(57)【要約】【課題】発光効率の低減を抑制できる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子の製造方法は、基板上に第１材料からなる第１パターン層および第２材料からなる第２パターン層が形成された積層基板の製造方法である。基板上に第１材料からなる第１材料層を形成する第１材料層形成工程と、第１材料層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとして、第１材料層をエッチングし、第１パターン層を形成する第１パターン層形成工程と、レジストパターンをマスクとして、第１パターン層が形成された基板に第２材料からなる第２材料層を成膜することにより、基板上の第１材料層がエッチングされた部位に第２パターン層を形成する第２パターン層形成工程と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程とを有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１材料からなる第１パターン層および第２材料からなる第２パターン層が形成された積層基板の製造方法であって、
前記基板上に前記第１材料からなる第１材料層を形成する第１材料層形成工程と、
前記第１材料層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記第１材料層をエッチングし、前記第１パターン層を形成する第１パターン層形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記第１パターン層が形成された前記基板に前記第２材料からなる第２材料層を成膜することにより、前記基板上の前記第１材料層がエッチングされた部位に第２パターン層を形成する第２パターン層形成工程と、
前記レジストパターンを除去するレジスト除去工程と
を有する積層基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、下地基板と該下地基板上に設けられた少なくとも１つの上部層とを有し、
前記第１パターン層および前記第２パターン層は、前記上部層上に形成されている請求項１に記載の積層基板の製造方法。
【請求項３】
前記レジストパターン形成工程において、前記レジストパターンは、その上面と前記第１材料層との間の側面が、前記上面から前記第１材料層にかけて逆テーパ状に傾斜している請求項１又は請求項２に記載の積層基板の製造方法。
【請求項４】
第１電極と第２電極との間に有機発光層を有し、前記第１電極と前記有機発光層との間にキャリア注入補助層を有する発光素子の製造方法であって、
基板上に設けられた前記第１電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、絶縁パターンを形成する絶縁パターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記絶縁パターンが形成された前記第１電極にキャリア注入補助層を構成するキャリア注入補助膜を成膜することにより、前記第１電極上の前記絶縁層がエッチングされた部位に前記キャリア注入補助層を形成するキャリア注入補助層形成工程と、
前記レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、
前記前記キャリア注入補助層上に前記有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
前記有機発光層上に第２電極を形成する第２電極形成工程と
を有する発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記レジストパターン形成工程において、前記レジストパターンは、その上面と前記絶縁層との間の側面が、前記上面から前記絶縁層にかけて逆テーパ状に傾斜している請求項４に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層基板および発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像表示装置にはいくつかの種類があるが、中でも近年注目されてきているのが有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイである。有機ＥＬディスプレイは、自発光表示装置であり視野角が広く、バックライトが不要なため薄型化が可能である。また、応答速度も速く、有機材料が有する性質の多様性から、次世代の表示装置として期待されている。
【０００３】
かかる有機ＥＬディスプレイは、マトリクス状に配列された画素ごとに有機発光素子を形成したものである。有機発光素子は、有機発光層とこの有機発光層を上下から挟む上部電極及び下部電極とを含んで構成されている。通常、有機発光素子を構成する上部電極及び下部電極のうち、いずれか一方は画素ごとに区切られた個別の電極であり、他方は画素全体にわたって形成された共通電極層である。
【０００４】
一方、陽極（アノード）から有機発光層への正孔の注入率を高めるための方法として、陽極と有機発光層との間に、陽極よりも仕事関数の大きな金属層（以下、「正孔注入補助層」ともいう。）を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
