(57)【要約】【課題】小型化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ１３ｆは主面ＭＳを有する。導電部１１ｆは、主面ＭＳ上に設けられ、かつ導電性および展性を有する材質からなる。封止樹脂部１５は主面ＭＳと正対する表面ＳＦを有する。電極１２ｆｕは、導電部１１ｆ上に設けられ、かつ導電部１１ｆおよび表面ＳＦの間で封止樹脂部１５を貫通している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する半導体チップと、
前記主面上に設けられ、かつ導電性および展性を有する材質からなる導電部と、
前記主面と正対する表面を有する封止樹脂部と、
前記導電部上に設けられ、かつ前記導電部および前記表面の間で前記封止樹脂部を貫通する電極とを備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記導電部の材質は、ハンダおよび導電性樹脂よりなる群から選ばれた少なくとも１つを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電極は、前記表面上に露出されたネジ穴と、前記封止樹脂部内において前記ネジ穴の延在方向と交差する方向に突起する角部とを含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ネジ穴の周りに、前記封止部材に固定された固定樹脂部をさらに備えた、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
主面を有する半導体チップを準備する工程と、
前記主面上に、導電性および展性を有する材質からなる導電部を形成する工程と、
前記導電部を形成する工程の後に、前記半導体チップを金型内に配置する工程とを備え、
前記金型は、前記主面に対して間隔を空けて対向する内面と、前記導電部を押さえ付けるように前記内面から突起した突起部とを有し、
前記金型内に樹脂を充填した後に前記金型を除去することによって、前記主面と正対する表面と、前記導電部および前記表面の間を貫通する開口部とを有する封止樹脂部を形成する工程をさらに備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電部上に前記開口部を貫通する電極を接合する工程をさらに備えた、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体チップと樹脂封止部とを有する半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インバータ用途の半導体装置として、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)やフリーホイールダイオード(Free Wheel Diode)などの複数の半導体素子がモールド樹脂および絶縁シートにより封止されたパワーモジュールがある。たとえば特開２００６−３１９０８４号公報（特許文献１）にこのようなパワーモジュールが開示されている。
【０００３】
また樹脂封止された半導体装置の小型化技術としては、たとえば特開２００３−７９６６号公報（特許文献２）に開示された技術がある。この技術によれば、半導体装置は、放熱基板と、この放熱基板上に配設された半導体素子と、この半導体素子の主電極にそれぞれの一方端が電気的に接続された複数の主電極板と、放熱基板、半導体素子、および複数の主電極板を樹脂封止する樹脂パッケージとを備える。複数の主電極板の各々の他方端は、樹脂パッケージの上面側において外部に露出している。樹脂パッケージは、モールド成形により一体で成形されている。
【特許文献１】特開２００６−３１９０８４号公報
【特許文献２】特開２００３−７９６６号公報（第１図および第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特開２００３−７９６６号公報の技術では、半導体チップ表面の電極と主電極板とがワイヤボンディングにより接続されているため、ワイヤボンディングに必要な領域を確保しなければならず、半導体装置のさらなる小型化が困難であるという問題があった。また、主電極を半導体チップ表面直上の樹脂パッケージ面（上面側）から取り出すには、特殊な金型が必要とされるなどして、製品コストの上昇を招くという問題があった。
