(57)【要約】【課題】コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制する。【解決手段】コンタクトホール形成方法は、第１レジストパターンをマスクとして、第２材料を含んでなる第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、第１材料を含んでなる第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、第２レジストパターンをマスクとして、第４材料を含んでなる第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、第３材料を含んでなる第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程とを備える。第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが第２材料に比べて小さい材料であり、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが第４材料に比べて小さい材料である。【選択図】図４
2010161187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１材料を含んでなる第１層を積層する第１積層工程と、
前記積層された第１層の上に、前記第１材料とは異なる第２材料を含んでなる第２層を積層する第２積層工程と、
前記積層された第２層の上に、第１レジストパターンを形成する第１レジスト工程と、
前記形成された第１レジストパターンをマスクとして、前記積層された第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、前記積層された第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、
前記形成された第１レジストパターンを除去する第１除去工程と、
前記露出された第１層及び前記パターニングされた第２層を少なくとも部分的に覆うように、前記第２材料とは異なる第３材料を含んでなる第３層を積層する第３積層工程と、
前記パターニングされた第２層及び前記積層された第３層を少なくとも部分的に覆うように、前記第３材料とは異なる第４材料を含んでなる第４層を積層する第４積層工程と、
前記積層された第４層の上に、第２レジストパターンを形成する第２レジスト工程と、
前記形成された第２レジストパターンをマスクとして、前記積層された第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、前記形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、前記積層された第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程と
を備え、
前記第１材料は、前記エッチング液によりエッチングされる度合いが、前記エッチング液により前記第２材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料であり、
前記第３材料は、前記エッチングガスによりエッチングされる度合いが、前記エッチングガスにより前記第４材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である
ことを特徴とするコンタクトホール形成方法。
【請求項２】
前記第３材料は、金属材料であることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホール形成方法。
【請求項３】
前記金属材料は、モリブデンであることを特徴とする請求項２に記載のコンタクトホール形成方法。
【請求項４】
前記第１材料は、低温プロセス多結晶シリコンであり、前記第１材料が前記エッチング液によりのエッチングされる度合いは、前記第３材料が前記エッチングガスによりエッチングされる度合いよりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコンタクトホール形成方法。
【請求項５】
基板と、前記基板上に積層された半導体層と、前記半導体層上に積層された絶縁層とを備え、前記絶縁層にコンタクトホールが形成された電気光学装置用基板であって、  前記基板上に積層され、前記半導体層の少なくとも一部を構成し、第１材料を含んでなる第１層と、
前記第１層の上に積層され、前記第１層を部分的に露出させるように開口され、前記コンタクトホールの少なくとも一部を構成する第１開口部を有すると共に、前記絶縁層の少なくとも一部を構成し、前記第１材料とは異なる第２材料を含んでなる第２層と、
前記露出された第１層及び前記第２層を少なくとも部分的に覆うように積層され、前記第２材料とは異なる第３材料を含んでなる第３層と、
前記第２層及び前記第３層を少なくとも部分的に覆うように積層され、前記第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、前記第３層を部分的に露出させるように開口された第２開口部を有し、前記第３材料とは異なる第４材料を含んでなる第４層と
を備え、
前記第１開口部は、前記第１層の上に積層された前記第２材料を含んでなる層がエッチング液によりパターニングされることにより形成され、
前記第２開口部は、前記第２層及び前記第３層を覆うように積層された前記第４材料を含んでなる層がエッチングガスによりパターニングされることにより形成され、
前記第１材料は、前記エッチング液によりエッチングされる度合いが、前記エッチング液により前記第２材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料であり、
前記第３材料は、前記エッチングガスによりエッチングされる度合いが、前記エッチングガスにより前記第４材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である
ことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばトランジスタのソース領域やドレイン領域等と、該トランジスタの上層側に配設された配線等とを電気的に接続するためのコンタクトホールの形成方法、該形成方法により形成されたコンタクトホールを有し、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば携帯電話機、携帯情報端末機等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の形成方法として、例えば、基板上に積層された導電層と、該導電層上に積層されたノンドープシリケートガラス（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ：ＮＳＧ）からなるＮＳＧ膜と、該ＮＳＧ膜上に積層されたボロン・リン・シリケートガラス（Ｂ−Ｐ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ：ＢＰＳＧ）からなるＢＰＳＧ膜とを備えるデバイスにコンタクトホールを形成する方法が提案されている。
