(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の製造方法において、有機ＥＬ素子の良好な発光特性を維持しつつ、その製造において優れた作業性及び生産性を得る。【解決手段】有機ＥＬ素子の製造方法は、表面に有機層が形成された転写基板と被転写基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程と、上記重ね合わせ工程において被転写基板と重ね合わせた転写基板に真空雰囲気の下で輻射線を照射することにより該転写基板上の有機層を該被転写基板に転写する転写工程と、を備え、上記重ね合わせ工程を、オゾン濃度が３０ｐｐｂ以下である調整空気の雰囲気下で行うことを特徴とする。【選択図】図３
2010129201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に有機層が形成された転写基板と被転写基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程と、
上記重ね合わせ工程において被転写基板と重ね合わせた転写基板に真空雰囲気の下で輻射線を照射することにより該転写基板上の有機層を該被転写基板に転写する転写工程と、
を備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、
上記重ね合わせ工程を、オゾン濃度が３０ｐｐｂ以下である調整空気の雰囲気下で行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ素子の製造方法において、
上記重ね合わせ工程において転写基板と重ね合わせる被転写基板を、その有機層転写側表面に絶縁体で形成されたスペーサ用突出部が設けられたものとすることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機ＥＬ素子の製造方法において、
上記重ね合わせ工程において転写基板と重ね合わせる被転写基板を、その有機層転写側表面に電極用導電体層が設けられたものとすることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載された有機ＥＬ素子の製造方法において、
上記重ね合わせ工程の前に、重ね合わせる転写基板及び被転写基板の周囲にオゾン濃度が３０ｐｐｂ以下の調整空気を送り込む調整空気送入工程をさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載された有機ＥＬ素子の製造方法において、
上記重ね合わせ工程の前に、オゾン低減手段によって重ね合わせる転写基板及び被転写基板の周囲をオゾン濃度が３０ｐｐｂ以下の調整空気の雰囲気下とするオゾン低減工程をさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された有機ＥＬ素子の製造方法において、
上記オゾン低減手段はオゾン分解機能及び／又はオゾン吸着機能を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載された有機ＥＬ素子の製造方法において、
上記オゾン低減手段がオゾンフィルタであることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器の多様化に伴い、陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能であるフラットパネルディスプレイに対する需要が高まってきている。低電圧駆動、全固体型、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとしては、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置が挙げられる。
【０００３】
フルカラー表示を行う有機ＥＬ表示装置の方式としては、赤色発光有機ＥＬ素子、緑色発光有機ＥＬ素子、及び青色発光有機ＥＬ素子を並置して画素を構成したＲＧＢ塗り分け方式や、白色発光有機ＥＬ素子と赤色、緑色、及び青色のカラーフィルタとを組み合わせたカラーフィルタ方式、青色発光有機ＥＬ素子と赤色・緑色への色変換フィルタとを組み合わせた色変換方式等が挙げられる。これらのうち、消費電力や色再現範囲に優れる点から、ＲＧＢ塗り分け方式が広く採用されている。
【０００４】
ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬ表示装置において、各色の発光層をパターニングする方法としては、蒸着用マスクによる方法や、熱転写による方法が挙げられる。これらのうち、熱転写法によれば、２００ｐｐｉ以上の高精細、且つ、大型な基板に対してのパターニングが可能である。
【０００５】
特許文献１には、熱転写法を用いた有機ＥＬ素子の製造装置として、内部に真空チャンバが設けられた有機ＥＬ層形成室を用いることが記載されている。そして、この外部チャンバ内の空気を不活性ガスで置換して転写基板及び被転写基板の重ね合わせを行い、その後真空チャンバ内で転写層を被転写基板上に転写することが記載されている。
【特許文献１】特開２００６−３４４４５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に記載されているように、転写基板及び被転写基板の重ね合わせを不活性ガスが充填された雰囲気下で行うためには、有機ＥＬ層形成室としてグローブボックス等の装置を用い、有機ＥＬ層形成室内を外気から完全に遮断する必要がある。しかしながら、グローブボックスは操作性に優れているとは言えず、グローブボックス内への不活性ガスの送入はランニングコストが嵩み、さらに、装置全体として大型化してしまう問題がある。
【０００７】
また、転写基板及び被転写基板の重ね合わせを不活性ガス充填雰囲気下ではなく真空雰囲気下で行う場合にも、装置が大型化する問題や、真空を維持するためのコストが嵩む問題がある。
【０００８】
本発明は、有機ＥＬ素子の良好な発光特性を維持しつつ、その製造において優れた作業性及び生産性を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、表面に有機層が形成された転写基板と被転写基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程と、上記重ね合わせ工程において被転写基板と重ね合わせた転写基板に真空雰囲気の下で輻射線を照射することにより該転写基板上の有機層を該被転写基板に転写する転写工程と、を備えたものであって、
上記重ね合わせ工程を、オゾン濃度が３０ｐｐｂ以下である調整空気の雰囲気下で行うことを特徴とする。
【００１０】
