(57)【要約】【課題】シランカップリング剤の凝集を抑え、離型層の耐久性が高いインプリント用モールド構造体及びその製造方法、並びに、該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のインプリント用モールド構造体は、凹凸面上に、シランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とを含む離型層を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸面上に、シランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とを含む離型層を有することを特徴とするインプリント用モールド構造体。
【請求項２】
シランカップリング剤（Ａ成分）が、パーフルオロポリエーテルを主鎖とする化合物を有する請求項１に記載のインプリント用モールド構造体。
【請求項３】
末端に極性基を有する化合物が、末端にヒドロキシ基を有する請求項１から２のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。
【請求項４】
離型層におけるシランカップリング剤（Ａ成分）の含有量をＡ（ｇ）とし、前記離型層における添加剤（Ｂ成分）の含有量をＢ（ｇ）としたとき、次式、１≦Ａ／Ｂ≦１０の関係を満たす請求項１から３のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。
【請求項５】
モールド構造体の凹凸面を洗浄する洗浄工程と、
シランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とを含む離型層形成用組成物を前記洗浄されたモールド構造体の凹凸面に被覆させて離型層を形成する離型層形成工程と、
前記離型層が形成されたモールド構造体をアニールするアニール工程と、
前記アニール処理されたモールド構造体をリンスするリンス工程と、を含むことを特徴とするインプリント用モールド構造体の製造方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
請求項１から４のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、離型層を有するインプリント用モールド構造体及びその製造方法、並びに、該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の磁気記録媒体としてのＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）、ＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）では、磁性層加工用のマスク形成が重要な技術の一つとなる。このマスク形成には、ナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）を用いることが一般的である。
ここで、前記ＮＩＬは、基材上にインプリントレジスト組成物を塗布し、所望の凹凸パターンを有するモールド構造体を前記インプリントレジスト組成物を塗布した基材に密着させ、加圧した後、離型することにより、インプリント用モールド構造体の凹凸パターンに対応した凸凹部をインプリントレジスト層に形成する技術である。
【０００３】
インプリント用モールド構造体の凹凸面には、離型層が形成され、インプリントレジスト層から離型する際の離型性を得るようにしている。
しかし、インプリント用モールドをインプリントレジスト層から離型する際には、離型層に大きな負荷がかかり、インプリント用モールドに吸着していた離型剤分子が徐々に剥がれてしまう。そのため、離型効果が徐々に減少し、耐久性を保てないという問題がある。
【０００４】
この問題を解決するため、従来、離型層にシランカップリング剤を添加して耐久性を向上させることが提案されている（特許文献１参照）。
しかし、シランカップリング剤は、耐久性を向上するという利点があるものの、離型層において分子同士が反応しやすく、凝集が生じやすい。凝集があると、その部分のパターン形状を壊してしまうという問題がある。
【０００５】
また、パーフルオロポリエーテルポリマーによりコーティングを行う離型処理方法が提案されている（特許文献２参照）。この方法によると、初期離型性の良好な離型層が得られる。
しかしながら、この場合、末端がヒドロキシ基の離型剤を使用しており、ヒドロキシ基はモールドへの吸着力が弱いため、耐久性を保てないという問題がある。また、パターン追従性についても、離型剤分子同士のヒドロキシ基の相互作用により凝集が発生し、パターン追従性にも課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３２６３６７号公報
【特許文献２】特開２００４−３０６０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを目的とする。即ち、本発明は、シランカップリング剤の凝集を抑え、離型層の耐久性が高いインプリント用モールド構造体及びその製造方法、並びに、該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  凹凸面上に、シランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とを含む離型層を有することを特徴とするインプリント用モールド構造体である。
＜２＞  シランカップリング剤（Ａ成分）が、パーフルオロポリエーテルを主鎖とする化合物を有する前記＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体である。
＜３＞  末端に極性基を有する化合物が、末端にヒドロキシ基を有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
＜４＞  離型層におけるシランカップリング剤（Ａ成分）の含有量をＡ（ｇ）とし、前記離型層における添加剤（Ｂ成分）の含有量をＢ（ｇ）としたとき、次式、１≦Ａ／Ｂ≦１０の関係を満たす前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
＜５＞  モールド構造体の凹凸面を洗浄する洗浄工程と、シランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とを含む離型層形成用組成物を前記洗浄されたモールド構造体の凹凸面に被覆させて離型層を形成する離型層形成工程と、前記離型層が形成されたモールド構造体をアニールするアニール工程と、前記アニール処理されたモールド構造体をリンスするリンス工程と、を含むことを特徴とするインプリント用モールド構造体の製造方法である。
