(57)【要約】【課題】内蔵された部品と導体層とを確実に接続し、接続信頼性を向上させることができる部品内蔵配線基板の製造方法及び部品内蔵配線基板を提供する。【解決手段】ワイヤ部と接合部とを備える金属部材のうちの接合部を外部電極１２１、１２２に接合した後、ワイヤ部を切り離して突設導体５１を形成する突設導体形成工程と、キャパシタ１０１をコア基板１１の収容穴部９０に収容する収容工程と、キャパシタ１０１が収容されたコア基板１１の収容穴部９０内の間隙を絶縁性樹脂（樹脂充塞部９２となる。）で充塞する樹脂充塞工程と、を備える。樹脂充塞工程の後に、複数の突設導体５１の頂部と、コア基板１１のコア裏面１３等とが１つの平坦面に含まれるように高さを合わせる高さ合わせ工程を備えることが好ましい。【選択図】図２３
2010021368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも該コア裏面に開口した収容孔部を有するコア基板と、
部品主面及び部品裏面を有し、該部品裏面に形成された複数の外部電極を有し、且つ上記収容孔部内に収容された部品と、
上記部品が収容された上記収容孔部内の間隙を充塞した絶縁性樹脂と、
上記外部電極から突設されると共に、該外部電極を上記コア裏面又は該コア裏面に積層されたビルドアップ絶縁層の表面へ導出する複数の突設導体と、を備える部品内蔵配線基板の製造方法であって、
ワイヤ部と接合部とを備える金属部材のうちの該接合部を、上記外部電極に接合した後、該ワイヤ部を切り離して上記突設導体を形成する突設導体形成工程と、
上記部品の上記部品裏面と上記コア裏面とを同じ側に向けた状態で、該部品を上記収容孔部に収容する収容工程と、
上記部品が収容された上記収容孔部内の間隙を絶縁性樹脂で充塞する樹脂充塞工程と、を備えることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項２】
上記接合部が略球状である請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項３】
上記樹脂充塞工程の後に、上記複数の突設導体の頂部と、上記コア裏面又は上記ビルドアップ絶縁層の上記表面と、が１つの平坦面に含まれるように高さを合わせる高さ合わせ工程を備える請求項１又は２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項４】
上記突設導体は、裾窄まりの形状である請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項５】
上記突設導体は、上記外部電極との接合径をＳとし、該突設導体の最大径をＲとした場合に、１<Ｒ／Ｓ<５である請求項４に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項６】
上記突設導体は、銅が主成分である請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項７】
上記突設導体形成工程における上記接合は、上記部品の温度を４００℃以下に保持しながら超音波接合により行う請求項１乃至６のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項８】
上記部品は、ビアアレイキャパシタである請求項１乃至７のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項９】
上記突設導体形成工程と上記樹脂充塞工程とをこの順に行い、更に、該突設導体形成工程と該樹脂充塞工程との間に、上記突設導体の表面を粗化する突設導体粗化工程を備える請求項１乃至８のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項１０】
上記突設導体をプレスして該突設導体の形状を調整するプレス工程を備える請求項１乃至９のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法により得られたことを特徴とする部品内蔵配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部にキャパシタなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板及びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、不良品の発生を防止することができ、且つ信頼性を向上させることができる部品内蔵配線基板の製造方法及びその方法により製造された部品内蔵配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として用いられる半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年、ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。但し、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とは、端子間ピッチに大きな差があるため、ＩＣチップをマザーボードに直接接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボードに搭載するという手法が採られる。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減及び電源電圧の安定化を図るため、キャパシタを設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にチップ状のキャパシタを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
上記従来の配線基板の製造方法の一例を以下に説明する。
先ず、コア主面２０１及びコア裏面２０２の両面に開口する収容孔部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４（図２７参照）を準備する。併せて、キャパシタ主面２０５及びキャパシタ裏面２０６に、それぞれ複数の表面電極２０７が突設されたキャパシタ２０８（図２７参照）を準備する。その後、コア裏面２０２側に粘着テープ２０９を貼着し、収容孔部２０３のコア裏面２０２側の開口をあらかじめ塞いでおく。次いで、収容孔部２０３内にキャパシタ２０８を収容し、キャパシタ裏面２０６を粘着テープ２０９の粘着面に貼着して仮固定する（図２７参照）。
【０００４】
その後、コア主面２０１及びキャパシタ主面２０５に高分子材料を主体とする樹脂絶縁層２１０を形成する（図２８参照）。併せて、樹脂絶縁層２１０の一部により、収容孔部２０３の内壁面とキャパシタ２０８の側面との間隙を埋めて、キャパシタ２０８を固定する（図２８参照）。この時点で粘着テープ２０９を剥離する。次いで、コア裏面２０２及びキャパシタ裏面２０６に高分子材料を主体とする樹脂絶縁層２１１を形成する（図２９参照）。更に、レーザー孔開け加工により、樹脂絶縁層２１０、２１１をそれぞれ貫通するビア孔を複数箇所に形成し、表面電極２０７を露出させる。その後、樹脂絶縁層２１０、２１１及びビア孔の内面に無電解銅めっきを施し、次いで、エッチングレジストを形成し、その後、電解銅めっきを施す。更に、エッチングレジストを除去してソフトエッチングすることで、樹脂絶縁層２１０、２１１上に導体層２１３がパターン形成されるとともに、各々のビア孔の内部にビア導体２１２が形成される（図２９参照）。次いで、樹脂絶縁層２１０，２１１上に、樹脂絶縁層及び導体層を交互に設けることで、ビルドアップ層を形成する。このようにして、所定の構造を有する配線基板を製造することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３５１７８２号公報（図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記の製造方法では、コア基板２０４及びキャパシタ２０８に、形成時に生じる反りなどに起因する厚さのばらつきが生じ易く、また、キャパシタ２０８は、通常、コア基板２０４より薄いため、コア主面２０１とキャパシタ主面２０５との間に段差が生じる。そのため、コア基板２０４上及びキャパシタ２０８上に形成された樹脂絶縁層２１０、２１１の厚さ、及び樹脂絶縁層２１０、２１１に形成されたビア孔の深さにもばらつきが発生する。従って、レーザー孔開け加工によりビア孔を複数箇所に形成するときに、レーザーの出力調節が容易ではない。即ち、樹脂絶縁層２１０、２１１の相対的に薄い部分にビア孔を形成する場合、樹脂絶縁層２１０、２１１を通過したレーザー光は、出力が高いまま表面電極２０７に照射されるため、条件によっては表面電極２０７が発熱して溶融してしまう可能性がある。一方、樹脂絶縁層２１０、２１１の相対的に厚い部分（例えば、樹脂絶縁層２１０のキャパシタ主面２０５上の部分）にビア孔を形成する場合、樹脂絶縁層２１０、２１１を通過するレーザー光が表面電極２０７まで到達せず、表面電極２０７の上面に樹脂が残留して表面電極２０７を十分に露出させることができない可能性がある。また、樹脂絶縁層２１０、２１１の相対的に厚い部分にビア孔を形成すると、ビア孔が深くなるため、ビア孔のアスペクト比（ビア孔の深さ／直径）が大きくなって細長くなる。そのため、ビア孔内にビア導体用ペーストを完全に充填することが容易ではなく、完全に充填しようとすれば生産性が低下する。また、形成されたビア導体２１２の端部と表面電極２０７とを確実に接続させて導通を図ることが困難になる場合もある。
【０００７】
本発明は、上記の従来の状況に鑑みてなされたものであり、部品とコア基板とを確実に接続することにより、不良品の発生を防止することができ、且つ信頼性を向上させることができる部品内蔵配線基板の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の方法により製造され、信頼性の高い部品内蔵配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は以下のとおりである。
