(57)【要約】【課題】シールド導体を切断するときに内部絶縁体へのダメージを軽減する極細同軸線の端末処理方法を提供する。【解決手段】端末Ｔから第１の距離にある第１処理箇所Ｐ１にて、ジャケット５を切断してシールド導体４を露出させるステップＳ１と、ステップＳ１で露出したシールド導体４より端末Ｔ側のジャケット５を除去する前に該露出したシールド導体４にレーザ光を照射することによりシールド導体４を切断して内部絶縁体３を露出させるステップＳ２と、端末Ｔから第１の距離より長い第２の距離にある第２処理箇所Ｐ２にて、ジャケット５を切断してシールド導体４を露出させるステップＳ３とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、上記シールド導体が導線で形成された極細同軸線の端末処理方法において、
端末から第１の距離にある第１処理箇所にて、ジャケットを切断してシールド導体を露出させるステップと、
上記ステップで露出したシールド導体より端末側のジャケットを除去する前に該露出したシールド導体にレーザ光を照射することによりシールド導体を切断して内部絶縁体を露出させるステップと、
端末から第１の距離より長い第２の距離にある第２処理箇所にて、ジャケットを切断してシールド導体を露出させるステップとを含むことを特徴とする極細同軸線の端末処理方法。
【請求項２】
螺旋巻きによって形成された上記シールド導体を露出させる幅（極細同軸線の長手方向）は、上記導線の螺旋巻きのピッチの１／８周分以下とすることを特徴とする請求項１記載の極細同軸線の端末処理方法。
【請求項３】
上記ジャケットの切断には、二酸化炭素レーザを用いることを特徴とする請求項１又は２記載の極細同軸線の端末処理方法。
【請求項４】
上記シールド導体の切断には、ＹＡＧレーザを用いることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の極細同軸線の端末処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド導体を切断するときに内部絶縁体へのダメージを軽減する極細同軸線の端末処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ノート型パソコンの本体と液晶ディスプレイとを繋ぐ配線や医療用超音波診断装置の本体と探触子とを繋ぐ配線など、高周波信号・高速信号を伝送してかつ可撓性が大きいケーブルとして、極細同軸線がある。
【０００３】
極細同軸線は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットが積層されたものである。極細同軸線を機器に直接接続したり、コネクタに取り付ける際には、端末部分の中心導体とシールド導体を露出させる端末処理が施される。
【０００４】
従来の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を図３により説明する。
【０００５】
図３（ａ）に示されるように、複数本の極細同軸線１を所望の整列ピッチで整列させ、粘着テープ６でその整列状態に固定する。
【０００６】
図３（ｂ）に示されるように、端末から所望の距離にある処理箇所にて、粘着テープ６と極細同軸線１のジャケット５にレーザ光を照射することにより粘着テープ６と極細同軸線１のジャケット５を切断し、この処理箇所から端末側にある粘着テープ６とジャケット５とを同時に端末方向に引き抜く。これにより、この処理箇所から端末までシールド導体４が露出する。なお、切断とは、切り込みを入れることを言う。
【０００７】
図３（ｃ）に示されるように、上記図３（ｂ）の処理箇所より端末に近い処理箇所にて、シールド導体４にレーザ光を照射することにより、シールド導体４を切断し、この処理箇所から端末側にあるシールド導体４を端末方向に引き抜く。これにより、この処理箇所から端末まで内部絶縁体３が露出する。
【０００８】
図３（ｄ）に示されるように、上記図３（ｃ）の処理箇所より端末に近い処理箇所にて、内部絶縁体３にレーザ光を照射することにより、内部絶縁体３を切断し、この処理箇所から端末側にある内部絶縁体３を端末方向に引き抜く。これにより、この処理箇所から端末まで中心導体２が露出する。
【０００９】
以上の工程を順に行うことにより、シールド導体４、内部絶縁体３、中心導体２がそれぞれ所望した長さ露出した状態となる。
