(57)【要約】【課題】蛍光体含有樹脂部での蛍光体分布を均一化し、色度ムラおよびＬＥＤチップ相互間の色度ばらつきが小さく、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置１は、絶縁性基板１０と、第１貫通穴１１と、第１貫通穴１１の底部を構成する第１金属薄板１２と、第１金属薄板１２に搭載されたＬＥＤチップ２０と、第２貫通穴１５と、第２貫通穴１５の底部を構成する第２金属薄板１６と、ＬＥＤチップ２０および第２金属薄板１６を接続するワイヤ１８とを備え、第１貫通穴１１およびＬＥＤチップ２０は、透明樹脂で形成された第１透明樹脂部３１で被覆され、第１透明樹脂部３１は、蛍光体含有樹脂で形成された蛍光体含有樹脂部３５で被覆されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップが載置された凹部と、前記ＬＥＤチップに接続されたワイヤが延長されて接続されたワイヤ接続部とを備える半導体発光装置であって、
前記ＬＥＤチップおよび前記凹部は、透明樹脂で形成された第１透明樹脂部で被覆され、
該第１透明樹脂部は、蛍光体含有樹脂部で被覆されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光装置であって、
前記凹部は、絶縁性基板と、該絶縁性基板に形成された第１貫通穴と、前記絶縁性基板の第１面に配置され前記第１貫通穴の底部を構成する第１金属薄板とによって形成され、
前記ワイヤ接続部は、前記絶縁性基板と、前記第１貫通穴から離れた位置で前記絶縁性基板に形成された第２貫通穴と、前記絶縁性基板の第１面に配置され前記第２貫通穴の底部を構成する第２金属薄板とによって形成され、
前記ＬＥＤチップは、前記第１金属薄板に搭載され、
前記ワイヤは、前記第２金属薄板に接続されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置であって、
前記ワイヤ接続部は、透明樹脂で形成された第２透明樹脂部で被覆されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体発光装置であって、
前記第２透明樹脂部は前記蛍光体含有樹脂部で被覆されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の半導体発光装置であって、
前記第１透明樹脂部および前記第２透明樹脂部は、一体化して形成されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項６】
請求項３ないし請求項５に記載の半導体発光装置であって、
前記第１透明樹脂部および前記第２透明樹脂部は、シリコーン系樹脂で形成されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体発光装置であって、
前記第１透明樹脂部および前記第２透明樹脂部は、ポッティング法で形成されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項８】
請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置であって、
前記ワイヤ接続部は、前記蛍光体含有樹脂部で被覆されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記蛍光体含有樹脂部は、エポキシ系樹脂で形成されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体発光装置であって、
前記蛍光体含有樹脂部は、トランスファーモールド法で形成されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体発光装置であって、
前記蛍光体含有樹脂部は、複数種類の蛍光体を含有していること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記第１透明樹脂部から放出される励起電磁波は、前記蛍光体含有樹脂部から放出される励起電磁波より短い波長を有すること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１２のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記ＬＥＤチップに接続されるワイヤは、複数本とされていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１４】
請求項１ないし請求項１３のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記ワイヤ接続部は、複数組形成されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項１４のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記ワイヤ接続部での前記ワイヤが接続された位置は、前記凹部の壁面の外側であること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１６】
請求項２ないし請求項１５のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記第１金属薄板に対応させて前記絶縁性基板の第２面に形成された第１金属パターンと、
前記第２金属薄板に対応させて前記第２面に形成された第２金属パターンと、
前記凹部の前記壁面に形成され前記第１金属薄板および前記第１金属パターンを接続する貫通穴導体と、
前記ワイヤ接続部の壁面に形成され前記第２金属薄板および前記第２金属パターンを接続する貫通穴導体とを備えること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１７】
請求項２ないし請求項１６のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記凹部および前記ワイヤ接続部の間で前記第２面に前記ワイヤを通すワイヤ用溝が形成されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体発光装置であって、
前記ワイヤ用溝の底面は、前記ＬＥＤチップの頂面に対して同等の高さとなるように形成されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項１９】
請求項１ないし請求項１８のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記ＬＥＤチップは、複数種類搭載されていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項２０】
請求項１ないし請求項１９のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記ＬＥＤチップは、逆台形状とされていること
を特徴とする半導体発光装置。
【請求項２１】
請求項１ないし請求項２０のいずれか一つに記載の半導体発光装置であって、
前記半導体発光装置は、チップ部品型ＬＥＤとしてあること
を特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹部に実装されたＬＥＤチップと凹部とを透明樹脂部で被覆し、透明樹脂部をさらに蛍光体含有樹脂部で被覆した半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照光スイッチ等の光源として、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）を搭載した半導体発光装置が利用されている。
【０００３】
図８は、従来の半導体発光装置の概略構造を示す断面図である。
【０００４】
従来の半導体発光装置１０１は、絶縁性基板１１０と、絶縁性基板１１０に設けられた凹部１１１と、凹部１１１から絶縁性基板１１０の裏面に渡って延長して形成された配線パターン１１２と、配線パターン１１２とは別に絶縁性基板１１０の表面から絶縁性基板１１０の裏面に渡って延長して形成された配線パターン１１３とを備える（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
半導体発光装置１０１は、さらに、凹部１１１での配線パターン１１２に実装されたＬＥＤチップ１２０と、ＬＥＤチップ１２０と配線パターン１１３とを接続するワイヤ１１８と、凹部１１１、ＬＥＤチップ１２０、ワイヤ１１８を被覆する透明樹脂部１３０を備える。
