(57)【要約】【課題】薄膜が形成されたガラスウェハの反りを軽減し、かつ容易に製造が可能な撮像デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】撮像デバイスの製造方法は、ガラスウェハ２０の第１表面上の一部にマスク２１を形成する工程と、前記ガラスウェハの前記第１表面上に薄膜３０を形成する工程と、前記マスクを除去し、前記ガラスウェハの前記第１表面上の前記一部における前記薄膜に溝を形成する工程と、前記ガラスウェハの前記第１表面に対向する第２表面に半導体ウェハ１０を接着する工程と、を具備する。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスウェハの第１表面上の一部にマスクを形成する工程と、
前記ガラスウェハの前記第１表面上に薄膜を形成する工程と、
前記マスクを除去し、前記ガラスウェハの前記第１表面上の前記一部における前記薄膜に溝を形成する工程と、
前記ガラスウェハの前記第１表面に対向する第２表面に半導体ウェハを接着する工程と、
を具備することを特徴とする撮像デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記ガラスウェハの前記第１表面上の前記一部は、ダイシングライン上であることを特徴とする請求項１記載の撮像デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記マスクは、メタルマスクであることを特徴とする請求項１又は２記載の撮像デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記薄膜は、赤外線カットフィルムであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の撮像デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ガラスウェハに薄膜を直接形成する撮像デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、搭載される半導体デバイスも小型化、高集積化される必要がある。１９９０年代後半にはWafer Level Chip Scale Package（ウェハレベルＣＳＰ）の実用化の検討が始まっている。このウェハレベルＣＳＰは、リード線を配したフリップチップ方式であり、半導体チップ表面を下向きにしてバンプにより基板と接合させている。
【０００３】
また、１９９０年代後半から、複数の半導体チップを三次元的に積層し、大幅な小型化を実現できる積層型パッケージ（マルチチップパッケージ）の開発も行われており、貫通電極を用いたパッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。光学素子でウェハレベルＣＳＰの検討が始まるのは２０００年前後からである。最近になり、ウェハレベルでガラス＋接着層＋イメージセンサ＋貫通電極の構造を備えたデバイスが作成されるようになってきた。
【０００４】
一方、カメラモジュールは、撮像素子、レンズ、赤外線カットフィルム（ＩＲＣＦ）、絞り及び光シールドなどの部品により構成される。しかし、カメラモジュールは安価に作成する必要があるため、部品点数は少しでも減らす事が望まれる。このため、貫通電極とガラス基板を有する撮像デバイスの場合、ガラス基板上にＩＲＣＦを直接形成する事が考えられる。ところが、これをウェハレベルで行おうとすると、ＩＲＣＦとガラス基板との熱膨張係数の関係により、ガラス基板が縮む方向又はガラス基板が伸びる方向に反りが発生し、特に直径３００ｍｍなどの大口径サイズの場合にガラス基板の反りが大きくなる。その結果、製造装置にて搬送ができない、ステージで吸着できないなどの問題が発生する。
【０００５】
この問題を解決するために、特許文献２では、ガラス基板にＩＲＣＦを直接形成する前に、ガラス基板に溝を設けることで、ガラス基板の反りを抑制することができる。
【０００６】
しかしながら、上述した特許文献２のようなＩＲＣＦ付ガラス基板の製造方法では、ガラス基板に溝を設ける工程が困難であり、高度な加工精度が必要となる。このため、ＩＲＣＦ付ガラス基板を容易に製造することが困難であり、さらに製造コストが高くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−２２３８３３号公報
