(57)【要約】【課題】実装部品を実装した際に、実装部品の動作を安定化させるプリント基板およびプリント基板の製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブルプリント基板１０は、絶縁性の基板１１と、ｈＢＮ層１２と、パターン１３とを備えている。ｈＢＮ層１２は、絶縁性の基板１１上に形成され、表面１２ａを有する。パターン１３は、ｈＢＮ層１２の表面１２ａ上に形成され、導電性である。ｈＢＮ層１２は、ｈＢＮ層１２の表面１２ａの法線と平行なｃ軸を有する配向性である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板と、
前記絶縁性の基板上に形成され、表面を有する六方晶窒化硼素層と、
前記六方晶窒化硼素層の前記表面上に形成された導電性のパターンとを備え、
前記六方晶窒化硼素層は、前記六方晶窒化硼素層の前記表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性である、プリント基板。
【請求項２】
前記絶縁性の基板は樹脂であり、
前記パターンは銅である、請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記六方晶窒化硼素層は、３μｍ以上１０μｍ以下の厚みを有する、請求項１または２に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記六方晶窒化硼素層と、前記パターンとの間に形成されたアモルファス窒化硼素層をさらに備えた、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記アモルファス窒化硼素層は、３μｍ以上１５μｍ以下の厚みを有する、請求項４に記載のプリント基板。
【請求項６】
パターンとなる導電性の基板を準備する工程と、
前記導電性の基板上に、表面を有するアモルファス窒化硼素層を形成する工程と、
前記アモルファス窒化硼素層の前記表面をガリウムガスに接触させることにより、前記表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性の六方晶窒化硼素層を形成する工程と、
前記六方晶窒化硼素層と絶縁性の基板とを貼り合わせる工程とを備えた、プリント基板の製造方法。
【請求項７】
パターンとなる導電性の基板を準備する工程と、
硼素元素を含むガスと、窒素元素を含むガスと、ガリウムガスとを導電性の基板上に供給することにより、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性の六方晶窒化硼素層を形成する工程と、
前記六方晶窒化硼素層と絶縁性の基板とを貼り合わせる工程とを備えた、プリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記六方晶窒化硼素層を形成する工程では、前記窒素元素を含むガスとして、窒素ガスおよびアンモニアガスの少なくとも一方を用いる、請求項７に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
硼素元素を含むガスと、窒素元素を含むガスとを前記導電性の基板上に供給することにより、前記六方晶窒化硼素層と前記導電性の基板との間にアモルファス窒化硼素層を形成する工程をさらに備えた、請求項７または８に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性の基板を準備する工程では、前記導電性の基板として銅基板を用い、
前記絶縁性の基板とを貼り合せる工程では、前記絶縁性の基板として樹脂シートを用いる、請求項６〜９のいずれか１項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記六方晶窒化硼素層を形成する工程では、６００℃以上８００℃以下の温度で行なう、請求項６〜１０のいずれか１項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記六方晶窒化硼素層を形成する工程では、プラズマを印加する、請求項６〜１１のいずれか１項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記導電性の基板を準備する工程は、前記導電性の基板の表面に凹部を形成する工程を含む、請求項６〜１２のいずれか１項に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板およびプリント基板の製造方法に関し、より特定的には配線用材料として用いられるプリント基板およびプリント基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）などのプリント基板は、その柔軟性を利用した用途が広がっている。このようなフレキシブルプリント基板は、たとえば特開平６−２９６０７３号公報（特許文献１）などに開示されている。この特許文献１のフレキシブルプリント基板は、樹脂で形成されたフレキシブルな基板と、基板上に形成された銅（Ｃｕ）導体のプリント回路と、プリント回路の一端部上面と他端部上面にレーザ反射率が７５％以下の金属のメッキとを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２９６０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１のフレキシブルプリント基板のプリント回路上に電子部品を実装する技術がある。しかし、近年の実装技術の進歩により、フレキシブルプリント基板上に実装された電子部品の発熱量が著しく増大している。このため、上記特許文献１のフレキシブルプリント基板では、電子部品から生じた熱を逃がすことが難しい。したがって、電子部品を安定して動作させることができなかった。
【０００５】
また、発熱する電子部品に接触するように放熱シートを接着させてシート面内に熱を逃がす技術が考えられる。しかし、放熱シートの配置等には制約があり、放熱が十分ではない。このため、電子部品を安定して動作させることが十分でなかった。
【０００６】
それゆえ本発明の目的は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、実装部品を実装した際に、実装部品の動作を安定化させるプリント基板およびプリント基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のプリント基板は、絶縁性の基板と、六方晶（hexagonal）窒化硼素（ＢＮ）層（ｈＢＮ層）と、パターンとを備えている。ｈＢＮ層は、絶縁性の基板上に形成され、表面を有する。パターンは、ｈＢＮ層の表面上に形成され、導電性である。ｈＢＮ層は、ｈＢＮ層の表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性である。