【０００５】
それゆえ本発明の目的は、より小型化が可能な半導体装置を比較的安価に提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置は、半導体チップと、導電部と、封止樹脂部と、電極とを有する。半導体チップは主面を有する。導電部は、主面上に設けられ、かつ導電性および展性を有する材質からなる。封止樹脂部は主面と正対する表面を有する。電極は、導電部上に設けられ、かつ導電部および表面の間で封止樹脂部を貫通している。
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法は、以下の工程を有する。
まず主面を有する半導体チップが準備される。この主面上に、導電性および展性を有する材質からなる導電部が形成される。この導電部が形成された半導体チップが金型内に配置される。金型は、主面に対して間隔を空けて対向する内面と、導電部を押さえ付けるように内面から突起した突起部とを有する。金型内に樹脂が充填された後に金型が除去されることによって、主面と正対する表面と、導電部および表面の間を貫通する開口部とを有する封止樹脂部が形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体装置によれば、電極を半導体チップの主面上の領域に設けることができるので、半導体装置を小型化することができる。
【０００９】
また導電部は半導体チップの主面上に設けられているので、平面レイアウトにおいて半導体チップの領域以外に導電部を設けるための領域を確保する必要がない。このため半導体装置を、より小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
はじめに本実施の形態の半導体装置の構成について、図１〜図４を用いて説明する。
【００１１】
図１および図２のそれぞれは、本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す断面図および平面図である。図３は、モールド樹脂が図示されない場合における図２に対応する図である。なお図２および図３の各々のＩ−Ｉ線は、図１の断面位置を示している。
【００１２】
図１〜図３を参照して、本実施の形態の半導体装置は、複数のパワーデバイスが搭載（内蔵）されたトランスファーモールド形のパワーモジュールである。この半導体装置は、複数のフリーホイールダイオード１３ｆ（半導体チップ）と、複数のＩＧＢＴ１３ｉと、複数の電極接合はんだ部１１ｆ（導電部）と、電極接合はんだ部１１ｈと、モールド樹脂部１５（封止樹脂部）と、主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎ（電極）と、主電極ピン１２ｈｐと、複数のワイヤ１４と、複数の外部電極リード１６と、複数のヒートスプレッダ１７と、高熱伝導絶縁シート４０と、複数のダイボンドはんだ部２０ｆと、複数のダイボンドはんだ部２０ｉとを有している。
【００１３】
フリーホイールダイオード１３ｆおよびＩＧＢＴ１３ｉの各々は、パワーデバイスであり、主面ＭＳ（図３において示されている面）を有している。そして、後述するフリーホイールダイオード１３ｆのアノードパッドと、ＩＧＢＴ１３ｉのエミッタパッドおよび制御パッドとは、この主面ＭＳ上に形成されている。
【００１４】
電極接合はんだ部１１ｆは、フリーホイールダイオード１３ｆの主面ＭＳ上に設けられている。また電極接合はんだ部１１ｈは、ヒートスプレッダ１７上に設けられている。この電極接合はんだ部１１ｆ、１１ｈは、はんだ、すなわち導電性および展性（圧力による可塑性）を有する材質からなる。
【００１５】
モールド樹脂部１５は、フリーホイールダイオード１３ｆおよびＩＧＢＴ１３ｉの各々の主面ＭＳを覆っている。これによりモールド樹脂部１５は、主面ＭＳと正対する表面ＳＦを有している。モールド樹脂部１５は樹脂材料を含有する部材である。モールド樹脂部１５は、さらに無機材料からなる充填材を含有してもよい。モールド樹脂部１５の材質はトランスファーモールド法に適した材料が好ましい。すなわち樹脂成形時に十分な流動性を有する材料が好ましい。
【００１６】
