(57)【要約】【課題】半導体部材のメタルバンプと密封を形成する方法を提供する。【解決手段】本発明のメタルバンプは、半導体ウエハの接続パッドに直接形成され、アンダーバンプメタル層を形成しない。先ず、亜鉛層が接続パッドに形成されるか接続パッドを選択的エッチングすることで抗酸化層を形成する。その後、絶縁層及び銅箔が接続パッド上に順に配置される。絶縁層は、液体又は暫時固化体であり、且つその後、固化し、永久固化体になる。絶縁層は、液体又は銅箔の一部を除去し、接続パッド上の導通孔を形成する。その後、導通孔からメタルバンプを形成し、抗電気鍍金膜で高さを制御する。最後に、抗電気鍍金及び残りの銅箔を除去する。【選択図】図１Ｈ
2010161322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部材の線路面の接続パッド上にメタルバンプを形成する方法であって、該方法は、少なくとも以下のステップ：
順に、絶縁層及び銅箔を該半導体部材線路面の上面に配置し、
接続パッド上面の該絶縁層と該銅箔内に導通孔を形成し、
少なくとも該導通孔の孔壁上に薄金属層を形成し、該薄金属層は、該銅箔と該接続パッドを相互に接続し、
該銅箔の上面に第１抗電気鍍金膜を形成し、該抗電気鍍金膜は、第１開口を有し、該第１開口は、少なくとも該薄金属層を塗布した該導通孔を露出し、
該第１開口内に、金属材料を電気鍍金し、適当な厚さを達成する、
を含む半導体部材の線路面の接続パッド上にメタルバンプを形成する方法。
【請求項２】
更に、以下のステップ：
アルミで形成される該接続パッド又は該接続パッドが有するアルミで形成される抗酸化層である場合、該絶縁層及び該銅箔を配置する前、該アルミ接続パッド又は該アルミ抗酸化層の上面に亜鉛層を形成する、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
更に、以下のステップ：
アルミで形成される該接続パッド又は該接続パッドが有するアルミで形成される抗酸化層である場合、該導通孔を形成後、該アルミ接続パッド又は該アルミ抗酸化層の上面に亜鉛層を形成する、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
更に、以下のステップ：
銅で該接続パッドを形成し、該接続パッドは、抗酸化層を有し、該接続層及び該銅箔を配置する前、該抗酸化層を除去する、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
更に、以下のステップ：
該接続パッドの材質が銅であり、且つ該接続パッドは、抗酸化層を有し、該銅通孔を形成後、該抗酸化層を除去する、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記絶縁層は、暫時固化体及び液体のうちのいずれかであり、先ず、該絶縁層を該銅箔上に塗布し、該銅箔と該絶縁層が共に線路面の上面に堆積され、該絶縁層を永久的に固化し、該接続パッド上の一部の該絶縁層と該銅箔を除去し、該導通孔を形成する請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記絶縁層は、暫時固化体及び液体のうちのいずれかであり、先ず、該線路面の上面に該絶縁層を堆積し、続いて、該絶縁層の上面に該銅箔を堆積し、該絶縁層を永久的に固化し、該接続パッド上の一部の該絶縁層と該銅箔を除去し、該導通孔を形成する請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記絶縁層は、液体であり、先ず、該絶縁層を該線路面上に配置し、該絶縁層は、暫時固化体に固化し、該接続パッド上の一部の該絶縁層を除去し、該導通孔を形成し、該絶縁層の上面に該銅箔を堆積し、該絶縁層を永久的に固化し、該導通孔上の一部の該銅箔を除去する請求項１記載の方法。
【請求項９】
更に、以下のステップ：
微小間隔を有するメタルダンプを形成する必要がある場合、該銅箔を薄化する、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記薄金属層は、銅とニッケルのいずれか１つで形成される請求項１記載の方法。
【請求項１１】
更に、以下のステップ：
第１抗電気鍍金膜を形成する前、該薄金属層の外表面上において、付加金属層を形成する、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記金属材料が金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項１記載の方法。
【請求項１３】
更に、以下のステップ：
前記第１抗電気鍍金膜と該第１抗電気鍍金膜下の一部の該銅箔を除去し、
少なくとも該金属材料の上面に抗酸化の塗布層を形成する、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】
更に、以下のステップ：
少なくとも該金属材料の上面に抗エッチングの塗布層を形成し、
該第１抗電気鍍金膜と該第１抗電気鍍金膜下の一部の該銅箔を除去する、
を含む請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記第１開口が、さらに該メタルバンプの再配列位置と中間位置のいずれか１つ及び接続線を露出し、該接続線は、該再配列位置又は中間位置と該導通孔を接続し、該金属を電気鍍金し、該接続線を形成する請求項１記載の方法。
【請求項１６】
更に、以下のステップ：
該抗電気鍍金膜を形成する前に、該メタルバンプ再配列位置において、該絶縁層内にブラインドビアを形成する、
を含み、そのうち、該薄金属層が更に該ブラインドビアを覆蓋する請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
