(57)【要約】【課題】装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くことなく、被処理基板の表面に対する分子汚染を有効に抑制する。【解決手段】被処理基板２１がセットされるテーブル部２０と、前記被処理基板２１の一面側を覆う板状部材３１を有するとともに当該被処理基板２１と接触せず当該被処理基板２１との間隔が当該被処理基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなる位置に前記板状部材３１を配するカバー部３０と、前記テーブル部２０および前記カバー部３０を内蔵する減圧チャンバ室１０と、を備えて基板処理装置を構成する。そして、前記被処理基板２１と前記板状部材３１との間隙と当該間隙を除く当該減圧チャンバ室１０の内部空間との間で差動排気を成立させつつ当該減圧チャンバ室１０内を減圧し、前記減圧チャンバ室１０内が所定圧まで減圧された後に、前記被処理基板２１と前記板状部材３１とを離間させるようにする。【選択図】図１
2010209418.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板がセットされるテーブル部と、
前記テーブル部にセットされた前記被処理基板と対向して当該被処理基板の一面側を覆う板状部材を有するとともに、当該被処理基板と接触せず当該被処理基板との間隔が当該被処理基板の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなる位置に前記板状部材を配するカバー部と、
前記テーブル部および前記カバー部を内蔵する減圧チャンバ室と
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記被処理基板と前記板状部材との間隔は、当該被処理基板および当該板状部材の形成精度に基づいて、その下限値が設定されている
請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記被処理基板と前記板状部材との間隔は、当該被処理基板と当該板状部材との間隙と当該間隙を除く前記減圧チャンバ室の内部空間との間で差動排気が成立する大きさに、その上限値が設定されている
請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記テーブル部にセットされた前記被処理基板と前記カバー部が有する前記板状部材との相対位置を可変させる位置可変機構
を備える請求項１、２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記位置可変機構は、前記被処理基板と前記板状部材との間隔が前記１／１０００以下の大きさとなるように近接させた後、前記減圧チャンバ室内が所定圧まで減圧されると、当該被処理基板と当該板状部材とを離間させる
請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記カバー部は、前記板状部材を着脱可能に支持する着脱支持機構を有する
請求項１から５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
減圧チャンバ室内に配されたテーブル部に被処理基板をセットする工程と、
前記テーブル部にセットされた前記被処理基板と対向して当該被処理基板の一面側を覆う板状部材を、当該被処理基板と接触せず当該被処理基板との間隔が当該被処理基板の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなる位置まで近接させる工程と、
前記減圧チャンバ室内を減圧して、前記被処理基板と前記板状部材との間隙と当該間隙を除く当該減圧チャンバ室の内部空間との間で差動排気を成立させる工程と、
前記減圧チャンバ室内が所定圧まで減圧されると、前記被処理基板と前記板状部材とを離間させる工程と
を含む基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板に対して減圧環境下での処理を行うための基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理基板に対する減圧環境下での処理は、様々な分野で広く行われている。例えば、ディスプレイ装置用ガラス基板に対しては、真空環境下にて、蒸着やエッチング等の処理が行われる。また、例えば、半導体ウエハ基板に対しても、真空環境下にて、化学気相成長（ＣＶＤ）やエッチング等の処理が行われる。
このような被処理基板に対する処理を行う場合には、当該被処理基板上にダスト（塵埃）が付着するのを回避する必要がある。このことから、被処理基板に対する処理にあたっては、基板表面へのダストの付着を防止するダスト付着防止手段を利用することが提案されている（例えば、特許文献１〜４参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−９２３３５号公報
【特許文献２】特開平０８−２５５７８４号公報
【特許文献３】特開平０４−３２９８７７号公報
