(57)【要約】【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。【選択図】図１Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１導電型クラッド層と、
上記第１導電型クラッド層上に形成された活性層と、
上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層とを備え、
上記活性層は井戸層と障壁層とを有する量子井戸層であり、
さらに、上記量子井戸層に不純物を拡散させて上記量子井戸層を構成している元素を相互拡散させて形成した光の出射部となる窓構造を有し、
上記第２導電型クラッド層は、少なくとも２つの異なる元素を混合したドーパントが添加されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ素子において、
上記第２導電型クラッド層に添加されている上記ドーパントの複数の元素のうちの少なくとも１つが、上記量子井戸層に拡散させた不純物であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体レーザ素子において、
上記第２導電型クラッド層に添加されている上記ドーパントは、ＺｎとＭｇを混合したドーパントであることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記第２導電型クラッド層のうちの上記活性層の直上の領域の一部にはＺｎが混合されていないことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記第２導電型クラッド層のうちの上記活性層から０.０２μｍ以上かつ０.２μｍ以下の或る箇所までの上記活性層の直上の領域にはドーパントが添加されていないことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記第２導電型クラッド層に添加されている上記ドーパントはＺｎを含んでおり、かつ、上記量子井戸層に拡散させた不純物はＺｎを含んでいることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記第１導電型クラッド層からなる第１の第１導電型クラッド層と、上記活性層からなる第１の活性層と、上記第２導電型クラッド層からなる第１の第２導電型クラッド層と、上記窓構造からなる第１の窓構造とを有する第１の半導体レーザ構造と、
上記第１の半導体レーザ構造とは別の位置で上記半導体基板上に形成されていると共に上記第１の半導体レーザ構造による発光波長とは異なる発光波長を持つ第２の半導体レーザ構造とを少なくとも含む複数の半導体レーザ構造を備え、
上記第２の半導体レーザ構造は、
上記第１導電型クラッド層とは別の位置で上記半導体基板上に形成された第２の第１導電型クラッド層と、
上記第２の第１導電型クラッド層上に形成された第２の活性層と、
上記第２の活性層上に形成された第２の第２導電型クラッド層とを有し、
上記第２の活性層は量子井戸層であり、この第２の活性層による量子井戸層に不純物を拡散させて上記量子井戸層を構成している元素を相互拡散させて形成した光の出射部となる第２の窓構造を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体レーザ素子において、
上記第１の第１導電型クラッド層と上記第２の第１導電型クラッド層の対と、上記第１の活性層と上記第２の活性層の対と、上記第１の第２導電型クラッド層と上記第２の第２導電型クラッド層の対とのうちの少なくとも１つの対において層の組成比または層厚が互いに異なることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体レーザ素子において、
上記各半導体レーザ構造は、量子井戸層をなす活性層に同一の不純物を拡散させて上記量子井戸層を構成している元素を相互拡散させて形成した光の出射部となる窓構造を有し、かつ、上記不純物は、上記各半導体レーザ構造が有する上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層のドーパントをなす複数の元素のうちの少なくとも１つであることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１０】
請求項７から９のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造は、
上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層のドーパントの元素がＺｎとＭｇとを含んでいることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１１】
請求項７から１０のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造では、上記第２導電型クラッド層のうちの上記活性層の直上の領域の一部にはＺｎが混合されていないことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１２】
請求項７から１１のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造では、上記第２導電型クラッド層のうちの上記活性層から０.０２μｍ以上かつ０.２μｍ以下の或る箇所までの上記活性層の直上の領域にはドーパントが添加されていないことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１３】
請求項７から１２のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造では、上記第２導電型クラッド層に添加されているドーパントはＺｎを含んでおり、かつ、
上記複数の半導体レーザ構造のそれぞれが有する活性層である量子井戸層に拡散させた不純物は同一であると共にＺｎを含んでいることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１４】
請求項７から１３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記第１の半導体レーザ構造は、上記第２導電型クラッド層の組成がＧａ、Ａｓ、Ａｌで構成されており、
上記第２の半導体レーザ構造は、上記第２導電型クラッド層がＧａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｌを含む組成で構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体レーザ素子において、
上記第１の半導体レーザ構造は、上記活性層の組成がＧａ、Ａｓを含む元素で構成されており、
