(57)【要約】【課題】  伸縮性を有する基板の伸縮状態を高精度に測定する。【解決手段】  伸縮測定装置は、可撓性を有する基板を該基板の表面に沿って移送する移送部と、基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて基板に形成され基板の移送にともない該基板の移送経路上の第１及び第２検出領域内にそれぞれ移動された第１及び第２マークを検出する検出部と、第１及び第２検出領域間の移送経路に沿った基板の長さを基準長さに設定する基板長さ設定部と、第１及び第２マークの検出結果に基づいて基板の移送方向に関する伸縮情報を導出する導出部と、を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
伸縮性を有する基板を該基板の表面に沿って移送することと、
前記基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて前記基板に形成されて、前記基板の移送にともない該基板の移送経路上の第１及び第２検出領域内にそれぞれ移動された第１及び第２マークを検出することと、
前記第１及び第２検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板の長さを基準長さに設定することと、
前記第１及び第２マークの検出結果に基づいて前記基板の前記移送方向に関する伸縮情報を導出することと、
を含む伸縮測定方法。
【請求項２】
前記基準長さに設定することは、前記第１及び第２検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を、前記第１及び第２検出領域から所定距離に設けられた支持部材に掛け渡すことを含む請求項１に記載の伸縮測定方法。
【請求項３】
前記基準長さに設定することは、前記第１及び第２検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を前記支持部材に掛け渡して折り返すことを含む請求項２に記載の伸縮測定方法。
【請求項４】
前記基準長さに設定することは、前記基板のうち前記支持部材によって折り返された部分より前記移送方向に下流側の既折返部分と上流側の未折返部分とを近接させることを含み、
前記第１検出領域と前記第２検出領域とは、近接された前記既折返部分と前記未折返部分とにそれぞれ対応して設定される請求項３に記載の伸縮測定方法。
【請求項５】
前記支持部材は、前記第１及び第２検出領域からほぼ等距離に設けられたことを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
【請求項６】
前記基準長さは、前記所定間隔の整数倍の長さにほぼ等しい請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
【請求項７】
前記基準長さに設定することは、前記第１及び第２検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を該移送方向に垂直な所定軸回りに回転可能な回転部材の外周面に掛け渡すことを含み、
前記基準長さは、前記外周面の前記所定軸回りの長さの整数倍に等しい請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
【請求項８】
前記第１及び第２マークを検出することは、前記第１及び第２マークの各位置情報を検出することを含み、
前記伸縮情報を導出することは、前記各位置情報に基づいて前記伸縮情報を導出することを含む請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
【請求項９】
前記第１及び第２マークを検出することは、前記第１マーク及び前記第２マークを短時間照明して撮像した画像に基づいて前記第１マークと前記第２マークとの位置関係を検出することを含む請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２マークは、該第１及び第２マークの移動方向が識別可能に形成されたマークを含む請求項９に記載の伸縮測定方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２マークを検出することは、前記第１及び第２マークの各像を共通の撮像装置によって検出することを含む請求項９又は請求項１０に記載の伸縮測定方法。
【請求項１２】
前記第１及び第２マークを検出することは、前記第１マークの像と前記第２マークの像とを前記共通の撮像装置に対して相対的に反転させることを含む請求項１１に記載の伸縮測定方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２マークは、格子状マークであり、
前記第１及び第２マークを検出することは、前記第１マークからの複数の回折光を干渉させた第１干渉信号と前記第２マークからの複数の回折光を干渉させた第２干渉信号とに基づいて前記第１マークと前記第２マークとの位置関係を検出することを含む請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
【請求項１４】
前記格子状マークは、前記移送方向に対して傾斜した格子要素が前記移送方向に配列されたマークを含む請求項１３に記載の伸縮測定方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の伸縮測定方法を用いて導出された前記伸縮情報に基づいて前記基板の長さを前記移送方向に変化させ、該基板に対して所定処理を行うことを含む基板処理方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の伸縮測定方法を用いて導出された前記伸縮情報に基づいて、前記基板に対する所定処理に関する補正情報を算出することと、
前記補正情報に基づいて前記所定処理に関する情報を補正し、前記基板に対して該所定処理を行うことと、
を含む基板処理方法。
【請求項１７】
前記所定処理は、前記基板にパターンを形成する処理を含む請求項１５又は請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
伸縮性を有する基板を該基板の表面に沿って移送する移送部と、
前記基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて前記基板に形成されて、前記基板の移送にともない該基板の移送経路上の第１及び第２検出領域内にそれぞれ移動された第１及び第２マークを検出する検出部と、
前記第１及び第２検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板の長さを基準長さに設定する基板長さ設定部と、
前記第１及び第２マークの検出結果に基づいて前記基板の前記移送方向に関する伸縮情報を導出する導出部と、
を備える伸縮測定装置。
【請求項１９】
前記基板長さ設定部は、前記第１及び第２検出領域から所定距離に設けられ、前記第１及び第２検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を掛け渡す支持部材を有する請求項１８に記載の伸縮測定装置。
【請求項２０】
前記基板長さ設定部は、前記第１及び第２検出領域間の前記移送経路に沿った前記基板を前記支持部材に掛け渡して折り返す請求項１９に記載の伸縮測定装置。
【請求項２１】
前記基板長さ設定部は、前記基板のうち前記支持部材によって折り返された部分より前記移送方向に下流側の既折返部分と上流側の未折返部分とを近接させ、
前記第１検出領域と前記第２検出領域とは、近接された前記既折返部分と前記未折返部分とにそれぞれ対応して設定される請求項２０に記載の伸縮測定装置。
【請求項２２】
前記支持部材は、前記第１及び第２検出領域からほぼ等距離に設けられる請求項１９から請求項２１のいずれか一項に記載の伸縮測定装置。
【請求項２３】
前記基板長さ設定部は、前記基板が前記支持部材に接する長さを増やす未折返部分側の往路副支持部材と既折返部分側の復路副支持部材とを有し、前記導出部が導出した伸縮情報に基づいて、前記支持部材、前記往路副支持部材及び前記復路副支持部材の少なくとも１つを前記基板の張力を変更する方向に移動させる請求項２１又は請求項２２に記載の伸縮測定装置。
【請求項２４】
前記基準長さは、前記所定間隔の整数倍の長さにほぼ等しい請求項１８から請求項２３のいずれか一項に記載の伸縮測定装置。
【請求項２５】
前記検出部は、
前記第１マーク及び前記第２マークの短時間照明が可能な照明部と
前記照明部によって照明された前記第１マーク及び前記第２マークを撮像する撮像部と、
を有する請求項１８から請求項２４に記載の伸縮測定装置。
【請求項２６】
前記第１及び第２マークは、格子状マークであり、
前記検出部は、
前記第１マーク及び前記第２マークを照明する照明部と
前記第１マークからの複数の回折光と前記第２マークからの複数の回折光とをそれぞれ干渉させて第１干渉信号及び第２干渉信号を受光する受光部と、
を有する請求項１８から請求項２４に記載の伸縮測定装置。
【請求項２７】
請求項１８から請求項２６のいずれか一項に記載の伸縮測定装置と、
前記伸縮情報に基づいて前記基板の長さを前記移送方向に変化させ、該基板に対して所定処理を行う加工処理部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２８】
