価を行った。なお、評価結果は実施例１−１で作製した成膜条件Ｎｏ．４の感光体を搭載した場合の表面電位を１．００とした相対比較で示した。感光体の帯電能が低い場合、一次帯電器のワイヤーに印加される電流を一定とすると、表面電位は低下する。よって、表面電位が高いほど帯電能が良好となるため、この評価においては、数値が大きいほど帯電能に対して良好である。なお、帯電能が低い感光体を用いた電子写真装置においては、プロセススピードを速くすることによる電子写真装置の高速化を実現することが困難となる場合がある。このような理由により、帯電能の評価に対して、Ｂ以上で本発明の効果が得られていると判断した。実施例１−１で作製した成膜条件Ｎｏ．４の感光体での表面電位に対する表面電位の比が０．９６以上をＡ、０．９２以上０．９６未満をＢ、０．９２未満をＣとした。
【００４６】
（ゴースト評価）ゴーストの評価も、前述のキヤノン（株）製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０７５の改造機を用いた。まず、前露光ＬＥＤに接続されている外部電源により、前露光ＬＥＤから出力される光量を所定の光量となるように調整した。次に、作製した感光体を前述の電子写真装置に設置した後、現像器の位置に電位センサーを感光体の長手方向の中央位置に相当する場所に設置する。次に、前述の条件にて前露光を点灯させて、像露光をＯＦＦしてグリット電位を８２０Ｖとし、帯電器のワイヤーに供給する電流を調整して現像器位置での感光体の表面電位が＋４００Ｖとなるように設定した。次いで、像露光光を照射し、その照射エネルギーを調整することにより現像器位置での電位を１００Ｖとした。その後、電位センサーを取り出し、現像器を設置する。ゴーストの評価は、図６に示す画像左端部側にＡ３チャートの短辺の中央位置、左端から４０ｍｍ位置を中心に４０ｍｍ四方の範囲に反射濃度１．４の黒色四角を有し、左端から８０ｍｍの位置から右端から５ｍｍの位置まで反射濃度０．４のハーフトーン（ＨＴ）が形成されているテストチャートを用いた。テストチャートを用い、テストチャート左端側を原稿先端として原稿台に置き、現像バイアスを調整して、出力された画像におけるテストチャートのＨＴ部の反射濃度が０．４となるように設定した。その状態でＡ３の電子写真画像を出力し、出力された画像の反射濃度を測定した。なお、テストチャートの出力は、電子写真装置を２２℃／５０％ＲＨの環境下に設置し、感光体用ヒーターをＯＮにして、感光体の表面を４０℃に保った条件で行った。測定位置は、Ａ３の画像短辺の中央位置で、Ａ３の画像左端から２９１ｍｍ位置（前述の黒色四角の中心から感光体の１周分の位置）を基準位置とし、基準位置と比較位置（基準位置に対してＡ３の画像短辺方向±３０ｍｍ、長辺方向±３０ｍｍの４点）の合計５点である。次に、４点の比較位置で測定した反射濃度の平均値Ｇを求めた。反射濃度の測定は、反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ  Ｉｎｃ製：５０４分光濃度計）を用いて測定した。そして、前記基準位置での反射濃度Ｆと前記比較位置での反射濃度の平均値Ｇの差（Ｆ−Ｇ）を求め、この差を用いてゴーストの評価を行った。なお、評価結果は比較例１−１で作製した成膜条件Ｎｏ．９の感光体を搭載した場合の前記基準位置での反射濃度Ｆと前記比較位置での反射濃度の平均値Ｇの差（Ｆ−Ｇ）を１．００とした相対比較で示した。このゴースト評価では、像露光ゴーストと転写前帯電ゴーストが両方とも合わさったものを出力画像上で確認している。そのため、像露光ゴーストおよび転写前帯電ゴーストを合わせたものが、このゴースト評価に反映されている。ゴーストが発生した場合、前記比較位置での反射濃度の平均値Ｇよりも基準位置での反射濃度Ｆが高くなる。よって、この評価においては、数値が小さいほどゴーストに対して良好である。なお、ゴーストの評価に対して、Ｂ以上で本発明の効果が得られていると判断した。上記（Ｆ−Ｇ）の値が比較例１−１で作製した成膜条件Ｎｏ．９の感光体に対して０．８未満をＡ、０．８以上１．０未満をＢ、１．０以上をＣとした。
【００４７】
（Ｌｎ（Ａ）の算出方法）Ｌｎ（Ａ）の算出方法は、以下のとおりとした。作製直後の感光体の表面での波長６３０ｎｍの光に対する反射率を感光体の任意の周方向で感光体の長手方向の中央位置および前記任意の周方向から９０°、１８０°、２７０°回転させた位置の合計４点を測定した。得られた波長６３０ｎｍの光に対する反射率の平均値ａを求め、この平均値を各成膜条件で作製した感光体の反射率とした。実施例１−１および比較例１−１で作製した感光体の反射率を測定したところ、１０．８％±０．１であった。よって、Ｌｎ（Ａ）の算出時の反射率として、ａ＝０．１０８を用いた。次に、表１−３に示す表面層の吸収係数α＊１、上部光導電層の吸収係数α＊２、表１−５、表１−６に示す表面層の層厚ｄ１（μｍ）、上部光導電層の層厚ｄ２（μｍ）、前露光光の光量Ｉ〔μＪ／ｃｍ２〕および前記反射率ａを用いて、下記式（５）により下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａを算出した。Ａ＝ｅｘｐ（−α＊２・ｄ２・１０−４）・ｅｘｐ（−α＊１・ｄ１・１０−４）・Ｉ・（１−ａ）  ・・・（５）。最後に、算出された下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａを自然対数で返して、Ｌｎ（Ａ）を算出した。
【００４８】
（Ｂ密度の測定）作製した感光体の任意の周方向における長手方向の中央部を５ｍｍ四方で切り出して測定用試料を作製する。そして、測定用試料を二次イオン質量分析法（アルバック・ファイ製：Ｍｏｄｅｌ  ６６５０）により、感光体の深さ方向におけるＢ密度を測定した。本測定においては、一次イオン種としては酸素イオンを使用し、二次イオンとしてＢ＋を検出している。なお、測定終了後一次イオン照射によってスパッタされた部分の深さを測定することでスパッタレートを算出し、その結果を基に密度の算出を行った。さらに、Ｓｉウエハに定量のホウ素をイオン注入した標準サンプルを作製し、前述した標準サンプルを同様の方法で測定した結果を基にＢ密度の定量計算を行った。また、一次イオン種としては酸素イオンを使用し、二次イオンとしてＢ＋を検出している。実施例１−１および比較例１−１について、Ｌｎ（Ａ）、帯電能およびゴーストに関する結果を表１−７に示す。
【００４９】
【表７】
2010224534.tif 000009
【００５０】
表１−７の結果より、上部光導電層に到達する前露光光の光量Ａより算出したＬｎ（Ａ）を−４．５以下にすることにより、帯電能が良好となり、Ｌｎ（Ａ）を−１２．０以上にすることにより、ゴーストが良好となることがわかった。また、Ｌｎ（Ａ）を−６．０以下にすることにより、さらに帯電能が良好となり、Ｌｎ（Ａ）を−１１．０以上にすることにより、さらにゴーストが良好となることがわかった。Ｌｎ（Ａ）を前述の範囲とすることによりゴーストが良化した理由としては、前述した像露光ゴーストおよび転写前帯電ゴーストのメカニズムから転写前帯電ゴーストが良化したためだと推察される。
【００５１】
＜実施例１−２＞実施例１−１と同様に、下記表１−８に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、上部光導電層形成時のＢ２Ｈ６流量を下記表１−９に示す条件で作製した。実施例１−２で作製した各成膜条件の感光体について、実施例１−１と同様に、ゴーストの評価を行い、Ｂ密度を求めた。それらの結果を表１−１１に示す。ただし、ゴースト評価時の前露光ＬＥＤから出力される光量は、２．４μＪ／ｃｍ２となるように調整した。なお、下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量に対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入した場合、前述したＢ密度の測定により得られる下部光導電層におけるＢ密度は、２．４１×１０１６原子／ｃｍ３であった。また、成膜条件Ｎｏ．１０は、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、上部光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。
【００５２】
【表８】
2010224534.tif 000010
【００５３】
【表９】
2010224534.tif 000011
【００５４】
＜比較例１−２＞実施例１−２と同様に、表１−８に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、上部光導電層の層厚を下記表１−１０となるように成膜時間を調整して作製した。比較例１−２で作製した各成膜条件の感光体について、実施例１−１と同様に、ゴーストの評価を行い、Ｂ密度を求めた。それらの結果を表１−１１に示す。ただし、ゴースト評価時の前露光ＬＥＤから出力される光量を２．４μＪ／ｃｍ２となるように調整した。
【００５５】
【表１０】
2010224534.tif 000012
【００５６】
実施例１−２、比較例１−２で作製した各成膜条件の感光体について、上部光導電層におけるＢ密度（Ｘ）と下部光導電層におけるＢ密度（Ｙ）の比（以下「Ｘ／Ｙ」と称する）およびゴーストの評価結果を表１−１１に示す。なお、実施例１−２の成膜条件Ｎｏ．１０は実施例１−１の成膜条件Ｎｏ．４と同じであるため、Ｌｎ（Ａ）＝−６．９である。上部光導電層に少量のホウ素原子を含有させたとしても、吸収係数の影響は無視できるため、実施例１−２の成膜条件Ｎｏ．１１〜１４および比較例１−２においても、実施例１−２の成膜条件Ｎｏ．１０と同様に、Ｌｎ（Ａ）＝−６．９となる。さらに、実施例１−２で作製した各成膜条件の感光体について、後述の分析方法によりＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を求めたところ、６．８１×１０２２原子／ｃｍ３であった。
【００５７】
【表１１】
2010224534.tif 000013
【００５８】
表１−１１の結果より、下部光導電層におけるＢ密度よりも上部光導電層におけるＢ密度を少なくすることにより、ゴーストが良好となることがわかった。また、Ｘ／Ｙを０．５未満とすることにより、さらにゴーストが良好となった。このＸ／Ｙが０であっても、良好なゴーストが維持されていることがわかった。なお、ゴーストが良好であった成膜条件Ｎｏ．１０〜１４の感光体を前露光ＬＥＤから出力される光量を２．４μＪ／ｃｍ２となるようにして実施例１−１と同様に帯電能評価を行ったところ、評価結果はすべてＡであった。下部光導電層および上部光導電層におけるＢ密度を前述の関係の範囲とすることでゴーストが良化した理由としては、前述した像露光ゴーストおよび転写前帯電ゴーストのメカニズムから、像露光ゴーストが良化したためだと推察される。上記結果より、下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａより算出したＬｎ（Ａ）を−１２．０以上−４．５以下とし、上部光導電層におけるＢ密度を下部光導電層におけるＢ密度よりも少なくすることで、帯電能向上、ゴースト抑制を両立できることがわかった。
