(57)【要約】【課題】高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供することにある。【解決手段】配線構造は、ベース２０と、機能部３０と、カバー４０とを有するＭＥＭＳデバイスに設けられ、伝送線路１０を囲う接地線路１１を含む。接地線路１１は、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の一端側の凹所２４及び他端側の凹所２５の内側に形成される第１の導電部１１０及び第２の導電部１１１と、カバー４０における伝送線路１０との対向面に形成される第３の導電部１１２と、機能部３０に設けられ第１の導電部１１０と第３の導電部１１２とを接続する第４の導電部１１３および第２の導電部１１１と第３の導電部１１２とを接続する第５の導電部１１４とで構成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板よりなり一表面側に伝送線路が形成されるベースと、半導体微細加工技術を利用して半導体基板を加工することにより形成され上記ベースの上記一表面側に設けられた機能部と、絶縁性基板よりなり上記機能部における上記ベース側とは反対側に設けられたカバーとを備えるＭＥＭＳデバイスに適用される配線構造であって、
上記伝送線路と、当該伝送線路の長さ方向に交差する面内において当該伝送線路を囲う接地線路とを含み、
上記ベースの上記一表面側には、上記ベースにおける上記伝送線路の幅方向の両端側の部位が上記伝送線路よりも上記他表面側に位置するように、凹所が形成され、
上記機能部には、上記伝送線路全体を上記カバー側に臨ませる開口が形成され、
上記接地線路は、上記凹所内において上記伝送線路よりも当該伝送線路の上記幅方向の一端側に形成される第１の導電部と、上記凹所内において上記伝送線路よりも当該伝送線路の上記幅方向の他端側に形成される第２の導電部と、上記カバーにおける上記開口に臨む部位に形成される第３の導電部と、上記機能部の上記開口における上記伝送線路の幅方向の一端側に形成され上記第１の導電部と上記第３の導電部とを電気的に接続する第４の導電部と、上記機能部の上記開口における上記伝送線路の幅方向の他端側に形成され上記第２の導電部と上記第３の導電部とを電気的に接続する第５の導電部を含んでいることを特徴とする配線構造。
【請求項２】
上記ベースは、低温同時焼成セラミックス基板により形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線構造。
【請求項３】
上記接地線路は、上記伝送線路より上記他表面側において、上記第１の導電部と上記第２の導電部とを電気的に接続する第６の導電部を含み、
上記第６の導電部は、上記ベースの内部配線であることを特徴とする請求項２記載の配線構造。
【請求項４】
上記ベースは、ガラス基板により形成され、
上記ベースの上記他表面側には、外部接続電極が形成され、
上記ベースには、当該ベースを厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、
上記貫通孔の内側には、上記伝送線路と上記外部接続電極とを電気的に接続する貫通孔配線が形成され、
上記貫通孔は、上記ベースを上記一表面側から所定深さまでブラスト加工して形成された第１の穴部と、上記ベースを上記他表面側から所定深さまでブラスト加工して形成された第２の穴部とで構成されていることを特徴とする請求項１記載の配線構造。
【請求項５】
上記ベースは、上記凹所を覆う板状の支持部を備え、
上記伝送線路は、上記支持部における上記凹所側とは反対側に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の配線構造。
【請求項６】
上記支持部における上記伝送線路の周辺には、当該支持部を厚み方向に貫通する孔部が形成されていることを特徴とする請求項５記載の配線構造。
【請求項７】
上記孔部は、上記伝送線路に並行する形に形成されていることを特徴とする請求項６記載の配線構造。
【請求項８】
上記機能部の上記開口周辺には、上記機能部を厚み方向に貫通する孔部が、上記伝送線路の長さ方向に沿って複数形成され、
上記第４の導電部および上記第５の導電部は、上記孔部の内側に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載の配線構造。
【請求項９】
上記機能部の上記開口周辺には、上記機能部を厚み方向に貫通する貫通スリットが、上記伝送線路の長さ方向に沿って形成され、
上記第４の導電部および上記第５の導電部は、上記貫通スリットの内側に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載の配線構造。
【請求項１０】
基板よりなり一表面側に伝送線路が形成されるベースと、半導体微細加工技術を利用して半導体基板を加工することにより形成され上記ベースの一表面側に設けられた機能部と、上記機能部における上記ベース側とは反対側に設けられた絶縁性材料製のカバーと、駆動装置とを備え、
上記ベースの上記一表面側には、上記伝送線路に電気的に接続される複数の固定接点が形成され、
上記機能部は、上記複数の固定接点それぞれに接触した際に当該複数の固定接点間を短絡する可動接点および磁性材料よりなるアーマチュアが設けられる可動部と、上記ベースの上記一表面側に設けられ上記可動部を囲う枠状のフレームとを有し、
上記可動部は、上記可動接点が上記複数の固定接点に対して接離するように上記ベースの上記一表面側に揺動自在に配置され、
上記カバーは、上記フレームにおけるベース側とは反対側に設けられフレームの開口を閉塞する形に形成され、
上記駆動装置は、上記アーマチュアを吸引する磁場を発生させる電磁石装置を有し上記可動部を揺動させるように構成されているＭＥＭＳリレーであって、
請求項１〜９のうちいずれか１項記載の配線構造を備えていることを特徴とするＭＥＭＳリレー。
【請求項１１】
上記駆動装置は、上記カバーに設けられていることを特徴とする請求項１０記載のＭＥＭＳリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造、特にＭＥＭＳデバイスに利用される配線構造に関し、さらに当該配線構造を有するＭＥＭＳリレーに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＭＥＭＳリレーなどのＭＥＭＳデバイス（微小電気機械装置）に利用される配線構造が提案されている。このような配線構造としては、基板上に形成される伝送線路（信号線）と、伝送線路の長さ方向に交差する面内において当該伝送線路を囲う接地線路（接地線）とを有する同軸構造が提案されている。例えば、特許文献１には、一表面側に溝が形成された半導体基板において、当該一表面側に形成される第１接地線と、溝内において第１接地線上に形成される第１誘電層と、第１誘電層上に形成される信号線と、第１誘電層との間で信号線を囲う第２誘電層と、第１接地線との間で第１および第２の誘電層と信号線とを囲う第２接地層とを備える配線構造が開示されている。
