(57)【要約】      （修正有）【課題】複数枚の基板のうち最初の基板の処理を開始してから最後の基板の処理を完了する迄の残時間の把握を容易にする。【解決手段】複数枚の基板のうち最初の基板について処理を開始してから、複数枚の基板のうち最後の基板について処理を完了する迄の残時間を算出する算出手段と、算出手段により算出された残時間を表示する表示手段と、を備え、基板の搬送完了、前室内の大気圧復帰完了、前室内の減圧完了、及び処理室内での基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、残時間を前記算出手段により再算出させて表示手段に表示させる。【選択図】図１
2010098247.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気搬送室と、
前記大気搬送室の一側に並列接続される基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通可能であると共に圧力調整可能に構成された前室、及び前記前室と連通可能に構成された処理室をそれぞれ備えた複数の基板処理モジュールと、
前記大気搬送室の他側に接続されて複数枚の基板を保持する基板収納部と、
前記大気搬送室内に設けられ前記前室内と前記基板収納部との間で基板を搬送する第１の基板搬送装置と、
複数の前記前室内にそれぞれ設けられ前記前室内と前記処理室内との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、
前記第１の基板搬送装置及び第２の基板搬送装置による搬送動作、前記前室内の圧力調整動作、前記処理室内の基板処理動作を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記基板収容部から前記大気搬送室内への前記第１の基板搬送装置による処理対象の基板の搬送を開始すると共に前記前室内の大気圧復帰を開始する第１のステップと、
前記大気搬送室内への前記基板の搬入完了及び前記前室内の大気圧復帰完了を検知したら、前記大気搬送室と前記前室とを連通して前記大気搬送室内から前記前室内への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第２のステップと、
前記前室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記大気搬送室と前記前室とを遮断して前記前室内の減圧を開始する第３のステップと、
前記前室内の減圧完了を検知したら、前記前室と前記処理室とを連通して前記前室内から前記処理室内への前記第２の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第４のステップと、
前記処理室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記前室と前記処理室とを遮断して前記処理室内での前記基板の処理を開始する第５のステップと、
前記処理室内での前記基板の処理完了を検知したら、前記処理室と前記前室とを連通して前記処理室内から前記前室内への前記第２の基板搬送装置による処理後の前記基板の搬送を開始する第６のステップと、
前記前室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記処理室と前記前室とを遮断して前記前室内の大気圧復帰を開始する第７のステップと、
前記前室内の大気圧復帰完了を検知したら、前記前室と前記大気搬送室とを連通して前記前室から前記大気搬送室への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第８のステップと、
前記大気搬送室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記前室と前記大気搬送室とを遮断すると共に前記大気搬送室から前記基板収容部への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第９のステップと、
を１サイクルとしてこのサイクルを複数枚の前記基板毎に繰り返し、
前記複数枚の基板のうち最初の基板について前記第１のステップの実行を開始してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄の残時間を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された前記残時間を表示する表示手段と、を備え、
前記基板の搬送完了、前記前室内の大気圧復帰完了、前記前室内の減圧完了、及び前記処理室内での前記基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、前記完了を検知してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄の残時間を前記算出手段により再算出させ、再算出された前記残時間を前記表示手段に表示させる
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数枚の基板を順次搬送して処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭやＩＣ等の半導体装置の製造方法の一工程を実施する従来の基板処理装置は、大気搬送室と、大気搬送室の一側に連通可能であると共に圧力調整可能に構成された前室及び前室と連通可能に構成された処理室をそれぞれ備えた複数の基板処理モジュールと、大気搬送室の他側に接続されて複数枚の基板を保持する基板収納部と、前室内と基板収納部との間で基板を搬送する第１の基板搬送装置と、前室内にそれぞれ設けられ前室内と処理室内との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、を備えていた。係る基板処理装置は、処理対象の基板を基板収納部から大気搬送室及び前室を経由して処理室内に搬送し、処理室内にて成膜などの所定の処理を実施した後、処理後の基板を前室及び大気搬送室を経由して基板収納部へと搬送する一連の処理を、複数の基板のそれぞれに対して自動的に実施するように構成されていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の基板処理装置では、処理室内における基板処理の残時間をモニタ装置などに表示していた。しかしながら、従来の基板処理装置のモニタ装置は、複数枚の基板のうち個々の基板についての残時間をそれぞれ示すように構成されていたため、オペレータは、複数枚の基板全てに関する進捗状況をモニタ装置から把握することは困難であった。つまり、オペレータは、複数枚の基板のうち最初の基板の処理を開始してから最後の基板の処理を完了する迄の残時間をモニタ装置から把握することは困難であった。
【０００４】
そこで本発明は、複数枚の基板のうち最初の基板の処理を開始してから最後の基板の処理を完了する迄の残時間の把握が容易である基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通可能であると共に圧力調整可能に構成された前室、及び前記前室と連通可能に構成された処理室をそれぞれ備えた複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続されて複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室内に設けられ前記前室内と前記基板収納部との間で基板を搬送する第１の基板搬送装置と、複数の前記前室内にそれぞれ設けられ前記前室内と前記処理室内との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、前記第１の基板搬送装置及び第２の基板搬送装置による搬送動作、前記前室内の圧力調整動作、前記処理室内の基板処理動作を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記基板収容部から前記大気搬送室内への前記第１の基板搬送装置による処理対象の基板の搬送を開始すると共に前記前室内の大気圧復帰を開始する第１のステップと、前記大気搬送室内への前記基板の搬入完了及び前記前室内の大気圧復帰完了を検知したら、前記大気搬送室と前記前室とを連通して前記大気搬送室内から前記前室内への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第２のステップと、前記前室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記大気搬送室と前記前室とを遮断して前記前室内の減圧を開始する第３のステップと、前記前室内の減圧完了を検知したら、前記前室と前記処理室とを連通して前記前室内から前記処理室内への前記第２の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第４のステップと、前記処理室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記前室と前記処理室とを遮断して前記処理室内での前記基板の処理を開始する第５のステップと、前記処理室内での前記基板の処理完
了を検知したら、前記処理室と前記前室とを連通して前記処理室内から前記前室内への前記第２の基板搬送装置による処理後の前記基板の搬送を開始する第６のステップと、前記前室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記処理室と前記前室とを遮断して前記前室内の大気圧復帰を開始する第７のステップと、前記前室内の大気圧復帰完了を検知したら、前記前室と前記大気搬送室とを連通して前記前室から前記大気搬送室への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第８のステップと、前記大気搬送室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記前室と前記大気搬送室とを遮断すると共に前記大気搬送室から前記基板収容部への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第９のステップと、を１サイクルとしてこのサイクルを複数枚の前記基板毎に繰り返し、前記複数枚の基板のうち最初の基板について前記第１のステップの実行を開始してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄の残時間を算出する算出手段と、前記算出手段により算出された前記残時間を表示する表示手段と、を備え、前記基板の搬送完了、前記前室内の大気圧復帰完了、前記前室内の減圧完了、及び前記処理室内での前記基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、前記完了を検知してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄の残時間を前記算出手段により再算出させ、再算出された前記残時間を前記表示手段に表示させる基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置によれば、複数枚の基板のうち最初の基板の処理を開始してから最後の基板の処理を完了する迄の残時間の把握が容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下に、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１〜図４を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図である。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える制御手段のブロック構成図である。図３は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備えるプロセスチャンバの概要構成図である。図４は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフロー図である。
