(57)【要約】【課題】レーザー光による加工に伴う飛散物を、製造品質の低下を招くことなく、頻繁なクリーニングを要することなく、レーザー光の屈折を生じることもなく、確実かつ効率よく取り除くことができる信頼性にすぐれたレーザー描画装置およびその制御方法を提供する。【解決手段】基板１からの飛散物を取込む集塵手段として、例えば、ｆ−θレンズ２７と基板１との間に集塵電極４０を設ける。【選択図】  図２
2010069530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレンズを介してレーザー光を照射し、その基板上に文字や図形を描画するレーザー描画装置において、
前記基板からの飛散物を取込む集塵手段を備え、
この集塵手段は、前記レンズと前記基板との間に設けられた集塵電極、およびこの集塵電極と前記基板との間に接続された直流電源を有する、
ことを特徴とするレーザー描画装置。
【請求項２】
前記集塵電極は、レーザー光が通る空間を内側に有する金属性の筒体である、
ことを特徴とする請求項１記載のレーザー描画装置。
【請求項３】
前記レンズに向けて電荷を放射する電荷放射手段、
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載のレーザー描画装置。
【請求項４】
前記集塵電極は、レーザー光が通る空間を内側に有する側板とレーザー光が通る位置に開口を有する底板とからなる金属性の箱体である、
ことを特徴とする請求項１記載のレーザー描画装置。
【請求項５】
前記集塵電極は、レーザー光が通る位置に開口を有する金属板である、
ことを特徴とする請求項１記載のレーザー描画装置。
【請求項６】
前記集塵電極は、金属製のメッシュ板である、
ことを特徴とする請求項１記載のレーザー描画装置。
【請求項７】
前記集塵電極は、前記レンズと前記基板との間に順次に設けられた第１集塵電極および第２集塵電極であり、金属製のメッシュ板を第１集塵電極として用い、レーザー光が通る位置に開口を有する金属板を第２集塵電極として用いる、
ことを特徴とする請求項１記載のレーザー描画装置。
【請求項８】
少なくとも前記レンズ、前記集塵電極、および前記基板を収容する真空チャンバー、
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載のレーザー描画装置。
【請求項９】
基板にレンズを介してレーザー光を照射し、その基板上に文字や図形を描画するレーザー描画装置において、
前記基板からの飛散物を取込む集塵手段を備え、
この集塵手段は、前記基板の上面近傍の空間を挟んで向き合う空気吹出口および空気吸込口、この空気吸込口の吸込み空気を濾過するフィルタ、このフィルタを経た空気を空気吹出口に送るポンプを有し、空気吹出口から空気吸込口へと流れる空気流を形成する空気流形成ユニットである、
ことを特徴とするレーザー描画装置。
【請求項１０】
前記空気吹出口および前記空気吸込口は、前記基板の上面と略同じまたはそれより大きい幅を有する、
ことを特徴とする請求項９記載のレーザー描画装置。
【請求項１１】
前記空気流形成ユニットは、前記基板の上面近傍の空間を挟んで向き合う第１空気吹出口および第１空気吸込口、前記レンズの前記基板と対向する側の面またはその近傍の空間を挟んで向き合う第２空気吹出口および第２空気吸込口、この第１および第２空気吸込口の吸込み空気を濾過するフィルタ、このフィルタを経た空気を第１および第２空気吹出口に送るポンプを有し、第１空気吹出口から第１空気吸込口へと流れる空気流および第２空気吹出口から第２空気吸込口へと流れる空気流をそれぞれ形成する、
ことを特徴とする請求項９記載のレーザー描画装置。
【請求項１２】
前記集塵手段は、
前記空気吸込口に設けられたメッシュ状の集塵電極、およびこの集塵電極と前記基板との間に接続された直流電源、
をさらに含むことを特徴とする請求項９記載のレーザー描画装置。
【請求項１３】
