(57)【要約】【課題】簡易な製造方法によって信頼性の高い窒化物基板を得る。【解決手段】まず、窒化珪素焼結体１０を形成する（焼結工程：Ｓ１）。次に、この表面にスクライブライン１１を形成する（加工工程：Ｓ２）。本発明の実施の形態に係る製造方法においては、再焼結工程を行い（Ｓ３）、その後、圧力を加えることによってこのスクライブライン１１に沿ってこの窒化珪素焼結体１０を分割し、窒化珪素基板１５を得る（分割工程：Ｓ４）。この再焼結工程は、例えば前記の焼結工程と同様の条件で行われる。その結果、窒化珪素基板の加工表面においては、ＳｉＯ２を主成分とする熱変性相は除去され、Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする相となる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物焼結体を加工して所望の形状の窒化物基板を得る、窒化物基板の製造方法であって、
前記窒化物焼結体を焼結によって得る焼結工程と、
前記所望の形状を構成する輪郭に対応するパターンで前記窒化物焼結体にスクライブラインを形成する加工工程と、
該加工工程後の熱変性相を有する窒化物焼結体に対して窒素雰囲気中で熱処理を行い前記熱変性相を除去する再焼結工程と、
を具備することを特徴とする窒化物基板の製造方法。
【請求項２】
前記加工工程において、前記窒化物焼結体に対してレーザー光を照射することによって前記スクライブラインを形成することを特徴とする請求項１に記載の窒化物基板の製造方法。
【請求項３】
前記スクライブラインが形成された後の前記窒化物焼結体に対して圧力を印加することにより、前記所望の形状の窒化物基板を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物基板の製造方法。
【請求項４】
前記加工工程において、
前記スクライブラインにおいて前記窒化物焼結体を厚さ方向の全域にわたり切断することにより、前記所望の形状の窒化物基板を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物基板の製造方法。
【請求項５】
前記加工工程において、
前記窒化物焼結体中の開口部に対応する前記スクライブラインを形成することを特徴とする請求項４に記載の窒化物基板の製造方法。
【請求項６】
前記窒化物焼結体は窒化珪素焼結体であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の窒化物基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の窒化物基板の製造方法によって製造されたことを特徴とする窒化物基板。
【請求項８】
請求項７に記載の窒化物基板に銅板が接合されて形成されたことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー素子モジュール等の基板に用いられる窒化物基板の製造方法、及びこの製造方法によって製造される窒化物基板、これを用いた回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種のセラミックス（焼結体）基板が半導体モジュール用基板や構造用部材として広く用いられている。例えば、大電力で発熱量の大きな半導体素子を実装する半導体モジュール用基板としては、機械的強度の高さ、熱伝導率の高さ、電気的絶縁性の高さが要求される。窒化物焼結体はこれらの特性に優れており、例えば焼結体の窒化アルミニウムや窒化珪素が広く用いられている。
【０００３】
窒化物の基板は、大面積の窒化物焼結体として製造された後、これが所望の大きさ、形状に分割加工されて上記の目的の基板として用いられる。ここでは、例えば図７にその模式的な工程断面図を示すような、レーザー加工を用いた加工方法が用いられる。同図（ａ）のような大面積の窒化珪素焼結体１０の表面に対して、同図（ｂ）のように片側から高出力のレーザー光が照射され、断面が溝形状であるスクライブライン１１が形成される。その後、図７（ｃ）に示されるように、スクライブライン１１が形成された箇所に力を加えることにより、窒化珪素焼結体１０がスクライブライン１１を境に分断されて、２つの窒化珪素基板１５となる。この加工方法によって、安価に窒化珪素基板を製造することができる。
【０００４】