【０００６】
半導体発光装置１０１では、凹部１１１にＬＥＤチップ１２０を実装することから、薄型化を施すことが可能となっている。しかし、透明樹脂部１３０に蛍光体を含有させ、ＬＥＤチップ１２０を青色ＬＥＤとして白色発光をさせようとした場合、容易に白色を実現することが困難であった。
【０００７】
つまり、蛍光体含有樹脂を凹部１１１に充填した場合、蛍光体を均一に分散させ、分散量を均一化させることが困難であった。したがって、従来構造の半導体発光装置１０１では、蛍光体含有樹脂を適用した場合、色度ムラ、ＬＥＤチップ相互間の色度ばらつきが生じ、所望の色度が得られないという問題があり、製造工程での不良率が高いという問題があった。
【０００８】
特に、２種類以上の蛍光体を含有させた場合は、さらに蛍光体量の不均一性、蛍光体の分散の不均一性が大きくなり、特性を改善しようとして２種類以上の蛍光体を組み合わせた場合でも、目的とする色度ムラの抑制、色度ばらつきの抑制が実現できないという問題があった。
【０００９】
目的とする特性が得られない背景を種々検討した結果、次のような原因が判明した。図９Ａないし図９Ｃに基づいて原因について説明する。
【００１０】
図９Ａないし図９Ｃは、従来の半導体発光装置の課題を概念的に説明する断面図である。
【００１１】
図９Ａ、図９Ｂは、ＬＥＤチップ１２０と、蛍光体分布１３０ａ、１３０ｂとの関係を概念的に示す。
【００１２】
ＬＥＤチップ１２０が例えば逆台形状チップの場合、樹脂に含有された蛍光体は、ＬＥＤチップ１２０の表面に分散される蛍光体分布１３０ａと、ＬＥＤチップ１２０の側面に分散される蛍光体分布１３０ｂとの領域に分けられる。
【００１３】
蛍光体分布１３０ａでは、蛍光体量がほぼ設定通りであり、蛍光体の分散も均一である。これに対し、蛍光体分布１３０ｂでは、蛍光体分布１３０ａに比較して蛍光体量が少なく、また蛍光体の分散も不均一であることが判明した。
【００１４】
したがって、蛍光体の分布が不均一であることから、色度ムラが発生することとなる。また、個々の半導体発光装置１０１相互間での色度ばらつきも発生し、目的とする色度が得られない状態であった。
【００１５】
図９Ｃは、絶縁性基板１１０の凹部１１１にＬＥＤチップ１２０を搭載した場合の蛍光体の分布状態を概念的に示す。
【００１６】
凹部１１１にＬＥＤチップ１２０を搭載した場合、図９Ａおよび図９Ｂで説明したとおりの蛍光体分布が生じる。つまり、凹部１１１で、ＬＥＤチップ１２０の表面には、蛍光体分布１３０ａが生じ、ＬＥＤチップ１２０の側面には、蛍光体分布１３０ｂが生じる。したがって、図９Ａおよび図９Ｂで説明したとおり、色度ムラ、色度ばらつきが発生することとなる。
【００１７】
上述したとおり、凹部１１１にＬＥＤチップ１２０を搭載する形態の半導体発光装置１０１では、ＬＥＤチップ１２０の表面での蛍光体分布１３０ａと、凹部１１１での蛍光体分布１３０ｂとを均一化することは困難であり、色度ムラ、色度ばらつきが生じない半導体発光装置１０１とすることは困難であった。
【特許文献１】特開平７−２３５６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤチップが載置された凹部を第１透明樹脂部で被覆し、第１透明樹脂部を蛍光体含有樹脂部で被覆することにより、蛍光体含有樹脂部での蛍光体分布を均一化し、色度ムラおよび半導体発光装置相互間の色度ばらつきが小さく、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係る半導体発光装置は、ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップが載置された凹部と、前記ＬＥＤチップに接続されたワイヤが延長されて接続されたワイヤ接続部とを備える半導体発光装置であって、前記ＬＥＤチップおよび前記凹部は、透明樹脂で形成された第１透明樹脂部で被覆され、前記第１透明樹脂部は、蛍光体含有樹脂部で被覆されていることを特徴とする。
【００２０】
この構成により、ＬＥＤチップが載置された凹部を被覆する第１透明樹脂部の外側に蛍光体含有樹脂部を被覆することから、蛍光体含有樹脂部での蛍光体分布を均一化することが可能となるので、色度ムラおよび色度ばらつきが小さく、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置とすることができる。
【００２１】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記凹部は、絶縁性基板と、該絶縁性基板に形成された第１貫通穴と、前記絶縁性基板の第１面に配置され前記第１貫通穴の底部を構成する第１金属薄板とによって形成され、前記ワイヤ接続部は、前記絶縁性基板と、前記第１貫通穴から離れた位置で前記絶縁性基板に形成された第２貫通穴と、前記絶縁性基板の第１面に配置され前記第２貫通穴の底部を構成する第２金属薄板とによって形成され、前記ＬＥＤチップは、前記第１金属薄板に搭載され、前記ワイヤは、前記第２金属薄板に接続されていることを特徴とする。
【００２２】
この構成により、凹部およびワイヤ接続部を容易かつ高精度に画定することから、第１透明樹脂部および蛍光体含有樹脂部を容易かつ高精度に画定することが可能となり、色度ムラおよび色度ばらつきを抑制し、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置とすることができる。
【００２３】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記ワイヤ接続部は、透明樹脂で形成された第２透明樹脂部で被覆されていることを特徴とする。
【００２４】
この構成により、第１透明樹脂部、第２透明樹脂部、蛍光体含有樹脂部にそれぞれ異なった樹脂を適用することが可能となり、樹脂選択の自由度を向上させて色度の調整を容易に行なうことができる。また、第２透明樹脂部には、ワイヤに対する熱膨張係数が小さい透明樹脂を選択することが可能となるので、ワイヤの接続部での断線を防止することが可能となり、信頼性の高い半導体発光装置とすることができる。
【００２５】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記第２透明樹脂部は前記蛍光体含有樹脂部で被覆されていることを特徴とする。
【００２６】
この構成により、蛍光体含有樹脂部の領域を拡大して蛍光体の作用を拡大することが可能となり、蛍光体による発光性の高い半導体発光装置とすることができる。
【００２７】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記第１透明樹脂部および前記第２透明樹脂部は、一体化して形成されていることを特徴とする。
【００２８】
この構成により、第１透明樹脂部および第２透明樹脂部の製造を簡略化することが可能となり、生産性および信頼性の良い半導体発光装置とすることができる。
【００２９】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記第１透明樹脂部および前記第２透明樹脂部は、シリコーン系樹脂で形成されていることを特徴とする。
【００３０】
この構成により、熱応力を緩和することが可能となり、ＬＥＤチップおよび第２金属薄板に対するワイヤの断線不良を低減し、生産性および信頼性の良い半導体発光装置とすることができる。
【００３１】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記第１透明樹脂部および前記第２透明樹脂部は、ポッティング法で形成されていることを特徴とする。
【００３２】
この構成により、第１透明樹脂部および第２透明樹脂部を容易に形成することが可能となる。
【００３３】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記ワイヤ接続部は、前記蛍光体含有樹脂部で被覆されていることを特徴とする。
【００３４】
この構成により、蛍光体含有樹脂部の領域を拡大し、均一性を向上させることが可能となり、全体を蛍光体含有樹脂で被覆することが可能となることから、光学特性および耐環境性に優れた半導体発光装置とすることができる。
【００３５】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記蛍光体含有樹脂部は、エポキシ系樹脂で形成されていることを特徴とする。
【００３６】
この構成により、樹脂による耐環境性を確実に向上させることが可能となる。
