(57)【要約】【課題】メッキ処理やエッチング処理を行わずに簡単な処理で給電部分を形成することができる発光素子搭載用基板の製造方法を提供することにある。【解決手段】柱状金属体１４を設けた金属基板１０に、絶縁樹脂材料と金属箔とを積層一体化して、表面に凸部Ａを形成する工程と、前記凸部Ａを除去して、前記柱状金属体１４を露出させる工程と、露出した前記柱状金属体１４の周囲の金属箔が分断するように外周を切断する工程とを備える。【選択図】図１
2010103172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状金属体を設けた金属基板に、絶縁樹脂材料と金属箔とを積層一体化して、表面に凸部を形成する工程と、
前記凸部を除去して、前記柱状金属体を露出させる工程と、
露出した前記柱状金属体の周囲の金属箔が分断するように外周を切断する工程と、
を備える発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項２】
前記柱状金属体を露出させる工程において、当該露出後の柱状金属体同士の間に、金属箔の分断部がある請求項１の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項３】
前記外周を切断する工程において、当該切断後の基板の外形が長方形である請求項１または２の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項４】
柱状金属体を設けた金属基板と、
前記柱状金属体の周囲の絶縁層と
前記柱状金属体と間隔を設けて前記絶縁層に積層され外周の切断により分断された複数の金属箔と、を有する発光素子搭載用基板。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかの発光素子搭載用基板の製造方法で製造された発光素子搭載用基板または請求項４の発光素子搭載用基板の柱状金属体上方に発光素子を実装した発光素子パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードチップなどの発光素子を基板の表面に搭載するための発光素子搭載用基板の製造方法および発光素子搭載用基板に関する。この発光素子搭載用基板は、特に小電力の軽薄型照明装置の発光素子パッケージとして有用である。
【背景技術】
【０００２】
従来から、金属基板の上面に保護金属層を介して金属凸部を形成し、この金属凸部の周囲に金属凸部の高さと同じ高さの絶縁樹脂層を形成し、金属凸部上面に放熱パターンと絶縁樹脂層上面に給電用パターンを同時にメッキ形成し、金属凸部の上面に放熱パターンを介して発光素子を実装可能とした発光素子搭載用基板が知られている（特許文献１参照）。そして、この発光素子搭載用基板の製造方法として、以下の方法が知られている。特許文献１の図７（ｂ）に示すように、金属凸部２２ｂが形成された金属基板に、樹脂付き銅箔２３を加熱プレスして、金属凸部２２ｂに対応する位置に凸部を形成する。次いで、研削や研磨によりその凸部を除去して、金属凸部２２ｂを露出させる。次いで、金属凸部２２ｂを露出させた後に、全面に銅メッキを施して、給電パターンをエッチングにより形成していた。また、銅箔２３ａをエッチングすることで給電パターンを形成することも行われていた。
【特許文献１】特開２００５−１６７０８６号公報（図１、図２、図３、図７、図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述したように、研削や研磨により凸部を除去して、金属凸部２２ｂを露出させ、全面に銅メッキを施してから給電パターンをエッチングにより形成したり、銅箔２３をエッチングして給電パターンを形成することは、手間であり、低コスト化の要請もあって改善が望まれていた。
【０００４】
また、一般のパッケージ用基板の場合、給電パターンを設ける必要があるが、上述のように銅メッキあるいは銅箔をエッチング処理することなく、簡単に給電パターンを形成する方法が望まれていた。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、メッキ処理やエッチング処理を行わずに簡単な処理で給電部分を形成することができる発光素子搭載用基板の製造方法を提供することにある。また、メッキ処理やエッチング処理を行わずに簡単な処理で給電部分が形成された発光素子搭載用基板、その発光素子搭載用基板を用いた発光素子パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。
【０００７】
即ち、本発明の発光素子搭載用基板の製造方法は、
柱状金属体を設けた金属基板に、絶縁樹脂材料と金属箔とを積層一体化して、表面に凸部を形成する工程と、
