(57)【要約】【課題】透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動を抑える。【解決手段】  基板８１の表面８３に透明導電膜８２が積層形成されている。基板８１の表面８３に形成された透明導電膜８２は、ＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなる。このＩＴＯＣ膜の基板８１への形成には、プラズマ発生装置を用いた成膜装置１であるＭＰＤ（Multi Plasma deposition）装置が用いられている。【選択図】図１
2010103054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される透明導電膜において、
当該透明導電膜は、スズおよび炭素を含むインジウム酸化物であるＩＴＯＣ膜からなることを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
請求項１に記載の透明導電膜において、
前記ＩＴＯＣ膜は、スズを含むインジウム酸化物に約０．１〜１０重量％の炭素が含有されたことを特徴とする透明導電膜。
【請求項３】
請求項１または２に記載の透明導電膜において、
プラズマ発生装置を用いた成膜装置により前記基板上に前記ＩＴＯＣ膜が形成されたことを特徴とする透明導電膜。
【請求項４】
請求項３に記載の透明導電膜において、
前記成膜装置には、カソードからアノードに向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、前記カソードと前記アノードとの間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置が設けられ、
前記プラズマ発生装置には、前記カソードに熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部が複数設けられ、前記熱電子放出部では、その筒内周面および筒外周面から熱電子を放出することを特徴とする透明導電膜。
【請求項５】
請求項１または２に記載の透明導電膜において、
ガスフロースパッタリング装置により前記基板上に前記ＩＴＯＣ膜が形成されたことを特徴とする透明導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬディスプレイ等の表示装置等の電極配線材料や、無機及び有機ＥＬ素子による発行装置等の光学素子の電極配線材料や、タッチパネルの基板材料、太陽電池用の基板材料等で用いられている。
【０００３】
特に、現在、透明導電膜として、ＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide）が汎用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この特許文献１では、基板の表面に、スズを含むインジウム酸化物ＩＴＯで形成された透明導電膜が形成されている。
【特許文献１】特開２００８−１９４７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した特許文献１に示すように透明導電膜にＩＴＯ膜を用いた場合、光の透過率が９０％以上であって、抵抗値の変動が少ない高信頼性が求められるが、ＩＴＯ膜では、光の透過率が９０％未満となる場合があったり、当該透明導電膜の使用条件や製造条件で抵抗値の変動がみられる（下記する図５〜８に示す比較例を参照）。
【０００６】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、光の透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動を抑える透明導電膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる基板上に形成される透明導電膜は、スズおよび炭素を含むインジウム酸化物であるＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、前記基板上に形成する当該透明導電膜が前記ＩＴＯＣ膜からなるので、光の透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動が抑えられ、その結果、当該透明導電膜の高信頼性を実現することが可能となる。
【０００９】
前記構成において、前記ＩＴＯＣ膜は、スズを含むインジウム酸化物（ＩＴＯ）に約０．１〜１０重量％（好ましくは約１重量％）の炭素（Ｃ）が含有されることが好ましい。
【００１０】
前記構成において、プラズマ発生装置を用いた成膜装置であるＭＰＤ（Multi Plasma deposition；以下、ＭＰＤ）装置により前記基板上に前記ＩＴＯＣ膜が形成されてもよい。
【００１１】
この場合、前記ＭＰＤ装置により基板上に前記ＩＴＯＣ膜が形成されるので、良好なＩＴＯＣ膜を前記基板に形成することが可能となる。
【００１２】
前記構成において、前記ＭＰＤ装置には、カソードからアノードに向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、前記カソードと前記アノードとの間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置が設けられ、前記プラズマ発生装置には、前記カソードに熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部が複数設けられ、前記熱電子放出部では、その筒内周面および筒外周面から熱電子を放出してもよい。
【００１３】
この場合、前記ＭＰＤ装置に前記プラズマ発生装置が設けられ、前記プラズマ発生装置には、前記カソードに前記熱電子放出部が複数設けられ、前記熱電子放出部の筒内周面および筒外周面から熱電子を放出するので、低電圧で大量の熱電子を放出することが可能となる。具体的に、１つの熱電子放出部がカソードとアノードとの間に設けられた従来の形態と比較して数倍から数十倍の熱電子を放出することが可能となり、高い電圧をかけなくても熱電子を放出することが可能となり、効率よく熱電子を放出することが可能となる。その結果、良好なＩＴＯＣ膜を前記基板に形成することが可能となる。
