(57)【要約】【課題】切刃の研削性能が充分に確保されるとともに、工具寿命が長期に亘り安定して確保される半導体研磨布用コンディショナー、半導体研磨布用コンディショナーの製造方法及び半導体研磨装置を提供する。【解決手段】基板２，１２の表面から突出した切刃４を用いて、基板２，１２に対向配置された半導体研磨布に研削加工を施す半導体研磨布用コンディショナーであって、切刃４は、半導体研磨布側を向く頂面５と、頂面５に交差して基板２，１２の表面側に延びる壁面６と、を備え、頂面５には、該頂面５と壁面６との交差稜線部に縁部７ｂを有する第１ダイヤモンド膜７が被覆されるとともに、第１ダイヤモンド膜７の表面７ａから少なくとも壁面６にかけては第２ダイヤモンド膜８が被覆されていることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面から突出した切刃を用いて、前記基板に対向配置された半導体研磨布に研削加工を施す半導体研磨布用コンディショナーであって、
前記切刃は、前記半導体研磨布側を向く頂面と、前記頂面に交差して前記基板の表面側に延びる壁面と、を備え、
前記頂面には、該頂面と前記壁面との交差稜線部に縁部を有する第１ダイヤモンド膜が被覆されるとともに、前記第１ダイヤモンド膜の表面から少なくとも前記壁面にかけては第２ダイヤモンド膜が被覆されていることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体研磨布用コンディショナーであって、
前記第２ダイヤモンド膜の厚みが、前記第１ダイヤモンド膜の厚み以下に設定されていることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体研磨布用コンディショナーであって、
前記第２ダイヤモンド膜の厚みが、０．１μｍ〜１０μｍの範囲に設定されることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体研磨布用コンディショナーであって、
前記第１ダイヤモンド膜が、複数の膜から形成されていることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体研磨布用コンディショナーの製造方法であって、
基板の表面に前記第１ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記切刃となる部分を除いて前記第１ダイヤモンド膜及び前記基板の表面を削ることにより、前記頂面に前記第１ダイヤモンド膜が被覆された前記切刃を形成する工程と、
前記第１ダイヤモンド膜の表面から少なくとも前記壁面にかけて前記第２ダイヤモンド膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナーの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体研磨布用コンディショナーの製造方法であって、
前記基板の表面に、前記表面に対し傾斜した底面を有する凹部を形成した後、この凹部も含めて前記基板の表面に前記第１ダイヤモンド膜を形成する工程と、
前記凹部の底面が前記頂面となるように前記第１ダイヤモンド膜及び前記基板の表面を削り、前記切刃を形成する工程と、
前記第１ダイヤモンド膜の表面から少なくとも前記壁面にかけて前記第２ダイヤモンド膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナーの製造方法。
【請求項７】
半導体研磨布及び半導体研磨布用コンディショナーを備えた半導体研磨装置であって、
前記半導体研磨布用コンディショナーとして、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体研磨布用コンディショナーを用いたことを特徴とする半導体研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の研磨を行う半導体研磨装置の半導体研磨布のコンディショニングに用いられる半導体研磨布用コンディショナー、半導体研磨布用コンディショナーの製造方法及び半導体研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体産業の進展とともに、金属、半導体、セラミックスなどの表面を高精度に仕上げる加工方法の必要性が高まっており、特に、半導体ウエハでは、その集積度の向上とともにナノメーターオーダーの表面仕上げが要求されている。このような高精度の表面仕上げに対応するために、半導体ウエハに対して、多孔性のパッド（半導体研磨布）を用いたＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）研磨が一般に行われている。
【０００３】
半導体ウエハ等の研磨に用いられるパッドは、研磨時間が経過していくにつれ目詰まりや圧縮変形を生じ、その表面状態が次第に変化していく。すると、研磨速度の低下や不均一研磨等の好ましくない現象が生じるので、パッドの表面を定期的に研削加工することにより、パッドの表面状態を一定に保って、良好な研磨状態を維持する工夫が行われている。
【０００４】
パッドを研削加工するために用いられる半導体研磨布用コンディショナーの一例として、特許文献１に開示されたものが知られている。特許文献１の半導体研磨布用コンディショナーでは、基板の表面に複数の円錐台又は四角錘台（切刃）が形成されており、これら切刃の頂面部分を半導体研磨布に押し付け研削することで、パッドの研磨状態を一定に維持している。
