(57)【要約】【課題】所望の形状及び大きさの湾曲部を有するコンタクトプローブを簡単な方法で形成できるコンタクトプローブの製造方法を提供する。【解決手段】第１導電性材料からなる犠牲層８と異なる第２導電性材料からなるプローブ下地膜５とを互いに絶縁された状態で絶縁性基板１上に形成する犠牲層及び下地膜の形成工程と、犠牲層８上に第１導電性材料と異なる第３導電性材料を電気めっきすることにより、犠牲層８上に第３導電性材料を堆積させると共に、堆積した第３導電性材料を介して犠牲層８及びプローブ下地膜５を導通させて、プローブ下地膜５上にも第３導電性材料を堆積させることによりコンタクトプローブ１を形成するプローブ形成工程と、犠牲層８を除去する犠牲層除去工程とを備えている。【選択図】  図５
2010101750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電性材料からなる犠牲層と第２導電性材料からなるプローブ下地膜とを互いに絶縁された状態で絶縁性基板上に形成する犠牲層及び下地膜の形成工程と、
上記犠牲層上に第１導電性材料と異なる第３導電性材料を電気めっきすることにより、上記犠牲層上に第３導電性材料を堆積させると共に、堆積した第３導電性材料を介して上記犠牲層及び上記プローブ下地膜を導通させて、当該プローブ下地膜上にも第３導電性材料を堆積させることによりコンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、
上記犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えていることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項２】
上記犠牲層及び下地膜の形成工程において、
上記犠牲層は電気めっきにより形成され、
上記プローブ下地膜は第１導電性材料の電気めっき液に溶けない導電性材料を用いて形成されることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項３】
上記コンタクトプローブは片持ち梁構造を有しており、
上記犠牲層及び下地膜の形成工程において、
上記犠牲層が上記プローブ下地膜よりも高くなるように上記犠牲層及び上記プローブ下地膜が形成され、
上記プローブ形成工程において、
上記犠牲層上に上記コンタクトプローブの自由端側が形成され、上記プローブ下地膜上に上記コンタクトプローブの固定端部が形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項４】
上記犠牲層が除去された後、複数の上記コンタクトプローブを導通させる上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、上記コンタクトプローブ毎に、当該コンタクトプローブの下に形成された上記プローブ下地膜を分離するプローブ下地膜分離工程を備えていることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項５】
上記絶縁性基板は、上記コンタクトプローブが固定され、コンタクトプローブ毎に対応した複数の配線が絶縁されて内部に設けられたプローブ基板であり、
上記犠牲層及び下地膜の形成工程において、上記プローブ下地膜が上記プローブ基板に設ける上記各配線と導通して形成されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブの製造方法に係り、さらに詳しくは、片持ち梁構造のコンタクトプローブをプローブの高さ方向に導電性材料を積層して形成するコンタクトプローブの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プローブカードは、半導体集積回路の電極パッドなどの検査対象物の電気的特性を検査するために用いられ、複数のコンタクトプローブ（接触探針）を備えている。複数のコンタクトプローブは、電極パッドの数およびピッチに対応して基板上に固定され、これらコンタクトプローブを電極パッドに接触させることにより、電気信号を取出すことができる。
【０００３】
半導体ウエハ上のデバイスの電気的特性を検査する時は、コンタクトプローブを半導体ウエハ上の電極パッドに接触させた後、コンタクトプローブを更に半導体ウエハ側に押し付ける動作であるオーバードライブを行って、すべてのコンタクトプローブをそれぞれ電極パッドに確実に接触させる。
【０００４】
上記コンタクトプローブとしては、一端が基板に固定され、他端が自由端となる弾性変形可能な片持ち梁構造のビーム部と、このビーム部の自由端側に形成されたコンタクト部とを有するものがある（例えば特許文献１参照）。そして、この種のコンタクトプローブは、コンタクト部を半導体ウエハ側に押し付けて、ビーム部を弾性変形させる。
【０００５】
ところで、半導体デバイスは、フォトリソグラフィ技術などの進歩による微細加工精度の著しい向上によって高集積化されてきた。その結果、半導体デバイスは、そのチップ面積に対する電極パッド数が飛躍的に増大し、最近では、千個を越える電極パッドが数ミリ角の半導体チップ上に狭ピッチで配置されるようになってきた。このような半導体チップについて電気的特性試験を行うためには、電極パッドと同様のピッチでコンタクトプローブを配置させたプローブカードが必要となる。そこで、上記した特許文献１にも開示されているように、半導体デバイスと同様のフォトリソグラフィ技術を利用して、コンタクトプローブを製造する技術が種々提案されている。
【０００６】
特許文献１には、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて形成された積層体からなるコンタクトプローブが開示されている。このコンタクトプローブは、プローブ基板に垂直な方向、すなわち、コンタクトプローブの高さ方向に積層された複数のめっき層によって構成される。各めっき層は、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングされており、２次元形状の異なるめっき層を順に積層していくことによって、３次元形状のコンタクトプローブを形成することができる。
【特許文献１】特開２００１−９１５３９号公報の図７（Ａ）〜図１０（Ｏ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
２次元形状の異なるめっき層を順に積層することにより片持ち梁構造のコンタクトプローブを形成する場合、１つのめっき層を形成するためには、少なくとも次の工程が必要となる。レジスト層を形成する工程、レジスト層にマスクを配置する工程、マスクが配置されたレジスト層に露光することにより所定の二次元形状にパターニングする工程、パターニングに合わせてレジスト層を部分的に除去して開口部を形成する工程、この開口部内に電気めっき処理を行ってめっき層を形成する工程、そして、レジスト層と共にめっき層の表面を研磨する工程が必要となる。
【０００８】
