(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶表示装置の額縁領域において光漏れを信頼性よく防止する。【解決手段】画像表示領域と、シール材ＳＬと、第２基板の液晶側の面であって画像表示領域よりも外側に形成された遮光膜ＢＭｆと、第１基板の画像表示領域に、第１方向に伸長されるドレイン信号線ＤＬと、第２方向に伸長されるゲート信号線ＧＬと、薄膜トランジスタＴＦＴと、画素電極ＰＸとを備え、画素電極と対向電極ＣＴ間に電界が印加されていない状態で明表示がなされる液晶表示装置であって、ドレイン信号線は、第２基板の遮光膜と重なる領域まで伸長され、かつ、画像表示領域より外側であってシール材よりも内側の領域のうち、隣接するドレイン信号線の間の領域の１つあたりに、２つ以上の遮光セグメントＳＨＳが、ドレイン信号線と同層で形成され、ドレイン信号線と遮光セグメントとの間隔および隣接する遮光セグメント同士の間隔は、それぞれ３０μｍ未満の値に設定されている。【選択図】図１
2010224084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
複数の画素が配置される画像表示領域と、
前記第１基板と前記第２基板との間に前記画像表示領域の外側に前記画像表示領域を囲むようにして形成されるシール材と、
前記第２基板の液晶側の面であって少なくとも前記画像表示領域の外輪郭よりも外側の領域に形成された遮光膜と、
前記第１基板の液晶側の面の前記画像表示領域に、第１方向に伸長され前記第１方向に交差する第２方向に並設されるドレイン信号線と、前記第２方向に伸長され前記第１方向に並設されるゲート信号線と、隣接する一対の前記ドレイン信号線と隣接する一対の前記ゲート信号線とで囲まれた前記画素の領域に、少なくとも、前記ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを通して前記ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備え、
前記画素のそれぞれは、前記画素電極とこの画素電極と対となる対向電極との間に電界が印加されていない状態で明表示がなされる液晶表示装置であって、
前記ドレイン信号線は前記画像表示領域の外輪郭の外側の領域であって、平面的に観て、前記第２基板の前記遮光膜と重なる領域にまで及んで伸長されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面であって、平面的に観て、前記第２基板の前記遮光膜と重なる領域、かつ、前記画像表示領域より外側であって前記シール材よりも内側の領域のうち、
少なくとも隣接するドレイン信号線の間の領域の１つあたりに、少なくとも２つ以上の遮光セグメントが、前記ドレイン信号線と同層で形成され、
前記ドレイン信号線と前記遮光セグメントとの間隔、および隣接する前記遮光セグメント同士の間隔は、それぞれ、３０μｍ未満の値に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ドレイン信号線に隣接して配置される前記遮光セグメントは、前記ドレイン信号線に対向する端部が円弧状パターンとなっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
１つの隣接するドレイン信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ドレイン信号線の長手方向と実質的に平行であり、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
１つの隣接するドレイン信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ドレイン信号線の長手方向と実質的に垂直であり、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
１つの隣接するドレイン信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ドレイン信号線の長手方向に対して斜めとなっており、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記遮光セグメントは、前記ドレイン信号線への前記映像信号の供給側に対して遠端側の部分に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記遮光セグメントは、前記ドレイン信号線への前記映像信号の供給側の部分に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記遮光セグメントは、前記ドレイン信号線への前記映像信号の供給側に対して遠端側の部分、および前記ドレイン信号線への前記映像信号の供給側の部分に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板の前記液晶側の面であって、平面的に観て、前記画像表示領域より外側であって前記シール材よりも内側の領域に、ドレイン信号線に接続されて設けられた保護ダイオードを備え、前記遮光セグメントは前記保護ダイオードの形成領域を回避して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
複数の画素が配置される画像表示領域と、
前記第１基板と前記第２基板との間に前記画像表示領域の外側に前記画像表示領域を囲むようにして形成されるシール材と、
前記第２基板の液晶側の面であって少なくとも前記画像表示領域の外輪郭よりも外側の領域に形成された遮光膜と、
前記第１基板の液晶側の面の前記画像表示領域に、第１方向に伸長され前記第１方向に交差する第２方向に並設されるドレイン信号線と、前記第２方向に伸長され前記第１方向に並設されるゲート信号線と、隣接する一対の前記ドレイン信号線と隣接する一対の前記ゲート信号線とで囲まれた前記画素の領域に、少なくとも、前記ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを通して前記ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備え、
前記画素のそれぞれは、前記画素電極とこの画素電極と対となる対向電極との間に電界が印加されていない状態で明表示がなされる液晶表示装置であって、
前記ゲート信号線は前記画像表示領域の外輪郭の外側の領域であって、平面的に観て、前記第２基板の前記遮光膜と重なる領域にまで及んで伸長されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面であって、平面的に観て、前記第２基板の前記遮光膜と重なる領域、かつ、前記画像表示領域より外側であって前記シール材よりも内側の領域のうち、
少なくとも隣接するゲート信号線の間の領域の１つあたりに、少なくとも２つ以上の遮光セグメントが、前記ゲート信号線と同層で形成され、
前記ゲート信号線と前記遮光セグメントとの間隔、および隣接する前記遮光セグメント同士の間隔は、それぞれ、３０μｍ未満の値に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
前記ゲート信号線に隣接して配置される前記遮光セグメントは、前記ゲート信号線に対向する端部が円弧状パターンとなっていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