また、このような半導体研磨布用コンディショナーは、切刃及び基板の表面をＣＶＤ法により形成したダイヤモンド膜でコーティングしており、このダイヤモンド膜により切刃の磨耗が抑制され、工具寿命が確保されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３８２９０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このように切刃及び基板の表面をダイヤモンド膜で被覆した半導体研磨布用コンディショナーにおいては、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、切刃１０１（１１１）のエッジ１０１ａ（１１１ａ）がダイヤモンド膜１０２（１１２）に被覆された際、曲面状に形成されることがあった。すなわち、工具寿命を確保するためにダイヤモンド膜１０２（１１２）にある程度の厚みをもたせると、該ダイヤモンド膜１０２（１１２）が形成される際に切刃１０１（１１１）のエッジ１０１ａ（１１１ａ）を丸めてしまい、研削性能を低減させてしまうことがあった。その一方で、研削性能を確保するためにダイヤモンド膜１０２（１１２）を薄く形成すると、特に切刃１０１（１１１）の寿命を左右するその頂面部分のダイヤモンド膜１０２（１１２）が早期に磨耗することにより、工具寿命が充分に確保できないという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、切刃の研削性能が充分に確保されるとともに、工具寿命が長期に亘り安定して確保される半導体研磨布用コンディショナー、半導体研磨布用コンディショナーの製造方法及び半導体研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
すなわち本発明は、基板の表面から突出した切刃を用いて、前記基板に対向配置された半導体研磨布に研削加工を施す半導体研磨布用コンディショナーであって、前記切刃は、前記半導体研磨布側を向く頂面と、前記頂面に交差して前記基板の表面側に延びる壁面と、を備え、前記頂面には、該頂面と前記壁面との交差稜線部に縁部を有する第１ダイヤモンド膜が被覆されるとともに、前記第１ダイヤモンド膜の表面から少なくとも前記壁面にかけては第２ダイヤモンド膜が被覆されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、切刃の頂面が第１ダイヤモンド膜に覆われており、この第１ダイヤモンド膜は、その縁部が頂面と壁面との交差稜線部に位置していて、すなわち切刃の壁面に連続するようにされている。そして、この第１ダイヤモンド膜の表面にはさらに第２ダイヤモンド膜が被覆されており、これら第１、第２ダイヤモンド膜によって、切刃寿命を左右するその頂面を覆うダイヤモンド膜の厚みが充分に確保される。その一方で、切刃のエッジは第１ダイヤモンド膜表面の前記壁面の延長上に位置することになり、このエッジは、ダイヤモンド膜全体の厚みよりは薄く形成されるから、切刃がシャープエッジに形成される。従って、切刃の磨耗が確実に防止され、工具寿命が長期に亘り安定して確保されるとともに、切刃の研削性能が向上する。
【００１０】
また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーにおいて、前記第２ダイヤモンド膜の厚みが、前記第１ダイヤモンド膜の厚み以下に設定されていることとしてもよい。
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、切刃を一層シャープエッジに形成でき、研削性能がより向上する。
【００１１】
また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーにおいて、前記第２ダイヤモンド膜の厚みが、０．１μｍ〜１０μｍの範囲に設定されることとしてもよい。
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、第２ダイヤモンド膜の厚みが比較的薄く形成されているので、切刃の研削性能がさらに充分に確保できる。
【００１２】
また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーにおいて、前記第１ダイヤモンド膜が、複数の膜から形成されていることとしてもよい。
【００１３】
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、第１ダイヤモンド膜が複数の膜から形成されているので、例えばこれら各膜を硬度や表面粗さ等の性質の異なる種々のダイヤモンド膜で構成することができる。従って、第１ダイヤモンド膜を目的に合わせ様々に形成することができ、半導体研磨布用コンディショナーに対する多種多様な要望、用途に対応できる。
【００１４】
また、本発明は、前述した半導体研磨布用コンディショナーの製造方法であって、基板の表面に前記第１ダイヤモンド膜を形成する工程と、前記切刃となる部分を除いて前記第１ダイヤモンド膜及び前記基板の表面を削ることにより、前記頂面に前記第１ダイヤモンド膜が被覆された前記切刃を形成する工程と、前記第１ダイヤモンド膜の表面から少なくとも前記壁面にかけて前記第２ダイヤモンド膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーの製造方法によれば、基板の表面に第１ダイヤモンド膜を形成した後、第１ダイヤモンド膜及び基板の表面を削って切刃を形成させ、切刃及び基板の表面を第２ダイヤモンド膜のみで覆うため、例えば初めに基板表面に切刃を形成してから全体に第１ダイヤモンド膜を被覆し、次いで切刃の頂面を除いて第１ダイヤモンド膜を除去してから第２ダイヤモンド膜を被覆したりするのに比べて容易に前記構成の半導体研磨布用コンディショナーを製造することができる。
【００１６】
また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーの製造方法において、前記基板の表面に、前記表面に対し傾斜した底面を有する凹部を形成した後、この凹部も含めて前記基板の表面に前記第１ダイヤモンド膜を形成する工程と、前記凹部の底面が前記頂面となるように前記第１ダイヤモンド膜及び前記基板の表面を削り、前記切刃を形成する工程と、前記第１ダイヤモンド膜の表面から少なくとも前記壁面にかけて前記第２ダイヤモンド膜を形成する工程と、を備えることとしてもよい。
【００１７】
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーの製造方法によれば、基板の表面に、該表面に対し傾斜した底面を有する凹部を形成した後、第１ダイヤモンド膜及び基板の表面を削ってこの凹部の底面を頂面とした切刃が形成されるので、切刃の頂面が基板の表面に対し傾斜して形成される。従って、切刃の半導体研磨布側に突出するエッジがよりシャープに形成されて、半導体研磨布を研削加工する性能がより向上した半導体研磨布用コンディショナーを製造することができる。
