(57)【要約】【課題】パワー・レベルの増大した範囲でプラズマ・チューナをホット・スイッチングする回路を提供する。【解決手段】本発明のホット・スイッチング回路は、インピーダンスを整合するためのＲＦ発生器出力とプラズマ容器との間を、予め定められたインピーダンスをスイッチするためのＲＦスイッチを備えた制御されたインピーダンス・ネットワークが結合する。このＲＦスイッチのデバイス動作特性が決定される。ＲＦパワーが、ＲＦ発生器から制御されたインピーダンス・ネットワークを通してプラズマ容器に供給される。インピーダンス整合の信号特性が計測される。ＲＦスイッチは、インピーダンス整合が予め定められた整合範囲に向かって駆動されるように、この計測された信号特性に基づいて制御される。ＲＦスイッチは、デバイスの動作特性に基づいて任意のスピードでスイッチされる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワークであって、
実効リアクタンスを有しおよび前記発生器の出力と前記プラズマ容器との間に結合された１次巻線と２次巻線とを有する結合された変圧器と、
前記１次巻線の実効リアクタンスが変化するように少なくとも１つのリアクタンス性素子を前記変圧器２次巻線に選択的に結合するために動作することが可能なＲＦスイッチを有するＲＦスイッチ・ネットワークと、
前記ＲＦスイッチに順方向バイアス電圧および逆方向バイアス電圧を加えるために前記ＲＦスイッチ・ネットワークに結合され、それにより前記ＲＦスイッチ・ネットワークを導電状態と非導電状態との間でスイッチングし、前記逆方向バイアス電圧を加えるために直列カスコード・スイッチによって制御される逆方向バイアス・スイッチを有するドライバ回路と、
を有し、前記直列カスコード・スイッチが分離されたカスコード・スイッチである制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項２】
インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワークであって、
実効リアクタンスを有しおよび前記発生器の出力と前記プラズマ容器との間に結合された１次巻線と２次巻線とを有する結合された変圧器と、
前記１次巻線の実効リアクタンスが変化するように少なくとも１つのリアクタンス性素子を前記変圧器２次巻線に選択的に結合するために動作することが可能なＲＦスイッチを有するＲＦスイッチ・ネットワークと、
前記ＲＦスイッチに順方向バイアス電圧および逆方向バイアス電圧を加えるために前記ＲＦスイッチ・ネットワークに結合され、それにより前記ＲＦスイッチ・ネットワークを導電状態と非導電状態との間でスイッチングし、前記逆方向バイアス電圧を加えるために直列カスコード・スイッチによって制御される逆方向バイアス・スイッチを有するドライバ回路と、
を有し、前記ドライバ回路が順方向バイアス電圧を加えるための順方向バイアス・スイッチをさらに有し、ここで前記順方向バイアス・スイッチがブートストラップ回路によって駆動される制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項３】
請求項２記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路を動作させるための駆動信号を発生するために前記ドライバ回路に結合された制御装置をさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項４】
インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワークであって、
実効リアクタンスを有しおよび前記発生器の出力と前記プラズマ容器との間に結合された１次巻線と２次巻線とを有する結合された変圧器と、
前記１次巻線の実効リアクタンスが変化するように少なくとも１つのリアクタンス性素子を前記変圧器２次巻線に選択的に結合するために動作することが可能なＲＦスイッチを有するＲＦスイッチ・ネットワークと、
前記ＲＦスイッチに順方向バイアス電圧および逆方向バイアス電圧を加えるために前記ＲＦスイッチ・ネットワークに結合され、それにより前記ＲＦスイッチ・ネットワークを導電状態と非導電状態との間でスイッチングし、前記逆方向バイアス電圧を加えるために直列カスコード・スイッチによって制御される逆方向バイアス・スイッチを有するドライバ回路と、
を有し、前記ドライバ回路が前記順方向バイアス・スイッチのターン・オフ時間を減少させるためにフィードバック回路をさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項５】
インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワークであって、
