(57)【要約】【課題】へき開位置がずれるのを抑制すると同時に、微細な断層が活性層にまで延びるのを抑制することの可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】へき開ラインＬには、溝４５Ａと、少なくとも溝４５Ａの内部に形成された溝４５Ｂとを含む多段溝４５が形成されている。溝４５Ａ，４５Ｂは、へき開ラインＬと平行な帯状の形状となっており、ウェハＷの表面のうち、ウェハＷ上に形成されたリッジ部２０Ａ同士の間であって、かつ上部電極３２の未形成領域に形成されている。多段溝４５を利用して基板１０をへき開し、へき開ラインＬに沿って前端面Ｓ１および後端面Ｓ２を形成する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、帯状の光導波路を有すると共に、前記光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を備え、
前記レーザ構造部は、前記半導体基板上に、前記光導波路を有する半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行な第１の溝を、前記半導体基板のうち前記半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも前記第１の溝の内部に第２の溝を形成することにより前記第１の溝および前記第２の溝を含む多段溝を形成し、前記多段溝を利用して前記半導体基板をへき開することにより形成されたものである半導体レーザ。
【請求項２】
前記第１の溝および前記第２の溝のそれぞれの短手方向の幅は以下の関係を満たす請求項１に記載の半導体レーザ。
Ｗ１／Ｗ２≧３／１
Ｗ１：前記第１の溝の幅
Ｗ２：前記第２の溝の幅
【請求項３】
前記第１の溝の長手方向の端部は積層方向から見て尖形状となっている請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記第２の溝は前記第１の溝の短手方向の中央部分に形成されている請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記第２の溝は前記第１の溝の短手方向の中央から外れた部分に形成されている請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記半導体基板は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項７】
半導体基板上に、帯状の光導波路を有する半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行な第１の溝を、前記半導体基板のうち前記半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも前記第１の溝の内部に第２の溝を形成することにより前記第１の溝および前記第２の溝を含む多段溝を形成する第１の工程と、
前記多段溝を利用して前記半導体基板をへき開することにより、前記光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を形成する第２の工程と
を含む半導体レーザの製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程において、多重露光および現像によって形成された多段開口を有するレジスト層を配置したのち、前記多段開口を介して前記半導体基板をエッチングすることにより、前記第１の溝および前記第２の溝を一括で形成する請求項７に記載の半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、へき開により形成された共振器端面を有する半導体レーザおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどの窒化物半導体は、ＡｌＧａＩＮＡｓやＡｌＧａＩｎＰなどの、すでに実用化されている半導体レーザに用いられている半導体よりも、大きなバンドギャップを持っている。そのため、窒化物半導体レーザは、高密度光ディスク装置や、レーザビームプリンタ、フルカラーディスプレイなどの光源などの広い応用が期待されているレーザである。
【０００３】
ところで、窒化物半導体レーザに使用されるＧａＮは、赤外から赤色の半導体レーザに使用されるＧａＡｓと比べてへき開性が低い。そのため、製造工程において、へき開ラインずれによる不良が１〜２％程度発生している。また、へき開により形成された断面には、積層方向に微小な段差が存在することが走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）による観察からわかっている。この微小な段差は、クラッド層に使用されるＡｌＧａＮ層と、Ｉｎを含む活性層との材質の固さの違いに起因していると考えられる。このような微細な断層がへき開面の活性層部分に生じると、この断層によって光の射出方向が変化してしまうという問題があった。