前記基板をその基板のレーザー加工面が鉛直方向に傾斜する状態またはその鉛直方向よりもさらに下向きに傾斜する状態に保持するステージ、
をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載のレーザー描画装置。
【請求項１４】
前記集塵電極は、レーザー光が通る空間を確保する状態に立設された複数の側板を有する、
ことを特徴とする請求項１２記載のレーザー描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、インクジェットヘッド等の製造に用いるレーザー描画装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＹＡＧレーザーを用いて基板上に文字や図形を描画するレーザー描画装置が知られている（例えば特許文献１）。  
ＹＡＧレーザーは１０６４ｎｍの赤外線光であり、この赤外線光が波長変換結晶を通過することで５３２ｎｍの可視光に変換される。このレーザー光がコリメータレンズおよび反射ミラーを経てガルバノメータに入力される。ガルバノメータに入力されたレーザー光は、そのガルバノメータによって偏向され、かつｆ−θレンズを介して基板の任意の場所に照射される。基板は可動ステージ上に置かれるので、ガルバノメータを使わずに、可動ステージを動かして基板上の任意の位置にレーザー光を照射することも可能である。ガルバノメータおよび可動ステージの両方を併用することもできる。レーザー光の出力、ガルバノメータの駆動、および可動ステージの駆動は、レーザー描画装置に格納されている制御プログラムによって制御される（例えば特許文献１）。
【０００３】
このレーザー描画装置を用いることにより、基板上に文字や図形を描画することができる。また、レーザー描画装置を用いることにより、金属膜が表面に装着された絶縁基板上に電極配線板を作成することもできる。
【０００４】
ただし、レーザー描画装置による描画に際しては、レーザー光が走査した部分では基板やその表面の金属膜が溶解し、その一部は走査部周辺にバリとなって付着し、別の一部は霧状の小滴（塵や粉）となって飛び散る。飛び散った基板や金属膜材料の小滴が基板に付着して製品の仕上がりに汚れが生じたり、あるいは飛散した小滴がレーザー描画装置のレンズに付着した場合は加工点に対するレーザー出力が低下するなどの不具合を生じる。
【０００５】
そこで、従来、エアの吐き出しによって塵を吹き飛ばす機構、あるいはエアの吸引によって塵を吸い取る機構をレーザー描画装置に搭載し、飛散した小滴による不具合を解消するようにしていた。
【特許文献１】特開平９−１３１８６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、エアの吐き出しでは、小さな塵は不規則に飛び回って装置や被加工基板に付着してしまう。また、エアの吸引では、吸引ノズルから遠い場所にある塵は吸引できない。どちらも十分な効果が得られないのが実情である。その結果、製造品質が低下したり、あるいはレーザー描画装置のレンズを頻繁にクリーニングする処置が必要になってしまう。
【０００７】
エアの吐き出しによって塵を吹き飛ばす場合、あるいはエアの吸引によって塵を吸い取る場合、塵の除去効果を上げようとすると、エアの流量を増すことになる。
【０００８】
ただし、エアの吐き出し流量が増えると、エアが流れに従って部分的に圧力が上昇し、空気の密度が上がる。吸引の場合、エアの吸引流量が増えると、エアが流れに従って部分的に圧力が低下し、空気の密度が下がる。どちらの場合も、レーザー光の光軸の範囲内で空気の密度が変化することになる。こうなると、レーザー光が屈折し、ワーク上の加工位置がわずかにずれてしまう。微細加工を行う場合、このズレは大きな問題となる。
【０００９】
ワークやレンズへの塵の付着、加工位置のズレは、特に１００μｍ以下の分解能の微細な描画を行う際に問題となり易い。
【００１０】