【００５９】
＜実施例１−３＞実施例１−１と同様に、下記表１−１２に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表１−１３に示す条件で作製した。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつとした。実施例１−３で作製した各成膜条件４本ずつの感光体について、各成膜条件１本目の感光体を用い表面層の、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度、および、ｓｐ３性を後述の分析方法により求めた。そして、各成膜条件２本目の感光体を用いて、後述の評価条件にて耐酸化性を、各成膜条件３本目の感光体を用いて、後述の評価方法にて表面への物質の付着の評価を行った。さらに、各成膜条件４本目の感光体を用いて、前述の算出方法によりＬｎ（Ａ）、後述の評価条件にて階調性および感度の評価を行った。それらの結果を表１−１６に示す。なお、下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量に対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入した場合、前述したＢ密度の測定により得られる下部光導電層におけるＢ密度は、２．４１×１０１６原子／ｃｍ３であった。また、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、上部光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。また、Ｌｎ（Ａ）の算出に関しては、以下のように行った。まず、前述した表面層サンプル作製方法と同様に、実施例１−３で作製した各成膜条件の表面層に関して、表面層サンプルを作製し、前述した吸収係数算出方法により各表面層サンプルの吸収係数を算出した。次に、各表面層サンプルの吸収係数を用いて、Ｌｎ（Ａ）の算出方法によりＬｎ（Ａ）を求めた。ただし、Ｌｎ（Ａ）算出時に用いた前露光光の光量Ｉは、２．４μＪ／ｃｍ３とした。
【００６０】
【表１２】
2010224534.tif 000014
【００６１】
【表１３】
2010224534.tif 000015
【００６２】
＜比較例１−３＞実施例１−３と同様に前述した表１−１２に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を４本作製した。ただし、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表１−１４に示す条件とした。比較例１−３で作製した感光体について、実施例１−３と同様に、表面層の、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、Ｌｎ（Ａ）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表１−１６に示す。
【００６３】
【表１４】
2010224534.tif 000016
【００６４】
＜比較例１−４＞図３に示すＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ装置を用いて、円筒状基体上に下記表１−１５に示す条件で正帯電用ａ−Ｓｉ感光体を４本作製した。比較例１−４で作製した感光体について、実施例１−３と同様に、表面層の、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、Ｌｎ（Ａ）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表１−１６に示す。なお、比較例１−４で作製した感光体の成膜条件Ｎｏ．を２０とした。なお、下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量に対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入した場合、前述したＢ密度の測定により得られる下部光導電層におけるＢ密度は、２．４１×１０１６原子／ｃｍ３であった。また、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、上部光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。
【００６５】
【表１５】
2010224534.tif 000017
【００６６】
（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）の測定、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）の測定）まず、表１−１２の基体上に電荷注入阻止層、下部光導電層および上部光導電層のみをこの順に積層してなるリファレンス感光体を作製し、任意の周方向における長手方向の中央部を１５ｍｍ四方で切り出し、リファレンス試料を作製した。次に、基体上に電荷注入阻止層、下部光導電層、上部光導電層および表面層をこの順に積層してなる感光体を同様に切り出し、測定用試料を作製した。リファレンス試料と測定用試料を分光エリプソメトリー（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製：高速分光エリプソメトリー  Ｍ−２０００）により測定し、表面層の層厚を求めた。分光エリプソメトリーの具体的な測定条件は、入射角：６０°、６５°、７０°、測定波長：１９５ｎｍから７００ｎｍ、ビーム径：１ｍｍ×２ｍｍである。まず、リファレンス試料を分光エリプソメトリーにより各入射角で波長と振幅比Ψおよび位相差Δの関係を求めた。次に、リファレンス試料の測定結果をリファレンスとして、測定用試料をリファレンス試料と同様に分光エリプソメトリーにより各入射角で波長と振幅比Ψおよび位相差Δの関係を求めた。さらに、電荷注入阻止層、下部光導電層、上部光導電層および表面層を順次積層し、最表面に表面層と空気層が共存する粗さ層を有する層構成を計算モデルとして用いて、解析ソフトを用いて粗さ層の表面層と空気層の体積比を変化させて、各入射角における波長とΨおよびΔの関係を計算により求めた。そして、各入射角における前述の計算により求めた波長とΨおよびΔの関係と、測定用試料を測定して求めた波長とΨおよびΔの関係の平均二乗誤差が最小となるときの計算モデルを選択した。この選択した計算モデルにより表面層の層厚を算出し、得られた値を表面層の層厚とした。なお、解析ソフトはＪ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製のＷＶＡＳＥ３２を用いた。また、粗さ層の表面層と空気層の体積比に関しては、表面層：空気層を１０：０から１：９まで粗さ層における空気層の比率を１ずつ変化させて計算をした。本実施例で各成膜条件で作製された正帯電用ａ−Ｓｉ感光体においては、粗さ層の表面層と空気層の体積比が８：２のときに計算によって求められた波長とΨおよびΔの関係と測定して求められた波長とΨおよびΔの関係の平均二乗誤差が最小となった。分光エリプソメトリーによる測定が終了した後、前述した測定用試料をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱法）（日新ハイボルテージ（株）製：後方散乱測定装置  ＡＮ−２５００）により、ＲＢＳの測定面積における表面層のケイ素原子の原子数および炭素原子の原子数を測定した。測定したケイ素原子および炭素原子の原子数から、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を求めた。次に、ＲＢＳの測定面積から求めたケイ素原子および炭素原子に対し、分光エリプソメトリーにより求めた表面層の層厚を用いて、Ｓｉ密度、Ｃ密度およびＳｉ＋Ｃ密度を求めた。ＲＢＳとともに、前述の測定用試料をＨＦＳ（水素前方散乱法）（日新ハイボルテージ（株）製：後方散乱測定装置  ＡＮ−２５００）により、ＨＦＳの測定面積における表面層中の水素原子の原子数を測定した。ＨＦＳの測定面積から求めた水素原子の原子数と、ＲＢＳの測定面積から求めたケイ素原子の原子数および炭素原子の原子数により、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）を求めた。次に、ＨＦＳ測定面積から求めた水素原子数に対し、分光エリプソメトリーにより求めた表面層の層厚を用いて、Ｈ密度を求めた。ＲＢＳおよびＨＦＳの具体的な測定条件は、入射イオン：４Ｈｅ＋、入射エネルギー：２．３ＭｅＶ、入射角：７５°、試料電流：３５ｎＡ、入射ビーム経：１ｍｍであり、ＲＢＳの検出器は、散乱角：１６０°、アパーチャ径：８ｍｍ、ＨＦＳの検出器は、反跳角：３０°、アパーチャ径：８ｍｍ＋Ｓｌｉｔである。
【００６７】
（耐酸化性評価）耐酸化性評価は、ａ−ＳｉＣ表面層の表面における酸化膜の形成を評価する方法である。作製直後の感光体の表面での波長６３０ｎｍの光に対する反射率を、感光体の任意の周方向で長手方向９点（感光体の長手方向の中央を基準として、０ｍｍ、±５０ｍｍ、±９０ｍｍ、±１３０ｍｍ、±１５０ｍｍ）、および、前記任意の周方向から１８０°回転させた位置での長手方向９点、合計１８点を測定した。測定方法は、２ｍｍのスポット径で感光体の表面に垂直に光を照射し、分光計（大塚電子製：ＭＣＰＤ−２０００）を用いて、反射光の分光測定を行った。測定後、３０℃／８０％ＲＨの環境下に設置されたキヤノン（株）製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０７５の改造機に、作製した感光体を設置した。この電子写真装置の改造機は、一次帯電器のワイヤー、グリットに外部電源が接続されており、現像器、転写前帯電器、転写帯電器、分離帯電器およびクリーナーを取り除き、さらに、紙が搬送されないように改造したものである。作製した感光体を前述の改造した電子写真装置に設置した後、現像器の位置に電位センサーを感光体の長手方向の中央位置に相当する場所に設置した。次に、前露光を点灯させて、グリット電位を８２０Ｖに調整し、一次帯電器のワイヤーに接続された外部電源により現像器位置の電位センサーが＋６００Ｖとなるように調整した。調整終了後、外部電源をＯＦＦし、電位センサーを取り外した。そして、再び前露光を点灯させて、グリット電位を８２０Ｖとし、現像器位置での電位が＋６００Ｖとなる電流を外部電源により一次帯電器のワイヤーに印加して、感光体用ヒーターをＯＦＦにして５０時間連続して感光体を回転させた。５０時間後、感光体を電子写真装置から取り出し、感光体作製直後と同じ場所での波長６３０ｎｍの光に対する反射率を測定した。次に、各測定位置で作製直後に測定した反射率に対する５０時間後に測定した反射率の比率を求め、１８点の平均値を用いて耐酸化性の評価を行った。感光体の表面に酸化膜が形成された場合、反射率は低下する。よって、作製直後に測定した波長６３０ｎｍの光に対する反射率に対する５０時間後に測定した波長６３０ｎｍの光に対する反射率の比率が１００％に近いほど耐酸化性が良好となる。なお、耐酸化性評価に対して、Ｄ以上で本発明の効果が得られていると判断した。作製直後に測定した波長６３０ｎｍの光に対する反射率に対する５０時間後に測定した波長６３０ｎｍの光に対する反射率の比率が９５％以上１０５％以下をＡ、９０％以上９５％未満をＢ、８５％以上９０％未満をＣ、８０％以上８５％未満をＤ、７５％以上８０％未満をＥ、７５％未満をＦとした。
