(57)【要約】      （修正有）【課題】回路基板に実装された電子部品を、成形金型を用いて樹脂封止する場合に、反りやうねりなどの変形が生じた回路基板を成形金型でクランプしても、割れの発生しない電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】電子装置の製造方法は、回路基板１の第１面５でかつ基板周縁領域内に、部品実装領域を取り囲む状態で、仮想平面に平行な基準面２０を有する基準枠１９を形成する工程と、回路基板１の第２面６に、基準枠１９を基準にして、仮想平面に平行な補正面２５を有する面補正層２４を形成する工程と、上金型と下金型からなる成形金型３３に対し、面補正層２４の補正面２５を下金型３５に載せかつ基準枠１９の基準面２０に上金型３４を突き当てた状態で、回路基板１上の電子部品２１，２２を樹脂封止する工程とを有する。【選択図】図７
2010073781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される部品実装領域と当該部品実装領域を取り囲む基板周縁領域とを有する回路基板を用いて、当該回路基板の第１面に、当該第１面よりも基板厚み方向に突出させた状態で、第１の基準面を有する第１の基準部を形成する工程と、
前記回路基板の第２面に、当該第２面よりも基板厚み方向に突出させた状態で、前記第１の基準部を基準に、前記第１の基準面と平行な第２の基準面を有する第２の基準部を形成する工程と、
上金型と下金型からなる成形金型に対して、前記第１の基準部及び前記第２の基準部のうち、一方の基準部の基準面を前記下金型に接触させるとともに、他方の基準部の基準面を前記上金型に接触させた状態で、前記成型金型により前記回路基板をクランプし、前記回路基板に実装されている電子部品を樹脂封止する工程と
を有する電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記回路基板の第１面に前記電子部品を実装する工程を有し、
前記回路基板の第１面でかつ前記基板周縁領域内に、前記部品実装領域を取り囲む状態で、前記第１の基準部を枠形状に形成する
請求項１記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記回路基板の第１面にペースト状の樹脂をスクリーン印刷によって塗布した後、当該樹脂を硬化させることにより、前記第１の基準部を形成する
請求項１又は２記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記回路基板の第１面にペースト状の樹脂をディスペンサのノズルによって塗布した後、当該樹脂を硬化させることにより、前記第１の基準部を形成する
請求項１又は２記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂を硬化させて形成した前記第１の基準部の頂部を平坦化する
請求項４記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記回路基板の第２面にペースト状のシリコーン樹脂を塗布した後、当該シリコーン樹脂を硬化させることにより、前記第２の基準部を形成する
請求項１又は２記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記回路基板の部品実装領域に対応した大きさで前記第２の基準部を層状に形成する
請求項６記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記回路基板として、焼成後のセラミック基板を用いる
請求項１又は２記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法に関する。詳しくは、回路基板を用いた電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置の一つに半導体装置がある。半導体装置は、半導体素子を有する電子装置である。近年では、半導体装置の小型化、多ピン化に伴い、半導体パッケージの外周部に端子を設けるＱＦＰなどから、下面に外部端子を設けるＢＧＡ、ＬＧＡパッケージが多用されるようになってきている。ＱＦＰは、Quad Flat Packageの略称である。ＢＧＡは、Ball Grid Arrayの略称である。ＬＧＡは、Land Grid Arrayの略称である。ＢＧＡ、ＬＧＡパッケージと呼ばれる半導体装置の中には、エポキシ基材、焼成セラミックスなどの多層回路基板を用いて構成されたものがある。この種の半導体装置では、多層回路基板の一方の面に外部端子用の電極を形成し、他方の面に電子部品を実装した構造になっている。
【０００３】
多層回路基板に実装される電子部品としては、集積回路を含む半導体素子などの能動素子や、抵抗、コンデンサなどの受動素子がある。これらの電子部品は、多層回路基板に実装された後、エポキシ樹脂などを用いて樹脂封止される。封止方法としては、量産性、信頼性の面で有利であるなどの理由から、電子部品を実装済みの多層回路基板を成形金型にセットし、高温で溶融させた樹脂を成形金型内に注入する製法が多用されている。
