(57)【要約】 【課題】  封止樹脂の変色を防止し、容易にかつ環境に影響を与えないように薄型化された半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することである。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、ポリイミド基板１の表面部のイミド環を開環する改質工程と、金属イオンを吸着させる金属イオン吸着工程と、金属膜３を形成する金属膜３形成工程と、イミド環を閉環する閉環工程と、ｐＨ１．８以上の酸性液体に接触させることによって表面部と残余の部分との接着強度を低下させる酸処理工程と、半導体素子７搭載工程と、半導体素子７および配線層６とポリイミド基板１とを分離する分離工程と、金属膜３をエッチングによって除去する金属膜除去工程とを含む。【選択図】      図１
2010080556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの表面部がポリイミドからなるポリイミド基板の前記表面部を、塩基性液体に接触させて、前記表面部のイミド環を開環することによって、前記表面部の化学的性質を改質する改質工程と、
前記改質工程において改質された表面部を、予め定める金属イオンを含む金属イオン含有溶液に接触させることによって、前記表面部に前記金属イオンを吸着させる金属イオン吸着工程と、
前記金属イオン吸着工程において前記表面部に吸着させた金属イオンを、還元剤を含む液体に接触させて、前記金属イオンを還元することによって前記表面部上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜形成工程の後、前記ポリイミド基板を加熱し温度上昇させることによって、前記表面部のイミド環を閉環する閉環工程と、
前記金属膜形成工程によって形成された前記金属膜の一部の表面上に予め定めるパターン形状でレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト形成工程の後、前記金属膜のうち、前記一部を除く残余の部分を、ｐＨ１．８以上の酸性液体に接触させることによって前記表面部と前記残余の部分との接着強度を低下させる第１酸処理工程と、
前記酸処理工程の後、前記残余の部分の表面上に所定のパターン形状で配線層を形成する配線層形成工程と、
前記レジスト形成工程で形成されたレジストを除去するレジスト除去工程と、
前記レジスト除去工程の後、前記表面部と前記金属膜の一部とを、ｐＨ１．８以上の酸性液体に接触させることによって前記表面部と前記金属膜の一部との接着強度を低下させる第２酸処理工程と、
前記配線層形成工程で形成された前記配線層に半導体素子を搭載する半導体素子搭載工程と、
前記半導体素子搭載工程の後、前記半導体素子および前記配線層と前記ポリイミド基板とを分離する分離工程と、
前記分離工程の後、前記配線層に付着した前記金属膜をエッチングによって除去する金属膜除去工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜形成工程の後、前記閉環工程の前に、前記表面部に残留する金属イオンを水素イオンと交換する水素化工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記水素化工程は、
前記表面部および前記金属膜を、アルカリ金属のイオンを含有するアルカリ金属含有溶液に接触させることによって、前記表面部に残留する金属イオンを前記アルカリ金属のイオンと交換する陽イオン交換段階と、
前記表面部および前記金属膜を酸溶液に接触させることによって、前記陽イオン交換段階で前記表面部に吸着された前記アルカリ金属のイオンを水素イオンと交換するプロトン化段階とを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１酸処理工程および前記第２酸処理工程において、前記酸性液体は、硫酸、リン酸、ギ酸、酢酸、クエン酸、次亜リン酸、シュウ酸およびホウ酸のいずれか１つを含む水溶液であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属イオン吸着工程において、前記金属イオンは、銅イオンおよび銀イオンのいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記閉環工程において、前記ポリイミド基板の加熱および温度上昇は、真空中、不活性ガスおよび還元性ガスのいずれか１つまたは複数の雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記分離工程において、前記半導体素子および前記配線層と前記ポリイミド基板との分離は、前記半導体素子および前記配線層と前記ポリイミド基板とを剥離することによる分離であり、
前記金属膜除去工程では、さらにポリイミド基板に付着した金属膜も除去することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法によって製造されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子とこの半導体素子が搭載される基板とを含む半導体装置の製造方法およびこの半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器の小型化、薄型化の要求に伴い、搭載部品である半導体装置の小型化および薄型化への要求も高まっている。半導体装置の小型化のために、配線基板の薄型化等も進められている。
【０００３】
図１１は、第１の従来技術に係る半導体装置の断面図である。配線基板ａは、図１１に示すように、半導体装置の半導体素子１０７から出力される電気信号を、アウターリード等の外部端子１１２へと伝送するための配線基板であり、配線基板ａには、配線パターン１０６が形成される。配線基板ａは、絶縁性を有する基材１０１の表層、内層に、銅等からなる配線パターン１０６を、電気めっき等によって形成したものである。配線基板ａの薄型化のために、配線基板ａの基材１０１の薄型化も進められているけれども、配線基板ａの基材１０１の厚みを薄くすれば薄くするほど、配線基板ａの搬送等の作業が困難になるという問題点がある。
【０００４】
このため、現在では数十ミクロン程度までの薄型化が限界である。半導体装置の総厚みが３００〜４００μｍ程度のものが開発されている中で、数十ミクロンの厚みを有する配線基板ａを薄形化できれば、半導体装置の薄形化にも大きく貢献することができる。
【０００５】
図１２は、第２の従来技術における表面実装型の発光ダイオード装置の断面図である。第２の従来技術における発光ダイオード装置では、銅に金めっき等を施してなる配線パターン２０６を形成した配線基板ｂ上に、発光ダイオード素子２０７を銀等の導電性ペースト１０８でダイボンディングして搭載する。このとき発光ダイオード素子２０７の正電極は、配線基板ａの正側の配線パターン１０６に接合させる。次に、発光ダイオード素子２０７の負電極は、ボンディングワイヤ１０９等によって配線基板ｂの負側の配線パターン１０６に電気的に接続する。次に、配線基板上の発光ダイオード素子２０７とボンディングワイヤ１０９とを、エポキシ系やシリコーン系の封止樹脂１１０により封止する（たとえば特許文献１参照）。
【０００６】
発光ダイオードは、たとえば携帯機器の液晶モニタのバックライトとして使用されており、携帯機器の薄型化、小型化に伴って、発光ダイオードパッケージの薄型化も進められている。パッケージの薄型化をはかるために、封止樹脂の厚みや配線基板の厚みを薄くする技術が開発されている。この発光ダイオードパッケージの配線基板ｂの配線は単層であるので、配線基板ｂの基材２０１はなくても発光ダイオードパッケージの機能を実現することはできる。しかし発光ダイオードパッケージを製造するときに、配線基板ｂを搬送したり取扱ったりすることが必要であるので、配線基板ｂの機械的強度を維持するため、数十ミクロンの厚みが必要とされている。このことが、パッケージ薄型化の妨げの原因の１つとなっている。
【０００７】
第３の従来技術として、さらなる薄型化のため、配線基材ｂ上に配線パターンの形成、半導体素子の実装などを行ったのち、基材を除去する製造方法が開発されている（たとえば特許文献２参照）。第３の従来技術に係る半導体装置の製造方法では、金属の基材上にパターン配線の形成、半導体素子の実装などを行ったのち、金属基材をエッチングなどによって除去することで、半導体装置の薄型化を実現している。しかし、搬送および取扱いを可能にするためには厚い金属基材を用いる必要があり、この金属基材を除去するためには、エッチング時間が長くかかり、また配線の微細化が難しいという問題がある。
【０００８】
第４の従来技術に係る半導体装置の製造方法として、基材として用いるポリイミド基板を剥離する技術が知られている（たとえば特許文献３参照）。第４の従来技術に係る半導体装置では、ポリイミド基材上にニッケル薄膜を介して銅を積層してポリイミド銅張積層板とする。このポリイミド銅張積層板を基材とし、銅上に配線パターンの形成、半導体素子の実装、樹脂による封止などを行った後、ニッケル薄膜とポリイミド基板との界面で、ポリイミド基板を剥離する。
【０００９】
