(57)【要約】【課題】貫通孔の壁面にスルーホール導体を確実に形成することができるセラミック部品の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、セラミック基体部と導体部とを備えるセラミック部品の製造方法に関する。導体充填工程では、焼結後にセラミック基体部となるべき未焼結セラミック成形体４２，４３においてその厚さ方向に貫通して形成された第１貫通孔４７内に、焼結後に導体部となるべき未焼結導体４９を充填する。レーザ加工工程では、レーザ照射により未焼結導体４９の中心部を除去して第２貫通孔４８を形成する。未焼結セラミック成形体４１，４２，４３を積層一体化した後に焼成工程を行い、未焼結セラミック成形体４１，４２，４３及び未焼結導体４９を同時に焼結させて第１貫通孔４７内にスルーホール導体を形成する。その結果、セラミック部品を製造することができる。【選択図】図９
2010073712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体部と導体部とを備えるセラミック部品の製造方法であって、
焼結後に前記セラミック基体部となるべき未焼結セラミック成形体においてその厚さ方向に貫通して形成された第１貫通孔内に、焼結後に前記導体部となるべき未焼結導体を充填する導体充填工程と、
レーザ照射により前記未焼結導体の一部を除去して第２貫通孔を形成するレーザ加工工程と、
前記レーザ加工工程の後、前記未焼結セラミック成形体を焼結させて前記セラミック基体部を形成し、かつ、前記未焼結導体を焼結させて前記導体部としてのスルーホール導体を形成する焼成工程と
を含むことを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【請求項２】
前記レーザ加工工程において、前記レーザ照射により前記未焼結導体の中心部を貫通するように除去して、前記第１貫通孔よりも小径の第２貫通孔を形成することを特徴とする請求項１に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ加工工程において、直径が１００μｍ以下となるように前記第１貫通孔を形成することを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項４】
前記焼成工程の後、前記セラミック基体部を前記スルーホール導体のある位置において切断することにより、前記セラミック基体部の側面にて露出する端面スルーホール導体を形成する切断工程を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項５】
前記未焼結セラミック成形体はセラミックグリーンシートであり、
前記レーザ加工工程を経た複数の前記セラミックグリーンシートを積層一体化して積層品を作製する積層工程を行った後、前記焼成工程を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項６】
前記未焼結セラミック成形体はセラミックグリーンシートであり、
前記導体充填工程を経た複数の前記セラミックグリーンシートを積層一体化して積層品を作製する積層工程を行った後、前記レーザ加工工程を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項７】
前記セラミック部品は、素子を搭載可能な領域をキャビティ内に有するセラミックパッケージであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のセラミック部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基体部と導体部とを備えるセラミック部品を製造する方法に係り、特には貫通孔の壁面に導体部としてのスルーホール導体を形成する方法に特徴を有するセラミック部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や、水晶振動子、水晶発振器、圧電振動子、表面弾性波フィルタなどの電子部品素子を収容するための小型のセラミックパッケージが各種提案されている。この種のセラミックパッケージは、電子部品素子を収納するためのキャビティを有し、そのキャビティの一部（例えば、底面）に、電子部品素子と接続するための端子が設けられている。このセラミックパッケージにおいて、複数のセラミック焼結層を積層することでキャビティが形成される。すなわち、貫通孔が形成された上層側のセラミック焼結層と貫通孔が形成されていない下層側のセラミック焼結層とを積層することにより、キャビティが形成される。また、セラミックパッケージには、外部基板に接続するためのパッド部、ビア導体、端面スルーホール導体（キャスタレーション）、内層導体パターンなどの導体部も形成されている。
【０００３】
ここで、従来のセラミックパッケージの製造方法を例示する。
【０００４】
具体的には、まず、アルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを作製する。そしてこのスラリーを従来周知の手法によりシート状に成形して、セラミックグリーンシートを作製する。そして、セラミックグリーンシートに対して従来周知のパンチング（打ち抜き）加工を施すことによって、スルーホール導体用の貫通孔やビア導体用の貫通孔等を形成する。
