(57)【要約】【課題】  ステンシルマスクを用いた荷電粒子打ち込み工程を有するとともに、より高い製造歩留まりをより不良が生じ難い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ１０の半導体装置領域１２の一部をマスクするステンシルマスク２０を、半導体装置領域１２に接触させないで、非半導体装置領域１４に接触させて半導体ウエハ１０に固定するステンシルマスク固定工程と、半導体ウエハ１０に向けてステンシルマスク２０越しに荷電粒子を打ち込む荷電粒子打ち込み工程を有している。【選択図】図２
2010186820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハの半導体装置となる半導体装置領域の一部をマスクするステンシルマスクを、半導体装置領域に接触させないで、半導体装置とならない非半導体装置領域に接触させて半導体ウエハに固定するステンシルマスク固定工程と、
半導体ウエハに向けてステンシルマスク越しに荷電粒子を打ち込む荷電粒子打ち込み工程、
を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ステンシルマスクには、その外周部に凸部が形成されており、
ステンシルマスク固定工程では、凸部が半導体ウエハの外周部と接触するようにステンシルマスクを半導体ウエハに固定することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ステンシルマスク固定工程では、紫外線の照射により接着力が低下する接着剤を用いてステンシルマスクを半導体ウエハに接着することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ステンシルマスクのうちの半導体ウエハに接触する接触部には、電極と、電極の表面を覆う絶縁膜が形成されており、
ステンシルマスク固定工程では、接触部を半導体ウエハに接触させるとともに電極に電荷を蓄積させて、電極と半導体ウエハの間に生じる静電気力によってステンシルマスクを半導体ウエハに固定することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、ステンシルマスクを半導体ウエハ上に固定し、半導体ウエハに向けてステンシルマスク越しに荷電粒子を打ち込む工程が行われる。これによって、ステンシルマスクの開口に対応する範囲の半導体ウエハに荷電粒子が打ち込まれ、その範囲の半導体の特性を変化させることができる。例えば、Ｐ型またはＮ型の不純物イオンを打ち込むことで、半導体をＰ型化またはＮ型化することができる。また、Ｈｅイオンや電子を打ち込むことで、半導体中に結晶欠陥を形成してキャリアライフタイムを制御することができる。特許文献１には、このようなステンシルマスクの従来例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１１２９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体装置の製造方法では、ステンシルマスクの表面全体を半導体ウエハに接着して固定していた。このような固定方法では、半導体ウエハの半導体装置領域（半導体装置となる領域）の表面にステンシルマスクが接触するため、半導体装置領域の表面にキズが生じる場合があった。また、荷電粒子の打ち込み工程が終了してステンシルマスクを取り外した後に半導体ウエハを洗浄して接着剤を除去する必要があるが、洗浄後に半導体装置領域の表面に接着剤が残存する場合がある。この場合には、その後の工程において、残存した接着剤により不具合が生じ、接着剤が残存している半導体装置領域は不良となってしまう。このように、従来の製造方法では、半導体装置の製造歩留まりが低いという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述した実情に鑑みて創作されたものであり、ステンシルマスクを用いた荷電粒子打ち込み工程を有するとともに、より不良が生じ難い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置の製造方法は、ステンシルマスク固定工程と、荷電粒子打ち込み工程を有している。ステンシルマスク固定工程では、半導体ウエハの半導体装置領域（半導体装置となる領域）の一部をマスクするステンシルマスクを、半導体装置領域に接触させないで、非半導体装置領域（半導体装置とならない領域）に接触させて半導体ウエハに固定する。荷電粒子打ち込み工程では、半導体ウエハに向けてステンシルマスク越しに荷電粒子を打ち込む。
なお、ステンシルマスクの固定には種々の方法を用いることができ、接着により半導体ウエハに固定してもよいし、静電気力によって半導体ウエハに固定してもよい。