このような有機発光素子を形成する場合、例えば、陽極となる共通電極層上に、フォトリソグラフィ法を用いて共通電極層の一部の領域が露出するように絶縁層を形成した後、別途新たなマスクを用いて、この一部の領域上に正孔注入補助層、有機発光層及び陰極となる上部電極を順に形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１９８１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述の方法では、共通電極層を形成してから正孔注入補助層を形成するまでの間に比較的長い時間を要することから、共通電極層が酸化等により劣化してしまう場合がある。そして、劣化がひどい場合には、その劣化した領域上に上記各層を積層して有機発光素子を形成しても、有機発光素子の発光効率が低下してしまうという問題があった。
【０００８】
よって、基板上の積層をできるだけ短時間で行うことができる積層基板の製造方法および発光効率の低下を抑制できる発光素子の製造方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様による積層基板の製造方法は、基板上に第１材料からなる第１パターン層および第２材料からなる第２パターン層が形成された積層基板の製造方法であって、前記基板上に前記第１材料からなる第１材料層を形成する第１材料層形成工程と、前記第１材料層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１材料層をエッチングし、前記第１パターン層を形成する第１パターン層形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１パターン層が形成された前記基板に前記第２材料からなる第２材料層を成膜することにより、前記基板上の前記第１材料層がエッチングされた部位に第２パターン層を形成する第２パターン層形成工程と、前記レジストパターンを除去するレジスト除去工程とを有する。
【００１０】
本発明の一態様による発光素子の製造方法は、第１電極と第２電極との間に有機発光層を有し、前記第１電極と前記有機発光層との間にキャリア注入補助層を有する発光素子の製造方法であって、基板上に設けられた前記第１電極上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、絶縁パターンを形成する絶縁パターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記絶縁パターンが形成された前記第１電極にキャリア注入補助層を構成するキャリア注入補助膜を成膜することにより、前記第１電極上の前記絶縁層がエッチングされた部位に前記キャリア注入補助層を形成するキャリア注入補助層形成工程と、前記レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、前記キャリア注入補助層上に前記有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、前記有機発光層上に第２電極を形成する第２電極形成工程とを有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様によれば、積層基板の製造方法は、基板の表面の劣化を抑制できる。
【００１２】
本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、発光素子の発光効率の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】画像表示装置の平面図である。
【図２】表示部を構成する一画素の拡大断面図である。
【図３】有機発光素子の構成例を示す図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、画像表示装置の製造工程の実施の形態を示す画素の断面図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は、画像表示装置の製造工程の実施の形態を示す画素の断面図である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は、画像表示装置の製造工程の実施の形態を示す画素の断面図である。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は、画像表示装置の製造工程の実施の形態を示す画素の断面図である。
【図８】（Ａ），（Ｂ）は、画像表示装置の製造工程の実施の形態を示す画素の断面図である。
【図９】画像表示装置の製造工程の実施の形態を示す画素の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
＜画像表示装置の概略構成＞
図１は、本発明の実施の形態による発光素子の製造方法を用いて製造された発光素子を含む画像表示装置の構成例を示す図である。画像表示装置１は、有機ＥＬ素子の発光を利用した装置（有機ＥＬ装置）を構成している。
【００１５】
