(57)【要約】【課題】サーボパターンにおける半径方向の精密度（リニアリティ）を迅速かつ正確に評価することができるモールド構造体の検査方法、モールド構造体、及び磁気記録媒体の提供。【解決手段】サーボ領域用凹凸パターンと、データ領域用凹凸パターンとを有するモールド構造体の検査方法であって、該モールド構造体のサーボ領域用凹凸パターンに応じた磁気信号を、垂直磁気記録媒体に磁気転写する磁気転写工程と、垂直磁気記録媒体の磁気信号を、磁気ヘッドを用いてサーボデータを５０トラック以上電気的に再生して再生信号を取得する再生信号取得工程と、前記再生信号から半径方向のパターン描画精度を算出して、モールド構造体の性能を評価する評価工程とを含むモールド構造体の検査方法である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状の基板と、所望の設計パターンに基づいて該基板の表面に形成される凹凸パターンであって、該基板の半径方向に配置するサーボ領域用凹凸パターンと、該サーボ領域用凹凸パターンの間に、周方向に配置するデータ領域用凹凸パターンと、を有するモールド構造体の検査方法であって、
該モールド構造体のサーボ領域用凹凸パターンに応じた磁気信号を、垂直磁気記録媒体に磁気転写する磁気転写工程と、
垂直磁気記録媒体の磁気信号を、磁気ヘッドを用いてサーボデータを５０トラック以上電気的に再生して再生信号を取得する再生信号取得工程と、
前記再生信号から半径方向のパターン描画精度を算出して、モールド構造体の性能を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とするモールド構造体の検査方法。
【請求項２】
半径方向のパターン描画精度が７ｎｍ以下である請求項１に記載のモールド構造体の検査方法。
【請求項３】
磁気ヘッドのヘッド幅が、トラック幅の５０％以上１００％未満である請求項１から２のいずれかに記載のモールド構造体の検査方法。
【請求項４】
半径方向のパターン描画精度が７ｎｍを超えた場合には、モールド構造体の作製における電子線描画装置のビーム偏向の調整、及びステージ送り量の調整のいずれかを行う請求項１から３のいずれかに記載のモールド構造体の検査方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のモールド構造体の検査方法により検査されたことを特徴とするモールド構造体。
【請求項６】
半径方向のパターン描画精度が７ｎｍ以下である請求項５に記載のモールド構造体。
【請求項７】
請求項５から６のいずれかに記載のモールド構造体を用いて作製されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所望の設計パターンに基づいて形成された凹凸パターンを表面に有するモールド構造体の検査方法、モールド構造体、及び磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
高記録密度化可能な磁気記録媒体として、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）及びビットパターンドメディア（ＢＰＭ）が注目されている。
前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性領域を備え、個々のトラックが磁気的に分離されている。そのため、記録密度を高めるために、トラック間隔を狭く設定しても、隣接トラック間の磁気的干渉（クロストーク）を非磁性領域によって抑制できるという特徴を有する。
前記ビットパターンドメディアは、一定の距離を保って規則的に配列した、信号記録のためのビットを有する。個々のビットは独立しているため、ビット間隔を狭く設定して記録密度を高めても、熱揺らぎの影響を受け難いという特徴を有する。
【０００３】
これらディスクリートトラックメディア及びビットパターンドメディアは、いずれも表面に凹凸パターンを有する。このような表面に凹凸パターンを有する磁気記録媒体は、該凹凸パターンが反転した反転凹凸パターンを有するモールド構造体を用いて製造される（特許文献１参照）。なお、前記モールド構造体は、電子線（ＥＢ）描画装置等の所定の設計パターンに基づいて作製された凹凸パターンを有する原盤から製造される。
【０００４】
最近、モールド構造体としては、２０ｎｍレベルの線幅を持つものが開発されているが、このような超微細なパターンの精度を評価する方法はほとんどなく、実際にナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）を実施し、磁気記録媒体をエッチングした基板をスピンスタンドやＨＤＤに搭載して初めてそのパターン精度が判明する。このため、パターン精度を修正するには時間がかかると共に、ＮＩＬやエッチングプロセスの影響を強く受けるため、ＥＢ描画した形状が歪むおそれがある。
【０００５】
