(57)【要約】【課題】電極形状の加工に要する工程を削減して、電極形状の加工不良や表示装置の発光不良を防ぐことを可能にする電界発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１１と、基板１１上に複数配置され、下部電極１２と、少なくとも発光層を含む有機化合物層１３と、上部電極１４と、がこの順に積層され、下部電極１２及び上部電極１４のいずれかが無機酸化物からなる電極である電界発光素子１０と、から構成される電界発光表示装置１の製造方法であって、以下の工程（ａ）及び（ｂ）を含むことを特徴とする、電界発光表示装置の製造方法。  （ａ）該無機酸化物からなる電極を複数の電界発光素子間で連続した層として形成する工程  （ｂ）酸化性ガス雰囲気中で該無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしたパターニングする工程【選択図】図１
2010073327.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に複数配置され、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層され、該下部電極及び該上部電極のいずれかが無機酸化物からなる電極である電界発光素子と、から構成される電界発光表示装置の製造方法であって、
以下の工程（ａ）及び（ｂ）を含むことを特徴とする、電界発光表示装置の製造方法。
（ａ）該無機酸化物からなる電極を複数の電界発光素子間で連続した層として形成する工程
（ｂ）酸化性ガス雰囲気中で該無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしてパターニングする工程
【請求項２】
基板と、
該基板上に複数配置され、下部電極と、少なくとも発光層を含み２層以上の積層体からなる有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層され、該有機化合物層間には中間電極層が設けられ、該下部電極、中間電極層及び該上部電極のいずれかが無機酸化物からなる電極である画素と、から構成される電界発光表示装置の製造方法であって、
以下の工程（ａ）及び（ｂ）を含むことを特徴とする、電界発光表示装置の製造方法。  （ａ）該無機酸化物からなる電極を複数の画素間で連続した層として形成する工程
（ｂ）酸化性ガス雰囲気中で該無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしてパターニングする工程
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電界発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から電界発光表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）の製造において、特に、電極層を特定の形状に加工する方法としてレーザー光を利用する方法が知られている。例えば、特許文献１には、発光層を含む有機化合物層を挟持する電極にレーザー光を照射して、レーザー光を照射した領域を除去して電極形状を加工する方法が開示されている。
【０００３】
上記特許文献１で示した加工方法について、図面を参照しながら以下に説明する。図１７は特許文献１の方法で加工された電界発光表示装置の具体例を示す断面模式図である。
【０００４】
図１７の電界発光表示装置１７０は、基板１７１上に下部電極１７２、有機化合物層１７３及び上部電極１７４がこの順に積層されている。また図１７の電界発光表示装置１７０には、基板１７１及び下部電極１７２をレーザー光から保護するためのレーザー保護層１７５が設けられている。さらに図１７の電界発光表示装置１７０には、上部電極１７４上にレーザー吸収層１７６が設けられているが、このレーザー吸収層１７６の機能については後述する。
【０００５】
ここで図１７の電界発光表示装置１７０において、下部電極１７２、有機化合物層１７３及び上部電極１７４がこの順に積層され、下部電極１７２と有機化合物層１７３との間にレーザー保護層１７５が介在していない領域は発光領域１７６である。このとき下部電極１７２が透明電極であり、上部電極１７４が反射電極であれば有機化合物層１７３に含まれる発光層から発する光１７７は基板方向へと進行する。これに対して、レーザー光による加工によってレーザー保護層１７５が露出している部分は画素間領域１７８である。この画素間領域１７８を設けることにより、各発光領域１７６は、独立して駆動することができる。
【０００６】
次に、レーザー光による加工の具体的な方法について、図面を参照しながら説明する。図１８は、図１７の電界発光表示装置１７０を製造する工程の１つであるレーザー光による加工の様子を示す断面模式図である。レーザー光を照射する際は、図１８に示すように、レーザー光１８０を加工領域１８１へ選択的に照射する。このときレーザー光１８０は、加工領域１８１に位置するレーザー吸収層１７６に到達する。すると、レーザー光が照射されているレーザー吸収層１７６は加熱され、分解、飛散する。その後、この加工領域１８１に位置する上部電極１７４及び有機化合物層１７３もレーザー吸収層１７６と同様にレーザー光により加熱され分解、飛散する。この結果、上部電極１７４は所望の形状に絶縁加工されて、各発光領域１７６がそれぞれ区画されると共に所望の形状に加工される。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−５０８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで電界発光表示装置においては、光の外部取出しを向上する狙いで基板の対向方向から光を取り出す構成、所謂トップエミッション構成の電界発光表示装置が従来から開発が進められている。ここで、図１７の電界発光表示装置を具体例にして考えると、この電界発光表示装置をトップエミッション構成する場合は、下部電極１７２として金属薄膜又は金属薄膜に導電性かつ透光性の無機酸化物を被覆した積層体が使用される。一方、上部電極１７４として導電性かつ透光性の無機酸化物からなる薄膜が使用される。
