(57)【要約】【課題】線路間隔を確保したまま相互容量を増大させて共振器間結合をコントロールできるストリップラインフィルタを提供する。【解決手段】ストリップラインフィルタ１の誘電体基板２は矩形平板状である。接地電極２５は基板２の下面に設けられる。第１の共振線路と第２の共振線路は、それぞれ基板２を介して接地電極２５に対向する。入出力電極２６Ａ，２６Ｂは、共振線路のいずれかに結合する。第１の共振線路は、上面線路２０Ａと接続用線路３０Ａと上面線路２０Ｃとから構成される。上面線路２０Ａは、基板２の上面に設けられ、上面線路２０Ｂの左側面側に隣接する位置を通る。接続用線路３０Ａと上面線路２０Ｃとは、上面線路２０Ａから分岐して上面線路２０Ｂの右側面側に隣接する位置を通る。【選択図】図３
2010098406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形平板状の誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に設けられた接地電極と、前記誘電体基板を介して前記接地電極に対向して共振器を構成する複数の共振線路と、前記複数の共振線路のいずれかに結合する入出力電極と、を備えるストリップラインフィルタであって、
前記複数の共振線路のうちの第１の共振線路は、
前記誘電体基板の上面に設けられ、第２の共振線路に隣接する主線路部と、
前記主線路部から分岐して、前記主線路部とは逆側で前記第２の共振線路に隣接する分岐部と、を備える、ストリップラインフィルタ。
【請求項２】
比誘電率が前記誘電体基板よりも小さく、前記誘電体基板の上面に積層される絶縁層を備え、
前記分岐部は、
前記誘電体基板の上面に設けられ、前記主線路部とは逆側で前記第２の共振線路に隣接する副線路部と、前記絶縁層に前記誘電体基板から離間して設けられ前記主線路部と前記副線路部とに接続される接続部と、を備える、
請求項１に記載のストリップラインフィルタ。
【請求項３】
前記副線路部と前記主線路部とを、前記第２の共振線路の開放端に隣接させ、それぞれの開放端の方向を揃えて配置した、請求項２に記載のストリップラインフィルタ。
【請求項４】
前記接続部は、前記第２の共振線路に直交する方向に延設された位置で、前記絶縁層を介して前記第２の共振線路に対向する、請求項２または３に記載のストリップラインフィルタ。
【請求項５】
前記主線路部で前記入出力電極との外部結合を得る、請求項１〜４のいずれかに記載のストリップラインフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、誘電体基板にストリップラインを設けたストリップラインフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
ストリップライン型の共振器を誘電体基板に設けたストリップラインフィルタが様々な分野で利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ここで従来のストリップラインフィルタの等価回路例を説明する。図１は特許文献１を参考にした従来例のマイクロストリップラインフィルタ１０１の等価回路図である。
【０００４】
マイクロストリップラインフィルタ１０１は、２段の１／４波長ストリップライン共振器をコムライン結合させ、各１／４波長ストリップライン共振器を外部結合容量C01で入出力端子に外部結合させたフィルタである。ここで、各１／４波長ストリップライン共振器は、開放端側と短絡端側で線路間隔が変化するステップドインピーダンス構造を取り、開放端側での線路間隔と短絡端側での線路間隔との調整により、開放端側での相互容量と短絡端側での相互容量とを変化させ、共振器間結合をコントロールしている。
