(57)【要約】【課題】発光素子に短時間に大きな電流を供給する場合のＴＦＴの駆動能力の不足を解決する。【解決手段】表示装置は、行方向と列方向とに配列した複数の発光素子（１０５）と、行方向に配列した発光素子に接続され、発光素子に選択信号を供給する走査線（１０６）と、列方向に配列した発光素子に接続され、選択信号が供給された発光素子に電流を供給するデータ線（１０２）とを有する。発光素子とデータ線の間に、列方向に配列した２以上の発光素子に共通のスイッチ（１０３）が設けられている。【選択図】図１
2010160200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行方向と列方向とに配列した複数の発光素子と、
行方向に配列した前記発光素子に接続され、前記発光素子に選択信号を供給する走査線と、
列方向に配列した前記発光素子に沿って配置され、前記選択信号が供給された発光素子に電流を供給するデータ線とを有する表示装置であって、
前記発光素子と前記データ線の間に、列方向に配列した２以上の前記発光素子に共通のスイッチが設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記スイッチを開閉する信号が、前記走査線と平行に設けられた制御線によって供給されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記走査線が、前記発光素子を間にして前記データ線に対向する電極に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記発光素子が有機ＥＬ素子であり、前記走査線が、前記有機ＥＬ素子の陽極または陰極に接続されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記スイッチが、電界効果トランジスタであり、
前記トランジスタが、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体、及び有機半導体からなる群から選択される半導体を用いて形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記スイッチが、ダイオードであり、
前記ダイオードが、シリコン、ポリシリコン、及び有機半導体からなる群から選択される半導体を用いて形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
行方向と列方向とに配列した複数の発光素子と、
行方向に配列した前記発光素子に接続され、前記発光素子に選択信号を供給する走査線と、
列方向に配列した前記発光素子に沿って配置され、前記選択信号が供給された発光素子に電流を供給するデータ線と、
前記発光素子と前記データ線の間に、列方向に配列した２以上の前記発光素子に共通して設けられたスイッチとを備えた表示装置の駆動方法であって、
前記スイッチを閉じている期間に、前記走査線から前記発光素子に前記選択信号を供給し、前記データ線から、前記選択信号が供給された発光素子に電流を流し、前記発光素子を発光させることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記発光素子が有機ＥＬ素子であり、前記有機ＥＬ素子は、陽極が前記スイッチを介して前記データ線に接続され、陰極が前記走査線に接続されており、
前記選択信号の電位を、非選択信号の電位より低い電位に設定することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記発光素子が有機ＥＬ素子であり、前記有機ＥＬ素子は、陰極が前記スイッチを介して前記データ線に接続され、陽極が前記走査線に接続されており、
前記選択信号の電位を、非選択信号の電位より高い電位に設定することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動方法に係り、特に消費電力を低減するＥＬディスプレイ等の表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機物半導体材料を用いた、電子デバイスの開発が広く行なわれており、発光素子である有機ＥＬ（Electro-Luminescence）、有機ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、有機太陽電池等の開発が報告されている。その中でも有機ＥＬディスプレイは、最も実用化に近い技術として有望視されている。有機ＥＬディスプレイは、多数の有機ＥＬ素子から構成されており、多数の有機ＥＬ素子はマトリックス状に配置されている。
【０００３】
マトリックス状に配置された有機ＥＬ素子の駆動方法には、大きく分けて単純マトリックス駆動方式とアクティブマトリックス駆動方式の２種類がある。
【０００４】
図１０に単純マトリックス方式の各画素の回路図を示す。選択線１０１とデータ線１０２の各交点の画素には有機ＥＬ素子２０１が接続されている。選択線１０１とデータ線１０２の電圧を制御し、有機ＥＬ素子２０１に順バイアスの電圧を与えることによって、各々の画素に電流が流れる。上記の様に単純マトリックス駆動方式は構造が単純で、低コストに作製できるという特徴がある。
