(57)【要約】【課題】安定した成膜レートを得ることができ、電気的パスを形成するための事前作業をすることなく安定した放電を得ることができるイオンプレーティング装置を提供すること。【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３の内部にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、真空チャンバ３の内部においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、成膜用のタブレット２１をハース５から真空チャンバ３の内部に露出するように支持するタブレット支持棒２５とを備え、タブレット支持棒２５は、導電性であり、ハース５は、真空チャンバの内部においてタブレット２１と絶縁され、真空チャンバ３の外部においてハース抵抗１７を介してタブレット支持棒２５と電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、陰極として機能し、前記チャンバ内にプラズマビームを発生するプラズマビーム発生源と、陽極として機能し、前記チャンバ内においてプラズマビームが照射されるハースと、前記ハースに近接配置された成膜用の蒸発源を前記チャンバ内に露出するように支持する蒸発源支持部とを備え、
前記蒸発源支持部は、導電性であり、
前記ハースは、前記チャンバ内において前記蒸発源と絶縁され、前記チャンバ外において抵抗を介して前記蒸発源支持部と電気的に接続されていることを特徴とするイオンプレーティング装置。
【請求項２】
前記抵抗は、可変抵抗であり、
前記蒸発源に流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部の検出結果に基づいて前記抵抗の抵抗値を制御する抵抗値制御部とを備えたことを特徴とする請求項１に記載のイオンプレーティング装置。
【請求項３】
前記電流検出部は、成膜中に前記蒸発源に流れる電流を検出し、
前記抵抗値制御部は、成膜中に前記抵抗の抵抗値を制御することを特徴とする請求項２に記載のイオンプレーティング装置。
【請求項４】
前記蒸発源支持部の前記蒸発源を支持する支持面に柔軟性を有する導電シートを備えたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項５】
前記蒸発源支持部は、前記蒸発源を弾性挟持する挟持部を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項６】
前記ハースは、前記チャンバの側面に設けられたことを特徴とする請求項５に記載のイオンプレーティング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオンプレーティング装置に関し、特に、突き上げ方式のイオンプレーティング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマビームを利用したイオンプレーティング装置として、突き上げ方式のイオンプレーティング装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このイオンプレーティング装置においては、ハースに形成された貫通孔に蒸発源としてのタブレットが収容され、このタブレットが下方から絶縁性の突き上げ棒により突き上げられることでチャンバ内に連続的に繰り出されている。そして、チャンバ内に発生したプラズマビームがステアリングコイル等によりハースに向かって誘導され、チャンバ内に繰り出されたタブレットの上面を照射することにより、照射により発生した気体がプラズマビームを通過してイオン化し、基板の表面に付着して成膜している。
【０００３】
このとき、プラズマビームの照射によりタブレットを移動する負電荷は、突き上げ棒が絶縁性であるため、導電性を有するハースを介して電源に戻る構成となっている。このような構成においては、チャンバ内におけるタブレットとハースとの間の異常放電を抑制するために、イオンプレーティング装置の稼働前にタブレットとハースとの間の電気的パスを形成する事前作業が実施されている。この事前作業では、タブレットとハースとの隙間にタブレットを粉状にしたものを詰めたり、予めタブレットを消費させてハースの内周面にデポ物を堆積させることにより、タブレットとハースとの間に電気的パスを形成している。