これによれば、転写基板と被転写基板との重ね合わせをオゾン濃度が３０ｐｐｂ以下である調整空気の雰囲気下で行うので、良好な発光特性を維持することができる。しかも、有機ＥＬ層形成室として真空チャンバや不活性ガスを充填するためのグローブボックスを用いることなく簡単に転写基板と被転写基板とを重ね合わせることが可能であり、優れた作業性及び生産性を得ることができる。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、上記重ね合わせ工程において転写基板と重ね合わせる被転写基板を、その有機層転写側表面に絶縁体で形成されたスペーサ用突出部が設けられたものとすることが好ましい。
【００１２】
これによれば、転写基板と被転写基板とを重ね合わせると有機層転写側表面に絶縁体で形成されたスペーサ用突出部によって両基板間に空間が形成されるので、重ね合わせ時に両基板が接触することにより有機層に傷が付くことを防止できる。また、スペーサ用突出部によって形成された空間が両基板の間に形成されており、転写工程を行う真空チャンバの空間に通じているので、両基板間の空間を真空チャンバ内と同じ圧力に保持することができる。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、上記重ね合わせ工程において転写基板と重ね合わせる被転写基板を、その有機層転写側表面に電極用導電体層が設けられたものとすることが好ましい。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、上記重ね合わせ工程の前に、転写基板及び被転写基板の周囲にオゾン濃度が３０ｐｐｂ以下の調整空気を送り込む調整空気送入工程をさらに備えていてもよい。
【００１５】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、上記重ね合わせ工程の前に、オゾン低減手段によって重ね合わせる転写基板及び被転写基板の周囲をオゾン濃度が３０ｐｐｂ以下の調整空気の雰囲気下とするオゾン低減工程をさらに備えていてもよい。
【００１６】
その場合、上記オゾン低減手段はオゾン分解機能及び／又はオゾン吸着機能を有していてもよい。
【００１７】
また、上記オゾン低減手段はオゾンフィルタであることが好ましい。
【００１８】
これによれば、有機ＥＬ層形成室内の空気のオゾン濃度を効率よく低減することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、転写基板と被転写基板との重ね合わせをオゾン濃度が３０ｐｐｂ以下である調整空気の雰囲気下で行うので、有機ＥＬ素子の良好な発光特性を維持しつつ、その製造において優れた作業性及び生産性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。
【００２１】
［実施形態１］
（有機ＥＬ表示装置）
図１〜２は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１０を示す。この有機ＥＬ表示装置１０は、例えば、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、テレビ、電子ブック、モニター、電子ポスター、時計、電子棚札、非常案内等のディスプレイに使用されるものである。
【００２２】
この有機ＥＬ表示装置１０は、ＴＦＴ基板２０上に有機ＥＬ素子３０が設けられ、これらが不活性ガス雰囲気下で接着剤を介して設けられたガラス、フィルム等からなる封止部材（それぞれ不図示）により封止された構造を有し、マトリクス状に構成された複数の画素４０により画像表示するものである。
【００２３】
ＴＦＴ基板２０には、絶縁基板２１上に複数のゲート線が横方向に並行に延びるように設けられていると共に、複数のソース線がゲート線の延びる方向と角度をなす方向（典型的には直交方向）に並行に延びるように設けられ、ゲート線とソース線との各交差部に対応してＴＦＴ２２が設けられている。ＴＦＴ２２は、各画素４０に対応するようにマトリクス状に複数配設されており、対応するゲート線及びソース線のそれぞれに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ基板２０には、ＴＦＴ２２の上層に平坦化膜２３が設けられている。
【００２４】
絶縁基板２１は、有機ＥＬ素子３０の機械的耐久性を担保する機能、及び有機ＥＬ素子３０への外部からの水分や酸素の混入を阻止する機能を有する。絶縁基板２１は、例えば、縦が１００〜３０００ｍｍ、横が１００〜３０００ｍｍ、及び厚さが０．１〜２ｍｍである。
【００２５】
絶縁基板２１としては、例えば、石英やソーダガラス、無アルカリガラスなどからなるガラス基板、アルミナなどからなるセラミックス基板、ポリエチレンテレフタレートなどからなるプラスティック基板、アルミニウムや鉄などからなる金属基板の一方面をＳｉＯ２（シリカゲル）や有機絶縁性材料などの絶縁材料でコートした基板、アルミニウムや鉄
などの金属基板の表面に陽極酸化などの方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられる。
【００２６】
ＴＦＴ２２は、例えばポリシリコン等により形成されている。このＴＦＴ２２は、各画素４０におけるスイッチング素子としての機能を有する。
【００２７】
平坦化膜２３は、例えば、アクリル、ノボラック、ポリイミド等の樹脂材料により形成されており、厚さが０．５〜１０μｍ程度である。この平坦化膜２３によりＴＦＴ基板２０の有機ＥＬ素子３０側表面が平坦化されている。
【００２８】
有機ＥＬ素子３０には、ＴＦＴ基板２０の平坦化膜２３上に各画素４０に対応するように第１電極３１（陽極）が設けられている。各第１電極３１は、平坦化膜２３に形成されたコンタクトホールを介して対応するＴＦＴ２２に電気的に接続されている。また、第１電極３１表面であって画素４０が形成されない領域には、エッジカバー３２が設けられている。そして、有機ＥＬ素子３０は、各第１電極３１上に有機ＥＬ層３３が設けられ、その有機ＥＬ層３３上に第２電極３４（陰極）が設けられている。さらに、有機ＥＬ素子３０には、複数の第２電極３４の全体を覆うように保護膜３５が設けられている。
【００２９】
第１電極３１は、導電性材料で形成されており、厚さが例えば５０〜５００ｎｍである。第１電極３１は、有機ＥＬ層３３にホール（正孔）を注入する機能を有する。
【００３０】
第１電極３１の導電性材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極３１は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金で形成されていてもよい。さらに、第１電極３１は、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物等で形成されていてもよい。
