(57)【要約】【課題】短時間に且つ容易に高精度の半導体レーザを実装できるようにする。【解決手段】まず、複数の半導体レーザチップを構成する半導体レーザバーと一面に絶縁層を有する第一電極とを、バキューム穴を有する固定テーブル上に、第一電極の絶縁層を固定テーブル上に向けた状態で、それぞれ所定の相対位置関係にてバキューム穴から空気を吸引することで固定する。そして、第一電極と半導体レーザバーを導電体の接続材でボンディングすると共に、ボンディングの際に加わる衝撃を利用して半導体レーザバーから半導体レーザチップを分離する。その後、半導体レーザチップを第二電極に固定すると共に第一電極の絶縁層を第二電極に接着する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザチップを構成する半導体レーザバーと第一電極とを、固定テーブル上に、それぞれ所定の相対位置関係にて固定する固定工程と、
前記第一電極と前記半導体レーザバーを導電体の接続材でボンディングを行うと共に、前記ボンディングの際に加わる衝撃を利用して前記半導体レーザバーから前記半導体レーザチップを分離する分離工程と、
前記固定工程で前記固定テーブル上に固定された前記半導体レーザバーと前記第一電極の固定状態を解除する固定解除工程と、
半導体レーザチップを第二電極に固定すると共に前記第一電極の前記絶縁層を前記第二電極に接着する接着工程と
を有する半導体レーザ製造方法。
【請求項２】
前記固定テーブルはバキューム穴を有し、前記バキューム穴から空気を吸引することで前記半導体レーザバーと前記第一電極を固定するものである、
請求項１に記載の半導体レーザ製造方法。
【請求項３】
前記第一電極は一面に絶縁層を有し、
前記固定工程は、前記第一電極の絶縁層を前記固定テーブル上に向けた状態で前記第一電極を前記固定テーブル上に固定する
請求項１−２に記載の半導体レーザ製造方法。
【請求項４】
前記半導体レーザバーに含まれる、隣接する各半導体レーザチップの間には割るための溝が設けられている
請求項１−３に記載の半導体レーザ製造方法。
【請求項５】
前記ボンディングの方式はウェッジボンディングである
請求項１−４に記載の半導体レーザ製造方法。
【請求項６】
前記半導体レーザバーに含まれる各半導体レーザチップは同じ方向を向いている
請求項１−５に記載の半導体レーザ製造方法。
【請求項７】
前記接続材は、リボンである
請求項１−６に記載の半導体レーザ製造方法。
【請求項８】
前記リボンの短手方向の幅は、前記半導体レーザチップの幅よりも短い
請求項７に記載の半導体レーザ製造方法。
【請求項９】
前記接続材は、複数本のワイヤである
請求項１−６に記載の半導体レーザ製造方法。
【請求項１０】
前記固定テーブルは挟持部材による固定部を有し、前記固定部で前記半導体レーザバーと前記第一電極を挟み込んで固定するものである、
請求項１に記載の半導体レーザ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ製造方法に関する。
より詳細には、各半導体レーザチップを配置する位置の調整の容易性および正確性を向上させる半導体レーザ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高出力の半導体レーザとしては、複数の半導体レーザチップを所定の間隔で並べたアレイレーザがある。アレイレーザには、半導体レーザバーから直接的に製造されるバーアレイレーザと、半導体レーザバーを半導体レーザチップ単位に分解して製造されるチップアレイレーザがある。チップアレイレーザの製造は、バーアレイレーザとは異なり、各半導体レーザチップごとの位置精度を高めなければならない。これは、チップアレイレーザから放出される光の向きを一定に定めるのに必要だからである。
【０００３】
ここで、現在行われている、各半導体レーザチップごとの位置精度を高めるためのチップアレイレーザの製造方法の概要について説明する。
【０００４】
まず、金属ベースの上に各半導体レーザチップがはんだにより固定される。このとき、各半導体レーザチップの位置および方向が一つずつ調節される。このとき、一つずつチップをはんだ上に仮置きしていかなくてはいけないので、仮置き中は、常にはんだに熱が加えられている。これは、仮置きで多少なりともチップが動かないようにするために、はんだを多少暖める必要があるからである。
【０００５】
