(57)【要約】【課題】メタルポストの酸化及び腐食を防止し、メタルポスト上に形成されたソルダバンプに凹部またはくぼみが生じる問題を防止する、メタルポストを備えた基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】接続パッド１０４が形成されたベース基板１０２、ベース基板１０２に形成され、接続パッド１０４を露出させる開放部を持つソルダレジスト層１０６、接続パッド１０４に連結され、ソルダレジスト層１０６の上部に突出したメタルポスト１１６、及び突出したメタルポスト１１６の上部を含む外面に形成されたソルダバンプ１２２を含む。【選択図】図４
2010129996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続パッドが形成されたベース基板；
前記ベース基板に形成され、前記接続パッドを露出させる開放部を持つソルダレジスト層；
前記接続パッドに連結され、前記ソルダレジスト層の上部に突出したメタルポスト；及び
前記突出したメタルポストの上部を含む外面に形成されたソルダバンプ；
を含むことを特徴とする、メタルポストを備えた基板。
【請求項２】
前記ソルダバンプは、前記メタルポスト上に形成された丸形ソルダバンプ、及び前記メタルポストの側面に形成された酸化防止用ソルダバンプ膜を含むことを特徴とする、請求項１に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項３】
前記丸形ソルダバンプの高さは、前記ソルダレジスト層の上部に突出したメタルポストの高さの５０〜７０％であることを特徴とする、請求項２に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項４】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜は、前記メタルポストの側面と同じ形状に前記メタルポストの側面に形成されることを特徴とする、請求項２に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項５】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜は、一定の側面厚さに前記メタルポストの側面に形成されることを特徴とする、請求項２に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項６】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜の側面厚さは、前記丸形ソルダバンプの直径の５％以下であることを特徴とする、請求項２に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項７】
前記メタルポスト上には、表面処理層が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項８】
前記表面処理層は、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層に形成されるか、さらに前記ニッケルメッキ層または前記ニッケル合金メッキ層上にパラジウムメッキ層、金メッキ層、または前記パラジウムメッキ層及び前記金メッキ層が順に形成された複合層が形成されたものであることを特徴とする、請求項７に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項９】
前記表面処理層と前記丸形ソルダバンプの界面には、Ｎｉｘ−Ｓｎｙ系の金属間化合物層（ＩＭＣ ｌａｙｅｒ）が形成されていることを特徴とする、請求項８に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項１０】
前記金属間化合物層は、１μｍ以下の厚さに形成されることを特徴とする、請求項９に記載のメタルポストを備えた基板。
【請求項１１】
（Ａ）接続パッドが形成されたベース基板に、前記接続パッドを露出させる開放部を持つソルダレジスト層を形成し、前記開放部を含む前記ソルダレジスト層上にシード層を形成する段階；
（Ｂ）前記開放部を含む前記ソルダレジスト層に感光性レジストを塗布し、前記感光性レジストに、前記接続パッドを露出させる開口部を形成する段階；
（Ｃ）前記開口部の一部に、前記接続パッドに連結されるメタルポストを形成する段階；
（Ｄ）前記開口部内の前記メタルポスト上にソルダペーストを形成し、前記ソルダペーストに１次リフローを行って丸形ソルダバンプを形成し、前記感光性レジスト及び前記シード層を除去する段階；及び
（Ｅ）前記丸形ソルダバンプに２次リフローを行って前記メタルポストの側面に酸化防止用ソルダバンプ膜を形成する段階；
を含むことを特徴とする、メタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項１２】
前記メタルポストは、前記感光性レジストの高さの半分まで形成されることを特徴とする、請求項１１に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｃ）段階と前記（Ｄ）段階の間に、（Ｃ１）前記メタルポスト上に表面処理層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項１４】