【特許文献１】特開２００２−３０４２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記したイオンプレーティング装置においては、事前作業により電気的パスを形成して異常放電を抑制しているが、タブレットの消費レートを一定することができず、成膜レートを安定させることができないという問題があった。すなわち、プラズマビームは、ハースおよびタブレットに照射されるが、タブレットに対する照射量はハースの表面状態やチャンバ内の真空雰囲気等が異なれば変化するため、異常放電を抑制しただけではタブレットの消費レートを一定にして成膜レートを安定させることができなかった。
【０００５】
また、トータル電流を調整してプラズマビームの強度を可変することにより、タブレットに流れる電流量を制御することができるが、プラズマビームの強度に左右されるイオン化性能とタブレットに流れる電流量に左右されるタブレットの消費レートとを独立に制御することができないため、成膜レートを安定させることができなかった。
【０００６】
また、上記したイオンプレーティング装置においては、稼働前の事前作業により電気的パスを形成しているため、量産時の連続成膜等においては安定した電気的パスを形成することができないという問題があった。このため、量産時の連続成膜等においては、タブレットとハースとの間に安定的な電気的パスが無いため、異常放電が生じ易くなり、成膜された膜の諸特性が悪化する問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、安定した成膜レートを得ることができ、電気的パスを形成するための事前作業をすることなく安定した放電を得ることができるイオンプレーティング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のイオンプレーティング装置は、チャンバと、陰極として機能し、前記チャンバ内にプラズマビームを発生するプラズマビーム発生源と、陽極として機能し、前記チャンバ内においてプラズマビームが照射されるハースと、前記ハースに近接配置された成膜用の蒸発源を前記チャンバ内に露出するように支持する蒸発源支持部とを備え、前記蒸発源支持部は、導電性であり、前記ハースは、前記チャンバ内において前記蒸発源と絶縁され、前記チャンバ外において抵抗を介して前記蒸発源支持部と電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、陽極としてのハースが蒸発源と絶縁されているため、ハースおよび蒸発源に別々に電流が流れ、チャンバ内においてハースと蒸発源とにおける異常放電を抑制することができると共に、蒸発源に流れる電流量を一定とすることができる。また、チャンバ外においてハースが抵抗を介して蒸発源支持部と電気的に接続されているため、抵抗の抵抗値に応じて、プラズマビームの強度と蒸発源に流れる電流量を独立して調整して、イオン化性能と蒸発源の消費レートとを適切に制御することができる。このように、異常放電を防止すると共に、プラズマビームの強度および蒸発源に流れる電流量を制御できるため、蒸発源の消費レートを一定にして安定した成膜レートを得ることができる。
また、チャンバ内においてハースおよび蒸発源に電流を別々に流すことができるため、稼働前の事前作業を実施してチャンバ内においてハースと蒸発源との間に電気的パスを形成することなく異常放電を抑制することができ、量産時の連続成膜等が可能となる。
【００１０】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記抵抗は、可変抵抗であり、前記蒸発源に流れる電流を検出する電流検出部と、前記電流検出部の検出結果に基づいて前記抵抗の抵抗値を制御する抵抗値制御部とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、実際に蒸発源に流れる電流に基づいて抵抗の抵抗値が動的に制御されるため、蒸発源に流れる電流量を高精度に制御にすることができる。また、電流検出部により作業者に実際に蒸発源に流れる電流量を把握させることができるため、より安定した成膜レートを得ることができる。
【００１２】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記電流検出部は、成膜中に前記蒸発源に流れる電流を検出し、前記抵抗値制御部は、成膜中に前記抵抗の抵抗値を制御することを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、成膜中に前記抵抗の抵抗値が制御されて、蒸発源に流れる電流量が高精度に制御されるため、より安定した成膜レートを得ることができる。