画像表示装置１は、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、素子基板２と、素子基板２上に実装される実装回路３とを有している。
【００１６】
素子基板２は、例えばガラス、プラスチック、金属又はセラミックからなり、素子基板２の中央に位置する表示部Ｄ１には、複数の画素４が形成されている。また、素子基板２の端部に位置する実装部Ｄ２には、実装回路３が実装されている。
【００１７】
また、画素４は、赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光することができる。このことは、後述するように発光素子としての有機ＥＬ素子５を構成する材料を適宜選択することによって、発光する色を決定することができる。なお、ここでは、画素を赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光するものとしたが、例えば白色又は橙色等の色を発光するようにしてもよい。
【００１８】
図２は、図１の表示部Ｄ１を構成する一画素の拡大断面図である。図２に示すように、画像表示装置１は、素子基板２上に順に設けられた回路層１１、絶縁層１２及び平坦化膜１３を有する。有機ＥＬ素子５は、その平坦化膜１３上に形成されている。
【００１９】
有機ＥＬ素子５は、共通電極層１４ａと、共通電極層１４ａ上に形成されたキャリア注入補助層１４ｂと、キャリア注入補助層１４ｂ上に形成された有機発光層１５と、有機発光層１５上に形成された上部電極１６とから構成される。
【００２０】
共通電極層１４ａは、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金等の光反射性の高い材料を用いて、従来周知のフォトリソグラフィ法等により形成され、その厚みは、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍに設定される。また、キャリア注入補助層１４ｂは、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛、金、プラチナ又はニッケルである。
【００２１】
なお、この有機ＥＬ素子５では、共通電極層１４ａが有機ＥＬ素子５の陽極（アノード）として機能し、キャリア注入補助層１４ｂは、正孔注入補助層として機能する。また、共通電極層１４ａとキャリア注入補助層１４ｂとを含めて下部電極１４という。すなわち、キャリア注入補助層１４ｂは、共通電極層１４ａよりも仕事関数が大きい層であり、この層により、下部電極１４から有機発光層１５への正孔の注入効率を高めることができる。
【００２２】
キャリア注入補助層１４ｂ上に形成される有機発光層１５は、有機系材料を発光体として用いた発光層を含んで構成され、単層構造もしくは多層構造のいずれも採用することができる。
【００２３】
例えば、有機発光層１５が発光層のみからなる単層構造では、発光層が正孔輸送特性と電子輸送特性とを兼ね備えた材料からなり、その材料中に発光材料をドープする方法や、発光材料自体に電荷輸送特性が付与された材料を用いる方法等を採用することができる。このような単層構造は、素子形成プロセスを簡略化できることから、有機ＥＬディスプレイの生産性を向上させることができる。
【００２４】
一方、図３に示すように、有機発光層１５の構造として多層構造を採用する場合、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等を任意に選択して設けることができる。なお、正孔注入層、電子注入層については無機材料が使用されることもあるが、その場合であっても、正孔注入層、電子注入層を含めて有機発光層と呼ぶ。なお、図３は、有機発光層１５が、少なくとも２つの層１７,１８を含んでいることを示している。
【００２５】
有機発光層１５上に形成される上部電極１６は、陰極（カソード）として機能するものである。ここでは、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイを採用しているため、上部電極１６は光を透過する電極材料を使用する。
【００２６】
光透過性の電極材料としては、ＩＴＯ等の透明金属材料が使用できる。また、本来透明ではないＣａや銀−マグネシウム合金等の金属材料であっても極めて薄く被着させることにより、光を透過させることができるためこれらの材料を使用してもよい。
【００２７】
この上部電極１６は、隔壁１９によって区切られることにより画素ごとに独立して設けられており、隣接する画素間の上部電極１６は互いに絶縁されている。
【００２８】
上部電極１６を区画する隔壁１９は、断面形状が逆テーパ状となっており、画素間の境界に沿って形成されている。
【００２９】
隔壁１９は、例えば感光性のネガ型レジストが使用され、主にノボラック系、アクリル系の有機材料が使用される。なお、隔壁１９は上記の材料を用いて、従来周知のフォトリソグラフィ法等によって形成される。
【００３０】
また、共通電極層１４ａ上には絶縁層２０が設けられている。絶縁層２０は、有機ＥＬ素子１５の発光領域及び上部電極１６とカソードコンタクト部との接続部分を露出するようにして形成されている。
【００３１】