前記表面処理層は、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層に形成されるか、さらに前記ニッケルメッキ層または前記ニッケル合金メッキ層上にパラジウムメッキ層、金メッキ層、または前記パラジウムメッキ層及び前記金メッキ層が順に形成された複合層が形成されてなることを特徴とする、請求項１３に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項１５】
前記表面処理層と前記丸形ソルダバンプの界面には、Ｎｉｘ−Ｓｎｙ系の金属間化合物層（ＩＭＣ ｌａｙｅｒ）が形成されることを特徴とする、請求項１４に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項１６】
前記金属間化合物層は、１μｍ以下の厚さに形成されることを特徴とする、請求項１５に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項１７】
前記（Ｄ）段階において、前記ソルダペーストは、前記感光性レジストの表面と同じ高さを持つように、前記開口部の前記メタルポストに充填されることを特徴とする、請求項１１に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項１８】
前記２次リフローは、前記１次リフローに比べ、２０％程度速い速度で行われることを特徴とする、請求項１１に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項１９】
前記（Ｅ）段階において、前記丸形ソルダバンプの高さは、前記ソルダレジスト層の上部に突出したメタルポストの高さの５０〜７０％であることを特徴とする、請求項１１に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項２０】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜は、前記メタルポストの側面と同じ形状に前記メタルポストの側面に形成されることを特徴とする、請求項１１に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項２１】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜は、一定の側面厚さに前記メタルポストの側面に形成されることを特徴とする、請求項１１に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【請求項２２】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜の側面厚さは、前記丸形ソルダバンプの直径の５％以下に形成されることを特徴とする、請求項１１に記載のメタルポストを備えた基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メタルポストを備えた基板その製造方法に関するもので、より詳しくはメタルポストの酸化及び腐食を防止する構造を簡単な工程で得ることができるメタルポストを備えた基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子産業の発達につれて、電子部品の高性能化、高機能化、小型化が要求されており、これによって、ＳＩＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｐａｃｋａｇｅ）、３Ｄパッケージなどの表面実装部品用基板においても、高集積化、薄型化、微細回路パターン化の要求が急増している。
【０００３】
特に、電子部品の基板への表面実装技術において、半導体チップとプリント基板の電気的連結のために、ワイヤボンディング方式及びフリップチップボンディング方式が使用されているが、ワイヤボンディング方式の場合、ワイヤを利用してプリント基板と連結しなければならないため、モジュールが大きくなり、更なる工程が必要になるだけでなく、回路の微細ピッチの具現に限界があるため、フリップチップボンディング方式が多く用いられている実情である。
【０００４】
フリップチップボンディング方式は、半導体チップに、金、ソルダあるいはその他の金属などの素材で数十μｍないし数百μｍの外部接続端子（すなわち、バンプ）を形成し、既存のワイヤボンディングによる実装法とは異なり、バンプの形成された半導体チップを覆して（ｆｌｉｐ）、表面が基板側に向かうように実装させるものである。
【０００５】
しかし、フリップチップボンディング方式も、究極には、回路パターンの超微細ピッチ化に対応するために、メタルポストを利用した新構造に発展している。このようなメタルポストの利用は、微細ピッチ化の克服はもちろんのこと、プリント基板と半導体間の距離確保によってパッケージングを容易にし、放熱性能を改善する代案として注目を浴びている。
【０００６】
