(57)【要約】【課題】シリコン接着剤に対するプラズマ浸食をほぼ完全に防止することができる構造にして、ウェハ等のワークに対する支障のない円滑なプラズマ処理作業を可能にした静電チャック及びその製造方法を提供する。【解決手段】静電チャック１は、ベース２とセラミックプレート３と接着部４とを備える。接着部４は、シリコン接着剤４１とエポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とで構成される。具体的には、シリコン接着剤４１は台座部２０の表面２０ａに塗布され、台座部２０の段部２０ｂとセラミックプレート３の周縁部下面とで構成される広い間隙４０内に、エポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とが装着されている。これにより、接着部４は、シリコン接着剤４１の外周面をエポキシ接着剤４２で覆い、エポキシ接着剤４２の外周面をポリイミドフィルム４３で覆った構造になっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ等のワークを吸着するための吸着電極を内部に有するセラミックプレートと、このセラミックプレートがその表面に載置される金属製のベースと、このベースと上記セラミックプレートとを接着するための接着部とを備える静電チャックであって、
上記接着部を、上記ベースとセラミックプレートとの間隙の大部分を占めるシリコン接着剤と、このシリコン接着剤の外側の間隙に気密に周設されたエポキシ接着剤と、このエポキシ接着剤の外側の間隙に当該エポキシ接着剤を外側から巻くように気密に周設された帯状のポリイミドフィルムとで構成した、
を備えることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
請求項１に記載の静電チャックにおいて、
上記ベースの表面周縁部に沿って凹む段部を形成し、この段部と上記セラミックプレートの周縁部との間隙に、上記エポキシ接着剤を気密に充填すると共に当該エポキシ接着剤の外側にポリイミドフィルムを気密に装着した、
ことを特徴とする静電チャック。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の静電チャックにおいて、
上記ポリイミドフィルムは、カプトン，ユーピレックス，アピカル及びミドフィルのいずれかである、
ことを特徴とする静電チャック。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれに記載の静電チャックにおいて、
上記段部と上記セラミックプレートの周縁部との間隙を、約２．５ｍｍに設定し、
上記ポリイミドフィルムの幅を当該間隙に等しく設定する共に、その厚さを２５μｍ〜２５０μｍの範囲内の厚さに設定した、
ことを特徴とする静電チャック。
【請求項５】
ウエハ等のワークを吸着するための吸着電極を内部に有するセラミックプレートを、接着部を介して金属製のベースの表面に接着することにより、静電チャックを製造する静電チャックの製造方法であって、
上記接着部を形成する工程は、
シリコン接着剤を上記ベースとセラミックプレートとの間の大部分に介在させて、これらベースとセラミックプレートとを接着する第１の工程と、
幅が上記シリコン接着剤の外側の間隙と等しい帯状のポリイミドフィルムを、当該シリコン接着剤を巻くように当該間隙内に挿入する第２の工程と、
エポキシ接着剤を、上記ポリイミドフィルムの外側から上記間隙内に充填した状態で、当該間隙内を減圧することにより、上記ポリイミドフィルムとシリコン接着剤との間の気体を当該エポキシ接着剤を通じて当該間隙の外部に放出する第３の工程と、
上記エポキシ接着剤を外側から増圧することにより、当該エポキシ接着剤を上記ポリイミドフィルムとシリコン接着剤との間に進入させる第４の工程と
を備えることを特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の静電チャックの製造方法において、
上記ベースの表面周縁部に沿って凹む段部を形成することにより、上記シリコン接着剤の外側の間隙を当該シリコン接着剤の厚さよりも広くして、上記第２の工程ないし第４の工程を実行する、
