(57)【要約】【課題】アライメント計測の成功率を良好に保つことができるとともに、半導体装置における製品歩留まりを向上させることができるトリミング方法およびトリミング装置を提供する。【解決手段】半導体ウエハＷ上に配列された複合ショットＳ１〜Ｓ９のアライメント計測を実施する際、先ず複合ショット単位でアライメント計測を実施し、一の複合ショットＳにおいてアライメントマークの認識に失敗した場合には、当該一の複合ショットＳについて、それを構成する複合チップ１０毎に再度アライメント計測を実行する。その際、複合チップ１０に対しては指定した回数を限度としてアライメント計測を繰り返し実行する。このように、アライメント計測が失敗した場合に、繰り返しアライメント計測を実行するので、アライメント計測の成功率を良好に保て、トリミング処理が未実施の半導体ウエハＷが次工程に移行される頻度が低くなり、半導体ウエハＷの歩留まりが向上する。【選択図】図３
2010186946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の複合チップ領域で構成されるショット領域が複数形成され、各複合チップ領域はデバイスチップ領域を複数含み、各デバイスチップ領域において抵抗値調整用素子とアライメント計測のためのアライメントマークとが形成された半導体装置に対して、前記抵抗値調整用素子をトリミングする方法であって、
前記複数のショット領域について、ショット領域単位でアライメント計測及びトリミングを実行し、
前記ショット領域単位でのアライメント計測に成功した場合、当該ショット領域に対するトリミングを実行し、
前記ショット領域単位でのアライメント計測を失敗した場合には、当該ショット領域に対するトリミングを実行せずに、当該ショット領域がアライメント計測を失敗したことを示す情報を記憶し、
前記全てのショット領域について、上記のアライメント計測及びトリミングの実施／未実施が完了した後、前記アライメント計測を失敗したショット領域を特定し、
前記特定されたショット領域において複合チップ領域単位でアライメント計測及びトリミングを実行し、
前記複合チップ領域単位のアライメント計測の結果、当該複合チップ領域のアライメント計測が失敗した場合、当該複合チップ領域に対して所定回数を限度としてアライメント計測を繰り返し実行する、
ことを特徴とするトリミング方法。
【請求項２】
前記アライメント計測が失敗した複合チップ領域について、アライメント計測回数が所定回数を超えた場合、アライメント計測が成功している他の複合チップ領域の位置情報を用いて、前記アライメント計測が失敗した複合チップ領域に対するトリミングを実行する、ことを特徴とする請求項１に記載のトリミング方法。
【請求項３】
複数の複合チップ領域で構成されるショット領域が複数形成され、各複合チップ領域はデバイスチップ領域を複数含み、各デバイスチップ領域において抵抗値調整用素子とアライメント計測のためのアライメントマークとが形成された半導体装置を戴置して二次元方向に移動する移動テーブルと、
前記半導体装置に形成されているアライメントマークに対しアライメント計測用の光と、トリミング時にトリミング用の光を出射する光源と、
前記光源から前記半導体装置のアライメントマークに出射された光の反射光を受光して、前記半導体装置のアライメントマークを撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により撮像された撮像データを画像処理して前記アライメントマークの二次元座標における位置を演算し、演算結果に基づいて前記移動テーブルの位置を制御してトリミング用の光を照射すべき前記抵抗値調整用素子の位置を設定し、前記トリミング用の光を照射して前記抵抗値調整用素子の抵抗値を調整する制御手段とから構成されるトリミングする装置であって、
前記制御手段は、
前記複数のショット領域について、ショット領域単位でアライメント計測及びトリミングを実行し、
前記ショット領域単位でのアライメント計測に成功した場合、当該ショット領域に対するトリミングを実行し、
前記ショット領域単位でのアライメント計測を失敗した場合には、当該ショット領域に対するトリミングを実行せずに、当該ショット領域がアライメント計測を失敗したことを示す情報を記憶し、
前記全てのショット領域について、上記のアライメント計測及びトリミングの実施／未実施が完了した後、前記アライメント計測を失敗したショット領域を特定し、