図１は従来技術によるフリップチップボンディングに使用されるメタルポストを備えたプリント基板の断面図、図２は図１に示すプリント基板で生じる酸化膜及び凹部を示す断面図である。
【０００７】
図１に示すように、従来技術によるメタルポストを備えたプリント基板１０は、接続パッド１４が形成されたベース基板１２、前記ベース基板１２に形成され、前記接続パッド１４を露出させる開放部を持つソルダレジスト層１６、前記接続パッド１４に形成されたメタルポスト１８、及び前記メタルポスト１８に形成されたソルダバンプ２０を含んでなる。
【０００８】
しかし、従来技術によるメタルポストを備えたプリント基板１０は次のような問題点を持っている。
【０００９】
まず、メタルポスト１８の側面が空気中に露出しているため、空気または工程中に使用される薬品の影響によって酸化または腐食が発生し、その側面に酸化膜１８ａが形成される問題点があった。このような酸化膜１８ａは電気的抵抗として作用するだけでなく、メタルポスト１８の強度を低下させる問題をもたらした。
【００１０】
また、工程の進行中に使用される化学薬品によってソルダバンプ２０がとけて下る問題点があった。すなわち、工程の進行中に使用される強酸や強塩基のような化学薬品とソルダバンプ２０が反応し、ソルダバンプ２０の表面がとけて下がることによって凹部２０ａが形成され、これによりメタルポスト１８の上面が露出するだけでなく、ソルダバンプ２０の表面に噴火口のように窪む現象が発生し、ソルダバンプ２０の高さを不均一にして結合信頼性を低下させる問題をもたらした。
【００１１】
このような問題点を解決するために、メタルポストの側面に別途の酸化防止キャップを備えたメタルポストを備えたプリント基板が提案されている。図３はこのような他の従来技術によるメタルポストを備えたプリント基板５０を示す。
【００１２】
図３に示すように、他の従来技術によるメタルポストを備えたプリント基板５０は、接続パッド５４が形成されたベース基板５２、前記ベース基板５２に形成され、前記接続パッド５４を露出させる開放部を持つソルダレジスト層５６、前記接続パッド５４に形成されたメタルポスト５８、前記メタルポスト５８に形成されたソルダバンプ６０、及び前記メタルポスト５８の側面に形成された金製の酸化防止キャップ６２を含んでなる、すなわち、メタルポスト５８の側面に別の酸化防止キャップ６２を備えてメタルメタルポストの酸化を防止するための構造が提案されている。
【００１３】
しかし、他の従来技術によるメタルポストを備えたプリント基板５０は、酸化防止キャップ６２の形成のための別途の材料及び工程がさらに必要になり、メタルポスト５８上に形成されたソルダバンプ６０に凹部またはくぼみが生じる問題が依然としてあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、メタルポストの酸化及び腐食を防止することができるメタルポストを備えた基板及びその製造方法を提供することである。
【００１５】
本発明の他の目的は、メタルポスト上に形成されたソルダバンプに凹部またはくぼみが生じる問題を防止することができるメタルポストを備えた基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するために、本発明の一観点によれば、接続パッドが形成されたベース基板；前記ベース基板に形成され、前記接続パッドを露出させる開放部を持つソルダレジスト層；前記接続パッドに連結され、前記ソルダレジスト層の上部に突出したメタルポスト；及び前記突出したメタルポストの上部を含む外面に形成されたソルダバンプ；を含む、メタルポストを備えた基板が提供される。
【００１７】
前記ソルダバンプは、前記メタルポスト上に形成された丸形ソルダバンプ、及び前記メタルポストの側面に形成された酸化防止用ソルダバンプ膜を含むことができる。
【００１８】
前記丸形ソルダバンプの高さは、前記ソルダレジスト層の上部に突出したメタルポストの高さの５０〜７０％であることができる。
【００１９】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜は、前記メタルポストの側面と同じ形状に前記メタルポストの側面に形成されることができる。
【００２０】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜は、一定の側面厚さに前記メタルポストの側面に形成されることができる。
【００２１】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜の側面厚さは、前記丸形ソルダバンプの直径の５％以下であることができる。
【００２２】
前記メタルポスト上には、表面処理層が形成されていることができる。
【００２３】
前記表面処理層は、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層に形成されるか、さらに前記ニッケルメッキ層または前記ニッケル合金メッキ層上にパラジウムメッキ層、金メッキ層、または前記パラジウムメッキ層及び前記金メッキ層が順に形成された複合層が形成されたものであることができる。
【００２４】
前記表面処理層と前記丸形ソルダバンプの界面には、Ｎｉｘ−Ｓｎｙ系の金属間化合物層（ＩＭＣ ｌａｙｅｒ）が形成されていることができる。
