(57)【要約】【課題】アンテナ特性の劣化をほとんど招くことなく、放射電極に侵入した静電気の周波数可変回路への流入を防止すると共に、静電気のグランド領域への流出を可能にしたアンテナ装置及び無線通信機を提供する。【解決手段】アンテナ装置１は給電電極２と周波数可変回路３と放射電極４−１，４−２とを備えると共に、静電気対策構造を備える。即ち、コンデンサ５−１，５−２を放射電極４−１，４−２の一方端部４０，４０上に設け、ＥＳＤサプレッサ６を放射電極４−１，４−２の間に介設した。そして、インダクタ６０をグランド領域１０２に近い放射電極４−１の中途部とグランド領域１０２との間に接続した。これにより、放射電極４−１，４−２に入り込んだ静電気をコンデンサ５−１，５−２で周波数可変回路３前段で阻止すると共に、ＥＳＤサプレッサ６やインダクタ６０を通じてグランド領域１０２に流出させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方端部が給電部に接続された給電電極と、この給電電極の他方端部に接続された周波数可変回路と、一方端部がこの周波数可変回路を介して上記給電電極の他方端部に接続され且つ他方端部が開放された複数の放射電極とを、基板の非グランド領域に備えるアンテナ装置であって、
上記複数の放射電極の一方端部上に、低周波カット用コンデンサをそれぞれ設け、
且つ、上記複数の放射電極の間に、静電気放出用素子をそれぞれ介設すると共に、
これら複数の放射電極のうちの一の放射電極を、上記静電気放出用素子とは別体の静電気放出用素子を用いて、グランド領域に接続した、
ことを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
上記別体の静電気放出用素子を用いてグランド領域に接続される上記一の放射電極は、全部又はその一部が他の放射電極よりもグランド領域に最も近い放射電極である、
ことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
上記複数の放射電極の間に介設した静電気放出用素子は、ＥＳＤ（ElectroStatic Discharge）サプレッサであり、
上記一の放射電極とグランド領域とに接続した上記別体の静電気放出用素子は、ＥＳＤサプレッサ，インダクタ又は抵抗のいずれかである、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
上記給電電極と周波数可変回路とを誘電体チップ上に形成すると共に、
上記複数の放射電極の全て又は一部を当該誘電体チップ上に形成した、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項５】
上記複数の放射電極のうち、いずれかの放射電極に、金属板体等の補助放射電極を接続した、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項６】
上記周波数可変回路は、容量値を制御電圧で変化可能な可変容量ダイオード等の可変容量素子を含むリアクタンス可変回路である、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のアンテナ装置を具備する、
ことを特徴とする無線通信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、静電気対策が施されたアンテナ装置及び無線通信機に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機では、アンテナが人体に接触すると、静電気がアンテナを通じて受信回路内に流れ込み、受信回路を破壊するおそれがある。このため、例えば、特許文献１及び特許文献２に開示のループアンテナを有するアンテナ装置では、機器の受信回路や周波数可変回路の前段に低周波カット用コンデンサをそれぞれ設けると共に、静電気放出用素子である抵抗をアンテナとグランドとの間に接続して、流入した静電気から受信回路や周波数可変回路を守ると共に、静電気をグランドに流出する構成をとっている。