例えば、片持ち梁構造のビーム部は、少なくとも基板に固定される固定部分となるめっき層と、この固定部分の上面に連続して形成され、さらにこの固定部分からプローブ基板に平行して延びる水平ビームとなるめっき層とにより形成することができる。これらめっき層は、２次元形状が異なるので、それぞれのめっき層を上記した製造工程で形成する必要がある。また、上記水平ビームを形成する場合、水平ビームの平面の大きさが上記固定部分の大きさよりも大きいので、レジスト層に形成した開口部内の底面には、上記固定部分を形成した際のレジスト層が露出している。そのため、めっき層を形成する前に、この絶縁性部材からなる底面上に電極として導電性の薄膜を形成する工程がさらに必要となる。
【０００９】
このように、上記した製造方法により片持ち梁構造のコンタクトプローブを形成するには、多数の製造工程が必要となる。特に、コンタクトプローブの三次元構造が複雑になればなるほど、２次元形状が異なるめっき層の数が増えていくので、それだけ、製造工程数が増加し、製造コストが増大してしまう。
【００１０】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、本発明は、高さ方向に導電性材料を積層してコンタクトプローブを形成する方法において、製造工程を少なくして、コンタクトプローブを形成できるコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、第１導電性材料からなる犠牲層と第２導電性材料からなるプローブ下地膜とを互いに絶縁された状態で絶縁性基板上に形成する犠牲層及び下地膜の形成工程と、上記犠牲層上に第１導電性材料と異なる第３導電性材料を電気めっきすることにより、上記犠牲層上に第３導電性材料を堆積させると共に、堆積した第３導電性材料を介して上記犠牲層及び上記プローブ下地膜を導通させて、当該プローブ下地膜上にも第３導電性材料を堆積させることによりコンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、上記犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えている。
【００１２】
本発明の製造方法では、コンタクトプローブを形成する前に、コンタクトプローブの一部を形成するための上記犠牲層と、コンタクトプローブにおける他の部分を形成するための上記プローブ下地膜とを互いに絶縁させた状態で上記絶縁性基板上に形成しておく。このように、上記犠牲層と上記プローブ下地膜とを形成しておくことにより、上記犠牲層上に上記コンタクトプローブを形成し始め、上記犠牲層上に上記コンタクトプローブを形成していく途中で上記プローブ下地膜上にも連続して上記コンタクトプローブを形成していくことができる。従って、本発明の製造方法によれば、例えば、片持ち梁構造のコンタクトプローブを形成する場合、上記絶縁性基板に固定される部分と自由端側の部分とを一度の電気めっき処理で形成することが可能となる。
【００１３】
即ち、本発明の製造方法によれば、従来、２つのレジスト層及び２つのマスクを用いて形成していたコンタクトプローブの上記絶縁性基板に固定される部分とこの固定される部分から連続して延びる部分とを１つのレジスト層及び１つのマスクを用いて形成することができるようになる。従って、レジスト層の形成工程及びレジスト除去工程を減らすことができ、マスクも減らすことができるので、製造コストの低廉化が図れる。
【００１４】
また、本発明の製造方法によれば、上記コンタクトプローブを形成すると同時に上記プローブ下地膜を介して上記コンタクトプローブを上記絶縁性基板に固定することができる。従って、上記絶縁性基板をプローブ基板とする場合には、このプローブ基板に上記コンタクトプローブを形成すると同時に固定することができるので、上記コンタクトプローブを１本ずつわざわざ上記プローブ基板に固定する作業を不要にでき、製造コストをさらに低廉にすることができる。
【００１５】
なお、本発明の製造方法では、第１導電性材料及び第２導電性材料は、同じ導電性材料を用いることもできるし、互いに異なる導電性材料を用いることもできる。また、第２導電性材料及び第３導電性材料は、同じ導電性材料を用いることもできるし、互いに異なる導電性材料を用いることもできる。
【００１６】
第２の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、第１導電性材料及び第２導電性材料を互いに異なる導電性材料とする場合、上記犠牲層及び下地膜の形成工程において、上記犠牲層は電気めっきにより形成され、上記プローブ下地膜は第１導電性材料の電気めっき液に溶けない導電性材料を用いて形成される。
【００１７】
このような方法でコンタクトプローブを製造することにより、例えば、第１導電性材料で上記犠牲層を形成するための電極膜と上記プローブ下地膜とを形成した後、当該プローブ下地膜を露出させたまま、上記電極膜上に上記犠牲層を形成することができる。そして、上記犠牲層及び上記プローブ下地膜が形成された上記絶縁性基板上に１つの上記レジスト層を形成し、このレジスト層に上記コンタクトプローブを形成することができる大きさの開口部を形成することにより、この開口部内で、上記犠牲層を形成した後に上記コンタクトプローブを形成することが可能となる。その結果、レジスト層の形成工程及びレジスト除去工程をさらに減らすことができ、マスクも減らすことができるので、製造コストのさらなる低廉化が図れる。
【００１８】
また、上記プローブ下地膜が第１導電性材料の電気めっき液に溶けない導電性材料を用いて形成される場合、上記コンタクトプローブを形成した後に、上記犠牲層を除去する際、上記プローブ下地膜を残したまま上記犠牲層を除去することができるので、上記プローブ下地膜を上記コンタクトプローブの一部とすることが可能となる。
【００１９】
第３の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記コンタクトプローブは片持ち梁構造を有しており、上記犠牲層及び下地膜の形成工程において、上記犠牲層が上記プローブ下地膜よりも高くなるように上記犠牲層及び上記プローブ下地膜が形成され、上記プローブ形成工程において、上記犠牲層上に上記コンタクトプローブの自由端側が形成され、上記プローブ下地膜上に上記コンタクトプローブの固定端部が形成される。
【００２０】
このような方法でコンタクトプローブを製造することにより、固定端側と自由端側とで高さのことなる片持ち構造の上記コンタクトプローブを、固定端から自由端まで連続して、一度の電気めっき処理で形成することができる。
【００２１】
第４の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記犠牲層が除去された後、複数の上記コンタクトプローブを導通させる上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、上記コンタクトプローブ毎に、当該コンタクトプローブの下に形成された上記プローブ下地膜を分離するプローブ下地膜分離工程を備えている。
【００２２】