【０００３】
ここでは特に、ＢＰＳＧ膜上に形成されたレジスト膜をマスクとして、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）と六フッ化硫黄（ＳＦ６）との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、ＢＰＳＧ膜及びＮＳＧ膜に開口部を形成する際に、該開口部が導電層の表面に達するまでにかかる時間よりも２分程度長くエッチングして、ＢＰＳＧ膜、ＮＳＧ膜及び導電層を貫通し、基板の一部を削る開口部を形成する。続いて、フッ化水素（ＨＦ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）及び硝酸（ＨＮＯ３）からなるエッチング液によって、該形成された開口部をその径方向に広げ、導電層の一部がリング状に突出するコンタクトホールを形成する技術が開示されている（特許文献１参照）。
【０００４】
この種の形成方法により形成されたコンタクトホールを有する電気光学装置用基板では、例えば配線や素子等の微細化が図られ、もって該基板を備えてなる電気光学装置の小型化が図られる。このため、この種の形成方法では、例えば配線や素子等の微細化に起因してコンタクトホールの微細化が求められることに伴い、ドライエッチング処理が採用されることが多い。他方で、例えば四フッ化炭素（ＣＦ４）、ＳＦ６等のエッチングガスに対する被エッチング膜と下地膜との間の選択比が比較的小さいことに起因して、被エッチング膜を適切にエッチングすることが非常に困難であるという問題点がある。
【０００５】
この問題点に対し、例えば、被エッチング膜にドライエッチング処理を施す時間を比較的短くすると共に、該ドライエッチング処理におけるエッチング残り（即ち、エッチングされるべき被エッチング膜のうち、エッチングされなかった被エッチング膜）を、被エッチング膜と下地膜との間の選択比の大きいウェットエッチング処理により除去して、コンタクトホールを形成する方法が提案されている。
【０００６】
或いは、例えば、被エッチング膜が窒化珪素（ＳｉＮ）であり、下地膜が低温プロセス多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｉ：ｐｏｌｙ−Ｓｉ）である場合、エッチングガスとして、フッ化炭素系ガス及び水素（Ｈ２）ガスの混合ガス又はハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）系ガスを用いて、エッチングガスに対する被エッチング膜と下地膜との間の選択比を増大させて、ドライエッチング処理のみによりコンタクトホールを形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−２００１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、コンタクトホール内に導電層の一部がリング状に突出しているために、該コンタクトホール内、特に突出した箇所の裏側に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等からなる導電性の膜を適切に成膜することができず、配線の断線又は短絡が生じるおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００９】
ドライエッチング処理及びウェットエッチング処理を組み合わせる技術では、ドライエッチング処理時において、突き抜け不良（即ち、下地膜がエッチングされること）を防止するために、下地膜の直前でエッチングを止めようとすると、被エッチング膜のエッチングレートや被エッチング膜の層厚のバラツキを考慮して、被エッチング膜のエッチングレートを厳格に制御しなければならないという技術的問題点がある。加えて、ウェットエッチング処理に起因して、形成されるコンタクトホールの形状が悪化するおそれがあるという技術的問題点がある。
【００１０】
エッチングガスとして、フッ化炭素系ガス及びＨ２ガスの混合ガス又はＨＦＣ系ガスを用いる技術では、プラズマ中で解離したＣＦ系ラジカルにより重合膜が形成されるため、形成された重合膜がドライエッチング装置のチャンバー内壁に付着して、パーティクルの発生源となったり、被エッチング膜のエッチングガスに対するエッチングレートの経時的な変動を引き起こしたりするおそれがあるという技術的問題点がある。
【００１１】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制することができるコンタクトホール形成方法、該形成方法により形成されたコンタクトホールを有する電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のコンタクトホール形成方法は、上記課題を解決するために、基板上に、第１材料を含んでなる第１層を積層する第１積層工程と、前記積層された第１層の上に、前記第１材料とは異なる第２材料を含んでなる第２層を積層する第２積層工程と、前記積層された第２層の上に、第１レジストパターンを形成する第１レジスト工程と、前記形成された第１レジストパターンをマスクとして、前記積層された第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、前記積層された第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、前記形成された第１レジストパターンを除去する第１除去工程と、前記露出された第１層及び前記パターニングされた第２層を少なくとも部分的に覆うように、前記第２材料とは異なる第３材料を含んでなる第３層を積層する第３積層工程と、前記パターニングされた第２層及び前記積層された第３層を少なくとも部分的に覆うように、前記第３材料とは異なる第４材料を含んでなる第４層を積層する第４積層工程と、前記積層された第４層の上に、第２レジストパターンを形成する第２レジスト工程と、前記形成された第２レジストパターンをマスクとして、前記積層された第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、前記形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、前記積層された第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程とを備え、前記第１材料は、前記エッチング液によりエッチングされる度合いが、前記エッチング液により前記第２材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料であり、前記第３材料は、前記エッチングガスによりエッチングされる度合いが、前記エッチングガスにより前記第４材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である。
【００１３】
