(57)【要約】【課題】応力集中に対して内部電極が断線、剥離しにくい半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極１７と、半導体基板１１の表面の貫通電極１７が到達する部分に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された内部電極１２と、内部電極１２の一部を除外して半導体基板１１の表面を覆う第一の保護膜１３Ａと、内部電極１２の第一の保護膜１３Ａで覆われない部分に、第一の保護膜１３Ａと離間して設けられた第二の保護膜１３Ｂと、半導体基板１１の裏面に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された金属配線１８とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極と、
前記半導体基板の第一の主面の前記貫通電極が到達する部分に設けられ、前記貫通電極と電気的に接続された内部電極と、
前記内部電極の一部を除外して前記第一の主面を覆う第一の保護膜と、
前記内部電極の前記第一の保護膜で覆われない部分に、前記第一の保護膜と離間して設けられた第二の保護膜と、
前記半導体基板の前記第一の主面とは反対側の第二の主面に設けられ、前記貫通電極と電気的に接続された金属配線と
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第二の保護膜の面積は、前記貫通電極が前記内部電極に接する領域の面積よりも大きい
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第二の保護膜の形状は円形である
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第二の保護膜の形状は多角形である
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第二の保護膜の形状が円環状であり、前記第二の保護膜の外径は前記貫通電極が前記内部電極に接する領域の直径よりも大きく、前記第二の保護膜の内径は前記領域の前記直径よりも小さい
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第一の保護膜および前記第二の保護膜はいずれも無機材料である
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第一の保護膜は無機材料であり、
前記第二の保護膜は有機材料である
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置は、さらに、
前記内部電極上に設けられ、前記第一の保護膜と前記第二の保護膜との隙間の一部分を埋めるように第三の保護膜を備える
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体装置は、さらに、
前記金属配線の一部を除外して前記第二の主面を覆う絶縁層を備える
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置は、さらに、
前記金属配線の前記絶縁層で覆われていない部分に設けられ、前記金属配線と電気的に接続された外部電極を備える
請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置の前記金属配線または前記外部電極を、配線基板の表面に設けられた配線に電気的に接続してなる電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器では、電子機器の小型、薄型、軽量化、および高密度実装化を実現するため、ウェハ状態での組立加工プロセスであるウェハレベルＣＳＰ（チップサイズパッケージ）技術を用いた半導体装置が多く用いられてきている。
【０００３】
例えば、光学デバイスの中で代表的な固体撮像装置は、デジタルスチルカメラや携帯電話用カメラ、デジタルビデオカメラ等のデジタル映像機器の受光センサーとして用いられている。近年の映像機器の小型、薄型、軽量化、および高密度実装化を実現するために、この固体撮像装置には、ダイボンディングとワイヤーボンディングとによって装置内外の電気的接続を確保するセラミックタイプやプラスチックタイプのパッケージではなく、個片化前のウェハに対する組立加工において、貫通電極と再配線を形成することによって装置内外の電気的接続を確保するウェハレベルＣＳＰ技術が採用されてきている（例えば、特許文献１および特許文献２を参照）。