【００１８】
また、本発明は、半導体研磨布及び半導体研磨布用コンディショナーを備えた半導体研磨装置であって、前述の半導体研磨布用コンディショナーを用いたことを特徴としている。
本発明に係る半導体研磨装置によれば、半導体研磨布用コンディショナーが半導体研磨布を長期に亘り安定して精度よく研削加工するので、半導体研磨の加工精度が向上するとともに生産性が高められる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナー及びこれを用いた半導体研磨装置によれば、切刃の磨耗が防止され、工具寿命が長期に亘り安定して確保されるとともに、切刃の研削性能が向上する。
また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーの製造方法によれば、このような半導体研磨布用コンディショナーを比較的容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの一例を示す概略平面図である。
【図２】図１のＡ部を拡大して示す部分平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの他の例を示す概略平面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の配置を示す概略斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の一例を示す概略側断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の他の例を示す概略側断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の一例の作製手順を示す説明図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の他の例の作製手順を示す説明図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃を３層以上のダイヤモンド膜で覆う場合の作成手順を示す説明図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る半導体研磨装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１１】従来の半導体研磨布用コンディショナーの切刃の一例及び他の例を示す概略側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの一例を示す概略平面図、図２は図１のＡ部を拡大して示す部分平面図、図３は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの他の例を示す概略平面図、図４は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の配置を示す概略斜視図、図５は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の一例を示す概略側断面図、図６は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の他の例を示す概略側断面図、図７は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の一例の作製手順を示す説明図、図８は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃の他の例の作製手順を示す説明図、図９は本発明の一実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナーの切刃を３層以上のダイヤモンド膜で覆う場合の作成手順を示す説明図、図１０は本発明の一実施形態に係る半導体研磨装置の概略構成を示す斜視図である。
【００２２】
図１、図２に示すように、本実施形態の一例の半導体研磨布用コンディショナー１０は、略リング状のステンレス等からなる台金１の表面に複数の略円板状の基板２を周方向等間隔に配列し形成されている。基板２は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等のセラミックス材料からなり、その表面には略格子状に配列された複数の台座部３が基板２の一部として一体に形成される。
【００２３】
また、本実施形態の他の例の半導体研磨布用コンディショナー２０は、図３に示すように、略円板状のステンレス等からなる台金１１の表面に略円板状の基板１２を配設し形成されている。基板１２は、例えばＳｉＣ等のセラミックス材料からなり、その表面の外周近傍に複数の台座部３を周方向等間隔に配列している。また台座部３は、基板１２の径方向にも複数並べられている。詳しくは、図３において、台座部３は周方向均等に６０ヶ配列されるとともに径方向にも３列が並べられており、また径方向に隣り合う台座部３同士は千鳥状に並べられている。
また、これら半導体研磨布用コンディショナー１０，２０の台座部３は、以降説明するように共通の構成からなる。
【００２４】
図４に示すように、本実施形態の半導体研磨布用コンディショナー１０，２０の台座部３は、略円板状に形成されている。台座部３は、その軸線方向（図４における上下方向）の基端側（図４における下側）から先端側（図４における上側）に向かうに連れその外径寸法が漸次縮小して形成されており、台座部３の先端側の表面すなわち基板２，１２の表面には略格子状に配列された複数の切刃４（１４）が一体に形成されている。
【００２５】
図５に示すように、基板２，１２の台座部３の表面に配列された切刃４は、台座部３の表面から突出して略直方体状又は略立方体状に形成されている。また切刃４は、台座部３の表面と略平行に形成された頂面５と、頂面５に直交して周囲に形成され、該頂面５及び台座部３の表面を繋ぐ複数の壁面６とを備えている。
【００２６】
