(57)【要約】【課題】  本発明は、低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物において、大気環境下における湿式成膜法を用いて、有機電界発光素子の特性を向上させる組成物を提供することを課題とする。  本発明はまた、湿式成膜法で形成された低分子系有機層を有する有機電界発光素子の製造に用い、製造コストの低減や生産効率の改善を可能とする有機電界発光素子用組成物により、安価で性能の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】  低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、酸素濃度及び／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。  また、低分子化合物と溶媒とを含有する組成物で、該組成物の酸素濃度及び／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上であり、該組成物を用いて、酸素濃度が１％以上で湿式成膜法により形成することを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、酸素濃度及び／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項２】
低分子化合物が、発光性低分子化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項３】
基板上に、陽極及び陰極、該陽極及び陰極の間に配置された複数の有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、
低分子化合物と溶媒とを含有する組成物で、
該組成物の酸素濃度及び／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上であり、
該組成物を用いて、酸素の体積濃度が１％以上の環境下で湿式成膜法により形成することを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
相対湿度が１０％以上の環境下で上記湿式成膜法を行うことを特徴とする、請求項４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
基板上に、陽極及び陰極、該陽極及び陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも一層が、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子用組成物で形成された有機層であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の有機電界発光素子の製造方法で製造されたことを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の有機電界発光素子を備えることを特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の有機電界発光素子を備えることを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子の有機層を形成する為の、有機電界発光素子用組成物、これを用いて形成される有機電界発光素子、並びに有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に関する。
本発明はまた、有機電界発光素子の製造方法、これを用いて製造された有機電界発光素子、並びに有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、通常、基板上に陽極、陰極および該陽極と該陰極の間に配置された発光層や電荷輸送層などの有機層を有するものである。この有機層の形成方法としては、真空蒸着法や湿式成膜法が使用される。
真空蒸着法は、良質な膜を基板に対して均一に成膜できること、積層化が容易で優れた特性のデバイスが得やすいこと、作製プロセス由来の不純物の混入が極めて少ないこと、等の利点があり、現在実用化されている有機電界発光素子の多くは低分子材料を用いた真空蒸着法によるものである。
【０００３】
一方で、湿式成膜法は、真空プロセスが要らず大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能を持った複数の材料を入れることが可能である、等の利点がある。湿式成膜法を用いる場合、材料としては通常、高分子材料が使用される。しかしながら、高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難であること、連続駆動時に末端残基による劣化が起こること、高分子材料自体の高純度化が困難で不純物を含むことなどの問題があり、一部の高分子材料を用いた素子以外は実用レベルに至っていないのが現状である。そこで、上記問題を解決する試みとして、特許文献１や特許文献２では、低分子材料などを用いて、湿式成膜法により有機層を形成しているが、これらの素子は発光効率が不十分であり、実用性に乏しかった。
【０００４】
さらに低分子材料を湿式製膜する際の問題点としては、素子特性が酸素や水分の影響を受け易いことが挙げられる。例えば特許文献３では、有機電界発光素子用組成物中の酸素濃度や水分濃度を極めて低く管理することで、素子特性を向上させる方法が述べられている。また例えば特許文献４では、不活性ガス雰囲気中で有機電界発光素子の有機層を湿式製膜することで、素子特性を向上させる方法が述べられている。しかしながら、これらの方法では、組成物から酸素や水分を除去するための複雑な工程が必要となったり、特殊な塗布環境を保守する必要が生じたりするため、発光素子の製造コストを増加させ、また生産効率が著しく阻害されるという問題があった。
【０００５】
また、湿式成膜法で成膜する際に、低分子化合物を含有する組成物がはじいてしまい、膜が均一に形成されないといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−２１２２８６号公報
【特許文献２】特開平１１−２７３８５９号公報
【特許文献３】特願２００６−５５０７３８公報
【特許文献４】特開２００３−２１７８４０公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物において、大気環境下で湿式成膜法することで、有機電界発光素子の特性を向上させる組成物を提供することを課題とする。
本発明はまた、湿式成膜法で形成された低分子系有機層を有する有機電界発光素子の製造に用い、製造コストの低減や生産効率の改善を可能とする有機電界発光素子用組成物により、安価で性能の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は鋭意検討した結果、有機電界発光素子の形成にあたって、低分子化合物を含有する層の湿式成膜を酸素濃度１％以上で行う際に、有機電界発光素子用組成物中の酸素濃度及び／又は水分濃度を過剰とすることにより、有機電界発光素子の特性が向上することを見出して本発明に到達した。
即ち本発明は、低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、酸素濃度及び／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物、これを用いて形成される有機電界発光素子、並びにこれを備える有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に存する。
【０００９】