【００２５】
前記金属間化合物層は、１μｍ以下の厚さに形成されることができる。
【００２６】
また、本発明の他の観点によれば、（Ａ）接続パッドが形成されたベース基板に、前記接続パッドを露出させる開放部を持つソルダレジスト層を形成し、前記開放部を含む前記ソルダレジスト層上にシード層を形成する段階；（Ｂ）前記開放部を含む前記ソルダレジスト層に感光性レジストを塗布し、前記感光性レジストに、前記接続パッドを露出させる開口部を形成する段階；（Ｃ）前記開口部の一部に、前記接続パッドに連結されるメタルポストを形成する段階；（Ｄ）前記開口部内の前記メタルポスト上にソルダペーストを形成し、前記ソルダペーストに１次リフローを行って丸形ソルダバンプを形成し、前記感光性レジスト及び前記シード層を除去する段階；及び（Ｅ）前記丸形ソルダバンプに２次リフローを行って前記メタルポストの側面に酸化防止用ソルダバンプ膜を形成する段階；を含む、メタルポストを備えた基板の製造方法が提供される。
【００２７】
前記メタルポストは、前記感光性レジストの高さの半分まで形成されることができる。
【００２８】
前記（Ｃ）段階と前記（Ｄ）段階の間に、（Ｃ１）前記メタルポスト上に表面処理層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２９】
前記表面処理層は、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層に形成されるか、さらに前記ニッケルメッキ層または前記ニッケル合金メッキ層上にパラジウムメッキ層、金メッキ層、または前記パラジウムメッキ層及び前記金メッキ層が順に形成された複合層が形成されてなることができる。
【００３０】
前記表面処理層と前記丸形ソルダバンプの界面には、Ｎｉｘ−Ｓｎｙ系の金属間化合物層（ＩＭＣ ｌａｙｅｒ）が形成されることができる。
【００３１】
前記金属間化合物層は１μｍ以下の厚さに形成されることができる。
【００３２】
前記（Ｄ）段階において、前記ソルダペーストは、前記感光性レジストの表面と同じ高さを持つように、前記開口部の前記メタルポストに充填されることができる。
【００３３】
前記２次リフローは、前記１次リフローに比べ、２０％程度速い速度で行われることができる。
【００３４】
前記（Ｅ）段階において、前記丸形ソルダバンプの高さは、前記ソルダレジスト層の上部に突出したメタルポストの高さの５０〜７０％であることができる。
【００３５】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜は、前記メタルポストの側面と同じ形状に前記メタルポストの側面に形成されることができる。
【００３６】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜は、一定の側面厚さに前記メタルポストの側面に形成されることができる。
【００３７】
前記酸化防止用ソルダバンプ膜の側面厚さは、前記丸形ソルダバンプの直径の５％以下に形成されることができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、メタルポストの側面に酸化防止用ソルダバンプ膜が形成されるので、メタルポストの酸化及び腐食を防止する効果がある。
【００３９】
また、本発明によれば、メタルポストの側面に形成される酸化防止用ソルダバンプ膜が薄い厚さを持つので、超微細ピッチの具現が可能である効果がある。
【００４０】
また、本発明によれば、メタルポスト上に表面処理層が形成されて、メタルポストと丸形ソルダバンプ間の界面に薄くて均一な金属間化合物層を形成することにより、結合信頼性を向上させる効果がある。
【００４１】
更に、本発明によれば、感光性レジストの剥離及びシード層の除去工程に使用される化学薬品によって丸形ソルダバンプに凹部が形成されても、２次リフロー工程によってその構造が復旧できるので丸形ソルダバンプの均一な高さを提供する効果がある。
【００４２】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は添付図面を参照する以下の詳細な説明と好適な実施例から一層明らかになるであろう。本明細書において、各図の構成要素に参照番号を付けることにおいて、同じ構成要素には、たとえ他の図上に表示されていても、できるだけ同一番号を付ける。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要にあいまいにすることができると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来技術によるフリップチップボンディングに使用されるメタルポストを備えたプリント基板の断面図である。
【図２】図１に示すプリント基板で発生する酸化膜及び凹部を示す断面図である。
【図３】他の従来技術によるフリップチップボンディングに使用されるメタルポストを備えたプリント基板の断面図である。
【図４】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の断面図である。
