(57)【要約】【課題】１Ｔbit／inch２以上の面記録密度を達成できる熱アシスト磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基板と、基板の上に形成された複数の下地層と、下地層の上に形成された第１の磁性層と、第１の磁性層の上に形成された強磁性合金からなる結合制御層と、結合制御層の上に形成された第２の磁性層とを備え、第１の磁性層及び第２の磁性層のキュリー温度が結合制御層のキュリー温度よりも高く、第１の磁性層の異方性磁界が第２の磁性層の異方性磁界よりも高く、なお且つ、飽和磁界が３５０℃以下の温度で極小値を示すことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。【選択図】図１
2010129163.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成された複数の下地層と、
前記下地層の上に形成された第１の磁性層と、
前記第１の磁性層の上に形成された強磁性合金からなる結合制御層と、
前記結合制御層の上に形成された第２の磁性層とを備え、
前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のキュリー温度が前記結合制御層のキュリー温度よりも高く、
前記第１の磁性層の異方性磁界が前記第２の磁性層の異方性磁界よりも高く、
なお且つ、飽和磁界が３５０℃以下の温度で極小値を示すことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項２】
前記結合制御層は、Ｃｏを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項３】
前記結合制御層は、Ｎｉを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項４】
前記結合制御層は、Ｆｅを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ａｌの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第１の磁性層は、Ｃｏを主成分とし、且つ、Ｐｔを含有するＨＣＰ構造の合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第１の磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＬ１０構造のＦｅＰｔＸ（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ）合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項７】
基板と、
前記基板の上に形成された複数の下地層と、
前記下地層の上に形成された第１の磁性層と、
前記第１の磁性層の上に形成された反強磁性合金からなる結合制御層と、
前記結合制御層の上に形成された第２の磁性層とを備え、
前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のキュリー温度が前記結合制御層のブロッキング温度よりも高く、
前記第１の磁性層の異方性磁界が前記第２の磁性層の異方性磁界よりも高く、
なお且つ、飽和磁界が３５０℃以下の温度で極小値を示すことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項８】
前記結合制御層は、ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、ＲｕＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＰｄＭｎ、ＰｄＰｔＭｎの何れかであることを特徴とする請求項７に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項９】
前記第１の磁性層は、Ｃｏを主成分とし、且つ、Ｐｔを含有するＨＣＰ構造の合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することを特徴とする請求項７に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記第１の磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＬ１０構造のＦｅＰｔＸ（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ）合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体と、
前記熱アシスト磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記熱アシスト磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記熱アシスト磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記熱アシスト磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等に用いられる熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の急速な発展に伴い、ハードディスク装置（ＨＤＤ）には一層の大容量化が求められている。ＨＤＤに用いられる磁気記録媒体の面記録密度を向上させるには、磁性結晶粒の粒子サイズを微細化する必要がある。しかしながら、磁性粒子を微細化していくと、熱安定性が劣化するといった問題が発生する。
【０００３】
熱安定性を示す指標として、一般にＫｕＶ／ｋＴ（Ｋｕ：結晶磁気異方性定数、Ｖ：磁性粒子体積、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が用いられるが、十分な熱安定性を確保するためには、ＫｕＶ／ｋＴの値が概ね６０以上である必要がある。
【０００４】
磁性粒子を微細化すると、Ｖが低下するため、ＫｕＶ／ｋＴが低下し、熱安定性が劣化する。これを防ぐにはＫｕを高める必要があるが、Ｋｕを高めると異方性磁界Ｈｋが増大する。これは、Ｋｕ＝（Ｍｓ×Ｈｋ）／２の関係が成り立つためである。したがって、Ｈｋが記録ヘッドの記録磁界を上回ると、十分な書き込みができなくなるため、Ｈｋは記録磁界よりも低い値に設定する必要がある。これが、Ｋｕの上限、すなわち微細化の下限を決定する要因となっている。
【０００５】
現行ヘッドの記録磁界Ｈｗは、概ね１０〜１２ｋＯｅ程度である。Ｈｗは、磁極に使用されている磁性材料の磁化によって決まるが、現行の記録ヘッドの磁極に用いられているＦｅＣｏ合金の磁化は、概ね２．２〜２．４Ｔである。これは、スレーター・ポーリング曲線が示すＦｅＣｏ合金の磁化の最大値とほぼ同程度である。このため、Ｈｗを現状レベルから大幅に高めることは困難であると考えられる。したがって、ＫｕＶ／ｋＴ＞６０を考慮すると、磁性粒子の微細化の限界は概ね１０ｎｍ程度となる。
【０００６】
これを打破するための手法として、ＥＣＣメディア（Exchange Coupled Composite Media）と呼ばれる磁気記録媒体が提案されている。これは、磁性層が、磁気的にハードな記録層（ハード層）と、その上に形成されたソフトな磁性層（ソフト層）から構成されることを特徴とする磁気記録媒体である。