請求項１８から請求項２６のいずれか一項に記載の伸縮測定装置と、
前記伸縮情報に基づいて、前記基板に対する所定処理に関する補正情報を算出する補正情報算出部と、
前記補正情報に基づいて前記所定処理に関する情報を補正し、前記基板に対して該所定処理を行う加工処理部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２９】
前記所定処理は、前記基板にパターンを形成する処理を含む請求項２７又は請求項２８に記載の基板処理装置。
【請求項３０】
請求項１５から請求項１７のいずれか一項に記載の基板処理方法を用いて前記基板に所定処理を行うことと、
前記所定処理が行われた前記基板を該所定処理の結果に基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項３１】
請求項２７から請求項２９のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて前記基板に所定処理を行うことと、
前記所定処理が行われた前記基板を該所定処理の結果に基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項３２】
回転ドラムに掛け渡されて移送されながら、回転ドラムと対向して配置された処理装置による処理にかけられる長尺部材の伸縮を測定する方法であって、
前記長尺部材の長手方向に所定間隔で複数のマークを形成することと、
前記長尺部材の回転ドラムに送り込まれる部分に付された第１マークと回転ドラムから送り出された部分に付された第２マークを同時に検出することと、
前記検出された第１及び第２マークの相対位置から前記長尺部材の伸縮に関する情報を求めることと、
を含む長尺部材の伸縮測定方法。
【請求項３３】
前記長尺部材の回転ドラムに送り込まれる部分と前記回転ドラムから送り出された部分を互いに平行に配置させること含む請求項３２に記載の伸縮測定方法。
【請求項３４】
第１マークと第２マークを、前記長尺部材の移送経路において、前記回転ドラムに対して所定の位置で同時に検出する請求項３２または３３に記載の伸縮測定方法。
【請求項３５】
前記所定位置は、前記マークの所定間隔と、前記所定の位置及び回転ドラムの距離とに基づいて設定されている請求項３４に記載の伸縮測定方法。
【請求項３６】
前記所定位置で第１マークと第２マークからの光をそれぞれを検出する請求項３４または３５に記載の伸縮測定方法。
【請求項３７】
第１マークと第２マークからの光が、反射光または回折光である請求項３６に記載の伸縮測定方法。
【請求項３８】
前記所定位置で第１マーク及び第２マークの一方からの光を、第１マーク及び第２マークの他方が付された長尺部材の部分を通過させて検出する請求項３７に記載の伸縮測定方法。
【請求項３９】
前記処理装置が、液滴塗布装置、加熱装置及び光照射装置の少なくとも一つである請求項３２から３８のいずれか一項に記載の伸縮測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伸縮性を有する基板の伸縮情報の測定技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置として、液晶又は有機ＥＬなどを利用した表示媒体が広く用いられている。例えば有機ＥＬ表示デバイスの製造においては、電極層や有機化合物層のパターニング方法として、シャドウマスクを介して有機化合物を蒸着する方法やインクジェットにより有機化合物を塗布する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許７１０８３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、有機ＥＬ表示デバイスを製造する際には、例えば塗布された可溶性のある材料が熱により乾燥させられる。このため、パターンニングされる基板が熱変形することがある。したがって、基板に対し高精度な加工を行うためには、基板の長さを高精度に管理することが重要である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明の態様は、伸縮性を有する基板の伸縮情報を高精度に求めることができる伸縮測定技術、基板処理技術及びデバイス製造技術を提供することを目的とする。
本発明の第１の態様に従えば、伸縮性を有する基板を該基板の表面に沿って移送することと、基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて基板に形成されて、基板の移送にともない該基板の移送経路上の第１及び第２検出領域内にそれぞれ移動された第１及び第２マークを検出することと、第１及び第２検出領域間の移送経路に沿った基板の長さを基準長さに設定することと、第１及び第２マークの検出結果に基づいて基板の移送方向に関する伸縮情報を導出することと、を含む伸縮測定方法が提供される。
本発明の第２の態様に従えば、回転ドラムに掛け渡されて移送されながら、回転ドラムと対向して配置された処理装置による処理にかけられる長尺部材の伸縮を測定する方法であって、前記長尺部材の長手方向に所定間隔で複数のマークを形成することと、前記長尺部材の回転ドラムに送り込まれる部分に付された第１マークと回転ドラムから送り出された部分に付された第２マークを同時に検出することと、前記検出された第１及び第２マークの相対位置から前記長尺部材の伸縮に関する情報を求めることと、を含む長尺部材の伸縮測定方法が提供される。
【０００６】
本発明の第３の態様に従えば、本発明の第１の態様に従う伸縮測定方法を用いて導出された伸縮情報に基づいて基板の長さを前記移送方向に変化させ、該基板に対して所定処理を行うことを含む基板処理方法が提供される。
本発明の第４の態様に従えば、本発明の第３の態様に従う基板処理方法を用いて基板に所定処理を行うことと、所定処理が行われた基板をその所定処理の結果に基づいて加工することとを含むデバイス製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第５の態様に従えば、伸縮性を有する基板を該基板の表面に沿って移送する移送部と、基板の移送方向に沿って所定間隔を隔てて基板に形成されて、基板の移送にともない該基板の移送経路上の第１及び第２検出領域内にそれぞれ移動された第１及び第２マークを検出する検出部と、第１及び第２検出領域間の移送経路に沿った基板の長さを基準長さに設定する基板長さ設定部と、第１及び第２マークの検出結果に基づいて基板の移送方向に関する伸縮情報を導出する導出部と、を備える伸縮測定装置が提供される。
【０００８】
本発明の第６の態様に従えば、本発明の第５の態様に従う伸縮測定装置と、伸縮測定装置によって導出した伸縮情報に基づいて基板の長さを前記移送方向に変化させ、該基板に対して所定処理を行う加工処理部と、を備える基板処理装置が提供される。
本発明の第７の態様に従えば、本発明の第６の態様に従う基板処理装置を用いて基板に所定処理を行うことと、所定処理が行われた基板をその所定処理の結果に基づいて加工することとを含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の態様によれば、伸縮性を有する基板の伸縮情報を高精度に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明にかかる基板処理装置としての製造装置１００の構成を示した概略図である。
【図２】本発明の伸縮測定装置としての位置検出装置６０の構成を示す概略側面図である。
【図３】（ａ）は長尺基板ＦＢに形成された第１アライメントマークＡＭ１を示した平面図である。  （ｂ）は第１光学検出器７０の受光部７５で撮像された画像の例である。
【図４】（ａ）は別の第２アライメントマークＡＭ２を示した長尺基板ＦＢの平面図である。  （ｂ）は第１光学検出器７０の受光部７５で撮像された画像の例である。
【図５Ａ】（ａ）は第２光学検出器８０を使った位置検出装置６０Ａを示した概略側面図である。
【図５Ｂ】（ｂ）は格子状マークとしての第３アライメントマークＡＭ３を示した平面図である。（ｃ）は第２光学検出器８０の第２受光部８８で撮像された画像の例である。
【図６】各基準格子からの信号出力を示した例である。
【図７】第３光学検出器９０を使った位置検出装置６０Ｂを示した概略斜視図である。
【図８】（ａ）は第３光学検出器９０の拡大斜視図である。（ｂ）は第３光学検出器９０の第３受光部９８で撮像された画像の例である。
【図９】主ドラム６１及び液滴塗布装置２１をＺ軸方向から見た平面図である。
【図１０】実施形態の製造装置を用いて長尺基板ＦＢに形成される有機ＥＬ表示デバイス５０の平面的な概略回路配置を示す平面図である。
【図１１】薄膜トランジスタの製造工程に含まれる基板の伸縮測定方法の概要を示すフローチャートである。
【図１２】有機ＥＬ表示デバイスの製造プロセスの概要を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜＜薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造装置＞＞