本発明のコンタクトホール形成方法によれば、第１積層工程において、例えば石英基板等の基板上に、例えばｐｏｌｙ−Ｓｉ等の第１材料を含んでなる第１層が積層される。次に、第２積層工程において、積層された第１層の上に、第１材料とは異なる、例えばＳｉＮ等の第２材料を含んでなる第２層が積層される。次に、第１レジスト工程において、積層された第２層の上に、第１レジストパターンが形成される。
【００１４】
次に、第１エッチング工程において、形成された第１レジストパターンをマスクとして、積層された第２層がエッチング液を用いてパターニングされ、積層された第１層を部分的に露出させる第１開口部が形成される。次に、第３積層工程において、露出された第１層及びパターニングされた第２層を少なくとも部分的に覆うように、第２材料とは異なる、例えばモリブデン（Ｍｏ）等の第３材料を含んでなる第３層が積層される。
【００１５】
次に、第４積層工程において、パターニングされた第２層及び積層された第３層を少なくとも部分的に覆うように、第３材料とは異なる、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の第４材料を含んでなる第４層が積層される。次に、第２レジスト工程において、積層された第４層の上に、第２レジストパターンが形成される。
【００１６】
次に、第２エッチング工程において、形成された第２レジストパターンをマスクとして、積層された第４層がエッチングガスを用いてパターニングされ、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、積層された第３層を部分的に露出させる第２開口部が形成される。尚、「第１開口部の少なくとも一部に対応する」とは、基板上で平面的に見て、第２開口部が、第１開口部と重なる領域を有していることを意味する。
【００１７】
ここで、本発明に係る「エッチングガス」には、例えばＨＦＣ系ガス等のドライエッチング装置のチャンバー内に、例えば重合膜等の堆積物を生じる可能性のある堆積性ガスを除く、例えばＣＦ４、ＳＦ６等のフッ素系ガス等が、典型的に採用される。
【００１８】
本発明に係る「第１材料」は、エッチング液によりエッチングされる度合いが、該エッチング液により本発明に係る「第２材料」がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である。また、本発明に係る「第３材料」は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが、該エッチングガスにより本発明に係る「第４材料」がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である。
【００１９】
他方、本発明に係る「第１材料」及び「第２材料」は、典型的には、第１材料のエッチングガスに対するエッチングレートと、第２材料の該エッチングガスに対するエッチングレートとの差が比較的小さい（即ち、該エッチングガスに対する選択比が比較的小さい）材料である。
【００２０】
ここに、「エッチング液によりエッチングされる度合いが、該エッチング液により第２材料がエッチングされる度合いに比べて小さい」とは、第１材料が、第２材料に比べて、エッチング液によりエッチングされ難いことを意味する。尚、第１材料が、ｐｏｌｙ−Ｓｉの場合、第１層の膜厚はトランジスタの素子特性が向上するように薄く形成されている。このため、第１材料であるｐｏｌｙ−Ｓｉは、膜厚の薄いｐｏｌｙ−Ｓｉ（即ち、第１層）が、第２材料のオーバーエッチング時にエッチング液により削られて、接触不良や特性に影響がでないように、エッチング液により全く又は殆どエッチングされないことが望ましい。具体的には例えば、第１材料と第２材料とのエッチングされる度合いを選択比（＝第２材料のエッチングレート／第１材料のエッチングレート）で表すと、選択比は、大きい方が望ましく、例えば５０以上であることが望ましい。
【００２１】
同様に、「エッチングガスによりエッチングされる度合いが、該エッチングガスにより第４材料がエッチングされる度合いに比べて小さい」とは、第３材料が、第４材料に比べて、エッチングガスによりエッチングされ難いことを意味する。尚、第３材料は、エッチングガスにより全く又は殆どエッチングされないことが望ましいが、第３材料は、第４材料のオーバーエッチング時において、第１材料であるｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチングストッパー層であるため、オーバーエッチング中に、第３材料に穴があいて、第１材料であるｐｏｌｙ−Ｓｉが露出しなければ、オーバーエッチングにより薄くなることは構わない。具体的には例えば、第３材料と第４材料のエッチングされる度合いを選択比（＝第４材料のエッチングレート／第３材料のエッチングレート）で表すと、選択比は、第1材料と第２材料の選択比よりも小さくてよく、例えば１０以上であればよい。即ち、第１材料がエッチング液によりのエッチングされる度合いは、第３材料がエッチングガスによりエッチングされる度合いよりも小さい。
【００２２】
本願発明者の研究によれば、コンタクトホールを介して電気的に接続するために表面を露出させる層の直上に、該表面を露出させる層を構成する材料のエッチングガスに対するエッチングレートとの差が比較的小さいエッチングレートを有する材料を含んでなる一の層が積層され、更に該一の層の上に他の層が積層されており、一の層及び他の層を貫通するコンタクトホールを形成する場合に、エッチングガスを用いて（即ち、ドライエッチング処理により）該コンタクトホールを形成すると、表面を露出させる層が部分的にエッチングされてしまうおそれがある。
【００２３】
他方で、コンタクトホールの形成工程において、ドライエッチング処理を実施した後に、ウェットエッチング処理を実施してコンタクトホールを形成する技術が提案されている。或いは、表面を露出させる層と一の層との間の選択比を増大させるために、エッチングガスとして、例えばＨＦＣ系ガス等の堆積性ガスを用いる技術が提案されている。しかしながら、例えば、ウェットエッチング処理に起因して、形成されるコンタクトホールの形状が悪化するおそれがある。或いは、ドライエッチング装置のチャンバー汚れが生じ、一の層及び他の層のエッチングガスに対するエッチングレートが経時的に変動するおそれがある。特に、ウェットエッチング処理によりコンタクトホールを仕上げる場合には、ドライエッチング処理により形成されたコンタクトホールが全体的に広がってしまい、ドライエッチング処理を採用して微細化を図るという目的に反することが判明している。
【００２４】
しかるに本発明では、先ず、積層された第１層を部分的に露出させる第１開口部が、エッチング液を用いて積層された第２層に形成される。次に、第３層が、露出された第１層及びパターニングされた第２層を覆うように積層される。次に、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、積層された第３層を部分的に露出させる第２開口部が、エッチングガスを用いて積層された第４層に形成される。
【００２５】
ここで、第２開口部が形成される際に、第３層がエッチングストッパー層として機能するため、エッチングガスによって第３層より下層側に積層された層がエッチングされることを防止することができる。この結果、第１層と該第１層の上層側に配設された配線等とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する際に、第１層がエッチングされることを防止することができる。
