(57)【要約】【課題】伝送線路とパッド領域との間で生じるインピーダンスの不整合を抑制可能な高周波信号伝送用回路基板を提供する。【解決手段】高周波信号伝送用の伝送線路１０１が形成される表面導体層と、導体層１０５、１０７、１０９および導体層上の誘電体層１０４、１０６、１０８からなり、表面導体層の下層として層状に１以上形成される誘電体・導体層と、表面導体層に伝送線路に接合されて形成されるパッド領域１０２と、パッド領域の下方に位置する１以上の導体層に、パッド領域の下方の領域を他の領域から切り離すように形成されるスリット１１０と、を備える。これにより、パッド領域と１以上の導体層との間では、パッド領域の下方の領域の周辺に位置する領域の存在が静電容量成分の発生に寄与しないので、パッド領域でのインピーダンスの低下を抑制し、伝送線路とパッド領域との間で生じるインピーダンスの不整合を抑制することができる。【選択図】図１
2010129616.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号伝送用の伝送線路が形成される表面導体層と、
導体層および前記導体層上の誘電体層からなり、前記表面導体層の下層として層状に１以上形成される誘電体・導体層と、
前記表面導体層に前記伝送線路に接合されて形成されるパッド領域と、
前記パッド領域の下方に位置する１以上の導体層に、前記パッド領域の下方の領域を他の領域から切り離すように形成されるスリットと、
を備える、高周波信号伝送用回路基板。
【請求項２】
前記パッド領域は、２以上の伝送線路に接合され、互いに離隔して形成される２以上のパッド部を含み、
前記パッド領域の直下に位置する１つの導体層に、前記２以上のパッド部の直下の領域を互いに切り離すように形成されるギャップをさらに備える、請求項１に記載の高周波信号伝送用回路基板。
【請求項３】
前記２以上の伝送線路は、差動信号を伝送する一対の差動伝送線路を含む、請求項２に記載の高周波信号伝送用回路基板。
【請求項４】
前記パッド領域の直下に位置する前記１つの導体層以外の１以上の導体層に、前記２以上のパッド部の下方の領域を互いに切り離すように形成されるギャップをさらに備える、請求項２に記載の高周波信号伝送用回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号伝送用回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波信号伝送用の回路基板では、信号伝送を正常に行うために、表面導体層に形成される伝送線路上でのインピーダンス整合が要求される。これは、局所的なインピーダンスの不整合により伝送信号の反射が生じると、高周波信号の伝送特性が劣化してしまうためである。
【０００３】
特に、表面導体層に形成される伝送線路（配線パターン）に接合されて形成されるパッド部では、パッド部が伝送線路よりも幅広に形成され、伝送線路よりもインピーダンスが低下することで、インピーダンスの不整合により伝送信号の反射が生じ、高周波信号の伝送特性が劣化してしまう。また、隣接する一対の伝送線路を用いて差動信号を伝送する場合には、伝送線路に一対のパッド部が接合されるが、差動インピーダンスの不整合により高周波信号の伝送特性が劣化してしまう場合がある。
【０００４】
このため、下記特許文献１には、パッド部の直下に位置する導体層に伝送信号の進行方向と平行に繰抜き部を設けてインピーダンスの低下を抑制する回路基板が記載されている。また、下記特許文献２には、離隔部を介して隣接する一対のパッド部からなるパッド領域を有し、パッド領域の直下に位置する導体層のうち、一対のパッド部および離隔部に対応する領域を取り除いてインピーダンスの低下を抑制する回路基板が記載されている。ここで、一対のパッド部は、差動信号を伝搬する一対の差動伝送線路に接合される。
【０００５】
