(57)【要約】【課題】基板とエッチング液との濡れ性をばらつき無く改善し、エッチング処理を施すことで、エッチングする量のばらつきの発生を抑制し、精度良いエッチング処理を施す。【解決手段】ミスト状液体Ｌが、その表面張力により表面積を小さくし球形を維持した状態で、基板１０に斑なく付着される。これにより、濡れ性が改善されない部分の発生を抑制して、基板１０はエッチング液との濡れ性が均一に確保されるので、基板１０に精度良いエッチング処理を施すことができる。これにより、基板１０の厚みｔａを精度良く薄型化することができる。【選択図】図４
2010021320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にミスト状液体を付着させる付着工程と、
前記付着工程後に、エッチング液を用いて前記基板にエッチング処理を施すエッチング工程とを備えたことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のエッチング方法であって、
前記付着工程は、前記ミスト状液体を保持する付着室の内部に、前記基板を収納することを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】
請求項１に記載のエッチング方法であって、
前記付着工程は、前記基板に前記ミスト状液体を吹きつけることを特徴とするエッチング方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のエッチング方法であって、
前記ミスト状液体の液径は、０．１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のエッチング方法であって、
前記基板は圧電体であることを特徴とするエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェットプロセスのエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、シリコン、ガラス、または水晶などからなる基板に、パターンなどの形状を形成する方法として、エッチング液を用いるウェットプロセスのエッチング方法が用いられている。
そして、基板とエッチング液との濡れ性を良好にするために、まず基板を水に浸漬して、基板とエッチング液との濡れ性を改善する方法が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平４−２５６３１７号公報（２頁〜３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の方法を用いても、基板とエッチング液との濡れ性を改善させることは困難であり、濡れ性が改善される部分と、撥水してしまい濡れ性が改善されない部分とが、発生してしまう。つまり、基板とエッチング液との濡れ性に、ばらつきが発生する。これは、水の表面張力により、水の分子どうしが互いに引寄せあい凝集することによるものと考えられる。このため、このような状態の基板に、エッチング処理を施すと、濡れ性の改善の有無により、エッチングする量のばらつきが発生してしまい、精度良いエッチング処理を施すことができないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるエッチング方法は、基板にミスト状液体を付着させる付着工程と、前記付着工程後に、エッチング液を用いて前記基板にエッチング処理を施すエッチング工程とを備えたことを要旨とする。
【０００７】
これによれば、ミスト状液体が、その表面張力により表面積を小さくし球形を維持した状態で、基板に斑なく付着される。これにより、濡れ性が改善されない部分の発生を抑制して、基板はエッチング液との濡れ性が均一に確保されるので、基板に精度良いエッチング処理を施すことができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかるエッチング方法において、前記付着工程は、前記ミスト状液体を保持する付着室の内部に、前記基板を収納することが好ましい。
【０００９】
これによれば、ミスト状液体を保持する付着室に、基板を収納することによって、ミスト状液体が基板に斑なく付着されて、基板はエッチング液との濡れ性が均一に確保されるので、上述と同様の効果を奏することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかるエッチング方法において、前記付着工程は、前記基板に前記ミスト状液体を吹きつけることが好ましい。
【００１１】
これによれば、ミスト状液体を、基板に吹きつけることによって、ミスト状液体が基板に斑なく付着されて、基板はエッチング液との濡れ性が均一に確保されるので、上述と同様の効果を奏することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかるエッチング方法において、前記ミスト状液体の液径は、０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
