(57)【要約】      （修正有）【課題】内部回路を静電気による破壊から保護すると共に、高速信号伝送を妨げない端子構造を持つリムーバブルメモリカードを実現する。【解決手段】リムーバブルメモリカードのプリント基板３の端子形成面には第一の端子である高速信号端子と第二の端子である電源・グランド端子や低速信号端子が設けられている。プリント基板３の表面からの第一の端子の設置高さを第二の端子の設置高さよりも低くすることにより、人体などの静電気帯電体がリムーバブルメモリカードと接触する場合、静電気帯電体は、第一の端子よりも先に第二の端子に接触し、静電気を第二の端子側に流すことができる。【選択図】図２
2010003290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板と、
前記プリント基板の端子形成面に設けられた外部接続用の第一、第二の端子と、
前記プリント基板に実装されて前記第一、第二の端子に接続されたＬＳＩと、
を備え、
前記端子形成面において前記第一の端子の設置高さ位置は、前記第二の端子の設置高さ位置よりも低い、
ことを特徴とする、
リムーバブルメモリカード。
【請求項２】
前記プリント基板に設けられて、前記第一、第二の端子に侵入する静電気を、ダイオードを介して安定電位に落とす第一、第二のバイパス線路を、
さらに備え、
前記第二の端子に接続される前記第二のバイパス線路に設けられる第二のダイオードは、前記第一の端子に接続される前記第一のバイパス線路に設けられる第一のダイオードより負荷容量が大きい、
ことを特徴とする、
請求項１に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項３】
前記第一、第二の端子は、外部機器に対して信号を入力する、または出力する、または入出力する端子であり、
前記第一の端子を経由する信号は、前記第二の端子を経由する信号より伝送レートが高い、
ことを特徴とする、
請求項１に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項４】
前記第一の端子は、外部から信号が入力される端子であり、
前記第二の端子は、電源・グランド端子である、
ことを特徴とする、
請求項１に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項５】
前記第一、第二の端子は、表面がめっき加工されたものであり、
前記第一の端子は前記第二の端子よりもめっき厚が薄く、これにより前記第一の端子の設置高さ位置が、前記第二の端子の設置高さ位置よりも低い、
ことを特徴とする、
請求項１に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項６】
前記プリント基板の端子形成面は、前記第一の端子を設ける第一の端子設置部と、前記第二の端子を設ける第二の端子設置部とを有し、
前記端子形成面において前記第一の端子設置部の高さ位置は、前記第二の端子設置部の高さ位置より低く、これにより前記第一の端子の設置高さ位置が、前記第二の端子の設置高さ位置よりも低い、
ことを特徴とする、
請求項１に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項７】
前記第二の端子は、前記第一の端子よりも端子配列方向に沿ってリムーバブルメモリカードのカード端側に配置される、
ことを特徴とする、
請求項１に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項８】
隣接する前記第一の端子と前記第二の端子との間に、これら端子より前記プリント基板の上方に突出する仕切りを設ける、
ことを特徴とする、
請求項１に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項９】
前記プリント基板を覆う被覆層が設けられ、
前記端子形成面の対向面側に位置する前記被覆層の一面と、前記端子形成面側に位置する被覆層の他面を前記一面につなぐ端面とのうちの少なくとも一つには、前記プリント基板のアース電位に接続されたグランドパッドが設けられ、
前記グランドパッドは、前記第一、第二の端子に近接して配置される、
ことを特徴とする、
請求項１に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項１０】
前記グランドパッドの表面は、前記被覆層の表面と面一である、
ことを特徴とする、
請求項９に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項１１】
前記グランドパッドは、導箔から構成される、
ことを特徴とする、
請求項９に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項１２】
前記グランドパッドは、導電性樹脂から構成される、
