(57)【要約】【課題】電極径φ３０μｍ以下の微細な電極間でも良好に導通可能なデバイス実装構造を提供する。【解決手段】光デバイス１の電極１ａ表面、および、光デバイス１の電極１ａと対向する実装基板２の基板電極２ａ表面のそれぞれに、円柱形状の金属製の微小突起１ｂ、微小突起２ｂを１個ないし複数個それぞれ形成し、光デバイス１を実装基板２の実装位置に位置決めした状態で、電極１ａと基板電極２ａとを互いに対向させて接近させることにより、微小突起１ｂと基板電極２ａおよび微小突起２ｂと電極１ａとを当接させて圧着させ、双方の微小突起１ｂ，２ｂを圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形させて、微小突起１ｂと微小突起２ｂとが互いに絡み合い機械的に結合し合う状態に形成する。また、微小突起１ｂ，２ｂそれぞれを電極１ａ表面、基板電極２ａ表面に対しあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成するようにしても良い。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを実装基板に実装するためのデバイス実装構造であって、前記デバイスの電極表面に形成された１個ないし複数個の金属製の微小突起と前記実装基板の基板電極表面に形成された１個ないし複数個の金属製の微小突起とを圧着させて機械的に互いに結合し合う状態に形成していることを特徴とするデバイス実装構造。
【請求項２】
前記デバイス側の前記微小突起と前記実装基板側の前記微小突起とが圧着される前の双方の前記微小突起それぞれの形状が、前記デバイスの電極表面、前記実装基板の基板電極表面のそれぞれに対して、前記デバイスの前記実装基板への実装時により強く結合し合う方向としてあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成されていることを特徴とする請求項１に記載のデバイス実装構造。
【請求項３】
前記デバイス側の前記微小突起の前記デバイスの電極表面上の形成位置と前記実装基板側の前記微小突起の前記実装基板の基板電極表面上の形成位置とが、前記デバイスの前記実装基板への実装時に、互いに重なり合わない位置に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のデバイス実装構造。
【請求項４】
前記デバイス側の前記微小突起および前記実装基板側の前記微小突起は、それぞれ、前記デバイスの電極表面の前記微小突起の形成位置および前記実装基板の基板電極表面の前記微小突起の形成位置としてあらかじめ定めたそれぞれの位置に、金の微粒子を含む有機溶液をあらかじめ定めた微量ずつ塗布した後加熱して金の微粒子を焼結させる工程を繰り返すことにより、突起構造として形成したものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のデバイス実装構造。
【請求項５】
前記デバイスが、ガリウムおよび／または砒素を含む化合物半導体からなり、前記デバイスの電極が、半導体製造プロセスにより形成された表面が金からなる薄膜からなっていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のデバイス実装構造。
【請求項６】
前記実装基板が、セラミックまたは有機素材からなり、前記実装基板の基板電極が、エッチングまたはメッキにより形成された表面が金からなる薄膜からなっていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のデバイス実装構造。
【請求項７】
前記デバイスが光デバイスであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のデバイス実装構造。
【請求項８】
前記デバイス側及び前記実装基板側の前記各微小突起の形が円柱形その他の柱形状、多面体形状および板形状の内の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のデバイス実装構造。
【請求項９】
デバイスを実装基板に実装するためのデバイス実装方法であって、前記デバイスの電極表面に金属製の微小突起を１個ないし複数個形成し、かつ、該デバイスの電極と対向する前記実装基板の基板電極表面に金属製の微小突起を１個ないし複数個形成し、前記デバイスを前記実装基板の実装位置に位置決めした状態で、前記デバイスの電極と前記実装基板の基板電極とを互いに対向させて接近させることにより、前記デバイス側の前記微小突起と前記実装基板の基板電極および前記実装基板側の前記微小突起と前記デバイスの電極とを当接させて圧着することにより、前記デバイス側の前記微小突起と前記実装基板側の前記微小突起とが互いに絡み合い機械的に結合し合う状態に形成することを特徴とするデバイス実装方法。
【請求項１０】
前記デバイス側の前記微小突起および前記実装基板側の前記微小突起を、それぞれ、前記デバイスの電極表面、前記実装基板の基板電極表面に形成する際に、前記デバイスの電極表面、前記実装基板の基板電極表面のそれぞれに対して、前記デバイスの前記実装基板への実装時により強く結合し合う方向としてあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成することを特徴とする請求項９に記載のデバイス実装方法。
【請求項１１】
前記デバイス側の前記微小突起の前記デバイスの電極表面上の形成位置と前記実装基板側の前記微小突起の前記実装基板の基板電極表面上の形成位置とが、前記デバイスの前記実装基板への実装時に、互いに重なり合わない位置に形成することを特徴とする請求項９または１０に記載のデバイス実装方法。
【請求項１２】
前記デバイス側の前記微小突起および前記実装基板側の前記微小突起を、それぞれ、前記デバイスの電極表面および前記実装基板の基板電極表面に形成する工程として、前記デバイスの電極表面の前記微小突起の形成位置および前記実装基板の基板電極表面の前記微小突起の形成位置としてあらかじめ定めたそれぞれの位置に、金の微粒子を含む有機溶液をあらかじめ定めた微量ずつ塗布した後、加熱して、有機成分を揮発させ、金の微粒子を焼結させる工程を繰り返すことにより、突起構造として形成することを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載のデバイス実装方法。
【請求項１３】
