(57)【要約】【課題】  研磨停止膜の膜減り量を有意に増大させることなく、ディッシングによる段差を可能な限り小さくする研磨方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置２０の製造方法は、半導体基板２１を露出させるように開口部を有する窒化膜２３を形成し、且つ窒化膜２３をマスクとして半導体基板２１に溝２４を形成する工程を有する。この方法はまた、溝２４の上方における酸化膜２６の上面が窒化膜２３の表面より高い位置になるように、半導体基板２１の上方全体に酸化膜２６を堆積する工程を有する。この方法は更に、研磨剤としてセリアスラリーを用いて、窒化膜２３が露出されるまで酸化膜２６を研磨する工程を有し、窒化膜２３の研磨速度に対する酸化膜２６の研磨速度の比として定義される研磨選択比が７以上且つ１１以下に調整される。【選択図】  図４
2010021364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を露出させるように開口部を有する窒化膜を形成する工程、
前記窒化膜をマスクとして前記半導体基板に溝を形成する工程、
前記溝の上方における酸化膜の上面が前記窒化膜の表面より高い位置になるように、前記半導体基板の上方全体に酸化膜を堆積する工程、及び
研磨剤としてセリアスラリーを用いて、前記窒化膜が露出されるまで前記酸化膜を研磨する研磨工程、
を有し、
前記窒化膜の研磨速度に対する前記酸化膜の研磨速度の比として定義される研磨選択比が７以上且つ１１以下に調整されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記研磨選択比の調整はセリアスラリーのｐＨを調整することによって行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ｐＨは、セリアスラリーにアンモニア水溶液、水酸化カリウム又は水溶性有機アミンを加えることによって調整されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記研磨工程に先立って、
前記酸化膜の表面が前記窒化膜の表面より高い位置になるまで、前記酸化膜を研磨する別の研磨工程、
を更に有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記別の研磨工程において、研磨剤としてシリカスラリーが用いられることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
研磨剤としてセリアスラリーを用いて、酸化膜を研磨する方法であって、研磨停止膜としての窒化膜の研磨速度に対する前記酸化膜の研磨速度の比として定義される研磨選択比が７以上且つ１１以下に調整されることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の研磨を含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化に伴い、開口数（ＮＡ）が高く高解像度のフォトリソグラフィ装置が使用されるに至っている。しかし、そのようなフォトリソグラフィ装置は焦点深度が浅いという特性を有し、半導体装置を製造する上での露光マージンが減少することが問題となる。フォトリソグラフィの露光マージンを確保するため、微細化された半導体装置の製造においては、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）により、フォトリソグラフィに先立って半導体装置の平坦化を行うことが必須になっている。
【０００３】
半導体装置の平坦化を行うことが必要な工程には、半導体基板上やインターコネクト配線上に成膜された、例えば酸化膜などの絶縁膜を平坦化する工程が含まれる。微細化された半導体装置は、それに含まれる個々の素子を分離するためにシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）を有しており、ＳＴＩを埋め込むように半導体基板上に堆積された絶縁膜をＣＭＰにより平坦化することが一般的に行われている。
【０００４】
ＳＴＩをＣＭＰにより形成する際には、従来、酸化膜（例えば、ＳｉＯ２）の研磨速度が高く、高スループットが得られるシリカ系スラリーが使用されてきた。しかしながら、近年になり、より高い平坦性を追求するために、酸化セリウム（セリア、ＣｅＯ２）に界面活性剤を加えたスラリー（以下、セリアスラリーと称する）が使用されるようになってきている。このとき、研磨停止膜として機能する窒化膜（例えば、ＳｉＮ）の膜減り量を減少させるため、窒化膜と被研磨膜である酸化膜との研磨選択比が数十以上あるセリアスラリーが使用されている。
【０００５】
