(57)【要約】【課題】  エアロゾルデポジション法を用いて簡易な工程により絶縁層上に配線層を形成する方法を提供することを目的とする。【解決手段】  金属層上に第１の絶縁部材を形成する第１工程と、前記第１の絶縁部材に前記金属層を露出する第１の開口部を形成する第２工程と、前記第１の絶縁部材上に前記金属層及び前記第１の絶縁部材の一部を露出する第２の開口部を有する第２の絶縁部材を形成する第３工程と、前記金属層上に配線層となる金属粒子を前記金属層に対する臨界速度以上であり前記第１の絶縁部材に対する臨界速度未満である第１の速度で噴射し、その後、前記第１の絶縁部材上に前記配線層となる金属粒子を前記金属層及び前記第１の絶縁部材に対する臨界速度以上であり前記第２の絶縁部材に対する臨界速度未満である第２の速度で噴射し、エアロゾルデポジション法により前記配線層を形成する第４工程と、前記第２の絶縁部材を除去する第５工程と、を有する配線基板の製造方法である。【選択図】  図８
2010021473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層上に第１の絶縁部材を形成する第１工程と、
前記第１の絶縁部材に前記金属層を露出する第１の開口部を形成する第２工程と、
前記第１の絶縁部材上に前記金属層及び前記第１の絶縁部材の一部を露出する第２の開口部を有する第２の絶縁部材を形成する第３工程と、
前記金属層上に配線層となる金属粒子を前記金属層に対する臨界速度以上であり前記第１の絶縁部材に対する臨界速度未満である第１の速度で噴射し、その後、前記第１の絶縁部材上に前記配線層となる金属粒子を前記金属層及び前記第１の絶縁部材に対する臨界速度以上であり前記第２の絶縁部材に対する臨界速度未満である第２の速度で噴射し、エアロゾルデポジション法により前記配線層を形成する第４工程と、
前記第２の絶縁部材を除去する第５工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の絶縁部材はフィラーを含有しており、前記第２の絶縁部材はフィラーを含有していないことを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
更に、前記第４工程と前記第５工程との間に、前記配線層の上面を平坦化する工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に係り、特にエアロゾルデポジション法により配線層を形成する工程を有する配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板や半導体基板において、絶縁層上に配線層を形成する場合には、例えばセミアディティブ法が用いられている。図１は、従来の配線基板を部分的に例示する断面図である。図１を参照するに、従来の配線基板１００は、絶縁層１０１と、配線層１０２と、ソルダーレジスト層１０３とを有する。
【０００３】
図１に示す配線基板１００において、絶縁層１０１上には、配線層１０２が形成され、更に、配線層１０２を覆うようにソルダーレジスト層１０３が形成されている。配線層１０２は、第１金属層１０４と第２金属層１０５とから構成されている。
【０００４】
図２〜図７は、従来の配線基板の製造工程を例示する図である。図２〜図７において、図１に示す配線基板１００と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図２〜図７を参照しながら、従来の配線基板１００の製造方法（セミアディティブ法による配線層形成）について説明する。
【０００５】
始めに、図２に示す工程では、絶縁層１０１の上面１０１ａをアルカリ性過マンガン酸カリウム水溶液等を用いて粗化する。絶縁層１０１の上面１０１ａの粗化は、絶縁層１０１の上面１０１ａと第１金属層１０４との密着性を向上するために行う処理である。
【０００６】
その後、無電解めっき法等により、絶縁層１０１の上面１０１ａに第１金属層１０４を形成する。第１の金属層１０４は、第２金属層１０５を形成する際の給電層として機能する。第１金属層１０４としては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。第１金属層１０４の厚さは、例えば、１μｍ〜２μｍとすることができる。
【０００７】
次いで、図３に示す工程では、第１金属層１０４の上面１０４ａにレジストを塗布し、レジストを露光、現像することで、配線層１０２に対応する開口部１０６ｘを有するレジスト膜１０６を形成する。次いで、図４に示す工程では、第１金属層１０４を給電層として、電解めっき法により、開口部１０６ｘに第２金属層１０５を形成する。第１金属層１０４と第２金属層１０５とは、電気的に接続される。第２金属層１０５としては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。第２金属層１０５の厚さは、例えば、１０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【０００８】