【００３７】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記蛍光体含有樹脂部は、トランスファーモールド法で形成されていることを特徴とする。
【００３８】
この構成により、高精度で生産性良く蛍光体含有樹脂部を形成することが可能となる。
【００３９】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記蛍光体含有樹脂部は、複数種類の蛍光体を含有していることを特徴とする。
【００４０】
この構成により、色むら、色度ばらつきを低減することが可能となる。
【００４１】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記第１透明樹脂部から放出される励起電磁波は、前記蛍光体含有樹脂部から放出される励起電磁波より短い波長を有することを特徴とする。
【００４２】
この構成により、蛍光体含有樹脂部での蛍光体による色度変換が容易となり、目的の色度を有する高輝度の半導体発光装置とすることができる。
【００４３】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記ＬＥＤチップに接続されるワイヤは、複数本とされていることを特徴とする。
【００４４】
この構成により、ＬＥＤチップの電極構造に対するワイヤの接続自由度を向上させることが可能となる。
【００４５】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記ワイヤ接続部は、複数組形成されていることを特徴とする。
【００４６】
この構成により、ワイヤの本数に対応させてワイヤ接続部を配置することから、ワイヤの配線自由度を向上させることが可能となり、ＬＥＤチップの電極形態の自由度を向上させることができる。
【００４７】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記ワイヤ接続部での前記ワイヤが接続された位置は、前記凹部の壁面の外側であることを特徴とする。
【００４８】
この構成により、凹部およびワイヤ接続部を確実に分離することが可能となり、第１透明樹脂部と蛍光体含有樹脂部との間での作用関係を維持して、均質な色度変換を実行させることができる。
【００４９】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記第１金属薄板に対応させて前記絶縁性基板の第２面に形成された第１金属パターンと、前記第２金属薄板に対応させて前記第２面に形成された第２金属パターンと、前記凹部の前記壁面に形成され前記第１金属薄板および前記第１金属パターンを接続する貫通穴導体と、前記ワイヤ接続部の壁面に形成され前記第２金属薄板および前記第２金属パターンを接続する貫通穴導体とを備えることを特徴とする。
【００５０】
この構成により、ＬＥＤチップ、ワイヤからの熱を容易に放熱させ、また、第２面での光の反射率を向上させることが可能となることから、放熱性が良く、高輝度で信頼性の高い半導体発光装置とすることができる。
【００５１】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記凹部および前記ワイヤ接続部の間で前記第２面に前記ワイヤを通すワイヤ用溝が形成されていることを特徴とする。
【００５２】
この構成により、ワイヤ高さを抑制することが可能となり、薄型化を図った半導体発光装置とすることができる。
【００５３】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記ワイヤ用溝の底面は、前記ＬＥＤチップの頂面に対して同等の高さとなるように形成されていることを特徴とする。
【００５４】
この構成により、ワイヤの平坦度を向上させることが可能となり、確実に薄型化を図ることができる。
【００５５】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記ＬＥＤチップは、複数種類搭載されていることを特徴とする。
【００５６】
この構成により、ＬＥＤチップの種類に応じた多色発光を容易に行なうことが可能となる。
【００５７】
また、本発明に係る半導体発光装置では、前記ＬＥＤチップは、逆台形状とされていることを特徴とする。
【００５８】
この構成により、逆台形状のＬＥＤチップを搭載できることから、発光表面を拡大することが可能となり、輝度を向上させることができる。
【００５９】
また、本発明に係る半導体発光装置は、チップ部品型ＬＥＤとしてあることを特徴とする。
【００６０】
この構成により、小型化、薄型化し、面実装が容易な半導体発光装置とすることができる。
【発明の効果】
【００６１】
本発明に係る半導体発光装置によれば、ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップが載置された凹部と、前記ＬＥＤチップに接続されたワイヤが延長されて接続されたワイヤ接続部とを備える半導体発光装置であって、前記ＬＥＤチップおよび前記凹部は、透明樹脂で形成された第１透明樹脂部で被覆され、前記第１透明樹脂部は、蛍光体含有樹脂部で被覆されていることから、ＬＥＤチップが載置された凹部を被覆する第１透明樹脂部の外側に蛍光体含有樹脂部を被覆して蛍光体含有樹脂部での蛍光体分布を均一化することが可能となるので、色度ムラおよび色度ばらつきが小さく、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置とすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００６３】
＜原理形態＞
図１に基づいて、本発明の原理形態について説明する。
【００６４】
図１は、本発明の原理を概念的に示す断面図である。
【００６５】
半導体発光装置１は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０に形成された第１貫通穴１１と、絶縁性基板１０の第１面１０ｆに配置され第１貫通穴１１の底部を構成する第１金属薄板１２と、第１貫通穴１１に配置され第１金属薄板１２に搭載されたＬＥＤチップ２０とを備える。
【００６６】
つまり、半導体発光装置１は、ＬＥＤチップ２０と、ＬＥＤチップ２０が載置された凹部１０ｈとを備える。凹部１０ｈは、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０に形成された第１貫通穴１１と、絶縁性基板１０の第１面１０ｆに配置され第１貫通穴１１の底部を構成する第１金属薄板１２とによって形成されている。
【００６７】
凹部１０ｈおよびＬＥＤチップ２０は、透明樹脂で形成された第１透明樹脂部３１で被覆され、第１透明樹脂部３１は、蛍光体含有樹脂で形成された蛍光体含有樹脂部３５で被覆されている。
【００６８】
したがって、ＬＥＤチップ２０が例えば逆台形状であっても第１貫通穴１１とＬＥＤチップ２０との間に蛍光体含有樹脂が充填されることはなく、蛍光体含有樹脂部３５は第１透明樹脂部３１を被覆して配置されることから、蛍光体含有樹脂部３５の蛍光体分布を均一化することが可能となるので、色度ムラおよびＬＥＤチップ２０相互間の色度ばらつきが小さく、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置１とすることができる。つまり、本発明は、逆台形状のＬＥＤチップ２０の場合、ＬＥＤチップ２０が凹部（貫通穴）に搭載された場合に、特に有効に作用させることが可能である。また、凹部壁面とＬＥＤチップ２０との間隔が狭くなるほど有効に作用し、小型化、薄型化した半導体発光装置１、具体的には、チップ部品型ＬＥＤ（以下では、単に半導体発光装置１として説明する。）とした場合に特に有効となる。
【００６９】
＜実施の形態１＞
図２に基づいて、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置について説明する。
【００７０】
図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【００７１】
本実施の形態に係る半導体発光装置１は、ＬＥＤチップ２０と、ＬＥＤチップ２０が載置された凹部１０ｈと、ＬＥＤチップ２０に接続されたワイヤ１８が延長されて接続されたワイヤ接続部１０ｗｃとを備え、ＬＥＤチップ２０および凹部１０ｈは、透明樹脂で形成された第１透明樹脂部３１で被覆され、第１透明樹脂部３１は、蛍光体含有樹脂部３５で被覆されている。
【００７２】
