(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果膜のギャップ長が短く、且つ当該磁気抵抗効果膜とハード膜の先端部とが膜厚方向において段差の無い形状を備えて、磁気抵抗効果膜に印加される磁気バイアスを低下させることなく、高記録密度化、再生出力特性の安定化が可能な磁気再生ヘッドを提供する。【解決手段】本発明に係る磁気再生ヘッド１は、基体上に形成された磁気抵抗効果膜１３のコア幅方向の両側に絶縁層１６を介してハード膜１７を備える磁気再生ヘッドであって、ハード膜１７における磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部に、膜厚方向の厚さが絞られた絞り部１７Ａを有し、絞り部１７Ａの上面と磁気抵抗効果膜１３の上面とが同一平面内に形成される。【選択図】図２
2010080036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に形成された磁気抵抗効果膜のコア幅方向の両側に絶縁層を介してハード膜を備える磁気再生ヘッドであって、
前記ハード膜における前記磁気抵抗効果膜寄りの先端部に、膜厚方向の厚さが絞られた絞り部を有し、
前記絞り部の上面と前記磁気抵抗効果膜の上面とが同一平面内に形成されていること
を特徴とする磁気再生ヘッド。
【請求項２】
前記絞り部は、前記ハード膜における膜厚方向の上面もしくは下面の少なくとも一方が絞られて形成されること
を特徴とする請求項１記載の磁気再生ヘッド。
【請求項３】
基体上に、所定の積層構造を有する磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜上に第１のマスクを形成し、前記磁気抵抗効果膜を所望のコア幅にパターニングする工程と、
前記磁気抵抗効果膜上の前記第１のマスクを残存させたまま、該磁気抵抗効果膜のコア幅方向の両側に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記磁気抵抗効果膜の上面に対して上面が高くなるようにハード膜を形成する工程と、
前記ハード膜上に、第２のマスクを形成し、前記ハード膜の磁気抵抗効果膜寄りの先端部をエッチングプロセスによりエッチングする工程と、
前記第１のマスクおよび前記第２のマスクを除去した後、前記磁気抵抗効果膜、前記絶縁層、および前記ハード膜の上に、ギャップ層を形成し、さらにシールド層を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気再生ヘッドの製造方法。
【請求項４】
基体上に、所定の積層構造を有する磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜上に第１のマスクを形成し、前記磁気抵抗効果膜を所望のコア幅にパターニングする工程と、
前記磁気抵抗効果膜上の前記第１のマスクを残存させたまま、該磁気抵抗効果膜のコア幅方向の両側に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記磁気抵抗効果膜の上面に対して上面が同じ高さとなるようにハード膜を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記磁気抵抗効果膜、前記絶縁層、および前記ハード膜の磁気抵抗効果膜寄りの先端部の上に、第３のマスクを形成する工程と、
前記ハード膜上の、前記第３のマスクが形成されていない領域に、ハード膜嵩上げ層を形成する工程と、
前記第３のマスクを除去した後、前記磁気抵抗効果膜、前記絶縁層、前記ハード膜の磁気抵抗効果膜寄りの先端部、および前記ハード膜嵩上げ層の上に、ギャップ層を形成し、さらにシールド層を形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気再生ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層上に、前記磁気抵抗効果膜の上面に対して上面が同じ高さとなるようにハード膜を形成する工程と、前記第１のマスクを除去する工程と、の間に、
前記磁気抵抗効果膜、前記絶縁層、および前記ハード膜の上面を研磨する工程をさらに備えること
を特徴とする請求項４記載の磁気再生ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記基体上に、所定の積層構造を有する磁気抵抗効果膜を形成する工程の前に、
前記基体上に、第４のマスクを形成し、エッチングプロセスにより所定のコア幅を残して該基体の両側をエッチングする工程をさらに備え、
前記磁気抵抗効果膜は、前記基体上の、前記エッチングがなされていない領域に形成されること
を特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の磁気再生ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項１または請求項２記載の磁気再生ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子に電流を流し、磁気記録媒体に記録された情報を読み取るための電気信号を検出する回路と、を備えること
