(57)【要約】【課題】２次元状に配置可能で且つ光の結合ロスが少なく、発光効率が高い表面発光型半導体レーザ装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１の上に形成され、基板１１の主面と平行に延びるストライプ状の光導波路３２を有する窒化物半導体の積層構造３１を備えている。光導波路３２の少なくとも一方の端面には、光導波路３２を伝播する光を基板１１の主面と垂直な方向に反射する反射ミラー３４が形成されている。積層構造３１における反射ミラー３４により反射された光が出射される光出射領域には、外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有するように形成された光透過膜３５が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成され、前記基板の主面と平行に延びるストライプ状の光導波路を有する窒化物半導体の積層構造と、
前記光導波路の少なくとも一方の端面に形成され、前記光導波路を伝播する光を前記基板の主面と垂直な方向に反射する反射ミラーと、
前記積層構造における前記反射ミラーにより反射された光が出射される光出射領域に形成され、外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有する光透過膜とを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記光透過膜は、交互に配置された複数の凸部と凹部とを有し、
前記凸部の周期は、前記光導波路を伝播する光の波長以下であり且つ前記凸部の前記凹部に対する割合が中央部から外縁部に向かって次第に小さくなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記凸部が占める割合は、前記光出射領域の中心に対して点対称となるように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記光透過膜は、平面同心楕円状に形成された前記複数の凸部及び凹部により形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記光透過膜は、窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記反射ミラーは、前記光導波路の両方の端面に形成され、
前記光透過膜は前記各反射ミラーに対応する位置にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に表面発光型の窒化物半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置(laser diode：LD)は、小型、安価及び高出力等の優れた特徴を有する。このため、光通信及び光情報記録等の用途だけでなく、医療及び照明等の幅広い技術分野で用いられている。また、レーザディスプレイ及び液晶のバックライト用途として、波長４５０ｎｍ〜４７０ｎｍの純青色レーザ光を出力する窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体レーザ装置の開発も進められている。
【０００３】
ディスプレイ及びバックライト用途では高輝度化を実現するために、ＧａＮ系半導体レーザ装置の高出力化が求められている。半導体レーザ装置を高出力化するために、半導体レーザ装置をアレイ化する方法が考案されている。例えば図７は端面発光型の半導体レーザ装置３１２をアレイ化した例（例えば、特許文献１を参照。）を示しており、図８は面発光（ＶＣＳＥＬ）型の半導体レーザ装置３１４をアレイ化した例（例えば、特許文献２を参照。）を示している。
【特許文献１】特開２００３−１５８３３２号公報
【特許文献２】特開２００７−１３２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、端面発光型の半導体レーザ装置は、１次元にしかアレイ化できず、高集積化できないという問題がある。また、表面発光型の半導体レーザ装置は、２次元状に配置でき高集積化が可能であるが、ＧａＮ系においてはＶＣＳＥＬ型の半導体レーザ装置は実用化されていないという問題がある。
【０００５】
本発明は、前記従来の問題を解決し、２次元状に配置可能で且つ光の結合ロスが少なく、発光効率が高い表面発光型半導体レーザ装置を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するため、本発明は半導体レーザ装置を、光出射領域に形成された実効屈折率分布を有する光透過膜を有する構成とする。
【０００７】
具体的に、本発明に係る半導体レーザ装置は、基板の上に形成され、基板の主面と平行に延びるストライプ状の光導波路を有する窒化物半導体の積層構造と、光導波路の少なくとも一方の端面に形成され、光導波路を伝播する光を基板の主面と垂直な方向に反射する反射ミラーと、積層構造における反射ミラーにより反射された光が出射される光出射領域に形成され、外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有するように形成された光透過膜とを備えていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る半導体レーザ装置は、外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有するように形成された光透過膜とを備えている。このため、光出射領域に到達した光の位相を揃えることが可能となる。従って、光結合効率が向上し、発光効率が高い表面発光型半導体レーザ装置を実現できる。その結果、高出力の窒化物半導体レーザ装置を２次元アレイ化することが可能となる。
