(57)【要約】【課題】高精細マスクの使用回数を低減することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられる複数の画素と、から構成され、画素が、第一副画素１Ａと、第二副画素１Ｂと、を備え、第一副画素１Ａが、第一発光層３２を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層３０と、第二発光層５２を含み第二色を発する第二有機ＥＬ層５２と、を有し、第二副画素１Ｂが、第一発光層３２を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層３０と、第二発光層５２及び第三発光層６２を含み第三色を発する第三有機ＥＬ層６０と、を有し、第一有機ＥＬ層３０及び第二発光層５２が、第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで共通して形成されており、第二色のＰＬピーク波長が第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置１。【選択図】図１
2010073386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
該画素が、第一副画素と、第二副画素と、を備え、
該第一副画素が、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層を含み第二色を発する第二有機ＥＬ層と、第三電極と、からなり、
該第二副画素が、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層及び第三発光層を含み第三色を発する第三有機ＥＬ層と、第三電極と、からなり、
該第一有機ＥＬ層が、該第一副画素と該第二副画素とで共通して形成されており、
該第二発光層が、該第一副画素と該第二副画素とで共通して形成されており、
該第二色のＰＬピーク波長が該第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第二発光層が前記第三発光層と陰極との間に設けられることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第二発光層及び前記第三発光層がホストとゲストとからなり、前記第三発光層のホストのＬＵＭＯの絶対値が前記第二発光層のホストのＬＵＭＯの絶対値よりも大きいことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第三発光層のホストのＨＯＭＯの絶対値が前記第二発光層のホストのＨＯＭＯの絶対値よりも小さいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第三発光層のゲストが燐光発光材料であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第一色が青色であり、
前記第二色が緑色であり、
前記第三色が赤色であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置において、素子の寿命を伸ばすために有機ＥＬ素子を構成する電極層と、発光層を含む有機化合物層と、を交互に積層する構成が提案されている。特許文献１には、１画素を２つの副画素で構成し、１つの副画素には異なる発光色を示す２つの有機ＥＬ層が積層されている有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１７４６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで有機ＥＬ表示装置を構成する有機化合物層を形成する手法として、蒸着法、転写法、インクジェット法等が挙げられるが、素子の発光効率、寿命という観点から現時点では蒸着法が最も有力である。しかしながら、１つのサブピクセルに２つの有機ＥＬ層が積層されてなる有機ＥＬ表示装置を蒸着法で作製する場合には、サブピクセル毎に発光層等の薄膜を個別に形成する必要がある。このため、高精細なマスクを使用する工程が少なくとも２回入れる必要がある。ここで高精細マスクを使用して発光層等を選択的に形成する場合、マスクの精細度が高くなればなるほど、蒸着時に発生する異物がマスク開口部に挟まりやすく成膜不良の原因になる、という問題がある。また蒸着時にマスク上に付着した蒸着材料を除去するためのマスク洗浄の費用がかかるという問題もある。従って、高精細マスクを使用する工程は１つでも低減することがプロセス的に望ましい。
【０００５】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、高精細マスクの使用回数を低減することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、
該基板上に設けられる複数の画素と、から構成され、
該画素が、第一副画素と、第二副画素と、を備え、
該第一副画素が、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層を含み第二色を発する第二有機ＥＬ層と、第三電極と、からなり、
該第二副画素が、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層及び第三発光層を含み第三色を発する第三有機ＥＬ層と、第三電極と、からなり、