第４の従来技術に係る半導体装置の製造方法では、樹脂による封止を行う工程においてニッケル薄膜とポリイミド基板とは加熱され、これによって、ニッケル薄膜とポリイミド基板との密着強度が、加熱を行う前の密着強度の約１０分の１に低下する。これを利用して、ポリイミド基板を剥離する。その後、封止樹脂や配線パターンの裏面から、ニッケル薄膜と不要な銅箔をエッチングによって除去する。樹脂によって半導体素子を封止するときには、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂材料を樹脂として用いる。エポキシ系樹脂は、シリコーン系樹脂に比べて、屈折率、強度の点で優れ、シリコーン系樹脂は、エポキシ系樹脂に比べて、耐熱性と耐候性に優れる。したがって、発光ダイオードの使用環境や用途に応じて、エポキシ系樹脂およびシリコーン系樹脂のいずれか１つ、またはシリコーン系樹脂およびエポキシ系樹脂のハイブリッド材料の中から、封止樹脂が選択される。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−２１５８９９号公報
【特許文献２】特開平３−９４４３１号公報
【特許文献３】特許３８６９６９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
エポキシ系樹脂、およびエポキシ系樹脂を含むハイブリッド材料は、高温で長時間加熱すると黄変するという問題があり、第４の従来技術において、ポリイミド基材とニッケル薄膜との密着性を低下させるための温度条件では、エポキシ系樹脂が黄変するという問題がある。
【００１２】
特許文献３には、ニッケル薄膜とポリイミド基材との密着性を低下させるために、ポリイミド基材およびニッケル薄膜を摂氏１８０度の条件下に１時間放置することが記載されている。実際に、発光ダイオード封止用のエポキシ系樹脂とシリコーン系樹脂のハイブリッド材料を、摂氏１８０度の温度条件下に１時間放置すると、樹脂が黄変した。
【００１３】
本発明の目的は、封止樹脂の変色を防止し、容易にかつ環境に影響を与えないように薄型化された半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に従えば、半導体装置の製造方法は、改質工程と、金属イオン吸着工程と、金属膜形成工程と、閉環工程と、レジスト形成工程と、第１酸処理工程と、配線層形成工程と、レジスト除去工程と、第２酸処理工程と、半導体素子搭載工程と、分離工程と、金属膜除去工程とを含んで構成される。改質工程では、少なくとも１つの表面部がポリイミドからなるポリイミド基板の表面部を、塩基性液体に接触させることによって、表面部のイミド環を開環する。これによって、ポリイミド基板の表面部の化学的性質を改質する。金属イオン吸着工程では、改質工程において改質された表面部を、予め定める金属イオンを含む金属イオン含有溶液に接触させることによって、表面部に金属イオンを吸着させる。
【００１５】
金属膜形成工程では、金属イオン吸着工程において表面部に吸着させた金属イオンを、還元剤を含む液体に接触させて、金属イオンを還元する。これによって、ポリイミド基板の表面上に金属膜を形成する。閉環工程では、金属膜形成工程の後、ポリイミド基板を加熱し温度上昇させることによって、表面部のイミド環を閉環する。レジスト形成工程では、金属膜形成工程によって形成された金属膜の一部の表面上に、予め定めるパターン形状でレジストを形成する。
【００１６】
第１酸処理工程では、レジスト形成工程の後、金属膜のうちレジスト形成工程でレジストが形成された一部を除く、残余の部分をｐＨ１．８以上の酸性液体に接触させることによって、残余の部分とポリイミド基板の表面部との接着強度を低下させる。配線層形成工程では、残余の部分の金属膜の表面上に所定のパターン形状で配線層を形成する。レジスト除去工程では、レジスト形成工程で形成されたレジストを除去する。
【００１７】
第２酸処理工程では、レジスト除去工程の後、ポリイミド基板の表面部とレジストが形成されていた金属膜の一部とを、ｐＨ１．８以上の酸性液体に接触させることによって、ポリイミド基板の表面部とレジストが形成されていた金属膜の一部との接着強度を低下させる。半導体素子搭載工程では、配線層形成工程で形成された配線層に、半導体素子を搭載する。分離工程では、半導体素子搭載工程の後、半導体素子および配線層とポリイミド基板とを分離する。金属膜除去工程では、分離工程の後、配線層に付着した金属膜をエッチングによって除去する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、改質工程において、ポリイミド基板の表面部のイミド環を開環することができる。改質工程では塩基性液体を用いるので、開環された状態においてイミド環を形成していたカルボキシル基の水素イオンは、陽イオンに置換された状態となる。金属イオン吸着工程では、カルボキシル基の水素イオンと置換された陽イオンを、さらに予め定める金属イオンに置換し、吸着させることができる。金属膜形成工程では、カルボキシル基に吸着した金属イオンを還元するので、表面部上には金属膜を形成し、かつこの金属膜と前記表面部との間に、ポリイミド基板の間に金属粒子が混在する層を形成することができる。金属膜は、多孔質のポーラス層として形成されるので、後の第１および第２酸処理工程で酸性液体を接触させたときに、酸性液体を、金属粒子が混在する層に接触させることが可能となる。
【００１９】
閉環工程では、イミド環の閉環を行うので、イミド環が開環した状態に比べて、ポリイミド基板の表面部の機械的強度、耐熱性、耐薬品性を向上することができる。また表面部を液体に浸漬したときの表面部の膨潤を防止することができる。レジスト形成工程では、レジストを形成することで、金属膜の表面のうちレジストが配置された領域とレジストが配置されずに露出する領域とを形成することができる。
【００２０】
第１酸処理工程では、金属膜形成工程で形成された金属粒子が混在する層において、金属粒子を溶解させることができる。金属膜は、多孔質のポーラス層として形成されるので、酸性液体は金属膜を透過し、金属粒子が混在する層に接触することができる。金属膜のうち露出する領域を接触させる酸性液体は、ｐＨ１．８以上であるので、金属膜を溶解させることなく、金属膜とポリイミド基板との間に位置する金属粒子を溶解させることができる。これによって、金属膜のうち、レジストが配置される一部を除く、露出する残余の部分とポリイミド基板の表面部との接着強度を低下させるので、後の工程においてポリイミド基板と金属膜とを分離しやすくすることができる。
【００２１】
配線層形成工程では、レジストが配置される一部を除く、露出する残余の部分上に配線層を形成するので、後の工程において半導体素子を搭載することができる。レジスト除去工程では、レジストを除去するので、レジストが配置されていた金属膜の一部を露出させることができる。したがって、後の工程において、露出した金属膜の一部を酸性液体に接触させることが可能となる。
【００２２】
第２酸処理工程では、金属膜形成工程で形成された金属粒子が混在する層において、金属粒子を溶解させることができる。金属膜は、多孔質のポーラス層として形成されるので、酸性液体は金属膜を透過し、金属粒子が混在する層に接触することができる。これによって、レジストが配置されていた金属膜の一部とポリイミド基板の表面部との接着強度を低下させるので、後の工程においてポリイミド基板と金属膜とを分離しやすくすることができる。第１および第２酸処理工程で、金属膜の全領域とポリイミド基板の表面部との接着強度を低下させることが完了する。
【００２３】
半導体素子搭載工程では、配線層に半導体素子を搭載する。半導体素子が搭載された状態において、半導体素子および配線層は、ポリイミド基板上に固定されるので、容易に搬送を行うことができる。分離工程では、半導体素子および配線層とポリイミド基板とを分離するので、ポリイミド基板の大きさを半導体素子全体の大きさから除去することができる。したがって、半導体素子および配線層を含む半導体装置を小形化することができる。金属膜除去工程では、配線層に付着した金属膜を除去するので、半導体装置として不必要な部分を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。以下の説明においては、各形態に先行する形態ですでに説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。またそれぞれの実施形態は、本発明に係る技術を具体化するために例示するものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。本発明に係る技術内容は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることが可能である。以下の説明は、半導体装置の製造方法、および半導体装置についての説明をも含む。
【００２５】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を表すフローチャートである。図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、初期の工程における半導体素子７を表す断面図である。図３は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、途中の工程における半導体素子７を表す断面図である。図２は、処理前から閉環工程までの間の半導体素子７を表しており、図３は、レジスト形成工程から第２酸処理工程までの間の半導体素子７を表している。本実施形態における半導体装置の製造工程では、複数の半導体装置を製造する。図２および図３には半導体装置が３つである場合を示しているけれども、１回の半導体装置の製造方法で製造される半導体装置の個数については規定しない。
