(57)【要約】【課題】受信装置の回路または素子の精度を低くできる２端子型半導体温度センサを提供する。【解決手段】温度に基づいた２端子型半導体温度センサの出力電圧ＶＯＵＴは、受信装置の定電流源７０の定電流及び２端子型半導体温度センサの出力トランジスタ６０の電流に基づかず、２端子型半導体温度センサの抵抗３０及び抵抗４０からなる分圧回路の抵抗比及び温度電圧Ｖｂｅに基づく。よって、出力電圧ＶＯＵＴを受信する受信装置の定電流源７０の定電流の精度は低くても良いので、受信装置側に出力電圧ＶＯＵＴを受信するための高精度な回路または素子が必要なくなる。【選択図】図１
2010078583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部に接続される端子として第一〜第二外部端子のみを備える２端子型半導体温度センサにおいて、
接地電圧を入力される前記第一外部端子と、
出力電圧を出力する前記第二外部端子と、
定電流を供給する定電流供給回路と、
前記定電流及び温度に基づき、温度電圧を出力する温度検出回路と、
前記出力電圧を入力されて分圧し、分圧電圧を出力する分圧回路と、
前記温度電圧と前記分圧電圧とを比較し、前記温度電圧と前記分圧電圧とが等しくなるよう出力トランジスタを制御する差動増幅回路と、
前記出力電圧を出力する前記出力トランジスタと、
を備えることを特徴とする２端子型半導体温度センサ。
【請求項２】
前記定電流供給回路は、
定電流源と、
前記定電流源の電流に基づき、前記定電流を供給するカレントミラー回路と、
を有することを特徴とする請求項１記載の２端子型半導体温度センサ。
【請求項３】
前記温度検出回路は、
ベース及びコレクタを前記第一外部端子に接続され、エミッタを前記温度検出回路の出力端子に接続される第一バイポーラトランジスタ、
を有することを特徴とする請求項１記載の２端子型半導体温度センサ。
【請求項４】
前記温度検出回路は、
ベース及びコレクタを前記第一外部端子に接続される第一バイポーラトランジスタと、
ベースを前記第一バイポーラトランジスタのエミッタに接続され、コレクタを前記第一外部端子に接続される第二バイポーラトランジスタと、
ベースを前記第二バイポーラトランジスタのエミッタに接続され、エミッタを前記温度検出回路の出力端子に接続され、コレクタを前記第一外部端子に接続される第三バイポーラトランジスタと、
を有することを特徴とする請求項１記載の２端子型半導体温度センサ。
【請求項５】
外部に接続される端子として第一〜第二外部端子のみを備える２端子型半導体温度センサにおいて、
接地電圧を入力される前記第一外部端子と、
出力電圧を出力する前記第二外部端子と、
温度に基づき、温度電圧を出力する温度検出回路と、
前記出力電圧を入力されて分圧し、分圧電圧を出力する分圧回路と、
前記温度電圧と前記分圧電圧とを比較し、前記温度電圧と前記分圧電圧とが等しくなるよう出力トランジスタを制御する差動増幅回路と、
前記出力電圧を出力する前記出力トランジスタと、
を備えることを特徴とする２端子型半導体温度センサ。
【請求項６】
前記温度検出回路は、
ベース及びコレクタを前記第一外部端子に接続される第一〜第二バイポーラトランジスタと、
前記第一バイポーラトランジスタと前記第二バイポーラトランジスタとのエミッタ電圧の差分電圧を発生する第一抵抗と、
前記差分電圧に基づき、前記温度電圧を発生する第二抵抗と、
入力端子の電圧に基づき、第一出力端子から前記第一抵抗及び前記第一バイポーラトランジスタに電流を出力し、第二出力端子から前記第二バイポーラトランジスタに電流を出力し、第三出力端子から前記第二抵抗に電流を出力するカレントミラー回路と、
前記第一出力端子の電圧と前記第二出力端子の電圧とが等しくなるよう前記入力端子の電圧を制御する差動増幅回路と、
を有することを特徴とする請求項５記載の２端子型半導体温度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部に接続される端子として第一〜第二外部端子のみを備える２端子型半導体温度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の２端子型温度センサについて説明する。図６は、従来の２端子型温度センサを示す回路図である。
【０００３】