【特許文献１】特表２００２−５３３９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１に示す構造を得るためには、まず半導体基板に溝を形成した後に、第１接地線の基礎となる導電層と、第１誘電層の基礎となる絶縁層と、信号線の基礎となる導電層と、第２誘電層の基礎となる絶縁層と、第２接地線の基礎となる導電層とを、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用してパターニングをする工程を挟みながら積層する必要がある。そのため、作製に手間がかかるという問題があった。
【０００４】
本発明は上述の点に鑑みて為されたもので、その目的は、高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明では、基板よりなり一表面側に伝送線路が形成されるベースと、半導体微細加工技術を利用して半導体基板を加工することにより形成され上記ベースの上記一表面側に設けられた機能部と、絶縁性基板よりなり上記機能部における上記ベース側とは反対側に設けられたカバーとを備えるＭＥＭＳデバイスに適用される配線構造であって、上記伝送線路と、当該伝送線路の長さ方向に交差する面内において当該伝送線路を囲う接地線路とを含み、上記ベースの上記一表面側には、上記ベースにおける上記伝送線路の幅方向の両端側の部位が上記伝送線路よりも上記他表面側に位置するように、凹所が形成され、上記機能部には、上記伝送線路全体を上記カバー側に臨ませる開口が形成され、上記接地線路は、上記凹所内において上記伝送線路よりも当該伝送線路の上記幅方向の一端側に形成される第１の導電部と、上記凹所内において上記伝送線路よりも当該伝送線路の上記幅方向の他端側に形成される第２の導電部と、上記カバーにおける上記開口に臨む部位に形成される第３の導電部と、上記機能部の上記開口における上記伝送線路の幅方向の一端側に形成され上記第１の導電部と上記第３の導電部とを電気的に接続する第４の導電部と、上記機能部の上記開口における上記伝送線路の幅方向の他端側に形成され上記第２の導電部と上記第３の導電部とを電気的に接続する第５の導電部を含んでいることを特徴とする。
【０００６】
この発明によれば、接地線路が、伝送線路の長さ方向に交差する面内において伝送線路を囲っていることによって、擬似的な同軸構造が得られる。そのため、高周波信号の伝送ロスを低減することができる。また、接地線路を作製するにあたっては、ＭＥＭＳデバイスのベースだけではなく、機能部とカバーも利用している。そのため、ベースのみを利用して接地線路を作製しようとする場合に比べて、立体的な構造を得るために半導体層や、絶縁層、導電層などの積層体を作製する必要がなくなる。これによって、容易に作製することができるようになる。
【０００７】
請求項２の発明では、請求項１の発明において、上記ベースは、低温同時焼成セラミックス基板により形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、ベースがガラス基板よりなる場合に比べて加工性を向上することができる。
【０００９】
請求項３の発明では、請求項２の発明において、上記接地線路は、上記伝送線路より上記他表面側において、上記第１の導電部と上記第２の導電部とを電気的に接続する第６の導電部を含み、上記第６の導電部は、上記ベースの内部配線であることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、第６の導電部を設けたことによって、伝送線路の長さ方向に交差する面内における接地線路の形状を円環状に近付けることができ、高周波特性を向上することができる。
【００１１】
請求項４の発明では、請求項１の発明において、上記ベースは、ガラス基板により形成され、上記ベースの上記他表面側には、外部接続電極が形成され、上記ベースには、当該ベースを厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、上記貫通孔の内側には、上記伝送線路と上記外部接続電極とを電気的に接続する貫通孔配線が形成され、上記貫通孔は、上記ベースを上記一表面側から所定深さまでブラスト加工して形成された第１の穴部と、上記ベースを上記他表面側から所定深さまでブラスト加工して形成された第２の穴部とで構成されていることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、貫通孔を一方向からのブラスト加工によって作製する場合に比べれば、貫通孔の直径の変化幅を小さくすることができて、高周波特性を向上することができる。
【００１３】
請求項５の発明では、請求項１〜４のうちいずれか１項の発明において、上記ベースは、上記凹所を覆う板状の支持部を備え、上記伝送線路は、上記支持部における上記凹所側とは反対側に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、伝送線路がベースの上記一表面に直に形成されている場合に比べて、高周波特性を向上することができる。
【００１５】
請求項６の発明では、請求項５の発明において、上記支持部における上記伝送線路の周辺には、当該支持部を厚み方向に貫通する孔部が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、さらに高周波特性を向上することができる。
【００１７】
請求項７の発明では、請求項６の発明において、上記孔部は、上記伝送線路に並行する形に形成されていることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、さらに高周波特性を向上することができる。
【００１９】
請求項８の発明では、請求項１〜７のうちいずれか１項の発明において、上記機能部の上記開口周辺には、上記機能部を厚み方向に貫通する孔部が、上記伝送線路の長さ方向に沿って複数形成され、上記第４の導電部および上記第５の導電部は、上記孔部の内側に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、機能部の開口の内側面に第４の導電部および第５の導電部を形成する場合に比べれば、第４の導電部および第５の導電部を容易に形成することができる。
【００２１】
請求項９の発明では、請求項１〜７のうちいずれか１項の発明において、上記機能部の上記開口周辺には、上記機能部を厚み方向に貫通する貫通スリットが、上記伝送線路の長さ方向に沿って形成され、上記第４の導電部および上記第５の導電部は、上記貫通スリットの内側に形成されていることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、機能部の開口の内側面に第４の導電部および第５の導電部を形成する場合に比べれば、第４の導電部および第５の導電部を容易に形成することができる。また、機能部の開口周辺に孔部を形成して、当該孔部に第４の導電部および第５の導電部を形成する場合に比べれば、高周波特性を向上することができる。