【００３１】
第１電極３１は、有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を向上させることができるという観点から、仕事関数の大きな材料で形成されていることが好ましい。かかる仕事関数の大きな材料としては、例えばＩＴＯやＩＺＯ等が挙げられる。
【００３２】
第１電極３１は、有機ＥＬ素子３０がＴＦＴ基板２０側から有機ＥＬ層３３の発光を取り出すボトムエミッション構造である場合、ＩＴＯ等の光透過性又は光半透過性の材料で形成されていることが好ましく、一方、有機ＥＬ素子３０が第１電極３１とは反対側から有機ＥＬ層３３の発光を取り出すトップエミッション構造である場合、アルミニウム等の光反射性材料で形成されていることが好ましい。
【００３３】
第１電極３１は、上記導電性材料で各々が形成された複数層で構成されていてもよい。
【００３４】
エッジカバー３２は、絶縁性の材料で形成されており、第２電極３４側に延びるスペーサ用突出部３２ａを一体となるようにして備えている。スペーサ用突出部３２ａは、後述する有機ＥＬ層転写工程において被転写基板上に転写基板を重ね合わせするときのスペーサとして機能を有する。なお、スペーサ用突出部３２ａは一部のエッジカバー３２上に形成されていればよく、全てのエッジカバー３２がスペーサ用突出部３２ａを備える必要はない。
【００３５】
エッジカバー３２は、画素４０が形成されていない領域に形成されている。そして、スペーサ用突出部３２ａは、転写基板と被転写基板との間の空間を減圧する際に空気が抜けやすいように、エッジカバー３２の一部を底面として設けることが望ましい。エッジカバー３２は、例えば厚さが１０〜５００ｎｍである。また、スペーサ用突出部３２ａは、例えば突出高さが１００〜１００００ｎｍである。
【００３６】
エッジカバー３２を形成している材料としては、例えば、ＳｉＯ２、窒化シリコン（Ｓｉ２Ｎ４）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、アクリル樹脂、ポリイミド等が挙げられる。
【００３７】
スペーサ用突出部３２ａは、エッジカバー３２と同一の材料で形成されていても、異種の材料で形成されていてもよい。スペーサ用突出部３２ａを形成している材料としては、エッジカバー３２の形成材料と同種のものが挙げられる。
【００３８】
有機ＥＬ層３３は、ＴＦＴ基板２０側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層（いずれも不図示）が順に積層された構造を有する。有機ＥＬ層３３は、第１電極３１よりも面積が小さく形成されていてもよく、また、第１電極３１を完全に覆うように大きく形成されていてもよい。なお、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層の５層積層構造に限られず、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層構造であってもよい。
【００３９】
正孔注入層は、例えば、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等で形成されており、層厚さが１０〜３００ｎｍである。正孔注入層は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極３１と有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極３１から有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を向上させる機能を有する。
【００４０】
正孔輸送層は、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等で形成されており、層厚さが１０〜３００ｎｍである。正孔輸送層は、第１電極３１から有機ＥＬ層３３への正孔輸送効率を向上させる機能を有する。
【００４１】
発光層は、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、金属オキシノイド化合物［８−ヒドロキシキノリン金属錯体］、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレンなどの低分子化合物；ポリ−ｐ−フェニレンビニレンやポリシラン等の高分子化合物等で形成されており、層厚さが１０〜３００ｎｍである。発光層は、第１電極３１から注入されたホール（正孔）と第２電極３４から注入された電子とを再結合させて光を出射させる機能を有する。
【００４２】
発光層には、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、発光性のドーパントなどが添加されていてもよい。これらの添加物は、高分子材料（結着用樹脂）や無機材料中に分散されて添加されていてもよい。なお、発光性のドーパントが添加されている場合は、発光効率や寿命の観点から、ドーパントがホスト材料中に分散された状態で添加されていることが好ましい。
【００４３】
発光性のドーパントとしては、例えば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）などの芳香族ジメチリデン誘導体；スチリル誘導体；ペリレン、イリジウム錯体、クマリン６などのクマリン誘導体；ルモーゲンＦレッド、ジシアノメチレンピラン、フェノキザゾン、ポリフィリン誘導体等が挙げられる。なお、ドーパントの種類を適宜選択することにより、赤色に発光する赤色発光層、緑色に発光する緑色発光層、及び青色に発光する青色発光層となる。
【００４４】
電子輸送層は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等で形成されており、層厚さが１０〜３００ｎｍである。電子輸送層は、陰極バッファ層とも呼ばれ、第２電極３４から注入された電子を発光層まで効率良く移動させる機能を有する。
【００４５】
電子注入層は、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、セシウム（Ｃｓ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）等の仕事関数が４．０ｅＶ以下の低仕事関数金属を用いることができるが、発光層として高分子有機発光層を適用した場合には、中でもＣａ、Ｂａが好適に用いられる。通常、電子注入層は、酸素や水等による低仕事関数金属の変質を抑えるために、ニッケル（Ｎｉ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）等の化学的に比較的安定な金属と低仕事関数金属との合金からなる単層膜又は複数の材料の積層膜、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）などのフッ化物、酸化カルシウム（ＣａＯ）, 酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等の酸化物、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）等の炭酸化物等が好適に用いられる。また、電子注入層と第２電極３４を兼ね備えた層として、金属層の部分に、例えばＣｕＰｃ等の有機材料に
