(57)【要約】【課題】シート形成法を用いた薄板の製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際の薄板の剥がれ落ちを防止し、薄板を効率よく製造する方法を提供すること。【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板製造装置であって、前記下地板が前記原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるための浸漬機構を設け、前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板が設けられたことを特徴とする薄板製造装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板製造装置であって、
前記下地板が前記原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるための浸漬機構を設け、
前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板が設けられたことを特徴とする薄板製造装置。
【請求項２】
前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対してなす角度が１〜１０°であることを特徴とする請求項１に記載の薄板製造装置。
【請求項３】
前記下地板の進行方向先端面が、形成された薄板を前記下地板の進行方向と逆方向の力に対して引っ掛けるように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の薄板製造装置。
【請求項４】
原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板の製造方法であって、
前記下地板を浸漬させる工程において、前記下地板が原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるときに、
前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板を原料融液に没入させることを特徴とする薄板製造方法。
【請求項５】
前記原料融液はシリコン融液であり、請求項１〜３のいずれかに記載の薄板製造装置を用いて得られるシリコン薄板。
【請求項６】
請求項５に記載のシリコン薄板を備えた太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池用などに用いられる薄板製造装置、薄板製造方法、薄板および太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池の作製などに用いられるシリコン基板は、例えば、特開平１１−２１１２０号公報（特許文献１）、特開平１１−９２２８４号公報（特許文献２）に開示されているようなキャスト法により製造されている。キャスト法は、坩堝内で溶解したシリコンを坩堝底面から徐々に冷却することによってシリコン融液を固化させ、坩堝底面から上方に向けて成長した長い柱状結晶構造を主体とするインゴット（凝固塊）を製造する方法である。
【０００３】
しかし、キャスト法は、インゴットにクラックを生じさせないようにして成長させるために、また半導体品質確保の観点から、一つのシリコンインゴットの製造には数十時間もの長時間を要する。そして、インゴットからシリコン基板を切り出すスライス工程にも長時間を要し、マルチワイヤーソーによるスライス技術を用いても数十時間を要する。したがって、キャスト法を利用したシリコン基板の作製において、大幅なコストの低減を行うことは困難な状況にある。
【０００４】
他方、スライスが不要なウエブ（ｗｅｂ）法やＥＦＧ(edge-defined film-fed growth)法によるシリコンリボンの成長方法も研究されている。また、近年ではより速い成長を目指して、シリコン融液から直接的に薄板状のシリコンリボンを作製するＲＧＳ(ribbon growth on substrate)法が注目されるようになっている（２６ｔｈＰＶＳＣ，１９９７，ｐｐ．９１−９３）。
【０００５】
ＲＧＳ法の原理は、凝固成長面に近い面からの高速熱移動（抜熱）によってシリコンリボンの高速成長を行うものである。具体的には、溶融シリコンの側部周囲を支える側部支持枠に対してその開放浸漬面を支える浸漬面支持平板を冷却しながら相対的に横方向に移動させることにより、その浸漬面支持平板上にシリコンリボンを高速成長させる。しかし、ＲＧＳ法などのリボン製造方法では、凝固相の安定成長自体に課題が多く、シリコンリボンの結晶化状態の制御の問題をも含み、太陽電池などに実用化され得る安定な半導体特性を有するシリコンリボンが得られる段階にはない。
【０００６】