を特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気再生ヘッドとその製造方法および情報記憶装置に関し、さらに詳細には、ハード膜の先端に絞り部を有する磁気再生ヘッドとその製造方法、および外磁気再生ヘッドを備える情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、磁気再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）膜、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）膜等の磁気抵抗効果膜を用いたヘッドが開発されている。一方、磁気記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
【０００３】
例えば、磁気再生ヘッドに、ＴＭＲ膜のようなＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｐｌａｎｅ）構造を有する磁気抵抗効果膜が用いられる場合には、当該磁気抵抗効果膜の膜厚方向の幅（以下「ギャップ長」という）が長くなると再生感度が低下する原因となり、また、当該磁気抵抗効果膜の膜厚方向に段差形状が形成されると磁気抵抗効果膜へ流入するバイアス磁界の低下や、再生出力の不安定化の原因となるため、ギャップ長を短くし、且つ段差形状を低減することが課題となっている。
ここで、ＣＰＰ構造を有する磁気抵抗効果膜が用いられる磁気再生ヘッドとその製造方法に関する従来技術として、例えば、特許文献１に記載された方法等が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８５４１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、磁気抵抗効果膜のギャップ長が短く、且つ当該磁気抵抗効果膜とハード膜の先端部とが膜厚方向において段差の無い形状を備えて、磁気抵抗効果膜に印加される磁気バイアスを低下させることなく、高記録密度化、再生出力特性の安定化が可能な磁気再生ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
【０００７】
この磁気再生ヘッドは、基体上に形成された磁気抵抗効果膜のコア幅方向の両側に絶縁層を介してハード膜を備える磁気再生ヘッドであって、前記ハード膜における前記磁気抵抗効果膜寄りの先端部に、膜厚方向の厚さが絞られた絞り部を有し、前記絞り部の上面と前記磁気抵抗効果膜の上面とが同一平面内に形成されていることを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界の低下、および再生出力特性の不安定化を生じさせることなく、磁気抵抗効果膜のギャップ長が短く、且つ当該磁気抵抗効果膜とハード膜の先端部とが膜厚方向において段差の無い形状を備える磁気再生ヘッドが実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の構成例を示す概略図（コア幅方向に垂直な方向の断面図）である。図２は、本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッド１の例を示す概略図である。図３は、本発明の第二の実施形態に係る磁気ヘッド１の例を示す概略図である。図４は、本発明の第三の実施形態に係る磁気ヘッド１の例を示す概略図である。図５（ａ）〜（ｃ）、図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法（第一の実施形態）を説明する説明図である。図７（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法（第二の実施形態）を説明する説明図である。図８（ａ）、（ｂ）は本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法（第三の実施形態）を説明する説明図である。図９は、本発明の実施形態に係る情報記憶装置４０の構成を示す概略図である。
【００１０】
前述の通り、磁気ディスク装置の高容量化に伴う高記録密度化が進展し、磁気再生ヘッドに対して、情報の読み取りを行う磁気抵抗効果膜のギャップ長(膜厚方向）を小さくして、性能を向上させることが求められている。
ここで、本願出願人がギャップ長を小さくするために案出した磁気再生ヘッド１００の構成を図１０に示す。この磁気再生ヘッド１００は、狭ギャップ化を進めた場合、磁気抵抗効果膜１１３のコア幅方向の左右両側に配置したハード膜１１７の上面と、当該磁気抵抗効果膜１１３上面とが膜厚方向において段差を生じるため、特に、ハード膜１１７の先端部（Ａ部）から、上部シールド層１１５の下方に突出した部分の角部（Ｂ部）へ流入する磁界、および、同様にＣ部からＤ部へ流入する磁界が発生してしまい（バイアス磁界が図の右向きの場合）、ハード膜１１７から磁気抵抗効果膜１１３へ流入する磁界（バイアス磁界）が低下してしまうという課題が生じていた。
