(57)【要約】【課題】転送効率の向上が図られた固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を適用した電子機器を提供する。【解決手段】受光部２と、垂直転送チャネル１１と、転送電極８と、シャント配線９とを有する固体撮像装置において、シャント配線９に接続された抵抗素子Ｒを構成する。抵抗素子Ｒをシャント配線９に接続することにより、シャント配線９の全体の抵抗値を調整できる。これにより、転送電極８と、シャント配線９とを伝達するそれぞれの転送パルスの波形の鈍りを調整し、転送効率の劣化を防ぐ。【選択図】図２
2010186966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向及び垂直方向に配置された複数の受光部と、
前記受光部間に形成された、垂直方向に伸びる複数の垂直転送チャネルと、
前記垂直転送チャネル上部に形成された複数の転送電極と、
前記転送電極上に形成され、前記複数の転送電極のうち所定の転送電極にコンタクト部を介して接続されるシャント配線と
前記シャント配線に接続される抵抗素子と、
を含む固体撮像装置。
【請求項２】
前記転送電極はポリシリコンで形成され、
前記シャント配線は、前記転送電極を構成するポリシリコンよりも抵抗値の小さい金属材料で形成される
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数の転送電極は、水平方向に延在して形成された転送電極と、該転送電極間に、該転送電極とは分離して浮島状に形成された転送電極とで構成され、
前記シャント配線は、垂直方向に並ぶ前記浮島状の転送電極を接続して垂直方向に形成される
請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記抵抗素子は、前記シャント配線を構成する材料よりも抵抗値の大きな導電材料により形成され、前記シャント配線の端部側に接続される
請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記複数の受光部が形成される画素領域の中央付近を通るシャント配線に接続される抵抗素子の抵抗値は、前記画素領域の周辺を通るシャント配線に接続される抵抗素子の抵抗値よりも大きい
請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記抵抗素子は、前記水平方向に延在して形成された転送電極と同形状に形成される
請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項７】
基板に、垂直転送チャネルを形成する工程、
前記垂直転送チャネル上部に、複数の転送電極を形成する工程、
前記複数の転送電極のうち所定の転送電極にコンタクト部を介して接続されるシャント配線を、前記転送電極上に形成する工程、
前記転送電極を形成する工程において、または、前記シャント配線を形成する工程の後に、前記シャント配線に接続される抵抗素子を形成する工程、
を含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記転送電極はポリシリコンで形成し、
前記シャント配線は、前記転送電極を構成するポリシリコンよりも抵抗値の小さい金属材料で形成する
請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の転送電極は、水平方向に延在して形成された転送電極と、該転送電極間に、該転送電極とは分離して浮島状に形成された転送電極とで構成され、
前記シャント配線は、垂直方向に並ぶ前記浮島状の転送電極を接続して垂直方向に形成する
請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記抵抗素子は、前記シャント配線よりも抵抗値の大きな材料により形成し、前記シャント配線の端部側に接続する
請求項９記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の受光部が形成される画素領域の中央部分を通るシャント配線に接続される抵抗素子は、前記画素領域の周辺を通るシャント配線に接続される抵抗素子の抵抗値よりも大きい材料で形成する
請求項１０記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記抵抗素子は、前記水平方向に延在して形成された転送電極と同形状に形成する
請求項１０記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
光学レンズと、
水平方向及び垂直方向に配置された複数の受光部と、前記受光部間に形成された、垂直方向に伸びる複数の垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネル上部に形成された複数の転送電極と、前記転送電極上に形成され、前記複数の転送電極のうち所定の転送電極にコンタクト部を介して接続されるシャント配線と、前記シャント配線に接続される抵抗素子と、を含んで構成され、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力信号を処理する信号処理回路と、
を含んで構成される電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関し、特にＣＣＤ（Charge Coupled Device）型の固体撮像装置とその製造方法に関する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサや、デジタルスチルカメラ等に用いられるＣＣＤ型固体撮像装置は、受光部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された垂直転送チャネル上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
この電荷転送電極は、固体撮像装置の大画面化や高速転送を実現するために、その抵抗の低抵抗化が求められている。また、同時に光が受光部に効率的に入射するために、電荷転送電極は、できるだけ高さが低く、また、その線幅が狭いことが望ましい。電荷転送電極が低ければ低いほど、広角から入射する光が電荷転送電極に蹴られることがなく受光部に入射する。さらに、電荷転送電極の幅が狭ければ、受光部の開口面積をより多く広げることが可能となるため、より多くの光を受光部に取り込むことができる。
【０００４】
下記特許文献１では、配線による光のけられを少しでも抑制し、受光部への光の入射量を多くするために、電荷転送電極間を、低抵抗な金属材料による接続配線（シャント配線）によって配線することを提案している。このように、シャント配線を金属材料で形成することにより、抵抗値を抑えた上で、細線化が可能となる。
【０００５】
図１５に、従来例のシャント配線を有する固体撮像装置の概略構成図を示す。
図１５に示す固体撮像装置は、２次元マトリクス状に配列された複数の受光部１０２と、複数の転送電極１０８と、シャント配線１０９とを有して構成されている。