【００２６】
半導体装置は、半導体素子７と、この半導体素子７が搭載される基板とを含んで構成される。半導体素子７は、半導体から成る部分を含み、電力の供給によって稼動する電子部品である。基板は、少なくとも１つの表面部がポリイミドからなるポリイミド基板１である。本実施形態において半導体素子７は、発光ダイオード素子とし、ポリイミド基板１は、平板状に形成された、ポリイミドから成る基板であるものとする。
【００２７】
半導体装置の製造方法は、改質工程と、金属イオン吸着工程と、金属膜形成工程と、閉環工程と、レジスト形成工程と、第１酸処理工程と、配線層形成工程と、レジスト除去工程と、第２酸処理工程と、半導体素子搭載工程と、分離工程と、金属膜除去工程とを含んで構成される。改質工程では、少なくとも１つの表面部がポリイミドからなるポリイミド基板１の表面部を、塩基性液体に接触させることによって、表面部のイミド環を開環する。これによって、ポリイミド基板１の表面部の化学的性質を改質する。金属イオン吸着工程では、改質工程において改質された表面部を、予め定める金属イオンを含む金属イオン含有溶液に接触させることによって、表面部に金属イオンを吸着させる。
【００２８】
金属膜形成工程では、金属イオン吸着工程において表面部に吸着させた金属イオンを、還元剤を含む液体に接触させて、金属イオンを還元する。これによって、ポリイミド基板の表面上に金属膜３を形成する。閉環工程では、金属膜形成工程の後、ポリイミド基板１を加熱し温度上昇させることによって、表面部のイミド環を閉環する。レジスト形成工程では、金属膜形成工程によって形成された金属膜３の一部の表面上に、予め定めるパターン形状でレジストを形成する。
【００２９】
第１酸処理工程では、レジスト形成工程の後、金属膜３のうちレジスト形成工程でレジストが形成された一部を除く、残余の部分をｐＨ１．８以上の酸性液体に接触させることによって、残余の部分とポリイミド基板１の表面部との接着強度を低下させる。「ｐＨ」は、水素イオン濃度を対数を用いて表示するものである。配線層形成工程では、残余の部分の金属膜３の表面上に所定のパターン形状で配線層を形成する。レジスト除去工程では、レジスト形成工程で形成されたレジストを除去する。
【００３０】
第２酸処理工程では、レジスト除去工程の後、ポリイミド基板１の表面部とレジストが形成されていた金属膜３の一部とを、ｐＨ１．８以上の酸性液体に接触させることによって、ポリイミド基板１の表面部とレジストが形成されていた金属膜３の一部との接着強度を低下させる。半導体素子搭載工程では、配線層形成工程で形成された配線層に、半導体素子７を搭載する。本実施形態の半導体素子搭載工程では、１つのポリイミド基板１に対して複数の半導体素子７を搭載する。分離工程では、半導体素子搭載工程の後、半導体素子７および配線層とポリイミド基板１とを分離する。金属膜除去工程では、分離工程の後、配線層に付着した金属膜３をエッチングによって除去する。
【００３１】
半導体装置の製造方法は、水素化工程をさらに含んで構成され、水素化工程では、金属膜形成工程の後、閉環工程の前に、ポリイミド基板１の表面部に残留する金属イオンを水素イオンと交換する。水素化工程は、陽イオン交換段階とプロトン化段階とを含む。陽イオン交換段階では、ポリイミド基板１の表面部および金属膜３をアルカリ金属含有溶液に接触させる。アルカリ金属含有溶液は、アルカリ金属のイオンを含有する。これによって、ポリイミド基板１の表面部に残留する金属イオンをアルカリ金属のイオンと交換する。プロトン化段階では、ポリイミド基板１の表面部および金属膜３を酸溶液に接触させることによって、陽イオン交換段階でポリイミド基板１の表面部に吸着されたアルカリ金属のイオンを水素イオンと交換する。
【００３２】
半導体装置の製造方法は、分割工程をさらに含んで構成され、分割工程では、半導体素子搭載工程で搭載された複数の半導体素子７について、各半導体素子７と各半導体素子７に接続される配線とを分割し、半導体素子７の個数と同じ個数の半導体装置を形成する。
【００３３】
以下、各工程について、ポリイミド基板１に対して行う順序に沿って説明する。図１のステップａ１の改質工程では、塩基性液体として、たとえば、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属の水酸化物を含有する水溶液、アミノアルコールなどのアミンを含む溶液を使用する。図２（ａ）には、改質工程を行う前のポリイミド基板１を表す。改質工程において、ポリイミド基板１をアルカリ性溶液に浸漬すると、図２（ｂ）に示すようにポリイミド基板１の表面部が改質され、改質層２が形成される。この工程により、ポリイミド基板１の表面部におけるポリイミド分子のイミド環が加水分解によって開環し、カルボキシル基が生成すると同時に、カルボキシル基の水素イオンがアルカリ性溶液中の金属イオンと置換される。
【００３４】
アルカリ性溶液は、ポリイミドのイミド環を開環できる範囲において、特に制限される必要はない。アルカリ性溶液に含有され、本工程でカルボキシル基に結合する陽イオンを以下、「陽イオン」Ａと称する。たとえば、化学式（１）で表される構造を有するポリイミド基板１を、水酸化カリウム水溶液に接触させてその表面部を改質した場合、加水分解による開環によって生成したカルボキシル基には、カリウムイオンが吸着する。これによって、表面部の分子は、化学式（２）で表される構造を有するようになる。
【００３５】
【化１】
2010080556.tif 000003
【００３６】
ポリイミド基板１は、カプトンＨ、カプトンＥＮ（東レ・デュポン製）、およびアピカルＡＰ（カネカ製）などのうちから、選ばれる。本実施実施形態の改質工程において、たとえば、溶液濃度は１〜１０ｍｏｌ／Ｌ、溶液温度は３０〜８０℃、浸漬時間は１〜６０分間とする。
【００３７】
図１のステップａ２の金属イオン吸着工程では、図２（ｂ）に示される、改質層２を有するポリイミド基板１を、金属イオン含有溶液に浸漬する。金属イオン吸着工程において、金属イオンは、銅イオンおよび銀イオンのいずれか１つを含む。本実施形態において金属イオン含有溶液としては、ＣｕまたはＡｇの金属塩の水溶液を用いる。具体的には、たとえば、ＣｕＳＯ4水溶液、またはＡｇＮＯ3水溶液である。これらの水溶液に、ｐＨ調整剤や、ニッケルイオンなどの他の金属イオンを添加しても良い。
【００３８】
これによって、改質層２全体について、改質層２中の陽イオンＡを、金属イオン含有溶液中の金属イオンと置換させる。その後、水洗する。ＣｕおよびＡｇの金属イオンのイオン化傾向は、アルカリ金属および水素のイオン化傾向よりも小さく、還元されやすい。したがって、後述する還元工程において、改質層２の内部でも、容易に還元され、金属粒子を析出させることができる。
【００３９】
金属イオン含有溶液に含有され、本工程で陽イオンＡと置換する金属イオンを以下、「金属イオン」Ｂと称する。金属イオン含有溶液中の金属イオンＢが、強アルカリ性水溶液中で水に不溶または難溶な塩を形成する場合、本工程の前に、ポリイミド基板１を水洗、または弱アルカリ性溶液に浸漬する工程を行い、ポリイミド基板１の表面を中性から弱アルカリ性にすることが望ましい。本実施形態における金属イオン吸着工程の処理条件として、たとえば溶液濃度は、０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ、溶液温度は５〜４０℃、浸漬時間は１〜２０分間とする。
【００４０】
図１のステップａ３の金属膜形成工程では、ポリイミド基板１を還元剤溶液に浸漬することで、改質層２中に吸着された金属イオンＢを還元する。これによって、図２（ｃ）に示すように、改質層２の表面上には金属膜３が形成され、改質層２の内部には、数十ｎｍ程度の直径の金属微粒子が析出する。この金属粒子の析出によって、金属粒子が混在する層が形成される。以下、この層を「金属粒子混在層」４と称する。金属粒子混在層４は、樹脂中に金属粒子が分散した構造を有する。本実施形態において金属膜形成工程を行うことによって、改質層２の内部には、表面から１００〜５００ｎｍの深さまで、金属粒子混在層４が形成される。
【００４１】
本工程で使用する還元剤溶液の具体例として、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン等の水溶液を挙げることができる。特に、還元剤溶液のｐＨは、還元剤の反応速度、および酸化還元電位に影響するので、還元剤溶液の還元力を調整する目的で、ｐＨ調整剤を加えることが望ましい。またｐＨが高いと、金属の水酸化物および酸化物のいずれかを生じる場合があるので、ｐＨ調整剤を加えることことによって、金属膜形成工程における還元反応において、水酸化物および酸化物が生じることを防止することができる。ｐＨ調整剤として、たとえば、ホウ酸、リン酸などの酸とそれらのナトリウム塩やカリウム塩が挙げることができる。
【００４２】
たとえば、ジメチルアミンボラン水溶液を用いる場合、還元剤溶液の濃度は０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、温度は３０〜６０℃、浸漬時間は２〜２０分、ｐＨは７．０〜９．０が好適である。またたとえば、水素化ホウ素ナトリウム水溶液を用いる場合、還元剤溶液の濃度は０．００１〜０．０１ｍｏｌ／Ｌ、温度は５〜４０℃、浸漬時間は５〜２０分、ｐＨは９．０〜１１．０が好適である。ステップａ１の改質工程の後、閉環工程の前、本実施形態においては水素化工程の前で、金属イオン吸着工程と金属膜形成工程とは、交互に複数回繰り返しても良い。