【００２３】
請求項１０の発明では、基板よりなり一表面側に伝送線路が形成されるベースと、半導体微細加工技術を利用して半導体基板を加工することにより形成され上記ベースの一表面側に設けられた機能部と、上記機能部における上記ベース側とは反対側に設けられた絶縁性材料製のカバーと、駆動装置とを備え、上記ベースの上記一表面側には、上記伝送線路に電気的に接続される複数の固定接点が形成され、上記機能部は、上記複数の固定接点それぞれに接触した際に当該複数の固定接点間を短絡する可動接点および磁性材料よりなるアーマチュアが設けられる可動部と、上記ベースの上記一表面側に設けられ上記可動部を囲う枠状のフレームとを有し、上記可動部は、上記可動接点が上記複数の固定接点に対して接離するように上記ベースの上記一表面側に揺動自在に配置され、上記カバーは、上記フレームにおけるベース側とは反対側に設けられフレームの開口を閉塞する形に形成され、上記駆動装置は、上記アーマチュアを吸引する磁場を発生させる電磁石装置を有し上記可動部を揺動させるように構成されているＭＥＭＳリレーであって、請求項１〜９のうちいずれか１項記載の配線構造を備えていることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができる。
【００２５】
請求項１１の発明では、請求項１０の発明において、上記駆動装置は、上記カバーに設けられていることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、駆動装置をベースに設ける場合に比べれば、ベースの厚みを薄くできる。そのため、伝送線路をベースの他表面側に引き出すための貫通孔を短くすることができて、高周波特性を向上することができる。また、駆動装置と伝送線路との距離を離すことができるから、駆動装置の電磁石装置が発生する磁場によって伝送線路に悪影響が生じる可能性を低くすることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（実施形態１）
本実施形態の配線構造は、例えば、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ベース２０と、機能部３０と、カバー４０とを備えるＭＥＭＳデバイスに適用される。なお、図１では、本実施形態の配線構造の要点を簡単に説明するために、ＭＥＭＳデバイスの構造を簡略化して図示している。
【００２９】
本実施形態において、ベース２０は、基板（本実施形態では、ガラス基板）よりなる。ベース２０の一表面側（図１（ｂ）における上面側）には、伝送線路１０が形成されている。機能部３０は、半導体微細加工技術を利用して半導体基板を加工することにより形成されている。機能部３０は、ベース２０の上記一表面側に設けられている。カバー４０は、絶縁性材料（例えばガラス）よりなる。カバー４０は、機能部３０におけるベース２０側とは反対側（図１（ｂ）における上側）に設けられている。伝送線路１０は、図１（ａ）に示すように、直線状に形成されている。ここで、ベース２０の他表面側（図１（ｂ）における下面側）には、一対の外部接続電極２１が形成されている。また、ベース２０には、ベース２０を厚み方向に貫通する一対の貫通孔２２が形成されている。なお、本実施形態におけるベース２０は、ガラス基板であるから、貫通孔２２は、ベース２０を上記他表面側からブラスト加工（例えば、サンドブラスト加工）することにより形成されている。当該貫通孔２２の内側には、伝送線路１０の端部と外部接続電極２１とを電気的に接続する貫通孔配線２３が形成されている。よって、一対の外部接続電極２１間は、伝送線路１０によって電気的に接続されている。また、機能部３０には、伝送線路１０全体をカバー４０側に臨ませる矩形状の開口３１が形成されている。カバー４０は、機能部３０の開口３１を閉塞できる大きさの板状に形成されている。
【００３０】
本実施形態の配線構造は、上述した伝送線路１０と、当該伝送線路１０の長手方向である長さ方向（図１（ａ）における上下方向）に交差（直交）する面内において当該伝送線路１０を囲う接地線路１１とを含んでいる。
【００３１】
接地線路１１は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ベース２０に形成された第１の導電部１１０および第２の導電部１１１と、カバー４０に形成された第３の導電部１１２と、機能部３０に形成された第４の導電部１１３および第５の導電部１１４とで構成されている。
【００３２】
ここで、ベース２０の上記一表面側には、２つの凹所２４，２５が形成されている。この凹所２４，２５によって、図１（ｂ）に示すように、ベース２０の伝送線路１０周辺における伝送線路１０の幅方向の両端側それぞれの部位が伝送線路１０よりも上記他表面側に位置する。凹所２４は、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の一端側（図１（ｂ）における左端側）に位置し、凹所２５は、ベース２０における伝送線路１０の他端側（図１（ｂ）における右端側）に位置している。また、各凹所２４，２５は、伝送線路１０に並行するように形成されている。このような凹所２４，２５は、ベース２０を上記一表面側からブラスト加工（例えば、サンドブラスト加工）することにより形成されている。このようにブラスト加工を利用することによって、凹所２４，２５の幅を、ベース２０の上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて狭くすることができる。
【００３３】
そして、第１の導電部１１０は、ベース２０の凹所２４内に形成され、第２の導電部１１１は、ベース２０の凹所２５内に形成されている。より詳細には、第１の導電部１１０は、凹所２４における伝送線路１０の幅方向の一端側（図１（ｂ）における左端側）の内側面および底面に形成されている。また、第２の導電部１１１は、凹所２５における伝送線路１０の幅方向の他端側（図１（ｂ）における右端側）の内側面および底面に形成されている。
【００３４】
第３の導電部１１２は、カバー４０における伝送線路１０との対向面（カバー４０における開口３１に臨む部位）に形成されている。ここで、伝送線路１０の長さ方向における開口３１の寸法は、伝送線路１０よりも大きくなっている。また、伝送線路１０の幅方向における開口３１の寸法は、ベース２０の各凹所２４，２５がカバー４０側に臨むような大きさになっている。
【００３５】