【特許文献４】特開昭６２−２０９８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、被処理基板に対して減圧環境下での処理を行う場合には、当該処理を行う処理室またはその前段のロードロック室に当該被処理基板を収容し、その処理室内またはロードロック室内を大気圧から減圧していく。このとき、処理室内またはロードロック室内では、その内部からの脱ガスによる基板表面の分子汚染が生じるおそれがある。このような基板表面の分子汚染は、被処理基板を用いた製品の性能低下や製造歩留まり低下等を招く要因となり得るため、その発生を抑制すべきである。特に、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ装置の製造過程では、水分に過敏な有機膜をガラス基板上に成膜することから、微量な水分汚染についてもその発生を抑制すべきである。
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術では、被処理基板上へのダスト付着防止には有効であっても、当該被処理基板の表面への分子汚染については必ずしも有効に抑制することができない。
この点については、例えば、処理室等の内部に対するベーク、イオンビーム照射、プラズマ照射等の前処理を行って、当該内部の脱ガスを促進して清浄化を図ることも考えられる。ところが、その場合には、前処理が必要になるため、装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くことになる。
【０００６】
そこで、本発明は、装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くことなく、被処理基板の表面に対する分子汚染を有効に抑制することのできる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するために案出された基板処理装置で、被処理基板がセットされるテーブル部と、前記テーブル部にセットされた前記被処理基板と対向して当該被処理基板の一面側を覆う板状部材を有するとともに、当該被処理基板と接触せず当該被処理基板との間隔が当該被処理基板の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなる位置に前記板状部材を配するカバー部と、前記テーブル部および前記カバー部を内蔵する減圧チャンバ室とを備える。
【０００８】
上記構成の基板処理装置では、テーブル部にセットされた被処理基板と、カバー部が有する板状部材との間隔が、当該被処理基板の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなっている。すなわち、板状部材が被処理基板の極近傍に配されているのである。そのため、減圧チャンバ室の室内を減圧すると、当該室内における流体（例えば、大気または所定ガス等の気体。）が有する粘性に起因して、被処理基板と板状部材との間隙と当該間隙を除く減圧チャンバ室の内部空間との間で差圧が生じる。具体的には、減圧チャンバ室の内部空間に比べて、被処理基板と板状部材との間隙のほうが高圧となる。したがって、減圧チャンバ室を減圧することで、その内部からの脱ガスがあっても、当該脱ガスの構成分子が被処理基板と板状部材との間隙に流入してしまうことはない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、板状部材を被処理基板の極近傍に配することで、当該被処理基板と当該板状部材との間隙への脱ガス構成分子の流入を防止する。したがって、減圧チャンバ室内の減圧時に脱ガスがあっても、被処理基板の表面に対する分子汚染を有効に抑制することができる。しかも、板状部材を被処理基板の極近傍に配するだけでよいので、例えばベーク、イオンビーム照射、プラズマ照射等の前処理を必要とする場合に比べて、装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くこともない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の一具体例を示す模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態における基板処理装置の処理動作例を示すフローチャートである。
【図３】カバー基板間距離と汚染による材料劣化との関係の一具体例を示す説明図である。
【図４】本発明の第２実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の一具体例を示す模式図である。
【図５】本発明の第３実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の一具体例を示す模式図である。
【図６】本発明の第４実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の一具体例を示す模式図である。
【図７】本発明の第４実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の他の具体例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態（以下、「実施形態」という。）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．基板処理装置の基本的な構成例
２．第１実施形態（構成例、処理動作例）
３．第２実施形態
４．第３実施形態
５．第４実施形態
【００１２】
＜１．基板処理装置の基本的な構成例＞
基板処理装置は、被処理基板に対する減圧環境下での処理を行うものである。