【００２６】
また、第４層は、典型的には、第２層より厚くなるように積層される。そして、第１層と該第１層の上層側に配設された配線等とを電気的に接続するためのコンタクトホールの一部を構成する第２開口部が、エッチングガスを用いて（即ち、ドライエッチング処理により）形成される。このため、形成されるコンタクトホールの微細化を図ることができる。
【００２７】
他方、第１層と該第１層の上層側に配設された配線等とを電気的に接続するためのコンタクトホールの他の部分を構成する第１開口部は、エッチング液を用いて（即ち、ウェットエッチング処理により）形成されるが、第２層の厚さは比較的薄いため、最終的に形成されるコンタクトホールに対する、ウェットエッチング処理に起因する影響は無い又は極めて小さい。
【００２８】
また、本発明に係る「エッチングガス」には、上述の如く、例えばＨＦＣ系ガス等の堆積性ガスが含まれない。このため、ドライエッチング装置のチャンバー汚れの発生を抑制し、第４層のエッチングガスに対するエッチングレートの経時的な変動の発生を抑制することができる。加えて、チャンバー汚れを除去するためのコストを抑制することができ、実用上非常に有利である。
【００２９】
更に、第３材料を、例えばＭｏ等の金属材料とすれば、第１層と該第１層の上層側に配設された配線等とを電気的に接続するために、露出された第３層を少なくとも部分的に除去する必要が無いので、工程数の増加を抑制することができ、もって製造コストの増加を抑制することができる。
【００３０】
他方、第３材料が絶縁性材料である場合は、第２開口部を形成した後に第２レジストパターン及びパターニングされた第４層をマスクとして、或いは、第２レジストパターンを除去した後にパターニングされた第４層をマスクとして、露出された第３層を少なくとも部分的に除去すればよい。
【００３１】
また、本発明において、例えば、第１材料がｐｏｌｙ−Ｓｉの場合、膜厚は数十ｎｍ（ナノメートル）以内に設定される。膜厚を数十ｎｍに設定する理由は、トランジスタの素子特性を改善する（例えば、光照射時のオフリーク電流の抑制等の）ためである。
【００３２】
第１開口部を形成する際に第１材料と第２材料の選択比は大きく、また、第２開口部を形成する際には、第３層がエッチングストッパーとなるため、コンタクトホールの形成において、第１材料はエッチングされることはない。つまり、コンタクトホール形成時に第１材料はエッチングされる懸念がないため、第１材料の膜厚をさらに小さくすることも可能であり、トランジスタの素子特性（例えば、光照射時のオフリーク電流の抑制等）をさらに改善することも可能である。
【００３３】
以上の結果、本発明のコンタクトホール形成方法によれば、コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制することができる。
【００３４】
本発明のコンタクトホール形成方法の一態様では、前記第３材料は、金属材料である。
【００３５】
この態様によれば、露出された第３層を、第１層と該第１層の上層側に配設された配線等とを電気的に接続するために、形成されたコンタクトホール内に成膜される導電性の膜の一部とすることができる。加えて、第３層が積層されていることに起因して高さ方向の距離が比較的小さくなるので、導電性の膜を成膜する際における成膜不良の発生を防止することができ、例えば断線等を防止することができる。
【００３６】
この態様では、前記金属材料は、モリブデンであってよい。
【００３７】
このように構成すれば、例えば第１材料がｐｏｌｙ−Ｓｉであり、形成されたコンタクトホール内に成膜される導電性の膜がＡｌからなる場合に、Ｍｏを含んでなる第３層がバリア層として機能し、第１層中にＡｌが拡散することを防止することができる。
【００３８】
本発明のコンタクトホール形成方法の他の態様では、前記第１材料は、低温プロセス多結晶シリコンであり、前記第１材料が前記エッチング液によりのエッチングされる度合いは、前記第３材料が前記エッチングガスによりエッチングされる度合いよりも小さい。
【００３９】
この態様によれば、第４層をエッチングガスを用いてエッチングする際に、少なくとも第１層が露出することを防止することができる。
【００４０】
本発明の電気光学装置用基板は、上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に積層された半導体層と、前記半導体層上に積層された絶縁層とを備え、前記絶縁層にコンタクトホールが形成された電気光学装置用基板であって、基板と、前記基板上に積層され、前記半導体層の少なくとも一部を構成し、第１材料を含んでなる第１層と、前記第１層の上に積層され、前記第１層を部分的に露出させるように開口され、前記コンタクトホールの少なくとも一部を構成する第１開口部を有すると共に、前記絶縁層の少なくとも一部を構成し、前記第１材料とは異なる第２材料を含んでなる第２層と、前記露出された第１層及び前記第２層を少なくとも部分的に覆うように積層され、前記第２材料とは異なる第３材料を含んでなる第３層と、前記第２層及び前記第３層を少なくとも部分的に覆うように積層され、前記第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、前記第３層を部分的に露出させるように開口された第２開口部を有し、前記第３材料とは異なる第４材料を含んでなる第４層とを備え、前記第１開口部は、前記第１層の上に積層された前記第２材料を含んでなる層がエッチング液によりパターニングされることにより形成され、前記第２開口部は、前記第２層及び前記第３層を覆うように積層された前記第４材料を含んでなる層がエッチングガスによりパターニングされることにより形成され、前記第１材料は、前記エッチング液によりエッチングされる度合いが、前記エッチング液により前記第２材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料であり、前記第３材料は、前記エッチングガスによりエッチングされる度合いが、前記エッチングガスにより前記第４材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である。
【００４１】
本発明の電気光学装置用基板によれば、当該電気光学装置用基板は、基板上に積層された第１層と、該第１層の上に積層され、該第１層を部分的に露出させるように開口された第１開口部を有する第２層と、露出された第１層及び第２層を少なくとも部分的に覆うように積層された第３層と、第２層及び第３層を少なくとも部分的に覆うように積層され、第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、第３層を部分的に露出させるように開口された第２開口部を有する第４層とを備える。
【００４２】
当該電気光学装置用基板の製造工程において、第１開口部は、第１層の上に積層された第２材料を含んでなる層がエッチング液によりパターニングされることにより形成される。他方、第２開口部は、第２層及び第３層を覆うように積層された第４材料を含んでなる層がエッチングガスによりパターニングされることにより形成される。
