(57)【要約】【課題】本発明は、電子機器の表示部に用いられる液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置に関し、良好な表示特性の得られる液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】液晶表示パネルはＴＦＴ基板と、対向基板と、両基板間に封止された液晶とを有している。ＴＦＴ基板には、液晶の初期配向状態を決定する第１の配向膜が形成され、対向基板には、第１の配向膜と構造及び状態の少なくとも一方が異なる第２の配向膜が形成されている。第１及び第２の配向膜を非対称構造とすることにより、画素内の残留ＤＣ電圧をほぼゼロにすることができるので、表示画面の焼付き発生を防止して良好な表示特性を得ることができる。【選択図】図５
2010160529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えたトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極に電気的に接続された第１の画素電極と、
前記トランジスタのソース電極に絶縁膜を介して対向配置され、前記第１の画素電極と分離して形成された第２の画素電極と、
前記第１及び第２の画素電極上に形成されて液晶材料の初期配向状態を決定する第１の配向膜と
を備えたトランジスタ基板と、
前記第１の配向膜と構造及び状態の少なくとも一方が異なり前記液晶材料の初期配向状態を決定する第２の配向膜を備えて前記トランジスタ基板に対向配置された対向基板と
を有することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の配向膜は、膜厚が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の配向膜は、イミド化率が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の配向膜は、架橋材量が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示パネルを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
ゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えたトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極と、
少なくとも前記画素電極上で液晶材料に接触して前記液晶材料の初期配向状態を決定する第１の垂直配向膜と
を備えたトランジスタ基板と、
前記第１の垂直配向膜と抵抗値が異なり、前記液晶材料に接触して前記初期配向状態を決定する第２の垂直配向膜を備えて前記トランジスタ基板に対向配置された対向基板と
を有することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の垂直配向膜は、膜厚が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項８】
請求項６記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の垂直配向膜は、イミド化率が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項９】
請求項６記載の液晶表示パネルにおいて、
前記対向基板は、前記液晶材料の配向方位を規定する突起状構造物を有し、
前記第１の垂直配向膜の抵抗値は、前記第２の垂直配向膜の抵抗値より低いこと
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか１項に記載の液晶表示パネルを有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の表示部に用いられる液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＶＡ方式のように液晶分子を基板に垂直に配向させる垂直配向方式は、広視野角特性を実現することができる。しかし、垂直配向方式では一般に、液晶への印加電圧に対する透過率特性（Ｔ−Ｖ特性）は表示画面の法線方向（正面方向）とそれより斜め方向とで異なる。このため、画面法線方向のＴ−Ｖ特性を最適に調整しても、中間調を表示した場合に斜め方向から見ると、画面に表示される画像によってはＴ−Ｖ特性が歪んで画像の色が白っぽく変化（白茶け）してしまう。階調視角特性（白茶け）を改善する技術として、容量結合型のＭＶＡ方式の液晶表示パネルが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３３７４１９号公報
【特許文献２】特開２００２−１６９１６１号公報
【特許文献３】特開２００１−２０９０７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、容量結合型ＭＶＡ方式の液晶表示パネルは、焼付き易いという問題を有している。容量結合型でない従来のＭＶＡ方式の液晶表示パネルは低階調側の表示ほど焼付きが目立ち易い。一方、容量結合型ＭＶＡ方式の液晶表示パネルは低階調側よりも高階調側で、より大きな焼付きが観察される傾向がある。高階調側での焼付きは容量結合型ＭＶＡ方式の液晶表示パネルに特有の現象である。特に、容量結合されてフローティング状態の画素電極側（高閾値電圧側）の領域が焼付き易いために発生する。
【０００５】
容量結合型ＭＶＡ方式の液晶表示パネルは、正負で対称な交流電圧を印加し続けた場合でも、高閾値電圧側の画素領域に電荷がたまり易く、当該電荷が容量結合型ＭＶＡ方式の液晶表示パネル特有の焼付きの原因であることが判明した。一般に、液晶表示パネルは表示画面に生じるフリッカが最小となる最適コモン電圧に固定して駆動される。しかし、容量結合型ＭＶＡ方式の液晶表示パネルは電圧印加時間と共に最適コモン電圧が変動し、大抵の場合は上昇する。
【０００６】
図１２は、容量結合型の評価用液晶表示パネルでの残留直流（ＤＣ）電圧の評価結果を示すグラフである。横軸は電圧印加時間（分）を表し、縦軸は残留ＤＣ電圧（Ｖ）を表わしている。図中◆印を結ぶ曲線Ａは評価サンプルＡの特性を示し、図中□印を結ぶ曲線Ｂは評価サンプルＢの特性を示している。また、図中破線で示す直線Ｃは、比較例として、容量結合型でない従来のＭＶＡ方式の液晶表示パネルの特性を示している。評価サンプルＡ、Ｂは同一の条件で作製されている。また、当該評価は、周囲温度５０℃の環境下で周波数が３０Ｈｚ、電圧が５Ｖの交流電圧を印加して行われている。
【０００７】
