(57)【要約】【課題】  本発明の課題は、微細配線形成性、絶縁信頼性に優れるプリント配線板を提供することにある。【解決手段】  配線及び絶縁材料を含むプリント配線板であり、該プリント配線板の配線間には実質的に無電解めっき触媒が存在せず、且つ配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙが０．０１〜０．５の範囲であることを特徴とするプリント配線板により、上記課題を解決し得る。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線及び絶縁材料を含むプリント配線板であり、該プリント配線板の配線間には実質的に無電解めっき触媒が存在せず、且つ配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙが０．０１〜０．５の範囲であることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記プリント配線板は、絶縁層に溝を形成し、形成した溝の内部に無電解めっきを析出せしめることにより配線形成する工程を少なくとも含む製造方法により製造されることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
絶縁層の少なくとも一部に、硫黄を有する化合物、クロムを有する化合物及びオキシム構造を有する化合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有することを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
プリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、高機能化、小型化が急速に進んでおり、これに伴って電子機器に用いられる電子部品に対しても小型化、軽量化の要請が高まっている。上記要請を受け、半導体素子パッケージ方法やそれらを実装する配線板にも、より高密度、高機能、かつ高性能なものが求められるようになっている。
【０００３】
プリント配線板を得る方法として、フルアディティブプリント配線板を挙げることができる。
【０００４】
従来のフルアディティブプリント配線板の製造方法としては、無電解めっき触媒を含有するガラスエポキシ基板上に無電解めっき触媒を含有した接着剤層を塗布形成し、積層体を得る。次いで、該積層体に選択的にスルーホールを形成する。 次いで、デスミア除去を行い、その後スルーホール内に無電解銅めっき触媒を付与し、スクリーン印刷法により永久レジスト層を塗布形成する。次いで、該永久レジストを露光、現像等の方法によりパターニングを施し、さらに無電解めっきを施すことにより、所望の箇所に配線を得る、という方法を挙げることができる（例えば、特許文献１参照）。尚、無電解めっきのみにより厚膜の配線層を形成する手法がフルアディティブ工法と呼ばれており、サブトラクティブ工法、セミアディティブ工法、と区別される。
【０００５】
しかしながら、上記の製造方法においては、活性を保持した無電解めっき触媒が絶縁樹脂全面に含有されているという理由から、特に微細配線においては、無電解めっき触媒が存在する箇所での異常析出により配線同士が導通してしまい、絶縁信頼性が低下するという問題が生じていた。
【特許文献１】特開平１１―４０９２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、層内のみならず、層間の絶縁信頼性が高いプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、配線間には実質的に無電解めっき触媒を存在させず、且つ配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙを特定範囲にすることで課題解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、配線及び絶縁材料を含むプリント配線板であり、該プリント配線板の配線間には実質的に無電解めっき触媒が存在せず、且つ配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙが０．０１〜０．５の範囲であることを特徴とするプリント配線板に関する。また、前記プリント配線板は、絶縁層に溝を形成し、形成した溝の内部に無電解めっきを析出せしめることにより配線形成する工程を少なくとも含む製造方法により製造されることが好ましい。また、絶縁層の少なくとも一部に、硫黄を有する化合物、クロムを有する化合物及びオキシム構造を有する化合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有することが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係るプリント配線板は、微細配線形成性、内のみならず、層間の絶縁信頼性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態について、以下に説明する。
