(57)【要約】【課題】レアショート検出をより安定した状態で行う検出回路を提供する。【解決手段】リニアソレノイド７を駆動するためのＦＥＴ５，９と夫々ミラー対をなすようにＦＥＴ５ａ，９ａを配置し、カレントミラー回路４０，４５，２２は、ＦＥＴ９ａに流れる第２電流Ｉ２’をミラーさせた電流Ｉ２”を電流合成点Ｐに供給し、カレントミラー回路３６は、ＦＥＴ５ａに流れる第１電流Ｉ１’をミラーさせた電流Ｉ１”を電流合成点Ｐより流出させる。そして、オフセット電流供給回路５３は、回路基板温度の検出結果に応じて、第２電流Ｉ２’と第１電流Ｉ１’との差電流が有している温度特性を補正するオフセット電流Ｉoffsetを電流合成点Ｐに供給する。【選択図】図１
2010096662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源と負荷との間に接続される電源側トランジスタと、
この電源側トランジスタに流れる電流を、所定の電流比で検出する第１検出用トランジスタと、
前記負荷とグランドとの間に接続されるグランド側トランジスタと、
このグランド側トランジスタに流れる電流を、所定の電流比で検出する第２検出用トランジスタと、
前記第１検出用トランジスタに流れる第１電流をミラーさせる第１電流ミラー回路と、
前記第２検出用トランジスタに流れる第２電流をミラーさせる第２電流ミラー回路と、
前記第１電流のミラー電流と、前記第２電流のミラー電流との何れか一方がソース電流，他方がシンク電流として作用する電流合成点と、
前記各回路素子が搭載されている回路基板の温度を検出し、その検出結果に応じて、前記第１電流，前記第２電流の差電流が有している温度特性を補正するオフセット電流を、前記第２電流のミラー電流と同方向で前記電流合成点に作用させるオフセット電流供給回路と、
前記電流合成点に作用するソース電流とシンク電流との大小関係が、当初の状態から逆転した場合に導通する判定用トランジスタとで構成されることを特徴とするレアショート検出回路。
【請求項２】
前記オフセット電流供給回路は、供給すべきオフセット電流が一定レベル以下となる温度帯よりも高温域側では、検出温度が上昇するのに応じて、前記オフセット電流を増加させることを特徴とする請求項１記載のレアショート検出回路。
【請求項３】
前記オフセット電流供給回路は、供給すべきオフセット電流が一定レベル以下となる温度帯よりも低温域側では、検出温度が下降するのに応じて、前記オフセット電流を増加させることを特徴とする請求項１又は２記載のレアショート検出回路。
【請求項４】
前記オフセット電流供給回路は、正の温度特性を有する基準電圧発生回路を備え、その基準電圧に応じた定電流を、前記オフセット電流として出力することを特徴とする請求項２記載のレアショート検出回路。
【請求項５】
前記基準電圧発生回路は、電源とグランドとの間に接続されるダイオードと抵抗素子との直列回路で構成されることを特徴とする請求項４記載のレアショート検出回路。
【請求項６】
前記オフセット電流供給回路は、電流源と、この電流源と電流出力端子との間に挿入されるスイッチ回路と、温度検出用のダイオードとで構成され、前記ダイオードの順方向電圧の変化に応じて、前記スイッチ回路の断続を制御するように構成される電流供給ユニットを１つ以上備えることを特徴とする請求項２又は３記載のレアショート検出回路。
【請求項７】
前記電流供給ユニットは、前記スイッチ回路をトランジスタで構成し、
前記ダイオードの順方向電圧と基準電圧との比較結果に応じて、前記トランジスタの導通を制御するオペアンプを備えることを特徴とする請求項６記載のレアショート検出回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源と負荷との間に接続される電源側トランジスタと、前記負荷とグランドとの間に接続されるグランド側トランジスタとを備えて当該負荷を通電駆動する構成において、負荷のレアショート状態を検出するためのレアショート検出回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、従来のレアショート検出回路の一構成例を示すものである。駆動ＩＣ１のＤ／Ｖ変換回路２は、制御ロジック回路部１５（図７参照）よりＤＵＴＹ信号として与えられる制御指令を電圧信号に変換してフィードバック制御部３に出力する。フィードバック制御部３は、上記制御指令と、後述する検出電流の電圧変換信号との差分信号をＤｕｔｙ信号生成回路４に出力する。Ｄｕｔｙ信号生成回路４は、上記差分信号と、図示しない三角波発生回路より出力されるＰＷＭ制御の搬送波である三角波信号とを比較し、Ｄｕｔｙ信号（ＰＷＭ信号）を生成する。
