(57)【要約】【課題】半導体素子とステム側の接続、又は半導体素子から延出されたボンディングワイヤーとリード端子の少なくともいずれかを良好に接着することにより、優れた発光性能を持つ光半導体装置を歩留まり良く製造することが可能な半導体装置用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置を低コストで提供することを目的とする。【解決手段】ステム２ｃ上のヒートシンク３の素子搭載部３ａと、２本のリード端子２ａの表面に、機能性有機分子８の自己組織化によって有機被膜８を形成する。機能性有機分子８は、主鎖部Ｂ１の一端にステム２ｃ側またはリード端子２ａの少なくともいずれかに金属結合、水素結合、若しくは金属錯体による配位結合の結合態様を呈する第一官能基Ａ１を配し、他端に防汚性を呈する第二官能基Ｃ１を配した化学構造とする。【選択図】図１
2010080704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が設けられたステムに対し、前記貫通孔に絶縁材を介してリード端子が固定された半導体装置用パッケージであって、
ステム上の半導体搭載領域と、半導体素子から延出されたボンディングワイヤーがボンディングされるリード端子の領域の少なくともいずれかには、機能性有機分子の自己組織化によって形成された有機被膜が被着され、
前記機能性有機分子は、主鎖部の一端に、前記ステムまたは前記リード端子の少なくともいずれかに対して金属結合、水素結合、若しくは金属錯体による配位結合の少なくともいずれかの結合態様を呈する第一官能基が配され、他端に防汚性を呈する第二官能基が配された化学構造を有し、
前記主鎖部は、グリコール鎖、またはメチレン鎖、フルオロメチレン鎖、シロキサン鎖の内の一種以上で構成されている
ことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
第一官能基は、チオール化合物、スルフィド化合物、含窒素複素環化合物の内の一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体で構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
前記ステムは、銅又は銅合金からなるヒートシンクを有し、
当該ヒートシンクに半導体素子搭載領域が設けられている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
請求項１または２のいずれかに記載の半導体装置用パッケージに対し、半導体素子が前記リード端子と前記ステムの各々に電気的に接続されてなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体装置用パッケージに対し、半導体素子が前記リード端子と前記半導体素子搭載領域の各々に電気的に接続されてなる
ことを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用パッケージおよびこれを用いた半導体装置に関する発明であり、特にステムの搭載部に固定される半導体素子とリード端子とを接続するボンディングワイヤーとの接着性の向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光半導体装置には小型化、高出力化の要求が高まっており、高い信頼性と放熱性を向上することが強く求められている。
また、最近では青や紫などの波長で発光する半導体素子が搭載された光半導体装置が多用され始めており、信頼性の観点から気密端子からなるステムタイプの半導体装置用パッケージが使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図５は従来の光半導体装置用パッケージ１００と、これを用いた光半導体装置１０１の構成を示す斜視図である。図６（ａ）は当該装置のｙｚ平面に沿ったステムとリード端子の断面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＢ部拡大断面図である。    
これらの各図に示される光半導体装置１０１は、鉄又は鉄を主成分とする合金からなる円盤状のステム１０２ｃに対し、その厚み方向２カ所を貫通させてなる各々の貫通孔に、絶縁ガラス１０２ｂを介して鉄または鉄を主成分とした合金からなる線状のリード端子１０２ａを配設させ、ステム１０２ｃの上面に直方体状のヒートシンク１０３を突出するように配設した構成を持つ。
【０００４】
ヒートシンク１０３の側面は半導体素子搭載部（搭載領域）１０３ａであり、これに半導体素子１０４の電極部がサブマウント（図示せず）を介してはんだなどの導電性接着材により接着されている。半導体素子１０４は発光ダイオードや半導体レーザーなどからなる。なお、ヒートシンクは必須ではなく、ステム上に直接配設することもできる。すなわち、１０２ａ〜１０２ｃで光半導体装置用パッケージ１００の基本構造体１０２が形成される。