【００１１】
（プリント配線板）
本発明のプリント配線板は、配線及び絶縁材料を含むプリント配線板であり、該プリント配線板の配線間には実質的に無電解めっき触媒が存在せず、且つ配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙが０．０１〜０．５の範囲であることを特徴とする。配線間に無電解めっき触媒が存在しないため、層内の絶縁信頼性が高い。また、配線厚みよりも十分に厚い絶縁層を形成することにより、層間の絶縁信頼性にも優れるという利点を有する。
このようなプリント配線板は、絶縁層に溝を形成し、形成した溝の内部に無電解めっきを析出せしめることにより配線形成する工程を少なくとも含む製造方法により製造されることが好ましい。この場合の無電解めっきはフルアディティブタイプの無電解めっきが用いられることになる。
【００１２】
また、絶縁層には、溝を形成した箇所には無電解めっきが析出し、それ以外の箇所には無電解めっきが析出しない特徴を有することが好ましい。
【００１３】
ここで、本発明でいうプリント配線板は、絶縁層上に導電性の配線パターンを形成した板のことを言い、少なくとも配線と絶縁層とから構成されてなる。
【００１４】
また、本発明において、無電解めっき触媒が実質的に存在しないとは、該当する箇所をＸＰＳ分析し、算出した原子濃度で０．２％以下であることを言う。
【００１５】
（絶縁層）
本発明のプリント配線板を構成する絶縁層について説明する。
【００１６】
本発明のプリント配線板に好ましく適用可能な絶縁層は、溝を形成した箇所には無電解めっきが析出し、それ以外の箇所には無電解めっきが析出しない特徴を有することが好ましい。
【００１７】
上記のように溝を形成した箇所には無電解めっきが析出し、それ以外の箇所には無電解めっきが析出しない特徴を有する絶縁層の好ましい態様の一つは、無電解めっきが析出しない絶縁材料で、溝を形成した箇所のみ特異的に無電解めっきが析出する絶縁材料を用いた絶縁層である。溝を形成した箇所のみ特異的に無電解めっきを析出せしめるには、例えば、レーザー照射により溝を形成する手法を適用する場合、溝形成された箇所の樹脂表面がレーザー照射による化学的な改質、あるいは物理的な改質のいずれか、あるいは両者を利用して無電解めっきが形成されるようにすれば良い。
【００１８】
また、別の好ましい態様の一つは、無電解めっきが析出する絶縁材料で、表面のみ無電解めっきが析出しない絶縁層である。表面のみ無電解めっきが析出せしめないためには、例えば、レーザー照射により溝を形成する手法を適用する場合、溝形成された箇所の樹脂表面がレーザー照射による化学的な改質、あるいは物理的な改質のいずれか、あるいは両者を利用して無電解めっきが形成されないようにすれば良い。
【００１９】
また、絶縁層を、無電解めっきが析出しない絶縁樹脂層／無電解めっきが析出する絶縁樹脂層からなる構成にしておき、無電解めっきが析出しない絶縁樹脂層を除去し、無電解めっきが析出する層を露出させるように溝を形成すれば、溝を形成した箇所のみ無電解めっきを析出せしめることができる。
【００２０】
ここで、無電解めっきが析出しない絶縁材料について説明する。
【００２１】
本発明において、無電解めっきが析出しないとは、無電解めっきが析出する箇所に無電解めっきがａμｍの厚みだけ析出するときに、ａ×（１／７）μｍ以下の厚みだけ析出すること、と定義される。例えば、無電解めっきが析出する箇所に、７μｍの厚みだけ無電解めっきが析出する際に、無電解めっきが析出しない絶縁材料には１μｍ以下の厚みだけ無電解めっきが析出する。ここで、ａ×（１／７）μｍ以下の厚みだけ析出した無電解めっき層は、酸性水溶液でのソフトエッチング等の公知の方法により除去することができる。従って、最終的には、無電解めっきが析出しない絶縁材料上には実質的に無電解めっきは形成されていないことになり、電気絶縁性を保つことができる。勿論、無電解めっきが析出しない絶縁材料上に実質的に無電解めっきが析出していない場合は、ソフトエッチング等を行う必要はない。
【００２２】