【０００６】
受光部１０２は、フォトダイオードから構成され、半導体基板の水平方向及び垂直方向に複数個形成されている。受光部１０２では、入射光量に応じた信号電荷を生成し、一定期間蓄積する。また、転送電極１０８は、垂直方向に配列される受光部１０２毎に形成された垂直方向に伸びる垂直転送チャネル１１１上に、複数個形成されている。図１５に示す固体撮像装置では、転送電極１０８は、１つの受光部１０２に対して、第１転送電極１０８−１、第２転送電極１０８−２、第３転送電極１０８−３、第４転送電極１０８−４を有して構成されている。第１転送電極１０８−１及び第４転送電極１０８−４は、垂直方向に隣接する受光部１０２間の水平方向に延在して形成されている。また、第２転送電極１０８−２及び第３転送電極１０８−３は、第１転送電極１０８−１と第４転送電極１０８−４間の垂直転送チャネル１１１上部に、浮島状に形成されている。
【０００７】
シャント配線１０９は、水平方向に隣接する受光部１０２間の第１転送電極１０８−１〜第４転送電極１０８−４上に、絶縁膜を介して２本ずつ、垂直方向に伸びて形成されている。２本のシャント配線１０９のうち、一方のシャント配線１０９−１は、コンタクト部１００ａにより、浮島状に形成された第２転送電極１０８−２に接続されている。また、他方のシャント配線１０９−２は、コンタクト部１００ｂにより、浮島状に形成された第３転送電極１０８−３に接続されている。この例では、第１転送電極１０８−１〜第４転送電極１０８−４をポリシリコンで形成し、シャント配線１０９をポリシリコンよりも低抵抗の金属材料であるタングステン（Ｗ）で形成する例とする。
【０００８】
このような構成の固体撮像装置において、第１転送電極１０８−１には、バスラインＬ１から転送パルスφＶ１が供給されている。また、第４転送電極１０８−４には、バスラインＬ４から転送パルスφＶ４が供給されている。また、第２転送電極１０８−２には、バスラインＬ２からシャント配線１０９−１を介して転送パルスφＶ２が供給されている。また、第３転送電極１０８−３には、バスラインＬ３からシャント配線１０９−２を介して転送パルスφＶ３が供給されている。転送パルスφＶ１〜φＶ４の供給により、図１５の固体撮像装置は、図１６のタイミングチャートに示すように４相駆動が為される。
【０００９】
ところで、このような従来の固体撮像装置では、転送パルスφＶ１〜φＶ４を供給して垂直方向に信号電荷を転送する場合、ポリシリコンで形成された転送電極１０８を伝達される転送パルスφＶ１、φＶ４は、画素領域の中央部分で、波形に鈍りが生じる。すなわち、バスラインから離れた画素領域中心付近では、第１転送電極１０８−１及び第２転送電極１０８−２に供給される転送パルスφＶ１及びφＶ４は、立ち上がり及び立ち下がりが遅れ、図１６の破線で示すような波形になる。一方、ポリシリコンよりも低抵抗の金属材料で構成されたシャント配線１０９では転送パルスφＶ２，φＶ３の波形にそれほど鈍りは生じない。これにより、図１６に示すように転送パルスφＶ１が立ち下がってから、転送パルスφＶ２が立ち下がるまでの実際の時間ｔ２が、もともと供給された転送パルスφＶ１の立ち下がりから転送パルスφＶ２の立ち下がりまでの時間ｔ１よりも小さくなる。そうすると、本来の転送期間が時間ｔ１であったのに対し、転送期間が時間ｔ２に短くなってしまい、転送効率が劣化する。
【００１０】
このように、画素領域中央部分のポリシリコンからなる転送電極１０８、及びシャント配線１０９と、バスライン近傍のポリシリコンからなる転送電極１０８、及びシャント配線１０９とでは、波形の鈍りに差が生じるため転送劣化が生じてしまう。この場合の波形の鈍りの差とは、バスライン近傍と、画素領域中央部における転送パルスの差であり、また、画素領域中心部における転送電極とシャント配線の転送パルスの差を意味する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−７１９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上述の点に鑑み、転送効率の向上が図られた固体撮像装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を適用した電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、受光部と、垂直転送チャネルと、転送電極と、シャント配線と、抵抗素子とを含んで構成される。受光部は、水平方向及び垂直方向に複数配置されている。また、垂直転送チャネルは、隣接する受光部間において、垂直方向に伸びるように複数本形成されている。また、転送電極は、垂直転送チャネル上部に複数形成されている。また、シャント配線は、転送電極上に形成されるものであり、複数の転送電極のうち所定の転送電極にコンタクト部を介して接続される。また、抵抗素子は、シャント配線に接続されるものである。
【００１４】
本発明の固体撮像装置では、シャント配線に抵抗素子が接続されるために、シャント配線全体の抵抗値が抵抗素子分だけ大きくされる。この抵抗素子は、シャント配線の抵抗値を適当に調整するために設けられるものである。
【００１５】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板に、垂直転送チャネルを形成する工程、垂直転送チャネル上部に、複数の転送電極を形成する工程、を有する。また、複数の転送電極のうち所定の転送電極にコンタクト部を介して接続されるシャント配線を転送電極上に形成する工程、転送電極を形成する工程において、またはシャント配線を形成する工程の後に、シャント配線に接続される抵抗素子を形成する工程を有する。これにより、本発明の固体撮像装置が製造される。
【００１６】
また、本発明の電子機器は、光学レンズと、固体撮像装置と、信号処理回路とを含んで構成される。そして、本発明の電子機器に適用される固体撮像装置は、受光部と、垂直転送チャネルと、転送電極と、シャント配線と、抵抗素子とを含んで構成される。受光部は、水平方向及び垂直方向に複数配置されている。また、垂直転送チャネルは、隣接する受光部間において、垂直方向に伸びるように複数本形成されている。また、転送電極は、垂直転送チャネル上部に複数形成されている。また、シャント配線は、転送電極上に形成されるものであり、複数の転送電極のうち所定の転送電極にコンタクト部を介して接続される。また、抵抗素子は、シャント配線に接続されるものである。
本発明の電子機器では、光学レンズを介して固体撮像装置に光が入射され、出力信号が出力される。そして、信号処理回路によって出力信号が処理される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、固体撮像装置において、信号電荷の転送効率が向上される。また、これにより、画質の向上が図られた電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略構成図である。
