(57)【要約】【課題】液晶装置に封入される液晶に異物が混入することを防止できると共に、正確な液晶の滴下を実現しつつ、要求される公差を緩和して製造時の基板の配置や治具設計を容易化することができる液晶装置の製造装置を提供する。【解決手段】素子基板１０と対向基板２０との間に液晶を封入する液晶装置の製造装置１００であり、チャンバ内に設けられ、液晶を収容する液晶容器１６０と、液晶容器１６０の底部に設けられ、素子基板１０又は対向基板２０上に液晶を滴下する弁口１６１と、弁口１６１の上側に設けられる弁座１６３と、液晶容器１６０内に設けられ、弁座１６３に着座して弁口１６１を閉塞する弁体１７０と、弁体１７０を磁力で上昇させて弁口１６１を開放する永久磁石１３０又は電磁石１８０とを備える。【選択図】図３
2010054556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶を封入する液晶装置の製造装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、液晶を収容する液晶容器と、
前記液晶容器の内壁に沿って設けられる弁座と、
前記液晶容器の底部に設けられ、一方の前記基板上に液晶を滴下する弁口と、
前記液晶容器内に設けられる弁部を前記弁座に着座することにより、前記弁口を閉塞す
る弁体と、
前記弁体を磁力で上昇させて前記弁口を開放する磁石部とを備えることを特徴とする液
晶装置の製造装置。
【請求項２】
前記磁石部を永久磁石から構成し、
前記永久磁石を前記弁体に近付けることにより前記弁体を上昇させて前記弁口を開放す
ることを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造装置。
【請求項３】
前記弁体に前記永久磁石と逆極性又は同極性となる弁体磁石部を設けることを特徴とす
る請求項２記載の液晶装置の製造装置。
【請求項４】
前記磁石部を電磁石から構成し、
前記電磁石を励磁することにより前記弁体を上昇させて前記弁口を開放することを特徴
とする請求項１記載の液晶装置の製造装置。
【請求項５】
前記弁体に、弁体磁石部を設け、
前記電磁石を前記弁体磁石部と逆極性又は同極性に励磁することにより前記弁体を上昇
させて前記弁口を開放し、
前記電磁石を前記弁体の上昇時と反対の極性に励磁することにより前記弁体を下降させ
て前記弁口を閉塞することを特徴とする請求項４記載の液晶装置の製造装置。
【請求項６】
前記弁体が、空間に浮遊するように前記弁体を上昇させて前記弁口を開放することを特
徴とする請求項１〜５の何れかに記載の液晶装置の製造装置。
【請求項７】
マザー基板上に、複数の対向基板を貼り合わせる工程と、
前記マザー基板上の隣り合う前記対向基板間に、液晶を滴下する工程と、
一の前記対向基板と貼り合わされた前記マザー基板を切断する工程とを備えた液晶装置
の製造方法であって、
前記液晶を滴下する工程において、
液晶を収容する液晶容器内の弁体を磁力で上昇させ、前記弁体で閉塞されている前記液
晶容器の底部の弁口を開放することにより、前記弁体と前記マザー基板とが離間した状態
で、前記マザー基板上に液晶を滴下させることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に液晶を封入する液晶装置の製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、素子基板と、素子基板に枠状のシール材を介して接合される対向基板を有
し、素子基板と対向基板との間に液晶が封入される。素子基板と対向基板との間に封入さ
れる液晶は、例えば素子基板と対向基板を接合しているシール材の一部に注入口を設け、
注入口近傍に真空雰囲気下で液晶を滴下し、その状態で真空雰囲気を解除することにより
、注入口から素子基板と対向基板との間に注入される。
【０００３】
液晶を滴下する装置としては、液晶容器の底部に液晶を滴下する弁口を形成し、弁口を
閉塞する弁体を液晶容器に上下方向に移動可能に収容し、弁体に弁口から突出するピンを