【０００４】
この微小な断層の対策として、例えば、特許文献１に記載の技術を応用して、リッジストライプ脇に、深さ２μｍ程度の溝（幅１０μｍ程度）をへき開ラインに平行に形成することが考えられる。これにより、断層が活性層にまで延びるのを阻害することが可能となる。
【０００５】
【特許文献１】特許第３８２２９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、へき開位置がずれるのを抑制するために、例えば、上記の溝の幅を１μｍ程度にまで狭めることが考えられる。確かに、上記の溝の幅を狭めることにより、へき開位置のずれを抑制し、歩留りを向上させることが可能である。しかし、上記の溝の幅をあまり狭めてしまうと、へき開位置が上記の溝からずれやすくなり、一旦ずれてしまった場合には、へき開した断面に微細な断層が形成されるのを抑制することができなくなってしまう。だからといって、上記の溝の幅を広くしたのでは、上記の溝の幅の範囲でへき開ずれが存在することになり、歩留りを高くすることができなくなってしまう。
【０００７】
このように、従来の方法では、へき開位置がずれるのを抑制すると同時に、微細な断層が活性層にまで延びるのを抑制することは容易ではなかった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、へき開位置がずれるのを抑制すると同時に、微細な断層が活性層にまで延びるのを抑制することの可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体レーザは、半導体基板上に、帯状の光導波路を有すると共に、光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を備えたものである。レーザ構造部は、半導体基板上に、光導波路を有する半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行な第１の溝を、半導体基板のうち半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも第１の溝の内部に第２の溝を形成することにより第１の溝および第２の溝を含む多段溝を形成し、多段溝を利用して半導体基板をへき開することにより形成されたものである。
【００１０】
本発明の半導体レーザの製造方法は、以下の２つの工程を含むものである。
（Ａ）半導体基板上に、帯状の光導波路を有する半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行な第１の溝を、半導体基板のうち半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも第１の溝の内部に第２の溝を形成することにより第１の溝および第２の溝を含む多段溝を形成する第１の工程
（Ｂ）多段溝を利用して半導体基板をへき開することにより、光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を形成する第２の工程
【００１１】
本発明の半導体レーザおよびその製造方法では、へき開ラインには、第１の溝と、少なくとも第１の溝の内部に設けられた第２の溝とを含む多段溝が形成されている。これにより、第１の溝よりも幅の狭い第２の溝によって、へき開を高い位置精度で行うことができる。また、へき開位置が第２の溝から外れた場合でも、幅の広い第１の溝の内側にへき開位置がくる。また、第１の溝は、へき開の際にへき開面に発生し得る、微細な断層が活性層にまで延びるのを阻害することが可能である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体レーザおよびその製造方法によれば、へき開ラインには、第１の溝と、少なくとも第１の溝の内部に設けられた第２の溝とを含む多段溝を形成するようにしたので、へき開位置がずれるのを抑制すると同時に、微細な断層が活性層にまで延びるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、単に実施の形態という）について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（第１の溝の内部にだけ第２の溝あり）
２．変形例（第１の溝と第２の溝の位置関係のバリエーション）
【００１４】