本発明はまた、基板上に、陽極及び陰極、該陽極及び陰極の間に配置された複数の有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、低分子化合物と溶媒とを含有する組成物で、該組成物の酸素濃度及び／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上であり、該組成物を用いて、酸素の体積濃度が１％以上で湿式成膜法により形成することを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、並びにこれを備える有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に存する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、湿式成膜法で形成した、低分子化合物を含有する層を有する有機電界発光素子において、酸素濃度および／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上である有機電界発光素子用組成物を用い、酸素濃度１％以上で湿式成膜法を用いることにより、発光ムラを低減し、発光効率および駆動寿命が向上する。
本発明によれば、低分子化合物を含有する有機層を湿式成膜法で形成するに際し、複雑および／又は特殊な環境を必要とせず、製造コストの低減が可能となるため、安価で、生産効率の高い有機電界発光素子の製造方法とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
＜有機電界発光素子用組成物＞
本発明の組成物は、低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、酸素濃度及び／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物である。
【００１３】
［低分子化合物］
本発明における低分子化合物とは、単一の分子量で規定される化合物をいう。
低分子化合物としては、以下の発光性低分子化合物及び／又は電荷輸送性低分子化合物であることが好ましい。
［発光性低分子化合物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物として発光性低分子化合物を含有する。
【００１４】
発光性低分子化合物としては、単一の分子量で規定される発光の性質を有する化合物であれば特に制限はなく、公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光性低分子化合物であってもよく、燐光発光性低分子化合物であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光性低分子化合物である。
なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、発光性低分子化合物の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
【００１５】
以下、発光性低分子化合物のうち蛍光発光性低分子化合物の例を挙げるが、蛍光発光性低分子化合物は以下の例示物に限定されるものではない。 
発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光発光材料は以下の例示物に限定されるものではない。 
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
【００１６】
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
【００１７】
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【００１８】
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
【００１９】
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
【００２０】
燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【００２１】
発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、発光材料の精製が困難となってしまったり、溶媒に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。
【００２２】
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
以下に、発光性低分子化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、Ｈｅｘはヘキシル基を表す。
【００２３】
＜発光性低分子化合物の例示＞
【００２４】
【化１】
2010209320.tif 000002
【００２５】
【化２】
2010209320.tif 000003
【００２６】
［電荷輸送性低分子化合物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物として、電荷輸送性低分子化合物を含んでいることが好ましい。
本発明においては、電荷輸送性低分子化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００２７】
発光層において、発光材料をドーパント材料とし、電荷輸送性低分子化合物をホスト材料として用いることが好ましい。
電荷輸送性低分子化合物は、従来有機電界発光素子の発光層に用いられている化合物であればよく、特に発光層のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。
電荷輸送性低分子化合物として具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等が挙げられる。
【００２８】
例えば、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで
代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−トリス（１−ナフ
チルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピ
ロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのオキサジアゾール系化合物、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール系化合物、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）などのフェナントロリン系化合物等が挙げられる。
【００２９】
以下に、電荷輸送性低分子化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、式中、Ｂｕはブチル基、Ｅｔはエチル基を表す。
＜電荷輸送性低分子化合物の例示＞
【００３０】
【化３】
2010209320.tif 000004
【００３１】
［溶媒］
また、溶媒は、発光性低分子化合物及び電荷輸送性低分子化合物が良好に溶解する溶媒であれば特に限定されない。
溶媒の溶解性としては、常温・常圧下で、発光性低分子化合物および電荷輸送性低分子化合物を、各々、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上溶解することが好ましい。
【００３２】
以下に溶媒の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
【００３３】
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶媒が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶媒の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２６０℃以下、より好ましくは沸点２５０℃以下である。