１つの隣接するドレイン信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ゲート信号線の長手方向と実質的に平行であり、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
１つの隣接するゲート信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ゲート信号線の長手方向と実質的に垂直であり、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
１つの隣接するゲート信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ゲート信号線の長手方向に対して斜めとなっており、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記遮光セグメントは、前記ゲート信号線への前記走査信号の供給側に対して遠端側の部分に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記遮光セグメントは、前記ゲート信号線への前記走査信号の供給側の部分に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記遮光セグメントは、前記ゲート信号線への前記走査信号の供給側に対して遠端側の部分、および前記ゲート信号線への前記走査信号の供給側の部分に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１基板の前記液晶側の面であって、平面的に観て、前記画像表示領域より外側であって前記シール材よりも内側の領域に、ゲート信号線に接続されて設けられた保護ダイオードを備え、前記遮光セグメントは前記保護ダイオードの形成領域を回避して形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、いわゆる額縁と称される部分に改良がなされた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（パネル）は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板の間に前記液晶を一構成要素とする画素が複数配置された画像表示領域を備え、前記一対の基板は、前記画像表示領域の外側に前記画像表示領域を囲むようにして形成されたシール材によって固定されている。ここで、前記シール材は前記液晶を封入する役割を兼ねている。
【０００３】
前記一対の基板のうち一方の基板（第１基板）の前記画像表示領域には、ｘ方向に伸長されｙ方向に並設されるゲート信号線と、ｙ方向に伸長されｘ方向に並設されるドレイン信号線が形成され、隣接する一対の前記ゲート信号線と隣接する一対の前記ドレイン信号線とで囲まれた領域は前記画素が形成される領域となっている。
【０００４】
前記一対の基板のうち一方の基板（第２基板）の液晶側の面には、いわゆるブラックマトリックス（遮光膜）が形成され、このブラックマトリックスは、その画像表示領域においてたとえば上下左右に隣接する画素の領域を画するようにして形成され（この結果、複数の開口が設けられる）、前記画像表示領域の外輪郭よりも外側の領域にはこの領域の全域を被うようにして形成されている。前記ブラックマトリックスのうち、前記画像表示領域の外輪郭よりも外側の領域の部分をいわゆる額縁と称している。
【０００５】
ここで、前記第１基板の額縁に相当する領域（画像表示領域の外輪郭よりも外側の領域）は、前記シール材が形成され、このシール材の内側辺と画像表示領域の外輪郭との間には若干の領域を有するようになっている。
【０００６】
この領域は、前記ドレイン信号線の一端側において前記ドレイン信号線が伸長されて形成され、他端側において前記ドレイン信号線に信号を供給する引き出し線が配置され、また、前記ゲート信号線の一端側において前記ゲート信号線が伸長されて形成され、他端側において前記ゲート信号線に信号を供給する引き出し線が配置されている。
【０００７】
なお、本願発明に関連する文献としては、たとえば下記特許文献１および２がある。
【０００８】
特許文献１では、液晶を挟持して対向する一対の基板のうちデータ線駆動回路が形成された側の基板であって、額縁と称される領域に短冊状に分断された複数の額縁パターンが形成された記載がある。額縁パターンは、引き出し配線と異なる層で前記引き出し配線の間隙を被うようにして形成されている。また、分断された個々の額縁パターンは、絶縁膜を介して前記引き出し配線に一部重なっている。さらに、分断された個々の額縁パターンは、隣接する引き出し配線の領域のそれぞれに、１対１で対応して配置されている。
【０００９】
特許文献２では、液晶を挟持して対向する一対の基板のうち配線が形成された側の基板であって、前記液晶を封止するシール材の形成領域の前記配線以外の部分に複数の並設されたダミーパターンが形成された記載がある。ダミーパターンは、ゲート信号線と同層で形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−２７６２５２号公報
【特許文献２】特開平９−１９７４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した液晶表示装置の場合、その額縁と称される領域には、上述したように第２基板の液晶側の面の相当する領域の全域を被ってブラックマトリックスが形成され、たとえば観察者から観て背面に配置されるバックライトからの光は前記ブラックマトリックスによって遮光がなされた構成となっている。
【００１２】
これに対して、第１基板の額縁と称される領域には、前記ドレイン信号線（引き出し線をも含む）同士の間において、また、前記ゲート信号線（引き出し線をも含む）同士の間において、光が透過する部分を有するようになっている。
【００１３】
このため、前記ブラックマトリックスにたとえばピンホール等の欠陥が生じている場合に、前記ピンホールを通して光漏れが発生し、この光漏れは液晶表示装置の観察者に認識され得るものとなってしまう。
【００１４】
このような不都合は、各画素において、その液晶に電界が印加されていない状態で明表示（白表示）がなされるいわゆるノーマリホワイトモードで駆動される場合に顕著となる。
【００１５】
ここで、特許文献１では、分断された額縁パターンを設けているが、分断された個々の額縁パターンは、隣接する引き出し配線の領域のそれぞれに、１対１で対応して配置されているため、１つ１つが大きい面積を有している。したがって、この額縁パターンが帯電しやすく、額縁パターンから引き出し配線へ静電気が放電して破壊が起こるという問題が発生する。
【００１６】
本発明の目的は、額縁と称される領域において発生する光漏れを信頼性よく防止した液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向する一対の基板のうち信号線が形成された側の基板の額縁と称される領域に、少なくとも隣接する前記信号線の間の領域の１つあたりに前記信号線と同層の小面積からなる遮光セグメントを複数形成し、前記信号線と前記遮光セグメントとの間隔、および隣接する前記遮光セグメント同士の間隔を極めて小さく構成するようにしたものである。
【００１８】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１９】