また、セリアスラリーを用いて酸化膜を研磨するときの研磨速度は、シリカ系スラリーを用いる場合の研磨速度より低い。そのため、セリアスラリーによる研磨は、シリカ系スラリーによる研磨と比較して長い研磨時間を必要とするのでスループットが低下する。研磨時間を短縮し、且つ窒化膜で容易に停止する研磨を実現するための方法として、研磨の第一ステップでシリカ系スラリーを用いて荒削りを行い、第二の研磨ステップでセリアスラリーを用いて研磨を行う二段階の研磨方法が知られている（特許文献１及び２参照）。
【特許文献１】特開２０００−９１４１５号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のセリアスラリーを用いるＣＭＰは、研磨停止膜である窒化膜と被研磨膜である酸化膜との研磨選択比が数十以上と大きいため、窒化膜の膜減り量が少ないという利点を有するが、酸化膜の研磨速度が高いため、所謂ディッシングが大きくなるという問題を抱えている。ＳＴＩにおけるディッシングは、酸化膜が窒化膜の表面の下方まで皿状に削られることによるものである。ＳＴＩ上のディッシングによる段差が大きくなると、リソグラフィ工程、特にゲート配線を形成するリソグラフィ工程での露光マージン確保が困難になる。一般的に開口率（ＮＡ）が１．２程度以上になる液浸露光装置が用いられる場合、その焦点深度の浅さに起因して、許容可能な段差は１５ｎｍ程度以下といった極めて小さい値になる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態の一観点によれば、半導体装置を製造する方法が提供される。この製造方法は、半導体基板を露出させるように開口部を有する窒化膜を形成する工程、及び窒化膜をマスクとして半導体基板に溝を形成する工程を有する。この製造方法はまた、溝の上方における酸化膜の上面が窒化膜の表面より高い位置になるように、半導体基板の上方全体に酸化膜を堆積する工程を有する。この製造方法は更に、研磨剤としてセリアスラリーを用いて、窒化膜が露出されるまで酸化膜を研磨する研磨工程を有し、窒化膜の研磨速度に対する酸化膜の研磨速度の比として定義される研磨選択比が７以上且つ１１以下に調整される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の方法によれば、研磨停止膜である窒化膜の膜減り量を有意に増大させることなく、ディッシングによる段差を極めて小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら実施形態について説明する。
【００１０】
先ず、実施形態を実施するために使用される典型的なＣＭＰ装置及びそれによる半導体装置のＣＭＰ工程を、図１乃至図３を用いて説明する。
【００１１】
図１に示されるように、ＣＭＰ装置１００は複数の研磨テーブルと複数の研磨ヘッドとを有している。ここでは、一例として、３個の研磨テーブル１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃと、４個の研磨ヘッド１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄを有するＣＭＰ装置が示されている。しかしながら、当業者に理解されるように、研磨テーブル及び研磨ヘッドの数は上記の数に限定されない。
【００１２】
研磨ヘッド１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄはヘッドキャリア１０６に担持されている。研磨ヘッド１０４ａは、ヘッドキャリア１０６の反時計回りの回転により、研磨テーブル１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃの順に移動し、それぞれのテーブルにおいて研磨を行うことができる。同様に研磨ヘッド１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄも研磨テーブル１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃの順に移動し、それぞれのテーブルにおいて研磨を行うことができる。研磨テーブル１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃには、それぞれ、研磨パッドの目立て装置１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃが備えられており、研磨テーブル毎に研磨パッドの目立てを行うことができる。３個の研磨テーブル、４個の研磨ヘッド、及び各研磨テーブルに付随する目立て装置の個々の構成は同一であるため、以下、研磨テーブル１０２ａ、研磨ヘッド１０４ａ、及び目立て装置１０８ａを用いて説明する。
【００１３】
