(57)【要約】【課題】ABC起動時にABC制御が安定するまでの間、APCの不安定を回避可能とする。【解決手段】外部変調方式の光送信器に、LiNbO３光変調器112の駆動を行う光変調ドライバ103からの電圧データ信号に一定割合の低周波信号を重畳するABC部113と、該光変調器で光信号を受光する第１PD114からの光電流の平均値を電圧に変換する第１I-V変換部108と、第１I-V変換部からの電圧と基準電圧とを比較し誤差信号を形成する第１電圧比較部107と、半導体レーザより出力された後方出力光を受光する第２PD109からの光電流の平均値を電圧に変換する第２I-V変換部111と、第２I-V変換部からの電圧と基準電圧とを比較し誤差信号を形成する第２電圧比較部110と、ABC部の起動時には第２電圧比較部の誤差信号を基に、ABC部から安定状態の通知を受けた場合には第１電圧比較部の誤差信号を基に直流電流源102に対してレーザ電流制御を行うレーザ電流制御部105とを備える。【選択図】図１
2010080557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ及びＬｉＮｂＯ3光変調器を使用した外部変調方式の光送信器において、
前記半導体レーザに対して直流電流を供給する直流電流源と、
データ信号を入力し、変調信号として電圧データ信号を前記ＬｉＮｂＯ３光変調器に出力し前記ＬｉＮｂＯ３光変調器の駆動を行う光変調器ドライバと、
前記光変調ドライバからの電圧データ信号に一定割合の低周波信号を重畳し前記ＬｉＮｂＯ３光変調器で起こるＤＣドリフトに対して最適な直流制御電圧に設定し、起動後制御が安定する期間が経過し、制御が安定状態になった場合に安定状態の通知を行う自動バイアス制御部と、
前記ＬｉＮｂＯ３光変調器の出力端に位置し、前記ＬｉＮｂＯ３光変調器で生じた光信号を受光し光電流に変換する第１のフォトダイオードと、
前記第１のフォトダイオードで変換した光電流の平均値を電圧に変換する第１の電流−電圧変換部と、
前記第１の電流−電圧変換部で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、誤差信号を形成する第１の電圧比較部と、
前記半導体レーザより出力された後方出力光を受光し、光電流に変換する第２のフォトダイオードと、
前記第２のフォトダイオードで変換した光電流の平均値を電圧に変換する第２の電流−電圧変換部と、
前記第２の電流−電圧変換部で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、誤差信号を形成する第２の電圧比較部と、
前記第１の電圧比較部からの誤差信号、前記第２の電圧比較部からの誤差信号を入力し、前記自動バイアス制御部から起動時の安定状態の通知を受け、前記自動バイアス制御部の起動時には前記直流電流源に対して前記第２の電圧比較部の誤差信号を基にレーザ電流制御を行い、前記自動バイアス制御部から安定状態の通知を受けた場合には前記直流電流源に対して前記第１の電圧比較部の誤差信号を基にレーザ電流制御を行うレーザ電流制御部とを備えることを特徴とする光送信器。
【請求項２】
前記光変調ドライバから出力される電圧データ信号におけるマーク率の信号を検出するマーク率検出部を設け、前記マーク率検出部は検出したマーク率に応じて前記第１の電流−電圧変換部の基準電圧Ｖｒｅｆ１を変動させることを特徴とする請求項１に記載の光送信器。
【請求項３】
前記第１のフォトダイオードが前記ＬｉＮｂＯ３光変調器に内蔵されることを特徴とする、請求項１に記載の光送信器。
【請求項４】
前記第１のフォトダイオードが前記ＬｉＮｂＯ３光変調器から出力された光信号を光カプラで分岐した後に設置されることを特徴とする、請求項１に記載の光送信器。
【請求項５】
前記半導体レーザと前記第２のフォトダイオードがレーザモジュールに内蔵されることを特徴とする、請求項１に記載の光送信器。
【請求項６】
前記マーク率検出部は前記光変調ドライバの入力側に設けられ、又は、前記光変調ドライバが差動駆動部の形式を取っている場合には差動駆動部に設けられることを特徴とする、請求項１に記載の光送信器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ及びＬｉＮｂＯ3光変調器を使用した外部変調方式の光送信器に関する。特に、本発明は、ＬｉＮｂＯ3光変調器の自動バイアス制御（ＡＢＣ）の起動時に対して自動出力制御（ＡＰＣ）が有効に機能し光出力安定制御を可能とする光送信器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザおよびＬｉＮｂＯ3光変調器を使用した外部変調方式の光送信器は、近年の光通信システムの高速化・長距離化に伴い幹線系光通信システムなどにおいて多用されている。
