(57)【要約】      （修正有）【課題】マスク・レイアウト内に印刷補助フィーチャを配置する方法を提供する。【解決手段】１つまたは複数の設計フィーチャを有する設計レイアウトを提供するステップと、１つまたは複数の印刷補助フィーチャ（ＰｒＡＦ）に関したパラメータのセットを生成するステップと、前記パラメータのセットの前記ＰｒＡＦを前記設計レイアウトに追加して、設計レイアウトを変更するステップと、前記変更された前記１つまたは複数の設計フィーチャのシミュレーションを実行するステップと、前記シミュレーションの結果に基づいて、前記ＰｒＡＦが除去可能であるかどうかを検証するステップと、前記ＰｒＡＦが除去可能であると検証された場合に、前記パラメータのセットに基づいて、ＰｒＡＦ配置ルールのセットを生成するステップとを含む。前記ＰｒＡＦ配置ルールを使用して、マスク・レイアウトに使用するＰｒＡＦの最終セット生成することができる。【選択図】図２
2010161363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク・レイアウト内に印刷補助フィーチャを配置する方法であって、
１つまたは複数の設計フィーチャを有する設計レイアウトを提供するステップと、
１つまたは複数の印刷補助フィーチャ（ＰｒＡＦ）に関連したパラメータのセットを生成するステップと、
前記パラメータのセットの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを前記設計レイアウトに追加して、変更された設計レイアウトを作成するステップと、
前記変更された設計レイアウト上の前記１つまたは複数のＰｒＡＦおよび前記１つまたは複数の設計フィーチャのシミュレーションを実行するステップと、
前記シミュレーションの結果に基づいて、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であるかどうかを検証するステップと、
前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であると検証された場合に、前記パラメータのセットに基づいて、ＰｒＡＦ配置ルールのセットを生成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
少なくとも１つの前記ＰｒＡＦが除去可能ではないと検証された場合に、
前記１つまたは複数のＰｒＡＦに関連した前記パラメータのセットを調整するステップと、
調整された前記パラメータのセットの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを前記設計レイアウトに追加して、新しい変更された設計レイアウトを作成するステップと、
調整された前記パラメータのセットの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを含む前記新しい変更された設計レイアウトのシミュレーションを実行するステップと、
前記新しい変更された設計レイアウト内の前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であるかどうかを検証するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であると検証された場合に、
露光システムの予想される変動に関する情報を含むプロセス入力のセットを提供するステップと、
前記プロセス入力のセットを適用することによって、前記変更された設計レイアウト上でシミュレーションを実行して、プロセス変動性データのセットを生成するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記変更された設計レイアウト上での前記シミュレーションによって生成された前記プロセス変動性データのセットに基づいて、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であるかどうかを検証するステップと、前記１つまたは複数のＰｒＡＦのうちの少なくとも１つのＰｒＡＦが印刷可能ではないと検証された場合に、戻って、前記１つまたは複数のＰｒＡＦに関連した前記パラメータのセットを調整して、新しい変更された設計レイアウトを作成するステップとをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であるかどうかを検証するステップが、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷されないか、印刷されるが小さすぎるか、あるいは別のＰｒＡＦまたは設計フィーチャと合体するかどうかを検証するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であると検証された場合に、焦点深度（ＤＯＦ）、マスク・エラー・ファクタ（ＭＥＦ）およびチップ内線幅変動（ＡＣＬＶ）を含む性能パラメータのセットを、前記プロセス入力のセットに基づいて計算するステップと、前記性能パラメータのセットを、所定の基準のセットに照らして評価するステップとをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記露光システムの前記予想される変動が、少なくとも露光量、焦点およびマスク・エラーの変動を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
シミュレーションを実行するステップが、前記変更された設計レイアウトに光近接効果補正（ＯＰＣ）プロセスを適用して、前記１つまたは複数のＰｒＡＦおよび前記１つまたは複数の設計フィーチャを調整するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記設計レイアウトの前記１つまたは複数の設計フィーチャの１つまたは複数のエッジを識別するステップであって、前記１つまたは複数のエッジが、生成された前記ＰｒＡＦ配置ルールのセットに基づくＰｒＡＦサポートを必要とするステップと、
前記識別された１つまたは複数のエッジに対してＰｒＡＦの新しいセットを生成するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＰｒＡＦの新しいセットが設計ルールおよびマスク・ルール要件を満たすかどうかを検証するステップと、前記ＰｒＡＦの新しいセットのうちの１つまたは複数のＰｒＡＦが、前記設計ルールおよびマスク・ルール要件のうちの少なくとも１つの要件に違反する場合に、前記ＰｒＡＦの新しいセットのうちの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを除去するステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＰｒＡＦの新しいセットのうちの１つまたは複数のＰｒＡＦを除去する前記ステップが、前記ＰｒＡＦの新しいセットのうちの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを、隣接する１つまたは複数のＰｒＡＦと合体させ、それによってそれらを合わせた合計面積を増大させるステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＰｒＡＦの新しいセットが満たす必要がある設計ルールおよびマスク・ルール要件のセットが他にあるかどうかを検証するステップと、全ての設計ルールおよびマスク・ルール要件が満たされた場合に、マスク・レイアウトを作成するのに適当なＰｒＡＦの最終セットを生成し、出力するステップとをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