【図５】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）である。
【図６】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（２）である。
【図７】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（３）である。
【図８】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（４）である。
【図９】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（５）である。
【図１０】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（６）である。
【図１１】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（７）である。
【図１２】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（８）である。
【図１３】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（９）である。
【図１４】本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（１０）である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００４５】
（メタルポストを備えた基板の構造）
図４は本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の断面図である。以下、この図に基づいて本実施例によるメタルポストを備えた基板１００について説明する。
【００４６】
図４に示すように、本実施例によるメタルポストを備えた基板１００は、ベース基板１０２、ソルダレジスト層１０６、メタルポスト１１６、及びメタルポスト１１６の上部を含む外面に形成されたソルダバンプ１２２を含むことを特徴とする。
【００４７】
ここで、ベース基板１０２には接続パッド１０４が形成され、このベース基板１０２上には、接続パッド１０４を露出させる開放部を持つソルダレジスト層１０６が形成される。
【００４８】
メタルポスト１１６は、配線パターンの微細ピッチ化ができるようにし、基板１００と半導体チップ間の高速信号伝達のみならず、チップ間の距離確保、及び放熱機能を図るためのもので、接続パッド１０４に連結された状態でソルダレジスト層１０６の上部に突出するように形成される。この際、メタルポスト１１６は円筒状の構造を持つことが好ましい。また、メタルポスト１１６は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、すず（Ｓｎ）、金（Ａｕ）などのような材料で形成することができる。
【００４９】
ソルダバンプ１２２は、メタルポスト１１６の上部を含むメタルポスト１１６の外面に形成される。ここで、ソルダバンプ１２２は、メタルポスト１１６上に形成された丸形ソルダバンプ１２２ａと、メタルポスト１１６の側面に形成された酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂとから構成される。
【００５０】
この際、丸形ソルダバンプ１２２ａは、メタルポスト上に半球形に形成され、その高さ（Ｈ１）はメタルポスト高さ（Ｈ２）の約５０〜７０％の高さを持つ。これは、丸形ソルダバンプ１２２ａが２回のリフロー工程を受けることによってなされる。
また、酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂは、メタルポスト１１６の側面に形成されてメタルポスト１１６を外部から遮断することで、空気による酸化、及び工程の進行中に使用される化学薬品による腐食を防止する機能をする。
【００５１】
この際、酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂは、メタルポスト１１６上に形成された丸形ソルダバンプ１２２ａをリフローすることにより、そのソルダバンプがメタルポスト１１６の側面に下がって形成されるもので、メタルポスト１１６の側面と同一の形状にメタルポスト１１６の側面に形成される。例えば、メタルポスト１１６が円柱の構造を持つ場合は、酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂも円柱構造を持ち、メタルポスト１１６が角柱の構造を持つ場合は、酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂも角柱の構造を持つようになる。また、酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂは、メタルポスト１１６の側面に一定した厚さを持つように形成されることが好ましい。
【００５２】