前記特定されたショット領域において複合チップ領域単位でアライメント計測及びトリミングを実行し、
前記複合チップ領域単位のアライメント計測の結果、当該複合チップ領域のアライメント計測が失敗した場合、当該複合チップ領域に対して所定回数を限度としてアライメント計測を繰り返し実行する、ことを特徴とするトリミング装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記アライメント計測が失敗した複合チップ領域について、アライメント計測回数が所定回数を超えた場合、アライメント計測が成功している他の複合チップ領域の位置情報を用いて、前記アライメント計測が失敗した複合チップ領域に対するトリミングを実行する、ことを特徴とする請求項３記載のトリミング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置のトリミング方法およびトリミング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ上のチップ領域に形成されている抵抗素子の抵抗値を、レーザトリミングを用いて調整する技術は周知である。レーザトリミングを行う際には、トリミング開始位置を決定するために、半導体ウエハのチップ領域間に形成されたスクライブライン上に位置決め用のアライメントマークを形成し、当該アライメントマークを利用して位置決めを行う方法がある。
【０００３】
この方法では、スクライブラインに例えば、長方形等の特定形状に形成されたアライメントマークにレーザ光を照射し、レーザ光をアライメントマークと相対的に移動させてアライメントマークからの反射光を読み取り、そのコントラストから二次元座標における絶対位置を認識してトリミングを開始する相対位置を決定する（例えば、特許文献１参照。）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に開示されているようなトリミング方法では、何らかの原因、例えば、アライメントマークからの反射光以外の外乱光等の影響により、アライメントマークの二次元座標における絶対位置が適切に認識できない場合がある。上記アライメント認識不良が発生すると、当該半導体ウエハのアライメント計測が再度実行される。
【０００５】
しかしながら、それでもなお、アライメント認識不良が解消しない場合は、これ以上、この半導体ウエハに対し処理を実行することが困難であるものとして、所謂、「アライメント計測エラー」を発生させ、その半導体ウエハにおけるショット領域に対するトリミング処理を中断し、当該ショット領域のトリミング処理が未実施のまま、その半導体ウエハは次工程に移行されていた。このため、半導体装置における製品歩留まりが低下するという問題があった。
【０００６】
したがって、本発明は、上記問題点を解決することを課題としてなされたものであり、その目的とするところは、特に、アライメント計測の成功率を良好に保つことができるとともに、半導体装置における製品歩留まりを向上させることができるトリミング方法およびトリミング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のトリミング方法は、複数の複合チップ領域で構成されるショット領域が複数形成され、各複合チップ領域はデバイスチップ領域を複数含み、各デバイスチップ領域において抵抗値調整用素子とアライメント計測のためのアライメントマークとが形成された半導体装置に対して、前記抵抗値調整用素子をトリミングする方法である。トリミング方法は、複数のショット領域について、ショット領域単位でアライメント計測及びトリミングを実行し、前記ショット領域単位でのアライメント計測に成功した場合、当該ショット領域に対するトリミングを実行し、前記ショット領域単位でのアライメント計測を失敗した場合には、当該ショット領域に対するトリミングを実行せずに、当該ショット領域がアライメント計測を失敗したことを示す情報を記憶し、前記全てのショット領域について、上記のアライメント計測及びトリミングの実施／未実施が完了した後、前記アライメント計測を失敗したショット領域を特定し、前記特定されたショット領域において複合チップ領域単位でアライメント計測及びトリミングを実行し、前記複合チップ領域単位のアライメント計測の結果、当該複合チップ領域のアライメント計測が失敗した場合、当該複合チップ領域に対して所定回数を限度としてアライメント計測を繰り返し実行する。