【００３４】
溶媒の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、有機電界発光素子用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、上限を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。なお、有機電界発光素子用組成物として２種以上の溶媒を混合して用いる場合には、これらの溶媒の合計がこの範囲を満たすようにする。
【００３５】
また、本発明における有機電界発光素子用組成物は、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。
＜酸素濃度・水分濃度＞
本発明の有機電界発光素子用組成物の酸素濃度は、通常１００ｐｐｍ以上、好ましくは５００ｐｐｍ以上、また、通常１００００ｐｐｍ以下、好ましくは２０００ｐｐｍ以下である。
【００３６】
また、本発明の有機電界発光素子用組成物の水分濃度は、通常１００ｐｐｍ以上、好ましくは５００ｐｐｍ以上、また、通常１００００ｐｐｍ以下、好ましくは２０００ｐｐｍ以下である。
上記範囲内であると、酸素濃度１％以上の環境において、インクと基材間の親和性が向上することで塗布膜の濡れ広がり性向上効果が良好に発現され、かつインクの保存安定性を損なわないため、有機電界発光素子の生産効率を向上させる点で好ましい。
【００３７】
本発明の有機電界発光素子用組成物は、酸素濃度又は水分濃度を上記規定内とするために、以下の方法を用いる。
組成物の酸素濃度は溶存酸素濃度計により（飯島電子工業製Ｂ−５０６など）、水分濃度はカールフィッシャー滴定法により（三菱化学アナリテック製ＣＡ−２００型など）、測定することができる。
【００３８】
濃度が過小である場合は、酸素のバブリングや純水の添加によって、規定の濃度まで調製する。濃度が過大である場合は、窒素等の不活性ガスによるバブリング、モレキュラーシーブの添加混合、多孔質中空糸分離膜モジュール（日東電工製ニトセップなど）による脱気処理などにより、除去して既定の濃度まで調製する。
＜有機電界発光素子の製造方法＞
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、基板上に、陽極及び陰極、該陽極及び陰極の間に配置された複数の有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、低分子化合物と溶媒とを含有する組成物で、該組成物の酸素濃度及び／又は水分濃度が１００ｐｐｍ以上であり、該組成物を用いて、酸素の体積濃度が１％以上の環境下で湿式成膜法により形成することを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法である。
【００３９】
低分子化合物、及び溶媒としては、前記［低分子化合物］の項に記載のものと同様である。また好ましい例も同様である。
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、更に、湿式成膜法での酸素濃度が、通常１％
以上、好ましくは１０％以上、より好ましくは１８％以上、また、通常２５％以下、好ましくは２２％以下である。
【００４０】
また、相対湿度は、通常１０％以上、好ましくは３０％以上、また、通常７０％以下、好ましくは５０％以下である。
上記範囲内であると有機電界発光素子の基材表面に吸着酸素や吸着水が適度に存在するため、塗布の均一性が向上する点で好ましい。
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、水分濃度及び／又は酸素濃度が１００ｐｐｍ以上の有機電界発光素子用組成物を用いて、以下の条件を適宜組み合わせて行う。
【００４１】
湿式成膜法により塗布後、通常６０秒以内、好ましくは３０秒以内、より好ましくは１０秒以内に乾燥処理工程を開始する。
乾燥処理工程は、通常減圧乾燥方式であり、到達真空度は通常１Ｔｏｒｒ以下、好ましくは０．１Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは０．０１Ｔｏｒｒ以下である。減圧時間は通常１０秒以上、好ましくは２０秒以上、より好ましくは３０秒以上、また通常１８０秒以下、好ましくは１２０秒以下、さらに好ましくは６０秒以下である。
【００４２】
減圧工程の終了後に大気圧へ復圧させるための気体パージを、窒素やアルゴン等の不活性気体を使用して行う。パージ時間は通常１秒以上、好ましくは２秒以上、より好ましくは５秒以上、また通常６０秒以下、好ましくは４０秒以下、さらに好ましくは２０秒以下である。
乾燥処理工程の後に真空中または窒素やアルゴン等の不活性気体中での加熱処理を行う。加熱温度は通常１００℃以上、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１４０℃以上、また通常２３０℃以下、好ましくは２１０℃以下、さらに好ましくは１９０℃以下である。加熱時間は通常１分以上、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、また通常１２０分以下、好ましくは６０分以下、さらに好ましくは３０分以下である。加熱方式はホットプレート方式、コンベクションオーブン方式、赤外線ヒーター方式、誘導加熱方式、誘電加熱方式などが挙げられる。
【００４３】
減圧乾燥処理工程の終了後に大気圧へ復圧させることなく、真空蒸着工程に投入する。真空蒸着工程の前には真空加熱工程があってもよい。
乾燥処理工程または加熱処理工程の後には、UVオゾン処理工程またはプラズマエッチング処理工程があってもよい。
乾燥処理工程または加熱処理工程の後には、真空中または窒素やアルゴン等の不活性気体中での保管工程があってもよい。保管時間は通常１０分以上、好ましくは３０分以上、より好ましくは１８０分以上、また通常９０時間以下、好ましくは３０時間以下、さらに好ましくは１０時間以下である。
【００４４】
＜有機電界発光素子＞
以下に、本発明の方法で製造される有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図１を参照して説明する。 
図１は本発明にかかる有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。 
【００４５】
（基板） 
基板は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリ
ア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。 
【００４６】
（陽極） 
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。 
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、
カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニ
リン等の導電性高分子等により構成される。 
【００４７】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。 
【００４８】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。 
【００４９】
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調製して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。 
（正孔注入層）
正孔注入層は、陽極２から発光層へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。 