【０００８】
本発明のプリント基板によれば、絶縁性の基板とパターンとの間に、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層を備えている。ｈＢＮ層は絶縁性であるので、絶縁性の基板とパターンとの非通電を阻害しない。
【０００９】
また配向性のｈＢＮはａｂ面内にＢとＮとからなる六員環が規則的に並んだ結晶構造であることから、配向性のｈＢＮ層においてａｂ面方向の熱伝導率が高い。ｈＢＮ層が表面の法線と平行なｃ軸を有しているので、ｈＢＮ層の表面と平行な方向はａｂ面方向である。このため、ｈＢＮ層において表面と平行な方向の熱伝導率を高めることができる。したがって、パターン上に実装部品を実装した際に、ｈＢＮ層の表面と平行な方向に実装部品から生じた熱を逃がすことができる。したがって、実装部品を実装した際に、実装部品の動作を安定化させることができる。
【００１０】
上記プリント基板において好ましくは、絶縁性の基板は樹脂であり、パターンは銅（Ｃｕ）である。これにより、特性のよいプリント基板を実現できる。
【００１１】
上記プリント基板において好ましくは、ｈＢＮ層は、３μｍ以上１０μｍ以下の厚みを有する。
【００１２】
３μｍ以上の場合、ｈＢＮ層の放熱効果をより高めることができる。１０μｍ以下の場合、ｈＢＮ層とパターンとの剥離を抑制することができる。
【００１３】
上記プリント基板において好ましくは、ｈＢＮ層と、パターンとの間に形成されたアモルファスＢＮ層をさらに備えている。
【００１４】
アモルファスＢＮ層の結晶は特定の方向に配向していないため、アモルファスＢＮ層の熱膨張係数がｈＢＮ層の熱膨張率よりも大きい。パターンの熱膨張率がｈＢＮ層の熱膨張率よりも大きい場合には、アモルファスＢＮ層により、ｈＢＮ層とパターンとの熱膨張率の差を緩和することができる。このため、パターンとｈＢＮ層との熱膨張率の差により生じる熱応力を低減できるので、パターンとｈＢＮ層とが剥離することを抑制することができる。
【００１５】
上記プリント基板において好ましくは、アモルファスＢＮ層は、３μｍ以上１５μｍ以下の厚みを有する。
【００１６】
３μｍ以上の場合、ｈＢＮ層とパターンとの剥離を効果的に抑制することができる。１５μｍ以下の場合、アモルファスＢＮ層による放熱効果の低下を抑制することができる。
【００１７】
本発明の一の局面におけるプリント基板の製造方法は、以下の工程を備えている。パターンとなる導電性の基板を準備する。導電性の基板上に、表面を有するアモルファスＢＮ層を形成する。アモルファスＢＮ層の表面をガリウム（Ｇａ）ガスに接触させることにより、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層を形成する。ｈＢＮ層と絶縁性の基板とを貼り合わせる。
【００１８】
本発明者は、アモルファスＢＮ層にＧａガスを接触させることで、アモルファスＢＮ層中のＢ元素とＮ元素とが再配列し、Ｂ元素とＮ元素との六員環が規則的に配列した配向性のｈＢＮ層を形成することを見い出した。このため、本発明の一の局面におけるプリント基板の製造方法によれば、アモルファスＢＮ層をＧａガスに接触させているので、絶縁性の基板とパターンとなる導電性の基板との間に、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層を形成することができる。上述したように、ｈＢＮ層は絶縁性と放熱性とを両立している。したがって、パターン上に実装部品を実装した際に、ｈＢＮ層の表面と平行な方向に実装部品から生じた熱を逃がすことができる。よって、実装部品を実装した際に、実装部品の動作を安定化させることができる。
【００１９】
本発明の他の局面におけるプリント基板の製造方法は、以下の工程を備えている。パターンとなる導電性の基板を準備する。Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとを導電性の基板上に供給することにより、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮを形成する。ｈＢＮ層絶縁性の基板とを貼り合わせる。
【００２０】
本発明者は、Ｎ元素を含むガスとＢ元素を含むガスとを、Ｇａガスとともに供給しない場合には、アモルファスＢＮ層を形成するが、Ｎ元素を含むガスとＢ元素を含むガスとを、Ｇａガスとともに供給する場合には、配向性のｈＢＮ層を形成できることを見い出した。このため、本発明の他の局面におけるプリント基板の製造方法によれば、絶縁性の基板とパターンとなる導電性の基板との間に、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層を形成することができる。上述したように、ｈＢＮ層は絶縁性と放熱性とを両立している。したがって、パターン上に実装部品を実装した際に、ｈＢＮ層の表面と平行な方向に実装部品から生じた熱を逃がすことができる。よって、実装部品を実装した際に、実装部品の動作を安定化させることができる。
【００２１】
上記他の局面におけるプリント基板の製造方法において好ましくは、ｈＢＮ層を形成する工程では、Ｎ元素を含むガスとして、窒素ガス（Ｎ2）およびアンモニアガス（ＮＨ3）の少なくとも一方を用いる。これにより、容易に配向性のｈＢＮ層を形成することができる。
【００２２】
上記他の局面におけるプリント基板の製造方法において好ましくは、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスとを導電性の基板上に供給することにより、ｈＢＮ層と導電性の基板との間にアモルファスＢＮ層を形成する工程をさらに備えている。
【００２３】
これにより、パターンとなる導電性の基板の熱膨張率とｈＢＮ層の熱膨張率との差が大きい場合には、アモルファスＢＮ層により、熱膨張率の差を緩和することができる。このため、導電性の基板とｈＢＮ層との熱応力による剥離を抑制することができる。
【００２４】
上記一および他の局面におけるプリント基板の製造方法において好ましくは、導電性の基板を準備する工程では、導電性の基板としてＣｕ基板を用い、絶縁性の基板を貼り合せる工程では、絶縁性の基板として樹脂シートを用いる。これにより、特性のよいプリント基板を製造できる。
【００２５】
上記一および他の局面におけるプリント基板の製造方法において好ましくは、ｈＢＮ層を形成する工程では、６００℃以上８００℃以下の温度で行なう。
【００２６】
これにより、Ｇａガスを容易に供給できるので、配向性のｈＢＮ層を容易に形成することができる。
【００２７】
上記一および他の局面におけるプリント基板の製造方法において好ましくは、ｈＢＮ層を形成する工程では、プラズマを印加する。これにより、Ｇａガスを生成するための温度を低下することができる。このため、ｈＢＮ層を形成する工程後に、導電性の基板とｈＢＮ層とを冷却する温度範囲を狭くすることができる。このため、ｈＢＮ層と導電性の基板との熱膨張率の差による熱応力による剥離を抑制することができる。