例えば、目的が電極配線板の形成であれば、加工済みの電極間絶縁部に金属粉が付着して絶縁不良となったり、電極端子部に基板材料の粉が付着して接触不良を起こすなど端子としての機能低下を起こす。ｆ−θレンズに塵が付着した場合は、レーザー出力が低下し、加工が不十分となって電極間の絶縁不良を起こしてしまう。
【００１１】
基板にアクチュエータなどの機能部材が微細ピッチで搭載されるインクジェットヘッドの製造に際しては、加工位置がズレた場合、機能部材と電極の配線がズレて信号が遮断され、正常に作動しなくなる等の問題を生じる。
【００１２】
この発明は、上記の事情を考慮したもので、その目的は、レーザー光による加工に伴う飛散物を、製造品質の低下を招くことなく、頻繁なクリーニングを要することなく、レーザー光の屈折を生じることもなく、確実かつ効率よく取り除くことができる信頼性にすぐれたレーザー描画装置およびその制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に係る発明のレーザー描画装置は、基板にレンズを介してレーザー光を照射し、その基板上に文字や図形を描画するものであって、基板からの飛散物を取込む集塵手段、を備える。この集塵手段は、前記レンズと前記基板との間に設けられた集塵電極、およびこの集塵電極と前記基板との間に接続された直流電源を有する。
【発明の効果】
【００１４】
この発明のレーザー描画装置およびその制御方法によれば、レーザー光による加工に伴う飛散物を、製造品質の低下を招くことなく、頻繁なクリーニングを要することなく、レーザー光の屈折を生じることもなく、確実かつ効率よく取り除くことができる。これにより、レーザー光による加工の信頼性が大幅に向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［１］第１の実施形態  
以下、この発明の第１の実施形態について図面を参照して説明する。まず、この発明に係るインクジェットヘッドの外観を図１に示す。  
図１に示すように、低誘電率部材の例えばアルミナで形成された板状の基板１の上面（平面）に、枠部材２が接着され、その枠部材２上にノズルプレート（オリフィスプレートともいう）３が接着され、枠部材２の内側にアクチュエータ列Ａおよびアクチュエータ列Ｂが形成されている。
【００１６】
上記ノズルプレート３は、方形のポリイミド製のフィルムで形成され、一対のノズル列４を有している。これらノズル列４は、それぞれ複数のノズル５の配列により形成されている。
【００１７】
アクチュエータ列Ａ，Ｂは、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）製の２枚の圧電部材を互いの分極方向を対向させるように且つ台形状に上下に張り合わせたもので、ノズル列４，４にそれぞれ沿って配列され、表面が溝状に切削形成された複数の圧力室６を有している。これら圧力室６はノズルプレート３の各ノズル５と対応しており、各圧力室６内のインクが圧力を受けることにより、各ノズル５からインクが吐出される。
【００１８】
基板１において、アクチュエータ列Ａ，Ｂの相互間に円形の複数のインク流入口７が配設されるとともに、アクチュエータ列Ａ，Ｂを両側から挟む位置に複数のインク流出口８が配設されている。
【００１９】
なお、アクチュエータ列Ａ，Ｂの各圧力室６に設けられる各電極およびその各電極への通電用の導電パターンは、無電解ニッケルメッキおよび電界金メッキによって基板１の全体にニッケルと金の導電層が形成され、その導電層がレーザー光で焼き切られて除去される処理（いわゆるサブトラクト法）により、同導電層の残り部分で形成される。
【００２０】
すなわち、各電極は、まず、無電解ニッケルメッキ及び電界金メッキによって基板１の全体にニッケルと金の導電層が形成され、電極間の絶縁部はその後レーザー光を照射して焼き切って除去する。
【００２１】
