(57)【要約】【課題】製造コストが低減されたコンタクトプローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】厚み方向に積層形成された導電性材料からなるプローブ本体１０と、プローブ本体１０よりも高硬度の金属材料からなり、プローブ本体１０の端面４２,４２ａに隣接して厚み方向に積層形成されたプローブ先端部５とを備える。プローブ本体１０が、片持ち梁構造を有するビーム部３と、ビーム部３の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部４とを有し、プローブ先端部５は、コンタクト部４の先端部を含む端面に形成されている。このように、コンタクト部４の先端部の一部に高硬度の導電性材料からなるプローブ先端部５を厚み方向に積層形成することにより、プローブ先端部５に用いる導電性材料の使用量を抑えながら、製造工程数も低減できるので、コンタクトプローブ１の製造コストを低減できる。【選択図】  図３
2010054369.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に積層形成された導電性材料からなるプローブ本体と、
上記プローブ本体よりも高硬度の金属材料からなり、上記プローブ本体の端面に隣接して上記厚み方向に積層形成されたプローブ先端部とを備え、
上記プローブ本体が、片持ち梁構造を有するビーム部と、当該ビーム部の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部とを有し、
上記プローブ先端部は、上記コンタクト部の先端部を含む端面に形成されていることを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
上記プローブ先端部は、上記コンタクト部の先端部を含む端面及び先端部における何れか一方の主面を覆う金属層で形成していることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項３】
片持ち梁構造を有するビーム部と、当該ビーム部の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部とを有するプローブ本体と、上記コンタクト部の先端部を含む端面に隣接して形成されたプローブ先端部とを備えるコンタクトプローブの製造方法であって、
基板上に、厚み方向に導電性材料を積層して上記プローブ本体を形成するプローブ本体層形成ステップと、
基板上に上記プローブ本体よりも高硬度の導電性材料を厚み方向に積層して上記コンタクト部の先端部を含む端面及び先端部における厚み方向上部側の主面を覆う上記プローブ先端部を形成するプローブ先端部層形成ステップと、
基板上に、上記プローブ本体を形成する導電性材料よりも融点の低い金属材料を厚み方向に積層して、上記プローブ本体の上記プローブ基板に接する接合部の端面に隣接させてバンプ部を形成するバンプ層形成ステップとを備えたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項４】
上記プローブ本体、上記プローブ先端部層、上記バンプ層のうち、少なくとも一層は表面研磨して平坦面を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブ及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、製造工程数を少なくできながら、コンタクトプローブのコンタクト部における検査対象物と接触する部分に使用する導電性材料の低減化が図れるコンタクトプローブ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
検査対象物の電極と導通されるコンタクト部を有するコンタクトプローブにおいて、上記コンタクト部の先端部に、このコンタクト部を形成する導電性材料よりも高硬度の導電性材料で形成したチップ状の部材を埋め込んでコンタクトプローブを構成したものが提案されている（例えば、特許文献１）。このチップ状部材は、フォトリソグラフィ技術と電気めっき技術を用いて、上記コンタクト部の先端部に埋め込まれている。この特許文献１に開示されているコンタクトプローブは、上記コンタクト部の先端部に埋め込まれた上記チップ状部材を検査対象物に接触させることにより、摩耗を抑制するようになっている。
【０００３】
しかしながら、上記チップ状部材は、上記コンタクト部の先端部に埋め込まれていることから、検査対象物と接触する部分が少ない割に体積が大きくなってしまう。コンタクト部を形成する導電性材料よりも高硬度の導電性材料で形成される上記チップ状部材は、通常、コンタクト部を形成している材料よりも高価な材料を用いて形成される。従って、体積の大きいチップ状部材を用いると、製造コストが高くなってしまう。
【０００４】
そこで、製造コストを低減するために、本出願人は、検査対象物と接触する部分に用いる高硬度の材料をできるだけ少なくできるコンタクトプローブを提案した（特願２００７‐１５５８３３）。このコンタクトプローブは、フォトリソグラフィ技術と電気めっき技術を用いて、２つの外層及びこれらの外層間に挟まれた少なくとも１つの内層を含む３層以上の導電層が積層されることにより形成される。しかも、その内層は、上記２つの外層の各端面（検査対象物の電極と対向する面）から突出した突出部を有する芯部と、この芯部の突出部の一部を覆うように形成される薄膜の金属層からなるプローブ先端部とを有するように形成されている。このプローブ先端部は、上記突出部における検査対象物と接触する角部を覆うように、即ち、上記突出部の先端の端面と上記芯部の下側の主面とを覆うように、断面Ｌ字状に形成されている。さらに、このプローブ先端部は、上記芯部を形成する導電性材料よりも高硬度の導電性材料を用いて形成されている。