［半導体レーザ１の構造］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ１の概略構成を斜視的に表したものである。なお、図１は、模式的に表したものであり、実際の寸法，形状とは異なっている。
【００１５】
本実施の形態の半導体レーザ１は、後に詳述するように、帯状のリッジ部２０Ａ（光導波路）を共振器方向（リッジ部２０Ａの延在方向）から一対の前端面Ｓ１および後端面Ｓ２によって挟み込んだ構造となっており、いわゆる端面発光型の半導体レーザである。この半導体レーザ１は、例えば、基板１０（半導体基板）上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４を基板１０側からこの順に含む半導体層２０（レーザ構造部）を備えたものである。なお、半導体層２０には、上記した層以外の層（例えば、バッファ層やガイド層など）がさらに設けられていてもよい。
【００１６】
基板１０は、例えばＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる。ここで、「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体」とは、短周期型周期率表における３Ｂ族元素群のうちの少なくとも１種と、短周期型周期率表における５Ｂ族元素のうちの少なくともＮとを含むものを指している。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体としては、例えば、ＧａとＮとを含んだ窒化ガリウム系化合物が挙げられる。窒化ガリウム系化合物には、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどが含まれる。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体には、必要に応じてＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、ＳｅなどのＩＶ族またはＶＩ族元素のｎ型不純物、または、Ｍｇ、Ｚｎ、ＣなどのＩＩ族またはＩＶ族元素のｐ型不純物がドープされている。
【００１７】
半導体層２０は、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を主に含んで構成されている。下部クラッド層２１は、例えばＡｌＧａＮにより構成されている。活性層２２は、例えば、組成比の互いに異なるＧａＩｎＮによりそれぞれ形成された井戸層およびバリア層を交互に積層してなる多重量子井戸構造となっている。上部クラッド層２３は、例えばＡｌＧａＮにより構成されている。コンタクト層２４は、例えばＧａＮにより構成されている。
【００１８】
半導体層２０の上部、具体的には、上部クラッド層２３の上部およびコンタクト層２４には、帯状のリッジ部２０Ａが形成されている。このリッジ部２０Ａは、半導体層２０のうち、リッジ部２０Ａの両脇の部分と共に、光導波路を構成しており、横方向（共振器方向と直交する方向）の屈折率差を利用して横方向の光閉じ込めを行うと共に、半導体層２０へ注入される電流を狭窄するものである。活性層２２のうち上述の光導波路の直下の部分が、電流注入領域に対応しており、この電流注入領域が発光領域２２Ａとなる。
【００１９】
半導体層２０には、リッジ部２０Ａをリッジ部２０Ａの延在方向から挟み込む一対の前端面Ｓ１および後端面Ｓ２（一対のへき開面）が形成されている。これら前端面Ｓ１および後端面Ｓ２は、例えばへき開によって形成されたへき開面であり、これら前端面Ｓ１および後端面Ｓ２によって共振器が構成されている。前端面Ｓ１はレーザ光を射出する面であり、前端面Ｓ１の表面には多層反射膜（図示せず）が形成されている。一方、後端面Ｓ２はレーザ光を反射する面であり、後端面Ｓ２の表面にも多層反射膜（図示せず）が形成されている。後端面Ｓ２側の多層反射膜は、当該多層反射膜と後端面Ｓ２とにより構成される射出側端面の反射率が例えば１０％程度となるように調整された低反射率膜である。一方、後端面Ｓ２側の多層反射膜は、当該多層反射膜と後端面Ｓ２とにより構成される反射側端面の反射率が例えば９５％程度となるように調整された高反射率膜である。
【００２０】
リッジ部２０Ａの上面（コンタクト層２４の表面）には上部電極３２が設けられている。この上部電極３２は、例えばＴｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順に積層して構成されており、コンタクト層２４と電気的に接続されている。一方、基板１０の裏面には下部電極３３が設けられている。この下部電極３３は、例えばＡｕとＧｅとの合金，ＮｉおよびＡｕを基板１０側から順に積層して構成されており、基板１０と電気的に接続されている。また、リッジ部２０Ａの側面および裾野には、絶縁層３１が設けられている。この絶縁層３１は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＺｒＯ２などによって構成されている。