ことを特徴とする、
請求項９に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項１３】
前記グランドパッドは、メッキ層から構成される、
ことを特徴とする、
請求項９に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項１４】
前記グランドパッドは、インサート成形体から構成される、
ことを特徴とする、
請求項９に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項１５】
前記グランドパッドは、二色成形体から構成される、
ことを特徴とする、
請求項９に記載のリムーバブルメモリカード。
【請求項１６】
前記グランドパッドは前記プリント基板に設けられ、
前記被覆層のグランドパッド配置位置には前記グランドパッドが挿通可能な貫通孔が設けられ、
前記グランドパッドは、前記貫通孔を介して、前記被覆層の表面に露出する、
ことを特徴とする、
請求項９に記載のリムーバブルメモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リムーバブルメモリカードに関して、人体などの接触による静電気破壊を回避するためのカード構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くのリムーバブルメモリカードは端子が露出している。そのため、取り扱い時において使用者の指先等が端子に接触することがある。その際、使用者の体内に静電気が溜まっていると、端子につながっているリムーバブルメモリカード内のＬＳＩが静電気破壊を起こす可能性がある。
【０００３】
このため、例えば図１７、図１８（図１７のＡ−Ｂ線断面図）に示すリムーバブルメモリカードでは、その端子３１ｂに直接繋がるＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路に、静電気除去用のダイオードを接続することが一般的に行われる。この構造では、静電気がリムーバブルメモリカードに侵入すると、静電気はダイオードを経由してグランドや電源などの安定電位にバイパスされる。これによりＬＳＩ６０が保護される。
【０００４】
また、その他の従来技術として、特許文献１に開示されたものがある。その技術を用いたリムーバブルメモリカードを、図１９、図２０に示す。図１９はリムーバブルメモリカードの斜視図であり、図２０は、図１９のII―II線断面図である。図１９において、リムーバブルメモリカードの端子３１は、切り込み５１の入ったエラストマ層５により被覆されており、読み取り器に接続していない場合は、エラストマ層５の弾性により切り込み５１は閉塞している。リムーバブルメモリカードが読み取り器に接続する場合は、図２０で示されるように、読み取り器の接点６がエラストマ層５の切れ込み５１に入り込んで、端子３１と接触して接続する。これにより、読み取り器からリムーバブルメモリカードを抜いた際において端子に指先等が接触することが防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６０−１５３５８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
静電気除去用のダイオードとしては、数ｐＦ、多いものでは１０ｐＦ程度の負荷容量を有するものが必要となる。しかしながら、このような大きな負荷容量を備えたダイオードを設けると、伝送線路においてインピーダンスの不整合を引き起こす。従前のリムーバブルメモリカードにおける伝送レートは数１０Ｍｂｐｓ/ｃｈ程度と比較的低速であったため、静電気除去用ダイオードを設けたとしても、その負荷容量による伝送線路のインピーダンス不整合はあまり問題とはならなかった。しかしながら、昨今のリムーバブルメモリカードの記憶容量は数ギガバイトにもなっており、今後さらに記憶容量の拡大が予想される。それに伴いリムーバブルメモリカードの伝送レートの高速化も進んでいる。このような状況下においては、静電気除去用のダイオードの負荷容量が伝送レートの高速化の阻害要因となりつつある。
【０００７】
さらには、上記従来技術を適用するためには、エラストマ層５を張り付ける領域を広く確保することが必要となる。しかしながら、リムーバブルメモリカードの記憶容量を拡大するためには、リムーバブルメモリカード内におけるフラッシュメモリの実装面積を広く確保する必要があり、そのことは、エラストマ層５の設置より優先される。そのため、エラストマ層５を十分に広い領域に張り付けことできずに剥がれてしまう可能性が高い。
したがって、本発明の主たる目的は、内部回路を保護と高速信号伝送とを両立させたリムーバブルメモリカードの構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために本発明のリムーバブルメモリカードは、高速信号を伝送する端子（この端子は第一の端子に相当する）を、低速信号を伝送端子や電源・グランド端子（これらの端子は第二の端子に相当する）よりも低くなるような構造とする。
