(57)【要約】【課題】  保護膜の欠損の有無を簡単な構成で検知を行う。【解決手段】  配線の供給口側の端部と、供給口との間に対応する保護膜中に、保護膜欠損検知手段を設ける。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を供給するための供給口が形成された基板上に、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体と電気的に接続される配線と、少なくとも前記配線を被覆する保護膜と、を有する液体吐出ヘッド用基板において、
前記配線の前記供給口側の端部と前記供給口との間に対応する前記保護膜中に、前記保護膜に欠損が生じていることを検知するために用いられる検知手段が設けられていることを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２】
前記検知手段は配線であって、前記発熱抵抗体とは電気的に独立していることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項３】
前記検知手段は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉのいずれか、もしくはその合金であることを特徴とする請求項１または２に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項４】
前記検知手段は前記供給口の長手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項５】
前記保護膜は、ＳｉＯかならる層とＳｉＮからなる層を積層してなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項６】
前記検知手段は、前記ＳｉＯからなる層と、前記ＳｉＮからなる層との少なくとも１つの層内に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用基板と、前記供給口から液体の供給が可能な流路と、前記液体を吐出する吐出口とを有する液体吐出ヘッド。
【請求項８】
請求項７に記載のヘッドと、前記検知手段に接続される配線回路を通じて、前記検知手段の情報を得る手段を有する液体吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッド用基板、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液体吐出ヘッド用基板は特許文献１に記載されているように、次に上げるような層構成をとる。熱効率を向上させるための蓄熱層、発熱抵抗体層、抵抗層に電気的接続をとるためのＶＨ等の配線層、発熱抵抗体および電極層をインクから保護する保護膜が順に形成されている。
【０００３】
この液体吐出ヘッド用基板は、一方では投入する電気エネルギーの省力化、他方ではインクの発泡にともなう機械的ダメージおよび熱パルスによる発熱部の破壊による基板の寿命の低下を防ぐために、様々な工夫がなされている。とりわけ一対の配線パターンの間に位置する発熱部を有する発熱抵抗体をインクから保護する保護膜については、多くの工夫がなされている。
【０００４】
この保護膜は、熱の効率から見ると、熱伝導率の高いもの、あるいは薄い方が有利である。ところが一方で、保護膜は、発熱体に接続する配線をインクから守るという役目があり、膜の欠陥の確率からすると、厚い方が有利であり、エネルギー効率と信頼性の観点から最適の厚さに設定されている。ただし、保護膜はインクの発泡によるキャビテーションダメージすなわち機械的ダメージと、発泡後の表面が高温になることから、インク成分との高温時での化学反応によるダメージとの両方の影響を受ける。
【０００５】
このため、実際には配線を守るための絶縁性の膜と、機械的、化学的ダメージに安定な膜の両立が難しい。このことから液体吐出用基板の保護膜の構成は上層にインクの発泡による機械的および化学的ダメージに対して安定性の高い膜を形成し、下層は配線を守るための絶縁性の膜を形成することが一般的である。具体的には上層には機械的、化学的安定性の極めて高い膜であるＴａ膜、下層には、既存の半導体製造装置で安易に安定な膜が形成できるＳｉＮ膜やＳｉＯ膜を形成することが一般的である。
【０００６】
また、このような保護膜の異常を検知する方法として、特許文献２においては、基板の一部を露出させ、インクと電気的にショートさせる構成を設ける例が開示される。
【０００７】
