(57)【要約】【課題】画素領域に近い水平転送部から、遠い水平転送部への電荷転送時に振り分けＦＰＮが発生するのを抑えつつ、水平方向の電荷転送効率の劣化が抑えられた固体撮像装置とその駆動方法を提供する。【解決手段】固体撮像装置は、受光部２から読み出された電荷を転送する垂直転送部３と、互いに並列に設けられた複数の転送ゲート電極５、９をそれぞれ有する第１の水平転送部６、第２の水平転送部８と、水平転送部間の電荷転送を行う振り分け転送部７と、出力部１１、１３とを備え、第１の水平転送部６において、転送ゲート電極５は垂直転送部３から振り分け転送部７に向かって延びており、且つ転送ゲート電極５のうち少なくとも垂直転送部側の一部は、振り分け転送部７に向かうにつれ出力部１１からの水平距離が大きくなる方向に傾いて延びている。【選択図】図２
2010080604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元状に配置された複数の受光部と、
前記複数の受光部の各々から読み出された電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、
前記垂直転送部により転送された電荷を水平方向に転送し、基板上に互いに並列に設けられた複数の転送ゲート電極を各々が有し、前記垂直方向に並んで配置された複数の水平転送部と、
前記基板上を前記水平方向に向かって延伸する少なくとも１本のシフトゲート電極を有し、前記複数の水平転送部間に設けられ、前記複数の水平転送部間の電荷転送を行う振り分け転送部と、
前記複数の水平転送部によって転送された電荷を検出する出力部とを備え、
前記複数の水平転送部のうち前記垂直転送部に最も遠い水平転送部を除くいずれか１つである第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極は前記垂直転送部側から前記第１の水平転送部の前記垂直方向に隣接する前記振り分け転送部に向かって延びており、且つ前記複数の転送ゲート電極の各々のうち少なくとも前記垂直転送部側の一部は、前記垂直方向に隣接する前記振り分け転送部に向かうにつれ前記出力部からの水平距離が大きくなる方向に傾いて延びている固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の水平転送部は前記複数の水平転送部のうち前記垂直転送部に最も近い位置に設けられた水平転送部であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極の各々の全体が前記振り分け転送部に向かうにつれ前記出力部からの水平距離が大きくなる方向に傾いて延びていることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極のうち前記垂直方向に隣接する前記振り分け転送部に面する部分の直下には、前記複数の転送ゲート電極の他の部分の直下よりもポテンシャルの低いポテンシャルパケット領域が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記ポテンシャルパケット領域において前記基板に含まれるｎ型不純物濃度は、前記複数の転送ゲート電極の直下に位置する前記基板のうち前記ポテンシャルパケット領域以外の領域に含まれるｎ型不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記複数の転送ゲート電極の各々の直下には、電荷を蓄積するための蓄積領域と、前記蓄積領域よりもポテンシャルの高いバリア領域とが形成されており、前記複数の転送ゲート電極の各々の直下領域のうち前記ポテンシャルパケット領域では、他の領域に比べて前記蓄積領域の幅が広くなっていることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極の各々は、前記垂直方向に隣接する前記振り分け転送部に近い方の先端部が垂直方向に延びるように屈曲する屈曲部を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極の各々は、平面的に見て前記垂直方向との間に鋭角を成し、前記垂直方向に隣接する前記振り分け転送部に向かって傾いて延びる部分を有することを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１つに記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の水平転送部のそれぞれにおける前記複数の転送ゲート電極の形状及び配置は、前記第１の水平転送部における前記複数の転送ゲート電極の形状及び配置と同一であることを特徴とする請求項１〜８のうちいずれか１つに記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
２次元状に配置された複数の受光部と、垂直転送部と、基板上に互いに並列に設けられた複数の転送ゲート電極を各々が有し、垂直方向に並んで配置された複数の水平転送部と、前記基板上を水平方向に向かって延伸する少なくとも１本のシフトゲート電極を有し、前記複数の水平転送部間に設けられた振り分け転送部と、前記複数の水平転送部ごとに設けられた出力部とを備え、前記複数の水平転送部のうち前記垂直転送部に最も近い第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極は前記垂直転送部から前記第１の水平転送部に隣接する前記振り分け転送部に向かって延びており、且つ前記複数の転送ゲート電極の各々のうち少なくとも前記垂直転送部側の一部は、前記振り分け転送部に向かうにつれ前記出力部からの水平距離が大きくなる方向に傾いて延びている固体撮像装置の駆動方法であって、
前記複数の受光部から読み出された電荷を前記垂直転送部が前記第１の水平転送部に向かって前記垂直方向に転送するステップ（ａ）と、
前記ステップ（ａ）によって転送された電荷を前記水平方向に移動させるとともに前記垂直方向に移動させるステップ（ｂ）と、
前記シフトゲート電極に制御電圧を印加し、前記ステップ（ａ）によって転送された電荷を前記振り分け転送部を介して前記第１の水平転送部から前記第１の水平転送部に隣接する第２の水平転送部へと振り分けるステップ（ｃ）と、