更に、以下のステップ：
該抗電気鍍金膜を形成する前に、該メタルバンプ再配列位置において、該絶縁層内にブラインドビアを形成し、
プラズマを該ブラインドビアに充填する、
を含む請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
更に、以下のステップ：
該第１抗電気鍍金膜と該接続線の上面に第２抗電気鍍金膜を形成し、該第２電気鍍金膜が第２開口を有し、該第２開口が該メタルダンプ再配列位置を露出し、
前記第２開口内において、該第２金属材料を電気鍍金し、適当な厚さを達成し、
該第１及び第２抗電気鍍金膜及び該第１抗電気鍍金膜下の一部の該銅箔を除去し、該メタルバンプを形成する、
を含む請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記第２金属材料が金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
更に、以下のステップ：
前記第１及び第２抗電気鍍金膜と該銅箔を除去した後、シールド層を塗布し、該接続線と該導通孔を覆蓋する、
を含む請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記第１開口が、さらに該メタルバンプの再配列位置、該再配列位置と該導通孔を接続する接続線、少なくとも該半導体部材の電気鍍金電極と電気鍍金網を接続する電気鍍金網路を露出し、該電気鍍金網は、該導通孔、該接続線及び該再配列メタルバンプを含み、該金属材料を電気鍍金し、該接続線と該電気鍍金網路を形成する請求項１記載の方法。
【請求項２２】
更に、以下のステップ：
前記第１抗電気鍍金膜と該第１抗電気鍍金膜下の一部の銅箔を除去し、
シールド層を塗布し、該メタルバンプ再配列位置、一部の該電気鍍金網路、及び該電気鍍金電極を露出し、
該シールド層上に第２抗電気鍍金膜を形成し、該第２抗電気鍍金膜は、該メタルバンプ再配列位置と該電気鍍金電極を露出する第２開口を有し、
該第２開口内において、該第２金属材料を電気鍍金し、適当な厚さに到達させ、該メタルバンプを形成し、
該第２抗電気鍍金膜と該電気鍍金網路を除去する、
を含む請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第２金属材料が金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
更に、以下のステップ：
前記第１抗電気鍍金膜と該第１抗電気鍍金膜下の一部の銅箔を除去し、
順に、第２絶縁層及び第２銅箔を該半導体部材線路面の上面に配置し、該第２絶縁層と該第２銅箔が該中間位置に第２導通孔を有し、
該第２導通孔の孔壁上に第２薄金属層を形成し、
該第２銅箔の上面に第２抗電気鍍金膜を形成し、該第２抗電気鍍金膜は、第２開口を有し、該第２開口は、該第２薄金属層を塗布した第２導通孔、該メタルバンプの該再配列位置、及び該再配列位置と該第２導通孔を接続する第２接続線を露出し、
該第２開口内で、第２金属材料を電気鍍金し、適当な厚さを達成し、該第２接続線を形成し、
該第２抗電気鍍金膜と第２接続線の上面に第３抗電気鍍金膜を形成し、該第３抗電気鍍金膜は、第３開口を有し、該第３開口は、該メタルバンプ再配列位置を露出し、
該第３開口内で、第３金属材料を電気鍍金し、適当な厚さを達成し、
該第２及び第３抗電気鍍金膜と該第２抗電気鍍金膜下の一部の該第２銅箔を除去し、該メタルバンプを形成する、
を含む請求項１５記載の方法。
【請求項２５】
更に、以下のステップ：
前記第２薄金属層を形成する前、該メタルバンプ再配列位置において、該第２絶縁層内と第２銅箔内にブラインドビアを形成する、
を含み、そのうち、該第２薄金属層が更に、該ブラインドビアを覆蓋する請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
更に、以下のステップ：
前記メタルバンプ再配列位置において、該第２絶縁層内および該第２銅箔内にブラインドビアを形成し、
該第２電気鍍金膜を形成する前に、プラズマを該ブラインドビアに充填する、
を含む請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記第３金属材料が金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
半導体部材が全片の半導体ウエハであり、分割後の一部の半導体ウエハ及び単一半導体チップのいずれかである請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
半導体部材の線路面の接続パッド上にメタルバンプを形成する方法であって、該方法は、少なくとも以下のステップ：
絶縁層を該半導体部材線路面の上面に配置し、
接続パッド上面の該絶縁層と該銅箔内に導通孔を形成し、
該絶縁層上面及び該導通孔の孔壁上に薄金属層を形成し、該薄金属層は、該銅箔と該接続パッドを相互に接続し、
該絶縁層上の薄金属層の上面に第１抗電気鍍金膜を形成し、該第１抗電気鍍金膜は、第１開口を有し、該第１開口は、少なくとも該薄金属層を塗布した該導通孔を露出し、
該第１開口内に、金属材料を電気鍍金し、適当な厚さを達成する、
を含む半導体部材の線路面の接続パッド上にメタルバンプを形成する方法。
【請求項３０】
更に、以下のステップ：
アルミで形成される該接続パッド又は該接続パッドが有するアルミで形成される抗酸化層である場合、該絶縁層及び該銅箔を配置する前、該アルミ接続パッド又は該アルミ抗酸化層の上面に亜鉛層を形成する、
を含む請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
