(57)【要約】      （修正有）【課題】占拠床面積を減少しつつウエハ面内均一性を向上させる。【解決手段】複数枚のウエハ２００を保持して待機室と処理室との間を移動するボート２１７と、待機室に設置されボートに複数枚のウエハを一括して授受する授受装置５０と、授受装置にウエハを移載するウエハ移載機構１２５とを備えた基板処理装置において、ボートにウエハをそれぞれ載置する載置面を複数設け、授受装置にはロータリーアクチュエータ５３を設け、ロータリーアクチュエータの回転台５５には支柱５６を垂直に立設し、支柱には載置面外周を半分取り囲む形状の支持部５７を載置面と同数設ける。【選択図】図９
2010098222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を保持して、待機室と処理室との間を移動するボートと、
前記待機室に設置され、前記ボートに前記複数枚の基板を授受する授受装置と、
前記待機室に設置され、前記授受装置に前記基板を移載する移載装置と、
を備えており、
前記ボートは前記基板をそれぞれ載置する載置面を複数有し、
前記授受装置は前記載置面外周を取り囲む支持部を前記載置面と同数有し、
前記授受装置に前記基板を載置する際に、前記支持部の中心が前記載置面の中心と略重なるようにそれぞれ配置する、
基板処理装置。
【請求項２】
前記授受装置は、回転機構を有し、前記回転機構より、前記支持部が前記載置面および退避部を旋回するように配置されることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においてウエハにプラズマ処理を施す場合には、枚葉式プラズマ処理装置を使用するのが一般的である。
しかしながら、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを一枚ずつ処理するために、スループットが小さくなるという問題点がある。
また、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを保持したサセプタだけが処理温度に加熱されるコールドウオール形が一般的であるために、ウエハ面内を均一に加熱することが困難であるという問題点がある。
【０００３】
そこで、次のバッチ式プラズマ処理装置が、例えば、特許文献１に提案されている。
すなわち、このものは、処理室に複数枚のウエハを搬入搬出するボートの保持部材に複数段のサセプタ電極が架設されているとともに、複数枚のウエハを複数段のサセプタ電極に対して一括して授受するウエハ授受装置が処理室外に設置されており、ウエハ授受装置はウエハを授受する複数のウエハ受けと、複数のウエハ受けを一括して昇降させるエレベータと、複数のウエハ受けを一括してサセプタ電極に対して接近離間移動させるリニアアクチュエータと、から構成されている。
【特許文献１】特開２００７−１１５８２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記したバッチ式プラズマ処理装置においては、複数のウエハ受けを一括してサセプタ電極に対して接近離間させるリニアアクチュエータによって構成されているために、次のような問題点がある。
（１）ウエハ受けがウエハ外周縁辺の１８０度離間した部分を受けることになるために、４箇所の切欠部が必要になる。その分、ウエハ面内均一性が低下する。
（２）ウエハ受けが直線運動するために、移動スペースが大きくなるばかりでなく、メンテナンススペースを大きく確保する必要がある。
【０００５】
本発明の目的は、切欠部および占拠床面積を減少しつつ、処理の基板面内均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）複数枚の基板を保持して、待機室と処理室との間を移動するボートと、
前記待機室に設置され、前記ボートに前記複数枚の基板を授受する授受装置と、
前記待機室に設置され、前記授受装置に前記基板を移載する移載装置と、
を備えており、
前記ボートは前記基板をそれぞれ載置する載置面を複数有し、
前記授受装置は前記載置面外周を取り囲む支持部を前記載置面と同数有し、
前記授受装置に前記基板を載置する際に、前記支持部の中心が前記載置面の中心と略重なるようにそれぞれ配置する、
基板処理装置。
（２）前記授受装置は、回転機構を有し、前記回転機構より、前記支持部が前記載置面および退避部を旋回するように配置されることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記授受装置は上下方向に移動可能に構成されていることを特徴とする前記（１）（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記ボートは１軸を中心に旋回するように構成されていることを特徴とする前記（１）（２）（３）に記載の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
この基板処理装置によれば、切欠部および占拠床面積を減少しつつ、処理の基板面内均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種のプラズマ処理を施すバッチ式縦形ホットウオール形プラズマ処理装置（以下、基板処理装置という。）として、図１〜図６に示されているように構成されている。
なお、図１は、斜透視図として示されており、図２は図１に示す処理装置を側面から見た透視図として示されている。
【００１０】
図１および図２に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、シリコン等からなるウエハ（被処理基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が用いられる。
