(57)【要約】【課題】スペクトル純度の高いＥＵＶ光が得られるスペクトル純度フィルタを用いたＥＵＶ光源装置を提供する。【解決手段】このＥＵＶ光源装置は、チャンバと、ターゲット物質を供給するターゲット供給部と、炭酸ガスを含むレーザガスをレーザ媒質として使用し、ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザと、プラズマから放射される極端紫外光を集光して出射する集光ミラーと、極端紫外光の光路中に設られ、極端紫外光を透過してレーザ光を反射するスペクトル純度フィルタであって、ドライバレーザによって照射されるレーザ光の最も短い波長の半分以下のピッチを有する開口の配列が形成され、電気伝導性を有するメッシュを含むスペクトル純度フィルタとを具備する。【選択図】図１
2010021543.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質にレーザ光を照射することにより極端紫外光を発生するレーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給手段と、
炭酸ガスを含むレーザガスをレーザ媒質として使用し、前記ターゲット供給手段によって供給されるターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザと、
プラズマから放射される極端紫外光を集光して出射する集光ミラーと、
前記集光ミラーから出射される極端紫外光の光路中に設られ、極端紫外光を透過してレーザ光を反射するスペクトル純度フィルタであって、前記ドライバレーザによって照射されるレーザ光の最も短い波長の半分以下のピッチを有する開口の配列が形成され、電気伝導性を有するメッシュを含む前記スペクトル純度フィルタと、
を具備する極端紫外光源装置。
【請求項２】
前記スペクトル純度フィルタが、ほぼ５μｍ以下のピッチを有する開口の配列が形成されたメッシュを含む、請求項１記載の極端紫外光源装置。
【請求項３】
前記メッシュが、正方格子の形状を有する、請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項４】
前記メッシュが、蜂の巣状の形状を有する、請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項５】
前記スペクトル純度フィルタが、電気伝導性を有する物質が少なくとも表面にコーティングされたメッシュを含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項６】
前記スペクトル純度フィルタが、電気伝導性を有する物質が少なくとも光入射側表面にコーティングされたメッシュを含む、請求項５記載の極端紫外光源装置。
【請求項７】
前記メッシュが、ダイヤモンドと、ダイヤモンドライクカーボンと、炭化ケイ素と、ケイ素との内の１つを含む、請求項５又は６記載の極端紫外光源装置。
【請求項８】
前記金属コーティングが、金とモリブデンとの内の１つを含む、請求項５又は６記載の極端紫外光源装置。
【請求項９】
ターゲット物質にレーザ光を照射することにより極端紫外光を発生するレーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給手段と、
炭酸ガスを含むレーザガスをレーザ媒質として使用し、前記ターゲット供給手段によって供給されるターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザと、
プラズマから放射される極端紫外光を集光して出射する集光ミラーと、
前記集光ミラーから出射される極端紫外光の光路中に設られ、極端紫外光を透過してレーザ光を反射するスペクトル純度フィルタであって、前記ドライバレーザによって照射されるレーザ光の最も短い波長の半分以下のピッチを有するワイヤーグリッドポラライザを含む前記スペクトル純度フィルタと、
を具備する極端紫外光源装置。
【請求項１０】
前記スペクトル純度フィルタが、ほぼ５μｍ以下のピッチを有するワイヤーグリッドポラライザを含む、請求項９記載の極端紫外光源装置。
【請求項１１】
前記ドライバレーザが、直線偏光を有するレーザ光を照射し、前記ワイヤーグリッドポラライザが、前記ドライバレーザによって照射されるレーザ光の電場振動方向とワイヤーの伸長方向とがほぼ一致するように配置されている、請求項９又は１０記載の極端紫外光源装置。
【請求項１２】
前記スペクトル純度フィルタが、各々が５μｍ以下のピッチをもち、互いに直交して配置された２枚のワイヤーグリッドポラライザを含む、請求項項項９又は１０記載の極端紫外光源装置。
【請求項１３】
前記スペクトル純度フィルタが、前記メッシュの表面が平坦となるように前記メッシュの周辺部を保持するホルダをさらに含む、請求項項１〜８のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項１４】
前記スペクトル純度フィルタが、前記ワイヤーグリッドポラライザの表面が平坦となるように前記ワイヤーグリッドポラライザの周辺部を保持するホルダをさらに含む、請求項項９〜１２のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項１５】
前記ホルダに、前記メッシュを冷却又は加熱する媒体を通過させるためのチャネルが形成されている、請求項１３記載の極端紫外光源装置。
【請求項１６】
前記ホルダに、前記ワイヤーグリッドポラライザを冷却又は加熱する媒体を通過させるためのチャネルが形成されている、請求項１４記載の極端紫外光源装置。
【請求項１７】
前記ホルダを回転又は振動させる機構をさらに具備する、請求項１３〜１６のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【請求項１８】
ターゲット物質にレーザ光を照射することにより極端紫外光を発生するレーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給手段と、
炭酸ガスを含むレーザガスをレーザ媒質として使用し、前記ターゲット供給手段によって供給されるターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザと、
プラズマから放射される極端紫外光を集光して出射する集光ミラーと、