微細加工されたサーボパターンの配置を評価する一般的な方法としては、ＣＤ−ＳＥＭ、ＡＦＭ等の装置が存在する。この場合、図１に示すように、パターンが半径方向に３０ｎｍズレていれば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で得られる写真像から目視で判断することができる。しかし、図２に示すような１５ｎｍの半径方向のズレと、図３に示すような３ｎｍの半径方向のズレとを、ＳＥＭ写真による目視では区別することが困難である。このような１５ｎｍ以下のパターンの半径方向のズレは、ズレ方向すら認識することが困難であるため、磁気ヘッドを用いて評価することが必要となる。
【０００６】
ＥＢ描画によるパターンの半径方向のズレの要因には、ＥＢ描画装置のビーム偏向を起因とする描画点間のズレと、ＥＢ描画時のステージ送り量に起因するズレとがあり、これらの原因を明らかにしてズレを小さくする必要がある。
ここで、図５は、ＥＢ描画時のステージ送りを最適化したＳＥＭ写真であり、図４は、ＥＢ描画時のステージ送り量を調整していないＳＥＭ写真を示す。この図４では、図５には見られないステージ送りに起因する半径方向のスジが一定周期で生じている。
ＥＢ描画による１５ｎｍ以下のパターンの半径方向のばらつきは、電子線で観察する手法やＡＦＭ装置で一部を評価するだけでは精度の評価は不十分である。このため、磁気ヘッドを用いて評価する母集団を大きくすることが有効である。
【０００７】
また、サーボパターンにおける半径方向の精密度（リニアリティ）を確保するためには、ＥＢ描画装置でのつなぎ条件を調整することが必要であり、磁気転写による評価方法を用いて調整する方法がある。
このような磁気転写法を用いたモールド構造体の検査方法として、本発明者らは、先に、基板全体の軌跡、パターンの欠落等を評価する方法について提案している（特許文献２参照）。しかし、この提案の方法では、再生信号からサーボ領域用凹凸パターンの軌跡を求め、該軌跡からモールド構造体の真円度などを評価しているので、ＥＢ描画のパラメータの微調整に基づく、サーボパターンにおける半径方向の精密度（リニアリティ）を評価することは困難であり、更なる改良、開発が望まれているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２２１４６５号公報
【特許文献２】特開２００９−１７６３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、サーボパターンにおける半径方向の精密度（リニアリティ）を迅速かつ正確に評価することができるモールド構造体の検査方法、モールド構造体、及び磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  円盤状の基板と、所望の設計パターンに基づいて該基板の表面に形成される凹凸パターンであって、該基板の半径方向に配置するサーボ領域用凹凸パターンと、該サーボ領域用凹凸パターンの間に、周方向に配置するデータ領域用凹凸パターンと、を有するモールド構造体の検査方法であって、
該モールド構造体のサーボ領域用凹凸パターンに応じた磁気信号を、垂直磁気記録媒体に磁気転写する磁気転写工程と、
垂直磁気記録媒体の磁気信号を、磁気ヘッドを用いてサーボデータを５０トラック以上電気的に再生して再生信号を取得する再生信号取得工程と、
前記再生信号から半径方向のパターン描画精度を算出して、モールド構造体の性能を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とするモールド構造体の検査方法である。
＜２＞  半径方向のパターン描画精度が７ｎｍ以下である前記＜１＞に記載のモールド構造体の検査方法である。
＜３＞  磁気ヘッドのヘッド幅が、トラック幅の５０％以上１００％未満である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のモールド構造体の検査方法である。
＜４＞  半径方向のパターン描画精度が７ｎｍを超えた場合には、モールド構造体の作製における電子線描画装置のビーム偏向の調整、及びステージ送り量の調整のいずれかを行う前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のモールド構造体の検査方法である。
＜５＞  前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体の検査方法により検査されたことを特徴とするモールド構造体である。
＜６＞  半径方向のパターン描画精度が７ｎｍ以下である前記＜５＞に記載のモールド構造体である。