前記ステップ（ｂ）及び（ｃ）の後、前記第１の水平転送部内及び前記第２の水平転送部内の電荷を前記出力部に向けて水平方向に転送するステップ（ｄ）とを備えている固体撮像装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極のうち前記振り分け転送部に面する部分の直下には、前記複数の転送ゲート電極の他の部分の直下よりもポテンシャルの低いポテンシャルパケット領域が形成されており、
前記ステップ（ｂ）では電荷が前記ポテンシャルパケット領域に蓄積されることを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤイメージセンサ等の固体撮像装置およびその駆動方法に関し、特に、固体撮像装置の水平転送部の構造および駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、１０００万画素超まで固体撮像装置の多画素化が進み、銀塩カメラ並みの画質の静止画を撮影したり、高画質の動画を撮影したりすることが可能になっている。この多画素化に伴い、単位画素のサイズが縮小するとともに固体撮像装置の画素ピッチは２μｍを切り、更に微細化、狭ピッチ化が進行している。
【０００３】
また、上記のようなデジタルスチルカメラ（Digital Still Camera;ＤＳＣ）であっても、従来のムービー並みの動画を撮影することが可能になっており、その動画解像度も年々向上している。
【０００４】
図１７は、従来のインターライン転送固体撮像装置（ＩＴＣＣＤ）のレイアウトを概略的に示す図である。
【０００５】
同図に示すように、従来の固体撮像装置は、半導体基板（図示せず）上に２次元状に配置されるフォトダイオード１０２と、フォトダイオード１０２に蓄積された信号電荷を垂直方向へ転送する垂直転送部１０３と、垂直転送部１０３によって転送された信号電荷を水平方向へ転送する第１の水平転送部１０６及び第２の水平転送部１０８と、第１の水平転送部１０６によって転送された信号電荷を検知し、これを出力する第１の出力部１０５と、第２の水平転送部１０８によって転送された信号電荷を検知し、これを出力する第２の出力部１０９と、第１の水平転送部１０６に転送された信号電荷の一部を第２の水平転送部１０８へと振り分けて転送するための振り分け転送ゲート部１０７とを備えている。第１の水平転送部１０６は半導体基板上に互いに平行に並べられた複数の転送ゲート電極１１１を有している。第２の水平転送部１０８もこれと同様に半導体基板上に互いに平行に並べられた複数の転送ゲート電極１１３を有している。
【０００６】
例えば奇数行目の画素から転送された信号電荷は第１の水平転送部１０６で水平方向に転送され、第１の出力部１０５から外部へと順次出力される。偶数行目の画素から転送された信号電荷は第１の水平転送部１０６から振り分け転送ゲート部１０７を介して第２の水平転送部１０８へと転送され、第２の出力部１０９から順次出力される。このように、水平転送部が２つ設けられていることで、水平転送部が１つのみ設けられる場合と比べて出力部へ信号を転送する際の水平転送パルスの周波数を１／２にすることができるので、水平転送パルスの周波数を大きく増加させることなく多画素化に対応することができる。
【０００７】
また、固体撮像装置においては振り分け転送の際に固定パターンノイズ（ＦＰＮ）が発生するのを抑える必要があるが、特許文献２に記載の従来の固体撮像装置では、第１の水平転送部１０６内の半導体基板に上から見て振り分け転送ゲート部１０７に向かう面が鋸状となるポテンシャルバリア（図示せず）が形成されている。この構成により第１の水平転送部１０６内全体を強転送電界部にしているので、第１の水平転送部１０６から第２の水平転送部１０８への信号電荷の転送効率を向上が図られる。
【０００８】
また、特許文献１に記載の固体撮像装置では、第１の水平転送部１０６の半導体基板内に、振り分け転送ゲート部１０７に近づくにつれて幅が広くなるように不純物注入領域を形成し、第１の水平転送部１０６から振り分け転送ゲート部１０７へと向かうにつれて電位が低くなるように電位勾配を持たせている。この構成によっても第１の水平転送部１０６から第２の水平転送部１０８への信号電荷の転送効率を向上が図られる。
【特許文献１】特許３１３６５９６号公報
【特許文献２】特開平５−１９８６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の構成では、振り分け転送時に生じる固体パターンノイズ、すなわち振り分けＦＰＮの発生の抑制と、第１の水平転送部１０６の水平転送容量の確保、あるいは水平転送効率の維持とを両立することが困難であった。
【００１０】
特許文献１に記載の固体撮像装置においては、振り分け転送ゲート部１０７に近づくにつれて第１の水平転送部１０６における蓄積領域のポテンシャル深さが深くなっていき、隣接するバリア領域とのポテンシャル段差が大きくなっていく。従って、ポテンシャル段差が最も大きくなる部分では、水平転送パルスの印加に対して十分なポテンシャル変化が得られず、水平方向の転送効率が劣化し、水平方向に信号が漏れ込むことによって解像度劣化などの画質不良を引き起こしていた。
【００１１】
特許文献２に記載の固体撮像装置においては、不純物分布によるポテンシャル傾斜は形成されていないが、水平方向の転送幅が振り分けゲートに近づくにつれて大きくなるため、やはり水平方向の転送が困難になるという点では、特許文献１に記載の固体撮像装置と同様の不具合を持っている。
【００１２】
そこで、本発明は、画素領域に近い水平転送部から、遠い水平転送部への電荷転送時に振り分けＦＰＮが発生するのを抑えつつ、水平方向の電荷転送効率の劣化が抑えられた固体撮像装置とその駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の固体撮像装置は、２次元状に配置された複数の受光部と、前記複数の受光部の各々から読み出された電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、前記垂直転送部により転送された電荷を水平方向に転送し、基板上に互いに並列に設けられた複数の転送ゲート電極を各々が有し、前記垂直方向に並んで配置された複数の水平転送部と、前記基板上を前記水平方向に向かって延伸する少なくとも１本のシフトゲート電極を有し、前記複数の水平転送部間に設けられ、前記複数の水平転送部間の電荷転送を行う振り分け転送部と、前記複数の水平転送部によって転送された電荷を検出する出力部とを備え、前記複数の水平転送部のうち前記垂直転送部に最も遠い水平転送部を除くいずれか１つである第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極は前記垂直転送部側から前記第１の水平転送部の前記垂直方向に隣接する前記振り分け転送部に向かって延びており、且つ前記複数の転送ゲート電極の各々のうち少なくとも前記垂直転送部側の一部は、前記垂直方向に隣接する前記振り分け転送部に向かうにつれ前記出力部からの水平距離が大きくなる方向に傾いて延びている。