更に、以下のステップ：
アルミで形成される該接続パッド又は該接続パッドが有するアルミで形成される抗酸化層である場合、該導通孔を形成後、該アルミ接続パッド又は該アルミ抗酸化層の上面に亜鉛層を形成する、
を含む請求項２９記載の方法。
【請求項３２】
更に、以下のステップ：
銅で該接続パッドを形成し、該接続パッドは、抗酸化層を有し、該接続層及び該銅箔を配置する前、該抗酸化層を除去する、
を含む請求項２９記載の方法。
【請求項３３】
更に、以下のステップ：
銅で形成される該接続パッド又は該接続パッドが有する抗酸化層である場合、該導通孔を形成後、該抗酸化層を除去する、
を含む請求項２９記載の方法。
【請求項３４】
前記絶縁層が暫時固化体および液体のいずれかであり、且つ該線路面の上面に堆積し、該絶縁層を永久固化し、該接続パッド上の一部の絶縁層を除去し、該導通孔を形成し、該絶縁層の上表面と該導通孔内に該薄金属層を形成する請求項２９記載の方法。
【請求項３５】
前記絶縁層が暫時固化体および液体のいずれかであり、該絶縁層を永久固化し、該絶縁層の上面に該薄金属層を形成し、該接続パッド上の一部の絶縁層を除去し、該導通孔を形成し、該導通孔内に再度、薄金属層を形成する請求項２９記載の方法。
【請求項３６】
更に、以下のステップ：
前記第１抗電気鍍金膜が形成される前に、該薄金属層の厚さを増加する、
を含む請求項２９記載の方法。
【請求項３７】
前記薄金属層が、銅およびニッケルのいずれかで形成される請求項２９記載の方法。
【請求項３８】
前記薄金属材料が、金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項２９記載の方法。
【請求項３９】
更に、以下のステップ：
前記第１抗電気鍍金膜および該第１抗電気鍍金膜下の一部の該薄金属層を除去し、
少なくとも該メタルバンプの上面に抗酸化の保護層を形成する、
を含む請求項２９記載の方法。
【請求項４０】
更に、以下のステップ：
前記メタルバンプの上面に抗エッチングの塗布層を形成し、
該第１抗電気鍍金膜及び該第１抗電気鍍金膜下の一部の該薄金属層を除去する、
を含む請求項２９記載の方法。
【請求項４１】
前記第１開口が、更に、該メタルバンプの再配列位置及び中間位置のいずれか、該再配列位置又は中間位置と該導通孔を相互に接続する接続線を露出し、該金属材料を電気鍍金し、該接続線を形成する請求項２９記載の方法。
【請求項４２】
更に、以下のステップ：
該第１抗電気鍍金膜を形成する前に、該再配列位置において、該絶縁層内にブラインドビアを形成する、
を含み、そのうち、該薄金属層は、該ブラインドビアも覆蓋する請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
更に、以下のステップ：
該第１抗電気鍍金膜を形成する前に、該メタルバンプ再配列位置において、該絶縁層内にブラインドビアを形成し、
該第１抗電気鍍金膜を形成する前に、プラズマを該ブラインドビアに充填する、
を含む請求項４１記載の方法。
【請求項４４】
更に、以下のステップ：
該第１抗電気鍍金膜と該接続線の上面に第２抗電気鍍金膜を形成し、該第２電気鍍金膜が第２開口を有し、該第２開口が該メタルダンプ再配列位置を露出し、
前記第２開口内において、該第２金属材料を用い電気鍍金し、適当な厚さを到達させ、
該第１及び第２抗電気鍍金膜及び該第１抗電気鍍金膜下の一部の該薄金属層を除去し、該メタルバンプを形成する、
を含む請求項４１記載の方法。
【請求項４５】
前記金属材料が金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
更に、以下のステップ：
前記第１及び第２抗電気鍍金膜を除去した後、シールド層を塗布し、該接続線と該導通孔を覆蓋する、
を含む請求項４４記載の方法。
【請求項４７】
前記第１開口が、さらに該メタルバンプの再配列位置、該再配列位置と該導通孔を接続する接続線、少なくとも該半導体部材の電気鍍金電極を電気鍍金網に接続する電気鍍金網路を露出し、該電気鍍金網は、該導通孔、該接続線及び該メタルバンプを含み、該金属材料を電気鍍金し、該接続線と該電気鍍金網路を形成する請求項２９記載の方法。
【請求項４８】
更に、以下のステップ：
前記第１抗電気鍍金膜と該第１抗電気鍍金膜下の一部の該薄金属層を除去し、
シールド層を塗布し、該メタルバンプ再配列位置、一部の該電気鍍金網路、及び該電気鍍金電極を露出し、
該シールド層上に第２抗電気鍍金膜を形成し、該第２抗電気鍍金膜は、第２開口を有し、該第２開口は、該メタルバンプ再配列位置と該電気鍍金電極を露出し、
該第２開口内において、該第２金属材料を電気鍍金し、適当な厚さを達成させ、該メタルバンプを形成し、
該第２抗電気鍍金膜と該電気鍍金網路を除去する、
を含む請求項４７記載の方法。
【請求項４９】
前記第２金属材料が金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項４８記載の方法。
【請求項５０】
更に、以下のステップ：
第２絶縁層を該半導体部材線路面の上面に配置し、該第２薄金属層を鍍金し、該第２絶縁層と該第２薄金属層が該中間位置に第２導通孔を有し、
該第２導通孔に第２薄金属層を形成し、
該第２薄金属層の上面に第２抗電気鍍金膜を形成し、該第２抗電気鍍金膜は、第２開口を有し、該第２開口は、該第２薄金属層を塗布した第２導通孔、該メタルバンプの再配列位置、及び該再配列位置と該第２導通孔を接続する第２接続線を露出し、
該第２開口内で、金属材料を電気鍍金し、適当な厚さを達成し、該第２接続線を形成し、
該第２抗電気鍍金膜と該第２接続線の上面に第３抗電気鍍金膜を形成し、該第３抗電気鍍金膜は、第３開口を有し、該第３開口は、該メタルバンプ再配列位置を露出し、