このようなインクジェットヘッドの各電極および導電パターンを形成するために、本発明のレーザー描画装置が用いられる。このレーザー描画装置の構成を図２に示す。
【００２２】
まず、可動ステージ１０上に上記基板１が載置される。２０はＹＡＧレーザーユニットで、１０６４ｎｍの赤外線光を発する。この赤外線光が波長変換結晶２１を通過することで５３２ｎｍの可視光に変換され、このレーザー光がコリメータレンズ２２，２３および反射ミラー２４，２５を経てガルバノメータ２６に入力される。ガルバノメータ２６に入力されたレーザー光は、そのガルバノメータ２６によって偏向され、かつｆ−θレンズ２７を介して可動ステージ１０上の基板１の任意の場所に照射される。基板１は可動ステージ１０上に載置されているので、ガルバノメータ２６を使わずに、可動ステージ１０を動かして基板１上の任意の位置にレーザー光を照射することも可能である。ガルバノメータ２６および可動ステージ１０の両方を併用することもできる。レーザー光の出力、ガルバノメータ２６の駆動、および可動ステージ１０の駆動は、制御装置３０によって制御される。
【００２３】
そして、ｆ−θレンズ２７と可動ステージ１０上の基板１との間に金属製の集塵電極４０が設けられ、その集塵電極４０に高圧直流電源５０の正側端子が接続され、高圧直流電源５０の負側端子が基板１表面の導電層に電気的に接続される。高圧直流電源５０は、２０ｋＶの高圧直流電圧を出力する。これら集塵電極４０および高圧直流電源５０により、基板１から飛散する霧状の小滴である塵や粉を取込む集塵手段が構成されている。以下、基板１から飛散する霧状の小滴である塵や粉のことを、飛散物という。
【００２４】
集塵電極４０は、図３に示すように、レーザー光が通る空間４０ａを内側に有する金属性の筒体である。この集塵電極４０の相対向する２つの側板が、それぞれ絶縁部材の“がいし”で形成されたＬ字形の支持脚１１により、可動ステージ１０上に保持されている。
【００２５】
このような構成によれば、高圧直流電源５０の出力電圧により、集塵電極４０がプラスの電荷を帯び、基板１がマイナスの電荷を帯びる。したがって、レーザー光の加工によって基板１からの飛散物にはマイナスの電荷が与えられ、その飛散物は、クーロン力によって基板１に付着することなく、プラスの電荷を帯びた集塵電極４０に吸着される。
【００２６】
こうして、基板１からの飛散物を確実かつ効率よく取り除くことができる。従来のエアの吐き出しあるいは吸引を行うものに比べて十分な除去効果を得ることができて、前述したような製造品質の低下を招くことなく、ｆ−θレンズ２７の頻繁なクリーニングを要することもない。エアの吐き出しあるいは吸引に際して除去効果を高めようとすると、前述したように、エアの流量を増すことになってレーザー光の屈折を生じてしまうが、そのような不具合を生じることもなく、常に精度の高い加工が可能である。
【００２７】
従来から行われていたエアの吸引による方法は、環境にある埃を吸い集めてしまう。埃がワークに付着したりレーザ光を遮ると、正しい描画ができず、不良品を作ってしまう。逆に、エアを吹き付けてレーザ描画によって発生した誇りを飛ばす方法では、飛ばした埃が環境を汚してしまう。環境を汚すことを防ぐために、装置本体の周囲に仕切りを設けたりすると、作業性が悪くなる。
【００２８】
本実施形態によれば、装置本体と環境との間に空気の出入りがないため、そのような弊害が生じない。
【００２９】
なお、ｆ−θレンズ２７に向けてマイナスの電荷を放射する電荷放射手段として、例えば２つのイオナイザ５１，５２を、ｆ−θレンズ２７の基板１と対向する側の面を挟んで向き合う状態に設けるようにしてもよい。イオナイザ５１，５２からマイナスの電荷が放射されることにより、ｆ−θレンズ２７の基板１と対向する側の面がマイナスの電荷を帯びる。基板１からの飛散物は、マイナスの電荷を帯びているので、同極性のｆ−θレンズ２７に近づき難くなり、その分、集塵電極４０に吸着され易くなる。飛散物によるｆ−θレンズ２７の汚れを防ぐこともできる。
