(57)【要約】【課題】ＷＬＣＳＰ等において、再配線層の材質を変えることなく、再配線層と絶縁樹脂層及び／又は封止樹脂層との界面における層間剥離を抑制する。【解決手段】本発明の半導体装置２は、半導体基板１０上に、電極２０と、電極２０に再配線層４０を介して電気的に接続された外部端子５０と、半導体基板１０の電極２０と再配線層４０とが形成された側を樹脂封止する封止樹脂層６０とを備え、再配線層４０は、外部端子５０のベースである端子ベース４１と、電極２０から引き廻され、電極２０と端子ベース４１とを接続する引き廻し配線４２とを有し、引き廻し配線４２は、一部が電極２０の直上に形成され、残部が絶縁樹脂層３０を介して電極２０から絶縁されたものであり、封止樹脂層６０は、再配線層４０の膨張により層間に発生する応力を吸収するパターンで形成されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、電極と、該電極に再配線層を介して電気的に接続された外部端子と、前記半導体基板の前記電極と前記再配線層とが形成された側を樹脂封止する封止樹脂層とを備え、
前記再配線層は、前記外部端子のベースである端子ベースと、前記電極から引き廻され、前記電極と該端子ベースとを接続する引き廻し配線とを有し、該引き廻し配線は、一部が前記電極の直上に形成され、残部が絶縁樹脂層を介して前記電極から絶縁された半導体装置において、
前記封止樹脂層は、前記再配線層の膨張により層間に発生する応力を吸収するパターンで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記封止樹脂層が、前記再配線層の非形成領域に、前記応力を吸収する穴部を有するパターンで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板（インタポーザ）を使用しないウエハレベル（ＷＬ）のＣＳＰ（Chip Size/Scale Package）等の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージでは、デュアル・インライン・パッケージ（Dual Inline Package）やクァド・フラット・パッケージ（Quad Flat Package）など、樹脂パッケージの側面部や周辺部に金属リードを配置した周辺端子配置型が主流であった。
これに対し、高密度実装可能なチップ・サイズ／スケール・パッケージ（ＣＳＰ：Chip Size/Scale Package） が提案され、実用に供されている。ＣＳＰは、いわゆるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）技術を応用したもので、パッケージの表面に複数の電極をロ字状あるいは格子状に配置した構造（ＢＧＡ構造）のリードレス半導体パッケージである。かかる構造のＣＳＰでは、電極端子数が同じでもパッケージの占有面積を狭くすることができる。
【０００３】
近年、さらなる高密度実装化を目指して、上記ＣＳＰをさらに発展させた半導体パッケージとして、ウエハレベル（ＷＬ）ＣＳＰが提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。図８に基づいて、従来のＷＬＣＳＰの概略について簡単に説明する。図８は、厚み方向断面図である。
図示するＷＬＣＳＰ１００は、半導体基板であるシリコンウエハ１０１上に、電極１０２と絶縁樹脂層１０３と再配線層１０４と封止樹脂層１０５とが形成され、外部端子であるはんだバンプ１０６が、再配線層１０４を介して電極１０２に電気的に接続されたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２４２４４号公報
【特許文献２】国際公開第００／７７８４３号パンフレット
【特許文献３】特開２００１−２１０７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来のＷＬＣＳＰでは、外部端子であるはんだバンプを取り付ける際のいわゆるリフロー工程や、実際のリフロー工程あるいは実使用条件よりも過酷な環境試験（例えば、吸湿リフロー試験や温度サイクル試験）において、熱や湿気に曝されると、絶縁樹脂層と再配線層との界面、あるいは再配線層と封止樹脂層との界面に、僅かながらも剥離部分が発生することがある。
【０００６】