本発明に係る無電解めっきが析出しない絶縁材料は、無電解めっき触媒が付与されないために無電解めっきが析出しない絶縁材料であってもよく、無電解めっき触媒は付与されているが、触媒活性を示さないため無電解めっきが析出しない絶縁材料であってもよく、無電解めっき触媒は付与されているが、触媒活性が低いため、電解めっきが析出する樹脂層に無電解めっきがａμｍの厚みだけ析出するときに、ａ×（１／７）μｍ以下の厚みだけ析出する絶縁材料であってもよい。
【００２３】
上記無電解めっき触媒が付与されないためには、無電解めっき触媒と無電解めっきが析出しない絶縁材料表面とが相互作用しないような状態であればよい。例えば、無電解めっき触媒がアミノ基と相互作用して吸着するという特徴を有している場合、樹脂層表面にアミノ基を導入しないようにせしめることで無電解めっき触媒の付与を阻害することができる。
【００２４】
また、無電解めっきが析出しない絶縁材料表面の触媒濃度が、ＸＰＳ分析により算出した原子濃度で０．２％以下であれば、無電解めっきが析出しない傾向にあるため好ましい。０．２％より触媒濃度が高いと、無電解めっきが析出しやすい状態となる。
【００２５】
上記無電解めっき触媒は付与されているが、触媒活性を示さないためには、無電解めっきが析出しない絶縁材料表面に、無電解めっき触媒に対して触媒毒を示す化合物を露出せしめれば良い。触媒毒を示す化合物を露出せしめるには、無電解めっきが析出しない絶縁材料に触媒毒を示す化合物を添加しておいても良いし、表面に塗布乾燥する等の方法で表層に形成しても良い。例えば、無電解めっき触媒がリン系化合物との相互作用により触媒活性を失う場合、樹脂層にリン系化合物を添加する、もしくは樹脂層表面にリン系化合物を塗布、乾燥する、等の方法により無電解めっき触媒の触媒活性を失活させることができる。
【００２６】
また、例えば、無電解めっき触媒、特には無電解銅めっき触媒として一般的に用いられるパラジウム触媒を用いる場合は、パラジウムは硫黄を有する化合物、クロムを有する化合物により被毒されるため、これらの化合物を塗布、乾燥する、等の方法により無電解めっき触媒の触媒活性を失活させることができる。
【００２７】
また、パラジウムは、オキシム構造を有する化合物によっても被毒されることを筆者らは発見した。これは、オキシム構造を有する化合物とパラジウムとが錯体を形成するためと考えられる。オキシム構造を有する化合物としては、１，２−オクタンジオン−，１−[４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）]、エタノン，１−[９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル]−，１−（０−アセチルオキシム）、等を挙げることができる。オキシム構造を有する化合物についても上記と同様の方法により無電解めっき触媒の触媒活性を失活させることができる。
【００２８】
本発明の無電解めっきが析出しない絶縁材料には、機械特性の向上や難燃性を付与する等の目的で、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラー、難燃剤、等を適宜添加しても良い。
【００２９】
次に無電解めっきが析出する絶縁材料について説明する。
【００３０】
本発明に係る無電解めっきが析出する樹脂層は、無電解めっきが析出しさえすればいかなる絶縁材料を用いても良い。
【００３１】
本発明に係る無電解めっきが析出する絶縁材料に無電解めっきを析出せしめる方法としては、無電解めっきを直接析出せしめる方法、パラジウム触媒等の無電解めっき触媒を付与した後に、パラジウムを核として無電解銅めっきを析出せしめる方法、等を挙げることができるが、無電解銅めっきをまんべんなく均一に析出せしめるという観点から、パラジウム触媒等の無電解めっき触媒を付与した後に、無電解めっき触媒を核として無電解銅めっきを析出せしめる方法が好ましい。上記無電解めっき触媒を核として無電解めっきを析出せしめる方法を採用するという観点、また、得られるプリント配線板の絶縁性や耐熱性などの観点から、本発明に係る無電解めっきが析出する樹脂層には、エポキシ樹脂および／またはポリイミド樹脂を含有することが好ましく、ポリイミド樹脂を含むことがさらに好ましい。また、無電解めっきとの接着性の観点から、熱可塑性のポリイミド樹脂を含有することが特に好ましい。
【００３２】
本発明の無電解めっきが析出する絶縁材料には、機械特性の向上や難燃性を付与する等の目的で、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラー、難燃剤、等を適宜添加しても良い。
【００３３】