この構成により、ＬＥＤチップ２０が載置された凹部１０ｈを被覆する第１透明樹脂部３１の外側に蛍光体含有樹脂部３５を被覆することから、蛍光体含有樹脂部３５での蛍光体分布を均一化することが可能となるので、色度ムラおよび色度ばらつきが小さく、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置１とすることができる。
【００７３】
より具体的には、凹部１０ｈは、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０に形成された第１貫通穴１１と、絶縁性基板１０の第１面１０ｆ（絶縁性基板１０の裏面）に配置され第１貫通穴１１の底部を構成する第１金属薄板１２とによって形成される。なお、実質上、第１貫通穴１１を凹部１０ｈと称することも可能である。
【００７４】
また、ワイヤ接続部１０ｗｃは、絶縁性基板１０と、第１貫通穴１１から離れた位置で絶縁性基板１０に形成された第２貫通穴１５と、絶縁性基板１０の第１面１０ｆに配置され第２貫通穴１５の底部を構成する第２金属薄板１６とによって形成される。なお、実質上、第２貫通穴１５をワイヤ接続部１０ｗｃと称することも可能である。
【００７５】
また、ＬＥＤチップ２０は、第１金属薄板１２に搭載され、ワイヤ１８は、第２金属薄板１６に接続されている。
【００７６】
この具体的構成により、凹部１０ｈおよびワイヤ接続部１０ｗｃを容易かつ高精度に画定することから、第１透明樹脂部３１および蛍光体含有樹脂部３５を容易かつ高精度に画定することが可能となり、色度ムラおよび色度ばらつきを抑制し、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置１とすることができる。
【００７７】
なお、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６は、それぞれＬＥＤチップ２０の別々の電極（一方はプラス電極、他方はマイナス電極）に接続されることから、相互に分離されて絶縁されている。また、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６は、絶縁性基板１０の第１面１０ｆに配置されることから、図示しない実装用のプリント基板に対してチップ部品の形態で実装（半田付け）することが可能となっている。
【００７８】
第１貫通穴１１（凹部１０ｈ）およびＬＥＤチップ２０は、透明樹脂で形成された第１透明樹脂部３１で被覆され、第１透明樹脂部３１は、蛍光体含有樹脂で形成された蛍光体含有樹脂部３５で被覆されている。
【００７９】
したがって、蛍光体含有樹脂部３５を第１貫通穴１１に充填する必要がなく、蛍光体含有樹脂部３５の蛍光体分布を均一化することが可能となるので、色度ムラが小さく、必要な色度を実現することが可能で、生産歩留まりの良い半導体発光装置１とすることができる。
【００８０】
第１貫通穴１１および絶縁性基板１０の第２面１０ｓ（絶縁性基板１０の表面）には第１金属薄板１２に対応させた第１金属パターン１３が形成され、第２貫通穴１５および第２面１０ｓには第２金属薄板１６に対応させた第２金属パターン１７が形成されていることが望ましい。
【００８１】
つまり、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を備えることによって、ＬＥＤチップ２０、ワイヤ１８からの熱を容易に放熱させ、また、第２面１０ｓでの光の反射率を向上させることが可能となることから、放熱性が良く、高輝度で信頼性の高い半導体発光装置１とすることができる。
【００８２】
なお、第１金属薄板１２および第１金属パターン１３は、第１貫通穴１１の壁面１１ｗに形成された貫通穴導体１１ｃによって接続され、第２金属薄板１６および第２金属パターン１７は、第２貫通穴１５の壁面１５ｗに形成された貫通穴導体１５ｃによって接続されている。したがって、ＬＥＤチップ２０で発生する熱は、第１面１０ｆおよび第２面１０ｓの両側から放熱され、放熱性の良い半導体発光装置１とすることができる。
【００８３】
つまり、半導体発光装置１は、第１金属薄板１２に対応させて第２面１０ｓに形成された第１金属パターン１３と、第２金属薄板１６に対応させて第２面１０ｓに形成された第２金属パターン１７と、第１貫通穴１１（凹部１０ｈ）の壁面１１ｗに形成され第１金属薄板１２および第１金属パターン１３を接続する貫通穴導体１１ｃと、第２貫通穴１５（ワイヤ接続部１０ｗｃ）の壁面１５ｗに形成され第２金属薄板１６および第２金属パターン１７を接続する貫通穴導体１５ｃとを備える。なお、貫通穴導体１１ｃは、第１金属パターン１３の部分を構成し、貫通穴導体１５ｃは、第２金属パターン１７の部分を構成している。
【００８４】
また、ＬＥＤチップ２０が搭載された面（第１貫通穴１１の底部での第１金属パターン１３の表面）と、ワイヤ１８が接続された面（第２貫通穴１５の底部での第２金属パターン１７の表面）とは実質同一平面としてあることが望ましい。この構成によって、半導体発光装置１の生産性を向上させることが可能となる。
【００８５】
第１透明樹脂部３１は、シリコーン系樹脂で形成されていることが望ましい。この構成によって、熱応力を緩和することが可能となり、ＬＥＤチップ２０に対するワイヤ１８の断線不良を低減し、生産性および信頼性の良い半導体発光装置１とすることができる。
【００８６】
第１透明樹脂部３１は、ポッティング法で形成されていることが望ましい。この構成によって、第１透明樹脂部３１を容易に形成することが可能となる。
【００８７】
第２貫通穴１５（ワイヤ接続部１０ｗｃ）は、蛍光体含有樹脂部３５で被覆されている。この構成によって、蛍光体含有樹脂部３５の領域を拡大し、均一性を向上させることが可能となり、全体を蛍光体含有樹脂で被覆することが可能となることから、光学特性および耐環境性に優れた半導体発光装置１とすることができる。
【００８８】
蛍光体含有樹脂部３５は、エポキシ系樹脂で形成されていることが望ましい。この構成によって、樹脂による耐環境性を確実に向上させることが可能となる。また、蛍光体含有樹脂部３５は、トランスファーモールド法で形成されていることが望ましい。この構成によって、高精度で生産性良く蛍光体含有樹脂部３５を形成することが可能となる。
【００８９】
なお、エポキシ系樹脂は、粘性、透明性、耐候性、強度等で優れた特性を有することから、エポキシ系樹脂を適用することによって、強度および信頼性に優れた半導体発光装置１とすることができる。また、適宜の粘性を有することから、含有させた蛍光体を均一に分布させることが可能となる。
【００９０】
蛍光体含有樹脂部３５は、複数種類の蛍光体を含有していることが望ましい。この構成によって、色むら、ＬＥＤチップ２０相互間の色度ばらつきを低減することが可能となる。
【００９１】
蛍光体含有樹脂部３５は、半導体発光装置１の表面（第２面１０ｓ）側の全体を被覆するように配置することが望ましい。この構成によって、強度および信頼性に優れた半導体発光装置１とすることができる。
【００９２】
第１透明樹脂部３１から放出される励起電磁波は、蛍光体含有樹脂部３５から放出される励起電磁波より短い波長を有することが望ましい。この構成により、蛍光体含有樹脂部３５での蛍光体による色度変換が容易となり、目的の色度を有する高輝度の半導体発光装置１とすることができる。
【００９３】
なお、第１透明樹脂部３１から放出される励起電磁波は、ＬＥＤチップ２０から発光される放射光の波長（例えば、青色ダイオードとした場合、波長４５５ｎｍ程度）であり、蛍光体含有樹脂部３５から放出される励起電磁波は、ＬＥＤチップ２０からの放射光が波長変換された後の波長（例えば、波長５６０ｎｍ程度）である。したがって、半導体発光装置１から放射される波長は、４５５ｎｍ程度と５６０ｎｍ程度の２つのピークを有する。
【００９４】
ワイヤ接続部１０ｗｃ（第２貫通穴１５）でのワイヤ１８が接続された位置は、凹部１０ｈ（第１貫通穴１１）の壁面１１ｗの外側であることが望ましい。この構成により、凹部１０ｈ（第１貫通穴１１）およびワイヤ接続部１０ｗｃ（第２貫通穴１５）を確実に分離することが可能となり、第１透明樹脂部３１と蛍光体含有樹脂部３５との間での作用関係を画定して、均質な色度変換を実行させることができる。
【００９５】
なお、図では、ＬＥＤチップ２０を便宜上直方体として示すが、逆台形状であっても良い。つまり、ＬＥＤチップ２０は、逆台形状とされていることも可能である。この構成により、逆台形状のＬＥＤチップ２０を搭載できることから、発光表面を拡大することが可能となり、輝度を向上させることができる。また、従来問題となっていた蛍光体の分布が不均一となるという問題が生じることもない。
【００９６】
以下、本実施の形態に係る半導体発光装置１の製造方法について詳細に説明する。