金属製の再配線層は、その大部分が、２つの樹脂層（絶縁樹脂層と封止樹脂層）により挟まれた構造となっている。そのため、ＷＬＣＳＰに熱がかかると、材質の異なる絶縁樹脂層と再配線層との界面あるいは再配線層と封止樹脂層との界面は、これらの層の熱膨張率の相違によって応力を受け、この応力が大きくなると、層間に剥離部分が発生すると考えられる。また、剥離部分に空気中の水分等が侵入すると、侵入した水分が熱により気化膨張するので、剥離部分が広がりやすいと考えられる。
絶縁樹脂層と再配線層との界面あるいは再配線層と封止樹脂層との界面に、剥離部分が発生すると、この剥離部分に水分が侵入して、金属製の再配線層が酸化され、電気抵抗が高くなる等の恐れがある
【０００７】
上記特許文献３には、再配線層をＣｕ／ＣｕＯ２  複合合金により構成し、再配線層の線膨張係数と弾性率を小さくすることで、上記の層間剥離を抑制できることが記載されている。しかしながら、Ｃｕ／ＣｕＯ２  複合合金は、通常使用されているＣｕに比して電気抵抗が大きく、これを用いる場合には、再配線層の配線幅を大きくする必要がある。近年の電子機器の小型化に伴い、これに搭載される半導体パッケージにも益々小型化が要求されている中、再配線層の配線幅を大きくする必要のあるＣｕ／ＣｕＯ２  複合合金の使用は、現実的ではない。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、電極と絶縁樹脂層と再配線層と外部端子と封止樹脂層とを備えたＷＬＣＳＰ等の半導体装置において、再配線層の材質を変えることなく、再配線層と絶縁樹脂層及び／又は封止樹脂層との界面における層間剥離を抑制する半導体装置の構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は上記課題を解決するべく鋭意検討し、以下の半導体装置を発明した。
本発明の請求項１に係る半導体装置は、半導体基板上に、電極と、該電極に再配線層を介して電気的に接続された外部端子と、前記半導体基板の前記電極と前記再配線層とが形成された側を樹脂封止する封止樹脂層とを備え、前記再配線層は、前記外部端子のベースである端子ベースと、前記電極から引き廻され、前記電極と該端子ベースとを接続する引き廻し配線とを有し、該引き廻し配線は、一部が前記電極の直上に形成され、残部が絶縁樹脂層を介して前記電極から絶縁された半導体装置において、
前記封止樹脂層は、前記再配線層の膨張により層間に発生する応力を吸収するパターンで形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この本発明の請求項１に係る半導体装置は、封止樹脂層を、再配線層の膨張により層間に発生する応力を吸収するパターンで形成する構成としているので、再配線層と封止樹脂層との間に発生する応力が緩和され、再配線層と封止樹脂層との界面における層間剥離を抑制することができる。
【００１１】
本発明の請求項２に係る半導体装置は、請求項１において、前記封止樹脂層が、前記再配線層の非形成領域に、前記応力を吸収する穴部を有するパターンで形成されていることを特徴とする。
封止樹脂層をかかる構成とすることで、上記の本発明の請求項１に係る半導体装置を好適に実施できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置によれば、封止樹脂層を、再配線層の膨張により層間に発生する応力を吸収するパターンで形成する構成としているので、再配線層と絶縁樹脂層及び／又は封止樹脂層との界面における層間剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る第１実施形態のＷＬＣＳＰ型半導体装置の部分平面図である。
【図２】図１に示すＷＬＣＳＰ型半導体装置のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図３】本発明に係る第２実施形態のＷＬＣＳＰ型半導体装置の部分平面図である。
【図４】図３に示すＷＬＣＳＰ型半導体装置のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図５】本発明に係る第２実施形態のＷＬＣＳＰ型半導体装置の変形例を示す部分平面図である。
【図６】図５に示すＷＬＣＳＰ型半導体装置のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