【０００４】
図６は、従来のウェハレベルＣＳＰ構造を有する固体撮像装置の断面図である。
【０００５】
図６に示すように、従来の固体撮像装置１００Ａは、半導体基板１０１に形成され、半導体基板１０１の受光側表面である主面に複数のマイクロレンズ１０３が設けられた撮像領域１０２と、前記主面における撮像領域１０２の外周領域に形成された周辺回路領域１０４Ａと、周辺回路領域１０４Ａと接続された複数の電極部１０４Ｂとを含む固体撮像素子１００を備えている。
【０００６】
また、半導体基板１０１の主面側には、樹脂よりなる接着部材１０５を介して、例えば光学ガラス等よりなる透明基板１０６が形成されている。さらに、半導体基板１０１の内部には、半導体基板１０１を厚み方向に貫通する貫通電極１０７が設けられている。
【０００７】
半導体基板１０１の主面と対向する裏面には、貫通電極１０７を介して、周辺回路領域１０４Ａの複数の電極部１０４Ｂと接続する金属配線１０８が形成されており、金属配線１０８の一部を覆うと共に他の一部を露出する開口１１０を有する絶縁樹脂層１０９が形成されている。開口１１０には、例えば半田材料よりなる外部電極１１１が形成されている。
【０００８】
なお、固体撮像素子１００は、図示していない絶縁層によって、貫通電極１０７および金属配線１０８と電気的に絶縁されている。
【０００９】
以上説明したように、従来の固体撮像装置１００Ａでは、複数の電極部１０４Ｂが、貫通電極１０７を介して金属配線１０８と電気的に接続されており、さらに、金属配線１０８を介して外部電極１１１と電気的に接続されており、受光信号の取り出しが可能となる。
【００１０】
上記従来の固体撮像装置１００Ａは、例えば次のような工程により製造される。
【００１１】
（工程１）まず、上述の構造を有する固体撮像素子１００を複数個、公知の方法でウェハに形成する。複数の固体撮像素子１００が形成されたウェハに、樹脂層よりなる接着部材１０５を介して、例えば光学ガラス等よりなるウェハと同形状の透明基板１０６を貼付ける。
【００１２】
（工程２）次に、ドライエッチングやウェットエッチング等を用いて、裏面側から半導体基板１０１を貫通して周辺回路領域１０４Ａの複数の電極部１０４Ｂを露出させる貫通孔を形成する。その後、該貫通孔に導電材料を埋め込むことで、受光信号の取り出しを行う複数の電極部１０４Ｂと接続する貫通電極１０７を形成する。
【００１３】
（工程３）次に、電解めっき法により、固体撮像素子１００の裏面上に、貫通電極１０７と電気的に接続する金属配線１０８を形成する。
【００１４】
（工程４）次に、固体撮像素子１００の裏面上に、金属配線１０８を覆うように絶縁樹脂層１０９を形成する。一般的には、絶縁樹脂層１０９として感光性樹脂を用い、スピンコート又はドライフィルム貼付けによって絶縁樹脂層１０９を形成する。
【００１５】
（工程５）続いて、フォトリソグラフィ技術（露光および現像）を用いて、絶縁樹脂層１０９を選択的に除去することにより、金属配線１０８の一部を露出する開口１１０を形成する。
【００１６】
（工程６）続いて、開口１１０に、フラックスを用いた半田ボール搭載法又は半田ペースト印刷法により、金属配線１０８と電気的に接続する例えば半田材料よりなる外部電極１１１を形成する。
【００１７】
（工程７）最後に、例えばダイシングソー等の切削工具を用いて、固体撮像素子１００、接着部材１０５、透明基板１０６、および絶縁樹脂層１０９を一括して切断することにより、ウェハを複数の図６に示す固体撮像装置１００Ａへ個片化する。
【００１８】
上述の固体撮像装置は、ウェハレベルＣＳＰ技術によって、電子機器の小型、薄型、軽量化、および高密度実装化に貢献できる反面、貫通電極１０７が形成された後の工程でかかる熱ストレスや、固体撮像装置の実際の使用環境でかかる熱等の環境負荷ストレスによって、貫通電極１０７から電極部１０４Ｂに対して応力集中が発生し、電極部１０４Ｂの断線、剥離による接続不良発生および信頼性低下が発生しやすいという課題を有している。
【００１９】
具体的には、貫通電極１０７と電極部１０４Ｂとの熱膨張率の違いから、温度変化に応じて電極部１０４Ｂと貫通電極１０７との接続面の端部（円周部）に特に大きな応力（熱ストレス）が集中し、電極部１０４Ｂの破断、剥離が発生することがある。
【００２０】