【００４３】
ここで、第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが、該エッチング液により第２材料がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である。また、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが、該エッチングガスにより第４層がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である。
【００４４】
このため、エッチング液に対する第１層と第２層との間の選択比が比較的大きくなるので、当該電気光学装置用基板の製造工程において、第１開口部を適切に形成することができる。同様に、エッチングガスに対する第３層と第４層との間の選択比が比較的大きくなるので、当該電気光学装置用基板の製造工程において、第２開口部を適切に形成することができる。従って、当該電気光学装置用基板は、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する影響が無い又は極めて小さい、第１層と該第１層の上層側に配設された配線等とを電気的に接続するために好適なコンタクトホールを有することとなる。
【００４５】
以上の結果、本発明の電気光学装置用基板によれば、例えば断線等の発生を抑制することができ、電気光学装置に好適な電気光学装置用基板を提供することができる。尚、本発明の電気光学装置用基板においても、上述した本発明のコンタクトホール形成方法における各種態様を採ることが可能である。
【００４６】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板を備える。
【００４７】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板を備えているため、高品質な画像を表示可能な電気光学装置を提供することができる。
【００４８】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備える。
【００４９】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えているので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００５０】
また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ及びＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００５１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】液晶装置の画素領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】図２の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る電気光学装置の製造工程の一部を示す工程断面図である。
【図６】図５の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図７】図６の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図８】図７の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図９】図８の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図１０】図９の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図１１】図１０の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図１２】図１１の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上に積層された層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを対向基板の側から見た平面図である。
【図１４】本発明の実施形態の変形例に係る液晶装置の拡大断面図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００５３】
以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００５４】
＜電気光学装置＞
先ず、本発明に係る電気光学装置の実施形態について、図１乃至図１３を参照して説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００５５】
（液晶装置の構成）
図１及び図２において、液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００５６】
ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに配置されたシール材５２により相互に接着されている。
【００５７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造工程においてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。画像表示領域１０ａ及び画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が配置されている。尚、ギャップ材を、画像表示領域１０ａ等に配置されるものに加えて若しくは代えて、シール材５２に混入するようにしてもよい。
【００５８】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５９】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側の額縁領域５３ａに、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００６０】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００６１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。複数の走査線及び複数のデータ線は、相互に交差して配線され、これら交差に対応して画素に対応する画素部がマトリクス状に設けられている。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００６２】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００６３】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えば直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。また、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、カラーフィルタが形成されていてもよい。
