(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップとこれを封止する樹脂との密着性を改善する方法を提供する。【解決手段】一態様に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、主面に第１電極を有する基板１と、第１主面に第２電極を有する半導体チップ４とを、前記主面と前記第１主面とが対向するように配置し、前記第１電極と前記第２電極とを接続する工程と、前記基板に前記半導体チップ４が接続された状態で、前記第１主面に対向する第２主面を研削して前記半導体チップ４を薄化する工程と、前記半導体チップ４を薄化した後に、前記半導体チップの側面、前記第２主面上を樹脂により封止する工程とを有する。【選択図】図２
2010073803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に第１電極を有する基板と、第１主面に第２電極を有する半導体チップとを、前記主面と前記第１主面とが対向するように配置し、前記第１電極と前記第２電極とを接続する工程と、
前記基板に前記半導体チップが接続された状態で、前記第１主面に対向する第２主面を研削して前記半導体チップを薄化する工程と、
前記半導体チップを薄化した後に、前記半導体チップの側面、前記第２主面上を樹脂により封止する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板上に複数の前記半導体チップを接続し、当該複数の半導体チップを樹脂により封止した後に、個々の半導体チップ毎に切断する工程をさらに有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップの第１主面と前記基板の主面との間に、アンダーフィルを形成する工程をさらに有する請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板の第１の面に所定の厚さを有する半導体チップを実装する工程と、
前記半導体チップを前記所定の厚さよりも薄く研削する工程と、
前記研削後に前記半導体チップの有する面のうち前記基板と接触する面以外と、前記基板の前記第１の面のうち前記半導体チップが覆っていない領域とを覆うように樹脂封止する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄型化に有利な樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの多ピン化や優れた電気特性を実現するＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージにおいて、パッケージ厚は中の半導体チップの研削厚で決まっている。組立作業時にある程度の厚さがないと、組立時のダイシング工程で割れなど不具合が発生してしまう為、パッケージ厚は所定の厚さを有している。しかしながら、高性能チップを限られた空間で実装するためにも、さらなるパッケージの薄型化は必要な技術となっている。
【０００３】
パッケージの薄型化の技術を用いた半導体装置が、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載された製造方法を図３に示す。図３（ａ）は、半導体チップの接合工程を示す。図３（ａ）に示すように、表面上にＡｕなどの電極を有するポリイミド基板などの基板１と、表面にＡｕなどからなるバンプ３を有する半導体チップ４とを準備する。そして、半導体チップ４の表面が基板１の表面と向き合うように配置して、基板１の電極とバンプ３とを接続し、基板１に対して半導体チップ４を接合する。その後、基板１のバンプ３側、半導体チップ４の側面及び裏面部分をエポキシ系の樹脂５でモールドする。
【０００４】
次に、図３（ｂ）に示すように、グラインダー６にて半導体チップ４の裏面上の樹脂５を研削し、半導体チップ４の裏面を露出させる。そして、図３（ｃ）で示すように、半導体チップ４を例えば５０μｍ程度まで薄くする。この工程により、半導体チップ４の裏面と樹脂５の表面とは同一平面に形成される。
【０００５】
次に図３（ｄ）に示すように、半導体チップ４の裏面及びその両側面部の樹脂５の表面に導電性フィルムとして金属層７を形成する。この金属層７は、密着性を保つ目的で、厚さ１００μｍ以下のＴｉＮ層、５０μｍのＡｕ層の積層構造となっている。なお、金属層７は他の金属、金属化合物である場合もあり、金属層７の代わりに樹脂層を形成する場合も含まれる。
【０００６】
最後に、図３（ｅ）に示すように、ダイシングソー８を用いて半導体チップ間を研削し、図３（ｆ）に示すように樹脂封止型半導体装置を個々に切り出す。この切り出し工程により切り出される樹脂封止型半導体装置においては、半導体チップ４はどの面も露呈されていない。
【特許文献１】特開２００４−１５８７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、かかる方法では、図３（ｄ）に示すように金属層７を樹脂５及び半導体チップ４を研削した後に形成する必要がある。この場合、樹脂封止型半導体装置の温度変化のストレスなどで、金属層７と樹脂５の熱膨張率の差により、半導体チップ４とその周辺に密着性の問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、主面に第１電極を有する基板と、第１主面に第２電極を有する半導体チップとを、前記主面と前記第１主面とが対向するように配置し、前記第１電極と前記第２電極とを接続する工程と、前記基板に前記半導体チップが接続された状態で、前記第１主面に対向する第２主面を研削して前記半導体チップを薄化する工程と、前記半導体チップを薄化した後に、前記半導体チップの側面、前記第２主面上を樹脂により封止する工程とを有する。
【０００９】