【００１４】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記蒸発源支持部の前記蒸発源を支持する支持面に柔軟性を有する導電シートを備えたことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、柔軟性導電シートを介して蒸発源が蒸発源支持部に支持されるため、蒸発源の表面にザラツキがあっても、柔軟性導電シートを介して蒸発源と蒸発源支持部との接触面積が増加して接触抵抗が減少される。これにより、蒸発源と蒸発源支持部における電位差が小さくなり異常放電を抑制することができる。
【００１６】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記蒸発源支持部は、前記蒸発源を弾性挟持する挟持部を有することを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、挟持部により蒸発源が弾性挟持されるため、蒸発源支持部と蒸発源との間の接触性が向上して接触抵抗が減少される。これにより、蒸発源と蒸発源支持部における電位差が小さくなり異常放電を抑制することができる。
【００１８】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記ハースは、前記チャンバの側面に設けられたことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、チャンバの側面に設けられたハースは、蒸発源を脱落させることなく弾性挟持するため、基板を立てた状態で基板表面に成膜することができる。これにより、基板を水平にした状態のように自重により撓むことがないため、チャンバの側面に複数のハースを設けることにより大面積の大型基板に成膜することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、安定した成膜レートを得ることができ、電気的パスを形成するための事前作業をすることなく安定した放電を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置は、真空チャンバ内において陽極としてのハースと蒸発源としてのタブレットとを絶縁して真空チャンバ内における異常放電を抑制すると共に、チャンバ外においてハースとタブレットとを抵抗を介して電気的に接続してタブレットを流れる電流量を制御することにより、タブレットの消費レートを一定にし、安定した成膜レートを得ることができるようにしたものである。
【００２２】
図１を参照して、イオンプレーティング装置の全体構成について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係るイオンプレーティング装置の模式図である。
【００２３】
図１に示すように、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１は、気密性の真空チャンバ３を備えており、真空チャンバ３の一の側壁３ａには陰極として機能するプラズマビーム発生源としてのプラズマガン４が設けられ、真空チャンバ３の底壁３ｂには陽極として機能するハース５が設けられている。また、真空チャンバ３の上壁３ｃには成膜対象のワークＷを搬送する搬送装置６が設けられ、真空チャンバ３のプラズマガン４が設けられた側壁３ａに対向する側壁３ｄには、酸素ガスおよびアルゴンガス等のキャリアガスを導入するガス導入口３ｅが形成されている。
【００２４】
プラズマガン４は、ハース５に対してプラズマビームＰを照射するものであり、プラズマビームＰを発生させるプラズマガン本体１１と、プラズマガン本体１１の真空チャンバ３側においてプラズマガン本体１１と同軸上に配置された第１の中間電極１２および第２の中間電極１３とを有して構成されている。プラズマガン本体１１は、導体板１４を介して直流電源１６のマイナス端子に接続されており、導体板１４とハース５との間で放電を生じさせることによりプラズマビームＰを発生させている。第１の中間電極１２および第２の中間電極１３には、それぞれ永久磁石が内蔵されており、この永久磁石によりプラズマガンにより発生されたプラズマビームＰが収束される。
【００２５】
また、プラズマガン４の真空チャンバ３の外部に突出した部分には、周囲を取り囲むように第１のコイル１５が設けられており、この第１のコイル１５により第１の中間電極１２および第２の中間電極１３まで引き出されたプラズマビームＰが真空チャンバ３の内部に誘導される。
【００２６】