また、ステンシルマスクは、複数の部材によって構成されていてもよい。例えば、荷電粒子に対するマスクとなるマスク部材（開口が形成されている部材）と、マスク部材と半導体ウエハとを連結するための連結部材（例えば、スペーサ等）が別体である場合には、マスク部材と連結部材を合わせたものがステンシルマスクである。
この製造方法では、ステンシルマスクを半導体装置領域に接触させることなく半導体ウエハに固定する。したがって、半導体装置領域の表面にキズが生じることが防止される。また、接着剤を用いたとしても、半導体装置領域の表面に接着剤が付着することがない。この製造方法によれば、半導体装置が不良となることを抑制することができる。
【０００７】
上述した製造方法に使用するステンシルマスクには、その外周部に沿って凸部が形成されていることが好ましい。そして、ステンシルマスク固定工程では、凸部が半導体ウエハの外周部と接触するようにステンシルマスクを半導体ウエハに固定することが好ましい。
このような構成によれば、ステンシルマスクの凸部を半導体ウエハの外周部に接触させたときに、ステンシルマスクと半導体装置領域との間に隙間が形成される。したがって、ステンシルマスクと半導体装置領域との接触が防止される。なお、ステンシルマスクの外周部に凸部を設ければ、ステンシルマスクの強度を向上させることもできる。
【０００８】
上述した製造方法においては、ステンシルマスク固定工程で、紫外線の照射により接着力が低下する接着剤を用いてステンシルマスクを半導体ウエハに接着することが好ましい。
このような構成によれば、荷電粒子打ち込み工程後に、接着剤に紫外線を照射することで、半導体ウエハからステンシルマスクを容易に剥離することができる。
【０００９】
上述した製造方法において使用するステンシルマスクのうちの半導体ウエハに接触する接触部には、電極と、電極の表面を覆う絶縁膜が形成されていてもよい。この場合、ステンシルマスク固定工程では、接触部を半導体ウエハに接触させるとともに電極に電荷を蓄積させて、電極と半導体ウエハの間に生じる静電気力によってステンシルマスクを半導体ウエハに固定することができる。
このような構成によれば、接着剤を用いることなくステンシルマスクを半導体ウエハに固定することができる。接着剤の塗布及び乾燥が不要となり、また、ステンシルマスクの取り外し後に半導体ウエハを洗浄（接着剤を除去）する必要もなくなる。したがって、より効率よく半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体装置領域にキズが生じたり、半導体装置領域に接着剤が付着することを防止できる。これによって、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】接着装置３０の概略構成を示す図。
【図２】第１実施例のステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に固定した状態を示す断面図。
【図３】第１変形例のステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に固定した状態を示す断面図。
【図４】第２変形例のステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に固定した状態を示す断面図。
【図５】第３変形例のステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に固定した状態を示す断面図。
【図６】第２実施例のステンシルマスク２０の断面図。
【図７】第４変形例のステンシルマスク２０の断面図。
【図８】第３実施例のステンシルマスク２０の凸部２３の拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１２】
第１実施例の半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。この製造方法では、ステンシルマスクを半導体ウエハに固定し、その後、ステンシルマスク越しに半導体ウエハに荷電粒子を打ち込むことで、半導体ウエハ中に結晶欠陥を形成する。これによって、キャリアライフタイムを制御した半導体装置を製造する。本実施例の製造方法は、ステンシルマスクを固定して半導体ウエハに荷電粒子を打ち込む工程に特徴を有しているので、その他の工程については説明を省略する。図１は、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に接着する接着装置３０の概略構成を示している。
【００１３】