＜７＞  前記＜５＞から＜６＞のいずれかに記載のモールド構造体を用いて作製されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、サーボパターンにおける半径方向の精密度（リニアリティ）を迅速かつ正確に評価することができるモールド構造体の検査方法、モールド構造体、及び磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、パターンが半径方向に５ｎｍズレている状態を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図２】図２は、パターンが半径方向に２ｎｍズレている状態を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図３】図３は、パターンが半径方向に０．５ｎｍズレている状態を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図４】図４は、ＥＢ描画装置のステージ送り量を調整していない状態でのサーボパターンのＳＥＭ写真である。
【図５】図５は、ＥＢ描画装置のステージ送り量を最適化した状態でのサーボパターンのＳＥＭ写真である。
【図６】図６は、モールド構造体の検査方法の手順を示すフローチャートである。
【図７】図７は、モールド構造体の検査方法におけるモールド構造体の作製工程へのフィードバックを具体的に示した説明図である。
【図８】図８は、円盤状モールド構造体の概略構成を示す平面図である。
【図９】図９は、ディスクリートトラックメディアを作製するために用いられるモールド構造体の部分構成を示す平面図である。
【図１０】図１０は、ビットパターンドメディアを作製するために用いられるモールド構造体の部分構成を示す平面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、モールド構造体の製造方法を示す概略断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、モールド構造体の製造方法を示す概略断面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、垂直磁気記録媒体への磁気転写方法における初期磁化工程を示す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、垂直磁気記録媒体への磁気転写方法における密着工程を示す図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、垂直磁気記録媒体への磁気転写方法における磁気転写工程を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明のモールド構造体の検査方法を実施するための検査装置の概略構成図である。
【図１４】図１４は、本発明のモールド構造体を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す説明図である。
【図１５】図１５は、実施例において原板にＥＢ描画するのに用いたパターンを示す図である。
【図１６】図１６は、実施例における、パターン描画の方法を示した図である。
【図１７】図１７は、ＰＥＳ値とＢｉｔｆｉｎｄｅｒの送り量の関係を示すグラフである。
【図１８】図１８は、ＥＢパラメータとトラック間隔誤差をプロットしたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（モールド構造体の検査方法）
本発明のモールド構造体の検査方法は、所望の設計パターンに基づいて形成された凹凸パターンを表面に有する円盤状モールド構造体の検査方法であり、磁気転写工程と、再生信号取得工程と、評価工程とを含み、モールド構造体作製工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００１４】
ここで、図６は、モールド構造体の検査方法の手順を示すフローチャートである。
作製したモールド構造体は、磁気転写工程と、再生信号取得工程と、評価工程とを行い、半径方向のパターン描画精度（リニアリティ）を得る。このリニアリティが７ｎｍ以下の場合には、「合格」と判定される。一方、リニアリティが７ｎｍを超えた場合には、「不合格」と判定される。そして、図７に示すように、モールド構造体を作製する際の、電子線（ＥＢ）描画装置によるＳｉ基板に対する描画工程におけるビーム偏向の調整、又はステージ送り量の調整を行う。以下、各工程について詳細に説明する。
【００１５】
＜モールド構造体作製工程＞
本発明のモールド構造体の検査方法により検査される被検査対象となるモールド構造体は、円盤状の基板と、所望の設計パターンに基づいて該基板の表面に形成される凹凸パターンであって、該基板の半径方向に配置するサーボ領域用凹凸パターンと、該サーボ領域用凹凸パターンの間に、周方向に配置するデータ領域用凹凸パターンとを有し、更に必要に応じてその他の部材を有してなる。
【００１６】
〔モールド構造体〕
図８は、本発明のモールド構造体の検査方法により検査されるモールド構造体の概略構成を示す平面図である。また、図９は、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）を作製するために用いられるモールド構造体の部分構成を示す平面図である。図１０は、ビットパターンドメディアを作製するために用いられるモールド構造体の部分構成を示す平面図である。