印刷補助フィーチャを生成するシステムであって、
中央処理ユニット（ＣＰＵ）と、
前記システムのユーザと対話する少なくとも１つの入出力装置と、
命令のセットを記憶する少なくとも１つの記憶装置と、
前記ＣＰＵ、前記少なくとも１つの入出力装置および前記少なくとも１つの記憶装置を、通信バスを介して制御する制御装置と
を備え、前記ＣＰＵが、
１つまたは複数の設計フィーチャを有する設計レイアウトを提供するステップと、
１つまたは複数の印刷補助フィーチャ（ＰｒＡＦ）に関連したパラメータのセットを生成するステップと、
前記パラメータのセットの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを前記設計レイアウトに追加して、変更された設計レイアウトを作成するステップと、
前記変更された設計レイアウト上の前記１つまたは複数のＰｒＡＦおよび前記１つまたは複数の設計フィーチャのシミュレーションを実行するステップと、
前記シミュレーションの結果に基づいて、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であるかどうかを検証するステップと、
前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であると検証された場合に、前記パラメータのセットに基づいて、ＰｒＡＦ配置ルールのセットを生成するステップと
を実行する前記命令のセットを実行するように適合されたシステム。
【請求項１４】
前記ＣＰＵによって前記命令のセットを実行することがさらに、少なくとも１つの前記ＰｒＡＦが除去可能ではないと検証された場合に、
前記１つまたは複数のＰｒＡＦに関連した前記パラメータのセットを調整するステップと、
調整された前記パラメータのセットの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを前記設計レイアウトに追加して、新しい変更された設計レイアウトを作成するステップと、
調整された前記パラメータのセットの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを含む前記新しい変更された設計レイアウトのシミュレーションを実行するステップと、
前記新しい変更された設計レイアウト内の前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であるかどうかを検証するステップと
を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ＣＰＵによって前記命令のセットを実行することがさらに、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であると検証された場合に、
露光システムの予想される変動に関する情報を含むプロセス入力のセットを提供するステップと、
前記プロセス入力のセットを適用することによって、前記変更された設計レイアウト上でシミュレーションを実行して、プロセス変動性データのセットを生成するステップと
を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ＣＰＵによって前記命令のセットを実行することがさらに、前記変更された設計レイアウト上での前記シミュレーションによって生成された前記プロセス変動性データのセットに基づいて、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であるかどうかを検証するステップと、前記１つまたは複数のＰｒＡＦのうちの少なくとも１つのＰｒＡＦが印刷可能ではないと検証された場合に、戻って、前記１つまたは複数のＰｒＡＦに関連した前記パラメータのセットを調整して、新しい変更された設計レイアウトを作成するステップとを含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であるかどうかを検証するステップが、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷されないか、印刷されるが小さすぎるか、あるいは別のＰｒＡＦまたは設計フィーチャと合体するかどうかを検証するステップを含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記ＣＰＵによって前記命令のセットを実行することがさらに、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であると検証された場合に、焦点深度（ＤＯＦ）、マスク・エラー・ファクタ（ＭＥＦ）およびチップ内線幅変動（ＡＣＬＶ）を含む性能パラメータのセットを、前記プロセス入力のセットに基づいて計算するステップと、前記性能パラメータのセットを、所定の基準のセットに照らして評価するステップとを含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１９】
シミュレーションを実行するステップが、前記変更された設計レイアウトに光近接効果補正（ＯＰＣ）プロセスを適用して、前記１つまたは複数のＰｒＡＦおよび前記１つまたは複数の設計フィーチャを調整するステップを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２０】
マスク・レイアウト内に印刷補助フィーチャを配置するプログラムあって、
１つまたは複数の設計フィーチャを有する設計レイアウトを提供するステップと、
１つまたは複数の印刷補助フィーチャ（ＰｒＡＦ）に関連したパラメータのセットを生成するステップと、
前記パラメータのセットの前記１つまたは複数のＰｒＡＦを前記設計レイアウトに追加して、変更された設計レイアウトを作成するステップと、
前記変更された設計レイアウト上の前記１つまたは複数のＰｒＡＦおよび前記１つまたは複数の設計フィーチャのシミュレーションを実行するステップと、
前記シミュレーションの結果に基づいて、前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であるかどうかを検証するステップと、
前記１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であると検証された場合に、前記パラメータのセットに基づいて、ＰｒＡＦ配置ルールのセットを生成するステップと
をコンピュータに実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造分野の解像度向上技術（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｅｎｈａｎｃｅｍｎｔ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：ＲＥＴ）に関し、詳細には、半導体デバイス・フィーチャを印刷する２重パターニング・プロセスにおいて印刷補助フィーチャを配置する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造では、デバイスが形成されるウェーハ上に半導体デバイスのフィーチャを印刷する際に、フォトリソグラフィが使用される。フォトリソグラフィによって印刷されるデバイスのパターンまたはフィーチャの品質は一般に、解像度、具体的には解像可能ハーフピッチ（Ｐｍｉｎ／２）のサイズによって評価される。当技術分野では、フォトリソグラフィ露光システムが達成することができる最小解像可能ハーフピッチが、レイリー基準、すなわちＰｍｉｎ／２＝ｋ１・λ／ＮＡによって決定されることは当技術分野ではよく知られている。前式で、λは、露光プロセスで使用される光の波長、ＮＡは、露光システムの対物レンズの開口数、ｋ１はプロセス依存の係数である。徐々にではあるがλの低減、ＮＡの増大およびｋ１の低減が果たされたため、フォトリソグラフィ露光システムの解像度は数十年にわたって着実に向上した。例えば、歴史的に、最小解像可能ハーフピッチは２年に約３０％の割合で低減された。
