(57)【要約】【課題】電極の縁端部が絶縁膜で覆われた構造の電極基板を製造するときに、電極と絶縁膜との重なり幅が設計どおりの幅となるようにする。【解決手段】電極材料１４１からなる層の上に、膜厚が薄い領域、その領域に隣接する膜厚が厚い領域および膜の無い領域からなる絶縁膜パターン１５１を形成する（Ｅ）。絶縁膜パターン１５１をエッチングマスクとして電極材料１４１をエッチングし、電極１４ａ、１４ｂを形成（Ｆ）した後、縁端部の絶縁材料１５２のみ残して絶縁膜パターン１５１を除去する（Ｇ）。残存する絶縁材料１５２を溶解変形させることにより、電極１４ａ、１４ｂの縁端部を覆う絶縁膜１５を形成する。【選択図】図５
2010021476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定層上に電極材料を堆積させる電極材料堆積工程と、
前記電極材料の上に、第１膜厚の絶縁膜が形成された第１領域、該第１領域の少なくとも一部に隣接する領域で前記第１膜厚よりも厚い第２膜厚の絶縁膜が形成された第２領域および絶縁膜が形成されない第３領域からなる絶縁膜パターンを形成する絶縁膜パターン形成工程と、
前記絶縁膜パターンをマスクとして前記電極材料をエッチングすることにより、前記所定層上に所定形状の電極を形成する電極形成工程と、
前記第１領域に形成された絶縁膜は除去され前記第２領域に形成された絶縁膜は少なくとも一部残存するように前記絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と、
前記第２領域に残存する絶縁膜を溶解変形させて、前記所定形状の電極の縁端部の少なくとも一部が前記溶解変形された絶縁膜により覆われた構造を形成する縁端部被覆工程と
を含むことを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜パターン形成工程において、
前記第１領域は線幅方向に所定間隔で配列された複数の線状領域であり、
前記第２領域は、前記各第１領域の線幅方向の少なくとも一方の側にそれぞれ隣接する複数の線状領域であることを特徴とする請求項１記載の電極基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜パターン形成工程において、
前記第２領域は、前記各第１領域の線幅方向の両方の側にそれぞれ隣接する複数の線状領域であることを特徴とする請求項２記載の電極基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁膜パターン形成工程において、
前記絶縁膜パターンを、遮光度合が異なる複数の遮光部と光透過部とを備えたフォトマスクを使用するフォトリソグラフィ処理により形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の電極基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜の材料が、ノボラック樹脂、ジアゾナフトキノン樹脂、ポリヒドロキシスタイレン（ＰＨＳ）樹脂、ノルボルネン樹脂、アダマンタン樹脂、アクリル樹脂からなる群より選択される一の材料であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の電極基板の製造方法。
【請求項６】
前記縁端部被覆工程において、前記第２領域に残存する絶縁膜に有機溶剤を吸収させた後、前記絶縁膜を加熱することにより、該絶縁膜を溶解変形させることを特徴とする請求項１から５のいずれか記載の電極基板の製造方法。
【請求項７】
前記縁端部被覆工程において、前記第２領域に残存する絶縁膜を加熱しながら該絶縁膜に有機溶剤を吸収させることにより、該絶縁膜を溶解変形させることを特徴とする請求項１から５のいずれか記載の電極基板の製造方法。
【請求項８】
前記有機溶剤が、アルコール類、アルコキシル類、エーテル類、エステル類、ケトン類、グリコール類、アルキレングリコール類、グリコールエーテル類からなる群より選択される一の溶剤であることを特徴とする請求項６または７記載の電極基板の製造方法。