これによれば、ミスト状液体の液径が０．１μｍ以上であれば、エッチング処理が施されるまでの間に、基板に付着されたミスト状液体が、気化してしまうことを抑制するので、エッチング液との濡れ性が確保された基板に、精度良いエッチング処理を施すことができる。そして、ミスト状液体の液径が１００μｍ以下であれば、少量の液体を用いて、基板はエッチング液との濡れ性を確保するので、ミスト状液体によってエッチング液の濃度、組成、または性質を変えてしまうことを抑制し、エッチング工程で精度良いエッチング処理を施すことができる。言い換えると、ミスト状液体の液径が１００μｍ以上の大きい液滴であれば、基板がエッチング液との濡れ性を確保しても、多量の液体を用いることで、エッチング液の濃度、組成、または性質を変えてしまい、精度良いエッチング処理を施すことができなくなる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例にかかるエッチング方法において、前記基板は圧電体であることが好ましい。
【００１５】
これによれば、圧電体である基板に精度良いエッチング処理を施すので、基板の厚みを精度良く仕上げることができ、周波数精度の良い圧電振動片を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下の実施形態では、エッチングされる基板として、圧電体の一種である水晶を一例に挙げて説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態のエッチング方法を用いた基板の加工工程の概略を示す概略工程図である。図２は、第１実施形態のエッチング方法を用いた基板の加工工程の概略を示す概略工程図である。図３は、第１実施形態のエッチング方法を示す概略工程図である。図４は、第１実施形態の基板にミスト状液体を付着させた状態を示す付着概略図である。図５は、第１実施形態のエッチング方法によりエッチングされた基板の部分概略斜視図である。
以下、図１から図５を参照して、第１実施形態のエッチング方法を説明する。
【００１８】
図１（ａ）に、基板１０を示す。基板１０は、水晶の原石から切り出した後、研磨加工などを施されたものである。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、基板１０に金属膜１３を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、金属膜１３上にレジストを塗布し、レジスト膜１１を形成する。ここで、レジストは、感光した部分が溶解するポジタイプを用いる。このレジストは、ノボラック樹脂を含有するフォトレジスト材料が、一例として挙げられる。
【００２０】
図１（ｄ）に示すように、マスク５０を用いて露光する。マスク５０を透過する露光により、レジスト膜１１を感光させる。
【００２１】
そして、図１（ｅ）に示すように、感光した部分のレジスト膜１１を溶解し、現像液を用いて除去する。その後、純水を用いて洗浄して、たとえば６０℃で３０ｍｉｎの乾燥処理を施す。このようにして、マスク５０を透過せず露光が遮られることにより、感光しない部分のレジスト膜１１が残る。これにより、レジスト膜１１が溶解した部分、つまり金属膜１３の一部１３Ａを露出させる。
【００２２】
図２（ｆ）に示すように、金属膜１３の一部１３Ａを除去する。これにより、基板１０の表面および裏面の一部１０Ａを露出させる。そして、図２（ｇ）に示すように、基板１０をエッチングする。以下、図３および図４を参照して説明する。
【００２３】
まず、図３（ａ）に示す付着工程を実施する。図３（ａ）に示すように、ミスト状液体Ｌを保持する付着室２０の内部に、基板１０を収納する。これにより、図４（ａ）に示すように、ミスト状液体Ｌが、基板１０の表面および裏面の一部１０Ａおよびレジスト膜１１に付着される。
本実施形態では、ミスト状液体Ｌとして、純水を用いる。付着室２０の内部の温度は、２５℃程度とする。ここで、付着室２０の内部に基板１０を収納する時間は、基板１０の大きさおよび収納数量などにより、適宜決定することができる。また、付着室２０の内部の温度は、ミスト状液体Ｌの組成および液径などにより、適宜決定することができる。
【００２４】
ミスト状液体Ｌの液径は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。ミスト状液体Ｌの液径が０．１μｍ以上であれば、ミスト状液体Ｌが基板１０に付着された後、エッチング処理が施されるまでの間に、ミスト状液体Ｌを保持する付着室２０の内部と異なる雰囲気に、たとえば付着室２０の外部に晒されても、基板１０に付着されたミスト状液体Ｌが、気化してしまうことを抑制する。そして、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以下であれば、少量の液体によって図３（ｂ）に示すエッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまうことを抑制する。言い換えると、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以上の大きい液滴であれば、基板１０は多量の液体によってエッチング液Ｅとの濡れ性を確保するために多量の液体を用い、これにより、エッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまう。