１．コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも該コア裏面に開口した収容孔部を有するコア基板と、部品主面及び部品裏面を有し、該部品裏面に形成された複数の外部電極を有し、且つ上記収容孔部内に収容された部品と、上記部品が収容された上記収容孔部内の間隙を充塞した絶縁性樹脂と、上記外部電極から突設されると共に、該外部電極を上記コア裏面又は該コア裏面に積層されたビルドアップ絶縁層の表面へ導出する複数の突設導体と、を備える部品内蔵配線基板の製造方法であって、ワイヤ部と接合部とを備える金属部材のうちの該接合部を、上記外部電極に接合した後、該ワイヤ部を切り離して上記突設導体を形成する突設導体形成工程と、上記部品の上記部品裏面と上記コア裏面とを同じ側に向けた状態で、該部品を上記収容孔部に収容する収容工程と、上記部品が収容された上記収容孔部内の間隙を絶縁性樹脂で充塞する樹脂充塞工程と、を備えることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
２．上記接合部が略球状である上記１．に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
３．上記樹脂充塞工程の後に、上記複数の突設導体の頂部と、上記コア裏面又は上記ビルドアップ絶縁層の上記表面と、が１つの平坦面に含まれるように高さを合わせる高さ合わせ工程を備える上記１．又は２．に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
４．上記突設導体は、裾窄まりの形状である上記１．乃至３．のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
５．上記突設導体は、上記外部電極との接合径をＳとし、該突設導体の最大径をＲとした場合に、１<Ｒ／Ｓ<５である上記４．に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
６．上記突設導体は、銅が主成分である上記１．乃至５．のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
７．上記突設導体形成工程における上記接合は、上記部品の温度を４００℃以下に保持しながら超音波接合により行う上記１．乃至６．のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
８．上記部品は、ビアアレイキャパシタである上記１．乃至７．のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
９．上記突設導体形成工程と上記樹脂充塞工程とをこの順に行い、更に、該突設導体形成工程と該樹脂充塞工程との間に、上記突設導体の表面を粗化する突設導体粗化工程を備える上記１．乃至８．のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
１０．上記突設導体をプレスして該突設導体の形状を調整するプレス工程を備える上記１．乃至９．のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
１１．上記１．乃至１０．のうちのいずれかに記載の部品内蔵配線基板の製造方法により得られたことを特徴とする部品内蔵配線基板。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の部品内蔵配線基板の製造方法によれば、樹脂充塞部の形成によってコア基板のコア裏面側が平坦になるため、コア裏面上に裏面側ビルドアップ層を形成したときに、その表面に形成される接続端子部（即ち、ＢＧＡ用パッド）の高さが一定になる。そのため、配線基板を確実にマザーボード上に実装することができ、配線基板の信頼性が向上する。また、部品、例えば、ビアアレイキャパシタがＩＣチップ搭載領域に搭載されたＩＣチップの直下に配置されるため、ビアアレイキャパシタとＩＣチップとを繋ぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、ビアアレイキャパシタによるＩＣチップのスイッチングノイズを低減することができるとともに、電源電圧の安定化を図ることができる。更に、ＩＣチップとビアアレイキャパシタとの間で、侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等を生じることもなく、高い信頼性を得ることができる。また、ＩＣチップ搭載領域がビアアレイキャパシタの真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域に搭載されるＩＣチップは、高剛性で熱膨張率が小さいビアアレイキャパシタによって支持される。そのため、ＩＣチップ搭載領域において、ビルドアップ層が変形し難くなり、ＩＣチップを安定して支持することができる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップの亀裂発生、及び接続不良等を防止することができる。これにより、熱膨張差による応力歪が大きくなり、且つ発熱量が大きく、使用時の熱衝撃が大きい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップ、及びＬｏｗ−ｋ（低誘電率）の脆いＩＣチップをも用いることができる。
【００１０】
また、接合部が略球状である場合は、樹脂充塞部を形成するための樹脂を円滑に流入させることができ、樹脂を充塞する際の、部品の位置ずれを防止することもできる。
【００１１】
更に、樹脂充塞工程の後に、複数の突設導体の頂部と、コア裏面又はビルドアップ絶縁層の表面と、が１つの平坦面に含まれるように高さを合わせる高さ合わせ工程を備える場合は、複数の突設導体の頂部の表面と、コア裏面に形成されたコア裏面側導体層の表面とが同じ高さになり、厚さのばらつきの小さい裏面側樹脂絶縁層を形成することができる。そのため、ビア孔形成時に裏面側樹脂絶縁層を貫通するビア孔を複数形成する際に、レーザー光の出力を一定とし、深さのばらつきが小さいビア孔を容易、且つ確実に形成することができる。しかも、各々のビア孔内にビア導体を確実に形成することができる。その結果、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができ、不良品の発生が防止され、信頼性の高い配線基板を製造することができる。また、高さ合わせ工程では、キャパシタ裏面を覆う樹脂充塞部を、それぞれの突設導体の側面間に配置させた状態で、高さ合わせ前の頂部を研磨している。このようにすれば、各々の突設導体が樹脂充塞部によって固定されるため、高さ合わせ工程の際に突設導体に大きな力が加わったとしても、突設導体の破損を防止することができる。更に、樹脂充塞部をそれぞれの突設導体の側面間に配置することにより、突設導体間の凹部が埋められて平坦になるため、頂部の表面及び樹脂充塞部の研磨時に生じる研磨粉が残留し難くなる。また、高さ合わせ工程において、突設導体の頂部及びコア裏面側導体層の両方を除去しているため、頂部の平坦化が図られるのみでなく、樹脂充塞部から露出したコア裏面側導体層の表面の平坦化も図られる。従って、突設導体及びコア裏面側導体層の表面に形成される裏面側樹脂絶縁層の厚さのばらつきもより小さくなる。これにより、裏面側樹脂絶縁層にビア孔を複数形成したときに、ビア孔の深さのばらつきがより小さくなり、各々のビア孔内にビア導体をより確実に形成することができ、突設導体とビア導体とをより確実に導通させることができ、信頼性を向上させることができる。
また、突設導体が、裾窄まりの形状である場合は、突設導体と樹脂充塞部との嵌合性が高められ、樹脂充塞部と部品裏面との剥離が防止される。
更に、突設導体の、外部電極との接合径をＳとし、突設導体の最大径をＲとした場合に、１<Ｒ／Ｓ<５であるときも、突設導体と樹脂充塞部との嵌合性が高められ、樹脂充塞部と部品裏面との剥離が防止される。
また、突設導体が、銅が主成分である場合は、低抵抗であり、且つ安価な突設導体とすることができ、表面粗化も容易であって、工程面でも有利である。
更に、突設導体形成工程における接合を、部品の温度を４００℃以下に保持しながら超音波接合により行う場合は、突設導体と外部電極とを高い強度で接合することができる。
また、部品が、ビアアレイキャパシタである場合は、搭載されるＩＣチップが、高分子材料に比較して高剛性で熱膨張率が小さいビアアレイキャパシタによって支持されるため、ＩＣチップ搭載領域においてビルドアップ層が変形し難くなり、ＩＣチップが安定して支持され、大きな熱応力に起因するＩＣチップの亀裂発生、及び接続不良等を防止することができる。
更に、突設導体形成工程と樹脂充塞工程とをこの順に行い、更に、突設導体形成工程と樹脂充塞工程との間に、突設導体の表面を粗化する突設導体粗化工程を備える場合は、突設導体と樹脂充塞部とをより確実に密着させることができる。
また、突設導体をプレスして突設導体の形状を調整するプレス工程を備える場合は、突設導体の形状を調整することができ、その高さのばらつきを小さくすることもでき、且つ突設導体と外部電極との接合強度を高めることもできる。
【００１２】
本発明の部品内蔵配線基板によれば、コア裏面上に形成された裏面側ビルドアップ層の表面に形成された接続端子部（即ち、ＢＧＡ用パッド）の高さが一定になるため、配線基板を確実にマザーボード上に実装することができ、配線基板の信頼性が向上する。また、部品とＩＣチップとの間で、侵入するノイズを極めて小さく抑えることができ、誤動作等を生じることもないため、高い信頼性を得ることができる。更に、ＩＣチップが、高剛性で熱膨張率が小さい部品によって支持されるため、ＩＣチップ搭載領域において、ビルドアップ層が変形し難くなり、ＩＣチップが安定して支持される。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップの亀裂発生、及び接続不良等を防止することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下本発明を詳しく説明する。
部品内蔵配線基板を構成するコア基板は、公知の方法により作製することができる。このコア基板は、例えば、コア主面及びその反対面のコア裏面を有する板状体であり、部品を収容するための収容孔部を有している。収容孔部は、コア裏面側のみに開口する有底孔であってもよく、コア主面側及びコア裏面側の両方に開口する貫通孔であってもよい。
【００１４】
コア基板の材質は特に限定されないが、高分子材料を主成分とするコア基板が好ましい。コア基板の形成に用いる高分子材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。その他、これらの樹脂と、ガラス繊維等の無機繊維、及びポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を用いることもできる。
