(57)【要約】【課題】複数の半導体素子が積層して配置された半導体装置において、ワイヤボンディング時における半導体素子の破損が防止された半導体装置を実現する【解決手段】半導体装置１０の内部では、複数の半導体素子（第１半導体素子１２および第２半導体素子１４）が重畳して内蔵されている。具体的には、第１半導体素子１２は櫛刃状第１アイランド１６の上面に固着され、第２半導体素子１４は櫛刃状の第２アイランド１８の下面に固着されている。更に本発明では、第１アイランド１６の櫛刃部分１６Ａ等と第２アイランド１８の櫛刃部分１８Ａ等とを平面視で交互に配置している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層して配置される複数の半導体素子と、前記半導体素子と電気に接続されて外部に一部が露出するリードとを備える半導体装置であり、
第１半導体素子と、上面に前記第１半導体素子が固着されると共に櫛形の平面形状を呈する第１アイランドと、前記第１アイランドから連続して外部に導出する第１リードと、
第２半導体素子と、下面に前記第１半導体素子が固着されると共に櫛形の平面形状を呈する第２アイランドと、前記第２アイランドから連続して外部に導出する第２リードと、を備え、
前記第１アイランドの櫛刃部分と前記第２アイランドの櫛刃部分とが交互に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体素子の電極と金属細線を経由して接続されると共に、前記第１アイランドと同一平面上にボンディング部を有する第３のリードと、
前記第２半導体素子の電極と金属細線を経由して接続されると共に、前記第２アイランドと同一平面上にボンディング部を有する第４のリードと、を具備し、
前記第１半導体素子の前記電極は、前記第１アイランドにより支持される領域の内側に設けられ、
前記第２半導体素子の前記電極は、前記第２アイランドにより支持される領域の内側に設けられることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１リードと前記第２リードとが厚み方向に重畳すると共にずらして配置されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、厚み方向に積層された複数の半導体素子が内蔵される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、リードフレームを用いた半導体装置は、アイランドと、アイランドの周囲にその一端が設けられたリードが複数本配置される。そして、このアイランドの上面には、半導体素子が固着され、この半導体素子のボンディングパッドとリードとが金属細線にて接続される（例えば、特許文献１）。更には、リードの端部が露出するように、アイランド、リード、半導体素子および金属細線が絶縁性樹脂により封止される。ここで、リードに於いて、絶縁性樹脂に封止された部分はインナーリードと称され、絶縁性樹脂から露出された部分はアウターリードと称されている。そして、このアウターリードが必要により折り曲げられて、前記リードの他端は、半田等により、プリント基板等に実装される。
【０００３】
またアイランドに複数のチップを積層して成るスタック型の半導体装置も実現されている。これは、親チップの上に、親チップよりもサイズの小さい子チップが積層されるものであり、親チップも子チップも金属細線にて電気的に接続される。
【０００４】
この様な構成の半導体装置は、昨今の軽薄短小の技術により小型化が可能になっている。しかし、子チップの上面は、親チップの上面よりも、アイランドの表面からより高い位置に配置される。従って、子チップの上面に金属細線を接続すると、金属細線の頂部がより高くなり、半導体装置の厚み、つまりパッケージの厚みがより厚くなる問題を有していた。
【０００５】
このような問題を解決するために、図９に示す構成の半導体装置１００が提案されている。図９（Ａ）は半導体装置１００を示す斜視図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＡ−Ａ’線に於ける断面図である。
【０００６】
図９（Ａ）および図９（Ｂ）を参照して、半導体装置１００では、第１アイランド１１６の上面に固着された第１半導体素子１１２と、第２アイランド１１８の下面に固着された第２半導体素子１１４が積層して配置されている。そして、第１半導体素子１１２の上面に設けられた電極とボンディング部１２４とは、金属細線１３０Ｂを経由して接続されている。また、第２半導体素子１１４の下面に設けられた電極とボンディング部１２８とは、金属細線１３１Ｂを経由して接続されている。また、各アイランドおよび各ボンディング部と連続したリードの端部は、図９（Ａ）に示すように封止樹脂１３８の側面から外部に露出している。
【０００７】
この様な構成の半導体装置１００では、第１アイランド１１６と第２アイランド１１８とを厚み方向に重畳して配置させることが可能である。従って、２つの積層された半導体素子を内蔵する半導体装置１００を小型にすることができる。