【特許文献１】特開平７−３１２５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来例のストリップラインフィルタで広帯域のフィルタ特性を実現するには、開放端側の線路間隔を狭くして共振器間結合を強化する必要が有る。しかしながら、電極の形状精度には限界があり、また、線路間隔を狭くすると寸法ばらつきによる特性ばらつきが増加するため、取り得る相互容量の設定値には上限があり、共振器間結合の強化には限界があった。
【０００６】
そこで本発明は、線路間隔を確保したまま相互容量を増大させて共振器間結合をコントロールできるストリップラインフィルタの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明のストリップラインフィルタは、誘電体基板、接地電極、複数の共振線路、入出力電極を備える。誘電体基板は矩形平板状である。接地電極は誘電体基板の下面に設けられる。各共振線路は誘電体基板を介して接地電極に対向して共振器を構成する。入出力電極は、複数の共振線路のいずれかに結合する。ここで、複数の共振線路のうちの第１の共振線路は、主線路部と分岐部とを備える。主線路部は、誘電体基板の上面に設けられ、第２の共振線路に隣接する。分岐部は、主線路部から分岐して、主線路部とは逆側で第２の共振線路に隣接する。
【０００８】
この構成では、第1の共振線路と第２の共振線路との間の相互容量に、第1の共振線路の分岐部と第２の共振線路との間の容量を付加できる。これにより、線路間隔を狭めなくても、相互容量を増大させて共振器間結合をコントロールできる。
【０００９】
ストリップラインフィルタは、比誘電率が前記誘電体基板よりも小さく、誘電体基板の上面に積層される絶縁層を備えてもよい。この場合、分岐部は副線路部と接続部とを備えると好適である。副線路部は、誘電体基板の上面に設けられ、主線路部とは逆側で第２の共振線路に隣接する。接続部は、絶縁層に誘電体基板から離間して設けられ主線路部と副線路部とに接続される。
【００１０】
この構成では、絶縁層によって共振線路の機械的保護および耐環境性改善を実現できる。また、接続部を比誘電率が小さい絶縁層に設けることで、接続部が結合に及ぼす影響を抑えることができ、その上、副線路部の配置の自由度を高められる。
【００１１】
副線路部と主線路部とを、第２の共振線路の開放端に隣接させ、それぞれの開放端の方向を揃えて配置すると好適である。
【００１２】
この構成により、一種のステップドインピーダンス構造でコムライン結合するフィルタを構成することができ、広帯域、且つ、減衰極を設けたフィルタ特性を実現できる。
【００１３】
接続部は、第２の共振線路に直交する方向に延設された位置で、絶縁層を介して第２の共振線路に対向すると好適である。
【００１４】
この構成により、接続部と第２の共振線路との対向面積を最小にでき、接続部が結合に及ぼす影響を最小にできる。
【００１５】
主線路部で入出力電極との外部結合を得ると好適である。
【００１６】
この構成により、コムライン結合の場合は通過帯域低域側に減衰極を形成することができ、副線路部で入出力電極との結合を得る場合よりも大きな減衰量を得ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、分岐部と第２の共振線路との間の容量を相互容量に付加でき、線路間隔を狭めなくても、相互容量を増大させて共振器間結合をコントロールできる。そのため、共振器間の結合を強めることで広帯域なフィルタ特性の実現が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
まず、本発明の第１実施形態のストリップラインフィルタを説明する。
【００１９】