【０００７】
また、ハード層とソフト層との間には、両者の層間結合を適度に制御するための薄い結合制御層が形成されている。結合制御層の膜厚を最適化することにより、記録層（ハード層）の反転磁界を、ソフト層がない場合に比べて半分以下にまで低減できる。このため、高Ｈｋ化（高Ｋｕ化）が可能となり、磁性粒子を更に微細化できる。
【０００８】
ＥＣＣメディアでは、上記の場合と同様、記録磁界と熱安定性（Ｈｗ＝１０〜１２ｋＯｅ、ＫｕＶ／ｋＴ＞６０）を考慮すると、磁性粒子を概ね６〜７ｎｍ程度まで微細化できる。しかしながら、１Ｔbit／inch２級の面記録密度を実現するには、磁性粒子を６ｎｍ以下まで微細化する必要があり、上記ＥＣＣメディアでも実現は困難である。
【０００９】
１Ｔbit／inch２以上の面記録密度を達成するための手法として、熱アシスト記録が注目されている。熱アシスト記録とは、媒体に近接場光等のレーザー光を照射し、媒体を局所的に加熱し、媒体の保磁力を低下させて書き込みを行う記録方式である。
【００１０】
この場合、室温における保磁力が数十ｋＯｅの記録媒体でも、現状ヘッドの記録磁界により容易に書き込みを行うことができる。このため、記録層に１０６Ｊ／ｍ３台の高いＫｕを有する材料を使用することにより、熱安定性を維持したまま、磁性粒径を６ｎｍ以下にまで微細化できる。このような高Ｋｕ材料としては、Ｌ１０型の結晶構造を有するＦｅＰｔ合金（Ｋｕ〜７×１０６Ｊ／ｍ３）や、ＣｏＰｔ合金（Ｋｕ〜５×１０６Ｊ／ｍ３）等が知られている。
【００１１】
熱アシスト記録において、磁化遷移幅を低減して良好な記録再生特性を得るためには、保磁力の温度勾配をできる限り急峻にする必要がある。通常、Ｈｃの温度勾配は、キュリー温度付近で最も急峻となる。このため、媒体をキュリー温度付近まで加熱してから書き込みを行うことによって、磁化遷移幅を低減できる。
【００１２】
しかしながら、例えば、上述したＬ１０型のＦｅＰｔ合金の場合、キュリー温度は４８７℃であり、現在使用されているＨＤＤ用ガラス基板の耐熱温度（〜３５０℃）や、潤滑剤の分解温度（〜４００℃）を大幅に上回っている。このため、媒体をキュリー温度付近まで加熱することは困難である。
【００１３】
ガラス基板の耐熱温度よりも低い温度で保磁力の温度勾配を高める手法として、Ｂ２構造のＦｅＲｈ合金と、Ｌ１０型のＦｅＰｔ合金を積層した媒体が提案されている（非特許文献１を参照。）。Ｂ２構造のＦｅＲｈ合金は、９０℃付近の転移温度で反強磁性から強磁性に相転移することが知られている。このため、転移温度付近まで加熱すると、磁化が発生し、これがＦｅＰｔの磁化反転をアシストすることによって、保磁力を急峻に低下させることができる。
【００１４】
さらに、この非特許文献１には、ＦｅＲｈ合金の転移温度が、３ａｔ％のＩｒ添加により２００℃程度まで向上できることが記載されている。これにより、ガラス基板の耐熱温度よりも低い９０℃から２００℃の範囲内で急峻なＨｃの温度依存性を実現できる。
【００１５】
また、低温で保磁力の温度勾配を高める別の手法として、キュリー温度の高い２つの磁性層（記録層とベース層）の間に、キュリー温度が低い磁性層（スイッチング層）を挿入した構造を有する媒体が開示されている（特許文献１を参照。）。また、この特許文献１には、媒体をスイッチング層のキュリー温度以上に加熱することにより、記録層とベース層の交換結合が消滅し、Ｋｕが温度に対して急峻に低下することが記載されている。
【００１６】
同様な層構成として、Ｋｕの極めて高いＬ１０型ＦｅＰｔ層の上に、ブロッキング温度が１５５℃のγ−ＦｅＭｎ反強磁性体層を介してＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２記録層が形成された媒体が開示されている（特許文献２を参照。）。また、この特許文献２には、媒体をγ−ＦｅＭｎのブロッキング温度以上に加熱することにより、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２記録層とＦｅＰｔ層の交換結合が消滅し、Ｈｃを温度に対して急峻に低下させることができることが記載されている。
【００１７】
また、強磁性記録層と反強磁性層を積層することによって、Ｈｃの温度勾配を急峻化させる技術が開示されている（特許文献３を参照。）。この特許文献３には、反強磁性層のブロッキング温度以上まで媒体を加熱することにより、強磁性記録層と反強磁性層との間の結合を消失させ、Ｈｃを急激に低下させることが記載されている。
【００１８】
上述したように、高い結晶磁気異方性Ｋｕを示すＬ１０型のＦｅＰｔ合金やＣｏＰｔ合金は、十分な熱安定性を維持したまま粒径の微細化が可能であるため、熱アシスト磁気記録媒体の磁性層に適している。
【００１９】
しかしながら、これらの合金を規則化させてＬ１０型の結晶構造とするには、５００℃以上の基板加熱又は成膜後の熱処理が必要となる。これは、現在使用されているＨＤＤ用ガラス基板の耐熱温度（〜３５０℃）を大幅に上回っているため、実現は困難である。
【００２０】
これに対する改善策として、例えばＦｅＰｔ合金にＡｇやＣｕを添加することによって、規則化温度を低減できることが報告されている。しかしながら、規則化温度を低減した場合、同時にＫｕも大幅に低下するため、両者はトレードオフの関係にある。
【００２１】
また、熱アシスト記録においても、良好な記録再生特性を得るためには、磁性粒子間の交換相互作用を十分に低減する必要がある。このため、Ｌ１０型のＦｅＰｔ合金にＳｉＯ２の酸化物や、カーボン（Ｃ）を添加した磁性層を用いた媒体が提案されている。しかしながら、この場合もＬ１０型の結晶構造における規則化が阻害され、Ｋｕが大幅に低下することが報告されている。
【００２２】
以上のことを考慮すると、粒子間の交換相互作用が十分に分断されており、且つ、２×１０６Ｊ／ｍ３以上の高いＫｕを有する磁性層を３５０℃以下の基板温度で作製することは極めて困難であると考えられる。
【００２３】
また、ガラス基板の耐熱温度以下の低い温度でＨｃの温度勾配を急峻化させる手法として提案されたＢ２構造のＦｅＲｈ合金の場合も、規則化させるためには、高温での熱処理や基板加熱が必要となる。したがって、この場合は、基板に耐熱性の高い高価な単結晶ＭｇＯを使用し、ＦｅＲｈ合金の規則化のために５５０℃の基板加熱を行っている（非特許文献２を参照。）。これは、ガラス基板の耐熱温度を大幅に上回っている。
【００２４】
一方、特許文献１や特許文献２に開示されている手法は、基板を高温加熱することなくＨｃの温度勾配を３５０℃以下の低温で、ある程度急峻化できる。しかしながら、磁化遷移幅を低減させるには、Ｈｃよりも飽和磁界Ｈｓの温度勾配を急峻化することが、より重要である。飽和磁界は、磁化曲線においてループが閉じる磁界である。これは、磁性層を構成する磁性粒子の中で最も磁化反転を起こし難い粒子の反転磁界、すなわち反転磁界の最大値に相当する値である。したがって、飽和磁界の温度勾配を急峻化することにより、よりシャープな磁化遷移が形成され、良好な記録再生特性が得られる。
【特許文献１】特開２００２−３５８６１６号公報
【特許文献２】特開２００７−５９００８号公報
【特許文献３】特開２００８−５２８６９号公報
【非特許文献１】Appl. Phys. Lett., Vol.82, pp.2859-2861 (2003)
