(57)【要約】【課題】新たな膜層を必要とせず光センサの感度を向上させる。【解決手段】光源を有する表示パネルに配置される光センサ素子を製造する光センサ素子製造方法であって、基板の上面にエッチングレートのより遅い第１の遮光膜を蒸着させる第１の遮光膜蒸着ステップと、第１の遮光膜の上面にエッチングレートのより早い第２の遮光膜を蒸着させる第２の遮光膜蒸着ステップと、第２の遮光膜の上面にレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、第１および第２の遮光膜に対してウェットエッチングを行うウェットエッチングステップと、第２の遮光膜からレジストパターンを剥離するレジストパターン剥離ステップと、ガラス基板と第１および第２の遮光膜とを覆うようにベースコートを蒸着させるベースコート蒸着ステップと、下層に第１および第２の遮光膜が配置されているベースコートの上面に半導体層を蒸着させる半導体層蒸着ステップとを含む。【選択図】図１
2010129882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源を有する表示パネルに配置される光センサ素子を製造する光センサ素子製造方法であって、
基板の上面に、エッチングレートのより遅い第１の遮光膜を蒸着させる第１の遮光膜蒸着ステップと、
上記第１の遮光膜の上面に、エッチングレートのより早い第２の遮光膜を蒸着させる第２の遮光膜蒸着ステップと、
上記蒸着された第２の遮光膜の上面にレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
上記レジストパターンをマスクとし、上記第１および第２の遮光膜に対してウェットエッチングを行うウェットエッチングステップと、
上記第２の遮光膜から上記レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離ステップと、
上記基板と上記第１および第２の遮光膜とを覆うようにベースコートを蒸着させるベースコート蒸着ステップと、
下層に上記第１および第２の遮光膜が配置されている上記ベースコートの上面に、中央に受光領域を有する半導体層を蒸着させる半導体層蒸着ステップとを含むことを特徴とする光センサ素子製造方法。
【請求項２】
光源を有する表示パネルに配置される光センサ素子を製造する光センサ素子製造方法であって、
基板の上面に、遮光膜を蒸着させる遮光膜蒸着ステップと、
上記遮光膜の上面に、中央部の厚みが周辺部の厚みより薄いレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
上記レジストパターンをマスクとし、上記遮光膜に対してウェットエッチングを行うウェットエッチングステップと、
上記レジストパターンの上記中央部がなくなるまでアッシングするアッシングステップと、
上記中央部がなくなったレジストパターンをマスクとし、上記遮光膜に対してドライエッチングを行うドライエッチングステップと、
上記遮光膜から上記中央部がなくなったレジストパターンを剥離するレジストパターン剥離ステップと、
上記基板と上記遮光膜とを覆うようにベースコートを蒸着させるベースコート蒸着ステップと、
下層に上記遮光膜が配置されている上記ベースコートの上面に、中央に受光領域を有する半導体層を蒸着させる半導体層蒸着ステップとを含むことを特徴とする光センサ素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレーナ型の光センサ素子製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フォトダイオードを液晶パネル内でフォトセンサとして使用する際、バックライト光を遮光するために遮光膜をダイオードとバックライトとの間に設置している。遮光膜には遮光機能以外に、半導体層に入射した光を再度半導体層に対して反射させることによりセンサ感度を向上させる機能がある。
【０００３】
遮光膜からの反射光の半導体層通過距離は、おおよそ入射時の膜厚ｔ＋反射時の膜厚ｔ＝２ｔである。光センサの感度は半導体層の膜厚に大きく依存する。しかしながら、半導体層はポリシリコンによって形成されているため、ポリシリコンへの結晶化プロセスの制約上、単純に厚膜化して感度を向上させることができない。
【０００４】
ポリシリコンによって形成された光センサにおいて、長波長側の感度を向上させる技術が従来提案されている。このような技術は特許文献１に開示されている。
【０００５】