特許文献１、２に記載される回路基板は、パッド部とパッド部の直下に位置する導体層との間に介在する誘電体層の厚さや面積を調整することで、パッド部とパッド部の直下に位置する導体層との間で生じる静電容量成分を少なくし、インピーダンスの低下を抑制するものである。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１１１２３０号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８４７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載される回路基板では、パッド部の直下に位置する導体層に繰抜き部が設けられているが、導体層のうちパッド部の直下の領域が他の領域から完全に切り離されている訳ではない。このため、パッド部とパッド部の直下に位置する導体層との間では、パッド部の直下の領域と連続している周辺領域の存在が静電容量成分の発生に寄与することで、インピーダンスの低下を十分に抑制することができない。また、パッド部とパッド部の下方に位置する他の導体層との間でも静電容量成分が発生し、インピーダンスの低下を十分に抑制することができない。
【０００８】
また、特許文献２に記載される回路基板では、パッド部とパッド部の直下に位置する導体層との間に介在する誘電体層の厚さが小さくなると、パッド部と導体層との間で多くの静電容量成分が生じ、インピーダンスの低下を十分に抑制することができない。このため、パッド部の下方に位置する全ての導体層のうち、パッド部および離隔部に対応する領域を取り除くことで、静電容量成分の発生を抑制することも考えられる。しかし、この場合には、導体層を取り除かれた領域を通じて回路基板の下方に電磁波が漏洩し易くなるという新たな問題が生じてしまう。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、伝送線路とパッド領域との間で生じるインピーダンスの不整合を抑制可能な、新規かつ改良された高周波信号伝送用回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、高周波信号伝送用の伝送線路が形成される表面導体層と、導体層および導体層上の誘電体層からなり、表面導体層の下層として層状に１以上形成される誘電体・導体層と、表面導体層に伝送線路に接合されて形成されるパッド領域と、パッド領域の下方に位置する１以上の導体層に、パッド領域の下方の領域を他の領域から切り離すように形成されるスリットと、を備える、高周波信号伝送用回路基板が提供される。
【００１１】
かかる構成によれば、パッド領域の下方に位置する１以上の導体層のうち、パッド領域の下方の領域が他の領域から切り離される。これにより、パッド領域と１以上の導体層との間では、パッド領域の下方の領域の周辺に位置する領域の存在が静電容量成分の発生に寄与しないので、パッド領域でのインピーダンスの低下を抑制し、伝送線路とパッド領域との間で生じるインピーダンスの不整合を抑制することができる。また、１以上の導体層のうちパッド領域の下方の領域が他の領域から切り離されているが、パッド領域の下方の領域が完全に取り除かれている訳ではないので、回路基板の下方への電磁波の漏洩を抑制することができる。
【００１２】
また、パッド領域は、２以上の伝送線路に接合され、互いに離隔して形成される２以上のパッド部を含み、パッド領域の直下に位置する１つの導体層に、２以上のパッド部の直下の領域を互いに切り離すように形成されるギャップをさらに備えてもよい。これにより、２以上のパッド部でのインピーダンスの低下を抑制することができる。
【００１３】
ここで、２以上の伝送線路は、差動信号を伝送する一対の差動伝送線路を含んでもよい。この場合、パッド部の直下に位置する導体層のうち２以上のパッド部の直下の領域が互いに切り離されることで、パッド部間で生じる差動信号の干渉を抑制し、伝送特性の劣化を抑制することができる。
【００１４】
