(57)【要約】【課題】トリフェニレン化合物を提供する。【解決手段】  一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表されるトリフェニレン化合物。2010192916.tif 000033（式中、Ｔ1はそれぞれ同じでも異なっていても良い、置換基を有していてもよいトリフェニレンを含む基を表し、Ar1はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ｐは２以上４以下の整数を表す。）2010192916.tif 000034（式中、Ｔ2はそれぞれ同じでも異なっていても良い、置換基を有していてもよいトリフェニレンを含む基を表し、Ａｒ2はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｌ2はアリーレン基又はヘテロアリーレン基である２価以上６価以下の連結基を表し、qは２以上６以下の整数を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子であって、少なくとも２つのトリフェニレン構造を有するホスト材料（Ａ）を少なくとも１種と、発光材料の少なくとも１種とを含み、前記発光材料の三重項励起状態からの発光を利用することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記ホスト材料(Ａ)が一般式（１）で示されることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子。
一般式（１）              Ｌ−Ｔｎ
（式中、Lは単結合あるいは2価以上の連結基を表し、Tはトリフェニレン構造を含む基を表す。ｎは２以上の整数を表し、Tは互いに独立に異なっていても、同じであってもよい。）
【請求項３】
前記一般式（１）中、Lが2価以上の芳香環、２価以上の芳香族複素環、炭素原子、窒素原子又はケイ素原子で表されることを特徴とする請求項２記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
請求項１、２又は３に記載の発光素子の発光層中にさらに金属錯体ホスト材料（Ｂ）を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項５】
請求項４において発光層中に含まれる金属錯体ホスト材料（Ｂ）が下記一般式（２）あるいは一般式（３）で表されることを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2010192916.tif 000028
（式中、Ｍ１１、Ｍ２１はそれぞれ独立に金属イオンを表し、Ｌ１１、Ｌ２１はそれぞれ独立に配位子を表す。Ｘ１１、Ｘ２１はそれぞれ独立に酸素原子、置換または無置換の窒素原子、硫黄原子を表し、Ｑ１１、Ｑ２１はそれぞれ独立に芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ１２、Ｑ２２はそれぞれ独立に含窒素芳香環を形成する原子群を表す。ｍ１１、ｍ２１はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｍ１２、ｍ２２はそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。）
【請求項６】
一対の電極間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（1A）で示される材料を少なくとも１種を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
（式中、T1はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表し、Ar1はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ｐは２以上４以下の整数を表す。）
【化１−Ａ】
2010192916.tif 000029
【請求項７】
一対の電極間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（1B）で示される材料を少なくとも１種を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
（式中、T2はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表し、Ar2はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。L2は2価以上の連結基を表し、qは2以上の整数を表す。）
【化１−Ｂ】
2010192916.tif 000030
【請求項８】
一般式（１A）または一般式（１B）で表される化合物。
【化２−Ａ】
2010192916.tif 000031
（式中、T1はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表し、Ar1はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ｐは２以上４以下の整数を表す。）
【化２−Ｂ】
2010192916.tif 000032
（式中、T2はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表し、Ar2はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。L2は2価以上のアリーレン基、ヘテロアリーレン基を表し、qは2以上の整数を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
【０００３】
このＥＬ素子特性向上の手段として、オルトメタル化イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３：Ｔｒｉｓ−Ｏｒｔｈｏ−Ｍｅｔａｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｌｅｘ  ｏｆ  Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）  ｗｉｔｈ  ２−Ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）の三重項状態からの発光を利用した緑色発光素子が報告されている（非特許文献１）。本素子は外部量子収率８％を達しており、従来素子の限界といわれていた外部量子収率５％を凌駕しているが、緑色発光に限定されている為、ディスプレイとしての適用範囲が狭く、高効率で他色に発光素子の開発が求められていた。
特に最近は素子耐久性の向上が求められているが、この三重項発光材料を利用した素子においては素子耐久性が低いことが大きな問題であり、これを改良することが求められていた。
【０００４】
素子の耐久性を向上させるために好適な手段として種々の芳香族縮環炭化水素材料が提案されている。例えば特許文献１および２にはジフェニルアントラセン誘導体が開示されている。
【０００５】
しかし、上記のような芳香族縮環材料はＴ１のエネルギーレベルが低く、三重項発光素子のホスト材料として使用する場合にはドーパントに対するエネルギー移動効率の点で不利である。発光効率向上のためには、より高いＴ１エネルギーレベルを有する芳香族縮環材料の開発が望まれていた。
【０００６】
一方、トリフェニレンは高いＴ１レベルを有するため特に三重項発光素子のホスト材料に有用な骨格である。
トリフェニレン骨格を有する化合物を三重項発光素子に用いた例としては特許文献３および４にトリフェニレン構造を有する液晶性化合物を用いた素子が開示されている。上記発明においては発光層にトリフェニレン化合物に由来する液晶性を発現させることで発光効率が向上することが報じられている。
【０００７】
しかしここで開示されている発明においてはトリフェニレン構造を有する化合物を含有する発光層が液晶性を有するため、通常の固体膜による発光素子にくらべ熱振動の影響を大きく受け、素子耐久性の点でさらなる改良が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−１２６００号公報
【特許文献２】特開２００１−３３５５１６公報
【特許文献３】特開２００２−４３０５６公報
【特許文献４】ＵＳ２００２／００３８８６０Ａ１
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】アプライド・フィジクス・レター（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ），７５，４（１９９９）．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、発光特性および素子駆動耐久性が良好な有機EL発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この課題は下記手段によって達成された。
（１）一対の電極間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子であって、少なくとも２つのトリフェニレン構造を有するホスト材料（Ａ）を少なくとも１種と、発光材料の少なくとも１種とを含み、前記発光材料の三重項励起状態からの発光を利用することを特徴とする有機電界発光素子。
（２）前記ホスト材料(Ａ)が一般式（１）で示されることを特徴とする（１）記載の有機電界発光素子。
一般式（１）              Ｌ−Ｔｎ
（式中、Lは単結合あるいは2価以上の連結基を表し、Tはトリフェニレン構造を含む基を表す。ｎは２以上の整数を表し、Tは互いに独立に異なっていても、同じであってもよい。）
（３）前記一般式（１）中、Lが2価以上の芳香環、２価以上の芳香族複素環、炭素原子、窒素原子又はケイ素原子で表されることを特徴とする（２）記載の有機電界発光素子。
（４）（１）、（２）又は（３）に記載の発光素子の発光層中にさらに金属錯体ホスト材料（Ｂ）を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
（５）（４）において発光層中に含まれる金属錯体ホスト材料（Ｂ）が下記一般式（２）あるいは一般式（３）で表されることを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2010192916.tif 000002
（式中、Ｍ１１、Ｍ２１はそれぞれ独立に金属イオンを表し、Ｌ１１、Ｌ２１はそれぞれ独立に配位子を表す。Ｘ１１、Ｘ２１はそれぞれ独立に酸素原子、置換または無置換の窒素原子、硫黄原子を表し、Ｑ１１、Ｑ２１はそれぞれ独立に芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ１２、Ｑ２２はそれぞれ独立に含窒素芳香環を形成する原子群を表す。ｍ１１、ｍ２１はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｍ１２、ｍ２２はそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。）
（６）一対の電極間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（1A）で示される材料を少なくとも１種を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
（式中、T1はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表し、Ar1はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ｐは２以上４以下の整数を表す。）
【化２−Ａ】
2010192916.tif 000003
（７）一対の電極間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（1B）で示される材料を少なくとも１種を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
（式中、T2はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表し、Ar2はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。L2は2価以上の連結基を表し、qは2以上の整数を表す。）
【化２−Ｂ】
2010192916.tif 000004
（８）一般式（１A）または一般式（１B）で表される化合物。
【化３−Ａ】
2010192916.tif 000005
