(57)【要約】【課題】テラス部にキズを付けることがなく、コストが抑えられ、特殊な装置を必要としない、テラス部の形成方法であって、テラス部の形成と併せて、ボイド検査もできる方法を採用した、貼り合せウェーハの製造方法の提供。【解決手段】活性層用基板を、酸化膜を介してまたは介さずに支持基板と貼り合せて貼り合せ基板を調製すること、および支持基板に貼り合わせた活性層用基板を薄層化して活性層を形成することを含む貼り合せウェーハの製造方法。前記活性層の表面の少なくとも一部に接着シートを貼り付け、次いで剥離することで、活性層表面の外周部の未接着部の少なくとも一部を除去し、かつ活性層表面近傍に存在するボイドを検査する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層用基板を、酸化膜を介してまたは介さずに支持基板と貼り合せて貼り合せ基板を調製すること、および支持基板に貼り合わせた活性層用基板を薄層化して活性層を形成することを含む貼り合せウェーハの製造方法において、
前記活性層の表面の少なくとも一部に接着シートを貼り付け、次いで剥離することで、活性層表面の外周部の未接着部の少なくとも一部を除去し、かつ活性層表面近傍に存在するボイドを検査することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
接着シートは、接着強度が２〜１４Ｎ／２０ｍｍの範囲である、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
貼り合せ基板は、酸化雰囲気中で熱処理して貼り合せを強化し、かつウェーハ外周部の未接着部を酸化膜で被覆した後に活性層用基板の薄層化に供され、かつこの薄層化の後に、接着シートの貼り付けおよび剥離の工程を実施する、請求項１または２記載の製造方法。
【請求項４】
接着シートの貼り付けおよび剥離の工程は、活性層の厚さを1〜20μmの範囲に薄膜化した後に実施する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
接着シートの貼り付けおよび剥離の工程は、酸素イオン注入層を有する活性層用基板を、酸化膜を介してまたは介さずに支持基板と貼り合せ、貼り合せ強化熱処理を行い、次いで活性層を1〜20μmの範囲に薄膜化した基板に対して行い、かつ接着シートの貼り付けおよび剥離の工程の後に、前記酸素イオン注入層を利用して活性層用ウェーハを減厚化して酸素イオン注入層を露出させる工程を含む、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項６】
酸素イオン注入層を露出させる工程の後に、さらに活性層用ウェーハの酸素イオン注入層を酸化または研磨により除去する工程、および活性層用ウェーハの表面を熱処理及び／または研磨にて平坦化及び／または薄膜化する工程を含み、活性層を0.1〜2μmの範囲の厚さまで薄膜化する、請求項５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼り合せウェーハの製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、貼り合せ基板外周部の未接着部除去処理と、貼り合せ面に存在するパーティクルや傷などが原因で、貼り合せウェーハに生じる空隙（ボイド）の検査を一度に行える工程を含む、貼り合せウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
貼り合せウェーハの製造方法は、貼り合せ基板外周部の未接着部除去（テラス部形成）処理と、貼り合せウェーハ内周部に生じる空隙（ボイド）の検査の、少なくとも２つの工程を含む。
【０００３】
［貼り合せ基板外周部の未接着部除去処理（テラス部形成方法）］
未接着部形成の原因は、ウェーハの面取り部や鏡面研磨の面だれである。未接着部分の幅は、ウェーハ形状に依存するが、通常0.5-3mm程度である。未接着部分を事前に除去しておかないと、剥離・離脱によるパーティクルの発生の原因になる。