ＮＰＮバイポーラトランジスタ９１は、温度に基づき、ベース・エミッタ間に電圧Ｖｂｅ１を発生させる。また、ＮＰＮバイポーラトランジスタ９２は、この時の温度に基づき、ベース・エミッタ間に電圧Ｖｂｅ２を発生させる。すると、電圧Ｖｂｅ２と電圧Ｖｂｅ１との差分電圧ΔＶｂｅが抵抗９３に発生する。差分電圧ΔＶｂｅ及び抵抗９３の抵抗値に基づき、抵抗９３はこの時の温度に基づいた電流を流す。この電流は、ＰＮＰバイポーラトランジスタ９４とＮＰＮバイポーラトランジスタ９１と抵抗９３とに流れる。また、この電流は、ＰＮＰバイポーラトランジスタ９４〜９５からなるカレントミラー回路により、ＰＮＰバイポーラトランジスタ９５及びＮＰＮバイポーラトランジスタ９２にも流れる。よって、この時の温度に基づき、２端子型温度センサはＰＮＰバイポーラトランジスタ９４〜９５に流れる電流の合計電流Ｉｔを出力する。
【０００４】
その後、受信装置（図示せず）は、合計電流Ｉｔを抵抗に流させることにより、この時の温度に基づいた合計電流Ｉｔを電圧に変換し、その電圧を様々な処理に使用する（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公昭６３−０４１０１３号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、合計電流Ｉｔを受信する受信装置側で合計電流Ｉｔを受信するための抵抗の精度が低いと、受信装置で温度に基づいた合計電流Ｉｔが電圧に正確に変換されなくなってしまう。
【０００７】
ここで、受信装置側に合計電流Ｉｔを受信するための回路または素子の精度が低くても、受信装置が温度に基づいた合計電流Ｉｔを正確に受信できることが望まれている。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされ、受信装置の回路または素子の精度を低くできる２端子型半導体温度センサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するため、外部に接続される端子として第一〜第二外部端子のみを備える２端子型半導体温度センサにおいて、接地電圧を入力される前記第一外部端子と、出力電圧を出力する前記第二外部端子と、定電流を供給する定電流供給回路と、前記定電流及び温度に基づき、温度電圧を出力する温度検出回路と、前記出力電圧を入力されて分圧し、分圧電圧を出力する分圧回路と、前記温度電圧と前記分圧電圧とを比較し、前記温度電圧と前記分圧電圧とが等しくなるよう出力トランジスタを制御する差動増幅回路と、前記出力電圧を出力する前記出力トランジスタと、を備えることを特徴とする２端子型半導体温度センサを提供する。
【００１０】
また、本発明は、上記課題を解決するため、外部に接続される端子として第一〜第二外部端子のみを備える２端子型半導体温度センサにおいて、接地電圧を入力される前記第一外部端子と、出力電圧を出力する前記第二外部端子と、温度に基づき、温度電圧を出力する温度検出回路と、前記出力電圧を入力されて分圧し、分圧電圧を出力する分圧回路と、前記温度電圧と前記分圧電圧とを比較し、前記温度電圧と前記分圧電圧とが等しくなるよう出力トランジスタを制御する差動増幅回路と、前記出力電圧を出力する前記出力トランジスタと、を備えることを特徴とする２端子型半導体温度センサを提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、温度に基づいた２端子型半導体温度センサの出力電圧は、２端子型半導体温度センサの分圧回路の抵抗比及び温度電圧に基づく。よって、出力電圧を受信する受信装置側に出力電圧を受信するための高精度な回路または素子が必要なくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】２端子型半導体温度センサを示す回路図である。
【図２】２端子型半導体温度センサを示す回路図である。
【図３】２端子型半導体温度センサを示す回路図である。
【図４】２端子型半導体温度センサを示す回路図である。
【図５】温度に基づいたエミッタ電圧及びエミッタ電流を示す図ある。
【図６】従来の２端子型温度センサを示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１４】
＜第一実施形態＞まず、２端子型半導体温度センサの構成について説明する。図１は、２端子型半導体温度センサを示す回路図である。
【００１５】
［要素］２端子型半導体温度センサは、定電流供給回路１０、温度検出回路２０、抵抗３０〜４０、差動増幅回路５０及び出力トランジスタ６０を備える。また、２端子型半導体温度センサは、外部端子６１〜６２を備える。
【００１６】
