(57)【要約】【課題】多数個取り用のセラミック焼結体に分割溝を確実に形成することができるセラミック部品の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、多数個取り用のセラミック焼結体を作製し、そのセラミック焼結体を分割することにより、前記複数のセラミック部品を個片化するセラミック部品の製造方法に関する。レーザ加工工程では、未焼結セラミック成形体５０に未焼結導体４９を接触させて配置した状態で、レーザ照射により未焼結セラミック成形体５０を加工することにより、分割溝５１，５２を形成する。レーザ加工工程の後に行われる焼成工程では、未焼結セラミック成形体５０及び未焼結導体４９を同時に加熱して焼結させてセラミック焼結体を得る。分割工程では、セラミック焼結体を分割溝５１，５２に沿って分割することにより、複数のセラミック部品を個片化する。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック部品を連結してなる多数個取り用のセラミック焼結体を作製し、そのセラミック焼結体を分割することにより、前記複数のセラミック部品を個片化するセラミック部品の製造方法であって、
焼結後に前記セラミック焼結体となるべき未焼結セラミック成形体に、焼結後に導体部となるべき未焼結導体を接触させて配置した状態で、レーザ照射により前記未焼結セラミック成形体を加工することにより、分割溝を形成するレーザ加工工程と、
前記レーザ加工工程の後に前記未焼結セラミック成形体及び前記未焼結導体を同時に焼結させて前記セラミック焼結体を作製する焼成工程と、
前記焼成工程の後に前記セラミック焼結体を前記分割溝に沿って分割することにより、前記複数のセラミック部品を個片化する分割工程と
を含むことを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【請求項２】
前記レーザ加工工程において、前記レーザ照射による加工屑を除去しながらレーザ加工を行うことを特徴とする請求項１に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ加工工程において、レーザ照射により前記未焼結セラミック成形体を加工することにより、前記分割溝に加えて、素子を搭載可能なキャビティを形成することを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項４】
前記未焼結セラミック成形体の表面に前記キャビティ及び表面側分割溝を形成し、前記未焼結セラミック成形体の裏面に前記表面側分割溝よりも深さが浅い裏面側分割溝を形成することを特徴とする請求項３に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項５】
前記レーザ加工工程において、前記未焼結セラミック成形体の表面及び裏面を加工することにより、互いの内端部が対向して配置されるように表面側分割溝及び裏面側分割溝を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項６】
前記セラミック部品の厚さは０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のセラミック部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数個取り用のセラミック焼結体を分割溝に沿って分割することで複数のセラミック部品を製造する方法に係り、特にはその分割溝の形成方法に特徴を有するセラミック部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や、水晶振動子、水晶発振器、圧電振動子、表面弾性波フィルタなどの電子部品素子を収容するための小型のセラミックパッケージが各種提案されている。図１７には従来のセラミックパッケージ７０の一例を示している。セラミックパッケージ７０は、複数のセラミック焼結層７１，７２，７３からなる多層構造を有しており、その上面にて開口するキャビティ７４が設けられている。また、セラミックパッケージ７０には、外部基板に接続するためのパッド部７５、ビア導体７６、内層導体パターン７７などの導体部も形成されている。
【０００３】
ここで、従来のセラミックパッケージ７０の製造方法を例示する。なお、セラミックパッケージ７０は、多数個取りの手法で製造される。すなわち、製品領域が平面方向に沿って縦横に複数配列された大判のパッケージを製造しそれを分割することで、個々のパッケージを得ている。
【０００４】
具体的には、まず、アルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを作製する。そしてこのスラリーを従来周知の手法によりシート状に成形して、セラミックグリーンシートを作製する。そして、セラミックグリーンシートに対して従来周知のパンチング（打ち抜き）加工を施すことによって、ビア導体用の貫通孔等を形成する。
【０００５】
