(57)【要約】【課題】階調再現性に優れたアクティブマトリクス型有機発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス型有機発光表示装置は、複数の映像信号線ＶＬと、複数の画素ＰＸとを備えている。各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、第１容量部Ｃｋと、第２容量部とを有している。第２容量部は、駆動トランジスタＤＲのゲート電極に接続された第１電極及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの陽極に接続された第２電極を含み、陽極の電位を駆動トランジスタのゲート電極に伝播する。【選択図】      図３
2010160209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
低電位電源配線に接続された陰極、前記陰極に対向配置された陽極並びに前記陰極及び陽極間に挟持された有機物層を含んだ有機発光ダイオードと、
高電位電源配線に接続されたソース電極、前記有機発光ダイオードの陽極に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された電極を含んだ第１容量部と、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第１電極及び前記有機発光ダイオードの陽極に接続された第２電極を含み、前記陽極の電位を前記駆動トランジスタのゲート電極に伝播する第２容量部と、を有しているアクティブマトリクス型有機発光表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素及び複数の映像信号線に接続された駆動部をさらに備え、
前記駆動部は、
発光期間に、前記駆動トランジスタから駆動信号を前記有機発光ダイオードに出力させ、前記有機発光ダイオードに前記駆動信号が流れ始める時の前記陽極の電位の変化を前記第２容量部を介して前記駆動トランジスタのゲート電極に伝播させる請求項１に記載のアクティブマトリクス型有機発光表示装置。
【請求項３】
前記有機発光ダイオードの陽極及び陰極間に接続された短絡スイッチをさらに備え、
前記駆動部は、
前記短絡スイッチを導通状態にさせ有機発光ダイオードの陽極及び陰極を短絡させ、前記発光期間の直前に前記短絡スイッチを非導通状態に切換え、前記発光期間も前記短絡スイッチを非導通状態に維持させる請求項２に記載のアクティブマトリクス型有機発光表示装置。
【請求項４】
前記駆動部は、
前記発光期間の前のキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極及びドレイン電極を接続させ前記駆動トランジスタのゲート及びソース間の電圧を前記駆動トランジスタの閾値電圧に設定する請求項２に記載のアクティブマトリクス型有機発光表示装置。
【請求項５】
前記駆動部は、
前記発光期間の前であり、前記短絡スイッチが導通状態のキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極及びドレイン電極を接続させ前記駆動トランジスタのゲート及びソース間の電圧を前記駆動トランジスタの閾値電圧に設定する請求項３に記載のアクティブマトリクス型有機発光表示装置。
【請求項６】
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、低電位電源配線に接続された陰極、前記陰極に対向配置された陽極並びに前記陰極及び陽極間に挟持された有機物層を含んだ有機発光ダイオードと、高電位電源配線に接続されたソース電極、前記有機発光ダイオードの陽極に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された電極を含んだ第１容量部と、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第１電極及び前記有機発光ダイオードの陽極に接続された第２電極を含み、前記陽極の電位を前記駆動トランジスタのゲート電極に伝播する第２容量部と、を有しているアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法において、
発光期間に、前記駆動トランジスタから駆動信号を前記有機発光ダイオードに出力させ、
前記有機発光ダイオードに前記駆動信号が流れ始める時の前記陽極の電位の変化を前記第２容量部を介して前記駆動トランジスタのゲート電極に伝播させるアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、アクティブマトリクス型有機発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、アクティブマトリクス型表示装置として、アクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が開発されている。アクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置では、各画素で表示させる画像の階調を、映像信号の大きさで制御している。映像信号として電圧信号を利用するアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載された表示装置の画素は、ｐチャネル電界効果トランジスタである駆動トランジスタと、有機発光ダイオードと、第１及び第２キャパシタと、第１乃至第３スイッチングトランジスタとを含んでいる。駆動トランジスタと第１スイッチングトランジスタと有機発光ダイオードとは、高電位電源線と低電位電源線との間で、この順に直列に接続されている。第１キャパシタは、高電位電源線と駆動トランジスタのゲートとの間に接続されている。第２スイッチングトランジスタは、駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されている。第２キャパシタの一方の電極は、駆動トランジスタのゲートに接続されている。第３スイッチングトランジスタは、映像信号線と第２キャパシタの他方の電極との間に接続されている。
【０００４】
一般に、駆動トランジスタの閾値電圧や移動度は、画素間でばらつく。このため、同一の映像信号を画素に供給しても、有機発光ダイオードに流れる電流は画素毎に異なり、輝度ムラが生じることになる。
【０００５】
ここで、特許文献１に、閾値電圧のばらつきを抑制する技術も開示されている。これにより、閾値電圧のばらつきに起因した駆動電流のばらつきを抑制することができ、優れた階調再現性を得ることができる。