このような製造方法により、上記プローブ下地膜を複数の上記コンタクトプローブを導通させ、かつ、上記絶縁性基板に設ける複数の電極を導通させるように形成しておいて、最終的に上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、各コンタクトプローブの導通を遮断することが可能となる。その結果、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合に比べて上記プローブ下地膜の位置合わせを容易に行うことができる。
【００２３】
また、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合には、これらプローブ下地膜の位置に合わせて、レジスト層にプローブを形成するための開口部を形成しなければならないので、上記開口部の位置合わせも困難となる。本発明の製造方法によれば、広い面積の上記プローブ下地膜に合わせて上記開口部を複数形成することが可能となるので、上記開口部の位置合わせを簡単に行うことができ、しかも、上記コンタクトプローブは、上記プローブ下地膜を介して上記絶縁性基板の電極に確実に導通させることができる。
【００２４】
さらに、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合、何れかの上記開口部内において、上記犠牲層と上記プローブ下地膜との間の絶縁性領域の長さが他の上記開口部内での長さよりも長くなってしまう場合がある。そのような場合には、他の犠牲層及びプローブ下地膜に比べて、上記犠牲層上に形成された第３導電性材料の層が上記プローブ下地膜と導通するまでに時間を要し、均一な厚みの複数のコンタクトプローブが形成できない。本発明によれば、何れかの上記開口部内において、第３導電性材料が上記プローブ下地膜に導通することにより、この導通した上記プローブ下地膜が露出している全ての上記開口部内において、上記プローブ下地膜上に第３導電性材料が同時に堆積していくので、各上記コンタクトプローブの厚みをほぼ均一に形成することができる。
【００２５】
第５の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記絶縁性基板は、上記コンタクトプローブが固定され、コンタクトプローブ毎に対応した複数の配線が絶縁されて内部に設けられたプローブ基板であり、上記犠牲層及び下地膜の形成工程において、上記プローブ下地膜が上記プローブ基板に設ける上記各配線と導通して形成される。
【００２６】
このような製造方法によれば、上記コンタクトプローブを形成することにより、同時に、上記コンタクトプローブが上記プローブ基板の配線に接続された状態で、このプローブ基板に固定された状態にすることができる。その結果、上記コンタクトプローブを個別に上記プローブ基板の電極に固着していく作業を行う必要がなくなり、製造工程の短縮化が図れる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によるコンタクトプローブの製造方法によれば、例えば、片持ち梁構造のコンタクトプローブを高さ方向である基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、絶縁性基板上に上記犠牲層と上記プローブ下地膜とを絶縁された状態で形成しておき、上記犠牲層上に上記コンタクトプローブを形成し始め、その途中で上記プローブ下地膜上にも連続して上記コンタクトプローブを形成していくことができる。その結果、片持ち梁構造のコンタクトプローブを形成する場合、上記絶縁性基板に固定される部分と自由端側の部分とを一度の電気めっき処理で形成することが可能となり、レジスト層の形成工程及びレジスト除去工程を減らすことができ、マスクも減らすことができるので、製造コストの低廉化が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
実施の形態１.
以下、本発明にかかるコンタクトプローブの製造方法の実施の形態１について図面に基づいて説明する。
【００２９】
〔プローブ装置〕
図１は、本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。このプローブ装置１００は、プローブカード１１０と、検査対象物１０２が載置される可動ステージ１０３と、可動ステージ１０３を昇降させる駆動装置１０４と、可動ステージ１０３及び駆動装置１０４が収容される筐体１０５とにより構成される。
【００３０】
検査対象物１０２は、半導体ウエハなどの半導体装置からなり、複数の電子回路（図示せず）が形成されている。可動ステージ１０３は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置１０４の駆動により、検査対象物１０２を載置面上に載置させた状態で鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。筐体１０５は、上部中央部に開口部が形成されており、この開口部を封鎖するように、プローブカード１１０が取り付けられる。また、可動ステージ１０３は、この開口部の下方に配置される。
【００３１】
〔プローブカード〕
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物１０２側(図１の下方側)から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。
【００３２】
プローブカード１１０は、筐体１０５の開口部に取り付けられるメイン基板１０６と、メイン基板１０６に保持される矩形状のプローブ基板１０７と、プローブ基板１０７上に固着された複数のコンタクトプローブ１とを備えている。
【００３３】
メイン基板１０６は、円板状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子１６１を有している。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板１０６として用いられる。このメイン基板１０６は、その周辺部が筐体１０５の開口部の周縁で保持されて水平に支持される。
【００３４】
プローブ基板１０７は、メイン基板１０６の下方に配置され、メイン基板１０６に支持される。さらに、プローブ基板１０７は、連結部材１０８に電気的に接続され、この連結部材１０８をメイン基板１０６のコネクタ１６２に接続するようになっている。このプローブ基板１０７は、メイン基板１０６よりも小さい矩形をしており、基板上に配線パターンが形成されている。配線パターンは、電源供給線、グランド線及び信号線の各配線パターンで形成されている。なお、検査対象物１０２がシリコンウエハからなる場合には、シリコンなどの単結晶基板でプローブ基板１０７を構成することが好ましい。このように、プローブ基板１０７をシリコン基板で構成することにより、プローブ基板１０７と検査対象物１０２との熱膨張の状態を近づけることができる。
【００３５】