【００１４】
前記構成において、ガスフロースパッタリング装置であるＧＦＳ（Gas Flow Sputtering；以下、ＧＦＳ）装置により前記基板上に形成されてもよい。
【００１５】
この場合、前記ＧＦＳ装置により基板上に前記ＩＴＯＣ膜が形成されるので、良好なＩＴＯＣ膜を前記基板に形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る透明導電膜によれば、光の透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動を抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、基板として硝子に本発明を適用した場合を示すが、フィルムなどのフレキシブル基板に適用してもよい。
【００１８】
本実施例にかかる基板８１には硝子を用い、図１に示すように、基板８１上（基板８１の表面８３）に透明導電膜８２が積層形成されている。
【００１９】
本実施例にかかる基板８１上に形成される透明導電膜８２は、スズと炭素を含むインジウム酸化物であるＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなる。このＩＴＯＣ膜には、スズを含むインジウム酸化物（ＩＴＯ）に約０．１〜１０重量％（好ましくは１重量％）の炭素（Ｃ）が含有されている。具体的に、約８０〜９９重量％（好ましくは９２重量％）のＩｎ2Ｏ3に対して、約１〜１０重量％（好ましくは７重量％）のＳｎと、約０．１〜１０重量％（好ましくは１重量％）のＣが含有されている。
【００２０】
基板８１への透明導電膜８２の形成は、下記するプラズマ発生装置１１を用いたスパッタリング装置であるＭＰＤ装置（下記する成膜装置１参照）により行う。そこで、次に、実施例にかかる成膜装置１の説明を図面を用いて行う。
【００２１】
本実施例にかかる成膜装置１では、図２〜４に示すように、プラズマＰを発生させるプラズマ発生装置１１と、成膜対象物（下記する図９，１０に示すフレキシブル基板（フィルム）や基板など参照）に成膜材料７を収容する収容部１２とが一体的に設けられ、この成膜装置１は図示しない真空容器（図９，１０の真空容器９参照）に設けられる。そして、成膜装置１は、収容部１２に収容した成膜材料７を、プラズマＰにより加熱昇華させて蒸発させ、成膜対象物に成膜材料７からなる膜を形成するものである。上記したように、本実施例では、プラズマ発生装置１１と収容部１２とを一体的に形成させることで小型の成膜装置１を実現できる。
【００２２】
プラズマ発生装置１１は、カソード２からアノード３に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード２とアノード３との間にプラズマＰを発生させる装置である。
【００２３】
このプラズマ発生装置１１では、カーボンからなるカソード２を設けたプラズマガン４と、アノード３とから構成され、Ａｒ，Ｈ2などの不活性ガス（ガス注入方向Ｘ方向）がカソード２の後端側の不活性ガス供給管４１から供給される。
【００２４】
プラズマガン４では、図３に示すように、カソード２に熱電子を放出する熱電子放出部４２が１０個設けられている。熱電子放出部４２は、ＬａＢ6からなり中空円筒状体に成形されて、その筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。
【００２５】
また、プラズマガン４における熱電子放出部４２の配設領域として第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが構成され、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿ってアノード３側から第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが配設されている。
【００２６】
第１の熱電子放出群４６は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２が並んで配設され、４つの熱電子放出部４２が同心状に配されこれらの筒内部が連続して挿通状態となる。なお、これら４つの熱電子放出部４２の筒内部４５には、加熱手段となる抵抗加熱部４８が設けられ、熱電子放出部４２は抵抗加熱部４８による抵抗加熱により加熱して４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３から熱電子を放出する。
【００２７】
第１の熱電子放出群４６の不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）下流には、第２の熱電子放出群４７が設けられ、この第２の熱電子放出群４７では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って６つの熱電子放出部４２が配設されている。具体的に、３つの熱電子放出部４２が等間隔に不活性ガスの直交方向に配されるとともに、これら３つの熱電子放出部が不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に２列配されている。この第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６で放出した熱電子により不活性ガスをイオン化させて放電させるプラズマＰにより第２の熱電子放出群４７の６つの熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。
【００２８】