【０００５】
他方、アクティブマトリックス駆動方式の回路の一例を図１１に示す。選択線１０１とデータ線１０２の各交点の画素には、スイッチングＴＦＴ３０１と駆動ＴＦＴ３０２の２つのトランジスタが備えられている。有機ＥＬ素子２０１は、駆動ＴＦＴ３０２に接続されている。１フレーム期間のうち、選択線１０１の信号によりスイッチングＴＦＴ３０１がオン状態となる選択期間中に、データ線１０２に所定の電圧が印加されることによって、保持容量３０３に階調に応じた電圧がプログラムされる。また、１フレーム期間のうち、選択線１０１の信号によりスイッチングＴＦＴ３０１がオフ状態となる非選択期間中は、プログラムされた電圧に従って、駆動ＴＦＴ３０２が駆動され、電源線３０４から有機ＥＬ素子２０１に電流が流れる。上記の様にアクティブマトリックス駆動方式は、１画素あたりの素子数が多くなるが、選択期間だけでなく非選択期間も発光するために、瞬間輝度が低く寿命が長くなるという特徴がある。
【０００６】
上記の単純マトリックス駆動方式では、線順次駆動を行うので、走査数が数百本と多い場合には、要求される瞬間輝度が観察される輝度の数百倍となるため、消費電力が大きくなるという問題があった。すなわち、有機ＥＬ素子のように発光部が対向する電極で挟まれている構造の場合、その構造に起因して寄生容量を生じてしまう。このため、発光させる画素の有機ＥＬ素子に駆動信号を供給する際に、発光しない画素の有機ＥＬ素子の寄生容量まで充放電することが必要となり、余分な電力を消費する。この寄生容量は表示装置のサイズが大きくなるに従って大きくなるために、単純マトリックス駆動方式の表示装置の大型化を困難なものにしていた。
【０００７】
また、単純マトリックス駆動方式では、瞬間輝度が観察される輝度の選択線数倍必要であるために、有機ＥＬ素子に印加する電圧が高くなる。前記の寄生容量による消費電力Ｗは寄生容量をＣ、有機ＥＬ素子に印加する電圧をＶとした場合、Ｗ∝Ｃ×Ｖ×Ｖとなる。従って、表示装置を高精細にした場合、有機ＥＬ素子に印加する電圧が高くなり、寄生容量による消費電力は急激に増加することになる。
【０００８】
上記の消費電力の課題を解決し、さらに図１１のようなアクティブマトリックス方式よりも回路を簡素化する方法として、特許文献１には以下のように記載されている。
【０００９】
図１２は、特許文献１に記載されている表示装置の基本構成を示した回路図である。特許文献１の画像表示装置では、各画素毎に電流で駆動される薄膜表示素子Ｄ１と、少なくともこの薄膜表示素子Ｄ１を駆動する発光制御用トランジスタＭ１とを有し、各画素毎の薄膜表示素子Ｄ１は、発光制御用トランジスタＭ１により駆動される。
【００１０】
上記の回路では、データ線ｌの寄生容量は、配線の交差に起因するものを除いて、発光制御用トランジスタＭ１のソースＳからみた寄生容量に起因するものだけとなる。薄膜表示素子としてＥＬ素子を取った場合、データ線lの寄生容量は、ＴＦＴのソースＳとドレインＤの間の寄生容量を介したＥＬ素子容量となるので、ＥＬ素子がデータ線に直結される単純マトリックス駆動方式に比べると大幅に削減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−１８３９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図１２の回路においては、単純マトリックス駆動方式と同様に制御線ｋが線順次に選択されて発光制御用トランジスタＭ１がオンになり、その期間に、データ線ｌからＥＬ素子Ｄ１に電流が流れてＥＬ素子Ｄ１が発光する。選択線数が数百本と多い場合には、１つの制御線の選択期間が短くなり、目に見える平均輝度の数百倍の瞬間輝度が必要となる。
【００１３】
有機ＥＬ素子には、短時間に大きな電流を流す必要があり、図１２の発光制御用のトランジスタＭ１には高い駆動能力が求められる。
【００１４】
駆動能力を高めるためには、１）高移動度の半導体を用いる、２）ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のチャネル幅を大きくする、３）ＦＥＴのチャネル長を小さくする等の方法がある。
【００１５】
しかし、上のような方法によっても、ＦＥＴの駆動能力には限界がある。ＦＥＴのチャネル幅を大きくすると、各画素の中でＦＥＴの占める面積が大きくなるために、表示装置としての高精細化に限界がある。また、ＦＥＴのチャネル長を小さくした場合には、オフリーク電流が生じて、暗所コントラストが低下し、、さらに微細化しようとすると高価格なステッパー露光装置を用いる必要がある。
【００１６】
