(57)【要約】【課題】ガラス基板内部の表面近傍を含む全ての領域の内部欠陥を確実に検出して欠陥のない製品を製造可能にする。【解決手段】２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、前記いずれかの端面から波長２００ｎｍ以下の検査光を前記ガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、前記検査工程は、ガラス基板内に導入された検査光が両方の主表面の所定領域全体に到達する発散角度を有する発散光を検査光として使用し、前記検査光によって前記ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、蛍光が検出されないガラス基板を選定してマスクブランク用基板を製造することを特徴とする。【選択図】図１
2010160450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
一端面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と
を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないガラス基板を選定することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記ガラス基板は、前記２つの主表面と前記４つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されていることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記検査光は、一端面からガラス基板内に導入されたとき、所定領域全体に到達する発散角度を有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記検査光は、一端面からガラス基板内に導入されたとき、前記一端面とこれと対向する端面との間に設定された中間面で２分された所定領域のうち、前記一端面から近い側の領域では全体に到達せず、前記一端面から遠い側の領域では全体に到達する発散角度を有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記検査光を一端面から前記ガラス基板内に導入して蛍光の有無を検査し、次に、前記検査光を前記一端面と対向する端面から前記ガラス基板内に導入して蛍光の有無を検査することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記検査光は、平行光を凹レンズまたは凹面鏡により、発散光にして端面から前記ガラス基板内に導入されるものであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記凹レンズは、端面の前に配置されたシリンドリカルレンズであることを特徴とする請求項６に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記凹面鏡は、端面の前に配置されたシリンドリカル凹面鏡であることを特徴とする請求項６に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記パターン形成用の薄膜に露光用の微細パターンを形成する工程を有することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法。
【請求項１１】
２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
一端面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と
を有するマスクブランクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないマスクブランクを選定することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１２】
２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜に露光用の微細パターンを形成する微細パターン形成工程と、
一端面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と
を有する露光用フォトマスクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されない露光用フォトマスクを選定することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランク用ガラス基板の内部欠陥を検査し、内部欠陥のないものを選定するマスクブランク用ガラス基板製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用フォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴って、光リソグラフィー技術において露光光として、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（露光波長１９３ｎｍ）等のような短波長の光が用いられるようになってきた。また、光リソグラフィー技術において使用される露光用フォトマスク及びこの露光用フォトマスクを製造するためのマスクブランクの技術分野においても、上述の短波長の露光光に対して光を遮断できる遮光膜や、位相を変化させる位相シフト膜の開発が急速に行われ、様々な膜材料が提案されている。
【０００３】
ところで、上記マスクブランク用ガラス基板や、このマスクブランク用ガラス基板を製造するための合成石英ガラス基板の内部には、異物や気泡などの欠陥が存在しないことが要求されている。特許文献１には、ガラス基板内に、波長が２００ｎｍ以下の波長の検査光を導入したときにガラス基板の内部欠陥から発生される蛍光を検出してガラス基板に存在する内部欠陥（異物や気泡など）を検出する欠陥検出方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８６０５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述の欠陥検出方法によって内部欠陥が存在しないと判定されたガラス基板であっても、特に表裏両主表面の近傍付近に微小な欠陥が残っている場合のあることが判明した。本願発明がその原因を究明した結果、以下のことが判明した。
【０００６】