前記凸部を除去して、前記柱状金属体を露出させる工程と、
露出した前記柱状金属体の周囲の金属箔が分断するように外周を切断する工程と、
を備える構成である。
【０００８】
この構成によれば、従来技術のように、給電パターンの形成のために銅メッキ処理やエッチング処理を行う必要がなく、露出した柱状金属体の周囲の金属箔が分断するように、その外周を切断するのみで、好適に給電パターンが形成された発光素子搭載用基板を製造することができる。
【０００９】
また、上記の本発明の前記柱状金属体を露出させる工程において、当該露出後の柱状金属体同士の間に、金属箔の分断部があることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、柱状金属体同士の間に金属箔の分断部があることで、それぞれの柱状金属体用の給電パターンを金属箔によって形成し、それぞれの柱状金属体を発光素子の搭載部として機能させた発光素子搭載用基板として好適に構成することができる。露出工程において、柱状金属体の周囲の少なくとも金属箔が除去され、露出した絶縁樹脂材料（層）が柱状金属体の周囲を取り囲むように形成され、この絶縁樹脂材料（層）の隣り合う者同士が連続して形成されることで、給電パターンを形成するための分断部が形成される。露出工程において分断部が形成されるため、切断箇所の数を省略することができる。例えば、図５の場合、上下に隣り合う柱状金属体を切り離す場合には、分断部があるために切断位置は一箇所となる。分断部がなければ、切断位置は２箇所である。また、分断部が形成された後に、分断部に沿って、金属箔を除去して、複数の発光素子の搭載部を有する発光素子搭載用基板を形成することができる。この複数の発光素子の搭載部を有する発光素子搭載用基板も切断工程において切断される。
【００１１】
また、上記の本発明の前記外周を切断する工程において、当該切断後の基板の外形が長方形である構成がある。
【００１２】
この構成によれば、柱状金属体の周囲に絶縁樹脂材料（層）が環状に形成され、かつ、給電パターンの金属箔が形成された発光素子搭載用基板の外形が平面視で長方形になるように切断される。
【００１３】
また、他の本発明の発光素子搭載用基板は、
柱状金属体を設けた金属基板と、
前記柱状金属体の周囲の絶縁層と
前記柱状金属体と間隔を設けて前記絶縁層に積層され外周の切断により分断された複数の金属箔と、を有する構成である。
【００１４】
この構成によれば、上述と同様に、従来技術のように、給電パターンの形成のために銅メッキ処理やエッチング処理を行う必要がなく、露出した柱状金属体の周囲の金属箔が分断するように、その外周を切断するのみで、好適に給電パターンが形成された発光素子搭載用基板となる。
【００１５】
また、他の本発明の発光素子パッケージは、
上述の発光素子搭載用基板の製造方法で製造された発光素子搭載用基板または上述の発光素子搭載用基板の柱状金属体上方に発光素子を実装した発光素子パッケージである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、発光素子搭載用基板の製造方法の工程フローを示す図面である。図２および４は、図１の工程フローを模式的に示した図面である。図３、５、６は、発光素子搭載用基板を平面視した外観を示す図面である。
【００１７】
（実施形態１）
図３の右側に示す切断後の発光素子搭載用基板は、柱状金属体Ｂ（１４）を設けた金属基板１０と、柱状金属体Ｂ（１４）の周囲の絶縁層Ｃ（１６）と、柱状金属体Ｂ（１４）と間隔を設けて絶縁層（絶縁樹脂層Ｃ（１６）に相当する）に積層され切断で分断された複数の金属箔（給電部に相当する銅箔１８ａ、１８ｂ）と、を有して構成されている。原基板における切断位置は、図３の左側に図示している。
【００１８】
図３の発光素子搭載用基板の製造工程について以下に説明する。
【００１９】
（１）金属基板１０に柱状金属体１４を形成する（ステップＳ１）。図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、金属基板１０に積層された表面金属層４を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に柱状金属体１４が形成される。この表面金属層４は、そのエッチング時に耐性を示す別の保護金属層２を介して金属基板１０に積層されている例を示す。なお、保護金属層２は必須構成ではない。
【００２０】
図２（ａ）に示すような、金属基板１０と保護金属層２と柱状金属体１４とを形成するための表面金属層４とが積層された積層板ＳＰを用意する。積層板ＳＰは、何れの方法で製造したものでもよく、例えば電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着などを利用して製造したものや、クラッド材などが何れも使用可能である。積層板ＳＰの各層の厚みについては、例えば、金属基板１０の厚みは、３０〜５０００μｍ、保護金属層２の厚みは、１〜２０μｍ、表面金属層４の厚みは１０〜５００μｍである。
