(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の表面に磁性膜等を形成する場合に、異常突起等の発生がない平滑な基板表面を形成する工程を含む、垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】非磁性基板１上に積層構造を形成する前に非磁性基板表面を平滑化する研磨工程を有し、前記研磨工程に用いる研磨液Ｓはダイヤモンド粒子を０．００１〜０．０５質量％の範囲内、研磨促進剤をダイヤモンド粒子に対して１０〜１００倍の範囲内でそれぞれ含み、前記研磨促進剤はスルホン酸基またはカルボン酸基を有する平均分子量が４０００〜１００００の有機重合物であることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、軟磁性層、垂直磁性層を含む積層構造を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
非磁性基板上に積層構造を形成する前に非磁性基板表面を平滑化する研磨工程を有し、
前記研磨工程に用いる研磨液はダイヤモンド粒子を０．００１〜０．０５質量％の範囲内、研磨促進剤をダイヤモンド粒子に対して１０〜１００倍の範囲内でそれぞれ含み、
前記研磨促進剤はスルホン酸基またはカルボン酸基を有する平均分子量が４０００〜１００００の有機重合物であることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記研磨工程の終了後、前記非磁性基板上に積層構造を形成するまでの時間が１０時間以内であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記ダイヤモンド粒子がクラスターダイヤモンド粒子であり、ダイヤモンド粒子の１次粒子径は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内、２次粒子径が５０ｎｍから１００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
スルホン酸基またはカルボン酸基を有する前記研磨促進剤が、スルホン酸ナトリウムまたはカルボン酸ナトリウムを有する研磨促進剤であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記非磁性基板がガラス基板であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の一種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率５０％以上で増えており、今後もその傾向は続くと言われている。そのため、高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００３】
現在、市販されている磁気記録再生装置に搭載されている磁気記録媒体は、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体である。垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際にも、記録ビット間の境界領域における反磁界の影響が小さく、鮮明なビット境界が形成されるため、ノイズの増加が抑えられる。しかも、高記録密度化に伴う記録ビット体積の減少が少なくてすむため、熱揺らぎ効果にも強い。したがって、近年大きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構造が提案されている。
【０００４】
ところで、従来用いられていた面内記録方式の磁気記録媒体では、非磁性基板の表面に磁性層等を形成する前に、テクスチャ加工を施していた。テクスチャ加工とは、非磁性基板の表面に、円周方向に沿ったテクスチャ条痕（微細な凹凸）を形成し、媒体表面を適度な表面粗さとし、また、磁気記録媒体に円周方向の磁気異方性を付与する加工である。すなわち、非磁性基板の表面に微細なテクスチャ条痕が存在するディスク基板上に磁性層を形成すると、テクスチャ条痕が存在しないディスク基板上に磁性層を形成した場合と比較して、電磁変換特性が向上することが知られている。これは、ディスク基板の表面にテクスチャ加工を施すことによって、このディスク基板の表面上に形成される下地層及び磁性層の結晶配向性が向上するためである。これにより、磁性層の磁気異方性を高め、熱揺らぎ耐性などの磁気特性を向上させることができる。
【０００５】
テクスチャ加工は、ディスク基板を回転させながら、このディスク基板の表面に研磨スラリーを供給し、走行する研磨テープをディスク基板の表面に押し付けることによって行われる（例えば、特許文献１，２を参照）。また、研磨液として、分散媒にダイヤモンド砥粒などを分散させたものが用いられている。