【００２１】
また、半導体レーザ１では、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２のそれぞれに、多段切欠き３０が設けられている。多段切欠き３０は、リッジ部２０Ａの両脇に設けられており、基板１０にまで達する深さを有している。多段切欠き３０は、基板１０内において、少なくとも１つの段差を有しており、例えば、図１に示したように、基板１０にまで達する第１の切欠き３０Ａと、第１の切欠き３０Ａの底面に形成された第２の切欠き３０Ｂとによって構成されている。
【００２２】
第１の切欠き３０Ａおよび第２の切欠き３０Ｂは共に、積層方向から見たときに、共振器方向と直交する方向に延在する多角形状となっている。第１の切欠き３０Ａのうちリッジ部２０Ａ側の端部は、例えば、共振器方向と交差する方向に切り欠かれたテーパー状となっている。基板１０内において、第１の切欠き３０Ａの深さは、例えば、第２の切欠き３０Ｂの深さとほぼ等しくなっている。また、第１の切欠き３０Ａの底面の幅は、例えば、第２の切欠き３０Ｂの底面の幅の３倍以上となっている。なお、第１の切欠き３０Ａの底面の幅は、第２の切欠き３０Ｂの底面の幅の１０倍程度とすることも可能である。また、多段切欠き３０は、例えば、第２の切欠き３０Ｂの底面に、さらに切欠きを有していてもよい。
【００２３】
［半導体レーザ１の製造方法］
このような構成を有する半導体レーザ１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２４】
図２（Ａ），（Ｂ）〜図７（Ａ），（Ｂ）は、製造過程における素子の断面形状および上面形状をそれぞれ表したものである。なお、各図の（Ｂ）におけるＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例が各図の（Ａ）に示されている。基板１０の表面を例えばサーマルクリーニングにより清浄する。次に、清浄された基板１０上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、下部クラッド層２１，活性層２２，上部クラッド層２３およびコンタクト層２４を順次成長させて、半導体層２０を形成する。
【００２５】
次に、例えば、蒸着もしくはスパッタリングにより、半導体層２０（コンタクト層２４）上に絶縁層３１を形成したのち、帯状の開口４２Ａを有するレジスト層４２を形成する（図２（Ａ），（Ｂ））。レジスト層４２の開口４２Ａは、へき開ラインＬ（図８参照）に相当する箇所に形成されており、へき開ラインＬと平行な帯状の形状となっている。また、開口４２Ａは、ウェハＷ（図８参照）の表面のうち、ウェハＷ上に形成されたリッジ部２０Ａ同士の間であって、かつ上部電極３２の未形成領域に形成される。
【００２６】
次に、例えばドライエッチングにより、開口４２Ａを介して、絶縁層３１を選択的に除去する。これにより、絶縁層３１に帯状の開口３１Ａが形成される（図３（Ａ），（Ｂ））。その後、レジスト層４２を除去する。
【００２７】
次に、例えばドライエッチングにより、開口３１Ａを介して、半導体層２０および基板１０を選択的に除去する。これにより、半導体層２０のうち開口３１Ａとの対向領域に貫通孔が形成され、さらに基板１０の半導体層２０側の表面に、矩形状の溝４３が形成される（図４（Ａ），（Ｂ））。
【００２８】
次に、溝４３を含む所定の領域に開口４４Ａを有するレジスト層４４を形成する（図５（Ａ），（Ｂ））。この開口４４Ａは、積層方向から見たときに、例えば、溝４３の延在方向と同一の方向に延在する帯状となっており、開口４４Ａのうち、当該開口４４Ａの延在方向の端部が、例えば、尖形状となっている。
【００２９】
次に、例えばドライエッチングにより、開口４４Ａを介して、絶縁層３１を選択的に除去する。これにより、絶縁層３１のうち開口４４Ａとの対向領域に、開口４４Ａと同一形状の開口３１Ｂが形成される（図６（Ａ），（Ｂ））。その後、レジスト層４４を除去する。
【００３０】
次に、例えばドライエッチングにより、開口３１Ｂを介して、半導体層２０および基板１０を選択的に除去する。これにより、半導体層２０のうち開口３１Ｂとの対向領域に貫通孔が形成される。また、基板１０のうち開口３１Ｂとの対向領域に、帯状の溝４５Ａ（第１の溝）が形成されると共に、基板１０のうち溝４３に対応する領域に、帯状の溝４５Ｂ（第２の溝）が形成される（図７（Ａ），（Ｂ））。
【００３１】
