(57)【要約】【課題】着色がなく、硬度の高い透明導電膜を提供すること。【解決手段】本発明の透明導電膜は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと、ポリビニルアルコールと、を含有する材料で構成されており、波長４５０ｎｍでの吸光度Ｔ１と波長７５０ｎｍでの吸光度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が０．９〜１．１であることを特徴とする。【選択図】図１
2010277768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと、
ポリビニルアルコールと、を含有する材料で構成されており、
波長４５０ｎｍでの吸光度Ｔ１と波長７５０ｎｍでの吸光度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が
０．９〜１．１であることを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
１２０℃〜１４０℃で加熱処理されてなることを特徴とする請求項１記載の透明導電膜。
【請求項３】
前記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ１００重量部と、前記ポリビニルアルコール４０重量部〜
６０重量部と、を含有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の透明導電膜。
【請求項４】
膜厚が１５０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項５】
前記ポリビニルアルコールは、下記一般式（１）におけるｙ／（ｘ＋ｙ）×１００で表わされる鹸化率が９７．５％〜９９．０％であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の透明導電膜。
−[ＣＨ２−ＣＨ（ＯＣＯＣＨ３）]ｘ−[ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）]ｙ−[ＣＨ２−ＣＨ（Ｒ）]ｚ−…式（１）
（式（１）中でのＲは、水素またはＣＨ３を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極などに用いられる透明導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、太陽電池、タッチパネルなどに透明電極が用いられている。透明電極に用いられる透明導電膜の材料としては、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との高分子錯体が主流となっている。このＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは成膜性がよく、種々の用途で使用できるので、期待されている材料である。
【０００３】
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いて透明導電膜を形成する場合、透明導電膜の機械的強度及び耐湿性などを改善するため、バインダーが用いられている。このようなバインダーを用いた透明導電膜として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を添加した導電性コーティング組成物が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３２４１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、１．５ｅＶのバンドギャップを有し、赤色領域（波長８００ｎｍ）の波長の光を吸収する。このため、従来のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ錯体による透明導電膜は、青色に着色する問題があった。
【０００６】
しかしながら、着色した透明導電膜を液晶ディスプレイ材料などに用いた場合、電極パターンが見えやすくなるなどの不都合が発生する。このため、透明導電膜は、透明性が高いことに加え無色であることが望ましい。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、着色がなく硬度が高い透明導電膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の透明導電膜は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと、ポリビニルアルコールと、を含有するする材料で構成されており、波長４５０ｎｍでの吸光度Ｔ１と波長７５０ｎｍでの吸光度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が０．９〜１．１であることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、短波長（波長４５０ｎｍ）での吸光度と長波長（波長７５０）での吸光度との差が低減されるので、無着色の透明導電膜を得ることができる。また、バインダーとしてのポリビニルアルコールにより、硬度の高い透明導電膜を得ることができる。