【特許文献１】特開２００７−１０９９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記有機発光表示装置は、閾値電圧のばらつきを抑制することはできるが、移動度のばらつきを抑制することができない。画素間で駆動トランジスタの移動度がばらついている場合、それに起因して、駆動電流の大きさがばらつき、階調再現性が画素毎にばらつく可能性がある。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、階調再現性に優れたアクティブマトリクス型有機発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係るアクティブマトリクス型有機発光表示装置は、
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
低電位電源配線に接続された陰極、前記陰極に対向配置された陽極並びに前記陰極及び陽極間に挟持された有機物層を含んだ有機発光ダイオードと、
高電位電源配線に接続されたソース電極、前記有機発光ダイオードの陽極に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された電極を含んだ第１容量部と、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第１電極及び前記有機発光ダイオードの陽極に接続された第２電極を含み、前記陽極の電位を前記駆動トランジスタのゲート電極に伝播する第２容量部と、を有している。
【０００８】
また、本発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法は、
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、低電位電源配線に接続された陰極、前記陰極に対向配置された陽極並びに前記陰極及び陽極間に挟持された有機物層を含んだ有機発光ダイオードと、高電位電源配線に接続されたソース電極、前記有機発光ダイオードの陽極に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだＰチャネル型の駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された電極を含んだ第１容量部と、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第１電極及び前記有機発光ダイオードの陽極に接続された第２電極を含み、前記陽極の電位を前記駆動トランジスタのゲート電極に伝播する第２容量部と、を有しているアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法において、
発光期間に、前記駆動トランジスタから駆動信号を前記有機発光ダイオードに出力させ、
前記有機発光ダイオードに前記駆動信号が流れ始める時の前記陽極の電位の変化を前記第２容量部を介して前記駆動トランジスタのゲート電極に伝播させる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、階調再現性に優れたアクティブマトリクス型有機発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながらこの発明の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法について詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す部分断面図である。図３は、図１の表示装置が含む画素の等価回路図である。図４は、上記画素を概略的に示す平面図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。この表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機発光表示装置である。尚、本実施の形態では、下面発光型の有機発光表示装置であるが、本実施の形態は上面発光型の有機発光表示装置についても容易に適用可能である。また、図４では、画素電極ＰＥは、上部電極Ｃ１に重ねられている。
【００１２】
図１乃至図４に示すように、有機発光表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは駆動部１０を形成している。
【００１３】
表示パネルＤＰは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。基板ＳＵＢ上には、アンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上にＳｉＮＸ層とＳｉＯＸ層とをこの順に積層してなる。
【００１４】
アンダーコート層ＵＣ上では、チャネル層ＳＣが配列している。各チャネル層ＳＣは、例えば、ｐ型領域とｎ型領域とを含んだポリシリコン層である。アンダーコート層ＵＣ上では、下部電極Ｃｋ２、Ｃｓ２がさらに配列している。これら下部電極Ｃｋ２、Ｃｓ２は、例えば、ｎ＋型ポリシリコン層である。
【００１５】
チャネル層ＳＣ及び下部電極Ｃｋ２、Ｃｓ２は、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成することができる。
【００１６】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、走査信号線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５、ＳＬ６が形成されている。走査信号線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５、ＳＬ６は、各々が後述する画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に配列している。走査信号線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５、ＳＬ６は、例えばＭｏＷなどからなる。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、上部電極Ｃ１がさらに配列している。上部電極Ｃ１は、例えばＭｏＷなどからなる。上部電極Ｃ１は、走査信号線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５、ＳＬ６と同一の工程で形成することができる。
【００１８】
走査信号線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５及びＳＬ６のそれぞれはチャネル層ＳＣと交差しており、これら交差部は薄膜トランジスタを構成している。また、上部電極Ｃ１はチャネル層ＳＣと交差しており、これら交差部も薄膜トランジスタを構成している。
【００１９】