【特許文献２】特開２００６−２８２４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、薄膜が形成されたガラスウェハの反りを軽減し、かつ容易に製造が可能な撮像デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様による撮像デバイスの製造方法は、ガラスウェハの第１表面上の一部にマスクを形成する工程と、前記ガラスウェハの前記第１表面上に薄膜を形成する工程と、前記マスクを除去し、前記ガラスウェハの前記第１表面上の前記一部における前記薄膜に溝を形成する工程と、前記ガラスウェハの前記第１表面に対向する第２表面に半導体ウェハを接着する工程と、を具備する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、薄膜が形成されたガラスウェハの反りを軽減し、かつ容易に製造が可能な撮像デバイスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るカメラモジュールを示す断面図。
【図２】本発明の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示すプロセスフロー。
【図３】図３（ａ）は、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例１を示す平面図、図３（ｂ）は、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例１を示す断面図。
【図４】図４（ａ）は、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例２を示す平面図、図４（ｂ）は、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例２を示す断面図。
【図５】図５（ａ）は、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例３を示す平面図、図５（ｂ）は、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例３を示す断面図。
【図６】図６（ａ）は、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の製造方法を示す断面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）に続く、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の製造方法を示す断面図、図６（ｃ）は、図６（ｂ）に続く、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の製造方法を示す断面図、図６（ｄ）は、図６（ｃ）に続く、本発明の実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の製造方法を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。ここでは、撮像デバイスとしてカメラモジュールを例に取る。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１３】
（１）カメラモジュールの構造
まず、本実施形態に係るカメラモジュールの構造について説明する。図１は、本実施形態に係るカメラモジュールの構成を示す断面図である。
【００１４】
図１に示すように、カメラモジュールは、シリコン基板（撮像素子チップ）１０、ガラス基板（カバーガラス）２０、ハンダボール１１、ＩＲＣＦ（赤外線カットフィルム）３０、遮光兼電磁シールド６０、撮像レンズ４０、レンズホルダー５０を備えている。
【００１５】
ガラス基板２０は光透過性支持基板である。このガラス基板２０の第１表面上にＩＲＣＦ３０が形成されている。ＩＲＣＦ３０上に接着剤７２を介して撮像レンズ４０を含むレンズホルダー５０が被せられている。ここで、ガラス基板２０の端部において、ＩＲＣＦ３０が形成されていない領域があってもよい。
【００１６】
ガラス基板２０の第２表面とシリコン基板１０の第１表面とが、接着剤７１を介して貼り合わせられている。シリコン基板１０の第１表面上には、撮像素子（図示せず）が形成されている。この撮像素子上には接着剤７１が存在しない領域が設けられている。これは、マイクロレンズと接着剤７１との屈折率がほぼ同じでマイクロレンズの集光効果がなくなってしまうことを防止するためである。シリコン基板１０の第２表面上には、外部端子、例えばハンダボール１１が形成されている。シリコン基板１０及びガラス基板２０の周囲に遮光兼電磁シールド６０が配置され、この遮光兼電磁シールド６０は接着剤７３でレンズホルダー５０と接着されている。
【００１７】
（２）カメラモジュールの製造方法
次に、本実施形態に係るカメラモジュールの製造方法について説明する。図２は、図１のカメラモジュールの製造方法を示すプロセスフローである。本実施形態では、貫通電極及びガラス基板を有するカメラモジュールがウェハレベルで作成される。
【００１８】