本実施形態のストリップラインフィルタは、ＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）通信のHighBand用帯域通過フィルタである。図２は、本実施形態のストリップラインフィルタ１の展開図である。
【００２０】
ストリップラインフィルタ１の正面には側面線路１１Ａ，１１Ｂを備える。背面には側面線路１２Ａ，１２Ｂを備える。左側面には側面線路１３を備える。右側面には側面線路１４を備える。実装面となる下面には接地電極２５と入出力電極２６Ａ，２６Ｂを備える。接地電極２５と入出力電極２６Ａ，２６Ｂとは離間して形成していて、ストリップラインフィルタ１を実装基板に実装する際には、入出力電極２６Ａ，２６Ｂに高周波信号入出力端子が接続され、共振器のグランド面である接地電極２５に実装基板の接地電極が接続される。接地電極２５、入出力電極２６Ａ，２６Ｂ、および、側面線路１１Ａ，１１Ｂ，１２Ａ，１２Ｂ，１３，１４は、それぞれ厚み約１２μｍの銀電極であり、スクリーンマスク又はメタルマスクを用いて非感光性の銀ペーストを塗布し、焼成してなる。
【００２１】
図３は、ストリップラインフィルタ１の上面側分解斜視図である。
【００２２】
ストリップラインフィルタ１は、下面から順に誘電体基板２、ガラス層３、ガラス層４を積層している。
【００２３】
誘電体基板２は酸化チタン等からなる比誘電率が約１１１の矩形平板状のセラミック焼結基板である。基板２は、上面に２段の共振器を構成する上面線路２０Ａ〜２０Ｄを備える。上面線路２０Ａ〜２０Ｄは厚み約４μｍの銀電極であり、基板２に感光性銀ペーストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスによりパターン形成し、焼成してなる。これらの電極を感光性銀電極とすることによって、電極の形状精度を高めてＵＷＢ通信に利用可能なストリップラインフィルタとしている。また、側面や下面の電極厚みを上面線路２０Ａ〜２０Ｄの電極厚みより厚いものにすることで、一般に電流集中が生じる共振器の接地端側の部位での電流を分散させ、導体損を低減している。
【００２４】
この基板２の下面には接地電極２５と入出力電極２６Ａ，２６Ｂとを備える。基板２の正面には側面線路１１Ａ，１１Ｂを構成する側面線路２１Ａ，２１Ｂを備える。この側面線路２１Ａ，２１Ｂは上面側端部で上面線路２０Ａ，２０Ｂに接続し、下面側端部で接地電極２５に接続している。背面には側面線路１２Ａ，１２Ｂを構成する側面線路２２Ａ，２２Ｂを備える。この側面線路２２Ａ，２２Ｂは下面側端部で接地電極２５に接続している。左側面には側面線路１３を構成する側面線路２３を備える。この側面線路２３は下面側端部で入出力電極２６Ａに接続している。右側面には側面線路１４を構成する側面線路２４を備える。この側面線路２４は下面側端部で入出力電極２６Ｂに接続している。
【００２５】
ガラス層３は厚み約２０μｍで、誘電体基板２の上面に積層している。ガラス層３の上面には外部結合用線路３０Ｃ，３０Ｄと接続用線路３０Ａ，３０Ｂとを備える。正面には側面線路１１Ａ，１１Ｂを構成する側面線路３１Ａ，３１Ｂを備える。背面には側面線路１２Ａ，１２Ｂを構成する側面線路３２Ａ，３２Ｂを備える。左側面には側面線路１３を構成する側面線路３３を備える。この側面線路３３は上面側端部で外部結合用線路３０Ｃに接続している。右側面には側面線路１４を構成する側面線路３４を備える。この側面線路３４は上面側端部で外部結合用線路３０Ｄに接続している。
【００２６】
ガラス層４は遮光性を有し、厚み約２０μｍでガラス層３の上面に積層している。ガラス層４の正面には側面線路１１Ａ，１１Ｂを構成する側面線路４１Ａ，４１Ｂを備える。背面には側面線路１２Ａ，１２Ｂを構成する側面線路４２Ａ，４２Ｂを備える。左側面には側面線路１３を構成する側面線路４３を備える。右側面には側面線路１４を構成する側面線路４４を備える。