【０００４】
上述のように多層回路基板に実装された電子部品を、成形金型を用いて樹脂封止する場合は、上金型と下金型からなる成形金型を型開きした状態で、電子部品を実装済みの多層回路基板を金型内にセットした後、成形金型を型締めする。その際、多層回路基板に反り、うねり、捩れ、凹凸、厚さの不均一など（以下、「変形」と総称）が生じていると、上金型と下金型で多層回路基板を挟み込むようにクランプしたときに、当該クランプ部分で樹脂漏れが発生する恐れがある。
【０００５】
クランプ部分での樹脂漏れを防止するには、成形金型のクランプ力（型締め力）を高めることが有効である。ただし、クランプ力を高めると、基板自体の変形に起因して、多層回路基板に強い曲げ応力が加わる。このため、多層回路基板に割れなどが生じやすくなる。
【０００６】
そこで、特許文献１には、セラミック基板にそれよりも大判の樹脂シートを貼り付け、この樹脂シートを成形金型でクランプする技術（以下、「第１の従来技術」）が開示されている。また、特許文献１，２には、下金型に緩衝用のシートを敷き込んだ状態で、成形金型によりクランプする技術（以下、「第２の従来技術」）がそれぞれ開示されている。また、特許文献３には、セラミック基板の両面に金属薄膜を形成し、この金属薄膜に上金型と下金型を当接させる技術（以下、「第３の従来技術」）が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１８８２００号公報
【特許文献２】特開２００６−２８６９１３号公報
【特許文献３】特開２００１−１４８３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら上述した従来技術には、次のような欠点がある。即ち、第１の従来技術では、半導体装置の製品エリアとは別に、樹脂シートをクランプするための領域を、セラミック基板の外側に確保する必要がある。また、樹脂シートの取り扱いを容易にするために、金属の枠を樹脂シートに貼り付けるとなると、クランプのための領域のさらに外側に、金属の枠を貼り付けるための領域を確保する必要がある。このため、成形金型のサイズに対して製品エリアが小さくなり、量産性が低下してしまう。また、成形金型内に樹脂を高圧で注入する場合に、セラミック基板と樹脂シートの接着界面に樹脂が侵入して成形不良となる恐れがある。
【０００９】
第２の従来技術では、成形金型を型開きした状態で、下金型にシートを敷き込むことになる。但し、成形金型を型開きしても、空間的に大きく開放する構造にはなっていない。その理由は、成形金型の型開きによって上下の金型間の空間を大きく開放させると、生産性が低下するためである。このため、実際の樹脂封止工程では、狭い空間で下金型にシートを敷き込むことになり、敷き込み作業に困難さが伴う。また、ゴム状弾性を有するシリコーン樹脂等によって緩衝用のシートを構成すると、シートに付着する樹脂バリなどの細かい異物が、シート表面に貼り付いた状態になる。このため、異物の除去作業が面倒なものとなり、生産性が悪化する。
【００１０】
第３の従来技術では、セラミック基板の原料となるグリーンシートを焼成する前に、グリーンシートに金属ペーストを印刷し、その後のグリーンシートの焼成により、セラミック基板に金属薄膜を形成している。このため、焼成によって変形が生じたセラミック基板の両面に金属薄膜が形成された状態となる。したがって、金属薄膜に上金型と下金型を当接させても、成形金型でクランプしたときにセラミック基板に曲げ応力が加わる。このため、セラミック基板の割れ等を有効に防止することはできない。
【００１１】
本発明の目的は、回路基板に大判の樹脂シートを貼り付けたり、下金型に緩衝用シートを敷き込んだりしなくても、基板自体の変形に起因した曲げ応力を回路基板に加えることなく、成形金型で回路基板をクランプすることができる仕組みを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る電子装置の製造方法は、
電子部品が実装される部品実装領域と当該部品実装領域を取り囲む基板周縁領域とを有する回路基板を用いて、当該回路基板の第１面に、当該第１面よりも基板厚み方向に突出させた状態で、第１の基準面を有する第１の基準部を形成する工程と、
前記回路基板の第２面に、当該第２面よりも基板厚み方向に突出させた状態で、前記第１の基準部を基準に、前記第１の基準面と平行な第２の基準面を有する第２の基準部を形成する工程と、
上金型と下金型からなる成形金型に対して、前記第１の基準部及び前記第２の基準部のうち、一方の基準部の基準面を前記下金型に接触させるとともに、他方の基準部の基準面を前記上金型に接触させた状態で、前記成型金型により前記回路基板をクランプし、前記回路基板に実装されている電子部品を樹脂封止する工程と