＜６＞  前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜７＞  前記＜１＞から４のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、前記従来における諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、本発明は、シランカップリング剤の凝集を抑え、離型層の耐久性が高いインプリント用モールド構造体及びその製造方法、並びに、該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明のインプリント用モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分断面斜視図である。
【図２Ａ】図２Ａは、磁気記録媒体１００の製造方法の製造プロセスの一例を示す断面図（１）である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、磁気記録媒体１００の製造方法の製造プロセスの一例を示す断面図（２）である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、磁気記録媒体１００の製造方法の製造プロセスの一例を示す断面図（３）である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、磁気記録媒体１００の製造方法の製造プロセスの一例を示す断面図（４）である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、磁気記録媒体１００の製造方法の製造プロセスの一例を示す断面図（５）である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（インプリント用モールド構造体）
本発明のインプリント用モールド構造体は、凹凸面上に、離型層を有してなる。
【００１２】
−離型層−
前記離型層は、シランカップリング剤（Ａ成分）と、添加剤（Ｂ成分）とを含むこととしてなる。
なお、本明細書において、シランカップリング剤とは、加水分解によりシラノール基を生成する化合物を示す。
【００１３】
−−シランカップリング剤（Ａ成分）−−
前記シランカップリング剤（Ａ成分）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、分子中に少なくとも１個、好ましくは１〜１０個のアルコキシシラン基、クロロシラン基を有する化合物、パーフルオロポリエーテルを主鎖とする化合物等が挙げられる。
【００１４】
前記アルコキシシラン基の例としては、特に制限はないが、トリメトキシ基（-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基）、トリエトキシ基（-Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３基）が好ましい。
前記クロロシラン基としては、-Ｓｉ（Ｃｌ）３基などが挙げられる。具体的には、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロデシルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルジメチルクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリメトキシシランなどの素材である。
【００１５】
前記パーフルオロポリエーテルを主鎖とする化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記構造式（１）に示す化合物が好ましい。
【００１６】
【化１】
2010234575.tif 000003
ただし、上記構造式（１）中、Ｒｆは、炭素数１〜１６の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基を示し、Ｙは、水素原子又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Ｘは、水素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示し、ｌは、０〜２の整数を示し、ｍは、１〜３の整数を示し、ｎは、１〜３の整数を示し、ｐは、１〜５０の整数を示す。
【００１７】
また、前記Ｒ１は、ヒドロキシ基又は加水分解可能な置換基を示し、例えば、ハロゲン、−ＯＲ３、−ＯＣＯＲ３、−ＯＣ（Ｒ３）＝Ｃ（Ｒ４）２、−ＯＮ＝Ｃ（Ｒ３）２、−ＯＮ＝ＣＲ５［式中、Ｒ３は、脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を示し、Ｒ４は、水素又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を示し、Ｒ５は、炭素数３〜６の２価の脂肪族炭化水素基を示す。］等である。
前記Ｒ２は、水素又は１価の炭化水素基を示し、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル等を挙げることができ、直鎖状であっても分岐状であってもよい。
【００１８】
前記シランカップリング剤（Ａ成分）の分子量としては、特に制限はないが、目的に応じて適宜選択することができるが、１，５００〜約５，０００が好ましい。
１，５００未満であると、離型性が劣り、５，０００を超えると、均一塗布が困難になる。
【００１９】
前記シランカップリング剤（Ａ成分）の具体的な材料としては、特に制限はないが、ＤＵＲＡＳＵＲＦ  １１０１Ｚ（ダイキン工業社製）、ＦＬＵＯＲＯＬＩＮＫ  Ｓ１０（Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、ＨＥＰＴＡＤＥＣＡＦＬＵＯＲＯ−１，１，２，２−ＴＥＴＲＡＨＹＤＲＯＤＥＣＹＬ）ＴＲＩＭＥＴＨＯＸＹＳＩＬＡＮＥ（Ｇｅｌｅｓｔ社製）などの市販品を用いることができる。
【００２０】
−−添加剤（Ｂ成分）−−
前記添加剤（Ｂ成分）は、末端に極性基を有する化合物を有してなる。
前記極性基としては、酸素や窒素など電気陰性度の大きい原子を含む基を挙げることができ、例えば、ヒドロキシ基、カルボニル基、カルボキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基等が好ましい。中でも、ヒドロキシ基が特に好ましい。
前記末端に極性基を有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、分子量が１，５００〜５，０００であるポリマーであることが好ましい。
１，５００未満であると、離型性が劣り、５，０００を超えると、均一塗布が困難になる。
【００２１】
また、前記末端に極性基を有する化合物としては、特に制限はないが、下記の構造式（２）に示す主鎖を有するポリマーであることが好ましい。
【００２２】
【化２】
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ただし、前記構造式（２）中、ｐは、５〜３０の整数を示し、ｑは、５〜３０の整数を示す。また、ｐ／ｑは、０．５〜２．０の範囲である。
【００２３】
前記前記末端に極性基を有する化合物としては、特に制限はないが、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｉａｃ(以上、Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製)、ＰｏｌｙＦＯＸ  ＰＦ６５６（オムノバ・ソリューションズ・インコーポレーティッド社製）などの市販品を用いることができる。