【００４３】
図１のステップａ４の水素化工程では、ポリイミド基板１の表面部に残留する金属イオンＢを水素イオンによって置換し、ステップａ１の改質工程で生じたカルボキシル基と水素イオンと結合させる。金属膜形成工程において、改質層２中の金属イオンＢは、全てが還元されず、金属イオンＢがイオンの状態で残存する場合がある。また、金属膜形成工程において用いた還元剤溶液に、ナトリウムイオンやカリウムイオンが含まれる場合は、改質層２中にこれらのイオンが吸着する。還元剤溶液中に含まれる、これらの金属イオンを以下、「還元剤由来金属イオン」Ｃと称する。
【００４４】
後述するステップａ５の閉環工程において、改質層２中に金属イオンＢおよび還元剤由来金属イオンＣのいずれかが残存していると、高温に加熱してもイミド環は閉環せず、化学式１に示されるポリイミド構造には戻らない。したがって、改質層２中に残存する金属イオンＢおよび還元剤由来金属イオンＣを除去してから、後述する閉環工程を実施することが望ましい。その方法としては、後述のプロトン化段階を単独で行ってもよいが、後述の陽イオン交換段階を行った後、プロトン化段階を行うことが好ましい。これによって、金属イオンＢから水素イオンへの置換が十分に達成することができる。
【００４５】
水素化工程の一部を成す陽イオン交換段階では、改質層２をアルカリ金属イオン含有溶液に接触させて、改質層２の内部に残存する金属イオンＢを、アルカリ金属イオン含有溶液に含まれるアルカリ金属イオンと置換させる。アルカリ金属イオン含有溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の水溶液を挙げることができる。改質層２に金属イオンＢ以外のものも含有されていた場合、たとえば金属膜形成工程で使用された還元剤溶液に還元剤由来金属イオンＣが含有されていた場合には、陽イオン交換段階において、還元剤由来金属イオンＣも、アルカリ金属イオンで置換することができる。
【００４６】
本段階では、たとえばＣｕイオンなどの金属イオンＢを、一旦アルカリ金属イオンに置換させるので、金属イオンＢが残留する場合に比べて、次のプロトン化段階において水素イオンへの置換を速やかに行うことができる。したがって、カルボキシル基を速やかに水素化することができる。以下、アルカリ金属イオン含有溶液に含まれる金属イオンを、「アルカリ金属イオン」Ｄと称する。特に、改質層２中の金属イオンＢと、アルカリ金属イオン含有溶液とが反応して、水に不溶あるいは難溶の塩が形成される場合、金属イオンＢの除去が容易となる。ここで水に不溶あるいは難溶の塩とは、金属イオンＢがＣｕイオンの場合は、水酸化銅や炭酸銅であり、金属イオンＢがＡｇイオンの場合は酸化銀である。
【００４７】
アルカリ金属イオン含有溶液の濃度は、改質層２に残留する金属イオンＢを置換するのに充分な量のアルカリ金属イオンＤを含んでいればよく、たとえば、水酸化ナトリウム水溶液を用いる場合、濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ〜２ｍｏｌ／Ｌとし、望ましくは０．５ｍｏｌ／Ｌ〜１ｍｏｌ／Ｌとする。処理時間は、１分〜１５分、望ましくは３分〜１０分とし、処理温度は、１０℃〜４０℃、望ましくは２０℃〜３０℃とする。アルカリ金属イオン含有溶液の温度が高すぎると、ポリイミド基板１がさらに改質される場合があり、また改質層２が膨潤してポリイミド基板１から剥離する場合があるので、処理温度は、前述した範囲内で比較的低い温度が望ましい。
【００４８】
また、金属膜３や金属粒子混在層４の金属の酸化を抑制するために、本工程で用いるアルカリ金属イオン含有溶液に、酸化防止剤、たとえば亜硫酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム等を溶解して添加しても良い。アルカリ金属イオン含有溶液に接触させた後は、水洗を行う。これによって、ポリイミド樹脂表面に付着したアルカリ金属含有溶液を除去することができる。水洗は通常、１〜５Ｌ／ｍｉｎの水量で、５分以上の条件で行う。
【００４９】
水素化工程の一部を成すプロトン化段階では、ポリイミド基板１を酸溶液に接触させて、改質層２中に含まれる還元剤由来金属イオンＣおよびアルカリ金属イオンＤを、水素イオンで置換する。本段階で用いる酸溶液は、後述するステップａ７およびステップａ９の第１および第２酸処理工程で用いる酸性溶液とは異なり、金属イオンは含まない。
【００５０】
本段階における金属イオンＣもしくは金属イオンＤの水素イオンへの置換は数秒以内に終了し、その結果、改質層２中の還元剤由来金属イオンＣおよびアルカリ金属イオンＤの残存を防止することができる。これによって、後述するステップａ５の閉環工程において、改質層２の再イミド化を有効に行うことができ、ポリイミド基板１表面の耐薬品性を向上させることができる。
【００５１】
アルカリ金属イオンＤの水素イオンへの置換は、銅イオン等の前記金属イオンＢの水素イオンへの置換よりも著しく円滑に起こる。アルカリ金属イオンＤはカルボキシル基に吸着されにくい性質を持っているため短時間に水素イオンと置換され、さらにイオン化傾向も大きいので、他の反応物を生成することもない。イオン化傾向は、電気的に中性の状態からどの程度カチオンになりやすいか、という性質の強さを表すけれども、カルボキシル基とのイオン結合の生じやすさを「イオン交換の序列」と称すると、イオン交換の序列は、イオン化傾向とは異なる。
【００５２】
イオン交換の序列は、カルボキシル基がイオンを保持する時間の長さをも含む速度論的な要素も関係するので、イオンの種類のみによって決定されるのではなく、イオンの濃度もイオン交換の序列に関係する。各イオンの濃度を同程度と仮定すると、イオン交換の序列は、「アルカリ金属イオンＤ＜金属イオンＢ＜水素イオン」となる。カルボキシル基には、水素イオンほど結合しやすい。
【００５３】
したがって、カルボキシル基にイオン結合している金属イオンＢを水素イオンと交換する交換反応よりも、アルカリ金属イオンＤを水素イオンと交換する反応の方が、速く進行する。カルボキシル基にイオン結合している金属イオンＢをアルカリ金属イオンＤに交換する交換反応は、金属イオンＢの物質量に対して大過剰のアルカリ金属イオンＤを作用させることによって、実現することができる。
【００５４】
酸溶液は、金属膜３および金属粒子混在層４の金属を溶かさない、或いは溶かしにくい酸溶液を用いることが望ましい。たとえば、クエン酸、酢酸、ギ酸、リン酸などである。酸溶液の濃度は、たとえば、クエン酸水溶液の場合、濃度は０．１ｍｏｌ／Ｌ〜１．０ｍｏｌ／Ｌとし、望ましくは０．２ｍｏｌ／Ｌ〜０．５ｍｏｌ／Ｌとする。処理時間は１分〜１５分とし、望ましくは２分〜１０分とする。処理温度は、１０℃〜４０℃とし、望ましくは２０℃〜３０℃とする。
【００５５】
酸溶液処理後は、水洗することによってポリイミド樹脂表面に付着した酸溶液を除去する。乾燥は、必ずしも必要ではないけれども、本実施形態においては水洗の後、乾燥を行う。水洗は通常、１〜５Ｌ／ｍｉｎの水量で、５分以上の条件で行う。乾燥条件は、温度が８０〜１４０℃、望ましくは１００〜１２０℃、時間は３０〜６０分の条件で行う。乾燥においては、窒素ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気、真空雰囲気で加熱処理することが望ましい。これによって、得られた金属が酸化されることを防止することができる。真空雰囲気で乾燥を行う場合は、特に加熱の必要はなく常温で実施しても良い。その場合は乾燥時間を１２０分以上とする等、時間を長くすることが望ましい。常温は、２３℃以上２６℃以下とする。
【００５６】
ただし、金属膜形成工程において、還元剤由来金属イオンＣを含まないジメチルアミンボランなどの還元剤を使用した場合、および充分に金属イオンＢを還元した場合には、水素化工程を省略することができる。
【００５７】
図１のステップａ５の閉環工程では、改質層２を加熱することによって、化学式３に示される改質層２の分子構造を、化学式１に示される元のポリイミド構造に戻す。化学式３に示されるような分子構造は、ポリアミック酸とも呼ばれ、この分子構造を有する状態では、改質層２の機械的強度、耐熱性、耐薬品性、耐アルカリ性は、ポリアミド構造を有する改質層２に比べて劣る。したがって、閉環工程を行なうことにより、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、耐アルカリ性が向上する。これによって、図２（ｄ）に示すようなポリイミド基板１を得ることができる。
【００５８】
処理条件は、改質層２の再イミド化を達成できる条件であれば、足りる。たとえば、温度は２５０℃以上４００℃以下、時間は１時間以上４時間以下とした。閉環工程において、ポリイミド基板１の加熱および温度上昇は、真空中、不活性ガスおよび還元性ガスの雰囲気下で行われることが好ましい。これによって、開環工程で得られた金属膜３および金属粒子混在層４の金属が酸化することを防止することができる。
【００５９】
ステップａ３の金属膜形成工程で、ジメチルアミンボランやトリメチルアミンボランなどの、還元剤由来金属イオンＣを含まない還元剤を用いた場合には、ステップａ４の水素化工程を行わず、たとえば水素ガス雰囲気中で閉環工程を行い、水素ガスで金属イオンＢを還元しながら、イミド環を閉環させても良い。