【０００４】
テラス部を形成する方法としては以下の方法が知られている。
(1) 貼り合せウェーハを平面研削した後、外周部を残してテープを貼って、露出した外周部をエッチングによって除去する方法(特許文献1、2)
(2) 外周部を10-100μmまで研削によって減厚したのち、エッチングして除去する方法（特許文献3）
(3) 貼り合せウェーハ外周部に溝をつけた後、研削エッチングを行う方法（特許文献4）
(4) エッチピット抑制およびウェーハに存在するオリエンテーションフラット（オリフラ）部を含めて研削・エッチングを省くことを可能するために、表面研削後にウェーハ中央部のみ残す外周除去研磨をする方法（特許文献5）
【０００５】
［ボイド検査］
貼り合せ面に存在するパーティクルや傷などが原因で、貼り合せウェーハ内周部に空隙（ボイド）が生じることがある。デバイス工程において、このボイド部分が剥がれデバイス不良または発塵の原因となる。
ボイド有無を測定する方法として、以下の方法があり、各方法のボイド検出サイズは以下のとおりである。
(1) 赤外線検査（IR）；ボイド検出サイズ＞1mm(特許文献6)
(2) 超音波検査（US）；ボイド検出サイズ＞0.1mm(特許文献7)
(3) ピーリング検査；接着テープを貼って剥がす  ボイド検出サイズ＞0.1mm
【特許文献１】特開2003−151939号公報
【特許文献２】WO 2001/027999
【特許文献３】特開2000-223452号公報
【特許文献４】特開2006-339302号公報
【特許文献５】WO2003/098695
【特許文献６】特開平07-161596号公報
【特許文献７】特開2005-302967号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記テラス部形成方法については、それぞれ以下のような問題がある。（1)、(2)に記載の方法は、研削時の剥がれがテラス部にキズをつけ、その後のエッチングでテラス部微小くぼみ（エッチピット）ができ、デバイス工程で発塵の原因になる。(3)に記載の方法は、溝付けにコストがかかる。(4)に記載の方法は、特殊な研磨装置が必要となる。
【０００７】
図１の左図として、特許文献5に記載の研削パッドを用いたテラス部形成方法の説明図を示す。テラス処理に研削を使うため、テラス上の酸化膜も研削することになり、酸化膜が除去されることでエッチピットの発生を招く恐れがある。さらに、研削により形成されるテラスの幅も比較的大きく、図２の左図として、研削パッドを用いてテラス部を形成したウェーハの写真を示す。外周辺がテラス部である。
【０００８】
前記ボイド検査については、(1)のIRはボイド検出限界サイズが大きい。(2)のUSは、(1)のIRより感度が高い(ボイド検出限界サイズが小さい)が、測定時間が長く200mmウェーハ全面を詳細に測定するためには1時間以上かかる。(3)のピーリングの検査も(2)のUSと同様に小さなボイドが測れるが、表面に接着材がつくためにその除去が必要であり、また接着シートは使い捨てのため、評価にコストがかかる。
【０００９】
そこで本発明は、テラス部にキズを付けることがなく、コストが抑えられ、特殊な装置を必要としない、テラス部の形成方法であって、テラス部の形成と併せて、ボイド検査もできる方法を採用した、貼り合せウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
[１]活性層用基板を、酸化膜を介してまたは介さずに支持基板と貼り合せて貼り合せ基板を調製すること、および支持基板に貼り合わせた活性層用基板を薄層化して活性層を形成することを含む貼り合せウェーハの製造方法において、
前記活性層の表面の少なくとも一部に接着シートを貼り付け、次いで剥離することで、活性層表面の外周部の未接着部の少なくとも一部を除去し、かつ活性層表面近傍に存在するボイドを検査することを特徴とする製造方法。
