(57)【要約】【課題】放熱性を高く維持しつつ、回路に短絡や断線が発生することを防ぐことができる回路基板を提供する。【解決手段】金属材料で形成された基板１に絶縁膜２を設けると共に絶縁膜２の上に回路３を設けて形成される回路基板に関する。絶縁膜２は基板１の表面に設けられる第１絶縁膜２ａと、第１絶縁膜２ａの上に設けられる第２絶縁膜２ｂとから形成されている。第１絶縁膜２ａは第２絶縁膜２ｂより高い熱伝導率を有する材料で、第２絶縁膜２ｂは第１絶縁膜２ａより弾性率の低い材料で形成されている。そして回路３は第２絶縁膜２ｂの上に形成されている。熱伝導率の高い第１絶縁膜２ａによって高い放熱性を維持することができ、また第１絶縁膜２ａにクラックが生じても、弾性率の低い第２絶縁膜２ｂにクラックが及ぶことはなく、回路３に短絡や断線が生じることを防ぐことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料で形成された基板の表面に絶縁膜を設けると共に絶縁膜の上に回路を設けて形成される回路基板であって、絶縁膜は基板の表面に設けられる第１絶縁膜と、第１絶縁膜の上に設けられる第２絶縁膜とから形成されていると共に、第１絶縁膜は第２絶縁膜より高い熱伝導率を有する材料で、第２絶縁膜は第１絶縁膜より弾性率の低い材料で、それぞれ形成されており、回路は第２絶縁膜の上に形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
絶縁膜と回路が設けられた基板の表面は三次元立体形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
第２絶縁膜は、液状材料のコーティング、蒸着から選ばれる方法で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
第２絶縁膜は、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドから選ばれる材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
第１絶縁膜は、ＣＶＤ、ＰＶＤから選ばれる方法で形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
第１絶縁膜は、エアロゾルデポジション法で形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
基板は少なくとも表面がアルミニウムで形成されていると共に、第１絶縁膜はアルミニウムを陽極酸化処理して生成されるアルマイト被膜で形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板が金属材料から形成された回路基板、特に三次元立体構造を有する立体回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板の表面に回路を設けた回路基板として、例えば特許文献１に示す方法で製造したものがある。このものは、絶縁性の基板の表面に導電膜を形成し、回路を形成する部分と回路を形成しない部分との境界領域に沿って導電膜にレーザ等の電磁波を照射して、この境界領域の導電膜を除去した後、回路形成部に残る導電膜に電気めっきを施して回路を形成することによって、回路基板を製造するようにしたものである。
【０００３】
上記の特許文献１のものは、基板として樹脂などの絶縁材料で形成したものを用いるようにしているが、耐熱性や放熱性を向上させるために、特許文献２のように、基板として金属材料を用いた金属基板の回路板が使用されつつある。このように金属製の基板を用いる場合、基板と回路との間の絶縁性を確保するために、引用文献２にも記載されているように、基板の表面を絶縁膜で被覆し、この絶縁膜の上に回路を形成する必要がある。
【０００４】