【０００５】
半導体素子１０４には２本の金等のボンディングワイヤー１０５の各一端が接続される。そしてボンディングワイヤー１０５の各他端側は、各々のリード端子１０２ａに接続されている。このボンディングワイヤー１０５は、超音波を印加して接合する、いわゆる超音波ワイヤーボンディング法により接続する事が出来る。
なお、図示しないが、光半導体素子１０４を保護するため、ステム上面には透光窓を有する蓋体が被覆するように配設されることもある。
【０００６】
また、半導体装置用パッケージ１００では、一般的に防錆機能や光半導体素子１０４やボンディングワイヤー１０５との接着性や外部回路との接合性を考慮して、絶縁ガラス１０２ｂを除く下地にニッケルメッキ１０６ａ、最表層に金メッキ１０６ｂからなる機能被膜が被膜されている。
【特許文献１】特開２００７−２２７７２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の半導体装置用パッケージとこれを用いた光半導体装置では、製造工程を経る間にリード端子１０２ａの表面および半導体素子１０４の電極表面（図示せず）に、不要な有機物が付着したり、酸化物が堆積することがある。
例えば図５では、半導体装置用パッケージ１００及び半導体装置１０１において、端子リード１０２ａの最表面に形成された金メッキの不純物等の残渣やその残渣物が微量の有機物１０７として付着した様子を示している。
【０００８】
また、これ以外にも大気中の酸素や湿度による影響で、メッキ表面に不要な酸化膜がを形成される場合もある。
このような有機物や酸化物が存在すると、ボンディングワイヤー１０５を接続する際において大きな障害となる。すなわち、電極或いはリード端子１０２ａとボンディングワイヤー１０５との接合面における合金の形成が阻害される。この結果、ボンディングの強度が低下したり、ボンディングそのものが不可能な問題が生じ、ボンディングの歩留まりが低下してしまう。
【０００９】
この問題を解決する方法として、機能被膜における最表層に金メッキ１０６ｂの膜厚を厚くして超音波ワイヤーボンディングのパワーを大きくかけて有機物１０７などを飛散させる方法が考えられている。しかし、この場合は材料コストや製造コストの上昇が問題となり、現実的な対策とは言い難い。
また、最近では光半導体装置の小型化が著しいため、ワイヤーボンディングが行われるパッドと称される領域の面積も縮小している。従って、このような微小領域に不要な有機物や酸化物が存在する場合、ボンディング箇所の変更も困難であり、その影響が顕著となる。
【００１０】
以上のように、現在の光半導体装置において、ワイヤーボンディングを比較的低コストで確実に行うためには改善の余地が存在する。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、半導体素子とステム側の接続、又は半導体素子から延出されたボンディングワイヤーとリード端子の少なくともいずれかを良好に接着することにより、優れた発光性能を持つ光半導体装置を歩留まり良く製造することが可能な半導体装置用パッケージおよびこれを用いた半導体装置を低コストで提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は、貫通孔が設けられたステムに対し、前記貫通孔に絶縁材を介してリード端子が固定された半導体装置用パッケージであって、ステム上の半導体搭載領域と、半導体素子から延出されたボンディングワイヤーがボンディングされるリード端子の領域の少なくともいずれかには、機能性有機分子の自己組織化によって形成された有機被膜が被着され、前記機能性有機分子は、主鎖部の一端に、前記ステムまたは前記リード端子の少なくともいずれかに対して金属結合、水素結合、若しくは金属錯体による配位結合の少なくともいずれかの結合態様を呈する第一官能基が配され、他端に防汚性を呈する第二官能基が配された化学構造を有し、前記主鎖部は、グリコール鎖、またはメチレン鎖、フルオロメチレン鎖、シロキサン鎖の内の一種以上で構成されているものとした。
【００１２】
ここで第一官能基は、チオール化合物、スルフィド化合物、含窒素複素環化合物の内の一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体で構成することができる。
また前記ステムは、銅又は銅合金からなるヒートシンクを有し、当該ヒートシンクに半導体素子搭載領域が設けられている構成とすることもできる。
また本発明は、上記した本発明のいずれかの半導体装置用パッケージに対し、半導体素子が前記リード端子と前記ステムの各々に電気的に接続されてなる光半導体装置とした。
