(57)【要約】【課題】マイクロストリップライン構造の高速信号線に対して裏面側で交差する裏側配線を設けた場合でも、高速信号線のインピーダンス上昇を回避することのできる配線基板、電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】フレキシブル配線基板７０において、マイクロストリップライン構造を採用することにより、差動信号線対７７（差動信号線７７１、７７２）、および差動信号線対７８（差動信号線７８１、７８２）のインピーダンスを整合させてある。差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２において、裏側導電膜７９の非形成領域７９０と重なる部分は、第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａより幅寸法が広い第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂになっている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の第１の面側に設けられた高速信号線と、
前記絶縁層の前記第１の面とは反対の面である第２の面側に設けられ、前記高速信号線と交差する配線と、
前記絶縁層の前記第２の面に設けられ定電位に接続される導電膜と、
を有し、
前記導電膜は、前記配線を避けて設けられ、
前記高速信号線は、前記導電膜と重なる第１配線部分と、前記導電膜と重ならない第２配線部分と、を備え、
前記第２配線部分における線幅が、前記第１配線部分における線幅より広いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２配線部分は、前記第１配線部分から離間する側に向かって線幅が拡張していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記高速信号線は、シリアル転送用の信号線であり、
前記配線は、前記高速信号線に比して転送速度が遅いシリアル転送用の信号線、パラレル転送用の信号線、あるいは定電位線であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記高速信号線は、２本が対になって高速シリアル転送を行なう差動信号線を含み、
当該差動信号線の各々が前記第１配線部分および前記第２配線部分を備えていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記差動信号線の各々は、他方の前記差動信号線の反対側に向けて前記第２配線部分が張り出した平面形状を備えていることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁層を基材シートとする２層配線基板であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線基板を備えた電気光学装置であって、
複数の画素が配列された画素配列領域を備えた電気光学装置用基板を有し、
当該電気光学装置用基板に前記配線基板が接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電気光学装置、および電子機器に関するものである。さらに詳しくは、マイクロストリップラインを備えた配線基板の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＥＭＩノイズの低減などを目的としたインターフェースとしてＬＶＤＳ（Low Voltage Differential Signaling）などの高速シリアル転送が脚光を浴びている。かかる高速シリアル転送を行なうための高速シリアルインターフェース回路（ＨＳＳＩＦ／High Speed Serial Interface）は、シリアル化されたデータを差動信号により送信するトランスミッタ回路と、差動信号を差動増幅するレシーバ回路とによって実現される（特許文献１参照）。
【０００３】
また、高速シリアル転送は、配線の本数を減らすことができるという利点がある。このため、折り畳み式の携帯電話機などにおいて、電話番号入力や文字入力を行なうためのボタンが設けられた第１の機器部分と、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などの電気光学装置やカメラデバイスが設けられた第２の機器部分とがヒンジなどの連結部分により連結されている場合に、ヒンジなどの連結部分を介して第１の機器部分と第２の機器部分との間でデータ転送を行なうのに適している。
【０００４】
かかる高速シリアル転送を採用するにあたっては、信号特性の向上やノイズの低減という面から高速信号線のインピーダンスコントロールが必要である。このため、配線基板については、絶縁層の表面側で高速信号線を一定の幅寸法で延在させる一方、絶縁層の裏面側に、高速信号線と重なるように裏側導電膜を形成したマイクロストリップライン構造が採用されている。
【特許文献１】特開２００５−２５７８５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、マイクロストリップライン構造を採用した配線基板では、絶縁層の裏面側に高速信号線と交差する方向に延在する裏面配線を設ける場合、裏面配線の延在領域については裏側導電膜の非形成領域とする必要があるので、高速信号線のインピーダンスが最適値からずれてしまうという問題点がある。すなわち、裏側導電膜の非形成領域では、高速信号線と裏側導電膜との結合容量が下がってしまうので、高速信号線のインピーダンスが上昇してしまう。それ故、従来は、高速信号線と交差する方向に裏面配線を設ける必要がある場合、配線基板を、導電層が３層以上の多層基板として構成せざるを得ないが、かかる多層基板を用いるとコストが上昇するなどの問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明は、マイクロストリップライン構造の高速信号線に対して裏面側で交差する裏側配線を設けた場合でも、高速信号線のインピーダンス上昇を回避することのできる配線基板、該配線基板を備えた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の第１の面側に設けられた高速信号線と、前記絶縁層の前記第１の面とは反対の面である第２の面側に設けられ、前記高速信号線と交差する配線と、前記絶縁層の前記第２の面に設けられ定電位に接続される導電膜と、を有し、前記導電膜は、前記配線を避けて設けられ、前記高速信号線は、前記導電膜と重なる第１配線部分と前記導電膜と重ならない第２配線部分と、を備え、前記第２配線部分における線幅が、前記第１配線部分における線幅より広いことを特徴とする。