定電流供給回路１０は、定電流源１１及びＰＭＯＳトランジスタ１２〜１３を有する。温度検出回路２０は、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２１を有する。
【００１７】
［要素の接続状況］定電流供給回路１０は、外部端子６２と外部端子６１との間に設けられ、出力端子を差動増幅回路５０の反転入力端子に接続される。温度検出回路２０は、差動増幅回路５０の反転入力端子と外部端子６１との間に設けられる。抵抗３０は、一端を外部端子６２に接続され、他端を差動増幅回路５０の非反転入力端子に接続される。抵抗４０は、一端を差動増幅回路５０の非反転入力端子に接続され、他端を外部端子６１に接続される。差動増幅回路５０は、外部端子６２と外部端子６１との間に設けられる。出力トランジスタ６０は、ゲートを差動増幅回路５０の出力端子に接続され、ソースを外部端子６１に接続され、ドレインを外部端子６２に接続される。外部端子６２は、外部端子７２に接続される。外部端子６１は、外部端子７１に接続される。
【００１８】
定電流源１１は、ＰＭＯＳトランジスタ１２のドレインと外部端子６１との間に設けられる。ＰＭＯＳトランジスタ１２は、ゲートをドレインに接続され、ソースを外部端子６２に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１３は、ゲートをＰＭＯＳトランジスタ１２のドレインに接続され、ソースを外部端子６２に接続され、ドレインを定電流供給回路１０の出力端子に接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタ２１は、ベース及びコレクタを外部端子６１に接続され、エミッタを温度検出回路２０の出力端子に接続される。
【００１９】
［要素の機能］外部端子６２は、出力電圧ＶＯＵＴを出力する。外部端子６１は、接地電圧ＶＳＳを入力される。定電流供給回路１０は、定電流を供給する。具体的には、ＰＭＯＳトランジスタ１２〜１３からなるカレントミラー回路が、定電流源１１の電流に基づいて定電流を供給する。温度検出回路２０は、定電流及び温度に基づき、温度電圧Ｖｂｅを出力する。具体的には、温度検出回路２０のＰＮＰバイポーラトランジスタ２１は負の温度係数を持ち、温度が高くなるとエミッタ電圧が低くなり、低くなると高くなる。抵抗３０及び抵抗４０からなる分圧回路は、出力電圧ＶＯＵＴを入力されて分圧し、分圧電圧Ｖｆｂを出力する。差動増幅回路５０は、温度電圧Ｖｂｅと分圧電圧Ｖｆｂとを比較し、温度電圧Ｖｂｅと分圧電圧Ｖｆｂとが等しくなるよう出力トランジスタ６０を制御する。出力トランジスタ６０は、出力電圧ＶＯＵＴを出力する。また、出力トランジスタ６０は、ＮＭＯＳトランジスタである。
【００２０】
また、ＰＭＯＳトランジスタ１２とＰＭＯＳトランジスタ１３とのドライブ能力比は、１：１である。抵抗３０及び抵抗４０からなる分圧回路の抵抗比は、Ｎ：１である。
【００２１】
次に、受信装置の構成について説明する。
【００２２】
［要素］受信装置は、定電流源７０を備える。また、受信装置は、電源端子７４、接地端子７３及び外部端子７１〜７２を備える。
【００２３】
［要素の接続状況］定電流源７０は、電源端子７４と外部端子７２との間に設けられる。外部端子７１と接地端子７３とは、ショートする。外部端子７２は、外部端子６２に接続される。外部端子７１は、外部端子６１に接続される。
【００２４】
［要素の機能］外部端子７２は、出力電圧ＶＯＵＴを入力される。外部端子７１は、接地電圧ＶＳＳを出力する。電源端子７４は、電源電圧ＶＤＤを入力される。接地端子７３は、接地電圧ＶＳＳを入力される。定電流源７０は、２端子型半導体温度センサの最大の自己消費電流以上の定電流を供給する。
【００２５】
次に、２端子型半導体温度センサ及び受信装置の動作について説明する。
【００２６】
［温度が高くなる時の動作］この時、温度電圧Ｖｂｅが低くなる。温度電圧Ｖｂｅが分圧電圧Ｖｆｂよりも低くなると、差動増幅回路５０の出力電圧は高くなっていく。よって、出力トランジスタ６０はオンしていき、出力電圧ＶＯＵＴが低くなっていく。ここでの出力電圧ＶＯＵＴの低下は温度電圧Ｖｂｅの低下と整合する。つまり、差動増幅回路５０の出力電圧は出力電圧ＶＯＵＴを介して温度電圧Ｖｂｅに帰還する。なお、出力電圧ＶＯＵＴは抵抗３０及び抵抗４０によって分圧されて分圧電圧Ｖｆｂになり、差動増幅回路５０の非反転入力端子と反転入力端子とはイマジナリーショートするので、分圧電圧Ｖｆｂは温度電圧Ｖｂｅとほぼ等しい。よって、出力電圧ＶＯＵＴは
ＶＯＵＴ＝Ｎ×Ｖｂｅ
