(57)【要約】【課題】本発明は、セラミック積層体及びセラミック焼結体の製造方法に関する。【解決手段】本発明の一側面は、第１セラミック粒子とガラス粒子を具備する一つ以上のセラミックシート及び前記セラミックシートと接触した状態で交互に積層され、前記セラミックシートの焼結温度より高い温度で焼結される特性を有する第２セラミック粒子を具備する一つ以上の拘束用シートを含み、前記ガラス粒子の粒径及び前記第１セラミック粒子の粒径は前記第２セラミック粒子の粒径より大きいことを特徴とするセラミック積層体を提供する。本発明によると、焼成時セラミック積層体に拘束力を均一に与えることができる拘束用シートを具備するセラミック積層体を得ることができる。【選択図】図２
2010103481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１セラミック粒子とガラス粒子を具備する一つ以上のセラミックシートと、 
前記セラミックシートと接触された状態で交互に積層され、第２セラミック粒子を具備する一つ以上の拘束用シートと、を含み、
前記ガラス粒子の粒径及び前記第１セラミック粒子の粒径は、前記第２セラミック粒子の粒径より大きく、かつ、
前記第１セラミック粒子の粒径は１μｍ以上であり、前記ガラス粒子の粒径は１μｍ以上１０μｍ以下であり、前記第２セラミック粒子の粒径は１μｍ未満であることを特徴とするセラミック積層体。
【請求項２】
前記セラミックシート及び前記拘束用シートは、導電パターン及び導電性ビアを具備することを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層体。
【請求項３】
前記セラミックシートの厚さは２０μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック積層体。
【請求項４】
前記拘束用シートの厚さは２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のセラミック積層体。
【請求項５】
前記セラミックシートは、前記拘束用シートより厚いことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のセラミック積層体。
【請求項６】
前記第１及び第２セラミック粒子は、相互同一の物質から成ることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載のセラミック積層体。
【請求項７】
前記拘束用シートは、前記第２セラミック粒子と有機バインダーから成ることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載のセラミック積層体。
【請求項８】
前記ガラス粒子は、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系物質から成ることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載のセラミック積層体。
【請求項９】
前記第１セラミック粒子は、Ａｌ２Ｏ３から成ることを特徴とする請求項８に記載のセラミック積層体。
【請求項１０】
前記ガラス粒子は、前記セラミックシートにおいて４０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下を占め、前記第１セラミック粒子は、前記セラミックシートにおいて２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下を占めることを特徴とする請求項８または９に記載のセラミック積層体。
【請求項１１】
前記ガラス粒子においてＺｎＯは２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下を占めることを特徴とする請求項８から１０の何れか１項に記載のセラミック積層体。
【請求項１２】
第１セラミック粒子及びガラス粒子を具備する一つ以上のセラミックシートを備える段階と、
前記ガラス粒子の粒径及び前記第１セラミック粒子の粒径より小さい粒径を有する第２セラミック粒子を具備する一つ以上の拘束用シートを備える段階と、
前記セラミックシート及び前記拘束用シートを互いに接触した状態で交互に積層し、セラミック積層体を形成する段階と、
前記セラミックシートの焼結過程において、前記ガラス粒子のうち、前記第１セラミック粒子と反応しない成分が前記拘束用シートに移動して、前記拘束用シートが焼結されるように前記セラミック積層体を焼結する段階と、
を含むセラミック焼結体の製造方法。
【請求項１３】
前記拘束用シートは、前記セラミックシートが焼結された後に焼結されることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項１４】
前記拘束用シートは、前記セラミックシートの焼結温度で焼結されることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項１５】
前記ガラス粒子は、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系物質から成ることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項１６】