図８、図９、及び図１０に示すように、モールド構造体１００は、磁気記録媒体を製造するために用いられ、磁気記録媒体のデータ領域に対応する凹凸パターン１１０と、磁気記録媒体のサーボ領域に対応する凹凸パターン１２０とを有している。
【００１７】
−データ領域用凹凸パターン−
図９に示すように、データ領域に対応する凹凸パターン（データ領域用凹凸パターン）１１０は、磁気記録媒体の磁性層に対応する凹部１１２と、磁気記録媒体の非磁性層に対応する凸部１１１とを有する。
図１０に示すように、データ領域に対応する凹凸パターン（データ領域用凹凸パターン）１１０は、磁気記録媒体の磁性層に対応する凹部１１１と、磁気記録媒体の非磁性層に対応する凸部１１２とを有する。
ここで、データ領域に対応する凹凸パターン１１０としては、モールド構造体１００の円周方向Ａに形成された凹凸パターン（図９）、又はビット状凹凸パターン（図１０）である。
【００１８】
−サーボ領域用凹凸パターン−
図９に示すように、サーボ領域に対応する凹凸パターン（サーボ領域用凹凸パターン）１２０は、磁気記録媒体の非磁性層に対応する凸部１２１と、磁気記録媒体の磁性層に対応する凹部１２２とを備え、モールド構造体１００の円周方向Ａに直交する半径方向Ｂに形成されている。
図１０に示すように、サーボ領域に対応する凹凸パターン（サーボ領域用凹凸パターン）１２０は、磁気記録媒体の非磁性層に対応する凸部１２１と、磁気記録媒体の磁性層に対応する凹部１２２とを備え、モールド構造体１００の円周方向Ａに直交する半径方向Ｂに形成されている。
前記サーボ領域用凹凸パターン１２０は、円盤状モールド構造体１００の中心側から外側へ向けて放射状に配置している。
【００１９】
−その他の部材−
前記その他の部材としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、インプリントレジスト層に対して剥離機能を備えたモールド表層、保護層として付与されたカーボン膜等が挙げられる。
【００２０】
〔モールド構造体の作製方法〕
以下、本発明に用いられるモールド構造体１００の作製方法の一例について図面を参照して説明する。なお、本発明に用いられるモールド構造体１００は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
【００２１】
−原盤の作製工程−
図１１Ａ及び図１１Ｂは、モールド構造体１００の製造方法を示す概略断面図である。図１１Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどで電子線レジスト液を塗布し、電子線レジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームを照射し、電子線レジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、電子線レジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後の電子線レジスト層２１のパターンをマスクにして反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）等により選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１（モールド原盤）を得る。
【００２２】
−モールド構造体の作製工程−
次に、図１１Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一の面に形成された被加工基板としての石英基板３０に対して、原盤１１を押し当て、該原盤１１に形成された凹凸パターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
【００２３】
ここで、前記被加工基板の材料は、光透過性を有し、モールド構造体として機能する強度を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、石英（ＳｉＯ２）などが挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板にインプリントレジスト層が形成される一の面から出射するように、前記被加工基板の他方の面から光を入射させた場合に、インプリントレジストが十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一の面への光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件で押し当て、加圧しても耐えられるような強度を意味する。
【００２４】
−硬化工程−
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。