さらに別のシリコン基板の製造方法としては、シリコン融液に下地板を浸漬させて液相からの凝固によって直接的に薄板状のシリコン基板（薄板）を得る方法（薄板形成法）が知られており、例えば、特開２００６−１７６３８２号公報（特許文献３）、特開２００４−２５０２８２号公報（特許文献４）、特開２００１−２４７３９６号公報（特許文献５）、特開２００１−２２３１７２号公報（特許文献６）、特開２００２−２８９５４４号公報（特許文献７）、特開平１０−２９８９５号公報（特許文献８）等に種々の基板を用いた薄板形成法が開示されている。
【０００７】
しかし、図９に示すように、従来のシリコン基板の製造方法においては、シリコン融液４に下地板１を浸漬した後、下地板１をシリコン融液４から脱出させる際に、最後にシリコン融液と接触している下地板の端部において液だれ４０１が生じるため薄板２の形成に悪影響を与える場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２１１２０号公報
【特許文献２】特開平１１−９２２８４号公報
【特許文献３】特開２００６−１７６３８２号公報
【特許文献４】特開２００４−２５０２８２号公報
【特許文献５】特開２００１−２４７３９６号公報
【特許文献６】特開２００１−２２３１７２号公報
【特許文献７】特開２００２−２８９５４４号公報
【特許文献８】特開平１０−２９８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、薄板形成法を用いた薄板の製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際の薄板の剥がれ落ちを防止し、薄板を効率よく製造する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板製造装置であって、前記下地板が前記原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるための浸漬機構を設け、前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板が設けられたことを特徴とする薄板製造装置である。
【００１１】
本発明においては、下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対してなす角度が１〜１０°であることが好ましい。
【００１２】
また、下地板の進行方向先端面が、形成された薄板を前記下地板の進行方向と逆方向の力に対して引っ掛けるように形成されていることが好ましい。
【００１３】
また、本発明は、原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板の製造方法であって、前記下地板を浸漬させる工程において、前記下地板が原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるときに、前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板を原料融液に没入させることを特徴とする薄板製造方法にも関する。
【００１４】
さらに、本発明は、上記原料融液がシリコン融液である場合に、上記の薄板製造装置を用いて得られる薄板、および、その薄板を備えた太陽電池にも関する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、下地板を原料融液から脱出させる際の薄板の剥がれ落ちを防止し、効率的に薄板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の薄板製造方法の浸漬軌道を示す図である。
【図２】薄板形成法を用いた薄板製造装置の一例を示す側断面図である。
【図３】図２に示される薄板製造装置の動作状態を示す側断面図である。
【図４】本発明の第二の実施形態を説明するための断面模式図である。（ａ）、（ｂ）は第二の実施形態の別の状態を示す図であり、（ｃ）は（ａ）の拡大図である。
【図５】（ａ）は本発明の第三の実施形態を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は（ａ）の拡大図である。
【図６】本発明の第四の実施形態の一例を説明するための図である。（ａ）、（ｂ）は同じ下地板の斜視図であり、（ｃ）は薄板の斜視図である。
【図７】本発明の第四の実施形態の別の例を説明するための図である。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ異なる形状の下地板の斜視図である。
【図８】本発明の第四の実施形態に係る浸漬軌道を示す図である。
【図９】従来の薄板形成法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜第一の実施形態＞