また、切刃４の頂面５は、膜状の第１ダイヤモンド膜７に覆われている。第１ダイヤモンド膜７は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法により切刃４の頂面５に蒸着され形成されており、この頂面５上にのみ、すなわち頂面５と壁面６との交差稜線部に縁部を有するように形成されている。また、第１ダイヤモンド膜７の表面７ａは、頂面５と略平行に形成されており、表面７ａの周囲には、該表面７ａに略直交するように複数の側面７ｂが形成される。また、第１ダイヤモンド膜７のこれら側面７ｂは切刃４の壁面６に連続するように面一に形成されている。
【００２７】
また、第１ダイヤモンド膜７の表面７ａ及び側面７ｂ、切刃４の壁面６、台座部３及び基板２，１２の表面は第２ダイヤモンド膜８で覆われている。第２ダイヤモンド膜８は、ＣＶＤ法により蒸着され形成されている。また、第２ダイヤモンド膜８の厚みＴｂは、第１ダイヤモンド膜７の厚みＴａ以下とされている。詳しくは、第２ダイヤモンド膜８の厚みＴｂは０．１μｍ〜１０μｍの範囲に設定されており、切刃４の頂面５を覆う第１、第２ダイヤモンド膜７，８の厚み（Ｔａ＋Ｔｂ）が、２０μｍ程度に設定される。
【００２８】
また、切刃４の壁面６が第２ダイヤモンド膜８のみで被覆されることから、切刃４の外形幅Ｗは、切刃４の壁面６，６間の幅Ｗ１と第２ダイヤモンド膜８の厚みＴｂの２倍数とを足した値とされている。詳しくは、幅Ｗ１が３０μｍ程度、外形幅Ｗが３０．２μｍ〜５０μｍ程度の範囲に設定される。
また、切刃４の外形高さＨは、５０μｍ程度に設定される。
【００２９】
また、図５に示した略直方体状又は略立方体状の切刃４に代えて、図６に示すように、台座部３の表面に対し傾斜して形成された頂面１５と、頂面１５に交差して周囲に形成され該頂面１５及び台座部３の表面を繋ぐ複数の壁面１６とを備えた切刃１４としてもよい。切刃１４の壁面１６は、台座部３の表面に対し略直交して形成される。また、切刃１４の壁面１６のうち、台座部３の表面から突出して最も長く延びる壁面１６ａと頂面１５とが成す角度θＡは、鋭角に形成されており、例えばその角度θＡが４５°に設定される。
【００３０】
また、切刃１４の頂面１５は、膜状の第１ダイヤモンド膜１７に覆われている。第１ダイヤモンド膜１７は、ＣＶＤ法により切刃１４の頂面１５に蒸着され形成されており、この頂面１５上にのみ、すなわち頂面１５と壁面１６との交差稜線部に縁部を有するように形成されている。また、第１ダイヤモンド膜１７の表面１７ａは、頂面１５と略平行に形成されており、表面１７ａの周囲には、該表面１７ａに交差するように複数の側面１７ｂが形成される。また、第１ダイヤモンド膜１７のこれら側面１７ｂは切刃１４の壁面１６に連続するように面一に形成されている。
【００３１】
また、第１ダイヤモンド膜１７の表面１７ａ及び側面１７ｂ、切刃１４の壁面１６、台座部３及び基板２，１２の表面は第２ダイヤモンド膜１８で覆われている。第２ダイヤモンド膜１８は、ＣＶＤ法により蒸着され形成されている。また、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄは、第１ダイヤモンド膜１７の厚みＴｃ以下とされている。詳しくは、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄは０．１μｍ〜１０μｍの範囲に設定されており、切刃１４の頂面１５を覆う第１、第２ダイヤモンド膜１７，１８の厚み（Ｔｃ＋Ｔｄ）が、２０μｍ程度に設定される。
【００３２】
また、切刃１４の壁面１６が第２ダイヤモンド膜１８のみで被覆されることから、切刃１４の外形幅Ｗは、切刃１４の壁面１６，１６ａ（１６）間の幅Ｗ１と第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄの２倍数とを足した値とされている。詳しくは、幅Ｗ１が３０μｍ程度、外形幅Ｗが３０．２μｍ〜５０μｍ程度の範囲に設定される。
また、切刃１４の外形高さＨは、５０μｍ程度に設定される。
【００３３】
また、第１ダイヤモンド膜１７を覆う第２ダイヤモンド膜１８の表面（頂面）１８ａと切刃１４の壁面１６ａを覆う側面１８ｂとが成す角度θＢは、鋭角に形成されており、例えばその角度θＢが４５°に設定され、前述の角度θＡと同一の値とされている。切刃１４の角度θＢを成すエッジは、後述するパッド５４側に向けられて突出しており、該パッド５４の研削加工に用いられ好適な形状とされている。
【００３４】
次に、基板２，１２の台座部３の表面に切刃４（１４）を形成する手順について説明する。
まず、切刃４を形成する手順について説明する。
図７（ａ）に示すように、台座部３及び基板２，１２の表面に第１ダイヤモンド膜７を、ＣＶＤ法を用いて蒸着する。第１ダイヤモンド膜７を成膜する厚みＴａは、後に切刃４の頂面５を覆う第１、第２ダイヤモンド膜７，８の厚みの和（Ｔａ＋Ｔｂ）から第２ダイヤモンド膜８の厚みＴｂを予め差し引いた値に設定されている。
【００３５】
次いで、レーザ加工を用いて、台座部３の第１ダイヤモンド膜７側から図７（ｂ）に２点鎖線で区画して示す第１ダイヤモンド膜７及び台座部３の表面の領域を削り、図７（ｃ）に示す切刃４を形成する。すなわち、切刃４が台座部３の表面から略直方体状又は略立方体状に突出するように該切刃４以外の領域の第１ダイヤモンド膜７及び台座部３の表面をレーザ加工で削り込む。このレーザ加工により、第１ダイヤモンド膜７の表面７ａと側面７ｂとが略直交して形成されるとともに、側面７ｂと壁面６とが連続するように面一に形成される。
【００３６】
次いで、図７（ｄ）に示すように、第１ダイヤモンド膜７の表面７ａ及び側面７ｂ、切刃４の壁面６、台座部３及び基板２，１２の表面に第２ダイヤモンド膜８をＣＶＤ法で蒸着し、切刃４、台座部３及び基板２，１２の表面全体を第２ダイヤモンド膜８で被覆する。
このように、基板２，１２の台座部３の表面に第１、第２ダイヤモンド膜７，８で覆われた切刃４が形成される。
【００３７】
次に、切刃１４を形成する手順について説明する。
まず、図８（ａ）に示すように、基板２，１２の台座部３の表面に、該表面に沿って延在する溝（凹部）１５Ａを形成する。溝１５Ａは、その延在方向に直交する断面形状が、片辺を鉛直方向に延ばした略Ｖ字状とされており、他の辺に沿う溝１５Ａの底面１５は台座部３の表面に対し傾斜して形成される。
【００３８】