【００２４】
前記離型層における組成として、前記シランカップリング剤（Ａ成分）の含有量をＡ（ｇ）と、前記添加剤（Ｂ成分）の含有量をＢ（ｇ）としたとき、次式、１≦Ａ／Ｂ≦１０の関係を満たすことが好ましく、２≦Ａ／Ｂ≦８の関係を満たすことがより好ましく、４≦Ａ／Ｂ≦６の関係を満たすことが特に好ましい。
前記１≦Ａ／Ｂ≦１０の関係を満たすと、パターン追従性と耐久性の２性能を両立させることが可能である。
【００２５】
前記離型層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１ｎｍ〜３ｎｍが好ましく、０．５ｎｍ〜１．５ｎｍがより好ましい。
０．１ｎｍ未満であると、離型層の耐久性が不十分となり、３ｎｍを超えると、モールドのパターン形状を損なってしまう。
なお、前記離型層の厚みは、エリプソメーター（溝尻光学工業所製、ＤＶＡ−３６Ｌ）により測定することができる。
【００２６】
−凹凸面−
前記凹凸面は、円板状の基板の表面に、複数の凸部が配列された凹凸部から形成されてなる。
【００２７】
−−凹凸部−−
前記凹凸部の形状としては、特に制限はないが、本発明のインプリント用モールド構造体が、磁気記録媒体の製造に用いられる場合には、以下のように構成される。
即ち、前記凸部を、磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応して設けるように構成する。
前記データ部は、略同心円状の凸パターンからなり、データを記録する領域である。
前記サーボ部は、凸部面積の異なる複数種類の凸パターンからなる。
前記サーボ部としては、トラッキングサーボ制御用の信号に対応するものであり、例えばプリアンブル、サーボタイミングマーク、アドレスパターン、バーストパターン、などで主に構成されている。
前記プリアンブルパターンは、アドレスパターン領域等から各種制御信号を読み取るための基準クロック信号を生成する部位である。
前記サーボタイミングマークは、アドレス、バーストパターンを読み取るためのトリガー信号である。
前記アドレスマークは、セクタ（角度）情報、トラック（半径）情報で構成されおり、ディスクの絶対位置（アドレス）を示している。
前記バーストパターンは、磁気ヘッドがオントラック状態にあるとき、ヘッド走行位置を微調整し、高精度な位置決めを達成する機能を有している。
【００２８】
前記基板及び凹凸部の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。
前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、低融点フッ素樹脂などが挙げられる。
【００２９】
このように構成される本発明のインプリント用モールド構造体の一実施形態を、図を用いて説明する。
図１は、本発明に係るインプリント用モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分断面斜視図である。
図１に示すように、本実施形態のインプリント用モールド構造体１は、円板状の基板２の一の表面２ａに、凸部４が、所定の間隔で複数形成されてなる凹凸部３を有する。この凹凸部３には、シランカップリング剤（Ａ成分）と添加剤（Ｂ成分）とを含む離型層６が被覆されている。
ここで、凸部４は、基板２に対して略垂直に立設した面である側壁部４ａと、相互に対向する側壁部４ａを表面２ａに略平行な面で連結する頂部４ｂとから構成される。
また、凸部４が配列されている方向に直交する面における凸部４の断面形状は、矩形をなすことが好ましい。
なお、前記凸部４の断面形状は、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
一方、凹部５は、隣接する２つの凸部４の間に形成され、相互に離間するように対向する２つの側壁部４ａ，４ａと、表面２ａとによって構成される。
【００３０】
基板２の厚みは、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ未満であることが好ましい。
また、基板２の凸部４の高さ（凹部５の深さ）は、１０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲が好ましく、３０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
また、基板２の凸部４の線幅（隣接する凸部間の長さ）は、１ｎｍ〜６００ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましい。
【００３１】
このように形成されるインプリント用モールド構造体１は、凹凸面に離型層６が形成されるため、インプリントの際の離型性が良好である。また、離型層６は、前記シランカップリング剤（Ａ成分）及び添加剤（Ｂ成分）を含むことから、シランカップリング剤の凝集が抑えられ、耐久性を高くすることができる。
【００３２】
（インプリント用モールド構造体の製造方法）
本発明のインプリント用モールド構造体の製造方法は、洗浄工程と、離型層形成工程と、アニール工程と、リンス工程とを含んで構成される。
【００３３】
−洗浄工程−
前記洗浄工程は、モールド構造体の凹凸面を洗浄する工程としてなり、例えば、本発明の前記インプリント用モールド構造体において説明した、表面に複数の凸部が配列された凹凸部が形成された円板状の基板を前記モールド構造体として、その凹凸面を洗浄する工程としてなる。
前記洗浄工程を行うことにより、前記モールド構造体の凹凸面に付着した有機コンタミネーション（パーティクル）を除去することができる。
前記洗浄工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の洗浄方法を用いて行うことができる。
前記洗浄方法としては、特に制限はなく、例えば、ＵＶオゾンクリーニング、超音波洗浄、酸溶液中での煮沸洗浄等が挙げられる。
前記ＵＶオゾンクリーニングとしては、例えば、光表面処理装置（センエンジニアリング社製、ＵＢ１１０１Ｎ−７１、光源：低圧水銀ランプ、ＳＵＶ１１０ＧＳ−３６）等を用いて行うことができる。
【００３４】
−離型層形成工程−
前記離型層形成工程は、シランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とを含む離型層形成用組成物を前記洗浄されたモールド構造体の凹凸面に被覆させて離型層を形成する工程としてなる。
前記前記離型層形成工程によると、前記離型層形成用組成物に含まれる前記末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）が、前記シランカップリング剤（Ａ成分）における分子間の凝集を抑えることができ、凝集によるパターン破壊がなく、耐久性の高い離型層を有するインプリント用モールド構造体を製造することができる。
【００３５】