前記集光ミラーから出射される極端紫外光の光路中に、前記ドライバレーザによって照射されるレーザ光を吸収する６フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスを導入するスペクトル純度フィルタと、
を具備する極端紫外光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲット物質にレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を発生する極端紫外（ＥＵＶ）光源装置に関し、特に、ターゲット物質に照射されるレーザ光の影響を排除してスペクトル純度を高めた良質な極端紫外光を供給するＥＵＶ光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、更には３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光源として、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ生成プラズマ）光源（以下において、「ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置」ともいう）がある。
【０００４】
ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置では、ノズルからターゲット物質を噴射し、このターゲット物質に向けてレーザ光を照射することにより、ターゲット物質を励起してプラズマ化させる。このプラズマからは、極端紫外（ＥＵＶ）光を含む様々な波長成分が放射される。そこで、所定波長の光を選択的に反射集光する集光ミラー（ＥＵＶ集光ミラー）を用いて、所望のＥＵＶ光を選択することにより、所望のＥＵＶ光が露光機等の外部機器に出力される。例えば、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を集光するときは、モリブデンとシリコンとが交互に積層された膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）を反射面に形成したＥＵＶ集光ミラーが用いられる。
【０００５】
しかしながら、ターゲットプラズマから直接放射される光や、ターゲット等から反射される励起用レーザ光も、所望のＥＵＶ光に混入する。ターゲットプラズマから発生する光のスペクトラムの内で、波長１３０ｎｍ〜４００ｎｍの光は、ＥＵＶ露光機で使用する露光用レジストを感光してしまうので、露光コントラストを下げる要因となる。また、励起用レーザ光に含まれる赤外光は、露光機内の光学部品、マスク、ウエハ等に吸収されて熱的膨張を引き起こし、パターニングの精度を低下させる可能性がある。従って、それらの成分を抑制する必要がある。
【０００６】
従来、ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、プラズマから放射される光のスペクトルからＥＵＶ露光に不要な成分を除くために、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ：Spectrum Purity Filter）が用いられていた。特許文献１に開示されている技術においては、図１７に示すように、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザから出力されるレーザ光を真空チャンバ内に導いて集光し、ターゲット供給装置により供給されるスズ（Ｓｎ）液滴等のターゲットにレーザ光を照射してターゲットをプラズマ化し、プラズマから放射される光をＥＵＶ集光ミラーで集光し、集光された光をグレーティング型ＳＰＦで分光することにより、波長１３．５ｎｍを中心とするＥＵＶ光（図中の−１次光）のみが露光機へと導かれる。
【０００７】
また、露光機と真空チャンバの間に薄膜フィルタを配置することにより、真空チャンバ内に導入されるターゲット材料（Ｓｎ）やターゲットプラズマから飛散するＳｎデブリが露光機側に流れるのを防ぎ、露光機内の光学部品を汚染しないようにしている。この薄膜フィルタは、波長１３．５ｎｍを中心とするＥＵＶ光の透過率が他の波長に比較して高いジルコニウム（Ｚｒ）やシリコン（Ｓｉ）等の材料を選ぶことにより、薄膜フィルタ型ＳＰＦとしても作用する。なお、図１７に示す従来のＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置では、グレーティング型ＳＰＦで分光され排除される光は、ダンパで吸収されて熱エネルギーになる。
【０００８】
また、特許文献２は、開口又は開口アレイを利用し、開口の幅の２倍より長い波長光を反射して透過を抑制する他のＳＰＦを開示している。
さらに、特許文献３は、分子がＥＵＶ光に対しては吸収能を有せず、排除したい波長で大きな吸収能を有するガスを必要な数組み合わせて構成するガスカーテンを、ＳＰＦとして利用することを開示している。
【０００９】
特に、ＣＯ２レーザ光（波長１０．６μｍの赤外線）をＳｎターゲットの励起のために用いるＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置においては、出力の高いＣＯ２レーザ光もターゲット等により反射又は散乱されるため、ＣＯ２レーザ光をＳＰＦで有効に除去する必要がある。例えば、中心波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光の強度を１として、ＣＯ２レーザ光の強度を約０．１以下に抑えることが要求される。そこで、ＣＯ２レーザの光を除去する観点から、上記の従来技術には次のような問題点があった。
【００１０】
（１）露光機とＥＵＶ光源装置とを隔離する薄膜フィルタ型のＳＰＦの透過率は４０％程度と低いため、ＥＵＶ光の出力効率が非常に悪くなる。また、薄膜は、デブリの入射によって容易に破損する。さらに、薄膜にデブリが付着すると、デブリがＥＵＶ光を吸収して温度が上昇し、フィルタ自体が溶けてしまう可能性があり、ＳＰＦとしての機能を維持することが困難である。
（２）開口アレイを用いるＳＰＦにおいては、ＳＰＦの構造強度を維持しつつ開口率を向上して露光機に出力するＥＵＶ光の効率を改善すること、阻止したいＣＯ２レーザ光の反射率を向上させること、光の吸収で発生する温度上昇に伴う変形や破損のリスクを低減すること、が問題となる。また、開口アレイで発生するＥＵＶ光の微細な強度分布が、半導体の露光均一性を阻害して露光ムラを生じる可能性がある。