【００６８】
（表面への物質の付着評価）表面への物質の付着の評価も、キヤノン（株）製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０７５の改造機を用いた。また、前露光ＬＥＤに接続された外部電源により、前露光ＬＥＤから出力される光量を所定の値に調整した。前述の改造した電子写真装置に作製直後の感光体を設置した後、現像器の位置に電位センサーを感光体の長手方向の中央位置に相当する場所に設置する。次に、前露光を点灯させて、像露光位置に設置されたＬＥＤをＯＦＦにして、グリット電位を８２０Ｖとし、帯電器のワイヤーへ供給する電流を調整して現像器位置での感光体の表面電位が６００Ｖとなるように設定した。次に、先に設定した帯電条件で帯電させた状態で、像露光位置に設置されたＬＥＤを照射し、その照射エネルギーを調整することにより現像器位置の電位を１００Ｖとし、そのときの照射エネルギーを、連続通紙耐久試験前の照射エネルギーとした。次に、図１に示す構成の電子写真装置（キヤノン（株）製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０７５）を用いて連続通紙耐久試験機を準備した。この連続通紙耐久試験機は、感光体１００１とクリーニングブレード１００８との当接圧力を変更可能に改造した電子写真装置である。そして、図４に示す測定装置を用いて、クリーニングブレード保持部材１０１４と固定部材１０１５とを固定する調整ネジ１０１６により、連続通紙耐久試験機の感光体とクリーニングブレードとの当接圧力の設定を行った。図４に示す測定装置４０００の構成を以下に説明する。測定装置４０００は、フランジ４００２、４００３に支持台４００５を組み付けた構造をなす。フランジ４００２、４００３には、ベアリング４００１、４００４が取り付けられ、このベアリング４００１、４００４によって電子写真装置内に、感光体ユニットと同様に回転可能に取り付けられるようになっている。支持台４００５には感光体の軸方向の中心に相当する位置にロードセル４００７（ＴＥＡＣ（株）製：ＴＣ−ＰＡＲ  ２００Ｎ）が取り付けられている。また、ロードセル４００７を中心にそれぞれ１３０ｍｍ左右に離れた位置にロードセル４００６、４００８が取り付けられている。各々のロードセルは表示器（ＴＥＡＣ（株）製：ＴＤ−２４０Ａ  図示せず）に接続され、それぞれのロードセル４００６〜４００８の中心に位置するロードボタン４００９〜４０１１にかかる荷重が読み取れる。また、ロードボタン４００９〜４０１１の先端には幅３０ｍｍ長さ３００ｍｍ肉厚３ｍｍで表面を鏡面加工したアルミ板を幅方向に半径４０ｍｍで湾曲させた受圧板４０１２が設置される。受圧板４０１２はそれぞれのロードボタンを機械的に接続している。この受圧板の湾曲の中心はフランジの中心軸と一致するように、また、表面がフランジの中心軸から４０ｍｍになるように設置されている。この測定装置を感光体の代わりに前述の連続通紙耐久試験機に設置し、３つのロードセルに加わる圧力の和が１５０ｇ±５ｇとなるように調整した。ただし、各ロードセルにかかる圧力は、最大値と最小値の差が１０ｇ以下となるように調整した。そして、測定装置を外し、前述の改造した電子写真装置から取り外した感光体を前述の連続通紙耐久試験機に設置した後、３０℃／８０％ＲＨの環境下で感光体用ヒーターをＯＮの条件で、連続通紙耐久試験を実施した。連続通紙耐久試験時は、連続通紙耐久試験機を稼働して連続通紙耐久試験を実施している間および連続通紙耐久試験機を停止している間を通じて常に感光体用ヒーターをＯＮにする条件で実施した。具体的には、印字率１％のＡ４テストパターンを用いて、１日当たり２．５万枚の連続通紙耐久試験を１０万枚まで行った。また、感光体の表面への物質の付着評価で用いたトナーは、下記の条件により作製されたトナーを用いた。１０万枚連続通紙耐久試験を実施した後、感光体を連続通紙耐久試験機から取り出した。連続通紙耐久試験終了後の感光体を前述の改造した電子写真装置に設置して、連続通紙耐久試験前と同様の方法により、連続通紙耐久試験後の照射エネルギーを測定した。この測定値から連続通紙耐久試験前後の照射エネルギー比（連続通紙耐久試験後の照射エネルギー／連続通紙耐久試験前の照射エネルギー）を求め、これを用いて感光体の表面への物質の付着の評価を行った。ただし、評価結果は比較例１−４で作製した成膜条件Ｎｏ．２０の感光体における連続通紙耐久試験前後の照射エネルギー比を１．００とした相対比較で行った。感光体の表面に物質が付着した場合、連続通紙耐久試験前の照射エネルギーに対して連続通紙耐久試験後の照射エネルギーが増加する。よって、この評価においては、数値が小さいほど表面への物質の付着に関して良好であり、連続通紙耐久試験前後での照射エネルギーの増加が少ないことを示している。なお、表面への物質の付着の評価に対して、Ｄ以上で本発明の効果が得られていると判断した。連続通紙耐久試験前後の照射エネルギー比が、比較例１−４で作製した成膜条件Ｎｏ．２０の感光体における連続通紙耐久試験前後の照射エネルギー比に対して０．９５未満をＡ、０．９６以上０．９７未満をＢ、０．９７以上０．９８未満をＣ、０．９８以上０．９９未満をＤ、０．９９以上１．００未満をＥ、１．００以上をＦとした。
【００６９】
＜表面への物質の付着評価用のトナーの製造例＞まず、結着樹脂を下記の条件により作製した。プロポキシ化ビスフェノールＡ（２．２ｍｏｌ添加）：２５．０ｍｏｌ％、エトキシ化ビスフェノールＡ（２．２ｍｏｌ添加）：２５．０ｍｏｌ％、テレフタル酸：３７．２ｍｏｌ％、無水トリメリット酸：１２．８ｍｏｌ％。エステル化溶媒と前述のモノマーとを５リットルオートクレーブに仕込み、還流冷却器、水分分離装置、Ｎ２ガス導入管、温度計および攪拌装置を付し、オートクレーブ内にＮ２ガスを導入しながら２３０℃で重縮合反応を行った。反応終了後容器から取り出し、冷却、粉砕して結着樹脂を作製した。次に、表面への物質の付着評価用のトナーの製造例を示す。なお、下記に示す部数は質量部である。結着樹脂：１００部、磁性酸化鉄粒子（平均粒径０．１５μｍ、Ｈｃ＝１１．５ｋＡ／ｍ、σｓ＝８８Ａｍ２／ｋｇ、σｒ＝１４Ａｍ２／ｋｇ）：７０部、フィッシャートロプシュワックス（融点：１０１℃）：４部、荷電制御剤（構造式は後述）：２部。前述の材料をヘンシェルミキサーで前混合した後、二軸混錬押し出し機によって、溶融混錬した。作製された混錬物を冷却し、ハンマーミルで粗粉砕した後、ターボミルで粉砕し、得られた微粉砕粉末をコアンダ効果を利用した多分割分級機を用いて分級し、重量平均粒径５．９μｍの負帯電性の磁性トナーを作製した。この磁性トナー粒子１００部に対し、疎水性シリカ微粉体［ＢＥＴ比表面積１５０ｍ２／ｇ、シリカ微粉体１００部に対してヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）３０部およびジメチルシリコーンオイル１０部で疎水処理］を１．０部と無機微粉末として酸化チタン微粉体（Ｄ５０：０．３μｍ）を０．２部、およびチタン酸ストロンチウム微粉体（Ｄ５０：１．０μｍ）３．０部を外添混合し目開き１５０μｍのメッシュで篩い、表面への物質の付着評価用のトナーを作製した。なお、荷電制御剤の構造を以下に示す。
【００７０】
【化１】
2010224534.tif 000018
【００７１】
（階調性評価）階調性評価も、キヤノン（株）製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０７５の改造機を用いた。そして、まず、画像露光光による４５度１７０ｌｐｉ（１インチあたり１７０線）の線密度で面積階調ドットスクリーンを用い面積階調（すなわち画像露光を行うドット部分の面積階調）によって、全階調範囲を１７段階に均等配分した階調データを作成した。このとき最も濃い階調を１６、最も薄い階調を０として各階調に番号を割り当て、階調段階とする。次に、前述の改造した電子写真装置に感光体を設置し、前述した階調データを用いて、テキストモードを用いてＡ３用紙に出力した。このとき、高湿流れが発生すると画像ボケの評価に影響が出るため、２２℃／５０％ＲＨの環境下で、感光体用ヒーターをＯＮにして、感光体の表面を４０℃に保った条件で出力した。得られた画像を各階調ごとに反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ  Ｉｎｃ製：５０４  分光濃度計）により画像濃度を測定した。なお、反射濃度測定では各々の階調ごとに３枚の画像を出力し、それら濃度の平均値を評価値とした。こうして得られた評価値と階調段階との相関係数を算出し、各階調の反射濃度が完全に直線的に変化する階調表現が得られた場合である相関係数＝１．００からの差分を求めた。そして、成膜条件Ｎｏ．１６で作製した感光体の相関係数と相関係数１．００との差分に対する各成膜条件にて作製された感光体の相関係数と相関係数１．００との差分の比を階調性の指標として評価した。この評価において、数値が小さいほど階調性が優れており、直線的に近い階調表現がなされていることを示している。成膜条件Ｎｏ．１６で作製した感光体の相関係数と相関係数＝１．００との差分に対する各成膜条件にて作製された感光体の相関係数と相関係数＝１．００との差分の比が１．８０以下をＡ、１．８０より大きく、２．２０以下をＢ、２．２０より大きい場合をＣとした。
【００７２】