【図７】本発明に係る第３実施形態のＷＬＣＳＰ型半導体装置の断面図である。
【図８】従来のＷＬＣＳＰ型半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、ウエハレベル・チップ・サイズ／スケール・パッケージ（ＷＬＣＳＰ）等の半導体装置に好ましく適用できる。したがって、ＷＬＣＳＰ型半導体装置を例として、本発明に係る実施形態を説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の趣旨を理解し易いように具体的に説明したものであり、本発明は、これら実施形態に限定されるものではない。また、配線のパターン等は、視認しやすくするため、実際のものより簡略化してある。
【００１５】
「第１実施形態」
図１及び図２に基づいて、第１実施形態について説明する。図１は再配線層と外部端子のみを取り出して示す平面図、図２は半導体装置の断面図（図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図）である。
【００１６】
図２に示すように、本実施形態のＷＬＣＳＰ型半導体装置１は、半導体基板１０上に、集積回路（図示略）及びこれに電気的に接続された複数の電極２０と、この電極２０に重なる部分が開口され半導体基板１０の全面に形成された絶縁樹脂層３０と、この絶縁樹脂層３０上に形成された、再配線層４０を介して電気的に接続する外部端子５０と、半導体基板１０の電極２０と再配線層４０とが形成された側を樹脂封止する封止樹脂層６０とを備えたものである。
なお、半導体基板１０と絶縁樹脂層３０との間には、絶縁樹脂層３０と同様のパターンで形成された、ＳｉＮ等からなるパッシベーション膜（図示略）が設けられている構成が好ましい。
【００１７】
半導体基板１０としては、シリコンウエハ等の半導体ウエハが好ましく用いられる。電極２０は、アルミニウムや銅、クロム、チタン、金、若しくはこれらの合金等の導電性材料から構成されている。電極２０の厚みは、例えば０．３〜１．５［μｍ］程度である。
絶縁樹脂層３０は、電極２０の直上を除く、半導体基板１０の表面略全面に形成されている。絶縁樹脂層３０の厚みは、例えば５〜５０μｍ程度である。
【００１８】
再配線層４０は、銅、クロム、アルミニウム、チタン、チタン−タングステン合金、金等の導電性材料からなり、図１、図２に示すように、外部端子５０のベースである、平面視略円状の端子ベース４１と、電極２０から引き廻され、電極２０と端子ベース４１とを接続する引き廻し配線４２とから構成されている。図２に示すように、引き廻し配線４２は、一部が電極２０の直上に形成され、残部が絶縁樹脂層３０を介して電極２０から絶縁されている。再配線層４０の厚みは３〜５０μｍが好ましく、さらに好ましくは５〜３０［μｍ］である。
【００１９】
外部端子５０ははんだバンプ等からなり、その一部が封止樹脂層６０の表面より突出している。はんだバンプの場合、ボイド数が極めて少ない（例えば、単位体積当たりのボイド数：１×１０−７〜２×１０−７［個／μｍ３］程度）、高密度のはんだボールが好ましく用いられる。また、共晶はんだ、鉛を含まない高温はんだ等からなるはんだボールが好ましく用いられる。
封止樹脂層６０は再配線層４０等を保護するもので、外部端子５０の形成領域を除く、半導体基板１０の略全面に渡って形成されている。封止樹脂層６０は絶縁樹脂からなり、その厚みは３〜１５０［μｍ］が好ましい。
【００２０】
本実施形態においては、絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０が、再配線層４０の膨張により層間に発生する応力を吸収する樹脂（Ａ）により構成されている。
樹脂（Ａ）としては、ヤング率が３［ＧＰａ］以下の樹脂が挙げられる。従来はヤング率が４０［ＧＰａ］程度の樹脂が用いられているが、本実施形態では、絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０を従来よりも低ヤング率の樹脂により構成する。
本発明者は、かかる構成とすることで、絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０が、再配線層４０の膨張により層間に発生する応力を吸収するので、再配線層４０と絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０との間に発生する応力が緩和され、層間剥離を抑制できることを見出している。