図１は、可撓性を有する長尺のシート状基板ＦＢ（以下、長尺基板ＦＢと呼ぶ。）を処理する基板処理装置として、長尺基板ＦＢに薄膜トランジスタなどを形成して有機ＥＬ表示デバイスを製造する製造装置１００の構成を示した概略図である。図１では、薄膜トランジスタの製造工程に関する部分のみ示し、有機ＥＬ表示デバイスの発光層の製造工程（及び発光層形成部）は割愛している。
【００１２】
有機ＥＬ表示デバイスの製造においては、表示画素ごとに薄膜トランジスタを基板上を形成する必要がある。その基板上の画素電極上に発光層を含む１以上の有機化合物層（発光素子層）を精度良く形成するために、画素電極の境界領域に隔壁ＢＡ（図３参照）を精度良く形成する必要がある。
【００１３】
製造装置１００は、横方向に延在する移送路Ｔ上で長尺基板ＦＢを移送する。製造装置１００は、移送路Ｔの上流側から下流に、隔壁形成部、電極形成部、及び発光層形成部をこの順で備える。電極形成部及び発光層形成部では精密な処理を行うために、正確に長尺基板ＦＢの位置情報及び伸縮情報を取得しておく必要がある。長尺基板ＦＢは例えば幅が１ｍ、長さが１００ｍ、厚さが１ｍｍ以下であり、収納時にはロール状に巻かれている。長尺基板ＦＢは、可撓性で且つ光透過性の材料から形成することができ、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）などのプラスチックから形成されている。
【００１４】
製造装置１００は、移送路Ｔの上流に、長尺基板ＦＢがロール状に巻かれた供給ローラＲＬが設置される。供給ローラＲＬを所定速度で回転させることで、長尺基板ＦＢが移送路Ｔの下流に送り出される。また、製造装置１００は、複数個所に移送ローラＲＲを備えており、この移送ローラＲＲが回転することによって、長尺基板ＦＢが所定のテンションをもった状態で移送路Ｔ上に送られる。移送ローラＲＲは長尺基板ＦＢを両面から挟み込むゴムローラであってもよい。なお、長尺基板ＦＢが移送される移送方向をＸ方向とする。移送される長尺基板ＦＢの長手方向がＸ方向に相当し、移送される長尺基板ＦＢの幅方向をＹ方向とし、移送される長尺基板ＦＢの表面と垂直な方向をＺ方向とする。
【００１５】
また、製造装置１００は、供給ローラＲＬ及び移送ローラＲＲの速度制御等、製造装置１００における各部の制御や各種情報の処理を行う主制御部ＭＡを備えている。
【００１６】
＜隔壁形成部＞
供給ローラＲＬから送り出された長尺基板ＦＢは、最初に長尺基板ＦＢに隔壁ＢＡを形成する隔壁形成部ＮＩに入る。隔壁形成部ＮＩでは、インプリントローラ１１で長尺基板ＦＢを押圧し、これによって形成された隔壁ＢＡが形状を保つように熱転写ローラ１５で長尺基板ＦＢをその転移点（例えばガラス転移点）以上に熱する。このようにして隔壁形成部ＮＩでは、インプリントローラ１１のローラ表面に形成されたパターン形状が長尺基板ＦＢに精度よく転写される。
【００１７】
インプリントローラ１１のローラ表面は鏡面仕上げされており、そのローラ表面にＳｉＣ、Ｔａなどの材料で構成された微細インプリント用のモールド１３が取り付けられている。モールド１３は、薄膜トランジスタの配線用のスタンパー部を有している。また、長尺基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向の片側又は両側に基準マークであるアライメントマークＡＭ（図３参照）を形成するため、モールド１３は、アライメントマークＡＭ用のスタンパー部を有している。アライメントマークＡＭを形成するスタンパー部は、インプリントローラ１１の表面の周方向に所定間隔で複数設けられている。これにより、インプリントローラ１１が回転することで、長尺基板ＦＢの長手方向に等しい間隔で複数のアライメントマークＡＭが長尺基板ＦＢ上に形成される。
【００１８】
＜電極形成部＞
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としては、無機半導体系のものでも有機半導体を用いたものでも良い。有機半導体を用いて薄膜トランジスタを構成すれば、印刷技術や液滴塗布技術を活用して薄膜トランジスタを形成できる。
【００１９】
製造装置１００は、電極形成部として、ゲート電極形成部ＧＴ、絶縁層形成部ＩＳ、ソースドレイン電極形成部ＳＤ、チャネル長形成部ＣＬ、及び有機半導体形成部ＯＳが移送路Ｔの下流に向かって設けられている。電極形成部では、チャネル長形成部ＣＬを除き液滴塗布装置２１が使用される。液滴塗布装置２１は、インクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。インクジェット方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。液滴塗布法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できる。
【００２０】
＜ゲート電極形成部＞
製造装置１００は、隔壁形成部ＮＩの下流にゲート電極形成部ＧＴが配置される。ゲート電極形成部ＧＴには、位置検出装置６０、液滴塗布装置２１及び熱処理装置ＢＫが移送路ＴからＺ方向に離れて、すなわち、移送路Ｔからオフセットして配置される。位置検出装置６０は第１光学検出器７０、主ドラム６１、往路側の往路副ドラム６３及び復路側の復路副ドラム６５を備える。主ドラム６１もまた、移送路ＴからＺ方向に離れた位置に設けられており、液滴塗布装置２１は主ドラム６１に対して移送路Ｔの反対側に設けられている。
【００２１】
第１光学検出器７０は長尺基板ＦＢに形成されたアライメントマークＡＭ（図３及び図４参照）を検出する。また、支持部材である主ドラム６１は、長尺基板ＦＢの移送方向に対して垂直な軸回りに回転可能であり、長尺基板ＦＢは、主ドラム６１に掛け渡されることで折り返して移送される。主ドラム６１によって折り返された長尺基板ＦＢには、液滴塗布装置２１によるメタルインクの塗布領域が形成されている。往路副ドラム６３は、Ｘ軸方向に移送されてくる長尺基板ＦＢを＋Ｚ軸方向に向けるための補助支持部材である。復路副ドラム６５は、主ドラム６１を介して−Ｚ軸方向に移送されてくる長尺基板ＦＢをＸ軸方向に向けるための補助支持部材である。このように、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５によって、移送路ＴをＸ方向に移送されている長尺基板ＦＢが液滴塗布装置２１に向かって移動し、液滴塗布装置２１、熱処理装置ＢＫ及び位置検出装置６０を通過した後に、再び移送路Ｔに戻るように進行方向が調整される。すなわち、ゲート電極形成部ＧＴでは、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５によってゲート電極形成部ＧＴ内での副移送路（移送経路）ＴＧＴが区画され、この副移送路の上流から下流に向かって液滴塗布装置２１、熱処理装置ＢＫ及び位置検出装置６０がこの順で設けられている。また、長尺基板ＦＢは、主ドラム６１の周囲（の一部）に掛け渡されることによって、主ドラム６１によりテンションがかけられて支持されつつ、液滴塗布装置２１から液滴が堆積される。
【００２２】
位置検出装置６０は、第１光学検出器７０の検出結果に基づいて、長尺基板ＦＢのＹ軸方向のずれと、長尺基板ＦＢの伸縮量とを検出することができる。この検出結果は主制御部ＭＡに送られる。なお、位置検出装置６０の詳細については後述する。
【００２３】
ゲート電極形成部ＧＴに配置された液滴塗布装置２１は、ゲート電極用のメタルインクを長尺基板ＦＢに塗布する。位置検出装置６０から送られた検出結果に基づいて、主制御部ＭＡが液滴塗布装置２１にメタルインクを塗布するタイミングを指示する。そして、長尺基板ＦＢに塗布されたメタルインクは熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などによりメタルインクを乾燥又は焼成（ベーキング）させる。これらの処理で、ゲート電極が形成される。
【００２４】
＜絶縁層形成部＞
次に、長尺基板ＦＢは、ゲート電極形成部ＧＴから絶縁層形成部ＩＳに移送される。絶縁層形成部ＩＳにも、位置検出装置６０、液滴塗布装置２１及び熱処理装置ＢＫが移送路ＴからＺ方向にそれぞれオフセットされて配置される。絶縁層形成部ＩＳにも、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５が設けられ、それらによって、長尺基板ＦＢが、液滴塗布装置２１に向かって進行して、液滴塗布装置２１、熱処理装置ＢＫ及び位置検出装置６０を通過した後に、再び移送路Ｔに戻るように進行方向が調整される。すなわち、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５によって、絶縁層形成部ＩＳ内に副移送路ＴＩＳが区画されている。長尺基板ＦＢは、主ドラム６１の周囲（の一部）に掛け渡されることによって、主ドラム６１によりテンションがかけられて支持されつつ液滴塗布装置２１から液滴が堆積される。位置検出装置６０は、ゲート電極形成部ＧＴの位置検出装置６０と同様であり、後述する。絶縁層用の液滴塗布装置２１は、メタルインクを塗布する代わりに、ポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクを長尺基板ＦＢに塗布する。位置検出装置６０から送られた検出結果に基づいて、主制御部ＭＡが液滴塗布装置２１に電気絶縁性インクを塗布するタイミングを指示する。そして、熱処理装置ＢＫで電気絶縁性インクを乾燥し硬化させる。これらの処理で、ゲート電極の絶縁層が形成される。