【００１４】
この構成により、第１の水平転送部において複数の転送ゲート電極に所定の駆動電圧を印加することで、電荷を水平方向に転送すると同時に垂直方向に移動させることができる。このため、振り分け転送の前後に振り分け転送部の近傍に電荷を移動させておくことで、振り分け転送の効率を向上させることができる。また、第１の水平転送部の転送ゲート電極下において、電荷を蓄積する領域のポテンシャルを従来の固体撮像装置ほど深くしなくてもよくなるので、水平方向の電荷転送効率の劣化も防がれる。
【００１５】
なお、第１の水平転送部が、複数の水平転送部のうち垂直転送部に最も近い位置に設けられた水平転送部であれば、垂直転送部によって転送された電荷を垂直方向に隣接する他の水平転送部へと効率良く転送できるので、好ましい。
【００１６】
前記第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極のうち前記振り分け転送部に面する部分の直下には、前記複数の転送ゲート電極の他の部分の直下よりもポテンシャルの低いポテンシャルパケット領域が形成されていれば、電荷をポテンシャルパケット領域に蓄積させることができるので、振り分け転送効率を向上させることができ、振り分け転送により生じる固定パターンノイズの発生を抑えることができる。
【００１７】
前記第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極の各々は、垂直方向に隣接する前記振り分け転送部に近い方の先端部が垂直方向に延びるように屈曲する屈曲部を有していてもよい。
【００１８】
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、２次元状に配置された複数の受光部と、垂直転送部と、基板上に互いに並列に設けられた複数の転送ゲート電極を各々が有し、垂直方向に並んで配置された複数の水平転送部と、前記基板上を水平方向に向かって延伸する少なくとも１本のシフトゲート電極を有し、前記複数の水平転送部間に設けられた振り分け転送部と、前記複数の水平転送部ごとに設けられた出力部とを備え、前記複数の水平転送部のうち前記垂直転送部に最も近い第１の水平転送部において、前記複数の転送ゲート電極は前記垂直転送部から前記第１の水平転送部に隣接する前記振り分け転送部に向かって延びており、且つ前記複数の転送ゲート電極の各々のうち少なくとも前記垂直転送部側の一部は、前記振り分け転送部に向かうにつれ前記出力部からの水平距離が大きくなる方向に傾いて延びている固体撮像装置の駆動方法であって、前記複数の受光部から読み出された電荷を前記垂直転送部が前記第１の水平転送部に向かって前記垂直方向に転送するステップ（ａ）と、前記ステップ（ａ）によって転送された電荷を前記水平方向に移動させるとともに前記垂直方向に移動させるステップ（ｂ）と、前記シフトゲート電極に制御電圧を印加し、前記ステップ（ａ）によって転送された電荷を前記振り分け転送部を介して前記第１の水平転送部から前記第１の水平転送部に隣接する第２の水平転送部へと振り分けるステップ（ｃ）と、前記ステップ（ｂ）及び（ｃ）の後、前記第１の水平転送部内及び前記第２の水平転送部内の電荷を前記出力部に向けて水平方向に転送するステップ（ｄ）とを備えている。
【００１９】
この方法によれば、受光部から読み出された電荷をステップ（ｂ）で振り分け転送部の近傍に移動させることができるので、振り分け転送時に電荷の転送効率を向上させることができる。なお、振り分け転送と振り分け予備転送の順序は適宜組み合わせて行うことが可能である。
【００２０】
なお、第１の水平転送部において複数相の制御電圧を複数の転送ゲート電極に印加してステップ（ｂ）を行うことができる。３相以上の制御電圧で駆動する場合には、電荷を水平方向の逆向きに転送することができるので、ステップ（ｂ）において電荷が出力部に近づき過ぎた場合に電荷を逆方向に転送して不具合の発生を抑えることができる。
【００２１】
なお、本発明の駆動方法は、固体撮像装置内の制御回路によって実行されてもよいし、上述の駆動方法を記載したプログラムにより制御されたコンピュータ等によって実行されてもよい。また、上述の駆動方法を実行させるプログラムはカメラ等の撮像装置内に設置されたメモリに格納されていてもよく、ＣＤ−ＲＯＭやメモリカード等の取り外し可能な記録媒体に保存されていてもよい。また、上述の駆動方法を実行させるプログラムはインターネット等の伝送媒体を介して配信されることもできる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る固体撮像装置及びその駆動方法によれば、振り分け転送時に垂直転送部に近い水平転送部中の電荷を効率良く振り分け転送部に転送して振り分けＦＰＮの発生を抑えるとともに、出力部への電荷転送効率の劣化が防がれているので、多画素化と信号転送の高速化に対応して複数の水平転送部を設けた場合でも画質の劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００２４】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。
【００２５】
同図に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板（図示せず）の画素領域１０上に２次元状に配置されるフォトダイオード（受光部）２と、画素領域１０上に配置され、フォトダイオード２に蓄積された信号電荷を垂直方向へ転送するための垂直転送部３と、垂直転送部３によって転送された信号電荷を水平方向へ転送するための第１の水平転送部６及び第２の水平転送部８と、第１の水平転送部６によって転送された信号電荷を検知し、これを出力する第１の出力部１１と、第２の水平転送部８によって転送された信号電荷を検知し、これを出力する第２の出力部１３と、第１の水平転送部６に転送された信号電荷の一部を第２の水平転送部８へと振り分けて転送するための振り分け転送部７とを備えている。ここで、垂直転送部３、第１の水平転送部６、及び第２の水平転送部６はＣＣＤで構成されている。第１の水平転送部６と第２の水平転送部８とは垂直方向に並んで配置されている。第１の水平転送部６は半導体基板上に互いに並列に設けられた複数の第１の転送ゲート電極５を有している。第２の水平転送部８もこれと同様に半導体基板上に互いに並列に設けられた複数の第２の転送ゲート電極９を有している。図１では簡略化されているが、第１の転送ゲート電極５及び第２の転送ゲート電極９の各々は、垂直転送部３のそれぞれに対応して設けられている。