【０００８】
また、本発明のトリミング装置は、複数の複合チップ領域で構成されるショット領域が複数形成され、各複合チップ領域はデバイスチップ領域を複数含み、各デバイスチップ領域において抵抗値調整用素子とアライメント計測のためのアライメントマークとが形成された半導体装置を戴置して二次元方向に移動する移動テーブルと、前記半導体装置に形成されているアライメントマークに対しアライメント計測用の光と、トリミング時にトリミング用の光を出射する光源と、前記光源から前記半導体装置のアライメントマークに出射された光の反射光を受光して、前記半導体装置のアライメントマークを撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された撮像データを画像処理して前記アライメントマークの二次元座標における位置を演算し、演算結果に基づいて前記移動テーブルの位置を制御してトリミング用の光を照射すべき前記抵抗値調整用素子の位置を設定し、前記トリミング用の光を照射して前記抵抗値調整用素子の抵抗値を調整する制御手段とから構成されるトリミングする装置である。制御手段は、前記複数のショット領域について、ショット領域単位でアライメント計測及びトリミングを実行し、前記ショット領域単位でのアライメント計測に成功した場合、当該ショット領域に対するトリミングを実行し、前記ショット領域単位でのアライメント計測を失敗した場合には、当該ショット領域に対するトリミングを実行せずに、当該ショット領域がアライメント計測を失敗したことを示す情報を記憶し、前記全てのショット領域について、上記のアライメント計測及びトリミングの実施／未実施が完了した後、前記アライメント計測を失敗したショット領域を特定し、前記特定されたショット領域において複合チップ領域単位でアライメント計測及びトリミングを実行し、前記複合チップ領域単位のアライメント計測の結果、当該複合チップ領域のアライメント計測が失敗した場合、当該複合チップ領域に対して所定回数を限度としてアライメント計測を繰り返し実行する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、アライメント計測の成功率を良好に保つことができ、トリミング処理が未実施の半導体ウエハが次工程に移行される頻度が低くなり、半導体装置における製品歩留まりが向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態のトリミング装置Ｔの概略構成を示した図である。
【図２】半導体複合ショットＳが複数配列された半導体ウエハＷを示す平面図である。
【図３】本実施の形態のトリミング装置Ｔの動作例を示すフローチャートである。
【図４】本実施の形態のトリミング装置Ｔの他の動作例を示すフローチャートである。
【図５】アライメント計測が失敗した所定の複合ショットを構成する複合チップ毎にアライメント計測およびトリミング処理を再度実行することを説明する概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本実施の形態の半導体装置のトリミング装置について、添付図面に従って説明する。
【００１２】
１．トリミング装置の構成
図１は、本実施の形態の半導体装置のトリミング装置Ｔ（以下、単に「トリミング装置Ｔ」と記す。）の概略構成を示した図である。
【００１３】
図１に示すように、トリミング装置Ｔは、ウエハＷ上に形成されたアライメントマーク位置を検出する、光源および受光部（共に図示せず。）からなるセンサユニット１と、アライメント計測装置Ｔ全体の制御を司る制御装置２と、半導体ウエハＷをＹ軸方向に移動させて位置決めを行うウエハ位置決めステージ３と、ウエハ位置決めステージ３上に設けられ、半導体ウエハＷを保持するウエハチャック４と、センサユニット１をＸ軸方向およびＺ軸方向に移動させるセンサステージ５とから構成されている。
【００１４】
センサユニット１は、半導体ウエハＷ上に形成されたアライメントマークに対して光を出射する光源と、その反射光を受光する受光部とからなり、走査用の光を半導体ウエハＷに対して鉛直下向きに出射するよう構成されている。また、当該センサユニット１は、センサステージ５に一体的に取付けられており、後述する制御装置２からの制御信号に基づいて、駆動機構Ｍ１の駆動によりＸ軸方向およびＺ軸方向に自在に移動するよう構成されている。