図１２に示すように、正負で対称な交流電圧を印加すると、従来のＭＶＡ方式の液晶表示パネルは残留ＤＣ電圧が約０．０４Ｖで一定になる。しかし、正負で対称な交流電圧を印加しても、容量結合型の評価サンプルＡ、Ｂの残留ＤＣ電圧は交流電圧の印加開始から約１０分経過するまでの間に急激に増加する。その後残留ＤＣ電圧は徐々に増加して交流電圧の印加開始から約１２０分経過後には約０．１４Ｖになる。このように、容量結合型の評価サンプルＡ、Ｂでは、交流電圧を印加しても直流電圧成分が残ってしまう。当該直流電圧成分の残留が原因となって、実際の液晶表示パネルでは最適コモン電圧（例えばフ
リッカが最小となる電圧）が変動してしまう。この変動によって生じる初期設定値（最適値）からのコモン電圧のズレが原因となって焼付きが発生する。
【０００８】
本発明の目的は、良好な表示特性の得られる液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的は、ゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えたトランジスタと、前記トランジスタのソース電極に電気的に接続された第１の画素電極と、前記トランジスタのソース電極に絶縁膜を介して対向配置され、前記第１の画素電極と分離して形成された第２の画素電極と、前記第１及び第２の画素電極上に形成されて液晶材料の初期配向状態を決定する第１の配向膜とを備えたトランジスタ基板と、前記第１の配向膜と構造及び状態の少なくとも一方が異なり前記液晶材料の初期配向状態を決定する第２の配向膜を備えて前記トランジスタ基板に対向配置された対向基板とを有することを特徴とする液晶表示パネルによって達成される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、良好な表示特性の得られる液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す等価回路図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示パネルの１画素の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示パネルの１画素の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示パネルの残留ＤＣ電圧の測定結果を示すグラフである。
【図６】従来の液晶表示パネルの中心電圧変動の測定結果を示すグラフである。
【図７】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示パネルの断面を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示パネルの断面を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の実施例２−３による液晶表示パネルの断面を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の実施例２−４による液晶表示パネルの断面を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−５による液晶表示パネルの断面を示す図である。
【図１２】従来の液晶表示パネルの残留ＤＣ電圧の測定結果を示すグラフである。
【図１３】従来の液晶表示パネルの１画素の構成を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置について図１乃至図５を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図２は、本実施の形態による液晶表示装置の１画素分の構成を等価回路で示している。図１及び図２に示すように、液晶表示装置は、絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン１２及びドレインバスライン（データバスライン）１４と、画素毎に形成されたＴＦＴ２０及び第１及び第２の画素電極１６、１７とを備えたＴＦＴ基板２を有している。また、液晶表示装置にはＴＦＴ基板２に所定のセルギャップで対向する対向基板４が配置されている。ＴＦＴ基板２と対向基板４との間には例えば負の誘電率異方性を有する液晶が封止されている。対向基板４の液晶側表面には、カラーフィルタ（ＣＦ）や共通電極４２が形成されている。液晶表示パネルはＴＦＴ基板２と、対向基板４と、両基板２、４間に封止された液晶とにより構成されている。
【００１３】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスライン１２を駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスライン１４を駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが接続されている。これらの駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された制御信号に基づいて所定のゲートバスライン１２に走査信号を出力し、複数のドレインバスライン１４に階調信号を出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の液晶側表面と反対側の面には偏光板８７が配置され、対向基板４の液晶側表面と反対側の面には、偏光板８７とクロスニコルに偏光板８６が配置されている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８８が配置されている。
【００１４】
図２に示すように、ＴＦＴ２０のゲート電極Ｇはゲートバスライン１２に接続され、ドレイン電極Ｄはドレインバスライン１４に接続されている。ＴＦＴ２０のソース電極Ｓは、第１の画素電極１６、蓄積容量電極１９及び接続電極２５と電気的に接続されている。第１の画素電極１６と、当該第１の画素電極１６と対向する対向基板４側の共通電極４２
と、第１の画素電極１６と共通電極４２との間に挟まれた液晶とで第１の液晶容量Ｃｌｃ１が形成されている。蓄積容量電極１９と、当該蓄積容量電極１９と対向する蓄積容量バスライン１８と、蓄積容量電極１９と蓄積容量バスライン１８との間に挟まれた絶縁膜とで蓄積容量Ｃｓが形成されている。接続電極２５と、当該接続電極２５と対向する第２の画素電極１７と、接続電極２５と第２の画素電極１７との間に挟まれた絶縁膜とで制御容量Ｃｃが形成されている。また、第２の画素電極１７と、当該第２の画素電極１７と対向する対向基板４側の共通電極４２と、第２の画素電極１７と共通電極４２との間に挟まれた液晶とで第２の液晶容量Ｃｌｃ２が形成されている。本例では、蓄積容量バスライン１８と共通電極４２とには同電位が印加される構成となっている。
【００１５】