次に、従来周知のペースト印刷装置を用いて、タングステン等を主成分とする導体ペーストを貫通孔内に充填する。さらに、スクリーン印刷法に従って、セラミックグリーンシートの表面に導体ペーストを塗布する。なおここでは、形成すべき回路配線に応じた所定パターンのマスクを用い、導体ペーストを所定パターン状に印刷形成する。そして、セラミックグリーンシートに対して従来周知のパンチング（打ち抜き）加工を施すことによって、キャビティ用の貫通孔を形成する。
【０００６】
その後、複数のセラミックグリーンシートを積層し、従来周知のラミネート装置を用いて厚さ方向に所定の荷重を加えることにより、これらを圧着、一体化してセラミックグリーンシート積層体を形成する。
【０００７】
そして、ブレードを用いてセラミックグリーンシート積層体に溝入れを行い、個々の製品領域に分割するための複数の分割溝を形成する。その後、この積層体をアルミナが焼結しうる所定の温度に加熱する焼成工程を行う。この焼成を経ると、各セラミックグリーンシート及び導体ペーストが焼結して、大判のセラミックパッケージが得られる。そして、大判のセラミックパッケージを分割溝に沿って分割することで、複数のセラミックパッケージ７０が同時に得られる。
【０００８】
因みに、特許文献１には、セラミック基板においてレーザにより分割溝を形成し、分割溝に沿ってセラミック基板を分割することで個々の電子部品を製造する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２７６３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、電子部品素子は小型化のものが開発されており、それに伴いセラミックパッケージの小型化が図られている。小型のセラミックパッケージを上述した多数個取りの手法で製造する場合、キャビティと分割溝との間隔が狭くなるため、分割溝の形成時においてブレードの厚み分の逃げ場所が少なくなる。この場合、図１８に示されるように、ブレード８０を用いて分割溝８１を形成することにより、セラミックグリーンシート積層体８２の水平方向に機械的ストレスが加わる。このため、積層体８２において、特に厚さが薄くなるキャビティ７４の部分が変形してしまう。また、複数の分割溝８１を形成する際にブレード８０による溝入れを繰り返すことにより、始めに入れた分割溝８１が狭くなり十分な溝幅を確保できなくなることがある。この場合には、焼結後におけるセラミックパッケージ７０の分割が困難となってしまう場合があった。
【００１０】
図１９に示されるように、ブレード８０によるセラミックグリーンシート積層体８２の溝入れ時には、ブレード８０の先端に応力が集中してクラック８４が発生してしまうことがある。このクラック８４が発生しても積層体８２が厚い場合（例えば、０．５ｍｍの場合）は問題なく分割溝８１を形成することができるが、積層体８２が薄い場合（例えば、０．３ｍｍの場合）にはクラック８４によって割れや破れが発生して製品不良となってしまう。
【００１１】
また、特許文献１では、焼結体であるセラミック基板にレーザを照射して分割溝を形成しており、分割溝の部分がレーザ照射によって焼け焦げるため、外観が悪化してしまう可能性がある。さらに、焦げた部分は、めっきが付着しやすくなるため、めっき工程を適切に行うためには、焦げを除去する工程が必要となってしまう。
【００１２】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、多数個取り用のセラミック焼結体に分割溝を確実に形成することができるセラミック部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数のセラミック部品を連結してなる多数個取り用のセラミック焼結体を作製し、そのセラミック焼結体を分割することにより、前記複数のセラミック部品を個片化するセラミック部品の製造方法であって、焼結後に前記セラミック焼結体となるべき未焼結セラミック成形体に、焼結後に導体部となるべき未焼結導体を接触させて配置した状態で、レーザ照射により前記未焼結セラミック成形体を加工することにより、分割溝を形成するレーザ加工工程と、前記レーザ加工工程の後に前記未焼結セラミック成形体及び前記未焼結導体を同時に焼結させて前記セラミック焼結体を作製する焼成工程と、前記焼成工程の後に前記セラミック焼結体を前記分割溝に沿って分割することにより、前記複数のセラミック部品を個片化する分割工程とを含むことを特徴とするセラミック部品の製造方法がある。
【００１４】
従って、手段１に記載のセラミック部品の製造方法によると、焼成工程の前にレーザ加工工程を行い、未焼結セラミック成形体に対してレーザ加工を行うことで分割溝が形成される。このようにすると、従来のブレードを用いた場合のように分割溝の形成時において応力が加わることがなく、パッケージが変形するといった問題を解消することができる。また、未焼結セラミック成形体は、比較的に柔らかいためレーザ照射により分割溝を容易に形成することができる。さらに、分割溝の形成後に焼成工程が実施されるので、レーザ加工で焼け焦げた部分は、その後の焼成工程で焼失する。このため、セラミック部品の外観が悪化するといった問題が解消されるとともに、めっき工程を適切に行うことが可能となる。
