(57)【要約】【課題】真空搬送室内で被処理体を不所望なガスの汚染から保護して真空プロセスの歩留まりを向上させること。【解決手段】プラットホームＰＨ内で、真空搬送ロボット１６は、スライド動作を行うベース部と、ベース部上に旋回可能に取り付けられ、搬送アーム１２，１４を駆動するアーム駆動部４２と、アーム駆動部４２および搬送アーム１２，１４を収容するボックス４４とを有し、ボールねじ機構３４の直進駆動によってガイドレール３２上をスライド移動できるようになっている。ボックス４４の側壁には、ガスフィルタ５２の窓が取り付けられるとともに、搬送アーム１２，１４が伸縮運動する際に半導体ウエハＷを保持したまま通り抜けられる開口４８が形成され、この開口４８を開閉するための扉５０が取り付けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
室内が減圧状態に保たれる真空搬送室と、
前記真空搬送室に隣接して設けられ、減圧下の室内で被処理体に所定の処理が行われる１つまたは複数の真空処理室と、
前記真空搬送室に隣接して設けられ、室内が選択的に大気状態または減圧状態に切り換えられ、大気空間と前記真空搬送室との間で転送される被処理体を一時的に留め置く１つまたは複数のロードロック室と、
前記真空搬送室内で移動可能に設けられ、特定のガスをトラップするためのガスフィルタを有するボックスと、前記真空処理室または前記ロードロック室に対して被処理体の搬入出を行うために前記ボックス内の原位置と前記ボックスの外の往動位置との間で伸縮可能に構成された搬送アームとを有し、被処理体を前記ボックス内の原位置に後退させている前記搬送アームで支持して前記真空搬送室内を搬送する真空搬送装置と
を有する真空処理装置。
【請求項２】
前記ガスフィルタが、前記真空搬送室内に存在するグリースから放出されるガスを吸着してトラップする請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記ボックスに、前記搬送アームが通り、被処理体が出入りするための開口を設ける請求項１または請求項２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記開口に開閉扉を取り付ける請求項３に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記真空搬送装置が、
前記真空搬送室内に敷設されるガイドレールと、
前記ガイドレールに沿って前記ボックスを移動させるために前記ガイドレール上でスライド移動するスライダ部と
を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記真空搬送室が水平な一方向に最も長い一対の辺を有する多角形に形成され、前記ガイドレールが前記長辺と平行に延びる請求項５に記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記真空搬送室の一長辺に沿って前記真空処理室が複数台並べて配置される請求項６に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記スライダ部がボールねじ機構を有する請求項５〜７のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記スライダ部がリニアモータを有する請求項５〜７のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項１０】
前記真空搬送装置が前記ボックスを旋回させるための旋回駆動部を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項１１】
前記真空搬送室と前記真空処理室との間、および前記真空搬送室と前記ロードロック室との間にゲートバルブを設ける請求項１〜１０のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項１２】
少なくとも１つの前記真空処理室内で被処理体上に化学的気相成長法による薄膜形成が行われる請求項１〜１１のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項１３】