【０００８】
すなわち、本発明では、絶縁層の第２の面側においては、配線を避けて導電膜が形成されていることから、導電膜の非形成領域が存在し、その非形成領域に配線が設けられる。高速信号線は、導電膜と重なる領域で延在する第１配線部分と、導電膜の非形成領域と重なる領域で延在し、第１配線部分より幅寸法が広い第２配線部分と、を備える。
【０００９】
本発明に係る配線基板においては、絶縁層の第１の面側に高速信号線を設ける一方、絶縁層の第２の面側に導電膜を形成し、マイクロストリップライン構造とすることにより、高速信号線のインピーダンスを整合させてある。また、本発明に係る配線基板において、絶縁層の第２の面側では、高速信号線と交差する方向に配線が設けられているため、配線の延在領域は導電膜の非形成領域になっているが、高速信号線において、裏側導電膜の非形成領域と重なる部分は、導電膜と重なる領域で延在する第１配線部分より幅寸法が広い第２配線部分になっている。かかる第２配線部分は、第１配線部分に比して、導電膜との結合容量は小さいが、幅寸法が広い分、抵抗分が小さい。従って、第２配線部分でも、導電膜と重なる第１配線部分と同様なインピーダンスを確保することができる。また、第２配線部分は、導電膜と対向していないため、導電膜から大きく離間し、第２配線部分と導電膜との間に厚い絶縁層が介在している状態になっているが、第２配線部分は幅寸法が大であり、単位長さ当たりの面積が広い。このため、第２配線部分と導電膜との間の結合容量が下がるのを最小限に止めることができる。それ故、本発明によれば、高速信号線のインピーダンスを長さ方向の全体にわたって１００Ωに設定できるなど、高速信号線のインピーダンスコントロールを行なうことができる。
【００１０】
本発明において、前記第２配線部分は、例えば、幅方向に矩形形状をもって張り出した平面形状を備えている構成を採用することができる。
【００１１】
本発明において、前記第２配線部分は、前記第１配線部分から離間する側に向かって線幅が拡張していることが好ましい。かかる構成によれば、第２配線部分の長さ方向の全体にわたってインピーダンスを整合させることができる。すなわち、第２配線部分でも、第１配線部分に近い部分と、第１配線部分から離れた部分とでは、裏側導電膜との距離、すなわち絶縁層の厚さが相違するため、インピーダンスに差が発生するが、第２配線部分において、第１配線部分が位置する側から離間する側に向かって線幅が、例えば連続的あるいは段階的に拡張している構成を採用すれば、第２配線部分における長さ方向のインピーダンス差を解消することができる。かかる観点からすれば、前記第２配線部分は、前記第１配線部分が位置する側から離間する側に向かって幅寸法が連続的に拡張している方が好ましい。
【００１２】
本発明において、前記高速信号線は、シリアル転送用の信号線であり、前記配線は、前記高速信号線に比して転送速度が遅いシリアル転送用の信号線、パラレル転送用の信号線、あるいは定電位線である。
【００１３】
本発明において、前記高速信号線は、２本が対になって高速シリアル転送を行なう差動信号線を含み、当該差動信号線の各々が前記第１配線部分および前記第２配線部分を備えていることが好ましい。
【００１４】
本発明において、前記差動信号線の各々は、他方の差動信号線とは反対側に向けて前記第２配線部分が張り出した平面形状を備えてなることが好ましい。かかる構成によれば、当該対をなす差動信号線間の間隙を、当該差動信号線の延在方向で一定とすることができることから２本の差動信号線間の相互干渉が差動信号線の長さ方向で変動しない。それ故、信号特性の向上やノイズの低減を確実に図ることができる。
【００１５】
なお、本発明においては、前記絶縁層の第１の面側に、当該絶縁層を貫通するスルーホールを介して第２の面側の配線に電気的接続する配線を備えている構成を採用してもよい。
【００１６】
本発明において、前記配線基板は、前記絶縁層を基材シートとする２層配線基板であることが好ましい。かかる２層配線基板であれば、導電層が３層以上の多層基板や、複数枚の基板を用いた場合に比較してコストの低減を図ることができる。
【００１７】
本発明に係る配線基板は、例えば、電気光学装置に用いられる。かかる電気光学装置は、複数の画素が配列された画素配列領域を備えた電気光学装置用基板を有しており、かかる電気光学装置用基板に前記配線基板が接続されている。電気光学装置の場合、電気光学装置用基板の幅方向で多数の信号入力を必要とするため、表面側の高速信号線に対して裏面側で交差する裏側配線を設ける必要が多々ある。従って、本発明を適用した配線基板を電気光学装置に用いた場合の効果が大きい。
【００１８】
かかる電気光学装置は、携帯電話機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータなどの電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各領域を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、縮尺などを異ならしめてある。また、電極や配線の数についても簡素化して示してある。また、以下の説明では、説明の便宜上、絶縁層において高速信号線が形成されている第１の面側を表側とし、高速信号線と交差する配線や導電膜が形成されている第２面側を裏側として説明する。
【００２０】
［実施の形態１］
（電気光学装置の全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置（液晶装置）をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モード、ＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モードのアクティブマトリクス型の液晶装置である。この電気光学装置１００では、矩形の素子基板１０（電気光学装置用基板）と矩形の対向基板２０とがシール材２２を介して貼り合わされた電気光学パネル３０（液晶パネル）を有しており、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶１ｆが保持されている。
【００２１】