[２]接着シートは、接着強度が２〜１４Ｎ／２０ｍｍの範囲である、[１]記載の製造方法。
[３]貼り合せ基板は、酸化雰囲気中で熱処理して貼り合せを強化し、かつウェーハ外周部の未接着部を酸化膜で被覆した後に活性層用基板の薄層化に供され、かつこの薄層化の後に、接着シートの貼り付けおよび剥離の工程を実施する、[１]または[２]記載の製造方法。
[４]接着シートの貼り付けおよび剥離の工程は、活性層の厚さを1〜20μmの範囲に薄膜化した後に実施する、[１]〜[３]のいずれかに記載の製造方法。
[５]接着シートの貼り付けおよび剥離の工程は、酸素イオン注入層を有する活性層用基板を、酸化膜を介してまたは介さずに支持基板と貼り合せ、貼り合せ強化熱処理を行い、次いで活性層を1〜20μmの範囲に薄膜化した基板に対して行い、かつ接着シートの貼り付けおよび剥離の工程の後に、前記酸素イオン注入層を利用して活性層用ウェーハを減厚化して酸素イオン注入層を露出させる工程を含む、[１]または[２]に記載の製造方法。
[６]酸素イオン注入層を露出させる工程の後に、さらに活性層用ウェーハの酸素イオン注入層を酸化または研磨により除去する工程、および活性層用ウェーハの表面を熱処理及び／または研磨にて平坦化及び／または薄膜化する工程を含み、活性層を0.1〜2μmの範囲の厚さまで薄膜化する、[５]に記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、活性層用基板の面内厚さ均一性に優れ、かつボイドが少ない貼り合せウェーハを安価に製造することができる。
【００１２】
本発明においては、貼り合せ・平面研削で薄膜化した後、接着テープでテラス処理を行うことにより、高価なピーリングボイド検査を併せて実施することができ、その結果、ボイドあり製品の流出を抑制しつつプロセス全体の低コスト化が可能である。
【００１３】
本発明の製造方法では、テラス処理に研削・エッチングを使わないために、テラス上の酸化膜を残すことが容易であり、エッチピット発生を防止できる。
【００１４】
後述する薄膜ＳＯＩ製造プロセスに適用することによって、上記同様、テラス上の酸化膜を残すことが容易であり、後工程である酸素イオン注入層での研磨Stop工程での、活性領域外周部の縮小（テラス幅の拡大）を抑えることができ，また活性層厚さの面内均一性を大幅に改善できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、活性層用基板を、酸化膜を介してまたは介さずに支持基板と貼り合せて貼り合せ基板を調製すること、および支持基板に貼り合わせた活性層用基板を薄層化して活性層を形成することを含む貼り合せウェーハの製造方法に関し、前記活性層の表面の少なくとも一部に接着シートを貼り付け、次いで剥離することで、活性層表面の外周部の未接着部の少なくとも一部を除去し、かつ活性層表面近傍に存在するボイドを検査することを特徴とする。
【００１６】
貼り合せウェーハの製造方法としては、一般に、例えば、以下の方法が知られている。
(1) 酸化膜（絶縁膜）が形成された一枚のシリコンウェーハに、もう一枚のシリコンウェーハを貼り合わせ、この貼り合わせたシリコンウェーハの一方を研削・研磨して薄層化してSOI 層を形成する方法（研削研磨法）
(2) シリコンウェーハの内部に酸素イオンを打ち込んだのち、高温アニールを行うことによって、シリコンウェーハの内部に埋め込み酸化膜を形成し、該酸化膜の上部を薄層化してSOI 層とする方法（SIMOX）
(3) SOI 層側となるシリコンウェーハ（活性層用ウェーハ）の表層部に、水素イオン等を打ち込んでイオン注入層を形成したのち、支持基板用のシリコンウェーハと貼り合わせ、ついで熱処理により上記のイオン注入層で剥離することによって薄層化して、SOI 層を形成する方法（スマートカット法）
(4) 酸化膜（絶縁膜）が形成された一枚のシリコンウェーハに、もう一枚のシリコンウェーハを貼り合わせ、この貼り合わせたシリコンウェーハの一方を研削・研磨し、さらにエッチングして薄層化してSOI 層を形成する方法（研削研磨＋エッチング法）