【００２１】
樹脂（Ａ）のヤング率の下限は特に制限されない。樹脂（Ａ）の種類も制限されないが、耐熱性の点から、ポリイミド樹脂等が好ましい。また、絶縁樹脂層３０のパターニングが容易なことから、感光性樹脂が好ましく用いられる。
【００２２】
本実施形態においては、絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０を、上記樹脂（Ａ）の代わりに、再配線層４０の膨張により層間に発生する応力を抑える樹脂（Ｂ）により構成してもよい。
樹脂（Ｂ）としては、再配線層４０以下の線膨張係数を有する樹脂が挙げられる。再配線層４０の線膨張係数は通常、１．７×１０−５［１／℃］程度であるので、樹脂（Ｂ）の線膨張係数は１．７×１０−５［１／℃］以下が好ましい。
本発明者は、かかる構成とした場合、再配線層４０が熱膨張しても、絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０が再配線層４０と同程度かそれよりも小さくしか膨張しないので、再配線層４０と絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０との間の応力の発生自体が抑制され、層間剥離を抑制できることを見出している。
【００２３】
樹脂（Ｂ）の線膨張係数の下限は特に制限されない。樹脂（Ｂ）の種類も制限されないが、耐熱性の点から、ポリイミド樹脂等が好ましい。また、絶縁樹脂層３０のパターニングが容易なことから、感光性樹脂が好ましく用いられる。
【００２４】
本実施形態では、絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０を、再配線層４０の膨張により層間に発生する応力を吸収する樹脂（Ａ）、又は再配線層４０の膨張により層間に発生する応力を抑える樹脂（Ｂ）により構成しているので、再配線層４０の材質を変えることなく、再配線層４０と絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０との間に発生する応力が緩和され、層間剥離を抑制することができる。
本実施形態の半導体装置１では、例えば、温度８５［℃］／相対湿度８５［％］の条件下で吸湿リフロー試験を実施しても、再配線層４０と絶縁樹脂層３０及び／又は封止樹脂層６０との層間剥離が高レベルに抑えられる。
【００２５】
（製造方法）
上記第１実施形態の半導体装置１の製造方法の一例を説明する。
はじめに、半導体基板１０の略全面に、真空蒸着法やスパッタ法等により電極材料を成膜した後、公知のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることで、半導体基板１０上の所定位置に、集積回路（図示略）及び複数の電極２０を形成する。
【００２６】
次いで、電極２０を形成した半導体基板１０の略全面にＳｉＮ等を成膜した後、電極２０の直上部分を開口させ、パッシベーション膜（図示略）を形成する。
次いで、スピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、電極２０を形成した半導体基板１０の略全面に、感光性絶縁樹脂を塗布し、これを露光及び現像することで、電極２０の直上部分が開口した絶縁樹脂層３０を形成する。
絶縁樹脂層３０は、スクリーン印刷や樹脂シートのラミネートによっても形成することができる。この場合、パターニングは不要である。
【００２７】
次に、電極２０及び絶縁樹脂層３０が形成された半導体基板１０上の略全面に、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（化学気相成長）法、無電界メッキ法等により、メッキの種となるシード層を成膜する。シード層としては、Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｕ／Ｔｉ等の積層構造のものが好ましい。このシード層の上にフォトリソグラフィー法により所定のパターンのレジストを形成し、このレジストをマスクとして、電解メッキ又は無電解メッキを実施し、Ｃｕ等からなる所定のパターンの再配線層４０を形成する。その後、レジストを剥離し、再配線層４０の非形成領域に残るシード層をエッチング除去する。
