(57)【要約】      （修正有）【課題】デジタル式ガスパターンパネル上でガス圧や真空圧、溶液残量、配管温度、ガス流量の現状値の確認、ガス流量の設定の変更が可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を加熱する加熱手段４４と、前記処理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、デジタル式ガスパターンパネル４７を有する操作部２９と、前記デジタル式ガスパターンパネルからの指示を受付けて所定の機能を実行する制御部２８，３１とを具備する。【選択図】図２
2010129956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、デジタル式ガスパターンパネルを有する操作部と、前記デジタル式ガスパターンパネルからの指示を受付けて所定の機能を実行する制御部とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハ等の基板に、酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置、特にガス圧や真空圧、配管温度を表示し、流量制御器の設定が可能な基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の処理工程の１つとして、シリコンウェーハ等の基板に酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理工程があり、該基板処理工程を実行する装置として基板処理装置があり、又気密な処理室を画成する縦型処理炉を具備し、所定枚数の基板を一度に処理する縦型基板処理装置がある。
【０００３】
前記処理室内にガスを供給するガス供給ラインや、前記処理室内のガスを排気するガス排気ラインには、各ガス配管を流れるガスの流れを制御するバルブが設けられている。
【０００４】
基板を処理する際には、前記基板処理装置の操作者はメイン画面より操作を行うが、基板処理工程中、基板処理の状態を確認する手段の１つとしてデジタル式ガスパターンパネルがある。
【０００５】
従来の該デジタル式ガスパターンパネルは、前記バルブの開閉設定状態及び開閉の状態を表示し、又ガスが流れている配管を点灯させ、現在ガスが流れている箇所が分る様にする機能がある。更に、デジタル式の表示方法である為、配管等の改造に対応して容易に表示を変更することができる。
【０００６】
然し乍ら、前記処理室内の真空圧や該処理室内に供給されるガス圧、ガスの流れる配管の温度、ガス供給源から供給されるガスの流量の表示は装置の前記メイン画面に一覧表示される様になっており、又所要部位の状態を確認する為には一覧から部位の選択、更に、各種センサの名称を前記メイン画面から検索しなければならず、煩雑であった。又、設定温度の変更、設定流量の変更等についても、一覧から設定箇所を検索し、入力状態に変更して入力する為、やはり作業は煩雑であった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２５９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は斯かる実情に鑑み、デジタル式ガスパターンパネル上でガス圧や真空圧、溶液残量、配管温度、ガス流量の現状値の確認、ガス流量の設定の変更が可能な基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板を処理する処理室と、基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、デジタル式ガスパターンパネルを有する操作部と、前記デジタル式ガスパターンパネルからの指示を受付けて所定の機能を実行する制御部とを具備する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、デジタル式ガスパターンパネルを有する操作部と、前記デジタル式ガスパターンパネルからの指示を受付けて所定の機能を実行する制御部とを具備するので、ガス圧や真空圧、溶液残量、配管温度、ガス流量の現状値を前記デジタル式ガスパターンパネル上から確認でき、又ガス流量の設定変更を該デジタル式ガスパターンパネル上で行うことができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１２】