【００１０】
本発明の透明導電膜においては、１２０℃〜１４０℃で加熱処理されてなることが好ましい。
【００１１】
本発明の透明導電膜においては、前記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ１００重量部と、前記ポリビニルアルコール４０重量部〜６０重量部と、を含有することが好ましい。
【００１２】
本発明の透明導電膜においては、膜厚が１５０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００１３】
本発明の透明導電膜においては、前記ポリビニルアルコールは、下記一般式（１）におけるｙ／（ｘ＋ｙ）×１００で表わされる鹸化率が９７．５％〜９９．０％であることが好ましい。
−[ＣＨ２−ＣＨ（ＯＣＯＣＨ３）]ｘ−[ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）]ｙ−[ＣＨ２−ＣＨ（Ｒ）]ｚ−…式（１）
（式（１）中でのＲは、水素またはＣＨ３を表す。）
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、着色がなく硬度が高い透明導電膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）ＰＶＡの分子鎖の構造を示す模式図であり、（ｂ）〜（ｄ）ＰＶＡの結晶構造を示す概念図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る透明導電膜を示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る透明導電膜の吸光部位を示す図である。
【図４】（ａ）本発明の実施の形態に係る透明導電膜の吸収スペクトルを示す図であり、（ｂ）ＰＶＡ無添加の透明導電膜の吸収スペクトルを示す図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る透明導電膜のＰＶＡ濃度と比抵抗値を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る透明導電膜のバインダー添加量と抵抗値変化割合を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る導電膜の鉛筆硬度試験の結果を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る透明導電膜の製造工程を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明者は、着色がなく、硬度が高い透明導電膜について鋭意研究した。まず、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いる透明導電膜の特性について調べた。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは１．５ｅＶのバンドギャップを有し、可視光の波長８００ｎｍ付近の光を吸収する。このため、通常ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いた透明導電膜は、可視光の赤色部分を吸収して青色を呈する。
【００１７】
一方、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いた透明導電膜は、透明導電膜の強度、耐湿性を改善するための添加物（バインダー）及び透明導電膜の抵抗値を低減し、導電率を向上させるための添加物（エンハンサー）が用いられる。バインダーとしては、例えば、水溶性のウレタン系化合物や、ポリエステル系化合物、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが用いられる。エンハンサーとしては極性化合物が用いられ、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコールなどのジオール系化合物、プロピレンカーボネート、γブチロラクトンなどのカルボニル系化合物、ジメチルスルホキシドなどのスルホ基含有化合物が用いられる。
【００１８】
本発明者は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに用いるバインダーとしてＰＶＡに着眼した。ＰＶＡは、結晶性が高く透明導電膜の高硬度化を実現できる。また、ＰＶＡは、エンハンサーとして用いられるエチレングリコールと類似性の高い骨格を有するので、バインダーとして用いた場合、抵抗値の増大を抑制できることが期待される。
【００１９】