【００１０】
【特許文献１】２００７−２９００１３号公報
【特許文献２】２０００−２４５０２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の端末処理方法では、シールド導体４にレーザ光を照射してシールド導体４を切断する際、シールド導体４を覆っていたジャケット５がすでに取り除かれているため、シールド導体４を構成する導線が動きやすくなっている。導線が動いて導線同士の間隔が広くなると、シールド導体４を切断するレーザ光が導線の隙間を通って内部絶縁体３に到達する。このため内部絶縁体３に穴が開き、中心導体２とシールド導体４とが短絡するという不具合が発生する。
【００１２】
特許文献１では、レーザ光の照射方向を工夫することで内部絶縁体のレーザ光によるダメージを低減している。しかし、複数本の極細同軸線を整列させて同時に端末処理する場合、１本の極細同軸線を中心とした光学系を組むことができないため、特許文献１を適用することができない。
【００１３】
特許文献２では、複数本の極細同軸線を整列させ、ジャケットにレーザ光を照射してジャケットを切断し、そのジャケットをずらしてシールド導体を所定幅露出させ、そのシールド導体にはんだを塗布し、そのはんだ部分にレーザ光を照射して加工溝を形成し、加工溝を支点として複数本の極細同軸線を折り曲げることにより、加工溝を境にシールド導体を分離する。
【００１４】
これにより導線の隙間をはんだによって埋めることができる。しかし、はんだを塗布した分、ジャケットを切断するためのレーザ光のエネルギが余分に必要になる。また、はんだ塗布量のばらつきに依存する不良が発生する。また、はんだ塗布の工程において、溶融はんだの表面張力に起因し、隣接する極細同軸線同士が近付いて接触してしまう。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、シールド導体を切断するときに内部絶縁体へのダメージを軽減する極細同軸線の端末処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために本発明は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、上記シールド導体が導線で形成された極細同軸線の端末処理方法において、端末から第１の距離にある第１処理箇所にて、ジャケットを切断してシールド導体を露出させるステップと、上記ステップで露出したシールド導体より端末側のジャケットを除去する前に該露出したシールド導体にレーザ光を照射することによりシールド導体を切断して内部絶縁体を露出させるステップと、端末から第１の距離より長い第２の距離にある第２処理箇所にて、ジャケットを切断してシールド導体を露出させるステップとを含むものである。
【００１７】
螺旋巻きによって形成された上記シールド導体を露出させる幅（極細同軸線の長手方向）は、上記導線の螺旋巻きのピッチの１／８周分以下としてもよい。
【００１８】
上記ジャケットの切断には、二酸化炭素レーザを用いてもよい。
【００１９】
上記シールド導体の切断には、ＹＡＧレーザを用いてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は次の如き優れた効果を発揮する。
【００２１】
（１）シールド導体を切断するときに内部絶縁体へのダメージを軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００２３】
図１（ａ）〜図１（ｇ）に示されるように、本発明に係る極細同軸線１の端末処理方法は、中心から外側へ順に中心導体２、内部絶縁体３、シールド導体４、ジャケット５を有し、シールド導体４が導線からなる螺旋巻き、縦巻き、編組のいずれかで形成された極細同軸線１の端末処理方法において、端末Ｔから第１の距離にある第１処理箇所Ｐ１にて、ジャケット５にレーザ光を照射することによりジャケット５を切断してシールド導体４を露出させるステップＳ１と、上記ステップＳ１で露出したシールド導体４より端末Ｔ側のジャケット５を除去する前に該露出したシールド導体４にレーザ光を照射することによりシールド導体４を切断して内部絶縁体３を露出させるステップＳ２と、端末Ｔから第１の距離より長い第２の距離にある第２処理箇所Ｐ２にて、ジャケット５にレーザ光を照射することによりジャケット５を切断してシールド導体４を露出させるステップＳ３とを含むものである。