【０００３】
駆動ＩＣ１の電源端子ＶＢには、バッテリ電源ＶＢが供給されていると共に、ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ５のソースが接続されており、ＦＥＴ５のドレインは、駆動ＩＣ１の出力端子ＬＳ＋及びＥＣＵ６の負荷端子ＳＬＴ＋を介して、リニアソレノイド（負荷）７の一端に接続されている。リニアソレノイド７は、例えば車両のクラッチを操作する空気圧を生成するため、空気流量を調整するバルブの開閉を制御するものである。
リニアソレノイド７の他端は、ＥＣＵ（Electronic Control Unit）６の負荷端子ＳＬＴ−，電流検出用の抵抗素子８及び駆動ＩＣ１の出力端子ＬＳ−を介してＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ９のドレインに接続されている。ＦＥＴ９のソースは、駆動ＩＣ１のＧＮＤ端子及びＥＣＵ６のグランド端子ＰＧＮＤを介してボディアースに接続されている。出力端子ＬＳ＋，ＬＳ−間には、フリーホイールダイオード１０が逆方向に接続されている。
【０００４】
抵抗素子８の両端は、駆動ＩＣ１の入力端子ＭＯＮ＋，ＭＯＮ−を介して電流モニタ回路１１に接続されており、電流モニタ回路１１は、ＦＥＴ５及び９がＯＮした場合に抵抗素子８に流れる電流を電圧として差動増幅して検出し、その検出結果をフィードバック制御部３に出力する。リニアソレノイド７に通電する場合、ロウサイドのＦＥＴ９はフルオン状態に維持され、ハイサイドのＦＥＴ５がＰＷＭ信号によりスイッチング制御される。
【０００５】
ＦＥＴ５のドレインは、コンパレータ１２の非反転入力端子に接続されており、コンパレータ１２の反転入力端子には、閾値電圧Ｖthが与えられている。このコンパレータ１２は、リニアソレノイド７の電源側に生じたレアショート（例えば、ハーネスの噛み込みなどによる部分的なショート，漏電）を検出するもので、ＦＥＴ５がＯＦＦの期間におけるドレイン電圧がグランドレベルよりも上昇したことを検出すると、ハイレベルのＤＩＡＧ信号をＯＲゲート１３の一方の入力端子に出力する。尚、ＦＥＴ５がＯＦＦ期間であることを検出してＤＩＡＧ出力を有効化するロジックは、図示しないが別途設けられている。
【０００６】
ＦＥＴ５及び９は、ドレイン電流検出用の端子を備えており、それらの検出出力はレアショート検出回路１４に与えられている。レアショート検出回路１４は、リニアソレノイド７のグランド側に生じたレアショートを検出するもので、その検出出力は、ＯＲゲート１３の他方の入力端子に接続されている。
【０００７】
次に、レアショート検出回路１４の詳細構成について図７を参照して説明する。尚、当該構成の基本的な部分は、特許文献１に開示されている。制御ロジック回路部１５は、上述したように、駆動ＩＣ１に対して制御指令を与えると共に、駆動ＩＣ１より出力されるＤＩＡＧ信号が与えられる。
電源線２１には、３つのＰＮＰトランジスタ２２ａ，２２ｂ，２３のコレクタが、それぞれ抵抗素子２４〜２６を介して接続されており、トランジスタ２２ａ，２２ｂの対がカレントミラー回路２２（第２電流ミラー回路）を構成している。トランジスタ２２ａ，２２ｂのベースは共通に接続されていると共に、抵抗素子２７を介して電源線２１に接続され、また抵抗素子２８を介してＰＮＰトランジスタ２９のエミッタに接続されている。
【０００８】
トランジスタ２９のベースは、トランジスタ２２ａのコレクタに接続されており、トランジスタ２９のコレクタはグランド線３０に接続されている。ＰＮＰトランジスタ３１（判定用トランジスタ）のエミッタは電源線２１に接続されており、ベースは抵抗素子３２を介してトランジスタ２２ｂのコレクタ：電流合成点Ｐに接続され、トランジスタ３１のコレクタは、抵抗素子３３及び３４を介してグランド線３０に接続されている。そして、抵抗素子３３及び３４の共通接続点がＤＩＡＧ信号の出力端子となっている。