【請求項９】
前記加熱の温度が、５０℃以上１５０℃以下の温度であることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項記載の電極基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上にカラーレジスト材料を堆積させる工程と、
前記カラーレジスト材料をフォトリソグラフィ処理により所定形状となるように加工して、カラーフィルタパターンを形成する工程と
前記カラーフィルタパターンを覆うように被覆材料を堆積させる工程と
により前記所定層を形成することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項記載の電極基板の製造方法。
【請求項１１】
基板上にカラーレジスト材料を堆積させる工程と、
前記堆積されたカラーレジスト材料の上に被覆材料を堆積させる工程と、
前記被覆材料およびカラーレジスト材料をフォトリソグラフィ処理により所定形状となるように加工して、上面にのみ前記被覆材料が堆積されたカラーフィルタパターンを形成する工程と
により前記所定層を形成することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項記載の電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器等の電子デバイスを構成する電極基板の製造方法に関する。詳しくは、電極の縁端部が絶縁膜で覆われた構造を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療分野で用いられる撮影装置として、放射線を検出して電気信号に変換する放射線検出器を搭載した装置が提供されている。放射線検出器の構造は、放射線を電荷に変換するプロセスの違いや、蓄積された電荷を読み出すプロセスの違いにより異なるが、例えば、特許文献１に示される構造が提案されている。
【０００３】
同文献が開示する放射線検出器は、基板上に並んで配置された複数の線状電極を備えるもので、各線状電極の縁端部には、縁端部を覆うように絶縁膜が設けられている。電極の縁端部は電圧印加時に電界が集中するため放電破壊が起きやすいが、同文献が開示する構造では放電破壊が抑制されるため、電極間の短絡や光導電層の劣化、さらには光導電層の劣化に起因する画像欠陥の発生を防ぐことができる。このような構造は、通常、基板上に電極を形成し、その上に絶縁膜材料を堆積させ、その絶縁膜材料にフォトリソグラフィ技術により電極端縁端部のみを覆うようなパターンを転写し、絶縁膜材料の不要部を除去することにより形成される。
【０００４】
一方、フォトリソグラフィ技術を用いたパターン形成方法として、レジストマスクを使ってパターニングを行った後、そのレジストマスクを有機シラン溶液に浸漬あるいは有機シラン蒸気に曝露することにより膨張させ、膨張により変形したレジストマスクを使って次の層のパターニングを行う方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この方法では、１つのレジスト層を２種類のマスクとして使用するので、製造コストを抑えることができる。
【特許文献１】特開２００５−１８３６７０号公報
【特許文献２】特開２０００−１３３６３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１が示す放射線検出器の構造では、電極と絶縁膜とが重なっている部分の幅（以下、重なり幅）が広いほうが、画像欠陥等の問題は発生しにくい。しかし、電極と絶縁膜との重なり幅を広くすれば、電極と放射線検出層とが接する領域の面積はその分狭くなり、検出器の感度は低下する。すなわち、画像欠陥の抑制と検出感度の向上とは、トレードオフの関係にある。
【０００６】