前記離型層形成用組成物に含まれるシランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とは、本発明の前記インプリント用モールド構造体において説明をしたシランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とを適用することができる。
前記離型層形成用組成物において、シランカップリング剤（Ａ成分）と、末端に極性基を有する化合物を有する添加剤（Ｂ成分）とを溶解させる溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フッ素系溶剤が挙げられる。
前記フッ素系溶剤としては、例えば、Ｖｅｒｔｒｅｌ  ＸＦ−ＵＰ（三井・デュポンフロロケミカル社製）、ＨＦＥ−７１００ＤＬ（住友スリーエム社製）などの市販品を好ましく用いることができる。
【００３６】
前記離型層における組成として、前記シランカップリング剤（Ａ成分）の含有量をＡ（ｇ）と、前記添加剤（Ｂ成分）の含有量をＢ（ｇ）としたとき、次式、１≦Ａ／Ｂ≦１０の関係を満たすことが好ましく、２≦Ａ／Ｂ≦８の関係を満たすことがより好ましく、４≦Ａ／Ｂ≦６の関係を満たすことが特に好ましい。
前記１≦Ａ／Ｂ≦１０の関係を満たすと、パターン追従性と耐久性の２性能を両立させることが可能である。
なお、形成される離型層においては、前記Ａ／Ｂの関係に準じて、前記シランカップリング剤（Ａ成分）と、前記添加剤（Ｂ成分）とが含まれる。
【００３７】
前記離型層形成用組成物を前記洗浄されたモールド構造体の凹凸面に被覆させる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、塗布法、蒸着法等が挙げられるが、塗布法が好ましい。
前記塗布法としては、特に制限はなく、例えば、ディップコート法、スピンコート法が挙げられるが、シランカップリング剤（Ａ成分）の凝集を抑え、耐久性の高い離型層を得る観点からは、ディップコート法が好ましい。
前記ディップコート法の具体的な方法としては、ディップコーターを用いて前記離型層形成用組成物に前記モールド構造体を浸漬させ、その後、等速度で引き上げる方法が挙げられる。
前記浸漬させる時間としては、特に制限はないが、例えば、１分間〜６０分間が好ましく、１分間〜１０分間がより好ましい。
【００３８】
−アニール工程−
前記アニール工程は、前記離型層が形成されたモールド構造体をアニールする工程としてなる。
前記アニール工程によると、前記シランカップリング剤（Ａ成分）と前記添加剤（Ｂ成分）の前記モールド構造体の凹凸面に対する吸着が促進され、離型層を好適に形成することができる。
【００３９】
前記アニールの温度条件としては、特に制限はないが、５０℃〜１５０℃が好ましい。また、アニール処理の時間条件としては、特に制限はないが、１０分間〜６０分間が好ましい。これらの条件によると、シランカップリング剤（Ａ成分）の凝集を抑え、耐久性の高い離型層を得ることができ、１２０℃の温度条件下で３０分間アニールすることが特に好ましい。
【００４０】
−リンス工程−
前記リンス工程は、前記アニール処理されたモールド構造体をリンスする工程としてなる。
前記リンス工程によると、余剰の前記離型層成分を除去することができる。
前記リンスの方法としては、特に制限はないが、超音波洗浄、ディップリンスが挙げられる。
前記超音波洗浄を実施する時間としては、特に制限はなく、１分間〜１０分間とすることができる。
また、前記ディップリンスは、溶剤に浸漬させてリンス処理を行う方法であり、浸漬時間としては、１分間〜３０分間とすることができる。
前記リンス処理に用いる溶剤としては、特に制限はなく、前記離型層形成用組成物に用いた溶剤と、同じ溶剤を用いることができる。
【００４１】
（インプリント方法）
本発明のインプリント方法は、少なくとも転写工程を含むこととしてなる。
本発明のインプリント方法によると、本発明の前記インプリント用モールド構造体を用いてインプリントを行うため、耐久性が高く、離型性が維持された状態で、繰り返してインプリントを行うことができる。
【００４２】
−転写工程−
前記転写工程は、本発明の前記インプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリント層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターン形状を転写する工程としてなる。
前記転写工程の詳細については、後述する磁気記録媒体の製造方法における転写工程と同様の工程とすることができる。
【００４３】
（磁気記録媒体の製造方法）
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、少なくとも、転写工程と、磁性パターン部形成工程と、非磁性パターン部形成工程とを含むこととしてなる。
本発明の磁気記録媒体の製造方法によると、本発明の前記インプリント用モールド構造体を用いてインプリントを行うため、耐久性が高く、離型性が維持された状態で、繰り返してパターン形状が良好な磁気記録媒体を製造することができる。
【００４４】
−転写工程−
前記転写工程は、本発明の前記インプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリント層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターン形状を転写する工程としてなる。
前記磁気記録媒体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ディスクリート・トラック・メディア、パターンド・メディア等の磁気記録媒体が挙げられる。
前記インプリントレジスト組成物としては、特に制限はなく、例えば、光硬化性の樹脂組成物、熱硬化性の樹脂組成物、熱可塑性の樹脂組成物等を用いることができ、これらの樹脂組成物を重合させることにより、インプリントレジスト層を形成する。
【００４５】
−磁性パターン部形成工程−
前記磁性パターン部形成工程は、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する工程としてなる。
前記磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｆｅ又はＦｅ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金等の無機材料が挙げられる。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、公知のウェットエッチング法、ドライエッチング法等が挙げられる。
【００４６】
−非磁性パターン部形成工程−
前記非磁性パターン部形成工程は、前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む工程としてなる。
前記非磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＳｉＯ２、カーボン、アルミナ、；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油等が挙げられる。
【００４７】