さらに、上部シールド層１１５の突出部（Ｅ部）に微小磁区が発生する影響によって、磁気再生ヘッド１００の再生出力特性（信号波形非対称性）が不安定になり(図１１参照)、外部磁場耐性が低下する等、信頼性が悪化する課題が生じていた。なお、当該図１１は、ギャップ長に応じた、信号波形非対称性を示しており、ギャップ長が短くなると信号波形非対称性を表す数値が上昇、すなわち再生出力特性が不安定になることがわかる。
なお、前記段差を低減するために、ハード膜１１７の更なる高Ｂｓ（飽和磁束密度）化や薄層化を実施する方法もあるが、信頼性の低下や磁区制御性の不足の原因となってしまう。
【００１１】
続いて、本発明の第一の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の構成について説明する。
磁気再生ヘッド１は、ハードディスク等の磁気記録媒体に記録された磁気信号を読み出す再生ヘッドである。
図１は、本発明の実施の形態に係る磁気再生ヘッド１の構成例を示す概略図（コア幅方向に垂直な方向の断面図）である（以下の第一の実施形態〜第三の実施形態において共通の図である）。
また、図２に第一の実施形態に係る磁気再生ヘッド１を浮上面２側から視た端面図（磁気抵抗効果膜１３およびその周辺部を拡大して表示）を示す。なお、図２〜図９はいずれも磁気再生ヘッド１（形成途中を含む）を浮上面２側から視た図として図示している。
【００１２】
磁気再生ヘッド１は、その素子高さ方向に直交する面に浮上面２が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面２によって回転する磁気記録媒体上を浮上して磁気信号の再生を行うものである。ちなみに、浮上面２は、各層の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て所定位置に形成される。
なお、磁気再生ヘッド１は、磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む（記録する）磁気記録ヘッドを備える複合型磁気ヘッドとして構成される場合もある。
【００１３】
図１、図２に示すように、ベースとなるウエハ基板（図２では不図示）上に、下部シールド層１２が形成される。さらに、下部シールド層１２の上層には、磁気抵抗効果膜１３が形成される。なお、図１中の符号４は、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁層である。
【００１４】
ここで、磁気抵抗効果膜１３には、例えば、ＴＭＲ膜もしくはＣＰＰ型のＧＭＲ膜等が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる（なお、ＣＩＰ型のＧＭＲ膜の場合に対しても適用することは可能である）。
ＴＭＲ膜を例にとると、同図２に示すように、反強磁性層５と、反強磁性層５により磁化が固定されている固定磁性層６と、外部磁界に応じて磁化回転する自由磁性層８と、固定磁性層６と自由磁性層８との間に配置される非磁性層７とを備える。
【００１５】
また、磁気抵抗効果膜１３のコア幅方向の両側に、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁層１６を介して、強磁性材料からなるハード膜１７が形成される（同図２参照）。
【００１６】
ここで、各層の形成材料の例として、反強磁性層５は、Ｍｎ系反強磁性材からなるＩｒＭｎが用いられる。なお、当該反強磁性層５の下層にＴａ／Ｒｕの２層膜等からなる下地層（不図示）を設けてもよい。固定磁性層６は、強磁性材のＣｏＦｅが用いられる。非磁性層７は、絶縁性材料のＭｇＯが用いられる。自由磁性層８は、ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅの２層膜が用いられる。なお、各層は、１［ｎｍ］〜数［ｎｍ］程度の膜厚で形成される。
また、ハード膜１７は、ＣｒＴｉ／ＣｏＰｔの２層膜が用いられる。
【００１７】
さらに、磁気抵抗効果膜１３上に、Ｒｕ（ルテニウム）等の非磁性の導電性金属材料からなるギャップ層１４が形成され、ギャップ層１４上に、上部シールド層１５が形成される。なお、上部シールド層１５、下部シールド層１２共に、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。当該上部シールド層１５および下部シールド層１２は、共に、磁気抵抗効果膜１３の磁気的シールドを行うものであって、ＣＰＰ構造を有する磁気抵抗効果膜１３の電極を兼用するものである。
【００１８】
上記構成によれば、ハード膜１７からバイアス磁界が磁気抵抗効果膜１３に印加されて、自由磁性層８の磁化方向が所定方向に向けられる作用が生じ、その状態で、磁気記録媒体に記録された磁気情報が外部磁界として自由磁性層８に印加されたときに、その外部磁界の強度に応じて自由磁性層８の磁化方向が回転し、再生出力が変化することによって磁気記録媒体に記録された磁気情報が再生される。
すなわち、ハード膜１７には、所定強度のバイアス磁界を磁気抵抗効果膜１３に対して印加する機能が求められる。