【００１３】
また、本発明は上記した本発明の半導体装置用パッケージに対し、半導体素子が前記リード端子と前記半導体素子搭載領域の各々に電気的に接続されてなる光半導体装置とした。
【発明の効果】
【００１４】
以上の構成を有する本発明では、半導体装置用パッケージの所定の表面に機能性有機分子の自己組織化により形成される有機被膜を配設する。この有機被膜の表面側に位置する、機能性有機分子の第二官能基を適宜調節することによって、不要な有機物や酸化物に対して種々の良好な化学作用を発揮でき、優れた防汚性を発揮することができる。
本発明では、機能性有機分子の主鎖部の一末端に、金属結合性を呈する第一官能基を配設することで、ステム上又はリード端子の表面には、第二官能基を上面に向けて機能性有機分子が自己組織化し、単分子膜からなる有機被膜が形成される。従って、第二官能基に防汚性の機能を付与することで、ステム上又はリード端子の表面に堆積しうる有機もしくは無機不純物の堆積を抑制することができる。さらに、主鎖部が前記自己組織化によって緻密に配列することにより、水分や酸素等の浸入が抑制され、ステム上の表面やリード端子において、酸化や腐食を防止することができる。さらに、有機被膜上に接続されるボンディングワイヤーとの結合力や、半導体素子とステムとの結合力を高める効果も期待できる。
【００１５】
さらに、機能性有機分子の大部分の構成を占める主鎖部が疎水性の炭化水素または炭化フッ素で構成されていれば、本発明の有機被膜が施された場合に、半導体装置用パッケージに対する防水効果が発揮される。これにより、いわゆるマイグレーションの抑制効果が期待でき、安定した導通部品としての性能を維持することができる。
なお、本発明において機能性有機分子から構成する有機被膜は、自己組織化現象による単分子膜として構成されるが、半導体装置用パッケージに対する結合性が非常に優れている。従って、単分子レベルの厚みでありながら、有機被膜が施された半導体装置用パッケージの防腐、防錆、及び有機物付着や酸化物堆積の防止といった要求を達成できる。また、配設後も有機被膜を除去する必要はない。このような機能性・構成等の点において、本願発明は一般的な表面処理剤、界面活性剤、塗料等とは全く異なるものである。
【００１６】
このように本発明は、従来と同等の構成の半導体装置用パッケージにおいて、所定の機能性有機分子からなる有機被膜を形成するだけで実現でき、従来のように機能被膜における金メッキの厚みを厚くして超音波により有機被膜等を飛散させる必要がない。このため、比較的低コストで実現することができるメリットも有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の各実施の形態を添付の図面を参照しながら説明する。
尚、当然ながら本発明はこれらの実施形式に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。
＜実施の形態１＞
１．光半導体装置用パッケージとこれを用いた光半導体装置の構成
図１は、本発明の一適用例である、半導体レーザーダイオードを発光源としたレーザーダイオード用パッケージ１（以下、「ＬＤパッケージ１」と称する。）及びこれを用いた光半導体装置１０の構成を示す斜視図である。図２（ａ）は図１のｙｚ平面に沿ったリード端子２ａとステム１０２ｃ周辺の部分断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ部の模式的な拡大断面図である。
【００１８】
ＬＤパッケージ１とこれを用いた光半導体装置１０の全体的な構成は、図５及び図６（ａ）のパッケージ１００及びこれを用いた装置１０１とそれぞれ同様であるが、有機被膜７周辺の構成に主たる特徴がある。
図１及び図２（ａ）に示されるように、光半導体装置１０は、構成的には厚み方向（ｚ方向）に２個の貫通孔が設けられた円盤状のステム２ｃに対し、各々の貫通孔に絶縁材（絶縁ガラス２ｂ）を介してｚ方向を長手とする線状のリード端子２ａが配設されることにより、基本構造体２が形成されている。ステム２ｃには、その主面に直方体状のヒートシンク３が備えられている。半導体レーザーダイオード４は、ヒートシンク３の一側面を半導体素子搭載部３ａとして搭載されている。
【００１９】
なお、ここでは半導体素子として半導体レーザーダイオード４（光半導体素子）を用いているが、本発明はこれに限定する必要はなく、これ以外の半導体素子を実装して、半導体装置を構成することもできる。
ステム２は非磁性体材料、例えば鉄または鉄を主成分とした合金や、銅または銅を主成分とした合金から構成される。
【００２０】
リード端子２ａは、鉄または鉄を主成分とした合金からなる線材を主体とし、その表面に機能メッキであるニッケルメッキ６ａと、極薄い金メッキ６ｂを順次積層して構成される。なお、この２層のメッキはヒートシンク３を含めたステム２ｃの表面の一部以上にも形成することができる。