（式中、T1はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表し、Ar1はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ｐは２以上４以下の整数を表す。）
【化３−Ｂ】
2010192916.tif 000006
（式中、T2はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表し、Ar2はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。L2は2価以上のアリーレン基、ヘテロアリーレン基を表し、qは2以上の整数を表す。）
（９）一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表わされる、有機電界発光素子用ホスト材料
【発明の効果】
【００１２】
本発明の発光素子は発光特性、耐久性が優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層を有する発光素子において、少なくとも２つのトリフェニレン構造を有するホスト材料（Ａ）を少なくとも１種含み、さらに三重項励起状態からの発光を利用することを特徴とする有機電界発光素子に関する。
ホスト材料（Ａ）は、有機層のいずれに含まれてもよいが、正孔輸送層もしくは発光層中に含まれることが好ましい。
三重項励起状態からの発光はりん光と同義であり、今後、りん光を発する材料のことをりん光材料と記述する。りん光材料としては特に限定しないが、遷移金属錯体が好ましい。遷移金属錯体の中心金属としては特に限定されないが、イリジウム、白金、レニウム、ルテニウムが好ましく、イリジウム、白金がより好ましく、イリジウムが更に好ましい。
【００１４】
また、遷移金属錯体としては、オルトメタル化錯体が好ましい。オルトメタル化錯体（ｏｒｔｈｏｍｅｔａｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ）とは、例えば「有機金属化学−基礎と応用−」ｐ１５０，２３２  裳華房社  山本明夫著  １９８２年発行、および「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」  ｐ７１−ｐ７７，ｐ１３５−ｐ１４６  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著１９８７年発行  等に記載されている化合物群の総称である。
【００１５】
本発明に用いられるりん光材料は、２０℃でのりん光量子収率が  ７０％以上の材料が好ましく、２０℃でのりん光量子収率が  ８０％以上材料がより好ましく、２０℃でのりん光量子収率が  ８５％以上の材料がさらに好ましい。
【００１６】
本発明の発光素子は陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。
【００１７】
本発明の発光素子は色純度の観点から、発光スペクトルの半値幅は１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下がさらに好ましく、７０ｎｍ以下が特に好ましい。
【００１８】
ホスト材料（Ａ）について説明する。ホスト材料（Ａ）はトリフェニレン構造を含み、かつ液晶性を示さない化合物である。
ホスト材料に含まれるトリフェニレン構造は置換基を有しても良く、置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、
【００１９】
アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、
【００２０】
アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
【００２１】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、
【００２２】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
【００２３】
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、
【００２４】
ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。
【００２５】
ホスト材料（Ａ）に含まれるトリフェニレン構造が有してもよい置換基としてはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基である。
【００２６】
ホスト材料（Ａ）は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、トリフェニレン構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、単独重合体であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【００２７】
ホスト材料（Ａ）のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は４５  Ｋｃａｌ／ｍｏｌ  以上（１８８．３  ＫＪ／ｍｏｌ以上）が好ましく、５５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２３０．１ＫＪ／ｍｏｌ以上）がより好ましく、６０Ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５１．１ＫＪ／ｍｏｌ以上）がさらに好ましい。
【００２８】
次に一般式（１）について説明する。Ｌは単結合あるいは２価以上連結基を表す。Ｌで表される連結基として好ましくは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｇｅなどで形成される連結基であり、より好ましくは単結合、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、芳香環、ヘテロ環であり、さらに好ましくはアリーレン基、炭素原子、ケイ素原子である。
【００２９】
Ｌで表される連結基の具体例としては単結合の他、例えば以下のものが挙げられる。
【００３０】
【化４】
2010192916.tif 000007
【００３１】
【化５】
2010192916.tif 000008
【００３２】
【化６】
2010192916.tif 000009
【００３３】
Ｌで表される連結基として好ましくは２価以上の芳香環、２価以上の芳香族複素環、炭素原子、ケイ素原子であり、より好ましくは２価以上のベンゼン、２価以上のナフタレン、２価以上のアントラセン、２価以上のビフェニル、２価以上のテルフェニル、２価以上のトリフェニレン、２価以上のフェナンスレン、２価以上のトリアゾール、２価以上のピリジン、２価以上のピリミジン、炭素原子、ケイ素原子であり、さらに好ましくは２価以上のベンゼン、２価以上のビフェニル、２価以上のトリアゾール、炭素原子、ケイ素原子である。
【００３４】
Ｌで表される連結基は置換基を有しても良く、置換基は前記置換基と同義である。置換基として好ましくはフェニル基、ビフェニル基である。
【００３５】
Ｔはトリフェニレン構造を含む基を表し、互いに独立に異なっていても、同じであってもよい。Ｔに含まれるトリフェニレン構造は置換基を有してもよく、互いに結合して環を形成してもよい。置換基は前記置換基と同義である。
【００３６】
ｎは２以上の整数を表し、好ましくは２から８の整数であり、さらに好ましくは２から４の整数である。
【００３７】
次に本発明に用いられるホスト材料（Ａ）の例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００３８】
【化７】
2010192916.tif 000010
【００３９】
【化８】
2010192916.tif 000011
【００４０】
【化８−Ａ】
2010192916.tif 000012
【００４１】
【化８−Ｂ】
2010192916.tif 000013
【００４２】
次に、本発明に用いられるホスト材料（Ａ）の化合物の製造方法について述べる。このトリフェニレン構造を含むが、液晶性を示さないホスト材料は、種々の芳香族炭素炭素結合生成反応などを利用して合成可能であり、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  Ｒｅａｃｔｉｏｎ  Ｇｕｉｄｅ  （Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．社）  ｐ．６１７〜ｐ．６４３、及び、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ（ＶＣＨ社）  ｐ．５〜ｐ．１０３  などに記載されている手法を利用して合成することができる。
【００４３】
次に、本発明の発光素子の発光層中には前記のホスト材料（Ａ）とともに金属錯体ホスト材料をホスト材料（Ｂ）として用いてもよい。ホスト材料（Ｂ）を構成する金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくは亜鉛イオンである。
ホスト材料（Ａ）に対するホスト材料（Ｂ）の使用量は、好ましくは８０質量％以下であり、より好ましくは２０〜５０質量％である。
【００４４】
ホスト材料（Ｂ）としての金属錯体中に含まれる配位子としては種々の配位子が有るが、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１５であり、単座配位子であっても２座以上の配位子であっても良い。好ましくは２座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子）などが挙げられる）、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられる。）、
【００４５】
ヘテロアリールオキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
【００４６】
シロキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数３〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる）であり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子である。  
【００４７】
本発明の発光素子に含まれる金属錯体ホスト材料（Ｂ）のガラス転移点は、好ましくは８０℃以上であり、より好ましくは１００℃以上であり、さらに好ましくは１２０℃以上である。
【００４８】
本発明の金属錯体ホスト材料（Ｂ）は一般式（２）または一般式（３）で表される化合物、または、その互変異性体が好ましく（より好ましくは、一般式（２）で表される化合物、または、その互変異性体である）、一般式（４）、一般式（５）または一般式（６）で表される化合物、または、その互変異性体がより好ましく、一般式（４）で表される化合物、または、その互変異性体がさらに好ましい。
【００４９】
【化９】
2010192916.tif 000014
【００５０】
一般式（２）について説明する。Ｍ１１は金属イオンを表す。金属イオンとして好ましくは、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくは亜鉛イオンである。
【００５１】
Ｌ１１は配位子を表す。配位子としては前記金属錯体中に含まれる配位子で説明した配位子が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【００５２】
Ｘ１１は酸素原子、置換または無置換の窒素原子、硫黄原子であり、酸素原子がより好ましい。窒素原子上の置換基としては、−ＳＯ２Ｒａ、−ＣＯＲｂまたは−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒｃ）（Ｒｄ）（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄはそれぞれ脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはヘテロ環オキシ基を表す。）が好ましく、  −ＳＯ２Ｒａ  がより好ましい。
【００５３】
Ｑ１１は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ１１が形成する芳香環は、好ましくは４〜８員環、より好ましくは５〜６員環である。Ｑ１１とＱ１２が結合して縮環構造を取っても良い。Ｑ１１で形成される芳香族環は芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、例えばベンゼン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾールなどが挙げられ、好ましくはベンゼン、ピリジンであり、より好ましくはベンゼンである。