【００３０】
［２］第２の実施形態  
第２の実施形態について説明する。  
集塵電極４０の基板１側の開口に、図４に示す金属製の底板４１が設けられる。底板４１は、レーザー光が通る位置（走査位置）に開口４１ａ，４１ｂを有する。すなわち、集塵電極４０は、レーザー光が通る空間４０ａを内側に有する側板とレーザー光が通る位置に開口４１ａ，４１ｂを有する底板４１とからなる金属性の箱体となっている。
【００３１】
底板４１ａの存在により、基板１からの飛散物をより効果的に吸着することができる。  
他の構成、作用、効果は第１の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。
【００３２】
［３］第３の実施形態  
第３の実施形態について説明する。  
基板１に対するレーザー光の走査が一次元である場合には、集塵電極４０に代えて、図５および図６に示す金属板形状の集塵電極６０を基板１の上面に近づけて設けてもよい。集塵電極６０は、レーザー光が通る位置（走査位置）に開口として、細長のスリット６１ａを有する。そして、集塵電極６０に高圧直流電源５０の正側端子が接続され、高圧直流電源５０の負側端子が基板１に接続される。  
主として可動ステージ１０による描画を行うために、ガルバノメータ２６によるレーザー光の捜査範囲が狭い場合には、図７に示すように、円形の開口６２を有する集塵電極６０を採用してもよい。  
第１の実施形態と同様に、イオナイザ５１，５２を設けてｆ−θレンズ２７にマイナスの電荷を放射することももちろん可能である。  
他の構成、作用、効果は第１の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。
【００３３】
［４］第４の実施形態  
第４の実施形態について説明する。  
パターン描画を全て可動ステージ１０に頼る場合には、図８に示すように、ガルバノメータ２６およびｆ−θレンズ２７に代えて反射ミラー２８および集光レンズ２９を用い、レーザー光を集光レンズ２９で絞って基板１に与える構成が採用される。
【００３４】
この反射ミラー２８および集光レンズ２９の採用に伴い、集光レンズ２９の下方かつ近傍に、金属製のメッシュ板による集塵電極７１が設けられる。そして、集塵電極７１に高圧直流電源５０の正側端子が接続され、高圧直流電源５０の負側端子が基板１に接続される。  
なお、集塵電極７１の採用に加えて、第３の実施形態で示した図７の集塵電極６０を併用してもよい。すなわち、集光レンズ２９と基板１との間に２つの集塵電極７１，６０が順次に設けられる。この場合、集塵電極７１が集光レンズ２９への飛散物の付着を防ぐ第１集塵電極として機能し、集塵電極６０が基板１への飛散物の付着を防ぐ第２集塵電極として機能する。
【００３５】
第１の実施形態と同様に、イオナイザ５１，５２を設けてｆ−θレンズ２７にマイナスの電荷を放射することももちろん可能である。  
他の構成、作用、効果は第１の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。
【００３６】
［５］第５の実施形態  
第５の実施形態では、上記各実施形態における少なくともレンズ（ｆ−θレンズまたは集光レンズ）、集塵電極、基板１、可動ステージ１０、（およびイオナイザ５１，５２）が、真空チャンバーに収容される。真空チャンバー内では空気流によって飛散物の軌道が乱されることがないので、飛散物をより確実に集塵電極へ吸着させることができる。
【００３７】
［６］第６の実施形態  
第６の実施形態について説明する。  
図９に示すように、ｆ−θレンズ２７からのレーザー光と直交する方向において、基板１の上面近傍の空間を挟んで向き合う状態に、空気吹出口８１ａおよび空気吸込口８２ａが設けられる。空気吸込口８２ａに流入する空気は、ダクト８２を介してフィルタ８３に導かれ、そのフィルタ８３によって濾過される。濾過された経た空気は、ポンプ８０およびダクト８１によって空気吹出口８１ａに導かれ、その空気吹出口８１ａから空気吸込口８２ａに向けて吹出される。