形成するものが知られている（特許文献１参照）。特許文献１の液晶滴下装置は、液晶の
滴下時に、一対の基板を上方移動して一方の基板をピンに押し当て弁体を上方に移動する
ことにより、弁口を開放し、液晶滴下の終了時に、一対の基板を下方移動して弁体を自重
で下方移動させることにより、弁体が弁口上側の弁座に着座して弁口を閉塞するようにな
っている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３３７９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の液晶滴下装置は、弁口開放時に弁体のピンが一方の基板に
接触し、又、製造時に高密度で並置された基板に液晶を滴下する場合には他方の基板にも
ピンが接触することがあるため、封入される液晶に異物が混入する事がある。また、高密
度で並置された基板相互の隙間に正確にピンが接触するように設計する必要があるため、
並置される基板の配置や治具設計に非常に厳しい公差が求められ、基板の配置や治具設計
が困難となる。
【０００６】
本発明は斯様な課題に鑑みてなされたものであり、液晶装置に封入される液晶に異物が
混入することを防止できると共に、正確な液晶の滴下を実現しつつ、要求される公差を緩
和して製造時の基板の配置や治具設計を容易化することができる液晶装置の製造装置及び
液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶装置の製造装置は、一対の基板間に液晶を封入する液晶装置の製造装置で
あって、チャンバと、前記チャンバ内に設けられ、液晶を収容する液晶容器と、前記液晶
容器の内壁に沿って設けられる弁座と、前記液晶容器の底部に設けられ、一方の前記基板
上に液晶を滴下する弁口と、前記液晶容器内に設けられる弁部を前記弁座に着座すること
により、前記弁口を閉塞する弁体と、前記弁体を磁力で上昇させて前記弁口を開放する磁
石部とを備えることを特徴とする。本発明によれば、弁体を磁力で上昇させて弁口を開放
し、弁体が基板に接触しないようにすることが可能であるから、液晶装置に封入される液
晶に異物が混入することを防止することができる。また、製造時に高密度で並置された基
板相互の隙間に特許文献１のようなピンを接触させる必要が無くなり、正確な液晶の滴下
を実現しつつ、要求される公差を緩和して製造時の基板の配置や治具設計を容易化するこ
とができる。
【０００８】
本発明の液晶装置の製造装置は、前記磁石部を永久磁石から構成し、前記永久磁石を前
記弁体に近付けることにより前記弁体を上昇させて前記弁口を開放することを特徴とする
。本発明によれば、装置構造を非常に簡易にし、装置コストの低減を図ることができる。
【０００９】
本発明の液晶装置の製造装置は、前記弁体に前記永久磁石と逆極性又は同極性となる弁
体磁石部を設けることを特徴とする。本発明によれば、磁石部と弁体磁石部の引力又は斥
力により、一層確実に弁体を上昇させて弁口を開放することができる。
【００１０】
本発明の液晶装置の製造装置は、前記磁石部を電磁石から構成し、前記電磁石を励磁す
ることにより前記弁体を上昇させて前記弁口を開放することを特徴とする。本発明によれ
ば、磁石部を弁体に近付ける機構を設ける必要が無いことから、装置構造を非常に簡易に
し、装置コストの低減を図ることができる。
【００１１】
本発明の液晶装置の製造装置は、前記弁体に、弁体磁石部を設け、前記電磁石を前記弁
体磁石部と逆極性又は同極性に励磁することにより前記弁体を上昇させて前記弁口を開放
し、前記電磁石を前記弁体の上昇時と反対の極性に励磁することにより前記弁体を下降さ
せて前記弁口を閉塞することを特徴とする。本発明によれば、磁石部と弁体磁石部の引力
又は斥力により、一層確実に弁体を上昇させて弁口を開放することができる。また、電磁
石を弁体の上昇時と反対の極性に励磁して弁座に押し付けて弁口を閉塞することができる
ことから、液晶容器からの液晶漏れを確実に防止することができ、例えば漏れ液晶が液晶
セルの注入口に付着して液晶セルの排気阻害となる等、漏れ液晶に起因する封入阻害要因