【００５４】
Ｑ１１で形成される環は、置換基を有しても良く、置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基である。
【００５５】
Ｑ１２  は含窒素芳香環を形成する原子群を表し、Ｑ１２が形成する含窒素芳香環は好ましくは４〜８員環、より好ましくは５〜６員環である。その含窒素芳香環は好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０である。Ｑ１２で形成される含窒素芳香環としては、例えばピリジン、キノリン、ピラジン、ピリダジン、イソキノリン、キノキサリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インドレニンピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾロトリアゾール、イソオキサゾール、トリアゾール、チアジアゾール、ピロロトリアゾール、イミダゾトリアゾールなどが挙げられ、好ましくはピリジン、キノリン、ピラジン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、ピラゾロトリアゾール、ピロロトリアゾール、チアジアゾールであり、より好ましくはベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、オキサジアゾールである。
【００５６】
Ｑ１２は置換基を有していても良く、置換基としては前記Ｑ１１で説明した基が挙げられる。
【００５７】
ｍ１１は０〜３の整数を表し、０，１が好ましく、０がより好ましい。ｍ１２は１〜４の整数を表し、２，３が好ましく、３がより好ましい。
【００５８】
一般式（３）について説明する。Ｌ２１、Ｘ２１は前記Ｌ１１、Ｘ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。、  ｍ２１は０〜３の整数を表し、０，１が好ましく、０がより好ましい。ｍ２２は１〜４の整数を表し、２，３が好ましく、３がより好ましい。
【００５９】
Ｍ２１は金属イオンを表す。金属イオンとして好ましくは、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオンである。
【００６０】
Ｑ２１  は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ２１で形成される芳香族環は芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、その員環数は、Ｑ１１で述べたと同様であり、好ましくはベンゼン、ピリジンであり、より好ましくはベンゼンである。
【００６１】
Ｑ２２  は含窒素芳香環を形成する原子群を表し、好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０である。Ｑ２２で形成される含窒素芳香環の員環数はＱ１２で述べたと同様であり、好ましくはピリジン、ピラジンであり、より好ましくはピリジンである。
【００６２】
一般式（４）について説明する。Ｌ３１、Ｍ３１、ｍ３１、ｍ３２は前記Ｌ１１、Ｍ１１、ｍ１１、ｍ１２と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ１０１は置換基を表し、好ましくはアルキル基である。ｍ３３は０〜４の整数を表し、０、１が好ましい。
【００６３】
Ｙ３１は酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換または無置換の窒素原子を表し、酸素原子、置換または無置換の窒素原子が好ましい。窒素原子上の置換基としてはアルキル基、アリール基が好ましい。
【００６４】
Ｑ３１は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ３１で形成される芳香族環は芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、その員環は、Ｑ１１で述べたと同様であり、好ましくはベンゼン、ピリジンである。
【００６５】
一般式（５）について説明する。Ｌ４１、Ｍ４１、Ｒ１１１、Ｙ４１、ｍ４１、ｍ４２、ｍ４３は前記Ｌ１１、Ｍ１１、Ｒ１０１、Ｙ３１、ｍ１１、ｍ１２、ｍ３３と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ１１２は置換基を表し、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、アリール基がより好ましい。
【００６６】
一般式（６）について説明する。Ｌ５１、Ｍ５１、Ｒ１２１、ｍ５１、ｍ５２は前記Ｌ２１、Ｍ２１、Ｒ１０１、ｍ２１、ｍ２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｍ５３は０〜６の整数を表し、０、１が好ましい。
【００６７】
本発明の金属錯体ホスト材料（Ｂ）の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００６８】
【化１０】
2010192916.tif 000015
【００６９】
【化１１】
2010192916.tif 000016
【００７０】
【化１２】
2010192916.tif 000017
【００７１】
【化１３】
2010192916.tif 000018
【００７２】
【化１４】
2010192916.tif 000019
【００７３】
【化１５】
2010192916.tif 000020
【００７４】
本発明はさらに一対の電極間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（１Ａ）または（１Ｂ）で示される材料を少なくとも１種含有することを特徴とする有機電界発光素子に関する。
【００７５】
この場合、一般式（１Ａ）および一般式（１Ｂ）の化合物は、有機層のいずれに含まれてもよいが、正孔輸送層もしくは発光層中にホスト材料として含まれることが好ましい。
【００７６】
本発明の発光素子中に一般式（１Ａ）あるいは一般式（１Ｂ）で表される化合物が含まれる場合、発光材料は一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、または、三重項励起子から発光するりん光発光性化合物のいずれであっても良いが、発光効率および耐久性の観点から、りん光発光材料であることがより好ましい。
【００７７】
発光材料としては例えばベンゾオキサゾールおよびそれらの誘導体、ベンゾイミダゾールおよびそれらの誘導体、ベンゾチアゾールおよびそれらの誘導体、スチリルベンゼンおよびそれらの誘導体、ポリフェニルおよびそれらの誘導体、ジフェニルブタジエンおよびそれらの誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびそれらの誘導体、ナフタルイミドおよびそれらの誘導体、クマリンおよびそれらの誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノンおよびそれらの誘導体、オキサジアゾールおよびそれらの誘導体、オキサジンおよびそれらの誘導体、アルダジンおよびそれらの誘導体、ピラリジンおよびそれらの誘導体、シクロペンタジエンおよびそれらの誘導体、ビススチリルアントラセンおよびそれらの誘導体、キナクリドンおよびそれらの誘導体、ピロロピリジンおよびそれらの誘導体、チアジアゾロピリジンおよびそれらの誘導体、シクロペンタジエンおよびそれらの誘導体、スチリルアミンおよびそれらの誘導体、ジケトピロロピロールおよびそれらの誘導体、芳香族ジメチリディンおよびそれらの化合物、８−キノリノールおよびそれらの誘導体の金属錯体やピロメテンおよびそれらの誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シランおよびそれらの誘導体等が挙げられる。発光材料は好ましくは縮合芳香族化合物、キナクリドンおよびそれらの誘導体、ジケトピロロピロールおよびそれらの誘導体、ピロメテンおよびそれらの誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体であり、さらに好ましくは縮合芳香族化合物、遷移金属錯体である。
【００７８】
次に一般式（１Ａ）について説明する。
【化１６−Ａ】
2010192916.tif 000021
【００７９】
式中、Ｔ１はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表す。Ｔ１で表されるトリフェニレン構造を含む基は前記Ｔで説明したトリフェニレン構造を含む基と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００８０】
Ａｒ１はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ａｒ１として好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、ピリジル基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基、アンスリル基であり、最も好ましくはフェニル基である。
【００８１】
Ａｒ１は置換基を有しても良く、置換基の例は前記置換基と同義である。Ａｒ１が有しても良い置換基として好ましくはフェニル基、ビフェニル基であり、最も好ましくはフェニル基である。
【００８２】
ｐは２以上４以下の整数を表し、ｐとして好ましくは２もしくは３であり、２が最も好ましい。
【００８３】
次に一般式（１Ｂ）について説明する。
【化１７−Ｂ】
2010192916.tif 000022
一般式（１）は好ましくは一般式（１Ｂ）である。式中、Ｔ２はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表す。Ｔ２で表されるトリフェニレン構造を含む基は前記Ｔで説明したトリフェニレン構造を含む基と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００８４】
Ａｒ２はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ａｒ２として好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、ピリジル基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基、アンスリル基であり、最も好ましくはフェニル基である。
【００８５】
Ａｒ２は置換基を有しても良く、置換基の例は前記置換基と同義である。Ａｒ２が有しても良い置換基として好ましくはフェニル基、ビフェニル基であり、最も好ましくはフェニル基である。
【００８６】
Ｌ2は２価以上の連結基を表す。Ｌ2で表される2価以上の連結基は前記Lと同義であり、好ましくはアリーレン基、ヘテロアリーレン基である。
【００８７】
Ｌ２で表されるアリーレン基としては単環または２環以上の環が縮環した縮合環のアリーレン基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。
【００８８】
Ｌ２で表されるヘテロアリーレン基としては単環または２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基であり、例えばピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、アクリジニレン基、フェナントリジニレン基、ピラジニレン基、キノキサリニレン基、ピリミジニレン基、トリアジレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、フリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基等が挙げられる。
【００８９】
Ｌ２は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。
【００９０】
L2で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基であり、最も好ましくはメタフェニレン基である。
【００９１】
qは2以上の整数を表す。ｑとして好ましくは２以上６以下の整数であり、さらに好ましくは２以上４以下の整数であり、最も好ましくは２もしくは３である。
【００９２】