【０００５】
そして、上記芯部と上記プローブ先端部とは、一方の上記外層と対向する面において、上記芯部と上記プローブ先端部とが同一平面となるように、このプローブ先端部を上記芯部に埋め込んだ状態となるように形成している。このように構成することにより、このプローブ先端部は、その一部（根元側）が一方の外層と芯部で挟まれた状態になる。このようなプローブ先端部を有するコンタクトプローブを形成することにより、プローブ先端部を形成する材料をできるだけ少なくできる。
【特許文献１】特開２００６−３３７０８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本出願人が提案した上記コンタクトプローブは、上記プローブ先端部の一部を上記芯部と上記外層とで挟む構造としているため、所定パターンをもつ少なくとも４つの金属層を積層して形成しなければならない。その結果、パターニングプロセスが多くなり、製造コストが高くなるという問題がある。しかも、各金属層を形成した後、プローブ基板に接合するためのバンプ部をコンタクトプローブのベース部に形成する場合には、さらに、パターニングプロセスが多くなる。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、コンタクトプローブにおける検査対象物と接触するプローブ先端部に用いる高硬度の導電性材料の使用量を低減できながら、製造工程数を少なくして製造コストの低廉化が図れるコンタクトプローブおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の本発明によるコンタクトプローブは、厚み方向に積層形成された導電性材料からなるプローブ本体と、上記プローブ本体よりも高硬度の金属材料からなり、上記プローブ本体の端面に隣接して上記厚み方向に積層形成されたプローブ先端部とを備え、上記プローブ本体が、片持ち梁構造を有するビーム部と、当該ビーム部の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部とを有し、上記プローブ先端部は、上記コンタクト部の先端部を含む端面に形成するように構成される。
【０００９】
このように、本発明のコンタクトプローブは、厚み方向に導電性材料を積層して形成された上記プローブ本体に対して、上記コンタクト部の先端部を含む端面に隣接して上記プローブ先端部を厚み方向に積層して形成される。その結果、上記プローブ本体を従来のように三層で構成することなく、上記プローブ本体を一層で構成することができるので、上記プローブ先端部を形成するための導電性材料の使用量を抑えながら、製造工程数も少なくでき、コンタクトプローブの製造コストを低減することができる。
【００１０】
第２の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記プローブ先端部は、上記コンタクト部の先端部を含む端面及び先端部における何れか一方の主面を覆う金属層で形成するよう構成される。このような構成により、上記プローブ先端部が薄膜の金属層で形成されても、上記コンタクト部の端面と一方の主面とを覆うように上記プローブ先端部が形成されるので、このプローブ先端部の強度を強くできる。
【００１１】
第３の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、片持ち梁構造を有するビーム部と、当該ビーム部の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部とを有するプローブ本体と、上記コンタクト部の先端部を含む端面に隣接して形成されたプローブ先端部とを備えるコンタクトプローブの製造方法である。その製造工程は、基板上に、厚み方向に導電性材料を積層して上記プローブ本体を形成するプローブ本体層形成ステップと、基板上に上記プローブ本体よりも高硬度の導電性材料を厚み方向に積層して上記コンタクト部の先端部を含む端面及び先端部における厚み方向上部側の主面を覆う上記プローブ先端部を形成するプローブ先端部層形成ステップと、基板上に、上記プローブ本体を形成する導電性材料よりも融点の低い金属材料を厚み方向に積層して、上記プローブ本体の上記プローブ基板に接する接合部の端面に隣接させてバンプ部を形成するバンプ層形成ステップとを備えるようにしている。
【００１２】
このような製造工程により、上記プローブ本体、上記プローブ先端部、上記バンプ部をそれぞれ１つのパターンで形成できるので、従来のような３層構造のプローブ本体を有するコンタクトプローブを形成する場合よりも、パターン数を大幅に減らして製造工程数を低減できる。しかも、プローブ先端部を形成するために用いる導電性材料の使用量も減らすことができる。その結果、プローブ先端部に用いる導電性材料の使用量を抑えながら、製造工程数も少なくできるので、従来に比べてコンタクトプローブの製造コストを低減できる。
【００１３】