該第一有機ＥＬ層が、該第一副画素と該第二副画素とで共通して形成されており、
該第二発光層が、該第一副画素と該第二副画素とで共通して形成されており、
該第二色のＰＬピーク波長が該第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、高精細マスクの使用回数を低減することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、基板上に設けられる複数の画素と、から構成される。ここで画素は、以下に述べる第一副画素と、第二副画素と、を備える部材である。
【０００９】
一方、この画素が備える第一副画素は、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層を含み第二色を発する第二有機ＥＬ層と、第三電極と、からなる部材である。
【００１０】
またこの画素が備える第二副画素は、第一電極と、第一発光層を含み第一色を発する第一有機ＥＬ層と、第二電極と、第二発光層及び第三発光層を含み第三色を発する第三有機ＥＬ層と、第三電極と、からなる部材である。
【００１１】
ただし、各副画素において、基板上に設けられる電極（下部電極）は、第一電極であってもよいし、第三電極であってもよい。
【００１２】
これら第一副画素、第二副画素を構成する部材のうち、第一有機ＥＬ層は、第一副画素と第二副画素とで共通して形成されている積層体である。また第二発光層も、第一副画素と第二副画素とで共通して形成されている積層体である。
【００１３】
本発明の有機ＥＬ表示装置において、第二色のＰＬピーク波長は第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする。
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明の有機ＥＬ表示装置の実施形態について説明する。ただし以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の実施形態の一つであり、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１５】
［第一の実施形態］
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【００１６】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０と、この基板１０上に設けられる第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで構成されている。
【００１７】
図１の有機ＥＬ表示装置１において、第一副画素１Ａは、基板１０上に、第一電極２０、第一有機ＥＬ層３０、第二電極４０、第二有機ＥＬ層５０及び第三電極７０がこの順に設けられている。ここで第一副画素１Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０は、第一正孔注入／輸送層３１、第一発光層３２及び第一電子注入／輸送層３３からなる積層体である。また第一副画素１Ａを構成する第二有機ＥＬ層５０は、第二正孔注入／輸送層５１、第二発光層５２及び第二電子注入／輸送層５３からなる積層体である。尚、本実施形態において、第一電極２０は陽極として機能し、第三電極７０は陰極として機能する。
【００１８】
図１の有機ＥＬ表示装置１において、第二副画素１Ｂは、基板１０上に、第一電極２０、第一有機ＥＬ層３０、第二電極４０、第三有機ＥＬ層６０及び第三電極７０がこの順に設けられている。ここで第二副画素１Ｂを構成する第一有機ＥＬ層３０は、第一副画素１Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０と共通して形成される積層体であるので、その層構成は、第一副画素１Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０と同様である。また第二副画素１Ｂを構成する第三有機ＥＬ層６０は、第二正孔注入／輸送層５１、第三発光層６２、第二発光層５２及び第二電子注入／輸送層５３からなる積層体である。ここで第二副画素１Ｂを構成する第三有機ＥＬ層６０のうち、第二正孔注入／輸送層５１、第二発光層５２及び第二電子注入／輸送層５３は、第一副画素１Ａを構成する第二有機ＥＬ層５０と共通して形成されている。尚、本実施形態において、第一電極２０は陽極として機能し、第三電極７０は陰極として機能する。
【００１９】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、第二発光層５２から発せられる第二色のＰＬピーク波長は、第三発光層６２から発せられる第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする。また図１に示すように、第三有機ＥＬ層６０に含まれる第二発光層５２が第三発光層６２と陰極（第三電極７０）との間に設けられる態様が好ましい。
【００２０】