を有する。
【００１３】
本発明に係る電子装置の製造方法においては、回路基板の第１面に形成された第１の基準部と、回路基板の第２面に形成された第２の基準部とが、基板自体の変形に関係なく、互いに平行な基準面を有するものとなる。したがって、成形金型を用いた電子部品の樹脂封止に際して、各々の基準部の基準面をそれぞれ上金型と下金型に接触させた状態で、成形金型により回路基板をクランプした場合に、回路基板の変形に起因した曲げ応力が、回路基板に加わらなくなる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、回路基板に大判の樹脂シートを貼り付けたり、下金型に緩衝用シートを敷き込んだりしなくても、基板自体の変形に起因した曲げ応力を回路基板に加えることなく、成形金型で回路基板をクランプすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明の技術的範囲は以下に記述する実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００１６】
発明を実施するための最良の形態に係る説明は以下の順序で行なう。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．変形例
【００１７】
＜１．第１の実施の形態＞
まず、本発明の第１の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明する。ここでは、電子装置の製造方法で使用する回路基板の構成を説明した後に、当該電子装置の製造方法を大きく５つの工程に分けて説明する。
説明の順序は以下のとおりである。
回路基板の構成
基準枠形成工程
電子部品実装工程
面補正層形成工程
樹脂封止工程
後工程
【００１８】
[回路基板の構成]
図１は本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法で使用する回路基板の構成例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。回路基板１は、電子回路の一部を構成する回路パターンや導通孔を有するものである。回路基板１としては、例えば、セラミック基板からなる多層回路基板を用いる。セラミック基板は、原料となるグリーンシートを焼成することにより一体化されるが、ここでは焼成後のセラミック基板を回路基板１として用いることとする。
【００１９】
回路基板１は、四つの角が面取りされた状態の長方形に形成されている。回路基板１は、平面的に見て、部品実装領域２と基板周縁領域３に区分されている。図１においては、部品実装領域２と基板周縁領域３の境界を破線で示している。部品実装領域２は、後述する実装部品を実装するために区画された、回路基板１よりも一回り小さい長方形の領域である。基板周縁領域３は、部品実装領域２を取り囲むように、回路基板１の外周部に枠形状に区画された領域である。回路基板１は、一方の面を、部品実装用の第１面５とし、その反対側（裏側）となる他方の面を、外部接続用の第２面６としている。
【００２０】
回路基板１の第１面５には、電子部品の実装位置に合わせて、例えば銅などの高い導電性を有する金属製の導体パターン７が形成されている。導体パターン７の形状や配置、大きさは、回路基板１に実装される電子部品の形状や大きさなどによって変わる。回路基板１の第１面５の部品実装領域２は、平面的に見て、４つの領域２Ａ〜２Ｄに区分されている。各々の領域２Ａ〜２Ｄには、同一の形状で導体パターン７が形成されている。個々の領域２Ａ〜２Ｄは、それぞれ１個の電子装置（パッケージ）の製品に対応して区画されている。このため、１枚の回路基板１には４個の製品が縦横に並んだ形態で作り込まれる。但し、基板１枚あたりの製品の取り個数を４個としたのは、あくまで説明の便宜上であって、実際にはそれよりも多い個数の製品が１枚の回路基板に作り込まれる。例えば、実際の製造工程では、生産性を高めるために、１枚の回路基板に数十個から百個程度の製品が縦横に並んだ形態で作り込まれる。
【００２１】
回路基板１の第２面６には、外部接続電極８が形成されている。外部接続電極８は、例えば銅などの高い導電性を有する金属製の電極パッドによって形成されるものである。外部接続電極８は、例えば、製造の対象となる電子装置のパッケージ形態がＬＧＡパッケージであれば、そのまま外部接続用の電極端子として用いられる。また、製造の対象となる電子装置のパッケージ形態がＢＧＡパッケージであれば、外部接続用の端子となる金属製のボール（例えば、はんだボール）が外部接続電極８に取り付けられる。
【００２２】
[基準枠形成工程]