次いで、図５に示す工程では、図４に示すレジスト膜１０６を除去する。次いで、図６に示す工程では、第２金属層１０５が形成されていない領域の第１金属層１０４をエッチングによって除去することで、第１金属層１０４と第２金属層１０５とから構成される配線層１０２が形成される。
【０００９】
次いで、図７に示す工程では、絶縁層１０１と配線層１０２とを覆うようにレジストを塗布し、ソルダーレジスト層１０３を形成する。ソルダーレジスト層１０３は必要に応じてフォトリソグラフィ法により露光、現像され、配線層１０２の一部を開口する開口部が形成される。開口部に対応する配線層１０２は、例えば、外部接続端子等として機能する。このようにして、セミアディティブ法により配線基板１００が製造される。
【００１０】
しかしながら、配線層１０２をセミアディティブ法で形成する場合には、図６に示す工程において、第２金属層１０５が形成されていない領域の第１金属層１０４をエッチングによって除去する際に、所謂アンダーカットが生じる。アンダーカットとは、被エッチング層である第１金属層１０４において、エッチングマスクとして機能する第２金属層１０５の外縁部直下の近傍部分におけるエッチングが特に進行して、第１金属層１０４の幅が第２金属層１０５の幅よりも狭くなる現象である。
【００１１】
このようなアンダーカットを回避するために、絶縁層上にエアロゾルデポジション法により配線層を形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開２００４−９５７９５号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６７５０号公報
【特許文献３】特開２００５−２４４００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、配線層をエアロゾルデポジション法により形成する場合には、例えば、配線層を形成する領域の硬度（材料の塑性変形分を考慮したダイナミック硬さ）を所定の値にすることにより、その部分のみに選択的に配線層の形成を行うが、エアロゾルデポジション法では、微粒子をエアロゾル化して噴出して成膜するため、配線層を形成する領域以外にも微粒子が堆積する場合がある。その際、噴出された微粒子は成膜対象物である絶縁層の上面に食い込むため、不要な堆積物は容易に除去することができず、別途エッチング工程等を設けて除去する必要があり、製造工程が複雑化するという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、エアロゾルデポジション法を用いて簡易な工程により絶縁層上に配線層を形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明は、金属層上に第１の絶縁部材を形成する第１工程と、前記第１の絶縁部材に前記金属層を露出する第１の開口部を形成する第２工程と、前記第１の絶縁部材上に前記金属層及び前記第１の絶縁部材の一部を露出する第２の開口部を有する第２の絶縁部材を形成する第３工程と、前記金属層上に配線層となる金属粒子を前記金属層に対する臨界速度以上であり前記第１の絶縁部材に対する臨界速度未満である第１の速度で噴射し、その後、前記第１の絶縁部材上に前記配線層となる金属粒子を前記金属層及び前記第１の絶縁部材に対する臨界速度以上であり前記第２の絶縁部材に対する臨界速度未満である第２の速度で噴射し、エアロゾルデポジション法により前記配線層を形成する第４工程と、前記第２の絶縁部材を除去する第５工程と、を有する配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、エアロゾルデポジション法を用いて簡易な工程により絶縁層上に配線層を形成する方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００１７】
〈参考例〉
図８は、参考例に係る配線基板を部分的に例示する断面図である。図８を参照するに、参考例に係る配線基板１０は、絶縁層１１と、配線層１２と、ソルダーレジスト層１３とを有する。図８に示す配線基板１０において、絶縁層１１上には、配線層１２が形成され、更に、配線層１２を覆うようにソルダーレジスト層１３が形成されている。配線層１２は、エアロゾルデポジション法により形成されている。
【００１８】
エアロゾルデポジション法とは以下のような方法である。すなわち、サブミクロンオーダーの原料の微粒子をキャリアガスにより噴き上げることによってエアロゾルを生成する。そして、生成されたエアロゾルを高速気流によって加速して、ノズル等を用いて配線基板の絶縁層等の成膜対象物に向けて噴射することにより成膜対象物に衝突させる。そして、その際の衝突エネルギーによって微粒子を成膜対象物に堆積させる成膜方法である。ここで、エアロゾルとは、気体中に浮遊している固体や液体の微粒子のことをいう。
【００１９】