【０００９】
トップエミッション型の電界発光表示装置を製造するに当たり、各発光領域を区画するための具体的な方法として、特許文献１にて開示されている方法も考えられる。ところが特許文献１にて開示されている方法では、特に、上部電極１７４を加工する際に以下に言及する問題点がある。
【００１０】
即ち、レーザー吸収層１７６の吸光特性が可視波長に及ぶ場合、有機化合物層１７３に含まれる発光層から生じた光がこのレーザー吸収層１７６で吸収されて、損失する。このため、表示装置の消費電力に対する輝度特性を考えると不利な構成となる。
【００１１】
一方、レーザー吸収層１７６の構成材料として、可視光より長波長側あるいは短波長側に吸光特性を有する材料を使用して、表示装置外部への可視光の取出しを妨げないようにすることも可能である。しかし、一般に可視光より長波長側の光は、上部電極１７４を構成する無機酸化物の吸収波長領域であり、可視光より短波長側の光は、有機化合物層１７３を構成する有機化合物の吸収波長領域である。従って、可視光より長波長側あるいは短波長側で光吸収性が高い有機層５や電極６の上に、さらに類似の吸収特性を有するレーザー吸収層７を設ける構成は、表示装置の作製上無駄が多い。
【００１２】
また特許文献１で開示されている加工法では、レーザー照射時にレーザー吸収層から熱が発生する。この熱が有機化合物層へと拡散すると、加工端面、例えば、上部電極の加工端面で皺寄りや捲れが生じやすくなる。また有機化合物層と上部電極との間で層間剥離が進行する等の加工不良も生じやすくなる。さらに、有機化合物層が変性しやすくなる。この変性は、電界発光表示装置の発光スペクトルの異常や発光寿命に影響を及ぼす。
【００１３】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、電極形状の加工に要する工程を削減して、電極形状の加工不良や表示装置の発光不良を防ぐことを可能にする電界発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の電界発光表示装置の製造方法は、基板と、
該基板上に複数配置され、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層され、該下部電極及び該上部電極のいずれかが無機酸化物からなる電極である電界発光素子と、から構成される電界発光表示装置の製造方法であって、
以下の工程（ａ）及び（ｂ）を含むことを特徴とする。
【００１５】
（ａ）該無機酸化物からなる電極を複数の電界発光素子間で連続した層として形成する工程
（ｂ）酸化性ガス雰囲気中で該無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしてパターニングする工程
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、電極形状の加工に要する工程を削減して、電極形状の加工不良や表示装置の発光不良を防ぐことを可能にする電界発光表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、基板と、該基板上に複数配置され、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層される電界発光素子と、から構成される電界発光表示装置の製造方法である。尚、この電界発光表示装置において、上述した下部電極及び上部電極のいずれかが無機酸化物からなる電極である。
【００１８】
また本発明の電界発光表示装置の製造方法は、以下の工程（ａ）及び（ｂ）を含むことを特徴とする。
（ａ）無機酸化物からなる電極を複数の電界発光素子間で連続した層として形成する工程
（ｂ）酸化性ガス雰囲気中で無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしてパターニングする工程
【００１９】
工程（ａ）において、複数の電界発光素子間で連続した電極（以下、共通電極という。）を形成するときには、共通電極となる薄膜を装置全体に形成する。この薄膜を形成する際には、下地となる部材の表面全体がこの薄膜で被覆されるのが望ましいが、その膜厚を均一にする必要はない。
【００２０】
上記共通電極の構成材料となる無機酸化物として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の公知の透光性の無機酸化物を使用することができる。
【００２１】
このように上記共通電極の構成材料が透光性の無機酸化物であれば、この共通電極は可視光に対する透過性を損なうことなく、電極の低抵抗領域及び高抵抗領域の部分的な加工が可能となる。
【００２２】
工程（ｂ）において、酸化性ガスとは、上記共通電極の構成材料である無機酸化物の結晶格子中に存在する酸素空乏部分に酸素イオンを導入できる気体をいう。酸化性ガスとして、例えば、酸素ガス、オゾン等が挙げられる。
【００２３】
工程（ｂ）において、光照射とは、レーザー光による光照射である。
【００２４】
ここでレーザー光の光源はパルス発振方式の方が連続発振方式より好ましい。パルス発振方式では、照射対象の基板の移動やポリゴンミラーを用いて、レーザー照射個所の変位とレーザー発振の同期が容易である。またパルス発振方式では、レーザー照射個所に対して、反応に必要な活性化エネルギーの供給、照射後のエネルギーの蓄積と散逸の制御が容易である。
【００２５】