連結部材１０８は、メイン基板１０６及びプローブ基板１０７を連結し、導電線としてメイン基板１０６とプローブ基板１０７とにそれぞれ形成されている配線間を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）が連結部材１０８として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板１０７の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ１６２を介してメイン基板１０６に連結されている。
【００３６】
本実施形態では、プローブ基板１０７には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドにコンタクトプローブ１が接合されることにより、プローブ基板１０７上に多数のコンタクトプローブ１が形成される。プローブ基板１０７は、上記したように、連結部材１０８を介してテスター装置に接続されたメイン基板１０６に導通しており、当該メイン基板１０６とともにプローブカードを構成する。検査時には、駆動装置１０４によって可動ステージ１０３を上昇させて、半導体ウエハにコンタクトプローブ１を接触させることにより、テスター装置と半導体ウエハとの間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されて、半導体ウエハの電気的特性の検査が行われる。
【００３７】
〔コンタクトプローブ〕
コンタクトプローブ１は、図１及び図２に示すように、検査対象物１０２上に形成された微細な電極パッド１２１に対し、弾性的に当接させるプローブ（探針）である。各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ１は、各コンタクトプローブ１が固着されたプローブ基板１０７の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ１０３に配置された検査対象物１０２と対向させている。
【００３８】
図３は、コンタクトプローブ１の側面図である。コンタクトプローブ１は、検査対象物１０２上の電極パッド１２１に当接させるコンタクト部２と、一端がプローブ基板１０７に固定され、他端にコンタクト部２が突設されるビーム部３とにより構成される。
【００３９】
ビーム部３は、その一端部がプローブ基板１０７に固着される片持ち梁（カンチレバー）からなる。即ち、このビーム部３は、プローブ基板１０７に固着される基板固定部３１と、この基板固定部３１からプローブ基板１０７に対して湾曲しながら立ち上がってプローブ基板１０７に平行して延びる弾性変形部３２とから構成される。さらに、基板固定部３１は、プローブ基板１０７との対向面側の一部が後記するプローブ下地膜５で形成されている。
【００４０】
このビーム部３は、基板固定部３１を固定端とし、この固定端に対する弾性変形部３２の他端側を自由端として、この弾性変形部３２の自由端に検査対象物１０２側から荷重がかかることにより、この弾性変形部３２を弾性変形させる。本実施形態では、可動ステージ１０３をプローブカード１１０に向けて上昇させて、ビーム部３の自由端部を検査対象物１０２で押圧することにより、ビーム部３の弾性変形部３２を弾性変形させることができる。
【００４１】
コンタクト部２は、ビーム部３の自由端部における検査対象物１０２に対向する面上に突出させて形成されたコンタクトチップにより構成されている。このコンタクトチップは端面が五角形の柱状体からなる。このコンタクト部２の検査対象物１０２と対向する面をこの検査対象物１０２の電極パッド１２１と当接する当接面としている。
【００４２】
本実施形態のプローブカード１１０では、複数のコンタクトプローブ１がプローブ基板１０７上にビーム幅方向に所定のピッチで配置されると共に、このようなピッチで配置されるコンタクトプローブ１の列が、ビーム先端が対向するように２列形成されている。本実施形態では、矩形のプローブ基板１０７の何れか１辺に平行な方向を配列方向として、コンタクトプローブ１の列が形成されている。なお、各コンタクトプローブ１の間隔は、検査対象物１０２上に形成されている電極パッド１２１間のピッチに応じて定められる。
【００４３】
そして、各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７、連結部材１０８、メイン基板１０６に形成される各配線を介してメイン基板１０６の外部端子１６１と導通しており、コンタクトプローブ１のコンタクト部２を検査対象物１０２の微小な電極パッド１２１に当接させることによって、この検査対象物１０２をテスター装置と導通させることができる。
【００４４】
〔コンタクトプローブの構成材料〕
次に、コンタクトプローブ１の各構成部分の材料について説明する。コンタクトプローブ１は、抵抗値が低いほど望ましいことから、コンタクトプローブの各構成部分は、導電率の高い材料で構成されている必要がある。このような高導電性材料には、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金銅合金（Ａｕ−Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウムニッケル合金（Ｐｄ−Ｎｉ）、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）などがある。
【００４５】
また、コンタクトプローブ１のコンタクト部２は、検査対象物１０２の電極パッド１２１に繰り返し当接させるため高い耐磨耗性が要求され、しかも当接させるたびに、電極パッド１２１の表面を引掻いて表面のゴミや酸化膜等を除去することが求められる。そこで、コンタクト部を形成するために用いられる導電性材料としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウムコバルト合金（Ｐｄ−Ｃｏ）などの高耐磨耗性の導電性材料が挙げられる。なお、本実施形態では、コンタクト部２はロジウム（Ｒｈ）で形成している。
【００４６】
〔コンタクトプローブの製造プロセス〕
図４から図６は、図３に示したコンタクトプローブ１の製造プロセスの一例を示した図である。コンタクトプローブ１は、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて作製される。ＭＥＭＳ技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
【００４７】
このような犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液中に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。このような処理は電気めっき処理と呼ばれている。このような電気めっき処理は、基板を電解液に浸すウエットプロセスであるため、めっき処理後は乾燥処理が行われる。また、乾燥後には、研磨処理などによって積層面を平坦化させる平坦化処理が必要に応じて行われる。
【００４８】
