(57)【要約】      （修正有）【課題】長い寿命を有する、大量生産において製造可能な高感度の煤感知性の構造を提供する。【解決手段】電気的絶縁性キャリア７上のストリップ導体セグメントからの煤感知性の貴金属構造を有する煤センサであって、該貴金属構造のストリップ導体セグメントが５〜１００μｍの幅を持ち、かつ互いに５〜１００μｍの間隔を置いている煤センサにおいて、電気的に絶縁されたキャリア７が単結晶であり、かつ貴金属が該単結晶の表面上に晶出されているか、または電気的に絶縁されたキャリア７が多結晶であり、かつ貴金属が多結晶性の電気的に絶縁されたキャリア７上に晶出されていることを特徴とする、煤センサ。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的絶縁性キャリア上のストリップ導体セグメントからの煤感知性の貴金属構造を有する煤センサであって、該貴金属構造のストリップ導体セグメントが５〜１００μｍの幅を持ち、かつ互いに５〜１００μｍの間隔を置いている煤センサにおいて、電気的に絶縁されたキャリアが単結晶であり、かつ貴金属が該単結晶の表面上に晶出されているか、または電気的に絶縁されたキャリアが多結晶であり、かつ貴金属が多結晶性の電気的に絶縁されたキャリア上に晶出されていることを特徴とする、煤センサ。
【請求項２】
前記貴金属がエピタキシャルにキャリア上に配置されていることを特徴とする、請求項１記載の煤センサ。
【請求項３】
煤感知性の構造の層厚が０．５〜２μｍであることを特徴とする、請求項１または２記載の煤センサ。
【請求項４】
電気的絶縁性キャリア（７）上に煤感知性の貴金属構造（６）および前記キャリア（７）とは異なる電気的絶縁性基板（２）上に発熱導体（３）を有する、殊に請求項１から３までのいずれか１項記載の煤センサにおいて、煤感知性の構造（６）を有するキャリア（７）が、発熱導体（３）でコーティングされた基板（２）より粗大な結晶遷移構造を電気的絶縁性キャリア（７）から貴金属層（６）に向かって有することを特徴とする、殊に請求項１から３までのいずれか１項記載の煤センサ。
【請求項５】
白金層をエピタキシャルに発熱導体上に成長させ、かつ、そのようにして施与されたエピタキシャル白金層を煤感知性の構造へと構造化することを特徴とする、煤センサの製造法。
【請求項６】
白金層の構造化をフォトリソグラフィーにより行うことを特徴とする、請求項５記載の方法。
【請求項７】
そのつど２枚の異なるチップを互いに固定し、その際、１枚のチップが発熱導体構造を有し、かつ、他方のチップが、連続的に、もう一方のチップの発熱導体ストリップより剥離され得難い煤感知性の構造を有することを特徴とする、煤センサの製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、煤感知性の白金薄膜構造をベースとする煤センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
大量生産において製造される厚膜構造は、正確な測定用には粗すぎるストリップ導体構造を有する。より精確な薄膜構造は、使用において基板から剥がれる。
【０００３】
ＷＯ２００６／１１１３８６は、電気的絶縁性基板上にＩＤＫ構造および発熱導体構造を有する煤センサを開示する。重要なのは、煤が煤感知性の構造と相互作用を起こし、そのために煤感知性の構造が覆われないことである。このように露出した構造の持続的な使用のために、例えば基板の裏面に配置されている発熱導体を有する、煤用に露出した構造は焼きなましされ、その際、煤が除去される。しかしながら、問題なのは、白金構造が運転条件下で剥がれることである。そのために、このような煤センサは短い耐用寿命を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２００６／１１１３８６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、長い寿命を有する、大量生産において製造可能な高感度の煤感知性の構造を提供するという点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題の解決のために、貴金属、殊に白金が、よりしっかりと絶縁性の下地に固定される。このために、本発明によれば、電気的絶縁性キャリア上、殊に単結晶上で、貴金属、殊に白金の結晶成長、殊にエピタキシャル成長が行われる。