表示領域に位置する絶縁層２０は、その一部が正孔注入薄膜層１４ｂの下面外縁部に潜り込むような形で共通電極層１４ａと正孔注入薄膜層１４ｂとの間に介在されている。このように絶縁層２０を形成することによって共通電極層１４ａと上部電極１６との短絡を抑制することができる。
【００３２】
絶縁層２０の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、又はシリコン樹脂等の有機材料を主成分とする感光性樹脂を用いることができる。そしてこの感光性樹脂を共通電極層１４ａの上面全体にわたって塗布し、露光処理、現像処理等を行うことによって、所定パターンを有する絶縁層２０を形成することができる。
【００３３】
素子基板２の上面には回路層１１が形成されている。回路層１１は、有機ＥＬ素子５の駆動制御等を行うためのトランジスタやコンデンサ等の各種回路素子（図示せず）から構成されている。この回路層１１は、例えば、従来周知のフォトエッチングプロセスを経て形成されるものである。さらに、回路層１１上には、回路層１１の所定領域以外が電気的にショートしないように、例えば窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等から成る絶縁層１２が形成されている。
【００３４】
回路層１１は、構成部材ごとの厚みが異なるためその表面に凹凸が形成されている。また、回路層１１の凹凸により、絶縁層１２にも凹凸が形成されている。このように表面に凹凸を有する回路層１１及び絶縁層１２を覆うようにして平坦化膜１３が形成されている。この平坦化膜１３を設けることにより、平坦化膜１３上に有機ＥＬ素子５を設けた際、回路層１１及び絶縁層１２の凹凸の影響を少なくすることができる。
【００３５】
このような平坦化膜１３は、感光性樹脂材料を回路層１１上に塗布し、露光処理および現像処理等を行った後、感光性樹脂材料を加熱して硬化することにより形成される。
【００３６】
より具体的には、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂、又はポリイミド樹脂などを主成分とする感光性樹脂材料からなる樹脂ペーストを、例えば、従来周知のスピンコート法、スリットコート法又はインクジェット法などにより回路層１１上に塗布する。
【００３７】
また平坦化膜１３には、回路層１１と有機ＥＬ素子５とを電気的に接続するためのコンタクト部が形成されている。
【００３８】
このコンタクト部は、露光・現像処理によって感光性樹脂材料の所定箇所にコンタクトホールを設けて、感光性樹脂材料を硬化させた後、コンタクトホールの内面に導体を被着させることにより形成される。
【００３９】
なお、コンタクトホール内面に被着される導体（コンタクト電極層）２１ａは、共通電極層１４ａと同一材料を用いて同一工程により形成することができる。
【００４０】
上部電極１６は、コンタクト電極層２１aおよび金属層２１ｂを通じて回路層１１と電気的に接続されている。コンタクトホールＨの内部には導体を被覆するようにして絶縁層を構成する材料と同じ材料である絶縁材が充填されている。このようにコンタクト部のコンタクト電極層２１ａを絶縁材で被覆することにより導体の腐食等を防止することができる。
【００４１】
また上部電極１６及び隔壁１９の上面には封止膜２２が設けられている。封止膜２２は、少なくとも上部電極１６を被覆し、有機ＥＬ素子５を水分や外気から保護している。この封止膜２２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ等）又はシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ等）等の無機材料からなり、従来周知の蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等により形成される。
【００４２】
画像表示装置１は、さらに素子基板２に対向して配置される封止基板２３と、封止基板２３と素子基板２とを接着するシール材２４とを有している。封止基板２３は、例えば、プラスチックやガラス等の透光性の基板により形成される。また、シール材２４は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂又はシリコン系樹脂等を用いて形成される。
【００４３】
＜画像表示装置の製造方法＞
以下に、画像表示装置１の製造方法について、図４〜図９を用いて詳細に説明する。
【００４４】
最初に、図４（Ａ）を用いて、平坦化膜１３を形成するまでの工程を説明する。まず、素子基板２上に、回路層１１及び絶縁層１２をパターニングして形成された基板を準備する。なお、回路層１１及び絶縁層１２は、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術、フォトリソグラフィ法およびエッチング法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。
【００４５】