（３）ガスの選択吸収作用を利用したＳＰＦにおいては、ＣＯ２レーザ光を吸収するのに適したガス種の開示がない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許ＵＳ６，８０９，３２７号公報
【特許文献２】特開２００６−１９１０９０号公報
【特許文献３】特開２００７−１２９２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、本願発明が解決しようとする課題は、スペクトル純度の高いＥＵＶ光が得られるスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）を用いたＥＵＶ光源装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明の１つの観点に係る極端紫外光源装置は、ターゲット物質にレーザ光を照射することにより極端紫外光を発生するレーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給手段と、炭酸ガスを含むレーザガスをレーザ媒質として使用し、ターゲット供給手段によって供給されるターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザと、プラズマから放射される極端紫外光を集光して出射する集光ミラーと、集光ミラーから出射される極端紫外光の光路中に設られ、極端紫外光を透過してレーザ光を反射するスペクトル純度フィルタであって、ドライバレーザによって照射されるレーザ光の最も短い波長の半分以下のピッチを有する開口の配列が形成され、電気伝導性を有するメッシュを含むスペクトル純度フィルタとを具備する。このメッシュは、電気伝導性を有する材料で構成されていてもよいし、電気伝導性を有する物質が少なくとも光入射側表面又は裏面又は側壁にコーティングされたものでもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の１つの観点によれば、ドライバレーザによって照射されるレーザ光の最も短い波長の半分以下のピッチを有する開口の配列が形成されたメッシュを含むスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）を用いるため、波長の短いＥＵＶ光は透過する一方、波長の長いＣＯ２レーザ光は反射するので、スペクトル純度の高いＥＵＶ光を得ることができる。また、メッシュの光入射側表面に金あるいはモリブデン等の金属コーティングを施す場合には、ＣＯ２レーザ光がＳＰＦのメッシュの光入射側表面に吸収されにくくなり、ＳＰＦの温度上昇に伴う変形や破損のリスクが減少する。
【００１５】
一般的なＣＯ２ガスレーザの発振波長は１０．６μｍであるから、レーザ光の波長の半分以下である５．３μｍ以下のピッチを有する開口の配列が形成されたＳＰＦを用いれば良い。さらに、遷移００°１−０２°０バンドによりＣＯ２ガスレーザが発振している場合には、ＣＯ２ガスレーザの発振波長は９．５６μｍ付近となる。この場合には、レーザ光の波長の半分以下である４．７８μｍ以下のピッチを有する開口の配列が形成されたＳＰＦを用いれば良い。以上のように、ＣＯ２レーザ光を反射させるためには、ドライバレーザによって照射されるレーザ光の最も短い波長の半分以下のピッチを有する開口の配列が形成されたＳＰＦが必要となる。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る極端紫外（ＥＵＶ）光源装置の構成を示す図である。このＥＵＶ光源装置は、レーザ光をターゲット物質に照射して励起させることによりＥＵＶ光を生成するレーザ励起プラズマ（ＬＰＰ）方式を採用している。
【００１８】
本実施形態に係るＥＵＶ光源装置は、図１に示すように、ＥＵＶ光の生成が行われる第１の真空チャンバ１と、生成されたＥＵＶ光を外部の露光機に導く第２の真空チャンバ２とを備え、生成されたＥＵＶ光１０をメッシュタイプのスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）２２により良質化するものである。
【００１９】
また、ＥＵＶ光源装置は、第１の真空チャンバ１内の所定の位置（集光点９）にターゲット４を供給するターゲット供給装置５と、第１の真空チャンバ１の外側に設けられたドライバレーザ６と、第１の真空チャンバ１の外側及び／又は内側に配置された少なくとも１つのレンズ及び／又は少なくとも１つのミラーで構成され、ドライバレーザ６から射出される励起用レーザ光７を導光及び集光するレーザ集光光学系８と、第１の真空チャンバ１に励起用レーザ光７を導入する入射ウィンドウ３４と、集光点９におけるターゲット４に励起用レーザ光７が照射されることによって発生するプラズマから放射されるＥＵＶ光１０を反射して集光するＥＵＶ集光ミラー１１と、第１の真空チャンバ１を排気する第１の真空ポンプ１２と、第２の真空チャンバ２を排気する第２の真空ポンプ２５とを備えている。
【００２０】
また、ＥＵＶ光源装置は、第１の真空チャンバ１と第２の真空チャンバ２との間の隔壁に設けられ、第１の真空チャンバ１と第２の真空チャンバ２とを連通させる第１のピンホールアパーチャ（開口部）１４と、第１のピンホールアパーチャ１４から入射するＥＵＶ光を露光機に導光する第２のピンホールアパーチャ（開口部）２３とを備えている。
【００２１】
さらに、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ集光ミラー１１等をデブリから保護するミティゲーション(Mitigation)装置１６を備えても良い。ミティゲーション装置１６は、例えば、プラズマを囲むように磁力線２０を生起させる超伝導コイル電磁石１９によって構成することができる。
【００２２】
また、ＥＵＶ光源装置は、クリーニングのためにエッチャントガスを導入するバルブと、クリーニング時にエッチャントガスが露光機に流出するのを防止するために第２のピンホールアパーチャ２３の下流に設けられたゲートバルブ２８とを備えていても良い。
【００２３】
ターゲット供給装置５は、固体のスズ（Ｓｎ）を加熱溶解し固体あるいは液滴のドロップレットとして第１の真空チャンバ１中に供給してターゲット４とする。ターゲット４は、励起用レーザ光７と交差する集光点９を通る。
【００２４】