を無くすことができる。
【００１２】
本発明の液晶装置の製造装置は、前記弁体が、空間に浮遊するように前記弁体を上昇さ
せて前記弁口を開放することを特徴とする。本発明によれば、弁体が上蓋等の必要がない
箇所に接触することを防止することができ、液晶装置に封入される液晶に異物が混入する
ことを一層確実に防止することができる。
【００１３】
本発明の液晶装置の製造方法は、マザー基板上に、複数の対向基板を貼り合わせる工程
と、前記マザー基板上の隣り合う前記対向基板間に、液晶を滴下する工程と、一の前記対
向基板と貼り合わされた前記マザー基板を切断する工程とを備えた液晶装置の製造方法で
あって、前記液晶を滴下する工程において、液晶を収容する液晶容器内の弁体を磁力で上
昇させ、前記弁体で閉塞されている前記液晶容器の底部の弁口を開放することにより、前
記弁体と前記マザー基板とが離間した状態で、前記マザー基板上に液晶を滴下させること
を特徴とする。本発明によれば、弁体を磁力で上昇させて弁口を開放し、弁体とマザー基
板とが離間した状態で液晶を滴下することが可能であるから、液晶装置に封入される液晶
に異物が混入することを防止することができる。また、製造時に高密度で並置された対向
基板相互の隙間に特許文献１のようなピンを接触させる必要が無くなり、正確な液晶の滴
下を実現しつつ、要求される公差を緩和して製造時の基板の配置や治具設計を容易化する
ことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
〔液晶装置〕
先ず、実施形態の液晶装置の製造装置で製造される液晶装置の例について、図１及び図
２を参照して説明する。図１は液晶装置の構成例を示す平面図、図２は図１に於けるＡ−
Ａ断面図である。
【００１５】
液晶装置１は、一対の基板に相当する、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０と
の間に液晶３０を封入して構成される。素子基板１０及び対向基板２０としてはガラスや
石英等が用いられる。素子基板１０上には画素を構成する画素電極１１が図示しないスイ
ッチング素子と共にマトリクス状に配置されている。画素電極１１上にはポリイミド系の
高分子樹脂からなる配向膜１２が積層され、液晶分子に所定のプレティルト角を付与する
ように所定方向にラビング処理されている。
【００１６】
対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜２１が設けられている。対向
基板２０の全面には対向電極２２としてＩＴＯ等の透明導電膜が形成され、更に、対向電
極２２の全面にはポリイミド系の配向膜２３が形成されている。配向膜２３は、液晶分子
に所定のプレティルト角を付与するように所定方向にラビング処理されている。
【００１７】
遮光膜２１の外側の領域には液晶３０を封入するシール材３１が、素子基板１０と対向
基板２０との間に形成されている。シール材３１は対向基板２０の輪郭形状に略一致する
ように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着している。シール材３１は、
枠状に形成されており、シール材３１の枠内に液晶３０が封入されている。液晶装置１の
液晶の封入には、シール材３１の一部を欠落させて液晶３０を注入するための注入口３２
を形成し、注入口３２から液晶を注入可能な位置に液晶を滴下し、素子基板１０及び対向
基板２０相互の空間に液晶３０を注入し、注入口３２を封止材３３で閉塞する滴下注入法
が用いられる。
【００１８】
シール材３１の外側の領域には、図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで
供給することによりデータ線を駆動するデータ線駆動回路４１、及び外部回路との接続の
ための外部接続端子４２が素子基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接
