(57)【要約】【課題】高輝度を実現することができるカラーフィルターおよびそれを備えた表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】カラーフィルター２２は、少なくとも１種の着色層２８からなる画素Ｅが２次元的に複数配列された表示領域Ｄを有する。そして、所定の表示を行う領域Ｓにおける画素Ｅが、１種の着色層２８により形成されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の着色層からなる画素が２次元的に複数配列された表示領域を有するカラーフィルターであって、
所定の表示を行う領域における前記画素が、１種の前記着色層により形成されていることを特徴とするカラーフィルター。
【請求項２】
前記所定の表示を行う領域における前記着色層の厚みをＷ１、前記所定の表示を行う領域以外の領域における前記着色層の厚みをＷ２とした場合に、０．５Ｗ２≦Ｗ１≦３．０Ｗ２の関係が成立することを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルター。
【請求項３】
前記所定の表示が、ユーザーへの報知を行うための表示であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のカラーフィルター。
【請求項４】
第１基板と、
前記第１基板に対向して配置され、請求項１〜３のいずれか１項に記載のカラーフィルターを有する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に設けられた表示媒体層と
を備えた表示装置。
【請求項５】
前記表示媒体層が液晶層であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラーフィルターおよびそれを備えた液晶表示装置等の表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の１つである液晶表示装置は、薄型で軽量であるため、ノートパソコンや携帯電話機等のモバイル機器、液晶テレビ等のＡＶ機器、オーディオや空調、警告灯等が設けられた車載用のインストルメントパネル（インパネ）等に広く用いられている。
【０００３】
一般に、液晶表示装置は、互いに対向して配置された一対の基板（即ち、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板とＣＦ（Color Filter）基板）と、一対の基板の間に設けられた液晶層と、一対の基板を互いに接着するとともに、両基板の間に液晶を封入するために枠状に設けられたシール材とを備えている。
【０００４】
また、液晶表示装置としては、画素（ピクセル）により画像を形成する各種のディスプレイが、情報や映像の表示手段として広く普及しているが、例えば、図８に示されるように、１つの画素Ｃが、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）からなる３原色の着色層によって構成され、この３原色の着色層を有するカラーフィルター５０によりカラー表示を行うものが一般的である。
【０００５】
ここで、従来、例えば、車載用インストルメントパネルにおいては、限られた光量で高輝度を実現する必要があるため、色再現範囲が狭く、警告灯等において、インパクトのある色を表現できないという問題があった。
【０００６】
そこで、近年では、表示品位を向上するために色再現範囲を拡大することが検討されている。より具体的には、例えば、複数種の着色層と、色変換色素を含み、複数種の着色層を覆って一体的に形成された色変換層とを備えた色変換機能付きカラーフィルターが提案されている。そして、このカラーフィルターにおいては、色再現範囲を拡大させるべく、複数種の着色層の一部が他の着色層より厚くなるように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１０７７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、上記特許文献１に記載のカラーフィルターにおいては、着色層の一部を他の着色層より厚く構成しているため、色再現範囲を拡大させることはできるものの、厚くした着色層の部分において、光の透過率が低下して、結果として、輝度が低下するという問題があった。
【０００９】
また、着色層を厚くする代わりに、着色層の色を変えて色を濃くすることにより、色再現範囲を拡大させることも可能であるが、この場合も、光の透過率が低下して、結果として、輝度が低下するという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、高輝度を実現することができるカラーフィルターおよびそれを備えた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、少なくとも１種の着色層からなる画素が２次元的に複数配列された表示領域を有するカラーフィルターであって、所定の表示を行う領域における画素が、１種の着色層により形成されていることを特徴とする。
【００１２】
同構成によれば、所定の表示を行う領域において、全ての着色層を単色（例えば、赤色）にすることが可能になるため、所定の表示を行う領域における輝度を向上させることが可能になる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のカラーフィルターであって、所定の表示を行う領域における着色層の厚みをＷ１、所定の表示を行う領域以外の領域における着色層の厚みをＷ２とした場合に、０．５Ｗ２≦Ｗ１≦３．０Ｗ２の関係が成立することを特徴とする。
【００１４】
同構成によれば、所定の表示を行う領域において、輝度を向上させることができるとともに、色再現範囲を拡大することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のカラーフィルターであって、所定の表示が、ユーザーへの報知を行うための表示であることを特徴とする。
【００１６】