【００９７】
絶縁性基板１０は、例えば厚さ６０μｍを有するガラスエポキシ絶縁基板である。絶縁性基板１０の両面（第１面１０ｆおよび第２面１０ｓ）にはそれぞれ厚さ２５μｍの金属薄板（銅薄板）が積層されている。つまり、第１面１０ｆに、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するための金属薄板が形成されている。また、第２面１０ｓに、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を形成するための金属薄板が形成されている。
【００９８】
第１貫通穴１１（凹部１０ｈ）および第２貫通穴１５（ワイヤ接続部１０ｗｃ）を形成する領域で、第２面１０ｓに形成された金属薄板を例えばエッチングによって除去する。金属薄板を除去された領域に対してレーザ加工を施し、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５を形成する。第１貫通穴１１および第２貫通穴１５は、第１面１０ｆに積層された金属薄板まで到達するように形成される。第１貫通穴１１の大きさは、例えば直径５００μｍ、第２貫通穴１５の大きさは、例えば直径２００μｍとしてある。
【００９９】
なお、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５は、図では、垂直方向に形成された状態で示すが、上方（第２面１０ｓ）側の径が底部（第１面１０ｆ）側の径より大きくなる傾斜面を有するように形成され、反射面を構成するようにされる。
【０１００】
メッキ技術を適用して、メッキ厚１５μｍのメッキ導体（例えば銅メッキ）を形成する。つまり、第１貫通穴１１の壁面１１ｗに貫通穴導体層１１ｃを、第２貫通穴１５の壁面１５ｗに貫通穴導体層１５ｃを形成する。このとき、第１金属薄板１２の第１貫通穴１１に対向する側（第１貫通穴１１の底部）、第２金属薄板１６の第２貫通穴１５に対向する側（第２貫通穴１５の底部）にもメッキが同時に施される。なお、メッキが不要の領域（例えば、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するために配置された金属薄板）に対しては、レジストを形成して保護しておく。
【０１０１】
メッキ導体の表面に対してＮｉ／Ａｕの金属層を厚さ１５μｍで蒸着形成し、銅メッキの表面を保護し、銅メッキの安定性を向上させる。また、Ｎｉ／Ａｕの金属層を蒸着で形成することから、表面での反射率を向上させることが可能となる。
【０１０２】
次に、不要な領域にあるＮｉ／Ａｕの金属層、メッキ導体、金属薄板（第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するための金属薄板。第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を形成するための金属薄板。）をパターニング除去し、第１面１０ｆに絶縁領域１０ｆｄを、第２面１０ｓに絶縁領域１０ｓｄをそれぞれ形成する。つまり、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６と、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７とがパターニングによって形成される。
【０１０３】
次に、ＬＥＤチップ２０を実装（ダイボンディングおよびワイヤボンディング）する。つまり、ＬＥＤチップ２０を第１貫通穴１１の底部に銀ペーストを用いて接着し固定する（ダイボンディング）。また、ＬＥＤチップ２０（頂面２０ｔに配置された電極）と第２金属薄板１６とをワイヤ１８を用いて接続する（ワイヤボンディング）。
【０１０４】
本実施の形態では、第１貫通穴１１と第２貫通穴１５は、絶縁性基板１０によって相互に分離されていることから、第１貫通穴１１の底部に塗布された銀ペーストが第２貫通穴１５に流れ込むことがない。したがって、ワイヤ１８は、銀ペーストに対して短絡を生じることがないことから、ワイヤボンディング不良を防止することが可能となる。
【０１０５】
実装したＬＥＤチップ２０に対して樹脂封止を施す。つまり、第１透明樹脂部３１を形成する。第１透明樹脂部３１は、ポッティング法を用いて、ＬＥＤチップ２０、第１貫通穴１１、ワイヤ１８を覆うように形成されている。第１透明樹脂部３１は、シリコーン系樹脂とされ、硬化条件は例えば１５０℃、１時間とした。なお、第２貫通穴１５には、第１透明樹脂部３１と同様な透明樹脂は形成されていない。
【０１０６】
次に、エポキシ系樹脂に蛍光体を含有させた蛍光体含有樹脂部３５で第１透明樹脂部３１を被覆する。また、蛍光体含有樹脂部３５は、第２貫通穴１５を覆うように領域を拡大して形成されている。蛍光体含有樹脂部３５は、例えばトランスファーモールド法を用いて形成されている。硬化条件は例えば１５０℃、３時間とした。
【０１０７】
なお、蛍光体としては、例えば、蛍光体（Ｂａ・Ｓｒ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ（Ｅｕ：ユーロピウム）と蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕを適用した。ＬＥＤチップ２０として青色ダイオードを適用した場合は、高演色を実現することが可能である。
【０１０８】
最後に、長さ（図では、左右方向）１．５ｍｍ、幅（図では、奥行き方向）０．８ｍｍでダイシングして半導体発光装置１を作製した。なお、パッケージ（完成品）全体の高さ（図では、上下方向）は、０．１８ｍｍとした。
【０１０９】
＜実施の形態２＞
図３に基づいて、本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置について説明する。
【０１１０】
図３は、本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【０１１１】
本実施の形態に係る半導体発光装置１の基本構成は、実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様であるので、同一符号を適用し、主に異なる事項について説明する。また、必要に応じて本実施の形態を他の実施の形態と適宜組み合わせることも可能である。
【０１１２】
本実施の形態では、ワイヤ接続部１０ｗｃ（第２貫通穴１５）は、透明樹脂で形成された第２透明樹脂部３２で被覆されている。したがって、第１透明樹脂部３１、第２透明樹脂部３２、蛍光体含有樹脂部３５にそれぞれ異なった樹脂を適用することが可能となり、樹脂選択の自由度を向上させて色度の調整を容易に行なうことができる。また、第２透明樹脂部３２には、ワイヤ１８に対する熱膨張係数が小さい透明樹脂を選択することが可能となるので、ワイヤ１８の接続部での断線を防止することが可能となり、信頼性の高い半導体発光装置１とすることができる。
【０１１３】
第２透明樹脂部３２は、蛍光体含有樹脂部３５で被覆されていることが望ましい。この構成により、蛍光体含有樹脂部３５の領域を拡大して蛍光体の作用を拡大することが可能となり、蛍光体による発光性の高い半導体発光装置１とすることができる。
【０１１４】
第２透明樹脂部３２は、第１透明樹脂部３１と同様にシリコーン系樹脂で形成されていることが望ましい。この構成により、熱応力を緩和することが可能となり、第２金属薄板１６（第２金属パターン１７）に対するワイヤ１８の断線不良を低減し、生産性および信頼性の良い半導体発光装置１とすることができる。
【０１１５】
第２透明樹脂部３２は、第１透明樹脂部３１と同様にポッティング法で形成されていることが望ましい。この構成により、第１透明樹脂部３１および第２透明樹脂部３２を容易に形成することが可能となる。
【０１１６】
＜実施の形態３＞
図４に基づいて、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置について説明する。
【０１１７】
図４は、本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【０１１８】
本実施の形態に係る半導体発光装置１の基本構成は、実施の形態１、実施の形態２に係る半導体発光装置１と同様であるので、同一符号を適用し、主に異なる事項について説明する。また、必要に応じて本実施の形態を他の実施の形態と適宜組み合わせることも可能である。
【０１１９】
本実施の形態では、第１透明樹脂部３１および第２透明樹脂部３２は、同一の透明樹脂で一体化して形成されている。したがって、第１透明樹脂部３１および第２透明樹脂部３２の製造を簡略化することが可能となり、生産性および信頼性の良い半導体発光装置１とすることができる。