トランジスタ２３のコレクタは電流合成点Ｐに接続されており、ベースには、具体的には図示しないが、制御ロジック回路部１５の内部において定電流制御用のベース電位が付与されている。このトランジスタ２３は、オフセット電流Ｉoffsetを電流合成点Ｐにソース電流として供給するために設けられている。
【０００９】
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５ａは、図５におけるＦＥＴ５のドレイン電流検出端子に相当する電流検出用の素子であり、そのソースは電源線２１に接続されている。ＦＥＴ５ａは、ＦＥＴ５と共通のゲート信号によりスイッチング制御され、ＦＥＴ５に流れるドレイン電流に対して所定比（例えば数１００分の１〜数１０００分の１）の電流が流れるように構成されている。ＦＥＴ５ａのドレインは、３直列のダイオード３５ａ〜３５ｃを介してＮＰＮトランジスタ３６ａのコレクタに接続されている。
【００１０】
トランジスタ３６ａは、ＮＰＮトランジスタ３６ｂとカレントミラー回路３６（第１電流ミラー回路）を構成しており、両者のベースはトランジスタ３６ａのコレクタに接続されている。そして、トランジスタ３６ｂのコレクタは、抵抗素子３７を介して電流合成点Ｐに接続されている。また、ＦＥＴ５，５ａのドレインは、オペアンプ３８の非反転入力端子，反転入力端子にそれぞれ接続されており、オペアンプ３８の出力端子は、トランジスタ３６ａ,３６ｂのエミッタに接続されている。
【００１１】
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ９ａは、ＦＥＴ５ａと同様に、ＦＥＴ９のドレイン電流検出端子に相当する電流検出用の素子であり、そのソースはグランド線３０に接続されている。ＦＥＴ９，９ａのドレインは、オペアンプ３９の非反転入力端子，反転入力端子にそれぞれ接続されており、オペアンプ３９の出力端子は、ＰＮＰトランジスタ４０ａ,４０ｂのエミッタに接続されている。
【００１２】
トランジスタ４０ａ,４０ｂは、カレントミラー回路４０（第２電流ミラー回路）を構成しており、両者のベースは、抵抗素子４１を介してＰＮＰトランジスタ４２のコレクタに接続されている。トランジスタ４２のベースは、トランジスタ４０ａのコレクタに接続され、トランジスタ４２のエミッタは、グランド線３０に接続されている。また、トランジスタ４０ａのコレクタは、ダイオード４３ａ及び４３ｂを介してＦＥＴ９ａのドレインに接続されている。
【００１３】
トランジスタ４０ｂのコレクタは、抵抗素子４４を介してＮＰＮトランジスタ４５ａのコレクタに接続され、トランジスタ４５ａのエミッタは、グランド線３０に接続されている。トランジスタ４５ａは、ＮＰＮトランジスタ４５ｂとカレントミラー回路４５（第２電流ミラー回路）を構成しており、両者のベースはトランジスタ４５ａのコレクタに接続されている。そして、トランジスタ４５ｂのコレクタは、抵抗素子４６を介してトランジスタ２２ａのコレクタに接続されている。
【００１４】
尚、オペアンプ３８，３９は、ＦＥＴ５及び５ａ，ＦＥＴ９及び９ａのドレイン電位をそれぞれ等しくするために配置されており、ダイオード３５，４３は、オペアンプ３８，３９が上記作用をなすために出力する電圧レベルを低下させる目的で配置されている。ロウサイドについては、オペアンプ３９の出力端子に２つ分のトランジスタ４０，４２によるＶBEの電圧降下が寄与しているため、ダイオード４３の数がハイサイドよりも１つ少なくなっている。
【００１５】
次に、上記構成の作用について説明する。正常な状態で、ＦＥＴ５及び９がＯＮしてリニアソレノイド７に通電を行っている場合、ＦＥＴ５にはドレイン電流Ｉ１が流れると共に、ＦＥＴ９にはドレイン電流Ｉ２が流れ、両電流は等しい値となる（Ｉ１＝Ｉ２）。このとき、ハイサイドでは、ＦＥＴ５ａにドレイン電流Ｉ１’が流れ、その電流は、カレントミラー回路３６によりミラーされて電流Ｉ１”となる。この電流Ｉ１”は、電流合成点Ｐに対してシンク電流となる。