まず、シリコン基板（シリコンウェハ）１０に固体撮像デバイス（図示せず）が形成される（ステップＳ１）。すなわち、シリコン基板１０上に、フォトダイオード及びトランジスタを含む撮像素子が形成される。さらに、シリコン基板１０上に、内部電極（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、素子面電極（図示せず）、カラーフィルタ（図示せず）及びマイクロレンズ（図示せず）が形成される。続いて、撮像素子を含む各チップに対してダイソートテストが行われ、各チップが正常に動作するか否かが検査される（ステップＳ２）。ダイソートテストでは、素子面電極にテスターの針が当てられる。
【００１９】
次に、シリコン基板１０の第１表面上に接着剤７１がスピンコート法又はラミネート法により形成される。接着剤７１は、接着機能と共に、リソグラフィによってパターニングできる機能及びパターニング形状を保つ機能を有している。シリコン基板１０上に形成された接着剤７１は、リソグラフィにより撮像素子上は抜くように、すなわち形成されないようにパターニングが行われる（ステップＳ３）。
【００２０】
一方、上記ステップＳ１乃至ステップＳ３の工程と別に、ガラス基板（ガラスウェハ）２０上にＩＲＣＦ３０が形成される工程が行われる。まず、透明基板、例えばガラス基板２０を準備する（ステップＳ４）。その後、ガラス基板２０の第１表面上に、蒸着によりＩＲＣＦ３０が直接形成される（ステップＳ５）。
【００２１】
次に、接着剤７１が付いたシリコン基板１０の第１表面を、ガラス基板２０の第２表面と貼り合わせる（ステップＳ６）。
【００２２】
次に、バックグラインド等により、シリコン基板１０が第２表面側から削られ薄くなる（ステップＳ７）。バックグラインド後のシリコン基板１０の第２表面には削じょう痕が残っており、その凹凸は数μｍ〜１０μｍに及ぶ。このまま、次のリソグラフィとＲＩＥの工程に進むと、リソグラフィ不良、ＲＩＥ不良を起こす恐れがある。そこで、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish）やウェットエッチングなどにより、シリコン基板１０の第２表面を平坦化することが望ましい。また、シリコン基板１０の厚さのバラつきは、平均値±５μｍ以内に収める必要がある。もし、面内でシリコン基板１０の厚さにバラつきがあると、次のＲＩＥ工程で、シリコンが厚い部分ではエッチング不足が生じ、シリコンが薄い部分では底部にノッチングと呼ばれるえぐれが生じることになる。
【００２３】
次に、シリコン基板１０の第２表面上にレジストが塗布され、シリコン基板１０の第１表面のパッド開口部（図示せず）と対応する位置にリソグラフィにより開口が行われる（ステップＳ８）。このとき、シリコン基板１０の第１表面上にある合わせマーク（図示せず）に対して、シリコン基板１０の第２表面の開口の合わせを行うことになるので、両面アライナ、両面ステッパなどの手段を用いることが必要になる。
【００２４】
次に、パターニングしたレジストをマスクとして、次のように貫通孔の形成が行われる（ステップＳ９）。
【００２５】
まず、シリコン基板１０のシリコンだけがＲＩＥによりエッチングされていく。ところで、撮像素子やトランジスタを形成するシリコンデバイスプロセスは、通常、ウェル形成、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）形成、ソース/ドレイン形成、ゲート/電極形成、配線形成の順番で進んでいく。ここで、ＳＴＩ形成において、ある大きさ以上のシリコンの丘も浅いトレンチも形成されることは望ましくない。これは、ＣＭＰ時に大きなサイズのシリコンの丘が存在すると、ＣＭＰ残りがその丘の上で発生したり、大きなサイズの浅いトレンチが存在すると、その中での削り過ぎが発生したりする。このため、どちらの場合も、次のリソグラフィ工程での合わせズレや、上層のメタル配線の配線切れなどを引き起こしてしまう可能性がある。そこで、通常、電極パッドなどのように巨大なパターンを形成する部分のシリコン基板１０には、ダミーのＳＴＩが形成されている。
【００２６】
しかし、貫通電極を形成する場合は、電極パッドの下にはＳＴＩを配さないことが重要である。これは、シリコン基板１０のＲＩＥと絶縁膜のＲＩＥでガス種類が異なり、もし、シリコン基板１０のＲＩＥ時に、シリコン基板１０中に絶縁膜のパターンがあると、そこでエッチング不良を起こして剣山状のエッチング残りが形成されてしまう恐れがあるからである。ＳＴＩのＣＭＰ時にどうしても電極パッド下にＣＭＰ残りが発生する場合には、残りが生じる部分をリソグラフィで開口して、先に一部ウェットなどによりエッチングした後にＣＭＰを行い、ＣＭＰ残りを無くすなどの方法を行う必要がある。
【００２７】
また、ＲＩＥで形成されるシリコン基板１０の貫通孔の形状は、第２表面の開口部から奥に行くに従って徐々に狭くなっていくテーパー形状が望ましい。もし、ノッチングやボーイング形状が生じて逆向きのテーパーが形成されると、次のＣＶＤによる絶縁膜の形成不良やスパッタによるメタルシード層の形成不良を発生させる原因となる。
【００２８】