上記した構成からなるプラズマガン４の不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）下流には、プラズマＰの流れを制御するため（具体的にプラズマＰを収束するため）のカソード側コイル５１とカソード側永久磁石５２が設けられている。
【００２９】
また、アノード３は、カーボンあるいはグラファイトからなり、成膜材料７を収容する収容部１２が設けられている。具体的に、カソード２とアノード３の間であって、アノードの直近に隣接して収容部１２が設けられている。また、収容部１２の外周に沿ってアノード側コイル６１と、リング状のアノード側永久磁石６２とが設けられている。
【００３０】
次に、上記した本実施例のプラズマ発生装置１１を用いたＭＰＤの工程について説明する。
【００３１】
電源Ｅにより電流を抵抗加熱部４８に印加して抵抗加熱部４８による抵抗加熱を行う。抵抗加熱を行うことで、第１の熱電子放出群４６の４つの熱電子放出部４２が加熱される。これにより、４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３から熱電子が放出される。
【００３２】
一方、不活性ガス供給管４１から供給された不活性ガスが第１の熱電子放出群４６の４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３に導入され、熱電子により不活性ガスがイオン化され、イオン化された不活性ガスが４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３の不活性ガスの注入方向下流（出口）から第２の熱電子放出群４７に向かって放出される。なお、この放出により、イオン化は促進され、プラズマが形成される。このプラズマは低い圧力、すなわち１０-4〜１０-3Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-1〜１．３３３×１０-2Ｐａ）オーダーの真空雰囲気とされ、この雰囲気中での放電が可能となる。
【００３３】
そして、第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６より放電させたプラズマにより６つの熱電子放出部４２が加熱され、これら６つの熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子が不活性ガスの注入方向下流（出口）からアノード３に向かって放出される。
【００３４】
プラズマガン４から放出されたプラズマＰは、カソード側コイル５１とカソード側永久磁石５２により収束され、収束されたプラズマＰは、図２に示すようにアノード３直近のアノード側コイル６１とアノード側永久磁石６２によりアノード３に導かれる。
【００３５】
そして、アノード３の直近に隣接して設けられた収容部１２では、収容された成膜材料７が、プラズマにより昇華してイオン化し（蒸発し）、蒸発した成膜材料７を成膜対象物に付着させて成膜対象物の表面に薄膜が形成される。本実施例では、成膜材料７を基板８１の表面８３に付着させて、図１に示す薄膜の透明導電膜８２であるＩＴＯＣ膜が基板８１に形成される。
【００３６】
なお、本実施例にかかる透明導電膜８２の膜厚は、８０〜１００Å（８〜１０ｎｍ）となる。そして、透明導電膜８２の抵抗値は、５００±１００Ω／Ｓｑとなり、その光の透過率は９０％以上となる。
【００３７】
次に、本実施例にかかるＩＴＯＣ膜と、特許文献１に示すような従来のＩＴＯ膜（以下、比較例という）とを用いて、耐熱性試験と、透過率試験と、耐湿試験と、耐アルカリ試験を行った。これらの試験の結果を図５〜８に示す。なお、この実験では、ＩＴＯＣ膜とＩＴＯ膜との差異を比べるため、Ｃを含有するか否かを除いて同一材料により基板に透明導電膜を形成している。
【００３８】
まず、耐熱性試験では、２００℃下に１時間配し、抵抗値の変化率を測定した。図５の耐熱性試験の結果に示すように、比較例では１２％の抵抗値の変化があるのに対して、本実施例では抵抗値の変化率を７％（７％以下も実現）に抑えることができた。このことから、本発明によれば、抵抗値の変動を抑えて抵抗値を安定させることが可能となり、本実施例にかかるＩＴＯＣ膜を、例えば抵抗膜方式用タッチパネルに好適に用いることができる。
【００３９】
透過率試験では、５５０ｎｍ  ｒｅｆ．Ａｉｒの下で、本実施例と比較例との光の透過率を測定した。図６の透過率試験の結果に示すように、比較例では８９．８％の光の透過率であるのに対して、本実施例では９１．２％の光の透過率を実現することができた。このことから、本実施例によれば、透過することを前提に用いる形態、例えばタッチパネルに好適に用いることができる。
【００４０】
耐湿試験では、６０℃で９０％の湿度下に２４時間配し、抵抗値の変化率を測定した。図７の耐湿試験の結果に示すように、比較例では１２％の抵抗値の変化があるのに対して、本実施例では抵抗値の変化率を３％（３％以下も実現）に抑えることができた。このことから、本実施例によれば、抵抗値の変動を抑えて抵抗値を安定させることが可能となり、本実施例にかかるＩＴＯＣ膜を、例えば抵抗膜方式用タッチパネルに好適に用いることができる。
【００４１】
耐アルカリ試験では、４０℃の５％アルカリ溶液の中に５分浸漬し、抵抗値の変化率を測定した。図８の耐アルカリ試験の結果に示すように、比較例では４％の抵抗値の変化があるのに対して、本実施例では抵抗値の変化率を２％（２％以下も実現）に抑えることができた。このことから、本実施例によれば、抵抗値の変動を抑えて抵抗値を安定させることが可能となり、本実施例にかかるＩＴＯＣ膜を、例えば抵抗膜方式用タッチパネルに好適に用いることができる。
【００４２】
上記したように、本実施例にかかる基板８１に形成した透明導電膜８２はＩＴＯＣ膜からなるので、光の透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動が抑え、その結果、透明導電膜８２の高信頼性を実現することができる。
【００４３】
また、本実施例にかかる成膜装置１によれば、基板８１上に、上記した仕様の良好なＩＴＯＣ膜からなる透明導電膜８２を形成することができる。