前記第１セラミック粒子は、Ａｌ２Ｏ３から成ることを特徴とする請求項１５に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項１７】
前記ガラス粒子は、前記セラミックシートにおいて４０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下を占め、前記第１セラミック粒子は、前記セラミックシートにおいて２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下を占めることを特徴とする請求項１５または１６に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項１８】
前記ガラス粒子においてＺｎＯは２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下を占めることを特徴とする請求項１５から１７の何れか１項に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項１９】
前記第１セラミック粒子と反応しない成分は、ＺｎＯを含むことを特徴とする請求項１５から１８の何れか１項に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項２０】
前記第１セラミック粒子の粒径は１μｍ以上であり、前記ガラス粒子の粒径は１μｍ以上１０μｍ以下であり、前記第２セラミック粒子の粒径は１μｍ未満であることを特徴とする請求項１２から１９の何れか１項に記載のセラミック焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミック積層体及びセラミック焼結体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、多層セラミック基板は半導体ＩＣチップのような能動素子とキャパシタ、インダクタ及び抵抗のような受動素子を複合化した部品として使用されたり、または単純な半導体ＩＣパッケージとして使用されている。より具体的に、上記多層セラミック基板はＰＡモジュール基板、ＲＦダイオードスイッチ、フィルター、チップアンテナ、各種パッケージ部品、複合デバイス等多様な電子部品を構成するために広く使用されている。
【０００３】
このような多層セラミック基板を得るためには、配線導体が形成された誘電体シートを積層し、優れた特性を得るために必ず焼結工程を経なければならないが、このような焼結工程を経るとセラミックの焼結による収縮が発生する。このような収縮は多層セラミック基板全体において均一に発生し難くセラミック層の面方向に関してサイズの変形をもたらす。また、面方向への収縮は配線導体において望まない変形や歪みを発生させ、より具体的には、多層セラミック基板上に搭載されるチップ部品等の接続のための外部電極の位置精密度が低下したり、配線導体において断線が発生する場合がある。
【０００４】
このように面方向への収縮が生じると部品の実装時に導体パターンとの間にずれが発生し、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅｓ）等の半導体チップを高い精密度で実装することが不可能になる。よって、近来では多層セラミック基板の製造時に焼結工程における面方向への収縮をなくすための、いわゆる無収縮工法を適用することが提案されている。
【０００５】
一般的に適用されている無収縮工法は、９００℃以下で焼結されないセラミックであるアルミナパウダーを利用して拘束用シートを製作して、これを低温焼結が可能なセラミック（ＬＴＣＣ）誘電体シートの上部及び下部に積層し、積層されたセラミック基板の上下部に重さを加えて可塑、焼結した後、上記拘束用シートを除去してセラミック基板を得る方法である。図１は一般的な無収縮セラミック基板の製造方法のうち一工程を表す断面図である。複数のセラミックシートが積層されたセラミック積層体１０の最上面及び最下面には、上記セラミック積層体１０の焼結温度で焼結されない拘束用シート１１が配置され、上記拘束用シート１１は焼成過程において上記セラミック積層体１０の面方向の収縮を抑制することができる。
【０００６】
しかし、図１で説明した無収縮工程の場合、拘束用シート１１に隣接したセラミックシートには拘束力が大きく作用するが、セラミック積層体１０の内部では相対的に拘束力の作用が弱い。このようにセラミック積層体１０に作用する拘束力が不均一になることによって内部での応力の不均衡が発生し、焼結後のセラミック素子の信頼性が悪くなることができ、このような問題はセラミック積層体１０の厚さが厚い場合さらに酷くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の従来技術の問題点を解決するためのもので、その目的は焼成時にセラミック積層体に拘束力を均一に与えることができる拘束用シートを具備するセラミック積層体を提供するものである。また、本発明の他の目的はこのようなセラミック積層体を焼結して得ることができるセラミック焼結体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の技術的課題を実現するために、本発明の一側面は、第１セラミック粒子と、ガラス粒子を具備する一つ以上のセラミックシート、及び上記セラミックシートと接触された状態で交互に積層され、第２セラミック粒子を具備する一つ以上の拘束用シートを含み、上記ガラス粒子の粒径及び上記第１セラミック粒子の粒径は、上記第２セラミック粒子の粒径より大きいが、上記第１セラミック粒子の粒径は１μｍ以上であり、上記ガラス粒子の粒径は１μｍ以上１０μｍ以下であり、上記第２セラミック粒子の粒径は１μｍ未満であることを特徴とするセラミック積層体を提供する。
