(57)【要約】【目的】実際の観測誤差に、より追従可能な描画装置を提供することを目的とする。【構成】描画装置１００は、ビームドリフトによる電子ビーム２００の位置誤差を観測し、観測された誤差観測値を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を補正する第１の補正量を算出する観測補正量算出部１２０と、電子ビーム２００の位置誤差と時間との相関関係から得られる予測関数を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を予測し、予測された誤差予測値を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第２の補正量を算出する予測補正量算出部１３０と、第１と第２の補正量を加算して第３の補正量を算出する加算部１３８と、第３の補正量で位置が補正された電子ビーム２００を用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、実際の観測誤差に、より追従することができる。そのため、より高精度なビーム位置に照射することができる。【選択図】図１
2010073909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビームドリフトによる荷電粒子ビームの位置誤差を観測し、観測された誤差観測値を用いて、前記荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第１の補正量を算出する工程と、
前記荷電粒子ビームの位置誤差と時間との相関関係から得られる予測関数を用いて、前記荷電粒子ビームの位置誤差を予測し、予測された誤差予測値を用いて、前記荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第２の補正量を算出する工程と、
前記第１と第２の補正量を加算して第３の補正量を算出する工程と、
前記第３の補正量で位置が補正された前記荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項２】
異なる複数のチップが描画される場合に、異なる前記予測関数が用いられることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項３】
前記第２の補正量は、補正する時刻における誤差予測値と前回の前記誤差観測値の観測時刻での誤差予測値との差分であることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項４】
補正する時刻における前記第１の補正量は、前回の観測時刻での誤差観測値と前回の観測時刻での第１の補正量との差分に前回の観測時刻からの時間割合を乗じた値に、前回の観測時刻での第１の補正量を加算した値であることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
ビームドリフトによる荷電粒子ビームの位置誤差を観測し、観測された誤差観測値を用いて、前記荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第１の補正量を算出する観測補正量算出部と、
前記荷電粒子ビームの位置誤差と時間との相関関係から得られる予測関数を用いて、前記荷電粒子ビームの位置誤差を予測し、予測された誤差予測値を用いて、前記荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第２の補正量を算出する予測補正量算出部と、
前記第１と第２の補正量を加算して第３の補正量を算出する加算部と、
前記第３の補正量で位置が補正された前記荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、電子ビーム描画におけるビームドリフトを補正する方法及びその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、パターン位置とサイズともに、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。近年の微細化においては、ＬＳＩ露光のためにダブルパターニング、ダブルエクスポージャが採用される傾向にあり、マスク上のパターン位置精度の高精度か要求が急激に高くなっている。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図８は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される（例えば、特許文献１参照）。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
ここで、電子ビーム描画装置では、電子光学系対物ユニットの微小な汚染に伴う、チャージアップにより、描画中に電子による電流の注入速度に依存したビーム照射位置のドリフトが起こる。かかるドリフトが、描画位置誤差の大きな要因となる場合がある。ドリフト量がある閾値を超える場合には、大掛かりなユニット交換および洗浄が必要となり、装置の停止時間が長くなってしまう。そのため、従来、描画中に定期的にビーム位置の誤差を測定し、次に測定する時刻までに線形内挿によって前回の誤差分を補正するようにビーム位置を補正していた。例えば、以下の式（１）によって、時刻ｔにおける補正量ｃ（ｔ）を算出していた。
【０００５】
【数１】
2010073909.tif 000003
【０００６】
ここで、時刻ｔについて、ｔｉ＜ｔ≦ｔｉ＋１であり、ｔｉは、ｉ番目の測定時刻、Δｘｉは、ｉ番目の測定時のビーム位置の観測された誤差を示す。また、ｃ（ｔｉ）＝Δｘｉ−１となる。描画開始時刻ｔ０に対し、ｃ（ｔ０）＝０と定める。