【００４４】
また、上記したように、本実施例にかかるプラズマ発生装置１１によれば、カソード２に熱電子放出部４２が複数設けられ、熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出するので、低電圧で大量の熱電子を放出することができる。
【００４５】
具体的に、１つの熱電子放出部４２がカソード２に設けられた従来の形態と比較して数倍から数十倍の熱電子を放出することができ、高い電圧をかけなくても熱電子を放出することができる。
【００４６】
また、抵抗加熱部４８による抵抗加熱より熱電子放出部４２（具体的に第１の熱電子放出群４６）を加熱して熱電子を放出するので、熱電子放出部４２を加熱させるための機構を簡素化することができ、その結果、当該プラズマ発生装置１１の小型化を図ることができる。
【００４７】
また、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿ってアノード３側から第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが配設され、第１の熱電子放出群４６は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って複数の熱電子放出部４２が配設され、第２の熱電子放出群４７は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って複数の熱電子放出部４２が配設されるので、熱電子の放出を効率的に行うことができる。
【００４８】
また、加熱手段（抵抗加熱）によって不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って配設された複数の熱電子放出部４２を加熱するため、熱電子を放出させるために加熱する領域（空間）を制限すること（抵抗加熱部４８近傍）になるが、第１の熱電子放出群４６では不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って複数の熱電子放出部４２が配設されるので、加熱手段（抵抗加熱）によって全ての熱電子放出部４２を加熱させることができる。さらに、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って複数の熱電子放出部４２が配設された第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６で放出した熱電子により不活性ガスをイオン化させて放電させるプラズマＰにより第２の熱電子放出群４７の熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出するので、第２の熱電子放出群４７では実質加熱手段を用いた加熱は行なっていない。そのため、加熱手段の構成を省いた構成とすることができる。このように、本構成によれば、熱電子を放出させるための加熱対象を第１の熱電子放出群４６とすることができ、その結果、低電圧で熱電子を放出させることができる。また、加熱手段による加熱対象を第１の熱電子放出群４６としているので、当該プラズマ発生装置１１の小型化に好適である。
【００４９】
また、第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とから熱電子を放出するので、熱電子を放出する量を数倍から数十倍とすることができる。
【００５０】
また、本実施例にかかる成膜装置１によれば、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に設けられるので、少なくとも低電圧で大量の熱電子を放出するという効果を有する。また、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１を設けているので、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１と同様の作用効果を有する。
【００５１】
さらに、本実施例にかかる成膜装置１によれば、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１を用いるので、装置の小型化を図ることができ、具体的に、本発明の構成であるプラズマ発生装置１１と収容部１２とを一体的に設けることを実現することができる。
【００５２】
次に、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を用いた成膜対象物への実施例を図９，１０を用いて以下に示す。なお、図９に示す形態では、成膜対象物の基板８として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などからなるフレキシブル基板であるフィルムを用い、図１０に示す形態では成膜対象物として硝子などからなる基板を用いる。便宜上、フレキシブル基板であるフィルムと基板とを同じ符号８１とする。
【００５３】
図９に示す実施例では、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を縦方向に３列並べて真空容器９に設けている。また、この実施例では、成膜対象物であるフィルム８１の両表面８３に同時に膜形成を行うためにフィルム８１の両表面８３に対応させて縦方向に３列並べた成膜装置１を対向させて配している。
【００５４】
この図９に示す実施例によれば、上記したように成膜装置１の小型化を図ることができるため、本発明の構成である一体的に設けられたプラズマ発生装置１１および収容部１２を複数設けることができる。その結果、成膜対象物（この実施例ではフィルム８１）のサイズを制限しなくてもよい。具体的に、成膜対象物が大型の基板やフィルムであっても、これら大型の基板やフィルムの所望の面に一度に膜を形成することができる。
【００５５】
