(57)【要約】【課題】小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】１以上の半導体レーザ素子を有する半導体レーザチップ２と、半導体レーザチップ２が搭載された実装部１１、および半導体レーザチップ２に導通する端子部１３を有するリード１と、リード１の一部を覆う樹脂パッケージ３と、を備える半導体レーザ装置Ａであって、実装部１１は、半導体レーザチップ２と導通しており、かつ樹脂パッケージ３から端子部１３が突出する側が樹脂パッケージ３に覆われており、リード１は、実装部１１に繋がっており、かつ樹脂パッケージ３から端子部１３とは異なる方向に露出する張り出し端子部１２をさらに有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子が搭載された実装部、および上記半導体レーザ素子に導通する１以上の端子部を有するリードと、
上記リードの一部を覆う樹脂パッケージと、
を備える半導体レーザ装置であって、
上記実装部は、上記半導体レーザ素子と導通しており、かつ上記樹脂パッケージから上記端子部が突出する側が上記樹脂パッケージに覆われており、
上記リードは、上記実装部に繋がっており、かつ上記樹脂パッケージから上記端子部とは異なる方向に露出する張り出し端子部をさらに有することを特徴とする、半導体レーザ装置。
【請求項２】
上記張り出し端子部は、上記半導体レーザ素子の出射方向と直角である方向に突出している、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
２つの上記半導体レーザ素子を有し、
上記実装部は、２つの上記半導体レーザ素子のいずれとも導通し、
上記リードは、２つの上記半導体レーザ素子に各別に導通する２つの上記端子部を備える、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば光記録媒体に記録された情報の読取り、または光記録媒体への書き込みに用いられる光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来の半導体レーザ装置の一例を示している。同図に示された半導体レーザ装置Ｘは、レーザ光の発光源として半導体レーザチップ９２を備えている。半導体レーザチップ９２は、サブマウント９１ｃを介してリード９１の一部である実装部９１ａに実装されている。半導体レーザチップ９２は、樹脂部９３によって囲まれている。リード９１は、複数の端子部９１ｂを有している。このうち、１つの端子部９１ｂは、実装部９１ａに繋がっている。他の２つの端子部９１ｂは、実装部９１ａとは独立しており、それぞれがワイヤ９４を介して半導体レーザチップ９２と導通している。半導体レーザチップ９２は、互いに異なる波長のレーザ光Ｌをｙ方向に発する２つの半導体レーザ素子がモノシリックに一体的に作りこまれた構造とされており、いわゆる２波長半導体レーザチップとして構成されている。
【０００３】
しかしながら、半導体レーザ装置Ｘは、ｘ方向に並列に配置された３つの端子部９１ｂを備えるため、ｘ方向寸法が比較的大となってしまう。これは、半導体レーザ装置Ｘを搭載するたとえば光ピックアップ装置の小型化を阻害する要因の一つとなっていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２１７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供される半導体レーザ装置は、１以上の半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ素子が搭載された実装部、および上記半導体レーザ素子に導通する１以上の端子部を有するリードと、上記リードの一部を覆う樹脂パッケージと、を備える半導体レーザ装置であって、上記実装部は、上記半導体レーザ素子と導通しており、かつ上記樹脂パッケージから上記端子部が突出する側が上記樹脂パッケージに覆われており、上記リードは、上記実装部に繋がっており、かつ上記樹脂パッケージから上記端子部とは異なる方向に露出する張り出し端子部をさらに有することを特徴としている。
【０００７】
このような構成によれば、上記張り出し端子部を上記半導体レーザ素子への電力投入経路として用いることにより、上記端子部の本数を削減することが可能である。これにより上記半導体レーザ装置の小型化を図ることができる。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記張り出し端子部は、上記半導体レーザ素子の出射方向と直角である方向に突出している。このような構成によれば、上記半導体レーザ装置をたとえば光ピックアップ装置に取り付ける際に、上記張り出し端子部をガイドとして用いることにより、上記端子部が突出する方向に上記半導体レーザ装置をスライドさせながら挿入する作業をスムーズに行うことができる。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、２つの上記半導体レーザ素子を有し、上記実装部は、２つの上記半導体レーザ素子のいずれとも導通し、上記リードは、２つの上記半導体レーザ素子に各別に導通する２つの上記端子部を備える。このような構成によれば、２波長のレーザ光を出射可能であるにもかかわらず、端子部の本数が２本に抑えられた上記半導体レーザ装置を実現できる。
【００１０】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１２】
図１〜図３は、本発明に係る半導体レーザ装置の一例を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａは、リード１、半導体レーザチップ２、および樹脂パッケージ３を備えている。半導体レーザ装置Ａは、たとえば光記録媒体の読取りまたは書き込みに用いられる光ピックアップ装置に搭載される。なお、図１においては、理解の便宜上、樹脂パッケージ３のカバー３５を想像線で示している。
【００１３】
リード１は、たとえばＣｕ合金からなり、半導体レーザチップ２を支持するとともに半導体レーザチップ２と上記光ピックアップ装置の電源回路とを導通させるためのものである。リード１は、実装部１１、２つの端子部１３、および張り出し端子部１２を有している。本実施形態においては、リード１の厚さは、０．３ｍｍである。