ことを特徴とする静電チャックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ等のワークを保持するための静電チャック及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の静電チャックは、ウエハ等のワークを載置するためのセラミックプレートと、このセラミックプレートがその表面に載置される金属製のベースと、このベースと上記セラミックプレートとを接着するための接着部とを備えている（例えば、特許文献１に記載の装置）。
図１３は、かかる従来の静電チャックを示す概略断面図である。
図１３に示すように、従来の静電チャック１００は、セラミックプレート１０１をアルミニュウム製のベース１０２の上に接着部１０３を用いて接着した構造になっている。
そして、接着部１０３は、シリコン接着剤１０４をセラミックプレート１０１の裏面１０１ｂとベース１０２の表面１０２ａとの大部分に介在させ、エポキシ接着剤１０５をこのシリコン接着剤１０４の外側に充填させた構造になっている。
これにより、シリコン接着剤１０４によって、セラミックプレート１０１とベース１０２との熱膨張差による悪影響を防止すると共に、エポキシ接着剤１０５によって、プラズマ処理時等におけるシリコン接着剤１０４に対する浸食を防止するようにしている。
【０００３】
【特許文献１】特開平３−３３５７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した従来の静電チャック１００では、プラズマ処理等に長時間使用すると、エポキシ接着剤１０５が浸食されるおそれがある。エポキシ接着剤１０５は、常温での硬化性を有するなど、その作業性に優れているため、プラズマ浸食防止剤として多用されるが、その耐久時間は長くない。シリコン接着剤１０４の耐久時間の略３倍程度であり、長時間のプラズマ処理を行って、大量のウエハを処理する半導体製造装置等に使用するには適さない。
すなわち、静電チャック１００を長時間使用すると、図１４に示すように、エポキシ接着剤１０５がプラズマによって浸食された後、シリコン接着剤１０４も浸食されてしまう。プラズマ処理などのように、ウェハを高温の環境下に置いて作業をする場合には、ウェハを冷却するための冷却ガスＧを通す通気路１０６が、シリコン接着剤１０４内を通ってセラミックプレート１０１の表面１０１ａに開口するように静電チャック１００内に設けられている。しかし、上記のようにシリコン接着剤１０４が浸食されると、通気路１０６が破壊され、冷却ガスＧが静電チャック１００の外部に漏れてしまうという問題がある。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、シリコン接着剤に対するプラズマ浸食をほぼ完全に防止することができる構造にして、ウェハ等のワークに対する支障のない円滑なプラズマ処理作業を可能にした静電チャック及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、ウエハ等のワークを吸着するための吸着電極を内部に有するセラミックプレートと、このセラミックプレートがその表面に載置される金属製のベースと、このベースとセラミックプレートとを接着するための接着部とを備える静電チャックであって、接着部を、ベースとセラミックプレートとの間隙の大部分を占めるシリコン接着剤と、このシリコン接着剤の外側の間隙に気密に周設されたエポキシ接着剤と、このエポキシ接着剤の外側の間隙にエポキシ接着剤を外側から巻くように気密に周設された帯状のポリイミドフィルムとで構成した。
かかる構成により、ウエハ等のワークをセラミックプレート上に置き、吸着電極をオンにすると、ワークが吸着電極の静電気力によってセラミックプレート表面に吸着される。
この状態で、ワ−ク仁対してプラズマ処理を行うと、静電チャック全体がプラズマ雰囲気下に浸り、活性なプラズマ粒子が、接着部を浸食しようとする。
