(57)【要約】【課題】放射線変換シートと光電変換センサの密着性を高くすることによって、高解像度の放射線画像検出装置を得る。【解決手段】支持体１と、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータ層２と、中間層３とがこの順に積層された放射線変換シート１０であって、中間層３が放射線変換シート１０と、シンチレータ層２により変換された可視光を検出して放射線画像を表す電気信号に変換する複数の半導体検出素子が配列された光電変換センサ３０とを接合するための層であり、この中間層３のヘイズ度を３〜５０％の範囲とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、中間層とがこの順に積層された放射線変換シートであって、前記中間層が前記放射線変換シートと光電変換センサとを接合するための層であり、前記中間層のヘイズ度が３〜５０％の範囲であることを特徴とする放射線変換シート。
【請求項２】
前記中間層がフィラーを含有する接着剤層であって、該フィラーの平均粒子径が０．１〜１０μｍの範囲であり、該フィラーの含有量が前記接着剤層の接着剤に対して５〜５０質量％であることを特徴とする請求項１記載の放射線変換シート。
【請求項３】
前記接着剤層の層厚が１５〜５０μｍであることを特徴とする請求項２記載の放射線変換シート。
【請求項４】
前記接着剤がホットメルト型接着剤であることを特徴とする請求項２または３記載の放射線変換シート。
【請求項５】
前記接着剤層が前記シンチレータ層の発光波長に吸収を持つ着色剤を含有することを特徴とする請求項２、３または４いずれか１項記載の放射線変換シート。
【請求項６】
請求項１〜５記載の放射線変換シートと、前記シンチレータ層により変換された可視光を検出して放射線画像を表す電気信号に変換する複数の半導体検出素子が配列された光電変換センサとが、前記中間層を介して接合されたものであることを特徴とする放射線画像検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線などの放射線撮像装置に適用して好適な放射線画像検出装置に関し、詳しくは、間接変換型の放射線画像検出装置に用いられる放射線変換シートおよび放射線画像検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、医療診断等を目的とするＸ線撮影等の放射線撮影において、放射線画像情報記録手段として放射線固体検出器（半導体を主要部とするもの）を用いて、この固体検出器により被写体を透過した放射線を検出して被写体に関する放射線画像を表す画像信号を得る放射線画像検出装置が各種提案、実用化されている。
【０００３】
この装置に使用される固体検出器としても、種々の方式が提案されている。例えば、放射線を電荷に変換する電荷生成プロセスの面からは、放射線が照射されることにより蛍光体から発せられた蛍光を光導電層で検出して得た信号電荷を蓄電部に一旦蓄積し、蓄積電荷を画像信号（電気信号）に変換して出力する間接変換方式の固体検出器、或いは、放射線が照射されることにより光導電層内で発生した信号電荷を電荷収集電極で集めて蓄電部に一旦蓄積し、蓄積電荷を電気信号に変換して出力する直接変換方式の固体検出器等がある。
【０００４】
一方、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面からは、読取光（読取用の電磁波）を検出器に照射して読み出す光読出方式のものや、蓄電部と接続されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ：thin film transistor）、ＣＣＤ（電荷結合素子：charge coupled device）、あるいはＣＭＯＳ（相補的金属酸化物半導体：comprementary metal oxide semiconductor）センサ等を走査駆動して読み出す電気読出方式のもの等がある。
【０００５】
上記のうち、間接変換方式と電気読出方式を組み合わせた放射線画像検出装置は、放射線を光に一旦変換するためのシンチレータ層を有する放射線変換シートと（例えば、特許文献１）、シンチレータにより変換された可視光を検出して放射線画像を表す電気信号に変換する光電変換センサとが接着剤層を介して接合された構成を有している（例えば、特許文献２）。
【０００６】
特許文献１に記載の放射線変換シートは、基材、シンチレータ層、アクリル系粘着剤と剥離フィルムを設けたものであり、接着剤層であるアクリル系粘着剤を介して光電変換センサと接合することにより放射線画像検出装置を作製することが記載されている。また、放射線画像検出装置の作製においては、解像度（鮮鋭度）を低下させないために、接着剤層の厚みを２０μｍ以下にする必要があることも記載されているが、どこまで薄くし得るかについては記載されていない。
