(57)【要約】【課題】金属細線同士の接触を防ぎ、封止樹脂の注入条件の拡大及びパッケージ表面からの金属細線の露出を防止する。【解決手段】半導体装置は、アイランド２及びインナーリード１を有するリードフレーム３と、アイランド２の上の半導体チップ５Ａと、半導体チップ５Ａの上の電極６Ａ、６Ｂと、電極６Ａ、６Ｂとインナーリード１とを接続し且つ複数の屈曲点を有する配線とを備えている。第１の配線８は、第１屈曲点８ｂから第２屈曲点８ｄに向かって高くなる傾斜を持ち、第２屈曲点８ｄは、第１の配線８のうち最も高い屈曲点である。第２の配線９は、第１屈曲点９ｂから第２屈曲点９ｄに向かって低くなる傾斜を持ち、第２屈曲点９ｄは、第２の配線９のうち最も低い屈曲点である。【選択図】図１
2010186980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランド及びインナーリードを有するリードフレームと、
前記アイランドの上に固着された半導体チップと、
前記半導体チップの上に形成された複数の電極と、
前記各電極と前記インナーリードとを接続し、且つそれぞれ複数の屈曲点を有する複数の配線とを備え、
前記複数の配線のうちの第１の配線は、前記電極上の第１接続点から前記電極の上方に立ち上がるネック立ち上がり部分の上端の第１屈曲点から第２屈曲点に向かって高くなる傾斜を持ち、前記第１の配線の第２屈曲点は、前記第１の配線のうち最も高い屈曲点であり、
前記複数の配線のうちの第２の配線は、前記電極上の第１接続点から前記電極の上方に立ち上がるネック立ち上がり部分の上端の第１屈曲点から第２屈曲点に向かって低くなる傾斜を持ち、前記第２の配線の第２屈曲点は、前記第２の配線のうち最も低い屈曲点であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の配線の第２屈曲点は、前記第１の配線の第１接続点と前記インナーリードと接続される第２接続点との距離の約５０％よりも前記半導体チップに近い位置に設けられ、
前記第２の配線の第２屈曲点は、前記第２の配線の第１接続点と前記インナーリードと接続される第２接続点との距離の約５０％よりも前記半導体チップに近い位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の配線は、前記第２屈曲点と前記第２接続点との間に、第３屈曲点が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の配線は、前記第２屈曲点と前記第１接続点との間に中間屈曲点が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の配線は、前記第２屈曲点と前記第２接続点との間に、第３屈曲点が設けられており、
前記第２の配線は、前記第２屈曲点と前記第１接続点との間に中間屈曲点が設けられており、
前記第１の配線の第２屈曲点と第３屈曲点との間の傾斜角は、前記第２の配線の中間屈曲点と第２屈曲点との間の傾斜角よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１接続点の高さは、前記第２接続点の高さと同一か又は第２接続点よりも高く設定されており、
前記第１の配線の第２屈曲点から第２接続点との間の傾斜角は、前記第２の配線の第２屈曲点から第２接続点との間の傾斜角よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１接続点の高さは、前記第２接続点の高さよりも低く設定されており、
前記第１の配線は、前記第２屈曲点から前記第２接続点に向かって低くなり、前記第２の配線は、前記第２屈曲点から前記第２接続点に向かって高くなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数の配線のうち、前記第１の配線と前記第２の配線との少なくとも１組は、互いに隣接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の配線は、前記第２の配線よりも前記第１接続点からのネック立ち上がり部分の上端の高さが高いか又は同一であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップは、前記アイランドの上に複数設けられ、
前記第１の配線と前記第２の配線とは、異なる半導体チップと接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体チップと前記インナーリードとの間は、互いの屈曲形状が異なる少なくとも３種類の配線によって接続されており、