図４（ａ）〜（ｃ）は、絶縁性基板であるプローブ基板１０７上に絶縁膜４を形成した後、プローブ下地膜５を形成する工程を示している。図４（ｄ）〜（ｆ）は、プローブ基板１０７上に電極膜６を形成する工程を示している。
【００４９】
まず、図４（ａ）に示すように、プローブ基板１０７上に、二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜４を形成する。さらに、この絶縁膜４の上に銅（Ｃｕ）以外の導電性材料で、かつ、銅のめっき液及び銅をエッチングする液に溶けない導電性材料でプローブ下地膜５を形成する。絶縁膜４及びプローブ下地膜５は、スパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５０】
このプローブ下地膜５を形成する導電性材料としては、例えば、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などが好ましい。特に、コンタクトプローブ１のビーム部３を構成する材料と同じ材料を用いることにより、電気めっきにより形成されたプローブの金属層と一体となり、このプローブ下地膜５をコンタクトプローブ１の一部とすることができる。また、プローブ下地膜５を形成する導電性材料は、ビーム部３を構成する材料よりも抵抗が小さい材料を用いるようにしてもよく、このような場合にも、プローブ下地膜５をコンタクトプローブ１の一部とすることができる。
【００５１】
そして、図４（ｂ）に示すように、さらにプローブ下地膜５上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。この第１レジスト層７１を形成する工程が上記第１レジスト形成工程となる。
【００５２】
このようにして第１レジスト層７１が除去された部分に対して、図４（ｃ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第１レジスト層７１が残っている部分を除いたプローブ下地膜５を除去する。そして、第１レジスト層７１を除去することにより、プローブ基板１０７上に、部分的にプローブ下地膜５が形成された状態になる。このプローブ下地膜５は、図７のプローブ基板１０７の平面図に示すように、長尺な方形状に形成されている。なお、図示していないが、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に固定する場合には、このプローブ基板１０７上に形成される複数の電極を覆うように形成することが好ましい。
【００５３】
次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁膜４及びプローブ下地膜５上に銅（Ｃｕ）で電極膜６を形成する。この電極膜６もスパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５４】
そして、図４（ｅ）に示すように、電極膜６上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第２レジスト層７２を形成する。その後、この第２レジスト層７２の表面を選択的に露光することにより、第２レジスト層７２を部分的に除去する。この第２レジスト層７２を形成する工程が上記第２レジスト形成工程となる。
【００５５】
このようにして第２レジスト層７２が除去された部分に対して、図４（ｆ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第２レジスト層７２が残っている部分を除いた電極膜６を除去する。そして、第２レジスト層７２を除去することにより、プローブ基板１０７上には、図７のプローブ基板１０７の平面図に示すように、電極膜６で構成される電極領域６１と、プローブ下地膜５で構成されるプローブ下地領域５１と、露出する絶縁膜４で構成される絶縁性領域４１とが形成される。本実施形態では、プローブ下地領域５１の周りに絶縁性領域４１を挟んで電極領域６１が形成され、この電極領域６１は絶縁性領域４１によりプローブ下地領域５１と絶縁された状態になっている。
【００５６】
図５（ａ）は、互いに隣接する電極領域６１及び絶縁性領域４１を露出させる第１開口部７３ａを有する第３レジスト層７３を形成する第３レジスト形成工程を示している。まず、プローブ基板１０７の全面に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第３レジスト層７３を形成する。その後、この第３レジスト層７３の表面を選択的に露光することにより、第３レジスト層７３を部分的に除去する。残った第３レジスト層７３は、図８のプローブ基板１０７の斜視図に示すように、プローブ下地膜５の全てと、絶縁膜４及び電極膜６の一部を覆った状態になる。
【００５７】
第３レジスト層７３を部分的に除去することにより、第１開口部７３ａが形成される。この第１開口部７３ａ内には、電極膜６と絶縁膜４とが隣接した状態で露出される。電極領域６１と絶縁性領域４１との境界線は、第１開口部７３ａ内に直線上に現れる。
【００５８】
図５（ｂ）〜（ｃ）は、電極膜６上に導電性材料を電気めっきすることにより、絶縁性領域４１から立ち上がり、電極領域６１に向かって曲がる曲面を有する犠牲層８を形成する犠牲層形成工程を示している。
【００５９】
上記した図５（ａ）及び図８の状態から、電極膜６に電圧を印加することにより、図５（ｂ）に示すように、電極膜６の上面に銅（Ｃｕ）を電気めっきしていく。このとき、電極膜６の上面だけでなくエッチング面である端面にも銅がめっきされて堆積されていき、銅めっきが電極膜６の上面からオーバーフローし、電極膜６の上面及び端面を覆うだけでなく、絶縁膜４の一部の上にも形成された状態になる。このようにして銅を電気めっきすることにより図５（ｂ）に示すような曲面を有する犠牲層８が形成される。
【００６０】
具体的には、この犠牲層８は、図５（ｂ）及び図９のプローブ基板１０７の斜視図に示すように、絶縁膜４から立ち上がって、電極膜６に向かって曲がる曲面を有するように形成される。犠牲層８は、プローブ下地膜５に接触しないように、プローブ下地膜５との間に僅かに絶縁膜４が露出するように形成される。犠牲層８が形成された後、図５（ｃ）に示すように、第３レジスト層７３を除去する。このように犠牲層８を形成することにより、犠牲層８は、その層の高さがプローブ下地膜５の膜厚よりも高く形成される。
【００６１】
本実施の形態では、犠牲層８は、図９に示すように、平面視が矩形状になるように形成し、その一辺に曲面を形成し、他の三辺に垂直な側面を形成したが、対向する二辺に曲面を形成し、他の二辺に垂直な側面を形成して、断面形状が半楕円状になるように犠牲層８を形成するようにしてもよい。この場合、第１開口部７３ａ内において電極膜６が絶縁性領域４１で挟まれるように電極膜６を形成し、さらに、その絶縁性領域４１の外側にプローブ下地膜５を形成する。このように犠牲層８に曲面を２箇所形成する場合には、ビーム部３のコンタクト部２が形成される自由端が、犠牲層８の中央部で対向するようにコンタクトプローブ１を形成する。
【００６２】