以下の説明において、ｃ（ｔ）およびΔｘｉは１次元の量として説明するが、実際のマスク上のビーム照射位置は２次元の量（ｘ，ｙ）であり、ｘとｙとに独立して同様の補正方法を適用するものとして、片方の１次元についてのみ説明する。
【０００７】
しかしながら、かかる手法で時刻ｔにおける補正量ｃ（ｔ）を算出する場合に、測定間隔内で大きく電子ビーム位置の誤差が変化した場合などには良好には対応できず、誤差の残差が大きくなってしまっていた。
【０００８】
図９は、前回の誤差分を補正するようにドリフト補正を行なった場合の観測誤差と補正値と誤差変化との一例を示すグラフである。描画の開始時点を時刻０として表している。図９に示すように、特に、描画開始６０分までは、ドリフト量の変化が大きく、前回の誤差分を線形内挿によって補正しても実際の観測誤差に追従できていないことがわかる。昨今のパターンの微細化に伴い、かかる観測されるようなビーム位置の誤差は、もっと微細化の進んだ世代のＬＳＩマスクにおいては、許容できない値になってきている。
【特許文献１】特開２００７−０４３０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、描画中に定期的にビーム位置の誤差を測定し、次に測定する時刻までに線形内挿によって前回の誤差分を補正するようにビーム位置を補正しても十分に実際の電子線描画装置の対物ユニットチャージアップにより観測されるビーム照射位置誤差に追従できないといった問題があった。そのため、ビーム位置の誤差が将来世代のＬＳＩマスクの製造のための許容限界を超えてしまう場合があり、高精度な描画を行なうことが困難である場合があった。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、実際の観測誤差に、より追従可能な描画方法およびその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
ビームドリフトによる荷電粒子ビームの位置誤差を観測し、観測された誤差観測値を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第１の補正量を算出する工程と、
荷電粒子ビームの位置誤差と時間との経験的な相関関係から得られる予測関数を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を予測し、予測された誤差予測値を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第２の補正量を算出する工程と、
第１と第２の補正量を加算して第３の補正量を算出する工程と、
第３の補正量で位置が補正された荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
誤差予測値を用いた荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第２の補正量を加算することで、従来の補正量に比べてビーム位置の誤差を小さくすることができる。
【００１３】
また、異なる複数のチップが描画される場合に、異なる予測関数が用いられると好適である。
【００１４】
また、第２の補正量は、補正する時刻における誤差予測値と前回の誤差観測値の観測時刻での誤差予測値との差分であると好適である。
【００１５】
また、補正する時刻における第１の補正量は、前回の観測時刻での誤差観測値と前回の観測時刻での第１の補正量との差分に前回の観測時刻からの時間割合を乗じた値に、前回の観測時刻での第１の補正量を加算した値であると好適である。
【００１６】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
ビームドリフトによる荷電粒子ビームの位置誤差を観測し、観測された誤差観測値を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第１の補正量を算出する観測補正量算出部と、
荷電粒子ビームの位置誤差と時間との相関関係から得られる予測関数を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を予測し、予測された誤差予測値を用いて、荷電粒子ビームの位置誤差を補正する第２の補正量を算出する予測補正量算出部と、
第１と第２の補正量を加算して第３の補正量を算出する加算部と、
第３の補正量で位置が補正された荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、実際の荷電粒子ビームの照射位置の観測誤差に、より追従することができる。そのため、より高精度なビーム位置に照射することができる。よって、高精度な描画を行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。対物ユニットのチャージアップによるビーム照射位置のドリフト現象は同様に起こるためである。また、荷電粒子ビーム描画装置の一例として、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置について説明する。
【００１９】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置１００は、試料１０１に所定のパターンを描画する。描画部１５０は、描画室１０３と描画室１０３の上部に配置された電子鏡筒１０２を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８、及び検出器２１２を有している。そして、描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置され、ＸＹステージ１０５上にビーム位置測定用マーク１０が配置される。描画する際には、ＸＹステージ１０５上に描画対象となる試料が配置される。試料として、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。