ハース５は、プラズマガン４から出射されたプラズマビームＰを下方に吸引するものであり、導電材料で形成され、ハース抵抗１７を介して直流電源１６のプラス端子に接続されている。また、ハース５には、プラズマビームＰが入射される中央部分に貫通孔５ａが形成されており、この貫通孔５ａに円柱状のタブレット２１が充填されている。貫通孔５ａの周囲には絶縁パイプ２３が設けられており、ハース５とタブレット２１とが真空チャンバ３の内部において絶縁されている。なお、本実施の形態における真空チャンバ３の内部とは、絶縁パイプ２３とタブレット２１との対抗空間等のように図示しないパッキン等により真空雰囲気が保たれている部分を含むものである。
【００２７】
貫通孔５ａの同軸上には、タブレット２１を下方から支持するタブレット支持棒２５が上下動可能に設けられており、このタブレット支持棒２５によりタブレット２１が突き上げられてハース５に対してタブレット２１が供給される。タブレット支持棒２５は、導電材料で形成され、タブレット２１を支持する支持面においてタブレット２１と導通し、真空チャンバ３の外部において直流電源１６のプラス端子に接続されている。
【００２８】
また、図２に示すように、タブレット支持棒２５は、上下方向に延在する棒状部２５ａと、棒状部２５ａの上部においてタブレット２１を支持する支持部２５ｂと、支持部２５ｂにおいてタブレット２１を弾性挟持する挟持部２５ｃとを有している。棒状部２５ａは、図示しない駆動機構に接続されており、タブレット２１の消費速度に合わせて上方に移動される。
【００２９】
支持部２５ｂは、タブレット２１を下方から支持する支持面２５ｄを有し、この支持面２５ｄには導電シート２７が載置されている。導電シート２７は、グラファイト等により柔軟性と導電性とを有するシート状に形成されており、タブレット２１の下面のザラツキを埋めて、タブレット２１とタブレット支持棒２５との接触面積を増加させている。
【００３０】
挟持部２５ｃは、バネ性を有しており、円柱状のタブレット２１の周面を左右から挟み込み、タブレット２１とタブレット支持棒２５との接触性を向上させている。このように、導電シート２７によりタブレット２１とタブレット支持棒２５との接触面積が増加し、挟持部２５ｃによりタブレット２１とタブレット支持棒２５との接触性が向上するため、タブレット２１とタブレット支持棒２５との間の接触抵抗が減少して電位差が小さくなり、異常放電が抑制される。
【００３１】
図１に戻り、ハース５の真空チャンバ３の外部に突出した部分には、周囲を取り囲むように第２のコイル２９が設けられており、この第２のコイル２９によりハース５に入射されるプラズマビームＰの向き等が修正される。
【００３２】
タブレット２１は、成膜用の蒸発源であり、酸化亜鉛および酸化ガリウムの粉末により円柱状に焼結成形されている。タブレット２１の上面にプラズマビームＰが照射されると、プラズマビームにより加熱されて昇華し、タブレット２１の上方に位置するワークＷの表面にＺｎＯ膜が成膜される。
【００３３】
また、本実施の形態で使用されるタブレット２１は、６０［ｍｍ］以上のロングサイズのタブレット２１であり、２０［ｍｍ］程度のスモールサイズのタブレットを縦一列に重ねた状態と異なり、タブレット間の合わせ目を少なくしている。これにより、タブレット間の合わせ目で生じる異常放電を抑制している。また、タブレットが消費されて細かい破片だけが、残った場合には、破片が真空チャンバ３の内部に飛び散って汚染の原因となるが、タブレット間の合わせ目が少ないため、真空チャンバ３の内部の汚染を抑制することも可能となる。
【００３４】
搬送装置６は、真空チャンバ３内においてハース５の上方にワークＷを支持している。
【００３５】
直流電源１６は、可変直流電源であり、マイナス端子にプラズマガン４が接続され、プラス端子にハース抵抗１７を介してハース５およびタブレット支持棒２５を介してタブレット２１が接続されている。そして、直流電源１６がハース５とプラズマガン４との間に直流電圧を印加することにより、真空チャンバ３の内部にプラズマビームＰが発生し、ワークＷに成膜処理が行われる。なお、プラズマビームＰの強度は、直流電源１６の印加電圧に左右される。
【００３６】
具体的には、直流電源１６によりハース５とプラズマガン４との間に直流電圧が印加されると、プラズマビームＰが発生される。このプラズマビームＰは、第１のコイル１５および第２のコイル２９等により形成される磁界に誘導されてハース５に照射される。タブレット支持棒２５によりハース５に供給されたタブレット２１は、プラズマビームＰの照射により上面が加熱されて昇華される。タブレット２１の気体は、プラズマビームＰを通過中にイオン化して、ワークＷの表面に付着して被膜を形成する。