以下、ディスクリート・トラック・メディア、パターンド・メディア等の磁気記録媒体を作製する磁気記録媒体の製造方法の一例について図面を参照して説明する。
【００４８】
図２Ａに示すように、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、シリコン等の基板４０上に、Ｆｅ又はＦｅ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金等の磁性層５０を有する磁気記録媒体中間体の磁性層上にポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層２４を形成したレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対して、凹凸面に離型層が形成されたインプリント用モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、該インプリント用モールド構造体１上に形成された凹凸パターンをレジスト層２４に転写する。
【００４９】
次に、図２Ｂに示すように、レジスト層２４にインプリント用モールド構造体１を押し当てた際には、系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、レジスト層２４が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。また、必要に応じて加熱又はＵＶ照射により硬化処理を行ってもよい。
【００５０】
次に、図２Ｃに示すように、インプリント用モールド構造体１を離型すると、レジスト層２４に凹凸パターンが形成される。この場合、本発明のモールド構造体を用いているので、パターン成形性の劣化がなく、モールド耐久性も向上している。
次に、図２Ｄに示すように、凹凸部のパターンが転写されたレジスト層２４をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト層２４に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成する。
前記ドライエッチングとしては、磁性層に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成した。これを、グリッドを通して加速して、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型などが挙げられる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはＡｒ、ＲＩＥのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
【００５１】
次に、図２Ｅに示すように、形成された凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１００を作製することができる。
前記非磁性材料としては、例えばＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等が好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
【００５２】
このような磁気記録媒体の製造プロセスにおいては、インプリント用モールド構造体１の凹凸面に離型層が形成されているため、転写工程において、インプリント用モールド構造体１を効率的に離型することができ、離型層には、シランカップリング剤（Ａ成分）と添加剤（Ｂ成分）とを含むため、耐久性が高く、離型性が維持された状態で、繰り返してパターン形状が良好な磁気記録媒体を製造することができる。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００５４】
（実施例１）
＜インプリント用モールド構造体の製造＞
離型剤塗布前にモールド表面の有機コンタミネーション（パーティクル）を除去するため、光表面処理装置（センエンジニアリング社製、ＵＢ１１０１Ｎ−７１、光源；低圧水銀ランプ、ＳＵＶ１１０ＧＳ−３６）を用い、照射時間５分間、照射距離２ｃｍの条件でＵＶオゾン洗浄を行なった。
その後、シランカップリング剤（Ａ成分）として、片末端にシランカップリング基を有するパーフルオロポリエーテルを有効成分として含むＤＵＲＡＳＵＲＦ  １１０１Ｚ（ダイキン工業製、前記有効成分の５ｇ換算分）と、添加剤（Ｂ成分）として下記構造を有する末端がヒドロキシ基であるＦｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ(Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）１ｇとを、フッ素系溶剤バートレル（三井・デュポンフロロケミカル社製）に濃度が０．２質量％となるように添加し、溶解させて離型剤形成用組成物溶液を調製し、ディップコーターを用いて、該離型剤形成用組成物溶液に洗浄後のモールドを、浸漬速度５ｍｍ／ｓｅｃで浸漬し、その後、１分間浸漬させた後、約１ｍｍ／ｓｅｃの速度で引上げてディップコートした。
ディップコート後、モールドへの離型剤吸着を促進するため、オーブン（ＴＡＢＡＩ社製、Ｃｌｅａｎ  Ｏｖｅｎ  ＰＶＣ−２１０）を用いて、１２０℃、１時間の条件でアニールした。
最後に、アニールしたモールドを冷却後、前記ディップコーターを用いて、溶剤バートレル中に１分間浸漬し、約１ｍｍ／ｓｅｃの速度で引上げてディップリンスを行ない、余剰離型剤を除去し、実施例１におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【化３】
2010234575.tif 000005
ただし、ｐとｑとは、いずれも５〜３０の整数を示す。また、ｐ／ｑは、０．５〜２．０の範囲である。
【００５５】
＜磁気記録媒体の製造＞
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を製造した。
製造した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある。）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
【００５６】
−軟磁性層の形成−
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ  １，５００Ｗで成膜した。
【００５７】
−第１の非磁性配向層の形成−
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚みのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ  １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚みになるようにＴｉシード層を成膜した。
【００５８】
−第２の非磁性配向層の形成−
その後、第２の非磁性配向層として、６ｎｍの厚みのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ  １，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚みになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