上記の低仕事関数金属をドーパントとして用いた電子注入性を有する有機材料を用いることも出来る。電子注入層の厚さは０．１〜１００ｎｍである。電子注入層は、第２電極３４と有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極３４から有機ＥＬ層３３への電子注入効率を向上させる機能を有する。
【００４６】
第２電極３４は、導電性材料で形成されており、厚さが例えば５０〜５００ｎｍである。第２電極３４は、有機ＥＬ層３３に電子を注入する機能を有する。第２電極３４は、有機ＥＬ層３３よりも面積が小さく形成されていてもよく、また、有機ＥＬ層３３を完全に覆うように大きく形成されていてもよい。なお、第２電極３４が形成された領域が画素４０を構成する。
【００４７】
第２電極３４の導電性材料としては、例えば、第１電極３１と同様のものが挙げられる。
【００４８】
第２電極３４は、電子注入層と同様に有機ＥＬ層３３への電子注入効率を向上させることができるという観点から仕事関数の小さな材料と、電極としての導電性と水分や酸素への耐性を兼ね備えるための比較的安定な金属との合金、積層が用いられる。かかる仕事関数の小さな材料としては、例えば、Ｍｇ、Ｌｉなどの金属；ＬｉＦ、Ｍｇ／Ｃｕ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｎａ／Ｋ、Ｌｉ／Ａｌ、Ｌｉ／Ｃａ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌなどの合金等が挙げられる。電子注入層が充分に機能している場合は、電極としての導電性と水分や酸素への耐性を兼ね備えた金属層、透明導電膜の単層、積層が用いられる。
【００４９】
第２電極３４は、有機ＥＬ素子３０がトップエミッション構造である場合、ＡｌやＡｇ等の極薄層もしくは、ＩＴＯ等の光透過性又は光半透過性の材料で形成されていることが好ましく、一方、有機ＥＬ素子３０がボトムエミッション構造である場合、アルミニウム等の光反射性材料で形成されていることが好ましい。
【００５０】
第２電極３４は、上記導電性材料で各々が形成された複数層で構成されていてもよい。
【００５１】
保護膜３５は、絶縁性材料で構成されており、例えば厚さが１０〜１００００ｎｍである。保護膜３５は、水分や酸素が有機ＥＬ層３３や第２電極３４へ混入するのを阻止する機能を有する。
【００５２】
保護膜３５は、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、及びＴａのうちのいずれかの酸化物、窒化物、又は酸窒化物、具体的には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、酸窒化チタン（ＴｉＯＮ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、窒化タンタル（ＴａＮ）、酸窒化タンタル（ＴａＯＮ）等で形成されている。
【００５３】
以上の構成の有機ＥＬ表示装置１０では、各画素４０において、ＴＦＴ２２がオンとなった際に、有機ＥＬ層３３に対し、第１電極３１からホール（正孔）及び第２電極３４から電子がそれぞれ注入され、それらのホールと電子とが有機ＥＬ層３３で再結合し、それによって放出されたエネルギーが発光層の発光材料を励起させ、励起された発光材料が励起状態から基底状態に戻るときに蛍光や燐光を放出し、その蛍光や燐光が有機ＥＬ層３３の発光として外部に出射され、画素４０全体として所定の画像を表示することとなる。
【００５４】
なお、本実施形態ではＴＦＴ基板２０を用いた構成としたが、特にこれに限られるものではなく、例えばＭＩＭ（Metal  Insulator  Metal）型のアクティブマトリクス基板を用いてもよい。
【００５５】
なお、本実施形態では、第１電極３１が陽極及び第２電極３４が陰極である構成としたが、第１電極３１が陰極及び第２電極３４が陽極の逆構造型有機ＥＬ素子であってもよい。この場合、第１電極３１から有機ＥＬ層３３に電子が注入されると共に第２電極３４から有機ＥＬ層３３にホールが注入されて両者が再結合することにより有機ＥＬ層３３が発光し、画素４０全体として所定の画像を表示を行う。
【００５６】
（有機ＥＬ表示装置の製造装置）
図３は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１０の製造装置１００の構成を示す。まず、この製造装置１００について説明する。
【００５７】
有機ＥＬ表示装置１０の製造装置１００は、有機ＥＬ層３３を形成するための有機層形成室１１０を有する。有機層形成室１１０には外部から調整空気を送入するための送入口が設けられており、この送入口には調整空気送入手段１２０を備えた調整空気送入管１３０が取り付けられている。また、有機層形成室１１０には、室内のオゾン濃度を測定するためのオゾン濃度測定器（図示せず）が設けられている。そして、有機層形成室１１０の内部には、後述の転写工程を行うための転写装置（図示せず）が設けられている。さらに、有機層形成室１１０は、壁面に排気口を備えている。なお、調整空気とは、オゾン濃度が空気よりも小さくなるように調整された気体のことをいう。
【００５８】
有機層形成室１１０は、例えば金属やプラスチック製である。有機層形成室１１０は、例えば筺状体であり、例えば縦が１００〜１００００ｍｍ、横が１００〜１００００ｍｍ、及び高さが１００〜５０００ｍｍである。
【００５９】
調整空気送入手段１２０は、有機層形成室１１０の送入口に、オゾン濃度を低減した調整空気を送入するように設けられている。調整空気送入手段１２０は、オゾンフィルタ１２１ａ、クリーンフィルタ１２１ｂ、及びポンプ１２２を備えており、これらが連結された管状のものである。調整空気送入手段１２０は、例えば、管の入口径が１０〜３０００ｍｍ及び全長が１００〜１００００ｍｍのものである。
【００６０】
ポンプ１２２は、有機層形成室１１０の外の空気を調整空気送入手段１２０内に引き込む機能を有する。ポンプ１２２は、例えば、毎分０．０１〜１００００ｍ３の空気を吸入することができる。
【００６１】
クリーンフィルタ１２１ｂは、通過した空気等の気体の塵等を除去する機能を有する。
【００６２】