【００３７】
次に、図３を参照して、プラズマビームの照射時における負電荷の移動経路について説明する。図３は、プラズマビームの照射時における負電荷の移動経路の説明図である。
【００３８】
図３に示すように、プラズマビームＰがハース５およびタブレット２１に照射されると、プラズマビームＰの強度に応じて負電荷がハース５およびタブレット２１を移動する。このとき、ハース５の貫通孔５ａの内周面に絶縁パイプ２３が設けられているため、真空チャンバ３の内部においては、ハース５およびタブレット２１を移動する負電荷は相互に乗り移ることがない。そして、ハース５を移動する負電荷は、ハース抵抗１７を介して直流電源１６に戻ると共に、タブレット２１を移動する負電荷は、タブレット支持棒２５を介して直流電源１６に戻る。
【００３９】
このように、真空チャンバ３の内部においては、絶縁パイプ２３によりハース５およびタブレット２１が絶縁されているため、異常放電が抑制される。また、ハース５およびタブレット２１には、別々に電流が流れるため、タブレット２１に流れる電流量が一定となる。さらに、ハース５と直流電源１６との間には、ハース抵抗１７が設けられているため、ハース５を流れる電流量およびタブレット２１を流れる電流量がそれぞれ調整される。
【００４０】
この場合、ハース５とプラズマガン４との間の印加電圧を調整し、プラズマビームＰの強度を可変させた場合であっても、適切な抵抗値を有するハース抵抗１７に交換することにより、タブレット２１に流れる電流量を制御することが可能となる。例えば、プラズマビームＰの強度を上げてイオン化性能を向上させつつ、タブレット２１の消費レートを抑えたい場合には、ハース抵抗１７の抵抗値を小さくすることにより、余分な電流をハース５に逃がすようにする。
【００４１】
以上のように、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１によれば、真空チャンバ３の内部においてハース５とタブレット２１とが絶縁されているため、ハース５およびタブレット２１に別々に電流が流れ、真空チャンバ３の内部においてハース５とタブレット２１とにおける異常放電を抑制することができると共に、タブレット２１に流れる電流量を一定とすることができる。
【００４２】
また、真空チャンバ３の外部においてハース５がハース抵抗１７を介してタブレット支持棒２５と電気的に接続されているため、ハース抵抗１７の抵抗値に応じて、プラズマビームＰの強度とタブレット２１に流れる電流量とを独立して調整することができ、イオン化性能と蒸発源の消費レートとを適切に制御することができる。このように、異常放電を防止すると共に、プラズマビームＰの強度およびタブレット２１に流れる電流量を制御できるため、タブレット２１の消費レートを一定にして安定した成膜レートを得ることができる。
【００４３】
また、真空チャンバ３の内部においてハース５およびタブレット２１に電流を別々に流すことができるため、稼働前の事前作業を実施して真空チャンバ３の内部においてハース５とタブレット２１との間に電気的パスを形成することなく異常放電を抑制することができ、量産時の連続成膜等が可能となる。
【００４４】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本発明の第２の実施の形態に係るイオンプレーティング装置は、上述した第１の実施の形態に係るイオンプレーティング装置とハース抵抗を動的に制御可能な点においてのみ相違している。したがって、特に相違点についてのみ説明する。図４は、本発明の第２の実施の形態に係るイオンプレーティング装置の模式図である。
【００４５】
図４に示すように、本発明の第２の実施の形態のイオンプレーティング装置３１は、本発明の第１の実施の形態のイオンプレーティング装置１と回路構成のみ異なっている。ハース３５は、ハース抵抗４７を介して直流電源４６のプラス端子に接続され、タブレット支持棒５５は、電流計４８を介して直流電源４６のプラス端子に接続されている。ハース抵抗４７は、可変抵抗であり、抵抗値を変化させることでハース３５およびタブレット５１にそれぞれ流れる電流量が調整される。
【００４６】
また、電流計４８およびハース抵抗４７は、それぞれ抵抗値制御部４９に接続されており、抵抗値制御部４９は、電流計４８の検出値に応じてハース抵抗４７の抵抗値を動的に制御している。このように、タブレット５１に流れる電流量を監視しながらハース抵抗４７の抵抗値を制御しているため、タブレット５１に一定の電流を流すことができ、ハース３５の表面状態や真空チャンバ３３の内部の真空雰囲気等が異なったとしても、タブレット５１の消費レートを一定に保つことが可能となる。