このように、本実施の形態による画素は、第２の液晶容量Ｃｌｃ２と制御容量Ｃｃとが直列に接続され、これらと、第１の液晶容量Ｃｌｃ１、蓄積容量Ｃｓがそれぞれ並列に接続された回路構成となっている。ＴＦＴ２０がオン状態になるとドレインバスライン１４に供給された階調信号が第１の画素電極１６、蓄積容量電極１９、接続電極２５に印加され、一方、蓄積容量バスライン１８と共通電極４２には共通電位（コモン電位）が印加される。これにより、第２の画素電極１７には、第１の画素電極１６に印加された階調信号の電位より所定量だけ低い電位が維持される。
【００１６】
図３は、本実施の形態による液晶表示パネルのマトリクス状に形成された複数の画素のうちの１画素の平面構成を示している。図４は、図３のＸ−Ｘ線で切断した液晶表示パネルの断面構成を示している。図３及び図４に示すように、複数のゲートバスライン１２と、絶縁膜３０を介してゲートバスライン１２に交差して形成された複数のドレインバスライン１４とが、例えばガラス基板１０上に形成されている。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、画素毎に形成されたＴＦＴ２０が配置されている。ゲートバスライン１２の一部はＴＦＴ２０のゲート電極Ｇとして機能する。ゲートバスライン１２上には、絶縁膜を介してＴＦＴ２０の動作半導体層、及びチャネル保護膜（共に不図示）が形成されている。ゲート電極Ｇ上であってＴＦＴ２０のチャネル保護膜上には、ドレイン電極Ｄ及びその下層のｎ型不純物半導体層（不図示）と、ソース電極Ｓ及びその下層のｎ型不純物半導体層（不図示）とが所定の間隙を介して対向して形成されている。
【００１７】
また、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４により画定された画素領域を横切って、ゲートバスライン１２に並列して延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、絶縁膜を介して蓄積容量電極（中間電極）１９が画素毎に形成されている。蓄積容量電極１９はＴＦＴ２０のソース電極Ｓに電気的に接続された接続電極２５に接続されている。蓄積容量バスライン１８、蓄積容量電極１９及びそれらの間に挟まれた絶縁膜３０により蓄積容量Ｃｓが形成される。
【００１８】
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４により画定された画素領域は、副画素Ａと副画素Ｂとに分割されている。例えば、台形状の副画素Ａは画素領域の中央部左寄りに配置され、副画素Ｂは画素領域のうち副画素Ａの領域を除いた上部、下部及び中央部右側端部に配置されている。画素領域内の副画素Ａ、Ｂの配置は、例えば、蓄積容量バスライン１８に対しほぼ線対称になっている。副画素Ａには第１の画素電極１６が形成されている。副画素Ｂには第１の画素電極１６とスリット４６により分離された第２の画素電極１７が形成されている。第１及び第２の画素電極１６、１７は、共にＩＴＯ等の透明導電膜により形成されている。第１の画素電極１６は、保護膜３２が開口されたコンタクトホール２４を介して、蓄積容量電極１９、接続電極２５及びＴＦＴ２０のソース電極Ｓに電気的に接続されている。第２の画素電極１７は保護膜３２を介して接続電極２５に重なる領域を有している。当該領域において、接続電極２５、第２の画素電極１７及び両電極１７、２５間に挟まれた保護膜３２により制御容量Ｃｃが形成されている。第２の画素電
極１７は電気的にフローティング状態になっている。
【００１９】
図４に示すように、液晶層６の液晶分子の初期配向状態を決定する第１の配向膜５は第１及び第２の画素電極１６、１７を覆ってガラス基板１０に形成されている。一方、ガラス基板１０に対向配置された、例えば対向ガラス基板１１上には、ＣＦ樹脂層４０と、共通電極４２とがこの順に形成されている。ガラス基板１０及び対向ガラス基板１１の少なくとも一方は透明に形成されている。対向ガラス基板１１から突出し、図３において斜めに延伸する接続電極２５と対向する位置に、液晶層６の液晶分子の配向方位を規制する配向規制用構造物としての線状突起４４ａが形成されている。また、蓄積容量バスライン１８に対しほぼ線対称となる位置に、対向ガラス基板１１から突出して形成された線状突起４４ｂが形成されている。さらに、画素領域の中央部左寄りで第１の画素電極１６上に配置されたＶ字状の線状突起４４ｃが形成されている。線状突起４４ｃは蓄積容量バスライン１８に対しほぼ線対称になっている。液晶層６の液晶分子の初期配向状態を決定する第２の配向膜７は線状突起４４ａ、４４ｂ、４４ｃを覆って対向ガラス基板１１に形成されている。第１及び第２の配向膜５、７は構造及び状態の少なくとも一方が異なるように形成されている。
【００２０】
副画素Ａには、第１の画素電極１６、共通電極４２及び両電極１６、４２間に挟まれた液晶層６によって液晶容量Ｃｌｃ１が形成されている。副画素Ｂには、第２の画素電極１７、共通電極４２及び両電極１７、４２間に挟まれた液晶層６によって液晶容量Ｃｌｃ２が形成されている。ガラス基板１０と対向ガラス基板１１との間で、液晶容量Ｃｌｃ２は制御容量Ｃｃと直列に接続されている。
【００２１】
本実施の形態による液晶表示パネルでは、残留ＤＣ電圧によって蓄積された電荷が打ち消されるように、ＴＦＴ基板２に形成された第１の配向膜５と、対向基板４に形成された第２の配向膜７とは非対称構造に形成されている。
以下、実施例を用いて液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置についてより具体的に説明する。
【００２２】
（実施例１−１）
本実施例による液晶表示パネルは、イミド化率を異ならせて第１及び第２の配向膜５、７を非対称構造にしている点に特徴を有している。イミド化率の異なる材料を用いたり、イミド化率が同一の材料ではあるがベーク温度を変えたりして第１及び第２の配向膜５、７のイミド化率を異ならせることができる。
【００２３】
本実施例による液晶表示パネルは、図３及び図４の画素構造を有し、絶縁膜３０にＳｉＮ膜が用いられている。図３及び図４に示すように、メタル電極であるゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４並びに第１及び第２の画素電極１６、１７等の各層は、各々必要に応じてパターニングされている。第１及び第２の画素電極１６、１７は微細パターンとし、両電極１６、１７を分離するスリット４６は配向規制用構造物として機能するので、ＴＦＴ基板２と対向基板４とを貼合せることにより、液晶表示パネルがＭＶＡ構造となるようになっている。
【００２４】
対向基板４に形成される配向規制用構造物は、図３に示す土手状の線状突起４４ａ、４４ｂ、４４ｃに代えて点状突起でもよい。線状突起４４ａ、４４ｂ、４４ｃはレジスト材料をパターニングして形成されている。例えば、ＴＦＴ基板２に可溶性ポリイミド型の垂直配向材料Ａ（ＪＳＲ製）がスピナにより形成され、対向基板４に可溶性ポリイミド型の垂直配向材料Ｂ（ＪＳＲ製）がそれぞれスピナにより形成される。次いで、イミド化率ａ％の配向膜Ａ及びイミド化率ｂ％の配向膜Ｂを同一条件下でポストベークまで行い、第１及び第２の配向膜５、７が形成される。なお、垂直配向材料Ａ、Ｂはスピン塗布による形