上記状況では、上記重なり幅を、画像欠陥を確実に抑制できる範囲で最小の幅とすることが望まれるが、実際の製造過程では、フォトマスクの位置がずれることがあるため、重なり幅を常に所望の幅とすることは難しい。このため、電極と絶縁膜の重なり幅が所望の幅よりも広めになるようにフォトマスク作製することで、マスクがずれた場合でも電極縁端部を覆う位置に絶縁膜が形成されるようにしているのが実情である。
【０００７】
本発明は、上記実情を考慮し、上記構造を有する電極基板を製造する方法として、マスクの位置ずれを気にすることなく、電極と絶縁膜との重なり幅を常に所望の幅とすることができる方法を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の方法では、上記課題を解決するために、電極基板を製造する過程で、以下に説明する４つの工程を実施する。まず、製造過程で形成された所定の層上に、電極材料を堆積させる（電極材料堆積工程）。
【０００９】
次に、その電極材料の上に、第１膜厚の絶縁膜が形成された第１領域、第１領域の少なくとも一部に隣接する領域で第１膜厚よりも厚い第２膜厚の絶縁膜が形成された第２領域および絶縁膜が形成されない第３領域からなる絶縁膜パターンを形成する（絶縁膜パターン形成工程）。
【００１０】
例えば線状電極の幅方向の縁端部が絶縁膜で覆われた構造を得たい場合には、第１領域を、線幅方向に所定間隔で配列された複数の線状領域とし、第２領域を、各第１領域の線幅方向にそれぞれ隣接する複数の線状領域として、絶縁膜パターンを形成する。２つある縁端部のうち一方の縁端部のみを絶縁膜被覆したい場合には、第２領域を各第１領域の一方の側にのみ隣接する複数の線状領域とする。両方の縁端部を絶縁膜で被覆したい場合には、第２領域を各第１領域の線幅方向の両方の側にそれぞれ隣接する複数の線状領域とする。
【００１１】
このような絶縁膜パターンは、例えば、遮光度合が異なる複数の遮光部と光透過部とを備えたフォトマスクを使用したフォトリソグラフィ処理により、比較的簡単に形成することができる。
【００１２】
次に、形成された絶縁膜パターンをマスクとして電極材料をエッチングすることにより、前記所定層上に所定形状の電極を形成する（電極形成工程）。その後、第１領域に形成された絶縁膜は除去され第２領域に形成された絶縁膜は少なくとも一部残存するように絶縁膜を除去する（絶縁膜除去工程）。続いて、第２領域に残存する絶縁膜を溶解変形させて、所定形状の電極の縁端部の少なくとも一部が、溶解変形された絶縁膜により覆われた構造を形成する（縁端部被覆工程）。
【００１３】
縁端部被覆工程では、第２領域に残存する絶縁膜に有機溶剤を吸収させた後、その絶縁膜を加熱することにより、絶縁膜を溶解変形させる。もしくは、第２領域に残存する絶縁膜を加熱しながら絶縁膜に有機溶剤を吸収させることにより、絶縁膜を溶解変形させる。このような手順では製造途中の基板を有機溶剤のガスもしくは液に曝す時間を制御することで、電極と絶縁膜との重なり幅を比較的容易に制御することができる。
【００１４】
ここで、エッチングマスクを膨張変形させ、変形された層を再度エッチングマスクとして使用する方法は、前述したとおり特許文献２において提案されている。しかし、本発明では溶解変形後の絶縁膜は電極縁端部を覆う被覆膜として機能するため、製造過程の最終段階で除去されてしまうエッチングマスクと異なり、溶解変形後も相応の強度を備える必要がある。
【００１５】
溶解変形後の絶縁膜を安定化し、適度なデバイス強度を得るためには、加熱処理を５０℃以上１５０℃以下の温度で行うことが好ましい。また、絶縁膜の材料は、ノボラック樹脂、ジアゾナフトキノン樹脂、ポリヒドロキシスタイレン（ＰＨＳ）樹脂、ノルボルネン、アダマンタン樹脂、アクリル樹脂からなる群より選択される一の材料とすることが望ましい。
【００１６】
これらの材料からなる絶縁膜の溶解変形には、例えば、アルコール類、アルコキシル類、エーテル類、エステル類、ケトン類、グリコール類、アルキレングリコール類、グリコールエーテル類が適している。
【００１７】