また、パッド領域の直下に位置する１つの導体層以外の１以上の導体層に、２以上のパッド部の下方の領域を互いに切り離すように形成されるギャップをさらに備えてもよい。これにより、２以上のパッド部でのインピーダンスの低下をさらに抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、伝送線路とパッド領域との間で生じるインピーダンスの不整合を抑制可能な、高周波信号伝送用回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１７】
以下では、図７および図８を用いて従来技術に係る回路基板について説明した上で、図１〜図５を用いて本願発明の実施形態に係る高周波信号伝送用の回路基板について説明する。
【００１８】
［１．従来技術に係る回路基板］
図７および図８を参照しながら、従来技術に係る回路基板について説明する。図７は、従来技術に係る回路基板の構造として、特許文献１に記載される回路基板の構造を適用した差動信号伝送用の回路基板の構造を示す図である。図７（ａ）は、回路基板の平面図、図７（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、図７（ａ）に示す面Ｓ７ｂ−Ｓ７ｂ、Ｓ７ｃ−Ｓ７ｃ、Ｓ７ｄ−Ｓ７ｄ沿いの断面図である。
【００１９】
図７に示すように、回路基板は、伝送線路７０１およびパッド領域７０２が形成される表面導体層、および表面導体層の下層に順次に形成される第１の誘電体層７０４、第１の導体層７０５、第２の誘電体層７０６、第２の導体層７０７、第３の誘電体層７０８、第３の導体層７０９を含んで構成される。また、表面導体層には、所定の距離で離隔して隣接する一対の伝送線路７０１、およびパッド領域７０２が形成される。パッド領域７０２には、所定の距離で離隔して隣接する一対のパッド部７０３が形成され、一対のパッド部７０３は、一対の伝送線路７０１に接合されて形成される。ここで、一対の伝送線路７０１は、差動信号を伝搬する。
【００２０】
図７に示すように、回路基板には、パッド領域７０２の直下に位置する第１の導体層７０５に伝送線路７０１の引出し方向（図７（ａ）の左右方向に相当する。）と平行に繰抜き部７１０が設けられる。なお、繰抜き部７１０では、取り除かれた導体が誘電体に置換される。
【００２１】
パッド領域７０２の直下に繰抜き部７１０が設けられる領域では、パッド領域７０２と第２の導体層７０７との距離が誘電体層の厚さとみなされるが、繰抜き部７１０が設けられない領域では、パッド領域７０２と第１の導体層７０５との距離が誘電体層の厚さとみなされる。これにより、繰抜き部７１０が設けられる領域と設けられない領域との面積比を調整して、伝送線路７０１のインピーダンスとパッド部７０３のインピーダンスとを等しくすることで、伝送線路７０１とパッド部７０３との間でインピーダンス整合が図られる。
【００２２】
しかし、回路基板では、パッド領域７０２の直下に位置する第１の導体層７０５に繰抜き部７１０が設けられているが、第１の導体層７０５のうちパッド領域７０２の直下の領域が他の領域から完全に切り離されている訳ではない。
【００２３】
このため、パッド領域７０２と第１〜第３の導体層７０５、７０７、７０９との間、特に第１の導体層７０５との間では、パッド領域７０２の直下の領域と連続している周辺領域（図７（ａ）に示すパッド領域７０２の左右に相当する領域）の存在が静電容量成分の発生に寄与することで、インピーダンスの低下を十分に抑制することができない。また、パッド領域７０２と第２の導体層７０７との間でも静電容量成分が発生し、インピーダンスの低下を十分に抑制することができない。
【００２４】
さらに、一対の伝送線路７０１に差動信号が伝送されると、パッド領域７０２の直下の領域と連続している周辺領域を介して、差動信号の干渉が生じる場合がある。この場合、伝送途中で一対の伝送線路７０１に同相で結合した外部ノイズを適切に打ち消すことができなくなり、差動信号の伝送特性が劣化してしまう。
【００２５】
図８は、従来技術に係る回路基板の他の構造として、特許文献２に記載される回路基板の構造を示す図である。図８（ａ）は、回路基板の平面図、図８（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、図８（ａ）に示す面Ｓ８ｂ−Ｓ８ｂ、Ｓ８ｃ−Ｓ８ｃ、Ｓ８ｄ−Ｓ８ｄ沿いの断面図である。