【００２５】
そして、図３（ｂ）に示すエッチング工程を実施する。ミスト状液体Ｌが付着された基板１０を、エッチング槽３０に収納されたエッチング液Ｅ内に浸漬する。エッチング液Ｅは、フッ化水素酸が一例として挙げられる。このようにして、エッチング液Ｅとの濡れ性が確保された基板１０の表面および裏面の一部１０Ａに、バラツキなく均一にエッチング処理を施す。これにより、図４（ｂ）に示すように、基板１０に逆メサ部１２および逆メサ部１２の底面１２Ａを形成する。そして、バラツキなく均一にエッチング処理が施されるため、対向する底面１２Ａ間の寸法、つまり厚みｔａが精度良く仕上げられる。
【００２６】
ここで、エッチング槽３０内のエッチング液Ｅの温度は、６０℃程度とする。浸漬時間は、基板１０の材質およびエッチングする量により、適宜決定することができる。また、エッチング液Ｅの組成および温度などは、エッチングされる基板１０の材質などにより、適宜決定することができる。また、ミスト状液体Ｌが付着された基板１０をエッチング槽３０に収納されたエッチング液Ｅ内に浸漬するとしたが、ミスト状液体Ｌが付着された基板１０に、エッチング液Ｅを塗布または滴下するとしてもよい。
【００２７】
その後、図２（ｈ）に示すように、レジスト膜１１を剥離し、金属膜１３を除去した後、洗浄工程を実施する。洗浄工程では、基板１０に純水などを供給して、基板１０を洗浄する。これにより、図５に示すように、基板１０に形成された対向する底面１２Ａ間の寸法を、厚みｔａに精度良く薄型化された水晶振動片１を得る。
【００２８】
なお、本実施形態においては、基板１０の表面および裏面に逆メサ部１２を複数形成するとして図示したが、基板１０の表面および裏面に、逆メサ部１２をそれぞれ１個ずつ形成するとしてもよい。また、基板１０の表面および裏面いずれかに、逆メサ部１２を少なくとも１個形成するとしてもよい。また、図４（ｂ）に示す状態の基板１０およびレジスト膜１１に、上述の付着工程およびエッチング工程を実施してもよい。また、図５では、底面１２Ａを四角形に示したが、これに限らず円形、楕円形、長円形、または多角形であってもよい。
【００２９】
したがって、本実施形態によれば、ミスト状液体Ｌが、その表面張力により表面積を小さくし球形を維持した状態で、基板１０に斑なく付着される。これにより、濡れ性が改善されない部分の発生を抑制して、基板１０はエッチング液Ｅとの濡れ性が均一に確保されるので、基板１０に精度良いエッチング処理を施すことができる。これにより、基板１０の厚みｔａを精度良く薄型化することができる。
【００３０】
ミスト状液体Ｌの液径が０．１μｍ以上であれば、エッチング処理が施されるまでの間に、基板１０に付着されたミスト状液体Ｌが、気化してしまうことを抑制するので、エッチング液Ｅとの濡れ性が確保された基板１０に、精度良いエッチング処理を施すことができる。そして、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以下であれば、少量の液体を用いて、基板１０はエッチング液Ｅとの濡れ性を確保するので、ミスト状液体Ｌによりエッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまうことを抑制し、エッチング工程で精度良いエッチング処理を施すことができる。言い換えると、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以上の大きい液滴であれば、基板１０がエッチング液Ｅとの濡れ性を確保しても、多量の液体を用いることで、エッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまい、精度良いエッチング処理を施すことができなくなる。
【００３１】
圧電体の水晶からなる基板１０に精度良いエッチング処理を施すので、基板１０の厚みｔａを精度良く仕上げることができ、周波数精度の良い水晶振動片１を得ることができる。
【００３２】
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態の付着工程を示す概略工程図である。第２実施形態によるエッチング方法が、第１実施形態によるエッチング方法に対して相違する点は、図２（ｇ）に示したエッチングであり、詳しくは図３（ａ）に示した付着工程である。このため、図６おいて、第２実施形態のエッチング方法と同様の工程および構成については、図３に示した同一の符号を付与し説明を省略する。