特許文献１の技術は、具体的には、基板上に断面が台形状を有する略棒型に形成された凸部を所定間隔で複数配置し、その上層に、シリコン窒化膜、酸化シリコン膜、そして、ポリシリコン膜の順で配置している。光センサの表面からの入射光は、ポリシリコン膜の表面の傾斜によって回折する。そして、ポリシリコン膜と酸化シリコン膜との界面において反射し、ポリシリコン膜内で多重反射を繰り返す。これにより、小さい長波長の光線は徐々にポリシリコン膜に吸収させて、長波長の感度を向上させている。
【０００６】
また、特許文献１には、ポリシリコン膜の下面から抜ける光線を減らすため、シリコン窒化膜の下層に、新たに反射膜を設けることによって、長波長側の光の感度をさらに向上させることも開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２４７６８６（２００４年９月２日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の技術では、ポリシリコン膜に傾斜を持たせるために、上述した凸部の層を新たに設けなければならない。また、長波長の感度をさらに向上させるためには、反射膜もさらに設けなればならない。すなわち、必要な膜が増加してしまう。したがって、製造工程およびコストが増加してしまうという問題があった。
【０００８】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、新たな膜層を必要とせず光センサの感度を向上させる、光センサ素子製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（光センサ素子製造方法）
本発明に係る光センサ素子製造方法は、上記の課題を解決するために、
光源を有する表示パネルに配置される光センサ素子を製造する光センサ素子製造方法であって、
基板の上面に、エッチングレートのより遅い第１の遮光膜を蒸着させる第１の遮光膜蒸着ステップと、
上記第１の遮光膜の上面に、エッチングレートのより早い第２の遮光膜を蒸着させる第２の遮光膜蒸着ステップと、
上記蒸着された上記第２の遮光膜の上面にレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
上記レジストパターンをマスクとし、上記第１および第２の遮光膜に対してウェットエッチングを行うウェットエッチングステップと、
上記第２の遮光膜から上記レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離ステップと、
上記基板と上記第１および第２の遮光膜とを覆うようにベースコートを蒸着させるベースコート蒸着ステップと、
下層に上記第１および第２の遮光膜が配置されている上記ベースコートの上面に、中央に受光領域を有する半導体層を蒸着させる半導体層蒸着ステップとを含むことを特徴とする。
【００１０】
上記の構成によれば、本光センサ素子製造方法は、光源を有する表示パネルに配置される光センサ素子を製造する光センサ素子製造方法である。ここでいう表示パネルとは、たとえば、液晶パネルであり、光源とは、その液晶パネルのバックライトである。
【００１１】
また、上記の構成によれば、本光センサ素子製造方法は、基板の上面に、エッチングレートのより遅い第１の遮光膜を蒸着させる第１の遮光膜蒸着ステップと、上記第１の遮光膜の上面に、エッチングレートのより早い第２の遮光膜を蒸着させる第２の遮光膜蒸着ステップと、上記レジストパターンをマスクとし、上記第１および第２の遮光膜に対してウェットエッチングを行うウェットエッチングステップと含む。ここでいう遮光膜とは、アルミニウムなどの金属を材料とする膜である。基板とは、たとえば、上述した液晶パネルのガラス基板である。このガラス基板の上に遮光膜を配置することにより、上述したバックライトからの光を遮光することができる。さらに、エッチングレートが異なる遮光膜を重ねて蒸着することにより、これらの遮光膜に同時にウェットエッチングを行うことによって、遮光膜層の形状を変化させることができる。この場合、上層にあるエッチングレートのより早い遮光膜の幅は、下層の遮光膜より多く削られる。
【００１２】
さらに、本光センサ素子製造方法は、上記第２の遮光膜から上記レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離ステップとを含む。これにより、上記基板の上には、上層の幅が下層の幅より狭い遮光膜層が形成される。
【００１３】