さらに、液体吐出ヘッドの供給口の形成方法としてマイクロマシニングの一手法として、＜１００＞の面方位を有するＳｉ基板のアルカリ溶液による異方性エッチングは広く行われている。これは、面方位によるアルカリ溶液に対する溶解速度差を利用したもので、具体的には、溶解速度の極めて遅い＜１１１＞面を残すような形態でエッチングが進行する。
【特許文献１】特開平６−５５７３７号
【特許文献２】特開平９−０５７９７３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、液体吐出用基板はＳｉＮ膜やＳｉＯ膜等によって、発熱抵抗体及びそれに電気的に接続された基板上の配線をインクと直接接触することの無いように構成されている。これは、Ｓｉ基板上に半導体製造装置で安易に安定な膜が形成できるからである。
【０００９】
しかしながら、上述の保護膜をもってしても一部のインクにおいて、使用する液体の種類によっては使用環境条件（温度、ＰＨ）によって、保護膜自体を侵食し、保護膜性能を低下させてしまう場合がある。
【００１０】
このような場合、配線層の層間絶縁膜にまで欠損が広がってしまうと個別電極配線までインクが進入してしまい電気的ショートが起こる可能性が高い。すると基板上の発熱抵抗体及びそれに電気的に接続された基板上の配線に異常を起こし、液体吐出ヘッドが正常動作しなくなってしまう場合がある。
【００１１】
場合によっては本体とヘッドの電気的コネクト部にまで電気的ショートが影響することで液体吐出装置本体の制御基板にまで影響を及ぼす恐れもある。
【００１２】
また、電気的ショートが発生しない場合においても、保護膜と発熱抵抗体及びそれに電気的に接続された基板上の配線等の間に積層されている層間絶縁膜を侵食することがある。この場合、基板全体の熱容量を低下させてしまうことで発熱抵抗体を用いたサーマルタイプの液体吐出装置に使用する液体吐出用ヘッドとして正常な機能が発揮されない可能性が高い。
【００１３】
上記の課題の対策として、インクが触れる保護膜上に耐インク浸食性の高い樹脂膜等を被覆することで、なるべくインクと保護膜を接触させない方法が考えられる。しかしながら一般的な液体吐出ヘッド用基板の製法及び構成において、供給口端部に保護膜の端部は露出してしまう。
【００１４】
つまり、保護膜上に耐インク浸食性の高い樹脂膜によってインクと保護膜の接触面積を最小限にすることは出来ても、供給口端部より保護膜の浸食は進行する。よって保護膜を出来る限り浸食性の高い樹脂膜表面で覆う事が出来たとしても供給口端部から進行する保護膜の浸食を無くすことは困難である。
【００１５】
以上のことにより、供給口端部から保護膜の浸食が起こった場合においても、その影響がヘッドの所望の性能、及び液体吐出装置本体の機能に影響が生じないように、保護膜浸食の有無を検知する手段が必要になる。
【００１６】
また、特許文献２に開示される方法においては、製造過程における保護膜の異常の検知は可能であるが、実際に出荷された後、インクが充填され、ある期間使用後に生じる保護膜性能の低下を検知することはできない。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願発明の液体吐出ヘッド用基板は、液体を供給するための供給口が形成された基板上に、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生する発熱抵抗体と、該発熱抵抗体と電気的に接続される配線と、少なくとも前記配線を被覆する保護膜と、を有し、前記配線の前記供給口側の端部と前記供給口との間に対応する前記保護膜中に、前記保護膜に欠損が生じていることを検知するために用いられる検知手段が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、液体吐出ヘッドの使用期間中に保護膜の異常が発生した場合において、保護膜の消失の有無を、簡単な構成にて検知することが出来る。さらにその異常検知情報を液体吐出装置（プリンタ）本体側へ出力することでヘッド交換の適切な時期をユーザーに知らせることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は以下の実施例に限定されることはなく、本発明の目的が達成され得るものであればよい。
【００２０】
（液体吐出ヘッド用基板と、液体吐出ヘッドの説明）
図９は、本実施形態を適用可能な液体吐出ヘッドとカートリッジを説明する図である。以下、これらの図面を参照して各構成要素の説明を行う。但し、本発明はこれに限定されるわけではない。
【００２１】