被処理基板としては、例えばディスプレイ装置用のガラス基板が挙げられる。ただし、これに限定されることはなく、例えば半導体装置を構成するシリコンウエハ基板であっても構わない。
減圧環境とは、通常の大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態をいい、真空状態（１×１０-2Ｐａ以上の低真空状態〜１×１０-10Ｐａ以下の高真空状態）を含む。
被処理基板に対する処理としては、例えば真空蒸着による有機材料の成膜処理が挙げられる。ただし、これに限定されることはなく、例えば真空環境下でのＣＶＤやエッチング等の処理であっても構わない。
【００１３】
被処理基板に対する減圧環境下での処理を行うために、基板処理装置は、少なくとも、プロセスチャンバ室と、ロードロックチャンバ室と、を有して構成されている。
プロセスチャンバ室は、減圧状態での処理室（処理チャンバ室）となるものである。
ロードロックチャンバ室は、プロセスチャンバ室内を真空に保持し大気に開放しないことを目的に、プロセスチャンバ室への処理前、処理後の基板の出し入れを行うために設置されたものである。そのために、ロードロックチャンバ室は、プロセスチャンバ室と開閉可能な扉を介して連結しているとともに、その室内を減圧（真空）状態にし得るように構成されている。つまり、ロードロックチャンバ室は、プロセスチャンバ室の前段にて、被処理基板を収容した状態で、その内部が大気圧から減圧されていくようになっている。したがって、以下、このロードロックチャンバ室のことを「減圧チャンバ室」ともいう。
なお、減圧チャンバ室は、必ずしもロードロックチャンバ室だけに限定されるものではない。例えば、プロセスチャンバ室が減圧機能を備えている場合には、当該プロセスチャンバ室も減圧チャンバ室となり得る。
【００１４】
＜２．第１実施形態＞
次に、基板処理装置の特徴的な要部について説明する。
【００１５】
［構成例］
図１は、本発明の第１実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の一具体例を示す模式図である。
図１（ａ）に示すように、第１実施形態における基板処理装置は、減圧チャンバ室１０内に、テーブル部２０と、カバー部３０と、を備えて構成されている。
【００１６】
減圧チャンバ室１０には、被処理基板（以下、単に「基板」という。）２１を出し入れするために、開閉可能な扉１１が設けられている。
【００１７】
テーブル部２０は、減圧チャンバ室１０内に基板２１をセットするためのものである。すなわち、扉１１から減圧チャンバ室１０内に収容された基板２１が、テーブル部２０上に載置されて、そのテーブル部２０によって支持されるようになっている。なお、テーブル部２０の詳細な構成（例えば、基板２１の支持機構についての具体例。）ついては，公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。
【００１８】
カバー部３０は、テーブル部２０にセットされた基板２１と対向して当該基板２１の一面側を覆う板状部材３１を有している。
板状部材３１は、基板２１の一面側を覆う形状のものであればよい。具体的には、平面形状を基板２１と同一に形成することが考えられる。また、板状部材３１の形成材料は、減圧チャンバ室１０内の減圧時に放出するガスの少ないものであればよい。具体的には、ステンレスやアルミニウム等の金属材料に真空用表面処理を施して放出ガスを抑制したもの、ガラス、石英等を用いることが考えられる。
なお、カバー部３０の詳細な構成（例えば、板状部材３１の支持機構についての具体例。）については、公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。
【００１９】
また、カバー部３０は、テーブル部２０にセットされた基板２１に対して近接または離間する方向（図中における上下方向）に移動し得るようになっている。さらに詳しくは、カバー部３０は、減圧チャンバ室１０の外部に設置された図示せぬ位置可変機構と連結しており、その位置可変機構によって減圧チャンバ室１０内における位置が移動されることになる。
位置可変機構は、テーブル部２０上の基板２１とテーブル部２０における板状部材３１との間隔を制御しつつ、テーブル部２０の位置を移動させ得るものであればよく、公知技術を利用して構成することが考えられる。具体的には、モータ等の駆動源を利用してテーブル部２０の位置移動を実現可能にするとともに、サーボ機構を応用して位置制御を行ったり、あるいはレーザや静電容量等を用いて位置検出を行うセンサを利用して位置制御を行ったりすることが考えられる。
このような位置可変機構により、カバー部３０は、テーブル部２０にセットされた基板２１と当該カバー部３０が有する板状部材３１との相対位置が可変されることになる。
【００２０】
［処理動作例］
続いて、以上のような構成の基板処理装置における処理動作例、すなわち本発明の第１実施形態における基板処理方法の手順について、図１および図２を参照しながら説明する。
図２は、本発明の第１実施形態における基板処理装置の処理動作例を示すフローチャートである。
【００２１】
上述した構成の基板処理装置では、先ず、図１（ａ）に示すように、開状態の扉１１を通じて、減圧チャンバ室１０内に基板２１が搬入される（図２におけるステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。このとき、位置可変機構は、カバー部３０をテーブル部２０から離れる側に退避させている。基板２１の搬入は、例えば図示せぬハンドリングロボットが行う。そして、搬入された基板２１は、減圧チャンバ室１０内にて、テーブル部２０にセットされることになる。