オゾンフィルタ１２１ａは、オゾン分解機能及び／又はオゾン吸着機能を有し、それによって通過した空気等の気体に含まれるオゾン濃度を低下させることが可能である。オゾンフィルタ１２１ａは、例えば、活性炭やオゾン分解触媒を含有している。このオゾンフィルタ１２１ａによれば、空気がフィルタを通過することにより、空気中に含まれるオゾンのうち、例えば５０〜１００質量％を分解、吸着することが可能である。一般に、空気中のオゾン濃度は０〜５０ｐｐｂであるので、空気をこのオゾンフィルタ１２１ａに通すことによって容易にオゾン濃度が３０ｐｐｂ以下の調整空気を作ることができる。
【００６３】
この調整空気送入手段１２０では、有機層形成室１１０の外の空気がポンプ１２２によって調整空気送入手段１２０内に引き込まれ、クリーンフィルタ１２１ｂで塵等が除去され、続いてオゾンフィルタ１２１ａによってオゾンが分解又は吸着されて、低オゾン濃度の調整空気が作られる。そして、この調整空気は調整空気送入管１３０を経て有機層形成室１１０内に送入される。
【００６４】
なお、調整空気送入手段１２０には複数のクリーンフィルタ１２１ｂが設けられていてもよく、これにより空気中の塵等の除去効果を高めることができる。また、調整空気送入手段１２０には複数のオゾンフィルタ１２１ａが設けられていてもよく、これにより空気中のオゾン低減効果を高めることができる。
【００６５】
オゾン濃度測定器は、有機層形成室１１０内の空気のオゾン濃度を測定する機能を有する。オゾン濃度測定器としては、例えば、ダイレック社製のＭＯＤＥＬ１２００等の紫外線吸収法による測定器を用いることができる。オゾン濃度測定器は有機層形成室１１０の外から測定結果を視認可能であることが好ましい。
【００６６】
転写装置は真空チャンバを有する。この真空チャンバは、被転写基板上に転写基板を重ね合わせた状態で、これらを収納することが可能である。そして、転写装置は、真空チャンバ内に収納された転写基板に向かって輻射線を照射可能な輻射線源（例えば、レーザ光源）を備えている。また、転写装置にはアライメントカメラが設けられており、これによって転写基板とレーザ照射源との位置合わせを行うことができる。
【００６７】
真空チャンバは、例えば、上部が開口した筺体形状の基体と、基体の開口部に嵌め込む蓋体と、を備えている。基体及び蓋体は、例えば、ステンレス等で形成されている。真空チャンバの基体には、真空チャンバ内を真空雰囲気とするための真空ポンプが接続されている。
【００６８】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
続いて、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について説明する。有機ＥＬ表示装置１０の製造方法は、第１電極等形成工程、有機ＥＬ層形成工程、第２電極等形成工程、及び封止工程を備えている。
【００６９】
＜第１電極等形成工程＞
まず、公知の方法により作製したＴＦＴ基板２０の平坦化膜２３に各ＴＦＴ２２毎にドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成した後、そのコンタクトホールと電気的に接続するように第１電極３１を形成する。第１電極３１は、例えば、トップエミッション構造の有機ＥＬ素子３０においては、スパッタ法によって、ＡｇおよびＩＴＯ膜を形成し、その後、フォトリソグラフィーを用いてＩＴＯ及びＡｇのパターニングを行って形成する。
【００７０】
次に、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセスやスピンコート等のウェットプロセスを用いて、例えばポリイミド膜を成膜した後にフォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行って、第１電極３１のエッジ部を覆うようにエッジカバー３２を形成する。そして、上記フォトリソグラフィプロセスを繰り返すことによってスペーサ用突出部３２ａを形成する。
【００７１】
＜有機ＥＬ層形成工程＞
次いで、第１電極３１上に有機ＥＬ層３３を形成する。
【００７２】
＜＜正孔注入層・正孔輸送層の形成＞＞
まず、ＮＰＰ（N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidene）の厚さ１０〜１００ｎｍの正孔注入層兼正孔輸送層を成膜する。正孔注入層兼正孔輸送層は、例えば、蒸着法等によって形成することができる。
【００７３】
＜＜発光層の形成＞＞
次に、熱転写法を用いて発光層を形成する。発光層の形成は、調整空気形成工程、有機層形成工程、重ね合わせ工程、及び転写工程を経て行う。
【００７４】
＜＜＜調整空気送入工程＞＞＞
調整空気送入手段１２０を稼動させて、調整空気を有機層形成室１１０内に送入すると共に、排気口から有機層形成室１１０内の空気を排気することにより、有機層形成室１１０内のオゾン濃度を低減する。調整空気送入手段１２０を例えば１〜６０分運転することによって、有機層形成室１１０内を低オゾン雰囲気で満たすことができる。このときのオゾン濃度は、３０ｐｐｂ以下であり、２０ｐｐｂ以下であることが好ましく、１０ｐｐｂ以下であることがより好ましく、０ｐｐｂであることがさらに好ましい。また、オゾン濃度が所定の値となった後も調整空気送入手段１２０を運転し続けていてもよく、その場合、有機層形成室１１０内のオゾン濃度をより低濃度に維持することが可能となる。
【００７５】
なお、ここでは発光層の形成前に調整空気送入工程を行うとして説明したが、特にこれに限られるものではなく、有機ＥＬ層形成工程の前に行ってもよく、第１電極等形成工程の前に行ってもよい。
【００７６】
＜＜＜有機層形成工程＞＞＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせに先立って、まず、転写基板上に有機層を形成を行う。
【００７７】
まず、転写基板表面に、例えばスパッタ法を用いて光−熱変換層を形成する。光−熱変換層は、例えば、カーボンブラック、黒鉛、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）等の金属、それらの金属の合金、赤外線染料を熱硬化型エポキシ樹脂等の高分子材料に分散した有機膜等で形成されている。光−熱変換層は、例えば層厚が１０〜１００００ｎｍである。光−熱変換層は、有機ＥＬ層転写工程において照射されたレーザ光線を熱に変換する機能を有する。
【００７８】