する二辺に沿って、図示しない走査線に走査信号を所定のタイミングで供給することによ
り走査線を駆動する走査線駆動回路４３が設けられており、走査線駆動回路４３は、シー
ル材３１の内側の遮光膜２１に対向する位置において素子基板１０上に形成される。また
、素子基板１０上には、データ線駆動回路４１、走査線駆動回路４３、外部接続端子４２
及び上下導通端子４４を接続する配線４５が設けられている。
【００１９】
上下導通端子４４は、シール材３１のコーナー部の４箇所の素子基板１０上に形成され
ている。素子基板１０と対向基板２０相互間には、下端が上下導通端子４４に接触し、上
端が対向電極２２に接触する上下導通材４６が設けられており、上下導通材４６によって
、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００２０】
各画素のスイッチング素子がオンになると、画像信号が各画素毎に画素電極１１に供給
される。この画素電極１１と対向基板２０に設けられた対向電極２２との間の電圧が液晶
３０に印加される。そして、画像信号が供給された画素電極１１と対向電極２２との電位
差に応じて液晶３０の分子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を可能に
する。
【００２１】
尚、本発明を適用可能な液晶装置は適宜であり、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や
ＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えるアクティブマトリクス型の液
晶装置、又はパッシブマトリクス型の液晶装置、或いはシリコン基板上に素子を形成する
反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）等に適用することが可能である。
【００２２】
〔第１実施形態の液晶装置の製造装置〕
次に、第１実施形態の液晶装置の製造装置について、図３〜図６を参照して説明する。
図３は第１実施形態の液晶装置の製造装置で弁口を閉塞している状態を示す縦断正面図、
図４は第１実施形態の液晶装置の製造装置で弁口を開放している状態を示す縦断正面図、
図５は図４の製造装置における液晶容器と弁体の周辺領域を示す拡大図、図６は大型の素
子基板に複数の対向基板を貼り合わせて構成される複数の液晶セルの平面説明図である。
【００２３】
第１実施形態の液晶装置の製造装置１００は、チャンバ本体１１０と上蓋１２０とから
構成されるチャンバを有し、このチャンバは、図示省略する減圧ポンプで真空雰囲気に減
圧可能な真空チャンバになっている。チャンバ本体１１０は上面開放の箱形であり、その
両側壁の上部に支持ステー１１１・１１１が内側に突出して形成されている。チャンバ本
体１１０内の下部には、液晶セル２００が載置されるステージ１１２が設けられている。
上蓋１２０は、チャンバ本体１１０の上面開放箇所に設置され、その下側には箱形の磁石
収容部１２１が設けられている。
【００２４】
磁石収容部１２１は磁石部に相当する永久磁石１３０が収容され、永久磁石１３０はＮ
極又はＳ極の極性を有する。永久磁石１３０の上部には棒状或いは板状等の磁石支持部１
３１が取り付けられており、磁石支持部１３１は、上蓋１２０に形成された挿通穴１２２
に挿通され、上蓋１２０の外部まで通じており、外部において図示省略する昇降機構に連
結されている。永久磁石１３０は、昇降機構の動作で磁石支持部１３１を昇降することに
より、磁石収容部１２１内で昇降するようになっている。
【００２５】
チャンバ本体１１０内には断面視逆Ω字形の取付板１４０が設けられている。取付板１
４０には、その両側壁１４１・１４１の上端に外側突出部１４２・１４２が形成されてお
り、取付板１４０は、両側壁１４１・１４１を支持ステー１１１・１１１の先端間に挿入
し、外側突出部１４２・１４２を支持ステー１１１・１１１の上側に載置するようにして
、支持ステー１１１・１１１で支持されている。また、取付板１４０の底部１４３には複