以上の工程が完了した後、電極が金属ベースの上に固定される。そして、最後に、この電極と各半導体レーザチップとがリボンあるいはワイヤでボンディングされる。なお、本発明の先行技術を特許文献１に記す。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２０７３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、前述の半導体レーザ製造方法は、製造工程の初期段階で各半導体レーザチップの位置合わせを一つずつ行う必要がある。このため、各半導体レーザチップの位置合わせを一つずつ行うための高価な装置が必要となり、この高価な装置によって作られた半導体レーザの販売価格を高額に設定しなければならない、という問題点があった。また、各半導体レーザチップの位置合わせを一つずつ行っているので、位置合わせが複雑で半導体レーザの製造時間が長くなる、という問題もある。
【０００８】
できるだけ装置機構を簡素にしようとすると、半導体レーザ製造方法は、各半導体レーザチップの位置合わせを行っている最中、他のチップを仮置きするためにはんだに常に熱を加えなければならない。このため、各半導体レーザチップは、はんだを介して熱に長時間さらされてしまう。これにより、各半導体レーザチップが劣化してしまう、ということがある。さらに、はんだ自体も長時間加熱されることで、変質してしまうという可能性が生じる。
【０００９】
本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、短時間に且つ容易に高精度の半導体レーザ（アレイレーザ）を実装できる半導体レーザ製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ製造方法は、半導体レーザバーと第一電極とを、固定テーブル上にそれぞれ所定の相対位置関係にて固定する工程を備えた。また、この半導体レーザは、複数の半導体レーザチップを含んで構成する。このような工程の後、第一電極と半導体レーザバーを導電体の接続材でボンディングを行うと共に、ボンディングの際に加わる衝撃を利用して半導体レーザバーから半導体レーザチップを分離する工程を備えた。以上の工程後に、半導体レーザチップを第二電極に固定すると共に第一電極の絶縁層を第二電極に接着する工程を備えた。
【００１１】
第二電極の上に第一電極と半導体レーザチップを固定（マウント）するよりも先に、半導体レーザバーと第一電極とを台の上に固定した状態で、接続材でボンディングを行う。このとき、半導体レーザバーがチップ単位に分割されるだけでなく、各半導体レーザチップ間の間隔が当該ボンディングに用いる接続材のばね力により、ボンディングの間隔に応じた距離だけ延伸する。
接続材が、第一電極と半導体レーザチップの、台の上に固定した時の相対位置関係を保持しているので、第一電極を持ち上げるだけで第二電極の上に複数の半導体レーザチップを容易に位置決めすることができる。
【００１２】
上記構成によれば、第一電極と半導体レーザバーの各半導体レーザチップとのボンディングと同時に当該半導体バーを半導体レーザチップ単位に分割し、さらに分割された各半導体レーザチップの位置までも調節できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、短時間に且つ容易に高精度の半導体レーザ（アレイレーザ）を実装できる半導体レーザ製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下、「実施の形態」とする）について以下の順序で説明を行う。以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例である。そのため、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかしながら、本発明の範囲は、下記の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。例えば、以下の説明で挙げる各パラメータの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法、形状および配置関係も概略的なものである。
【００１５】
１．一実施形態
（１）半導体レーザの構成
（２）半導体レーザバー
（３）ボンディング装置
（４）半導体レーザの製造手順
【００１６】
＜１．一実施形態＞
［半導体レーザの構成］
図１は、半導体レーザの斜視図である。
半導体レーザ１０１は、第一電極１０２と、第二電極１０３と、この第二電極１０３上に同一方向に等間隔で並べられた複数の半導体レーザチップ１０４と、リボン１０５を含んで構成される。
【００１７】
第一電極１０２は、略直方体形状をした、各半導体レーザチップ１０４のｎ型半導体に導通させるための電極（以下、「ｎ電極」という）である。この第一電極１０２の第二電極１０３に接触する面は絶縁面１０６が形成されている。第一電極１０２の絶縁面１０６の対面側にある面と、各半導体レーザチップ１０４の基板面とがリボン１０５でボンディング（以下、「リボンボンディング」という）されている。