（１）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
複数の画素が配置される画像表示領域と、
前記第１基板と前記第２基板との間に前記画像表示領域の外側に前記画像表示領域を囲むようにして形成されるシール材と、
前記第２基板の液晶側の面であって少なくとも前記画像表示領域の外輪郭よりも外側の領域に形成された遮光膜と、
前記第１基板の液晶側の面の前記画像表示領域に、第１方向に伸長され前記第１方向に交差する第２方向に並設されるドレイン信号線と、前記第２方向に伸長され前記第１方向に並設されるゲート信号線と、隣接する一対の前記ドレイン信号線と隣接する一対の前記ゲート信号線とで囲まれた前記画素の領域に、少なくとも、前記ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを通して前記ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備え、
前記画素のそれぞれは、前記画素電極とこの画素電極と対となる対向電極との間に電界が印加されていない状態で明表示がなされる液晶表示装置であって、
前記ドレイン信号線は前記画像表示領域の外輪郭の外側の領域であって、平面的に観て、前記第２基板の前記遮光膜と重なる領域にまで及んで伸長されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面であって、平面的に観て、前記第２基板の前記遮光膜と重なる領域、かつ、前記画像表示領域より外側であって前記シール材よりも内側の領域のうち、
少なくとも隣接するドレイン信号線の間の領域の１つあたりに、少なくとも２つ以上の遮光セグメントが、前記ドレイン信号線と同層で形成され、
前記ドレイン信号線と前記遮光セグメントとの間隔、および隣接する前記遮光セグメント同士の間隔は、それぞれ、３０μｍ未満の値に設定されていることを特徴とする。
【００２０】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記ドレイン信号線に隣接して配置される前記遮光セグメントは、前記ドレイン信号線に対向する端部が円弧状パターンとなっていることを特徴とする。
【００２１】
（３）本発明の液晶表示装置は、（１）において、１つの隣接するドレイン信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ドレイン信号線の長手方向と実質的に平行であり、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする。
【００２２】
（４）本発明の液晶表示装置は、（１）において、１つの隣接するドレイン信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ドレイン信号線の長手方向と実質的に垂直であり、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする。
【００２３】
（５）本発明の液晶表示装置は、（１）において、１つの隣接するドレイン信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ドレイン信号線の長手方向に対して斜めとなっており、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする。
【００２４】
（６）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記遮光セグメントは、前記ドレイン信号線への前記映像信号の供給側に対して遠端側の部分に形成されていることを特徴とする。
【００２５】
（７）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記遮光セグメントは、前記ドレイン信号線への前記映像信号の供給側の部分に形成されていることを特徴とする。
【００２６】
（８）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記遮光セグメントは、前記ドレイン信号線への前記映像信号の供給側に対して遠端側の部分、および前記ドレイン信号線への前記映像信号の供給側の部分に形成されていることを特徴とする。
【００２７】
（９）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記第１基板の前記液晶側の面であって、平面的に観て、前記画像表示領域より外側であって前記シール材よりも内側の領域に、ドレイン信号線に接続されて設けられた保護ダイオードを備え、前記遮光セグメントは前記保護ダイオードの形成領域を回避して形成されていることを特徴とする。
【００２８】
（１０）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
複数の画素が配置される画像表示領域と、
前記第１基板と前記第２基板との間に前記画像表示領域の外側に前記画像表示領域を囲むようにして形成されるシール材と、
前記第２基板の液晶側の面であって少なくとも前記画像表示領域の外輪郭よりも外側の領域に形成された遮光膜と、
前記第１基板の液晶側の面の前記画像表示領域に、第１方向に伸長され前記第１方向に交差する第２方向に並設されるドレイン信号線と、前記第２方向に伸長され前記第１方向に並設されるゲート信号線と、隣接する一対の前記ドレイン信号線と隣接する一対の前記ゲート信号線とで囲まれた前記画素の領域に、少なくとも、前記ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを通して前記ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備え、
前記画素のそれぞれは、前記画素電極とこの画素電極と対となる対向電極との間に電界が印加されていない状態で明表示がなされる液晶表示装置であって、
前記ゲート信号線は前記画像表示領域の外輪郭の外側の領域であって、平面的に観て、前記第２基板の前記遮光膜と重なる領域にまで及んで伸長されて構成され、
前記第１基板の前記液晶側の面であって、平面的に観て、前記第２基板の前記遮光膜と重なる領域、かつ、前記画像表示領域より外側であって前記シール材よりも内側の領域のうち、
少なくとも隣接するゲート信号線の間の領域の１つあたりに、少なくとも２つ以上の遮光セグメントが、前記ゲート信号線と同層で形成され、
前記ゲート信号線と前記遮光セグメントとの間隔、および隣接する前記遮光セグメント同士の間隔は、それぞれ、３０μｍ未満の値に設定されていることを特徴とする。
【００２９】
（１１）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、前記ゲート信号線に隣接して配置される前記遮光セグメントは、前記ゲート信号線に対向する端部が円弧状パターンとなっていることを特徴とする。
【００３０】
（１２）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、１つの隣接するドレイン信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ゲート信号線の長手方向と実質的に平行であり、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする。
【００３１】