第４の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記構成に加え、上記プローブ本体、上記プローブ先端部層、上記バンプ層のうち、少なくとも一層は表面研磨して平坦面を形成するステップを含むように構成される。このようにコンタクトプローブを製造することにより、表面研磨によりプローブの厚みを制御する際も、少数の層でコンタクトプローブが形成されるので、厚み制御が容易となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によるコンタクトプローブによれば、プローブ先端部に用いる高硬度の導電性材料の使用量を低減できながら、製造工程数も低減できるので、コンタクトプローブの製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
実施の形態１．
［プローブ装置］
図１は、本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００内部の様子が示されている。このプローブ装置１００は、プローブカード１１０と、検査対象物１０２が載置される可動ステージ１０３と、可動ステージ１０３を昇降させる駆動装置１０４と、可動ステージ１０３及び駆動装置１０４が収容される筐体１０５により構成される。
【００１６】
検査対象物１０２は、半導体ウエハなどの半導体装置からなり、複数の電子回路（図示せず）が形成されている。可動ステージ１０３は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置１０４の駆動により、検査対象物１０２を載置面上に載置させた状態で鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。筐体１０５は、上部中央部に開口部が形成されており、この開口部を封鎖するように、プローブカード１１０が取り付けられる。また、可動ステージ１０３は、この開口部の下方に配置される。
【００１７】
［プローブカード］
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物１０２側(図１の下方側)から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。
【００１８】
プローブカード１１０は、筐体１０５の開口部に取り付けられるメイン基板１０６と、メイン基板１０６に保持される矩形状のプローブ基板１０７と、プローブ基板１０７上に固着された複数のコンタクトプローブ１とを備える。
【００１９】
メイン基板１０６は、円板状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子１６１を有している。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板１０６として用いられる。このメイン基板１０６は、その周辺部が筐体１０５の開口部の周縁で保持されて水平に支持される。
【００２０】
プローブ基板１０７は、メイン基板１０６の下方に配置され、メイン基板１０６に支持される。さらに、プローブ基板１０７は、連結部材１０８に電気的に接続され、この連結部材１０８をメイン基板１０６のコネクタ１６２に接続するようになっている。このプローブ基板１０７は、メイン基板１０６よりも小さい矩形をしており、基板上に配線パターンが形成されている。配線パターンは、電源供給線、グランド線及び信号線の各配線パターンで形成されている。なお、検査対象物１０２がシリコンウエハからなる場合には、シリコンやセラミックなどの低熱膨張率基板でプローブ基板１０７を構成することが好ましい。このように、プローブ基板１０７を低熱膨張率基板で構成することにより、プローブ基板１０７及び検査対象物１０２の熱膨張率を一致させることができる。
【００２１】
連結部材１０８は、メイン基板１０６及びプローブ基板１０７を連結し、導電線としてメイン基板１０６及びプローブ基板１０７を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）が連結部材１０８として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板１０７の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ１６２を介してメイン基板１０６に連結されている。
【００２２】
本実施形態では、プローブ基板１０７には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドに対応するコンタクトプローブ１が接合されることにより、プローブ基板１０７上に多数のコンタクトプローブ１が形成される。プローブ基板１０７は、上記したように、連結部材１０８を介してテスター装置に接続されたメイン基板１０６に導通しており、当該メイン基板１０６とともにプローブカードを構成する。検査時には、駆動装置１０４によって可動ステージ１０３を上昇させて、半導体ウエハにコンタクトプローブ１を接触させることにより、テスター装置と半導体ウエハとの間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されて、半導体ウエハの電気的特性の検査が行われるようになっている。
【００２３】
［コンタクトプローブ］