室内が減圧状態に保たれる真空搬送室の周囲に、前記真空搬送室に隣接して設けられ、減圧下の室内で被処理体に所定の処理が行われる１つまたは複数の真空処理室と、前記搬送室に隣接して設けられ、室内が選択的に大気状態または減圧状態に切り換えられ、大気空間と前記真空搬送室との間で転送される被処理体を一時的に留め置く１つまたは複数のロードロック室とを配置する真空処理装置において、前記真空搬送室と前記真空処理室または前記ロードロック室との間で被処理体の受け渡しを行うために前記真空搬送室内に設けられる真空搬送装置であって、
特定のガスをトラップするためのガスフィルタを有するボックスと、
前記真空処理室または前記ロードロック室に対して被処理体の搬入出を行うために前記ボックス内の原位置と前記ボックスの外の往動位置との間で伸縮可能に構成された搬送アームと
を有し、
被処理体を前記ボックス内の原位置に後退させている前記搬送アームで支持して前記真空搬送室内を搬送する真空搬送装置。
【請求項１４】
前記ガスフィルタが、前記真空搬送室内に存在するグリースから放出されるガスを吸着してトラップする請求項１３に記載の真空搬送装置。
【請求項１５】
前記ボックスに、前記搬送アームが通り、被処理体が出入りするための開口を設ける請求項１３または請求項１４に記載の真空搬送装置。
【請求項１６】
前記開口に開閉扉を取り付ける請求項１５に記載の真空搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空搬送室を有する真空処理装置、および真空搬送室内に設けられる真空搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空搬送室を有する真空処理装置の一形態として、クラスタツール方式がよく知られている。クラスタツール方式は、プロセスの一貫化、連結化あるいは複合化をはかるために、減圧下で所定の処理を行う複数のプロセス・チャンバを真空のプラットホームの周りに配置する方式であり、マルチチャンバ方式とも称され、典型的には半導体製造装置で採用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
一般に、クラスタツールにおいては、一つの被処理体が複数のプロセス・チャンバを渡り歩くように順次転送されて同種または異種の真空処理を連続的に受けられようになっている。半導体デバイス製造では、ＣＶＤ（化学的気成長）、スパッタ、ドライエッチング、ドライクリーニング等がクラスタツール内で行われる代表的な真空処理である。
【０００４】
上記のような複数のプロセス・チャンバに跨る被処理体の渡り歩き（転送）はプラットホームを通って行われるため、プラットホームの室内は常時減圧状態に保たれる。このようなプラットホームへ未処理の被処理体を大気空間から搬入するために、そして一連の真空処理を終えた被処理体をプラットホームから大気空間へ搬出するために、プラットホームにはゲートバルブを介して大気／真空インタフェースのロードロック・チャンバも接続される。プラットホームの室内には、各プロセス・チャンバまたはロードロック・チャンバとの間で基板の受け渡しを減圧下で行うための真空搬送装置が設けられる。この種の真空搬送装置は、各プロセス・チャンバまたはロードロック・チャンバに対して被処理体の搬入出を行うための伸縮可能な搬送アームを有し、アクセス先に応じて搬送アームを旋回させられるようになっている。
【０００５】
ところで、クラスタツール方式の真空処理装置においては、被処理体カセットの投入、払い出しが行われるロードポート側から見て装置全体の幅サイズを縮小ないし維持しつつ、プラットホームを奥行き方向に長く延ばすことにより、その長辺に沿ってプロセス・チャンバを増設し、装置全体のチャンバ搭載台数を増やすレイアウトが半導体ウエハの大型化にも有利に対応できる手法として一つの傾向になっている（例えば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平８−４６０１３号公報
【特許文献２】特開２００７−１２７２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、クラスタツール方式の真空処理装置において、プラットホームを廊下のように長く延ばす場合は、プラットホーム内の真空搬送装置が旋回動作だけでなく長手方向にスライド動作も行う必要があり、このスライド動作のためのスライド機構（典型的にはボールねじ機構、ガイドレール等）がプラットホーム内に設けられる。特に、半導体ウエハが大型化すると、プラットホームの長手方向における搬送装置の移動範囲または距離が増すため、スライド機構が有利とされている。