（１３）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、１つの隣接するゲート信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ゲート信号線の長手方向と実質的に垂直であり、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする。
【００３２】
（１４）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、１つの隣接するゲート信号線の間の領域に形成される前記少なくとも２つ以上の遮光セグメントは、その長手方向が前記ゲート信号線の長手方向に対して斜めとなっており、前記遮光セグメントの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されていることを特徴とする。
【００３３】
（１５）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、前記遮光セグメントは、前記ゲート信号線への前記走査信号の供給側に対して遠端側の部分に形成されていることを特徴とする。
【００３４】
（１６）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、前記遮光セグメントは、前記ゲート信号線への前記走査信号の供給側の部分に形成されていることを特徴とする。
【００３５】
（１７）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、前記遮光セグメントは、前記ゲート信号線への前記走査信号の供給側に対して遠端側の部分、および前記ゲート信号線への前記走査信号の供給側の部分に形成されていることを特徴とする。
【００３６】
（１８）本発明の液晶表示装置は、（１０）において、前記第１基板の前記液晶側の面であって、平面的に観て、前記画像表示領域より外側であって前記シール材よりも内側の領域に、ゲート信号線に接続されて設けられた保護ダイオードを備え、前記遮光セグメントは前記保護ダイオードの形成領域を回避して形成されていることを特徴とする。
【００３７】
なお、上述した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００３８】
上述した液晶表示装置によれば、額縁と称される領域において発生する光漏れを信頼性よく防止することができる。
【００３９】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の液晶表示装置の実施例１の要部構成図で、図２の二点鎖線枠Ｐの部分の拡大図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の実施例１の全体構成図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の実施例１の画素の構成を示す構成図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の実施例１の配向膜のラビング方向と偏光板の透過軸の方向を示す図である。
【図５】図１のV−V線における断面図である。
【図６】本発明の液晶表示装置の実施例１の要部構成図で、図２の二点鎖線枠Ｑの部分の拡大図である。
【図７】図６のVII−VII線における断面図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の実施例２の要部構成図である。
【図９】本発明の液晶表示装置の実施例３の要部構成図である。
【図１０】本発明の液晶表示装置の実施例４の要部構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【実施例１】
【００４２】
（全体の構成）
図２は、本発明の液晶表示装置の実施例を示す全体構成図である。
【００４３】
図２において、液晶（図示せず）を挟持して対向配置される一方の矩形状基板（以下、第１基板と称する）ＳＵＢ１と他方の矩形状基板（以下、第２基板と称する）ＳＵＢ２があり、これら第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２によって液晶表示装置の外囲器を構成している。
【００４４】
第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１のたとえば図中下側の辺部を露出させるようにして配置され、第２基板ＳＵＢ２の周辺に形成したシール材ＳＬによって第１基板ＳＵＢ１と固定されるようになっている。また、シール材ＳＬは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶を封入させる機能を兼ね備えている。平面的に観て、シール材ＳＬによって囲まれた領域のうちその僅かな周辺を除く中央の部分は画像表示領域ＡＲ（図中一点鎖線枠で囲まれた部分）を構成し、この画像表示領域ＡＲはマトリックス状に配置された多数の画素ＰＩＸが形成された領域になっている。第１基板ＳＵＢ１の第２基板ＳＵＢ２から露出された部分には半導体装置（チップ）ＳＥＣが搭載され、この半導体装置ＳＥＣによって画像表示領域ＡＲの画素のそれぞれを駆動するようになっている。
【００４５】
第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面における前記画像表示領域ＡＲには、図中ｘ方向に伸長し図中ｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、図中ｙ方向に伸長し図中ｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成されている。そして、隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域を前記画素ＰＩＸの形成領域（画素領域）としている。
【００４６】
各画素領域には、図２において点線枠Ａを拡大して示した図Ａ'（等価回路）に示すように、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸと隣のゲート信号線（図Ａ'に示した当該画素に対応する前記薄膜トランジスタＴＦＴを駆動する当該画素のゲート信号線との間に当該画素の前記画素電極ＰＸを位置づけて配置される隣のゲート信号線）ＧＬとの間に形成される容量素子Ｃａｄｄとが備えられている。尚、容量素子Ｃａｄｄの形成方法は、この方式に限られず、別途設けられたストレージ線と画素電極ＰＸとの間で形成してもよい。前記画素電極ＰＸは、第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面の前記画像表示領域ＡＲにおいて各画素領域に共通に形成された対向電極（図３（ｂ）参照）との間に電界を発生させるようになっており、各画素領域における液晶の分子を駆動させるようになっている。
【００４７】
このような液晶表示装置は、たとえばＴＮ（Twisted Nematic）方式と称されるものであるが、本発明はこのような液晶表示装置に限定されることはなく、ノーマリホワイトモードの液晶表示装置であれば他の方式の液晶表示装置に適用してもよい。たとえば、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式やＶＡ（Vertical Alignment）方式のものにも適用できる。
【００４８】