上記構成からなる回路基板１を用意したら、図２に示すように、第１面５を上向きにして回路基板１を基板支持具１１にセットする。基板支持具１１は、回路基板１よりも一回り大きい長方形の支持板１２と、当該支持板１２と同じ外形寸法を有する支持枠１３と、ゴム状弾性を有する基板受けシート１４とを用いて構成されている。支持枠１３は、回路基板１の外形に沿う長方形の開口部を有している。支持枠１３は、支持板１２の上面に、例えば接着剤を用いて貼り付けられている。但し、支持板１２と支持枠１３は、別体構造である必要はなく、一体構造であってもよい。基板受けシート１４は、支持枠１３の内側で、支持板１２の上面に載置されている。基板受けシート１４は、支持板１２の上面に接着剤等を用いて貼り付けられていてもよい。基板受けシート１４の厚み寸法は、支持枠１３の厚み寸法よりも小となっている。このため、基板受けシート１４の上面は、支持枠１３の上面よりも凹んだ状態で配置されている。
【００２３】
回路基板１は、支持枠１３の開口部に嵌り込んだ状態で、基板受けシート１４の上に載せられる。このとき、回路基板１の第１面５は、支持枠１３の上面と面一か、それよりも僅かに凹んだ位置に配置される。こうして基板支持具１１に回路基板１をセットしたら、回路基板１の第１面５を覆う状態でスクリーンマスク１５を基板支持具１１に被せる。スクリーンマスク１５には、メッシュ構造をなす細帯状の開口１６が形成されている。開口１６は、長方形の連続した枠形状に形成されている。スクリーンマスク１５の開口１６は、回路基板１の基板周縁領域３に対向する状態で配置される。
【００２４】
このようにスクリーンマスク１５を回路基板１に被せた状態で、ペースト状の樹脂１７をスキージ１８の水平移動により、開口１６を通して回路基板１の第１面５に塗布する。つまり、回路基板１の第１面５にペースト状の樹脂１７をスクリーン印刷によって塗布する。これにより、スクリーンマスク１５の開口１６の形状に沿って回路基板１の第１面５に樹脂１７が平面視枠形状（ロの字形）に塗布される。このとき、回路基板１の第１面５に塗布された樹脂１７の上面は、レベリング効果によって仮想平面と平行な面となる。ここで記述する「レベリング効果」とは、塗布材料の塗りむらが材料自体のチクソ性により解消され、塗布面が自然に平滑かつ均一に仕上げられる現象をいう。また、「仮想平面」とは、回路基板１の基板面（５，６）に沿う理想平面をいう。このため、回路基板１に反りやうねりなどの変形が生じていると、回路基板１の基板面は、仮想平面に対して板厚方向に凹凸をもつことになる。樹脂１７としては、好ましくは、チクソ比が１．５以下と低い樹脂１７を使用することにより、塗布後のレベリング効果が顕著になる。樹脂１７を塗布した後は、当該樹脂１７を、例えば、熱処理（加熱）によって硬化させる。その場合は、ペースト状の樹脂１７として、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂を用いる。
【００２５】
このようにペースト状の樹脂１７を塗布して、これを硬化させることにより、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路基板１の第１面５に硬化樹脂によって基準枠１９が形成される。基準枠１９は、樹脂１７の塗布厚に対応して、回路基板１の第１面５よりも基板厚み方向に突出した状態で形成される。基準枠１９は、「第１の基準部」として回路基板１の第１面５に形成されるものである。この場合、ペースト状の樹脂１７を塗布したときに、上述したレベリング効果が発揮されると、基準枠１９の上面に相当する基準面２０が、回路基板１の変形（反り、うねりなど）の影響を受けずに、仮想平面と平行な平滑面に仕上げられる。したがって、上記図２に示すように、基板支持具１１を用いて回路基板１を水平に支持した場合は、基準枠１９の基準面２０が水平面と平行な状態に形成される。基準枠１９の基準面２０は、「第１の基準面」に相当するものである。
【００２６】
基準枠１９は、回路基板１の基板周縁領域３内に、部品実装領域２を取り囲む状態で、連続した枠形状に形成される。基準枠１９の高さ（樹脂の塗布厚）寸法に関しては、回路基板１に許容される基板厚み方向の最大の変形量（以下、「最大許容変形量」）をΔＴとすると、次のような条件で設定される。即ち、基準枠１９の高さ寸法は、電子部品実装工程でのペーストはんだ印刷の容易性や高さ精度の点からして、ΔＴ＋３０μｍ以上、ΔＴ＋５０μｍ以下の条件で設定することが望ましい。一般に、電子装置の製造に使用される回路基板の最大許容変形量は５０μｍ程度で管理される。
【００２７】
[電子部品実装工程]
基準枠１９を形成済みの回路基板１を用いて、当該回路基板１の第１面５でかつ部品実装領域２内に電子部品を実装する。電子部品の実装には、表面実装に適したチップ状の電子部品（表面実装部品）を取り扱う部品実装装置を用いることができる。製造の対象となる電子装置が半導体装置であれば、回路基板１への実装対象となる電子部品の中に、少なくともＩＣ、トランジスタ、ダイオードなどの半導体素子を含むことになる。半導体素子以外の電子部品としては、例えば、抵抗、コンデンサ、コイル等の受動部品を実装対象とすることができる。
【００２８】