次いで、溝１５Ａ、台座部３及び基板２，１２の表面に第１ダイヤモンド膜１７を、ＣＶＤ法を用いて蒸着する。第１ダイヤモンド膜１７を成膜する厚みＴｃは、後に切刃１４の頂面（溝１５Ａの底面）１５を覆う第１、第２ダイヤモンド膜１７，１８の厚みの和（Ｔｃ＋Ｔｄ）から第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを予め差し引いた値に設定されている。
【００３９】
次いで、レーザ加工を用いて、台座部３の第１ダイヤモンド膜１７側から図８（ｂ）に２点鎖線で区画して示す第１ダイヤモンド膜１７及び台座部３の表面の領域を削り、図８（ｃ）に示す切刃１４を形成する。すなわち、切刃１４が台座部３の表面から底面１５及びその上の第１ダイヤモンド膜１７を除いて略直方体状に突出するように該切刃１４以外の領域の第１ダイヤモンド膜１７及び台座部３の表面をレーザ加工で削り込む。このレーザ加工により、第１ダイヤモンド膜１７の表面１７ａと側面１７ｂとが交差して形成されるとともに、側面１７ｂと壁面１６とが連続するように面一に形成される。また、溝１５Ａの底面１５は、切刃１４の頂面１５とされる。
【００４０】
次いで、図８（ｄ）に示すように、第１ダイヤモンド膜１７の表面１７ａ及び側面１７ｂ、切刃１４の壁面１６、台座部３及び基板２，１２の表面に第２ダイヤモンド膜１８をＣＶＤ法で蒸着し、切刃１４、台座部３及び基板２，１２の表面全体を第２ダイヤモンド膜１８で被覆する。
このように、基板２，１２の台座部３の表面に第１、第２ダイヤモンド膜１７，１８で覆われた切刃１４が形成される。
【００４１】
尚、本実施形態では、基板２，１２の台座部３の表面に形成される切刃４（１４）の頂面５（１５）に２層からなるダイヤモンド膜（第１、第２ダイヤモンド膜７，８（１７，１８））が形成されることとして説明したが、これに限定されるものではない。
すなわち、第１ダイヤモンド膜７（１７）を複数のダイヤモンド膜を積層し形成するとともに、切刃４（１４）を覆うダイヤモンド膜を３層以上で構成することとしてもよい。さらに、第１ダイヤモンド膜７（１７）の前述の複数のダイヤモンド膜を、互いに硬度や表面粗さ等の性質の異なる膜で形成しても構わない。
【００４２】
次に、切刃を３層以上のダイヤモンド膜で被覆する手順について説明する。
まず、図９（ａ）に示すように、台座部３及び基板２，１２の表面にダイヤモンド膜２７Ａを、ＣＶＤ法を用いて蒸着する。
次いで、図９（ｂ）に示すように、ダイヤモンド膜２７Ａの表面にダイヤモンド膜２７Ｂを、ＣＶＤ法を用いて蒸着する。
【００４３】
各ダイヤモンド膜２７Ａ，２７Ｂは、互いに膜厚が異なるとともに硬度、表面粗さが異なって設定される。このようにダイヤモンド膜２７Ａ，２７Ｂが積層され、第１ダイヤモンド膜２７が形成されている。尚、第１ダイヤモンド膜２７は、ダイヤモンド膜２７Ａ，２７Ｂにさらに別のダイヤモンド膜２７Ａ，２７Ｂ以外のダイヤモンド膜を積層させて、３層以上で形成しても構わない。
また、第１ダイヤモンド膜２７を成膜する厚みＴｅは、後述する切刃２４の頂面５を覆う第１、第２ダイヤモンド膜２７，２８の厚みの和（Ｔｅ＋Ｔｆ）から第２ダイヤモンド膜２８の厚みＴｆを予め差し引いた値に設定されている。
【００４４】
次いで、レーザ加工を用いて、台座部３のダイヤモンド膜２７Ｂ側から図９（ｃ）に２点鎖線で区画して示す第１ダイヤモンド膜２７及び台座部３の表面の領域を削り、図９（ｄ）に示す切刃２４を形成する。すなわち、切刃２４が台座部３の表面から略直方体状又は略立方体状に突出するように該切刃２４以外の領域の第１ダイヤモンド膜２７及び台座部３の表面をレーザ加工で削り込む。このレーザ加工により、第１ダイヤモンド膜２７の表面２７ａと側面２７ｂとが交差して形成されるとともに、側面２７ｂと壁面６とが連続するように面一に形成される。
【００４５】
次いで、図９（ｅ）に示すように、第１ダイヤモンド膜２７の表面２７ａ及び側面２７ｂ、切刃２４の壁面６、台座部３及び基板２，１２の表面に第２ダイヤモンド膜２８をＣＶＤ法で蒸着し、切刃２４、台座部３及び基板２，１２の表面全体を第２ダイヤモンド膜２８で被覆する。第２ダイヤモンド膜２８の厚みＴｆは、第１ダイヤモンド膜２７の厚みＴｅ以下とされている。詳しくは、第２ダイヤモンド膜２８の厚みＴｆは０．１μｍ〜１０μｍの範囲に設定されており、切刃２４の頂面５を覆う第１、第２ダイヤモンド膜２７，２８の厚み（Ｔｅ＋Ｔｆ）が、２０μｍ程度に設定される。
【００４６】
このように、基板２，１２の台座部３の表面に複層からなる第１ダイヤモンド膜２７及び単層からなる第２ダイヤモンド膜２８で覆われた切刃２４が形成される。
尚、切刃２４の形状は、前述の切刃１４のように、その頂面が台座部３の表面に対し傾斜して形成されていても構わない。
【００４７】
次いで、本実施形態の半導体研磨布用コンディショナー１０，２０を用いた半導体研磨装置５０について説明する。
この半導体研磨装置５０は、シリコンインゴットから切り出した半導体ウエハ（以下「ウエハ」と省略する）Ｐの表面を化学的且つ機械的に研磨するものである。
【００４８】
図１０に示すように、半導体研磨装置５０は、中心軸５２に取り付けられた円板状の回転テーブル５３上に例えば硬質ウレタンからなるポリッシング用のパッド（半導体研磨布）５４が設けられ、このパッド５４に対向して且つパッド５４の中心軸５２から偏心した位置に自転可能なウエハキャリア５５が配設されている。このウエハキャリア５５はパッド５４よりも小径の円板形状とされてウエハＰを保持するものであり、このウエハＰがウエハキャリア５５とパッド５４間に配置されてパッド５４側の表面の研磨に供され鏡面仕上げされる。
【００４９】
研磨に際しては、例えば微粒子シリカ等からなる遊離砥粒が研磨剤として用いられ、更にエッチング用のアルカリ液等が混合されたもの又は酸液等が混合されたものが液状のスラリＳとしてパッド５４上に供給される。このスラリＳは、ウエハキャリア５５に保持されたウエハＰとパッド５４との間に流動する。そして、ウエハキャリア５５でウエハＰが自転するとともにパッド５４が中心軸５２を中心として回転するために、パッド５４でウエハＰの一面が研磨される。
【００５０】
ウエハＰの研磨を行うパッド５４上にはスラリＳを保持する微細な凹部（不図示）が多数設けられており、これらの凹部内に保持されたスラリＳを用いてウエハＰの研磨が行われる。パッド５４の凹部は、ウエハＰの研磨を繰り返すことで目詰まりしたり該凹部の周囲が削られ充分な深さが確保できなくなったりしてスラリＳの保持性能が低減するため、半導体研磨装置５０では、半導体研磨布用コンディショナー１０，２０を用いてパッド５４の表面を研削加工するようにしている。