前記デバイスが、ガリウムおよび／または砒素を含む化合物半導体からなり、前記デバイスの電極が、半導体製造プロセスにより形成された表面が金からなる薄膜からなっていることを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載のデバイス実装方法。
【請求項１４】
前記実装基板が、セラミックまたは有機素材からなり、前記実装基板の基板電極が、エッチングまたはメッキにより形成された表面が金からなる薄膜からなっていることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載のデバイス実装方法。
【請求項１５】
前記デバイスが光デバイスであることを特徴とする請求項９ないし１４のいずれかに記載のデバイス実装方法。
【請求項１６】
前記デバイス側及び前記実装基板側の前記各微小突起の形が円柱形その他の柱形状、多面体形状および板形状の内の少なくとも一つであることを特徴とする請求項９ないし１５のいずれかに記載のデバイス実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス実装構造およびデバイス実装方法に関し、特に、高速光伝送に用いられる光デバイスに適用して好適な実装構造とその実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高機能化および高集積化は益々進展しており、半導体素子の微細化技術が加速化されている。特に、最近開発が進んでいる高速光デバイスの分野においても、電極の寄生容量を低減して高速動作を可能とするために、電極径をφ３０μｍ以下に抑えるようになってきている。このため、特許文献１の特開２００４−３１７８４０号公報「光デバイスおよびその製造方法」、特許文献２の特開平１１−１８６６７０号公報「面型光デバイスおよびその製造方法」、特許文献３の特開２００３−３２９９７５号公報「光デバイスとその製造方法」等に記載されているような、従来の光デバイスの実装技術として一般的に用いられている半田接合や金金熱圧着接合や接着剤接合（銀ペースト等）の実装は、微細化実装技術として限界に達しつつある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３１７８４０号公報（第６−８頁）
【特許文献２】特開平１１−１８６６７０号公報（第３−５頁）
【特許文献３】特開２００３−３２９９７５号公報（第３−４頁）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述のように、従来の光デバイスの実装方法として、一般的に良く用いられている半田接合、金金熱圧着接合、接着剤接合（銀ペースト等）は、微細化が進展する光デバイスへの適用が困難になりつつある。
【０００５】
例えば、半田接合の場合、実装時の加熱および冷却により、半田と光デバイスの線膨張係数が異なることから、微小な電極部に応力が加わって、光デバイスが破壊する問題が生じ易い。このため、供給する半田の位置や量を精密に制御することが必要となるが、従来、信頼性の点から多用されているＡｕＳｎ半田を採用した場合において、最も微小に形成することが可能な蒸着法を用いても、最小φ３０μｍ径での供給が現状技術では限界であり、更なる微細化の要求には応じることができない状況にある。
【０００６】
また、金金熱圧着接合において良く用いられる金スタッドバンプを採用しても、現状の技術では、最小径φ３５μｍ程度が限界であり、また、熱圧着接合を実現するために、３００℃以上といった高温加熱と、例えばバンプ１個当たり１０ｇｆ以上といった高い加圧力とを、微小な電極部に加える必要があるため、電極部が破損する危険性が大きい。
【０００７】
さらに、接着剤（銀ペースト等）による接合においても、光デバイスの電極径が小さいために、微細化に対応可能な微小量供給の問題や接合強度の信頼性確保等の課題がある。
【０００８】
上記光デバイス実装構造および光デバイス実装方法に関する解決するべき課題は、光デバイス以外のデバイス、例えば半導体製の電子デバイスについても、解決するべき課題である。
【０００９】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、デバイスと該デバイスを実装する実装基板との双方に、微小金属からなる突起（つまり微小突起）を形成して、実装時に、双方の微小突起同士を対向させて加圧することにより、双方の微小突起が変形して互いに機械的に噛み合って機械的に強固に接触させ、電気的に良好な導通状態を実現するデバイス実装構造およびデバイス実装方法を提供することを、その目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述の課題を解決するため、本発明によるデバイス実装構造およびデバイス実装方法は、次のような特徴的な構成を採用している。下記（１）及び（９）なる番号は、請求項の項番号にそれぞれ対応している。
【００１１】
（１）デバイスを実装基板に実装するためのデバイス実装構造であって、前記デバイスの電極表面に形成された１個ないし複数個の金属製の微小突起と前記実装基板の基板電極表面に形成された１個ないし複数個の金属製の微小突起とを圧着させて機械的に互いに結合し合う状態に形成しているデバイス実装構造。
【００１２】
（９）デバイスを実装基板に実装するためのデバイス実装方法であって、前記デバイスの電極表面に金属製の微小突起を１個ないし複数個形成し、かつ、該デバイスの電極と対向する前記実装基板の基板電極表面に金属製の微小突起を１個ないし複数個形成し、前記デバイスを前記実装基板の実装位置に位置決めした状態で、前記デバイスの電極と前記実装基板の基板電極とを互いに対向させて接近させることにより、前記デバイス側の前記微小突起と前記実装基板の基板電極および前記実装基板側の前記微小突起と前記デバイスの電極とを当接させて圧着することにより、前記デバイス側の前記微小突起と前記実装基板側の前記微小突起とが互いに絡み合い機械的に結合し合う状態に形成するデバイス実装方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のデバイス実装構造およびデバイス実装方法によれば、以下のような効果を得ることができる。
【００１４】