しかし、この発明では、接着部を、シリコン接着剤とシリコン接着剤の外側に周設されたエポキシ接着剤とエポキシ接着剤に外側から巻くように周設されたポリイミドフィルムとで構成したので、接着部が短時間で浸食されることはない。すなわち、プラズマに対してエポキシ接着剤よりも耐久性が高いポリイミドフィルムによって、エポキシ接着剤を外側から覆っているので、プラズマ粒子は、ポリイミドフィルムに直接接触するが、エポキシ接着剤に直接接触することはない。したがって、エポキシ接着剤を最外に配して露出させた上記従来の静電チャック比べて、シリコン接着剤に対する防備が高くなり、長時間の使用にも耐えうることとなる。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の静電チャックにおいて、ベースの表面周縁部に沿って凹む段部を形成し、この段部とセラミックプレートの周縁部との間隙に、エポキシ接着剤を気密に充填すると共にエポキシ接着剤の外側にポリイミドフィルムを気密に装着した構成とする。
かかる構成により、エポキシ接着剤とポリイミドフィルムとを、ベースの表面周縁部に沿って形成した段部段部とセラミックプレートの周縁部との間の広い間隙に装着するので、装着作業が容易である。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の静電チャックにおいて、ポリイミドフィルムは、カプトン，ユーピレックス，アピカル及びミドフィルのいずれかである構成とした。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれに記載の静電チャックにおいて、段部とセラミックプレートの周縁部との間隙を、約２．５ｍｍに設定し、ポリイミドフィルムの幅を間隙に等しく設定する共に、その厚さを２５μｍ〜２５０μｍの範囲内の厚さに設定した構成とする。
【００１０】
請求項５の発明は、ウエハ等のワークを吸着するための吸着電極を内部に有するセラミックプレートを、接着部を介して金属製のベースの表面に接着することにより、静電チャックを製造する静電チャックの製造方法であって、接着部を形成する工程は、シリコン接着剤をベースとセラミックプレートとの間の大部分に介在させて、これらベースとセラミックプレートとを接着する第１の工程と、幅がシリコン接着剤の外側の間隙と等しい帯状のポリイミドフィルムを、シリコン接着剤を巻くように間隙内に挿入する第２の工程と、エポキシ接着剤を、ポリイミドフィルムの外側から間隙内に充填した状態で、間隙内を減圧することにより、ポリイミドフィルムとシリコン接着剤との間の気体をエポキシ接着剤を通じて間隙の外部に放出する第３の工程と、エポキシ接着剤を外側から増圧することにより、エポキシ接着剤をポリイミドフィルムとシリコン接着剤との間に進入させる第４の工程とを備える構成とした。
かかる構成により、セラミックプレートを、接着部を介して金属製のベースの表面に接着することにより、静電チャックを製造することができる。この際、第１の工程を実行することで、シリコン接着剤が、ベースとセラミックプレートとの間の大部分に介在して、ベースとセラミックプレートとを接着し、第２の工程を実行することで、幅がシリコン接着剤の外側の間隙と等しい帯状のポリイミドフィルムが、シリコン接着剤を巻くように間隙内に挿入される。そして、第３の工程を実行することで、エポキシ接着剤が、ポリイミドフィルムの外側から間隙内に充填された状態で、間隙内が減圧にされ、ポリイミドフィルムとシリコン接着剤との間の気体がエポキシ接着剤を通じて間隙の外部に放出される。さらに、第４の工程を実行することで、エポキシ接着剤が外側から増圧され、エポキシ接着剤がポリイミドフィルムとシリコン接着剤との間に進入する。これにより、所望の接着部が形成される。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項５に記載の静電チャックの製造方法において、ベースの表面周縁部に沿って凹む段部を形成することにより、シリコン接着剤の外側の間隙をシリコン接着剤の厚さよりも広くして、第２の工程ないし第４の工程を実行する構成とした。
かかる構成により、エポキシ接着剤とポリイミドフィルムとを、広い間隙に装着することができるので、装着作業が容易になる。
【発明の効果】
【００１２】
以上詳しく説明したように、この発明の静電チャックによれば、接着部が、耐久性が高いポリイミドフィルムによって、エポキシ接着剤を外側から覆った構成になっているので、シリコン接着剤に対するプラズマ浸食をほぼ完全に防止することができる。この結果、この発明の静電チャックを使用することで、ウェハ等のワークに対する支障のない円滑なプラズマ処理作業を行うことができるという優れた効果がある。
【００１３】