具体的には、走査信号線ＳＬ１とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、出力スイッチＳＷａである。走査信号線ＳＬ２とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、書込みスイッチＳＷｄである。走査信号線ＳＬ４とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、第２リセットスイッチＳＷｂである。
【００２０】
走査信号線ＳＬ５とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、キャンセルスイッチＳＷｃである。走査信号線ＳＬ６とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、第１リセットスイッチＳＷｅである。上部電極Ｃ１とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、駆動トランジスタＤＲである。
【００２１】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｅは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図２において参照符号Ｇで示す部分は、走査信号線ＳＬ１に接続された、出力スイッチＳＷａのゲート電極である。
【００２２】
上部電極Ｃ１は、下部電極Ｃｋ２、Ｃｓ２と向き合っている。上部電極Ｃ１と下部電極Ｃｋ２、Ｃｓ２とそれらの間に介在している絶縁膜ＧＩとは、第１容量部Ｃｋ及び第２容量部Ｃｓを構成している。ここでは、第１容量部Ｃｋ及び第２容量部Ｃｓはキャパシタである。ここでは、第１容量部Ｃｋ及び第２容量部Ｃｓは、共通の上部電極Ｃ１を使っているが、これに限定されるものではなく種々変形可能である。
【００２３】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５、ＳＬ６、及び上部電極Ｃ１は、層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯＸなどからなる。
【００２４】
層間絶縁膜ＩＩ上には、映像信号線ＶＬ、基準信号線ＢＬ、電源線ＰＳＬ及びリセット線ＲＳＬが形成されている。層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。
【００２５】
映像信号線ＶＬは、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。映像信号線ＶＬは、書込みスイッチＳＷｄのソース電極に接続されている。基準信号線ＢＬは、この例では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。基準信号線ＢＬは、第２リセットスイッチＳＷｂのソース電極に接続されている。電源線ＰＳＬは、この例では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、駆動トランジスタＤＲのソース電極と第２容量部Ｃｓとに接続されている。リセット線ＲＳＬは、第１リセットスイッチＳＷｅのソース電極に接続されている。
【００２６】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに設けられたコンタクトホールを介してチャネル層ＳＣのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸが含む素子間の接続に利用されている。
【００２７】
映像信号線ＶＬと基準信号線ＢＬと電源線ＰＳＬとリセット線ＲＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００２８】
映像信号線ＶＬと基準信号線ＢＬと電源線ＰＳＬとリセット線ＲＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮＸなどからなる。
【００２９】
パッシベーション膜ＰＳ上では、画素電極ＰＥが配列している。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介して、出力スイッチＳＷａのドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００３０】
画素電極ＰＥは、この例では光透過性の前面電極である。また、画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明な導電材料を使用することができる。
【００３１】
また、この実施の形態において、画素電極ＰＥと、駆動トランジスタＤＲのゲート電極とは、第３容量部Ｃｘを介して接続されている。第３容量部Ｃｘは、上部電極Ｃ１と、上部電極Ｃ１に重なった電極Ｃｘ２とを有している。画素電極ＰＥは、上部電極Ｃ１に重なっている。このため、上部電極Ｃ１に重なった画素電極ＰＥの一部が電極Ｃｘ２として機能している。
【００３２】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩは、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔を有している。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成されている。
【００３３】
画素電極ＰＥ上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが形成されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３４】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、対向電極ＣＥで被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された電極、すなわち共通電極である。また、この例では、対向電極ＣＥは、陰極であり且つ光反射性の背面電極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＶＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。
【００３５】
各画素ＰＸは、駆動トランジスタＤＲと、スイッチＳＷａ乃至ＳＷｅと、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、第１容量部Ｃｋと、第２容量部Ｃｓと、第３容量部Ｃｘとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｅはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００３６】