また、単結晶シリコンやポリシリコンのような高移動度の半導体を用いた場合、工程数が多く、高コストとなる。生産性を高めるために大面積な基板で多数の表示装置を作製することが、特に単結晶シリコンやポリシリコンでは困難である。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る表示装置は、行方向と列方向とに配列した複数の発光素子と、行方向に配列した前記発光素子に接続され、選択信号を供給する走査線と、列方向に配列した前記発光素子に沿って配置され、前記選択信号が供給された発光素子に電流を供給するデータ線とを有する表示装置であって、前記発光素子と前記データ線の間に、列方向に配列した２以上の前記発光素子に共通のスイッチが設けられていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る表示装置の駆動方法は、行方向と列方向とに配列した複数の発光素子と、行方向に配列した前記発光素子に接続され、前記発光素子に選択信号を供給する走査線と、列方向に配列した前記発光素子に沿って配置され、前記選択信号が供給された発光素子に電流を供給するデータ線と、前記発光素子と前記データ線の間に、列方向に配列した２以上の前記発光素子に共通して設けられたスイッチとを備えた表示装置の駆動方法であって、前記スイッチを閉じている期間に、前記走査線から前記発光素子に前記選択信号を供給し、前記データ線から、前記選択信号が供給された発光素子に電流を流し、前記発光素子を発光させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、発光素子に短時間に大きな電流を供給する場合のＴＦＴの駆動能力の不足を解決できる。その結果、単結晶シリコンや多結晶シリコンより駆動能力の小さな微結晶シリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体、有機半導体のような低移動度のＴＦＴを用いることも可能となり、表示装置の低コスト化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施例に係る表示装置の画素領域の回路構成を示す回路図である。
【図２】本発明の第１、第３の実施例に係る表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の第１、第２の実施例に係る表示装置の画素領域を示すレイアウト図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る表示装置の構成を示す回路図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係る表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
【図６】本発明の第３の実施例に係る表示装置の画素領域の回路構成を示す回路図である。
【図７】本発明の第３の実施例に係る表示装置の画素領域を示すレイアウト図である。
【図８】本発明の第４の実施例に係る表示装置の画素領域の回路構成を示す回路図である。
【図９】本発明の第４の実施例に係る表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
【図１０】従来技術の単純マトリックス駆動方式を用いた表示装置の各画素の回路図である。
【図１１】従来技術のアクティブマトリックス駆動方式を用いた表示装置の各画素の回路図である。
【図１２】特許文献１に記載の各画素の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２２】
（第１の実施例）
本発明の第１の実施例に係る表示装置の回路構成を図１に示す。同図に示す表示装置は、光を放出する発光素子１０５を含む画素が行方向と列方向にマトリックス状に配列して配置される。これらの複数の画素が占める領域には、互いに交差する複数の走査線１０６とデータ線１０２が配置される。
【００２３】
走査線１０６は、行方向の発光素子に沿って行ごとに設けられ、行単位で発光素子に選択信号を供給する。データ線１０２は、列方向の発光素子１０５に沿って各列に１本ずつ設けられ、走査線１０６の選択信号によって選択された行の画素にデータ信号を供給する。図１の回路の動作は後でさらに詳しく説明する。なお、走査線１０６は、本実施例およびほかの各実施例では第２の電極線１０６と呼称されている。
【００２４】
走査線１０６とデータ線１０２との交点（交差部）には、スイッチとして働くトランジスタ（以下スイッチング素子という）１０３が配置されている。スイッチング素子１０３はデータ線１０２と発光素子１０５とを電気的に接続したり遮断したりする。
【００２５】
スイッチング素子１０３のソース電極Sと発光素子１０５の間に第１の電極線１０４が配置され、これによってスイッチング素子１０３はデータ線１０２と第１の電極線１０４の間で並列接続される。
【００２６】
第１の電極線１０４でドレインが共通に結線されたスイッチング素子１０３は、ゲートも共通に結線され、選択線１０１に接続されている。選択線１０１は、３行に１本の割合で設けられ、走査線１０６に平行に延びている。スイッチング素子１０３は制御線が供給する制御信号によって、オン（閉状態）またはオフ（開状態）になる。
【００２７】
第１の電極線１０４による結線の結果、３つのスイッチング素子１０３は列方向に並ぶ３つの発光素子１０５のいずれにもに電流を供給できる接続になっている。すなわち、スイッチング素子１０３は、３つの発光素子１０５について共通になっている。