【００２１】
金属基板１０は、単層または積層体の何れでもよく、構成する金属としては、何れの金属でもよく、例えば銅、銅合金、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、鉄、その他の合金等が使用できる。なかでも、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅、アルミニウムが好ましい。上記のような、放熱が良好な金属基板１０を備える構造により、発光素子の温度上昇を防止できるため、駆動電流をより多く流せ、発光量を増加させることができる。
【００２２】
表面金属層４を構成する金属としては、通常、銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用でき、特に熱伝導性や電気伝導性の点から、銅が好ましい。
【００２３】
保護金属層２を構成する金属としては、金属基板１０及び表面金属層４とは別の金属が使用され、これらの金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用できる。具体的には、これらの金属が銅である場合、保護金属層２を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但し、本発明は、これらの金属の組合せに限らず、上記金属のエッチング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可能である。また、保護金属層２を形成せずに、表面金属層４を直接に金属基板１０に形成することができる。
【００２４】
次に、図２（ｂ）に示すように、エッチングレジストＭを用いて、表面金属層４の選択的なエッチングを行う。これにより、発光素子の搭載位置に柱状金属体１４を形成する。柱状金属体１４のサイズは、実装される発光素子のサイズ、伝熱効率等の観点から設計される。なお、図示していないが、複数の柱状金属体１４が形成される。
【００２５】
エッチングレジストＭは、感光性樹脂やドライフィルムレジスト（フォトレジスト）などが使用できる。なお、金属基板１０が表面金属層４と同時にエッチングされる場合、これを防止するためのマスク材を、金属基板１０の下面に設けるのが好ましい（図示省略）。
【００２６】
エッチングの方法としては、保護金属層２及び表面金属層４を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、表面金属層４が銅であり、保護金属層２が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。エッチング後には、エッチングレジストＭが除去される。
【００２７】
次に、図２（ｃ）、（ｄ）に示すように、露出している保護金属層２を除去するが、これを除去せずに、絶縁樹脂層１６を形成することも可能である。保護金属層２は、エッチングにより除去し金属層１２を形成することができる。具体的には、表面金属層４が銅であり、保護金属層２が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。
【００２８】
予め露出する保護金属層２を除去する場合、除去部分から金属基板１０の表面が露出するが、これと絶縁樹脂層１６との密着性を高めるために、黒化処理、粗化処理などの表面処理を行うことが好ましい。
【００２９】
（２）次いで、絶縁樹脂材料と金属箔とを積層一体化して（予め積層一体された絶縁樹脂材料付きの金属箔も含む。）、表面に凸部Ａを形成する（ステップＳ２）。以下では金属箔として銅箔１８を用いた場合について説明する。図２（ｅ）に示すように、絶縁樹脂材料と銅箔１８を積層して一体化し、絶縁樹脂層１６付き銅箔１８をプレス面により加熱プレスして、図２（ｆ）に示すように、柱状金属体１４に対応する位置に凸部Ａを形成する。このとき、プレス面と被積層体との間に、少なくとも、凹状変形を許容するシート材を配置しておくのが好ましい。また、柱状金属体１４に対応する位置に凹部を有するプレス面を使用してもよい。
【００３０】
上記の絶縁樹脂層１６付き銅箔１８は、各種のものが市販されており、それらをいずれも使用できる。また、絶縁樹脂材料の形成材とセラミック層付き銅箔の形成材とは各々を別々に配置してもよい。この工程では、シート材が、柱状金属体１４の存在によって加熱プレス時に凹状変形するため、それに対応する凸部Ａが積層体に形成される。
【００３１】