なお、電極基板の構造の１つとして、カラーフィルタパターンの上層に電極パターンを設けた構造が知られている。そのような構造の電極基板は、前記所定層を、基板上にカラーレジスト材料を堆積させる工程と、カラーレジスト材料をフォトリソグラフィ処理により所定形状となるように加工して、カラーフィルタパターンを形成する工程と、カラーフィルタパターンを覆うように被覆材料を堆積させる工程とにより形成することで、製造できる。あるいは、前記所定層を、基板上にカラーレジスト材料を堆積させる工程と、堆積されたカラーレジスト材料の上に被覆材料を堆積させる工程と、被覆材料およびカラーレジスト材料をフォトリソグラフィ処理により所定形状となるように加工して、上面にのみ被覆材料が堆積されたカラーフィルタパターンを形成する工程とにより形成することで、製造できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の方法は、電極パターンの形成に使用したエッチングマスクの一部を溶解変形させて電極縁端部を覆う絶縁被覆膜を形成するため、マスクの配置ずれに起因する問題は生じ得ず、電極縁端部の所望の位置に常に正確に被覆膜を形成することができる。また、本発明の方法は、使用するフォトマスクの数が従来方法よりも少ないため、電極基板の製造コストを下げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態として、医療用の撮影装置に搭載される放射線検出器の電極基板を製造する方法を例示する。
【００２０】
図１Ａおよび図１Ｂは、放射線検出器の概略構成を示す図であり、図１Ａは放射線検出器の上面を、図１Ｂは放射線検出器の図１Ａ中のＩ−Ｉ線における断面を、それぞれ表している。
【００２１】
この放射線検出器は、電極基板１と、電極基板１上に形成された放射線検出層２と、放射線検出層上に設けられた上部電極層３と、放射線検出層２および上部電極層３を覆うように形成された表面保護層４と、電極基板１の外周に設けられた信号取出用のＴＣＰ（Tape Carrier Package）５とにより構成される。
【００２２】
撮影の際には、上部電極層３と電極基板１との間に電圧が印加された状態で、表面保護層４側から放射線が照射される。表面保護層４および上部電極層３は放射線を透過する材料からなり、被写体、表面保護層４および上部電極層３を透過した放射線は、放射線検出層２に照射され、潜像電荷として蓄積される。
【００２３】
図２Ａおよび図２Ｂは、電極基板１の詳細構造を示す図であり、図２Ａは電極基板１の上面の一部を、図２Ｂは図２Ａ中のII−II線における断面を、それぞれ表している。
【００２４】
電極基板１は、支持基板１１と、支持基板１１上にストライプ状に形成されたカラーフィルタ１２と、カラーフィルタ１２を覆うように堆積された被覆材料からなるオーバーコート層１３と、オーバーコート層１３上にストライプ状に交互に形成された線状電極１４ａおよび１４ｂとにより構成される。線状電極１４ａは、カラーフィルタ１２の上部に配置され、電極基板１の端部において互いに接続され、共通電極としてＴＣＰに接続されている。線状電極１４ｂは、カラーフィルタ１２と重ならない位置に配置され、個別にＴＣＰ５に接続されている。
【００２５】
撮影完了時には、上部電極３と線状電極１４ａとが短絡された状態で、電極基板１側から読取光が照射される。放射線検出層２に蓄積されていた潜像電荷は、読取光の照射により発生した電荷と結合し、電流を生じさせる。放射線検出器が出力する画像信号は、この電流を積分することにより得られたものである。
【００２６】
電極基板１上には、通常、ＴＣＰ１つにつき数百本の線状電極１４ａ、１４ｂが形成される。よって、電極基板１を構成する各要素のサイズは、例えば、線状電極１４ａ、１４ｂのライン幅Ｌｅが１７μｍ、線状電極１４ａ、１４ｂ間のスペース幅Ｓｅが８μｍ、カラーフィルタ１２の幅Ｌｆが２５μｍ、カラーフィルタ１２のピッチＰが５０μｍ程度となる。
【００２７】