【００６４】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００６５】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６６】
次に、液晶装置１００の画素部における原理的構成について、図３を参照して説明する。ここに、図３は、液晶装置の画素領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００６７】
図３において、液晶装置１００の画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素には、夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６８】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６９】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７０】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線３００に接続されている。
【００７１】
次に、液晶装置１００の画素部の具体的な構成について、図４を参照して説明する。ここに、図４は、図２の一部を拡大して示す拡大断面図である。尚、図４では、説明の便宜上データ線６ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【００７２】
図４において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３ａを含んで構成されている。半導体層１ａは、ｐｏｌｙ−Ｓｉを含んでなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有している。
【００７３】
低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減することができると共に、ＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制することができる。
【００７４】
尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００７５】
図４に示すように、ゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として形成されており、例えばＭｏ等を含んで形成されている。図４に示すように、ゲート電極３ａと半導体層１ａとの間は、ＳｉＮを含んでなるゲート絶縁膜２（即ち、絶縁層）によって絶縁されている。
【００７６】
図４において、半導体層１ａより下層側に配置された走査線１１ｂは、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極として機能する。このように、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、ダブルゲート構造を有している。このような構成によれば、仮に半導体層１ａよりも上層側又は下層側の一方だけにゲート電極が形成されている場合と比較して、ＴＦＴ３０のオン電流を大きくすることができる。
【００７７】
図４に示すように、半導体層１ａと走査線１１ｂとの間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ｂからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性が劣化することを防止する機能を有する。
【００７８】
図４において、ゲート電極３ａと同層には、Ｍｏを含んでなる導電性パターン２０１及び２０２が形成されている。導電性パターン２０１及び２０２の各々は、ゲート絶縁膜２に形成されたコンタクトホール８３又は８１を介して、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅ又は高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００７９】
図４において、ＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１（即ち、絶縁層）を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、下側電極７１及び上側電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００８０】
上側電極３００は、図４にはその詳細な構成については図示を省略するが、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることにより、固定電位に維持されて、固定電位側容量電極として機能するように構成される。上側電極３００は、例えばＡｌ、銀（Ａｇ）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０に入射する光を遮光可能な上側遮光膜としても機能し得る。
【００８１】
下側電極７１は、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８４を介して、導電性パターン２０１に電気的に接続されている。更に、下側電極７１は、ここでは図示しない画素電極９ａにも電気的に接続されている。尚、下側電極７１は、例えば導電性のｐｏｌｙ−Ｓｉから形成される。また、下側電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上側電極３００とＴＦＴ３０との間に配置される光吸収層或いは遮光膜として機能し得る。
【００８２】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化珪素膜、或いはＳｉＮ膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００８３】
図４において、蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａが設けられている。データ線６ａは、層間絶縁膜４１及び４２に形成されたコンタクトホール８２を介して、導電性パターン２０２に電気的に接続されている。尚、データ線６ａは、例えばＡｌ等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する遮光膜としても機能し得る。
【００８４】
ここでは図示しないが、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜を介して上層側に形成されている。上述の如き画素部の構成は、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、このような画素部が周期的に構成されていることになる。他方、このような液晶装置１００では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８５】