前記第１の配線の上方に位置する第３の配線は、前記半導体チップ上の第１接続点から上方に立ち上がるネック立ち上がり部分の上端の第１屈曲点から第２屈曲点に向かって高くなり、前記第３の配線の第２屈曲点は、前記第３の配線の第１接続点と第２接続点との距離の５０％部分の位置よりも前記半導体チップに近い位置に設けられ且つ最も高い屈曲点であり、且つ前記第１の配線の第２屈曲点よりも前記インナーリード側に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップは、前記アイランドの上に複数設けられ、
前記第１の配線と前記第３の配線とは、異なる半導体チップと接続されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体チップ上の電極とインナーリードとを接続する複数の金属細線を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、ＤＶＤ、デジタルテレビ及びカーナビゲーション等の電化製品の小型化、高性能化及び多機能化に伴い、半導体デバイスも多ピン化、小型化及び高密度化さらには低コスト化のパッケージ技術の開発が求められている。組立工程において、狭ピッチ化された電極とインナーリードとを金属細線で接続し、封止工程時の封止樹脂の注入により金属細線に変形が生じた場合であっても、隣接する金属細線同士の間隔を十分に確保することが可能となれば、低コストの狭ピッチ化に対応した半導体装置を実現することができる。
【０００３】
この問題に対応するために、従来、複数の半導体チップがリードフレームのアイランドに積層してマウントされ、半導体チップ上に設けられた電極とリードフレームのインナーリードとを金属細線で接続している半導体装置が、例えば特許文献１に提示されている。
【０００４】
以下、図面を参照しながら従来の半導体装置を説明する。
【０００５】
図９は複数の半導体チップ上の電極とインナーリードとが電気的に接続されている一部分の断面図であり、図１０は金属細線により、半導体チップ上の電極とインナーリードとが電気的に接続されている一部分の平面図である。
【０００６】
図９はリードフレーム１０３のアイランド１０２の上に半導体チップ１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃが順次積層され、半導体チップ１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃそれぞれの電極上の第１ボンド点１０７Ａ、１０７Ｂ、１０７Ｃとインナーリード１０１の上のそれぞれの第２ボンド点１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃとが金属細線１０８、１０９、１１０によりそれぞれ接続された構成を示している。
【０００７】
従来の金属細線の形状（屈曲形状）は、それぞれの第１屈曲点１０８ａ、１０９ａ、１１０ａから連なる部分は台形上であり、これらを台形部１０８ｂ、１０９ｂ、１１０ｂとし、且つ、上段の金属細線１１０以外は第２屈曲点１０８ｃ、１０９ｃ以降の傾斜部に第３屈曲点１０８ｅ、１０９ｅを形成し、２つの傾斜部である台形部側傾斜部１０８ｄ、１０９ｄとリード側傾斜部１０８ｆ、１０９ｆとを有する形状を持つ。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−３４５３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前記従来の半導体装置には次のような問題がある。
【００１０】
従来の金属細線では、上段の金属細線の傾斜部分とその下方の金属細線の傾斜部分との間隔は確保されているものの、封止樹脂の注入時の影響が無視されており、封止工程後の金属細線同士の間隔を保持することは困難である。また、第１屈曲部と第２屈曲部との間の台形部分の斜辺は金属細線同士の間隔は十分でなく金属細線の接触の可能性が大きい等の問題がある。
【００１１】
そこで、本発明は、前記従来の問題に鑑み、その目的は、狭ピッチ化に対応した金属細線同士の接触を防ぐと共に、封止樹脂の注入条件の拡大及び封止樹脂からなるパッケージ表面からの金属細線の露出の防止が可能となる半導体装置を得られるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するために、本発明は、半導体装置を、半導体チップ上の電極とリードフレームのインナーリードとを接続する第１の配線と第２の配線とが異なる屈曲形状を採る構成とする。
【００１３】