本発明の薄板製造装置および薄板製造方法は、主として、シリコン融液などの原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により下地板表面に薄板を形成する薄板製造方法において適用されるものである。
【００１８】
（薄板形成法）
薄板形成法の一例について基本的な手順を図２、３を用いて以下に説明する。
【００１９】
図２を参照して、薄板製造装置７には主室６内に、坩堝３および坩堝を加熱して原料となるシリコンを溶融するための加熱機構（図示せず）を有する。坩堝３には、加熱機構によって溶融した原料融液４が貯留され、その原料融液４に下地板１の表層部を浸漬させる浸漬機構９が配置されている。主室６にはアルゴン等の不活性ガスが導入され、不活性な雰囲気に保たれる。
【００２０】
主室外壁に取り付けられた横行機構９１０には横行レール９０９が接続されている。横行レール９０９には昇降機構９０１が接続されており、横行機構内のモータによって、昇降機構９０１の水平動作を行なうことが可能である。横行レール９０９は、主室６内へと貫通している。貫通部は、パッキンや磁性流体シールなどによって、主室内外を隔離し、主室６内に外気が混入することを防いでいる。昇降機構９０１には懸垂支柱９０２が接続されている。昇降機構９０１内のモータによって、懸垂支柱９０２は昇降動作を行なうことが可能である。懸垂支柱９０２の先には、回転モータ軸９０７を有する回転機構９０３が接続されている。回転機構９０３の下には、主軸支柱９０４が２本接続されており、主軸支柱９０４の下端には主軸９０５が水平方向に貫通している。この主軸９０５と、回転機構内のモータ軸とは、動力伝達機構９０６によって接続されているため、主軸９０５は回転機構９０３によって回転動作を行なうことが可能である。主軸９０５には台座支持部９０８が接続しており、その先に台座５が接続されている。台座５は、下地板１を保持する部材である。
【００２１】
以上の構成によると、横行機構９１０で浸漬機構全体を水平方向に動作することが可能であり、つまりは下地板１の水平方向の動作を行なうことが可能である。また、昇降機構９０１で浸漬機構全体を鉛直方向に昇降動作することが可能であり、つまりは下地板１の鉛直方向の動作を行なうことが可能となる。また、回転機構９０３によって主軸９０５を回転することが可能であり、つまりは下地板１を回転することが可能である。
【００２２】
以上のような浸漬機構６の水平方向への動作、昇降動作および台座５を回転させることなどを総合して制御することにより、下地板１を円弧軌道によって原料融液４に浸漬させることが可能となる。
【００２３】
ここで、円弧軌道には真円の軌道のみを指すのではなく、楕円軌道も含み、また下地板１が搬送される軌道すべてが円軌道である必要はなく、一部が直線軌道などであってもよく下地板１を原料融液４に浸漬させるときに円軌道であれば良い。
【００２４】
次に、図２および図３を用いて、下地板１を原料融液４に浸漬し、下地板表面に薄板２を製造する方法を説明する。浸漬機構９が下地板１を把握した後、横行機構９１０によって水平動作しながら、昇降機構９０１によって浸漬機構全体を下降しつつ、回転機構９０３によって台座５を回転させることで、下地板１を矢印８０２のように動作させ、下地板交換位置８０１から原料融液４に浸す位置へ移動させる。そのまま、横行機構９１０の水平動作と昇降機構９０１の昇降動作と回転機構９０３の回転動作を用いて、矢印８０３のように下地板１を原料融液４へ浸し、下地板１の表面に薄板２を形成する。この後、薄板２を付着させた下地板１は矢印８０４のように原料融液４から取出される。この後、薄板２を付着させた下地板１は、矢印８０５のように水平動作、昇降動作および回転動作によって、下地板交換位置８０１に戻る。一連の動作のうち、昇降動作は矢印８０６によって示され、水平動作は矢印８０７によって示される。
【００２５】
水平動作と、昇降動作と、回転動作とは、互いに独立した制御機構によって動作される。この結果、下地板は任意の傾斜状態にて、任意の方向に、原料融液４に突入し、原料融液内を移動し、原料融液４から脱出することができる。このとき、通常は、パソコンにより、横行動作移動指令と、昇降動作移動指令と、回転動作指令とを、それぞれプログラミングし、それをコントローラに送信しておくことにより、プログラム通りの任意軌道を実現する。
【００２６】
このような薄板形成法によって得られる薄板の平均厚さは、１００μｍから１ｍｍの範囲内に設定されることが好ましい。薄板の厚さを１００μｍ以上にすることにより、その薄板を利用した太陽電池の作製プロセスにおいて高いハンドリング性を得ることができる。
【００２７】