【０００８】
＜プロセスチャンバの構成＞
本実施形態に係る基板処理装置は、基板を処理するプロセスチャンバ（処理炉）を複数備えている。まず、本実施形態に係る基板処理装置の構成を説明する前に、プロセスチャンバの構成について図３を参照しながら予め説明しておく。
【０００９】
図３は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備えるプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の概要構成図である。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、例えば、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生させる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｔｙｐｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、シリコン等からなる基板としてのウエハＷをプラズマ処理するプラズマ処理炉（ＭＭＴ装置）として構成されている。
【００１０】
図３に示すとおり、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、処理容器２０３と、サセプタ２１７と、ゲートバルブ２４４と、シャワーヘッド２３６と、ガス排気口２３５と、プラズマ発生手段と、を備えている。
【００１１】
処理容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第２の容器である碗型の下側容器２１１と、を備えている。そして、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被せられることにより、ウエハＷを処理する処理室２０１が形成される。なお、上側容器２１０は、酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成されており、下側容器２１
１はアルミニウムで形成されている。
【００１２】
処理室２０１の底側中央には、ウエハＷを保持する基板保持手段としてのサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、ウエハＷ上に形成する膜の金属汚染を低減することが出来るように、例えば、窒化アルミニウム、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。サセプタ２１７の内部には、加熱手段としてのヒータ（図中省略）が一体的に埋め込まれており、ウエハＷを加熱できるようになっている。ヒータに電力が供給されると、ウエハＷ表面を例えば６００℃〜９００℃程度にまで加熱できるようになっている。サセプタ２１７は下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを変化させるための電極としての第２の電極（図中省略）が装備されている。この第２の電極は、インピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することにより、第２の電極（図中省略）及びサセプタ２１７を介してウエハＷの電位を制御できるようになっている。サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させるためのサセプタ昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが設けられている。前述の下側容器２１１底面には、ウエハＷを突上げるためのウエハ突上げピン２６６が、少なくとも３箇所設けられている。ウエハ突上げピン２６６は、サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に、サセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように構成されている。
【００１３】
下側容器２１１の側壁には、仕切弁となるゲートバルブ２４４が設けられている。ゲートバルブ２４４が開いている時には、搬送手段（図中省略）を用いて処理室２０１内へウエハＷを搬入し、または処理室２０１外へとウエハＷを搬出することができるようになっている。ゲートバルブ２４４を閉めることにより、処理室２０１内を気密に閉塞することができるようになっている。
【００１４】
処理室２０１の上部には、処理室２０１へガスを供給するためのシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、シャワーレート２４０と、ガス吹出口２３９と、を備えている。ガス導入口２３４には、バッファ室２３７内へ反応ガス（例えば酸素（Ｏ）含有ガス、窒素（Ｎ）含有ガス等）や不活性ガス（例えばＮ２ガスやＨｅガス等）等の各種ガスを供給するガス供給管２３２が接続されている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入される各種ガス２３０を分散するための分散空間として機能する。
【００１５】
下側容器２１１の側壁には、処理室２０１内からガスを排気するためのガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガスを排気するガス排気管２３１が接続されている。ガス排気管２３１は、圧力調整器であるＡＰＣ２４２と、開閉弁であるバルブ２４３ｂとを介して、排気装置である真空ポンプ２４６に接続されている。
【００１６】
処理容器２０３（上側容器２１０）の外周には、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲うように、第１の電極としての筒状電極２１５が設けられている。筒状電極２１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。筒状電極２１５は、インピーダンスの整合を行うための整合器２７２を介して、高周波電力を印加する高周波電源２７３に接続されている。筒状電極２１５は、処理室２０１に供給される反応ガスをプラズマ励起させる放電手段として機能する。筒状電極２１５の外側表面の上下端部には、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂがそれぞれ取り付けられている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、それぞれ筒状、例えばリング状に形成された永久磁石として構成されている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、処理室２０１の半径方向に沿った両端（すなわ
ち内周端と外周端）に磁極を有している。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの磁極の向きは、逆向きになるよう配置されている。すなわち、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの内周部の磁極同士は異極となっている。これにより、筒状電極２１５の内側表面に沿って、円筒軸方向の磁力線が形成されている。主に、筒状電極２１５、上部磁石２１６ａ、下部磁石２１６ｂ、整合器２７２、高周波電源２７３により、プラズマ発生手段が構成される。なお、筒状電極２１５、上部磁石２１６ａ、及び下部磁石２１６ｂの周囲には、これらが形成する電磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電磁界を有効に遮蔽する金属製の遮蔽板２２３が設けられている。
【００１７】
処理室２０１内に反応ガスを導入した後、筒状電極２１５に高周波電力を供給して形成した電界と、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂにより形成された磁界とにより、処理室２０１内にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、上述の電磁界が、放出された電子を周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。
【００１８】
また、制御手段としてのプロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２は、信号線Ａを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、及び真空ポンプ２４６を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８を、信号線Ｃを通じてゲートバルブ２４４を、信号線Ｄを通じて整合器２７２、及び高周波電源２７３を、信号線Ｅを通じてマスフローコントローラ２４１、及びバルブ２４３ａを、さらに図示しない信号線を通じてサセプタに埋め込まれたヒータやインピーダンス可変機構２７４を、それぞれ制御するように構成されている。
【００１９】
続いて、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２を用い、ウエハＷの表面又はウエハＷ上に形成された薄膜の表面をプラズマにより処理する方法について説明する。
【００２０】
まず、処理対象のウエハＷを処理室２０１内に搬入してサセプタ２１７上に載置する。具体的には、サセプタ２１７を下げ、ウエハ突上げピン２６６の先端をサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出させる。そして、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４を開き、ウエハＷをウエハ突上げピン２６６上に載置させる。そして、ゲートバルブ２４４を閉め、サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７を上昇させてサセプタ２１７上面にウエハＷを移載させ、ウエハＷを所定の処理位置（高さ）まで更に上昇させる。なお、処理室２０１内へのウエハＷの搬送については後述する。
【００２１】
サセプタ２１７に埋め込まれたヒータは予め加熱されており、搬入されたウエハＷを室温〜５００℃の範囲内の処理温度に加熱する。真空ポンプ２４６を作動させつつＡＰＣ２４２の開度を調整して処理室２０１内の圧力を０．１〜１００Ｐａの範囲内に維持する。
【００２２】
ウエハＷの温度が処理温度に到達したら、ガス導入口２３４及びシャワープレート２４０のガス噴出孔２３４ａを介して、処理室２０１内に配置されているウエハＷの上面（処理面）に向けて反応ガスをシャワー状に導入する。同時に、高周波電源２７３から整合器２７２を介して筒状電極２１５に高周波電力を印加する。このとき、インピーダンス可変機構２７４は所望のインピーダンス値に予め制御しておく。
【００２３】
筒状電極２１５に高周波電力を供給して形成した電界と、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂにより形成された磁界とにより、処理室２０１内にマグネトロン放電プラズマ（高密度プラズマ）が生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ２１７上のウエハＷの表面にプラズマ処理が施される。表面処理が終わったウエハＷは、図示略の搬送手段を用いて、基板搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。