工程（ｂ）において使用されるレーザー光の光源は、上記共通電極の構成材料である無機酸化物に対して吸収性の高い波長であることが好ましい。一般に、無機酸化物は、導電性や透光性といった特徴を有するが、近赤外波長で光吸収性が高いという特徴も有する。このため、工程（ｂ）において、レーザー光の光源の波長が近赤外波長であるのが好ましい。また近赤外波長のレーザー光はエネルギーが小さく電極の機械的破壊を伴わない。このため電極の一部分を飛散させながら加工する方法と比べて電極形状の加工制御性が良好となる。また電極の部分的な加工に要する単位面積あたりのレーザー強度は、電極の一部分を飛散させながら加工する方法と比べて高抵抗化変性する方が小さいため、電極加工時のエネルギーが発光層を含む有機層に散逸して生じる該有機層の変性を抑制できる。
【００２６】
さらに工程（ｂ）において使用されるレーザー光の光源は、有機化合物層の構成材料に対する吸光性の低い波長であることが好ましい。少なくとも有機化合物層の構成材料に対する吸光性が上記共通電極の構成材料である無機酸化物に対する吸収性より低い関係にあるようにレーザー光の光源の波長を調整することが好ましい。
【００２７】
尚、使用するレーザー光の光源のパルス幅がピコ秒からサブピコ秒のオーダーである場合、共通電極の構成材料である無機酸化物は、多光子吸収過程により、レーザー光の波長が可視光、紫外線の波長領域であってもエネルギー授受が起こる。一方、パルス幅がピコ秒からサブピコ秒のオーダーである場合、レーザー光の照射によって被照射物に供給されたエネルギーは、被照射物の照射域外部に熱散逸しない。
【００２８】
従って、工程（ｂ）において使用されるレーザー光のパルス幅は１ピコ秒以下が好ましく、ここでレーザー光のパルス幅が１ピコ秒以下の場合は、近赤外線レーザーに加えて可視光レーザー及び紫外線レーザーも使用することができる。
【００２９】
ここで本発明の製造方法で製造される電界発光表示装置は、基板と、該基板上に複数配置される画素と、から構成されるものであってもよい。ここで画素の態様としては、例えば、下部電極と、少なくとも発光層を含み２層以上の積層体からなる有機化合物層と、上部電極と、がこの順に積層され、該有機化合物層間には中間電極層が設けられる態様が上げられる。尚、この態様において有機化合物層は、装置自体に印加する電圧等の関係から、好ましくは、２層以上３層以下の積層体である。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明の実施形態及び本発明の製造方法によって製造される電界発光表示装置の具体的な態様について詳細に説明する。
【００３１】
＜実施例１＞
図１は、本発明の製造方法で製造される電界発光表示装置の第一の態様を示す断面模式図である。
【００３２】
図１の電界発光表示装置１は、基板１１上に、下部電極１２と、有機化合物層１３と、上部電極１４と、の順に積層されてなる電界発光素子１０が形成されている。
【００３３】
また、図１の電界発光表示装置１は、平面的に見ると、発光領域１Ａと画素間領域１Ｂとで構成されている。
【００３４】
図１の電界発光表示装置１において、基板１１は、ガラス等からなる基材１１１と、基材１１１上に設けられる絶縁層１１２と、絶縁層１１２上に設けられる絶縁保護層１１３と、基材１１１上に設けられる薄層トランジスタ（ＴＦＴ）１１４と、からなる。尚、ＴＦＴ１１４は、絶縁層１１２と絶縁保護層１１３とからなる積層体に埋め込まれているが、その上部は絶縁保護層１１３から露出している。
【００３５】
基板１１上には、絶縁保護層１１３やＴＦＴ１１４を形成したときに生じる凹凸を平坦化するための平坦化層１５が設けられている。
【００３６】
平坦化層１５上には下部電極１２が設けられる。下部電極１２は、コンタクトホール１６を介してＴＦＴ１１４と電気接続されている。ここで、下部電極１２が無機酸化物からなる透明電極である場合、図１に示されるように、下部電極１２と平坦化層１５との間に光反射層１７を設けてもよい。また下部電極１２が無機酸化物からなる透明電極である場合、後述する方法により部分的なレーザー光照射を行って高抵抗領域１２１（光照射領域）を形成してもよい。
【００３７】
下部電極１２上には有機化合物層１３が設けられる。有機化合物層１３は、少なくとも発光層を有していればよくその層構成については限定されない。
【００３８】
有機化合物層１３上には上部電極１４が設けられる。ここで、上部電極１４が無機酸化物からなる透明電極である場合、後述する方法により部分的なレーザー光照射を行って高抵抗領域１４１（光照射領域）を形成してもよい。
【００３９】
図１の電界発光表示装置１は、上部電極１４を設けた後、大気中の酸素、水分等から装置を保護するために、電界発光装置１上にキャップガラス１８を被せて公知の方法により電界発光表示装置１自体を封止している。
【００４０】
ところで図１の電界発光表示装置１は、下部電極１２の直下に光反射層１７が設けられているので、基板１１の反対側から光を取り出すトップエミッション型の電界発光表示装置である。このため有機化合物層１３に含まれる発光層から発せられた光の進行方向１９は図１に示されるように基板１１の反対側になる。
【００４１】
次に、図１の電界発光表示装置の具体的な製造方法を説明する。
【００４２】
［工程１：ＴＦＴ及び絶縁保護層の形成］
まずガラス等からなる基材１１１上にＴＦＴ１１４を形成した後、ＴＦＴ１１４の上部以外の部分を埋めるように、絶縁層１１２と絶縁保護層１１３とを順次形成する。ここで絶縁層１１２、絶縁保護層１１３及びＴＦＴ１１４の形成方法としては公知の方法を採用することができる。
【００４３】
［工程２：平坦化層の形成］