以上を考慮すると、第三有機ＥＬ層６０に含まれる２層の発光層のうち、ＰＬピーク波長の短い発光層である第二発光層５２が、第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで共通して形成されている。逆に、ＰＬピーク波長の長い発光層である第三発光層６２が、第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで共通して形成されていると、以下の不都合が生じる。即ち、電子の励起エネルギーが他方よりも小さくなるため、励起子の移動が起こりやすく、最悪の場合光らないといったことが起こるという不都合が生じる。
【００２１】
また第二発光層５２及び第三発光層６２は、好ましくは、ホストとゲストとからなる層である。さらに第三発光層６２のホストのＬＵＭＯの絶対値は第二発光層５２のホストのＬＵＭＯの絶対値よりも大きいのが好ましい。一般に、ホストはＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）のエネルギー準位が低いため電子が入りやすい。このため、第三発光層６２のホストのＬＵＭＯの絶対値が第二発光層５２のホストのＬＵＭＯの絶対値よりも大きければ、第三電極７０から流れる電子は、第三発光層６２のホストの方へ流れやすくなる。
【００２２】
一方で第三発光層６２のホストのＨＯＭＯの絶対値は第二発光層５２のホストのＨＯＭＯの絶対値よりも小さいのが好ましい。こうすることにより、第二電極４０から流れる正孔は、第三発光層６２のホストの方へ流れやすくなる。
【００２３】
従って、陰極（第三電極７０）から注入された電子、及び陽極（第二電極４０）から注入される正孔は、それぞれ第三発光層６２でトラップされる。その結果、電子と正孔との再結合領域は第三発光層６２内に局在化することになる。また、ＰＬピーク波長がより短い第二発光層５２の電子の励起エネルギーは、第三発光層の電子の励起エネルギーよりも大きい。このため、第三発光層６２で発生した励起子は第二発光層５２に移動することなく第三発光層６２内に閉じ込められる。
【００２４】
従って、第三有機ＥＬ層６０では、二種類の発光層（第三発光層６２、第二発光層５２）が含まれているが、第三発光層６２のみが選択的に発光する。
【００２５】
第三発光層６２のゲストは、好ましくは、燐光発光材料である。通常、ゲストが燐光発光材料である場合、ホストにおいて正孔が局在せず電子注入／輸送層側に抜けやすい。しかし本発明のように、第三発光層６２の電子注入／輸送層側には励起エネルギーが相対的に高い発光層（第二発光層５２）が配置されているので、この発光層は正孔阻止層として機能するため好適である。
【００２６】
上記のように、各画素を構成する有機ＥＬ層は、基本的には、正孔注入／輸送層と、発光層と、電子注入／輸送層と、からなる積層体である。ただし有機ＥＬ層の層構成はこれに限定されるものではない。例えば、下記（ｉ）〜（ｖ）に示される層構成であってもよい。
（ｉ）単層型（発光層）
（ｉｉ）２層型（発光層／正孔注入層）
（ｉｉｉ）３層型（電子輸送層／発光層／正孔輸送層）
（ｉｖ）４層型（電子注入層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）
（ｖ）５層型（電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）
【００２７】
また各副画素（１Ａ、１Ｂ）を構成する二種類の有機ＥＬ層は発光色が異なっている。即ち、第一副画素１Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０は第一色を発し、第二有機ＥＬ層５０は第二色を発する。一方、第二副画素１Ｂを構成する第一有機ＥＬ層３０は第一色を発し、第三有機ＥＬ層６０は第三色を発する。ただし、ここでいう第一色、第二色及び第三色の具体的な色については特に限定されないが、好ましくは、第一色をＢ（青色）、第二色をＧ（緑色）、第三色をＲ（赤色）とする。
【００２８】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の電気接続の状態及び駆動方法について説明する。
【００２９】
図２は、図１の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。各副画素（１Ａ、１Ｂ）に設けられている第二電極４０は、それぞれ画素回路８１，８２内に設けられている駆動用ＴＦＴ８１ａ，８２ａに接続されている。尚、第三電極７０は、第一電極２０と同電位である。
【００３０】
実際に、各副画素を駆動する際にその駆動方法は同一なので、第一有機ＥＬ層３０（青色発光）と第二有機ＥＬ層５０（緑色発光）とを有する第一副画素１Ａを例にとって以下に説明する。
【００３１】
第一副画素１Ａに含まれる第一有機ＥＬ層３０を発光させる場合には、第一電極２０からプラス電圧が、第二電極４０からマイナス電圧がそれぞれ印加される。これにより、第一発光層３２に電子と正孔とが注入され、電子と正孔とが第一発光層３２内で再結合することで励起子か形成される。この励起子が基底状態に戻る際に青色の発光が得られる。尚、このとき第三電極７０からプラス電圧が印加され、第二有機ＥＬ層５０には逆方向の電圧が印加されるため、第二有機ＥＬ層５０に含まれる第二発光層５２は発光しない。一方、第一副画素１Ａに含まれる第二有機ＥＬ層５０を発光させる場合には、先程とは逆に、第三電極７０にマイナス電圧、第二電極５０にプラス電圧を印加する（このとき第一電極７０からマイナス電圧が印加される。）。
【００３２】