基板処理装置１００の筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能な開口部として正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置して位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
【００１１】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内において、ロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間でポッド１１０を搬送する。
【００１２】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１３】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転または直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂと、で構成されている。
【００１４】
図１に模式的に示されているように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧性の筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４の前方領域右端部との間に設置されている。ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部とし、ツイーザ１２５ｃによりボート（基板保持具）２１７へのウエハ２００の装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）を実施する。
【００１５】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機室１２６が構成されている。待機室１２６の上方には処理炉２０２が設けられ、処理炉２０２の下部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
処理炉２０２には処理室（反応室ともいう）１が設けられている。処理室１は誘電体からなる処理室壁２とシールキャップ１２９とで気密に区画されており、ヒータ１３が処理室壁２を取り囲むように設けられる。
【００１６】
図１に模式的に示すように、筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の待機室１２６の右端部との間には、ボート２１７を昇降させるボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのエレベータアーム１２８にはシールキャップ１２９が水平に据え付けられている。
シールキャップ１２９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下部を開閉する蓋体として構成されている。ボート２１７には後述するように複数本の保持部材２１７ａが設けられている。シールキャップ１２９はボートエレベータ１１５のエレベータアーム１２８に支持されている。
ボートエレベータ１１５により、エレベータアーム１２８が上昇して、シールキャップ１２９が処理炉２０２の処理室１を閉鎖すると、ボート２１７が処理室１に挿入、すなわち、搬入され、ボートエレベータ１１５によりエレベータアーム１２８が下降すると、処理室１からボート２１７が処理室１から搬出される。
【００１７】
図１に模式的に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側およびボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハ２００の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置される。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置１２５ａ、待機室１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出される。
【００１８】
次に、以上の構成に係る基板処理装置の動作について説明する。
なお、以下の各構成の動きは、コントローラ１５０が制御する。
図１および図２に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。
この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００１９】
載置台１２２に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、キャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置に移載する。ノッチ合わせ装置にてウエハ２００が整合された後に、移載室１２４の後方にある待機室１２６へ搬送され、後述する授受装置に装填（チャージング）される。
ウエハ移載装置１２５ａは授受装置にウエハ２００を受け渡した後は、ポッド１１０に戻って次のウエハ２００を授受装置に装填する。
【００２０】
一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハ２００の授受装置への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には、回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２１】
予め指定された枚数のウエハ２００が授受装置からボート２１７に授受される（後述する）と、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。
