(57)【要約】【課題】  シリコン基板の側面を樹脂からなる側部保護膜で覆った半導体装置の製造に際し、液状樹脂からなる封止膜を硬化させるとき、半導体ウエハが反りにくいようにする。【解決手段】  半導体ウエハ２１上の全面にエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１を塗布硬化させて形成した後に、ダイシングストリート２２に対応する部分における封止膜１１および半導体ウエハ２１をフルカットして溝２５を形成する。次に、ダイシングテープ２３をその周囲方向に引っ張って拡張し、この拡張分に応じて溝２５の幅を広げる。次に、拡張された溝２５内に常温硬化性樹脂からなる側部保護膜を形成する。  【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体基板の側部に樹脂からなる側部保護膜を有する半導体装置の製造方法であって、
一面上に集積回路が形成された半導体ウエハの当該一面上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部が前記集積回路に接続されて形成され、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極が形成されたものを準備する工程と、
前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜上に樹脂からなる封止膜を形成する工程と、
前記半導体ウエハの底面をダイシングテープの上面に貼り付ける工程と、
前記封止膜および前記半導体ウエハにブレードで溝を形成し、前記半導体ウエハを複数の半導体基板に分離する工程と、
前記ダイシングテープを拡張して前記溝の幅を広げる工程と、
前記溝内に液状樹脂からなる側部保護膜形成用材料を注入する工程と、  
前記側部保護膜形成用材料を硬化して、半導体基板の側部に側部保護膜が形成された複数の半導体装置を得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料を硬化する前に、前記溝内に前記溝の幅よりも薄いプレートを挿入して、前記溝内に注入された前記側部保護膜形成用材料を前記溝の幅方向両側に分離する工程と、
前記側部保護膜形成用材料を硬化した後、前記溝内から前記プレートを引き抜く工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料を硬化した後、
前記側部保護膜をフルカットする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記ダイシングテープを拡張したとき、前記半導体基板の周辺部底面と前記ダイシングテープとの間に隙間が形成され、前記溝内に前記側部保護膜形成用材料を注入したとき、この注入された側部保護膜形成用材料が前記隙間に入り込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料は常温硬化性樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料は二液性エポキシ系樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料の硬化は放置して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料の硬化は３０〜６０℃の温度下で放置して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項２に記載の発明において、前記プレートはストレート状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項２に記載の発明において、前記プレートは、前記半導体基板の側面に対応する部分である下部の断面の厚さがそれよりも上側の上部の断面の厚さよりも薄くなったものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記電極用接続パッド部は、前記絶縁膜上に形成された配線の接続パッド部であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、前記外部接続用バンプ電極は、前記上層配線の接続パッド部上に形成された柱状電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記封止膜を形成した後に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の発明において、前記ブレードの厚さは、３０〜５０μｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置では、半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面に複数の配線が設けられ、配線の接続パッド部上面に柱状電極が設けられ、配線を含む絶縁膜の上面に封止膜がその上面が柱状電極の上面と面一となるように設けられている。この場合、半導体基板の側面を保護するため、半導体基板の側面を封止膜で覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１４４１２１号公報（図１０）