また、特許文献３には、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる下地層における高精度の平坦面を確保しつつ、下地層における異常突起を自動的に除去でき、しかも、垂直磁気記録媒体における磁気配向に悪影響を及ぼすことがなく、垂直方向の磁気配向が容易となるような適度なテクスチャ痕を形成できる垂直磁気記録媒体の製造方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００４−１７８７７７号公報
【特許文献２】特開２００４−２５９４１７号公報
【特許文献３】特開２００８−１０８３９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、垂直磁気記録媒体の製造工程においては、一般的には非磁性基板にテクスチャ加工は行われず、平滑な表面の非磁性基板が用いられる。それは、非磁性基板の表面に凹凸や傷が存在する場合に、その非磁性基板の表面に磁性膜等を成膜すると、その凹凸や傷が存在する箇所に異常突起等が形成される場合があるためである。したがって、垂直磁気記録媒体に用いられる基板は、多段のラッピング工程、ポリッシング工程を経て製造されるため、その表面は十分に平滑である。しかしながら、磁気記録媒体用の基板の製造後、その基板を磁性膜等の成膜に用いるまでには数日の日数を経る場合が多く、その間に基板の表面にパーティクル等が付着する場合がある。また、磁気記録媒体用の基板の表面には今まで以上の平滑性が求められ、その平滑化が可能な研磨プロセスが求められている。また、その研磨プロセスは、基板へのパーティクル等の付着をなるべく低減させるために、基板への磁性膜等の成膜の直前に行うことが好ましい。
【０００７】
本願発明は、上記課題を解決することを目的とし、基板の表面に磁性膜等を形成する場合に、異常突起等の発生がない平滑な基板表面を形成する工程を含む、垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者は、上記の課題を解決するため鋭意努力検討した結果、非磁性基板上に磁性層等の積層構造を形成する前に非磁性基板の表面を平滑化する研磨工程を設け、その研磨工程に用いる研磨液として、従来の研磨剤よりはるかに低濃度のダイヤモンド粒子を含み、かつ研磨促進剤として多量のスルホン酸基またはカルボン酸基を含む特定の平均分子量の有機重合物を用いることにより、今まで以上に平滑な基板表面が得られることを見出し、本願発明を完成させた。
【０００９】
すなわち、本願発明は以下の構成を採用する。
（１）  非磁性基板上に、軟磁性層、垂直磁性層を含む積層構造を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性基板上に積層構造を形成する前に非磁性基板表面を平滑化する研磨工程を有し、前記研磨工程に用いる研磨液はダイヤモンド粒子を０．００１〜０．０５質量％の範囲内、研磨促進剤をダイヤモンド粒子に対して１０〜１００倍の範囲内でそれぞれ含み、前記研磨促進剤はスルホン酸基またはカルボン酸基を有する平均分子量が４０００〜１００００の有機重合物であることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
（２）  前記研磨工程の終了後、前記非磁性基板上に積層構造を形成するまでの時間が１０時間以内であることを特徴とする上記（１）に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（３）  前記ダイヤモンド粒子がクラスターダイヤモンド粒子であり、ダイヤモンド粒子の１次粒子径は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内、２次粒子径が５０ｎｍから１００ｎｍの範囲内であることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（４）  スルホン酸基またはカルボン酸基を有する前記研磨促進剤が、スルホン酸ナトリウムまたはカルボン酸ナトリウムを有する研磨促進剤であることを特徴とする上記（１）〜（３）の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（５）  前記非磁性基板がガラス基板であることを特徴とする上記（１）〜（４）の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法によれば、上記構成を採用することにより、基板の表面に磁性膜等を形成する場合に、異常突起等の発生がない平滑な基板表面を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を適用した一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
図１は、本発明を適用して作製される垂直磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