図９は、エアロゾルデポジション法により成膜を行う成膜装置を例示する模式図である。図９を参照するに、成膜装置２００は、エアロゾル生成容器２１０と、成膜チャンバ２２０と、真空ポンプ２３０と、キャリアガス導入部２４０と、エアロゾル導入部２５０と、排気管２６０とを有する。
【００２０】
エアロゾル生成容器２１０は、エアロゾルの生成が行われる容器であり、内部には原料の微粒子２７０が配置されている。エアロゾル生成容器２１０には、キャリアガス導入部２４０、エアロゾル導入部２５０が設けられている。キャリアガス導入部２４０は、原料の微粒子２７０をキャリアするために用いられる気体（キャリアガス）をエアロゾル生成容器２１０の内部に導入する。
【００２１】
エアロゾル生成容器２１０は、所定の振動が与えられるように構成されている。エアロゾル生成容器２１０に振動が与えられると、エアロゾル生成容器２１０に配置されている原料の微粒子２７０に浮上するための運動エネルギーが付与され、微粒子２７０はキャリアガス導入部２４０のガス噴出口付近に次々と供給される。
【００２２】
エアロゾル生成容器２１０に配置された原料の微粒子２７０をキャリアガスによって噴き上げることにより、エアロゾルが生成される。キャリアガスとしては、例えば、アルゴンガス、ヘリウムガス等を用いることができる。エアロゾル導入部２５０は、生成されたエアロゾルを吸引して成膜チャンバ２２０に導く。
【００２３】
成膜チャンバ２２０は、エアロゾルデポジション法により成膜が行われるチャンバである。成膜チャンバ２２０は、エアロゾル導入部２５０によりエアロゾル生成容器２１０と、排気管２６０により真空ポンプ２３０と接続されている。エアロゾル導入部２５０の先端には、ノズル２２２が設けられている。成膜チャンバ２２０には、可動ステージ２２１が設けられており、可動ステージ２２１には成膜対象物２８０が固定されている。可動ステージ２２１は、成膜対象物２８０とノズル２２２との相対位置を調節するために３次元に移動可能なステージである。排気管２６０は、成膜チャンバ２２０内を排気する。
【００２４】
エアロゾル生成部２１０において生成されたエアロゾルは、エアロゾル導入部２５０を通って成膜チャンバ２２０内に導入される。ノズル２２２は、エアロゾル導入部２５０を通って導入されたエアロゾルを可動ステージ２２１に固定された成膜対象物２８０に向けて噴射する。それにより、加速された原料の微粒子２７０は成膜対象物２８０に衝突して破砕され、微細な断片粒子が生成される。このような断片粒子が成膜対象物２８０に接合し、或いは、このような断片粒子同士が接合して、成膜対象物２８０に膜が形成される。
【００２５】
図１０〜図１３は、参考例に係る配線基板の製造工程を例示する図である。図１０〜図１３において、図８に示す配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図１０〜図１３を参照しながら、参考例に係る配線基板１０の製造方法（エアロゾルデポジション法による配線層の形成）について説明する。
【００２６】
始めに、図１０に示す工程では、絶縁層１１の上面１１ａにレジストを塗布し、レジストを露光、現像することで、配線層１２に対応する開口部１６ｘを有するレジスト膜１６を形成する。絶縁層１１としては、例えばエポキシ系樹脂等を用いることができる。絶縁層１１は、例えばシリカの微粒子から構成されるフィラー（５ｗｔ％〜６０ｗｔ％）を含有している。レジスト膜１６としては、例えばフィラーを含有しない感光性のアクリル系樹脂等を用いることができる。
【００２７】
なお、絶縁層１１の上面１１ａを粗化する必要はない。これは、後述する図１１に示す工程において、エアロゾルデポジション法により配線層の形成を行うからである。すなわち、エアロゾルデポジション法によれば、エアロゾルを高速気流によって加速して、成膜対象物に向けて噴射することにより成膜対象物に衝突させ、その際の衝突エネルギーによって微粒子を成膜対象物に堆積させる。その結果、配線層を構成する微粒子は成膜対象物である絶縁層１１の上面１１ａに食い込み、絶縁層１１の上面１１ａと配線層との間には良好な密着性が得られるからである。
【００２８】
次いで、図１１に示す工程では、エアロゾルデポジション法により、図１０に示す開口部１６ｘに配線層１２を形成する。より具体的には、図９に示す成膜装置２００を構成する成膜チャンバ２２０の可動ステージ２２１に、成膜対象物２８０として図１０に示す構造体を固定する。図１０に示す構造体は、絶縁層１１の上面１１ａがノズル２２２と対向するように可動ステージ２２１に固定する。
【００２９】
次いで、エアロゾル生成容器２１０に原料の微粒子２７０として、例えば、Ｃｕ等を配置する。そして、原料の微粒子２７０をキャリアガスにより噴き上げることによってエアロゾルを生成する。そして、生成されたエアロゾルを高速気流によって加速して、ノズル２２２から図１０に示す構造体に向けて噴射することにより図１０に示す構造体に衝突させる。そして、その際の衝突エネルギーによって微粒子２７０を図１０に示す構造体に堆積させる。これにより、図１０に示す開口部１６ｘに、例えば、Ｃｕ等からなる配線層１２が形成される。配線層１２の厚さは、例えば、１０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【００３０】