【００１８】
半導体レーザチップ１０４は、図示しない基板面と、発光する化合物半導体結晶層とを含む。また、本例では、各半導体レーザチップ１０４は、半導体レーザバー２０２からチップ分離したものであるとする。このようなチップ分離した各半導体レーザチップ１０４のチップサイズは３００μｍ角であり、各半導体レーザチップ１０４の厚みは１００μｍである。
【００１９】
リボン１０５は、導電性のある素材、例えば金等で作られており、第一電極１０２と各半導体レーザチップ１０４とを電気的に接続するものである。
また、リボン１０５は、後述する理由により、第一電極１０２と各半導体レーザチップ１０４に接続された際、これら各半導体レーザチップ１０４の運動を力学的に支配する必要がある。そのため、本例のような大きさの半導体レーザチップ１０４で、リボン１０５が金を用いている場合、リボン１０５の幅は１００μｍ〜５００μｍであることが好ましい。さらに、リボン１０５の厚みは最低でも２０μｍ以上であることが望ましい。ただし、リボン１０５の幅は半導体レーザチップ１０４の幅を超えない程度に設定する必要がある。なお、リボン１０５の厚みはその材質（剛性）に応じて変更する必要がある。
【００２０】
第二電極１０３は、略直方体形状をした、各半導体レーザチップ１０４のｐ型半導体に導通させるための電極（以下、「ｐ電極」という）である。この第二電極１０３の所定の面には、第一電極１０２の絶縁面１０６が図示しないボルト等により固定されている。また、第二電極１０３の第一電極１０２が固定されている面には、各半導体レーザチップ１０４の化合物半導体結晶層側の面が、図示しないはんだにより固定されている。これにより、各半導体レーザチップ１０４の化合物半導体結晶層と第二電極１０３とははんだを介して電気的に接続されている。なお、第二電極１０３の所定の一面は、第一電極１０２の絶縁面１０６および各半導体レーザチップ１０４の化合物半導体結晶層側の面をすべて含むような大きさであることが好ましい。
【００２１】
［半導体レーザバー］
次に、図１に示す各半導体レーザチップ１０４が含まれる半導体レーザバー２０２について図２を参照して説明する。
図２は、半導体レーザバー２０２を示す図である。
図２（ａ）は、半導体レーザバー２０２の斜視図である。
図２（ｂ）は、半導体レーザバー２０２のａ−ａ’線部分の断面図である。
【００２２】
半導体レーザバー２０２は、同じ方向を向いている複数の半導体レーザチップ１０４を構成する。本例では、この半導体レーザバー２０２を構成する各半導体レーザチップ１０４の大きさは等しいものとする。このような半導体レーザバー２０２において、隣接する各半導体レーザチップ１０４の間には、衝撃で割れ易くするための溝２０３が形成されている。
【００２３】
［ボンディング装置］
次に、第一電極１０２および各半導体レーザチップ１０４をリボン１０５でボンディングを行うための装置であるボンディング装置について図３を参照して説明する。
図３（ａ）は、ボンディング装置を説明するための概略図である。
【００２４】
ボンディング装置３０１は、主に、ボンダウェッジ３０２と、複数のバキューム穴３０４を有する固定テーブル３０３とを含んで構成される。ボンディング装置３０１は、複数のバキューム穴３０４の吸引により固定テーブル３０３上に第一電極１０２および半導体レーザバー２０２を固定する。そして、ボンディング装置３０１は、固定した第一電極１０２および半導体レーザバー２０２の各半導体レーザチップ１０４をリボン１０５で電気的に接続する、いわゆるボンディングを行う。
【００２５】
ここで、ボンディングについて簡単に説明する。ボンディングには主に二つの方式がある。ボールボンディングとウェッジボンディングである。
ボールボンディングとは、細いボンディングワイヤを用いて、ボンディングワイヤ先端に接着部分となるべきボールを形成するボンディングの方式を指す。ボールは高圧電流でスパークを形成して瞬時にボンディングワイヤ先端を溶かすことで形成する。
このボールボンディングに対し、ウェッジボンディングとは、ボールを形成しないボンディングの方式を指す。ボールを形成せず、リボン１０５あるいはワイヤの先端部分を直接対象物に溶着させる。この工程のために、ボンダウェッジ３０２と呼ばれる道具を用いる。このボンダウェッジは、溶着工程を行う先端部分がくさび形状になっていることから、その先端部分がウェッジ（くさび）と呼ばれる。
本実施形態では、半導体レーザチップ１０４が第一電極１０２の横方向に動いてしまわないように、幅広のリボン１０５を使用する。また、リボン１０５は大電流を流す必要がある半導体レーザチップ１０４に好適である、という事情もある。
【００２６】