図５（ｄ）は、互いに隣接する犠牲層８及び絶縁性領域４１を露出させる長細い第２開口部７４ａを複数有するプローブ形成用の第４レジスト層７４を形成するプローブ用レジスト形成工程である。プローブ基板１０７上に、再びフォトレジストが塗布されることにより第４レジスト層７４が形成され、その第４レジスト層７４の表面が選択的に露光されることにより、第４レジスト層７４の一部が除去され、長細い第２開口部７４ａが複数形成される。
【００６３】
残った第４レジスト層７４により、図１０のプローブ基板１０７の斜視図にも示すように、プローブ下地膜５、絶縁膜４及び電極膜６の一部が覆われると共に、コンタクトプローブ１のビーム部３の形状に合わせた細長い第２開口部７４ａが所定の間隔をおいて複数形成される。これら第２開口部７４ａ内には、犠牲層８とプローブ下地膜５とが絶縁性領域４１を挟んだ状態で露出される。
【００６４】
本実施の形態では、図５（ｄ）に示すように、犠牲層８が第２開口部７４ａの長手方向の一方側で露出し、プローブ下地膜５が長手方向他方側で露出し、犠牲層８とプローブ下地膜５との間に僅かに絶縁膜４が露出して、上記犠牲層８の曲面が絶縁膜４から立ち上がって第２開口部７４ａの長手方向他方側から長手方向一方側に向かって曲がるように第２開口部７４ａを形成している。さらに、本実施の形態では、図９及び図１０に示すように、１つの犠牲層８及びプローブ下地膜５上に複数の第２開口部７４ａが形成されている。
【００６５】
図５（ｅ）及び図６（ａ）〜（ｄ）は、コンタクトプローブ１を形成するプローブ形成工程を示している。図５（ｅ）及び図１０に示すように、犠牲層８に電圧を印加することにより、各第２開口部７４ａ内においてニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を犠牲層８上に電気めっきしていく。この電気めっきにより、犠牲層８上にニッケルコバルト合金が堆積されてプローブ金属層９１が形成されていく。
【００６６】
そして、このプローブ金属層９１が、プローブ下地膜５に接触するまで成長すると、プローブ金属層９１とプローブ下地膜５とが導通し、このプローブ下地膜５上にもニッケルコバルト合金が堆積されてプローブ金属層９１が犠牲層８からプローブ下地膜５に亘って連続して形成される。このプローブ金属層９１の形成により、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２に相当するプローブ金属層９１が形成される。
【００６７】
本実施の形態では、第４レジスト層７４に形成した第２開口部７４ａ内に、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２とを同時に形成することができるので、基板固定部３１を形成するためのレジスト層と弾性変形部３２を形成するためのレジスト層を形成する必要がなくなる。その結果、レジスト層を形成する工程とレジストを除去する工程を減らすことができるとともに、レジストを露光するためのマスクも減らすことができるので、製造コストを低廉にできる。
【００６８】
プローブ金属層９１が形成された後は、図６（ａ）及び図１１のプローブ基板１０７の斜視図に示すように、第４レジスト層７４を除去する。複数のプローブ金属層９１は、図１１に示すように、１つの犠牲層８上に配置され、かつ、１つのプローブ下地膜５で導通された状態になっている。
【００６９】
次に、図６（ｂ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることにより第５レジスト層７５が形成され、その第５レジスト層７５の表面が選択的に露光されることにより、第５レジスト層７５の一部が除去される。図６（ｂ）では、コンタクト部２に相当する領域についてレジストの除去行い、第３開口部７５ａが形成される。
【００７０】
次に、図６（ｃ）に示すように、第３開口部７５ａ内に、ロジウム（Ｒｈ）を電気めっきすることにより、コンタクトチップ層９２が形成される。このコンタクトチップ層９２の上面は、平滑な面にする必要があるので、図６（ｄ）に示すように、第５レジスト層７５とともに、コンタクトチップ層９２を研磨して、コンタクトチップ層９２の上面を平坦にする。このコンタクトチップ層９２がコンタクト部２を構成する。
【００７１】
そして、プローブ基板１０７の第５レジスト層７５を除去すると、図１２のプローブ基板１０７の斜視図に示すように、プローブ基板１０７上にコンタクトプローブ１、プローブ下地膜５、電極膜６及び犠牲層８が残った状態になる。次に、図６（ｅ）及び図１３のプローブ基板１０７の斜視図に示すように、犠牲層８と電極膜６とを除去した後、さらに、プローブ基板１０７上で露出しているプローブ下地膜５をドライエッチングにより除去して、コンタクトプローブ１毎に、コンタクトプローブ１の下に形成されたプローブ下地膜５を分離する。このようにプローブ下地膜５を分離する工程が、プローブ下地膜分離工程となる。図１３に示すように、プローブ金属層９１で覆われているプローブ下地膜５は残された状態になっている。このようにプローブ下地膜５が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。
【００７２】
本実施の形態では、電極膜６を絶縁性領域４１と隣接するように形成し、この電極膜６に電気めっきすることにより、電極膜６の上面から絶縁性領域４１に銅めっきがオーバーフローした状態になって、犠牲層８に上記した曲面を簡単に形成することができる。しかも、犠牲層８の高さや曲面の大きさも自由に設定することができる。さらに、犠牲層８は全て同じ導電性材料で形成されるので、製造工程中の温度上昇により犠牲層８が破損することはなくなる。
【００７３】
そして、犠牲層８に電気めっきすることにより、湾曲部を有するコンタクトプローブ１を簡単に形成することができ、しかも、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２とを一度の電気めっきで形成することができる。このように、片持ち梁構造のコンタクトプローブ１を基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、製造工程数を少なく、簡単な方法で所望の形状、大きさのコンタクトプローブ１を形成することができる。
【００７４】
以上の構成を有するプローブ装置１００を用いて、検査対象物１０２の電気的特性試験を行う際には、まず、筐体１０５内の可動ステージ１０３上に検査対象物１０２を取り付け、各コンタクトプローブ１がプローブ基板１０７の下面に配置された状態で、プローブカード１１０を筐体１０５に取り付ける。
【００７５】
そして、各コンタクトプローブ１がそれぞれ検査対象物１０２上の電極パッド１２１と対向するように、検査対象物１０２に対するプローブカード１１０のプローブ基板１０７の位置合わせを行う。検査対象物１０２及びプローブカード１１０が適切に位置合わせされた状態で可動ステージ１０３を上昇させることにより、プローブ基板１０７に検査対象物１０２が接近し、コンタクトプローブ１のコンタクト部２の当接面に当該検査対象物１０２上の電極パッド１２１が当接する(このとき面接触状態となる。)。
【００７６】