特に、請求項２の発明によれば、エポキシ接着剤とポリイミドフィルムとを、容易に間隙に装着することができるので、製造作業性の向上を図ることができる。
【００１４】
また、この発明の静電チャックの製造方法によれば、プラズマ耐久性が高く長時間使用可能な静電チャックを製造することができるという効果がある。
【００１５】
特に、請求項６の発明によれば、製造作業性の高い技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、この発明の第１実施例に係る静電チャックを示す分解斜視図であり、図２は、静電チャックの概略断面図である。
この実施例の静電チャック１は、ワークである半導体ウエハＷを吸着して保持する装置であり、図１に示すように、ベース２とセラミックプレート３と接着部４とを備える。
【００１８】
ベース２は、金属製の円盤体であり、その上部に、セラミックプレート３を載せるための台座部２０を有している。この実施例では、半径Ｒ２が１７０ｍｍで且つ厚さＨ２が５ｍｍの本体上に、半径Ｒ２０が１４８ｍｍで且つ高さＨ２０が２ｍｍの台座部２０を有するベース２を、アルミニュウムで形成した。
【００１９】
セラミックプレート３は、直径が２９８ｍｍのウエハＷを載置するための円板体であり、ウエハＷを静電気力で吸着するための吸着電極３１ａ，３１ｂを内部に有している。
この実施例では、このセラミックプレート３の半径Ｒ３を１４９ｍｍに設定し、その厚さＨ３を１ｍｍに設定した。
このようなセラミックプレート３は、図２に示すように、接着部４を介して、ベース２の表面、即ち、台座部２０の表面２０ａ上に貼り付けられている。
【００２０】
接着部４は、ベース２の台座部２０とセラミックプレート３との間隙に設けられたシリコン接着剤４１とエポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とで構成される。
ここで、接着部４について、詳細に説明する。
ベース２の台座部２０における表面２０ａの周縁部には、表面２０ａより約２ｍｍだけ下側に凹んだ段部２０ｂが形成されている。
シリコン接着剤４１は、段部２０ｂを除く台座部２０の表面２０ａに塗布され、台座部２０とセラミックプレート３との大部分を占めている。この実施例では、かかるシリコン接着剤４１の厚さＴ４１（図１参照）を、０．５ｍｍに設定した。
これにより、この段部２０ｂとセラミックプレート３の周縁部下面との間隙４０の大きさＨ４０は、２．５ｍｍになり、かかる間隙４０内に、エポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とが配設されている。
具体的には、エポキシ接着剤４２をシリコン接着剤４１の外側の間隙４０内に気密に充填した。そして、間隙４０の大きさＨ４０と等しい幅１ｍｍのポリイミドフィルム４３を、間隙４０内に挿入した後、エポキシ接着剤４２の外側を巻くように気密に装着した。
かかるポリイミドフィルム４３の厚さｔ４３は、２５μｍ〜２５０μｍの範囲内に設定する。ポリイミドフィルム４３の腰の強さを確保するため、好ましくは、厚さｔ４３を１０５μｍ〜２５０μｍに設定する。
このようなポリイミドフィルム４３として、カプトン，ユーピレックス，アピカル及びミドフィル等を適用することができる。
すなわち、接着部４は、エポキシ接着剤４２及びエポキシ接着剤４２が無ければ露出するであろうシリコン接着剤４１の外周面を、エポキシ接着剤４２で覆い、ポリイミドフィルム４３が無ければ露出するであろうエポキシ接着剤４２の外周面を、ポリイミドフィルム４３で覆った構造になっている。
【００２１】
接着部４が上記のような構造の静電チャック１には、冷却ガスＧを通すための通気路５が設けられ、各通気路５がベース２の下側からセラミックプレート３を貫通して、セラミックプレート３の表面３ａで開口している。また、図示しないが、冷却水路もベース２内に設けられている。
【００２２】
次に、静電チャック１の製造方法について、説明する。
図３〜図８は、静電チャック１の製造方法の各工程を示す図であり、図３は、第１の工程を示す概略断面図であり、図４は、第２の工程を示す概略断面図であり、図５は、減圧前の第３の工程を示す概略断面図であり、図６は、減圧後の第３の工程を示す概略断面図であり、図７は、第４の工程を示す概略断面図であり、図８は、第４の工程実行後の状態を示す概略断面図である。
【００２３】