【００１６】
一方、ロウサイドでは、ＦＥＴ９ａにドレイン電流Ｉ２’が流れ、その電流は、カレントミラー回路４０及び４５によりミラーされて電流Ｉ２”となる。電流Ｉ２”は、更にハイサイドのカレントミラー回路２２によりミラーされ、電流合成点Ｐにソース電流として流入する。この場合、
Ｉ２”＋Ｉoffset＞Ｉ１”    …（１）
の関係が成り立つように、各カレントミラー回路の電流比，並びにオフセット電流Ｉoffsetの値が設定されており、トランジスタ３１にベース電流は流れない。したがって、ＤＩＡＧ端子はグランドレベル（ロウ）になっている。
【００１７】
そして、リニアソレノイド７のグランド側でレアショートが発生し、ショート電流Ｉshortが流れると、電流Ｉ２はその分だけ減少する。すなわち、
Ｉ２＝Ｉ１−Ｉshort    …（２）
となる。すると、トランジスタ２２ｂのコレクタに流れるミラー電流Ｉ２”もその分だけ減少するため、
Ｉ２”＋Ｉoffset＜Ｉ１”    …（３）
となり、電流合成点Ｐにおけるソース電流，シンク電流の大小関係が、（１）式の状態から逆転する。その結果、トランジスタ３１にベース電流が流れるため、ＤＩＡＧ端子はハイレベルに変化して、ＤＩＡＧ出力が行われる。
【特許文献１】特開２００６−１７６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
上記の構成では、（１），（３）式に示すように、トランジスタ２２ｂのコレクタである各電流の合成点Ｐに対して、流入する電流（Ｉ２”＋Ｉoffset）と、流出する電流Ｉ１”との差分が、グランド側のレアショート判定を行う閾値となっている。しかしながら、その閾値に相当する差分電流が、図８に示すような温度特性を備えており、高温域と低温域とでは閾値が低下する傾向を示すことが判った。この原因としては、各カレントミラー回路のミラー比精度や、ミラー対を構成するトランジスタのｈFEが有している温度特性、ベース電流誤差などがあると推定される。
【００１９】
従って、従来のレアショート検出回路１４では、動作環境の温度に応じてレアショートを検出する電流レベルが異なる。そして、閾値相当電流が負の領域まで落ち込んでしまうと、本来は正常状態であるにも関わらずレアショートを検出してしまうおそれがある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、レアショート検出をより安定した状態で行うことができるレアショート検出回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
請求項１記載のレアショート検出回路によれば、負荷を駆動するための電源側，グランド側トランジスタに流れる電流を、所定の電流比で検出する第１，第２検出用トランジスタを配置し、第１，第２電流ミラー回路は、第１，第２検出用トランジスタに流れる第１，第２電流をそれぞれミラーさせた電流を、何れか一方がソース電流，他方がシンク電流となるように電流合成点に作用させる。また、オフセット電流供給回路は、オフセット電流を、第２電流のミラー電流と同方向となるように電流合成点に作用させる。
【００２１】
すなわち、正常状態では、電源側の第１電流とグランド側の第２電流とは等しくなっているが、グランド側でレアショートが発生して漏電すると、その漏電した分だけ第２電流が第１電流よりも小さくなる。すると、第２電流ミラー回路を介して電流合成点に作用するミラー電流もその分だけ減少するので、その結果として電流合成点に作用するソース電流とシンク電流との大小関係が当初の状態より逆転すると、判定用トランジスタが導通してグランド側でレアショートが発生したことを検出できる。そして、オフセット電流は、回路基板温度の検出結果に応じて、第１電流，第２電流の差電流が有している温度特性を補正する電流となっているので、動作環境の温度が変化した場合でも、レアショートの発生を安定して検出することができる。
【００２２】