図８は従来のマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程の説明図であり、図９は図８におけるガラス基板１０の斜視図である。図８、図９において、符号１０は検査対象たるガラス基板であり、このガラス基板１０は、２つの主表面１１，１２と、４つの端面１３，１４，１５，１６とを有する。２つの主表面１１，１２と、４つの端面１３，１４，１５，１６とが交差する角部には、面取り面１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂが形成されている。
【０００７】
検査光Ｌは、図中左方から端面１３に対して垂直に照射されてガラス基板１０の内部に導入される。検査光Ｌは、ガラス基板１０の厚さｔｇより少し大きい幅（上下幅）ｔＬを有し、かつ実質的にはほぼ平行な光である。それゆえ、検査光Ｌは、実際には、端面１３と、面取り面１３ａ，１３ｂとを通じて内部に導入されることになる。なお、検査光Ｌの横幅（主表面に平行な方向の幅）も上記上下幅ｔＬと略同等程度の幅を有する。したがって、ガラス基板を主表面に平行な方向に移動することによって検査光をガラス基板全体に導入してガラス基板全体を検査するようにしている。
【０００８】
ここで、検査光Ｌは端面１３からはほぼ垂直に入射されるが、面取り面１３ａ，１３ｂを通じて内部に導入される光は、これら面取り面に対して４５°内外の角度で入射し、ガ
ラス基板１０内の領域Ｓ１，Ｓ２を通過することになる。このため、面取り面１３ａ，１３ｂから入射する際に、これらの面で反射が起こり、これらの面から入射して領域Ｓ１，Ｓ２を通過する検査光の強度が、端面１３から垂直に入射して他の領域を通過する検査光の強度に比較してかなり弱くなるものと考えられる。その結果、領域Ｓ１，Ｓ２内にある欠陥Ｋａ，Ｋｂ等に照射される検査光の強度が十分でなくなり、微小な欠陥Ｋａ，Ｋｂ等から発生する蛍光も十分なものでなくなると考えられる。
【０００９】
本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、その目的は、マスクブランク用ガラス基板の主表面近傍の微小な内部欠陥をも洩れなく検出可能とし、実質的に全ての領域の内部欠陥を良好に検出できるマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の課題を解決するための手段として、第１の手段は、
２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記いずれかの端面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と、
を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないガラス基板を選定してマスクブランク用基板を製造する
ことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造である。
第２の手段は、
前記ガラス基板が、前記２つの主表面と前記４つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されたものであることを特徴とする第１の手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第３の手段は、
前記検査光は、一端面からガラス基板内に導入されたとき、所定領域全体に到達する発散角度を有することを特徴とする第１または第２のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第４の手段は、
前記検査光は、一端面からガラス基板内に導入されたとき、前記一端面とこれと対向する端面との間に設定された中間面で２分された所定領域のうち、前記一端面から近い側の領域では全体に到達せず、前記一端面から遠い側の領域では全体に到達する発散角度を有することを特徴とする第１または第２のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第５の手段は、
前記検査光を一端面から前記ガラス基板内に導入して蛍光の有無を検査し、次に、前記検査光を前記一端面と対向する端面から前記ガラス基板内に導入して蛍光の有無を検査することを特徴とする第１から第４のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第６の手段は、
前記検査光は、平行光を凹レンズまたは凹面鏡により、発散光にして端面から前記ガラス基板内に導入されるものであることを特徴とする第１から第５のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第７の手段は、
前記凹レンズは、端面の前に配置されたシリンドリカルレンズであることを特徴とする第６の手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第８の手段は、
前記凹面鏡は、端面の前に配置されたシリンドリカル凹面鏡であることを特徴とする第６の手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第９の手段は、
第１から第８のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
第１０の手段は、
第９の手段にかかるマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記パターン形成用の薄膜に露光用の微細パターンを形成する工程を有することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法である。
第１１の手段は、
２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
一端面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と、
を有するマスクブランクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないマスクブランクを選定することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
第１２の手段は、
２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜に露光用の微細パターンを形成する微細パターン形成工程と、
一端面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と、
を有する露光用フォトマスクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されない露光用フォトマスクを選定することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