成に代えて印刷により形成されてもよい。あるいは、一方の垂直配向材料をスピン塗布により形成し、他方を印刷により形成してもよい。
【００２５】
図５は、本実施例による液晶表示パネルの残留ＤＣ電圧の評価結果を示すグラフである。横軸は電圧印加時間（分）を表し、縦軸は残留ＤＣ電圧（Ｖ）を表わしている。図中×印を結ぶ曲線Ａは本実施例の液晶表示パネルの特性を示している。また、図中▲印を結ぶ曲線Ｂは後程説明する実施例１−２による液晶表示パネルの特性を示し、図中□印を結ぶ曲線Ｃは後程説明する実施例１−６による液晶表示パネルの特性を示している。また、図中●印を結ぶ曲線Ｄは、比較例として、従来の容量結合型ＭＶＡ方式の液晶表示パネルの特性を示している。また、当該評価は、周囲温度５０℃の環境下で周波数が３０Ｈｚ、電圧が５Ｖの交流電圧を印加して行われている。
【００２６】
図５に示すように、従来の容量結合型ＭＶＡ方式の液晶表示パネルでは、電圧印加時間が長くなるほど残留ＤＣ電圧が増加する。これに対し、第１及び第２の配向膜５、７のイミド化率を異ならせて非対称構造とすることにより、交流電圧を約１２０分印加しても残留ＤＣ電圧をほぼゼロにすることができる。これにより、本実施例による液晶表示パネルは初期設定値（最適値）からのコモン電圧のズレが極めて減少するので表示画面の焼付き発生を防止することができる。従って、本実施例の液晶表示パネルを備えた液晶表示装置は良好な表示特性を得ることができる。
【００２７】
（実施例１−２）
本実施例による液晶表示パネルは、同一成分の材料に含まれる架橋材量を変えて膜の形成度合いを異ならせることにより非対称構造にされた第１及び第２の配向膜５、７を備えている点に特徴を有している。本実施例の液晶表示パネルは図３及び図４の画素構造を有している。例えば、ＴＦＴ基板２に可溶性ポリイミド型の垂直配向材料Ｃ（ＪＳＲ製）がスピナにより形成され、対向基板４に可溶性ポリイミド型の垂直配向材料Ｄ（ＪＳＲ製）がスピナにより形成される。次いで、垂直配向材料Ｃには架橋材成分を添加し、垂直配向材料Ｄには架橋材成分を添加せずに同一条件下でポストベークを行い、第１及び第２の配向膜５、７が形成される。
【００２８】
図５の曲線Ｂで示すように、同一成分の材料に含まれる架橋材量を異ならせて非対称構造とした第１及び第２の配向膜５、７を用いても、残留ＤＣ電圧をほぼゼロにすることができる。従って、本実施例による液晶表示パネルを備えた液晶表示装置は、上記実施例１−１と同様の効果が得られる。
【００２９】
（実施例１−３）
本実施例による液晶表示パネルは、第１の配向膜５を例えばポリアミック酸の材料で形成し、第２の配向膜７を例えば可溶性ポリイミドからなる材料で形成することにより第１及び第２の配向膜５、７を非対称構造にしている点に特徴を有している。当該構造においても、残留ＤＣ電圧をほぼゼロにすることができる。従って、本実施例による液晶表示パネルを備えた液晶表示装置は、上記実施例１−１、１−２と同様の効果が得られる。
【００３０】
（実施例１−４）
本実施例による液晶表示パネルは、例えば第１の配向膜５をポリアミック酸もしくは可溶性ポリイミドからなる材料で形成し、例えば第２の配向膜７を無機系の材料で形成することにより第１及び第２の配向膜５、７を非対称構造にしている点に特徴を有している。当該構造においても、残留ＤＣ電圧をほぼゼロにすることができる。従って、本実施例による液晶表示パネルを備えた液晶表示装置は、上記実施例１−１乃至１−３と同様の効果が得られる。
【００３１】
（実施例１−５）
本実施例による液晶表示パネルは、第１の配向膜５の膜厚ｄ１と、第２の配向膜７の膜厚ｄ２とを異ならせることにより第１及び第２の配向膜５、７を非対称構造にしている点に特徴を有している。当該構造においても、残留ＤＣ電圧をほぼゼロにすることができる。従って、本実施例による液晶表示パネルを備えた液晶表示装置は、上記実施例１−１乃至１−４と同様の効果が得られる。
【００３２】
（実施例１−６）
容量結合型の液晶表示パネルは、図３に示すように接続電極２５に容量結合された第２の画素電極１７を有する副画素Ｂと、接続電極２５に直結された第１の画素電極１６を有する副画素Ａとから画素領域が構成されている。上記実施例１−１乃至１−５の液晶表示パネルによれば、副画素Ｂの焼付きを解消することができる。しかし、第１及び第２の配向膜５、７の非対称構造が原因となって、副画素Ａにおいて焼付きが発生する可能性を有している。このような場合には、光又は熱により重合可能なモノマーを含ませた液晶をＴＦＴ基板２及び対向基板４の間に充填して、副画素Ａの画素領域のモノマーのみを固化して第１及び第２の配向膜５、７表面に固着させる。このように、モノマーを液晶に混入しておき、電圧を印加して液晶分子が傾斜した状態でモノマーを重合させることによって液晶分子の傾斜方向を記憶させるポリマー配向支持（ＰＳＡ；Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）による効果により、副画素Ａにおける焼付きを抑えることが可能となる。
【００３３】
本実施例による液晶表示パネルは、図３及び図４に示す画素構造を有している。また、上記実施例１−１と同様の第１及び第２の配向膜５、７が形成されている。液晶層６の液晶組成物として、モノマー入りネガ型液晶Ｍ（メルク製）が用いられている。本実施例では、副画素ＡのみにＵＶ光が照射できるマスクを用いることにより、各画素領域の部分的なＰＳＡ化が図られている。
【００３４】
図５の曲線Ｃで示すように、副画素ＡをＰＳＡ化することにより、残留ＤＣ電圧をほぼゼロにすることができる。従って、本実施例による液晶表示パネルを備えた液晶表示装置は、上記実施例１−１乃至１−５と同様の効果が得られる。
【００３５】
本実施の形態は、上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
上記実施例１−１乃至１−６の液晶表示パネルは配向規制用構造物を有しているが、本実施の形態はこれに限られない。例えば、配向規制用構造物を有していない液晶表示パネルでも、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３６】
〔第２の実施の形態〕
本実施の形態は、テレビジョン受像機やモニタ装置等の電子機器の表示部に用いられる液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置に関する。
【００３７】
液晶表示装置は２枚の基板と両基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示パネルを有する。液晶表示装置では、液晶の電気光学異方性を利用して、電気的な刺激により光学的なスイッチングが行われている。液晶層に所定の電圧を印加して液晶分子の傾斜角度を制御し、液晶分子の屈折率異方性の軸の向きを変える。これにより生じる旋光性や複屈折性を利用して光の透過率を変え、液晶表示パネルの画素毎の明るさを制御している。垂直配向方式はそのような液晶表示パネル技術の１つである。ＭＶＡ方式の液晶表示パネルに代表されるように、垂直配向方式の液晶表示装置は広い視野角を実現できる表示方式として実用化されている。