しかし、例えば、特許文献３に開示のモノポールアンテナのように、グランド領域の近傍に狭い非グランド領域を設け、この非グランド領域内に周波数可変回路や放射電極を配置したアンテナ装置では、受信回路を静電気から守る構造にはなっているものの、周波数可変回路を静電気から守る構造にはなっていない。
このため、このようなアンテナ装置では、アンテナに入り込んだ静電気が、周波数可変回路内に流入し、周波数可変回路に何等かの影響を与えるおそれがある。
そこで、このようなアンテナ装置においても、低周波カット用コンデンサを周波数可変回路の前段に配置すると共に、静電気放出用素子を放射電極からグランド領域に接続する必要がある。
【０００３】
【特許文献１】特開平４−２２７３０１号公報
【特許文献２】特開平８−３３０８２６号公報
【特許文献３】国際公開２００４／１０９８５０号パンフレット
【特許文献４】国際公開２００６／０８０１４１号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献３に開示されたようなアンテナ装置では、周波数可変回路や放射電極を非グランド領域内に作り込む構成になっている。このようなアンテナ装置でも、放射電極が１つの場合、すなわち、１つの共振周波数を用いて送受信する構成の場合には、上述したループアンテナのように、低周波カット用コンデンサを周波数可変回路の前段に配置すると共に、静電気放出用素子を放射電極からグランド領域に接続することで、静電気対策をとることができる。
しかしながら、例えば、特許文献４に開示のアンテナ装置のように、共振周波数の異なる複数の放射電極を非グランド領域内に形成したマルチバンドのアンテナ装置では、複数の放射電極のそれぞれに静電気放出用素子を接続し、それぞれの静電気放出用素子をグランド領域に接続する必要がある。
静電気放出用素子を通じて、複数の放射電極をグランド領域に接続するには、複数の放射電極の全てを、グランド領域側に近づける必要がある。このように多くの放射電極をグランド領域に近づけたり、多くの静電気放出用素子を放射電極からグランド領域に渡したりすると、アンテナ特性が劣化してしまう。特に、放射電極の開放端をグランド領域に近づけると、アンテナ特性が著しく劣化してしまうのである。
このため、周波数可変回路や多数の放射電極を狭い非グランド領域内に作り込んだマルチバンド型のアンテナ装置１において、アンテナ特性の劣化を招くことなく、確実な静電気対策をとることができるアンテナ装置の登場が期待されていた。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、アンテナ特性の劣化をほとんど招くことなく、放射電極に侵入した静電気の周波数可変回路への流入を防止すると共に、静電気のグランド領域への流出を可能にしたマルチバンド型のアンテナ装置及び無線通信機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、一方端部が給電部に接続された給電電極と、この給電電極の他方端部に接続された周波数可変回路と、一方端部がこの周波数可変回路を介して給電電極の他方端部に接続され且つ他方端部が開放された複数の放射電極とを、基板の非グランド領域に備えるアンテナ装置であって、複数の放射電極の一方端部上に、低周波カット用コンデンサをそれぞれ設け、且つ、複数の放射電極の間に、静電気放出用素子をそれぞれ介設すると共に、これら複数の放射電極のうちの一の放射電極を、静電気放出用素子とは別体の静電気放出用素子を用いて、グランド領域に接続した構成とする。
かかる構成により、給電電極と周波数可変回路と複数の放射電極とによって、複数の共振周波数による送受信が可能となる。そして、周波数可変回路によって、各共振周波数を変化させることができる。
ところで、複数の放射電極のいずれかが人体等に接触して、静電気が当該放射電極に入り込むことがある。すると、静電気は、当該放射電極を通じて周波数可変回路側に向かい、周波数可変回路内に流入しようとする。