【０００５】
次に、従来周知のペースト印刷装置を用いて、タングステン等を主成分とする導体ペーストをビア導体用貫通孔に充填する。また、壁面印刷（キャスタレーション印刷）を行って、スルーホール導体用の貫通孔の内周面に導体ペーストを付着させる。さらに、スクリーン印刷法に従って、セラミックグリーンシートの表面に導体ペーストを塗布する。なおここでは、形成すべき回路配線に応じた所定パターンのマスクを用い、導体ペーストを所定パターン状に印刷形成する。そして、セラミックグリーンシートに対して従来周知のパンチング（打ち抜き）加工を施すことによって、キャビティ用の貫通孔を形成する。
【０００６】
その後、複数のセラミックグリーンシートを積層し、従来周知のラミネート装置を用いて厚さ方向に所定の荷重を加えることにより、これらを圧着、一体化してセラミックグリーンシート積層体を形成する。
【０００７】
その後、この積層体をアルミナが焼結しうる所定の温度に加熱する焼成工程を行う。この焼成を経ると、各セラミックグリーンシート及び導体ペーストが焼結して、セラミックパッケージが得られる。なお、ここで得られるパッケージは、製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用のセラミックパッケージである。そして、分割工程を行い多数個取り用のセラミックパッケージを分割することにより、複数のセラミックパッケージが同時に得られる。またこの分割工程において、スルーホール導体のある位置においてセラミックパッケージを分割することにより、パッケージ側面にて露出する端面スルーホール導体が形成される。
【０００８】
なお、セラミックグリーンシートを積層して焼成することによりスルーホール導体や内層導体パターンを形成した積層型電子部品が特許文献１等に開示されている。
【特許文献１】特開昭６３−１３６６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、上述した従来の製造方法では、図１８に示されるように、セラミックグリーンシート６１の貫通孔６２に導体ペースト６３を壁面印刷する際に、グリーンシート６１の表面６４及び裏面６５における貫通孔６２の周縁に導体ペースト６３が回り込んで付着してしまう。そして、図１９に示されるように、セラミックグリーンシート６１の積層工程では、回り込んだ導体ペースト６３が重なるため、積層間に過剰な導体ペースト６３ａが介在することとなりその周辺は隙間が形成され易くなる。この結果、セラミックパッケージにおけるデラミネーションの発生確率が高まってしまう。
【００１０】
また、壁面印刷を行う場合、貫通孔６２の壁面中央部では導体ペースト６３が厚くなり、貫通孔６２の端部（表裏のグリーンシートエッジ部）では導体ペースト６３が非常に薄くなる傾向がある。このため、各シート６１の境界面において、導体ペースト６３間に鋭角な隙間６６が発生し、めっき液が還流しなくなりめっきが析出しにくくなる。さらに、貫通孔６２のサイズが小さくなると、貫通孔６２に導体ペースト６３が詰まり、壁面に導体ペースト６３を均一に印刷することができなくなる。この場合、貫通孔６２の壁面に形成される導体部の厚さがばらつくため、設計値通りの電気的特性を得ることができなくなるといった問題も生じてしまう。
【００１１】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、貫通孔の壁面にスルーホール導体を確実に形成することができるセラミック部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、セラミック基体部と導体部とを備えるセラミック部品の製造方法であって、焼結後に前記セラミック基体部となるべき未焼結セラミック成形体においてその厚さ方向に貫通して形成された第１貫通孔内に、焼結後に前記導体部となるべき未焼結導体を充填する導体充填工程と、レーザ照射により前記未焼結導体の一部を除去して第２貫通孔を形成するレーザ加工工程と、前記レーザ加工工程の後、前記未焼結セラミック成形体を焼結させて前記セラミック基体部を形成し、かつ、前記未焼結導体を焼結させて前記導体部としてのスルーホール導体を形成する焼成工程とを含むことを特徴とするセラミック部品の製造方法がある。
【００１３】
従って、手段１に記載のセラミック部品の製造方法によれば、レーザ加工工程において、第１貫通孔内に充填された未焼結導体の一部がレーザ照射により除去されて第２貫通孔が形成される。その後、焼成工程において未焼結セラミック成形体と未焼結導体とが焼結することで、第１貫通孔内にスルーホール導体が形成される。この場合、レーザ加工工程にて形成する第２貫通孔のサイズを調整することにより、第１貫通孔の壁面に任意の厚さのスルーホール導体を確実に形成することができる。また、第１貫通孔において上下端と中央部とで厚みむらがなく均一な厚さのスルーホール導体を形成できることから、従来技術のように貫通孔内にめっき液が還流せずめっきが析出しなくなるといった問題も解消される。また、スルーホール導体の厚さを均一に形成できることから、設計値通りの電気的特性を得ることができる。さらに、従来技術のように貫通孔の周辺に過剰な導体ペーストの回り込みがないため、未焼結セラミック成形体を積層した場合でも境界面に隙間が形成されにくい。