上記構造では、上部電極層３と電極基板１との間に電圧が印加されたときに、線状電極１４ａ、１４ｂの幅方向の縁端部で、縁端部以外の部分より強い電界が生じる。このような電界集中は、放射線検出層２を劣化させ、画像欠陥等の問題を引き起こす要因となり得る。電極縁端部で生じる電界集中を抑制するためには、図３に示すように、線状電極１４ａおよび１４ｂの線幅方向の縁端部を、絶縁膜１５により被覆することが効果的である。
【００２８】
但し、被覆面積が広すぎると放射線検出器の感度は低下するため、各縁端部における絶縁膜との重なり幅ＯＬは必要最小限の幅とすることが望ましい。例えば先に例示したサイズの線状電極であれば、１７μｍのライン幅に対し、開口部の幅は１１μｍ以上、各縁端部における絶縁膜との重なり幅は３μｍ以下とすることが望ましい。
【００２９】
しかしながら、線状電極１４ａ、１４ｂと絶縁膜１５を、２回のフォトマスク処理により段階的に形成する従来方法では、線状電極１４ａ、１４ｂを形成するときのフォトマスクの配置と、絶縁膜１５を形成するときのフォトマスクの配置に、ずれが生じることがある。例えば、線状電極上面の開口部が１１μｍ、絶縁膜１５との重なり幅が３μｍになるようにフォトマスクを作製したとしても、製造過程においてフォトマスクの配置が１μｍずれただけで、図４の例示のように一方の縁端部が十分被覆されない構造が形成されることになる。
【００３０】
このため、従来方法では、マスクの配置がずれても縁端部がある程度覆われるように、線状電極と絶縁膜との重なり幅を広めに設定するしかなかった。例えば、電極のライン幅が１７μｍの場合、電極縁端部を確実に絶縁膜で被覆するためには、重なり幅が４μｍ以上になるようにフォトマスクを作製する必要があると考えられている。
【００３１】
これに対し、以下に説明する電極基板の製造方法では、線状電極１４ａ、１４ｂと絶縁膜１５を形成する過程で用いられるフォトマスクが１枚しかないため、フォトマスクの配置ずれに起因する問題は生じ得ない。以下、図５を参照しながら、図３に示した構造を形成する方法について説明する。
【００３２】
図５は、電極基板１の製造過程における各段階の基板の断面を表している。本実施形態では、電極基板１の支持基板１１（図５では図示を省略する）として、厚さ０．５ｍｍ〜２．５ｍｍ程度のソーダライムガラス基板を用いる。但し、支持基板１１は、読取光を透過でき且つ剛性があるものであれば、他の材質のものでもよい。
【００３３】
はじめに、支持基板１１上の全面にカラーレジスト材料１２１を、厚さが１．４μｍ程度となるように堆積させる（図５（Ａ））。カラーレジスト材料１２１は、読取光の波長の光を透過しない材料とする。例えば読取光が青色で、その波長が４００ｎｍ〜４８０ｎｍのときには、青色と捕色の関係にある赤色の顔料を分散させた感光性のレジストを堆積させる。
【００３４】
次に、第１のフォトマスクを介してカラーレジスト材料１２１を露光することにより、幅２５μｍの線が５０μｍピッチでストライプ状に配置されたパターンをカラーレジスト材料１２１に転写し、これを現像することにより、図２Ｂおよび図３に示したカラーフィルタ１２のパターンを形成する（図５（Ｂ））。
【００３５】
次に、カラーフィルタ１２のパターンが形成された支持基板１１上に、支持基板上面からの厚さが２．０μｍ程度となるように有機絶縁材料を堆積させ、第２のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ処理により、電極基板１の端部およびＴＣＰとの接続部を除いた領域に、その有機絶縁材料からなるオーバーコート層１３を形成する（図５（Ｃ））。オーバーコート層１３の材料としては、読取光の波長の光を透過する材料、例えば、ＰＭＭＡ、ノボラック樹脂、ポリイミドなどが適している。
【００３６】
続いて、オーバーコート層１３の上に、スパッタ蒸着により、電極材料１４１を、厚さが０．２μｍ程度となるように堆積させる（図５（Ｄ）：電極材料堆積工程）。電極材料１４１は、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）など光に対して透明な材料とする。
【００３７】