【特許文献１】特開２００４−６１１７２号公報
【特許文献２】特開２００３−７５５４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、放射線変換シートと接合させて用いる光電変換センサは複数の半導体検出素子を配した基板表面を有し、その素子形状によって、２〜５μｍ程度の凹凸を表面上に持つことから、接着剤層を薄くすると、この凹凸を吸収することができず、密着性が悪くなって放射線変換シートと光電変換センサ表面との間に空隙が生じる。この空隙は、放射線が照射されることによりシンチレータから発せられた光が半導体検出素子に正しく入射することを妨げ、結果として放射線画像検出装置における画像ムラの発生をもたらすことになる。
【０００８】
また、上記特許文献２には、接着剤層に光学的に透明な熱硬化樹脂、ホットメルト接着剤または反応性ホットメルト接着剤が用いられ、蛍光体から発生した光が吸収されないように、波長４００〜７００ｎｍの光を８０％以上透過する接着剤を用いて、放射線変換シートの感度低下を抑制することが記載されているが、放射線変換シートと光電変換センサとの間の空隙の問題について何ら対策は講じられていない。
【０００９】
結局、接着剤層にある程度の厚みを持たせざるを得ないが、接着層を厚くすると、鮮鋭度が下がるという傾向は避けることができず、上記特許文献１および２に記載されている接着剤層を始めとした従来の接着剤層を用いている限り、それによって鮮鋭度の低下がもたらされるという問題があった。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、従来の放射線変換シートと光電変換センサとの間の密着性を確保しつつ、より高性能の放射線画像検出装置を提供すること、およびこの放射線画像検出装置を作製するための放射線変換シートを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の放射線変換シートは、支持体と、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、中間層とがこの順に積層された放射線変換シートであって、前記中間層が前記放射線変換シートと光電変換センサとを接合するための層であり、前記中間層のヘイズ度が３〜５０％の範囲であることを特徴とするものである。
【００１２】
前記中間層はフィラーを含有する接着剤層であって、該フィラーの平均粒子径が０．１〜１０μｍの範囲であり、該フィラーの含有量が前記接着剤層の接着剤に対して５〜５０質量％であることが好ましい。ここで、フィラーの平均粒子径は体積平均粒子径を意味する。なお、個々の粒子の粒子径は球相当半径であり、球状でない場合には同体積の球に換算した場合の粒子径である。  
前記接着剤層の層厚は１５〜５０μｍであることが好ましい。  
前記接着剤はホットメルト型接着剤であることが好ましい。前記接着剤層は前記シンチレータ層の発光波長に吸収を持つ着色剤を含有することがより好ましい。
【００１３】
本発明の放射線画像検出装置は、上記放射線変換シートと、前記シンチレータ層により変換された可視光を検出して放射線画像を表す電気信号に変換する複数の半導体検出素子が配列された光電変換センサとが、前記中間層を介して接合されたものであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の放射線変換シートは、支持体と、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、中間層とがこの順に積層された放射線変換シートであって、中間層が放射線変換シートと光電変換センサとを接合するための層であり、中間層のヘイズ度が３〜５０％の範囲であるので、この放射線変換シートを用いて作製した放射線画像検出装置においては、中間層における散乱長（光が散乱されずに進める距離）が短くなる。このため、シンチレータ発光光は、発光した地点から遠い地点の光電変換センサまで進む確率が低くなり、発光した地点から近い、近傍の光電変換センサに到達する確率が高くなる。つまり、散乱長を短くすることによって、画像のボケにつながる光の割合を少なくすることができる。
【００１５】
従って、従来と同様の厚みの中間層であれば、高い鮮鋭度を得ることが可能であるし、従来と同様の鮮鋭度でよければ、より厚い中間層にすることができる。すなわち、本発明の放射線変換シートにより、設計の自由度を広げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の放射線変換シートおよび放射線画像検出装置について説明する。図１は、本発明の一実施の形態である放射線変換シートの概略断面図である。
【００１７】