【特許文献１】特開２００７−５５６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図９（Ｂ）を参照して、上記した構成の半導体装置１００では、金属細線を形成するワイヤボンディングの工程に於いて、半導体素子が破損してしまう問題があった。具体的には、金属細線１３０Ｂは、先ず、第１半導体素子１１２の上面に設けられた電極にボールボンディングされる。次に、ボンディング部１２４の上面にステッチボンディングされた後に、切断される。このとき、金属細線１３０Ｂがボールボンディングされる半導体素子１１２の領域は、第１アイランド１１６により支持されていない。従って、金属細線１３０Ｂをボールボンディングする際の押圧力や超音波振動により、第１半導体素子１１２にクラックが発生してしまう問題があった。
【０００９】
更には、第１アイランド１１６の上面は半田を介して第１半導体素子１１２の下面に設けられた電極に接続されるが、第１アイランド１１６と第１半導体素子１１２とが接触する部分は、例えば紙面上に於ける第１半導体素子１１２の左半分程度の領域のみである。従って、半導体素子１１２の裏面に於いて、左半分の領域は第１アイランド１１６に接触して放熱が良好であるものの、右半分の領域は第１アイランド１６に接触しないので放熱が良好でない。結果的に、半導体素子１１２の左半分よりも右半分の領域が高温となることで、動作が不均一になり出力電力を大きくすることができない問題が発生する。
【００１０】
上記した問題は、第２アイランド１１８に実装された第２半導体素子１１４に関しても同様に発生する。
【００１１】
そこで、本発明は、複数の半導体素子が積層して配置された半導体装置において、ワイヤボンディング時における半導体素子の破損が防止された半導体装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、積層して配置される複数の半導体素子と、前記半導体素子と電気に接続されて外部に一部が露出するリードとを備える半導体装置であり、第１半導体素子と、上面に前記第１半導体素子が固着されると共に櫛形の平面形状を呈する第１アイランドと、前記第１アイランドから連続して外部に導出する第１リードと、第２半導体素子と、下面に前記第１半導体素子が固着されると共に櫛形の平面形状を呈する第２アイランドと、前記第２アイランドから連続して外部に導出する第２リードと、を備え、前記第１アイランドの櫛刃部分と前記第２アイランドの櫛刃部分とが交互に配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、櫛形の第１アイランドの上面に第１半導体素子を固着すると共に、櫛形の第２アイランドの下面に第２半導体素子を固着し、第１アイランドの櫛刃部分と第２アイランドの櫛刃部分とを交互に配置している。この様にすることで、第１半導体素子の大部分の領域が第１アイランドにより支持されると共に、第２半導体素子の大部分が第２アイランドにより支持される。従って、ワイヤボンディング時の半導体素子の破損が防止され、更に、各半導体素子から発生した熱が均等に各アイランドを経由して良好に外部に放出されるので、出力電力を大きくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１から図５を参照して、本実施の形態の半導体装置１０を説明する。図１は半導体装置１０を全体的に示す図であり、図２はアイランドのみを抜き出して示す平面図であり、図３は半導体装置１０の断面図であり、図４は第１半導体素子１２に接続されるアイランドおよびリードを示す図であり、図５は第２半導体素子１４に接続されるアイランドおよびリードを示す図である。
【００１５】
図１を参照して、半導体装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は半導体装置１０を上方から見た平面図であり、図１（Ｃ）は半導体装置１０を下方から見た平面図である。
【００１６】
図１（Ａ）を参照して、半導体装置１０は、複数の半導体素子が樹脂封止された樹脂封止型のパッケージである。外観的には、半導体装置１０は、略立方体形状または略直方体形状を有し、上面と下面は互いに平行な平坦面であり、側面は上部の方が下部よりも内側に向かって傾斜する傾斜面と成っている。そして、内蔵された半導体素子と電気的に接続されたリードの端部が、全体を一体的に封止する封止樹脂３８の側面の下部から、外部に突出している。また、外部に露出するリードの下面と、封止樹脂３８の下面とは、同一平面上に位置している。半導体装置１０の実装は、露出するリードに付着させた半田クリーム（不図示）を加熱溶融させるリフロー工程で行われる。
【００１７】