【００１５】
部品も、公知の方法により作製することができる。この部品は、部品主面、部品裏面及び部品側面を有する部品本体を備え、本発明では、部品裏面の外部電極上に突設導体が設けられている。部品の形状は特に限定されず、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積より大きい板状体等とすることができる。また、部品の平面形状は多角形であることが好ましく、この多角形としては、例えば、四角形、三角形、六角形等が挙げられ、特に四角形であることが好ましい。
尚、多角形とは、正確な多角形状ばかりでなく、角部が面取りされた形状、及び辺の一部が曲線になっている形状も意味するものとする。
【００１６】
具体的な部品としては、例えば、キャパシタ、ＩＣチップ、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子等が挙げられる。ここで、「ＩＣチップ」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として用いられる素子をいう。
【００１７】
また、キャパシタとしては、チップキャパシタ、並びに誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有するキャパシタ本体、複数の内部電極層に接続された複数のキャパシタ内ビア導体、複数のキャパシタ内ビア導体の少なくとも部品裏面側の端部に接続された複数の外部電極を備えるキャパシタ等が挙げられる。この特定の構造を有するキャパシタとしては、ビアアレイキャパシタが挙げられる。ビアアレイキャパシタでは、インダクタンスの低減化が図られ、且つノイズ吸収及び電源変動平滑化のための高速電力供給が可能となる。更に、キャパシタ全体の小型化が容易であり、その結果、部品内蔵配線基板全体の小型化も容易となる。しかも、小型であるにもかかわらず静電容量を大きくすることができ、より安定した電力供給が可能となる。
【００１８】
キャパシタの誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック・樹脂複合材料からなる誘電体層等が挙げられる。これらのうちでは、高剛性で熱膨張率が小さいキャパシタとすることができるセラミック誘電体層が好ましい。このセラミック誘電体層としては、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウム灯の高誘電率セラミックの焼結体を用いた誘電体層が、静電容量の大きなキャパシタとすることができ、好ましい。目的によっては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素等のセラミックの中でも特に高剛性、低熱膨張率のセラミック焼結体を用いてもよい。また、ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラスに、アルミナ等の無機フィラーを配合したガラスセラミックのような低温焼成可能なセラミックの焼結体を用いることもできる。更に、樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含有する四フッ化エチレン樹脂等の樹脂を用いた誘電体層が好ましい。また、セラミック・樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウム等を使用し、樹脂として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂、及びポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。更に、これらの樹脂と、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴム等のゴムとを併用することもできる。
【００１９】
内部電極層、キャパシタ内ビア導体、外部電極も特に限定されないが、例えば、誘電体層がセラミック誘電体層である場合は、メタライズ導体であることが好ましい。このメタライズ導体は、金属粉末を含有する導体ペーストを公知の方法、例えば、メタライズ印刷法により塗布した後、焼成して形成することができる。セラミック誘電体層とメタライズ導体とを同時焼成により形成することもでき、この場合、導体ペーストに含有される金属粉末の融点は、未焼成セラミックの焼成温度より高温であることが好ましい。例えば、セラミック誘電体層がアルミナ等の焼結温度の高いセラミックである場合は、金属粉末としてニッケル、タングステン、モリブデン、マンガン等、及びそれらの合金の粉末を用いることができる。また、セラミック誘電体層がガラスセラミック等の焼結温度の低いセラミックである場合は、金属粉末として銅、銀等、及びそれらの合金の粉末を用いることができる。
【００２０】
複数の突設導体は、部品裏面に突設されている。複数の突設導体は、部品裏面の他、部品主面に突設されていてもよい（以下、突設導体が部品裏面に突設されている態様について詳述するが、突設導体が部品主面に形成されている態様の場合も同様である。）。更に、複数の突設導体は、部品裏面等に配置された複数の外部電極上に突設されている。尚、突設導体は、導電性の金属材料によって形成することができる。突設導体を構成する金属材料としては、例えば、銅、金、アルニウム等が挙げられる。
【００２１】
突設導体は、ワイヤ部と接合部とを備える金属部材のうちの接合部を、外部電極に接合した後、ワイヤ部を切り離して形成することができる。また、突設導体は外部電極より厚いことが好ましく、高さ合わせ工程前の突設導体の厚さは、５０〜３００μｍ、特に１００〜２００μｍであることが好ましい。突設導体の厚さが５０μｍ未満であると、収容孔部に部品を収容した際に、突設導体がコア裏面から突出し難くなるため、突設導体の頂部を除去して頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせることが困難になる。一方、突設導体の厚さが３００μｍを越えると、研磨等による突設導体の頂部側の除去に長時間を必要とし、部品の生産性が低下する。
【００２２】
更に、部品裏面に配置された複数の外部電極上に形成された突設導体の直径は、外部電極の直径と等しいことが好ましい。このようにすれば、突設導体の直径が外部電極の直径より小さい場合に比べて、突設導体の断面積が大きくなるため、突設導体の低抵抗化を図ることができるとともに、突設導体の導電性が向上するだけでなく、その後に形成されるビア電極との接続性にも有利である。また、突設導体の直径が表面電極の直径と等しいため、通常、互いに間隙を有して配置される複数の外部電極上に、各々の突設導体を突設した場合に、隣接する突設導体同士が必ず間隙を有して配置されることになり、突設導体同士の接触による短絡を防止することができる。
【００２３】
部品が収容される収容孔部内の間隙を充塞する樹脂充塞部の材質も特に限定されず、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。この樹脂充塞部の形成に用いる高分子材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂、及びポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂等の熱可塑性樹脂などが挙げられる。この高分子材料としては熱可塑性樹脂が好ましい。その他、これらの樹脂にガラスフィラー等の無機フィラーを配合した材料を用いてもよい。
【００２４】
部品裏面を覆う樹脂充塞部の高さ合わせ前の厚さは、突設導体の厚さ以上であることが好ましい。即ち、高さ合わせ前の突設導体の頂部の表面は、樹脂充塞部の表面に露出していてもよいが、樹脂充塞部によって覆われていることが好ましい。部品裏面を覆う樹脂充塞部が突設導体より薄いと、樹脂充塞部の表面から突設導体の頂部が突出してしまうことになり、高さ合わせ工程において突設導体に大きな力が加わった際に、突設導体が破損し易くなる。尚、部品裏面を覆う樹脂充塞部が突設導体より過度に厚いと、研磨等による樹脂充塞部の除去に長時間を必要とし、部品の生産性が低下する。
【００２５】
また、樹脂充塞部は、少なくとも、部品裏面及び部品側面を覆っており、樹脂充塞部が部品裏面の他、部品側面をも覆っているため、収容孔部の内面と部品との間に間隙がなく、高さ合わせ工程において部品に大きな力が加わったとしても、部品の破損を防止することができる。尚、「覆う」とは、全面を覆う場合のみでなく、例えば、突設導体が覆われていない等、部分的に覆うときも含むものとする。
【００２６】
収容工程では、コア裏面と部品裏面とを同じ側に向けた状態で、収容孔部内に部品を収容する。部品は、完全に埋設された状態で収容孔部に収容されていなければならない。更に、収容孔部がコア主面側及びコア裏面側の両方に開口する貫通孔である場合は、収容工程を、コア主面及びコア裏面の両方に開口する収容孔部のコア主面側の開口部を粘着テープの粘着面で塞いだ状態で実施し、高さ合わせ工程後に粘着テープを除去してもよい。
【００２７】
収容工程後、且つ高さ合わせ工程前に、コア裏面及び部品裏面に樹脂充塞部を形成するとともに、この樹脂充塞部の一部で収容孔部の内壁面と部品側面との間隙を埋める樹脂充塞工程を実施し、部品を固定する。また、高さ合わせ工程では、突設導体の頂部の表面を研磨すると同時に樹脂充塞部を研磨することが好ましい。このように同時に研磨しても、高さ合わせ工程前に予め樹脂充塞部によって部品が固定されているため、高さ合わせ工程の際に、部品に大きな力が加わったとしても、部品の破損を防止することができる。しかも、樹脂充塞部により収容孔部の底部まで間隙を埋めることができ、ボイド等の発生を防止することもできる。そのため、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することができる。更に、高さ合わせ工程では、突設導体の頂部の表面の研磨と同時に、樹脂充塞部の研磨が行われるため、高さ合わせ工程が簡略化され、部品内蔵配線基板を容易に製造できるとともに、低コスト化することができる。
【００２８】
樹脂充塞部を形成する方法としては、コア裏面及び部品裏面に高分子材料を含有するペースト等を塗布し、間隙に流入させ、その後、乾燥、加熱して形成する方法、及びコア裏面及び部品裏面のうちの樹脂充塞部が形成されることになる位置に貫通孔を有するマスクを積層配置した後、マスクを介して高分子材料を含有するペースト等を印刷し、間隙に流入させ、その後、乾燥、加熱して形成する方法等が挙げられる。