そこで、このような集中応力に対する対策を講じた別の固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献３を参照）。
【００２１】
この固体撮像装置では、図６に示す貫通電極１０７と接続された電極部１０４Ｂの表面全体を覆うように、無機系の絶縁材料からなる保護膜（図示せず）を形成することによって、温度変化時に発生する貫通電極１０７から電極部１０４Ｂへの応力集中による電極部１０４Ｂの断線、剥離等の接続不良の発生の防止を図っている。
【特許文献１】特開２００４−２０７４６１号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３９０９号公報
【特許文献３】特開２００８−１４０８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
しかしながら、前述のようにして電極部１０４Ｂの耐性の強化を図った固体撮像装置においても、依然として電極部１０４Ｂの破断、剥離が発生することがある。
【００２３】
具体的には、前述の構成において保護膜として用いる無機系の絶縁材料自体が比較的硬いため、そのような保護膜で電極部１０４Ｂの表面上を全て覆った構成では、電極部１０４Ｂへの応力集中の発生時に、保護膜もろとも電極部１０４Ｂが破断、剥離することがあり、集中応力に対する対策としては必ずしも十分ではない。
【００２４】
そこで本発明は、貫通電極１０７から電極部１０４Ｂへの応力集中に対する電極部１０４Ｂの破断、剥離耐性をさらに強化し、接続不良発生および信頼性低下を起こしにくい半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
前記の目的を達成するために、本発明の第一の形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極と、前記半導体基板の第一の主面の前記貫通電極が到達する部分に設けられ、前記貫通電極と電気的に接続された内部電極と、前記内部電極の一部を除外して前記第一の主面を覆う第一の保護膜と、前記内部電極の前記第一の保護膜で覆われない部分に、前記第一の保護膜と離間して設けられた第二の保護膜と、前記半導体基板の前記第一の主面とは反対側の第二の主面に設けられ、前記貫通電極と電気的に接続された金属配線とを備える。
【００２６】
ここで、前記第二の保護膜の面積は、前記貫通電極が前記内部電極に接する領域の面積よりも大きい。
【００２７】
また、前記第二の保護膜の形状は円形であってもよく、多角形であってもよい。また、前記第二の保護膜の形状が円環状であってもよく、前記第二の保護膜の外径は前記貫通電極が前記内部電極に接する領域の直径よりも大きく、前記第二の保護膜の内径は前記領域の前記直径よりも小さい。
【００２８】
また、前記第一の保護膜および前記第二の保護膜はいずれも無機材料であってもよく、また、前記第一の保護膜は無機材料であり、前記第二の保護膜は有機材料であってもよい。
【００２９】
また、前記半導体装置は、さらに、前記内部電極上に設けられ、前記第一の保護膜と前記第二の保護膜との隙間の一部分を埋めるように第三の保護膜を備えてもよい。
【００３０】
また、前記半導体装置は、さらに、前記金属配線の一部を除外して前記第二の主面を覆う絶縁層を備えてもよく、また、前記金属配線の前記絶縁層で覆われていない部分に設けられ、前記金属配線と電気的に接続された外部電極を備えてもよい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によると、貫通電極形成後の工程でかかる熱ストレスや、半導体装置の実際の使用環境でかかる熱等の環境負荷ストレスによって、貫通電極から内部電極に対して応力集中が発生した場合においても、第二の保護膜が内部電極の変形を抑えることによって、内部電極の断線、剥離による接続不良発生を防止し、高い接続信頼性を確保することが可能となる。
【００３２】
第二の保護膜を第一の保護膜と離間して設けることにより、第一の保護膜と第二の保護膜との隙間で内部電極に対する応力集中の緩和、および内部電極の変形による発生応力の緩和を可能とし、より確実に内部電極の断線、クラック、剥離等の発生を防止することできる。
【００３３】