【００１５】
前記レーザ加工工程において、前記レーザ照射による加工屑を除去しながらレーザ加工を行うことが好ましい。このようにすれば、分割溝内に加工屑が溜まるといった問題を回避することができる。
【００１６】
前記レーザ加工工程において、レーザ照射により前記未焼結セラミック成形体を加工することにより、前記分割溝に加えて、素子を搭載可能なキャビティを形成してもよい。この場合、キャビティの形成位置に対して位置ズレがなく正確な位置に分割溝を形成することができる。
【００１７】
前記未焼結セラミック成形体の表面に前記キャビティ及び表面側分割溝を形成し、前記未焼結セラミック成形体の裏面に前記表面側分割溝よりも深さが浅い裏面側分割溝を形成してもよい。ここで、未焼結セラミック成形体が比較的薄い場合、裏面側分割溝を浅く形成することにより、分割工程よりも前の工程で未焼結セラミック成形体やセラミック焼結体が割れてしまうといった問題を回避することができる。
【００１８】
前記レーザ加工工程において、前記未焼結セラミック成形体の表面及び裏面を加工することにより、互いの内端部が対向して配置されるように表面側分割溝及び裏面側分割溝を形成してもよい。このように分割溝を形成すると、分割工程において、分割溝に沿って個々のセラミック部品を容易に分割することができる。
【００１９】
前記セラミック部品の厚さは０．３ｍｍ以下であってもよい。セラミック部品の厚さが０．３ｍｍ以下である場合、分割溝をブレードで形成すると、溝入れ時に応力が加わりクラックが発生するため、分割溝の形成が困難となる。これに対して、レーザ加工で分割溝を形成する場合では、応力が加わらないため、分割溝を確実に形成することができる。
【００２０】
前記分割溝は、深さ方向にいくに従い幅が徐々に狭くなるよう断面Ｖ字状に形成されていることが好ましい。このように分割溝を形成すると、分割溝に沿って個々のセラミック部品を容易に分割することができる。
【００２１】
前記分割溝は、前記キャビティから０．３ｍｍ以下の間隔を隔てて形成されていてもよい。この場合、分割溝をブレードで形成すると、溝入れ時に応力が加わりキャビティが変形するため、セラミック部品完成後のチップ等の実装が困難となる。これに対して、レーザ加工で分割溝を形成する場合では、応力が加わらないためキャビティが変形することがなく、分割溝を確実に形成することができる。
【００２２】
前記レーザ加工工程は、前記未焼結セラミック成形体の表面に導体ペーストを所定パターン状に印刷形成した後に行うことが好ましい。
【００２３】
前記レーザ加工工程で用いられるレーザの種類は特に限定されないが、例えば、ＹＡＧレーザであることが好ましい。
【００２４】
前記セラミック部品としては、素子を搭載するためのセラミックパッケージを挙げることができる。セラミックパッケージの具体例としては、例えば、水晶振動子用パッケージ、表面弾性波フィルタ用パッケージ、ＭＰＵパッケージ、Ｃ−ＭＯＳ用パッケージ、ＣＣＤ用パッケージ、ＬＥＤ用パッケージなどを挙げることができる。
【００２５】
前記未焼結セラミック成形体と未焼結導体とを接触して配置させる方法としては、印刷法に限定されるものではなく、例えば、シート状に形成した未焼結導体を未焼結セラミック成形体に圧着させて配置させてもよいし、導電性材料を未焼結セラミック成形体上に塗布することによって未焼結導体を配置させてもよい。
【００２６】
前記セラミック焼結体を形成する材料の好適例としては、アルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ほう素、窒化珪素、低温焼成セラミックなどを挙げることができる。また、セラミック焼結体の形成材料としては、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等のセラミック誘電体材料を選択してもよい。
【００２７】
前記未焼結導体に含まれる導電性金属粉末は、セラミック焼結体の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック焼結体がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、未焼結導体中の金属粉末として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック焼結体がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、未焼結導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
【００２８】