【００１４】
実装部１１は、比較的面積が大である略矩形状部分であり、半導体レーザチップ２が実装される部分である。張り出し端子部１２は、実装部１１に繋がっており樹脂パッケージ３からｘ方向に突出している。張り出し端子部１２は、ワイヤ５およびサブマウント１５を介して半導体レーザチップ２と導通している。そして、実装部１１に繋がる端子部１３は、設けられておらず、実装部１１のｙ方向出射後方部分は樹脂パッケージ３にすべて覆われている。半導体レーザ装置Ａをたとえば光ピックアップ装置に搭載するときには、張り出し端子部１２を用いて上記光ピックアップ装置に対して位置決めするとともに、上記光ピックアップ装置のうち張り出し端子部１２と接する箇所にたとえばコモン電極を設けることにより、張り出し端子部１２を半導体レーザチップ２への電力投入経路として用いる。
【００１５】
２つの端子部１３は、半導体レーザ装置Ａを上記光ピックアップ装置に接続するために用いられる部分である。２つの端子部１３は、実装部１１に対してそれぞれ独立して設けられている。これらの端子部１３は、半導体レーザチップ２への電力供給に用いられる。端子部１３は、樹脂パッケージ３からｙ方向に突出している。
【００１６】
半導体レーザチップ２は、半導体レーザ装置Ａの光源であり、たとえばＧａＡｓからなり、ｙ方向にレーザ光Ｌを発する。本実施形態においては、半導体レーザチップ２は、互いに異なる波長のレーザ光Ｌを発する２つの半導体レーザ素子がモノシリックに一体的に形成された構造とされており、いわゆる２波長半導体レーザチップである。半導体レーザチップ２は、サブマウント１５を介して実装部１１に実装されている。サブマウント１５は、たとえばＡｌＮまたはＳｉなどからなり、実装部１１と半導体レーザチップ２との熱膨張差を緩和する機能を果たす。本実施形態とは異なり、サブマウント１５を備えない構成としてもよい。サブマウント１５には、２つのパッド１６が設けられている。２つのパッド１６は、半導体レーザチップ２に内蔵された２つの半導体レーザ素子に各別に導通しており、ワイヤ５を介して端子部１３に接続されている。
【００１７】
樹脂パッケージ３は、半導体レーザチップ２を保護するためのものであり、たとえばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂などの熱可塑性樹脂からなる。樹脂パッケージ３は、レーザ光Ｌを通過させるためにｙ方向に開口しており、１対の側壁部３１を有するコの字状部とカバー３５とを備えている。
【００１８】
１対の側壁部３１は、ｘ方向において互いに離間しており、半導体レーザチップ２を挟む配置とされている。本実施形態においては、１対の側壁部３１には、２対の凹部３２が形成されている。また、図２および図３に示すように、各側壁部３１には受け止め部３３が形成されている。受け止め部３３は、ｚ方向においてリード１寄りに位置しており、カバー３５を受け止めるための部分である。カバー３５は、ｚ方向において半導体レーザチップ２を覆っており、１対の側壁部３１間に圧入されている。より詳しくは、図１に示すように、カバー３５には、２対の凸部３６が形成されている。各凸部３６は、凹部３２に圧入されている。
【００１９】
本実施形態の半導体レーザ装置Ａは、２つの張り出し端子部１２のｘ方向端間の寸法が３．３ｍｍ、樹脂パッケージ３のｙ方向寸法が３．１５ｍｍ、ｘ方向寸法が２．３５ｍｍとされている。また、樹脂パッケージ３の厚さは、１．６ｍｍ程度である。
【００２０】
次に、半導体レーザ装置Ａの作用について説明する。
【００２１】
２波長半導体レーザチップである半導体レーザチップ２から異なる２つの波長のレーザ光Ｌを任意に出射させるには、たとえば光ピックアップ装置に設けられた１つのコモン電極と２つの個別電極とに、半導体レーザチップ２を導通させる必要がある。本実施形態においては、このコモン電極への接続を張り出し端子部１２によって達成している。このため、上記２つの個別電極に接続するための手段として、２つの端子部１３を備えれば足りる。
【００２２】
張り出し端子部１２をｘ方向に突出させることにより、張り出し端子部１２と２つの端子部１３とが互いに干渉することを回避できる。また、ｘ方向に突出する張り出し端子部１２は、半導体レーザ装置Ａの上記光ピックアップ装置への取り付けにおいて、ｙ方向にスライドさせて挿入する際に位置決めするためのガイドとして用いるのに適している。
【００２３】
本発明に係る半導体レーザ装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体レーザ装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。半導体レーザチップ２は、２つの半導体レーザ素子を内蔵するものに限定されず、１つの半導体レーザ素子、あるいは３つ以上の半導体レーザ素子を内蔵するものであってもよい。また、半導体レーザチップ２の発光状態をモニタリングするための受光素子を備える構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る半導体レーザ装置の一例を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００２５】
Ａ      半導体レーザ装置
ｘ      （第１）方向
ｙ      （出射）方向
ｚ      （第２）方向
１      リード
２      半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）
３      樹脂パッケージ
４      受光素子
５      ワイヤ
１１    実装部
１２    張り出し端子部
１３    端子部
１５    サブマウント
１６    パッド
３１    側壁部
３２    凹部
３３    受け止め部
３５    カバー
３６    凸部
【図１】
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【図２】
2010073775.tif 000004
【図３】
2010073775.tif 000005
【図４】
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