図４は電子部品を実装済みの回路基板１の状態を示す側面図である。図４においては、回路基板１の第１面５で、部品実装領域２を４分割した各領域２Ａ〜２Ｄ（図３参照）に、それぞれ１個の半導体素子２１と、複数個の角形のチップ部品２２を実装した例を示している。半導体素子２１は、能動部品となる。半導体素子２１は、例えば銀ペースト等の導電性ペーストを用いて、回路基板１の導体パターン７（図１参照）に電気的かつ機械的に接続されている。また、半導体素子２１の電極は、ワイヤボンディングによって回路基板１の導体パターン７に電気的に接続されている。チップ部品２２は、例えば、抵抗、コンデンサなどの受動部品となる。チップ部品２２は、ペーストはんだを塗布した導体パターン７の上に仮付けされた後、はんだリフローによって回路基板１の導体パターン７に電気的かつ機械的に接続されている。
【００２９】
[面補正層形成工程]
電子部品を実装済みの回路基板１を用いて、図５に示すように、回路基板１の第２面６に面補正層２４を形成する。面補正層２４は、「第２の基準部」として回路基板１の第２面６に形成されるものである。ここでは、上記基準枠１９を基準にして面補正層２４を形成する。このため、面補正層２４の上面に相当する補正面２５は、上記仮想平面に平行な状態で形成される。面補正層２４の補正面２５は、「第２の基準面」に相当するものである。
【００３０】
ここで、回路基板１に面補正層２４を形成するための具体的な方法について説明する。まず、図６に示すように、電子部品（２１，２２）が実装されている第１面５を下向きにした状態で、回路基板１を基板支持具２６にセットする。基板支持具２６は、開口寸法が異なる２枚の支持枠２７，２８を用いて構成されている。下側の支持枠２７の開口寸法は、上側の支持枠２８の開口寸法よりも小となっている。さらに詳述すると、支持枠２７の開口寸法は、回路基板１の部品実装領域２の大きさとほぼ同じ寸法になっており、支持枠２８の開口寸法は、回路基板１の外形寸法と同じか、それよりも僅かに大きい寸法になっている。２枚の支持枠２７，２８は、例えば接着剤を用いて貼り付けられている。但し、支持枠２７，２８は、別体構造である必要はなく、一体構造であってもよい。
【００３１】
回路基板１は、支持枠２８の開口部に嵌り込んだ状態で、支持枠２７の上面（段付きの部分）に載せられる。このとき、回路基板１の第１面５に形成されている基準枠１９の基準面２０が、支持枠２７の上面に接触した状態となる。また、回路基板１の第１面５に実装されている電子部品（２１，２２）は、支持枠２７の開口部内に配置される。こうして基板支持具２６に回路基板１をセットしたら、回路基板１の第２面６を露出させた状態でスクリーンマスク２９を基板支持具２６の上に被せる。スクリーンマスク２９には、メッシュ構造又は単なる貫通孔構造をなす長方形の開口３０が形成されている。回路基板１の第２面６は、この開口３０を介して外部に露出した状態となる。開口３０の寸法は、回路基板１の基準枠１９の大きさに対応して設定されている。具体的には、開口３０の寸法が、基準枠１９の内寸よりも大で、かつ回路基板１の外形寸法よりも小となっている。上記図６においては、好ましい例として、開口３０の寸法が基準枠１９の外形寸法と同じ大きさになっている。
【００３２】
このようにスクリーンマスク２９を回路基板１に被せた状態で、ペースト状の樹脂３１をスキージ３２の移動により、開口３０を通して回路基板１の第２面６に塗布する。つまり、回路基板１の第２面６にペースト状の樹脂３１をスクリーン印刷によって面状に塗布する。これにより、スクリーンマスク２９の開口３０の形状及び大きさにあわせて回路基板１の第２面６に樹脂３１が平面視長方形に塗布される。こうして樹脂３１を塗布した後は、当該樹脂３１を、熱処理（加熱）又は光照射（例えば、紫外線照射）などによって硬化させる。樹脂３１を熱処理で硬化させる場合は、ペースト状の樹脂３１として熱硬化型の樹脂を用い、樹脂３１を光照射によって硬化させる場合は、ペースト状の樹脂３１として光硬化型の樹脂を用いる。また、ペースト状の樹脂３１としては、後工程で回路基板１から面補正層２４を剥離することから、剥離性の良好な樹脂、例えば、シリコーン樹脂を用いることが望ましい。
【００３３】
このようにペースト状の樹脂３１を塗布して、これを硬化させることにより、上記図５に示すように、回路基板１の第２面６に硬化樹脂によって面補正層２４が形成される。面補正層２４は、樹脂３１の塗布厚に対応して、回路基板１の第２面６よりも基板厚み方向に突出した状態で形成される。また、面補正層２４は、基準枠１９に対応した大きさで、基準枠１９の外形寸法とほぼ同じ大きさの層状に形成される。この場合、基板支持具２６は、回路基板１の第１面５に形成されている基準枠１９の基準面２０を、支持枠２７の上面で受けて、回路基板１を水平に支持する。このため、面補正層２４の補正面２５は、基準枠１９を基準にして、上記仮想平面と平行な状態で形成される。補正面２５は、回路基板１に反りやうねりなどの変形が生じていても、それらを寸法的に吸収するかたちで、平坦に形成される。このため、回路基板１の第１面５と第２面６には、それぞれ基準枠１９と面補正層２４の存在により、互いに平行な面（基準面２０、補正面２５）が設けられた状態となる。