図３は、印加される電圧の波形の具体例を示す図である。図３は、交流電圧の波形である。第一有機ＥＬ層３０と第二有機ＥＬ層５０とを発光させて、混合色を発光する場合には、図３に示すように交流電圧を印加して交流駆動を行う。具体的には、人間が識別できない程度、例えば、６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で電圧をプラス側とマイナス側とに切り替えて制御する。こうすることにより、第一有機ＥＬ層３０の発光色と第二有機ＥＬ層５０の発光色とを混合した色の光を表現することができる。
【００３３】
次に、有機ＥＬ表示装置の構成部材について説明する。
【００３４】
基板１０としては、絶縁性の材料からなる基板が好ましく使用される。例えば、ガラス基板等が挙げられる。尚、アクティブマトリクス型の表示装置とする場合は、基板１０上に有機ＥＬ表示装置を駆動させるためのＴＦＴ駆動回路（図示せず）を設ける必要がある。
【００３５】
基板１０上に設けられる下部電極（本実施例における第一電極２０）は、通常陽極として機能する。また表示装置がトップエミッション型である場合は、下部電極は反射電極として機能する。このとき反射電極の構成部材としては、光反射性の材料であることが好ましく、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料が挙げられる。これらの金属材料のうち反射率が高い材料は、光の取り出し効率を向上できるので好ましい。また下部電極を、上記の光反射性の材料からなる薄膜と、この薄膜上に設けられるＩＴＯ膜等からなる透明導電膜と、からなる積層体としてもよい。この場合は、光反射機能を上記の光反射性の材料（金属材料）によって確保しつつ、電極としての機能を上記透明導電膜によって確保することができる。
【００３６】
一方、表示装置がボトムエミッション型である場合は、下部電極は透明電極として機能する。このとき透明電極の構成材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性の材料が挙げられる。
【００３７】
有機ＥＬ層（３０，５０，６０）の構成材料として、公知の正孔注入・輸送材料、発光材料及び電子注入・輸送材料を使用することができる。
【００３８】
正孔注入・輸送材料として、例えば、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ等が挙げられる。
【００３９】
発光材料としては、青色発光材料、緑色発光材料、赤色発光材料のいずれも使用することができる。青色発光材料として、例えば、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ、ＢＡｌｑ等が挙げられる。緑色発光材料として、例えば、Ｃｏｕｍａｒｉｎｎ６、Ｚｎ（ＢＴＺ）2等が挙げられる。赤色発光材料として、例えば、ＤＣＭ、ＤＣＪＴＢ等が挙げられる。
【００４０】
電子注入・輸送材料として、例えば、Ａｌｑ3、ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ、ＯＸＤ−７等が挙げられる。
【００４１】
２層の有機ＥＬ層の間に設けられている中間電極層（本実施例における第二電極４０）の構成材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等透明導電膜やＡｌ、Ａｇ、Ｍｇといった金属導電膜が挙げられる。尚、中間電極層が金属導電膜である場合は、膜厚を調整して光透過性を確保するのが望ましい。また、中間電極層は基板１０上に形成されるＴＦＴ等のスイッチング素子（図示せず）を介して電源手段（図示せず）と電気接続されている。
【００４２】
上部電極（本実施例における第三電極７０）は、表示装置がトップエミッション型である場合は、透明電極として機能する。一方、表示装置がボトムエミッション型である場合は、反射電極として機能する。透明電極として機能する場合、構成材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性の材料が挙げられる。一方、反射電極として機能する場合、構成材料としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料が挙げられる。
【００４３】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００４４】
基板１０上に設けられる第一電極２０は、スパッタ法等の公知の方法により形成することができる。
【００４５】
第一電極２０上に順次設けられる第一有機ＥＬ層３０及び第二電極４０は、蒸着法、転写法等といった公知の方法により形成することができる。
【００４６】
第二電極４０上には第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０が形成される。このとき双方の有機ＥＬ層を形成する際には、第三発光層６２以外の薄膜層を画素単位で形成することができる。
【００４７】
従来、蒸着法等により１つの画素中に異なる色の発光層を形成する際には、シャドウマスク（高精細マスク）を用いて色毎に個別に形成する必要があった。このため一画素につき２色の発光層を設ける場合は、高精細マスクを用いる工程を２回必要とした。これに対して本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、第三発光層６２のみを所定の領域に選択的に形成すればよい。このため、下記表１に示すように、高精細マスクを用いる工程を少なくすることができる。