【０００９】
本発明の一実施例において、上記セラミックシート及び上記拘束用シートは導電パターン及び導電性ビアを具備することができる。
【００１０】
本発明の一実施例において、上記セラミックシートの厚さは２０〜２００μｍであることが好ましい。
【００１１】
本発明の一実施例において、上記拘束用シートの厚さは２０μｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明の一実施例において、上記セラミックシートは上記拘束用シートより厚いことが好ましい。
【００１３】
本発明の一実施例において、上記第１及び第２セラミック粒子は相互同一の物質から成ることができる。
【００１４】
本発明の一実施例において、上記拘束用シートは上記第２セラミック粒子と有機バインダーから成ることができる。
【００１５】
本発明の一実施例において、上記ガラス粒子は（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系物質から成ることができる。
【００１６】
この場合、上記セラミック粒子は、Ａｌ２Ｏ３から成ることが好ましい。
【００１７】
また、上記ガラス粒子は、上記セラミックシートにおいて４０〜８０ｗｔ％を占め、上記第１セラミック粒子は、上記セラミックシートにおいて２０〜６０ｗｔ％を占めることができる。
【００１８】
また、上記ガラス粒子においてＺｎＯは２〜１０ｗｔ％を占めることができる。
【００１９】
本発明の他の側面は、第１セラミック粒子及びガラス粒子を具備する一つ以上のセラミックシートを備える段階と、上記ガラス粒子の粒径及び上記第１セラミック粒子の粒径より小さい粒径を有する第２セラミック粒子を具備する一つ以上の拘束用シートを備える段階と、上記セラミックシート及び上記拘束用シートを互いに接触した状態で交互に積層し、セラミック積層体を形成する段階と、上記セラミックシートの焼結過程において、上記ガラス粒子のうち、上記第１セラミック粒子と反応しない成分が上記拘束用シートに移動して、上記拘束用シートが焼結されるように上記セラミック積層体を焼結する段階と、を含むセラミック焼結体の製造方法を提供する。
【００２０】
本発明の一実施例において、上記拘束用シートは、上記セラミックシートが焼結された後に焼結されるものであることができる。
【００２１】
本発明の一実施例において、上記拘束用シートは、上記セラミックシートの焼結温度で焼結されるものであることができる。
【００２２】
本発明の一実施例において、上記ガラス粒子は（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系物質から成ることができる。
【００２３】
この場合、上記第１セラミック粒子は、 Ａｌ２Ｏ３から成ることができる。
【００２４】
また、上記ガラス粒子は、上記セラミックシートにおいて４０〜８０ｗｔ％を占め、上記第１セラミック粒子は、上記セラミックシートにおいて２０〜６０ｗｔ％を占めることができる。
【００２５】
また、上記ガラス粒子においてＺｎＯは２〜１０ｗｔ％を占めることができる。
【００２６】
また、上記第１セラミック粒子と反応しない成分は、ＺｎＯを含むことができる。
【００２７】
本発明の一実施例において、上記第１セラミック粒子の粒径は１μｍ以上であり、上記ガラス粒子の粒径は１μｍ以上１０μｍ以下であり、上記第２セラミック粒子の粒径は１μｍ未満であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、焼成時セラミック積層体に拘束力を均一に与えることができる拘束用シートを具備するセラミック積層体を得ることができる。また、本発明において提案する無収縮工程は、ガラスの移動により拘束用シートがセラミックシートの焼結温度付近で自然と焼結されるようにすることにより焼結特性の向上をもたらすことができる。さらに、拘束用シートを焼結後に別途に除去する必要がないため、工程の便宜性が増大することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】一般的な無収縮セラミック基板の製造方法のうち一工程を表す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるセラミック積層体を表す断面図である。
【図３】図２におけるセラミックシートと拘束用シートをより詳細に表した ものである。
【図４】セラミックシートと拘束用シートを構成する粒子を拡大して表した ものである。
【図５】セラミックシートと拘束用シートを構成する粒子を拡大して表した ものである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００３１】
しかし、本発明の実施形態は様々な異なる形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野において平均的な知識を有する者に、本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等は明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同一の符号で表示される要素は同一の要素である。