【００５１】
半導体研磨布用コンディショナー１０，２０は、パッド５４に対向して且つパッド５４の中心軸５２から偏心した位置に配設されている。また、半導体研磨布用コンディショナー１０，２０のパッド５４に対向する表面には、前述の切刃４（１４，２４）が設けられている。
半導体研磨布用コンディショナー１０，２０は、回転テーブル５３の外部に設けられた回転軸５６にアーム５７を介して自転可能に設けられており、回転軸５６によりアーム５７を回動させることで、回転するパッド５４上において自転しながら該パッド５４の略径方向に往復揺動させられて、パッド５４の表面を研削加工する。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナー１０，２０によれば、切刃４（１４，２４）の頂面５（１５）が第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）に覆われており、この第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）は、その縁部が頂面５（１５）と壁面６（１６）との交差稜線部に位置していて、すなわち切刃４（１４，２４）の壁面６（１６）に連続するようにされている。そして、この第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）の表面７ａ（１７ａ，２７ａ）にはさらに第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）が被覆されており、これら第１、第２ダイヤモンド膜７（１７，２７），８（１８，２８）によって、切刃寿命を左右するその頂面５（１５）を覆うダイヤモンド膜の厚み（Ｔａ＋Ｔｂ）（Ｔｃ＋Ｔｄ，Ｔｅ＋Ｔｆ）が充分に確保されている。その一方で、切刃４（１４，２４）のエッジは第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）の表面７ａ（１７ａ，２７ａ）の壁面６（１６）の延長上に位置することになり、このエッジは、ダイヤモンド膜全体の厚みよりは薄く形成されるから、切刃４（１４，２４）がシャープエッジに形成される。従って、切刃４（１４，２４）の磨耗が確実に防止され、工具寿命が長期に亘り安定して確保されるとともに、切刃４（１４，２４）の研削性能が向上する。
【００５３】
また、第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）の厚みＴｂ（Ｔｄ，Ｔｆ）が、第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）の厚みＴａ（Ｔｃ，Ｔｅ）以下に設定されていることから、切刃４（１４，２４）を一層シャープエッジに形成でき、研削性能がより向上する。
【００５４】
また、第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）の厚みＴｂ（Ｔｄ，Ｔｆ）が、０．１μｍ〜１０μｍの範囲に設定されることから、切刃４（１４，２４）の研削性能がさらに充分に確保される。
【００５５】
また、切刃４（１４，２４）の壁面６（１６）が第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）のみで被覆されることから、切刃４（１４，２４）の外形幅Ｗが抑制される。すなわち、従来のように、切刃４（１４，２４）の頂面５（１５）及び壁面６（１６）全体を単一層からなる略均一な厚みのダイヤモンド膜で被覆した場合に比べ、切刃４（１４，２４）の壁面６（１６）を覆うダイヤモンド膜の厚みが低減されるので、切刃４（１４，２４）の外形幅Ｗが省スペースに形成される。従って、切刃４（１４，２４）を複数設ける場合に、これら切刃４（１４，２４）の配置間隔をパッド５４に対して適正な間隔に維持したまま切刃４（１４，２４）の数量を増大でき、パッド５４の研削性能がより向上する。
【００５６】
また、切刃１４のように頂面１５を基板２，１２の台座部３の表面に対し傾斜させることで、切刃１４のパッド５４側に突出するエッジがよりシャープに形成されるので、パッド５４を研削加工する性能がさらに向上する。
【００５７】
また、第１ダイヤモンド膜２７のように、複数の膜を積層して該第１ダイヤモンド膜２７を形成することで、これら各膜を硬度や表面粗さ等の性質の異なる種々のダイヤモンド膜２７Ａ，２７Ｂで構成することができる。従って、第１ダイヤモンド膜２７を目的に合わせ様々に形成することができ、半導体研磨布用コンディショナー１０，２０に対する多種多様な要望、用途に対応できる。
【００５８】
また、本実施形態の半導体研磨装置５０は、前述の半導体研磨布用コンディショナー１０，２０を用いているので、該半導体研磨布用コンディショナー１０，２０がパッド５４を長期に亘り安定して精度よく研削加工する。従って、パッド５４によるウエハＰの研磨の加工精度が向上し、またパッド５４の交換作業が低減するので生産性が高められている。
【００５９】
また、本実施形態の半導体研磨布用コンディショナー１０，２０の製造方法によれば、台座部３及び基板２，１２の表面に第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）を形成した後、第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）及び台座部３の表面を削って切刃４（１４，２４）を形成させ、切刃４（１４，２４）、台座部３及び基板２，１２の表面を第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）のみで覆うため、例えば初めに台座部３の表面に切刃４（１４，２４）を形成してから全体に第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）を被覆し、次いで切刃４（１４，２４）の頂面５（１５）を除いて第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）を除去してから第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）を被覆したりするのに比べて容易に前記構成の半導体研磨布用コンディショナー１０，２０を製造することができる。