【００２５】
＜ソースドレイン電極形成部＞
次に、長尺基板ＦＢは、絶縁層形成部ＩＳからソースドレイン電極形成部ＳＤに移送される。ソースドレイン電極形成部ＳＤも、位置検出装置６０、液滴塗布装置２１及び熱処理装置ＢＫが移送路ＴからＺ方向にそれぞれオフセットされて配置される。ソースドレイン電極形成部ＳＤにも、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５が設けられ、それらによって、長尺基板ＦＢが、液滴塗布装置２１に向かって進行して、液滴塗布装置２１、熱処理装置ＢＫ及び位置検出装置６０を通過した後に、再び移送路Ｔに戻るように進行方向が調整される。すなわち、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５によって、ソースドレイン電極形成部ＳＤ内に副移送路ＴＳＤが区画されている。長尺基板ＦＢは、主ドラム６１の周囲（の一部）に掛け渡されることによって、主ドラム６１によりテンションがかけられて支持されつつ液滴塗布装置２１から液滴が堆積される。ソースドレイン用の液滴塗布装置２１は、ゲート電極を形成するときと同様に、メタルインクを塗布する。位置検出装置６０から送られた検出結果に基づいて、主制御部ＭＡが液滴塗布装置２１にメタルインクを塗布するタイミングを指示する。そして、熱処理装置ＢＫでメタルインクを乾燥し硬化させる。これらの処理で、ソースドレイン電極が形成される。
【００２６】
なお、ソースドレイン電極形成部ＳＤにおいて、ソース電極とドレイン電極とが導通した状態で形成されている。ソース電極とドレイン電極との間隔、すなわちチャネル長に相当する間隔は、３μｍから３０μｍぐらいの細い幅であるため液滴塗布装置２１からメタルインクを塗布しただけでは正確な幅のチャネル長を形成することが困難である。したがって、ソースドレイン電極形成部ＳＤでは、ソース電極とドレイン電極とがつながった電極が形成される。
【００２７】
＜チャネル長形成部＞
ソースドレイン電極形成部ＳＤではソース電極とドレイン電極とがつながった電極が形成されたため、チャネル長形成部ＣＬは、その電極を切断しチャネル長を形成する。長尺基板ＦＢは、ソースドレイン電極形成部ＳＤからチャネル長形成部ＣＬに移送される。チャネル長形成部ＣＬは、位置検出装置６０及び切断装置３１が移送路ＴからＺ方向にそれぞれオフセットされて配置される。チャネル長形成部ＣＬでも、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５が設けられ、それらによって、長尺基板ＦＢが、切断装置３１に向かって進行して、切断装置３１及び位置検出装置６０を通過した後に、再び移送路Ｔに戻るように進行方向が調整される。すなわち、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５によって、チャネル長形成部ＣＬ内に副移送路ＴＣＬが区画されている。位置検出装置６０は、ゲート電極形成部ＧＴの位置検出装置６０と同様であり、後述する。切断装置３１は例えばフェムト秒レーザーが使われ、互いにつながったソース電極とドレイン電極とを切断する。チタンサファイアレーザーを使ったフェムト秒レーザーは、７６０ｎｍ波長のレーザー光ＬＬを１０ＫＨｚから４０ＫＨｚのパルスで照射する。レーザー光ＬＬの光路に配置されるガルバノミラー（不図示）が回転することにより、レーザー光ＬＬの照射位置が変化する。すなわち、長尺基板ＦＢは、主ドラム６１の周囲（の一部）に掛け渡されることによって、主ドラム６１によりテンションがかけられて支持されつつ切断装置３１によりソース電極とドレイン電極が分離される。
【００２８】
切断装置３１は、サブミクロンオーダの切断加工が可能であり、これによってソース電極とドレイン電極とが高精度に分離される。なお、フェムト秒レーザー以外に、炭酸ガスレーザー又はグリーンレ−ザーなどを使用することも可能である。また、レーザー以外にもダイシングソーなどで機械的に切断してもよい。
【００２９】
＜有機半導体形成部＞
次に、長尺基板ＦＢは、チャネル長形成部ＣＬから有機半導体形成部ＯＳに移送される。有機半導体形成部ＯＳも、位置検出装置６０、液滴塗布装置２１及び熱処理装置ＢＫが移送路ＴからＺ方向にそれぞれオフセットされて配置される。有機半導体形成部ＯＳでも、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５が設けられ、それらによって、長尺基板ＦＢが液滴塗布装置２１に向かって進行して、液滴塗布装置２１、熱処理装置ＢＫ及び位置検出装置６０を通過した後に、再び移送路Ｔに戻るように進行方向が調整される。すなわち、主ドラム６１、往路副ドラム６３及び復路副ドラム６５によって、有機半導体形成部ＯＳ内に副移送路ＴＯＳが区画されている。有機半導体用の液滴塗布装置２１は、ソース電極とドレイン電極との間のチェネル長に有機半導体インクを塗布する。位置検出装置６０から送られた検出結果に基づいて、主制御部ＭＡが液滴塗布装置２１に有機半導体インクを塗布するタイミングを指示する。そして、熱処理装置ＢＫで有機半導体インクを乾燥し硬化させる。これらの処理で、有機半導体が形成される。
【００３０】
主制御部ＭＡは、複数の位置検出装置６０からアライメントマークＡＭの検出結果（後述する伸縮情報等）を受け取り、液滴塗布装置２１によるインクの塗布位置とタイミング、切断装置３１の切断位置及びタイミングを制御する。
【００３１】
＜位置検出装置＞
図２は、本発明の伸縮測定装置としての位置検出装置６０の構成を示す概略側面図である。
位置検出装置６０の主ドラム６１は、不図示のステッピングモータ又はサーボモータによって回転するように構成されている。また主ドラム６１は往路副ドラム６３又は復路副ドラム６５と比べて大きな直径のドラムである。主ドラム６１上の長尺基板ＦＢに対して液滴の塗布などの処理を行うため、その処理領域における長尺基板ＦＢの曲率をある程度緩和する必要があり、これに応じて主ドラム６１の直径は大きい方が好ましい。また主ドラム６１の円周は、例えば、複数のアライメントマークＡＭの間隔（ピッチ）の整数倍の長さに設定される。
【００３２】
往路副ドラム６３は、Ｘ軸方向に移送される長尺基板ＦＢをＺ軸方向に向けるため、図２に示すように、例えば３つのドラム、すなわち第１往路副ドラム６３Ａ、第２往路副ドラム６３Ｂ及び第３往路副ドラム６３Ｃを有している。なお、往路副ドラム６３を構成するドラムの数に制限はない。
【００３３】
復路副ドラム６５は、Ｚ軸方向に移送される長尺基板ＦＢをＸ軸方向に向けるため、図２に示すように、例えば３つのドラム、すなわち第１復路副ドラム６５Ａ、第２復路副ドラム６５Ｂ及び第３復路副ドラム６５Ｃを有している。なお、復路副ドラム６５を構成するドラムの数に関しても制限はない。
【００３４】
第３往路副ドラム６３Ｃ及び第３復路副ドラム６５Ｃは、長尺基板ＦＢが主ドラム６１に十分に接するように、主ドラム６１の近くに配置されている。この第３往路副ドラム６３Ｃは、このドラムの軸方向であるＹ軸方向に移動することができる。第１往路副ドラム６３ＡはＸ軸方向から移送されてくる長尺基板ＦＢをＺ軸方向に対して所定角度（例えば４５度）傾け、第２往路副ドラム６３Ｂは所定角度傾いた長尺基板ＦＢをＺ軸方向に向ける。第２復路副ドラム６５ＢはＺ軸方向から移送されてくる長尺基板ＦＢをＸ軸方向に対して所定角度（例えば４５度）傾け、この所定角度傾いた長尺基板ＦＢを第１復路副ドラム６５ＡがＸ軸方向に向けて移送する。
【００３５】
第２往路副ドラム６３Ｂ及び第３往路副ドラム６３ＣはＸ軸方向に同じ位置に配置され、第２復路副ドラム６５Ｂ及び第３復路副ドラム６５ＣもＸ軸方向に同じ位置に配置されている。このため、第２往路副ドラム６３Ｂ及び第３往路副ドラム６３Ｃで移送される未折返部分（すなわち、主ドラム６１によって折り返し移送されていない部分）の長尺基板ＦＢと、第２復路副ドラム６５Ｂ及び第３復路副ドラム６５Ｃで移送される既折返部分（すなわち、主ドラム６１によって折り返し移送された部分）の長尺基板ＦＢとが平行に且つ近接して移送される。例えば未折返部分の長尺基板ＦＢと既折返部分の長尺基板ＦＢとの間隔は、０．１ｍｍから３ｍｍ程度である。なお、この未折返部分の長尺基板ＦＢと既折返部分の長尺基板ＦＢとを狭い間隔で保持するために、長尺基板ＦＢ間に空気を注入して正圧を生じさせる機構を設けてもよい。
【００３６】
テンションローラ６７は、主ドラム６１と第３往路副ドラム６３Ｃとの間に配置されている。テンションローラ６７にはリニア駆動部６８が設けられている。リニア駆動部６８がＸ軸方向に移動することによって、テンションローラ６７から長尺基板ＦＢへ付加されるテンションが変更可能とされている。
【００３７】
＜第１光学検出器の構成＞