ドライバレーザ６は、炭酸ガス（ＣＯ２）を含むレーザガスをレーザ媒質として使用する高出力ＣＯ２パルスレーザ（例えば、出力２０ｋＷ、パルス繰返し周波数１００ｋＨｚ、パルス幅２０ｎｓ）である。ドライバレーザ６によって照射される励起用レーザ光（ＣＯ２レーザ光）７は、レーザ集光光学系８及び第１の真空チャンバ１の入射ウィンドウ３４を介してターゲット４に集光され、ターゲット４を励起してプラズマ化することにより、ＥＵＶ光１０（中心波長１３．５ｎｍ）を発生させる。発生したＥＵＶ光１０は、楕円状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー１１により集光されて中間集光点（ＩＦ：Intermediate Focus）に出力され、露光機へと導かれる。ドライバレーザ６によって照射されるＣＯ２レーザ光７は、ターゲット４を励起する際に、ターゲット４で反射されたり、集光点９に発生したプラズマで散乱又は反射され、ＥＵＶ集光ミラー１１によって反射及び集光されてＩＦへと向かう。
【００２５】
ＣＯ２レーザ光７を遮断するＳＰＦ２２は、ＩＦとＥＵＶ集光ミラー１１との間に配置され、ＥＵＶ集光ミラー１１で反射された光のうちＥＵＶ露光に必要な中心波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光１０を透過する。一方、ＳＰＦ２２は、ＣＯ２レーザ光７を反射し、反射されたＣＯ２レーザ光７は、ＥＵＶ集光ミラー１１の反射光軸上に配置された水冷ダンパ２４に入射し吸収されて熱に変換される。
【００２６】
あるいは、ＳＰＦ２２を若干傾けて、ＣＯ２レーザ光等の波長の長い光をＥＵＶ集光ミラー１１の反射光軸に対して角度を持った方向に反射させるようにして、ＥＵＶ集光ミラー１１で反射されたＥＵＶ光１０を遮らないような位置に水冷ダンパ２４を配置してもよい。
【００２７】
ＩＦの前後に２つのピンホールアパーチャ１４及び２３を配置し、この２つのピンホールアパーチャ１４及び２３に挟まれた第２の真空チャンバ２を真空ポンプで第１の真空チャンバ１や露光機に繋がる空間より高真空にする。アパーチャ１４及び２３の径は、数ｍｍ程度である。ＩＦは、第１の真空チャンバ１とは別の第２の真空チャンバ２内に配置される。この構成により、差動排気の原理から、第１の真空チャンバ１内のターゲットやデブリが露光機に流入することを防止できる。
【００２８】
本実施形態においては、集光点９におけるプラズマから飛散するデブリから第１の真空チャンバ１内の光学素子（ＳＰＦ２２、ＥＵＶ集光ミラー１１、レーザ集光光学系８、入射ウィンドウ３４、ＥＵＶ光センサ及びその他の光学式センサの入射窓等）を保護するためのミティゲーション装置１６として、磁場を発生する超伝導コイル１９を用いている。ターゲットプラズマから発生するＳｎイオンは電荷を持つため、磁場中でローレンツ力を受け、磁力線に拘束されて、真空ポンプ１２によって第１の真空チャンバ１外に排出される。
【００２９】
一方、ターゲットプラズマから発生するイオン以外の中性のＳｎ粒子は、磁場に拘束されないので、Ｓｎデブリとして、磁力線の外側に飛散して、光学素子を徐々に汚染する。本実施形態においては、ピンホールアパーチャ１４により空間的に制限を加え、これらのデブリがピンホールアパーチャ１４を通過する確率を低くすると共に、ピンホールアパーチャ１４を通過したデブリは、真空ポンプ２５によって回収されるため、デブリがもう１個のピンホールアパーチャ２３を通って露光機に流入することがなくなる。
【００３０】
しかしながら、第１の真空チャンバ１内には中性のデブリの拡散があるので、ＳＰＦ２２の表面がデブリで徐々に汚染されて過熱する場合がある。その場合には、一旦ＥＵＶ光源装置の運転を停止して、ＩＦの付近に設けたゲートバルブ２８を閉じて露光機と第１の真空チャンバ１及び第２の真空チャンバ２とを完全に隔離した状態で、エッチャントガスによるＳＰＦ２２のクリーニングを実施するようにしてもよい。
【００３１】
エッチャントガスは、水素ガス、ハロゲンガス、ハロゲン化水素、アルゴンガスあるいはそれらの混合ガスを用い、ＳＰＦ２２を加熱装置（図示せず）により加熱してクリーニングを促進してもよい。また、ＲＦ波やマイクロ波によりエッチャントガスを励起して、クリーニングを促進してもよい。
【００３２】
クリーニングが終了したら、エッチャントガスの供給を停止し、真空ポンプ２５で第２の真空チャンバ２の真空度が十分低くなったことを確認してゲートバルブ２８を開き、ＥＵＶ光源装置の運転を再開する。
【００３３】
上記磁場を用いたミティゲーション装置１６によりＳｎイオンによるＳＰＦ２２の表面の削れは有効に防止されるが、中性のＳｎデブリはＳＰＦ２２上に堆積するため、ＳＰＦ２２におけるＣＯ２レーザ光の反射率は運転と共に徐々に低下して、ＳＰＦ２２が光を吸収して温度が上昇する。本実施形態においては、ＳＰＦ２２の温度分布をサーモビューアで観測することにより、ＳＰＦ２２の温度上昇が中性のＳｎデブリの付着に伴い閾値よりも大きくなったことを検知したときに、装置を停止してＳＰＦ２２の交換あるいは上記のクリーニングをするようにしてもよい。
【００３４】
図２は、第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるＳＰＦの第１の実施例を示す斜視図である。このＳＰＦは、所定のピッチで開口の配列が形成されたメッシュ２２ａを含んでいる。第１の実施例においては、メッシュ２２ａが、正方格子の形状を有する。メッシュ２２ａは、例えば、複数のワイヤーを縦横に並べることにより製造しても良いし、基板に複数の開口を形成して枠を残すことにより製造しても良い。
【００３５】
ここで、各々のワイヤー又は枠が直径Ｄを有し、各々の開口が横方向の幅Ｗｘ及び縦方向の幅Ｗｙを有するものとすると、横方向のピッチ（Ｗｘ＋Ｄ）と縦方向のピッチ（Ｗｙ＋Ｄ）との各々を、入射電磁波（本実施形態においては、ＣＯ２レーザ光）の波長の半分以下になるようにする。例えば、横方向のピッチと縦方向のピッチとの各々を５μｍ以下にすることによって、１０．６μｍの波長を有するＣＯ２レーザ光をブロックし、透過率を１／１０００程度にして、ＣＯ２レーザ光を阻止することができる。
【００３６】
一方、１３．５ｎｍの中心波長を有するＥＵＶ光は、メッシュの開口率に従ってＳＰＦ２２を透過する。開口率Ｅ（％）は、次式で計算される。
Ｅ  ＝  １００×（Ｗｘ×Ｗｙ）／（（Ｗｘ＋Ｄ）×（Ｗｙ＋Ｄ））