高速化・長距離化を実現するためには、光送信器よりの光出力の安定化が不可欠である。
【０００３】
図４は本発明の前提となる光送信器の概略構成を示すブロック図である。なお、全図を通して同一の構成要素には同一の符号、記号を付する。
本図に示すように、外部変調方式の光送信器１００には半導体レーザ１０１が設けられ、半導体レーザ１０１は直流光を出力する。
半導体レーザ１０１には直流電流源１０２が接続され、直流電流源１０２は半導体レーザ１０１に対して直流電流を供給する。
【０００４】
半導体レーザ１０１にはＬｉＮｂＯ３光変調器１１２が接続され、ＬｉＮｂＯ3光変調器１１２は半導体レーザ１０１より出力された直流光を入力し、変調し、変調された光信号を光ファイバ２００に出力する。
ＬｉＮｂＯ3光変調器１１２には光変調器ドライバ１０３が接続され、光変調器ドライバ１０３はデータ信号を入力し、変調信号として電圧データ信号をＬｉＮｂＯ３光変調器１１２に出力しＬｉＮｂＯ３光変調器１１２の駆動を行う。
【０００５】
ＬｉＮｂＯ３光変調器１１２の出力端にはフォトダイオード（ＰＤ）１１４が設けられ、フォトダイオード１１４はＬｉＮｂＯ３光変調器１１２で生じた光信号を受光し光電流に変換する。
フォトダイオード１１４には電流―電圧（Ｉ−Ｖ）変換部１１７が接続され、電流―電圧変換部１１７はオペアンプで構成されフォトダイオード１１４で変換した光電流の平均値を電圧に変換する。
【０００６】
さらに、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３が設けられ、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３はＬｉＮｂＯ３光変調器１１２で起こるＤＣ（直流）ドリフトに対して最適な直流制御電圧に設定するために、一般的に、光変調ドライバ１０３からの光データ信号である電圧データ信号に一定割合の低周波信号を重畳する。
電流−電圧変換部１１７には電圧比較部１１６が接続され、電圧比較部１１６はオペアンプで構成され電流−電圧変換部１１７で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆを比較し、その誤差信号を基に直流電流源１０２に対してフィードバック制御が行われ、レーザ電流の制御が行われる。
【０００７】
すなわち、フォトダイオード１１４、電流−電圧変換部１１７、電圧比較部１１６、直流電流源１０２を含む自動出力制御（ＡＰＣ）では、半導体レーザ１０１自身の変動に起因し、半導体レーザ１０１とＬｉＮｂＯ３光変調器１１２との光学的接続損失及びＬｉＮｂＯ３光変調器１１２の挿入損失変動に起因し、且つ、ＡＢＣ部１１３により重畳された低周波成分量に起因する誤差信号を基に直流電流源１０２に対してフィードバック制御が行われ、レーザ電流の制御を行うことにより光出力の安定化を図る。
【０００８】
しかしながら、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３では、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３の起動時には自動バイアス制御（ＡＢＣ）が安定するまでの期間は、ＬｉＮｂＯ３光変調器１１２への入力光パワーが一定であってもＬｉＮｂＯ３光変調器１１２からの平均光出力を変動させてしまう。
また、ＬｉＮｂＯ３光変調器１１２への入力光パワが変わると、同じずれ量であってもフォトダイオード１１４で検出される低周波信号の絶対量が変動してしまう。
【０００９】
結果として、自動出力制御（ＡＰＣ）では、ＬｉＮｂＯ３光変調器１１２からの平均光出力のみでフィードバック制御するため、ＡＢＣ部１１３の制御が安定するまでの期間レーザ電流を大きく変動させて不安定となり、安定に引き込みが行われない。このため、ＡＢＣ部１１３の制御が安定するまでの期間レーザ電流を安定させることが課題となる。
このような光送信器の出力安定性に関連して以下の従来技術がある。
従来、光結合損失による変動ならびに機能デバイス固有の特性変化に対してフィードバック補償が可能なマッハツェンダー型光変調器及びその制御方法を提供するため、光源としてレーザ素子を用いたマッハツェンダー型光変調器の制御方法において、前記レーザ素子から出射された光を変調し、出力光として取り出す工程と；光変調された後の光のうち、前記出力光とは別にモニタ光を検出する工程と前記モニタ光に基づいて前記レーザ素子の光出力強度をフィードバック制御する工程とを含んでいるものがある（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１では、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部の起動時に自動バイアス制御（ＡＢＣ）が安定するまでの期間の自動出力制御（ＡＰＣ）の不安定を改善するものではない。