第１の効果は、デバイスその他のデバイスを実装基板上に実装する際に、微細な（例えば、電極径が３０μｍφ以下。）電極間であっても電気的な接続が可能になることにある。その理由は、例えば直径φ５μｍで高さ２０μｍ程度の円柱形状の金属による微小突起をデバイス側の電極の表面および相対する実装基板側の基板電極の表面にそれぞれ形成して、デバイスの実装基板への実装時に、デバイスを実装基板上へ圧着させることにより、デバイス側の微小突起、実装基板側の微小突起に圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態の塑性変形を生じさせて、微小突起同士が互いに機械的に噛み合って強く接触する状態を形成することができるからである。
【００１５】
第２の効果は、デバイスの電極の破損が生じ難いことにある。その理由は、デバイスの実装基板への実装時には、特に、高温の加熱を行う必要がないため、加熱や冷却に伴う応力がデバイスの電極に加わることがなく、また、微小突起が例えば直径φ５μｍで高さが２０μｍといった微小寸法であるため、デバイスの実装時において、圧縮・座屈・屈曲といった微小突起の塑性変形に要する加圧力が、例えば金スタッドバンプの熱圧着時に要する加圧力に比べて大幅に低減することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明による光デバイス実装構造の一実施形態を示す構造図である。
【図２】図１の光デバイス実装構造を説明するための説明図である。
【図３】本発明による光デバイス実装構造の図１、図２とは異なる他の実施形態を示す構造図である。
【図４】本発明による光デバイス実装構造の図１、図２とはさらに異なる他の実施形態を示す構造図である。
【図５】本発明による光デバイス実装構造の図４とは異なる他の実施形態を示す構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明によるデバイス実装構造およびデバイス実装方法の好適な実施形態について添付図を参照して説明する。
【００１８】
（本発明の特徴）
本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の特徴についてその概要をまず説明する。本発明は、微小金属による突起（以下、「微小突起」と称する）を、つまり、例えば直径φ５μｍで高さが２０μｍの円柱形状の微小突起を、デバイスの電極表面、および、当該デバイスを実装する実装基板上のデバイスの電極と相対する位置の基板電極表面に、それぞれ、１ないし複数個形成することを特徴としている。
【００１９】
ここで、デバイスを実装基板上に実装するために、デバイスの微小突起と実装基板上の微小突起とを互いに対向させてデバイスを実装基板上に圧着するように近接させると、デバイスの電極と実装基板上の基板電極との間の距離が、微小突起の高さ（例えば２０μｍ）以下に接近していくにつれて、双方の微小突起が、加圧されて、圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形を生じることになる。
【００２０】
さらに、デバイスと実装基板とが互いに近接する位置まで達すると、双方の微小突起の形成個数や形成位置を適当に設定することにより、デバイス側と実装基板側との双方の微小突起が互いに干渉し合った状態で塑性変形して、双方の微小突起同士が、それぞれの形成位置で、互いに機械的に強固に噛み合って接触する状態になる。
【００２１】
その結果、デバイスの電極と実装基板上の基板電極との間が、機械的に強固に噛み合った微小突起を介して、電気的に良好に導通した状態を得ることができる。
【００２２】
さらには、デバイス側および実装基板側の双方の微小突起を適切な方向に斜めに傾斜させて形成することも可能であり、このように微小突起を適切な方向に斜めに傾斜させて形成することにより、デバイスの微小突起と実装基板上の微小突起とを互いに対向させてデバイスを実装基板上に圧着する際に、互いの微小突起が曲がる方向を制御できるので、双方の微小突起同士が、より確実にかつより強固に噛み合って結合して、より高い信頼性を得ることができる。
【００２３】
かくのごとく、双方の微小突起を適切な方向に斜めに傾斜させて形成するような複雑な形状の微細加工を実施するために、本発明においては、従来のエッチング加工技術や蒸着技術に代わって、後の説明で参照する図１における円柱形状の微小突起１ｂ、微小突起２ｂは、いずれも、例えば、金の微粒子を含む有機溶液を、図１における電極１ａ、基板電極２ａの表面の所定の位置にそれぞれ微量塗布した直後に、加熱することにより、有機成分を揮発させつつ、金の微粒子を焼結させる工程を、形成位置を僅かずつ移動させながら繰り返すことにより、斜めに傾斜させた円柱形状の突起構造物として形成することができる。例えば、粒子径φ５ｎｍ程度の微細な独立分散金属ナノ粒子からなる導電性微細ペースト例えばナノペースト（登録商標）を微量塗布して加熱焼結する処理を、形成位置を僅かずつ移動させながら、繰り返す製造方法を採用することにより、互いにより強く結合し合う方向としてあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜したような複雑な形状の微小突起を効果的に精度良く形成することを可能としている。
【００２４】
（実施形態の構成）
本発明を適用するデバイスを光デバイスとすることにより実現したデバイス実装構造、すなわち光デバイス実装構造の一実施形態について、図１および図２を参照して詳細に説明する。図１は、本発明による光デバイス実装構造の一実施形態を示す構造図であり、図１（Ａ）は、光デバイスの平面図であり、図１（Ｂ）は、光デバイスを実装基板上に実装するために互いに対向させた状態を示し、図１（Ｃ）は、光デバイスを実装基板上に実装した状態を示している。また、図２は、図１の光デバイス実装構造を説明するための説明図であり、図２（Ａ）は、光デバイスの平面図であり、図２（Ｂ）は、光デバイスを実装基板上に実装する際の電極部における光デバイスと実装基板との位置関係を拡大して示す平面図であり、図２（Ｃ）は、光デバイスを実装基板上に実装する際の電極部における光デバイスと実装基板との位置関係を拡大して示す側面図である。
【００２５】
図１（Ａ）、図２（Ａ）に示すように、実装しようとする光デバイス１には、１個ないし複数個（図１（Ａ）、図２（Ａ）の例では、５個）の電極１ａが、適当な位置に形成されており、また、図１（Ｂ）、図２（Ｃ）に示すように、該光デバイス１を実装する実装基板２上において、該光デバイス１の電極１ａそれぞれに相対する位置にも、電極１ａそれぞれと接続するための基板電極２ａが形成されている。