そして、回路層１１及び絶縁層１２を被覆するように例えば従来周知のスピンコート法を用いて平坦化膜１３を構成する有機樹脂膜を形成する。さらに、有機樹脂膜上に露光マスクを用いて有機樹脂膜を露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＨを形成する。その後、この有機樹脂膜を硬化させることにより平坦化膜１３を形成する。なお、図４（Ａ）に示すように、素子基板２を下地基板ともいい、素子基板２上に形成された回路層１１、絶縁層１２及び平坦化膜１３をそれぞれ上部層ともいう。
【００４６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、平坦化膜１３上に、例えばアルミニウム及びネオジウムとの合金から成る共通電極層１４ａを形成する。具体的には、平坦化膜１３及びコンタクトホールＨに対して、スパッタリング法を用いて金属膜を形成する。そして、金属膜をエッチング法等によってパターニングすることによって、共通電極層１４ａを形成することができる。また、このとき、共通電極層１４ａとともに、コンタクトホールＨの内周面から平坦化膜１３上にかけてコンタクト電極層２１ａが形成される。共通電極層１４ａとコンタクト電極層２１ａとは、同じ工程にて同時に形成される。そのため、共通電極層１４ａとコンタクト電極層２１ａとは同様の材料からなる。なお、共通電極層１４ａとコンタクト電極層２１ａとは、分離されており、両者はこの時点でお互いから絶縁されている状態である。
【００４７】
そして、図４（Ｃ）に示すように、共通電極層１４ａ及びコンタクト電極層２１ａ上に、例えばＣＶＤ法を用いて、絶縁材料層２０ｘを形成する。なお、この絶縁材料層２０ｘは、例えば、窒化珪素から成り、後述する工程により絶縁層（絶縁パターン）２０となる。
【００４８】
次に、図５（Ａ）に示すように、絶縁材料層２０ｘ上に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストパターン３１を形成する。このとき、レジストパターン３１は、その上面と絶縁材料層２０ｘとの間の側面が、上面から絶縁材料層２０ｘにかけて逆テーパ状に傾斜するように形成する。
【００４９】
レジストパターン３１の上面と側面とのなす角度、すなわちテーパ角度は、９０度未満であればよいが、好ましくは、８０度以下である。
【００５０】
そして、図５（Ｂ）に示すように、このレジストパターン３１をマスクとして、絶縁材料層２０ｘをエッチングし、絶縁層２０を形成する。このとき、絶縁材料層２０ｘを、例えばドライエッチングすると、絶縁材料層２０ｘとともに、レジストパターン３１の上面と側面とのなす角部が削られる。これにより、レジストパターン３１の上面と側面との間に、上面および側面に交差する別の面が形成される。なお、絶縁材料層２０ｘをウェットエッチングした場合には、レジストパターン３１の角部は必ずしも削られない。
【００５１】
次に、図６（Ａ）に示すように、レジストパターン３１を残したままで、レジストパターン３１をマスクとして、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛、金、プラチナ、又はニッケル層を成膜する。これにより、共通電極層１４ａ上の絶縁材料層２０ｘがエッチングされた部位にキャリア注入補助層１４ｂを形成することができる。
【００５２】
また、コンタクト電極層２１ａ上にも、キャリア注入補助層１４ｂと同じ材料からなる金属層２１ｂが形成される。
【００５３】
このとき、図６（Ａ）に示すように、レジストパターン３１の側面の上部および上面にも金属薄膜が形成される。しかし、レジストパターン３１の側面は、逆テーパ上に傾斜しているので、絶縁層２０に近い下部は、金属薄膜が形成されない。
【００５４】
次に、図６（Ｂ）に示すように、このレジストパターン３１を、ウェットエッチングによって除去する。ここで、レジストパターン３１の下部は、金属薄膜で覆われていないために、このレジストパターン３１の側面の下部がエッチング液と反応する。これにより、レジストパターン３１を除去することができる。
【００５５】
さらに、図７（Ａ）に示すように、絶縁層２０上に、従来周知の薄膜形成技術及び薄膜加工技術を用いて、上部よりも下部が幅狭な隔壁１９を形成する。このとき、隔壁１９のテーパ角度は、５５度以上６７度以下であることが好ましい。
【００５６】
そして、図７（Ｂ）に示すように、キャリア注入補助層１４ｂ上に、例えば蒸着法を用いて、有機発光層１５を形成する。このとき、蒸着マスクを隔壁１９上に載置する。そして、各画素４に対して、赤色、緑色又は青色といった発光する色に応じて、有機材料を塗り分ける。
【００５７】
そして、図８（Ａ）に示すように、有機発光層１５上から絶縁層２０上にかけて、上部電極１６を形成する。上部電極１６を構成する際は、蒸着マスクを用いずに、有機発光層１５上から絶縁層２０上を介してコンタクト電極層２１ａ上にまで形成することができる。このようにして、各画素４に有機ＥＬ素子５を形成することができる。そして、上部電極１６とコンタクト電極層２１ａとを直接接続することにより、上部電極１６とコンタクト電極層２１ａとを電気的に接続することができる。
【００５８】
さらに、図８（Ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法を用いて、表示部Ｄ１上に有機ＥＬ素子５が劣化しないように保護膜２２を形成する。有機ＥＬ素子５を保護膜２２で被覆することにより、外気から有機ＥＬ素子５が晒されるのを抑制することができる。