続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ１２９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００２２】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。
処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハ２００の整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
【００２３】
図３は本実施形態に係る基板処理装置の基本構成を示す解説図、図４は天板を取り外した状態のボート２１７の平面図、図５はボートの一例を示す解説図である。
図３に示されるように、処理室１には排気管６が連通しており、排気管６の下流に減圧排気装置としての真空ポンプ７が取り付けられる。ボート２１７および処理室壁２は、石英（石英ガラス等）、セラミックなど電気的に絶縁可能な誘電材料で構成される。
シールキャップ１２９に支持されたボート２１７は、例えば、図５に例示するように、円盤状の天板２１７ｂおよび底板２１７ｃと、天板２１７ｂと底板２１７ｃとを同心に且つ並行に接続する複数のロッド状の保持部材２１７ａとを備えている。
ボート２１７には複数の電極体として複数の電極板２０１が多段に支持されていて、隣接する電極板２０１間に被処理基板としてのウエハ２００（例えば、５０枚〜１２５枚程度）が配置される。電極板２０１およびウエハ２００は保持部材２１７ａに支持される。各電極板２０１は耐熱性の高いメタル、Ｓｉ、ＳｉＣ等の導電性材料で構成される。保持部材２１７ａの電極板支持用溝部２１７ｅには、奇数段の電極板２０１、偶数段の電極板２０１がそれぞれ支持される。
そして、図３に示すように、奇数段の電極板２０１、偶数段の電極板２０１にそれぞれ絶縁トランス１２、整合器９、発信器８からなるプラズマ発生装置（プラズマ発生回路）が接続される。
なお、各電極板２０１の電気的配線は、シールキャップ１２９を貫通して処理炉２０２の外部に引き出された後、絶縁トランス１２に接続される。
【００２４】
基板処理装置１００を用いてエッチング、成膜、改質等の基板処理を実施する際は、まず、ウエハ２００をボート２１７に支持し、シールキャップ１２９で処理室１を閉鎖した状態で真空ポンプ７により処理室１内の雰囲気を排気する。
そして、処理室１の圧力が処理に適する最適な圧力に設定されると、処理室１に連通するガス供給管１０から処理室１に処理ガスが供給される。
次に、発信器８から整合器９および絶縁トランス１２を介して偶数段の電極板２０１と奇数段の電極板２０１とに位相が１８０度異なる交流電力（例えば、１３．５６ＭＨｚ）が供給される。これにより、処理ガスが奇数段の電極板２０１の上面と被処理基板の間および被処理基板の上面と偶数段の電極板２０１の下面との間でそれぞれプラズマ化され、プラズマ化された処理ガスによって各ウエハ２００が処理される。
この場合、処理ガスがエッチングガスのときはウエハ２００がエッチングされ、処理ガスが成膜ガスのときはウエハ２００の表面に成膜が形成され、改質ガスのときはウエハ２００が改質される。いずれの場合でも処理ガスのプラズマ化によってガス中の反応成分の電子温度が高温になるのでダメージのない低温度での処理が可能となる。
また、電極板２０１がウエハ２００よりも大径であり、ウエハ２００と電極板２０１とが同心に位置決めされているので、面内一様な処理がなされる。
【００２５】
なお、誘電材料としては石英（石英ガラス）が好ましい。石英は、耐熱性が高く、処理の際の反応ガス（原料ガス等の処理ガス）や反応後の反応副生成物と非反応な材料で反応副生成物が付着し難いので、反応副生成物の剥離・落下に起因する汚染を防止することができる利点がある。
【００２６】
次に、図５および図６も参照して本実施形態に係る基板処理装置について具体的に説明する。図６は電極板２０１の支持構造および配線構造を示す解説図である。
図４および図５に示すように、ボート２１７の保持部材２１７ａの外周部には軸方向に所定間隔を隔てて溝部（以下、電極板支持用溝部という）２１７ｅが設けられ、各電極板支持用溝部２１７ｅに電極板２０１が支持されている。各電極板２０１は円板状に形成されている。
被処理基板としてのウエハ２００は、電極板支持用溝部２１７ｅ間の中央に設けられた各保持部材２１７ａの溝部（以下、基板支持用溝部という）２１７ｄに支持されていている。複数の保持部材２１７ａは天板２１７ｂおよび底板２１７ｃの外周部の半分の領域に円周方向に間隔を隔てて配置され、電極板支持用溝部２１７ｅおよび基板支持用溝部２１７ｄは、複数の保持部材２１７ａに跨る同心上に形成されている。また、基板支持用溝部２１７ｄは、ボート２１７の中心側および円周方向に臨んで開口している。
このような構成とすると、電極板２０１と基板との挿抜が可能となり、また、ボート２１７の軸芯に対して電極板２０１とウエハ２００とを同心に配置することができる。
【００２７】
電極板２０１には、位置決め部および通電部となるリード部２２０が一体に設けられる。偶数段の電極板２０１のリード部２２０ａは、各電極板２０１の外周部から所定長さ半径方向外側に延びた後、各電極板２０１の円周方向に沿って所定長さ延びており、奇数段の電極板２０１のリード部２２０ｂも各電極板２０１の外周部から所定長さ半径方向外側に延びた後、各電極板２０１の円周方向に沿って所定長さ延びている。この場合、奇数段の電極板２０１のリード部２２０ａと偶数段の電極板２０１のリード部２２０ｂとは、ボート２１７の円周方向において向きが反対となっている。
奇数段および偶数段の電極板２０１のリード部２２０ａ，２２０ｂの先端部および後端部には、それぞれ厚み方向に貫通する位置決め孔２２１が設けられる。奇数段の電極板２０１のリード部２２０ａの先端部間および偶数段の電極板２０１のリード部２２０の先端部間に、電力供給機構として導電性材料から成る筒状のコマ（スペーサまたはカラーともいう）２２２ａが介設される。また、奇数段の電極板２０１のリード部２２０ｂの後端部と偶数段の電極板２０１のリード部２２０ａの後端部との間に誘電体からなる筒状のコマ２２２ｂが介設される。