【００２２】
基板２１がテーブル部２０にセットされた後、位置可変機構は、図１（ｂ）に示すように、カバー部３０をテーブル部２０の側へ移動させる。これにより、カバー部３０における板状部材３１は、テーブル部２０上の基板２１に最も近接する位置まで当該基板２１に近づいて、互いの間隔が狭まることになる（図２におけるＳ１０２）。
【００２３】
このとき、カバー部３０は、当該基板２１と板状部材３１とが以下に述べる位置関係となるように、位置可変機構によって位置制御される。具体的には、基板２１と板状部材３１とが接触することなく、かつ、基板２１と板状部材３１との間隔が当該基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなる位置に、当該板状部材３１が配される。ここで、基板２１の二次元代表寸法とは、当該基板２１の平面形状において代表的な寸法のことをいう。例えば、基板２１の平面形状が矩形状であれば、その一辺（例えば、長方形における長辺。）の長さが挙げられる。また、例えば、基板２１の平面形状が円形状であれば、その直径の大きさが挙げられる。
【００２４】
さらに詳しくは、位置可変機構がカバー部３０の位置制御を行うのにあたり、カバー部３０がテーブル部２０の側に最も近接した場合における基板２１と板状部材３１との間隔については、その下限値および上限値が以下に述べるように設定されているものとする。
【００２５】
基板２１と板状部材３１との間隔は、当該基板２１および当該板状部材３１の形成精度に基づいて、その下限値が設定されている。ここでいう形成精度とは、主として面精度のことをいう。つまり、基板２１および板状部材３１のそれぞれについて、許容される最大限の反りや歪み等がある場合であっても、基板２１と板状部材３１とが接触することのない大きさに、これらの間隔の下限値が設定されているのである。このような下限値としては、例えば０．０３ｍｍという値が挙げられる。
【００２６】
また、基板２１と板状部材３１との間隔は、当該基板２１と当該板状部材３１との間隙と当該間隙を除く減圧チャンバ室１０の内部空間との間で差動排気が成立する大きさに、その上限値が設定されている。差動排気が成立する大きさとしては、基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさでありつつ、さらに具体的には１ｍｍ以下、望ましくは０．５ｍｍ以下という大きさが挙げられる。つまり、基板２１と板状部材３１との間隔の上限値は、基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさでありつつ、当該基板２１の二次元代表寸法とは無関係に、１ｍｍ以下、望ましくは０．５ｍｍ以下という大きさに設定されているのである。
【００２７】
このような下限値および上限値で規定される範囲内に板状部材３１を配した後は、減圧チャンバ室１０の内部空間について、いわゆる真空引きによる減圧を行う（図２におけるＳ１０３）。真空引きによる減圧は、減圧チャンバ室１０の扉１１を閉じてその内部空間を密封した状態で、図示せぬ減圧機構を作動させることによって行う。減圧機構は、減圧チャンバ室１０に連通する排気ポンプ等の公知技術を利用して実現すればよい。つまり、減圧チャンバ室１０内では、テーブル部２０上に基板２１がセットされ、その基板２１に近接してカバー部３０の板状部材３１が配されると、次いで、当該減圧チャンバ室１０内の減圧が行われるのである。
【００２８】
このとき、テーブル部２０上にセットされた基板２１の上面側は、当該基板２１に近接して配された板状部材３１によって覆われている。つまり、板状部材３１が基板２１の極近傍に配されている。
そのため、減圧チャンバ室１０の内部空間を減圧すると、当該内部空間における流体（例えば、大気または所定ガス等の気体。）が有する粘性に起因して、基板２１と板状部材３１との間隙と当該間隙を除く減圧チャンバ室１０の内部空間との間で差圧が生じる。具体的には、基板２１と板状部材３１との間隙と減圧チャンバ室１０の内部空間との間で差動排気が成立し、当該内部空間に比べて当該間隙のほうが高圧となる。したがって、減圧チャンバ室１０を減圧することで、その壁面や内包部材等からの脱ガスがあっても、当該脱ガスの構成分子が基板２１と板状部材３１との間隙に流入してしまうことはない。
【００２９】
減圧チャンバ室１０内は、圧力センサ等によってその内圧がモニタリングされている。そして、内圧が所定圧、具体的には例えば１×１０-2Ｐａ以下になると（図２におけるＳ１０４）、位置可変機構は、図１（ｃ）に示すように、カバー部３０をテーブル部２０から離れる側へ移動させる。これにより、カバー部３０における板状部材３１は、テーブル部２０上の基板２１との近接位置から退避位置まで移動して、互いの間隔が拡がることになる（図２におけるＳ１０５）。
【００３０】
このときには、減圧チャンバ室１０の内圧が既に所定圧に達している。つまり、脱ガスによる悪影響が懸念される段階は過ぎている。したがって、基板２１と板状部材３１との間隔を広げても、当該基板２１の表面が脱ガスの構成分子によって汚染されてしまうことはない。
【００３１】