第１光学検出器７０は照明部７１と対物レンズ部７３と受光部（撮像部）７５とを含んで構成される。照明部７１はＬＥＤ等の半導体光源又はストロボ装置などの短時間照明が可能な光源装置を有している。照明部７１は１０μ秒から１ｍ秒程度のパルス発光が可能である。対物レンズ部７３は、主ドラム６１に対して上流側（すなわち、往路側）の長尺基板ＦＢと下流側（すなわち、復路側）の長尺基板ＦＢとに焦点を合わせることが可能な二重焦点光学系又は焦点深度が深い光学系である。対物レンズ部７３は、主ドラム６１で折り返されていない未折返部分の長尺基板ＦＢに対する第１検出領域ＤＡ１と、主ドラム６１で折り返された既折返部分の長尺基板ＦＢに対する第２検出領域ＤＡ２とを画定する。第１検出領域ＤＡ１と第２検出領域ＤＡ２とは、主ドラム６１からほぼ等距離に、すなわち主ドラム６１の中軸（回転軸に相当）からほぼ等距離に設定される。このように、主ドラム６１と対物レンズ部７３とによって、第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２間における長尺基板ＦＢの移送方向に沿った長さが所定の基準長さに設定されている。この基準長さは、例えば、主ドラム６１の回転軸回りの外周面の長さの整数倍、すなわち主ドラム６１の円周の整数倍に等しく設定される。このように設定すると、第１光学検出器７０による検出タイミングを主ドラム６１の回転数と同期させることができる。また、この基準長さは、例えば、長尺基板ＦＢの表面に沿ったアライメントマークＡＭの間隔の整数倍の長さに設定される。長尺基板ＦＢが通過する方向（Ｚ方向）における第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２の長さ（検出長）は、アライメントマークＡＭの間隔（ピッチ）よりも長い長さを有しており、これにより、いずれの検出タイミングでも第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２内には必ず少なくとも一つアライメントマークＡＭが存在することになる。この実施形態では、第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２の検出長は、アライメントマークＡＭの間隔の２倍以上の長さを有する（図３（ｂ）参照）。
【００３８】
受光部７５はＣＣＤセンサ又はＣＭＯＳセンサなどを有し、第１検出領域ＤＡ１内に移動されたアライメントマークＡＭ（第１マーク）と第２検出領域ＤＡ２内に移動されたアライメントマークＡＭ（第２マーク）とを同時に撮像することができる。受光部７５は、照明部７１が照射してアライメントマークＡＭが反射した照明光をもとに、第１マーク及び第２マークとしてのアライメントマークＡＭを撮像する。なお、長尺基板ＦＢに対して対物レンズ部７３の反対側に反射板７７を配置することができる。この場合、受光部７５は、反射板７７を介した照明光をもとにアライメントマークＡＭを撮像することができる。長尺基板ＦＢは光透過性であるために、第２マークからの光が長尺基板ＦＢの既折返部分を透過して、受光部７５に至る。
【００３９】
第１光学検出器７０では、短時間照明が可能な照明部７１を使用することにより、長尺基板ＦＢが例えば０．１ｍ／秒から１．０ｍ／秒程度の速さで移送されていても、受光部７５はアライメントマークＡＭを瞬間的にほぼ静止したものとして撮像することができる。
【００４０】
受光部７５で撮像された結果は画像処理部７９に送られる。画像処理部７９は、受光部７５が撮像したアライメントマークＡＭの画像（画像情報）に基づいて、長尺基板ＦＢの基準長さに対する伸縮状態を示す伸縮情報や、長尺基板ＦＢのＹ軸方向への位置ずれ等を示すずれ情報を導出する。また画像処理部７９は第１検出領域ＤＡ１内に順次移動される複数のアライメントマークＡＭを連続的に観察することにより、長尺基板ＦＢの実際の移送速度を示す速度情報も導出することが可能である。なお、かかる伸縮情報、ずれ情報及び速度情報は、受光部７５が撮像した画像情報に基づいて主制御部ＭＡが導出するようにしてもよい。
アライメントマークＡＭはいろいろな形状が適用できる。以下に複数種類のアライメントマークが例示される。
【００４１】
＜第１アライメントマークの撮像画像＞
図３（ａ）は、図１で示されたインプリントローラ１１によって長尺基板ＦＢに形成された有機ＥＬ表示デバイス用の隔壁ＢＡと、アライメントマークＡＭとしての第１アライメントマークＡＭ１を示した平面図である。図３（ｂ）は第１光学検出器７０の受光部７５で撮像された画像の例である。なお、図３（ｂ）の上方向がＺ軸の正方向に対応している。これは図２に示されるように、第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２がＹＺ平面に配置されているためである。
【００４２】
図３（ａ）に示されるように、第１アライメントマークＡＭ１は長尺基板ＦＢの幅方向（Ｙ軸方向）の端部に形成され、その位置は隔壁ＢＡから所定距離を隔てた位置とされている。第１アライメントマークＡＭ１は、長尺基板ＦＢの長手方向、すなわち、矢印で示される移送方向（Ｘ軸方向）に対して＋４５度方向に伸びる直線状マークＡＭ１ａと−４５度方向に伸びる直線状マークＡＭ１ｂとからなる。このような第１アライメントマークＡＭ１が長尺基板ＦＢの長手方向（移送方向）に等間隔に複数形成され、隣り合う第１アライメントマークＡＭ１は例えば５０μｍピッチで配置される。但し、図１で示された熱処理装置ＢＫなどの影響により、長尺基板ＦＢが伸縮し、この伸縮に応じて、隣り合う第１アライメントマークＡＭ１のピッチは変動する。
【００４３】
図３（ｂ）は、受光部７５が第１検出領域ＤＡ１内の往路の第１アライメントマークＡＭ１と第２検出領域ＤＡ２内の復路の第１アライメントマークＡＭ１とを同時に撮像した場合の画像の例であり、往路の第１アライメントマークＡＭ１が点線で示され、復路の第１アライメントマークＡＭ１が実線で示されている。なお、ここでは、長尺基板ＦＢの基準長さが二つの第１アライメントマークＡＭ１の間隔（ピッチ）の整数倍に設定されており、且つ前述のように第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２の検出長が設定されているため、第１検出領域ＤＡ１内及び第２検出領域ＤＡ２内には、それぞれ少なくとも１つの第１アライメントマークＡＭ１が同時に存在することになる。
【００４４】
長尺基板ＦＢが伸縮していなければ、点線で示された往路の第１アライメントマークＡＭ１と実線で示された復路の第１アライメントマークＡＭ１とが本来は重なって撮像されるタイミングで、第１光学検出器７０は第１アライメントマークＡＭ１を撮像する。しかし、図３（ｂ）に示されるように、往路の第１アライメントマークＡＭ１と復路の第１アライメントマークＡＭ１とが、移送方向に距離ＸＬ、Ｙ軸方向に距離ＹＬだけずれて検出されることがある。画像処理部７９は、互いに距離ＸＬ離れた第１アライメントマークＡＭ１に基づいて、長尺基板ＦＢの移送方向の基準長さに対する伸縮情報を導出し、互いに距離ＹＬ離れた第１アライメントマークＡＭ１に基づいて、長尺基板ＦＢのＹ軸方向の相対的なずれ情報を導出する。すなわち、画像処理部７９は、受光部７５が撮像した画像情報をもとに検出される往路及び復路の第１アライメントマークＡＭ１の相対的な位置情報に基づいて、長尺基板ＦＢの伸縮情報及びずれ情報を導出する。なお、長尺基板ＦＢのＹ軸方向のずれ情報には、長尺基板ＦＢの上流側と下流側との傾き情報を含んでいる。
【００４５】
長尺基板ＦＢが移送方向に縮んでいる場合には、例えばテンションローラ６７が長尺基板ＦＢを引っ張ることによって長尺基板ＦＢに引っ張り応力をもたせ、その長さを微小に補正することができる。なお、テンションローラ６７に代えて第３往路副ドラム６３Ｃ又は第３復路副ドラム６５ＣがＸ軸方向に移動することによって長尺基板ＦＢに引っ張り応力を与えて長さを補正することもできる。また、長尺基板ＦＢがＹ軸方向にずれている場合には、例えば第３往路副ドラム６３ＣがＹ軸方向に移動することによって長尺基板ＦＢの傾き（長尺基板ＦＢの主ドラム６１に対する上流側の部分の中心と長尺基板ＦＢの主ドラム６１に対する下流側の部分の中心を結ぶ線のＺ方向に対する傾き）を調整することができる。
【００４６】
＜第２アライメントマークの撮像画像＞
図４（ａ）は、図３とは別のアライメントマークＡＭとしての第２アライメントマークＡＭ２を示した長尺基板ＦＢの平面図である。図４（ｂ）は第１光学検出器７０の受光部７５で撮像された画像の例である。なお、図４（ｂ）の上方向がＺ軸の正方向に対応している。これは図３（ｂ）について説明したことと同様の理由による。
【００４７】
図４（ａ）に示されるように、第２アライメントマークＡＭ２は、Ｙ軸方向に伸びた直線状マークＡＭ２ａと、この直線状マークＡＭ２ａに頂点が位置する３つの三角形状マークＡＭ２ｂとから構成される。第２アライメントマークＡＭ２も移送方向に等間隔に複数形成されている。しかし、図１で示された熱処理装置ＢＫなどの影響により、長尺基板ＦＢが伸縮し、この伸縮に応じて、隣り合う第２アライメントマークＡＭ２のピッチは変動する。
【００４８】
図４（ｂ）は、受光部７５が第１検出領域ＤＡ１内の第２アライメントマークＡＭ２と第２検出領域ＤＡ２内の第２アライメントマークＡＭ２とを同時に撮像した場合の画像の例であり、往路の第２アライメントマークＡＭ２が点線で示され、復路の第２アライメントマークＡＭ２が実線で示されている。
【００４９】