上記第２の半導体レーザ構造は、上記活性層の組成がＧａ、Ｉｎ、Ｐを含む元素で構成されており、
上記第１の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層だけにＺｎとＭｇを混合したドーパントが添加されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体レーザ素子において、
上記第２の半導体レーザ構造は、上記第２導電型クラッド層のドーパントをＭｇとしたことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１７】
請求項７から１３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記第１および第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層の組成は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｌを含む元素で構成されており、
上記第１および第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のドーパントはＺｎとＭｇを混合したドーパントであり、かつ、上記第１の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のドーパントにおけるＺｎとＭｇの混合比と、上記第１の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のドーパントにおけるＺｎとＭｇの混合比とが異なっていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１８】
請求項７から１３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記第１および第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層の組成は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｌを含む元素で構成されており、
上記第１の半導体レーザ構造の活性層は、ＧａおよびＡｓを含む元素から構成されており、
上記第２の半導体レーザ構造の活性層は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐを含む元素から構成されており、
上記第１および第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のうちの上記第１の半導体レーザ構造の第２導電型クラッド層にだけＭｇとＺｎを含むドーパントが添加されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１９】
請求項１８に記載の半導体レーザ素子において、
上記活性層がＧａおよびＡｓを含む元素から構成されている第１の半導体レーザ構造が有する上記第１導電型クラッド層がＧａおよびＡｓを含んでいることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２０】
請求項１８に記載の半導体レーザ素子において、
上記活性層がＧａおよびＡｓを含む元素から構成されている第１の半導体レーザ構造の発光波長が７８０ｎｍ帯であり、
上記活性層がＧａ、Ｉｎ、Ｐを含む元素から構成されている第２の半導体レーザ構造の発光波長が６５０ｎｍ帯であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２１】
請求項１８に記載の半導体レーザ素子において、
上記第２の半導体レーザ構造の第２導電型クラッド層のドーパントをＭｇとしたことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２２】
請求項７から２１のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも上記第１、第２の半導体レーザ構造の第１、第２の窓構造は、同じ熱処理の温度で同時に形成されたものであることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２３】
請求項７から２２のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造の発光出力が２００ｍＷ以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２４】
請求項７から２２のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子において、
上記複数の半導体レーザ構造のうちの窓構造を持つ全ての半導体レーザ構造の発光出力が２００ｍＷ以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＣＤおよびＤＶＤなどの光ディスクに記録,再生などを行う光学ピックアップ装置などに用いられ、２つ以上の発光波長をもつ半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスクを用いた記録方式は進化し続けており、それと同時に半導体レーザについても記録に使用される波長帯は変化している。赤外光を使用した記録型のＣＤに始まり、赤色を使用した記録型のＤＶＤや、近年では青色光を使用して大容量のデータを記録できる光ディスクなども普及しつつある。
【０００３】
光ディスクへの記録方式が多様化するなかで、光ディスクのドライブとしても１つのドライブで全ての記録方式を使用できることのニーズが強くあり、また、全ての記録方式でいかに高速に記録できるかが商品の付加価値として重要となっている。
【０００４】
このような要望がある中において、従来、赤外の高出力レーザと赤色の高出力レーザとを別々の半導体レーザ素子で発生する光学系を組んでいたが、この光学系にさらに青色の半導体レーザ素子を加えることになったので、ドライブ側の設計はより難しくなっている。
【０００５】
ところで、近年において、赤外の高出力レーザと赤の高出力レーザを１つのチップで発生させるようにした２波長の高出力半導体レーザ素子が実用化され、普及している。この２波長の高出力レーザ素子によれば、ドライブの設計においても、光学系の簡素化や、部品点数の削減の効果があることにより設計がやり易くなり、品質においても故障の低減が期待されている。
【０００６】
この２波長の高出力半導体レーザ素子は、ドライブの設計の面ではメリットが多いものの、２波長の高出力半導体レーザ素子の設計や製造においては、従来の単波長レーザよりは難しく、特に高出力化を実現するために、赤色レーザ、赤外レーザ共に窓構造を採用して発生させる半導体レーザ素子が見られ、この窓構造を形成するために様々な方法が提示されている(特許文献１(特開２００７−３５６６８号公報)参照)。