【００２９】
部品は、高分子材料の一部により間隙を埋めた状態で、高分子材料を硬化又は固化させて樹脂充塞部を形成し、固定することができる。高分子材料が熱硬化性樹脂である場合は、高分子材料を硬化させる方法としては、未硬化の高分子材料を加熱する方法等が挙げられる。また、高分子材料が熱可塑性樹脂である場合は、加熱された高分子材料を冷却し、固化させる方法等が挙げられる。尚、熱硬化性樹脂の未硬化の状態としては、例えば、完全硬化に至る中間硬化状態であるＢステージ等が挙げられる。
【００３０】
高さ合わせ工程では、突設導体の頂部の表面と、コア裏面に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせる。その後、コア主面に主面側配線積層部を形成したり、コア裏面に裏面側配線積層部を形成したりすれば、部品内蔵配線基板が完成する。
【００３１】
高さ合わせ工程において、突設導体の頂部の表面と、コア裏面に形成された導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法としては、突設導体を低くすることにより頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法、導体層を薄くすることにより頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法、突設導体を高くすることにより頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法、及び導体層を厚くすることにより頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法等が挙げられる。これらの方法のうちでは、突設導体を低くすることにより頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法が好ましい。導体層を薄くすることにより頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法では、元々薄い導体層を更に薄くしなければならず、導体層を薄くしたとしても、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせることができない可能性がある。また、突設導体を高くしたり、導体層を厚くしたりすることにより、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法では、突設導体の頂部の表面及び導体層の表面に導体ペーストを印刷するなどの工程が必要となり、部品内蔵配線基板の製造が複雑になるとともに、製造コストが上昇する。尚、突設導体を低くすることにより頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法では、部品はコア基板よりも薄く形成し、且つ突設導体は収容孔部内に部品が収容された状態でコア裏面から少し突出する程度の厚さとすることが好ましい。このようにすれば、研磨等により突設導体を確実に低くすることができる。
【００３２】
また、突設導体を低くしたり、導体層を薄くしたりするなどして、頂部の表面と導体層の表面とを同じ高さに合わせる方法としては、頂部及び導体層の少なくとも一方を機械的に除去する方法、及び頂部及び導体層の少なくとも一方を化学的に除去する方法などが挙げられる。しかし、高さ合わせ工程では、頂部及び導体層の少なくとも一方を機械的に除去することが好ましい。このようにすれば、頂部及び導体層の少なくとも一方を化学的に除去する場合に比べて、低コスト、且つ簡便に高さ合わせすることができる。
【００３３】
突設導体の頂部及び導体層の少なくとも一方を機械的に除去する方法としては、頂部の一部及び導体層の一部の少なくとも一方を切断する方法、頂部の表面及び導体層の表面の少なくとも一方を研磨する方法等が挙げられる。頂部の表面及び導体層の表面の少なくとも一方を研磨する方法としては、サンドペーパーを取り付けたベルトサンダー装置による研磨、円板状の不織布などの外周面に研磨剤を塗布し、回転させながら頂部の表面や導体層の表面に押し当てるバフ研磨等が挙げられる。尚、サンドペーパーの研磨面の算術平均粗さ、及び研磨剤の粒径は、頂部の表面及び導体層の表面の研磨後の算術平均粗さと等しいことが好ましい。一方、頂部及び導体層の少なくとも一方を化学的に除去する方法としては、頂部の一部及び導体層の一部の少なくとも一方を、エッチング液によって除去する方法等が挙げられる。
【００３４】
高さ合わせ工程で、突設導体の頂部を研磨する場合、硬化又は固化した樹脂が複数の突設導体の側面間に配置された状態で、頂部の表面を研磨することが好ましい。このようにすれば、突設導体が硬化又は固化した樹脂によって固定されるため、高さ合わせ工程の際に突設導体に大きな力が加わったとしても、突設導体の破損を防止することができる。ここで、樹脂は、部品裏面を覆う樹脂充塞部を構成する樹脂である。
【００３５】
高さ合わせ工程後に、コア裏面及び部品裏面に裏面側層間絶縁層を形成し、その後、レーザー孔開け加工をし、裏面側層間絶縁層を貫通するビア孔を形成して突設導体の頂部の表面を露出させ、次いで、ビア孔の内部にビア導体を形成することができる。このようにすれば、高さ合わせ工程において平坦化されたコア裏面及び部品裏面に形成される裏面側層間絶縁層の厚さのばらつきが小さくなり、ビア孔の深さのばらつきも小さくなる。そのため、ビア孔内にビア導体を確実に形成することができ、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができる。従って、不良品の発生を防止することができ、且つ信頼性の高い部品内蔵配線基板とすることができる。
【００３６】
また、樹脂充塞部と、裏面側層間絶縁層とは同材質であってもよく、材質が異なっていてもよいが、同材質であることが好ましい。これにより、樹脂充塞部の形成に際し、裏面側層間絶縁層の形成とは異なる他の材料を準備する必要がない。従って、部品内蔵配線基板の製造に必要な原材料の種類が低減され、部品内蔵配線基板の低コスト化が可能となる。尚、「同材質」とは、同種の高分子材料であって、熱膨張係数に大差のない材料であることを意味する。熱膨張係数に大差がなければ、樹脂充塞部と、裏面側層間絶縁層との間での剥離を防止することができ、信頼性の高い部品内蔵配線基板とすることができる。尚、この熱膨張係数は、厚さ方向に対して垂直な方向、即ち、平面方向の熱膨張係数であり、熱機械分析装置にて測定した０〜１００℃の間の値である。
【００３７】
本発明の部品内蔵配線基板は、コア基板と、部品と、主面側層間絶縁層及び主面側導体層をコア主面上にて積層した構造を有するとともに、ＩＣチップを搭載可能な半導体集積回路素子搭載領域が表面に設定された主面側配線積層部と、裏面側層間絶縁層及び裏面側導体層をコア裏面上にて積層した構造を有し、マザーボードに接続可能な接続端子部が表面に形成された裏面側配線積層部と、を備える部品内蔵配線基板とすることができ、コア裏面側導体層の表面及び複数の突設導体の頂部が同一平面上に位置するとともに、コア裏面側導体層の表面及び突設導体の表面、特に頂部が粗化され、その算術平均粗さが、コア主面側導体層の表面の算術平均粗さよりも粗くなっていることが好ましく、また、コア裏面側導体層は、コア主面側導体層よりも薄くなっている態様とすることができる。尚、上記「算術平均粗さ」は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。この算術平均粗さＲａはＪＩＳ  Ｂ０６５１に準じて測定した値である。
【００３８】
この態様では、樹脂充塞前の突設導体の表面、特に頂部が粗化されておれば、突設導体と樹脂充塞部とを密着させることができる。その結果、高さ合わせ工程において突設導体及び部品を安定して固定することができ、大きな力が加わったとしても、突設導体及び部品の破損を防止することができる。更に、この態様では、コア裏面側導体層の表面及び突設導体の頂部の表面が同一平面上に位置しているため、コア裏面上に形成される裏面側層間絶縁層の厚さのばらつきを小さくすることができる。従って、裏面側層間絶縁層に複数のビア導体を形成する場合、ビア孔の深さのばらつきが小さいため、ビア導体の形成が容易であり、その結果、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができる。従って、不良品の発生を防止することができ、信頼性の高い部品内蔵配線基板とすることができる。
【００３９】
更に、最もコア裏面側に位置する裏面側層間絶縁層は、厚さのばらつきが５μｍ以下、特に２μｍ以下であることが好ましい。このように厚さのばらつきが小さければ、ビア導体の形成が容易であり、その結果、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができる。従って、不良品の発生を防止することができ、信頼性の高い部品内蔵配線基板とすることができる。厚さのばらつきが５μｍを越えると、ビア孔を形成した場合に、ビア孔の深さもばらつき、突設導体とビア導体とを確実に導通させることができず、不良品が発生することがあり、部品内蔵配線基板の信頼性も低下する傾向がある。
【００４０】
主面側配線積層部を構成する主面側層間絶縁層、及び裏面側配線積層部を構成する裏面側層間絶縁層の材質は特に限定されず、これらの絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。主面側層間絶縁層及び裏面側層間絶縁層を形成するための高分子材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂、及びポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂等の熱可塑性樹脂などが挙げられる。その他、これらの樹脂にガラスフィラー等の無機フィラー、ポリアミド繊維等の有機繊維を配合した材料を用いてもよい。更に、多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目構造を有するフッ素系樹脂基材に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂・樹脂複合材料などを用いることもできる。