【０００７】
ところが、スライド機構のボールねじやガイドレールにはグリースが塗られている。特に、大口径の半導体ウエハを被処理体とする場合は、ウエハを支持して搬送する真空搬送装置も大型化し、スライド機構に多量のグリースを使用する。そのような真空搬送装置のスライド機構に用いられているグリースから放出されるガス、特に有機物のガスがプラットホーム内で被処理体に付着し、結果として真空プロセスに悪い影響を与えることが懸念されている。とりわけ、いずれかのプロセス・チャンバでＣＶＤ等の真空成膜処理が行われる場合に、上記のようなプラットホーム雰囲気の汚染が成膜不良の原因になりやすく、プロセスの歩留まりを大きく低下させる。
【０００８】
一方で、クラスタツールのスループットを上げるには、プラットホーム内の搬送装置の高速動作が求められ、高速動作やスライド動作にグリースは欠かせないものになっており、グリースレスのスライド機構やグリース代替品は現実的には採用するのが難しい。
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、真空搬送室内で被処理体を不所望なガスの汚染から保護して真空プロセスの歩留まりを向上させる真空処理装置および真空搬送装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の真空処理装置は、室内が減圧状態に保たれる真空搬送室と、前記真空搬送室に隣接して設けられ、減圧下の室内で被処理体に所定の処理が行われる１つまたは複数の真空処理室と、前記真空搬送室に隣接して設けられ、室内が選択的に大気状態または減圧状態に切り換えられ、大気空間と前記真空搬送室との間で転送される被処理体を一時的に留め置くロードロック室と、前記真空搬送室内で移動可能に設けられ、特定のガスをトラップするためのガスフィルタを有するボックスと、前記真空処理室または前記ロードロック室に対して被処理体の搬入出を行うために前記ボックス内の原位置と前記ボックスの外の往動位置との間で伸縮可能に構成された搬送アームとを有し、被処理体を前記ボックス内の原位置に後退させている前記搬送アームで支持して前記真空搬送室内を搬送する真空搬送装置とを有する。
【００１１】
また、本発明の真空搬送装置は、室内が減圧状態に保たれる真空搬送室の周囲に、前記真空搬送室に隣接して設けられ、減圧下の室内で被処理体に所定の処理が行われる１つまたは複数の真空処理室と、前記搬送室に隣接して設けられ、室内が選択的に大気状態または減圧状態に切り換えられ、大気空間と前記真空搬送室との間で転送される被処理体を一時的に留め置く１つまたは複数のロードロック室とを配置する真空処理装置において、前記真空搬送室と前記真空処理室または前記ロードロック室との間で被処理体の受け渡しを行うために前記真空搬送室内に設けられる真空搬送装置であって、特定のガスをトラップするためのガスフィルタを有するボックスと、前記真空処理室または前記ロードロック室に対して被処理体の搬入出を行うために前記ボックス内の原位置と前記ボックスの外の往動位置との間で伸縮可能に構成された搬送アームとを有し、被処理体を前記ボックス内の原位置に後退させている前記搬送アームで支持して前記真空搬送室内を搬送する。
【００１２】
本発明の真空処理装置または真空搬送装置においては、真空搬送室内で被処理体を搬送するときは、該被処理体がボックス内で搬送アームに支持されるので、真空搬送室内に不所望な汚染ガス（たとえばグリースから放出されるガス）が浮遊していても被処理体に影響するおそれはない。また、そのような汚染ガスをトラップするガスフィルタがボックスに取り付けられているので、被処理体を汚染ガスから保護し、あるいは室内の汚染ガスを除去し、さらにはボックス内の圧力を真空搬送室内と同じ圧力に保つことができる。
【００１３】
なお、本発明においては、不所望な汚染ガスを選択的に除去するための任意の方式または種類のガスフィルタが使用可能であり、たとえばガスを吸着または反応・固定化するタイプのガスフィルタ、あるいは触媒により分解・除去するタイプのガスフィルタ等を好適に用いることができる。
【００１４】
本発明の好ましい一態様においては、ボックスに、搬送アームが通り、被処理体が出入りするための開口を設けられ、さらには開口に開閉扉が取り付けられる。ガスフィルタを窓にすることで、この開閉扉を閉めても、ボックスの内外で圧力差が生じないようにすることができる。
【００１５】