【０００７】
また、特許文献２(特開２００６−１３５３６６号公報))には、上記窓構造を形成する方法の１つとして、不純物を拡散して活性層の量子井戸構造を相互拡散させる方法が提示されている。また、別の方法として、イオン注入により活性層の井戸層を拡散させる方法も提案されている。
【０００８】
単波長の半導体レーザにおいて窓構造を形成しようとした場合、不純物を拡散させる温度やイオン注入後のアニール温度に関して、その温度はレーザの特性が劣化しない程度までであれば自由に選択できたが、２波長のレーザの窓構造を形成しなければならなくなると、プロセスが煩雑になる場合があった。
【０００９】
例えば、Ｚｎの不純物拡散によって窓構造を形成する場合には、赤外レーザを発生する場合は活性層およびクラッド層を構成している材料としてＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓが用いられている。一方、赤色レーザを発生する場合は、活性層およびクラッド層を構成している材料としてＡｌＩｎＧａＰやＧａＩｎＰを用いている。そして、ＡｌＧａＡｓ,ＧａＡｓとＡｌＩｎＧａＰ,ＧａＩｎＰではＺｎの拡散速度が１０倍近く異なり、赤色レーザを発生する場合の活性層,クラッド層を構成しているＡｌＩｎＧａＰ,ＧａＩｎＰの材料の方が拡散が早い。
【００１０】
このため、この拡散速度を考慮せずに赤外,赤色のそれぞれのレーザの層構造を設計した場合、１度の熱処理で窓構造を形成しようとすると、赤色レーザの層構造においてＺｎ拡散が過剰となる。Ｚｎが基板まで到達してしまう場合では、電流経路が短絡してしまい、Ｚｎが基板まで到達しない場合でも光の出射端面近傍の結晶が劣化し、窓構造としての機能が損なわれる。
【００１１】
この問題を解決するためには、赤外レーザ,赤色レーザのそれぞれの層構造で最適となるＺｎの不純物拡散の熱処理温度を実施する必要があるが、先に述べた不純物の拡散速度の違いに起因し、窓構造形成処理の条件が同一とならず、赤外レーザ構造用と赤色レーザ構造用とに分けた熱処理を合計２回行う必要がある。この場合の問題点としては、工程が増えることによるコストの増加や、工程の増加と２回の熱処理のばらつき要因による歩留まり低下が懸念されることがある。
【００１２】
前述の特許文献１(特開２００７−３５６６８号公報)には、２つの波長のレーザを出射する半導体レーザ素子の窓構造形成プロセスの問題を解決する方法として、レーザ構造の一部の層の格子定数を調整し、結晶に歪みを持たせ、拡散速度をコントロールする方法が提示されている。また、特許文献３(特開２００６−１００５１７号公報)には、赤色レーザ構造と赤外レーザ構造のコンタクト層の層厚を変えてＺｎ拡散をコントロールする方法が提示されている。また、特許文献２(特開２００６−１３５３６６号公報)には、層構造の中にＡｌＧａＡｓやＧａＡｓの層を挿入し、拡散速度をコントロールする方法が提案されている。
【００１３】
上述のように、赤外レーザと赤色レーザの窓構造形成プロセスの熱処理を同時に行えるような方法が、従来の方法として知られているが、これらの方法には以下に説明する問題がある。
【００１４】
まず、レーザ構造の一部の層について格子定数を調整し、拡散をコントロールする方法については、エピの構造設計の制約や、エピ自体の格子整合の制約などを調整し、特定の層の格子定数を設計する必要がある。したがって、拡散をコントロールするためには、層厚や組成の設計に制約が発生する可能性がある。
【００１５】
また、層構造の中にＡｌＧａＡｓ層やＧａＡｓ層を挿入する場合についても、これらの層は屈折率が赤色レーザ構造のＡｌＩｎＧａＰと異なる。したがって、光学的な設計に制約が起こる可能性がある。また、光の影響を受けない領域に上記ＡｌＧａＡｓ層やＧａＡｓ層を設置する場合においても、元にある設計にＡｌＧａＡｓ層やＧａＡｓ層を挿入することになるので、挿入側のレーザ構造の層厚が厚くなり、非挿入側のレーザ構造と挿入側のレーザ構造との高さを合わせるために、非挿入側のレーザ構造も層厚を厚くする必要がある。
【００１６】
最後に、コンタクト層の層厚を変更して拡散をコントロールする場合においても先述した課題と同様、拡散をコントロールするためにそれぞれのレーザ構造の層厚を調整しなければならず、エピ層厚を最適な厚さよりも厚くせざるを得なくなる。
【００１７】
このエピ層厚が厚くなるデメリットとしては、エピ層厚を厚くすることによる材料費の増加や、結晶成長装置の稼働時間の増加があり、特性面では層厚が厚くなることによる抵抗値の増大や、放熱の問題が挙げられる。また、プロセス上の問題としては、層厚が厚くなることにより、Ｚｎを拡散させる距離の増大や、エッチングプロセスでのエッチング深さの増大がある。
【００１８】
すなわち、これらのプロセス上のばらつきのパーセンテージが同じだとしても、層厚の増加分だけ、実際のばらつきは大きくなってしまう。例えば、エッチング深さの面内ばらつきが５％である場合、エッチング深さ１μｍの場合のばらつきは５０ｎｍだが、エッチング深さが１.２μｍになるとばらつきが６０ｎｍに増えてしまう。
【特許文献１】特開２００７−３５６６８号公報
【特許文献２】特開２００６−１３５３６６号公報
【特許文献３】特開２００６−１００５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
そこで、本発明は、活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記課題を解決するため、この発明の半導体レーザ素子は、半導体基板上に形成された第１導電型クラッド層と、
上記第１導電型クラッド層上に形成された活性層と、
上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層とを備え、
上記活性層は井戸層と障壁層とを有する量子井戸層であり、
さらに、上記量子井戸層に不純物を拡散させて上記量子井戸層を構成している元素を相互拡散させて形成した光の出射部となる窓構造を有し、
上記第２導電型クラッド層は、少なくとも２つの異なる元素を混合したドーパントが添加されていることを特徴としている。
【００２１】
この発明の半導体レーザ素子によれば、上記第２導電型クラッド層は、拡散のし易さが異なる少なくとも２つの異なる元素を混合したドーパントが添加されているので、この少なくとも２つの元素の混合比を調整することで、上記活性層(量子井戸層)への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。すなわち、上記窓構造を形成する際の上記不純物の拡散のし易さは、上記第２導電型クラッド層にドープされているドーパントにより変わってくる。
