(57)【要約】      （修正有）【課題】基板処理時の処理室の温度上昇を抑制できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で基板２００を保持するサセプタ２１７と、基板２００を加熱するヒータ２０７とを備えた処理装置において、処理室２０１の内壁面はアルマイト処理せずにアルミニウム合金表面として放射率が小さい第一放射部２０１ａを設け、処理室２０１の外壁面はアルマイト処理して放射率が大きい第二放射部２０１ｂを設ける。処理室外壁面の放射率が大きいので、外壁面側での放射による大気への熱の逃げを増加でき、処理室温度の上昇を抑制できる。処理室内壁面の放射率が小さいので、処理室の輻射による不用意な温度上昇を抑制でき、エネルギ損失を小さく抑制できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を保持するサセプタと、
前記基板を加熱するヒータと、
前記処理室の内壁面に設けられた第一放射部と、
前記処理室の外壁面に設けられ、前記第一放射部とは放射率が異なる第二放射部と、
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に薄膜を形成するのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、ＩＣが作り込まれるウエハに薄膜を形成する工程には、ウエハを処理する処理室と、処理室内で基板を保持するサセプタと、処理室内に設置されて基板を加熱するヒータと、を有する基板処理装置が使用されることがある。
【０００３】
従来のこの種の基板処理装置においては、処理室を形成する処理容器はアルミニウム合金によって製作されており、処理室の内壁面はウエハ処理条件によって表面処理を決定している。例えば、処理室内で使用されるガスの種類に応じて耐食性のある内壁面を選択している。
なお、アルミニウム合金表面の放射率εは、０．０５〜０．１程度と小さく、アルミニウム合金にアルマイト処理を施した表面の放射率εは、０．７〜０．９程度と大きくなることが、一般的に知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述した基板処理装置においては、アルミニウム合金製の処理室の内壁面および外壁面のいずれにも、アルマイト処理を施さない場合には、放射率が小さいので、処理室の輻射による不用意な温度上昇が少なくエネルギ損失（ロス）を小さく抑制することができる。
しかしながら、放射率が小さいことにより、処理室の外壁面側での放射による大気への熱逃げが少ないために、ウエハ処理温度が高くなると、予め設定したウエハ処理時の処理室温度を超えてしまう場合が発生した。
【０００５】
本発明の目的は、基板処理時の処理室の温度上昇を抑制することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を保持するサセプタと、
前記基板を加熱するヒータと、
前記処理室の内壁面に設けられた第一放射部と、
前記処理室の外壁面に設けられ、前記第一放射部とは放射率が異なる第二放射部と、
を有する基板処理装置。
（２）前記第一放射部は前記第二放射部よりも放射率が小さくなるように形成されていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記第一放射部はアルミニウム合金によって形成されており、第二放射部はアルマイト処理によって形成されていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
（４）第一放射部は放射率を０．０５〜０．１程度に設定されており、第二放射部は放射率を０．７〜０．９程度に設定されていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記した手段によれば、基板処理時の処理室の不用意な温度上昇を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
図１は本発明の一実施の形態であるリモートプラズマユニットが組み込まれた枚葉式処理装置の処理炉を示す概略図である。
【００１０】