図１に示す放射線変換シート１０は、支持体１と、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータ層２と、中間層３とが順に積層され、中間層３のシンチレータ層２の反対側面に剥離シート４が設けられてなるものである。支持体１とシンチレータ層２との間には、静電気防止のための導電性層５と光を反射する光反射層６とが設けられている。
【００１８】
中間層３は、放射線変換シート１０と後述する光電変換センサとを接合するための層であり、ヘイズ度が３〜５０％の範囲である。中間層３はフィラーを含有する接着剤層であることが好ましく、接着剤としては、ホットメルト型接着剤、反応性ホットメルト型接着剤、または熱硬化樹脂等の接着剤を好ましく用いることができ、特に光電変換センサ表面の凹凸を吸収するという観点からはホットメルト型接着剤がより好ましい。
【００１９】
フィラー材料としては、アルミナ、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム等の無機材料、高架橋アクリル樹脂、高架橋ポリスチレン樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、シリコーン樹脂等の有機材料を好ましく挙げることができ、これらのるフィラー材料はこれらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは適宜組み合わせて用いてもよい。
【００２０】
中間層３が接着剤層である場合のフィラーは、接着剤層の厚みに応じて適宜決定すればよいが、平均粒子径が０．１〜１０μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．３〜５μｍ、さらには０．５〜３μｍであることが望ましい。平均粒子径が０．１μｍよりも小さい場合には、光散乱が弱くなり、ヘイズ度が低くなってその調整が難しく、一方１０μｍよりも大きくなると接着剤層のムラが大きくなるため好ましくない。
【００２１】
フィラーの含有量は、接着剤層の接着剤に対して５〜５０質量％の範囲であることが好ましく、より好ましくは５〜２０質量％、さらには５〜１０質量％であることが望ましい。平均粒子径が５質量％よりも少ない場合にはヘイズ度が十分にあがらず、一方５０質量％よりも多くなるとヘイズ度が上がりすぎることと、フィラーが過剰になることにより接着材層の脆性が低下することとなって好ましくない。
【００２２】
中間層３がフィラーを含有する接着剤層である場合、フィラーの平均粒子径を０．１〜１０μｍの範囲で、フィラーの含有量を接着剤層の接着剤に対して５〜５０質量％とすることにより、ヘイズ度が３〜５０％の範囲の中間層３とすることができる。
【００２３】
中間層３の層厚は１０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜３５μｍであり、さらには１５〜２５μｍであることが好ましい。１０μｍよりも薄い場合には、後述する光電変換センサと接合した場合に、半導体検出素子形状の凹凸が大きい場合にはこれを十分に吸収することができず、放射線変換シートと光電変換センサの基板表面との間に空隙が生じる場合がある。一方、５０μｍよりも厚い場合には、画像の鮮鋭度に影響を及ぼすため好ましくない。
【００２４】
なお、中間層３は接着剤層に限定されるものではなく、ポリアクリル系粘着剤、シリコーンゴム系粘着剤、ポリビニルブチルエーテル系粘着剤、ポロイソブチレン系粘着剤、天然ゴム系粘着剤等の粘着層（接着後も接着面から剥がし取ることができる粘着剤で形成される層）であってもよい。
【００２５】
また、中間層３は着色剤を含有していてもよい。色素としては、シンチレータ層の発光波長に吸収を持つことが好ましく、例えば、シンチレータ層に含有される蛍光体が（Ｇｄ，Ｙ）2Ｏ2Ｓ：Ｔｂであれば、５４５ｎｍ付近の発光スペクトルの主ピークやその他の副ピークの波長に吸収を持つことが好ましい。中間層に色素を含有させることにより、シンチレータ層からの発光光は、発光した地点から遠い地点の光電変換センサまで進む確率が低くなり、発光した地点から近い、近傍の光電変換センサに到達する確率が高くなる。つまり、散乱長を短くすることによって、画像のボケにつながる光の割合を少なくすることができる。
【００２６】
着色剤は中間層材料に溶解または分散されればよく、有機色素系であれば、シアニン系、メロシアニン系、フタロシアニン系、アゾ系、クマリン系等の色素を用いることができる。また無機系顔料を分散してもよい。
【００２７】
支持体１は、例えばプラスチック基板、シリコン基板、カーボン基板などを用いることができる。プラスチック材料として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料、または樹脂材料に酸化チタン、酸化アルミニウムなどの顔料を混入した白色樹脂材料、あるいは種々の金属粒子、金属箔を用いることができる。
【００２８】