【０００３】
しかしながら、半導体業界の主流の方法であった単一露光フォトリソグラフィは、縮小し続けるデバイスに使用し続けることに対する物理的な壁に急速に到達しつつある。例えば、（ハーフピッチ３２ｎｍの）２２ｎｍノードをＮＡ１．３５で印刷することは、単一露光システムではほぼ不可能になっている。これは単純に、係数ｋ１を、当技術分野で知られている理論上の限界０．２５よりも低い約０．２２まで低減させなければならないためである。フォトリソグラフィのこれまでの全ての世代とは違い、２２ｎｍノードを製造する単一露光を可能にするより高いＮＡを有する次世代の露光ツールがやがて提供され、使用可能になるとは思われない。
【０００４】
現在、単一露光フォトリソグラフィの代替法として、２重パターニング技術（ｄｏｕｂｌｅ−ｐａｔｔｅｒｎｉｇ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：ＤＰＴ）が、２２ｎｍノードを光学的に印刷する主要な候補として、および現行の３２ｎｍノードを印刷する要件を軽減する手段として使用され始めている。２重パターニング技術は、単一露光システムが達成することができる最小解像可能ハーフピッチよりも小さい解像度でピッチを印刷することを可能にする。たとえ係数ｋ１の理論限界が０．２５のまま続くとしても、結果としてウェーハ上に形成されるパターンは、あたかもより小さいｋ１を使用したかのように見えるであろう。例えば、いわゆる「ピッチ分割」法を使用して、６０ｎｍピッチのフィーチャが、インタリーブ配置された２つの１２０ｎｍピッチとして印刷されるときには、たとえ実際のｋ１が０．４２であったとしても、ＮＡ１．３５の対物レンズで０．２１の有効ｋ１を達成することができる。
【０００５】
単一露光プロセスにおいて互いに相争っているフィーチャ・タイプを印刷する際にも、２重パターニング技術を使用することができる。高密度ピッチの焦点深度（ＤＯＦ）を押し上げるＮＡの増大は、孤立したあるピッチの焦点深度を低下させるため、それらのタイプのフィーチャはますます一般的になっている。
【０００６】
例えば、単一露光スキームでは通常、孤立したフィーチャをより高密度に見せ、それらの焦点深度を増大させるため、孤立したフィーチャの近くにサブ解像度補助フィーチャ（ｓｕｂ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ａｓｓｉｓｔ  ｆｅａｔｕｒｅ：ＳＲＡＦ）が配置される。ＳＲＡＦは伝統的にとりわけ、主フィーチャからの距離、配置する補助フィーチャの数、補助フィーチャの幅などを含むルールの表に従って構成されたレイアウト中に配置される。ＳＲＡＦは歴史的に、孤立したフィーチャのプロセス・ウィンドウを増大させる有用なツールであったが、それらはますます実現が難しくなっている。これは、補助フィーチャの幅を、できれば可能な全ての露光量および焦点範囲にわたって補助フィーチャが印刷されないように、最小フィーチャ・クリティカル・ディメンション（ＣＤ）よりもかなり小さくする必要があるためである。フィーチャＣＤが縮小し続けるにつれ、ＳＲＡＦのサイズも縮小し、それによってマスクの製造および検査がより困難になる。プロセス・ウィンドウを十分に増大させることができるのは、ＳＲＡＦの間隔またはＳＲＡＦの幅あるいはその両方が、補助フィーチャが印刷されるように設定される場合だけである。単一露光プロセスでは、これらの補助フィーチャの印刷が、パターン形成された構造の欠陥につながりうる。
【０００７】
ＳＲＡＦに関する上記の困難の軽減に資するため、２重パターニング技法、具体的には相補的２重露光（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ｄｏｕｂｌｅ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ：ＣＯＤＥ）技法は最初に９０ｎｍノードに対して提案された。この技法は、最初の露光で大きな無縁（ｅｘｔｒａｎｅｏｕｓ）フィーチャが印刷され、次いで第２の露光で除去される２重露光−２重エッチング（ＤＥ２）プロセスである。最初の露光で印刷されるとき、無縁フィーチャは、クリティカル・フィーチャのプロセス・ウィンドウを向上させるため、クリティカル・フィーチャに隣接して配置された。さまざまなテーマが調査されたが、この技法の焦点は一般に、パターン密度を増大させる傾向がある無縁フィーチャを導入することによって、孤立したフィーチャの焦点深度（ＤＯＦ）を向上させることにあった。
【０００８】
ＣＯＤＥプロセスは一般に、これらの無縁フィーチャの印刷を許すことによって、無縁フィーチャの有効性を強化し、または向上させる。前述のとおり、無縁フィーチャは最初の露光で印刷され、続いて２回目の露光で除去される。これらの無縁フィーチャは、印刷されることからもはや「サブ解像度」ではないため、業界ではそれらを一般に、印刷補助フィーチャ（ｐｒｉｎｔｉｎｇ  ａｓｓｉｓｔ  ｆｅａｔｕｒｅ：ＰｒＡＦ）と呼んでいる。標準の光近接効果補正（ＯＰＣ）プロセス・フローでは、ＰｒＡＦは一般に、正規のフィーチャと同じよう処理され、ＯＰＣプロセスが適当とみなすことができる補正を受け取る。
【０００９】
２重露光スキームでは、設計レイアウトを２つの露光ステップに分離するために適当なプロセスまたは方法あるいはその両方が必要である。例えばＣＯＤＥスキームでは、１回の露光で、あるＰｒＡＦ形状をマスクに追加し、フォローアップ露光においてＰｒＡＦ形状を除去するトリム（ｔｒｉｍ）形状を生成するプロセスまたは方法を開発することができる。このプロセスは一般に、全体リソグラフィ・プロセス中のデータ分解プロセスまたはステップとして知られている。一般に、設計者から受け取る設計レイアウトは、それをどのように分解するのかについての明示の情報を含まない。したがって、通常はデータ準備ソフトウェアで実現されるデータ分解プロセスは、２回の露光のためのマスク・レイアウトを作成する必要がある。データ分解は、１次元（１Ｄ）レイアウトに対しては取るに足りないが、ランダムな２次元（２Ｄ）レイアウトの適切な分離または分解は一般に、不可能でないとしても非常に難しいと考えられる。設計レイアウトが適切に分解されることを保証するため、実行不可能なケースを防ぐ適当なＲＥＴおよび設計ルールを確立する必要がある。
【００１０】
ＰｒＡＦ配置の適当なルールの確立は複雑である。レイアウト設計者は、適当なＰｒＡＦ配置を決定する際に選択することができるより多くの選択肢を有するため、それは例えばＳＲＡＦプロセスよりもかなり複雑である。例えば、ＳＲＡＦスキームのように限られた数の異なる幅に限定されるのではなしに、ＰｒＡＦは、例えばピッチおよびフィーチャ・タイプに従って調整し、または最適化し、あるいはその両方を実施することができる幅および配置スタイルのさまざまな選択肢を使用して設計することができる。最近の解像度向上技術（ＲＥＴ）に関係するリソグラフィ業界に対しては、ＰｒＡＦのさまざまな選択肢から適当な解答、ある場合には最適化された解答を見つける一般的な方法または手法あるいはその両方が必要である。