該第３開口内で、第３金属材料を電気鍍金し、適当な厚さに到達させ、
該第２及び第３抗電気鍍金膜と該第２抗電気鍍金膜下の一部の該第２薄金属層を除去し、該メタルバンプを形成する、
を含む請求項４７記載の方法。
【請求項５１】
更に、以下のステップ：
前記第２抗電気鍍金層を形成する前、該再配列位置において、該第２絶縁層内にブラインドビアを形成し、
該ブラインドビアに該金属層を鍍金する、
を含む請求項５０記載の方法。
【請求項５２】
更に、以下のステップ：
前記第２抗電気鍍金を形成する前、該再配列位置において、第２絶縁層内にブラインドビアを形成し、
プラズマを該ブラインドビアに充填する、
を含む請求項５０記載の方法。
【請求項５３】
前記第３金属材料が金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項５０記載の方法。
【請求項５４】
前記半導体部材が全片の半導体ウエハであり、分割後の一部の半導体ウエハ及び単一半導体チップのいずれかである請求項２９記載の方法。
【請求項５５】
半導体の線路面の接続パッド上のメタルバンプの構造であって、
該半導体チップの線路面の上面に順に配置される絶縁層と銅箔であって、該接続パッド上の該絶縁層及び該銅箔は、導通孔を有する絶縁層及び銅箔と、
少なくとも導通孔内にあり、該銅箔及び該接続パッドに接続する薄金属層と、
該導通孔を充填し、適当な厚さで該銅箔と該絶縁層上に垂直に延伸する金属材料と、
を含むメタルバンプ構造。
【請求項５６】
更に、接続パッドをアルミで形成するか該接続パッドがアルミで形成される抗酸化層を有する場合、該アルミ接続パッド又は該アルミ抗酸化層上面にある亜鉛層を含む請求項５５記載のメタルバンプ構造。
【請求項５７】
前記絶縁層が線路面上に配置される前に暫時固化体および液体のいずれかである請求項５５記載のメタルバンプ構造。
【請求項５８】
前記薄金属層が銅およびニッケルのいずれかで形成される請求項５５記載のメタルバンプ構造。
【請求項５９】
前記金属材料が、金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項５５記載のメタルバンプ構造。
【請求項６０】
少なくとも該金属材料の上面にある抗酸化の保護層を含む請求項５５記載のメタルバンプ構造。
【請求項６１】
前記金属材料は、該銅箔および該絶縁層の上面にあり、該導通孔から横向きにメタルバンプの再配列位置と中間位置のいずれかまで延伸する請求項５５記載のメタルバンプ構造。
【請求項６２】
前記銅箔と該絶縁層は、前記メタルバンプ再配列位置にブラインドビアを有し、該ブラインドビアは、該薄金属層で覆蓋される請求項６１記載のメタルバンプ構造。
【請求項６３】
前記銅箔と該絶縁層は、前記メタルバンプ再配列位置にブラインドビアを有し、該ブラインドビアは、プラズマで充填される請求項６１記載のメタルバンプ構造。
【請求項６４】
更に、適当な厚さで該メタルバンプ再配列位置の表面上にある第２金属材料を含む請求項６１記載のメタルバンプ構造。
【請求項６５】
前記第２金属材料は、金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項６４記載のメタルバンプ構造。
【請求項６６】
更に、該半導体チップ線路面の上面に順に配置され、中間位置に第２導通孔を有する第２絶縁層と第２銅箔と、
該第２絶縁層及び第２銅箔の上面にあり、該第２導通孔から横向きに該メタルバンプの該再配列位置に延伸する第２金属材料と、
適当な厚さで該メタルバンプ再配列位置の該第２金属材料の上面にある第３金属材料と、
を含む請求項６１記載のメタルバンプ構造。
【請求項６７】
前記第２絶縁層及び該第２銅箔は、該メタルバンプ再配列位置にブラインドビアを有し、該ブラインドビアは、該第２金属層で覆蓋され、第２金属材料で充填される請求項６６記載のメタルバンプ構造。
【請求項６８】
前記第２絶縁層及び該第２銅箔は、該メタルバンプ再配列位置にブラインドビアを有し、且つプラズマで充填される請求項６１記載のメタルバンプ構造。
【請求項６９】
前記第３金属材料は、金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項６４記載のメタルバンプ構造。
【請求項７０】
半導体の線路面の接続パッド上のメタルバンプの構造であって、
該半導体チップの線路面の上面に配置される絶縁層であって、且つ該接続パッド上の該絶縁層は、導通孔を有する絶縁層と、
該絶縁層の上面と導通孔にあり、該接続パッドに接続する薄金属層と、
該導通孔を充填し、適当な厚さで該薄金属層と該絶縁層上に垂直に延伸する金属材料と、
を含むメタルバンプ構造。
【請求項７１】
更に、接続パッドをアルミで形成するか該接続パッドがアルミで形成される抗酸化層を有する場合、該アルミ接続パッド又は該アルミ抗酸化層上面にある亜鉛層を含む請求項７０記載のメタルバンプ構造。
【請求項７２】
前記線路面上に実施する前に、該絶縁層の材質が暫時固化体および液体のいずれかである請求項７０記載のメタルバンプ構造。
【請求項７３】
前記薄金属層が銅およびニッケルのいずれかである請求項７０記載のメタルバンプ構造。
【請求項７４】
前記金属材料が、金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項７０記載のメタルバンプ構造。
【請求項７５】
少なくとも該メタルバンプの該金属材料の上面にある抗酸化の保護層を含む請求項７０記載のメタルバンプ構造。
【請求項７６】
前記金属材料は、該薄金属層および該絶縁層の上面にあり、該導通孔から横向きにメタルバンプの再配列位置とメタルバンプの中間位置まで延伸する請求項７０記載のメタルバンプ構造。