図６は、このように金属製の基板１の表面に絶縁膜２を設け、絶縁膜２の上に回路３を形成した回路基板を製造する方法の一例を示すものである。すなわち、例えば図６（ａ）のように表面を三次元立体形状に形成された基板１を用い、この基板１の表面の全面に図６（ｂ）のように絶縁膜２を形成する。次に絶縁膜２の上から基板１の表面の全面に図６（ｃ）のようにスパッタ等で銅などの導電膜１０を形成する。次いで回路を形成する回路形成部１２と、回路を形成しない回路非形成部１３との境界に沿ってレーザ等を照射して、図６（ｄ）のようにレーザ等を照射した部分の導電膜１０を除去した後、回路形成部１２に残る導電膜１０に通電して、回路形成部１２の導電膜１０の上に電気銅めっきなどを施して図６（ｅ）のように回路３を形成する。そして軽くエッチングして回路非形成部１３の導電膜１０を除去することによって、図６（ｆ）のように絶縁膜２を介して金属製の基板１の表面に回路３を設けた回路基板Ａを得ることができるものである。
【特許文献１】特許第３１５３６８２号公報
【特許文献２】特開２００８−２８２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように絶縁膜２を介して回路３を設けて形成される回路基板Ａにあって、基板１の表面は絶縁膜２で被覆されるので、金属製の基板１の放熱性という特性が損なわれないように、絶縁膜２は熱伝導性の高い材料で形成する必要がある。そしてこのような熱伝導性の高い材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＣなどの無機材料を用いるのが一般的である。
【０００６】
しかし、これらの無機材料で形成される絶縁膜２は線膨張率が金属製の基板１と比較して著しく低く、また脆い材質であるのが一般的である。このため、熱が作用すると基板１と絶縁膜２との膨張率の差で、絶縁膜２にクラックが発生し易く、熱衝撃に弱いという問題を有するものであった。すなわち、回路３を形成する際の熱衝撃で絶縁膜２にクラックが発生すると、クラックの箇所で回路３が基板１と短絡することになり、また回路形成後の熱衝撃で絶縁膜２にクラックが発生すると、クラックの箇所で回路３が断線するという問題があった。
【０００７】
また、基板１をアルミニウムで作製する場合には、その表面を陽極酸化処理することによって、Ａｌ２Ｏ３からなるアルマイト被膜で絶縁膜２を形成することができる。この陽極酸化法で形成されるアルマイト被膜は多孔質であるので、アルマイト被膜の上に形成される回路３が孔の部分を通して基板１と短絡するおそれがあり、熱衝撃によるクラックに加え、絶縁性を確保することができないという問題もあった。
【０００８】
一方、有機材料を用いて絶縁膜２を形成する場合、有機材料は一般に弾性率が低いので、基板１の熱による寸法変化に絶縁膜２は容易に追随し、絶縁膜２にクラックが発生することを防ぐことができるものであり、回路３に短絡や断線が生じることを防ぐことができる。
【０００９】
しかし、有機材料は一般に熱伝導性が低く、基板１と回路３との絶縁性を確保するために有機材料で形成される絶縁膜２の膜厚を厚く形成すると、基板１の表面に発熱素子を実装したり、ヒートシンクに基板１を実装したりするにあたって、基板１と発熱素子やヒートシンクとの間の熱伝導が著しく阻害され、金属製の基板１を用いることによる放熱性という特性を活かすことができなくなるという問題があった。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、放熱性を高く維持しつつ、回路に短絡や断線が発生することを防ぐことができる回路基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る回路基板は、金属材料で形成された基板１の表面に絶縁膜２を設けると共に絶縁膜２の上に回路３を設けて形成される回路基板であって、絶縁膜２は基板１の表面に設けられる第１絶縁膜２ａと、第１絶縁膜２ａの上に設けられる第２絶縁膜２ｂとから形成されていると共に、第１絶縁膜２ａは第２絶縁膜２ｂより高い熱伝導率を有する材料で、第２絶縁膜２ｂは第１絶縁膜２ａより弾性率の低い材料で、それぞれ形成されており、回路３は第２絶縁膜２ｂの上に形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
この発明によれば、絶縁膜２を第１絶縁膜２ａと第２絶縁膜２ｂとで形成し、基板１の表面に設けられる第１絶縁膜２ａは高い熱伝導率を有する材料で形成しているために、第１絶縁膜２ａによって高い放熱性を維持することができるものである。また第２絶縁膜２ｂは弾性率の低い材料で形成しているために、仮に熱衝撃などで第１絶縁膜２ａにクラックが生じても、弾性率の低い第２絶縁膜２ｂにクラックが及ぶことはなく、この第２絶縁膜２ｂの上に設けられる回路３に短絡や断線が生じることを防ぐことができるものである。そして基板１と回路３との電気絶縁性は第１絶縁膜２ａで確保することができるため、第２絶縁膜２ｂは膜厚を薄く形成することができるものであり、第２絶縁膜２ｂで放熱性が損なわれることはないものである。