【００２２】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第２導電型クラッド層に添加されている上記ドーパントの複数の元素のうちの少なくとも１つが、上記量子井戸層に拡散させた不純物である。
【００２３】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第２導電型クラッド層に添加されている上記ドーパントの上記不純物に相当するドーパント元素量を調整することで、上記不純物の拡散開始時刻を調整できる。
【００２４】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第２導電型クラッド層に添加されている上記ドーパントは、ＺｎとＭｇを混合したドーパントである。
【００２５】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記ドーパントのＺｎとＭｇの混合比を調整することで、上記窓構造を形成する際の上記不純物の振る舞い(拡散し易さ等)をコントロール可能になる。
【００２６】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第２導電型クラッド層のうちの上記活性層の直上の領域の一部にはＺｎが混合されていない。
【００２７】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、活性層へのＺｎの拡散を防止して、レーザ特性への悪影響を防ぐことができる。
【００２８】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第２導電型クラッド層のうちの上記活性層から０.０２μｍ以上かつ０.２μｍ以下の或る箇所までの上記活性層の直上の領域にはドーパントが添加されていない。
【００２９】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記活性層へドーパントが拡散するのを防止できる。なお、上記ドーパントが添加されていない領域が上記活性層から０.２μｍを越える場合は、抵抗が大きくなってレーザ特性へ悪影響が及ぶ恐れがある。また、上記ドーパントが添加されていない領域が上記活性層から０.０２μｍ未満の箇所までの場合には、上記ドーパントの拡散を防止する効果が得られない恐れがある。
【００３０】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第２導電型クラッド層に添加されている上記ドーパントはＺｎを含んでおり、かつ、上記量子井戸層に拡散させた不純物はＺｎを含んでいる。
【００３１】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記窓構造を形成するための不純物であるＺｎが、上記活性層に到達するのに必要な時間が短くなり、上記不純物の拡散を調整できる範囲を広くすることができる。
【００３２】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第１導電型クラッド層からなる第１の第１導電型クラッド層と、上記活性層からなる第１の活性層と、上記第２導電型クラッド層からなる第１の第２導電型クラッド層と、上記窓構造からなる第１の窓構造とを有する第１の半導体レーザ構造と、
上記第１の半導体レーザ構造とは別の位置で上記半導体基板上に形成されていると共に上記第１の半導体レーザ構造による発光波長とは異なる発光波長を持つ第２の半導体レーザ構造とを少なくとも含む複数の半導体レーザ構造を備え、
上記第２の半導体レーザ構造は、
上記第１導電型クラッド層とは別の位置で上記半導体基板上に形成された第２の第１導電型クラッド層と、
上記第２の第１導電型クラッド層上に形成された第２の活性層と、
上記第２の活性層上に形成された第２の第２導電型クラッド層とを有し、
上記第２の活性層は量子井戸層であり、この第２の活性層による量子井戸層に不純物を拡散させて上記量子井戸層を構成している元素を相互拡散させて形成した光の出射部となる第２の窓構造を有する。
【００３３】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第１の半導体レーザ構造におけるドーパントの少なくとも２つの元素の混合比を調整することで、上記第１の半導体レーザ構造の第１の窓構造を形成するための不純物の拡散速度を上記第２の半導体レーザ構造の第２の窓構造を形成するための不純物の拡散速度に近づけることができる。すなわち、この実施形態によれば、不純物拡散の熱処理条件の制約が大きいレーザ素子においてより有効となり、発光波長が異なる複数の半導体レーザ構造を同時に作製することが可能となる。
【００３４】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第１の第１導電型クラッド層と上記第２の第１導電型クラッド層の対と、上記第１の活性層と上記第２の活性層の対と、上記第１の第２導電型クラッド層と上記第２の第２導電型クラッド層の対とのうちの少なくとも１つの対において層の組成比または層厚が互いに異なる。
【００３５】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、発光波長の異なる２つの半導体レーザ構造間で互いに組成比または層厚が異なることで拡散条件の制約が大きくなる場合に、上記２つの半導体レーザ構造間の不純物の拡散条件を近づけることが可能となる。
【００３６】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記各半導体レーザ構造は、量子井戸層をなす活性層に同一の不純物を拡散させて上記量子井戸層を構成している元素を相互拡散させて形成した光の出射部となる窓構造を有し、かつ、上記不純物は、上記各半導体レーザ構造が有する上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層のドーパントをなす複数の元素のうちの少なくとも１つである。
【００３７】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記各半導体レーザ構造において活性層に同一の不純物を拡散させることで拡散条件の制約が大きくなる場合に、上記各半導体レーザ構造間の上記不純物の拡散条件を近づけることが可能となる。
【００３８】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造は、
上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層のドーパントの元素がＺｎとＭｇとを含んでいる。
【００３９】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層のドーパントの元素がＺｎとＭｇとを含んでいることで、上記不純物の拡散条件の調整の範囲が広くなる。