請求項２記載のレアショート検出回路によれば、オフセット電流供給回路は、供給すべきオフセット電流が一定レベル以下となる温度帯よりも高温域側では、検出温度が上昇するのに応じてオフセット電流を増加させる。すなわち、第２電流と第１電流との差電流は、高温域側では温度が上昇するのに応じて減少する傾向を示すので、オフセット電流を増加させてその減少分を補うことで高温域側の温度特性を補正できる。
【００２３】
請求項３記載のレアショート検出回路によれば、オフセット電流供給回路は、供給すべきオフセット電流が一定レベル以下となる温度帯よりも低温域側では、検出温度が下降するのに応じてオフセット電流を増加させる。すなわち、第２電流と第１電流との差電流は、低温域側では温度の下降に応じて減少する傾向を示すので、オフセット電流を増加させてその減少分を補うことで低温域側の温度特性を補正できる。
【００２４】
請求項４記載のレアショート検出回路によれば、オフセット電流供給回路は、正の温度特性を有する基準電圧発生回路を備え、その基準電圧に応じた定電流をオフセット電流として出力する。すなわち、回路基板の温度上昇に伴い基準電圧が上昇すればオフセット電流として供給される定電流値も上昇するので、高温域側の温度特性を補正できる。
【００２５】
請求項５記載のレアショート検出回路によれば、基準電圧発生回路を、電源とグランドとの間に接続されるダイオードと抵抗素子との直列回路で構成する。すなわち、ダイオードの順方向電圧は負の温度特性を有しているので、抵抗素子との共通接続点に発生させる基準電圧に正の温度特性を与えることができる。
【００２６】
請求項６記載のレアショート検出回路によれば、電流源と、この電流源と電流出力端子との間に挿入されるスイッチ回路と、温度検出用のダイオードとで構成され、ダイオードの順方向電圧の変化に応じてスイッチ回路の断続を制御する電流供給ユニットを１つ以上備えてオフセット電流供給回路を構成する。すなわち、ダイオードが検出した温度に応じて順方向電圧を負の温度特性で変化させ、その変化に応じてスイッチ回路を開閉させればオフセット電流量が変化するので、温度特性を補正することができる。
【００２７】
請求項７記載のレアショート検出回路によれば、電流供給ユニットのスイッチ回路をトランジスタで構成し、ダイオードの順方向電圧と基準電圧との比較結果に応じてトランジスタの導通を制御するオペアンプを備える。すなわち、ダイオードが検出した温度に応じて順方向電圧が変化するので、オペアンプが基準電圧と比較した結果でトランジスタを導通させればオフセット電流量が変化するので、温度特性を補正することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１実施例）
以下、本発明の第１実施例について図１乃至図３を参照して説明する。尚、図６及び図７と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。図１は図７相当図であり、駆動ＩＣ５１に配置されるレアショート検出回路５２は、トランジスタ２３及び抵抗素子２６に替えてオフセット電流供給回路５３を備えており、そのオフセット電流供給回路５３は、温度検出器５４及び定電流源５５で構成されている。
【００２９】
図２は、オフセット電流供給回路５３の具体構成例を示すものである。定電流源５５において、ミラー対を構成するＰＮＰトランジスタ５６ａ，５６ｂは、エミッタが電源Ｖ１に接続され、両者のベースは、抵抗素子５７を介してＰＮＰトランジスタ５８のエミッタに接続されている。トランジスタ５８のコレクタはグランドに接続されている。トランジスタ５８のベースは、トランジスタ５６ａのコレクタと共にＮＰＮトランジスタ５９のコレクタに接続され、トランジスタ５９のエミッタは、抵抗素子６０を介してグランドに接続されている。また、トランジスタ５６ｂのコレクタは、オフセット電流Ｉoffsetの出力端子であり、トランジスタ２２ｂのコレクタ：電流合成点Ｐに接続されている。
【００３０】
電源Ｖ１とグランドとの間には、抵抗素子６１とＰＮＰトランジスタ６２との直列回路が接続され、両者の共通接続点（トランジスタ６２のエミッタ）には、トランジスタ５９のベースが接続されている。また、電源Ｖ２とグランドとの間には、ダイオードＤ１及び抵抗素子６３の直列回路が接続されており、両者の共通接続点は抵抗素子６４を介してトランジスタ６２のベースに接続されている。そして、ダイオードＤ１及び抵抗素子６３は、基準電圧発生回路６５を構成している。