【００１３】
また本発明において、上記の絶縁膜２と回路３が設けられた基板１の表面は三次元立体形状に形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
三次元立体形状では、特にその角部などにおいてクラックが生じ易いが、上記のように絶縁膜２を第１絶縁膜２ａと第２絶縁膜２ｂで形成することによって、クラックの発生を抑制して、信頼性の高い回路３を形成することが可能になるものである。
【００１５】
また本発明において、上記の第２絶縁膜２ｂは、液状材料のコーティング、蒸着から選ばれる方法で形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
このように液状材料のコーティングや蒸着で第２絶縁膜２ｂを形成することによって、安価に第２絶縁膜２ｂを形成することができるものである。
【００１７】
また本発明において、上記の第２絶縁膜２ｂは、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドから選ばれる材料で形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
このようにポリエーテルエーテルケトンやポリイミドを用いることによって、耐熱性や回路密着性に優れた第２絶縁膜２ｂを形成することができるものである。
【００１９】
また本発明において、上記の第１絶縁膜２ａは、ＣＶＤ、ＰＶＤから選ばれる方法で形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
ＣＶＤやＰＶＤによって、機械的強度に優れた緻密な第１絶縁膜２ａを形成することができるものである。
【００２１】
また本発明において、上記の第１絶縁膜２ａは、エアロゾルデポジション法で形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
エアロゾルデポジション法を用いることによって、熱処理を行なう必要なく、機械的強度に優れ、高硬度な第１絶縁膜２ａを形成することができるものである。
【００２３】
また本発明において、基板１は少なくとも表面がアルミニウムで形成されていると共に、第１絶縁膜２ａはアルミニウムを陽極酸化処理して生成されるアルマイト被膜で形成されていることを特徴とするものである。
【００２４】
アルミニウムを陽極酸化処理して生成されるアルマイト被膜は多孔質であるが、このアルマイト被膜からなる第１絶縁膜１ａの上に第２絶縁膜２ｂを形成するにあたって、多孔質のアルマイト被膜によるアンカー効果で、第１絶縁膜１ａと第２絶縁膜２ｂの密着強度を高く得ることができるものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、絶縁膜２を第１絶縁膜２ａと第２絶縁膜２ｂとで形成し、基板１の表面に設けられる第１絶縁膜２ａは高い熱伝導率を有する材料で形成しているために、第１絶縁膜２ａによって高い放熱性を維持することができるものである。また第２絶縁膜２ｂは弾性率の低い材料で形成しているために、仮に熱衝撃で第１絶縁膜２ａにクラックが生じても、弾性率の低い第２絶縁膜２ｂにクラックが及ぶことはなく、この第２絶縁膜２ｂの上に設けられる回路３に短絡や断線が生じることを防ぐことができるものであり、そして基板１と回路３との電気絶縁性は第１絶縁膜２ａで確保することができるため、第２絶縁膜２ｂは膜厚を薄く形成することができるものであり、第２絶縁膜２ｂで放熱性が損なわれることはないものである。この結果、放熱性を高く維持しつつ、回路３に短絡や断線が発生することを防止することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００２７】