【００３４】
面補正層２４の厚み寸法に関しては、前述したとおり回路基板１の最大許容変形量をΔＴと定義すると、次のような条件で設定される。即ち、面補正層２４の厚み寸法は、後工程で回路基板１から面補正層２４を剥離する際の容易性や厚み精度の点からして、ΔＴ＋３０μｍ以上、ΔＴ＋２００μｍ以下の条件で設定することが望ましい。
【００３５】
[樹脂封止工程]
面補正層２４を形成済みの回路基板１を用いて、電子部品（２１，２２）を樹脂封止する。樹脂封止には、図７に示すような成形金型３３を使用する。成形金型３３は、上金型３４と下金型３５とによって構成されている。上金型３４には、樹脂封止のためのキャビティとなる凹部３６が形成されている。下金型３５には、回路基板１を収容するための凹部３７が形成されている。上金型３４の凹部３６と下金型３５の凹部３７は、成形金型３３を型締めしたときに、一つの閉じられた空間を形成する。
【００３６】
上記構成からなる成形金型３３に基板支持具１１をセットする場合は、上金型３４と下金型３５を型開きにより離間させた状態で、下金型３５の凹部３７に、第１面５を上向きにして回路基板１を収容する。このとき、回路基板１を下金型３５に載せると、面補正層２４の補正面２５が下金型３５の凹部３７底面に接触した状態となる。この状態で成形金型３３により回路基板１をクランプすべく、成形金型３３を型締めすると、上金型３４の下面が基準枠１９の基準面２０に突き当たる。換言すると、基準枠１９は、樹脂封止工程で上金型３４が接触する位置に合わせて回路基板１に形成されている。また、回路基板１やこれに実装された実装部品（２１，２２）は、上述のように上金型３４の凹部３６と下金型３５の凹部３７が形成する空間内に配置される。
【００３７】
このように成形金型３３で回路基板１をクランプしたら、成形金型３３に設けられた樹脂導入路（不図示）を通して封止用の樹脂をキャビティ内に注入し、充填する。封止用の樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いる。封止用の樹脂を注入するにあたって、成形金型３３は、予め設定された圧力で型締めされた状態に維持される。また、成形金型３３のキャビティに注入、充填された樹脂には、予め設定された注入圧力が加えられる。その後、成形金型３３内で封止用の樹脂が硬化した段階で、成形金型３３を型開きし、回路基板１を取り出す。成形金型３３から取り出された回路基板１には、図８に示すように、封止用の樹脂によって封止体３８が形成され、当該封止体３８の中に電子部品（２１，２２）が埋め込まれた状態となる。
【００３８】
[後工程]
樹脂封止後は、回路基板１の第２面６から面補正層２４を剥離する。その際、シリコーン樹脂を用いて面補正層２４を形成しておけば、回路基板１から面補正層２４を剥離する作業が容易になる。その後、ダイシング装置等を用いて、回路基板１から４つの電子装置（本形態例では半導体装置）を個片に切り出す。その際、回路基板１の基板周縁領域３で、ダイシングの切断ラインを、基準枠１９よりも内側に設定する。このため、回路基板１から切り出される個々の電子装置には、基準枠１９が残らない。
【００３９】
本発明の第１の実施の形態に係る電子装置の製造方法においては、次のような効果が得られる。即ち、樹脂封止工程に先立って、回路基板１の第１面５に形成された基準枠１９と、回路基板１の第２面６に形成された面補正層２４とが、基板自体の変形に関係なく、互いに平行な基準面（基準面２０、補正面２５）を有するものとなる。このため、成形金型３３で回路基板１をクランプしたときに、回路基板１の変形に起因した曲げ応力が、回路基板１に加わらなくなる。したがって、硬くて脆い性質のセラミック基板を用いて回路基板１を構成しても、型締めによるクランプによって回路基板１に割れ等が生じることが皆無となる。また、回路基板１は、平行出しされた基準枠１９と面補正層２４を用いてクランプされるため、基板面を直接クランプする場合に比較して、高いクランプ圧力と高い樹脂注入圧力に耐えられるようになる。このため、成形金型３３で回路基板１を確実に固定することができる。また、回路基板１の第１面５において、実装部品（２１，２２）下などの狭い隙間にも樹脂を確実に注入し充填させることができる。さらに、樹脂注入圧力を上げられることで、ボイドの発生を防止し、樹脂成形の寸法精度も向上させることができる。
【００４０】
また、成形金型３３をクランプしたときに、上金型３４の下面が基準枠１９の基準面２０に隙間なく接触（密着）した状態となる。このため、回路基板１の第１面５でかつ基板周縁領域３内に、部品実装領域２を取り囲む状態で基準枠１９を枠形状に形成することにより、樹脂注入時にクランプ部分からの樹脂漏れを確実に防止することができる。
【００４１】