前記発生器の出力と前記プラズマ容器との間に結合された１次巻線を有する変圧器と、
ＲＦパワーが前記前記プラズマ容器に加えられている間インピーダンス整合特性に基づいて前記１次巻線の実効リアクタンスが変化するように、少なくとも１つのリアクタンス性素子を前記変圧器に選択的に結合するように構成された少なくとも１つのＲＦスイッチと、
アースから浮遊されたドライバ入力信号を用いて前記ＲＦスイッチへのバイアス電圧をスイッチするように構成されたドライバ回路と、
を有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項６】
請求項５記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、前記ドライバ入力信号からの電圧レベルの変換を提供するように構成された分離されたカスコード・スイッチを有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項７】
請求項５記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、
前記バイアス電圧をスイッチするように構成された順方向バイアス・スイッチおよび逆方向バイアス・スイッチと、
前記バイアス・スイッチ間に接続され前記順方向バイアス・スイッチのスイッチング時間を減少させるように構成されたクランプ・ネットワークと、
を有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項８】
請求項７記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、前記順方向バイアス・スイッチのスイッチング速度を増加させるように構成されたブートストラップ回路をさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項９】
請求項７記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記順方向バイアス・スイッチおよび逆方向バイアス・スイッチが前記ＲＦスイッチのキャリア寿命より短い時間で前記バイアス電圧をスイッチするようにさらに構成されている制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項１０】
請求項５記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、前記ドライバ入力信号に直列に結合された第１と第２の光結合器を有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項１１】
請求項５記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、逆方向バイアス・スイッチと該逆方向バイアス・スイッチを制御するように構成された分離されたカスコード・スイッチを有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項１２】
請求項５記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、順方向バイアス電源と、順方向バイアス・スイッチと、該順方向バイアス電源と順方向バイアス・スイッチとの間に直列接続された電流調整器と、をさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項１３】
請求項１２記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記ドライバ回路が、前記順方向バイアス・スイッチのターン・オフ時間を減少させるためのフィードバック・ネットワークをさらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項１４】
請求項５記載の制御されたインピーダンス・ネットワークにおいて、前記インピーダンス整合特性が電圧定在波比を含む制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項１５】
請求項５記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、制御装置と、ＲＦスイッチでプラズマ容器負荷のリアル部分を同調からはずすように構成されたバイアス・センス回路、さらに有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【請求項１６】