以下、図６および図４を参照して、第２実施形態のエッチング方法を説明する。
【００３３】
まず、図６に示す付着工程を実施する。図６に示すように、噴霧用のノズル４０を用いて、基板１０に、ミスト状液体Ｌを吹きつける。これにより、図４（ａ）に示すように、ミスト状液体Ｌが、基板１０の表面および裏面の一部１０Ａおよびレジスト膜１１に付着される。
本実施形態では、ミスト状液体Ｌとして、純水を用いる。基板１０にミスト状液体Ｌを吹きつける時間は、基板１０の大きさおよび液径などにより、適宜決定することができる。ミスト状液体Ｌの温度は、２５℃程度とする。なお、ミスト状液体Ｌの温度は、ミスト状液体の組成および液径などにより、適宜決定することができる。
【００３４】
ミスト状液体Ｌの液径は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。ミスト状液体Ｌの液径が０．１μｍ以上であれば、ミスト状液体Ｌが基板１０に付着された後、エッチング処理が施されるまでの間に、たとえば基板１０の周辺の温度などにより、基板１０に付着されたミスト状液体Ｌが、気化してしまうことを抑制する。そして、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以下であれば、少量の液体によってエッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまうことを抑制する。言い換えると、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以上の大きい液滴であれば、基板１０は多量の液体によってエッチング液Ｅとの濡れ性を確保するために多量の液体を用い、これにより、エッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまう。
【００３５】
そして、エッチング工程を実施する。このエッチング工程は、第１実施形態で示した図３（ｂ）と同様である。ミスト状液体Ｌが付着された基板１０を、フッ化水素酸などのエッチング液Ｅを収納したエッチング槽３０に、浸漬する。
このようにして、エッチング液Ｅとの濡れ性が確保された基板１０の表面および裏面の一部１０Ａに、バラツキなく均一にエッチング処理を施す。これにより、図４（ｂ）に示すように、基板１０に逆メサ部１２および逆メサ部１２の底面１２Ａを形成する。そして、バラツキなく均一にエッチング処理が施されるため、対向する底面１２Ａ間の寸法、つまり厚みｔａが精度良く仕上げられる。
【００３６】
ここで、エッチング槽３０内のエッチング液Ｅの温度は、６０℃程度とする。浸漬時間は、基板１０の材質およびエッチングする量により、適宜決定することができる。また、エッチング液Ｅの組成および温度などは、エッチングされる基板１０の材質などにより、適宜決定することができる。
【００３７】
その後、第１実施形態と同様に、レジスト膜１１を剥離し、金属膜１３を除去した後、洗浄工程を実施する。洗浄工程では、基板１０に純水などを供給して、基板１０を洗浄する。これにより、図５に示すように、基板１０に形成された対向する底面１２Ａ間の寸法を、厚みｔａに精度良く薄型化された水晶振動片１を得る。
【００３８】
なお、上述の実施形態においては、基板１０の表面および裏面に逆メサ部１２を複数形成するとして図示したが、基板１０の表面および裏面に、逆メサ部１２をそれぞれ１個ずつ形成するとしてもよい。また、基板１０の表面および裏面のいずれかに、逆メサ部１２を少なくとも１個形成するとしてもよい。
【００３９】
したがって、本実施形態によれば、ミスト状液体Ｌが、その表面張力により表面積を小さくし球形を維持した状態で、基板１０に斑なく付着される。これにより、濡れ性が改善されない部分の発生を抑制して、基板１０はエッチング液Ｅとの濡れ性が均一に確保されるので、基板１０に精度良いエッチング処理を施すことができる。これにより、基板１０の厚みｔａを精度良く薄型化することができる。
【００４０】
ミスト状液体Ｌの液径が０．１μｍ以上であれば、エッチング処理が施されるまでの間に、基板１０に付着されたミスト状液体Ｌが、気化してしまうことを抑制するので、エッチング液Ｅとの濡れ性が確保された基板１０に、精度良いエッチング処理を施すことができる。そして、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以下であれば、少量の液体を用いて、基板１０はエッチング液Ｅとの濡れ性を確保するので、ミスト状液体Ｌによりエッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまうことを抑制し、エッチング工程で精度良いエッチング処理を施すことができる。言い換えると、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以上の大きい液滴であれば、基板１０がエッチング液Ｅとの濡れ性を確保しても、多量の液体を用いることで、エッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまい、精度良いエッチング処理を施すことができなくなる。