【００１５】
センサユニット１の光源には、例えば、固体レーザが用いられる。そして、アライメント計測時にはフューズが変質しない程度の比較的出力の低いレーザ光が出射され、トリミング時にはフューズを溶断するに十分な比較的出力の高いレーザ光が出射されるよう制御手段２により制御される。
【００１６】
また、センサユニット１の受光部は、例えば、ＣＣＤイメージセンサからなり、ＣＣＤイメージセンサは、半導体ウエハＷ上に形成されたアライメントマークのＸ方向およびＹ方向の位置ずれ検出に用いられる。そして、アライメントマークからの反射光を光電変換素子に結像し、反射光の明暗に応じて１画素毎に受光量に応じた電荷量を蓄積するとともに、各素子に蓄積されている電荷を制御装置２に送出する。
【００１７】
制御装置２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を含み、アライメントマークの位置ずれ検出や位置決め等の処理、その後のトリミング処理が適切に実行されるように、トリミング装置Ｔ全体の動作を制御する。具体的には、センサユニット１の受光部から送出される撮像信号をＡ／Ｄ変換してこれを記憶するとともに、この撮像信号に基づいてアライメントマークの座標値を演算し、演算された座標値から半導体ウエハＷの基準位置を設定した後、トリミング処理を実行する。
【００１８】
また、制御装置２は、上記アライメントマークの計測において、例えば、レーザ光を走査する範囲内に対象となるアライメントマークが存在しない、または、検出されない場合、走査方向（Ｘ方向、Ｙ方向）におけるアライメントマークの幅のばらつきが許容誤差範囲外である場合には、アライメント計測が失敗したものと判定し、後ほど詳述する、アライメント計測が失敗した半導体複合ショットＳにおける欠陥救済処理を実行する。
【００１９】
ウエハ位置決めステージ３には、例えば、真空吸着等の機構により半導体ウエハＷを略水平に保持するウエハチャック４が一体的に取付けられており、制御装置２からの制御信号に基づいて、駆動機構Ｍ２の駆動によりＸ軸方向およびＺ軸方向に自在に移動するよう構成されている。
【００２０】
上記構成のトリミング装置Ｔの各部は、制御装置２によりそれぞれ制御され、協働して動作し、アライメントマークの計測処理およびアライメントの計測が失敗した際の欠陥救済処理、その後のトリミング処理等を実行する。本実施の形態では、半導体ウエハＷ上に複数の半導体複合ショットＳが所定数形成された半導体装置（以下、これを「全複合ショットＳＳ」と記す。）を処理する例を説明する。
【００２１】
２．複合チップ、複合ショットおよび全複合ショットの構成
図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照して半導体複合チップ１０（以下、単に「複合チップ１０」と記す。）、半導体複合ショットＳ（以下、単に「複合ショットＳ」と記す。）、全複合ショットＳＳの構成について説明する。図２（ａ）は、複合チップ１０を示しており、複合チップ１０は、例えば、５列５行の半導体チップ２０を含む。図示のとおり、複合チップ１０の四隅には、十字状のアライメントマーク４０が形成（本実施の形態ではスクライブライン３０上に形成されている。）されている。
【００２２】
図２（ｂ）は、複合ショットＳを示しており、複合ショットＳは、上記複合チップ１０が例えば、３列３行で配列されて構成される。図示のとおり、一つの複合ショットＳは、合計２２５個の半導体チップ２０を含む。
【００２３】
図２（ｃ）は、上記複合ショットＳが半導体ウエハＷ上に所定数形成された全複合ショットＳＳを示している。この全複合ショットＳＳのアライメント計測については、全複合ショットＳＳを構成する複合ショットＳ単位で実行される。なお、上述した複合ショットＳを構成する複合チップ１０の配列数、並びに、半導体ウエハＷ上に形成される上記全複合ショットＳＳを構成する、複合ショットＳの配列数については、半導体素子の品種毎に異なる。
【００２４】
３．１トリミング装置の動作例１
以下、上記のように構成されたトリミング装置Ｔの動作例について、図３のフローチャートおよび図４を参照して説明する。以下の処理は主として制御装置２内で実行される。