また、好ましい一態様においては、搬送機構が、真空搬送室内に敷設されるガイドレールと、このガイドレールに沿ってボックスを移動させるためにガイドレール上でスライド移動するスライダ部とを有する。この場合、真空搬送室を水平な一方向に最も長い一対の辺を有する多角形に形成されてよく、その長辺とガイドレールが平行に延びてよく、さらには一長辺に沿って真空処理室が複数台並べて配置されてよい。
【００１６】
スライダ部は、典型的には、ボールねじ機構あるいはリニアモータを有するものでよい。本発明においては、上記のように被処理体をグリース放出ガスから保護できるので、真空搬送装置の搬送動作の高速化、搬送精度の向上を図るうえでスライダ部やガイドレール等にグリースを気兼ねなく使用することができる。
【００１７】
また、真空搬送装置はボックスを旋回させるための旋回駆動部を有してよく、この旋回駆動部でもグリースを気兼ねなく使用することができる。
【００１８】
本発明の真空処理装置においては、真空搬送室と真空処理室との間、および真空搬送室とロードロック室との間にゲートバルブを設けられてよい。
【００１９】
本発明は、特に、少なくとも１つの真空処理室内で被処理体上に化学的気相成長法による薄膜形成が行われる場合に、大なる利点（真空搬送室雰囲気の汚染から被処理体を保護して真空プロセスの歩留まりを向上させること）がある。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の真空処理装置または真空搬送装置によれば、上記のような構成および作用により、真空搬送室内で被処理体を不所望なガスの汚染から保護して真空プロセスの歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００２２】
図１に、本発明の一実施形態に係るクラスタツール方式の真空処理装置の構成を示す。この真空処理装置は、クリーンルーム内に設置され、装置奥行き方向に延びる一対の辺が他の辺よりも約２倍長い六角形の形状を有する真空のプラットホーム（真空搬送室）ＰＨの周りに６つの真空プロセス・チャンバ（真空処理室）ＰＣ1，ＰＣ2，ＰＣ3，ＰＣ4，ＰＣ5，ＰＣ6と２つのロードロック・チャンバ（ロードロック室）ＬＬＣa，ＬＬＣbとをクラスタ状に配置している。
【００２３】
より詳細には、プラットホームＰＨには、図の時計回りの順序で、第１の長辺に２台のプロセス・チャンバＰＣ1，ＰＣ2がゲートバルブＧＶ1，ＧＶ2を介して連結され、第１および第２の短辺にプロセス・チャンバＰＣ3，ＰＣ4がゲートバルブＧＶ3，ＧＶ4を介してそれぞれ１台ずつ連結され、第２の長辺に２台のプロセス・チャンバＰＣ5，ＰＣ6がゲートバルブＧＶ5，ＧＶ6を介して連結され、第３および第４の短辺にロードロック・チャンバＬＬＣa，ＬＬＣbがゲートバルブＧＶa，ＧＶbを介してそれぞれ１台ずつ連結されている。
【００２４】
各々のプロセス・チャンバＰＣ1〜ＰＣ6は、専用の真空排気装置（図示せず）に接続されており、室内が可変の圧力で常時減圧状態に保たれる。典型的には、室内の中央部に配置した載置台１０の上に被処理体たとえば半導体ウエハＷを載せ、所定の用力（処理ガス、高周波等）を用いて所要の枚葉処理、たとえばＣＶＤ、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）あるいはスパッタ等の真空成膜処理、熱処理、半導体ウエハ表面のクリーニング処理、ドライエッチング加工等を行うようになっている。
【００２５】
プラットホームＰＨは、専用の真空排気装置１０に接続されており（図２）、室内が通常は一定の圧力で常時減圧状態に保たれる。室内には、伸縮可能な一対の搬送アーム１２，１４を有し、スライド動作、旋回動作および昇降動作等も可能な真空搬送ロボット（真空搬送装置）１６が設けられている。プラットホームＰＨおよび真空搬送ロボット１６の構成および作用は、後に詳細に説明する。
【００２６】
ロードロック・チャンバＬＬＣa，ＬＬＣbは、それぞれ開閉弁を介して専用の真空排気装置（図示せず）に接続されており、室内を大気圧状態および真空状態のいずれにも随時切り換えられるようになっている。プラットホームＰＨから見て反対側でロードロック・チャンバＬＬＣa，ＬＬＣbはそれぞれゲートバルブＧＶc，ＧＶdを介して大気圧下のローダ搬送室ＬＭに連結されている。ロードロック・チャンバＬＬＣa，ＬＬＣbの室内の中央部には留置中の半導体ウエハＷを載せる受渡台１８が配置されている。