基板１は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの金属材料で形成されるものであり、図２（ａ）に示すように、表面が三次元立体形状に形成されたものを用いることができる。このような三次元構造を有する金属基板１は、鍛造、鋳造、切削、メタルインジェクションモールド（ＭＩＭ）、プレス等の工法で作製することができる。尚、図２（ａ）の実施の形態では三次元構造を有する基板１を用いるようにしたが、回路を形成する表面がフラットな均一な厚みの板で形成される基板１を用いるようにしてもよい。
【００２８】
そして、基板１の表面の全面に絶縁膜２を設ける。本発明は絶縁膜２を第１絶縁膜２ａと第２絶縁膜２ｂの二重膜構造に形成されるものであり、まず第１絶縁膜２ａを図２（ｂ）のように基板１の表面の全面に設ける。第１絶縁膜２ａは基板１の回路３を形成する面の全面に設ければよいものであって、回路３が形成されない裏面にまで第１絶縁膜２ａを設ける必要はない。
【００２９】
この第１絶縁膜２ａは、第２絶縁膜２ｂを形成する材料よりも熱伝導率が高い材料で形成されるものであり、熱伝導率が５〜３００Ｗ／ｍＫの範囲のものが好ましい。このような熱伝導率が高い材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ｙ２Ｏ３などの無機材料を挙げることができる。また第１絶縁膜２ａの膜厚は５〜１００μｍの範囲が好ましく、後述の第２絶縁膜２ｂの膜厚よりも厚く形成するものである。このように熱伝導率が高い第１絶縁膜２ａの膜厚を厚く形成することによって、放熱性を高く得ることができるものである。
【００３０】
基板１の表面に第１絶縁膜２ａを形成する方法は特に限定されるものではないが、ＣＶＤ法やＰＶＤ法を採用するのが好ましい。ＣＶＤ（化学蒸着法）としては、熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどがあり、ＰＶＤ（物理蒸着法）としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどがある。このようにＣＶＤやＰＶＤで無機材料を蒸着して第１絶縁膜２ａを成膜することによって、溶射法や、液状材料のコーティング、ゾルゲル法などで成膜する場合に比べて、機械的強度に優れ、且つ緻密な膜として、第１絶縁膜２ａを形成することができるものである。
【００３１】
また、第１絶縁膜２ａの形成は、エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）で行なうこともできる。エアロゾルデポジション法は周知のように、アルミナやシリカなど無機材料の超微粒子をガスと混合してエアロゾル化し、これをノズルを通して基板１の表面に噴射して被膜を形成する方法であり、加熱処理する必要なく常温で成膜が可能である。しかも液状材料のコーティングやゾルゲル法などで成膜する場合に比べて、機械的強度に優れ、且つ緻密で高硬度な膜を得ることができるものであり、さらにＣＶＤやＰＶＤに比べて高い成膜速度で第１絶縁膜２ａを形成することができるものである。
【００３２】
上記のように基板１の表面の全面に第１絶縁膜２ａを設けた後、この第１絶縁膜２ａの表面の全面に図２（ｃ）のように第２絶縁膜２ｂを設ける。この第２絶縁膜２ｂは、第１絶縁膜２ａを形成する材料よりも弾性率の低い材料で形成されるものであり、引張弾性率が３×１０１０Ｐａ以下のものが好ましい。引張弾性率の下限は特に設定されないが、実用的には５×１０６Ｐａ程度が実用上の下限である。このような弾性率が低い材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、シリコン樹脂、ナイロン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ)、ポリイミド等の樹脂材料など、有機材料を挙げることができる。これらに列挙した樹脂材料を用いることによって、耐摩耗性や耐薬品性などに優れた第２絶縁膜２ｂを形成することができるものである。
【００３３】
上記の樹脂材料のなかでも、ポリエーテルエーテルケトンやポリイミドが特に好ましい。このポリエーテルエーテルケトンやポリイミドは他の樹脂材料よりも耐熱性に優れ、また金属との密着性に優れるので、耐熱性や回路密着性が高い第２絶縁膜２ｂを形成することができるものである。
【００３４】
また第２絶縁膜２ｂの膜厚は０．１〜５μｍの範囲が好ましく、上記の第１絶縁膜２ａの膜厚よりも薄く形成するものである。このように第２絶縁膜２ｂの膜厚を薄く形成することによって、放熱性を高く得ることができるものである。