その後は、減圧チャンバ室１０内が所望する減圧状態（例えば、１×１０-10Ｐａ以下の高真空状態。）になるまで、当該減圧チャンバ室１０の内部空間の減圧を継続して行う（図２におけるＳ１０６）。
そして、減圧チャンバ室１０内の減圧が完了したら、当該減圧チャンバ室１０内の基板２１について、次のステップの処理を行う。例えば、減圧チャンバ室１０がロードロックチャンバ室である場合には、基板２１のプロセスチャンバ室への移載を行う。また、例えば、減圧チャンバ室１０がプロセスチャンバ室である場合には、基板２１に対して、有機材料の成膜等の処理を行う。
【００３２】
以上に説明したように、第１実施形態における基板処理装置および基板処理方法では、板状部材３１を基板２１の極近傍に配することで、当該基板２１と当該板状部材３１との間隙への脱ガス構成分子の流入を防止する。したがって、減圧チャンバ室１０内の減圧時に脱ガスがあっても、基板２１の表面に対する分子汚染を有効に抑制することができる。しかも、板状部材３１を基板２１の極近傍に配するだけでよいので、例えばベーク、イオンビーム照射、プラズマ照射等の前処理を必要とする場合に比べて、装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くこともない。
つまり、第１実施形態における基板処理装置および基板処理方法によれば、装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くことなく、基板２１の表面に対する分子汚染を有効に抑制することができるようになる。
【００３３】
また、第１実施形態における基板処理装置および基板処理方法では、板状部材３１を基板２１の極近傍に配する際のそれぞれの間隔の下限値が、当該基板２１および当該板状部材３１の形成精度に基づいて設定されている。したがって、基板２１および板状部材３１のそれぞれについて、許容される最大限の反りや歪み等がある場合であっても、板状部材３１を基板２１の極近傍に配した際にそれぞれが互いに接触してしまうことがない。つまり、それぞれが互いに接触して損傷を受けてしまうのを未然に防止することができる。
【００３４】
また、第１実施形態における基板処理装置および基板処理方法では、板状部材３１を基板２１の極近傍に配する際のそれぞれの間隔の上限値が、基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下でありつつ、さらに具体的には１ｍｍ以下、望ましくは０．５ｍｍ以下という大きさに設定されている。したがって、基板２１と板状部材３１との間隙と、当該間隙を除く減圧チャンバ室１０の内部空間との間で、確実に差動排気を成立させ得るようになる。つまり、確実に差動排気を成立させることで、基板２１と板状部材３１との間隙への脱ガス構成分子の流入防止が実現されるのである。
図３は、カバー基板間距離と汚染による材料劣化との関係の一具体例を示す説明図である。図例は、実験等の経験則から導き出された具体例を示している。図例によれば、基板２１と板状部材３１との間隔が１ｍｍ以下、望ましくは０．５ｍｍ以下であれば、当該基板２１の表面に対する汚染発生が抑制されていることが分かる。つまり、当該間隔の大きさが１ｍｍ以下、望ましくは０．５ｍｍ以下であれば、基板２１と板状部材３１との間隙と当該間隙を除く減圧チャンバ室１０の内部空間との間で、確実に差動排気が成立しているものと認められる。
【００３５】
また、第１実施形態における基板処理装置および基板処理方法では、位置可変機構が基板２１と板状部材３１との相対位置を可変させるようになっている。したがって、減圧チャンバ室１０内に対する基板２１の搬入時または搬出時には板状部材３１を退避させておき、当該減圧チャンバ室１０内の減圧時には板状部材３１を基板２１の極近傍に配するといったことが実現可能になる。つまり、基板２１の汚染防止のために当該基板２１の極近傍に板状部材３１を配する必要があっても、そのために当該基板２１の処理や取り扱い等に支障が生じてしまうことがなく、その処理や取り扱い等を容易に行うことができる。
【００３６】
また、第１実施形態における基板処理装置および基板処理方法では、板状部材３１が基板２１の極近傍に位置するように近接させた後、減圧チャンバ室１０内が所定圧まで減圧されると、当該板状部材３１を当該基板２１から離間させるようになっている。このようなタイミングで位置可変機構がカバー部３０を移動させることで、基板２１の処理や取り扱い等についての容易化を図りつつ、基板２１の表面に対する汚染発生を確実に抑制することができる。
【００３７】
＜３．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。ただし、ここでは、主として、上述した第１実施形態との相違点を説明する。
【００３８】
図４は、本発明の第２実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の一具体例を示す模式図である。
図例のように、第２実施形態における基板処理装置は、位置可変機構が、カバー部３０ではなく、テーブル部２０を移動させるように構成されている。すなわち、テーブル部２０に基板２１がセットされると、そのテーブル部２０をカバー部３０の側へ移動させ、セットされた基板２１をカバー部３０における板状部材３１の極近傍に位置させる。そして、減圧チャンバ室１０内が所定圧まで減圧されると、基板２１が板状部材３１をから離間するように、テーブル部２０を移動させる。つまり、テーブル部２０の移動によって、基板２１と板状部材３１との相対位置を可変させるようになっている。他は、第１実施形態の場合と同様である。