また、従来、光伝送システムにおいて、電源投入時等の過渡状態において、出力光の電力を規定値以下に押さえることが可能な光送信器を提供することを目的とし、本光送信器は、ＣＷ光を発出するＬＤと、ＬＤの出力を一定に保つＬＤ駆動回路と、ＣＷ光を変調するＬＮ変調器と、入力されるデータ信号に応じてＬＮ変調器へ駆動信号を出力する変調器駆動回路と、ＬＮ変調器でのＤＣバイアスドリフトを防止するバイアス制御回路と、ＬＮ変調器のバイアス電圧をモニタするバイアスモニタ回路と、光送信器が過渡状態の場合に、ＬＤへのバイアス電流を通常の所定値より低く設定するようにＬＤ駆動回路の制御を行う出力制御回路を備えているものもある（例えば、特許文献２参照）。
【００１１】
しかしながら、上記特許文献２では、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部の起動時に自動バイアス制御（ＡＢＣ）が安定するまでの期間の自動出力制御（ＡＰＣ）の不安定を改善するものではない。
また、従来、光変調器を用いた外部変調方式において、ＬＤと変調器間の光学的接続、変調器の挿入損失の変化があった場合においても、光変調器から出力される光出力レベルの平均値を一定に保つため、半導体光変調器に流れる光電流を電圧に変換するオペアンプと、このオペアンプの出力電圧を基準電圧Ｖref と比較し、その差を縮めるような動作となる負帰還回路から構成され、光変調器を流れる光電流が減少すると、光源であるＬＤの光出力を制御し、光変調器からの平均値出力を一定に保つものもある（例えば、特許文献３参照）。
【００１２】
しかしながら、上記特許文献３では、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部の起動時に自動バイアス制御（ＡＢＣ）が安定するまでの期間の自動出力制御（ＡＰＣ）の不安定を改善するものではない。
また、従来、入力データ信号のマーク率の変動に対する外部変調器の最適動作点の追従を可能として、光出力の安定化を図るため、マーク率検出回路で、駆動回路により光に変換された入力データ信号の平均値を検出し、比較回路へ与え、モニタ用フォトダイオードの検出する分岐光出力信号のパワーの平均値を比較回路へ与え、比較回路で分岐光出力信号と入力データ信号のそれぞれの平均値を比較し、その比較結果を自動出力一定制御回路へ与え、自動出力一定制御回路は、上記比較結果に基づき、光出力信号の安定化を図るべく、駆動回路を介して半導体レーザのパワーを制御し、これにより、入力データ信号のマーク率を考慮した制御を行うものとして、外部変調器の動作点を常に最適に保つことが可能となるものもある（例えば、特許文献４参照）。
【００１３】
しかしながら、上記特許文献４では、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部の起動時に自動バイアス制御（ＡＢＣ）が安定するまでの期間の自動出力制御（ＡＰＣ）の不安定を改善するものではない。
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−０９３７１７号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３７４７号公報
【特許文献３】特開平０５−２２６７５１号公報
【特許文献４】特開平０８−１６３０４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
したがって、本発明は上記問題点に鑑みて、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部の起動時に自動バイアス制御が安定するまでの期間の自動出力制御（ＡＰＣ）の不安定を回避可能とする光送信器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は前記問題点を解決するために、半導体レーザ及びＬｉＮｂＯ3光変調器を使用した外部変調方式の光送信器において、前記半導体レーザに対して直流電流を供給する直流電流源と、データ信号を入力し、変調信号として電圧データ信号を前記ＬｉＮｂＯ３光変調器に出力し前記ＬｉＮｂＯ３光変調器の駆動を行う光変調器ドライバと、前記光変調ドライバからの電圧データ信号に一定割合の低周波信号を重畳し前記ＬｉＮｂＯ３光変調器で起こるＤＣドリフトに対して最適な直流制御電圧に設定し、起動後制御が安定する期間が経過し、制御が安定状態になった場合に安定状態の通知を行う自動バイアス制御部と、前記ＬｉＮｂＯ３光変調器の出力端に位置し、前記ＬｉＮｂＯ３光変調器で生じた