先ず、図１に於いて、本発明が実施される基板処理装置について概略を説明する。
【００１３】
図１中、１は基板処理装置、２は筐体を示している。前記基板処理装置１へのウェーハ３の搬入搬出は、ウェーハ３が基板搬送容器に収納された状態で行われる。基板搬送容器としては、例えばポッド４が用いられ、該ポッド４にはウェーハ３が所定枚数、例えば２５枚収納される。前記ポッド４は、開閉可能な蓋を具備する密閉容器であり、該ポッド４へのウェーハ３の装填、払出しは、前記蓋を開いて実行される。
【００１４】
前記基板処理装置１の前面には基板授受装置５が設けられ、前記ポッド４は図示しない外部搬送装置により前記基板授受装置５に対して搬入搬出が行われる。
【００１５】
前記筐体２の前記基板授受装置５に対峙する部分にはポッド搬入出口６が設けられ、該ポッド搬入出口６を開閉するフロントシャッタ７が設けられており、前記ポッド４が前記フロントシャッタ７を通して前記筐体２内部に搬入搬出される様になっている。
【００１６】
前記筐体２内の前部にはポッド搬送装置８が設けられ、該ポッド搬送装置８は前記ポッド４を保持可能なポッド移載アーム９を具備している。又、該ポッド移載アーム９は昇降、横行（紙面に対して垂直な方向）、進退（紙面の左右方向）可能であり、昇降、横行、進退の協働により前記ポッド４を任意な位置に搬送可能となっている。
【００１７】
前記ポッド搬送装置８に対向し、前記筐体２内の上部にはポッド格納部１１が設けられている。該ポッド格納部１１は間欠回転可能な複数のポッド収納棚１２を有し、各ポッド収納棚１２毎に複数の前記ポッド４を格納可能となっている。
【００１８】
前記筐体２内の後部下方には、サブ筐体１３が設けられ、該サブ筐体１３は移載室１４を画成する。
【００１９】
前記サブ筐体１３の前壁１５には、上下２段にポッドオープナ１６，１６が設けられる。該ポッドオープナ１６はそれぞれ載置台１７、蓋着脱機構１８を具備し、前記載置台１７上に前記ポッド４が載置され、前記前壁１５に密着され、前記蓋着脱機構１８によって蓋が開閉される様になっている。前記ポッド４の蓋が開放された状態では、該ポッド４の内部と前記移載室１４が連通状態となる。
【００２０】
前記筐体２内の後部、前記サブ筐体１３の上側には処理炉１９が立設される。該処理炉１９は処理室を気密に画成する反応管、該反応管の周囲に設けられたヒータを具備し、又、前記反応管にはガス供給ライン、排気ラインが連通されており、前記処理室を加熱すると共に所定の処理圧に維持して、処理ガスの給排を行う様になっている。
【００２１】
前記処理室は、下端に前記移載室１４に連通する炉口部を有し、該炉口部は炉口シャッタ２１によって開閉される。
【００２２】
前記移載室１４には前記処理炉１９の下方に、ボートエレベータ２２が設けられ、該ボートエレベータ２２は前記炉口部を気密に閉塞可能なシールキャップ２３を有し、該シールキャップ２３にボート２４が載置可能であり、前記ボートエレベータ２２は前記シールキャップ２３を昇降させることで、前記ボート２４を前記処理室に装脱可能となっている。又、前記ボート２４を前記処理室に装入した状態では、前記シールキャップ２３が前記炉口部を気密に閉塞する。
【００２３】
前記移載室１４には、前記ポッドオープナ１６と前記ボートエレベータ２２との間に基板移載機２５が設けられ、該基板移載機２５はウェーハ３を保持する複数の保持基板プレート（以下ツイーザと称す）２６を具備している。該ツイーザ２６は、例えば上下に等間隔で５枚配置され、上下の間隔（ピッチ）は前記ポッド４のウェーハ収納ピッチ、ボート２４のウェーハ保持ピッチと同一となっている。
【００２４】
前記基板移載機２５は、前記ツイーザ２６を水平方向に進退可能であり、又昇降可能、垂直軸中心に回転可能とする構成を具備し、進退、回転、昇降の協働によって前記ツイーザ２６にウェーハ３を保持し、所望の位置に移載可能となっている。
【００２５】
前記基板処理装置１は、制御装置２７を具備しており、該制御装置２７は、例えば前記基板処理装置１の前面に配置される。
【００２６】
図２は、前記制御装置２７の概略を示している。
【００２７】
２８はＣＰＵに代表される制御演算部、２９は表示部、３１は半導体メモリ、ＨＤＤ等の記憶部、３２は圧力制御部、３３は貯留量制御部、３４は加熱制御部、３５は流量制御部、３６は機構制御部を示している。
【００２８】