【００６０】
図１のステップａ６のレジスト形成工程では、レジストを形成する。本実施形態においてレジストは、めっき用レジスト５である。めっき用レジスト５のパターンは、予め定める形状に形成される。これによって、図３（ａ）に示すようなポリイミド基板１を得ることができる。
【００６１】
めっき用レジスト５は、たとえばフォトリソグラフィ法により、感光性の液状またはフィルム状レジストに露光および現像を行って予め定めるパターン形状で形成する。現像では、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（略称「ＴＭＡＨ」）水溶液や炭酸ナトリウム水溶液などの現像液を用いて、不要部分のレジストの除去を行うことができる。
【００６２】
図１のステップａ７の第１酸処理工程では、酸性液体を、めっき用レジスト５の開口部に露出している金属膜３および金属粒子混在層４に接触させる。これによって、酸性液体に接触した部分では、金属膜３が残った状態で、金属粒子混在層４の金属粒子が溶解して、金属膜３とポリイミド基板１との密着性を低下させることができる。さらに、次に行うステップａ８の配線層形成工程におけるめっき処理の前処理として、金属膜３の表面の酸化膜も除去する。
【００６３】
第１酸処理工程において、酸性液体は、第１酸性溶液であって、たとえば硫酸、リン酸、ギ酸、酢酸、クエン酸、次亜リン酸、シュウ酸、ホウ酸のいずれか１つを含む水溶液である。これに対し、たとえば塩酸および硝酸は、銅および銀の単体金属をエッチングするので選択しない。
【００６４】
表１は、ステップａの改質工程〜ステップａ４の水素化工程、およびステップａ５の閉環工程における、典型的な処理条件を示す。表２は、ステップａ５の閉環工程が終了した状態で、各条件の違いによる結果を検討した検討結果を示す。図４は、表１に示す条件で作製したポリイミド基板１および金属膜３の断面をＳＥＭ電子顕微鏡で撮影した写真である。閉環工程までが終了したこのポリイミド基板１は、金属膜３として銅膜を伴っている。
【００６５】
【表１】
2010080556.tif 000004
【００６６】
【表２】
2010080556.tif 000005
【００６７】
図４において、ポリイミド基板１の表面上には１０ｎｍ以下の厚さで銅膜が形成され、ポリイミド基板１の内部には表面から１５０〜１６０ｎｍの深さまで銅微粒子混在層が形成されている。表２は、各種の酸性溶液を用いて、表１の条件で作製した銅膜付きポリイミド基板１を処理した検討の結果である。硫酸、ギ酸、リン酸、クエン酸の溶液と、次亜リン酸ナトリウムの溶液を希薄硫酸によってｐＨ調整した溶液に、それぞれ銅膜付きポリイミド基板１を浸漬し、銅膜の残存状態をポリイミド基板１表面から観察した。さらに、一部の標本については、ポリイミド基板１の断面観察により、酸性溶液処理後の金属粒子混在層４の厚さを調べた。表２において、「○」は銅膜が残存していることを表し、「×」は、銅膜が溶解してポリイミド基板１の表面が露出したことを表す。表２の結果からｐＨ１．８以上の酸性溶液であれば、金属膜３を残した状態で、ポリイミド基板１内の金属粒子を溶解できることがわかった。
【００６８】
さらに、第１酸処理工程後の、金属膜３とポリイミド基板１との密着性を調べた。表１の条件で作製した銅膜付きポリイミド基板１に、濃度０．２ｍｏｌ／Ｌ、ｐＨ２．２、温度２４℃のクエン酸水溶液を用いて第１酸処理を行った後、金属膜３上に電気銅めっきを行い、銅を析出させた。その後、ＪＩＳ−Ｃ６４７１フレキシブルプリント配線板用銅張積層板試験方法の「８．１銅はくの引きはがし強さ」に記載された試験方法で、ピール強度を測定した。
【００６９】
酸性溶液の処理時間が１分の場合、ピール強度は１．２ｋＮ／ｍであり、処理時間が１０分の場合はピール強度が０．４ｋＮ／ｍであった。いずれの場合も、剥離したのは銅膜とポリイミド基板１の界面であって、ポリイミド基板１の表面上に銅膜は残存していなかった。この結果から、酸性溶液の処理時間によって、銅膜とポリイミド基板１との密着強度を制御できることを確認した。
【００７０】
さらに、図５は、ピール強度測定用標本と同じ処理条件で作製したポリイミド基板１および金属膜３の断面を、ＳＥＭ電子顕微鏡で撮影した写真である。図５（ａ）と図５（ｂ）は、それぞれ、酸性溶液の処理時間が１分と１０分の標本の写真である。図５（ａ）の金属粒子混在層４は、金属粒子（銅）の溶解がほとんど確認できないが、図５（ｂ）ではポリイミド基板１の表面近傍において、金属粒子混在層４の銅の金属粒子が減少していることがわかった。
【００７１】
閉環工程の後、図１のステップａ８の配線層形成工程に移行し、めっき用レジスト５の開口部に露出する金属膜３上に、さらに金属からなる配線層を形成する。配線層は、導体から形成される、いわゆる配線パターン６である。本工程に用いられる配線パターン６形成方法としては、たとえば電気めっき法および無電解めっき法によって、たとえば銀、ニッケル、金、銅等の金属を１層もしくは複数層形成する。
【００７２】
図１のステップａ９のレジスト除去工程では、めっき用レジスト５を、レジスト剥離液を用いて除去する。本工程で用いられるレジスト剥離液は、たとえば水酸化ナトリウム水溶液、有機アミン系の剥離液などを用いることができる。
【００７３】
図１のステップａ１０の第２酸処理工程において酸性液体は、硫酸、リン酸、ギ酸、酢酸、クエン酸、次亜リン酸、シュウ酸およびホウ酸のいずれか１つを含む水溶液である。本工程では、第１酸処理工程において、めっき用レジスト５に覆われていた領域の金属膜３および金属粒子混在層４を、酸性液体によって処理する。本実施形態において第２酸処理工程において用いる酸性液体は、第１酸処理工程において用いられる第１酸性溶液と異なる第２酸性溶液とすることも可能である。本実施形態においては、第２酸処理工程において用いる第２酸性溶液も、第１酸性溶液と同様のものとした。したがって、第２酸性液体も、硫酸、リン酸、ギ酸、酢酸、クエン酸、次亜リン酸などを含むｐＨ１．８以上の酸性溶液から選ばれる。
【００７４】
図６は、本発明の第１実施形態の半導体素子搭載工程における半導体装置の断面図である。図１のステップａ１１の半導体素子搭載工程では、半導体素子７をポリイミド基板１および金属膜３に搭載する。本実施形態において半導体素子搭載工程は、具体的には、ダイボンディング段階と、半導体素子７の電気的接続段階と、樹脂封止段階とを含む。ダイボンディング段階では、熱硬化性の接着剤等を、配線パターン６の表面上の所定の位置に塗布し、その上に半導体素子７を搭載、すなわちダイボンドする。このとき、反射板を配線パターン６上に搭載しても良い。熱硬化性の接着剤としては、たとえば、絶縁性の樹脂の接着剤や、Ａｇ粒子を含む導電性ペーストを使用することができる。ダイボンディング段階終了後の半導体装置の断面図を、図６（ａ）に示す。
【００７５】
電気的接続段階では、半導体素子７に形成された電極（非図示）と配線パターン６との間をワイヤボンディングなどによって接続を行う。これによって、ダイボンディング段階でダイボンドされた半導体素子７と配線パターン６とを電気的に接続することができる。このとき、半導体素子７のダイボンド段階において、半導体素子７の電極の一部と配線パターン６とが導電性の接着剤で接続されている場合は、ボンディングワイヤ９は半導体素子７の残りの電極と配線パターン６とを接続してもよい。また、半導体素子７のダイボンド段階において、非導電性の接着剤を用いて、半導体素子７が配線パターン６と接続されている場合は、ボンディングワイヤ９などにより、半導体素子７の全ての電極を配線パターン６と接続する。電気的接続段階が終了した状態を図６（ｂ）に示す。
【００７６】
樹脂封止段階では、ポリイミド基板１の半導体素子搭載面側を、熱硬化性の封止樹脂１０で封止する。このとき、使用する封止樹脂１０は、ステップａ１３の金属膜除去工程で使用されるエッチング溶液に対して耐性を有するものを使用する。
【００７７】
半導体素子７が発光ダイオードの場合、封止樹脂１０は、エポキシ系樹脂、エポキシ系樹脂とシリコーン系樹脂のハイブリッド材料、シリコーン系樹脂などの、透光性樹脂から選ばれる。必要に応じて、出射する光の色度を調整するための蛍光体を封止樹脂１０に加えても良い。樹脂封止工程の前に、半導体素子７を被覆するように蛍光体入り樹脂１２を塗布しても良い。封止樹脂１０の硬化条件は、封止樹脂１０の推奨条件とする。たとえば、１００〜１５０℃の温度で３０〜６０分保持するなどして封止樹脂１０を硬化させる。樹脂封止段階が終了した状態を、図６（ｃ）に示す。
【００７８】
図７は、分離工程の後、分割工程の前の半導体装置の断面図である。各半導体素子７は、個別に、あるいは列毎に封止樹脂１０によって封止されてもよく、また蛍光物質を含む封止樹脂１０によって封止した後、さらにその外方から、封止樹脂１０によって封止してもよい。各半導体素子７を個別に封止した状態を、図７（ａ）に示し、各半導体素子７を、個別に封止した後、さらに外方から、複数の封止樹脂１０にわたって封止樹脂１０によって封止した状態を図７（ｂ）に示す。
【００７９】
図８は、本発明の第１実施形態の分離工程および分割工程における半導体装置の断面図である。図１のステップａ１２の分離工程では、半導体素子７および配線パターン６から、ポリイミド基板１を分離する。本実施形態の分離工程において、半導体素子７および配線層とポリイミド基板１との分離は、半導体素子７および配線層とポリイミド基板１とを剥離することによる分離である。図８（ａ）は、剥離途中の状態における半導体装置の断面図であり、図８（ｂ）は、剥離が終了した状態における半導体装置の断面図である。