【００２６】
振り分け転送部７は、半導体基板上を水平方向（第１の方向）に延伸する少なくとも一本のシフトゲート電極を有している。ここで、水平方向とは、平面的に見て垂直方向と直角であって出力に向かう方向を意味する。第１の出力部１１と第２の出力部１３とはそれぞれＦＤ（Floating Diffusion）アンプで構成されている。ただし、出力部は複数の水平転送部に対して１つのみ設けられていてもよい。シフトゲート電極（２本以上シフトゲート電極が設けられている場合には第１の転送ゲート電極５に最も近いシフトゲート電極）と第１の転送ゲート電極５との距離は例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度である。また、第１の転送ゲート電極５間の間隔と第２の転送ゲート電極９間の間隔とはそれぞれ１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度である。
【００２７】
図示しないが、各第１の転送ゲート電極５の下及び各第２の転送ゲート電極９の下には、信号電荷が蓄積される蓄積領域と、蓄積領域よりもポテンシャルが高いバリア領域とが設けられている。バリア領域は例えば各第１の転送ゲート電極５の下及び各第２の転送ゲート電極９の下に位置する領域のうち、第１の出力部１１または第２の出力部１３から遠い方の位置に設けられ、水平転送の際に転送された信号電荷が逆戻りしないようにしている。バリア領域は、各列のポテンシャルパケット領域間にも形成されており、蓄積された電荷が逃げないようになっている。
【００２８】
また、第１の転送ゲート電極５のうち振り分け転送部７に面した（振り分け転送部７に近い）部分直下のポテンシャルは他の部分（垂直転送部３に近い部分）直下のポテンシャルに比べて深くなっている（図４（ａ）、（ｂ）に示すポテンシャルパケット領域１７）。図１には、このポテンシャルパケット領域の垂直転送部３側（画素領域側）の境界である内部ポテンシャル段差１５が形成される位置の例を示している。
【００２９】
この構成により、垂直転送部３（画素領域１０）から第１の水平転送部６へと読み出された信号電荷がシフトゲート電極近傍の半導体基板内に集まりやすくなっており、第１の水平転送部６から第２の水平転送部８への信号電荷の転送効率の向上が図られている。なお、ポテンシャルパケット領域は、例えば第１の転送ゲート電極５及びゲート絶縁膜の直下にｎ型層が形成される場合には、ｎ型不純物濃度を高くすることによって形成される。あるいは、第１の転送ゲート電極５下において、半導体基板に形成されるバリア領域の幅を振り分け転送部７の近傍で狭くし、蓄積領域の幅を広げることによってもポテンシャルを深くすることができる。なお、ポテンシャルを深くする領域を振り分け転送部７の近傍領域のみに絞ることで、特許文献１に記載の固体撮像装置に比べて第１の水平転送部６内での信号電荷の水平方向の転送効率の劣化を抑制することができる。
【００３０】
本発明の固体撮像装置の特徴は、第１の水平転送部６において、第１の転送ゲート電極５の各々が、垂直転送部３から第１の水平転送部６に隣接する振り分け転送部７に向かって延びており、且つ第１の転送ゲート電極５の各々のうち少なくとも一部は、振り分け転送部７に向かうにつれ第１の出力部１１からの水平距離が大きくなる方向に傾いて延びていることにある。特に、本実施形態の固体撮像装置では、第１の転送ゲート電極５の全体が振り分け転送部７に向かうにつれ第１の出力部１１からの水平距離が大きくなる方向に傾いて延びている。一方、第２の転送ゲート電極９の各々は、上方から見た場合にシフトゲート電極に対してほぼ直交する方向（垂直方向）に延伸している。
【００３１】
第１の転送ゲート電極５に駆動パルスを印加した場合には上方から見て第１の転送ゲート電極５と直角の方向に電界が生じる。そのため、上述の構成によれば、第１の水平転送部６内で信号電荷を水平転送する際に、信号電荷を振り分け転送部７へと近づけることができる。このため、信号電荷を第１の転送ゲート電極５直下領域のうち振り分け転送部７に近い領域に集める振り分け予備転送の後、第１の水平転送部６から第２の水平転送部８への信号電荷の振り分け転送を行うことで、信号電荷を取り残し無く第２の転送ゲート電極９下の半導体基板内に転送することができる。本実施形態の固体撮像装置では、このように第１の転送ゲート電極５を垂直方向に対して斜めに配置することで、第１の転送ゲート電極５直下の半導体基板に電位勾配を形成しなくても振り分け転送部７の近傍に設けられたポテンシャルパケット領域に信号電荷を効果的に集めることができる。そのため、第１の特許文献に記載の固体撮像装置に比べてポテンシャルパケット領域のポテンシャル深さを浅くしても、第１の水平転送部６から第２の水平転送部８への信号電荷の転送を高効率で転送できる。したがって、隣接するポテンシャルパケット領域間に設けられたバリア領域（図示せず）とポテンシャルパケット領域との間の内部ポテンシャル段差を必要以上に大きくすることがなくなるので、信号電荷の水平方向への転送効率を低下させることもない。以上のことから、本実施形態の固体撮像装置によれば、複数の水平転送部を設けた場合にも振り分けＦＰＮの発生を抑えることができるので、多画素化と信号転送の高速化との両立を図ることができる。また、多画素化が進んでも画質の劣化を抑制することが可能となる。
【００３２】
なお、本実施形態の固体撮像装置において、第１の転送ゲート電極５直下の半導体基板にポテンシャルが深い領域を形成することは必須ではないが、このポテンシャルパケット領域を設けることで、振り分け予備転送と振り分け転送との間に微小な時間のずれが生じてもシフトゲート電極近傍に転送された信号電荷が拡散するのを防ぐことができるので、好ましい。
【００３３】
第１の水平転送部６及び第２の水平転送部８における信号電荷の水平転送は、２相駆動の他、３相または４相駆動であってもよい。駆動方法については後の実施形態で詳述する。