図１に示されているように、処理容器２０２により形成される処理室２０１内には、基板２００を支持する支持台２０６が設けられる。支持台２０６の上部には基板２００を支持する支持板としてのサセプタ２１７が設けられる。支持台２０６の内部には加熱機構（加熱手段）としてのヒータ２０７が設けられ、ヒータ２０７によってサセプタ２１７上に載置される基板２００を加熱するようになっている。ヒータ２０７は基板２００の温度が所定の温度となるように温度制御部（温度制御手段）としての温度コントローラ２５３により制御される。サセプタ２１７上に載置される基板２００は、例えば半導体シリコンウエハ、ガラス基板等である。
【００１１】
処理容器２０２はアルミニウム合金によって形成されており、図２に示されているように、処理室２０１の内壁面にはアルマイト表面処理部からなる第一放射部２０１ａが設けられ、処理室２０１の外壁面にはアルミニウム合金表面からなる第二放射部２０１ｂが設けられている。
第一放射部２０１ａはアルミニウム合金の表面にアルマイト処理を施されずにアルミニウム合金表面のままとされており、放射率が０．０５〜０．１程度に設定されている。
第二放射部２０１ｂはアルミニウム合金の表面にアルマイト処理を施されており、第二放射部２０１ｂは放射率が０．７〜０．９程度に設定されている。つまり、第二放射部２０１ｂは第一放射部２０１ａとは放射率が異なる。
【００１２】
処理室２０１の外部には、回転機構（回転手段）２６７が設けられ、回転機構２６７によって処理室２０１内の支持台２０６を回転して、サセプタ２１７上の基板２００を回転できるようになっている。
また、処理室２０１の外部には昇降機構（昇降手段）２６６が設けられ、支持台２０６は昇降機構２６６によって、処理室２０１内において昇降可能となっている。
【００１３】
処理室２０１の上部には、多数のガス噴出口としての孔２４０を有するシャワーヘッド２３６がサセプタ２１７と対向するように設けられる。
シャワーヘッド２３６は、２つの室、すなわち原料ガス供給部２３６ａと活性化ガス供給部２３６ｂとに分割され、分割されたそれぞれのガス供給部２３６ａ、２３６ｂから、後述する原料ガスと活性化ガスを、それぞれ別々に基板２００に対してシャワー状に噴出できるようになっている。原料ガス供給部２３６ａと活性化ガス供給部２３６ｂとで基板２００に対して原料ガスと活性化ガスをそれぞれ供給する別々の供給口が構成される。
なお、原料ガスと活性化ガスはシャワーヘッド２３６内で混合されることはない。
【００１４】
処理室２０１の外部には、液体原料である第一原料を供給する第一原料供給源２５０ａが設けられ、第一原料供給源２５０ａには液体原料供給管２３２が接続されている。
液体原料供給管２３２は、第一原料の液体供給流量を制御する流量制御装置（流量制御手段）としての液体流量コントローラ（液体マスフローコントローラ）２４１ａを介して、第一原料を気化する気化器２５５に接続されている。気化器２５５には原料ガス供給管２３２ａが接続されており、原料ガス供給管２３２ａはバルブ２４３ａを介してシャワーヘッド２３６の原料ガス供給部２３６ａに接続されている。
第一原料としては、例えば、常温で液体の有機金属材料、すなわち有機金属液体原料を用いる。
【００１５】
処理室２０１の外部には、非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給源２５０ｅが設けられ、不活性ガス供給源２５０ｅには不活性ガス供給管２３２ｅが接続されている。不活性ガス供給管２３２ｅは、不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置（流量制御手段）としてのガス流量コントローラ（マスフローコントローラ）２４１ｅ、バルブ２４３ｅを介して原料ガス供給管２３２ａに接続されている。
不活性ガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2 などを用いる。
【００１６】
原料ガス供給管２３２ａは、シャワーヘッド２３６の原料ガス供給部２３６ａに、気化器２５５にて気化した第一原料、すなわち原料ガスと、不活性ガス供給管２３２ｅからの不活性ガスとを供給するようになっている。
また、原料ガス供給管２３２ａ、不活性ガス供給管２３２ｅにそれぞれ設けられたバルブ２４３ａ、２４３ｅを開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御することが可能となっている。
【００１７】
処理室２０１の外部には、ガスをプラズマにより活性化させる活性化機構（活性化手段）としてのリモートプラズマユニット２２２が設けられる。