数の液晶滴下部１５０を取り付けるための取付穴１４４が複数形成されている。
【００２６】
液晶滴下部１５０は、液晶を収容する液晶容器１６０と、液晶容器１６０に収容される
弁体１７０とから構成される。液晶容器１６０は、セラミック等の非導電材料で形成され
ており、上下貫通する壺状で、その内壁面１６２は下方に向かって窄まるように形成され
ている。液晶容器１６０の底部には液晶を滴下する弁口１６１が形成され、弁口１６１の
すぐ上側に位置する部分は内壁面１６２に沿って設けられる弁座１６３になっている。液
晶容器１６０は、その下部を取付穴１４４に挿入して取付板１４０に取り付けることによ
り、取付板１４０で支持されている。また、液晶容器１６０の取付板１４０より上側の部
分には垂直方向に延びる外壁面１６４が形成されている。
【００２７】
弁体１７０は、セラミック等の非導電材料で形成され、弁部１７１と、ピン部１７４と
、頭部１７５を有する。弁部１７１は、液晶容器１６０の弁座１６３に着座して弁口１６
１を閉塞するものであり、下方に向かって先細となる第１テーパ部１７２と、上方に向か
って先細となる第２テーパ部１７３を有する。第１テーパ部１７２の外周面は、本例では
弁座１６３の傾斜角度と内径に倣うように形成されているが、弁座１６３に着座して弁口
１６１を閉塞可能な形状であれば適宜である。
【００２８】
第２テーパ部１７３の上端には上方へ延びるピン部１７４が形成され、ピン部１７４の
上端には断面視略Ｈ字形の頭部１７５が設けられている。頭部１７５の側部には、下方突
出部１７６が垂直方向に下方に延びるように形成され、下方突出部１７６は、液晶容器１
６０の外壁面１６４の外側に配置されて外嵌され、外壁面１６４と接触して摺動可能にな
っている。更に、頭部１７５の側部には、上方に突出する位置に弁体磁石部１７７が設け
られており、弁体磁石部１７７は永久磁石１３０と逆極性の永久磁石である。
【００２９】
また、製造装置１００の液晶滴下部１５０で液晶を滴下して封入される液晶セル２００
は、例えば図６に示すように、マザー基板である大型素子基板２０１と、大型素子基板２
０１上に所定間隔を開けて高密度に複数配置された対向基板２０２とシール材で貼り合わ
せて構成される各液晶セル２００であり、各液晶セル２００にはシール材の一部を欠落し
て注入口２０３が形成されている。
【００３０】
第１実施形態の液晶装置の製造装置１００で液晶セル２００に液晶を封入する際には、
図３に示すように、永久磁石１３０を磁石収容部１２１内の上側に配置して弁体１７０を
自重で落下させ、弁部１７１を弁座１６３に着座させて弁口１６１を閉塞した状態で、図
示省略する液晶供給ライン及びそのディスペンサで、各液晶容器１６０に液晶を供給する
。各液晶滴下部１５０の液晶容器１６０に対する液晶の供給は１ライン或いは２〜３ライ
ンなど少数の液晶供給ラインで行うことが可能である。尚、複数種類の液晶を必要に応じ
て滴下する場合には、例えば２ラインの液晶供給ラインとディスペンサなど、少数の液晶
供給ラインとディスペンサを用いて切替えることにより対応することが可能である。
【００３１】
また、対向基板２０２が配置された大型素子基板２０１をステージ１１２上に設置し、
各液晶滴下部１５０の弁口１６１が液晶を滴下する位置に配置されるようにして、基板２
０１、２０２を配置する。本実施形態では、大型素子基板２０１上の対向基板２０２相互
間に溝（図示省略）を形成し、その溝の交点を液晶滴下箇所αとして弁口１６１を対応配
置し、弁体１７０と大型素子基板２０１とが離間した状態で、大型素子基板２０１上の液
晶滴下箇所αに液晶を滴下して、滴下した液晶を液晶セル２００の注入口２０３に溝に沿
って周り込ませて導いていく構成とするが、各液晶セル２００の注入口２０３の近傍の液
晶滴下箇所βに弁口１６１を配置し、液晶を滴下する構成としてもよい（図６参照）。
【００３２】
その後、チャンバの内部を減圧ポンプによって減圧し、液晶セル２００の排気処理と液
晶容器１６０内の液晶の脱泡処理を行う。更に、液晶滴下部１５０の弁口１６１の上側に
位置する空間の気圧より、弁口１６１の下側に位置する空間の気圧が低くなるように調整