【図３】Ａ，Ｂ  本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置で用いられる抵抗素子の概略平面図及び、断面図である。
【図４】Ａ〜Ｅ  本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造工程図（その１）である。
【図５】Ｆ〜Ｈ  本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の製造工程図（その２）である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の転送パルスφＶ１〜φＶ４のタイミングチャートである。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置において適用可能な転送パルスφＶ１〜φＶ４のタイミングチャートである。
【図８】Ａ，Ｂ  抵抗素子Ｒの変形例１に係る概略平面図、及び断面図である。
【図９】Ａ，Ｂ  抵抗素子Ｒの変形例２に係る概略平面図、及び断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略構成図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略構成図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略構成図である。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略構成図である。
【図１４】本発明の第６の実施形態に係る電子機器の概略構成図である。
【図１５】従来例の固体撮像装置の要部の概略構成図である。
【図１６】従来例の固体撮像装置における転送パルスφＶ１〜φＶ４のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施形態に係る固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器の一例を、図１〜図１４を参照しながら説明する。本発明の実施形態は以下の順で説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではない。
１．第１の実施形態：固体撮像装置
１．１固体撮像装置の全体構成例
１．２固体撮像装置の要部の概略構成例
１．３固体撮像装置の製造方法
１．４固体撮像装置の駆動方法
１．５抵抗素子の変形例１
１．６抵抗素子の変形例２
２．第２の実施形態：固体撮像装置
３．第３の実施形態：固体撮像装置
４．第４の実施形態：固体撮像装置
５．第５の実施形態：固体撮像装置
６．第６の実施形態：電子機器
【００２０】
〈１．第１の実施形態〉
［１．１  固体撮像装置全体の構成］
図１に本発明の第１の実施形態に係るＣＣＤ型の固体撮像装置の概略構成図を示す。図１に示すように、本実施形態例の固体撮像装置１は、基板６に形成された複数の受光部２と、垂直転送レジスタ３と、水平転送レジスタ４と、出力回路５とを有して構成されている。そして、１つの受光部２とその受光部２に隣接する垂直転送レジスタ３とにより単位画素７が構成されている。また、複数の画素７が形成される領域が画素領域１４とされる。
【００２１】
受光部２は、光電変換素子、すなわちフォトダイオードにより構成され、基板６の水平方向及び垂直方向に、複数個、マトリクス状に形成されている。受光部２では、入射した光の光電変換により、信号電荷が生成され蓄積される。
【００２２】
垂直転送レジスタ３は、ＣＣＤ構造とされ、垂直方向に配列される受光部２毎に、垂直方向に複数形成される。この垂直転送レジスタ３は、受光部２に蓄積された信号電荷を読み出して、垂直方向に転送するものである。本実施形態例の垂直転送レジスタ３が形成されている転送ステージは、図示しない転送駆動パルス回路から印加される転送パルスにより、例えば、４相駆動される構成とされている。また、垂直転送レジスタ３の最終段では、転送パルスが印加されることにより、最終段に保持されていた信号電荷は、水平転送レジスタ４に転送される構成とされている。
【００２３】
水平転送レジスタ４は、ＣＣＤ構造とされ、垂直転送レジスタ３の最終段の一端に形成されるものである。この水平転送レジスタ４が形成されている転送ステージは、垂直転送レジスタ３により垂直転送されてきた信号電荷を、一水平ライン毎に水平方向に転送するものである。
【００２４】
出力回路５は、水平転送レジスタ４により水平転送された信号電荷を電荷電圧変換することにより、映像信号として出力するものである。
【００２５】
以上の構成を有する固体撮像装置１においては、受光部２に蓄積された信号電荷は、垂直転送レジスタ３により、垂直方向に転送されて、水平転送レジスタ４内に転送される。そして、水平転送レジスタ４内に転送されてきた信号電荷は、水平転送レジスタ４内の信号電荷は、それぞれ水平方向に転送され、出力回路５を介して映像信号として出力される。
【００２６】
［１．２  固体撮像装置の要部］
次に、図２を用いて、本実施形態例の固体撮像装置１の垂直転送レジスタ３を構成する電極構成について説明する。図２は、本実施形態例の固体撮像装置１の垂直転送レジスタ３を構成する電極の平面構成図である。図２において、図１に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【００２７】
図２に示すように、垂直転送レジスタ３は、図示しない基板に形成された垂直転送チャネル１１と、垂直転送チャネル１１上部に形成された転送電極８と、転送電極８上部に形成されたシャント配線９と、から構成されている。
【００２８】
垂直転送チャネル１１は、水平方向に隣接する受光部２間に形成され、垂直方向に延在して複数本形成されている。
【００２９】
転送電極８は、第１転送電極８−１、第２転送電極８−２、第３転送電極８−３、及び第４転送電極８−４とから構成されている。第１転送電極８−１及び第４転送電極８−４は、垂直方向に隣接する受光部２間に、水平方向に延在して形成されている。第２転送電極８−２、第３転送電極８−３は、第１転送電極８−１及び第４転送電極８−４間の垂直転送チャネル１１上に、第１転送電極８−１、及び第４転送電極８−４とは分離して浮島状に形成されている。第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４はポリシリコンにより形成され、垂直転送チャネル１１上において、垂直方向に繰り返し形成されている。そして、本実施形態例では、第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４で囲まれる領域が受光部２とされている。以下の説明において、第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４を区別しない場合には、転送電極８として説明する。
【００３０】