次に、ＴＦＴ１１４及び絶縁保護層１１３を覆うように平坦化層１５となる薄膜を形成する。平坦化層１５の構成材料として、フォトニーズ（東レ株式会社製）、オプトマー（ＪＳＲ株式会社製）、Ｖ−２５９ＰＡ（新日鐵化学株式会社製）等のオリゴマー材料が好適に使用される。また平坦化層１５は、上記のオリゴマー材料をスピンコート法で基板１１上に塗布した後、このオリゴマー材料を焼成・硬化することにより形成される。平坦化層１５となる薄膜を形成するときは、焼成・硬化の工程が終わった後、基板１１の表面を水洗し、１Ｐａ以下の減圧環境下で保管するのが好ましい。
【００４４】
［工程３：コンタクトホールの形成］
ＴＦＴ１１４と下部電極１２との通電を図るため、平坦化層１５にコンタクトホール１６を形成する。コンタクトホール１６は、具体的には、以下に示す方法により形成される。まず、スピンコート法により、平坦化層１５上に、フォトレジストを膜厚１μｍで成膜してフォトレジスト層を形成する。このフォトレジスト層に対して、コンタクトホール１６を配置する部位を開口部として露光並びに現像処理を行う。このように処理したフォトレジスト層をマスクとして、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）により、平坦化層１５へのドライエッチング処理を行う。そしてフォトレジスト層をウェットプロセスで取り除く。
【００４５】
図２は、コンタクトホール１６を有する平坦化層１５を形成した基板１１を示す断面模式図である。
【００４６】
［工程４：光反射層の形成］
コンタクトホール１６を形成した後、光反射層１７を所望の位置に所望のパターンで形成する。
【００４７】
光反射層の構成材料をしては、銀、アルミニウム、マグネシウム、珪素、クロム等の金属単体あるいはこれら金属単体を主成分とする合金を使用することができる。さらに、酸化物及びフッ化物（例えば、ＴｉＯ3、ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＣａＦ2、ＭｇＦ2）等からなる誘電体多層膜等を使用してもよい。
【００４８】
光反射層１７を形成する際は、まず光反射層１７となる薄膜を形成した後、フォトレジストを使用したウェットプロセス（エッチング等）等によってパターニングを行う。光反射層１７となる薄膜を形成する際、その膜厚は特に限定されないが、好ましくは、１００ｎｍ程度である。
【００４９】
図３は、光反射層１７を形成した基板１１を示す断面模式図である。
【００５０】
［工程５：下部電極の成膜］
光反射層１７を形成した後、下部電極１２を形成する。
【００５１】
下部電極１２の構成材料として光透過性の電極材料が挙げられ、例えば、インジウム酸化物（ＩＴＯ、ＩＺＯ等）が挙げられる。
【００５２】
下部電極１２を形成する際には、下部電極１２となる薄膜を、ＴＦＴ１１４、平坦化層１５及び光反射層１７を覆うように形成する。ここで下部電極１２となる薄膜を形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の方法を採用することができる。
【００５３】
下部電極１２となる薄膜の膜厚は特に限定されるものではないが、好ましくは、１４０ｎｍ程度である。
【００５４】
図４は、下部電極１２となる薄膜を形成した基板１１を示す断面模式図である。図４において、ＴＦＴ１１４は、コンタクトホール１６を介して下部電極１２となる薄膜に電気接続されている。
【００５５】
尚、下部電極１２の導電性及び光透過性を調べるために、ガラス基板上に下部電極１２と同一の成膜条件で、かつ同一の膜厚（１４０ｎｍ）で薄膜を成膜した試料を作製して、四端子法によるシート抵抗値並びにλ＝５５０ｎｍでの光透過率を計測した。その結果、シート抵抗値が８０Ω／ｓｑであり、光透過率が８５％であることが判明している。
【００５６】
［工程６：下部電極の高抵抗化処理］
次に、電界発光表示装置の発光領域を定めると共に、下部電極１２と上部電極１４との間の短絡を防ぐ目的で、先程形成した下部電極１２となる薄膜のうち画素間領域に相当する領域において以下に示す高抵抗化処理を施す。
【００５７】
即ち、下部電極１２となる薄膜を成膜した後、この薄膜に近赤外レーザーを照射する。
【００５８】
ここで具体例として以下の特性を有する近赤外レーザー（チタンサファイアレーザー）光を照射した場合について説明する。ただし本発明はこれに限定されるものではない。
波長：８００ｎｍ
パルス幅：１００ｆｓ
一照射当りの発光強度：２．５ｎＪ／μｍ2
処理雰囲気ガス：露点−７０℃以下の水分量に管理された窒素及び酸素の混合ガス（窒素対酸素の体積比８：２）
処理雰囲気ガスの圧力：１気圧
【００５９】
尚、このレーザー光照射を行う際に、合焦面を下部電極１２の表面としている。
【００６０】
次に、図面を参照しながらレーザー光照射の具体的な方法について説明する。
【００６１】
図５は、下部電極１２についてレーザー光照射を行う様子を示す断面模式図である。下部電極１２のうち高抵抗化する領域についてレーザー光照射を行う際には、図５に示すように、先端に対物レンズ２１を備えたレーザー光照射装置（図示せず）からレーザー光を照射する。このとき先端に対物レンズ２１を備えているので、図５に示すようにレーザー光はその光束２２が絞られている状態で放出している。高抵抗化処理は、対物レンズ２１を画素間領域上に走査しながらこの画素間領域にレーザー光を照射する。このレーザー光照射により光照射された領域（高抵抗領域１２１）の電気抵抗が高くなる。
【００６２】
ここで、レーザー光照射により下部電極の電気抵抗が大きくなる効果を検証するために以下の実験を行った。即ち、平坦なガラス基板上に下部電極１２と同一成膜条件かつ同一膜厚で成膜した膜試料に対して、同条件でレーザー光照射（高抵抗化処理）を実施した。レーザー光照射後（高抵抗化処理後）の膜試料について、四端子法によりシート抵抗値の評価を行ったところ１０ＭΩ／ｓｑであることがわかった。一方、波長５５０ｎｍでの光透過率は８２％であった。このため、上記のレーザー光照射によって、光照射された領域について透過率を保持しつつ電気抵抗を高くすることが可能であることが示された。
【００６３】