さらに、第一の保護膜と第二の保護膜との隙間の一部分に第三の保護膜を設けることにより、第一の保護膜と第二の保護膜との間に残される隙間で内部電極に対する応力集中の緩和、および内部電極の変形による発生応力の緩和を可能としながら、応力集中の発生時に、第二の保護膜が内部電極の変形を抑える力を、第三の保護膜を介して第一の保護膜から得ることができ、また、貫通電極が半導体基板の第二の主面に向かって剥離、脱落してしまうことを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置について説明する。
【００３５】
（半導体装置の構造）
まず、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造について、図面を参照しながら説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１０の構造を示す断面図である。
【００３７】
本発明の一実施形態に係る半導体装置１０は、図１に示すように、半導体基板１１の図面上方の主面（以下、表面と言う）に設けられた、ＡｌまたはＣｕ等の金属を主材料として形成された内部電極１２と、内部電極１２の一部を除外して前記第一の主面を覆う第一の保護膜１３Ａと、前記内部電極の前記第一の保護膜１３Ａで覆われない部分に、第一の保護膜１３Ａと離間して設けられた第二の保護膜１３Ｂとを備える。
【００３８】
ここで、第一の保護膜１３Ａおよび第二の保護膜１３Ｂは、一般的にパッシベーションと呼ばれ、ＳｉＮ等の無機材料から成る。ただし、第二の保護膜１３Ｂは無機材料に限定されるものではなく、有機材料を用いることも可能であり、また、第一の保護膜１３Ａと工程を分けて形成してもよい。
【００３９】
また、半導体装置１０は、半導体基板１１を厚み方向に貫通して内部電極１２の裏面に到達し、内部電極１２と電気的に接続された貫通電極１７と、半導体基板１１の図面下方の主面（以下、裏面と言う）に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された金属配線１８と、前記半導体基板の図面下方の主面（以下、裏面と言う）に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された金属配線１８と、金属配線１８の一部を除外して半導体基板１１の裏面を覆う絶縁層１９とを備える。
【００４０】
貫通電極１７は、半導体基板１１に予め設けられる図示しない貫通孔の内壁（すなわち、半導体基板１１および内部電極１２の、貫通孔内へ向かう面）を、例えばＣｕまたはＣｕを主体とする金属材料でめっきするか、または、貫通孔に導電性ペーストを充填することによって形成される。貫通孔の深さは、一般的な例として１０μｍ〜３００μｍである。貫通電極１７は、貫通孔を充填するように形成されてもよく、また、貫通孔の内壁をほぼ一定の厚みで這う膜状に形成されてもよい。
【００４１】
金属配線１８は、半導体基板１１の裏面を、例えばＣｕまたはＣｕを主体とする金属材料でめっきすることによって形成される。金属配線１８の厚みは、５μｍ〜２０μｍが望ましい。
【００４２】
金属配線１８の絶縁層１９で覆われていない部分には、金属配線１８と電気的に接続するように、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ組成の鉛フリー半田材料よりなる外部電極２０が形成されている。
【００４３】
さらに、半導体基板１１の表面上には保護膜１３および接着層２１を介して、例えば光学ガラスやサポートガラス等よりなる透明基板２２が形成されている。
【００４４】
ここで、接着層２１は、図１に示す半導体装置１０のように、半導体基板１１、第一の保護膜１３Ａ、および第二の保護膜１３Ｂの表面上を覆うように形成されてもよいし、透明基板２２との間に中空を有するキャビティ構造であってもよい。
【００４５】
接着層２１および透明基板２２の構造および材料は、半導体基板１１の電気特性向上または半導体基板１１の強度補強等の目的に応じて適宜選択される。
【００４６】
なお、透明基板２２は、主に本発明の半導体装置を光学デバイスに適用する場合、および、半導体基板１１の強度補強を目的とした補強板として適用する場合に特に有効であるが、最終構造として必須の構成要素ではなく、用途によっては無くてもかまわない。
【００４７】
このように、内部電極１２と外部電極２０とが、貫通電極１７および金属配線１８を介して電気的に接続されているために、内部電極１２、貫通電極１７、金属配線１８、および外部電極２０を介して、半導体装置１０の内外での電気信号のやり取りが可能となる。なお、半導体基板１１は、図示していないＳｉＯ２等の絶縁膜によって、貫通電極１７および金属配線１８と電気的に絶縁されている。