例えば、開口の横方向の幅Ｗｘ及び縦方向の幅Ｗｙの各々を４．５μｍとし、ワイヤー又は枠の直径Ｄを０．５μｍとすると、開口率Ｅは８１％となる。実際には、このメッシュは回折格子としてＥＵＶ光に作用するので、回折損失を考慮すると透過率はさらに減少する。
【００３７】
図３と図４は、図２に示すメッシュの開口率とＥＵＶ光の透過率との関係を説明するための図である。図３は、メッシュの開口率に対する回折損失及び透過率の変化を示す図であり、図４は、ＳＰＦの表面で生じる回折光を説明するための図である。図４に示された１次以上の回折光を損失として計算すると、図３に示すような開口率と透過率との関係になる。図３には、回折損失が無いとした場合の透過率も示してある。開口率８１％のメッシュにおいて回折損失を考慮すると、約６６％の透過率となる。また、図３から、回折損失を低減するためには、高い開口率（例えば、８０％以上）を有するメッシュが望ましいことが分かる。
【００３８】
再び図１を参照すると、露光機へ送るＥＵＶ光の損失をできるだけ少なくするためには、ＳＰＦ２２の位置をＩＦの位置に近づけて、回折光も露光機で使えるようにすることが求められる。なお、ＳＰＦ２２の位置をＩＦに近づけると、ＳＰＦ２２に入射するＥＵＶ光のエネルギー密度が大きくなるので、ＳＰＦ２２が、エネルギー密度の大きい光を吸収して温度上昇しても、構造上の変形や破損を生じないことが要求される。
【００３９】
図５は、第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるＳＰＦの第２の実施例を示す平面図である。また、図６は、図５のＡ−Ａ断面図である。このＳＰＦは、所定のピッチで開口の配列が形成されたメッシュ２２ｂを含んでいる。第２の実施例においては、メッシュ２２ｂが、蜂の巣状の形状を有する。メッシュ２２ｂは、例えば、正六角形の枠を連続して並べることにより製造しても良いし、基板に複数の開口を形成することにより製造しても良い。第２の実施例においては、開口の配列が最大でピッチ（Ｗ＋Ｄ）を有しており、そのピッチが５μｍ以下とされる。
【００４０】
図５に示すＳＰＦは、上記のような要求により適合した蜂の巣状のメッシュ２２ｂを含み、メッシュの機械的な強度を維持しつつ高い開口率及び高いＥＵＶ光透過率を実現する。蜂の巣状のハニカム構造は、正六角形を隙間無く並べて得られる変形しにくい丈夫な構造で、作る際に必要となる材料が少なく、六角形をかたどる枠の直径Ｄが薄くてよいため、開口率を大きく取れる等の利点がある。
【００４１】
本実施形態において、メッシュの材質は、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ダイヤモンド等の熱伝導率が高く剛性の高い材質であり、ＳＰＦの機械的な強度を維持できる。少なくともメッシュの光入射側表面には、金（Ａｕ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）等の金属コーティングがなされて、ＣＯ２レーザ光の反射率を向上させ、ＳＰＦにおけるＣＯ２レーザ光の吸収を低減し、ＳＰＦの熱変形や破損を低減する。また、メッシュは、熱伝導率が高い材質で製造されるので、メッシュの周囲を保持するホルダを経由して効率的に除熱が可能となり、あわせてＳＰＦの熱変形や破損を低減できる。
【００４２】
図７は、第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるＳＰＦの第３の実施例を示す断面図である。ＳＰＦにおいて、メッシュと同じ材料の基板が、メッシュの光出射側表面に配置される。このような構造を作製するためには、例えば、半導体製造プロセスで用いられるエッチング装置を利用してシリコン（Ｓｉ）基板をエッチングすることにより、基板とメッシュとが一体で作製される。
【００４３】
少なくともメッシュの光入射側表面には、金（Ａｕ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）等の金属コーティングがなされ、これにより、ＣＯ２レーザ光の反射率が向上し、ＳＰＦのＣＯ２レーザ光の吸収が低減され、ＳＰＦの熱変形及び破損が低減される。
【００４４】
図６及び図７においては、メッシュの光入射側表面に金（Ａｕ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）等の金属コーティングをして、効率良くＣＯ２レーザ光を反射する実施例を示したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。メッシュが電気伝導性を有していれば、メッシュのピッチの半分以下の波長を有する電磁波又は光を反射することができる。具体的には、メッシュそのものが電気伝導性を有する材料で構成されるか、あるいは、電気伝導性を有する物質がメッシュの光入射側表面又は裏面又は側壁にコーティングされていればよい。
【００４５】
また、シリコン基板の厚みを１５０ｎｍ程度に薄くし、シリコン基板の裏面にジルコニウム（Ｚｒ）をコーティングすることによって、基板部は、従来の薄膜フィルタ型ＳＰＦの光学特性も併せ持つことができ、ＣＯ２レーザ光のみでなく他の不要なスペクトルの透過を抑制できる。
【００４６】
さらに、メッシュが基板を強度の点で補強するので、従来の薄膜フィルタ型ＳＰＦより機械強度が高く、破損しにくい。基板及びメッシュの材質としては、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ダイヤモンド等のように、ＥＵＶ光の透過率が高く、機械的強度が高いものを、シリコンと同様に採用しても良い。
【００４７】
基板及びメッシュの材質がダイヤモンド等のように硬度が高く、熱伝導率が高いものである場合には、機械的な強度を保持しつつ基板及びメッシュを薄くすることができるので、開口率が大きくなってＥＵＶ光の透過率が高くなり、光源としての効率を高めることができる。さらに、熱伝導率が大きいことから、基板及びメッシュに吸収された光エネルギを効率的に除去することができるので、変形破損の危険を低減することができる。
【００４８】
図８は、ホルダを含むＳＰＦを示す斜視図である。図８には、メッシュ２２ａを用いる場合が示されているが、メッシュ２２ｂを用いるようにしても良い。ＳＰＦ２２のメッシュ２２ａは薄く柔軟なので、自律的に姿勢を保持することができない。このため、メッシュ２２ａの表面が平坦となるようにメッシュ２２ａの周辺部をホルダ３１で保持することにより、適度な表面張力を得て、緊張したフィルム状の素子としてメッシュ２２ａが第１の真空チャンバ１内に設置される。