前記圧力制御部３２には圧力調整弁等のガス圧調整器３７と真空圧調整器３８が接続され、前記ガス圧調整器３７を介して図示しないガス供給源より供給されるガス圧力を調整し、前記真空圧調整器３８を介して前記処理室内の真空圧を調整し、又それぞれ所要の位置に所定の数だけ設けられたガス圧力計３９と真空圧力計４１によってガス圧と真空圧の検知を行う。
【００２９】
前記貯留量制御部３３は、貯留量制御器４２によって、液化処理ガスを貯留するタンク（図６（Ａ）参照）に対する液化ガスの流入量を調整するガス導入バルブ（図示せず）と、気化ガスの排出量を調整するガス排出バルブ（図示せず）を制御する。更に、材料質量計４３によって検知された前記タンク内の液化ガスの重量に基づき、液化ガスの重量が所定の値に保持される様制御する。又、検知された液化ガスの重量は前記記憶部３１に保存される。
【００３０】
前記加熱制御部３４は、前記処理室内に供給される処理ガスを加熱するヒータ、或は前記処理室内を所定の温度迄加熱するヒータ等から成る加熱装置４４を制御し、該加熱装置４４は処理ガスを供給するガス供給ラインと、前記処理炉１９を加熱できる様になっている。又、加熱部位には所定数の温度検知計４５が設けられており、該温度検知計４５によって検知された加熱部位の温度が前記加熱制御部３４に出力される。該加熱制御部３４は前記温度検知計４５の検知結果に基づき、前記加熱装置４４による加熱状態を制御する。又、検知された温度は前記記憶部３１に保存される。
【００３１】
前記流量制御部３５は、配管の所定箇所に所定数設けられた流量制御器（以下ＭＦＣと称す）４６を介して、ガス配管内部を流れる処理ガスやパージガスのガス流量を制御する。前記ＭＦＣ４６はガス流量検知手段も兼ねており、該ＭＦＣ４６によってガス配管内を流れるガスの流量が検知され、検知されたガス流量が前記流量制御部３５に送られる。又、送出されたガス流量は前記記憶部３１に保存される。
【００３２】
前記機構制御部３６は、図では省略されているが、前記フロントシャッタ７、前記ポッド搬送装置８、前記ポッド格納部１１、前記ポッドオープナ１６、前記ボートエレベータ２２、前記基板移載機２５等の機構部の駆動を制御する。
【００３３】
前記記憶部３１には、上記した液化ガス重量のデータ、加熱部位温度のデータ、ガス流量のデータの他に、基板を処理する為のデータ（レシピ）、前記ガス圧調整器３７、前記真空圧調整器３８、前記貯留量制御器４２、前記加熱装置４４、前記ＭＦＣ４６を制御する為の制御プログラム、前記機構部を制御する為のシーケンスプログラム、ガスの流れ状態を前記ガスパターンパネル４７に表示する為の表示プログラム、該ガスパターンパネル４７からの入力を可能にするデータ入力プログラム等のプログラムが格納されており、前記制御演算部２８と併せて制御部を構成している。
【００３４】
前記表示部２９は前記ガスパターンパネル４７とメイン画面４８を具備している。前記ガスパターンパネル４７には前記基板処理装置１の配管図と共に、所定の位置に所要の数だけ配設された前記ガス圧力計３９、前記真空圧力計４１、前記材料質量計４３、前記温度検知計４５、前記ＭＦＣ４６が表示されており、基板処理工程に於いては、ガスが流れている配管を点灯させることで現在ガスがどの配管を流れているのかが分る様になっている。
【００３５】
前記メイン画面４８には、各検知器の一覧がリストとして表示されると共に、各検知器の１つ１つに対応した真空圧、ガス圧、液化ガス重量、配管温度、ガス流量等が表示されており、ガス流量は前記メイン画面４８から各種変更が可能となっている。又、前記表示部２９はマウスやキーボード等の入力デバイスと併せて操作部を構成しているが、前記表示部２９をタッチパネルとすることで、該表示部２９のみで操作部とすることも可能である。
【００３６】
次に、図３に於いて、前記ガス圧力計３９、前記真空圧力計４１、前記材料質量計４３、前記温度検知計４５から出力された現状値が前記ガスパターンパネル４７へ表示される作用について説明する。
【００３７】
基板処理工程中、前記制御演算部２８には、前記ガス圧力計３９、前記真空圧力計４１、前記材料質量計４３、前記温度検知計４５から、常時各検知器の現状値が送られて前記記憶部３１に保存され、更に保存された現状値は所定時間間隔で時系列に保存される。或は最新の現状値で順次更新されてもよい。又、前記メイン画面４８には全ての検知器の一覧が表示された検知器一覧画面４９が表示され、該検知器一覧画面４９には各検知機の１つ１つに応じて、前記ガス圧力計３９であればガス圧の現状値が表示され、前記真空圧力計４１であれば真空圧の現状値が表示され、前記材料質量計４３であればタンク内の液化ガスの重量の現状値が表示され、前記温度検知計４５であれば前記加熱装置４４の温度の現状値が表示されている。