本発明のプリント配線板においては、配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙが０．０１〜０．５の範囲であることを特徴とする。本発明における配線厚みＸとは、無電解めっきにより形成される配線の厚みを指す。また、絶縁層厚みＹとは、絶縁層単層で作製されるプリント配線板の場合は、絶縁層の厚みそのもののことであり、絶縁材料を内層配線板に積層して作製されるプリント配線板の場合は、積層して形成した後の絶縁層の厚みのことを指す。Ｘ／Ｙが０．５よりも大きい場合、層間の絶縁信頼性が十分に得られない恐れがあり、Ｘ／Ｙが０．０１よりも小さい場合、層間の絶縁信頼性は十分に得られるものの、配線厚みが薄いため、配線としての機能を果たさない恐れがある。
【００３４】
（無電解めっき）
本発明に用いられる無電解めっきとしては特に限定はなく、カーボン、パラジウム触媒、有機マンガン導電膜等を用いるダイレクトプレーティング、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解金めっき、無電解銀めっき、無電解錫めっき、等を挙げる事ができ本発明に使用可能である。
【００３５】
上記の中でも、生産性や耐マイグレーション性等の電気特性の観点より、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきが好ましく、無電解めっきの中でも、無電解銅めっきが特に好ましい。以下、無電解銅めっきについて説明する。
【００３６】
本発明のプリント配線板を構成する絶縁材料に無電解銅めっきを析出せしめる方法としては、無電解銅めっきを直接析出せしめる方法、パラジウム触媒等の無電解銅めっき触媒を付与した後に、無電解銅めっき触媒を核として無電解銅めっきを析出せしめる方法、等を挙げることができるが、無電解銅めっきをまんべんなく均一に析出せしめるという観点から、パラジウム触媒等の無電解銅めっき触媒を付与した後に、パラジウムを核として無電解銅めっきを析出せしめる方法が好ましい。
【００３７】
ここで、本発明で言う無電解めっき触媒とは、析出させる金属を絶縁層上に選択的に形成せしめる触媒の事をいい、例えば無電解銅めっきであれば、上述のようにパラジウム触媒等に限らず、銅イオン、金属銅、等も含む。
【００３８】
無電解めっきの厚みとしては、特に限定はなく、所望の導体層厚みまで析出させればよいが、微細配線形成という観点からは、無電解めっき厚みは１μｍ〜３０μｍの範囲であることが好ましい。
【００３９】
また、５μｍ以下程度の厚みで無電解めっきを形成した後、電解めっきにより所望の導体層厚みまで析出せしめても良い。
【００４０】
また、溝を形成した箇所に生じたスミアを除去する目的で、無電解銅めっきを施す前にデスミア工程を取り入れても構わない。デスミアは、湿式のデスミア、ドライデスミア、等いずれの方法を用いても構わない。
【００４１】
湿式のデスミアの場合、用いる液は市販のデスミア薬液、工程を用いることが可能であるが、一般的には、膨潤、粗化、中和、の３工程からなり、粗化工程には過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウムのアルカリ水溶液が用いられる。
【００４２】
ドライデスミアの場合、プラズマを用いる場合、コロナを用いる場合、等を例示することができる。いずれの場合も、常圧下、減圧下の両者を実施可能である。
（プリント配線板の製造方法）
本発明のプリント配線板の製造法の一例を示す。
本発明のプリント配線板は、絶縁材料に溝を形成し、形成した溝のみに無電解めっきを析出せしめることで製造することができる。
【００４３】
用いる絶縁材料は上述したとおりであるが、大きく分類すると、溝を形成した箇所には無電解めっきが析出し、それ以外の箇所には無電解めっきが析出しない特徴を有する絶縁材料、若しくは、無電解めっきが析出する絶縁材料で、表面のみ無電解めっきが析出しない絶縁材料である。
【００４４】
溝を形成する方法としては、フォト、レーザー、機械的切削、等の公知の方法を適用すれば良い。
【００４５】
その後、必要に応じてデスミア処理を施した後、無電解銅めっきを行ない、溝を形成した箇所にのみ配線形成する。
【００４６】
以上、本発明のプリント配線板の製造方法の一例を示したが、もちろん、これに限定されるものではない。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例および比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例における微細配線形成性は、次のようにして評価した。
【００４８】
〔微細配線形成性〕
実施例ならびに比較例で得られたプリント配線板について、配線幅／配線間隔＝１０μｍ／１０μｍの配線形成箇所で導通が確認されなかった場合を合格、導通が確認された場合を不合格とした。
【００４９】
（合成例１；熱可塑性ポリイミド前駆体の合成）