【００１７】
本発明の貼り合せウェーハの製造方法は、上記いずれの方法にも適用可能である。本発明の方法では、薄層化して得た活性層の表面の少なくとも一部に接着シートを貼り付け、次いで剥離することで、活性層表面の外周部の未接着部の少なくとも一部を除去し、かつ活性層表面近傍に存在するボイドを検査する。
【００１８】
接着シートとしては、半導体ウェーハの裏面をバックグラインドする際に使用される半導体ウェーハ加工用保護シートを用いることができる。そのような保護シートは、例えば、特開2005-332873号公報に記載されている。保護シートのシート基材としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリエチレンポリフタレート、ポリエステルなどのポリマーが挙げられ、粘着材としては、一般的に使用される感圧性粘着剤を使用でき、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等、適宜選択できる。なかでも半導体ウェーハとの接着性、剥離後の半導体ウェーハの超純水やアルコール等の有機溶剤による洗浄性の観点から、アクリル系粘着剤が好ましい。
【００１９】
接着シートの貼り付けおよび剥離の工程においては、活性層の表面の少なくとも一部、好ましくは全面に接着シートを貼り付け、次いで剥離する。この操作により、活性層表面の外周部の未接着部の少なくとも一部は、接着シートに貼り付いて除去される。さらに、活性層表面近傍にボイドが存在する場合、ボイド付近においても接着シートに貼り付いて活性層の一部が除去され、その結果、ボイドの有無が検査できる。接着シートは、このように、活性層表面の外周部の未接着部およびボイド付近の活性層が貼り付いて除去されるのに適した接着強度を有するものであることが適当である。そのような粘着シートの接着強度は、例えば、２〜１４Ｎ／２０ｍｍの範囲である。接着強度がこの範囲を下回って低過ぎると、接着力が弱いために小さいサイズのボイドを検出できず、かつウェーハ周辺部の未接着部もほとんど除去されない。また、接着強度がこの範囲を超えて大き過ぎると、ウェーハからテープを剥離する際に長時間を要し、あるいはより強い力が必要となり、作業性が悪くなり、さらには、ウェーハを破壊する危険もある。
【００２０】
接着シートの貼り付けおよび剥離の工程は、活性層の厚さを1〜20μmの範囲に薄膜化した後に実施することが好ましい。粘着シートの適正な接着強度は、活性層の厚みや、半導体基板の材料強度、未接着部の広さ（ウェーハエッジ部の面だれ）によって変化する。通常のSiウェーハの場合、一般に、未接着部の幅は約1-2mmであり、それを接着により引き剥がすことのできる厚さは、最高で20μm程度である。それを超えると、実際にはほとんど剥がれない。薄い場合、剥がれは容易である。しかし、その前工程である平面研削の加工精度が良いものでも±0.5μm程度であること、また研削により加工ダメージの深さが0.1〜1μm程度はあるので、活性層厚さは最低でも1μm以上であることが適切である。
【００２１】
従って、前記接着強度は、活性層の厚さが1〜20μmの範囲の場合に適切な値である。傾向として、活性層の厚さが薄いほど接着強度は弱くても、ウェーハ周辺部の未接着部の除去とボイドの発見は可能であり、活性層の厚さが厚いほど、ウェーハ周辺部の未接着部の除去とボイドの発見には、強い接着強度を有する粘着シートの使用が適する。
【００２２】
接着シートの貼り付けおよび剥離の工程の後には、好ましくは接着シートを剥離した後にウェーハ表面に残る粘着剤を除去することが好ましい。粘着剤の除去は、例えば、加熱した（例えば、50〜90℃、好ましくは例えば、80℃）硫酸＋過酸化水素水に貼り合せ基板を浸漬することで実施できる。浸漬時間は、粘着剤の種類や付着状況、使用する除去によって適宜決定でき、例えば、1〜30分の間とすることができる。