【０００４】
ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、まず、ウエハ状態の半導体基板（以下、半導体ウエハという）上に、絶縁膜、配線および柱状電極が形成されたものを準備する。次に、半導体ウエハの底面をダイシングテープの上面に貼り付ける。次に、絶縁膜および半導体ウエハを各半導体装置形成領域間においてフルカットする。この場合、ダイシングテープの厚さ方向の中間位置までカットするので、各半導体装置形成領域間に所定幅の溝が形成される。この状態では、溝の形成により、半導体ウエハは個々の半導体基板に分離されている。
【０００５】
次に、溝内および配線を含む絶縁膜の上面に封止膜をその厚さが柱状電極の高さよりも厚くなるように形成する。次に、封止膜の上面側を研削し、柱状電極の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極の上面を含む封止膜の上面を平坦化する。次に、溝の幅方向中央部において封止膜を切断する。次に、封止膜および柱状電極の上面にサポートテープを貼り付ける。
【０００６】
次に、ダイシングテープを剥離する。この状態では、ダイシングテープの上面に形成された溝内に形成された封止膜が半導体基板の底面側に突出されている。次に、この突出された封止膜を研磨して除去する。次に、サポートテープを剥離すると、半導体基板の側面を封止膜で覆った構造の半導体装置が複数個得られる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、半導体ウエハをフルカットして溝を形成した後に、溝内および配線を含む絶縁膜の上面に封止膜を形成しているので、すなわち、溝の形成により半導体ウエハを個々の半導体基板に分離した状態において封止膜を形成しているので、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる封止膜を硬化させると、各半導体基板を含む全体が比較的大きく反ってしまうという問題がある。
【０００８】
そこで、この発明は、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる封止膜を硬化させるとき、全体が反りにくいようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、少なくとも半導体基板の側部に樹脂からなる側部保護膜を有する半導体装置の製造方法であって、一面上に集積回路が形成された半導体ウエハの当該一面上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部が前記集積回路に接続されて形成され、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極が形成されたものを準備する工程と、前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜上に樹脂からなる封止膜を形成する工程と、前記半導体ウエハの底面をダイシングテープの上面に貼り付ける工程と、前記封止膜および前記半導体ウエハにブレードで溝を形成し、前記半導体ウエハを複数の半導体基板に分離する工程と、前記ダイシングテープを拡張して前記溝の幅を広げる工程と、前記溝内に液状樹脂からなる側部保護膜形成用材料を注入する工程と、前記側部保護膜形成用材料を硬化して、半導体基板の側部に側部保護膜が形成された複数の半導体装置を得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料を硬化する前に、前記溝内に前記溝の幅よりも薄いプレートを挿入して、前記溝内に注入された前記側部保護膜形成用材料を前記溝の幅方向両側に分離する工程と、前記側部保護膜形成用材料を硬化した後、前記溝内から前記プレートを引き抜く工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料を硬化した後、前記側部保護膜をフルカットする工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記ダイシングテープを拡張したとき、前記半導体基板の周辺部底面と前記ダイシングテープとの間に隙間が形成され、前記溝内に前記側部保護膜形成用材料を注入したとき、この注入された側部保護膜形成用材料が前記隙間に入り込むことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料は常温硬化性樹脂からなることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料は二液性エポキシ系樹脂からなることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料の硬化は放置して行うことを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記側部保護膜形成用材料の硬化は３０〜６０℃の温度下で放置して行うことを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記プレートはストレート状であることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