［工程７：有機化合物層の形成］
下部電極１２を形成した後、有機化合物層１３を形成する。有機化合物層１３の形成方法として、具体的には、以下に示す方法が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。
【００６４】
まず下部電極１２上に下記式（１）に示される化合物を成膜し正孔輸送層を形成する。
【００６５】
【化１】
2010073327.tif 000003
【００６６】
次に、ホストである下記式（２）に示される化合物及びドーパントである下記式（３）に示される化合物を共蒸着して発光層を形成する。
【００６７】
【化２】
2010073327.tif 000004
【００６８】
次に、２，９−ビス［２−（９，９’−ジメチルフルオレニル）］−１，１０−フェナントロリンを成膜して電子輸送層を積層する。
【００６９】
次に、Ａｌ及びＬｉを共蒸着して電子注入層を形成する。
【００７０】
以上のようにして正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層してなる有機化合物層１３が形成される。
【００７１】
図６は、有機化合物層１３を形成した基板１１を示す断面模式図である。図６において、有機化合物層１３は、下部電極１２上に形成され発光領域や画素間領域に関わらず共通して形成される積層体となっているが、発光領域ごとに発光色が異なるように有機化合物層を塗り分けて成膜してもよい。このとき各発光領域における発光層から発する光の発光色が、色の三原色（赤、緑及び青の組あるいはシアン、マゼンタ及びイエローの組）であると、フルカラーの電界発光表示装置を製造することが可能となる。
【００７２】
［工程８：上部電極の成膜と高抵抗化処理］
次に、有機化合物層１３上に上部電極１４を形成する。本実施例において、上部電極１４の構成材料は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透光性を有する電極材料である。
【００７３】
ここで上部電極１４となる薄膜は、先程説明した下部電極１２の場合と同様の方法で形成してもよい。図７は、上部電極１４を形成した基板１１を示す断面模式図である。
【００７４】
上部電極１４となる薄膜を形成した後、部分的なレーザー光照射による上部電極１４の高抵抗化処理を行う。この高抵抗化処理を行う際に使用するレーザー及びレーザー光の照射条件は、先程説明した下部電極１２の場合と同様であってもよい。
【００７５】
次に、図面を参照しながらレーザー光照射の具体的な方法について説明する。
【００７６】
図８は、上部電極１４の画素間領域についてレーザー光照射を行う様子を示す断面模式図である。上部電極１４の画素間領域についてレーザー光照射を行う際には、図８に示すように、レーザー光照射装置（図示せず）の先端に備える対物レンズ２１を走査しながらレーザー光を照射する。ただしレーザー光の照射方法はこれに限定されない。このレーザー光照射により光照射された領域（高抵抗領域１４１）の電気抵抗が高くなる。
【００７７】
ちなみに、下部電極１２の場合と同様に、上部電極１４においても上部電極１４と同一成膜条件かつ同一膜厚で成膜した膜試料に対して、同条件でレーザー光照射（高抵抗化処理）を実施した。その結果、レーザー光照射後のシート抵抗値は１０ＭΩ／ｓｑであり、波長５５０ｎｍでの光透過率は７６％であった。
【００７８】
尚、上部電極１４について高抵抗化処理を施した際に、照射するレーザー光は、その波長の観点から上部電極１４の下方に設けられている有機化合物層１３の構成材料が吸収することがほとんどない。このためレーザー光を照射したとしても上部電極１４と有機化合物層１３とが剥離したり、有機化合物層１３自体が変色したりすることはない。
【００７９】
［工程９：封止］
上述した上部電極１４の高抵抗化処理を行った後、電界発光表示装置に封止を行う。封止を行う際は、通常、上部電極１４まで形成した基板１１を、乾燥窒素（例えば、露点−７０℃以下の水分量にある乾燥窒素）雰囲気で満たされたグローブボックス内に移動した後で行う。
【００８０】
電界発光表示装置を封止する具体的な方法として、まずキャップガラスを電界発光表示装置にかぶせてから、キャップガラスの脚部に水分を遮断する硬化樹脂を塗布する方法がある。
【００８１】
ここでキャップガラスとは、ガラス基板を凹型に切削した部材である。キャップガラスは乾燥空気と純水とを混合した流体を用いた２流体洗浄処理によりガラス表面の異物を除く。次いで、乾燥空気を吹き付けてキャップガラスに付着した水分を除去する。このように水分を除去した後、装置内に大気中の水分を浸入させない目的で、好ましくは、キャップガラスの凹面側であって脚部近傍に吸湿剤を塗布する。
【００８２】
一方、キャップガラスを装置上に配置する際に、その凹面側は基板の発光面側を対向させるようにすることが好ましい。またキャップガラスを装置上に配置する際に、キャップガラスの脚部は、装置の表示領域外に配置されるようにすることが好ましい。
【００８３】
キャップガラスの脚部に塗布する硬化樹脂として、例えば、紫外線照射により硬化する紫外線硬化樹脂等が挙げられる。
【００８４】
以上のプロセスによって作製された電界発光表示装置に電圧を印加すると、高抵抗化処理された領域を除いた領域が点灯する。
【００８５】
＜実施例２＞
以下に述べる実施例２は、実施例１の変形例である。具体的には、工程６及び８を下記の通りに変更した以外は実施例１と同様の方法により電界発光表示装置を作製した。
【００８６】
［工程６］
下記の特性を有するレーザー光を下部電極１２に照射した。尚、このレーザー光はチタンサファイアレーザーによる波長変換光である。
波長：３６０ｎｍ
パルス幅：１００ｆｓ
一照射当りの発光強度：１．５ｎＪ／μｍ2
処理雰囲気ガス：露点−７０℃以下の水分量に管理され、オゾン０．０５ｐｐｍを含む窒素及び酸素の混合ガス（窒素対酸素の体積比８：２）