半導体装置１０の内部では、先ず、複数の半導体素子（第１半導体素子１２および第２半導体素子１４）が重畳して内蔵されている。図１の各図を参照して、第１半導体素子１２は第１アイランド１６の上面に固着され、第２半導体素子１４は第２アイランド１８の下面に固着されている。従って、第１半導体素子１２と第２半導体素子１４とは、半導体装置１０の厚み方向に於いて載置される方向が逆である。換言すると、第１半導体素子１２の電極が形成される面は上方を向いており、第２半導体素子１４の電極が形成される面は下方を向いている。
【００１８】
図１（Ｂ）および図１（Ｃ）を参照して、半導体装置１０の平面的な構成を説明する。これらの図に於いて、封止樹脂３８の周辺部は点線により示されており、各半導体素子の周辺部も点線により示されている。更に、この図では、密なハッチングが施されているリードおよびランドは第１半導体素子１２と接続される部位であり、粗なハッチングが施されているリードおよびランドは第２半導体素子１４と接続される部位である。
【００１９】
封止樹脂３８は、各半導体素子およびリードフレームを被覆すると共に、これらを一体的に支持する機能を有する。封止樹脂３８の樹脂材料は、トランスファーモールドにより形成される熱硬化型樹脂（例えばエポキシ樹脂）や、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂（例えばアクリル樹脂）が採用される。また、熱抵抗の低下等を目的として、酸化金属等のフィラーが充填された樹脂材料が、封止樹脂３８として採用されても良い。ここでは、封止樹脂３８は、リード、アイランド、半導体素子および金属細線を一体的に被覆している。更に、各リードの端部は、封止樹脂３８から外部に露出しており、この部分が外部接続用の端子として機能している。
【００２０】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示した半導体装置１０を上方から見た平面図である。この図を参照して、櫛刃状の第１アイランド１６の上面に固着された第１半導体素子１２は、金属細線３０Ａ等を経由して、リード２０Ｄ等の上面と接続されている。ここでは、３本の金属細線３０を経由して各リードと第１半導体素子１２とが電気的に接続されている。具体的には、金属細線３０Ａを経由して、第１半導体素子１２の電極３２がリード２０Ｄのボンディング部２２の上面に接続される。更に、２本の金属細線３０Ｂ、３０Ｃを経由して、第１半導体素子１２の２つの電極３２が、リード２０Ｈのボンディング部２４の上面に接続される。例えば、第１半導体素子１２がＭＯＳＦＥＴである場合は、第１半導体素子１２の上面に設けた１つのゲート電極が、金属細線３０Ａを経由してリード２０Ｄのボンディング部２２と接続される。更に、ソース電極である２つの電極３２は、２つの金属細線３０Ｂ、３０Ｃを経由して、リード２０Ｈのボンディング部２４と接続される。ソース電極は比較的大きな電流が通過する主電極であるので、制御電極であるゲート電極よりも多数本の金属細線を使用して接続することにより、金属細線の電気抵抗を引き下げてオン抵抗を小さくすることができる。なお、第１半導体素子１２の裏面は、例えばドレイン電極として第１アイランド１６の上面に電気的に接続される。第１半導体素子１２の第１アイランド１６への固着は、半田等の導電性固着材を用いて行われる。
【００２１】
図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示した半導体装置１０を下方から見た平面図である。この図を参照して、第２半導体素子１４は、櫛刃状の第２アイランド１８の下面に実装されている。上記した第１半導体素子１２と同じように、第２半導体素子１４の下面に設けられた電極３６は、金属細線を経由して各リードのボンディング部に接続される。具体的には、例えばＭＯＳＦＥＴである第２半導体素子１４の下面に設けた電極３６（ゲート電極）は、金属細線３１Ａを経由して、リード２０Ａのボンディング部２６に接続される。更に、第２半導体素子の他の２つの電極３６（ソース電極）は、２つの金属細線３１Ｂ、３１Ｃを経由して、リード２０Ｅのボンディング部２８の下面に接続される。また、第２半導体素子１４の上面に設けたドレイン電極は、第２アイランド１８の下面に半田を介して実装される。
【００２２】
図１（Ｂ）を参照して、封止樹脂３８の紙面上に於ける上側の側面からはリード２０Ｄ−２０Ａの端部が外部に突出している。リード２０Ａは第２半導体素子１４のゲート電極と接続され、リード２０Ｃ、２０Ｂは、第１半導体素子１２のドレイン電極と接続され、リード２０Ｄは、第１半導体素子１２のゲート電極と接続されている。また、封止樹脂３８の紙面上に於ける下側の側辺からはリード２０Ｅ−２０Ｈが外部に導出している。リード２０Ｅは、第２半導体素子１４のソース電極と接続され、リード２０Ｆ、２０Ｇは第２半導体素子１４のドレイン電極と接続され、リード２０Ｈは第１半導体素子１２のソース電極と接続される。
【００２３】
図２を参照して、第１アイランド１６および第２アイランド１８の構成を説明する。図２（Ａ）は両アイランドを示す平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。ここでは、両アイランドのみを抜き出して示している。更に、図２（Ａ）では、第１半導体素子１２および第２半導体素子１４を点線にて示している。