【００２８】
上記一および他の局面におけるプリント基板の製造方法において好ましくは、導電性の基板を準備する工程は、導電性の基板の表面に凹部を形成する工程を含む。
【００２９】
これにより、凹部に形成されたｈＢＮ層またはアモルファスＢＮ層がアンカーとなり、ｈＢＮ層と導電性の基板との密着力を向上することができる。このため、パターンとｈＢＮ層との剥離をより抑制することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明のプリント基板およびプリント基板の製造方法によれば、絶縁性と放熱性とを両立した配向性のｈＢＮ層を形成しているので、実装部品を実装した際に、実装部品の動作を安定化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施の形態１におけるフレキシブルプリント基板を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるフレキシブルプリント基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態１におけるパターンとなる導電性の基板を概略的に示す斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態１におけるアモルファスＢＮ層を形成した状態を概略的に示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態１におけるアモルファスＢＮ層の結晶構造を模式的に示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１におけるｈＢＮ層を形成した状態を概略的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１におけるｈＢＮ層の結晶構造を模式的に示す図である。
【図８】本発明の実施の形態１における絶縁性の基板を概略的に示す斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態１における絶縁性の基板を貼り合せた状態を概略的に示す斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態１におけるフレキシブルプリント基板の熱の流れを説明するための断面図である。
【図１１】従来のフレキシブルプリント基板を概略的に示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３におけるフレキシブルプリント基板を概略的に示す斜視図である。
【図１３】本発明の実施の形態３におけるアモルファスＢＮ層を形成した状態を概略的に示す斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態３における基板を貼り合わせた状態を概略的に示す斜視図である。
【図１５】実施例１におけるｈＢＮ層を形成するための生成装置を概略的に示す断面図である。
【図１６】本発明例１および２のフレキシブルプリント基板の熱伝導率を測定するための試料を概略的に示す側面図である。
【図１７】比較例１のフレキシブルプリント基板の熱伝導率を測定するための試料を概略的に示す側面図である。
【図１８】実施例１において熱伝導率を測定するための測定装置である。
【図１９】実施例２におけるｈＢＮ層を形成するための生成装置を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００３３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一実施の形態におけるフレキシブルプリント基板を概略的に示す斜視図である。図１を参照して、本実施の形態におけるプリント基板の一例であるフレキシブルプリント基板１０を説明する。
【００３４】
フレキシブルプリント基板１０は、絶縁性の基板１１と、ｈＢＮ層１２と、パターン１３と、実装部品１４と、ワイヤ１５とを備えている。ｈＢＮ層１２は、基板１１上に形成され、表面１２ａを有している。パターン１３は、ｈＢＮ層１２の表面１２ａ上に形成されている。実装部品１４は、パターン１３上に形成されている。ワイヤ１５は、パターン１３と実装部品１４とを電気的に接続している。
【００３５】
基板１１は、絶縁性であれば特に限定されず、たとえばポリイミドなどの樹脂などを用いることができる。
【００３６】
ｈＢＮ層１２は、絶縁性であり、表面１２ａの法線と平行なｃ軸を有する配向性である。ｈＢＮ層１２において、ａｂ面（表面１２ａに平行な面）内にＢ原子とＮ原子とが交互に化合して共有結合的に形成された六員環が規則的に並んでいる。ｈＢＮ層１２は、六員環が二次元的に連結した平板状構造体と、平板状構造体がＶａｎｄｅｒＷａａｌｓ（ファンデルワールス）結合により積み重なった層状構造とを有している。このため、ｈＢＮ層１２の表面１２ａに平行な方向の熱伝導率が６００Ｗ／ｍＫ以上７００Ｗ／ｍＫ以下と高い。
【００３７】
ｈＢＮ層１２は、３μｍ以上１０μｍ以下の厚みを有していることが好ましい。３μｍ以上の場合、ｈＢＮ層１２の放熱効果をより高めることができる。１０μｍ以下の場合、ｈＢＮ層１２とパターン１３との剥離を抑制することができる。
【００３８】
なお、ｈＢＮ層１２は、図１に示すように基板１１の全面を覆うように形成されていてもよく、パターン１３下のみに形成されていてもよい。
【００３９】
パターン１３は、導電性であり、たとえばＣｕなどの金属薄膜などを用いることができる。
【００４０】
実装部品１４は、半導体などの電子部品などである。実装部品１４は、特に限定されず、任意の部品を所望の部分に所望の数だけ配置される。ワイヤ１５は導電性の部材である。実装部品１４およびワイヤ１５は省略されてもよい。
【００４１】
図２は、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板の製造方法を示すフローチャートである。続いて、図２を参照して、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板の製造方法について説明する。
【００４２】
図３は、本実施の形態におけるパターンとなる導電性の基板を概略的に示す斜視図である。図２および図３に示すように、まず、パターンとなる導電性の基板１６を準備する（ステップＳ１）。基板１６は表面１６ａを有している。基板１６として、たとえばＣｕ基板などを準備する。
【００４３】
このステップＳ１では、導電性の基板１６の表面１６ａに凹部を形成することが好ましい。なお、表面１６ａとは、後述するステップＳ２においてアモルファスＢＮ層１７を形成する面である。凹部を形成する方法は特に限定されず、たとえばナノインプリント等の、表面に微細な突起をもった金型を押しつける等の方法で形成することができる。