なお、図９では、プラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１が縦方向に３列並べて真空容器９に設けているが、成膜装置１の数はこれに限定されるものではなく、複数並べていればよい。また、成膜装置１を縦方向にのみ複数並べることに限定されるものではなく、縦横方向に複数並べてもよい。
【００５６】
また、図１０に示す実施例では、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を１つ真空容器９に設けている。また、この図１０に示す実施例では、成膜対象物として基板８１を用いている。
【００５７】
この図１０に示す実施例では、基板８１の片方の表面８３（一表面）に薄膜を形成することができる。
【００５８】
なお、上記した実施例では、加熱手段として抵抗加熱を適用しているが、これは装置の小型化に好適な例である。加熱手段として他に例えば誘導加熱を適用してもよい。
【００５９】
また、上記した実施例のカソード２は、中空円筒状体の導電性材料としてＬａＢ6を用いたが、これは好適な例である。中空円筒状体の導電性材料として他に例えばＷ、Ｔａなどを用いてもよい。
【００６０】
また、上記した実施例にかかる第１の熱電子放出群４６では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２が並んで配設されているが、熱電子放出部４２の個数はこれに限定されるものではなく、個数は任意に設定してもよい。また、本実施例にかかる不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２と同じ長さを有する一つの熱電子放出部であってもよい。
【００６１】
また、上記した実施例にかかる第１の熱電子放出群４６では、熱電子放出部４２の筒内周面４３のみから熱電子を放出させる構成としているが、これに限定されるものではなく、熱電子放出部４２の筒外周面と筒内周面４３から熱電子を放出する構成としてもよい。
【００６２】
また、上記した実施例にかかる第２の熱電子放出群４７では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って６つの熱電子放出部４２が配設されているが、熱電子放出部４２の個数はこれに限定されるものではなく、個数は任意に設定してもよい。また、本実施例にかかる不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿った２個の熱電子放出部４２と同じ長さを有する３つの熱電子放出部を、等間隔に不活性ガスの直交方向に配されてもよい。また、３つの熱電子放出部４２が等間隔に不活性ガスの直交方向に配される構成に限定されるものではなく、これは好適な例であり、複数個の熱電子放出部が等間隔に不活性ガスの直交方向に配されていればよい。
【００６３】
上記したことから、第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とにおける熱電子放出部４２の個数は任意に設定し、その寸法も任意に設定した場合でもあってもよい。
【００６４】
また、本実施例では、基板８１として硝子に本発明を適用しているが、これに限定されるものではなく、硝子以外に樹脂やフィルムなどであってもよい。具体的に、基板として、高分子フィルムなどの各種フィルム、プラスチックシート、強化硝子、薄板硝子、厚板硝子を基板８１として用いても良い。
【００６５】
また、本実施例では、ＭＰＤ装置により、基板上に透明導電膜を形成しているが、これは好適な例であり、透明導電膜の形成装置はこれに限定されるものではなく、高圧力下でスパッタリングを行うガスフロースパッタリング装置であるＧＦＳ装置により基板上に形成されてもよい。
【００６６】
また、本実施例では、基板８１上に透明導電膜８２を形成した形態を挙げているが、これに限定されるものではなく、さらに透明導電膜８２上に保護膜などの他の膜や材料を形成してもよい。
【００６７】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、タッチパネルや太陽電池パネルなどのパネルや、回路基板などの基板等の電子部品に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は、本実施例にかかる保護膜を形成した基板の概略構成図である。
【図２】図２は、本実施例にかかる成膜装置およびプラズマ発生装置の概略構成図である。
【図３】図３は、図２に示すプラズマ発生装置の熱電子放出部の概略構成図である。
【図４】図４は、図３に示すＡ−Ａ線端面図である。
【図５】図５は、本実施例と比較例との耐熱性試験の結果を示した図である。
【図６】図６は、本実施例と比較例との透過率試験の結果を示した図である。
【図７】図７は、本実施例と比較例との耐湿試験の結果を示した図である。
【図８】図８は、本実施例と比較例との耐アルカリ試験の結果を示した図である。
【図９】図９は、本実施例にかかる複数のプラズマ発生装置および収容部とが一体的に設けられた成膜装置および真空容器の概略構成図である。
【図１０】図１０は、本実施例にかかる１つのプラズマ発生装置および収容部とが一体的に設けられた成膜装置および真空容器の概略構成図である。
【符号の説明】
【００７０】
１成膜装置
１１  プラズマ発生装置
１２  収容部
２  カソード
３  アノード
４２  熱電子放出部
４３  熱電子放出部の筒内周面
４４  熱電子放出部の筒外周面
４６  第１の熱電子放出群
４７  第２の熱電子放出群
４８  抵抗加熱部
７成膜材料
８１  基板
８２  透明導電膜
８３  表面
Ｐ  プラズマ
Ｘ  ガス注入方向
【図１】
2010103054.tif 000003
【図２】
2010103054.tif 000004
【図３】
2010103054.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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