図２に示されるように、研磨テーブル１０２ａはその表面に研磨パッド２０２を有しており、研磨ヘッド１０４ａはウエハ２０４を保持している。研磨テーブル１０２ａ及び研磨ヘッド１０４ａをそれぞれ回転させながら研磨パッド２０２にウエハ２０４を或る圧力で押し当て、且つ、スラリー供給ノズル２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃから研磨パッド２０２上にスラリー２０７を供給することにより、ウエハ２０４の研磨を行うことが出来る。図２においては三系統のスラリー供給ノズル２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃが例示されているが、スラリー供給ノズルは必要に応じて一系統から複数系統まで備えられることができる。
【００１４】
目立て装置１０８ａは研磨テーブル１０２ａの上方に備えられ、研磨間あるいは研磨中に研磨パッド２０２の目立てを行う。目立て装置１０８ａの先端にはパッドの目立てを行う治具２０８が取り付けられている。治具２０８は、図３に拡大して示されるように、表面にステンレス製の台金３０２を有している。そして、台金３０２上には、Ｎｉメッキ層３０４によって、１５０μｍ程度の粒径を有するダイヤモンド３０６が１ｍｍ２当たり数個から数十個の密度で固定されている。これは、一般的に、ダイヤモンドディスクと呼ばれている。
【００１５】
半導体装置の製造過程において形成される絶縁膜を研磨するＣＭＰ工程の研磨条件として、例えば、
研磨ヘッド圧力：１００−５００ｇ重／ｃｍ２
研磨ヘッド回転数：７０−１２０回転／分
研磨テーブル回転数：７０−１２０回転／分
スラリー供給量：０．１−０．３リットル／分
といった条件を用いることができる。
【００１６】
また、目立て条件としては、例えば、
ダイヤモンドディスク荷重：１００〜２００ｇ重／ｃｍ２
ダイヤモンドディスク回転数：７０〜１２０回転／分
といった条件を用いることができる。
【００１７】
パッドに関しては、典型的に、硬質発泡ウレタン（上層）と不織布（下層）とを貼りあわせたものが使用される。なお、使用されるスラリーに関しては詳細に後述する。
【００１８】
次に、一実施形態に従った半導体装置２０のＳＴＩ形成方法を、図４を用いて説明する。
【００１９】
図４（ａ）に示されるように、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る半導体基板２１上に、パターニングされた酸化膜２２及び窒化膜２３と、ＳＴＩ用のトレンチ２４とを形成する。例えば、先ず、半導体基板２１の全面に酸化膜２２及び窒化膜２３を形成する。酸化膜２２及び窒化膜２３は、それぞれ、例えば１０ｎｍ及び１００ｎｍの厚さを有する。次に、リソグラフィ工程によって窒化膜２３上にフォトレジストマスク（図示せず）を設け、該フォトレジストマスクを用いて、窒化膜２３及び酸化膜２２をドライエッチングによってパターニングする。これにより、ＳＴＩが形成される領域である半導体装置の素子分離領域に相当する半導体基板の表面が露出されるとともに、素子分離領域以外の領域に窒化膜２３が残存する。そして、上記フォトレジストマスクの除去後、残存した窒化膜２３をマスクとして用いて、異方性エッチングによって半導体基板２１内にトレンチ２４を形成する。トレンチ２４の深さは例えば３００ｎｍ程度であり、トレンチ２４の幅は通常の半導体装置において４０μｍ以下である。
【００２０】
次に、図４（ｂ）に示されるように、トレンチ２４の側壁及び底面に沿って、必要に応じての酸化層２５を形成し、半導体基板２０の上方全体を覆う埋め込み酸化膜２６を堆積する。埋め込み酸化膜２６は、例えば６００ｎｍ程度の厚さを有し、トレンチ２４の上方においても窒化膜２３の表面より高い位置まで堆積される。このとき、埋め込み酸化膜２６の表面２７の形状は、少なくとも部分的に、下地の構造の形状に従ったものとなる。
【００２１】
そして、図４（ｃ）に示されるように、窒化膜２３を研磨停止膜としてＣＭＰによって埋め込み酸化膜２６を研磨し、酸化物から成るＳＴＩ２８を形成する。これにより、半導体装置２０の表面２９は平坦化された状態となる。なお、このＣＭＰ工程に関しては詳細に後述する。
【００２２】
図１乃至図３、及び図４（ｃ）におけるＣＭＰ工程において、従来は、フュームドシリカ又はコロイダルシリカを含み、且つ安定性の観点からＫＯＨによりｐＨを１０−１１程度に調整されたスラリーが使用されてきた。このようなスラリーは、上述の研磨条件において、プラズマ化学気相成長（プラズマＣＶＤ）法によって成膜された酸化膜を２００−４００ｎｍ／分程度の研磨速度で研磨することができ、半導体装置の生産に使用し得るスループットを実現するものである。また近年、上述のように、より高い平坦性を追求するための代替的なスラリーとして、酸化膜と窒化膜との研磨選択比が数十以上あるセリアスラリーが使用されるようになってきている。
【００２３】