同構成によれば、ユーザーへの報知を行うための表示を行う領域の輝度が向上するため、警告表示等のユーザーへの報知を行うための表示をユーザーが容易に認識することができ、ユーザーへの報知を確実に行うことが可能になる。
【００１７】
また、本発明の請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のカラーフィルタは、所定の表示を行う領域における輝度を向上させることができるという優れた特性を備えている。従って、請求項４に記載の発明のように、第１基板と、第１基板に対向して配置され、請求項１〜３のいずれか１項に記載のカラーフィルターを有する第２基板と、第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備えた表示装置に好適に使用され、特に、請求項５に記載の発明のように、請求項４に記載の表示装置であって、表示媒体層に、液晶層を使用した表示装置に好適に使用される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、表示領域を有するカラーフィルターにおいて、所定の表示を行う領域における輝度を向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図である。
【図４】本発明の実施形態に係る液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の全体構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の表示部の全体構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るカラーフィルターの全体構成を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ断面図である。
【図８】従来のカラーフィルターの全体構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。また、図３は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図であり、図４は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の全体構成を示す断面図である。また、図５は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の表示部の全体構成を示す断面図であり、図６は、本発明の実施形態に係るカラーフィルターの全体構成を示す平面図である。また、図７は、図６のＡ−Ａ断面図である。なお、本実施形態においては、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明する。
【００２２】
図１、図２に示す様に、液晶表示装置１は、第１基板であるＴＦＴ基板２と、ＴＦＴ基板２に対向して配置された第２基板であるＣＦ基板３と、ＴＦＴ基板２及びＣＦ基板３の間に挟持して設けられた表示媒体層である液晶層４と、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に狭持され、ＴＦＴ基板２及びＣＦ基板３を互いに接着するとともに液晶層４を封入するために枠状に設けられたシール材４０とを備えている。このシール材４０は、液晶層４を周回するように形成されており、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３は、このシール材４０を介して相互に貼り合わされている。また、図５に示すように、液晶表示装置１は、液晶層４の厚み（即ち、セルギャップ）を規制するための複数のフォトスペーサ２５を備えている。
【００２３】
また、図１に示すように、液晶表示装置１は、矩形状に形成されており、液晶表示装置１の長手方向Ｘにおいて、ＴＦＴ基板２がその上辺においてＣＦ基板３よりも突出し、その突出した領域には、後述するゲート線やソース線等の複数の表示用配線が引き出され、端子領域Ｔが構成されている。
【００２４】
また、液晶表示装置１では、ＴＦＴ基板２及びＣＦ基板３が重なる領域に画像表示を行う表示領域Ｄが規定されている。ここで、表示領域Ｄは、画像の最小単位である画素がマトリクス状に複数配列されることにより構成され、図６に示すように、カラーフィルター２２は、少なくとも１種の着色層（本実施形態においては、赤色層Ｒ、緑色層Ｇ、および青色層Ｂの３種の着色層）２８からなる画素Ｅが２次元的に複数配列された表示領域Ｄを有する。
【００２５】
また、シール材４０は、図１に示すように、表示領域Ｄの周囲全体を囲む矩形枠状に設けられている。このシール材４０の枠幅Ｚは、特に限定されないが、例えば、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定できる。
【００２６】
ＴＦＴ基板２は、図３、図４に示すように、ガラス基板等の絶縁基板６と、当該絶縁基板６上に互いに平行に延設された複数のゲート線１１と、各ゲート線１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延設された複数のソース線１４と、各ゲート線１１及び各ソース線１４の交差部分毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ソース線１４及び各ＴＦＴ５を覆うように順に設けられた層間絶縁膜１０である第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１６と、第２層間絶縁膜１６上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５の各々に接続された複数の画素電極１９と、各画素電極１９を覆うように設けられた配向膜９とを有している。
【００２７】