【請求項７７】
前記絶縁層は、該再配列位置にブラインドビアを有し、該ブラインドビアは、該薄金属層で覆蓋される請求項７６記載のメタルバンプ構造。
【請求項７８】
前記絶縁層は、該再配列位置にブラインドビアを有し、該プラズマで充填される請求項７６記載のメタルバンプ構造。
【請求項７９】
更に、適当な厚さで該メタルバンプ再配列位置の金属材料上にある第２金属材料を含む請求項７６記載のメタルバンプ構造。
【請求項８０】
前記第２金属材料は、金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項７９記載のメタルバンプ構造。
【請求項８１】
更に、該半導体チップ線路面の上面に順に配置され、中間位置に第２導通孔を有する第２絶縁層と第２銅箔と、
少なくとも該第２導通孔にある第２薄金属層と、
該第２絶縁層及び第２銅箔の上面にあり、該第２導通孔から横向きに該メタルバンプの該再配列位置に延伸する第２金属材料と、
適当な厚さで該メタルバンプ再配列位置の該第２金属材料の上面にある第３金属材料と、
を含む請求項７６記載のメタルバンプ構造。
【請求項８２】
前記第２絶縁層は、該再配列位置にブラインドビアを有し、該ブラインドビアは、該第２金属層で覆蓋され、第２金属材料で充填される請求項８１記載のメタルバンプ構造。
【請求項８３】
前記第２絶縁層は、該再配列位置にブラインドビアを有し、該ブラインドビアは、プラズマで充填される請求項８１記載のメタルバンプ構造。
【請求項８４】
前記第３金属材料は、金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ及び前記元素の組み合わせのいずれかである請求項８１記載のメタルバンプ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体のフリップチップ（flip-chip）パッケージに関し、特に、半導体部材の接続パッド上面にアンダーバンプメタル層を形成する必要がなく、メタルバンプを形成可能な方法、及び形成するメタルバンプ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップパッケージは、メタルバンプを利用し半導体部材の接続パッド（I/O pads）とパッケージ基板との間に電気接続を構築する。現有技術では、メタルバンプと半導体部材の接続パッド間で、先ずアンダーバンプメタル層(Under Bump Metallurgy，UBM)を形成する必要がある。
【０００３】
アンダーバンプメタルは、通常、粘着層、バリア層、及び接合層を含み、下から上の順に接続パッド上に堆積される。採用する材料に基づき、バンプは、ソルダーバンプ、金バンプ、銅柱バンプ、及び混合メタルバンプに分けることができる。
【０００４】
アンダーバンプメタル層上にバンプを形成する方法は、通常、電気鍍金、プリント、または縫合等の方法を採用する。電気鍍金法において、先ず、アンダーバンプメタル層上にパターン化した鍍金抵抗(plating resists)を形成し、続いて、メタルバンプを鍍金する。プリント法を採用する時、先ず、ソルダーペーストをアンダーバンプメタル層上にプリントし、その後、ソルダーペーストを加熱固化しバンプにする。縫合法は、某種金バンププロセスに適用し、メタルバンプを有する半導体チップを半導体ウエハから切削し、その後、基板又は導線構造上に溶接し、フリップチップパッケージを完成する。
【０００５】
アンダーバンプメタル層は、半導体チップ上のカッパー導線がソルダーペーストに進入すること防止するだけでなく、電気鍍金がバンプをメタル化する方法である場合、電気鍍金時に導電の作用も有することができる。また、接続パッドの材質がアルミ金属である場合、ソルダーバンプの形成に対して、アンダーバンプメタル層の接合層が良好な溶接性を提供することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−７９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、高コストなアンダーバンプメタル層のプロセスを使用せず、半導体ウエハの接続パッド上に直接メタルバンプを形成する方法を提供することである。接続パッドは、銅又はアルミを使用して形成でき、接続パッドが銅で形成される場合、アルミ又はその他の酸化防止材料を使用し、抗酸化層を形成することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明は、以下のステップを含む。先ず、亜鉛層がアルミ接続パッドの上表面に形成されるか、選択的に接続パッドをエッチングした抗酸化層を形成する。その後、絶縁層及び銅箔を順に接続パッド上に配置する。この絶縁層は、元は液体または、暫時的な固化体であり、その後、永久固体を形成し、半導体チップ上に付着することができる。その後、絶縁層及び銅箔を部分的に除去し、接続パッド上の導通孔を形成する。続いて、薄金属層を導通孔内に沈積し、該薄金属層は、銅箔と接続パッドを接続するものであり、且つ銅箔上に抗電気鍍金膜を形成して導通孔だけを露出する。その後、銅箔及び薄金属層により電流が導通し、導通孔からメタルバンプを電気鍍金し、抗電気鍍金膜でメタルバンプの高さを制御する。最後に、抗電気鍍金膜及び余分な銅箔を除去する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の利点は、以下のとおりである。先ず、使用材料を高導電性金属材料中から選択し、例えば、金、銀、パラジウム、銅、錫、はんだ、ニッケル等、またはこれら高導電性金属材料の任意の組み合わせであり、且つ無電解鍍金または電気鍍金により該材料を利用し、メタルバンプ２８を形成することができる。その次に、絶縁層１８が提供する付着性によって、メタルバンプ２８と半導体チップ１０間の結合性を向上し、メタルバンプ２８及び半導体チップ１０の間に良好な結合を持たせる。第３に、高コストなアンダーバンプメタル層プロセスは、完全に省略でき、銅箔２０は、メタルバンプを形成する期間に導通電気鍍金の機能をなし、且つメタルバンプ２８上に選択的にシールド層を塗布し、チップ内の銅導線が溶触を受けるのを保護し、生産コストを大幅に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の接続パッド上にメタルバンプを形成するステップの説明図である。