（感度評価）感度評価も、キヤノン（株）製デジタル電子写真装置ｉＲ−５０７５の改造機を用いた。前露光ＬＥＤに接続された外部電源により、前露光ＬＥＤから出力される光量を所定の値に調整した。この電子写真装置に作製した感光体を設置した後、現像器の位置に電位センサーを感光体の長手方向の中央位置に相当する場所に設置した。次に、前露光を点灯させて、像露光をＯＦＦにしてグリット電位を８２０Ｖとし、帯電器のワイヤーへ供給する電流を調整して現像器位置での感光体の表面電位が４００Ｖとなるように設定した。次に、先に設定した帯電条件で帯電させた状態で、感光体の表面に像露光光を照射し、その照射エネルギーを調整することにより現像器位置の電位を１００Ｖとした。感度評価で用いた電子写真装置の像露光光源は、発振波長が６５８ｎｍの半導体レーザーである。評価結果は比較例１−４で作製した成膜条件Ｎｏ．２０の感光体を搭載した場合の照射エネルギーを１．００とした相対比較で行った。比較例１−４で作製した成膜条件Ｎｏ．２０の感光体での照射エネルギーに対する照射エネルギーの比が１．１０未満をＡ、１．１０以上１．１５未満をＢ、１．１５以上１．２０未満をＣ、１．２０以上をＤとした。
【００７３】
（ｓｐ３性評価）ｓｐ３性は、感光体の任意の周方向における長手方向の中央部を１０ｍｍ四方で切り出した試料を、レーザーラマン分光光度計（日本分光（株）製：ＮＲＳ−２０００）により算出した。具体的な測定条件は、光源：Ａｒ＋レーザー  ５１４．５ｎｍ、レーザー強度：２０ｍＡ、対物レンズ：５０倍とし、中心波長を１３９０ｃｍ−１、露光時間３０秒、積算５回で３回測定した。得られたラマンスペクトルの解析方法を以下に示す。ショルダーラマンバンドのピーク波数を１３９０ｃｍ−１で固定し、主ラマンバンドのピーク波数を１４８０ｃｍ−１に設定して固定せずに、ガウシアン分布を用いてカーブフィッティングを行った。このとき、ベースラインは直線近似とした。カーブフィッティングより得られた主ラマンバンドのピーク強度（ＩＧ）とショルダーラマンバンドのピーク強度（ＩＤ）よりＩＤ／ＩＧを求め、３回の平均値をｓｐ３性の評価に用いた。
【００７４】
実施例１−３および比較例１−３、１−４について、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度、ｓｐ３性、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、階調性および感度に関する結果を表１−１６に示す。
【００７５】
【表１６】
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【００７６】
表１−１６の結果より、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上にすることにより、耐酸化性および表面への物質の付着が良化することがわかった。また、Ｓｉ＋Ｃ密度を６．８１×１０２２原子／ｃｍ３以上にすることにより、耐酸化性および表面への物質の付着がさらに良好となることがわかった。この結果より、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を前述の範囲とすることで、ａ−ＳｉＣ表面層の表面の変質が抑制され、感光体内に入射する前露光光の光量の安定性に優れたａ−ＳｉＣ表面層が得られることがわかった。そして、耐酸化性および表面への物質の付着が良好であった成膜条件Ｎｏ．１６〜１８の感光体を耐酸化性評価後に実施例１−１と同様の帯電能評価を、また表面への物質の付着評価後にゴースト評価を行った。その結果、ゴースト評価および帯電能評価ともに評価結果はＢ以上であった。ただし、帯電能評価およびゴースト評価時の前露光ＬＥＤから出力される光量は、２．４μＪ／ｃｍ２となるように調整した。この結果より、下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａより算出したＬｎ（Ａ）を、−１２．０≦Ｌｎ（Ａ）≦−４．５とし、かつ、上部光導電層におけるＢ密度を下部光導電層におけるＢ密度よりも少なくし、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上とすることで、感光体内に入射する前露光光の光量の安定性が高まり、かつ、帯電能向上、ゴースト抑制が両立することがわかった。
【００７７】
＜実施例１−４＞実施例１−３と同様に、表１−１２に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表１−１７に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつとした。実施例１−４で作製した感光体について、実施例１−３と同様に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、Ｌｎ（Ａ）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表１−１８に示す。
【００７８】
【表１７】
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【００７９】
【表１８】
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【００８０】
表１−１８の結果より、表面層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．６１以上にすることで階調性が良好となることがわかった。また、表面層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．７５以下にすることで、光吸収が抑制され、感度が良好となることがわかった。そして、実施例１−４で作製した成膜条件Ｎｏ．２１〜２６の感光体を耐酸化性評価後に実施例１−１と同様の帯電能評価を、また表面への物質の付着評価後にゴースト評価を行った。その結果、帯電能評価およびゴースト評価ともに評価結果はＢ以上であった。ただし、帯電能評価およびゴースト評価時の前露光ＬＥＤから出力される光量は、２．４μＪ／ｃｍ２となるように調整した。この結果より、下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａより算出したＬｎ（Ａ）を−１２．０以上−４．５以下とし、上部光導電層中のＢ密度を下部光導電層におけるＢ密度よりも少なくし、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上としたうえで、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を前述の範囲とすることで、階調性および感度に優れた感光体が得られることがわかった。
【００８１】
＜実施例１−５＞実施例１−３と同様に、表１−１２に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表１−１９に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつとした。実施例１−５で作製した感光体について、実施例１−３と同様に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、Ｌｎ（Ａ）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表１−２１に示す。
【００８２】
【表１９】
2010224534.tif 000022
【００８３】
＜実施例１−６＞実施例１−３と同様に、表１−１２に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表１−２０に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつとした。実施例１−６で作製した感光体について、実施例１−３と同様に、表面層の、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、Ｌｎ（Ａ）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表１−２１に示す。
【００８４】
【表２０】
2010224534.tif 000023
【００８５】
【表２１】
2010224534.tif 000024
【００８６】
表１−２１の結果より、表面層のＨ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ）を０．３０以上にすることにより、光吸収が抑制されたため感度が良化することがわかった。また、表面層のＨ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ）を０．４５以下にすることにより、耐酸化性および表面への物質の付着がさらに良化した。そして、実施例１−５および実施例１−６で作製した成膜条件Ｎｏ．２７〜３４の感光体を耐酸化性評価後に実施例１−１と同様の帯電能評価を、また、感光体の表面への物質の付着評価後にゴースト評価を行った。その結果、帯電能評価およびゴースト評価ともに評価結果はＢ以上であった。その結果、帯電能評価およびゴースト評価ともに評価結果はＢ以上であった。ただし、帯電能評価およびゴースト評価時の前露光ＬＥＤから出力される光量は、２．４μＪ／ｃｍ２となるように調整した。この結果より、下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａより算出したＬｎ（Ａ）を−１２．０以上−４．５以下とし、上部光導電層におけるＢ密度を下部光導電層におけるＢ密度よりも少なくし、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上としたうえで、表面層のＨ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ）を前述の範囲とすることで、さらに感度に優れ、かつ、感光体内に入射する前露光光の光量の安定性に優れることがわかった。
【００８７】
＜実施例１−７＞実施例１−３と同様に、表１−１２に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表１−２２に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつとした。実施例１−７で作製した感光体について、実施例１−３と同様に、表面層の、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、Ｌｎ（Ａ）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表１−２４に示す。
【００８８】
【表２２】
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【００８９】
＜実施例１−８＞実施例１−３と同様に、表１−１２に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表１−２３に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつとした。実施例１−８で作製した感光体について、実施例１−３と同様に、表面層の、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、Ｌｎ（Ａ）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表１−２４に示す。