【００２７】
ここで、基板２の上面に設けた上面線路２０Ａは、側面線路２１Ａとの接続位置から左側面と背面に沿って延設し、基板中央付近から基板正面側に折り返し、Ｕ字形状に構成している。上面線路２０Ｂは、側面線路２１Ｂとの接続位置から右側面と背面に沿って延設し、基板中央付近から基板正面側に折り返し、Ｕ字形状に構成している。上面線路２０Ｃ，２０Ｄは基板中央付近で基板背面側から基板正面側に延設し、Ｉ字形状に構成している。
【００２８】
ガラス層３の上面に設けた接続用線路３０Ａは直線状に延設していて、上面線路２０Ａの基板中央付近の端部から基板背面側に離れた位置に左側面側端部が対向し、上面線路２０Ｃの基板背面側の端部に右側面側端部が対向する。この接続用線路３０Ａは、ガラス層３の層内に形成したビアホール３５Ｃ，３５Ｄを介して上面線路２０Ａ，２０Ｃに接続している。
【００２９】
接続用線路３０Ｂは湾曲する形状で延設していて、上面線路２０Ｂの基板中央付近の端部から基板背面側に離れた位置に右側面側端部が対向し、上面線路２０Ｄの基板背面側の端部に左側面側端部が対向する。この接続用線路３０Ｂは、ガラス層３の層内に形成したビアホール３５Ｅ，３５Ｆを介して上面線路２０Ｂ，２０Ｄに接続している。
【００３０】
外部結合用線路３０Ｃは、側面線路３３との接続位置から上面線路２０Ａの開放端に対向する位置まで延設し、ガラス層３の層内に形成したビアホール３５Ａを介して上面線路２０Ａに接続している。
【００３１】
外部結合用線路３０Ｄは、側面線路３４との接続位置から上面線路２０Ｂの開放端に対向する位置まで延設し、ガラス層３の層内に形成したビアホール３５Ｂを介して上面線路２０Ｂに接続している。
【００３２】
したがって、上面線路２０Ａと上面線路２０Ｃとは、ガラス層３の上面に設けた接続用線路３０Ａを介して接続され、側面線路２１Ａとともに一体の１／４波長共振線路を構成する。また、上面線路２０Ｂと上面線路２０Ｄとは、ガラス層３の上面に設けた接続用線路３０Ｂを介して接続され、側面線路２１Ｂとともに一体の１／４波長共振線路を構成する。上面線路２０Ａ，２０Ｃの構成する共振線路と入出力電極２６Ａとの外部結合が、外部結合用線路３０Ｃを介したタップ接続により実現され、上面線路２０Ｂ，２０Ｄの構成する共振線路と入出力電極２６Ｂとの外部結合が、外部結合用線路３０Ｄを介したタップ接続により実現される。
【００３３】
この構成では、上面線路２０Ｄの基板正面側端部、上面線路２０Ａの基板中央付近の端部、上面線路２０Ｂの基板中央付近の端部、上面線路２０Ｃの基板正面側端部を、基板正面側に向けて方向を揃えている。したがって、各共振線路はコムライン結合しストリップラインフィルタ１のフィルタ特性に減衰極を設けることができる。
【００３４】
また、上面線路２０Ｄの基板正面側端部、上面線路２０Ａの基板中央付近の端部、上面線路２０Ｂの基板中央付近の端部、上面線路２０Ｃの基板正面側端部を、この順に左側面から右側面にかけて配列している。したがって、上面線路２０Ａの両側に、単一の共振線路を構成する上面線路２０Ｂと上面線路２０Ｄとが配置され、上面線路２０Ｂの両側に、単一の共振線路を構成する上面線路２０Ａと上面線路２０Ｃとが配置される。すなわち、上面線路２０Ａは本発明の主線路部に相当し、接続用線路３０Ａと上面線路２０Ｃとは本発明の分岐部に相当し、接続用線路３０Ａは本発明の接続部に相当し、上面線路２０Ｃは本発明の副線路部に相当する。また、上面線路２０Ｂは本発明の主線路部に相当し、接続用線路３０Ｂと上面線路２０Ｄとは本発明の分岐部に相当し、接続用線路３０Ｂは本発明の接続部に相当し、上面線路２０Ｄは本発明の副線路部に相当する。これにより、このストリップラインフィルタ１はコムライン結合する２本のステップドインピーダンス構造の共振線路として機能し、かつ上面線路２０Ａ〜２０Ｄそれぞれの線路間隔を狭めなくても、主線路部（上面線路２０Ａ，２０Ｂ）の両側で開放端側の相互容量を確保できるため、大きな相互容量が得られる。したがって、ｏｄｄモードの共振周波数がｅｖｅｎモードの共振周波数よりも低くなって各共振線路の容量性結合が強まり、このストリップラインフィルタ１のフィルタ特性を広帯域なものに設定できる。