【００２７】
ローダ搬送室ＬＭと隣接してロードポートＬＰおよびオリフラ合わせ機構ＯＲＴが設けられている。ロードポートＬＰは、外部搬送車との間でたとえば１バッチ２５枚の半導体ウエハＷを収納可能なウエハカセットＣＲの投入、払出しに用いられる。ここで、ウエハカセットＣＲはＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ボックスまたはポッドとして構成されている。オリフラ合わせ機構ＯＲＴは、半導体ウエハＷのオリエンテーションまたはノッチを所定の位置または向きに合わせるために用いられる。
【００２８】
ローダ搬送室ＬＭ内に設けられている大気搬送ロボット２０は、伸縮可能な一対の搬送アーム２２，２４を有し、リニアモータ２６のリニアガイド２８上で水平方向に移動可能であるとともに、昇降・旋回可能であり、ロードポートＬＰ、オリフラ合わせ機構ＯＲＴおよびロードロック・チャンバＬＬＭa，ＬＬＭbの間を行き来して半導体ウエハＷを枚葉単位（あるいはバッチ単位）で搬送する。ここで、大気搬送ロボット２０は、それぞれのウエハカセットＣＲ前面に設けられているＬＰドア２５の開状態において半導体ウエハＷをローダ搬送室ＬＭ内に搬入する。リニアガイド２８は、たとえば永久磁石からなるマグネット、駆動用磁気コイルおよびスケールヘッド等で構成され、制御部３０からのコマンドに応じて大気搬送ロボット２０の直線運動制御を行う。
【００２９】
ここで、ロードポートＬＰに投入されたウエハカセットＣＲ内の１枚のウエハにこのクラスタツール内で一連の処理を受けさせるための基本的なウエハ搬送シーケンスを説明する。
【００３０】
ローダ搬送室ＬＭ内の大気搬送ロボット２０は、ロードポートＬＰ上のウエハカセットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出し、この半導体ウエハＷをオリフラ合わせ機構ＯＲＴに搬送してオリフラ合わせを受けさせ、それが済んだ後にロードロック・チャンバＬＬＭa，ＬＬＭbのいずれか一方（たとえばＬＬＭa）に移送する。移送先のロードロック・チャンバＬＬＭaは、大気圧状態で半導体ウエハＷを受け取り、搬入後に室内を真空引きし、減圧状態で半導ウエハＷをプラットホームＰＨの真空搬送ロボット１６に渡す。
【００３１】
真空搬送ロボット１６は、搬送アーム１２，１４の片方を用いて、ロードロック・チャンバＬＬＭaより取り出した半導体ウエハＷを１番目のプロセス・チャンバ（たとえばＰＭ1）に搬入する。プロセス・チャンバＰＭ1内では、予め設定されたレシピにしたがい所定のプロセス条件（ガス、圧力、電力、時間等）で第１工程の枚葉処理が行われる。
【００３２】
この第１工程の枚葉処理が終了した後に、真空搬送ロボット１６は、半導体ウエハＷをプロセス・チャンバＰＭ1から搬出し、その搬出した半導体ウエハＷを次に２番目のプロセス・チャンバ（たとえばＰＭ2）に搬入する。この２番目のプロセス・チャンバＰＭ2でも、予め設定されたレシピにしたがい所定のプロセス条件で第２工程の枚葉処理が行われる。
【００３３】
この第２工程の枚葉処理が終了すると、真空搬送ロボット１６は、半導体ウエハＷを２番目のプロセス・チャンバＰＭ2から搬出し、その搬出した半導体ウエハＷを、次工程があるときは３番目のプロセス・チャンバ（たとえばＰＭ3）に搬入し、次工程がないときはロードロック・チャンバＬＬＭa，ＬＬＭbの片方に搬送する。３番目以降のプロセス・チャンバ（たとえばＰＭ5）で処理が行われた場合も、その後に次工程があるときは後段のプロセス・チャンバ（たとえばＰＭ6）に搬入し、次工程がないときはロードロック・チャンバＬＬＭa，ＬＬＭbの片方に戻す。
【００３４】
なお、プラットホームＰＨの真空搬送ロボット１６は、その周囲の各プロセス・チャンバＰＭ1〜ＰＭ6または各ロードロック・チャンバＬＬＭa，ＬＬＭbに対する１回のアクセスで、一対の搬送アーム１２，１４を交互に使用し、最初に当該モジュールから半導体ウエハＷを搬出し、次いでそれと入れ替わりに当該モジュールに別の半導体ウエハＷを搬入するピック＆プレース動作を行えるようになっている。
【００３５】
上記のようにしてクラスタツール内の複数のプロセス・チャンバＰＭ1，ＰＭ2・・で一連の処理を受けた半導体ウエハＷがロードロック・チャンバの片方（たとえばＬＬＭb）に搬入されると、このロードロック・チャンバＬＬＭbの室内は減圧状態から大気圧状態に切り替えられる。しかる後、ローダ搬送室ＬＭ内の大気搬送ロボット２０が、大気圧状態のロードロック・チャンバＬＬＭbから半導体ウエハＷを取り出して該当のウエハカセットＣＲに戻す。なお、ロードロック・チャンバＬＬＭa，ＬＬＭbにおいて滞在中の半導体ウエハＷに所望の雰囲気下で加熱または冷却処理を施すこともできる。