【００３１】
一般的な定電流源であれば、定電流値を決定するトランジスタ６２のベースには、抵抗素子６４を介して、温度特性を持たない例えばバンドギャップリファレンス（ＢＧＲ）による基準電圧が付与されるが、本実施例では、ダイオードＤ１及び抵抗素子６３の直列回路を接続する。ダイオードＤ１は温度検出器５４に対応しており、その順方向電圧Ｖｆは負の温度特性を有している。したがって、抵抗素子６３との共通接続点（節点Ａ）において付与される電圧は、正の温度特性を有することになる。
その結果、定電流源５５の動作としては、ダイオードＤ１が検出する温度が上昇するとオフセット電流Ｉoffsetが増加することになり、オフセット電流Ｉoffsetに正の温度特性を付与することができる。よって、従来構成において高温域側（例えば、８０℃以上）に現れる負の温度特性を、図３に示すようにオフセット電流Ｉoffsetに付与した正の温度特性により相殺し、温度特性をキャンセルすることができる。
【００３２】
以上のように本実施例によれば、リニアソレノイド（負荷）７を駆動するためのＦＥＴ５（電源側トランジスタ），ＦＥＴ９（グランド側トランジスタ）と夫々ミラー対をなすようにＦＥＴ５ａ（第１検出用トランジスタ），ＦＥＴ９ａ（第２検出用トランジスタ）を配置し、カレントミラー回路４０，４５，２２は、ＦＥＴ９ａに流れる第２電流Ｉ２’をミラーさせた電流Ｉ２”を電流合成点Ｐにソース電流として供給し、カレントミラー回路３６は、ＦＥＴ５ａに流れる第１電流Ｉ１’をミラーさせた電流Ｉ１”を電流合成点Ｐよりシンク電流として流出させる。
そして、オフセット電流供給回路５３は、回路基板温度の検出結果に応じて、第２電流Ｉ２’と第１電流Ｉ１’との差電流が有している温度特性を補正するオフセット電流Ｉoffsetを電流合成点Ｐにソース電流として供給するので、動作環境の温度が変化した場合でも、グランド側でのレアショートの発生を安定して検出することができる。
【００３３】
この場合、オフセット電流供給回路５３は、供給すべきオフセット電流Ｉoffsetが一定レベル以下となる温度帯よりも高温域側で、検出温度が上昇するのに応じてオフセット電流Ｉoffsetを増加させる。具体的には、正の温度特性を有する基準電圧発生回路６５を備え、その基準電圧に応じた定電流を、定電流源５５によりオフセット電流Ｉoffsetとして出力するので、高温域側の温度特性を補正できる。すなわち、回路基板の温度上昇に伴い基準電圧が上昇し、オフセット電流として供給される定電流値も上昇するので、高温域側の温度特性を補正できる。
また、基準電圧発生回路６５を、電源とグランドとの間に接続されるダイオードＤ１と抵抗素子６３との直列回路で構成するので、両者の共通接続点に発生させる基準電圧に、正の温度特性を与えることができる。
【００３４】
（第２実施例）
図４及び図５は本発明の第２実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第２実施例は、オフセット電流供給回路の異なる構成例を示すものである。図４（ａ）において、オフセット電流供給回路７１は、定電流源７２とスイッチ回路７３との組みで構成される電流供給ユニット７４を複数（Ｎ個）備えて構成されている。
【００３５】
図４（ｂ），（ｃ）は、スイッチ回路７３の具体構成例を示す。図４（ｂ）は、正の温度特性に対応する構成である。スイッチ回路７３は、電源Ｖ１とグランドとの間に接続される定電流源７５とダイオードＤ２との直列回路，上述したＢＧＲ回路が発生する電源電圧ＶＢＧとグランドとの間に接続される抵抗素子７６及び７７の直列回路，前者の共通接続点に反転入力端子が接続され、後者の共通接続点に非反転入力端子が接続されるオペアンプＯＰ１，そのオペアンプＯＰ１の出力端子にベースが接続されるＮＰＮトランジスタＴＲ１で構成されている。そして、トランジスタＴＲ１のコレクタ（端子Ａ）が定電流源７２に接続され、エミッタ（端子Ｂ）がオフセット電流出力端子に接続される。
【００３６】