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコにＤＭＦ５８．４６ｇ、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンを２９．２３ｇ（０．１ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で撹拌しながら溶解させ、次いで３，３’，４，４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物３１．０２ｇ（０．１ｍｏｌ）を添加し、２０℃で約３時間撹拌し、ポリアミド酸溶液１を得た。
【００５０】
（合成例２；熱可塑性ポリイミド樹脂の合成）
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、両末端アミノ変性シリコーンオイル（信越化学工業株式会社製ＫＦ−８０１０）を３７ｇ（０．０４５ｍｏｌ）と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２１ｇ（０．１０５ｍｏｌ）と、ＤＭＦとを投入し、撹拌しながら溶解させ、４，４´−（４，４´−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（無水フタル酸）７８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加、２０℃で約１時間撹拌し、固形分濃度３０％のポリアミド酸溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をフッ素コートしたバットにとり、真空オーブンで、２００℃、１２０分、６６５Ｐａで減圧加熱し、ポリイミド樹脂２を得た。
【００５１】
（調合例１；無電解めっきが析出しない樹脂溶液の調合１）
合成例１で得たポリアミド酸１（固形分で換算）１００重量部、ビスフェノールＡ  ＥＯ変性ジ(メタ)アクリレート（ダイセルサイテック（株）製、製品名ＥＢ１５０）１０重量部、ビスフェノールＡ  ＥＯ変性ジ(メタ)アクリレート（日立化成工業（株）製、製品名ＦＡ３２１Ｍ）４０重量部、オキシム構造を有する化合物である１，２−オクタンジオン−，１−[４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）]、エタノン，１−[９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル]−，１−（０−アセチルオキシム）（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製イルガキュアＯＸＥ  ０１）２重量部、ビスフェノールＡビス（ジフェニル）ホスフェート（大八化学（株）製、製品名ＣＲ−７４１）１５重量部、を混合し、固形分重量％（Ｓｃ）＝４０％となるようにジオキソランを加えて均一に溶解させ、無電解めっきが析出しない樹脂溶液（ａ）を得た。
【００５２】
（調合例２；無電解めっきが析出しない樹脂溶液の調合２）
合成例２で得たポリイミド樹脂２を１００重量部、オキシム構造を有する化合物であるエタノン，１−[９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル]−，１−（０−アセチルオキシム）（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製イルガキュアＯＸＥ  ０１）１０重量部を混合し、固形分重量％（Ｓｃ）＝２０％となるようにジオキソランを加えて均一に溶解させ、無電解めっきが析出しない樹脂溶液（ｂ）を得た。
【００５３】
（調合例３；無電解めっきが析出する樹脂層溶液の調合１）
合成例２で得たポリイミド樹脂２をジオキソランで希釈し、固形分重量％（Ｓｃ）＝２０％の無電解めっきが析出する樹脂溶液（ｃ）を得た。
【００５４】
（調合例４；接着剤溶液の調合）
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、１，３−ビスー（３−アミノフェノキシ）ベンゼン８７．７ｇ（０．３０ｍｏｌ）と、ＤＭＦを投入し、撹拌しながら溶解させ、４，４´−（４，４´−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（無水フタル酸）７８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加、２０℃で約１時間撹拌し、固形分濃度３０％ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をフッ素コートしたバットにとり、真空オーブンで、１８０℃、１２０分、６６５Ｐａで減圧加熱し、イミドオリゴマーを得た。