コンタクトプローブ１は、検査対象物１０２上に形成された微細な電極パッド１２１に対し、弾性的に当接させるプローブ（探針）である。各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ１０３に配置された検査対象物１０２と対向するようになっている。
【００２４】
図３は、本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブ１の一例を示した図であり、（ａ）はコンタクトプローブ１の斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるコンタクト部４の側面図、（ｃ）は（ａ）におけるコンタクト部４の正面図を示している。
【００２５】
このコンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７上の電極パッドに接合されるベース部２、このベース部２を固定端として片持ち梁構造を構成するビーム部３、そして、このビーム部３の自由端付近で、検査対象物１０２に向かって突出するコンタクト部４からなるプローブ本体１０と、このコンタクト部４の先端部の一部を覆うプローブ先端部５とから構成される。プローブ本体１０は板状に形成され、厚み方向に導電性材料を積層して形成されている。このプローブ先端部５は、厚み方向に積層して形成された金属層で構成され、検査対象物である半導体ウエハの電極パッド１２１に接触させる。
【００２６】
プローブ本体１０のベース部２は、シリコン（Ｓｉ）やセラミックなどで形成されたプローブ基板１０７上の電極パッドに接合される接合部２１を備える。さらに、この接合部２１におけるプローブ基板１０７と対向する側面に隣接させてバンプ部６が形成されている。このバンプ部６は、プローブ本体１０を形成する導電性材料よりも融点の低い金属材料、例えば、はんだで形成されている。
【００２７】
プローブ本体１０のコンタクト部４は、図３（ａ）に示すように、片持ち梁構造のビーム部３の自由端から、半導体ウエハに向かって突出する軸状に構成されている。さらに、このコンタクト部４は、図３の（ｂ），（ｃ）及び図４の（ａ），（ｂ）のコンタクト部４の斜視図に示すように、その軸部の断面形状が、一対の主面４１と一対の側面（端面）４２を有する矩形状に形成されている。そして、このコンタクト部４の先端部は、各主面４１を平面としたままで、各側面４２を先端部付近からテーパーにして先細り状になるように構成されている。さらに側面４２は、テーパーの先端で屈曲されて平坦な先端面４２ａを有するように連続して形成されている。
【００２８】
プローブ本体１０を構成するベース部２、ビーム部３及びコンタクト部４は、同一の導電性材料で形成されている。この導電性材料は、ヤング率が１００ＧＰａ以上の弾性の高い金属で形成されていることが好ましい。この例では、プローブ本体１０は、ニッケルコバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）で形成している。ただし、プローブ本体１０は、ニッケルコバルトに限らず、パラジウムコバルト（Ｐｄ−Ｃｏ）などのコバルト（Ｃｏ）を含む他の合金で形成されたものであってもよいし、パラジウムニッケル（Ｐｄ−Ｎｉ）などのニッケル系合金、タングステン（Ｗ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）などの他の導電性材料で形成されたものであってもよい。
【００２９】
プローブ先端部５は、図３の（ｂ），（ｃ）及び図４の（ａ），（ｂ）に示すように、コンタクト部４の先端部における一方の主面４１と、先端面４２ａを含む側面４２とを覆うように形成された金属層によって構成されている。即ち、プローブ先端部５は、コンタクト部４の先端部における他方の主面４１を除く４つの面を覆った状態になっている。具体的には、プローブ先端部５は、コンタクト部４の一方の主面４１を覆う第１被覆部５１、コンタクト部４の一方のテーパーの側面４２の一部を覆う第２被覆部５２、コンタクト部４の他方のテーパーの側面４２の一部を覆う第３被覆部５３、そして、コンタクト部４の先端面４２ａを覆う第４被覆部５４で構成されている。
【００３０】
本実施形態では、半導体ウエハの検査時には、コンタクトプローブ１のコンタクト部４と半導体ウエハとが、コンタクト部４の軸方向に相対移動することにより、プローブ先端部５における第４被覆部５４の外面全体が、半導体ウエハの電極に当接するようなっている。
【００３１】
さらに、プローブ先端部５は、プローブ本体１０を形成する導電性材料よりも高硬度の導電性材料を用いて形成されている。例えば、プローブ先端部５は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）の各元素のうち少なくとも１種類の元素を含む導電性材料により形成されている。
【００３２】
［コンタクトプローブの製造プロセス］
図５及び図６は、図３に示した本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブ１の製造プロセスの一例を示した工程図である。コンタクトプローブ１は、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて作製される。ＭＥＭＳ技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
【００３３】