さらに、本光センサ素子製造方法は、上記基板と上記第１および第２の遮光膜とを覆うようにベースコートを蒸着させるベースコート蒸着ステップと、下層に上記第１および第２の遮光膜が配置されている上記ベースコートの上面に、中央に受光領域を有する半導体層を蒸着させる半導体層蒸着ステップとを含む。ここでいうベースコートとは、たとえば酸化膜であり、光の反射性を有する。表示パネルの外部からの入射光は、ベースコートの表面において反射する。また、幅の狭い遮光膜が上方にあるため、ベースコートで覆うことにより、テーパー形状（上方が細い形状、好ましくは台形）の凸部を形成することができる。そして、本光センサ素子製造方法は、その上に中央に受光領域を有する半導体層を蒸着させる。ここでいう受光領域を有する半導体層とは、フォトダイオードである。
【００１４】
以上のように、本光センサ素子製造方法では、遮光膜層に傾斜を有するテーパー形状の凸部を形成することができる。これにより、表示パネルの外部からの入射光が当該凸部の傾斜に当たって反射するため、上記受光領域における長波長側の光量が増加する。すなわち、フォトダイオードの長波長側の光に対する感度を向上させることができる。このように、元々遮光膜および反射膜として使用している膜層の形状を変えることによって、半導体層の下層に凸部を設けていることから、新たに膜層を追加してそこに凸部を設けるための製造工程は必要ない。したがって、従来の光センサ素子製造方法に比べ、製造工程およびコストを削減できるという効果を奏する。
【００１５】
（その他の光センサ素子製造方法）
本発明に係る光センサ素子製造方法は、上記の課題を解決するために、
光源を有する表示パネルに配置される光センサ素子を製造する光センサ素子製造方法であって、
基板の上面に、遮光膜を蒸着させる遮光膜蒸着ステップと、
上記遮光膜の上面に、中央部の厚みが周辺部の厚みより薄いレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、
上記レジストパターンをマスクとし、上記遮光膜に対してウェットエッチングを行うウェットエッチングステップと、
上記レジストパターンの上記中央部がなくなるまでアッシングするアッシングステップと、
上記中央部がなくなったレジストパターンをマスクとし、上記遮光膜に対してドライエッチングを行うドライエッチングステップと、
上記遮光膜から上記中央部がなくなったレジストパターンを剥離するレジストパターン剥離ステップと、
上記基板と上記遮光膜とを覆うようにベースコートを蒸着させるベースコート蒸着ステップと、
下層に上記遮光膜が配置されている上記ベースコートの上面に、中央に受光領域を有する半導体層を蒸着させる半導体層蒸着ステップとを含むことを特徴とする。
【００１６】
上記の構成によれば、本光センサ素子製造方法は、本光センサ素子製造方法は、光源を有する表示パネルに配置される光センサ素子を製造する光センサ素子製造方法である。コ光源を有する表示パネルについては既に上述したとおりである。
【００１７】
また、上記の構成によれば、本光センサ素子製造方法は、基板の上面に、遮光膜を蒸着させる。ここでいう基板および遮光膜もすでに上述したとおりである。本光センサ素子製造方法では、利用する遮光膜は一枚である。
【００１８】
また、本光センサ素子製造方法は、上記遮光膜の上面に、中央部の厚みが周辺部の厚みより薄いレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、上記レジストパターンをマスクとし、上記遮光膜に対してウェットエッチングを行うウェットエッチングステップを含む。これにより、上記遮光膜の幅が、レジストパターンの幅とほぼ等しくなるまでエッチングすることができる。
【００１９】
また、本光センサ素子製造方法は、上記レジストパターンの上記中央部がなくなるまでアッシングするアッシングステップと、上記中央部がなくなったレジストパターンをマスクとし、上記遮光膜に対してドライエッチングを行うドライエッチングステップとを含む。ここで、上記アッシングにより、レジストパターンの中央部がなくなることから、上記遮光膜の上面に、２つのレジストパターンを形成することができる。さらに、上記ドライエッチングにより、上記遮光膜においてレジストパターンが形成されていない中央部のみエッチングすることができる。
【００２０】
また、本光センサ素子製造方法は、上記遮光膜から上記中央部がなくなったレジストパターンを剥離するレジストパターン剥離ステップを含む。これにより、上記基板の上には、上面に２つの凸部を有する遮光膜層が形成される。
【００２１】