【００２４】
図２（Ａ）を参照して、第１半導体素子１２が上面に固着される第１アイランド１６は櫛刃形状を呈しており、第２アイランド側（紙面上では下方）に伸びる３つの櫛刃部分１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃから構成されている。そして、第１アイランド１６には外部に導出するリード２０Ｂ、２０Ｃが連続している。また、第２半導体素子１４が下面に固着される第２アイランド１８も同様に櫛刃形状を呈しており、第１アイランド１６側（上方）に向かって３つの櫛刃部分１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃが連続している。ここで、第１アイランド１６と第２アイランド１８とは回転対称な形状となっている。更にまた、各アイランドを構成する櫛刃部分は等間隔に配置されている。
【００２５】
本実施の形態では、第１アイランド１６が備える櫛刃部分１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃと、第２アイランド１８が備える櫛刃部分１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃとを、紙面上にて横方向に交互に配置している。即ち、紙面上にて左側から、櫛刃部分１６Ａ、櫛刃部分１８Ａ、櫛刃部分１６Ｂ、櫛刃部分１８Ｂ、櫛刃部分１６Ｃ、櫛刃部分１８Ｃが配置されている。これらの櫛刃部分は等間隔に配置されている。
【００２６】
この様に第１アイランド１６の櫛刃部分と、第２アイランド１８の櫛刃部分とを交互に配置することにより、狭い領域に両アイランドを集約して配置されると共に、両アイランドにより半導体素子の大部分の領域を支持することができる。
【００２７】
具体的には、背景技術に於いては、図９（Ｂ）に示したように、積層された半導体素子を支持する第１アイランド１１６と第２アイランド１１８とを分割した領域に配置していた。従って、両アイランドが支持できる半導体素子の面積は半分程度であった。このことが、ワイヤボンディング時の半導体素子の破損や、半導体素子が動作する際の温度の偏りを招いていた。
【００２８】
一方、本実施形態では、両アイランドを櫛刃形状とし、これらのアイランドに含まれる櫛刃部分を交互に配置している。この様にすることで、第１アイランド１６により支持される領域と、第２アイランド１８により支持される領域とを、平面的に重畳して配置させることが可能となる。このことから、装置全体の平面視での大きさを大型化することなく、第１アイランド１６により大部分の第１半導体素子１２を支持することができると共に、第２アイランド１８により大部分の第２半導体素子１４を支持することができる。
【００２９】
更に、図２（Ｂ）を参照して、第１アイランド１６の櫛刃部分と第２アイランド１８の櫛刃部分とは、厚み方向にずらして配置されている。具体的には、第１アイランド１６の櫛刃部分１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃよりも、第２アイランド１８の櫛刃部分１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃの方が下方に配置されている。
【００３０】
ここでは、一例として、第１アイランド１６および第２アイランド１８の厚みは例えば０．５ｍｍ程度である。更に、両者の重畳する厚みＬ１はこの厚みよりも短く、例えば０．２ｍｍ程度である。
【００３１】
第１アイランド１６の櫛刃部分と第２アイランド１８の櫛刃部分とを、厚み方向にずらして部分的に重畳させることにより、半導体装置１０の厚みを薄くすると共に、アイランドと半導体素子との絶縁を確保することができる。例えば、積層された２枚のアイランドの上下主面に２つの半導体素子を実装した場合と比較すると、半導体装置１０は、アイランド同士の厚み方向に重畳する長さ分（Ｌ１）だけ厚みが薄くなる。更には、図２（Ａ）に示すように、第１アイランド１６の櫛刃部分同士の間に、第２アイランドの櫛刃部分を配置させることができる。
【００３２】
次に、図３を参照して、半導体装置１０の断面の構成を説明する。図３（Ａ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’線に於ける断面であり、図３（Ｂ）はＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
【００３３】
図３（Ａ）を参照して、第１アイランド１６の上面には第１半導体素子１２が固着され、第１半導体素子１２の上面の電極は、金属細線３０Ｂを経由して、リードのボンディング部２４に接続されている。そして、第２アイランド１８の下面には、第２半導体素子１４が固着され、第２半導体素子１４の電極は、金属細線３１Ｂを経由してリードのボンディング部２８の下面と接続される。