一般式（１Ａ）の具体例としては前記ホスト材料（Ａ）の具体例として表した化合物例のうち、例えば化合物（１−４）、（１−１５）、（１−２０）、（１−２１）、（１−２２）、（１−２３）、（１−２４）で表される化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００９３】
一般式（１Ｂ）の具体例としては前記ホスト材料（Ａ）の具体例として表した化合物例のうち、例えば化合物（１−１４）、（１−１６）、（１−１７）、（１−１８）、（１−１９）で表される化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００９４】
次に一般式（１Ａ）および一般式（１Ｂ）で表される化合物の製造方法について説明する。
一般式（１Ａ）で表される化合物はトリフェニレン誘導体のハロゲン置換体から種々の炭素−ケイ素結合形成反応を利用して合成可能であり、その方法は特に限定しないが、例えば、ザ・ケミストリー・オブ・オーガニック・シリコン・コンパウンズ（Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ），  ｐａｒｔ１，  Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，  Ｐ．６５５〜７６１などに記載
されている手法を利用して合成することが出来る。
この方法とは、例えば、トリフェニレン誘導体のハロゲン置換体からハロゲン−金属交
換反応によって、トリフェニレン誘導体の有機金属化合物を合成し、これとハロシラン化
合物とを反応させる方法である。
【００９５】
一般式（１Ｂ）で表される化合物はトリフェニレン誘導体のハロゲン置換体から種々の炭素−窒素結合形成反応を利用して合成可能であり、その方法は特に限定しないが、例えば、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ），  １９９６，  １１８，  ７２１５、あるいは、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ），  １９９６，  １１８，  ７２１７などに記載されているようなパラジウム触媒を用いた方法を利用して合成する手法が好ましい。
この方法とは、例えば、トリフェニレン誘導体のハロゲン置換体とアリールアミン化合物とを、パラジウム触媒および塩基の存在下、触媒的にカップリングさせる方法である。
【００９６】
パラジウム触媒としては、特に限定しないが、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン、パラジウムカーボン、酢酸パラジウム、パラジウムジクロライド（ｄｐｐｆ）（ｄｐｐｆ：１，１’−ビスジフェニルホスフィノフェロセン）などが挙げられる。トリフェニルホスフィン、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３などの配位子を同時に添加しても良い。
【００９７】
上記一般式（１Ｂ）の合成の炭素−窒素結合形成反応は、塩基を用いたほうが好ましい。用いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、トリエチルアミン、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウムなどが挙げられる。用いる塩基の量は特に限定しないが、カルバゾールあるいはその誘導体、イミノスチルベンあるいはその誘導体に対して、好ましくは０．１〜２０当量、特に好ましくは１〜１０当量である。
【００９８】
上記一般式（１Ｂ）の合成の炭素−窒素結合形成反応は、溶媒を用いた方が好ましい。用いる溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トルエン、テトラヒドロフラン、キシレン、メシチレン及びそれらの混合溶媒を用いることができる。
【００９９】
上記一般式（１Ｂ）の化合物を合成する際の、炭素−窒素結合形成反応の反応温度は特に限定はないが、好ましくは２０〜２２０℃、好ましくは２０〜１８０℃、より好ましくは２０〜１６０℃である。
【０１００】
次に、本発明の発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態など特に問わないが、ホスト材料（Ａ）とりん光材料が同一層に有る物が好ましい。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【０１０１】
本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。
【０１０２】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【０１０３】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１０４】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【０１０５】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウム  の積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
【０１０６】
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０１０７】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、
【０１０８】
ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。発光層の材料の少なくとも一つは、りん光材料である。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【０１０９】
発光層は単一化合物で形成されても良いし、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。発光層が複数の場合は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。
【０１１０】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン膜、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０１１１】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【０１１２】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【実施例】
【０１１３】
以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
［合成例１］  ２−ブロモトリフェニレンＡの合成
トリフェニレン３．２ｇ、鉄粉０．１５ｇ、二硫化炭素１００ｍｌ中に臭素２．３ｇを１０分かけて滴下した。滴下終了後、攪拌を続け１晩攪拌後、水５０ｍｌ、クロロホルム５０ｍｌを加えて分液。得られた有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムろ別後、溶媒を減圧下留去し、得られた固体をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）で精製することで２−ブロモトリフェニレンＡ３．０ｇを得た。
【化１８−Ａ】
2010192916.tif 000023
［合成例２］  例示化合物（１−１５）の合成
窒素気流下、合成例１で合成した２−ブロモトリフェニレンＡ０．５５ｇ、エーテル４０ｍｌを氷冷し、ここに１．６ｍｏｌ／ｌのノルマルブチルリチウム／ヘキサン溶液１．２ｍｌを１０分かけて滴下した。滴下終了後、氷浴をはずして室温まで昇温し、さらに攪拌した。３０分後再び氷冷して、ここにジクロロジフェニルシラン０．２ｇを１０分かけて滴下し、滴下終了後、室温まで昇温してさらに攪拌を続けた。３時間後、１．０ｍｏｌ／ｌの塩酸水溶液２０ｍｌを滴下し、滴下終了後、さらにクロロホルム５０ｍｌ、水５０ｍｌを加えた。分液して得られた有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）で精製し、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結晶することで例示化合物（１−１５）０．７２ｇを得た。本化合物の融点は２４４℃であった。
【化１８−Ｂ】
2010192916.tif 000024
［合成例３］  化合物Ｂの合成
ｍ−フェニレンジアミン１８．５ｇ、ピリジン１７ｍｌ中に氷冷下、無水酢酸３２．５ｇを２０分かけて滴下し、室温に昇温して攪拌を続けた。８時間後、これにベンゼン１２０ｍｌを加え、析出した固体をろ取することで化合物Ｂ  ３０．１ｇを得た。
［合成例４］  化合物Ｃの合成
窒素気流下、合成例３で合成した化合物Ｂ  １０．０ｇ、ヨードベンゼン２７．６ｇ、炭酸カリウム２３．０ｇ、銅粉０．７ｇ、ヨウ素０．０３ｇを１８０℃に加熱し、１０時間攪拌した。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で追跡し、化合物Ｂの消失を確認した後、反応混合物中にクロロホルム１００ｍｌ、水１００ｍｌを加え、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、硫酸マグネシウムをろ過後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をメタノールから再結晶することで化合物Ｃ  ５．３ｇを得た。
［合成例５］  化合物Ｄの合成
合成例４で合成した化合物Ｃ  ５．０ｇ、エタノール１００ｍｌ中に水酸化カリウム６．０ｇを加え、加熱還流した。８時間後室温まで冷却し、ここに水４０ｍｌを加え、析出した固体をろ取した。得られた固体をメタノールで再結晶することで化合物Ｄ  ３．５ｇを得た。
【化１８−Ｃ】
2010192916.tif 000025
［合成例６］  例示化合物（１−１６）の合成
窒素気流下、合成例１で合成した２−ブロモトリフェニレンＡ  １．０ｇ、合成例５で合成した化合物Ｄ  ０．４ｇ、２酢酸パラジウム３５ｍｇ、トリス−ｔ−ブチルホスフィン０．１０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム０．６０ｇ、メシチレン３０ｍｌを加熱還流し、８時間攪拌した。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で追跡し、２−ブロモトリフェニレンＡの消失を確認した後、反応混合物中にクロロホルム５０ｍｌ、水５０ｍｌを加え、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）で精製した後、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結晶することで例示化合物（１−１６）０．６０ｇを得た。本化合物の融点は２５８℃であった。
【化１８−Ｄ】
2010192916.tif 000026
［実施例１］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、まず正孔輸送材料としてα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を５０ｎｍ蒸着した。この上に化合物（１−１）と化合物ａを１７対１の比率（重量比）で３６ｎｍの厚さに共蒸着し、この上にアゾ−ル化合物ｂを３６ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを約１ｎｍ蒸着し、この上にアルミニウムを膜厚約２００ｎｍ蒸着して素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。
その結果、色度値（０．２７、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は７．１％であった。
また本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと半減時間４００時間である。
【０１１４】
［実施例２］
化合物（１−１）の代わりに化合物（１−１）と金属錯体（２−９）を重量比１：１で混合したものを用い、実施例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．２８、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は１２．１％であった。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと半減時間８２０時間である。
【０１１５】
［実施例３］