駆動トランジスタＤＲと出力スイッチＳＷａと有機発光ダイオードＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３７】
具体的には、駆動トランジスタＤＲのソース電極は電源端子ＮＤ１に接続されており、有機発光ダイオードＯＬＥＤの対向電極ＣＥは電源端子ＮＤ２に接続されている。出力スイッチＳＷａは、駆動トランジスタＤＲのドレイン電極と有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥとの間に接続されており、そのゲート電極は走査信号線ＳＬ１に接続されている。出力スイッチＳＷａは、走査信号線ＳＬ１から供給される制御信号ＢＧに応答してオン（導通状態）、オフ（非導通状態）される。
【００３８】
キャンセルスイッチＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのゲート電極とドレイン電極との間に接続されている。キャンセルスイッチＳＷｃのゲート電極は、走査信号線ＳＬ５に接続されている。キャンセルスイッチＳＷｃは、走査信号線ＳＬ５から供給される制御信号ＣＧに応答してオン、オフされる。
【００３９】
書込みスイッチＳＷｄは、映像信号線ＶＬと第１容量部Ｃｋとの間に接続されている。書込みスイッチＳＷｄのゲート電極は、走査信号線ＳＬ２に接続されている。書込みスイッチＳＷｄは、走査信号線ＳＬ２から供給される制御信号ＳＧに応答してオン、オフされる。書込みスイッチＳＷｄは、映像信号線ＶＬを介して伝送される映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を出力させるかどうか切換えるものである。
【００４０】
第１リセットスイッチＳＷｅは、リセット線ＲＳＬと駆動トランジスタＤＲのゲート電極との間に接続されている。第１リセットスイッチＳＷｅのゲート電極は、走査信号線ＳＬ６に接続されている。第１リセットスイッチＳＷｅは、走査信号線ＳＬ６から供給される制御信号ＲＧ１に応答してオン、オフされる。第１リセットスイッチＳＷｅは、リセット線ＲＳＬを介して伝送されるリセット電圧ＲＳを出力させるかどうか切換えるものである。ここで、リセット電圧ＲＳは定電圧である。
【００４１】
第２リセットスイッチＳＷｂは、基準信号線ＢＬと第１容量部Ｃｋとの間に接続されている。第２リセットスイッチＳＷｂのゲート電極は、走査信号線ＳＬ４に接続されている。第２リセットスイッチＳＷｂは、走査信号線ＳＬ４から供給される制御信号ＲＧ２に応答してオン、オフされる。第２リセットスイッチＳＷｂは、基準信号線ＢＬを介して伝送される基準電圧Ｖｓｉｇ０を出力させるかどうか切換えるものである。
【００４２】
第１容量部Ｃｋは、駆動トランジスタＤＲのゲート電極並びに第２リセットスイッチＳＷｂ及び書込みスイッチＳＷｄ間に接続されている。より詳しくは、第１容量部Ｃｋの上部電極が駆動トランジスタＤＲのゲート電極に接続されている。第１容量部Ｃｋの下部電極Ｃｋ２が第２リセットスイッチＳＷｂ及び書込みスイッチＳＷｄに接続されている。第１容量部Ｃｋは、基準電圧Ｖｓｉｇ０及び映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を保持（記憶）するものである。
【００４３】
第２容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びソース電極間に接続されている。より詳しくは、第２容量部Ｃｓの上部電極が駆動トランジスタＤＲのゲート電極に接続されている。第２容量部Ｃｓの下部電極Ｃｓ２が駆動トランジスタＤＲのソース電極に接続されている。第２容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びソース電極間の電位差を保持するものである。
【００４４】
第３容量部Ｃｘは、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及び画素電極ＰＥ間に接続されている。より詳しくは、第３容量部Ｃｘの上部電極が駆動トランジスタＤＲのゲート電極に接続されている。第３容量部Ｃｘの下部電極Ｃｘ２が画素電極ＰＥに接続されている。第３容量部Ｃｘは、画素電極ＰＥの電位を駆動トランジスタＤＲのゲート電極に伝播するものである。
【００４５】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、この例では、表示パネルＤＰにＣＯＧ（chip on glass）実装している。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。
【００４６】
映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＶＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、基準信号線ＢＬと電源線ＰＳＬとがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＶＬに映像信号として映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を出力する。加えて、映像信号線ドライバＸＤＲは、基準信号線ＢＬにリセット信号として基準電圧Ｖｓｉｇ０（定電圧）を出力すると共に、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。
【００４７】
走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５、ＳＬ６が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５及びＳＬ６にそれぞれ走査信号として電圧信号を出力する。
【００４８】
次に、有機発光ダイオードＯＬＥＤに発光（画像を表示）させる場合の画素ＰＸの動作について説明する。  
上記のように構成された有機発光表示装置において、画素ＰＸの動作は、リセット動作、キャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、１垂直走査期間に行われる。
【００４９】
ここで、図５は、制御信号ＢＧ、ＲＧ１、ＲＧ２、ＣＧ、ＳＧのオン、オフタイミングと、基準電圧Ｖｓｉｇ０と、映像信号電圧Ｖｓｉｇ１と、リセット電圧ＲＳと、駆動トランジスタＤＲのゲート電位を示すタイミングチャートである。
【００５０】
まず、リセット動作について説明する。  
リセット動作は、リセット期間Ｐ１行われる。リセット動作は、前の発光動作に続いて行われる。リセット期間Ｐ１の長さは、例えば、１水平走査期間である。リセット動作の開始直前の有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥの電位は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値（Ｖｔ，ｅｌ）まで低下した状態となる。