【００９０】
【表２３】
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【００９１】
実施例１−７および実施例１−８について、表面層の、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度、ｓｐ３性、耐酸化性、表面への物質の付着（表面付着）、階調性および感度に関する結果を表１−２４に示す。
【００９２】
【表２４】
2010224534.tif 000027
【００９３】
表１−２４の結果より、表面層のｓｐ３性を０．７０以下にすることにより、耐酸化性および表面への物質の付着がさらに良化した。そして、表面層のｓｐ３性が０．２０以上では、耐酸化性および表面への物質の付着が良好であることがわかった。そして、実施例１−７および実施例１−８で作製した成膜条件Ｎｏ．３５〜４２の感光体を耐酸化性評価後に実施例１−１と同様の帯電能評価を、また表面への物質の付着評価後にゴースト評価を行った。その結果、帯電能評価およびゴースト評価ともに評価結果はＢ以上であった。ただし、帯電能評価およびゴースト評価時の前露光ＬＥＤから出力される光量は、２．４μＪ／ｃｍ２となるように調整した。この結果より、下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａより算出したＬｎ（Ａ）がを−１２．０以上−４．５以下とし、上部光導電層におけるＢ密度を下部光導電層におけるＢ密度よりも少なくし、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上としたうえで、表面層のｓｐ３性を０．２０以上０．７０以下の範囲とすることで、さらに感光体内に入射する前露光光の光量の安定性に優れることがわかった。
【００９４】
（第二下部光導電層および上部光導電層サンプル作製方法）前述した上部光導電層サンプル作製方法と同様にして、下記表２−１に示す条件で第二下部光導電層のみを形成して第二下部光導電層サンプルを作製した。また、同様に上部光導電層サンプルを作製した。下記条件により作製した第二下部光導電層および上部光導電層サンプルについて、前述した算出方法にて吸収係数を算出した。ただし、吸収係数を算出する際の波長は６３０ｎｍ、６７０ｎｍとした。その結果を表２−３中に示す。また、前述した表面層サンプル作製方法により、表１−２に示す条件で表面層のみを堆積させた表面層サンプルを用いて、第二下部光導電層および上部光導電層サンプルと同様の評価条件にて、波長６３０ｎｍ、６７０ｎｍにおける表面層の吸収係数を算出した。その結果を表２−３中に示す。
【００９５】
【表２５】
2010224534.tif 000028
【００９６】
【表２６】
2010224534.tif 000029
【００９７】
＜実施例２−１＞図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ装置を用いて、円筒状基体上にプラス帯電ａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、下記表２−４に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成した。さらに、第一下部光導電層、第二下部光導電層および上部光導電層の層厚の和が２８μｍとなるように、また、上部光導電層と表面層の層厚が下記表２−５となるように成膜時間を調整して作製した。表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度は６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上であった。実施例２−１で作製した各成膜条件の感光体について、後述の評価条件にて帯電能およびゴーストを評価し、後述の算出方法により第二下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａに係るＬｎ（Ａ）を算出した。それらの結果を表２−７中に示す。ただし、実施例２−１で作製した各成膜条件の感光体のゴースト評価を行う際には、前露光ＬＥＤに接続された外部電源により感光体の表面に照射される前露光光の光量Ｉを表２−５に示す条件で行った。なお、第一下部光導電層および第二下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量に対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入した場合、後述したＢ密度の測定により得られる第一下部光導電層および第二下部光導電層におけるＢ密度は、それぞれ２．４１×１０１６原子／ｃｍ３、２．４８×１０１６原子／ｃｍ３であった。また、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、上部光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。また、第一下部光導電層、第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度を後述する方法により測定した。その結果、第二下部光導電層と上部光導電層におけるＨ密度は等しかった。次に、第一下部光導電層におけるＨ密度の平均値（α）〔原子／ｃｍ３〕と第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度の平均値（β）〔原子／ｃｍ３〕との比（β／α）を求めた。その結果、β／αは０．７０であった。また、後述の算出方法により第一下部光導電層に到達する像露光光の光量Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。
【００９８】
【表２７】
2010224534.tif 000030
【００９９】
【表２８】
2010224534.tif 000031
【０１００】
＜比較例２−１＞実施例２−１と同様に、上記表２−４に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、上部光導電層と表面層の層厚を下記表２−６に示す層厚になるように成膜時間を調整して作製した。比較例２−１で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）、帯電能およびゴーストの評価を行った。それらの結果を表２−７中に示す。ただし、比較例２−１で作製した各成膜条件の感光体のゴースト評価を行う際には、前露光ＬＥＤに接続された外部電源により感光体の表面に照射される前露光光の光量を表２−６に示す条件で行った。
【０１０１】
【表２９】
2010224534.tif 000032
【０１０２】
（帯電能評価）実施例１−１と同様にして帯電能の評価を行った。なお、評価結果は実施例２−１で作製した成膜条件Ｎｏ．１０４の感光体を搭載した場合の表面電位を１．００とした相対比較で示した。なお、帯電能が低い感光体を用いた電子写真装置においては、プロセススピードを速くすることによる電子写真装置の高速化を実現することが困難となる場合がある。このような理由により、帯電能の評価に対して、Ｂ以上で本発明の効果が得られていると判断した。実施例２−１で作製した成膜条件Ｎｏ．１０４の感光体での表面電位に対する表面電位の比が、０．９６以上をＡ、０．９２以上０．９６未満をＢ、０．９２未満をＣとした。
【０１０３】
（ゴースト評価）実施例１−１と同様にしてゴースト評価を行った。評価結果は比較例２−１で作製した成膜条件Ｎｏ．１０９の感光体を搭載した場合の前記基準位置での反射濃度Ｆと前記比較位置での反射濃度の平均値Ｇの差（Ｆ−Ｇ）を１．００とした相対比較で示した。この評価においては、数値が小さいほどゴーストに対して良好である。なお、ゴーストの評価に対して、Ｂ以上で本発明の効果が得られていると判断した。前述の（Ｆ−Ｇ）が比較例２−１で作製した成膜条件Ｎｏ．１０９の感光体に対して、０．８未満をＡ、０．８以上１．０未満をＢ、１．０以上をＣとした。
【０１０４】
（Ｌｎ（Ａ）の算出方法）Ｌｎ（Ａ）の算出方法は、実施例１−１と同様とした。実施例２−１および比較例２−１で作製した感光体の反射率を測定したところ、１０．８％±０．１であった。よって、Ｌｎ（Ａ）の算出時の反射率として、ａ＝０．１０８を用いた。次に、下記の式（７）により第二下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａを算出した。最後に、算出されたＡを自然対数で返して、Ｌｎ（Ａ）を算出した。Ａ＝ｅｘｐ（−α＊２・ｄ２・１０−４）・ｅｘｐ（−α＊１・ｄ１・１０−４）・Ｉ（１−ａ）  ・・・（７）。α＊１：表２−３に示す表面層の６３０ｎｍにおける吸収係数α＊１。α＊２：上部光導電層の６３０ｎｍにおける吸収係数α＊２。ｄ１（μｍ）：表２−５、表２−６に示す表面層の層厚。ｄ２（μｍ）：上部光導電層の層厚。Ｉ〔μＪ／ｃｍ２〕：前露光光の光量。ａ：反射率。なお、実際の感光体の光導電層にはホウ素原子が含有されているが、吸収係数への影響は小さいため、表２−３に示す吸収係数を使用している。
【０１０５】
（Ｂ密度の測定方法）実施例１−１と同様にして、Ｂ密度を測定した。各層におけるＢ密度は、各層における深さ方向の測定値を平均した値をもってＢ密度としている。
【０１０６】
（Ｈ密度の測定方法）感光体の任意の周方向における長手方向の中央部を５ｍｍ四方で切り出し試料を作製し、二次イオン質量分析法（アルバック・ファイ製、Ｍｏｄｅｌ  ６６５０）により、感光体の深さ方向のＨ密度を測定した。本測定においては、一次イオン種としてはセシウムイオンを使用し、二次イオンとしてＨ−を検出している。なお、測定終了後一次イオン照射によってスパッタされた部分の深さを測定することでスパッタレートを算出し、その結果を基に密度の算出を行った。さらに、Ｓｉウエハに定量の水素をイオン注入した標準サンプルを作製し、前述した標準サンプルを同様の方法で測定した結果を基にＨ密度の定量計算を行った。また、各層のＨ密度は、各層における深さ方向の測定値を平均した値をもってＨ密度としている。
【０１０７】
実施例２−１および比較例２−１について、Ｌｎ（Ａ）、帯電能およびゴーストに関する結果を表２−７中に示す。
【０１０８】
【表３０】
2010224534.tif 000033
【０１０９】
表２−７の結果より、第二下部光導電層に到達する前露光光の光量Ａより算出したＬｎ（Ａ）を−１２．０以上−４．５以下にすることにより、帯電能低下の弊害無くゴーストが良好となることがわかった。
【０１１０】