【００４１】
以下、本発明の部品内蔵配線基板の一実施形態を図面を参照しながら詳しく説明する。
図１のように、本実施形態の部品内蔵配線基板（以下、「配線基板」という。）１０はＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、平面形状が略矩形の板状体であるコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）に形成された主面側ビルドアップ層３１（主面側配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成された裏面側ビルドアップ層３２（裏面側配線積層部）とを備える。
【００４２】
コア基板１１のコア主面１２に形成された主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）からなる２層の主面側樹脂絶縁層３３、３５（所謂、主面側層間絶縁層）と、銅からなる主面側導体層４１とを交互に積層した構造を有している。第２層の主面側樹脂絶縁層３５の表面における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。更に、主面側樹脂絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によって、ほぼ全面が覆われており、ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。また、端子パッド４４の表面には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各々のはんだバンプ４５は、平面形状が矩形で、平板状のＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。尚、それぞれの端子パッド４４及びはんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３（半導体集積回路素子搭載領域）であり、このＩＣチップ搭載領域２３は、主面側ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。更に、第２層の主面側樹脂絶縁層３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。各々のビア導体４３の下端となる箇所は、主面側樹脂絶縁層３３の表面に形成された主面側導体層４１に接続されており、それぞれのビア導体４３の上端となる箇所は、主面側樹脂絶縁層３５の表面に形成された端子パッド４４に接続されている。このビア導体４３は、主面側導体層４１及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。
【００４３】
また、図１のように、コア基板１１のコア裏面１３に形成された裏面側ビルドアップ層３２は、上記の主面側ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を備える。即ち、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）からなる２層の裏面側樹脂絶縁層３４、３６（所謂、裏面側層間絶縁層）と、裏面側導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の裏面側樹脂絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４７が形成されており、各々のビア導体４７の下端となる箇所は、裏面側樹脂絶縁層３４の表面に形成された裏面側導体層４２に接続されている。また、第２層の裏面側樹脂絶縁層３６内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、裏面側樹脂絶縁層３６の下面において各々のビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して裏面側導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。更に、裏面側樹脂絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によって、ほぼ全面が覆われており、ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。また、ＢＧＡ用パッド４８の表面には、マザーボード（図示せず）に対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。即ち、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９は、裏面側ビルドアップ層３２の表面に形成された接続端子部５０を構成している。そして、それぞれのはんだバンプ４９により、図１の配線基板１０はマザーボード上に実装される。
【００４４】
図１の本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面形状が矩形の板状体である。このコア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを配合したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成された銅からなる導体層１６３と、により構成されている。また、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６が、コア主面１２、コア裏面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。このスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通させるとともに、導体層１６３に電気的に接続されている。尚、スルーホール導体１６の内部は、例えば、エポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。更に、スルーホール導体１６の上端は、主面側樹脂絶縁層３３の表面にある主面側導体層４１の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、裏面側樹脂絶縁層３４の下面にある裏面側導体層４２の一部に電気的に接続されている。
【００４５】
また、コア基板１１のコア主面１２には、銅からなるコア主面側導体層６１がパターン形成されており、各々のコア主面側導体層６１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。同様に、コア基板１１のコア裏面１３には、銅からなるコア裏面側導体層６２がパターン形成されており、各々のコア裏面側導体層６２は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。更に、コア裏面側導体層６２は、コア主面側導体層６１（厚さ７５μｍ）より薄く形成されており、本実施形態では６５μｍである。また、コア裏面側導体層６２の表面及び突設導体５１の頂部５２の表面の算術平均粗さＲａは、コア主面側導体層６１の表面の算術平均粗さＲａ（本実施形態では０．５μｍ）より粗くなっており、具体的には、０．８μｍに設定されている。
【００４６】
更に、コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部に開口する平面形状が矩形の収容孔部９０を１個有している。即ち、収容孔部９０は貫通孔である。そして、収容孔部９０には、図１のように、ビアアレイキャパシタ１０１（部品）が、埋め込まれて収容されている。このキャパシタ１０１は、キャパシタ裏面１０３をコア基板１１のコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のキャパシタ１０１は、縦１０．０ｍｍ×横１０．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの平面形状が矩形の板状体である。即ち、キャパシタ１０１はコア基板１１よりも薄く形成されている。また、キャパシタ１０１は、コア基板１１においてＩＣチップ搭載領域２３の直下の領域に配置されている。尚、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、キャパシタ１０１のキャパシタ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されており、キャパシタ１０１の厚さ方向からみた場合、キャパシタ１０１のキャパシタ主面１０２内に位置している。
【００４７】
図１、２及び９等のように、本実施形態のキャパシタ１０１は、所謂、ビアアレイタイプのキャパシタである。キャパシタ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（部品本体）は、部品主面である１個のキャパシタ主面１０２（図１では上面）、部品裏面である１個のキャパシタ裏面１０３（図１では下面）、及び部品側面である４個のキャパシタ側面１０６（図１では左面、右面）を有する板状体である。
【００４８】
図２のように、セラミック焼結体１０４（部品本体）は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。
【００４９】
図２及び９等のように、セラミック焼結体１０４には、多数のビア孔１３０が形成されている。これらのビア孔１３０は、セラミック焼結体１０４を厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面に渡ってアレイ状に配置されている。各々のビア孔１３０には、セラミック焼結体１０４のキャパシタ主面１０２及びキャパシタ裏面１０３間を連通する複数のキャパシタ内ビア導体１３１、１３２が、ニッケルを主材として形成されている（図２、４及び９参照）。また、本実施形態では、ビア孔１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、キャパシタ内ビア導体１３１、１３２の直径も約１００μｍとなる。各々の電源用キャパシタ内ビア導体１３１は、それぞれの電源用内部電極層１４１を貫通しており、これらを互いに電気的に接続している。更に、各々のグランド用キャパシタ内ビア導体１３２は、それぞれのグランド用内部電極層１４２を貫通しており、これらを互いに電気的に接続している。電源用キャパシタ内ビア導体１３１及びグランド用キャパシタ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されており、本実施形態では、説明の便宜上、キャパシタ内ビア導体１３１、１３２を５列×５列で図示したが、実際にはより多くの列が存在している。