リモートプラズマユニット２２２の上流側には、活性化ガス供給管２４２ｅが設けられる。活性化ガス供給管２４２ｅには、第二原料を供給する第二原料供給源２５０ｂ、プラズマを発生させるためのガスを供給するプラズマ着火用ガス供給源２５０ｃ、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給源２５０ｄがそれぞれ供給管２３２ｂ、２３２ｃ、２３２ｄを介して接続され、それぞれのガスをリモートプラズマユニット２２２に対して供給するようになっている。
供給管２３２ｂ、２３２ｃ、２３２ｄには、それぞれのガスの供給流量を制御するガス流量コントローラ２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄと、バルブ２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄがそれぞれ設けられている。バルブ２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄを開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御することが可能となっている。
第二原料としては、例えば、酸素原子（Ｏ）を含むガス、水素原子（Ｈ）を含むガス、窒素原子（Ｎ）を含むガスを用いる。
プラズマ着火用ガスとしては、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを用いる。
クリーニングガスとしては、例えば、フッ素原子（Ｆ）を含むガス、または塩素原子（Ｃｌ）を含むガスを用いる。
【００１８】
リモートプラズマユニット２２２の下流側には、活性化ガス供給管２３２ｆが設けられる。活性化ガス供給管２３２ｆはバルブ２４３ｆを介してシャワーヘッド２３６の活性化ガス供給部２３６ｂに接続され、活性化ガス供給部２３６ｂにリモートプラズマユニット２２２にて活性化した第二原料、すなわち活性化ガスを供給するようになっている。
また、活性化ガス供給管２３２ｆに設けられたバルブ２４３ｆを開閉することにより、活性化ガスの供給を制御することが可能となっている。
【００１９】
処理容器２０２の下部側壁には排気口２３０が設けられ、排気口２３０には排気装置（排気手段）としての真空ポンプ２４６、除害装置（図示せず）に連通する排気管２３１が接続されている。
排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を制御する圧力制御部（圧力制御手段）としての圧力コントローラ２５４と、原料を回収するための原料回収トラップ２５１が設けられる。排気口２３０および排気管２３１で排気系が構成される。
【００２０】
処理室２０１内の支持台２０６上には、シャワーヘッド２３６から供給されたガスの流れを調整する整流板としてのプレート２０５が設けられる。プレート２０５は円環（リング）形状であり、基板の周囲に設けられる。
シャワーヘッド２３６から基板２００に供給されたガスは基板２００の径方向外方に向かって流れ、プレート２０５上を通り、プレート２０５と処理容器２０２の側壁（内壁）との間を通り、排気口２３０より排気される。
なお、基板外周部等、基板２００に膜を形成したくない箇所がある場合には、プレート２０５の内径を基板２００の外形より小さくして、基板２００の外周部を覆うようにしてもよい。この場合には、基板搬送を可能とするために、プレート２０５を処理室２０１内の基板処理位置に固定したり、プレート２０５を昇降させる機構を設けるようにしてもよい。
【００２１】
原料ガス供給管２３２ａおよび活性化ガス供給管２３２ｆには、排気管２３１に設けらた原料回収トラップ２５１に接続される原料ガスバイパス管２５２ａおよび活性化ガスバイパス管２５２ｂがそれぞれ設けられる。バイパス管２５２ａ、２５２ｂには、それぞれバルブ２４３ｇ、２４３ｈが設けられる。
【００２２】
処理容器２０２の排気口２３０と反対側の側壁には仕切弁としてのゲートバルブ２４４によって開閉される基板搬入搬出口２４７が設けられ、基板２００を処理室２０１内に搬入搬出し得るように構成されている。
【００２３】
バルブ２４３ａ〜２４３ｈ、流量コントローラ２４１ａ〜２４１ｅ、温度コントローラ２５３、圧力コントローラ２５４、気化器２５５、リモートプラズマユニット２２２、回転機構２６７、昇降機構２６６等の基板処理装置を構成する各部の動作の制御は、主制御部（主制御手段）としてのメインコントローラ２５６により行う。
【００２４】
次に、以上の構成に係る処理炉を用いて、半導体デバイス（ＩＣ）の製造工程の一工程として基板上に薄膜を堆積する方法について説明する。