図４（ｂ）に示されるように、往路の第２アライメントマークＡＭ２（直線状マークＡＭ２ａ）と復路の第２アライメントマークＡＭ２（直線状マークＡＭ２ａ）とが移送方向に距離ＸＬだけずれている。画像処理部７９は、互いに距離ＸＬ離れた第２アライメントマークＡＭ２に基づいて、長尺基板ＦＢの移送方向の基準長さに対する伸縮情報を導出する。また往路の第２アライメントマークＡＭ２（三角形状マークＡＭ２ｂ）と復路の第２アライメントマークＡＭ２（三角形状マークＡＭ２ｂ）とがＹ軸方向に距離ＹＬだけずれている。画像処理部７９は、互いに距離ＹＬ離れた第２アライメントマークＡＭ２に基づいて、長尺基板ＦＢのＹ軸方向の相対的なずれ情報を導出する。すなわち、画像処理部７９は、第１アライメントマークＡＭ１を用いた場合と同様に、受光部７５が撮像した画像情報をもとに検出される往路及び復路の第２アライメントマークＡＭ２の相対的な位置情報に基づいて、長尺基板ＦＢの伸縮情報及びずれ情報を導出する。
【００５０】
＜第２光学検出器の変形例＞
図５Ａ（ａ）は、第１光学検出器７０に代えて、第２光学検出器８０を使った位置検出装置６０Ａの構成を示す概略側面図である。
【００５１】
図５Ａ（ａ）に示される第２光学検出器８０は、第２照明部８１と、遮光板８３と、集光レンズ部８５と、基準格子板８７と、第２受光部８８とから構成される。
第２照明部８１は半導体レーザーなどコヒーレント光ＣＨを照射する光源を有している。この第２照明部８１からのコヒーレント光ＣＨは、例えば図５Ｂ（ｂ）に示される第３アライメントマークＡＭ３に照射される。第３アライメントマークＡＭ３は、直線状マークＡＭ３ａ，ＡＭ３ｂがそれぞれＸ軸方向に所定ピッチで配列された２列の格子状マークを含くむマークである。第３アライメントマークＡＭ３は前述のようにインプリントローラ１１に設けられたスタンパで長尺基板ＦＢをプレスすることにより凹凸パターンとして形成されているため、第３アライメントマークＡＭ３にコヒーレント光ＣＨを照射することで、第３アライメントマークＡＭ３から、０次光（０次回折光、すなわち、透過光）、＋１次回折光及び−１次回折光（これらを適宜±１次光と呼ぶ。）、さらに２次以上の高次回折光が発生する。なお、第２照明部８１は、コヒーレント光ＣＨを照射する光源に限定されず、ほぼ点光源とみなせる光源を有し、この光源から発する照明光を第３アライメントマークＡＭ３に照射するようにしてもよい。
【００５２】
遮光板８３は、コヒーレント光ＣＨの第３アライメントマークＡＭ３からの０次光及び高次回折光を遮断する部材であり、例えば石英ガラス板にクロムメッキをして形成される。なお、遮光板８３を用いる代わりに、例えば集光レンズ部８５の中央部及び周縁部に０次光及び高次回折光を遮光するクロムメッキを施しても良い。集光レンズ部８５は、第３アライメントマークＡＭ３からの±１次光を基準格子板８７に集光させる。具体的には、集光レンズ部８５は、第１検出領域ＤＡ１内の格子状マークとしての複数の直線状マークＡＭ３ａによって生じる±１次光及び複数の直線状マークＡＭ３ｂによって生じる±１次光、第２検出領域ＤＡ２内の格子状マークとしての複数の直線状マークＡＭ３ａによって生じる±１次光及び複数の直線状マークＡＭ３ｂによって生じる±１次光を、それぞれ基準格子板８７の対応する領域に集光させる。
【００５３】
基準格子板８７は、図５Ｂ（ｃ）に示されるように、移送方向（Ｚ軸方向）に対してそれぞれ４５度傾斜した複数の直線状マークからなる基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２，ＲＭＢ１，ＲＭＢ２を有している。基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２を含む基準格子対ＲＭＡは、第１検出領域ＤＡ１内の往路の第３アライメントマークＡＭ３に対応し、基準格子ＲＭＢ１，ＲＭＢ２を含む基準格子対ＲＭＢは、第２検出領域ＤＡ２内の復路の第３アライメントマークＡＭ３に対応している。集光レンズ部８５で集光された各±１次光は、基準格子板８７のそれぞれ対応する基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２，ＲＭＢ１，ＲＭＢ２に照射される。具体的には、往路の直線状マークＡＭ３ａからの±１次光は基準格子ＲＭＡ１に照射され、往路の直線状マークＡＭ３ｂからの±１次光は基準格子ＲＭＡ２に照射され、復路の直線状マークＡＭ３ａからの±１次光は基準格子ＲＭＢ１に照射され、復路の直線状マークＡＭ３ｂからの±１次光は基準格子ＲＭＢ２に照射される。そして、基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２，ＲＭＢ１，ＲＭＢ２ごとに、照射された＋１次回折光の一部と−１次回折光の一部とが同軸に発せられて干渉される。
【００５４】
なお、各基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２，ＲＭＢ１，ＲＭＢ２における直線状マークの移送方向の配置間隔（ピッチ）は、第３アライメントマークＡＭ３における直線状マークＡＭ３ａ，ＡＭ３ｂの移送方向の配置間隔（ピッチ）と、集光レンズ部８５の集光倍率（結像倍率）とに基づいて設定される。
【００５５】
第２受光部８８は、基準格子ＲＭＡ１及びＲＭＡ２用にフォトダイオードが２つ、基準格子ＲＭＢ１及びＲＭＢ２用にフォトダイオードが２つ、合計４つ配置された構成である。それぞれのフォトダイオードは、各基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２，ＲＭＢ１，ＲＭＢ２から同軸に発生した２光束（干渉光）が入射する大きさに形成されている。第２受光部８８のそれぞれのフォトダイオードは、同軸に発生した２光束の干渉強度に対応する干渉信号を信号処理部８９へ出力する。
【００５６】
図６は、各基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２，ＲＭＢ１，ＲＭＢ２に対応する干渉信号を示した例である。長尺基板ＦＢが一定の速度で移送されているため、図６に示されるように各干渉信号は時間軸に対して正弦波信号となる。信号処理部８９は、例えば基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２に対応する各干渉信号の位相和をもとに第１検出領域ＤＡ１内の第３アライメントマークＡＭ３の移送方向の位置情報を算出し、基準格子ＲＭＢ１，ＲＭＢ２に対応する各干渉信号の位相和をもとに第２検出領域ＤＡ２内の第３アライメントマークＡＭ３の移送方向の位置情報を算出する。そして、第１検出領域ＤＡ１内及び第２検出領域ＤＡ２内の各第３アライメントマークの移送方向の位置情報に基づいて、長尺基板ＦＢの移送方向の基準長さに対する伸縮情報を導出する。
【００５７】
また、信号処理部８９は、例えば基準格子ＲＭＡ１，ＲＭＡ２に対応する各干渉信号の位相差をもとに第１検出領域ＤＡ１内の第１アライメントマークＡＭ３のＹ軸方向の位置情報を算出し、基準格子ＲＭＢ１，ＲＭＢ２に対応する各干渉信号の位相差をもとに第２検出領域ＤＡ２内の第３アライメントマークＡＭ３のＹ軸方向の位置情報を算出する。そして、第１検出領域ＤＡ１内及び第２検出領域ＤＡ２内の各第３アライメントマークのＹ軸方向の位置情報に基づいて、往路の長尺基板ＦＢと復路の長尺基板ＦＢとのＹ軸方向の相対的なずれ情報を導出する。
【００５８】
なお、第２光学検出器８０では、第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２は、第２照明部８１、集光レンズ部８５及び基準格子板８７を用いて画定されている。
【００５９】
＜光学検出器の別の変形例＞
図７は、第３光学検出器９０を使った位置検出装置６０Ｂの構成を示す概略斜視図である。図８（ａ）は第３光学検出器９０の拡大斜視図である。図８（ｂ）は第３光学検出器９０の第３受光部９８で撮像された画像の例である。
【００６０】
図７及び図８（ａ）に示される第３光学検出器９０は、第１検出領域ＤＡ１（不図示）と第２検出領域ＤＡ２（図８（ａ）参照）とを画定している。第３光学検出器９０は、往路対物レンズ９１Ａと、往路反射ミラー９２Ａ，９３Ａと、反射プリズム９４及び反射ミラー９５からなる像反転部とを有している。また、第３光学検出器９０は、復路対物レンズ９１Ｂと復路反射ミラー９２Ｂ，９３Ｂとを有している。第３光学検出器９０は、さらに反射プリズム９６と結像レンズ部９７と第３受光部９８とを有している。第３光学検出器９０は、往路対物レンズ９１Ａ、往路反射ミラー９２Ａ，９３Ａ、像反転部、反射プリズム９６及び結像レンズ部９７を介して第１検出領域ＤＡ１内のアライメントマークＡＭを受光部９８で撮像し、復路対物レンズ９１Ｂ、復路反射ミラー９２Ｂ，９３Ｂ、反射プリズム９６及び結像レンズ部９７を介して第２検出領域ＤＡ２のアライメントマークＡＭを受光部９８で撮像する。すなわち、第３光学検出器９０では、往路対物レンズ９１Ａと復路対物レンズ９１Ｂとをそれぞれ介したアライメントマークＡＭの各観察像を反射プリズム９６によって隣接させ、この隣接された各観察像を受光部９８によって一括して撮像できるようになっている。
【００６１】
第３受光部９８は、ＣＣＤセンサ又はＣＭＯＳセンサなどから構成される。なお、図７及び図８ではアライメントマークを照明する照明部が描かれていないが、結像レンズ部９７と第３受光部９８との間に落射照明装置などを配置して、アライメントマークを照明するようにすれば良い。この照明部は、照明部７１と同様に短時間照明が可能であることが好ましい。
【００６２】
第３光学検出器９０は、例えば図４で示された第２アライメントマークＡＭ２を検出（撮像）する。