本実施形態の液体吐出ヘッド２１（以下、単に記録ヘッドともいう）は、カートリッジ１８を構成する一構成要素である。カートリッジ１８は、記録ヘッド２１と、記録ヘッド２１に着脱自在に設けられたインクタンク１７とから構成されている。記録ヘッド２１は、インクタンク７から供給されるインク（もしくは反応液）を、流路を通じて吐出口から吐出する。液体の吐出には、液体を発泡させる熱エネルギーが利用される。
【００２２】
この記録ヘッド２１及びカートリッジ１８は、液体吐出装置に載置されているキャリッジ（不図示）の位置決め手段および電気的接点によって固定支持されるとともに、キャリッジに対して着脱可能となっている。インクタンク１７ａはブラックのインク用、インクタンク１７ｂはシアンのインク用、インクタンク１７ｃはマゼンタのインク用、インクタンク１７ｄはイエローのインク用である。このようにインクタンク１７（１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ）のそれぞれが着脱自在であり、それぞれのインクタンクが交換可能となっていることにより、液体吐出装置における印刷のランニングコストが低減される。
【００２３】
但し、本発明の記録ヘッド２１はこの形態に限定するものではなく、液体吐出装置本体に装着されたインクタンク（不図示）よりチューブでインク供給する形態でもよい。
【００２４】
次に図１０は、本実施形態を適用可能な液体吐出ヘッドに搭載される基板部分を説明する、インク吐出方向から見た模式図である。これは本実施形態で用いる記録ヘッド２１の吐出口群の構成配置が示してあり、本実施形態で用いた高密度記録を実現するためのカラーヘッドの模式的正面図である。この例では１列当たり６００ｄｐｉ（ドット／インチ）のピッチ（約４２μｍピッチ）吐出口を配列した吐出口列を１色当たり２列、互いに副走査方向（紙送り方向）に約２１μｍずらして、プリントヘッドの主走査方向に対しては設けてある。１２００ｄｐｉの解像度を実現している。さらに、図示の例ではそのような吐出口列を３色に対応して主走査方向の往方向、復方向どちらへも色順が同じとなるように並置している。さらに３色について合計６列の吐出口列で１２００ｄｐｉの記録を行う一体構造のヘッド構成としているが、ヘッド構成はこれに限らない。
【００２５】
ここで、図中のａ−ａ’の一点破線で示した断面のうち、破線で囲んだ領域が図１、３、４、８、９に示す断面図に対応する。
【００２６】
（液体吐出装置の説明）
図１１に本発明に適用される液体吐出装置の概観図の一例を示す。
【００２７】
図において、駆動モータ５０１３の正逆回転に連動して駆動力伝達ギア５０１１，５００９を介して回転するリードスクリユー５００５の螺旋溝５００４に対して係合するキヤリツジ５０１４はピン（不図示）を有し、矢印ａ，ｂ方向に往復移動される。このキヤリツジ５０１４には、インクタンクと共に記録ヘッド２１が搭載されている。この記録ヘッド２１は、液体吐出装置本体ＩＪＲＡに載置されているキヤリツジ５０１４の前述の位置決め手段、及び電気的接点とによって固定支持されると共に、該キヤリツジ５０１４に対して着脱可能なタイプである。
【００２８】
（保護膜欠損検知回路からの情報処理方法）
図１２に本発明検知手段からの保護膜欠損の有無の情報をどのように液体吐出装置本体が処理するのか概念図を用いて説明する。
【００２９】
保護膜欠損検知手段３である配線は、基板中に設けられている保護膜欠損検知配線回路と接続されており、この回路の信号は発熱抵抗体７を駆動する配線とは異なる電極部に接続され、本体との接続端子と通信可能である。そして液体吐出装置本体の非印字中に定期的に保護膜欠損検知手段３である配線に１〜３Ｖ程度の電圧を印加する。そしてこの入力電圧に対して保護膜欠損検知手段３である配線を流れる電流値は該保護膜欠損検知配線回路を通じて出力可能な構成となっている。
【００３０】
この時、保護膜（下部保護膜９及び上部保護膜６）の欠損が、供給口１１の端部に露出する部分から進行して、保護膜欠損検知手段３にインクが触れた場合、電流リークが発生する。すると保護膜欠損検知配線回路から出力される電流値の変化により液体吐出装置本体側にてヘッドの異常を検知し、使用中止をユーザーに促すもしくは強制的に印字不可能といった制御をすることが可能となる。
【００３１】
（基板の製造方法）