光信号を受光し光電流に変換する第１のフォトダイオードと、前記第１のフォトダイオードで変換した光電流の平均値を電圧に変換する第１の電流−電圧変換部と、前記第１の電流−電圧変換部で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、誤差信号を形成する第１の電圧比較部と、前記半導体レーザより出力された後方出力光を受光し、光電流に変換する第２のフォトダイオードと、前記第２のフォトダイオードで変換した光電流の平均値を電圧に変換する第２の電流−電圧変換部と、前記第２の電流−電圧変換部で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、誤差信号を形成する第２の電圧比較部と、前記第１の電圧比較部からの誤差信号、前記第２の電圧比較部からの誤差信号を入力し、前記自動バイアス制御部から起動時の安定状態の通知を受け、前記自動バイアス制御部の起動時には前記直流電流源に対して前記第２の電圧比較部の誤差信号を基にレーザ電流制御を行い、前記自動バイアス制御部から安定状態の通知を受けた場合には前記直流電流源に対して前記第１の電圧比較部の誤差信号を基にレーザ電流制御を行うレーザ電流制御部とを備えることを特徴とする光送信器を提供する。
【００１７】
さらに、前記光変調ドライバから出力される電圧データ信号におけるマーク率の信号を検出するマーク率検出部を設け、前記マーク率検出部は検出したマーク率に応じて前記第１の電流−電圧変換部の基準電圧Ｖｒｅｆ１を変動させる。例えば、マーク率が小さい場合には基準電圧Ｖｒｅｆ１を下げ、マーク率が大きい場合には基準電圧Ｖｒｅｆ１を上げるようにする。基準電圧Ｖｒｅｆ１の変動量、変動方向は使用モジュール、回路定数に依存する。
さらに、前記第１のフォトダイオードが前記ＬｉＮｂＯ３光変調器に内蔵される。
【００１８】
さらに、前記第１のフォトダイオードが前記ＬｉＮｂＯ３光変調器から出力された光信号を光カプラで分岐した後に設置される。
さらに、前記半導体レーザと前記第２のフォトダイオードがレーザモジュールに内蔵される。
さらに、前記マーク率検出部は前記光変調ドライバの入力側に設けられ、又は、前記光変調ドライバが差動駆動部の形式を取っている場合には差動駆動部に設けられる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザに対して直流電流を供給する直流電流源と、データ信号を入力し、変調信号として電圧データ信号をＬｉＮｂＯ３光変調器に出力しＬｉＮｂＯ３光変調器の駆動を行う光変調器ドライバと、光変調ドライバからの電圧データ信号に一定割合の低周波信号を重畳しＬｉＮｂＯ３光変調器で起こるＤＣドリフトに対して最適な直流制御電圧に設定し、起動後制御が安定する期間が経過し、制御が安定状態になった場合に安定状態の通知を行う自動バイアス制御部と、ＬｉＮｂＯ３光変調器の出力端に位置し、ＬｉＮｂＯ３光変調器１０３で生じた光信号を受光し光電流に変換する第１のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードで変換した光電流の平均値を電圧に変換する第１の電流−電圧変換部と、第１の電流−電圧変換部で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、誤差信号を形成する第１の電圧比較部と、半導体レーザより出力された後方出力光を受光し、光電流に変換する第２のフォトダイオードと、第２のフォトダイオードで変換した光電流の平均値を電圧に変換する第２の電流−電圧変換部と、第２の電流−電圧変換部で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、誤差信号を形成する第２の電圧比較部と、第１の電圧比較部からの誤差信号、第２の電圧比較部からの誤差信号を入力し、自動バイアス制御部から起動時の安定状態の通知を受け、自動バイアス制御部の起動時には直流電流源に対して第２の電圧比較部の誤差信号を基にレーザ電流制御を行い、自動バイアス制御部から安定状態の通知を受けた場合には直流電流源に対して第１の電圧比較部の誤差信号を基にレーザ電流制御を行うレーザ電流制御部とを備えるようにしたので、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部の起動時には、半導体レーザより出力された後方出力光により自動出力制御（ＡＰＣ）を行っているため、自動出力制御（ＡＰＣ）が安定するまでのＬｉＮｂＯ３光変調器の平均光出力変動が起こっても自動出力制御（ＡＰＣ）には影響せず、その結果、自動バイアス制御（ＡＢＣ）による発振がなく、安定に起動できるようになった。