【００３８】
しかしながら、このような垂直配向方式の液晶表示パネルでは、表示画面を斜め方向か
ら見た際（角度方向から見た際）、中間調付近の画像の映像が白っぽくなる現象が発生する。映像が白っぽくなる現象を解決する方法として、液晶分子のプレチルト角が異なる領域を１画素内に形成することで、Ｔ―Ｖ特性の立ち上がり電圧が異なる領域を形成する技術が提案されている。
【００３９】
液晶分子に異なるプレチルト角が付与されるように、光または熱で重合反応するモノマー又はオリゴマーが添加された液晶を注入しておき、モノマー又はオリゴマーの重合時に液晶に印加する電位を変える手法が提案されている。当該手法では、印加電圧が大きいほど液晶分子のプレチルト角は小さくなる。ここで、液晶分子のプレチルト角が小さくなるとは、完全な垂直配向からの傾き角が大きくなる、即ちより水平配向に近くなることをいう。但し、この手法は１画素内に複数のプレチルト角を準備することが必要になり、重合性材料の取り扱い等の問題を含め複雑である。
【００４０】
このように２つのプレチルト領域を形成するのとは別に、１つの画素に２つの電位差を設ける方法も提案されている。図１３は、当該方法に用いられる１画素の構成を模式的に示している。図１３に示すように、１画素内には、ゲート電極Ｇがゲートバスライン６１に接続され、ドレイン電極Ｄがドレインバスラインに接続されたＴＦＴ５１が形成されている。ＴＦＴ５１のソース電極Ｓには画素電極５３が接続されている。画素電極５３には絶縁膜を介して画素電極５５が対向配置されている。画素電極５３、画素電極５５及び両電極５３、５５間に挟まれた絶縁膜により制御容量Ｃｃが形成されている。このように、１画素内には、画素電極５３を備えた副画素と、画素電極５５を備えた副画素とが形成されている。画素電極５３、共通電極５７及び両電極５３、５７間に挟まれた液晶により液晶容量Ｃｌｃ１が形成されている。画素電極５５、共通電極５７及び両電極５５、５７間に挟まれた液晶により液晶容量Ｃｌｃ２が形成されている。液晶容量Ｃｌｃ２と制御容量Ｃｃとが直列に接続され、これらと、液晶容量Ｃｌｃ１が並列に接続された回路構成になっている。
【００４１】
ＴＦＴ５１がオン状態になるとドレインバスライン６３に供給された階調信号が画素電極５３に印加され、一方、共通電極５７には共通電位が印加される。これにより、画素電極５５には、画素電極５３に印加された階調信号の電位より所定量だけ低い電位が維持される。このように、ＴＦＴ５１のソース電極Ｓに直結された画素電極５３と、ＴＦＴ５１に直結されていない画素電極５５とに異なる電圧を印加することができる。しかしながら、このような構成の画素では、液晶表示装置を駆動していると画素電極５５で中心電圧が徐々にずれてしまい、表示画面に焼付き現象が発生するという問題を有している。
【００４２】
本実施の形態の目的は、良好な表示特性の得られる液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置を提供することにある。
【００４３】
上記目的は、ゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えたトランジスタと、前記トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極と、少なくとも前記画素電極上で液晶材料に接触して前記液晶材料の初期配向状態を決定する第１の垂直配向膜とを備えたトランジスタ基板と、前記第１の垂直配向膜と抵抗値が異なり、前記液晶材料に接触して前記初期配向状態を決定する第２の垂直配向膜を備えて前記トランジスタ基板に対向配置された対向基板とを有することを特徴とする液晶表示パネルによって達成される。
【００４４】
本実施の形態によれば、良好な表示特性の得られる液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置が実現できる。
【００４５】
本発明の第２の実施の形態による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置について図６乃至図１１を用いて説明する。図１３に示す画素電極５５での中心電圧が徐々にずれていく現象に関して鋭意調査した結果、以下のような結論に至った。一般に、配向膜が形成されるＴＦＴ基板及び対向基板には、それぞれ異なる材料が表面に形成されている。当該各材料は両基板上の配向膜をそれぞれ異なる状態に汚染する。この汚染の度合いの違いが、液晶表示パネル（液晶セル）内に一意の電流の流れ易い方向を形成し、外部入力として正負等価な方形波を画素電極に印加しても、片方の極性に偏った残留ＤＣ電圧成分が液晶セル内に充電されてしまう。
【００４６】
この場合、ＴＦＴ５１のソース電極Ｓに直結された画素電極５３を有する副画素では、階調信号の書き込み毎に電荷が入力されるため電荷は溜まり難い。しかしながら、容量を形成している画素電極５５を有する副画素では、画素電極５５に溜まった電荷がキャンセルされずに残留していくので中心電圧が大きくずれることになる。
【００４７】
図６は、対向配置されたいずれか一方の基板の配向膜を有機物で汚染させた場合の中心電圧変動の測定結果を示すグラフである。図６（ａ）は、ＴＦＴに直結された画素電極αでの中心電圧変動を示している。図６（ｂ）は、ＴＦＴに直結されずに容量結合された画素電極βでの中心電圧変動を示している。横軸は電圧印加時間（ｍｉｎ）を表し、縦軸は中心電圧の変動（シフト）量（ｍＶ）を表わしている。なお、印加電圧として、交流（ＡＣ）５Ｖの方形波が用いられている。図６（ａ）の図中○印を実線で結ぶ曲線は、対向配置されたいずれかの基板側の配向膜を汚染させた場合の画素電極αでの中心電圧変動を示し、図中◆印を破線で結ぶ曲線は、比較例としての両基板のいずれの配向膜も汚染させていない場合の画素電極αでの中心電圧変動を示している。図６（ｂ）の図中●印を実線で結ぶ曲線は、対向配置された一方の基板（第１の基板）側の配向膜を汚染させた場合の画素電極βでの中心電圧変動を示し、図中○印を実線で結ぶ曲線は、他方の基板（第２の基板）側の配向膜を汚染させた場合の画素電極βでの中心電圧変動を示し、図中に◆印破線で結ぶ曲線は、比較例としての両基板のいずれの配向膜も汚染させていない場合の画素電極βでの中心電圧変動を示している。
【００４８】
図６（ａ）に示すように、いずれか一方の基板側の配向膜を汚染させてＡＣ５Ｖの方形波を印加しても、ＴＦＴに直結された画素電極αでの中心電圧の変化は殆ど生じない。さらに、画素電極αでの中心電圧の変動は配向膜の汚染の有無によらず殆ど同じである。これに対し、図６（ｂ）に示すように、第１又は第２の基板側の配向膜を汚染させてＡＣ５Ｖの方形波を印加すると、配向膜が汚染されていない場合に比べてＴＦＴに直結されていない画素電極βでの中心電圧は大きく変化してしまう。