【００３８】
空気吹出口８１ａおよび空気吸込口８２ａは、図１０に示すように、基板１の上面と略同じまたはそれより大きい幅を有する。
【００３９】
これら空気吹出口８１ａ、空気吸込口８２ａ、ダクト８１，８２、フィルタ８３、およびポンプ８０により、空気吹出口８１ａから空気吸込口８２ａへと流れる空気流を形成する空気流形成ユニットが構成される。この空気流形成ユニットが集塵手段として用いられる。
【００４０】
すなわち、基板１の上面のすぐ上方の空間を横切る状態に強くスムーズな空気流が生じ、基板１からの飛散物がこの空気流に乗って空気吸込口８２ａに流入する。流入した飛散物は空気と共にフィルタ８３に取り込まれ、飛散物のみがフィルタ８３で抽出され、残りのきれいな空気が空気吹出口８１ａに送られて再び強くスムーズな空気流となる。  
こうして、基板１からの飛散物を確実かつ効率よく除去することができる。
【００４１】
しかも、レーザー光による描画は空気吹出口８１ａに近い方（図示左側）から空気吸込口８２ａ側へと順に行われ、その描画の移行方向と空気流の方向とが一致するため、加工によって生じる塵や粉が加工済みの絶縁部に付着する虞が低減される。加工済みの部位から飛散した塵や粉がこれから加工される部位に付着する可能性があるが、付着した飛散物は新たな絶縁部の形成に際してレーザー光によって切除される。よって、導電性の飛散物が原因となる絶縁部の短絡不良を回避することができる。
【００４２】
とくに、空気吹出口８１ａが大気圧よりも正圧になり、空気吸込口８２ａが大気圧よりも負圧になるため、基板１の上面のすぐ上方の空間は略大気圧に保つことができる。したがって、従来のように吐き出しノズルを用いる吐き出しのみの方法、あるいは吸引ノズルを用いる吸引のみの方法のように、レーザー光の光軸の範囲内で空気の密度が変化してレーザー光が屈折するような不具合を生じることがなく、基板１からの飛散物を確実かつ効率よく除去しつつ、基板１に対する微細かつ高精度の加工が可能となる。
【００４３】
なお、１つのポンプ８０によって空気の吹出し圧力および吸込み圧力の両方を得る構成としたが、空気の吹出し圧力を得るための専用の圧力源および吸込み圧力を得るための専用の圧力源をそれぞれ設け、レーザー光の光軸の範囲内が略大気圧となるように、各々の圧力源の圧力を調整するようにしてもよい。  
第１の実施形態と同様に、イオナイザ５１，５２を設けてｆ−θレンズ２７にマイナスの電荷を放射することももちろん可能である。  
他の構成、作用、効果は第１の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。
【００４４】
［７］第７の実施形態  
第７の実施形態は、第６の実施形態の関連である。  
図１１に示すように、ｆ−θレンズ２７からのレーザー光と直交する方向において、基板１の上面近傍の空間を挟んで向き合う状態に、第１空気吹出口８１ａおよび第１空気吸込口８２ａが設けられる。第１空気吸込口８２ａに流入する空気は、ダクト８２を介してフィルタ８３に導かれ、そのフィルタ８３によって濾過される。濾過された経た空気は、ポンプ８０およびダクト８１によって第１空気吹出口８１ａに導かれ、その第１空気吹出口８１ａから第１空気吸込口８２ａに向けて吹出される。
【００４５】
また、ｆ−θレンズ２７の基板１と対向する側の面またはその近傍の空間を挟んで向き合う状態に、第２空気吹出口８４ａおよび第２空気吸込口８５ａが設けられる。上記ダクト８１から第１空気吹出口８１ａに導かれる空気の一部がダクト８４の先の第２空気吹出口８４ａへと分流し、その第２空気吹出口８４ａからｆ−θレンズ２７に向けて吹出される。吹出された空気はｆ−θレンズ２７の面に沿って流れ、第２空気吸込口８５ａに吸込まれる。吸込まれた空気は、ダクト８５から上記ダクト８２に流入してフィルタ８３に導かれる。