【００２３】
粘着剤の除去工程の後には、接着シートの貼り付けおよび剥離の工程による加工ダメージの除去の工程を設けることが好ましい。加工ダメージの除去の工程としては、例えば、アルカリエッチング（KOH）を挙げることができる。アルカリエッチング（KOH）により1〜5μm、好ましくは約3μmのエッチングを行うことが適当である。
【００２４】
貼り合せ基板は、活性層用基板を、酸化膜を介してまたは介さずに支持基板と貼り合せた後に、酸化雰囲気中で熱処理して貼り合せを強化し、かつウェーハ外周部の未接着部を酸化膜で被覆した後に活性層用基板の薄層化に供され、かつこの薄層化の後に、接着シートの貼り付けおよび剥離の工程を実施することが好ましい。
【００２５】
貼り合せウェーハの製造方法の後工程である研削ダメージ層の研磨またはエッチングによる除去工程または薄膜化・平坦化のための鏡面研磨工程などで、シリコン面が露出している箇所はエッチング代が大きく、欠陥があった場合はエッチピットに、またパーティクルなどが付着しやすくなる。露出をなくすためには酸化雰囲気熱処理を行うことにより未接着部分を酸化膜で被服することで可能となる。
【００２６】
酸素イオン注入層を有する活性層用基板を、酸化膜を介してまたは介さずに支持基板と貼り合せ、貼り合せ強化熱処理を行い、次いで活性層を1〜20μmの範囲に薄膜化し、この基板に対して接着シートの貼り付けおよび剥離の工程を行い、その後、前記酸素イオン注入層を利用して酸素イオン注入層を露出させることが好ましい。
【００２７】
より具体的には、
(1) 活性層用ウェーハに酸素イオンを注入する工程、
(2) 活性層用ウェーハと支持層用ウェーハとを、直接または絶縁膜を介して貼り合わせる工程、
(3) 貼り合わせ強度を向上させるための熱処理工程、
(4) 貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハを1〜20μmの範囲に薄膜化する工程、
(5) さらに活性層用ウェーハを減厚化して酸素イオン注入層を露出させる工程、
(6) 活性層用ウェーハの酸素イオン注入層を酸化または研磨により除去する工程、および
(7) 活性層用ウェーハの表面を熱処理及び／または研磨にて平坦化及び／または薄膜化する工程
を含む一連の工程において、前記(5)の酸素イオン注入層を露出させる工程に先立ち、接着シートの貼り付けおよび剥離の工程を行うことができる。
【００２８】
上記方法では、接着シートによるテラス処理およびボイド検査後に、(5)酸素イオン注入層を露出させるために行う研磨Stopにおいては、テラス上の保護酸化膜に対してダメージを与えない。そのため、アルカリ系研磨液で行うStop研磨により活性側ウェーハ外周部におけるテラス幅の拡大を抑制ができる。その結果、最終製品の活性層面内均一性の改善により効果を発揮する。上記(1)〜(7)の工程を経る貼り合せウェーハの製造方法は、例えば、特開２００８−１６５３４号公報に記載されており、この公報に記載の方法をそのまま実施することができる。
【００２９】
(7)活性層用ウェーハの表面を熱処理及び／または研磨にて平坦化及び／または薄膜化する工程では、研磨またはエッチングまたは熱処理などにより、活性層用ウェーハ(活性層)を、例えば、0.1〜2μmまで薄膜化することが好ましい。本発明の方法は、特に活性層の面内均一性要求が厳しい薄膜SOIと呼ばれる活性層厚さが2μm以下の貼り合せウェーハに有効である。
【００３０】
本発明の製造方法で製造される貼り合せウェーハを構成する半導体材料は特に制限されるものではない。しかし、熱酸化膜形成が容易であり、酸素イオン注入＋熱処理にて酸化物を用意に作製できるシリコン材料を用いることが有効である。またシリコン単結晶の方位は特に限定されず(100)、(110)、(111)面のウェーハおよびその組み合わせによる貼り合せウェーハに適用可能である。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