【００６０】
また、切刃１４を有する半導体研磨布用コンディショナー１０，２０の製造方法では、台座部３の表面に、該表面に対し傾斜した底面１５を有する溝１５Ａを形成した後、第１ダイヤモンド膜１７及び台座部３の表面を削ってこの溝１５Ａの底面１５を頂面１５とした切刃１４が形成されるので、切刃１４の頂面１５が台座部３の表面に対し傾斜して形成される。従って、切刃１４のパッド５４側に突出するエッジがよりシャープに形成されて、パッド５４を研削加工する性能がより向上した半導体研磨布用コンディショナー１０，２０を製造することができる。
【００６１】
尚、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本実施形態では、第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）の厚みＴｂ（Ｔｄ，Ｔｆ）が、第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）の厚みＴａ（Ｔｃ，Ｔｅ）以下に設定されていることとして説明したが、これに限定されるものではなく、第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）が、第１ダイヤモンド膜７（１７，２７）よりも厚く形成されていても構わない。
【００６２】
また、本実施形態では、第２ダイヤモンド膜８（１８，２８）の厚みＴｂ（Ｔｄ，Ｔｆ）が、０．１μｍ〜１０μｍの範囲に設定されることとして説明したが、これに限定されるものではなく、０．１μｍより小さい範囲や１０μｍを超えた範囲に設定されていても構わない。
【００６３】
また、切刃４（１４，２４）の形状は、本実施形態で説明した略直方体状や略立方体状に限定されるものではない。すなわち、切刃はパッド５４側を向く頂面と、この頂面に交差して基板２，１２の表面側に延びる壁面と、を備えていればよく、例えば略円柱状、略多角柱状、略切頭円錐状等それ以外の形状であっても構わない。また、図５、６に示した切刃４（１４，２４）等は概略図であり、実際には厳密な直方体状や立方体状に形成されずに多少変形していてもよい。
【００６４】
また、本実施形態では、切刃１４の頂面１５は、予め基板２，１２の台座部３の表面に沿って溝１５Ａを形成し、この溝１５Ａの底面１５を用い形成することとして説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば予め基板２，１２の台座部３の表面に底面の傾斜した略直方体穴状や略円柱穴状等の凹部を形成し、この凹部の底面を用いて、切刃１４の頂面１５を形成することとしても構わない。
【００６５】
また、本実施形態では、切刃４（１４，２４）が基板２，１２の台座部３の表面に形成されることとして説明したが、これに限定されるものではなく、基板２，１２の表面に直接形成されることとしても構わない。
【実施例】
【００６６】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。ただし本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００６７】
[実施例１]
実施例１として、半導体研磨布用コンディショナー２０の基板１２の台座部３の表面に、図６に示す切刃１４を設けたものを用意した。また、切刃１４の頂面１５を覆うダイヤモンド膜を、第１ダイヤモンド膜１７及び第２ダイヤモンド膜１８の２層で形成し、その膜厚を２０μｍに設定した。ダイヤモンド膜は、第１ダイヤモンド膜１７の厚みＴｃを１９．９μｍ、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを０．１μｍとし、これらを積層し形成した。また切刃１４は、外形高さＨ＝５０μｍ、外形幅Ｗ＝Ｗ１＋２Ｔｄ＝３０μｍ＋０．２μｍ＝３０．２μｍ、パッド５４側に突出するエッジの角度θＢ＝４５°とした。尚、切刃１４の第１、第２ダイヤモンド膜１７，１８は、気相合成法熱フィラメント炉を用いたＣＶＤ法によって、原料ガス（流速）：Ｈ２（１０００ｍｌ／ｍ）、ＣＨ４（２０ｍｌ／ｍ）、チャンバー圧：８Ｔｏｒｒ、フィラメント温度：２２００℃、電圧：１８０Ｖ、合成速度：１．０μｍ／ｈの条件下で成膜した。
【００６８】
そして、この半導体研磨布用コンディショナー２０を図１０に示す半導体研磨装置５０に取り付け、パッド５４を用いてウエハＰの研磨加工を行い、研磨レート：ＷＲＲ（Ｗａｆｅｒ  Ｒｅｍｏｖａｌ  Ｒａｔｅ：単位Å／分）を測定した。尚、ウエハＰの研磨加工は、パッド：ニッタハース社製ＩＣ１０００、パッド回転速度：５０ｒｐｍ、半導体研磨布用コンディショナー回転速度：１１０ｒｐｍ、半導体研磨布用コンディショナー荷重：２７Ｎ、ウエハ回転速度：４９ｒｐｍ、ウエハ荷重：３５ｋＰａ、スラリ：キャボット社製ＳＳ２５、の条件下で行った。また、ＷＲＲの測定は、ウエハＰの研磨処理枚数（以下「Ｒｕｎ」）が１Ｒｕｎ（初期）、２００Ｒｕｎ、４００Ｒｕｎ、６００Ｒｕｎ、８００Ｒｕｎ、１０００Ｒｕｎ、１２００Ｒｕｎに達した時点で夫々行った。結果を表１に示す。
【００６９】
[実施例２]
また実施例２として、切刃１４の頂面１５を覆うダイヤモンド膜を、第１ダイヤモンド膜１７及び第２ダイヤモンド膜１８の２層で形成し、第１ダイヤモンド膜１７の厚みＴｃを１５μｍ、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを５μｍとした。また切刃１４の外形幅Ｗ＝Ｗ１＋２Ｔｄ＝３０μｍ＋１０μｍ＝４０μｍとした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。
【００７０】
[実施例３]
また実施例３として、切刃１４の頂面１５を覆うダイヤモンド膜を、第１ダイヤモンド膜１７及び第２ダイヤモンド膜１８の２層で形成し、第１ダイヤモンド膜１７の厚みＴｃを１０μｍ、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを１０μｍとした。また切刃１４の外形幅Ｗ＝Ｗ１＋２Ｔｄ＝３０μｍ＋２０μｍ＝５０μｍとした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。