上述の手段によれば、前記検査工程は、ガラス基板内に一端面から導入された検査光が、検査すべき所定領域全体に到達する発散角度を有する発散光を検査光に使用することにより、ガラス基板内部に導入した検査光をガラス基板主表面近傍の所定領域まで確実に到達させることが容易になり、マスクブランク用ガラス基板の主表面近傍の微小な内部欠陥をも洩れなく検出することが容易になり、欠陥のない製品を容易に得ることが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程に関する説明図である。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】発散角θｃの説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程を実施するための装置構成を示す図である。
【図５】欠陥検出の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２にかかるマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程に関する説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３にかかるマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程に関する説明図である。
【図８】従来のマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程の説明図である。
【図９】図８におけるガラス基板１０の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程に関する説明図、図２は図１のＡ部拡大図、図３は発散角θｃの説明図、図４は本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程を実施するための装置構成を示す図、図５は欠陥検出の説明図である。以下、これらの図面を参照しながら本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および露光用フォトマスクの製造方法を説明する。なお、本実施の形態１の検査対象であるマスクブランク用ガラス基板は、上述の従来のマスクブランク用ガラス基板の検査方法の対象であるマスクブランク用ガラス基板と同じものであるので、同一の部分には同一の符号を付して説明する。
【００１４】
実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、（１）欠陥検査の対象となるマスクブランク用ガラス基板の研削工程、（２）マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程、（３）マスクブランク用ガラス基板の研磨工程からなる。また、実施の形態１にかかるマスクブランクの製造方法は、前記の（１）〜（３）の工程で製造したマスクブランク用ガラス基板に対して、（４）マスクブランクの製造工程を行う。さらに、実施の形態１にかかる露光用フォトマスクの製造方法は、（４）の工程で製造したマスクブランクに対して、（５）露光用フォトマスクの製造工程を行う。上記工程のうち、本実施の形態の最大の特徴は、（２）マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程で用いるマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥の検査方法にあり、他の工程は、概ね公知の工程を用いるので、以下では、公知の工程の説明は必要最小限にし、マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法を中心に説明する。
【００１５】
なお、（２）マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程は、（３）マスクブランク用ガラス基板の研磨工程後のガラス基板や、（４）マスクブランクの製造工程後のマスクブランクや、（５）露光用フォトマスクの製造工程後の露光用フォトマスクに対して行っても内部欠陥検査の精度には実質的な差はない。ただ、（３）のマスクブランク用ガラス基板の研磨工程や（４）マスクブランクの製造工程及び、（５）露光用フォトマスクの製造工程を先に行ってからであると、内部欠陥のある不合格品となるものも含めたすべてのガラス基板に対して研磨や薄膜の成膜を行うため、大きな無駄が生じるので、（３）の研磨工程前に行うことが好ましい。なお、より確実に内部欠陥を発見することに重点を置く場合には、ガラス基板の研磨工程が完了しているマスクブランク用ガラス基板や、そのガラス基板にパターン形成用薄膜が形成されたマスクブランクや、露光用フォトマスクで欠陥検査工程を行うとよい。
【００１６】
（１）内部欠陥検査の対象となるマスクブランク用ガラス基板の研削工程
公知の方法（例えば、特開平８―３１７２３号公報、特開２００３―８１６５４号公報等参照）により作成された合成石英ガラスインゴットから、約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ×約６．８５ｍｍの板状体を切り出して合成石英のガラス基板を得る。このガラ
ス基板は、対向する２つの主表面と、この両主表面に直交する４つの端面とを有する。
【００１７】
上記ガラス基板の主表面と端面とが交差する角部に面取り加工を施した後、検査光を導入する端面に鏡面研磨を施して、検査光をガラス基板内部に導入できるようにしてマスクブランク用ガラス基板１０を得る。このガラス基板１０は、図８、図９に示されるマスクブラク用ガラス基板と同じものであり、２つの主表面１１，１２、４つの端面１３，１４，１５，１６、８つの面取り面１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂを有する。ここで、検査光を導入する端面（一端面）１３の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は約０．０３μｍ以下とする。なお、マスクブランクの研磨工程で４つの端面全てに鏡面研磨を施すので、この研削工程の段階で、その他の端面１４，１５，１６に対して鏡面研磨を施してもよい。こうして得られたマスクブランク用ガラス基板１０は次の工程である内部欠陥の検査工程に供給される。
【００１８】
（２）マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程