【００５０】
本発明に係る正孔注入層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。 
【００５１】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞ 
湿式成膜により正孔注入層を形成する場合、通常は、正孔注入層を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。 
【００５２】
（正孔輸送性化合物） 
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。 
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。 
【００５３】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【００５４】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。 
【００５５】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。 
【００５６】
【化４】
2010209320.tif 000005
【００５７】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【００５８】
【化５】
2010209320.tif 000006
【００５９】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。）） 
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【００６０】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。 
Ｒ１およびＲ２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。 
【００６１】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。 
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（3,4-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【００６２】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。 
【００６３】
（電子受容性化合物）
正孔注入層３は電子受容性化合物を含有することが好ましく、したがって正孔注入層用組成物も電子受容性化合物を含有していることが好ましい。電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子を受容する能力を有する化合物が好ま
しい。具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物がさらに好ましい。
【００６４】
電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、及び、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモ
ニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。なお、電子受容性化合物は、１種類のみを用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００６５】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化するため、正孔注入層３の導電率を向上させることができる。
電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【００６６】
（溶剤）
正孔注入層用組成物が含有する溶剤のうち少なくとも１種は、正孔注入層３の材料を溶解しうる溶剤であることが好ましい。
また、溶剤の沸点は、通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは２００℃以上であり、通常４００℃以下、好ましくは３００℃以下である。溶剤の沸点が低すぎると形成した膜の乾燥速度が速く、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度が高くなり、他の層２や基板１（例えば、ガラス基板）に悪影響を与える可能性がある。
【００６７】
溶剤の例を挙げると、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。具体的に、エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。また、エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。さらに、芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。また、アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。またその他、ジメチルスルホキシド、等も溶剤として用いることができる。
【００６８】
上述した溶剤の中でも、正孔注入層３の材料を溶解する能力（溶解能）、若しくは材料との親和性が高い溶剤の方が好ましい。正孔注入層用組成物の濃度を任意に設定して、成膜工程の効率に優れる濃度の組成物を調製できるためである。
なお、溶剤は１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で
併用してもよい。
【００６９】
（その他の成分）
正孔注入層３の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔輸送性化合物及び電子受容性化合物以外に、さらにその他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００７０】
（成膜方法）
正孔注入層用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布し、乾燥することによって正孔注入層３を形成する。塗布後、通常は加熱等により乾燥を行う。加熱工程において使用する加熱手段は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。ただし、正孔注入層用組成物が本発明のアリールアミンポリマーを含有する場合には、塗布後に架橋を行わせるようにする。
【００７１】
なお、真空蒸着法による層形成の場合には、まず材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気する。その後、るつぼを加熱して（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層３の形成に用いることもできる。
【００７２】
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。膜厚が薄すぎると正孔注入能が不十分になる可能性があり、厚すぎると抵抗が高くなる可能性がある。
なお、正孔注入層３は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。
［正孔輸送層］
本発明に係る正孔輸送層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【００７３】