【００４４】
図４は、本実施の形態におけるアモルファスＢＮ層を形成した状態を概略的に示す斜視図である。次に、図２および図４に示すように、導電性の基板１６の表面１６ａ上に、表面１７ａを有するアモルファスＢＮ層１７を形成する（ステップＳ２）。なお、表面１７ａは、基板１６と接している面と反対側の面である。
【００４５】
アモルファスＢＮ層１７を形成する方法は特に限定されず、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学蒸着）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理蒸着）法などを採用することができる。Ｃｕ等の融点が低い基板１６に対して、通常のＣＶＤ法、ＰＶＤ法等の気相法でＢＮ層を形成すると、アモルファスになる。
【００４６】
図５は、本実施の形態におけるアモルファスＢＮ層１７の結晶構造を模式的に示す図である。図５に示すように、アモルファスＢＮ層１７の結晶構造は、特定の方向に配向していない。
【００４７】
ステップＳ１において基板１６の表面１６ａに凹部を形成した場合には、凹部内にもアモルファスＢＮ層１７が形成される。
【００４８】
図６は、本実施の形態におけるｈＢＮ層を形成した状態を概略的に示す断面図である。図７は、本実施の形態におけるｈＢＮ層１７の結晶構造を模式的に示す図である。次に、図２、図６および図７に示すように、アモルファスＢＮ層１７の表面１７ａをＧａガス（Ｇａ蒸気）に接触させることにより、表面１２ａの法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層１２を形成する（ステップＳ３）。
【００４９】
このステップＳ３においてアモルファスＢＮ層１７をＧａガスと反応させることで、アモルファスＢＮ層１７中のＢ原子とＮ原子とは再配列し始め、図７に示すように、Ｂ原子とＮ原子との六員環が規則的に配列した配向性ｈＢＮに転化する。このため、アモルファスＢＮ層１７の表面１７ａから裏面に向かって、ｈＢＮ層１２に生成される。本実施の形態では、アモルファスＢＮ層１７の表面１７ａがｈＢＮ層１２の裏面１２ｂに生成され、アモルファスＢＮ層の裏面がｈＢＮ層１２の表面１２ａに生成されている。
【００５０】
このステップＳ３では、６００℃以上８００℃以下の温度でＧａガスを供給することが好ましい。この温度範囲のＧａガスにより、アモルファスＢＮ層１７からｈＢＮ層１２へ転化させることができる。また、プラズマを印加することが好ましい。この場合、４００℃程度のＧａガスにより、アモルファスＢＮ層１７からｈＢＮ層１２へ転化させることができる。このため、低温でｈＢＮ層１２を形成することができる。この場合、ｈＢＮ層１２を形成した後に、基板１６とｈＢＮ層１２とを冷却する温度範囲を狭くすることができる。このため、ｈＢＮ層１２と基板１６との熱膨張率の差による熱応力による剥離を抑制することができる。
【００５１】
ここで、Ｇａガスの供給方法について説明する。たとえば、真空に保持した炉内に液体Ｇａと、基板１６上に形成されたアモルファスＢＮ層１７を設置し、この状態で加熱することで、液体Ｇａが気化してＧａガスを生成できる。なお、真空に保持するのは、低温で液体ＧａからのＧａガスの発生を活発にするためである。ただし、Ｇａガスの供給方法は特に限定されず、高温に加熱する場合や、Ｇａガスを別途導入する場合などは、炉内を真空に保持しなくてもよい。
【００５２】
またこのステップＳ３において、３μｍ以上１０μｍ以下の厚みを有するｈＢＮ層１２を形成することが好ましい。３μｍ以上の場合、ｈＢＮ層１２の放熱効果をより高めることができる。１０μｍ以下の場合、ｈＢＮ層１２と基板１６との剥離を抑制することができる。
【００５３】
またステップＳ１において基板１６の表面１６ａに凹部を形成した場合には、凹部内に形成されたアモルファスＢＮ層１７がｈＢＮ層１２に生成される。この場合、アンカー効果によりｈＢＮ層１２の基板１６への密着力が増大して剥離しにくくなる。
【００５４】
図８は、本実施の形態における絶縁性の基板を概略的に示す斜視図である。次に、図８に示すように、絶縁性の基板１１を準備する。基板１１は、絶縁性であれば特に限定されないが、たとえば樹脂シートなどを用いることができる。
【００５５】
図９は、本実施の形態における絶縁性の基板を貼り合せた状態を概略的に示す斜視図である。次に、図２および図９に示すように、ｈＢＮ層１２と、絶縁性の基板１１とを貼り合わせる（ステップＳ４）。本実施の形態では、ｈＢＮ層１２の裏面１２ｂと基板１１とが貼り合わされる。貼り合わせる方法は特に限定されず、接着剤を用いる等一般公知の方法を採用できる。
【００５６】
次に、基板１６の一部を除去して、パターン１３を形成する（ステップＳ５）。パターン１３が所望の回路パターンになるように、エッチング等を行なう。ステップＳ３では、基板１６のみをエッチングしてもよく、基板１６とｈＢＮ層１２とをエッチングしてもよい。
【００５７】
以上のステップＳ１〜Ｓ５を実施することにより、図１に示すフレキシブルプリント基板１０を製造することができる。
【００５８】
なお、必要に応じて半田などの接着剤を用いて、パターン１３上に実装部品１４を実装する。また、必要に応じてパターン１３と実装部品１４とをワイヤ１５を用いて接続する。
【００５９】
また、本実施の形態のフレキシブルプリント基板１０は、絶縁性の基板１１の一方の表面上のみにパターン１３を有する片面板としているが、特にこれに限定されない。本発明のフレキシブルプリント基板１０は、たとえば絶縁性の基板１１の表面および裏面にパターン１３を有する両面板であってもよい。また絶縁性の基板１１と、ｈＢＮ層１２と、パターン１３とを積み重ねた多層板であってもよい。この場合、絶縁性の基板１１とパターン１３との間の少なくとも１層にｈＢＮ層１２が形成されていればよいが、絶縁性の基板１１とパターン１３との間にｈＢＮ層１２が形成されると、放熱性を非常に向上することができるため好ましい。
【００６０】
なお、片面板とは、フレキシブルプリント基板の一方面のみにパターン（回路）があるものを意味する。両面板とは、フレキシブルプリント基板の両面にパターン（回路）があるものを意味する。多層板とは、ウエハース状に絶縁体とパターン（回路）とを積み重ねたものを意味する。
【００６１】
続いて、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板１０の効果について説明する。
【００６２】