このように、基板に接合された半導体チップを研削して薄化した後に、半導体チップの側面及び裏面を覆うように一括で樹脂モールドすることができるため、半導体チップの側面を覆った後に裏面を覆う金属膜を形成する必要がなくなる。これにより、樹脂の半導体チップや基板に対する密着性を改善することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体チップとこれを封止する樹脂との密着性を改善することが可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成について、図１を参照して説明する。図１は、本実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置１０の構成を示す断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置１０は、基板１、アンダーフィル２、バンプ３、半導体チップ４、樹脂５を備える。
【００１２】
ポリイミド基板などの基板１の表面（主面）上には、Ａｕなどの第１電極１１が設けられている。また、半導体チップ４の表面（第１主面）には、第２電極１２が設けられており、その上にＡｕなどからなるバンプ３が形成されている。半導体チップ４の第１主面と基板１の主面とは、向き合うように配置されている。また、基板１と半導体チップ４とは、樹脂などのアンダーフィル２を介して接合され、基板１の第１電極１１と第２電極１２とはバンプ３を介して接続されている。すなわち、半導体チップ４は、基板１にフェースダウン実装されている。
【００１３】
基板１の主面（バンプ３側の面）上には、半導体チップ４を覆うようにエポキシ系の樹脂５が形成されている。すなわち、基板１の主面、半導体チップ４の側面及び裏面（第２主面）は、樹脂５によりモールドされている。また、半導体チップ４は、例えば、５０μｍ程度まで薄くされている。
【００１４】
ここで、図２を参照して、本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置１０の製造方法について説明する。図２は、本実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置１０の製造方法を説明する製造工程断面図である。ここでは、２つの半導体チップ４が基板１上に接合される例について図示している。
【００１５】
図２（ａ）は半導体チップの接合工程を示している。図２（ａ）に示すように、まず、表面上に第１電極１１を有する基板１と、第２電極１２上にバンプ３を有する半導体チップ４とを準備する。半導体チップ４は、所定の厚さを有している。そして、半導体チップ４の表面が基板１の表面と向き合うように配置して、基板１の第１電極１１と第２電極１２とをバンプ３を介して接続する。これにより、基板１上に、所定の厚さを有する半導体チップが実装される。そして、基板１と半導体チップ４との間隙に、アンダーフィル２を形成し、基板１に対して半導体チップ４を接合する。
【００１６】
次に、図２（ｂ）に示すようにグラインダー６を用いて半導体チップ４の裏面を研削し、図２（ｃ）に示すように半導体チップ４を上述の所定の厚さよりも薄くする。例えば、半導体チップ４を５０μｍ程度まで薄くする。
【００１７】
続いて、図２（ｄ）に示すように、複数の半導体チップ４を覆うように樹脂５を形成する。この工程により半導体チップ４の側面及び裏面が樹脂５で覆われ、どの面も露呈されていない状態となる。すなわち、半導体チップ４の有する面のうち、基板１と接触する面以外の面が樹脂５により覆われる。また、基板１の表面のうち、半導体チップ４が覆っていない領域も、樹脂５により覆われる。
【００１８】
最後に、図２（ｅ）に示すように、ダイシングソー８を用いて半導体チップ４間を研削し、図２（ｆ）に示すように、樹脂封止型半導体装置１０を個々に切り出す。この切り出し工程を経た後でも、それぞれの樹脂封止型半導体装置１０において、半導体チップ４はどの面も樹脂５で覆われ露呈されていない。
【００１９】
このように、本発明に係る樹脂封止型半導体装置１０では、基板１に半導体チップ４を接合し、半導体チップ４を研削した後に、半導体チップ４のどの面も露呈しないように樹脂５で覆う構成となっている。このため、半導体チップ４を研削した後に別の膜を形成する必要がなく、一括して半導体チップ４を樹脂５で覆うことができる。これにより、従来のように樹脂５と別層との界面が存在せず、樹脂そのものが半導体チップと優れた密着性を有するという効果がある。
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、従来の半導体チップの研削後に金属膜などを形成する製造方法と比べて、半導体チップと樹脂の密着性を改善することができる。また、本発明によれば、従来の金属層を形成する工程を省略することができるため、製造方法を簡単にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す図である。
【図２】実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明する製造工程断面図である。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明する製造工程断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
１  基板
２  アンダーフィル
３  バンプ
４  半導体チップ
５  樹脂
６  グラインダー
７  金属層
８  ダイシングソー
１０  樹脂封止型半導体装置
１１  第１電極
１２  第２電極
【図１】
2010073803.tif 000003
【図２】
2010073803.tif 000004
【図３】
2010073803.tif 000005