ジオキソランを１２ｇ、上記イミドオリゴマー４を２３ｇ量りとり、６０℃で加熱溶解した。トルエンを５．２ｇ加えた後、撹拌しながら冷却し、エポキシ樹脂（ＪＥＲ１５２、ジャパンエポキシレジン（株）製）を１５ｇ加え、撹拌混合して、Ｘ液とした。
ジオキソランを１８ｇ、ポリイミド樹脂（ＵＬＴＥＭ−１０００−１０００、ＧＥプラスチック社製）を２ｇ量りとり、６０℃で撹拌しながら加熱溶解した。冷却した後、フィラー（ＳＦＰ−１３０ＭＣのフェニルアミノシラン処理品、電気化学工業（株）製、平均粒径０．５３μｍ）を６ｇ投入し、さらにトルエンを７．７ｇ投入して、ミル分散し、Ｙ液とした。
Ｘ液５．５２ｇとＹ液８．７７ｇとを量りとり、撹拌混合した後、４０μｍ径のフィルターを用いてろ過を実施し、接着剤溶液（d）を得た。
【００５５】
（実施例１）
支持体（商品名：ルミラーＴ−６０、東レ（株）製；３８μｍ）上に、無電解めっきが析出しない樹脂溶液（ａ）を該樹脂層の最終厚みが１０μｍとなるように塗布、１００℃で１０分間加熱して、無電解めっきが析出しない樹脂層（Ａ）／支持体からなる絶縁材料を得た。続いて、無電解めっきが析出する樹脂溶液（ｃ）を、該樹脂層の最終厚みが２μｍとなるように塗布、６０℃で１分間加熱乾燥し、無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）／無電解めっきが析出しない樹脂層（Ａ）／支持体からなる絶縁樹脂材料を得た。続いて、接着剤溶液（ｄ）を無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）上に最終厚みが３８μｍとなるように塗布、５０℃、７０℃、９０℃、１００℃で各３４秒加熱乾燥させ、接着剤層（Ｄ）／無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）／無電解めっきが析出しない樹脂層（Ａ）／支持体からなる絶縁材料を得た。該絶縁材料の接着剤層（Ｄ）と両面銅箔付きのガラスエポキシ基板（商品番号：ＣＳ−３６６５Ｄ、利昌工業（株）製；銅厚み１８μｍ）とを対向させ、１段目、温度９０℃、真空引き３０秒、大気開放、加圧時間３０秒、及び２段目、温度１１０℃、圧力１ＭＰａ、加圧時間６０秒なる条件にて真空ラミネートを行った後、支持体を引き剥がして、ガラスエポキシ基板／接着剤層（Ｄ）／無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）／無電解めっきが析出しない樹脂層（Ａ）からなる積層体を得た。
【００５６】
該積層体の無電解めっきが析出しない樹脂層（Ａ）上に配線幅／配線間隔＝１０μｍ／１０μｍを有するマスクパターンを載せ、波長４０５ｎｍの光を３００ｍＪ／ｃｍ2だけ露光した。続いて、スプレー現像機（サンハヤト（株）製エッチングマシーンＥＳ−６５５Ｄ）を用いて、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温４０℃）を使用して、スプレー現像処理を行い、部分的に無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）を露出させた。続いて、１８０℃で２時間加熱乾燥して、硬化させた。続いて、パラジウム触媒を付与し、無電解銅めっき（ロームアンドハース社製ＣＵＰＯＳＩＴ厚付けタイプ）を施すことにより、厚みが１０μｍの配線を形成し、プリント配線板を得た。配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙは０．２であった。このプリント配線板の微細配線形成性を評価した結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
2010021302.tif 000002
【００５８】
（実施例２）
支持体（商品名：ルミラーＴ−６０、東レ（株）製；３８μｍ）上に、無電解めっきが析出しない樹脂溶液（ｂ）を該樹脂層の最終厚みが２μｍとなるように塗布、６０℃で２分間加熱して、無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）／支持体からなる絶縁材料を得た。続いて、無電解めっきが析出する樹脂溶液（ｃ）を、該樹脂層の最終厚みが１０μｍとなるように塗布、６０℃で５分間加熱乾燥し、無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）／無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）／支持体からなる絶縁樹脂材料を得た。