【００３８】
上記の現状値を前記ガスパターンパネル４７上で表示する際には、該ガスパターンパネル４７の配管図に表示されている所望の検知器を、マウス等の入力デバイスで押下することで前記表示プログラムが連動して立ちあがり、前記ガスパターンパネル４７には小ウィンドウ５１が押下した検知器上に検知器を隠す形で開かれ、押下した検知器の現状値を前記制御演算部２８に要求する。又、前記小ウィンドウ５１は、検知器の名称を表示する名称表示ウィンドウ５２と、検知器が検知した現状値を表示する現状値表示ウィンドウ５３で上下に分割されている（図４参照）。
【００３９】
前記ガスパターンパネル４７から現状値を要求された前記制御演算部２８は、要求に従って押下された検知器から送られてきている現状値を前記ガスパターンパネル４７へと出力する。
【００４０】
該ガスパターンパネル４７は、前記制御演算部２８から出力された現状値を受取り、前記現状値表示ウィンドウ５３に表示する。
【００４１】
以下、具体的に説明する。
【００４２】
図４は、前記ガスパターンパネル４７に表示された配管図の一部である。図４（Ａ）は前記ガス圧力計３９の押下前を示しており、図４（Ｂ）は該ガス圧力計３９の押下後を示している。図中、５４は押下位置を示す矢印、或はカーソルを示している。
【００４３】
該ガス圧力計３９の現状値を表示する際には、所望のガス供給源３９ａ，ガス供給源３９ｂ（図４（Ａ）ではカーソル５４の示す箇所）を押下することで、押下された前記ガス供給源３９ａ，前記ガス供給源３９ｂ上に前記小ウィンドウ５１が開かれ、該ガス供給源３９ａ，前記ガス供給源３９ｂから供給されるガスの名称及びガス圧の現状値が前記記憶部３１から読込まれ、前記小ウィンドウ５１に表示される。
【００４４】
図５は、図４と同様に前記ガスパターンパネル４７に表示された配管図の一部であり、図５（Ａ）は前記真空圧力計４１の押下前を示しており、図５（Ｂ）は該真空圧力計４１の押下後を示している。
【００４５】
該真空圧力計４１の現状値を表示する際には、所望の真空圧力計４１ａ，真空圧力計４１ｂ（図５（Ａ）ではカーソル５４の示す箇所）を押下することで、押下された該真空圧力計４１ａ，４１ｂ上に前記小ウィンドウ５１が開かれ、該真空圧力計４１ａ，４１ｂの名称や真空圧の現状値が前記記憶部３１から読込まれ、前記小ウィンドウ５１に表示される。
【００４６】
図６は、前記ガスパターンパネル４７に表示された配管図の一部である。図６（Ａ）は該ガスパターンパネル４７上でタンク５５を押下する前を示しており、図６（Ｂ）は該タンク５５の押下後を示している。
【００４７】
該タンク５５は図示しない前記材料質量計４３が接続されており、前記貯留量制御器４２が制御するガス導入バルブ５６とガス排出バルブ５７によって前記タンク５５内の圧力が調整され、該タンク５５内には液化した処理ガスが貯留されている。該タンク５５内に残った液化ガスの重量を表示する際には、前記ガスパターンパネル４７上で前記タンク５５を押下することで前記小ウィンドウ５１が開かれ、前記タンク５５内に貯留された液化ガスの種類、及び該液化ガスの重量が前記記憶部３１から読込まれ、前記小ウィンドウ５１に表示される。
【００４８】
図７は、前記ガスパターンパネル４７に表示された配管図の一部である。図７（Ａ）はＨＥＡＴボタン５８の押下前を示しており、図７（Ｂ）は該ＨＥＡＴボタン５８を押下した状態を示しており、図７（Ｃ）は該ＨＥＡＴボタン５８押下後に配管５９を押下した状態を示している。
【００４９】
前記温度検知計４５による温度検知は、上記した真空圧、ガス圧、液化ガス重量とは異なる２段階の表示方法となっている。
【００５０】
１段階目として、前記ＨＥＡＴボタン５８を押下することによって前記表示プログラムが起動し、前記制御演算部２８から送られてきた前記温度検知計４５の現状値に従って、加熱されている前記配管５９を、例えば５０℃未満であれば青色、５０℃以上１００℃未満であれば黄色、１００℃以上１５０℃未満であれば橙色、１５０℃以上であれば赤色等で色分けして表示される。
【００５１】