しかし、この発明のアンテナ装置では、低周波カット用コンデンサが、複数の放射電極の一方端部上にそれぞれ設けられているので、放射電極に入り込んだ静電気は、この低周波カット用コンデンサによって阻止され、静電気が周波数可変回路内に流入することはない。また、この発明のアンテナ装置では、静電気放出用素子が複数の放射電極の間に、それぞれ介設され、しかも、複数の放射電極のうちの一の放射電極が、別体の静電気放出用素子によってグランド領域に接続されているので、放射電極に入り込んだ静電気は、静電気放出用素子を通じて、上記一の放射電極に流れ、別体の静電気放出用素子を通じてグランド領域に流出される。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載のアンテナ装置において、別体の静電気放出用素子を用いてグランド領域に接続される一の放射電極は、全部又はその一部が他の放射電極よりもグランド領域に最も近い放射電極である構成とした。
かかる構成により、一の放射電極の全部又は一部だけが、グランド領域に近づいて接続された状態になり、この他の放射電極は、グランド領域に接続されず、しかも、グランド領域から離れた状態にある。この結果、アンテナ特性の劣化を最小限に抑えることができる。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載のアンテナ装置において、複数の放射電極の間に介設した静電気放出用素子は、ＥＳＤ（ElectroStatic Discharge）サプレッサであり、一の放射電極とグランド領域とに接続した別体の静電気放出用素子は、ＥＳＤサプレッサ，インダクタ又は抵抗のいずれかである構成とした。
かかる構成により、複数の放射電極がＥＳＤサプレッサによって接続された状態になるが、ＥＳＤサプレッサの容量が極めて小さいので、このＥＳＤサプレッサによるアンテナ特性の劣化は生じない。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のアンテナ装置において、給電電極と周波数可変回路とを誘電体チップ上に形成すると共に、複数の放射電極の全て又は一部を誘電体チップ上に形成した構成とする。
かかる構成により、周波数可変回路の構成部品を誘電体チップ上に立体的に実装することができるので、その分、アンテナ装置の小型化を図ることができる。また、放射電極の開放端部における容量結合を強めることができるので、その分、高周波の共振周波数を周波数可変回路によって容易に制御することができるようになる。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のアンテナ装置において、複数の放射電極のうち、いずれかの放射電極に、金属板体等の補助放射電極を接続した構成とする。
かかる構成により、アンテナ特性のさらなる向上を図ることができる。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のアンテナ装置において、周波数可変回路は、容量値を制御電圧で変化可能な可変容量ダイオード等の可変容量素子を含むリアクタンス可変回路である構成とした。
かかる構成により、制御電圧で可変容量素子の容量値を変化させて、リアクタンス可変回路のリアクタンス値を変化させることにより、各共振周波数を変化させることができる。
【００１２】
請求項７の発明に係る無線通信機は、  請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のアンテナ装置を具備する構成とした。
【発明の効果】
【００１３】
以上詳しく説明したように、この発明のアンテナ装置によれば、放射電極に入り込んだ静電気を低周波カット用コンデンサによって阻止すると共に、放射電極に入り込んだ静電気を静電気放出用素子を通じて一の放射電極に流し、別体の静電気放出用素子を通じてグランド領域に流出することができるので、アンテナ特性の劣化をほとんど招くことなく、放射電極に侵入した静電気の周波数可変回路への流入の防止と、静電気のグランド領域への流出を図ることができるという優れた効果がある。
【００１４】
特に、請求項２及び請求項３の発明によれば、アンテナ特性の劣化を最小限に抑えることができるという効果がある。
【００１５】
また、請求項４の発明によれば、アンテナ装置の小型化を図ることができると共に高周波の共振周波数を周波数可変回路によって容易に制御することができるという効果がある。
【００１６】
また、請求項５の発明によれば、アンテナ特性のさらなる向上を図ることができる。
【００１７】