この静電チャック１は、第１の工程〜第４の工程を実行することで、製造することができる。
すなわち、図３に示すように、第１の工程を実行し、段部２０ｂが形成された台座部２０を有するベース２を下側に配した後、接着部４のシリコン接着剤４１を台座部２０の表面２０ａとセラミックプレート３の裏面３ｂとの間に介在させて、ベース２とセラミックプレート３とを接着する。
そして、図４に示すように、第２の工程を実行し、ポリイミドフィルム４３をシリコン接着剤４１を外側から巻くように、間隙４０内に挿入する。このとき、空気が溜まった空間Ｓがシリコン接着剤４１とポリイミドフィルム４３との間に生じる。
そこで、図５に示すように、第３の工程を実行する。
具体的には、エポキシ接着剤４２を樋状の治具６内に収納し、この治具６を間隙４０の外側に配置することで、エポキシ接着剤４２を、ポリイミドフィルム４３の外側から間隙４０内に充填した状態にする。そして、かかる状態で、間隙４０内を減圧する。
すると、この減圧作用によって、空間Ｓ内の空気が、ポリイミドフィルム４３上端とセラミックプレート３裏面との間隙や、ポリイミドフィルム４３下端と段部２０ｂ表面との間隙からエポキシ接着剤４２側に至り、エポキシ接着剤４２と治具６との間から、間隙４０の外部に放出される。
この結果、図６に示すように、ポリイミドフィルム４３がシリコン接着剤４１の外周面に吸着された状態になり、シリコン接着剤４１とポリイミドフィルム４３との間の空間Ｓが消滅する。
そして、第４の工程を実行し、エポキシ接着剤４２を外側から増圧する。すると、図７に示すように、エポキシ接着剤４２がポリイミドフィルム４３の隙間からシリコン接着剤４１側に進入する。エポキシ接着剤４２がポリイミドフィルム４３とシリコン接着剤４１との間に所望量進入した時点で、第４の工程を終了させることで、図８に示すように、エポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とを、シリコン接着剤４１の厚さよりも広い間隙４０内に装着することができる。
この結果、ベース２とセラミックプレート３との間に接着部４が形成され、以後、通気路５等（図２参照）を形成することで、静電チャック１が完成する。
【００２４】
次に、この実施例の静電チャック１が示す作用及び効果について説明する。
図９は、この静電チャック１をプラズマチャンバ内に配置した状態を示す概略図であり、図１０は、ウエハＷの吸着状態を示す概略断面図であり、図１１は、プラズマ粒子がポリイミドフィルムに衝突する状態を示す概略部分断面図である。
静電チャック１を、例えば、プラズマエッチング処理に使用する場合には、図９に示すように、静電チャック１をプラズマエッチング装置のチャンバ７内に配し、エッチング処理するためのウエハＷを静電チャック１上に載せる。
そして、図１０に示すように、吸着電極３１ａ，３１ｂに電源を供給するためのスイッチ３３を閉じて、直流電源３２の吸着電極３１ａ，３１ｂに印加する。すると、正電荷が、吸着電極３１ａの真上に集まり、負電荷が、吸着電極３１ｂの真上に集まった状態になる。これらの電荷とウエハＷに誘起された電荷との静電気力によって、ウエハＷがセラミックプレート３の表面３ａに吸着され、固定される。
【００２５】
かかる状態で、ウエハＷを図モジュール体９に示したチャンバ７内でプラズマエッチング処理を行うのであるが、当該処理時には、チャンバ７内が高温の環境になるので、図１０に示すように、冷却ガスＧを用いてウエハＷを冷却しておく。具体的には、冷却ガスＧを図示しないポンプによって通気路５ガス内に供給する。すると、冷却ガスＧが、セラミックプレート３の表面３ａに開口する通気路５の上端から流出して、ウエハＷを冷却する。
【００２６】
かかる状態で、プラズマエッチング処理を行う。すると、チャンバ７内の静電チャック１ク全体がプラズマ雰囲気下に浸り、活性なプラズマ粒子Ａは、ウエハＷを所定の形状にエッチングする。
しかし、これと同時に、プラズマ粒子Ａは、接着部４側に回り込んで、接着部４を浸食しようとする。