本実施例による基本的な基板の作成工程を説明する。Ｓｉ基板あるいは既に駆動用のＩＣを作り込んだＳｉ基板を用いる。まず、基板１上に熱酸化等で形成される蓄熱層２を形成する。さらにＣＶＤ法等によって層間絶縁層４を形成したのち、この上に、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ等からなる下部配線５をスパッタリング法にて形成した。次にフォトリソグラフィ−法を用いて配線パタ−ンを形成し、リアクティブイオンエッチング法等でエッチングを行い、下部配線５を完成した。その上に、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ２等からなる下部保護膜６が、少なくとも下部配線５を被覆するように形成する。次にフォトリソ法などによってその下部保護膜６にスルーホール用パターンを形成し、ドライエッチング法などでその絶縁膜のエッチングを行い、スルーホール部とワイヤーボンディング用パッド穴部を形成する。次いで、反応性スパッタリングによりＴａＮ，ＴａＳｉＮ等からなる発熱抵抗体７、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等からなる個別電極配線層８を形成する。次に、フォトリソ法を用いて配線パターンを形成し、リアクティブイオンエッチング法等で、Ａｌ，ＴａＮと連続的にエッチングを行う。再びフォトリソ法により発熱部を露出させるために、ウエットエッチングによりＡｌを取り去る。この部分が発熱抵抗体となる。次に保護膜としてプラズマＣＶＤ法によって、上部保護膜９をＳｉＮにて形成する。次に耐キャビテーション膜１０としてＴａ膜をスパッタリング法により形成した。
【００３２】
上述したように、発熱抵抗体上に個別電極配線層が設けられる例を示したが、個別電極配線層が発熱抵抗体の下層に形成される構成であってもよい。
【００３３】
（保護膜及び保護膜欠損検知手段に関する詳細説明）
図１に示すように保護膜とは、ＳｉＮなどＳｉ化合物からなる上部保護膜９及びＳｉＯなどＳｉ化合物からなる下部保護膜６からなる。上部保護膜９は主に層間絶縁膜としての役割を持ち、下部保護膜６は主に蓄熱層としての役割を持ち、膜厚は上部保護膜９が０．２〜０．８μｍ、下部保護膜６は０．６〜２μｍの範囲である。
【００３４】
ここで本実施形態において保護膜欠損検知手段３は下部保護膜６形成前に形成される。平面方向においては供給口１１と下部配線５の間の領域に保護膜欠損検知手段３として発熱抵抗体７を駆動する配線下部配線５としては用いられていないＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉのいずれか、もしくはその合金等からなるパターンが形成されている。
【００３５】
保護膜欠損検知手段３である配線は、基板中に設けられている保護膜欠損検知配線回路と接続されており、この回路の信号は発熱抵抗体７を駆動する配線とは異なる電極部に接続される。そして、入力電圧に対して該保護膜欠損検知配線回路を通じて搭載される本体へ電気的出力値を出力可能な端子と接続されている構成となっている。
【００３６】
これにより、万が一供給口１１断面においてインクと接触している部分から下部保護膜９及び上部保護膜６の欠損が進行しても、保護膜欠損検知手段３にインクが触れた場合、電流リークが発生する。すると保護膜欠損検知配線回路から出力される電流値の変化により液体吐出装置本体側にてヘッドの異常を検知し、使用中止をユーザーに促すもしくは強制的に印字不可能といった制御をすることが可能となる。
【００３７】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第一の実施形態に係わる液体吐出ヘッド用基板の基板膜構成を明記するための模式的断面図である。図２は本実施形態における発熱抵抗体７と保護膜欠損検知手段３の位置構成が分かるように基板上面から見た模式図である。保護膜欠損検知手段３の配線パターンは供給口の長手方向に並列で且つ複数並ぶ発熱抵抗体７の列に並列方向に直線状に置かれたパターンとなっている。
【００３８】
図１に示すように、厚さ６２５μｍのＳｉ基板１の上に熱酸化膜からなる蓄熱層２を６５００Å形成した。その上に、ＣＶＤ法などによってＳｉＯ２等からなる層間絶縁膜４を５０００Å形成する。
【００３９】
この上に、Ａｌにて発熱抵抗体に接続される下部配線５をスパッタリング法などで形成した。次にフォトリソグラフィ−法を用いて配線パタ−ンを形成し、リアクティブイオンエッチング法などでエッチングを行い、下部配線５を完成した。
【００４０】
この時、保護膜欠損検知手段３として発熱抵抗体下部には下部配線５と電気的に独立している保護膜欠損検知手段３用の配線パターンを、下部配線５形成と同時に形成する。この際、保護膜欠損検知手段は、基板上面から見た場合において、配線（下部配線または上部配線）の供給口側の端部と、供給口との間に対応する保護膜中の層内に設けられるようにする。
【００４１】