また、この発明の無線通信機によれば、静電気に対する耐性が高く、しかも、アンテナ特性の劣化がほとんどない送受信が可能となるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、この発明の第１実施例に係るアンテナ装置を示す概略平面図である。
この実施例のアンテナ装置１は、携帯電話等の無線通信機に設けられている。
図１に示すように、アンテナ装置１は、給電電極２と周波数可変回路３と複数の放射電極４−１，４−２とを備え、無線通信機の筐体（図示せず）に収納された基板１００の上に構成されている。
【００２０】
給電電極２は、その一方端部２０を給電部１１０に接続した状態で、非グランド領域１０１にパターン形成されている。具体的には、インダクタ１１１が給電部１１０と給電電極２の一方端部２０とに接続され、インダクタ１１２が給電部１１０とグランド領域１０２とに接続されており、整合回路がこれらインダクタ１１１，１１２とによって非グランド領域１０１上に形成されている。これにより、給電電極２の一方端部２０がこの整合回路を介して給電部１１０に接続された状態になっている。
【００２１】
周波数可変回路３は、後述する放射電極４−１，４−２の共振周波数を変化させるための回路であり、非グランド領域１０１に形成されている。具体的には、周波数可変回路３の一方端が給電電極２の他方端部２１に接続され、他方端が放射電極４−１，４−２の一方端部４０，４０にそれぞれ接続された状態で、給電電極２と放射電極４−１，４−２との間に介設されている。
この周波数可変回路３は、容量値を制御電圧で変化可能な可変容量素子である可変容量ダイオード３１，３２を含むリアクタンス可変回路である。詳しくは、直列の抵抗３３とインダクタ３４とが、給電電極２の他方端部２１と放射電極４−１の一方端部４０との間に接続されている。また、直列のインダクタ３５と可変容量ダイオード３１とインダクタ３６とが、給電電極２の他方端部２１と放射電極４−２の一方端部４０との間に接続されている。さらに、可変容量ダイオード３２が、可変容量ダイオード３１のカソード側と抵抗３３との間に、そのカソード側を可変容量ダイオード３１のカソード側に向けた状態で接続されている。
そして、同調電圧源１２０が、抵抗１２１を介して、可変容量ダイオード３１，３２のカソード側に接続されている。なお、符号１２２は、電流源へのＲＦ信号の流入カットのコンデンサである。
【００２２】
一の放射電極としての放射電極４−１は、他方端部４１が開放され且つ一方端部４０が周波数可変回路３のインダクタ３４に接続されたコ字状のパターンであり、非グランド領域１０１上にパターン形成されている。
放射電極４−２も、同様に、他方端部４１が開放され且つ一方端部４０が周波数可変回路３のインダクタ３６に接続されたコ字状のパターンであり、非グランド領域１０１上にパターン形成されている。
このような放射電極４−１は放射電極４−２の外側に配されており、この放射電極４−１が放射電極４−２よりもグランド領域１０２に近づいた状態になっている。
【００２３】
かかる構成により、給電電極２と周波数可変回路３と放射電極４−１とで、例えば、ＵＨＦ帯の低い共振周波数を有するアンテナ部を形成し、給電電極２と周波数可変回路３と放射電極４−２とで、例えば、高い共振周波数を有するアンテナ部を形成することができる。そして、同調電圧源１２０からの制御電圧としての同調電圧Ｖcを周波数可変回路３に印加して、周波数可変回路３のリアクタンス値を変えることにより、これらアンテナ部の共振周波数を変化させることができる。
【００２４】
このようなアンテナ装置１には、静電気対策がなされている。
すなわち、低周波カット用コンデンサ５−１が放射電極４−１の一方端部４０上に設けられ、低周波カット用コンデンサ５−２が放射電極４−２の一方端部４０上に設けられている。例えば、アンテナ装置１を高周波帯で使用する場合には、低周波カット用コンデンサ５−１，５−２の容量値は大きい方がよい。ただし、静電気のような低周波を阻止するために小さくする必要がある。例えば、デジタルテレビジョン放送のＵＨＦ帯の周波数で使用する場合には、３０ｐＦ程度の低周波カット用コンデンサ５−１，５−２を用いることが好ましい。