によって算出される。上記の式より、温度に基づいた出力電圧ＶＯＵＴは、受信装置の定電流源７０の定電流及び２端子型半導体温度センサの出力トランジスタ６０の電流に基づかず、２端子型半導体温度センサの抵抗３０及び抵抗４０からなる分圧回路の抵抗比及び温度電圧Ｖｂｅに基づく。この温度に基づいた出力電圧ＶＯＵＴは、受信装置で使用される。
【００２７】
［温度が低くなる時の動作］この時、温度電圧Ｖｂｅが高くなる。温度電圧Ｖｂｅが分圧電圧Ｖｆｂよりも高くなると、差動増幅回路５０の出力電圧は低くなっていく。よって、出力トランジスタ６０はオフしていき、出力電圧ＶＯＵＴが高くなっていく。
【００２８】
［効果］このようにすると、温度に基づいた２端子型半導体温度センサの出力電圧ＶＯＵＴは、受信装置の定電流源７０の定電流及び２端子型半導体温度センサの出力トランジスタ６０の電流に基づかず、２端子型半導体温度センサの抵抗３０及び抵抗４０からなる分圧回路の抵抗比及び温度電圧Ｖｂｅに基づく。よって、出力電圧ＶＯＵＴを受信する受信装置の定電流源７０の定電流の精度は低くても良いので、受信装置側に出力電圧ＶＯＵＴを受信するための高精度な回路または素子が必要なくなる。
【００２９】
また、温度の検出場所に電源電圧及び接地電圧が不要になる。
【００３０】
また、２端子型半導体温度センサと受信装置との間の配線は２本しかないので、これらの配線の面積が小さくなる。すると、２端子型半導体温度センサと受信装置との間の距離が長いと、これらの配線の面積がより小さくなる。
【００３１】
また、２端子型半導体温度センサと受信装置との間の配線は２本しかないので、これらの配線の配線方法が単純になる。すると、２端子型半導体温度センサと受信装置との間の距離が長いと、その分、この配線方法が複雑になりやすいが、これらの配線は２本しかないので、この配線方法が複雑になりにくい。
【００３２】
［補足］なお、温度検出回路２０は、図１では、ベース及びコレクタを外部端子６１に接続され、エミッタを温度検出回路２０の出力端子に接続されるＰＮＰバイポーラトランジスタ２１を有している。しかし、温度検出回路２０は、図２に示すように、ベース及びコレクタを外部端子６１に接続されるＰＮＰバイポーラトランジスタ２１、ベースをＰＮＰバイポーラトランジスタ２１のエミッタに接続され、コレクタを外部端子６１に接続されるＰＮＰバイポーラトランジスタ２２、及び、ベースをＰＮＰバイポーラトランジスタ２２のエミッタに接続され、エミッタを温度検出回路２０の出力端子に接続され、コレクタを外部端子６１に接続されるＰＮＰバイポーラトランジスタ２３を有しても良い。このようにすると、ＰＮＰバイポーラトランジスタが１つから３つになるので、その分、温度電圧Ｖｂｅが高くなり、出力電圧ＶＯＵＴも高くなる。
【００３３】
また、図２では、定電流がＰＮＰバイポーラトランジスタ２３のエミッタのみに供給されている。しかし、図３に示すように、定電流がＰＮＰバイポーラトランジスタ２１〜２３のエミッタにそれぞれ供給されても良い。このようにすると、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２１〜２３に流れる電流が調整されることができ、例えば、これらの電流が等しくなることができる。
【００３４】
また、図１では、差動増幅回路５０は、非反転入力端子に温度電圧Ｖｂｅを入力され、反転入力端子に分圧電圧Ｖｆｂを入力され、出力電圧をＮＭＯＳトランジスタのゲートに出力している。しかし、図示しないが、差動増幅回路５０は、非反転入力端子に分圧電圧Ｖｆｂを入力され、反転入力端子に温度電圧Ｖｂｅを入力され、出力電圧をＰＭＯＳトランジスタのゲートに出力しても良い。
【００３５】
＜第二実施形態＞まず、２端子型半導体温度センサの構成について説明する。図４は、２端子型半導体温度センサを示す回路図である。
【００３６】
［要素］２端子型半導体温度センサは、第一実施形態と比較すると、定電流供給回路１０を削除され、温度検出回路２０を温度検出回路２０ａに変更されている。温度検出回路２０ａは、ＰＭＯＳトランジスタ１６〜１８、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５、抵抗２７〜２８及び差動増幅回路１９を有している。
【００３７】