【００４９】
ＳＰＦ２２のホルダ３１は、熱伝導率の高い銅等の金属で作製され、メッシュを冷却又は加熱する媒体（水等）を通過させるためのチャネルが形成された構造を有している。図８には、チャネルの入口３１ａと出口３１ｂとが示されている。ＳＰＦ２２のメッシュ２２ａは高い熱伝導率をもった材質で形成されるので、メッシュ２２ａで発生する熱はメッシュ２２ａの周辺部を保持するホルダ３１を経由して効率的に除熱することができる。従って、ホルダ３１を使用することにより、ＳＰＦ２２の熱変形や破損を防ぐことができる。また、ＳＰＦ２２をエッチャントガス等でクリーニングするときには、ホルダ３１を経由してメッシュ２２ａを加熱し、クリーニングのための化学反応を促進させることができる。
【００５０】
図９と図１０は、ＳＰＦのホルダを回転あるいは振動させる機構を説明するための概念図である。
図９は、モータ等でホルダ３１を回転させる機構を示しており、ＳＰＦ２２を回転させることにより、ＳＰＦ２２におけるＥＵＶ光の照射部分のムラを平均化して、ＳＰＦ２２の透過ムラによって生じる微細な透過ＥＵＶ光の強度分布を時間的に積分して解消し、露光ムラを改善することができる。なお、日本国特許出願公開ＪＰ−Ａ−７−１８４３８２、参照によってここに取り込む、に開示されているような超音波モータがホルダ３１を回転させても良い。
【００５１】
ＳＰＦを回転させる手法によれば、ターゲットで反射したり拡散したりしたＣＯ２レーザ光が照射される位置が回転につれて変化するので、ＳＰＦ２２で発生する熱が効率的に発散し、ＳＰＦ２２の寿命を長期化することができる。
【００５２】
また、図１０は、ピエゾ素子等で構成される直動アクチュエータを示しており、ＳＰＦ２２に振動を与えることにより、ＳＰＦ２２によって生じる微細な透過ＥＵＶ光の強度分布を時間的に積分して解消し、露光ムラを改善することができる。
【００５３】
（第２の実施形態）
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る極端紫外光源装置の構成を示す図である。第２の実施形態においては、ドライバレーザ３２が、炭酸ガス（ＣＯ２）を含むレーザガスをレーザ媒質として使用して、直線偏光を有する励起用レーザ光（ＣＯ２レーザ光）を照射し、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）３３において、メッシュの替わりにワイヤーグリッドポラライザが用いられる。その他の構成は、第１の実施形態におけるのと同様である。
【００５４】
図１２は、ＣＯ２レーザ光の偏光方向とワイヤーグリッドポラライザとの関係を説明するための原理図である。ワイヤーグリッドポラライザ４１は、金属等のワイヤーを周期的に配列したもので、ワイヤー間隔が入射電磁波（本実施形態においては、ＣＯ２レーザ光）の波長の半分以下になるようにしたものである。
【００５５】
図１２に示すように、ワイヤーグリッドポラライザ４１は、入射電磁波の偏光方向に応じて変化する透過率を有し、ワイヤーのピッチが５μｍ以下の場合には、直線偏光を有するＣＯ２レーザ光における電場振動方向とワイヤーの伸長方向とがほぼ一致すると、高い反射率でＣＯ２レーザ光を反射してブロックする。
【００５６】
従って、図１１において、ドライバレーザ３２によって照射される励起用レーザ光７の偏光方向と、ＳＰＦ３３におけるワイヤーグリッドの方向とを、上記のように決定することにより、ターゲットで反射するＣＯ２レーザ光を反射し、ＣＯ２レーザ光の露光機への入射を抑制することができる。一方、ＥＵＶ光は、第１の実施形態におけるメッシュと同様に、開口率に応じた透過率と回折損失を有することになる。
【００５７】
メッシュとの違いは、ワイヤーグリッドポラライザでは一方向にしかワイヤーが存在しないことである。実質的な開口率Ｅ（％）は、次式で表される。
Ｅ  ＝  １００×Ｗ／（Ｗ＋Ｄ）
従って、ワイヤーの直径Ｄと開口幅Ｗとをメッシュタイプにおけるのと同じにした場合に、メッシュタイプより高い開口率、即ち、高いＥＵＶの透過率が期待できる。
【００５８】
反射したＣＯ２レーザ光等の光成分は、ダンパ２４に入射して吸収される。図１１において、ダンパ２４は光軸から外れて配置されているが、図１に示されるように光軸上に配置されてもよい。
【００５９】
直線偏光のＣＯ２レーザ光を得ることが困難な場合には、２枚のワイヤーグリッドポラライザをワイヤーの伸長方向が互いに直交するように重ねて配置することで、メッシュと同様にＣＯ２レーザ光の阻止ができる。ＣＯ２レーザ光は、第１のワイヤーグリッドポラライザを透過することによりワイヤーの伸長方向と直交する方向に偏光面をもつ直線偏光となるので、第１のワイヤーグリッドポラライザに対して直交配置された第２のワイヤーグリッドポラライザを通過することができない。こうして、ドライバレーザ６によって照射されるＣＯ２レーザ光を、その偏光状態によらず効率的に阻止することができる。
【００６０】
この場合に、１枚のワイヤーグリッドポラライザを用いる場合との違いは、２枚のワイヤーグリッドポラライザで光を反射及び吸収するので、光の吸収による１枚当たりの熱負荷が半減し、熱変形や破損がより少なくなることである。
【００６１】
これらのワイヤーグリッドポラライザは、第１の実施形態におけるメッシュと同様に、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ダイヤモンド等の熱伝導率が高く剛性の高い材質で作製され、ＳＰＦ３３の機械的な強度を維持できるようにしてある。さらに、少なくともワイヤーグリッドポラライザの光入射側表面に、金（Ａｕ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）等の金属コーティングがなされ、ＣＯ２レーザ光の反射率を向上させて、ＳＰＦ３３によるＣＯ２レーザ光の吸収を低減し、ＳＰＦ３３の熱変形や破損を低減するようにしている。
【００６２】
また、ワイヤーグリッドポラライザのワイヤーは熱伝導率が高い材質のため、図８に示した第１の実施形態におけるＳＰＦ２２と同様に、ワイヤーグリッドポラライザの表面が平坦となるようにワイヤーグリッドポラライザの周辺部を保持するホルダ３１（図８）を設けることにより、ホルダを経由して効率的に除熱が可能となり、あわせてＳＰＦ３３の熱変形、破損を低減することができる。