【００２８】
本実施例では、スイッチング素子１０３が、列方向に並ぶ３つの発光素子１０５について共通化されているが、共通化されるスイッチング素子１０３の数は２以上の任意の数であってよい。
【００２９】
スイッチング素子１０３は、本実施例では、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）で構成される。ＦＥＴで用いられる半導体は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体、有機半導体等で作製されており、スイッチング素子としての性能があるものであれば良い。本実施例では、ｎ型半導体のＦＥＴとする。従って、選択線１０１の信号をＨｉｇｈレベル状態としたときにスイッチング素子１０３は抵抗が小さくなり閉状態となり、選択線１０１の信号をＬｏｗレベル状態としたときにスイッチング素子１０３は抵抗が大きくなり開状態となる。
【００３０】
図１のように、スイッチング素子１０３の一端側の端子を構成するＦＥＴのドレイン電極には、データ線１０２が接続されている。また、スイッチング素子１０３の他端側の端子を構成するＦＥＴのソース電極には、第一の電極線１０４が接続される。第一の電極線１０４には、複数の発光素子１０５の一端が接続されている。
【００３１】
発光素子１０５は、有機ＥＬ素子で構成される。一つの第一の電極線１０４に対して、３つの発光素子１０５が接続される。本実施例では、接続される発光素子の数は３つとしているが、実際にはこれに限るものではない。有機ＥＬ素子である発光素子１０５の陽極は第一の電極線１０４に接続される。有機ＥＬ素子の他端側の端子である陰極には、第二の電極線１０６が接続されている。
【００３２】
第一の電極線１０４に接続された３つの有機ＥＬ素子の各陰極は、それぞれ異なる第二の電極線１０６に接続されている。第二の電極線１０６は、データ線１０２と直交する方向に延びて、行方向に配列する有機ＥＬ素子１０５の陰極を共通に接続している。
【００３３】
後で詳しく述べるように、第２の電極線１０６には選択信号が印加され、選択された第２の電極線１０６には、データ線１０２から発光素子１０５を経て電流が流れる。選択信号は、第２の電極線１０６に順次供給されて、その選択された期間中、発光素子１０５に電流が流れて発光する。したがって、第２の電極線は走査線としての働きをする。
【００３４】
第２の電極線１０６は、発光素子１０５を間にしてデータ線１０２と対向し、その間で電流を流す。電流方向は、データ線１０２から走査線（第２の電極線）１０６に向かう方向には限らない。以下の実施例２のように、その逆であってもよい。
【００３５】
図１のように、任意のｎ行の選択線１０１を選択線ｎとして、その次のｎ＋１行の選択線１０１を選択線ｎ＋１とする。また、選択線ｎで開閉を制御されるスイッチング素子１０３の一端に接続されている複数の発光素子１０５の陰極に接続されている複数の第二の電極線１０６をそれぞれ第二の電極線ｎ，ｍとする。前に述べたように、本実施例では第一の電極線１０４に３つの発光素子１０５を接続しているのでｍ＝１、２、３となる。
【００３６】
図２は、図１に示す表示装置の駆動方法を示したタイミングチャートである。
【００３７】
まず、期間Ｔｎにて、選択線ｎの信号をＨｉｇｈレベルとすると、選択線ｎに接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となる。次に、上記の状態で第二の電極線ｎ，１の信号をＬｏｗレベルとする（データ線１０２の電圧よりも低い電圧に設定する）。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一つの発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ、１の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。続いて、選択線ｎの信号をＨｉｇｈレベルとしたまま、第二の電極線ｎ，２の信号をＬｏｗレベルとする。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一つの発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ、２の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。上記のように第二の電極線１０６を、第二の電極線ｎ，１から第二の電極線ｎ，ｍまで順次走査する。
【００３８】
第２の電極線すなわち走査線のＬｏｗレベルは、それによって発光素子に電流が流れるので、走査線の選択信号のレベルである。Ｈｉｇｈレベルが非選択信号となる。
【００３９】
選択信号が供給された発光素子にだけ選択的に電流が流れるようにするためには、選択信号の電位は、それ以外の非選択の走査線の電位（Ｈｉｇｈレベル）よりも低く設定する必要がある。その差を、発光素子の発光が生じる閾値電圧より大きい電圧にすることが好ましい。その場合、非選択信号が供給された発光素子の両端電圧が０Ｖに近く、かつ選択信号が供給された発光素子の両端電圧が発光閾値を超えるようになる。