【００２４】
上述したプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の各部の動作は、プロセスモジュールコント
ローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２によりそれぞれ制御されるように構成されている。なお、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２は、高周波電源２７３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器２７２の調整、バルブ２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２４１の流量、ＡＰＣ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ２４４の開閉、サセプタに埋め込まれたヒータに高周波電力を印加する高周波電源への電力ＯＮ・ＯＦＦを、それぞれ制御している。
【００２５】
＜基板処理装置の構成＞
続いて、上述したプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２を備えた本実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図１，図２を参照しながら説明する。基板処理装置は真空側と大気側とに分かれている。
【００２６】
真空側には、２つの基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２が並列に設けられる。基板処理モジュールＭＤ１は、上述のプロセスチャンバＰＭ１と、圧力調整可能に構成された前室として構成されたバキュームロックチャンバＶＬ１と、から構成されている。バキュームロックチャンバＶＬ１は、後述する大気搬送室から見てプロセスチャンバＰＭ１の前段になるよう設けられている。プロセスチャンバＰＭ１内（処理室２０１内）とバキュームロックチャンバＶＬ１内（前室内）とは、ゲートバルブＧ１により連通可能に構成されている。また、基板処理モジュールＭＤ２は、上述のプロセスチャンバＰＭ２と、圧力調整可能に構成された前室として構成されたバキュームロックチャンバＶＬ２と、から構成されている。バキュームロックチャンバＶＬ２は、後述する大気搬送室から見てプロセスチャンバＰＭ２の前段になるよう設けられている。プロセスチャンバＰＭ２内（処理室２０１内）とバキュームロックチャンバＶＬ２内（前室内）とは、ゲートバルブＧ２により連通可能に構成されている。
【００２７】
バキュームロックチャンバＶＬ１内（前室内）には、ウエハＷを保持可能に構成された多段型ステージとして、例えば上段のバッファステージＬＳ１，及び下段のクーリングステージＣＳ１が設けられている。上段のバッファステージＬＳ１は処理対象のウエハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ１は処理済みのウエハＷを保持して冷却するように構成されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ２内（前室内）には、ウエハＷを保持可能に構成された多段型ステージとして、例えば上段のバッファステージＬＳ２，及び下段のクーリングステージＣＳ２が設けられている。上段のバッファステージＬＳ２は処理対象のウエハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ２は処理済みのウエハＷを保持して冷却するように構成されている。
【００２８】
バキュームロックチャンバＶＬ１内（前室内）には、第２の基板搬送装置としての真空ロボットＶＲ１が設けられている。真空ロボットＶＲ１は、プロセスチャンバＰＭ１内（処理室２０１内）とバキュームロックチャンバＶＬ１（前室内のバッファステージＬＳ１上あるいはクーリングステージＣＳ１上）との間でウエハＷを搬送することが可能なように構成されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ２内（前室内）には、第２の基板搬送装置としての真空ロボットＶＲ２が設けられている。真空ロボットＶＲ２は、プロセスチャンバＰＭ２内（処理室２０１内）とバキュームロックチャンバＶＬ２（前室内のバッファステージＬＳ２上あるいはクーリングステージＣＳ２上）との間でウエハＷを搬送することが可能なように構成されている。
【００２９】
大気側には、上述のバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続され、大気搬送室として構成された大気ローダＬＭと、この大気ローダＬＭの他側に接続された基板収納部としての２台のロードポートＬＰ１，ＬＰ２とが設けられている。大気ローダＬＭ内（大気搬送室内）とバキュームロックチャンバＶＬ１内（前室内）とはロードドアＧ３（ゲー
トバルブ）により連通可能に構成されている。大気ローダＬＭ内（大気搬送室）とバキュームロックチャンバＶＬ２内（前室内）とはロードドアＧ５（ゲートバルブ）により連通可能に構成されている。ロードポートＬＰ１，ＬＰ２は、複数枚のウエハＷが保持可能なキャリアＣＲ１，ＣＲ２を、図示しない外部搬送装置と受渡し可能に構成されている。
【００３０】
大気ローダＬＭ内（大気搬送室内）には、第１の基板搬送装置としての１台の大気ロボットＡＲが設けられている。大気ロボットＡＲは、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内（前室内）とロードポートＬＰ１，ＬＰ２上に載置されたキャリアＣＲ１，ＣＲ２との間で、ウエハＷを搬送することが可能なように構成されている。また、大気ローダＬＭには、基板位置補正装置としてのアライナユニットＡＵが設けられている。アライナユニットＡＵは、搬送時のウエハＷのずれを補正したり、ウエハＷのノッチを一定方向に合せるノッチ合わせ（アライメント）を行なったりすることが可能なように構成されている。
【００３１】
＜制御手段の構成＞
続いて、上述の基板処理装置の動作を制御する制御手段ＣＮＴの構成について、図２を参照しながら説明する。
【００３２】
制御用コントローラは、統括制御コントローラ９０、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２、操作部１００を備えている。操作部１００、統括制御コントローラ９０、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２は、ＬＡＮ回線８０により接続されている。
【００３３】
統括制御コントローラ９０は、システム全体の運用制御、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２や大気ロボットＡＲによるウエハＷの搬送動作、ゲートバルブＧ１，Ｇ２やロードドアＧ３，Ｇ４の開閉動作、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の圧力調整動作等を制御するように構成されている。
【００３４】
統括制御コントローラ９０は、ウエハＷがバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内に搬送されたこと、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に搬送されたこと、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２上（キャリアＣＲ１，ＣＲ２内）に搬送されたことを検知しながら、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２や大気ロボットＡＲによるウエハＷの搬送動作を制御するように構成されている。
【００３５】
ウエハＷがバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内に搬送されたことを検知する手段として、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２や大気ロボットＡＲの基板載置部にウエハＷが載置されたことを検知するセンサ（図示せず）と、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２や大気ロボットＡＲの基板載置部がバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内にあることを検知するセンサ（図示せず）とが、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２及びバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内にそれぞれ設けられている。なお、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内に設けられたステージ上にウエハＷが載置されたことを検知するセンサを、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内に設けることとしてもよい。
【００３６】
また、ウエハＷがプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に搬送されたことを検知する手段として、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２の基板載置部にウエハＷが載置されたことを検知するセンサ（図示せず）と、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２の基板載置部がバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内にあることを検知するセンサ（図示せず）とが、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内にそれぞれ設けられている。なお、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に設けられたウエハ突上げピン２６６上にウエハＷが載置されたことを検知するセンサを、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に設けること
としてもよい。
【００３７】
また、ウエハＷがロードポートＬＰ１，ＬＰ２上（キャリアＣＲ１，ＣＲ２内）に搬送されたことを検知する手段として、大気ロボットＡＲの基板載置部にウエハＷが載置されたことを検知するセンサ（図示せず）と、大気ロボットＡＲの基板載置部がバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内にあることを検知するセンサ（図示せず）とが、大気ロボットＡＲ及びロードポートＬＰ１，ＬＰ２にそれぞれ設けられている。なお、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２上（キャリアＣＲ１，ＣＲ２内）に設けられたスロットにウエハＷが格納されたことを検知するセンサ（図示せず）をロードポートＬＰ１，ＬＰ２上に設けることとしてもよい。
【００３８】