【０００９】
本構成によって、人体などの静電気帯電体がリムーバブルメモリカードと接触する場合、静電気帯電体は、第一の端子（高速信号を伝送する端子）よりも先に第二の端子（低速信号を伝送する端子や電源・グランド端子）に接触する。そのため、静電気帯電体に溜まった静電気を第二の端子側に流すことができる。従って第一の端子（高速信号を伝送する端子）に繋がるＬＳＩのＩ/Ｏ回路部分やバイパス線路に負荷容量の大きな静電気除去用ダイオードを実装する必要がなくなる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のリムーバブルメモリカードによれば、信号用端子（第一の端子）に繋がる伝送路のインピーダンス不整合の緩和と、静電気保護性能の維持を両立できるため、リムーバブルメモリカードの伝送速度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１に係るリムーバブルメモリカードの一例を示した図である。
【図２】図１の断面の一例を示した図である。
【図３】静電気破壊を抑制するための構成図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るリムーバブルメモリカードの一例を示した図である。
【図５】図４の断面の一例を示した図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係るリムーバブルメモリカードの一例を示した図である。
【図７】図６の断面の一例を示した図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係るリムーバブルメモリカードの一例を示した図である。
【図９】図８の断面の一例を示した図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係るリムーバブルメモリカードの一例を示した図である。
【図１１】図１０の断面の一例を示した図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係るリムーバブルメモリカードの一例を示した図である。
【図１３】図１２の断面の一例を示した図である。
【図１４Ａ】本発明の第一の変形例を示す斜視図である。
【図１４Ｂ】本発明の第二の変形例を示す斜視図である。
【図１４Ｃ】本発明の第三の変形例を示す斜視図である。
【図１５】第一〜第三の変形例の効果の説明に供する断面図である。
【図１６】本発明の第四の変形例を示す断面図である。
【図１７】リムーバブルメモリカードの静電気破壊の抑制に関する従来技術を示した図である。
【図１８】図１７の断面図を示した図である。
【図１９】リムーバブルメモリカードの静電気破壊の抑制に関する従来技術を示した図である。
【図２０】図１９の断面図を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるリムーバブルメモリカードの一例を示す斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ｂ線断面図である。本実施の形態のリムーバブルメモリカードは、プリント基板３を備え、プリント基板３の端子形成面３ａには、外部にあるホスト機器と接続するための端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃが設けられる。端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃは、端子形成面３ａの端部に設けられた端子設置部３ｂに配置される。プリント基板３には、半田バンプ３５などを介してＬＳＩ６０が実装される。ＬＳＩ６０は、外部のホスト機器（図示省略）からのデータＲＥＡＤ/ＷＲＩＴＥ等の要求に応じて、リムーバブルメモリカード１内に実装されるフラッシュメモリ（図示せず）からのデータの読み出しや書き込みを制御する。ＬＳＩ６０と端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃとは、プリント基板３内のビア３３や配線３２を介して接続される。以上の構成を備えたプリント基板３は硬質ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）などのシート４により覆われる。
【００１４】