ここで、酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂは、その厚さによって隣接した他のメタルポストと接触して微細ピッチ化に差し支えにならないながらも、メタルポスト１１６を外部から遮断することができる厚さ（最小の厚さ）を持つことが好ましい。例えば、酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂの厚さ（Ｗ）は、丸形ソルダバンプ１２２ａの直径（Ｄ）の約５％以下に形成されることが好ましい。
【００５３】
一方、メタルポスト１１６上には、腐食及び酸化防止のために表面処理層１１８が形成されることが好ましい。
【００５４】
ここで、表面処理層１１８は、例えばニッケル（Ｎｉ）メッキ層またはニッケル合金メッキ層でなるか、前記ニッケルメッキ層または前記ニッケル合金メッキ層上にパラジウム（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層、または前記パラジウムメッキ層及び前記金メッキ層が順に形成された複合層が形成された構造を持ち、薄肉のものに形成される。
この際、表面処理層１１８は、すず（Ｓｎ）系丸形ソルダバンプ１２２と結合して、その界面にＮｉｘ−Ｓｎｙ系の金属間化合物層（Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｌａｙｅｒ；ＩＭＣ ｌａｙｅｒ）が形成される。この金属間化合物層は、例えば約１μｍ以下の厚さを持つことが好ましい。
【００５５】
（メタルポストを備えた基板の製造方法）
図５〜図１４は本発明の好適な実施例によるメタルポストを備えた基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）〜（１０）である。以下、これら図に基づいて、本実施例によるメタルポストを備えた基板１００の製造方法を説明する。
【００５６】
まず、図５に示すように、接続パッド１０４を備えたベース基板１０２にソルダレジスト層１０６を積層し、接続パッド１０４を露出させる開放部１０８を形成する。ここで、開放部１０８は、ＬＤＡ（Ｌａｓｅｒ ｄｉｒｅｃｔ ａｂｌａｔｉｏｎ）などのような機械加工によって形成するか、あるいはＵＶによる露光／現像工程で形成することができる。ついで、図６に示すように、開放部１０８を含むソルダレジスト層１０６にシード層１１０を形成する。
【００５７】
この際、シード層１１０は無電解メッキ工程またはスパッタリング工程によって形成される。ここで、無電解メッキ工程は、例えば脱脂（ｃｌｅａｎｅｔ）過程、ソフト腐食（ｓｏｆｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）過程、予備触媒処理（ｐｒｅ−ｃａｔａｌｙｓｔ）過程、触媒処理過程、活性化（ａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ）過程、無電解銅メッキ過程、及び酸化防止処理過程を含む一般的な触媒析出方式を用いるもので、公知の技術である触媒析出方式についての詳細な説明は省略する。
【００５８】
ついで、図７に示すように、シード層１１０に感光性レジスト１１２を塗布する。この際、感光性レジスト１１２は、２６０℃以上の高温のリフロー工程に耐えるために、耐熱性ドライフィルムが使用され、さらに適切な高さのポストバンプの形成のために、６０μｍ以上の厚さを持つことが好ましい。
【００５９】
ついで、図８に示すように、露光、現像工程によって、感光性レジスト１１２に、接続パッド１０４を露出させる開口部１１４を形成する。この際、開口部１１４は、所定のマスクパターン（図示せず）を用いて、接続パッド１０４上に塗布された感光性レジスト１１２を除き、感光性レジスト１１２を紫外線に露出させて露光させ、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）または炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）のような現像液を使って、未露光の感光性レジスト１１２を除去することにより形成される。
【００６０】
ついで、図９に示すように、開口部１１４の一部に、接続パッド１０４に連結されるメタルポスト１１６を形成する。この際、メタルポスト１１６はメッキ工程によって形成され、その高さはソルダレジスト層１０６上に形成された感光性レジスト１１２厚さの約５０％程度であるのが好ましい。ここで、メタルポスト１１６は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、すず（Ｓｎ）、金（Ａｕ）などを使用することができる。
【００６１】
ついで、図１０に示すように、メタルポスト１１６の上面に表面処理層１１８を形成する。この際、表面処理層１１８は、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層またはニッケル合金メッキ層で形成されるか、さらに前記ニッケルメッキ層または前記ニッケル合金メッキ層上に、パラジウムメッキ層、金（Ａｕ）メッキ層、または前記パラジウムメッキ層及び前記金メッキ層が順に形成された複合層で形成される。
【００６２】