【００２５】
最初に、所定数の複合ショットＳ（全複合ショットＳＳ）が形成された半導体ウエハＷが例えば、搬送ロボット（図示せず）によりウエハチャック４に搬入され、当該半導体ウエハＷがウエハチャック４上に略水平に保持される（ステップＳ１０１）。
【００２６】
次に、半導体ウエハＷ上に形成されている各複合ショットＳに対して順次アライメント計測およびトリミング処理が実行される。ここでは、図４（ａ）に示すように、複合ショットＳ１〜Ｓ９の順でアライメント計測およびトリミング処理を実行する。アライメント計測に際しては、複合ショットＳ１に形成されている４箇所のアライメントマーク４０のうち、３箇所のアライメントマーク４０に対し、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれレーザ光を走査し、その時の各アライメントマーク４０の２点間の座標値が読み取られる（ステップＳ１０２）。
【００２７】
ステップＳ１０３において、当該複合ショットＳのアライメント計測の成否を判定する。アライメント計測が成功するとトリミング処理が実行される（ステップＳ１０４）。具体的には、読み取られた座標値に基づいて半導体ウエハＷの位置ずれが求められるとともに、ウエハステージ３が制御され、半導体ウエハＷの基準位置が設定される。そして、複合ショットＳ１の表面に形成されているフューズ（図示せず）に対し、比較的出力の高いレーザ光が出射され、トリミング処理が実行される。
【００２８】
一方、上記ステップＳ１０３において、複合ショットＳのアライメント計測が失敗と判定された場合、その複合ショットＳのアライメント計測が失敗したことを示す情報を格納する（ステップＳ１０８）。その複合ショットＳに対してはトリミング処理を実行しない（ステップＳ１０９）。
【００２９】
上記アライメント計測およびトリミング処理の実施／未実施の後、全ての複合ショットＳに対して上記処理がなされたか否かの判定がなされる（ステップＳ１０５）。上記処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０９、Ｓ１１６）がなされていない複合ショットＳが存在する場合は、ステップＳ１１６に進み、次の複合ショット、例えば、複合ショットＳ２に対するアライメント計測およびトリミング処理が実行される。以降、同様に、順次複合ショットＳ３、Ｓ４…Ｓ９に対するアライメント計測およびトリミング処理が実行され、全ての複合ショットＳに対して処理を完了する（ステップＳ１０５）。
【００３０】
全ての複合ショットＳに対して上記処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０９、Ｓ１１６）が完了すると、上記半導体ウエハＷ上に形成されている全複合ショットＳＳの当該ロットは「アライメント計測エラーなし」と判定される（ステップＳ１０６）。そして、当該半導体ウエハＷは、搬送ロボット（図示せず）により次工程に搬出され、一連の処理が終了する（ステップＳ１０７）。
【００３１】
そして、ステップＳ１０５において全複合ショットＳＳを構成する全ての複合ショットＳに対する処理がなされたと判定（ＹＥＳ）されると、複合ショットＳに対するアライメント計測エラーがあったか否かを判定する（ステップＳ１０６）。アライメント計測エラーがあったとき、エラーのあった複合ショットＳに対して再度アライメント計測およびトリミング処理を実行するため、ステップＳ１１０に進む。
【００３２】
ステップＳ１１０において、全複合ショットＳＳを構成する複合ショットＳのうち、アライメント計測エラーのあった複合ショットＳが特定され、特定された複合ショットＳに対し、その複合ショットＳを構成する複合チップ単位でアライメント計測が再度実行される（ステップＳ１１１）。
【００３３】
例えば、図４（ａ）において、複合ショットＳ６がアライメント計測エラーとして特定された場合、ステップＳ１１１では、図４（ｂ）に示すように、アライメント計測エラーのあった複合ショットＳ６を構成する各複合チップ１１〜１９に対し、順次アライメント計測およびトリミング処理を再度実行する。
【００３４】