【００１１】
これまでのところ、２重パターニング・プロセスにおいてＰｒＡＦをどのように配置し、調整すべきかについて取り組んでいる技術、およびＰｒＡＦの調整を一般的なデータ分解プロセスにどのように適合させるかについて取り組んでいる技術は知られていない。言い換えると、データ準備ソフトウェアを使用してレイアウトにＰｒＡＦを適用することができるようなＰｒＡＦの使用を可能にすると思われる技術は知られていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の実施形態は、マスク・レイアウト内に印刷補助フィーチャを配置する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この方法は、１つまたは複数の設計フィーチャを有する設計レイアウトを提供するステップと、１つまたは複数の印刷補助フィーチャ（ＰｒＡＦ）に関連したパラメータのセットを生成するステップと、パラメータのセットの１つまたは複数のＰｒＡＦを設計レイアウトに追加して、変更された設計レイアウトを作成するステップと、変更された設計レイアウト上の１つまたは複数のＰｒＡＦおよび１つまたは複数の設計フィーチャのシミュレーションを実行するステップと、シミュレーションの結果に基づいて、１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であるかどうかを検証するステップと、１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であると検証された場合に、パラメータのセットに基づいて、ＰｒＡＦ配置ルールのセットを生成するステップとを含む。
【００１４】
一実施形態では、少なくとも１つのＰｒＡＦが除去可能ではないと検証され、この方法がさらに、１つまたは複数のＰｒＡＦに関連したパラメータのセットを調整するステップと、調整されたパラメータのセットの１つまたは複数のＰｒＡＦを設計レイアウトに追加して、新しい変更された設計レイアウトを作成するステップと、調整されたパラメータのセットの１つまたは複数のＰｒＡＦを含む新しい変更された設計レイアウトのシミュレーションを実行するステップと、新しい変更された設計レイアウト内の１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であるかどうかを検証するステップとを含む。
【００１５】
他の実施形態では、１つまたは複数のＰｒＡＦが除去可能であると検証され、この方法がさらに、露光システムの予想される変動に関する情報を含むプロセス入力のセットを提供するステップと、プロセス入力のセットを適用することによって、変更された設計レイアウト上でシミュレーションを実行して、プロセス変動性データのセットを生成するステップとを含む。
【００１６】
他の実施形態では、この方法がさらに、変更された設計レイアウト上でのシミュレーションによって生成されたプロセス変動性データのセットに基づいて、１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であるかどうかを検証するステップと、１つまたは複数のＰｒＡＦのうちの少なくとも１つのＰｒＡＦが印刷可能ではないと検証された場合に、戻って、１つまたは複数のＰｒＡＦに関連したパラメータのセットを調整して、新しい変更された設計レイアウトを作成するステップとを含む。
【００１７】
一実施形態によれば、１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であるかどうかを検証するステップが、１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷されないか、印刷されるが小さすぎるか、あるいは別のＰｒＡＦまたは設計フィーチャと合体するかどうかを検証するステップを含む。
【００１８】
一実施形態では、１つまたは複数のＰｒＡＦが印刷可能であると検証され、この方法が、焦点深度（ＤＯＦ）、マスク・エラー・ファクタ（ＭＥＦ）およびチップ内線幅変動（ＡＣＬＶ）を含む性能パラメータのセットを、プロセス入力のセットに基づいて計算するステップと、性能パラメータのセットを、所定の基準のセットに照らして評価するステップとを含む。
【００１９】
一実施形態によれば、露光システムの予想される変動が、少なくとも露光量、焦点およびマスク・エラーの変動を含む。他の実施形態によれば、シミュレーションを実行するステップが、変更された設計レイアウトに光近接効果補正（ＯＰＣ）プロセスを適用して、ＰｒＡＦおよび設計フィーチャを調整するステップを含む。
【００２０】
一実施形態では、この方法がさらに、設計レイアウトの１つまたは複数の設計フィーチャの１つまたは複数のエッジを識別するステップであって、１つまたは複数のエッジが、生成されたＰｒＡＦ配置ルールのセットに基づくＰｒＡＦサポートを必要とするステップと、識別された１つまたは複数のエッジに対してＰｒＡＦの新しいセットを生成するステップとを含む。
【００２１】
他の実施形態では、この方法が、ＰｒＡＦの新しいセットが設計ルールおよびマスク・ルール要件を満たすかどうかを検証するステップと、ＰｒＡＦの新しいセットのうちの１つまたは複数のＰｒＡＦが、設計ルールおよびマスク・ルール要件のうちの少なくとも１つの要件に違反する場合に、ＰｒＡＦの新しいセットのうちの１つまたは複数のＰｒＡＦを除去するステップとを含む。一実施形態によれば、ＰｒＡＦの新しいセットのうちの１つまたは複数のＰｒＡＦを除去するステップが、ＰｒＡＦの新しいセットのうちの１つまたは複数のＰｒＡＦを、隣接する１つまたは複数のＰｒＡＦと合体させ、それによってそれらを合わせた合計面積を増大させるステップを含む。
【００２２】
さらに他の実施形態では、この方法がさらに、ＰｒＡＦの新しいセットが満たす必要がある設計ルールおよびマスク・ルール要件のセットが他にあるかどうかを検証するステップと、全ての設計ルールおよびマスク・ルール要件が満たされた場合に、マスク・レイアウトを作成するのに適当なＰｒＡＦの最終セットを生成し、出力するステップとを含む。
【００２３】
本発明は、添付図面に関してなされる本発明の以下の詳細な説明からより完全に理解され、認識される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】当技術分野で知られている相補的２重露光スキームの簡略概念図である。
【図２】印刷補助フィーチャを配置し、関連データ準備を実行する、本発明の一実施形態による方法を説明する流れ図である。
【図３】２重パターニング・プロセスにおいて印刷補助フィーチャの解析および調整を実行する、本発明のいくつかの実施形態による方法を説明する流れ図である。
【図４】設計レイアウトに印刷補助フィーチャを追加して変更された設計レイアウトを作成する、本発明のいくつかの実施形態による方法を説明する流れ図である。
【図５】印刷補助フィーチャ配置ルールを決定する本発明のいくつかの実施形態に基づくプロセス中に調整することができるいくつかのパラメータを説明する図である。
【図６】印刷補助フィーチャ配置ルールを決定する本発明のいくつかの実施形態に基づくプロセス中に調整することができるいくつかのパラメータを説明する図である。
【図７】印刷補助フィーチャ配置ルールを決定する本発明のいくつかの実施形態に基づくプロセス中に調整することができるいくつかのパラメータを説明する図である。