あるいは、例えば、窒化珪素基板中に開口部を形成することが必要になる場合もある。この場合には、一方の側からこの開口部に対応する箇所の窒化珪素焼結体に圧力を加えることによってこのパターンを打ち抜くことは困難であるため、図７に示された加工方法でこの開口部を形成することは困難である。この場合の加工法の模式的な工程断面図が図８である。同図（ａ）（ｂ）においては、図７（ａ）（ｂ）と同様に、窒化珪素焼結体１０の表面にレーザー光によってスクライブライン１１を形成する。ただし、この場合には、図８（ｃ）に示されるように、レーザー加工によってスクライブライン１１を更に深くして、スクライブライン１１が窒化珪素焼結体１０を完全に貫通する状態にする。この場合には、図８（ｄ）に示されるように、特に力を加えることなしに開口部１３を形成することができる。従って、開口部１３を具備する窒化珪素基板（焼結体）１５を得ることができる。
【０００５】
ところが、レーザー加工が用いられる上記の加工方法において、レーザー光の照射により窒化珪素基板に変性相が形成されることが知られている。具体的には、レーザー光によって窒化珪素セラミックスの本来の主成分であるＳｉ３Ｎ４から、ＳｉＯ２を主成分とした熱変性相が形成される。この熱変性相が形成された場合、レーザー光の照射後にこの窒化珪素焼結体が冷却される際に発生する応力などに起因して、この熱変性相に微小クラックが発生する。一般には、こうした窒化珪素基板には厚い銅板（金属回路板、放熱板）が接合されて用いられ、銅と窒化珪素との熱膨張率の差に起因して窒化珪素基板には大きな熱応力が加わる。例えば、銅板が接合された窒化珪素回路基板と、半導体素子や冷却板などをはんだ付けによって接合する際、あるいは完成した半導体モジュールとして使用している際にこの微小クラックは進展し、窒化珪素基板の破壊の原因となることがある。開口部を形成するために長時間のレーザー光照射を必要とする図８の加工方法においては、熱変性相は開口部内壁における窒化珪素基板の板厚方向全域にわたり形成されるため、この状況は特に顕著である。従って、これらの加工方法を用いる場合、この熱変性相、あるいはクラックを除去することが必要になる。
【０００６】
特許文献１には、この熱変性相を除去して高信頼性の窒化珪素基板を得る技術として、レーザー加工によってスクライブラインを形成した後で、フッ硝酸を用いたエッチング処理を行う技術が記載されている。この技術においては、フッ硝酸によってこの熱変性相がクラックごと除去され、あるいはクラックの形状が滑らかになるため、その後の工程や使用時にクラックが進展することが抑制される。
【０００７】
従って、半導体モジュールの製造工程や使用時にクラックを生じにくい窒化物基板を得ることができた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−１９８６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記の目的で使用される窒化物基板には、クラックを生じにくいこと以外にも、高い電気的絶縁性や高い機械的強度も要求される。フッ硝酸などの酸処理を行った後の窒化珪素基板においては、これらが劣化するという問題点があった。
【００１０】
酸処理においては、熱変性相だけでなく、酸に浸漬された部分全体がその影響を受ける。ここで、窒化珪素基板はＳｉ３Ｎ４相（窒化珪素粒子）を主成分として形成されており、この相自体は酸に溶解しないが、窒化珪素基板中には、絶対量は少ないながらもガラス相も含まれている。このガラス相も熱変性相と同様に酸によって除去され、空隙（ボイド）となる。この影響を調べた電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真が図９である。なお、図９では、倍率が低いために、窒化珪素粒子の構造は確認できない。ここで、図９（ａ）は窒化珪素焼結体の断面であり、図９（ｂ）はこの窒化珪素焼結体に対して２０％硫酸溶液による酸処理を行った後の断面である。図９（ａ）において、窒化珪素焼結体９０中に白く見える領域がガラス相９１であり、ガラス相９１の中にはＳｉＯ２の他に、窒化珪素焼結体を製造する際に用いられた焼結助剤成分であるＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３等も含まれる。図９（ｂ）においては、このガラス相が酸処理によって除去され、黒く見えるボイド９２となっていることが確認できる。すなわち、このガラス相は熱変性相と同様に酸に溶出し、このガラス相が存在した箇所は窒化珪素基板中のボイドとなる。なお、このような酸処理におけるガラス相の溶出については、塩酸や硝酸といった硫酸以外の酸性溶液を用いた場合でも同様の傾向が見られた。