この工程では、上述のようにして得られたマスクブランク用ガラス基板１０を以下説明する欠陥検査方法によってその内部欠陥の有無を検査する工程である。以下、この工程で用いるマスクブランク用ガラス基板の検査方法を説明する。図１は、本実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の検査方法の説明図であり、その原理を説明する図である。図１において、発散角度２ｍｒａｄの実質的に平行光である検査光Ｌを、凹レンズ２８によって発散光にし、ガラス基板１０の端面１３からガラス基板１０内に導入し（図１の実線で示される光）、そのときに検査光が照射されたことにより内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査する。
【００１９】
この場合、ガラス基板１０内に導入される検査光Ｌのうち、端面１３と面取り面１３ａ、１３ｂとが交差する角部を通過してガラス基板内に導入された光線をＬ１、Ｌ２とすると、この光線Ｌ１、Ｌ２が、所定領域の表・裏両主表面１１，１２側の各境界面Ｅ，Ｆ（図２，図３参照）と、所定領域の端面１３側の境界面Ｂとの交線Ｂｅ，Ｂｆ上、あるいはそれよりも端面１３側になるように、検査光の発散角度を設定する。
【００２０】
ここで、発散角度とは、端面１３と面取り面１３ａ，１３ｂとが交差する各角部を通過してガラス基板１０内に導入される光線Ｌ１，Ｌ２のガラス基板１０内に導入される前であって、実質的に平行光の検査光Ｌが凹レンズ２８によって発散光とされた後の状態において、図３に示されるように、光線Ｌ１，Ｌ２の延長線同士が交わる点において、これらの延長線がなす角度（θｃ）のことをいう（検査光の光線Ｌ１，Ｌ２は、端面１３からガラス基板１０内に導入されるときに、空気とガラス基板１０との屈折率差で光線の角度が変わってしまうため、ガラス基板１０内の光線Ｌ１，Ｌ２の延長線がなす角度はθｃと同じではない。）。
【００２１】
ここで、所定領域のマスクブランク用ガラス基板で厚さ方向（主表面１１と主表面１２との間の方向）の範囲は、必ずしも厚さ方向の全領域に検査光が到達しなければならないわけではない。これは、研削工程終了後に、欠陥検査工程を行う場合においては、その後の研磨工程で、主表面１１，１２が研磨されることで両側から厚さ方向に所定量のガラスが削り取られる（図２の１１ａ部分）ため、削り取られる領域に内部欠陥があっても、完成したマスクブランク用ガラス基板では、その内部欠陥は除去されているからである。ただし、パターン形成用の薄膜が形成される側の主表面とその反対側の主表面で研磨される量が若干異なることや、両主表面が完全なフラット形状ではないこと等を考慮して、厚さ方向の検査光が到達する領域には多少の余裕を持たせた方がよい。
【００２２】
例えば、約１５２ｍｍ×１５２ｍｍの大きさの主表面（面取り部分含んだ大きさ）のマスクブランク用ガラス基板の場合、板厚（厚さ方向の厚さ）は、研削工程終了後の板厚６
．８５ｍｍから６．３５ｍｍを目標に研磨される。前記の余裕を勘案すると、厚さ方向の基板中心を基準に最低限６．４ｍｍの厚さの領域に検査光が到達すればよいということになる。すなわち、研削工程終了後のガラス基板において、厚さ方向の基板中心を基準に６．４ｍｍよりも外側の部分については、後の研磨工程で除去されるので、検査すべき所定領域から外れても問題がないということになる。
【００２３】
一方、所定領域の主表面側の範囲は、マスクブランク用ガラス基板を用いてマスクブランクを製造し、そのマスクブランクを基に露光用フォトマスクを作製するときに、薄膜に転写パターンが形成される領域について最低限カバーできればよい。なぜなら、このマスクブランク用ガラス基板を基に露光用フォトマスクを作製し、これを露光装置のフォトマスクステージに設置して、転写対象物（ウェハ等）へのパターン転写を行った場合、転写パターンが形成される領域の外側の主表面１１，１２の領域の露光光は、薄膜で遮られるため、その領域に内部欠陥が存在しても、転写対象物に対して悪影響を与えないからである。
【００２４】
例えば、前記の約１５２ｍｍ×１５２ｍｍの大きさの主表面のマスクブランク用ガラス基板の場合、転写パターンが形成される領域は、マスクブランクの中心を基準に１３２ｍｍ×１３２ｍｍの内側の領域とすることが一般的である。この場合、端面１３に平行であって、マスクブランクの中心から端面１３に向かって６６ｍｍの距離に、所定領域の境界面Ｂが最低限設定されていればよい。この境界面Ｂと両主表面１１，１２側の各境界面Ｅ，Ｆとが交わる両交線Ｂｅ，Ｂｆ上か、それよりも端面１３側にガラス内の光線Ｌ１，Ｌ２の位置が来るように、発散角度θｃ選定するとよい。なお、露光用フォトマスクは、露光装置のフォトマスクステージで、露光光の光源側に薄膜が形成されない側の主表面が向く形で設置される。このため、所定領域の外側の領域においてもガラス基板１０の内部まで露光光が照射されるため、内部欠陥があるとそこから蛍光が発生する。内部欠陥が所定領域の境界面Ｂ付近にあった場合、そこから発する蛍光が転写対象物へのパターン転写に悪影響を与えることがあり得る。このようなことを考慮する場合、所定領域をマスクブランクの中心を基準に１４２ｍｍ×１４２ｍｍの内側の領域と、余裕をもって設定すると好ましい。さらに余裕を持たせるならば、所定領域を例えば１４６ｍｍ×１４６ｍｍの内側の領域とするとより好ましい。
【００２５】
以上のことを勘案すると、約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍのマスクブランク用ガラス基板を製造する場合、内部欠陥検査工程で検査すべき所定領域は、最低限で、基板中心を基準に１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍのガラス基板内部とすればよい。また、より確実な内部欠陥検査が要求される場合においては、所定領域を基板中心を基準に１４２ｍｍ×１４２ｍｍ×６．４５ｍｍのガラス基板内部とすると好ましい。
【００２６】
このように発散角度θｃを選定することにより、検査光Ｌを、ガラス基板１０の端面１３からガラス基板１０内に導入するだけで、ガラス基板１０の内部欠陥検査をすべき所定領域全体に検査光を照射することができる。これにより、ガラス基板１０の特に表裏面近傍の微小な内部欠陥をも漏れなく検出することを可能にしている。
【００２７】
すなわち、図１に示されるように、ガラス基板１０の端面１３からガラス基板１０内に導入された検査光Ｌは、光線Ｌ１，Ｌ２の外側の領域である領域Ｓ３，Ｓ４を除き、ガラス基板１０内における他の全ての領域に行き渡る。これにより、検査光Ｌをガラス基板１０内の転写パターンが形成される領域に行き渡らせることができ、そのときに発生する欠陥光を検出することにより、比較的簡単に、漏れのない欠陥検出ができる。
【００２８】
上述の実施の形態において、上記発散角θｃは、具体的には、以下の通りとなる。
・検査光：ＡｒＦエキシマレーザー光（露光波長：１９３ｎｍ）
・ガラス基板１０の材質：合成石英ガラス
・屈折率：１．５２（露光波長：１９３ｎｍにおいて）
・ガラス基板１０の寸法
縦・横：１５２×１５２ｍｍ、
厚さｔｇ：６．４ｍｍ（研磨工程後の目標厚さ６．３５ｍｍ＋誤差範囲）
面取り量ｍ（図２参照）：０．６ｍｍ