加熱プレスの方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力など条件等は、絶縁樹脂層形成材と金属層形成材の材質や厚みに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、０．５〜３０ＭＰａが好ましい。
【００３２】
絶縁樹脂層形成材としては、積層時に変形して加熱等により固化すると共に、配線基板に要求される耐熱性を有するものであれば何れの材料でもよい。具体的には、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂や、それとガラス繊維、セラミック繊維、アラミド繊維等との複合体（プリプレグ）などが挙げられる。
【００３３】
また、絶縁樹脂層１６の絶縁樹脂層形成材として、熱伝導性の高い材料で構成されることが好ましく、例えば、熱伝導性フィラーを含む樹脂等が例示される。
【００３４】
この場合の絶縁樹脂層１６は、１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、１．２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好ましく、１．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することがより好ましい。これによって、柱状金属体１４からの熱を効率良く金属基板１０側に放熱することができる。ここで、絶縁樹脂層１６の熱伝導率は、適宜、熱伝導性フィラーの配合量および粒度分布を考慮した配合を選択することで決定されるが、硬化前の絶縁性接着剤の塗工性を考慮すると、一般的には１０Ｗ／ｍＫ程度が上限として好ましい。
【００３５】
上記の絶縁樹脂層１６は金属酸化物及び／又は金属窒化物である熱伝導性フィラーと樹脂（絶縁性接着剤）とで構成されることが好ましい。金属酸化物並びに金属窒化物は、熱伝導性に優れ、しかも電気絶縁性のものが好ましい。金属酸化物としては酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ベリリウム、酸化マグネシウムが、金属窒化物としては窒化硼素、窒化珪素、窒化アルミニウムが選択され、これらを単独または２種以上を混合して用いることができる。特に、前記金属酸化物のうち、酸化アルミニウムは電気絶縁性、熱伝導性ともに良好な絶縁接着剤層を容易に得ることができ、しかも安価に入手可能であるという理由で、また、前記金属窒化物のうち窒化硼素は電気絶縁性、熱伝導性に優れ、更に誘電率が小さいという理由で好ましい。
【００３６】
熱伝導性フィラーとしては、小径フィラーと大径フィラーとを含むものが好ましい。このように２種以上の大きさの異なる粒子（粒度分布の異なる粒子）を用いることで、大径フィラー自体による伝熱機能と、小径フィラーにより大径フィラー間の樹脂の伝熱性を高める機能により、絶縁樹脂層１６の熱伝導率をより向上させることができる。このような観点から、小径フィラーのメディアン径は、０．５〜２μｍが好ましく０．５〜１μｍがより好ましい。また、大径フィラーのメディアン径は、１０〜４０μｍが好ましく１５〜２０μｍがより好ましい。
【００３７】
上記の絶縁樹脂層１６を構成する樹脂としては、金属酸化物及び／又は金属窒化物を含みながらも、硬化状態下において、金属基板１０（存在していれば金属層１２）との接合力に優れ、また耐電圧特性等を損なわないものが選択される。このような樹脂として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチックが単独または２種以上を混合して用いることができるが、このうちエポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。特に、エポキシ樹脂のなかでは、流動性が高く、前記の金属酸化物及び金属窒化物との混合性に優れるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが一層好ましい樹脂である。
【００３８】
シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体、などが挙げられる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体などの、弾性変形可能なものが好ましい。
【００３９】
（３）柱状金属体１４の上方の凸部Ａを除去し、柱状金属体１４を露出させる（ステップＳ３）。図２（ｇ）に示すように、凸部Ａが除去されて柱状金属体１４が露出し平坦面Ｂが形成されている。この凸部Ａの除去の際、銅箔１８の高さと柱状金属体１４の高さが一致するように除去して平坦化することが好ましい。柱状金属体１４の周囲には絶縁樹脂層１６の表面Ｃが環状に形成されて、銅箔１８と柱状金属体１４との間の電気的接触を防止するように構成される。