【００５０】
また、図２等のように、セラミック焼結体１０４のキャパシタ主面１０２には、複数の主面側電源用電極１１１（外部電極）と複数の主面側グランド用電極１１２（外部電極）とが突設されている。各々の主面側グランド用電極１１２は、キャパシタ主面１０２において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。この主面側電源用電極１１１は、複数の電源用キャパシタ内ビア導体１３１のキャパシタ主面１０２側の端面に直接接続されており、主面側グランド用電極１１２は、複数のグランド用キャパシタ内ビア導体１３２のキャパシタ主面１０２側の端面に直接接続されている。
【００５１】
更に、セラミック焼結体１０４のキャパシタ裏面１０３には、複数の裏面側電源用電極１２１（外部電極）と、複数の裏面側グランド用電極１２２（外部電極）とが突設されている。各々の裏面側グランド用電極１２２は、キャパシタ裏面１０３において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。また、裏面側電源用電極１２１は、複数の電源用キャパシタ内ビア導体１３１のキャパシタ裏面１０３側の端面に直接接続されており、裏面側グランド用電極１２２は、複数のグランド用キャパシタ内ビア導体１３２のキャパシタ裏面１０３側の端面に直接接続されている。これにより、電源用電極１１１、１２１は電源用キャパシタ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通し、グランド用電極１１２、１２２はグランド用キャパシタ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通することになる。
【００５２】
また、外部電極１１１、１１２、１２１、１２２は、ニッケルを主材として形成され、表面が銅めっき層（図示せず）によって全体に被覆されている。本実施形態の電極１１１、１１２、１２１、１２２は、直径が約５００μｍ、厚さが約５０μｍであり、ピッチの最小長さは約５８０μｍに設定されている。
【００５３】
図１及び２のように、各々の裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２には、それぞれ突設導体５１が突設されている。本実施形態の突設導体５１は、銅ワイヤを用いて形成された導体（銅ポスト）である。また、各々の突設導体５１は、断面円形であり、突設導体５１の中心軸線は、外部電極１２１、１２２の中心と一致している。それぞれの突設導体５１の頂部５２の表面は円形であり、頂部５２の表面はキャパシタ主面１０２と平行になっている。また、突設導体５１の直径は、電極１２１、１２２の直径と等しく、且つキャパシタ内ビア導体１３１、１３２の直径（約１００μｍ）よりも大きくなっており、本実施形態では２００〜２５０μｍである。更に、配線基板１０が完成した状態での各々の突設導体５１の厚さは、本実施形態では１００μｍである。即ち、突設導体５１は電極１２１、１２２より厚く形成されている。また、突設導体５１の頂部５２の表面は、コア裏面側導体層６２の表面と同一平面上に位置している。そして、突設導体５１は、最もコア裏面１３側に位置する裏面側樹脂絶縁層３４内における複数箇所に形成されたビア導体４７に接続されている。本実施形態では、裏面側樹脂絶縁層３４の厚さは約５０μｍであり、厚さのバラツキは５μｍである。
【００５４】
更に、図１等のように、セラミック焼結体１０４（部品本体）は樹脂充塞部９２によって覆われている。樹脂充塞部９２は、１個のキャパシタ主面１０２と、１個のキャパシタ裏面１０３と、４個のキャパシタ側面１０６とを覆っている。キャパシタ１０１が配線基板１０に内蔵された状態において、キャパシタ主面１０２を覆う樹脂充塞部９２は、キャパシタ主面１０２の全面を覆ってはおらず、電極１１１、１１２が露出した状態になっている。同様に、キャパシタ裏面１０３を覆う樹脂充塞部９２は、キャパシタ裏面１０３の全面を覆ってはおらず、電極１２１、１２２上に突設された突設導体５１の頂部５２の表面が露出した状態になっている。尚、キャパシタ主面１０２を覆う樹脂充塞部９２の厚さは５０μｍであり、キャパシタ裏面１０３を覆う樹脂充塞部９２の高さ合わせ前の厚さは１５０μｍである。このように、キャパシタ裏面１０３を覆う樹脂充塞部９２は、各々の突設導体５１より厚く形成されており、高さ合わせ前は、突設導体５１の頂部５２の表面は、樹脂充塞部９２によって覆われている。また、樹脂充塞部９２は、樹脂絶縁層３３〜３６と同じ材料（即ち、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂等）によって形成されている。これにより、樹脂充塞部９２の熱膨張係数も、樹脂絶縁層３３〜３６の熱膨張係数と同じ値となり、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には、２０ｐｐｍ／℃程度）に設定されている。また、樹脂充塞部９２の熱膨張係数は、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数よりも大きい値に設定されている。
【００５５】
図１等のように、収容孔部９０の内壁面９１と、キャパシタ１０１のキャパシタ側面１０６との間隙は、樹脂充塞部９２の一部によって埋められている。即ち、４個のキャパシタ側面１０６は、樹脂充塞部９２により覆われている。この樹脂充塞部９２は、キャパシタ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。尚、キャパシタ１０１は、平面形状が正方形であり、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、温度変化に伴う樹脂充塞部９２の変形時において、キャパシタ１０１の角部への応力集中を緩和することができ、樹脂充塞部９２のクラック発生を防止することができる。
【００５６】
以上、詳述したように、本実施形態の部品内蔵配線基板では、図１のように、キャパシタ主面１０２側にある外部電極１１１、１１２は、ビア導体４７、主面側導体層４１、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、キャパシタ裏面１０３側にある外部電極１２１、１２２は、突設導体５１、ビア導体４７、裏面側導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、マザーボード（図示せず）が有する電極に電気的に接続される。
【００５７】
また、マザーボード側から電極１２１、１２２を介して通電し、電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２との間に電圧を加えると、例えば、電源用内部電極層１４１にプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２にマイナスの電荷が蓄積される。その結果、キャパシタ１０１がキャパシタとして機能する。また、キャパシタ１０１では、電源用キャパシタ内ビア導体１３１及びグランド用キャパシタ内ビア導体１３２が、それぞれ交互に隣接して配置され、且つ電源用キャパシタ内ビア導体１３１及びグランド用キャパシタ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られる。
【００５８】
以下、本実施形態の配線基板１０の製造方法を詳しく説明する。
コア基板１１の中間製品を公知の方法により以下のようにして予め作製する。
先ず、縦３５０ｍｍ×横３７５ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの基材１６１の両面に、銅箔１６２が貼着された銅張積層板（図５参照）を準備する。その後、この銅張積層板の両面の銅箔１６２をエッチングし、導体層１６３を、例えば、サブトラクティブ法によってパターニングする（図６参照）。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。更に、ドライフィルムをラミネートし、このドライフィルムに露光及び現像を施し、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔１６２をエッチングにより除去し、ドライフィルムを剥離する。次いで、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが配合されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着してサブ基材１６４を形成する（図７参照）。
【００５９】
その後、上側のサブ基材１６４の上面にコア裏面側導体層６２（厚さ７５μｍ）をパターン形成するとともに、下側のサブ基材１６４の下面にコア主面側導体層６１（厚さ５０μｍ）をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に対する無電解銅めっきを施した後、エッチングレジストを形成し、次いで、電解銅めっきを施す。更に、エッチングレジストを除去してソフトエッチングをする。その後、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔開け加工をし、収容孔部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板１１の中間製品を作製する（図８参照）。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００６０】
また、部品としては、突設導体５１を有するビアアレイキャパシタ１０１を、公知の方法により以下のようにして予め作製する。
先ず、セラミックグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後工程で、電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。その後、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、積層方向に押圧することにより、各々のグリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