図１０は、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板の熱の流れを説明するための断面図である。本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板１０において実装部品１４から発熱した熱は、図１０の矢印に示すように、パターン１３およびｈＢＮ層１２の表面１２ａに平行な方向に沿って拡散する。ｈＢＮ層１２は、ａｂ面内にＢとＮとからなる六員環が規則的に並んだ構造であることから、ｈＢＮ層１２においてａｂ面内方向の熱伝導率が高い。ｈＢＮ層１２が表面１２ａの法線と平行なｃ軸を有しているので、ｈＢＮ層１２の表面１２ａと平行な方向がａｂ方向となる。このため、ｈＢＮ層１２の表面１２ａに平行な方向の熱伝導率を高めることができる。しがたって、実装部品１４から発熱した熱を素早く拡散することができる。つまり、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板１０は放熱性が高い。よって、実装部品１４をパターン１３上に実装した際に、実装部品１４の動作を安定化させることができる。
【００６３】
図１１は、従来のフレキシブルプリント基板を概略的に示す断面図である。図１１に示すように、従来のフレキシブルプリント基板５０は、ｈＢＮ層１２を備えていない。つまり、フレキシブルプリント基板５０は、基板１１と、基板１１上に形成されたパターン１３と、パターン１３上に形成された実装部品１４と、パターン１３と実装部品１４とを電気的に接続するワイヤ１５とを備えている。実装部品１４から発熱した熱は基板１１を通る。基板１１がポリイミドの場合、ポリイミドの熱伝導率は０．２Ｗ／ｍＫ程度である。このため、放熱の経路は、熱伝導率が低いポリイミドを通るので、フレキシブルプリント基板５０の放熱性が非常に低い。
【００６４】
（実施の形態２）
本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板１０は、実施の形態１における図１に示すフレキシブルプリント基板１０と同様であるが、製造方法が異なる。本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板１０の製造方法は、基本的には実施の形態１と同様であるが、図４に示すアモルファスＢＮ層を形成するステップＳ２を備えていない点において異なる。
【００６５】
具体的には、まず、図２および図３に示すように、実施の形態１と同様に、パターン１３となる導電性の基板１６を準備する（ステップＳ１）。
【００６６】
次に、図２および図６に示すように、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとを導電性の基板１６上に供給することにより、ｈＢＮ層１２を形成する（ステップＳ３）。Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスとを、Ｇａガスとともに供給することにより、アモルファスＢＮではなく、図７に示すように、Ｂ原子とＮ原子との六員環が規則的に配列した配向性ｈＢＮを形成することができる。
【００６７】
ここで、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとの供給方法について説明する。たとえば、真空に保持した炉内に、基板１６を設置し、炉内にＢ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとをそれぞれ供給する。Ｂ元素を含むガスとして、たとえばＢ2Ｈ6（ジボラン）などを用いることができる。Ｎ元素を含むガスとして、Ｎ2ガスおよびＮＨ3ガスの少なくとも一方を用いることができる。ただし、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとの供給方法は特に限定されない。たとえば、炉内に液体Ｇａを配置した状態で加熱して炉内でＧａガスを生成し、さらにＢ元素を含むガスとＮ元素を含むガスとを炉内に供給してもよい。
【００６８】
このステップＳ３では、実施の形態１と同様に、６００℃以上８００℃以下の温度でＧａガスを供給することが好ましい。また、実施の形態１と同様に、プラズマを印加することが好ましい。
【００６９】
次に、実施の形態１と同様に、図９に示すように、ｈＢＮ層１２と、絶縁性の基板１１とを貼り合わせる（ステップＳ４）。次に、実施の形態１と同様に、導電性の基板１６の一部を除去して、パターン１３を形成する（ステップＳ５）。
【００７０】
以上のステップＳ１、Ｓ３〜Ｓ５を実施することにより、図１に示すフレキシブルプリント基板１０を製造することができる。
【００７１】
以上説明したように、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板１０の製造方法によれば、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとを導電性の基板１６上に供給することにより、ｈＢＮ層１２を形成する。Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスとを、Ｇａガスとともに供給することにより、アモルファスＢＮではなく、図７に示すように、Ｂ原子とＮ原子との六員環が規則的に配列した配向性のｈＢＮを形成することができることを本発明者は見い出した。このため、表面１２ａと平行な方向の熱伝導率の高いｈＢＮ層１２を形成することができる。したがって、実装部品１４から発熱した熱を素早く拡散することができる。よって、実装部品１４をパターン１３上に実装した際に、実装部品１４の動作を安定化させることができる。
【００７２】
特に、Ｇａ元素とＢ元素とＮ元素とを含む原料ガスを混合して供給することにより、面積が大きく、厚みの大きなｈＢＮ層１２を形成することができる。このため、面積および厚みの少なくとも一方が大きいｈＢＮ層１２を形成する場合に、本実施の形態の製造方法は有利である。
【００７３】
（実施の形態３）
図１２は、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板を概略的に示す斜視図である。図１２に示すように、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板２０は、基本的には実施の形態１におけるフレキシブルプリント基板１０と同様の構成を備えているが、ｈＢＮ層１２と、パターン１３との間に形成されたアモルファスＢＮ層１７をさらに備えている点において異なっている。
【００７４】
アモルファスＢＮ層１７は、３μｍ以上１５μｍ以下の厚みを有していることが好ましい。３μｍ以上の場合、ｈＢＮ層１２とパターン１３との剥離を効果的に抑制することができる。１５μｍ以下の場合、ｈＢＮ層１２よりも熱伝導率が低いアモファスＢＮ層１７による放熱効果の低下を抑制することができる。
【００７５】
本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板２０の製造方法は、基本的には実施の形態１におけるフレキシブルプリント基板１０の製造方法と同様であるが、ｈＢＮ層１２を形成するステップＳ３において、アモルファスＢＮ層１７にＧａガスを十分に接触させずに、アモルファスＢＮ層１７を維持させる点において異なる。