処理雰囲気ガスの圧力：１気圧
【００８７】
また、実施例１と同様に、レーザー光照射により下部電極１２の電気抵抗が大きくなる効果を検証するための実験を行った。その結果、シート抵抗値は１ＭΩ／ｓｑであり、波長５５０ｎｍにおける光透過率は８３％であった。
【００８８】
［工程８］
上記工程６で使用したレーザー光を使用し、上部電極１４に照射した。
【００８９】
また、実施例１と同様に、レーザー光照射により上部電極１４の電気抵抗が大きくなる効果を検証するための実験を行った。その結果、シート抵抗値は１ＭΩ／ｓｑであり、波長５５０ｎｍにおける光透過率は７８％であった。
【００９０】
以上のプロセスによって作製された電界発光表示装置に電圧を印加すると、高抵抗化処理された領域を除いた領域が点灯する。
【００９１】
＜実施例３＞
図９は、本発明の製造方法で製造される電界発光表示装置の第二の態様を示す断面模式図である。尚、図９の電界発光表示装置９において、図１の電界発光表示装置１と同様の部材については説明を省略することがある。
【００９２】
図９の電界発光表示装置９は、基板９１上に下部電極９２、第一有機化合物層９３、第一中間電極層９４、第二有機化合物層９５及び上部電極９６がこの順に積層されている。
【００９３】
図９の電界発光表示装置９において、第一有機化合物層９３及び第二有機化合物層９５はいずれも発光層（図示せず）を含む積層体である。ただし少なくとも発光層を有していればよく、その層構成の詳細については限定されない。
【００９４】
また、図９の電界発光表示装置９は、平面的に見ると、二種類の発光領域９Ａ及び９Ｂと画素間領域９Ｃとで構成されている。
【００９５】
図９の電界発光装置９は、電気接続の方式を適宜選択することによって、第一有機化合物層９３に含まれる発光層と、第二有機化合物層９５に含まれる発光層と、を選択的に発光させることができる。また電気接続の方式によっては第一有機化合物層９３に含まれる発光層の発光と、第二有機化合物層９５に含まれる発光層の発光と、を独立して制御することもできる。
【００９６】
例えば、画素領域９Ａでは、下部電極９２がＴＦＴ９１４ｂに、第一中間電極層９４がグランド端子９１５に、上部電極９６がＴＦＴ９１４ａに、それぞれ電気接続されている。このように画素領域９Ａでは、各電極層がそれぞれ異なる部材と電気接続されている。このため第一有機化合物層９３に含まれる発光層の発光と、第二有機化合物層９５に含まれる発光層の発光と、をそれぞれ独立に制御することができる。
【００９７】
一方、画素領域９Ｂでは、第一中間電極層９４と上部電極９６とが短絡領域９６２において短絡されている。このため、第二有機化合物層９５に含まれる発光層の発光を取り出すことなく、第一有機化合物層９４に含まれる発光層の発光のみを取り出すことができる。
【００９８】
他方、図９において図示されていないが、下部電極９２と、第一中間電極層９４とを短絡させて第二有機化合物層９６に含まれる発光層の発光のみを取り出すこともできる。
【００９９】
次に、図９の電界発光表示装置の具体的な製造方法を説明する。
【０１００】
［工程１：ＴＦＴ及び絶縁保護層の形成］
まずガラス等からなる基材９１１上にＴＦＴ９１４ａ〜９１４ｃを形成した後、ＴＦＴ９１４ａ〜９１４ｃの上部以外の部分を埋めるように、絶縁層９１２と絶縁保護層９１３とを順次形成する。次に、絶縁保護層９１３上の所定の位置にグランド端子９１５を別途も受ける。ここで絶縁層９１２、絶縁保護層９１３、ＴＦＴ９１４ａ〜９１４ｃ及びグランド端子９１５の形成方法としては公知の方法を採用することができる。
【０１０１】
［工程２．平坦化層の形成］
次に、ＴＦＴ９１４ａ〜９１４ｃ、グランド端子９１５及び絶縁保護層９１３を覆うように平坦化層９７となる薄膜を形成する。尚、平坦化層９７の構成材料及び層の形成方法は、実施例１と同様でもよい。
【０１０２】
［工程３：第一コンタクトホールの形成］
次に、下部電極９２とＴＦＴとを電気接続するために、まず所望の位置に第一コンタクトホール１０１を形成する。ここで第一コンタクトホール１０１の形成方法は、実施例１と同様でもよい。
【０１０３】
図１０は、第一コンタクトホール１０１を有する平坦化層９７を形成した基板を示す断面模式図である。
【０１０４】
［工程４：光反射層の形成］
次に、光反射層９８を平坦化膜９７上に形成する。
【０１０５】
反射電極９８は、構成材料として実施例１で使用した材料を使用することができる。又反射電極９８の形成方法は、実施例１と同様の方法を採用することができる。
【０１０６】
［工程５：下部電極の成膜及び高抵抗化処理］
次に、下部電極９２を形成する。下部電極９２を形成する際には、下部電極９２となる薄膜を、ＴＦＴ（９１４ａ〜９１４ｃ）、平坦化層９７及び光反射層９８を覆うように形成する。ここで下部電極の構成材料、及び下部電極となる薄膜の形成方法は、実施例１と同様の材料及び形成方法を採用することができる。この薄膜を形成することによって、ＴＦＴ９１４ｂ及びＴＦＴ９１４ｃは、それぞれ第一コンタクトホール１０１を介して下部電極９２となる薄膜に電気接続される。
【０１０７】
下部電極９２となる薄膜を形成した後、この薄膜に対してレーザー光を照射する。照射するレーザー光及びレーザー光照射の条件は、実施例１と同様の条件としてもよい。このレーザー光照射により光照射された領域（高抵抗領域９２１）の電気抵抗が高くなる。
【０１０８】
［工程６：第一有機化合層の形成］
次に、下部電極９２上に第一有機化合物層９３を形成する。第一有機化合物層９３の層構成については、発光層が含まれていれば特に限定されるものではない。また第一の有機化合物層９３の構成材料は公知の材料を使用することができる。第一有機化合物層９３は、下部電極９２上に形成され発光領域や画素間領域に関わらず共通して形成される積層体となっているが、発光領域ごとに発光色が異なるように有機化合物層を塗り分けて成膜してもよい。このとき各発光領域における発光層から発する光の発光色が、色の三原色（赤、緑及び青の組あるいはシアン、マゼンタ及びイエローの組）であると、フルカラーの電界発光表示装置を製造することが可能となる。