【００４０】
凸部Ａの除去方法としては、研削や研磨による方法が好ましく、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品などを用いる方法などが挙げられる。研削装置を使用すると、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。本発明のように積層体に凸部Ａが形成されていると、その部分のみを研削するのが容易になり、全体の平坦化がより確実に行える。
【００４１】
（４）露出した柱状金属体１４の周囲の銅箔１８が分断するように外周を切断する（ステップＳ４）。図３左側に、分断するための切断位置を破線で示す。ここでは、外周の四方における切断位置を示しており、図面において上下の切断位置では絶縁樹脂層１６の表面Ｃの一部分を含むように切断位置が設定される。図３右側（矢印側）に、当該切断位置で分断された基板を示す。銅箔１８ａ、１８ｂが、絶縁樹脂層１６（表面Ｃ）によって柱状金属体１４（平坦面Ｂ）と電気的に接触することなく、好適に給電パターンとして形成されている。当該切断後の基板の外形が長方形となっていることが分かる。
【００４２】
（実施形態２）
実施形態２は、上述の実施形態１の柱状金属体１４を露出させる工程（ステップＳ３）において、当該露出後の柱状金属体１４同士の間に、図５に示すように銅箔１８を分断する分断部Ｃ１が形成される構成である。分断部分Ｃ１は、柱状金属体１４同士の間の環状の絶縁樹脂層１６の重なりとして構成される。
【００４３】
図４（ｅ１）に示すように、隣り合う柱状金属体１４同士が近接している。そして、絶縁樹脂層１６付き銅箔１８をプレス面により加熱プレスして、図４（ｆ１）に示すように、それぞれの柱状金属体１４に対応する位置に凸部Ａを形成する。なお、図示していないが、他にも複数の柱状金属体１４が存在している。次いで、図４（ｇ１）に示すように、柱状金属体１４の上方の凸部Ａを除去し、柱状金属体１４を露出させる（ステップＳ３）。それぞれの凸部Ａが除去されて、それぞれの柱状金属体１４が露出し平坦面Ｂが形成されている。柱状金属体１４の周囲には絶縁樹脂層１６の表面Ｃが環状に形成され、さらに、柱状金属体１４同士の間の環状の絶縁樹脂層１６の重なりとして分断部Ｃ１が形成される。環状の絶縁樹脂層１６によって銅箔１８と柱状金属体１４との間の電気的接触を防止するように構成される。
【００４４】
次いで、露出した柱状金属体１４の周囲の銅箔１８が分断するように外周を切断する（ステップＳ４）。図５左側に分断するための切断位置を破線で示す。ここでは、３つ連続配置の柱状金属体１４のそれぞれの周囲を分断する一例を示す。分断部Ｃ１に沿うように切断位置が決定される。図５右側（矢印側）に、当該切断位置で分断された基板を示す。それぞれの基板の銅箔１８ａ、１８ｂが、絶縁樹脂層１６（表面Ｃ）によって柱状金属体１４（平坦面Ｂ）と電気的に接触することなく、好適に給電パターンとして形成されている。
【００４５】
（実施形態３）
図６に示すように、実施形態３は、上述の実施形態２において、分断部Ｃ１に沿った切断位置での切断に替わり、この切断位置の銅箔１８のみを分断（除去）して凹部Ｄを形成する構成である。この除去方法は、例えば、カッターによるカット処理、レーザー切断処理等が挙げられる。処理の容易性からレーザーやカッターによる凹部形成が好ましい。凹部Ｄによって、図面において隣り合う柱状金属体１４の銅箔１８同士の電気的絶縁が可能となる。
【００４６】
図６において、凹部Ｄ形成および３つ連続配置の柱状金属体１４の周囲を切断する一例を示す。切断する形態はこれに制限されず、２つ、４つ以上連続配置の柱状金属体１４の周囲を切断する形態もできる。この切断により、図６右側（矢印側）に示すように、３つ連続配置の柱状金属体１４を有する基板が得られる。基板中の銅箔（１８ａ、１８ｂ）、（１８ｃ、１８ｄ）、（１８ｅ、１８ｆ）が、絶縁樹脂層１６（表面Ｃ）および凹部Ｄによって、それぞれの柱状金属体１４（平坦面Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３）と電気的に接触することなく、好適に給電パターンとして形成されている。特に、凹部Ｄによって、図面において上下隣り合う銅箔１８ａ、１８ｂと銅箔１８ｃ、１８ｄとは電気的絶縁が可能となっている。また、上下隣り合う銅箔１８ｃ、１８ｄと銅箔１８ｅ、１８ｆとも同様である。
【００４７】
また、別実施形態として、凹部Ｄを形成せずに、複数の柱状金属体１４を配置した基板を形成することもできる。この場合、図７に示すように、３つの柱状金属体１４に共通の銅箔（１８ａ、１８ｂ）による給電パターンとして構成される。