すると共に、昇降装置を駆動し、磁石支持部１３１を介して永久磁石１３０を下降する。
永久磁石１３０の下降に応じて、逆極性の弁体磁石部１７７が永久磁石１３０の磁力によ
る引力で上方に引き寄せられ、複数の弁体１７０が同時に上昇する。弁体１７０の上昇時
には、下方突出部１７６が液晶容器１６０の外壁面１６４との嵌合状態を維持しつつ摺動
するので、弁部１７１と弁口１６１の位置は横ずれせずに確保される。そして、弁体１７
１の上昇により、弁部１７１の第１テーパ部１７２が弁座１６３から離れて弁口１６１が
開放され、液晶容器１６０内の液晶が弁口１６１から液晶Ｌとして液晶滴下箇所αに滴下
される。滴下された液晶は対向基板２０２間の溝に沿って液晶セル２００の注入口２０３
に至る。
【００３３】
所要量の液晶を滴下した後には、昇降装置を駆動し、磁石支持部１３１を介して永久磁
石１３０を上昇する。永久磁石１３０の上昇に応じて、弁体磁石部１７７に対する永久磁
石１３０の引力が弱まり、弁体１７０の自重が引力を超えることにより、複数の弁体１７
０が同時に下降する。弁体１７０の下降時にも、下方突出部１７６が液晶容器１６０の外
壁面１６４との嵌合状態を維持しつつ摺動するので、弁部１７１と弁口１６１の位置は横
ずれせずに確保される。そして、弁体１７０の下降により、弁部１７１の第１テーパ部１
７２が弁座１６３に着座して弁口１６１が閉塞され、液晶Ｌの滴下が停止される。更に、
チャンバを大気開放し、気圧差によって、注入口２０３近傍の液晶を基板２０１、２０２
間の空間に吸い込ませて液晶セル２００に液晶を注入し、注入口２０３を封止材で封止し
て液晶を封入する。その後は、大型素子基板２０１を対向基板２０２・２０２間の位置で
切断すること等により、液晶装置１が製造される。
【００３４】
第１実施形態の液晶装置の製造装置１００を用いることにより、弁体１７０を磁力で上
昇させて弁口１６１を開放し、弁体１７０が基板２０１、２０２に接触しないようにする
ことができ、液晶装置１への異物混入を防止することができる。また、製造時に高密度で
並置された基板２０２・２０２相互の隙間に特許文献１のようなピンを接触させる必要が
無くなり、正確な液晶の滴下を実現しつつ、要求される公差を緩和して製造時の基板２０
１、２０２の配置や治具設計を容易化することができる。また、永久磁石１３０を弁体１
７０に近付けて弁口１６１を開放する構成により、装置構造を非常に簡易にし、装置コス
トの低減を図ることができる。また、弁体１７０に永久磁石１３０と逆極性の弁体磁石部
１７７を設けることにより、磁石部に相当する永久磁石１３０と弁体磁石部１７７の引力
により、確実に弁体１７０を上昇させて弁口１６１を開放することができる。
【００３５】
また、複数の液晶滴下部１５０において、同時に弁体１７０を上昇させて弁口１６１を
開放し、同時に弁体１７０を下降させて弁口１６１を閉塞することにより、高密度配置の
液晶セル２００に液晶を注入するのに適した位置に同時に液晶を滴下し、各液晶セル２０
０に均一で適量の液晶を封入することが可能となる。また、複数の液晶滴下部１５０への
液晶供給を１ライン或いは２〜３ラインなど少数の液晶供給ラインとディスペンサで行う
ことが可能であるため、液晶滴下部１５０に対応する箇所毎に液晶供給ラインとディスペ
ンサを設けるなど、多数の液晶供給ラインを設ける場合に比べ、液晶供給ラインのイオン
汚染や異物混入等に対する管理が容易となる。
【００３６】
〔第２実施形態の液晶装置の製造装置〕
次に、第２実施形態の液晶装置の製造装置について、図７〜図９を参照して説明する。
図７は第２実施形態の液晶装置の製造装置で弁口を閉塞している状態を示す縦断正面図、
図８は第２実施形態の液晶装置の製造装置で弁口を開放している状態を示す縦断正面図、
図９は電磁石の励磁極性の変化を示す図である。
【００３７】
第２実施形態の液晶装置の製造装置１００ａは、第１実施形態の製造装置１００におけ
る永久磁石１３０、磁石支持部１３１を設ける構成に代えて、磁石部として電磁石１８０