ところで、図１１に示す工程において、エアロゾルは図１０に示す構造体の開口部１６ｘに対応する絶縁層１１の上面１１ａのみならず、レジスト膜１６の上面１６ａにも衝突する。しかしながら、エアロゾルを構成する微粒子２７０の噴射速度を適切な値に設定することにより、エアロゾルを構成する微粒子２７０を、開口部１６ｘに対応する絶縁層１１の上面１１ａのみに堆積させ、レジスト膜１６の上面１６ａにはほとんど堆積させないようにすることができる。これに関して、以下に詳しく説明する。
【００３１】
エアロゾルを構成する微粒子２７０の噴射速度が所定の速度よりも遅いと、成膜対象物を削るブラスト効果のみを生じ、エアロゾルを構成する微粒子２７０は成膜対象物上に堆積しない。一方、エアロゾルを構成する微粒子２７０の噴射速度が所定の速度以上になると、成膜対象物上にエアロゾルを構成する微粒子２７０の堆積が始まる。この所定の速度を臨界速度といい、成膜対象物の材料構成等により異なる。
【００３２】
例えば、絶縁層１１としてシリカの微粒子から構成されるフィラー（５ｗｔ％〜６０ｗｔ％）を含有したエポキシ系樹脂を用いた場合に、臨界速度は略３５０ｍ／ｓである。一方、レジスト膜１６としてフィラーを含有しない感光性のアクリル系樹脂を用いた場合に、臨界速度はこれよりも遙かに大きく、通常用いるエアロゾルデポジション法の成膜装置で設定できる速度範囲を超えている。すなわち、実質的に、エアロゾルを構成する微粒子２７０は、噴射速度によらずレジスト膜１６の上面１６ａにはほとんど堆積しないと考えて良い。
【００３３】
絶縁層１１に対する臨界速度とレジスト膜１６に対する臨界速度とが大きく異なるのは、絶縁層１１はシリカ等の微粒子から構成されるフィラーを含有しているが、レジスト膜１６はフィラーを含有していないからである。フィラーは絶縁層１１やレジスト膜１６を構成する材料よりも固いため、エアロゾルを構成する微粒子２７０は、始めに絶縁層１１の上面１１ａに露出しているフィラー表面に堆積し始める。そして、それをきっかけとして膜が成長し、絶縁層１１の上面１１ａに配線層１２が形成される。すなわち、フィラーを含有することにより臨界速度は相対的に低くなり、フィラーを含有しないことにより臨界速度は相対的に高くなる。
【００３４】
そこで、エアロゾルを構成する微粒子２７０の噴射速度を、絶縁層１１に対する臨界速度である略３５０ｍ／ｓ以上であり、レジスト膜１６に対する臨界速度（設定不可）未満である、例えば５００ｍ／ｓに設定する。これにより、エアロゾルを構成する微粒子２７０をレジスト膜１６の上面１６ａにはほとんど堆積させず、開口部１６ｘに対応する絶縁層１１の上面１１ａのみに堆積させることができる。
【００３５】
このようにして、開口部１６ｘに対応する絶縁層１１の上面１１ａのみに配線層１２を形成することができる。なお、レジスト膜１６の上面１６ａにわずかに微粒子２７０が堆積する場合があるが、堆積した微粒子２７０は、後述する図１２に示す工程において、レジスト膜１６と共に容易に除去することができる。
【００３６】
なお、エアロゾルを構成する微粒子２７０の粒子径は大変重要である。エアロゾルを構成する微粒子２７０の粒子径が小さすぎると安定性に問題があり、大きすぎると配線層が形成できなくなるからである。エアロゾルを構成する微粒子２７０の粒子径は、０．５μｍ〜１０μｍ程度であることが好ましい。
【００３７】
図１１に示す工程において、配線層１２の上面１２ａが平坦でない場合には、例えばＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing法）により、化学剤（スラリー）や研磨パッド等で機械的に削って平坦化することができる。又、物理的研磨のみを実施してもよい。
【００３８】
次いで、図１２に示す工程では、図１１に示すレジスト膜１６を除去することで、配線層１２が形成される。次いで、図１３に示す工程では、絶縁層１１と配線層１２とを覆うようにレジストを塗布し、ソルダーレジスト層１３を形成する。ソルダーレジスト層１３は必要に応じてフォトリソグラフィ法により露光、現像され、配線層１２の一部を開口する開口部が形成される。開口部に対応する配線層１２は、例えば、外部接続端子等として機能する。このようにして、エアロゾルデポジション法により配線基板１０が製造される。
【００３９】
なお、図１０に示す工程では、絶縁層１１の上面１１ａに配線層１２に対応する開口部１６ｘを有するレジスト膜１６を形成したが、図１０に示す工程の前に絶縁層１１の上面１１ａにスパッタ、無電解めっき等の既知の金属膜形成方法によって予め金属膜を形成しておき、その後、図１０〜図１３に示す工程を行うことで配線層１２を形成することも可能である。
【００４０】