さらに、データ信号のマーク率変動の影響を受けず、伝送特性の劣化をさせないようにすることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る光送信器の概略構成を示すブロック図である。本図に示すように、本発明に係る光送信器１００は半導体レーザ１０１及びＬｉＮｂＯ３光変調器１１２を使用した外部変調方式を採用しており、図４と比較して、電流−電圧変換部１１７、電圧比較部１１６に代わり、電流−電圧変換部１０８、電圧比較部１０７が設けられる。
【００２１】
なお、電圧比較部１０７は電流−電圧変換部１０８で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆ１を比較し、その誤差信号を基に直流電流源１０２に対してフィードバック制御が行われ、レーザ電流の制御が行われる。
ここに、電流−電圧変換部１０８、電圧比較部１０７は電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換部１１７、電圧比較部１１６と同様にアナログ回路で形成してもよく、又は、ＣＰＵ（中央処理装置）などを用いたデジタル制御であってもよい。
【００２２】
さらに、レーザモジュール１１５には半導体レーザ１０１及びフォトダイオード（ＰＤ）１０９が内蔵され、フォトダイオード１０９は半導体レーザ１０１より出力された後方出力光を受光し、光電流に変換する。
フォトダイオード１０９には電流−電圧変換部１１１が接続され、電流−電圧変換部１１１はフォトダイオード１０９で変換した光電流の平均値を電圧に変換する。
【００２３】
電流−電圧変換部１１１には電圧比較部１１０が接続され、電圧比較部１１０は電流−電圧変換部１１１で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆ２を比較し、その誤差信号を基に直流電流源１０２に対してフィードバック制御が行われ、レーザ電流の制御が行われる。
自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３は起動後自動バイアス制御が安定するまでの期間が経過した場合には後述するレーザ電流制御部１０５に対して自動バイアス制御（ＡＢＣ）が安定状態になった旨の通知を行う。
【００２４】
自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３、電圧比較部１０７及び電圧比較部１１０にはレーザ電流制御部１０５が接続され、レーザ電流制御部１０５は自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３が自動バイアス制御（ＡＢＣ）が安定状態になったとの通知を受け、電圧比較部１０７及び電圧比較部１１０から誤差信号をそれぞれ入力しこれらの情報を基に直流電流源１０２に対して以下のようなレーザ電流の制御を行う。
【００２５】
なお、電流−電圧変換部１１１、電圧比較部１１０及びレーザ電流制御部１０５はアナログ回路で形成してもよく、又は、ＣＰＵ（中央処理装置）などを用いたデジタル制御であってもよい。
また、フォトダイオード１１４はＬｉＮｂＯ３光変調器１１２に内蔵された例を示したが、ＬｉＮｂＯ３光変調器１１２から出力された光信号を光カプラで分岐した後に設置されてもよい。
【００２６】
図２は図１におけるレーザ電流制御部１０５の動作例を説明するフローチャートである。
ステップＳ３０１において、レーザ電流制御部１０５は自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３の起動時は直流電流源１０２に対して電圧比較部１１０よりの誤差信号を使用したレーザ電流制御を行い、電圧比較部１０７よりの誤差信号をレーザ電流制御には使用しない。これにより、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３のＡＢＣ安定が得られるまでは、半導体レーザ１０１自身の変動に対してのみ安定化を図る。すなわち、自動バイアス制御（ＡＢＣ）が安定するまでは、ＬｉＮｂＯ３光変調器１１２で起こるＤＣ（直流）ドリフトに対して最適な直流制御電圧に設定する制御は行わないようにする。これに伴って、半導体レーザ１０１とＬｉＮｂＯ３光変調器１１２との光学的接続損失及びＬｉＮｂＯ３光変調器１１２の挿入損失変動に起因する制御も行われない。
【００２７】
ステップＳ３０２において、レーザ電流制御部１０５では、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３からＡＢＣ安定状態になったとの通知を受けたかを判定し、ＡＢＣ安定状態の通知が得られない場合にはステップＳ３０１に戻る。