を設ける構成である。製造装置１００ａのその他の構成は第１実施形態の製造装置１００
と同一であり、同一構成の説明は省略する。電磁石１８０は、鉄心にコイルが巻回された
ものであり、図示省略する配線を介して図９に示す正負の電圧が印可され、励磁される極
性がＮ極とＳ極に変化する。
【００３８】
第２実施形態の液晶装置の製造装置１００ａで液晶セル２００に液晶を封入する際には
、図７に示すように、電磁石１８０に負電圧を印可して電磁石１８０をＳ極に励磁し、電
磁石１８０の励磁されている極性と同極性（Ｓ極）の弁体磁石部１７７を有する弁体１７
０を、電磁石１８０と弁体磁石部１７７の斥力によって下降させ、弁部１７１の第１テー
パ部１７２を液晶容器１６０の弁座１６３に押し付けて閉塞状態としておき、第１実施形
態と同様に、図示省略する液晶供給ライン及びそのディスペンサで、各液晶容器１６０に
液晶を供給する。更に、第１実施形態と同様に、対向基板２０２が配置された大型素子基
板２０１をステージ１１２上に設置し、各液晶滴下部１５０の弁口１６１が液晶を滴下す
る位置に配置されるようにして、基板２０１、２０２を配置する。
【００３９】
その後、チャンバの内部を減圧ポンプによって減圧し、液晶セル２００の排気処理と液
晶容器１６０内の液晶の脱泡処理を行った後に、電磁石１８０に正電圧を印可して電磁石
１８０をＮ極に励磁し、電磁石１８０の励磁されている極性と逆極性の弁体磁石部１７７
を有する弁体１７０を、電磁石１８０と弁体磁石部１７７の磁力による引力によって上昇
させ、複数の弁体１７０が同時に上昇する。弁体１７１の上昇により、弁部１７１の第１
テーパ部１７２が弁座１６３から離れて弁口１６１が開放され、液晶容器１６０内の液晶
が弁口１６１から液晶滴下箇所αに滴下され、対向基板２０２間の溝に沿って液晶セル２
００の注入口２０３に至る。
【００４０】
所要量の液晶を滴下した後には、電磁石１８０に負電圧を印可して電磁石１８０をＳ極
に励磁し、電磁石１８０の励磁されている極性と同極性の弁体磁石部１７７を有する弁体
１７０を、電磁石１８０と弁体磁石部１７７の磁力による斥力によって下降させ、複数の
弁体１７０を同時に下降させる。弁体１７０の下降により、弁部１７１の第１テーパ部１
７２が弁座１６３に着座して弁口１６１が閉塞され、液晶の滴下が停止される。その後は
、チャンバを大気開放して液晶セル２００に液晶を注入し、注入口２０３を封止材で封止
して液晶を封入し、大型素子基板２０１を対向基板２０２・２０２間の位置で切断するこ
と等により、液晶装置１が製造される。尚、弁体磁石部１７７の極性をＮ極とし、弁口１
６１の開放と閉塞時に逆の電圧を印可し、逆の極性に励磁するようにしてもよい。
【００４１】
第２実施形態の液晶装置の製造装置１００ａを用いることにより、永久磁石１３０に起
因する効果以外、第１実施形態と同様の効果が得られると共に、永久磁石１３０の昇降機
構を設ける必要が無いことから、装置構造を非常に簡易にし、装置コストの低減を図るこ
とができる。また、電磁石１８０を弁体１７０の上昇時と反対の極性に励磁して、弁部１
７１を弁座１６３に押し付けて弁口１６１を閉塞することができることから、液晶容器１
６０からの液晶漏れを確実に防止することができ、例えば漏れ液晶が液晶セル２００の注
入口２０３に付着して液晶セル２００の排気阻害となる等、漏れ液晶に起因する封入阻害
要因を無くすことができる。また、弁体１７０の自重に依拠せずに弁口１６１を閉塞でき
るので、弁体１７０の軽量化を図ることができる。
【００４２】
〔実施形態の変形例等〕
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲内で
変形、改良等したものも本発明に含まれる。
【００４３】
例えば第１実施形態の製造装置１００において、弁体１７０に永久磁石１３０と逆極性
の弁体磁石部１７７を設ける構成に代え、弁体１７０或いは弁体１７０の上端部を、永久
磁石１３０の磁力で吸引可能な磁性材料で形成する構成、或いは少なくとも弁体１７０の
上端部を磁性材料でコーティングする構成とすることも可能である。また、弁体１７０の