図４（ｂ）の例では、複合チップ１１〜１９のうち、複合チップ１１から順にアライメント計測およびトリミング処理が実行される。なお、アライメント計測に際しては、複合チップ１０に形成されている４箇所のアライメントマーク４０のうち、３箇所のアライメントマーク４０に対し、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれレーザ光を走査し、その時の各アライメントマーク４０の２点間の座標値が読み取られる。
【００３５】
ステップＳ１１２において、複合チップに対するアライメント計測の成否を判定する。アライメント計測が成功すると、トリミング処理が実行される（ステップＳ１１３）。具体的には、読み取られた座標値に基づいて半導体ウエハＷの位置ずれが求められるとともに、ウエハステージ３が制御され、半導体ウエハＷの基準位置が設定される。そして、その複合チップの表面に形成されているフューズ（図示せず）に対し、比較的出力の高いレーザ光が出射され、トリミング処理が実行される。
【００３６】
上記複合チップのトリミング処理が完了すると、アライメント計測が何回実施されたかを記録する（ステップＳ１１４）。このように、アライメント計測回数の実績データを記録しておくことにより、将来、同一品種の半導体素子を処理する際のバックデータとして利用できる。
【００３７】
一方、上記ステップＳ１１２において、一の複合チップのアライメント計測が失敗と判定された場合、ステップＳ１１８進む。このステップＳ１１８では、今までに一の複合チップに対して実行されたアライメント計測の回数を指定回数と比較する。本実施の形態では、一の複合チップに対してアライメント計測が失敗したとき、再度のアライメント計測（リトライ）を実施する。指定回数とは、このアライメント計測のリトライ回数の上限である。指定回数は、処理対象となる半導体素子の種類等によって異なる。指定回数は例えば、５回に設定される。
【００３８】
上記ステップＳ１１８において、アライメント計測のリトライ回数が指定回数に満たない場合、ステップＳ１１１に戻り、再度アライメントが実行（リトライ）される。その後、ステップＳ１１２でその複合チップのアライメント計測の成否が判定される。アライメント計測が成功した場合、その複合チップに対するトリミング処理が実行される（ステップＳ１１３）。具体的には、読み取られた座標値に基づいて半導体ウエハＷの位置ずれが求められるとともに、ウエハステージ３が制御され、半導体ウエハＷの基準位置が設定される。そして、その複合チップの表面に形成されているフューズ（図示せず）に対し、比較的出力の高いレーザ光が出射され、トリミング処理が実行される。
【００３９】
上記複合チップに対するトリミング処理が完了すると、アライメント計測の実行回数が記録される（ステップＳ１１４）。
【００４０】
一方、上記ステップＳ１１８において、アライメント計測のリトライ回数が、指定回数（この場合は５回）に達した場合は、その複合チップに対してはトリミング処理を実行しない（ステップＳ１１９）。
【００４１】
上記複合チップに対するアライメント計測およびトリミング処理の実施／未実施の後、次の複合チップに対して同様に上記処理（Ｓ１１１〜Ｓ１１４、Ｓ１１７〜Ｓ１１９）が順次実行される（ステップＳ１１７）。
【００４２】
アライメント計測エラーのあった一の複合ショットにおける全ての複合チップ１１〜１９に対する上述の処理（Ｓ１１１〜Ｓ１１４、Ｓ１１７〜Ｓ１１９）が完了すると、アライメント計測エラーが発生している他の複合ショットの有無を判断する（ステップＳ１１５）。
【００４３】
アライメント計測エラーのあった全ての複合ショットに対する上記処理が実行された場合（Ｓ１１５でＹｅｓ）は、ステップＳ１０７に進み、一連の処理が終了する。アライメント計測エラーのあった全ての複合ショットに対する上記処理が未実施の場合（Ｓ１１５でＮＯ）は、ステップＳ１１０に戻り、アライメント計測エラーのあった次の複合ショットを特定し、その複合ショットについて複合チップ単位でアライメント計測およびトリミング処理の実施／未実施が実行される（Ｓ１１０〜Ｓ１１４、Ｓ１１７〜Ｓ１１９）。
【００４４】
以上のように、半導体ウエハＷ上に配列された全複合ショットＳ１〜Ｓ９のアライメント計測を実施する際、先ず複合ショット単位でアライメント計測を実施し、一の複合ショットにおいてアライメントマークの認識に失敗した場合には、当該一の複合ショットＳについて、それを構成する複合チップ１０毎に再度アライメント計測を実行する。その際、複合チップに対しては指定した回数を限度としてアライメント計測を繰り返し実行（リトライ）する。このように、アライメント計測が失敗した場合に、繰り返しアライメント計測を実施することになるので、アライメント計測の成功率を良好に保つことができ、トリミング処理が未実施の半導体ウエハＷが次工程に移行される頻度が低くなり、半導体ウエハＷの歩留まりが向上する。