シール材２２は、素子基板１０と対向基板２０とをそれらの周辺で貼り合わせるための光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール材２２には、その途切れ部分によって液晶注入口２５が形成され、液晶１ｆを注入した後、封止材２７により封止されている。
【００２２】
素子基板１０において、シール材２２で囲まれた領域内は、画素電極２ａや画素トランジスタ２ｃがマトリクス状に配列された画素配列領域１０ａになっており、画素電極２ａの表面には配向膜１９が形成されている。対向基板２０には、シール材２２の内側領域に遮光性材料からなる額縁２６（図１（ｂ）では図示を省略）が形成され、その内側が画像表示領域１ａになっている。対向基板２０には、図示を省略するが、各画素の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜が形成され、その上層側には、共通電極２８および配向膜２９が形成されている。また、対向基板２０において、素子基板１０の各画素に対向する領域には、ＲＧＢのカラーフィルタ（図示せず）がその保護膜とともに形成され、それにより、電気光学装置１００をモバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用いることができる。なお、電気光学装置１００がＩＰＳ(In Plane Switching)モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのアクティブマトリクス型の液晶装置である場合、共通電極２８は、素子基板１０の側に形成される。
【００２３】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、素子基板１０は、シール材２２の外側で対向基板２０の端部から張り出した張り出し領域１５を備えている。張り出し領域１５にはＩＣ実装領域１ｓが形成されており、このＩＣ実装領域１ｓには、走査ドライバ（走査線駆動回路）およびデータドライバ（ソース線駆動回路）などを内蔵する集積回路装置６０（半導体集積装置）がＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。
【００２４】
素子基板１０の張り出し領域１５には、ＩＣ実装領域１ｓに隣接する端部に基板接続領域１ｔが形成されており、この基板接続領域１ｔには、配線基板としてのフレキシブル配線基板７０が接続されている。フレキシブル配線基板７０には、各種配線パターンが形成されており、集積回路装置６０と液晶装置コントローラ３００側との電気的な接続が行なわれている。このように構成した電気光学装置１００は、図８を参照して例示する電子機器１０００に搭載される。
【００２５】
素子基板１０では、画素配列領域１０ａからＩＣ実装領域１ｓに向けて、画素配列領域１０ａの外側領域１ｂを通って、後述する走査線３ａやデータ線６ａから延在する引き回し配線１６、１７が形成されており、かかる引き回し配線１６、１７の端部は、集積回路装置６０を実装するためのパッドになっている。
【００２６】
また、素子基板１０において、ＩＣ実装領域１ｓと基板接続領域１ｔとの間には、液晶装置コントローラ３００からフレキシブル配線基板７０を介して出力された定電位や信号を集積回路装置６０に供給するための配線群１１が形成されている。
【００２７】
（電気光学装置の電気的構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の電気的構成を示す説明図である。本形態の電気光学装置１００において、電気光学パネル３０に用いた素子基板１０には、複数のデータ線６ａ（ソース線）と、データ線６ａと交差する方向に延在する複数の走査線３ａ（ゲート線）と、データ線６ａおよび走査線３ａの交差に対応する複数の画素１０ｂとが構成され、かかる複数の画素１０ｂがマトリクス状に配列された領域によって画素配列領域１０ａが構成されている。
【００２８】
複数の画素１０ｂの各々には、画素電極２ａ、および画素電極２ａを制御するための画素トランジスタ２ｃ（電界効果型トランジスタ）が形成されている。データ線６ａは、画素トランジスタ２ｃのソースに電気的に接続されており、走査線３ａは、画素トランジスタ２ｃのゲートに電気的に接続されている。画素電極２ａは、画素トランジスタ２ｃのドレインに電気的に接続されており、電気光学装置１００では、画素トランジスタ２ｃを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画像信号を各画素１０ｂの液晶容量に所定のタイミングで書き込む。液晶容量に書き込まれた所定レベルの画像信号は、素子基板１０に形成された画素電極２ａと、対向基板２０の共通電極２８（図１（ｂ）参照）との間で一定期間保持される。画素電極２ａには保持容量２ｅが付加されており、画素電極２ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置１００が実現される。本形態では、保持容量２ｅを構成するにあたって、走査線３ａと並行するように容量線３ｂが形成されているが、前段の走査線３ａとの間に保持容量２ｅが形成される場合もある。
【００２９】
（集積回路装置６０の構成）
本形態の電気光学装置１００において、集積回路装置６０には複数の回路ブロックが構成されている。また、集積回路装置６０において画素配列領域１０ａが位置する側の端部は、画素配列領域１０ａから延在する引き回し配線１６、１７の端部に接続するバンプの配列領域６６、６７になっている。集積回路装置６０において基板接続領域１ｔが位置する側の端部は、配線群１１の端部からなるパッドに接続するバンプの配列領域６８になっている。
【００３０】
本形態において、集積回路装置６０では、回路ブロックによって、走査ドライバ６１０、データドライバ６２０、電源回路６３０、階調電圧生成回路６４０、ロジック回路６８０、メモリ（図示せず）などが構成されている。メモリは、ＲＡＭなどにより構成されており、少なくとも１フレーム（１画面）分の画像データ（表示データ）を記憶する。
【００３１】
ロジック回路６８０には制御回路および表示タイミング制御回路などが形成されており、ロジック回路６８０において、制御回路は、各種制御信号を生成する機能を担う他、装置全体の制御を行う。具体的には、制御回路は、階調電圧生成回路６４０に対して階調特性（γ特性）を調整するための階調調整データ（γ補正データ）を出力する機能や、電源回路６３０に対して電源電圧を調整するための電源調整データを出力する機能を担っている。また、制御回路は、メモリへのライト／リード処理を制御する機能も担っている。表示タイミング制御回路は表示タイミングを制御するための各種の制御信号を生成し、メモリから電気光学パネル３０への画像データの読み出しを制御する。