請求項５記載の制御されたインピーダンス・ネットワークであって、前記少なくとも１つのＲＦスイッチは、複数の２進荷重リアクティブ成分を前記変圧器に選択的に接続するよう構成された複数のＲＦスイッチを有する制御されたインピーダンス・ネットワーク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は全体的に言えば、プラズマ容器のチューナに関する。さらに詳細に言えば、本発明はＲＦ発生器のインピーダンスをプラズマ容器またはそれと同等の非線形負荷に整合させるのに用いられる固体(solid-state)チューナに関する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
プラズマ容器は、ＲＦスパッタリング、プラズマ沈着、および反応性イオン・エッチングのような処理工程に用いられる低圧のガスが充填された容器である。これらの処理工程は主として、集積回路およびコンパクト・ディスクの製造に用いられる。ＲＦパワー信号を必要とするこれらの処理工程に対して、プラズマ容器はＲＦ発生器によって励振される。このＲＦ発生器の励振は、通常、 13.56ＭＨｚ、 27.12ＭＨｚ、および 40.68ＭＨｚのＩＳＭ周波数帯域で行われる。プラズマ容器の入力インピーダンスは高度に非線形であり、容器の動作モードが異なると変化する。プラズマ処理システムにおいてさらに低い周波数およびさらに高い周波数を用いることができるが、ＲＦ発生器の市場において支配的に用いられているのは 13.56ＭＨｚである。
【０００３】
典型的な場合には、ＲＦ発生器は 13.56ＭＨｚのような予め定められた周波数でＲＦ波を発生する。この発生器は、パワー管路を通してプラズマ容器に結合される。ＲＦ発生器の出力は、典型的には、50オームのような固定されたよく知られたインピーダンスを有するように設計される。ＲＦ発生器とプラズマ容器との間のインピーダンスの不整合があるのが普通であるから、発生器と容器との間に通常は、自動インピーダンス整合用チューナが結合される。
【０００４】
インピーダンス整合用チューナは、電気機械チューナから固体チューナに発展してきている。電気機械チューナは典型的には電動機で駆動のデバイスであって、発生器の出力インピーダンスをプラズマ容器に整合させるために可変コンデンサが電動機で制御される。電気機械チューナはＲＦ発生器をプラズマ容器の広い範囲の入力インピーダンスに整合させることができるけれども、しかしこれらチューナは応答が遅く、および信頼性が低く、および大きなパワー損失および予測できないパワー損失があり、およびコストが高いなどの多くの固有の欠点を有している。
【０００５】
電気機械チューナの前記欠点を解決するために、固体チューナが最近開発されてきており、それは米国特許第 5,473,291号に開示されている。この特許の全内容は言及によって本発明の中に取り込む。固体チューナの出現により電気機械チューナが有する多くの前記欠点が解決され、そしてその出現により高速応答と、低いパワー・レベルにおける信頼性の増大と、予測可能なパワー損失と、低いコストとが得られている。けれども、従来の固体チューナは、インピーダンスが調整されている間に供給することができるＲＦパワー・レベルに限定される。ＲＦパワーが加えられている間のチューナのインピーダンスの調整は、ホット・スイッチングと呼ばれる。約 300ワットを越えるＲＦパワー・レベルでホット・スイッチングを行おうとする時、従来の固体チューナは例外なく信頼性が低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のホット・スイッチング法およびインピーダンス整合回路は、増大したパワー・レベルをも含むように整合回路の同調範囲が拡大される。ホット・スイッチング法および回路は、インピーダンス整合するためにＲＦ発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に制御されたインピーダンス・ネットワークを結合させることを有する。この制御されたインピーダンス・ネットワークは、予め定められたインピーダンスをスイッチングするためのＲＦスイッチを有する。このＲＦスイッチのデバイス動作特性が決定される。ＲＦパワーが、ＲＦ発生器から制御されたインピーダンス・ネットワークを通してプラズマ容器に供給される。インピーダンス整合の信号特性が計測される。このＲＦスイッチは、このインピーダンス整合が予め定められた整合範囲に向かって駆動されるように、計測された信号特性に基づいて制御される。このＲＦスイッチは、デバイス動作特性に基づいて任意のスピードでスイッチされる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明に従う制御されたインピーダンス・ネットワークを有するＲＦパワー・システムを示した図。
【図２】本発明に従う制御されたインピーダンス・ネットワークの好ましい実施例のブロック線図。