第４の導電部１１３と第５の導電部１１４は、機能部３０の開口３１の内側面に形成されている。第４の導電部１１３は、第１の導電部１１０と第３の導電部１１２とを電気的に接続するために設けられる。この第４の導電部１１３は、機能部３０の開口３１における伝送線路１０の幅方向の一端側（図１（ｂ）における左端側）の内側面に形成されている。第５の導電部１１４は、第２の導電部１１１と第３の導電部１１２とを電気的に接続するために設けられる。この第５の導電部１１４は、機能部３０の開口３１における伝送線路１０の幅方向の他端側（図１（ｂ）における右端側）の内側面に形成されている。これら第４および第５の導電部１１３，１１４は、カバー４０と機能部３０とを接合した際に、第３の導電部１１２と接続される。
【００３６】
この接地線路１１では、第１の導電部１１０が第４の導電部１１３を介して第３の導電部１１２に、第２の導電部１１１が第５の導電部１１４を介して第３の導電部１１２にそれぞれ電気的に接続されている。すなわち、各導電部１１０〜１１４は相互に電気的に接続されている。そして、これら導電部１１０〜１１４のうちの少なくとも１つが、グラウンド（基準電位点）に接続される。なお、各導電部１１０〜１１４は、電気めっき法や、スパッタ法など、従来周知の方法により形成することができるから、説明を省略する。
【００３７】
以上述べたように、本実施形態の配線構造によれば、接地線路１１が、伝送線路１０の長さ方向に交差する面内において伝送線路１０を囲っていることによって、擬似的な同軸構造が得られる。そのため、高周波信号の伝送ロスを低減することができる。
【００３８】
また、接地線路１１は、上述したように、第１〜第５の導電部１１０〜１１４によって構成されており、第１，第２の導電部１１０〜１１１はベース２０に、第３の導電部１１２はカバー４０に、第４，第５の導電部１１３，１１４は機能部３０に形成されている。
【００３９】
このように本実施形態の配線構造によれば、接地線路１１を作製するにあたっては、ＭＥＭＳデバイスのベース２０だけではなく、機能部３０とカバー４０も利用している。そのため、ベース２０のみを利用して接地線路１１を作製しようとする場合に比べて、立体的な構造を得るために半導体層や、絶縁層、導電層などの積層体を作製する必要がなくなる。これによって、容易に作製することができるようになる。
【００４０】
ところで、本実施形態の配線構造を適用するＭＥＭＳデバイスとしては、例えば、図２および図３に示すようなマイクロリレー（ＭＥＭＳリレー）が挙げられる。なお、以下では、本実施形態の配線構造を適用するＭＥＭＳデバイスとして、ＭＥＭＳリレーを例示しているが、これに限定されない。例えば、種々のフィルタや、センサ、アクチュエータなどにも適用可能である。
【００４１】
図２および図３に示すマイクロリレーは、例えば、常開接点と常閉接点とを備えた所謂ラッチング型リレーである。
【００４２】
当該マイクロリレーは、上述したベース２０と、機能部３０と、カバー４０とに加えて、電磁石装置５１を有する駆動装置５０を備えている。
【００４３】
ベース２０は、例えば、直方体状のガラス基板により形成されている。ベース２０の上記表面側における長手方向両端側それぞれには、一対の伝送線路１０が形成されている。各伝送線路１０の長さ方向は、ベース２０の短手方向と一致している。また、ベース２０の上記一表面側には、伝送線路１０に電気的に接続される複数の固定接点２６が形成されている。各固定接点２６は、各伝送線路１０においてベース２０の内側となる端部に接続されている。よって、ベース２０の長手方向の両端側それぞれには、一対の固定接点２６が設けられている。なお、各伝送線路１０においてベース２０の外側となる端部は、上述した貫通孔配線２３を介して外部接続電極２１に電気的に接続されている。ただし、図３では、貫通孔配線２３および外部接続電極２１を図示していない。なお、固定接点２６は、例えば、ＣｕやＡｕなどの導電性が良好な金属材料からなる金属薄膜である。このような固定接点２６は、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成することができる。また、固定接点２６は、単層構造に限らず、例えば、Ａｕ層と、Ａｕ層とベース２０との間に介在されるＴｉ層とからなる多層構造であってもよい。
【００４４】
機能部３０は、主として、可動部３２と、フレーム３３とを有する。
【００４５】
フレーム３３は、矩形枠状に形成されている。このフレーム３３の中央部には、可動部３２用の開口（以下、本実施形態において「第２の開口」と称する）３４が形成されている。また、フレーム３３の長手方向の両端側それぞれには、伝送線路１０をカバー４０側に臨ませる開口（以下、本実施形態において「第１の開口」と称する）３１が形成されている。第１の開口３１それぞれと第２の開口３４とは、フレーム３３の短手方向の中央部において互いに連通されている。なお、このフレーム３３における第１の開口３１それぞれと第２の開口３４との間の部位が、フレーム３３の長手方向に沿った方向への可動部３２の移動を規制する一対の規制突起を構成する。また、フレーム３３の外形サイズは、ベース２０の外形サイズを等しくしてある。
【００４６】
可動部３２は、フレーム３３の第２の開口３４内に配置される本体部３２０を有している。本体部３２０は、矩形板状に形成されている。本体部３２０の長手方向とフレーム３３の長手方向とは略一致している。本体部３２０の長手方向の両端部それぞれの中央部には、接点用突片３２１が突設されている。接点用突片３２１の先端部は、開口３１に配置されており、そのベース２０との対向面（図３における下面）には可動接点３２２が設けられている。当該可動接点は、複数の固定接点２６それぞれに接触した際に当該複数の固定接点２６間を短絡するように構成されている。一方、本体部３２０の短手方向の両端部それぞれの中央部には、支点用突片３２３が突設されている。この支点用突片３２３におけるカバー４０との対向面（図３における上面）には支点突起３２４が設けられている。支点突起３２４は、可動部３２の揺動動作（シーソ動作）の支点として使用される。
【００４７】
このような可動部３２は、複数（図示例では４つ）の支持片３５によりフレーム３３と一体に連結されている。支持片３５は、フレーム３３の開口３４の長手方向における内側面と、本体部３２０の短手方向の外側面とを一体に連結するように構成されている。４つの支持片３５は、本体部３２０の中心に対して点対称となる位置に配置されている。
【００４８】
支持片３５は、厚み方向に直交する面内で本体部３２０の長手方向に沿った方向に進むように蛇行した形状に形成されている。これによって、可動部３２がフレーム３３に揺動自在に支持されるようにしている。このように支持片３５を蛇行した形状に形成することで、支持片３５の長さを長くできる。そのため、可動部３２が揺動動作する際に支持片３５がねじられることで生じるばね力のばね定数を適切に小さくでき、支持片３５に加えられる応力も分散できる。
【００４９】