端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃは、電源・グランド端子３１ａと、低速信号用端子３１ｂと、高速信号用端子３１ｃとからなる。本実施の形態では、高速信号用端子３１ｃから第一の端子が構成され、電源・グランド端子３１ａと低速信号用端子３１ｂとから第二の端子が構成される。また、本実施の形態のリムーバブルメモリカード１では、図３に示すように、第一、第二のバイパス線路６３Ａ、６３Ｂが設けられる。第二のバイパス線路６３Ｂは、低速信号用端子３１ｂに侵入する静電気を、ＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路６１に入力させることなく、第二のダイオード６２Ｂを介して安定電位（電源または設置電位）に落とす線路である。第一のバイパス線路６３Ａは、高速信号用端子３１ｃに侵入する静電気を、ＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路６１に入力させることなく、第一のダイオード６２Ａを介して安定電位（電源または設置電位）に落とす線路である。第二のバイパス線路６Ｂに設けられる第二のダイオード６２Ｂとして、耐圧が十分高く負荷容量の大きいダイオードが設置される。一方、第一のバイパス線路６３Ａに設けられる第一のダイオード６２Ａとして、負荷容量の小さいダイオードが設置される。
【００１５】
低速信号用端子３１ｂに外部（ホスト機器等）から入力される信号の伝送レートは、数１０Ｍｂｐｓ/ｃｈ程度と比較的低速であるのに対して、高速信号用端子３１ｃに外部（ホスト機器等）から入力される信号の伝送レートは、数ギガｂｐｓ/ｃｈ程度と高速である。
【００１６】
本実施の形態は、これら端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃの厚みに特徴がある。すなわち、電源・グランド端子３１ａの厚みと低速信号用端子３１ｂの厚みとを、高速信号用端子３１ｃの厚みより厚くする。これを実現するために、例えば、めっきに工夫を加える。具体的には、端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃの表面はめっき加工されるが、高速信号用端子３１ｃ（第一の端子）に比べて低速信号用端子３１ｂと電源・グランド端子３１ａ（第二の端子）のめっきを厚くすることで、上記端子厚みの差異、つまり、上記端子における設置高さ位置、さらには端子表面の高さ位置に高低（段差ｅ）を設ける。
【００１７】
この構成により、体内に静電気が溜まった状態の使用者の指先等が、リムーバブルメモリカード１を操作するために端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃに接触したとしても、その指先等は、厚みの厚い低速信号用端子３１ｂに最初に接触する。そのため、使用者の体内に溜まった静電気は低速信号用端子３１ｂを介して、第二のバイパス線路６３Ｂに設けられた第二のダイオード６２Ｂに流れ込み、そのうえでさらに第二のダイオード６２Ｂを介して安定電位（電源電位や接地電位）に放出される。もしくは、静電気は、電源・グランド用端子３１ａを介して安定電位に放出される。これによりＬＳＩ６０のＩ/Ｏ回路６１が保護される。
【００１８】
ここで、低速信号用端子３１ｂを介して行われる信号伝送は低速であるので、該伝送路においてインピーダンス不整合は大きな問題とはならない。一方、高速信号用端子３１ｃを介して行われる信号伝送は高速であるので、該伝送路においてインピーダンス不整合は大きな問題となる。このことを考慮して、本実施の形態では、前述したように、以下の構成を備える。すなわち、低速信号用端子３１ｂが接続される第二のバイパス線路６３Ｂには、耐圧が十分高く、負荷容量の大きい第二のダイオード６２Ｂが設けられる。一方、高速信号用端子３１ｃが接続される第一のバイパス線路６２Ａには、耐圧が下げられ負荷容量が小さい第一のダイオード６２Ａが設けられる。これにより、高速信号用端子３１ｃが繋がる伝送路におけるインピーダンスの整合性を維持した状態で、静電気の侵入を阻止することが可能となる。
【００１９】
なお、図４、図５に示すように、低速信号用端子３１ｂを、端子配列方向に沿ってリムーバブルメモリカード１のカード端側に配置し、高速信号用端子３１ｃを、リムーバブルメモリカードの中央側に配置することで、指先等の人体が高速信号用端子３１ｃに接触することをさらに困難にさせることができる。これにより、ＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路（高速信号用Ｉ/Ｏ回路）を静電気から保護する効果がより一層向上する。ここで、リムーバブルメモリカード１における端子配列方向とは、図４におけるａ−ｂ方向と、ｃ−ｄ方向との両方を含む。
【００２０】