【００３５】
なお、ガラス層３，４を誘電体基板２に積層することで、誘電体基板２上面の電極パターン、および、ガラス層３上面の電極パターンの機械的保護、耐環境性を確保している。これらのガラス層３，４は比誘電率が誘電体基板２よりも小さく、本発明の絶縁層を構成している。このため、接続用線路３０Ａ，３０Ｂが上面線路２０Ａ〜２０Ｄに対向しても、そこでは殆ど容量が生じず、上面線路２０Ａ〜２０Ｄの線路間隔の調整のみにより開放端側の相互容量を容易に設定できる。
【００３６】
ここで、上面線路２０Ｃ，２０Ｄおよび接続用線路３０Ａ，３０Ｂを設けない比較構成のストリップラインフィルタ１０２と、本構成のストリップラインフィルタ１とのフィルタ特性の比較を行う。
【００３７】
図４（Ａ）は比較構成のストリップラインフィルタ１０２の上面図である。ここでは、ストリップラインフィルタ１０２の外部結合用線路の接続位置を調整して、フィルタ特性におけるリターンロスを、ストリップラインフィルタ１と略等しくしている。
【００３８】
共振線路間結合係数を算出した結果、ストリップラインフィルタ１での共振線路間結合係数が約５２．４％、ストリップラインフィルタ１０２での共振線路間結合係数が約２３．７％であり、本構成では比較構成よりも共振線路間結合係数を２倍以上にできたことが確認された。
【００３９】
これにより、本構成では比較構成よりもフィルタ特性を広帯域化できることがわかる。図４（Ｂ）は、比較構成のストリップラインフィルタ１０２と、本構成のストリップラインフィルタ１とのフィルタ特性をシミュレーションした結果を説明する図である。
【００４０】
シミュレーションの結果、ストリップラインフィルタ１での通過帯域が約６〜１０．５ＧＨｚ、ストリップラインフィルタ１０２での通過帯域が約８．７〜１０．５ＧＨｚであり、本構成では比較構成よりもフィルタ特性を広帯域化できたことが確認された。
【００４１】
なお、側面線路１２Ａ，１２Ｂは、上面線路２０Ａ〜２０Ｄから離間して形成して、フィルタ特性に対して影響を殆ど与えないようにして、電気的には必須の構成ではない。しかしながら、ここでは側面線路１２Ａ，１２Ｂによる背面電極パターンを、側面線路１１Ａ，１１Ｂによる正面電極パターンに対して合同、且つ点対称に形成して、製造プロセスの簡易化を図っている。具体的には、正面と背面の電極パターン形成時に、正面と背面の配置区別や上下面の配置区別を行うことなくパターン形成を行えるようにし、且つ、同じメタルマスクやスクリーンマスクを用いることができるようにしている。また、側面線路１３による左側面電極パターンと側面線路１４による右側面電極パターンとについても、合同、且つ点対称に形成して、製造プロセスの簡易化を図っている。
【００４２】
なお、本実施形態では、接続用線路３０Ａと上面線路２０Ｂとの対向面積を最小にしながら、上面線路２０Ａ，２０Ｃの線路長のバランスを取り、上面線路２０Ｂ，２０Ｄの線路長のバランスは取っていない。しかしながら、線路の対向面積を最小にするよりも線路長のバランスを取った方がフィルタ特性に望ましいこともあるので、その場合には、各共振線路で線路長のバランスを取るようにするとよい。
【００４３】
次に、本発明の第２実施形態のストリップラインフィルタを説明する。
【００４４】