半導体ウエハ１０は、半導体装置となる半導体装置領域１２と、ダイシング後に廃棄される外周部１４と、ダイシング時に削り取られるダイシング領域１６とに区分することができる。外周部１４とダイシング領域１６は、半導体装置とならない非半導体装置領域である。
【００１４】
ステンシルマスク２０は、単結晶シリコンにより構成されている（なお、ステンシルマスク２０は、アルミ等の金属材料により構成することもできる）。ステンシルマスク２０には、多数の開口２２が形成されている。各開口２２は、半導体ウエハ１０の各半導体装置領域１２に対応する位置に形成されている。開口２２の面積は、半導体装置領域１２の面積より小さい。ステンシルマスク２０の外周部には、ステンシルマスク２０の下面から下方に突出する凸部２３が形成されている。凸部２３は、ステンシルマスク２０の外周に沿って形成されている。
【００１５】
接着装置３０は、ステージ３２と、上部カメラ３４と、下部カメラ３６と、アライメントコントローラ３８と、接着剤塗布ノズル４０と、ステンシルマスク保持機構４２を備えている。
ステージ３２には、半導体ウエハ１０を載置することができる。図示していないが、ステージ３２には真空吸着装置が内蔵されており、これによって半導体ウエハ１０を吸着して固定することができる。なお、半導体ウエハ１０をステージ３２に固定する構造は、静電チャック構造であってもよい。また、ステージ３２は、図示しない駆動機構によって、水平面内で上下左右に移動可能とされており、また、水平面内で軸周りに角度を変更可能とされている。また、ステージ３２には、貫通孔３２ａが形成されている。
接着剤塗布ノズル４０は、接着剤を吐出する。接着剤塗布ノズル４０は、図示しない駆動機構によって、ステージ３２に対して相対移動可能とされている。
ステンシルマスク保持機構４２には、ステンシルマスク２０が脱着可能とされている。ステンシルマスク保持機構４２は、図示しない駆動機構によって、ステージ３２に対して進退動可能とされている。
上部カメラ３４は、ステンシルマスク保持機構４２に取り付けられたステンシルマスク２０越しに、ステージ３２上に載置された半導体ウエハ１０の上面を撮影する。下部カメラ３６は、ステージ３２上に載置された半導体ウエハ１０の下面を、貫通孔３２ａを通して撮影する。
アライメントコントローラ３８は、上部カメラ３４が撮影した映像と下部カメラ３６が撮影した映像に基づいて、ステージ３２を移動させて、半導体ウエハ１０とステンシルマスク２０の相対位置を調整する。
【００１６】
（ステンシルマスク固定工程）
上述したように、ステンシルマスク２０は、接着装置３０を用いて、半導体ウエハ１０に接着される。なお、図示していないが、半導体ウエハ１０の表面には、既に電極パターンが形成されている。
最初に、半導体ウエハ１０をステージ３２上に載置する。そして、真空吸着によって半導体ウエハ１０をステージ３２に固定する。また、ステンシルマスク保持機構４２に、ステンシルマスク２０を取り付ける。ステンシルマスク２０は、凸部２３が半導体ウエハ１０と対向するように取り付ける。次に、接着剤塗布ノズル４０によって、半導体ウエハ１０の外周部１４の表面に接着剤を塗布する。接着剤は、半導体ウエハ１０の外周に沿って一巡するように塗布してもよいし、必要な箇所に部分的に塗布してもよい。次に、上部カメラ３４と下部カメラ３６によって、半導体ウエハ１０を撮影するとともに、アライメントコントローラ３８を作動させる。アライメントコントローラ３８は、上部カメラ３４と下部カメラ３６で撮影される映像に基づいて、半導体ウエハ１０とステンシルマスク２０が所定の位置関係となるように、ステージ３２を移動させて位置調整する。位置調整が終了したら、ステンシルマスク保持機構４２を半導体ウエハ１０に向かって移動させる。これによって、図２に示すように、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に接触させる。ステンシルマスク２０には凸部２３が形成されているので、ステンシルマスク２０の凸部２３が半導体ウエハ１０の外周部１４に接触する。外周部１４には接着剤が塗布されているので、凸部２３は接着剤を介在した状態で半導体ウエハ１０に接触する。ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に接触させたら、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に向けて加圧した状態を維持して、接着剤を乾燥させる。これによって、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に固定（接着）する。接着剤が乾燥したら、一体化した半導体ウエハ１０とステンシルマスク２０を接着装置３０から取り外す。
【００１７】