【００２５】
−パターン形成工程−
その後、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸パターンが形成されたモールド構造体１００を得る。
なお、上述したモールド構造体１００は、紫外線を利用したナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）の場合を示しているが、これに限定されるものではなく、例えば、凹凸形状を有する原盤１１に、Ｎｉ導電膜層を付与し、Ｎｉ電鋳を行い、原盤１１から剥離してＮｉモールドを得る熱を利用したナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）であってもよい。
【００２６】
−磁性層形成工程−
得られたモールド構造体１００の表面上に、必要に応じて、スパッタ法によりＦｅ７０Ｃｏ３０組成の磁性層１０５を付与する。磁性層１０５の厚みは２０ｎｍとする。なお、この磁性層付与工程においては、磁性層１０５上に更に保護層、潤滑剤層等の層を設けてもよい。なお、モールド構造体１００が前記Ｎｉモールドである場合、上述した磁性層形成工程にて磁性層１０５を付与しなくてもそのまま磁気転写することができる。一方、モールド構造体１００が非磁性モールドである場合、上述した磁性層形成工程にて磁性層１０５を付与しなければそのまま磁気転写することができない。
【００２７】
上述のようにしてモールド構造体１００が作製され、該モールド構造体の凹凸パターンの欠落、反り等の変形があるか否かが検査されると共に、本発明のモールド構造体の検査方法を用いて、半径方向のパターン描画精度（リニアリティ）を検査する。
【００２８】
以上、本発明のモールド構造体の検査方法により検査される被検査対象となるモールド構造体について説明したが、本発明のモールド構造体の検査方法により検査される披検査対象は、モールド構造体１００に限定されるものではなく、モールド構造体１００を作製する際に用いられる原盤１１であってもよい。原盤１１がそのままでは磁気転写できないＳｉ原盤などである場合は、上述した磁性層形成工程と同様にして磁性層を形成する。
【００２９】
＜磁気転写工程＞
前記磁気転写工程は、モールド構造体のサーボ領域用凹凸パターンに応じた磁気信号を、垂直磁気記録媒体に磁気転写する工程である。
【００３０】
ここで、図１２Ａ〜図１２Ｃを用いて垂直磁気記録の磁気転写工程を説明する。図１２Ａ〜図１２Ｃは、垂直磁気記録の磁気転写方法の工程を示す説明図である。図１２Ａ〜図１２Ｃにおいて、９は被転写用の磁気ディスクとしてのスレーブディスク（垂直磁気記録媒体に相当）、２０は磁気転写用マスターとしてのマスターディスクを表す。
【００３１】
図１２Ａに示されるように、スレーブディスク９のディスク平面に対し、垂直の方向から、直流磁界（Ｈｉ）を印加して、該スレーブディスク９を初期磁化する（初期磁化工程）。
初期磁化を行った後、図１２Ｂに示されるように、前記初期磁化後のスレーブディスク９と、マスターディスク２０とを密着させる（密着工程）。
更に、両ディスク９、２０を密着させた後、図１２Ｃに示されるように、初期磁化の際に印加される磁界（Ｈｉ）とは、逆向きの磁界（Ｈｄ）を印加して、該スレーブディスク９に磁気転写する（磁気転写工程）。
【００３２】
＜再生信号取得工程＞
前記再生信号取得工程は、垂直磁気記録媒体の磁気信号を、磁気ヘッドを用いてサーボデータを５０トラック以上電気的に再生して再生信号を取得する工程である。
５０トラック未満であると、装置精度に依存する半径方向の長周期的な変動を検出することが困難となることがある。
前記磁気ヘッドとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記磁気ヘッドのヘッド幅は、トラック幅の５０％以上１００％未満であるものが好ましい。前記磁気ヘッドのヘッド幅がトラック幅の１００％以上であると、隣接するトラックの情報により、信号が打ち消されてしまい信号からの位置情報の算出ができなくなる。
【００３３】
＜評価工程＞
前記評価工程は、前記再生信号から半径方向のパターン描画精度を算出して、モールド構造体の性能を評価する工程である。
前記半径方向のパターン描画精度とは、リニアリティとも言い、隣接するトラック間の間隔が一定間隔に配置されていることを示す指標を意味し、７ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ〜６ｎｍがより好ましい。前記パターン描画精度が、７ｎｍを超えると、トラック幅の１０％以上が変動することとなり、配置精度として不十分である。
【００３４】
ここで、前記半径方向のパターン描画精度（リニアリティ）は、以下のようにして求めることができる。