ＮＰＤの代わりに化合物（１−１６）を用い、化合物（１−１）の代わりに化合物ｄを用いて実施例１と同様に素子作成評価した。その結果、色度値（０．２８、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は１０．０％であった。
【０１１６】
［実施例４］
化合物（１−１）の代わりに化合物（１−２）を用い、実施例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．２７、０．６０）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は８．１％であった。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと、半減時間５３０時間である。
【０１１７】
［実施例５］
化合物（１−１）の代わりに化合物（１−１５）を用い、実施例１と同様に素子を作成し評価した。その結果、色度値（０．２７、０．６４）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は９．０％であった。
【０１１８】
［比較例１］
化合物（１−１）の代わりにＣＢＰ（４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル）を用い、実施例１と同様に素子作製評価した。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと半減時間７０時間である。
【０１１９】
［比較例２］
化合物（１−１）の代わりに化合物ｃを用い、実施例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．２６、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は２．７％であった。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと半減時間３０時間である。
【０１２０】
［比較例３］
比較例２の方法で作成した素子を化合物ｃが液晶相温度となる７０℃に昇温して比較例２と同様に評価した。その結果、色度値（０．２６、０．６４）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は８．１％であった。
また本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと輝度半減時間８０時間である。
【０１２１】
同様に、他の本発明の化合物を用いても、高効率発光素子を作製することができる。
【０１２２】
【化１９】
2010192916.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子に用いることができるトリフェニレン化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
【０００３】
このＥＬ素子特性向上の手段として、オルトメタル化イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３：Ｔｒｉｓ−Ｏｒｔｈｏ−Ｍｅｔａｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｌｅｘ  ｏｆ  Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）  ｗｉｔｈ  ２−Ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）の三重項状態からの発光を利用した緑色発光素子が報告されている（非特許文献１）。本素子は外部量子収率８％を達しており、従来素子の限界といわれていた外部量子収率５％を凌駕しているが、緑色発光に限定されている為、ディスプレイとしての適用範囲が狭く、高効率で他色に発光素子の開発が求められていた。
特に最近は素子耐久性の向上が求められているが、この三重項発光材料を利用した素子においては素子耐久性が低いことが大きな問題であり、これを改良することが求められていた。
【０００４】
素子の耐久性を向上させるために好適な手段として種々の芳香族縮環炭化水素材料が提案されている。例えば特許文献１および２にはジフェニルアントラセン誘導体が開示されている。
【０００５】
しかし、上記のような芳香族縮環材料はＴ１のエネルギーレベルが低く、三重項発光素子のホスト材料として使用する場合にはドーパントに対するエネルギー移動効率の点で不利である。発光効率向上のためには、より高いＴ１エネルギーレベルを有する芳香族縮環材料の開発が望まれていた。
【０００６】
一方、トリフェニレンは高いＴ１レベルを有するため特に三重項発光素子のホスト材料に有用な骨格である。
トリフェニレン骨格を有する化合物を三重項発光素子に用いた例としては特許文献３および４にトリフェニレン構造を有する液晶性化合物を用いた素子が開示されている。上記発明においては発光層にトリフェニレン化合物に由来する液晶性を発現させることで発光効率が向上することが報じられている。
【０００７】
しかしここで開示されている発明においてはトリフェニレン構造を有する化合物を含有する発光層が液晶性を有するため、通常の固体膜による発光素子にくらべ熱振動の影響を大きく受け、素子耐久性の点でさらなる改良が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−１２６００号公報
【特許文献２】特開２００１−３３５５１６公報
【特許文献３】特開２００２−４３０５６公報
【特許文献４】ＵＳ２００２／００３８８６０Ａ１
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】アプライド・フィジクス・レター（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ），７５，４（１９９９）．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、発光特性および素子駆動耐久性が良好な有機ＥＬ発光素子の形成に有用なトリフェニレン化合物の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この課題は下記手段によって達成された。
（１）一般式（１Ａ）で表されるトリフェニレン化合物。
【化１】
2010192916.tif 000035
（式中、Ｔ1はそれぞれ同じでも異なっていても良い、置換基を有していてもよいトリフェニレンを含む基を表し、Ａｒ1はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ｐは２以上４以下の整数を表す。）
（２）前記一般式（１Ａ）のＴ1が無置換のトリフェニレニル基である（１）に記載のトリフェニレン化合物。
（３）前記一般式（１Ａ）のＴ1が無置換のトリフェニレニル基であり、ｐが２である（１）に記載のトリフェニレン化合物。
（４）前記一般式（１Ａ）のＴ1が無置換のトリフェニレニル基であり、Ａｒ1がフェニル基であり、ｐが２である（１）に記載のトリフェニレン化合物。
（５）一般式（１Ｂ）で表されるトリフェニレン化合物。
【化２】
2010192916.tif 000036
（式中、Ｔ2はそれぞれ同じでも異なっていても良い、置換基を有していてもよいトリフェニレンを含む基を表し、Ａｒ2はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｌ2はアリーレン基又はヘテロアリーレン基である２価以上６価以下の連結基を表し、ｑは２以上６以下の整数を表す。）
（６）前記一般式（１Ｂ）のＴ2が無置換のトリフェニレニル基であり、Ｌ2がアリーレン基である（５）に記載のトリフェニレン化合物。
（７）前記一般式（１Ｂ）のＴ2が無置換のトリフェニレニル基であり、Ｌ2がフェニレン基またはビフェニレン基であり、ｑが２以上４以下の整数である（５）に記載のトリフェニレン化合物。
（８）前記一般式（１Ｂ）のＴ2が無置換のトリフェニレニル基であり、Ａｒ2がフェニル基であり、Ｌ2がフェニレン基であり、ｑが２または３である（５）に記載のトリフェニレン化合物。
（９）一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表わされる、有機電界発光素子用ホスト材料。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の化合物は発光特性、耐久性が優れる発光素子に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の化合物を好ましく用いることができるのは一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層を有する発光素子において、少なくとも２つのトリフェニレン構造を有するホスト材料（Ａ）を少なくとも１種含み、さらに三重項励起状態からの発光を利用することを特徴とする有機電界発光素子である。
ホスト材料（Ａ）は、有機層のいずれに含まれてもよいが、正孔輸送層もしくは発光層中に含まれることが好ましい。
三重項励起状態からの発光はりん光と同義であり、今後、りん光を発する材料のことをりん光材料と記述する。りん光材料としては特に限定しないが、遷移金属錯体が好ましい。遷移金属錯体の中心金属としては特に限定されないが、イリジウム、白金、レニウム、ルテニウムが好ましく、イリジウム、白金がより好ましく、イリジウムが更に好ましい。
【００１４】
また、遷移金属錯体としては、オルトメタル化錯体が好ましい。オルトメタル化錯体（ｏｒｔｈｏｍｅｔａｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ）とは、例えば「有機金属化学−基礎と応用−」ｐ１５０，２３２  裳華房社  山本明夫著  １９８２年発行、および「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」  ｐ７１−ｐ７７，ｐ１３５−ｐ１４６  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著１９８７年発行  等に記載されている化合物群の総称である。
【００１５】
用いられるりん光材料は、２０℃でのりん光量子収率が７０％以上の材料が好ましく、２０℃でのりん光量子収率が８０％以上材料がより好ましく、２０℃でのりん光量子収率が８５％以上の材料がさらに好ましい。
【００１６】
発光素子は陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。
【００１７】
発光素子は色純度の観点から、発光スペクトルの半値幅は１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下がさらに好ましく、７０ｎｍ以下が特に好ましい。
【００１８】
ホスト材料（Ａ）について説明する。ホスト材料（Ａ）はトリフェニレンを有する基（トリフェニレン構造）を含み、かつ液晶性を示さない化合物である。
ホスト材料に含まれるトリフェニレン構造は置換基を有しても良く、置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、
【００１９】
アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、
【００２０】
アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
【００２１】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、
【００２２】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
【００２３】
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、
【００２４】
ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。
【００２５】
ホスト材料（Ａ）に含まれるトリフェニレン構造が有してもよい置換基としてはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基である。
【００２６】
ホスト材料（Ａ）は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（質量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、トリフェニレン構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、単独重合体であっても良く、共重合体であっても良い。ホスト材料（Ａ）は低分子化合物が好ましい。
【００２７】