図１に示すように、垂直磁気記録媒体１０は、研磨加工が施された非磁性基板１上に、軟磁性下地層２、配向制御層３、垂直磁性層４、及び保護層５を順次積層して形成したものである。
【００１３】
本実施形態の垂直磁気記録媒体１０の製造方法は、先ず、非磁性基板１の表面に研磨加工を施し、非磁性基板１の表面を平滑化する。
ここで、図２は、非磁性基板１の表面に研磨加工を施す工程を説明するための図であり、（ａ）は、その装置の一例を示す側面図であり、（ｂ）は、その装置の一例を示す平面図である。
【００１４】
この研磨加工は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、非磁性基板１をスピンドル１０１に固定し、このスピンドル１０１を回転させることにより非磁性基板１を回転させる。そして、この回転する非磁性基板１の表面にノズル１０２を通じて研磨液Ｓを供給し、供給ロール１０３と巻取ロール１０４との間で走行する研磨テープ１０５を非磁性基板１の表面に押圧ローラ１０６を介して押し付けることによって行う。これにより、非磁性基板１の表面を研磨し平滑化する。なお、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す装置では、この非磁性基板１の両面に同時に研磨加工を施すことが可能となっている。
【００１５】
本実施形態では、研磨工程に用いる研磨液Ｓとして、ダイヤモンド粒子を０．００１〜０．０５質量％の範囲内、研磨促進剤をダイヤモンド粒子に対して１０〜１００倍の範囲内でそれぞれ含み、研磨促進剤としてスルホン酸基またはカルボン酸基を有する平均分子量が４０００〜１００００の有機重合物を用いることを特徴とする。
【００１６】
ここで、研磨液Ｓは、磁気記録媒体用の非磁性基板のポリッシング工程に用いられる研磨液と添加成分は類似しているものの、その添加量は大きく異なるものである。すなわち、通常、基板のポリッシング工程に用いられる研磨液は、研磨粒子を１質量％程度含み、分散剤等としてスルホン酸基またはカルボン酸基を有する有機重合物を研磨粒子に対して１０質量％程度含む本実施形態の研磨液Ｓは、このような研磨液とは組成が大きく相違するものである。また、本実施形態の研磨工程は、磁気記録媒体用の非磁性基板の製造とは異なり、非磁性基板１の表面への磁性膜等の成膜の直前に設けることが好ましく、特に、研磨工程の終了後、非磁性基板１上に積層構造を形成するまでの時間を１０時間以内とするのが好ましい。
【００１７】
研磨液Ｓに用いられるダイヤモンド粒子として、クラスターダイヤモンド粒子を用いることが好ましい。また、ダイヤモンド粒子は、１次粒子径が１〜１０ｎｍの範囲内、２次粒子径が５０〜１００ｎｍの範囲内とすることが好ましい。本実施形態の研磨液Ｓに用いられるダイヤモンド粒子としてこのような粒子を用いることにより、非磁性基板１の研磨工程において、より平滑な基板表面を得ることが可能となる。
【００１８】
また、本実施形態では、研磨促進剤に含有させるスルホン酸基またはカルボン酸基を、スルホン酸ナトリウムまたはカルボン酸ナトリウムとすることが好ましい。これにより、非磁性基板の研磨工程においてより平滑な基板表面を得ることが可能となる。
【００１９】
本実施形態の研磨液Ｓは、このようなダイヤモンド砥粒を、研磨促進剤を含む水やアルコールなどの分散媒に分散させてなる。
【００２０】
研磨促進剤に含有させる、スルホン酸ナトリウムまたはカルボン酸ナトリウムを含む有機重合物としては、例えば、市販品として、ＧＥＲＯＰＯＮ ＳＣ／２１３(商品名／Ｒｈｏｄｉａ)、ＧＥＲＯＰＯＮ Ｔ／３６(商品名／Ｒｈｏｄｉａ)、ＧＥＲＯＰＯＮ ＴＡ／１０(商品名／Ｒｈｏｄｉａ)、ＧＥＲＯＰＯＮ ＴＡ／７２(商品名／Ｒｈｏｄｉａ)、ニューカルゲンＷＧ−５（商品名／竹本油脂（株））、アグリゾールＧ−２００（商品名／花王（株））、デモールＥＰパウダー（商品名／花王（株））、デモールＲＮＬ（商品名／花王（株））、イソバン６００−ＳＦ３５（商品名／（株）クラレ）、ポリスターＯＭ（商品名／日本油脂（株））、Ｓｏｋａｌａｎ ＣＰ９（商品名／ビーエーエスエフジャパン（株））、Ｓｏｋａｌａｎ ＰＡ−１５（商品名／ビーエーエスエフジャパン（株））、トキサノンＧＲ−３１Ａ（商品名／三洋化成工業（株））、ソルポール７２４８（商品名／東邦化学工業（株））、シャロールＡＮ−１０３Ｐ（商品名／第一工業製薬（株））、アロンＴ−４０（商品名／東亞合成化学工業（株））、パナカヤクＣＰ（商品名／日本化薬（株））、ディスロールＨ１２Ｃ（商品名／日本乳化剤（株））等が挙げられる。この中で特に、デモールＲＮＬ（商品名／花王（株））、ポリスターＯＭ（商品名／日本油脂（株））を用いることが好ましい。
【００２１】
非磁性基板１には、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどのガラス基板を用いることが好ましい。アモルファスガラスとしては、例えば汎用のソーダライムガラスや、アルミノほう珪酸ガラス、アルミノシリケートガラスなどを用いることできる。結晶化ガラスとしては、例えばリチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。なお、本発明は、このようなガラス基板以外にも、表面にＮｉＰ等の硬質膜を設けたアルミニウム基板なども適用することができる。