＜実施例２−２−１＞実施例２−１と同様に、下記表２−８に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成した。第二下部光導電層および第一下部光導電層の層厚を下記表２−９となるように成膜時間を調整して作製した。なお、第一下部光導電層および第二下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量に対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入している。その結果、前述したＢ密度の測定により得られる第一下部光導電層中および第二下部光導電層におけるＢ密度は、それぞれ２．４１×１０１６原子／ｃｍ３、２．４８×１０１６原子／ｃｍ３であった。また、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、上部光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。また、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層におけるＨ密度を前述した方法により測定した。その結果、第二下部光導電層と上部光導電層におけるＨ密度は等しかった。次に、第一下部光導電層におけるＨ密度の平均値（α）〔原子／ｃｍ３〕と第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度の平均値（β）〔原子／ｃｍ３〕の比（β／α）を求めた。その結果、β／αは０．７０であった。また、実施例２−２−１で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。実施例２−２−１で作製した各成膜条件の感光体について、後述の評価条件にてゴーストの評価し、後述の算出方法により第一下部光導電層に到達する像露光光の光量Ｌｎ（Ｂ）を算出した。それらの結果を表２−１１中に示す。
【０１１１】
【表３１】
2010224534.tif 000034
【０１１２】
【表３２】
2010224534.tif 000035
【０１１３】
＜実施例２−２−２＞実施例２−２−１と同様に、上記表２−８に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、第一下部光導電層および第二下部光導電層の層厚を下記表２−１０となるように成膜時間を調整して作製した。実施例２−２−２で作製した各成膜条件の感光体について、後述の評価条件にてゴーストの評価し、後述の算出方法により第一下部光導電層に到達する像露光光の光量Ｌｎ（Ｂ）を算出した。それらの結果を表２−１１中に示す。
【０１１４】
【表３３】
2010224534.tif 000036
【０１１５】
（ゴースト評価）実施例２−１と同様の方法により、以下の基準でゴースト評価を行った。前述のとおり、感光体の基準位置での反射濃度Ｆと比較位置での反射濃度の平均値Ｇの差を（Ｆ−Ｇ）と表記するとき、（Ｆ−Ｇ）の値が、実施例２−２−２で作製した成膜条件Ｎｏ．１１４の感光体に対して、０．８未満をＡ、０．８以上１．０未満をＢ、１．０以上をＣとした。
【０１１６】
（Ｌｎ（Ｂ）の算出方法）Ｌｎ（Ｂ）の算出方法は以下のとおりとした。作製直後の感光体の表面での波長６７０ｎｍの反射率を感光体の任意の周方向で感光体の長手方向の中央位置および前述した任意の周方向から９０°、１８０°、２７０°回転させた位置の合計４点を測定した。得られた波長６７０ｎｍの反射率の平均値ａを求め、この平均値を各成膜条件で作製した感光体の反射率とした。実施例２−２−１および実施例２−２−２で作製した感光体の反射率を測定した。その結果、１２．０％±０．１であった。よって、Ｌｎ（Ｂ）の算出時の反射率として、ａ＝０．１２０を用いた。次に、下記式（７）により第一下部光導電層に到達する像露光光の光量Ｂを算出した。最後に、算出された第一下部光導電層に到達する像露光光の光量Ｂを自然対数で返して、Ｌｎ（Ｂ）を算出した。式（７）：Ｂ＝ｅｘｐ（−α＊２・（ｄ２＋ｄ３）・１０−４）・ｅｘｐ（−α＊１・ｄ１・１０−４）・Ｉ（１−ａ）。α＊１：表２−３に示す表面層の６７０ｎｍにおける吸収係数。α＊２：上部光導電層（第二下部光導電層）の６７０ｎｍにおける吸収係数。ｄ１（μｍ）：表２−８に示す表面層の層厚。ｄ３（μｍ）：表２−９または表２−１０に示す第二下部光導電層の層厚。ｄ２（μｍ）：表２−８に示す上部光導電層の層厚。ａ：反射率。Ｉ：像露光光の光量＝０．３５μＪ／ｃｍ２。なお、実際の感光体の光導電層にはホウ素原子が含有されているが、吸収係数への影響は小さいため表２−３に示す吸収係数を使用している。
【０１１７】
実施例２−２−１および実施例２−２−２について、Ｌｎ（Ｂ）、ゴーストに関する結果を表２−１１中に示す。
【０１１８】
【表３４】
2010224534.tif 000037
【０１１９】
表２−１１の結果より、第一下部光導電層に到達する像露光光の光量Ｂより算出したＬｎ（Ｂ）を−６．５以下にすることにより、ゴーストがさらに良好となることがわかった。
【０１２０】
＜実施例２−３＞実施例２−１と同様に、下記表２−１２に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、上部光導電層形成時のＢ２Ｈ６流量を下記表２−１３に示す条件で作製した。実施例２−３で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様にゴーストの評価を行い、Ｂ密度を求めた。それらの結果を表２−１５に示す。ただし、ゴースト評価時の前露光ＬＥＤから出力される光量は、２．４μＪ／ｃｍ２となるように調整した。また、成膜条件Ｎｏ．１１５においては上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、第３光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。また、第一下部光導電層、第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度を前述した方法により測定した。その結果、第二下部光導電層と上部光導電層のＨ密度は等しかった。次に、第一下部光導電層におけるＨ密度の平均値（α）〔原子／ｃｍ３〕と第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度の平均値（β）〔原子／ｃｍ３〕の比（β／α）を求めた。その結果、β／αは０．７０であった。また、実施例２−３で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−３で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。
【０１２１】
【表３５】
2010224534.tif 000038
【０１２２】
【表３６】
2010224534.tif 000039
【０１２３】
＜比較例２−３＞実施例２−２と同様に、上記表２−１２に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、上部光導電層形成時のＢ２Ｈ６流量を下記表２−１４に示す条件で作製した。比較例２−３で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−３と同様に、ゴーストの評価を行い、Ｂ密度を求めた。それらの結果を表２−１５中に示す。ただし、ゴースト評価時の前露光ＬＥＤから出力される光量は、２．４μＪ／ｃｍ２となるように調整した。また、比較例２−３で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、比較例２−３で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。
【０１２４】
【表３７】
2010224534.tif 000040
【０１２５】
実施例２−３、比較例２−３で作製した各成膜条件の感光体について、第二下部光導電層におけるＸ／Ｙおよびゴーストの評価結果を表２−１５中に示す。
【０１２６】
【表３８】
2010224534.tif 000041
【０１２７】
表２−１５の結果より、第一下部光導電層および第二下部光導電層におけるＢ密度よりも上部光導電層におけるＢ密度を少なくすることにより、ゴーストが良好となった。また、Ｙ／Ｘが０．５未満となることにより、さらにゴーストが良好となった。また、Ｙ／Ｘが０であっても、良好なゴーストが維持されていることがわかった。
【０１２８】
＜実施例２−４−１＞実施例２−１と同様に、下記表２−１６に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成した。第二下部光導電層および上部光導電層形成時のＳｉＨ４流量、高周波電力を下記表２−１７に示す条件とした。なお、第一下部光導電層および第二下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量に対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入した。その結果、後述したＢ密度の測定により得られる第一下部光導電層中および第二下部光導電層におけるＢ密度は、２．３６×１０１６原子／ｃｍ３以上２．５６×１０１６原子／ｃｍ３以下の範囲にあった。また、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、上部光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。また、実施例２−４−１で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−４−１で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２−１と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。実施例２−４−１で作製した各成膜条件の感光体について、下記の方法で、帯電能、ゴーストの評価を行った。また、第一下部光導電層、第二下部光導電層および上部光導電層のＨ密度を前述した方法により測定した。その結果、第二下部光導電層と上部光導電層におけるＨ密度は等しかった。次に、第一下部光導電層におけるＨ密度の平均値（α）〔原子／ｃｍ３〕と第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度の平均値（β）〔原子／ｃｍ３〕の比（β／α）を求めた。それらの結果を表２−１９中に示す。
【０１２９】
【表３９】
2010224534.tif 000042
【０１３０】
【表４０】
2010224534.tif 000043
【０１３１】