【００１１】
こうしたボイドは、窒化珪素基板の電気的絶縁性や機械的強度を低下させる原因となる。すなわち、上記の技術では、熱変性相に起因するクラックは抑制できるものの、一方で、窒化珪素基板全体の電気的絶縁性や機械的強度が劣化するため、その信頼性は低くなった。
【００１２】
従って、簡易な製造方法によって信頼性の高い窒化物基板を得ることは困難であった。
【００１３】
本発明は、斯かる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
請求項１に記載の発明の要旨は、窒化物焼結体を加工して所望の形状の窒化物基板を得る、窒化物基板の製造方法であって、前記窒化物焼結体を焼結によって得る焼結工程と、前記所望の形状を構成する輪郭に対応するパターンで前記窒化物焼結体にスクライブラインを形成する加工工程と、該加工工程後の熱変性相を有する窒化物焼結体に対して窒素雰囲気中で熱処理を行い前記熱変性相を除去する再焼結工程と、を具備することを特徴とする窒化物基板の製造方法に存する。
請求項２に記載の発明の要旨は、前記加工工程において、前記窒化物焼結体に対してレーザー光を照射することによって前記スクライブラインを形成することを特徴とする請求項１に記載の窒化物基板の製造方法に存する。
請求項３に記載の発明の要旨は、前記スクライブラインが形成された後の前記窒化物焼結体に対して圧力を印加することにより、前記所望の形状の窒化物基板を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物基板の製造方法に存する。
請求項４に記載の発明の要旨は、前記加工工程において、前記スクライブラインにおいて前記窒化物焼結体を厚さ方向の全域にわたり切断することにより、前記所望の形状の窒化物基板を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物基板の製造方法に存する。
請求項５に記載の発明の要旨は、前記加工工程において、前記窒化物焼結体中の開口部に対応する前記スクライブラインを形成することを特徴とする請求項４に記載の窒化物基板の製造方法に存する。
請求項６に記載の発明の要旨は、前記窒化物焼結体は窒化珪素焼結体であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の窒化物基板の製造方法に存する。
請求項７に記載の発明の要旨は、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の窒化物基板の製造方法によって製造されたことを特徴とする窒化物基板に存する。
請求項８に記載の発明の要旨は、請求項７に記載の窒化物基板に銅板が接合されて形成されたことを特徴とする回路基板に存する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は以上のように構成されているので、簡易な製造方法によって信頼性の高い窒化物基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態に係る製造方法を示すフロー図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る製造方法の他の一例を示すフロー図である。
【図３】窒化珪素焼結体のレーザー加工後の表面（ａ）と、断面（ｂ）のＳＥＭ写真である。
【図４】レーザー加工後に再焼結工程を行った窒化珪素焼結体の断面のＳＥＭ写真である。である。
【図５】レーザー加工後に再焼結工程を行った窒化珪素焼結体の表面のＳＥＭ写真である。である。
【図６】レーザー加工後の再焼結工程前後での窒化珪素焼結体断面の組成分析結果、その各測定個所のＳＥＭ写真である。
【図７】従来の窒化珪素焼結体の加工方法を示す工程断面図である。
【図８】従来の窒化珪素焼結体の加工方法の他の一例を示す工程断面図である。
【図９】酸処理前（ａ）後（ｂ）の窒化珪素焼結体の断面のＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について具体的な実施形態を示しながら説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００１８】