【００３２】
図２は、本発明の一実施形態によるセラミック積層体を表す断面図で、図３は、図２におけるセラミックシートと拘束用シートをより詳細に表したものである。先ず、図２を参照すると、本実施形態によるセラミック積層体１００はセラミックシート１０１及び拘束用シート１０２を具備するが、上記セラミックシート１０１と拘束用シート１０２が互いに接触した状態で交互に積層された構造である。上記セラミックシート１０１はガラス、セラミックフィラー、有機バインダー等を具備し、当技術分野において公知されたドクターブレード工法等で得られることができる。上記拘束用シート１０２は、上記セラミックシート１０１の焼結温度で焼結されないようにガラスの含量が非常に低く、セラミックフィラー及び有機バインダーを具備する。このような拘束用シート１０２は、焼結過程において上記セラミックシート１０１に拘束力を提供することができる。
【００３３】
このように、上記セラミック積層体１００は従来と異なり、拘束用シート１０２がセラミックシート１０１の間に配置された構造で、上記拘束用シート１０２は最終素子、即ち、セラミック焼結体に残るようになる。このために、上記セラミックシート１０１と拘束用シート１０２には図３に図示されたように、導電パターン１０３及び導電性ビア１０４を具備することができる。
【００３４】
拘束用シート１０２がセラミックシート１０１の上下面にすべて接するように配置されることによって、セラミックシート１０１に均一な拘束力を提供することができて応力の不均衡を解消することができ、焼結後に拘束用シート１０２を除去する必要がないため、工程の便宜性が増大することができる。一方、後述するように、焼結過程においてガラスが移動されては来るが、セラミックフィラーの比率が高い拘束用シート１０２の体積が大き過ぎる場合、焼結後のセラミック焼結体、即ち、セラミック基板の物性が低下することがあるため、上記拘束用シートの厚さｔ２は２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下となるようにすることができ、これと比較して、上記セラミックシート１０１の厚さｔ１は２０〜２００μｍと多様に採用することができる。
【００３５】
上述したように、上記拘束用シート１０２は上記セラミックシート１０１の焼結温度で焼結しないセラミックフィラーを具備するが、上記セラミックシート１０１の焼結が進行されるに従って相対的に低い温度で共に焼成されることができる。これを図４及び図５を参照して説明する。図４及び図５はセラミックシートと拘束用シートを構成する粒子を拡大して表したものである。この場合、図４は図２のセラミック積層体１０１を焼結温度以下に維持した状態で、図５は焼結過程においてガラス粒子が移動する様子を表す。上記セラミックシート１０１が焼結される過程において上記拘束用シート１０２が焼結されない状態に維持されながら上記セラミックシート１０１の焼結温度よりはるかに高い温度で焼結される場合にはすでに焼結されたセラミックシート１０１の焼結状態が悪くなることがある。これを考慮して、本実施形態ではセラミックシート１０１の焼結過程においてガラスが拘束用シート１０２へ移動されることができるようにした。 
【００３６】
若し、セラミックシート１０１を構成するガラス粒子Ｇが焼結過程において拘束用シート１０２に移動されると、上記拘束用シート１０２の焼結温度は次第に低下して上記セラミックシート１０１の焼結温度と近接した温度において焼結されることができるため、セラミック焼結体の焼結の均一性を確保することができる。このために、上記セラミックシート１０１に含まれたガラス粒子Ｇの直径Ｄ１とセラミックフィラーを成すセラミック粒子（第１セラミック粒子、Ｃ１）の直径Ｄ３は拘束用シート１０２に含まれたセラミック粒子（第２セラミック粒子、Ｃ２）の直径Ｄ２より大きくなければならず、これは焼結過程において図５に図示されたように、毛細管現象を利用してガラス粒子Ｇの移動を促進するためのものである。具体的に、上記ガラス粒子Ｇの粒径Ｄ１は１〜１０μｍ程度を採用することが好ましく、さらに好ましくは２．５μｍ内外となるようにする。上記第１セラミック粒子Ｃ１は焼結の特性上、上記ガラス粒子Ｇと類似した大きさとなるようにすることができ、その粒径Ｄ３を１μｍ以上で採用することが好ましい。これを考慮した際、上記第２セラミック粒子Ｃ２の粒径Ｄ２は１μｍ未満となるようにすることが好ましい。この場合、上記ガラス粒子Ｇ、第１及び第２セラミックＣ１、Ｃ２は複数存在するという点で、粒径は平均粒径を意味することと定義されることができる。
【００３７】
一方、焼結過程において拘束用シート１０２にガラスが浸透する点を考慮した際、上記拘束用シート１０２に含まれた第２セラミック粒子Ｃ２は、上記セラミックシート１０１のガラスにウェッティング（ｗｅｔｔｉｎｇ）が相対的によく行われる物質から成ることが好ましく、これは第１セラミック粒子Ｃ１も同様である。また、焼結過程においてガラス粒子Ｇを成す物質のうち、反応しないガラス物質が残っていると、このような反応しないガラス物質は、拘束用シート１０２に容易に移動されることができる。このような点を考慮し、上記ガラス粒子Ｇは（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系物質で形成され、第１セラミック粒子Ｃ１は、Ａｌ２Ｏ３で形成することができる。この場合、ガラス粒子Ｇと第１セラミック粒子Ｃ１は、セラミックシート１０１全体において、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系物質は４０〜８０ｗｔ％を占め、Ａｌ２Ｏ３は２０〜６０ｗｔ％を占める比率で混合されることが好ましい。