・所定領域：１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍ（基板中心を基準として）
・検査光の発散角度θｃ：４．８°
・凹レンズ２８：シリンドリカルレンズ（焦点距離：３００ｍｍ）
・凹レンズ２８と端面１３との距離ｄ：１０ｍｍ
【００２９】
上記実施の形態における発散角度θｃは、端面１３側の所定領域の境界面Ｂをカバーすることが可能な、ほぼ最小となる角度としている。本願発明の作用・効果を満たすという観点だけで考慮すると、発散角度θｃは、最小の角度よりも大きくしてもよい。しかし、発散角度θｃを大きくするに従って、ガラス基板に導入された検査光の光強度（密度）が小さくなっていくため、検査光源の光強度が同じであると、検査光が照射されることにより内部欠陥から発せられる蛍光の光強度も小さくなっていき、蛍光を検出しにくくなる恐れがある。この問題については、検査光源の光強度を増強すれば基本的には解決することであるが、あまり検査光源の光強度を大きくしすぎると、検査光のエネルギーが大きくなることで基板内部にダメージを与えてしまうことが懸念される。この点や、設備増強に係る経済性の点を考慮すると、発散角度θｃは、端面１３側（検査光の導入される側の端面）の所定領域の境界面Ｂをカバーすることが可能な最小角度であることが好ましい。
【００３０】
例えば、前記のようにマスクブランク用ガラス基板の完成時（研磨工程終了後）の縦横寸法が約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ、面取り量ｍが０．６ｍｍの場合、最低限検査光を到達させるべき所定領域を１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍとすると、発散角度θｃは４．８°以上であればよい。また、同じ基板寸法であり、検査光を到達させるべき所定領域を１４２ｍｍ×１４２ｍｍ×６．４５ｍｍとすると、発散角度θｃは、１０．３°以上であればよい。また、凹レンズで発散させる発散角度を大きくすることによる検査光の光強度の低下と、検査光源の光強度を増強することに対する基板へのダメージの危険性やコスト面等を考慮すると、発散角度θｃは７．０°以下であることが好ましい。
【００３１】
なお、本願発明では、凹レンズ２８は検査光源からの概ね平行な検査光を発散光とするために必要とするものであるので、球面の凹レンズであってもその機能を満たす。しかし、本願発明で必要とされるのは、基板の厚さ方向への検査光の発散であり、主表面に平行な方向への検査光の発散は必ずしも必要なものではない。逆に発散させることによる検査光の光強度の減少を考慮すると、むしろ主表面に平行な方向への発散は最低限にすることが好ましい。これらのことを考慮すると、凹レンズ２８には、シリンドリカルレンズを用いて、主として、基板の厚さ方向へだけ発散させるようにすることが望ましい。また、本願発明では、概ね平行な検査光を発散光とできればどのような手段を用いてもよく、凹面鏡を用いてもよい。この凹面鏡の場合においても、シリンドリカル凹面鏡を用いて、主として、基板の厚さ方向へだけ発散させるようにすることが望ましい。
【００３２】
次に、図４を参照しながら、上述の実施の形態にかかる欠陥検査工程を実施するための装置構成を説明し、本発明の実施の形態にかかるマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程をより詳しく説明する。図４において、符号２０は、ガラス基板の欠陥検査装置である。このガラス基板の欠陥検査装置２０は、検査光Ｌを発生してガラス基板に照射するためのレーザー装置２１と、ガラス基板１０を載せてＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向にそれぞれ移動させるとともにその位置情報を送出するＸＹＺステージ２２と、ガラス基板１０で発生
した欠陥光を検出するＣＣＤカメラ２３と、ＣＣＤカメラ２３からの画像情報やＸＹＺステージ２２からの位置情報等を入力して所定の処理をするコンピュータ２７と、検査光Ｌを発散光にしてガラス基板１０に導入するシリンドリカルレンズ２８とを有する。
【００３３】
レーザー装置２１は、ＸＹＺステージ２２に載せられたガラス基板１０の端面１３の側に設けられている。シリンドリカルレンズ２８はガラス基板１０の端面１３の側にこの端面１３に沿って設けられている。レーザー装置２１から射出された検査光Ｌは、シリンドリカルレンズ２８によって所定の発散光にされた後に、端面１３を通じてガラス基板１０内に導入されるようになっている。
【００３４】
レーザー装置２１から射出される検査光は、ビーム形状が７．０ｍｍ×４．０ｍｍ、パワーが６ｍＪ、周波数が４００Ｈｚのパルス状のＡｒＦエキシマレーザー光（波長：１９３ｎｍ）であり、シリンドリカルレンズ２８は、ガラス基板１０の端面１３又は１４に平行に配置されるもので、これら端面とその縦横幅がほぼ同じに形成されたものである。そして、レンズとしての機能は、長手方向（基板主表面に平行な方向）に直角な切断面（基板厚さ方向）において、凹レンズとして作用する。凹レンズとしての機能は、既に詳述した通り、検査光Ｌを所定の発散角の発散光にするものである。なお、長手方向については、レンズ作用を有しない。
【００３５】
ＸＹＺステージ２２は、ガラス基板１０を載置してこれをＸＹＺ方向に移動できるようになっており、ガラス基板を所望の位置に移動させ、その位置情報をコンピュータ２７に送出するものである。本欠陥検査を行う場合には、検査開始の位置にガラス基板１０を設置し、次に、レーザー装置２１によって、ガラス基板０内に検査光Ｌを導入し、そのときの蛍光Ｌｋｃ，Ｌｋｄの像をＣＣＤカメラ２３によって撮像し、その画像情報及び上記位置情報をコンピュータ２７に送って蓄積する。次に、ＸＹＺステージ２２を駆動してガラス基板１０を、検査光Ｌの幅分だけＹ方向に移動させ、同様に、検査光Ｌを照射し、そのときの蛍光Ｌｋ，Ｌｋの像をＣＣＤカメラ２３によって撮像し、その画像情報を並びに位置情報をコンピュータ２７に送る。この動作を繰り返すことにより、端面１３の一方の端から他方の端までの全ての領域から検査光Ｌを導入する。
【００３６】
次に、ＸＹＺステージ２２上でガラス基板１０を移動させ、端面１４がシリンドリカルレンズ２８に対向するように設置する。次いで、端面１４から検査光Ｌが導入されるようにする。そして、端面１３から導入した場合と同様の操作を繰り返し、端面１４の一方の端から他方の端までの全ての領域から検査光Ｌを導入する。これによって、ガラス基板１０内の全ての領域に検査光Ｌを照射し、ガラス基板１０内の全ての領域の欠陥光の画像を蓄積する。なお、上述の通り、レーザー装置２１とシリンドリカルレンズ２８とを、ガラス基板１０の端面１３の側のほかに、端面１４の側にも設置すれば（図４の点線で表示）、ガラス基板１０をＸＹＺステージ２２上に固定したままで、全領域の検査をすることができる。