具体的には、本発明に係る半導体装置は、アイランド及びインナーリードを有するリードフレームと、アイランドの上に固着された半導体チップと、半導体チップの上に形成された複数の電極と、各電極と前記インナーリードとを接続し、且つそれぞれ複数の屈曲点を有する複数の配線とを備え、複数の配線のうちの第１の配線は、電極上の第１接続点から電極の上方に立ち上がるネック立ち上がり部分の上端の第１屈曲点から第２屈曲点に向かって高くなる傾斜を持ち、第１の配線の第２屈曲点は、第１の配線のうち最も高い屈曲点であり、複数の配線のうちの第２の配線は、電極上の第１接続点から電極の上方に立ち上がるネック立ち上がり部分の上端の第１屈曲点から第２屈曲点に向かって低くなる傾斜を持ち、第２の配線の第２屈曲点は、第２の配線のうち最も低い屈曲点である。
【００１４】
本発明の半導体装置によると、第１の配線は、電極上の第１接続点から電極の上方に立ち上がるネック立ち上がり部分の上端の第１屈曲点から第２屈曲点に向かって高くなる傾斜を有し、第２の配線は、電極上の第１接続点から電極の上方に立ち上がるネック立ち上がり部分の上端の第１屈曲点から第２屈曲点に向かって低くなる傾斜を有するため、配線間の間隔を拡大する配線の屈曲形状を持つ。このため、封止工程時の封止樹脂の注入により配線の変形が発生して該配線同士が接触することを防止できる。これにより、第１の配線のネック立ち上がり部分の高さを抑えることができるため、パッケージ表面からの配線の露出を防止できる。また、これにより、封止樹脂の注入条件の拡大が可能となる。
【００１５】
本発明の半導体装置において、第１の配線の第２屈曲点は、第１の配線の第１接続点とインナーリードと接続される第２接続点との距離の約５０％よりも半導体チップに近い位置に設けられ、第２の配線の第２屈曲点は、第２の配線の第１接続点とインナーリードと接続される第２接続点との距離の約５０％よりも半導体チップに近い位置に設けられていることが好ましい。
【００１６】
本発明の半導体装置において、第１の配線は、第２屈曲点と第２接続点との間に、第３屈曲点が設けられていることが好ましい。
【００１７】
本発明の半導体装置において、第２の配線は、第２屈曲点と第１接続点との間に中間屈曲点が設けられていることが好ましい。
【００１８】
本発明の半導体装置において、第１の配線は、第２屈曲点と第２接続点との間に、第３屈曲点が設けられており、第２の配線は、第２屈曲点と第１接続点との間に中間屈曲点が設けられており、第１の配線の第２屈曲点と第３屈曲点との間の傾斜角は、第２の配線の中間屈曲点と第２屈曲点との間の傾斜角よりも小さいことが好ましい。
【００１９】
本発明の半導体装置において、第１接続点の高さは、第２接続点の高さと同一か又は第２接続点よりも高く設定されており、第１の配線の第２屈曲点から第２接続点との間の傾斜角は、第２の配線の第２屈曲点から第２接続点との間の傾斜角よりも大きいことが好ましい。
【００２０】
本発明の半導体装置において、第１接続点の高さは、第２接続点の高さよりも低く設定されており、第１の配線は、第２屈曲点から第２接続点に向かって低くなり、第２の配線は、第２屈曲点から第２接続点に向かって高くなることが好ましい。
【００２１】
本発明の半導体装置において、複数の配線のうち、第１の配線と第２の配線との少なくとも１組は、互いに隣接して設けられていることが好ましい。
【００２２】
本発明の半導体装置において、第１の配線は、第２の配線よりも第１接続点からのネック立ち上がり部分の上端の高さが高いか又は同一であることが好ましい。
【００２３】
本発明の半導体装置において、半導体チップは、アイランドの上に複数設けられ、第１の配線と第２の配線とは、異なる半導体チップと接続されていることが好ましい。
【００２４】
本発明の半導体装置において、半導体チップとインナーリードとの間は、互いの屈曲形状が異なる少なくとも３種類の配線によって接続されており、第１の配線の上方に位置する第３の配線は、半導体チップ上の第１接続点から上方に立ち上がるネック立ち上がり部分の上端の第１屈曲点から第２屈曲点に向かって高くなり、第３の配線の第２屈曲点は、第３の配線の第１接続点と第２接続点との距離の５０％部分の位置よりも半導体チップに近い位置に設けられ且つ最も高い屈曲点であり、且つ第１の配線の第２屈曲点よりもインナーリード側に位置することが好ましい。
【００２５】