【０１０９】
［工程７：第一中間電極層の成膜及び高抵抗化処理］
次に、第一有機化合物層９３上に第一中間電極層９４を形成する。第一中間電極層９４の構成材料として、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の酸化化合物が挙げられる。
【０１１０】
尚、第一有機化合物層９３の導電性及び光透過性を調べるために以下の測定を行った。即ち、ガラス基板上に第一有機化合物層９３と同一の成膜条件で、かつ同一の膜厚（６０ｎｍ）で薄膜を成膜した試料を作製して、四端子法によるシート抵抗値並びにλ＝５５０ｎｍでの光透過率を測定した。その結果、シート抵抗値が２５０Ω／ｓｑであり、光透過率が８５％であることが判明している。
【０１１１】
次に、発光領域を特定した後、発光領域と画素間領域とを区別し、かつ下部電極９２と第一中間電極層９４との間の短絡を防ぐ目的で、第一中間電極層９４に高抵抗化処理を行う。この高抵抗化処理について、図面を参照しながら具体的に説明する。図１１は、第一中間電極層９４についてレーザー光照射を行う様子を示す断面模式図である。第一中間電極層９４となる薄膜を形成した後、この薄膜に対してレーザー光を照射する。照射するレーザー光及びレーザー光照射の条件は、実施例１と同様の条件としてもよい。このレーザー光照射により光照射された領域（高抵抗領域９４１）の電気抵抗が高くなる。
【０１１２】
尚、第一中間電極層９４について高抵抗化処理を施した際に、照射するレーザー光は、その波長の観点から第一中間電極層９４の下方に設けられている第一有機化合物層９３の構成材料が吸収することがほとんどない。このためレーザー光を照射したとしても第一中間電極層９４と第一有機化合物層９３とが剥離したり、第一有機化合物層９３自体が変色したりすることはない。
【０１１３】
［工程８：第二有機化合物層の形成］
次に、第一中間電極層９４上に第二有機化合物層９５を形成する。第二有機化合物層９５の層構成、構成材料及び形成方法は、先程の工程６で述べた第一有機化合物層９３を形成する場合と同様である。ただし、第一有機化合物層９３に含まれる発光層の発光色と、第二有機化合物層９５に含まれる発光層の発光色と、がそれぞれ異なるように材料を選択してもよい。
【０１１４】
図１２は、第二有機化合物層を形成した基板を示す断面模式図である。
【０１１５】
［工程９：第二コンタクトホールの形成］
次に、第二コンタクトホールを形成する。本実施例では、ＴＦＴ９１４ａの端子及びグランド端子９１５と、少なくとも上部電極９６と、を電気接続するため第二コンタクトホールを形成する。
【０１１６】
第二コンタクトホールの形成は、例えば、レーザー光の照射により行う。より具体的には、レーザー光として、下記の特性を有するチタンサファイアレーザーを第二有機化合物層９５に照射した。
波長：８００ｎｍ
パルス幅：１００ｆｓ
一照射当りの発光強度：７．５ｎＪ／μｍ2
処理雰囲気ガス：露点−７０℃以下の水分量に管理され、オゾン０．０５ｐｐｍを含む窒素及び酸素の混合ガス（窒素対酸素の体積比８：２）
処理雰囲気ガスの圧力：１気圧
【０１１７】
尚、このレーザー光照射を行う際に、合焦面をＴＦＴ９１４ａ又はグランド端子９１５の表面としている。
【０１１８】
図１３は、第二コンタクトホール１０２を形成した後の状態を示す断面模式図である。
【０１１９】
［工程１０：上部電極の成膜と高抵抗化処理］
次に、第二有機化合物層９５及び第二コンタクトホール１０２を覆うように上部電極９７を形成する。
【０１２０】
まず上部電極９６となる薄膜を成膜する。上部電極９６を成膜する方法は、先程述べた第一中間電極層９４と同様の方法を採用することができる。図１４は、上部電極９６を形成した基板１１を示す断面模式図である。
【０１２１】
次に、上部電極９６の所望の領域においてレーザー光を照射して高抵抗化処理を行う。高抵抗化処理の具体的な方法は、先程述べた第一中間電極層９４と同様の方法を採用することができる。このレーザー光照射により光照射された領域（高抵抗領域９６１）の電気抵抗が高くなる。図１５は、上部電極９６についてレーザー光照射を行う様子を示す断面模式図である。
【０１２２】
［工程１０：封止］
上部電極９６の高抵抗化処理を行った後、上部電極９６まで形成した電界発光表示装置を封止する。封止の具体的な方法は、実施例１と同様である。
【０１２３】
以上のプロセスにより作製される電界発光表示装置は、発光領域９Ａにおける第一有機化合物層９３からの発光、及び第二有機化合物層９５からの発光、並びに発光領域９Ｂにおける第一有機化合物層９３からの発光をそれぞれ独立に制御できる。
【０１２４】
図１６は、図９の電界発光表示装置の等価回路を示す図である。図１６には、４種類の素子１６０Ａ〜１６０Ｄがある。
【０１２５】
図１６の等価回路において、素子１６０Ａは、スイッチングトランジスタ１６１Ａ、駆動トランジスタ１６２Ａ、容量１６３Ａから構成される回路に組み込まれている。図１６の等価回路において、素子１６０Ｂは、スイッチングトランジスタ１６１Ｂ、駆動トランジスタ１６２Ｂ、容量１６３Ｂから構成される回路に組み込まれている。図１６の等価回路において、素子１６０Ｃは、スイッチングトランジスタ１６１Ｃ、駆動トランジスタ１６２Ｃ、容量１６３Ｃから構成される回路に組み込まれている。
【０１２６】