【００１４】
前記レーザ加工工程において、前記レーザ照射により前記未焼結導体の中心部を貫通するように除去して、前記第１貫通孔よりも小径の第２貫通孔を形成することが好ましい。このようにすると、第１貫通孔の壁面に均一の厚さのスルーホール導体を正確に形成することができる。
【００１５】
また、前記レーザ加工工程において、前記未焼結導体の断面（未焼結セラミック成形体の平面方向に平行な面で切断したきときの断面）が三日月状となるよう前記第２貫通孔を形成してもよい。
【００１６】
前記レーザ加工工程では、レーザ照射によって微細な加工が可能であるため、直径が１００μｍ以下となるよう小径の第１貫通孔を形成してもよい。またこの場合、共通のレーザ照射装置を用いて第１貫通孔及び第２貫通孔を形成することができるため、装置コストを低減することができる。
【００１７】
前記レーザ加工工程で用いられるレーザの種類は特に限定されないが、例えば、ＹＡＧレーザであることが好ましい。
【００１８】
前記焼成工程の後に切断工程を行い、前記セラミック基体部を前記スルーホール導体のある位置において切断することにより、前記セラミック基体部の側面にて露出する端面スルーホール導体を形成してもよい。このようにすれば、厚みむらがなく均一な厚さの端面スルーホール導体を確実に形成することができる。
【００１９】
前記未焼結セラミック成形体としては、セラミック材料をシート状に成形してなるセラミックグリーンシートを挙げることができる。
【００２０】
前記レーザ加工工程を経た複数の前記セラミックグリーンシートを積層一体化して積層品を作製する積層工程を行った後、前記焼成工程を行ってもよいし、前記導体充填工程を経た複数の前記セラミックグリーンシートを積層一体化して積層品を作製する積層工程を行った後、前記レーザ加工工程を行ってもよい。このようにすれば、スルーホール導体を有する積層構造のセラミック部品を製造することができる。具体的には、積層工程の前にレーザ加工工程を行う場合、各セラミックグリーンシートについて一層毎に第１貫通孔の未焼結導体にレーザ加工を行えばよく、積層品と比較して未焼結導体の加工部分の厚さが薄くなるため、未焼結導体に第２貫通孔を確実に形成することができる。また、積層工程を行った後にレーザ加工工程を行う場合、１回のレーザ加工により積層品の厚さ方向に貫通する第２貫通孔を形成することができるので、グリーンシート毎にレーザ加工工程を行う場合と比較してセラミック部品を迅速に製造することができる。
【００２１】
前記セラミックグリーンシートの表面に導体ペーストをパターン印刷した後、前記レーザ加工工程を行うことが好ましい。ここで、レーザ加工によって第２貫通孔を形成した後、導体ペーストのパターン印刷を行うと、第２貫通孔内に導体ペーストが入り込み、第２貫通孔が詰まってスルーホール導体を形成できなくなることがある。これに対して、パターン印刷後にレーザ加工工程を行う場合、第２貫通孔内に導体ペーストが入り込むことがなく、スルーホール導体を確実に形成することができる。
【００２２】
前記セラミック部品は、素子を搭載可能な領域をキャビティ内に有するセラミックパッケージであってもよい。この場合、セラミックパッケージにおいて、スルーホール導体や端面スルーホール導体を均一な厚さで形成することができるため、キャビティ内に搭載された素子との電気的な接続を確実に行うことができる。
【００２３】
前記セラミックパッケージの具体例としては、例えば、水晶振動子用パッケージ、表面弾性波フィルタ用パッケージ、ＭＰＵパッケージ、Ｃ−ＭＯＳ用パッケージ、ＣＣＤ用パッケージ、ＬＥＤ用パッケージなどを挙げることができる。
【００２４】
前記セラミック基体部を形成する材料の好適例としては、アルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ほう素、窒化珪素、低温焼成セラミックなどを挙げることができる。また、セラミック基体部の形成材料としては、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等のセラミック誘電体材料を選択してもよい。
【００２５】
前記未焼結導体に含まれる導電性金属粉末は、セラミック基体部の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック基体部がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、未焼結導体中の金属粉末として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック基体部がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、未焼結導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
【００２６】