【００４０】
次に、期間Ｔｎ＋１にて、選択線ｎ＋１の信号をＨｉｇｈレベルとすると、選択線ｎ＋１に接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となる。さらに選択線ｎ＋１に接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となったところで第二の電極線ｎ＋１，１の信号をＬｏｗレベルとする。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一つの発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ＋１，１の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。以下、選択線ｎのときと同様に第二の電極線１０６を、第二の電極線ｎ＋１，１から第二の電極線ｎ＋１，ｍまで順次走査する。
【００４１】
図３は、図１に示す表示装置の破線１１０で囲んだ領域のレイアウト図である。
【００４２】
まず、ガラス上にＡｌ、Ｃｕなどの金属膜の選択線１０１をフォトリソグラフィによって形成する。図３では、選択線１０１が２本、水平方向に走っているが、これらは、画素領域の外で結線されている。
【００４３】
次いでゲート絶縁膜とアモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により成膜し、アモルファスシリコン１１２をフォトリソグラフィによりパタンニングし、スイッチング素子１０３部分にアイランド状に形成する。
【００４４】
さらに、ソース・ドレイン電極となる金属膜をフォトリソグラフィを用いてパターニングする。これによって、データ線１０２と第一の電極線１０４を同時に形成する。
【００４５】
形成した選択線１０１、データ線１０２、スイッチング素子１０３、第一の電極線１０４等を保護するための保護膜を成膜し、さらに有機ＥＬ素子２０１と接続するためのコンタクトホール６０１を形成する。
【００４６】
有機ＥＬ素子２０１は、コンタクトホール６０１を介して第１の電極線１０４に接続される画素電極と、有機層と、第２の電極線１０６とをこの順に積層して形成される。第２の電極線１０６は、ＩＴＯなどの透明導電材により、選択線１０１と同方向、すなわちデータ線１０２や第１の電極線１０４と直交する方向に、ストライプ状にパタンニングされる。
【００４７】
以上は、スイッチング素子１０３をアモルファスシリコンで形成する場合の工程である。これ以外に、ポリシリコンでスイッチング素子１０３を形成してもよい。また、シリコン以外の半導体材料を用いることもできる。
【００４８】
本実施例では、スイッチング素子１０３は３つの有機ＥＬ素子ごとに結線されている。しかし、スイッチング素子１０３のＴＦＴの駆動能力に応じて、有機ＥＬ素子を２つずつ結線してもよく、また、必要なら、４以上の有機ＥＬ素子を結線してもよい。
また、スイッチング素子１０３は、各発光素子１０５に１つずつ設けられているとしたが、スイッチング素子１０３の駆動能力によってはこの限りではなく、発光素子１０５の数に対して、スイッチング素子１０３の数を減らしても良い。スイッチング素子１０３の数を減らすことで、開口率の向上や、表示装置の高精細化を図ることができる。
【００４９】
以上説明したように、本発明の表示装置及びその駆動方法においては、複数（本実施例では３つ）のＦＥＴによって１つの有機ＥＬ素子を駆動する。これによりＦＥＴ個数倍（本実施例では３倍）の駆動能力が得られる、高い瞬間輝度が必要な場合であっても、各画素の１つあたりのＴＦＴの駆動能力は大きくなくてもよく、アモルファスシリコン、有機半導体等安価なスイッチング素子を利用することもできる。また、ステッパー等の高価な製造装置を用いなくても、高精細な表示装置を作製できる。
【００５０】
（第２の実施例）
本発明の第２の実施例に係る表示装置の回路構成を図４に示す。本実施例の回路構成は、発光素子１０５の極性が実施例１とは逆になっている点を除いて実施例１と同一である。
【００５１】
発光素子１０５は、実施例１と同様、有機ＥＬ素子で構成される。本実施例では、第一の電極線１０４に接続される有機ＥＬ素子の端子は、陰極とした。同一の第一の電極線１０４に接続された複数の有機ＥＬ素子の他端側の端子である陽極には、それぞれ異なる第二の電極線（本発明の複数の走査線に対応する。）１０６が接続されている。
【００５２】
その他の回路の構成は実施例１と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００５３】
図５は、図４に示す表示装置の駆動方法を示したタイミングチャートである。
【００５４】