【０１２０】
以下、本実施の形態に係る半導体発光装置１の製造方法について詳細に説明する。
【０１２１】
絶縁性基板１０は、例えば厚さ５０μｍを有するラスエポキシ絶縁基板である。絶縁性基板１０の両面（第１面１０ｆおよび第２面１０ｓ）にはそれぞれ厚さ２０μｍの金属薄板（銅薄板）が積層されている。つまり、第１面１０ｆに、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するための金属薄板が形成されている。また、第２面１０ｓに、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を形成するための金属薄板が形成されている。
【０１２２】
第１貫通穴１１（凹部１０ｈ）および第２貫通穴１５（ワイヤ接続部１０ｗｃ）を形成する領域で、第２面１０ｓに形成された金属薄板を例えばエッチングによって除去する。金属薄板を除去された領域に対してレーザ加工を施し、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５を形成する。第１貫通穴１１および第２貫通穴１５は、第１面１０ｆに積層された金属薄板まで到達するように形成される。第１貫通穴１１の大きさは、例えば直径４７０μｍ、第２貫通穴１５の大きさは、例えば直径１８０μｍとしてある。
【０１２３】
なお、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５は、図では、垂直方向に形成された状態で示すが、上方（第２面１０ｓ）側の径が底部（第１面１０ｆ）側の径より大きくなる傾斜面を有するように形成され、反射面を構成するようにされる。
【０１２４】
メッキ技術を適用して、メッキ厚２０μｍのメッキ導体（例えば銅メッキ）を形成する。つまり、第１貫通穴１１の壁面１１ｗに貫通穴導体層１１ｃを、第２貫通穴１５の壁面１５ｗに貫通穴導体層１５ｃを形成する。このとき、第１金属薄板１２の第１貫通穴１１に対向する側（第１貫通穴１１の底部）、第２金属薄板１６の第２貫通穴１５に対向する側（第２貫通穴１５の底部）にもメッキが同時に施される。なお、メッキが不要の領域（例えば、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するために配置された金属薄板）に対しては、レジストを形成して保護しておく。
【０１２５】
メッキ導体の表面に対してＮｉ／Ａｕの金属層を厚さ１０μｍで蒸着形成し、銅メッキの表面を保護し、銅メッキの安定性を向上させる。また、Ｎｉ／Ａｕの金属層を蒸着で形成することから、表面での反射率を向上させることが可能となる。
【０１２６】
次に、不要な領域にあるＮｉ／Ａｕの金属層、メッキ導体、金属薄板（第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するための金属薄板。第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を形成するための金属薄板。）をパターニング除去し、第１面１０ｆに絶縁領域１０ｆｄを、第２面１０ｓに絶縁領域１０ｓｄをそれぞれ形成する。つまり、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６と、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７とがパターニングによって形成される。
【０１２７】
次に、ＬＥＤチップ２０を実装（ダイボンディングおよびワイヤボンディング）する。つまり、ＬＥＤチップ２０を第１貫通穴１１の底部に銀ペーストを用いて接着し固定する（ダイボンディング）。また、ＬＥＤチップ２０（頂面２０ｔに配置された電極）と第２金属薄板１６とをワイヤ１８を用いて接続する（ワイヤボンディング）。
【０１２８】
実装したＬＥＤチップ２０等に対して樹脂封止を施す。つまり、第１透明樹脂部３１および第２透明樹脂部３２を一体化して形成する。第１透明樹脂部３１および第２透明樹脂部３２は、ポッティング法を用いて、ＬＥＤチップ２０、第１貫通穴１１、ワイヤ１８、第２貫通穴１５を覆うように形成されている。第１透明樹脂部３１および第２透明樹脂部３２は、シリコーン系樹脂とされ、硬化条件は例えば１５０℃、１時間とした。
【０１２９】
次に、エポキシ系樹脂に蛍光体を含有させた蛍光体含有樹脂部３５で第１透明樹脂部３１および第２透明樹脂部３２を被覆する。また、蛍光体含有樹脂部３５は、第２貫通穴１５を覆うように領域を拡大して形成されている。蛍光体含有樹脂部３５は、例えばトランスファーモールド法を用いて形成されている。硬化条件は例えば１５０℃、１時間とした。
【０１３０】
なお、蛍光体としては、例えば、蛍光体（Ｂａ・Ｓｒ）2ＳｉＯ4：Ｅｕと蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕを適用した。ＬＥＤチップ２０として青色ダイオードを適用した場合は、擬似白色を実現することが可能である。
【０１３１】
最後に、長さ（図では、左右方向）１．６ｍｍ、幅（図では、奥行き方向）０．８ｍｍでダイシングして半導体発光装置１を作製した。なお、パッケージ（完成品）全体の高さ（図では、上下方向）は、０．２ｍｍとした。
【０１３２】
＜実施の形態４＞
図５に基づいて、本発明の実施の形態４に係る半導体発光装置について説明する。
【０１３３】
図５は、本発明の実施の形態４に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【０１３４】
本実施の形態に係る半導体発光装置１の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態３に係る半導体発光装置１と同様であるので、同一符号を適用し、主に異なる事項について説明する。また、必要に応じて本実施の形態を他の実施の形態と適宜組み合わせることも可能である。
【０１３５】
本実施の形態では、ＬＥＤチップ２０に接続されるワイヤ１８は、複数本（例えば、図示するように２本）とされている。したがって、ＬＥＤチップ２０の電極構造に対するワイヤ１８の接続自由度を向上させることが可能となる。
【０１３６】
また、ワイヤ接続部１０ｗｃ（第２貫通穴１５および第２金属薄板１６）は、ワイヤ１８の本数に対応させて複数組形成されている。したがって、ワイヤ１８の本数に対応させてワイヤ接続部１０ｗｃ（第２貫通穴１５および第２金属薄板１６）を複数配置することから、ワイヤ１８の配線自由度を向上させることが可能となり、ＬＥＤチップ２０の電極形態の自由度を向上させることができる。なお、第２貫通穴１５および第２金属薄板１６を複数組形成するために、絶縁領域１０ｆｄおよび絶縁領域１０ｓｄも同様に複数組形成される。
【０１３７】
なお、本実施の形態では、ワイヤ１８を複数配置する形態としたが、ＬＥＤチップ２０を複数配置する形態とすることも可能であり、ＬＥＤチップ２０を複数配置した場合は、容易に多色（複数のＬＥＤチップ２０）での発光が可能となる（実施の形態５、図６参照）。
【０１３８】
以下、本実施の形態に係る半導体発光装置１の製造方法について詳細に説明する。
【０１３９】
絶縁性基板１０は、例えば厚さ６０μｍを有するラスエポキシ絶縁基板である。絶縁性基板１０の両面（第１面１０ｆおよび第２面１０ｓ）にはそれぞれ厚さ２５μｍの金属薄板（銅薄板）が積層されている。つまり、第１面１０ｆに、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するための金属薄板が形成されている。また、第２面１０ｓに、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を形成するための金属薄板が形成されている。
【０１４０】
第１貫通穴１１（凹部１０ｈ）および第２貫通穴１５（ワイヤ接続部１０ｗｃ）を形成する領域で、第２面１０ｓに形成された金属薄板を例えばエッチングによって除去する。金属薄板を除去された領域に対してレーザ加工を施し、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５を形成する。第１貫通穴１１および第２貫通穴１５は、第１面１０ｆに積層された金属薄板まで到達するように形成される。第１貫通穴１１の大きさは、例えば直径５００μｍ、第２貫通穴１５の大きさは、例えば直径２００μｍとしてある。
【０１４１】