【０００９】
本発明の半導体レーザ装置において、光透過膜は、交互に配置された複数の凸部と凹部とを有し、凸部の周期は、光導波路を伝播する光の波長以下であり且つ凸部の凹部に対する割合が中央部から外縁部に向かって次第に小さくなる構成としてもよい。
【００１０】
この場合において、凸部が占める割合は、光出射領域の中心に対して点対称となるように形成されていてもよい。
【００１１】
この場合において、光透過膜は、平面同心楕円状に形成された複数の凸部及び凹部により形成されていてもよい。
【００１２】
本発明の半導体レーザ装置において、光透過膜は、窒化物半導体からなる構成であってもよい。
【００１３】
本発明の半導体レーザ装置において、反射ミラーは、光導波路の両方の端面に形成され、光透過膜は各反射ミラーに対応する位置にそれぞれ形成されている構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、２次元状に配置可能で且つ光の結合ロスが少なく、発光効率が高い表面発光型半導体レーザ装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は一実施形態に係る半導体レーザ装置であり、（ａ）は＜１０００＞方向からみた平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における断面つまり＜１−１００＞方向からみた断面構成を示している。
【００１６】
本実施形態に係る半導体レーザを構成する材料には、６回対称構造を持つ六方晶（ウルツ鉱）結晶からなる材料を用いている。六方晶ＧａＮ結晶は有極性の結晶であり、同じ（０００１）面であっても、Ｇａ原子が配列した面とＮ原子が配列した面の２種類が存在する。本願明細書においては、Ｇａ原子が配列した面を（０００１）面と表記すると共に、Ｎ原子が配列した面を（０００−１）面と表記する。また、（０００１）面を＋ｃ面と表記すると共に、（０００−１）面を−ｃ面と表記する。同様にして、（１−１００）面を＋ｍ面と表記すると共に、（−１１００）面を−ｍ面と表記する。なお、単にｃ面などと表記している場合には、＋ｃ面及び−ｃ面を含めた意味である。
【００１７】
本願明細書において、主面が（０００１）面という場合、主面が（０００１）面から±５°程度傾いた面を含めた意味である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置は、主面がｃ面であるｎ型ＧａＮからなる基板１１の＋ｃ面上に、窒化物半導体の積層構造３１が形成されている。積層構造３１は、基板側から順次形成されたｎ型クラッド層１２と、ｎ側光ガイド層１３と、活性層１４と、ｐ側光ガイド層１５と、キャリアオーバーフロー抑制（ＯＦＳ）層１６と、ｐ型クラッド層１７と、コンタクト層１８とすればよい。
【００１９】
ｎ型クラッド層１２は、厚さが２μｍのｎ型Ａｌ0.08ＧａＮとすればよく、ｎ側光ガイド層１３は厚さが０．１μｍのｎ−ＧａＮとすればよい。活性層１４は、Ｉｎ0.02ＧａＮからなるバリア層とＩｎ0.15ＧａＮからなる量子井戸層とが３周期積層された量子井戸活性層とすればよい。ｐ側光ガイド層１５は、厚さが０．１μｍのｐ−ＧａＮとすればよく、ＯＦＳ層は厚さが１０ｎｍのＡｌ0.16ＧａＮとすればよい。
【００２０】
ｐ型クラッド層１７は、厚さが１．５ｎｍのｐ−Ａｌ0.16ＧａＮと厚さが１．５ｎｍのＧａＮとを１６０周期繰り返し積層した膜厚が０．４８μｍの歪超格子とすればよい。コンタクト層１８は、膜厚が０．０５μｍのｐ−ＡｌＧａＮとすればよい。
【００２１】
コンタクト層１８の上には、シリコン酸化膜２０が形成されている。シリコン酸化膜２０はコンタクト層１８を露出するストライプ状の開口部を有している。一方の端部付近を除いて、開口部を埋めるようにｐ側電極２１が形成されている。ｐ側電極２１は、例えば厚さが４０ｎｍのパラジウム（Ｐｄ）と厚さが３５ｎｍの白金（Ｐｔ）との積層体とすればよい。これにより選択的な電流注入が可能となり、積層構造３１の内部に、ストライプ状の光導波路３２が形成される。
【００２２】
ｐ側電極２１及びシリコン酸化膜２０の上には、配線電極２２が形成されている。配線電極２２は、例えば、厚さが５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）と、厚さが２００ｎｍの白金（Ｐｔ）と、厚さが１０μｍの金（Ａｕ）との積層体とすればよい。
【００２３】
膜厚が厚い配線電極２２を形成することにより、ワイヤボンディングによるチップの実装が可能になると共に、活性層１４における発熱を効果的に放熱させることができ、半導体レーザ装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００２４】