【００４１】
圧電体の水晶からなる基板１０に精度良いエッチング処理を施すので、基板１０の厚みｔａを精度良く仕上げることができ、周波数精度の良い水晶振動片１を得ることができる。
【００４２】
（第３実施形態）
図７は、第３実施形態の基板にミスト状液体を付着させた状態を示す付着概略図である。第３実施形態が、第１および第２実施形態に対して相違する点は、図２（ｈ）に示した状態の基板、つまり図２（ｇ）のエッチング後にレジスト膜１１を剥離し、金属膜１３を除去した状態の基板に、エッチング処理を施す点である。このため、第１および第２実施形態のエッチング方法と同様の工程および構成については、図３および図６に示した同一の符号を付与し説明を省略する。
以下、図７、図３、および図６を参照して、第３実施形態のエッチング方法を説明する。
【００４３】
まず、第１または第２実施形態と同様に、図３（ａ）または図６に示す付着工程を実施する。これにより、図７（ａ）に示すように、基板１０にミスト状液体Ｌを付着させる。ミスト状液体Ｌの液径は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。
【００４４】
そして、第１または第２実施形態と同様に、エッチング工程を実施する。このエッチング工程は、第１実施形態で示した図３（ｂ）と同様である。
図７（ｂ）に示すように、基板１０に形成された逆メサ部１２の底面１２Ａに、エッチング処理を施すことにより底面１２Ｂを形成する。そして、バラツキなく均一にエッチング処理が施されるため、対向する底面１２Ｂ間の寸法、つまり厚みｔｂが精度良く仕上げられる。
【００４５】
その後、第１または第２実施形態と同様に、洗浄工程を実施する。これにより、図５に示すように、基板１０に形成された対向する底面１２Ｂ間の寸法を、厚みｔｂに精度良く薄型化された水晶振動片１を得る。
【００４６】
なお、上述の実施形態においては、基板１０の表面および裏面に逆メサ部１２を複数形成するとして図示したが、基板１０の表面および裏面に、逆メサ部１２をそれぞれ１個ずつ形成するとしてもよい。また、基板１０の表面および裏面いずれかに、逆メサ部１２を少なくとも１個形成するとしてもよい。
【００４７】
したがって、本実施形態によれば、ミスト状液体Ｌが、その表面張力により表面積を小さくし球形を維持した状態で、基板１０に斑なく付着される。これにより、濡れ性が改善されない部分の発生を抑制して、基板１０はエッチング液Ｅとの濡れ性が均一に確保されるので、基板１０に精度良いエッチング処理を施すことができる。これにより、基板１０の厚みｔｂを精度良く薄型化することができる。
【００４８】
ミスト状液体Ｌの液径が０．１μｍ以上であれば、エッチング処理が施されるまでの間に、基板１０に付着されたミスト状液体Ｌが、気化してしまうことを抑制するので、エッチング液Ｅとの濡れ性が確保された基板１０に、精度良いエッチング処理を施すことができる。そして、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以下であれば、少量の液体を用いて、基板１０はエッチング液Ｅとの濡れ性を確保するので、ミスト状液体Ｌによりエッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまうことを抑制し、エッチング工程で精度良いエッチング処理を施すことができる。言い換えると、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以上の大きい液滴であれば、基板１０がエッチング液Ｅとの濡れ性を確保しても、多量の液体を用いることで、エッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまい、精度良いエッチング処理を施すことができなくなる。
【００４９】
圧電体の水晶からなる基板１０に精度良いエッチング処理を施すので、基板１０の厚みｔｂを精度良く仕上げることができ、周波数精度の良い水晶振動片１を得ることができる。
【００５０】
（第４実施形態）
図８は、第４実施形態のエッチング方法を示す概略工程図である。第４実施形態が、第１から第３実施形態に対して相違する点は、図１（ａ）に示した状態の基板に、エッチング処理を施す点である。このため、図８おいて、第１から第３実施形態のエッチング方法と同様の工程および構成については、図３および図６に示した同一の符号を付与し説明を省略する。
以下、図８、図３、および図６を参照して、第４実施形態のエッチング方法を説明する。
【００５１】
まず、第１または第２実施形態と同様に、図３（ａ）または図６に示す付着工程を実施する。これにより、図８（ａ）に示すように、基板１０にミスト状液体Ｌを付着させる。ミスト状液体Ｌの液径は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。