その上に、プラズマＣＶＤ法などによってＳｉＯ  等からなる下部保護膜６を１５０００Å形成する。次にフォトリソ法などによってその下部保護膜６にスルーホール用パターンを形成し、ドライエッチング法などでその絶縁膜のエッチングを行い、スルーホール部とワイヤーボンディング用パッド穴部を形成する。次いで、反応性スパッタリングなどによりＴａＳｉＮからなる発熱抵抗体７、Ａｌからなる個別電極配線層８を５００Å形成する。次に、フォトリソ法などを用いて配線パターンを形成し、リアクティブイオンエッチング法などで、Ａｌ，ＴａＮと連続的にエッチングを行う。再びフォトリソ法などにより発熱部を露出させるために、ウエットエッチングによりＡｌを取り去る。この部分が発熱抵抗体となる。次に保護膜としてプラズマＣＶＤ法によって、上部保護膜９をＳｉＮにて３０００Å形成する。次に耐キャビテーション膜１０としてＴａ膜をスパッタリング法により２３００Å形成した。
【００４２】
以上により完成した基板１上に供給口よりインクを供給され各発熱抵抗体上に形成されるチャンバー及び各インク吐出口へインクを導くためのノズル部材（不図示）が形成されるが、基板１とノズル部材の密着性を高めるための密着向上層１２が設けてある。
【００４３】
この密着向上層１２はインクにノズル部材と基板１の密着性を確保するためにも、対インク溶解性の低い材料を用いるのが好ましい。
【００４４】
本実施形態においては図２に示すように保護膜欠損検知手段３の配線パターンは供給口の長手方向に並列で且つ複数並ぶ発熱抵抗体７の列に並列方向に直線状に置かれたパターンとなっている。これにより、全ての発熱抵抗体７と供給口１１間の保護膜欠損に対して検知することが可能である。
【００４５】
本実施形態で示した記録ヘッドを搭載した液体吐出装置にあるインクを搭載して、基板温度約６０℃程度になる印字環境で印刷を行った。さらに常温で放置を５年相当行った。すると、保護膜の欠損が起こり保護膜欠損検知手段３にインクが触れたため保護膜欠損検知配線回路から出力される電流値の変化を液体吐出装置側で検知することが可能となり、異常な状態で液体吐出装置を使用することなく信頼性を保つことが可能となった。
【００４６】
（比較例）
図７では従来の基板および密着向上層が形成された場合を示す。図１３は従来の基板および密着向上層が形成された場合に対し、上部保護膜９及び下部保護膜６がエッチィングされた場合の模式図を示す。ここで図１３の網掛け部分は上部保護膜９及び下部保護膜６がエッチィングされた後を示している。
【００４７】
この場合、保護をする上部保護膜９及び下部保護膜６が欠損することで、さらに層間絶縁膜４にまで欠損が広がってしまうと個別電極配線層８までインクが進入してしまい電気的ショートが発生し、液体吐出ヘッドが正常動作しなくなってしまう場合がある。さらにこの時、場合によっては本体とヘッドの電気的コネクト部にまでショートが影響することで液体吐出液体吐出装置本体にまで影響を及ぼす恐れもある。
【００４８】
また、ヘッド及び液体吐出装置本体が壊れなくとも基板全体の熱容量を低下させてしまうことで発熱抵抗体を用いたサーマルタイプの液体吐出液体吐出装置に使用する液体吐出用ヘッドにおいては本来の機能が発揮されない可能性が高い。
【００４９】
図８では、インクが保護膜に触れる上面部分には密着向上層１２を設けることで、なるべくインクと上部保護膜９及び下部保護膜６の接触面積を減らし、インクによる基板１への欠損が最小限になる構成を示しており、この構成を本発明の基本形とする。
【００５０】
しかしながら、図８に示した構成においても、通常の供給口及びヘッド形成工程において、供給口部１１断面部分にある上部保護膜９及び下部保護膜６がインクに触れないようにすることは困難である。供給口部１１断面部に露出する上部保護膜９及び下部保護膜６は経時的にエッチィングされて最終的には層間絶縁膜４にまで欠損が広がってしまう可能性は十分ある。
【００５１】
（第２の実施形態）
図３は本発明の第２の実施形態に係わる液体吐出ヘッド用基板の基板膜構成を明記するための模式的断面図である。
【００５２】
第１の実施形態においては、保護膜欠損検知手段３が設けられる基板断面方向の位置が蓄熱層（熱酸化膜）２上の下部保護膜６内であった。これに対し第２の実施形態においては下部保護膜６上の上部保護膜９内に設けられている。
【００５３】
これは第１の実施形態に対して、下部保護膜６を形成した後に保護膜欠損検知手段３用の配線パターンを形成することが可能である。これにより第１の実施形態においては上部保護膜６のみが欠損して下部保護膜９が欠損しない場合、上部保護膜６のみの欠損を検知することも可能となるメリットがある。