主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎはフリーホイールダイオード１３ｆ部に対応する電極であり、主電極ピン１２ｈｐはヒートスプレッダ１７部に対応する電極である。主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎは、電極接合はんだ部１１ｆ上に設けられ、かつ電極接合はんだ部１１ｆとモールド樹脂部１５の表面ＳＦとの間でモールド樹脂部１５を貫通している。主電極ピン１２ｈｐは、電極接合はんだ部１１ｈ上に設けられ、かつ電極接合はんだ部１１ｈとモールド樹脂部１５の表面ＳＦとの間でモールド樹脂部１５を貫通している。
【００１７】
高熱伝導絶縁シート４０は、絶縁体部１８と、銅箔１９とを有している。絶縁体部１８と銅箔１９とは、互いに重ねられて一体的に形成されている。絶縁体部１８の材質は、モールド樹脂部１５の材質よりも高い熱伝導性を有する絶縁体である。この絶縁体は、たとえば高熱伝導フィラーを含有するエポキシ樹脂である。銅箔１９は、高熱伝導絶縁シート４０の基材として絶縁体部１８を保護する働きを有する。なお銅箔１９の代わりに、アルミニウムなどの銅以外の金属からなる箔を使用することもできる。
【００１８】
ワイヤ１４は、金属細線であり、たとえばアルミニウムからなる。
ダイボンドはんだ部２０ｆおよび２０ｉのそれぞれは、フリーホイールダイオード１３ｆおよびＩＧＢＴ１３ｉの下に設けられている。
【００１９】
図４は、本発明の実施の形態１における半導体装置の回路構成を概略的に示す図である。
【００２０】
図４を参照して、１対のＩＧＢＴ１３ｉのそれぞれは、主電流の入出力のための端子である主端子として、エミッタ端子およびコレクタ端子を有している。ＩＧＢＴ１３ｉは、エミッタ端子およびコレクタ端子の間の電流経路のスイッチングを行なう半導体スイッチング素子である。スイッチングはゲートＧに印加される制御信号に対応して行なわれる。
【００２１】
一方のＩＧＢＴ１３ｉのエミッタと他方のＩＧＢＴ１３ｉのコレクタとは互いに接続されており、この接続部分が半導体装置の出力端子Ｕに対応している。また、この一方のＩＧＢＴ１３ｉのコレクタ端子と他方のＩＧＢＴ１３ｉのエミッタ端子とのそれぞれが、半導体装置の入力端子ＰとＮとに対応している。また各ＩＧＢＴ１３ｉにはフリーホイールダイオード１３ｆが逆並列に接続されている。この構成により、入力端子ＰおよびＮの間に入力端子Ｐの電位が入力端子Ｎの電位よりも高電位となるように直流高電圧が印加された状態で各ゲートＧに制御信号が印加されることで、出力端子Ｕから制御信号に応じた出力を得ることができる。
【００２２】
図１〜図４を参照して、各ＩＧＢＴ１３ｉは、ゲートＧに対応する制御パッド（図示せず）を有している。この制御パッドはワイヤ１４により外部電極リード１６と接続されている。また各ＩＧＢＴ１３ｉは、ワイヤ１４が接続されるためのエミッタパッド（図示せず）を有している。また各ＩＧＢＴ１３ｉのコレクタ（裏面電極）はダイボンドはんだ部２０ｉによりヒートスプレッダ１７と接続されている。
【００２３】
各フリーホイールダイオード１３ｆは、一方側（図３で図示されている側）にアノードパッド（図示せず）を有している。このアノードパッドはワイヤ１４によりＩＧＢＴ１３ｉと接続されている。またアノードパッドの上に電極接合はんだ部１１ｆが配置されている。また各フリーホイールダイオード１３ｆの他方側（図３で図示されている側と反対側）は、カソードとしての機能を有し、ダイボンドはんだ部２０ｆによりヒートスプレッダ１７と接続されている。
【００２４】
図１〜図３を参照して、主電極ピン１２ｈｐ、１２ｆｕ、１２ｆｎは、モールド樹脂部１５の内部から、表面ＳＦを貫通してモールド樹脂部１５の外部に突き出ている。また主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎは、モールド樹脂部１５内部において電極接合はんだ部１１ｆと電気的に接続されている。また主電極ピン１２ｈｐは、モールド樹脂部１５内部において電極接合はんだ部１１ｈと電気的に接続されている。
【００２５】
ヒートスプレッダ１７は、フリーホイールダイオード１３ｆおよびＩＧＢＴ１３ｉの各々の主面ＭＳと反対の面に設けられている。ヒートスプレッダ１７は高い導電性および熱伝導性を有する材質からなる部材であり、たとえば銅（Ｃｕ）製の板状部材（たとえば厚さ３ｍｍ）である。ヒートスプレッダ１７は、配線経路の一部としての機能と、フリーホイールダイオード１３ｆおよびＩＧＢＴ１３ｉから発生する熱を拡散させることにより放熱を促進させる機能とを有している。