【図８】本発明の実施形態による方法を含むように実現されたコンピューティング・システムの簡略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図を簡略にし、明瞭にするために、図面に示された要素は必ずしも一定の尺度では描かれていないことを理解されたい。例えば、明瞭にするため、一部の要素の寸法が他の要素に比べて誇張されている場合がある。
【００２６】
以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するために、多くの具体的な詳細が示される。しかしながら、本発明の実施形態はこれらの具体的な詳細がなくても実施することができることを当業者は理解されたい。本発明の本質または実施形態あるいはその両方の提示を不明瞭にしないため、以下の詳細な説明では、当技術分野でよく知られている処理ステップまたは処理操作あるいはその両方が、提示または例示目的あるいはその両方の目的のために一緒に組み込まれていることがあるが、ある場合にはそれらが詳細には説明されていないことがある。他の場合には、当技術分野でよく知られている処理ステップまたは処理操作あるいはその両方が全く説明されていないこともある。以下の説明はむしろ、本発明の実施形態に特有の特徴または要素あるいはその両方に焦点を当てていることを当業者は理解されたい。
【００２７】
本発明の実施形態は、２重パターニング・プロセスを支援するために設計レイアウトに追加することができる印刷補助フィーチャ（ＰｒＡＦ）を生成するプロセスまたは方法を提供する。一実施形態によれば、適当な、ある場合には最適化されたＰｒＡＦ配置スキームおよびＰｒＡＦの寸法を決定する解析ステップを実行することができ、この決定は、設計フィーチャ間の使用可能なスペースまたはピッチあるいはその両方に基づくことができる。
【００２８】
ＰｒＡＦは、印刷され、次いで除去されるように設計されるため、ＰｒＡＦ調整プロセス中に変更し、または調整し、あるいはその両方を実施することができる相当な数の配置スタイルおよびパラメータがある。本発明の他の実施形態によれば、ＰｒＡＦを、例えば（ＳＲＡＦは印刷されないので）標準のＳＲＡＦプロセスにおいて使用される基準とは根本的に異なる基準を使用した印刷可能性の検証にかけることができる。次いで、ＰｒＡＦを２回目の露光で十分に除去することができることを保証するための検証を実行することができる。
【００２９】
さらに、本発明の実施形態は、現行のグラウンド・ルールおよびプロセス要件を満たす全体データ準備フローに適合するデータ解析およびＰｒＡＦ配置手順を提供する。データ準備フローは、初期設計レイアウトから始まり、適当なデバイスまたは最適化されたデバイス、あるいは適当でかつ最適化されたデバイスをウェーハ上に構築するのに使用することができるフォトマスク・セットで終わる。このデータ解析および準備フローは、既存の標準リソグラフィ・プロセスと両立するように設計することができ、したがって、もしあればマスク作成プロセスを妨げるであろうこのデータ準備フローの潜在的なリアーキテクチャ（ｒｅ−ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）を回避することができる。
【００３０】
図１は、当技術分野で知られている相補的２重露光（ＣＯＤＥ）スキームの簡略概念図である。より具体的には、図１は、それぞれそれらの最終的な設計形状（すなわち設計パターンまたは設計フィーチャ）に似た形状を有する３つの異なる初期レイアウト１０１ａ、１０１ｂおよび１０１ｃを示す。例えば、これらの３つの異なるレイアウトは、高密度ピッチ（１０１ａ）から、準高密度または中間ピッチ（１０１ｂ）、孤立ピッチ（１０１ｃ）までの間隔のフィーチャを有するように示されている。以後、レイアウト１０１ａ、１０１ｂおよび１０１ｃを集合的にレイアウト１０１と呼ぶことがある。
【００３１】
当技術分野で知られているように、レイアウト１０１にＣＯＤＥスキームを適用するプロセスでは、最初に、レイアウト１０１の適当な分解によって、２セットの露光マスク１０２および１０３を製作することができる。以後、語「セット」は１の意味を含み、語「セット」を句「１つまたは複数」と相互に交換可能に使用することがある。図１のマスク１０２ａ、１０２ｂおよび１０２ｃを集合的に指す第１のマスク・セット１０２は、初期設計フィーチャおよび新しく生成されたＰｒＡＦ形状を含むことができる。図１に例示的に示された例では、ＰｒＡＦ形状が、フィーチャ・アレイの外側エッジに追加されている。最初の露光中に、最終的な設計形状が形成される半導体ウェーハ上に、これらの初期フィーチャおよびＰｒＡＦ形状を印刷することができる。集合的に図１のマスク１０３ａ、１０３ｂおよび１０２３を指す第２のマスク・セット１０３は、最初の露光の間に印刷されたＰｒＡＦ形状を消去するために２回目の露光で使用することができるフィーチャまたはトリム形状（図１の白色領域によって示されている）を含むことができる。図１中、第２のマスク・セット１０３の黒色領域によって示された形状は、２回目の露光中に初期設計フィーチャが消去されることを防ぐように設計されている。上記の２回の別個の露光を実行することによって、初期設計形状またはフィーチャが半導体ウェーハ上に印刷され、それらのフィーチャは、単一露光プロセスによって達成することができるフィーチャよりもロバストに印刷される。
【００３２】
図２は、印刷補助フィーチャを配置し、関連データ準備を実行する、本発明の一実施形態による方法を説明する流れ図である。実際の半導体デバイスの製造に使用することができる最終的なマスクまたはマスク・セットを製作するため、最初に、ＰｒＡＦ形状の配置が決定され、関連設計データの準備が実行される。一実施形態によれば、本発明の方法は、設計入力２０１およびプロセス入力２０２をプロセスに提供することから始めることができる。設計入力２０１は例えば、一般的に設計ルールとして知られている、設計レイアウトに描き入れることが許されているものおよび許されていないものについての記述を含むことができる。設計入力２０１の少なくとも一部分として「設計ルール」を使用することは、当技術分野では一般的に実施されている。「設計ルール」は一般に、設計マニュアルに記載されており、例えば、描かれた２つのフィーチャをどのくらい近づけて配置することができるのか、最小および最大フィーチャ幅、１つのレベルのフィーチャを別のレベルのフィーチャに対してどのように配置することができるのか、などを含むことができる。プロセス入力２０２は、使用されるリソグラフィ・プロセスまたはシステムあるいはその両方の限界または予想される変動の詳細な記述を含むことができ、例えば、露光する光の波長、露光量、焦点、開口数、マスク変動、フォトレジストの性能、プロセス変動などの露光ツールの能力を含むことができる。
【００３３】