【００３４】
また、上記半導体素子は、裏面が電流を通過するものであれば、導電性接着材または共晶接合により、各々が実装されるアイランドの主面に固着される。更に、これらの半導体素子の裏面が導通を必要としないものであれば、絶縁性の接着剤を用いて、半導体素子がアイランドに実装されても良い。
【００３５】
図３（Ｂ）を参照して、リード２０Ｃは、第１アイランド１６と連続して外側に向かって下方に傾斜する傾斜部４０と、封止樹脂３８から外部に露出して且つ下面が封止樹脂３８の下面と同一平面上に位置する露出部４２とから成る。この構成は、他のリードに関しても同様である。
【００３６】
図４および図５は、図１に示された半導体装置１０を部分的に抜き出して示した斜視図である。
【００３７】
図４を参照して、第１半導体素子１２が実装又は接続される第１アイランド１６等の構成を説明する。図４（Ａ）は、第１半導体素子１２および第１アイランド１６等を、図１（Ａ）に示した構成で上方から見た斜視図であり、図４（Ｂ）はそれを下方から見た斜視図である。
【００３８】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して、第１半導体素子１２が実装される第１アイランド１６、第１アイランド１６から外部に導出される２つのリード２０Ｂ、２０Ｃが図示されている。更に、リード２０Ｈと、リード２０Ｄが手前側に示されている。リード２０Ｈのボンディング部２２は、金属細線３０Ａを経由して第１半導体素子１２と接続される。リード２０Ｄのボンディング部２４は、金属細線３０Ｂ、３０Ｃを経由して第１半導体素子１２と接続されている。
【００３９】
更に、図４（Ｂ）を参照すると、第１アイランド１６を構成する櫛刃部分１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃにより第１半導体素子１２裏面の大部分の領域が支持されている。更に、金属細線３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃがボールボンディングされる第１半導体素子１２の電極（ボンディングパッド）は、第１アイランド１６の櫛刃部分１６Ａ等により囲まれる領域の内部に位置している。従って、金属細線３０等をボールボンディングするためのボンディングエネルギー（押圧力や超音波振動）が第１半導体素子１２の電極に印加されても、この電極が形成された部分の第１半導体素子１２は第１アイランド１６により支持されているので、ボンディングに伴う第１半導体素子１２の破損が防止されている。
【００４０】
ここで、好適には、第１アイランド１６の櫛刃部分１６Ａ等の上方に第１半導体素子１２の電極が位置することが好適である。この様にすることでワイヤボンディング時の衝撃が櫛刃部分１６Ａ等により直に支持され、第１半導体素子１２の破損が防止される効果が大きくなる。
【００４１】
更に、第１半導体素子１２が使用状況下にて動作することにより発熱しても、発生した熱は第１アイランド１６の櫛刃部分１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃおよびリード２０Ｂ、２０Ｃを経由して良好に外部に放出される。このことから、第１半導体素子１２の大部分の領域が均等に放熱されることにより、局所的な過熱が防止されるので、出力電力を大きくすることができる。
【００４２】
これらの図に示す第１アイランド１６およびリード２０Ｈ、２０Ｄは、製造工程に於いては、一体的に結合された一枚のリードフレームの状態で供給される。
【００４３】
図５を参照して、第２半導体素子１４が実装される第２アイランド１８およびリード２０Ｇ等の構成を説明する。図５の両図の視点は上述した図４と同様である。
【００４４】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して、第２半導体素子１４が実装される第２アイランド１８から、リード２０Ｇ、リード２０Ｆが外部に導出されている。更に、リード２０Ｅのボンディング部２６の下面は、金属細線３１Ａを経由して第２半導体素子１４の下面に設けられた電極と接続されている。リード２０Ａのボンディング部２８は、金属細線３０Ｃおよび金属細線３０Ｂを経由して、第２半導体素子１４の電極と接続されている。
【００４５】
図５（Ａ）を参照して、第２半導体素子１４に関しても、上面の大部分の領域が第２アイランド１８の櫛刃部分１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃにより支持されている。従って、この櫛刃部分１８Ａ等により支持された領域の内側に電極が位置しているので、この電極に金属細線３１Ａ等をボンディングしても、ボンディングに伴う第２半導体素子１４の破損は防止されている。更に、均等に配置された櫛刃部分１８Ａ等を経由して、第２半導体素子１４から発生する熱は均等に外部に放出されるので、動作時に於ける局所的な過熱も防止されている。