シャント配線９は、第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２とから構成されている。これらの第１シャント配線９−１、第２シャント配線９−２は、垂直転送チャネル１１上部の第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４上部に、図示しない絶縁膜を介して垂直方向に延在して形成されている。
【００３１】
第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２は、ポリシリコンで形成された転送電極８よりも低い抵抗値を有する金属材料により形成されている。この第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２を構成する材料としては、例えばタングステン、アルミニウム等の金属材料を用いることができ、本実施形態例ではタングステンを用いる例とする。
【００３２】
そして、第１シャント配線９−１は、コンタクト部１０ａを介して第２転送電極８−２に接続されており、第２シャント配線９−２は、コンタクト部１０ｂ部介して第３転送電極８−３に接続されている。
【００３３】
また、第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２の端部には、それぞれ所定の抵抗値を有する抵抗素子Ｒが直列に接続されている。本実施形態例では、図１における画素領域１４の中央付近を通る第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２には抵抗値ｒ２の抵抗素子Ｒが接続されている。一方、画素領域１４端部を通る第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２には、抵抗値ｒ１（＜ｒ２）の抵抗素子Ｒが接続されている。以下の説明において、第１シャント配線９−１と第２シャント配線９−２を区別しない場合には、シャント配線９として説明する。
【００３４】
図３に、本実施形態例の第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２に接続される抵抗素子Ｒ（図２の破線で囲んだ領域Ｚ）の概略平面構成とその断面構成を示す。
【００３５】
抵抗素子Ｒはシャント配線９を構成する材料よりも抵抗値の大きいポリシリコンからなり、図３に示すように、基板６上の層間絶縁膜１３内に形成されたシャント配線９の端部側の上部に層間絶縁膜１２を介して配置される。そして、抵抗素子Ｒは、層間絶縁膜１２に形成されたコンタクト部１５を介してシャント配線９に接続されるように形成されている。コンタクト部１５により、シャント配線９と抵抗素子Ｒは電気的に直列に接続され、抵抗素子Ｒはシャント配線９に介在される構成とされる。
【００３６】
抵抗素子Ｒの抵抗値は、抵抗素子Ｒを構成する材料、面積、厚さ等をそれぞれ変えることにより、好適に設計することができる。本実施形態例では、抵抗素子Ｒとしてポリシリコンを用いたが、このポリシリコンは、不純物がドープされたものであっても、ノンドープのものであってもよい。抵抗素子Ｒは、シャント配線９全体の抵抗値を大きく調整できる導電材料であればよく、抵抗素子Ｒに用いられる材料としては、ポリシリコンを用いることができる。この場合、ポリシリコンは、不純物（ｎ型のものであれば、Ｐ、Ａｓ、ｐ型のものであればＢ，ＢＦ２）がドープされたものでもよく、またノンドープのものであってもよい。その他、抵抗素子Ｒの材料としては、Ｗ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕ、ＷＳｉ、ＣｏＳｉ２、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｔｉ等を用いることができる。また、これらの積層膜（例えばＡｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ）であってもよい。これらの抵抗素子Ｒを構成する膜は、ＣＣＤの周辺回路に用いられる配線や、ＣＣＤの配線電極、シャント配線と同時に毛石江することにより、プロセス工程数を低減できる。
【００３７】
そして、図２に示すように、第１転送電極８−１の端部には、転送パルスφＶ１を供給するバスラインＬ１が接続されている。第４転送電極８−４の端部には、転送パルスφＶ４を供給するバスラインＬ４が接続されている。第１シャント配線９−１には、抵抗素子Ｒを介して転送パルスφＶ２を供給するバスラインＬ２が接続されている。第２シャント配線９−２には、抵抗素子Ｒを介して、転送パルスφＶ３を供給するバスラインＬ３が接続されている。
すなわち、第２転送電極８−２には、抵抗素子Ｒ及び第１シャント配線９−１を介して転送パルスφＶ２が供給され、第３転送電極８−３には、抵抗素子Ｒ及び第２シャント配線９−２を介して転送パルスφＶ３が供給される。
【００３８】
［１．３  固体撮像装置の製造方法］
次に、図４，図５を用いて、以上の構成を有する固体撮像装置１の製造方法を説明する。図４〜図５の概略工程図は、図２のＡ−Ａ’線上に沿う断面における概略製造工程図である。
【００３９】
まず、図４Ａに示すように、シリコンからなる基板６表面に、不純物をイオン注入することにより、垂直転送チャネル１１を形成する。
【００４０】
次に、図４Ｂに示すように、基板６上全面に、絶縁膜１３ａを形成し、絶縁膜１３ａ上に第１層目の電極層８ａを形成する。この電極層８ａは、ポリシリコンにより形成する。
【００４１】
次に、図４Ｃに示すように、ポリシリコンからなる第１層目の電極層８ａをパターニングすることにより、第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４を形成する。
【００４２】
次に、図４Ｄに示すように、第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４を被覆して層間絶縁膜１３ｂを形成し、図５Ｅに示すように、第２転送電極８−２及び第３転送電極８−３上部の層間絶縁膜１３ｂに開口部１６を形成する。
【００４３】
次に、図５Ｆに示すように、開口部１６を含む層間絶縁膜１３ｂ上に、第２層目の電極層９ａを形成する。この電極層９ａは、ポリシリコンよりも低抵抗な金属材料により形成され、本実施形態例では、タングステンにより形成される。このとき、開口部１６に電極層９ａが埋め込まれるため、第２転送電極８−２及び第３転送電極８−３と、第２層目の電極層９ａと電気的に接続するコンタクト部１０ａ，１０ｂが形成される。そして、第２層目の電極層９ａをパターニングすることにより、第１シャント配線９−１及び第２シャント配線９−２を形成する。これにより、第２転送電極８−２にコンタクト部１０ａを介して接続された第１シャント配線９−１と、第３転送電極８−２にコンタクト部１０ｂを介して接続された第２シャント配線９−２が形成される。
【００４４】
本実施形態例では、コンタクト部１０ａ，１０ｂを形成するために，開口部１６には、第１及び第２シャント配線９−１，９−２と同じ材料を埋め込む例としたが、異なる材料で別途埋め込みを行ってもよい。