【００４９】
そこで、配向膜の汚染が起こっていても画素電極βでの中心電圧が殆どずれないようにする手法を調査した結果、以下のような方法が有効であることが判明した。第１の方法は、対向配置された一方の基板からの配向膜の汚染が大きい場合には、他方の基板上に形成される配向膜の膜厚を薄くすることである。第２の方法は、一方の基板からの汚染が大きい場合には、一方の基板に形成した配向膜よりも抵抗値の低い配向膜を他方の基板上に形成することである。これらの方法を用いることにより、中心電圧のずれていく度合いを小さくすることができる。
以下、実施例を用いて液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置についてより具体的に説明する。
【００５０】
（実施例２−１）
本実施の形態の実施例２−１による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置について図７を用いて説明する。図７は、本実施例による液晶表示パネルの要部断面を示して
いる。図７に示すように、本実施例の液晶表示パネルは、対向配置されたＴＦＴ基板７２及び対向基板７４と、両基板７２、７４間に封止された液晶層６とを有している。対向基板７４は対向ガラス基板１１を有している。対向ガラス基板１１には、カラーフィルタ（ＣＦ）樹脂層として赤色のＣＦ樹脂層４０ｒと、緑色のＣＦ樹脂層４０ｇと、青色のＣＦ樹脂層４０ｂとが形成されている。複数のＣＦ樹脂層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂは対向ガラス基板１１面内でマトリクス状に形成されている。ＣＦ樹脂層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂ上には共通電極４２と、液晶層６の液晶分子の初期配向状態を決定する配向膜６７とがこの順に形成されている。
【００５１】
一方、ＴＦＴ基板７２はガラス基板１０を有している。ガラス基板１０には、不図示の絶縁膜を介して交差する複数のゲートバスラインと複数のドレインバスライン（共に不図示）が形成されている。ＣＦ樹脂層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂに対向するガラス基板１０上のそれぞれの位置でゲートバスラインとドレインバスライン（データバスライン）とのマトリクス単位毎に、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０と、ＴＦＴ２０に電気的に接続された画素電極６９とが形成されている。ガラス基板１０には、液晶層６の液晶分子の初期配向状態を決定する配向膜６５が画素電極６９を覆って塗布されている。配向膜６５、６７は液晶層６に接触して形成されている。また、配向膜６５、６７とは抵抗値を異ならせて形成されている。例えば、異なる材料で配向膜６５、６７を形成することにより、それぞれの抵抗値を変えることができる。
【００５２】
配向膜６５、６７の抵抗値が異なるので、配向膜６５、６７の少なくとも一方が汚染されても、液晶表示パネル内に一意の電流の流れを防止できる。これにより、画素電極６９に偏った残留ＤＣ電圧成分は殆ど生じなくなる。従って、表示画面の焼付きの発生を防止でき、液晶表示パネルは良好な表示特性が得られる。また、当該液晶表示パネルを用いることにより、液晶表示装置の表示特性の向上を図ることができる。
【００５３】
（実施例２−２）
本実施の形態の実施例２−２による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置について図８を用いて説明する。図８は、本実施例による液晶表示パネルの要部断面を示している。図８に示すように、本実施例の液晶表示パネルは、配向膜６５、６７の膜厚が異なる点に特徴を有している。配向膜６５の膜厚ｄ１は、配向膜６７の膜厚ｄ２より薄く形成されている。このため、例えば配向膜６７の汚染が配向膜６５の汚染より大きい場合に有効である。また、配向膜６５側の汚染が相対的に大きい場合には、配向膜６５の膜厚ｄ１を配向膜６７の膜厚ｄ２より薄く形成することにより、中心電圧のずれていく度合いを小さくすることができる。
【００５４】
このように、配向膜６５、６７のそれぞれの膜厚を変えることにより、配向膜６５、６７の汚染の度合いが異なっていても、液晶表示パネル内に一意の電流の流れを防止できる。これにより、画素電極６９に偏った残留ＤＣ電圧成分は殆ど生じなくなる。従って、本実施例による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置は表示画面の焼付きの発生を防止できるので、上記実施例２−１と同様の効果が得られる。
【００５５】
（実施例２−３）
本実施の形態の実施例２−３による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置について図９を用いて説明する。図９は、本実施例による液晶表示パネルの要部断面を示している。本実施例の液晶表示パネルは、イミド化率がそれぞれ異なる垂直配向膜７５、７７を備えた点に特徴を有している。図９に示すように、ＴＦＴ基板７２は垂直配向膜７５を有し、対向基板７４は垂直配向膜７７を有している。また、液晶層６を構成する液晶材料は負の誘電率異方性を有しており、液晶分子７９は電圧無印加時に両基板７２、７５のそれぞれの膜形成面にほぼ垂直に配向される。
【００５６】
ところで一般に、配向膜はイミド化率が大きいほど抵抗値が大きくなる。従って、垂直配向膜７７側が相対的に汚染され易い場合には、垂直配向膜７５のイミド化率を小さくし、垂直配向膜７５側が相対的に汚染され易い場合には、垂直配向膜７７のイミド化率を小さくすることにより、中心電圧のずれていく度合いを小さくすることができる。
【００５７】
このように、垂直配向膜７５、７７のそれぞれのイミド化率を変えることにより抵抗値を異ならせることができるので、垂直配向膜７５、７７の汚染の度合いが異なっていても、液晶表示パネル内に一意の電流の流れを防止できる。これにより、画素電極６９に偏った残留ＤＣ電圧成分は殆ど生じなくなる。従って、本実施例による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置は表示画面の焼付きの発生を防止できるので、上記実施例２−１及び２−２と同様の効果が得られる。
【００５８】
本実施例では、液晶表示パネルは垂直配向膜７５、７７を有しているが、上記実施例２−１及び実施例２−２と同様の配向膜６５、６７を有していても、同様の効果が得られる。
【００５９】
（実施例２−４）