参考例に係る配線基板によれば、フィラーを含有する絶縁層上に、開口部を有するフィラーを含有しないレジスト膜を形成する。そして、エアロゾルデポジション法を用いて絶縁層上に配線層を形成する。その結果、簡易な工程により開口部に対応する絶縁層上のみに配線層を形成することができる。
【００４１】
より詳しくは、絶縁層の上面を粗化する工程が不要となる。又、絶縁層上に給電層を形成することなく配線層を形成することができる。又、開口部に対応する絶縁層上以外にわずかに堆積した微粒子は、特別な除去工程を設けることなく、レジスト膜と共に容易に除去することができる。
【００４２】
〈本発明の実施の形態〉
本発明の実施の形態では、本発明を多層配線層（ビルドアップ配線層）を有する配線基板に適用する例を示す。図１４は、本発明の実施の形態に係るビルドアップ配線層を有する配線基板を例示する断面図である。図１４を参照するに、本発明の実施の形態に係る配線基板２０は、第１絶縁層２３ａと、第２絶縁層２３ｂと、第３絶縁層２３ｃと、第１配線層２４ａと、第２配線層２４ｂと、第３配線層２４ｃと、第４配線層２４ｄと、ソルダーレジスト層２５とを有するビルドアップ配線層を備えた配線基板である。
【００４３】
配線基板２０において、最下層には第１配線層２４ａが形成されている。第１配線層２４ａを覆うように第１絶縁層２３ａが形成され、第１絶縁層２３ａ上には第２配線層２４ｂが形成されている。更に、第２配線層２４ｂを覆うように第２絶縁層２３ｂが形成され、第２絶縁層２３ｂ上には第３配線層２４ｃが形成されている。更に、第３配線層２４ｃを覆うように第３絶縁層２３ｃが形成され、第３絶縁層２３ｃ上には第４配線層２４ｄ形成されている。第１配線層２４ａは第１絶縁層２３ａから露出しており、半導体チップ等と接続される電極パッドとして機能する。
【００４４】
第１配線層２４ａと第２配線層２４ｂとは、第１絶縁層２３ａに形成された第１ビアホール２３ｘを介して電気的に接続されている。又、第２配線層２４ｂと第３配線層２４ｃとは、第２絶縁層２３ｂに形成された第２ビアホール２３ｙを介して電気的に接続されている。又、第３配線層２４ｃと第４配線層２４ｄとは、第３絶縁層２３ｃに形成された第３ビアホール２３ｚを介して電気的に接続されている。
【００４５】
第４配線層２４ｄを覆うように、開口部２５ｘを有するソルダーレジスト層２５が形成されている。ソルダーレジスト層２５の開口部２５ｘ内に露出した第４配線層２４ｄは、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。
【００４６】
図１５〜図２８は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。図１５〜図２８において、図１４に示す配線基板２０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図１５〜図２８を参照しながら、本発明の実施の形態に係る配線基板２０の製造方法（エアロゾルデポジション法による配線層の形成）について説明する。
【００４７】
始めに、図１５に示す工程では、支持体２１を用意する。本実施形態では支持体２１として銅箔を用いる。銅箔の厚さは、例えば、３５〜１００μｍとすることができる。次いで、図１６に示す工程では、支持体２１の上面２１ａに、レジスト膜２２を形成する。レジスト膜２２としては、例えば、ドライフィルム等を用いることができる。
【００４８】
次いで、図１７に示す工程では、レジスト膜２２に対してパターニング処理を行い、第１配線層２４ａの形成位置に対応する部分に開口部２２ｘを形成する。なお、ドライフィルム状のレジスト膜２２に対して予め開口部２２ｘを形成しておき、開口部２２ｘが形成されたレジスト膜２２を支持体２１の上面２１ａに配設してもよい。
【００４９】
次いで、図１８に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の上面２１ａに第１配線層２４ａを形成する。第１配線層２４ａは、レジスト膜２２に形成された開口部２２ｘ内に形成されており、表面めっき層２８及びパッド本体２９から構成されている。
【００５０】
表面めっき層２８は、例えば、Ａｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した構造を有する。よって、第１配線層２４ａを形成するには、先ずＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜を順にめっきすることにより表面めっき層２８を形成し、続いて、表面めっき層２８上にＣｕ等からなるパッド本体２９をめっきにより形成する。次いで、図１９に示す工程では、図１８に示すレジスト膜２２を除去する。
【００５１】