なお、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５は、図では、垂直方向に形成された状態で示すが、上方（第２面１０ｓ）側の径が底部（第１面１０ｆ）側の径より大きくなる傾斜面を有するように形成され、反射面を構成するようにされる。
【０１４２】
メッキ技術を適用して、メッキ厚１５μｍのメッキ導体（例えば銅メッキ）を形成する。つまり、第１貫通穴１１の壁面１１ｗに貫通穴導体層１１ｃを、第２貫通穴１５の壁面１５ｗに貫通穴導体層１５ｃを形成する。このとき、第１金属薄板１２の第１貫通穴１１に対向する側（第１貫通穴１１の底部）、第２金属薄板１６の第２貫通穴１５に対向する側（第２貫通穴１５の底部）にもメッキが同時に施される。なお、メッキが不要の領域（例えば、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するために配置された金属薄板）に対しては、レジストを形成して保護しておく。
【０１４３】
メッキ導体の表面に対してＮｉ／Ａｕの金属層を厚さ１５μｍで蒸着形成し、銅メッキの表面を保護し、銅メッキの安定性を向上させる。また、Ｎｉ／Ａｕの金属層を蒸着で形成することから、表面での反射率を向上させることが可能となる。
【０１４４】
次に、不要な領域にあるＮｉ／Ａｕの金属層、メッキ導体、金属薄板（第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するための金属薄板。第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を形成するための金属薄板。）をパターニング除去し、第１面１０ｆに絶縁領域１０ｆｄを、第２面１０ｓに絶縁領域１０ｓｄをそれぞれ形成する。つまり、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６と、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７とがパターニングによって形成される。
【０１４５】
次に、ＬＥＤチップ２０を実装（ダイボンディングおよびワイヤボンディング）する。つまり、ＬＥＤチップ２０を第１貫通穴１１の底部にシリコーン樹脂を用いて接着し固定する（ダイボンディング）。また、ＬＥＤチップ２０（頂面２０ｔに配置された電極）と独立して形成された複数の第２金属薄板１６とをそれぞれワイヤ１８を用いて接続する（ワイヤボンディング）。
【０１４６】
なお、本実施の形態では、ＬＥＤチップ２０は、頂面２０ｔに極性の異なる２つの電極を形成してあることから、ＬＥＤチップ２０の基板を第１金属薄板１２から絶縁することが可能となっている。したがって、ダイボンディングで、絶縁性を有するシリコーン樹脂を適用することが可能となる。
【０１４７】
第１貫通穴１１および実装したＬＥＤチップ２０に対して樹脂封止を施す。つまり、実施の形態１の場合と同様、第１透明樹脂部３１を形成する。第１透明樹脂部３１は、ポッティング法を用いて、ＬＥＤチップ２０および第１貫通穴１１を覆うように形成されている。第１透明樹脂部３１は、シリコーン系樹脂とされ、硬化条件は例えば１５０℃、３時間とした。
【０１４８】
次に、エポキシ系樹脂に蛍光体を含有させた蛍光体含有樹脂部３５で第１透明樹脂部３１を被覆する。また、蛍光体含有樹脂部３５は、第２貫通穴１５を覆うように領域を拡大して形成されている。蛍光体含有樹脂部３５は、例えばトランスファーモールド法を用いて形成されている。硬化条件は例えば１２０℃、１時間とした。
【０１４９】
なお、蛍光体としては、例えば、蛍光体（Ｂａ・Ｓｒ）2ＳｉＯ4：Ｅｕと蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕを適用した。ＬＥＤチップ２０として青色ダイオードを適用した場合は、電球色の半導体発光装置１を実現することが可能である。
【０１５０】
最後に、長さ（図では、左右方向）１．５ｍｍ、幅（図では、奥行き方向）０．８ｍｍでダイシングして半導体発光装置１を作製した。なお、パッケージ（完成品）全体の高さ（図では、上下方向）は、０．１８ｍｍとした。
【０１５１】
＜実施の形態５＞
図６に基づいて、本発明の実施の形態５に係る半導体発光装置について説明する。
【０１５２】
図６は、本発明の実施の形態５に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【０１５３】
本実施の形態に係る半導体発光装置１の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態４に係る半導体発光装置１と同様であるので、同一符号を適用し、主に異なる事項について説明する。また、必要に応じて本実施の形態を他の実施の形態と適宜組み合わせることも可能である。
【０１５４】
本実施の形態では、ＬＥＤチップ２０は、複数種類（例えば図示するように２種類）搭載されている。したがって、ＬＥＤチップ２０の種類に応じた多色（複数のＬＥＤチップ２０）での発光を容易に行なうことが可能となる。
【０１５５】
なお、単一の第１貫通穴１１に対して複数のＬＥＤチップ２０を配置した場合を例示したが、第１貫通穴１１を異なる複数の位置に設けて、それぞれにＬＥＤチップ２０を配置する構成とすることも可能である。
【０１５６】
＜実施の形態６＞
図７Ａおよび図７Ｂに基づいて、本発明の実施の形態６に係る半導体発光装置について説明する。
【０１５７】
図７Ａは、本発明の実施の形態６に係る半導体発光装置を被覆樹脂の無い状態として示す平面図である。
【０１５８】
図７Ｂは、図７Ａで示した半導体発光装置の矢符Ｂ−Ｂでの断面を被覆樹脂のある状態で示す断面図である。
【０１５９】
本実施の形態に係る半導体発光装置１の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態５に係る半導体発光装置１と同様であるので、同一符号を適用し、主に異なる事項について説明する。また、必要に応じて本実施の形態を他の実施の形態と適宜組み合わせることも可能である。
【０１６０】
本実施の形態では、第１貫通穴１１（凹部１０ｈ）および第２貫通穴１５（ワイヤ接続部１０ｗｃ）の間で絶縁性基板１０の第２面１０ｓにワイヤ１８を通すワイヤ用溝１９が形成されている（図７Ｂでは、ワイヤ用溝１９に対応する領域で、第１透明樹脂部３１および蛍光体含有樹脂部３５を省略している。）。したがって、ワイヤ１８高さを抑制することが可能となり、薄型化を図った半導体発光装置１とすることができる。
【０１６１】
また、ワイヤ用溝１９の底面１９ｂは、ＬＥＤチップ２０の頂面２０ｔに対して同等の高さとなるように形成されている。したがって、ワイヤ１８の平坦度を向上させることが可能となり、確実に薄型化を図ることができる。
【０１６２】
以下、本実施の形態に係る半導体発光装置１の製造方法について詳細に説明する。
【０１６３】
絶縁性基板１０は、例えば厚さ５５μｍを有するラスエポキシ絶縁基板である。絶縁性基板１０の両面（第１面１０ｆおよび第２面１０ｓ）にはそれぞれ厚さ１８μｍの金属薄板（銅薄板）が積層されている。つまり、第１面１０ｆに、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するための金属薄板が形成されている。また、第２面１０ｓに、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を形成するための金属薄板が形成されている。
【０１６４】
第１貫通穴１１（凹部１０ｈ）、第２貫通穴１５（ワイヤ接続部１０ｗｃ）およびワイヤ用溝１９を形成する領域で、第２面１０ｓに形成された金属薄板を例えばエッチングによって除去する。金属薄板を除去された領域に対してレーザ加工を施し、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５を形成する。また、レーザ加工でのレーザ出力を調整して、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５より浅くワイヤ用溝１９を形成する。
【０１６５】
つまり、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５は、第１面１０ｆに積層された金属薄板まで到達するように形成される。第１貫通穴１１の大きさは、例えば直径４００μｍ、第２貫通穴１５の大きさは、例えば直径１５０μｍとしてある。また、ワイヤ用溝１９は、第２面１０ｓに対して深さ２５μｍとなるように形成されている。
【０１６６】
なお、第１貫通穴１１および第２貫通穴１５は、図では、垂直方向に形成された状態で示すが、上方（第２面１０ｓ）側の径が底部（第１面１０ｆ）側の径より大きくなる傾斜面を有するように形成され、反射面を構成するようにされる。