【００４０】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造では、上記第２導電型クラッド層のうちの上記活性層の直上の領域の一部にはＺｎが混合されていない。
【００４１】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記活性層へのＺｎの拡散を防止して、レーザ特性への悪影響を防ぐことができる。
【００４２】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造では、上記第２導電型クラッド層のうちの上記活性層から０.０２μｍ以上かつ０.２μｍ以下の或る箇所までの上記活性層の直上の領域にはドーパントが添加されていない。
【００４３】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記活性層へのドーパントの拡散を防止して、レーザ特性への悪影響を防ぐことができる。
【００４４】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造では、上記第２導電型クラッド層に添加されているドーパントはＺｎを含んでおり、かつ、
上記複数の半導体レーザ構造のそれぞれが有する活性層である量子井戸層に拡散させた不純物は同一であると共にＺｎを含んでいる。
【００４５】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記窓構造を形成するための不純物であるＺｎが上記活性層に到達するのに必要な時間が短くなり、上記不純物の拡散を調整できる範囲を広くすることができる。
【００４６】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第１の半導体レーザ構造は、上記第２導電型クラッド層の組成がＧａ、Ａｓ、Ａｌで構成されており、
上記第２の半導体レーザ構造は、上記第２導電型クラッド層がＧａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｌを含む組成で構成されている。
【００４７】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第１の半導体レーザ構造のＡｓ系の第２導電型クラッド層と上記第２の半導体レーザ構造のＰ系の第２導電型クラッド層とで不純物の拡散速度が１０倍程度異なる。このことで、上記第１,第２の半導体レーザ構造の間で熱処理の条件を同一とするための制約が大きくなるが、このように不純物拡散条件の制約が大きい構造において、上記第１,第２の半導体レーザ構造の間の不純物拡散条件を近づけることが可能となる。
【００４８】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第１の半導体レーザ構造は、上記活性層の組成がＧａ、Ａｓを含む元素で構成されており、
上記第２の半導体レーザ構造は、上記活性層の組成がＧａ、Ｉｎ、Ｐを含む元素で構成されており、
上記第１の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層だけに上記ＺｎとＭｇを混合したドーパントが添加されている。
【００４９】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第１の半導体レーザ構造の上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層のドーパントの元素がＺｎとＭｇとを含んでいることで、上記不純物の拡散条件の調整の範囲が広くなる。
【００５０】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第２の半導体レーザ構造は、上記第２導電型クラッド層のドーパントをＭｇとした。
【００５１】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第１の半導体レーザ構造の上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層のドーパントの元素Ｚｎのみの調整で不純物の拡散条件(熱処理条件)を調整できる。よって、不純物の拡散条件の調整が容易となる。
【００５２】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第１および第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層の組成は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｌを含む元素で構成されており、
上記第１および第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のドーパントはＺｎとＭｇを混合したドーパントであり、かつ、上記第１の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のドーパントにおけるＺｎとＭｇの混合比と、上記第１の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のドーパントにおけるＺｎとＭｇの混合比とが異なっている。
【００５３】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第１,第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のドーパントにおけるＺｎとＭｇの混合比を調整することで、上記不純物の拡散を調整できる範囲を広くすることができる。
【００５４】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第１および第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層の組成は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｌを含む元素で構成されており、
上記第１の半導体レーザ構造の活性層は、ＧａおよびＡｓを含む元素から構成されており、
上記第２の半導体レーザ構造の活性層は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐを含む元素から構成されており、
上記第１および第２の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のうちの上記第１の半導体レーザ構造の第２導電型クラッド層にだけＭｇとＺｎを含むドーパントが添加されている。