また、図４（ｃ）は、負の温度特性に対応する構成である。この場合、スイッチ回路７３は、電源Ｖ１とグランドとの間に接続される定電流源７８とダイオードＤ３との直列回路，上述したＢＧＲ回路が発生する電源電圧ＶＢＧとグランドとの間に接続される抵抗素子７９及び８０の直列回路，前者の共通接続点に非反転入力端子が接続され、後者の共通接続点に反転入力端子が接続されるオペアンプＯＰ２，そのオペアンプＯＰ２の出力端子にベースが接続されるＮＰＮトランジスタＴＲ２で構成される。そして、トランジスタＴＲ２のコレクタ（端子Ａ）が定電流源７２に接続され、エミッタ（端子Ｂ）がオフセット電流出力端子に接続される。
【００３７】
次に、第２実施例の作用について説明する。図４（ｂ）に示すスイッチ回路７３では、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子の電位Ｖth1は、温度特性がない電源電圧ＶＢＧの分圧電位であるからほぼ一定である。一方、反転入力端子の電位Ｖth2はダイオードＤ２の順方向電圧Ｖｆであるから負の温度特性を有し、温度が上昇するのに伴って低下する。
【００３８】
したがって、温度が低い場合にＶth1＜Ｖth2となっていれば、オペアンプＯＰ１の出力信号はロウレベルとなり、スイッチＯＦＦの状態となるから、定電流源７２からの電流は、オフセット電流出力端子に流入しない。そして、温度が上昇することに伴い順方向電圧Ｖｆが低下してＶth1＞Ｖth2となれば、オペアンプＯＰ１の出力信号はハイレベルとなり、スイッチＯＮの状態となるから、定電流源７２からの電流がオフセット電流出力端子に流入するようになる。すなわち、ダイオードＤ２が温度検出器に対応する。
【００３９】
一方、図４（ｃ）に示すスイッチ回路７３では、オペアンプＯＰ２の反転入力端子の電位Ｖth4は、電源電圧ＶＢＧの分圧電位でほぼ一定であり、非反転入力端子の電位Ｖth3はダイオードＤ３の順方向電圧Ｖｆであるから負の温度特性を有し、温度が上昇するのに伴って低下する。
したがって、温度が高い場合にＶth3＜Ｖth4となっていれば、オペアンプＯＰ２の出力信号はロウレベルとなり、スイッチＯＦＦの状態となるから、定電流源７２からの電流はオフセット電流出力端子に流入しない。そして、温度が低下することに伴い順方向電圧Ｖｆが上昇してＶth3＞Ｖth4となれば、オペアンプＯＰ２の出力信号はハイレベルとなりスイッチＯＮの状態となるから、定電流源７２からの電流がオフセット電流出力端子に流入するようになる。すなわち、ダイオードＤ３が温度検出器に対応する。
【００４０】
故に、複数の電流供給ユニット７４（１〜Ｎ）について、それぞれのスイッチ回路７３における抵抗素子７６及び７７，７８及び７９の分圧比を変えることで、高温域における温度の上昇，又は低温域における温度の下降伴い電流供給ユニット７４（１〜ｎ）のスイッチ回路７３が順次ＯＮするように設定すれば、オフセット電流出力端子に供給する電流量を漸増させることができる。その結果、図５に示すように、高温域と、低温域（例えば０℃以下）とにおけるレアショート検出閾値相当の差分電流の温度特性を、補正することができる。
【００４１】
すなわち、閾値相当の差分電流がピークに達する温度を中心とする中間温度帯で、オフセット電流Ｉoffsetが一定レベル以下となるように設定する（図５では、理想的にフラットとなるよう示している。）。そして、８０℃以上の高温域では、第１実施例や第２実施例の図４（ｂ）に示す構成によりオフセット電流Ｉoffsetを増加させ、０℃以下の低温域では、第２実施例の図４（ｃ）に示す構成により、オフセット電流Ｉoffsetを増加させる。
【００４２】
以上のように第２実施例によれば、オフセット電流供給回路７１は、第１実施例と同様の高温域側に加えて、供給すべきオフセット電流が一定レベル以下となる温度帯よりも低温域側でも、検出温度が下降するのに応じてオフセット電流Ｉoffsetを増加させるので、レアショート検出における低温域側の温度特性を補正できる。