前記セラミック部品としては、セラミックパッケージ以外にセラミックコンデンサなどの電子部品を挙げることができる。また、一般的なセラミックパッケージのように平板形状の部品に限定されるものではなく、より立体的な形状（例えばキューブ状、球状など）のセラミック部品に本発明を具体化してもよい。またこの場合、未焼結セラミック成形体としては、シート成形品に限定されるものではなく、プレス成形品などを用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施の形態のセラミックパッケージ及びその製造方法を図面に基づき詳細に説明する。図１は、セラミックパッケージ１０を示す概略断面図である。また、図２は、セラミックパッケージ１０の上面図であり、図３は、セラミックパッケージ１０の下面図である。
【００３０】
図１に示されるように、本実施形態のセラミックパッケージ１０（セラミック部品）は、水晶振動子１１（素子）を実装するための装置である。このセラミックパッケージ１０は、上面１２及び下面１３を有する矩形平板状の部材であり、そのサイズは、例えば、縦０．８ｍｍ×横１．２ｍｍ×高さ０．３ｍｍである。本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、３層のセラミック焼結層１４，１５，１６からなる多層構造を有しており、各セラミック焼結層１４〜１６は、いずれもアルミナ焼結体からなる。なお、本実施の形態のセラミックパッケージ１０では３層構造としたが、２層構造を採用しても構わないし、４層以上の多層構造を採用しても構わない。
【００３１】
図１及び図２に示されるように、セラミックパッケージ１０は、上面１２において開口するキャビティ２０を備えている。本実施の形態のキャビティ２０は平面視で略矩形状を呈しており、その外形寸法は、例えば縦０．６ｍｍ×横１．０ｍｍ×深さ０．２ｍｍに設定されている。
【００３２】
本実施の形態のキャビティ２０は、二段構造となっており、底面２１の一部（図では左側）に段部２２が配置されている。そして、そのキャビティ２０の段部２２上には、水晶振動子１１に接続するための一対の端子２３が形成されている。水晶振動子１１は、各端子２３にはんだ付けにより接続される。このように、キャビティ２０内において、段部２２上の端子２３に水晶振動子１１を接続することにより、水晶振動子１１の先端がキャビティ２０の底面２１から離れた状態で収納される。
【００３３】
セラミックパッケージ１０におけるキャビティ２０の外周部の上面には、キャビティ２０を取り囲むようにシール用メタライズ層２５が設けられている。このメタライズ層２５上には、図示しないめっき層やロウ材層が設けられるとともに、そのロウ材層等を介して図示しないキャップが取り付けられる。このキャップによってキャビティ２０の開口が塞がれる。
【００３４】
セラミックパッケージ１０において、セラミック焼結層１４とセラミック焼結層１５との界面には内層導体パターン２６が形成され、セラミック焼結層１５とセラミック焼結層１６との界面には内層導体パターン２７が形成されている。また、図１及び図３に示されるように、セラミック焼結層１６の下面には、メタライズ層からなるパッド部２８が複数個設けられている。このセラミックパッケージ１０の各パッド部２８は、セラミックパッケージ１０を図示しない他の基板上に実装する際に、複数の基板側端子に対して接合される。
【００３５】
セラミックパッケージ１０において、シール用メタライズ層２５は、セラミック焼結層１４に形成されたビア導体３０を介して内層導体パターン２６に接続され、内層導体パターン２６は、セラミック焼結層１５，１６に形成されたキャスタレーション３１（端面スルーホール導体）を介してパッド部２８に接続されている。また、端子２３は、セラミック焼結層１５に形成されたビア導体３０を介して内層導体パターン２７に接続され、内層導体パターン２７は、セラミック焼結層１５，１６に形成されたキャスタレーション３１（端面スルーホール導体）を介してパッド部２８に接続されている。なお、キャスタレーション３１は、凹溝部３２の表面上に、メタライズ層を設けた構造を有しており、セラミックパッケージ１０の外周面における各コーナー部に配置されている。
【００３６】
本実施の形態のセラミックパッケージ１０において、端子２３、メタライズ層２５、内層導体パターン２６，２７、パッド部２８、ビア導体３０、及びキャスタレーション３１は、例えばタングステンを主体とするメタライズ金属からなる導体部である。
【００３７】
次に、上記構造のセラミックパッケージ１０を製造する方法について図４〜図１４に基づいて説明する。なお、本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、多数個取りの手法で製造される。
【００３８】
まず、セラミックグリーンシートを準備する準備工程を実施する。具体的には、セラミック粉末としてのアルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを作製する。そしてこのスラリーを従来周知の手法（例えばドクターブレード法やカレンダーロール法）によりシート状に成形して、図４に示すようなセラミックグリーンシート４１，４２，４３を３枚作製する。
【００３９】