【００３６】
上記のように、このクラスタツール方式の真空処理装置は、減圧下のプラットホームＰＨを介して一つの半導体ウエハＷを複数のプロセス・チャンバに順次転送することで、当該半導体ウエハＷに一連の真空処理をインラインで連続的に施すことが可能であり、特に真空薄膜形成加工では複数のプロセス・チャンバで異なる成膜加工を連続的に行って所望の薄膜をインラインで積層形成することができる。
【００３７】
次に、図１〜図３につき、この実施形態におけるプラットホームＰＨ内の構成、特に真空搬送ロボット１６の構成および作用を説明する。
【００３８】
図示のように、プラットホームＰＨ内にはその長手方向に一対のガイドレール３２とボールねじ機構３４の送りねじ３６が平行に敷設されており、真空搬送ロボット１６はボールねじ機構３４の直進駆動によってガイドレール３２上をスライド移動できるようになっている。ボールねじ機構３４において、送りねじ３６の一端はモータ３８（図１）に結合されている。
【００３９】
真空搬送ロボット１６は、スライド動作を行うベース部４０と、ベース部４０上に旋回可能に取り付けられ、搬送アーム１２，１４を駆動するアーム駆動部４２と、アーム駆動部４２および搬送アーム１２，１４を収容するボックス４４とを有している。
【００４０】
ここで、ベース部４０は、ガイドレール３２に摺動可能に係合するガイド部４６と、送りねじ３６に螺合するボールねじ（図示せず）と、アーム駆動部４２およびボックス４４を任意の回転角で旋回させる旋回駆動部（図示せず）とを有している。アーム駆動部４２は、水平多関節ロボットからなる搬送アーム１２，１４を伸縮運動させて、上記のような半導体ウエハＷの搬入出またはピック＆プレース動作を行う。アーム駆動部４２、ベース部４０内の旋回駆動部、およびボールねじ機構３４（モータ３８）の各動作は制御部３０によって制御される。
【００４１】
ボックス４４の側壁には、搬送アーム１２，１４が伸縮運動する際に半導体ウエハＷを保持したまま通り抜けられる開口４８が形成され、この開口４８を開閉するための扉５０が取り付けられている。この開閉扉５０も、制御部３０の制御の下でアクチエータ（図示せず）により開閉駆動されるようになっている。
【００４２】
ボックス４４は、搬送アーム１２，１４が半導体ウエハＷを保持してボックス４４内に設定されている伸縮運動の原位置に後退しているときにその半導体ウエハＷもすっぽり収容する空間スペースを有している。
【００４３】
ボックス４４の側壁には、周回方向の少なくとも一壁面に、好ましくは開口４８の付いている正面を除く全壁面にガスフィルタ５２の窓が取り付けられている。このガスフィルタ５２は、たとえば中空糸膜からなり、特定のガス、典型的にはグリースが気化することにより放出されるガス（特に有機物のガス）を吸着してトラップする。
【００４４】
ここで、プラットホームＰＨ内では、真空搬送ロボット１６の殆ど全ての可動部（特に軸受や摺接部等）にグリースが使用されており、とりわけボールねじ機構３４の送りねじ３６やガイドレール３２は露出しているために、それらに塗られているグリースから放出されるガスがプラットホームＰＨの室内に拡散しやすい。ガスは、パーティクルとは異なり、上下左右に拡散または浮遊するので、半導体ウエハＷがカバー等で覆われても微小な隙間があればそこを通り抜けてウエハＷに容易に付着することができる。
【００４５】
この実施形態では、このようにプラットホームＰＨ内で使用されるグリースから放出されたガスのうち、一部はプラットホームＰＨの底に設けられた排気口５４から排気管５６を通って真空排気装置１０側へ排出され、残りはプラットホームＰＨの室内で浮遊し、ボックス４４のガスフィルタ５２に付着したものはそこでトラップされる。いずれにしても、プラットホームＰＨ内でグリースから放出されたガスが、ボックス４４内に収容されている搬送中の半導体ウエハＷに実質的な程度（プロセスに悪影響を与えるほど）に付着するおそれはない。
【００４６】
ガスフィルタ５２はグリース放出ガス以外の雰囲気ガスたとえば不活性ガス等を通すので、半導体ウエハＷの搬送中に開閉扉５０を閉めている間もボックス４４の内外の圧力差は実質的に零である。これにより、開閉扉５０の開閉動作に圧力の抗力が働くことはなく、開閉扉５０を開けた際に開口４８を通って気流が発生したり、パーティクルが巻き上がるようなこともない。