本実施の形態では、常温で液体である有機金属液体原料を用いて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法、特にＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法、またはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ）法により基板上に金属膜や金属酸化膜等の薄膜を形成する場合について説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はメインコントローラ２５６により制御される。
【００２５】
支持台２０６が基板搬送位置まで下降した状態で、ゲートバルブ２４４が開かれて、基板搬入搬出口２４７が開放されると、図示しない基板移載機により、基板２００が処理室２０１内に搬入される（基板搬入工程）。
基板２００が処理室２０１内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ２４４が閉じられる。支持台２０６が基板搬送位置からそれよりも上方の基板処理位置まで上昇する。その間に、基板２００は突き上げピン上からサセプタ２１７上に載置される（基板載置工程）。
【００２６】
支持台２０６が基板処理位置に到達すると、基板２００は回転機構２６７により回転される。また、ヒータ２０７に電力が供給され基板２００は所定の処理温度となるように均一に加熱される（基板昇温工程）。
同時に、処理室２０１内は真空ポンプ２４６により真空排気され、所定の処理圧力となるように制御される（圧力調整工程）。
なお、基板搬送時や基板昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管２３２ｅに設けられたバルブ２４３ｅは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源２５０ｅより処理室２０１内に不活性ガスが常に流される。これにより、パーティクルや金属汚染物の基板２００への付着を防ぐことができる。
【００２７】
基板２００の温度、処理室２０１内の圧力が、それぞれ所定の処理温度、所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室２０１内に原料ガスが供給される。すなわち、第一原料供給源２５０ａから供給された第一原料としての有機金属液体原料が、液体流量コントローラ２４１ａで流量制御され、気化器２５５へ供給されて気化される。
バルブ２４３ｇが閉じられるとともに、バルブ２４３ａが開かれ、気化された第一原料、すなわち原料ガスが、原料ガス供給管２３２ａを通り、シャワーヘッド２３６の原料ガス供給部２３６ａを介して基板２００上へ供給される。このときも、バルブ２４３ｅは開いたままの状態とされ、処理室２０１内には不活性ガスが常に流される。原料ガスと不活性ガスとは原料供給管２３２ａ内で混合されて原料ガス供給部２３６ａに導かれ、サセプタ２１７上の基板２００上へシャワー状に供給される（原料ガス供給工程）。
なお、原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌されやすくなる。
【００２８】
原料ガスの供給が所定時間行われた後に、バルブ２４３ａが閉じられ、原料ガスの基板２００への供給が停止される。このときも、バルブ２４３ｅは開いたままの状態なので、処理室２０１内への不活性ガスの供給は維持される。これにより、処理室２０１内が不活性ガスによりパージされ、処理室２０１内の残留ガスが除去される（パージ工程）。
【００２９】
なお、この際、バルブ２４３ｇを開き、原料ガスをバイパス管２５２ａより排気して、気化器２５５からの原料ガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
液体原料を気化して、気化した原料ガスを安定供給するまでには時間がかかるので、気化器２５５からの原料ガスの供給を停止することなく、処理室２０１をバイパスするように流しておくと、次の原料ガス供給工程では、流れを切換えるだけで、直ちに原料ガスを基板２００へ供給できる。
【００３０】
処理室２０１内のパージが所定時間行われた後、処理室２０１内に活性化ガスが供給される。すなわち、バルブ２４３ｃが開かれ、プラズマ着火用ガス供給源２５０ｃから供給されたプラズマ着火用ガスとしてのＡｒガスが、供給管２３２ｃを通り、ガス流量コントローラ２４１ｃで流量制御されて、リモートプラズマユニット２２２へ供給され、Ａｒプラズマが生成される。