しかしながら、この実施例に適用された接着部４では、図１１に示すように、シリコン接着剤４１の外周面をエポキシ接着剤４２で覆い、このエポキシ接着剤４２の外周面をポリイミドフィルム４３で覆った三重の構造になっているので、プラズマ粒子Ａの間隙４０内へ侵入が、ポリイミドフィルム４３によって阻止される。同一のプラズマ環境下で、ポリイミドフィルム４３にプラズマ耐久性は、エポキシ接着剤４２に比べて非常に高く、ポリイミドフィルム４３が活性のプラズマ粒子Ａによって浸食されるまでには、相当の長時間を要する。そして、ポリイミドフィルム４３が浸食された後は、プラズマ粒子Ａは、エポキシ接着剤４２によってシリコン接着剤４１側への侵入が阻止される。したがって、プラズマ粒子Ａが、ポリイミドフィルム４３とエポキシ接着剤４２とを浸食して、シリコン接着剤４１に直接接触するような状態になるには、極めて長い時間を要する。
すなわち、この実施例の静電チャック１を用いることで、エポキシ接着剤４２を最外に配して露出させた上記従来の静電チャックに比べて、シリコン接着剤に対する防備が高くなり、その分、相当の長時間使用が可能である。
また、ポリイミドフィルム４３やエポキシ接着剤４２が間隙４０内に装着され、静電チャック１の外部に突出しない構造になっている。このため、活性のプラズマ粒子Ａによるダウンフローの異方性エッチング処理を行う場合には、図１１に示すように、プラズマ粒子Ａがチャンバ７の上方から下方にほぼ垂直に落ちるので、高速で落下するプラズマ粒子Ａが、最外のポリイミドフィルム４３に直接衝突することはなく、ポリイミドフィルム４３に衝突するプラズマ粒子Ａの大部分は、他の部位で反射した低速のプラズマ粒子Ａであり、かかる点からも、ポリイミドフィルム４３の耐久時間が長くなる。
【実施例２】
【００２７】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図１２は、この発明の第２実施例に係る静電チャック１を示す概略断面図である。
この実施例は、接着部４のエポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とを装着するための広い間隙４０を設けず、シリコン接着剤４１が示す間隙と同じ広さの間隙４０′に、エポキシ接着剤４２とポリイミドフィルム４３とを装着した点が、上記第１実施例と異なる。
すなわち、図１２に示すように、段部２０ｂがベース２の台座部２０に設けられておらず、台座部２０の表面２０ａの全てが平坦に形成されている。
シリコン接着剤４１は、この表面２０ａの内側の大部分い塗布され、エポキシ接着剤４２が、このシリコン接着剤４１の外側の間隙に気密に充填されている。そして、ポリイミドフィルム４３が、このエポキシ接着剤４２の外側を巻くように気密に装着されている。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】この発明の第１実施例に係る静電チャックを示す分解斜視図である。
【図２】静電チャックの概略断面図である。
【図３】第１の工程を示す概略断面図である。
【図４】第２の工程を示す概略断面図である。
【図５】減圧前の第３の工程を示す概略断面図である。
【図６】減圧後の第３の工程を示す概略断面図である。
【図７】第４の工程を示す概略断面図である。
【図８】第４の工程実行後の状態を示す概略断面図である。
【図９】この静電チャックをプラズマチャンバ内に配置した状態を示す概略図である。
【図１０】ウエハの吸着状態を示す概略断面図である。
【図１１】プラズマ粒子がポリイミドフィルムに衝突する状態を示す概略部分断面図である。
【図１２】この発明の第２実施例に係る静電チャックを示す概略断面図である。
【図１３】かかる従来の静電チャックを示す概略断面図である。
【図１４】エポキシ接着剤やシリコン接着剤の浸食状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１…静電チャック、  ２…ベース、  ３…セラミックプレート、  ３ａ…表面、  ３ｂ…裏面、  ４…接着部、  ５…通気路、  ６…治具、  ７…チャンバ、  ２０…台座部、  ２０ａ…表面、  ２０ｂ…段部、  ３１ａ，３１ｂ…吸着電極、  ３２…直流電源、  ３３…スイッチ、  ４０…間隙、  ４１…シリコン接着剤、  ４２…エポキシ接着剤、  ４３…ポリイミドフィルム、  Ａ…プラズマ粒子、  Ｇ…冷却ガス、  Ｗ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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