上述した機能部３０においては、可動部３２と、フレーム３３と、支持片３５とは、例えば、５０μｍ〜３００μｍ程度、好ましくは２００μｍ程度の厚みの半導体基板（例えば、シリコン基板や、ＳＯＩ基板）をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などの半導体微細加工技術を利用してパターニングすることにより形成されている。
【００５０】
ところで、可動部３２の本体部３２０におけるカバー４０との対向面（図３における上面）には、アーマチュア６０が設けられている。アーマチュア６０は、駆動装置５０の電磁石装置５１が発生する磁場により可動部３２を揺動させるために使用される。アーマチュア６０は、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性材料を機械加工して矩形板状に形成され、接着、溶接、熱着、ロウ付けなどの方法で、本体部３２０に接合されている。また、可動部３２におけるベース２０との対向面側には、レシジュアル（レシジャル）７０が設けられている。このレシジュアル７０は、可動部３２とベース２０との距離を好適な距離に設定するために使用される。
【００５１】
このような機能部３０は、可動接点３２２と一対の固定接点２６とがそれぞれ対向する形で、フレーム３３をベース２０に接合することによって、ベース２０の上記一表面側に取り付けられる。なお、フレーム３３をベース２０に接合するにあたっては、接合用の金属層（図示せず）を用いることができる。当該金属層は、グラウンドとして利用することができる。
【００５２】
カバー４０は、例えば、直方体状のガラス基板により形成されている。このカバー４０の外形サイズは、ベース２０の外形サイズと等しくしてある。カバー４０の中央部には、カバー４０を厚み方向に貫通する開孔部４１が形成されている。カバー４０における機能部３０側の面（図３における下面）には、開孔部４１全体を閉塞する閉塞板４２が密着接合されている。したがって、開孔部４１の内周面と閉塞板４２とで囲まれる空間部が駆動装置５０の収納室を構成している。このような閉塞板４２は、例えば、厚みが５〜５０μｍ程度（好ましくは２０μｍ程度）に形成されたシリコン板やガラス板などの薄板からなる。このようなカバー４０は、フレーム３３におけるベース２０側とは反対側の面に接合される。なお、カバー４０をフレーム３３に接合するにあたっては、接合用の金属層（図示せず）を用いることができる。当該金属層は、高周波用のシールド層として利用することができる。ただし、駆動装置５０の磁場を遮断することがないように、当該金属層の材料には、非磁性体を用いる。
【００５３】
駆動装置５０は、アーマチュア６０を吸引する磁場を発生させる電磁石装置５１と、可動部３２をラッチするための永久磁石５２とを備えている。電磁石装置５１は、主として、ヨーク５３と、一対のコイル５４とを備えている。ヨーク５３は、長尺矩形板状の主片５３０と、主片５３０の表面側（図３における下面側）の長手方向両端部それぞれに突設された矩形板状の脚片５３１とを一体に備えている。このようなヨーク５３は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鍛造加工することにより形成されている。永久磁石５２は、直方体状に形成され、厚み方向の一面側と他面側とが互いに異極となるように着磁されている。この永久磁石５２は、上記他面をヨーク５３の主片５３０の上記表面における長手方向中央部に当接させるようにして、ヨーク５３に取り付けられる。各コイル５４は、主片５３０における各脚片５３１と永久磁石５２との間の部位それぞれに巻回される。また、駆動装置５０には、一対のコイル端子５５が設けられている。これら一対のコイル端子５５間に電圧を印加することで、各コイル５４に電流が流れる。このような駆動装置５０は、カバー４０の上記収納室に収納される。
【００５４】
なお、図２および図３に示すマイクロリレーでは、コイル５４に通電するための駆動電極（図示せず）がベース２０の上記他表面側に形成されている。また、カバー４０における機能部３０側とは反対側の面には、コイル端子５５が接続される配線パターン４３が形成されている。ここで、上記駆動電極と配線パターン４３とは、ベース２０を厚み方向に貫通する貫通孔配線２７と、フレーム３３を厚み方向に貫通する貫通孔配線３６と、カバー４０を厚み方向に貫通する貫通孔配線４４とによって、電気的に接続されている。
【００５５】
ここで、上述したマイクロリレーに、本実施形態の配線構造を適用するにあたっては、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の一端側および他端側に、上述の凹所２４，２５を形成する（図２および図３では各凹所２４，２５の図示を省略している）。
【００５６】
そして、接地線路１１を構成する各導電部１１０〜１１４を次のようにして形成する。すなわち、凹所２４の内側に第１の導電部１１０を形成し、凹所２５の内側に第２の導電部１１１を形成する。また、カバー４０に第３の導電部１１２を形成する。さらに、機能部３０の第１の開口３１における伝送線路１０の幅方向の一端側の内側面に第４の導電部１１３を形成し、第１の開口３１における伝送線路１０の幅方向の他端側の内側面に第５の導電部１１４を形成する。
【００５７】
このような接地線路１１は、ベース２０に設けられた４つの伝送線路１０それぞれに対応して形成することができる。
【００５８】
そして、本実施形態の配線構造が設けられたマイクロリレーによれば、高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができる。なお、このマイクロリレーの動作については従来周知であるから説明を省略する。
【００５９】
ところで、上述したマイクロリレーでは、駆動装置５０は、カバー４０に設けられている。したがって、駆動装置５０をベース２０に設ける場合に比べれば、ベース２０の厚みを薄くできる。そのため、伝送線路１０をベース２０の上記他表面側に引き出すための貫通孔２２を短くすることができて、高周波特性を向上することができる。また、駆動装置５０と伝送線路１０との距離を離すことができるから、駆動装置５０が発生する磁場によって伝送線路１０に悪影響が生じる可能性を低くすることができる。
【００６０】
なお、上述したマイクロリレーでは、アーマチュア６０を駆動する駆動装置５０として、永久磁石５２を用いた有極型の電磁石装置５１を用いているが、永久磁石５２を用いない無極型の電磁石装置５１を用いてもよい。また、図２および図３では、ラッチング型のリレーを例示しているが、これに限定する趣旨ではない。
【００６１】
なお、ベース２０は、ガラス基板などの絶縁性基板ではなく、シリコン基板より形成されていてもよい。この場合、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術といった半導体微細加工技術を利用することができるから、ガラス基板を用いる場合に比べて、ベース２０の加工を容易に行うことができる。特に、機能部３０は、シリコンを用いて形成されているから、機能部３０とベース２０との線膨張係数をおおよそ等しくすることができる。そのため、線膨張係数の差に起因する応力を低減することができる。また、シリコン基板としては、高抵抗のシリコンを用いた高抵抗シリコン基板を用いることが好ましい。この場合には、高周波特性（特にスローウェーブモードでの高周波特性）を向上することができる。