また、静電気放出用素子であるＥＳＤサプレッサ６が、放射電極４−１，４−２の間に介設されている。低周波カット用コンデンサ５−１，５−２と同様に、アンテナ装置１を高周波帯で使用する場合には、ＥＳＤサプレッサ６の容量値は小さい方がよい。例えば、ＵＨＦ帯で使用する場合には、０．０５ｐＦ程度のＥＳＤサプレッサ６を用いることが好ましい。このように、容量の極めて小さなＥＳＤサプレッサ６を用いることで、通常時において、放射電極４−１，４−２間を高周波に対してオープン状態にしておくことができる。
さらに、別体の静電気放出用素子であるインダクタ６０が、グランド領域１０２に近い放射電極４−１の中途部とグランド領域１０２との間に接続されている。アンテナ装置１を高周波帯で使用する場合には、インダクタ６０のインダクタンス値は大きい方がよい。例えば、ＵＨＦ帯の周波数で使用する場合には、１６０ｎＨ以上のインダクタ６０を用いることが好ましい。
【００２５】
次に、この実施例のアンテナ装置が示す作用及び効果について説明する。
図２は、静電気が、複数の放射電極のうち一方の放射電極に入り込んだ場合の静電気放出作用を示す概略平面図であり、図３は、静電気が、複数の放射電極のうち他方の放射電極に入り込んだ場合の静電気放出作用を示す概略平面図である。
図１において、給電電極２と周波数可変回路３と放射電極４−１とで構成されるアンテナ部を使用することで、例えば、ＵＨＦ帯での低い周波数で送受信を行うことができる。また、給電電極２と周波数可変回路３と放射電極４−２とで構成されるアンテナ部を使用することで、例えば、ＵＨＦ帯での高い周波数で送受信を行うことができる。
そして、同調電圧源１２０からの制御電圧としての同調電圧Ｖcを周波数可変回路３に印加して、周波数可変回路３のリアクタンス値を変えることにより、これらアンテナ部の共振周波数を変化させることができる。
【００２６】
上記のように、通常の使用時においては、高周波電流が放射電極４−１，４−２を流れるので、小さな容量値のＥＳＤサプレッサ６が高周波電流に対して堰として機能する。このため、通常時は、放射電極４−１，４−２間はオープン状態になっている。また、放射電極４−１とグランド領域１０２との間も、インダクタ６０によってオープン状態になっている。
【００２７】
そして、図２に示すように、人体等が放射電極４−１に接触して、静電気Ｑが放射電極４−１に入り込んだ場合には、静電気Ｑは、放射電極４−１を通じて周波数可変回路３側に流れる。このとき、静電気Ｑの周波数が非常に低いので、ＥＳＤサプレッサ６のインピーダンスが低下し、放射電極４−１，４−２間がショート状態になる。この結果、放射電極４−１上の静電気Ｑの一部が、ＥＳＤサプレッサ６を介して放射電極４−２に侵入し、放射電極４−２を通じて周波数可変回路３側に流れる。
しかし、この実施例のアンテナ装置１では、上記したように、低周波カット用コンデンサ５−１，５−２が周波数可変回路３前段にある放射電極４−１，４−２の一方端部４０，４０上に設けられているので、周波数可変回路３側に向かう静電気Ｑは、これらの低周波カット用コンデンサ５−１，５−２によって阻止される。
そして、静電気Ｑの大部分は、放射電極４−１からインダクタ６０を通じてグランド領域１０２に流出される。
【００２８】
また、図３に示すように、人体等が放射電極４−２に接触して、静電気Ｑが放射電極４−２に入り込んだ場合には、静電気Ｑは、放射電極４−２を通じて周波数可変回路３側に流れる。このとき、放射電極４−１上の静電気Ｑの一部が、ＥＳＤサプレッサ６を介して放射電極４−１に侵入し、放射電極４−１を通じて周波数可変回路３側に流れる。
しかし、この場合においても、低周波カット用コンデンサ５−１，５−２が、周波数可変回路３側に向かう静電気Ｑを阻止する。そして、静電気Ｑの大部分は、放射電極４−１からインダクタ６０を通じてグランド領域１０２に流出される。
【００２９】
以上のように、この実施例のアンテナ装置１によれば、静電気対策が確実になされる。そして、かかる静電気対策構造を採用したことによって、アンテナ特性の劣化はほとんど生じない。