【００２６】
ここで、光デバイス１は、例えば、ガリウムや砒素を含む化合物半導体からなり、光デバイス１の表面に形成された電極１ａは、例えば、半導体製造プロセスにより形成された表面が金からなる薄膜構造物からなっていても良い。一方、実装基板２は、例えば、セラミックや有機素材からなり、実装基板２の表面に形成された基板電極２ａは、例えば、エッチングやメッキ技術により形成された表面が金からなる薄膜構造物からなっていても良い。電極１ａは、図２（Ｂ）の電極部の拡大図に示すように、例えば、電極径をφ３０μｍの円盤形状として形成される。光デバイス１側の該電極１ａと相対する実装基板２側の基板電極２ａについても、図２（Ｃ）に示すように、電極１ａと略同一の電極径であり、例えば、φ３０μｍの円盤形状として形成されている。
【００２７】
また、図１（Ｂ）、図２（Ｃ）に示すように、光デバイス１の電極１ａの表面、実装基板２の基板電極２ａの表面には、例えば、円柱形状の微小金属による突起すなわち微小突起が、それぞれ、微小突起１ｂ、微小突起２ｂとして、１個ないし複数個形成されている。
【００２８】
ここで、円柱形状の微小突起１ｂ、微小突起２ｂは、いずれも、例えば、金の微粒子を含む有機溶液を、それぞれの電極１ａ、基板電極２ａの表面の所定の位置に微量塗布した直後に、加熱することにより、有機成分を揮発させつつ、金の微粒子を焼結させる工程を繰り返すことにより、円柱形状に形成させた突起構造物として形成することができる。光デバイス１側の円柱形状の微小突起１ｂの大きさは、図２（Ｃ）に示すように、例えば、径φ５μｍ、高さ２０μｍである。また、実装基板２側の円柱形状の微小突起２ｂについても、図２（Ｃ）に示すように、微小突起１ｂと略同一の大きさであり、例えば、径φ５μｍ、高さ２０μｍである。
【００２９】
微小突起１ｂ、微小突起２ｂそれぞれの各電極上の形成位置は、図２（Ｂ）に示すように、光デバイス１を実装基板２に実装する際に、互いの微小突起１ｂ，２ｂ同士がより広範囲に接触することを可能とするために、互いの微小突起１ｂ，２ｂの中心位置が重ならないように、少しずつずらした配置としており、微小突起１ｂ、微小突起２ｂそれぞれの形成個数も１個ないし複数個（図１、図２の例では、各電極当たり、光デバイス１側の微小突起１ｂは５個、実装基板２側の微小突起２ｂは４個）としている。
【００３０】
図２（Ｂ）、図２（Ｃ）に示す例では、５個の微小突起１ｂは、１辺１４μｍの正方形の各頂点と該正方形の中心に形成されており、正方形の中心に形成された微小突起１ｂから各頂点の微小突起１ｂまでは、それぞれ、１０μｍの距離を置いて形成されている。そして、実装基板２側の４個の微小突起２ｂは、光デバイス１側の１辺１４μｍの正方形の各辺の中間の位置と相対する位置に形成され、隣り合う各微小突起２ｂは、それぞれ、１０μｍずつの距離を置いて形成されている。
【００３１】
そして、光デバイス１を実装基板２に実装するために、図１（Ｂ）のように、光デバイス１をフェースダウンさせて、光デバイス１の電極１ａ側の面と実装基板２の基板電極２ａ側の面とを互いに対向させ、電極１ａ、基板電極２ａが相対する位置に位置決めさせた状態で、光デバイス１を実装基板２に圧着するように移動させていくと、光デバイス１の電極１ａと実装基板２の基板電極２ａとの間の距離が、微小突起１ｂ、微小突起２ｂの高さ（例えば２０μｍ）以下に接近していくにつれて、双方の微小突起１ｂ，２ｂが、圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態の塑性変形を生じることになる。
【００３２】
さらに光デバイス１と実装基板２とが互いに近接する位置まで達すると、双方の微小突起１ｂ，２ｂの形成個数や形成位置を適当に設定することにより、図１（Ｃ）に示すように、光デバイス１側と実装基板２側との双方の微小突起１ｂ，２ｂが互いに干渉し合った状態で塑性変形して、双方の微小突起１ｂ，２ｂ同士が、それぞれの形成位置で、互いに機械的に強固に噛み合って接触する状態になる。
【００３３】
その結果、光デバイス１の電極１ａと実装基板２上の基板電極２ａとの間が、機械的に強固に噛み合った微小突起１ｂ，２ｂを介して、電気的に良好に導通した状態を得ることができる。
【００３４】
（本実施形態の製造方法の説明）
次に、図１、図２に示す光デバイス実装構造を形成するための製造方法（実装方法）についてさらに詳細に説明する。
【００３５】
図２を参照すると、光デバイス１の電極１ａおよび実装基板２の基板電極２ａは、前述のように、いずれも、例えば、直径３０μｍの寸法を有している。また、光デバイス１側の微小突起１ｂ、実装基板２側の微小突起２ｂは、ぞれぞれ、前述したような材質および形成方法により形成されており、前述のように、いずれも、例えば、直径φ５μｍで高さ２０μｍの寸法を有している。
【００３６】
また、光デバイス１側の５個の微小突起１ｂは、前述のような位置に形成されており、言い換えれば、例えば、電極１ａの中心位置を基準位置として図２（Ｂ）の縦および横にそれぞれ１０μｍずつ離れた位置に形成されている。一方、実装基板２側の４個の微小突起２ｂは、前述のような位置に形成されており、言い換えれば、例えば、光デバイス１側に形成した５個の微小突起１ｂそれぞれから仮に図２（Ｂ）の斜め４５度方向に直線を描いた場合のそれら直線の交点に相当する位置に形成されている。
【００３７】
ここで、光デバイス１と実装基板２とを、光デバイス１の実装位置に位置合わせした上で、光デバイス１を実装基板２に向けて接近させていくと、光デバイス１側の微小突起１ｂまたは実装基板２側の微小突起２ｂの先端のそれぞれが、実装基板２側の基板電極２ａの表面または光デバイス１側の電極１ａの表面に到達するまでは、図１（Ｂ）のように、互いに干渉することがなく、微小突起１ｂ，２ｂの塑性変形は生じない。
【００３８】
しかし、光デバイス１を実装基板２に向けてさらに接近させて、光デバイス１の電極１ａと実装基板２の基板電極２ａとの間の距離が、微小突起１ｂ、微小突起２ｂそれぞれの高さ（例えば２０μｍ）以下にまで接近させると、微小突起１ｂ、微小突起２ｂの先端が、それぞれ、基板電極２ａ、電極１ａに当接して圧着された状態になり、微小突起１ｂ、微小突起２ｂが加圧されて、圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形が生じるようになる。
【００３９】