【非特許文献２】Jpn., J. Appl. Phys., Vol45, no.2B, pp1314-1320 (2006)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、１Ｔbit／inch２以上の面記録密度を達成できる熱アシスト磁気記録媒体、並びにそのような熱アシスト磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記課題を解決するため、本発明者らは鋭意研究を行った結果、（１）３５０℃以下の基板温度で成膜可能であること、（２）３５０℃以下の温度で飽和磁界が温度に対して急峻に低下すること、（３）Ｋｕが２×１０６Ｊ／ｍ３以下であっても、ＫｕＶ／ｋＴ＞６０を維持したまま、磁性粒径を６ｎｍ以下まで微細化できること、の全てを満たすことによって、熱アシスト磁気記録媒体において、１Ｔbit／inch２以上の面記録密度を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２７】
すなわち、本発明は以下の手段を提供する。
（１）  基板と、
前記基板の上に形成された複数の下地層と、
前記下地層の上に形成された第１の磁性層と、
前記第１の磁性層の上に形成された強磁性合金からなる結合制御層と、
前記結合制御層の上に形成された第２の磁性層とを備え、
前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のキュリー温度が前記結合制御層のキュリー温度よりも高く、
前記第１の磁性層の異方性磁界が前記第２の磁性層の異方性磁界よりも高く、
なお且つ、飽和磁界が３５０℃以下の温度で極小値を示すことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
（２）  前記結合制御層は、Ｃｏを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（３）  前記結合制御層は、Ｎｉを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする前項（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（４）  前記結合制御層は、Ｆｅを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ａｌの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなることを特徴とする前項（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（５）  前記第１の磁性層は、Ｃｏを主成分とし、且つ、Ｐｔを含有するＨＣＰ構造の合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することを特徴とする前項（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（６）  前記第１の磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＬ１０構造のＦｅＰｔＸ（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ）合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することを特徴とする前項（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（７）  基板と、
前記基板の上に形成された複数の下地層と、
前記下地層の上に形成された第１の磁性層と、
前記第１の磁性層の上に形成された反強磁性合金からなる結合制御層と、
前記結合制御層の上に形成された第２の磁性層とを備え、
前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のキュリー温度が前記結合制御層のブロッキング温度よりも高く、
前記第１の磁性層の異方性磁界が前記第２の磁性層の異方性磁界よりも高く、
なお且つ、飽和磁界が３５０℃以下の温度で極小値を示すことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
（８）  前記結合制御層は、ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、ＲｕＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＰｄＭｎ、ＰｄＰｔＭｎの何れかであることを特徴とする前項（７）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（９）  前記第１の磁性層は、Ｃｏを主成分とし、且つ、Ｐｔを含有するＨＣＰ構造の合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することを特徴とする前項（７）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（１０）  前記第１の磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＬ１０構造のＦｅＰｔＸ（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ）合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することを特徴とする前項（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（１１）  前項（１）〜（１０）の何れか一項に記載の熱アシスト磁気記録媒体と、
前記熱アシスト磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記熱アシスト磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記熱アシスト磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記熱アシスト磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００２８】
以上のように、本発明によれば、１Ｔbit／inch２以上の面記録密度を有する熱アシスト磁気記録媒体が実現され、これを用いた磁気記録再生装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００３０】
本発明を適用した熱アシスト磁気記録媒体は、基板と、この基板の上に形成された複数の下地層と、この下地層の上に形成された第１の磁性層と、この第１の磁性層の上に形成された強磁性合金からなる結合制御層と、この結合制御層の上に形成された第２の磁性層とを備え、第１の磁性層及び第２の磁性層のキュリー温度が結合制御層のキュリー温度よりも高く、第１の磁性層の異方性磁界が第２の磁性層の異方性磁界よりも高く、なお且つ、飽和磁界が３５０℃以下の温度で極小値を示すことを特徴とする。
【００３１】