【０００７】
該課題の解決は、独立請求項の特徴部を用いて行われる。従属請求項には、有利な実施態様が記載されている。
【０００８】
該キャリア上での貴金属の結晶成長、殊に配向（エピタキシャル）成長は、通常非晶質の薄膜構造と比べて、貴金属層、殊に白金層を、よりしっかりと保持する。界面の結晶度が増大するにつれて、煤センサは、その作動条件に関して、より負荷を受けることになり得る。結晶状、殊にエピタキシャルに施与された貴金属層は、例えばフォトリソグラフィーのような通常の方法により、繊細な、ひいては特に煤感知性の構造、殊にカム構造（ＩＤＫ構造）へと構造化される。この際、ストリップ導体セグメントが、互いに５〜１００μｍ、殊に１０〜５０μｍの幅および間隔で作り出される。０．２〜２μｍ、殊に０．８〜１．５μｍのエピタキシャル層厚が有効であることが実証された。０．２μｍより下では、不純物が既に比較的高いドリフトをもたらす。５μｍを超える層厚においては、材料の製造煩雑性および使用は、もはや正当な理由とはならない。
【０００９】
有利な単結晶は、サファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）、ＭｇＯおよびスピネルである。より狭い意味でのＰＣＡの結晶度にて、結晶性複合体が獲得可能であり、該複合体は、その多結晶性キャリア上での貴金属のその付着性に関して、通常のコーティングと比べて改善された付着性を特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、煤感知性の構造を有する、殊に大量生産用の、煩雑に製造されたチップは、非常に好ましくは、発熱導体を有する単一の基板上に固定される。次いで煩雑性が増すことで剥離に対して安定化される煤感知性の構造は、露出して使用可能である一方で、単純に基板上に配置された発熱導体構造は覆われ、かつ剥離が防がれる。単一の基板上のストリップ導体が覆われ、かつ、この上でチップが、運転条件下で、よりしっかりと付着する煤感知性の構造で固定、殊に接着される煤センサの大量生産が非常に効果的である。
【００１１】
有利な一態様において、単結晶は、発熱導体を有する基板上に配向成長させられた煤感知性の白金構造で固定されるので、該単結晶は発熱導体を覆い、それによって該発熱導体は、煤感知性の白金構造とは対照的に保護される。特に大量生産において費用節約および材料節約となるのは、単一の発熱導体を単一の基板上に配置すること、および、これと比較すれば煩雑なキャリア、殊に結晶構造、殊にエピタキシャル構造を有する単結晶を、発熱導体上に固定することである。
【００１２】
以下で、本発明を、図面を引き合いに出す例を手がかりにしてはっきりと説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】分解組立表示における、本発明による煤センサの構成を示す図
【図２】分解組立表示における、本発明による煤センサの構成を示す図
【図３】付着性の実験のための試験的配置を示す図
【００１４】
図１は、発熱導体３を有する基板２、接着層４および測定チップ５からの発熱チップ１を示し、該発熱チップ１の場合、煤感知性の構造６は、キャリア７の結晶構造を用いて晶出されている。
図２は、発熱導体３、基板２、接着層４、結晶性キャリア７からの一般的な分解組立表示および該結晶性キャリアの結晶を用いて結晶化させられた煤感知性の構造６を示す。殊に白金または白金合金からの発熱導体３は、慣例の薄膜法または厚膜法において、殊に酸化アルミニウムからの電気的絶縁性基板２の上に施与される。発熱導体−薄膜構造３は、グレーズによって周囲の影響から保護される。それにより、該発熱導体−薄膜構造３は、煤センサとしての運転用に長期耐用にシールされる。この基板２の上には、さらにキャリア７が固定されており、かつ該キャリア７の上には、煤感知性の構造６が固定されている。一態様において、該キャリア７は、その際、発熱導体３を覆う。しかしながら、好ましくは、該キャリア７は、発熱導体３から転じた基板２の面上に接着されている。これは、電気接続部を互いに切り離すことができるという利点を持つ。キャリア７の固定は、好ましくは、ガラスはんだまたはセメントからの層４を用いて行われる。
【００１５】