【図３】本発明の好ましい実施例に従ういくつかのＲＦスイッチ・ネットワークの図。
【図４】本発明に従うドライバ回路の図。
【図５】本発明に従う電流調整器回路の図。
【図６】本発明に従うドライバ回路のまた別の実施例の図であって、Ａは第２の実施例の図、Ｂは第３の実施例の図、Ｃは第４の実施例の図。
【図７】本発明に従うホット・スイッチングのための工程の流れ図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
添付図面を参照しての下記説明により、本発明の目的および利点をさらに完全に理解することができるであろう。
【０００９】
図１には、制御されたインピーダンス・ネットワーク１０が示されている。制御されたインピーダンス・ネットワーク１０は、ＲＦ発生器１２の出力とプラズマ容器１４の入力との間に結合されている。制御されたインピーダンス・ネットワーク１０は同調可能なインピーダンスを有し、それにより、ＲＦ発生器１２の出力とプラズマ容器１４の入力との間のインピーダンスの不整合を小さくすることができる。ＲＦ発生器の出力インピーダンスは通常、ほぼ50オームに固定される。一方、プラズマ容器の入力インピーダンスは、典型的には１オーム〜10オームおよび -j5オーム〜-j20オームの範囲内で広く変化する複素インピーダンスである。
【００１０】
図２は、本発明の原理に従う制御されたインピーダンス・ネットワーク１０の１つの好ましい実施例の図である。制御されたインピーダンス・ネットワーク１０は、ブロッキング・コンデンサ２０と結合用変圧器２２を通して、ＲＦ出力１８に結合されたＲＦ入力１６を有する。プラズマ容器１４に生ずるＤＣバイアス電圧を監視するために、バイアス・センス回路２６がＲＦ線路に結合される。バイアス・センス回路２６のＤＣバイアス出力２７は、制御装置３２に結合される。１次スイッチド(switched)素子回路２４および２次スイッチド素子回路３４は、それぞれ、容量性インピーダンスおよび誘導性インピーダンスを得るために、ＲＦ線路に結合される。１次スイッチド素子回路２４は、ブロッキング・コンデンサ２０と結合用変圧器２２との間に接続される。２次スイッチド素子回路３４は、結合用変圧器２２の２次巻線３６を通してＲＦ線路に結合される。制御装置３２は、１次スイッチド素子回路２４および２次スイッチド素子回路３４のスイッチングを制御する。
【００１１】
１次スイッチド素子回路２４は、プラズマ容器負荷のリアル部分を同調からはずすために(for tuning out the real portion)用いられる。負荷の調整を得るために、リアクティブ成分が選択的にスイッチされて回路の中に入れられるおよび回路からはずされる。１次スイッチド素子回路２４は、リアクティブ成分を選択的にスイッチするために、ドライバ回路２８とＲＦスイッチド・ネットワーク３０との多数個の対を有する。本発明の好ましい実施例では、これらのリアクティブ成分は２進加重配置(binary weighted arrangement)に構成される。けれども、本発明の範囲は、等分加重(equally weighted)リアクティブ成分のような他の配置をも含んでいる。
【００１２】
２次スイッチド素子回路３４は、プラズマ容器の負荷のリアクティブ部分を同調からはずすために、変圧器２２を通して制御されたインピーダンスと結合する。１次スイッチド素子回路２４と同じように、ドライバ回路２８とＲＦスイッチ・ネットワーク３０との多数個の対が２次スイッチド素子回路３４を構成する。２次スイッチド素子回路３４の動作は、米国特許第 5,473,291号に以前に開示されておりそして請求されている。この特許の全内容は、言及によって本発明の中に取り込む。
【００１３】
図３は、ＲＦスイッチ・ネットワーク３０のまた別のいくつかの実施例を示した図である。本発明の好ましい実施例は、ＲＦスイッチ・ネットワーク３０ａに示されているように、陰極がアースされたＰＩＮダイオード３６ａを有する。ＰＩＮダイオード３６ａの陽極は、スイッチド・コンデンサ３８およびＲＦチョーク４０に接続される。スイッチド・コンデンサ３８は、スイッチ可能なインピーダンスを得るために、それぞれのスイッチド素子回路の他の共通接続されたＲＦスイッチ・ネットワーク３０のスイッチド・コンデンサに接続される。ＲＦチョーク４０は、ＲＦスイッチ・ネットワーク３０に結合された関連するＰＩＮドライバ回路２８からスイッチド・コンデンサ３８を通して流れるＲＦ信号を分離する。本発明の範囲は、陽極保護構成を有するＲＦスイッチ・ネットワークをも含んでいる。
【００１４】