【００２０】
制御部１６０は、磁気ディスク装置１０９、制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１４０、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプ１４４、及び測定アンプ１４６を有している。制御計算機ユニット１１０内には、観測補正量算出部１２０、予測補正量算出部１３０、メモリ１３６、加算部１３８、及び描画データ処理部１１２が配置される。また、観測補正量算出部１２０は、その内部構成として、誤差観測置取得部１２２、減算部１２４、時間割合算出部１２６、乗算部１２８、及び加算部１２９が配置されている。また、予測補正量算出部１３０は、その内部構成として、誤差予測置算出部１３２、及び減算部１３４が配置されている。
【００２１】
ここで、観測補正量算出部１２０、予測補正量算出部１３０、加算部１３８、及び描画データ処理部１１２といった処理機能は、ソフトウェアによりＣＰＵ等の計算機で実行されるように構成してもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアにより構成してもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、処理を実行する計算機に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１３６に記憶される。
【００２２】
観測補正量算出部１２０の処理機能がソフトウェア或いはファームウェアにより構成される場合、その内部構成である、誤差観測置取得部１２２、減算部１２４、時間割合算出部１２６、乗算部１２８、及び加算部１２９といった処理機能が、ソフトウェア或いはファームウェアにより構成してもよいことは言うまでもない。同様に、予測補正量算出部１３０の処理機能がソフトウェア或いはファームウェアにより構成される場合、その内部構成である、誤差予測置算出部１３２、及び減算部１３４といった処理機能が、ソフトウェア或いはファームウェアにより構成してもよいことは言うまでもない。
【００２３】
磁気ディスク装置１０９、制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１４０、及び測定アンプ１４６は、図示しないバスにより互いに接続されている。偏向制御回路１４０には、ＤＡＣアンプ１４４が接続される。
【００２４】
図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わない。
【００２５】
ここで、描画中に、例えば、対物レンズ２０７等にパーティクルが付着するとパーティクルが帯電し、ビームドリフトを引き起こす。そのため、描画中に定期的にビームドリフトを補正するためにＸＹステージ１０５上のビーム位置測定用マークをスキャンして観測されたマーク位置と描画開始時に測定されたマーク位置との誤差を観測誤差として測定する。
【００２６】
図２は、実施の形態１におけるＸＹステージの上面概念図である。図２において、ＸＹステージ１０５上にはビーム位置測定用マーク１０が配置される。また、ビーム位置測定用マーク１０とは異なるＸＹステージ１０５上の位置に描画対象となる試料１０１が配置される。ビーム位置測定用マーク１０は、地盤とは反射率の異なる材料の部材１２が十字の形に形成されている。そして、ビーム位置測定用マーク１０が偏向器２０８で電子ビーム２００を偏向しなくても照射される位置にＸＹステージ１０５を移動させる。かかる位置において電子ビーム２００でビーム位置測定用マーク１０をｘ方向及びｙ方向にスキャンしてその反射電子２０を検出器２１２が検出する。そして、検出器２１２の出力が測定アンプ１４６に入力され、ビーム位置測定用マーク位置を測定する。
【００２７】
図３は、実施の形態１におけるビームドリフト補正量を算出するためのフローを示す図である。
観測補正量算出工程として、観測補正量算出部１２０は、ビームドリフトによる電子ビーム２００の位置誤差を観測し、観測された誤差観測値を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を補正する観測補正量（第１の補正量）を算出する。補正する時刻ｔにおける観測補正量は、前回の観測時刻ｔｉでの誤差観測値Δｘｉと前回の観測時刻ｔｉでの観測補正量ｃ（ｔｉ）との差分に前回の観測時刻ｔｉからの時間割合を乗じた値に、前回の観測時刻ｔｉでの観測補正量ｃ（ｔｉ）を加算した値となる。具体的には、以下のようにして求める。まず、誤差観測置取得部１２２が測定アンプ１４６から観測時刻ｔｉでの誤差観測値Δｘｉを取得する。そして、その値は、メモリ１１１に格納される。また、前回の観測時刻ｔｉでの観測補正量ｃ（ｔｉ）もメモリ１１１に格納されている。そして、減算部１２４は、前回の観測時刻ｔｉでの誤差観測値Δｘｉと前回の観測時刻ｔｉでの観測補正量ｃ（ｔｉ）との差分を算出する。また、時間割合算出部１２６は、補正する時刻ｔにおける時間割合を算出する。時間割合は、時刻ｔと前回の観測時刻ｔｉとの差分を、次回の測定時刻ｔｉ＋１と前回の観測時刻ｔｉとの差分で割ることで求まる。そして、乗算部１２８が減算部１２４の出力に算出された時間割合を乗じる。そして、加算部１２９は、乗算部１２８の出力にメモリ１１１に格納された前回の観測時刻ｔｉでの観測補正量ｃ（ｔｉ）を加算する。
【００２８】