【００６２】
（実施形態２）
本実施形態の配線構造では、ベース２０が実施形態１と異なっている。なお、本実施形態のその他の構成は、実施形態１と同様であるから、実施形態１と同様の構成については説明を省略する。
【００６３】
本実施形態におけるベース２０は、実施形態１と同様にガラス基板により形成されている。また、ベース２０には、実施形態１と同様に、外部接続電極２１と、貫通孔２２と、貫通孔配線２３とが形成されている。しかしながら、本実施形態におけるベース２０では、図４に示すように、貫通孔２２および貫通孔配線２３が実施形態１と異なっている。
【００６４】
本実施形態における貫通孔２２は、ベース２０の厚み方向における中間部の直径（孔径）が開口側よりも狭くなった鼓型に形成されている。このような貫通孔２２は、第１の穴部２２０と、第２の穴部２２１とで構成されている。ここで、第１の穴部２２０は、ベース２０を上記一表面側から所定深さまでブラスト加工して形成されている。一方、第２の穴部２２１は、上記ベースを上記他表面側から所定深さまでブラスト加工して形成されている。なお、ブラスト加工としては、例えば、サンドブラスト加工を採用することができる。
【００６５】
また、本実施形態における貫通孔配線２３は、第１の配線部２３０と、第２の配線部２３１とで構成されている。第１の配線部２３０は、第１の穴部２２０の内側に形成されており、第２の配線部２３１は、第２の穴部２２１の内側に形成されている。なお、各配線部２３０，２３１は、電気めっき法や、スパッタ法など、従来周知の方法により形成することができる。
【００６６】
このような貫通孔２２および貫通孔配線２３は、例えば、次のようにして作製する。まず、ベース２０を上記一表面側から所定深さまでブラスト加工することで、第１の穴部２２０を形成する。その後、第１の穴部２２０の内側に第１の配線部２３０を形成する。その後、ベース２０を上記他表面側から所定深さ、第１の配線部２３０が露出するまでブラスト加工することで、第２の穴部２２１を形成する。その後、第２の穴部２２１の内側に第２の配線部２３１を形成する。これによって、図４に示す貫通孔２２および貫通孔配線２３を得ることができる。
【００６７】
以上述べたように、本実施形態の配線構造によれば、実施形態１と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減することができる。また、容易に作製することができるようになる。
【００６８】
さらに、本実施形態の配線構造によれば、実施形態１のようにベース２０の貫通孔２２を一方向からのブラスト加工によって作製する場合に比べれば、貫通孔２２の直径の変化幅を小さくすることができる。そのため、高周波特性を向上することができる。なお、本実施形態の配線構造は、実施形態１と同様の接地線路１１を有するので、高周波信号の伝送ロスを低減することができ、また、容易に作製することができるようになる。
【００６９】
（実施形態３）
本実施形態の配線構造では、主としてベース２０および接地線路１１が実施形態１と異なっている。なお、本実施形態のその他の構成は、実施形態１と同様であるから、実施形態１と同様の構成については説明を省略する。
【００７０】
本実施形態におけるベース２０は、ガラス基板ではなく、低温同時焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）により形成されている。ここで、低温同時焼成セラミックス基板には、ガラス基板とは異なり、容易に内部配線を形成することができる。そこで、このような低温同時焼成セラミックス基板の特性を利用して、接地線路１１に第６の導電部１１５を設けている。
【００７１】
すなわち、本実施形態における接地線路１１は、上述の第１〜第５の導電部１１０〜１１４に加えて、第６の導電部１１５を備えている。第６の導電部１１５は、伝送線路１０より上記他表面側において、第１の導電部１１０と第２の導電部１１１とを電気的に接続するように構成されている。このような第６の導電部１１５は、ベース２０の内部配線である。なお、第６の導電部１１５は、従来から周知の方法を利用して形成することができるから詳細な説明は省略する。
【００７２】
また、ベース２０に低温同時焼成セラミックス基板を用いれば、ガラス基板を用いる場合とは異なり、直径が一様な孔を容易に形成することができる。このような低温同時焼成セラミックス基板の特性を利用して、本実施形態における貫通孔２２は、図５（ａ），（ｃ）に示すように、ベース２０の厚み方向において直径が一定となる形に形成されている。そのため、本実施形態における貫通孔配線２３は、貫通孔２２と同様に、ベース２０の厚み方向において直径が一定となる形に形成されている。そして、本実施形態では、伝送線路１０は、このような貫通孔配線２３を介して外部接続電極２１に電気的に接続されている。
【００７３】
以上述べたように、本実施形態の配線構造によれば、実施形態１と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減することができる。また、容易に作製することができるようになる。
【００７４】
さらに、接地線路１１に第６の導電部１１５を設けたことによって、伝送線路１０の長さ方向に交差する面内における接地線路１１の形状を円環状に近付けることができる。よって、高周波特性をさらに向上することができる。また、ベース２０は、低温同時焼成セラミックス基板により形成されているから、ベース２０がガラス基板よりなる場合に比べて加工性を向上することができる。そのため、上述したような内部配線よりなる第６の導電部１１５を容易に形成することができる。さらに、また、本実施形態の配線構造では、貫通孔２２は、ベース１０の厚み方向において直径が一定となる形に形成されている。そのため、ベース１０の上記一表面側から上記他表面側に向かうにつれて貫通孔２２の直径が大きくなっている場合に比べれば、高周波特性を向上することができる。
【００７５】
（実施形態４）
本実施形態の配線構造では、主としてベース２０が実施形態１と異なっている。なお、本実施形態のその他の構成は、実施形態１と同様であるから、実施形態１と同様の構成については説明を省略する。
【００７６】
本実施形態におけるベース２０には、図６（ａ），（ｂ）に示すように、２つの凹所２４，２５の代わりに、１つの凹所２８が形成されている。凹所２８は、矩形状に形成されている。このような凹所２８は、例えば、ブラスト加工などの周知の技術を利用して形成することができる。
【００７７】