【図１Ｂ】本発明の接続パッド上にメタルバンプを形成するステップの説明図である。
【図１Ｃ】本発明の接続パッド上にメタルバンプを形成するステップの説明図である。
【図１Ｄ】本発明の接続パッド上にメタルバンプを形成するステップの説明図である。
【図１Ｅ】本発明の接続パッド上にメタルバンプを形成するステップの説明図である。
【図１Ｆ】本発明の接続パッド上にメタルバンプを形成するステップの説明図である。
【図１Ｇ】本発明の接続パッド上にメタルバンプを形成するステップの説明図である。
【図１Ｈ】本発明の接続パッド上にメタルバンプを形成するステップの説明図である。
【図２】半導体ウエハの半導体チップが有する再配列後のメタルバンプと電気鍍金網路の説明図である。
【図３Ａ】再配列後のバンプを形成するステップの説明図である。
【図３Ｂ】再配列後のバンプを形成するステップの説明図である。
【図３Ｃ】再配列後のバンプを形成するステップの説明図である。
【図３Ｄ】再配列後のバンプを形成するステップの説明図である。
【図４Ａ】２層の接続線がバンプの再配列を完成するステップの説明図である。
【図４Ｂ】２層の接続線がバンプの再配列を完成するステップの説明図である。
【図４Ｃ】２層の接続線がバンプの再配列を完成するステップの説明図である。
【図４Ｄ】２層の接続線がバンプの再配列を完成するステップの説明図である。
【図４Ｅ】２層の接続線がバンプの再配列を完成するステップの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の利点及び精神について、以下の発明詳細及び図面によって更なる解釈を得ることができる。
以下の図面及び部材符合は、本発明の実施方式に対してより詳細な説明を行うものであり、当業者が本明細書を閲読後にこれにも基づき実施可能にさせるものである。
【００１２】
図１Ａ〜図１Ｈは、本発明の実施例の半導体ウエハの接続パッド上にメタルバンプを形成するステップを示すものである。図１Ａに示すように、接続パッド１２は、半導体チップ１０の表面上に配置され、半導体は、集積回路、トランジスタ、ダイオード又は半導体サイラトロン等であることができる。参照に便利なように、この箇所で提示する表面は、半導体チップ１０の線路面とする。注意すべきことは、半導体チップ１０は、実際は、半導体ウエハの一部分であり、且つ半導体ウエハから分割されていないこともあるということである（図示せず）。半導体ウエハは、複数のチップ１０を有することができ、各半導体チップ１０は、複数の接続パッド１２を有することができる。分かりやすくするため、図中では、１つの半導体チップ１０と１つの接続パッド１２のみを表示する。且つ、半導体チップ１０の線路面上に、鈍化層１４を有し、接続パッド１２の一部の上表面を露出する。注意すべきことは、本発明の明細書で使用する用語“半導体部材”は、図に記載するように半導体チップであることができ、または、複数の半導体チップを含む半導体ウエハを表すことができるということである。
【００１３】
接続パッド１２の材質は、アルミ又は銅であることができる。接続パッド１２の材質が銅である場合、接続パッド１２は、通常、アルミまたはその他の抗酸化金属で形成する抗酸化層１６を有し、抗酸化層１６は、接続パッド１２が露出する上表面を完全に覆うことができる。
【００１４】
接続パッド１２の材質がアルミである時、通常、その他の材質の抗酸化層を有さない。接続パッド１２の材質がアルミであるか、抗酸化アルミ層１６を覆蓋した銅接続パッド１２である場合、先ず、公知の亜鉛置換亜鉛鍍金プロセスにより、亜鉛層をアルミ接続パッド１２又は抗酸化アルミ層１６の表面に置換する。もう１つの実施例中、接続パッド１２の材質が銅であり、該接続パッド１２がアルミまたはその他の抗酸化材料で形成された抗酸化層１６を有し、後続のステップを完成する前に、先ず、抗酸化層１６を選択的にエッチング除去し、銅接続パッド１２を露出する。その結果は、抗酸化層１６を除去した図１Ａと同様である。
【００１５】
言い換えれば、３種の可能な組み合わせを有する：（１）亜鉛層をアルミ接続パッド１２上に置換する。（２）亜鉛層を銅接続パッド１２の抗酸化アルミ層１６上に置換する。（３）抗酸化アルミ層又はその他の抗酸化物質１６を選択的にエッチングし、銅接続パッド１２を露出する。亜鉛層は、通常、非常に薄いものである。従って、便宜的に、組み合わせ（２）（即ち、亜鉛層を銅接続パッド１２の抗酸化アルミ層１６上に置換する。）を主要な実施例とし、且つ亜鉛層は非常に薄く、表示できないものとする。組み合わせ（１）及び（３）に対して、図から抗酸化層１６を除去したものを想像することによって、簡単に以下に説明を行う。
【００１６】