次に、予測補正量算出工程として、予測補正量算出部１３０は、電子ビーム２００の位置誤差と時間との相関関係から経験的に得られる予測関数を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を予測し、予測された誤差予測値を用いて、電子ビーム２００の位置誤差を補正する予測補正量（第２の補正量）を算出する。予測補正量は、補正する時刻ｔにおける誤差予測値ｐ（ｔ）と前回の誤差観測値Δｘｉの観測時刻ｔｉでの誤差予測値ｐ（ｔｉ）との差分となる。具体的には、以下のようにして求める。誤差予測置算出部１３２が、補正する時刻ｔにおける誤差予測値ｐ（ｔ）を算出する。また、前回の観測時刻ｔｉでの誤差予測値ｐ（ｔｉ）は、メモリ１１１に格納されている。そして、減算部１３４は、誤差予測値ｐ（ｔ）とメモリ１１１に格納されている誤差予測値ｐ（ｔｉ）との差分を算出する。
【００２９】
次に、加算工程として、加算部１３８は、観測補正量と予測補正量を加算して、補正する時刻ｔにおける補正量ｃ（ｔ）（第３の補正量）を算出する。
【００３０】
以上の各工程で行なった演算は、以下の式（２）で表すことができる。
【００３１】
【数２】
2010073909.tif 000004
【００３２】
式（２）における第１項と第２項の和が、観測補正量となる。また、第３項目が予測補正量となる。以上のようにして、得られた補正量ｃ（ｔ）は、偏向制御回路１４０に出力される。
【００３３】
そして、描画工程として、まず、描画データ処理部１１２において、磁気ディスク装置１０９に格納された描画データに対して複数段のデータ処理を行って、描画装置用のフォーマットのデータ（ショットデータ）を生成する。そして、ショットデータは偏向制御回路１４０に出力される。そして、偏向制御回路１４０では、ショットデータが示す描画位置を補正量ｃ（ｔ）で補正した位置になるように偏向器２０８により偏向されるビームの照射位置を補正する。そして、補正された偏向電圧が測定アンプ１４６を介して偏向器２０８に印加される。そして、描画部１５０は、補正量ｃ（ｔ）で位置が補正された電子ビーム２００を用いて、試料１０１にパターンを描画する。試料１０１にパターンを描画する際には、以下のように動作する。
【００３４】
電子銃２０１（放出部）から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形、例えば、正方形或いは長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、第１のアパーチャ２０３の開口を通過させることで電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８によって偏向され、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。
【００３５】
ここで、予測補正量を求めるためには、予測関数を設定する必要がある。予測関数は、電子ビーム２００の位置誤差と時間ｔとの相関関係から得られる。数種のパターンが存在する場合、ビームドリフトは同じパターンでは同じように変化していく。そのため、数種のパターンで描画した場合のビーム位置誤差を一定時間毎に測定する。そして、得られたビーム位置誤差を近似することで得ることができる。
【００３６】
図４は、実施の形態１におけるドリフト補正を行なった場合の観測誤差と補正値と誤差変化と予測関数との一例を示すグラフである。図４では、観測誤差が右下がり変化し、時間を経ることで収束している。そのため、例えば、以下の式（３）で観測誤差を近似する。式（３）および以降の例の説明では、描画開始時点を時刻０（ｔ＝０）とする。
【００３７】
【数３】
2010073909.tif 000005
【００３８】
そして、図４では、かかる近似で得られた式（４）を予測関数として用いる。
【００３９】
【数４】
2010073909.tif 000006
【００４０】
式（４）で示す予測１にかかる予測関数を使って、上述した予測補正量を算出して、補正量ｃ（ｔ）を求めた結果、図４に示すように、補正値を観測誤差に近づけることができる。特に、測定開始６０分までの追従性を高めることができる。また、それ以降でも観測誤差への追従性を高めることができる。予測補正量を加えることで、式（１）で示したような線形内挿によって前回の誤差分を補正するようにビーム位置を補正する場合では困難であった急な変化にも追従可能とすることができる。
【００４１】
予測関数は、式（４）に限るものではない。式（４）は経験的な予測と実際のビーム位置誤差の関係がよく一致した場合である。このように予測が良好に一致しなくても、定性的に同じ傾向の予測を行った場合、例えば、式（４）まで追従させなくても従来よりも観測誤差への追従性を高めることができる場合を説明する。
【００４２】
図５は、実施の形態１におけるドリフト補正を行なった場合の観測誤差と補正値と誤差変化と予測関数との他の一例を示すグラフである。図５では、以下の式（５）を予測関数として用いる。
【００４３】
【数５】
2010073909.tif 000007
【００４４】
式（５）で示す予測２にかかる予測関数を使って、上述した予測補正量を算出して、補正量ｃ（ｔ）を求めた結果、図５に示すように、図４の場合よりは劣るが、従来よりも補正値を観測誤差に近づけることができる。特に、測定開始６０分までの追従性は、従来よりも高めることができる。また、それ以降でも観測誤差への追従性を高めることができる。予測補正量を加えることで、式（１）で示したような線形内挿によって前回の誤差分を補正するようにビーム位置を補正する場合では困難であった急な変化にも追従可能とすることができる。
【００４５】