【００７６】
具体的には、まず、図２〜図４に示すように、実施の形態１と同様に導電性の基板１６を準備し（ステップＳ１）、アモルファスＢＮ層１７を形成する（ステップＳ２）。
【００７７】
アモルファスＢＮ層１７およびｈＢＮ層１２の厚みを確保する観点から、本実施の形態では、ステップＳ２において６μｍ以上２５μｍ以下の厚みを有するようにアモルファスＢＮ層１７を形成することが好ましい。これにより、３μｍ以上１５μｍ以下の厚みを有するアモルファスＢＮ層１７と、３μｍ以１０μｍ以下の厚みを有するｈＢＮ層１２とを形成することができる。
【００７８】
図１３は、本実施の形態におけるアモルファスＢＮ層を形成した状態を概略的に示す斜視図である。次に、図１３に示すように、アモルファスＢＮ層１７の表面１７ａをＧａガスに接触させ、アモルファスＢＮ層１７の裏面をＧａガスに接触させない（ステップＳ３）。これにより、表面１７ａ近傍のアモルファスＢＮ層１７をｈＢＮ層１２に生成し、基板１６と接しているアモルファスＢＮ層１７をｈＢＮ層１２に生成しない。
【００７９】
図１４は、本実施の形態における基板を貼り合わせた状態を概略的に示す斜視図である。次に、図１４に示すように、ｈＢＮ層１２と、絶縁性の基板１１とを貼り合わせる（ステップＳ４）。
【００８０】
次に、実施の形態１と同様に、導電性の基板１６の一部を除去して、パターン１３を形成する（ステップＳ５）。
【００８１】
以上のステップＳ１〜Ｓ５を実施することにより、図１２に示すフレキシブルプリント基板２０を製造することができる。
【００８２】
以上説明したように、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板２０およびその製造方法は、ｈＢＮ層１２と、パターン１３との間にアモルファスＢＮ層１７を形成している。
【００８３】
ｈＢＮのａｂ面内の熱膨張係数は１×１０-6／Ｋと極めて小さい。パターン１３を構成する基板１６がＣｕの場合、基板１６の熱膨張係数は１６×１０-6／Ｋである。基板１６上にｈＢＮ層１２を直接形成すると、ｈＢＮ層１２形成後の冷却過程でｈＢＮ層１２と基板１６との界面に熱応力が発生して剥離しやすい傾向がある。ｈＢＮ層１２の膜厚が厚い場合はこの傾向が顕著である。
【００８４】
しかし、本実施の形態では、ｈＢＮ層１２と、パターン１３との間にアモルファスＢＮ層１７を形成している。アモルファスＢＮ層１７の結晶は特定の方向に配向していないため、アモルファスＢＮ層１７の熱膨張係数がｈＢＮ層１２の熱膨張率よりも大きい。パターン１３の熱膨張率がｈＢＮ層１２の熱膨張率よりも大きい場合には、アモルファスＢＮ層１７を設けることにより、ｈＢＮ層１２とパターン１３との熱膨張率の差を緩和することができる。このため、パターン１３とｈＢＮ層１２との熱膨張率の差により生じる熱応力を低減できるので、パターン１３とｈＢＮ層１２とが剥離することを抑制することができる。
【００８５】
（実施の形態４）
本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板２０は、実施の形態３における図１２に示すフレキシブルプリント基板２０と同様であるが、製造方法が異なる。本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板２０の製造方法は、基本的には実施の形態３と同様であるが、図４に示すアモルファスＢＮ層１７からｈＢＮ層１２を形成しない点において異なる。
【００８６】
まず、具体的には、図２〜図４に示すように、実施の形態１と同様に導電性の基板１６を準備し（ステップＳ１）、アモルファスＢＮ層１７を形成する（ステップＳ２）。
【００８７】
次に、図２および図１３に示すように、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとを導電性の基板１６上に供給することにより、ｈＢＮ層１２を形成する（ステップＳ３）。本実施の形態では、アモルファスＢＮ層１７上にｈＢＮ層１２を形成している。
【００８８】
次に、実施の形態３と同様に、図１４に示すように、ｈＢＮ層１２と、絶縁性の基板１１とを貼り合わせる（ステップＳ４）。
【００８９】
次に、実施の形態１と同様に、導電性の基板１６の一部を除去して、パターン１３を形成する（ステップＳ５）。
【００９０】
以上のステップＳ１、Ｓ３〜Ｓ５を実施することにより、図１２に示すフレキシブルプリント基板２０を製造することができる。
【００９１】
以上説明したように、本実施の形態におけるフレキシブルプリント基板２０の製造方法は、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとを導電性の基板１６上に供給することにより、ｈＢＮ層１２を形成している。
【００９２】
これにより、アモルファスＢＮ層１７およびｈＢＮ層１２の厚みを制御性を向上して形成することができる。このため、アモルファスＢＮ層１７による剥離抑制の効果と、ｈＢＮ層１２による放熱効果とを兼ね備えたフレキシブルプリント基板２０を製造することができる。
【００９３】
ここで、実施の形態１〜４では、プリント基板としてフレキシブルプリント基板１０を例に挙げて説明したが、本発明のプリント基板は、フレキシブルプリント基板に限定されず、リジッド基板などを含む。
【実施例１】
【００９４】
本実施例では、アモルファスＢＮ層の表面をＧａガスに接触させることにより、ｈＢＮ層を形成することの効果について調べた。
【００９５】
（本発明例１、２）
本発明例１、２は、基本的には実施の形態１にしたがって図１に示すフレキシブルプリント基板１０を製造した。
【００９６】
具体的には、まず、パターン１３を構成する導電性の基板１６として２５μｍの厚さを有するＣｕ箔を準備した（ステップＳ１）。
【００９７】
次に、導電性の基板１６上に、パルスレーザー堆積法(Pulsed Laser Deposition：ＰＬＤ)により、表面１７ａを有するアモルファスＢＮ層１７を形成した（ステップＳ２）。
【００９８】
次に、アモルファスＢＮ層１７の表面１７ａをＧａガスに接触させることにより、ｈＢＮ層１２を形成した（ステップＳ４）。図１５は、本実施例におけるｈＢＮ層を形成するための生成装置を概略的に示す断面図である。ここで、図１５を参照して、本実施例で用いた生成装置について説明する。
【００９９】
図１５に示すように、生成装置１００は、容器１０４と、反応管１０６と、ヒータ１０７とを主に備えている。反応管１０６は１ｍの長さを有し、かつ２５ｍｍの直径を有する石英管である。この反応管１０６の内部に、容器１０４が配置されている。容器１０４は１ｃｍの直径を有するアルミナ容器である。この容器１０４の内部には液体Ｇａが充填されている。ヒータ１０７は、反応管１０６の外部に配置され、反応管１０６の内部を加熱する。
【０１００】