正孔輸送層は、正孔注入層がある場合には正孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合には陽極２の上に形成することができる。 また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送
層を省いた構成であってもよい。 
正孔輸送層を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層に接するため、発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。 
【００７４】
このような正孔輸送層の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられて
いる材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【００７５】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
【００７６】
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、ＡｒａまたはＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【００７７】
【化６】
2010209320.tif 000007
【００７８】
（式（ＩＩ）中、Ａｒａ及びＡｒｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。） 
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。 
【００７９】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。 
【００８０】
溶解性、耐熱性の点から、ＡｒａおよびＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上
連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。 
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）およびフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
【００８１】
ＡｒａおよびＡｒｂにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【００８２】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＩＩ）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＩＩＩ−１）および／または下記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【００８３】
【化７】
2010209320.tif 000008
【００８４】
（式（ＩＩＩ−１）中、Ｒa、Ｒb、ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔおよびｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｔまたはｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲaまたはＲbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲaまたはＲbどうしで環を形成していてもよい。）
【００８５】
【化８】
2010209320.tif 000009
【００８６】
（式（ＩＩＩ−２）中、ＲｅおよびＲｆは、それぞれ独立に、上記式（ＩＩＩ−１）におけるＲa、Ｒb、ＲｃまたはＲｄと同義である。ｒおよびｕは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｒまたはｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅおよびＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅまたはＲｆどうしで環を形成していてもよい。Ｘは、５員環または６員環を構成する原子または原子群を表す。）
Ｘの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基である。
【００８７】
また、ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＩＩＩ−１）および／または下記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（ＩＩＩ−３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【００８８】
【化９】
2010209320.tif 000010
【００８９】
（式（ＩＩＩ−３）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。ｖおよびｗは、それぞれ独立に０または１を表す。）
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（ＩＩ）における、Ａｒａ及びＡｒｂと同様である。
【００９０】
上記式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、上記正孔注入層の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。 
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層の形成の場合と同様である。 
【００９１】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層の形成の場合と同様である。 
正孔輸送層は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。 
正孔輸送層はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。 
【００９２】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。 
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性
化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。 
【００９３】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖または側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔
輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（ＩＩ）や式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）に架橋性基が直接または連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【００９４】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【００９５】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解または分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。 
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。 
【００９６】