【００５１】
図６には、リセット期間Ｐ１における画素ＰＸを示している。  
図１乃至図５、及び図６に示すように、リセット動作では、走査信号線ドライバＹＤＲから、書込みスイッチＳＷｄ及びキャンセルスイッチＳＷｃをオフ状態とするレベル（オフ電位）、ここでは、ハイレベルの制御信号ＳＧ、ＣＧが出力されている状態で、出力スイッチＳＷａをオフ状態とするオフ電位の制御信号ＢＧが出力される。
【００５２】
同時に、走査信号線ドライバＹＤＲから、第１リセットスイッチＳＷｅ及び第２リセットスイッチＳＷｂをオン状態とするレベル（オン電位）、ここではローレベルの制御信号ＲＧ１、ＲＧ２が出力される。
【００５３】
このため、出力スイッチＳＷａがオフ、第１リセットスイッチＳＷｅ及び第２リセットスイッチＳＷｂがオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲのゲート電位がオン電位に設定されるとともに第１容量部Ｃｋの第２リセットスイッチＳＷｂ側の電極（下部電極Ｃｋ２）が、映像信号線ドライバＸＤＲから、基準信号線ＢＬ及び第２リセットスイッチＳＷｂを介して供給される基準電圧Ｖｓｉｇ０により基準電位(Ｖｓｉｇ０)に設定される。
【００５４】
次に、キャンセル動作について説明する。  
キャンセル動作は、リセット期間Ｐ１に続くキャンセル期間Ｐ２に行われる。キャンセル期間Ｐ２の長さは、例えば、２水平走査期間（１Ｈ×２）である。  
図７には、キャンセル期間Ｐ２における画素ＰＸを示している。
【００５５】
図１乃至図５、及び図７に示すように、キャンセル動作では、走査信号線ドライバＹＤＲから、出力スイッチＳＷａ及び書込みスイッチＳＷｄにオフ電位の制御信号ＢＧ、ＳＧの出力が維持され、第２リセットスイッチＳＷｂにオン電位の制御信号ＲＧ２の出力が維持され、第１リセットスイッチＳＷｅにオフ電位の制御信号ＲＧ１が出力され、キャンセルスイッチＳＷｃにオン電位の制御信号ＣＧが出力される。
【００５６】
このため、第１リセットスイッチＳＷｅがオフ、キャンセルスイッチＳＷｃがオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びドレイン電極の電位は同電位になり、その状態を保ったまま駆動トランジスタＤＲにキャンセル電流が流れ、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びソース電極の間の電圧は閾値電圧に徐々に近づいて行くことになる。
【００５７】
この実施の形態のように、キャンセル期間Ｐ２を十分にとれば駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びソース電極の間の電圧は閾値電圧に到達し、第１容量部Ｃｋには閾値電圧に相当する電位差が保持（記憶）される。
【００５８】
次に、書込み動作について説明する。  
書込み動作は、キャンセル期間Ｐ２に続く書込み期間Ｐ３に行われる。ここでは、書込み期間Ｐ３の長さは、１水平走査期間（１Ｈ）より短い。  
図８には、書込み期間Ｐ３における画素ＰＸを示している。
【００５９】
図１乃至図５、及び図８に示すように、書込み動作では、走査信号線ドライバＹＤＲから、出力スイッチＳＷａ及び第１リセットスイッチＳＷｅにオフ電位の制御信号ＢＧ、ＲＧ１の出力が維持され、第２リセットスイッチＳＷｂ及びキャンセルスイッチＳＷｃにオフ電位の制御信号ＲＧ２、ＣＧが出力され、書込みスイッチＳＷｄにオン電位の制御信号ＳＧが出力される。
【００６０】
このため、第２リセットスイッチＳＷｂ及びキャンセルスイッチＳＷｃがオフ、書込みスイッチＳＷｄがオンに切換えられる。これにより、第１容量部Ｃｋの書込みスイッチＳＷｄ側の電極（下部電極Ｃｋ２）の電位は、映像信号線ドライバＸＤＲから、映像信号線ＶＬ及び書込みスイッチＳＷｄを介して供給される映像信号電圧Ｖｓｉｇ１により、基準電位（Ｖｓｉｇ０）から映像信号電位（Ｖｓｉｇ１）に変位される。
【００６１】
すなわち、有機発光ダイオードＯＬＥＤに表示させる画像の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を書込みスイッチＳＷｄを介して第１容量部Ｃｋに印加し第１容量部Ｃｋに記憶させる。
【００６２】
そして、第１容量部Ｃｋの下部電極Ｃｋ２の電位変化にともない、駆動トランジスタＤＲのゲート電位は、閾値電圧を基点として（Ｖｓｉｇ１−Ｖｓｉｇ０）×Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｓ）だけ変位する。なお、第１容量部Ｃｋの容量をＣｋ、第２容量部Ｃｓの容量をＣｓとした。
【００６３】
その後、書込みスイッチＳＷｄにオフ電位の制御信号ＳＧが出力される。このため、書込みスイッチＳＷｄがオフに切換えられる。これにより、第２容量部Ｃｓに駆動トランジスタＤＲのゲート電位が保持される。
【００６４】
次に、発光動作について説明する。  
発光動作は、書込み期間Ｐ３経過後の表示期間としての発光期間Ｐ４に行われる。発光期間Ｐ４の長さは、例えば、１垂直走査期間が終了するまで（次のリセット動作が開始されるまで）の間である。  
図９には、発光期間Ｐ４における画素ＰＸを示している。
【００６５】
図１乃至図５、及び図９に示すように、発光動作では、走査信号線ドライバＹＤＲから、第１リセットスイッチＳＷｅ、第２リセットスイッチＳＷｂ、キャンセルスイッチＳＷｃ及び書込みスイッチＳＷｄにオフ電位の制御信号ＲＧ１、ＲＧ２、ＣＧ、ＳＧの出力が維持され、出力スイッチＳＷａにオン電位の制御信号ＢＧが出力される。
【００６６】
このため、出力スイッチＳＷａがオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲから駆動信号を有機発光ダイオードＯＬＥＤに出力させる。言い換えると、有機発光素子ＯＬＥＤに、画像の階調に応じた駆動電流が与えられる。
【００６７】
ここで、出力スイッチＳＷａをオンに切換えたタイミングＴ１での動作について説明する。  
駆動部１０は、出力スイッチＳＷａをオンに切換えることにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動信号が流れ始める時（タイミングＴ１）の画素電極ＰＥの電位の変化を第３容量部Ｃｘを介して駆動トランジスタＤＲのゲート電極に伝播させる。
【００６８】
タイミングＴ１において、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥの電位は、駆動トランジスタＤＲのゲート電位に応じた発光電流を流せる電位（Ｖｏｐ，ｅｌ）まで上昇する。この時の画素電極ＰＥの電位の上昇は、移動度の大きい駆動トランジスタＤＲに接続されている有機発光ダイオードＯＬＥＤほど大きい。
【００６９】