また、本発明を適用した別の熱アシスト磁気記録媒体は、基板と、この基板の上に形成された複数の下地層と、この下地層の上に形成された第１の磁性層と、この第１の磁性層の上に形成された反強磁性合金からなる結合制御層と、この結合制御層の上に形成された第２の磁性層とを備え、第１の磁性層及び第２の磁性層のキュリー温度が結合制御層のブロッキング温度よりも高く、第１の磁性層の異方性磁界が第２の磁性層の異方性磁界よりも高く、なお且つ、飽和磁界が３５０℃以下の温度で極小値を示すことを特徴とする。
【００３２】
本発明者らは、熱アシスト記録において、飽和磁界の温度勾配が記録再生特性に及ぼす影響について詳細に調査した結果、飽和磁界の温度勾配を急峻にすることによって良好な記録再生特性が得られることを見出した。
【００３３】
すなわち、熱アシスト記録において、急峻な磁化遷移を形成し、良好な記録再生特性を得るためには、保磁力の温度勾配を急峻にする必要があると考えられる。なお、保磁力は、磁性層を構成する磁性粒子の反転磁界の平均的値に相当する値である。一方、磁化曲線においてループが閉じる磁界、すなわち、飽和磁界は、反転磁界の最大値に相当する値である。
【００３４】
以下、飽和磁界の急峻な温度勾配を実現するための手段について説明する。
先ず、本発明を適用した熱アシスト磁気記録媒体の飽和磁界Ｈｓの温度依存性の一例を図１に模式的に示す。なお、図１には、比較のため、磁性層が第１の磁性層のみで形成された磁気記録媒体の飽和磁界Ｈｓ１の温度依存性も示している。
【００３５】
図１に示すように、強磁性体からなる結合制御層のキュリー温度以下、すなわち、Ｔ＜ＴｃＥＸの領域では、第１の磁性層と第２の磁性層は、磁気的に強く結合している。このため、第１の磁性層と第２の磁性層は、同時に磁化反転を起こし、Ｈｓは、Ｈｓ１よりも低くなる。これは、媒体の磁気異方性が第１の磁性層と、この第１の磁性層よりも異方性磁界が低い第２の磁性層の加重平均で表されるためである。
【００３６】
温度上昇に伴ってＨｓは低下するが、ＴｃＥＸより十分に低い温度領域では、低下の度合いは緩やかである。温度がＴｃＥＸに近づくと、結合制御層の磁化が急激に減少し、第１の磁性層と第２の磁性層の交換結合が急激に低下する。第２の磁性層の異方性磁界は、第１の磁性層の異方性磁界より低いため、両者間の交換結合がある程度以下まで弱められると、第２の磁性層が第１の磁性層より先に磁化反転を起こす。これにより、第１の磁性層の磁化反転が促進され、Ｈｓが急激に低下する。これは、ハード層とソフト層間の交換結合を低下させていった場合のＥＣＣ磁気記録媒体のＨｓの変化に類似している。
【００３７】
Ｔ＝ＴｃＥＸでは、第２の磁性層が非磁性となり、第１の磁性層と第２の磁性層の交換結合が完全に分断される。このため、第１の磁性層と第２の磁性層はそれぞれインコヒーレントに磁化反転を起こすようになり、Ｈｓは、Ｈｓ１と概ね同等の値まで増加する。また、Ｈｓが極小値をとる温度付近まで加熱して書き込みを行うことにより、急峻な磁化遷移を形成することができる。また、Ｈｓは、記録時の加熱温度Ｔｗ以上で急激に増加するため、記録後の熱揺らぎによる記録磁化の再反転を抑制することができる。
【００３８】
Ｈｓが極小値をとる温度は、結合制御層のキュリー温度と膜厚によって制御することができる。結合制御層のキュリー温度が低い又は結合制御層の膜厚が厚いほど、Ｈｓが極小値をとる温度は低下する。Ｈｓの極小値は６ｋＯｅ以上、９ｋＯｅ以下が望ましい。Ｈｓの極小値が６ｋＯｅを下回ると、記録ビットがトラック幅方向に広がり過ぎるため好ましくない。一方、Ｈｓの極小値が９ｋＯｅを上回ると、重ね書き特性が劣化するため好ましくない。
【００３９】
第１の磁性層は、Ｃｏを主成分とし、且つ、Ｐｔを含有するＨＣＰ構造の合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物とを含有するグラニュラー構造、又は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＬ１０構造のＦｅＰｔＸ（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ）合金と、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物又はカーボンとを含有するグラニュラー構造を有することが好ましい。
【００４０】
具体的に、第１の磁性層には、Ｋｕが０．８×１０６Ｊ／ｍ３以上、好ましくは１×１０６Ｊ／ｍ３以上のＰｔを１５ａｔ％以上含有するＨＣＰ構造のＣｏＰｔ合金を用いることができる。また、磁性粒径を微細化し、粒子間の交換相互作用を低減するため、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５などの酸化物又はカーボン(Ｃ)等を添加してもよい。
【００４１】
また、Ｋｕを大幅に低下させない範囲内であれば、上記酸化物又はＣに加えて、Ｃｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ等の元素を更に添加してもよい。第１の磁性層の膜厚は、高いＫｕＶ／ｋＴを達成するため、３ｎｍ以上とすることが好ましい。但し、第１の磁性層の膜厚が２０ｎｍを上回ると、結晶粒が肥大化し、記録再生特性が劣化するため、２０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００４２】
第１の磁性層には、Ｌ１０型のＦｅＰｔやＣｏＰｔ等の規則合金を使用することもできる。但し、この場合、規則化温度やキュリー温度を低減するため、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等を添加する必要がある。また、磁性粒子間の交換結合を低減させるため、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５などの酸化物又はカーボン(Ｃ)等を添加することが望ましい。これによってＫｕが低下するが、１×１０６Ｊ／ｍ３以上の値が得られれば問題ない。
【００４３】
第２の磁性層には、異方性磁界が第１の磁性層よりも低い磁性合金を用いる。具体的には、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ等、Ｃｏを主成分とするＨＣＰ構造の合金を用いることができる。また、第２の磁性層には、室温において強磁性を消失しない範囲内であれば、その他の添加元素を加えてもよい。また、第２の磁性層は、Ｎｉを主成分とするＦＣＣ構造の合金や、Ｆｅを主成分とするＢＣＣ構造の合金であってもよい。特に、第１の磁性層に、（００１）配向したＬ１０型のＦｅＰｔ合金やＣｏＰｔ合金を用いる場合は、Ｆｅを主成分とするＢＣＣ構造の合金を用いることが望ましい。更に、非晶質合金を第２の磁性層に用いてもよい。
【００４４】
媒体のＨｓの極小値をできる限り低減させるため、第２の磁性層の磁化と膜厚の積は、高いことが望ましいが、磁気ヘッドとのスペーシングロスとのトレードオフとなる。また、本発明の熱アシスト磁気記録媒体において、第１の磁性層と第２の磁性層とは、室温では結合制御層を介して磁気的に強く結合している。このため、室温における媒体のＫｕＶ／ｋＴは、第１の磁性層と第２の磁性層のＫｕＶ／ｋＴの和で表される。すなわち、第２の磁性層の磁化又は膜厚を増加させることによって、媒体のＫｕＶ／ｋＴを高めることができる。よって、第２の磁性層の磁化やＫｕ等の磁気パラメータ及び膜厚は、上記要素を考慮して設計する必要がある。
【００４５】