【００４８】
（別実施形態）
別の製造方法として、絶縁樹脂材料層付き銅箔を加熱プレスした後に、エッチングで柱状金属体１４の上方の絶縁樹脂材料層付き銅箔を除去し、その後同様にして、研削等を行ってもよい。また、前述の説明では、プレス面と被積層体との間に、凹状変形を許容するシート材を配置することで、絶縁樹脂材料層付き銅箔を凸状に変形させる例を示したが、本発明では、絶縁樹脂材料層付き銅箔の上面にドライフィルムレジストを積層しておき、パターン露光と現像を行うことによって、柱状金属体１４の上方が開口したドライフィルムレジストを形成しておくことで、加熱プレスした際に、絶縁樹脂材料層付き銅箔を凸状に変形させることも可能である。
【００４９】
また、電極部を有する給電パターン（１８ａ、１８ｂ等）には、反射効率を高めるために金、ニッケル、銀などの貴金属によるメッキを行うのが好ましい。また、従来の配線基板と同様にソルダレジストを形成したり、部分的に半田メッキを行ってもよい。
【００５０】
（発光素子パッケージ）
柱状金属体１４の表面に直接または金属層を介して、発光素子が実装される。発光素子の搭載方法としては、導電性ペースト、両面テープ、半田による接合など何れでもよいが、金属による接合が放熱性の点から好ましい。金属層は、公知方法、例えば金属メッキ後のエッチングによって形成することができる。
【００５１】
発光素子としては、発光ダイオードチップ（ベアチップ）、パッケージされた表面実装タイプの発光ダイオード（チップＬＥＤ）、半導体レーザチップ等が挙げられる。発光ダイオードチップを用いる場合、その裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類がある。
【００５２】
発光素子は、両側の給電パターン（１８ａ、１８ｂ）の電極部と導電接続される。この導電接続は、発光素子の上部電極と各々の電極部とを、金属細線によるワイヤボンディング等で結線することで行うことができる。ワイヤボンディングとしては、超音波やこれと加熱を併用したものなどが可能である。また、別実施形態として、金属細線を用いずに発光素子の電極と電極部とを導電接続するように構成できる。例えば、柱状金属体あるいはその上方の金属層の一部に電極部を形成し、発光素子の電極がそこに接続されるように構成できる。
【００５３】
また、柱状金属体１４の周囲に、リフレクタ機能を備えたダム形成することもできる。また、ダムの内側を透明樹脂等で被覆することができ、さらに、その上方に、凸面の透明樹脂レンズを設けることができる。
【００５４】
発光素子パッケージは、一般的に、配線パターンが形成された基板に１個の発光素子が実装されたパッケージ構成であり、この発光素子パッケージは回路基板上に実装される。本発明においては、実施形態３のように複数の発光素子を実装できるように構成した基板を用いたものも発光素子パッケージとして呼ぶ。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本願発明の発光素子搭載用基板の製造工程フローの一例を示す図
【図２】本願発明の発光素子搭載用基板の製造工程フローの一例を示す図
【図３】本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図
【図４】本願発明の発光素子搭載用基板の製造工程フローの一例を示す図
【図５】本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図
【図６】本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図
【図７】本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図
【符号の説明】
【００５６】
１０    金属基板
１２    金属層
１４    柱状金属体
１６    絶縁樹脂層
１８    銅箔
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ、１８ｅ、１８ｆ    給電パターン
Ａ      凸部
Ｂ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３      平坦面
Ｃ１    分断部
Ｄ      凹部
【図１】
2010103172.tif 000003
【図２】
2010103172.tif 000004
【図３】
2010103172.tif 000005
【図４】
2010103172.tif 000006
【図５】
2010103172.tif 000007
【図６】
2010103172.tif 000008
【図７】
2010103172.tif 000009