一方、実施形態においては、例えばアンモニア水溶液、水酸化カリウム及び水溶性有機アミン等のアルカリ性水溶液を加えてｐＨ調整されたセリアスラリー溶液が使用される。斯くして得られるセリアスラリーの、窒化膜に対する酸化膜の研磨選択比（すなわち、酸化膜の研磨速度の窒化膜の研磨速度に対する比）は、詳細は後述するが、７以上且つ１１以下、より好ましくは９以上且つ１１以下に調整される。これにより、半導体装置のＳＴＩ上のディッシングによる段差を、窒化膜の膜減り量を許容範囲に維持しながら、極めて小さい値まで低減させることができる。
【００２４】
このセリアスラリー条件は、発明者により行われた種々の検討によって見出されたものである。この条件は、既知のスラリーと比較して、窒化膜の膜減り量を有意に増大させることなく、ディッシングによる段差を可能な限り小さくすることが可能である。以下、この条件を見出すために行われた検討の一部を説明する。
【００２５】
セリアスラリーを用いて研磨を行う際の、酸化膜と窒化膜との研磨選択比、ディッシングによる段差（以下、ディッシング量）、及び窒化膜の膜減り量を調べた。
【００２６】
酸化膜の研磨速度を調べるため、図５（ａ）に示されるように、半導体基板５１上に高密度プラズマＣＶＤ法により酸化膜５２を３００ｎｍ堆積したサンプル５０を作成した。また、窒化膜の研磨速度を調べるため、別の半導体基板５６上にＣＶＤ法により窒化膜５７を１００ｎｍ堆積したサンプル５５を作成した。
【００２７】
これらのサンプル５０、５５を、図１乃至３に示された研磨装置を用い、条件：
研磨ヘッド圧力：２００ｇ重／ｃｍ２
研磨ヘッド回転数：１２０回転／分
研磨テーブル回転数：１２０回転／分
添加剤を含んだセリアスラリー供給量：０．２リットル／分
で研磨した。添加剤にはポリアクリル酸等の界面活性剤を用いることができる。
【００２８】
そして、酸化膜と窒化膜との研磨選択比の異なるセリアスラリーＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用意した。セリアスラリーの研磨選択比の調整は、例えば、セリアスラリー溶液のｐＨを調整することにより可能である。ここでは、ｐＨ３程度の通常のセリアスラリー溶液に対し、アンモニア水溶液、水酸化カリウム、又は水溶性有機アミンを加えることで、セリアスラリー溶液のｐＨを１０程度までの範囲で調整した。
【００２９】
図６は、得られたセリアスラリーＡ乃至ＤのｐＨと、これらのセリアスラリーを用いて図５に示されたサンプル５０、５５を研磨して得られた研磨選択比との関係を示している。図示されているように、セリアスラリーＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄによる研磨選択比は、それぞれ、７、１４、１９、２５であった。
【００３０】
次に、ディッシング量、及び窒化膜の膜減り量を調べるため、図７に示される他の一実施形態に従った半導体装置の製造方法を用いて、ＳＴＩを有する半導体装置７０を作成した。図７に示された方法は、図４に示された方法と似通っているが、図７（ｃ）及び（ｄ）に示されるように、ＣＭＰ工程が二段階で行われている点で異なっている。なお、図７において、図４に対応する部分には同一の参照符号を用いている。
【００３１】
図７（ａ）及び（ｂ）において、酸化膜２２の厚さを１０ｎｍ、窒化膜２３の厚さを１００ｎｍ、トレンチ２４の深さを３００ｎｍ程度、必要に応じての酸化層２５の厚さを１０ｎｍ、埋め込み酸化膜２６の厚さを５００ｎｍ程度とした。また、埋め込み酸化膜２６はＨＤＰ−ＣＶＤ法によって堆積した。さらに、パターニング後の窒化膜２３の幅すなわち半導体装置のアクティブ領域の幅は４０μｍ、トレンチ２４の幅すなわち半導体装置のＳＴＩの幅は２０又は４０μｍとした。なお、４０μｍというＳＴＩ幅は、通常の半導体装置において想定し得る最大のＳＴＩ幅に相当する。
【００３２】
図７（ｃ）及び（ｄ）に示された二段階のＣＭＰ工程においても、図１乃至３に示された研磨装置を用いた。ただし、このＣＭＰ工程の第一ステップ（図７（ｃ））は、第一の研磨テーブル１０２ａにてシリカスラリーを用いて、第一の研磨条件：
研磨ヘッド圧力：３００ｇ重／ｃｍ２
研磨ヘッド回転数：９８回転／分
研磨テーブル回転数：１００回転／分
シリカスラリー供給量：０．２リットル／分
で行った。また、ＣＭＰ工程の第二ステップ（図７（ｄ））は、第二の研磨テーブル１０２ｂにてセリアスラリーを用いて、第二の研磨条件：
研磨ヘッド圧力：２００ｇ重／ｃｍ２
研磨ヘッド回転数：１２０回転／分
研磨テーブル回転数：１２０回転／分
添加剤を含んだセリアスラリー供給量：０．２リットル／分
で行った。添加剤にはポリアクリル酸等の界面活性剤を用いることができる。
【００３３】