なお、生成装置１００は、上記以外の様々な要素を含んでいてもよいが、説明の便宜上、これらの要素の図示および説明は省略する。
【０１０１】
このステップＳ４では、まず、基板１６と、基板１６上に形成されたアモルファスＢＮ層１７との被処理基板を、反応管１０６の内部の容器１０４近傍に、アモルファスＢＮ層１７が露出するように水平に配置した。その後、真空排気系１０８においてターボポンプによる真空排気を行ない、バックグラウンドを１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気した。次いで、ヒータ１０７により、Ｇａ蒸気１０５の温度を表１に記載する温度に上昇させ、表１に記載の時間、被処理基板をＧａ蒸気１０５に接触させた。その後、再び室温に徐冷した。これにより、アモルファスＢＮ層１７をｈＢＮ層１２へ転化させた。
【０１０２】
次に、ｈＢＮ層１２と、絶縁性の基板１１とを接着剤を介して貼り合わせた（ステップＳ４）。絶縁性の基板１１として、ポリイミドフィルムを用いた。
【０１０３】
以上のステップＳ１〜Ｓ４により、本発明例１、２のフレキシブルプリント基板を製造した。
【０１０４】
（比較例１）
比較例１のフレキシブルプリント基板は、基本的には本発明例１、２と同様に製造したが、アモルファスＢＮ層を形成しなかった点において異なっていた。つまり、比較例１のフレキシブルプリント基板は、ポリイミドフィルムと、ポリイミドフィルム上に形成されたＣｕ箔とからなっていた。
【０１０５】
（比較例２）
比較例２のフレキシブルプリント基板は、基本的には本発明例１、２と同様に製造したが、アモルファスＢＮ層１７の表面１７ａをＧａガスに接触させることにより、ｈＢＮ層１２を形成するステップＳ３を実施しなかった点においてのみ異なっていた。つまり、比較例２のフレキシブルプリント基板は、ポリイミドフィルムと、ポリイミドフィルム上に形成されたアモルファスＢＮ層と、アモルファスＢＮ層上に形成されたＣｕ箔とからなっていた。
【０１０６】
（測定方法）
本発明例１、２および比較例１、２のフレキシブルプリント基板について、透過電子顕微鏡を用いて観察した。なお、本発明例１、２および比較例１、２のフレキシブルプリント基板の断面を形成して、走査電子顕微鏡観察により、厚みを決定した。なお、下記の表１においてＢＮ層の厚みとは、本発明例１、２ではｈＢＮ層１２の厚みを示し、比較例２ではアモルファスＢＮ層の厚みを示す。
【０１０７】
また、本発明例１、２および比較例１、２のフレキシブルプリント基板について、熱抵抗を以下の方法により測定した。
【０１０８】
図１６は、本発明例１および２のフレキシブルプリント基板の熱伝導率を測定するための試料を概略的に示す側面図である。図１７は、比較例１のフレキシブルプリント基板の熱伝導率を測定するための試料を概略的に示す側面図である。図１６および図１７に示すように、本発明例１、２および比較例１、２の導電性の基板１６の一部を化学エッチング処理して、３ｍｍの直径を有する突起部を形成した。なお、比較例２の外形は本発明例１、２と同様とした。これにより、熱伝導率測定用の試料Ｓ（図１８参照）を作製した。
【０１０９】
図１８は、本実施例において熱伝導率を測定するための測定装置２００である。測定装置２００は、断熱材２０２、２０３と、角柱２０４と、Ｃｕホルダ２０５と、熱電対孔２０６と、熱電対２０７と、ＡｌＮヒータ２０８とを備えている。上部のＣｕホルダ２０５は直径が３ｍｍのＣｕよりなる円柱形状で、１０ｍｍ四方のテフロン（登録商標）製の角柱２０４の中に埋め込まれていた。
【０１１０】
図１８に示すように、Ｃｕホルダ２０５で試料Ｓをそれぞれ挟み、３ｋｇ／ｃｍ2の圧力で試料Ｓを押さえつけた。その後、上部Ｃｕホルダ２０５をＡｌＮヒータ２０８で加熱した。上部Ｃｕホルダ２０５には熱電対孔２０６が５点開いており、中心部の温度を測定しその温度勾配から試料Ｓの上面の温度Ｔ０（図１６および図１７参照)を外挿して決定した。
【０１１１】
一方、試料Ｓの裏面は、下部Ｃｕホルダ２０５の上面と接している。試料Ｓの下面には、試料Ｓの中心部から対角線方向に向かって６．３ｍｍの位置に、本発明例１、２では基板１１とｈＢＮ層１２、比較例１では基板１１、比較例２では基板１とアモルファスＢＮ層に貫通穴を設けた。そして、本発明例１、２ではｈＢＮ層、比較例１では基板１１、比較例２ではアモルファスＢＮ層の温度が測定できるように熱電対２０７を貼り付けて、それぞれの試料Ｓのパターン１３の下に位置する層の上面の温度Ｔ１、Ｔ２（図１６および図１７参照）を直接測定した。
【０１１２】
このようにＡｌＮヒータ２０８の熱は試料Ｓの上面の中心近傍のみに伝達されるようにした。試験条件は、測定時間を１０分間とし、１２Ｗの発熱量であった。
【０１１３】
なお、熱抵抗は下記の式から算出した。
熱抵抗の測定（℃/Ｗ）＝（試料上面温度Ｔ０−試料下面の中心部の温度Ｔ１）／印加電力
温度差ΔＴ＝Ｔ１−Ｔ２
これらの結果を下記の表１に示す。
【０１１４】
【表１】
2010161168.tif 000003
【０１１５】
（測定結果）
本発明例１、２および比較例１、２のフレキシブルプリント基板について、透過電子顕微鏡を用いて観察した結果、本発明例１、２では、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層に生成されたことがわかった。このとき、基板の表面に特に色むら、表面荒れ等はなく、極めて滑らかな鏡面状態であった。
【０１１６】
また、シート抵抗測定により、ｈＢＮ層、アモルファスＢＮ層は全て絶縁性を有することがわかった。
【０１１７】
さらに、アモルファスＢＮ層をＧａガスと接触させた本発明例１、２はΔＴが小さく、放熱性能が高いことが分かった。Ｇａガスと接触させずにアモルファスＢＮ層のままの比較例２は、本発明例１、２よりも放熱性能が低下した。これは、アモルファスＢＮ層が配向していないためである。ＢＮ層を形成しなかった比較例２は、本発明例１、２よりも放熱性能が非常に低かった。
【０１１８】
以上より、本実施例によれば、アモルファスＢＮ層の表面をＧａガスに接触させることにより、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層を形成することができることが確認できた。また、ｈＢＮ層は絶縁性であることが確認できた。さらに、基板１１とパターン１３との間にｈＢＮ層１２を形成することにより、放熱特性を向上できることが確認できた。
【実施例２】
【０１１９】
本実施例では、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとを導電性の基板上に供給することにより、ｈＢＮ層を形成することの効果について調べた。
【０１２０】
（本発明例３〜６）
本発明例３〜６は、基本的には実施の形態２にしたがって図１に示すフレキシブルプリント基板１０を製造した。
【０１２１】
具体的には、まず、パターン１３を構成する導電性の基板１６として本発明例１と同じ２５μｍの厚さを有するＣｕ箔を準備した（ステップＳ１）。