また、図６、図７に示すように、隣接する低速信号用端子３１ｂと高速信号用端子３１ｃとの間に、周囲より高さ寸法が大きくてプリント基板３の上方に突出する仕切り７０を設けることで、指先等の人体が高速信号用端子３１ｃに接触することをさらに困難にさせることができる。これによって、ＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路（高速信号用Ｉ/Ｏ回路）を静電気から保護する効果がさらに向上する。なお、仕切り７０は、例えばリムーバブルメモリカードの外皮である硬質ＰＶＣなどのシート４を変形させて構成することができる。
【００２１】
（実施の形態２）
図８は、本発明の実施の形態２における、リムーバブルメモリカードの一例を示す斜視図であり、図９は、図８のＡ−Ｂ線断面図である。なお、図９のＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路は図３と同様の構成であるので図示は省略する。本実施の形態のリムーバブルメモリカードは、プリント基板３の表面に、外部のホスト機器（図示省略）と接続するための端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃが設けられる。プリント基板３には、ホスト機器からのデータＲＥＡＤ/ＷＲＩＴＥ等の要求に応じ、リムーバブルメモリカード内に実装されるフラッシュメモリ（図示せず）からのデータの読み出しや書き込みを制御するＬＳＩ６０が半田バンプ３５などを用いて実装される。
【００２２】
端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃとＬＳＩ６０とは、プリント基板３内のビア３３や配線３２を介して接続され、端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、ＬＳＩ６０、フラッシュメモリ（図示せず）等を実装したプリント基板３は、硬質ＰＶＣなどのシート４により覆われる。
【００２３】
本実施形態の特徴は、図９に示すようにホスト機器と接続するための端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃのうち、低速信号用端子３１ｂや電源・グランド端子３１ａはプリント基板３の表層側に設けられ、高速信号用端子３１ｃはプリント基板３の内層側に設けられる。つまり、端子３１ｂ、３１ａの表面の高さ位置と端子３１ｃの表面の高さ位置との間に段差ｅが設けられる。このような段差ｅを設けるために、本実施の形態は次の構成を備える。すなわち、低速信号用端子３１ｂや電源・グランド端子３１ａの下側に位置するプリント基板３の部位（第二の端子設置部３ｂ2）においては、プリント基板３の表層３ｃが他の部位におけるプリント基板３の表層３ｃと同じ位置に設けられるのに対して、高速信号用端子３１ｃの下側に位置するプリント基板３の部位（第一の端子設置部３ｂ1）においては、表層３ｃが選択的に削除される。このようなプリント基板３の表層３ｃの選択的除去により、第二の端子設置部３ｂ2は、第一の端子設置部３ｂ1より高さ位置が高くなり、これにより、段差ｅが形成される。
【００２４】
この構成により端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃに、指先等の人体が接触する場合、人体は、電源・グランド端子３１ａや低速信号用端子３１ｂに最初に接触するようになる。そのため、人体に溜まった静電気はこれらの端子３１ａ、３１ｂを介して第二のバイパス線路６３Ｂに設けられた第二のダイオード６２に流れ込み、そのうえでさらに第二のダイオード６２を介して安定電位に放出される。もしくは、静電気は、電源・グランド端子３１ａを介して安定電位に放出される。これによりＬＳＩ６０のＩ/Ｏ回路６１が保護される。
【００２５】
ここで、低速信号用端子３１ｂを介して行われる信号伝送は低速であるので、該伝送路においてインピーダンス不整合は大きな問題とはならない。一方、高速信号用端子３１ｃを介して行われる信号伝送は高速であるので、該伝送路においてインピーダンス不整合は大きな問題となる。このことを考慮して、本実施の形態では、実施の形態１と同様に以下の構成を備える。すなわち、低速信号用端子３１ｂが接続される第二のバイパス線路６３Ｂには、耐圧が十分高く、負荷容量の大きい第二のダイオード６２Ｂが設けられる。一方、高速信号用端子３１ｃが接続される第一のバイパス線路６２Ａには、耐圧が下げられ負荷容量が小さい第一のダイオード６２Ａが設けられる。これにより、高速信号用端子３１ｃが繋がる伝送路におけるインピーダンスの整合性を維持した状態で、静電気の侵入に対して、ＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路（高速信号用Ｉ/Ｏ回路）を保護することが可能となる。
【００２６】