ホスト材料（Ａ）のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は４５  Ｋｃａｌ／ｍｏｌ  以上（１８８．３  ＫＪ／ｍｏｌ以上）が好ましく、５５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２３０．１ＫＪ／ｍｏｌ以上）がより好ましく、６０Ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５１．１ＫＪ／ｍｏｌ以上）がさらに好ましい。
【００２８】
前記ホスト材料（Ａ）は下記一般式（１）で示されることが好ましい。
一般式（１）            Ｌ−Ｔｎ
（式中、Ｌは単結合あるいは２価以上の連結基を表し、Ｔはトリフェニレン構造を含む基を表す。ｎは２以上の整数を表し、Ｔは互いに独立に異なっていても、同じであってもよい。）
Ｌは単結合あるいは２価以上連結基を表す。Ｌで表される連結基として好ましくは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｇｅなどで形成される連結基であり、より好ましくは単結合、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、芳香環、ヘテロ環であり、さらに好ましくはアリーレン基、炭素原子、ケイ素原子である。
【００２９】
Ｌで表される連結基の具体例としては単結合の他、例えば以下のものが挙げられる。
【００３０】
【化３】
2010192916.tif 000037
【００３１】
【化４】
2010192916.tif 000038
【００３２】
【化５】
2010192916.tif 000039
【００３３】
Ｌで表される連結基として好ましくは２価以上の芳香環、２価以上の芳香族複素環、炭素原子、ケイ素原子であり、より好ましくは２価以上のベンゼン、２価以上のナフタレン、２価以上のアントラセン、２価以上のビフェニル、２価以上のテルフェニル、２価以上のトリフェニレン、２価以上のフェナンスレン、２価以上のトリアゾール、２価以上のピリジン、２価以上のピリミジン、炭素原子、ケイ素原子であり、さらに好ましくは２価以上のベンゼン、２価以上のビフェニル、２価以上のトリアゾール、炭素原子、ケイ素原子である。
【００３４】
Ｌで表される連結基は置換基を有しても良く、置換基は前記置換基と同義である。置換基として好ましくはフェニル基、ビフェニル基である。
【００３５】
Ｔはトリフェニレン構造を含む基を表し、互いに独立に異なっていても、同じであってもよい。Ｔに含まれるトリフェニレン構造は置換基を有してもよく、互いに結合して環を形成してもよい。置換基は前記置換基と同義である。
【００３６】
ｎは２以上の整数を表し、好ましくは２から８の整数であり、さらに好ましくは２から４の整数である。
【００３７】
次にホスト材料（Ａ）の例を示す。
【００３８】
【化６】
2010192916.tif 000040
【００３９】
【化７】
2010192916.tif 000041
【００４０】
【化８−Ａ】
2010192916.tif 000042
【００４１】
【化８−Ｂ】
2010192916.tif 000043
【００４２】
次に、ホスト材料（Ａ）の化合物の製造方法について述べる。このトリフェニレン構造を含むが、液晶性を示さないホスト材料は、種々の芳香族炭素炭素結合生成反応などを利用して合成可能であり、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  Ｒｅａｃｔｉｏｎ  Ｇｕｉｄｅ  （Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．社）  ｐ．６１７〜ｐ．６４３、及び、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ（ＶＣＨ社）  ｐ．５〜ｐ．１０３  などに記載されている手法を利用して合成することができる。
【００４３】
次に、発光素子の発光層中には前記のホスト材料（Ａ）とともに金属錯体ホスト材料をホスト材料（Ｂ）として用いてもよい。ホスト材料（Ｂ）を構成する金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくは亜鉛イオンである。
ホスト材料（Ａ）に対するホスト材料（Ｂ）の使用量は、好ましくは８０質量％以下であり、より好ましくは２０〜５０質量％である。
【００４４】
ホスト材料（Ｂ）としての金属錯体中に含まれる配位子としては種々の配位子が有るが、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１５であり、単座配位子であっても２座以上の配位子であっても良い。好ましくは２座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子）などが挙げられる）、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられる。）、
【００４５】
ヘテロアリールオキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
【００４６】
シロキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数３〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる）であり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子である。  
【００４７】
発光素子に含まれる金属錯体ホスト材料（Ｂ）のガラス転移点は、好ましくは８０℃以上であり、より好ましくは１００℃以上であり、さらに好ましくは１２０℃以上である。
【００４８】
金属錯体ホスト材料（Ｂ）は一般式（２）または一般式（３）で表される化合物、または、その互変異性体が好ましく（より好ましくは、一般式（２）で表される化合物、または、その互変異性体である）、一般式（４）、一般式（５）または一般式（６）で表される化合物、または、その互変異性体がより好ましく、一般式（４）で表される化合物、または、その互変異性体がさらに好ましい。
【００４９】
【化９】
2010192916.tif 000044
【００５０】
一般式（２）について説明する。Ｍ１１は金属イオンを表す。金属イオンとして好ましくは、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくは亜鉛イオンである。
【００５１】
Ｌ１１は配位子を表す。配位子としては前記金属錯体中に含まれる配位子で説明した配位子が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【００５２】
Ｘ１１は酸素原子、置換または無置換の窒素原子、硫黄原子であり、酸素原子がより好ましい。窒素原子上の置換基としては、−ＳＯ２Ｒａ、−ＣＯＲｂまたは−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒｃ）（Ｒｄ）（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄはそれぞれ脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはヘテロ環オキシ基を表す。）が好ましく、  −ＳＯ２Ｒａ  がより好ましい。
【００５３】
Ｑ１１は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ１１が形成する芳香環は、好ましくは４〜８員環、より好ましくは５〜６員環である。Ｑ１１とＱ１２が結合して縮環構造を取っても良い。Ｑ１１で形成される芳香族環は芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、例えばベンゼン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾールなどが挙げられ、好ましくはベンゼン、ピリジンであり、より好ましくはベンゼンである。
【００５４】
Ｑ１１で形成される環は、置換基を有しても良く、置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基である。
【００５５】
Ｑ１２は含窒素芳香環を形成する原子群を表し、Ｑ１２が形成する含窒素芳香環は好ましくは４〜８員環、より好ましくは５〜６員環である。その含窒素芳香環は好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０である。Ｑ１２で形成される含窒素芳香環としては、例えばピリジン、キノリン、ピラジン、ピリダジン、イソキノリン、キノキサリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インドレニンピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾロトリアゾール、イソオキサゾール、トリアゾール、チアジアゾール、ピロロトリアゾール、イミダゾトリアゾールなどが挙げられ、好ましくはピリジン、キノリン、ピラジン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、ピラゾロトリアゾール、ピロロトリアゾール、チアジアゾールであり、より好ましくはベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、オキサジアゾールである。
【００５６】
Ｑ１２は置換基を有していても良く、置換基としては前記Ｑ１１で説明した基が挙げられる。
【００５７】
ｍ１１は０〜３の整数を表し、０，１が好ましく、０がより好ましい。ｍ１２は１〜４の整数を表し、２，３が好ましく、３がより好ましい。
【００５８】
一般式（３）について説明する。Ｌ２１、Ｘ２１は前記Ｌ１１、Ｘ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｍ２１は０〜３の整数を表し、０，１が好ましく、０がより好ましい。ｍ２２は１〜４の整数を表し、２，３が好ましく、３がより好ましい。
【００５９】
Ｍ２１は金属イオンを表す。金属イオンとして好ましくは、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオンである。
【００６０】
Ｑ２１は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ２１で形成される芳香族環は芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、その員環数は、Ｑ１１で述べたと同様であり、好ましくはベンゼン、ピリジンであり、より好ましくはベンゼンである。
【００６１】
Ｑ２２は含窒素芳香環を形成する原子群を表し、好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０である。Ｑ２２で形成される含窒素芳香環の員環数はＱ１２で述べたと同様であり、好ましくはピリジン、ピラジンであり、より好ましくはピリジンである。
【００６２】
一般式（４）について説明する。Ｌ３１、Ｍ３１、ｍ３１、ｍ３２は前記Ｌ１１、Ｍ１１、ｍ１１、ｍ１２と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ１０１は置換基を表し、好ましくはアルキル基である。ｍ３３は０〜４の整数を表し、０、１が好ましい。
【００６３】
Ｙ３１は酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換または無置換の窒素原子を表し、酸素原子、置換または無置換の窒素原子が好ましい。窒素原子上の置換基としてはアルキル基、アリール基が好ましい。
【００６４】
Ｑ３１は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ３１で形成される芳香族環は芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、その員環は、Ｑ１１で述べたと同様であり、好ましくはベンゼン、ピリジンである。
【００６５】
一般式（５）について説明する。Ｌ４１、Ｍ４１、Ｒ１１１、Ｙ４１、ｍ４１、ｍ４２、ｍ４３は前記Ｌ１１、Ｍ１１、Ｒ１０１、Ｙ３１、ｍ１１、ｍ１２、ｍ３３と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ１１２は置換基を表し、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、アリール基がより好ましい。
【００６６】