【００７１】
[実施例４]
また実施例４として、切刃１４の頂面１５を覆うダイヤモンド膜を、第１ダイヤモンド膜１７及び第２ダイヤモンド膜１８の２層で形成し、第１ダイヤモンド膜１７の厚みＴｃを５μｍ、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを１５μｍとした。また切刃１４の外形幅Ｗ＝Ｗ１＋２Ｔｄ＝３０μｍ＋３０μｍ＝６０μｍとした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。
【００７２】
[実施例５]
また実施例５として、切刃１４の頂面１５を覆うダイヤモンド膜を、２層からなる第１ダイヤモンド膜１７及び単層からなる第２ダイヤモンド膜１８の計３層で形成した。詳しくは、第１ダイヤモンド膜１７のうち内側のダイヤモンド膜の厚みを１０μｍ、第１ダイヤモンド膜１７のうち外側のダイヤモンド膜の厚みを９．９μｍとし、第１ダイヤモンド膜１７全体の厚みＴｃを１９．９μｍとした。また、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを０．１μｍとした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。
【００７３】
[実施例６]
また実施例６として、切刃１４の頂面１５を覆うダイヤモンド膜を、２層からなる第１ダイヤモンド膜１７及び単層からなる第２ダイヤモンド膜１８の計３層で形成した。詳しくは、第１ダイヤモンド膜１７のうち内側のダイヤモンド膜の厚みを８μｍ、第１ダイヤモンド膜１７のうち外側のダイヤモンド膜の厚みを７μｍとし、第１ダイヤモンド膜１７全体の厚みＴｃを１５μｍとした。また、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを５μｍとした。それ以外は、実施例２と同様の条件として測定を行った。
【００７４】
[実施例７]
また実施例７として、切刃１４の頂面１５を覆うダイヤモンド膜を、２層からなる第１ダイヤモンド膜１７及び単層からなる第２ダイヤモンド膜１８の計３層で形成した。詳しくは、第１ダイヤモンド膜１７のうち内側のダイヤモンド膜の厚みを５μｍ、第１ダイヤモンド膜１７のうち外側のダイヤモンド膜の厚みを５μｍとし、第１ダイヤモンド膜１７全体の厚みＴｃを１０μｍとした。また、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを１０μｍとした。それ以外は、実施例３と同様の条件として測定を行った。
【００７５】
[実施例８]
また実施例８として、切刃１４の頂面１５を覆うダイヤモンド膜を、２層からなる第１ダイヤモンド膜１７及び単層からなる第２ダイヤモンド膜１８の計３層で形成した。詳しくは、第１ダイヤモンド膜１７のうち内側のダイヤモンド膜の厚みを２μｍ、第１ダイヤモンド膜１７のうち外側のダイヤモンド膜の厚みを３μｍとし、第１ダイヤモンド膜１７全体の厚みＴｃを５μｍとした。また、第２ダイヤモンド膜１８の厚みＴｄを１５μｍとした。それ以外は、実施例４と同様の条件として測定を行った。
【００７６】
[比較例]
また比較例として、図１１（ｂ）に示す切刃１１１の頂面１１５を、単層のダイヤモンド膜１１２を蒸着し被覆した。ダイヤモンド膜１１２の厚みＴｚは、２０μｍとした。また切刃１１１は、外形高さＨ＝５０μｍ、外形幅Ｗ＝Ｗ１＋２Ｔｚ＝３０μｍ＋４０μｍ＝７０μｍ、パッド５４側に突出するエッジの角度θｚ＝４５°とした。それ以外は、実施例１と同様の条件として測定を行った。
【００７７】
【表１】
2010069612.tif 000003
【００７８】
表１に示す通り、実施例１〜３及び５〜７においては、比較例に比べ初期（１Ｒｕｎ）の研磨レート：ＷＲＲの安定性が大幅に改善された。また、実施例４，８においては、初期（１Ｒｕｎ）の研磨レート：ＷＲＲは２０００Å／分程度であるものの、以降１２００Ｒｕｎ迄に亘り研磨レート：ＷＲＲが２０００Å／分以上に維持され、安定した研削性能が得られることが確認された。また、実施例１〜８においては、１２００Ｒｕｎにおける研磨レート：ＷＲＲが全て２０００Å／分以上に確保されており、工具寿命が長期に亘り安定して確保されるとともに切刃１４の研削性能が高められることが確認された。
一方、比較例においては、初期（１Ｒｕｎ）の研磨レート：ＷＲＲは２０００Å／分以上に確保されているものの、８００Ｒｕｎを超えた頃から研磨レート：ＷＲＲが顕著に低下しており、早期に工具寿命の兆候が確認された。
【符号の説明】
【００７９】
２，１２  基板
３  台座部（基板）
４，１４，２４  切刃
５，１５  頂面
６，１６，１６ａ  壁面
７，１７，２７  第１ダイヤモンド膜
７ａ，１７ａ，２７ａ  第１ダイヤモンド膜の表面
７ｂ，１７ｂ，２７ｂ  第１ダイヤモンド膜の側面（縁部）
８，１８，２８  第２ダイヤモンド膜
１０，２０  半導体研磨布用コンディショナー
１５Ａ  溝（凹部）
２７Ａ  ダイヤモンド膜（第１ダイヤモンド膜のうち内側の膜）
２７Ｂ  ダイヤモンド膜（第１ダイヤモンド膜のうち外側の膜）
５０  半導体研磨装置
５４  パッド（半導体研磨布）
Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｅ  第１ダイヤモンド膜の厚み
Ｔｂ，Ｔｄ，Ｔｆ  第２ダイヤモンド膜の厚み
【図１】
2010069612.tif 000004
【図２】
2010069612.tif 000005
【図３】
2010069612.tif 000006
【図４】
2010069612.tif 000007
【図５】
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【図６】
2010069612.tif 000009
【図７】
2010069612.tif 000010
【図８】
2010069612.tif 000011
【図９】
2010069612.tif 000012
【図１０】
2010069612.tif 000013
【図１１】
2010069612.tif 000014