また、ベース２０の上記一表面側には、支持部２９が取り付けられている。支持部２９は、例えば厚みが５〜５０μｍ程度（好ましくは２０μｍ程度）に形成されたシリコン板やガラス板などの薄板である。支持部２９の外形サイズは、凹所２８の開口サイズより大きくなっている。このような支持部２９は、凹所２８を覆う（塞ぐ）ようにしてベース２０の上記一表面側に接合されている。
【００７８】
本実施形態における伝送線路１０は、支持部２９における凹所２８側とは反対側に形成されている。また、伝送線路１０は、凹所２８を跨ぐように形成されており、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の両端側の部位は、伝送線路１０よりも上記他表面側に位置している。なお、伝送線路１０の長さ方向の両端部それぞれは、貫通孔配線２３を通じて外部接続電極２１に電気的に接続されている。
【００７９】
また、本実施形態における接地線路１１は、実施形態３と同様に、第１〜第６の導電部１１０〜１１５を備えている。本実施形態における第１の導電部１１０、第２の導電部１１１、および第６の導電部１１５は、ベース２０の凹所２８内に形成されている。より詳細には、第１の導電部１１０は、凹所２８における伝送線路１０の幅方向の一端側（図６（ｂ）における左端側）の内側面および底面に形成されている。一方、第２の導電部１１１は、凹所２８における伝送線路１０の幅方向の他端側（図６（ｂ）における右端側）の内側面および底面に形成されている。また、第６の導電部１１５は、凹所２８の底面に形成されている。この第６の導電部１１５によって、第１の導電部１１０と第２の導電部１１１とが電気的に接続されている。なお、図６（ａ），（ｂ）では、機能部３０およびカバー４０の図示を省略している。また、第１の導電部１１０と第４の導電部１１３とは、支持部２９に形成した貫通孔配線（図示せず）や表面配線（図示せず）などを利用して電気的に接続される。これは、第２の導電部１１１と第５の導電部１１４についても同様である。
【００８０】
以上述べたように、本実施形態の配線構造によれば、実施形態１と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減することができる。また、容易に作製することができるようになる。特に、本実施形態の配線構造によれば、伝送線路１０とベース２０との間に空間が形成されている。そのため、伝送線路１０がベース２０の上記一表面に直に形成されている場合に比べて、高周波特性を向上することができる。
【００８１】
上述した支持部２９は、例えば、図７（ａ），（ｂ）に示すような形に形成されていてもよい。図７に示す支持部２９は、矩形枠状のフレーム部２９０と、架設部２９１とを備えている。当該支持部２９は、フレーム部２９０の開口が凹所２８と連通するようにして、ベース２０の上記一表面側に接合されている。また、架設部２９１は、フレーム部２９０の長手方向両端側それぞれの内縁部同士をその中央部で一体に連結している。すなわち、図７に示す支持部２９は、平面視が「日」字状に形成されている。図７に示す例においては、伝送線路１０は、架設部２９１を通ってフレーム部２９０の開口を跨ぐように形成されている。
【００８２】
図７に示す支持部２９においては、架設部２９１とフレーム部２９０とで囲まれる空間部が、支持部２９を厚み方向に貫通する孔部２９２を構成している。この孔部２９２は、伝送線路１０に並行する形に形成されている。
【００８３】
以上述べた図７に示す例では、孔部２９２が形成されていることによって、伝送線路１０とベース２０との間の絶縁性がさらに向上する。よって、さらに高周波特性を向上することができる。特に、孔部２９２は、伝送線路１０に並行する形に形成されているため、配線構造がより同軸構造に近くなる。よって、高周波特性をさらに向上することができる。
【００８４】
ところで、図７に示す支持部２９では、架設部２９１が長くなると、架設部２９１の機械的強度が低くなる。そのため、架設部２９１が破損してしまうおそれがある。そこで、図８（ａ），（ｂ）に示すように、支持部２９には、一対の補強部２９３を設けるようにしてもよい。図８に示す例においては、一対の補強部２９３は、架設部２９１の中央部と、フレーム部２９０の短手方向両端側それぞれの内縁部とを一体に連結している。すなわち、図８に示す支持部２９は、平面視が「田」字状に形成されている。このような図８に示す支持部２９においては、補強部２９３によって、架設部２９１の破損を防止することができる。
【００８５】
（実施形態５）
本実施形態の配線構造では、主として機能部３０が実施形態１と異なっている。なお、本実施形態のその他の構成は、実施形態１と同様であるから、実施形態１と同様の構成については説明を省略する。
【００８６】
本実施形態における機能部３０は、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、機能部３０を厚み方向に貫通する第１の孔部３７（以下、必要に応じて符号３７Ａで表す）と第２の孔部３７（以下、必要に応じて符号３８Ｂで表す）とを有している。第１の孔部３７Ａは、伝送線路１０の幅方向の一端側（図９（ｂ）における左端側）における開口３１の周縁部に複数（図示例では７つずつ）形成されている。複数の孔部３７Ａは、伝送線路１０の長さ方向に沿って等間隔で並んでいる。第２の孔部３７Ｂは、伝送線路１０の幅方向の他端側（図９（ｂ）における右端側）における開口３１の周縁部に複数（図示例では７つずつ）形成されている。複数の孔部３７Ｂは、伝送線路１０の長さ方向に沿って等間隔で並んでいる。このように、本実施形態における機能部３０の開口３１周辺には、孔部３７Ａ，３７Ｂそれぞれが伝送線路１０の長さ方向に沿って複数形成されている。
【００８７】
本実施形態における接地線路１１は、第４の導電部１１３と、第５の導電部１１４とが実施形態１と異なっている。すなわち、本実施形態における第４の導電部１１３は、複数の孔部３７Ａそれぞれの内側に形成され、第５の導電部１１４は、複数の孔部３７Ｂそれぞれの内側に形成されている。なお、第３の導電部１１２は、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における両端部それぞれが、第１の導電部１１０および第２の導電部１１１それぞれと厚み方向で重なるように形成されている。そして、各孔部３７Ａは、カバー４０と機能部３０とを接合した際に、カバー４０側の開口から第３の導電部１１２が臨み、ベース２０側の開口から第１の導電部１１０が臨む位置に設けられる。また、各孔部３７Ｂは、カバー４０と機能部３０とを接合した際に、カバー４０側の開口から第３の導電部１１２が臨み、ベース２０側の開口から第２の導電部１１１が臨む位置に設けられる。よって、カバー４０と機能部３０とを接合した際には、第１の導電部１１０と第３の導電部１１２とが第４の導電部１１３によって電気的に接続され、第２の導電部１１１と第３の導電部１１２とが第５の導電部１１４によって電気的に接続される。
【００８８】