記プレートは、前記半導体基板の側面に対応する部分である下部の断面の厚さがそれよりも上側の上部の断面の厚さよりも薄くなったものからなることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記電極用接続パッド部は、前記絶縁膜上に形成された配線の接続パッド部であることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の発明において、前記外部接続用バンプ電極は、前記上層配線の接続パッド部上に形成された柱状電極であることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の発明において、前記封止膜を形成した後に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ブレードの厚さは、３０〜５０μｍであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、外部接続用バンプ電極の周囲における絶縁膜上に樹脂からなる封止膜を形成した後に、封止膜および半導体ウエハに溝を形成しているので、すなわち、半導体ウエハを個々の半導体基板に分離しない状態において封止膜を形成し、その後に溝の形成により半導体ウエハを個々の半導体基板に分離しているので、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる封止膜を硬化させるとき、半導体ウエハを含む全体が反りにくいようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の第１の例において、当初準備したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれプレートの他の各例の断面図。
【図１３】図１２（Ａ）に示すプレートを用いた場合に得られた半導体装置の断面図。
【図１４】図１２（Ｂ）に示すプレートを用いた場合に得られた半導体装置の断面図。
【図１５】図１に示す半導体装置の製造方法の第２の例において、所定の工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】この発明の製造方法により製造された半導体装置の他の例の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子（図示せず）が形成され、その上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド２が設けられている。接続パッド２は２個のみを図示するが、実際にはシリコン基板１の上面周辺部に多数配列されている。
【００１３】
接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜（絶縁膜）３が設けられ、接続パッド２の中央部はパッシベーション膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。パッシベーション膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）５が設けられている。パッシベーション膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１４】
保護膜５の上面には配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。配線７の接続パッド部（電極用接続パッド部）上面には銅からなる柱状電極（外部接続用バンプ電極）１０が設けられている。
【００１５】
配線７を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１がその上面が柱状電極１０の上面と面一となるように設けられている。柱状電極１０の上面には半田ボール１２が設けられている。シリコン基板１、パッシベーション膜３、保護膜５および封止膜１１の側面にはエポキシ系樹脂等からなる側部保護膜１３が設けられている。この場合、側部保護膜１３の上面は封止膜１１の上面と面一となっているが、その下部はシリコン基板１の底面側にやや突出されている。
【００１６】
（製造方法の第１の例）
次に、この半導体装置の製造方法の第１の例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）上に、接続パッド２、パッシベーション膜３、保護膜５、下地金属層８および上部金属層９からなる２層構造の配線７および柱状電極１０が形成されたものを準備する。このような、半導体ウエハ２１の製造方法は既に知られており、詳細は、例えば特許第３９５５０５９号公報の図２〜図５および明細書の関連個所を参照されたい。ここで、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートに対応する領域である。
【００１７】
さて、図２に示すものを準備したら、次に、図３に示すように、配線７および柱状電極１０を含む保護膜５の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、エポキシ系樹脂等からなる封止膜１１をその厚さが柱状電極１０の高さよりも厚くなるように塗布し、硬化させる。したがって、この状態では、柱状電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００１８】