頭部１７５の下方突出部１７６等の所定箇所に、磁石部に相当する永久磁石１３０と同極
性の弁体磁石部１７７を設け、その弁体磁石部１７７に下側から永久磁石１３０を近付け
て、永久磁石１３０と弁体磁石部１７７の斥力で弁体１７０を上昇させる構成としてもよ
い。
【００４４】
また、第２実施形態の製造装置１００ａにおいて、弁体１７０の頭部１７５の下方突出
部１７６等の所定箇所に弁体磁石部１７７を設け、その弁体磁石部１７７の下側に電磁石
１８０を設け、電磁石１８０を弁体磁石部１７７と同極性に励磁し、斥力により弁体１７
０を上昇させて弁口１６１を開放し、電磁石１８０を弁体１７０の上昇時と反対の極性に
励磁することにより弁体１７０を下降させて弁口１６１を閉塞する構成としてもよい。
【００４５】
また、弁体１７０の上昇時には、磁石収容部１２１に当接するまで上昇させてもよいが
、例えば永久磁石１３０を下降させる距離を調整する、或いは電磁石１８０に印可する電
圧を調整することにより、弁体磁石部１７７或いは弁体１７０に加えられる磁力を弁体１
７０の自重とバランスするように調整し、弁体１７０が空間に浮遊するようにして弁体１
７０を上昇させ、弁口１６１を開放するようにしてもよい。これにより、弁体１７０が磁
石収容部１２１や上蓋１２０等の必要がない箇所に接触することを防止でき、液晶装置１
に封入される液晶に異物が混入することを一層確実に防止することができる。
【００４６】
また、本発明における一対の基板のうちの一方の基板と他方の基板は、素子基板と対向
基板の何れとしてもよい。また、本発明の液晶装置の製造装置は、いずれか一方の基板に
シール材を塗布し、液晶を滴下した後、素子基板と対向基板とを貼り合わせる液晶滴下法
（ＯＤＦ法）を用いて製造される液晶装置の製造で用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明による液晶装置の構成例を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】第１実施形態の液晶装置の製造装置で弁口を閉塞している状態を示す縦断正面図。
【図４】第１実施形態の液晶装置の製造装置で弁口を開放している状態を示す縦断正面図。
【図５】図４の製造装置における液晶容器と弁体の周辺領域を示す拡大図。
【図６】大型の素子基板に複数の対向基板を貼り合わせて構成される複数の液晶セルの平面説明図。
【図７】第２実施形態の液晶装置の製造装置で弁口を閉塞している状態を示す縦断正面図。
【図８】第２実施形態の液晶装置の製造装置で弁口を開放している状態を示す縦断正面図。
【図９】電磁石の励磁極性の変化を示す図。
【符号の説明】
【００４８】
１…液晶装置  １０…素子基板  １１…画素電極  １２…配向膜  ２０…対向基板  ２１
…遮光膜  ２２…対向電極  ２３…配向膜  ３０…液晶  ３１…シール材  ３２…注入口
３３…封止材  ４１…データ線駆動回路  ４２…外部接続端子  ４３…走査線駆動回路
４４…上下導通端子  ４５…配線  ４６…上下導通材  １００…液晶装置の製造装置  
１１０…チャンバ本体  １１１…支持ステー  １１２…ステージ  １２０…上蓋  １２１
…磁石収容部  １３０…永久磁石  １３１…磁石支持部  １４０…取付板  １４１…外側
突出部  １４２…底部  １４３…取付穴  １５０…液晶滴下部  １６０…液晶容器  １６
１…弁口  １６２…内壁面  １６３…弁座  １６４…外壁面  １７０…弁体  １７１…弁
部  １７２…第１テーパ部  １７３…第２テーパ部  １７４…ピン部  １７５…頭部  １
７６…下方突出部  １７７…弁体磁石部  １８０…電磁石  ２００…液晶セル  ２０１…
大型素子基板  ２０２…対向基板  ２０３…注入口  α、β…液晶滴下領域  Ｌ…液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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