【００２６】
図８に示すように、回路基板は、伝送線路８０１およびパッド領域８０２が形成される表面導体層、第１の誘電体層８０４、第１の導体層８０５、第２の誘電体層８０６、第２の導体層８０７、第３の誘電体層８０８、および第３の導体層８０９を含んで構成される。また、表面導体層には、所定の距離で離隔して隣接する一対の伝送線路８０１、およびパッド領域８０２が形成される。パッド領域８０２には、所定の距離で離隔して隣接する一対のパッド部８０３が形成され、一対のパッド部８０３は、一対の伝送線路８０１に接合されて形成される。
【００２７】
図８に示すように、回路基板には、パッド領域８０２の直下に位置する第１の導体層８０５のうち、一対のパッド部８０３およびパッド部８０３間の離隔部に対応する領域が取り除かれる。なお、第１の導体層８０５では、取り除かれた導体が誘電体に置換される。さらに、第１の導体層８０５のうち取り除かれる領域の厚さや面積を調整することで、一対のパッド部８０３間のインピーダンスの調整が図られる。
【００２８】
しかし、回路基板では、パッド領域８０２とパッド領域８０２の直下に位置する第１の導体層８０５との間に介在する誘電体層の厚さが小さくなると、パッド領域８０２と第１の導体層８０５との間で多くの静電容量成分が生じ、インピーダンスの低下を十分に抑制することができない。このため、パッド領域８０２の下方に位置する第１〜第３の導体層８０５、８０７、８０９のうち、パッド部８０３および離隔部に対応する領域を取り除くことで、静電容量成分の発生を抑制することも考えられる。しかし、この場合には、導体層を取り除かれた領域を通じて回路基板の下方に電磁波が漏洩し易くなるという新たな問題が生じてしまう。
【００２９】
［２．本発明に係る高周波信号伝送用の回路基板］
次に、図１〜図６を参照しながら、本発明に係る高周波信号伝送用の回路基板について説明する。
【００３０】
［２−１．第１の実施形態に係る回路基板］
図１を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る回路基板について説明する。図１は、第１の実施形態に係る回路基板の構造を示す図であり、図１（ａ）は、その平面図、図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、図１（ａ）に示す面Ｓ１ｂ−Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ−Ｓ１ｃ、Ｓ１ｄ−Ｓ１ｄ、Ｓ１ｅ−Ｓ１ｅ沿いの断面図である。
【００３１】
図１に示すように、回路基板は、伝送線路１０１およびパッド領域１０２が形成される表面導体層、および表面導体層の下層に順次に形成される第１の誘電体層１０４、第１の導体層１０５、第２の誘電体層１０６、第２の導体層１０７、第３の誘電体層１０８、第３の導体層１０９を含んで構成される。なお、回路基板は、第３の導体層１０９の下層に順次に形成される第４の誘電体層、第４の導体層、…を含んで構成されてもよい。また、表面導体層には、伝送線路１０１、および１つのパッド部１０３からなるパッド領域１０２が形成される。
【００３２】
図１に示すように、回路基板では、パッド領域１０２の下方に位置する第１〜第３の導体層１０５、１０７、１０９に、パッド領域１０２の下方の領域を他の領域から切り離すようにスリット１１０が形成される。なお、スリット１１０では、スリット１１０を形成するために取り除かれた導体が誘電体に置換される。ここで、スリット１１０は、上方に位置するパッド領域１０２と重ならずにパッド領域１０２の輪郭全体を縁取るように形成される。スリット１１０は、第１〜第３の導体層１０５、１０７、１０９のうちパッド領域１０２の下方の領域を他の領域から絶縁する絶縁部として機能する。
【００３３】
なお、図１（ａ）では、スリット１１０が一定の幅で示されているが、スリット１１０は、一定の幅で形成されなくてもよい。特に、図１（ｃ）に相当する伝送線路１０１とパッド部１０３との接合部において、スリット１１０は、パッド領域１０２の下方の領域を他の領域から絶縁するとともに、伝送線路１０１とパッド部１０３との間で信号伝送が可能な幅で形成される。