Ａｒプラズマが生成された後に、バルブ２４３ｂが開かれ、第二原料供給源２５０ｂから供給された第二原料が供給管２３２ｂを通り、ガス流量コントローラ２４１ｂで流量制御され、Ａｒプラズマが生成されているリモートプラズマユニット２２２へ供給され、第二原料がプラズマにより活性化される。これにより、ラジカル（活性種）等の反応種が生成される。バルブ２４３ｈが閉じられるとともに、バルブ２４３ｆが開かれ、リモートプラズマユニット２２２から第二原料をプラズマにより活性化したガス、すなわち活性化ガスが活性化ガス供給管２３２ｆを通り、シャワーヘッド２３６の活性化ガス供給部２３６ｂを介して基板２００上へシャワー状に供給される（活性化ガス供給工程）。
なお、このときも、バルブ２４３ｅは開いたままの状態とされ、処理室２０１内には不活性ガスが常に供給される。
【００３１】
活性化ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ２４３ｆが閉じられ、活性化ガスの基板２００への供給が停止される。このときも、バルブ２４３ｅは開いたままの状態なので、処理室２０１内への不活性ガスの供給は維持される。これにより、処理室２０１内が不活性ガスによりパージされ、処理室２０１内の残留ガスが除去される（パージ工程）。
【００３２】
なお、この際、バルブ２４３ｈを開き、活性化ガスをバイパス管２５２ｂより排気して、リモートプラズマユニット２２２からの活性化ガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。活性化ガスを安定供給するまでには時間がかかるので、リモートプラズマユニット２２２からの活性化ガスの供給を停止することなく、処理室２０１をバイパスするように流しておくと、次の活性化ガス供給工程では、流れを切換えるだけで、直ちに活性化ガスを基板２００へ供給できる。
【００３３】
処理室２０１内のパージが所定時間行われた後、再び、バルブ２４３ｇが閉じられるとともに、バルブ２４３ａが開かれ、気化した第一原料、すなわち原料ガスが、不活性ガスとともに、シャワーヘッド２３６の原料ガス供給部２３６ａを介して基板２００上へ供給され、原料ガス供給工程が行われる。
【００３４】
以上のような、原料ガス供給工程、パージ工程、活性化ガス供給工程、パージ工程を、１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、基板２００上に所定膜厚の薄膜を形成することができる（薄膜形成工程）。
【００３５】
基板２００への薄膜形成処理終了後、回転機構２６７による基板２００の回転が停止され、処理済基板２００は基板搬入工程と逆の手順で処理室２０１外へ搬出される（基板搬出工程）。
【００３６】
なお、薄膜形成工程をＣＶＤ法により行う場合には、処理温度を原料ガスが自己分解する程度の温度帯となるように制御する。
この場合、原料ガス供給工程においては、原料ガスが熱分解し、基板２００上に数〜数十原子層程度の薄膜が形成される。この間、基板２００は回転しながら所定温度に保たれているので、基板面内にわたり均一な膜を形成できる。
活性化ガス供給工程においては、活性化ガスにより基板２００上に形成された数〜数十原子層程度の薄膜よりＣ、Ｈ等の不純物が除去される。この間も、基板２００は回転しながら所定温度に保たれているので、薄膜より不純物を素早く均一に除去できる。
【００３７】
また、薄膜形成工程をＡＬＤ法により行う場合には、処理温度を原料ガスが自己分解しない程度の温度帯となるように制御する。
この場合、原料ガス供給工程においては、原料ガスは熱分解することなく基板２００上に吸着する。この間、基板２００は回転しながら所定温度に保たれているので、基板面内にわたり均一に原料を吸着させることができる。
活性化ガス供給工程においては、基板２００上に吸着した原料と活性化ガスとが反応することによって、基板２００上に１〜数原子層程度の薄膜が形成される。この間も、基板２００は回転しながら所定温度に保たれているので、基板面内にわたり均一な膜を形成できる。
なお、このとき、活性化ガスに含まれるラジカル成分により薄膜中に混入するＣ、Ｈ等の不純物を脱離させることができる。
【００３８】
ところで、アルミニウム合金製の処理容器における処理室の内壁面および外壁面のいずれにも、アルマイト処理を施さない場合には、処理室外壁面側での放射による大気への熱の逃げが少ないために、ウエハ処理温度が高くなると、予め設定したウエハ処理時の処理室温度を超えてしまう。