この場合に、半導体チップは、アイランドの上に複数設けられ、第１の配線と第３の配線とは、異なる半導体チップと接続されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る半導体装置によると、隣接する配線同士の間隔の拡大及び配線のネック立ち上がり部分の高さを抑えることが可能となるため、半導体チップの狭ピッチ化に対応でき、封止工程時の封止樹脂の影響を受けにくくなるので、封止樹脂の注入条件の拡大及びパッケージ表面からの配線の露出の防止が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置であって、チップとインナーリードとを接続する配線の特性を示すグラフである。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置であって、隣接する配線同士の接触位置をシミュレーションした結果を示し、（ａ）はチップのセンター部におけるシミュレーション結果を示す図であり、（ｂ）はチップのコーナー部におけるシミュレーション結果を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る半導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る半導体装置を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の第１の変形例に係る半導体装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図９】従来例に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１０】従来例に係る半導体装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置について、図１を参照しながら説明する。
【００２９】
図１は本発明の第１の実施形態における半導体装置の断面構成を示している。
【００３０】
図１に示すように、インナーリード１及びアイランド２を有するリードフレーム３におけるアイランド２の上には、半導体チップ５Ａがダイスボンド材４Ａを介して固着されている。半導体チップ５Ａの上面に形成された電極６Ａ、６Ｂとインナーリード１とは、互いに隣接し且つ屈曲形状が異なる第１の金属細線８と第２の金属細線９とにより接続されている。
【００３１】
第１の金属細線８は、半導体チップ５Ａの電極６Ａとの接続点である第１ボンド点７Ａから電極６Ａの上方に垂直に立ち上がるネック立ち上がり部分８ａの第１屈曲点８ｂから第２屈曲点８ｄまでの間が徐々に高くなる傾斜部８ｃを持つ。なお、傾斜部８ｃは必ずしも直線状でなくても構わない。第２屈曲点８ｄは、第１の金属細線８が接続される第１ボンド点７Ａと第２ボンド点１１Ａとの距離の５０％部分よりも半導体チップ５Ａに近い位置に設けられ且つ最も高い屈曲点である。また、第１の金属細線８は、第２屈曲点８ｄから第２ボンド点１１Ａまでの間が徐々に低くなる傾斜部８を持つ。
【００３２】
第２の金属細線９は、半導体チップ５Ａの電極６Ｂとの接続点である第１ボンド点７Ｂから電極６Ｂの上方に垂直に立ち上がるネック立ち上がり部分９ａの第１屈曲点９ｂから第２屈曲点９ｄまでの間が徐々に低くなる傾斜部９ｃを持つ。なお、傾斜部９ｃは必ずしも直線状でなくても構わない。第２屈曲点９ｄは、第２の金属細線９が接続される第１ボンド点７Ｂと第２ボンド点１１Ｂとの距離の５０％部分よりも半導体チップ５Ａに近い位置に設けられ且つ最も低い屈曲点である。
【００３３】
ここで、第１の金属配線８の第２屈曲点８ｄ及び第２の金属配線９の第２屈曲点９ｄが設けられる位置において、上記の５０％の数値根拠について、図２及び図３を参照しながら説明する。図２に示すワイヤ特性を有する配線を用いて、チップとインナーリードとを接続する互いに隣接する２本の配線が、どの位置において互いに接触するかシミュレーションした結果を図３（ａ）及び（ｂ）に示している。図３（ａ）に示すように、チップのセンター部において、隣接する配線のうち一方をスイープさせた場合、配線長に対して、チップ上のボンド点から４９．８％の位置において、配線同士の接触が起こる。また、図３（ｂ）に示すように、チップのコーナー部において、互いに隣接する配線のうちの一方をスイープさせると、配線長に対して、チップ上のボンド点から１２．６％の位置において、配線同士の接触が起こる。このシミュレーションの結果から、隣接する配線同士が封止樹脂等に起因して変形することにより、配線長に対して、チップ上のボンド点から１２．６％から４９．８％の間の位置において、互いに隣接する配線同士が接触することが分かる。このため、第２屈曲点８ｄ及び９ｄのそれぞれを、第１ボンド点７Ａ及び７Ｂと第２ボンド点１１Ａ及び１１Ｂとの距離の約１３％から５０％の間の半導体チップ５Ａに近い位置に設けることが好ましい。
【００３４】
第２の金属細線９は、第２屈曲点９ｄから第２ボンド点１１Ｂまでの間が徐々に低くなる傾斜部８ｅを持つ。
【００３５】
なお、第１ボンド点７Ａ、７Ｂは第２ボンド点１１Ａ、１１Ｂよりも高く、且つ、第１の金属細線８の第２屈曲点８ｄから第２ボンド点１１Ａまでの傾斜部８ｅにおける傾斜角は、第２の金属細線９の第２屈曲点９ｄから第２ボンド点１１Ｂまでの傾斜部９ｅにおける傾斜角よりも大きい。