【００３７】
ＣＣＤカメラ２３は、表裏面のうちの一方の面である面１１の側（図の上方）に配置され、ガラス基板１０から発せられる光の情報に基づいた画像をつくる。すなわち、ガラス基板１０の内部欠陥から発生される蛍光Ｌｋｃ，Ｌｋｄを、検知し、その蛍光による像を撮影し、その画像情報をコンピュータ２７に送る。なお、この実施の形態では、ＣＣＤカメラ２３として、いわゆる白黒カメラを用いた。
【００３８】
コンピュータ２７は、ＣＣＤカメラ２３からの画像を入力して、ガラス基板１０のＹ方向の各位置で画像処理し、このガラス基板１０のＹ方向の各位置について、ＣＣＤカメラ２３が受光する光Ｌｋｃ，Ｌｋｄ，Ｌｇの光量（強度）を、ガラス基板１０のＸ方向位置との関係で解析する。つまり、コンピュータ２７は、光Ｌｋｃ，Ｌｋｄ，Ｌｇの光量が所
定閾値以上の局所的な光量を有する場合に、その所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｃ，Ｌｋｄを内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄが発したと判断して、この内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄの位置（ガラス基板１０におけるＸ方向及びＹ方向の位置）と共に、内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄが発する局所的な光量の光Ｌｋｃ，Ｌｋｄの形状などから内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄの種類（局所脈理、内容物、異質物）を特定して検出する。
【００３９】
例えば、ガラス基板１０に内部欠陥Ｋｃとして局所脈理または内容物が存在する場合には、レーザー照射装置２１からのＡｒＦエキシマレーザー光がガラス基板１０に導入されることによって、上記局所脈理または内容物が図５（Ａ）に示すように、所定閾値（１０００counts）以上の局所的な光量の光Ｌｋｃを発し、合成石英ガラス基板４の局所脈理または内容物以外の領域が光Ｌｇを発する。コンピュータ２７は、ＣＣＤカメラ２３が受光した光Ｌｋｃ及びＬｇを画像処理して解析することで、所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｃの形状から内部欠陥Ｋｃを局所脈理または異質物と判断し、且つその所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｃが発する位置に局所脈理または内容物が存在するとして、その局所脈理または内容物をその位置と共に検出する。ここで、図５（Ａ）の場合、横軸はガラス基板１０のＸ方向位置を、縦軸は光Ｌｋｃ及びＬｇの光量（強度）をそれぞれ示す。
【００４０】
また、ガラス基板１０に内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄとして異質物が存在する場合には、レーザー照射装置２１からＡｒＦエキシマレーザー光がガラス基板１０に導入されることによって、上記異質物が図５（Ｂ）に示すように、所定の範囲（例えば１０〜２０ｍｍ）に所定閾値（１０００counts）以上の局所的な光量の光Ｌｋｄを発し、合成石英ガラス基板４の異質物以外の領域が光Ｌｇを発する。コンピュータ２７は、ＣＣＤカメラ２３が受光した光Ｌｋｄ及びＬｇを画像処理して解析することで、所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｄの形状から内部欠陥Ｋｄを異質物と判断し、且つその所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｄが発生する位置に当該異質物が存在するとして、この異質物をその位置と共に検出する。ここで、図５（Ｂ）の場合も、横軸はガラス基板１０のＸ方向位置を、縦軸は検出された光量（強度）をそれぞれ示す。上記ガラス基板の欠陥検査装置２０によって内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄが検出されないガラス基板１０は、検査合格品であり、次の研磨工程に供給される。
【００４１】
（３）マスクブランク用ガラス基板の研磨工程
（２）欠陥検査工程で検査合格品となったガラス基板１０に対し、その主表面１１，１２、端面１３，１４，１５，１６、面取り面１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂをそれぞれ所望の表面粗さになるように鏡面・精密研磨し、洗浄処理を実施してマスクブランク用ガラス基板１０を得る。このときの主表面１１、１２の表面粗さは、自乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）で０．２ｎｍ以下が好ましい。
【００４２】
（４）マスクブランクの製造工程（製造方法）
次に、上述のようにして得たマスクブランク用ガラス基板１０の主表面１１上にマスクパターン形成用の薄膜（ハーフトーン膜）を公知のスパッタリング装置、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置等を用いて形成し、マスクブランクとしてのハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得る。なお、このハーフトーン膜に用いられる材料としては、モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム等の遷移金属とシリコンとからなる遷移金属シリサイドを酸化、窒化、酸窒化させたものを主成分とする材料が挙げられる。また、ハーフトーン膜を、主として露光光に対する透過率を調整する透過率調整層と、主として膜中を透過する露光光に対して位相差を調整する位相調整層との２層以上の積層構造としてもよい。
【００４３】
（５）露光用フォトマスクの製造工程（製造方法）
次に、上記マスクブランク（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）のハーフトー
ン膜に、公知のパターン形成方法によってパターンを形成して露光用フォトマスクとしてのハートーン位相シフトマスクを得る。すなわち、上記ハーフトーン膜の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に所定のパターンを描画・現像処理し、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンをマスクにして、ハーフトーン膜をドライエッチングしてハーフトーン膜パターンを形成し、レジストパターンを除去して、ガラス基板１０上にハーフトーン膜パターンが形成された露光用フォトマスクを得る。