【００３４】
また、本実施形態では水平転送部が２つ設けられた例について説明したが、水平転送部が振り分け転送部を挟んで３つ以上設けられていてもよい。その場合には、垂直転送部３から最も遠い水平転送部を除く水平転送部のうち、少なくとも１つの水平転送部において、垂直方向に対して転送ゲート電極を斜めに配置すればよく、少なくとも画素領域１０（あるいは垂直転送部３）に最も近い位置に設けられた水平転送部において、垂直方向に対して転送ゲート電極を斜めに配置すればより好ましい。
【００３５】
また、本発明の構成が適用されるのはインターライン型の固体撮像装置に限られず、フレームトランスファ型、フレームインターライントランスファ型の固体撮像装置等にも適用することができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。同図において、図１と同じ部材は同じ符号を付して説明は省略または簡略化する。
【００３７】
図２に示すように、本実施形態の固体撮像装置の特徴は、垂直方向に対して第１の転送ゲート電極５が斜めに配置された第１の実施形態に係る固体撮像装置において、各第１の転送ゲート電極５のうち振り分け転送部７に近い先端部分がシフトゲート電極に対して略直角になる方向（垂直方向）に屈曲していることにある。
【００３８】
この構成によれば、振り分け転送時の電荷の転送方向が上方から見てシフトゲート電極に対して直角となるので、振り分け転送時に最短距離で信号電荷を転送することができる。また、第１の実施形態の固体撮像装置に比べて振り分け転送時の電荷転送方向に対して第１の転送ゲート電極５の幅を広げることができる。このため、逆ナローチャンネル効果により第１の転送ゲート電極５直下の半導体基板のうちシフトゲート電極近傍領域のポテンシャルは深くなり、振り分け転送の際の転送効率をさらに向上させることができる。
【００３９】
なお、本実施形態の固体撮像装置においては内部ポテンシャル段差１５が平面的に見て第１の転送ゲート電極５の屈曲点付近に形成されていれば、振り分け予備転送によってポテンシャルパケット領域に確実に電荷を転送することができるので特に好ましい。第１の転送ゲート電極５のうちシフトゲート電極に対して直角な部分では水平転送時にシフトゲート電極に向かう方向への転送効果が無いため、内部ポテンシャル段差１５の位置が第１の転送ゲート電極５の屈曲点からシフトゲート電極側に大幅に入り込むと、振り分け予備転送により振り分け転送部７に近づいてきた電荷がポテンシャルパケット領域に到達できない。よって、プロセス条件にもよるが、内部ポテンシャル段差１５の位置（上方から見た位置）は第１の転送ゲート電極５の屈曲点（屈曲部）から振り分け転送部７に向かって１μｍ以内であることが好ましい。言い換えれば、ポテンシャルパケット領域は少なくとも第１の転送ゲート電極５の振り分け転送部７に近い方の端部下を含み、第１の転送ゲート電極５の屈曲点から振り分け転送部７に向かって１μｍ以内の部分下までの領域に形成されていることが好ましい。
【００４０】
なお、第１の転送ゲート電極５のうち振り分け転送部７に向かって傾いて延びる部分が平面視において垂直方向との間に成す角度は特に制限されず、第１のゲート電極５のうち当該傾いて延びる部分が平面的に見て垂直方向との間に鋭角を成すように設けられていればよい。なお、図３に示す本実施形態の固体撮像装置の一具体例のように、約４５度であれば特に好ましい。シフトゲート電極近傍への転送効果を高めるには、第１の転送ゲート電極５とシフトゲート電極とが成す角度をより小さくするとよい。但し、出力部に向かう水平方向の転送を考慮すると、第１の転送ゲート電極５の画素領域１０に近い方の部分については概ね４５度の傾斜が最適である。なお、この際の第１の転送ゲート電極５の屈曲部における屈曲角も４５度となる。
【００４１】
なお、第１の実施形態に係る固体撮像装置と同様に、本実施形態の固体撮像装置においても振り分け転送部７にはゲート絶縁膜を挟んで半導体基板上に設けられた１本または複数本のシフトゲート電極が設けられている。
【００４２】
図４（ａ）は、１本のシフトゲート電極ＳＧが振り分け転送部７に設けられた場合の水平転送部の構成を概略的に示す平面図であり、（ｂ）は、第１のシフトゲート電極ＳＧ１及び第２のシフトゲート電極ＳＧ２が振り分け転送部７に設けられた場合の水平転送部の構成を概略的に示す平面図である。
【００４３】
図４（ａ）に示すように、シフトゲート電極ＳＧのみが振り分け転送部７に設けられている場合、シフトゲート電極ＳＧのうち第１の水平転送部６に近い部分の下に設けられ、水平方向を長辺方向とする帯状の内部ポテンシャルバリア２４が形成される。この内部ポテンシャルバリア２４は例えばｐ型不純物を半導体基板の所定領域の上部に導入することで形成できる。この内部ポテンシャルバリア２４は、後述する振り分け予備転送の際にポテンシャルパケット領域１７内に集められた電荷が振り分け転送部７側に漏れるのを防いでいる（図６参照）。また、シフトゲート電極ＳＧ直下の半導体基板内には、第１の水平転送部６側から第２の水平転送部８側に向かうにつれて水平方向の幅が狭くなっているバリア領域２２が所定の間隔で形成されている。バリア領域２２のポテンシャルはシフトゲート電極ＳＧ下の他の部分に比べて高くなっており、シフトゲート電極ＳＧ下での信号電荷の転送効率は高くなっている。また、振り分け転送時に信号電荷の転送経路が第２の水平転送部８側で広くなることによっても第２の水平転送部８への転送効率を向上させることができる。
【００４４】
また、図４（ｂ）に示すように、第１のシフトゲート電極ＳＧ１と第２のシフトゲート電極ＳＧ２とを振り分け転送部７に設ける場合、内部ポテンシャルバリア２４を第１のシフトゲート電極ＳＧ１下にのみ設けて、内部ポテンシャルバリア２４の電位を第２のシフトゲート電極ＳＧ２下の領域の電位と別個に制御できるようにしてもよい。
【００４５】
−固体撮像装置の第１の駆動方法−
次に、本実施形態の固体撮像装置の第１の駆動方法の例を具体的に説明する。
【００４６】
図５（ａ）、（ｂ）は、シフトゲート電極が振り分け転送部に１本のみ設けられている場合（図４（ａ）に示す場合）、及び２本設けられている場合（図４（ｂ）に示す場合）の固体撮像装置の振り分け転送及び水平転送方法をそれぞれ示すタイミングチャートである。図５（ａ）、（ｂ）では２相駆動で水平転送を行う例を示しており、φＨ１が印加される転送ゲート電極とφＨ２が印加される転送ゲート電極とが交互に配置されている。例えば奇数番目の第１の転送ゲート電極５及び第２の転送ゲート電極９には制御電圧φＨ１が印加され、偶数番目の第１の転送ゲート電極５及び第２の転送ゲート電極９には制御電圧φＨ２が印加される。