前記セラミック部品としては、セラミックパッケージ以外にセラミックコンデンサなどの電子部品を挙げることができる。また、一般的なセラミックパッケージのように平板形状の部品に限定されるものではなく、より立体的な形状（例えばキューブ状、球状など）のセラミック部品に本発明を具体化してもよい。またこの場合、未焼結セラミック成形体としては、シート成形品に限定されるものではなく、プレス成形品などを用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施の形態のセラミックパッケージ及びその製造方法を図面に基づき詳細に説明する。図１は、セラミックパッケージ１０を示す概略断面図である。また、図２は、セラミックパッケージ１０の上面図であり、図３は、セラミックパッケージ１０の下面図である。
【００２８】
図１に示されるように、本実施形態のセラミックパッケージ１０（セラミック部品）は、水晶振動子１１（素子）を実装するための装置である。このセラミックパッケージ１０は、上面１２及び下面１３を有する矩形平板状の部材であり、そのサイズは、例えば、縦１．４ｍｍ×横２．０ｍｍ×高さ０．５１ｍｍである。本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、３層のセラミック焼結層１４，１５，１６（セラミック基体部）からなる多層構造を有しており、各セラミック焼結層１４〜１６は、いずれもアルミナ焼結体からなる。なお、本実施の形態のセラミックパッケージ１０では３層構造としたが、２層構造を採用しても構わないし、４層以上の多層構造を採用しても構わない。
【００２９】
図１及び図２に示されるように、セラミックパッケージ１０は、上面１２において開口するキャビティ２０を備えている。本実施の形態のキャビティ２０は平面視で略矩形状を呈しており、その外形寸法は、例えば縦１．０ｍｍ×横１．５ｍｍ×深さ０．３４ｍｍに設定されている。
【００３０】
本実施の形態のキャビティ２０は、二段構造となっており、底面２１の一部（図では左側）に段部２２が配置されている。そして、そのキャビティ２０の段部２２上には、水晶振動子１１に接続するための一対の端子２３が形成されている。水晶振動子１１は、各端子２３にはんだ付けにより接続される。このように、キャビティ２０内において、段部２２上の端子２３に水晶振動子１１を接続することにより、水晶振動子１１がキャビティ２０の底面２１から浮いた状態で収納される。なお、キャビティ２０内において端子２３が形成されている段部２２が水晶振動子１１を搭載可能な領域となる。
【００３１】
セラミックパッケージ１０におけるキャビティ２０の外周部の上面には、キャビティ２０を取り囲むようにシール用メタライズ層２５が設けられている。このメタライズ層２５上には、図示しないめっき層やロウ材層が設けられるとともに、そのロウ材層等を介して図示しないキャップが取り付けられる。このキャップによってキャビティ２０の開口が塞がれる。
【００３２】
セラミック焼結層１４とセラミック焼結層１５との界面には内層導体パターン２６が形成され、セラミック焼結層１５とセラミック焼結層１６との界面には内層導体パターン２７が形成されている。また、図１及び図３に示されるように、セラミック焼結層１６の下面には、メタライズ層からなるパッド部２８が複数個設けられている。このセラミックパッケージ１０の各パッド部２８は、セラミックパッケージ１０を図示しない他の基板上に実装する際に、複数の基板側端子に対して接合される。
【００３３】
セラミックパッケージ１０において、シール用メタライズ層２５は、セラミック焼結層１４に形成されたビア導体３０を介して内層導体パターン２６に接続され、内層導体パターン２６は、セラミック焼結層１５，１６に形成されたキャスタレーション３１（端面スルーホール導体）を介してパッド部２８に接続されている。また、端子２３は、セラミック焼結層１５に形成されたビア導体３０を介して内層導体パターン２７に接続され、内層導体パターン２７は、セラミック焼結層１５，１６に形成されたキャスタレーション３１（端面スルーホール導体）を介してパッド部２８に接続されている。なお、キャスタレーション３１は、凹溝部３２の表面上に、メタライズ層を設けた構造を有しており、セラミックパッケージ１０の外周面における各コーナー部に配置されている。
【００３４】
本実施の形態のセラミックパッケージ１０において、端子２３、メタライズ層２５、内層導体パターン２６，２７、パッド部２８、ビア導体３０、及びキャスタレーション３１は、例えばタングステンを主体とするメタライズ金属からなる導体部である。
【００３５】
次に、上記構造のセラミックパッケージ１０を製造する方法について図４〜図１５に基づいて説明する。なお、本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、多数個取りの手法で製造される。
【００３６】
まず、未焼結セラミック成形体を準備する準備工程を実施する。具体的には、セラミック粉末としてのアルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを作製する。そしてこのスラリーを従来周知の手法（例えばドクターブレード法やカレンダーロール法）によりシート状に成形して、図４に示すようなセラミックグリーンシート４１，４２，４３（未焼結セラミック成形体）を３枚作製する。