【００６３】
第１及び第２の実施形態において、ＳＰＦ２２又はＳＰＦ３３はＥＵＶ集光ミラー１１とＩＦとの間に設けられているが、ＥＵＶ光１０がＩＦを通過したあとの露光機側の空間等、ＥＵＶ光１０の光路中任意の位置に設置しても同様の作用を為すことができる。
【００６４】
（第３の実施形態）
図１３は、本発明の第３の実施形態に係る極端紫外光源装置の構成を示す図である。本実施形態においては、ＣＯ２レーザ光を阻止するのに特化したガス吸収方式のＳＰＦが用いられ、吸収用のガスとして６フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスが用いられる。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。
【００６５】
本実施形態においては、ガス導入ノズル４３とガス排気ノズル４７とが、第１の真空チャンバ１内のＩＦ付近において互いに対向するように配置されている。ガス導入ノズル４３を介して第１の真空チャンバ１内のＩＦ付近にＳＦ６ガスを導入し、真空排気ポンプを用いてガス排気ノズル４７にＳＦ６ガスを回収することによって、ＳＦ６のガスカーテン４５が生成される。６フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスは、波長１０．６μｍのＣＯ２レーザ光を特異的に吸収する性質があるので、ＩＦに向けて集光される光のうちＣＯ２レーザ光を吸収して遮断することができる。
【００６６】
ガスカーテンの技術は、特許文献３に開示されている。しかし、ＣＯ２レーザ光を使用する装置においてＳＦ６ガスを利用することについては、全く記載がない。ＳＦ６ガスは、ＣＯ２レーザ光に対して非線形な吸収率をもち、光のエネルギー密度強度が低いときには吸収率が高く、光のエネルギー密度強度が高くなると吸収率が低くなる。ＳＦ６ガスをガス吸収式のＳＰＦとして用いると、ＥＵＶ光を発生するプラズマを励起させるためにエネルギー密度強度が非常に高いＣＯ２レーザ光の集光部分では吸収が少ない一方、ターゲット等で反射又は散乱されるＣＯ２レーザ光はエネルギー密度強度が低いので、これを有効に吸収することができる。従って、ＥＵＶ光を発生するプラズマを励起するエネルギーを維持したまま、ターゲット等で反射又は散乱されるＣＯ２レーザ光を効率的に吸収して遮断することができる。
【００６７】
さらに、ＥＵＶ光を発生するプラズマを励起させるＣＯ２レーザ光が集光される領域を部分的にフード４９で被い、フード内の空間をパージノズル５１から導入したアルゴン（Ａｒ）ガスでパージすることにより、ＣＯ２レーザ光が集光される領域におけるＳＦ６ガスの濃度を下げ、ＣＯ２レーザ光の吸収をさらに少なくすることができる。この実施例においてはパージガスとして（Ａｒ）ガスが用いられるが、本発明はこの実施例に限定されることなく、パージガスとして、水素（Ｈ２）ガス、ヘリューム（Ｈｅ）ガス等のバッファガスを使用することができる。
【００６８】
上記ＳＦ６ガス及びＡｒガスは、３個の真空排気ポンプにより排出される。ここで、第１の真空チャンバ１内のガスがＥＵＶ光を十分透過できるように、例えば、第１の真空チャンバ１内のガスを１Ｔｏｒｒ以下の濃度に維持することが必要である。
【００６９】
第３の実施形態においても、第１及び第２の実施形態と同様に、ＩＦの前後に２つのピンホールアパーチャ１４及び２３を配置し、この間の空間を第２の真空チャンバ２として利用して、ＩＦが第２の真空チャンバ２内に位置するように各部が構成される。この第２の真空チャンバ２を真空ポンプ２５で高真空にすることにより、第１の真空チャンバ１で発生するデブリ及びＳＦ６ガスを第２真空チャンバ２から排出して、それらが露光機に侵入するのを防ぐことができる。
【００７０】
（第４の実施形態）
第４の実施形態においては、ＥＵＶ光源装置のドライバレーザとして、マルチライン増幅を行うＣＯ２レーザシステムが用いられる。その他の構成は、第１〜３の実施形態と同様である。
【００７１】
図１４は、ＣＯ２ガスレーザの増幅ラインを示す。図１４の（ａ）に示す遷移００°１−１０°０バンド、及び、図１４の（ｂ）に示す遷移００°１−０２°０バンドの各々において、複数の増幅ラインが存在する（Ｃ．Ｋ．Ｎ．パテル（C. K. N. Patel）、「ＣＯ２の振動的遷移における連続波レーザ動作（Continuous-Wave Laser Action on Vibrational Transition of CO2）」、American Physical Society、Vol. 135(5A) 、A1187-A1193、November 1964参照）。
【００７２】
通常のＣＯ２ガスレーザは、増幅ラインＰ（２０）において１０．６μｍの波長のみでレーザ発振する。その理由は、遷移００°１−１０°０バンドの増幅ラインＰ（２０）におけるゲインが、その他の増幅ラインと比較しても一番大きく、この増幅ラインＰ（２０）にエネルギーが集中するためである。
【００７３】
しかしながら、ＥＵＶ光を放出するプラズマを生成するためには、短いパルス幅のレーザ光（パルス幅が約２０ｎｓ〜５０ｎｓ）が必要である。この短いパルス幅のレーザ光を効率良く増幅するためには、複数の増幅ラインで増幅する方式が適していることが知られている。
【００７４】
そのようなマルチライン増幅を行う場合には、遷移００°１−１０°０バンドの増幅ラインＰ（２０）、Ｐ（１８）、Ｐ（１６）、及び、遷移００°１−０２°０バンドの増幅ラインＰ（２２）の波長を有するシード光をＣＯ２レーザガスのレーザ媒体を通過させることによって、増幅することができる。ここで、遷移００°１−０２°０バンドの増幅ラインＰ（２２）の波長は、約９．５６μｍである。
【００７５】
従って、遷移００°１−０２°０バンドの増幅ラインを使用する場合には、通常のＣＯ２レーザ光の波長（１０．６μｍ）の１／２以下（例えば、５．３μｍ）のピッチを有する開口の配列をＳＰＦに形成したとしても、波長９．５６μｍのＣＯ２レーザ光が反射されずに透過してしまう。波長９．５６μｍのＣＯ２レーザ光を反射するためには、ドライバレーザによって照射されるＣＯ２レーザ光の波長の中で最も短い波長の１／２以下のピッチを有する開口の配列が形成されたＳＰＦが必要となる。
【００７６】
図１５は、所望の増幅ラインでマルチライン増幅を行うＣＯ２レーザシステムの構成を示す。ＣＯ２ガスレーザにおける複数の増幅ラインの波長に対応して、シングル縦モードでパルス発振する複数の半導体レーザをマスターオシレータとして用いることにより、マルチライン増幅が可能となる。