【００４７】
まず、垂直転送部３によってそれぞれ対応する第１の転送ゲート電極５下に転送された一行分の信号電荷は、振り分け予備転送によって順次水平方向に移動しつつ、垂直方向（画素領域１０から振り分け転送部７に向かう方向）に移動する。この際、φＨ１及びφＨ２として互いに逆のレベルのパルスを印加する。こうすることで、第１の転送ゲート電極５のうち垂直方向に対して斜めに配置された部分では、第１の転送ゲート電極５に対して直角方向に電界が生じ、信号電荷は水平方向に移動しつつ垂直方向に移動する。φＨ１としてロー（Ｌｏｗ）レベル電圧とハイ（Ｈｉｇｈ）レベル電圧のパルスを交互に複数回印加し、φＨ２としてこれらと逆のレベルのパルスを印加することで信号電荷は振り分け転送部７の近傍に移動し、各列のポテンシャルパケット領域１７に蓄積される。なお、１回の振り分け予備転送における転送回数は後の水平転送の転送回数に比べて非常に少ない回数で十分である。
【００４８】
次いで、振り分け転送を行って一行分の信号電荷のうち１つおきの列に属するフォトダイオード２から出力された信号電荷を第１の転送ゲート電極５下のポテンシャルパケット領域１７から第２の転送ゲート電極９下の領域に転送する。ここで図６は、振り分け転送部７にシフトゲート電極ＳＧのみが設けられている場合の振り分け予備転送動作及び振り分け転送動作を示す図であり、図７は、振り分け転送部７に第１のシフトゲート電極ＳＧ１及び第２のシフトゲート電極ＳＧ２を設けた場合の振り分け予備転送動作及び振り分け転送動作を示す図である。ここで、図６は、図４（ａ）に示す固体撮像装置のVI-VI断面における伝導帯端のポテンシャルを示し、図７は図４（ｂ）に示す固体撮像装置のVII-VII断面における伝導帯端のポテンシャルを示す。
【００４９】
図５（ａ）及び図６に示すように、振り分け転送部７にシフトゲート電極ＳＧのみが設けられている場合、振り分け転送では、φＨ１が印加された第１の転送ゲート電極５下のポテンシャルパケット領域１７からシフトゲート電極ＳＧ下の領域に信号電荷が転送され、次いでφＨ２が印加された第２の転送ゲート電極９下の領域に転送される。また、図５（ｂ）及び図７に示すように、振り分け転送部７に第１のシフトゲート電極ＳＧ１と第２のシフトゲート電極ＳＧ２とが設けられている場合は、第１のシフトゲート電極ＳＧ１と第２のシフトゲート電極ＳＧ２に高電圧を印加して第１のシフトゲート電極ＳＧ１下の領域と第２のシフトゲート電極ＳＧ２下の領域のポテンシャルを下げて信号電荷を蓄積させた後、第１のシフトゲート電極ＳＧ１下の領域のポテンシャルを上げて第２のシフトゲート電極ＳＧ２下の領域に信号電荷を集める。その後、信号電荷はφＨ２が印加された第２の転送ゲート電極９下の領域に転送される。
【００５０】
次いで、水平転送を行って、第１の水平転送部６に残る信号電荷を第１の出力部１１へと順次転送し、第２の水平転送部８に転送された信号電荷を第２の出力部１３に順次転送する。なお、水平転送ではφＨ１及びφＨ２として振り分け予備転送と同様のパルスが第１の転送ゲート電極５及び第２の転送ゲート電極９に印加される。
【００５１】
また、ＳＧ１下のポテンシャルはＳＧ２下に比較してあらかじめ高く形成しておいてもよい。こうすることで電荷を水平転送部９に転送しやすくすることが出来る。
【００５２】
以上のように、本実施形態の駆動方法によれば、振り分け転送を行う前に振り分け予備転送を行うことで、振り分け転送時の転送効率を従来に比べて大きく向上させることができる。
【００５３】
なお、第１の実施形態に係る固体撮像装置も本実施形態の固体撮像装置と同様の方法により駆動することで、同様の効果を得ることができる。
【００５４】
−固体撮像装置の第２の駆動方法−
図８は、本実施形態の固体撮像装置の第２の駆動方法を示すタイミングチャートである。本駆動方法では、垂直転送部３によってそれぞれ対応する第１の転送ゲート電極５下に信号電荷が転送された後、まず振り分け転送を行ってから振り分け予備転送を行い、その後再度振り分け転送を行う。
【００５５】
すなわち、この方法では、最初の振り分け転送によって第１の水平転送部６中の信号電荷の一部又は大部分を第２の水平転送部８に転送し、第１の水平転送部６中の電荷量を減らしてから振り分け予備転送、振り分け転送を行うことで、第１の水平転送部６に残った信号電荷を第２の水平転送部へ送っている。信号電荷の電荷量が多い場合、振り分け予備転送時にポテンシャルパケット領域１７から電荷が溢れることがある。本駆動方法によれば、このような場合でも、最初の振り分け転送により信号電荷の一部を第２の水平転送部８に転送しているので、その後の振り分け予備転送時にポテンシャルパケット領域１７から電荷が溢れるのを防ぐことができる。このため、二回目の振り分け転送により信号電荷を完全に第２の水平転送部８へと転送することができる。第２の水平転送部８では、二回目の振り分け転送により転送された電荷は一回目の振り分け転送で転送された電荷と混合された後、第２の出力部１３に向かって水平転送される。
【００５６】
なお、図８に示す例では最初の振り分け転送の前には振り分け予備転送を行っていないが、振り分け予備転送とこれに続く振り分け転送とを１セットとして複数回繰り返してもよい。
【００５７】
また、水平転送部が並列に３本以上並んでいる場合であっても上述の駆動方法は有効である。
【００５８】
（第３の実施形態）
第２の実施形態では、水平転送が２相駆動である場合について説明したが、本発明の固体撮像装置は３相以上で水平転送を行うこともできる。以下、本発明の第３の実施形態として、水平転送を４相駆動で行う場合の駆動方法について説明する。
【００５９】
図９は、本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートであり、図１０は、本実施形態の駆動方法において、振り分け予備転送の際の信号電荷の移動を模式的に示す図である。同図は、図８と同様に水平転送の前に振り分け転送を複数回（２回）に分けて行う例を示している。
【００６０】