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の各部の動作を制御するように構成されている。例えば、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２は、高周波電源２７３の電力供給・停止動作、整合器２７２の調整動作、ガス供給管２３２からのガス供給開始・停止動作及び流量調整動作、ＡＰＣ２４２の弁開度調整動作、バルブ２４３ｂの開閉動作、真空ポンプ２４６の起動・停止動作、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ２４４の開閉動作、サセプタに埋め込まれたヒータへの通電動作等を、それぞれ制御するように構成されている。
【００３９】
操作部１００は、システム制御コマンドの入力を図示しないキー入力装置等から受け付けたり、基板処理の進行状態、ロギングデータ、アラームを図示しないモニタ装置に表示させたり、アラーム解析、パラメータ編集などの設定画面をモニタ装置に表示させたりするように構成されている。
【００４０】
＜基本的な基板処理動作＞
続いて、上述の基板処理装置による基板処理動作について説明する。本実施形態に係る基板処理装置では、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２上に処理対象の複数枚のウエハＷが搬入されたら、後述するステップ１からステップ８を１サイクルとして、このサイクルを複数枚のウエハＷ毎に繰り返すように構成されている。係る動作は、上述の制御手段ＣＮＴにより制御される。
【００４１】
ステップ１では、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２から大気ローダＬＭ内への大気ロボットＡＲによる処理対象のウエハＷの搬送を開始すると共に、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰を開始するように構成されている。
【００４２】
ステップ２では、大気ローダＬＭ内へのウエハＷの搬入完了及びバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰完了を検知したら、大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とを連通して大気ローダＬＭ内からバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内への大気ロボットＡＲによるウエハＷの搬送を開始するように構成されている。
【００４３】
ステップ３では、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内へのウエハＷの搬送完了を検知したら、大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とを遮断してバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧を開始するように構成されている。
【００４４】
ステップ４では、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧完了を検知したら、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）とを連通してバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内からプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）への真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２によるウエハＷの搬送を開始するように構成されている。
【００４５】
ステップ５では、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）へのウエハＷの搬送完了を検知したら、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）とを遮断してプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）内でのウエハＷの処理を開始するように構成されている。
【００４６】
ステップ６では、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理完了を検知したら、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）とバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とを連通してプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）からバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内への真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２による処理後のウエハＷの搬送を開始するように構成されている。
【００４７】
ステップ７では、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内へのウエハＷの搬送完了を検知したら、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２（処理室２０１）とバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とを遮断してバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰を開始するように構成されている。
【００４８】
ステップ８では、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰完了を検知したら、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と大気ローダＬＭとを連通してバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２から大気ローダＬＭへの大気ロボットＡＲによるウエハＷの搬送を開始するように構成されている。
【００４９】
ステップ９では、大気ローダＬＭ内へのウエハＷの搬送完了を検知したら、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と大気ローダＬＭとを遮断すると共に大気ローダＬＭからロードポートＬＰ１，ＬＰ２への大気ロボットＡＲによるウエハＷの搬送を開始するように構成されている。
【００５０】
このステップ１からステップ８を１サイクルとして、このサイクルを複数枚のウエハＷ毎に繰り返していく。
【００５１】
＜振分け運用を採用した基板処理動作＞
本実施形態のように、２つの基板処理モジュール（ＰＭ１＋ＶＬ１、ＰＭ２＋ＶＬ２）を有する場合には、１つのキャリア（例えばキャリアＣＲ１）に格納されている複数枚のウエハＷを２つの基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２に交互に振分けて処理する振分け運用と、キャリアＣＲ１，ＣＲ２とプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２が対の関係となるように処理する並列運用とがある。これらの一般的な運用制御方式は、次の通りである。
【００５２】
（振分け運用）
振分け運用は、主に同一の基板処理（例えば同一膜種の成膜等）を行う場合に採用される。図８は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される振分け運用を示した説明図である。振分け運用では、２つの基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２において同一条件での成膜等の基板処理を行うことを目的としており、符号Ｌ１，Ｌ２でウエハ搬送ルートを示すように、キャリアＣＲ１内に格納されているウエハＷは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のうちいずれか一方のチャンバで処理されても良い。振分け運用を採用せずに、２つの基板処理モジュールＭＤ１（ＰＭ１＋ＶＬ１），ＭＤ２（ＰＭ２＋ＶＬ２）を交互に使用する固定運用とした場合には、２つのライン（ＭＤ１，ＭＤ２）の一方で温度設定値待ちなどプロセス条件が整うまで待つことにより遅延が発生すると、効率良くウエハＷの処理を行うことが困難となる。これに対し、振分け運用を採用した場合には、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２のうちいずれか一方のチャンバのクーリングステージ（クーリングステージＣＳ１又はクーリングステージＣＳ２）上に処理済みウエハＷ
が載置された時点で、対応する基板処理モジュール（基板処理モジュールＭＤ１又は基板処理モジュールＭＤ２）に空きが発生したものと判断することができ、係る空きラインにウエハＷを優先的に振分けて搬送することにより、効率良くウエハＷの処理を行うことが可能となる。
【００５３】
（並列運用）
並列運用は、主に異なる基板処理（不同一膜種の成膜等）を行う場合に採用される。図９は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される並列運用を示した説明図である。並列運用におけるウエハ搬送ルートを符号Ｌ１，Ｌ２で示す。並列運用では、キャリアＣＲ１内の全てのウエハＷは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のうちいずれか一方の指定のチャンバのみ（例えばプロセスチャンバＰＭ１のみ）に搬送されて処理され、キャリアＣＲ２内の全てのウエハＷは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のうちいずれか他方の指定のチャンバのみ（例えばプロセスチャンバＰＭ２のみ）に搬送されて処理される。なお、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２による処理は同時並行で行うことができる。
【００５４】
以下に、振分け運用の具体的動作について、係る様子を、図４を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の説明において、ＥｖａｃとはバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧処理を意味し、ＶｅｎｔとはバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰処理を意味し、ウエハ＃ｎとは複数枚のウエハのうちｎ番目のウエハＷを意味している。
【００５５】
（１）大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃１をロードポートＬＰ１から取り出し、大気ローダＬＭ内に搬入する。大気ロボットＡＲのアームによりアライメントを実施した後、さらにそのウエハ＃１を、大気ロボットＡＲにより大気ローダＬＭ内からバキュームロックチャンバＶＬ１の前まで運んでいき、バキュームロックチャンバＶＬ１内に搬入する（矢印ｍ１）。搬入した未処理ウエハ＃１は上段の未処理基板載置部としてのバッファステージＬＳ１上に載置する。ロードドアＧ３を閉めてバキュームロックチャンバＶＬ１内を真空排気（Ｅｖａｃ１）する。この間に、大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃２をロードポートＬＰ１から取り出し、大気ローダＬＭ内に搬入して、アライナユニットＡＵでアライメントを行う。ゲートバルブＧ１を開けて真空ロボットＶＲ１によりバキュームロックチャンバＶＬ１の上段のバッファステージＬＳ１上からプロセスチャンバＰＭ１内に未処理ウエハ＃１を搬入する（ａ）。ゲートバルブＧ１を閉める。プロセスチャンバＰＭ１内で未処理ウエハ＃１の成膜処理を先行で開始する（＃１：プロセス）。