また、樹脂封止工程において、封止用の樹脂に注入圧力を加えると、回路基板１は注入圧力を受けて下向きに押圧されるが、上述のように回路基板１の面補正層２４を層状に形成しておけば、面補正層２４と下金型３５が面的に広く接触した状態となる。このため、樹脂注入圧力を加えたときに、回路基板１の変形や位置ずれを有効に防止することができる。さらに、面補正層２４の厚み寸法は、回路基板１の最大許容変形量を吸収し得る程度の薄さになっている。このため、成形金型３３内で回路基板１が樹脂の注入圧力を受けても、面補正層２４の弾性変形による回路基板１の変位量は極微量なものとなる。したがって、注入した樹脂を硬化させた後の内部ストレスが少なくなる。よって、熱ストレスによる剥離などを抑えた信頼性の高い成型品が得られる。
【００４２】
＜２．第２の実施の形態＞
続いて、本発明の第２の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明する。本発明の第２の実施の形態に係る電子装置の製造方法は、上記第１の実施の形態と比較して、基準枠形成工程が異なる。以下に、基準枠形成工程の具体的な内容について説明する。
【００４３】
[基準枠形成工程]
まず、図９に示すように、第１面５を上向きにして回路基板１を基板支持具４１にセットする。基板支持具４１は、回路基板１よりも一回り大きい長方形の支持板４２と、当該支持板４２と同じ外形寸法を有する支持枠４３と、ゴム状弾性を有する基板受けシート４４とを用いて構成されている。支持枠４３は、回路基板１の外形に沿う長方形の開口部を有している。支持枠４３は、支持板４２の上面に、例えば接着剤を用いて貼り付けられている。但し、支持板４２と支持枠４３は、別体構造である必要はなく、一体構造であってもよい。基板受けシート４４は、支持枠４３の内側で、支持板４２の上面に載置されている。基板受けシート４４は、支持板１２の上面に接着剤等を用いて貼り付けられていてもよい。基板受けシート４４の厚み寸法は、支持枠４３の厚み寸法よりも小となっている。このため、基板受けシート４４の上面は、支持枠４３の上面よりも凹んだ状態で配置されている。
【００４４】
回路基板１は、支持枠４３の開口部に嵌り込んだ状態で、基板受けシート４４の上に載せられる。このとき、回路基板１の第１面６は、支持枠４３の上面と面一か、それよりも僅かに凹んだ位置に配置される。こうして基板支持具４１に回路基板１をセットしたら、回路基板１の基板周縁領域３と対向する位置にディスペンサのノズル４５を配置する。次に、ノズル４５からペースト状の樹脂４６を吐出させながら、ノズル４５を基板周縁領域３に沿って移動させることにより、回路基板１の第１面５にペースト状の樹脂４６を枠形状に塗布する。この場合、ペースト状の樹脂４６としては、ノズル４５から回路基板１へと塗布されたときに、その塗布形状（盛り上がった半円形の断面形状）を維持し得る程度のチクソ性を有する樹脂を用いる。
【００４５】
こうしてペースト状の樹脂４６を塗布した後は、当該樹脂４６を、例えば、熱処理（加熱）によって硬化させる。これにより、上記図３に示したように、回路基板１の第１面５に硬化樹脂によって基準枠１９が形成される。この場合は、樹脂４６を吐出するノズル４５と被塗布体となる回路基板１との間に、垂直方向（鉛直方向）で十分な離間距離が確保される。このため、被塗布体となる回路基板１の平面性や寸法精度の影響を受けずに、回路基板１に樹脂４６を塗布することができる。但し、ノズル４５は一定量ずつ樹脂４６を吐出するため、このノズル４５を用いて塗布される樹脂４６の厚み寸法も一定となる。このため、回路基板１に反りやうねりなどの変形が生じていた場合は、その影響が基準枠１９の上面に現れる。したがって、断面半円形をなす基準枠１９の頂部は、上記仮想平面に対して凹凸をもつことになる。
【００４６】
そこで、樹脂４６の硬化によって得られる基準枠１９の頂部を、例えば、図１０に示すように、回転式の研削砥石４７を用いて、平坦化する。このとき、回路基板１は、例えば上記基板支持具４１を用いて、水平に支持される。また、研削砥石４７は、当該研削砥石４７の下面を水平に配置した状態で、予め設定された回転速度で回転させる。研削砥石４７による基準枠１９の研削量は、基準枠１９の全周にわたって、基準枠１９の上面を研削するように、少なくとも回路基板１の最大許容変形量を超える量に設定する。また、基準枠１９の全周を連続的に研削するように、回路基板１及び研削砥石４７のうちの少なくとも一方を、水平に移動させる。但し、回路基板１の外形寸法に対して研削砥石４７の砥石面が十分に大きい場合は、両者を相対的に水平移動させなくても、基準枠１９を全周にわたって研削することは可能である。以降の工程に関しては、上記第１の実施の形態と同様である。
【００４７】