第一ステップは第二ステップより酸化膜の研磨速度が高いという特性を有するものである。従って、ここでは第一ステップとしてシリカスラリーを用いる例を示したが、酸化膜の研磨速度、又は窒化膜に対する酸化膜の研磨選択比の大きいセリアスラリーを用いた研磨工程を第一ステップとして使用してもよい。第一ステップにより残存される埋め込み酸化膜２６’の窒化膜２３上での厚さ（埋め込み酸化膜２６’の表面７９と窒化膜２３の表面との高低差）は、該第一ステップによって窒化膜が露出される虞と、第二ステップによって必要とされる研磨時間とを考慮して決定される。これは、好ましくは５０−１００ｎｍであり、ここでは８０ｎｍとした。
【００３４】
また、図７（ｄ）に示されたＣＭＰ工程の第二ステップの終点検出は、図８に示されるように、窒化膜の露出を研磨テーブルの駆動トルク（本例では駆動電流）をモニターし、その変化率の変化点を検出することによって行った。そして、この変化点の検出後３０秒のオーバー研磨を実施してからＳＴＩ研磨を完了させた。なお、当業者に認識されるように、この終点検出及び研磨完了手法は、図４（ｃ）に示されたＣＭＰ工程にも適用され得るものである。
【００３５】
研磨完了後、ＳＴＩ上のディッシング量として、図９に示されるような一辺が２０又は４０μｍの正方形状フィールド領域の段差を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって測定した。図１０（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、一辺が２０、４０μｍの正方形状フィールド領域について得られたディッシング量を、セリアスラリーの研磨選択比に対してプロットしたものである。図１０から、ディッシング量は研磨選択比にほぼ比例し、研磨選択比が小さいほどディッシング量が小さくなることが見てとれる。
【００３６】
この結果から、酸化膜と窒化膜との研磨選択比が小さくなるように、アンモニア水溶液、水酸化カリウム、又は水溶性有機アミン等を加えてセリアスラリー溶液のｐＨを調整することにより、ＳＴＩ上のディッシングによる段差を効果的に低減できることが見出された。特に、４５ｎｍ以降の微細化ノードの半導体装置にて使用が見込まれる液浸露光装置に許容される段差は１５ｎｍ程度以下である。しかし、研磨選択比の上限を１１とすることにより、４０μｍという想定し得る最大のＳＴＩ幅の場合であってもこれを満たし得ることが見出された。
【００３７】
研磨選択比の下限に関しては、ｐＨが５を下回るとスラリーの凝集が顕著になるため、ｐＨを５以上にすることが好ましい。すなわち、図６に示されたｐＨと研磨選択比との関係から、研磨選択比を７程度以上にすることが好ましい。さらには、スラリーの更なる安定性や、埋め込み酸化膜の研磨時間及びＣＭＰ工程のスループットの観点から、研磨選択比を９程度以上にすることが好ましい。
【００３８】
また、研磨停止膜としての窒化膜の膜減り量を算出するため、図１１に示されるような一辺が４０μｍの正方形状のアクティブ領域において、窒化膜の膜厚を光学式の膜厚測定装置によって測定した。図１２は、測定された膜厚から算出された窒化膜の膜減り量を研磨選択比に対してプロットしたものである。図１２から、研磨選択比が小さくなると窒化膜の膜減り量が大きくなることがわかる。しかしながら、研磨選択比が５の場合でも窒化膜の膜減り量は５ｎｍ程度であること、及び、研磨選択比が５から２５の範囲での膜減り量の差は２ｎｍ程度であって有意な差が生じていないことがわかる。
【００３９】
なお、この例において使用された図１乃至図３に示された研磨装置、及び、上記の第一及び第二の研磨条件における研磨ヘッド圧力、研磨ヘッド又は研磨テーブルの回転数などの条件は単なる例である。その他の装置及び条件においても同様の結果が得られることは当業者に認識されるところである。
【００４０】
以上のように、セリアスラリーの窒化膜に対する酸化膜の研磨選択比を７以上且つ１１以下、より好ましくは９以上且つ１１以下に調整することにより、半導体装置のＳＴＩ上のディッシングによる段差を、窒化膜の膜減り量を許容範囲に維持しながら、極めて小さい値まで低減させることができる。これにより、液浸露光装置を用いる場合であっても露光マージンを確保することが可能になる。この研磨選択比の調整は、セリアスラリー溶液のｐＨを調整することにより可能であり、好ましくは、アンモニア水溶液、水酸化カリウム、又は水溶性有機アミンを用いてｐＨ調整が行われる。
【００４１】
以上、実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００４２】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
半導体基板を露出させるように開口部を有する窒化膜を形成する工程、
前記窒化膜をマスクとして前記半導体基板に溝を形成する工程、
前記溝の上方における酸化膜の上面が前記窒化膜の表面より高い位置になるように、前記半導体基板の上方全体に酸化膜を堆積する工程、及び
研磨剤としてセリアスラリーを用いて、前記窒化膜が露出されるまで前記酸化膜を研磨する研磨工程、を有し、