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。 
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。 
【００９７】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層）上に成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。 
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層の湿式成膜時と同様である。 
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。 
【００９８】
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。 
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。 
【００９９】
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。 
このようにして形成される正孔輸送層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。 
（発光層５）
正孔注入層３の上、又は正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極２，９間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
【０１００】
発光層５は、その構成材料として、前記［低分子化合物］の項に記載の材料を用いることができる。また好ましい例も同様である。
・発光層５の形成方法
発光層５は、通常、湿式成膜法で形成する。この場合、上述の材料を適切な溶剤（発光層用溶剤）に溶解させて発光層用組成物を調製し、その組成物を塗布し、乾燥する。また、必要に応じて塗布後には架橋を行なうようにしてもよい。成膜、乾燥、架橋などは、正孔注入層３及び正孔輸送層４などと同様に行なえばよい。
【０１０１】
発光層５を湿式成膜法で形成するための溶剤としては、発光層５の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述の発光材料、正孔輸送性化合物及び電子輸送性化合物を溶解することが可能なものが好ましい。具体的な溶解性としては、常温・常圧下で、発光材料、正孔輸送性化合物或いは電子輸送性化合物を、通常０．０１重量％以上、中でも０．０５重量％以上、特には０．１重量％以上溶解することが好ましい。
【０１０２】
発光層用溶剤は、好適には、有機電界発光素子用組成物に含有させる溶剤と同様のものが挙げられる。なお、発光層用溶剤は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
発光層用組成物に対する発光層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下の範囲である。なお、発光層用溶剤として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
【０１０３】
湿式成膜法では、通常、発光層用組成物の塗布後、得られた塗膜を乾燥し、発光層用溶剤を除去することにより、発光層５が形成される。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。
なお、他の有機層を本発明に係る湿式成膜法で形成する場合は、発光層５の形成に蒸着法又はその他の方法を用いてもよい。
【０１０４】
発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
（正孔阻止層６）
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
【０１０５】
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔が陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料として
は、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体；ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体；ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）；３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）；バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。
【０１０６】
なお、正孔阻止層６の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。正孔阻止層６が薄過ぎると正孔阻止能力不足による発光効率の低下が生じる場合があり、正孔阻止層６が厚過ぎると、素子の電圧が高くなる場合がある。
【０１０７】
（電子輸送層７）
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させる役割を有する。
電子輸送層７を構成する材料に求められる物性としては、電界を与えられた電極２，９間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができることが挙げられる。このような条件を満たす材料としては電子輸送性化合物が挙げられる。その中でも、通常、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。その例を挙げると、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１０８】
なお、電子輸送層７の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０１０９】
（電子注入層８）
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５へ注入する役割を果たす層である。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。
例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。この場合、電子注入層８の膜厚は０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましい。
【０１１０】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０１１１】
なお、電子注入層８の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
（陰極９）
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
【０１１２】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料と同様のものを用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましい。その例を挙げると、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適切な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０１１３】
なお、陰極９の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層（図示せず。）を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【０１１４】