図２に示すように、ステンシルマスク２０には凸部２３が形成されているので、ステンシルマスク２０は半導体ウエハ１０の外周部１４のみと接触し、ステンシルマスク２０と半導体ウエハ１０の外周部１４以外の領域との間には隙間が形成される。したがって、半導体装置領域１２はステンシルマスク２０に接触しない。
また、ステンシルマスク２０と半導体ウエハ１０は相対位置を調整された状態で接着されているので、各半導体装置領域１２の上方にステンシルマスク２０の開口２２が位置している。上述したように、開口２２の面積は半導体装置領域１２の面積より小さい。したがって、各半導体装置領域１２の中央部の上方は開口２２により開放されている（ステンシルマスク２０が存在していない）が、各半導体装置領域１２の中央部より外側の領域の上方はステンシルマスク２０に覆われている。
【００１８】
（荷電粒子打ち込み工程）
ステンシルマスク固定工程が終了したら、図２に示すように、半導体ウエハ１０の上面に向けて、ヘリウムイオンを照射する。すなわち、ステンシルマスク２０越しに、半導体ウエハ１０にヘリウムイオンを照射する。ステンシルマスク２０に打ち込まれたヘリウムイオンは、ステンシルマスク２０中で停止する。したがって、ステンシルマスク２０に覆われている範囲では、ヘリウムイオンは半導体ウエハ１０の内部には打ち込まれない。一方、開口２２に対応する半導体装置領域１２の中央部では、ヘリウムイオンが半導体ウエハ１０の内部に直接打ち込まれる。これによって、半導体装置領域１２の中央部では、結晶欠陥が形成される。これによって、この領域のキャリアライフタイムが短縮化される。
【００１９】
（ステンシルマスク剥離工程）
荷電粒子打ち込み工程が終了したら、半導体ウエハ１０とステンシルマスク２０を接着している接着剤を、有機溶剤（例えば、アセトン、シンナー等）によって融解させる。その後、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０から剥離する。ステンシルマスク２０を剥離したら、半導体ウエハ１０を洗浄して、半導体ウエハ１０の表面（外周部１４の表面）に残存している接着剤の残渣を除去する。その後、半導体ウエハ１０を乾燥させる。
【００２０】
以上の工程を実施したら、その他の必要な構造を形成した後に、半導体ウエハ１０をダイシングする。これによって、半導体装置が製造される。
【００２１】
以上に説明したように、第１実施例の製造方法では、ステンシルマスク２０の凸部２３を半導体ウエハ１０の外周部１４に接着する。したがって、半導体ウエハ１０の半導体装置領域１２がステンシルマスク２０に接触しない。このため、半導体装置領域１２にキズ等が生じることが防止される。また、半導体装置領域１２に接着剤を塗布しないので、接着剤の残渣によって半導体装置領域１２に不具合が生じることもない。この製造方法によれば、半導体装置の不良の発生を抑制することができ、高い製造歩留まりで半導体装置を製造することができる。
また、第１実施例の製造方法で用いたステンシルマスク２０には、その外周に沿って凸部２３が形成されている。これによって、ステンシルマスク２０の強度が向上され、ステンシルマスク２０の撓みが防止されている。なお、第１実施例では、ステンシルマスク２０に凸部２３を形成したが、図３に示すように、半導体ウエハ１０の外周部１４に凸部１４ａを形成してもよい。凸部１４ａを半導体ウエハ１０の外周に沿って形成することで、半導体ウエハ１０の強度を向上することができる。また、図４に示すように、半導体ウエハ１０とステンシルマスク２０の双方に凸部１４ａ、２３を形成してもよい。また、上述した実施例では、ステンシルマスク２０の外周部にのみ凸部２３を形成したが、図５に示すように、ダイシング領域１６に対応する範囲に凸部２４を形成してもよい。凸部２４を形成することで、ステンシルマスク２０の撓みをより抑制することができる。また、凸部２４を形成しても、半導体装置領域１２にキズ等が生じることを防止することができる。
【実施例２】
【００２２】
次に、第２実施例の半導体装置の製造方法について説明する。第２実施例の製造方法に用いるステンシルマスク２０は、図６に示すように、凸部２３が石英により構成されている。その他の部分は、第１実施例と同様に、単結晶シリコンにより構成されている。
（ステンシルマスク固定工程）
第２実施例のステンシルマスク固定工程では、接着剤として紫外線硬化樹脂を用いる。その他については、第１実施例のステンシルマスク固定工程と同様に行う。すなわち、半導体ウエハ１０に紫外線硬化樹脂を塗布した後に、半導体ウエハ１０にステンシルマスク２０を接触させる。その後、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０向けて加圧した状態で、紫外線硬化樹脂を乾燥させる。これによって、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に接着する。