【００５６】
（２）大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃２をロードポートＬＰ１上から取り出し、大気ローダＬＭ内に搬入する。大気ロボットＡＲのアームによる先行動作により、アライナユニットＡＵでアライメントを行なう。アライメントを行った未処理ウエハ＃２を、大気ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ２の前まで運んでいき、バキュームロックチャンバＶＬ２内に搬入する（矢印ｍ２）。搬入した未処理ウエハ＃２は上段のバッファステージＬＳ２上に載置する。ロードドアＧ４を閉めてバキュームロックチャンバＶＬ２内を真空排気（Ｅｖａｃ２）する。ゲートバルブＧ２を開けて真空ロボットＶＲ２によりバキュームロックチャンバＶＬ２の上段のバッファステージＬＳ２上からプロセスチャンバＰＭ２内に未処理ウエハ＃２を搬入する（ｂ）。ゲートバルブＧ２を閉める。プロセスチャンバＰＭ２内で未処理ウエハ＃２の成膜処理を開始する（＃２：プロセス）。
【００５７】
（３）大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃３をロードポートＬＰ１から取り出し、大気ローダＬＭ内に搬入する。大気ロボットＡＲのアームによる先行動作により、アライナユニットＡＵでアライメントを行なう。アライメントを行った未処理ウエハ＃３を、大気ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ１の前まで運んでいく。ロードドア
Ｇ３を開ける前に、不活性ガスＮ２を導入し、バキュームロックチャンバＶＬ１内を大気圧状態にする（Ｖｅｎｔ１）。バキュームロックチャンバＶＬ１内のＶｅｎｔ１が完了したと同時に、ロードドアＧ３を開けて、未処理ウエハ＃３をバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬入する（矢印ｍ３）。搬入した未処理ウエハ＃３は上段のバッファステージＬＳ１上に載置する。ロードドアＧ３を閉めてバキュームロックチャンバＶＬ１内を真空排気（Ｅｖａｃ３）する。
【００５８】
（４）大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃４をロードポートＬＰ１から取り出し、大気ローダＬＭに搬入する。大気ロボットＡＲのアームによる先行動作により、アライナユニットＡＵでアライメントを行なう。アライメントを行った未処理ウエハ＃４を、大気ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ２の前まで運んでいく。ロードドアＧ４を開ける前に、不活性ガスＮ２を導入し、バキュームロックチャンバＶＬ２内を大気圧状態にする（Ｖｅｎｔ２）。Ｖｅｎｔ２が完了したと同時にロードドアＧ４を開けて、未処理ウエハ＃４をバキュームロックチャンバＶＬ２内に搬入する（矢印ｍ４）。搬入した未処理ウエハ＃４は上段のバッファステージＬＳ２上に載置する。ロードドアＧ４を閉めてバキュームロックチャンバＶＬ２内を真空排気（Ｅｖａｃ４）する。
【００５９】
（５）先行開始したプロセスチャンバＰＭ１でのウエハ＃１の成膜処理が終了したら、直ちにプロセスチャンバＰＭ１のゲートバルブＧ１を開け、真空ロボットＶＲ１によりプロセスチャンバＰＭ１内からバキュームロックチャンバＶＬ１内に処理済みウエハ＃１を搬出する（ｃ）。搬出した処理済みウエハ＃１は、バキュームロックチャンバＶＬ１の下段のクーリングステージＣＳ１上に載置して冷却する。このクーリングステージＣＳ１上への載置により、統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃１がバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送されたことを検知する。
【００６０】
（６）真空ロボットＶＲ１によりバキュームロックチャンバＶＬ１の上段のバッファステージＬＳ１上からプロセスチャンバＰＭ１内に未処理ウエハ＃３を搬入する（ｄ）。ゲートバルブＧ１を閉める。プロセスチャンバＰＭ１内で未処理ウエハ＃３の成膜処理を開始する（＃３：プロセス）。
【００６１】
（７）統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃１がバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送されたことを検知すると、大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃５をロードポートＬＰ１から取り出し、大気ローダＬＭ内に搬入する。大気ロボットＡＲのアームによる先行動作により、アライナユニットＡＵでアライメントを行なう。アライメントを行った未処理ウエハ＃５を、大気ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ１の前まで運んでいく。
【００６２】
また、統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃１がバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送されたことを検知すると、ロードドアＧ３を開ける前に、不活性ガスＮ２を導入し、バキュームロックチャンバＶＬ１内を大気圧状態にする（Ｖｅｎｔ３）。バキュームロックチャンバＶＬ１内のＶｅｎｔ３が完了したと同時に、ロードドアＧ３を開けて、未処理ウエハ＃５をバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬入する（矢印ｍ５）。搬入した未処理ウエハ＃５は上段のバッファステージＬＳ１上に載置する。この段階で、バキュームロックチャンバＶＬ１の上段のバッファステージＬＳ１上に未処理ウエハ＃５が載置され、下段のクーリングステージＣＳ１上に処理済みウエハ＃１が載置されている。
【００６３】
（８）この間に、後で開始したプロセスチャンバＰＭ２でのウエハ＃２の成膜処理が終了したら、直ちにゲートバルブＧ２を開け、真空ロボットＶＲ２によりプロセスチャンバＰＭ２内からバキュームロックチャンバＶＬ２内に処理済みウエハ＃２を搬出する（ｅ）
。搬出した処理済みウエハ＃２は、バキュームロックチャンバＶＬ２の下段のクーリングステージＣＳ２上に載置して冷却する。このクーリングステージＣＳ２上への載置により、統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃２がバキュームロックチャンバＶＬ２内に搬送されたことを検知する。
【００６４】
（９）真空ロボットＶＲ２により、バキュームロックチャンバＶＬ２の上段のバッファステージＬＳ２上からプロセスチャンバＰＭ２内に未処理ウエハ＃４を搬入する（ｆ）。ゲートバルブＧ２を閉める。プロセスチャンバＰＭ２内で未処理ウエハ＃４の成膜処理を開始する（＃４：プロセス）。
【００６５】
（１０）その後、大気ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ１のクーリングステージＣＳ１上の冷却済みのウエハ＃１を取り出し、ロードポートＬＰ１へ搬出する（Ｍ１（＃１払出し））。ロードドアＧ３を閉めてバキュームロックチャンバＶＬ１内を真空排気（Ｅｖａｃ５）する。
【００６６】
（１１）統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃２がバキュームロックチャンバＶＬ２内に搬送されたことを検知すると、大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃６をロードポートＬＰ１から取り出し、大気ローダＬＭ内に搬入する。大気ロボットＡＲのアームで先行動作によりアライメントを実施した後、さらに大気ロボットＡＲによりそのウエハ＃６をバキュームロックチャンバＶＬ２の前まで運んでいく。また、統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃２がバキュームロックチャンバＶＬ２内に搬送されたことを検知すると、ロードドアＧ４を開ける前に、不活性ガスＮ２を導入し、バキュームロックチャンバＶＬ２内を大気圧状態にする（Ｖｅｎｔ４）。バキュームロックチャンバＶＬ２内のＶｅｎｔ４が完了したと同時に、ロードドアＧ４を開けて、未処理ウエハ＃６をバキュームロックチャンバＶＬ２内に入れる（矢印ｍ６）。搬入した未処理ウエハ＃６は上段のバッファステージＬＳ２上に載置する。この段階で、バキュームロックチャンバＶＬ２の上段のバッファステージＬＳ１上に未処理ウエハ＃６が載置され、下段のクーリングステージＣＳ１上に処理済みウエハ＃２が載置されている。
【００６７】
（１２）その後、クーリングステージＣＳ２上の冷却済みのウエハ＃２を、大気ロボットＡＲのアームでロードポートＬＰ１へ搬出する（Ｍ２（＃２払出し））。また、ロードドアＧ４を閉めて、バキュームロックチャンバＶＬ２内を真空排気（Ｅｖａｃ６）する。
【００６８】
（１３）プロセスチャンバＰＭ１内でのウエハ＃３の成膜処理が終了したら、直ちにゲートバルブＧ１を開け、真空ロボットＶＲ１によりプロセスチャンバＰＭ１内からバキュームロックチャンバＶＬ１内に処理済みウエハ＃３を搬出する（ｇ）。搬出した処理済みウエハ＃３は、バキュームロックチャンバＶＬ１の下段のクーリングステージＣＳ１上に載置して冷却する。このクーリングステージＣＳ１上への載置により、統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃３がバキュームロックチャンバＶＬ１に搬送されたことを検知する。
【００６９】
（１４）真空ロボットＶＲ１により、バキュームロックチャンバＶＬ１の上段のバッファステージＬＳ１内からプロセスチャンバＰＭ１内に未処理ウエハ＃５を搬入する（ｈ）。ゲートバルブＧ１を閉める。プロセスチャンバＰＭ１内で未処理ウエハ＃５の成膜処理を開始する（＃５：プロセス）。
【００７０】
（１５）また、統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃３がバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送されたことを検知すると、大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃７をロードポートＬＰ１から取り出し、大気ローダＬＭ内に搬入する。大気ロボットＡＲのアームによる先行動作により、アライナユニットＡＵでアライメントを行なう。ア
ライメントを行った未処理ウエハ＃７を、大気ロボットＡＲにより大気ローダＬＭからバキュームロックチャンバＶＬ１の前まで運んでいく。ロードドアＧ３を開ける前に、不活性ガスＮ２を導入し、バキュームロックチャンバＶＬ１内を大気圧状態にする（Ｖｅｎｔ５）。Ｖｅｎｔ５が完了したと同時に、ロードドアＧ３を開けて、未処理ウエハ＃７をバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬入する（矢印ｍ７）。搬入した未処理ウエハ＃７は上段のバッファステージＬＳ１上に載置する。この段階で、バキュームロックチャンバＶＬ１の上段のバッファステージＬＳ１上に未処理ウエハ＃７が載置され、下段のクーリングステージＣＳ１上に処理済みウエハ＃３が載置されている。