ゲート信号線ＧＬは、たとえば図中右側の端部において画像表示領域ＡＲの外側に形成された引き出し線ＷＧを介して、また、ドレイン信号線ＤＬは、たとえば図中下側の端部において、画像表示領域ＡＲの外側に形成された引き出し線ＷＤを介して、前記半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されるようになっている。
【００４９】
また、第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、ブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭが形成されている。このブラックマトリックスＢＭは、図２に図示していないが、画像表示領域ＡＲにおいてたとえば上下方向に隣接する画素の領域を画するようにして形成され（この結果、複数の開口が設けられる）されたもの（図３にて符号ＢＭｐで示す）、および、図２に図示するように、画像表示領域ＡＲの外輪郭よりも外側の領域の全域に形成されたもの（図中符号ＢＭｆで示す）から構成されている。
【００５０】
画像表示領域ＡＲ内に形成されたブラックマトリックスは、各画素の表示のコントラストの向上を図るために設けられ、画像表示領域ＡＲの外側に形成されたブラックマトリックスＢＭｆは、たとえば液晶表示装置（パネル）の背面に配置されたバックライト（図示せず）による光漏れを防止するために設けられている。尚、画像表示領域ＡＲの外側に形成されたブラックマトリックスＢＭｆは、例えば液晶表示装置を収容するケースなどの他の部材で遮光できる場合や、光漏れが問題にならない箇所であれば、完全に全域でなくても、部分的に開口やスリットが設けられていてもよい。
【００５１】
（画素の構成）
図３（ａ）は、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された画素の構成を示す平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ−ｂ線における断面図で、第２基板ＳＵＢ２とともに示した断面図である。
【００５２】
まず、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、図中ｘ方向に伸長しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。第１基板ＳＵＢ１の表面には、ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩ(図３（ｂ）参照)が形成され、この絶縁膜ＧＩは後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００５３】
絶縁膜ＧＩの表面であってゲート信号線ＧＬの一部に重畳する薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に、たとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが島状に形成されている。前記薄膜トランジスタＴＦＴは、前記半導体層ＡＳの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴが形成されることにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極ＧＴとする逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型トランジスタが構成されるようになる。
【００５４】
前記基板ＳＵＢ１の表面には図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの表面に延在させることにより、該延在部を薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴとするようになっている。また、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴが形成され、このソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部ＰＤを具備して構成されている。このパッド部ＰＤは後述の画素電極ＰＸと電気的に接続される部分として構成される。
【００５５】
前記基板ＳＵＢ１の表面にはドレイン信号線ＤＬ等をも被って保護膜ＰＡＳ（図３（ｂ）参照）が形成されている。この保護膜ＰＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避し、前記薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止する絶縁膜となっている。
【００５６】
保護膜ＰＡＳの表面であって隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬで囲まれた領域には、そのほぼ全域にわたって画素電極ＰＸが形成されている。画素電極ＰＸは、前記薄膜トランジスタＴＦＴを駆動するゲート信号線ＧＬとの間に前記画素電極ＰＸを位置づけて配置される他のゲート信号線（図中上側のゲート信号線）ＧＬと一部重畳されて形成され、この重畳部において前記絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＡＳを誘電体膜とする容量素子Ｃａｄｄを構成するようになっている。前記画素電極ＰＸはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成され、予め保護膜ＰＡＳに形成されたスルーホールＴＨを通して前記ソース電極ＳＴのパッド部ＰＤに電気的に接続されている。
【００５７】
画素電極ＰＸの表面には、この画素電極ＰＸから露出される保護膜ＰＡＳをも被って第１配向膜ＯＲＩ１（図３（ｂ）参照）が形成されている。この第１配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと接触する膜となり、液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定するようになっている。また、第１基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣと反対側の面には第１偏光板ＰＯＬ１（図３（ｂ）参照）が配置されている。
【００５８】
また、図３（ｂ）に示すように、第２基板ＳＵＢ２の液晶ＬＣ側の面には、平面的に観て、ゲート信号線ＧＬおよび薄膜トランジスタＴＦＴを被うようにして形成されたブラックマトリックスＢＭｐが形成されている。このブラックマトリックスＢＭｐは、たとえば図中上下方向に隣接する画素の間を走行するようにして形成されている。そして、第２基板ＳＵＢ２の液晶ＬＣ側の面には、前記ブラックマトリックスＢＭｐをも被って対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは、少なくとも前記画像表示領域ＡＲの全域に形成され、各画素領域において共通な電極として形成されている。この対向電極ＣＴはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成されている。
【００５９】
対向電極ＣＴの表面には、第２配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この第２配向膜ＯＲＩ２は液晶ＬＣと接触する膜となり、液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定するようになっている。また、第２基板ＳＵＢ２の液晶ＬＣと反対側の面には第２偏光板ＰＯＬ２が配置されている。