【００５５】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第１,第２の半導体レーザ構造のうちの上記第１の半導体レーザ構造の上記第２導電型クラッド層のドーパントにおけるＺｎとＭｇの混合比を調整することで、上記不純物の拡散を調整できる範囲を広くすることができる。
【００５６】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記活性層がＧａおよびＡｓを含む元素から構成されている第１の半導体レーザ構造が有する上記第１導電型クラッド層がＧａおよびＡｓを含んでいる。
【００５７】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記活性層がＧａおよびＡｓを含む元素から構成されている第１の半導体レーザ構造の発光波長が７８０ｎｍ帯であり、
上記活性層がＧａ、Ｉｎ、Ｐを含む元素から構成されている第２の半導体レーザ構造の発光波長が６５０ｎｍ帯である。
【００５８】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、活性層の材料が異なる複数の半導体レーザ構造の不純物の拡散条件(熱処理条件)を調整できるので、より有効となる。
【００５９】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第２の半導体レーザ構造の第２導電型クラッド層のドーパントをＭｇとした。
【００６０】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第１の半導体レーザ構造の上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層のドーパントの元素Ｚｎのみの調整で不純物の拡散条件(熱処理条件)を調整できる。よって、不純物の拡散条件の調整が容易となる。
【００６１】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも上記第１、第２の半導体レーザ構造の第１、第２の窓構造は、同じ熱処理の温度で同時に形成されたものである。
【００６２】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記第１、第２の半導体レーザ構造の第１、第２の窓構造は、同じ熱処理の温度で同時に形成されたものであることで、各窓構造を形成するための熱処理条件により制約が大きくなる場合において、不純物の拡散条件(熱処理条件)を調整できる。
【００６３】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造の発光出力が２００ｍＷ以上である。
【００６４】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、窓構造の形成における熱処理の制約がより厳しくなるので、不純物の拡散条件(熱処理条件)を調整できることがより有効となる。
【００６５】
また、一実施形態の半導体レーザ素子では、上記複数の半導体レーザ構造のうちの窓構造を持つ全ての半導体レーザ構造の発光出力が２００ｍＷ以上である。
【００６６】
この実施形態の半導体レーザ素子によれば、窓構造の形成における熱処理の制約がより厳しくなるので、不純物の拡散条件(熱処理条件)を調整できることがより有効となる。
【発明の効果】
【００６７】
この発明の半導体レーザ素子によれば、活性層上に形成された第２導電型クラッド層は、拡散のし易さが異なる少なくとも２つの異なる元素を混合したドーパントが添加されているので、この少なくとも２つの元素の混合比を調整することで、上記活性層(量子井戸層)への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。すなわち、上記量子井戸層に窓構造を形成する際の上記不純物の拡散のし易さは、上記第２導電型クラッド層にドープされているドーパントにより変わってくる。本発明では、このことを利用して設計上の最適な温度での熱処理温度条件の設定やプロセス上最も効率の良い熱処理温度条件の設定が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００６９】
(第１の実施の形態)
この発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について、図１Ａ〜図１Ｄ,図２Ａ〜図２Ｃ,図３Ａ,図３Ｂを参照して説明する。図１Ａ〜図１Ｄ、および図２Ａ〜図２Ｃは、上記半導体レーザ装置の製造方法を順に示す概略断面図である。
【００７０】
先ず、図１Ａに示すように、有機金属気相成長(ＭＯＣＶＤ)法により、ｎ‐ＧａＡｓ基板１０上に赤外レーザ構造のためのｎ‐ＩｎＧａＰクラッド層１１、量子井戸構造を有する赤外レーザ活性層１２、赤外レーザ構造のためのｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３、ｐ‐ＧａＡｓコンタクト層１４を下から順に積層する。
【００７１】
ここで、ｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３の積層時に、ドーパントとして、ＭｇとＺｎの材料を同時に供給し、ＭｇとＺｎの比率がある特定の比率となるよう積層する。また、上記ｎ‐ＩｎＧａＰクラッド層１１,赤外レーザ活性層１２,ｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３,ｐ‐ＧａＡｓコンタクト層１４が赤外レーザ半導体層をなす。
【００７２】
次に、図１Ｂに示すように、上記赤外レーザ半導体層の一部の領域を除去し、ＧａＡｓ基板１０を露出させ、赤外レーザ構造Ｒ１を形成する。
【００７３】
次に、図１Ｃに示すように、ＭＯＣＶＤ法により、露出された基板１０および、上記赤外レーザ半導体層を覆うように、赤色レーザ構造のためのｎ‐ＡｌＩｎＧａＰクラッド層２１、量子井戸構造を有する赤色レーザ活性層２２、赤色レーザ構造のためのｐ‐ＡｌＩｎＧａＰクラッド層２３、ｐ‐ＧａＡｓコンタクト層２４を下から順に積層する。ここで、ｐ‐ＡｌＩｎＧａＰクラッド層２３の積層時に、ドーパントとして、Ｍｇの材料のみを供給して積層する。また、上記クラッド層２１,赤色レーザ活性層２２,クラッド層２３,コンタクト層２４が赤色レーザ半導体層をなす。
【００７４】
次に、図１Ｄに示すように、赤外レーザ構造Ｒ１を覆う領域上の赤色レーザ半導体層を選択的に除去し、赤色レーザ構造Ｒ２を形成する。
【００７５】
次に、図２Ａに示すように、上記赤外レーザ構造Ｒ１の出射端面近傍領域に在るコンタクト層１４上に不純物の拡散源となるＺｎＯ膜３１を形成し、上記赤色レーザ構造Ｒ２の出射端面近傍領域に在るコンタクト層２４上に不純物の拡散源となるＺｎＯ膜３１を形成する。この場合の拡散させる不純物の元素はＺｎとなる。
【００７６】