【００２３】
（荷電粒子打ち込み工程）
第２実施例の荷電粒子打ち込み工程は、第１実施例の荷電粒子打ち込み工程と同様に実施する。これによって、半導体装置領域１２の中央部のキャリアライフタイムが短縮化される。
【００２４】
（ステンシルマスク剥離工程）
荷電粒子打ち込み工程が終了したら、ステンシルマスク２０の側面側から、半導体ウエハ１０とステンシルマスク２０を接着している紫外線硬化樹脂に向けて紫外線を照射する。上述したように、ステンシルマスク２０の凸部２３が石英により構成されており、石英が紫外線を透過するので、紫外線硬化樹脂全体に紫外線を照射することができる。紫外線を照射することによって、紫外線硬化樹脂が硬化する。紫外線効果樹脂は、硬化すると接着力が低下する。紫外線硬化樹脂が硬化したら、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０から剥離する。ステンシルマスク２０を剥離したら、半導体ウエハ１０を洗浄して、半導体ウエハ１０の表面（外周部１４の表面）に残存している紫外線硬化樹脂の残渣を除去する。その後、半導体ウエハ１０を乾燥させる。
【００２５】
以上の工程を実施したら、その他の必要な構造を形成した後に、半導体ウエハ１０をダイシングする。これによって、半導体装置が製造される。
【００２６】
以上に説明したように、第２実施例の製造方法では、接着剤に紫外線硬化樹脂を用いる。紫外線硬化樹脂は、紫外線の照射によって接着力を低下させることができるので、第１実施例に比べてステンシルマスク２０を容易に剥離することができる。すなわち、ステンシルマスク２０を剥離するのに要する時間を大幅に短縮することができる。これによって、半導体装置をより高い製造効率で製造することが可能となる。
なお、上述した実施例では、凸部２３のみを石英により構成したが、図７に示すように、ステンシルマスク２０全体を石英により構成してもよい。なお、石英は絶縁体であるため、荷電粒子打ち込み工程においてステンシルマスク２０が帯電する場合がある。したがって、図７に示すように、ステンシルマスク２０の表面に、蒸着等によって導電膜２５（アルミニウム等）を形成することが好ましい。導電膜２５を形成することで、ステンシルマスク２０の帯電を抑制することができる。また、導電膜２５を形成することで、ステンシルマスク２０の放熱性が向上し、ステンシルマスク２０の温度上昇を抑制することもできる。
なお、ステンシルマスク２０の凸部２３は、石英等の紫外線透過材料で構成することが好ましいが、単結晶シリコンや金属等の紫外線を透過し難い材料で構成してもよい。この場合、半導体ウエハ１０とステンシルマスク２０との接着部近傍に強い紫外線を照射することで、紫外線硬化樹脂を硬化（接着力低下）させることができる。
【実施例３】
【００２７】
次に、第３実施例の半導体装置の製造方法について説明する。図８は、第３実施例の製造方法に用いるステンシルマスク２０の凸部２３の拡大図を示している。図８に示すように、凸部２３の端部に、キャパシタ構造２６が形成されている。その他の部分は、第１実施例と同様に、単結晶シリコンにより構成されている。キャパシタ構造２６は、絶縁膜２６ａ、２６ｂ、２６ｃと電極２６ｄにより構成されている。絶縁膜２６ａは、酸化シリコン（熱酸化膜）からなっており、凸部２３の単結晶シリコン部分の端面に形成されている。電極２６ｄは、ドープドポリシリコンからなっており、絶縁膜２６ａの表面に形成されている。絶縁膜２６ｂは、酸化シリコン（熱酸化膜）からなっており、電極２６ｄの表面を覆うように形成されている。絶縁膜２６ｃは、ポリイミドからなっており、絶縁膜２６ｂを覆うように形成されている。電極２６ｄは、その表面の略全域を絶縁膜に覆われているが、一部の箇所において外部に接続可能とされている。
【００２８】
（ステンシルマスク固定工程）
第３実施例のステンシルマスク固定工程では、接着剤を用いない。すなわち、最初に、第１実施例のステンシルマスク固定工程と同様にして、半導体ウエハ１０をステージ３２に取り付けるとともに、ステンシルマスク２０をステンシルマスク保持機構４２に取り付ける。次に、ステンシルマスク２０の電極２６ｄを外部電源に接続し、電極２６ｄに負電位を印加する。これによって、電極２６ｄに電子が蓄積される。電極２６ｄに電子を蓄積したら、外部電源を電極２６ｄから切り離す。その後、第１実施例のステンシルマスク固定工程と同様にして、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に接触させる。すると、電極２６ｄに蓄積された電子により生じる静電気力によって、ステンシルマスク２０の凸部２３が半導体ウエハ１０に吸着される（静電吸着）。この吸着力は、下式に示す値となる。