そして、穴あけ工程では、打ち抜き治具（上型４４，下型４５）を用いてパンチング加工を行い、セラミックグリーンシート４１の複数箇所に貫通孔４６，４７を形成する（図５参照）。セラミックグリーンシート４１と同様に、パンチング（打ち抜き）加工によってセラミックグリーンシート４２，４３の複数箇所に貫通孔４６，４７を形成する（図６参照）。各セラミックグリーンシート４１，４２，４３において、貫通孔４６は、ビア導体３０を形成するための孔部であり、貫通孔４７は、キャスタレーション３１を形成するための孔部である。
【００４０】
続く導体部形成工程では、貫通孔４６，４７内にそれぞれ導体部を形成する。より具体的にいうと、まず従来周知のペースト印刷装置によるビアメタライズ充填手法を行って、貫通孔４６内にタングステンペースト４９を充填する（図７参照）。即ち、貫通孔４６を完全にタングステンペースト４９で満たすようにする。次いで、キャスタレーション印刷を行って、貫通孔４７の内周面にタングステンペースト４９を付着させる（図８参照）。従って、貫通孔４７内は完全にタングステンペースト４９で満たされていなくてもよく、貫通孔４７の中心部は空洞状になっている。なお、上記のようにビアメタライズ充填後にキャスタレーション印刷を行ってもよいほか、キャスタレーション印刷後にビアメタライズ充填後を行ってもよい。そして次に、セラミックグリーンシート４１，４２，４３の上にタングステンペースト４９をパターン印刷する（図９参照）。これらの印刷層は、後に端子２３、メタライズ層２５、内層導体パターン２６，２７、パッド部２８となるべき部分である。
【００４１】
続くキャビティ用穴あけ工程では、打ち抜き治具（上型５３，下型５４）を用いてパンチング加工を行い、セラミックグリーンシート４１にキャビティ用の貫通孔５５を形成する（図１０参照）。同様に、パンチング（打ち抜き）加工によってセラミックグリーンシート４２にキャビティ用の貫通孔５６を形成する（図１１参照）。
【００４２】
この後に、積層工程を行い、セラミックグリーンシート４３の上にセラミックグリーンシート４２及びセラミックグリーンシート４１を順次積層し、従来周知のラミネート装置を用いて厚さ方向に所定の荷重を加えることにより、これらを圧着、一体化してセラミックグリーンシート積層体５０（未焼結セラミック成形体）を形成する（図１２参照）。
【００４３】
続くレーザ加工工程では、レーザ加工装置を用いてレーザＬ１を照射することにより、製品領域の外形線に沿ってセラミックグリーンシート積層体５０の表面及び裏面に表面側分割溝５１及び裏面側分割溝５２を格子状に形成する（図１３参照）。またこのとき、図示しない吸引装置やブロー装置を用いて、レーザ照射による加工屑を除去しながら分割溝５１，５２を形成している。
【００４４】
表面側分割溝５１及び裏面側分割溝５２は、深さ方向にいくに従い幅が徐々に狭くなるよう断面Ｖ字状に形成されており、互いの内端部が対向して配置されている。本実施の形態では、貫通孔４７の中心を通るよう各分割溝５１，５２が形成される。これら分割溝５１，５２は、その深さが開口幅の１倍〜５倍（本実施の形態では２．５倍）程度となるよう形成されている。また、セラミックグリーンシート積層体５０の表面において、表面側分割溝５１は、キャビティ２０から０．１ｍｍ程度の間隔を隔てた位置に形成されている。
【００４５】
レーザ加工工程の後、積層体５０をアルミナが焼結しうる所定の温度（例えば１５００℃〜１８００℃程度の温度）に加熱する焼成工程を行う。この焼成を経ると、各セラミックグリーンシート４１，４２，４３が焼結して大判のセラミックパッケージ１０１（セラミック焼結体）が得られる（図１４参照）。また、タングステンペースト４９の焼結によって、端子２３、メタライズ層２５、内層導体パターン２６，２７、パッド部２８、ビア導体３０、及びスルーホール導体５８が形成される。なお、ここで得られるセラミックパッケージ１０１は、セラミックパッケージ１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用パッケージである。
【００４６】
さらに、セラミックパッケージ１０１の端子２３、メタライズ層２５、パッド部２８、及びスルーホール導体５８に対して電解めっきを行ってそれら表面にめっき層を形成する。そして、分割工程において、セラミックパッケージ１０１を分割溝５２に沿って切断する。これにより、図１のセラミックパッケージ１０が複数同時に得られる。なお、分割溝５２は、スルーホール導体５８のある貫通孔４７の中心を通るよう形成されている。このため、分割溝５２でセラミックパッケージ１０１を切断することによって、セラミックパッケージ１０のコーナー部（セラミック焼結層１５，１６の側面）にキャスタレーション３１が形成される。
【００４７】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４８】
（１）本実施の形態の場合、焼成工程前にレーザ加工工程を行い、未焼結セラミック成形体であるセラミックグリーンシート積層体５０に対してレーザ加工を行うことで分割溝５１，５２が形成されている。このようにすると、従来のブレードを用いた場合のように分割溝の形成時において応力が加わることがなく、パッケージ１０が変形するといった問題を解消することができる。また、セラミックグリーンシート積層体５０は、比較的に柔らかいためレーザ照射により分割溝５１，５２を容易に形成することができる。さらに、分割溝５１，５２の形成後に焼成工程が実施されるので、レーザ加工で焼け焦げた部分は、その後の焼成工程で焼失する。このため、セラミックパッケージ１０の外観が悪化するといった問題が解消されるとともに、めっき工程を適切に行うことが可能となる。