なぜならば、キャンセル動作後に駆動トランジスタＤＲのゲート電位を同量変化させた場合、移動度の大小だけが発光電流の大小につながるためである。そして、画素電極ＰＥの電位の上昇に伴い駆動トランジスタＤＲのゲート電位もオフ方向に（Ｖｏｐ，ｅｌ−Ｖｔ，ｅｌ）×Ｃｘ／（Ｃｘ＋Ｃｓ）だけ変位し、この変位も移動度の大きい駆動トランジスタＤＲほど大きい。
【００７０】
したがって、移動度の大きい駆動トランジスタＤＲの方が移動度の小さい駆動トランジスタＤＲよりゲート電位がオフ方向により近い状態になり、移動度のばらつきの補償がゲート電位の自動調整の形で行われた状態になる。
【００７１】
すなわち、有機発光表示装置の有する複数の駆動トランジスタＤＲは、製造上、特性にばらつきが生じて形成されるが、タイミングＴ１での動作により、画像の階調を得るための電位だけ駆動トランジスタＤＲのゲート電位を変位させることができ、さらに、移動度のばらつきを補償することができる。言い換えると、駆動トランジスタＤＲのゲート電位は、所望のタイミングで所望の発光電流を流すことができる状態に設定される。
【００７２】
上記のように構成された有機発光表示装置および有機発光表示装置の駆動方法によれば、有機発光表示装置は、複数の映像信号線ＶＬと、複数の基準信号線ＢＬと、複数の画素ＰＸと、駆動部１０とを備えている。各画素ＰＸは、駆動トランジスタＤＲと、スイッチＳＷａ乃至ＳＷｅと、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、第１容量部Ｃｋと、第２容量部Ｃｓと、第３容量部Ｃｘとを含んでいる。
【００７３】
駆動部１０が行う画素ＰＸの動作は、リセット動作、キャンセル動作、書込み動作及び発光動作である。キャンセル動作により、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びソース電極間の電圧を閾値電圧に到達させることができるため、駆動トランジスタＤＲの閾値電圧ばらつきの影響を抑制することができる。
【００７４】
また、第３容量部Ｃｘは、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及び有機発光ダイオードＯＬＥＤ間に接続されている。タイミングＴ１において、画素電極ＰＥの電位の変化を第３容量部Ｃｘを介して駆動トランジスタＤＲのゲート電極に伝播させることができる。これにより、駆動トランジスタＤＲの移動度のばらつきを補償することができる。
【００７５】
上記したことから、閾値電圧ばらつきの影響、移動度ばらつきの影響ともに抑制することができる。そして、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる有機発光表示装置及び有機発光表示装置の駆動方法を得ることができる。
【００７６】
ここで、本願発明者は、発光電流に対する電流ばらつき（輝度ばらつき）を調査した。調査する際、第２容量部Ｃｓ及び第３容量部Ｃｘの特性を具体的に設定して行った。具体的な設定として、例えば、Ｃｘ／Ｃｓの値を０．１及び０．２とした。また、比較例として、第３容量部Ｃｘを設けない場合（Ｃｘ／Ｃｓ＝０）の例についても調査した。
【００７７】
この場合の発光電流と電流ばらつきとの関係を図１０に示す。同図から解るように、Ｃｘ／Ｃｓの値を大きくしていくことで、低階調側、高階調側ともに発光電流ばらつきが低減されている。
【００７８】
次に、この発明の第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機発光表示装置の駆動方法について詳細に説明する。なお、この実施の形態において、有機発光表示装置の構成は上述した実施の形態と概ね同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００７９】
図１１に示すように、各画素ＰＸは、短絡スイッチＳＷｆをさらに備えている。短絡スイッチＳＷｆは、走査信号線ＳＬ７とチャネル層ＳＣとの交差部が形成している薄膜トランジスタである。この例では、短絡スイッチＳＷｆは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００８０】
短絡スイッチＳＷｆは、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に接続されている。短絡スイッチＳＷｆのゲート電極は、走査信号線ＳＬ７に接続されている。短絡スイッチＳＷｆは、走査信号線ＳＬ７から供給される制御信号ＥＧに応答してオン、オフされる。短絡スイッチＳＷｆは、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥを短絡させることができるものである。
【００８１】
詳述すると、駆動部１０は、短絡スイッチＳＷｆを導通状態にさせ、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥを短絡させ、発光期間の直前に短絡スイッチＳＷｆを非導通状態に切換え、発光期間も短絡スイッチＳＷｆを非導通状態に維持させるものである。
【００８２】
次に、有機発光ダイオードＯＬＥＤに発光（画像を表示）させる場合の画素ＰＸの動作について説明する。  
上記のように構成された有機発光表示装置において、画素ＰＸの動作は、リセット動作、キャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、１垂直走査期間に行われる。
【００８３】
ここで、図１２は、制御信号ＢＧ、ＲＧ１、ＲＧ２、ＣＧ、ＳＧ、ＥＧのオン、オフタイミングと、基準電圧Ｖｓｉｇ０と、映像信号電圧Ｖｓｉｇ１と、リセット電圧ＲＳと、駆動トランジスタＤＲのゲート電位を示すタイミングチャートである。
【００８４】
まず、リセット動作について説明する。  
図１１及び図１２に示すように、リセット動作は、リセット期間Ｐ１行われる。リセット動作は、前の発光動作に続いて行われる。リセット期間Ｐ１の長さは、例えば、１水平走査期間である。
【００８５】
リセット動作では、走査信号線ドライバＹＤＲから、書込みスイッチＳＷｄ、キャンセルスイッチＳＷｃ及び短絡スイッチＳＷｆをオフ状態とするレベル（オフ電位）、ここでは、ハイレベルの制御信号ＳＧ、ＣＧ、ＥＧが出力されている状態で、出力スイッチＳＷａをオフ状態とするオフ電位の制御信号ＢＧが出力される。
【００８６】
同時に、走査信号線ドライバＹＤＲから、第１リセットスイッチＳＷｅ及び第２リセットスイッチＳＷｂをオン状態とするレベル（オン電位）、ここではローレベルの制御信号ＲＧ１、ＲＧ２が出力される。
【００８７】
このため、出力スイッチＳＷａがオフ、第１リセットスイッチＳＷｅ及び第２リセットスイッチＳＷｂがオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲのゲート電位がオン電位に設定されるとともに第１容量部Ｃｋの第２リセットスイッチＳＷｂ側の電極（下部電極Ｃｋ２）が、映像信号線ドライバＸＤＲから、基準信号線ＢＬ及び第２リセットスイッチＳＷｂを介して供給される基準電圧Ｖｓｉｇ０により基準電位(Ｖｓｉｇ０)に設定される。