【００４６】
これらの図に示す第２アイランド１８、リード２０Ｅおよびリード２０Ａは、製造工程に於いては、一体的に連結された一枚のリードフレームの状態で供給される。ここで、製造工程に於いては、図５に示す第２アイランド１８等が含まれるリードフレームは、図４に示された第１アイランド１６を含むリードフレームとは別体で用意されている。
【００４７】
図６から図８を参照して、次に、上記した構成の半導体装置１０の製造方法を説明する。本実施の形態では、２つのリードフレーム（図６に示すリードフレーム５０および図７に示すリードフレーム６０）に個別にダイボンディングおよびワイヤボンディングを行い、両者を積層させた後に樹脂封止を行って、半導体装置を製造している。
【００４８】
図６を参照して、リードフレーム５０の構成を説明する。図６（Ａ）はリードフレーム５０を部分的に示す平面図であり、図６（Ｂ）はユニット５２を拡大して示した斜視図である。
【００４９】
図６（Ａ）を参照して、リードフレーム５０は銅などの金属から成り、厚みが０．５ｍｍ程度の一枚の導電箔を加工（エッチング加工やパンチング加工）して所定の形状に成形されたものである。ここでは、リードフレーム５０は、概略的に短冊形形状を有している。リードフレーム５０の四方の側辺には額縁形状に外枠５４が設けられており、この外枠５４の内側に格子状に連結部５８が延在している。
【００５０】
更に、外枠５４を厚み方向に貫通して、ガイドホール５６が設けられている。このガイドホール５６は、各工程に於いて、搬送や位置決めに使用される。また、図６（Ａ）に示すリードフレーム５０に設けたガイドホール５６と、図７（Ａ）に示したリードフレーム６０のガイドホール６６とを重畳させることにより、各リードフレームに含まれるユニットを正確に位置合わせすることができる。
【００５１】
図６（Ｂ）を参照して、ユニット５２は連結部５８の内側に設けられている。ユニット５２とは１つの半導体装置を構成する部位の集まりである。ここでは、１つのユニット５２が、図１（Ｂ）にて密なハッチングが施された部分に対応している。具体的には、紙面上にて奥の方の連結部５８から、３本のリード（リード２０Ｄ、リード２０Ｃ、リード２０Ｂ）が内側に延在している。リード２０Ｃおよびリード２０Ｂは、第１アイランド１６に連続している。また、リード２０Ｄの先端部にはボンディング部２２が設けられている。そして、紙面上にて手前の連結部５８から、先端部にボンディング部２４を有する１つのリード２０Ｈが内部に延在している。更に、各リードは、図３（Ｂ）に示した傾斜部４０および露出部４２を含む。また、各リードのユニット５２の内側の先端部および第１アイランド１６は、リードフレーム５０の他の部位（外枠５４や連結部５８）よりも上方にて同一平面上に位置している。
【００５２】
更に、各ユニット５２の第１アイランド１６には、３つの櫛刃部分１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃが形成されている。
【００５３】
図７を参照して、リードフレーム６０の構成を説明する。図７（Ａ）はリードフレーム６０の平面図であり、図７（Ｂ）はユニット６２を示す斜視図である。ここで、リードフレーム６０は、図１（Ｂ）に示す粗なハッチングが施された部位となる。更に、図６に示されたリードフレーム５０と、ここで図示されたリードフレーム６０とは、ユニット６２の内部構成が異なるのみであり、他の構成は基本的には同一である。
【００５４】
図７（Ａ）を参照して、リードフレーム６０は、外枠６４から内側に格子状に連結部６８が設けられた形状である。そして、連結部６８に囲まれる開口部にユニット６２が配置されている。ここでも、リードフレーム６０の外枠６４を厚み方向に貫通して、ガイドホール６６が設けられている。
【００５５】
図７（Ｂ）を参照して、奥の方の連結部６８から、１つのリード２０Ａが内側に延在しており、先端部が平坦なボンディング部２６と成っている。更に、手前側の連結部６８からは、３つのリード２０Ｇ、２０Ｆ、２０Ｅが内側に延在している。２つのリード２０Ｇ、２０Ｆの先端部が第２アイランド１８に連続している。更に、リード２０Ｅの先端部がボンディング部２８と成っている。
【００５６】
図６（Ｂ）および図７（Ｂ）を参照して、ユニット５２とユニット６２とはアイランドの形状と、ボンディング部およびアイランドの高さが異なる。図６（Ｂ）に示す第１アイランド１６、ボンディング部２２、２４の方が、図７（Ｂ）に示す第２アイランド１８、ボンディング部２６、２８よりも上方に位置している。また、第１アイランド１６と第２アイランド１８とは、ある点を中心に１８０度回転させると同一形状となる点対称な形状となっている。
【００５７】
図８を参照して、次に、ダイボンディングおよびワイヤボンディングの工程を説明する。図８（Ａ）は両工程が終了した後のリードフレーム５０のユニット５２を示す斜視図である。図８（Ｂ）は同様な状態のリードフレーム６０のユニット６２を示す斜視図である。