【００６１】
次いで、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビア孔１３０を多数個貫通形成し、ペースト圧入充填装置（図示せず）を用いて、ビア導体用ニッケルペーストをビア孔１３０内に充填する。その後、グリーンシート積層体の上面に上記ペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にてビア孔１３０内に充填されたペーストの上端面を覆うように裏面側電源用電極１２１及び裏面側グランド用電極１２２となる導電塗膜を形成する。次いで、グリーンシート積層体の下面に上記ペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にてビア孔１３０内に充填されたペーストの下端面を覆うように主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２となる導電塗膜を形成する。
【００６２】
その後、グリーンシート積層体の上下面に形成した外部電極１１１、１１２、１２１、１２２となる導電塗膜を乾燥させる（図９参照）。次いで、グリーンシート積層体を脱脂し、所定温度で所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びペーストに含有されるニッケルが同時焼成され、導体層が内蔵され、且つ表面に外部電極となる電極を有するセラミック焼結体１０４が形成される。その後、セラミック焼結体１０４が有する電極に無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を施す。その結果、上面に銅めっきが施された直径５００μｍ、厚さ５０μｍの外部電極１１１、１１２、１２１、１２２が形成される。
【００６３】
次いで、外部電極１２１、１２２の上面に形成された銅めっき層の表面に突設導体５１を形成する（図１０参照）。この突設導体形成工程では、突設導体５１は、電極１２１、１２２を上に向けてキャパシタ１０１を所定位置に保持し、この状態で、超音波ボンディング装置（キャピラリ８のみを図示）を用いて形成することができる。この超音波ボンディング装置は、ＣＣＤカメラを用いた位置合わせ機構を備えており、これにより、キャピラリ８と電極１２１、１２２との位置合わせをする。また、外部電極１２１、１２２の銅めっき層及び金属部材７が有する接合部７２の表面が酸化されないように、微量の水素を混合した窒素ガスを吹き付けながらボンディングする。尚、酸化防止のために、真空チャンバー内でボンディングをしてもよい。より具体的には、超音波ボンディング装置のキャピラリ８に挿通されている金属部材７のワイヤ部７１をキャピラリ８の下端面から引き出し、放電による熱エネルギーにより先端部に略球状形の接合部７２を形成する（図１１参照）。この際、外部電極１２１、１２２は所定温度（４００℃以下が好ましい。）に加熱しておく。この加熱温度が４００℃以下であれば、突設導体５１と外部電極１２１、１２２とを高い強度で接合することができるとともに、キャピラリ８等の超音波ボンディング装置に対する熱的負荷を軽減することもできる。尚、本実施形態では、金属部材７として直径７５μｍの銅ワイヤーを用いており、接合部７２は直径約２００μｍの大きさに形成されている。また、接合部７２は電気トーチなど他の加熱手段を用いて形成することもできる。
【００６４】
金属部材７の接合部７２が形成されたら、キャピラリ８を下降させ、キャピラリ８の下端面で金属部材７の接合部７２を押圧し、超音波エネルギーを加えて、接合部７２を、所定温度に加熱されているキャパシタ１０１の外部電極１２１、１２２に接合する（図１２参照）。その後、カットクランプ（図示せず）を閉じ、ワイヤ部７１を挟持した状態でキャピラリ８を上昇させ、接合部７２からワイヤ部７１を切断する（図１３参照）。この際、キャピラリ８を上昇させると、ワイヤ部７１は、そのものの強度より接合強度のほうが大きければ、引きちぎられるようにして切断されるが、金属部材７の線径及び接合条件等によっては、キャピラリ８を横方向にスライドさせたり、横方向と上方向とを組み合わせて移動させたりすることにより切断することもできる。
【００６５】
以下、図１１〜１３の操作を繰り返すことにより、突設導体５１となる接合部７２をキャパシタ１０１の全ての外部電極１２１、１２２上に形成する。これにより、電極１２１、１２２上に、接合径Ｓが約２００μｍ、最大径Ｒが約２５０μｍ、高さが約１２０μｍの突設導体５１が形成される（図１０及び１４参照）。突設導体５１の高さは、後述する収容工程において、キャパシタ１０１をコア基板１１の収容孔部９０に収容した状態で、少なくとも突設導体５１の高さ合わせ前の頂部５２がコア基板１１の上面より僅かに上方に突出する高さにすることが必要である。尚、金属部材７の材質、ワイヤ部７１の線径、接合部７２の直径及びボンディング条件等は、形成される突設導体５１の大きさ、形状等に対応して適宜選択することができる。
【００６６】
ここで、キャパシタ１０１の外部電極１２１、１２２上に形成される突設導体５１の形状について詳述する。
突設導体５１は、横断面が長楕円形となるように形成することができる（図１４参照）。また、頂端が尖った形状（図１５参照）、２度打ちによりボンディングし、長楕円形が２個重なった形状（図１６参照）、２度打ちによりボンディングし、長楕円形の下段部と頂端が尖った形状の上段部とが重なった形状（図１７参照）、及び半楕円形状（図１８参照）等の形状とすることができる。図１６〜１７の突設導体５１では、２度打ちにより高さを大きくすることができる。また、図１４〜１７の突設導体５１は、いずれも頂端と接合端との間に最大径を有しており、図１８の突設導体５１は最大径が接合端に存在し、後述する接合径Ｓが最大径Ｒとなっている。
【００６７】
図１４〜１８の突設導体５１は、最大径部から頂端に向かって径が小さくなるように形成されているので、樹脂充塞工程において、樹脂充塞部９２の形成に用いる樹脂が頂端から最大径部に向かって流動し易い。また、流動抵抗が小さく、樹脂が円滑に流入することにより、樹脂を充塞する際に、キャパシタ１０１が位置ずれするのを防止することができ、頂端と最大径部との間に空隙が生ずるのを防止することもできる。特に、図１５、１７の突設導体５１は頂部が先窄まりに尖っているので、樹脂をより円滑に流入させることができる。尚、図１５、１７の突設導体５１の頂部は尖っているが、後述する高さ合わせ工程で頂部は研磨除去されるので、不具合を生じることはない。更に、図１４〜１７の突設導体５１は、最大径部から接合部に向かって径が小さく形成されている、即ち、裾窄まりになっているため、樹脂充塞部９２との嵌合性を向上させることができる。また、接合径が小さいため、電極１２１、１２２と突設導体５１との位置合わせが容易である。
【００６８】
更に、突設導体５１は、接合径が最大径の１倍以下、即ち、最大径Ｒ／接合径Ｓ>１であることが好ましい（Ｒ及びＳについては図１４〜１７参照）。Ｒ／Ｓ>１であれば、この裾窄まり形状の突設導体５１と樹脂充塞部９２との嵌合性が向上する。尚、最大径とは接合部を除く他部における最大径部の直径の意味である。一方、Ｒ／Ｓ>５であると、接合面積が小さくなって外部電極１２１、１２２との接続信頼性が低下することがある。また、所要の接合径を確保したうえで、Ｒ／Ｓ>５としたときは、隣接する突設導体５１との間隔を狭めることができず、ピッチを小さくすることができない。従って、１<Ｒ／Ｓ<５の突設導体５１とすることが好ましい。
【００６９】
形成された突設導体５１は、プレス工程で形状調整することができる。即ち、キャパシタ１０１を支持台に載置し、保持した状態でキャパシタ１０１の上方からプレス型（図示せず）を下降させて押し当て、突設導体５１をプレスすることができる。これにより、突設導体５１の形状を調整することができ、その高さのばらつきを小さくすることもできる。更に、突設導体５１と外部電極１２１、１２２との接合強度を高めることもできる。尚、このプレス工程は必須ではなく、突設導体５１の形状を目視等で確認し、必要に応じて実施すればよい。プレスを実施した場合、プレス後の各突設導体５１の厚さは、１２０μｍ程度に設定することができ、収容孔部９０にキャパシタ１０１が収容された状態（図１９〜２０参照）で、コア裏面１３から突出する程度の厚さに形成することが好ましい。
【００７０】
収容工程では、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製、図示せず）を用いて、コア裏面１３とキャパシタ裏面１０３とを同じ側に向けた状態で収容孔部９０内にキャパシタ１０１を収容する（図１９参照）。この状態で、突設導体５１の高さ合わせ前の頂部５２の表面は、コア裏面側導体層６２の表面よりも上方に位置している。更に、収容孔部９０のコア主面１２側の開口部は、剥離可能な粘着テープ１７１で閉止されており、この粘着テープ１７１は、支持台（図示せず）によって支持されている。この粘着テープ１７１の粘着面には、キャパシタ１０１が貼着されて仮固定されており、キャパシタ１０１がコア基板１１よりも薄いため、コア裏面１３とキャパシタ裏面１０３との間には段差が生じている。
【００７１】
樹脂充塞工程では、コア裏面１３及びキャパシタ裏面１０３に、樹脂充塞部９２となる未硬化の樹脂シート１７６（厚さ２００μｍ）をラミネートする（図２０〜２１参照）。併せて、樹脂充塞部９２となる未硬化樹脂の一部で、収容孔部９０の内壁面９１とキャパシタ側面１０６との間隙を埋める。また、未硬化樹脂を充塞後、加熱処理により未硬化樹脂を硬化させて樹脂充塞部９２とし、キャパシタ１０１をコア基板１１に固定する。
【００７２】
高さ合わせ工程では、各々の突設導体５１の頂部５２の表面と、コア裏面側導体層６２の表面とを同じ高さに合わせる（図２２参照）。具体的には、ベルトサンダー装置等を用いて、コア裏面側導体層６２の表面よりも上方に位置している突設導体５１の頂部側を研磨して突設導体５１を低くすると同時に、キャパシタ裏面１０３を覆う樹脂充塞部９２を研磨する。更に、樹脂充塞部９２の研磨によって露出したコア裏面側導体層６２の表面も研磨する。その結果、突設導体５１の頂部５２の一部及びコア裏面側導体層６２の一部が機械的に除去され、突設導体５１の厚さが１００μｍとなり、コア裏面側導体層６２の厚さが６５μｍとなる。尚、ベルトサンダー装置に取り付けられたサンドペーパーの研磨面の算術平均粗さＲａは、突設導体５１の頂部５２及びコア裏面側導体層６２の表面の研磨後における算術平均粗さＲａと等しくなっており、具体的には、０．８μｍに設定されている。また、この時点で、粘着テープ１７１を剥離する。尚、外部電極１１１、１１２の表面及びコア主面側導体層６１の表面は、粘着テープ１７１に接触しているために、研磨しなくても同じ高さに位置している。