さらに、熱処理時の保護膜として、ウェハ全体に誘電体膜３２を積層する。ここで、この誘電体膜３２の材質として、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等が挙げられる。
【００７７】
続いて、熱処理を行い、図２Ｂに示すように、上記ＺｎＯ膜３１による不純物Ｚｎを赤外レーザ構造Ｒ１,赤色レーザ構造Ｒ２をなす半導体層１１〜１４,２１〜２４へ拡散させる。このときの熱処理の条件としては、５００〜６００℃の温度で３０〜１８０分程度の範囲が挙げられる。また、図２Ｂに、Ｚｎの拡散領域Ｓ１,Ｓ２の一例を示している。また、図２ＢのＡ‐Ａ断面を図３Ａに示す。
【００７８】
上記熱処理により、不純物Ｚｎの拡散が進むことで、量子井戸構造を有する活性層１２,２２内部の多層膜を構成する元素においても拡散が進み、この拡散により井戸層のＡｌの組成比が高くなりバンドギャップが広がる。このとき、窓構造を形成するための不純物Ｚｎの拡散の振る舞いは、ｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３,ｐ‐ＡｌＩｎＧａＰクラッド層２３のドーパントにより異なってくる。
【００７９】
ここで、図５に、一比較例として、ｐ‐クラッド層１３のドーパントをＺｎのみとした場合の不純物拡散の温度依存特性Ｋ１と、ｐ‐クラッド層１３のドーパントをＭｇのみとした場合の不純物拡散の温度依存特性Ｋ２とを示す。図５の横軸は不純物Ｚｎを熱処理により拡散させるときの拡散温度であり、図５の縦軸はｎ‐クラッド層１１への拡散距離(μｍ)である。なお、この図５の各特性Ｋ１,Ｋ２において、拡散時間は、２時間で一定とした。
【００８０】
図５の温度依存特性Ｋ１,Ｋ２の如く、特性Ｋ２で示すＭｇドープの場合に比べて、特性Ｋ１で示すＺｎドープの場合の方がより低温で拡散が始まる。一方で、特性Ｋ１で示すＺｎドープの場合の方が、特性Ｋ２で示すＭｇドープの場合に比べて、温度依存の度合がやや緩やかであることが分る。
【００８１】
また、図６に、一比較例として、ｐ‐クラッド層１３のドーパントをＺｎのみとした場合の不純物拡散の温度依存特性Ｋ１１と、ｐ‐クラッド層１３のドーパントをＭｇのみとした場合の不純物拡散の温度依存特性Ｋ１２とを示す。図６の横軸は不純物Ｚｎを熱処理により拡散させるときの拡散時間(分)の平方根の値Ｔであり、図６の縦軸はｎ‐クラッド層１１への拡散距離(μｍ)である。なお、この図６の各特性Ｋ１１,Ｋ１２において、拡散温度は、５３２℃で一定とした。
【００８２】
図６の拡散時間依存特性Ｋ１１,Ｋ１２の如く、特性Ｋ１２で示すＭｇドープの場合に比べて、特性Ｋ１１で示すＺｎドープの場合の方がより早い時間から拡散が始まる。一方で、特性Ｋ１１で示すＺｎドープの場合の方が、特性Ｋ１２で示すＭｇドープの場合に比べて、拡散速度がやや遅いことが分る。
【００８３】
このように、上記ｐ‐クラッド層１３へのドーパント(不純物材料)の違いにより、窓構造を形成するための不純物拡散の振る舞いが異なる。よって、２種類以上の不純物(例えば上記ＺｎとＭｇ)を混合し、ｐ‐クラッド層１３へのドーパントとし、第１の半導体レーザ構造としての赤外レーザ構造Ｒ１における不純物Ｚｎの拡散速度と第２の半導体レーザ構造としての赤色レーザ構造Ｒ２における不純物Ｚｎの拡散速度との違いを縮めるように、上記混合の割合を調整する。これにより、第１の半導体レーザ構造としての赤外レーザ構造Ｒ１と第２の半導体レーザ構造としての赤色レーザ構造Ｒ２とで熱処理条件を同一としても、不純物Ｚｎの拡散深さが同様の窓構造Ｍ１,Ｍ２を作製することが可能になる。
【００８４】
そして、上記窓構造Ｍ１,Ｍ２の形成を完了した後は、図２Ｃに示すように、
保護膜である誘電体膜３２と不純物源であるＺｎＯ膜３１を除去する。図２ＣのＢ‐Ｂ断面を図３Ｂに示す。
【００８５】
次に、図４Ａに示すように、上記赤外レーザ構造Ｒ１,赤色レーザ構造Ｒ２のｐ‐ＧａＡｓコンタクト層１４,２４上に、電流狭窄部形成用マスク３５を形成する。次に、図４Ｂに示すように、エッチングにより電流狭窄部３６、３７を形成する。次に、図４Ｃに示すように、誘電体膜４０を積層し、電極部４１,４２を形成し、窓構造Ｍ１,Ｍ２で劈開し、端面を特定の反射率となるように設定する。
【００８６】
尚、上記実施形態では、第１の半導体レーザ構造としての赤外レーザ構造Ｒ１の第２導電型クラッド層であるｐ‐クラッド層１３の組成をＩｎ,Ｇａ,Ｐを含む元素で構成したが、Ｇａ、Ａｓ、Ａｌを含む元素で構成してもよい。また、上記実施形態では、第２の半導体レーザ構造としての赤色レーザ構造Ｒ２のｐ‐ＡｌＩｎＧａＰクラッド層２３のドーパントをＭｇのみとしたが、ＺｎとＭｇとを混合したドーパントとし、赤色レーザ構造Ｒ２におけるドーパントＺｎとＭｇの混合比と、第１の半導体レーザ構造としての赤外レーザ構造Ｒ１のｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３へのドーパントをＺｎとＭｇの混合比とを異ならせてもよい。また、上記実施形態では、第１の半導体レーザ構造Ｒ１の第２導電型クラッド層であるｐ‐クラッド層１３の組成をＩｎ,Ｇａ,Ｐを含む元素で構成したが、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｌを含む元素で構成してもよい。
【００８７】
また、上記実施形態では、ｎ‐ＧａＡｓ基板１０上に赤外レーザ構造Ｒ１と赤色レーザ構造Ｒ２の２つの半導体レーザ構造を形成したが、３つ以上の半導体レーザ構造を形成してもよい。そして、上記複数の半導体レーザ構造のうちの少なくとも１つの半導体レーザ構造の発光出力を２００Ｗ以上とすることが望ましい。また、上記実施形態では、ｎ‐ＧａＡｓ基板１０上に赤外レーザ構造Ｒ１と赤色レーザ構造Ｒ２の２つの半導体レーザ構造を形成したが、赤外レーザ構造Ｒ１だけを形成してもよい。
【００８８】
また、上記実施形態では、半導体基板上の第１導電型クラッド層をｎ型とし、活性層１２上の第２導電型クラッド層をｐ型としたが、半導体基板上の第１導電型クラッド層をｐ型とし、活性層１２上の第２導電型クラッド層をｎ型としてもよい。
【００８９】
(第２の実施の形態)
次に、図７を参照して、この発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を説明する。
【００９０】
この第２実施形態の製造方法は、赤外レーザ構造Ｒ１の赤外レーザ活性層１２上にｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３を積層する際に、赤外レーザ活性層１２の直上の或る厚さ(例えば０.３μｍ程度)までドーパントとしてＭｇのみを供給し、上記或る厚さを越える領域では、ドーパントとしてＺｎとＭｇを同時に供給する点だけが、前述の第１実施形態と異なる。
【００９１】