配線電極２２はできるだけ広い面積を覆うように形成することが好ましいが、劈開及びチップ分離の際に配線電極２２が切断されると、配線電極２２と密着したｐ側電極２１がコンタクト層１８から剥がれるおそれがある。このため、チップの端部から間隔をおいて配線電極２２を形成することが好ましい。
【００２５】
基板１１の積層構造３１が形成された面と反対側の面にはｎ側電極２３が形成されている。ｎ側電極２３は例えばＴｉとＰｔとＡｕとがそれぞれ５ｎｍ、１０ｎｍ及び１０００ｎｍ積層された積層膜とすればよい。
【００２６】
積層構造３１における光導波路３２と交差する方向の側面（共振器端面）の一方には、例えばＳｉＯ2／Ｎｂ2Ｏ5 の３周期構造からなる高反射コーティング３３が形成されている。
【００２７】
図１において共振器端面がｍ面となるように形成した例を示している。この場合、高反射コーティング３３を形成することにより、化学的な安定性が相対的に低い＋ｍ面から出射するレーザ光の割合を低減できる。これにより、化学的な安定性が相対的に高い＋ｃ面から出射するレーザ光の割合が増加するため、高出力動作時においても、端面劣化が少ない信頼性の高い半導体レーザ装置を実現することができる。
【００２８】
高反射コーティング３３が形成された端面と反対側の端面は、基板１１の主面との角度θが４５度となるように加工されており、光導波路３２内を伝播する光が基板１１の主面と垂直な方向に反射する反射ミラー３４が形成されている。
【００２９】
反射ミラー３４により反射された光は、積層構造３１の上面に到達し、出射される。反射ミラー３４により反射された光が出射される光出射領域には、光透過膜３５が形成されている。本実施形態の半導体レーザ装置においては、光透過膜３５はｐ型クラッド層１７の上部が選択的に除去されることにより形成された凹部と凸部により形成されている。光透過膜３５は、外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有している。
【００３０】
以下に、光出射領域に光透過膜３５を形成する理由について説明する。反射ミラー３４を形成することにより、光導波路３２内を伝播する光を基板１１の主面と垂直な方向に出射することが可能となる。これにより、窒化物半導体レーザ装置を２次元アレイ化することが可能となる。しかし、反射ミラー３４と積層構造３１の上面との間には、光導波構造が形成されていない。このため、図２に示すように、反射ミラー３４において反射された光は、積層構造３１の上面に達するまでに拡がってしまう。このような光の拡がりが生じると、積層構造３１の表面において光の位相が一定とならないため、光の結合ロスが生じる。さらに、積層構造３１内における光の拡がりは異方性を有しているため、垂直方向のファーフィールドパターン（ＦＦＰ）と水平方向のＦＦＰとの拡がり角が大きく異なってしまう。
【００３１】
本実施形態の半導体レーザ装置は、積層構造３１の上面における光が到達する領域である光出射領域に、外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有する光透過膜３５を形成している。このため、光出射領域において光の位相補償ができる。従って、結合ロスを低減することが可能となる。
【００３２】
図３は、光導波路内を伝播する光が反射ミラー３４により反射された後、積層構造３１の表面において反射され逆の経路をたどり再び光導波路に結合する割合を計算により求めた結果を示している。図３に示すように、光透過膜３５を形成していない場合には、反射ミラー３４の角度が４５度の場合にも結合効率が６６％しかない。一方、光透過膜３５を形成した場合には、反射ミラー３４角度が４５度の場合には光結合効率が１００％となる。
【００３３】
また、本実施形態の半導体レーザ装置は、光透過膜３５を光導波路３２と交差する方向である共振器幅方向よりも光導波路３２と平行な方向である共振器長方向が長い平面楕円状に形成している。光透過膜３５は、実効屈折率分布によるレンズ効果を有するため、垂直方向のＦＦＰと水平方向のＦＦＰとの広がり角の差を小さくすることができる。
【００３４】
以下に、このような実効屈折率分布を有する光透過膜３５の具体的な構造について説明する。図４（ａ）に示すように、第１の材料５１Ａと、第２の材料５１Ｂとが交互に配置された光透過膜の構造を考える。第１の材料５１Ａの屈折率ｎhは、第２の材料５１Ｂの屈折率ｎlよりも大きい。隣接する第１の材料５１Ａの幅と第２の材料５１Ｂの幅との和、つまり、第１の材料５１Ａの周期がＰであり、第１の材料５１Ａの幅がＷの位置において光が感じる実効屈折率ｎeffは、式（１）のように表すことができる。
【００３５】
ｎeff ＝ {Ｗ・ｎh＋(Ｐ−Ｗ)・ｎl}／Ｐ  ・・・  （１）
但し、Ｐの値は、光透過膜に入射する光の波長とほぼ等しいか又は小さいとする。
【００３６】
式（１）から明らかなように、実効屈折率ｎeffは、Ｐ及びＷの関数となる。従って、中央部から外縁部に向かって次第にＰの値が大きくなり、Ｗの値が小さくなるようにすれば、図４（ｂ）に示すような外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有する光透過膜を形成できる。また、Ｐ又はＷの一方だけを変化させてもよい。