尚、図４に示した、ＴＦＴアレイ基板１０からデータ線６ａまでの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。また、本実施形態に係る「半導体層１ａ」、「ゲート絶縁膜２」、「層間絶縁膜４１」は、夫々、本発明に係る「第１層」、「第２層」及び「第４層」の一例である。また、本実施形態に係る「導電性パターン２０１」及び「導電性パターン２０２」は、本発明に係る「第３層」の一例である。また、本実施形態に係る「コンタクトホール８１」及び「コンタクトホール８３」は、本発明に係る「第１開口部」の一例であり、本実施形態に係る「コンタクトホール８２」及び「コンタクトホール８４」は、本発明に係る「第２開口部」の一例である。
【００８６】
（液晶装置の製造方法）
次に、上述の如く構成された液晶装置１００の製造方法について、図５乃至図１３を参照して説明する。尚、以降の図においては、説明の便宜上、図２及び図４で示した液晶装置１００の詳細な部材については適宜省略し、直接関連のある部材のみを示す。ここに、図５は、本実施形態に係る電気光学装置の製造工程の一部を示す工程断面図である。
【００８７】
図５に示すように、下地絶縁膜１２の上に、例えば５０ｎｍ等の厚さを有し、本発明に係る「第１材料」の一例としてのｐｏｌｙ−Ｓｉを含んでなる層が積層される。尚、ｐｏｌｙ−Ｓｉを含んでなる層の膜厚は数十ｎｍ以内に設定される。膜厚を数十ｎｍに設定する理由は、トランジスタの素子特性を改善する（例えば、光照射時のオフリーク電流の抑制等の）ためである。
【００８８】
続いて、該積層されたｐｏｌｙ−Ｓｉを含んでなる層の上に所定のレジストパターン（図示せず）が形成され、該形成されたレジストパターンをマスクとして、積層されたｐｏｌｙ−Ｓｉを含んでなる層がパターニングされ、半導体層１ａが形成される。
【００８９】
次に、形成されたレジストパターンが除去された後に、半導体層１ａの上に、例えば他のレジストパターン（図示せず）が形成され、該形成されたレジストパターンをマスクとして、半導体層１ａに不純物が添加され、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅが形成される。
【００９０】
次に、図６に示すように、半導体層１ａの上に、本発明に係る「第２材料」の一例としてのＳｉＮを含んでなるゲート絶縁膜２が例えば、１２０ｎｍの厚さに積層される。続いて、図７に示すように、ゲート絶縁膜２の上に、本発明に係る「第１レジストパターン」の一例としてのレジストパターン３０１が形成される。尚、図６は、図５の工程に続く工程を示す工程断面図であり、図７は、図６の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００９１】
次に、図８に示すように、レジストパターン３０１をマスクとして、ゲート絶縁膜２を、例えばＨＮＯ３等を含むエッチング液を用いてパターニングして、半導体層１ａを部分的に露出させるコンタクトホール８１及び８３を形成する。ここに、図８は、図７の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００９２】
コンタクトホール８１及び８３を形成する際に、ｐｏｌｙ−ＳｉとＳｉＮとのエッチング液に対する選択比（＝ＳｉＮのエッチングレート／ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチングレート）は例えば５０以上と大きく、ＳｉＮのオーバーエッチングの最中に、ｐｏｌｙ−Ｓｉがエッチングされる量は、殆ど無いか、少ないため、ｐｏｌｙ−Ｓｉが削れることで、接触不良になったり、トランジスタの特性に悪影響がでたりすることを抑制できる。  次に、レジストパターン３０１が、例えばアミン及び水を含んでなる剥離液により剥離された後、図９に示すように、露出された半導体層１ａ及びパターニングされたゲート絶縁膜２の上に、本発明に係る「第３材料」の一例としてのＭｏを含んでなる層３０２が、例えば、２２０ｎｍの厚さに積層される。ここに、図９は、図８の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００９３】
続いて、Ｍｏを含んでなる層３０２の上に所定のレジストパターンが形成され、該形成されたレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチング処理又はドライエッチング処理により、ゲート電極３ａ並びに導電性パターン２０１及び２０２が形成される。
【００９４】
次に、図１０に示すように、パターニングされたゲート絶縁膜２、ゲート電極３ａ並びに導電性パターン２０１及び２０２の上に、本発明に係る「第４材料」の一例としてのＳｉＯ２を含んでなる層間絶縁膜４１が、例えば、６００ｎｍの厚さに積層される。続いて、図１１に示すように、層間絶縁膜４１の上に、本発明に係る「第２レジストパターン」の一例としてのレジストパターン３０３が形成される。ここに、図１０は、図９の工程に続く工程を示す工程断面図であり、図１１は、図１０の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００９５】
次に、図１２に示すように、レジストパターン３０３をマスクとして、層間絶縁膜４１を、例えばＣＦ４等を含むエッチングガスを用いてパターニングして、導電性パターン２０１を部分的に露出させるコンタクトホール８４を形成する。ここに、図１２は、図１１の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００９６】
コンタクトホール８４を形成する際にＭｏを含んでなる層３０２がエッチングストッパーとなるため、コンタクトホール８４の形成において、ｐｏｌｙ−Ｓｉ（即ち、半導体層１ａ）はエッチングされることはない。Ｍｏを含んでなる層３０２は、層間絶縁膜４１のオーバーエッチング時において、ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチングストッパー層であるため、オーバーエッチング中に、Ｍｏを含んでなる層３０２に穴があいて、ｐｏｌｙ−Ｓｉが露出しなければ、オーバーエッチングにより薄くなることは構わない。
【００９７】
よって、ＭｏとＳｉＯ２とのエッチングガスに対する選択比（＝ＳｉＯ２のエッチングレート（ｎｍ／ｓｅｃ）／Ｍｏのエッチングレート（ｎｍ／ｓｅｃ））は、ｐｏｌｙ−ＳｉとＳｉＮのエッチング液に対する選択比よりも小さくてよく、例えば１０以上であればよい。つまり、コンタクトホール８４の形成時にｐｏｌｙ−Ｓｉはエッチングされる懸念がないため、ｐｏｌｙ−Ｓｉの膜厚をさらに小さくすることも可能であり、トランジスタの素子特性（例えば光照射時のオフリーク電流の抑制等）をさらに改善することも可能である。
【００９８】