【００４８】
【表１】
2010073386.tif 000003
【００４９】
一般に、高精細マスクを用いる工程はコストアップの要因になるため、本実施形態であれば装置の製造コストを下げることができる。また高精細マスクを使用する場合、精細度が高くなればなるほど、層を形成する際に発生する異物がマスク開口部に挟まる可能性が高くなるという問題点があり、成膜不良の原因になる。また、高精細マスクを用いると、マスク上に付着した蒸着材料を除去するためのマスク洗浄の費用がかかるという課題がある。以上より、高精細マスクを使用する工程を低減できる本実施形態は、プロセス的に望ましいと言える。
【００５０】
［第二の実施形態］
図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。尚、本実施形態において、上記第一の実施形態と同様の事項については説明を省略することがある。
【００５１】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０と、この基板１０上に設けられる第一副画素１Ａと第二副画素１Ｂとで構成されている。
【００５２】
図４の有機ＥＬ表示装置２において、第一副画素２Ａは、基板１０上に、第三電極７０、第二有機ＥＬ層５０、第二電極４０、第１有機ＥＬ層３０及び第一電極２０がこの順に設けられている。尚、本実施形態において、第一電極２０は陽極として機能し、第二電極４０は陰極として機能し、第三電極７０は陽極として機能する。
【００５３】
図４の有機ＥＬ表示装置２において、第二副画素２Ｂは、基板１０上に、第三電極７０、第三有機ＥＬ層６０、第二電極４０、第一有機ＥＬ層３０及び第１電極２０がこの順に設けられている。尚、本実施形態において、第一電極２０は陽極として機能し、第二電極４０は陰極として機能し、第三電極７０は陽極として機能する。
【００５４】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置も、上記第一の実施形態と同様に、第二発光層５２から発せられる第二色のＰＬピーク波長は、第三発光層６２から発せられる第三色のＰＬピーク波長よりも短いことを特徴とする。また図４に示すように、第三有機ＥＬ層６０に含まれる第二発光層５２が第三発光層６２と陰極（第二電極４０）との間に設けられる態様が好ましい。
【００５５】
以上を考慮すると、第三有機ＥＬ層６０に含まれる２層の発光層のうち、ＰＬピーク波長の短い発光層である第二発光層５２が、第一副画素２Ａと第二副画素２Ｂとで共通して形成されている。
【００５６】
また各副画素（２Ａ、２Ｂ）を構成する二種類の有機ＥＬ層は発光色が異なっている。即ち、第一副画素２Ａを構成する第一有機ＥＬ層３０は第一色を発し、第二有機ＥＬ層５０は第二色を発する。一方、第二副画素２Ｂを構成する第一有機ＥＬ層３０は第一色を発し、第三有機ＥＬ層６０は第三色を発する。ただし、ここでいう第一色、第二色及び第三色の具体的な色については、第二色のＰＬピーク波長が第三色のＰＬピーク波長よりも短ければ特に限定されない。例えば、第一色をＲ（赤色）、第二色をＢ（青色）、第三色をＧ（緑色）としてもよい。
【００５７】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の電気接続方法の具体例について、図面を参照しながら説明する。ただし本発明はこれに限定されるものではない。
【００５８】
図５は、図４の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。図５より、第二電極４０は全有機ＥＬ素子（３４，５４，６４）に共通の陰極として機能する。ただし、それぞれの有機ＥＬ素子の陽極２０，７０は、それぞれ画素回路８３，８４，８５内に設けられている駆動用ＴＦＴ８３ａ，８４ａ，８５ａに接続されている。これにより個々の有機ＥＬ素子を独立に駆動することができる。
【実施例】
【００５９】
［実施例１］
図１に示される有機ＥＬ表示装置１を以下に示す方法により作製した。
【００６０】
支持体（ガラス基板）上に、低温ポリシリコンからなるＴＦＴ駆動回路（省略）を形成した後、ＴＦＴ駆動回路上にアクリル樹脂からなる平坦化膜（省略）を形成した。このように平坦化膜まで形成されている支持体を基板１０として使用した。
【００６１】
次に、スパッタリング法により、基板１０上にアルミニウム合金（ＡｌＮｉＰｄ）を成膜し合金膜を形成した。このとき合金膜の膜厚を約１００ｎｍとした。次に、この合金膜をウェットエッチング法により所定の形状となるようにパターニングを行った。次に、スパッタリング法により、当該合金薄膜上にＩＺＯを成膜して透明導電膜を形成した。このとき透明導電膜の膜厚を２０ｎｍとした。次に、この透明導電膜をウェットエッチング法により所定の形状となるようにパターニングを行った。尚、パターンニングされた上記合金薄膜及び上記透明導電膜は第一電極２０（反射電極）として機能する。
【００６２】