すなわち、放射電極４−１のみがグランド領域１０２に近づいて接続した状態になり、他の放射電極４−２は、ＥＳＤサプレッサ６を介して放射電極４−１に接続され、グランド領域１０２に接続されていない。しかも、放射電極４−２はグランド領域１０２から離れた状態にある。このため、アンテナ特性劣化の原因となるグランド領域１０２との接続や近接は、放射電極４−１だけで済み、アンテナ特性の劣化を最小限に抑えることができる。そして、ＥＳＤサプレッサ６は、通常、放射電極４−１，４−２間をオープン状態にしており、ＥＳＤサプレッサ６を介設したことによるアンテナ特性の劣化はない。
【実施例２】
【００３０】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図４は、この発明の第２実施例に係るアンテナ装置を示す概略斜視図であり、図５は、誘電体チップを基板から分離した状態を示す分解斜視図であり、図６は、誘電体チップの展開図である。
この実施例は、アンテナ装置の構成部品を誘電体チップに組み付けた点が、上記第１実施例と異なる。
図４において、符号７が誘電体チップであり、この誘電体チップ７に、給電電極２と周波数可変回路３の全てと放射電極４−１，４−２の大半部が形成されている。
【００３１】
具体的には、  給電電極２が、誘電体チップ７の前面７１の右側縁に形成され、非グランド領域１０１上に形成された導体パターン１１３を通じて給電部１１０に接続されている。そして、周波数可変回路３の構成部品である可変容量ダイオード３１，３２と抵抗３３とインダクタ３４〜３６も、前面７１に実装されている。
【００３２】
放射電極４−１は、一方端部４０と部分電極４−１ａ，４−１ｂ，４−１ｄと他方端部４１とで形成されている。詳しくは、放射電極４−１の一方端部４０が前面７１に設けられ、この一方端部４０と連続する部分電極４−１ａが、下面７４から後面７３に渡って設けられている。そして、下面７４の左角部に設けられた部分電極４−１ａの端部４−１ａ′が、基板表面側に設けられた部分電極４−１ｂに上から接続されている。部分電極４−１ｂは、スルーホール４−１ｃを通じて、基板裏面側に設けられた部分電極４−１ｄ（二点鎖線で示されている）に接続され、部分電極４−１ｄは、スルーホール４−１ｅを通じて、基板表面の他方端部４１に接続されている。
一方、放射電極４−２は、一方端部４０と部分電極４−２ａと他方端部４１とで形成されている。詳しくは、放射電極４−２の一方端部４０が誘電体チップ７の前面７１に設けられ、低周波カット用コンデンサ５−２を介してこの一方端部４０と連続する部分電極４−２ａが、前面７１上縁と上面７２の左縁と後面７３の上縁及び右縁に渡って設けられている。そして、下面７４の右角部に設けられた部分電極４−２ａの端部４−２ａ′が、基板表面側に設けられた他方端部４１に上から接続されている。
【００３３】
低周波カット用コンデンサ５−１，５−２は、上記の如く、誘電体チップ７の前面７１上に設けられた放射電極４−１，４−２の一方端部４０，４０に実装され、ＥＳＤサプレッサ６は、放射電極４−１の他方端部４１と放射電極４−２の他方端部４１との間に接続されている。そして、インダクタ６０は、放射電極４−１の他方端部４１からグランド領域１０２迄延出された導体パターン１３０上に実装されている。
上記第１実施例では、ＥＳＤサプレッサ６やインダクタ６０が放射電極４−１，４−２の中途部に実装されたが、この実施例では、放射電極４−１，４−２の開放端部４１に接続されている。
【００３４】
この実施例では、以上のように、周波数可変回路３の構成部品を誘電体チップ７上に立体的に実装したので、アンテナ装置１の小型化を図ることができる。また、放射電極４−１，４−２の開放端部４１，４１近傍の容量結合が強まるので、その分、高周波の共振周波数を周波数可変回路３によって容易に制御することができるようになる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００３５】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図７は、この発明の第３実施例に係るアンテナ装置を示す斜視図である。
この実施例は、補助放射電極としての金属板体を設けた点が、上記第３実施例と異なる。
具体的には、距離Ｌ字状に折れ曲がった金属板体８を放射電極４−１の他方端部４１上に立設した。