ステップＳ３０３において、レーザ電流制御部１０５ではＡＢＣ安定状態の通知を受けた場合には直流電流源１０２に対して電圧比較部１１０よりの誤差信号を使用したレーザ電流制御を停止し、電圧比較部１０７よりの誤差信号をレーザ電流制御に使用する。これにより、自動出力制御（ＡＰＣ）ではレーザ電流を大きく変動させることなく安定に引き込みが可能となり、半導体レーザ１０１自身の変動に起因し、半導体レーザ１０１とＬｉＮｂＯ３光変調器１１２との光学的接続損失及びＬｉＮｂＯ３光変調器１１２の挿入損失変動に起因し、且つ、ＬｉＮｂＯ３光変調器１１２で起こるＤＣ（直流）ドリフトに対して最適な直流制御電圧に設定する自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３により重畳された低周波成分量に起因する誤差信号を基に直流電流源１０２に対してフィードバック制御によりレーザ電流の制御が行われ光出力の安定化を図ることが可能になる。
【００２８】
したがって、本発明によれば、自動バイアス制御（ＡＢＣ）部１１３の起動時には、半導体レーザ１０１より出力された後方出力光により自動出力制御（ＡＰＣ）を行っているため、自動出力制御（ＡＰＣ）が安定するまでのＬｉＮｂＯ３光変調器１１２の平均光出力変動が起こっても自動出力制御（ＡＰＣ）には影響せず、その結果、自動バイアス制御（ＡＢＣ）による発振がなく、安定に起動できるようになった。
【実施例１】
【００２９】
図３は図１の変形例に係る光送信器の概略構成を示すブロック図である。本図に示すように、図２と比較して、マーク率検出部１０６が設けられ、マーク率検出部１０６は光変調ドライバ１０３の出力側に位置し、光変調ドライバ１０３から出力される電圧データ信号におけるマーク率の信号を検出し、電圧比較部１０７に出力する。ここで、マーク率検出部１０６は光変調ドライバ１０３の入力側に位置してもよく、又は、光変調ドライバ１０３が差動駆動の形式を取っていた場合にはその差動駆動部に設けてもよい。
【００３０】
電圧比較部１０７は検出された信号のマーク率に応じて基準電圧Ｖｒｅｆ１を変動させる。電圧変換部１０７は、例えば、マーク率が小さい場合には基準電圧Ｖｒｅｆ１を下げ、マーク率が大きい場合には基準電圧Ｖｒｅｆ１を上げるようにする。基準電圧Ｖｒｅｆ１の変動量、変動方向は使用モジュール、回路定数に依存する。
このように変動させた基準電圧Ｖｒｅｆ１を基に電圧比較部１０７にて抽出された誤差信号はレーザ電流制御部１０５に出力され、レーザ電流を制御するのに使用される。
【００３１】
従来では、自動出力制御（ＡＰＣ）を用いた送信機では、データ信号のマーク率変動の影響を受けやすく、例えば、０「スペース」信号が連続した場合には損失とは関係なしに平均光出力が下がり、その信号を基に平均光出力を一定にしようと自動出力制御（ＡＰＣ）が差動することによりレーザ電流を過度に増加させ、１「マーク」信号の光出力を上げてしまうこととなり、その結果として、光ピークパワに依存するＳＰＭ（自己位相変調）などのファイバの非線形効果の影響を受けやすくなり、伝送特性を劣化させてしまい、一方で、１「マーク」信号が連続した場合には、損失とは関係なしに平均光出力が上がり、レーザ電流を過度に減少させることとなり、結果として、１「マーク」の光出力を下げ、符合誤り率劣化等の受信側特性を劣化させるが、本発明によれば、このようなデータ信号のマーク率変動の影響を受けず、伝送特性の劣化をさせないようにすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に係る光送信器の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１におけるレーザ電流制御部１０５の動作例を説明するフローチャートである。
【図３】図１の変形例に係る光送信器の概略構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の前提となる光送信器の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００３３】
１００…光送信器
１０１…半導体レーザ
１０２…直流電流源
１０３…光変調ドライバ
１０５…レーザ電流制御部
１０６…マーク率検出部
１０７…電圧比較部
１０８…電流ー電圧（Ｉ−Ｖ）変換部
１０９…フォトダイオード（ＰＤ）
１１０…電圧比較部
１１１…電流ー電圧（Ｉ−Ｖ）変換部
１１２…ＬｉＮｂＯ３光変調器
１１３…自動バイアス制御（ＡＢＣ）部
１１４…フォトダイオード（ＰＤ）
１１５…レーザモジュール
２００…光ファイバ
【図１】
2010080557.tif 000003
【図２】
2010080557.tif 000004
【図３】
2010080557.tif 000005
【図４】
2010080557.tif 000006