【００２４】
端末処理手順に従って詳しく説明する。
【００２５】
図１（ａ）に示されるように、まず、複数本の極細同軸線１を所望の整列ピッチで整列させ、フラットケーブル状にする。このフラットケーブル状の複数本の極細同軸線１に粘着テープ６によるラミネートを行う。これにより、複数本の極細同軸線１は、整列状態のまま固定される。極細同軸線１は、例えば、外径が０．２ｍｍのＡＷＧ＃４６ケーブルである。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示されるように、端末Ｔから第１の距離にある第１処理箇所Ｐ１において、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用いて、ポリマ材料からなるジャケット５にレーザ光を照射する。レーザ光が照射されると粘着テープ６とジャケット５は、レーザ光のエネルギを吸収し、高温になると共に燃焼、蒸発し、粘着テープ６とジャケット５に穴が生じる。レーザ光から受けるエネルギを調整することで穴の大きさが調整可能である。ＣＯ2レーザのレーザ光は、シールド導体４を構成している金属線の表面では反射されるため、シールド導体４や内部絶縁体３にはダメージを与えない。
【００２７】
このようにして、ジャケット５にレーザ光を照射することによりジャケット５を切断してシールド導体４を露出させ、シールド導体露出部７を形成する。この図１（ｂ）の工程は、ステップＳ１である。なお、ジャケット５をダイシングソー加工などの他の加工法により切断してシールド導体４を露出させてもよい。
【００２８】
ＣＯ2レーザの強度、スキャン速度、スキャン回数などを調整し、シールド導体露出部７の幅（極細同軸線１の長手方向）を０．４ｍｍ以下とすることが好ましい。０．４ｍｍより大きくすると、ＣＯ2レーザのスキャン回数を増やす必要があり、コストが増加してしまうからである。また、ＣＯ2レーザのスポット径を考慮して、シールド導体露出部７の幅は０．１ｍｍ以上が好ましい。
【００２９】
次に、図１（ｃ）に示されるように、第１処理箇所Ｐ１において、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザ（２倍高調波）を用いて、シールド導体４にレーザ光を照射することによりシールド導体４を切断して内部絶縁体３を露出させ、内部絶縁体露出部８を形成する。ＹＡＧレーザのレーザ光が極細同軸線１の並び方向に移動する軌跡は、図１（ｂ）の工程でＣＯ2レーザのレーザ光が極細同軸線１の並び方向に移動する軌跡と同じであり、シールド導体露出部７に露出していたシールド導体４が切断されて内部絶縁体３が露出されることになる。
【００３０】
図１（ｂ）の工程を経た後にはジャケット５が端末方向に引き抜き可能になるが、図１（ｂ）の工程の後、ジャケット５を除去せずに、図１（ｂ）の工程に図１（ｃ）の工程を続けて行うのが、ステップＳ２である。
【００３１】
次に、図１（ｄ）に示されるように、第１処理箇所Ｐ１から端末Ｔ側にあるジャケット５とシールド導体４を端末方向に引き抜く。これにより、第１処理箇所Ｐ１から端末Ｔまで、内部絶縁体３が露出される。
【００３２】
次に、図１（ｅ）に示されるように、端末Ｔから第１の距離より長い第２の距離にある第２処理箇所Ｐ２において、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用いて、ジャケット５にレーザ光を照射することによりジャケット５を切断してシールド導体４を露出させ、第２シールド導体露出部９を形成する。図１（ｅ）の工程を経たことにより、第２処理箇所Ｐ２から端末Ｔ側にあるジャケット５が端末方向に引き抜き可能になる。図１（ｅ）の工程はステップＳ３である。なお、ステップＳ１と同様に、ジャケット５をダイシングソー加工などにより切断してもよい。
【００３３】
次に、図１（ｆ）に示されるように、第２処理箇所Ｐ２から端末Ｔ側にあるジャケット５を端末方向に引き抜く。これにより、第２処理箇所Ｐ２から第１処理箇所Ｐ１まで、シールド導体４が露出される。
【００３４】