次に、この方法の一実施形態は、ステップ２０３で、フィーチャのクリティカル・ディメンション（ＣＤ）またはジオメトリあるいはその両方を抽出することを含むことができ、これらは、設計入力２０１からの調整または最適化あるいはその両方が必要であることがある。これらのフィーチャまたはジオメトリあるいはその両方は、半導体デバイスのフィーチャまたはジオメトリあるいはその両方、ＰｒＡＦ形状、およびＳＲＡＦなどの他のフィーチャを含むことがある。例えば、ステップ２０１で提供される設計マニュアルは、所与の設計レイアウトについてこれらのクリティカル・ディメンションおよびジオメトリが何であるのか、または、設計レイアウト中のどの要素をＰｒＡＦ配置ルールの構造に関係付けることができるのかを含まず、または明示的に記述しないことがある。より具体的には、ゲート・レベルの設計のプロセスでは通常、トランジスタ・ゲートを形成するために使用されるフィーチャと、トランジスタ・ゲート間の配線に使用されるフィーチャとではルールが別個である。ゲートに関係したフィーチャは一般に、配線に関係したフィーチャよりもはるかに厳しい許容差要件を有し、したがって、調整または最適化あるいはその両方にとってはるかに重要なターゲットである。ステップ２０３で、このタイプの情報または設計ルールあるいはその両方を引き出し、または抽出する必要がある場合がある。さらに、ステップ２０３は、例えばピッチ、スペース、２Ｄ構成などの情報を抽出することができる。
【００３４】
同様に、ステップ２０４で、プロセス入力２０２によって提供された情報に基づいて、許容差の範囲内でフィーチャを印刷するのを助けることができる露光プロセスのあるプロセス性能要件またはターゲット条件が決定される。例えば、マスク変動が全般的に大きいことをプロセス入力２０２が指示している場合には、ウェーハ上での大きなＣＤ変動を避けるために、露光プロセスのマスク・エラー・ファクタ（ＭＥＦ）を低く保つ必要がある可能性があると判断される。ＭＥＦを低く保つことは、例えば適当な照明条件または露光量あるいはその両方を選択することによって、ある場合には偏光源を露光に使用することによって達成することができる。
【００３５】
ゲート・レベル・プロセスでは、例えばマスク変動、焦点変動および露光量変動によって引き起こされる、チップ内線幅変動（ａｃｒｏｓｓ  ｃｈｉｐ  ｌｉｎｅ−ｗｉｄｔｈ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ：ＡＣＬＶ）として知られるウェーハ上の総ＣＤ変動が、プロセス性能要件を決定する際に考慮される。プロセスの他のレベルでは、焦点深度（ＤＯＦ）や、ＤＯＦ、ＡＣＬＶ、または前述のメトリックなどの他のメトリックの組合せあるいはこれら全ての組合せなど異なるメトリックが重要になることがある。一般に、それは、ＰｒＡＦの２重パターニング・プロセスのプロセス性能要件を決定する際にメトリックを適用する複雑なプロセスである。これらのメトリックは、異なる印刷基準を有する設計フィーチャとＰｒＡＦの両方の印刷を調整し、ある場合には最適化するために使用される。例えば、設計フィーチャは一般に、ＰｒＡＦに対して使用されるものよりも厳しい許容差要件または印刷基準を有する。本発明の実施形態によれば、ＰｒＡＦ調整プロセスにおいて適用される、図３を参照して後により詳細に説明される追加の１つまたは複数のステップを導入することができる。
【００３６】
２重パターニング・プロセスでは、プロセス入力の数が、単一露光プロセスに比べて劇的に増大することがあり、または２倍になることさえある。これは単純に、２重パターニング・プロセスの２回の露光ステップまたはプロセスが互いに独立しているためである。さらに、第２のパターニング・ステップまたはプロセスのプロセス限界が、特にＰｒＡＦの除去に関して、第１のパターニング・ステップまたはプロセスのプロセス限界に影響を及ぼすことがある。したがって、本発明の一実施形態によれば、第２の露光ステップまたはプロセスの限界は、図３を参照して後により詳細に説明されるＰｒＡＦ除去チェックまたは検証を実行することによる限界を含むことができる。
【００３７】
ステップ２０３で、クリティカル・ディメンション（ＣＤ）およびジオメトリ情報が抽出され、ステップ２０４で、プロセス性能要件が決定されると、この方法の一実施形態は、ステップ２０５で、リソグラフィ露光ツールに対して合理的な、ある場合には最適な（または最適に近い）照明条件を識別し、ＰｒＡＦ配置スキームを決定するプロセスを適用することを含むことができる。このプロセスは、系統的なＯＰＣシミュレーション・プロセスまたは実験に基づくプロセスあるいはその両方とすることができ、その詳細は図３を参照して後に詳細に説明される。ステップ２０５で識別された合理的で、ある場合には最適なまたは最適に近い照明条件は例えば、フォトリソグラフィ・プロセスに使用される露光ツールの開口数（ＮＡ）、光源の形状、瞳偏光（ｐｕｐｉｌ  ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、露光量などの要件または条件を含むことができる。ステップ２０５で提供されるＰｒＡＦ配置スキームは、大部分のプロセス要件を達成するのを助け、同時に設計グラウンド・ルールを満たすことができる。前述のとおり、ステップ２０５でＰｒＡＦ解析を実行する目的は、ステップ２０３で決定されたＣＤおよびジオメトリを有するフィーチャ上に焦点があるときに、例えばＭＥＦ、ＡＣＬＶまたはこれらのある組合せ、あるいはこれら全ての量を決定することである。ステップ２０５の出力で、ＰｒＡＦの幅および配置スキームを、設計フィーチャのピッチまたは間隔によってグループ分けされた、他のステップで使用されるルールのセットとして表にすることができる。
【００３８】
設計フィーチャ、ＰｒＡＦおよび例えばＳＲＡＦなどの他のフィーチャに対するルールのセットまたは配置スキームが生成された後、この方法の一実施形態は、製造用にステップ２０６で提供された設計レイアウトにＰｒＡＦを追加しまたは提供するために、これらのルールまたは配置スキームを適用する配置ステップ２０７を含むことができる。配置ステップ２０７では、任意選択で、単に能率を上げる目的で、データ準備ソフトウェアを使用して、他のＰｒＡＦおよび例えばＳＲＡＦフィーチャが追加された設計レイアウトを解析し、前のステップで表にした配置スキームまたはルールに基づいてＰｒＡＦルールを自動的に適用することができる。ＰｒＡＦ配置ステップ２０７は、図４を参照して後により詳細に説明する、設計フィーチャとＰｒＡＦの両方を含む変更された新しい設計レイアウトを生成することができる。
【００３９】
次のステップ２０８では、最終的なマスク設計またはマスク・レイアウトを最終的に作成する一連のデータ準備ステップによって、この変更された新しい設計レイアウトを処理することができる。この一連のデータ準備ステップは、例えば、サイジング操作、ＰｒＡＦに対する除去形状の生成、ＯＰＣ操作またはシミュレーションあるいはその両方、ならびに２つのマスク・レイアウトへの設計レイアウトの分解などの設計変更を含むことができる。
【００４０】
次のステップ２０９では、この方法の一実施形態が、ステップ２０８で生成されたマスク・レイアウトを適用して、フォトマスクを構築することを含むことができ、続いてステップ２１０では、フォトリソグラフィ・プロセスを適用して、半導体デバイスが形成される半導体ウェーハにフォトマスク・パターンを転写するなど、このフォトマスクを使用してデバイス・パターンを生成することを含むことができる。半導体ウェーハ上に生成されたデバイス・パターンは、本発明の実施形態に従って適当に調整され、ある場合には最適化され、またはほぼ最適化される。
【００４１】
図３は、２重パターニング・プロセスにおいて印刷補助フィーチャの解析および調整を実行する、本発明のいくつかの実施形態による方法を説明する流れ図である。例えば、この方法は、それらの印刷または配置に調整が必要となる可能性がある設計フィーチャのセットを含む設計レイアウトを作成するステップ３０１を含むことができる。以後、普遍性を失うことなく簡略化するため、以下で論じるフィーチャは、フィーチャ間の幅およびピッチ（または間隔）の系統的な変動を有する１次元設計フィーチャに限定される。しかしながら、この点に関して本発明の実施形態は限定されず、多次元、例えば２次元の設計フィーチャのセットを有する設計レイアウトに、本発明の実施形態を適用することができることを当業者は理解されたい。