本例のボンディング装置３０１は、金属製のボンダウェッジ３０２によってリボンでボンディングを行うものとする。
【００２７】
なお、ボンディング装置３０１は、３６０度どの方向にもボンダウェッジ３０２を動かすことができる。また、ボンディング装置３０１は、第一電極１０２および半導体レーザバー２０２の各半導体レーザチップ１０４に対してリボン１０５を打つ順番も選択可能となっている。
【００２８】
ボンダウェッジ３０２による、第一電極１０２および各半導体レーザチップ１０４に対するリボン１０５の打ち方には主に二つの方式がある。熱圧着方式と超音波圧着方式である。
【００２９】
熱圧着方式は、摂氏３００℃以上の熱と加重を加えてリボン１０５の一端と第一電極１０２、リボン１０５の他端と半導体レーザチップ１０４を接続する方式である。
【００３０】
超音波圧着方式は、摂氏１００度〜２５０度の熱と加重に加えて、超音波を加えてリボン１０５の一端と第一電極１０２、リボン１０５の他端と半導体レーザチップ１０４を接続する方式である。
【００３１】
次に、ボンディング装置３０１のボンダウェッジ３０２の形状について図３（ｂ）および（ｃ）を参照して説明する。
図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すボンディング装置のボンダウェッジをｙ方向から見た拡大図である。
図３（ｃ）は、図３（ａ）に示すボンディング装置のボンダウェッジを−ｘ方向から見た拡大図である。
【００３２】
ボンダウェッジ３０２の先端付近には、ボンディングに使用するリボン１０５を通すための穴３０５が設けてある。また、ボンダウェッジ３０２の先端部分は、略直方体形状をしており、角が立っている。また、ボンダウェッジ３０２の先端部分のｘ方向の長さは、半導体レーザバー２０２を構成する半導体レーザチップ１０４のチップ幅よりも長いことが好ましい。これは、ボンディングのときボンダウェッジ３０２の先端部分の角が半導体レーザバーの溝２０３に当たる必要があるからである。
【００３３】
［半導体レーザの製造手順］
次に半導体レーザ１０１の製造手順について説明する。
図４〜図５は、本発明の一実施形態における半導体レーザ１０１の製造方法の製造工程を示す斜視図である。半導体レーザバー２０２の実線および破線は隣接する半導体レーザチップ１０４との境界線である。実線は隣接する各半導体レーザチップ１０４が分離していることを示しており、破線は隣接する各半導体レーザチップ１０４がくっついていることを表している。つまり、破線が溝２０３に相当し、実線が切れ目５０３相当する。
【００３４】
まず、図４（a）に示すように、半導体レーザバー２０２および第一電極１０２が用意される。そして、図４（ｂ）に示すように、これらの半導体レーザバー２０２および第一電極１０２は、それぞれの長手方向の面が平行になるような位置関係で固定テーブル３０３上に固定される。このとき、第一電極１０２の絶縁面１０６は、固定テーブル３０３側に面している。つまり、第一電極１０２は、絶縁面１０６を下にして固定テーブル３０３上に配置されている。このような半導体レーザバー２０２および第一電極１０２の固定は、ボンディング装置３０１の固定テーブル３０３に設けられたバキューム穴３０４による吸引で行われる。
【００３５】
そして、図４（ｃ）に示すように、バキューム穴３０４によって固定された第一電極１０２および半導体レーザバー２０２は、リボン１０５によりリボンボンディングされる。このときボンダウェッジ３０２の先端が半導体レーザバー２０２の各半導体レーザチップ１０４間にある溝２０３に与える衝撃により、当該半導体レーザバー２０２は半導体レーザチップ１０４単位に分割される。つまり、半導体レーザバー２０２において、リボンボンディングが完了した半導体レーザチップ１０４だけが分離する。なお、図４（ｃ）に示す工程のより詳細な説明は図６および図７にて後述する。
【００３６】
次に、図５（ｄ）に示すように、第一電極１０２および半導体レーザバー２０２のバキューム穴３０４による固定が停止される。すると、半導体レーザチップ１０４単位に分割された半導体レーザバー２０２の各半導体レーザチップ１０４は、リボン１０５に引っ張られ運動する。これにより、隣接する各半導体レーザチップ１０４の間に所定の隙間ができる。この隙間、つまり各半導体レーザチップ１０４がリボン１０５によって引っ張られる方向および距離は、第一電極１０２にリボンボンディングを行う際の間隔を調整することで自由に変更することができる。なお、上述したように、リボン１０５は各半導体レーザチップ１０４の動きを制限するので、隣接する各半導体レーザチップ１０４の間にできる隙間の距離は常に変化しない。
【００３７】