前記窒化膜の研磨速度に対する前記酸化膜の研磨速度の比として定義される研磨選択比が７以上且つ１１以下に調整されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記研磨選択比は９以上且つ１１以下に調整されることを特徴とする付記１に記載の方法。
（付記３）
前記研磨選択比の調整はセリアスラリーのｐＨを調整することによって行われることを特徴とする付記１又は２に記載の方法。
（付記４）
前記ｐＨは、セリアスラリーにアンモニア水溶液、水酸化カリウム又は水溶性有機アミンを加えることによって調整されることを特徴とする付記３に記載の方法。
（付記５）
前記研磨工程に先立って、
前記酸化膜の表面が、前記窒化膜の表面より高い位置になるまで、前記酸化膜を研磨する別の研磨工程、
を更に有することを特徴とする付記１乃至４の何れか一に記載の方法。
（付記６）
前記別の研磨工程において、研磨剤としてシリカスラリーが用いられることを特徴とする付記５に記載の方法。
（付記７）
前記別の研磨工程において、研磨剤として、前記研磨選択比が１１より大きくなるように調整されたセリアスラリーが用いられることを特徴とする付記５に記載の方法。
（付記８）
前記別の研磨工程において、前記酸化膜は該酸化膜の表面が前記窒化膜の表面より５０ｎｍ以上且つ１００ｎｍ以下だけ高い位置になるまで研磨されることを特徴とする付記５乃至７の何れか一に記載の方法。
（付記９）
研磨剤としてセリアスラリーを用いて、酸化膜を研磨する方法であって、研磨停止膜としての窒化膜の研磨速度に対する酸化膜の研磨速度の比として定義される研磨選択比が７以上且つ１１以下に調整されることを特徴とする方法。
（付記１０）
前記研磨選択比は９以上且つ１１以下に調整されることを特徴とする付記９に記載の方法。
（付記１１）
前記研磨選択比の調整はセリアスラリーのｐＨを調整することによって行われることを特徴とする付記９又は１０に記載の方法。
（付記１２）
前記ｐＨは、セリアスラリーにアンモニア水溶液、水酸化カリウム又は水溶性有機アミンを加えることによって調整されることを特徴とする付記１１に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】典型的なＣＭＰ装置を概略的に示す上面図である。
【図２】図１のＣＭＰ装置の１つの研磨テーブル部を示す側面図である。
【図３】図２の研磨テーブル部の目立て装置を拡大して示す側面図である。
【図４】一実施形態に従った半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図５】（ａ）酸化膜、及び（ｂ）窒化膜の研磨速度を測定するためのサンプルを示す断面図である。
【図６】セリアスラリーのｐＨと研磨選択比との関係を示すグラフである。
【図７】他の一実施形態に従った半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図８】ＣＭＰ工程の終点検出を説明するためのグラフである。
【図９】ＳＴＩ上のディッシングと、その測定領域を示す図である。
【図１０】（ａ）２０μｍ、及び（ｂ）４０μｍのＳＴＩ幅に関して得られた、研磨選択比とディッシング量との関係を示すグラフである。
【図１１】窒化膜の膜厚の測定領域を示す図である。
【図１２】研磨選択比と窒化膜の膜減り量との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
２０    半導体装置
２１    半導体基板
２２    酸化膜
２３    窒化膜
２４    トレンチ
２５    酸化層
２６    埋め込み酸化膜
２７    堆積後の表面
２８    ＳＴＩ（素子分離領域）
２９    ＣＭＰ工程後の表面
７９    ＣＭＰ工程の第一ステップ後の表面
１００    研磨装置
１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ    研磨テーブル
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ    研磨ヘッド
２０２    研磨パッド
２０４    ウエハ
２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ    スラリー供給ノズル
２０７    スラリー
【図１】
2010021364.tif 000003
【図２】
2010021364.tif 000004
【図３】
2010021364.tif 000005
【図４】
2010021364.tif 000006
【図５】
2010021364.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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