図５は、本実施形態のストリップラインフィルタ５０の上面図である。ストリップラインフィルタ５０は、基板上面およびガラス層上面の電極パターンが、第１の実施形態と相違する。ここで、第１の実施形態と略同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省く。
【００４５】
基板２上面には、２段の共振器を構成する上面線路５２Ａ〜５２Ｄを備える。上面線路５２Ａは、側面線路１１Ａとの接続位置から基板正面中央に向けて延設し、基板中央付近から基板背面側に折れ、Ｌ字形状に構成している。上面線路５２Ｂは、側面線路１１Ｂとの接続位置から基板正面中央に向けて延設し、基板中央付近から基板背面側に折れ、Ｌ字形状に構成している。上面線路５２Ｃは上面線路５２Ｂよりも基板右側面側で基板正面側から基板背面側に延設し、Ｉ字形状に構成している。上面線路５２Ｄは上面線路５２Ａよりも基板左側面側で基板正面側から基板背面側に延設し、Ｉ字形状に構成している。
【００４６】
ガラス層３上面には外部結合用線路５３Ａ，５３Ｂと接続用線路５４Ａ，５４Ｂとを備える。接続用線路５４Ａは直線状に延設していて、上面線路５２Ａの基板中央付近の位置に左側面側端部が対向し、上面線路５２Ｃの基板正面側の端部に右側面側端部が対向する。この接続用線路５４Ａは、ガラス層３の層内に形成したビアホールを介して上面線路５２Ａ，５２Ｃに接続している。接続用線路５４Ｂは屈曲する形状で延設していて、上面線路５２Ｂの基板中央付近の位置に右側面側端部が対向し、上面線路５２Ｄの基板正面側の端部に左側面側端部が対向する。この接続用線路５４Ｂは、ガラス層３の層内に形成したビアホールを介して上面線路５２Ｂ，５２Ｄに接続している。
【００４７】
外部結合用線路５３Ａは、側面線路１３への接続位置から上面線路５２Ａの開放端に対向する位置まで延設し、ガラス層３の層内に形成したビアホールを介して上面線路５２Ａに接続している。外部結合用線路５３Ｂは、側面線路１４への接続位置から上面線路５２Ｂの開放端に対向する位置まで延設し、ガラス層３の層内に形成したビアホールを介して上面線路５２Ｂに接続している。
【００４８】
したがって、上面線路５２Ａと上面線路５２Ｃとは、接続用線路５４Ａを介して接続され、一体の１／４波長共振線路を構成する。また、上面線路５２Ｂと上面線路５２Ｄとは、接続用線路５４Ｂを介して接続され、一体の１／４波長共振線路を構成する。
【００４９】
ここで、上面線路５２Ａと接続用線路５４Ｂとは、ガラス層３を介して対向するが、上面線路５２Ａの延設方向と接続用線路５４Ｂの延設方向とが直交するため、その対向面積は最小になっている。これにより、上面線路５２Ａと接続用線路５４Ｂとの間に生じる容量は極めて小さくなり、上面線路２０Ａ〜２０Ｄの線路間隔の調整のみにより開放端側の相互容量を容易に設定できる。このことは、上面線路５２Ｂと接続用線路５４Ａとの間でも同様である。
【００５０】
次に、本発明の第３実施形態のストリップラインフィルタを説明する。
【００５１】
図５は、本実施形態のストリップラインフィルタ６０の上面図である。ストリップラインフィルタ６０は、基板上面およびガラス層上面の電極パターンが、第１・第２の実施形態と相違し、共振線路がインターディジタル結合する。ここで、第１の実施形態と略同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省く。
【００５２】
基板２上面には、２段の共振器を構成する上面線路６２Ａ〜６２Ｄを備える。上面線路６２Ａは、側面線路１１Ａとの接続位置から基板正面中央に向けて延設し、基板中央付近から基板背面側に折れ、Ｌ字形状に構成している。上面線路６２Ｂは、側面線路１２Ｂとの接続位置から基板背面中央に向けて延設し、基板中央付近から基板正面側に折れ、Ｌ字形状に構成している。上面線路６２Ｃは上面線路６２Ｂよりも基板右側面側で基板正面側から基板背面側に延設し、Ｉ字形状に構成している。上面線路６２Ｄは上面線路６２Ａよりも基板左側面側で基板背面側から基板正面側に延設し、Ｉ字形状に構成している。