【００３５】
基板１の表面に第２絶縁膜２ｂを形成する方法は特に限定されるものではないが、上記の有機材料を溶剤に溶解するなどして液状に調製し、この液状材料を第１絶縁膜２ａの上にコーティングする方法や、あるいは上記の有機材料を第１絶縁膜２ａの上に蒸着する方法が好ましい。コーティングの方法は、スプレーコート、スピンコート、あるいは浸漬による方法など、任意である。このように液状材料をコーティングする方法や、有機材料を蒸着する方法を採用することによって、簡単な設備でコスト安価に第２絶縁膜２ｂを形成することができるものである。
【００３６】
上記のようにして第１絶縁膜２ａと第２絶縁膜２ｂから形成される絶縁膜２を基板１の表面に設けた後、第２絶縁膜２ｂの上に回路３を形成する。回路３の形成にあたっては、まず図２（ｄ）のように絶縁膜２の表面の全面に導電膜１０を形成する。導電膜１０の形成は任意の方法で行なうことができるが、例えば銅をスパッタリングすることによって、銅からなる導電膜１０を形成することができる。導電膜１０は通電することができる厚みであればよく、例えば０．１〜１μｍ程度の膜厚に形成することができる。
【００３７】
次に、基板１に回路３を形成する回路形成部１２と、回路３を形成しない回路非形成部１３との境界において、回路形成部１２の輪郭に沿ってレーザ等の電磁波Ｌを照射し、図２（ｅ）のように電磁波Ｌを照射した部分の導電膜１０を除去する。このように回路形成部１２の輪郭の導電膜１０を除去することによって、回路形成部１２の導電膜１０と回路非形成部１３の導電膜１０は完全に分離される。
【００３８】
次に、回路形成部１２の導電膜１０に通電しながら電解めっきを行なうことによって、回路形成部１２の導電膜１０の表面に銅などの金属を析出させてめっきを施す。回路非形成部１３の導電膜１０には通電されないので、この導電膜１０の表面には金属は析出されない。このように回路形成部１２の導電膜１０にめっきを施して金属の厚付けをすることによって、図２（ｆ）のように回路３を形成することができる。そして軽いエッチング処理を行なって、回路非形成部１３の導電膜１０を除去した後、回路３に必要に応じてＮｉめっきや金めっきを施すことによって、図１に示すような基板１の表面に絶縁膜２を介して回路３を設けた回路基板Ａを得ることができるものである。
【００３９】
上記のように形成される回路基板Ａにあって、絶縁膜２を構成する第１絶縁膜２ａと第２絶縁膜２ｂのうち、基板１の表面の全面に設けられる第１絶縁膜２ａは熱伝導率が高い材料で形成されているので、基板１の表面に実装される発熱素子などから第１絶縁膜２ａを通して基板１へ熱を良好に放熱することができるものであり、金属製の基板１による高い放熱性を保持することができるものである。そして熱伝導率が高い第１絶縁膜２ａは一般に無機材料で形成されるものであり、無機材料で形成される第１絶縁膜２ａには熱衝撃でクラックが発生し易いが、回路３は絶縁膜２のうち第２絶縁膜２ｂの上に設けるようにしてあるので、第１絶縁膜２ａのこのクラックによって回路３が短絡したり断線したりすることを防ぐことができるものである。
【００４０】
すなわち、第２絶縁膜２ｂは弾性率の低い材料で形成してあるので、第１絶縁膜２ａにクラックが発生しても、弾性率が低い第２絶縁膜２ｂはクラック発生箇所での変形に追随することができ、第２絶縁膜２ｂにクラックが及ぶことがないものである。従って、回路３を形成する際の熱衝撃で第１絶縁膜２ａにクラックが発生しても、クラックの箇所は第２絶縁膜２ｂで覆われているために、回路３が基板１と短絡することはなく、また回路形成後の熱衝撃で第１絶縁膜２ａにクラックが発生しても、第２絶縁膜２ｂの上に形成されている回路３に断線が発生することはないものである。
【００４１】
ここで、図１の実施の形態のように基板１の表面が三次元立体形状である場合、絶縁膜２や回路３はこの三次元立体形状に沿って設けられることになり、熱衝撃の際の応力は角部に集中し、この箇所にクラックが容易に発生することになる。しかし本発明では第１絶縁膜２ａにクラックが発生しても、第２絶縁膜２ｂによってクラックが回路３に及ばないようにしているので、このようなクラックが発生し易い三次元立体形状の基板１を用いても、回路３に短絡や断線が生じることを有効に防ぐことができ、信頼性の高い立体回路を形成することができるものである。尚、上記の実施の形態では三次元立体形状を有する基板１について説明したが、三次元立体形状を有する基板１だけでなく、図４のように表面が平坦な基板１を用いて回路基板Ａを形成することもできるものである。