【００１９】
ここで、本実施の形態に特徴的な構成について説明する。
磁気再生ヘッド１は、ハード膜１７における磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部に、膜厚方向の厚さが絞られた絞り部１７Ａを有する。本実施形態では、膜厚方向において、先端部の上面の高さを、後端部の上面の高さよりも低く形成することによって、当該絞り部１７Ａを形成している（図２参照）。一例として、ハード膜１７の先端部の絞り部１７Ａの膜厚は１５〜３０［ｎｍ］程度であって、絞り部１７Ａが設けられていないハード膜１７の後端部の膜厚は３０〜４５［ｎｍ］程度である。また、各絞り部１７Ａのコア幅方向の長さは、当該絞り部１７Ａの上面で数十［ｎｍ］以上の長さに形成する。
さらに、絞り部１７Ａの上面と磁気抵抗効果膜１３の上面とが同一平面内に形成される構成を備える。
【００２０】
上記構成によれば、磁気抵抗効果膜１３の上面と、当該磁気抵抗効果膜１３の両側位置に設けられる絶縁層１６およびハード膜１７の先端部の絞り部１７Ａの上面とを段差の無い平面に形成することができる。
その結果、前記の課題、すなわち、ハード膜１７の先端部から、上部シールド層１５へ流入する磁界が発生することに起因して、ハード膜１７から磁気抵抗効果膜１３へ流入する磁界（バイアス磁界）が低下してしまう課題や、上部シールド層１５に微小磁区が発生する影響によって、再生出力特性（信号波形非対称性）が不安定になり、外部磁場耐性が低下する等の課題の解決が可能となる。
【００２１】
また、ハード膜１７の先端部を絞り込み、後端部を厚くする構成を備えることで、磁気抵抗効果膜１３近傍のハード膜１７の膜厚が薄くても、十分なバイアス磁界を得ることができる。
これにより、バイアス磁界低下の課題を解決し、再生出力特性における波形非対称性の不安定化を防止することが可能となる。
【００２２】
続いて、本発明の第二の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の構成について説明する。ハード膜１７の磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部に、膜厚方向の厚さが絞られた絞り部１７Ａを有するといった基本的な構成は、前述の第一の実施形態と同様であるが、本実施形態の磁気再生ヘッド１は、図３に示すように、ハード膜１７の先端部の上面の高さを、後端部の上面の高さよりも低く形成することによって、ハード膜１７における磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部の上面側に、膜厚方向の厚さが絞られた形状を有することに加えて、ハード膜１７の先端部の下面の高さを、後端部の下面の高さよりも高く形成することによって、ハード膜１７における磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部の下面側にも、膜厚方向の厚さが絞られた形状を有する。
一例として、ハード膜１７の先端部の絞り部１７Ａの膜厚は１５〜３０［ｎｍ］程度であって、絞り部１７Ａが設けられていないハード膜１７の後端部の膜厚は３５〜５５［ｎｍ］程度である。
【００２３】
この構成によれば、ハード膜１７において、先端部の絞り部１７Ａを第一の実施形態と同じ厚さに形成しつつ、絞り部１７Ａが設けられていない後端部の厚さを、第一の実施形態よりも厚く形成することができるため、第一の実施形態よりも高強度のバイアス磁界を得ることができる。
逆の観点からいえば、絞り部１７Ａが設けられていない後端部の厚さを第一の実施形態と同じに形成しつつ、先端部の絞り部１７Ａの厚さを、より薄く形成することが可能となるため、第一の実施形態と同じ強度のバイアス磁界を得つつ、ハード膜１７の先端部の薄層化が可能となる。
【００２４】
続いて、本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッド１の構成について説明する。ハード膜１７の磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部に、膜厚方向の厚さが絞られた絞り部１７Ａを有するといった基本的な構成は、前述の第一の実施形態と同様であるが、本実施形態の磁気再生ヘッド１は、図４に示すように、膜厚方向において、ハード膜１７の先端部の下面の高さを、後端部の下面の高さよりも高く形成することによって、ハード膜１７における磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部の下面側に、膜厚方向の厚さが絞られた形状を有する。
一例として、ハード膜１７の先端部の絞り部１７Ａの膜厚は１５〜３０［ｎｍ］程度であって、絞り部１７Ａが設けられていないハード膜１７の後端部の膜厚は３０〜４５［ｎｍ］程度である。
【００２５】
この構成によれば、前述の第一の実施形態と同様の効果を奏することに加えて、上部シールド層１５の下面を平坦面に形成することが可能となるため、特に、当該上部シールド層１５に微小磁区が発生することを防止できる点で有効である。