図１６の等価回路において、素子１６０Ａは、発光領域９Ａにおける第一有機化合物層９３に係る発光素子に相当する。図１６の等価回路において、素子１６０Ｂは、発光領域９Ａにおける第二有機化合物層９５に係る発光素子に相当する。図１６の等価回路において、素子１６０Ｃは、発光領域９Ｂにおける第一有機化合物層９３に係る発光素子に相当する。図１６の等価回路において、素子１６０Ｄは、発光領域９Ｂにおける第二有機化合物層９５に係る発光素子に相当する。尚、表示素子１６０Ｄは、図９に示されるように短絡処理がなされており発光しないようになっている。
【０１２７】
図１６の等価回路において、ゲート信号線１６４の電位をＨｉｇｈレベルに設定する。すると、スイッチングトランジスタ１６１Ａ〜１６１ＣがＯＮ状態となる。そして、駆動トランジスタ１６３Ａ〜１６３Ｃの各ゲートに接続されている容量１６２Ａ〜１６２Ｃの電圧は、各表示素子Ａ〜Ｃを駆動する電流が駆動トランジスタを介して流れるのに充分なゲート−ソース電圧に設定される。次に、ゲート信号線１６７の電位がＬｏｗレベルに設定されると、スイッチングトランジスタ１６１Ａ〜１６１ＣはＯＦＦ状態となり、容量１６２Ａ〜１６２Ｃの電圧が保持される。
【０１２８】
その後、第１電源供給線１６８の電位がＶcc、第２電源供給線１６９の電位が−Ｖccに設定され、容量の電圧レベルに応じた電流が駆動トランジスタのソース−ドレイン間に流れる。こうすることで各発光素子１６０Ａ〜１６０Ｃを所望の輝度で、それぞれ独立に発光制御することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
本発明の、導電性かつ透光性の無機酸化物製電極への抵抗値制御による電極形状加工法は、電極形状の加工制御性に優れ、低抵抗及び高抵抗域にある無機酸化物の電極の可視光透過性が保たれている。従って、所謂トップエミッション構成や発光層を複数層堆積した有機エレクトロルミネッセンス表示装置の電極形状の形成に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】本発明の製造方法で製造される電界発光表示装置の第一の態様を示す断面模式図である。
【図２】コンタクトホールを有する平坦化層を形成した基板を示す断面模式図である。
【図３】光反射層を形成した基板を示す断面模式図である。
【図４】下部電極となる薄膜を形成した基板を示す断面模式図である。
【図５】下部電極についてレーザー光照射を行う様子を示す断面模式図である。
【図６】有機化合物層を形成した基板を示す断面模式図である。
【図７】上部電極を形成した基板を示す断面模式図である。
【図８】上部電極の画素間領域についてレーザー光照射を行う様子を示す断面模式図である。
【図９】本発明の製造方法で製造される電界発光表示装置の第二の態様を示す断面模式図である。
【図１０】第一コンタクトホールを有する平坦化層を形成した基板を示す断面模式図である。
【図１１】第一中間電極層についてレーザー光照射を行う様子を示す断面模式図である。
【図１２】第二有機化合物層を形成した基板を示す断面模式図である。
【図１３】第二コンタクトホールを形成した後の状態を示す断面模式図である。
【図１４】上部電極を形成した基板を示す断面模式図である。
【図１５】上部電極についてレーザー光照射を行う様子を示す断面模式図である。
【図１６】図９の電界発光表示装置の等価回路を示す図である。
【図１７】特許文献１の方法で加工された電界発光表示装置の具体例を示す断面模式図である。
【図１８】図１７の電界発光表示装置１７０を製造する工程の１つであるレーザー光による加工の様子を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１，９  電界発光表示装置
１０  電界発光素子
１１，９１  基板
１１１，９１１  基材
１１２，９１２  絶縁層
１１３，９１３  絶縁保護層
１１４，９１４，９１４ａ，９１４ｂ，９１４ｃ  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１２，９２  下部電極
１２１，９２１  下部電極の高抵抗領域
１３  有機化合物層
１４，９６  上部電極
１４１，９６１  上部電極の高抵抗領域
１５，９７  平坦化膜
１６  コンタクトホール
１０１  第一コンタクトホール
１０２  第二コンタクトホール
１７，９８  光反射層
１８，９９  キャップガラス
１９  光の進行方向
２１  対物レンズ
２２  レーザー光束
９１５  グランド端子
９３  第一有機化合物層
９４  第一中間電極層
９４１  第一中間電極層の高抵抗領域
９５  第二有機化合物層
９６２  上部電極の短絡領域
１６０Ａ，１６０Ｂ，１６０Ｃ  表示素子
１６１Ａ，１６１Ｂ，１６１Ｃ  スイッチングトランジスタ
１６２Ａ，１６２Ｂ，１６２Ｃ  容量
１６３Ａ，１６３Ｂ，１６３Ｃ    駆動トランジスタ
１６７  ゲート信号線
１６４〜１６６  データ線
１６８  第１電源供給線
１６９  第２電源供給線
【図１】
2010073327.tif 000005
【図２】
2010073327.tif 000006
【図３】
2010073327.tif 000007
【図４】
2010073327.tif 000008
【図５】
2010073327.tif 000009
【図６】
2010073327.tif 000010
【図７】
2010073327.tif 000011
【図８】
2010073327.tif 000012
【図９】
2010073327.tif 000013
【図１０】
2010073327.tif 000014
【図１１】
2010073327.tif 000015
【図１２】
2010073327.tif 000016
【図１３】
2010073327.tif 000017
【図１４】
2010073327.tif 000018
【図１５】
2010073327.tif 000019
【図１６】
2010073327.tif 000020
【図１７】
2010073327.tif 000021
【図１８】
2010073327.tif 000022