【００３４】
これにより、パッド領域１０２と第１〜第３の導体層１０５、１０７、１０９との間での静電容量成分の発生は、パッド領域１０２の面積とパッド領域１０２の下方でスリット１１０により切り離された領域の面積により規定される。よって、パッド領域１０２の下方の領域の周辺に位置する領域（図１（ａ）に示すパッド領域１０２の上下左右に相当する領域）の存在が静電容量成分の発生に寄与しないので、パッド部１０２でのインピーダンスの低下を抑制し、伝送線路１０１とパッド部１０２との間で生じるインピーダンスの不整合を抑制することができる。なお、スリット１１０は、絶縁機能を適切に発揮させ、パッド領域１０２の下方の領域の周辺に位置する領域の存在が静電容量成分の発生に寄与しないように、適度な幅で形成される。
【００３５】
また、第１〜第３の導体層１０５、１０７、１０９には、パッド領域１０２に対応するスリット１１０が形成されるが、パッド領域１０２に対応する領域を全て取り除く場合に比べて、回路基板の下方に漏洩する電磁波を抑制することができる。
【００３６】
［２−２．第１の実施形態の変形例に係る回路基板］
図２を参照しながら、本発明の第１の実施形態の変形例に係る回路基板について説明する。なお、以下では、第１の実施形態に係る回路基板と重複する説明は省略する。図２は、第１の実施形態の変形例に係る回路基板の構造を示す図であり、図２（ａ）は、その平面図、図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、図２（ａ）に示す面Ｓ２ｂ−Ｓ２ｂ、Ｓ２ｃ−Ｓ２ｃ、Ｓ２ｄ−Ｓ２ｄ、Ｓ２ｅ−Ｓ２ｅ沿いの断面図である。
【００３７】
図２に示すように、回路基板では、パッド領域２０２の下方に位置する第１〜第３の導体層２０５、２０７、２０９に、パッド領域２０２の下方の領域を他の領域から切り離すようにスリット２１０が形成される。ここで、スリット２１０は、上方に位置するパッド領域２０２と部分的に重なりパッド領域２０２の輪郭全体を縁取るように形成される。
【００３８】
これにより、パッド領域２０２と第１〜第３の導体層２０５、２０７、２０９との間での静電容量成分の発生は、パッド領域２０２の面積とパッド領域２０２の下方でスリット２１０により切り離された領域の面積により規定される。ここで、変形例に係る回路基板では、第１の実施形態に係る回路基板に比べて、パッド領域２０２の下方の領域として他の領域から切り離された領域の面積が相対的に縮小されているので、静電容量成分の発生が相対的に抑制される。
【００３９】
以上説明したように、本発明の第１の実施形態に係る回路基板によれば、パッド領域１０２；２０２の下方に位置する１以上の導体層１０５、１０７、１０９；２０５、２０７、２０９のうち、パッド領域１０２；２０２の下方の領域が他の領域から切り離される。これにより、パッド領域１０２；２０２と１以上の導体層１０５、１０７、１０９；２０５、２０７、２０９との間では、パッド領域１０２；２０２の下方の領域の周辺に位置する領域の存在が静電容量成分の発生に寄与しないので、パッド領域１０２；２０２でのインピーダンスの低下を抑制し、伝送線路１０１；２０１とパッド領域１０２；２０２との間で生じるインピーダンスの不整合を抑制することができる。
【００４０】
また、１以上の導体層１０５、１０７、１０９；２０５、２０７、２０９のうちパッド領域１０２；２０２の下方の領域が他の領域から切り離されているが、パッド領域１０２；２０２の下方の領域が完全に取り除かれている訳ではないので、回路基板の下方への電磁波の漏洩を抑制することができる。
【００４１】
［２−３．第２の実施形態に係る回路基板］
図３を参照しながら、本発明の第２の実施形態に係る回路基板について説明する。図３は、第２の実施形態に係る回路基板の構造を示す図であり、図３（ａ）は、その平面図、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、図３（ａ）に示す面Ｓ３ｂ−Ｓ３ｂ、Ｓ３ｃ−Ｓ３ｃ、Ｓ３ｄ−Ｓ３ｄ、Ｓ３ｅ−Ｓ３ｅ沿いの断面図である。