また、ＴＦＴ５は、図４に示すように、各ゲート線１１が側方に突出したゲート電極１７と、ゲート電極１７を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上でゲート電極１７に重なる位置において島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上で互いに対峙するように設けられたソース電極１８及びドレイン電極２０とを備えている。ここで、ソース電極１８は、各ソース線１４が側方に突出した部分である。また、ドレイン電極２０は、図４に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１６に形成されたコンタクトホール３０を介して画素電極１９に接続されている。また、画素電極１９は、図５に示すように、第２層間絶縁膜１６上に設けられた透明電極３１と、透明電極３１上に積層され、透明電極３１の表面上に設けられた反射電極３２とにより構成されている。また、半導体層１３は、図４に示すように、下層の真性アモルファスシリコン層１３ａと、その上層のリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン層１３ｂとを備え、ソース電極１８及びドレイン電極２０から露出する真性アモルファスシリコン層１３ａがチャネル領域を構成している。
【００２８】
また、液晶表示装置１の表示部では、図５に示すように、反射電極３２により反射領域Ｒが規定され、反射電極３２から露出する透明電極３１により透過領域Ｔが規定されている。また、画素電極１９の下層の第２層間絶縁膜１６の表面は、図５に示すように、凹凸状に形成されており、第２層間絶縁膜１６の表面に透明電極３１を介して設けられた反射電極３２の表面も凹凸状に形成されている。
【００２９】
なお、第１層間絶縁膜１５を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））等が挙げられる。また、第１層間絶縁膜１５の厚みは、６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。これは、第１層間絶縁膜１５の厚みが６００ｎｍ未満の場合は、第１層間絶縁膜１５を平坦化することが困難になるという不都合が生じる場合があるためであり、１０００ｎｍより大きい場合は、エッチングにより、コンタクトホール３０を形成することが困難になるという不都合が生じる場合があるためである。
【００３０】
また、ＣＦ基板３は、図５に示すように、ガラス基板等の絶縁基板２１と、絶縁基板２１上に設けられたカラーフィルター２２と、カラーフィルター２２の反射領域Ｒにおいて、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔにおける光路差を補償するための透明層２３と、カラーフィルター層２２の透過領域Ｔ及び透明層２３（即ち、反射領域Ｒ）覆うように設けられた共通電極２４と、共通電極２４上に柱状に設けられたフォトスペーサ２５と、共通電極２４及びフォトスペーサ２５を覆うように設けられた配向膜２６とを有している。
【００３１】
なお、カラーフィルター２２には、図５、図６に示すように、各画素Ｅに対して設けられた複数種の着色層２８（即ち、赤色層Ｒ、緑色層Ｇ、および青色層Ｂ）と、遮光膜であるブラックマトリクス２７とが含まれる。ブラックマトリクス２７は、隣接する着色層２８の間に設けられ、これら複数種の着色層２８を区画する役割を有するものである。このブラックマトリクス２７は、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）などの金属材料、カーボンなどの黒色顔料が分散された樹脂材料、または、各々、光透過性を有する複数色の着色層が積層された樹脂材料などにより形成される。また、フォトスペーサ２５は、例えば、アクリル系の感光性樹脂からなり、フォトリソグラフィー法により形成される。
【００３２】
上記構成の半透過型の液晶表示装置１は、反射領域ＲにおいてＣＦ基板３側から入射する光を反射電極３２で反射するとともに、透過領域ＴにおいてＴＦＴ基板２側から入射するバックライト（不図示）からの光を透過するように構成されている。
【００３３】
そして、液晶表示装置１は、各画素電極１９毎に１つの画素Ｅが構成されており、各画素Ｅにおいて、ゲート線１１からゲート信号が送られてＴＦＴ５をオン状態にした場合に、ソース線１４からソース信号が送られてソース電極１８及びドレイン電極２０を介して、画素電極１９に所定の電荷が書き込まれ、画素電極１９と共通電極２４との間で電位差が生じ、液晶層４に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置１では、印加された電圧の大きさに応じて、液晶分子の配向状態が変わることを利用して、バックライトから入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される構成となっている。
【００３４】
ここで、本実施形態においては、図６に示すように、カラーフィルタ２２の、所定の表示を行う領域Ｓ（以下、「領域Ｓ」という。）における画素Ｅが、複数種の着色層２８（即ち、赤色層Ｒ、緑色層Ｇ、および青色層Ｂ）のうちの１種の着色層（即ち、赤色層Ｒ）により形成されている点に特徴がある。
【００３５】
このような構成により、領域Ｓにおいて、全ての着色層２８を単色（即ち、赤色）にすることが可能になるため、当該領域Ｓにおける輝度を向上させることが可能になる。
【００３６】
例えば、領域Ｓが、ユーザーへの報知を行うための表示（例えば、警告表示等）を行う領域の場合、当該領域Ｓの輝度が向上しているため、ユーザーが警告表示等を容易に認識することができ、ユーザーへの報知を確実に行うことが可能になる。
【００３７】
また、本実施形態においては、領域Ｓにおける輝度の低下を抑制するとともに色再現範囲を拡大するとの観点から、図７に示すように、上記領域Ｓにおける着色層２８（即ち、赤色層Ｒ）の厚みをＷ１、上記領域Ｓ以外の領域におけるにおける着色層２８の厚みをＷ２とした場合に、０．５Ｗ２≦Ｗ１≦３．０Ｗ２の関係が成立する構成としている。これは、Ｗ１が３．０Ｗ２よりも大きい場合は、領域Ｓにおける色再現範囲は拡大するものの、光の透過率が低下して、輝度が低下する場合があり、Ｗ１が０．５Ｗ２未満の場合は、領域Ｓにおける光の透過率が向上して輝度は向上するものの、色再現範囲が縮小する場合があるためである。