シンチレータ層２は、放射線を可視光に変換する機能を有し、蛍光体材料とバインダ樹脂から成る蛍光体層が用いられる。シンチレータ層２に用いられる蛍光体としては、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、（Ｇｄ，Ｙ）2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、（Ｇｄ，Ｙ）2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ：Ｔｍ、ＧｄＴａＯ4：Ｔｂ、Ｇｄ2Ｏ3・Ｔａ2Ｏ5・Ｂ2Ｏ3：Ｔｂ、ＣａＷＯ4、ＢａＳＯ4：Ｐｂ、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、ＨｆＯ2：Ｔｉ、ＨｆＰ2Ｏ7：Ｃｕ、ＣｄＷＯ4、ＹＴａＯ4、ＹＴａＯ4：Ｔｍ、ＹＴａＯ4：Ｎｂ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ、Ｌｕ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＬｕＳｉＯ4：Ｃｅのような放射線励起により高効率な瞬時発光を呈する蛍光体であればいずれも使用することができる。
【００２９】
シンチレータ層２は蛍光体と結合剤とを所定量混合し、更にこれに有機溶剤を加えて適当な粘度の蛍光体塗布液を調製し、この塗布液をロールコーターや、ドクターブレードコート等によって支持体１上に塗布し、乾燥して得ることができる。なお、シンチレータ層２は、蛍光体材料として例えばＣｓＩ：Ｔｌなどの柱状結晶の層を、支持体１上に蒸着法により形成することによっても得ることができる。
【００３０】
結合剤としては、硝化綿以外に酢酸セルロース、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、綿状ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、ゼラチン、放射線変換シートの結合剤として知られているものであれば、特に限定されるものではない。
【００３１】
導電性層５は、金属材料、金属酸化物材料や導電性有機物質が好ましい。金属材料としては、放射線吸収率が低いという観点から、マグネシウム、およびマグネシウム合金、アルミニウム、およびアルミ合金等が好ましい。金属酸化物材料としては、ＳｎＯ2（Ｓｂドープ）針状微粒子等が好ましく用いられる。導電性有機物質としては、導電性カーボンフィルム等が好ましく挙げられる。
【００３２】
光反射層６は光反射性物質を含む層であり、光反射性物質の例としては、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ＢａＳＯ4、ＳｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＣａＣＯ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、２ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＰｂＦ2、ＢｉＦ3、Ｙ2Ｏ3、ＹＯＣｌ、ＭＩＩＦＸ（ＭＩＩはＢａ、Ｓｒ及びＣａのうちの少なくとも一種であり、ＸはＣｌ及びＢｒのうちの少なくとも一種である）、リトポン（ＢａＳＯ4＋ＺｎＳ）、ケイ酸マグネシウム、塩基性ケイ硫酸鉛、塩基性リン酸鉛、ケイ酸アルミニウムなどの白色顔料；種々の金属粒子もしくは金属箔；および中空構造のポリマー粒子を挙げることができる。これらの物質は単独で用いてもよいし、あるいは適宜組み合わせて用いてもよい。これらのうちでも高い屈折率を有するという観点からは、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＰｂＦ2、ＢｉＦ3、Ｙ2Ｏ3、ＹＯＣｌがより好ましい。
【００３３】
剥離シート４は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリプロピレン等の各種樹脂よりなるフィルムを基材とし、この基材の接着剤層３との接合面に、離型コート層（シリコーン層）が形成されたものを用いることができる。剥離シート４の接着剤層３への密着力は、接着剤層３のシンチレータ層２への密着力よりも十分に低いことが好ましい。
【００３４】
続いて、本発明の放射線画像検出装置について説明する。図２は本発明の一実施の形態である放射線画像検出装置の概略断面図である。図２に示す放射線画像検出装置２０は、図１に示す放射線変換シート１０と、シンチレータ層２により変換された可視光を検出して放射線画像を表す電気信号に変換する複数の半導体検出素子が配列された光電変換センサ３０とが中間層３を介して接合されたものである（なお、図２において、図１中の構成要素と同等の構成要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する。）