【００４８】
（主要部の詳細な構造）
図２、図３、および図４はそれぞれ、本発明の一実施形態にかかる第二の保護膜１３Ｂの具体的な形状の一例を示す上面図および断面図である。
【００４９】
いずれの例においても、第二の保護膜１３Ｂは、内部電極１２上に第一の保護膜１３Ａと離間して設けられ、第二の保護膜１３Ｂの面積は、貫通電極１７が内部電極１２の裏面に接する領域１７Ａ（破線で示される。以下、短く領域１７Ａと言う。）の面積よりも大きくなるように形成される。
【００５０】
図２の例では、第二の保護膜１３Ｂを円形とし、第二の保護膜１３Ｂの直径は領域１７Ａの最大径よりも大きくしている。
【００５１】
図３の例では、第二の保護膜１３Ｂを正方形とし、第二の保護膜１３Ｂの１辺の長さは領域１７Ａの最大径よりも大きくしている。
【００５２】
なお、ここでは第二の保護膜１３Ｂを正方形としているが、他の多角形を用いてもよい。ただし、いずれの多角形を用いた場合でも、当該多角形の最大径の長さは領域１７Ａの最大径よりも大きくすることが望ましい。
【００５３】
図４の例では、第二の保護膜１３Ｂを円環状とし、第二の保護膜１３Ｂの外径は領域１７Ａの直径よりも大きく、かつ第二の保護膜１３Ｂの内径は領域１７Ａの直径よりも小さくしている。
【００５４】
上述のような第二の保護膜１３Ｂの形状および大きさのために、図２、図３、および図４に示されるように、領域１７Ａを内部電極１２の表面から覆うように第二の保護膜１３Ｂを形成することができる。
【００５５】
このような構成によれば、貫通電極１７を形成した後の工程でかかる熱ストレスや、半導体装置１０の実際の使用環境でかかる熱等の環境負荷ストレスによって、貫通電極１７と内部電極１２との接続部分に応力集中が発生した場合でも、第二の保護膜１３Ｂが内部電極１２の変形を抑え、内部電極１２の断線、クラック、剥離等の発生を防止することができる。
【００５６】
具体的には、領域１７Ａの外周部分に最も大きな応力集中が発生するため、この外周部分を内部電極１２の表面から覆うように第二の保護膜１３Ｂを形成することによって、内部電極１２が補強される。
【００５７】
また、第一の保護膜１３Ａと第二の保護膜１３Ｂとを離間して設けることによって、第一の保護膜１３Ａと第二の保護膜１３Ｂとの隙間で内部電極１２に対する応力集中の緩和、および内部電極１２の変形による発生応力の緩和を可能とし、より確実に内部電極１２の断線、クラック、剥離等の発生を防止することできる。
【００５８】
（半導体装置の製造方法）
上述した構造を有する半導体装置１０は、例えば次のような工程により製造できる。
【００５９】
（工程１）半導体基板１１の表面に設けられた複数の内部電極１２を備えた半導体素子を準備する。
【００６０】
（工程２）半導体基板１１表面上に設けられた、内部電極１２上に選択的に開口を有する第一の保護膜１３Ａを形成する。
【００６１】
（工程３）内部電極１２の表面上の一部に、第一の保護膜１３Ａの開口から独立した第二の保護膜１３Ｂを形成する。なお、工程２と工程３とを同時に行ってもよい。
【００６２】
（工程４）内部電極１２の裏面に達するように半導体基板１１の厚み方向に貫通する貫通孔を形成する。
【００６３】
（工程５）貫通孔の内部に設けられているとともに貫通孔部の内部から半導体基板１１の表面上へ延びるように設けられた貫通電極１７を形成する。
【００６４】
（工程６）半導体基板１１の裏面に設けられ、半導体基板１１の裏面上において貫通電極１７と電気的に接続された金属配線１８を形成する。
【００６５】
（工程７）金属配線１８の表面を覆うように半導体基板１１の裏面上に設けられた絶縁層１９を形成する。
【００６６】
（工程８）金属配線１８の表面上に選択的に設けられた絶縁層１９の開口を形成する。絶縁層１９の開口に、フラックスを用いた半田ボール搭載法、半田ペースト印刷法、または電解めっき法により、金属配線１８と電気的に接続する外部電極２０を形成する。外部電極２０には、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ組成の鉛フリー半田材料を用いる。
【００６７】
これらの工程を行うことで、図１に示す半導体装置１０が製造される。
【００６８】
（変形例にかかる主要部の詳細な構造）
上記では、半導体装置１０において、貫通電極１７から内部電極１２への応力集中に対する内部電極１２の耐性を強化すべく、内部電極１２に第二の保護膜１３Ｂを第一の保護膜１３Ａから離間して設ける構成について説明した。