このような犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液中に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。このような処理は電気めっき処理と呼ばれている。このようなめっき処理は、基板を電解液に浸すウエットプロセスであるため、めっき処理後は乾燥処理が行われる。また、乾燥後には、研磨処理などによって積層面を平坦化させる平坦化処理が必要に応じて行われる。
【００３４】
図５〜図６の各工程図は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ断面図が示されている。まず、図５（ａ）に示すように、コンタクトプローブ１を形成する際には、まず、プローブ形成用の基板１１上に、プローブ本体１０、プローブ先端部５、そしてバンプ部６を形成する導電性材料とは異なる材料、例えば、銅（Ｃｕ）などで第１犠牲層１２を形成する。
【００３５】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１犠牲層１２上に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層１３を形成する。その後、この第１レジスト層１３の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層１３を部分的に除去する。
【００３６】
このようにして第１レジスト層１３が除去された部分には、図５（ｃ）に示すように、電気めっきによりプローブ本体１０となる第１金属層１４（プローブ本体層）が、この板状プローブ本体１０の厚み方向に積層形成される。図５（ｃ）では、右側の第１金属層１４によりコンタクト部４が形成され、左側の第１金属層１４によりベース部２が形成された状態を示している。本実施形態では、ビーム部３も同時に積層形成されるが、図では省略している。
【００３７】
その後、第１レジスト層１３と共に第１金属層１４の表面を研磨した後、図５（ｄ）に示すように、第１レジスト層１３を完全に除去する。この第１レジスト層１３を除去することにより第１犠牲層１２と第１金属層１４とが露出した状態になる。
【００３８】
そして、図５（ｅ）に示すように、露出した第１犠牲層１２と第１金属層１４上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第２レジスト層１５を形成する。その後、この第２レジスト層１５の表面を選択的に露光することにより、第２レジスト層１５を部分的に除去する。図５（ｅ）では、コンタクト部４の先端部となる第１金属層１４の一部がテーパーの側面４２も露出するように第２レジスト層１５を部分的に除去している。
【００３９】
そして、第２レジスト層１５が除去された部分には、図６（ａ）に示すように、電気めっきによりプローブ先端部５となる薄膜の第２金属層１６（プローブ先端部層）が厚み方向に積層形成される。なお、この第２金属層１６は、第１金属層１４で形成されるコンタクト部４の主面４１とテーパーの側面４２と先端面４２ａを覆っている。
【００４０】
その後、第２レジスト層１５と共に第２金属層１６の表面を研磨した後、図６（ｂ）に示すように第２レジスト層１５を完全に除去する。この第２レジスト層１５を除去することにより第１犠牲層１２、第１金属層１４及び第２金属層１６が露出した状態になる。
【００４１】
そして、図６（ｃ）に示すように、露出した第１犠牲層１２、第１金属層１４及び第２金属層１６上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第３レジスト層１７を形成する。その後、この第３レジスト層１７の表面を選択的に露光することにより、第３レジスト層１７を部分的に除去する。図６（ｃ）では、ベース部２におけるプローブ基板との接合部２１となる第１金属層１４の一部が露出するように第３レジスト層１７を部分的に除去している。
【００４２】
そして、第３レジスト層１７が除去された部分には、図６（ｄ）に示すように、電気めっきによりバンプ部６となる第３金属層１８（バンプ層）が厚み方向に積層形成される。この第３金属層１８は、第１金属層１４で形成されるベース部２の主面の一部も覆うように形成される。
【００４３】
その後、第３レジスト層１７と共に第３金属層１８の表面を研磨した後、図６（ｅ）に示すように第３レジスト層１７、第１犠牲層１２を完全に除去することにより、プローブ本体１０にプローブ先端部５とバンプ部とが形成されたコンタクトプローブ１が得られる。
【００４４】
本実施形態では、プローブ本体１０のコンタクト部４の先端部に、この先端部を覆う薄膜のプローブ先端部５を形成することができる。さらに、このプローブ先端部５を形成する導電性材料の材質を、プローブ本体１０を形成する導電性材料の材質よりも高硬度の導電性材料を使用している。その結果、本実施形態のコンタクトプローブ１は、プローブ先端部５を形成するための導電性材料の使用量を抑えることができながら、製造工程数も低減できるので、コンタクトプローブ１の製造コストを低減することができる。さらに、少数の３つの層でコンタクトプローブ１が形成されるので、表面研磨によるプローブの厚み制御も容易となる。