（１６）その後、クーリングステージＣＳ２上の冷却済みのウエハ＃３を、大気ロボットＡＲのアームによりロードポートＬＰ１内へ搬出する（Ｍ３（＃３払出し））。
【００７１】
（１７）この間に、プロセスチャンバＰＭ２内でのウエハ＃４の成膜処理が終了したら、直ちにゲートバルブＧ２を開け、真空ロボットＶＲ２によりプロセスチャンバＰＭ２内からバキュームロックチャンバＶＬ２内に処理済みウエハ＃４を搬出する（ｉ）。搬出した処理済みウエハ＃４は、バキュームロックチャンバＶＬ２の下段のクーリングステージＣＳ２上に載置して冷却する。このクーリングステージＣＳ２への載置により、統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃４がバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送されたことを検知する。
【００７２】
（１８）真空ロボットＶＲ２により、バキュームロックチャンバＶＬ２の上段のバッファステージＬＳ２上からプロセスチャンバＰＭ２内に未処理ウエハ＃６を搬入する（ｊ）。ゲートバルブＧ２を閉める。プロセスチャンバＰＭ２内で未処理ウエハ＃６の成膜処理を開始する（＃６：プロセス）。
【００７３】
（１９）統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃４がバキュームロックチャンバＶＬ１内に搬送されたことを検知すると、大気ロボットＡＲにより未処理ウエハ＃８をロードポートＬＰ１から取り出し、大気ローダＬＭ内に搬入する。大気ロボットＡＲのアームでアライメントを実施した後、さらにそのウエハ＃８を大気ロボットＡＲでバキュームロックチャンバＶＬ２の前まで運んでいく。また、統括制御コントローラ９０は、処理済みのウエハ＃４がバキュームロックチャンバＶＬ１に搬送されたことを検知すると、ロードドアＧ４を開ける前に、不活性ガスＮ２を導入し、バキュームロックチャンバＶＬ２内を大気圧状態にする（Ｖｅｎｔ６）。Ｖｅｎｔ６が完了したと同時に、ロードドアＧ４を開けて、未処理ウエハ＃８をバキュームロックチャンバＶＬ２内に入れる（矢印ｍ８）。搬入した未処理ウエハ＃８は上段のバッファステージＬＳ２上に載置する。この段階で、バキュームロックチャンバＶＬ２の上段のバッファステージＬＳ１上に未処理ウエハ＃８が載置され、下段のクーリングステージＣＳ１上に処理済みウエハ＃４が載置されている。
【００７４】
（２０）この間に、ロードドアＧ３を閉めてバキュームロックチャンバＶＬ１内を真空排気（Ｅｖａｃ７）する。
【００７５】
（２１）その後、クーリングステージＣＳ２上の冷却済みのウエハ＃４を、大気ロボットＡＲのアームによりロードポートＬＰ１内へ搬出する（Ｍ４（＃４払出し））。また、ロードドアＧ４を閉めてバキュームロックチャンバＶＬ２内を真空排気（Ｅｖａｃ８）する。
【００７６】
このようにプロセスチャンバＰＭ１でのプロセスと、プロセスチャンバＰＭ２とのプロセスを交互に繰り返していく。
【００７７】
＜残時間の表示＞
本実施形態に係る基板処理装置は、上述の基板処理（振分け運用、並列運用を含む）を実施する際に、基複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷについて第１のステップの実行を開始してから、複数枚のウエハＷのうち最後のウエハＷについて第９のステップの実行を完了する迄の残時間を表示するように構成されている。以下に、本実施形態に係る基板処理装置が備える残時間の表示機能について説明する。
【００７８】
制御手段ＣＮＴは、複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷについて第１のステップの実行を開始してから、複数枚のウエハＷのうち最後のウエハＷについて第９のステップの実行を完了する迄の残時間を算出する算出手段と、算出手段により算出された残時間を表示する表示手段と、を備えている。算出手段及び表示手段は操作部１００或いは統括制御コントローラ９０に実現される。
【００７９】
具体的には、制御手段ＣＮＴは、第１のステップから第９のステップ迄の各ステップの予定所要時間が読み出し可能に予め格納された記憶部を備えている。算出手段は、複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷについて第１のステップが開始されたら、第１のステップを開始してから複数枚のウエハＷのうち最後のウエハＷについて第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を記憶部から読み出して残時間（予定所要時間）を算出するように構成されている。
【００８０】
例えば、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２から大気ローダＬＭへの搬送所要時間（予定時間）がＴａ（ｓｅｃ）、大気ローダＬＭからプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２への搬送所要時間（予定時間）がＴｂ（ｓｅｃ）、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２からバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内のクーリングステージＣＳへの搬送所要時間（予定時間）がＴｃ（ｓｅｃ）、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内のクーリングステージＣＳからロードポートＬＰ１，ＬＰ２への搬送所要時間（予定時間）をＴｄ（ｓｅｃ）、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内を真空圧にする減圧所要時間（予定時間）をＴｅ（ｓｅｃ）、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内を大気圧にする大気圧復帰所要時間（予定時間）をＴｆ（ｓｅｃ）、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での処理時間（予定時間）をＴｇ（ｓｅｃ）、処理対象のウエハＷの総枚数をｈ（枚）としたとき、残時間（予定所要時間）は以下の計算式で算出することができる。
【００８１】
（振分け運用での残時間）＝Ｔａ＋Ｔｅ＋Ｔｆ＋Ｔｄ＋（Ｔｂ＊ｈ）／２＋Ｔｂ＋（Ｔｃ＊ｈ）／２＋Ｔｃ＋（Ｔｇ＊ｈ）／２  （ｓｅｃ）    ・・・・（式１）
【００８２】
（並列運用での残時間）＝Ｔａ＋Ｔｅ＋Ｔｆ＋Ｔｄ＋Ｔｂ＊ｈ＋Ｔｃ＊ｈ＋Ｔｇ＊ｈ  （ｓｅｃ）・・・・（式２）
【００８３】
表示手段は、算出された残時間を算出手段から受信して、操作部１００に接続された図示しないモニタ装置に表示させるように構成されている。具体的には、表示手段は、基板処理の名称（自動運転の対象であるジョブ名称）と残時間（例えばｈｈｈｈ：ｍｍ：ｓｓの形式であって、ｈｈｈｈが時間、ｍｍが分、ｓｓが秒を示す）との対を含むメッセージを算出手段から受信して、モニタ装置に表示するように構成されている。図１０に、メッセージのデータ構造を例示する。
【００８４】
なお、モニタ装置への表示に際しては、算出した残時間（予定所要時間）をそのまま表示させることとしてもよいし、図７に例示するように残時間を元に算出した終了予定時刻を表示させることとしてもよい。かかる表示は、基板処理の名称（自動運転の対象であるジョブ名称）毎に区分して表示するように構成されている。なお、終了予定時刻は、複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷについて第１のステップを開始した時刻（開始時刻）に、算出手段が算出した残時間（予定所要時間）を加算することにより算出することがで
きる。また、上述のメッセージは、ＬＡＮ回線８０を介して図示しないホストコンピュータへ送信されるように構成されていてもよく、残時間或いは終了予定時刻の表示はホストコンピュータにより行われるように構成されていてもよい。
【００８５】
＜残時間の再表示＞
制御手段ＣＮＴは、上述の残時間を随時再算出（更新）し、再算出（更新）した残時間（予定所要時間）をモニタ装置へ再表示させるように構成されている。
【００８６】
すなわち、制御手段ＣＮＴは、ウエハＷの搬送完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧完了、及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理完了のうちいずれかを検知したら、完了を検知してから、複数枚のウエハＷのうち最後の基板について第９のステップの実行を完了する迄の残時間を算出手段により再算出させ、再算出された補正後の残時間を表示手段により表示させるように構成されている。
【００８７】
かかる再算出は、ウエハＷの搬送完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧完了、及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理完了のうちいずれかを検知したら、完了を検知してから、複数枚のウエハＷのうち最後のウエハＷについて第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を記憶部から読み出して行うように構成されている。計算式は上述の式１，式２を用いることができる。上述のように構成された結果、第１のステップから第９のステップのいずれかのステップを開始する度（ステップの完了を検知する度）に、残時間が再算出され、再算出された補正後の残時間が表示手段により表示されるように構成されている。なお、再算出は上述の方法に限定されず、既に算出してある残時間に遅延時間をさらに加算することにより行ってもよい。
【００８８】
＜本実施形態に係る効果＞
本発明の一実施形態によれば、以下に示す（ａ）〜（ｄ）のうち１つまたは複数の効果を奏する。
【００８９】
（ａ）本実施形態に係る制御手段ＣＮＴは、複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷについて第１のステップの実行を開始してから、複数枚のウエハＷのうち最後のウエハＷについて第９のステップの実行を完了する迄の残時間を算出する算出手段と、算出手段により算出された残時間を表示する表示手段と、を備えている。具体的には、制御手段ＣＮＴは、第１のステップから第９のステップ迄の各ステップの予定所要時間が読み出し可能に予め格納された記憶部を備えている。そして、算出手段は、複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷについて第１のステップが開始されたら、第１のステップを開始してから複数枚のウエハＷのうち最後のウエハＷについて第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を記憶部から読み出して残時間（予定所要時間）を算出するように構成されている。また、表示手段は、算出された残時間を算出手段から受信して、操作部１００に接続された図示しないモニタ装置に表示させるように構成されている。その結果、複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷの処理を開始してから最後のウエハＷの処理を完了する迄の残時間を容易に把握することが可能となる。その結果、基板処理の計画を容易に立案することが可能となる。すなわち、残時間情報を元に該基板処理の前後の工程を含めた生産計画の立案が容易となり、前後の工程で使用される装置や材料の準備を円滑に行うことが可能となる。また、残時間を容易に把握できることで、オペレータは基板処理装置周辺に待機して監視し続ける必要がなくなり、オペレータの負担を低減させると共に、空き時間を前後工程の準備に充てることが可能となる、