＜実施例２−４−２＞実施例２−４−１と同様に、上記表２−１６に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、第二下部光導電層および上部光導電層形成時のＳｉＨ４流量、高周波電力を下記表２−１８に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で２本ずつ作製した。実施例２−４−２で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−４−２で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。実施例２−４−２で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−４−１と同様に、下記の方法で帯電能、ゴーストおよびβ／αの評価を行った。それらの結果を表２−１９中に示す。
【０１３２】
【表４１】
2010224534.tif 000044
【０１３３】
（帯電能評価）実施例２−１と同様の方法により、以下の基準でゴースト評価を行った。実施例２−４−２で作製した成膜条件Ｎｏ．１２５の感光体での表面電位に対する表面電位の比が、０．９６以上をＡ、０．９２以上０．９６未満をＢ、０．９２未満をＣとした。
【０１３４】
（ゴースト評価）実施例２−１と同様の方法により、以下の基準でゴースト評価を行った。前述のとおり、感光体の基準位置での反射濃度Ｆと比較位置での反射濃度の平均値Ｇの差を（Ｆ−Ｇ）と表記するとき、（Ｆ−Ｇ）の値が、実施例２−４−２で作製した成膜条件Ｎｏ．１２５の感光体に対して、０．８未満をＡ、０．８以上１．０未満をＢ、１．０以上をＣとした。
【０１３５】
【表４２】
2010224534.tif 000045
【０１３６】
表２−１９の結果より、β／αが０．５以上１．０未満となることにより、帯電能を維持した状態でさらに良好なゴーストを得ることができることがわかる。
【０１３７】
＜実施例２−５＞実施例２−１と同様に、下記表２−２０に示す条件でａ−Ｓｉ感光体を作製した。その際、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表２−２１に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつとした。なお、第一下部光導電層および第二下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入している。その結果、前述したＢ密度の測定により得られる第一下部光導電層中および第二下部光導電層におけるＢ密度は、それぞれ２．４１×１０１６原子／ｃｍ３、２．４８×１０１６原子／ｃｍ３であった。また、上部光導電層形成時にはＢ２Ｈ６を導入しておらず、Ｂ密度は検出下限以下であったため、上部光導電層におけるＢ密度は０．００原子／ｃｍ３とする。また、第一下部光導電層、第二下部光導電層および上部光導電層のＨ密度を前述した方法により測定した。その結果、第二下部光導電層と上部光導電層におけるＨ密度は等しかった。次に、第一下部光導電層におけるＨ密度の平均値（α）〔原子／ｃｍ３〕と第二下部光導電層および上部光導電層におけるＨ密度の平均値（β）〔原子／ｃｍ３〕の比（β／α）を求めた。その結果、β／αは０．７０であった。また、実施例２−５で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−５で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。実施例２−５で作製した各成膜条件４本ずつの感光体について、各成膜条件１本目の感光体を用いて、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度、およびｓｐ３性を後述の分析方法により求めた。そして、各成膜条件２本目の感光体を用いて、後述の評価条件にて耐酸化性を、各成膜条件３本目の感光体を用いて、後述の評価条件にてトナー融着の評価を行った。さらに、各成膜条件４本目の感光体により、後述の評価条件にて階調性および感度の評価を行った。それらの結果を表２−２４中に示す。
【０１３８】
【表４３】
2010224534.tif 000046
【０１３９】
【表４４】
2010224534.tif 000047
【０１４０】
＜比較例２−５＞実施例２−５と同様に上記表２０に示す条件でプラス帯電ａ−Ｓｉ感光体を４本作製した。ただし、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表２−２２に示す条件とした。また、比較例２−５で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、比較例２−５で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２−１と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。比較例２−５で作製した感光体について、実施例２−５と同様に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表２−２４中に示す。
【０１４１】
【表４５】
2010224534.tif 000048
【０１４２】
＜比較例２−６＞図３に示す周波数としてＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ装置を用いて、円筒状基体上に下記表２−２３に示す条件でプラス帯電ａ−Ｓｉ感光体を４本作製した。なお、第一下部光導電層および第二下部光導電層形成時にＳｉＨ４流量に対するＢ２Ｈ６流量を０．５０ｐｐｍ導入している。その結果、前述したＢ密度の測定により得られる第一下部光導電層中および第二下部光導電層におけるＢ密度は、それぞれ２．４１×１０１６原子／ｃｍ３、２．４８×１０１６原子／ｃｍ３であった。また、比較例２−６で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、比較例２−６で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２−１と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。比較例２−６で作製した感光体について、実施例２−５と同様に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表２−２４中に示す。なお、比較例２−６で作製した感光体の成膜条件Ｎｏ．を１３０とした。
【０１４３】
【表４６】
2010224534.tif 000049
【０１４４】
（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）の測定、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）の測定）まず、表２−２０の電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層および上部光導電層のみを積層させたリファレンス感光体を作製し、任意の周方向における長手方向の中央部を１５ｍｍ四方で切り出し、リファレンス試料を作製した。次に、電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層および表面層を積層させた感光体を同様に切り出し、測定用試料を作製した。リファレンス試料と測定用試料を用いて実施例１−２と同様にして、表面層の層厚、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）を求めた。ただし、層厚算出の際に用いる計算モデルは電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層および表面層を順次積層し、最表面に表面層と空気層が共存する粗さ層を有する層構成とした。
【０１４５】
（耐酸化性評価）耐酸化性評価は、実施例１−２と同様にして行った。
【０１４６】
（表面への物質の付着評価）表面への物質の付着の評価は、実施例１−２と同様にして行った。ただし、評価基準は以下のとおりとした。連続通紙耐久試験前後の照射エネルギー比が、比較例２−６で作製した成膜条件Ｎｏ．１３０の感光体における連続通紙耐久試験前後の照射エネルギー比に対して０．９５未満をＡ、０．９６以上０．９７未満をＢ、０．９７以上０．９８未満をＣ、０．９８以上０．９９未満をＤ、０．９９以上１．００未満をＥ、１．００以上をＦとした。
【０１４７】
（階調性評価）階調性評価は、実施例１−２と同様にして行った。ただし、評価基準は以下のとおりとした。成膜条件Ｎｏ．１２６で作製した感光体の相関係数と相関係数＝１．００との差分に対する各成膜条件にて作製された感光体の相関係数と相関係数＝１．００との差分の比が１．８０以下をＡ、１．８０より大きく、２．２０以下をＢ、２．２０より大きい場合をＣとした。
【０１４８】
（感度評価）感度評価は、実施例１−２と同様にして行った。ただし、評価結果は比較例２−６で作製した成膜条件Ｎｏ．１３０の感光体を搭載した場合の照射エネルギーを１．００とした相対比較で示した。なお、感度評価に対して、Ｃ以上で本発明の効果が得られていると判断した。比較例２−６で作製した成膜条件Ｎｏ．１３０の感光体での照射エネルギーに対する照射エネルギーの比が１．１０未満をＡ、１．１０以上１．１５未満をＢ、１．１５以上１．２０未満をＣ、１．２０以上をＤとした。
【０１４９】
（ｓｐ３性評価）ｓｐ３性の評価は、実施例１−２と同様にして行った。実施例２−５および比較例２−５、比較例２−６について、表面層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性、ならびに耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性および感度に関する結果を表２−２４中に示す。
【０１５０】
【表４７】
2010224534.tif 000050
【０１５１】
表２−２４の結果より、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上にすることにより、耐酸化性およびトナー融着が良化することがわかった。また、Ｓｉ＋Ｃ密度を６．８１×１０２２原子／ｃｍ３以上にすることにより、耐酸化性および表面への物質の付着（トナー融着）がさらに良好となることがわかった。この結果より、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を上記範囲とすることで、ａ−ＳｉＣ表面層の表面の変質が抑制され、感光体内に入射する前露光光の光量の安定性に優れたａ−ＳｉＣ表面層が得られることがわかった。なお、耐酸化性およびトナー融着が良好であった成膜条件Ｎｏ．１２６〜１２８の感光体を耐酸化性評価後に実施例２−１と同様のゴースト評価を行い、トナー融着評価後に帯電能評価を行った。その結果、ゴースト評価および帯電能評価ともに評価結果はＢ以上であった。