第２の磁性層は、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５などの酸化物又はカーボン(Ｃ)等を含有していてもよい。但し、含有率は６ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。すなわち、第２の磁性層は、ＴｃＥＸより少し低い温度で第１の磁性層の反転磁界を低減させると同時に、第１の磁性層の反転磁界分散を低減する効果を有する。これは、磁性粒子が酸化物等で分断された第１の磁性層に比べて、第２の磁性層を構成する磁性粒子間の交換結合が強いためである。したがって、上記酸化物又はカーボン(Ｃ)等の含有率が６ｍｏｌ％を上回ると、第２の磁性層中の磁性粒子間の交換結合が著しく低下する。このため、第１の磁性層の反転磁界分散を低減する効果が弱まるので好ましくない。
【００４６】
結合制御層には、キュリー温度が概ね３５０℃以下となる強磁性合金を用いることができる。これにより、３５０℃以下でＨｓが温度に対して急峻に低下し、極小値をとらせることができる。但し、Ｈｓが極小値を示す温度は、結合制御層を厚くすることによっても低下するため、Ｈｓが極小値を示す温度が３５０℃以下であれば、結合制御層のキュリー温度は３５０℃を上回ってもよい。
【００４７】
結合制御層の材料については、上記の条件を満たせば特に制限はないものの、例えば、第１の磁性層及び第２の磁性層にＨＣＰ構造のＣｏ合金を用いる場合は、エピタキシャル成長によって第２の磁性層に（００・１）配向をとらせるため、結合制御層には、Ｃｏを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなる、例えばＣｏＣｒ、ＣｏＶ、ＣｏＭｎ、ＣｏＣｕ、ＣｏＲｕ、ＣｏＲｅ、ＣｏＭｏ、ＣｏＷ、ＣｏＴｉ等のＨＣＰ構造の合金を用いることが好ましい。また、結合制御層には、Ｎｉを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなる、例えばＮｉＣｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＶ、ＮｉＭｎ、ＮｉＣｕ、ＮｉＲｕ、ＮｉＲｅ、ＮｉＭｏ、ＮｉＷ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＮｉＡｌ、ＮｉＳｉ等のＦＣＣ構造の合金を用いることが好ましい。
【００４８】
第１の磁性層に（００１）配向したＬ１０型のＦｅＰｔ合金やＣｏＰｔ合金を使用する場合は、結合制御層には、Ｆｅを主成分とし、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ａｌの中から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する合金からなる、例えばＦｅＣｒ、ＦｅＶ、ＦｅＭｎ、ＦｅＡｌ等のＢＣＣ構造の合金、若しくはｆＣＣ構造のＮｉ合金を用いることが好ましい。なお、この場合は、第２の磁性層にＦｅＣｒ等のＢＣＣ構造の合金を用いることが好ましい。これにより、第２の磁性層が結合制御層上にエピタキシャル成長し、第２の磁性層の磁化容易軸が、第１の磁性層と同様、膜面に対して垂直方向を向くので良好な記録再生特性が得られる。
【００４９】
本発明では、ＨＳが極小値を示す温度まで媒体を加熱して記録を行う。熱履歴による膜構造の劣化や潤滑剤の分解等を考慮すると、記録時の加熱温度はより低いことが望ましい。記録時の加熱温度を低くするためには、Ｈｓが極小となる温度を低くする必要があり、そのためには、結合制御層のキュリー温度ＴｃＥＸはより低いことが望ましい。
【００５０】
但し、ＴｃＥＸを低くした場合、室温における結合制御層の磁化も低下するため、第１の磁性層と第２の磁性層の交換結合が低下する。交換結合がある程度以下に弱まると、両者が室温にてインコヒーレントな磁化反転を起こすため、飽和磁界がＴｃＥＸ以下で温度に対して急峻な変化を起こさなくなる。したがって、ＴｃＥＸは、室温にて第１の磁性層と第２の磁性層が同時に磁化反転を起こす程度に高く設定する必要がある。
【００５１】
また、記録時の加熱温度は、結合制御層を厚くすることによっても低減できる。但し、結合制御層を厚くした場合、スペーシングロスにより記録再生特性が劣化する。したがって、結合制御層の膜厚は、５０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは５ｎｍ以下である。
【００５２】
また、結合制御層には、ブロッキング温度が概ね３５０℃以下となる反強磁性体を用いてもよい。具体的には、例えば、ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、ＲｕＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＰｄＭｎ、ＰｄＰｔＭｎなどのＦＣＣ構造を有する合金を用いることができる。上記合金のブロッキング温度と膜厚を制御することにより、３５０℃以下でＨｓが温度に対して急峻に低下し、極小値をとらせることができる。これは、媒体をブロッキング温度付近まで加熱すると、第１の磁性層と第２の磁性層の交換結合が弱まるためである。なお、上記合金のブロッキング温度は、組成を変えることによって制御できる。また、本発明では、媒体をＨｓが極小値を示す温度まで加熱して書き込みを行うことにより、結合制御層に強磁性体を用いた場合と同様、良好な記録再生特性が得られる。
【００５３】
基板と第１の磁性層の間には、複数の下地層を形成することができる。ここで、下地層とは、配向制御や粒径制御を目的とした構造制御層、ヒートシンク層、軟磁性下地層（ＳＵＬ：Soft Under Layer）、密着性改善層等を全て含めた層の総称である。
【００５４】
また、第１の磁性層にＣｏを主成分とするＨＣＰ構造の合金を使用する場合、この第１の磁性層に（００・１）配向をとらせるため、下地層には、（００・１）配向したＨＣＰ構造の合金、又は（１１１）配向したＦＣＣ構造の合金を用いることが好ましい。具体的には、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｔｉ等の金属、若しくはそれらを主成分とするＨＣＰ構造の合金や、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ等の金属、若しくはそれらを主成分とするＦＣＣ構造の合金を用いることができる。また、下地層は、これらの積層構造としてもよい。特に、第１の磁性層の直下の下地層に格子定数の高いＲｕ等を用いることにより、この第１の磁性層に引っ張り応力が導入され、ｃ／ａ比が低下し、Ｋｕを高めることができる。
【００５５】
一方、第１の磁性層にＬ１０型のＦｅＰｔ、若しくはＣｏＰｔ等の規則合金を使用する場合は、ＭｇＯの下地層を用いることが好ましい。ＭｇＯは、Ｂ１型（ＮａＣｌ型）構造を有し（１００）配向をとる。このため、ＭｇＯ上に形成されたＬ１０型の規則合金は、エピタキシャル成長により、（００１）配向をとる。この場合、磁化容易軸が膜面に対して垂直方向となるため、良好な記録再生特性が得られる。
【００５６】
また、ＭｇＯ下地層とＬ１０型規則合金の間には、構造制御層、若しくはヒートシンク層としてＢＣＣ構造、若しくはＦＣＣ構造の金属や合金を導入してもよい。但し、ＭｇＯ下地層上にエピタキシャル成長して（１００）配向を示す材料に限られる。