【００３７】
続く穴あけ工程では、打ち抜き治具（上型４４，下型４５）を用いてパンチング加工を行い、セラミックグリーンシート４１の複数箇所に貫通孔４６，４７を形成する（図５参照）。セラミックグリーンシート４１と同様に、パンチング（打ち抜き）加工によってセラミックグリーンシート４２，４３の複数箇所に貫通孔４６，４７を形成する（図６参照）。各セラミックグリーンシート４１，４２，４３において、貫通孔４６は、ビア導体３０を形成するための孔部であり、貫通孔４７は、キャスタレーション３１を形成するための孔部である。
【００３８】
続く導体充填工程では、貫通孔４６，４７内にそれぞれ導体部を形成する。より具体的にいうと、まず従来周知のペースト印刷装置によるビアメタライズ充填手法を行って、貫通孔４６，４７内にタングステンペースト４９を充填する（図７参照）。即ち、セラミックグリーンシート４１の貫通孔４６を完全にタングステンペースト４９で満たすようにし、セラミックグリーンシート４２，４３の貫通孔４６，４７を完全にタングステンペースト４９で満たすようにする。そして次に、セラミックグリーンシート４１，４２，４３の上にタングステンペースト４９をパターン印刷する（図８参照）。これらの印刷層は、後に端子２３、メタライズ層２５、内層導体パターン２６，２７、パッド部２８となるべき部分である。
【００３９】
そして、レーザ加工工程では、レーザ照射装置を用いてセラミックグリーンシート４２，４３にレーザＬ１を照射することにより、貫通孔４７（第１貫通孔）内に充填されたタングステンペースト４９の中心部を貫通するように除去する（図９参照）。これにより、貫通孔４７の中心部にその貫通孔４７よりも小径の貫通孔４８（第２貫通孔）を形成する（図１０参照）。なお、貫通孔４７の直径は、例えば１５０μｍであり、貫通孔４８の直径は、例えば１００μｍである。そして、貫通孔４７の内周面には、例えば２５μｍの厚さのタングステンペースト４９が形成される。この貫通孔４７内のタングステンペースト４９がスルーホール導体となるべき導体部である。
【００４０】
続くキャビティ用穴あけ工程では、打ち抜き治具（上型５３，下型５４）を用いてパンチング加工を行い、セラミックグリーンシート４１にキャビティ用の貫通孔５５を形成する（図１１参照）。同様に、パンチング（打ち抜き）加工によってセラミックグリーンシート４２にキャビティ用の貫通孔５６を形成する（図１２参照）。
【００４１】
この後に、積層工程を行い、セラミックグリーンシート４３の上にセラミックグリーンシート４２及びセラミックグリーンシート４１を順次積層し、従来周知のラミネート装置を用いて厚さ方向に所定の荷重を加えることにより、これらを圧着、一体化してセラミックグリーンシート積層体５０（積層品）を形成する（図１３参照）。
【００４２】
続く溝入れ工程では、従来周知のブレード装置を用いることにより、製品領域の外形線に沿ってセラミックグリーンシート積層体５０の表面及び裏面に断面Ｖ字状の分割溝５２を格子状に形成する（図１４参照）。なお、本実施の形態では、各貫通孔４７の中心を通るよう複数の分割溝５２が形成される。
【００４３】
その後、セラミックグリーンシート積層体５０をアルミナが焼結しうる所定の温度（例えば１５００℃〜１８００℃程度の温度）に加熱する焼成工程を行う。この焼成を経ると、各セラミックグリーンシート４１，４２，４３が焼結して大判のセラミックパッケージ１０１が得られる（図１５参照）。また、タングステンペースト４９の焼結によって、端子２３、メタライズ層２５、内層導体パターン２６，２７、パッド部２８、ビア導体３０、及びスルーホール導体５８が形成される。なお、ここで得られるセラミックパッケージ１０１は、セラミックパッケージ１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用パッケージである。
【００４４】
さらに、セラミックパッケージ１０１の端子２３、メタライズ層２５、パッド部２８、及びスルーホール導体５８に対して電解めっきを行ってそれら表面にめっき層を形成する。そして、切断工程において、セラミックパッケージ１０１を分割溝５２に沿って切断する。これにより、図１のセラミックパッケージ１０が複数同時に得られる。なお、分割溝５２は、スルーホール導体５８のある貫通孔４７の中心を通るよう形成されている。このため、分割溝５２でセラミックパッケージ１０１を切断することによって、セラミックパッケージ１０のコーナー部（セラミック焼結層１５，１６の側面）にキャスタレーション３１が形成される。
【００４５】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４６】