シリコン基板１０のＲＩＥ時のストッパーになるのは、層間絶縁膜（図示せず）の中でシリコン基板１０に直に接している層又はシリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜などである。
【００２９】
次に、アッシングとウェット洗浄によりレジストの剥離が行われる（ステップＳ１０）。尚、好ましくは、シリコンのＲＩＥの後、又はレジスト剥離の後に、ＨＦ系のウェット洗浄を行い、ＲＩＥ残渣の除去を行うことが望まれる。
【００３０】
次に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの方法により、シリコン基板１０の第２表面全面にＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮなどの絶縁膜（図示せず）が形成される（ステップＳ１１）。
【００３１】
次に、再度、レジストが塗布され、シリコン基板１０の貫通孔の底部のみがリソグラフィで開口され（ステップＳ１２）、レジストをマスクとして絶縁膜のＲＩＥが行われる（ステップＳ１３）。絶縁膜のＲＩＥでは、先に形成されたＣＶＤ絶縁膜とシリコンデバイスプロセスで形成されたシリコン基板１０と内部電極との間にある全ての絶縁膜がエッチングされる。このとき、絶縁膜のＲＩＥ時のストッパーとなるのは、内部電極である。
【００３２】
続いて、アッシングとウェット洗浄によりレジストが剥離される（ステップＳ１４）。尚、内部電極の表面が数ｎｍ〜数十ｎｍ程度酸化されている可能性があるので、アルカリ系のウェットエッチングにより若干エッチングされることが望ましい。
【００３３】
次に、スパッタにより絶縁膜上及び内部電極上にメタルシード層が形成される（ステップＳ１５）。スパッタプロセスにおいて、まず逆スパッタにより内部電極の表面の酸化層が除去されることが望ましい。続けて、Ｔｉ、Ｃｕなどのメタルシードのスパッタが行われる。尚、内部電極表面のコロージョン発生を防止するために、絶縁膜のＲＩＥとメタルシードスパッタの間の時間は好ましくは３時間以内、長くても２４時間以内で行われることが必要である。
【００３４】
次に、シリコン基板１０の第２表面上の電極パターニングのためにレジストが塗布され、電極を形成しない部分のみにレジストが残されるようにリソグラフィによりパターニングが行われる（ステップＳ１６）。次に、電界めっき等によりメタルシード層にメッキが行われ、貫通電極及び配線の形成が行われる（ステップＳ１７）。その後、ウェットエッチングなどの方法でレジストが剥離される（ステップＳ１８）。続いて、ウェット洗浄などによりメタルシードのエッチングが行われ、貫通電極及び配線以外の領域では絶縁膜が露出される（ステップＳ１９）。尚、先に全面に電界めっきが行われ、その後、リソグラフィとエッチングにより貫通電極及び配線が形成される方法も考えられるが、このやり方の場合、使用するめっき液の量が多くなり高価なプロセスとなってしまう。
【００３５】
次に、シリコン基板１０の第２表面の全面にソルダーレジスト（図示せず）がスピンコート等の方法により形成される。さらに、ハンダボール１１を載せる領域のみ、リソグラフィによりソルダーレジストの開口が行われる（ステップＳ２０）。その後、導通チェックが行われ（ステップＳ２１）、ソルダーレジストの開口部分の導電体層（図示せず）上にハンダボール１１が載せられる（ステップＳ２２）。
【００３６】
最後に、シリコン基板１０及びガラス基板２０がダイシングにより個片化され（ステップＳ２３）、ピックアップ（ステップＳ２４）、レンズ４０の搭載（ステップＳ２５）、及び画像チェック（レンズ調整）（ステップＳ２６）が行われる。以上により、カメラモジュールが梱包され（ステップＳ２７）、カメラモジュールの製造が終了する。
【００３７】
本実施形態では、光透過性支持基板としてガラス基板２０を用いているが、各種レジストの硬化やＣＶＤで１００℃〜２００℃の温度が加えられる。これにより、シリコンとガラスの熱膨張係数が異なると、シリコン基板１０のクラック発生や破壊などが生じてしまう。このため、極力、シリコンとガラスとは、例えば３．１７−３．３×１０−６（Ｋ−１）程度の熱膨張係数が同等であるものを用いる必要がある。また、通常、シリコンと熱膨張係数が同程度のガラスは絶縁物で抵抗が高い。しかし、ＲＩＥ装置、アッシャー装置、スパッタ装置などでは、処理中のサンプルの保持はメカニカルチャックではなく静電チャックにより行われる。この場合、ガラス基板２０では静電チャックで保持できないという不都合が生じる。これを回避するために、ガラス基板２０の表面に導電性のフィルム、板などを接着したり、導電性の液体をスピンコートしたりする必要が生じる場合がある。
【００３８】
（３）ＩＲＣＦが形成されたガラス基板（ガラスウェハ）の構造
次に、本実施形態に係るカメラモジュールにおけるＩＲＣＦが形成されたガラス基板（以下、ＩＲＣＦ付ガラス基板と称す。）の構造について詳説する。ここでは、ダイシング工程前のウェハレベルにおけるＩＲＣＦ付ガラス基板について説明する。