【００８０】
第１および第２酸処理工程によって、金属膜３とポリイミド基板１との密着性は低くなっているため、ポリイミド基板１の端部を鋭利な刃物等を用いて引き剥がすことにより、金属膜３とポリイミド基板１との界面において、容易に剥離することができる。剥離したポリイミド基板１は、再生が可能であり、繰り返し使用することによって、半導体装置製造にかかるコストを低減することができる。
【００８１】
図１のステップａ１３の金属膜除去工程では、ポリイミド基板１に臨んでいた配線パターン６の裏面および封止樹脂１０の裏面から、金属膜３を除去する。金属膜３の除去方法は、たとえばエッチング溶液への浸漬もしくは機械研磨等により行う。本実施形態の金属膜除去工程では、さらにポリイミド基板１に付着した金属膜３も除去する。金属膜３は非常に薄いため、ｐＨ１．７以下の塩酸、リン酸、硫酸の希薄な水溶液を用いても、数十秒程度で溶解する。
【００８２】
図１のステップａ１４の分割工程では、半導体素子７および配線層を、各半導体素子７毎に分割する。本実施形態では、封止樹脂１０を分断して、各半導体装置を個別化する。分割は、ダイシングにより行う。また、各半導体装置に複数の半導体素子７を含むように分断してもよい。図７（ｃ）には、分割工程が終了した状態における半導体装置の断面図を示す。
【００８３】
第１実施形態によれば、改質工程において、ポリイミド基板１の表面部のイミド環を開環することができる。改質工程では塩基性液体を用いるので、開環された状態においてイミド環を形成していたカルボキシル基の水素イオンは、陽イオンに置換された状態となる。金属イオン吸着工程では、カルボキシル基の水素イオンと置換された陽イオンを、さらに予め定める金属イオンに置換し、吸着させることができる。金属膜形成工程では、カルボキシル基に吸着した金属イオンを還元するので、表面部上には金属膜３を形成し、かつこの金属膜３と前記表面部との間に、ポリイミド基板１の間に金属粒子が混在する層を形成することができる。金属膜３は、多孔質のポーラス層として形成されるので、後の第１および第２酸処理工程で酸性液体を接触させたときに、酸性液体を、金属粒子が混在する層に接触させることが可能となる。
【００８４】
閉環工程では、イミド環の閉環を行うので、イミド環が開環した状態に比べて、ポリイミド基板１の表面部の機械的強度、耐熱性、耐薬品性を向上することができる。また表面部を液体に浸漬したときの表面部の膨潤を防止することができる。レジスト形成工程では、レジストを形成することで、金属膜３の表面のうちレジストが配置された領域とレジストが配置されずに露出する領域とを形成することができる。
【００８５】
第１酸処理工程では、金属膜形成工程で形成された金属粒子が混在する層において、金属粒子を溶解させることができる。金属膜３は、多孔質のポーラス層として形成されるので、酸性液体は金属膜３を透過し、金属粒子が混在する層に接触することができる。金属膜３のうち露出する領域を接触させる酸性液体は、ｐＨ１．８以上であるので、金属膜３を溶解させることなく、金属膜３とポリイミド基板１との間に位置する金属粒子を溶解させることができる。これによって、金属膜３のうち、レジストが配置される一部を除く、露出する残余の部分とポリイミド基板１の表面部との接着強度を低下させるので、後の工程においてポリイミド基板１と金属膜３とを分離しやすくすることができる。
【００８６】
配線層形成工程では、レジストが配置される一部を除く、露出する残余の部分上に配線層を形成するので、後の工程において半導体素子７を搭載することができる。レジスト除去工程では、レジストを除去するので、レジストが配置されていた金属膜３の一部を露出させることができる。したがって、後の工程において、露出した金属膜３の一部を酸性液体に接触させることが可能となる。
【００８７】
第２酸処理工程では、金属膜形成工程で形成された金属粒子が混在する層において、金属粒子を溶解させることができる。金属膜３は、多孔質のポーラス層として形成されるので、酸性液体は金属膜３を透過し、金属粒子が混在する層に接触することができる。これによって、レジストが配置されていた金属膜３の一部とポリイミド基板１の表面部との接着強度を低下させるので、後の工程においてポリイミド基板１と金属膜３とを分離しやすくすることができる。第１および第２酸処理工程で、金属膜３の全領域とポリイミド基板１の表面部との接着強度を低下させることが完了する。
【００８８】
半導体素子搭載工程では、配線層に半導体素子７を搭載する。半導体素子７が搭載された状態において、半導体素子７および配線層は、ポリイミド基板１上に固定されるので、容易に搬送を行うことができる。分離工程では、半導体素子７および配線層とポリイミド基板１とを分離するので、ポリイミド基板１の大きさを半導体素子７全体の大きさから除去することができる。したがって、半導体素子７および配線層を含む半導体装置を小形化することができる。金属膜除去工程では、配線層に付着した金属膜３を除去するので、半導体装置として不必要な部分を除去することができる。
【００８９】
また第１実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、水素化工程をさらに含んで構成され、水素化工程では、金属膜形成工程の後、閉環工程の前に、ポリイミド基板１の表面部に残留する金属イオンを水素イオンと交換する。これによって、後の閉環工程におけるイミド環の閉環が、ポリイミド基板１の表面部に残留する金属イオンによって妨げられることを防止することができる。金属膜形成工程の後、ポリイミド基板１の表面部に金属イオンが残留している場合には、イミド環の開環によって生じたカルボキシル基に金属イオンが結合しており、後の閉環工程において加熱して温度を上昇させてもイミド環の閉環が金属イオンによって妨げられる。したがって、表面部に残留する金属イオンを水素イオンに置換することによって、閉環工程におけるイミド環の閉環が妨げられることを防止することができる。
【００９０】
また第１実施形態によれば、水素化工程は、陽イオン交換段階とプロトン化段階とを含む。陽イオン交換段階では、ポリイミド基板１の表面部および金属膜３をアルカリ金属含有溶液に接触させる。アルカリ金属含有溶液は、アルカリ金属のイオンを含有する。これによって、ポリイミド基板１の表面部に残留する金属イオンをアルカリ金属のイオンと交換する。プロトン化段階では、ポリイミド基板１の表面部および金属膜３を酸溶液に接触させることによって、陽イオン交換段階でポリイミド基板１の表面部に吸着されたアルカリ金属のイオンを水素イオンと交換する。
【００９１】
これによって、陽イオン交換段階において、ポリイミド基板１の表面部に残留する金属イオンを、水素イオンと交換されやすいイオンに置換することができる。したがって、プロトン化段階において、金属イオンが水素イオンに交換されずに残留することを防止することができる。これによって、閉環工程においてイミド環の閉環が妨げられることを防止することができる。
【００９２】
また第１実施形態によれば、第１酸処理工程および第２酸処理工程において酸性液体は、硫酸、リン酸、ギ酸、酢酸、クエン酸、次亜リン酸、シュウ酸およびホウ酸のいずれか１つを含む水溶液である。これによって、金属膜３を侵食することなく、金属膜３とポリイミド基板１の表面部との接着強度を低下させることができる。前記の種類の酸は、たとえば塩酸または硝酸とは異なり、金属膜形成工程で形成された金属膜３を侵食することがない。したがって、金属膜３を侵食することなく、金属膜３とポリイミド基板１の表面部との間に位置する金属粒子を選択的に溶解させることができる。
【００９３】
また第１実施形態によれば、金属イオン吸着工程において、金属イオンは、銅イオンおよび銀イオンのいずれか１つを含む。これによって、銅および銀は、還元によって単体金属となりやすいので、金属膜形成工程における金属膜３の形成を容易にすることができる。さらに水素化工程の特にプロトン化段階において金属膜３を酸溶液に接触させても、金属膜３が溶解され侵食されることを防止することができる。
【００９４】
また第１実施形態によれば、閉環工程において、ポリイミド基板１の加熱および温度上昇は、真空中、不活性ガスおよび還元性ガスの雰囲気下で行われる。これによって、ポリイミド基板１の表面部および金属膜３が化学反応することを防止することができる。特に金属膜形成工程で形成された金属膜３の表面は、閉環工程において露出しているので、温度が上昇すると化学的な反応性が高くなり、特に酸化を受けやすくなる。したがって、閉環工程において不活性ガスおよび還元性ガスのいずれか１つまたは複数の雰囲気を用いることで、金属膜３が酸化されることを防止することができる。
【００９５】
また温度が上昇した状態において、金属膜３に単位時間当たりに接触する気体分子が多ければ多いほど、化学反応は起こりやすい。したがって、ポリイミド基板１の加熱および温度上昇を真空中で行うことによって、金属膜３が単位時間当たりに接触する気体分子の個数を低減することができる。また、ポリイミドの閉環反応によって生じる水分子を速やかに蒸発及び拡散させることができる。これによって、常圧において処理する場合に比べて、金属膜３が化学反応する可能性を低減することができる。したがって、閉環工程よりも後に行われる第１および第２酸処理工程において、金属膜３のうち酸化された部分が除去されても、金属膜３の厚みが低下することを抑制することができる。