【００６０】
なお、本実施例で示す液晶表示装置がカラー表示用の場合、前記ブラックマトリックスＢＭｐと対向電極ＣＴとの間にカラーフィルタが形成されているが、図３（ｂ）においてはこのカラーフィルタを省略して示している。
【００６１】
図４は、図２に対応して描いた図で、前記第１配向膜ＯＲＩ１、第２配向膜ＯＲＩ２のラビング方向、および前記第１偏光板ＰＯＬ１、第２偏光板ＰＯＬ２の透過軸の方向の一例を示している。図４に示すように、第１配向膜ＯＲＩ１のラビング方向は、図中符号ＯＲＩ１（Ｄ）で示すように、ｘ方向に対して反時計回りに１３５°の方向（図中左上方向）となっている。第２配向膜ＯＲＩ２のラビング方向は、図中符号ＯＲＩ２（Ｄ）で示すように、ｘ方向に対して時計回りに１３５°の方向（図中左下方向）となっている。第１配向膜ＯＲＩ１のラビング方向と第２配向膜ＯＲＩ２のラビング方向は直交する関係となっている。また、第１偏光板ＰＯＬ１の透過軸の方向は、図中符号ＰＯＬ１（Ｄ）に示すように、第１配向膜ＯＲＩ１のラビング方向（ＯＲＩ１（Ｄ））と平行となっている。第２偏光板ＰＯＬ２の透過軸方向は、図中符号ＰＯＬ２（Ｄ）に示すように、第２配向膜ＯＲＩ２のラビング方向（ＯＲＩ２（Ｄ））と平行となっている。第１偏光板ＰＯＬ１の透過軸方向と第２偏光板ＰＯＬ２の透過軸方向は直交する関係となっている。このように構成することによって、液晶表示装置はいわゆるノーマリホワイトモードで駆動されるようになり、各画素において、その液晶に電界が印加されていない状態で明表示（白表示）がなされるようになる。このことは、画像表示領域ＡＲの外側であってシール材ＳＬの内側の領域に存在する液晶は、それに電界が印加されない状態となっていることから、当該領域において光透過がなされる状態にあることを意味する。
【００６２】
尚、本発明は図４に示した軸の配置に限定されず、ノーマリホワイトモードの液晶表示装置であれば適用可能である。
【００６３】
（図２の二点鎖線枠Ｐ内における構成）
図１は、図２の二点鎖線枠Ｐ内の構成を拡大して示した平面図である。図１は、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面の構成を示し、また、図示しない第２基板ＳＵＢ２の液晶側に形成されるブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭｆの形成領域を明らかにした図となっている。
【００６４】
図１において、まず、第１基板ＳＵＢ１の端辺から画像表示領域ＡＲ側へ所定の幅を有する導電膜ＣＤＬが形成されている。この導電膜ＣＤＬは、たとえば前記半導体装置ＳＥＣが形成された辺部を除いた他の辺部に連続して形成され、第２基板ＳＵＢ２の前記対向電極ＣＴを第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置された導電材（図示せず）を介して第１基板ＳＵＢ１側へ電気的に引き出すようになっている。前記導電膜ＣＤＬはたとえば前記ゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。また、前記シール材ＳＬは前記導電膜ＣＤＬの形成領域に重なるようにして形成され、この実施例の場合、たとえば、導電膜ＣＤＬは、その内側辺において、シール材ＳＬの内側辺よりも画像表示領域ＡＲ側へ若干延在するようにして形成されている。また、図１では、導電膜ＣＤＬの外側辺は、シール材ＳＬの外側辺からははみ出さないようになっているが、これに限定されず、はみ出すようにしてもよい。この導電膜ＣＤＬは、遮光の役割も兼ねる。導電膜ＣＤＬは、第２基板ＳＵＢ２の対向電極ＣＴに電位を供給する役割も兼ねる。
【００６５】
第２基板ＳＵＢ２に形成されるブラックマトリックスＢＭｆは、第１基板ＳＵＢ１の端辺近傍から画像表示領域ＡＲ側へ所定の幅を有して配置され、その内輪郭（図中一点鎖線）は画像表示領域ＡＲの外輪郭にほぼ一致づけられて配置されている。図１では、ブラックマトリックスＢＭｆの外側辺は第２基板ＳＵＢ２の端辺に対して若干内側の位置となっているが、これに限定されず、第２基板ＳＵＢ２の端辺に一致するようにしてもよい。画像表示領域ＡＲには、図２において示したように、画素ＰＩＸ（等価回路）がマトリックス状に配列されている。そして、画像表示領域ＡＲの外側（図中上側）には、たとえば、まず、ダミー用画素ＰＩＸｄが形成されている。ダミー用画素ＰＩＸｄは、画像表示領域ＡＲから伸長されたドレイン信号線ＤＬのそれぞれと、前記ゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成されるダミー用ゲート信号線ＧＬｄ（ゲート信号線ＧＬと平行に配置される）で囲まれる領域において、前記画素ＰＩＸとほぼ同様の構成を備えて設けられている。このダミー用画素ＰＩＸｄは表示に寄与することのない画素となり、画像表示領域ＡＲの最外周に配置される画素ＰＩＸの容量に関する条件を、この画素ＰＩＸ以外の他の画素ＰＩＸの容量に関する条件とほぼ同じようにするために形成される。これらダミー用画素ＰＩＸｄは、図示のように、図中ｘ方向へのダミー用画素ＰＩＸｄの列を、図中ｙ方向に１段となるように構成したものであるが、これに限定されることはなく、２段以上の複数段で構成するようにしてもよい。
【００６６】
さらに、ダミー用画素ＰＩＸｄが形成された領域の外側（図中上側）の領域に、静電保護用回路ＳＥＰが形成されている。静電保護用回路ＳＥＰは、画像表示領域ＡＲから前記ダミー用画素ＰＩＸｄの形成領域を経てさらに伸長されたドレイン信号線ＤＬのそれぞれに接続されて設けられている。すなわち、２個の保護ダイオードＤ１、Ｄ２の直列接続体をそれぞれのドレイン信号線ＤＬに並列接続させ、前記保護ダイオードＤ１、Ｄ２の中間接続点を、ゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成される共通線（ゲート信号線ＧＬと平行に配置される）ＧＮＬに接続されて構成されている。ドレイン信号線ＤＬに静電気が発生した場合、この静電気を保護ダイオードＤ１、Ｄ２を通して共通線ＧＮＬに導き静電保護を図っている。なお、前記保護ダイオードＤ１、Ｄ２は、前記薄膜トランジスタＴＦＴの形成の際に同時に形成されるＭＩＳ型トランジスタにおいて、そのゲート電極をドレイン電極およびソース電極のうちの一方の電極に接続させることによって構成されている。共通線ＧＮＬには、所定の電位、例えば、対向電極ＣＴと同じ電位が供給されている。
【００６７】
ここで、保護ダイオードＤ１、Ｄ２からなる前記静電保護用回路ＳＥＰは、隣接する一対のドレイン信号線ＤＬの間に領域に形成され、前記一対のドレイン信号線ＤＬのうち一方のドレイン信号線ＤＬに近接して設けられるようになっている。このため、前記静電保護用回路ＳＥＰが接続された一方のドレイン信号線ＤＬと、このドレイン信号線ＤＬと隣接する他方のドレイン信号線ＤＬとの間は、他の回路が形成されていない比較的大きな領域となっている。また、同様に、前記静電保護用回路ＳＥＰが形成された領域の外側（図中上側）においても前記導電膜ＣＤＬとの間には、他の回路が形成されていない比較的大きな領域となっている。
【００６８】
本発明は、このような領域において、たとえば短冊状からなる小面積の遮光膜（以下、この明細書において遮光セグメントＳＨＳと称する）を複数並設させて形成させている。
【００６９】