第３受光部９８は、撮像した第２アライメントマークＡＭ２の画像情報を第３画像処理部９９に出力する。第３画像処理部９９は、第３受光部９８から取得した画像情報に基づいて、画像処理部７９と同様に、長尺基板ＦＢの移送方向の基準長さに対する伸縮情報や長尺基板ＦＢのＹ軸方向のずれ情報を導出する。
【００６３】
図８（ｂ）は、第３受光部９８が第１検出領域ＤＡ１内の往路の第２アライメントマークＡＭ２と第２検出領域ＤＡ２内の復路の第２アライメントマークＡＭ２とを同時に撮像した場合の画像の例であり、往路の第２アライメントマークＡＭ２が点線で示され、復路の第２アライメントマークＡＭ２が実線で示されている。ここで、往路の第２アライメントマークＡＭ２と復路の第２アライメントマークＡＭ２とは、長尺基板ＦＢの移送にともない互いに反対向きに移動されるが、反射プリズム９４及び反射ミラー９５からなる像反転部の作用により、往路の第２アライメントマークＡＭ２の像と復路の第２アライメントマークＡＭ２の像とが共通の第３受光部９８に対して相対的に上下反転されているので、第３受光部９８が撮像する画像上における往路及び復路の第２アライメントマークＡＭ２の像は、互いに同じ向きに移動する。このため、第２アライメントマークＡＭ２を照明する短時間照明（ストロボ発光）のタイミングのずれに起因する計測誤差、すなわち、第２アライメントマークＡＭ２を撮像するタイミングのずれに起因する伸縮情報等の計測誤差が低減される。
【００６４】
図８（ｂ）に示されるように、往路の第２アライメントマークＡＭ２（直線状マークＡＭ２ａ）と復路の第２アライメントマークＡＭ２（直線状マークＡＭ２ａ）とが移送方向に距離ＸＬだけずれ、往路の第２アライメントマークＡＭ２（三角形状マークＡＭ２ｂ）と復路の第２アライメントマークＡＭ２（三角形状マークＡＭ２ｂ）とがＹ軸方向に距離ＹＬだけずれている。第３画像処理部９９は、画像処理部７９と同様に、互いに距離ＸＬ離れた第２アライメントマークＡＭ２に基づいて、長尺基板ＦＢの移送方向の基準長さに対する伸縮情報を導出し、互いに距離ＹＬ離れた第２アライメントマークＡＭ２に基づいて、長尺基板ＦＢのＹ軸方向の相対的なずれ情報を導出する。
なお、上述した第３光学検出器９０では、往路対物レンズ９１Ａと復路対物レンズ９１Ｂとによる観察光軸を同軸に合成するように構成したが、各観察光軸を所定量だけＸ軸方向に離してもよい。また、上述した第３光学検出器９０では、第２アライメントマークＡＭ２を検出するものとして説明したが、第２アライメントマークＡＭ２に限定されず、例えば第１アライメントマークＡＭ１等を検出するようにしてもよい。
この変形例では、第１検出領域ＤＡ１と第２検出領域ＤＡ２では、それぞれ別の照明系からの光によりアライメントマークを検出しているので、長尺基板ＦＢを光を通過させる必要はない。それゆえ、光を透過しない材料から形成された長尺基板ＦＢにもこの変形例の第３光学検出器９０を適用することができる。
【００６５】
上記のように３種の異なる光学検出装置を例に挙げて、光学検出装置について説明したが、これらの光学検出装置は共通して次のような利点を有する。製造装置１００において、長尺基板ＦＢが、例えば、液滴塗布装置２１から噴射された液滴が長尺基板ＦＢへ衝突すること、切断装置３１や熱処理装置ＢＫから与えられる熱、及び／または主ドラム６１からの長尺基板ＦＢへのテンションにより、長尺基板ＦＢが変形又は伸縮する場合がある。本実施形態の光学検出装置の第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２は、例えば、ゲート電極形成部ＧＴの副移送路ＴＧＴにおいて、液滴塗布装置２１及び熱処理装置ＢＫを挟む位置に設けられている。また、主ドラム６１の長尺基板ＦＢが掛け渡された領域、すなわち、長尺基板ＦＢにテンションを与える領域を挟むように、第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２が副移送路ＴＧＴに配置されている。これにより、液滴の長尺基板ＦＢへの衝突、熱処理装置ＢＫからの熱や主ドラム６１からの長尺基板ＦＢへのテンションにより生じたであろう長尺基板ＦＢの伸縮や変形を有効に検出することができる。また、このような光学検出装置を、ゲート電極形成部ＧＴ、絶縁層形成部ＩＳ、ソースドレイン電極形成部ＳＤ、チャネル長形成部ＣＬ、及び有機半導体形成部ＯＳのそれぞれに配置することで、それぞれの形成部における伸縮を大きさを分析して、それぞれの形成部で長尺基板ＦＢに与えるテンションや付勢力を適宜調整することができる。
【００６６】
＜液滴塗布装置２１の構成及び塗布の位置補正＞
図９は、図２で示された液滴塗布装置２１と主ドラム６１に掛け渡された長尺基板ＦＢとをＺ軸方向から見た平面図である。なお、図９に示された長尺基板ＦＢには、図３（ａ）で示された第１アライメントマークＡＭ１が形成されている。図９では、第１光学検出器７０で第１アライメントマークＡＭ１を検出する例を示すが、図５Ａで示された第２光学検出器８０、図７で示された第３光学検出器９０を用いても良い。
【００６７】
液滴塗布装置２１は、Ｙ軸方向に延設された構造であり、複数列のノズル２９をＹ軸方向に配置し、またＸ軸方向も数行のノズル２９が配置されている。液滴塗布装置２１は、主制御部ＭＡから送られてくる位置信号に応じて、ノズル２９からメタルインクを塗布するタイミングと、メタルインクを塗布するノズル２９との少なくとも一方を切り換えることができる。
【００６８】
主制御部ＭＡは、液滴塗布装置２１が長尺基板ＦＢにメタルインクを塗布する基準の塗布位置情報を記憶している。この基準の塗布位置情報は長尺基板ＦＢの伸縮又は傾きなどが無い状態の塗布位置情報である。主制御部ＭＡは、画像処理部７９から送られてきた長尺基板ＦＢの伸縮情報又はずれ情報に基づいて、基準の塗布位置情報を補正する。また、主ドラム６１の回転速度又は画像処理部７９が導出した長尺基板ＦＢの速度情報にも基づいて、主制御部ＭＡは基準の塗布位置情報を補正することもできる。
【００６９】
液滴塗布装置２１は、主制御部ＭＡから補正された基準の塗布位置情報を受け取り、複数のノズル２９のうちどのノズル２９からどのタイミングでメタルインクを塗布するかを判断し、ノズル２９からメタルインクを塗布する。このため、図２で示されたテンションローラ６７が設けられなくても、長尺基板ＦＢに対して加工することができる。前述のように、テンションローラ６７やそれに代えて第３往路副ドラム６３Ｃ又は第３復路副ドラム６５ＣがＸ軸方向に移動することによって長尺基板ＦＢに引っ張り応力を与えて長さを補正することができる場合や、第３往路副ドラム６３ＣがＹ軸方向に移動することによって長尺基板ＦＢの傾きを調整することができる場合には、液滴塗布装置２１による塗布位置を補正しなくてもよい。
【００７０】
なお、図９では長尺基板ＦＢに第１アライメントマークＡＭ１が片側のみに形成された例が示されているが、第１アライメントマークＡＭ１が両側に形成されている場合には、第１光学検出器７０を両側に配置すれば良い。また、長尺基板ＦＢにスペースがあれば、長尺基板ＦＢの中央領域に第１アライメントマークＡＭ１を設けても良い。
【００７１】
製造装置１００による薄膜トランジスタの製造工程を図１〜１０との関係で上記実施形態で説明してきたが、薄膜トランジスタの製造工程に含まれる基板の伸縮測定方法の概要について、図１１のフローチャートに示した。このフローチャートにおいて、前述のように、電極形成部を構成するゲート電極形成部ＧＴ、絶縁層形成部ＩＳ、ソースドレイン電極形成部ＳＤ、チャネル長形成部ＣＬ、及び有機半導体形成部ＯＳに、それぞれ、位置検出装置を設ける。この際、第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２間における長尺基板ＦＢの移送方向に沿った長さ（基準長さ）を、前記実施形態のように設定する（Ｓ１０１）。ついで、長尺基板ＦＢを移送路Ｔ上を移送させ、例えば、ゲート電極形成部ＧＴの第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２を通過させる（Ｓ１０２）。そして、第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２で長尺基板ＦＢに形成された第１及び第２マークを検出する（Ｓ１０３）。検出した第１及び第２マークの位置情報から第１及び第２マーク間距離の変化量、ひいては、長尺基板ＦＢの伸縮量（伸縮情報）を求める（Ｓ１０４）。次いで、必要に応じて、求められた伸縮量に基づいて長尺基板ＦＢの長さの調整や塗布位置情報の補正を行なう（Ｓ１０５）。そして、長尺基板ＦＢに液滴及びベーキングの処理を施す（Ｓ１０６）。このようなステップを、ゲート電極形成部ＧＴ、絶縁層形成部ＩＳ、ソースドレイン電極形成部ＳＤ、チャネル長形成部ＣＬ、及び有機半導体形成部ＯＳにおいてそれぞれ行なうが、必ずしも全ての形成部で行なう必要はなく、必要に応じて、一つの形成部だけで行なってもよい。こうして薄膜トランジスタが長尺基板ＦＢ上に形成される。
【００７２】
＜＜有機ＥＬ表示デバイス５０の構造＞＞