【００５７】
ヒートシンク層としては、熱伝導率の高いＣｕ、Ａｇ、若しくはこれらを主成分とする合金を用いることが好ましい。また、ＳＵＬとして、Ｒｕを介して反強磁性結合したＦｅＴａＣ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＴａＳｉ等の軟磁性層合金を導入してもよい。ＳＵＬ導入によって記録時の磁界勾配をより急峻化できる。
【００５８】
第１の磁性層にＬ１０型のＦｅＰｔ合金やＣｏＰｔ合金を使用する場合は、３５０℃以下で基板加熱を行う。但し、この場合、規則化温度を低減するためＣｕやＡｇを添加する必要がある。元素添加によりＫｕは低下するが、少なくとも、１×１０６Ｊ／ｍ３以上のＫｕを有する媒体が得られれば特に問題はない。また、第１の磁性層にＨＣＰ構造のＣｏ合金を用いる場合は、基板加熱は不要である。
【００５９】
本発明では、Ｋｕが１×１０６Ｊ／ｍ３程度の磁性合金を使用しても、ＫｕＶ／ｋＴ＞６０を維持したまま粒径を６ｎｍ以下まで低減でき、１Ｔbit／inch２級の面記録密度を実現できる。例えば、Ｋｕ＝０．９×１０６Ｊ／ｍ３、粒径５ｎｍ、膜厚１２ｎｍのＣｏＰｔ合金膜を第１の磁性層に用いた場合、磁性粒子間の交換相互作用が無いと仮定すると室温におけるＫｕＶ／ｋＴは５１と見積もられる。
【００６０】
また、第２の磁性層にＫｕ＝０．３×１０６Ｊ／ｍ３、粒径５ｎｍ、膜厚６ｎｍのＣｏ合金膜を用いたとすると、このＣｏ合金膜の室温におけるＫｕＶ／ｋＴは、磁性粒子間の交換相互作用が無いと仮定して１０と見積もられる。そして、室温における媒体のＫｕＶ／ｋＴは、両者の和で表されるため６１となる。これは良好な熱安定性を得るために必要な条件（ＫｕＶ／ｋＴ＞６０）を満たしている。
【００６１】
以上は、第１の磁性層及び第２の磁性層が共に磁性粒子間の交換結合が全くないと仮定した場合の見積もりであるが、第２の磁性層の磁性粒子間には弱い交換結合が存在するため、実質的なＫｕＶ／ｋＴは、上記見積もりも若干高くなると考えられる。
【００６２】
ビット長を磁性粒径の３倍とし、ビットアスペクト比を３：１と仮定すれば、Ｋｕが１×１０６Ｊ／ｍ３程度のＣｏＰｔ−Ｏｘｉｄｅ合金を用いた場合でも、１Ｔbit／inch２級の面記録密度を実現できる。さらに、ディスクリート磁気記録媒体に適用することによって、ビットアスペクト比を３：１以下に低減できれば、２Ｔbit／inch２級の面記録密度も実現可能と考えられる。
【００６３】
以上の手段により、（１）３５０℃以下の基板温度で成膜可能であること、（２）３５０℃以下の温度で飽和磁界が温度に対して急峻に低下すること、（３）Ｋｕが２×１０６Ｊ／ｍ３以下であっても、ＫｕＶ／ｋＴ＞６０を維持したまま、磁性粒径を６ｎｍ以下まで微細化できること、の全てを満たすことができ、これによって１Ｔbit／inch２以上の面記録密度を有する熱アシスト磁気記録媒体を実現することができ、これを用いた磁気記憶装置を提供することができる。
【実施例】
【００６４】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００６５】
（実施例１）
実施例１において作製される磁気記録媒体の層構成を図２に示す。
この磁気記録媒体は、ガラス基板２０１上に、層厚１０ｎｍのＮｉＴａからなるシード層２０２と、層厚３０ｎｍのＣｕからなるヒートシンク層２０３を介して、層厚１０ｎｍの（Ｃｏ−２５ａｔ％Ｐｔ）−（ＴｉＯ２）合金からなる第１の磁性層２０４、ＣｏＲｕ合金からなる結合制御層２０５、及び層厚６ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる第２の磁性層２０６により構成される磁性層２０７とが積層されてなる。また、磁性層２０７を形成した後に、層厚３．５ｎｍのカーボン保護層２０８を形成し、その上に膜厚１．８ｎｍの潤滑剤膜２０９を塗布形成した。このうち、結合制御層については、飽和磁界Ｈｓが２５０℃付近で極小値をとるように、ＣｏＲｕ合金中のＲｕ濃度（キュリー温度）と膜厚を調整した。
【００６６】
そして、この実施例１の磁気記録媒体で使用された第１の磁性層及び第２の磁性層の結晶磁気異方性Ｋｕと異方性磁界Ｈｋを表１に示す。
【００６７】
【表１】
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【００６８】
表１に示すように、第１の磁性層の異方性磁界は、第２の磁性層よりも高くなっている。また、結合制御層のキュリー温度まで加熱しても、第１の磁性層及び第２の磁性層の磁化は残存していた。このことは、第１の磁性層及び第２の磁性層のキュリー温度が共に結合制御層のキュリー温度よりも高いことを示している。
【００６９】
次に、上記実施例１の層構成を有する磁気記録媒体の磁化曲線３０１と、比較として、上記実施例１の層構成のうち磁性層２０７が第１の磁性層２０４のみで構成される磁気記録媒体の磁化曲線３０２を図３に示す。
【００７０】
図３に示すように、第１の磁性層２０４のみで構成される磁気記録媒体の飽和磁界Ｈｓに対して、第１の磁性層２０４の上に結合制御層２０５を介して第２の磁性層２０６を形成した実施例１の磁気記録媒体では、飽和磁界Ｈｓが５ｋＯｅ程度低くなっている。また、この実施例１の磁気記録媒体では、Ｈｃ付近でのループの勾配が急峻になっており、スイッチング磁界分布が低減されていることがわかる。
【００７１】
また、実施例１の磁気記録媒体について、飽和磁界の温度依存性を測定したところ、図３と同様の傾向を示し、２５０℃付近で極小値を示した。これは、２５０℃付近で、第１の磁性層２０４と第２の磁性層２０６の交換結合が急激に低下したためと考えられる。すなわち、交換結合の低下により、異方性磁界の低い第２の磁性層２０６が先に磁化反転を起こし、これが第１の磁性層２０４の磁化反転をアシストすることによって、Ｈｓが急激に低下したと推察される。
【００７２】
また、この磁気記録媒体を結合制御層２０５のキュリー温度以上まで加熱すると、第１の磁性層２０４と第２の磁性層２０６の交換結合が完全に切断され、両者はインコヒーレントに磁化反転を起こす。第１の磁性層２０４の異方性磁界は、第２の磁性層２０６の異方性磁界よりも高いため、媒体の飽和磁界は急激に増加し、第１の磁性層２０４のＨｓと同等の値となる。このため、温度上昇に伴ってＨｓが極端に低下することがなく、記録後の磁化の再反転が抑制される。
【００７３】
また、実施例１の磁気記録媒体は、Ｈｓの極小値が７．８ｋＯｅであった。良好な重ね書き特性を得るためには、Ｈｓの極小値は９ｋＯｅ以下、好ましくは８ｋＯｅ以下がよい。但し、低くなり過ぎると記録ビットがトラック幅方向に広がりすぎるため、６ｋＯｅ以上が好ましい。Ｈｓの極小値は、第２の磁性層２０６の磁化、若しくは膜厚を増加させることによっても低減できる。また、第１の磁性層２０４の飽和磁界を低下させてもよい。但し、この場合、ＫｕＶ／ｋＴ＞６０を維持する必要がある。
【００７４】
実施例１の磁気記録媒体のＸ解回折測定を行ったところ、Ｃｕヒートシンク層２０３はＦＣＣ（１１１）配向を示し、磁性層２０７からは強いＨＣＰ（００・２）ピークが観察された。このことから、Ｃｕヒートシンク層２０３は、磁性層２０７に垂直配向をとらせるための配向制御層としても有効であることがわかった。
【００７５】
次に、実施例１の磁気記録媒体をＨｓが極小を示す温度まで加熱し、記録再生特性の評価を行った。また、本評価に用いる磁気ヘッドの構造を図４に模式的に示す。