また、薄板厚を１ｍｍ以下にすることにより、材料の利用効率を向上でき、低コストの薄板の提供が可能になる。薄板製造の容易さの観点からは、薄板の平均厚さが２００〜６００μｍの範囲内にあることがより好ましい。なお、薄板形成法においては、薄板をシリコン融液から直接製造することにより、キャスト法の場合のようなシリコンインゴットのスライス工程等が不要である。
【００２８】
薄板形成法においては、シリコン多結晶体を形成させる下地板の初期温度をシリコン融点（１４１５℃）よりも低い温度範囲にすること、適当な厚さのグラファイト材料を用いることによって下地板の熱容量を適切にすること、原料融液への下地板の浸漬時間を最適厚さの薄板が得られるよう制御すること、さらには、下地板の表面の微細凹凸形状により原料融液の固化を促進させる等の基本的条件を設定することが好ましく、これらの条件を設定することにより、下地板の表面上に多結晶薄板を高速かつ安定に形成でき、良好な形状、特性の薄板を得ることができる。
【００２９】
薄板形成法に用いられる下地板の材質としては、例えば、グラファイトや、その表面に炭化珪素を熱ＣＶＤ法で形成した下地板を用いることができ、このほかにも、窒化珪素のようなセラミックスや高温に耐える耐熱性金属や、セラミックスを部分的もしくは全面的にコートしたカーボン、セラミックス、または耐熱金属も使用することができ、このような下地板を用いることによって下地板と薄板の剥離が容易に行え、良好な形状、特性の薄板を得ることができる。
【００３０】
下地板の表面には、下地板の回転方向に沿った溝、または規則的もしくは不規則に配置した微細凹凸面などが形成されていてもよい。下地板の表面に形成された溝や微細凹凸面は、薄板の成長を制御する機能を有する。
【００３１】
薄板製造時における原料融液の温度は、薄板の成長条件との兼ね合い等に応じて、通常、過冷却温度の８０７０℃以上からより高温の１６００℃までの範囲内（例えば、１４５０℃）に設定され得る。原料融液面が規定の高さになった後に、下地板を浸漬し、表面に薄板を成長させる。
【００３２】
本発明において用いられる原料融液は、通常、半導体や金属などの融液であり、シリコン融液に限定されるものではない。半導体の融液としてはシリコン、ＧａＡｓなどの融液が挙げられ、中でもシリコン融液であることが好ましい。
【００３３】
本発明の薄板製造装置について、図１を用いて説明する。
図１は、薄板形成法における下地板１の浸漬工程を示す模式的な図面である。図１に示すように下地板１は台座５に取り付けられ、原料融液４に浸漬されることで必要な厚さの薄板２が形成された後に、原料融液４から取り出される。
【００３４】
本発明の薄板製造装置において、下地板１が原料融液４に没入し始めるとき（下地板が図１の１（ａ）の状態のとき）に、下地板１を円弧状の軌道Ｏで移動させるための浸漬機構を設けることが好ましい。通常、その円弧の中心は原料融液４と間隔を空けた上部に位置する。
【００３５】
下地板１が原料融液４に没入し始めるとき（下地板が図１の１（ａ）の状態のとき）、下地板１は円弧上の軌道Ｏによって搬送されるが、下地板１の浸漬面１０１の面方向Ｓ１と円弧軌道Ｏの接線方向Ｔ１とがなす角度をα１とし、下地板１の浸漬面１０１と原料融液の液面４０２とがなす角度β１とすると、下地板１は、角度β１が大きくなるように角度α１をもった状態で原料融液４に浸漬される。
【００３６】
角度α１は、１〜１０°であればよく、原料融液の液面４０２に生じる揺れを少なくするためには３〜６°であることが好ましい。
【００３７】
その後、１（ｂ）の状態において下地板１上に薄板２が形成されるが、このときの下地板１の軌道は円弧軌道に限定される必要はなく、直線軌道またはその他の任意の軌道であってもよく、さらに下地板１は任意の軌道で原料融液４から脱出し（１（ｃ）の状態）、薄板２が取り出される。
【００３８】
本発明の薄板製造装置は、下地板を円弧状に動かすことができる機構を有する種々の薄板形成法に適用することができ、バッチ処理、連続処理のいずれにも適用することができる。例えば、上記特許文献３（特開２００６−１７６３８２号公報）および図２、３に記載される装置や、特許文献４（特開２００４−２５０２８２号公報）に記載される装置のように、単独の下地板を原料融液に浸漬させる装置を用いた薄板形成法に適用できる。また、上記特許文献５〜７（特開２００１−２４７３９６号公報、特開２００１−２２３１７２号公報、特開２００２−２８９５４４号公報）に記載されるような、回転体上に設けた複数の下地板を順次原料融液に浸漬させる装置を用いた薄板形成法に適用することもできる。
【００３９】
＜第二の実施形態＞
本実施形態は、下地板が原料融液に没入し始めるときに、下地板を円弧状の軌道上で移動させるための浸漬機構を設けた第一の実施形態と異なる装置の一例である。図４に基づき本実施形態について説明する。
【００４０】