ここで、電子ビーム描画では、描画開始から数分間はビーム量が少ない。これは、マスクのＩＤパターンチップや周辺のステッパ用マークパターンチップなどをＬＳＩ本体チップの描画前に描画しているため、疎なパターンの描画となり、単位時間当たりに照射するビーム電流量が少ないためにそれに応じて対物ユニットのチャージアップも少なく、位置誤差の変化も小さくなる。そして、ＬＳＩ本体チップの描画領域に入ると単位時間当たりに照射するビーム電流量が増大するため対物ユニットのチャージアップによる位置誤差の変化が大きくなる。このような特殊性のため、図４に示したように、描画開始直後では、観測誤差と補正量にずれが残っていることがわかる。これは、予測関数を一律に適用したことから起こるものである。そこで、さらに改良した予測関数を立てる。
【００４６】
図６は、実施の形態１におけるドリフト補正を行なった場合の観測誤差と補正値と誤差変化と予測関数との他の一例を示すグラフである。図６では、以下の式（６）を予測関数として用いる。
【００４７】
【数６】
2010073909.tif 000008
【００４８】
式（６）では、時間遅延を行なっている。すなわち、一定時間までは、予測補正量を０とするというものである。
【００４９】
そして、図６では、かかる近似で得られた式（７）を予測関数として用いる。
【００５０】
【数７】
2010073909.tif 000009
【００５１】
式（７）で示す予測３にかかる予測関数を使って、上述した予測補正量を算出して、補正量ｃ（ｔ）を求めた結果、図６に示すように、描画開始直後だけは予測補正量を０とすることで、描画開始直後の追従性も高めることができる。式（７）では７分間の時間遅延を行った場合を示している。また、時間遅延後については、もちろん、補正値を観測誤差に近づけることができる。特に、測定開始６０分までの追従性を高めることができる。また、それ以降でも観測誤差への追従性を高めることができる。時間遅延を行った予測補正量を加えることで、式（１）で示したような線形内挿によって前回の誤差分を補正するようにビーム位置を補正する場合では困難であった急な変化にも追従可能とすることができる。さらに、描画開始直後の変化にも追従可能とすることができる。
【００５２】
また、式（７）では、１つの予測関数で対処しているが、これに限るものではない。例えば、以下の式（８−１）及び式（８−２）においてに示すように、（８−１）を０≦ｔ＜７において、（８−２）をｔ≧７において用いるように、時間に応じて予測関数を変更しても好適である。この場合は式（７）と等価となる。
【００５３】
【数８】
2010073909.tif 000010
【００５４】
例えば、描画開始直後から７分間は式（８−１）の予測関数を設定し、それ以降は、式（８−２）の予測関数を設定する。このように予測関数を変更しても図６と同様の結果を得ることができる。
【００５５】
図７は、実施の形態１における各予測関数でドリフト補正を行なった場合の誤差変化を示すグラフである。図７に示すように、いずれの予測関数を用いた場合でも従来に比べて全体の誤差を小さくすることができる。
【００５６】
また、異なる複数のチップが描画される場合に、異なる予測関数が用いられると好適である。これは、上述したように、位置誤差は、チップの種別に応じてその軌跡が変化する。そのため、異なる複数のチップが描画される場合には、チップ毎に予測関数を近似することで、より高精度に補正することができる。
【００５７】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５８】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００５９】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１におけるＸＹステージの上面概念図である。
【図３】実施の形態１におけるビームドリフト補正量を算出するためのフローを示す図である。
【図４】実施の形態１におけるドリフト補正を行なった場合の観測誤差と補正値と誤差変化と予測関数との一例を示すグラフである。
【図５】実施の形態１におけるドリフト補正を行なった場合の観測誤差と補正値と誤差変化と予測関数との他の一例を示すグラフである。
【図６】実施の形態１におけるドリフト補正を行なった場合の観測誤差と補正値と誤差変化と予測関数との他の一例を示すグラフである。
【図７】実施の形態１における各予測関数でドリフト補正を行なった場合の誤差変化を示すグラフである。
【図８】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【図９】前回の誤差分を補正するようにドリフト補正を行なった場合の観測誤差と補正値と誤差変化との一例を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１０  ビーム位置測定用マーク
１２  部材
２０  反射電子
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１０９  磁気ディスク装置
１１０  制御計算機ユニット
１１２  描画データ処理部
１２０  観測補正量算出部
１２２  誤差観測置取得部
１２４  減算部
１２６  時間割合算出部
１２８  乗算部
１２９  加算部
１３０  予測補正量算出部
１３２  誤差予測置算出部
１３４  減算部
１３６  メモリ
１３８  加算部
１４０  偏向制御回路
１４４  ＤＡＣアンプ
１４６  測定アンプ
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２０８  偏向器
２１２  検出器
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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