一般式（６）について説明する。Ｌ５１、Ｍ５１、Ｒ１２１、ｍ５１、ｍ５２は前記Ｌ２１、Ｍ２１、Ｒ１０１、ｍ２１、ｍ２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｍ５３は０〜６の整数を表し、０、１が好ましい。
【００６７】
金属錯体ホスト材料（Ｂ）の化合物例を示す。
【００６８】
【化１０】
2010192916.tif 000045
【００６９】
【化１１】
2010192916.tif 000046
【００７０】
【化１２】
2010192916.tif 000047
【００７１】
【化１３】
2010192916.tif 000048
【００７２】
【化１４】
2010192916.tif 000049
【００７３】
【化１５】
2010192916.tif 000050
【００７４】
本発明の化合物はさらに一対の電極間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（１Ａ）または（１Ｂ）で示される材料を少なくとも１種含有することを特徴とする有機電界発光素子に有用である。
【００７５】
この場合、一般式（１Ａ）および一般式（１Ｂ）の化合物は、有機層のいずれに含まれてもよいが、正孔輸送層もしくは発光層中にホスト材料として含まれることが好ましい。
【００７６】
発光素子中に本発明の一般式（１Ａ）あるいは一般式（１Ｂ）で表される化合物が含まれる場合、発光材料は一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、または、三重項励起子から発光するりん光発光性化合物のいずれであっても良いが、発光効率および耐久性の観点から、りん光発光材料であることがより好ましい。
【００７７】
発光材料としては例えばベンゾオキサゾールおよびそれらの誘導体、ベンゾイミダゾールおよびそれらの誘導体、ベンゾチアゾールおよびそれらの誘導体、スチリルベンゼンおよびそれらの誘導体、ポリフェニルおよびそれらの誘導体、ジフェニルブタジエンおよびそれらの誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびそれらの誘導体、ナフタルイミドおよびそれらの誘導体、クマリンおよびそれらの誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノンおよびそれらの誘導体、オキサジアゾールおよびそれらの誘導体、オキサジンおよびそれらの誘導体、アルダジンおよびそれらの誘導体、ピラリジンおよびそれらの誘導体、シクロペンタジエンおよびそれらの誘導体、ビススチリルアントラセンおよびそれらの誘導体、キナクリドンおよびそれらの誘導体、ピロロピリジンおよびそれらの誘導体、チアジアゾロピリジンおよびそれらの誘導体、シクロペンタジエンおよびそれらの誘導体、スチリルアミンおよびそれらの誘導体、ジケトピロロピロールおよびそれらの誘導体、芳香族ジメチリディンおよびそれらの化合物、８−キノリノールおよびそれらの誘導体の金属錯体やピロメテンおよびそれらの誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シランおよびそれらの誘導体等が挙げられる。発光材料は好ましくは縮合芳香族化合物、キナクリドンおよびそれらの誘導体、ジケトピロロピロールおよびそれらの誘導体、ピロメテンおよびそれらの誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体であり、さらに好ましくは縮合芳香族化合物、遷移金属錯体である。
【００７８】
次に一般式（１Ａ）について説明する。
【化１６−Ａ】
2010192916.tif 000051
【００７９】
式中、Ｔ１はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表す。Ｔ１で表されるトリフェニレン構造を含む基は前記Ｔで説明したトリフェニレン構造を含む基と同義であり、好ましい範囲も同じである。特に好ましくは無置換のトリフェニレニル基である。
【００８０】
Ａｒ１はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ａｒ１として好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、ピリジル基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基、アンスリル基であり、最も好ましくはフェニル基である。
【００８１】
Ａｒ１は置換基を有しても良く、置換基の例は前記置換基と同義である。Ａｒ１が有しても良い置換基として好ましくはフェニル基、ビフェニル基であり、最も好ましくはフェニル基である。
【００８２】
ｐは２以上４以下の整数を表し、ｐとして好ましくは２もしくは３であり、２が最も好ましい。
【００８３】
次に一般式（１Ｂ）について説明する。
【化１７−Ｂ】
2010192916.tif 000052
一般式（１）は好ましくは一般式（１Ｂ）である。式中、Ｔ２はそれぞれ同じでも異なっていても良いトリフェニレン構造を含む基を表す。Ｔ２で表されるトリフェニレン構造を含む基は前記Ｔで説明したトリフェニレン構造を含む基と同義であり、好ましい範囲も同じである。特に好ましくは無置換のトリフェニレニル基である。
【００８４】
Ａｒ２はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ａｒ２として好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、ピリジル基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基、アンスリル基であり、最も好ましくはフェニル基である。
【００８５】
Ａｒ２は置換基を有しても良く、置換基の例は前記置換基と同義である。Ａｒ２が有しても良い置換基として好ましくはフェニル基、ビフェニル基であり、最も好ましくはフェニル基である。
【００８６】
Ｌ2は２価以上６価以下の連結基を表す。Ｌ2で表される２価以上６価以下の連結基はアリーレン基、ヘテロアリーレン基である。
【００８７】
Ｌ２で表されるアリーレン基としては単環または２環以上の環が縮環した縮合環のアリーレン基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。特に好ましくはフェニレン基またはビフェニレン基である。
【００８８】
Ｌ２で表されるヘテロアリーレン基としては単環または２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基であり、例えばピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、アクリジニレン基、フェナントリジニレン基、ピラジニレン基、キノキサリニレン基、ピリミジニレン基、トリアジレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、フリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基等が挙げられる。
【００８９】
Ｌ２は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。
【００９０】
Ｌ2で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基であり、最も好ましくはメタフェニレン基である。
【００９１】
ｑは２以上６以下の整数を表す。ｑとして好ましくは２以上４以下の整数であり、最も好ましくは２もしくは３である。
【００９２】
一般式（１Ａ）の具体例としては前記ホスト材料（Ａ）の具体例として表した化合物例のうち、例えば化合物（１−４）、（１−１５）、（１−２０）、（１−２１）、（１−２２）、（１−２３）、（１−２４）で表される化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００９３】
一般式（１Ｂ）の具体例としては前記ホスト材料（Ａ）の具体例として表した化合物例のうち、例えば化合物（１−１４）、（１−１６）、（１−１７）、（１−１８）、（１−１９）で表される化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００９４】
次に一般式（１Ａ）および一般式（１Ｂ）で表される化合物の製造方法について説明する。
一般式（１Ａ）で表される化合物はトリフェニレン誘導体のハロゲン置換体から種々の炭素−ケイ素結合形成反応を利用して合成可能であり、その方法は特に限定しないが、例えば、ザ・ケミストリー・オブ・オーガニック・シリコン・コンパウンズ（Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ），  ｐａｒｔ１，  Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，  Ｐ．６５５〜７６１などに記載
されている手法を利用して合成することが出来る。
この方法とは、例えば、トリフェニレン誘導体のハロゲン置換体からハロゲン−金属交
換反応によって、トリフェニレン誘導体の有機金属化合物を合成し、これとハロシラン化
合物とを反応させる方法である。
【００９５】
一般式（１Ｂ）で表される化合物はトリフェニレン誘導体のハロゲン置換体から種々の炭素−窒素結合形成反応を利用して合成可能であり、その方法は特に限定しないが、例えば、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ），  １９９６，  １１８，  ７２１５、あるいは、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ），  １９９６，  １１８，  ７２１７などに記載されているようなパラジウム触媒を用いた方法を利用して合成する手法が好ましい。
この方法とは、例えば、トリフェニレン誘導体のハロゲン置換体とアリールアミン化合物とを、パラジウム触媒および塩基の存在下、触媒的にカップリングさせる方法である。
【００９６】
パラジウム触媒としては、特に限定しないが、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン、パラジウムカーボン、酢酸パラジウム、パラジウムジクロライド（ｄｐｐｆ）（ｄｐｐｆ：１，１’−ビスジフェニルホスフィノフェロセン）などが挙げられる。トリフェニルホスフィン、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３などの配位子を同時に添加しても良い。
【００９７】
上記一般式（１Ｂ）の合成の炭素−窒素結合形成反応は、塩基を用いたほうが好ましい。用いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、トリエチルアミン、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウムなどが挙げられる。用いる塩基の量は特に限定しないが、カルバゾールあるいはその誘導体、イミノスチルベンあるいはその誘導体に対して、好ましくは０．１〜２０当量、特に好ましくは１〜１０当量である。
【００９８】
上記一般式（１Ｂ）の合成の炭素−窒素結合形成反応は、溶媒を用いた方が好ましい。用いる溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トルエン、テトラヒドロフラン、キシレン、メシチレン及びそれらの混合溶媒を用いることができる。
【００９９】
上記一般式（１Ｂ）の化合物を合成する際の、炭素−窒素結合形成反応の反応温度は特に限定はないが、好ましくは２０〜２２０℃、好ましくは２０〜１８０℃、より好ましくは２０〜１６０℃である。
【０１００】
次に、本発明の化合物を用いた発光素子に関して説明する。この発光素子は、本発明の化合物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態など特に問わないが、ホスト材料（Ａ）とりん光材料が同一層に有る物が好ましい。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【０１０１】
本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。
【０１０２】
本発明の化合物を用いることのできる発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【０１０３】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１０４】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【０１０５】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウム  の積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