【００５３】
ガラス層３上面には外部結合用線路６３Ａ，６３Ｂと接続用線路６４Ａ，６４Ｂとを備える。接続用線路６４Ａは直線状に延設していて、上面線路６２Ａの基板中央付近の位置に左側面側端部が対向し、上面線路６２Ｃの基板正面側の端部に右側面側端部が対向する。この接続用線路６４Ａは、ガラス層３の層内に形成したビアホールを介して上面線路６２Ａ，６２Ｃに接続している。接続用線路６４Ｂは直線状に延設していて、上面線路６２Ｂの基板中央付近の位置に右側面側端部が対向し、上面線路６２Ｄの基板背面側の端部に左側面側端部が対向する。この接続用線路６４Ｂは、ガラス層３の層内に形成したビアホールを介して上面線路６２Ｂ，６２Ｄに接続している。
【００５４】
外部結合用線路６３Ａは、側面線路１３への接続位置から上面線路６２Ａの開放端に対向する位置まで延設し、ガラス層３の層内に形成したビアホールを介して上面線路６２Ａに接続している。外部結合用線路６３Ｂは、側面線路１４への接続位置から上面線路６２Ｂの開放端に対向する位置まで延設し、ガラス層３の層内に形成したビアホールを介して上面線路６２Ｂに接続している。
【００５５】
したがって、上面線路６２Ａと上面線路６２Ｃとは、接続用線路６４Ａを介して接続され、一体の１／４波長共振線路を構成する。また、上面線路６２Ｂと上面線路６２Ｄとは、接続用線路６４Ｂを介して接続され、一体の１／４波長共振線路を構成する。
【００５６】
この構成では、上面線路６２Ａ，６２Ｃの開放端と、上面線路６２Ｂ，６２Ｄの開放端とが互いに逆方向を向き、各共振線路はインターディジタル結合し、コムライン結合よりも強い共振器間結合を実現できる。この場合にも、線路間隔を確保したまま相互容量を増大させて共振器間結合をコントロールできる。
【００５７】
上述した各実施形態では、分岐部に絶縁層を経由させる構成を示したが、本発明は誘電体基板の上面内で分岐部を回り込ませるような構成や、誘電体基板の内部で分岐部を回り込ませるような構成でも好適に実施することができる。
また、上述した各実施形態での上面線路や接続用線路の配置位置や形状は製品仕様に応じたものであり、製品仕様に応じたどのような配置位置や形状であっても良い。本発明は上記構成以外であっても適用でき、多様なフィルタのパターン形状に採用できる。また、このフィルタに、他の構成（高周波回路）をさらに配しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】従来例のストリップラインフィルタの等価回路図である。
【図２】第１の実施形態に係るストリップラインフィルタの展開図である。
【図３】図２に示すストリップラインフィルタの上面側分解斜視図である。
【図４】従来構成と本構成とでフィルタ特性を比較する図である。
【図５】第２の実施形態に係るストリップラインフィルタの上面図である。
【図６】第３の実施形態に係るストリップラインフィルタの上面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１…ストリップラインフィルタ
２…誘電体基板
３，４…ガラス層
１１Ａ，１１Ｂ，１２Ａ，１２Ｂ，１３，１４…側面線路
２０Ａ〜２０Ｄ…上面線路
２５…接地電極
２６Ａ，２６Ｂ…入出力電極
３０Ａ，３０Ｂ…接続用線路
３０Ｃ，３０Ｄ…外部結合用線路
３５Ａ〜３５Ｆ…ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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