【００７６】
この磁気ヘッドは、記録ヘッド４０１と再生ヘッド４１０とを備え、記録ヘッド４０１は、上部磁極４０２、下部磁極４０３、及び両者の間に挟まれたＰＳＩＭ（Planar Solid Immersion Mirror）４０４から構成される。ＰＳＩＭは、例えば上記非特許文献２に記載されているような構造のものを用いることができる。そして、この記録ヘッド４０１は、ＰＳＩＭ４０４のグレーティング部４０５にレーザー光源４０６から波長５００ｎｍの半導体レーザー４０７を照射し、ＰＳＩＭ４０４の先端部から発生した近接場光４０８により磁気記録媒体４０９を加熱しながら記録を行う。一方、再生ヘッド４１０は、上部シールド４１１と下部シールド４１２で挟まれたＴＭＲ素子４１３で構成されている。
【００７７】
そして、上記図４に示す磁気ヘッドを用いて、実施例１の磁気記録媒体をＨｓが極小となる温度まで加熱し、線記録密度２０００ｋＦＣＩ（kilo Flux changes per Inch）のオールワンパターン信号を記録し、再生を行ったところ、良好な重ね書き特性と高い媒体ＳＮ比が得られた。
【００７８】
なお、実施例１の磁気記録媒体において、上記第１の磁性層２０４に含有される酸化物には、上述したＳｉＯ２以外にも、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５等を使用することができる。また、Ｋｕを大幅に劣化させず、ＨＣＰ構造を維持できる範囲内であれば、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｃｕ等の添加元素を含有していてもよい。
【００７９】
また、上記第２の磁性層２０６には、上述したＣｏＣｒＰｔＢ合金以外にも、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏｒＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ等のＨＣＰ構造を有する合金や、ＮｉＦｅ、ＮｉＣｏ、ＮｉＶ、ＮｉＭｎ、ＮｉＳｉ等のＦＣＣ構造の合金を用いてもよい。
【００８０】
また、上記結合制御層２０５には、キュリー温度を概ね３５０℃以下まで低減させたＣｏＣｒ、ＣｏＶ、ＣｏＭｎ、ＣｏＷ、ＣｏＭｏ合金等を用いてもよい。また、上記合金にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５などの酸化物を添加した材料を用いることもできる。
【００８１】
（実施例２）
実施例２では、第１の磁性層２０４に層厚１２ｎｍの（Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ）−７ｍｏｌ％（ＳｉＯ２）合金、結合制御層２０５に層厚５ｎｍのＮｉ−２ａｔ％Ｃｒ合金、第２の磁性層２０６に層厚５ｎｍのＣｏ−１１ａｔ％Ｃｒ−１３ａｔ％Ｐｔ−５ａｔ％Ｂ合金を使用した以外は、実施例１と同様の層構成を有する磁気記録媒体を作製した。
【００８２】
この実施例２の磁気記録媒体では、結合制御層２０５のキュリー温度が３１０℃であった。また、第１の磁性層２０４及び第２の磁性層２０６のキュリー温度は、共に結合制御層２０５よりも高く、両者の磁化は３１０℃以上でも残存していた。
【００８３】
次に、実施例２の磁気記録媒体におけるＨｓの温度依存性を図５に示す。
図５に示すように、この実施例２の磁気記録媒体では、Ｈｓが１２０℃付近で極小を示し、極小値は７．９ｋＯｅであった。また、室温で測定した媒体のＫｕＶ／ｋＴは７７であり、熱安定性は良好であった。さらに、上記図４に示す磁気ヘッドを用いて、実施例２の磁気記録媒体をＨｓが極小となる温度まで加熱し、線記録密度１８００ｋＦＣＩのオールワンパターン信号を記録し、再生を行ったところ、良好な重ね書き特性と媒体ＳＮ比を示した。
【００８４】
以上の結果より、結合制御層２０５としてＮｉＣｒ合金を使用しても、ＣｏＲｕ合金を使用した場合と同様の効果が得られることがわかった。
なお、実施例２の磁気記録媒体において、上記結合制御層２０５には、上述したＮｉＣｒ合金以外でも、キュリー温度を概ね３５０℃以下に制御したＮｉＡｌ合金、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｕ合金、ＮｉＭｎ合金、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＶ合金、ＮｉＲｅ合金、ＮｉＲｕ合金、ＮｉＳｉ合金、ＮｉＴａ合金、ＮｉＷ合金等を使用しても同様の効果が得られる。更に、上記合金にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５などの酸化物を添加した材料を用いることもできる。
【００８５】
（実施例３）
実施例３において作製される磁気記録媒体の層構成を図６に示す。
この実施例３の磁気記録媒体は、非磁性基板６０１上に、Ｒｕ６０３を挟んで反強磁性結合した層厚の合計が５０ｎｍのＣｏＴａＺｒ合金６０２からなる軟磁性下地層（ＳＵＬ）６０４と、層厚５ｎｍのＮｉＷＢからなる下地層６０５と、層厚３０ｎｍのＡｇＣｕからなるヒートシンク層６０６と、磁性層として、第１の磁性層と６０７、結合制御層６０８、及び第２の磁性層６０９と、更に、カーボン保護層６１０と、潤滑剤膜６１１とが順次形成されてなる。
【００８６】
ここで、実施例３では、基板の加熱は行っていない。また、ＳＵＬ６０４には、上記以外に、例えばＦｅＴａＣ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＴａＳｉ等の軟磁性合金を用いてもよい。また、第１の磁性層６０７には、層厚１２ｎｍの（Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ）−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、第２の磁性層６０９には、層厚６ｎｍのＣｏＣｒＴａ合金を使用した。なお、第１の磁性層６０７及び第２の磁性層６０９の異方性磁界は、それぞれ２１．４ｋＯｅ、１１．６ＫＯｅであった。結合制御層６０８には、ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、ＲｕＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＰｄＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ等の反強磁性合金を用い、層厚は２〜１０ｎｍとした。
【００８７】
次に、実施例３の磁気記録媒体におけるＨｓの温度依存性を図７に示す。
図７に示すように、この実施例３の磁気記録媒体では、結合制御層６０８のブロッキング温度ＴｂＥＸ直下で、Ｈｓが急峻に低下し、極小値を示す傾向がみられた。これは、ブロッキング温度直下で第１の磁性層６０７と第２の磁性層６０９の交換結合が低下したためと考えられる。これにより、異方性磁界がより低い第２の磁性層６０９が先に磁化反転を起こし、これが第１の磁性層６０７の磁化反転をアシストすることによって飽和磁界が低下したと推察される。
【００８８】
次に、実施例３の磁気記録媒体について、透過電子顕微鏡観察により見積もった磁性層の平均粒径は５．１ｎｍであった。これは、ＮｉＷＢ下地層６０５によって下地粒径が微細化された結果と考えられる。また、室温で測定した媒体のＫｕＶ／ｋＴは６０以上の高い値を示し、熱的に安定な媒体であることがわかった。