【００２６】
次に本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。図５は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。また図６〜図９は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１〜第４工程を概略的に示す断面図である。
【００２７】
主に図５および図６を参照して、樹脂封止されることになる構造が形成される。具体的には、まず、フリーホイールダイオード１３ｆおよびＩＧＢＴ１３ｉのそれぞれが、ダイボンドはんだ部２０ｆおよびダイボンドはんだ部２０ｉを介してヒートスプレッダ１７に接合される。外部電極リード１６を有するリードフレーム２１がヒートスプレッダ１７を囲むように配置される。フリーホイールダイオード１３ｆ、ＩＧＢＴ１３ｉ、外部電極リード１６、およびヒートスプレッダ１７の間で、図４に示す回路を形成するために、ワイヤ１４によるワイヤボンディングが行なわれる。そしてヒートスプレッダ１７の下面に高熱伝導絶縁シート４０が置かれる。またフリーホイールダイオード１３ｆの主面ＭＳおよびヒートスプレッダ１７の主面ＭＳのそれぞれの上に、電極接合はんだ部１１ｆおよび電極接合はんだ部１１ｈが形成される。
【００２８】
図７を参照して、トランスファーモールド法のための下金型２３および上金型２４が準備される。上金型２４は、電極接合はんだ部１１ｆ、１１ｈに対応する位置にありかつキャビティの内面ＩＳに通じる複数の貫通孔と、この複数の貫通孔のそれぞれに挿入される押さえピン２２とを有する。貫通孔への押さえピン２２の挿入深さは、周知のアクチュエータ（図示せず）により制御することができる。この構成により、上金型２４は、内面ＩＳから押さえピン２２を突起させることができるように構成されている。
【００２９】
下金型２３および上金型２４が加熱される。上金型２４の内面ＩＳと、フリーホイールダイオード１３ｆの主面ＭＳとが間隔を空けて対向するように、下金型２３および上金型２４がリードフレーム２１を挟み込む。上金型２４の内面ＩＳから突起した複数の押さえピン２２のそれぞれが、電極接合はんだ部１１ｆおよび電極接合はんだ部１１ｈに、図中矢印のように押し付けられる。この押し付けの圧力は、上述したアクチュエータにより制御される。
【００３０】
図８を参照して、電極接合はんだ部１１ｆおよび電極接合はんだ部１１ｈは展性を有するので、押さえピン２２が押し付けられることにより電極接合はんだ部１１ｆおよび電極接合はんだ部１１ｈの各々に押さえピン２２の先端形状に対応した窪みが形成される。
【００３１】
エポキシ樹脂とフィラーとを主成分とする粉末またはタブレットが、加熱および加圧により溶融されることで、粘度の低い溶融体１５ｍとされる。この溶融体１５ｍが、キャビティに充填された後に硬化される。下金型２３と、押さえピン２２を有する上金型２４とが除去される。
【００３２】
主に図９を参照して、表面ＳＦと、開口部ＯＰｆおよびＯＰｈとを有するモールド樹脂部１５が形成される。
【００３３】
このようにしてモールド樹脂部１５が形成された後に、主電極ピン１２ｈｐと主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎ（１２ｆｎは図９において図示せず）とのそれぞれが、図９の実線矢印で示されるように、開口部ＯＰｆと開口部ＯＰｈとに挿入される。これにより、主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎ（１２ｆｎは図９において図示せず）と主電極ピン１２ｈとのそれぞれが、電極接合はんだ部１１ｆの窪みと電極接合はんだ部１１ｈの窪みとの上に配置される。次に、主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎ（１２ｆｎは図９において図示せず）と主電極ピン１２ｈとのそれぞれが、電極接合はんだ部１１ｆと電極接合はんだ部１１ｈとに接合される。接合方法としては、たとえば、加熱による方法、超音波を用いた方法、圧着法のいずれかを用いることができる。
【００３４】
外部電極リード１６となる部分以外のリードフレーム２１が切断により除去される。そして外部電極リード１６が、表面ＳＦ側へ、図９の破線矢印で示されるように折り曲げられる。