次に、スリットスピン法により基板１０及び第一電極２０上にアクリル樹脂を成膜した後、フォトリソ法により所望の形状にパターニングを行うことにより、基板１０上であって第一電極２０が形成されていない領域に画素分離膜を形成した。このとき画素分離膜の膜厚は１．５μｍであった。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、ＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄を行った。
【００６３】
次に、真空蒸着法により第一電極２０上に第一有機ＥＬ層３０を形成した。
【００６４】
具体的には、まずα−ＮＰＤを成膜し第一正孔注入／輸送層３１を形成した。このとき第一正孔注入／輸送層３１の膜厚を４０ｎｍとした。次に、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＰｅｒｙｌｅｎｅと、を重量比にして４０：１となるように共蒸着して第一発光層３２を形成した。このとき第一発光層３２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第一発光層３２は青色発光する。次に、Ｂｐｈｅｎを成膜した。このときＢｐｈｅｎ膜の膜厚を３０ｎｍとした。次に、ＬｉＦを成膜した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとした。尚、Ｂｐｈｅｎ膜及びＬｉＦ膜は第一電子注入／輸送層３３として機能する。以上により第一有機ＥＬ層３０を形成した。
【００６５】
次に、スパッタ法により、第一有機ＥＬ層３０上にＭｇとＡｇとを重量比にして１０：１となるように制御しながら成膜し第二電極４０を形成した。このとき第二電極４０の膜厚を１５ｎｍとした。尚、第二電極４０を形成する際には電極用マスクを用いた。
【００６６】
次に、真空蒸着法により第二電極４０上に第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０をそれぞれ第一副画素１Ａ及び第二副画素１Ｂに相当する領域に形成した。
【００６７】
具体的には、まず共通マスクを用いて、ＴＰＤを成膜し第二正孔注入／輸送層５１を形成した。このとき第二正孔注入／輸送層５１の膜厚を７０ｎｍとした。次に、第二副画素１Ｂに相当する領域のみを成膜することができる高精細マスクを用いて、第三発光層６２を形成した。具体的には、ホストであるＲｕｂｒｅｎｅと、ゲスト（ドーパント）であるＤＣＭと、を重量比にして４０：１となるように共蒸着した。このとき第三発光層６２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第三発光層６２は赤色発光する。次に、共通マスクを用いて、第二発光層５２を形成した。具体的には、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎｎ６と、を重量比にして４０：１となるように共蒸着した。このとき第二発光層５２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第二発光層５２は緑色発光する。次に、ＢＣＰを成膜した。このときＢＣＰ膜の膜厚を３０ｎｍとした。次に、ＬｉＦを成膜した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとした。尚、ＢＣＰ膜及びＬｉＦ膜は第二電子注入／輸送層５３として機能する。以上により第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０を形成した。
【００６８】
次に、スパッタ法により、第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０を覆うように、ＭｇとＡｇを重量比にして１０：１となるように制御しながら成膜し第三電極７０を形成した。このとき第三電極７０の膜厚を１５ｎｍとした。尚、第三電極７０を形成する際には電極用マスクを用いた。
【００６９】
以上により、有機ＥＬ表示層を得た。ここで本実施例における第三有機ＥＬ層６０に含まれる各層の構成材料（ゲストを除く）において、各々のエネルギー準位について、大気中光電子分光装置及び紫外分光法による解析により評価した。評価の結果、図６に示されるエネルギーダイアグラムが得られた。
【００７０】
［実施例２］
図４に示される有機ＥＬ表示装置２を以下に示す方法により作製した。
【００７１】
まず実施例１と同様の方法により基板１０を作製した。
【００７２】
次に、スパッタリング法により、基板１０上にアルミニウム合金（ＡｌＮｉＰｄ）を成膜し合金膜を形成した。このとき合金膜の膜厚を約１００ｎｍとした。次に、この合金膜をウェットエッチング法により所定の形状となるようにパターニングを行った。次に、スパッタリング法により、当該合金薄膜上にＩＺＯを成膜して透明導電膜を形成した。このとき透明導電膜の膜厚を２０ｎｍとした。次に、この透明導電膜をウェットエッチング法により所定の形状となるようにパターニングを行った。尚、パターンニングされた上記合金薄膜及び上記透明導電膜は第三電極（反射電極）７０として機能する。
【００７３】
次に、スリットスピン法により基板１０及び第三電極７０上にアクリル樹脂を成膜した後、フォトリソ法により所望の形状にパターニングを行うことにより、基板１０上であって第三電極７０が形成されていない領域に画素分離膜を形成した。このとき画素分離膜の膜厚は１．５μｍであった。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、ＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄を行った。