【００４２】
図３に示すように、回路基板は、伝送線路３０１およびパッド領域３０２が形成される表面導体層、および表面導体層の下層に順次に形成される第１の誘電体層３０４、第１の導体層３０５、第２の誘電体層３０６、第２の導体層３０７、第３の誘電体層３０８、第３の導体層３０９を含んで構成される。なお、回路基板は、第３の導体層３０９の下層に順次に形成される第４の誘電体層、第４の導体層、…を含んで構成されてもよい。
【００４３】
また、表面導体層には、所定の距離で離隔して隣接する一対の伝送線路３０１、およびパッド領域３０２が形成される。パッド領域３０２には、所定の距離で離隔して隣接する一対のパッド部３０３が形成され、一対のパッド部３０３は、一対の伝送線路３０１に接合されて形成される。ここで、一対の伝送線路３０１は、差動信号を伝搬する差動伝送線路として機能する。
【００４４】
図３に示すように、回路基板では、パッド領域３０２の下方に位置する第１〜第３の導体層３０５、３０７、３０９に、パッド領域３０２の下方の領域を他の領域から切り離すようにスリット３１０が形成される。なお、スリット３１０では、スリット３１０を形成するために取り除かれた導体が誘電体に置換される。ここで、スリット３１０は、上方に位置するパッド領域３０２と重ならずにパッド領域３０２の輪郭全体を縁取るように形成される。スリット３１０は、第１〜第３の導体層３０５、３０７、３０９のうちパッド領域３０２の下方の領域を他の領域から絶縁する絶縁部として機能する。
【００４５】
なお、図３（ａ）では、スリット３１０が一定の幅で示されているが、スリット３１０は、一定の幅で形成されなくてもよい。特に、図３（ｃ）に相当する伝送線路３０１とパッド部３０３との接合部において、スリット３１０は、パッド領域３０２の下方の領域を他の領域から絶縁するとともに、伝送線路３０１とパッド部３０３との間で信号伝送が可能な幅で形成される。
【００４６】
これにより、パッド領域３０２と第１〜第３の導体層３０５、３０７、３０９との間での静電容量成分の発生は、パッド領域３０２の面積とパッド領域３０２の下方でスリット３１０により切り離された領域の面積により規定される。よって、パッド領域３０２の下方の領域の周辺に位置する領域（図３（ａ）に示すパッド領域３０２の上下左右に相当する領域）の存在が静電容量成分の発生に寄与しないので、パッド領域３０２でのインピーダンスの低下を抑制し、一対の伝送線路３０１と一対のパッド部３０３との間で生じるインピーダンスの不整合を抑制することができる。
【００４７】
また、パッド領域３０２の直下に位置する第１の導体層３０５に、一対のパッド部３０３の下方の領域を互いに切り離すようにギャップ３１２が形成される。これにより、パッド部３０３と第１の導体層３０５との間での静電容量成分の発生は、パッド部３０３の面積とパッド部３０３の直下の領域の面積により規定される。よって、パッド部３０３の直下の領域の周辺に位置する領域の存在が静電容量成分の発生に寄与しないので、パッド部３０３でのインピーダンスの低下を抑制し、一対のパッド部３０３間で生じるインピーダンスの不整合を抑制することができる。また、パッド部３０３の直下の領域の周辺に位置する領域を介して、差動信号の干渉が生じ難くなるので、差動信号の伝送特性が劣化することもない。
【００４８】
また、第１〜第３の導体層３０５、３０７、３０９には、パッド領域３０２に対応するスリット３１０が形成されるが、パッド領域３０２に対応する領域を全て取り除く場合に比べて、回路基板の下方に漏洩する電磁波を抑制することができる。
【００４９】
［２−４．第２の実施形態の変形例に係る回路基板］
図４〜図６を参照しながら、本発明の第２の実施形態の変形例１〜３に係る回路基板について説明する。なお、以下では、第２の実施形態に係る回路基板と重複する説明は省略する。
【００５０】