なお、図１０、図１１に示すように、低速信号用端子３１ｂを、端子配列方向に沿ってリムーバブルメモリカード１のカード端側に配置し、高速信号用端子３１ｃを、リムーバブルメモリカードの中央側に配置することで、指先等の人体が高速信号用端子３１ｃに接触することをさらに困難にさせることができる。これにより、ＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路（高速信号用Ｉ/Ｏ回路）を静電気から保護する効果がより一層向上する。ここで、リムーバブルメモリカード１における端子配列方向とは、図１０におけるａ−ｂ方向と、ｃ−ｄ方向との両方を含む。
【００２７】
また、図１２、図１３に示すように、隣接する低速信号用端子３１ｂと高速信号用端子３１ｃとの間に、周囲より高さ寸法が大きくてプリント基板３の上方に突出する仕切り７０を設けることで、指先等の人体が高速信号用端子３１ｃに接触することをさらに困難にすることができる。仕切り７０は、例えばリムーバブルメモリカードの外皮である硬質ＰＶＣなどのシート４として形成される。これにより高速信号用端子３１ｃに繋がるＬＳＩ６０内のＩ/Ｏ回路（高速信号用Ｉ/Ｏ回路）を静電気から保護する効果がより一層向上する。
【００２８】
上述した各実施の形態の構成は、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、図１５に示す構成をさらに備えることができる。この変形例の特徴は、シート４の表面に、グランドパッド８０Ａ−８０Ｃを設けたことである。グランドパッド８０Ａ−８０Ｃは、プリント基板３の端子形成面３ａの対向面側に位置するシート面４ａまたはシート端面４ｂに設けられる。さらに、グランドパッド８０Ａ−８０Ｃは、シート端面４ｂに沿いかつ端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃと対向する位置を覆う長さにわたって延出する形状に設けられる。グランドパッド８０Ａ−８０Ｃは、図示はしないが、プリント基板３のアース電位に接続される。
【００２９】
図１４Ａには、シート面４ａにのみパターンが形成されたグラントパッド８０Ａが示され、図１４Ｂには、シート面４ａとシート端面４ｂとにわたって連続するパターンを有するグラントパッド８０Ｂが示され、図１４Ｃには、シート端面４ｂにのみパターンが形成されたグラントパッド８０Ｃが示される。グランドパッド８０Ａ−８０Ｃは、シート面４ａやシート端面４ｂと面一に形成される。グランドパッド８０Ａ−８０Ｃは、導電性材料から構成される。具体的には、導箔（金属箔等）、メッキ層、導電性樹脂層、シート４に金属パッドをインサート成形したもの、ダブルモールド体（導電性樹脂と絶縁性樹脂とを二種混合成型したもの）等からグランドパッド８０Ａ−８０Ｃを構成することができる。
【００３０】
このようなグランドパッド８０Ａ−８０Ｃを設けることにより、図１５に示すように、リムーバブルメモリカード１を使用する際において、使用者の指先α等が端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃに接触するより時間的に前にグランドパッド８０Ａ−８０Ｃに指先α等が接触する可能性が高まる。そのため、静電気帯電体である使用者に溜まる静電気は、グランドパッド８０Ａ−８０Ｃを介してプリント基板３のアース電位に流れやすくなって、端子３１ａ、３１ｂ、３１ｃに静電気がさらに流れにくくなる。これにより静電気保護性能がさらに向上する。なお、図１５では、図１４Ａの構造を例にして、指先等の接触例を説明したが、図１４Ｂ、図１４Ｃの構造においても同様の指先等の接触形態となる。
【００３１】
また、図１６に示すように、グランドパッド８０Ｄをプリント基板３に設けたうえで、グランドパッド８０Ｄをシート４に設けられた貫通孔４ｃを介してシート４の表面に露出させてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明にかかるリムーバブルメモリカードは、高速信号用端子に繋がる伝送路のインピーダンス整合を改善でき、かつ静電気保護性能も維持できるため、リムーバブルメモリカードの伝送速度向上に有用である。
【符号の説明】
【００３３】
１  メモリーカード
３  プリント基板
４  硬質ＰＶＣなどのシート
３１ａ  電源・グランド端子
３１ｂ  低速信号用端子
３１ｃ  高速信号用端子
３２  基板内配線
３３  ビア
３４  ＬＳＩ実装用パッド
３５  半田バンプ
６０ ＬＳＩ
６１  Ｉ／Ｏ回路
６２Ａ  第一のダイオード
６２Ｂ  第二のダイオード
７０  仕切り
【図１】
2010003290.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５】
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【図１６】
2010003290.tif 000020
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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