【００４５】
その後、図５Ｇに示すように、第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２を含む層間絶縁膜１３ｂ上部に、さらに層間絶縁膜１２を形成し、第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２の端部側上部に、開口部１７を形成する。
【００４６】
そして、図５Ｈに示すように、開口部１７を含む層間絶縁膜１２上に、第３層目の電極層を形成し、パターニングすることにより第１シャント配線９−１及び第２シャント配線９−２の端部側に、抵抗素子Ｒが形成される。このとき、開口部１７には、抵抗素子Ｒを構成する電極層が埋め込まれることによりコンタクト部１５が形成されるので、第１シャント配線９−１及び第２シャント配線９−２と、抵抗素子Ｒは、電気的に接続される。抵抗素子Ｒを構成する電極層は、金属材料よりも高抵抗な材料により形成され、本実施形態例では、ポリシリコンにより形成される。
【００４７】
本実施形態例では、コンタクト部１５を形成するために、開口部１７には、抵抗素子Ｒと同じ材料を埋め込む例としたが、異なる材料で別途埋め込みを行ってもよい。
【００４８】
その後、図示を省略するが、上層には、従来の固体撮像装置と同様に、遮光膜、平坦か膜、カラーフィルタ層、オンチップレンズ等が形成されることにより、本実施形態例の固体撮像装置１が形成される。
【００４９】
［１．４  固体撮像装置の駆動方法］
以上の構成を有する固体撮像装置１の駆動方法について説明する。本実施形態例の固体撮像装置１では、従来の固体撮像装置の駆動と同様にして駆動される。すなわち、受光部２で生成された信号電荷は、読み出し電極を兼ねる転送電極８への読み出しパルスの印加によって、垂直転送チャネル１１に読み出される。そして、垂直転送チャネル１１に読み出された信号電荷は、第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４に転送パルスφＶ１〜φＶ４を印加することにより、垂直転送チャネル１１において垂直方向に転送される。
【００５０】
図６に、本実施形態例の固体撮像装置１の転送電極８に供給する転送パルスφＶ１〜φＶ４（実線）と、画素領域１４中心部、すなわち、バスラインから遠い部分の転送電極８に実際に伝達される転送パルスφＶ１〜φＶ４（破線）の概略を示す。
【００５１】
転送パルスφＶ１，φＶ４のように、それぞれポリシコリンからなる第１転送電極８−１、第４転送電極８−４内を伝達される場合、画素領域１４中心部では、図６の破線で示すように、パルスの立ち上がり、立ち下がりが遅れるため波形が鈍る。
【００５２】
また、第１シャント配線９−１に抵抗素子Ｒを介在させていることにより、第２転送電極８−２に伝達される転送パルスφＶ２も、立ち上がり、立ち下がりが遅れ、波形が図６の破線で示すように鈍る。同じように、第２シャント配線９−２に抵抗素子Ｒを介在させていることにより、第３転送電極８−３に伝達される転送パルスφＶ３も、立ち上がり、立ち下がりが遅れ、波形が図６の破線で示すように鈍る。
【００５３】
本実施形態例では、抵抗素子Ｒの効果により、第１シャント配線９−１及び第２シャント配線９−２を介して供給される転送パルスφＶ２，φＶ３も、ポリシリコン内を伝達される転送パルスφＶ１、φＶ４の波形と同様に鈍らせることができる。これにより、例えば、図６に示すように転送パルスφＶ１が立ち下がってから、転送パルスφＶ２が立ち下がるまでの実際の時間ｔ２を、もともと供給された転送パルスφＶ１の立ち下がりから転送パルスφＶ２の立ち下がりまでの時間ｔ１と略同等にできる。転送パルスφＶ３についても同様である。これにより、第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４下の垂直転送チャネル１１内を転送される信号電荷の実効的な転送時間を延長することができ、転送効率の劣化を改善することができる。
【００５４】
また、本実施形態例では、第１シャント配線９−１及び第２シャント配線９−２と、第１転送電極８−１及び第４転送電極８−４とが垂直に交わっている。このため、転送パルスの波形が鈍りにくいバスライン近傍を通るシャント配線９と、転送パルスの波形が鈍りやすい画素領域１４中心部を通るシャント配線９とで、それぞれ介在させる抵抗素子Ｒの抵抗値を変えることができる。本実施形態例では、バスライン近傍のシャント配線９には、比較的低い抵抗値ｒ１を有する抵抗素子Ｒを介在させ、バスラインから離れた画素領域１４中央部分を通るシャント配線９には比較的高い抵抗値ｒ２を有する抵抗素子Ｒを介在させている。
【００５５】
このように、第１シャント配線９−１及び第２シャント配線９−２に介在させる抵抗素子Ｒの抵抗値に差を持たせることにより、画素領域１４全体において、転送パルスφＶ２，φＶ３の波形を、転送パルスφＶ１，φＶ４の波形と同等に鈍らせることができる。これにより、画素領域１４の領域毎に、転送効率が最適化される。本実施形態例では、抵抗値ｒ１及びｒ２の抵抗素子Ｒを用いる例としたが、画素領域中央部分から、周辺に行くにしたがって抵抗値が小さくなるように、抵抗素子Ｒを構成することがより好ましい。
【００５６】
以上のように、本実施形態例の固体撮像装置１では、異なる抵抗値を有する材料で形成された転送電極８、及びシャント配線９を用いた垂直転送レジスタ３において、抵抗値の低い材料からなるシャント配線９に抵抗素子Ｒを介在させる。これにより、シャント配線９全体の抵抗値を変化させることができるので、印加電圧を電極毎に変化させることなく、所望の転送電極８に供給される転送パルスφＶ１〜φＶ４の波形を鈍らせることが可能である。
【００５７】
これにより、各転送電極８に供給される転送パルスφＶ１〜φＶ４の波形を同等に鈍るように調整することができ、転送効率の劣化が防止される。
【００５８】
さらに、本実施形態例の固体撮像装置１では、第２転送電極８−２及び第３転送電極８−３に供給される転送パルスφＶ２，φＶ３を第１転送電極８−１及び第４転送電極８−４に供給される転送パルスφＶ１，φＶ４に合わせて調整することができる。このため、コンプリメンタリ駆動が可能となる。図７は、コンプリメンタリ駆動（逆相駆動）する場合の転送パルスφＶ１〜φＶ４のタイミングチャートである。
【００５９】
図７に示すように、転送パルスφＶ１と転送パルスφＶ３を逆相にし、転送パルスφＶ２と転送パルスφＶ４を逆相にすることにより、転送電極８と基板６間に生じる電位変動を相殺することができる。本実施形態例では、このような図７に示すコンプリメンタリ駆動が可能となる。
【００６０】
図３に、抵抗素子Ｒの構成例を図示したが、本実施形態例に適用できる抵抗素子Ｒはこの例に限られるものではない。以下に、本実施形態例に適用可能な抵抗素子Ｒの構成例を変形例１、及び変形例２に示す。
【００６１】
［１．５  抵抗素子の変形例１］
図８Ａに、変形例１に係る抵抗素子Ｒの概略平面構成を示し、図８Ｂに、図８Ａのｂ−ｂ’線上に沿う断面構成を示す。図８Ａ，Ｂにおいて、図３Ａ，Ｂに対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【００６２】