この一般的な構成は、図１による有利な構成も含み、それによれば、チップ１、５としての二つの外側構造は事前に作製され、かつ、該構造と中間の接着層４が貼り合わされる。貴金属層、殊に白金層を、電気的絶縁性結晶構造上、殊にサファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）上に晶出すること、殊にエピタキシャルに結晶化することは著しく煩雑であるという点を考慮に入れて、２つの大量生産は互いに別個に運転され、その際、一作製においては、煤感知性の構造６を有する煩雑に製造され得るチップ５が製造され、かつ、他方の一連の作業においては、発熱導体３を有する容易に作製され得る基板２が製造される。大規模に大量生産されるチップ１、５を個別化した後、そのつど異なって製造されたチップ１、５は、単一の方法工程において貼り合わされる。この処理様式の効果は、煩雑な製造コストが、煩雑なチップ５の製造に限られるという点にある。煤感知性の層６は覆われてはならないので、その下地に特にしっかりと付着していなければならない。煤感知性の層６の固定のための煩雑性は、これまでの薄膜と比べて高まった耐用寿命および厚膜と比べて高まった選択性によって正当な理由となる。これとは対照的に、発熱導体３は、媒体に曝される必要がない。該発熱導体は、その機能を維持するために簡単な手法で保護される。このために、例えば厚膜法における一態様または薄膜法における一態様でのガラス化、例えばチップ１、５の間に配置され、かつ、その固定のために準備される接着４で十分である。代替的に、発熱導体３は、電気的絶縁性材料、例えば酸化アルミニウムからの薄膜コーティングを有する基板２の他方の面とは逆に貼り付けられるべき測定チップ５からも保護される（図の中には示されていない）。
【００１６】
煤感知性の構造６の本発明による長期耐用性において決定的であるのは、キャリア７から貴金属６への非晶質遷移領域の回避を伴う、電気的絶縁性キャリア７の結晶７上での貴金属層６の結晶構造の形成である。その際、殊に酸化アルミニウムからの従来のセラミック基板と比べて、その代わりに、ＰＣＡという表現と結び付けられる、より粗大な結晶構造が使用される場合、既に本発明による利点が実現可能である。理想的には、貴金属層６の結晶化は、単結晶７、例えばサファイアまたはＭｇＯを用いて行われる。最適な一条件は、単結晶７上での配向（エピタキシャル）成長によって獲得される。
【００１７】
図３に従う白金測定抵抗体Ｐｔ１００００に関しての付着検査を行った。薄膜酸化アルミニウムセラミック上での白金構造に相当する図３に従う５つの比較試験体を、３０分間、脱イオン水１体積割合およびグリセリン４体積割合からの水／グリセリン混合物中に加え、引き続き水で洗い落とした。その際、全ての白金構造は下が切り取られ、かつ剥離した。
【実施例】
【００１８】
例１：
サファイア５の上にエピタキシャルに施与された白金層の図３に従う白金測定抵抗体Ｐｔ１００００が、フォトリソグラフィーにより、図３に従う構造７、８のために構造化される５つの測定抵抗体を、比較試験と同じように、３０分間、１：４の体積比における脱イオン水およびグリセリンからの水／グリセリン混合物中に室温で処理し、引き続き水で洗い落とす。比較試験とは異なり、なお全てのストリップ導体が下地にしっかりと付着していた。
【００１９】
例２：
例１に従う測定抵抗体に関して、２本のワイヤを両方のコンタクトフィールド８に溶接した。これに続いて、測定抵抗体７を室温で１０％の硫酸溶液中に浸漬した。次いで、測定抵抗体に、１０時間の長さで１ｍＡの電流を送った。試験終了後、なお全ての白金構造７はその下地５に付着していた。
【００２０】
例３：
例１に従う測定抵抗体７に関して、白金ワイヤをコンタクトフィールド８に溶接した。これに続いて、測定抵抗体７を室温で１０％の硫酸溶液中に浸漬した。ワイヤを電源のマイナス端子と接続し、該電源のプラス端子について電極から溶液中に浸漬した。該電極に、１０時間のあいだ１ｍＡの電流を送った。試験終了後、白金構造は依然として基板上にしっかりと付着していた。
【００２１】
比較試験において、標準薄膜法において製造されたＰｔ構造は、既に数分後に標準基板から剥離した。
【符号の説明】
【００２２】
１  発熱チップ、  ２  基板、  ３  発熱導体、  ４  接着層、  ５  測定チップ、  ６  煤感知性の構造、  ７  キャリア、  ８  コンタクトフィールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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