図１（ａ）〜図１（ｄ）を参照してＰＶＡの分子鎖の構造及び結晶構造の概念について説明する。図１（ａ）はＰＶＡの分子鎖の構造を示す模式図である。同図に示すように、ＰＶＡの分子鎖は、ＣＨ２とＣＨＯＨとが交互に連なる構造を有している。このように、ＰＶＡは炭素主鎖上に水酸基の他に置換基がなく、分子鎖中における水酸基の含有量が高いことに加え、規則的に水酸基が配列しているので分子鎖間に強固な水素結合が形成される。この分子鎖間の水素結合により、分子鎖が規則的に配向し、ＰＶＡの結晶性が発現する。
【００２０】
図１（ｂ）〜図１（ｄ）は、ＰＶＡの結晶構造を示す概念図である。図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＰＶＡは、分子鎖同士が規則的に配向した部分に結晶化部１１が複数形成され、各結晶化部１１の間には所定の間隔Ｄが形成される。この結晶化部１１の間隔Ｄの部分は分子鎖が規則的に配向されない非晶質部（アモルファス）１２となる。また、結晶化部１１は、種々条件によって形成される割合に差が生じる。例えば、図１（ｂ）に示すように、ＰＶＡの分子鎖中の水酸基の含量が多い場合は分子鎖が配向しやすくなり、結晶化部１１の割合が増大する。また、図１（ｃ）に示すように、水酸基の含量が低下した場合は、分子鎖が配向しにくくなり、結晶化部１１の割合が非晶質部１２に対して減少する。一方、図１（ｄ）に示すように、分子鎖が配向しない場合は非晶質部１２だけの状態となり、ＰＶＡの分子鎖が不規則に絡み合った状態となる。このように、ＰＶＡは分子鎖の一部に結晶化部１１が生じ、この結晶化部の作用により透明導電膜の硬度が向上する。
【００２１】
一方、透明導電膜の製造工程においては、基材上に透明導電膜を塗膜後、高温で加熱処理（ベーク処理）する。本発明者は、ベーク処理の際に透明導電膜を所定の温度で加熱処理することにより、青色領域（波長４５０ｎｍ付近）に吸光が発現することを見出した。
【００２２】
本発明者は、これらの知見に基づき、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの透明導電膜にバインダーとしてＰＶＡを添加することにより、比抵抗値を損なうことなく透明導電膜の硬度を向上できること、また、透明導電膜の加熱処理によって生じる青色領域（波長４５０ｎｍ付近）、の吸光により、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの由来の赤色領域（波長８００ｎｍ付近）の吸光を相殺して透明導電膜を無色化できること、を見出し、本発明を完成させるに至った。
【００２３】
すなわち、本発明は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳにＰＶＡを添加し、所定の温度で加熱処理することにより、透明導電膜の硬度を向上させると共に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの透明導電膜を無色化するものである。
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。
図２は、本実施の形態に係る透明導電膜を示す模式図である。同図に示すように、本実施の形態に係る透明導電膜２１は、基材２２上に塗膜されるＰＥＤＯＴ２３及びＰＳＳ２４と、バインダーとしてのＰＶＡ２５と、を含有する。
【００２５】
ＰＥＤＯＴ２３及びＰＳＳ２４は、基材２２上では、互いの分子鎖が不規則に絡み合う状態で塗膜されている。この状態では、機械的強度及び耐湿性が不十分な状態となっている。また、ＰＶＡ２５は、ＰＥＤＯＴ２３及びＰＳＳ２４の分子鎖間に絡まった状態となっている。この状態で、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＰＶＡ２５の分子鎖に結晶化部１１と非晶質部１２とが生じることにより、ＰＥＤＯＴ２３及びＰＳＳ２４の分子鎖がＰＶＡ２５の分子鎖によって結着され、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの硬度が向上する。
【００２６】
次に、図３を参照して、本実施の形態に係る透明導電膜の吸光特性の変化の機構について説明する。本実施の形態においては、透明導電膜を基材上に塗布した後、所定の温度で加熱処理（以下、ベーク処理という）する。この際に、図３に示すように、ＰＶＡの水酸基とＰＳＳのスルホ基とが脱水縮合してスルホン酸エステルが形成され、このスルホン酸エステルの部位により波長４５０ｎｍ付近の領域の光が吸光される。そして、この青色吸収部位を有するスルホン酸エステルが透明導電膜中に所定の濃度存在することにより、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに由来する赤色吸収とスルホン酸エステルによる青色吸収とが相殺され、透明導電膜が無色化される。
【００２７】