【００４２】
次のステップ３０２では、この方法の一実施形態が、ＰｒＡＦの配置を決定するパラメータのセットを生成することを含むことができる。露光プロセスで使用される照明システムの従来の利点を考慮することによって、ＰｒＡＦの構成またはパラメータあるいはその両方を決定し、または選択し、あるいはその両方を実施することができる。下記の説明では、いくつかの説明的な例を提供するため、これらのパラメータのうちのいくつかのパラメータが図５〜７を参照してより詳細に説明される。これらのパラメータは、設計フィーチャの幅およびピッチに基づく変動とともに参照用テーブルまたは数式の形で配置することができる。ＰｒＡＦ配置のためのパラメータの数は、単一露光プロセスにおけるＳＲＡＦに対するパラメータの数よりもかなり多いことがあることが予想され、理解される。
【００４３】
次のステップ３０３では、この方法の一実施形態が、前のステップ３０２で生成されたパラメータを使用して、設計フィーチャのセットにＰｒＡＦフィーチャを提供し、または追加することを含むことができる。設計レイアウト、したがって変更された設計レイアウト中の設計フィーチャのセット上にＰｒＡＦが追加された後、本発明の実施形態は、次のステップ３０４で、設計フィーチャおよびＰｒＡＦを意図したとおりに印刷することができるように、変更された設計レイアウト上で光近接効果補正（ＯＰＣ）シミュレーションを実行して、設計フィーチャとＰｒＡＦの両方のサイズまたは形状、あるいはその両方を変更することを含むことができる。言い換えると、ＰｒＡＦと設計フィーチャがともに適当に印刷されることを保証するため、ＯＰＣシミュレーション中に、ＰｒＡＦを、設計フィーチャとともに補正することができる。
【００４４】
ＯＰＣ後のプロセスである次のステップ３０５では、この方法の一実施形態が、後続のパターニング・ステップによって、ＰｒＡＦの形状を適当に除去することができることを検証することを含むことができる。この後続のパターニング・ステップは、第１の露光プロセスと相補的な第２の露光プロセス（したがって相補的露光プロセスまたはＣＯＤＥ）とすることができる。言い換えると、この方法は、進んでステップ３０５で、ＰｒＡＦが除去可能かどうかを判定することができる。この判定は、図２のステップ２０２で提供されたプロセス入力に基づいて実行することができ、オーバレイ、コーナの丸み付けなどの他の効果を考慮することができる。検証中に、例えばＰｒＡＦが大きすぎて、または小さすぎて、あるいは設計フィーチャに近づきすぎて、ＰｒＡＦを完全に除去することができないと思われる場合、この方法の一実施形態は、ステップ３０２に戻って、ＰｒＡＦ配置パラメータの新しいセットを用いてプロセス・ステップ３０２、３０３および３０４を繰り返すことを含むことができる。
【００４５】
次のステップ３０６では、上記のＯＰＣプロセスによって生成された設計フィーチャおよびＰｒＡＦが、露光量、焦点およびマスク・エラーを含む、ステップ２０２（図２）で提供されたプロセス入力の予想されるプロセス変動とともに、リソグラフィ露光プロセス中のそれぞれのシミュレーション条件に対して、クリティカル・ディメンション・データをシミュレートするために使用される。例えば、プロセス変動性データのセットをシミュレートすることができる。このシミュレーションの結果を、ＰｒＡＦが適当に印刷されるかどうかを判定する次のステップ３０７での解析に提供することができる。ここで、ＰｒＡＦ印刷は、印刷されることが望ましいか、または印刷されるように設計されるため、印刷されない、印刷されるが小さすぎる、あるいは潜在的に別のＰｒＡＦまたは設計フィーチャと合体する可能性があるＰｒＡＦの識別は、印刷可能と判定されないプロセスとみなされる。この方法の一実施形態によれば、ステップ３０７でいずれかのＰｒＡＦが印刷可能と判定されなかった場合、この方法は、このプロセスをステップ３０２に戻して、プロセス・ステップ３０２、３０３、３０４、３０５および３０６を繰り返すことができる。
【００４６】
一方、設計フィーチャおよびＰｒＡＦがステップ３０７で印刷可能と判定または検証された場合、この方法の一実施形態によれば、次のステップ３０８で、例えばステップ２０２（図２）で提供されたプロセス前提条件に基づく焦点深度（ＤＯＦ）、マスク・エラー・ファクタ（ＭＥＦ）およびチップ内線幅変動（ＡＣＬＶ）の計算を含む、シミュレーション結果の解析を実施することができ、この計算結果に基づいて、２重パターニング・プロセスの有効性を評価することができる。この評価は、設計フィーチャとＰｒＡＦの両方に対して実行することができ、おそらくはＳＲＡＦなどの他のフィーチャに対しても実行することができる。ここで、ＰｒＡＦの評価に使用される基準は一般に、設計フィーチャに対して使用される基準とは異なることに留意されたい。これは、ＰｒＡＦと設計フィーチャが一般に異なる許容差要件を有するからである。例えば、ＰｒＡＦの評価に使用されるＤＯＦ基準は、設計フィーチャに対して使用される基準に比べると緩い場合があり、例えばより大きなＣＤ変動を許容することがある。
【００４７】
次のステップ３０９では、レイアウト中の全ての設計フィーチャについて、ステップ３０８で得られた結果を、プロセス要件と比較することができる。本発明の一実施形態によれば、設計フィーチャの要件に加えてＰｒＡＦの要件が検討されなければならない。１つまたは複数のプロセス要件が満たされない場合、この方法の一実施形態は、このプロセスをステップ３０２に戻して、ＰｒＡＦ配置パラメータの新しいセットを用いて前述のステップ３０３から３０８を繰り返すことを含む。
【００４８】
一方、全て、または少なくとも大部分のプロセス要件が満たされた場合、この方法の実施形態は進んで、次のステップ３１０で、ＰｒＡＦタイプの表を作成し、ＰｒＡＦ配置スキームまたはルールを生成することができる。識別されたＰｒＡＦパラメータは、表形式に入力し、もしくは数式として編成し、またはＯＰＣプロセス中に自動配置を実行するためにデータ準備ソフトウェアが使用し、あるいはその両方を実施することができる。
【００４９】
図４は、設計レイアウトに印刷補助フィーチャを追加して変更された設計レイアウトを作成する、本発明のいくつかの実施形態による方法を説明する流れ図である。より具体的には、図４は、図２のステップ２０７に示されたＰｒＡＦ配置フローの詳細図である。例えば、フォトマスクを製作するプロセスでは、最初に、図２のステップ２０６で設計レイアウトを提供することができる。設計レイアウトが提供された後、ＰｒＡＦまたはＳＲＡＦサポートあるいはその両方を必要とする、設計レイアウト中の設計フィーチャのエッジを、ステップ４０１で識別し、または決定することができる。この識別は、図３に示されたステップで表にしたものなど、以前に生成されたＰｒＡＦ配置ルールに基づくことができる。設計フィーチャのエッジはそれぞれ別個に考慮することができ、したがって個別の、ある場合には最適化されたサポートを提供することができる。例えば、あるフィーチャの１つのエッジを孤立させ、そのフィーチャの別のエッジを別のフィーチャのすぐ近くに配置することができる。ルール表に応じて、それぞれのエッジは、別個のＰｒＡＦまたはＳＲＡＦ配置あるいはその両方を受け取ることができる。
【００５０】