図４に本発明が適用される薄板形成法に用いられる本実施形態の薄板製造装置の断面模式図を示す。図４に示す薄板製造装置は、回転軸に接続された３本の支持体を備えた三本足型回転体１０の各支持体１０ａの先端に下地板１が設けられており、三本足型回転体１０が矢印の方向に回転することにより、下地板１が順次坩堝３内の原料融液４に浸漬され（図４（ａ）の状態）、その後に、原料融液４から脱出するようになっている（図４（ｂ）の状態）。
【００４１】
本実施形態においては、下地板１の浸漬面１０１と原料融液４の液面とがなす角が大きくなるように下地板１が設けられている。すなわち、図４（ｃ）に示すように、下地板１の円軌道の接線方向Ｔ２（三本足型回転体１０の各支持体１０ａに対して垂直な方向）と下地板１の浸漬面１０１の面方向Ｓ２とが角度α２をなすように下地板１が設けられている。角度α２は、１〜１０°であればよく、原料融液の液面４０２に生じる揺れを少なくするためには３〜６°であることが好ましい。
【００４２】
このように下地板１を円軌道の接線方向Ｔ２から傾けることにより、下地板１の先端面１０２と原料融液４とが接触し、下地板１の先端面１０２の表面にも薄板２が形成されて下地板１と薄板２との接着性（係合性）が高まるため、液だれの影響によって下地板上の形成途中の薄板２が原料融液４の張力により引っ張られ、下地板１から剥がれ落ちてしまうことを防止できる。
【００４３】
また、先端面１０２の表面に形成された薄板２は、薄板２を下地板１から剥がす際に把持具で掴むために利用することもできる。下地板１から剥がされた後、この部分の薄板２はレーザー等を用いて切断されることにより、薄板の製品を得ることができる。
【００４４】
＜第三の実施形態＞
本実施形態は、下地板が原料融液に没入し始めるときに、下地板を円弧状の軌道上で移動させるための浸漬機構を設けた実施形態の別の例である。
【００４５】
本実施形態は、下地板が原料融液に没入し始めるときに、下地板を円弧状の軌道上で移動させる点で第一、第二の実施形態と一致するが、浸漬機構が異なる。本実施形態では浸漬機構としてドラム型の回転体を用いている。図５に基づき本実施形態について説明する。
【００４６】
図５に本発明が適用される薄板形成法に用いられる本実施形態の薄板製造装置の断面模式図を示す。図５（ａ）に示す薄板製造装置は、ドラム型回転体１１の表面に間隔を空けて複数の下地板１が設けられており、矢印の方向にドラム型回転体１１が回転することにより下地板１が順次坩堝３内の原料融液４に浸漬される。ここで、図５（ａ）は下地板１が原料融液４に浸漬されているときの状態を示している。
【００４７】
本実施形態においても、下地板１の浸漬面１０１と原料融液４の液面とがなす角が大きくなるように下地板１が設けられている。図５（ｂ）は図５（ａ）における一つの下地板を拡大した図であるが、下地板１の円軌道の接線方向Ｔ３（ドラム型回転体１１の接線方向）と下地板１の浸漬面１０１の面方向Ｓ３とが角度α３をなすように下地板１が設けられている。角度α３は、１〜１０°であればよく、原料融液の液面４０２に生じる揺れを少なくするためには３〜６°であることが好ましい。
【００４８】
このように下地板１をドラム型回転体１１の接線方向から傾けることにより、下地板１の先端面１０２と原料融液４とが接触し、下地板１の先端面１０２の表面にも薄板２が形成されて下地板１と薄板２との接着性（係合性）が高まるため、液だれの影響によって下地板上の形成途中の薄板が原料融液の張力により引っ張られ、下地板から剥がれ落ちてしまことを防止できる。
【００４９】
＜第四の実施形態＞
本実施形態は、先端面が特定の形状を有する下地板を用いることにより、下地板と薄板との接着性（係合性）をより高めたものである。
【００５０】
ここで、先端面が特定の形状を有する下地板とは、下地板の進行方向先端面が、形成された薄板を前記下地板の進行方向と逆方向の力に対して引っ掛けるように形成されている下地板のことであり、下地板の進行方向先端面に、形成された薄板と係合または係止するための構造が設けられた下地板である。ここで、薄板と係合または係止するための構造とは凸部であっても良く、また凹部であってもよく凹凸が共に形成されており、また溝があるなど下地板と薄板の係合性を高めるような構成すべてを意味する。
【００５１】
例えば、図６（ａ）、（ｂ）の斜視図に示したような先端面形状を有する下地板１であり、下地板１の先端面１０２と浸漬面１０１とのなす角度γが鋭角となっている。この下地板１を図６（ａ）の矢印Ｐの方向を進行方向とし浸漬面１０１と先端面１０２を原料融液４に浸漬させる。なお、図６（ａ）と図６（ｂ）は同じ下地板の斜視図であり、図６（ｃ）はこの下地板を用いることによって形成される薄板の斜視図である。
【００５２】
図８に示すように、図６（ａ）および図６（ｂ）に示される先端面が特定の形状を有する下地板１を上記実施例と同様に傾けて坩堝３内の原料融液４に浸漬させ、下地板１の表面に薄板２を形成させる。その際、下地板１が原料融液４に没入し始めるとき（板状体１が１（ａ）の状態のとき）に、下地板１の浸漬面１０１の進行方向先端が進行方向後端よりも下側に位置することにより、下地板１の先端面１０２と原料融液４とが接触し、下地板１の先端面１０２の表面にも薄板２が形成される。