【００５９】
このようにして、各種層が形成された素子基板２を準備することができる。また、同時に、シール材２４ｘが塗布された状態の封止基板２３を準備しておく。
【００６０】
次に、上述した工程により得られた素子基板２と封止基板２３の両方を用意する。そして、両者を位置合わせした状態で、図９に示すように、素子基板２と封止基板２３とをシール材２４ｘを介して貼り合わせる。なお、封止基板２３をシール材２４ｘによって、素子基板２に貼り合わせる作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板２３との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。
【００６１】
さらに、シール材２４ｘを硬化させて、素子基板２と封止基板２３の両者を固着させることができる。ここで、シール材２４ｘが硬化することにより、シール材２４となる。
【００６２】
このようにして、有機ＥＬパネルを作製することができる。そして、素子基板２の実装部（非表示領域）Ｄ２上に実装回路３を実装することで、画像表示装置１を作製することができる。
【００６３】
本実施の形態による発光素子の製造方法によれば、絶縁層２０と正孔注入用薄膜層１４ｂとを同じレジストパターンを用いて形成しており、共通電極層１４ａを形成してから正孔注入薄膜層１４ｂを形成するまでの時間が比較的短時間であるため、共通電極層１４ａが劣化することを抑制できる。よって、有機発光素子５の発光効率の低減を抑制することができる。また、共通電極層１４ａ上にキャリア注入補助層１４ｂを設けることにより、共通電極層１４ａの材料自体がキャリア注入に不利な材料であっても、下部電極１４から有機発光層１５への十分なキャリア注入を実現できる。
【００６４】
また、コンタクト部についてもコンタクト電極層２１ａを形成してから金属層２１ｂを形成するまでの時間が比較的短時間にすることができるため、コンタクト電極層２１ａが劣化することを抑制できる。これにより、電極の劣化によるコンタクト抵抗の増大を抑制でき、また、劣化の程度差起因のコンタクト抵抗のバラツキも抑制することができる。
【００６５】
なお、上述した実施形態においては、トップエミッションの画像表示装置について説明したが、本発明はボトムエミッションの画像表示装置にも適用できる。その場合には、素子基板２は透明基板となり、下部電極１４は透明電極となる。
【００６６】
また、共通電極層１４ａを陰極とすれば、キャリア注入補助層１４ｂは、電子注入補助層として機能する。
【００６７】
また、上述した実施形態においては、有機発光素子の製造方法について説明したが、単に、基板上に絶縁パターンと導電パターンのように複数のパターン層を形成する場合にも、本実施の形態と同様の作用効果が得られる。
【００６８】
すなわち、基板上に第１材料からなる第１材料層を形成した後、第１材料層上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして、第１材料層をエッチングすることにより一方のパターン層を形成し、他方のパターン層を、上記レジストパターンを残したまま、そのレジストパターンをマスクとして、第１パターン層が形成された基板に第２材料からなる第２材料層を成膜し、その後、レジストパターンを除去することにより形成する。これにより、第２パターン層を、基板上の第１材料層がエッチングされた部位に形成することができる。
【００６９】
この方法によれば、基板の表面が露出する時間を短時間にすることができ、基板の表面が劣化することを抑制できる。この場合には、基板の表面の劣化が、これらのパターン層を用いて形成される素子の特性に悪影響を及ぼすことを抑制できる。
【００７０】
この場合、レジストパターンにおけるその上面と第１材料層との間の側面が、上面から第１材料層にかけて逆テーパ状に傾斜していることが好ましい。このようにレジストパターンの側面が逆テーパ状に傾斜していると、第２パターン層を、第１パターン層がエッチングされた部位を含む所望の領域に、新たなマスクを設けることなく形成することができ、かつリフトオフによりレジストパターンを容易に除去することが可能となることから、上述の薄膜基板の製造方法を容易に実現できる。
【００７１】
また、基板は、単一の基板からなっていてもよいし、下地基板の表面に金属層や絶縁層等の少なくとも１つの層が形成されたものであってよい。
【００７２】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１  画像表示装置
２  素子基板
３  実装回路
４  画素
５  有機発光素子
１１  回路層
１２  絶縁層
１３  平坦化膜
１４ａ  共通電極層
１４ｂ  キャリア注入補助層
１５  有機発光層
１６  上部電極
１９  隔壁
２０  絶縁層
２１ａ  コンタクト電極層
２１ｂ  金属層
２２  保護膜
２３  封止基板
２４  シール材
Ｄ１  表示部
Ｄ２  実装部
Ｈ  コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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