【００４４】
上記実施の形態によれば、欠陥検査工程において、発散角をθｃにした検査光Ｌをガラス基板１０の端面１３から導入して欠陥光を検出し、次にこの端面１３と対向する端面１４から検査光Ｌを導入して同様に欠陥光を検出するようにしたことにより、面取り面がある場合でも、検査光をガラス基板内部の表面近傍まで確実に到達させることを可能にし、同時に、発散角を小さく抑えることによって検査光の減衰を小さく抑えて確実な欠陥検出を可能にして効率的な検査を可能にしている。
【００４５】
なお、上記実施の形態１では、欠陥検査工程において、内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄが発する光Ｌｋｃ，Ｌｋｄ，Ｌｇを受光するＣＣＤカメラ２３を、主表面１１の側に配置した例を示したが、主表面１２側、あるいは端面１４，１５，１６側に配置してもよい。また、検査光が導入可能な程度に研磨されている端面であれば、端面１３以外の端面側にＡｒＦエキシマレーザー光を導入する配置としてもよい。
【００４６】
また、上記実施の形態１では、露光光源がＡｒＦエキシマレーザーの場合を述べたが、波長が２００ｎｍ以下、好ましくは波長が１００ｎｍ〜２００ｎｍの光であればよく、Ｆ２エキシマレーザーであってもよい。また、ＡｒＦエキシマレーザーやＦ２エキシマレーザーと同じ波長を得るために、重水（Ｄ２）ランプ等の光源から光を分光させて中心波長がＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーと同じ光を用いても構わない。
【００４７】
また、上記実施の形態１においては、ＣＣＤカメラ２３として白黒カメラを用いた例を掲げたが、ＣＣＤカメラをカラーカメラとして、ガラス基板１０の内部欠陥及びこの内部欠陥以外の領域が発する、波長が２００ｎｍ以上の露光波長の光よりも長い波長の光を受光して撮影し、コンピュータ２７は、このＣＣＤカメラ２３の画像を赤、緑、青の色別に画像処理し、この色別に画像処理した光の強度（光量）分布から内部欠陥１６を検出してもよい。この場合、コンピュータ２７は、色別に画像処理した光の色や波長等の情報から内部欠陥を検出してもよい。また、内部欠陥の検出は、マスクブランク用ガラス基板の製造工程の最終段階で実施してもよい。
【００４８】
更に、上記実施の形態１では、ガラス基板１０の内部欠陥及びこの内部欠陥以外の領域が発する、露光波長の光よりも長い波長の光をＣＣＤカメラ２３が受光するものを述べたが、これらの光を分光器が受光して、内部欠陥の分光特性（波長及び強度）や、光１５及び１７の強度（光量）分布を測定して、内部欠陥を検出してもよい。また、蛍光の検出は検査員による目視で行ってもよい。
【００４９】
また、上記実施の形態１では、マスクブランク用ガラス基板上にハーフトーン膜を形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの場合を述べたが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板１０上にハーフトーン膜と、このハーフトーン膜上に遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクや、マスクブランク用ガラス基板７上に遮光膜が形成された、いわゆるバイナリー型のマスクブランクであっても構わない。この場合の遮光膜の構造としては、基板側から遮光層、表面反射防止層の２層積層構造や、さらにそれに基板と遮光層の間に裏面反射防止層を加えた３層積層構造などが挙げられる。遮光膜に用いられる材料としては、クロムを主成分とする材料がまず挙げられ、裏
面反射防止層、遮光層、表面反射防止層に必要とされる特性を満たすように、これを主成分に適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を、それぞれ用いるようにするとよい。また、クロム以外の遮光膜に適用可能な材料としては、たとえば、モリブデン、タングステン、ジルコニウム等の遷移金属とシリコンとからなる遷移金属シリサイドが挙げられ、クロムの場合と同様、これを主成分に適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を使用するとよい。このほかにも、タンタルを主成分として、適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を用いて、２層積層構造あるいは３層積層構造の遮光膜を形成してもよい。尚、これらのハーフトーン型位相シフトマスクブランク、マスクブランクの遮光膜上にレジスト膜を形成していてもよい。
【００５０】
（実施の形態２）
実施の形態１では、端面１３から検査光を導入するだけで、所定領域における蛍光の有無を検査するようにしたが、検査光源の概ね平行な検査光を凹レンズで発散光とすることによって、少なからず単位面積当りの光強度は減少する。端面１３の１か所から導入される検査光（発散光）で所定領域全体の蛍光の有無を検査するためには、端面１３と対向する端面１４側の所定領域の境界面Ｄ（図６参照）で蛍光の有無を十分に検出可能な光強度の大きさが少なくとも必要である。前記の通り、検査光源の光強度自体を増強することで、端面１４側の所定領域の境界面Ｄでの発散光の光強度を上げることは可能ではある。しかし、このとき、検査光の導入側である端面１３側の基板内部における発散光の光強度が必然的に大きくなることから、増強する検査光源の光強度の大きさによっては、端面１３側の基板内部にダメージを与えてしまう可能性がある。
【００５１】
この実施の形態２は、端面１３側からだけでなく、端面１４側からも検査光の発散光を導入することで、上記の課題を解決するものである。この実施の形態２では、図６に示すように、端面１３と端面１４との間の距離を２分する主表面１１，１２上の中間地点Ｃ１，Ｃ２を通り、かつ端面１３および端面１４と平行な中間面Ｃにより、検査光を到達させる必要がある所定領域を２分する。そして、端面１３側から導入される検査光で、最低限、所定領域の端面１３側の境界面Ｂ、中間面Ｃ、両主表面１１，１２側の境界面Ｅ、Ｆに囲まれる領域の蛍光の有無を検査するようにし、端面１４側から導入される検査光で、最低限、所定領域の端面１４側の境界面Ｄ、中間面Ｃ両主表面１１，１２側の境界面Ｅ、Ｆに囲まれる領域の蛍光の有無を検査するようにしている。これによって、導入する発散光は、少なくとも中間面Ｃで蛍光の有無を検査できるだけの光強度を確保できればよいことになり、発散光を導入する端面側の基板内部のダメージを抑制することができる。この場合、ガラス基板１０内に導入される発散光である検査光Ｌのうち、最も外側の光線をＬ１，Ｌ２とすると、この光線Ｌ１、Ｌ２と、所定領域の表・裏両主表面１１，１２側の各境界面Ｅ，Ｆとの交線Ｂｅ，Ｂｆ，Ｄｅ，Ｄｆ上に掛かるように、検査光の発散角度θｃを設定することができる。