【００４６】
これら第１空気吹出口８１ａ、第１空気吸込口８２ａ、第２空気吹出口８４ａ、第２空気吸込口８５ａ、ダクト８１，８２、フィルタ８３、およびポンプ８０により、第１空気吹出口８１ａから第１空気吸込口８２ａへと流れる空気流および第２空気吹出口８４ａから第２空気吸込口８５ａへと流れる空気流を形成する空気流形成ユニットが構成される。この空気流形成ユニットが集塵手段として用いられる。
【００４７】
したがって、第６の実施形態と同じく基板１からの飛散物を確実かつ効率よく除去できるとともに、ｆ−θレンズ２７の表面への飛散物の付着をより効果的に防止できる。  
他の構成、作用、効果は第６の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。
【００４８】
なお、ｆ−θレンズ２７の表面に気体を吹き付けてレンズ表面に空気の流れを作る手段としては、従来の吸引のみまたは吐き出しのみでもよい。この場合でもある程度はレンズ表面の汚れを防止する効果が得られる。
【００４９】
［８］第８の実施形態  
第８の実施形態は、第６の実施形態の関連である。  
すなわち、図１２に示すように、空気吸込口８２ａに金属製のメッシュ板による集塵電極８６が設けられ、その集塵電極８６に高圧直流電源５０の正側端子が接続され、高圧直流電源５０の負側端子が基板１に接続される。  
集塵電極８６は、空気吸込口８２ａの開口面積と同じまたはそれより若干大きい。基板１からの飛散物が空気流に乗って空気吸込口８２ａに吸込まれるとき、その空気流中の飛散物のうち、表面積の比較的小さいものがクーロン力によって集塵電極８６に吸着され、表面積の比較的大きいものがダクト８２を通ってフィルタ８３に導かれる。しかも、表面積の比較的大きい飛散物の一部は、集塵電極８６を通過する際に、その集塵電極８６のメッシュ構造に引っかかって捕捉される。
【００５０】
このように、空気流形成ユニットと集塵電極８６との組合せにより、より確実に飛散物を取り除くことができる。表面積の比較的大きい飛散物の一部が集塵電極８６のメッシュ構造に引っかかって捕捉される分だけ、フィルタ８３の負担を軽減できることになり、フィルタ８３の交換の頻度を減らすことができる。  
他の構成、作用、効果は第１および第６の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。
【００５１】
［９］第９の実施形態  
第９の実施形態は、第８の実施形態の関連であり、図１３に示すように、可動ステージ１０が鉛直方向に傾斜されて、その可動ステージ１０により、基板１のレーザー加工が鉛直方向に傾斜する状態に保持される。これに伴い、レーザー光の光学系および空気流形成ユニットを含む装置全体が傾いた状態に設置される。
【００５２】
ただし、集塵電極８６に高圧直流電源５０の負側端子が接続され、高圧直流電源５０の正側端子が基板１に接続される点が、第８の実施形態と異なる。なお、高圧直流電源５０の接続極性については、第８の実施形態と同じく、高圧直流電源５０の正側端子を基板１に接続して負側端子を集塵電極８６に接続する構成としてもよい。
【００５３】
この第９の実施形態よれば、基板１からの飛散物のうち、最も重い粒子は重力により落下して装置外に除去され、中程度の粒子は空気流れ乗って空気吸込口８２ａに吸込まれて除去され、最も軽い粒子はクーロン力により集塵電極８６に吸着除去される。すなわち、第８の実施形態による表面積の異なる飛散物への対処が可能になることに加え、重さの異なる飛散物への対処が可能となる。
【００５４】
中程度の粒子が重力とクーロンのいずれか一方またはその両方によって十分に除去可能な場合は、空気流形成ユニットによる空気流を省略してもよい。
【００５５】
図では省略しているが、この実施形態でもｆ−θレンズ２７に向けてイオナイザ５１，５２から電荷を放射すれば、さらに集塵効果、特にｆ−θレンズ２７への飛散物付着防止の効果を向上させることができる。ただし、基板１に高圧直流電源５０の正側端子が接続されているので、イオナイザ５１，５２の採用に際しては、イオナイザ５１，５２からｆ−θレンズ２７に向けてプラスの電荷を放射する。