［要素の接続状況］温度検出回路２０ａは、外部端子６２と外部端子６１との間に設けられ、出力端子を差動増幅回路５０の反転入力端子に接続される。差動増幅回路１９は、外部端子６２と外部端子６１との間に設けられ、非反転入力端子をＰＭＯＳトランジスタ１６のドレインと抵抗２７の一端との接続点に接続され、反転入力端子をＰＭＯＳトランジスタ１７のドレインとＰＮＰバイポーラトランジスタ２５のエミッタとの接続点に接続され、出力端子をＰＭＯＳトランジスタ１６〜１８のゲートに接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１６〜１７は、ソースを外部端子６２に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１８は、ソースを外部端子６２に接続され、ドレインを温度検出回路２０ａの出力端子に接続される。抵抗２７は、ＰＭＯＳトランジスタ１６のドレインとＰＮＰバイポーラトランジスタ２４のエミッタとの間に設けられる。抵抗２８は、温度検出回路２０ａの出力端子と外部端子６１との間に設けられる。ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５は、ベース及びコレクタを外部端子６１に接続される。
【００３８】
［要素の機能］温度検出回路２０ａは、温度に基づき、温度電圧Ｖｔを出力する。具体的には、温度検出回路２０ａのＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５は負の温度係数を持ち、温度が高くなるとエミッタ電圧が低くなり、低くなると高くなる。
【００３９】
抵抗２７は、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４とＰＮＰバイポーラトランジスタ２５とのエミッタ電圧の差分電圧ΔＶｂｅを発生する。抵抗２８は、差分電圧ΔＶｂｅに基づき、温度電圧Ｖｔを発生する。ＰＭＯＳトランジスタ１６〜１８のカレントミラー回路は、入力端子の電圧（差動増幅回路１９の出力電圧）に基づき、第一出力端子から抵抗２７及びＰＮＰバイポーラトランジスタ２４に電流を出力し、第二出力端子からＰＮＰバイポーラトランジスタ２５に電流を出力し、第三出力端子から抵抗２８に電流を出力する。差動増幅回路１９は、カレントミラー回路の第一出力端子の電圧と第二出力端子の電圧と（抵抗２７の一端の電圧Ｖ３とエミッタ電圧Ｖ２と）が等しくなるようカレントミラー回路の入力端子の電圧を制御する。
【００４０】
また、ＰＭＯＳトランジスタ１６とＰＭＯＳトランジスタ１７とのドライブ能力比は、１：１である。ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４とＰＮＰバイポーラトランジスタ２５とのエミッタ面積比は、Ｍ：１である（Ｍ＞１）。よって、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４の温度係数は、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２５の温度係数よりも大きい。抵抗２７〜２８は、同一種類の材料で構成され、マスクレイアウト上近接配置されるので、ほぼ同一の製造ばらつき及び温度特性を持つ。
【００４１】
次に、２端子型半導体温度センサの動作について説明する。図５は、温度に基づいたエミッタ電圧及びエミッタ電流を示す図ある。
【００４２】
［温度が高くなる時の動作］この時、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電圧Ｖ１〜Ｖ２が低くなり、これらのエミッタ面積比より、エミッタ電圧Ｖ１はエミッタ電圧Ｖ２よりもさらに低くなる。すると、後述するが、差動増幅回路１９の動作によって抵抗２７の一端の電圧Ｖ３とエミッタ電圧Ｖ２とが等しいので、抵抗２７に発生する差分電圧（Ｖ３−Ｖ１＝Ｖ２−Ｖ１＝ΔＶｂｅ）が高くなり、抵抗２７に流れる電流が多くなる。ここで、温度が高くなると、差分電圧ΔＶｂｅも高くなるので、差分電圧ΔＶｂｅは正の温度係数を有する。また、温度が高くなると、抵抗２７に流れる電流が多くなるので、この電流は正の温度係数を有する。この電流は、ＰＭＯＳトランジスタ１６〜１８のカレントミラー接続により、抵抗２８に流れる。なお、抵抗２７〜２８はほぼ同一の製造ばらつき及び温度特性を持つので、抵抗２８に流れる電流は抵抗２７〜２８の製造ばらつき及び温度特性の影響をほとんど受けない。よって、抵抗２８に差分電圧ΔＶｂｅに基づいた温度電圧Ｖｔが発生する。この温度電圧Ｖｔは正の温度係数を有し、温度が高くなると、温度電圧Ｖｔも高くなる。温度電圧Ｖｔが分圧電圧Ｖｆｂよりも高くなると、差動増幅回路５０の出力電圧は低くなっていく。よって、出力トランジスタ６０はオフしていき、出力電圧ＶＯＵＴが高くなっていく。ここでの出力電圧ＶＯＵＴの上昇は温度電圧Ｖｔの上昇と整合する。つまり、差動増幅回路５０の出力電圧は出力電圧ＶＯＵＴを介して温度電圧Ｖｔに帰還する。なお、出力電圧ＶＯＵＴは抵抗３０及び抵抗４０によって分圧されて分圧電圧Ｖｆｂになり、差動増幅回路５０の非反転入力端子と反転入力端子とはイマジナリーショートするので、分圧電圧Ｖｆｂは温度電圧Ｖｔとほぼ等しい。よって、出力電圧ＶＯＵＴは