次に、転写基板上に光−熱変換層を覆うようにして、例えば抵抗加熱蒸着法を用いて、発光層となる有機層を形成する。ここで形成する有機層の層厚は、例えば、１０〜１０００ｎｍである。発光層が赤色発光層のとき、赤色発光層は、例えば、ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）と２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）とを、抵抗加熱蒸着法によって１０：１の速度で共蒸着して形成する。また、発光層が緑色発光層のとき、緑色発光層は、例えば、ＡＤＮとクマリン６とを、抵抗加熱蒸着法によって１００：２の速度で共蒸着して形成する。また、発光層が青色発光層のとき、青色発光層は、例えば、ＡＤＮと４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）とを、抵抗加熱蒸着法によって１００：１の速度で共蒸着して形成する。
【００７９】
＜＜＜重ね合わせ工程＞＞＞
次に、表面に有機層が形成された上側の転写基板と下側の被転写基板との重ね合わせを行う。このとき、被転写基板の上側表面（すなわち、有機層転写側表面）には第１電極３１となる電極用導電体層が形成され、さらにそれを被覆するように正孔注入層及び正孔輸送層が形成された状態となっている。一方、転写基板の下側表面（すなわち、被転写基板側表面）には、発光層となる有機層が形成された状態となっている。また、被転写基板表面には有機層転写側表面から上方に突出するスペーサ用突出部３２ａが設けられているので、このスペーサ用突出部３２ａがスペーサとして機能し、被転写基板と転写基板との間には空間が形成されている。両基板の間に空間が形成されているので、被転写基板と転写基板とが直接接触することなく、従って、傷が付けられることがない。また、両基板間に形成された空間は外部と通じているので、この空間を外部の空間と同一の雰囲気に保つことができる。
【００８０】
＜＜＜転写工程＞＞＞
まず、有機層の転写を行うために、転写基板及び被転写基板を重ね合わせた状態で転写装置内にセットする。真空チャンバの基体の載置部に両基板を載置し、これらを載置部及び蓋体とで挟持する。ここで、転写基板と蓋体と基体とによって気密空間が形成される。この状態で、真空ポンプを引いて真空チャンバ内を真空雰囲気にする。両基板間に形成された空間は、例えば、圧力が０．０００００１〜１０Ｐａ及び温度が１０〜３０℃の雰囲気に調整される。
【００８１】
次に、被転写基板に付されたマーキングをアライメントカメラで検知し、被転写基板とレーザ照射源との位置合わせを行う。そして、画素４０に対応した領域に、例えば波長が５００〜１０００ｎｍ、及び幅が１〜１０００μｍのレーザ光を照射して、転写基板上の光−熱変換層に吸収させる。
【００８２】
このとき、レーザ光が光−熱変換層に吸収されて得られる熱により、転写基板上の発光層の発光材料が昇華する。そして、昇華した発光材料が被転写基板表面に到達すると共に冷却されて凝固し、固体の発光層として被転写基板上に再現される。こうして、被転写基板上に形成された正孔輸送層の上に発光層が転写される。
【００８３】
なお、有機層を転写した後の転写基板は、コストの点から再利用を行うことが好ましい。
【００８４】
＜＜電子輸送層・電子注入層の形成＞＞
熱転写法によって発光層を形成した後、例えば、Ａｌｑ３（アルミニウムキノリノール錯体(aluminato-tris-8-hydroxyquinolate)）の厚さ１０〜１００ｎｍの電子輸送層兼電子注入層を成膜する。電子輸送層兼電子注入層は、例えば、蒸着法等によって形成することができる。
【００８５】
＜第２電極等形成工程＞
続いて、有機ＥＬ層３３上に第２電極３４を形成する。
【００８６】
第２電極３４は、マスクを用いたスパッタ法、真空蒸着法、イオンビームスパッタ法等によって形成することができるが、後工程の保護膜３５の成膜を連続して行うことができる点や、有機ＥＬ層３３に与える影響が小さい点から、イオンビームスパッタ法によって形成することが好ましい。また、マスクを用いたパターニングの方法の他、予め第１電極３１上に逆テーパ形状の陰極隔壁を設けた状態で有機ＥＬ層３３及び第２電極３４を形成する陰極隔壁法を用いてパターニングを行ってもよい。具体的には、例えば、第２電極３４は、マグネシウム／銀合金の膜を１〜２０ｎｍの厚さに成膜した後にＩＴＯ膜を５０〜１００ｎｍの厚さに成膜することにより形成することができる。
【００８７】
次いで、第２電極３４を覆うように保護膜３５を形成する。
【００８８】
保護膜３５は、イオンビームスパッタ装置を用いて成膜することにより形成することができる。イオンビームスパッタ装置は、第２電極３４の形成においても共通して使用することができる。
【００８９】
＜封止工程＞
続いて酸素濃度を０．１〜１０ｐｐｍとした窒素ガス等の雰囲気中で有機ＥＬ素子３０形成基板を封止樹脂及び封止ガラスで封止する。このようにして有機ＥＬ表示装置１０が製造される。
【００９０】
以上の方法によって製造された有機ＥＬ表示装置１０は、転写基板と被転写基板との重ね合わせをオゾン濃度が３０ｐｐｂ以下である調整空気の雰囲気下で行うので、有機ＥＬ素子３０の良好な発光特性を維持することができる。しかも、転写基板及び被転写基板の重ね合わせに真空チャンバや不活性ガス充填のためのグローブボックス等を要しないので、作業性に優れると共に、真空雰囲気維持のためのコストや不活性ガス送入のランニングコストが不要となり、優れた生産効率を得ることができる。
【００９１】
［実施形態２］
次に、本発明の実施形態２について説明する。なお、実質的に同じ機能を有する構成要素を実施形態１と同様の共通の参照符号で説明し、説明を省略する。
【００９２】
（有機ＥＬ表示装置）
実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置１０は、上述した実施形態１のものと同一の構成である。
【００９３】
（有機ＥＬ表示装置の製造装置）
図４は、本実施形態２に係る製造装置の構成を示す図である。
【００９４】
実施形態２に係る製造装置は、有機層形成室１１０の外部に通じる調整空気送入手段１２０の代わりに、有機層形成室１１０の内部にオゾン低減手段１４０が設けられている点を除いて、上記実施形態１に係る製造装置１００と同様の構成を有する。ここでは、実施形態１に係る製造装置と異なるオゾン低減手段１４０について詳細に説明する。
【００９５】
オゾン低減手段１４０は、有機層形成室１１０の内部に設けられている。オゾン低減手段１４０は、オゾンフィルタ１４１ａ、クリーンフィルタ１４１ｂ、及びポンプ１４２を備えており、これらが連結された管状のものである。オゾン低減手段１４０は、例えば、管の入口径が１０〜３０００ｍｍ及び全長が１００〜１００００ｍｍのものである。
【００９６】
このオゾン低減手段１４０では、有機層形成室１１０内の空気がポンプ１４２によってオゾン低減手段１４０内に吸入され、吸入された空気がクリーンフィルタ１４１ｂを通過して塵等が除去され、続いてオゾンフィルタ１４１ａによってオゾンが分解又は吸着されて、最後にオゾン低減手段１４０の出口からオゾン濃度が低減された調整空気として有機層形成室１１０内に再び排出される。