しかる後、光デバイス１の電極１ａと実装基板２の基板電極２ａとの間の距離をさらに近接させると、微小突起１ｂ、微小突起２ｂの塑性変形がさらに大きくなり、図１（Ｃ）のように、隣接する光デバイス１側の微小突起１ｂと実装基板２側の微小突起２ｂ同士が互いに接触して強く絡み合う状態になり、その絡み合った機械的圧着状態や微小突起１ｂ，２ｂの表面同士の表面結合力により、光デバイス１と実装基板２とが、互いに位置を拘束し合うとともに、光デバイス１の電極１ａと実装基板２の基板電極２ａとが、絡み合った微小突起１ｂ，２ｂを介して、互いに電気的に導通した状態になる。
【００４０】
（本実施形態の効果の説明）
以上に詳細に説明したように、本実施形態による光デバイス実装構造によれば、以下のような効果が得られる。
【００４１】
第１の効果は、光デバイス１を実装基板２上に実装する際に、φ３０μｍ以下の電極径となるような微細な電極１ａ，２ａ間であっても電気的な接続が可能になることにある。その理由は、例えば直径φ５μｍで高さ２０μｍ程度の円柱形状の金属による微小突起１ｂ，２ｂを光デバイス１側の電極１ａの表面および相対する実装基板２側の基板電極２ａの表面にそれぞれ形成して、光デバイス１の実装基板２への実装時に、光デバイス１を実装基板２上へ圧着させることにより、光デバイス１側の微小突起１ｂ、実装基板２側の微小突起２ｂに圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態の塑性変形を生じさせて、微小突起１ｂ，２ｂ同士が互いに機械的に噛み合って強く接触する状態を形成することができるからである。
【００４２】
第２の効果は、光デバイス１の電極１ａの破損が生じ難いことにある。その理由は、光デバイス１の実装基板２への実装時には、特に、高温の加熱を行う必要がないため、加熱や冷却に伴う応力が光デバイス１の電極１ａに加わることがなく、また、微小突起１ｂ，２ｂが例えば直径φ５μｍで高さが２０μｍといった微小寸法の円柱形状であるため、光デバイス１の実装時において、圧縮・座屈・屈曲といった微小突起１ｂ，２ｂの塑性変形に要する加圧力が、例えば金スタッドバンプの熱圧着時に要する加圧力に比べて大幅に低減することができるからである。
【００４３】
（本発明の他の実施形態）
次に、本発明の光デバイス実装構造および光デバイス実装方法に関し、前述の実施形態とは異なる他の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４４】
図３は、本発明による光デバイス実装構造の図１、図２とは異なる他の実施形態を示す構造図であり、図３（Ａ）は、光デバイスの平面図であり、図３（Ｂ）は、光デバイスを実装基板上に実装した状態を示している。図３の光デバイス実装構造は、図１、図２の場合のように全ての電極が微小電極１ａ、微小基板電極２ａにより形成されている場合とは異なり、光デバイス１Ａと実装基板２Ａとの電極は、図１、図２と同様の微小電極１ａ、微小基板電極２ａと、通常サイズの通常電極１ｃ、通常基板電極２ｃとが混在している場合を示している。
【００４５】
図３（Ａ）に示すように、光デバイス１Ａ側には、電極径がφ３０μｍ程度の微小な電極１ａ（以下、「微小電極１ａ」と称する）が１個ないし複数個（図３（Ａ）の例では１個）、また、電極径がφ３０μｍより大きい通常サイズの電極１ｃ（以下、「通常電極１ｃ」と称する）が１個ないし複数個（図３（Ａ）の例では４個）、混在して配置されている。ここで、微小電極１ａに関しては、図１、図２にて説明したように、微小突起１ｂを介した実装構造により構成されており、図３（Ｂ）に示すように、光デバイス１Ａ側の微小電極１ａと実装基板２Ａ側の微小基板電極２ａとの間の距離が、微小突起の高さ（例えば２０μｍ）以下に近接して略密着する状態になると、双方の微小突起１ｂ，２ｂが、圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形して、双方の微小突起１ｂ，２ｂ同士が、それぞれの形成位置で、互いに機械的に強固に噛み合って接触する状態になる。
【００４６】
一方、光デバイス１Ａ側に形成された通常電極１ｃと実装基板２Ａ側に形成された通常基板電極２ｃとの間は、図３（Ｂ）に示すように、従来の実装技術と同様、例えば半田等の接合材３により互いに接合されることにより、電気的に接続した実装構造になる。なお、通常電極１ｃ、通常基板電極２ｃの形状は、図３（Ａ）に示すような円盤形状に限るものではなく、任意の自由形状であっても良いし、また、接合材３は、半田に限るものではなく、金スタッドバンプや接着剤であっても良い。
【００４７】
次に、本発明による光デバイス実装構造の図１、図２とはさらに異なる他の実施形態について、図４を参照して説明する。図４は、本発明による光デバイス実装構造の図１、図２とはさらに異なる他の実施形態を示す構造図であり、図４（Ａ）は、光デバイス側と実装基板側の電極および微小突起の構造を示す正面図、側面図、上面図、底面図であり、図４（Ｂ）は、光デバイスを実装基板上に実装するために互いに対向させて接近させた状態における微小突起の接触状態を示し、図４（Ｃ）は、光デバイスを実装基板上に実装した状態における微小突起同士の噛合状態を示している。
【００４８】
図４に示す光デバイス実装構造においては、光デバイス側の電極１ａおよび実装基板側の基板電極２ａのそれぞれの表面に形成される微小突起１ｄ、微小突起２ｄの形状が、図１、図２における微小突起１ｂ、微小突起２ｂとは異なり、互いの微小突起１ｄ，２ｄ同士がより広い範囲で接触することを可能とする方向としてあらかじめ定めた方向に向かって斜めに傾斜して形成されている。
【００４９】
ここで、図４（Ａ）の上面図、底面図に示すように、光デバイス側の電極１ａの表面に形成される微小突起１ｄ、実装基板側の基板電極２ａの表面に形成される微小突起２ｄのそれぞれの形成個数は１個ないし複数個（図４（Ａ）の例では２個ずつ）であり、それぞれの形成位置は、電極１ａ、基板電極２ａの中心に対して点対称となる位置に配置するとともに、微小突起１ｄの形成位置は、微小突起２ｄの形成位置に相対する位置から９０度回転させた位置と電極１ａの中心に対して線対称となる位置に配置している。
【００５０】