【００２６】
続いて、本発明に係る磁気再生ヘッドの製造方法について説明する。なお、各図中の手前側が浮上面２となる。
第一の実施形態に係る製造方法として、先ず、図５（ａ）に示すように、積層を行うためのベースとなる基体（ここではウエハ基板１１（不図示）上に、下部シールド層１２を形成した積層体）上に、磁気抵抗効果膜１３’を形成する。なお、下部シールド層１２は、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて形成される。
一方、磁気抵抗効果膜１３’は、多層構造を有し、後の工程において加工されて、センサ部として機能することとなる。一例として、磁気抵抗効果膜１３’は、前述の積層構造を有するＴＭＲ膜であって、当該磁気抵抗効果膜１３’の膜厚、すなわちギャップ長は２０〜４０［ｎｍ］程度である。
【００２７】
次いで、図５（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果膜１３’の上に、所定形状にパターニングされたマスク（第１のマスク）３１を形成する。
一例として、マスク３１は、フォトレジストを用いて、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、所望のパターン（ここでは、次工程で加工される磁気抵抗効果膜１３のコア幅方向の寸法に対応させる）に形成する。
【００２８】
次いで、図５（ｃ）に示すように、マスク３１をエッチングマスクとするエッチングプロセスにより、当該マスク３１で覆われていない領域の磁気抵抗効果膜１３’を除去する。例えば、当該エッチングプロセスとして、イオンミリングプロセス等が採用される。なお、図中の破線はエッチング方向を表す。
【００２９】
次いで、図６（ａ）に示すように、下部シールド層１２および所定領域が除去された磁気抵抗効果膜１３の上に絶縁層１６を形成する。例えば、絶縁層１６は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料を用いて、スパッタリング等により３〜１０［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００３０】
次いで、同図に示すように、絶縁層１６の上に、スパッタリングによってハード膜１７を形成する。このとき、膜厚方向において、ハード膜１７の上面が、磁気抵抗効果膜１３の上面よりも高くなるように形成する。例えば、ハード膜１７は、ＣｏＰｔ等の磁性材料（硬磁性材）を用いて、最厚部の厚さが３５〜６５［ｎｍ］程度に形成する。
【００３１】
次いで、図６（ｂ）に示すように、ハード膜１７の上に、所定形状にパターニングされたマスク（第２のマスク）３２を形成する。
【００３２】
一例として、マスク層３２を、非磁性の金属材料であるＴａ（タンタル）を用いて形成する。この場合、ハード膜１７の上に、Ｔａ層を形成し、次いでＴａ層の上に、フォトレジストを用いた公知のフォトリソグラフィプロセスによってレジスト層のパターン（不図示）を形成した後、当該レジスト層のパターンをエッチングマスクとするエッチングプロセス（例えば、フッ素系ガスを用いるＲＩＥプロセス）により、Ｔａ層をエッチングしてマスク３２を形成する。これによれば、マスク３２の形状精度をより高めることができる。
【００３３】
他の例として、マスク３２を、フォトレジストを用いて形成する。この場合は、前記マスク３１と同様に公知のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成する。これによれば、マスク３２の形成をより簡易に行うことができる。
【００３４】
次いで、マスク３２上に残っているレジスト層（不図示）をリフトオフプロセスによって除去した後、マスク３２をエッチングマスクとして用いるエッチングプロセスによって、当該マスク３２で覆われていない領域のハード膜１７、すなわちハード膜１７の磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部を所定厚さとなるまでエッチングする。例えば、当該エッチングプロセスとして、イオンミリングプロセス、もしくはＲＩＥプロセス等が採用される。なお、図中の破線はエッチング方向を表す。
【００３５】
次いで、図６（ｃ）に示すように、エッチングプロセスによって、マスク３２を除去する。例えば、当該エッチングプロセスとして、フッ素系ガスを用いるＲＩＥプロセス等が採用される。
さらに、同図６（ｃ）に示すように、磁気抵抗効果膜１３の上に残っているマスク３１をリフトオフプロセスによって除去した後、磁気抵抗効果膜１３、絶縁層１６、ハード膜１７の上にギャップ層１４を形成する。例えば、ギャップ層１４は、Ｒｕ等の非磁性の導電性金属材料を用いて、スパッタリング等により３〜１０［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００３６】
次いで、同図６（ｃ）に示すように、ギャップ層１４の上に、例えば、電解鍍金プロセスによって、上部シールド層１５を形成する。