【００４５】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１の一例を図７に示す。図中の番号は、上記実施の形態１に対応するものに対し同一の番号とする。図７（ａ）は、コンタクトプローブ１の斜視図、（ｂ）は、（ａ）におけるコンタクト部４の側面図、（ｃ）は、（ａ）におけるコンタクト部４の正面図を示している。
【００４６】
本発明の実施の形態２の特徴は、プローブ先端部５の形状及びコンタクト部４の先端部の形状であり、その他は、上記実施の形態１と同様であるので説明を省略する。プローブ先端部５は、図７の（ｂ），（ｃ）に示すように、少なくとも先端面４２ａを含む側面４２を覆い、かつ、コンタクト部４の先端部に形成する凹部４３内に形成された金属層によって構成されている。
【００４７】
具体的には、コンタクト部４の先端部に、先端面４２ａに開口部を有し、両方の主面４１に貫通するように形成される楔状の凹部４３が形成されている。さらに、プローブ先端部５は、少なくともコンタクト部４の一方のテーパーの側面４２の一部を覆う第２被覆部５２、コンタクト部４の他方のテーパーの側面４２の一部を覆う第３被覆部５３、コンタクト部４の先端面４２ａを覆う第４被覆部５４及びコンタクト部４の凹部４３内に形成される芯部５５により構成されている。本実施の形態では、プローブ先端部５は、コンタクト部の主面は被覆しないように形成されている。
【００４８】
本実施の形態では、第２被覆部５２、第３被覆部５３、第４被覆部５４及び芯部５５を形成した後、コンタクト部４の一方の主面４１である積層方向上面をプローブ先端部５及びバンプ部６と共に一括研磨を行う。このように研磨処理を行うことにより、第２被覆部５２、第３被覆部５３、第４被覆部５４及び芯部５５がコンタクト部４の主面４１と面一にすることができ、コンタクトプローブ１全体の厚み制御を簡単に行うことができる。このように、プローブ本体１０、プローブ先端部５及びバンプ部６の全ての層を形成した後に、表面を一括研磨することにより、コンタクトプローブ１の高精度の厚み制御が可能となる。
【００４９】
なお、本実施の形態では、プローブ先端部５は、上記実施の形態１のように第１被覆部５１を形成せず、第２被覆部５２、第３被覆部５３及び第４被覆部５４のみで構成すると、コンタクト部４の側面４２，４２ａとの接合強度が不十分となる可能性があり、検査対象物１０２とコンタクトする際の機械的強度が不足する可能性がある。
【００５０】
従って、本実施の形態では、図７（ｂ），（ｃ）に示すように、プローブ先端部５は先端面４２ａからコンタクト部４の内部に埋め込まれる楔状の芯部５５を持つ構造として、プローブ先端部５の機械的強度を向上させている。また、同様に、バンプ部６も、ベース部２の中に埋め込まれるように接合部２１の隣接するように形成しているので、接合強度を強くすることができる。
【００５１】
上記実施の形態では、基板１１上の犠牲層１２を溶解することによりコンタクトプローブ１が最終的に剥離する場合の例について説明したが、基板１１を犠牲層として使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００内部の様子が示されている。
【図２】図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブの一例を示した図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はコンタクト部４の側面図、（ｃ）はコンタクト部４の正面図を示している。
【図４】図３に示すコンタクトプローブ１のコンタクト部４の斜視図を示した図であり、（ａ）は一方の主面側から見た斜視図、（ｂ）は他方の主面側から見た斜視図を示している。
【図５】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図６】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図５（ｅ）の続きを示している。
【図７】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブの一例を示した図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はコンタクト部４の側面図、（ｃ）はコンタクト部４の正面図を示している。
【符号の説明】
【００５３】
１    コンタクトプローブ
１０  プローブ本体
２    ベース部
２１  接合部
３    ビーム部
４    コンタクト部
４１    主面
４２    側面
４２ａ    先端面
４３  凹部
５    プローブ先端部
５１  第１被覆部
５２  第２被覆部
５３  第３被覆部
５４  第４被覆部
５５  芯部
６    バンプ部
１１  基板
１２  第１犠牲層
１３  第１レジスト層
１４  第１金属層
１５  第２レジスト層
１６  第２金属層
１７  第３レジスト層
１８  第３金属層
１００  プローブ装置
１０２  検査対象物
１２１  電極パッド
１０３  可動ステージ
１０４  駆動装置
１０５  筐体
１０６  メイン基板
１６１  外部端子
１６２  コネクタ
１０７  プローブ基板
１０８  連結部材
１１０  プローブカード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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