【００８８】
また、リセット期間Ｐ１の途中において、短絡スイッチＳＷｆがオンに切換えられる。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥを短絡させ、画素電極ＰＥの電位を低電源電位（Ｖｃａｔ）に設定する。この状態で、有機発光ダイオードＯＬＥＤは非導通となり、容量素子として振舞うことになる。
【００８９】
次に、キャンセル動作について説明する。  
キャンセル動作は、リセット期間Ｐ１に続くキャンセル期間Ｐ２に行われる。キャンセル期間Ｐ２の長さは、例えば、２水平走査期間（１Ｈ×２）である。
【００９０】
キャンセル動作では、走査信号線ドライバＹＤＲから、出力スイッチＳＷａ及び書込みスイッチＳＷｄにオフ電位の制御信号ＢＧ、ＳＧの出力が維持され、第２リセットスイッチＳＷｂ及び短絡スイッチＳＷｆにオン電位の制御信号ＲＧ２、ＥＧの出力が維持され、第１リセットスイッチＳＷｅにオフ電位の制御信号ＲＧ１が出力され、キャンセルスイッチＳＷｃにオン電位の制御信号ＣＧが出力される。
【００９１】
このため、第１リセットスイッチＳＷｅがオフ、キャンセルスイッチＳＷｃがオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びドレイン電極の電位は同電位になり、その状態を保ったまま駆動トランジスタＤＲにキャンセル電流が流れ、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びソース電極の間の電圧は閾値電圧に徐々に近づいて行くことになる。
【００９２】
この実施の形態のように、キャンセル期間Ｐ２を十分にとれば駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びソース電極の間の電圧は閾値電圧に到達し、第１容量部Ｃｋには閾値電圧に相当する電位差が保持（記憶）される。
【００９３】
次に、書込み動作について説明する。  
書込み動作は、キャンセル期間Ｐ２に続く書込み期間Ｐ３に行われる。ここでは、書込み期間Ｐ３の長さは、１水平走査期間（１Ｈ）より短い。
【００９４】
書込み動作では、走査信号線ドライバＹＤＲから、出力スイッチＳＷａ及び第１リセットスイッチＳＷｅにオフ電位の制御信号ＢＧ、ＲＧ１の出力が維持され、短絡スイッチＳＷｆにオン電位の制御信号ＥＧの出力が維持され、第２リセットスイッチＳＷｂ及びキャンセルスイッチＳＷｃにオフ電位の制御信号ＲＧ２、ＣＧが出力され、書込みスイッチＳＷｄにオン電位の制御信号ＳＧが出力される。
【００９５】
このため、第２リセットスイッチＳＷｂ及びキャンセルスイッチＳＷｃがオフ、書込みスイッチＳＷｄがオンに切換えられる。これにより、第１容量部Ｃｋの書込みスイッチＳＷｄ側の電極（下部電極Ｃｋ２）の電位は、映像信号線ドライバＸＤＲから、映像信号線ＶＬ及び書込みスイッチＳＷｄを介して供給される映像信号電圧Ｖｓｉｇ１により、基準電位（Ｖｓｉｇ０）から映像信号電位（Ｖｓｉｇ１）に変位される。
【００９６】
すなわち、有機発光ダイオードＯＬＥＤに表示させる画像の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を書込みスイッチＳＷｄを介して第１容量部Ｃｋに印加し第１容量部Ｃｋに記憶させる。
【００９７】
そして、第１容量部Ｃｋの下部電極Ｃｋ２の電位変化にともない、駆動トランジスタＤＲのゲート電位は、閾値電圧を基点として（Ｖｓｉｇ１−Ｖｓｉｇ０）×Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｓ）だけ変位する。
【００９８】
その後、書込みスイッチＳＷｄにオフ電位の制御信号ＳＧが出力される。このため、書込みスイッチＳＷｄがオフに切換えられる。これにより、第２容量部Ｃｓに駆動トランジスタＤＲのゲート電位が保持される。
【００９９】
ここで、書込み動作と発光動作との間でのタイミングＴ２で、短絡スイッチＳＷｆにオフ電位の制御信号ＥＧが出力される。このため、短絡スイッチＳＷｆがオフに切換えられる。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥの電位は、有機発光ダイオードＯＬＥＤ容量に保持された低電源電位（Ｖｃａｔ）にされる。
【０１００】
次に、発光動作について説明する。  
発光動作は、書込み期間Ｐ３経過後の表示期間としての発光期間Ｐ４に行われる。発光期間Ｐ４の長さは、例えば、１垂直走査期間が終了するまで（次のリセット動作が開始されるまで）の間である。
【０１０１】
発光動作では、走査信号線ドライバＹＤＲから、第１リセットスイッチＳＷｅ、第２リセットスイッチＳＷｂ、キャンセルスイッチＳＷｃ、書込みスイッチＳＷｄ及び短絡スイッチＳＷｆにオフ電位の制御信号ＲＧ１、ＲＧ２、ＣＧ、ＳＧ、ＥＧの出力が維持され、出力スイッチＳＷａにオン電位の制御信号ＢＧが出力される。
【０１０２】
このため、出力スイッチＳＷａがオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲから駆動信号を有機発光ダイオードＯＬＥＤに出力させる。言い換えると、有機発光素子ＯＬＥＤに、画像の階調に応じた駆動電流が与えられる。
【０１０３】
ここで、出力スイッチＳＷａをオンに切換えたタイミングＴ１での動作について説明する。  
駆動部１０は、出力スイッチＳＷａをオンに切換えることにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動信号が流れ始める時（タイミングＴ１）の画素電極ＰＥの電位の変化を第３容量部Ｃｘを介して駆動トランジスタＤＲのゲート電極に伝播させる。
【０１０４】
タイミングＴ１において、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極ＰＥの電位は、駆動トランジスタＤＲのゲート電位に応じた発光電流を流せる電位（Ｖｏｐ，ｅｌ）まで上昇する。この時の画素電極ＰＥの電位の上昇は、移動度の大きい駆動トランジスタＤＲに接続されている有機発光ダイオードＯＬＥＤほど大きい。
【０１０５】
なぜならば、キャンセル動作後に駆動トランジスタＤＲのゲート電位を同量変化させた場合、移動度の大小だけが発光電流の大小につながるためである。そして、画素電極ＰＥの電位の上昇に伴い駆動トランジスタＤＲのゲート電位もオフ方向に（Ｖｏｐ，ｅｌ−Ｖｃａｔ）×Ｃｘ／（Ｃｘ＋Ｃｓ）だけ変位し、この変位も移動度の大きい駆動トランジスタＤＲほど大きい。
【０１０６】
したがって、移動度の大きい駆動トランジスタＤＲの方が移動度の小さい駆動トランジスタＤＲよりゲート電位がオフ方向により近い状態になり、移動度のばらつきの補償がゲート電位の自動調整の形で行われた状態になる。