次に、封止膜１１の上面側を適宜に研削し、図４に示すように、柱状電極１０の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１０の上面を含む封止膜１１の上面を平坦化する。次に、図５に示すように、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成する。次に、図６に示すように、半導体ウエハ２１の底面をダイシングテープ２３の上面に貼り付ける。
【００１９】
次に、図７に示すように、ブレード２４を準備する。このブレード２４は円盤状の砥石からなり、その刃先の断面形状はほぼコ字形状となっており、その厚さはダイシングストリート２２の幅と同じとなっている。そして、このブレード２４を用いてダイシングを行うことにより、ダイシングストリート２２に対応する部分における封止膜１１、保護膜５、パッシベーション膜３および半導体ウエハ２１に溝２５を形成する。この場合、溝２５の深さは、ダイシングテープ２３の厚さの中間位置までとする。したがって、この状態では、全体として溝２５により分離されて個片化され、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されている。
【００２０】
ここで、エポキシ系樹脂等からなる封止膜１１を塗布硬化させて形成した後に、ダイシングストリート２２に対応する部分における封止膜１１、保護膜５、パッシベーション膜３および半導体ウエハ２１に溝２５を形成しているので、すなわち、半導体ウエハ２１を個々のシリコン基板１に分離しない状態において封止膜１１を塗布硬化させて形成し、その後に溝２５の形成により半導体ウエハ２１を個々のシリコン基板１に分離しているので、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる封止膜１１を硬化させるとき、半導体ウエハ２１を含む全体が反りにくいようにすることができ、さらにはその後の工程に反りによる支障を来たしにくいようにすることができる。
【００２１】
次に、図８に示すように、ダイシングテープ２３をその周囲方向に引っ張って拡張すると、この拡張分に応じて溝２５の幅つまりシリコン基板１間の間隔が広げられる。ここで、一例として、ブレード２４の厚さつまり当初の溝２５の幅が３０〜５０μｍであると、拡張された溝２５の幅は２５０μｍ程度となるようにする。
【００２２】
次に、図９に示すように、溝２５内に液状樹脂からなる側部保護膜形成用材料１３ａをマイクロシリンジ（図示せず）等を用いて注入する。この場合、側部保護膜形成用材料１３ａは、反りを低減するために、二液性エポキシ系樹脂等の常温硬化性で速硬化性を有するものが望ましい。また、側部保護膜形成用材料１３ａの注入量は、溝２５内に一杯ではなく、溝２５内に次に説明するプレートを挿入したときに、側部保護膜形成用材料１３ａの上面が封止膜１１の上面と面一となるように、予め調整されている。
【００２３】
次に、溝２５内に注入された側部保護膜形成用材料１３ａの流動性が変化する前に、図１０に示すように、拡張された溝２５の幅（例えば２５０μｍ程度）よりも小さい厚さ（例えば２００μｍ程度）のプレート２６を溝２５内の中央部にその下面がダイシングテープ２３の上面に当接するまで挿入して、溝２５内に注入された側部保護膜形成用材料１３ａを溝２５の幅方向両側に分離する。この場合、プレート２６は、金属や樹脂等からなるベース板（図示せず）の下面に一体的に且つ格子状でストレート状に設けられたものからなり、その表面には離型処理が施されている。
【００２４】
そして、図１０に示す状態を維持して、側部保護膜形成用材料１３ａが常温で十分に硬化するまで放置する。この場合、硬化時間短縮のために、３０〜６０℃の温度下で放置するようにしてもよい。側部保護膜形成用材料１３ａが十分に硬化したら、次に、プレート２６を引き抜くと、図１１に示すように、シリコン基板１、パッシベーション膜３、保護膜５および封止膜１１の側面に側部保護膜１３が形成されている。この状態では、側部保護膜１３の上面は封止膜１１の上面と面一となっているが、その下部はシリコン基板１の底面側にやや突出されている。
【００２５】
次に、ダイシングテープ２３の下面側から紫外線を照射すると、ダイシングテープ２３の紫外線硬化型の粘着剤が硬化してその粘着性が低下する。次に、側部保護膜１３を含むシリコン基板１をダイシングテープ２３からピックアップして剥離すると、図１に示すように、シリコン基板１の側面を側部保護膜１３で覆った構造の半導体装置が複数個得られる。
【００２６】
ところで、図１０に示すプレート２６はストレート状であるが、例えば、図１２（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示すように、シリコン基板１の側面に対応する部分である下部２６ａの断面の厚さがそれよりも上側の上部２６ｂの断面の厚さよりもやや薄くなったプレート２６を用いるようにしてもよい。この場合、図１２（Ａ）に示すプレート２６は、下部２６ａと上部２６ｂとの間に段差が設けられた構造となっている。図１２（Ｂ）に示すプレート２６は、上部２６ｂの下部が丸くなった構造となっている。