図１は、本発明の実施の形態に係る窒化珪素基板の製造方法を示すフロー図である。この製造方法は図７の加工方法に対応し、最後の工程以外は図７の加工方法と同様である。この製造方法においては、まず、図７（ａ）に示されるように窒化珪素焼結体１０を形成する（焼結工程：Ｓ１）。次に、図７（ｂ）に示されるように、この表面にスクライブライン１１を形成した後（加工工程：Ｓ２）、本発明の実施の形態に係る製造方法においては、再焼結工程を行う（Ｓ３）。この再焼結工程によって、熱変性相が除去される。その後、図７（ｃ）に示されるように、圧力を加えることによってこのスクライブライン１１に沿ってこの窒化珪素焼結体１１を分割し、窒化珪素基板１５を得る（分割工程：Ｓ４）。しかも、この際に窒化珪素基板中にボイド等が形成されることはなく、高い電気的絶縁性、機械的強度が得られる。
【００１９】
窒化珪素焼結体を形成するに際して（焼結工程：Ｓ１）は、従来より知られる方法を用いることができる。すなわち、例えば、窒化珪素質粉末と、焼結助剤となるＭｇＯ等の粉末と、分散剤とを配合し、エタノールを満たしたボールミル容器中に投入して混合する。得られた混合物を真空乾燥し、造粒した後に、プレス機によって所望の大きさの成形体を得る。この大きさは、分割によって複数の窒化珪素基板が得られる大きさとする。次いで、１７００℃〜２０００℃、窒素ガス雰囲気中で１〜４０時間焼成を行う。これにより、緻密な構造の窒化珪素焼結体が得られ、この窒化珪素焼結体におけるボイドを少なくし、高い電気的効率、機械的強度を得ることができる。また、窒化珪素は高い熱伝導率を具備するため、この窒化珪素焼結体の熱伝導率は高くなる。
【００２０】
スクライブラインの形成（加工工程：Ｓ２）は、図７（ｂ）に示した場合と同様に行う。レーザー光源としては、ＹＡＧレーザーやＣＯ２レーザー等を用い、このレーザー光を窒化珪素焼結体１０の表面に集光させ局部的に加熱し、これを描画させることによって、窒化珪素基板となる所望の形状を構成する輪郭に対応するパターンをスクライブライン１１として窒化物焼結体１０に形成する。また、図７（ｂ）においては、片面にスクライブライン１１を形成しているが、両面にこれを形成することもできる。スクライブライン１１の深さは、後で分割が行える限りにおいて任意であるが、例えば窒化珪素焼結体の厚みの１／３程度とすることができる。その断面形状は、図７（ｂ）においてはＶ字であるが、後で分割が行える限りにおいて任意である。スクライブライン１１の形成された箇所においては、窒化珪素セラミックスの本来の主成分であるＳｉ３Ｎ４が変性し、ＳｉＯ２を主成分とした熱変性相が形成される。更に、これが高温で形成された後で冷却されることなどによって、この熱変性相には大きな応力が発生し、微小クラックが多数発生する。すなわち、この状態では微小クラックが多数入った熱変性相が形成されている。
【００２１】
分割工程（Ｓ４）についても、図７（ｃ）の場合と同様である。すなわち、窒化珪素焼結体１０に力を加えることによって、上記のスクライブライン１１に沿って破断が生じ、この窒化珪素焼結体１０が分割され、複数の窒化珪素基板１５が得られる。
【００２２】
以上の工程は、図７に示した従来の方法と同様である。以下では、分割工程（Ｓ４）の前に行われる再焼結工程（Ｓ３）の詳細について以下に説明する。
【００２３】
この再焼結工程は、例えば前記の焼結工程とほぼ同様の条件で行われる。その結果、窒化珪素基板のレーザー加工を施した表面においては、ＳｉＯ２を主成分とする熱変性相は減少し、Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする相に変化する。すなわち、熱変性相、あるいは熱変性相における微小クラックも除去される。なお、再焼結工程は例えば前記の焼結工程と同様の条件で行えばよいが、熱変性相が除去される限りにおいて、より低い温度、より短い焼成時間としてもよい。この温度としては１５００℃以上が好ましい。酸化物相を除去するために、雰囲気は窒素雰囲気とすることが好ましい。
【００２４】
従って、以降に行われる半導体モジュールの製造工程や、この半導体モジュールの使用時に熱変性相の微小クラックが進展することがない。更に、再焼結工程では再度の焼結が行われるだけであるため、再焼結工程後の窒化珪素基板では緻密な構造が維持され、酸処理による熱変性相除去を行った場合のようにボイドが発生することはない。従って、再焼結工程後の窒化珪素基板は、焼結工程後の窒化珪素焼結体と同様に、高い電気的絶縁性、機械的強度を有する。また、再焼結工程を行うに際しては、焼結工程と同様の装置（例えば電気炉等）を用いることができ、再焼結工程のためだけの特別な装置も不要である。また、焼結時と同様に多数の窒化珪素焼結体に対して同時に再焼結工程を行うこともできる。従って、この製造方法は簡易なものとなり、低コストで窒化珪素基板を得ることができる。