【００３９】
このように、テーブル部２０の移動によっても、基板２１と板状部材３１との相対位置を可変させることは可能である。そして、基板２１と板状部材３１との相対位置可変を可能とすれば、第１実施形態で説明したように、基板２１の処理や取り扱い等についての容易化を図りつつ、基板２１の表面に対する汚染発生を確実に抑制することができるようになる。
【００４０】
＜４．第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。ただし、ここでも、主として、上述した第１実施形態または第２実施形態との相違点を説明する。
【００４１】
図５は、本発明の第３実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の一具体例を示す模式図である。
減圧チャンバ室１０に基板２１を搬入する際には、当該減圧チャンバ室１０内を大気圧に開放する。そのため、減圧チャンバ室１０に内蔵されたカバー部３０の板状部材３１についても、大気圧に開放された空間に露出することにより、汚染されてしまう可能性がある。
そこで、図例のように、第３実施形態における基板処理装置では、減圧チャンバ室１０内に、テーブル部２０の側の空間とカバー部３０の側の空間とを開閉可能に遮蔽する遮蔽部材１２を備えている。そして、扉１１を開状態にするときには、テーブル部２０の板状部材３１を退避させるとともに、遮蔽部材１２が各空間の遮蔽を行うようにする。これにより、板状部材３１は、大気中に露出する時間が短縮化されることになる。
したがって、このような構成を備えていれば、大気開放時の板状部材３１の汚染を抑制できるため、当該構成を備えていない場合に比べて、基板２１の表面に対する汚染発生を抑制する上で非常に有効なものとなる。
【００４２】
＜５．第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。ただし、ここでも、主として、上述した第１実施形態〜第３実施形態との相違点を説明する。
【００４３】
第４実施形態における基板処理装置では、カバー部３０が、板状部材３１を着脱可能に支持する着脱支持機構を有して構成されている。具体的には、カバー部３０は、静電チャック等の公知技術を利用して、板状部材３１を着脱可能に支持することが考えられる。
着脱支持機構を有して構成されたカバー部３０では、当該カバー部３０に装着されている板状部材３１を、必要に応じて交換し得るとともに、その交換を非常に容易に行い得るようになる。したがって、例えば板状部材３１の汚染の度合いが進行したら、新たな板状部材３１に交換し、これにより基板２１の表面に対する汚染発生を抑制するといったことを実現することが可能になる。
【００４４】
図６は、本発明の第４実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の一具体例を示す模式図である。
図例の基板処理装置では、基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさの間隔を空けて、当該基板２１上に板状部材３１が載置された状態で、これら基板２１および板状部材３１が減圧チャンバ室１０内に搬入される（図６（ａ）参照。）。そして、減圧チャンバ室１０内のテーブル部２０上に基板２１がセットされると、その基板２１上に板状部材３１が載置された状態のまま、減圧チャンバ室１０内を減圧する（図６（ｂ）参照。）。減圧チャンバ室１０内が所定圧まで減圧されると、カバー部３０の着脱支持機構が板状部材３１を装着して、基板２１から離間する方向へ移動させる（図６（ｃ）参照。）。その後は、図示せぬハンドリングロボットが、基板２１のプロセスチャンバ室への移載を行うとともに、板状部材３１を減圧チャンバ室１０の外部へ戻す（図６（ｄ）参照。）。
【００４５】
図７は、本発明の第４実施形態における基板処理装置の特徴的な要部の他の具体例を示す模式図である。
図例の基板処理装置では、複数のチャンバ室が並設されているとともに、各チャンバ室の間にわたって基板２１を搬送する搬送コンベアが配設されている。このような構成の基板処理装置であっても、図６に示した構成例の場合と同様に、着脱支持機構によって板状部材３１を着脱自在にすることによって、当該板状部材３１を必要に応じて交換し得るとともに、その交換を非常に容易に行い得るようになる。
【００４６】
なお、上述した各実施形態では、本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されることはない。
例えば、各実施形態で挙げた基板処理装置の各構成要素の形成材料や形成寸法等は、本発明を実施するに際して行う具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されることがあってはならない。
このように、本発明は、各実施形態で説明した内容に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…減圧チャンバ室、２０…テーブル部、２１…被処理基板、３０…カバー部、３１…板状部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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