第１の代替ＲＦスイッチ・ネットワーク３０ｂは、スイッチド・コンデンサ３８ｂおよびＲＦチョーク４０ｂに接続された非分離(non-isolated)のＰＩＮダイオード３６ｂを用いている。ＲＦチョーク４０ｂは再び、関連するＰＩＮドライバ回路２８からＲＦ信号を分離し、そしてこのスイッチド・コンデンサ３８ｂによりスイッチ可能インピーダンスが得られる。この第１の代替ＲＦスイッチ・ネットワーク３０ｂは、変圧器２２の１次巻線に結合されたＤＣ電流路を有する。このＤＣ電流路は、変圧器２２の１次巻線からアースに結合されたＲＦチョークを有する。それに加えて、ブロッキング・コンデンサ２０が、変圧器２２とＲＦ出力１８との間に結合される。センス回路２６が、ＲＦ出力１８に接続される。第２の代替ＲＦスイッチ・ネットワーク３０ｃは、スイッチ可能インピーダンスを得るために、スイッチド・インダクタンス４２を有する。スイッチド・インダクタ４２と直列に接続されたＰＩＮダイオード３６ｃは、インピーダンスの適用(application)を制御する。
【００１５】
図４は、ドライバ回路の１つの好ましい実施例の図である。ドライバ回路２８は、関連するＲＦスイッチ・ネットワーク３０を駆動するために、ドライバ出力に低インピーダンス信号を発生する。このドライバ回路は、＋５アンペアの順方向バイアス電圧をスイッチングするために、それぞれ、順方向バイアス・スイッチ５０および逆方向バイアス・スイッチ５２を有する。それにより、 0.5アンペアの順方向バイアス電流および−1000ボルトの逆方向バイアス電圧が得られる。この好ましい実施例では、順方向バイアス・スイッチ５０および逆方向バイアス・スイッチ５２に対してＭＯＳＦＥＴが用いられるが、しかし本発明の範囲内にはＢＪＴおよびＩＧＢＴのような他のスイッチを用いることも含まれる。
【００１６】
電流調整器(current regulator)回路５４が、ＲＦスイッチに供給される順方向バイアス電流を調整するために、順方向バイアス電源５５と順方向バイアス・スイッチ５０とに直列に接続される。電流調整器回路５４は、ＲＦスイッチに対する順方向バイアス電流源の振幅を制限するために用いられる、Ｒ−Ｃ導線ネットワークと並列に１つの抵抗器を有する。本発明のこの好ましい実施例では抵抗器−コンデンサ・ネットワークが用いられているけれども、本発明の原理は、他の受動ネットワークおよび図５に示された調整器回路のような能動電流調整器回路に容易に拡張することができる。
【００１７】
クランプ・ネットワーク５６が、順方向バイアス・スイッチ５０のスイッチング時間を減少させるためにおよび交差伝導(cross conduction)電流を制限するために、順方向バイアス・スイッチ５０と逆方向バイアス・スイッチ５２との間に結合される。順方向バイアス・スイッチ５０と逆方向バイアス・スイッチ５２との間に結合された電流センシング・デバイス６０はクランプ・スイッチ６２をトリガし、それにより順方向バイアス・スイッチ５０がオフになるのを加速する。この好ましい実施例では、抵抗器が電流センシング・デバイス６０として用いられ、そしてスイッチング・トランジスタがクランプ・スイッチ６２に対して用いられている。
【００１８】
ブートストラップ回路６４により、順方向バイアス・スイッチ５０をオンにするための低インピーダンスのエネルギ源が得られる。ブートストラップ回路６４は、直列接続された抵抗器と、並列接続されたコンデンサ６６およびツェナ・ダイオードとを有する。順方向バイアス・スイッチ５０がオフである間にコンデンサ６６に蓄えられたエネルギがオンになる時に順方向バイアス・スイッチ５０に供給されて、順方向バイアス・スイッチ５０のスイッチング速度が増大する。
【００１９】
分離されたカスコード・スイッチ５８が、逆方向バイアス・スイッチ５２から逆方向バイアス電圧源５１に接続される。カスコード・スイッチ５８は、ドライバ入力と逆方向バイアス電源との間の電圧の分離を得るのに加えて、逆方向バイアス・スイッチ５２の動作を制御する。分離されたカスコード・スイッチ５８として、光結合器が用いられるのが好ましい。この好ましい実施例では、ＨＰ４Ｎ３７光結合器が用いられる。逆方向バイアス・スイッチ５２と共に分離されたカスコード・スイッチを用いることにより、カスコード・スイッチ５８の耐電圧性能が拡大し、そして比較的に高い逆方向バイアス電圧をスイッチングするための駆動入力からの電圧レベルの変換が得られる。
【００２０】
アイソレータ回路６８により、ドライバ入力から順方向バイアス・スイッチ５０に接続された回路への電圧レベルの変換が得られる。この好ましい実施例では、１対の光結合器(optocouplers)がアイソレータ回路６８として用いられる。
【００２１】
図６Ａは、ドライバ回路２８のまた別の実施例を示した図である。この実施例では、順方向バイアス・スイッチ５０はヒステレテック入力(hysteretic input)を有するＣＭＯＳドライバ７０によって駆動される。それに加えてアイソレータ回路６８は、分離されたカスコード・スイッチ５８と直列に駆動される単一の光結合器を有する。