【００３２】
実施例１
300mmシリコンウェーハ(P型1-20Ωcm、(100)基板)を2枚準備し、一方の活性層用ウェーハには以下の条件で酸素イオン注入を行った(400℃において200keV＊1e17/cm2、その後、室温において、200keV＊4e15/cm2)。その後、Ar雰囲気中、1100℃で12hrプレアニールした後、950℃、4hr、Wet酸化して、厚さ150nmのBOX（埋め込み酸化膜）を形成した。上記未処理のシリコンウェーハと活性側ウェーハを、貼り合せ前洗浄SC1を行った後、貼り合せた。その後、貼り合せ強化熱処理を1100℃、2hr（Wet酸化）を行い、酸化膜厚さを400nmとした。次に研削装置を用いて#300砥石により、貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハを、その表面から所定の厚さ分だけ研削した。すなわち、酸素イオン注入層の表面側に活性層用ウェーハの一部（活性層残膜10μm）を残す平面研削処理を施した。
【００３３】
次に、貼り合せ未接着部除去およびボイド検査のため粘着シートの貼り合せおよび剥離を実施した。使用した粘着シートは35cm×35cmであり、粘着シートの接着強度は、10Ｎ／20ｍｍであった。
【００３４】
粘着シートの貼り合せおよび剥離の後、硫酸加水を用いて80℃で10min、粘着剤除去を行い、さらに、アルカリエッチング（KOH）により3μmエッチングして加工ダメージを除去した。
【００３５】
ついで、砥粒（シリカ）濃度が１質量％以下の砥粒を含む研磨剤を供給しながら、研削後、貼り合わせウェーハの表面を研磨し、酸素イオン注入層を露出させた。研磨剤としては、砥粒濃度が１質量％以下であるアルカリ性溶液を使用した。
【００３６】
酸素イオン注入層を露出させた基板を酸素雰囲気で1000℃1hr処理し、さらにHF洗浄(20%-10min)をおこなって、酸素イオン注入層を除去して貼り合わせウェーハを完成させた。
【００３７】
＜評価方法＞
テラス幅は定規で計測した。
テラス上ピットは目視で外観を観察した。
活性層面内厚さばらつきは、エリプソメータで計測した。
ボイド検査は、目視，及び顕微鏡観察でおこなった。
【００３８】
比較のため、特許文献5に記載の研削パッドを用いたテラス部形成方法を実施した。得られたウェーハの写真を図２の左図として示し、評価結果を表１に示す。外周辺がテラス部である。図２の右図は、本発明の方法により得られたウェーハの写真である。外周辺のテラス部の幅に大きな違いがあることが分かる。
【００３９】
【表１】
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【００４０】
ボイド検査結果
本発明の方法（実施例）で観察されたボイドの写真を図３（上）に示す。
図３（下）は、粘着テープにより剥がされたウェーハ周辺の未接着部の写真である。活性層とテラス部の界面が比較的きれいであることが分かる。
【００４１】
実施例２
活性層の厚みを変えた場合の実施例
３００ｍｍφ、（１００）ｐ型シリコンウェーハ（抵抗率：１〜２０Ωcm）を２枚準備し、活性層用ウェーハに、酸素イオン注入を行い（４００℃において２００ｋｅＶ×１Ｅ１７／ｃｍ2、その後、室温において２００ｋｅＶ×４Ｅ１５／ｃｍ2）、Ａｒ雰囲気での熱処理を実施した（１１００℃×１２ｈｒｓ．）。
支持側ウェーハを酸化雰囲気で熱処理を行い、１５０ｎｍの酸化膜を形成した（９５０℃×４ｈｒｓ．、ウエット酸化）。
【００４２】
これらのウェーハを１００組準備し、ＳＣ１洗浄後、貼り合わせを行った。貼り合わせ後、強結合熱処理を実施（１１００℃×２ｈｒｓ．、ウエット酸化）し、得られた、貼り合わせウェーハを平面研削により活性層側の厚みを２０μｍに薄膜化し、粘着テープによる剥離テストを実施した。その後、さらに活性層の厚みを１０μｍまで薄膜化し、実施例1と同様の評価を実施した。続けて同じ要領で、同一ウェーハを使用して、活性層の厚みを５μｍまたは２μｍまで薄膜化したウェーハでの評価を実施した。評価には、いずれの場合も、標準の粘着力（１０Ｎ／２０ｍｍ）の粘着シートを使い剥離評価を行った。