【００３２】
データドライバ６２０は、電気光学パネル３０のデータ線６ａを駆動するためのデータ信号を生成する回路である。具体的にはデータドライバ６２０は、メモリから画像データ（階調データ）を受け、階調電圧生成回路６４０から複数（例えば２５６段階）の階調電圧（基準電圧）を受ける。そして、これらの複数の階調電圧の中から、画像データに対応する電圧を選択して、データ信号（データ電圧）として電気光学パネル３０のデータ線６ａに出力する。
【００３３】
走査ドライバ６１０は電気光学パネル３０の走査線３ａを駆動するための走査信号を生成する回路である。具体的には、走査ドライバ６１０では、内蔵するシフトレジスタにおいて信号を順次シフトし、このシフトされた信号をレベル変換した信号を、走査信号として電気光学パネル３０の各走査線３ａに出力する。
【００３４】
電源回路６３０は各種の電源電圧を生成する回路である。具体的には、入力電源電圧や内部電源電圧を、内蔵する昇圧回路が含む昇圧用キャパシタや昇圧トランジスタを用いてチャージポンプ方式で昇圧する。そして昇圧により得られた電圧を、データドライバ６２０、走査ドライバ６１０、階調電圧生成回路６４０などに供給する。
【００３５】
階調電圧生成回路（γ補正回路）６４０は階調電圧を生成してデータドライバ６２０に供給する回路である。
【００３６】
（データ転送のための構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００および電子機器１０００において、高速シリアル転送のための構成などを示す説明図である。なお、図３では、集積回路装置６０をクライアント（Ｃ）側とし、液晶装置コントローラ３００をホスト（Ｈ）側として、液晶装置コントローラ３００で用いるイネーブル信号ＥＮＢ、クロック信号ＣＫおよびデータ信号ＤＡＴＡの末尾にＨを付し、集積回路装置６０側で用いるイネーブル信号ＥＮＢ、クロック信号ＣＫおよびデータ信号ＤＡＴＡの末尾にＣを付してある。
【００３７】
図２および図３に示すように、集積回路装置６０には、インターフェース回路として、インターフェース速度が比較的遅いクロック同期のシリアルインターフェース、あるいはパラレルインターフェースを行なう第１インターフェース回路６６０が構成されている。また、集積回路装置６０には、インターフェース回路として、高速シリアル転送を行なう第２インターフェース回路６７０が構成されている。
【００３８】
本形態において、第１インターフェース回路６６０は、パラレルインターフェース回路であり、液晶装置コントローラ３００から出力されたライト信号ＷＲ、リード信号ＲＤ、リセット信号ＲＳ、チップセレクト信号ＣＳなどのコマンドを受信する。ここで、ライト信号ＷＲ、リード信号ＲＤ、リセット信号ＲＳ、チップセレクト信号ＣＳは、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）レベルよりも振幅が大きな信号である。なお、第１インターフェース回路６６０に対応する信号として、図３などには、ライト信号ＷＲ、リード信号ＲＤ、リセット信号ＲＳ、チップセレクト信号ＣＳを例示してあるが、第１インターフェース回路６６０に対応する信号として、上記のコマンドの他、アドレスやスタンバイなどに対応する信号を例示することができる。
【００３９】
第２インターフェース回路６７０は、シリアルバスを介した高速シリアル転送を実現する回路である。具体的には、シリアルバスの差動信号線を電流駆動あるいは電圧駆動することにより、液晶装置コントローラ３００との間で高速シリアル転送が実現される。かかる第２インターフェース回路６７０では、ＣＭＯＳレベル（差動信号）の振幅が小さな信号が入力される。より具体的には、小振幅の差動データ信号ＤＰ、ＤＭや、小振幅の差動クロック信号ＣＫＰ、ＣＫＭが入力され、差動データ信号ＤＰ、ＤＭの差動増幅や、差動クロック信号ＣＫＰ、ＣＫＭの差動増幅を行って、液晶装置コントローラ３００からのデータを受信する。ここで、差動データ信号ＤＰ、ＤＭには、電気光学装置１００で表示される画像データが含まれている。差動データ信号ＤＰ、ＤＭは、互いに反転差動信号の関係にあり、差動クロック信号ＣＫＰ、ＣＫＭは、互いに反転差動信号の関係にある。
【００４０】
かかる高速シリアル転送を行なうことを目的に、第２インターフェース回路６７０（受信部）は、クロック用レシーバ回路６７１、データ用レシーバ回路６７２、シリアル−パラレル変換回路（図示せず）などを備えている。また、液晶装置コントローラ３００側は、クロック用トランスミッタ回路３０１、データ用トランスミッタ回路３０２、パラレル−シリアル変換回路（図示せず）などを備えた送信部３１０を有している。クロック用トランスミッタ回路３０１は、差動クロック信号ＣＫＰ、ＣＫＭを出力し、クロック用レシーバ回路６７１は、この差動クロック信号ＣＫＰ、ＣＫＭの差動増幅を行い、得られたクロックＣＫＣを後段の回路に出力する。また、データ用トランスミッタ回路３０２は、差動データ信号ＤＰ、ＤＭを出力し、データ用レシーバ回路６７２は、この差動データ信号ＤＰ、ＤＭの差動増幅を行い、得られたデータ信号ＤＡＴＡＣを後段の回路に出力する。
【００４１】
さらに、本形態では、液晶装置コントローラ３００から集積回路装置６０に対して、グランド電位ＧＮＤおよび駆動電位Ｖｄが供給される。
【００４２】
（フレキシブル配線基板７０の全体構成）
本形態の電気光学装置１００および電子機器１０００において、図３を参照して説明したデータ転送や給電は、図１、図２および図３に示すように、液晶装置コントローラ３００と電気光学パネル３０とを接続するフレキシブル配線基板７０、および素子基板１０に形成された配線群１１により行なわれる。
【００４３】
従って、図３に示すように、フレキシブル配線基板７０には、液晶装置コントローラ３００から素子基板１０にライト信号ＷＲ、リード信号ＲＤ、リセット信号ＲＳ、チップセレクト信号ＣＳが供給するための信号線７３、７４、７５、７６が形成されている。また、フレキシブル配線基板７０には、液晶装置コントローラ３００から駆動電位Ｖｄを供給する電源線７１や、グランド電位ＧＮＤを供給するグランド線７２などの定電位線が形成されている。
【００４４】