図８Ａ，Ｂに示す抵抗素子Ｒは、第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４を被覆する層間絶縁膜１３上に形成され、抵抗素子Ｒを被覆する絶縁膜２５を介して、その抵抗素子Ｒ上部にシャント配線９が形成されている。このシャント配線９は、抵抗素子Ｒを被覆する絶縁膜２５に形成されたコンタクト部１５により、抵抗素子Ｒに接続されている。
【００６３】
このように、抵抗素子Ｒが、シャント配線９よりも下層に形成される場合には、図５Ｆに示す工程の前に、抵抗素子Ｒをパターニングによって形成すればよい。
【００６４】
［１．６  抵抗素子の変形例２］
図９Ａに、変形例２に係る抵抗素子Ｒの概略平面構成を示し、図９Ｂに図９Ａのｃ−ｃ’線上に沿う断面構成を示す。図９Ａ，Ｂにおいて、図３に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【００６５】
図９Ａ，Ｂに示す抵抗素子Ｒは、転送電極８と同層に形成され、同層に形成された転送電極及び抵抗素子Ｒを被覆する層間絶縁膜１３上に、シャント配線９が形成されている。この場合も、シャント配線９は抵抗素子Ｒを被覆する層間絶縁膜１３に形成されたコンタクト部１５により、抵抗素子Ｒに接続されている。
【００６６】
このよに、抵抗素子Ｒを転送電極８と同層に形成する場合は、図４Ｃに示した第１転送電極８−１〜第４転送電極８−４をパターニングする工程において、抵抗素子Ｒもパターニング形成することができる。この変形例２によれば、工程数を増加することなく、抵抗素子Ｒを形成することができる。
【００６７】
以上のように、変形例１及び変形例２における抵抗素子Ｒを用いても、本実施形態例の固体撮像装置において、シャント配線９全体の抵抗値を変化させることができ、転送効率の劣化を防止することができる。
【００６８】
〈２．第２の実施形態〉
図１０に本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置２０の要部の概略構成を示す。本実施形態例の固体撮像装置２０の全体構成は、図１と同様であるから図示を省略する。図１０において、図２に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【００６９】
本実施形態例の固体撮像装置２０では、図１０に示すように第１シャント配線９−１に介在される抵抗素子Ｒ１として、第１転送電極８−１と同形状に形成された電極２６を用いる。また、第２シャント配線９−２に介在される抵抗素子Ｒ２として、第４転送電極８−４と同形状に形成された電極２７を用いる。この抵抗素子Ｒ１，Ｒ２として用いられる電極２６，２７は、第１転送電極８−１、及び第４転送電極８−４が形成される図４Ｃに示す工程で、第１転送電極８−１及び第４転送電極８−４と同材料で加工、形成される。
【００７０】
第１転送電極８−１と同形状に形成された抵抗素子Ｒ１には、水平方向に複数配置された第１シャント配線９−１がコンタクト部１０ａを介して接続されている。また、第４転送電極８−４と同形状に形成された抵抗素子Ｒ２には、水平方向に複数配置された第２シャント配線９−２がコンタクト部１０ｂを介して接続されている。
【００７１】
すなわち、バスラインＬ２から転送パルスφＶ２が供給されると、その転送パルスφＶ２は第１転送電極８−１と同形状の抵抗素子Ｒ１を通って、第１シャント配線９−１に供給される。同様に、バスラインＬ３から転送パルスφＶ３が供給されると、その転送パルスφＶ３は第４転送電極８−４と同形状の抵抗素子Ｒ２を通って、第２シャント配線９−２に供給される。
【００７２】
このような構成にすることにより、第１シャント配線９−１、及び第２シャント配線９−２に、第１転送電極８−１、及び第２転送電極８−２と同等の抵抗値を付加することができる。これにより、第２転送電極８−２に供給される転送パルスφＶ２と、第３転送電極８−３に供給される転送パルスφＶ３の波形を、第１転送電極８−１及び第２転送電極８−２内を伝達される転送パルスφＶ２，φＶ３と同等に鈍らせることができる。すなわち、画素領域１４中心部分での転送パルスφＶ１〜φＶ４の鈍りは、図６に示したようになる。
【００７３】
これにより、本実施形態例の固体撮像装置２０においても、第１の実施形態と同様、転送効率の劣化を防止することができる。
【００７４】
また、本実施形態例の固体撮像装置２０では、第１転送電極８−１及び第４転送電極８−４と同形状及び同材料で形成されたそれぞれの電極２６，２７を抵抗素子Ｒ１，Ｒ２として各シャント配線９に介在させる。これにより、画素領域１４の中心部や、バスライン近傍での各シャント配線９に負荷する抵抗値の計算が不要となる。
【００７５】
また、本実施形態例の固体撮像装置２０では、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２を、転送電極８を形成する工程で形成することができるので、工程数が増加することがない。
【００７６】
〈３．第３の実施形態：固体撮像装置〉
図１１に本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略構成を示す。本実施形態例の固体撮像装置３０の全体構成は、図１と同様であるから図示を省略する。図１１において、図２に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【００７７】
本実施形態例における転送電極１８は、第１転送電極１８−１、第２転送電極１８−２及び第３転送電極１８−３とから構成されている。第１転送電極１８−１は、水平方向に延在して形成されている。また、第２転送電極１８−２及び第３転送電極１８−３は、垂直方向に隣接する第１転送電極１８−１間の垂直転送チャネル１１上部に、第１転送電極１８−１とは分離して浮島状に形成されている。これらの第１転送電極１８−１〜第３転送電極１８−３は、ポリシリコンにより形成され、垂直転送チャネル１１上において、垂直方向に繰り返し形成されている。そして、本実施形態例では、第１転送電極１８−１〜第３転送電極１８−３で囲まれる領域が受光部２とされている。
【００７８】
シャント配線１９は、第１シャント配線１９−１及び第２シャント配線１９−２とから構成されている。第１シャント配線１９−１は、垂直転送チャネル１１上部の第１転送電極１８−１〜第３転送電極１８−３上部に絶縁膜を介して垂直方向に延在して形成されている。また、第２シャント配線１９−２は、第１転送電極１８−１上部に、絶縁膜を介して水平方向に延在して形成されており、第３転送電極１８−３上部に張り出した張り出し部２１を有して構成されている。また、本実施形態例において、第１シャント配線１９−１及び第２シャント配線１９−２は、直交して形成されているが、第１シャント配線１９−１及び第２シャント配線１９−２は、絶縁膜を介して形成されることにより、電気的に絶縁されている。
【００７９】
