(57)【要約】【課題】金属配線に影響を及ぼすことなく、封止樹脂部を小さくして基板の高密度化を図ることができる電子部品の樹脂封止方法を提供すること。【解決手段】本発明の電子部品の樹脂封止方法は、電子部品実装領域を含む基板上に化学的に安定な金属で構成された金属層を形成する工程と、前記電子部品実装領域以外の領域にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上に化学吸着単分子膜を形成する工程と、前記電子部品実装領域上に電子部品を実装し、前記電子部品実装領域において前記電子部品を封止する工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品実装領域を含む基板上に化学的に安定な金属で構成された金属層を形成する工程と、前記電子部品実装領域以外の領域にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上に化学吸着単分子膜を形成する工程と、前記電子部品実装領域上に電子部品を実装し、前記電子部品実装領域において前記電子部品を封止する工程と、を具備することを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
【請求項２】
前記基板は、導電性材料で構成されたリードフレームであることを特徴とする請求項１記載の電子部品の樹脂封止方法。
【請求項３】
前記化学的に安定な金属が金又は白金であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子部品の樹脂封止方法。
【請求項４】
前記レジスト層を構成する材料がＳｉＯ２であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電子部品の樹脂封止方法。
【請求項５】
前記化学吸着単分子膜を構成する材料がフッ化炭素化合物であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子部品の樹脂封止方法。
【請求項６】
前記電子部品がＬＥＤチップであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の電子部品の樹脂封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤチップなどの電子部品の樹脂封止方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線板上に実装したＬＥＤチップなどの電子部品を樹脂封止する方法として、プリント配線板上に金属配線を形成し、電子部品の実装領域上にレジスト層を形成し、このレジスト層にプラズマ処理を施した後に、実装領域に電子部品を実装して樹脂封止する方法がある（特許文献１）。このようにレジスト層にプラズマ処理を施すことにより、レジスト層部分の撥水性を金属配線部分の撥水性よりも大きくして、レジスト層部分の封止樹脂の表面張力を大きくさせることができる。これにより、封止樹脂がレジスト層に流れ出ることを防止して、樹脂封止部の形状を正確に制御することができる。その結果、樹脂封止部の面積を小さくして、プリント配線板の高密度化、小型化を図ることができる。
【特許文献１】特開２００１−３３２７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、プリント配線板にプラズマ処理を施すと、レジスト層以外の金属配線部もプラズマに晒されることとなり、金属配線が削られて細くなってしまい導通不良となる虞がある。近年、プリント配線板などの基板が高密度化されており、金属配線の幅が細くなってきているので、このようにプラズマ処理を施す方法であると、導通不良を起こす確率が高くなることが考えられる。
【０００４】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、金属配線に影響を及ぼすことなく、封止樹脂部を小さくして基板の高密度化を図ることができる電子部品の樹脂封止方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子部品の樹脂封止方法は、電子部品実装領域を含む基板上に化学的に安定な金属で構成された金属層を形成する工程と、前記電子部品実装領域以外の領域にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上に化学吸着単分子膜を形成する工程と、前記電子部品実装領域上に電子部品を実装し、前記電子部品実装領域において前記電子部品を封止する工程と、を具備することを特徴とする。
【０００６】
この方法によれば、簡単な方法でアスペクト比が高い封止樹脂部を形成することができ、封止樹脂部を小さくして基板の高密度化を図ることができる。また、封止樹脂の量を制御することにより、封止樹脂部の形状や高さを制御することも可能である。
【０００７】
本発明の電子部品の樹脂封止方法においては、前記基板は、導電性材料で構成されたリードフレームであることが好ましい。
【０００８】
本発明の電子部品の樹脂封止方法においては、前記化学的に安定な金属が金又は白金であることが好ましい。
【０００９】
本発明の電子部品の樹脂封止方法においては、前記レジスト層を構成する材料がＳｉＯ２であることが好ましい。
【００１０】
本発明の電子部品の樹脂封止方法においては、前記化学吸着単分子膜を構成する材料がフッ化炭素化合物であることが好ましい。
【００１１】
本発明の電子部品の樹脂封止方法においては、前記電子部品がＬＥＤチップであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子部品の樹脂封止方法によれば、電子部品実装領域を含む基板上に化学的に安定な金属で構成された金属層を形成し、前記電子部品実装領域以外の領域にレジスト層を形成し、前記レジスト層上に化学吸着単分子膜を形成し、前記電子部品実装領域上に電子部品を実装し、前記電子部品実装領域において前記電子部品を封止するので、金属配線に影響を及ぼすことなく、封止樹脂部を小さくして基板の高密度化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法で樹脂封止された状態のリードフレームを示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００１４】
図１（ｂ）において、基板１は電子部品の実装領域（図１（ａ）に示す開放領域４）を有しており、基板１の実装領域以外の領域にレジスト層２が形成されている。このレジスト層２上には、化学吸着単分子膜３が形成されている。すなわち、図１（ａ）に示す開放領域（基板が露出している領域）は、レジスト層２で区画されている。
【００１５】
基板１の開放領域４内には、電子部品６が実装されている。この電子部品６には電極が形成されており、この電極と基板１とがボンディングワイヤ７により電気的に接続されている。そして、この電子部品６が実装された開放領域４は、封止樹脂５により封止されている。
【００１６】