【００２２】
上記ガラスからなる非磁性基板１の表面に研磨加工を施す際は、図２に示すように、スピンドル１０１による非磁性基板１の回転速度を、５０〜２０００ｒｐｍの範囲とすることが好ましく、２００〜８００ｒｐｍの範囲とすることがより好ましい。非磁性基板１の回転速度が５０ｒｐｍ未満になると、非磁性基板１の表面を平滑化するのに非常に長い時間がかかることになる。一方、非磁性基板１の回転速度が２０００ｒｐｍを超えると、ノズル１０２から供給される研磨液Ｓが非磁性基板１の表面に留まらず、周囲に飛散してしまうため好ましくない。
【００２３】
ノズル１０２から供給される研磨液Ｓの流量は、１０〜１００ｍｌ／分であることが好ましい。この研磨液Ｓは、非磁性基板１の表面に連続的に供給しても、間隔をあけて供給しても、あるいは不連続的に供給してもよい。また、研磨液Ｓは、非磁性基板１の表面に供給する以外にも、研磨テープ５の表面に供給したり、非磁性基板１と研磨テープ５との間に供給したりすることも可能である。
【００２４】
研磨テープ１０５としては、例えば不織布テープや、織布テープ、発泡ポリウレタン製テープなどを用いることができる。このうち、不織布製テープとしては、例えばＴＸ０１４Ｆ、ＫＳＮ０６ＬＰＵ（何れも東レ社製）を挙げることができる。織布テープとしては、例えばトレーシー（東レ社製）を挙げることができる。また、不織布テープは、スクラッチ等の発生を抑えて非磁性基板１の表面平均粗さＲａを極めて小さくすることができるため好ましい。さらに、不織布テープの繊維径は０．０４デニール以下とすることが好ましく、この範囲にすることで、非磁性基板１の表面平均粗さＲａを小さくし、且つ、線密度が緻密で均一な研磨面を形成することができる。
【００２５】
研磨テープ１０５は、非磁性基板１の回転方向と同一方向又は逆方向に走行させることができる。このとき、研磨テープ１０５の走行速度は、１０〜１５０ｍｍ／分とすることが好ましく、３０〜１００ｍｍ／分とすることがより好ましい。この範囲とすることで、スクラッチ等の発生や研磨液Ｓ中の砥粒が非磁性基板１の表面に突き刺さったり、埋めこまれたりすることなどを抑制することができる。 
【００２６】
また、研磨テープ１０５は、走行させると同時に非磁性基板１の半径方向に揺動させることができる。その際の揺動速度は、０．１〜２０回／秒とすることが好ましく、０．５〜１０回／秒とすることがより好ましい。この範囲であると、充分な研削量が得られ、且つスクラッチ等の発生を抑えた研削状態が均一な表面を得ることができる。
【００２７】
押圧ローラ１０６による研磨テープ１０５の押し付け圧力は、０．５×９．８×１０４〜１．５×９．８×１０４Ｐａの範囲が好ましく、０．８×９．８×１０４〜１．２×９．８×１０４Ｐａの範囲とすることがより好ましい。この範囲であると、スクラッチ等の発生を抑えて、平滑な研磨面を形成することができる。
【００２８】
なお、上述した研磨加工を施した後には、供給ロール１０３と巻取ロール１０４との間を走行する図示略のクリーニングテープを非磁性基板１の表面に押圧ローラ１０６を介して押し付けるクリーニング工程を行うことが好ましい。クリーニングテープとしては、例えば植毛テープや、不織布テープ、発泡ポリウレタン製テープ等を用いることができる。これにより、非磁性基板１の表面から上記研磨加工による残渣を取り除くことができる。
【００２９】
本実施形態では、研磨工程を経た後の非磁性基板１の表面平均粗さＲａは、低いほど好ましいが、２．５Å以下とすることが好ましく、１．５Å以下とすることがより好ましい。ここで、非磁性基板１の表面平均粗さＲａが２．５Åを越えると、非磁性基板１上に磁性層等を形成する際に異常突起等が発生しやすくなり、垂直磁気記録媒体表面の平滑性が低くなりグライドハイト特性が低下し、記録再生時においてヘッドのフライングハイトを低くすることが難しくなる。
【００３０】
本実施形態の垂直磁気記録媒体１０の製造方法は、上述した研磨工程を経た非磁性基板１上に、軟磁性下地層２と、配向制御層３と、垂直磁性層４とを各層の材料と同じ組成の材料を原料とするスパッタ用ターゲットを用いてＤＣ或いはＲＦマグネトロンスパッタ法により形成する。スパッタ法を用いた上記各層の形成方法は、例えば以下のようにする。先ず、形成に用いるチャンバ内を、真空度が１０−４〜１０−７Ｐａの範囲となるまで排気する。次に、チャンバ内に非磁性基板１を収容し、スパッタガスとして例えばＡｒガスを導入して放電させることによりスパッタ成膜を行う。このとき、供給するパワーは０．１〜２ｋＷとし、放電時間と供給するパワーとを調節することによって、所望の膜厚を得ることができる。
【００３１】