そして、電流供給ユニット７４を、温度検出用ダイオードＤ２の順方向電圧Ｖｆの変化に応じて、定電流源７２とオペアンプＯＰ１の非反転入力端子との間に挿入されるスイッチ回路７３を断続させる構成とし、その電流供給ユニット７４を複数備えてオフセット電流供給回路７１を構成するので、ダイオードＤ２が、検出した温度に応じて順方向電圧Ｖｆを負の温度特性で変化させることで、温度の上昇に応じてスイッチ回路７３を閉じてオフセット電流量を増加させることができる。
【００４３】
また、電流供給ユニット７４のスイッチ回路７３をトランジスタＴＲ１，ＴＲ２で構成し、それらのトランジスタＴＲ１，ＴＲ２の導通制御を、オペアンプＯＰ１，ＯＰ２がダイオードＤ２の順方向電圧Ｖｆと基準電圧Ｖth2とを比較した結果，ダイオードＤ３の順方向電圧Ｖｆと基準電圧Ｖth4とを比較した結果に応じて行うように構成した。
したがって、ダイオードＤ２が検出した温度が上昇して順方向電圧Ｖｆが低下した場合に、基準電圧Ｖth2と比較した結果でトランジスタＴＲ１を導通させて、オフセット電流Ｉoffsetを供給することができ、また、ダイオードＤ３が検出した温度が下降して順方向電圧Ｖｆが上昇した場合に、基準電圧Ｖth4と比較した結果でトランジスタＴＲ２を導通させて、オフセット電流Ｉoffsetを供給することができる。
【００４４】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形または拡張が可能である。
高温域，低温域を判別する閾値温度については、個別の設計に応じて適宜変更すれば良い。
負荷はリニアソレノイドに限ることはなく、直流電流によって駆動されるものであれば適用が可能である。
電流合成点Ｐに作用するミラー電流Ｉ１”，Ｉ２”のソース，シンクの関係を逆にしても良く、オフセット電流Ｉoffsetは、ミラー電流Ｉ２”と同じ方向で電流合成点Ｐに作用させれば良い。その場合、判定用トランジスタをＰＮＰトランジスタにしても良い。
ダイオード３５，４３やオペアンプ３８，３９は、必要に応じて配置すれば良い。
第２実施例において、電流供給ユニット７４を１つだけ配置しても良く、第１実施例と同様に、高温域側の温度特性のみ補正しても良い。
駆動用スイッチング素子にＰチャネルＭＯＳＦＥＴや、バイポーラトランジスタ，ＩＧＢＴなどを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施例であり、レアショート検出回路の構成を示す図
【図２】オフセット電流供給回路の具体構成例を示す図
【図３】オフセット電流の温度特性を示す図
【図４】本発明の第２実施例を示す図２相当図
【図５】温度特性の補正を説明する図
【図６】従来の駆動ＩＣの構成を示す図
【図７】図１相当図
【図８】閾値相当の差分電流が有する温度特性を示す図
【符号の説明】
【００４６】
図面中、５はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（電源側トランジスタ）、５ａはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（第１検出用トランジスタ）、７はリニアソレノイド（負荷）、９はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（グランド側トランジスタ）、９ａはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（第２検出用トランジスタ）、２２はカレントミラー回路（第２電流ミラー回路）、３１はＰＮＰトランジスタ（判定用トランジスタ）、３６はカレントミラー回路（第１電流ミラー回路）、４０はカレントミラー回路（第２電流ミラー回路）、４５はカレントミラー回路（第２電流ミラー回路）、５２はレアショート検出回路、５３はオフセット電流供給回路、５４は温度検出部、５５は定電流源、６３は抵抗素子、６５は基準電圧発生回路、７１はオフセット電流供給回路、７２は定電流源、７３はスイッチ回路、７４は電流供給ユニット、Ｄ１〜Ｄ３はダイオード、Ｒ４は抵抗素子、ＯＰ１，ＯＰ２はオペアンプ、ＴＲ１，ＴＲ２はトランジスタを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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