次に、図１（ｇ）に示されるように、端末Ｔから第１の距離より短い第３の距離にある第３処理箇所Ｐ３において、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用いて、内部絶縁体３にレーザ光を照射することにより内部絶縁体３を切断して中心導体２を露出させる。その後、第３処理箇所Ｐ３から端末Ｔ側にある内部絶縁体３を端末方向に引き抜く。これにより、第３処理箇所Ｐ３から端末Ｔまで、中心導体２が露出される。以上で端末処理を完了する。
【００３５】
本発明によれば、図１（ｃ）の工程において、シールド導体４にレーザ光を照射することによりシールド導体４を切断するとき、シールド導体露出部７の端末Ｔ側がジャケット５で被覆されたままの状態である。このため、従来の図３（ｃ）の工程と異なり、シールド導体４を構成する導線が動きにくい。導線が動かず導線同士の間隔が広がらないので、シールド導体４を切断するレーザ光が導線の隙間を通って内部絶縁体３に到達することがない。このため内部絶縁体３に穴が開くことが防止され、中心導体２とシールド導体４とが短絡する不具合がなくなる。
【００３６】
ここで、極細同軸線１のシールド導体４が、複数本の導線を内部絶縁体３の外周に螺旋状に巻き付けることによって形成されている場合について考える。本発明者らは、シールド導体４がジャケット５から露出された場合に、導線に巻き緩みが発生することについて検討した。ジャケット５から露出されたシールド導体４の幅（極細同軸線１の長手方向）が螺旋の１／８周期（導線の螺旋巻きの１／８周）分を超えると、導線に巻き緩みが発生する場合がある。従来の端末処理方法では、図３（ｂ）の工程においてジャケット５をジャケット５の切断箇所から端末まで除去してしまう。よって、図３（ｃ）の工程でシールド導体４を構成する導線が動いてしまう。
【００３７】
これに対し、本発明は、ステップＳ１において、シールド導体露出部７の幅を導線の螺旋巻きのピッチの１／８周分以下（４５°巻いた長さ）とし、その状態でステップＳ２を行うので、シールド導体露出部７のシールド導体４にレーザ光を照射するとき、シールド導体４を構成する導線が動かないことをより確実にすることができる。
【００３８】
本発明により、極細同軸線１の端末加工、とりわけアレイ化した複数本の極細同軸線１の端末を一斉に加工する際に加工作業が容易になり、生産性が向上する。
【００３９】
本発明は、従来のようにシールド導体４にはんだを塗布しないので、溶融はんだの表面張力による導線の動きがなくなる。
【００４０】
また、本発明は、ジャケット５の切断後に端末側のジャケット５を除去する前にシールド導体４を切断するようにしたので、アレイ化した複数本の極細同軸線１の端末加工において、極細同軸線１同士の間隔をも動かないようにすることができる。この結果、端末加工の後に行われるコネクタへの接続、プリント基板への接続などアレイ化した複数本の極細同軸線１を相手に接続する工程において、極細同軸線１の取り扱いが容易となり、生産性が向上する。
【００４１】
次に、本発明の他の実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００４２】
図２（ａ）〜図２（ｅ）に示されるように、本発明に係る極細同軸線１の端末処理方法は、図１で説明した端末処理方法と同様に、ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３を含む。
【００４３】
図２（ａ）に示されるように、まず、複数本の極細同軸線１を所望の整列ピッチで整列させ、フラットケーブル状にする。このフラットケーブル状の複数本の極細同軸線１に粘着テープ６によるラミネートを行う。これにより、複数本の極細同軸線１は、整列状態のまま固定される。極細同軸線１は、例えば、外径が０．２ｍｍのＡＷＧ＃４６ケーブルである。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示されるように、端末Ｔから第１の距離にある第１処理箇所Ｐ１において、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用いて、ジャケット５にレーザ光を照射することによりジャケット５を切断して螺旋巻き、縦巻き、編組のいずれかからなるシールド導体４を露出させ、シールド導体露出部７を形成する。ＣＯ2レーザの強度、スキャン速度、スキャン回数などを調整し、シールド導体露出部７の幅（極細同軸線１の長手方向）を０．４ｍｍ以下とすることが好ましい。特に、シールド導体４が導線を螺旋巻きにして形成されている場合は、導線の螺旋巻きのピッチの１／８周期以下（例えば、ピッチが３．２ｍｍの場合はシールド導体露出部７の幅を０．４ｍｍ以下とする。）とすることにより、シールド導体４の巻き緩みを防止することができる。