【００６９】
しかしながら、上記の構成によれば、第二の保護膜１３Ｂもろとも内部電極１２に断線、クラック、剥離等が発生する可能性を低減できる反面、応力集中時に第二の保護膜１３Ｂが内部電極１２の変形を抑えきれず、内部電極１２の断線、クラック、剥離等の発生を防止しきれない場合があり得る。
【００７０】
そこで、以下の変形例では、第二の保護膜１３Ｂもろとも内部電極１２が破壊する可能性を低減させながら、第二の保護膜１３Ｂが内部電極１２の変形を抑える力を高める構成について説明する。
【００７１】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）はそれぞれ、本発明の変形例にかかる第二の保護膜１３Ｂおよび第三の保護膜１３Ｃの具体的な形状の一例を示す上面図である。
【００７２】
いずれの例においても、内部電極１２上に、第一の保護膜１３Ａおよび第二の保護膜１３Ｂの隙間の一部分を埋めるように第三の保護膜１３Ｃが設けられており、ここで、図５（Ｂ）においては、第三の保護膜１３Ｃの形状を波形としている。
【００７３】
ここで、第三の保護膜１３Ｃは、ＳｉＮ等の無機材料を用いてもよく、また有機材料を用いることも可能である。
【００７４】
第三の保護膜１３Ｃは、第一の保護膜１３Ａおよび第二の保護膜１３Ｂのいずれか一方または両方と工程を分けて形成してもよく、また、第一の保護膜１３Ａおよび第二の保護膜１３Ｂと同一工程で形成してもよい。
【００７５】
このような構成によれば、第一の保護膜１３Ａと第二の保護膜１３Ｂとの隙間の一部分を埋めるように第三の保護膜１３Ｃを設けることによって、第一の保護膜１３Ａと第二の保護膜１３Ｂとの間に残される隙間で内部電極１２に対する応力集中の緩和、および内部電極１２の変形による発生応力の緩和を可能としながら、応力集中の発生時に、第二の保護膜１３Ｂが内部電極１２の変形を抑える力を、第三の保護膜１３Ｃを介して第一の保護膜１３Ａから得ることができ、また、貫通電極が半導体基板の第二の主面に向かって剥離、脱落してしまうことを防止することができる。
【００７６】
さらに、図５（Ｂ）においては、第三の保護膜１３Ｃの形状を波形にすることによって、第三の保護膜１３Ｃ自体にかかる応力をさらに緩和することができる。
【００７７】
以上説明したように、本発明の半導体装置によれば、内部電極に設けられる保護膜の特徴的な形状によって、ウェハレベルＣＳＰで、かつ応力集中に対する耐性強度が高い半導体装置が実現されるので、各種電子機器の小型、薄型、軽量化および性能向上に貢献できる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明の半導体装置は、光学デバイス（固体撮像素子をはじめ、フォトダイオード、レーザーモジュール等の各種半導体装置や各種モジュール）に特に好適であり、さらに、他のＬＳＩ、メモリ、縦型デバイス（ダイオード、トランジスタ等）、インターポーザ等のあらゆる半導体装置にも好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２】第二の保護膜の形状の一例を示す上面図および断面図である。
【図３】第二の保護膜の形状の一例を示す上面図および断面図である。
【図４】第二の保護膜の形状の一例を示す上面図および断面図である。
【図５】（Ａ）および（Ｂ）第二の保護膜および第三の保護膜の形状の一例を示す上面図である。
【図６】従来の固体撮像装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０  半導体装置
１１  半導体基板
１２  内部電極
１３Ａ  第一の保護膜
１３Ｂ  第二の保護膜
１３Ｃ  第三の保護膜
１７  貫通電極
１７Ａ  貫通電極が内部電極の裏面に接する領域
１８  金属配線
１９  絶縁層
２０  外部電極
２１  接着層
２２  透明基板
１００  固体撮像素子
１００Ａ  固体撮像装置
１０１  半導体基板
１０２  撮像領域
１０３  マイクロレンズ
１０４Ａ  周辺回路領域
１０４Ｂ  電極部
１０５    接着部材
１０６    透明基板
１０７    貫通電極
１０８    金属配線
１０９    絶縁樹脂層
１１０    開口
１１１    外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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