【００２５】
なお、上記の例では、再焼結工程（Ｓ３）後に分割工程（Ｓ４）を行っていたが、加工工程（Ｓ２）の後に分割工程（Ｓ４）を行い、その後で分割後の窒化珪素基板に対して再焼結工程（Ｓ３）を行っても同様の効果を奏することは明らかである。すなわち、再焼結工程は、レーザー加工の行われる加工工程の後に行えば効果を奏する。
【００２６】
また、図２に、本発明の実施の形態に係る他の製造方法のフロー図を示す。この製造方法は、図８の加工方法に対応する。ここでは、窒化珪素焼結体の形成（Ｓ１）の後で、スクライブライン１１を前記のＳ２と同様に形成するが、窒化珪素焼結体を貫通させるスクライブライン１１を形成する（Ｓ１１）。すなわち、所望の形状を構成する輪郭に対応するパターンとしたスクライブライン１１において、窒化物焼結体１０を、厚さ方向の全域にわたり切断する。従って、特に圧力を加えることなしに、図８（ｄ）に示されるように、スクライブライン１１に囲まれた箇所を開口部１３とすることができる。すなわち、上記の工程は図８に示された従来の加工方法と同様である。
【００２７】
この際、スクライブライン１１においては、厚さ方向の全域にわたって窒化珪素焼結体が切断されるため、開口部１３の内壁に沿って全面に熱変性相が形成される。この熱変性相も、再焼結工程（Ｓ３）によって、除去される。この際に熱変性相が除去されること、再焼結工程後の窒化珪素基板における緻密な構造が維持されることについても前記と同様である。
【００２８】
図２の製造方法によって、特に開口部１３を有する窒化珪素基板１５を製造することができる。ここで形成された熱変性相は再焼結工程によって除去される。従って、以降に行われる半導体モジュールの製造工程や、この半導体モジュールの使用時に熱変性相の微小クラックが進展することがない。しかも、高い電気的絶縁性、機械的強度を有し、開口部を有する窒化珪素基板を得ることができる。
【００２９】
以下、レーザー光でスクライブラインを形成した際に発生する熱変性相、及び再焼結工程によるその変化について説明する。
【００３０】
図３（ａ）は、レーザー加工を用いて切断した窒化珪素基板の断面近くの表面、図３（ｂ）はレーザー加工を用いて切断した断面の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。レーザー加工を用いた場合にも、窒化珪素基板の表面には窒化珪素焼結体を構成する細長い窒化珪素粒子の構造が顕著に確認できる。この構造は、レーザー加工断面近くの表面に限らず、この窒化珪素基板の全面にわたって見られる窒化珪素焼結体本来の構造である。
【００３１】
これに対して、図３（ｂ）では、この窒化珪素粒子の構造が全く見られず、一様な構造となっている。これは、ＳｉＯ２を主成分とするガラス相である熱変性相が全面に形成されているために、図３（ａ）に示された窒化珪素焼結体本来の窒化珪素粒子の構造が隠されていることを示している。
【００３２】
これに対して、レーザー加工を用いて切断した窒化珪素焼結体に対して再焼結工程を行った後の断面のＳＥＭ写真が図４である。ここで、再焼結工程は、１８００℃で５時間、窒素雰囲気中で行った。この構造においては、熱変性相が消滅したために、図３（ａ）と同様の窒化珪素粒子の構造が確認できる。すなわち、この再焼結工程によって熱変性相を除去できることが確認された。
【００３３】
一方で、再焼結工程を行った後の、窒化珪素基板のレーザー加工断面近くの表面ＳＥＭ写真を図５に示す。ここでは図３（ａ）と同様に細長い窒化珪素粒子の構造が確認でき、ボイドも見られず、再焼結工程によって構造の変化は特に生じていない。従って、再焼結工程によって熱変性相は除去できるが、熱変性相が形成されていない箇所に対してこの再焼結工程は特に悪影響を及ぼさない。
【００３４】
図３〜５は窒化珪素焼結体の微細構造について調べた結果であるが、同時にＥＤＸ（エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析：Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によって組成分析も行った。図６に、測定試料のＳＥＭ写真、その中での測定個所、及び測定された組成を示す。測定個所は、同一試料について広範囲の場合（１）と挟範囲の場合（２）の２通りとした。