続いて、接着剤溶液（ｄ）を無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）上に最終厚みが３８μｍとなるように塗布、５０℃、７０℃、９０℃、１００℃で各３４秒加熱乾燥させ、接着剤層（Ｄ）／無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）／無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）／支持体からなる絶縁材料を得た。該絶縁材料の接着剤層（Ｄ）と両面銅箔付きのガラスエポキシ基板（商品番号：ＣＳ−３６６５Ｄ、利昌工業（株）製；銅厚み１８μｍ）とを対向させ、１段目、温度９０℃、真空引き３０秒、大気開放、加圧時間３０秒、及び２段目、温度１１０℃、圧力１ＭＰａ、加圧時間６０秒なる条件にて真空ラミネートを行った後、支持体を引き剥がして、１８０℃で１時間加熱乾燥して硬化させ、ガラスエポキシ基板／接着剤層（Ｄ）／無電解めっきが析出する樹脂層（Ｃ）／無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）からなる積層体を得た。
【００５９】
該積層体の無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）上から、ＵＶレーザーにてライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ、厚みが５μｍになるように加工した。
【００６０】
このようにして得られた積層体に減圧プラズマ処理にてデスミア処理を施し、続いて、パラジウム触媒を付与し、無電解銅めっき（ロームアンドハース社製ＣＵＰＯＳＩＴ厚付けタイプ）を施すことにより、ライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ、厚みが５μｍの銅配線を形成し、プリント配線板を得た。配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙは０．１であった。このプリント配線板の微細配線形成性を評価した結果を表１に示す。
【００６１】
（実施例３）
支持体（商品名：ルミラーＴ−６０、東レ（株）製；３８μｍ）上に、ソルダーレジストインキ（商品名フォトファイナーＰＳＲ−４０００  ＡＵＳ７０３／ＣＡ−４０  ＡＵＳ７０３；太陽インキ製造（株）製）を最終厚みが１０μｍとなるように塗布、８０℃で２０分乾燥して、ソルダーレジスト層／支持体からなる絶縁材料を得た。続いて、無電解めっきが析出する樹脂層としてエポキシ樹脂系シート（商品名：ＡＢＦ−ＧＸ−１３、味の素ファインテクノ（株）製）の保護フィルムを剥がして、ソルダーレジスト層／支持体からなる絶縁材料のソルダーレジスト層と接するように重ねて、温度５０℃、圧力０．５ＭＰａ、速度１ｍ／分なる条件にてラミネートを行い、エポキシ樹脂系シート／ソルダーレジスト層／支持体からなる絶縁材料を得た。尚、エポキシ樹脂系シートとソルダーレジストの厚みは、あわせて５０μｍであった。
【００６２】
上記エポキシ樹脂系シートと両面銅箔付きのガラスエポキシ基板（商品番号：ＣＳ−３６６５Ｄ、利昌工業（株）製；銅厚み１８μｍ）とを対向させ、１段目、温度９０℃、真空引き３０秒、大気開放、加圧時間３０秒、及び２段目、温度１１０℃、圧力１ＭＰａ、加圧時間６０秒なる条件にて真空ラミネートを行った後、支持体を引き剥がして、ガラスエポキシ基板／エポキシ樹脂系シート／ソルダーレジスト層からなる積層体を得た。
【００６３】
該積層体のソルダーレジスト上に配線幅／配線間隔＝１０μｍ／１０μｍを有するマスクパターンを載せ、波長４０５ｎｍの光を３００ｍＪ／ｃｍ2だけ露光した。続いて、スプレー現像機（サンハヤト（株）製エッチングマシーンＥＳ−６５５Ｄ）を用いて、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温４０℃）を使用して、スプレー現像処理を行い、部分的にエポキシ樹脂系シートを露出させた。続いて、１８０℃で１時間加熱乾燥して、硬化させた。続いて、パラジウム触媒を付与し、無電解銅めっき（ロームアンドハース社製ＣＵＰＯＳＩＴ厚付けタイプ）を施すことにより、厚みが１０μｍの配線を形成し、プリント配線板を得た。配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙは０．２であった。このプリント配線板の微細配線形成性を評価した結果を表１に示す。
【００６４】
（実施例４）