なお、上部シールド層１５は前記下部シールド層１２と共に、磁気抵抗効果膜１３の磁気的シールドを行うものであって、さらに、ＴＭＲ素子のようにＣＰＰ構造の再生素子の場合には、当該素子の電極を兼用するものである。一例として、上部シールド層１５は、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて形成する。
【００３７】
このようにして、ハード膜１７の磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部の上面側が絞られた絞り部１７Ａを備える磁気再生ヘッド１を形成することが可能となる。
【００３８】
続いて、本発明に係る磁気再生ヘッドの製造方法について、第二の実施形態の説明を行う。
本実施形態は、前記第一の実施形態と、図５（ｃ）で示される工程までは同様であって、これに続く工程として、図７（ａ）に示すように、下部シールド層１２および所定領域が除去された磁気抵抗効果膜１３の上に絶縁層１６を形成する。例えば、絶縁層１６は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料を用いて、スパッタリング等により３〜１０［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００３９】
次いで、同図７（ａ）に示すように、絶縁層１６の上に、スパッタリングによってハード膜１７を形成する。このとき、膜厚方向において、ハード膜１７の上面が、磁気抵抗効果膜１３の上面と同じ高さとなるように形成する。例えば、ハード膜１７は、ＣｏＰｔ等の磁性材料（硬磁性材）を用いて２０〜３０［ｎｍ］程度の厚さに形成する。
【００４０】
次いで、図７（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果膜１３の上に残っているマスク３１をリフトオフプロセスによって除去した後、磁気抵抗効果膜１３、絶縁層１６、ハード膜の磁気抵抗効果膜寄りの先端部の上に、マスク（第３のマスク）３３を形成する。一例として、マスク３３を、フォトレジストを用いて、公知のフォトリソグラフィプロセスによって形成する。
【００４１】
次いで、同図７（ｂ）に示すように、マスク３３が形成されていない領域のハード膜１７の上に、スパッタリングによってハード膜嵩上げ層１７Ｂを形成する。ハード膜嵩上げ層１７Ｂは、ハード膜１７と同じ材料を用いて１５〜３５［ｎｍ］程度の厚さに形成する。それにより、ハード膜嵩上げ層１７Ｂはハード膜１７と一体化され、ハード膜１７の磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部に絞り部１７Ａが形成されることとなる。
【００４２】
次いで、前記第一の実施形態と同様に、図７（ｃ）に示すように、マスク３３をリフトオフプロセスによって除去した後、磁気抵抗効果膜１３、絶縁層１６、ハード膜１７（ここでは絞り部１７Ａ）、ハード膜嵩上げ層１７Ｂの上にギャップ層１４を形成し、さらに、ギャップ層１４の上に、例えば、電解鍍金プロセスによって、上部シールド層１５を形成する。
【００４３】
このようにして、ハード膜１７の磁気抵抗効果膜１３寄りの先端部の上面側が絞られた絞り部１７Ａを備える磁気再生ヘッド１を形成することが可能となる。
【００４４】
なお、上記第二の実施形態の変形例として、磁気抵抗効果膜１３の上に残っているマスク３１をリフトオフプロセスによって除去した後に、磁気抵抗効果膜１３、絶縁層１６、ハード膜１７の上面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械的研磨）プロセス等によって研磨する工程を実施してもよい。
それによって、当該上面をより高精度の平坦面に形成することができ、段差に起因する課題の解決により一層有利となる。
【００４５】
続いて、本発明に係る磁気再生ヘッドの製造方法について、第三の実施形態の説明を行う。
本実施形態は、図３に示す構造を有する磁気再生ヘッド１を形成する方法である。
【００４６】
まず、図８（ａ）に示すように、積層を行うためのベースとなる基体（ここではウエハ基板１１（不図示）上に、下部シールド層１２を形成した積層体）上に、所定形状にパターニングされたマスク（第４のマスク）３４を形成する。
一例として、マスク３４は、フォトレジストを用いて、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、所望のパターン（ここでは、後工程で形成されるハード膜１７の下面側の絞り形状に対応させる）に形成する。
【００４７】
次いで、同図８（ａ）に示すように、マスク３４をエッチングマスクとして用いるエッチングプロセスによって、当該マスク３４で覆われていない領域の基体（ここでは下部シールド層１２）が所定厚さとなるまでエッチングする。例えば、当該エッチングプロセスとして、イオンミリングプロセス、もしくはＲＩＥプロセス等が採用される。なお、図中の破線はエッチング方向を表す。
【００４８】
次いで、エッチングされていない領域の基体の上に磁気抵抗効果膜１３を形成する工程を実施することとなるが、これ以降は、前述の第一の実施形態もしくは第二の実施形態と同様の工程を実施することによって、図８（ｂ）に示されるような、ハード膜１７の先端部に上面側と下面側に絞り形状を有する絞り部１７Ａを備えた磁気再生ヘッド１が形成される。