【００７４】
次に、真空蒸着法により第三電極７０上に第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０をそれぞれ第一副画素２Ａ及び第二副画素２Ｂに相当する領域に形成した。
【００７５】
具体的には、まず共通マスクを用いて、ＴＰＤを成膜し第二正孔注入／輸送層５１を形成した。このとき第二正孔注入／輸送層５１の膜厚を４０ｎｍとした。次に、第二副画素２Ｂに相当する領域のみを成膜することができる高精細マスクを用いて、第三発光層６２を形成した。具体的には、ホストであるＡｌｑ3と、ゲスト（ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６と、を重量比にして４０：１となるように共蒸着した。このとき第三発光層６２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第三発光層６２は緑色発光する。次に、共通マスクを用いて、第二発光層５２を形成した。具体的には、ホストであるＢａｌｑと、ゲスト（ドーパント）であるＰｅｒｙｌｅｎｅと、を重量比にして４０：１となるように共蒸着した。このとき第二発光層５２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第二発光層５２は青色発光する。次に、ＢＣＰを成膜した。このときＢＣＰ膜の膜厚を３０ｎｍとした。次に、ＬｉＦを成膜した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとした。尚、ＢＣＰ膜及びＬｉＦ膜は第二電子注入／輸送層５３として機能する。以上により第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０を形成した。
【００７６】
次に、スパッタ法により、第二有機ＥＬ層５０及び第三有機ＥＬ層６０を覆うように、ＭｇとＡｇを重量比にして１０：１となるように制御しながら成膜し第二電極４０を形成した。このとき第二電極４０の膜厚を１５ｎｍとした。尚、第二電極４０を形成する際には電極用マスクを用いた。
【００７７】
次に、真空蒸着法により第二電極４０上に第一有機ＥＬ層３０を形成した。
【００７８】
具体的には、まずＴＰＤを成膜し第一正孔注入／輸送層３１を形成した。このとき第一正孔注入／輸送層３１の膜厚を７０ｎｍとした。次に、ホストであるＲｕｂｒｅｎｅと、ゲスト（ドーパント）であるＤＣＭと、を重量比にして４０：１となるように共蒸着して第一発光層３２を形成した。このとき第一発光層３２の膜厚を３０ｎｍとした。尚、第一発光層３２は赤色発光する。次に、ＢＣＰを成膜した。このときＢＣＰ膜の膜厚を３０ｎｍとした。次に、ＬｉＦを成膜した。このときＬｉＦ膜の膜厚を０．５ｎｍとした。尚、ＢＣＰ膜及びＬｉＦ膜は第一電子注入／輸送層３３として機能する。以上により第一有機ＥＬ層３０を形成した。
【００７９】
次に、スパッタ法により、第一有機ＥＬ層３０上に、ＭｇとＡｇとを重量比にして１０：１となるように制御しながら成膜し第一電極２０を形成した。このとき第一電極２０の膜厚を１５ｎｍとした。尚、第一電極２０を形成する際には電極用マスクを用いた。
【００８０】
以上により、有機ＥＬ表示層を得た。ここで本実施例における第三有機ＥＬ層６０に含まれる各層の構成材料（ゲストを除く）において、各々のエネルギー準位について、実施例１と同様に評価した。評価の結果、図７に示されるエネルギーダイアグラムが得られた。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。
【図３】電源手段から印加される電圧の波形の具体例を示す図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図５】図４の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。
【図６】実施例１における第三有機ＥＬ層に含まれる２つの発光層の構成材料のエネルギー準位を示すエネルギーダイアグラムである。
【図７】実施例２における第三有機ＥＬ層に含まれる２つの発光層の構成材料のエネルギー準位を示すエネルギーダイアグラムである。
【符号の説明】
【００８２】
１，２  有機ＥＬ表示装置
１Ａ，２Ａ  第一副画素
１Ｂ，２Ｂ  第二副画素
１０  基板
２０  第一電極
３０  第一有機ＥＬ層
３１  第一正孔注入／輸送層
３２  第一発光層
３３  第一電子注入／輸送層
３４  第一有機ＥＬ素子
４０  第二電極
５０  第二有機ＥＬ層
５１  第二正孔注入／輸送層
５２  第二発光層
５３  第二電子注入／輸送層
５４  第一有機ＥＬ素子
６０  第三有機ＥＬ層
６２  第三発光層
６４  第一有機ＥＬ素子
７０  第三電極
８１，８２，８３，８４，８５  画素回路
８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａ，８５ａ  駆動ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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