【００９７】
なお、オゾン低減手段１４０には複数のクリーンフィルタ１４１ｂが設けられていてもよく、これにより空気中の塵等の除去効果を高めることができる。また、オゾン低減手段１４０には複数のオゾンフィルタ１４１ａが設けられていてもよく、これにより空気中のオゾン低減効果を高めることができる。
【００９８】
この有機ＥＬ表示装置の製造装置によれば、実施形態１の製造装置により得られる作用効果に加え、オゾン低減手段が有機ＥＬ層形成室の内部に設けられているので、オゾン濃度の低減効率がより優れたものとなる効果が得られる。
【００９９】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
この製造装置を用いた有機ＥＬ表示装置１０の製造方法は、実施形態１と同様に第１電極等形成工程、有機ＥＬ層形成工程、第２電極等形成工程、及び封止工程を備えている。そして、有機ＥＬ層形成工程では、正孔注入層・正孔輸送層の形成、発光層の形成、及び電子輸送層・電子注入層の形成を行う。また、発光層の形成においては、オゾン低減工程、有機層形成工程、重ね合わせ工程、及び転写工程を備えている。なお、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法は、調整空気送入工程の代わりにオゾン低減工程を備えている点を除いては実施形態１に係る製造方法と同一である。以下、オゾン低減工程について説明する。
【０１００】
＜＜＜オゾン低減工程＞＞＞
オゾン低減手段１４０を稼動させて、有機層形成室１１０内のオゾン濃度を低減する。オゾン低減手段１４０を例えば１〜６０分運転することによって、有機層形成室１１０内を低オゾン雰囲気で満たすことができる。このときのオゾン濃度は、３０ｐｐｂ以下であり、２０ｐｐｂ以下であることが好ましく、１０ｐｐｂ以下であることがより好ましく、０ｐｐｂであることがさらに好ましい。また、オゾン濃度が所定の値となった後もオゾン低減手段１４０を運転し続けていてもよく、その場合、有機層形成室１１０内のオゾン濃度をより低濃度に維持することが可能となる。
【０１０１】
なお、ここでは発光層の形成前にオゾン低減工程を行うとして説明したが、特にこれに限られるものではなく、有機ＥＬ層形成工程の前に行ってもよく、第１電極等形成工程の前に行ってもよい。
【０１０２】
なお、実施形態１では調整空気送入手段１２０を備えた有機層形成室１１０について、また、実施形態２ではオゾン低減手段１４０を備えた有機層形成室１１０について説明したが、例えば、調整空気送入手段１２０とオゾン低減手段１４０をいずれも備えた有機層形成室１１０を用いて有機ＥＬ表示装置１０を製造してもよい。
【実施例】
【０１０３】
以下の実施例１〜１２及び比較例１〜９の有機ＥＬ素子を作製して試験評価を行った。
【０１０４】
＜実施例１＞
上記実施形態１の製造方法に従って、転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が３ｐｐｂ以下の雰囲気下で行って作製した有機ＥＬ表示装置を実施例１とした。オゾン濃度は、ダイレック社製のＭＯＤＥＬ１２００によって測定した。このとき、転写工程で転写した発光材料は、ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものからなる青色発光材料であった。また、このとき、大気中のオゾン濃度は５０ｐｐｂであった。
【０１０５】
＜実施例２＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が１０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例１と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例２とした。
【０１０６】
＜実施例３＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が２０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例１と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例３とした。
【０１０７】
＜実施例４＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が３０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例１と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例４とした。
【０１０８】
＜実施例５＞
ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）にクマリン６を５質量％混合したものからなる緑色発光材料を発光層として転写したことを除いて実施例１と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例５とした。
【０１０９】
＜実施例６＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が１０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例５と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例６とした。
【０１１０】
＜実施例７＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が２０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例５と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例７とした。
【０１１１】
＜実施例８＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が３０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例５と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例８とした。
【０１１２】
＜実施例９＞
ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６−ビス［（４’−）メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合したものからなる赤色発光材料を発光層として転写したことを除いて実施例１と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例９とした。