【００４９】
（２）本実施の形態の場合、レーザ加工工程において、レーザ照射による加工屑を除去しながらレーザ加工が行われているので、分割溝５１，５２内に加工屑が溜まるといった問題を回避することができる。
【００５０】
（３）本実施の形態の場合、レーザ加工工程において、セラミックグリーンシート積層体５０の表面及び裏面を加工することにより、互いの内端部が対向して配置されるように表面側分割溝５１及び裏面側分割溝５２が形成されている。このように各分割溝５１，５２を形成すると、分割工程において、分割溝５１，５２に沿って個々のセラミックパッケージ１０を容易に分割することができる。
【００５１】
（４）本実施の形態のセラミックパッケージ１０は、厚さが０．３ｍｍの薄型パッケージである。このため、従来のように分割溝をブレードで形成すると、溝入れ時に応力が加わりクラックが発生してしまう。これに対して、本実施の形態の製造方法のように、レーザ加工で分割溝５１，５２を形成する場合では、応力が加わらないため、分割溝５１，５２を確実に形成することができる。
【００５２】
（５）本実施の形態の場合、分割溝５１，５２は、深さが開口幅の２．５倍程度であり、深さ方向にいくに従い幅が徐々に狭くなるよう断面Ｖ字状に形成されている。このようにすれば、分割溝５１，５２に沿って個々のセラミックパッケージ１０を容易に分割することができる。
【００５３】
（６）本実施の形態の場合、セラミックグリーンシート積層体５０の表面において、分割溝５１はキャビティ２０から０．１ｍｍ程度の間隔を隔てて形成されている。この場合、従来のように分割溝５１，５２をブレードで形成すると、溝入れ時に応力が加わりキャビティ２０が変形するため、分割溝５１，５２の形成が困難となる。これに対して、レーザ加工で分割溝５１，５２を形成する場合では、応力が加わらないためキャビティ２０が変形することがなく、微細加工が可能であるため分割溝５１，５２を確実に形成することができる。
【００５４】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００５５】
・上記実施の形態では、パンチング加工によってキャビティ２０を形成するものであったが、レーサ加工によってキャビティ２０を形成してもよい。具体的には、図９に示すように、各セラミックグリーンシート４１，４２，４３の上にタングステンペースト４９をパターン印刷した後、積層工程を行い、複数のセラミックグリーンシート４１，４２，４３を積層一体化してセラミックグリーンシート積層体５０を作製する（図１５参照）。その後、レーザ加工工程を行い、セラミックグリーンシート積層体５０にレーザＬ１を照射することにより、キャビティ２０を形成する(図１６参照)。またこのとき、レーザ照射により表面側分割溝５１を形成し、さらに、積層体５０の裏面側に裏面側分割溝５２を形成する。このようにすれば、キャビティ２０の形成位置に対して位置ズレがなく正確な位置に分割溝５１，５２を形成することができる。
【００５６】
・上記実施の形態において、表面側分割溝５１と裏面側分割溝５２とをほぼ同じ深さで形成しているが、セラミックグリーンシート積層体５０が比較的薄い場合には、積層体５０の裏面側に表面側分割溝５１よりも深さが浅い裏面側分割溝５２を形成してもよい。この場合、裏面側分割溝５２を浅く形成することにより、分割工程よりも前の工程でセラミックグリーンシート積層体５０やセラミックパッケージ１０１が割れて製品不良となることを回避することができる。
【００５７】
・上記実施の形態において、貫通孔４６，４７をパンチング加工によって形成したが、レーザ加工やドリル加工などの手法によって形成してもよい。特にレーザ加工で貫通孔４６，４７を形成する場合、分割溝５１，５２の形成時と同じレーザ照射装置を用いることができる。このため、装置コストを抑えることが可能となる。また、共通のレーザ照射装置を用いれば、各工程での位置合わせを簡素化することができる。
【００５８】
・上記実施の形態におけるレーザ加工工程ではＹＡＧレーザを用いたが、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ等の他の種類のレーザを用いてもよい。
【００５９】
・上記実施の形態では、本発明を３層構造のセラミックパッケージ１０に具体化したが、単層層構造のセラミックパッケージに具体化してもよい。勿論、セラミックパッケージのみに限定されず、セラミックコンデンサなどの他のセラミック部品に本発明を適用してもよい。
【００６０】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６１】