光電変換センサ３０は、電荷収集電極によって収集された電荷を読み出すためのスイッチング素子（半導体検出素子）３２を有する画素部が２次元状に多数配列された検出層であるアクティブマトリックス層上に、光電変換層、電圧印可電極が順次形成されてなるもので、光電変換層は、シンチレータ層２により変換された可視光を検出して、内部に電荷（電子−正孔）を発生するものである。
【００３５】
アクティブマトリックス層は、ガラス基板、ゲート電極、蓄積容量下部電極、ゲート絶縁膜、蓄積容量上部電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極、層間絶縁膜、電荷収集電極とを有しており、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体層等でもって薄膜トランジスタ（ＴＦＴスイッチ）が構成されている。ＴＦＴスイッチが上記のスイッチング素子３２であり、ソース電極、ドレイン電極は、格子状に配列された電極配線であるデータ配線と蓄積容量上部電極とに接続されている（なお図２におけるスイッチング素子の形状は単純模式化してあり、実際の形状を示したものではない）。
【００３６】
放射線画像検出装置全体としては、電荷収集電極は２次元に複数配列されると共に、電荷収集電極に個別に接続された電荷蓄積容量と、電荷蓄積容量に個別に接続されたＴＦＴスイッチとを複数備えている。これにより、２次元の可視光情報を一旦電荷蓄積容量に蓄積し、ＴＦＴスイッチを順次走査していくことで、２次元の電荷情報を簡単に読み出すことができるものである。
【００３７】
図２に示すように光電変換センサ３０の表面は複数のスイッチング素子３２が配され、このスイッチング素子３２は配線基板、信号処理素子が、所定の配列方向に沿って配置された構成となっているため、その素子形状に起因する凹凸が存在している。中間層３がフィラーを有する接着剤層であって、フィラーの平均粒子径が０．１〜１０μｍの範囲であり、フィラーの含有量が接着剤層の接着剤に対して５〜５０質量％の場合には、光電変換センサ３０の表面の凹凸を、含有するフィラーによって吸収することができるので、放射線変換シート１０と光電変換センサ３０との間の空隙を埋めることができ、シンチレータ層からから発せられた光が半導体検出素子に入射する入射率低下が抑制され、放射線画像検出装置の解像度を向上させることができる。  
以下に本発明の放射線変換シート及び放射線画像検出装置の実施例を示す。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
（シンチレータシートの作製）
ポリビニルブチラール樹脂、ウレタン樹脂脂及び可塑剤の混合物２０重量％を、トルエン、２-ブタノール及び、キシレンの混合溶剤８０重量％に溶解し、十分に攪拌して結合剤を作製した。この結合剤と平均粒子径５μｍのＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ蛍光体を１５：８５の質量％比で混合しボールミルで分散処理して蛍光体塗布液を調製した。この塗布液をドクターブレードを用いて、シリコーン系離型剤が塗布されたポリエチレンテレフタレートシート（仮支持体、厚み：１９０μｍ）の表面に、３００mmの巾で塗布し乾燥した後、仮支持体から剥離して、シンチレータシート（厚み：３００μｍ）を得た。
【００３９】
（導電性層の形成）
下記組成の材料にＭＥＫ５ｇに加え、混合分散して塗布液を調製した。この塗布液をＰＥＴ（支持体、厚み：１８８μｍ、ヘイズ度２７％、ルミラーS-10、東レ（株）製）の表面にドクターブレードを用いて塗布し、乾燥させ、硬化させ、導電性層（膜厚：５μｍ）を形成した。  
樹脂：飽和ポリエステル樹脂（バイロン３００，東洋紡（株）製）のＭＥＫ溶液（固形分３０重量％）  ２０ｇ
硬化剤：ポリイソシアネート（オレスターＮＰ３８−７０Ｓ（固形分７０％）、三井東圧（株）製）  ２ｇ
導電剤：ＳｎＯ2（Ｓｂドープ）針状微粒子）のＭＥＫ分散体（固形分３０重量％）  ５０ｇ
【００４０】
（光反射層の形成）
続いて、下記組成の材料をＭＥＫ３８７ｇに加え、混合分散して塗布液を作製した。この塗布液を導電性層の表面にドクターブレードを用いて塗布し、乾燥して、光反射層（層厚、約１００μｍ）を形成した。  
光反射性物質：高純度アルミナ微粒子（平均粒子径：０．４μｍ）  ４４４ｇ
結合剤：軟質アクリル樹脂（クリスコートＰ−１０１８ＧＳ「２０％トルエン溶液」、大日本インキ化学工業（株）製）  １００ｇ
【００４１】
（シンチレータシートと光反射層との接合）
光反射層面上に、シンチレータシートを塗布形成時の裏面（仮支持体側）が接するようにして重ね、これをカレンダー機を用いて総荷重２３００ｋｇ、上側ロール４５℃、下側ロール４５℃、送り速度０．３ｍ／分にて熱圧縮した。これにより、シンチレータシートは光反射層に完全に融着した。熱圧縮後の層厚は２００μｍであった。