本駆動方法では、まず振り分け転送を行って所定の列（例えば偶数列または奇数列）のフォトダイオードから出力された信号電荷を第１の水平転送部６中の信号電荷の一部を振り分け転送部７を経由して第２の水平転送部８へと転送する。ここで、制御電圧φＨ１、φＨ２、φＨ３、及びφＨ４はｎを１以上の整数とした場合に、それぞれ端から数えて第（４ｎ−３）番目、第（４ｎ−２）番目、第（４ｎ−１）番目、及び第４ｎ番目の第１の転送ゲート電極５及び第２の転送ゲート電極９に印加されるものとする。
【００６１】
次いで、振り分け予備転送を行って所定の列の信号電荷のうち第１の水平転送部６内に残った電荷をポテンシャルパケット領域１７に集める。この際には、図９、図１０に示す時刻Ｔ１からＴ４にかけて順次信号電荷が水平方向に移動しながら垂直方向にも移動し、ポテンシャルパケット領域１７に蓄積されてゆく。
【００６２】
その後、再度振り分け転送を行い、ポテンシャルパケット領域１７に蓄積された信号電荷の残りを第２の水平転送部８に転送する。
【００６３】
次いで、最初に転送された信号電荷と２回目の振り分け転送で転送された信号電荷とを合わせ、第１の水平転送部６に残った信号電荷及び第２の水平転送部８に転送された信号電荷を水平転送する。
【００６４】
このように駆動することによって、信号電荷の電荷量が多い場合であってもポテンシャルパケット領域１７から電荷が溢れて電荷が拡散するのを防ぐことができる。
【００６５】
なお、２相駆動で水平転送を行う場合、第１の転送ゲート電極５及び第２の転送ゲート電極９の各々の下には蓄積領域とバリア領域を設けられるが、３相駆動以上ではこの蓄積領域とバリア領域を設けなくても水平転送を行うことができる。
【００６６】
また、図１１、図１２に示すように、４相駆動により水平転送する場合、信号電荷を逆方向に水平転送することが可能となる。図１１は、本実施形態の固体撮像装置の駆動方法において水平逆転送を行う場合を示すタイミングチャートであり、図１２は、図１１に示す駆動方法において、水平逆転送の際の信号電荷の移動を模式的に示す図である。
【００６７】
図１１及び図１２の例では、振り分け転送、振り分け予備転送、二度目の振り分け転送を順次行った後、水平逆転送を行う。この際には、図１２に示す時刻Ｔ５からＴ８のように、振り分け予備転送の時とは逆に、制御信号の立ち下がりのタイミングをφＨ４からφＨ１に向かって遅らせるようにする。その後、再度振り分け予備転送を行う。
【００６８】
第１及び第２の実施形態に係る固体撮像装置において、振り分け予備転送を行うと、信号電荷がその転送段数分水平方向に転送されてしまうため、図９に示すような駆動方法において振り分け予備転送を多数回繰り返した場合、振り分け転送が終了し、水平転送を行う時点で既に信号電荷が出力部近傍まで転送されてしまっていることになる。図１１に示す駆動方法を用いれば、振り分け予備転送によって水平方向に進んだ信号電荷を水平逆転送によって逆方向に戻すことができるので、振り分け予備転送を多数回繰り返しても信号電荷の転送に不具合を生じることはなくなる。なお、水平逆転送を行っても、固体撮像装置の第１の水平転送部６にはポテンシャルの低いポテンシャルパケット領域１７が設けられているので、信号電荷が画素領域１０側に戻ることはない。
【００６９】
以上では４相駆動で水平転送を行う場合に水平逆転送を行う例について説明したが、３相以上の駆動であれば水平逆転送を行うことができる。ただし、水平逆転送を行うためには、第１の転送ゲート電極５及び第２の転送ゲート電極９の各々の下に蓄積領域とバリア領域が形成されず、第１の転送ゲート電極５各々の直下領域内のポテンシャルは前記水平方向に向かってほぼ平坦になっていることが必要である。
【００７０】
また、以上で説明した第２の実施形態に係る駆動方法や本実施形態に係る駆動方法は、固体撮像装置内の制御回路によって実行されてもよいし、上述の駆動方法を記載したプログラムにより制御されたコンピュータ等によって実行されてもよい。また、上述の駆動方法を実行させるプログラムはカメラ等の撮像装置内に設置されたメモリに格納されていてもよく、ＣＤ−ＲＯＭやメモリカード等の取り外し可能な記録媒体に保存されていてもよい。また、上述の駆動方法を実行させるプログラムはインターネット等の伝送媒体を介して配信されることもできる。
【００７１】
−駆動方法の変形例−
図１３は、第３の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法の変形例を示すタイミングチャートである。同図に示すように、水平転送を４相駆動で行う場合、振り分け予備転送の後の振り分け転送中にφＨ１及びφＨ２がそれぞれ印加された第１の転送ゲート電極５下に蓄積された信号電荷をφＨ１が印加された第１の転送ゲート電極５下に集めてからφＨ２をローレベルにしてシフトゲート電極ＳＧ下に転送してもよい。この方法によれば、電荷密度を上げることで生じるクーロン反発力を利用できるので、振り分け転送時の転送効率を向上させることができる。
【００７２】
（第４の実施形態）
図１４は、本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。
【００７３】
同図に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、第１の実施形態に係る固体撮像装置において、第２の転送ゲート電極９が第１の転送ゲート電極５と同様に垂直方向に対して斜めに配置されたものである。例えば、第１の転送ゲート電極５が延びる方向と第２の転送ゲート電極９が延びる方向とは互いに平行となっている。
【００７４】
このように、第２の転送ゲート電極９の形状及び配置を第１の転送ゲート電極５の形状及び配置と同様にすることによって、第１の水平転送部６と第２の水平転送部８とで動作特性を均一にすることができる。また、第１の出力部１１と第２の出力部１３の形状も同一にすることで、さらなる特性の均一化を図ることができる。
【００７５】
すなわち、出力部ではＦＤ（フローティングディフュージョン）から近接した箇所にトランジスタを形成し、ＦＤにて電荷を電圧に変換した後、出力インピーダンスを低減している（図示せず）。本発明の実施形態においては、第１の出力部１１と、第２の出力部１３の近傍は同様の領域が確保できるため、出力用トランジスタ形成において、同一形状のレイアウトが可能になり、出力部の違いによる特性差が解消出来るメリットがある。
【００７６】
また、水平転送部の設計自由度が向上するので、ＦＤアンプの性能向上を図ることができる。
【００７７】
なお、水平転送部が３つ以上並列に設けられている場合にも、全ての水平転送部で転送ゲート電極の形状を同一に揃えることで、各水平転送部の動作特性を均一にすることができる。