まず、期間Ｔｎにて、選択線ｎの信号をＨｉｇｈレベルとすると、選択線ｎに接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となる。次に、上記の状態で第二の電極線ｎ，１の信号をＨｉｇｈレベルとする（データ線１０２の電圧よりも高い電圧に設定する）。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一部の発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ、１の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。続いて、選択線ｎの信号をＨｉｇｈレベルとしたまま、第二の電極線ｎ，２の信号をＨｉｇｈレベルとする。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一部の発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ，２の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。上記のように第二の電極線１０６を、第二の電極線ｎ，１から第二の電極線ｎ，ｍまで順次走査する。
【００５５】
次に、期間Ｔｎ＋１にて、選択線ｎ＋１の信号をＨｉｇｈレベルとすると、選択線ｎ＋１に接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となる。さらに選択線ｎ＋１に接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となったところで第二の電極線ｎ＋１，１の信号をＨｉｇｈレベルとする。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一部の発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ＋１，１の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。次に、選択線ｎのときと同様に第二の電極線１０６を、第二の電極線ｎ＋１，１から第二の電極線ｎ＋１，ｍまで順次走査する。
【００５６】
第２の電極線すなわち走査線は、Ｈｉｇｈレベルにあるとき、それによって発光素子が選択され電流が流れる。したがって、実施例１とは逆に、選択信号がＨｉｇｈレベル、非選択信号がＬｏｗレベルとなる。である。選択信号が供給された発光素子にだけ選択的に電流が流れるようにするためには、選択信号の電位は、それ以外の非選択の走査線の電位（Ｌｏｗレベル）よりも高く設定する必要がある。その差を、発光素子の発光が生じる閾値電圧より大きい電圧にすると、非選択の発光素子の両端電圧が０Ｖに近く、かつ選択された発光素子の両端電圧が発光閾値を超えるようになり、好ましい。
【００５７】
図４に示す表示装置のレイアウトは、ＥＬ素子の極性が逆転することを除き、図３と同じである。
【００５８】
（第３の実施例）
本発明の第３の実施例に係る表示装置の回路構成を図６に示す。本実施例の回路は、スイッチング素子１０３が１つにまとめられている点を除き、実施例１と同じである。
【００５９】
スイッチング素子１０３は、３つの画素にまたがって形成される。破線１１０で囲んだ部分のレイアウトを図７に示す。図７のレイアウトでは、スイッチング素子１０３は、３つの発光素子１０５に対して１つ配置されている。スイッチング素子１０３は、ソース電極となるデータ線に沿って長くパタンニングされたアモルファスシリコン１１２と、これもデータ線に沿って長く配置された、ドレイン電極となる第１の電極線１０４を備えている。アモルファスシリコン１１２の下には、枝分かれした選択線１０１が延びており、ゲート電極となる。
【００６０】
アモルファスシリコン１１２と第１の電極線１０４は、データ線方向に添って並ぶ３つの有機ＥＬ素子２０１の画素領域にまたがって配置されている。また、選択線１０１は、実施例１の図３とは異なり、行方向、すなわち第２の電極線１０６に平行に３つの画素に１本の割合で設けられている。
【００６１】
図７のレイアウトであれば、ＦＥＴのチャネル幅を大きく取ることが可能となり、スイッチング素子１０３の駆動能力を高めることができる。これにより、ポリシリコンだけでなく、アモルファスシリコン、有機半導体等安価なスイッチング素子を利用することもできる。また、ステッパー等の高価な製造装置を用いなくても、高精細な表示装置を作製できる。
【００６２】
図６の表示装置の駆動の仕方は、実施例１と同じく、図２のタイミングチャートで表される。動作は実施例１と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【００６３】
（第４の実施例）
本発明の第４の実施例に係る表示装置の回路構成を図８に示す。同図に示す表示装置は、光を放出する発光素子１０５を含む画素がマトリックス状に複数配置される。複数の画素領域には、互いに交差する複数の選択線（本発明の複数の制御線に対応する。）１０１とデータ線１０２が配置される。選択線１０１とデータ線との交点（交差部）には、スイッチング素子１０３が複数配置されている。
【００６４】
第１の実施例と異なる点は、スイッチング素子１０３がダイオードで形成されていることである。データ線１０２と第１の電極線１０４の間のダイオードＤ２がスイッチング素子１０３の役割を果たす。ダイオードＤ２は、データ線１０２と第１の電極線１０４の電位差によって導通と非導通が切り替わる。