（その他の層）
本発明に係る有機電界発光素子は、その要旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層３〜８の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０１１５】
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。電子阻止層は、正孔注入層３又は正孔輸送層４と発光層５との間に設けられる層である。この電子阻止層は、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３又は正孔輸送層４に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを果たすものである。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
【０１１６】
電子阻止層の材料に求められる特性としては、正孔輸送能が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、発光層５を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共ポリマー（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
【０１１７】
なお、電子阻止層の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
さらに陰極９と発光層５又は電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（II）（ＣｓＣＯ３）等で形成された極薄絶縁膜（厚さは通常０．１ｎｍ〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Applied Physics Letters，１９９
７年，Ｖｏｌ．７０，ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；IEEE Transactions on Electron Devices，１９９７年，Ｖｏｌ．４４，ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ  ０４  
Ｄｉｇｅｓｔ，ｐｐ．１５４等参照）。
【０１１８】
また、以上説明した層構成において、基板１以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３及び陽極２の順に設けてもよい。
更には、例えば少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０１１９】
また、例えば基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Carrier Generation Layer：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０１２０】
更には、有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層１〜９には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０１２１】
＜有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明＞
本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明は、上述のような本発明の有機電界発光素子を備えるものである。有機ＥＬディスプレイの型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明を形成することができる。
【実施例】
【０１２２】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 
［発光層用組成物の作製］
（実施例１）
以下に示す電荷輸送性低分子化合物（Ｃ１）、及び発光性低分子化合物（Ｄ１）を用いて、下記条件にて発光層用組成物の調製を行った。
【０１２３】
＜発光層用組成物＞ 
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン 
組成物濃度            （Ｃ１）：３．２重量％ 
（Ｄ１）：０．３２重量％
＜発光層用組成物調製時の環境＞
温度                        ２３℃
相対湿度                    ４０％
酸素濃度                    ２１％
【０１２４】
【化１０】
2010209320.tif 000011
【０１２５】
以上のようにして得られた、発光層用組成物に含まれる水分量をカールフィッシャー水分計（三菱化学アナリテック社製 ＣＡ−２１型）にて測定した。結果を表１に示す。  
（実施例２）
以下に示す発光性低分子化合物（Ｄ２）を用いたほかは、実施例１と同様にして発光層用組成物の調製を行った。
【０１２６】
＜発光層用組成物＞ 
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン 
組成物濃度            （Ｃ１）：３．２重量％ 
（Ｄ２）：０．３２重量％
【０１２７】
【化１１】
2010209320.tif 000012
【０１２８】
以上のようにして得られた、発光層用組成物に含まれる水分量を実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
（実施例３）
以下に示す電荷輸送性低分子化合物（Ｃ２およびＣ３）、及び発光性低分子化合物（Ｄ３）を用いたほかは、実施例１と同様にして発光層用組成物の調製を行った。
＜発光層用組成物＞ 
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン 
組成物濃度            （Ｃ２）：３．７重量％ 
（Ｃ３）：１．２重量％ 
（Ｄ３）：０．５重量％
【０１２９】
【化１２】
2010209320.tif 000013
【０１３０】
以上のようにして得られた、発光層用組成物に含まれる水分量を実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
（比較例１）
実施例１において、発光層用組成物調製時の環境が、窒素雰囲気下のグローブボックス内であり、温度２５℃、気相中水分濃度と酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下であるほかは、実施例１と同様に発光層用組成物の調製を行い、組成物中の水分濃度を測定した。測定結果を表１に示す。
【０１３１】
（比較例２）
実施例２において、発光層用組成物調製時の環境が、窒素雰囲気下のグローブボックス内であり、温度２５℃、気相中水分濃度と酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下であるほかは、実施例２と同様に発光層用組成物の調製を行い、組成物中の水分濃度を測定した。測定結果を表１に示す。
【０１３２】
（比較例３）
実施例３において、発光層用組成物調製時の環境が、窒素雰囲気下のグローブボックス内であり、温度２５℃、気相中水分濃度と酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下であるほかは、実施例３と同様に発光層用組成物の調製を行い、組成物中の水分濃度を測定した。測定結果を表１に示す。
【０１３３】
【表１】
2010209320.tif 000014
【０１３４】
［有機電界発光素子の作製］ 
（実施例４） 
図１に示す有機電界発光素子を作製した。 