そして、さらに可動ステージ１０３を上昇させることにより、コンタクト部２に荷重がかかり、ビーム部３の弾性変形部３２が弾性変形する。このとき、ビーム部３には屈曲部が形成されず湾曲した形状となっているので、ビーム部３の変形箇所の一部に応力が集中することがなくなる。
【００７７】
実施の形態２．
上記した実施の形態１では、単に、プローブ基板１０７上に直接コンタクトプローブ１を固着した状態で形成する場合について説明した。本実施の形態２では、図１４〜図１６に示すように、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７上に形成することにより、プローブ基板１０７に形成する配線１７２にプローブ下地膜５を介してコンタクトプローブ１を接続させた状態にできるコンタクトプローブの製造方法について説明する。
【００７８】
本実施の形態のコンタクトプローブ１は、上記した実施の形態１と同じ材料で形成されとともに、プローブ下地膜５、電極膜６及び犠牲層８も上記した実施の形態１と同じ材料を用いる。しかも、本実施の形態のコンタクトプローブ１は、上記した実施の形態１と同じ製造工程で製造する。上記した実施の形態１と異なる点は、プローブ基板１０７の構成と、プローブ下地膜５の形状と、コンタクトプローブ１の基板固定部３１の形状とが異なるだけである。同じ構成部分については同じ符号を付し、同じ符合及び同じ製造工程については説明を省略する。
【００７９】
プローブ基板１０７は、基板本体１７１と、この基板本体１７１の主面上に形成される配線１７２と、基板本体１７１の主面を配線１７２と共に覆う樹脂絶縁層１７３で構成される。配線１７２は、本実施の形態２では、金（Ａｕ）を用いた配線で構成されている。さらに、樹脂絶縁層１７３は、本実施の形態２では、ポリイミドにより形成されている。なお、プローブ基板１０７は、基板本体１７１と樹脂絶縁層１７３とを順次積層させたものであってもよい。この場合、プローブ基板１０７は、各樹脂絶縁層１７３に配線１７２が設けられた状態になっている。
【００８０】
このように構成されたプローブ基板１０７に対して、図１４（ａ）に示すように、樹脂絶縁層１７３上に二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜４を形成する。そして、配線１７２の一部が露出するように、樹脂絶縁層１７３と絶縁膜４とを貫通する穴１７４をドライエッチングにより形成している。このドライエッチングは、絶縁膜４上にレジスト層を形成し、穴を形成する箇所だけレジストを除去した後に行う。
【００８１】
そして、レジスト層を全て除去した後、図１４（ａ）に示すように、プローブ下地膜５を形成する。そして、図１４（ｂ）に示すように、さらにプローブ下地膜５上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。
【００８２】
このようにして第１レジスト層７１が除去された部分に対して、図１４（ｃ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第１レジスト層７１が残っている部分を除いたプローブ下地膜５を除去する。そして、第１レジスト層７１を除去することにより、プローブ基板１０７上に、部分的にプローブ下地膜５が形成された状態になる。このプローブ下地膜５は、プローブ基板１０７の穴１７４に対応した位置に形成され、穴１７４の内面及び配線１７２の露出面も覆うように形成されている。そして、プローブ下地膜５は、この穴１７４の形状に沿って凹んだ状態になっている。
【００８３】
その後の製造工程は、図１４（ｄ）〜図１６（ｄ）に示す製造工程を行う。図１４（ｄ）〜図１６（ｄ）に示す製造工程は、上記した実施の形態１の図４（ｄ）〜図６（ｄ）に対応しており、図１４（ｄ）は、上記した実施の形態１の図４（ｄ）に対応し、順次、図１４（ｅ）が図４（ｅ）に、図１４（ｆ）が図４（ｆ）にと対応する。
【００８４】
そして、図１６（ｅ）に示すように、プローブ基板１０７の第５レジスト層７５を除去し、その後、犠牲層８と電極膜６とを除去する。さらに、その後、プローブ基板１０７上で露出しているプローブ下地膜５をドライエッチングにより除去して、コンタクトプローブ１毎に、コンタクトプローブ１の下に形成されたプローブ下地膜５を分離する。プローブ金属層９１で覆われているプローブ下地膜５は残された状態になっている。
【００８５】
このようにプローブ下地膜５が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。プローブ金属層９１は、プローブ下地膜５を介してプローブ基板１０７の配線１７２と接続された状態になっている。
【００８６】
本実施の形態２では、コンタクトプローブ１を形成することにより、同時に、コンタクトプローブ１がプローブ基板１０７の配線１７２に接続された状態で、このプローブ基板１０７に固定された状態にすることができる。その結果、コンタクトプローブ１を個別にプローブ基板１０７の電極に固着していく作業を行う必要がなくなり、製造工程の短縮化が図れるし、コンタクトプローブ１のビーム部３における基板固定部３１が穴１７４の内面及び配線１７２に接触して凹んだ形状になるため、基板固定部３１をプローブ基板１０７へ強固に固定することができる。
【００８７】
実施の形態３．
上記した各実施の形態では、第３レジスト層７３の第１開口部７３ａ内で犠牲層８を形成し、第４レジスト層７４に形成した第２開口部７４ａ内でコンタクトプローブ１を形成するようにした。一方、本実施の形態３では、上記した実施の形態１における電極膜６の形成工程（図４（ｆ））の後に、図１７の製造工程図に示すレジスト形成工程と、犠牲層形成工程と、プローブ形成工程とを順次行うようにしている。
【００８８】
本実施の形態では、上記した各実施の形態の第３レジスト層７３の形成及びレジスト除去の工程を省き、パターニングされた電極膜６の上に、図１７（ａ）に示すように、第４レジスト層７４を形成した後、電極膜６とプローブ下地膜５とを絶縁膜４を挟んで露出させるようにレジスト除去を行って第２開口部７４ａを形成する。
【００８９】
そして、図１７（ｂ）に示すように、この第２開口部７４ａ内で、犠牲層８をプローブ下地膜５に接触しないように上記実施の形態１と同様の方法で形成する。なお、犠牲層８を形成するために銅の電気めっきを行うが、プローブ下地膜５は、銅のめっき液に溶けない導電性材料で形成しているので、めっき液中にさらされても変化は生じない。
【００９０】
犠牲層８を形成した後は、図１７（ｃ）に示すように、この犠牲層８とプローブ下地膜５との上にプローブ金属層９１を上記実施の形態１と同様の方法で形成する。そして、プローブ金属層９１を形成した後は、上記した実施の形態１の図６（ａ）〜（ｅ）までの工程である第４レジスト層７４の除去、第５レジスト層７５の形成、第３開口部７５ａの形成、コンタクトチップ層９２の形成、研磨、そして、犠牲層８及び電極膜６の除去の工程を行う。
【００９１】
本実施の形態では、犠牲層８とプローブ金属層９１とを同じ第２開口部７４ａ内で形成するので、レジスト層を形成する工程とレジストを除去する工程を、上記実施の形態１よりも減らすことができるとともに、レジストを露光するためのマスクも減らすことができるので、製造コストをさらに低廉にすることができる。