ここで、溝４５Ａは、積層方向から見たときに、共振器方向と直交する方向に延在する多角形状となっている。溝４５Ａのうち長手方向の端部は、例えば尖形状となっている。なお、溝４５Ａのうち長手方向の端部が尖形状となっている場合には、溝４５Ａに、へき開のガイド性を強く持たせることができる。また、基板１０内において、溝４５Ａの深さＤ１は、例えば、溝４５Ｂの深さＤ２とほぼ等しくなっている。溝４５Ａの深さＤ１は、例えば、１〜２μｍ程度であり、溝４５Ｂの深さＤ２は、例えば、２〜２．５μｍ程度である。また、溝４５Ａの底面の幅Ｗ１は、例えば、溝４５Ｂの底面の幅Ｗ２の３倍以上となっている。なお、溝４５Ａの底面の幅Ｗ１は、溝４５Ｂの底面の幅Ｗ２の１０倍程度とすることも可能である。溝４５Ａの底面の幅Ｗ１は、例えば、１０μｍ程度であり、緩やかなガイド性を有している。
【００３２】
また、溝４５Ｂは、溝４５Ａの底面に形成されており、基板１０の半導体層２０側の表面には、浅い溝４５Ａと、少なくとも浅い溝４５Ａの内部に形成された深い溝４５Ｂとによって多段溝４５が形成されている。溝４５Ａ，４５Ｂ（多段溝４５）は、例えば、図８に示したように、へき開ラインＬに相当する箇所に形成されており、へき開ラインＬと平行な帯状の形状となっている。また、溝４５Ａ，４５Ｂ（多段溝４５）は、例えば、図８に示したように、ウェハＷの表面のうち、ウェハＷ上に形成されたリッジ部２０Ａ同士の間であって、かつ上部電極３２の未形成領域に形成されている。
【００３３】
なお、図８には、溝４５Ｂが溝４５Ａの短手方向の中央部分に形成されている場合が例示されているが、例えば、図９に示したように、溝４５Ｂが溝４５Ａの短手方向の中央から外れた部分に形成されていてもよい。このとき、溝４５Ｂが、例えば、図９に示したように、溝４５Ａの底面のうち、後端面Ｓ２側に形成されていてもよいし、図示しないが、溝４５Ａの底面のうち、前端面Ｓ１側に形成されていてもよい。
【００３４】
次に、多段溝４５を利用して（具体的には基板１０が半導体層２０側に反るような力を基板１０に加え、多段溝４５に応力を集中させることにより）、基板１０をへき開し、へき開ラインＬに沿って前端面Ｓ１および後端面Ｓ２を形成する。続いて、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２に多層反射膜を形成する。最後に、バー状の基板１０をダイシングする。このようにして、本実施の形態の半導体レーザ１が製造される。
【００３５】
［半導体レーザ１の作用・効果］
次に、本実施の形態の半導体レーザ１の作用および効果について説明する。
【００３６】
本実施の形態の半導体レーザ１では、上部電極３２および下部電極３３に所定の電流が供給されると、リッジ部２０Ａにより電流狭窄された電流が活性層２２の電流注入領域（発光領域２２Ａ）に注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、前端面Ｓ１および後端面Ｓ２に形成された多層反射膜により反射され、所定の波長でレーザ発振を生じ、前端面Ｓ１側からビームとして外部に射出される。
【００３７】
ところで、本実施の形態では、へき開ラインＬには、浅い溝４５Ａと、少なくとも浅い溝４５Ａの内部に形成された深い溝４５Ｂとを含む多段溝４５が、基板１０の半導体層２０側の表面に形成されている。これにより、溝４５Ａよりも幅の狭い溝４５Ｂによるガイド効果によって、へき開を高い位置精度で行うことができる。また、幅の広い溝４５Ａは、緩やかなガイド性を持っているので、へき開位置が溝４５Ｂから外れた場合でも、幅の広い溝４５Ａの内側にへき開位置を確実に持ってくることができる。これにより、へき開に起因する歩留りを向上させることができる。また、溝４５Ａは、へき開の際にへき開面に発生し得る、微細な断層が活性層２２にまで延びるのを阻害することが可能である。これにより、ＣＯＤレベルおよびＥＳＤレベルを高くすることが可能となる。さらに、溝４５Ｂが、溝４５Ａの底面のうち、後端面Ｓ２側に形成されている場合には、前端面Ｓ１側の多段切欠き３０の方が、後端面Ｓ２側の多段切欠き３０よりも、切欠き量が大きくなる。これにより、前端面Ｓ１近傍の歪みの緩和量をより大きくすることができるので、ＣＯＤレベルおよびＥＳＤレベルをさらに高くすることが可能となる。
【００３８】
このように、本実施の形態では、微細な断層が活性層２２にまで延びるのを抑制すると同時に、へき開位置がずれるのを抑制することができるので、ＣＯＤレベルおよびＥＳＤレベルを高くすることができるだけでなく、へき開に起因する歩留りを向上させることができる。
【００３９】
［変形例］