【００３５】
以上により本実施の形態の半導体装置が得られる。
図１０は、比較例における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。図１０を参照して、比較例においては、半導体装置は、主電極ピン１２ｆｕの代わりに外部主電極リード４６ｆｕを有している。外部主電極リード４６ｆｕは、モールド樹脂部１５の表面ＳＦからではなく表面ＳＦの周囲に位置する側面から、モールド樹脂部１５の外に突出している。この突出により、比較例における半導体装置は、本実施の形態の半導体装置に比して、寸法ｄＷだけ幅寸法（図中横方向の寸法）が大きくなっている。
【００３６】
本実施の形態によれば、図１に示すように、主電極ピン１２ｆｕをフリーホイールダイオード１３ｆの主面ＭＳ上の領域に設けることができるので、半導体装置を小型化することができる。
【００３７】
また電極接合はんだ部１１ｆはフリーホイールダイオード１３ｆの主面ＭＳ上に設けられているので、平面レイアウトにおいてフリーホイールダイオード１３ｆの領域以外に電極接合はんだ部１１ｆを設けるための領域を確保する必要がない。このため半導体装置を、より小型化することができる。
【００３８】
また、電極接合はんだ部１１ｆは展性を有している。よって、図８に示すように、押さえピン２２が押し付けられた際に、この押し付けに応じて電極接合はんだ部１１ｆが変形することで、押さえピン２２からの力によりフリーホイールダイオード１３ｆが破壊されることを防ぐことができる。なお展性と導電性とを十分に兼ね備える材料として、たとえば、はんだ以外に導電性樹脂を用いることができる。
【００３９】
また、図９に示すように、主電極ピン１２ｆｕは、電極接合はんだ部１１ｆの窪みに配置されてから接合される。これにより、より確実に接合を行なうことができる。
【００４０】
また、図１に示すように、主電極ピン１２ｆｕはワイヤ１４を介さずにフリーホイールダイオード１３ｆに接続されているので、ワイヤ１４の必要数を削減することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態においては、フリーホイールダイオード１３ｆの主面ＭＳ上に主電極ピン１２ｆｕ、ｆｎが設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。主電極ピンは、たとえばＩＧＢＴ１３ｉの主面ＭＳ上に設けられてもよい。
【００４２】
また１つの半導体チップに対して１本（１箇所）の主電極ピンが用いられているが、主電極に流される電流量に応じて、主電極ピンが複数本用いられてもよく、その形状についても棒状に代えて板状なものとしてもよい。
【００４３】
また、半導体装置に主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎ、１２ｈｐが設けられる代わりに、この半導体装置に接続される外部回路側に開口部ＯＰｆおよびＯＰｈ（図９）の各々に挿入されるための電極が設けられている構成を用いることもできる。
【００４４】
（実施の形態２）
図１１は、本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。また、図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った断面図である。
【００４５】
主に図１１および図１２を参照して、本実施の形態の半導体装置は、実施の形態１の主電極ピン１２ｆｕ、１２ｆｎ、１２ｈｐのそれぞれの代わりに、主電極部４２ｆｕ、４２ｆｎ、４２ｈｐを有している。主電極部４２ｆｕ、４２ｆｎの各々は、ピン部２８ｆと、周り留め部２６ｆとを有している。主電極部４２ｈｐは、ピン部２８ｈと、周り留め部２６ｈとを有している。周り留め部２６ｆおよび２６ｈのそれぞれは、ネジ穴２７ｆおよび２７ｈを有している。ネジ穴２７ｆおよび２７ｈは、表面ＳＦに露出するように配置されている。
【００４６】
また周り留め部２６ｆおよび２６ｈのそれぞれは、ナット状の形状を有している。これにより、周り留め部２６ｆおよび２６ｈのそれぞれは、モールド樹脂部１５内において、ネジ穴２７ｆおよび２７ｈの延在方向（図１２における縦方向）と交差する方向（図１１の面内方向）に突起する角部ＣＲを有している。周り留め部２６ｆおよび２６ｈの各々は、好ましくは、複数箇所の角部ＣＲを有している。たとえば、周り留め部２６ｆおよび２６ｈの各々は、図１１に示すように六角形状とされることにより、６つの角部ＣＲを有している。