（１）本実施の形態の場合、セラミックグリーンシート４２，４３に形成された貫通孔４７内にタングステンペースト４９が充填された後、そのタングステンペースト４９の中心部がレーザ照射により除去されて貫通孔４８が形成されている。その後、焼成工程を経て、貫通孔４７の壁面にスルーホール導体５８が形成される。このようにすると、レーザ加工工程において貫通孔４８のサイズを調整することにより、貫通孔４７の壁面に任意の厚さのスルーホール導体５８を形成することができる。またこの場合、貫通孔４７において上下端と中央部とで厚みむらがなく均一な厚さのスルーホール導体５８を形成できることから、従来技術のように貫通孔内にめっき液が還流せずにめっきが析出しにくくなるといった問題も解消することができる。さらに、従来技術のように貫通孔の周辺に過剰な導体ペーストの回り込みがないため、各セラミックグリーンシート４１，４２，４３を積層した場合でも境界面に隙間が形成されることがなく、セラミックパッケージ１０におけるデラミネーションの発生を確実に防止することができる。
【００４７】
（２）本実施の形態の場合、焼成工程の後に切断工程を行い、大判のセラミックパッケージ１０１をスルーホール導体５８のある分割溝５２の位置において切断することにより、セラミック焼結層１５，１６の側面にて露出するキャスタレーション３１を形成している。このようにすれば、セラミックパッケージ１０において、厚さが均一なキャスタレーション３１を形成することができるため、設計値通りの電気的特性を得ることができる。
【００４８】
（３）本実施の形態の場合、セラミックグリーンシート４１，４２，４３を積層一体化する積層工程を行う前に、各セラミックグリーンシート４２，４３について、貫通孔４７内のタングステンペースト４９にレーザ加工が行われ、そのタングステンペースト４９に貫通孔４８が形成されている。このように、セラミックグリーンシート４２，４３の一層毎にレーザ加工が行われる場合、積層後にレーザ加工を行う場合と比較して、タングステンペースト４９の加工部分の厚さが薄くなるため、タングステンペースト４９に貫通孔４８を確実に形成することができる。
【００４９】
（４）本実施の形態の場合、セラミックグリーンシート４２，４３の表面にタングステンペースト４９をパターン印刷した後にレーザ加工工程が行われている。ここで、レーザ加工によって貫通孔４８を形成した後、タングステンペースト４９のパターン印刷を行うと、貫通孔４８内にタングステンペースト４９が入り込み、貫通孔４８が詰まってスルーホール導体５８を形成できなくなることがある。これに対して、パターン印刷後にレーザ加工工程を行えば、貫通孔４８内にタングステンペースト４９が入り込むことがなく、スルーホール導体５９を確実に形成することができる。
【００５０】
（５）本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、キャビティ２０を有し、そのキャビティ２０内において、段部２２上の端子２３に水晶振動子１１が搭載されている。このセラミックパッケージ１０において、キャスタレーション３１が均一な厚さで形成されているので、キャビティ２０内に搭載された水晶振動子１１との電気的な接続を確実に行うことができる。
【００５１】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００５２】
・上記実施の形態では、導体充填工程、レーザ加工工程、及びキャビティ用穴あけ工程の後に、複数のセラミックグリーンシート４１，４２，４３を積層一体化してセラミックグリーンシート積層体５０を作製するものであったがこれに限定されるものではない。例えば、図１６に示されるように、導体充填工程、及びキャビティ用穴あけ工程を経た複数のセラミックグリーンシート４１，４２，４３を積層一体化してセラミックグリーンシート積層体５０を作製した後、レーザ加工工程を行うように製造工程を変更してもよい。この場合、１回のレーザ加工によりセラミックグリーンシート積層体５０の厚さ方向に貫通する貫通孔４８を形成することができるので、セラミックグリーンシート４２，４３の一層毎にレーザ加工を行う場合と比較してセラミックパッケージ１０を迅速に製造することができる。
【００５３】
・上記実施の形態では、レーザ加工工程において、円形の貫通孔４７内に充填したタングステンペースト４９に円形の貫通孔４８（図１０参照）を形成して断面がリング状のスルーホール導体５８を形成するものであったが、この形状は適宜変更してもよい。例えば、図１７に示されるように、貫通孔４７（第１貫通孔）内に略楕円状の貫通孔４８Ａ（第２貫通孔）を形成して、断面が三日月状のタングステンペースト４９を形成してもよい。また、貫通孔４７や貫通孔４８は、円形以外に三角形や四角形などの多角形状としてもよい。さらに、貫通孔４７に対して偏心させた位置（中心からずれた位置）に貫通孔４８を形成してもよい。
【００５４】
・上記実施の形態において、貫通孔４６，４７をパンチング加工によって形成したが、レーザ加工やドリル加工などの手法によって形成してもよい。特にレーザ加工で貫通孔４６，４７を形成する場合、貫通孔４７内のタングステンペースト４９に貫通孔４８を形成するレーザ加工時と同じレーザ照射装置を用いることができる。このため、装置コストを抑えることが可能となる。また、共通のレーザ照射装置を用いれば、各工程での位置合わせを簡素化することができる。またこの場合、レーザ照射によって微細な加工が可能であるため、直径が１００μｍ以下となるよう貫通孔４７を形成することができ、さらにその貫通孔４７内のタングステンペースト４９の中心部に貫通孔４７よりも小径（例えば５０μｍ程度）の貫通孔４８を確実に形成することができる。