軟磁性下地層２は、放電時間と供給するパワーとを調節することによって、非磁性基板１上に１５〜１００ｎｍの膜厚で形成することが好ましい。
【００３２】
軟磁性下地層２の形成には、軟磁性材料からなるスパッタ用ターゲットを用いることが軟磁性下地層を容易に形成できるために好ましい。軟磁性材料としては、ＣｏＦｅ合金（ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＺｒＮｂなど）、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮを挙げることができる。さらに、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルファス構造を有している、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏ系合金を好適なものとして挙げることができる。
【００３３】
上記のスパッタ用ターゲットは、溶製法による合金ターゲットまたは焼結合金ターゲットである。
【００３４】
配向制御層３は、軟磁性下地層２の形成後、放電時間と供給するパワーとを調節することによって５〜４０ｎｍの膜厚で形成することが好ましく、８〜３０ｎｍの膜厚で形成することがより好ましい。この配向制御層３の形成に用いるスパッタ用ターゲットの材料としては、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金を挙げることができる。
【００３５】
次に、垂直磁性層４を形成する。垂直磁性層４の形成は、スパッタ用ターゲットを用いて同様にスパッタ法により行う。垂直磁性層４には、酸化物を含むグラニュラ構造の磁性層と酸化物を含まない磁性層があるが、グラニュラ構造の磁性層を形成するスパッタ用ターゲットとしては、例えば、（Ｃｏ１４Ｃｒ１８Ｐｔ）９０−（ＳｉＯ２）１０［Ｃｒ含有量１４ａｔ％、Ｐｔ含有量１８ａｔ％、残部Ｃｏからなる金属組成が９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物組成が１０ｍｏｌ％］、（Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ）９２−（ＳｉＯ２）８［Ｃｒ含有量１０ａｔ％、Ｐｔ含有量１６ａｔ％、残部Ｃｏからなる金属組成が９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物組成が８ｍｏｌ％］、（Ｃｏ８Ｃｒ１４Ｐｔ４Ｎｂ）９４−（Ｃｒ２Ｏ３）６［Ｃｒ含有量８ａｔ％、Ｐｔ含有量１４ａｔ％、Ｎｂ含有量４ａｔ％、残部Ｃｏからなる金属組成が９４ｍｏｌ％、Ｃｒ２Ｏ３からなる酸化物組成が６ｍｏｌ％］、の他、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｔａ２Ｏ５）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＳｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＳｉＯ２）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＭｏ）−（ＴｉＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＷ）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＢ）−（Ａｌ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ）−（ＭｇＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ）−（Ｙ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＲｕ）−（ＳｉＯ２）等を挙げることができる。
【００３６】
ここで、酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１８ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは６ｍｏｌ％以上１３ｍｏｌ％以下である。
【００３７】
また、酸化物を含まない磁性層も、スパッタ用ターゲットを用いて同様にスパッタ法により形成する。磁性層の合金組成としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ系では、Ｃｏ１４〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ［Ｃｒ含有量１４〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、残部Ｃｏ］、ＣｏＣｒＰｔＢ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ０〜１６Ｂ［Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｂ含有量１〜１６ａｔ％、残部Ｃｏ］が好ましい。