続いて、図１Ｂに示すのは、絶縁層１８と銅箔２０である。絶縁層１８と銅箔２０は、図１Ａの構造の上表面に順に配置され、且つ結果は、図１Ｃ中に表示される。絶縁層１８は、液体（プリント基板業者の通称がＡ段階）または暫時固化体（Ｂ段階）に位置する材料である。例えば、エポキシ樹脂の各種ポリマーは、絶縁層１８の理想材料である。続いて、液体又は暫時固化体の絶縁層１８に対して加熱及び適当な圧力を施すことによって、絶縁層１８は、永久固体（C段階）に固化され、且つ図１Ａの構造に緊密に付着する。選択する絶縁材料が暫時固化体である場合、絶縁材料は、永久固化の過程において、特定温度範囲で再度液体に戻ることができなければならない。実施例中、銅箔２０は、先ず絶縁層１８に塗布され、続いて銅箔２０と絶縁層１８の組み合わせを図１Ａの構造の上表面に堆積する。続いて、絶縁層１８に対して、加熱及び適当な圧力を加え、固体へと永久化し、図１Ａの構造に緊密に付着する。もう１つの実施例中、絶縁層１８は、暫時固化体または液体であり、先ず図１Ａ構造の上表面に堆積される。その後、銅箔２０が絶縁層１８の上表面に堆積され、更に、加熱及び適当な圧力を加えることによって、絶縁層１８が固体へ永久固化され、且つ図１Ａの構造に緊密に付着する。この応用において、ガラス繊維を添加し絶縁層１８の機械強度を強化することもできる。また、微小な間隔を有するか、または微小な寸法のメタルバンプを形成する場合、銅箔２０を薄くするよう選択することができる。
【００１７】
その後、先ず、レーザー気化または化学エッチングにより接続パッド１２上の一部の銅箔２０を除去し、その後、レーザー気化または露光現像により接続パッド１２上の一部の絶縁層１８を除去する。このように、接続パッド１２上表面を露出する導通孔２２を図１Ｄのように形成する。銅箔２０と絶縁層１８が半導体部材上に層状の組み合わせを形成する間に、半導体部材は、半導体ウエハ全体又は既に切削分離した半導体ウエハの一部または単体チップであることができる。
【００１８】
前記のように、接続パッド１２の材質がアルミであるか、銅接続パッド１２がアルミで形成される抗酸化層１６を有する場合、絶縁層１８と銅箔２０が堆積される前に、亜鉛鍍金プロセスによって、亜鉛層をアルミ接続パッド１２上または銅接続パッド１２のアルミ抗酸化層１６上に置換する。もう１つの実施例中、亜鉛置換または選択的エッチングの作業は、導通孔２２を形成後に行うことができ、半導体部材は、先ず絶縁層１８及び銅箔２０と一体にラミネートされ、接続パッド１２上方の導通孔２２に加工し、図１Ｄに示すようにした後、更に、図１Ｄの導通孔２２内で、亜鉛鍍金プロセスによって、亜鉛層をアルミ接続パッド１２上または銅接続パッド１２の抗酸化アルミ層１６上に置換する。接続パッド１２の材質が銅であり、且つそれがアルミまたはその他の抗酸化材質で形成される抗酸化層１６を有する場合、抗酸化層１６を選択的エッチングにより銅接続パッド１２を露出する作業は、図１の導通孔２２を形成した後に行うこともできる。
【００１９】
続いて、銅またはニッケルの無電解鍍金を使用し、少なくも導通孔２２内に薄金属層２４を形成し、薄金属層２４に銅箔２０を接続パッド１２の亜鉛層表面（選択的エッチング法を採用する場合は、銅接続パッド１２）に接続させる（図１Ｅ参照）。信頼性を強化するため、付加金属層が、更に薄金属層２４の外部表面に電気鍍金（又は無電解鍍金）により形成されることができる。簡易化のため、図中には鍍金金属層を表示しない。更に、抗電気鍍金膜２６を粘着又は塗布し、選択的に銅箔２０の上表面を露光し、パターン化抗電気鍍金膜２６を形成し、薄金属層２４の導通孔２２を露出する（図１Ｆ参照）。このように、銅箔２０及び薄金属層２４は、導電電流を一緒に加えることができ、接続パッド１２上の導通孔２２内において、メタルバンプ２８に対して電気鍍金を行う（図１Ｇ参照）。メタルバンプ２８の材質は、金、銀、銅、錫、ニッケル、はんだ、及び前記元素の結合から選択することができ、且つ薄金属層２４は、良好な付着能力及び溶接性を有する。
【００２０】
最後に、図１Ｈに示すように、化学塗膜剥離により抗電気鍍金膜２６を剥離し、抗電気鍍金膜２６下の一部の銅箔２０もエッチング除去される。その後、メタルバンプ２８は、選択的に保護層３０を覆蓋することができ、保護層３０は、少なくともメタルバンプ２８の上表面（図中、メタルバンプ２８は、完全に覆蓋される）において、メタルバンプ２８の部材の組み合わせ前の酸化を防止することができる。メタルバンプ２８が使用する材質に基づき、保護層３０は、各種材料を使用することができる。例を挙げれば、ニッケルバンプ２８に対して、金で形成した保護層３０を使用することができ、銅バンプ２８に対して、有機被膜(Organic Solderability Preservative，OSP)、無電解ニッケル鍍金、金鍍金、銀鍍金または錫鍍金を使用することができる。もう１つの実施例中、抗電気鍍金膜２６の剥離前に電気鍍金を行い、図１Ｇの構造の上表面に抗エッチング層３０を形成する。その後、更に、抗電気鍍金膜２６を剥離し、抗電気鍍金膜２６底下の一部の銅箔２０をエッチング除去する。その結果は、図１Ｈに類似するものである。メタルバンプ２８は、このように完成される。メタルバンプ２８の高さは、抗電気鍍金膜２６の厚さにより制御することができ、メタルバンプ２８の幅は、抗電気鍍金膜２６上の電気鍍金開口の隙間を調整して決定することができる。
【００２１】
もう１つの実施例中、先ず、液体絶縁層１８を図１Ａ構造上に塗布する。その後、絶縁層１８を固化し、暫時固化体にし、接続パッド１２を露出する導通孔２２を形成する。続いて、銅箔２０を暫時固化体の絶縁層１８上に堆積する。その後、絶縁層１８は、銅箔２０と共に固化して永久性固体に固化する。化学エッチング又はレーザー気化により導通孔２２上の一部の銅箔２０を除去し、その結果は、図１Ｄに示すようである。その後、前記のように、メタルバンプ２８を形成するステップを実施する。半導体部材上に絶縁層１８の塗布期間、半導体部材は、半導体ウエハ又は部分的に既に切削分離された半導体ウエハまたは単体チップであることができる。
【００２２】