また、図４の場合、２個の微小突起１ｄ間の距離は、電極１ａの面に垂直で、かつ、片方の微小突起１ｄの先端部から底面部までを含む平面を考えた場合に、電極１ａの面に垂直で、かつ、もうー方の微小突起１ｄの先端部から底面部までを含む平面が、ほぼ、１個の微小突起１ｄの直径分の寸法だけ離れて平行に形成されている。実装基板側の２個の微小突起２ｄ間の距離についても、同様であり、基板電極２ａの面に垂直で、かつ、片方の微小突起２ｄの先端部から底面部までを含む平面を考えた場合に、基板電極２ａの面に垂直で、かつ、もうー方の微小突起２ｄの先端部から底面部までを含む平面が、ほぼ、１個の微小突起２ｄの直径分の寸法だけ離れて平行に形成されている。
【００５１】
さらに、図４（Ａ）の正面図、側面図に示すように、光デバイス側の電極１ａの表面に形成される微小突起１ｄそれぞれの傾斜方向、実装基板側の基板電極２ａの表面に形成される微小突起２ｄのそれぞれの傾斜方向は、前述のように、それぞれにおいて平行な方向とし、かつ、電極１ａ、基板電極２ａの中心に近づく方向に傾斜させて形成している。つまり、図４の場合、２個の微小突起１ｄ、２個の微小突起２ｄのそれぞれは、互いの先端部が近づくような位置関係で傾斜した状態で形成されている。また、微小突起１ｄの傾斜方向は、微小突起２ｄの傾斜方向とは直交する方向に傾斜させるように形成している。つまり、光デバイスの実装基板への実装時に、微小突起１ｄ，２ｄ同士がより確実に接触することが可能なように、光デバイス側の２個の微小突起１ｄと実装基板側の２個の微小突起２ｄとに関して、電極１ａ、基板電極２ａのそれぞれの面に垂直で、かつ、微小突起１ｄ，２ｄそれぞれの先端部から底面部までを含む平面が、互いに直交するような位置関係となっている。
【００５２】
なお、円柱形状の微小突起１ｄ、微小突起２ｄを適切な方向に斜めに傾斜させて形成する場合、いずれも、前述の実施形態にて説明した形成方法と同様な方法を用いて形成することができ、例えば、金の微粒子を含む有機溶液を、それぞれの電極１ａ、基板電極２ａの表面の所定の位置に微量塗布した直後に、加熱することにより、有機成分を揮発させつつ、金の微粒子を焼結させる工程を、形成位置を所望の方向へ僅かずつずらしながら繰り返すことにより、斜めに傾斜させた円柱形状の突起構造物を形成することができる。つまり、従来のエッチング加工技術や蒸着技術に代わって、粒子径φ５ｎｍ程度の微細な独立分散金属ナノ粒子からなる導電性微細ペースト例えばナノペースト（登録商標）を微量塗布して加熱焼結する処理を、形成位置を僅かずつ移動させながら、繰り返す製造方法を採用することにより、互いにより強く結合し合う方向としてあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜したような複雑な形状の微小突起を効果的に精度良く形成することができる。
【００５３】
また、かかる形成方法を用いることにより、微小突起１ｄ，２ｄそれぞれの高さを同一の高さに揃えるだけでなく、個別に変更して形成することも可能であるし、微小突起１ｄ，２ｄそれぞれの直径についても個別に変更して形成することも可能である。
【００５４】
図４（Ａ）のように斜めに傾斜した微小突起１ｄ、微小突起２ｄをそれぞれ備えた光デバイスを実装基板上に実装する実装工程においても、図１、図２の場合と同様に、光デバイスと実装基板とを、光デバイスの実装位置に位置合わせした上で、光デバイスを実装基板に向けて接近させるように加圧していくと、光デバイス側の微小突起１ｄまたは実装基板側の微小突起２ｄの先端のそれぞれが、実装基板側の基板電極２ａの表面または光デバイス側の電極１ａの表面に到達するまでは、図４（Ｂ）のように、互いに干渉することがなく、微小突起１ｄ，２ｄの塑性変形は生じない。
【００５５】
しかし、光デバイスを実装基板に向けてさらに接近させて、光デバイスの電極１ａと実装基板の基板電極２ａとの間の距離が、微小突起１ｄ、微小突起２ｄそれぞれの高さ以下にまで接近させると、微小突起１ｄ、微小突起２ｄの先端が、それぞれ、基板電極２ａ、電極１ａに当接して圧着された状態になり、微小突起１ｄ、微小突起２ｄが加圧されて、圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形が生じるようになるが、その際に、互いにより広範囲に接触するように斜めに傾斜して形成されている光デバイス側の微小突起１ｄと実装基板側の微小突起２ｄとが互いに折り重なるように変形していく。
【００５６】
しかる後、さらに加圧して、光デバイスの電極１ａと実装基板の基板電極２ａとの間の距離をさらに近接させると、微小突起１ｄ、微小突起２ｄの塑性変形がさらに大きくなり、図４（Ｃ）のように、隣接する光デバイス側の微小突起１ｄと実装基板側の微小突起２ｄ同士が互いに接触して強く絡み合う状態になり、光デバイス側の微小突起１ｄは、その先端部が実装基板側の基板電極２ａと実装基板側の微小突起２ｄとの間に挟み込まれ、同時に、実装基板側の微小突起２ｄも、その先端部が光デバイス側の電極１ａと光デバイス側の微小突起１ｄとの間に挟み込まれて、その絡み合った機械的圧着状態や微小突起１ｄ，２ｄの表面同士の表面結合力により、光デバイスと実装基板とが、互いに位置を拘束し合うとともに、光デバイスの電極１ａと実装基板の基板電極２ａとが、絡み合った微小突起１ｄ，２ｄを介して、互いに電気的に導通した状態になる。
【００５７】
ここで、図４の場合、微小突起１ｄ，２ｄが適切な方向に斜めに傾斜させて形成されているので、図１、図２の場合の垂直な微小突起１ｂ，２ｂ同士を圧着する場合とは異なり、微小突起１ｄ，２ｄ同士はより広範囲に密着した状態で絡み合うことになり、より確実かつより強固に結合し、より高い信頼性を有する接触状態を得ることができる。
【００５８】
次に、本発明による光デバイス実装構造の図４とは異なる他の実施形態について、図５を参照して説明する。図５は、本発明による光デバイス実装構造の図４とは異なる他の実施形態を示す構造図であり、図５（Ａ）は、光デバイス側と実装基板側の電極および微小突起の構造を示す正面図、上面図、底面図であり、図５（Ｂ）は、光デバイスを実装基板上に実装するために互いに対向させて接近させた状態における微小突起の接触状態を示し、図５（Ｃ）は、光デバイスを実装基板上に実装した状態における微小突起同士の噛合状態を示している。
【００５９】
図５に示す光デバイス実装構造においても、図４の場合と同様、光デバイス側の電極１ａおよび実装基板側の基板電極２ａのそれぞれの表面に形成される微小突起１ｅ、微小突起２ｅの形状が、斜めに傾斜して形成されている。
【００６０】
しかし、本実施形態においては、図５（Ａ）に示すように、光デバイス側の電極１ａの表面に斜めに傾斜させて形成される微小突起１ｅの形成個数、実装基板側の基板電極２ａの表面に斜めに傾斜させて形成される微小突起２ｅの形成個数は、図４の場合の２個ずつとは異なり、４個ずつとした場合を示している。