ボート２１７の上方側から各リード部２２０ａ，２２０ｂの先端部の各位置決め孔２２１とコマ２２２ａとに位置決め機構として第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５をそれぞれ挿入すると、奇数段の電極板２０１および偶数段の電極板２０１の勝手な回転が防止され、ボート２１７と同心に位置決めされる。
なお、リード部２２０ａ，２２０ｂに位置決め孔２２１を２以上とし、２本の第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５とコマ２２０ａで奇数段の電極板、偶数段の電極板をそれぞれ位置決めするようにしてもよい。
【００２８】
第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５およびこれらが挿入される各コマ２２２ａは、各電極板２０１に交流電流を供給するために、導電性材料、例えば、メタル、Ｓｉ、ＳｉＣで構成されている。そして、図６に示すように、第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５が挿入される各コマ２２２ａは、石英、セラミック等の誘電材料からなるカバー２２７で覆われていて電極板２０１との放電を防止するようになっている。さらに、リード部２２０ａ，２２０ｂが石英、セラミック等の誘電材料からなるカバー２４０で覆われていて放電を防止するようになっている。
このため、電極棒を兼用する第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５に絶縁トランス１２、整合器９、発信器８からなるプラズマ処理装置を接続し、偶数段の電極板２０１と奇数段の電極板２０１とにそれぞれ位相が１８０度異なる交流電力を供給しても、第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５と各電極板２０１との間の放電を防止することができる。
【００２９】
さらに、図６に示すように、第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５の下部は、最下位置の電極板２０１のリード部２２０ａよりも所定長さ下方に延びており、その外周面にナット２２８を螺入するための雄ねじ２２９が形成されている。また、第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５の上端にはナット状の頭部が一体に設けられている。
第１位置決めピン２２４および第２位置決めピン２２５の下部には、石英、セラミック等の誘電材料で構成された断面カップ状の放電防止部材２３０と、座板２３１とが挿入されると共に、座板２３１に着座する丸型などの接続端子２３２が挿入される。座板２３１は最下位置に配置されたコマ２２２ａの下端面に接触して電気的に導通するようになっている。
座板２３１の挿入後、第１位置決めピン２２４および第２位置決めピン２２５の下部には、さらに、接続端子２３２に着座する第１座金２３３と、この第１座金２３３に着座されるスプリング２３４と、スプリング２３４に着座する第２座金２３５とが挿入され、この後、ナット２２８が螺入される。ナット２２８によりスプリング２３４のセットフォースを調節し、蓄積された弾性力で接続端子２３２、座板２３１、最下位置のコマ２２２ａの下端面に押圧すると、これらが互いに偏りなく密着すると同時に、スプリング２３４、座板２３１および接続端子２３２が密着する。
したがって、常温（例えば、２０℃）でナット２２８によるスプリング２３４のセットフォースを調節すると、処理の際の熱によって第１位置決めピン２２４、第２位置決めピン２２５にそれぞれ線膨張（熱膨張）が生じた場合でも、スプリング２３４の弾圧力が増加して接続端子２３２、座板２３１、各コマ２２２ａ間の導通と、スプリング２３４、座板２３１、接続端子２３２の導通とが保持される。
【００３０】
以下、本発明の特徴である授受装置を、図９について詳細に説明する。
図９に示されるように、待機室１２６内におけるボート２１７の待機位置には、複数枚のウエハ２００を一括してボート２１７に授受する授受装置５０が設置されている。すなわち、授受装置５０はボートエレベータ１１５のエレベータアーム１２８と、ウエハ移載機構１２５のウエハ移載装置１２５ａとの交差線上に設置されている。
授受装置５０は授受装置旋回部５１を備えており、授受装置旋回部５１はボートエレベータ１１５の真向かいに設置されている。授受装置旋回部５１の軸受台５２上には回転機構であるロータリーアクチュエータ５３が水平に設置されている。ロータリーアクチュエータ５３の回転軸５４には回転台５５が水平に固定されており、ロータリーアクチュエータ５３は回転台５５を水平面内で往復回動させる。
回転台５５上には支柱５６が垂直に立設されている。支柱５６にはボート２１７外周を半分だけ取り囲む略半八角形枠形状の支持部５７が複数個、垂直方向に等間隔に配置されて水平に支持されており、複数個の支持部５７はボート２１７の電極板２０１と同数配置されている。ウエハ２００を載置する際に、支持部５７の中心はウエハ２００の載置面の中心と略重なるようにそれぞれ載置する。
支持部５７の内側面には３個のウエハ受け５８、５８、５８が、周方向に等間隔に配置されて径方向内向きにそれぞれ突設されている。３個のウエハ受け５８、５８、５８はボート２１７の３本の保持部材２１７ａ、２１７ａ、２１７ａと干渉しない位置にそれぞれ配設されている。
【００３１】
以上の構成に係る授受装置５０の作用を、図１０および図１１について説明する。
【００３２】
ボート２１７が待機室１２６に下降して来るまでは、授受装置５０は支持部５７をボートエレベータ１１５から離間した退避位置に退避させている（図９参照）。