さらに、本光センサ素子製造方法は、上記基板と上記遮光膜とを覆うようにベースコートを蒸着させるベースコート蒸着ステップと、下層に上記遮光膜が配置されている上記ベースコートの上面に、中央に受光領域を有する半導体層を蒸着させる半導体層蒸着ステップとを含む。ここでいうベースコートおよび受光領域を有する半導体層とは、既に上述したとおりである。本光センサ素子製造方法では、遮光膜層に２つの凸部が形成されているため、ベースコートで覆うことにより、テーパー形状（上方が細い形状、好ましくは台形）の凸部を２つ形成することができる。そして、本光センサ素子製造方法は、その上に中央に受光領域を有する半導体層を蒸着させる。
【００２２】
以上の工程により、本光センサ素子製造方法は、１光センサあたり、半導体層の下層にテーパー形状の遮光膜の凸部を２つ形成することができる。これにより、これら２つの凸部の間に凹部を形成することができる。表示パネルの外部からの入射光が当該凹部の傾斜に当たって反射するため、上記受光領域における長波長側の光量が増加する。したがって、フォトダイオードの長波長側の光に対する感度を向上させることができる。本光センサ素子製造方法も、上述した光センサ素子製造方法と同様に、元々遮光膜および反射膜として使用している膜層の形状を変えることによって、半導体層の下層に凸部を設けていることから、新たに膜層を追加してそこに凸部を設けるための製造工程は必要ない。したがって、従来の光センサ素子製造方法に比べ、製造工程およびコストを削減できるという効果を奏する。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本光センサ素子製造方法では、遮光膜層に傾斜を有するテーパー形状の凸部を形成することができる。これにより、表示パネルの外部からの入射光が当該凸部の傾斜に当たって反射するため、上記受光領域における長波長側の光量が増加する。すなわち、フォトダイオードの長波長側の光に対する感度を向上させることができる。このように、元々遮光膜および反射膜として使用している膜層の形状を変えることによって、半導体層の下層に凸部を設けていることから、新たに膜層を追加してそこに凸部を設けるための製造工程は必要ない。したがって、従来の光センサ素子製造方法に比べ、製造工程およびコストを削減できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
〔実施形態１〕
本発明に係る光センサ素子製造方法の第１の実施形態について、図１および２を参照して以下に説明する。図１は、本発明に係る第１の実施形態における光センサ素子製造方法の各工程（ａ）〜（ｇ）を示した図である。
【００２５】
まず、図１の（ａ）に示すように、ガラス基板１の上面に遮光膜２ａを蒸着させる。次に（ｂ）に示すように、遮光膜２ａの上面に遮光膜２ｂを蒸着させる。このとき、遮光膜２ａは遮光膜２ｂよりエッチングレートが早いものとする。ここでいう遮光膜とは、当該光センサ素子を配置する表示パネルが有するバックライトからの光を遮光する膜のことであり、さらに、表示パネル表面から入射する光を反射する反射膜としても機能する。これら遮光膜の材料はアルミニウムなどの金属であるがこれに限らない。上記の遮光膜および反射膜としての機能を兼ね備える材質であればよい。
【００２６】
つづいて、（ｃ）に示すように、遮光膜２ｂの上面に、レジストパターン３を形成する。ここでいうレジストとは、感光性有機物質でありフォトレジストと呼ばれるものである。
【００２７】
つづいて、（ｄ）に示すように、レジストパターン３をマスクとして、遮光膜２ａおよび遮光膜２ｂのそれぞれに対してウェットエッチングする。ウェットエッチングは、遮光膜２ａの幅がレジストパターン３の幅と等しくなるまで行う。（ｄ）の遮光膜２ｂのエッチングレートが、遮光膜２ａのエッチングレートより早いため、遮光膜２ｂの側面は遮光膜２ａの側面より多く削られる。（ｃ）および（ｄ）の工程は、フォトリソグラフィ法の技術に基づく、フォトエッチングと呼ばれるものである。
【００２８】
つづいて、（ｅ）に示すように、遮光膜２ｂからレジストパターン３を剥離する。
【００２９】
上記（ａ）から（ｅ）までの工程により、ガラス基板１の上に、遮光膜２ａは遮光膜２ｂにより形成された凸部（以下、遮光膜２の凸部と記載）が形成される。
【００３０】
つづいて、（ｆ）に示すように、ガラス基板１と遮光膜２の凸部とのそれぞれを共に覆うように、ベースコート４を蒸着させる。ここでいうベースコート４は、酸化膜である。ここで（ｆ）に示すように、遮光膜２の凸部覆うベースコート４の断面がテーパー形状（好ましくは台形）を有するように形成されていればよい。
【００３１】