以上述べたように、本実施形態の配線構造によれば、実施形態１と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減することができる。また、容易に作製することができるようになる。
【００８９】
さらに、本実施形態の配線構造では、機能部３０の開口３１周辺に、機能部３０を厚み方向に貫通する孔部３７が伝送線路１０の長さ方向に沿って複数形成されている。そして、接地線路１１の第４の導電部１１３および第５の導電部１１４は、孔部３７の内側に形成されている。そのため、本実施形態の配線構造によれば、機能部３０の開口３１の内側面に第４の導電部１１３および第５の導電部１１４を形成する場合に比べれば、第４の導電部１１３および第５の導電部１１４を容易に形成することができる。なお、本実施形態における孔部３７の断面は正円形状となっているが、これはあくまでも一例である。また、各孔部３７Ａ，３７Ｂは７つずつ形成されているが、これも一例に過ぎない。また、本実施形態の構成は、実施形態１以外の他の実施形態２〜４にも適用することができる。
【００９０】
（実施形態６）
本実施形態の配線構造では、主として機能部３０が実施形態１と異なっている。なお、本実施形態のその他の構成は、実施形態１と同様であるから、実施形態１と同様の構成については説明を省略する。
【００９１】
本実施形態における機能部３０は、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、機能部３０を厚み方向に貫通する貫通スリット３８を２つ有している。一方の貫通スリット３８（以下、必要に応じて符号３８Ａで表す）は、伝送線路１０の幅方向の一端側（図１０（ｂ）における左端側）における開口３１の周縁部に形成されている。他方の貫通スリット３８（以下、必要に応じて符号３８Ｂで表す）は、伝送線路１０の幅方向の他端側（図１０（ｂ）における右端側）における開口３１の周縁部に形成されている。また、両貫通スリット３８それぞれは、伝送線路１０の長さ方向に沿って形成されている。このように、本実施形態における機能部３０の開口３１周辺には、貫通スリット３８が伝送線路１０の長さ方向に沿って形成されている。
【００９２】
本実施形態における接地線路１１は、第４の導電部１１３と、第５の導電部１１４とが実施形態１と異なっている。すなわち、本実施形態における第４の導電部１１３は、貫通スリット３８Ａの内側に形成され、第５の導電部１１４は、貫通スリット３８Ｂの内側に形成されている。なお、第３の導電部１１２は、伝送線路１０の幅方向に沿った方向における両端部それぞれが、第１の導電部１１０および第２の導電部１１１それぞれと厚み方向で重なる形に形成されている。そして、貫通スリット３８Ａは、カバー４０と機能部３０とを接合した際に、カバー４０側の開口から第３の導電部１１２が臨み、ベース２０側の開口から第１の導電部１１０が臨む位置に設けられる。また、貫通スリット３８Ｂは、カバー４０と機能部３０とを接合した際に、カバー４０側の開口から第３の導電部１１２が臨み、ベース２０側の開口から第２の導電部１１１が臨む位置に設けられる。よって、カバー４０と機能部３０とを接合した際には、第１の導電部１１０と第３の導電部１１２とが第４の導電部１１３によって電気的に接続され、第２の導電部１１１と第３の導電部１１２とが第５の導電部１１４によって電気的に接続される。
【００９３】
以上述べたように、本実施形態の配線構造によれば、実施形態１と同様に、高周波信号の伝送ロスを低減することができる。また、容易に作製することができるようになる。
【００９４】
さらに、本実施形態の配線構造では、機能部３０の開口３１周辺に、機能部３０を厚み方向に貫通する貫通スリット３８が、伝送線路１０の長さ方向に沿って形成されている。そして、接地線路１１の第４の導電部１１３および第５の導電部１１４は、貫通スリット３８の内側に形成されている。そのため、本実施形態の配線構造によれば、機能部３０の開口３１の内側面に第４の導電部１１３および第５の導電部１１４を形成する場合に比べれば、第４の導電部１１３および第５の導電部１１４を容易に形成することができる。また、実施形態５のように機能部３０の開口３１周辺に孔部３７を形成して、当該孔部３７に第４の導電部１１３および第５の導電部１１４を形成する場合に比べれば、高周波特性を向上することができる。
【００９５】
なお、本実施形態の構成は、実施形態１以外の他の実施形態２〜４にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】実施形態１の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図２】ＭＥＭＳリレーの斜視図である。
【図３】ＭＥＭＳリレーの分解斜視図である。
【図４】実施形態２の配線構造の断面図である。
【図５】実施形態３の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図６】実施形態４の配線構造の要部を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図(ａ)のＡ-Ａ線矢視断面図である。
【図７】実施形態４の他例の配線構造の要部を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図(ａ)のＡ-Ａ線矢視断面図である。
【図８】実施形態４のさらに別の例の配線構造の要部を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図(ａ)のＡ-Ａ線矢視断面図である。
【図９】実施形態５の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図１０】実施形態６の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１０    伝送線路
１１    接地線路
２０    ベース
２１    外部接続電極
２２    貫通孔
２３    貫通孔配線
２４    凹所
２５    凹所
２６    固定接点
２８    凹所
２９    薄板
３０    機能部
３１    開口
３２    可動部
３３    フレーム
３７（３７Ａ，３７Ｂ）  孔部
３８（３８Ａ，３８Ｂ）  貫通スリット
４０    カバー
５０    駆動装置
５１    電磁石装置
６０    アーマチュア
１１０    第１の導電部
１１１    第２の導電部
１１２    第３の導電部
１１３    第４の導電部
１１４    第５の導電部
１１５    第６の導電部
２２０    第１の穴部
２２１    第２の穴部
２９２    孔部
３２２    可動接点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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