２段階目として、加熱されている前記配管５９の内、所望の配管５９ａ，５９ｂ（図７（Ｂ）ではカーソル５４の示す箇所）を押下することによって前記小ウィンドウ５１が開かれ、前記配管５９ａと前記配管５９ｂの名称、温度の現状値、温度の設定値が前記記憶部３１から読込まれ、前記小ウィンドウ５１に表示される。
【００５２】
次に、図８に於いて、前記ＭＦＣ４６から出力されたガス流量の現状値が前記ガスパターンパネル４７へ表示され、該ガスパターンパネル４７上から前記ＭＦＣ４６の設定を変更し、ガス流量を調整する作用について説明する。
【００５３】
基板処理工程中、前記制御演算部２８には、前記ＭＦＣ４６から常時ガス流量の現状値が送られて前記記憶部３１に保存され、更に保存された現状値は所定時間間隔で時系列に保存される。或は最新の現状値で順次更新されてもよい。又、前記メイン画面４８には、各ＭＦＣ４６それぞれのガス流量の現状値と設定値が表示されており、通常該ＭＦＣ４６の設定は前記メイン画面４８の前記検知器一覧画面４９から行われる。
【００５４】
ガス流量の現状値を前記ガスパターンパネル４７上で表示する際には、該ガスパターンパネル４７の配管図に表示されている所望の前記ＭＦＣ４６を、マウス等の入力デバイスで押下することで前記表示プログラムが連動して立ちあがり、前記ガスパターンパネル４７には前記小ウィンドウ５１が押下した検知器上に検知器を隠す形で開かれ、押下した該ＭＦＣ４６の現状値を前記制御演算部２８に要求する。
【００５５】
前記ガスパターンパネル４７から現状値を要求された前記制御演算部２８は、要求に従って押下された前記ＭＦＣ４６から送られてきている現状値を前記ガスパターンパネル４７へと出力する。
【００５６】
該ガスパターンパネル４７は、前記制御演算部２８から出力された前記ＭＦＣ４６の現状値を受取り、前記現状値表示ウィンドウ５３に表示する。尚、該現状値表示ウィンドウ５３には、前記制御演算部２８から出力された現状値と共に、前記記憶部３１に保存されていた設定値も表示される。
【００５７】
ガス流量の設定を前記ガスパターンパネル４７上で変更する際には、一度押下され、前記小ウィンドウ５１が開いた状態から、前記現状値表示ウィンドウ５３を押下することによってデータ入力プログラムが起動され、該現状値表示ウィンドウ５３の現状値が表示されていた箇所が反転表示され、該箇所にキーボード等を介して前記ＭＦＣ４６の設定値が入力可能となる。
【００５８】
該ＭＦＣ４６に所要の設定値を入力し、決定すると、前記ガスパターンパネル４７から前記制御演算部２８に新たな設定値が送信され、該制御演算部２８から前記ＭＦＣ４６に設定値が送信され、該ＭＦＣ４６のガス流量の設定値が変更される。
【００５９】
図９は、前記ガスパターンパネル４７に表示された配管図の一部である。図９（Ａ）は前記ＭＦＣ４６の押下前を示しており、図９（Ｂ）は該ＭＦＣ４６の押下後を示している。
【００６０】
該ＭＦＣ４６の現状値を表示する際には、所望の該ＭＦＣ４６を押下することで前記小ウィンドウ５１が開かれ、前記ＭＦＣ４６の名称及びガス流量の現状値が前記記憶部３１から読込まれ、前記小ウィンドウ５１に表示される。
【００６１】
前記ＭＦＣ４６の設定を変更する際には、前記現状値表示ウィンドウ５３の現状値が表示されていた箇所を押下することによって、現状値が表示されていた箇所が反転表示されて設定値を入力可能となり、新たな設定値を入力することで前記ＭＦＣ４６の設定変更を行うことができる。
【００６２】
上述した様に、本発明は前記ガスパターンパネル４７上に表示された配管図上の各検知器を押下することによって、ガス圧、真空圧、液化ガス重量、ヒータ温度、ガス流量の現状値が表示されるので、前記基板処理装置１を操作する際には、前記ガスパターンパネル４７と前記メイン画面４８を見比べながら観測する必要がない。
【００６３】
又、前記ＭＦＣ４６の設定変更を前記ガスパターンパネル４７上で行える様にしたので、ガス流量の変更を前記メイン画面４８で行う必要がなくなり、ガス圧、真空圧、液化ガス重量、ヒータ温度、ガス流量の確認や前記ＭＦＣ４６の設定変更の煩雑さを大幅に軽減できる。
【００６４】
尚、本発明の基板処理装置は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置の様なガラス基板を処理する装置にも適用でき、縦型基板処理装置だけではなく、枚葉式の基板処理装置や横型の処理炉を有する基板処理装置にも適用できる。更に、露光装置やリソグラフィ装置、塗布装置等の他の基板処理装置に対しても同様に適用できるのは言う迄もない。