図１０（ａ）に示されているように、ボート２１７が下降して所定の位置に停止する。授受装置５０は回転台５５をロータリーアクチュエータ５３によって旋回させることにより、図９に示されているように、支持部５７をボート２１７に接近した位置に移動させる。
【００３３】
この移動により、図９および図１０（ｂ）に示されているように、支柱５６はボート２１７外周を半分だけ取り囲む状態になり、各段の支持部５７に突設されたウエハ受け５８は各段の電極板２０１の下方にそれぞれ位置した状態になる。
【００３４】
続いて、授受装置５０は支柱５６を授受装置旋回部５１によって上昇させることにより、図１０（ｃ）に示されているように、支持部５７を１段分上昇させる。これにより、各段の支持部５７のウエハ受け５８は各段の電極板２０１上方かつ各ツイーザ１２５ｃの下方の位置にそれぞれ移動する。
【００３５】
図１０（ｄ）に示されているように、ウエハ移載装置１２５ａはウエハ２００を保持したツイーザ１２５ｃを支柱５６に向かって前進させて（図９参照）、ウエハ２００を各ウエハ受け５８の上方位置に搬送する。
【００３６】
ウエハ移載機構１２５はウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって、図１１（ａ）に示されているように、ツイーザ１２５ｃを支持部５７の１段分だけ下降させる。これにより、ツイーザ１２５ｃのウエハ２００は支持部５７のウエハ受け５８に乗り移る。
【００３７】
図１１（ｂ）に示されているように、ウエハ移載装置１２５ａはウエハ２００をウエハ受け５８に受け渡したツイーザ１２５ｃを支柱５６から離間する方向に後退させる。
次いで、ウエハ移載機構１２５はウエハ移載装置１２５ａをポッドオープナ１２１に移動させて、ポッド１１０から複数枚のウエハ２００をピックアップし、授受装置５０に搬送する。授受装置５０において、ウエハ移載機構１２５は複数枚のウエハ２００を前述した作動より、各支持部５７のウエハ受け５８に移載する。
ウエハ移載機構１２５は以上の作動を繰り返すことにより、全段の支持部５７のウエハ受け５８にウエハ２００を移載する。
【００３８】
全段の支持部５７のウエハ受け５８がウエハ２００を保持すると、授受装置５０は支柱５６を授受装置旋回部５１により、図１１（ｃ）に示されているように、支持部５７を１段分だけ下降させる。これにより、各段の支持部５７のウエハ受け５８のウエハ２００は各段の電極板２０１にそれぞれ乗り移る。
【００３９】
以上の作動が完了すると、授受装置５０は回転台５５をロータリーアクチュエータ５３によって旋回させることにより、図９に示されているように、支持部５７をボート２１７から離間した退避位置に退避させる（図９参照）。
【００４０】
支持部５７が退避位置に移動すると、図１１（ｄ）に示されているように、ウエハ２００が移載されたボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって上昇されて、処理炉２０２の処理室１に搬入（ボートローディング）される。
なお、以上の各構成の動きは、コントローラ１５０が制御する。
【００４１】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４２】
（１）授受装置の支持部を、支持部の中心がボートの中心と重なりボート外周を半分取り囲む形状に形成することにより、支持部を１軸を中心に旋回してボートに接近離反するように構成することができる。
【００４３】
（２）授受装置の支持部を１軸を中心に旋回するように構成することにより、授受装置をボートエレベータの対向位置に配置することができるので、占拠床面積を減少することができる。
【００４４】
（３）ウエハ受けを３箇所だけに配置することにより、ボートのウエハ接触箇所を最小限度に抑制することができるので、処理のウエハ面内均一性を向上させることができる。
【００４５】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４６】
本発明に係るバッチ式プラズマ処理装置は、プラズマＣＶＤやドライエッチング等のプラズマ処理全般に使用することができる。
【００４７】
また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本実施の形態に係る基板処理装置の斜透視図である。
【図２】本実施の形態に係る基板処理装置を側面から見た透視図である。
【図３】本実施形態に係る基板処理装置の基本構成を示す解説図である。
【図４】天井を取り除いた状態の基板処理装置の平面図である。
【図５】本実施の形態に係るボートの構造およびプラズマ処理装置の構成を示す。
【図６】本実施の形態に係る電極板の位置決と配線の構造を示す解説図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の基礎となる基板処理装置を示し、天井を取り除いた状態の基板処理装置の平面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の基礎となる基板処理装置を示し、本実施の形態に係る電極板の位置決め構造および配線構造を示す解説図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の授受装置を示す平面図である。
【図１０】授受装置の作用を説明する各解説図である。
【図１１】同じく授受装置の作用を説明する各解説図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…処理室、１２６…待機室、２００…ウエハ（基板）、２１７…ボート、
５０…授受装置、５１…授受装置旋回部、５２…軸受台、５３…ロータリーアクチュエータ、５４…回転軸、５５…回転台、５６…支柱、５７…支持部、５８…ウエハ受け。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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