次いで、図２０に示す工程では、支持体２１の上面２１ａに第１配線層２４ａを被覆する第１絶縁層２３ａを形成する。第１絶縁層２３ａの材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材を用いることができる。第１絶縁層２３ａは、例えばシリカの微粒子から構成されるフィラー（５ｗｔ％〜６０ｗｔ％）を含有している。第１絶縁層２３ａは、例えば支持体２１に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。なお、参考例と同様の理由により、第１絶縁層２３ａの上面を粗化する必要はない。
【００５２】
次いで、図２１に示す工程では、支持体２１に形成された第１絶縁層２３ａに、第１配線層２４ａが露出するようにレーザ加工法等を用いて第１ビアホール２３ｘを形成する。次いで、図２２に示す工程では、第１絶縁層２３ａ上にレジストを塗布し、レジストを露光、現像することで、第２配線層２４ｂに対応する開口部２６ｘを有するレジスト膜２６を形成する。レジスト膜２６としては、例えばフィラーを含有しない感光性のアクリル系樹脂等を用いることができる。
【００５３】
次いで、図２３に示す工程では、エアロゾルデポジション法により、図２２に示す開口部２６ｘに、第１配線層２４ａに第１ビアホール２３ｘを介して接続される第２配線層２４ｂを形成する。第２配線層２４ｂとしては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。第２配線層２４ｂは、参考例と同様に図９に示す成膜装置２００を用いて形成するので、参考例と重複する部分についてはその説明を省略する場合がある。
【００５４】
参考例で説明したように、エアロゾルを構成する微粒子２７０の噴射速度は所定の臨界速度を有し、臨界速度以上になると成膜対象物に微粒子２７０の堆積が始まる。この臨界速度は成膜対象物の材料構成等により異なり、前述のように成膜対象物である絶縁層にシリカの微粒子から構成されるフィラー（５ｗｔ％〜６０ｗｔ％）を含有したエポキシ系樹脂を用いた場合の臨界速度は略３５０ｍ／ｓである。一方、成膜対象物が金属である場合には、臨界速度はより低くなり、略１００ｍ／ｓである。
【００５５】
そこで、図２３に示す工程では、エアロゾルを構成する微粒子２７０を最初に金属から構成される第１配線層２４ａ上に堆積させるため、レジスト膜２６越しに、エアロゾルを構成する微粒子２７０を例えば３００ｍ／ｓの速度で噴射する。この速度（３００ｍ／ｓ）は、金属から構成される第１配線層２４ａに対しては臨界速度以上であり、樹脂から構成される第１絶縁層２３ａに対しては臨界速度未満であるため、エアロゾルを構成する微粒子２７０を金属から構成される第１配線層２４ａ上のみに堆積させ、第１絶縁層２３ａ上には堆積させないようにすることができる。なお、第２配線層２４ｂの上面が第１絶縁層２３ａの上面と略面一になるまで、同じ速度（３００ｍ／ｓ）で噴射する。
【００５６】
次いで図２４に示す工程では、エアロゾルを構成する微粒子２７０を第１絶縁層２３ａ上にも堆積させるため、エアロゾルを構成する微粒子２７０を噴射する速度を例えば３００ｍ／ｓから５００ｍ／ｓに変更し、第２配線層２４ｂの上面がレジスト膜２６の上面と略面一になるまで、レジスト膜２６越しにエアロゾルを構成する微粒子２７０を５００ｍ／ｓの速度で噴射する。
【００５７】
すなわち、第２配線層２４ｂを形成する途中で（第２配線層２４ｂの上面が第１絶縁層２３ａの上面と略面一になったときに）エアロゾルを構成する微粒子２７０を噴射する速度を５００ｍ／ｓに変更する。この速度（５００ｍ／ｓ）は金属から構成される第２配線層２４ｂ及び樹脂から構成される第１絶縁層２３ａに対して臨界速度以上であるため、エアロゾルを構成する微粒子２７０を既に一部形成された第２配線層２４ｂ上及び第１絶縁層２３ａ上に堆積させることができる。
【００５８】
なお、第２配線層２４ｂの上面が第１絶縁層２３ａの上面と略面一になるまでの時間は予め知ることができるため、速度を切り換えるタイミングは、成膜装置２００が噴射時間を管理することにより、自動的に切り換えることができる。このように、第２配線層２４ｂを形成する途中でエアロゾルを構成する微粒子２７０を噴射する速度を変更することにより、目的とする成膜対象物のみに選択的にエアロゾルを構成する微粒子２７０を堆積させることができる。
【００５９】
この際、参考例と同様に、エアロゾルを構成する微粒子２７０は、（噴射速度によらず）レジスト膜２６の上面にはほとんど堆積しない。５００ｍ／ｓという噴射速度は、フィラーを含有しないレジスト膜２６に対する臨界速度よりも低いからである。レジスト膜２６の上面にわずかに微粒子２７０が堆積する場合があるが、堆積した微粒子２７０は、後述する図２５に示す工程において、レジスト膜２６と共に容易に除去することができる。
【００６０】
なお、エアロゾルを構成する微粒子２７０の粒子径は大変重要である。エアロゾルを構成する微粒子２７０の粒子径が小さすぎると安定性に問題があり、大きすぎると配線層が形成できなくなるからである。エアロゾルを構成する微粒子２７０の粒子径は、０．５μｍ〜１０μｍ程度であることが好ましい。
【００６１】