なお、変形例として、第二の実施形態と同様の工程を採用する場合において、ハード膜嵩上げ層１７Ｂの形成工程を省略することによって、図４に示す構造を有する磁気再生ヘッド１を形成することが可能となる。
【００４９】
続いて、本発明の実施の形態に係る情報記憶装置について説明する。
前述の本実施の形態に係る製造方法によって製造される再生素子を備える磁気ヘッド１を用いて、磁気ディスク装置、ＭＲＡＭ等を構成することにより、記録密度の増加に対応した高い再生感度の実現、あるいは記憶特性の向上が可能な情報記憶装置が実現される。
【００５０】
情報記憶装置の一例として、図９に示す磁気ディスク装置４０は、前述の磁気再生ヘッド１および磁気記録ヘッドが、磁気記録媒体（磁気ディスク）４１との間で情報の記録・再生を行うヘッドスライダ４２に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ４２は、ヘッドサスペンション４３のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション４３の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム４４と、該サスペンション４３及び該アクチュエータアーム４４上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気再生ヘッド１に電気的に接続され、当該磁気再生ヘッド１からの信号を処理する信号処理基板（不図示）とを有する記憶装置として構成される。その作用として、磁気ディスク４１が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ４２がディスク面から浮上し、磁気ディスク４１との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。
【００５１】
本実施の形態に係る情報記憶装置によれば、再生感度の向上および再生出力の安定が可能な磁気再生ヘッドを用いることによって、記録密度の増加に対応することが可能であると共に出力の安定した情報記憶装置を提供することが可能となる。
【００５２】
以上説明した通り、本実施の形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法によれば、磁気抵抗効果膜のギャップ長が短く、且つ当該磁気抵抗効果膜とハード膜の先端部とが膜厚方向において段差の無い形状を備える磁気再生ヘッドを製造することが可能となる。
また、当該構成を備える磁気再生ヘッドは、磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界を低下させることなく、高記録密度化、再生出力特性の安定化を達成することが可能となる。
また、当該磁気再生ヘッドを備える情報記憶装置は、記録密度の向上および出力特性の安定化すなわち信頼性の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気再生ヘッドの構成例を示す概略図である。
【図２】本発明の第一の実施形態に係る磁気再生ヘッドの例を示す概略図である。
【図３】本発明の第二の実施形態に係る磁気再生ヘッドの例を示す概略図である。
【図４】本発明の第三の実施形態に係る磁気再生ヘッドの例を示す概略図である。
【図５】本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法（第一の実施形態）を説明する説明図である。
【図６】本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法（第一の実施形態）を説明する説明図である。
【図７】本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法（第二の実施形態）を説明する説明図である。
【図８】本発明の実施形態に係る磁気再生ヘッドの製造方法（第三の実施形態）を説明する説明図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る情報記憶装置の構成を示す概略図である。
【図１０】従来の実施形態に係る磁気再生ヘッドの例を示す概略図である。
【図１１】図１０の磁気再生ヘッドの再生出力特性を示す測定データである。
【符号の説明】
【００５４】
１  磁気再生ヘッド
２  浮上面
１１  ウエハ基板
１２、１１２  下部シールド層
１３、１１３  磁気抵抗効果膜
１４、１１４  ギャップ層
１５、１１５  上部シールド層
１６、１１６  絶縁層
１７、１１７  ハード膜
３１  第１のマスク
３２  第２のマスク
３３  第３のマスク
３４  第４のマスク
４０  情報記憶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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