【００４５】
３．２トリミング装置の動作例２
前述の動作例では、アライメント計測エラーのあった複合ショットを構成する複合チップ毎に指定した回数を限度としてアライメント計測を繰り返し実行し、その結果、指定回数に達した場合は、その複合チップに対してはトリミング処理を実行しなかった。これに対し、本動作例では、複合チップに対するアライメント計測の回数が指定回数に達した場合、アライメント計測エラーが解消しないその複合チップの座標値として、既にアライメント計測が成功している他の複合チップの座標情報を用いる。図５に動作例２のフローチャートを示す。
【００４６】
図５を参照し、ステップＳ１１８において、アライメント計測処理を所定回数リトライしても、アライメント計測エラーが解消されない場合は、既にアライメント計測が成功している複合ショットにおける３箇所のアライメントマーク４０の座標値を用いてトリミング処理を実行する（ステップＳ１１９ｂ）。
【００４７】
例えば、図４において、複合チップ１６の座標値について、上記アライメント計測処理が既に成功している複合チップ１３の座標情報を用いる場合、複合チップ１６の３箇所のアライメントマーク４０のＸ軸方向（横軸方向）の座標値は、複合チップ１３の３箇所のアライメントマーク４０の座標値と同じとなり、Ｙ軸方向（縦軸方向）の座標値は、例えば、−１５０となる。そして、得られたこれらの座標情報を用いて複合チップ１６の二次元座標における位置として決定し、複合チップ１６表面に形成されているフューズ（図示せず）に対するトリミング処理が実行される。
【００４８】
アライメント計測処理が既に成功している複合チップ１０の座標を用いることができる理由は、半導体ウエハＷ上に形成されている複合ショットＳは同一品種であり、アライメントマーク４０の座標値のばらつきは極僅かと考えられるからである。なお、上述したステップＳ１１９ｂの処理の説明では、アライメント計測エラーが解消されていない複合チップについて、アライメント計測が成功した直前の複合チップの座標情報を用いる例を説明したが、必ずしも直前の複合チップ１０の座標情報を用いる必要はなく、既にアライメント計測が成功しているいずれかの複合チップ１０の座標情報を用いてもよい。また、ライメント計測エラーが解消されていない複合ショットＳがある場合、その複合ショットＳの座標値として、既にアライメント計測が成功しているいずれかの複合ショットＳの座標値を用いてその複合ショットに対するトリミング処理を実行するようにしてもよい。
【００４９】
このように、アライメント計測を指定した回数を限度として繰り返し実行し、アライメント計測のリトライ回数が指定回数に達した場合は、当該複合チップ１０について、既にアライメント計測が成功しているいずれかの複合チップの座標情報を用いてトリミング処理を実行するので、トリミング処理が未実施の半導体ウエハＷが次工程に移行されることがなく、半導体ウエハＷの生産性が向上する。
【００５０】
今回、開示した実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は、上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５１】
１  センサユニット、２  制御装置、３  ウエハ位置決めステージ３、４  ウエハチャック、６  センサステージ、１０  複合チップ、２０  半導体チップ、３０  スクライブライン、４０  アライメントマーク、Ｓ１〜Ｓ９  複合ショット、ＳＳ  全複合ショット、Ｗ  半導体ウエハ
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５２】
【特許文献１】特開２００１−３５９２４号公報（第２頁、第４図）
【図１】
2010186946.tif 000003
【図２】
2010186946.tif 000004
【図３】
2010186946.tif 000005
【図４】
2010186946.tif 000006
【図５】
2010186946.tif 000007