【００９０】
参考までに、従来の基板処理装置における残時間の表示例を図６に示す。図６に示すように、従来の基板処理装置では、処理対象の複数枚のウエハＷのうち個々のウエハＷについての残時間（すなわち、プロセスチャンバ内のおける個々の基板処理の残時間）を表示するように構成されていた。そのため、オペレータは、複数枚のウエハＷ全てに関する進捗状況をモニタ装置から把握することは困難であった。これに対して本実施形態に係る基板処理装置によれば、複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷについて第１のステップの実行を開始してから、複数枚のウエハＷのうち最後のウエハＷについて第９のステップの実行を完了する迄の残時間がモニタ装置に表示されるため、複数枚のウエハＷ全てに関する進捗状況を容易に把握することが可能となる。
【００９１】
（ｂ）本実施形態に係る制御手段ＣＮＴは、制御手段ＣＮＴは、ウエハＷの搬送完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧完了、及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理完了のうちいずれかを検知したら、完了を検知してから、複数枚のウエハＷのうち最後の基板について第９のステップの実行を完了する迄の残時間を算出手段により再算出させ、再算出された残時間を表示手段に表示させるように構成されている。すなわち、第１のステップから第９のステップのいずれかのステップを開始する度（ステップの完了を検知する度）に、残時間が再算出され、再算出された補正後の残時間がモニタ装置へ表示されるように構成されている。その結果、オペレータは、複数枚のウエハＷ全てに関する最新の進捗状況を容易に把握することができる。例えば、複数のステップのうち所定のステップの進行に遅延が発生した場合においても、遅延が発生したステップの完了を待って残時間が再算出され、再算出された最新の残時間がモニタ装置へ表示されるため、オペレータは、遅延時間を織り込んだ補正後の残時間を容易に把握することができる。その結果、基板処理の計画をさらに容易に立案することが可能となる。
【００９２】
なお、基板処理の種類によっては、図５に示すように、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理時間が短い場合がある。係る場合、ウエハＷの搬送時間の増減やバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の圧力調整時間の増減が、基板処理時間全体の増減に大きな影響を与えることとなる。特に、ウエハＷの搬送やバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の圧力調整を頻繁且つ繰り返し行うような基板処理工程では、これらの増減が板処理時間全体の増減に大きな影響を与えることとなる。例えば、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の圧力調整は、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内へ供給するＮ２ガスの流量、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内を排気する真空ポンプの排気量、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２のリーク有無やリーク量によってそれぞれ変動する。係る場合、従来の基板処理装置のように、プロセスチャンバ内のおける個々の基板処理の残時間だけをモニタ装置に表示するようにすると、基板処理時間全体の増減（基板処理全体の進捗状況）を把握することは困難であると共に、当初見込んでいた基板処理の終了時刻と実際の終了時刻とが大きくずれてしまう場合がある。初見込んでいた基板処理の終了時刻と実際の終了時刻とを一致させるには、ウエハＷの搬送やバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の圧力調整に遅延が発生することを予め織り込んで残時間を算出する方法も考えられるが、係る場合には、遅延の有無に関わらず基板処理時間が長時間化することになり、基板処理の効率が低下してしまう。
【００９３】
これに対して、本実施形態によれば、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理完了を検知した時だけでなく、ウエハＷの搬送完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧完了を検知する度に残時間を再算出するようにしている。すなわち、ウエハＷの搬送やバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の圧力調整に生じた遅延が残時間に随時織り込まれる（残時間が随時補正される）ように構成されている。その結果、
例えば、図５に示すようにプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理時間が短い場合において、オペレータは、遅延時間を織り込んだ補正後の残時間を正確且つ容易に把握することが可能となる。
【００９４】
（ｃ）本実施形態に係る制御手段ＣＮＴは、複数枚のウエハＷのうち最初のウエハＷについて第１のステップを開始した時刻（開始時刻）に、算出手段が算出した残時間（予定所要時間）を加算することにより、複数枚のウエハＷのうち最後のウエハＷについて第９のステップの実行が完了する終了予定時刻を算出し、開始時刻と終了予定時刻とをモニタ装置へ表示させるように構成されている。そのため、オペレータは、複数枚のウエハＷ全てに関する終了予定時刻を容易に把握することができる。一方、ホストコンピュータへ送信するメッセージには、終了予定時刻ではなく、残時間がそのまま含まれるように構成されているため、ホストコンピュータにおけるデータの取り扱いが容易となる。
【００９５】
（ｄ）本実施形態に係る制御手段ＣＮＴは、図７に示すように、モニタ装置へ残時間或いは終了予定時刻を表示させる際に、７に示すように、基板処理の名称（ジョブ名称）毎に区分して表示するように構成されている。そのため、オペレータは、複数のジョブが同時並行で実行されているときであっても、それぞれがいつ完了するのかを容易に把握することが可能である。なお、基板処理の名称（ジョブ名称）毎に区分して表示しない場合には、複数のジョブのうち最後に終了するジョブを選択的に表示することにより、最終的にジョブが終了する時刻の把握が容易になり好ましい。
【００９６】
＜他の実施の形態＞
上述の実施形態に係る制御手段ＣＮＴ（算出手段）は、ウエハＷの搬送完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧完了、及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理完了のうちいずれかを検知したら、残時間を再算出するように構成されていた。しかしながら、本発明は係る形態に限定されない。例えば、制御手段ＣＮＴは、所定の周期間隔で定期的に残時間を再算出するように構成されてもよい。このように構成されることで、モニタ装置に表示される残時間が定期的に更新されることとなり、オペレータは遅延時間を織り込んだ補正後の残時間を正確かつ容易に把握することが可能となる。また、例えば、制御手段ＣＮＴは、所定の許容時間を超過してもウエハＷの搬送完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の大気圧復帰完了、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内の減圧完了、及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内（処理室２０１内）でのウエハＷの処理完了を検知出来なかった場合（すなわち、ステップ進行の遅延を検知した場合）に、残時間を再算出するように構成されてもよい。このように構成されることで、ステップ進行の遅延を検知した場合にモニタ装置に表示される残時間が更新されることとなり、遅延時間を織り込んだ補正後の残時間を正確かつ容易に把握することが可能となる。
【００９７】
上述の実施形態では、基板処理の残時間や終了予定時刻をモニタ装置に表示させるように構成されていたが、本発明は係る形態に限定されない。すなわち、終了予定時刻の把握が容易である限り、所要予定時間と経過時間とを対で表示したり、これらをグラフ表示したりするように構成されていてもよい。
【００９８】
上記の実施形態では、基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、本発明は半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であっても好適に適用できる。また、プロセスチャンバの構成も上述の実施形態に限定されない。すなわち、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
さらには、フォトリソグラフィで実施される露光処理や、レジスト液やエッチング液の塗布処理であってもよい。
【００９９】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態限定されるものではなく、その用紙を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１００】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の好ましい態様について付記する。
【０１０１】
本発明の第１の態様は、
大気搬送室と、
前記大気搬送室の一側に並列接続される基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通可能であると共に圧力調整可能に構成された前室、及び前記前室と連通可能に構成された処理室をそれぞれ備えた複数の基板処理モジュールと、
前記大気搬送室の他側に接続されて複数枚の基板を保持する基板収納部と、
前記大気搬送室内に設けられ前記前室内と前記基板収納部との間で基板を搬送する第１の基板搬送装置と、
複数の前記前室内にそれぞれ設けられ前記前室内と前記処理室内との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、
前記第１の基板搬送装置及び第２の基板搬送装置による搬送動作、前記前室内の圧力調整動作、前記処理室内の基板処理動作を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記基板収容部から前記大気搬送室内への前記第１の基板搬送装置による処理対象の基板の搬送を開始すると共に前記前室内の大気圧復帰を開始する第１のステップと、
前記大気搬送室内への前記基板の搬入完了及び前記前室内の大気圧復帰完了を検知したら、前記大気搬送室と前記前室とを連通して前記大気搬送室内から前記前室内への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第２のステップと、
前記前室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記大気搬送室と前記前室とを遮断して前記前室内の減圧を開始する第３のステップと、