【０１２２】
次に、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとを導電性の基板上に供給することにより、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層を形成した（ステップＳ３）。図１９は、本実施例におけるｈＢＮ層を形成するための生成装置を概略的に示す断面図である。ここで、図１９を参照して、本実施例で用いた生成装置３００について説明する。この生成装置３００は、外熱式熱ＣＶＤ炉である。
【０１２３】
図１９に示すように、生成装置３００は、反応管３０１と、炭素板３０２と、ヒータ３０３とを主に備えている。反応管３０１は、２００ｍｍの内径を有する炭素炉芯管である。反応管３０１の内部に、炭素板３０２が配置されており、炭素板３０２には空隙が形成されている。炭素板３０２上にはＳｉＣ基板３１０が配置されている。ヒータ３０３は、反応管３０１の外部に配置され、反応管３０１の内部を加熱する。
【０１２４】
なお、生成装置３００は、上記以外の様々な要素を含んでいてもよいが、説明の便宜上、これらの要素の図示および説明は省略する。
【０１２５】
ステップＳ３では、まず、基板１６をＳｉＣ基板３１０上に密着するように設置した。
その後、Ｇ１としてのＧａガスおよびＢ2Ｈ6ガスと、Ｇ２としてのＮＨ3ガスを導入し、加熱し、その後自然冷却した。これにより、導電性の基板１６上にｈＢＮ層１２を形成した。
【０１２６】
次に、本発明例１、２と同様に、ｈＢＮ層１２と、絶縁性の基板１１とを接着剤を介して貼り合わせた（ステップＳ４）。以上のステップＳ１、Ｓ３、Ｓ４により、本発明例３〜６のフレキシブルプリント基板を製造した。
【０１２７】
（本発明例７）
本発明例７は、基本的には本発明例１と同様に製造したが、導電性の基板１６の表面に凹部を形成した点において異なっていた。
【０１２８】
（本発明例８、９）
本発明例８および９は、基本的には本発明例１と同様に製造したが、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスとを導電性の基板１６上に供給することにより、六方晶ＢＮ層１２と導電性の基板１６との間にアモルファスＢＮ層を形成した（ステップＳ２）点において異なっていた。
【０１２９】
具体的には、本発明例８および９では、Ｂ2Ｈ6ガスをとＮＨ3ガスとを導入し、かつＧａ元素を含むガスを導入せずに、加熱し、その後自然冷却した。これにより、アモルファスＢＮ層を形成した。
【０１３０】
（測定方法）
本発明例３〜９のフレキシブルプリント基板について、実施例１と同様に、透過電子顕微鏡および走査電子顕微鏡を用いて観察した。
【０１３１】
また本発明例３〜９のフレキシブルプリント基板について、実施例１と同様に、試料Ｓを作製して、熱抵抗を測定した。その結果を下記の表２に示す。
【０１３２】
【表２】
2010161168.tif 000004
【０１３３】
（測定結果）
本発明例３〜９のフレキシブルプリント基板について、透過電子顕微鏡を用いて観察した結果、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層に生成されたことがわかった。また、本発明例８、９ではアモルファスＢＮ層が形成されたことがわかった。
【０１３４】
また、シート抵抗測定により、ｈＢＮ層、アモルファスＢＮ層は全て絶縁性を有することがわかった。
【０１３５】
また、表２に示すように、ｈＢＮ層１２の厚さが厚いほど、ΔＴが小さく放熱性能に優れることがわかった。ただし、ｈＢＮ層１２の厚さが厚いほど熱抵抗が高くなるのは、厚くなるほどｈＢＮ層内の圧縮応力が大きくなり、導電性の基板１６との間に微小な剥離等が生じるためと考えられる。
【０１３６】
さらに、導電性の基板１６の表面に微細な凹凸を付与した本発明例７ではｈＢＮ層１２と導電性の基板１６との密着強度が高かったため、同様の条件の本発明例６よりも熱抵抗も低くΔＴも小さくなった。
【０１３７】
さらには、アモルファスＢＮ層を形成した本発明例８は、熱抵抗もΔＴも小さかった。これは、熱応力を緩和できるために微細クラックが発生しにくいためと考えられる。ただし、本発明例９に示すように、アモルファスＢＮ層が厚くなると熱抵抗が高くなることがわかった。
【０１３８】
以上より、本実施例によれば、Ｂ元素を含むガスと、Ｎ元素を含むガスと、Ｇａガスとを導電性の基板上に供給することにより、表面の法線と平行なｃ軸を有する配向性のｈＢＮ層を形成することができることが確認できた。また、ｈＢＮ層は絶縁性であることが確認できた。さらに、基板１１とパターン１３との間にｈＢＮ層１２を形成することにより、放熱特性を向上できることが確認できた。
【０１３９】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、各実施の形態および実施例の特徴を適宜組み合わせることも当初から予定している。また、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１４０】
１０，２０  フレキシブルプリント基板、１１，１６  基板、１２  ｈＢＮ層、１２ａ，１６ａ，１７ａ  表面、１２ｂ  裏面、１３  パターン、１４  実装部品、１５  ワイヤ、１７  アモルファスＢＮ層、１００，３００  生成装置、１０４  容器、１０５  Ｇａ蒸気、１０６，３０１  反応管、１０７，２０８，３０３  ヒータ、１０８  真空排気系、２００  測定装置、２０２  断熱材、２０４  角柱、２０５  ホルダ、２０６  熱電対孔、２０７  熱電対、３０２  炭素板、３１０  ＳｉＣ基板。
【図１】
2010161168.tif 000005
【図２】
2010161168.tif 000006
【図３】
2010161168.tif 000007
【図４】
2010161168.tif 000008
【図５】
2010161168.tif 000009
【図６】
2010161168.tif 000010
【図７】
2010161168.tif 000011
【図８】
2010161168.tif 000012
【図９】
2010161168.tif 000013
【図１０】
2010161168.tif 000014
【図１１】
2010161168.tif 000015
【図１２】
2010161168.tif 000016
【図１３】
2010161168.tif 000017
【図１４】
2010161168.tif 000018
【図１５】
2010161168.tif 000019
【図１６】
2010161168.tif 000020
【図１７】
2010161168.tif 000021
【図１８】
2010161168.tif 000022
【図１９】
2010161168.tif 000023