【００５３】
これにより、図６（ｃ）に示すような第１面２０１および第二面２０２を有する薄板２が得られる。第１面２０１は下地板１の浸漬面１０１の表面に形成されたものであり、第２面２０２は下地板１の先端面１０２の表面に形成されたものである。
【００５４】
このような形状の下地板１を用いることにより、浸漬面１０１と先端面１０２とに薄板２が形成され、形成された薄板２の第二面２０２が下地板１の先端面１０２に引っ掛けたれた状態になるため、下地板１および薄板２を原料融液４から脱出させる際（図８において板状体１が１（ｃ）の状態のとき）に、薄板２が剥がれ落ちることをより確実に防止することができる。
【００５５】
上記特定の形状を有する下地板とは、このように形成された薄板を引っ掛けることができる種々の形状であれば特に限定されるものではなく、図６に示す形状の下地板１以外にも、例えば図７（ａ）〜（ｃ）に示すような形状の下地板１が挙げられる。図７（ａ）に示す下地板１は、浸漬面１０１側と接する先端面１０２において、下地板１の進行方向（矢印Ｐの方向）側に凸であり丸みを帯びた凸部を有している。
【００５６】
また、図７（ｂ）に示す下地板１は、浸漬面１０１側と接する先端面１０２において、下地板１の進行方向（矢印Ｐの方向）側に凸であり先端に浸漬面と垂直な面を有する凸部を有している。図７（ｃ）に示す下地板１は、浸漬面１０１側と接する先端面（１０２ａおよび１０２ｂ）において、下地板１の進行方向（矢印Ｐの方向）側に凸であり先端面１０２ａと１０２ｂから形成される鋭利な先端を有する凸部を有している。
【００５７】
このような先端面の形状を有する下地板１は、先端面の表面に形成された薄板がより引っ掛かり易くなり、下地板および薄板を原料融液から脱出させる際（図８において板状体１が１（ｃ）の状態のとき）に、薄板が剥がれ落ちることをより確実に防止することができる。
【００５８】
本実施形態において、下地板１を浸漬させる浸漬軌道は、下地板１の浸漬面１０１は完全に全体が原料融液４に浸漬されているものの、先端面１０２は全体が原料融液４に浸漬していても良いし、一部が原料融液４に浸漬するように浸漬軌道を調整しても良い。
【００５９】
下地板１の先端面１０２を完全に原料融液４に浸漬させることによっては、薄板２の第二面２０２が下地板１に引っかかる強さを強くすることができ、また下地板１の先端面１０２の一部を原料融液４に浸漬させることによっては、ある一定の薄板２が下地板１に引っかかる強さを維持しつつも、最終的に切断される薄板の第二面２０２を少なくすることができ、余分な原料融液を消耗しなくてよくなる。
【００６０】
このような形状の下地板を用いる場合、下地板１を原料融液４に没入させてから脱出させるまでの間（図８において板状体１が１（ｂ）の状態のとき）において、下地板の移動速度を上げても薄板２が下地板１から剥れにくくなるため、原料融液中を下地板が移動する速度の大小や加速度の大きさを幅広く設定することができ、別の観点からすれば、下地板の速度制御を厳密に行わずとも安定して薄板を製造することができる。
【００６１】
また、薄板２の第二面２０２は薄板を下地板１から剥がす際に把持具で掴むために利用することもできる。下地板から剥がされた後、薄板２の第二面はレーザー等を用いて切断されることにより、薄板の製品を得ることができる。
【００６２】
本発明は、さらに上記の薄板製造装置および薄板製造方法を用いて得られる薄板並びにその薄板を備えた太陽電池にも関するものであり、本発明を用いて得られる薄板は、種々公知の方法により太陽電池の製造に用いることができる。
【００６３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６４】
１  下地板、１０１  浸漬面、１０１ａ  進行方向先端、１０１ｂ  進行方向後端、１０１Ｔ  面方向、１０２  先端面、２  薄板（薄板）、２０１  第一面、２０２  第二面、３  坩堝、４  原料融液（シリコン融液）、４０１  液だれ、４０２  原料融液液面、５  台座、６  主室、７  薄板製造装置、８０１  下地板交換位置、９  浸漬機構、９０１  昇降機構、９０２  懸垂支柱、９０３  回転機構、９０４  主軸支柱、９０５  主軸、９０６  動力伝達機構、９０７  回転モータ軸、９０８  台座支持部、９０９  横行レール、９１０  横行機構、１０  三本足型回転体、１０ａ  支持体、１０Ｔ  接線方向、１１  ドラム型回転体、１１Ｔ  接線方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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