さらに、フレキシブル配線基板７０には、液晶装置コントローラ３００から素子基板１０に差動クロック信号ＣＫＰ、ＣＫＭを供給するための差動信号線７７１、７７２が形成され、かかる差動信号線７７１、７７２は２本一組で高速シリアル転送用の差動信号線対７７を構成している。また、フレキシブル配線基板７０には、液晶装置コントローラ３００から素子基板１０に差動データ信号ＤＰ、ＤＭを供給するための差動信号線７８１、７８２が形成され、かかる差動信号線７８１、７８２は２本一組で高速シリアル転送用の差動信号線対７８を構成している。
【００４５】
ここで、高速シリアル転送を採用した場合、パラレル転送と違って、信号特性の向上やノイズの低減という面から、差動信号線対７７、７８を構成する差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２のインピーダンスが各配線の延在方向の全体にわたって整合している必要がある。特に高速シリアル転送の場合、反転差動信号の振幅が小さいため、差動信号線対７７、７８を構成する差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２のインピーダンスが各配線の延在方向の全体にわたって適正でないと、振幅が低下し、信号レベルが反転してしまうおそれがある。
【００４６】
そこで、本形態では、フレキシブル配線基板７０では、差動信号線対７７、７８を構成する差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２についてはマイクロストリップライン構造が採用されている。また、本形態では、図２に模式的に示すように、フレキシブル配線基板７０から素子基板１０に対して、差動信号線対７７、７８を幅方向の両側で挟む２箇所で、ライト信号ＷＲやリード信号ＲＤなどの制御信号、および駆動電位Ｖｄを供給するようになっている。従って、本形態では、フレキシブル配線基板７０では、図４および図５を参照して以下に説明する構造が採用されている。
【００４７】
（フレキシブル配線基板７０の全体構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００および電子機器１０００において、液晶装置コントローラ３００と、電気光学パネル３０の素子基板１０とを電気的に接続するフレキシブル配線基板７０の全体構成を示す説明図であり、図４には、図３を参照して説明した配線のうち、信号線７３、７４、電源線７１、差動信号線対７７、および差動信号線対７８のみを図示してある。なお、図４（ａ）、（ｂ）は各々、フレキシブル配線基板７０において高速シリアル転送用の差動信号線が形成されている表面側の平面構成を示す説明図、およびフレキシブル配線基板７０において裏側導電膜が形成されている裏面側の平面構成を示す説明図に相当する。
【００４８】
図５は、図４に示すフレキシブル配線基板７０の要部の説明図である。なお、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、フレキシブル配線基板７０を差動信号線に沿って切断したときのＡ１−Ａ１′断面図、フレキシブル配線基板７０の表面側のうち、差動信号線の延在領域を拡大して示す説明図、およびフレキシブル配線基板７０において差動信号線の延在領域を裏面側からみた説明図に相当する。
【００４９】
図４および図５に示すように、本形態の電気光学装置１００および電子機器１０００に用いたフレキシブル配線基板７０は、ポリイミドなどの絶縁層７０ｅを基材シートとする２層配線基板（両面基板）であり、絶縁層７０ｅの表面７０ａおよび裏面７０ｂには、以下の導電膜が銅層などの金属層により形成されている。
【００５０】
まず、図４（ａ）および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、フレキシブル配線基板７０において、絶縁層７０ｅの表面７０ａには、高速シリアル転送用の差動信号線対７７（差動信号線７７１、７７２）、および高速シリアル転送用の差動信号線対７８（差動信号線７８１、７８２）が互いに平行に形成され、かかる配線の端部は、素子基板１０に接続されるパッドになっている。ここで、対をなす２本の差動信号線７７１、７７２は並列して延在し、対をなす２本の差動信号線７８１、７８２は並列して延在している。
【００５１】
また、フレキシブル配線基板７０において、絶縁層７０ｅの表面７０ａには、差動信号線対７７、７８に対して幅方向の一方側に電源線７１（表側配線）、およびパラレル転送用の信号線７３、７４（表側配線）が形成され、かかる配線の端部は、素子基板１０に接続されるパッドになっている。さらに、フレキシブル配線基板７０において、絶縁層７０ｅの表面７０ａには、差動信号線対７７、７８に対して、幅方向の他方側にも、サブの電源線７１６（表側配線）、およびサブのパラレル転送用の信号線７３６、７４６（表側配線）が形成され、かかる配線の端部は、素子基板１０に接続されるパッドになっている。ここで、電源線７１、７１６、信号線７３、７３６、および信号線７４、７４６はいずれも、差動信号線対７７、７８に対して平行に延在している。
【００５２】
図４（ｂ）および図５（ａ）、（ｃ）に示すように、フレキシブル配線基板７０において、絶縁層７０ｅの裏面７０ｂには、差動信号線対７７（差動信号線７７１、７７２）、および差動信号線対７８（差動信号線７８１、７８２）と交差するように方向に裏側配線７１５、７３５、７４５が形成されている。ここで、裏側配線７１５の両端部は、絶縁層７０ｅを貫通するスルーホール７１７、７１８を介して表面側の電源線７１、７１６に電気的に接続している。裏側配線７３５の両端部は、絶縁層７０ｅを貫通するスルーホール７３７、７３８を介して表面側の信号線７３、７３６に電気的に接続している。裏側配線７４５の両端部は、絶縁層７０ｅを貫通するスルーホール７４７、７４８を介して表面側の信号線７４、７４６に電気的に接続している。従って、素子基板１０に対しては、電源線７１、７１６、信号線７３、７３６、および信号線７４、７４６を介して幅方向の２箇所で駆動電位Ｖｄや各種制御信号を入力することができる。
【００５３】
また、フレキシブル配線基板７０において、絶縁層７０ｅの裏面７０ｂには、裏側配線７１５、７３５、７４５が延在する領域を避けるように裏側導電膜７９が形成されており、かかる裏側導電膜７９はグランド電位に保持されている。また、裏側導電膜７９は、差動信号線対７７（差動信号線７７１、７７２）、および差動信号線対７８（差動信号線７８１、７８２）と重なるように形成されており、差動信号線対７７、７８とマイクロストリップライン構造を構成している。
【００５４】