【０１６７】
メッキ技術を適用して、メッキ厚２５μｍのメッキ導体（例えば銅メッキ）を形成する。つまり、第１貫通穴１１の壁面１１ｗに貫通穴導体層１１ｃを、第２貫通穴１５の壁面１５ｗに貫通穴導体層１５ｃを形成する。このとき、第１金属薄板１２の第１貫通穴１１に対向する側（第１貫通穴１１の底部）、第２金属薄板１６の第２貫通穴１５に対向する側（第２貫通穴１５の底部）にもメッキが同時に施される。なお、メッキが不要の領域（例えば、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するために配置された金属薄板）に対しては、レジストを形成して保護しておく。
【０１６８】
メッキ導体の表面に対してＮｉ／Ａｕの金属層を厚さ１０μｍで蒸着形成し、銅メッキの表面を保護し、銅メッキの安定性を向上させる。また、Ｎｉ／Ａｕの金属層を蒸着で形成することから、表面での反射率を向上させることが可能となる。
【０１６９】
次に、不要な領域にあるＮｉ／Ａｕの金属層、メッキ導体、金属薄板（第１金属薄板１２および第２金属薄板１６を形成するための金属薄板。第１金属パターン１３および第２金属パターン１７を形成するための金属薄板。）を除去し、第１面１０ｆに絶縁領域１０ｆｄを、第２面１０ｓに絶縁領域１０ｓｄをそれぞれ形成する。つまり、第１金属薄板１２および第２金属薄板１６と、第１金属パターン１３および第２金属パターン１７とがパターニングによって形成される。
【０１７０】
次に、ＬＥＤチップ２０を実装（ダイボンディングおよびワイヤボンディング）する。つまり、ＬＥＤチップ２０を第１貫通穴１１の底部にエポキシ樹脂を用いて接着し固定する（ダイボンディング）。また、ＬＥＤチップ２０（頂面２０ｔに配置された電極）と第２金属薄板１６とをワイヤ１８を用いて接続する（ワイヤボンディング）。ワイヤ１８は、ワイヤ用溝１９を通るように配置される。
【０１７１】
第１貫通穴１１および実装したＬＥＤチップ２０に対して樹脂封止を施す。つまり、実施の形態１の場合と同様、第１透明樹脂部３１を形成する。第１透明樹脂部３１は、ポッティング法を用いて、ＬＥＤチップ２０および第１貫通穴１１を覆うように形成されている。第１透明樹脂部３１は、シリコーン系樹脂とされ、硬化条件は例えば１５０℃、１時間とした。
【０１７２】
次に、エポキシ系樹脂に蛍光体を含有させた蛍光体含有樹脂部３５で第１透明樹脂部３１を被覆する。また、蛍光体含有樹脂部３５は、第２貫通穴１５を覆うように領域を拡大して形成されている。蛍光体含有樹脂部３５は、例えばトランスファーモールド法を用いて形成されている。硬化条件は例えば前硬化として１５０℃、１時間とし、さらに本硬化として１５０℃、３時間とした。
【０１７３】
なお、蛍光体としては、例えば、蛍光体（Ｂａ・Ｓｒ）2ＳｉＯ4：Ｅｕと蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕを適用した。ＬＥＤチップ２０として青色ダイオードを適用した場合は、高演色の半導体発光装置１を実現することが可能である。
【０１７４】
最後に、長さ（図では、左右方向）１．６５ｍｍ、幅（図では、奥行き方向）０．７５ｍｍでダイシングして半導体発光装置１を作製した。なお、パッケージ（完成品）全体の高さ（図では、上下方向）は、０．１５ｍｍとなり、他の実施の形態に比較してさらに薄型化を図ることができた。
【０１７５】
＜実施の形態７＞
本実施の形態（不図示）では、実施の形態１ないし実施形態６に適用可能な蛍光体の種類について説明する。
【０１７６】
本実施の形態に係る黄色蛍光体として例えば次のものを適用することが可能である。
【０１７７】
Ｅｕ（ユーロピウム）を賦活したα−サイアロンとしてＣａ（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16：Ｅｕ、ＢＯＳＥ：Ｅｕ系として（Ｂａ，Ｓｒ）2ＳｉＯ4、（Ｙ，Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｔｂ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ等。
【０１７８】
本実施の形態に係る緑色蛍光体として例えば次のものを適用することが可能である。
【０１７９】
（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｅｕ（ユーロピウム）を賦活したβ−サイアロンとして（Ｓｉ，Ａｌ）6（Ｏ，Ｎ）8：Ｅｕ、ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ、Ｂａ1.5Ｓｒ0.5ＳｉＯ4：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｃａ3（Ｓｃ，Ｍｇ）2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ、Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、ＣａＳｃ2Ｏ4：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｔｂ、Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｔｂ、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｍｎ）2ＳｉＯ4、ＢａＡｌ12Ｏ19：Ｍｎ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ2Ｏ3：Ｍｎ、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＣｅＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｔｂ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ等。
【０１８０】
本実施の形態に係る赤色蛍光体として例えば次のものを適用することが可能である。
【０１８１】
Ｅｕ（ユーロピウム）を賦活した純窒化物であるカズン（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ、Ｚｎ3（ＰＯ4）2：Ｍｎ、（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ3、（Ｙ，Ｇｄ、Ｅｕ）2Ｏ3、ＹＶＯ4：Ｅｕ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ等。
【０１８２】
また、上述した黄色蛍光体、緑色蛍光体、および赤色蛍光体を適宜組み合わせて適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１８３】
【図１】本発明の原理を概念的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態５に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図７Ａ】本発明の実施の形態６に係る半導体発光装置を被覆樹脂の無い状態として示す平面図である。
【図７Ｂ】図７Ａで示した半導体発光装置の矢符Ｂ−Ｂでの断面を被覆樹脂のある状態で示す断面図である。
【図８】従来の半導体発光装置の概略構造を示す断面図である。
【図９Ａ】従来の半導体発光装置の課題を概念的に説明する断面図である。
【図９Ｂ】従来の半導体発光装置の課題を概念的に説明する断面図である。
【図９Ｃ】従来の半導体発光装置の課題を概念的に説明する断面図である。
【符号の説明】
【０１８４】
１  半導体発光装置
１０  絶縁性基板
１０ｆ  第１面
１０ｆｄ  絶縁領域
１０ｈ  凹部
１０ｓ  第２面
１０ｓｄ  絶縁領域
１０ｗｃ  ワイヤ接続部
１１  第１貫通穴
１１ｃ  貫通穴導体
１１ｗ  壁面
１２  第１金属薄板
１３  第１金属パターン
１５  第２貫通穴
１５ｃ  貫通穴導体
１５ｗ  壁面
１６  第２金属薄板
１７  第２金属パターン
１８  ワイヤ
１９  ワイヤ用溝
１９ｂ  底面
２０  ＬＥＤチップ
２０ｔ  頂面
３１  第１透明樹脂部
３２  第２透明樹脂部
３５  蛍光体含有樹脂部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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