上記実施の形態では、例えばドライエッチングプロセスにおいて、開口３１Ｂ内に露出している半導体層２０を基板１０のエッチングを遅らせるマスクとして使いながら、基板１０を選択的にエッチングすることにより、溝４５Ａ，４５Ｂを一括で形成していたが、他の方法を用いて溝４５Ａ，４５Ｂを一括で形成することも可能である。例えば、まず、図１０（Ａ），（Ｂ）に示したように、絶縁層３１上に形成したレジスト層４６を多重露光したのち、例えばドライエッチングにより選択的に除去（現像）することにより、レジスト層４６に多段開口４６Ａを形成する。ここで、多段開口４６Ａ内には、貫通孔の他に、他の部分よりも薄くなっている箇所が存在する。この薄い部分が、次のエッチングプロセスにおいて、基板１０のエッチングを遅らせるマスクとして機能する。次に、例えばドライエッチングにより、多段開口４６Ａを介して、絶縁層３１、半導体層２０および基板１０を選択的に除去する。このとき、多段開口４６Ａ内には、上述したように基板１０のエッチングを遅らせるマスクとして機能する薄い部分があるので、この薄い部分の無いところに溝部４５Ｂが形成され、薄い部分のあるところに溝部４５Ａが形成される。このように、レジスト層４６に多段開口４６Ａを設け、その多段開口４６Ａを介して、絶縁層３１、半導体層２０および基板１０を選択的に除去することによっても、溝４５Ａ，４５Ｂを一括で形成することができる。また、この方法を用いた場合には、上記実施の形態で説明したプロセスよりも工程数を減らすことができるので、上記実施の形態で説明した方法よりも、安価に半導体レーザ１を製造することができる。
【００４０】
また、上記実施の形態では、溝４５Ｂは、溝４５Ａの底面内に、溝４５Ａの長手方向の長さよりも短く形成されていたが、例えば、図１１（Ａ）に示したように、溝４５Ａの長手方向の長さと同じ長さで形成されていてもよい。また、上記実施の形態では、溝部４５Ｂは、溝４５Ａの底面内にだけ形成されていたが、例えば、図１１（Ｂ）に示したように、溝４５Ａの底面からはみ出して形成されていてもよい。また、溝部４５Ａが、例えば、図１１（Ｃ）に示したように、溝部４５Ｂの端部にだけ形成されていてもよい。
【００４１】
以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００４２】
例えば、上記実施の形態等では、半導体レーザ１がリッジ部２０Ａを１つだけ備えている場合について説明していたが、複数備えていてもよい。
【００４３】
また、上記実施の形態等では、窒化ガリウム系の半導体レーザを例にして本発明を説明したが、他の化合物半導体レーザ、例えば、例えば、ＧａＩｎＡｓＰ系などの赤色半導体レーザ、ＺｎＣｄＭｇＳＳｅＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族の半導体レーザにも適用可能である。また、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＰ系、ＧａＩｎＡｓＮＰ系などの、発振波長が可視域とは限らないような半導体レーザにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体レーザの斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザの製造方法の一例について説明するための断面図および上面図である。
【図３】図２に続く工程について説明するための断面図および上面図である。
【図４】図３に続く工程について説明するための断面図および上面図である。
【図５】図４に続く工程について説明するための断面図および上面図である。
【図６】図５に続く工程について説明するための断面図および上面図である。
【図７】図６に続く工程について説明するための断面図および上面図である。
【図８】図７の工程における上面の全体構成の一例を表す上面図である。
【図９】図７の工程における上面の全体構成の他の例を表す上面図である。
【図１０】図１の半導体レーザの製造方法の他の例について説明するための上面図である。
【図１１】図１の半導体レーザの製造方法のその他の例について説明するための上面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…半導体レーザ、１０…基板、２０…半導体層、２０Ａ…リッジ部、２１…下部クラッド層、２２…活性層、２２Ａ…発光領域、２３…上部ガイド層、２４…コンタクト層、３０…多段切欠き、３０Ａ…第１の切欠き、３０Ｂ…第２の切欠き、３１…絶縁層、３２…上部電極、３３…下部電極、４５…多段溝、４５Ａ，４５Ｂ…溝、Ｓ１…前端面、Ｓ２…後端面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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