そして、（ｇ）に示すように、中央に受光領域を有する半導体層５を、下層に遮光膜２の凸部が配置されているベースコートの上面に蒸着させる。ここで、半導体層５はポリシリコンによって形成されるものとする。
【００３２】
以上（ａ）から（ｇ）までの工程によって、半導体層５と下層のベースコート４との界面に傾斜を有する光センサ素子を製造することが可能である。
【００３３】
次に、当該光センサ素子における効果について、図２を参照して以下に説明する。
【００３４】
（光センサ素子の例１）
図２は、本発明に係る第１の実施形態における光センサ素子製造方法を用いて製造された光センサを配置したパネル２０の断面図である。パネル２０は、たとえば、液晶パネルである。
【００３５】
図２に示すように、ガラス基板１の上に、遮光膜２の凸部、ベースコート４の順にそれぞれが形成されている。ベースコート４の上には、フォトダイオード７が配置されている。フォトダイオード７は、既に上述した、中央に受光領域６を有する半導体層５から形成される。
【００３６】
パネル２０の表面には、カラーフィルタ９が配置されている。カラーフィルタ９を透過し、パネル２０に入射する入射光１０は、ベースコート４において反射し、受光領域６に入射する。このとき、ベースコート４の傾斜部分に当たった反射光１１の、半導体層５における通過距離は、ベースコート４に全く傾斜がない場合より長くなる。したがって、受光領域６における長波長側の光量が増加する。すなわち、フォトダイオード７の長波長側の光に対する感度を向上させることができる。
【００３７】
〔実施形態２〕
本発明に係る光センサ素子製造方法の２の実施形態について、図３を参照して以下に説明する。図３は、本発明に係る第２の実施形態における光センサ素子製造方法の各工程（ａ）〜（ｈ）を示した図である。本発明に係る第１の実施形態において説明した部材と共通する部材には同じ番号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００３８】
まず、図３の（ａ）に示すように、ガラス基板１の上面に遮光膜２を蒸着させる。
【００３９】
次に（ｂ）に示すように、遮光膜２の上面に、レジストパターン３を形成する。ここで形成するレジストパターン３は、この図に示すように、中央部の厚みが周辺部の厚みより薄くなるように（ハーフトーンマスクになるように）形成される。
【００４０】
つづいて、（ｃ）に示すように、レジストパターン３をマスクとして、遮光膜２に対してウェットエッチングする。ウェットエッチングは、遮光膜２の幅がレジストパターン３の幅と等しくなるまで行う。
【００４１】
つづいて、（ｄ）に示すように、レジストパターン３の中央部がなくなるまでアッシングする。
【００４２】
つづいて、（ｅ）に示すように、中央部がなくなったレジストパターン３をマスクとして、遮光膜２に対してドライエッチングする。これにより、遮光膜２の中央部が凹む。
【００４３】
つづいて、（ｆ）に示すように、遮光膜２からレジストパターン３を剥離する。
【００４４】
上記（ａ）から（ｆ）までの工程により、ガラス基板１の上に、遮光膜２により形成された凸部（以下、遮光膜２の凸部と記載）が２つ形成される。
【００４５】
つづいて、（ｇ）に示すように、ガラス基板１と遮光膜２の凸部とのそれぞれを共に覆うように、ベースコート４を蒸着させる。ここで（ｆ）に示すように、遮光膜２の凸部覆うベースコート４の断面がテーパー形状（好ましくは台形２つ）を有するように形成されていればよい。
【００４６】
つづいて、（ｈ）に示すように、中央に受光領域を有する半導体層５を、下層に遮光膜２の凸部が配置されているベースコートの上面に蒸着させる。
【００４７】
以上（ａ）から（ｈ）までの工程によって、半導体層５と下層のベースコート４との界
面に傾斜を有する光センサ素子を製造することが可能である。本実施形態では、第１の実施形態に係る光センサ素子製造方法を用いた場合に比べ、（ｄ）のアッシングと（ｅ）のドライエッチングとの工程が増える。しかしながら、遮光膜２の凸部が一度に２つ形成されるため、間に凹部を形成することができる。これにより、本実施形態に係る光センサ素子製造方法を用いて製造した光センサでは、半導体層５の中心部が凹む。
【００４８】
次に、当該光センサ素子における効果について、図４を参照して以下に説明する。
【００４９】
（光センサ素子の例２）
図４は、本発明に係る第２の実施形態における光センサ素子製造方法を用いて製造された光センサを配置したパネル２０の断面図である。図２と共通する部材には同じ番号を付し、詳細な説明を省略する。
【００５０】
図４に示すように、遮光膜２の２つの凸部により、その間に凹部が形成される。このため、絶縁膜８を介して配置されたフォトダイオード７の中心も下方に凹んで形成される。