【００７３】
次いで、公知の方法によって、コア主面１２に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。具体的には、コア主面１２及びキャパシタ主面１０２に感光性エポキシ樹脂を被着させ、その後、露光及び現像を施すことにより、下層の主面側樹脂絶縁層３３を形成する（図２４参照）。尚、被着させる樹脂としては、液晶ポリマー等の他の樹脂を用いることもできる。また、コア裏面１３及びキャパシタ裏面１０３に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を施すことにより、下層の裏面側樹脂絶縁層３４を形成する（図２３参照）。尚、被着させる樹脂としては、液晶ポリマー等の他の樹脂を用いることもできる。
【００７４】
具体的には、先ず、ＹＡＧレーザー又は炭酸ガスレーザー等を用いてレーザー孔開け加工をし、ビア導体４７が形成される位置にビア孔１８１、１８２を形成する（図２４参照）。即ち、主面側樹脂絶縁層３３を貫通するビア孔１８１を形成し、主面側電源用電極１１１及び主面側グランド用電極１１２を露出させる。また、裏面側樹脂絶縁層３４を貫通するビア孔１８２を形成し、裏面側電源用電極１２１上に突設された突設導体５１の頂部５２の表面と、裏面側グランド用電極１２２上に突設された突設導体５１の頂部５２の表面とを露出させる（図２４参照）。
【００７５】
更に、ドリル機を用いて孔開け加工をし、コア基板１１及び樹脂絶縁層３３、３４を貫通するスルーホール１９１を所定位置に予め形成しておく（図２４参照）。そして、樹脂絶縁層３３、３４の表面、ビア孔１８１、１８２の内面、及びスルーホール１９１の内面に無電解銅めっきを施した後、エッチングレジストを形成し、次いで、電解銅めっきを施し、その後、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを施す。これにより、主面側樹脂絶縁層３３に主面側導体層４１が形成されるとともに、裏面側樹脂絶縁層３４に裏面側導体層４２がパターン形成される（図２５参照）。これと同時に、スルーホール１９１内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、ビア孔１８１、１８２の内部にビア導体４７が形成される。次いで、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で孔埋めし、閉塞体１７を形成する（図２６参照）。
【００７６】
その後、樹脂絶縁層３３、３４に感光性エポキシ樹脂等を被着し、露光及び現像を施し、次いで、ビア導体４３（図１参照）が形成されるべき位置にビア孔１８３、１８４を有する樹脂絶縁層３５、３６を形成する（図２６参照）。尚、被着させる樹脂としては、液晶ポリマー等の他の樹脂を用いることもできる。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔１８３、１８４を形成し、次いで、公知の方法によって電解銅めっきを施し、ビア孔１８３、１８４の内部にビア導体４３を形成するとともに、主面側樹脂絶縁層３５に端子パッド４４を形成し、裏面側樹脂絶縁層３６にＢＧＡ用パッド４８を形成する（図１参照）。
【００７７】
その後、樹脂絶縁層３５、３６に感光性エポキシ樹脂等を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７、３８を形成する。次いで、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を施し、ソルダーレジスト３７、３８に開口部４０、４６をパターニングする。更に、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、且つＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する（図１参照）。尚、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。更に、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である多数の配線基板１０を同時に製造することができる。
【００７８】
尚、本発明においては、上記の実施形態に限られず、目的、用途等によって、本発明の範囲内において種々変更した実施形態とすることができる。例えば、セラミック焼結体１０４のキャパシタ裏面１０３に配置された外部電極１２１、１２２上に、突設導体５１が形成されるとともに、キャパシタ主面１０２上に配置された外部電極１１１、１１２上に、突設導体５１が形成されていてもよい。このようにすれば、電極１２１、１２２及び裏面側樹脂絶縁層３４内のビア導体４７を、突設導体５１を介して確実に接続することができるだけでなく、電極１１１、１１２及び主面側樹脂絶縁層３３内のビア導体４７も、突設導体５１を介して確実に接続することができ、より信頼性の高い配線基板１０とすることができる。しかし、コスト低減の観点では、高さ合わせ工程において粘着テープ１７１に接触するため、元々コア主面側導体層６１と同じ高さにある電極１１１、１１２上には突設導体５１を形成せず、電極１２１、１２２上のみに突設導体５１を形成することが好ましい。
【００７９】
更に、主面側ビルドアップ層３１とは別に設けられた樹脂充塞部９２の一部によって、収容孔部９０の内壁面９１とキャパシタ側面１０６との間隙を埋めているが、主面側ビルドアップ層３１を構成する裏面側樹脂絶縁層３４の一部によって、収容孔部９０の内壁面９１とキャパシタ側面１０６との間隙を埋めてもよい。このようにすれば、樹脂充塞部形成工程を実施する必要がなく、配線基板１０の製造に必要な工数を低減させることができ、配線基板１０を容易に、且つ低コストで形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の配線基板の概略断面図である。
【図２】ビアアレイキャパシタの概略断面図である。
【図３】ビアアレイキャパシタの内層における接続を説明するための概略説明図である。
【図４】ビアアレイキャパシタの内層における接続を説明するための概略説明図である。
【図５】コア基板の作製に用いる銅張積層板の模式的な断面図である。
【図６】導体層がパターニングされたコア基板中間品の模式的な断面図である。
【図７】導体層がパターン形成されたサブ基材が積層されたコア基板中間品の模式的な断面図である。
【図８】収容孔部が形成されたコア基板の模式的な断面図である。
【図９】ビアアレイキャパシタの模式的な断面図である。
【図１０】外部電極上に突設導体が形成されたビアアレイキャパシタの模式的な断面図である。
【図１１】接合部が形成された金属部材を説明するための模式的な断面図である。
【図１２】接合部を外部電極に接触させた状態を説明するための模式的な断面図である。
【図１３】ワイヤ部を接合部から切断し、キャピラリを上昇させた状態を説明するための模式的な断面図である。
【図１４】突設導体の形状の一例の模式的な断面図である。
【図１５】突設導体の形状の他例の模式的な断面図である。
【図１６】突設導体の形状の他例の模式的な断面図である。
【図１７】突設導体の形状の他例の模式的な断面図である。
【図１８】突設導体の形状の他例の模式的な断面図である。
【図１９】コア基板の収容孔部にビアアレイキャパシタが収容された状態を説明するための模式的な断面図である。
【図２０】樹脂充塞部を形成するための未硬化の樹脂シートを上方に準備した様子を説明するための模式的な断面図である。
【図２１】樹脂充塞部が形成された状態を説明するための模式的な断面図である。
【図２２】コア裏面導体層と突設導体との高さ合わせをした後の状態を説明するための模式的な断面図である。
【図２３】コア基板の両面に主面側及び裏面側樹脂絶縁層が形成された状態を説明するための模式的な断面図である。
【図２４】樹脂絶縁層にビア孔が形成され、更に全厚さに渡るビア孔が形成された状態を説明するための模式的な断面図である。
【図２５】樹脂絶縁層の表面に導体層が形成され、且つビア孔にビア導体が形成された状態を説明するための模式的な断面図である。
【図２６】配線基板の製造方法の説明図である。
【図２７】従来技術における配線基板の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図２８】図２７の製造方法の後工程を説明するための模式的な断面図である。
【図２９】図２８の製造方法の後工程を説明するための模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０；部品内蔵配線基板（配線基板）、１１；コア基板、１２；コア主面、１３；コア裏面、２１；半導体集積回路素子としてのＩＣチップ、２３；半導体集積回路素子搭載領域としてのＩＣチップ搭載領域、３１；主面側配線積層部としての主面側ビルドアップ層、３２；裏面側配線積層部としての裏面側ビルドアップ層、３３、３５；主面側層間絶縁層としての主面側樹脂絶縁層、３４、３６；裏面側層間絶縁層としての裏面側樹脂絶縁層、３９；主面側配線積層部の表面、４１；主面側導体層、４２；裏面側導体層、４７；ビア導体、５０；接続端子部、５１；突設導体、５２；頂部、６１；コア主面側導体層、６２；コア裏面上に形成された導体層としてのコア裏面側導体層、９０；収容孔部、９１；内壁面、９２；樹脂充塞部、１０１；部品としてのビアアレイキャパシタ、１０２；部品主面としてのキャパシタ主面、１０３；部品裏面としてのキャパシタ裏面、１０４；部品本体としてのセラミック焼結体、１０６；部品側面としてのキャパシタ側面、１２１；表面電極としての裏面側電源用電極、１２２；表面電極としての裏面側グランド用電極、１８２；ビア孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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