リード端子２ａとステム２ｃとを絶縁する絶縁材はガラスに限らないが、ガラスが一般的で好適である。
【００２１】
ヒートシンク３は、放熱特性に優れる材料からなる。例えば銅または銅合金を主成分とした合金が例示できる。
なお、放熱温度がそれほど問題にならない場合には、ヒートシンク３を省略してステム２ｃ表面に直接半導体レーザーダイオード４を配設することもできる。
２本のリード端子２ａと半導体レーザーダイオード４とは、互いにボンディングワイヤー５にて導通接続されている。
【００２２】
ここで、ＬＤパッケージ１の主たる特徴として、ステム上の半導体搭載領域（ここでは半導体素子搭載部３ａ）と、ボンディングワイヤー５が接続されるリード端子２ａの少なくともいずれかの領域（ここでは両方）において、その最表面に、機能性有機分子８の自己組織化によって形成された有機被膜７が形成されている。
以下、当該有機被膜７について詳細を説明する。
【００２３】
２．有機被膜７の構成について
図３は機能性有機分子８の模式的な構造図である。当図に示される機能性有機分子８は、第一官能基Ａ１、主鎖部Ｂ１、第二官能基Ｃ１が同順に結合されてなる。
主鎖部Ｂ１は、グリコール鎖、メチレン鎖、フルオロメチレン鎖、またはシロキサン鎖等の成分から構成される。
【００２４】
第一官能基Ａ１は、金属との結合性を呈する一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体で構成された機能部である。
第二官能基Ｃ１は、緻密に配列することにより防汚性を呈する化合物、化学構造体若しくは誘導体で構成された機能部である。
このような機能性有機分子８の各々は、図２（ｂ）に示すように、ＬＤパッケージ１の表面に第一官能基Ａ１が配向結合するので、主鎖部Ｂ１の他方末端に配された第二官能基Ｃ１が前記表面外方へ向けて配向される。これにより、分子配向性に係る化学特性（相互親和性）が整えられ、いわゆる自己組織化構造体としての単分子膜（有機被膜７）が自然に構成されている。当該有機被膜７の膜厚は、前記機能性有機分子８の大きさに依存し、ここでは数ｎｍオーダーに調整される（図１（ｂ））。
【００２５】
これにより有機被膜７は、ＬＤパッケージ１表面を単分子レベルのサイズで緻密に保護することができるので、結果として残渣物による微量の有機物付着防止や、酸素ガスや水分付着による表面酸化膜形成の防止機能を発揮できる。
機能性有機分子８の一般式は、Ａ１−（Ｂ１）ｎ−Ｃ１で表される。式中のｎは４〜４０程度が好適である。ｎが小さ過ぎると主鎖部Ｂ１が短すぎ、第一官能基Ａ１がＬＤパッケージ１に被着する際に複数の上記機能性有機分子８間において、主鎖部Ｂ１の有する疎水性によって当該分子同士の疎水的親和作用が弱くなり、第二官能基Ｃ１の外方への配向性が失われ易くなる。また、ｎが大き過ぎると主鎖部Ｂが長すぎ、ＬＤパッケージ１へのハンダ付け性、ワイヤーボンディング性、ダイボンディング性等が損なわれ易くなる。
【００２６】
なお、主鎖部Ｂ１は適宜側鎖が結合された構造であってもよく、更に、親水性を有するグリコール鎖を主鎖部の一部に導入する事により、疎水的親和作用と親水的親和作用の両方による強い配向性を得ることもできる。
以下、本実施の形態１の機能性有機分子８として取りうる化学的構造について、詳細を説明する。
【００２７】
（第一官能基Ａ１について）
前記の通り第一官能基Ａ１には、金属材料に対する親和性、金属結合性（配位結合を含む）、金属結合性を有することが要求される。この特性を有するものであれば、第一官能基Ａ１は、一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれであってもよい。
例えばチオール及びこれを含むチオール化合物、スルフィド化合物（ジスルフィド化合物等）、含窒素複素環化合物（アゾール化合物、アジン化合物等）、またはこれらの一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれかであれば、金属原子に対して水素結合性又は配位結合性を有するので好適である。
【００２８】
第一官能基Ａ１がチオール基（Ｒ−ＳＨ、ただし、Ｒはアルカンやアルケン等の任意の官能基）を有する場合、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）など１価以上の陽イオンになりうる金属原子に配位し、Ａｕ−Ｓ−Ｒ又はＡｇ−Ｓ−Ｒ等の共有結合により、機能性有機分子７がダイパッド３ａに被着される。同様に、第一官能基Ａ１がジスルフィド基（Ｒ１−Ｓ−Ｓ−Ｒ２）の場合、Ａｕ（−Ｓ−Ｒ１）（−Ｓ−Ｒ２）又はＡｇ（−Ｓ−Ｒ１）（−Ｓ−Ｒ２）等の共有結合がなされ、強固な結合構造が形成される。