８インチのＳｉウェハ（原板）上に、電子線レジストをスピンコート法により、塗布し、レジスト層を形成する。該原板上の該レジスト層に対し、ＥＢ描画装置で、サーボアドレス部とバースト部を持つサーボパターンを数条件描画し、ＳＥＭでトラック間隔のズレが最も少ない条件を基準として半径方向のパターン描画精度を調整した。該調整したパターンを基準として、ＥＢ描画装置のステージ送り量は−６〜＋６までステージ条件を振って調整して、パターンを描画し、それぞれパターン原盤を作製する。
次に、作製した各パターン原盤を用いて、Ｎｉ電鋳で複版し、磁性層を付与し、磁気転写方法により垂直磁気記録媒体に磁気情報を記録する。
この垂直磁気記録媒体に転写された磁気情報は、磁気ヘッド（読み取りヘッド幅８０ｎｍ）を用いて、Ｂｉｔ−ｆｉｎｄｅｒ（ＩＭＥＳ社製）で１トラック未満のピッチで、サーボデータを５０トラック以上電気的に再生して再生信号を取得する。
取得したデータからサーボフレーム毎にＰＥＳ（Position  Error  Signal）値を算出し、Ｂｉｔ−ｆｉｎｄｅｒ（ＩＭＥＳ社製）のピエゾステージの送り量に対し、半径方向に計算されたＰＥＳ値との差を求め、その差を統計データとして標準偏差を求めることができる。
【００３５】
前記評価工程により算出した前記半径方向のパターン描画精度が７ｎｍを超えると、評価結果をＥＢ描画装置のＥＢ描画条件設定工程にフィードバックして、ＥＢ描画装置のビーム偏向を起因とする描画点間のズレと、ＥＢ描画装置のステージ送り量に起因するズレを調整する。
【００３６】
〔モールド構造体の検査装置〕
次に、本発明のモールド構造体の検査方法を実施するための検査装置について説明する。
図１３は、本発明のモールド構造体の検査方法を実施するための検査装置の概略構成図である。
検査装置６０は、垂直磁気記録媒体（検査用被転写媒体）６１から再生信号パターンを取得する再生手段を構成するスピンスタンド６２及びデジタルストレージオシロスコープ６３と、該デジタルストレージオシロスコープ６３に接続されて評価手段を構成するパーソナルコンピュータ６４とを備えている。
パーソナルコンピュータ６４は、オシロスコープ６３による信号パターン取り込み制御を行い、オシロスコープにより取得した再生信号のサーボパターンから半径方向のパターン描画精度（リニアリティ）を求めるソフトウェアを備える。
【００３７】
図１３のモールド構造体の検査装置６０を用いたモールド構造体の検査方法について説明する。
まず、検査用被転写媒体６１を準備し、検査対象となるモールド構造体を用いて検査用被転写媒体６１に垂直方向に磁気信号を磁気転写（垂直記録）して垂直磁気記録媒体を得る。垂直方向の磁気転写（垂直記録）は既知の手法を用いて行う。
【００３８】
得られた垂直磁気記録媒体を電磁変換特性評価のためにスピンスタンド６２にセットする。
例えば、図９に示されるような、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）を作製するために用いられるモールド構造体では、トラック幅以下のヘッド幅を持つ磁気ヘッドを使用し、垂直磁気記録媒体の磁気信号を、磁気ヘッドを用いて１周のうちのサーボデータ領域を５０周以上電気的に再生して再生信号を取得して、デジタルデジタルオシロスコープ６３に取り込む。
【００３９】
デジタルオシロスコープ６３に取り込まれた再生信号パターンは、更にパーソナルコンピュータ６４に送出され、パーソナルコンピュータ６４において、以下の処理を行う。
サーボフレームからサーボマークを検出し、ｐｒｅａｍｂｌｅで規定されるクロックを各サーボフレーム毎に算出し、そのクロックに従い、アドレスパターンのｗｉｎｄｏｗを形成し、信号をデコードしアドレス情報を得る。また、バースト部分からトラックセンターに対する相対位置を算出することで、ＰＥＳ値が算出される。
算出されたＰＥＳ値をサーボフレーム毎にソートし、ヘッドの送り前後での差とヘッドを送ったピエゾの送り量を補正し、その差分を求め、標準偏差を求めることができる。
【００４０】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
以下、本発明に係る検査方法により検査されたモールド構造体１００を用いて製造する磁気記録媒体１（ディスクリートトラックメディア、ビットパターンドメディア等）の製造方法を、図面を参照して説明する。ただし、本発明に係る検査方法により検査された磁気記録媒体１の製造方法は、モールド構造体１００を用いていれば、下記の製造方法以外であってもよい。
【００４１】
図１４に示すように、磁性層５０と、インプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４とがこの順に形成された磁気記録媒体１の基板４０に対して、モールド構造体１００を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１００に形成された凹凸パターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
【００４２】