【００６１】
ここで、図５（Ａ）の上面図に示すように、光デバイス側の電極１ａの表面に形成される４個の微小突起１ｅのそれぞれの形成位置は、電極１ａの中心に対して点対称となる位置に配置し、一方、実装基板側の基板電極２ａの表面に形成される４個の微小突起２ｅのそれぞれの形成位置は、基板電極２ａの中心に底面部が位置するように配置している。
【００６２】
また、図５の場合、４個の微小突起１ｅ間の距離として、隣接する一方の微小突起１ｅの先端部から隣接するもうー方の微小突起１ｅの底面部が相対する水平面上の位置まで、ほぼ、１個の微小突起１ｅの直径分の寸法だけ離れるように形成されている。また、電極１ａの面に垂直で、かつ、隣接する一方の微小突起１ｅの先端部から底面部までを含む平面を考えた場合に、電極１ａの面に垂直で、かつ、隣接するもうー方の微小突起１ｅの先端部から底面部までを含む平面が、互いに直交する状態で形成されている。つまり、４個の微小突起１ｅは、前述のように、電極１ａの中心に対して点対称な位置関係にあるので、電極１ａの面に垂直で、かつ、それぞれの微小突起１ｅの先端部から底面部までを含む４つの平面を考えた場合に、それらの各平面が平行または直交するように形成されている。
【００６３】
一方、実装基板側の４個の微小突起２ｅ間の距離については、各微小突起２ｅの底面部は、前述のように、基板電極２ａの中心に位置しているが、各微小突起２ｅの傾斜方向は９０度ずつずれた方向に傾斜していて、基板電極２ａから離れるにしたがって各微小突起２ｅの先端部同士が離れるように形成されており、それぞれの微小電極２ｅの先端部と基板電極２ａの中心が相対する水平面上の位置との間は、ほぼ、１個の微小突起２ｅの直径分の寸法だけ離れるように形成されている。また、基板電極２ａの面に垂直で、かつ各微小突起２ｅの先端部から底面部までを含む４つの平面を考えた場合に、それらの各平面が平行または直交するように、さらに、基板電極２ａの中心に対して４個の各微小突起２ｅが点対称となるような位置関係で形成されている。
【００６４】
さらに、図５（Ａ）の正面図、上面図に示すように、光デバイス側の電極１ａの表面に形成される微小突起１ｅそれぞれの傾斜方向は、それぞれ９０度ずつずれた方向とし、かつ、各微小突起１ｅの先端部が、隣接する微小突起１ｅの底面部に近づく方向に傾斜させて形成している。
【００６５】
なお、円柱形状の微小突起１ｅ、微小突起２ｅを適切な方向に斜めに傾斜させて形成する場合、いずれも、前述の図４にて説明した形成方法と同様な方法を用いて形成することができ、例えば、金の微粒子を含む有機溶液を、それぞれの電極１ａ、基板電極２ａの表面の所定の位置に微量塗布した直後に、加熱することにより、有機成分を揮発させつつ、金の微粒子を焼結させる工程を、形成位置を所望の方向へ僅かずつずらしながら繰り返すことにより、斜めに傾斜させた円柱形状の突起構造物を形成することができる。つまり、従来のエッチング加工技術や蒸着技術に代わって、粒子径φ５ｎｍ程度の微細な独立分散金属ナノ粒子からなる導電性微細ペースト例えばナノペースト（登録商標）を微量塗布して加熱焼結する処理を、形成位置を僅かずつ移動させながら、繰り返す製造方法を採用することにより、互いにより強く結合し合う方向としてあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜したような複雑な形状の微小突起を効果的に精度良く形成することができる。
【００６６】
また、かかる形成方法を用いることにより、微小突起１ｄ，２ｄそれぞれの高さを同一の高さに揃えるだけでなく、個別に変更して形成することも可能であるし、微小突起１ｄ，２ｄそれぞれの直径についても個別に変更して形成することも可能である。
【００６７】
図５（Ａ）のように斜めに傾斜した微小突起１ｅ、微小突起２ｅをそれぞれ４個ずつ備えた光デバイスを実装基板上に実装する実装工程においても、図１、図２の場合と同様に、光デバイスと実装基板とを、光デバイスの実装位置に位置合わせした上で、光デバイスを実装基板に向けて接近させるように加圧していくと、光デバイス側の微小突起１ｅまたは実装基板側の微小突起２ｅの先端のそれぞれが、実装基板側の基板電極２ａの表面または光デバイス側の電極１ａの表面に到達するまでは、図５（Ｂ）のように、互いに干渉することがなく、微小突起１ｅ，２ｅの塑性変形は生じない。
【００６８】
しかし、光デバイスを実装基板に向けてさらに接近させて、光デバイスの電極１ａと実装基板の基板電極２ａとの間の距離が、微小突起１ｅ、微小突起２ｅそれぞれの高さ以下にまで接近させると、微小突起１ｅ、微小突起２ｅの先端が、それぞれ、基板電極２ａ、電極１ａに当接して圧着された状態になり、微小突起１ｅ、微小突起２ｅが加圧されて、圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形が生じるようになるが、その際に、互いにより広範囲に接触するように斜めに傾斜して形成されている光デバイス側の微小突起１ｅと実装基板側の微小突起２ｅとが互いに折り重なるように変形していく。
【００６９】
しかる後、さらに加圧して、光デバイスの電極１ａと実装基板の基板電極２ａとの間の距離をさらに近接させると、微小突起１ｅ、微小突起２ｅの塑性変形がさらに大きくなり、図５（Ｃ）のように、隣接する光デバイス側の微小突起１ｅと実装基板側の微小突起２ｅ同士が互いに接触して強く絡み合う状態になり、光デバイス側の微小突起１ｅは、その先端部が実装基板側の基板電極２ａと実装基板側の微小突起２ｅとの間に挟み込まれ、同時に、実装基板側の微小突起２ｅも、その先端部が光デバイス側の電極１ａと光デバイス側の微小突起１ｅとの間に挟み込まれて、その絡み合った機械的圧着状態や微小突起１ｅ，２ｅの表面同士の表面結合力により、光デバイスと実装基板とが、互いに位置を拘束し合うとともに、光デバイスの電極１ａと実装基板の基板電極２ａとが、絡み合った微小突起１ｅ，２ｅを介して、互いに電気的に導通した状態になる。
【００７０】
ここで、図５の場合、微小突起１ｄ，２ｄが適切な方向に斜めに傾斜させて形成されているので、図４の場合と同様、図１、図２の場合の垂直な微小突起１ｂ，２ｂ同士を圧着する場合とは異なり、微小突起１ｄ，２ｄ同士はより広範囲に密着した状態で絡み合うことになり、より確実かつより強固に結合し、より高い信頼性を有する接触状態を得ることができる。さらには、図５の場合、図４の場合とは異なり、微小突起１ｄ，２ｄがそれぞれ４個ずつ形成されているので、２個ずつの図４の場合よりも、さらに確実かつ強固に結合し、さらに高い信頼性を有する接触状態を得ることができる。