図１の場合、遮光セグメントＳＨＳは、図中ｙ方向に伸長され、図中ｘ方向に並設されている。すなわち、１つの隣接するドレイン信号線ＤＬの間の領域に形成される少なくとも２つ以上の遮光セグメントＳＨＳは、その長手方向がドレイン信号線ＤＬの長手方向と実質的に平行（誤差±２°以内）であり、遮光セグメントＳＨＳの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されている。遮光セグメントＳＨＳは、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。また、遮光セグメントＳＨＳは前記静電保護用回路ＳＥＰの保護ダイオードＤ１、Ｄ２の形成領域を回避するようにして形成され、遮光セグメントＳＨＳとドレイン信号線ＤＬとの間隔、および隣接する遮光セグメントＳＨＳ同士の間隔は、それぞれ、たとえば５〜８μｍの範囲内の値に設定されている。そして、このように形成された遮光セグメントＳＨＳは、それぞれフローティング状態で形成されている。
【００７０】
図５は、図１のV−V線における断面図を示している。図５から明らかとなるように、ドレイン信号線ＤＬと遮光セグメントＳＨＳは絶縁膜ＧＩ上において同層で形成されている。また、前記ドレイン信号線ＤＬとこのドレイン信号線ＤＬと隣接して配置される遮光セグメントＳＨＳとの間隔Ｗ１、および隣接して配置される遮光セグメントＳＨＳ同士の間隔Ｗ２は、それぞれ、たとえば５〜８μｍの範囲内の値に設定されている。本発明では、この間隔Ｗ１、Ｗ２は、３０μｍ未満とする。
【００７１】
なお、図１は一部において等価回路を示した図となっており、前記等価回路で示したドレイン信号線ＤＬは、図５において、その幅が遮光セグメントＳＨＳの幅とほぼ同様となっている。
【００７２】
図１に示したように構成することによって、複数の遮光セグメントＳＨＳが並設された領域は、５〜８μｍの範囲内の幅をもつ長口が並設された遮光領域として機能させることができる。このため、ブラックマトリックスＢＭｆにピンホールが形成されてしまった場合でも、遮光セグメントＳＨＳにより遮光ができる。通常、ブラックマトリックスＢＭｆの前記ピンホールの径は３０μｍ以下が許容値と規格されているが、この許容値を越えた３０μｍ以上のピンホールが存在したとしても、遮光セグメントＳＨＳによる間隔Ｗ１、Ｗ２が３０μｍ未満であるため、このピンホールを通して漏れる光は、その量を極めて少なくでき、光漏れとして認識できない程度の量とすることができる。
【００７３】
また、本発明では、隣接するドレイン信号線ＤＬの間の領域の１つあたりに、少なくとも２つ以上の遮光セグメントＳＨＳが形成されている。すなわち、このような構成によって、１つの遮光セグメントＳＨＳの面積は小さいものになっている。その理由は、遮光セグメントＳＨＳの面積が大きい場合、例えば、特許文献１のように、隣接するドレイン信号線ＤＬの間の領域の１つあたりに、いわゆるべた状に１つの大きな遮光のための導電膜を形成させた場合、静電気が蓄積しやすくなり、遮光のための導電膜に近接して配置されたドレイン信号線ＤＬとの間で静電気が放電してしまうという問題が発生し易くなってしまう。これに対して、本発明では、遮光セグメントＳＨＳを細かく分割して１つあたりの面積を小さくしているので、このような問題を回避できる。
【００７４】
また、ドレイン信号線ＤＬと遮光セグメントＳＨＳは同層となっており、このことは、これらドレイン信号線ＤＬと複数の遮光セグメントＳＨＳを同一のマスク行程で形成でき、それらの間隔の寸法は上記値に信頼性よく確保できるようになる。さらに、各遮光セグメントＳＨＳはフローティング状態で形成されていることから、電気的なショートの発生を回避できるとともに、寄生容量の増大を防止できる構成となっている。
【００７５】
上述した説明は、図２の二点鎖線枠Ｐ内における構成を示したものであるが、図２に示す液晶表示装置の図中上辺において、すなわち前記二点鎖線枠Ｐを図中ｘ方向へシフトした全ての部分において、同様の構成となっている。
【００７６】
また、図５では、隣接するドレイン信号線ＤＬの間の領域について述べているが、ドレイン信号線ＤＬの端部からシール材ＳＬまでの領域、あるいは、ドレイン信号線ＤＬの端部から導電膜ＣＤＬまでの領域についても、同様に、図１に示すように細かく分割した遮光セグメントＳＨＳを設けることが望ましい。
【００７７】
（図２の二点鎖線枠Ｑ内における構成）
図６は、図２の二点鎖線枠Ｑ内の構成を拡大して示した平面図である。図６は、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面の構成を示し、また、図示しない第２基板ＳＵＢ２の液晶側に形成されるブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭｆの形成領域を明らかにした図となっている。
【００７８】
図６の構成は、基本的に図１で示した構成と類似した構成となっている。図１と比較して異なる点は、ゲート信号線ＧＬの端部の近傍に対して本発明の遮光セグメントＳＨＳを適用している点である。但し、図６では、遮光セグメントＳＨＳは、ゲート信号線ＧＬと同層で形成されている点で異なっている。また、共通線ＧＮＬがドレイン信号線ＤＬと同層で形成されている点でも異なっている。シール材ＳＬ、導電膜ＣＤＬ、ブラックマトリックスＢＭｆ、静電保護用回路ＳＥＰ、保護ダイオードＤ１、Ｄ２、ダミー用画素ＰＩＸｄなどについては図１での説明とほぼ同様なので、説明を省略する。尚、図６では、図１のダミー用ゲート信号線ＧＬｄの代わりに、ダミー用ドレイン信号線ＤＬｄが設けられている。
【００７９】
そして、このような領域においても、図１に示したと同様に、遮光セグメントＳＨＳを複数並設させて形成させている。図６の場合、遮光セグメントＳＨＳは、たとえば、図中ｘ方向に伸長され、図中ｙ方向に並設されている。遮光セグメントＳＨＳは、ゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。また、遮光セグメントＳＨＳは前記静電用保護回路ＳＥＰの保護ダイオードＤ１、Ｄ２の形成領域を回避するようにして形成され、遮光セグメントＳＨＳとゲート信号線ＧＬとの間隔、および隣接する遮光セグメントＳＨＳ同士の間隔は、それぞれ、たとえば５〜８μｍの範囲内の値に設定されている。そして、このように形成された遮光セグメントＳＨＳは、それぞれフローティング状態で形成されている。
【００８０】
図７は、図６のVII−VII線における断面図を示している。図７から明らかとなるように、ゲート信号線ＧＬと遮光セグメントＳＨＳは第１基板ＳＵＢ１上において同層で形成されている。また、前記ゲート信号線ＧＬとこのゲート信号線ＧＬと隣接して配置される遮光セグメントＳＨＳとの間隔Ｗ３、および隣接して配置される遮光セグメントＳＨＳ同士の間隔Ｗ４は、それぞれ、たとえば５〜８μｍの範囲内の値に設定されている。間隔Ｗ３、Ｗ４は、図１の場合と同様に、３０μｍ未満である。
【００８１】
なお、図６は一部において等価回路を示した図となっており、前記等価回路で示したゲート信号線ＧＬは、図７において、その幅が遮光セグメントＳＨＳの幅とほぼ同様となっている。
【００８２】
図６、図７のような構成による効果については、図１で説明したのとほぼ同様なので、説明を省略する。
【００８３】
上述した説明は、図２の二点鎖線枠Ｑ内における構成を示したものであるが、図２に示す液晶表示装置の図中左辺において、すなわち前記二点鎖線枠Ｑを図中ｙ方向へシフトした全ての部分において、同様の構成となっている。
【００８４】