【００２２】
図６Ｂは、ドライバ回路２８の第３の実施例を示した図である。この第３の実施例は、ドライバ回路２８が陽極接地ＲＦスイッチを駆動するために構成されている点で、前のドライバ回路の実施例とは異なる。このように、順方向バイアス・スイッチ５０と逆方向バイアス・スイッチ５２との構成は逆転している。−５ボルトの順方向バイアスがＲＦスイッチにバイアス電流を供給する。このバイアス電流は、電流調整器５４として用いられる抵抗器の値によって制限される。カスコード・スイッチ５８は逆方向バイアス・スイッチ５２を動作させるのに再び用いられ、ＲＦスイッチを逆方向にバイアスするために＋500 ボルトをスイッチングする。ドライバ入力は、カスコード・スイッチ５８およびアイソレータ回路６８に対して用いられる光結合器を通して、バイアス・スイッチ５０および５２に結合される。
【００２３】
図６Ｃは、ドライバ回路２８の第４の実施例を示した図である。この第４の実施例は、分離されたＲＦスイッチに約−５ボルトの順方向バイアス電圧を供給するために、順方向バイアス・スイッチ５０および調整器(regulator)回路５４を有する。約＋500 ボルトの逆方向バイアス電圧が、制限用抵抗器７２を通して、ＲＦスイッチに加えられる。ドライバ入力は、アイソレータ回路６８として用いられる光結合器を通して結合される。ＮＰＮトランジスタはアイソレータ回路６８の出力を緩衝(buffer)し、そして順方向バイアス・スイッチ５０を駆動する。
【００２４】
ＰＩＮダイオードに加えられる順方向バイアス電圧がＰＩＮダイオードのキャリアの寿命よりも短い遷移時間を有することを保証することにより、制御されたインピーダンス・ネットワークのホット・スイッチングが容易に行われることを本発明が知った。本発明がさらに知ったことは、ＰＩＮダイオードに加えられる逆方向バイアス電圧がＰＩＮダイオードのキャリアの寿命よりも短い遷移時間を有することを保証することにより、ホット・スイッチングが増強されることである。
【００２５】
図１および図７は、ホット・スイッチング・システムの好ましい実施例の動作を示した図である。段階８０において、ＰＩＮダイオードのスイッチング特性が決定される。この好ましい実施例では、キャリアの寿命はスイッチング特性を表すとして用いられる。段階８２において、ＲＦ発生器１２が制御されたインピーダンス・ネットワーク１０を通してプラズマ容器１４に結合される。次に段階８４において、ＲＦパワーが発生される。段階８６において、ＲＦ発生器１２とプラズマ容器１４との間の相互作用の整合特性が計測される。この好ましい実施例では、計測されたこの整合特性は電圧定在波比（ＶＳＷＲ）である。段階８８において、制御装置３２はこの計測された整合特性に基づいてＰＩＮダイオードに対する制御信号を決定する。段階９０において、制御装置３２はＰＩＮダイオードに関連するドライバ回路２８を制御するためのドライバ入力信号を発生する。段階９２において、高い側のスイッチを駆動することができるために、このドライバ入力信号がアースから浮遊される。段階９４において、バイアス・スイッチの出力におけるバイアス電圧の遷移時間がＰＩＮダイオードのキャリアの寿命よりも短いように、バイアス・スイッチがドライバ入力信号によって駆動される。段階９６において、ＰＩＮダイオードの予想できるＲＦ動作を保証するために、バイアス・スイッチを流れるバイアス電流が調整される。
【００２６】
本発明のホット・スイッチング法は、制御されたインピーダンス・ネットワークの動作の範囲を拡大する。この方法により、制御されたインピーダンス・ネットワークのスイッチングを、加えられた高レベルのＲＦパワーで行うことが可能である。
【００２７】
したがって、本発明の結果としてホット・スイッチング法およびドライバ回路が得られ、それによりとりわけ主要な目的が完全に満たされることが、前記の説明から分かるであろう。本発明の範囲内において、例示された実施例に対して変更および／または置換えの可能であることは、同様に理解されるであろうしおよび予想されるであろう。したがって、前記説明および添付図面は好ましい実施例を単に例示したものであって、本発明の範囲がこれらの実施例に限定されることを意味するものではない。本発明の範囲および意図は、添付の請求項およびそれらと法的に等価なものによって定められるであろう。
【符号の説明】
【００２８】
１０  制御されたインピーダンス・ネットワーク
２３、３６  結合された変圧器
２８、３０  ＲＦスイッチ・ネットワーク
２８、３０  ドライバ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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