【００２９】
第一官能基Ａ１が、アゾール化合物、アジン化合物を含む場合は、当該化合物をなす分子中の窒素原子の非共有電子対が２価以上の陽イオンになりうる金属に配位結合できる。例えば、イミダゾール化合物、ベンゾトリアゾール化合物、トリアジン化合物等は、主にＣｕ等の金属と配位結合を形成しやすいため好適である。
なお、上記化合物の種類によっては、共有結合や配位結合または水素結合等が同時に形成されうるが、このような複数種類の結合がなされることで、より強固な結合構造を期待できるものである。
【００３０】
（主鎖部Ｂ１について）
主鎖部Ｂ１は、一般的なメチレン系有機分子及びその類型種（メチレン鎖、フルオロメチレン鎖、シロキサン鎖、グリコール鎖のうち一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれか）等を利用できる。メチレン鎖は、分子間で互いに会合し、超分子的に炭化水素鎖の緻密な炭素鎖を形成できるので好適である。また、メチレン鎖を用いれば、比較的迅速に有機被膜７を形成できることが発明者らの検討により明らかにされている。
【００３１】
主鎖部Ｂ１にフルオロメチレン鎖を用いた場合、疎水性がメチレン鎖よりも強いため、有機被膜７形成後にはＬＤパッケージ１と当該被膜７との間への水分の浸入が強く抑制される。その結果、有機被膜７とリード端子２ａとの良好な結合が保たれ、熱履歴によって有機被膜７の剥離が生じにくくなるので好適である。主鎖部Ｂ１にシロキサン鎖を用いた場合、耐熱性および耐候性に優れる特性が発揮される。このため、例えば半導体素子等の実装工程において、有機被膜７が比較的高温環境下に曝された場合にも、当該被膜７自体の変質・損傷の防止効果が奏される。
【００３２】
なお、主鎖部Ｂ１にグリコール鎖を用いた場合、親水性の相互作用による有機被膜７を形成でき、水等の極性溶媒に簡単に溶解させることができる利点を有する。従って、主鎖部Ｂ１にはグリコール鎖、またはメチレン鎖、フルオロメチレン鎖、シロキサン鎖の内の一種以上とグリコール鎖とで構成されたものを用いることも好適である。
（第二官能基Ｃ１）について
第二官能基Ｃ１には、緻密に配列することにより防汚性を呈する機能が要求される。当該性能を有すれば、一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれの構成であってもよい。
【００３３】
例えば、水酸基を有する化合物、カルボン酸を有する化合物、酸無水物を有する化合物、第一級アミンを有する化合物、第二級アミンを有する化合物、第三級アミンを有する化合物、第四級アンモニウム塩を有する化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物、ヒドラジド基を有する化合物、イミン基を有する化合物、アミジン基を有する化合物、イミダゾールを有する化合物、トリアゾールを有する化合物、テトラゾールを有する化合物、チオール基を有する化合物、スルフィド基を有する化合物、ジスルフィド基を有する化合物、ジアザビシクロアルケンを有する化合物、有機フォスフィン化合物、有機フォスフィン化合物三フッ化ホウ素アミン錯体を有する化合物のうちの一種以上を含む化合物、化学構造体若しくは誘導体のいずれか等が挙げられる。これらの化合物又はその誘導体等を用いれば、主鎖部Ｂ１が緻密に配列すると共に第二官能基Ｃ１も緻密に最表面で配列し、最表面が規則的な極性状態を呈するようになる。それにより、最表面の規則的な極性状態の周期より大きな分子の付着が極性反発により抑制され、結果的に最表面が防汚性を呈するようになる。
【００３４】
第二官能基Ｃ１がジアザビシクロアルケンを有する化合物である１、８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）の場合には、第二官能基Ｃ１が極性を有する為、第二官能基Ｃ１が最表面で緻密に配列することにより、最表面が防汚性を示すようになり、リード端子２ｂ表面に堆積しうる有機もしくは無機不純物の堆積、水分や酸素等の浸入を抑制することによりリード端子２ａの酸化や腐食を防止することができ、有機被膜７上に接続されるボンディングワイヤー５との結合力を高めることができる。
【００３５】
図３は、第一官能基Ａ１がチオール基、主鎖部Ｂ１がメチレン鎖、第二官能基Ｃ１が上記ＤＢＵである機能性有機分子７の一合成過程を示す図である。
まず、ＤＢＵおよび末端に臭素を有するビニルアルカンをノルマルブチルリチウムの存在下で、臭化水素の脱離反応により結合させる。その後は前記生成物とアセチルチオールをＡＩＢＮ存在下において脱エテン縮合反応させ、その生成物をエチルアミンによる水素置換反応により末端をチオールに変換させて合成することができる。
【００３６】