【００４５】
続いて（あるいは同時に）、端末Ｔから第１の距離より長い第２の距離にある第２処理箇所Ｐ２において、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用いて、ジャケット５にレーザ光を照射することによりジャケット５を切断してシールド導体４を露出させ、第２シールド導体露出部９を形成する。
【００４６】
次に、図２（ｃ）に示されるように、第１処理箇所Ｐ１において、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザ（２倍高調波）を用いて、シールド導体４にレーザ光を照射することによりシールド導体４を切断して内部絶縁体３を露出させ、内部絶縁体露出部８を形成する。ＹＡＧレーザのレーザ光が極細同軸線１の並び方向に移動する軌跡は、ＣＯ2レーザのレーザ光が極細同軸線１の並び方向に移動する軌跡と同じであり、シールド導体露出部７に露出していたシールド導体４が切断されて内部絶縁体３が露出されることになる。
【００４７】
次に、図２（ｄ）に示されるように、第２処理箇所Ｐ２から端末Ｔ側にあるジャケット５を端末方向に引き抜き、その後、あるいはそれと同時に第１処理箇所Ｐ１から端末Ｔ側にあるジャケット５とシールド導体４を端末方向に引き抜く。これにより、第１処理箇所Ｐ１から端末Ｔまで、内部絶縁体３が露出され、第２処理箇所Ｐ２から第１処理箇所Ｐ１まで、シールド導体４が露出される。
【００４８】
次に、図２（ｅ）に示されるように、端末Ｔから第１の距離より短い第３の距離にある第３処理箇所Ｐ３において、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用いて、内部絶縁体３にレーザ光を照射することにより内部絶縁体３を切断して中心導体２を露出させる。その後、第３処理箇所Ｐ３から端末Ｔ側にある内部絶縁体３を端末方向に引き抜く。これにより、第３処理箇所Ｐ３から端末Ｔまで、中心導体２が露出される。以上で端末処理を完了する。
【００４９】
図２の端末処理方法は、ステップＳ１，Ｓ３を同時又は連続して行い、引き続いてステップＳ２を行い、その後でまとめてジャケット５とシールド導体４を除去している。図２の端末処理方法は、レーザ光の照射順序が図１の端末処理方法と異なるが、ジャケット５を除去する前にシールド導体４にレーザ光を照射するステップＳ２を含む点で同じであり、シールド導体４を構成する導線が動かない状態でシールド導体４にレーザ光を照射できるという作用効果も同じである。
【００５０】
これまでの実施形態では、ジャケット５の切断に波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用い、シールド導体４の切断に波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザを用いたが、本発明はこれに限られず、半導体レーザ、エキシマレーザなど各種のレーザを用いることができ、さまざまの波長を選択することができる。
【００５１】
また、レーザ加工に限らず、ダイシングソー加工によりジャケット５と内部絶縁体３を切断する場合でも、本発明を応用することができる。
【００５２】
また、実施形態では、極細同軸線１として外径が０．２ｍｍのＡＷＧ＃４６ケーブルを用い、シールド導体４における導線の螺旋巻きのピッチが３．２ｍｍとしたが、極細同軸線１の寸法、規格、螺旋巻きのピッチはこれに限らず、シールド導体４が導線で形成されたあらゆる極細同軸線１に本発明を応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、従来の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  極細同軸線
２  中心導体
３  内部絶縁体
４  シールド導体
５  ジャケット
６  粘着テープ
７  シールド導体露出部
８  内部絶縁体露出部
９  第２シールド導体露出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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