これらの第１シャント配線１９−１、及び第２シャント配線１９−２は、ポリシリコンで形成された第１転送電極１８−１〜第３転送電極１８−３よりも低い抵抗値を有する金属材料により形成されている。この第１シャント配線１９−１及び第２シャント配線１９−２を構成する材料としては、例えばタングステン、アルミニウム等の金属材料を用いることができ、本実施形態例ではタングステンを用いる例とする。
【００８０】
そして、第１シャント配線１９−１は、コンタクト部２２ａを介して第２転送電極１８−２に接続されており、第２シャント配線１９―２は、張り出し部２１において、コンタクト部２２ｂを介して第３転送電極１８−３に接続されている。
【００８１】
これらの第１シャント配線１９−１、及び第２シャント配線１９−２の端部側には、それぞれ所定の抵抗値を有する抵抗素子Ｒが直列に接続されている。本実施形態例では、第１転送電極１８−１に直交する第１シャント配線１９−１のうち、画素領域１４の中央付近を通る第１シャント配線１９−１には、抵抗値ｒ２の抵抗素子Ｒが介在されている。また、画素領域１４端部を通る第１シャント配線１９−１には、抵抗値ｒ１（＜ｒ２）の抵抗素子Ｒが介在されている。さらに、第１転送電極１８−１と平行な第２シャント配線１９−２には所定の抵抗値ｒ３を有する抵抗素子Ｒが介在されている。本実施形態例の抵抗素子Ｒも、図３、図８及び図９で示した抵抗素子Ｒと同様の構成で形成することができる。
【００８２】
そして、第１転送電極１８−１の端部には、転送パルスφＶ１を供給するバスラインＬ１が接続されている。第１シャント配線１９−１には、抵抗素子Ｒを介して転送パルスφＶ２を供給するバスラインＬ２が接続されている。第２シャント配線１９−２には、抵抗素子Ｒを介して、転送パルスφＶ３を供給するバスラインＬ３が接続されている。すなわち、第２転送電極１８−２には、抵抗素子Ｒ、及び第１シャント配線１９−１を介して転送パルスφＶ２が供給され、第３転送電極１８−３には、抵抗素子Ｒ、及び第２シャント配線１９−２を介して転送パルスφＶ３が供給される。
【００８３】
以上の構成を有する固体撮像装置３０では、転送パルスＶφ１〜Ｖφ３の３相駆動により、垂直転送チャネル１１内を信号電荷が転送される。
【００８４】
本実施形態例によれば、抵抗素子Ｒの効果により、第１シャント配線１９−１及び第２シャント配線１９−２を介して供給される転送パルスφＶ２，φＶ３も、ポリシリコン内を伝達される転送パルスφＶ１の波形と同様に鈍らせることができる。これにより、転送効率の劣化を抑制することができる。
【００８５】
また、本実施形態例では、第１転送電極１８−１に直交する第１シャント配線１９−１において、画素領域１４の中央付近の抵抗素子Ｒ（抵抗値ｒ２）と、画素領域１４端部の抵抗素子Ｒ（抵抗値ｒ１）で、介在させる抵抗素子Ｒの抵抗値に差を持たせている。これにより、第１転送電極１８−１内を伝達する転送パルスφＶ１の波形に鈍りが発生しやすい画素領域１４中心部と、鈍りがあまり発生しないバスライン近傍とにおいて、それぞれ同等の鈍を有する転送パルスφＶ２が第２転送電極１８−２に供給される。これにより、画素領域１４の領域毎に、転送効率が最適化される。
【００８６】
〈４．第４の実施形態：固体撮像装置〉
図１２に本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略構成を示す。本実施形態例の固体撮像装置の全体構成は、図１と同様であるから図示を省略する。図１２において、図２に対応する部分には同一付を付し重複説明を省略する。
【００８７】
本実施形態例における転送電極２８は、第１転送電極２８−１及び第２転送電極２８−２とから構成されている。第１転送電極２８−１は、垂直方向に隣接する受光部２間に、水平方向に延在して形成されている。第２転送電極２８−２は、垂直方向に隣接する第１転送電極２８−１間の垂直転送チャネル１１上部に、第１転送電極２８−１とは分離して浮島状に形成されている。第１転送電極２８−１は、垂直転送チャネル１１上で、一方の側に張り出し部３１を有して形成されている。第１転送電極２８−１、及び第２転送電極２８−２は、ポリシリコンにより形成され、垂直転送チャネル１１上部において、垂直方向に繰り返し形成されている。そして、本実施形態例では、第１転送電極２８−１、及び第２転送電極２８−２で囲まれる領域が受光部２とされている。
【００８８】
シャント配線２９は、第１転送電極２８−１上部に、絶縁膜を介して水平方向に延在して形成され、第２転送電極２８−２上部に張り出した張り出し部３１を有して構成されている。このシャント配線２９は、ポリシリコンで形成された第１転送電極２８−１及び第２転送電極２８−２よりも低い抵抗値を有する金属材料により形成されている。このシャント配線２９を構成する材料としては、例えばタングステン、アルミニウム等の金属材料を用いることができ、本実施形態例ではタングステンを用いる例とする。
【００８９】
そして、シャント配線２９の端部側には、所定の抵抗値ｒ１を有する抵抗素子Ｒが直列に接続されている。本実施形態例で用いられる抵抗素子Ｒの抵抗値ｒ１は、シャント配線２９が、第１転送電極２８−１と同等の抵抗値を有するように設定されればよい。本実施形態例の抵抗素子Ｒも、図３、図８、及び図９に示す構成を用いることができる。
【００９０】
そして、垂直方向に複数本形成された第１転送電極２８−１の端部には、転送パルスφＶ１を供給するバスラインＬ１、及び転送パルスφＶ３を供給するバスラインＬ３が交互に接続されている。また、垂直方向に複数本形成されたシャント配線２９には、抵抗素子Ｒを介して転送パルスφＶ２を供給するバスラインＬ２、及び転送パルスφＶ４を供給するバスラインＬ４が交互に接続されている。すなわち、第２転送電極２８−２には、抵抗素子Ｒが介在されたシャント配線２９を介して転送パルスφＶ２又はφＶ４が供給される。
【００９１】
以上の構成を有する固体撮像装置４０では、転送パルスＶφ１〜Ｖφ４の４相駆動により、垂直転送チャネル１１内を信号電荷が転送される。
【００９２】
本実施形態例によれば、抵抗素子Ｒの効果により、シャント配線２９を介して供給される転送パルスφＶ２，φＶ４も、ポリシリコン内を伝達される転送パルスφＶ１，φＶ３の波形と同様に鈍らせることができる。これにより、異なる電極材料内を転送パルスが伝達されることに起因する、転送効率の劣化を抑制することができ、第１の実施形態例と同様の効果を得ることができる。
【００９３】
〈５．第５の実施形態：固体撮像装置〉
図１３に本発明の第５の実施形態に係る固体撮像装置５０の要部の概略構成を示す。本実施形態例の固体撮像装置５０の全体構成は、図１と同様であるから図示を省略する。図１３において、図２に対応する部分には同一付を付し重複説明を省略する。
【００９４】
本実施形態例の固体撮像装置５０における転送電極３８は、第１転送電極３８−１及び第２転送電極３８−２とから構成されている。第１転送電極３８−１は、垂直方向に隣接する受光部２間に、水平方向に延在して形成されている。第２転送電極３８−２は、垂直方向に隣接する第１転送電極３８−１間の垂直転送チャネル１１上部に、第１転送電極３８−１とは分離して浮島状に形成されている。