【０１０６】
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０１０７】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、
【０１０８】
ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。発光層の材料の少なくとも一つは、りん光材料である。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【０１０９】
発光層は単一化合物で形成されても良いし、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。発光層が複数の場合は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。
【０１１０】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン膜、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０１１１】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【０１１２】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙなどの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【実施例】
【０１１３】
以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
［合成例１］  ２−ブロモトリフェニレンＡの合成
トリフェニレン３．２ｇ、鉄粉０．１５ｇ、二硫化炭素１００ｍｌ中に臭素２．３ｇを１０分かけて滴下した。滴下終了後、攪拌を続け１晩攪拌後、水５０ｍｌ、クロロホルム５０ｍｌを加えて分液。得られた有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムろ別後、溶媒を減圧下留去し、得られた固体をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）で精製することで２−ブロモトリフェニレンＡ  ３．０ｇを得た。
【化１８−Ａ】
2010192916.tif 000053
［実施例１］  例示化合物（１−１５）の合成
窒素気流下、合成例１で合成した２−ブロモトリフェニレンＡ  ０．５５ｇ、エーテル４０ｍｌを氷冷し、ここに１．６ｍｏｌ／ｌのノルマルブチルリチウム／ヘキサン溶液１．２ｍｌを１０分かけて滴下した。滴下終了後、氷浴をはずして室温まで昇温し、さらに攪拌した。３０分後再び氷冷して、ここにジクロロジフェニルシラン０．２ｇを１０分かけて滴下し、滴下終了後、室温まで昇温してさらに攪拌を続けた。３時間後、１．０ｍｏｌ／ｌの塩酸水溶液２０ｍｌを滴下し、滴下終了後、さらにクロロホルム５０ｍｌ、水５０ｍｌを加えた。分液して得られた有機層を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）で精製し、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結晶することで例示化合物（１−１５）０．７２ｇを得た。本化合物の融点は２４４℃であった。
【化１８−Ｂ】
2010192916.tif 000054
［合成例２］  化合物Ｂの合成
ｍ−フェニレンジアミン１８．５ｇ、ピリジン１７ｍｌ中に氷冷下、無水酢酸３２．５ｇを２０分かけて滴下し、室温に昇温して攪拌を続けた。８時間後、これにベンゼン１２０ｍｌを加え、析出した固体をろ取することで化合物Ｂ  ３０．１ｇを得た。
［合成例３］  化合物Ｃの合成
窒素気流下、合成例２で合成した化合物Ｂ  １０．０ｇ、ヨードベンゼン２７．６ｇ、炭酸カリウム２３．０ｇ、銅粉０．７ｇ、ヨウ素０．０３ｇを１８０℃に加熱し、１０時間攪拌した。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で追跡し、化合物Ｂの消失を確認した後、反応混合物中にクロロホルム１００ｍｌ、水１００ｍｌを加え、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、硫酸マグネシウムをろ過後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をメタノールから再結晶することで化合物Ｃ  ５．３ｇを得た。
［合成例４］  化合物Ｄの合成
合成例３で合成した化合物Ｃ  ５．０ｇ、エタノール１００ｍｌ中に水酸化カリウム６．０ｇを加え、加熱還流した。８時間後室温まで冷却し、ここに水４０ｍｌを加え、析出した固体をろ取した。得られた固体をメタノールで再結晶することで化合物Ｄ  ３．５ｇを得た。
【化１８−Ｃ】
2010192916.tif 000055
［実施例２］  例示化合物（１−１６）の合成
窒素気流下、合成例１で合成した２−ブロモトリフェニレンＡ  １．０ｇ、合成例４で合成した化合物Ｄ  ０．４ｇ、２酢酸パラジウム３５ｍｇ、トリス−ｔ−ブチルホスフィン０．１０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム０．６０ｇ、メシチレン３０ｍｌを加熱還流し、８時間攪拌した。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で追跡し、２−ブロモトリフェニレンＡの消失を確認した後、反応混合物中にクロロホルム５０ｍｌ、水５０ｍｌを加え、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）で精製した後、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結晶することで例示化合物（１−１６）０．６０ｇを得た。本化合物の融点は２５８℃であった。
【化１８−Ｄ】
2010192916.tif 000056
［製造例１］（参考例）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、まず正孔輸送材料としてα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を５０ｎｍ蒸着した。この上に化合物（１−１）と化合物ａを１７対１の比率（質量比）で３６ｎｍの厚さに共蒸着し、この上にアゾ−ル化合物ｂを３６ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを約１ｎｍ蒸着し、この上にアルミニウムを膜厚約２００ｎｍ蒸着して素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。
その結果、色度値（０．２７、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は７．１％であった。
また本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと半減時間４００時間である。
【０１１４】
［製造例２］（参考例）
化合物（１−１）の代わりに化合物（１−１）と金属錯体（２−９）を質量比１：１で混合したものを用い、製造例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．２８、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は１２．１％であった。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと半減時間８２０時間である。
【０１１５】
［製造例３］
ＮＰＤの代わりに化合物（１−１６）を用い、化合物（１−１）の代わりに化合物ｄを用いて製造例１と同様に素子作成評価した。その結果、色度値（０．２８、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は１０．０％であった。
【０１１６】
［製造例４］（参考例）
化合物（１−１）の代わりに化合物（１−２）を用い、製造例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．２７、０．６０）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は８．１％であった。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと、半減時間５３０時間である。
【０１１７】
［製造例５］
化合物（１−１）の代わりに化合物（１−１５）を用い、製造例１と同様に素子を作成し評価した。その結果、色度値（０．２７、０．６４）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は９．０％であった。
【０１１８】
［比較例１］
化合物（１−１）の代わりにＣＢＰ（４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル）を用い、製造例１と同様に素子作製評価した。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと半減時間７０時間である。
【０１１９】
［比較例２］
化合物（１−１）の代わりに化合物ｃを用い、製造例１と同様に素子作製評価した。その結果、色度値（０．２６、０．６２）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は２．７％であった。
本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと半減時間３０時間である。
【０１２０】
［比較例３］
比較例２の方法で作成した素子を化合物ｃが液晶相温度となる７０℃に昇温して比較例２と同様に評価した。その結果、色度値（０．２６、０．６４）の緑色発光が得られ、素子の外部量子効率は８．１％であった。
また本素子の素子耐久性評価を初期輝度１２００ｃｄ／ｍ２、電流値一定にて行うと輝度半減時間８０時間である。
【０１２１】
同様に、他の本発明の化合物を用いても、高効率発光素子を作製することができる。
【０１２２】
【化１９】
2010192916.tif 000057
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１Ａ）で表されるトリフェニレン化合物。
【化１】
2010192916.tif 000058
（式中、Ｔ1はそれぞれ同じでも異なっていても良い、置換基を有していてもよいトリフェニレンを含む基を表し、Ａｒ1はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。ｐは２以上４以下の整数を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１Ａ）のＴ1が無置換のトリフェニレニル基である請求項１に記載のトリフェニレン化合物。
【請求項３】
前記一般式（１Ａ）のＴ1が無置換のトリフェニレニル基であり、ｐが２である請求項１に記載のトリフェニレン化合物。
【請求項４】
前記一般式（１Ａ）のＴ1が無置換のトリフェニレニル基であり、Ａｒ1がフェニル基であり、ｐが２である請求項１に記載のトリフェニレン化合物。
【請求項５】
一般式（１Ｂ）で表されるトリフェニレン化合物。
【化２】
2010192916.tif 000059
（式中、Ｔ2はそれぞれ同じでも異なっていても良い、置換基を有していてもよいトリフェニレンを含む基を表し、Ａｒ2はそれぞれ同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｌ2はアリーレン基又はヘテロアリーレン基である２価以上６価以下の連結基を表し、ｑは２以上６以下の整数を表す。）
【請求項６】
前記一般式（１Ｂ）のＴ2が無置換のトリフェニレニル基であり、Ｌ2がアリーレン基である請求項５に記載のトリフェニレン化合物。
【請求項７】
前記一般式（１Ｂ）のＴ2が無置換のトリフェニレニル基であり、Ｌ2がフェニレン基またはビフェニレン基であり、ｑが２以上４以下の整数である請求項５に記載のトリフェニレン化合物。
【請求項８】
前記一般式（１Ｂ）のＴ2が無置換のトリフェニレニル基であり、Ａｒ2がフェニル基であり、Ｌ2がフェニレン基であり、ｑが２または３である請求項５に記載のトリフェニレン化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正３
【補正方法】削除
【補正の内容】