次に、図４（ａ）、図４（ｂ）を参照して、透明導電膜の可視光領域の吸収スペクトルについて説明する。図４（ａ）は、本実施の形態に係る透明導電膜の吸収スペクトルを示す図である。同図は、ＰＶＡをＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ１００重量部に対して４０重量部添加し、１２０℃以上の温度でベーク処理した場合における透明導電膜の可視光領域の吸収スペクトルを示している。この透明導電膜は、波長４５０ｎｍ付近の吸光度Ｔ１が約８７Ｔ％であるのに対し、波長７５０ｎｍ付近の吸光度Ｔ２が約８５Ｔ％となっている。このように、波長４５０ｎｍ付近の吸光度Ｔ１と波長７５０ｎｍ付近の吸光度Ｔ２との差が無くなるので、透明導電膜が無色化されることが分かる。
【００２８】
一方、図４（ｂ）は、ＰＶＡ無添加の透明導電膜の吸収スペクトルを示す図である。同図に示すように、ＰＶＡを添加しない場合は、波長４５０ｎｍ付近の吸光度Ｔ１が約８０Ｔ％であるのに対し、波長７５０ｎｍ付近の吸光度Ｔ２は、約６５Ｔ％となっている。この場合、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに由来する波長７５０ｎｍの赤色領域の吸光が波長４５０ｎｍの青色領域の吸光より大きいので、透明導電膜は青色に着色する。
【００２９】
本実施の形態に係る透明導電膜においては、波長４５０ｎｍ付近の吸光度Ｔ１と波長７５０ｎｍ付近の吸光度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が０．９〜１．１である。Ｔ１／Ｔ２が０．９〜１．１の範囲であれば、吸光特性がフラットになるので、無色の透明導電膜を得ることができる。Ｔ１／Ｔ２は、より好ましくは、０．９５〜１．０５であり、更に好ましくは０．９７〜１．０３である。
【００３０】
次に、図５を参照してＰＶＡ濃度及びベーク処理の温度を変化させた場合における比抵抗値の変化について説明する。図５は、ベーク処理を１００℃、１２０℃、１４０℃で行い、ＰＶＡ濃度を所定の範囲（０重量％、２０重量％、４０重量％、６０重量％）で変化させた場合におけるそれぞれの温度条件での比抵抗値の変化を示している。同図に示すように、各濃度における透明導電膜の比抵抗値は、ベーク処理の温度によらずほぼ同じ値となっており、ベーク処理の温度による比抵抗値への影響に有意差がないことが分かる。また、ＰＶＡの濃度を上げることにより、比抵抗値が直線的に増大することが分かる。尚、各濃度における比抵抗値は、ＰＶＡ濃度がそれぞれ、０重量％（約０．２Ｅ−０３）、２０重量％（約０．４Ｅ−０３）、４０重量％（約０．５Ｅ−０３），６０重量％（約１．０Ｅ−０２）となっている。
【００３１】
本実施の形態においてベーク処理は、１２０℃〜１４０℃の温度で実施する。ベーク処理の温度が１２０℃以上であれば、波長４５０ｎｍの吸光部位が形成され、無色の透明導電膜を得ることができる。また、ベーク処理の温度が１４０℃以下であれば、透明導電膜の性能の低下を抑制することができる。ベーク処理の温度は、好ましくは、１００℃〜１６０℃であり、より好ましくは、１２０℃〜１４０℃である。
【００３２】
本実施の形態においては、ＰＶＡは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ固形分に対し、４０重量部〜
６０重量部添加して使用する。ＰＶＡの添加量が４０重量部以上であれば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの透明導電膜を無色化することができる。また、ＰＶＡの添加量が６０重量部以下であれば、透明導電膜の導電性能を損なうことなく無色の透明導電膜が得られる。ＰＶＡの添加量は、好ましくは、２０重量部〜８０重量部であり、より好ましくは、４０重量部〜６０重量部である。
【００３３】
また、本実施の形態おいては、ＰＶＡとして下記一般式（１）で表わされる水酸基の一部が疎水基に置換されたＰＶＡ（以下、変性ＰＶＡともいう）、疎水基を含有しないＰＶＡ（以下、無変性ＰＶＡともいう）の何れのＰＶＡも用いることができる。変性ＰＶＡを用いる場合、下記一般式（１）におけるｙ／（ｘ＋ｙ）×１００で表わされる鹸化率が９２．０％〜９９．０％の変性ＰＶＡを用いることにより、導電膜を無色化できると共に、導電膜の硬度を向上させることができる。変性ＰＶＡの鹸化率は、好ましくは、９７．５％〜９９．０％であり、より好ましくは、９７．５％〜９９．０％である。
−[ＣＨ２−ＣＨ（ＯＣＯＣＨ３）]ｘ−[ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）]ｙ−[ＣＨ２−ＣＨ（Ｒ）]ｚ−…式（１）
（式（１）中でのＲは、水素またはＣＨ３を表す。）
【００３４】
次に、図６を参照してバインダー添加による透明導電膜の抵抗値変化割合に及ぼす影響について説明する。図６には、無変性ＰＶＡ及び変性ＰＶＡをバインダーとして添加して１２０℃でベーク処理し、無変性ＰＶＡ及び変性ＰＶＡの濃度を所定の範囲（２０重量％、４０重量％、６０重量％）で変化させた場合における透明導電膜の抵抗値変化割合を示している。同図に示すように、いずれのバインダーを添加した場合においても、抵抗値変化割合は同程度となることを示している。なお、各濃度における抵抗値変化割合は、バインダー濃度がそれぞれ２０重量％（約６０％）、４０重量％（約１５０％）、６０重量％（約３９０％）となっている。