【００４７】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。また、製造方法に関しては、実施の形態１における押さえピン２２（上金型２４）を、本実施の形態における主電極部４２ｆｕ、４２ｆｎ、４２ｈｐの形状に応じたものとする必要がある以外は、ほぼ同じである。
【００４８】
本実施の形態によれば、半導体装置と、半導体装置に接続される回路との接続を、周り留め部２６ｆおよび２６ｈのそれぞれのネジ穴２７ｆおよび２７ｈに対するネジ締めにより行なうことができる。
【００４９】
また好ましくは、周り留め部２６ｆおよび２６ｈの各々は、複数箇所の角部ＣＲを有する。これにより、ネジ締め時の周り留め部２６ｆおよび２６ｈの空回りを抑制することができ、かつ、その際に力が集中してモールド樹脂に損傷を与えることも避けられる。
【００５０】
（実施の形態３）
図１３は、本発明の実施の形態３における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。図１３を参照して、本実施の形態の半導体装置は、表面ＳＦに露出されたネジ穴２７ｆおよび２７ｈの各々の周りに、モールド樹脂部１５に固定された樹脂部３３を有している。樹脂部３３は、液状樹脂が塗布された後に硬化されることで形成することができる。また液状樹脂の塗布に代えて、ネジ穴２７ｆ、２７ｈに対応する貫通孔を有する蓋（栓）を接着するなどして樹脂部３３を形成することもできる。
【００５１】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００５２】
本実施の形態によれば、樹脂部３３により、互いに隣り合う主電極部４２ｆｕおよび４２ｆｎの間、または互いに隣り合う主電極部４２ｆｕおよび４２ｈｐの間において、より十分な沿面距離を確保することができる。なお沿面距離とは、２つの導電性部分間での絶縁物の表面に沿った最短距離のことである。
【００５３】
また樹脂部３３により、周り留め部２６ｆおよび２６ｈを固定することができる。
なお上記の実施の形態１〜３においては、フリーホイールダイオード１３ｆ上に電極接合はんだ部１１ｆを介して電極が設けられる構成が用いられたが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえばＩＧＢＴ１３ｉ上に電極接合はんだ部を介して電極が設けられる構成を用いることもできる。
【００５４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、半導体チップと樹脂封止部とを有する半導体装置に特に有利に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図３】モールド樹脂が図示されない場合における図２に対応する図である。
【図４】本発明の実施の形態１における半導体装置の回路構成を概略的に示す図である。
【図５】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第３工程を概略的に示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第４工程を概略的に示す断面図である。
【図１０】比較例における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態３における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１１ｆ  電極接合はんだ部（導電部）、１１ｈ  電極接合はんだ部、１２ｆｎ，１２ｆｕ  主電極ピン（電極）、１２ｈｐ  主電極ピン、１３ｆ  フリーホイールダイオード（半導体チップ）、１３ｉ  ＩＧＢＴ、１４  ワイヤ、１５  モールド樹脂部、１６  外部電極リード、１７  ヒートスプレッダ、１８  絶縁体部、１９  銅箔、２０ｆ，２０ｉ  ダイボンドはんだ部、４０  高熱伝導絶縁シート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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