【００４２】
（中間層の形成）
下記組成の材料をＭＥＫ５ｇに加え、混合分散して、塗布液を調製した。この塗布液をＰＥＴ支持体に接合したシンチレータシートの表面に、ドクターブレードを用いて塗布し、乾燥、硬化させ、中間層（層厚：２０μｍ）を形成した。有機フィラーの含有量は、５重量％であった。  
樹脂：飽和ポリエステル樹脂（バイロン３００，東洋紡（株）製）のＭＥＫ溶液（固形分３０重量％）  ２０ｇ
有機フィラー：メラミンーホルムアルデヒド（平均粒子径０．６μｍ）  ０．３５ｇ
硬化剤：ポリイソシアネート（オレスターＮＰ３８−７０Ｓ（固形分７０％）、三井東圧（株）製）  ２ｇ
【００４３】
（剥離シートの形成）
上記中間層を設けたシンチレータシートの中間層に剥離フィルム（シリコーン系離型剤つきＰＥＴフィルム：膜厚５０ｕｍ）を積層して、放射線変換シートを作製した。
【００４４】
（実施例２〜８）
実施例１において、中間層の有機フィラーの含有量、平均粒子径および層厚を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして放射線変換シートを作製した。
【００４５】
（比較例1〜３）
実施例１において、中間層の有機フィラーの含有量、平均粒子径および層厚を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして放射線変換シートを作製した。
【００４６】
（評価）
上記実施例および比較例で作製した放射線変換シートを剥離フィルムを取り除いて、半導体検出素子基板に貼付け、熱ローラーラミネート機（圧力０．５Ｎ／ｍ2、温度５０℃、送り速度０．３ｍ／ｍｉｎ）を通して接着し放射線画像検出装置を作製し、以下の項目について測定、評価した。
【００４７】
（ヘイズ度の測定）
実施例および比較例で作製した放射線変換シートのそれぞれと同一の組成の中間層を、透明なＰＥＴシート（厚み：２５μｍ）上に塗布乾燥して形成し、試料を作製した。この試料のヘイズ度をヘイズメータ（ＮＤＨ−３００Ａ、日本電色（株）製）を用いて測定した。次いで、ＰＥＴのみのヘイズ度を測定し、中間層単体のヘイズ度を算出した。
【００４８】
（ＭＴＦ−鮮鋭度評価）
放射線画像検出装置の表面に、ＭＴＦチャートを介して、ＲＱＡ５準拠のＸ線（５ｍＲ）を照射し、画像を取得して以下のように評価を行った。  
なお、ＭＴＦの評価基準としては、１ｃｙｃｌｅ／ｍｍでの評価値が５０％以上を◎、４０％以上５０％未満を○、３０％以上４０％未満を△、３０％未満を×とした。
【００４９】
結果を表１に示す。
【表１】
2010025780.tif 000003
【００５０】
表１から明らかなように、中間層がフィラーを含有する接着剤層である場合、このフィラーの平均粒子径が０．１〜１０μｍの範囲であり、フィラーの含有量が接着剤層の接着剤に対して５〜５０質量％である場合には、ヘイズ度が３〜５０％の範囲となる（実施例１〜８）。そして、ヘイズ度をこの３〜５０％の範囲とすることによって、光電変換センサ表面の凹凸を吸収して画像ムラをなくすために、接着層の厚みを２０μｍ以上と厚くしても、高い鮮鋭度を得ることができる。
【００５１】
比較例１〜３はヘイズ度が３〜５０％の範囲に調整されていない従来の接着剤層を用いたものであるが、この場合には従来、鮮鋭度を低下させないために好ましいとされていた層厚２０μｍであっても鮮鋭度を確保することができず（比較例１、２）、さらに薄層厚１０μｍ（比較例３）では、鮮鋭度は確保できたものの、光電変換センサ表面の凹凸を吸収することができず、画像ムラが生じ、実用には耐えないものであった。
【００５２】
（実施例９）
中間層にフィラーと共に、５３５ｎｍ付近に吸収の中心波長をもつクマリン系色素を含有した以外は実施例２と同様にして放射線変換シートを作製した。なお、別途同膜厚の中間層でフィラーを含有させず色素のみ含有した状態での吸光度を測定したところ０．０２であった。
【００５３】
実施例２との比較を下記表２に示す。
【表２】
2010025780.tif 000004
【００５４】
表２から明らかなように、中間層にフィラーに加えて色素を含有することで、中間層の面内方向への光の拡散をより抑制することができるので、鮮鋭度をさらに向上させることができた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施の形態である放射線変換シートを示す概略断面図
【図２】本発明の一実施の形態である放射線画像検出器を示す概略平面図
【符号の説明】
【００５６】
１    支持体
２    シンチレータ層
３    中間層
４    剥離シート
５    導電性層
６    光反射層
１０  放射線変換シート
２０  放射線画像検出装置
３０  光電変換センサ
３２  スイッチング素子
【図１】
2010025780.tif 000005
【図２】
2010025780.tif 000006