【００５２】
そして、第１、第２、または第３実施形態と同様に、エッチング工程を実施する。このエッチング工程は、第１実施形態で示した図３（ｂ）と同様である。
図８（ｂ）に示すように、基板１０の表面にエッチング処理を施し、水晶振動片１の表面および裏面１０Ｃを形成する。そして、バラツキなく均一にエッチング処理が施されるため、水晶振動片１の表面および裏面１０Ｃ間の寸法、つまり厚みｔｃが精度良く仕上げられて、基板１０を薄型化する。
【００５３】
その後、第１、第２、または第３実施形態と同様に、洗浄工程を実施する。これにより、図８（ｂ）に示すように、厚みｔｃに精度良く薄型化された水晶振動片１を得る。
【００５４】
なお、本実施形態においては、基板１０の表面および裏面をエッチングするとして図示したが、基板１０の表面および裏面いずれかに、エッチングするとしてもよい。
【００５５】
したがって、本実施形態によれば、ミスト状液体Ｌが、その表面張力により表面積を小さくし球形を維持した状態で、基板１０に斑なく付着される。これにより、濡れ性が改善されない部分の発生を抑制して、基板１０はエッチング液Ｅとの濡れ性が均一に確保されるので、基板１０に精度良いエッチング処理を施すことができる。これにより、基板１０の厚みｔｃを精度良く薄型化することができる。
【００５６】
ミスト状液体Ｌの液径が０．１μｍ以上であれば、エッチング処理が施されるまでの間に、基板１０に付着されたミスト状液体Ｌが、気化してしまうことを抑制するので、エッチング液Ｅとの濡れ性が確保された基板１０に、精度良いエッチング処理を施すことができる。そして、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以下であれば、少量の液体を用いて、基板１０はエッチング液Ｅとの濡れ性を確保するので、ミスト状液体Ｌによりエッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまうことを抑制し、エッチング工程で精度良いエッチング処理を施すことができる。言い換えると、ミスト状液体Ｌの液径が１００μｍ以上の大きい液滴であれば、基板１０がエッチング液Ｅとの濡れ性を確保しても、多量の液体を用いることで、エッチング液Ｅの濃度、組成、または性質を変えてしまい、精度良いエッチング処理を施すことができなくなる。
【００５７】
圧電体の水晶からなる基板１０に精度良いエッチング処理を施すので、基板１０の厚みｔｃを精度良く仕上げることができ、周波数精度の良い水晶振動片１を得ることができる。
【００５８】
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
【００５９】
たとえば、付着工程において、ミスト状液体Ｌとして、純水を用いるとしたが、これに限るものではなく、ミスト状液体Ｌは、水もしくは超純水、エタノールもしくはイソプロピルアルコールなどの低級アルコール、界面活性剤と純水との混合液、または低級アルコールと純水との混合液であってもよい。この他に、ミスト状液体Ｌは、エッチング工程で用いるエッチング液と同一であってもよい。
【００６０】
エッチングされる基板として、圧電体である水晶を一例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、たとえばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、または酸化亜鉛などの圧電体であってもよく、シリコン（Ｓｉ）またはガラスなどであってもよい。この場合、エッチング液は、適宜選択されて使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１実施形態のエッチング方法を用いた基板の加工工程の概略を示す概略工程図。
【図２】第１実施形態のエッチング方法を用いた基板の加工工程の概略を示す概略工程図。
【図３】第１実施形態のエッチング方法を示す概略工程図。
【図４】第１実施形態の基板にミスト状液体を付着させた状態を示す付着概略図。
【図５】第１実施形態のエッチング方法によりエッチングされた基板の部分概略斜視図。
【図６】第２実施形態の付着工程を示す概略工程図。
【図７】第３実施形態の基板にミスト状液体を付着させた状態を示す付着概略図。
【図８】第４実施形態のエッチング方法を示す概略工程図。
【符号の説明】
【００６２】
１…水晶振動片、１０…基板、１０Ａ…基板の表面および裏面の一部、１０Ｃ…水晶振動片の表面および裏面、１１…レジスト膜、１２…逆メサ部、１２Ａ，１２Ｂ…底面、１３…金属膜、１３Ａ…金属膜の一部、２０…付着室、３０…エッチング槽、４０…ノズル、Ｌ…ミスト状液体、Ｅ…エッチング液、ｔａ,ｔｂ,ｔｃ…厚み。
【図１】
2010021320.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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