電極材料１４１の上には、後に続く電極形成工程でエッチングマスクとして機能する絶縁膜パターン１５１を形成する（図５（Ｅ）：絶縁膜パターン形成工程）。絶縁膜パターン１５１は、幅１７μｍ強の線を、２５μｍピッチでストライプ状に配置したパターンである。
【００３８】
絶縁膜パターン１５１を構成する各線状絶縁膜は、図に示すように、線幅方向の中央領域（第１領域）で薄く、中央領域に隣接する両端領域（第２領域）で厚くなるように形成する。例えば、各線の中央領域は幅１１μｍ、厚さ０．５μｍ程度の絶縁膜からなり、両端領域は幅３μｍ、厚さ１．０μｍ程度の絶縁膜からなり、各線の間の８μｍ幅の領域（第３領域）では電極材料１４１が露出するように、パターンを形成する。
【００３９】
ここで、図６Ａおよび図６Ｂを参照して、絶縁膜パターン１５１の形成方法について説明する。図６Ａは、上から順に、第３のフォトマスク、透過光強度を示すグラフ、形成される絶縁膜パターンを表している。第３のフォトマスクは、ガラス基板１６に遮光性材料１７をストライプ状に貼り付けることにより作製する。
【００４０】
遮光性材料１７は、ストライプを構成する各線の線幅方向の中央領域で薄く、中央領域に隣接する両端領域で厚くなるようにする。これにより、光の遮光度合いは中央領域で弱く、両端領域で強くなり、第３のフォトマスクを透過した光の強度は図中のグラフに示すように、線間領域で最も強く、線の両端領域で最も弱く、線の中央領域では線間領域よりも弱く両端領域よりも強くなる。したがって、図に示すようなフォトマスクを使用したフォトグラフィ処理により、図示した形状の絶縁膜パターン１５１を形成することができる。
【００４１】
なお、図６Ａのフォトマスクに代えて、図６Ｂのフォトマスクを使用することによっても、絶縁膜パターン１５１を形成することができる。図６Ｂに示すフォトマスクでは、ストライプを構成する各線の線幅方向の中央領域において、遮光性材料をストライプ状に貼り付けることで、遮光度合いを調整したものである。この他、感度が異なる感光層を重ねた２層構造のレジストを使って、絶縁膜パターン１５１を形成することもできる。
【００４２】
絶縁膜パターン１５１が形成されたら、続いて、その絶縁膜パターン１５１をエッチングマスクとして、例えばウエットエッチング処理により、電極材料１４１をエッチングする。これにより、前述した線状電極１４ａ、１４ｂが交互に配置されたパターンを形成する（図５（Ｆ）：電極形成工程）。
【００４３】
次に、エッチングマスクとして使用した絶縁膜パターン１５１を、アッシングにより除去する（図５（Ｇ）：絶縁膜除去工程）。アッシングは、絶縁膜が薄く形成されていた領域において絶縁膜が除去された時点で終了する。これにより、図に示すように、線幅方向の中央領域でのみ電極が露出し、両端領域に絶縁材料１５２が残存する構造が得られる。残存させる絶縁材料１５２の分量は、アッシング時間その他アッシング処理のパラメータを調整することにより、制御することができる。
【００４４】
続いて、図５（Ｇ）に示す状態の基板を、ベーク炉など、加熱処理とガス雰囲気処理の機能を備えた処理ユニットのチャンバーにセットする。そして、絶縁材料１５２を溶解変形させるのに適した有機溶剤をバブリングによりガス化してチャンバー内に導入する。この状態で基板を１〜３０分程度放置すると、有機溶剤を吸収した絶縁材料１５２が溶解変形し、線状電極１４ａ、１４ｂの縁端部が絶縁膜１５で被覆された構造が形成される（図５（Ｈ）：縁端部被覆工程）。
【００４５】
所望の構造が得られたら、ガス雰囲気に代えてクリーンエアを流入し、５０℃〜１５０℃の温度で一定時間加熱することにより、絶縁材料のもとの性質（強度等）を回復させ、形成された構造を安定させる。なお、チャンバーに基板をセットした後、直ちに加熱を開始し、加熱した状態で有機溶剤のガスを流入し、その状態を１〜３０分程度保持することで、絶縁材料１５２の溶解変形および被覆絶縁膜の安定化を同時に行ってもよい。また、有機溶剤を絶縁材料１５２に吸収させる方法としては、基板を有機溶剤のガス雰囲気に曝す方法のほか、基板を液体有機溶剤に浸漬させる方法もある。
【００４６】