【００６５】
又、本発明は処理炉内の処理には何等関係なく、ＣＶＤ処理の他にも、例えば酸化、拡散、アニール等の処理に対しても適用可能である。
【００６６】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００６７】
（付記１）基板を処理する処理室と、基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、デジタル式ガスパターンパネルを有する操作部と、前記デジタル式ガスパターンパネルからの指示を受付けて所定の機能を実行する制御部とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【００６８】
（付記２）前記制御部は、前記デジタル式ガスパターンパネル上で圧力センサの押下指示に基づき該圧力センサの名称と共に、該圧力センサに加えられている圧力の実測値を表示する付記１の基板処理装置。
【００６９】
（付記３）前記制御部は、前記デジタル式ガスパターンパネル上でガス種の押下指示に基づき該ガス種の名称と共に該ガスに加えられている圧力の実測値を表示する付記１の基板処理装置。
【００７０】
（付記４）前記制御部は、前記デジタル式ガスパターンパネル上でプロセスに使用する材料名の押下指示に基づき、該材料の名称と共に該材料の残量を表示する付記１の基板処理装置。
【００７１】
（付記５）前記制御部は、前記デジタル式ガスパターンパネル上で所定の配管の押下指示に基づき、該配管に取付けられているヒータの名称と共に該ヒータ温度の設定温度と実測値を比較表示する付記１の基板処理装置。
【００７２】
（付記６）前記配管は温度毎に色分け表示される付記５の基板処理装置。
【００７３】
（付記７）前記制御部は、前記デジタル式ガスパターンパネル上で流量制御器の押下指示に基づき、該流量制御器の名称と共に該流量制御器に流れているガスの流量の実測値を表示する付記１の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明に於ける基板処理装置を示す側面図である。
【図２】本発明の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明に於けるガスパターンパネル上への表示方法を示す構成図である。
【図４】本発明に於けるガス圧の表示方法を示す説明図である。
【図５】本発明に於ける真空圧の表示方法を示す説明図である。
【図６】本発明に於ける液化ガス重量の表示方法を示す説明図である。
【図７】本発明に於ける配管温度の表示方法を示す説明図である。
【図８】本発明に於けるガス流量のガスパターンパネル上への表示及び該ガスパターンパネル上からの設定変更方法を示す構成図である。
【図９】本発明に於けるガス流量の表示方法及び設定変更方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７５】
１              基板処理装置
２７            制御装置
２８            制御演算部
３２            圧力制御部
３３            貯留量制御部
３４            加熱制御部
３５            流量制御部
３９            ガス圧力計
４１            真空圧力計
４３            材料質量計
４５            温度検知計
４６            ＭＦＣ
４７            ガスパターンパネル
４８            メイン画面
５１            小ウィンドウ
５２            名称表示ウィンドウ
５３            現状値表示ウィンドウ
５５            タンク
５８            ＨＥＡＴボタン
５９            配管
【図１】
2010129956.tif 000003
【図２】
2010129956.tif 000004
【図３】
2010129956.tif 000005
【図４】
2010129956.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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