【００８９】
次に、実施例３の磁気記録媒体の結晶配向をＸ線回折測定により調べたところ、ＡｇＣｕヒートシンク層６０６は（１１１）配向、磁性層は（００・１）配向をとっていた。また、ＮｉＷＢ下地層６０５は、極めて薄いため明瞭な回折ピークは観測されなかったが、その上に形成されたＡｇＣｕヒートシンク層６０６が（１１１）配向をとっていることから、（１１１）配向をとっているものと推定される。
【００９０】
さらに、上記図４に示す磁気ヘッドを用いて、実施例３の磁気記録媒体をＨｓが極小となる温度まで加熱し、線記録密度１８００ｋＦＣＩのオールワンパターン信号を記録し、再生を行ったところ、良好な重ね書き特性と媒体ＳＮ比を示した。
【００９１】
（実施例４）
実施例４において作製される磁気記録媒体の層構成を図８に示す。
この実施例４の磁気記録媒体は、ガラス基板８０１上に、層厚１０ｎｍのＭｇＯからなる下地層８０２と、層厚２０ｎｍのＡｇからなるヒートシンク層８０３と、磁性層として、第１の磁性層と８０４、結合制御層８０５、及び第２の磁性層８０６と、更に、カーボン保護層８０７と、潤滑剤膜８０８とが順次形成されてなる。
【００９２】
また、第１の磁性層８０４には、層厚１０ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ−５ａｔ％Ｃｕ）−ＳｉＯ２合金を使用した。ここで、ヒートシンク層８０３を形成した後、ランプヒーターによりガラス基板８０１を３５０℃まで加熱した。そして、結合制御層８０５として、ＦｅＣｒ−ＳｉＯ２を形成し、第２の磁性層８０６として、層厚６ｎｍのＦｅＶ合金を形成した後、層厚３．５ｎｍのカーボン保護層８０７を形成し、膜厚１．８ｎｍの潤滑剤膜８０８を塗布形成した。また、結合制御層８０５の層厚は、キュリー温度が３００℃程度になるように調整した。
【００９３】
この実施例４の磁気記録媒体では、第１の磁性層８０４の異方性磁界が２７．４ｋＯｅであり、第２の磁性層８０６の異方性磁界を大幅に上回っていた。これは、後述するように第１の磁性層８０４が規則化により高Ｋｕ化したためと考えられる。また、第２の磁性層８０６は、一軸異方性を有するＨＣＰ合金ではなく、ＢＣＣ合金であるため、Ｋｕは第１の磁性層８０４に比べてが著しく低かった。
【００９４】
また、実施例４の磁気記録媒体では、第１の磁性層８０４と第２の磁性層８０６のキュリー温度が共に３００℃以上であり、結合制御層８０５のキュリー温度より高かった。また、実施例４の磁気記録媒体におけるＨｓの温度依存性を測定したところ、結合制御層８０５のキュリー温度直下の２７０℃付近で極小値を示した。
【００９５】
次に、実施例４の磁気記録媒体の結晶配向をＸ線回折測定により調べたところ、ＦｅＰｔＣｕ−ＳｉＯ２からなる第１の磁性層８０４からの（００２）ピーク、及び（００４）ピークに加え、Ｌ１０型規則合金の超格子反射線である（００１）ピーク、及び（００３）ピークが観察された。これにより、実施例４の磁気記録媒体では、第１の磁性層８０４中のＦｅＰｔＣｕ合金がＬ１０型の規則構造をとっていることがわかった。これは、ＦｅＰｔにＣｕを添加したこと、及びＦｅＰｔの組成比をＰｔリッチなＦｅ：Ｐｔ＝４５：５５としたことにより、規則化温度が低下したためと考えられる。また、ＭｇＯ下地層８０２とＣｕＡｕヒートシンク層８０３は、共に（１００）配向をとっていた。
【００９６】
以上より、実施例４の磁気記録媒体では、下地層８０２にＭｇＯを用いることによってヒートシンク層８０３が（１００）配向を示し、これにより、Ｌ１０型ＦｅＰｔＣｕ合金に（１００）配向をとらせることができることがわかった。
【００９７】
次に、実施例４の磁気記録媒体の電子顕微鏡観察を行ったところ、結晶相が非晶質相で囲まれたグラニュラー構造をとっていた。また、平均粒径は４．８ｎｍと極めて微細であったが、ＫｕＶ／ｋＴは６４と高い値を示しており、良好な熱安定性を有していることがわかった。
【００９８】
本実施例に示した磁気記録媒体を上記図４に示す磁気ヘッドと共に、図９に示した磁気記録再生装置に組み込んだ。すなわち、この磁気記録再生装置は、上記本発明を適用した熱アシスト磁気記録媒体９０１と、熱アシスト磁気記録媒体９０１を記録方向に駆動する媒体駆動部９０２と、熱アシスト磁気記録媒体９０１に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド９０３と、磁気ヘッド９０３を熱アシスト磁気記録媒体９０１に対して相対移動させるヘッド移動部９０４と、磁気ヘッド９０３への信号入力と磁気ヘッド９０３から出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系９０５とを備えて構成されている。そして、この磁気記録再生装置の記録再生特性を評価したところ、良好な装置ＳＮ比が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明を適用した熱アシスト磁気記録媒体の飽和磁界Ｈｓの温度依存性の一例を示す特性図である。
【図２】実施例１の磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図３】実施例１の磁気記録媒体の磁化曲線を示す特性図である。
【図４】本発明において用いられる磁気ヘッドの構成を示す模式図である。
【図５】実施例２の磁気記録媒体におけるＨｓの温度依存性を示す特性図である。
【図６】実施例３の磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図７】実施例３の磁気記録媒体におけるＨｓの温度依存性を示す特性図である。
【図８】実施例４の磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図９】本発明が適用される磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１００】
２０１…ガラス基板  ２０２…シード層  ２０３…ヒートシンク層  ２０４…第1の磁性層  ２０５…結合制御層  ２０６…第２の磁性層  ２０７…磁性層  ２０８…カーボン保護層  ２０９…潤滑剤膜  
４０１…記録ヘッド  ４０２…上部磁極  ４０３…下部磁極  ４０４…ＰＳＩＭ  ４０５…グレーティング部  ４０６…レーザー光源  ４０７…半導体レーザー  ４０８…近接場光  ４１０…再生ヘッド  ４１１…上部シールド  ４１２…下部シールド  ４１３…ＴＭＲ素子  
６０１…非磁性基板  ６０２…ＣｏＴａＺｒ合金層  ６０３…Ｒｕ層  ６０４…軟磁性下地層（ＳＵＬ）  ６０５…下地層  ６０６…ヒートシンク層  ６０７…第１の磁性層  ６０８…結合制御層  ６０９…第２の磁性層  ６１０…カーボン保護層  ６１１…潤滑剤膜  
８０１…ガラス基板  ８０２…下地層  ８０３…ヒートシンク層  ８０４…第１の磁性層  ８０５…結合制御層  ８０６…第２の磁性層  ８０７…カーボン保護層  ８０８…潤滑剤膜  
９０１…磁気記録媒体  ９０２…媒体駆動部  ９０３…磁気ヘッド  ９０４…ヘッド駆動部  ９０５…記録再生信号処理系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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