本実施形態においては、処理室２０１の外壁面には放射率の大きい第二放射部２０１ｂが設けられていることにより、処理室２０１の外壁面側での放射による大気への熱の逃げが増加するために、ウエハ処理温度が高くなっても、処理室２０１の温度が予め設定したウエハ処理温度を超えるのを防止することができる。
換言すれば、設定した温度よりも高い温度になりにくいため、ウエハ処理温度設定範囲を高温側にシフトすることができる。
ちなみに、ステファン・ボルツマンの法則（Ｅ＝σＴ4 ）から判るように、放射エネルギ（Ｅ）は温度（Ｔ）の４乗に比例するので、ウエハ処理温度が高くなればなるほど、熱の逃げ量差が顕著となり、処理室温度上昇防止効果が大となる。
しかも、本実施形態においては、処理室２０１の内壁面には放射率の小さい第一放射部２０１ａが設けられていることにより、処理室２０１の輻射による不用意な温度上昇を抑制することができるので、エネルギ損失（ロス）を小さく抑制することができる。
【００３９】
図３は処理室の熱伝達を示す概念図である。
図３によれば、放射率ε２が放射率ε１よりも大きくなること（ε１＜ε２）により、処理室外壁面での熱放射量ｑ４が増加するために、処理室温度を下げることが可能になるのが、判る。
【００４０】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４１】
（１）処理室の外壁面に放射率の大きい第二放射部を設けることにより、処理室の外壁面側での放射による大気への熱の逃げを増加させることができるので、ウエハ処理温度が高くなっても、処理室温度が設定処理温度を超えるのを防止することができる。これにより、反応室近辺にあるＯリング等が高温により劣化するのを防止することができる。
【００４２】
（２）換言すれば、処理室の温度上昇を抑制することができるので、設定した温度よりも高い温度になりにくく、抑制可能な分だけウエハ処理温度設定範囲を高温側にシフトすることができる。
【００４３】
（３）処理室の内壁面には放射率の小さい第一放射部を設けることにより、処理室の輻射による温度上昇を抑制することができるので、エネルギ損失（ロス）を抑制することができる。
【００４４】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４５】
本発明は、処理室の内壁面に放射率の小さい第一放射部を設け、処理室の外壁面に放射率の大きい第二放射部を設けるに限らない。
例えば、処理室の内壁面に放射率の大きい第二放射部（アルマイト処理表面）を設け、処理室の外壁面に放射率の小さい第一放射部（アルミニウム合金表面）を設けると、処理室内の輻射による温度上昇は少ないが、処理室外への放射による大気への熱逃げが増大するので、短時間で処理室内の温度を下げたい場合に適している。また、大気への熱が逃げやすいため、低温での温度設定が可能となる。
また、処理室の内壁面に放射率の小さい第一放射部を設け、処理室の外壁面に放射率の大きい第二放射部を設けると、処理室内の輻射による温度上昇は大きいが、処理室外への放射による大気への熱逃げは減少するので、短時間で処理室内の温度を上げたい場合に適している。
さらに、処理室の内壁面に放射率の小さい第一放射部を設け、処理室の外壁面に放射率の大きい第二放射部を設けると、処理室内を省エネルギで昇温する場合にも適している。
以上のように、処理室で実施する処理方法の性質、処理室内に供給するガス、温度、圧力等の性質に合わせて、処理室内外の材質を変更してもよい。
なお、処理室の内壁面および外壁面の両方にアルマイト表面処理すると、処理室の内壁面および外壁面の両方の放射率が増大し、エネルギ損失が多く、無駄なエネルギを消費してしまうので、適切ではない。        
【００４６】
前記実施形態においては成膜工程について説明したが、本発明はこれに限らず、拡散処理、酸化処理、アニール処理等の基板処理全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施の形態である処理装置を示す縦断面図である。
【図２】処理室の詳細を示す縦断面図である。
【図３】処理室の熱伝達を示す概念図である。
【符号の説明】
【００４８】
２００…基板
２０１…処理室
２０１ａ…第一放射部
２０１ｂ…第二放射部
２０２…処理容器
２０６…支持台
２０７…ヒータ
２１７…サセプタ
【図１】
2010080728.tif 000003
【図２】
2010080728.tif 000004
【図３】
2010080728.tif 000005