【００５５】
・上記実施の形態におけるレーザ加工工程ではＹＡＧレーザを用いたが、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ等の他の種類のレーザを用いてもよい。
【００５６】
・上記実施の形態では、セラミックパッケージ１０に具体化していたが、セラミックコンデンサなどの他のセラミック部品に本発明を適用してもよい。
【００５７】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）セラミック基体部と導体部とを備えるセラミック部品の製造方法であって、焼結後に前記セラミック基体部となるべき未焼結セラミック成形体においてその厚さ方向に貫通して形成された第１貫通孔内に、焼結後に前記導体部となるべき未焼結導体を充填する導体充填工程と、ＹＡＧレーザを用いたレーザ照射により前記未焼結導体の一部を除去して第２貫通孔を形成するレーザ加工工程と、前記レーザ加工工程の後、前記未焼結セラミック成形体を焼結させて前記セラミック基体部を形成し、かつ、前記未焼結導体を焼結させて前記導体部としてのスルーホール導体を形成する焼成工程とを含むことを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【００５８】
（２）技術的思想（１）において、前記レーザ加工工程では、前記未焼結導体の断面が三日月状となるよう前記第２貫通孔を形成することを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【００５９】
（３）技術的思想（１）または（２）において、前記未焼結セラミック成形体の表面に導体ペーストを所定パターン状に印刷形成した後に前記レーザ加工工程を行うことを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本実施の形態のセラミックパッケージを示す断面図。
【図２】本実施の形態のセラミックパッケージを示す上面図。
【図３】本実施の形態のセラミックパッケージを示す下面図。
【図４】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図５】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図６】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図７】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図８】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図９】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１０】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１１】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１２】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１３】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１４】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１５】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１６】別の実施の形態のセラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１７】別の実施の形態のタングステンペーストの断面形状を示す断面図。
【図１８】従来のセラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１９】従来のセラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００６１】
１０…セラミック部品としてのセラミックパッケージ
１１…素子としての水晶振動子
１４〜１６…セラミック基体部としてのセラミック焼結層
２０…キャビティ
２２…素子を搭載可能な領域としての段部
２３…導体部としての端子
２５…導体部としてのシール用メタライズ層
２６，２７…導体部としての内層導体パターン
２８…導体部としてのパッド部
３０…導体部としてのビア導体
３１…端面スルーホール導体としてのキャスタレーション
４１〜４３…未焼結セラミック成形体としてのセラミックグリーンシート
４７…第１貫通孔
４８,４８Ａ…第２貫通孔
４９…未焼結導体としてのタングステンペースト
５０…積層品としてのセラミックグリーンシート積層体
５８…スルーホール導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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