以上の工程が完了した後、図５（ｅ）に示すように、第二電極１０３の上の所定の位置に、各半導体レーザチップ１０４の化合物半導体結晶層側の面がはんだにより固定される。そして、第二電極１０３上の所定の位置に絶縁面１０６が接触するように、第一電極１０２がボルト等により第二電極１０３に固定される。なお、絶縁面１０６が粘着性のあるものである場合は、ボルト等による固定は行わなくてもよい。
【００３８】
次に、図４（ｃ）に示す工程について図６および図７を参照してより詳細に説明する。
図６および図７は、第一電極１０２と半導体レーザバー２０２とをリボン１０５で接続する、いわゆるリボンボンディングの作業工程を示す図である。
図６および図７に示すｘ方向は、半導体レーザバー２０２の短手方向と平行な方向である。また、ｙ方向は、半導体レーザバー２０２の長手方向と平行な方向である。また、ｚ方向は、ｘ方向のベクトルとｙ方向のベクトルの外積と同じ方向である。
【００３９】
図６（ａ）、（ｃ）および図７（ｅ）、（ｇ）は、リボンボンディングの様子を真上から見た説明図である。
図６（ｂ）、（ｄ）および図７（ｆ）、（ｈ）は、図６（ａ）、（ｃ）および図７（ｅ）、（ｇ）それぞれに示すｂ−ｂ’線部分の断面図である。
【００４０】
まず、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、ボンディング装置３０１のボンダウェッジ３０２の先端は、熱および超音波によりリボン１０５の先端を第一電極１０２に圧着する。そして、図６（ｃ）および（ｄ）に示すように、ボンダウェッジ３０２は、ｘ方向に所定の距離だけ移動する。
【００４１】
そして、図７（ｅ）および（ｆ）に示すように、ボンダウェッジ３０２の先端は、当該先端が最も−ｙ方向にある半導体レーザチップ１０４の基板面に接触ように−ｚ方向に移動する。ボンダウェッジ３０２の先端は、リボンを半導体レーザチップ１０４の基板面に押しつけ、熱および超音波によりボンダウェッジ３０２の先端が接触している半導体レーザチップ１０４の基板面にリボン１０５を圧着する。このとき、ボンダウェッジ３０２の先端が半導体レーザバー２０２の最も−ｙ方向にある溝２０３に当たり、その衝撃等により、当該溝２０３に切れ目５０３が生じる。そして、最も−ｙ方向にある半導体レーザチップ１０４が半導体レーザバー２０２から分離する（図８を参照）。なお、図８に示すｘ方向、ｙ方向およびｚ方向は、図６および図７のものと共通である。
【００４２】
以上の工程が完了した後、ボンダウェッジ３０２は、図７（ｇ）および（ｈ）に示すように、第一電極１０２上の所定の位置に移動する。そして、最も−ｙ方向にある半導体レーザチップ１０４に隣接する半導体レーザチップ１０４に対して図６および図７に示す工程が繰り返される。この繰り返しにより、半導体レーダバーを構成するすべての半導体レーザチップ１０４が、リボンボンディングされると同時に当該半導体レーザバー２０２から分離する。
【００４３】
なお、上記の実施形態では、第一電極と半導体レーザバーに含まれる各半導体レーザチップを電気的に接続するのに金製のリボンを用いた。しかし、そのリボンの代替として各半導体レーザチップを力学的に支配できる本数のワイヤを用いても良い。例えば、直径２５〜５０μｍの金製のワイヤであれば、４〜１０本が理想的である。
【００４４】
また、上記の実施形態では、金製のリボンまたは金製のワイヤを用いたが、リボンまたはワイヤの素材は金に限られるものではない。リボンおよびワイヤの素材は、例えばアルミや銅等の導電体であればなんでもよい。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態による半導体レーザ製造方法は、略直方体形状の先端を持つボンダウェッジを用いて、先に第一電極と半導体レーザバーの各半導体レーザチップだけをリボンやワイヤ等（接続材）でボンディングを行うようにした。これにより、第一電極と半導体レーザバーの各半導体レーザチップとのボンディングと同時に当該半導体バーを半導体レーザチップ単位に分割することができる。第二電極の上に第一電極と半導体レーザチップを固定（マウント）する工程よりも先に、半導体レーザバーと第一電極とを接続材でボンディングを先に行っている。このため、ボンディングが完了後に第一電極と各半導体レーザチップの固定が解除されると、各半導各体レーザチップ間の間隔が当該ボンディングに用いる接続材のばね力により、ボンディングの間隔に応じた距離だけ延伸する。
接続材が、第一電極と半導体レーザチップの、台の上に固定した時の相対位置関係を保持しているので、第一電極を持ち上げるだけで第二電極の上に複数の半導体レーザチップを容易に位置決めすることができる。
、  このようなボンディングの際に、第一電極に打つリボンあるいはワイヤの間隔を調整することで、隣接する各半導体レーザチップ間の距離を調整できる。以上により、容易かつ低コストで高精度の半導体レーザ（アレイレーザ）の実装が可能になる、という効果を奏する。