【００５９】
−磁気記録層の形成−
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２  ０．０４％を含むＡｒガスを、圧力が１８Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ  ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
【００６０】
−保護層の形成−
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ  １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚みで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、ＰｔＯである。
【００６１】
−インプリントレジスト層の形成−
前記保護層上に、アクリル系レジスト（ＰＡＫ−０１−５００、東洋合成工業（株）製）を１００ｎｍの厚みになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、インプリントレジスト層を形成した。
【００６２】
−転写工程−
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、実施例１におけるインプリント用モールド構造体の凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを離型した。
インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンに対し、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
【００６３】
−磁性パターン部形成工程−
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去する。
その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚みに塗布した。
【００６４】
−非磁性パターン部形成工程−
前記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚みが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去し、実施例１における磁気記録媒体を製造した。
【００６５】
（実施例２）
実施例１において、シランカップリング剤（Ａ成分）としてのＤＵＲＡＳＵＲＦ  １１０１Ｚの添加量を、有効成分５ｇ換算分から有効成分２ｇ換算分に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００６６】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、実施例２におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２における磁気記録媒体を製造した。
【００６７】
（実施例３）
実施例２において、添加剤（Ｂ成分）として、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ  １ｇを、下記構造を有するＦｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ(Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）１ｇに代えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例３におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００６８】
【化４】
2010234575.tif 000006
ただし、ｐとｑとは、いずれも５〜３０の整数を示す。また、ｐ／ｑは、０．５〜２．０の範囲である。
【００６９】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、実施例３におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３における磁気記録媒体を製造した。
【００７０】
（実施例４）
実施例２において、シランカップリング剤（Ａ成分）として、ＤＵＲＡＳＵＲＦ  １１０１Ｚの有効成分２ｇ換算分を、下記構造を有するシランカップリング剤ＦＬＵＯＲＯＬＩＮＫ  Ｓ１０（Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）２ｇに代えたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例４におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００７１】
【化５】
2010234575.tif 000007
ただし、ｍ／ｎは、０．５〜２．０の範囲であり、ｍとｎとは、いずれも５〜３０の整数を示す。
【００７２】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、実施例４におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４における磁気記録媒体を製造した。
【００７３】
（実施例５）
実施例４において、添加剤（Ｂ成分）として、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ  １ｇを、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ  １ｇに代えたこと以外は、実施例４と同様にして、実施例５におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００７４】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、実施例５におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例５における磁気記録媒体を製造した。
【００７５】
（実施例６）
実施例４において、添加剤（Ｂ成分）として、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ  １ｇを、下記構造を有するＰｏｌｙＦＯＸ  ＰＦ６５６（オムノバ・ソリューションズ・インコーポレーティッド社製）１ｇに代えたこと以外は、実施例４と同様にして、実施例６におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