【００４７】
以上のように、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置３１によれば、実際にタブレット５１に流れる電流を電流計４８で検出し、抵抗値制御部４９により検出値に基づいてハース抵抗４７の抵抗値が動的に制御されるため、タブレット５１に流れる電流量を高精度に制御することができる。また、電流計４８により実際にタブレット５１に流れる電流量を作業者に把握させることができる。よって、より安定した成膜レートを得ることができる。
【００４８】
なお、上記した各実施の形態においては、ハース５、３５を真空チャンバ３、３３の底壁３ｂ、３３ｂに設け、下方からワークＷの表面に成膜する構成としたが、図５に示すように、複数のハース６５を真空チャンバ６３の側壁６３ｄに設け、側方からワークＷの表面に成膜する構成としてもよい。この構成により、ワークＷを立てた状態でワークＷの表面に成膜することができ、ワークＷを水平した状態のように自重により撓むことがないため、大面積の大型ワークに成膜することが可能となる。
【００４９】
また、上記した各実施の形態においては、タブレット２１の周面をタブレット支持棒２５の挟持部２５ｃにより左右から挟み込むように構成したが、この構成に限定されるものではなく、タブレット２１とタブレット支持棒２５との接触性を向上させるような構成であれば、どのような構成でもよい。例えば、タブレット支持棒２５に有底円筒状の支持部を設けて、筒内にタブレット２１を差し込むことによりタブレット２１とタブレット支持棒２５との接触性を向上させるようにしてもよい。
【００５０】
また、上記した各実施の形態においては、本発明をロングサイズのタブレット２１に適用した例を挙げて説明したが、本発明をショートサイズのタブレット２１に適用することも可能である。また、蒸発源として酸化亜鉛および酸化ガリウムの粉末により焼結成形したタブレットを使用したが、ワークＷを成膜するものであればこれに限定されるもではない。
【００５１】
また、上記した各実施の形態においては、ハース５、３５の中央にタブレット２１、５１を収容して、ハース５、３５とタブレット２１、５１とを近接配置した例を示して説明したが、タブレット２１、５１がハース５、３５に近接配置されていれば、ハース５、３５の中央にタブレット２１、５１を収容する構成に限定されない。
【００５２】
また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上説明したように、本発明は、安定した成膜レートを得ることができ、電気的パスを形成するための事前作業をすることなく安定した放電を得ることができるという効果を有し、特に突き上げ方式のイオンプレーティング装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係るイオンプレーティング装置の第１の実施の形態を示す図であり、イオンプレーティング装置の模式図である。
【図２】本発明に係るイオンプレーティング装置の第１の実施の形態を示す図であり、タブレット支持棒のタブレット支持構造を示す模式図である。
【図３】本発明に係るイオンプレーティング装置の第１の実施の形態を示す図であり、プラズマビームの照射時における負電荷の移動経路の説明図である。
【図４】本発明に係るイオンプレーティング装置の第２の実施の形態を示す図であり、イオンプレーティング装置の模式図である。
【図５】本発明に係るイオンプレーティング装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１、３１、６１  イオンプレーティング装置
３、３３  真空チャンバ（チャンバ）
４、３４  プラズマガン（プラズマビーム発生源）
５、３５  ハース
６、３６  搬送装置
１６、３６  直流電源
１７、４７  ハース抵抗（抵抗）
２１、５１  タブレット（蒸発源）
２３、５３  絶縁パイプ
２５、５５  タブレット支持棒（蒸発源支持部）
２５ａ  棒状部
２５ｂ  支持部
２５ｃ  挟持部
２５ｄ  支持面
２７  導電シート
４８  電流計（電流検出部）
４９  抵抗値制御部
Ｗ  ワーク
Ｐ  プラズマビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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