再配線層４０を形成するに際しては、後工程で形成する外部端子５０の濡れ性向上等を目的として、Ｃｕメッキを施した後、その上にさらにＮｉメッキ及び／又はＡｕメッキを施して、再配線層４０とすることもできる。
【００２８】
次に、絶縁樹脂層３０と同様に、所定のパターンの封止樹脂層６０を形成する。
最後に、はんだボール搭載法、はんだメッキ法、はんだペースト印刷法、はんだペーストディスペンス法、はんだ蒸着法等によって、外部端子５０を形成し、上記実施形態の半導体装置１が完成する。
【００２９】
「第２実施形態」
次に、図３、図４に基づいて、第２実施形態について説明する。図３は再配線層と外部端子のみを取り出して示す平面図、図４は半導体装置の断面図（図３のＢ−Ｂ’線に沿う断面図）であり、少なくとも、個々の再配線層４０の周囲に沿って貫通孔６１を複数形成する構成を採用した場合を示している。すなわち、第２実施形態に係る半導体装置２は、図４より明らかなように、貫通孔６１が、再配線層４０を配してなる領域（４０α〜４０α’、４０β〜４０β’）には設けられず、この領域の周囲に配置される一例である。
本実施形態の基本構成は第１実施形態と同様であるので、同じ構成要素には同じ参照符号を付し、説明は省略する。図３、図４は、第１実施形態の図１、図２に各々対応する図である。図３には、封止樹脂層に形成する後記貫通孔のパターンも図示してある。
【００３０】
本実施形態のＷＬＣＳＰ型半導体装置２は、第１実施形態と異なり、絶縁樹脂層３０及び封止樹脂層６０の構成樹脂に制限はなく、任意の樹脂が使用できる。本実施形態が第１実施形態と異なる点は、封止樹脂層６０が、再配線層４０の膨張により層間に発生する応力を吸収するパターンで形成されている点である。
【００３１】
具体的には、封止樹脂層６０は、第１実施形態と同様、外部端子５０の形成領域を除く半導体基板１０の略全面に渡って形成されているが、本実施形態では、図３、図４に示す如く、封止樹脂層６０は、再配線層の非形成領域４３に、厚み方向に層を貫通する貫通孔（穴部）６１を有するパターンで形成されている。貫通孔６１は、図示下端が絶縁樹脂層３０に繋がり、図示上端が封止樹脂層６０の表面において開口している。
図に示す如く、封止樹脂層６０には、上記貫通孔６１が、再配線層の非形成領域４３の全体に渡って多数形成されている。すなわち、再配線層の非形成領域４３には、個々の再配線層４０の近傍のみならず、隣接する再配線層４０と再配線層４０との間にも多数の貫通孔６１が形成されている。
【００３２】
貫通孔６１は、貫通孔６１のない従来と同様の封止樹脂層（第１実施形態の封止樹脂層に相当）を形成した後、例えばエッチング等を実施することで、形成することができる。
貫通孔６１の大きさは特に制限されない。ただし、貫通孔６１の大きさは大きくなる程、応力緩和効果は大きくなる傾向にある。形成容易性と応力緩和効果を考慮すれば、貫通孔６１の内径は例えば５〜１０［μｍ］が好ましい。
【００３３】
本発明者は、上記のように、封止樹脂層６０の再配線層の非形成領域４３に、多数の貫通孔（穴部）６１を形成することで、貫通孔６１が再配線層４０の膨張により、再配線層４０と封止樹脂層６０との間に発生する応力を吸収して、層間に発生する応力が緩和され、層間剥離を抑制できることを見出している。
本実施形態の半導体装置２では、例えば、温度８５［℃］／相対湿度８５［％］の条件下で吸湿リフロー試験を実施しても、再配線層４０と封止樹脂層６０との層間剥離が高レベルに抑えられる。
【００３４】
なお、貫通孔６１の形成パターンは上記のもの限定されず、少なくとも個々の再配線層４０の近傍に少なくとも１個の貫通孔６１を形成すれば、上記効果が得られる。ただし、再配線層４０と封止樹脂層６０との間に発生する応力を効果的に緩和するには、図５、図６に示す変形例としても構わない。図５は再配線層と外部端子のみを取り出して示す平面図、図６は半導体装置の断面図（図５のＣ−Ｃ’線に沿う断面図）であり、少なくとも、個々の再配線層４０の周囲に沿って貫通孔６１を複数形成する構成を採用した場合を示している。すなわち、この変形例に係る半導体装置３は、図６より明らかなように、貫通孔６１が、再配線層４０を配してなる領域（４０α〜４０α’、４０β〜４０β’）には設けられず、この領域の周囲に配置される一例である。
【００３５】
「第３実施形態」
次に、図７に基づいて、第３実施形態について説明する。本実施形態の基本構成は第２実施形態と同様であるので、同じ構成要素には同じ参照符号を付し、説明は省略する。