ついで、図１１に示すように、開口部１１４の表面処理層１１８上にソルダペースト１２０を充填する。この際、ソルダペースト１２０は、前記感光性レジスト１１２の表面と同一の高さを持つように形成される。表面処理層１１８が非常に薄いと仮定すれば、ソルダペースト１２０の高さはソルダレジスト層１０６の上部に突出したメタルポスト１１６の厚さと同じになる。
【００６３】
ついで、図１２に示すように、ソルダペースト１２０に１次リフロー工程を行って丸形ソルダバンプ１２２ａを形成する。この際、丸形ソルダバンプ１２２ａは１次リフロー工程によって丸形に凝集してメタルポスト１１６の上端にだけ半球状の構造を持つように形成され、ソルダペースト１２０内のフラックスなど有機成分が除去されながら約３０％以上の厚さが減少する。
【００６４】
ついで、図１３に示すように、感光性レジスト１１２を剥離し、シード層１１０を除去する。この際、感光性レジスト１１２は、例えばＮａＯＨまたはＫＯＨのような剥離液によって剥離される。剥離液のＯＨ−とドライフィルムレジストのカルボキシル基（ＣＯＯＨ＋）が結合する過程で、露光したドライフィルムレジスト１１２が浮かび上がることにより剥離される。
【００６５】
また、シード層１１０は、ＮａＯＨまたはＫＯＨのような強塩基を用いて、クィック（ｑｕｉｃｋ）エッチングまたはＨ２Ｏ２／Ｈ２ＳＯ４フラッシュ（ｆｌａｓｈ）エッチングによって除去される。
【００６６】
ここで、感光性レジスト１１２及びシード層１１０の除去時に使用される強塩基と強酸は、すず（Ｓｎ）系丸形ソルダバンプ１２２ａと反応して凹部を生じさせるかくぼみを生じさせる問題が発生して、丸形ソルダバンプ１２２ａの高さが一様でない問題が発生することができる。しかし、これは、図１４の２次リフロー工程によって再び丸形構造になるので、従来技術のような問題は発生しない。
【００６７】
最後に、図１４に示すように、丸形ソルダバンプ１２２ａに２次リフロー工程を行うことにより、メタルポスト１１６の側面にソルダが下がってメタルポスト１１６の側面に酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂを形成する。
【００６８】
この際、２次リフロー工程は、１次リフロー工程に比べ、約２０％程度速く進むことが好ましい。これは、２次リフロー工程の速度を１次リフロー工程の速度と同じにあるいは遅くすれば、過量のソルダが下がることにより、丸形ソルダバンプ１２２ａに凹部が生じるかあるいは酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂの厚さが増加することができ、あまり速くすれば、ソルダの下がる量が少なくてメタルポスト１１６の側面全て取り囲むことができない問題が発生するからである。
【００６９】
また、２次リフロー工程を経った丸形ソルダバンプ１２２ａは、その一部が側面に下がるため、約２０％程度の高さが減少することになる。結局、ソルダレジスト層１０６の上部に突出したメタルポスト１１６と同じ高さを持つように充填されたソルダペースト１２０から２回のリフロー工程によって形成された丸形ソルダバンプ１２２ａはメタルポスト１１６の高さの約５０〜７０％の高さを持つようになる。
【００７０】
更に、この段階で、丸形ソルダバンプ１２２ａが２次リフロー工程によって下がることにより、酸化防止用ソルダバンプ膜１２２ｂは自然に一定の厚さを持つようになる。
【００７１】
一方、図１３に示すような感光性レジスト１１２及びシード層１１０の除去に使用される強塩基または強酸と丸形ソルダバンプ１２２ａが反応して凹部またはくぼみが生じても、２次リフロー工程によって再び丸形に戻るようになる。
【００７２】
前述したような製造工程によってメタルポスト１１６の酸化を防止し、丸形ソルダバンプ１２２ａの凹部の発生を防止することができるメタルポストを備えた基板１００が製造される。
【００７３】
以上、本発明をその具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明の一例を例示するためのもので、本発明によるメタルポストを備えた基板及びその製造方法はこれに限定されないし、本発明の技術的思想内で当該技術分野の通常の知識を持った者によって多様な変形と改良が可能であろう。このような本発明の多様な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明に係るメタルポストを備えた基板及びその製造方法は、メタルポストの酸化及び腐食を防止する構造を簡単な工程で得ることができるメタルポストを備えた基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１０２    ベース基板
１０４    接続パッド
１０６    ソルダレジスト層
１１０    シード層
１１２    感光性レジスト
１１４    開口部
１１６    メタルポスト
１１８    表面処理層
１２０    ソルダペースト
１２２    ソルダバンプ
１２２ａ  丸形ソルダバンプ
１２２ｂ  酸化防止用ソルダバンプ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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