【００２７】
そして、図１２（Ａ）に示すプレート２６を用いた場合には、図１３に示すように、シリコン基板１の側面を覆う側部保護膜１３の厚さがパッシベーション膜３、保護膜５および封止膜１１の側面を覆う側部保護膜１３の厚さよりも厚くなる。また、図１２（Ｂ）に示すプレート２６を用いた場合も、図１４に示すように、シリコン基板１の側面を覆う側部保護膜１３の厚さがパッシベーション膜３、保護膜５および封止膜１１の側面を覆う側部保護膜１３の厚さよりも厚くなる。したがって、いずれの場合も、シリコン基板１の側面の保護を強化することができる。
【００２８】
上記製造方法の第１の例では、外部接続用バンプ電極の周囲における絶縁膜上に樹脂からなる封止膜を形成した後に、封止膜および半導体ウエハに溝を形成しているので、すなわち、半導体ウエハを個々の半導体基板に分離しない状態において封止膜を形成し、その後に溝の形成により半導体ウエハを個々の半導体基板に分離しているので、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる封止膜を硬化させるとき、半導体ウエハを含む全体が反りにくいようにすることができる。
【００２９】
また、３０〜５０μｍの厚さの薄いブレード２４を用いてダイシングを行っているので、ブレード２４のメンテナンスが楽であり耐久性が良い。更に、ダイシングテープ２３をその周囲方向に引っ張って拡張し、溝２５の幅つまりシリコン基板１間の間隔を広げているので、溝２５内に液状樹脂からなる側部保護膜形成用材料１３ａを注入しやすく、溝の底部迄入り込みやすくすることができる。
【００３０】
（製造方法の第２の例）
次に、図１に示す半導体装置の製造方法の第２の例について説明する。この場合、図８に示す工程後に、図１５に示すように、溝２５内に液状樹脂からなる側部保護膜形成用材料１３ａをマイクロシリンジ（図示せず）等を用いて注入する。この場合も、側部保護膜形成用材料１３ａは、反りを低減するために、二液性エポキシ系樹脂等の常温硬化性で速硬化性を有するものが望ましい。また、側部保護膜形成用材料１３ａの注入量は、硬化したときに、その上面が封止膜１１の上面と面一となるように、予め調整されている。
【００３１】
そして、図１５に示す状態を維持して、側部保護膜形成用材料１３ａが常温で十分に硬化するまで放置する。この場合も、硬化時間短縮のために、３０〜６０℃の温度下で放置するようにしてもよい。側部保護膜形成用材料１３ａが十分に硬化して側部保護膜１３が形成されたら、次に、図１６に示すように、溝２５内の中央部における側部保護膜１３をブレード３１を用いてフルカットする。
【００３２】
次に、ダイシングテープ２３の下面側から紫外線を照射すると、ダイシングテープ２３の紫外線硬化型の粘着剤が硬化してその粘着性が低下する。次に、側部保護膜１３を含むシリコン基板１をダイシングテープ２３からピックアップして剥離すると、図１に示すように、シリコン基板１の側面を側部保護膜１３で覆った構造の半導体装置が複数個得られる。
【００３３】
ところで、図８に示すように、ダイシングテープ２３をその周囲方向に引っ張って拡張し、この拡張分に応じて溝２５の幅つまりシリコン基板１間の間隔を広げた場合、シリコン基板１間におけるダイシングテープ２３の拡張に伴い、シリコン基板１の周辺部底面とダイシングテープ２３との密着が軽微に外れることがある。
【００３４】
このような場合には、シリコン基板１の周辺部底面とダイシングテープ２３との間に隙間が生じ、この隙間に側部保護膜形成用材料１３ａが入り込むと、図１７に示すように、シリコン基板１の周辺部底面を側部保護膜１３で覆った構造の半導体装置が得られ、シリコン基板１の底面角部の保護を強化することができる。
【００３５】
上記製造方法の第２の例では、外部接続用バンプ電極の周囲における絶縁膜上に樹脂からなる封止膜を形成した後に、封止膜および半導体ウエハに溝を形成しているので、すなわち、半導体ウエハを個々の半導体基板に分離しない状態において封止膜を形成し、その後に溝の形成により半導体ウエハを個々の半導体基板に分離しているので、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなる封止膜を硬化させるとき、半導体ウエハを含む全体が反りにくいようにすることができる。
【００３６】
また、ダイシングテープ２３をその周囲方向に引っ張って拡張し、溝２５の幅つまりシリコン基板１間の間隔を広げているので、溝２５内に液状樹脂からなる側部保護膜形成用材料１３ａを注入しやすく、溝の底部迄入り込みやすくすることができる。
【符号の説明】
【００３７】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  パッシベーション膜
５  保護膜
７  配線
１０  柱状電極
１１  封止膜
１２  半田ボール
１３  側部保護膜
２１  半導体ウエハ
２２  ダイシングストリート
２３  ダイシングテープ
２４  ブレード
２５  溝
２６  プレート
３１  ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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