上述した実施例１では、たとえば図１において、ドレイン信号線ＤＬへの信号供給側と反対の端部における部分の構成について示し、図６において、ゲート信号線ＧＬへの信号供給側と反対の端部における部分の構成について示したものである。しかし、ドレイン信号線ＤＬへの信号供給側においても、静電保護用回路の外側に（画像表示領域ＡＲに対して）該ドレイン信号線ＤＬの引き出し線ＷＤ（図２参照）が形成されているだけであることから、図１に示した構成を適用させることができる。この場合、遮光セグメントＳＨＳは、前記引き出し線ＷＤの間にも形成することになるが、この場合、前記引き出し線ＷＤは便宜上の命名にすぎず、この明細書では、前記引き出し線ＷＤもドレイン信号線ＤＬとして把握することができる。同様に、ゲート信号線ＧＬへの信号供給側においても、静電保護用回路の外側に（画像表示領域ＡＲに対して）該ゲート信号線ＧＬの引き出し線ＷＧ（図２参照）が形成されているだけであることから、図６に示した構成を適用させることができる。この場合も、前記引き出し線ＷＧは便宜上の命名にすぎず、この明細書では、前記引き出し線ＷＧもゲート信号線ＧＬとして把握することができる。
【実施例２】
【００８５】
図８は、本発明の液晶表示装置の実施例２を示す構成図で、図１と対応した図となっている。
【００８６】
図８において、図１の場合と比較して異なる構成は、遮光セグメントＳＨＳにあり、この遮光セグメントＳＨＳは、図中ｘ方向に伸長され、図中ｙ方向に並設されていることにある。すなわち、１つの隣接するドレイン信号線ＤＬの間の領域に形成される少なくとも２つ以上の遮光セグメントＳＨＳは、その長手方向がドレイン信号線ＤＬの長手方向と実質的に垂直（誤差±２°以内）であり、遮光セグメントＳＨＳの長手方向に交差する方向に２つ以上並設されている。そして、遮光セグメントＳＨＳは、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されること、静電用保護回路ＳＥＰの保護ダイオードＤ１、Ｄ２の形成領域を回避するようにして形成されること、遮光セグメントＳＨＳとドレイン信号線ＤＬとの間隔、および隣接する遮光セグメントＳＨＳ同士の間隔は、それぞれ、３０μｍ未満、たとえば５〜８μｍの範囲内の値に設定されていることは、図１に示したと同様である。このように構成した場合にも、図１の構成で示した効果と同様の効果が得られるようになる。
【００８７】
また、同様の趣旨から、図６に示した構成において、図中に示す遮光セグメントＳＨＳを、図中ｙ方向に伸長され、図中ｘ方向に並設させるようにしてもよい。
【実施例３】
【００８８】
図９は、本発明の液晶表示装置の実施例２を示す構成図で、図１と対応した図となっている。
【００８９】
図９において、図１の場合と比較して異なる構成は、遮光セグメントＳＨＳにあり、この遮光セグメントＳＨＳは、図中ｙ方向に対して斜め（ドレイン信号線ＤＬに対して実質的に平行・垂直なもの以外の方向、たとえば４５°の方向）に伸長させ、前記遮光セグメントＳＨＳの長手方向に対して交差する方向に並設されていることにある。そして、遮光セグメントＳＨＳは、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されること、静電保護用回路ＳＥＰの保護ダイオードＤ１、Ｄ２の形成領域を回避するようにして形成されること、遮光セグメントＳＨＳとドレイン信号線ＤＬとの間隔、および隣接する遮光セグメントＳＨＳ同士の間隔は、それぞれ、３０μｍ未満、たとえば５〜８μｍの範囲内の値に設定されていることは、図１に示したと同様である。このように構成した場合にも、図１の構成で示した効果と同様の効果が得られるようになる。
【００９０】
また、同様の趣旨から、図６に示した構成において、図中に示す遮光セグメントＳＨＳを、図中ｘ方向に対して斜め（たとえば４５°の方向）に伸長させ、前記遮光セグメントＳＨＳの長手方向に対して交差する方向に並設させてもよい。
【実施例４】
【００９１】
図１０、図１１は、本発明の液晶表示装置の他の実施例を示す説明図である。
【００９２】
図１０（ａ）は、たとえば、図８の点線丸枠Ｈの部分に対応する図で、図中ｙ方向に伸長するドレイン信号線ＤＬに近接して配置される遮光セグメントＳＨＳが、前記ドレイン信号線ＤＬに対して実質的に直交するようして配置されている。この場合、前記ドレイン信号線ＤＬに対向する各遮光セグメントＳＨＳの端部は円弧状のパターンとして形成されている。
【００９３】
このように構成した場合、ドレイン信号線ＤＬと各遮光セグメントＳＨＳとの間の最も近接した部分で電界集中が起こり易いのを回避できるパターンとなり、静電気の放電の発生を防止することができる。
【００９４】
また、図示していないが、ｘ方向に伸長するゲート信号線ＧＬに近接して配置される遮光セグメントＳＨＳが、前記ゲート信号線ＧＬに対して実質的に直交するようにして配置されている場合においても、前記ゲート信号線ＧＬに対向する各遮光セグメントＳＨＳの端部を円弧状のパターンとすることができる。
【００９５】
同様に、図１０（ｂ）は、たとえば、図９の点線枠Ｉの部分に対応する図で、図中ｙ方向に伸長するドレイン信号線ＤＬに近接して配置される遮光セグメントＳＨＳが、前記ドレイン信号線ＤＬに対して斜め方向（たとえば４５°方向）に配置されている。この場合、前記ドレイン信号線ＤＬ側の各遮光セグメントＳＨＳの端部における一対の角部のうち、前記ドレイン信号線ＤＬに最も近い側の角部を円弧状のパターンとすることができる。しかし、これに限ることはなく、前記ドレイン信号線ＤＬ側の遮光セグメントＳＨＳの端部を図１０（ａ）に示したと同様のパターンとするようにしてもよい。同様の効果が得られるからである。ゲート信号線ＧＬの近傍に適用する場合についても同様である。
【実施例５】
【００９６】
上述した実施例では、遮光セグメントＳＨＳと信号線（ドレイン信号線ＧＬ、ゲート信号線ＧＬ）との間隔、および隣接する遮光セグメントＳＨＳ同士の間隔は、それぞれ、たとえば５〜８μｍの範囲内の値に設定したものである。しかし、これらの間隔は、上述した値に限定はされることはなく、３０μｍ未満であればよい。ブラックマトリックスＢＭｆに生じるピンホールが、３０μｍ以上であった場合でも、前記間隔を３０μｍ未満とすることによって、光漏れが目立たなくなり、本発明の効果が得られるからである。
【００９７】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＳＬ……シール材、ＳＥＣ……半導体装置、ＡＲ……画像表示領域、ＧＬ……ゲート信号線、ＷＧ……引き出し線（ゲート信号線の）、ＤＬ……ドレイン信号線、ＷＤ……引き出し線（ドレイン信号線の）、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、Ｃａｄｄ……容量素子、ＧＩ……絶縁膜、ＰＡＳ……保護膜、ＯＲＩ１……第１配向膜、ＰＯＬ１……第１偏光板、ＢＭｐ、ＢＭｆ……ブラックマトリックス、ＣＴ……対向電極、ＯＲＩ２……第２配向膜、ＰＯＬ２……第２偏光板、ＳＨＳ……遮光セグメント、ＰＩＸｄ……ダミー画素、ＳＥＰ……静電用保護回路、Ｄ１、Ｄ２……保護ダイオード、ＧＬｄ……ダミー用ゲート信号線、ＧＮＬ……共通線、ＣＤＬ……導電膜、ＤＬｄ……ダミー用ドレイン信号線。
【図１】
2010224084.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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