ここで、裏側導電膜７９は、裏側配線７１５、７３５、７４５が延在する領域を避けるように形成されているため、裏側配線７１５、７３５、７４５が延在する領域は、裏側導電膜７９の非形成領域７９０になっている。このため、裏側導電膜７９は、２つのベタ領域７９１、７９２に分割されている。但し、本形態では、フレキシブル配線基板７０において、絶縁層７０ｅの表面７０ａには、中継配線７９６が形成されており、かかる中継配線７９６の両端部は、絶縁層７０ｅを貫通するスルーホール７９７、７９８を介して裏面側のベタ領域７９１、７９２に電気的に接続している。従って、裏側導電膜７９では、ベタ領域７９１、７９２の双方をグランド電位に容易に保持することができる。
【００５５】
このように本形態では、裏側導電膜７９と差動信号線対７７、７８とによるマイクロストリップライン構造が採用されているが、裏側配線７１５、７３５、７４５の延在領域（裏側導電膜７９の非形成領域）では、差動信号線対７７、７８と裏側導電膜７９とが重なっていない。
【００５６】
そこで、図４（ａ）、（ｂ）および図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、差動信号線対７７を構成する差動信号線７７１、７７２については、裏側導電膜７９と重なる領域で延在する第１配線部分７７１ａ、７７２ａと、裏側導電膜７９の非形成領域と重なる第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂとによって構成し、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂについては、第１配線部分７７１ａ、７７２ａよりも幅寸法を大にしてある。すなわち、本形態では、第１配線部分７７１ａ、７７２ａについては一定の幅寸法をもって延在させる一方、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂについては、幅方向において、対をなす差動信号線が位置する側とは反対側に矩形形状に張り出した構造にして幅寸法を拡張してある。従って、対をなす差動信号線７７１、７７２間のスペース幅は、差動信号線７７１、７７２の延在方向で一定である。本形態において、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂは長方形であり、配線の延在方向に位置する辺部７７１ｄ、７７２ｄは、非形成領域７９０の縁部に重なっている。
【００５７】
また、差動信号線対７８を構成する差動信号線７８１、７８２についても、差動信号線対７７と同様、裏側導電膜７９と重なる領域で延在する第１配線部分７８１ａ、７８２ａと、裏側導電膜７９の非形成領域と重なる第２配線部分７８１ｂ、７８２ｂとによって構成し、第２配線部分７８１ｂ、７８２ｂについては、第１配線部分７８１ａ、７８２ａよりも幅寸法を大にしてある。また、第１配線部分７８１ａ、７８２ａについては、第１配線部分７７１ａ、７７２ａと同様、一定の幅寸法をもって延在させる一方、第２配線部分７８１ｂ、７８２ｂについては、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂと同様、幅方向において、対をなす差動信号線が位置する側とは反対側に矩形形状に張り出した構造にして幅寸法を拡張してある。従って、対をなす差動信号線７８１、７８２間のスペース幅は、差動信号線７８１、７８２の延在方向で一定である。本形態において、第２配線部分７８１ｂ、７８２ｂは長方形であり、配線の延在方向に位置する辺部７８１ｄ、７８２ｄは、非形成領域７９０の縁部に重なっている。
【００５８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態のフレキシブル配線基板７０、電気光学装置１００および電子機器１０００では、フレキシブル配線基板７０において、絶縁層７０ｅの表面７０ａに差動信号線対７７（差動信号線７７１、７７２）、および差動信号線対７８（差動信号線７８１、７８２）からなる高速信号線を設ける一方、絶縁層７０ｅの裏面側に裏側導電膜７９を形成したマイクロストリップライン構造を採用することにより、高速信号線のインピーダンスを整合させてある。
【００５９】
ここで、絶縁層７０ｅの裏面７０ｂでは、高速信号線と交差する方向に裏面配線７１５、７３５、７４５が設けられているため、裏側配線７１５、７３５、７４５の延在領域は裏側導電膜７９の非形成領域７９０になっている。但し、本形態では、差動信号線７７１、７７２において、裏側導電膜７９の非形成領域７９０と重なる部分は、第１配線部分７７１ａ、７７２ａより幅寸法が広い第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂになっている。また、差動信号線７８１、７８２において、裏側導電膜７９の非形成領域７９０と重なる部分は、第１配線部分７８１ａ、７８２ａより幅寸法が広い第２配線部分７８１ｂ、７８２ｂになっている。このため、高速信号線（差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２）において、裏側導電膜７９の非形成領域７９０と重なる部分では、裏側導電膜７９との結合容量が下がってしまうが、幅寸法が広い第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは抵抗分が小さい。
【００６０】
また、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは、裏側導電膜７９と対向していないため、裏側導電膜７９から大きく離間し、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂと裏側導電膜７９との間に厚い絶縁層７０ｅが介在している状態になっているが、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは幅寸法が大であり、単位長さ当たりの面積が広い。このため、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂと裏側導電膜７９との間の結合容量が下がるのを最小限に止めることができる。
【００６１】