【００３７】
第１の材料５１Ａと第２の材料５１Ｂとは、屈折率差があればどのような材料でもよいが、第２の材料５１Ｂを空気とすれば、屈折率差を大きくし且つ光透過膜を容易に形成することが可能となる。具体的には、第１の材料５１Ａに凹部を形成することにより実効屈折率分布を有する光透過膜を形成できる。
【００３８】
本実施形態においては、光透過膜３５をｐ型クラッド層１７に形成された、平面同心楕円状の複数の凹部と凸部としている。また、中心部から外縁部に向かって凹部の幅が次第に広くなり、凸部の幅が次第に狭くなるように形成している。実効屈折率を変化させるためには、凸部の凹部に対する割合が、中央部から外縁部に向かって次第に小さくなるようにすればよい。従って、凸部の幅を一定とし凹部の幅を中央部から外縁部に向かって次第に大きくしてもよく、凹部の幅を一定とし凸部の幅を中央部から外縁部に向かって次第に小さくしてもよい。凹部と凸部の割合の変化量は、光出射領域における光の拡がりにあわせて最適な値を算出すればよい。
【００３９】
以下に、本実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について説明する。まず、有機金属気層成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ法）を用いてｎ型ＧａＮ基板１１の＜０００１＞面の上に積層構造３１を形成する。ＭＯＣＶＤ法における原料は、例えばＧａ原料としてトリメチルガリウム、Ｉｎ原料としてトリメチルインジウム、Ａｌ原料としてトリメチルアルミニウム、Ｎ原料としてアンモニア、ｎ型不純物のＳｉ原料としてシランガス、ｐ型不純物のＭｇ原料としてビスシクロペンタジエニルマグネシウムを用いればよい。また、ＭＯＣＶＤ法に代えて分子ビーム成長法（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ法）や化学ビーム成長法（Chemical Beam Epitaxy：ＣＢＥ法）など、窒化物系半導体レーザ構造が成長可能な他の成長手法を用いてもよい。
【００４０】
積層構造３１を形成した後、コンタクト層１８の上に、プラズマＣＶＤ法等を用いてシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を０．３μｍ成膜する。この後、ＳｉＯ2膜の上に、フォトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて、電流注入部を形成するためのストライプ状の開口部と、光透過膜３５を形成するための平面同心楕円状のパターンとを有するレジストパターンを形成する。形成した、レジストパターンをマスクとして、例えばＣＦ4ガスを用いた誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングにより、ＳｉＯ2膜をエッチングする。これにより、コンタクト層１８が露出した開口部と、平面同心楕円状のＳｉＯ2膜パターンとが形成される。この後、平面同心楕円状のＳｉＯ2膜パターンが形成された領域を露出するマスクを形成し、例えばＣｌ2ガスを用いた誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングを行う。これにより、マスクとの開口部においてコンタクト層１８とｐ型クラッド層１７の一部とが除去される。平面同心楕円状のＳｉＯ2膜パターンが形成された領域においては、ｐ型クラッド層１７が残存するため、平面同心楕円状の複数の凸部と凹部とにより構成された光透過膜３５が形成される。
【００４１】
次に、コンタクト層１８の露出部分にｐ側電極２１をフォトリソグラフィとＥＢ蒸着法とを用いて形成する。続いて、配線電極２２を、フォトリソグラフィとＥＢ蒸着法とを用いて形成する。配線電極２２は、まず、ＴｉとＰｔとＡｕとの積層体を膜厚がそれぞれ５０ｎｍ、２００ｎｍ、２００ｎｍとなるように形成した後、さらにＡｕの膜厚を１０μｍにまで増加させることが好ましい。
【００４２】
次に、ダイヤモンドスラリーを用いて、基板１１の厚さを１００μｍ程度にまで裏面から薄片化した後に、例えばＥＢ蒸着法を用いて、基板１１の裏面にＴｉとＰｔとＡｕとをそれぞれ５ｎｍ、１０ｎｍ及び１０００ｎｍ積層してｎ側電極２３を形成する。
【００４３】
次に、積層構造３１が形成された基板を、＜１−１００＞方向の長さが６００μｍとなるように、ｍ面に沿って１次劈開する。
【００４４】
次に、例えばＥＣＲスパッタ装置を用いて、積層構造３１の側面の＋ｍ面に、例えばＳｉＯ2とＮｂ2Ｏ5とが３周期積層された高反射コーティング３３を形成する。高反射コーティング３３はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を用いて形成してもよい。
【００４５】
次に、収束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて、高反射コーティング３３が施された＋ｍ面と反対側の端面（図１においては−ｍ面）を加工することにより、レーザ光を積層構造３１の上面（＋ｃ面）側に反射させる反射ミラー３４を形成する。
【００４６】