図７において、Ｑ１は、赤外レーザ構造Ｒ１のｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３を積層する際にドーパントとしてＭｇだけを供給したＭｇドープ領域であり、Ｑ２は、ｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３を積層する際にドーパントとしてＺｎとＭｇを同時に供給した領域である。
【００９２】
前述の第１実施形態では、ｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３を積層する際に、ＺｎとＭｇを混合しドーパントとして利用することで、窓構造を形成する際の不純物の拡散をコントロールすることを可能としている。
【００９３】
ここで、上記Ｚｎは非常に拡散し易いドーパントであるので、窓構造を形成する時の熱処理でもって、Ｚｎが窓構造の領域以外の活性層に拡散する場合がある。この場合には、温度特性の劣化等によりレーザ特性に悪影響を与える。これを防止するために、この第２実施形態では、あらかじめ赤外レーザ活性層１２の直上にＺｎを含まない領域Ｑ１を設けて、活性層１２へのＺｎの拡散を防ぐものである。
【００９４】
(第３の実施の形態)
次に、図８を参照して、この発明の第３実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を説明する。
【００９５】
この第３実施形態の製造方法は、赤外レーザ構造Ｒ１の赤外レーザ活性層１２上にｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３を積層する際に、活性層１２の直上の或る厚さ(例えば０.１μｍ程度)まではドーパントとなる材料を供給せず(アンドープ)とし、上記或る厚さを越える領域では、ドーパントとしてＺｎとＭｇを同時に供給する点だけが、前述の第１実施形態と異なる。
【００９６】
図８において、Ｑ１１は、赤外レーザ構造Ｒ１のｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３を積層する際にアンドープとした領域であり、Ｑ１２は、ｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３を積層する際にドーパントとしてＺｎとＭｇを同時に供給した領域である。
【００９７】
前述の第２実施形態では、活性層１２上にｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３を積層する際にＺｎが活性層１２へ拡散するのを防ぐために、図７に示す活性層１２の直上の領域Ｑ１においてＺｎを供給せずにＭｇだけを供給した。
【００９８】
これに対し、この第３実施形態では、図８に示す活性層１２の直上の領域Ｑ１１において、ＭｇもＺｎも供給せずアンドープとした。その理由は、窓構造を形成する時の熱処理でもって、Ｚｎほどは拡散し易いものではないものの、Ｍｇについても、窓構造の領域以外の活性層に拡散する場合があるからである。この活性層１２へＭｇが拡散した場合は、Ｚｎの場合と同様、温度特性の劣化等によりレーザ特性に悪影響を与える。
【００９９】
ただし、この第３実施形態によれば、活性層２の直上に存在するドーパントが無い領域Ｑ１１の影響により、素子抵抗が高くなり素子特性に悪影響をあたえる恐れがあるので、上記領域Ｑ１１の厚さを０.２μｍ以下とすることが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１Ａ】この発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１Ｂ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１Ｃ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１Ｄ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２Ａ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２Ｂ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２Ｃ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図３Ａ】図２ＢのＡ‐Ａ断面図である。
【図３Ｂ】図２ＣのＢ‐Ｂ断面図である。
【図４Ａ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４Ｂ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４Ｃ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】不純物拡散の温度依存特性を示す特性図である。
【図６】不純物拡散の拡散時間依存特性を示す特性図である。
【図７】この発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】この発明の第３実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０  ＧａＡｓ基板
１１  ｎ‐ＩｎＧａＰクラッド層
１２  赤外レーザ活性層
１３  ｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層
１４  ｐ‐ＧａＡｓコンタクト層
２１  ｎ‐ＡｌＩｎＧａＰクラッド層
２２  赤色レーザ活性層
２３  ｐ‐ＡｌＩｎＧａＰクラッド層
２４  ｐ‐ＧａＡｓコンタクト層
３１  ＺｎＯ膜
３２  誘電体膜
３５  電流狭窄部形成用マスク
３６、３７  電流狭窄部
Ｒ１  赤外レーザ構造
Ｒ２  赤色レーザ構造
Ｍ１,Ｍ２  窓構造
【図１Ａ】
2010098091.tif 000003
【図１Ｂ】
2010098091.tif 000004
【図１Ｃ】
2010098091.tif 000005
【図１Ｄ】
2010098091.tif 000006
【図２Ａ】
2010098091.tif 000007
【図２Ｂ】
2010098091.tif 000008
【図２Ｃ】
2010098091.tif 000009
【図３Ａ】
2010098091.tif 000010
【図３Ｂ】
2010098091.tif 000011
【図４Ａ】
2010098091.tif 000012
【図４Ｂ】
2010098091.tif 000013
【図４Ｃ】
2010098091.tif 000014
【図５】
2010098091.tif 000015
【図６】
2010098091.tif 000016
【図７】
2010098091.tif 000017
【図８】
2010098091.tif 000018