【００７８】
（第５の実施形態）
図１５は、本発明の第５の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。
【００７９】
同図に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、図３に示す固体撮像装置において、第２の転送ゲート電極９を、第１の転送ゲート電極５と同様に垂直方向に対して約４５度傾けたものである。ただし、第２の水平転送部８には内部ポテンシャル段差１５及びポテンシャルパケット領域１７は設けられなくてよい。
【００８０】
また、第２水平転送部１７にもポテンシャルパケット領域を設けることで、クーロン反発力を利用して効果的に信号電荷を伝送できるので好ましい。
【００８１】
本実施形態の固体撮像装置においても、第１の水平転送部６と第２の水平転送部８とで動作特性を均一にすることができる。
【００８２】
（第６の実施形態）
図１６は、本発明の第６の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。同図に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、図３に示す固体撮像装置において、第２の転送ゲート電極９の形状を垂直方向に対して約４５度としつつ、振り分け転送部７から見て近い側の先端部を屈曲させないようにしたものである。
【００８３】
このように、第２の転送ゲート電極９のレイアウトは第１の転送ゲート電極５に比べて比較的自由に設計しても本発明の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明の固体撮像装置及びその駆動方法は、デジタルカメラや、ビデオカメラ等種々の撮像装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。
【図３】第２の実施形態に係る固体撮像装置の一具体例の平面構成を概略的に示す図である。
【図４】（ａ）は、１本のシフトゲート電極ＳＧが振り分け転送部に設けられた場合の水平転送部の構成を概略的に示す平面図であり、（ｂ）は、第１のシフトゲート電極ＳＧ１及び第２のシフトゲート電極ＳＧ２が振り分け転送部に設けられた場合の水平転送部の構成を概略的に示す平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、シフトゲート電極が振り分け転送部に１本のみ設けられている場合、及び２本設けられている場合の固体撮像装置の振り分け転送及び水平転送方法をそれぞれ示すタイミングチャートである。
【図６】振り分け転送部７にシフトゲート電極ＳＧのみが設けられている場合の振り分け予備転送動作及び振り分け転送動作を示す図である。
【図７】振り分け転送部７に第１のシフトゲート電極ＳＧ１及び第２のシフトゲート電極ＳＧ２を設けた場合の振り分け予備転送動作及び振り分け転送動作を示す図である。
【図８】第２の実施形態に係る固体撮像装置の第２の駆動方法を示すタイミングチャートである。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図１０】第３の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法において、振り分け予備転送の際の信号電荷の移動を模式的に示す図である。
【図１１】第３の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法において水平逆転送を行う場合を示すタイミングチャートである。
【図１２】図１１に示す駆動方法において、水平逆転送の際の信号電荷の移動を模式的に示す図である。
【図１３】第３の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法の変形例を示すタイミングチャートである。
【図１４】本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。
【図１５】本発明の第５の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。
【図１６】本発明の第６の実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を概略的に示す図である。
【図１７】従来のインターライン転送固体撮像装置（ＩＴＣＣＤ）のレイアウトを概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
２      フォトダイオード
３      垂直転送部
５      第１の転送ゲート電極
６      第１の水平転送部
７      転送ゲート部
８      第２の水平転送部
９      第２の転送ゲート電極
１０      画素領域
１１      第１の出力部
１３      第２の出力部
１５      内部ポテンシャル段差
１７      ポテンシャルパケット領域
２２      バリア領域
２４      内部ポテンシャルバリア
ＳＧ      シフトゲート電極
ＳＧ１    第１のシフトゲート電極
ＳＧ２    第２のシフトゲート電極
【図１】
2010080604.tif 000003
【図２】
2010080604.tif 000004
【図３】
2010080604.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010080604.tif 000007
【図６】
2010080604.tif 000008
【図７】
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【図８】
2010080604.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2010080604.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2010080604.tif 000015
【図１４】
2010080604.tif 000016
【図１５】
2010080604.tif 000017
【図１６】
2010080604.tif 000018
【図１７】
2010080604.tif 000019