【００７１】
以上、本発明の好適実施形態の構成を説明した。しかし、斯かる実施形態は、本発明の単なる例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではないことに留意されたい。例えば、デバイスは、上記実施形態では光デバイスとしたが、光デバイス以外のデバイス、例えば半導体製の電子デバイスであっても、本発明が実施できる。また、前記デバイス側の前記微小突起または前記実装基板側の前記微小突起の形状は、上記実施形態では円柱形状としたが、円柱形状に代えて、６角柱等の柱形状、３角錐等の多面体形状、板形状等であっても、本発明は実施できる。このように、本発明は、その要旨を逸脱することなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であることが、当業者には容易に理解できよう。
【００７２】
例えば、本発明の実施態様は、課題を解決するための手段における構成（１）及び（９）に加え、次のような構成として表現できる。下記（２）−（８）及び（１０）−（１６）なる番号は、請求項の項番号にそれぞれ対応している。
（２）前記デバイス側の前記微小突起と前記実装基板側の前記微小突起とが圧着される前の双方の前記微小突起それぞれの形状が、前記デバイスの電極表面、前記実装基板の基板電極表面のそれぞれに対して、前記デバイスの前記実装基板への実装時により強く結合し合う方向としてあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成されている上記（１）に記載のデバイス実装構造。
（３）前記デバイス側の前記微小突起の前記デバイスの電極表面上の形成位置と前記実装基板側の前記微小突起の前記実装基板の基板電極表面上の形成位置とが、前記デバイスの前記実装基板への実装時に、互いに重なり合わない位置に形成されている上記（１）または（２）のデバイス実装構造。
（４）前記デバイス側の前記微小突起および前記実装基板側の前記微小突起は、それぞれ、前記デバイスの電極表面の前記微小突起の形成位置および前記実装基板の基板電極表面の前記微小突起の形成位置としてあらかじめ定めたそれぞれの位置に、金の微粒子を含む有機溶液をあらかじめ定めた微量ずつ塗布した後加熱して金の微粒子を焼結させる工程を繰り返すことにより、突起構造として形成したものである上記（１）ないし（３）のいずれかのデバイス実装構造。
（５）前記デバイスが、ガリウムおよび／または砒素を含む化合物半導体からなり、前記デバイスの電極が、半導体製造プロセスにより形成された表面が金からなる薄膜からなっている上記（１）ないし（４）のいずれかのデバイス実装構造。
（６）前記実装基板が、セラミックまたは有機素材からなり、前記実装基板の基板電極が、エッチングまたはメッキにより形成された表面が金からなる薄膜からなっている上記（１）ないし（５）のいずれかのデバイス実装構造。
（７）前記デバイスが光デバイスである上記（１）ないし（６）のいずれかのデバイス実装構造。
（８）前記デバイス側及び前記実装基板側の前記各微小突起の形が円柱形その他の柱形状、多面体形状および板形状の内の少なくとも一つである上記（１）ないし（７）のいずれかのデバイス実装構造。
（１０）前記デバイス側の前記微小突起および前記実装基板側の前記微小突起を、それぞれ、前記デバイスの電極表面、前記実装基板の基板電極表面に形成する際に、前記デバイスの電極表面、前記実装基板の基板電極表面のそれぞれに対して、前記デバイスの前記実装基板への実装時により強く結合し合う方向としてあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成する上記（９）のデバイス実装方法。
（１１）前記デバイス側の前記微小突起の前記デバイスの電極表面上の形成位置と前記実装基板側の前記微小突起の前記実装基板の基板電極表面上の形成位置とが、前記デバイスの前記実装基板への実装時に、互いに重なり合わない位置に形成する上記（９）または（１０）のデバイス実装方法。
（１２）前記デバイス側の前記微小突起および前記実装基板側の前記微小突起を、それぞれ、前記デバイスの電極表面および前記実装基板の基板電極表面に形成する工程として、前記デバイスの電極表面の前記微小突起の形成位置および前記実装基板の基板電極表面の前記微小突起の形成位置としてあらかじめ定めたそれぞれの位置に、金の微粒子を含む有機溶液をあらかじめ定めた微量ずつ塗布した後、加熱して、有機成分を揮発させ、金の微粒子を焼結させる工程を繰り返すことにより、突起構造として形成する上記（９）ないし（１１）のいずれかのデバイス実装方法。
（１３）前記デバイスが、ガリウムおよび／または砒素を含む化合物半導体からなり、前記デバイスの電極が、半導体製造プロセスにより形成された表面が金からなる薄膜からなっている上記（９）ないし（１２）のいずれかのデバイス実装方法。
（１４）前記実装基板が、セラミックまたは有機素材からなり、前記実装基板の基板電極が、エッチングまたはメッキにより形成された表面が金からなる薄膜からなっている上記（９）ないし（１３）のいずれかのデバイス実装方法。
（１５）前記デバイスが光デバイスである上記（９）ないし（１４）のいずれかのデバイス実装方法。
（１６）前記デバイス側及び前記実装基板側の前記各微小突起の形が円柱形その他の柱形状、多面体形状および板形状の内の少なくとも一つである上記（９）ないし（１５）のいずれかのデバイス実装方法。
【符号の説明】
【００７３】
１      光デバイス
１Ａ    光デバイス
１ａ    電極（微小電極）
１ｂ    微小突起
１ｃ    電極（通常電極）
１ｄ    微小突起
１ｅ    微小突起
２      実装基板
２Ａ    実装基板
２ａ    基板電極（微小基板電極）
２ｂ    微小突起
２ｃ    基板電極（通常基板電極）
２ｄ    微小突起
２ｅ    微小突起
３      接合材
【図１】
2010186787.tif 000003
【図２】
2010186787.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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