【００３８】
そして、本実施形態においては、上述のごとく、領域Ｓにおいて、全ての着色層２８を単色層（即ち、赤色層Ｒ）にしているため、領域Ｓにおいて、着色層２８の厚みＷ１を大きくすることによる輝度の低下を補うことが可能になり、結果として、当該領域Ｓにおける輝度を向上させることが可能になる。また、上記領域Ｓにおいて、着色層２８の厚みＷ１を大きくしているため、上記領域Ｓにおける色再現範囲を拡大することができる。
【００３９】
即ち、本実施形態においては、上述のごとく、領域Ｓにおいて、全ての着色層２８を単色層にするとともに、０．５Ｗ２≦Ｗ１≦３．０Ｗ２の関係が成立するように着色層２８の厚みを設定することにより、上記領域Ｓにおいて、着色層２８の厚みを大きくしたことによる輝度の低下を効果的に抑制して、輝度を向上させることができるとともに、領域Ｓにおける色再現範囲を拡大することが可能になる。
【００４０】
次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について一例を挙げて説明する。なお、本実施形態の製造方法は、ＴＦＴ基板作製工程、ＣＦ基板作製工程、及び基板貼り合わせ工程を備える。
【００４１】
＜ＴＦＴ基板作製工程＞
まず、絶縁基板６の全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線１１及びゲート電極１７を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００４２】
続いて、ゲート線１１及びゲート電極１７が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜１２を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００４３】
さらに、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、真性アモルファスシリコン膜（厚さ２０００Å程度）、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５００Å程度）を連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィによりゲート電極１７上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びｎ＋アモルファスシリコン層が積層された半導体形成層を形成する。
【００４４】
そして、上記半導体形成層が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線１４、ソース電極１８及びドレイン電極２０を厚さ２０００Å程度に形成する。
【００４５】
続いて、ソース電極１８及びドレイン電極２０をマスクとして上記半導体形成層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル領域をパターニングして、半導体層１３及びそれを備えたＴＦＴ５を形成する。
【００４６】
さらに、ＴＦＴ５が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、第１層間絶縁膜１５を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００４７】
そして、第１層間絶縁膜１５が形成された基板全体に、スピンコート法により、例えば、ポジ型の感光性樹脂を厚さ３μｍ程度に塗布し、その塗布された感光性樹脂を、複数の円形状の遮光部が互いに離間してランダムに形成された第１のフォトマスクを介して均一に且つ相対的に低照度で露光し、続いて、ドレイン電極２０上のコンタクトホール３０に対応する位置に開口部がそれぞれ形成された第２のフォトマスクを介して均一に且つ相対的に高照度で露光した後に、現像する。これにより、上述した高照度の露光部分の感光性樹脂は、完全に除去され、同低照度の露光部分の感光性樹脂は、塗布厚の４０％程度が残膜し、未露光部分の感光性樹脂は、塗布厚の８０％程度が残膜することになる。さらに、感光性樹脂が現像された基板を２００℃程度に加熱して、感光性樹脂を熱だれさせることにより、反射領域Ｒの表面がなめらかな凹凸状になった第２層間絶縁膜１６を形成する。その後、第２層間絶縁膜１６から露出する第１層間絶縁膜１５をエッチングして、コンタクトホール３０を形成する。
【００４８】
次いで、第２層間絶縁膜１６上の基板全体に、ＩＴＯ膜などからなる透明導電膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、絶縁基板６に透明電極３１を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００４９】
次いで、透明電極３１が形成された基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５０Å程度）及びアルミニウム膜（厚さ１０００Å程度）をスパッタリング法により順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、反射領域Ｒにおいて、透明電極３１の表面上に反射電極３２を形成して、透明電極３１及び反射電極３２を備えた画素電極１９を形成する。
【００５０】
次いで、画素電極１９が形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜９を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００５１】
以上のようにして、ＴＦＴ基板２を作製することができる。
【００５２】
＜ＣＦ基板作製工程＞
まず、ガラス基板などの絶縁基板２１の基板全体に、スピンコート法により、例えば、カーボン微粒子などの黒色顔料が分散されたポジ型の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像及び加熱することにより、ブラックマトリクス２７を厚さ２．０μｍ程度に形成する。