図２４に示す工程において、第２配線層２４ｂの上面が平坦でない場合には、例えばＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing法）により、化学剤（スラリー）や研磨パッド等で機械的に削って平坦化することができる。又、物理的研磨のみを実施してもよい。次いで、図２５に示す工程では、図２４に示すレジスト膜２６を除去することで、第２配線層２４ｂが形成される。
【００６２】
次いで、図２６に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、第１配線層２４ａ〜第４配線層２４ｄ及び第１絶縁層２３ａ〜第３絶縁層２３ｃを積層する。すなわち、第２配線層２４ｂを被覆する第２絶縁層２３ｂを形成した後に、第２配線層２４ｂ上の第２絶縁層２３ｂの部分に第２ビアホール２３ｙを形成する。
【００６３】
更に、第２絶縁層２３ｂ上に、第２ビアホール２３ｙを介して第２配線層２４ｂに接続される第３配線層２４ｃをエアロゾルデポジション法により形成する。第３配線層２４ｃとしては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。
【００６４】
更に、第３配線層２４ｃを被覆する第３絶縁層２３ｃを形成した後に、第３配線層２４ｃ上の第３絶縁層２３ｃの部分に第３ビアホール２３ｚを形成する。更に、第３絶縁層２３ｃ上に、第３ビアホール２３ｚを介して第３配線層２４ｃに接続される第４配線層２４ｄをエアロゾルデポジション法により形成する。第４配線層２４ｄとしては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。
【００６５】
このようにして、支持体２１の上面２１ａに所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、４層のビルドアップ配線層（第１配線層２４ａ〜第４配線層２４ｄ）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００６６】
次いで、図２７に示す工程では、第４配線層２４ｄを被覆するように第３絶縁層２３ｃ上に、ソルダーレジスト層２５を形成する。ソルダーレジスト層２５としては、例えば、エポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物を用いることができる。次いで、図２８に示す工程では、ソルダーレジスト層２５を露光、現像することで開口部２５ｘを形成する。これにより、第４配線層２４ｄは、ソルダーレジスト層２５の開口部２５ｘ内に露出する。ソルダーレジスト層２５の開口部２５ｘ内に露出した第４配線層２４ｄは、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。
【００６７】
次いで、図２８に示す支持体２１を除去することで、図１４に示す本発明の実施の形態に係る配線基板２０が製造される。支持体２１の除去は、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウエットエッチングにより行うことができる。この際、第１配線層２４ａは、最表面に表面めっき層２８が形成されているため、第１配線層２４ａに対し、支持体２１を選択的にエッチングして除去することができる。これにより、第１配線層２４ａは第１絶縁層２３ａから露出され、半導体チップ等と接続される電極パッドとして機能する。
【００６８】
本発明の実施の形態に係る配線基板によれば、金属層を露出する開口部を有するフィラーを含有する絶縁層上に、金属層及び絶縁層の一部を露出する開口部を有するフィラーを含有しないレジスト膜を形成する。そして、エアロゾルデポジション法を用いて、レジスト膜の開口部に露出している金属層及び絶縁層上に配線層を形成する。その結果、簡易な工程により開口部に対応する金属層及び絶縁層上のみに配線層を形成することができる。
【００６９】
又、絶縁層の上面を粗化する工程が不要となる。更に、レジスト膜上にわずかに堆積した微粒子は、特別な除去工程を設けることなく、レジスト膜と共に容易に除去することができる。
【００７０】
又、エアロゾルを構成する微粒子２７０を噴射する速度を適切に設定し切り換えることにより、目的とする成膜対象物のみに選択的にエアロゾルを構成する微粒子２７０を堆積させることができる。
【００７１】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００７２】
例えば、本発明の実施の形態では、本発明を支持体（コア基板）を有さない配線基板に適用する例を示したが、本発明は、より一般的な支持体（コア基板）を有する配線基板にも適用可能である。支持体（コア基板）を有する配線基板にも本発明の実施の形態で示した製造方法がそのまま適用できる。
【００７３】