以上の構成を有するＬＤパッケージ１とこれを用いた光半導体装置１０では、所定の表面に機能性有機分子８の自己組織化により形成される有機被膜７を配設したことによって、当該有機被膜７上に不要な有機物や酸化物が極めて付着しにくくなっている。
すなわち、有機被膜７をなす機能性有機分子８の主鎖部Ｂ１の一末端には、金属結合性を呈する第一官能基Ａ１が配設されており、これによって有機被膜７はヒートシンクの搭載部３ａ上又はリード端子２ａの表面に対して強固に結合される。
【００３７】
一方、機能性有機分子８の主鎖部Ｂ１の他端側には、防汚性を発揮する第二官能基Ｃ１が配列されているので、たとえ不要な有機物や酸化物が有機被膜７の表面に付着しても速やかに除去される。これにより、ボンディングワイヤー５の不着や強度不足の問題を良好に解決でき、歩留まり良くワイヤーボンディングが行えるようになっている。
なお、有機被膜７は単分子膜であるため、ボンディング相当部分の機能性有機分子８はボンディングの熱により焼失するか、溶融金属に溶け込む。このため、ボンディング強度が低下することはない。
【００３８】
また、有機被膜７では、機能性有機分子８の主鎖部Ｂ１が、前記自己組織化によって緻密に配列する。これにより、有機被膜７の形成面において、水分や酸素等の浸入が抑制され、酸化や腐食を防止することができる。この効果によっても、有機被膜７上に接続されるボンディングワイヤーとの結合力を高める効果も期待できる。
なお、この効果は機能性有機分子８の大部分の構成を占める主鎖部Ｂ１が、疎水性の炭化水素または炭化フッ素で構成されている場合に特に発揮される。良好な防水効果が発揮されることにより、いわゆるマイグレーションの抑制効果が期待でき、安定した導通部品としての性能が維持される。
【００３９】
このように有機被膜７は、単分子レベルの厚みしかもたないものの、有機被膜７が施された半導体装置用パッケージ１及びこれを用いた光半導体装置１０において防腐、防錆、及び有機物付着や酸化物堆積の防止といった要求を達成できる。また、ワイヤーボンディングの際には、ボンディング時の加熱によって接合予定部分の有機被膜８が消失または溶融金属中に拡散するので、ボンディング強度を低下させることはない。従って、有機被膜７は配設後も除去する必要はない。
【００４０】
このような機能性・構成等の点において、本願発明は一般的な表面処理剤、界面活性剤、塗料等とは全く異なるものである。
このように本発明によれば、従来と同等の構成の光半導体装置用パッケージにおいて、所定の機能性有機分子からなる有機被膜を形成するだけで実現できる。また、従来のように機能被膜における金メッキの厚みを厚くして超音波により有機被膜等を飛散させる必要がない。このため、比較的低コストで実現できる効果も奏される。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明はＬＤ発光装置、ＬＥＤ照明装置等に利用される光半導体素子を実装した光半導体装置への用途が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態１に係る光半導体装置用パッケージと、これを用いた光半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図２】光半導体装置用パッケージと、これを用いた光半導体装置の構成を示す、ｘｙ平面に沿った断面図、及びＡ部の拡大断面図である。
【図３】機能性有機分子の模式的な構造を示す図である。
【図４】実施の形態１に係る防汚性の第二官能基を持つ機能性有機分子の合成反応過程を示す図である。
【図５】従来の光半導体装置用パッケージと、これを用いた光半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図６】光半導体装置用パッケージと、これを用いた光半導体装置の構成を示す、ｘｙ平面に沿った断面図、及びＢ部の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１、１００    光半導体装置パッケージ（ＬＤパッケージ）
２、１０２ｃ    ステム  
２ａ、１０２ａ  リード端子
２ｂ、１０２ｂ  絶縁ガラス
３、１０３  ヒートシンク
３ａ、１０３ａ  半導体素子搭載部
４、１０４    半導体素子（半導体レーザーダイオード）
５、１０５  ボンディングワイヤー
６ａ、１０６ａ  ニッケルメッキ
６ｂ、１０６ｂ  金メッキ
７  有機被膜
８  機能性有機分子
１０、１０１    光半導体装置
【図１】
2010080704.tif 000003
【図２】
2010080704.tif 000004
【図３】
2010080704.tif 000005
【図４】
2010080704.tif 000006
【図５】
2010080704.tif 000007
【図６】
2010080704.tif 000008