【０１５２】
＜実施例２−６＞実施例２−５と同様に、上記表２−２０に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表２−２５に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつとした。実施例２−６で作製した感光体について、実施例２−５と同様に、表面層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表２−２６中に示す。また、実施例２−６で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−６で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２−１と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。
【０１５３】
【表４８】
2010224534.tif 000051
【０１５４】
【表４９】
2010224534.tif 000052
【０１５５】
表２−２６の結果より、表面層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．６１以上にすることで階調性が良好となることがわかった。また、表面層におけるＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．７５以下にすることで、光吸収が抑制され、感度が良好となることがわかった。この結果より、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上としたうえで、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を上記範囲とすることで、階調性および感度に優れた感光体が得られ、電子写真特性として優れた感光体が得られることがわかった。なお、実施例２−６で作製した成膜条件Ｎｏ．１３１〜１３６の感光体を耐酸化性評価後に実施例２−１と同様のゴースト評価を行い、トナー融着評価後に帯電能評価を行った。その結果、ゴースト評価および帯電能評価ともに評価結果はＢ以上であった。
【０１５６】
＜実施例２−７＞実施例２−５と同様に、上記表２−２０に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表２−２７に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつ作製した。実施例２−７で作製した感光体について、実施例２−５と同様に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表２−２９中に示す。また、実施例２−７で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−７で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２−１と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。
【０１５７】
【表５０】
2010224534.tif 000053
【０１５８】
＜実施例２−８＞実施例２−５と同様に、上記表２−２０に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表２−２８に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつ作製した。実施例２−８で作製した感光体について、実施例２−５と同様に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表２−２９中に示す。また、実施例２−８で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−８で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２−１と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。
【０１５９】
【表５１】
2010224534.tif 000054
【０１６０】
実施例２−７および実施例２−８について、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度、ｓｐ３性、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性および感度に関する結果を表２−２９中に示す。
【０１６１】
【表５２】
2010224534.tif 000055
【０１６２】
表２−２９の結果より、表面層のＨ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ）を０．３０以上にすることにより、光吸収が抑制されたため感度が良化した。また、表面層のＨ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ）を０．４５以下にすることにより、耐酸化性、および表面への物質の付着がさらに良化した。この結果より、表面層におけるＳｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上としたうえで、表面層のＨ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ）を上記範囲とすることで、さらに感度に優れた感光体が得られることがわかった。かつ、感光体内に入射する前露光光の光量の安定性に優れたａ−ＳｉＣ表面層が得られることがわかった。なお、実施例２−７および実施例２−８で作製した成膜条件Ｎｏ．１３７〜１４４の感光体を耐酸化性評価後に実施例２−１と同様のゴースト評価を行い、トナー融着評価後に帯電能評価を行った。その結果、ゴースト評価および帯電能評価ともに評価結果はＢ以上であった。
【０１６３】
＜実施例２−９＞実施例２−５と同様に、上記表２−２０に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表２−３０に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつ作製した。実施例２−９で作製した感光体について、実施例２−５と同様に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表２−３２中に示す。また、実施例２−９で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−９で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２−１と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。
【０１６４】
【表５３】
2010224534.tif 000056
【０１６５】
＜実施例２−１０＞実施例２−９と同様に、上記表２−２０に示す条件で電荷注入阻止層、第一下部光導電層、第二下部光導電層、上部光導電層、表面層の順に形成し、表面層形成時の高周波電力、ＳｉＨ４流量およびＣＨ４流量を下記表２−３１に示す条件とした。また、感光体の作製本数は、各成膜条件で４本ずつ作製した。実施例２−１０で作製した感光体について、実施例２−５と同様に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度およびｓｐ３性を求め、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性、感度を評価した。それらの結果を表２−３２中に示す。また、実施例２−１０で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−１と同様に、Ｌｎ（Ａ）を算出したところ、Ｌｎ（Ａ）は−１２．０〜−４．５の範囲内であった。また、実施例２−１０で作製した各成膜条件の感光体について、実施例２−２−１と同様に、Ｌｎ（Ｂ）を算出したところ、Ｌｎ（Ｂ）は−６．５以下であった。
【０１６６】
【表５４】
2010224534.tif 000057
【０１６７】
実施例２−９および実施例２−１０について、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）、Ｓｉ密度、Ｃ密度、Ｓｉ＋Ｃ密度、Ｈ／（ＳＩ＋Ｃ＋Ｈ）、Ｈ密度、ｓｐ３性、耐酸化性、トナー融着（表面付着）、階調性および感度に関する結果を表２−３２中に示す。
【０１６８】
【表５５】
2010224534.tif 000058
【０１６９】
表２−３２の結果より、表面層のｓｐ３性を０．７０以下にすることにより、耐酸化性およびトナー融着がさらに良化することがわかった。そして、表面層のｓｐ３性が０．２０以上では、耐酸化性およびトナー融着が良好であることがわかった。これにより、Ｓｉ＋Ｃ密度を６．６０×１０２２原子／ｃｍ３以上としたうえで、ｓｐ３性を０．２０以上０．７０以下の範囲とすることで、さらに感光体内に入射する前露光光の光量の安定性に優れたａ−ＳｉＣ表面層が得られることがわかった。なお、実施例２−９および実施例２−１０で作製した成膜条件Ｎｏ．１４５〜１５２の感光体を耐酸化性評価後に実施例２−５と同様のゴースト評価を行い、トナー融着評価後に帯電能評価を行った。その結果、ゴースト評価および帯電能評価ともに評価結果はＢ以上であった。
【図１】
2010224534.tif 000059
【図２】
2010224534.tif 000060
【図３】
2010224534.tif 000061
【図４】
2010224534.tif 000062
【図５】
2010224534.tif 000063
【図６】
2010224534.tif 000064
【図７】
2010224534.tif 000065
【図８】
2010224534.tif 000066
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）、炭素原子の原子数（Ｃ）および水素原子の原子数（Ｈ）の和に対する水素原子の原子数の比（Ｈ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ））が０．３０以上０．４５以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成方法。