図７は、第２実施形態の図４に対応する、第３実施形態に係る半導体装置の断面図であり、少なくとも、個々の再配線層４０の周囲に沿って貫通孔６１を複数形成する構成を採用した点は共通している。すなわち、第３実施形態に係る半導体装置４、５は、図７より明らかなように、貫通孔６１が、再配線層４０を配してなる領域（４０α〜４０α’、４０β〜４０β’）には設けられず、この領域の周囲に配置される一例である。
【００３６】
本実施形態のＷＬＣＳＰ型半導体装置３は、第２実施形態と同様、絶縁樹脂層３０及び封止樹脂層６０の構成樹脂に制限はなく、任意の樹脂が使用できる。本実施形態はまた、第２実施形態と同様、封止樹脂層６０が、再配線層４０の膨張により層間に発生する応力を吸収するパターンで形成されている。ただし、そのパターンが第２実施形態とは異なっている。
【００３７】
具体的には、本実施形態に係る半導体装置４、５では、図７に示す如く、封止樹脂層６０は、再配線層４０の表面と側面を覆う略最小限の領域（再配線層の形成領域とその近傍部分のみ）に形成されており、封止樹脂層６０には、再配線層の非形成領域４３に、該領域の略全体に渡る開口部（穴部）６２が形成されている。
図７（ａ）に示す半導体装置４は、開口部６２の壁面を半導体基板１０の面に対してテーパ状に傾斜させた例であり、図７（ｂ）に示す半導体装置５は、開口部６２の壁面を半導体基板１０の面に対して略垂直とした例であるが、この開口部６２の壁面形状は任意として構わない。
開口部６２を有する封止樹脂層６０のパターニングは、例えば、感光性樹脂を半導体基板１０の略全面に成膜した後、形成するパターンに合わせて露光し、現像することで、実施できる。
【００３８】
本発明者は、封止樹脂層６０を再配線層４０の表面と側面を覆う略最小限の領域にのみ形成し、封止樹脂層６０の再配線層の非形成領域４３に上記第２実施形態の貫通孔６１よりも大きい開口部（穴部）６２を設ける構成としても、第２実施形態と同様、開口部６２が再配線層４０の膨張により、再配線層４０と封止樹脂層６０との間に発生する応力を吸収して、層間に発生する応力が緩和され、層間剥離を抑制できることを見出している。
【００３９】
開口部６２の形成パターンは上記のものに限定されず、開口部６２は、残る封止樹脂層６０が少なくとも再配線層４０の表面と側面を覆うよう形成されていればよい。したがって、本実施形態で示したよりも、開口部６２の形成面積を小さくしても構わないし、隣接する再配線層４０の間に複数の開口部６２を設けても構わない。ただし、開口部６２の形成面積は大きくなる程、応力緩和効果は大きくなる。
なお、開口部６２を設けた部分は、絶縁樹脂層３０が表面に露出するだけで、電極２０及び再配線層４０は露出しないので、開口部６２を設けることで、封止樹脂層６０による半導体装置３の保護機能が損なわれることはない。
【００４０】
第２、第３実施形態では、封止樹脂層６０を貫通する貫通孔６１又は開口部６２を設ける場合についてのみ説明したが、貫通孔６１又は開口部６２の代わりに、層を貫通しない穴部を設ける構成としてもよい。この場合にも、穴部が応力を吸収し、上記実施形態と同様の効果が得られる。ただし、製造プロセスを考慮すれば、上記実施形態の貫通孔６１又は開口部６２が好ましい。
【００４１】
本発明によれば、再配線層と絶縁樹脂層及び／又は封止樹脂層との層間剥離が抑制されるので、剥離部分に侵入する水分による再配線層の酸化や、これによる再配線層の電気抵抗の増加等が抑制され、高品質なＷＬＣＳＰ型等の半導体装置が提供される。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、ＷＬＣＳＰ型半導体装置や、ＷＬＣＳＰ型よりさらに狭ピッチ化された高密度のチップサイズ半導体装置等に対して、好ましく適用できる。
【符号の説明】
【００４３】
１、２、３、４、５  半導体装置、１０  半導体基板、２０  電極、３０  絶縁樹脂層、４０  再配線層、４１  端子ベース（電極パッド）、４２  引き廻し配線、４３  再配線層の非形成領域、５０  外部端子、６０  封止樹脂層、６１  貫通孔（穴部）、６２  開口部（穴部）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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