【００５４】
（第３の実施形態）
図４は本発明の第３の実施形態に係わる液体吐出ヘッド用基板の基板膜構成を明記するための模式的断面図である。
【００５５】
第１の実施形態においては、保護膜欠損検知手段３が設けられる基板断面方向の位置が蓄熱層（熱酸化膜）２上の下部保護膜６内であった。これに対し第２の実施形態においては、積層される下部保護膜６と上部保護膜９の両者にわたって設けられている。
【００５６】
これは第１の実施形態に対して、製造プロセスを追加することで実現可能である。例えば、上部保護膜と下部保護膜に、保護膜欠損検知手段を設ける隙間をパターニングし、その後、保護膜欠損検知手段を作成すればよい。これにより第１及び第２の実施形態よりも上部保護膜９と下部保護膜６の欠損を検知できる表面積が大きくなり、信頼性を向上出来るメリットがある。
【００５７】
（第４の実施形態）
図５は本発明の第４の実施形態に係わる液体吐出ヘッド用基板の基板膜構成を明記するための基板上方からみた模式図である。
【００５８】
第１の実施形態においては、保護膜欠損検知手段３の配線パターンは供給口の長手方向に並列で且つ複数並ぶ発熱抵抗体７の列に並列方向に直線状に置かれたパターンとなっていた。これに対し第４の実施形態においては各発熱抵抗体７及びそれに接続される各下部配線５に対し独立した保護膜欠損検知手段３の配線パターンになっている。この場合、保護膜欠損検知手段３の配線が全ての発熱抵抗体７及びそれに接続される配線の各々を囲みこむように検知手段が配置される。これにより信頼性の高い保護膜異常の検知および保護膜異常部位の検知データを元にした細かい制御を可能とするメリットがある。
【００５９】
（第５の実施形態）
図６は本発明の第５の実施形態に係わる液体吐出ヘッド用基板の基板膜構成を明記するための基板上方からみた模式的図である。
【００６０】
第４の実施形態においては、保護膜欠損検知手段３の配線パターンは各発熱抵抗体及びそれに接続される各下部配線に対し独立した保護膜欠損検知手段３の配線パターンになっていた。これに対し第５の実施形態においては、一部の各発熱抵抗体及びそれに接続される各下部配線にのみ独立した保護膜欠損検知手段３の配線パターンを設けている。例えば、保護膜欠損検知手段を、発熱抵抗体１つおきに設けてもいいし、発熱抵抗体数個おきに設けても良い。
【００６１】
この場合、第４の実施形態よりは保護膜欠損検知手段３の配線の占める基板全体に対する面積割合は小さくしつつも、保護膜異常部位の検知データを元にした細かい制御を可能とするメリットがある。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】第１の実施形態における基板断面構成が分かるように示した模式断面図である。
【図２】第１の実施形態における発熱抵抗体と保護膜欠損検知手段の位置構成が分かるように基板上面から見た模式図である。
【図３】第２の実施形態における基板断面構成が分かるように示した模式断面図である。
【図４】第３の実施形態における基板断面構成が分かるように示した模式断面図である。
【図５】第４の実施形態における発熱抵抗体と保護膜欠損検知手段の位置構成が分かるように基板上面から見た模式図である。
【図６】第５の実施形態における発熱抵抗体と保護膜欠損検知手段の位置構成が分かるように基板上面から見た模式図である。
【図７】従来の基板断面構成及び密着向上層の位置が分かるように示した模式断面図である。
【図８】基板断面構成及び密着向上層の位置が分かるように示した模式断面図である。
【図９】ヘッドの一般的な形状を説明する模式図である。
【図１０】ヘッドの基板部分を説明する基板正面から見た模式図である。
【図１１】液体吐出装置を説明する模式図である。
【図１２】実施形態を適用可能な液体吐出装置の制御を実行するためのブロック図である。
【図１３】従来の基板断面構成及び密着向上層の模式断面図に本発明の課題が生じた場合を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  基板（Ｓｉ）
２  蓄熱層（熱酸化膜）
３  保護膜欠損検知手段
４  層間絶縁膜
５  下部配線
６  下部保護膜（ＳｉＯ）
７  発熱抵抗体
８  個別電極配線
９  上部保護膜（ＳｉＮ）
１０  耐キャビテーション膜（Ｔａ）
１１  供給口
１２  密着向上層
２１  記録ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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