第１の電極線１０４の電位は、選択線１０１と第１の電極線１０４の間にあるダイオードＤ３でコントロールされる。
【００６５】
図９は、図８の回路の動作を示すタイミングチャートである。
【００６６】
本実施例では、データ線１０２と第１の電極線１０４の間のダイオードＤ２が、スイッチング素子１０３の役割を果たす。このダイオードＤ２は、データ線１０２と第１の電極線１０４の電位差によって導通と非導通が切り替わる。
【００６７】
第１の電極線１０４の電位は、選択線１０１と第１の電極線１０４の間にあるダイオードＤ３でコントロールされる。選択線１０１の電位がＬｏｗレベルのとき、選択線１０１と第１の電極線１０４の間にあるダイオードを通じて第１の電極線１０４の電位が下がり、スイッチング素子１０３であるダイオードＤ２がオン状態になる。
【００６８】
一方、第２の電極線１０６には、選択された行でＬｏｗレベル、非選択行でＨｉｇｈレベルの信号が印加される。
【００６９】
スイッチング素子１０３がオンのとき、データ線１０２から選択された第２の電極線にむかって電流が流れる。この電流の大きさは、データ線１０２と第２の電極線１０６の間の電位差によって決まる。
【００７０】
選択線１０１の信号をＬｏｗレベルにすると、スイッチング素子１０３は導通して抵抗が小さくなり閉状態となる。選択線１０１の信号をＨｉｇｈレベル状態としたときにスイッチング素子１０３は抵抗が大きくなり開状態となる。
【００７１】
図９は、図８に示す表示装置の駆動方法を示したタイミングチャートである。
【００７２】
まず、期間Ｔｎにて、選択線ｎの信号をＬｏｗレベルとすると、選択線ｎに接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となる。次に、上記の状態で第二の電極線ｎ，１の信号をＬｏｗレベルとする（データ線１０２の電圧よりも低い電圧に設定する）。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一部の発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ，１の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。続いて、選択線ｎの信号をＬｏｗレベルとしたまま、第二の電極線ｎ，２の信号をＬｏｗレベルとする。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一部の発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ，２の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。上記のように、第二の電極線１０６を、第二の電極線ｎ，１から第二の電極線ｎ，ｍまで順次走査する。
【００７３】
次に、期間Ｔｎ＋１にて、選択線ｎ＋１の信号をＬｏｗレベルとすると、選択線ｎ＋１に接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となる。さらに選択線ｎ＋１に接続されたスイッチング素子１０３が閉状態となったところで第二の電極線ｎ＋１，１の信号をＬｏｗレベルとする。そうすると、複数の発光素子１０５のうちの一部の発光素子１０５、すなわちデータ線１０２と第二の電極線ｎ＋１，１の間の発光素子１０５がデータ線１０２の信号に応じた輝度で発光することとなる。次に、選択線ｎのときと同様に第二の電極線１０６を、第二の電極線ｎ＋１，１から第二の電極線ｎ＋１，ｍまで順次走査する。
【００７４】
従って、本実施例の表示装置及びその駆動方法によれば、スイッチング素子１０３がＦＥＴよりも構造が単純なダイオードであるので、低コストで作製可能となる。また、有機ＥＬ素子と同一の工程で作製することができれば、さらに低コストで作製することができる。
【００７５】
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の構成や詳細には、本発明の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、マトリックス状に素子が配置され、各画素が光を放出する有機ＥＬディスプレイ、無機ＥＬディスプレイ等の寄生容量を持つ発光素子から構成される表示装置に用いることができる。
【符号の説明】
【００７７】
１０１  制御線
１０２  データ線
１０３  スイッチング素子
１０４  第一の電極線
１０５  発光素子
１０６  第二の電極線（走査線）
１１２  アモルファスシリコン
２０１  有機ＥＬ素子
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図２】
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【図５】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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