本実施の形態の実施例２−４による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置について図１０を用いて説明する。図１０は、本実施例による液晶表示パネルの要部断面を示している。本実施例の液晶表示パネルは、液晶分子の配向方位を規定する配向規制用構造物としての突起７０を備えた点に特徴を有している。図１０に示すように、対向基板７４は画素毎に突起７０を有している。樹脂で突起７０が形成されていると、この樹脂により配向膜６７が汚染され易くなる。そこで、配向膜６５の膜厚を配向膜６７の膜厚より薄くしたり、配向膜６５の抵抗値を配向膜６７の抵抗値より低くしたりする（例えば、配向膜６５のイミド化率を配向膜６７のイミド化率より小さくする）ことにより、上記実施例２−１乃至２−３と同様の効果が得られる。このように、本実施の形態の焼付き防止の手法は、突起７０を有する液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置に特に有効である。
【００６０】
（実施例２−５）
本実施の形態の実施例２−５による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置について図１１を用いて説明する。図１１は、本実施例による液晶表示パネルの断面を示している。図１１（ａ）は、液晶表示パネルの要部断面を示し、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の仮想円Ａを拡大して示している。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、本実施例の液晶表示パネルは、ＴＦＴ２０に直結された画素電極６９と、画素電極６９を介してＴＦＴ２０に容量結合された画素電極（容量結合画素電極）７８とを画素毎に備えた点に特徴を有している。画素電極６９及び画素電極７８のそれぞれの一部は絶縁膜７６を介して対向配置されている。このため、画素電極６９、画素電極７８及び両電極６９、７８間に挟まれた絶縁膜７６により制御容量Ｃｃが形成される。
【００６１】
画素電極６９を有する副画素と、画素電極７８を有する副画素とに分割された画素構造では、図６に示すように、配向膜６５、６７のそれぞれの汚染状態の差が顕著に現れて、画素電極７８での中心電圧が変動し易くなる。しかし、配向膜６５、６７のイミド化率を異ならせることにより汚染状態の非対称性を抑制することが可能になる。あるいは、配向膜６５、６７のそれぞれの膜厚を異ならせたり、抵抗値を異ならせたりすることより汚染状態の非対称性を抑制することが可能になる。これにより、画素電極７８での中心電圧の変動が極めて減少するため、表示画面に発生する焼付きを防止することができる。
【００６２】
本実施例の液晶表示パネルは１画素内に異なる階調信号が印加される副画素を形成することにより、２つのＴ−Ｖ特性の分布を形成することができる。これにより、液晶表示パ
ネルは、画面を斜め方向から見た際に中間調付近の画像の映像が白っぽくなる現象、及び表示画面の焼付きの発生が防止される。従って、本実施例による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置は、上記実施例２−１乃至２−４に比較してより良好な表示特性が得られる。
【００６３】
本実施の形態は、上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
上記実施例２−５の液晶表示パネルでは、画素電極６５、６７が一部重なって制御容量Ｃｃを形成しているが、本実施の形態はこれに限られない。例えば、上記第１の実施の形態の液晶表示パネルと同様の画素構造でも同様の効果が得られる。
【００６４】
以上説明した第１の実施の形態による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
ゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えたトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極に電気的に接続された第１の画素電極と、
前記トランジスタのソース電極に絶縁膜を介して対向配置され、前記第１の画素電極と分離して形成された第２の画素電極と、
前記第１及び第２の画素電極上に形成されて液晶材料の初期配向状態を決定する第１の配向膜と
を備えたトランジスタ基板と、
前記第１の配向膜と構造及び状態の少なくとも一方が異なり前記液晶材料の初期配向状態を決定する第２の配向膜を備えて前記トランジスタ基板に対向配置された対向基板と
を有することを特徴とする液晶表示パネル。
（付記２）
付記１記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の配向膜は、膜厚が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の配向膜は、イミド化率が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記４）
付記１又は２に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の配向膜は、架橋材量が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記５）
付記１又は２に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１の配向膜は、ポリアミック酸系材料で形成されており、前記第２の配向膜は、可溶性ポリイミド系材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記６）
付記１又は２に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１の配向膜は、ポリアミック酸系材料又は可溶性ポリイミド系材料で形成されており、前記第２の配向膜は、無機系材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記７）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記液晶材料はモノマーを有し、
前記モノマーは固化形成されていること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記８）
付記７記載の液晶表示パネルにおいて、
前記モノマーは、前記第１の画素電極側のみ固化形成されていること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記９）
付記１乃至８のいずれか１項に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記トランジスタ基板及び前記対向基板の少なくとも一方は、前記液晶材料の配向方位を規定する配向規制用構造物が形成されていること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記１０）