【００４３】
[結果]
＜２０μｍ厚の場合＞
・ウェーハ外周部の未接着部は、全体の３０〜４０％が除去できずに残っていた。
・ウェーハ面内のボイドに関しては、２枚のサンプルでボイドを検出でき、検出できるサイズは１ｍｍ以上であった。
＜１０μｍ厚の場合＞
・ウェーハ外周部の未接着部は、全体の１０〜２０％が除去できずに残っていた。
・ウェーハ面内のボイドに関しては、８枚のサンプルでボイドを検出でき、検出できるサイズは０．５ｍｍ以上であった。
＜５μｍ厚の場合＞
・ウェーハ外周部の未接着部は、全体の２〜５％が除去できずに残っていた。
・ウェーハ面内のボイドに関しては、１０枚のサンプルでボイドを検出でき、検出できるサイズは０．５ｍｍ以上であった。
＜２μｍ厚の場合＞
・ウェーハ外周部の未接着部は、全体の２〜５％が除去できずに残っていた。
・ウェーハ面内のボイドに関しては、１０枚のサンプルでボイドを検出でき、検出できるサイズは０．５ｍｍ以上であった。
【００４４】
実施例３
粘着シートの接着強度を変えた場合の実施例
３００ｍｍφ、（１００）ｐ型シリコンウェーハ（抵抗率：１〜２０Ωcm）を２枚準備し、活性層用ウェーハに、酸素イオン注入を行い（４００℃において２００ｋｅＶ×１Ｅ１７／ｃｍ2、その後、室温において２００ｋｅＶ×４Ｅ１５／ｃｍ2）、Ａｒ雰囲気での熱処理を実施した（１１００℃×１２ｈｒｓ．）。支持側ウェーハを酸化雰囲気で熱処理を行い、１５０ｎｍの酸化膜を形成した（９５０℃×４ｈｒｓ．、ウエット酸化）。
【００４５】
これらのウェーハを２００組準備し、ＳＣ１洗浄後、貼り合わせを行った。貼り合わせ後、強結合熱処理を実施した（１１００℃×２ｈｒｓ．、ウエット酸化）。
この貼り合わせウェーハを平面研削により活性層側の厚みを１０μｍまで薄膜化し、粘着テープによる剥離テストを実施した。この時、シートの接着強度が異なる４種類のシート（２、６、１０、１４Ｎ／２０ｍｍ）を使い剥離評価を行った。
【００４６】
[結果]
＜２Ｎ／２０ｍｍのシートの場合＞
・ウェーハ外周部の未接着部は、全体の４０〜５０％が除去できずに残っていた。
・ウェーハ面内のボイドに関しては、２枚のサンプルでボイドを検出でき、検出できるサイズは１ｍｍ以上であった。
【００４７】
＜６Ｎ／２０ｍｍのシートの場合＞
・ウェーハ外周部の未接着部は、全体の２０〜３０％が除去できずに残っていた。
・ウェーハ面内のボイドに関しては、６枚のサンプルでボイドを検出でき、検出できるサイズは０．５ｍｍ以上であった。
【００４８】
＜１０Ｎ／２０ｍｍのシートの場合＞
・ウェーハ外周部の未接着部は、全体の１０〜２０％が除去できずに残っていた。
・ウェーハ面内のボイドに関しては、８枚のサンプルでボイドを検出でき、検出できるサイズは０．５ｍｍ以上であった。
【００４９】
＜１４Ｎ／２０ｍｍのシートの場合＞
・ウェーハ外周部の未接着部は、全体の５〜１０％が除去できずに残っていた。
・ウェーハ面内のボイドに関しては、１０枚のサンプルでボイドを検出でき、検出できるサイズは０．３ｍｍ以上であった。
・但し、接着強度が強いため、剥離するのに時間を要した。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、半導体ウェーハの製造技術分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】テラス部形成方法の説明図。左が従来方法。右が本発明の方法。
【図２】テラス部を形成したウェーハの写真。左が従来方法。右が本発明の方法
【図３】実施例１で作成したウェーハの写真（上：ボイド、下：周辺部）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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