【０１０７】
すなわち、有機発光表示装置の有する複数の駆動トランジスタＤＲは、製造上、特性にばらつきが生じて形成されるが、タイミングＴ１での動作により、画像の階調を得るための電位だけ駆動トランジスタＤＲのゲート電位を変位させることができ、さらに、移動度のばらつきを補償することができる。言い換えると、駆動トランジスタＤＲのゲート電位は、所望のタイミングで所望の発光電流を流すことができる状態に設定される。
【０１０８】
この実施の形態において、短絡スイッチＳＷｆを設けているため、有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値ばらつきの影響を受けにくい。このため、タイミングＴ１での画素電極ＰＥの電位の変化を大きくすることができる。これにより、この有機発光表示装置は、第３容量部Ｃｘの容量が小さくても、上述した第１の実施の形態の有機発光表示装置より優れた移動度ばらつき補償能力を持つことができる。
【０１０９】
上記のように構成された有機発光表示装置および有機発光表示装置の駆動方法によれば、有機発光表示装置は、複数の映像信号線ＶＬと、複数の基準信号線ＢＬと、複数の画素ＰＸと、駆動部１０とを備えている。各画素ＰＸは、駆動トランジスタＤＲと、スイッチＳＷａ乃至ＳＷｅ、ＳＷｆと、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、第１容量部Ｃｋと、第２容量部Ｃｓと、第３容量部Ｃｘとを含んでいる。
【０１１０】
駆動部１０が行う画素ＰＸの動作は、リセット動作、キャンセル動作、書込み動作及び発光動作である。キャンセル動作により、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及びソース電極間の電圧を閾値電圧に到達させることができるため、駆動トランジスタＤＲの閾値電圧ばらつきの影響を抑制することができる。
【０１１１】
また、第３容量部Ｃｘは、駆動トランジスタＤＲのゲート電極及び有機発光ダイオードＯＬＥＤ間に接続されている。タイミングＴ１において、画素電極ＰＥの電位の変化を第３容量部Ｃｘを介して駆動トランジスタＤＲのゲート電極に伝播させることができる。これにより、駆動トランジスタＤＲの移動度のばらつきを補償することができる。
【０１１２】
さらに、短絡スイッチＳＷｆを設けているため、タイミングＴ１での画素電極ＰＥの電位の変化を大きくすることができる。これにより、優れた移動度ばらつき補償能力を得ることができる。
【０１１３】
上記したことから、閾値電圧ばらつきの影響、移動度ばらつきの影響ともに抑制することができる。そして、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる有機発光表示装置及び有機発光表示装置の駆動方法を得ることができる。
【０１１４】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【０１１５】
例えば、上述した実施の形態と同様の閾値キャンセル機能を持つ電圧信号方式画素ＰＸに本発明の駆動方法を適用しても、上述した実施の形態と同様の効果を得ることが期待できる。
【０１１６】
スイッチＳＷａ乃至ＳＷｆは、ｐチャネル型のトランジスタに限らず、ｎチャネル型のトランジスタにより構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】上記有機発光表示装置の出力スイッチ及び有機発光ダイオードを示す断面図。
【図３】上記有機発光表示装置における画素の等価回路を示す平面図。
【図４】上記画素を示す概略平面図。
【図５】上記有機発光表示装置の駆動方法における制御信号のオン、オフ（ｈｉｇｈ、ｌｏｗ）タイミングを示すタイミングチャートであり、基準電圧、映像信号電圧、駆動トランジスタのゲート電位及びリセット電圧を併せて示す図。
【図６】上記有機発光表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。
【図７】上記有機発光表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。
【図８】上記有機発光表示装置の書込み動作における画素の等価回路を示す図。
【図９】上記有機発光表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。
【図１０】上記有機発光表示装置の実施例及び比較例における発光電流に対する電流ばらつきの変化をグラフで示す図。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る有機発光表示装置における画素の等価回路を示す平面図。
【図１２】上記第２の実施の形態に係る有機発光表示装置の駆動方法における制御信号のオン、オフ（ｈｉｇｈ、ｌｏｗ）タイミングを示すタイミングチャートであり、基準電圧、映像信号電圧、駆動トランジスタのゲート電位及びリセット電圧を併せて示す図。
【符号の説明】
【０１１８】
ＤＰ…表示パネル、１０…駆動部、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ、ＰＸ…画素、ＢＬ…基準信号線、ＶＬ…映像信号線、ＰＳＬ…電源線、ＲＳＬ…リセット線、ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ４，ＳＬ５，ＳＬ６，ＳＬ７…走査信号線、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＯＬＥＤ…有機発光ダイオード、ＰＥ…画素電極、ＯＲＧ…有機物層、ＣＥ…対向電極、ＳＷａ…出力スイッチ、ＳＷｂ…第２リセットスイッチ、ＳＷｃ…キャンセルスイッチ、ＳＷｄ…書込みスイッチ、ＳＷｅ…第１リセットスイッチ、ＳＷｆ…短絡スイッチ、Ｃｋ…第１容量部、Ｃｓ…第２容量部、Ｃｘ…第３容量部、Ｃｋ２，Ｃｓ２…下部電極、Ｃ１…上部電極、Ｃｘ２…電極、ＢＧ，ＲＧ１，ＲＧ２，ＣＧ，ＳＧ，ＥＧ…制御信号、Ｖｓｉｇ０…基準電圧、Ｖｓｉｇ１…映像信号電圧、ＲＳ…リセット電圧、Ｐ１…リセット期間、Ｐ２…キャンセル期間、Ｐ３…書込み期間、Ｐ４…発光期間、Ｔ１，Ｔ２…タイミング。
【図１】
2010160209.tif 000003
【図２】
2010160209.tif 000004
【図３】
2010160209.tif 000005
【図４】
2010160209.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2010160209.tif 000009
【図８】
2010160209.tif 000010
【図９】
2010160209.tif 000011
【図１０】
2010160209.tif 000012
【図１１】
2010160209.tif 000013
【図１２】
2010160209.tif 000014