前記前室内の減圧完了を検知したら、前記前室と前記処理室とを連通して前記前室内から前記処理室内への前記第２の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第４のステップと、
前記処理室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記前室と前記処理室とを遮断して前記処理室内での前記基板の処理を開始する第５のステップと、
前記処理室内での前記基板の処理完了を検知したら、前記処理室と前記前室とを連通して前記処理室内から前記前室内への前記第２の基板搬送装置による処理後の前記基板の搬送を開始する第６のステップと、
前記前室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記処理室と前記前室とを遮断して前記前室内の大気圧復帰を開始する第７のステップと、
前記前室内の大気圧復帰完了を検知したら、前記前室と前記大気搬送室とを連通して前記前室から前記大気搬送室への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第８のステップと、
前記大気搬送室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記前室と前記大気搬送室とを遮断すると共に前記大気搬送室から前記基板収容部への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第９のステップと、
を１サイクルとしてこのサイクルを複数枚の前記基板毎に繰り返し、
前記複数枚の基板のうち最初の基板について前記第１のステップの実行を開始してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄の残時間を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された前記残時間を表示する表示手段と、を備え、
前記基板の搬送完了、前記前室内の大気圧復帰完了、前記前室内の減圧完了、及び前記処理室内での前記基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、前記完了を検知してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄の残時間を前記算出手段により再算出させ、再算出された前記残時間を前記表示手段に表示させる
基板処理装置である。
【０１０２】
好ましくは、
前記制御手段は、
前記第１のステップから前記第９のステップ迄の各ステップの予定所要時間が読み出し可能に予め格納された記憶部を備えており、
前記算出手段は、
前記複数枚の基板のうち最初の基板について前記第１のステップを開始したら、前記第１のステップを開始してから前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を前記記憶部から読み出して前記残時間を算出する。
【０１０３】
好ましくは、
前記算出手段は、
前記基板の搬送完了、前記前室内の大気圧復帰完了、前記前室内の減圧完了、及び前記処理室内での前記基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、前記完了を検知してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を前記記憶部から読み出して前記残時間を再算出する。
【０１０４】
好ましくは、
前記算出手段は、前記第１のステップから前記第９のステップのいずれかのステップを開始する度に、該ステップを開始してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を前記記憶部から読み出して前記残時間を再算出する。
【０１０５】
好ましくは、
前記制御手段は、前記複数枚の基板のうち最初の基板について前記第１のステップを開始した時刻に前記算出手段が算出あるいは再算出した残時間を加算することにより、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行が完了する終了予定時刻を算出し、算出した前記終了予定時刻を前記表示手段に表示させる。
【０１０６】
本発明の他の態様は、
大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通可能であると共に圧力調整可能に構成された前室、及び前記前室と連通可能に構成された処理室をそれぞれ備えた複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続されて複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室内に設けられ前記前室内と前記基板収納部との間で基板を搬送する第１の基板搬送装置と、複数の前記前室内にそれぞれ設けられ前記前室内と前記処理室内との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板収容部から前記大気搬送室内への前記第１の基板搬送装置による処理対象の基板の搬送を開始すると共に前記前室内の大気圧復帰を開始する第１のステップと、
前記大気搬送室内への前記基板の搬入完了及び前記前室内の大気圧復帰完了を検知したら、前記大気搬送室と前記前室とを連通して前記大気搬送室内から前記前室内への前記第
１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第２のステップと、
前記前室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記大気搬送室と前記前室とを遮断して前記前室内の減圧を開始する第３のステップと、
前記前室内の減圧完了を検知したら、前記前室と前記処理室とを連通して前記前室内から前記処理室内への前記第２の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第４のステップと、
前記処理室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記前室と前記処理室とを遮断して前記処理室内での前記基板の処理を開始する第５のステップと、
前記処理室内での前記基板の処理完了を検知したら、前記処理室と前記前室とを連通して前記処理室内から前記前室内への前記第２の基板搬送装置による処理後の前記基板の搬送を開始する第６のステップと、
前記前室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記処理室と前記前室とを遮断して前記前室内の大気圧復帰を開始する第７のステップと、
前記前室内の大気圧復帰完了を検知したら、前記前室と前記大気搬送室とを連通して前記前室から前記大気搬送室への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第８のステップと、
前記大気搬送室内への前記基板の搬送完了を検知したら、前記前室と前記大気搬送室とを遮断すると共に前記大気搬送室から前記基板収容部への前記第１の基板搬送装置による前記基板の搬送を開始する第９のステップと、
を１サイクルとしてこのサイクルを複数枚の前記基板毎に繰り返し、
前記複数枚の基板のうち最初の基板について前記第１のステップの実行を開始してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄の残時間を算出して表示手段に表示すると共に、
前記基板の搬送完了、前記前室内の大気圧復帰完了、前記前室内の減圧完了、及び前記処理室内での前記基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、前記完了を検知してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄の残時間を再算出して前記表示手段に表示する半導体装置の製造方法である。
【０１０７】
好ましくは、
前記複数枚の基板のうち最初の基板について前記第１のステップを開始したら、前記第１のステップを開始してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を合計して残時間を算出して表示手段に表示する。
【０１０８】
好ましくは、
前記基板の搬送完了、前記前室内の大気圧復帰完了、前記前室内の減圧完了、及び前記処理室内での前記基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、前記完了を検知してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を合計して前記残時間を再算出する。
【０１０９】
好ましくは、
前記第１のステップから前記第９のステップのいずれかのステップを開始する度に、該ステップを開始してから、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行を完了する迄に実行する全てのステップの予定所要時間を合計して前記残時間を再算出する。
【０１１０】
好ましくは、
前記複数枚の基板のうち最初の基板について前記第１のステップを開始した時刻に前記算出手段が算出あるいは再算出した残時間を加算することにより、前記複数枚の基板のうち最後の基板について前記第９のステップの実行が完了する終了予定時刻を算出して前記
表示手段に表示する。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の一実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える制御手段のブロック構成図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備えるプロセスチャンバの概要構成図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフロー図である。
【図５】プロセスチャンバ内の処理時間が短い場合の基板処理工程のフロー図である。
【図６】従来の基板処理装置において、個々の基板ついての処理の残時間がモニタ装置に表示される様子を例示する概略図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置において、最初の基板の処理を開始した「開始時刻」と最後の基板の処理を完了する「終了予定時刻」とがモニタ装置に表示される様子を例示する概略図である。
【図８】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される振分け運用の説明図である。
【図９】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される並列運用の説明図である。
【図１０】基板処理の名称と残時間との対を含むメッセージのデータ構造を例示する概略図である。
【符号の説明】
【０１１２】
ＬＭ    大気ローダ（大気搬送室）
ＭＤ１  基板処理モジュール
ＭＤ２  基板処理モジュール
ＶＬ１  バキュームロックチャンバ（前室）
ＶＬ２  バキュームロックチャンバ（前室）
２０１  処理室
ＬＰ１  ロードポート（基板収納部）
ＬＰ２  ロードポート（基板収納部）
ＡＲ    大気ロボット（第１の基板搬送装置）
ＶＲ１  真空ロボット（第２の基板搬送装置）
ＶＲ２  真空ロボット（第２の基板搬送装置）
Ｗ      ウエハ（基板）
ＣＮＴ  制御手段
【図１】
2010098247.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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