これらの第１転送電極３８−１、及び第２転送電極３８−２は、ポリシリコンにより形成され、垂直転送チャネル１１上部において、垂直方向に繰り返し形成されている。そして、本実施形態例では、第１転送電極３８−１、及び第２転送電極３８−２で囲まれる領域が受光部２とされている。
【００９５】
また、シャント配線３９は、第１シャント配線３９−１と、第２シャント配線３９−２とから構成されている。
第１シャント配線３９−１は、ポリシリコンで形成された第１転送電極３８−１上部に絶縁膜を介して、水平方向に延在して形成され、第２転送電極３８−２上部に張り出した張り出し部３１を有して構成されている。また第２シャント配線３９−２は、第１シャント配線３９−１と同様にポリシリコンで形成された第１転送電極３８−１上部に絶縁膜を介して、水平方向に延在して形成されている。第１シャント配線３９−１及び第２のシャント配線３９−２を構成する材料としては、例えばタングステン、アルミニウム等の金属材料を用いることができ、本実施形態例ではタングステンを用いる例とする。第１シャント配線３９−１は、張り出し部３１においてコンタクト部３２を介して第２転送電極３８−２に接続され、第２シャント配線３９−２は、コンタクト部３５を介して第１転送電極３８−１に接続されている。
【００９６】
そして、第１シャント配線３９−１の端部側には、所定の抵抗値ｒ１を有する抵抗素子Ｒが直列に接続されている。また、第２シャント配線３９−２の端部側には、所定の抵抗値ｒ２を有する抵抗素子Ｒが直列に接続されている。本実施形態例で用いられる抵抗素子Ｒの抵抗値ｒ１，ｒ２は、第１シャント配線３９−１と第２シャント配線３９−２が同等の抵抗値を有するように設定されればよい。本実施形態例の抵抗素子Ｒも、図３、図８、及び図９に示す構成を用いることができる。
【００９７】
そして、垂直方向に複数本形成された第１シャント配線３９−１の端部には、転送パルスφＶ２を供給するバスラインＬ２、及び転送パルスφＶ４を供給するバスラインＬ４が交互に接続されている。すなわち、第２転送電極３８−２には抵抗素子Ｒが介在された第１シャント配線３９−１を介して転送パルスφＶ２、又はφＶ４が供給される。また、垂直方向に複数本形成された第２シャント配線３９−２には、抵抗素子Ｒを介して転送パルスφＶ１を供給するバスラインＬ１、及び転送パルスφＶ３を供給するバスラインＬ３が交互に接続されている。すなわち、第２転送電極３８−２には、抵抗素子Ｒが介在された第２シャント配線３９−２を介して転送パルスφＶ１、又はφＶ３が供給される。
【００９８】
以上の構成を有する固体撮像装置５０では、転送パルスＶφ１〜Ｖφ４の４相駆動により、垂直転送チャネル１１内を信号電荷が転送される。
【００９９】
本実施形態例によれば、抵抗素子Ｒの効果により、第１シャント配線３９−１と、第２シャント配線３９−２が、異なる抵抗値を有して形成される場合でも、抵抗素子Ｒにより互いの抵抗値を合わせ込むことができる。これにより、転送パルスφＶ１〜φＶ４の波形の鈍りを同等にすることができ、転送効率の劣化を抑制することができる。本実施形態例は、第１シャント配線３９−１と第２シャント配線３９−２とが互いに異なる形状や、材料で形成される場合に有効に用いることができる。
【０１００】
以上の第１〜第５の実施形態例で示したように、本発明では、シャント配線を用いた固体撮像装置において、シャント配線に所望の抵抗素子を介在させることにより、シャント配線全体の抵抗値を最適化する。これにより、垂直転送レジスタにおいて、垂直転送チャネル上に繰り返し形成される複数の転送電極に印加される転送パルスの波形の鈍りを、各相で同等に合わせ込むことができる。本発明は、各転送電極に印加される各相の転送パルスが、異なる材料からなる電極内を伝達することによって、波形の鈍りに差ができてしまう場合に好適に用いることができる。
本発明によれば、抵抗素子によりシャント配線を伝達する転送パルスの波形を故意に鈍らせ、また、各相の転送パルスの波形を同等に鈍らせることができるので、波形鈍りの差に起因する転送効率の劣化を防止することができる。
【０１０１】
本発明は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
以下に、本発明の固体撮像装置を用いた電子機器について説明する。
【０１０２】
〈６．第６の実施形態：電子機器〉
図９に本発明の第６の実施形態に係る電子機器２００の概略構成を示す。
本実施形態例の電子機器２００は、上述した本発明の第１の実施形態における固体撮像装置１をカメラに用いた場合の実施形態を示す。
【０１０３】
図９に、本実施形態例に係る電子機器２００の概略断面構成を示す。本実施形態に係る電子機器２００は、静止画撮影が可能なデジタルスチルカメラを例としたものである。
【０１０４】
本実施形態に係る電子機器２００は、固体撮像装置１と、光学レンズ２１０と、駆動回路２１２と、信号処理回路２１３とを有する。
【０１０５】
光学レンズ２１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置１内に一定期間当該信号電荷が蓄積される。
駆動回路２１２は、固体撮像装置１の転送動作信号を供給する。駆動回路２１２から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置１の信号転送を行なう。信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
【０１０６】
本実施形態例の電子機器２００では、固体撮像装置１において、転送効率の劣化が防止されるので、画質の向上が図られる。
【０１０７】
固体撮像装置１を適用できる電子機器としては、デジタルスチルカメラに限られるものではなく、デジタルカメラ、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置に適用可能である。
【０１０８】
本実施形態例においては、固体撮像装置１を電子機器に用いる構成としたが、前述した第２の実施形態における固体撮像装置を用いることもできる。
【符号の説明】
【０１０９】
１・・固体撮像装置
２・・受光部
３・・垂直転送レジスタ
４・・水平転送レジスタ
５・・出力回路
６・・基板
７・・画素
８・・転送電極
８−１・・第１転送電極
８−２・・第２転送電極
８−３・・第３転送電極
８−４・・第４転送電極
８ａ・・電極層
９・・シャント配線
９−１・・第１シャント配線
９−２・・第２シャント配線
９ａ・・電極層
１０ａ・・コンタクト部
１０ｂ・・コンタクト部
１１・・垂直転送チャネル
１２・・層間絶縁膜
１３・・層間絶縁膜
１３ａ・・絶縁膜
１３ｂ・・層間絶縁膜
１４・・画素領域
１５・・コンタクト部
３０・・固体撮像装置
４０・・固体撮像装置
５０・・固体撮像装置
２００・・電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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