【００３８】
焼結過程において、拘束用シート１０２には、セラミックシート１０１からＺｎ、Ｂが多量に含有されたガラスが流入され、ここで流入されるガラスは、上述したように、第１セラミック粒子Ｃ１と反応せずに残るものである。拘束用シート１０２に流入されるガラスによって、セラミックシート１０１と拘束用シート１０２の界面にポア（ｐｏｒｅ）がない焼結状態を具現することができる。これをさらに具体的に説明すると、焼結過程において、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスとＡｌ２Ｏ３が反応する場合、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ２Ｓｉ２Ｏ８及び反応しないガラス成分が得られ、上記反応においてＺｎＯは、大部分が反応しないガラス成分となる。この場合、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶は、ＺｎＯを殆ど含有しておらず、結晶学的にもＣａ、Ｓｒ、Ｂａ元素のイオン半径がＺｎに比べて非常に大きく、Ｚｎに置換されることが難しい。これによって、セラミックシート１０１の焼結過程においてＺｎを多量に含んだガラス成分が拘束用シート１０２に移動される。即ち、図５において拘束用シート１０２に移動されたガラス粒子Ｇ'は、セラミックシート１０１に存在していたガラス粒子Ｇとは異なるものに該当する。
【００３９】
拘束用シート１２０に移動されたＺｎを大量に含むガラス成分は、第２セラミック粒子Ｃ２、例えば、Ａｌ２Ｏ３と反応してＺｎＡｌ２Ｏ４のような結晶相が析出される。このような反応が起きることによってセラミックシート１０１にある未反応ガラスが拘束用シート１０２に流入する速度はさらに速くなり、この過程で拘束用シート１０２の焼結が起きる。（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスにＺｎＯを添加すると共にＺｎＯの含量も適切に調節される必要がある。一例として、ガラス粒子Ｇの重量を基準としてＳｉＯ２は４０〜７０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３は５〜２０ｗｔ％、（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｏは１０〜３５ｗｔ％、Ｂａ２Ｏ３は５〜１５ｗｔ％、ＺｎＯは２〜１０ｗｔ％の含量を有することが好ましい。ＺｎＯの量が２ｗｔ％以上にならないと拘束用シート１０２にガラスが流入されず、残ったセラミックシート１０１の空間を流動性良く埋めることができない。但し、ＺｎＯの量が過度に多い場合、ＬＴＣＣ材料としての基本特性である強度、耐化学性、絶縁性等においてよくない結果を見せることがあるため、１０ｗｔ％を超えないようにする。
【００４０】
本発明の発明者は本発明の効果を調べるために多様な条件で実験を行ってセラミック積層体を焼結した後収縮率を測定し、その結果は次の表のとおりである。
【００４１】
【表１】
2010103481.tif 000003
【００４２】
＃１〜＃３サンプルは、セラミックシート用ガラスにＣａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系ガラスを使用し、＃４〜＃６及び＃１１〜＃１６サンプルはＣａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ系ガラス、＃７〜＃９サンプルはＭｇ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｏ系ガラス、＃１０サンプルはＣａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ系ガラスを使用した。
【００４３】
このように、本発明において提案した無収縮工法を使用する場合、セラミック積層体の全体的に均一な拘束力を提供するだけでなく、ガラスの移動により拘束用シートがセラミックシートの焼結温度付近において自然と焼結されるようにすることによって焼結特性もより優れることができる。
【００４４】
本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲により限定される。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野の通常の知識を有する者には自明であり、これも添付の特許請求の範囲に記載された技術的思想に属するものである。
【符号の説明】
【００４５】
１０１  セラミックシート
１０２  拘束用シート
１０３  導電パターン
１０４  導電性ビア
Ｃ１、Ｃ２  第１及び第２セラミック粒子
Ｇ  ガラス粒子
【図１】
2010103481.tif 000004
【図２】
2010103481.tif 000005
【図３】
2010103481.tif 000006
【図４】
2010103481.tif 000007
【図５】
2010103481.tif 000008