なお、以上に説明したとおり、絶縁膜パターン１５１は、エッチングマスクとして機能し、且つ、電極縁端部を保護する被覆膜としても機能する。この２つの機能を果たすのに好適な絶縁材料としては、例えば、ノボラック樹脂、ジアゾナフトキノン樹脂、ＰＨＳ樹脂、ノルボルネン樹脂、アダマンタン（トリシクロデカン）樹脂、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ等）があげられる。
【００４７】
また、これらの絶縁材料を溶解変形させる有機溶剤としては、アルコール類（Ｒ−ＯＨ、イソプロピルアルコール等）、アルコキシル類、エーテル類（エチレングリコールモノエチルエーテル等）、エステル類（長鎖アルキルエステル等）、ケトン類（メチルエチルケトン等）、グリコール類（エチレングリコール等）、アルキレングリコール類、グリコールエーテル類が適している。
【００４８】
前述したとおり、従来方法では、電極形成用のエッチングマスクを形成する工程と、電極縁端部に被覆絶縁膜を形成する工程の、それぞれにおいてフォトマスクを使用したフォトリソグラフィ処理が行われていた。これに対し、本実施形態では、電極形成用のエッチングマスクの一部を溶解変形させることで被覆絶縁膜を形成するため、図４に示すようなフォトマスクのずれに起因する問題は生じ得ない。
【００４９】
本実施形態では、電極と絶縁膜との重なり幅は、図５（Ｇ）の工程においてアッシングを行う時間、図５（Ｈ）の工程において有機溶剤のガスの中に基板を曝している時間などによって変化するが、処理時間等を調整することは、フォトマスクの位置を数μｍの精度で制御することと比較すれば、容易である。よって、本実施形態によれば、常に高い精度で、重なり幅を制御することができ、電極と絶縁膜との重なり幅を３μｍ以下に設定したときでも、設計どおりの構造を形成することができる。
【００５０】
また、従来方法では、カラーフィルタパターンの形成、オーバーコート層の形成、電極形成用エッチングマスクの形成、電極縁端部被覆膜の形成の４工程において、フォトマスクを使用したフォトリソグラフィ処理が行われていた。これに対し、本実施形態では、フォトマスクを使用するのは、カラーフィルタパターンの形成、オーバーコート層の形成、電極形成用エッチングマスクの形成の３工程のみである。一般に、電子デバイスの製造コストは、使用するフォトマスクの数に比例して高くなるので、本実施形態の方法を適用することにより、製造コストを下げることができる。
【００５１】
なお、本発明を電極基板１のような構造のデバイスの製造過程に適用する場合には、図５（Ａ）、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）の工程を、図７（Ａ）、図７（Ｂ）および図７（Ｃ）の工程に置き換えることで、さらに製造コストを下げることができる。
【００５２】
図７に示す方法では、支持基板１１（図７でも図示せず）上の全面にカラーレジスト材料１２１を、厚さが１．４μｍ程度となるように堆積させた後（図７（Ａ））、そのカラーレジスト材料１２１の上に全面に亘り有機絶縁材料１３１を堆積させる（図７（Ｂ））。続いて、フォトマスクを使用したフォトリソグラフィ処理により、カラーフィルタ１２の上面にオーバーコート層１３が形成されたパターンを形成する（図７（Ｃ））。
【００５３】
カラーレジストは顔料粒子を有機材料中に分散させた構成をしており、コート後熱処理すると有機材料が縮小硬化することによりその表面に顔料粒子による数百ｎｍ程度の凹凸ができる。この凹凸を平坦にするためには凹凸程度の厚さがあれば足りるので、図７（Ｃ）の工程で形成するオーバーコート層１３の厚さは、図５（Ｃ）の工程で形成するオーバーコート層１３よりも薄くてよい。例えば、図５に示した製造方法ではオーバーコート層１３の厚さを２．０μｍ程度にする必要があるのに対し、図７に示す製造方法では、オーバーコート層１３の厚さは０．２〜０．５μｍ程度でよい。
【００５４】