【００９６】
また第１実施形態によれば、分離工程において、半導体素子７および配線層とポリイミド基板１との分離は、半導体素子７および配線層とポリイミド基板１とを剥離することによる分離である。金属膜除去工程では、さらにポリイミド基板１に付着した金属膜３も除去する。これによって、ポリイミド基板１を再利用可能とすることができる。したがって、たとえば半導体素子７および配線層の機械的強度を金属板によって維持し、金属板をエッチングによって溶解および除去する場合に比べて、溶解除去する材料を可及的にすくなくすることができる。これによって、資源の不必要な消費を低減することができ、また半導体装置の製造方法にかかる費用を低減することができる。
【００９７】
また第１実施形態によれば、半導体装置は、半導体装置の製造方法によって製造される。これによって、半導体装置から、基板を除去することができる。したがって、半導体装置の大きさから、基板の大きさを除くことが可能となり、半導体装置を小形化することができる。
【００９８】
（第２実施形態）
第２実施形態では、半導体素子７として発光ダイオード素子を搭載した半導体装置を製造した。第２実施形態では、ポリイミド基板１として、厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム「カプトンＨ」を２０ｃｍ角の形状にカットしたものを用いた。
【００９９】
ステップａ１の改質工程では、ポリイミド基板１を、濃度５ｍｏｌ／Ｌ、温度５０℃の水酸化カリウム水溶液に３分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。図２（ｂ）に示すように、ポリイミド基板１の表面に、厚さ３μｍの改質層２を形成した。
【０１００】
ステップａ２の金属イオン吸着工程では、ポリイミド基板１を、濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌ、温度２５℃の硫酸銅水溶液に１０分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。
【０１０１】
ステップａ３の金属イオン吸着工程では、ポリイミド基板１を、濃度１ｍｍｏｌ／Ｌ、温度２０℃の水素化ホウ素ナトリウム水溶液に１５分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。図２（ｃ）に示すように、改質層２の表面上には２〜１０ｎｍの厚さの銅の金属膜３が形成された。また、改質層２の内部にも銅の微粒子が析出し、金属粒子混在層４４が形成された。金属粒子混在層４４の厚さは１００〜１５０ｎｍであった。さらに、金属イオン吸着工程と還元工程を１回繰り返した結果、金属膜３の厚さは１０〜３０ｎｍとなった。
【０１０２】
水素化工程の陽イオン交換段階では、ポリイミド基板１を、濃度１ｍｏｌ／Ｌ、温度２５℃の水酸化ナトリウム水溶液に３分間浸漬し、その後、１５分間の流水洗浄を行った。水素化工程のプロトン化段階では、ポリイミド基板１を、濃度０．２ｍｏｌ／Ｌ、温度２５℃のクエン酸水溶液に５分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。さらに、窒素ブロアにより、ポリイミド基板１に付着した水分を乾燥させた。
【０１０３】
閉環工程では、ポリイミド基板１を、窒素置換したオーブン内で加熱した。加熱条件は、酸素濃度２００ｐｐｍ以下になったのを確認した後で、１４０℃に昇温し、１４０℃で１時間保持した。次に２００℃に昇温し、２００℃で３０分間保持した。さらに、３５０℃に昇温し、３５０℃で１時間保持した。図２（ｄ）に示すように、改質層２の分子構造はポリイミドに戻った。
【０１０４】
レジスト形成工程では、ポリイミド基板１の両面の金属膜３上にめっき用ドライフィルムレジスト、たとえば、旭化成エレクトロニクス製ＳＵＮＦＯＲＴのＡＱシリーズのレジストをラミネートした。半導体素子７を搭載する面に貼付されためっき用ドライフィルムレジストにはパターン露光を行い、逆側の面に貼付されためっき用ドライフィルムレジストには全面露光を行なった。次に、炭酸ナトリウム水溶液を用いてスプレー現像を行い、図３（ａ）に示すように、めっき用レジスト５を形成した。なお、半導体素子７を搭載しない面は、金属膜３の全面をめっき用レジスト５で覆った。
【０１０５】
第１酸処理工程では、ポリイミド基板１を濃度０．２ｍｏｌ／Ｌ、温度２５℃、ｐＨ２．２のクエン酸水溶液に５分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。めっき用レジスト５の開口部内に露出する金属膜３の酸化膜を除去し、さらに、金属膜３の下の金属粒子混在層４４の銅も一部溶解させた。
【０１０６】
配線層形成工程では、次に、電解銅めっき段階、電解ニッケルめっき段階、電解金めっき段階を行って、めっき用レジスト５の開口部内に配線パターン６を形成した。電解銅めっき段階は、市販の硫酸銅めっき液、たとえば、硫酸銅５水和物を４０ｇ／Ｌ、硫酸を２３０ｇ／Ｌ、塩素イオン３０ｍｇ／Ｌを溶かした水溶液に、上村工業（株）製めっき浴添加剤スルカップＥＰＬを添加したものを、温度２５℃で用いて、金属膜３上に１８μｍの厚さの銅を電析した。
【０１０７】
その後、電解ニッケルめっき段階では、ポリイミド基板１を、市販の電解ニッケルめっき浴（ワット浴。たとえば、塩化ニッケル六水和物５０ｇ・Ｌ、硫酸ニッケル２７０ｇ・Ｌ、ホウ酸３５ｇ・Ｌ、ｐＨ２．５〜４．５、温度５０℃）を用いて電析し、２μｍの厚さのニッケルを、銅上に電析した。その後の電解金めっき段階では、ポリイミド基板１を市販の弱酸性の電解金めっき浴（たとえば、ＫＡｕ（ＣＮ）２；Ａｕ濃度１０ｇ／Ｌ、クエン酸・１水和物；７０ｇ／Ｌ、硫酸コバルト７水和物；コバルト濃度２ｇ／Ｌ、ｐＨ３．５〜４．５）を用いて、ニッケル上に０．３μｍの厚さの金を電析した。それぞれのめっきプロセスの後には５分間の流水洗浄を実施した。これによって、銅、ニッケル、および金からなる多層の配線パターン６を、図３（ｂ）に示すようにめっき用レジスト５の開口部内に形成した。
【０１０８】
レジスト除去工程では、１％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて、めっき用レジスト５を剥離した。図３（ｃ）に示すように、めっき用レジスト５によって覆われていた領域の金属膜３表面に露出した。
【０１０９】
第２酸処理工程では、ポリイミド基板１を濃度０．２ｍｏｌ／Ｌ、温度２５℃、ｐＨ２．２のクエン酸水溶液に５分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。表面に露出した金属膜３の下の金属粒子混在層４４の銅を一部溶解させた。その後、窒素ブロアおよびホットエアを用いて、水分を乾燥させた。
【０１１０】
半導体素子搭載工程の、ダイボンディング段階では、配線パターン６の所定の位置に、導電性の接着剤を転写し、さらに接着剤８の上に、青色の発光ダイオード素子である半導体素子７を搭載した。半導体素子７の形状は、０．６ｍｍ×０．６ｍｍ、高さ２００μｍであった。
【０１１１】
次に、電気的接続段階では、接着剤の熱硬化を１５０℃、１時間の条件で実施し、図６（ａ）に示すように、半導体素子７は配線パターン６上にダイボンドされた。なお、半導体素子７の電極と配線パターン６とは、接着剤を介して電気的な接続がなされていた。
ワイヤボンディング工程；次に、ワイヤボンディングを行い、図６（ｂ）に示すように、金のボンディングワイヤ９９によって、半導体素子７の電極と、配線パターン６とを電気的に接続した。
【０１１２】
樹脂封止段階では、次に、図７（ａ）に示すように、蛍光体を含むエポキシ系樹脂とシリコーン系樹脂のハイブリッド材料を半導体素子７の周辺に供給し、１５０℃３０分間の条件で熱硬化させ、蛍光体入り樹脂１２を形成した。さらに、エポキシ系樹脂とシリコーン系樹脂のハイブリッド材料からなる封止樹脂材料を、ポリイミド基板１の表面に流し込み、１５０℃３０分間の条件で、硬化させた。図７（ｂ）に示すように、約３００μｍの厚さの封止樹脂１０によって、半導体素子７と配線パターン６、ボンディングワイヤ９９が封止された。
【０１１３】
ポリイミド基板１を剥離する分離工程では、図８（ａ）に示すように、半導体素子７が実装された側のポリイミド基板１と金属膜３の界面で、ポリイミド基板１を剥離した。ポリイミド基板１側の剥離面には、金属膜３がほとんど残っていなかった。
【０１１４】
金属膜除去工程では、複数の半導体素子７と配線パターン６とが封止樹脂１０によって一体化された実装体１５の裏面に残る金属膜３を除去した。実装体１５をｐＨ１．２の硫酸溶液に５分間浸漬し、図８（ｂ）に示すように、実装体１５に付着した金属膜３を除去した。
【０１１５】
分断工程；ガラスの保持基板（非図示）に粘着剤を介して、実装体１５を貼付し、その状態で封止樹脂１０を分断して、個片化された白色ＬＥＤパッケージである半導体装置１１を得た。
【０１１６】
（第３実施形態）
ポリイミド基板１として、厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム「カプトンＨ」を２０ｃｍ角の形状の基材を用いた。
【０１１７】