その他の系でも、ＣｏＣｒＰｔＴａ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ１〜５Ｔａ［Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｔａ含有量１〜５ａｔ％、残部Ｃｏ］、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ１〜５Ｔａ１〜１０Ｂ［Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｔａ含有量１〜５ａｔ％、Ｂ含有量１〜１０ａｔ％、残部Ｃｏ］の他にも、ＣｏＣｒＰｔＢＮｄ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ系、ＣｏＣｒＰｔＮｂ系、ＣｏＣｒＰｔＢＷ、ＣｏＣｒＰｔＭｏ、ＣｏＣｒＰｔＣｕＲｕ、ＣｏＣｒＰｔＲｅなどの材料をあげることができる。
【００３８】
保護層５は、垂直磁性層４を形成した後、公知の方法、例えばスパッタ法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み合わせを用いて形成する。この保護層５は、例えばカーボンを主成分とする。
【００３９】
さらに、保護層５上には必要に応じパーフルオロポリエーテルのフッ素系潤滑剤をディプ法、スピンコート法などを用いて塗布し、潤滑層６を形成する。
以上のようにして、図１に示すような垂直磁気記録媒体１０を製造する。
【００４０】
＜磁気記録再生装置＞
図３は、上記製造方法で製造された垂直磁気記録媒体１０を用いた磁気記録再生装置の一例を示す断面図である。
【００４１】
図３に示すように、磁気記録再生装置２０は、図１に示すような構成の垂直磁気記録媒体１０と、この垂直磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、垂直磁気記録媒体１０に対する情報の記録再生動作を行う磁気ヘッド１２と、この磁気ヘッド１２を垂直磁気記録媒体１０に対して相対運動させるヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再生信号処理系１４は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送り、磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。
【００４２】
磁気ヘッド１２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子や、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを高記録密度に適したヘッドとして用いることができる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００４４】
＜評価サンプル作成条件＞
（実施例１）
実施例１では、非磁性基板として、ＫＭＧ社製の結晶化ガラスからなるガラス基板を使用した。非磁性基板のサイズは、外径４８ｍｍ、内径１２ｍｍ、板厚０．５０８ｍｍである。そして、この非磁性基板の表面に研磨加工を施した。研磨加工の条件は以下の通りである。すなわち、研磨剤に含まれる砥粒については、１次粒子が５ｎｍ、２次粒子が７０ｎｍ、濃度０．０１質量％のクラスターダイヤを用いた。これに、研磨促進剤としてポリスターＯＭ（分子量は約６０００）をクラスターダイヤに対して有効成分で５０倍となるように添加した。なお、研磨剤の溶媒には純水を用いた。研磨剤は、５０ｍｌ／分の滴下速度で加工が開始される前に２秒間滴下した。また、研磨テープにはポリエステル製の織物布を使用し、研磨テープの送りは７５ｍｍ／分とした。さらに、非磁性基板の回転数は、６００ｒｐｍとし、非磁性基板の揺動は１２０回／分とした。更にまた、テープの押し付け力は、２．０ｋｇｆ（１９．６Ｎ）とし、加工時間は１０秒とした。
【００４５】
このガラス基板を洗浄した後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、基板上にＣｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ［Ｚｒ含有量４ａｔ％、Ｎｂ含有量７ａｔ％、残部Ｃｏ］のターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で１００ｎｍの軟磁性層を形成した。この軟磁性層上にＲｕ層を８ｎｍ成膜した後、さらにＣｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂの軟磁性層を１００ｎｍ成膜して、軟磁性下地層を形成した。
【００４６】