それ故、本形態によれば、高速信号線（差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２）の長さ方向においては、裏側導電膜７９の非形成領域７９０と重なる第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂでも、裏側導電膜７９と重なる第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａと同様なインピーダンスを確保することができる。よって、高速信号線のインピーダンスを例えば１００Ωに設定できるなど、高速信号線のインピーダンスコントロールを行なうことができるので、高速シリアル転送を採用した場合において、導電層が３層以上の多層基板や、複数枚の基板を用いなくても、信号特性の向上やノイズの低減を確実に図ることができる。
【００６２】
また、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは、対をなす差動信号線が位置する側とは反対側に矩形形状に張り出しているため、対をなす差動信号線７７１、７７２間のスペース幅は、差動信号線７７１、７７２の延在方向で一定であり、対をなす差動信号線７８１、７８２間のスペース幅は、差動信号線７８１、７８２の延在方向で一定である。このため、対を成す差動信号線間の相互干渉が差動信号線の長さ方向で変動しないので、信号特性の向上やノイズの低減を確実に図ることができる。
【００６３】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００および電子機器１０００において、液晶装置コントローラ３００と、電気光学パネル３０の素子基板１０とを電気的に接続するフレキシブル配線基板７０の全体構成を示す説明図である。なお、図６（ａ）、（ｂ）は各々、フレキシブル配線基板７０において高速シリアル転送用の差動信号線が形成されている表面側の平面構成を示す説明図、およびフレキシブル配線基板７０において裏側導電膜が形成されている裏面側の平面構成を示す説明図に相当する。
【００６４】
図７は、図６に示すフレキシブル配線基板７０の要部の説明図である。なお、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、フレキシブル配線基板７０を差動信号線に沿って切断したときのＡ２−Ａ２′断面図、フレキシブル配線基板７０の表面側のうち、差動信号線の延在領域を拡大して示す説明図、およびフレキシブル配線基板７０において差動信号線の延在領域を裏面側からみた説明図に相当する。
【００６５】
また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通の機能を担う部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６６】
図６および図７に示すように、本形態の電気光学装置１００および電子機器１０００に用いたフレキシブル配線基板７０も、実施の形態１と同様、ポリイミドなどの絶縁層７０ｅを基材シートとする２層配線基板（両面基板）であり、絶縁層７０ｅの表面７０ａおよび裏面７０ｂには、以下の導電膜が銅層などの金属層により形成されている。
【００６７】
かかるフレキシブル配線基板７０でも、実施の形態１と同様、絶縁層７０ｅの表面７０ａには、高速シリアル転送用の差動信号線対７７（差動信号線７７１、７７２）、および高速シリアル転送用の差動信号線対７８（差動信号線７８１、７８２）が互いに平行に形成されている。
【００６８】
また、フレキシブル配線基板７０において、絶縁層７０ｅの裏面７０ｂには、裏側配線７１５、７３５、７４５が延在する領域を避けるように裏側導電膜７９が形成されており、かかる裏側導電膜７９はグランド電位に保持されている。かかる裏側導電膜７９は、差動信号線対７７（差動信号線７７１、７７２）、および差動信号線対７８（差動信号線７８１、７８２）と重なるように形成されており、差動信号線対７７、７８とマイクロストリップライン構造を構成している。ここで、裏側配線７１５、７３５、７４５の延在領域（裏側導電膜７９の非形成領域７９０）では、差動信号線対７７、７８と裏側導電膜７９とが重なっていない。
【００６９】
そこで、本形態でも、実施の形態１と同様、裏側導電膜７９と重なる領域で延在する第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａについては一定の幅寸法をもって延在させる一方、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂについては、幅方向において、対をなす差動信号線が位置する側とは反対側に矩形形状に張り出した構造にして幅寸法を拡張してある。従って、対をなす差動信号線７７１、７７２間のスペース幅は、差動信号線７７１、７７２の延在方向で一定であり、対をなす差動信号線７８１、７８２間のスペース幅は、差動信号線７８１、７８２の延在方向で一定である。
【００７０】
ここで、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは、差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２の延在方向に位置する辺部７７１ｅ、７７２ｅ、７８１ｅ、７８２ｅを斜辺とする台形形状であり、第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａが位置する側から離間する側に向かって幅寸法が連続的に拡張している。
【００７１】
このように、本形態のフレキシブル配線基板７０、電気光学装置１００および電子機器１０００でも、実施の形態１と同様、マイクロストリップライン構造を採用することにより、差動信号線対７７（差動信号線７７１、７７２）、および差動信号線対７８（差動信号線７８１、７８２）のインピーダンスを整合させてある。また、差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２において、裏側導電膜７９の非形成領域７９０と重なる部分は、第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａより幅寸法が広い第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂになっており、幅寸法が広い第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは抵抗分が小さい。また、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは幅寸法が大であり、単位長さ当たりの面積が広いため、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂと裏側導電膜７９との間の結合容量が下がるのを最小限に止めることができる。さらに、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは、対をなす差動信号線が位置する側とは反対側に矩形形状に張り出しているため、対をなす差動信号線７７１、７７２間のスペース幅は、差動信号線７７１、７７２の延在方向で一定であり、対をなす差動信号線７８１、７８２間のスペース幅は、差動信号線７８１、７８２の延在方向で一定である。このため、対を成す差動信号線間の相互干渉が差動信号線の長さ方向で変動しないので、信号特性の向上やノイズの低減を確実に図ることができる。