その後、モールド構造体１００に形成された凹凸パターン１１０、１２０（図８参照）が転写されたインプリントレジスト層２４をマスクにして、ＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、モールド構造体１００に形成された凹凸パターンを磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護層などを形成して磁気記録媒体１を得る。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００４４】
８インチのＳｉウェハ（原板）上に、電子線レジストをスピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布し、レジスト層を形成した。該原板上の該レジスト層に対し、ＥＢ描画装置で、図１５に示すサーボアドレス部とバースト部を持つサーボパターンを数条件描画し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でトラック間隔のズレが最も少ない条件を基準として半径方向のパターン描画精度（リニアリティ）を調整した。該調整したパターンを基準として、ＥＢ描画装置のステージ送り量は−６〜＋６までステージ条件を振って調整して、パターンを描画し、それぞれパターン原盤を作製した。
サーボパターン描画は、図１６に示すように、内周、中周、及び外周に、同一半径又は２ｍｍ以内の半径で描画を行った。具体的には、同じ半径付近に０．２ｍｍ幅程度を一つの条件として７水準（計１ｍｍ）を描画した。
【００４５】
次に、作製した各パターン原盤を用いて、Ｎｉ電鋳で複版し、磁性層を付与し、磁気転写方法により垂直磁気記録媒体に磁気情報を記録した。
この垂直磁気記録媒体に転写された磁気情報は、磁気ヘッド（読み取りヘッド幅８０ｎｍ）を用いて、Ｂｉｔ−ｆｉｎｄｅｒ（ＩＭＥＳ社製）で１トラック未満のピッチで、サーボデータを５０トラック以上電気的に再生して再生信号を取得した。
取得したデータからサーボフレーム毎にＰＥＳ（Position  Error  Signal）値を算出し、Ｂｉｔ−ｆｉｎｄｅｒ（ＩＭＥＳ社製）のピエゾステージの送り量に対し、半径方向に計算されたＰＥＳ値との差を求め、その差を統計データとして標準偏差を求めた。得られた標準偏差（リニアリティ）は、３．３ｎｍであった。
このとき、Ｂｉｔ−ｆｉｎｄｅｒ（ＩＭＥＳ社製）のステージ送り量をＸ軸（Ｔｒ、１Ｔｒ＝１ＰＥＳ）に、ＰＥＳ値をＹ軸にしてプロットすると、図１７に示す結果が得られた。
図１８に、ＥＢパラメータをＸ軸に、トラック間隔誤差をＹ軸にしてプロットした。ここで、ＥＢパラメータとは、一定距離に対するステージ長さの補正量を意味する。
この図１８の結果から、−４〜−３の範囲がステージの最適値であることが分かった。
【００４６】
ＥＢ描画装置におけるステージ送り量を、求めたリニアリティ３．３ｎｍに調整し、パターンを作成したところ、トラック間隔誤差は０．３１ｎｍ、０．２２ｎｍ、０．３４ｎｍ、０．３２ｎｍ、及び０．２８ｎｍとなり、平均値は０．２９ｎｍであった。
【００４７】
（比較例１）
原盤を作製する毎にＳＥＭで合わせたＥＢ描画装置のステージ送り量でパターンを作成すると、トラック間隔誤差は３．５ｎｍ、７ｎｍ、８．４ｎｍ、１４ｎｍ、０．５ｎｍであり、平均値は６．７ｎｍであった。比較例１は、実施例１に比べてバラツキが大きいことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明のモールド構造体の検査方法は、ＥＢ描画のパラメータの微調整に基づく、サーボパターンにおける半径方向の精密度（リニアリティ）を評価することができるので、モールド構造体の製造段階において迅速かつ確実に不良品の発生を防止できる。
【符号の説明】
【００４９】
１      磁気記録媒体
９      スレーブディスク
１０      Ｓｉ基板
１１      原盤
２０      マスターディスク
２１      電子線レジスト層
２４      インプリントレジスト層
３０      石英基板
４０      基板
５０      磁性層
６０      検査装置
６１      検査用被転写媒体（垂直磁気記録媒体）
６２      スピンスタンド
６３      デジタルストレージオシロスコープ
６４      パーソナルコンピュータ
１００      円盤状モールド構造体
１０５      磁性層
１１０      凹凸パターン
１２０      凹凸パターン
【図１３】
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【図１６】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１７】
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【図１８】
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