図４は、第２の実施形態の変形例１に係る回路基板の構造を示す図であり、図４（ａ）は、その平面図、図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、図４（ａ）に示す面Ｓ４ｂ−Ｓ４ｂ、Ｓ４ｃ−Ｓ４ｃ、Ｓ４ｄ−Ｓ４ｄ、Ｓ４ｅ−Ｓ４ｅ沿いの断面図である。
【００５１】
図４に示すように、回路基板では、パッド領域４０２の下方に位置する第１〜第３の導体層４０５、４０７、４０９に、一対のパッド部４０３の下方の領域を互いに切り離すようにギャップ４１２が形成される。これにより、パッド部４０３と第１〜第３の導体層４０５、４０７、４０９との間での静電容量成分の発生は、パッド部４０３の面積とパッド部４０３の下方の領域の面積により規定される。よって、パッド部４０３の下方の領域の周辺に位置する領域の存在が静電容量成分の発生に寄与しないので、パッド部４０３でのインピーダンスの低下を抑制し、一対のパッド部４０３間で生じるインピーダンスの不整合を抑制することができる。
【００５２】
また、第１〜第３の導体層４０５、４０７、４０９には、一対のパッド部４０３間の離隔部に対応するギャップ４１２が形成されるが、パッド領域４０２に対応する領域を全て取り除く場合に比べて、回路基板の下方に漏洩する電磁波を抑制することができる。
【００５３】
図５は、第２の実施形態の変形例２に係る回路基板の構造を示す図であり、図５（ａ）は、その平面図、図５（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、図５（ａ）に示す面Ｓ５ｂ−Ｓ５ｂ、Ｓ５ｃ−Ｓ５ｃ、Ｓ５ｄ−Ｓ５ｄ、Ｓ５ｅ−Ｓ５ｅ沿いの断面図である。
【００５４】
図５に示すように、回路基板では、パッド領域５０２の下方に位置する第１〜第３の導体層５０５、５０７、５０９に、パッド領域５０２の下方の領域を他の領域から切り離すようにスリット５１０が形成される。ここで、スリット５１０は、上方に位置するパッド領域５０２と部分的に重なりパッド領域５０２の輪郭全体を縁取るように形成される。
【００５５】
これにより、パッド領域５０２と第１〜第３の導体層５０５、５０７、５０９との間での静電容量成分の発生は、パッド領域５０２の面積とパッド領域５０２の下方でスリット５１０により切り離された領域の面積により規定される。ここで、変形例２に係る回路基板では、第２の実施形態に係る回路基板に比べて、パッド領域５０２の下方の領域として他の領域から切り離された領域の面積が相対的に縮小されているので、静電容量成分の発生が相対的に抑制される。
【００５６】
図６は、第２の実施形態の変形例３に係る回路基板の構造を示す図であり、図６（ａ）は、その平面図、図６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、図６（ａ）に示す面Ｓ６ｂ−Ｓ６ｂ、Ｓ６ｃ−Ｓ６ｃ、Ｓ６ｄ−Ｓ６ｄ、Ｓ６ｅ−Ｓ６ｅ沿いの断面図である。
【００５７】
図６に示すように、回路基板では、パッド領域６０２の下方に位置する第１〜第３の導体層６０５、６０７、６０９に、パッド領域６０２の下方の領域を他の領域から切り離すようにスリット６１０が形成される。ここで、スリット６１０は、下方の導体層ほど、上方に位置するパッド領域６０２と部分的に重なる領域が大きくなるように形成される。
【００５８】
これにより、パッド領域６０２と第１〜第３の導体層６０５、６０７、６０９との間での静電容量成分の発生は、パッド領域６０２の面積とパッド領域６０２の下方でスリット６１０により切り離された領域の面積により規定される。ここで、変形例３に係る回路基板では、第２の実施形態に係る回路基板に比べて、パッド領域６０２の下方の領域として他の領域から切り離された領域の面積が下方の導体層ほど縮小されているので、電気力線の外側への拡がりを抑制することができる。
【００５９】