【００７７】
このＣＯ２レーザシステム６０は、複数の半導体レーザ６１と、これらの半導体レーザ６１から出力されるシードパルス光を合波する合波器６２と、合波されたシードパルス光を前置増幅するプリアンプ６３と、プリアンプ６３によって前置増幅されたレーザ光をさらに増幅するメインアンプ６４とを含んでいる。ここで、プリアンプ６３とメインアンプ６４は、炭酸ガス（ＣＯ２）を含むレーザガスをレーザ媒質として使用する。このレーザ媒質に、マルチラインのシードパルス光を通過させることにより、マルチラインによるパルス増幅が可能となる。以下に、その具体例を示す。
【００７８】
図１６は、異なるゲインを有する増幅領域に対応して複数の半導体レーザの発振における縦モードの光強度を調整することによりメインアンプから出力されるレーザ光の強度を均一にした場合の強度分布を示す。
【００７９】
図１６の（ａ）は、ＣＯ２ガスレーザの増幅ゲインと各半導体レーザのシングル縦モードの光強度との関係を示している。例えば、５つの半導体レーザ１〜５から出力される５種類の波長を有するレーザ光が、遷移００°１−０２°０バンドの増幅ラインＰ（２２）、及び、遷移００°１−１０°０バンドの増幅ラインＰ（１８）、Ｐ（２４）、Ｐ（２６）、Ｐ（２８）に割り当てられる。それらの増幅ラインにおいてゲインが異なるので、それぞれの増幅ラインのゲインに合わせて、各半導体レーザの強度が調節される。
【００８０】
具体的には、大きなゲインを有する増幅ラインに割り当てられる半導体レーザ光の強度は小さく設定され、小さなゲインを有する増幅ラインに割り当てられる半導体レーザ光の強度は大きく設定される。これにより、図１６の（ｂ）に示すように、メインアンプから出力されるレーザ光において、複数のラインの強度をほぼ均一化することが可能となる。その結果、増幅効率がシングルラインに比べて向上する。
【００８１】
上記のようなマルチライン増幅を行うＣＯ２レーザシステムをＥＵＶ光源装置のドライバレーザとして用いる場合には、図２及び図５に示すＳＰＦにおいて、開口の配列のピッチを、ドライバレーザによって照射されるＣＯ２レーザ光の波長の中で最も短い波長の半分以下に設定する。また、図１２に示すＳＰＦにおいて、ワイヤーのピッチを、ドライバレーザによって照射されるＣＯ２レーザ光の波長の中で最も短い波長の半分以下に設定する。例えば、ドライバレーザによって照射されるＣＯ２レーザ光の波長の中で最も短い波長が９．５６μｍであれば、開口の配列のピッチ、又は、ワイヤーのピッチを、４．７８μｍ以下に設定する。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外光源装置において利用することにより、純度の高いＥＵＶ光を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る極端紫外光源装置の構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるＳＰＦの第１の実施例を示す斜視図である。
【図３】図２に示すＳＰＦにおけるメッシュの開口率に対する回折損失及び透過率の変化を示す図である。
【図４】図２に示すＳＰＦの表面で生じる回折光を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるＳＰＦの第２の実施例を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図７】第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるＳＰＦの第３の実施例を示す断面図である。
【図８】第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるホルダを含むＳＰＦの斜視図である。
【図９】第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるＳＰＦのホルダの回転機構を説明するための概念図である。
【図１０】第１の実施形態に係る極端紫外光源装置において用いられるＳＰＦのホルダの振動機構を説明するための概念図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る極端紫外光源装置の構成を示す図である。
【図１２】第２の実施形態におけるＣＯ２レーザ光の偏光方向とワイヤーグリッドポラライザとの関係を説明するための原理図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る極端紫外光源装置の構成を示す図である。
【図１４】ＣＯ２レーザの増幅ラインを示す図である。
【図１５】マルチライン増幅を行うＣＯ２レーザシステムの構成を示す図である。
【図１６】異なる増幅ゲインを有する増幅領域に対応して複数の半導体レーザの発振における縦モードの光強度を調整することによりメインアンプから出力されるレーザ光の強度を均一にした場合の強度分布を示す図である。
【図１７】従来のＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００８４】
１・・・第1の真空チャンバ、２・・・第２の真空チャンバ、４・・・ターゲット、５・・・ターゲット供給装置、６、３２・・・ドライバレーザ、７・・・励起用レーザ光、８・・・レーザ集光光学系、９・・・集光点、１０・・・ＥＵＶ光、１１・・・ＥＵＶ集光ミラー、１２・・・第１の真空ポンプ、１４・・・第１のピンホールアパーチャ、１６・・・ミティゲーション装置、１９・・・超伝導コイル電磁石、２０・・・磁力線、２２・・・ＳＰＦ、２２ａ、２２ｂ・・・メッシュ、２３・・・第２のピンホールアパーチャ、２４・・・水冷ダンパ、２５・・・第２の真空ポンプ、２８・・・ゲートバルブ、３１・・・ホルダ、３１ａ・・・チャネルの入口、３１ｂ・・・チャネルの出口、３４・・・入射ウィンドウ、４１・・・ワイヤーグリッドポラライザ、４３・・・ガス導入ノズル、４５・・・ガスカーテン、４７・・・ガス排気ノズル、４９・・・フード、５１・・・Ａｒパージノズル。
【図１】
2010021543.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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