次のステップ４０２では、この方法の一実施形態が、ＰｒＡＦルール表を使用して、ＰｒＡＦサポートを必要とするフィーチャのそれぞれのエッジへの配置の定義された幅およびルールを適用するなど、識別されたエッジに対してＰｒＡＦを配置することを含む。次に、配置されたＰｒＡＦが全ての設計ルールおよびマスク・ルール要件を満たすことを保証するために、配置されたＰｒＡＦを検証するクリーンアップ・ステップ４０３を実行することができる。全てのルールが守られることを保証するため、違反している一切のＰｒＡＦを除去し、または変更することができる。例えば、ランダムな２Ｄレイアウトでは、２つのＰｒＡＦ、または１つＰｒＡＦと１つのＳＲＡＦが互いに近づきすぎていたり、あるいはそれらが設計フィーチャに近づきすぎていたりする状況がしばしば起こる。したがって、このクリーンアップ・ステップ４０３の一部として、これらのＰｒＡＦ間の距離、またはＰｒＡＦ、ＳＲＡＦおよび設計フィーチャ間の距離を増大させることができる。あるいは、ＰｒＡＦに対して最小面積チェックを実行することができる。最小面積チェックは、プロセス入力に基づいて実施することができ、最小面積は、ＰｒＡＦを印刷することが許されたＰｒＡＦ形状の面積である。一実施形態によれば、この要件よりも狭い面積を有するＰｒＡＦを除去し、または隣接するＰｒＡＦと合体させて、それらを合わせた合計面積を増大させることができる。言い換えると、ステップ４０３で、入力レベルとの相互作用を含む生成された全てのＰｒＡＦがクリーンアップされる。
【００５１】
上記の議論において、たとえ、ある場合には、配置されたＰｒＡＦが、設計ルールまたはマスク・ルール要件あるいはその両方を完全には満たしておらず、別の場合には、全てのルールを守るために、違反している全てのＰｒＡＦが除去され、または変更されない場合であっても、本発明のある実施形態に基づく妥協したある設計レイアウトを得ることができることを当業者は理解されたい。
【００５２】
次のステップ４０４では、この方法の一実施形態が、ＰｒＡＦが適用し、満たす必要がある追加のルール・セットがあるかどうかを検証する検証または確認を実行することを含む。いくつかの場合には、これらの追加のルールが、最初のＰｒＡＦのセットが配置された後にだけ適用可能であることができる。追加のルールが存在する場合、この方法の実施形態は、このプロセスをステップ４０１に戻して、ＰｒＡＦサポートを得る必要があるエッジを、これらの既存の追加のルールに基づいて識別することができる。そうではなくて、ステップ４０４で、全てのルールが適用されたと判定された場合、この方法は、ＰｒＡＦ配置プロセスを進めて、ＰｒＡＦフィーチャの最終セットを生成するステップ４０５に進むことができる。この方法の実施形態は、設計フィーチャとともにマスク・レイアウトを作成するために、設計レイアウトに追加するのに適当である可能性があるＰｒＡＦまたはＰｒＡＦフィーチャの最終セットを提供し、または出力することができる。
【００５３】
図５〜７は、印刷補助フィーチャ配置ルールを決定する本発明のいくつかの実施形態に基づくプロセス中に調整することができるいくつかのパラメータを説明する図である。図５〜７では、黒く塗りつぶされた領域が、製造することが意図されたデバイスの設計フィーチャを表し、陰影の付いた領域がＰｒＡＦを表し、陰影のない領域がＳＲＡＦを表す。より具体的には、５０１、５０３および５０７が、設計フィーチャとＰｒＡＦの間の間隔パラメータを表し、５０２、５０５、５０６および５０９がＰｒＡＦの外幅を表し、５０４がＰｒＡＦとＰｒＡＦの間隔を表し、５０８がＰｒＡＦとＳＲＡＦの間隔を表し、５１０がＳＲＡＦの外幅を表す。以上に加えて、ＰｒＡＦ配置中に調整されるパラメータのタイプはさらに、設計フィーチャ間で使用されるＰｒＡＦの数、および設計フィーチャの外側で使用されるＰｒＡＦの数を含むことができる。ここで、図５〜７は、特にＰｒＡＦ調整プロセスがＳＲＡＦの配置と組み合わされたときに、ＰｒＡＦ調整プロセスが内包する可能性がある複雑さを例示することを意図したものであることに留意することは有益である。その結果、最終的な配置スキームは時に非常に精巧なものになることがある。一般に、パラメータは、調整ループまたは最適化ループあるいはその両方において比較的に容易に生成することができるように選択することができる。
【００５４】
本発明の実施形態に基づくＰｒＡＦ配置法は、機械、コンピュータまたはコンピューティング・システム内に実現することができる。例えば、図８は、本発明の一実施形態に基づく上記の方法を含むように実現されたコンピュータまたはコンピューティング・システム６００の簡略図である。コンピュータまたはコンピューティング・システム６００は特に、データ処理用の中央処理ユニット（ＣＰＵ）６０１と、オペレータまたはユーザから命令または入力あるいはその両方を受け取り、シミュレーションまたは演算中にデータを処理するＣＰＵ６０１から結果を出力する、例えばキーボード、マウス、コンパクト・ディスク（ＣＤ）ドライブ、表示装置またはこれらの組合せなどの１つまたは複数の入出力（Ｉ／Ｏ）装置６０２と、コンピューティング・システム６００の動作を制御する能力を有する制御装置６０３と、コンピュータ可読コードを読み出しまたは書き込み、あるいはその両方を実行する能力を有する１つまたは複数の記憶装置または媒体６０４と、メモリ装置または媒体６０５とを含むことができ、これらは全て、例えばバスあるいは有線または無線通信ネットワーク（６０６）を介して動作可能に接続される。さらに、本発明の実施形態は、例えば記憶装置６０４、メモリ装置６０５などのコンピュータ可読媒体上に記憶されたコンピュータ・プログラム製品として実現することもできる。このコンピュータ・プログラム製品または機械可読媒体は、実行されたときに、本発明による方法の実施形態をコンピューティング・システム６００上で実現することができる命令を含むことができる。最後に、本発明は、分散した複数のコンピュータ内で実現することもでき、その場合、本発明の諸アイテムは物理的にすぐ近くに配置することができ、または広い地理的領域にわたって分散させ、通信ネットワークによって接続することができる。
【００５５】
本明細書では、本発明のある特徴を示し、説明したが、当業者は、多くの修正、置換、変更および等価物を思い浮かべるであろう。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の趣旨に含まれるこのような全ての変更および変更をカバーすることを意図したものであることを理解されたい。
【符号の説明】
【００５６】
１０１ａ  初期レイアウト
１０１ｂ  初期レイアウト
１０１ｃ  初期レイアウト
１０２ａ  第１の露光マスク
１０２ｂ  第１の露光マスク
１０２ｃ  第１の露光マスク
１０３ａ  第２の露光マスク
１０３ｂ  第２の露光マスク
１０３ｃ  第２の露光マスク
５０１  設計フィーチャとＰｒＡＦの間隔
５０２  ＰｒＡＦの外幅
５０３  設計フィーチャとＰｒＡＦの間隔
５０４  ＰｒＡＦとＰｒＡＦの間隔
５０５  ＰｒＡＦの外幅
５０６  ＰｒＡＦの外幅
５０７  設計フィーチャとＰｒＡＦの間隔
５０８  ＰｒＡＦとＳＲＡＦの間隔
５０９  ＰｒＡＦの外幅
５１０  ＳＲＡＦの外幅
６００  コンピュータまたはコンピューティング・システム
６０１  中央処理ユニット（ＣＰＵ）
６０２  入出力（Ｉ／Ｏ）装置
６０３  制御装置または媒体
６０４  記憶装置または媒体
６０５  メモリ装置
６０６  バスあるいは有線または無線通信ネットワーク
【図１】
2010161363.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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