【００３９】
図３（ａ）は、本実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例１の平面図を示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図を示す。
【００４０】
図３（ａ）に示すように、構造例１のＩＲＣＦ付ガラス基板では、ガラス基板２０の第１表面上にＩＲＣＦ３０が存在しない領域（以下、第１領域と称す。）とＩＲＣＦ３０が存在する領域（以下、第２領域と称す。）とが形成されている。第１領域は、ガラス基板２０上に十字に形成され、ダイシングライン上に設けられている。第２領域は、ガラス基板２０上において第１領域により区画されている。
【００４１】
図３（ｂ）に示すように、構造例１のＩＲＣＦ付ガラス基板の断面において、第１領域では、ＩＲＣＦ３０は存在しないため、ガラス基板２０が露出している。第２領域では、ガラス基板２０上にＩＲＣＦ３０が直接形成されている。ここで、第２領域におけるＩＲＣＦ３０は、高屈折率層（例えばＴａ２Ｏ５）と低屈折率層（例えばＳｉＯ２）を交互に、例えば４０層積層されることで構成されている。
【００４２】
図４（ａ）は、本実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例２の平面図を示す。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図を示す。
【００４３】
図４（ａ）に示すように、構造例２のＩＲＣＦ付ガラス基板において、第１領域は、ガラス基板２０上に縦及び横に複数本形成され、ダイシングライン上に設けられている。第２領域は、ガラス基板２０上において複数本の第１領域により区画されている。これにより、構造例２における第２領域は、上記構造例１より小さく区画されている。
【００４４】
図４（ｂ）に示すように、構造例２のＩＲＣＦ付ガラス基板の断面において、それぞれの第１領域では、ＩＲＣＦ３０は存在しないため、ガラス基板２０が露出している。また、それぞれの区画された第２領域では、ガラス基板２０上にＩＲＣＦ３０が直接形成されている。
【００４５】
図５（ａ）は、本実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の構造例３の平面図を示す。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＶＢ−ＶＢ線における断面図を示す。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、構造例３のＩＲＣＦ付ガラス基板において、第１領域は、ガラス基板２０上の全てのダイシングライン上に設けられている。第２領域は、ガラス基板２０上において複数の第１領域により区画されている。すなわち、第２領域は、全てのダイシングラインにより区画されている。これにより、構造例３における第２領域は、チップレベルに区画されている。
【００４７】
図５（ｂ）に示すように、構造例３のＩＲＣＦ付ガラス基板の断面において、それぞれの第１領域では、ＩＲＣＦ３０は存在しないため、ガラス基板２０が露出している。すなわち、全てのダイシングライン上におけるガラス基板２０が露出している。また、それぞれの区画された第２領域では、ガラス基板２０の第１表面上にＩＲＣＦ３０が直接形成されている。
【００４８】
このような上記構造例１乃至構造例３では、ＩＲＣＦ付ガラス基板にＩＲＣＦ３０が存在しない第１領域が形成されているため、ガラス基板上の全面にＩＲＣＦが形成された場合よりも、ガラス基板２０の反り量を低減できる。また、構造例２のように、ＩＲＣＦ３０が存在しない第１領域を増加させることで、ガラス基板２０の反り量をより低減できる。さらに、構造例３のように、ＩＲＣＦ３０が存在しない第１領域が全てのダイシングライン上に形成されることで、チップレベルでＩＲＣＦ付ガラス基板が形成される場合と同等にガラス基板２０の反り量を低減できる。
【００４９】
尚、上記構造例１乃至構造例３において、ＩＲＣＦ３０が存在しない第１領域におけるガラス基板２０の第１表面とＩＲＣＦ３０が存在する第２領域におけるガラス基板２０の第１表面とは、同じ高さである。つまり、両者は、平坦な面となっている。
【００５０】
（４）ＩＲＣＦ付ガラス基板の製造方法
以下に、本実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の製造工程（上記図２のステップＳ４及びステップＳ５）について詳説する。図６（ａ）乃至（ｄ）は、本実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板の製造工程の断面図を示す。
【００５１】
まず、図６（ａ）に示すように、透明基板、例えばガラス基板（ガラスウェハ）２０を準備する。このガラス基板２０は例えば、厚さが５００μｍで、径が３００ｍｍである。
【００５２】