本発明の第２の実施の形態に係る電子装置の製造方法においては、上記第１の実施の形態と比較して、特に、基準枠形成工程に関して、次のような効果が得られる。即ち、基準枠形成工程においては、ペースト状の樹脂４６をノズル４５によって回路基板１に塗布し、これを硬化させることで、基準枠１９を形成した後、基準枠（樹脂４６）１９の頂部を平坦化している。このため、回路基板１の変形（反り、うねりなど）の影響を受けずに、基準枠１９の基準面２０を仮想平面と平行な状態に仕上げることができる。
【００４８】
＜３．変形例＞
次に、本発明の変形例について、以下の順序で説明する。
第１変形例
第２変形例
第３変形例
第４変形例
【００４９】
[第１変形例]
上記実施の形態においては、回路基板１に基準枠１９を形成するにあたって、当該基準枠１９を樹脂材料で形成したが、これ以外にも、例えば、はんだ材料で基準枠１９を形成することも可能である。はんだ材料で基準枠１９を形成する場合は、回路基板１の第１面５において、予め基準枠１９を形成する位置に、はんだ材料との接合性（はんだの濡れ性）が良好な金属のパターン、好ましくは、アルミニウムのパターンを形成しておく。そして、このパターンに沿って、ペースト状のはんだ材料を回路基板１の第１面５にスクリーン印刷等によって枠形状に塗布した後、リフローによってはんだ材料を溶融し、最終的に硬化させる。基準枠１９の形成に使用するはんだ材料は、チップ部品２２の実装時に再溶融しないよう、チップ部品２２の実装に用いられるはんだ材料よりも融点の高いものを用いるとよい。
【００５０】
[第２変形例]
上記実施の形態においては、回路基板１から剥離によって面補正層２４を取り除くものとしたが、これ以外にも、例えば、面補正層２４を溶剤で溶かして取り除いてもよい。また、回路基板１をダイシング装置等で個片に分割した後に、面補正層２４を取り除いてもよい。但し、面補正層２４を残したままで回路基板１をダイシング装置等で切断すると、基板切断時に樹脂カスが発生し、この樹脂カスが電子装置に異物として付着することが懸念される。このため、回路基板１から面補正層２４を取り除いてから、回路基板１を切断する方が好ましい。
【００５１】
[第３変形例]
上記実施の形態においては、基準枠形成工程を行なった後に電子部品実装工程を行ない、その後で面補正層形成工程を行なうものとしたが、これに限らず、例えば、面補正層形成工程の後に電子部品実装工程を行なうことも可能である。また、第２の実施の形態においては、基準枠形成工程の前に、電子部品実装工程を行なうことも可能である。
【００５２】
[第４変形例]
上記実施の形態においては、回路基板１としてセラミック基板を用いているが、これに限らず、例えば、エポキシ基材などからなる有機基板を回路基板１に用いてもよい。但し、セラミック基板は、有機基板などに比較して、基板作製段階（焼成段階）で変形が生じやすく、しかも硬くて脆い性質を有するため、本発明を適用する技術的な意義がより大きなものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】電子装置の製造方法で使用する回路基板の構成例を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る基準枠形成工程を説明する図（その１）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る基準枠形成工程を説明する図（その２）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品実装工程を説明する図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る面補正層形成工程を説明する図（その１）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る面補正層形成工程を説明する図（その２）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止工程を説明する図（その１）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止工程を説明する図（その２）である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る基準枠形成工程を説明する図（その１）である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る基準枠形成工程を説明する図（その２）である。
【符号の説明】
【００５４】
１…回路基板、２…部品実装領域、３…基板周縁領域、５…第１面、６…第２面、１７…樹脂、１９…基準枠、２０…基準面、２１…半導体素子、２２…チップ部品、２４…面補正層、２５…補正面、３１…樹脂、３３…成形金型、３４…上金型、３５…下金型、４５…ノズル、４６…樹脂、４７…研削砥石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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