【００５２】
この実施の形態２において、端面１３側から検査光を導入した内部欠陥検査を行った後、次のステップである端面１４側から検査光を導入する場合の方法としては、端面１３と端面１４の位置が入れ替わるように基板１０をＸＹＺステージ２２上に置く向きを変えるとよい。また、図４の破線で示すように、端面１４側にもレーザー照射装置２１とシリンドリカルレンズ２８を配置するようにして対応してもよい。なお、この実施の形態２の場合においては、最低限、検査光を導入する２つの端面１３，１４は、鏡面研磨する必要がある。この他のマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および露光用フォトマスクの製造方法に関する事項については、実施の形態１の場合と同様である。
【００５３】
（実施の形態３）
この実施の形態３は、実施の形態２と同様に、端面１３側からだけでなく、端面１４側
からも検査光の発散光を導入することで、検査光のガラス基板内への導入によるダメージの課題を解決するものであるが、従来の平行光による内部欠陥検査工程の場合と、検査光源の光強度をほぼ同等レベルとすることができる点で、実施の形態２とは異なる。
【００５４】
この実施の形態３では、図７に示すように、端面１３側から導入される検査光で、最低限、中間面Ｃ、端面１４側の境界面Ｄ、両主表面１１，１２側の境界面Ｅ、Ｆに囲まれる領域の蛍光の有無を検査するようにしている。そして、端面１４側から導入される検査光で、最低限、中間面Ｃ、端面１３側の境界面Ｂ、両主表面１１，１２側の境界面Ｅ、Ｆに囲まれる領域の蛍光の有無を検査するようにしている。この場合、ガラス基板１０内に導入される発散光である検査光Ｌのうち、最も外側の光線をＬ３，Ｌ４とすると、この光線Ｌ３、Ｌ４が、所定領域の表・裏両主表面１１，１２側の各境界面Ｅ，Ｆと、中間面Ｃとの交線Ｃｅ，Ｃｆ，Ｄｅ，Ｄｆ上に掛かるように、検査光の発散角度θｃを設定することができる。これによって、実施の形態１，２の場合に比べて、発散角度θｃをかなり小さくすることができ、発散による検査光の光強度の低下を最低限に抑えることができる。これにより、検査光源の光強度を、従来の平行光による内部欠陥検査工程の場合と、ほぼ同等レベルとすることができ、検査光をガラス基板内に導入させることによって与えるダメージは、従来技術と同等レベルに抑えられる。
【００５５】
例えば、マスクブランク用ガラス基板の完成時（研磨工程終了後）の縦横寸法が約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ、面取り量ｋが０．６ｍｍの場合、最低限検査光を到達させるべき所定領域を１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍとすると、発散角度θｃは０．７°以上であればよい。
【００５６】
この実施の形態３の内部欠陥検査工程の場合、他の実施の形態では検査光が物理的に届かない領域であるＳ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６の領域にも届く。よって、この実施の形態３の場合、検査光源の光強度を若干上げることによって、基板１０内の全ての領域に対して、内部欠陥検査を行うことが可能である。なお、この他のマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および露光用フォトマスクの製造方法に関する事項については、実施の形態１の場合と同様である。
【００５７】
（実施の形態４）
この実施の形態４は、ガラス基板の内部欠陥を検査する工程である欠陥検査工程を（３）マスクブランク用ガラス基板の研磨工程の前に行わず、（４）マスクブランクの製造工程後に行う点で、実施の形態１とは異なる。
【００５８】
（４）マスクブランクの製造工程で製造されたマスクブランクに対して、（２）マスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程と同様の方法で、ガラス基板の内部欠陥の検査を行った。マスクブランクのガラス基板の大きさは、縦横寸法が約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ、面取り量ｋが０．６ｍｍを目標に製造されているが、誤差を加味して最低限検査光を到達させるべき所定領域を１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍとすると、検査光の発散角度θｃは４．８°以上であればよい。また、凹レンズで発散させる発散角度を大きくすることによる検査光の光強度の低下と、検査光源の光強度を増強することに対する基板へのダメージの危険性やコスト面等を考慮すると、発散角度θｃは７．０°以下であることが好ましい。
【００５９】
この実施の形態によれば、実施の形態１の場合と同様の効果を得ることができる。また、蛍光が基板主表面１１と薄膜との界面で反射することから、蛍光の有無をより識別しやすいという効果も得られる。なお、マスクブランクのガラス基板１０内への検査光の導入方法として、実施の形態２に示したように、端面１３側からだけでなく、端面１４側からも検査光の発散光を順次導入するようにしてもよい。さらに、マスクブランクのガラス基
板１０内への検査光の導入方法として、実施の形態３に示したように、発散角度θｃが０．７°以上である発散光の検査光を用いて、端面１３側からと端面１４側からの両方から順次検査光を導入するようにしてもよい。
【００６０】
（５）露光用フォトマスクの製造工程で製造された露光用フォトマスクに対して、マスクブランクに対して行った場合と同様の内部欠陥検査を行ってもよい。また、蛍光を照射することで内部欠陥から発生する蛍光は、照射強度や内部欠陥の大きさによって、光量が大きく変化するので、より確実な内部欠陥が必要であれば、未研磨のガラス基板の段階、研磨して出来上がったマスクブランク用ガラス基板の段階、マスクブランクの段階、露光用フォトマスクの段階のうち、いずれか複数の段階や、全ての段階で内部欠陥検査を行ってもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１０・・・マスクブランク用ガラス基板
１１，１２・・・主表面（表裏面）
１３，１４，１５，１６・・・端面
１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ・・・面取り面
２０・・・ガラス基板の欠陥検査装置
２１・・・レーザー装置
２２・・・ＸＹＺステージ
２３・・・ＣＣＤカメラ
２７・・・コンピュータ
２８・・・凹レンズ（シリンドリカルレンズ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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