【００３６】
また、第１の金属細線８のネック立ち上がり部分８ａの高さは、第２の金属細線９のネック立ち上がり部分９ａの高さよりも高い。
【００３７】
以上のような半導体装置の構造により、隣接する第１の金属細線８と第２の金属細線９との間隔を十分に確保することが可能となるため、封止工程後の第１の金属細線８と第２の金属細線９との接触を容易に回避できる。さらに、第１の金属細線８のネック立ち上がり部分８ａの高さを低くすることが可能となるので、第１の金属細線８の高さが全体的に低くなる。従って、第１の金属細線８の高さのばらつきを小さくでき、また、封止樹脂（図示せず）からなるパッケージ表面までの間隔が大きくなることにより、パッケージ表面から金属細線が露出するおそれが小さくなるため、高品質で且つ自由度がある半導体装置を得られる。
【００３８】
（第１の実施形態の第１の変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る半導体装置について、図４を参照しながら説明をする。
【００３９】
図４は本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る半導体装置の断面構成を示している。
【００４０】
図４において、図１と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００４１】
第１の実施形態との相違点は、次の通りである。
【００４２】
図４に示すように、第１の金属細線８は、第２屈曲点８ｄと第２ボンド点１１Ａとの間に、第３屈曲点８ｇを有し、第３屈曲点８ｇは、第２屈曲点８ｄよりも低い位置にある。なお、第２屈曲点８ｄから第３屈曲点８ｇまでの傾斜部８ｆは、必ずしも直線状でなくても構わない。さらに、第３屈曲点８ｇの他に複数の屈曲点を有しても構わない。さらに第３屈曲点８ｇから第２ボンド点１１Ａは傾斜がついた形状となっている。
【００４３】
第２の金属細線９は、第１屈曲点９ｂと第２屈曲点９ｄとの間に、中間屈曲点９ｇを有し、中間屈曲点９ｇは、第２屈曲点９ｄよりも高い位置、また第１屈曲点９ｂよりも低い位置にあり、中間屈曲点９ｇから第２屈曲点９ｄまでの傾斜部９ｆは、必ずしも直線状でなくても構わない。さらに第２屈曲点９ｄから第２ボンド点１１Ｂは傾斜がついた形状であり、中間屈曲点９ｇの他に複数の屈曲点を有しても構わない。
【００４４】
なお、第１ボンド点７Ａ、７Ｂは第２ボンド点１１Ａ、１１Ｂよりも高く、且つ、第１の金属細線８の第３屈曲点８ｇから第２ボンド点１１Ａまでの傾斜部８ｈにおける傾斜角は、第２の金属細線９の第２屈曲点９ｄから第２ボンド点１１Ｂまでの傾斜部９ｈにおける傾斜角よりも大きく、第１の金属細線８の第２屈曲点８ｄから第３屈曲点８ｇまでの傾斜部８ｆにおける傾斜角は、第２の金属細線９の中間屈曲点９ｇから第２屈曲点９ｄまでの傾斜部９ｆにおける傾斜角よりも小さい。
【００４５】
また、第１の金属配線８のネック立ち上がり部分８ａの高さは、第２の金属細線９のネック立ち上がり部分９ａの高さよりも高い。
【００４６】
以上のような半導体装置の構造により、隣接する第１の金属細線８と第２の金属細線９との間隔を十分に確保することが可能となるため、封止工程後の第１の金属細線８と第２の金属細線９との接触を容易に回避できる。さらに、第１の金属細線８のネック立ち上がり部分８ａの高さを低くすることが可能となるので、第１の金属細線８の高さが全体的に低くなる。従って、第１の金属細線８の高さのばらつきを小さくでき、また、封止樹脂（図示せず）からなるパッケージ表面までの間隔が大きくなることにより、パッケージ表面から金属細線が露出するおそれが小さくなるため、高品質で且つ自由度がある半導体装置を得られる。
【００４７】
（第１の実施形態の第２の変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る半導体装置について、図５を参照しながら説明をする。
【００４８】
図５は本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る半導体装置の断面構成を示している。
【００４９】
図５において、図１と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００５０】
第１の実施形態との相違点は、次の通りである。
【００５１】
図５に示すように、インナーリード１及びアイランド２を有するリードフレーム３におけるアイランド２の上には、半導体チップ５Ａがダイスボンド材４Ａを介して固着されている。半導体チップ５Ａの上面に形成された電極６Ｂとインナーリード１とは第２の金属細線９により接続されている。半導体チップ５Ａの上面には、半導体チップ５Ｂがダイスボンド材４Ｂを介して固着されており、半導体チップ５Ｂの上面に形成された電極６Ａとインナーリード１とは第１の金属細線８により接続されている。