なお、ＰｏｌｙＦＯＸ  ＰＦ６５６は、末端に、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ同様、ヒドロキシ基を有するが、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌとは異なり、主鎖構造として下記構造を有し、主鎖構造に特徴のある添加剤である。
【００７６】
【化６】
2010234575.tif 000008
ただし、ｍは、６を示し、ｎは、１を示し、Ｒ1は、ＣＨ3基を示し、Ｒ2は、Ｃ2Ｆ5基を示す。
【００７７】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、実施例６におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例６における磁気記録媒体を製造した。
【００７８】
（実施例７）
実施例３において、シランカップリング剤（Ａ成分）として、ＤＵＲＡＳＵＲＦ  １１０１Ｚの有効成分２ｇ換算分を、下記構造を有する（ＨＥＰＴＡＤＥＣＡＦＬＵＯＲＯ−１，１，２，２−ＴＥＴＲＡＨＹＤＲＯＤＥＣＹＬ）ＴＲＩＭＥＴＨＯＸＹＳＩＬＡＮＥ（トリメトキシラン、Ｇｅｌｅｓｔ社製）２ｇに代えたこと以外は、実施例３と同様にして、実施例７におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００７９】
【化７】
2010234575.tif 000009
【００８０】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、実施例７におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例７における磁気記録媒体を製造した。
【００８１】
（実施例８）
実施例４において、添加剤（Ｂ成分）として、末端がヒドロキシ基であるＦｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ１ｇを、下記構造を有する末端がカルボキシ基であるＦｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＤＩＡＣ（Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）１ｇに代えたこと以外は、実施例４と同様にして、実施例８におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００８２】
【化８】
2010234575.tif 000010
ただし、Ｒは、カルボキシ基を示す。
【００８３】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、実施例８におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例８における磁気記録媒体を製造した。
【００８４】
（実施例９）
実施例１において、シランカップリング剤（Ａ成分）としてのＤＵＲＡＳＵＲＦ  １１０１Ｚの添加量を、有効成分５ｇ換算分から有効成分０．５ｇ換算分に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例９におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００８５】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、実施例９におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例９における磁気記録媒体を製造した。
【００８６】
（比較例１）
添加剤（Ｂ）成分を添加しないこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００８７】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、比較例１におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１における磁気記録媒体を製造した。
【００８８】
（比較例２）
添加剤（Ｂ成分）を添加しないこと以外は、実施例４と同様にして、比較例２におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００８９】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、比較例２におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例２における磁気記録媒体を製造した。
【００９０】
（比較例３）
シランカップリング剤（Ａ成分）を添加しないこと以外は、実施例１と同様にして、比較例３におけるインプリント用モールド構造体を製造した。
【００９１】
実施例１におけるインプリント用モールド構造体に代えて、比較例３におけるインプリント用モールド構造体を用いて、転写工程を実施したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例３における磁気記録媒体を製造した。
【００９２】
＜インプリント用モールド構造体の耐久性及びパターン追従性の評価方法＞
−インプリント用モールド構造体の耐久性の評価方法−
実施例１〜９及び比較例１〜３におけるインプリント用モールド構造体について、以下のように、耐久性の評価を行った。
先ず、水平な状態で固定されたインプリント用モールド構造体のインプリント面に対して水を滴下し、滴下された水の接触角（θｉw）を測定した。次に、水に代えて、ジヨードメタンを用い、接触角（θｉd）を測定した。前記測定された（θｉw）及び（θｉd）から表面エネルギーに関するＹｏｕｎｇの式により、インプリント用モールド構造体のインプリント面の、インプリントを行う前の表面エネルギーγｉを求めた。
インプリント面を洗浄した後、実施例１における転写工程と同様にして、インプリント用モールド構造体を用いたインプリントを行い、インプリントレジスト層が形成された基板に対して凹凸パターンを形成した。このインプリントを１０回繰り返して行った。
インプリントを１０回繰り返し行った後のインプリント用モールド構造体のインプリント面に対して、再度、水とジヨードメタンを滴下し、滴下された水の接触角（θｆw）、ジヨードメタンの接触角（θｆd）を測定した。  前記測定された（θｆw）及び（θｆｄ）から、前記同様、表面エネルギーに関するＹｏｕｎｇの式により、インプリント用モールド構造体のインプリント面の表面エネルギーを求め、インプリントを行った後の表面エネルギーγｆを算出した。
算出された表面エネルギーγｉとγｆとの差からΔγを求めた。
なお、ここで、Δγは、水とジヨードメタンの接触角の測定を通じたインプリント後のインプリント用モールド構造体におけるインプリント面の離型効果の変化（減少）を示している。
算出されたΔγの値に基づき、以下の基準により、実施例１〜９及び比較例１〜３におけるインプリント用モールド構造体の耐久性を評価した。評価結果を下記表１に示す。
（評価基準）
○：３ｍＪ／ｍ２以下
△：３ｍＪ／ｍ２を超え、５ｍＪ／ｍ２未満
×：５ｍＪ／ｍ２以上
【００９３】
−インプリント用モールド構造体のパターン追従性の評価−