次いで、軟磁性下地層の上にＮｉ６Ｗ［Ｗ含有量６ａｔ％、残部Ｎｉ］ターゲット、Ｒｕターゲットを用いて、それぞれ１０ｎｍ、２０ｎｍの厚さで順に成膜し、配向制御層とした。
【００４７】
さらに、配向制御層の上に、（Ｃｏ１３Ｃｒ１６Ｐｔ）９０−（ＳｉＯ２）４−（Ｃｒ２Ｏ３）３−（ＴｉＯ２）３［Ｃｒ含有量１３ａｔ％、Ｐｔ含有量１６ａｔ％、残部Ｃｏの合金組成を９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物を４ｍｏｌ％、Ｃｒ２Ｏ３からなる酸化物を３ｍｏｌ％、ＴｉＯ２からなる酸化物を３ｍｏｌ％］の組成の磁性層を６０ｎｍの厚さで形成した。
この磁性層の上に、（Ｃｏ２０Ｃｒ）８８−（ＴｉＯ２）１２からなる非磁性層を１０ｎｍの厚さで形成した。
この非磁性層の上に、（Ｃｏ９．５Ｃｒ１６Ｐｔ７Ｒｕ）９２−（ＳｉＯ２）５−（Ｃｒ２Ｏ３）３からなる磁性層を３０ｎｍの厚さで形成した。
この磁性層の上に、Ｒｕからなる非磁性層を１０ｎｍの厚さで形成した。
【００４８】
この非磁性層の上に、Ｃｏ１６Ｃｒ１６Ｐｔ８Ｂ［Ｃｒ含有量１６ａｔ％、Ｐｔ含有量１６ａｔ％、Ｂ含有量８ａｔ％、残部Ｃｏ］からなるターゲットを用い、スパッタ圧力を３Ｐａとして垂直磁性層を１０ｎｍの厚さ形成した。
【００４９】
次いで、ＣＶＤ法により膜厚５ｎｍの保護層を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を形成し、実施例１の垂直磁気記録媒体を得た。
【００５０】
（実施例２〜５）
実施例１において、研磨工程の条件を変えた以外は実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を製造した。研磨工程の条件を表１に示す。
【００５１】
（比較例１）
実施例１において、研磨工程を設けなかった以外は実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を製造した。
【００５２】
（比較例２〜５）
実施例１において、研磨工程の条件を変えた以外は実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を製造した。研磨工程の条件を表１に示す。
【００５３】
＜磁気特性の評価方法＞
上記実施例１〜５及び比較例１〜５により得られた垂直磁気記録媒体の磁気特性を評価した。
記録再生特性の評価は、米国ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。ヘッドは、書き込みをシングルポール磁極、再生部にＧＭＲ素子を用いたヘッドを使用した。
【００５４】
記録特性（ＯＷ）は、まず、７００ｋＦＣＩの信号を書き込み、次いで１１６ｋＦＣＩの信号を上書し、周波数フィルターにより高周波成分をとりだし、その残留割合によりデータの書き込み能力を評価した。
【００５５】
Ｓ／Ｎ比は、記録密度７００ｋＦＣＩとして測定した。
【００５６】
熱揺らぎ特性の評価は、７０℃の条件下で記録密度５０ｋＦＣＩにて書き込みを行ったあと、書き込み後１秒後の再生出力に対する出力の減衰率を（Ｓｏ−Ｓ）×１００／（Ｓｏ×３）に基づいて算出した。この式において、Ｓｏは書き込み後１秒経過時の再生出力を示し、Ｓは１０００秒後の再生出力を示す。
これらの項目について、評価結果を表１に示した。
【００５７】
【表１】
2010080022.tif 000003
【００５８】
＜評価結果＞
表１より、ガラス基板（非磁性基板）上に積層構造を形成する前に研磨工程を行わない方法によって作製された試験例１の垂直磁気記録媒体及び、砥粒濃度又は研磨促進剤の砥粒に対する添加量が本発明の範囲外となる研磨液を用いた研磨工程を行って作製された試験例２〜４の垂直磁気記録媒体に比べて、実施例１〜５の垂直磁気記録媒体は、優れた記録特性（ＯＷ）、Ｓ／Ｎ比、熱揺らぎ特性が得られたことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、本発明を適用して作製される垂直磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本実施形態に適用する非磁性基板１の表面に研磨加工を施す工程を説明するための図であり、（ａ）は、その装置の一例を示す側面図、（ｂ）は、その装置の一例を示す平面図である。
【図３】図３は、本実施形態の製造方法で製造された垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…非磁性基板
２…下地層
３…配向制御層
４…垂直磁性層
５…保護層
１０…垂直磁気記録媒体
１１…媒体駆動部
１２…磁気ヘッド
１３…ヘッド駆動部
１４…記録再生信号処理系
２０…磁気記録再生装置
１０１…スピンドル
１０２…ノズル
１０３…供給ロール
１０４…巻取ロール
１０５…研磨テープ
１０６…押圧ローラ
Ｓ…研磨液
【図１】
2010080022.tif 000004
【図２】
2010080022.tif 000005
【図３】
2010080022.tif 000006