図６下の表は、レーザー加工後の窒化珪素焼結体における、（ａ）再焼結工程前、（ｂ）再焼結後における、同図中の各ＳＥＭ写真中に矩形で示された測定領域中の窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、シリコン（Ｓｉ）の組成をＥＤＸで測定した結果である。
【００３５】
この結果より、再焼結工程前（ａ）では、広範囲の測定を行った場合（１）においても、挟範囲の測定を行った場合（２）においても、窒素（Ｎ）が観測されず、代わりに酸素（Ｏ）濃度が高く観測されている。すなわち、再焼結工程前では、本来の窒化珪素焼結体の主成分であるＳｉ３Ｎ４ではなく、ＳｉＯ２相を主成分とした熱変性相が形成されていることが確認できる。また、窒化珪素粒子の構造が識別できないことも前記の通りである。
【００３６】
これに対して、再焼結工程後（ｂ）では、広範囲の測定を行った場合（１）においても、挟範囲の測定を行った場合（２）においても、窒素（Ｎ）濃度が大幅に増大し、代わりに酸素（Ｏ）濃度がほぼ零となっている。すなわち、再焼結工程後では、熱変性相が除去され、本来の窒化珪素焼結体の組成に近づいていることが確認できる。また、窒化珪素粒子の構造が識別できることも前記の通りである。
【００３７】
以上より、本願発明における再焼結工程によって、レーザー加工時に形成された熱変性相を除去させることができることが確認できた。
【００３８】
（実施例）
次に、実際に上記の製造方法、及び従来の製造方法によって窒化珪素基板を製造し、これに金属回路板及び放熱板を接合して回路基板とした。これらに対してヒートショック試験を行い、耐性を調べた。ここで、ヒートショック試験とは、窒化珪素回路基板を室温から１０分で４００℃に到達するよう設定された電気炉内に投入後、室温の冷却板の上に取り出し、回路基板が室温になるまで冷却させる、といったサイクルを規定回数施し、窒化珪素基板にクラック等が発生するか否かを調べる試験である。このヒートショックが与えられた際に、銅で構成された金属回路板、放熱板と窒化珪素基板との熱膨張係数の差によって、窒化珪素基板には応力が発生する。従って、クラックの起点となる熱変性相が窒化珪素基板にある場合、あるいは窒化珪素基板中にボイドが存在して機械的強度が低い場合には、ヒートショックによってクラックが発生しやすくなる。なお、上記の４００℃という温度は、この回路基板に半導体チップなどを接合・搭載する際に用いられるはんだの接合温度の上限値とほぼ同じ温度である。従って、このヒートショック試験は、半導体チップを接合する際のクラックの発生しやすさを調べる試験となっている。
【００３９】
ここで、窒化珪素基板としては０．６ｍｍ厚のものを用い、これに対して図８の加工方法によって、レーザー加工を用いて開口部を形成した。その後の再焼結工程を行った試料と行わなかった試料を作成した。また、これらの窒化珪素基板の一方の面に金属回路板として１ｍｍ厚の銅板をろう材によって接合し、他方の面に放熱板として４ｍｍ厚の銅板をろう材によって接合した。なお、ろう材の接合温度は約８００℃である。
【００４０】
その結果、再焼結工程を行った窒化珪素基板を用いた回路基板においては、３回のヒートショック印加後においても肉眼で判別できるクラックは発生しなかった。これに対して、再焼結工程を行わなかった窒化珪素基板を用いた回路基板においては、１回のヒートショック印加後に肉眼で判別できるクラックが発生した。
【００４１】
以上より、本発明の製造方法によれば、信頼性の高い窒化珪素基板を得ることができることが確認された。
【００４２】
なお、上記の例では、窒化物焼結体として、窒化珪素焼結体について記載したが、同様にレーザー加工時に熱変性相が形成される他の窒化物焼結体、例えば窒化アルミニウム等についても同様に本願発明が適用されることは明らかである。
【符号の説明】
【００４３】
１０、９０  窒化珪素焼結体
１１  スクライブライン
１３  開口部
１５  窒化珪素基板
９１  ガラス相
９２  ボイド
【図１】
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【図２】
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【図７】
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【図８】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
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