【００５２】
また、第１の金属配線８のネック立ち上がり部分８ａの高さは、第２の金属細線９のネック立ち上がり部分９ａの高さよりも高い。
【００５３】
以上のような半導体装置の構造により、隣接する第１の金属細線８と第２の金属細線９との間隔を十分に確保することが可能となるため、封止工程後の第１の金属細線８と第２の金属細線９の接触を容易に回避できる。さらに、第１の金属細線８のネック立ち上がり部８ａの高さを低くすることが可能となるので、第１の金属細線８の高さが全体的に低くなる。従って、第１の金属細線８の高さばらつきを小さくでき、また、封止樹脂（図示せず）からなるパッケージ表面までの間隔が大きくなることにより、パッケージ表面から金属細線が露出するおそれが小さくなるため、高品質で且つ自由度がある半導体装置を得られる。
【００５４】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置について、図６を参照しながら説明をする。
【００５５】
図６は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の断面構成を示している。
【００５６】
図６において、図１と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００５７】
第１の実施形態との相違点は、次の通りである。
【００５８】
図６に示すように、インナーリード１及びアイランド２を有するリードフレーム３におけるアイランド２の上には、半導体チップ５Ａがダイスボンド材４Ａを介して固着されている。半導体チップ５Ａの上面に形成された電極６Ａ、６Ｂ及び６Ｃとインナーリード１とは、互いに隣接し且つ屈曲形状が異なる第１の金属細線８と第２の金属細線９と第３の金属細線１０とにより接続されている。
【００５９】
第３の金属細線１０は、第１の金属細線８の上方に位置し、第２屈曲点１０ｄは、第３の金属細線１０が接続される第１ボンド点７Ｃと第２ボンド点１１Ｃとの距離の５０％部分よりも半導体チップ５Ａに近い位置に設けられ且つ最も高い屈曲点である。
【００６０】
なお、第１ボンド点７Ａ、７Ｂ、７Ｃは第２ボンド点１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃよりも高く、且つ、第１の金属細線８の第２屈曲点８ｄから第２ボンド点１１Ａまでの傾斜部８ｅにおける傾斜角は、第２の金属細線９の第２屈曲点９ｄから第２ボンド点１１Ｂまでの傾斜部９ｅにおける傾斜角よりも大きい。第３の金属細線１０の第１屈曲点１０ｂから第２屈曲点１０ｄまでの傾斜部１０ｃにおける傾斜角は、第１の金属細線８の第１屈曲点８ｂから第２屈曲点８ｄまでの傾斜部８ｃにおける傾斜角よりも大きい。
【００６１】
また、第１の金属配線８のネック立ち上がり部分８ａの高さは、第２の金属細線９のネック立ち上がり部分９ａの高さよりも高い。
【００６２】
以上のような半導体装置の構造により、隣接する第１金属細線８、第２の金属細線９及び第３の金属細線１０の互いの間隔を十分に確保することが可能となるため、封止工程後の第１の金属細線８と第２の金属細線９と第３の金属細線１０の接触を容易に回避できる。
【００６３】
さらに、第１の金属細線８と第３の金属細線１０ネック立ち上がり部分８ａ、１０ａの高さを低くすることが可能となるので、第１の金属細線８及び第３の金属細線１０の高さが全体的に低くなる。従って、第１の金属細線８及び第３の金属細線１０の高さばらつきを小さくでき、また、封止樹脂（図示せず）からなるパッケージ表面までの間隔が大きくなることにより、パッケージ表面から金属細線が露出するおそれが小さくなるため、高品質で且つ自由度がある半導体装置を得られる。
【００６４】
（第２の実施形態の第１の変形例）
以下、本発明の第２の実施形態の第１の変形例に係る半導体装置について、図７を参照しながら説明をする。
【００６５】
図７は本発明の第２の実施形態の第１の変形例に係る半導体装置の断面構成を示している。
【００６６】
図７において、図６と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００６７】
第２の実施形態との相違点は、次の通りである。
【００６８】
図７に示すように、インナーリード１及びアイランド２を有するリードフレーム３におけるアイランド２の上には、半導体チップ５Ａがダイスボンド材４Ａを介して固着されている。半導体チップ５Ａの上面に形成された電極６Ａ、６Ｂとインナーリード１とは、屈曲形状が異なり、互いに隣接する第１の金属細線８と第２の金属細線９とにより接続されている。さらに、半導体チップ５Ａの上には、半導体チップ５Ｂがダイスボンド材４Ｂを介し固着されており、半導体チップ５Ｂの上面に形成された電極６Ｃとインナーリード１とは第３の金属細線１０により接続されている。