【００５６】
なお、可動ステージ１０を鉛直方向よりもさらに下方に向けて傾斜し、その可動ステージ１０に基板１を真空吸着によって保持する構成としてもよい。  
集塵電極８６としては、金属製のメッシュ板構造に限らず、図１４に示すように、レーザー光が通る空間を確保する状態に立設された２枚の金属製の側板８６ａ，８６ｂを有する構造としてもよい。側板８６ａ，８６ｂによっても飛散物の粒子を捕捉することができるので、より効果的である。また、側板８６ａ，８６ｂには、空気流を余計な方向に逃がさない効果もある。  
他の構成、作用、効果は第８の実施形態と同じである。よって、その説明は省略する。
【００５７】
［１０］変形例  
第９の実施形態では、高圧直流電源５０の正側端子を基板１に接続して負側端子を集塵電極８６に接続したが、この極性については他の実施形態と同じでもよい。逆に、他の実施形態の極性を第９の実施形態と同じように反転させてもよい。要は、イオナイザ５１，５２から放射する電荷の極性が基板１の極性と一致していればよい。
【００５８】
高圧直流電源５０の負側電位（接地電位）によって微小な飛散物の流れが変化するので、高圧直流電源５０の負側電位については飛散物が最も効果的に排除できる電位に調整することが望ましい。しかし、装置の操作安全対策上からは、基板１側の電位を接地する方法が最も容易なのでそのようにしてもよい。
【００５９】
装置を操作する人の安全対策上、高圧直流電源５０は十分に高いインピーダンスを持ち、かつ人が近づいた場合には近接センサやエリアセンサ等によってレーザー光と共に高圧直流電源５０からの通電を遮断することが望ましい。
【００６０】
その他、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、要旨を変えない範囲で種々変形実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】この発明に関わるインクジェットヘッドの外観を示す斜視図。
【図２】第１の実施形態の構成を示す図。
【図３】第１の実施形態における集塵電極およびその周辺部の具体的な構成を示す図。
【図４】第２の実施形態における底板の構成を示す図。
【図５】第３の実施形態の構成を示す図。
【図６】第３の実施形態における集塵電極の構成を示す図。
【図７】第３の実施形態における集塵電極の変形例の構成を示す図。
【図８】第４の実施形態の構成を示す図。
【図９】第６の実施形態の構成を示す図。
【図１０】第６の実施形態における空気吹出口および空気吸込口の具体的な構成を示す斜視図。
【図１１】第７の実施形態の構成を示す図。
【図１２】第８の実施形態の構成を示す図。
【図１３】第９の実施形態の構成を示す図。
【図１４】第９の実施形態における集塵電極の変形例の構成を示す図。
【符号の説明】
【００６２】
１…基板、２…枠部材、３…ノズルプレート、４…ノズル列、５…ノズル、６…圧力室、７…インク流入口、８…インク流出口、１０…可動ステージ、２０…ＹＡＧレーザーユニット、２１…波長変換結晶、２２，２３…コリメータレンズ、２４，２５…反射ミラー、２６…ガルバノメータ、２７…ｆ−θレンズ、２９…集光レンズ、３０…制御装置、４０…集塵電極、５０…高圧直流電源、５１，５２…イオナイザ、４１…底板、６０…集塵電極、７１…集塵電極、８０…ポンプ、８１，８２…ダクト、８１ａ…空気吹出口、８２ａ…空気吸込口、８３…フィルタ、８４，８５…ダクト、８４ａ…空気吹出口、８５ａ…空気吸込口、８６…集塵電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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