【００４６】
そして、このボンディングという工程の際に、半導体レーザバーに加わる衝撃を利用して、半導体レーザバーから各半導体レーザチップを分離する工程を兼ねている。
従来技術では、半導体レーザバーから半導体レーザチップを分離する工程は独立して設けられていた。ボンディングを実施する際に、ボンディング対象部品に加わる衝撃で部品が割れてしまう現象は、歩留まりの低下を引き起こす、忌み嫌われる現象であった。
本実施形態では、本来なら防ごうとするこの現象を逆手に利用し、ボンディングの衝撃で敢えて割れるように、半導体レーザバーに割れ易くするための溝を設けている。
したがって、製造工程のステップ数（手間）が、従来技術と比べて大幅に省略され、製品を製造する際のタクトタイムの大幅な短縮を実現する。
【００４７】
また、本実施形態は、各レーザチップに対するリボンあるいはワイヤの力学的な支配力により、各半導体レーザチップ間の距離が一定に保たれている。そのため、はんだで各半導体レーザチップを第二電極に固定する際、はんだを長時間加熱しながら各半導体レーザチップの位置合わせを行う必要がない。つまり、はんだを介して各半導体レーザチップに伝わる熱量を低減でき、熱による各半導体レーザチップの劣化がほとんどなくなる。以上により、チップアレイの品質を向上させることができるだけでなく、作業時間を大幅に短縮できる、という効果がある。
【００４８】
また、本実施形態は、第一電極と半導体レーザバーの各半導体レーザチップとのボンディングを先行工程にしている。そのため、メインのマウント工程後の半導体レーザチップの脱落を防ぐことができ、歩留まり向上につながる、という効果がある。
【００４９】
また、本実施形態は、各半導体レーザチップを第二電極にはんだ付けする際に、各半導体レーザチップに付いているリボンごと第二電極に押しつけている。これにより、リボンと各半導体レーザチップとの密着性を確実にすることができる。したがって、リボンボンディング時に超音波や加重を上げて半導体レーザチップに過渡の負担をかけなくても、密着性を確実にすることができる。
【００５０】
また、本実施形態は、半導体レーザバーおよび第一電極をそれぞれ所定の位置関係で固定するために、固定テーブルのバキューム穴による吸引を行った。しかし、半導体レーザバーおよび第一電極を固定できれば、バキューム穴を有する固定テーブルに限られない。例えば、バキューム穴を有する固定テーブルの代替として、半導体レーザバーおよび第一電極をそれぞれ所定の位置関係で挟み込んで固定できるような挟持部材を有する固定テーブルを用いてもよい。
【００５１】
以上、本発明の実施形態の例について説明したが、本発明は上記実施形態例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、他の変形例、応用例を含むことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】半導体レーザを示す斜視図である。
【図２】半導体レーザバーを示す説明図である。
【図３】ボンディング装置を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施形態における半導体レーザの製造方法の製造工程を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態における半導体レーザの製造方法の製造工程を示す斜視図である。
【図６】第一電極と半導体レーザバーとのリボンボンディングを示す図である。
【図７】第一電極と半導体レーザバーとのリボンボンディングを示す図である。
【図８】第一電極と半導体レーザバーとのリボンボンディングの際の半導体レーザバーを示す拡大図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０１…半導体レーザ、１０２…第一電極、１０３…第二電極、１０４…半導体レーザチップ、１０５…リボン、１０６…絶縁面、２０２…半導体レーザバー、２０３…溝、３０１…ボンディング装置、３０２…ボンダウェッジ、３０３…固定テーブル、３０４…バキューム穴、３０５…穴、５０２…固定装置、５０３…切れ目、６０２…ボンダウェッジ
【図１】
2010129922.tif 000003
【図２】
2010129922.tif 000004
【図３】
2010129922.tif 000005
【図４】
2010129922.tif 000006
【図５】
2010129922.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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