改質工程では、ポリイミド基板１を、濃度５ｍｏｌ／Ｌ、温度５０℃の水酸化カリウム水溶液に３分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。。
【０１１８】
金属イオン吸着工程では、ポリイミド基板１を、濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌ、温度２５℃の硫酸銅水溶液に１０分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。
【０１１９】
金属膜形成工程では、ポリイミド基板１を、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌ、温度５０℃のジメチルアミンボラン水溶液に１５分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。図２（ｂ）に示すように、改質層２の表面上には２〜１０ｎｍの厚さの銅の金属膜３が形成された。また、改質層２の内部にも銅の微粒子が析出し、金属粒子混在層４４が形成された。金属粒子混在層４４の厚さは１５０〜２００ｎｍであった。
【０１２０】
閉環工程では、ポリイミド基板１を、水素ガス中で加熱した。加熱条件は、水素ガス置換した状態で、２８０℃に昇温し１時間保持した。図２（ｄ）に示すように、改質層２の分子構造はポリイミドに戻った。また、改質層２の内部に残存していたＣｕイオンは、ポリイミド基板１の内部で水素ガスにより還元された。
【０１２１】
レジスト形成工程では、ポリイミド基板１の両面の金属膜３上にめっき用液状レジスト（たとえば、東京応化工業（株）製ポジ型液状レジストＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ）を塗布し、プリベークを行なった。半導体素子７を搭載する面はパターン露光を行い、半導体素子７を搭載しない面は露光しなかった。次に市販のＴＭＡＨ現像液（たとえばＰＭＥＲ現像液Ｐ−７Ｇ）を用いてレジストの現像を行い、図３（ａ）に示すように、めっき用レジスト５を形成した。窒素ブロアで水分を乾燥させた後、めっき用レジスト５のポストキュアを行った。なお、半導体素子７を搭載しない面は、金属膜３の全面をめっき用レジスト５で覆った。
【０１２２】
第１酸処理工程では、ポリイミド基板１を、濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌ、温度２５℃、ｐＨ２．５（硫酸によるｐＨ調整）の硫酸銅水溶液に５分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。めっき用レジスト５の開口部内に露出する金属膜３の酸化膜を除去し、さらに、金属膜３の下の金属粒子混在層４４の銅も一部溶解させた。
【０１２３】
配線層形成工程では、電解銅めっき段階、無電解ニッケル−リンめっき段階、置換金めっき段階を行って、めっき用レジスト５の開口部内に配線パターン６を形成した。電解銅めっき段階は、市販の硫酸銅めっき液を用いて、金属膜３上に１８μｍの厚さの銅を電析した。引き続き無電解ニッケル−リンめっき段階において、金属膜３上に形成された銅上に無電解ニッケルめっきを行い、銅上に厚さ１μｍのニッケル−リンの合金皮膜を形成した。（たとえば、日立化成工業（株）製ＳＡ−１００を用いて、前処理として活性化処理を行い、次に無電解ニッケルめっき液である日立化成工業（株）製ＮＩＰＳ−１００に浸漬した）。
【０１２４】
さらに、置換金めっき段階において、ポリイミド基板１を市販の置換金めっき浴（たとえば、日立化成工業（株）製の置換金めっき液ＨＧＳ−１００）で浸漬処理を行い、続いて、市販の無電解金めっき浴（たとえば、日立化成工業（株）製ＨＧＳ−２０００）で浸漬処理し、トータル厚み０．１μｍの金めっき皮膜を、ニッケル−リン合金皮膜上に形成した。それぞれのめっきプロセスの後には５分間の流水洗浄を実施した。これによって、銅、ニッケル、および金からなる多層の配線パターン６を、図３（ｂ）に示すようにめっき用レジスト５の開口部内に形成した。
【０１２５】
レジスト除去工程では、市販のレジスト剥離液（たとえば、東京応化工業（株）製ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）を用いて、めっき用レジスト５を剥離した。図３（ｃ）に示すように、めっき用レジスト５によって覆われていた領域の金属膜３表面に露出した。
【０１２６】
第２酸処理工程では、ポリイミド基板１を濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌ、温度２５℃、ｐＨ２．５（硫酸によるｐＨ調整）の硫酸銅水溶液に５分間浸漬し、その後、５分間の流水洗浄を行った。表面に露出した金属膜３の下の金属粒子混在層４４の銅を一部溶解させた。その後、窒素ブロアおよびホットエアを用いて、水分を乾燥させた。
【０１２７】
図９は、本発明の第３実施形態の半導体素子搭載工程における半導体装置の断面図である。半導体素子搭載工程のダイボンディング段階では、配線パターン６の所定の位置に、絶縁性の接着剤を転写し、さらに接着剤の上に、発光ダイオード素子である半導体素子７を搭載した。半導体素子７の形状は、０．６ｍｍ×０．６ｍｍ、高さ２００μｍであった。次に反射板１６も接着剤の上にマウントされ、接着剤の熱硬化を１５０℃１時間の条件で実施した。図９（ａ）に示すように、半導体素子７は配線パターン６上にダイボンドされた。
【０１２８】
次に、電気的接続段階では、ワイヤボンディングを行い、図９（ｂ）に示すように、金のボンディングワイヤ９９によって、半導体素子７の電極と、配線パターン６とを電気的に接続した。樹脂封止段階では、次に、エポキシ系樹脂とシリコーン系樹脂のハイブリッド材料からなる封止樹脂材料を、ポリイミド基板１の表面に流し込み、１５０℃、３０分間の条件で、硬化させた。図９（ｃ）に示すように、約３００μｍの厚さの封止樹脂１０によって、半導体素子７と配線パターン６、ボンディングワイヤ９９が封止された。
【０１２９】
図１０は、本発明の第３実施形態の分離工程および分割工程を示す工程の概略断面図である。ポリイミド基板１を剥離する分離工程では、図１０（ａ）に示すように、半導体素子７が実装された側のポリイミド基板１と金属膜３の界面で、ポリイミド基板１を剥離した。ポリイミド基板１側の剥離面には、金属膜３がほとんど残っていなかった。
【０１３０】
金属膜除去工程では、複数の半導体素子７と配線パターン６とが封止樹脂１０によって一体化された実装体１５の裏面に残る金属膜３を除去した。実装体１５をｐＨ１．５のリン酸溶液に５分間浸漬し、図１０（ｂ）に示すように、実装体１５に付着した金属膜３を除去した。
【０１３１】
分断工程；ガラスの保持基板（非図示）に粘着剤を介して、実装体１５を貼付し、その状態で封止樹脂１０を分断して、個片化された半導体装置１１を得た。半導体装置１個あたりに、複数の半導体素子７が含まれるようにして、個片化された。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を表すフローチャートである。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、初期の工程における半導体素子７を表す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、途中の工程における半導体素子７を表す断面図である。
【図４】表１に示す条件で作製したポリイミド基板１および金属膜３の断面をＳＥＭ電子顕微鏡で撮影した写真である。
【図５】ピール強度測定用標本と同じ処理条件で作製したポリイミド基板１および金属膜３の断面を、ＳＥＭ電子顕微鏡で撮影した写真である。
【図６】本発明の第１実施形態の半導体素子搭載工程における半導体装置の断面図である。
【図７】分離工程の後、分割工程の前の半導体装置の断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態の分離工程および分割工程における半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態の半導体素子搭載工程における半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態の分離工程および分割工程を示す工程の概略断面図である。
【図１１】第１の従来技術に係る半導体装置の断面図である。
【図１２】第２の従来技術における表面実装型の発光ダイオード装置の断面図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１  ポリイミド基板
２  改質層
３  金属膜
４  金属粒子混在層
５  めっき用レジスト
６  配線層
７  半導体素子
９、１０９、２０９  ボンディングワイヤ
１０、１１０、２１０  封止樹脂
１１  半導体装置
１２  蛍光体入り樹脂
１５  実装体
１６  反射板
１０１、２０１  基材
１１２  外部端子
２０７  発光ダイオード素子
２０８  導電性ペースト
【図１】
2010080556.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図４】
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【図５】
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