【数１】
2010186820.tif 000003
なお、数１において、Ｆは静電気力（吸着力）であり、Ｖは電極２６ｄと半導体ウエハ１０との間の電位差であり、Ｓは電極２６ｄが半導体ウエハ１０に対抗する面積であり、ｄは絶縁膜の厚さ（絶縁膜２６ａと絶縁膜２６ｃを合わせた厚さ）であり、ε０は真空中の誘電率であり、εｓは絶縁膜の比誘電率である。この静電気力によって吸着されることによって、ステンシルマスク２０が半導体ウエハ１０に固定される。
【００２９】
（荷電粒子打ち込み工程）
第３実施例の荷電粒子打ち込み工程は、第１実施例の荷電粒子打ち込み工程と同様に実施する。これによって、半導体装置領域１２の中央部のキャリアライフタイムが短縮化される。なお、電極２６ｄは負に帯電していることから、荷電粒子打ち込み工程において電極２６ｄに蓄積された電子が中和されることが無い。これによって、荷電粒子打ち込み工程中にステンシルマスク２０と半導体ウエハ１０の間の吸着力が低下することが抑制されている。
【００３０】
（ステンシルマスク剥離工程）
第３実施例のステンシルマスク剥離工程では、ステンシルマスク２０の凸部２３（すなわち、電極２６ｄ）に向けて紫外線を照射する。これによって、電極２６ｄ中の電子が光電効果によって外部に放出され、ステンシルマスク２０と半導体ウエハ１０の間の吸着力が低下する。これによって、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０から剥離する。
【００３１】
以上の工程を実施したら、その他の必要な構造を形成した後に、半導体ウエハ１０をダイシングする。これによって、半導体装置が製造される。
【００３２】
以上に説明したように、第３実施例の製造方法では、電極２６ｄへの電子の蓄積によって生じる静電気力によって、ステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に固定する。ステンシルマスク２０の固定時における接着剤の塗布、乾燥、及び、ステンシルマスク２０の剥離時における接着剤の除去（洗浄）が不要となるので、半導体装置をより高い製造効率で製造することが可能となる。また、接着剤の残渣によって不具合が生じることも無くなる。
また、上述した実施例では、凸部２３の端部がポリイミドからなる絶縁膜２６ｃによって形成されている。ポリイミドは半導体ウエハ１０（すなわち、単結晶シリコン）よりもヤング率が低い（すなわち、柔らかい）。このように、ステンシルマスク２０のうちの半導体ウエハ１０と接触する部分を、半導体ウエハ１０より柔らかい材質で形成することによって、半導体ウエハ１０の外周部１４にキズ等が生じることを抑制することができる。
また、上述した実施例では、電極２６ｄがポリシリコンにより形成されている。これによって、電極２６ｄを金属で形成する場合に比べて、キャパシタ構造２６の絶縁耐圧が向上されている。
また、上述した実施例では、電極２６ｄの周囲を熱酸化膜からなる絶縁膜２６ａ、２６ｂで覆っており、これによって電極２６ｄに蓄積した電子の長時間の保持が可能となっている。
なお、上述した実施例では、ステンシルマスク剥離工程において、紫外線を照射することによって電極２６ｄに蓄積した電子を放出させた。しかしながら、電極２６ｄを接地等することによって、電極２６ｄに蓄積した電子を放出させてもよい。
なお、図５と同様にして、ステンシルマスク２０のうちのダイシング領域１６に対応する範囲に凸部２４を形成する場合には、凸部２４の端部にもキャパシタ構造２６を形成することができる。これによって、より強固にステンシルマスク２０を半導体ウエハ１０に固定することが可能となる。
【００３３】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３４】
１０：半導体ウエハ
１２：半導体装置領域
１４：外周部
１６：ダイシング領域
２０：ステンシルマスク
２２：開口
２３：凸部
３０：接着装置
３２：ステージ
３４：上部カメラ
３６：下部カメラ
３８：アライメントコントローラ
４０：接着剤塗布ノズル
４２：ステンシルマスク保持機構
【図１】
2010186820.tif 000004
【図２】
2010186820.tif 000005
【図３】
2010186820.tif 000006
【図４】
2010186820.tif 000007
【図５】
2010186820.tif 000008
【図６】
2010186820.tif 000009
【図７】
2010186820.tif 000010
【図８】
2010186820.tif 000011