ここで、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８４を、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見ると、図１３に示すように、コンタクトホール８４とコンタクトホール８３とが部分的に重なっている。言い換えれば、コンタクトホール８４は、コンタクトホール８３と少なくとも部分的に重なるように形成される。尚、図１３は、本実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上に積層された層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを対向基板の側から見た平面図である。
【００９９】
本実施形態では特に、コンタクトホール８４が形成される際に、導電性パターン２０１がエッチングストッパー層として機能するため、エッチングガスによって、ＴＦＴアレイ基板１０（図４参照）上において導電性パターン２０１よりも下層側に積層された層がエッチングされることを防止することができる。
【０１００】
加えて、上述の如く、導電性パターン２０１はＭｏを含んでなるので、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅと、ＴＦＴアレイ基板１０上において半導体層１ａの上層側に設けられた配線等とを電気的に接続するために、導電性パターン２０１を少なくとも部分的に除去する必要がない。
【０１０１】
更に、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅと、ＴＦＴアレイ基板１０上において半導体層１ａの上層側に設けられた配線等とを電気的に接続するために、コンタクトホール８４内に成膜される導電性の膜がＡｌからなる場合に、導電性パターン２０１がバリア層として機能し、半導体層１ａ中にＡｌが拡散することを防止することができる。
【０１０２】
また、導電性パターン２０１は、図１０に示したようにゲート電極３ａと同時に形成される。このため、工程数を増加させることなく導電性パターン２０１を形成することができ、実用上非常に有利である。
【０１０３】
尚、図４に示したコンタクトホール８２は、例えば次のように形成される。即ち、図１２に示した工程の後、レジストパターン３０３が、例えば剥離液によって剥離される。続いて、層間絶縁膜４１の上に蓄積容量７０が形成される。続いて、層間絶縁膜４１及び蓄積容量７０の上に層間絶縁膜４２が積層される。続いて、層間絶縁膜４２の上に所定のレジストパターンが形成される。続いて、該形成されたレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング処理により、層間絶縁膜４１及び４２を貫通し、導電性パターン２０２を部分的に露出させるコンタクトホール８２が形成される。
【０１０４】
尚、コンタクトホール８４が形成された後に、導電性パターン２０１が少なくとも部分的に除去されてもよいし、コンタクトホール８２が形成された後に、導電性パターン２０２が少なくとも部分的に除去されてもよい。
【０１０５】
（変形例）
本実施形態に係る液晶装置の変形例について、図１４を参照して説明する。ここに、図１４は、図４と同趣旨の、本実施形態の変形例に係る液晶装置の拡大断面図である。本変形例では、導電性パターン２０１及び２０２に代えて、絶縁材料を含んでなる絶縁パターン２０３及び２０４が形成されている。
【０１０６】
尚、絶縁パターン２０３及び２０４に含まれる絶縁材料は、層間絶縁膜４１にドライエッチング処理が施される際に使用されるエッチングガスによりエッチングされる度合いが、該エッチングガスにより層間絶縁膜４１がエッチングされる度合いに比べて小さい材料である。即ち、エッチングガスに対する絶縁パターン２０３及び２０４に含まれる絶縁材料と層間絶縁膜４１との間の選択比が比較的大きい。
【０１０７】
絶縁パターン２０３及び２０４の各々は、半導体層１ａを部分的に露出させ、コンタクトホール８２又はコンタクトホール８４の一部を構成する開口部を有している。このような開口部は、例えば、図１２に示した工程の後に、レジストパターン３０３及び層間絶縁膜４１をマスクとして、ドライエッチング処理により絶縁パターン２０３に形成される。或いは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通する開口部（即ち、コンタクトホール８２の他の部分を構成する開口部）を形成した後に、層間絶縁膜４２の上に形成されたレジストパターン並びに層間絶縁膜４１及び４２をマスクとして、ドライエッチング処理により絶縁パターン２０４に開口部が形成される。
【０１０８】
＜電子機器＞
次に、上述した本実施形態に係る液晶装置を備えてなる電子機器の例を、図１５及び図１６を参照して説明する。
【０１０９】
図１５は、上述した液晶装置１００が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図１５において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、表示画面１００５として上述した液晶装置１００を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶装置１００の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１１０】
次に、上述した液晶装置１００を携帯電話に適用した例について説明する。図１６は、上述した液晶装置１００が適用された携帯電話の斜視図である。図１６において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、半透過反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置１００と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。
【０１１１】
これらの電子機器においても、上述した液晶装置１００を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【０１１２】
尚、図１５及び図１６を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた直視型の表示装置や、液晶プロジェクター等の投射型の表示装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１１３】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うコンタクトホール形成方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１１４】
１ａ…半導体層、２…ゲート絶縁膜、３ａ…ゲート電極、４１、４２…層間絶縁膜、８１、８２、８３、８４…コンタクトホール、１００…液晶装置、２０１、２０２…導電性パターン、２０３、２０４…絶縁パターン、３０１、３０３…レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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