【０１１３】
＜実施例１０＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が１０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例９と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例１０とした。
【０１１４】
＜実施例１１＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が２０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例９と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例１１とした。
【０１１５】
＜実施例１２＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が３０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて実施例９と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを実施例１２とした。
【０１１６】
＜比較例１＞
有機ＥＬ形成室の代わりに窒素を充填したグローブボックス内で転写基板及び被転写基板を行って有機ＥＬ表示装置を作製し、これを比較例１とした。このとき、発光材料として青色発光材料を用いた。
【０１１７】
＜比較例２＞
実施形態１に係る製造装置を用いて、転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が４０ｐｐｂの雰囲気下で行って作製した有機ＥＬ表示装置を比較例２とした。このとき、発光材料として青色発光材料を用いた。
【０１１８】
＜比較例３＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が５０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて比較例２と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを比較例３とした。
【０１１９】
＜比較例４＞
緑色発光材料を発光材料として用いたことを除いて比較例１と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを比較例４とした。
【０１２０】
＜比較例５＞
緑色発光材料を発光材料として用いたことを除いて比較例２と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを比較例５とした。
【０１２１】
＜比較例６＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が５０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて比較例５と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを比較例６とした。
【０１２２】
＜比較例７＞
赤色発光材料を発光材料として用いたことを除いて比較例１と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを比較例７とした。
【０１２３】
＜比較例８＞
赤色発光材料を発光材料として用いたことを除いて比較例２と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを比較例８とした。
【０１２４】
＜比較例９＞
転写基板及び被転写基板の重ね合わせをオゾン濃度が５０ｐｐｂの雰囲気下で行ったことを除いて比較例８と同一の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、これを比較例９とした。
【０１２５】
（試験評価方法）
実施例１〜１２及び比較例１〜９に係る有機ＥＬ表示装置のそれぞれの発光効率及び輝度半減時間を測定した。発光効率は大塚電子製、有機ＥＬ特性測定装置により測定した。輝度半減時間は大塚電子製の有機ＥＬエージング装置により測定した。尚、「輝度半減時間」とは、初期輝度から初期輝度の半分の輝度になるまでに要する時間のことをいう。青色発光材料を用いた実施例１〜４及び比較例１〜３では、初期輝度を１５００ｃｄ／ｍ２とした。緑色発光材料を用いた実施例５〜８及び比較例４〜６では、初期輝度を８０００ｃｄ／ｍ２とした。赤色発光材料を用いた実施例９〜１２及び比較例７〜９では、初期輝度を２０００ｃｄ／ｍ２とした。
【０１２６】
（試験評価結果）
表１〜３に実施例１〜１２及び比較例１〜９の発光効率及び輝度半減時間を示す。
【０１２７】
【表１】
2010129201.tif 000003
【０１２８】
【表２】
2010129201.tif 000004
【０１２９】
【表３】
2010129201.tif 000005
【０１３０】
表１〜３によれば、実施例１〜４と比較例２・３、実施例５〜８と比較例５・６、及び実施例９〜１２と比較例８・９を比較すると、オゾン濃度が低い調整空気の雰囲気下で転写基板及び被転写基板の重ね合わせを行うと、発光効率や輝度半減寿命に示される発光特性値が優れたものとなることが分かる。
【０１３１】
具体的には、窒素充填雰囲気下で基板の重ね合わせを行ったとき（比較例１，４，７）の発光効率及び輝度半減寿命の値を基準として、オゾン濃度が３０ｐｐｂ以下のとき（実施例１〜１２）、発光効率、輝度半減寿命共に、約８０％以上の相対値を示す。オゾン濃度が３ｐｐｂ以下のとき（実施例１，５，９）、発光効率、輝度半減寿命共に、窒素充填雰囲気下で基板の重ね合わせを行った場合（比較例１，４，７）と同等の発光特性を示すことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置の概略図である。
【図４】実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置の概略図である。
【符号の説明】
【０１３４】
３０  有機ＥＬ素子
３１  第１電極（電極用導電体層）
３２  スペーサ用突起部
３３  有機ＥＬ層
１１０  有機ＥＬ層形成室
１２０  調整空気送入手段
１２１ａ  オゾンフィルタ
１４０  オゾン低減手段
１４１ａ  オゾンフィルタ
【図１】
2010129201.tif 000006
【図２】
2010129201.tif 000007
【図３】
2010129201.tif 000008
【図４】
2010129201.tif 000009