【００４２】
また弾性率が低い第２絶縁膜２ｂは有機材料で形成されることになるが、有機材料は一般に無機材料よりも金属との接着性が良好であり、第２絶縁膜２ｂと回路３との密着性は高く、絶縁膜２に対する回路３の密着性を向上することができるものである。
【００４３】
ここで、有機材料のように弾性率が低い材料は一般に熱伝導率が低いので、第２絶縁膜２ｂは第１絶縁膜２ａよりも熱伝導性が著しく低くなるが、回路３と基板１との間の電気絶縁性は絶縁膜２のうち第１絶縁膜２ａで確保されており、第２絶縁膜２ｂは厚みを薄く形成することができる。従って熱伝導性の低い第２絶縁膜２ｂの膜厚を薄く形成することによって、第２絶縁膜２ｂで放熱性が損なわれることはないものである。このため上記のように、第１絶縁膜２ａを５〜１００μｍと厚い膜厚で形成し、また第２絶縁膜２ｂを０．１〜５μｍと薄い膜厚で形成するものであり、第１絶縁膜２ａで放熱性と電気絶縁性を確保すると共に第２絶縁膜２ｂで放熱性が損なわれないようにし、放熱性をより高く得ることができるようにしているものである。
【００４４】
図３は本発明の他の実施の形態を示すものであり、基板１をアルミニウムで形成し、基板１の表面を陽極酸化処理して、基板１の表面にアルミナからなるアルマイト被膜１５を生成させることによって、アルマイト被膜１５で第１絶縁膜２ａを形成するようにしたものである。基板１は全体をアルミニウム形成するようにしてもよく、表層部のみをアルミニウムで形成するようにしてもよい。
【００４５】
このようにアルマイト被膜１５で第１絶縁膜２ａを形成するにあたって、アルマイト被膜１５は多孔質に形成されるが、このアルマイト被膜１５の上には第２絶縁膜２ｂが形成されるものであり、アルマイト被膜１５の孔１５ａは第２絶縁膜２ｂで埋められるため、アルマイト被膜１５の孔１５ａで回路３が基板１に短絡するような問題はない。しかもこのように第２絶縁膜２ｂの一部がアルマイト被膜１５の孔１５ａに入り込むことによるアンカー効果で、アルマイト被膜１５からなる第１絶縁膜２ａと第２絶縁膜２ｂとの層間密着性を高めることができるものである。またアルマイト被膜１５を形成する陽極酸化処理は、基板１を酸性溶液に浸漬して通電することによって行なうことができるので、基板１の表面が凹凸を有する三次元立体形状であっても、表面の全面に均一にアルマイト被膜１５を形成することができるものであり、またＣＶＤ法、ＰＶＤ法、ＡＤ法などと比較して均一にまた生産性良く第１絶縁膜２ａの形成を行なうことができるものである。
【００４６】
尚、上記の実施の形態では、第２絶縁膜２ｂを第１絶縁膜２ａの全面の上に設けるようにしたが、図５に示すように、第１絶縁膜２ａの一部において、回路３を形成する箇所にのみ第２絶縁膜２ｂを設けるようにしてもよい。この場合、第２絶縁膜２ｂは回路３と同じ幅に設ければよいが、回路３が第２絶縁膜２ｂからはみ出さないように、回路３の幅より広い幅で第２絶縁膜２ｂを形成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は一部の拡大断面図である。
【図２】回路基板の製造の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｆ）は各工程での斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態の他の一例を示す一部の拡大した断面図である。
【図４】本発明の実施の形態のさらに他の一例を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態のさらに他の一例を示す一部の拡大した断面図である。
【図６】従来例を示すものであり、（ａ）乃至（ｆ）は各工程での斜視図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  基板
２  絶縁膜
２ａ  第１絶縁膜
２ｂ  第２絶縁膜
３  回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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