ＶＯＵＴ＝Ｎ×Ｖｔ
によって算出される。
【００４３】
図５において、抵抗２７により、電圧Ｖ３に対するＰＮＰバイポーラトランジスタ２４のエミッタ電流の傾きは、エミッタ電圧Ｖ２に対するＰＮＰバイポーラトランジスタ２５のエミッタ電流の傾きよりも小さい。温度が高くなると、これらのエミッタ面積比に応じてＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流が増えるので、両者の傾きは急峻になる。また、温度が高くなると、これらのエミッタ面積比に応じてこれらのエミッタ電流が流れやすくなるので、電圧Ｖ３及びエミッタ電圧Ｖ２が低くても、これらのエミッタ電流が流れ始める。
【００４４】
図５の所定温度において、仮にＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流が電流Ｉａよりも少ない電流Ｉｂになり、仮にエミッタ電圧Ｖ２が電圧Ｖ３よりも高くなると、差動増幅回路１９の出力電圧が低くなり、ＰＭＯＳトランジスタ１６〜１７のドレイン電流が多くなり、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流も多くなって電流Ｉａに近づく。また、仮にＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流が電流Ｉａよりも多い電流Ｉｃになると、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流も少なくなって電流Ｉａに近づく。つまり、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流は、エミッタ電圧Ｖ２と電圧Ｖ３とが等しい時の電流Ｉａで安定するようになる。つまり、エミッタ電圧Ｖ２と電圧Ｖ３とは等しくなる。
【００４５】
この所定温度よりも温度が高くなると、図５に示すように、エミッタ電圧Ｖ２及び電圧Ｖ３が低くても、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流が多くなる。つまり、差分電圧ΔＶｂｅが高くなると、エミッタ電圧Ｖ２及び電圧Ｖ３が低くなり、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流が多くなる。また、この所定温度よりも温度が低くなると、エミッタ電圧Ｖ２及び電圧Ｖ３が高くても、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流が少なくなる。つまり、差分電圧ΔＶｂｅが低くなると、エミッタ電圧Ｖ２及び電圧Ｖ３が高くなり、ＰＮＰバイポーラトランジスタ２４〜２５のエミッタ電流が少なくなる。
【００４６】
［温度が低くなる時の動作］この時、温度電圧Ｖｔが低くなる。温度電圧Ｖｔが分圧電圧Ｖｆｂよりも低くなると、差動増幅回路５０の出力電圧は高くなっていく。よって、出力トランジスタ６０はオンしていき、出力電圧ＶＯＵＴが低くなっていく。
【００４７】
［効果］このようにすると、温度が高くなると、第一実施形態では、出力電圧ＶＯＵＴが低くなるが、第二実施形態では、出力電圧ＶＯＵＴも高くなることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  定電流供給回路                      １１、７０  定電流源
１２〜１３  ＰＭＯＳトランジスタ          ２０  温度検出回路
２１  ＰＮＰバイポーラトランジスタ        ３０〜４０  抵抗
５０  差動増幅回路                        ６０  出力トランジスタ
６１〜６２  外部端子                      ７１〜７２  入力端子
【図５】
2010078583.tif 000003
【図１】
2010078583.tif 000004
【図２】
2010078583.tif 000005
【図３】
2010078583.tif 000006
【図４】
2010078583.tif 000007
【図６】
2010078583.tif 000008