付記１乃至９のいずれか１項に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記液晶材料は、負の誘電率異方性を有し、電圧無印加時に前記トランジスタ基板及び前記対向基板のそれぞれの膜形成面にほぼ垂直に配向していること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記１１）
付記１乃至１０のいずれか１項に記載の液晶表示パネルを有することを特徴とする液晶表示装置。
【００６５】
以上説明した第２の実施の形態による液晶表示パネル及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１２）
ゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えたトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極と、
少なくとも前記画素電極上で液晶材料に接触して前記液晶材料の初期配向状態を決定する第１の垂直配向膜と
を備えたトランジスタ基板と、
前記第１の垂直配向膜と抵抗値が異なり、前記液晶材料に接触して前記初期配向状態を決定する第２の垂直配向膜を備えて前記トランジスタ基板に対向配置された対向基板と
を有することを特徴とする液晶表示パネル。
（付記１３）
付記１２記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の垂直配向膜は、膜厚が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記１４）
付記１２記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の垂直配向膜は、イミド化率が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記１５）
付記１２記載の液晶表示パネルにおいて、
前記対向基板は、前記液晶材料の配向方位を規定する突起状構造物を有し、
前記第１の垂直配向膜の抵抗値は、前記第２の垂直配向膜の抵抗値より低いこと
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記１６）
付記１２乃至１５のいずれか１項に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記画素電極に容量結合された容量結合画素電極を有すること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記１７）
付記１２乃至１６のいずれか１項に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記液晶材料は、負の誘電率異方性を有し、電圧無印加時に前記トランジスタ基板及び前記対向基板のそれぞれの膜形成面にほぼ垂直に配向していること
を特徴とする液晶表示パネル。
（付記１８）
付記１２乃至１７のいずれか１項に記載の液晶表示パネルを有することを特徴とする液晶表示装置。
【符号の説明】
【００６６】
２、７２  ＴＦＴ基板
４、７４  対向基板
５  第１の配向膜
６  液晶層
７  第２の配向膜
１０  ガラス基板
１１  対向ガラス基板
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１６  第１の画素電極
１７  第２の画素電極
１８  蓄積容量バスライン
１９  蓄積容量電極（中間電極）
２０  ＴＦＴ
２４  コンタクトホール
２５  接続電極
３０  絶縁膜
３２  保護膜
３９  画素群
４０、４０ｒ、４０ｇ、４０ｂ  ＣＦ樹脂層
４２  共通電極
４４ａ、４４ｂ、４４ｃ  線状突起
４６  スリット
６５、６７  配向膜
６９、７８  画素電極
７０  突起
７５、７７  垂直配向膜
７９  液晶分子
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６、８７  偏光板
８８  バックライトユニット
【図１】
2010160529.tif 000003
【図２】
2010160529.tif 000004
【図３】
2010160529.tif 000005
【図４】
2010160529.tif 000006
【図５】
2010160529.tif 000007
【図６】
2010160529.tif 000008
【図７】
2010160529.tif 000009
【図８】
2010160529.tif 000010
【図９】
2010160529.tif 000011
【図１０】
2010160529.tif 000012
【図１１】
2010160529.tif 000013
【図１２】
2010160529.tif 000014
【図１３】
2010160529.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えたトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極と、
少なくとも前記画素電極上で液晶材料に接触して前記液晶材料の初期配向状態を決定する第１の垂直配向膜と
を備えたトランジスタ基板と、
前記第１の垂直配向膜と抵抗値が異なり、前記液晶材料に接触して前記初期配向状態を決定する第２の垂直配向膜を備えて前記トランジスタ基板に対向配置された対向基板と
を有することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の垂直配向膜は、膜厚が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
請求項１記載の液晶表示パネルにおいて、
前記第１及び第２の垂直配向膜は、イミド化率が異なること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項４】
請求項１記載の液晶表示パネルにおいて、
前記対向基板は、前記液晶材料の配向方位を規定する突起状構造物を有し、
前記第１の垂直配向膜の抵抗値は、前記第２の垂直配向膜の抵抗値より低いこと
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記画素電極に容量結合された容量結合画素電極を有すること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示パネルにおいて、
前記液晶材料は、負の誘電率異方性を有し、電圧無印加時に前記トランジスタ基板及び前記対向基板のそれぞれの膜形成面にほぼ垂直に配向していること
を特徴とする液晶表示パネル。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示パネルを有することを特徴とする液晶表示装置。