又、本発明の実施の形態では、支持体として導電体（銅箔）を使用する例を示したが、支持体として導電体を使用しない製造方法を採用することも可能である。その場合には、支持体上に絶縁部材を形成し、絶縁部材に開口部を設け、開口部にスパッタ、無電解めっき等の既知の金属膜形成方法によって予め金属膜を形成しておくことにより、臨界速度の差がより顕著となって配線層形成の信頼性を向上させることができる。
【００７４】
又、３００ｍ／ｓや５００ｍ／ｓという値は、エアロゾルを構成する微粒子２７０を成膜対象物に噴射するのに適した速度を例示したものであるが、最適な噴射速度は成膜対象物の材料構成等により変化するため、その都度成膜対象物に対応した最適な速度を選択すべきであることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】従来の配線基板を部分的に例示する断面図である。
【図２】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図６】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図７】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図８】参考例に係る配線基板を部分的に例示する断面図である。
【図９】エアロゾルデポジション法により成膜を行う成膜装置を例示する模式図である。
【図１０】参考例に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図１１】参考例に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図１２】参考例に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図１３】参考例に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図１４】本発明の実施の形態に係るビルドアップ配線層を有する配線基板を例示する断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図１７】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図１８】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図１９】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図２０】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図２１】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。
【図２２】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。
【図２３】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。
【図２４】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１０）である。
【図２５】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１１）である。
【図２６】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１２）である。
【図２７】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１３）である。
【図２８】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１４）である。
【符号の説明】
【００７６】
１０，２０  配線基板
１１  絶縁層
１１ａ  絶縁層１１の上面
１２  配線層
１３  ソルダーレジスト層
１６  レジスト膜
１６ａ  レジスト膜１６の上面
１６ｘ  開口部
２１  支持体
２１ａ  支持体２１の上面
２２，２６  レジスト膜
２２ｘ，２５ｘ，２６ｘ  開口部
２３ａ  第１絶縁層
２３ｂ  第２絶縁層
２３ｃ  第３絶縁層
２３ｘ  第１ビアホール
２３ｙ  第２ビアホール
２３ｚ  第３ビアホール
２４ａ  第１配線層
２４ｂ  第２配線層
２４ｃ  第３配線層
２４ｄ  第４配線層
２５  ソルダーレジスト層
２８  表面めっき層
２９  パッド本体
２００  成膜装置
２１０  エアロゾル生成容器
２２０  成膜チャンバ
２２１  可動ステージ
２２２  ノズル
２３０  真空ポンプ
２４０  キャリアガス導入部
２５０  エアロゾル導入部
２６０  排気管
２７０  微粒子
２８０  成膜対象物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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