なお、第２の実施形態の変形例１〜３に係る回路基板では、パッド領域４０２；５０２；６０２の直下に位置する第１の導体層４０５；５０５；６０５を含み、パッド領域４０２；５０２；６０２の下方に位置する全ての導体層（第１〜第３の導体層４０５、４０７、４０９；５０５、５０７、５０９；６０５、６０７、６０９）に、一対のパッド部４０３；５０３；６０３の下方の領域を互いに切り離すようにギャップ４１２；５１２；６１２が形成される。しかし、第１の導体層４０５；５０５；６０５とともに、パッド領域４０２；５０２；６０２の下方に位置する第２または第３の導体層４０７、４０９；５０７、５０９；６０７、６０９のいずれか一方に、一対のパッド部４０３；５０３；６０３の下方の領域を互いに切り離すようにギャップ４１２；５１２；６１２が形成されてもよい。
【００６０】
以上説明したように、本発明の第２の実施形態に係る回路基板によれば、第１の実施形態に係る回路基板による効果と併せて、２以上のパッド部３０３；４０３；５０３；６０３でのインピーダンスの低下を抑制することができる。また、導体層３０５；４０５；５０５；６０５、または導体層３０５、３０７、３０９；４０５、４０７、４０９；５０５、５０７、５０９；６０５、６０７、６０９のうち２以上のパッド部３０３；４０３；５０３；６０３の直下の領域が互いに切り離されることで、パッド部３０３；４０３；５０３；６０３間で生じる差動信号の干渉を抑制し、伝送特性の劣化を抑制することができる。
【００６１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６２】
例えば、上記実施形態に係る説明では、表面導体層および３層の誘電体・導体層からなる回路基板について説明した。しかし、本発明は、表面導体層および１層以上の誘電体・導体層からなる回路基板についても同様に適用可能なものである。
【００６３】
また、図１〜図６には、回路基板の各構成要素が示されているが、図１〜図６は、本発明の実施形態に係る回路基板の概念を説明するためのものである。このため、図１〜図６に示す各構成要素の寸法、形状等は、あくまでも参考として理解されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１の実施形態に係る回路基板の構造を示す図である。
【図２】第１の実施形態の変形例に係る回路基板の構造を示す図である。
【図３】第２の実施形態に係る回路基板の構造を示す図である。
【図４】第２の実施形態の変形例１に係る回路基板の構造を示す図である。
【図５】第２の実施形態の変形例２に係る回路基板の構造を示す図である。
【図６】第２の実施形態の変形例３に係る回路基板の構造を示す図である。
【図７】従来技術に係る回路基板の構造を示す図である。
【図８】従来技術に係る回路基板の他の構造を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１    伝送線路
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２    パッド領域
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３    パッド部
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４    第１の誘電体層
１０５、２０５、３０５、４０５、５０５、６０５    第１の導体層
１０６、２０６、３０６、４０６、５０６、６０６    第２の誘電体層
１０７、２０７、３０７、４０７、５０７、６０７    第２の導体層
１０８、２０８、３０８、４０８、５０８、６０８    第３の誘電体層
１０９、２０９、３０９、４０９、５０９、６０９    第３の導体層
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０    スリット
３１２、４１２、５１２、６１２    ギャップ
【図１】
2010129616.tif 000003
【図２】
2010129616.tif 000004
【図３】
2010129616.tif 000005
【図４】
2010129616.tif 000006
【図５】
2010129616.tif 000007
【図６】
2010129616.tif 000008
【図７】
2010129616.tif 000009
【図８】
2010129616.tif 000010