かかる構成により、アンテナ装置１のアンテナ特性のさらなる向上を図ることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第３実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例４】
【００３６】
次に、この発明の第４実施例について説明する。
図８は、この発明の第４実施例に係るアンテナ装置を示す概略平面図である。
この実施例は、多数の放射電極４−１〜４−ｎを設けて、多共振化を図った点が、上記第１ないし第３実施例と異なる。
具体的には、図８に示すように、ｎ−２数（ｎは３以上の整数）の放射電極４−３〜４−ｎを放射電極４−１，４−２の間に順次配する。周波数可変回路３は、放射電極４−１が接続された直列の抵抗３３及びインダクタ３４と放射電極４−２が接続された直列のインダクタ３５，可変容量ダイオード３１及びインダクタ３６との間に、抵抗３３とインダクタ３４の直列回路を並列に接続すると共に、可変容量ダイオード３２を各直列回路から可変容量ダイオード３１のカソード側にそれぞれ接続した構成とする。
そして、放射電極４−３〜４−ｎの一方端部４０を、抵抗３３とインダクタ３４の直列回路に接続し、低周波カット用コンデンサ５−３〜５−ｎを、各一方端部４０上に設けた。
第１実施例と同様に、グランド領域１０２に最も近い放射電極４−１には、インダクタ６０が設けられ、インダクタ６０がグランド領域１０２に接続されている。そして、ＥＳＤサプレッサ６が、ｎ数の放射電極４−１〜４−ｎの間に接続されている。
かかる構成により、アンテナ特性を劣化させることなく、静電気対策が図れる多共振のアンテナ装置を実現することができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第３実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００３７】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、放射電極４−１とグランド領域１０２とに接続した別体の静電気放出用素子として、インダクタ６０を採用した例を示したが、この別体の静電気放出用素子として、ＥＳＤサプレッサや抵抗等も採用することができることは勿論である。
また、上記第２及び第３実施例では、  放射電極４−１，４−２の一部を誘電体チップ７上に形成した例を示したが、放射電極４−１，４−２の全部を誘電体チップ７上に形成しても良いことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】この発明の第１実施例に係るアンテナ装置を示す概略平面図である。
【図２】静電気が、複数の放射電極のうち一方の放射電極に入り込んだ場合の静電気放出作用を示す概略平面図である。
【図３】静電気が、複数の放射電極のうち他方の放射電極に入り込んだ場合の静電気放出作用を示す概略平面図である。
【図４】この発明の第２実施例に係るアンテナ装置を示す概略斜視図である。
【図５】誘電体チップを基板から分離した状態を示す分解斜視図である。
【図６】誘電体チップの展開図である。
【図７】この発明の第３実施例に係るアンテナ装置を示す斜視図である。
【図８】この発明の第４実施例に係るアンテナ装置を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…アンテナ装置、  ２…給電電極、  ３…周波数可変回路、  ４−１，４−２〜４−ｎ…放射電極、  ４−１ａ，４−１ｂ，４−１ｄ，４−２ａ…部分電極、  ４−１ｃ，４−１ｅ…スルーホール、  ４−１ａ′，４−２ａ′…端部、  ５−１，５−２〜５−ｎ…低周波カット用コンデンサ、  ６…ＥＳＤサプレッサ、  ７…誘電体チップ、  ８…金属板体、  ２０，４０…一方端部、  ２１，４１…他方端部、  ３１，３２…可変容量ダイオード、  ３３…抵抗、  ３４〜３６，６０…インダクタ、  ７１…前面、  ７２…上面、  ７３…後面、  ７４…下面、  １００…基板、  １０１…非グランド領域、  １０２…グランド領域、  １１０…給電部。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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