ここで、基板としては、導電性材料で構成されたリードフレームや、プリント配線板などを挙げることができる。レジスト層２を構成する材料としては、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、アルミナ、酸化チタンなどのＯＨ基を形成し得る表面状態を有する材料を挙げることができる。また、電子部品６としては、ＬＥＤチップなどのチップ素子などを挙げることができる。また、封止樹脂５としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを挙げることができる。
【００１７】
また、化学吸着単分子膜３を構成する材料としては、フッ化炭素化合物、例えば、フッ化炭素基と炭化水素基とアルコキシシリル基とを主成分とする化合物、例えば、ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＡ）３、［ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）２］２Ｓｉ（ＯＡ）２、あるいは［ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）２］３ＳｉＯＡ（ｎは整数、Ａはメチル基、エチル基、プロピル基等の短鎖アルキル基）が挙げられる。具体的には、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３などがある。この他に、化学吸着単分子膜３を構成する材料として、クロロシラン系のフッ化炭素化合物を用いることができる。例えば、ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（Ｒ）ｍＳｉＸｐＣｌ３−ｐ（ただし、ｎは０又は整数、好ましくは１〜２２の整数、Ｒはアルキル基、フェニル基、ビニル基、エチニル基、シリコン若しくは酸素原子を含む置換基、ｍは０又は１、Ｘはアルキル基、アルコキシル基、含フッ素アルキル基又は含フッ素アルコキシ基の置換基、ｐは０，１又は２）が挙げられる。具体的には、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５ＳｉＣｌ３などがある。
【００１８】
ここで、レジスト層２は、例えばＳｉＯ２で構成されたレジスト層は、ＯＨ基を形成し得る表面状態を持つものである。すなわち、図３（ａ）に示すように、空気中の水分によりＯＨ基を有する表面状態を持つ。この表面に化学吸着分子、ここではアルコキシラン系のフッ化炭素化合物分子が近接すると、化学吸着分子の反応部位（ここでは、ＯＣＨ３基）がレジスト層２のＯＨ基と反応して（図３（ｂ））、ＣＨ３ＯＨが生成されるとともに、この分子のＳｉとレジスト層のＳｉＯ２の表面に並んだＯとが共有結合して、化学吸着単分子膜３が形成される（図３（ｃ））。この化学吸着単分子膜３は優れた撥水性を有している。
【００１９】
このように、開放領域４以外の領域に撥水性の高い化学吸着単分子膜３が形成された状態で、樹脂封止を行うと、開放領域４に流れ込んだ樹脂は、表面張力が高くなり、開放領域４以外の領域に流れ出さず、封止樹脂部の高さが高くなる。すなわち、アスペクト比が高い封止樹脂部が形成される。このため、封止樹脂部を小さくして基板の高密度化を図ることができる。
【００２０】
次に、本発明に係る電子部品の樹脂封止方法について説明する。
本発明の電子部品の樹脂封止方法は、電子部品実装領域を含む基板上に化学的に安定な金属で構成された金属層を形成し、前記電子部品実装領域以外の領域にレジスト層を形成し、前記レジスト層上に化学吸着単分子膜を形成し、前記電子部品実装領域上に電子部品を実装し、前記電子部品実装領域において前記電子部品を封止する。
【００２１】
具体的に、図２（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。まず、基板１上に化学的に安定な金属で構成された金属層を形成する。この金属層は、例えば、メッキなどにより形成する。ここで、化学的に安定な金属とは、分子吸着単分子膜が形成されない条件を有する表面を持つ金属、すなわちＯＨ基を形成し得る表面状態を持たない金属であり、例えば、金、白金などが挙げられる。
【００２２】
次いで、図２（ａ）に示すように、基板１上にレジスト層２を形成する。レジスト層２は、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法などにより形成することができる。ここでは、レジスト層２を構成する材料は、分子吸着単分子膜３を形成し易いＳｉＯ２としている。次いで、図２（ｂ）に示すように、開放領域４に対応する部分に開口部３０を有するマスク１０を用いてレジスト層２をエッチングして開放領域４のレジスト層２を剥離する。これにより、図２（ｃ）に示すように、開放領域４においては、基板１上に形成された金属層が露出される。
【００２３】
次いで、図２（ｄ）に示すように、レジスト層２上に化学吸着単分子膜３（ハッチング部）を形成する。この化学吸着単分子膜３は、レジスト層２を化学吸着単分子の蒸気に晒すことにより形成することができる。このため、非常に簡単な処理で撥水性領域を形成することができる。このとき、開放領域４には、ＯＨ基を形成し得る表面状態を持たない金属で構成された金属層が露出しているので、分子吸着単分子膜３は開放領域４には形成されない。
【００２４】
次いで、図２（ｄ）に示すように、開放領域４に電子部品６を搭載し、電子部品６の電極と、基板１の導電部とをワイヤボンディングして電気的に接続し、この電子部品６を樹脂封止する。樹脂封止は、所定量の封止樹脂５を開放領域４にディスペンサ２０により注入し、その後、封止樹脂を硬化させることにより完了する。
【００２５】
このように、本発明に係る電子部品の樹脂封止方法によれば、簡単な方法でアスペクト比が高い封止樹脂部を形成することができ、封止樹脂部を小さくして基板の高密度化を図ることができる。また、封止樹脂の量を制御することにより、封止樹脂部の形状や高さを制御することも可能である。
【００２６】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態における材料、各部位の形状、成膜方法、位置、大きさなどについては適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法で樹脂封止された状態のプリント配線板を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る電子部品の樹脂封止方法を説明するための図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、化学吸着単分子膜の形成過程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００２８】
１  基板
２  レジスト層
３  化学吸着単分子膜
４  開放領域
５  封止樹脂
６  電子部品
７  ボンディングワイヤ
１０  マスク
２０  ディスペンサ
３０  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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