【００３５】
次に、図７は、本実施の形態に係る導電膜の鉛筆硬度試験の結果を示す図である。同図には、バインダーを添加しない導電膜Ｍ１、変性ＰＶＡを透明導電膜１００重量部に対して所定の割合添加した導電膜（Ｍ２：２０重量部、Ｍ３：４０重量部、Ｍ４：６０重量部）、無変性ＰＶＡを透明導電膜１００重量部に対して所定の割合添加した導電膜（Ｍ５：４０重量部、Ｍ６：６０重量部）のそれぞれに１００ｇの荷重をかけて実施した鉛筆硬度試験の結果を示している。
【００３６】
図７に示すように、導電膜Ｍ１に対し、バインダーを添加した導電膜Ｍ２〜導電膜Ｍ６は、硬度が向上する。また、バインダーの添加量が増えるにつれ硬度が上昇する（Ｍ２：硬度４（３Ｂ相当）、Ｍ３：硬度７（ＨＢ相当）、Ｍ４：硬度８（Ｆ相当）、Ｍ５：硬度７（ＨＢ相当）、Ｍ６：硬度８（Ｆ相当））。このように、バインダーを添加することにより、導電膜の硬度向上の効果が発現することが分かる。各導電膜の組成について表１に示す。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
このように、本実施の形態においては、ＰＶＡをバインダーとして用いて１２０℃以上でベーク処理することにより、硬度が高く、着色のない透明導電膜を得ることができる。そして、１２０℃以上でベーク処理しても透明導電膜の性能への影響がなく、低い比抵抗値を有する透明導電膜を得ることができる。
【００３９】
なお、本実施の形態において、変性ＰＶＡとしては、エクセパール（商品名、クラレ社製）などの各種市販のＰＶＡを用いることができる。
【００４０】
次に、本実施の形態に係る透明導電膜の製造工程について説明する。
図８は、本実施の形態に係る透明導電膜の製造工程を示すフロー図である。本実施の形態に係る透明導電膜は、バインダー溶液を調製する調合工程と、バインダー溶液とＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散水溶液を混合して塗布液を調液する調液工程と、塗布液をＰＥＴフィルム基材上へ塗布する塗布工程と、フィルム基材を加熱処理するベーク工程などからなる。
【００４１】
まず、バインダーをアルコール溶媒中で混合・溶解してバインダー溶液を調合する（ステップＳＴ１）。次いで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの分散液、エンハンサーとしてのＤＭＳＯを順に添加・混合して塗布液を調製する（ステップＳＴ２）。次に、得られた塗布液を濾過する（ステップＳＴ３）。透明導電膜を塗布する基材は、ＰＥＴフィルムを所定の大きさに切り取り、切り取ったＰＥＴフィルムをガラスウエハーに貼り付けて調製する（ステップＳＴ４）。
【００４２】
次に、スピンコーターにより、基材上に塗布液を塗布する（ステップＳＴ５）。この時に、スピンコートの条件により透明導電膜の膜厚を調整することができる。本実施の形態においては、スピンコートを３秒間かけて６００ｒｐｍとし、６００ｒｐｍで１０秒間保持する。次いで、５秒間かけて１４００ｒｐｍとしたのち、１４００ｒｐｍで２０秒間保持して塗膜する。このような条件で成膜することにより、２００ｎｍ程度の膜厚に調整することができる。また、膜厚は、スピンコートの条件を５００ｒｐｍとした場合、１２９００ｎｍ程度となり、１０００ｒｐｍとした場合、３００ｎｍ程度となる。また、２０００ｒｐｍとした場合は、１５０ｎｍ程度となる。このように、スピンコートの条件を調整することにより、塗膜の膜厚は所望の値に調製することができる。
【００４３】
次いで、塗膜を９０℃で１０分間プリベークし（ステップＳＴ６）、最後に１２０℃でベーク処理（ステップＳＴ７）して透明導電膜を製造する。
【００４４】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。なお、本発明は、以下の実施例によって限定されるものではない。
【００４５】
＜評価方法＞
透明導電膜の評価は、下記の条件に従って実施した。
【００４６】
＜面積抵抗試験＞
面積抵抗試験は、透明導電膜の表面抵抗を４端子式面積抵抗計（三菱化学社製、ＬＯＲＥＳＴＡ  ＥＰ  ＭＣＰ-１３６０）を用いて測定した。抵抗変化率は、バインダー未添加の透明導電膜の比抵抗値を１００％とし、バインダーを添加した透明導電膜の測定値を百分率で表した。また、抵抗変化率は、試験前の透明導電膜の性能を１００％とし、試験中における透明導電膜の比抵抗値の変化率を百分率で表した。
【００４７】
＜比抵抗の測定＞
比抵抗は、前出の面積抵抗値と膜厚から求めた。膜厚は、接触式膜厚計（アルバック製ＤＥＫＴＡＫ  ６Ｍ）で計測した。
【００４８】
＜分光特性の測定＞
分光特性の測定は、吸光光度計（ＵＶ可視スペクトルメータ、日本分光社製、Ｖ-５７０）を使用し、波長４５０ｎｍでの吸光度Ｔ１と波長７５０ｎｍでの吸光度Ｔ２を測定し、分光特性（Ｔ１／Ｔ２）を測定して評価した。
【００４９】
（実施例１）
＜塗布液調整工程＞