（１）複数のセラミック部品を連結してなる多数個取り用のセラミック焼結体を作製し、そのセラミック焼結体を分割することにより、前記複数のセラミック部品を個片化するセラミック部品の製造方法であって、焼結後に前記セラミック焼結体となるべき未焼結セラミック成形体に、焼結後に導体部となるべき未焼結導体を接触させて配置した状態で、レーザ照射により前記未焼結セラミック成形体を加工することにより、分割溝を形成するレーザ加工工程と、前記レーザ加工工程の後に前記未焼結セラミック成形体及び前記未焼結導体を同時に焼結させて前記セラミック焼結体を作製する焼成工程と、前記焼成工程の後に前記セラミック焼結体を前記分割溝に沿って分割することにより、前記複数のセラミック部品を個片化する分割工程とを含み、前記分割溝は、深さ方向にいくに従い幅が徐々に狭くなるよう断面Ｖ字状に形成されていることを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【００６２】
（２）技術的思想（１）において、前記分割溝は、前記キャビティから０．３ｍｍ以下の間隔を隔てて形成されていることを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【００６３】
（３）技術的思想（１）または(２)において、前記レーザ加工に用いられるレーザはＹＡＧレーザであることを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【００６４】
（４）技術的思想（１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記未焼結セラミック成形体の表面に導体ペーストを所定パターン状に印刷形成した後に前記レーザ加工工程を行うことを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【００６５】
（５）技術的思想（１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記セラミック部品は水晶振動子用セラミックパッケージであることを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本実施の形態のセラミックパッケージを示す断面図。
【図２】本実施の形態のセラミックパッケージを示す上面図。
【図３】本実施の形態のセラミックパッケージを示す下面図。
【図４】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図５】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図６】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図７】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図８】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図９】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１０】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１１】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１２】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１３】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１４】セラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１５】別の実施の形態におけるセラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１６】別の実施の形態におけるセラミックパッケージの製造方法を説明するための断面図。
【図１７】従来のセラミックパッケージを示す断面図。
【図１８】従来の溝入れ工程を説明するための断面図。
【図１９】従来の溝入れ工程を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００６７】
１０…セラミック部品としてのセラミックパッケージ
１１…素子としての水晶振動子
２０…キャビティ
２３…導体部としての端子
２４…導体部としてのビア導体
２５…導体部としてのシール用メタライズ層
２６，２７…導体部としての内層導体パターン
２８…導体部としてのパッド部
３０…導体部としてのビア導体
３１…導体部としてのキャスタレーション
４９…未焼結導体としてのタングステンペースト
５０…未焼結セラミック成形体としてのセラミックグリーンシート積層体
５１…表面側分割溝
５２…裏面側分割溝
１０１…セラミック焼結体としてのセラミックパッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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