【００５１】
カラーフィルタ９を透過し、パネル４０に入射する入射光１０は、遮光膜２に蒸着されたベースコート４（図示せず）において反射し、受光領域６に入射する。このとき、ベースコート４の傾斜（凹部を形成する内側の傾斜）に当たった反射光１１の、半導体層５に反射する光量はベースコート４に全く傾斜がない場合より多くなる。したがって、受光領域６における長波長側の光量が増加する。すなわち、長波長側の光に対する感度を第１の実施形態と同様に向上させることが可能である。
【００５２】
ここで、第２の実施形態における光センサ素子製造方法を用いて製造された光センサの構造について図５を参照し補足する。図５は、第２の実施形態における光センサ素子製造方法を用いて製造された光センサの上面図である。図５に示すように、ガラス基板１の上に、半導体層５が配置されており、半導体層５は受光領域６を有している。太い破線５０の付近は、受光領域６において、テーパー形状となっている部分、すなわち、傾斜を有する部分である。このように、各光センサには、四方に傾斜を有する受光領域６が配置されている。
【００５３】
（光センサ素子の例３）
図６は、図２および図４で示した光センサ素子とは異なる光センサ素子を配置したパネル６０の断面図である。図２と共通する部材には同じ番号を付し、詳細な説明を省略する。図６に示すように、遮光膜２には、複数の凸部が形成されている。このため、受光領域６における反射光１１の長波長側の光量は、図２に示したフォトダイオード７の場合よりも増加する。すなわち、フォトダイオード７の長波長側の光に対する感度を図２に示したフォトダイオード７に比べてより向上させることができる。本発明の第２の実施形態においては、遮光膜２において２つ凸部を形成したが、図６が示すように、凸部の数が増加するほど、フォトダイオード７の長波長側の光に対する感度をより向上させることができる。
【００５４】
上記のように、本発明に係る光センサ素子製造方法では、遮光膜２をエッチングすることにより、半導体層５の下層に傾斜を形成している。これにより、上述した効果を得ることができる。このように、遮光膜自体を加工し凸部を形成して傾斜を持たせていることから、新たな膜層を設けてそこに凸部を形成しなくてもよい。したがって、製造工程およびコストを削減することが可能である。
【００５５】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。当業者は、請求項に示した範囲内において、本発明をいろいろと変更できる。すなわち、請求項に示した範囲内において、適宜変更された技術的手段を組み合わせれば、新たな実施形態が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、光源を有する表示パネルにおいて、フォトダイオードを光センサとして搭載する際の光センサ素子製造方法として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係る第１の実施形態における光センサ素子製造方法の各工程を示した図である。
【図２】本発明に係る第１の実施形態における光センサ素子製造方法を用いて製造された光センサ素子を配置したパネルの断面図である。
【図３】本発明に係る第２の実施形態における光センサ素子製造方法の各工程を示した図である。
【図４】本発明に係る第２の実施形態における光センサ素子製造方法を用いて製造された光センサ素子を配置したパネルの断面図である。
【図５】本発明に係る第２の実施形態における光センサ素子製造方法を用いて製造された光センサ素子の上面図である。
【図６】図２および図４で示した光センサ素子とは異なる光センサ素子を配置したパネルの断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１    ガラス基板（基板）
２    遮光膜
３    レジストパターン
４    ベースコート
５    半導体層
６    受光領域
７    フォトダイオード
８    絶縁膜
９    カラーフィルタ
１０    入射光
１１    反射光
２０、４０、６０    パネル（表示パネル）
【図１】
2010129882.tif 000003
【図２】
2010129882.tif 000004
【図３】
2010129882.tif 000005
【図４】
2010129882.tif 000006
【図５】
2010129882.tif 000007
【図６】
2010129882.tif 000008