続いて、図７（Ｃ）に示すパターンの上に、スパッタ蒸着により電極材料１４１を堆積させる（図７（Ｄ））。以降、図５（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）を参照して説明した工程と同様の工程を実施することにより、図７（Ｅ）に示す構造を形成する。
【００５５】
図７に示す手順では、フォトマスクを使用する工程は図７（Ｃ）の工程と、電極形成用エッチングマスクを形成する工程の二工程のみである。したがって、フォトマスクが少ない分、図５に示す方法よりもさらに製造コストを下げることができる。
【００５６】
以上、線状電極の幅方向の両縁端部を絶縁膜で被覆する手順を例示しながら説明したが、本発明は一方の縁端部のみを絶縁膜で被覆する場合にも適用可能である。例えば、図８（Ａ）に示すように、絶縁膜パターン１５３の形状を、線幅方向の一方の縁端領域においてのみ厚い形状として、図５を参照して説明した各工程を実施すれば、図８（Ｂ）に示すように、一方の縁端部のみが絶縁膜で被覆された構造が得られる。すなわち、絶縁膜パターンの形状を工夫することにより、被覆することが必要な縁端部のみを選択的に被覆することができる。
【００５７】
また、本発明は、幅が狭い線状電極その他微細な構造の電極に対し、縁端部を覆う絶縁膜を設けるときに特に有用な発明であるが、電極のサイズや形状を問わず適用可能である。例えば、図９に示すように、電極材料１４ｃの上に、上部からみた形状が正方形で、正方形の４辺のうち隣接する２辺の近傍が他の領域よりも厚い絶縁膜パターン１５４を形成して、図５に示した各工程を実施すれば、方形電極の２辺のみが絶縁膜で覆われた構造を得ることができる。
【００５８】
なお、本明細書では、放射線検出器の電極基板を製造する方法を例示して説明したが、本発明は、電極の縁端部が絶縁膜で覆われた構造を有するあらゆる電極基板の製造方法として適用可能である。例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶パネル、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）イメージセンサなど、画素電極がマトリクス状に配列された構造で、画素電極の周囲に絶縁膜が設けられた構造のデバイスを製造する方法として有用である。その他、例えば特開２００１−３０７８７８号公報には有機ＥＬ層を備えた電界発光素子の構造としてアノード電極の縁端部を絶縁膜で被覆した構造が示されているが、本発明はこのような素子の製造方法としても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１Ａ】放射線検出器の概略構造を示す上面図
【図１Ｂ】図１Ａ中のＩ−Ｉ線断面図
【図２Ａ】放射線検出器の電極基板の詳細構造を示す拡大上面図
【図２Ｂ】図２Ａ中のII−II線断面図
【図３】電極縁端部が絶縁膜で覆われた構造を示す図
【図４】従来方法の問題点を示す図
【図５】本発明の一実施形態における電極基板の製造方法を示す図
【図６Ａ】絶縁膜パターンの形成に用いるフォトマスクの一例を示す図
【図６Ｂ】絶縁膜パターンの形成に用いるフォトマスクの他の例を示す図
【図７】本発明の他の実施形態における電極基板の製造方法を示す図
【図８】絶縁膜パターンの他の例を示す図
【図９】絶縁膜パターンのさらに他の例を示す図
【符号の説明】
【００６０】
１  電極基板、２  放射線検出層、３  上部電極層、４  表面保護層、５  ＴＣＰ、
１１  支持基板、１２  カラーフィルタ、１３   オーバーコート層、
１４ａ，１４ｂ  線状電極、１４ｃ  電極材料、１５  絶縁膜、
１６  ガラス基板、１７  遮光性材料、
１２１ カラーレジスト材料、１３１  有機絶縁材料、１４１  電極材料、
１５１  絶縁膜パターン、１５２  絶縁材料、１５３  絶縁膜パターン、
１５４  絶縁膜パターン。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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