支持体（商品名：ルミラーＴ−６０、東レ（株）製；３８μｍ）上に、無電解めっきが析出しない樹脂溶液（ｂ）を該樹脂層の最終厚みが２μｍとなるように塗布、６０℃で２分間加熱して、無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）／支持体からなる絶縁材料を得た。続いて、無電解めっきが析出する樹脂層としてエポキシ樹脂系シート（商品名：ＡＢＦ−ＧＸ−１３、味の素ファインテクノ（株）製）の保護フィルムを剥がして、無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）／支持体からなる絶縁材料の電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）と接するように重ねて、温度５０℃、圧力０．５ＭＰａ、速度１ｍ／分なる条件にてラミネートを行い、エポキシ樹脂系シート／無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）／支持体からなる絶縁材料を得た。尚、エポキシ樹脂系シートと無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）の厚みは、あわせて４２μｍであった。
【００６５】
上記エポキシ樹脂系シートと両面銅箔付きのガラスエポキシ基板（商品番号：ＣＳ−３６６５Ｄ、利昌工業（株）製；銅厚み１８μｍ）とを対向させ、１段目、温度９０℃、真空引き３０秒、大気開放、加圧時間３０秒、及び２段目、温度１１０℃、圧力１ＭＰａ、加圧時間６０秒なる条件にて真空ラミネートを行った後、支持体を引き剥がして、１８０℃で１時間加熱乾燥して硬化させ、ガラスエポキシ基板／エポキシ樹脂系シート／無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）からなる積層体を得た。
【００６６】
該積層体の無電解めっきが析出しない樹脂層（Ｂ）上から、ＵＶレーザーにてライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ、厚みが５μｍになるように加工した。
【００６７】
このようにして得られた積層体に減圧プラズマ処理にてデスミア処理を施し、続いて、パラジウム触媒を付与し、無電解銅めっき（ロームアンドハース社製ＣＵＰＯＳＩＴ厚付けタイプ）を施すことにより、ライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ、厚みが５μｍの銅配線を形成し、プリント配線板を得た。配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙは０．１２であった。このプリント配線板の微細配線形成性を評価した結果を表１に示す。
【００６８】
（比較例１）
無電解銅めっき触媒を含有するガラスエポキシ基板（Ｆ）（日立化成工業製、商品名：ＡＣＬ３−Ｅ−１６８，１．４４ｔ）の片面上に、感光性永久レジスト層（Ｇ）（日立化成工業製商品名：ネガ型の感光性フィルムフォテックＳＲ−３０００）を、温度１１０℃，２ｍ毎分速度でラミネートして積層体を得た。尚、感光性永久レジスト層の厚みは１０μｍであった。該積層体の感光性永久レジスト層上に配線幅／配線間隔＝１０μｍ／１０μｍを有するマスクパターンを載せ、波長３６５ｎｍの光を３００ｍＪ／ｃｍ2だけ露光した。続いて、スプレー現像機（サンハヤト（株）製エッチングマシーンＥＳ−６５５Ｄ）を用いて、現像液（ジエチレングリコール、モノブチルエーテル：２００ｍｌ／Ｌ，水：８００ｍｌ／Ｌ，ホウ砂：８／Ｌ）にて、液温４０℃でスプレー現像処理を行い、部分的に、無電解銅めっき触媒を含有するガラスエポキシ基板を露出させた。続いて、無電解銅めっき（ロームアンドハース社製ＣＵＰＯＳＩＴ厚付けタイプ）を施すことにより、厚みが１０μｍの配線を形成し、プリント配線板を得た。ここで、本比較例において、無電解銅めっき触媒を含有するガラスエポキシ基板（Ｆ）を絶縁材料と見なさない場合は、配線厚みＸと絶縁層厚みＹとの厚みの比Ｘ／Ｙは１．０であった。このプリント配線板の微細配線形成性を評価した結果を表１に示す。
【００６９】
比較例に示すように、不必要な箇所（ガラスエポキシ基板の全面）に無電解銅めっき触媒が存在するため、無電解銅めっき時に、永久レジスト層とガラスエポキシ基板との界面に無電解銅めっきが異常析出するため、微細配線箇所で導通してしまうという結果となった。また、厚み方向においても、無電解銅めっき触媒を含有するガラスエポキシ基板（Ｆ）を絶縁材料と見なさない場合は、配線の間に存在する絶縁層がないため絶縁信頼性に劣る。
【００７０】
これに対し、実施例では、無電解めっきが析出しない樹脂層と無電解めっきが析出する樹脂層との界面に無電解めっき触媒が存在しないため、無電解銅めっきの異常析出は見られず、微細配線箇所でも良好な絶縁信頼性を示した。