【００７２】
しかも、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂは、差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２の延在方向に位置する辺部７７１ｃ、７７２ｃ、７８１ｃ、７８２ｃを斜辺とする台形形状であり、第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａが位置する側から離間する側に向かって幅寸法が連続的に拡張している。このため、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂの長さ方向の全体にわたってインピーダンスを整合させることができる。すなわち、第２配線部分７７１ｂでは、第１配線部分７７１ａに近い部分は、遠い部分に比して、裏側導電膜７９との離間距離が短く、裏側導電膜７９との間の結合容量の低下度合いが小さいので、本形態のように、第１配線部分７７１ａに近い部分幅寸法を遠い部分より狭くすれば、結合容量の低下度合いの差をなくすことができる。他の第２配線部分７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂでも同様である。
【００７３】
なお、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂにおいて、第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａが位置する側から離間する側に向かって幅寸法が階段状に拡張させてもよい。但し、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂでは、第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａに近い部分から遠い部分に向かって裏側導電膜７９との間の結合容量の低下度合いが連続的に大きくなっている。それ故、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂにおいて、第１配線部分７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａが位置する側から離間する側に向かって幅寸法が連続的に拡張させた方が、第２配線部分７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂの長さ方向全体にわたってインピーダンスを整合させることができる。
【００７４】
［その他の構成］
上記実施形態では、差動信号線７７１、７７２、７８１、７８２に対してマイクロストリップライン構造を採用したが、その他の高速信号線に対してマイクロストリップライン構造を採用する場合に本発明を適用してもよい。
【００７５】
上記実施形態では、電気光学装置１００として、液晶装置を例示したが、有機エレクトロルミネッセンス装置やプラズマ表示装置に本発明を適用してもよい。
【００７６】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図８（ａ）に、電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図８（ｂ）に、電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図８（ｃ）に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【００７７】
なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図８に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置（液晶装置）をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示す説明図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置および電子機器において、高速シリアル転送のための構成などを示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置および電子機器において、液晶装置コントローラと、電気光学パネルの素子基板とを電気的に接続するフレキシブル配線基板の全体構成を示す説明図である。
【図５】図４に示すフレキシブル配線基板の要部の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置および電子機器において、液晶装置コントローラと、電気光学パネルの素子基板とを電気的に接続するフレキシブル配線基板の全体構成を示す説明図である。
【図７】図６に示すフレキシブル配線基板の要部の説明図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０・・素子基板（電気光学装置用基板）、１１・・配線群、２０・・対向基板、３０・・電気光学パネル、６０・・集積回路装置、７０・・フレキシブル配線基板（配線基板）、７７、７８・・差動信号線対、７９・・裏側導電膜、１００・・電気光学装置、１０００・・電子機器、６６０・・第１インターフェース回路、６７０・・第２インターフェース回路、７１５、７３５、７４５・・裏側配線、７７１、７７２、７８１、７８２・・差動信号線（高速信号線）、７７１ａ、７７２ａ、７８１ａ、７８２ａ・・差動信号線の第１配線部分、７７１ｂ、７７２ｂ、７８１ｂ、７８２ｂ・・差動信号線の第２配線部分、７９０・・裏側導電膜の非形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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