【００６９】
以上のような半導体装置の構造により、隣接する第１の金属細線８と第２の金属細線９と第３の金属細線１０との間隔を十分に確保することが可能となるため、封止工程後の第１の金属細線８と第２の金属細線９と第３の金属細線１０の接触を容易に回避できる。さらに、第１の金属細線８と第３の金属細線１０のネック立ち上がり部分８ａ、８ｃの高さを低くすることが可能となるので、第１の金属細線８及び第３の金属細線１０の高さが全体的に低くなる。従って、第１の金属細線８及び第３の金属細線１０の高さばらつきを小さくでき、また、封止樹脂（図示せず）からなるパッケージ表面までの間隔が大きくなることにより、パッケージ表面から金属細線が露出するおそれが小さくなるため、高品質で且つ自由度がある半導体装置を得られる。
【００７０】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置について、図８を参照しながら説明をする。
【００７１】
図８は本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の断面構成を示している。
【００７２】
図８において、図１と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００７３】
第１の実施形態との相違点は、次の通りである。
【００７４】
図８に示すように、半導体チップ５Ａ上の第１ボンド点７Ａ、７Ｂは、インナーリード１の第２ボンド点１１Ａ、１１Ｂよりも低くなっている。これにより、第１の金属細線８の第２屈曲点８ｄから第２ボンド点１１Ａまでの傾斜部は８ｅは、低くなる傾斜を持ち、第２の金属細線９の第２屈曲点９ｄから第２ボンド点１１Ｂまでの傾斜部９ｅは、高くなる傾斜を持つ。
【００７５】
また、第１の金属配線８のネック立ち上がり部分８ａの高さは、第２の金属細線９のネック立ち上がり部分９ａの高さよりも高くなっている。
【００７６】
以上のような半導体装置の構造により、隣接する第１の金属細線８と第２の金属細線９との間隔を十分に確保することが可能となるため、封止工程後の第１の金属細線８と第２の金属細線９の接触を容易に回避できる。さらに、第１の金属細線８のネック立ち上がり部分８ａの高さを低くすることが可能となるので、第１の金属細線８の高さが全体的に低くなる。従って、第１の金属細線８の高さばらつきを小さくでき、また、封止樹脂（図示せず）からなるパッケージ表面までの間隔が大きくなることにより、パッケージ表面から金属細線が露出するおそれが小さくなるため、高品質で且つ自由度がある半導体装置を得られる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明に係る半導体装置は、隣接する配線同士の間隔の拡大及び配線のネック立ち上がり部分の高さを抑えることが可能となるため、半導体チップの狭ピッチ化に対応でき、封止工程時の封止樹脂の影響を受けにくくなるので、封止樹脂の注入条件の拡大及びパッケージ表面からの配線の露出の防止が可能となり、特に、半導体チップ上の電極とインナーリードとを接続する複数の金属細線を有する半導体装置等に有用である。
【符号の説明】
【００７８】
１  インナーリード
２  アイランド
３  リードフレーム
４Ａ  ダイボンド材
４Ｂ  ダイボンド材
５Ａ  半導体チップ
５Ｂ  半導体チップ
６Ａ  電極
６Ｂ  電極
６Ｃ  電極
７Ａ  第１ボンド点（接続点）
７Ｂ  第１ボンド点（接続点）
７Ｃ  第１ボンド点（接続点）
８  第１の金属細線（配線）
８ａ  ネック立ち上がり部分
８ｂ  第１屈曲点
８ｃ  傾斜部
８ｄ  第２屈曲点
８ｅ  傾斜部
８ｆ  傾斜部
８ｇ  第３屈曲点
８ｈ  傾斜部
９  第２の金属細線（配線）
９ａ  ネック立ち上がり部分
９ｂ  第１屈曲点
９ｃ  傾斜部
９ｄ  第２屈曲点
９ｅ  傾斜部
９ｆ  傾斜部
９ｇ  中間屈曲点
９ｈ  傾斜部
１０  第３の金属細線（配線）
１０ａ  ネック立ち上がり部分
１０ｂ  第１屈曲点
１０ｃ  傾斜部
１０ｄ  第２屈曲点
１０ｅ  傾斜部
１１Ａ  第２ボンド点（接続点）
１１Ｂ  第２ボンド点（接続点）
１１Ｃ  第２ボンド点（接続点）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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