図５（ａ）及び（ｂ）は、ＦＩＢで加工した端面の電子顕微鏡写真であり、（ｂ）は（ａ）の点線部を拡大して示している。図５に示すように、非常に平滑な面が形成されており、反射効率に優れた反射ミラー３４が形成されている。
【００４７】
なお、レーザ光が全反射する角度を有する反射ミラー３４を形成することができる方法であればどのような方法を用いてもよい。例えば、ＦＢＩに代えて、ドライエッチング又は熱燐酸若しくはＵＶ光照射下のアルカリ溶液を用いたウェットエッチング等を用いてもよい。
【００４８】
次に、＜１１−２０＞方向の長さが２００μｍとなるように、ａ面に沿って二次劈開することにより、青色（波長４６０ｎｍ）レーザ光を出力する半導体レーザ装置が得られる。
【００４９】
なお、本実施形態においては、共振器端面の片側に反射ミラー３４を設ける例を示したが、図６に示すように、両方の共振器端面に反射ミラー３４を形成してもよい。反射ミラー３４の角度は４５度とすると基板の主面に対して垂直に光を出射でき、結合効率も最も高くなる。しかし、反射ミラーの角度を変えることにより基板の主面に対して斜めに光を出射させることも可能である。
【００５０】
本実施形態においては、ｐ型クラッド層１７の一部を選択的に除去することにより凹部と凸部とを形成し、光透過膜３５を形成した。しかし、積層構造３１の上に別の層を積み上げることにより凸部と凹部とを形成し光透過膜３５を形成してもよい。この場合、凸部の材質は窒化物半導体に限らず、ＳｉＯ2等としてもよい。凸部をＳｉＯ2とすることにより、凸部と凹部との屈折率差が小さくなるが、加工が容易となるという利点がある。
【００５１】
基板１１の主面がｃ面である例を示したが、他の面であってもよい。また、ＧａＮ基板に代えてサファイヤ基板、炭化珪素基板又はシリコン基板等を用いてもよい。基板の上に形成する各層の材質及び膜厚等は一例であり、適宜変更してかまわない。例えば、コンタクト層１８をＧａＮに代えてＡｌＧａＮとしてもよい。反射ミラー３４において反射されて積層構造３１の内部を基板１１の主面と垂直な方向に進む光のフォトンエネルギーよりも、活性層１４、ｐ型クラッド層１７及びコンタクト層１８の各々の光吸収端エネルギーが大きくなるようにすれば、積層構造３１の内部を縦方向に伝播する光の吸収が小さくなる。従って、出力及び信頼性を向上させることが可能となる。
【００５２】
本実施形態においては、電極ストライプ型の半導体レーザ装置を示したが、リッジストライプ型又は埋め込み型等の半導体レーザ装置においても同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る半導体レーザ装置は、２次元状に配置可能で且つ光の結合ロスが少なく、発光効率が高い表面発光型半導体レーザ装置を実現でき、レーザディスプレイ及び照明等の光源として用いることができる、表面発光型の窒化物半導体レーザ装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における断面図である。
【図２】反射ミラーにより反射された光の光路を説明するための図面である。
【図３】反射ミラーの角度と光結合効率との関係を示すグラフである。
【図４】（ａ）は実効屈折率分布を発生させる構造を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の構造により生じた実効屈折率分布を示すグラフである。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置における反射ミラーが形成された端面を示す電子顕微鏡写真であり、（ｂ）は（ａ）の点線部分の拡大図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の変形例を示す断面図である。
【図７】従来例に係るアレイ化された端面発光型半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図８】従来例に係るアレイ化された面発光型半導体レーザ装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１１      基板
１２      ｎ型クラッド層
１３      ｎ側光ガイド層
１４      活性層
１５      ｐ側光ガイド層
１６      キャリアオーバーフロー抑制ＯＦＳ層
１７      ｐ型クラッド層
１８      コンタクト層
２０      シリコン酸化膜
２１      ｐ側電極
２２      配線電極
２３      ｎ側電極
３１      積層構造
３２      光導波路
３３      高反射コーティング
３４      反射ミラー
３５      光透過膜
５１Ａ    第１の材料
５１Ｂ    第２の材料
【図１】
2010003746.tif 000003
【図２】
2010003746.tif 000004
【図３】
2010003746.tif 000005
【図４】
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【図６】
2010003746.tif 000007
【図７】
2010003746.tif 000008
【図８】
2010003746.tif 000009
【図５】
2010003746.tif 000010