次に、図６（ｂ）に示すように、ガラス基板２０の第１表面上のダイシングライン上にマスク２１が形成される。このマスク２１は、例えば、厚さ１００μｍのメタルマスクが望ましいが、これに限らず、例えばドラフティングテープを貼付してもよい。
【００５３】
次に、図６（ｃ）に示すように、マスク２１から露出されたガラス基板２０の第１表面上及びマスク２１上にＩＲＣＦ３０及び３０’が形成される。このＩＲＣＦ３０及び３０’は、例えば、蒸着により、厚さ１μｍ形成される。また、このＩＲＣＦ３０及び３０’は、高屈折率層（例えばＴａ２Ｏ５）と低屈折率層（例えばＳｉＯ２）を交互に、例えば４０層積層される。尚、ＩＲＣＦ３０及び３０’の形成方法は、蒸着に限らず、スパッタ法でもよい。
【００５４】
次に、図６（ｄ）に示すように、マスク２１が除去され、同時にマスク２１上に形成されたＩＲＣＦ３０’が除去される。このため、ガラス基板２０上にＩＲＣＦが存在しない領域が形成され、この領域におけるガラス基板２０が露出される。つまり、ＩＲＣＦに溝が形成される。このようにして、本実施形態に係るＩＲＣＦ付ガラス基板が形成される。
【００５５】
尚、ガラス基板２０の第１表面上のダイシングライン上にマスク２１が形成される工程（図６（ｂ））において、上記構造例１では、ダイシングライン上に十字状にマスク２１が形成され、上記構造例２では、複数本のダイシングライン上に碁盤目状にマスク２１が形成される。また、上記構造例３では、全てのダイシングライン上にマスク２１が形成される。
【００５６】
尚、上記図６（ａ）乃至（ｄ）に示す製造方法以外に、以下のようにＩＲＣＦ付ガラス基板を形成してもよい。まず、シリコン基板上にＩＲＣＦが形成され、このＩＲＣＦ上にレジストが塗布される。次に、レジストがパターニングされ、ダイシングライン上のレジストが除去される。その後、パターニングされたレジストをマスクとして、ＩＲＣＦがエッチングされる。これにより、ＩＲＣＦに溝が形成される。
【００５７】
（５）効果
上記本発明の実施形態によれば、ＩＲＣＦ付ガラス基板が形成される工程において、ガラス基板２０の第１表面におけるダイシングライン上にマスク２１が形成される。その後、マスク２１から露出されたガラス基板２０の第１表面上及びマスク２１上にＩＲＣＦ３０及び３０’が形成された後、マスク２１及びＩＲＣＦ３０’が除去される。このようにして、ガラス基板２０の第１表面にＩＲＣＦ３０が存在しない領域が設けられたＩＲＣＦ付ガラス基板が形成される。
【００５８】
上述するように、ウェハレベルでＩＲＣＦをガラス基板に直接形成する場合、マスク２１の形成、ＩＲＣＦ３０及び３０’の形成、マスク２１及びＩＲＣＦ３０’の除去が行われる。従って、ＩＲＣＦ付ガラス基板を容易に形成することができ、製造コストの増大を抑制できる。
【００５９】
また、本実施形態では、ＩＲＣＦ付ガラス基板において、ＩＲＣＦ３０が存在しない領域が設けられる。このため、ウェハレベルでＩＲＣＦ付ガラス基板を形成した場合も、ＩＲＣＦ３０に溝を入れることで、ガラス基板２０の反り量をＩＲＣＦ３０が存在しない領域の位置で切断してなるＩＲＣＦ付ガラス基板単位の反り量と同程度に抑制することができる。例えば、厚さが５００μｍのガラス基板２０にＩＲＣＦ３０が直接形成される場合、ガラス基板２０の反りを１００μｍ以下に軽減することができる。これにより、カメラモジュールをウェハレベルで形成する場合においても、径が３００ｍｍのシリコン基板１０とＩＲＣＦ付ガラス基板とを良好に接着することが可能である。
【００６０】
このように、本実施形態では、ＩＲＣＦ付ガラス基板の反り量を軽減しつつ、ＩＲＣＦ付ガラス基板を容易に製造することが可能である。
【００６１】
また、本実施形態におけるカメラモジュールでは、上述するように、ＩＲＣＦ付ガラス基板の反り量が小さくなることにより、ガラス基板２０にＩＲＣＦ３０を直接形成することができ、従来、ＩＲＣＦを貼り付けていたＩＲカットガラスを取り除くことが可能となる。これにより、カメラモジュールの部品点数を減らすことができ、カメラモジュールの製造コストを下げることができる。さらに、撮像レンズ４０とガラス基板との間に設けられていた上記ＩＲカットガラスを取り除くことにより、撮像レンズ４０とＩＲＣＦ付ガラス基板との距離を縮めることができるため、カメラモジュールの小型化を図ることができる。
【００６２】
その他、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００６３】
１０…シリコン基板、２０…ガラス基板、２１…マスク、１１…ハンダボール、３０，３０’…赤外線カットフィルム（ＩＲＣＦ）、４０…撮像レンズ、５０…レンズホルダー、６０…遮光兼電磁シールド、７１，７２，７３…接着剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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