ガラス基板上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。 
【０１３５】
まず、下の構造式（Ｐ１）に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物（重量平均分子量：２６５００，数平均分子量：１２０００）、構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート及び安息香酸エチルを含有する正孔注入層用組成物を調製した。この組成物を下記条件で陽極上にスピンコートにより成膜して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得た。
【０１３６】
【化１３】
2010209320.tif 000015
【０１３７】
＜正孔注入層用組成物＞ 
溶媒                  安息香酸エチル 
組成物濃度            （Ｐ１）：２．０重量％ 
（Ａ１）：０．８重量％ 
＜正孔注入層の成膜条件＞ 
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ 
スピナ回転時間        ３０秒 
スピンコート雰囲気    大気中 （気温２３℃、酸素濃度２１％、相対湿度４０
％）
加熱条件              大気中  ２３０℃  ３時間 
引き続き、以下の構造式に示す、架橋性重合体（Ｈ１）（重量平均分子量：７６０００）を含有する架橋膜形成用組成物を調製し、下記の条件でスピンコート法により塗布して、加熱により架橋させて膜厚２０ｎｍの架橋膜（正孔輸送層に相当）を形成した。
【０１３８】
【化１４】
2010209320.tif 000016
【０１３９】
＜架橋膜形成用組成物＞ 
溶媒                  シクロヘキシルベンゼン 
固形分濃度            ０．４重量％ 
＜成膜条件＞ 
スピナ回転数          １５００ｒｐｍ 
スピナ回転時間        ３０秒 
スピンコート雰囲気    窒素中 
加熱条件              窒素中、２３０℃、１時間 
次に、実施例１にて調製した発光層用組成物を用いて、以下に示す条件で架橋膜上にスピンコート法にて、発光層および混合層を得た。なお、発光層の膜厚は、ガラス板上で成膜した場合の膜厚が４０ｎｍである。 
【０１４０】
＜発光層の成膜条件＞ 
スピナ回転数          １２００ｒｐｍ 
スピナ回転時間        ３０秒 
スピンコート雰囲気    大気中（気温２３℃、酸素濃度２１％、相対湿度４０％）
加熱条件              減圧下（０．１ＭＰａ）、１３０℃、１時間 
ここで、発光層までを成膜した基板を、有機層蒸着装置内に移し、装置内の真空度が２．４×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した後、以下に示す化合物（Ｃ４）を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層を得た。蒸着速度を０．７〜０．８Å／秒の範囲で制御し、発光層の上に積層して膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を形成した。蒸着時の真空度は２．４〜２．７×１０−４Ｐａであった。
【０１４１】
【化１５】
2010209320.tif 000017
【０１４２】
続いて、以下に示すＡｌｑ３（Ｃ５）を加熱して蒸着を行い、電子輸送層を成膜した。蒸着時の真空度は０．４〜１．６×１０−４Ｐａ、蒸着速度は１．０〜１．５Å／秒の範囲で制御し、正孔阻止層の上に積層して膜厚２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１４３】
【化１６】
2010209320.tif 000018
【０１４４】
ここで、電子輸送層までの蒸着を行った素子を陰極蒸着装置へ移し、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させた。 
電子注入層として、まずフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．１〜０．４Å／秒、真空度３．２〜６．７×１０−４Ｐａで制御し、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、陰極としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．７〜５．３Å／秒、真空度２．８〜１１．１×１０−４Ｐａで制御して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成した。以上の２層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 
【０１４５】
引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。 
窒素グローブボックス中で、２３ｍｍ×２３ｍｍサイズのガラス板の外周部に、約１ｍｍの幅で光硬化性樹脂（スリーボンド社製３０Ｙ−４３７）を塗布し、中央部に水分ゲッターシート（ダイニック社製）を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。 
【０１４６】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の輝度半減寿命を表２に示す。 
（実施例５） 
実施例４において、架橋膜成膜時のスピンコート雰囲気を大気中としたほかは、実施例
４と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子の輝度半減寿命を表２に示す。
【０１４７】
（実施例６） 
実施例５において、発光層用組成物を実施例２にて調製した組成物としたほかは、実施例５と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子の輝度半減寿命を表２に示す。
（実施例７） 
実施例５において、発光層用組成物を実施例３にて調製した組成物とし、ならびに発光層成膜時のスピナ回転数を１５００ｒｐｍとしたほかは、実施例５と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子の輝度半減寿命を表２に示す。
【０１４８】
（比較例４） 
実施例４において、発光層成膜環境を窒素中としたほかは、実施例４と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子の輝度半減寿命を表２に示す。
（比較例５） 
実施例６において、架橋膜ならびに発光層成膜環境を窒素中としたほかは、実施例６と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子の輝度半減寿命を表２に示す。
【０１４９】
（比較例６） 
実施例７において、架橋膜ならびに発光層成膜環境を窒素中としたほかは、実施例７と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子の輝度半減寿命を表２に示す。
【０１５０】
【表２】
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【産業上の利用可能性】
【０１５１】
本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。
【符号の説明】
【０１５２】
１  基板 
２  陽極 
３  正孔注入層 
４  正孔輸送層 
５  発光層 
６  正孔阻止層 
７  電子輸送層 
８  電子注入層 
９  陰極 
【図１】
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