図１０は、本実施形態の製造装置１００を用いて長尺基板ＦＢに形成される有機ＥＬ表示デバイス５０の平面的な概略回路配置の構成を示す平面図である。有機ＥＬ表示デバイス５０は、図１２のフローチャートに示すように、製造装置１００における薄膜トランジスタの製造工程（Ｓ２０１）を経て、さらに図示しない有機ＥＬ表示デバイスの発光層の製造工程（Ｓ２０２）などを経て加工された後、長尺基板ＦＢが切断されて製造される（Ｓ２０３）。
【００７３】
有機ＥＬ表示デバイス５０は、そのほぼ中央に矩形状の表示領域５１を備えている。表示領域５１には、画素５２がマトリクス状に形成されている。マトリクス状に配置された画素５２の外周部分には信号線駆動回路５５及び走査駆動回路５７が設けられている。
【００７４】
表示領域５１には、一行当りｎ個の画素５２がｍ行形成されている。赤色の光を出射する赤色用発光画素５２Ｒと緑色の光を出射する緑色発光画素５２Ｇと青色の光を出射する青色用発光画素５２Ｂとからなる１画素を構成単位として構成されている。信号線駆動回路５５にはソースバスラインＳＢＬが接続されており、そのソースバスラインＳＢＬは個々の発光画素５２Ｒ，５３Ｇ、５３Ｂに配線されている。また走査駆動回路５７にはゲートバスラインＧＢＬが接続されており、そのゲートバスラインＧＢＬは個々の有機ＥＬ表示デバイス５０に配線されている。また、図示しない共通電極なども個々の発光画素５２Ｒ，５３Ｇ、５３Ｂには配線されている。
【００７５】
走査駆動回路５７のゲートバスラインＧＢＬに供給される信号を受け、信号線駆動回路５５のソースバスラインＳＢＬから供給される電圧により、個々の発光画素５２Ｒ，５３Ｇ、５３Ｂが印加される。これにより、個々の発光画素５２Ｒ，５３Ｇ、５３Ｂが発光する。
【００７６】
ここまで、本発明を実施するための最良の形態を説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば種々の変形が可能である。
【００７７】
例えば、図１において、液滴塗布装置２１又は切断装置３１などの加工装置を示したが、メタルインクを印刷する印刷ローラ又は長尺基板ＦＢを露光する露光装置を配置してもよい。また、アライメントマークＡＭとして、第１アライメントマークＡＭ１、第２アライメントマークＡＭ２及び第３アライメントマークＡＭ３に限定されず、これら以外の形状のアライメントマークを用いることができる。
【００７８】
また、位置検出装置６０，６０Ａ，６０Ｂでは、長尺基板ＦＢを主ドラム６１に掛け渡して折り返し、往路側の長尺基板ＦＢの未折返部分と復路側の長尺基板ＦＢの既折返部分とを平行に近接させるようにしたが、平行に近接させることには限定されず、例えば未折返部分と既折返部分とにおける移送方向がＸＺ面内で互いに所定角度だけ傾斜した方向とすることもできる。この場合、例えば第１検出領域ＤＡ１と第２検出領域ＤＡ２とにおける各アライメントマークＡＭを個別の対物レンズ部及び受光部を用いて検出（撮像）するとよい。なお、上述の位置検出装置６０，６０Ａ，６０Ｂにおいても、第１検出領域ＤＡ１と第２検出領域ＤＡ２とにおける各アライメントマークＡＭを個別の受光部で検出しても構わない。
【００７９】
また、位置検出装置６０，６０Ａ，６０Ｂでは、第１検出領域ＤＡ１と第２検出領域ＤＡ２とにおける各アライメントマークＡＭを同時に検出することとしたが、同時検出することに限定されず、所定のインターバル（期間）を介して順次検出するようにしても構わない。また、位置検出装置６０，６０Ａ，６０Ｂでは、第１検出領域ＤＡ１から第２検出領域ＤＡ２までの長尺基板ＦＢの移送方向に沿った基準長さを、アライメントマークＡＭの配置間隔（ピッチ）の整数倍にしているが、整数倍とは異なる長さに設定することもできる。この場合、第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２の少なくとも一方を拡張して第１及び第２検出領域に対応する各アライメントマークＡＭを同時検出するか、第１及び第２検出領域に対応する各アライメントマークを非同時に所定インターバルを介して検出するとよい。
【００８０】
また、位置検出装置６０，６０Ａ，６０Ｂでは、１つの主ドラム６１に長尺基板ＦＢを掛け渡して折り返すこととしたが、複数のドラム等に長尺基板ＦＢを掛け渡して折り返す（移送方向を偏向させる）こともできる。また、位置検出装置６０，６０Ａ，６０Ｂでは、主ドラム６１（の中軸）が第１検出領域ＤＡ１及び第２検出領域ＤＡ２からほぼ等距離に設けられるものとしたが、等距離に限定されず、各検出領域から異なる距離に設定することもできる。
【００８１】
第１光学検出器７０には、照明部７１と対物レンズ部７３と受光部（撮像部）７５とが一体に設けられていたが、それぞれ、別に設けられていてもよい。照明部７１は、光学検出装置７０や製造装置１００が使用される環境において利用可能な照明系を用いることができ、光学検出装置７０及び製造装置１００が照明部７１を備える必要はない。第２光学検出器８０に設けられた照明部８１についても同様であり、光学検出装置８０や製造装置１００が照明部８１を備える必要はない。
【００８２】
薄膜トランジスタの製造工程において発光層形成部の説明を省略したが、発光層形成部においても、電極形成部と同様な位置検出装置を設けることができる。
【００８３】
上記実施形態においては、長尺基板ＦＢの、主ドラム６１による未折返部分と既折返部分とが平行に且つ近接して配置されたが、未折返部分と既折返部分のアライメントマークＡＭをそれぞれ検出することができれば、未折返部分と既折返部分とを平行に配置する必要はない。
【００８４】
上記実施形態においては、長尺基板を用いた有機ＥＬ表示デバイス５０の製造方法を例に挙げて説明したが、種々の製品及びその製造方法に本発明を適用することができる。たとえば、各種デバイスの駆動回路などが載置されたフレキシブルケーブルや回路基板を長尺なシート（基板）から形成する場合に適用することができる。また、長尺部材はシート状に限らず、種々の形状を有する部材にし得る。また、処理装置も、上記実施形態で掲げた液滴噴射装置（液滴塗布装置）や加熱処理装置などに限らず、電子線などの粒子線照射装置、化合物や金属を堆積させる装置、ハンダなどの溶融金属や溶融樹脂を噴射する装置など種々の装置であって長尺基板の伸縮に影響を及ぼす処理装置であればよい。本発明を適用する分野も電子部品や半導体などのデバイス製造分野のみならず、繊維や食品加工の分野などの異分野にも本発明の測定装置および測定方法を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明により伸縮性を有する基板の伸縮情報を高精度に求めることができるので、有機ＥＬ表示デバイスのような伸縮性シート部材を用いた種々のデバイスの製造において極めて有用である。
【符号の説明】
【００８６】
６０    …    位置検出装置
６１    …    主ドラム
６３（６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ）  …  往路副ドラム
６５（６５Ａ，６５Ｂ，６３Ｃ）  …  復路副ドラム
６７    …    テンションローラ
７０    …    第１光学検出器
７１    …    照明部
７３    …    対物レンズ部
７５    …    受光部
７７    …    反射板
７９    …    画像処理部
８０    …    第２光学検出器
８１    …    第２照明部
８３    …    遮光板
８５    …    集光レンズ部
８７    …    基準格子板
８８    …    第２受光部
８９    …    信号処理部
９０    …    第３光学検出器
９１Ａ  …    往路対物レンズ
９１Ｂ  …    復路対物レンズ
９２Ａ、９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ  …  復路反射ミラー
９４    …    反射プリズム
９５    …    反射ミラー
９６    …    反射プリズム
９７    …    結像レンズ部
９８    …    第３受光部
１００  …    製造装置
ＡＭ（ＡＭ１，ＡＭ２，ＡＭ３）  …  アライメントマーク
ＢＫ    …    熱処理装置
ＣＬ    …    チャネル長形成部
ＤＡ１  …    第１検出領域
ＤＡ２  …    第２検出領域
ＦＢ    …    長尺基板
ＧＴ    …    ゲート電極形成部
ＩＳ    …    絶縁層形成部
ＭＡ    …    主制御部
ＮＩ    …    隔壁形成部
ＯＳ    …    有機半導体形成部
ＲＬ    …    供給ローラ
ＲＭＢ（ＲＭＢ１，ＲＭＢ２）  …  基準格子
ＲＲ    …    移送ローラ
【図１】
2010101878.tif 000003
【図２】
2010101878.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
2010101878.tif 000009
【図７】
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【図８】
2010101878.tif 000011
【図９】
2010101878.tif 000012
【図１０】
2010101878.tif 000013
【図１１】
2010101878.tif 000014
【図１２】
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