エタノール４０ｇ及び変性ＰＶＡ（クラレ社製、商品名：エクセパール、型番：ＲＳ−２１１７）０．８ｇを混合してバインダー溶液を調製した。次いで、バインダー溶液とＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水性分散液（H.C.Starck社製、商品名：ＰＨ５１０）６０ｇとを混合して塗布液を調整した。次にエンハンサーとして、塗布液に対して５重量部のＤＭＳＯを添加した。混合溶解した後、塗布液をクリーンルーム内で孔０．４５μｍのフィルターでろ過して塗布液を調製した。塗布液中のバインダー濃度は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ１００重量部に対して４０重量％であった。
【００５０】
＜基材の調整＞
クリーンルーム内でＰＥＴフィルムをカットした（長さ６０ｍｍ×幅６０ｍｍ）。次いで、このＰＥＴフィルムをガラスウェハー（外径φ１００ｍｍ厚さ１．１ｍｍ）に貼り付けて導電薄膜の基材を調製した。
【００５１】
＜塗布工程＞
スピンコーター（ミカサ社製）を用いて回転数１４００ｒｐｍ、回転時間２０秒の条件下、基材上に塗布液を塗布した。
【００５２】
＜ベーク工程＞
得られた薄膜を９０℃で１０分プリベークし、次いで、１２０℃で２０分間本ベークした。得られた透明導電膜の分光特性（Ｔ１／Ｔ２）は、１．０１、比抵抗は４．８Ｅ-０３Ωｃｍ、全光線透過率は８７．３％、膜厚は、１５６ｎｍであった。結果を表２に示す。
【００５３】
（実施例２）
本ベークの温度１４０℃としたことを以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を得た。結果を表２に示す。
【００５４】
（比較例１）
本ベークの温度を８０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を得た。結果を表２に示す。
【００５５】
（比較例２）
本ベークの温度を１００℃としたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を得た。結果を表２に示す。
【００５６】
（比較例３）
ＰＶＡを添加せずに塗布液を調整し、本ベークの温度を８０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を得た。結果を表２に示す。
【００５７】
（比較例４）
ＰＶＡを添加せずに塗布液を調整し、本ベークの温度を１００℃としたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を得た。結果を表２に示す。
【００５８】
（比較例５）
ＰＶＡを添加せずに塗布液を調整し、本ベークの温度を１２０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を得た。結果を表２に示す。
【００５９】
（比較例６）
ＰＶＡを添加せずに塗布液を調整し、本ベークの温度を１４０℃としたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を得た。結果を表２に示す。
【００６０】
【表２】
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【００６１】
表２に示すように、ＰＶＡを添加し、１２０℃以上の温度でベーク処理した実施例１、実施例２によれば、Ｔ１／Ｔ２がそれぞれ１．０１、０．９７となり、分光特性がフラットになっていることが分かる。このように、分光特性がフラットになることにより、無色の透明導電膜を得ることができる。一方、比較例１、比較例２に示すように、ＰＶＡを添加してもベーク温度の低い場合は、分光特性がフラットにならないことが分かる。また、比較例３〜比較例６に示すように、ＰＶＡを添加しない場合は、分光特性がフラットにならないことが分かる。また、バインダーを添加しない比較例３〜比較例６は、導電膜の硬度が低下する。
【００６２】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ＰＶＡをバインダーとして添加し、所定の温度で熱処理することにより、透明導電膜の一部に青色吸収部を形成することができるので、着色のない透明導電膜を得ることができる。また、一般のエンハンサーと構造の類似性が高いＰＶＡをバインダーとして用いることにより、透明導電膜の比抵抗を損なうことなく、高硬度の透明導電膜を得ることができる。
【００６３】
また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、有機ＥＬ、太陽電池など、各種透明電極を用いたデバイスに適用可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１１  結晶化部
１２  非晶質部
２１  透明導電膜
２２  基材
２３  ＰＥＤＯＴ
２４  ＰＳＳ
２５  ＰＶＡ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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