【００９２】
なお、上記した各実施の形態では、コンタクトプローブ１を形成しながら、プローブ基板１０７上に直接コンタクトプローブ１を固定する場合の例について説明したが、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、これらの実施の形態に限らず、別途用意した絶縁性基板上にコンタクトプローブ１を形成して、このコンタクトプローブを絶縁性基板から最終的に剥離する場合にも適用できる。コンタクトプローブを絶縁性基板から最終的に剥離する場合には、例えば、１つの犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成しておくとよい。この場合には、犠牲層と共にプローブ下地膜を有する複数のコンタクトプローブを絶縁性基板から剥離して、犠牲層と共にコンタクトプローブをプローブ基板に配置させる。そして、コンタクトプローブをプローブ基板に固定した後、犠牲層を除去することにより、コンタクトプローブをプローブ基板へ簡単に固定することができる。
【００９３】
また、上記した実施の形態では、犠牲層８を銅で形成し、プローブ下地膜５を銅のめっき液及び銅をエッチングする液に溶けない導電性材料で形成したが、このプローブ下地膜５も犠牲層８と同じ銅で形成することも可能である。この場合、電極膜６上に犠牲層８を形成する際、図５（ａ）に示すように、プローブ下地膜５は、第３レジスト層７３で覆っておくことにより、銅のめっき液にプローブ下地膜５が溶けることを阻止できる。また、プローブ下地膜５と犠牲層８とを同じ材料で形成する場合、犠牲層８を除去する際に、プローブ下地膜５も除去される可能性があるが、プローブ下地膜５は、犠牲層８を除去する前に、レジスト層で覆っておくことにより、犠牲層８を除去する際にプローブ下地膜５を残すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。
【図２】図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブの一例を示した側面図である。
【図４】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図５】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図４（ｆ）の続きを示している。
【図６】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図５（ｅ）の続きを示している。
【図７】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程中、図４（ｆ）の工程により、電極領域６１と絶縁性領域４１とが形成された状態を示した平面図である。
【図８】図５（ａ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に、第１開口部７３ａを有する第３レジスト層７３が形成された状態を示している。
【図９】図５（ｃ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７の電極膜６上に、犠牲層８が形成された状態を示している。
【図１０】図５（ｅ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に形成された第４レジスト層７４の第２開口部７４ａ内の犠牲層８上にプローブ金属層９１が形成された状態を示している。
【図１１】図６（ａ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に形成された第４レジスト層７４が除去され、犠牲層８上にプローブ金属層９１が形成された状態を示している。
【図１２】プローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に形成された第５レジスト層７５が除去され、プローブ金属層９１上にコンタクトチップ層が形成された状態を示している。
【図１３】図６（ｅ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、犠牲層８及び電極膜６が除去されてプローブ基板１０７上にコンタクトプローブ１が固定された状態を示している。
【図１４】実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図１５】実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図１４（ｆ）の続きを示している。
【図１６】実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図１５（ｅ）の続きを示している。
【図１７】実施の形態３に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【符号の説明】
【００９５】
１  コンタクトプローブ
２  コンタクト部
３  ビーム部
３１  基板固定部
３２  弾性変形部
４  絶縁膜
４１  絶縁性領域
５  プローブ下地膜
５１  プローブ下地領域
６  電極膜
６１  電極領域
７１  第１レジスト層
７２  第２レジスト層
７３  第３レジスト層
７３ａ  第１開口部
７４  第４レジスト層
７４ａ  第２開口部
７５  第５レジスト層
７５ａ  第３開口部
８  犠牲層
９１  プローブ金属層
９２  コンタクトチップ層
１００  プローブ装置
１０２  検査対象物
１２１  電極パッド
１０３  可動ステージ
１０４  駆動装置
１０５  筐体
１０６  メイン基板
１６１  外部端子
１６２  コネクタ
１０７  プローブ基板
１７１  基板本体
１７２  配線
１７３  樹脂絶縁層
１７４  穴
１０８  連結部材
１１０  プローブカード
【図１】
2010101750.tif 000003
【図２】
2010101750.tif 000004
【図３】
2010101750.tif 000005
【図４】
2010101750.tif 000006
【図５】
2010101750.tif 000007
【図６】
2010101750.tif 000008
【図７】
2010101750.tif 000009
【図８】
2010101750.tif 000010
【図９】
2010101750.tif 000011
【図１０】
2010101750.tif 000012
【図１１】
2010101750.tif 000013
【図１２】
2010101750.tif 000014
【図１３】
2010101750.tif 000015
【図１４】
2010101750.tif 000016
【図１５】
2010101750.tif 000017
【図１６】
2010101750.tif 000018
【図１７】
2010101750.tif 000019