【００５８】
図８（Ａ）を参照して、第１アイランド１６の上面には第１半導体素子１２が固着されている。第１半導体素子１２の固着は、半田または導電性ペーストを用いて行われる。そして、第１半導体素子１２の上面に形成された電極は、ボンディング部２２またはボンディング部２４に、金属細線を経由して接続されている。上記したように、第１半導体素子１２の上面に設けられる電極は、第１アイランド１６の櫛刃部分（不図示）により囲まれる領域の内側に形成されている。従って、第１半導体素子１２の電極に金属細線をボンディングするために、この電極にボンディングエネルギー（加熱、押圧力、超音波振動）を加えても、このエネルギーにより第１半導体素子１２が破損することはない。この工程は、リードフレーム５０に含まれる全てのユニット５２に対して一括して行われる。
【００５９】
図８（Ｂ）を参照して、第２アイランド１８の下面には、第２半導体素子１４が実装される。更に、第２半導体素子１４の下面に設けられた各電極は、不図示の金属細線を経由して、ボンディング部２６またはボンディング部２８の下面に接続される。実際は、リードフレーム６０を上下反転させた状態で（即ち第２半導体素子１４が実装される面を上面にした状態で）、この工程は行われる。第２半導体素子１４に関しても、上面の大部分の領域が第２アイランド１８の櫛刃部分１８Ａ等により支持されているので、ワイヤボンディングに伴う第２半導体素子１４の破損が防止されている。
【００６０】
上記工程が終了した後は、リードフレーム５０およびリードフレーム６０を重ね合わせて結合させる。このことにより、結合されたリードフレームの各ユニットは、図１に示す構成となる。更に、リードフレームの各ユニットを、モールド金型に個別に収納させて樹脂封止の工程を行う。具体的には、樹脂封止の工程では、各ユニットの半導体素子、アイランド、金属細線およびリードが封止樹脂により封止される。更に、封止樹脂から露出するリードの表面にメッキ膜を被着させる工程、樹脂封止された各ユニットをリードフレームから個別に分離する工程、各ユニットの良否や電気的特性を測定する工程、捺印工程等を経て、図１に示す構成の半導体装置１０が完成する。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は平面図であり、（Ｃ）は平面図である。
【図２】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の半導体装置を一部抜き出して示した図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図４】本発明の半導体装置を一部抜き出して示した図であり、（Ａ）および（Ｂ）は斜視図である。
【図５】本発明の半導体装置を一部抜き出して示した図であり、（Ａ）および（Ｂ）は斜視図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は斜視図である。
【図９】背景技術の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０      半導体装置
１２      第１半導体素子
１４      第２半導体素子
１６      第１アイランド
１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ      櫛刃部分
１８      第２アイランド
１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ      櫛刃部分
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈ      リード
２２      ボンディング部
２４      ボンディング部
２６      ボンディング部
２８      ボンディング部
３０、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ      金属細線
３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ      金属細線
３２      電極
３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ      金属細線
３６      電極
３８      封止樹脂
４０      傾斜部
４２      露出部
５０      リードフレーム
５２      ユニット
５４      外枠
５６      ガイドホール
５８      連結部
６０      リードフレーム
６２      ユニット
６４      外枠
６６      ガイドホール
６８      連結部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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