【００４７】
上記のように、この実施形態の真空処理装置においては、プラットホームＰＨ内で稼動する真空搬送ロボット１６の搬送アーム１２，１４がロボット本体に取り付けられたボックス４４の中の原位置とボックス４４の外の往動位置との間で伸縮動作するように構成し、原位置で半導体ウエハＷを保持しているときは、その半導体ウエハＷもボックス４４内に収容されるようにしている。
【００４８】
かかる構成によれば、プラットホームＰＨ内でグリース放出ガスまたはコンタミネーションの原因になる他の不所望なガスが如何様に（たとえば多量に）浮遊しても、ガスフィルタ５２を備えるボックス４４により半導体ウエハＷを不所望ガスの浮遊する雰囲気から隔離して、真空搬送ロボット１６により搬送される半導体ウエハＷに対するガス汚染を防止できるので、クラスタツールにおける真空プロセス、特に真空薄膜形成プロセスの歩留まりを大きく向上させることができる。
【００４９】
さらには、グリースを大量に使用するスライド機構を採用してもグリースから放出されるガスの影響を軽減できるので、被処理体のサイズ、プラットホームのサイズ・形状、プロセス・チャンバのサイズ・形状・搭載台数等に左右されない理想的なプラットホームを提供することができる。このことによって、クラスタツール方式における装置レイアウトの自由度、装置性能および処理効率を一層向上させることができる。
【００５０】
以上本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形・変更が可能である。
【００５１】
たとえば、本発明の効果をある程度減少させることになるが、ボックス４４において開閉扉５０を省く構成、つまり開口４８を常時開けたままにしておく構成も可能である。ボックス４４に取り付けるガスフィルタ５２の窓の位置、形状、サイズは任意に選定できる。ガスフィルタ５２の材質やトラップ方式（吸着方式、触媒方式等）も任意に選択してよい。図示省略するが、ボールねじ機構３４に換えてリニアモータなどの他のスライド機構を使用することも可能である。また、ボックス４４の内部に、たとえば内壁にガスフィルタ５２を取り付ける構成も可能である。
【００５２】
なお、ローダ搬送室ＬＭ内の大気搬送ロボット２０でもグリースが使用され、そのグリースからガスが放出されるが、ローダ搬送室ＬＭ内は天井のＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）からのダウンフローの清浄空気が流れているので、グリース放出ガスが室内に拡散することはなく、半導体ウエハＷが汚染されるおそれはない。しかし、ローダ搬送室ＬＭ内でそのようなダウンフローの清浄空気を流さない場合などには、大気搬送ロボット２０に上記実施形態におけるボックス４４と同様の構成および機能を有するボックスを装着してもよい。
【００５３】
本発明における被処理体は、半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ基板などガス汚染が懸念される他の被処理体であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態におけるクラスタツール方式の真空処理装置の構成を示す略平面図である。
【図２】上記真空処理装置におけるプラットホーム（真空搬送室）内の構成を模式的に示す断面図である。
【図３】上記真空処理装置における真空搬送ロボットの要部の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０    真空排気装置
１２，１４    搬送アーム
１６    真空搬送ロボット  
３２    ガイドレール
３４    ボールねじ機構
３６    送りねじ
４０    ベース部    
４２    アーム駆動部
４４    ボックス
４６    ガイド部
４８    開口
５０    開閉扉
５２    ガスフィルタ窓
ＰＨ    プラットホーム（真空搬送室）
ＰＣ1〜ＰＣ6    プロセス・チャンバ（真空処理室）
ＬＬＭa，ＬＬＭb    ロードロック・チャンバ（ロードロック室）
【図１】
2010080469.tif 000003
【図２】
2010080469.tif 000004
【図３】
2010080469.tif 000005