【００５３】
続いて、ブラックマトリクス２７が形成された基板上に、例えば、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することによりパターニングして、選択した色の着色層（例えば、赤色層Ｒ）２８を形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、他の２色の着色層（例えば、緑色層Ｇ及び青色層Ｂ）２８を形成して、赤色層Ｒ、緑色層Ｇ及び青色層Ｂを備えたカラーフィルター２２を形成する。
【００５４】
この際、上記領域Ｓにおいては、上述のごとく、赤色層Ｒのみを形成するとともに、領域Ｓにおける赤色層Ｒを、例えば、厚さ１．７５μｍ程度に形成し、領域Ｓ以外の着色層２８を、例えば、厚さ１．０μｍ程度に形成する。
【００５５】
次いで、カラーフィルター２２が形成された基板上に、スピンコート法により、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、透明層２３を厚さ２μｍ程度に形成する。
【００５６】
次いで、透明層２３が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、共通電極２４を厚さ１５００Å程度に形成する。
【００５７】
次いで、共通電極２４が形成された基板全体に、スピンコート法により、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、フォトスペーサ２５を厚さ４μｍ程度に形成する。
【００５８】
最後に、フォトスペーサ２５が形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜２６を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００５９】
以上のようにして、ＣＦ基板３を作製することができる。
【００６０】
＜貼り合わせ工程＞
まず、例えば、ディスペンサを用いて、上記ＣＦ基板作製工程で作製されたＣＦ基板３に、紫外線硬化及び熱硬化併用型樹脂などにより構成されたシール材４０を枠状に描画する。
【００６１】
次いで、上記シール材４０が描画されたＣＦ基板３におけるシール材４０の内側の領域に液晶材料を滴下する。
【００６２】
さらに、上記液晶材料が滴下されたＣＦ基板３と、上記ＴＦＴ基板作製工程で作製されたＴＦＴ基板２とを、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、その貼合体の表面及び裏面を加圧する。
【００６３】
次いで、上記貼合体に挟持されたシール材４０にＵＶ光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材４０を硬化させる。
【００６４】
以上のようにして、図１に示す液晶表示装置１を作製することができる。
【００６５】
以上に説明した本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
【００６６】
本実施形態においては、カラーフィルター２２において、領域Ｓにおける画素Ｅを、１種の着色層（即ち、赤色層Ｇ）２８により形成する構成としている。従って、領域Ｓにおいて、全ての着色層２８を単色（即ち、赤色）にすることが可能になるため、当該領域Ｓにおける輝度を向上させることが可能になる。
【００６７】
また、本実施形態においては、領域Ｓにおける着色層２８の厚みをＷ１、領域Ｓ以外の領域における着色層２８の厚みをＷ２とした場合に、０．５Ｗ２≦Ｗ１≦３．０Ｗ２の関係が成立する構成としている。従って、領域Ｓにおいて、輝度を向上させることができるとともに、色再現範囲を拡大することができる。
【００６８】
また、本実施形態においては、所定の表示を、警告表示等のユーザーへの報知を行うための表示とした場合、領域Ｓの輝度が向上しているため、警告表示等をユーザーが容易に認識することができ、ユーザーへの報知を確実に行うことが可能になる。
【００６９】
なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。
【００７０】
上記実施形態においては、表示装置として、液晶表示装置１を例に挙げて説明したが、例えば、有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置についても、本発明を適用することができる。
【００７１】
また、上記実施形態においては、領域Ｓにおける画素を赤色層Ｒにより形成したが、表示する内容に対応させて、緑色層Ｇ、または青色層Ｂにより、領域Ｓにおける画素を形成する構成としても良い。
【００７２】
また、上記実施形態においては、領域Ｓにおける画素Ｅを、１種の着色層（即ち、赤色層Ｒ）２８により形成したが、当該領域Ｓにおいて、他の着色層（例えば、青色層Ｂ）を使用して、文字や記号等の表示を行う構成としても良い。このような構成により、領域Ｓにおいて、文字や記号等を固定表示することが可能になるため、通常の領域（即ち、領域Ｓ以外の領域）に比し、輝度または色純度を向上させることが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
以上説明したように、本発明は、着色層からなる画素が配列された表示領域を有するカラーフィルターおよびそれを用いた表示装置に適している。
【符号の説明】
【００７４】
１    液晶表示装置
２    ＴＦＴ基板（第１基板）
３    ＣＦ基板（第２基板）
４    液晶層（表示媒体層）
２２    カラーフィルター
２８    着色層
Ｂ    青色層
Ｄ    表示領域
Ｅ    画素
Ｇ    緑色層
Ｒ    赤色層
Ｓ    所定の表示を行う領域
Ｗ１    所定の表示を行う領域における着色層の厚み
Ｗ２    所定の表示を行う領域以外の領域における着色層の厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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