実施例１〜９及び比較例１〜３におけるインプリント用モールド構造体について、以下のように、パターン追従性の評価を行った。
ＡＦＭを用いて離型処理後のインプリント用モールドについて、パターン無し部分の面状を約５箇所で測定し、素材凝集が原因と考えられる突起物の高さＨを評価した。使用したＡＦＭ装置は、Ｖｅｅｃｏ製  Ｄｅｍｅｎｓｉｏｎ  ３１００である。
測定した突起物の高さＨの値に基づき、以下の基準により、実施例１〜９及び比較例１〜３におけるインプリント用モールド構造体の耐久性を評価した。評価結果を下記表１に示す。
（評価基準）
○：３ｎｍ以下
△：３ｎｍを超え、５ｎｍ以下
×：５ｎｍを超える
【００９４】
【表１】
2010234575.tif 000011
ただし、表１中のシランカップリング剤（Ａ）、添加剤（Ｂ）として用いられる各材料の表示は、以下の内容を示す。
・シランカップリング剤（Ａ）
デュラサーフ：ダイキン工業社製  ＤＵＲＡＳＵＲＦ  １１０１Ｚの有効成分
ＦＬＵＯＲＯＬＩＮＫ  Ｓ１０：Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製  Ｓ１０
Ｃ１０トリメトキシシラン：Ｇｅｌｅｓｔ社製  （ＨＥＰＴＡＤＥＣＡＦＬＵＯＲＯ−１，１，２，２−ＴＥＴＲＡＨＹＤＲＯＤＥＣＹＬ）ＴＲＩＭＥＴＨＯＸＹＳＩＬＡＮＥ
・添加剤（Ｂ）
ＤＯＬ：Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製  Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ
Ｔｅｔｒａｏｌ：Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製  Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ
ＰＦ６５６：オムノバ・ソリューションズ・インコーポレーティッド社製  ＰｏｌｙＦＯＸ  ＰＦ６５６
ＤＩＡＣ：Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製  Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｉａｃ
【００９５】
上記表１から理解されるように、比較例１に比べ、実施例１は、優れたパターン追従性が得られている。
また、比較例２に比べ、実施例４は、優れたパターン追従性が得られている。
また、比較例３に比べ、実施例１は、優れた耐久性が得られている。
【００９６】
実施例１に対して、実施例２及び９は、優れたパターン追従性が得られている。これは、実施例２及び９においては、シランカップリング剤（Ａ成分）の添加量が、添加剤（Ｂ成分）の添加量に対し相対的に少ないため、より優れて凝集を抑制することができたものと推察される。シランカップリング剤（Ａ成分）の相対量増加により凝集が発生しやすくなるのは、分子間の相互作用の強さが、ヒドロキシ基同士よりもシランカップリング基同士の方が強いためであると考えられる。
また、実施例９に対して、実施例１及び２は、優れた耐久性が得られている。これは、実施例１及び２においては、インプリント用モールド構造体の表面に対して強い吸着性を示すシランカップリング剤（Ａ成分）の添加量が、添加剤（Ｂ成分）の添加量に対し相対的に多いため、より優れた耐久性を得られたものと推察される。
【００９７】
実施例２、実施例３において用いられる添加剤（Ｂ成分：ＤＯＬ、Ｔｅｔｒａｏｌ）は、ともに末端をヒドロキシ基とするため、同様に、凝集の抑制に優れ、高い耐久性が得られているものと考えられる。
また、実施例８に対して、実施例４、５及び６は、優れた耐久性が得られている。これは、実施例４、５及び６においては、末端がヒドロキシ基である添加剤（Ｂ成分：ＤＯＬ、Ｔｅｔｒａｏｌ、ＰＦ６５６）を用いているのに対し、実施例８においては、末端がカルボキシ基である添加剤（Ｂ成分：ＤＩＡＣ）を用いていたためであると考えられる。即ち、ヒドロキシ基が、インプリント用モールド構造体の表面に対する吸着力が強いのに対し、カルボキシ基は吸着力が弱いため離型剤分子が剥がれやすいからと考えられる。
【００９８】
実施例２及び４において用いられるシランカップリング剤（Ａ成分：デュラサーフ）は、ともに主鎖構造をパーフルオロポリエーテルとするため、高い耐久性が得られているものと考えられる。
また、実施例７に対して実施例３は、優れた耐久性が得られている。これは、実施例３に用いるシランカップリング剤（Ａ成分：デュラサーフ）は、主鎖構造をパーフルオロポリエーテル鎖とし、柔軟性のある分子構造を有することから、剥離力が小さいのに対し、実施例７に用いるシランカップリング剤（Ａ成分：Ｃ１０トリメトキシシラン）は、主鎖構造をエーテル結合を含まないフロロアルキル鎖とし、分子構造に柔軟性がないことから、剥離力が大きくなってしまい、離型剤分子の剥がれが促進されてしまったことが原因と考えられる。
【００９９】
比較例３に対して、実施例９は、耐久性に優れ、より凝集を抑制することができている。これは、比較例３に用いる添加剤（Ｂ成分：ＤＯＬ）は、末端をヒドロキシ基とするため、パターン追従性が比較的良好であるが、ヒドロキシ基は、モールドへの吸着力が弱いため、耐久性が不足するものと考えられる。一方、実施例９は、添加剤（Ｂ成分：ＤＯＬ）の末端にヒドロキシ基を有しているため分子間に弱いながらも相互作用が働くが、シランカップリング剤（Ａ成分：デュラサーフ）を添加することにより、前記添加剤（Ｂ成分）の分子間に前記シランカップリング剤（Ａ成分）中の分子が入り込むため、前記添加剤（Ｂ成分）の分子間の相互作用を弱め、凝集力も下げることができ、良好なパターン追従性が得られたものと考えられる。また、実施例９において、比較例３よりも優れた耐久性が得られることに関し、実施例９においては、シランカップリング剤（Ａ成分）が、インプリント用モールド構造体の表面に対して、強固に吸着されたためであると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明のインプリント用モールド構造体は、シランカップリング剤の凝集が抑えられ、離型層の耐久性が高いことから、ディスクリートメディア、パターンドメディア等の磁気記録媒体の製造プロセスに好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１      インプリント用モールド構造体
２      基板
２ａ    表面
３      凹凸部
４      凸部
４ａ    側壁部
４ｂ    頂部
５      凹部
６      離型層
２４    インプリントレジスト層
４０    磁気記録媒体の基板
５０    磁性層
７０    非磁性材料（非磁性材料層）
１００  磁気記録媒体
【図１】
2010234575.tif 000012
【図２Ａ】
2010234575.tif 000013
【図２Ｂ】
2010234575.tif 000014
【図２Ｃ】
2010234575.tif 000015
【図２Ｄ】
2010234575.tif 000016
【図２Ｅ】
2010234575.tif 000017