もう１つの銅箔２０を全く使用しない実施例中、液体または暫時固化体の絶縁層１８を図１Ａの構造に堆積し、永久性固化を形成する。その後、接続パッド１２を露出する導通孔２２を形成する。スパッタリングまたは無電解鍍金の方式により、金属薄層２４を絶縁層１８の上表面と導通孔２２内に形成する。電気鍍金（又は無電解鍍金）を利用し、薄金属層２４が厚さを増加し、好適な導電度を達成し、結果は、図１Ｅに類似する。絶縁層１８上方に厚さを増加した薄金属層２４は、前実施例中の銅箔２０の作用を有する。前記のように同一の後続ステップを行い、メタルバンプ２８を形成する。本実施例中、Ajinomoto絶縁膜（Ajinomoto Build-up Film）のような無電解ニッケルに対して良好な付着性を有する絶縁層を選択して用い、成長したメタルバンプは、良好な信頼性を有し、特に、メタルバンププロセスが新たに配線する必要がある時に顕著である。半導体部材上に絶縁層１を敷設する期間、半導体部材は、半導体ウエハ全体であるか、既に切削分離された半導体ウエハの一部であるか、単体チップであることができる。
【００２３】
もう１つの実施例中、絶縁層１８を図１Ａの構造に堆積し、永久性固化を形成し、スパッタリングまたは無電解鍍金を利用し、絶縁層１８の上表面に薄金属層２４を形成する。続いて、接続パッド１２を露出する導通孔２２を形成する。続いて、無電解鍍金又はスパッタリングにより再度、薄金属層２４を形成し、且つ少なくとも導通孔２２を覆蓋する。電気鍍金（又は無電解鍍金）によって、薄金属層２４の厚さを増加し、好適な導電度を達成し、結果は、図１Ｅのようになる。絶縁層１８上方に厚さを増加した薄金属層２４は、前実施例中の銅箔２０の作用を有する。前記のように同一の後続ステップを行い、メタルバンプ２８を形成する。半導体部材に絶縁層１を敷設する期間、半導体部材は、半導体ウエハ全体であるか、既に切削分離された半導体ウエハの一部であるか、単体チップであることができる。
【００２４】
接続パッド１２の亜鉛層を露出する導通孔２２を精確に形成するには、先ず図１Ｃの構造の接続パッド１２の適切な位置を探知することが必要である。上記目的を達成するため、事前に半導体部材の底面に基準点を準備することができる。その後、基準点座標と接続パッド１２の相対位置関係の検出を利用して、接続パッド１２の適切な位置座標を決定することができる。もう１つの方法は、Ｘ-線放射装置を利用し、図１Ｃの銅箔２０を介して、接続パッド１２の実際位置座標を直接決定することである。もう１つの方法は、銅箔２０の一部を除去した後、撮像ヘッドを使用し半導体部材上の基準点を検出し、接続パッド１２の適切な座標を計算する。
【００２５】
時々、メタルバンプは、接続パッド上の元の位置に成長し、後続の溶接順序を適合しないので、バンプの位置は、新たに敷線配列する必要があり、従来のアンダーバンプメタル層プロセスは、メタルバンプを後続の溶接の適当な位置に再配置することができる。本発明は、高コストなアンダーバンプメタル層プロセスを省略し、図２に示すようなバンプ位置の再配列を完成するため、適当な位置に再配列後バンプ２８Ａを形成し、横向き導通孔２２の接続線４２に接続する必要がある。図３Ａ〜図３Ｄは、本発明のバンプ位置を再配列する延伸方法を達成可能なステップである。
【００２６】
図３Ａは、図１Ａ〜図１Ｆが記載するステップに基づき完成する構造である。しかしながら、図３Ａの構造が図１Ｆと異なる箇所は、電気鍍金膜２６が電気鍍金開口４０を有し、該電気鍍金開口４０が導通孔２２を露出するだけでなく、再配列後メタルバンプ２８Ａの位置及び再配列後メタルバンプ２８Ａと導通孔２２との間の予行向き接続線４２も露出することである。再配列後のメタルバンプ２８Ａの機械強度を増加するため、再配列後メタルバンプ２８Ａ下方のブラインドビア６０を空け、該ブラインドビアの深さは、半導体部材１０の性能に影響を及ぼさない範囲内に制御される必要がある。同様に、抗電気鍍金膜２６を貼り付ける前、薄金属層２４もブラインドビア６０内に沈積される。もう１つの方法は、ブラインドビア６０にプラズマを充填し、該プラズマを固化させ、薄金属層２４のブラインドビア６０内の鍍金に置き換えることができる。
その後、図３Ｂに示すように、銅又はその他の適合した金属を電気鍍金し、設計した厚さに到達させ、接続線４２を形成し、再配列後メタルバンプ２８Ａと導通孔２２を接続する。続いて、図３Ｃに示すように、抗電気鍍金膜２６の上表面に第２抗電気鍍金２６Ａを形成し、且つ開口４０Ａを有し、該開口４０Ａは、再配列後メタルバンプ２８Ａの位置のみを露光し、更に、適当な金属を選択し、電気鍍金を行い、例えば、銅、ニッケル、錫、はんだ、金、銀または前記材料の組み合わせであり、再配列後メタルバンプ２８Ａを直接形成する。最後に、図３Ｄに示すように、抗電気鍍金膜２６，２６Ａを剥離し、化学エッチング又はレーザー気化し、抗電気鍍金膜２６下の一部の銅箔２０を除去し、従って、メタルバンプ２８Ａと接続線４２の再配列を完成する。後続に、選択的にシールド層を加え、導通孔２２と接続線４２を覆蓋し、導通孔２２と接続線４２を保護することができる。
【００２７】
もう１つの実施例中、電気鍍金開口抗電気鍍金膜２６を露出する導通孔２２、再配列後メタルバンプ２８、導通孔２２Ａを再配列後メタルバンプ２８Ａに接続する横向き接続線４２および１つまたは複数の電気鍍金網路５２を有し、該電気鍍金５２は、電気鍍金網（再配列度メタルバンプ２８Ａ、導通孔２２およびその間の接続線路４２を含む）を図２に示す半導体上の電気鍍金５０に接続する。その後、電気鍍金銅又はその他の適合する金属は、設計する厚さに到達し、接続線４２及び電気鍍金網路５２を形成する。先ず、抗電気鍍金膜２６を剥離し、且つ化学エッチングまたはレーザー気化により抗電気鍍金２６下の一部の銅箔２０をエッチングする。その後、選択的にシールド層を半導体チップ１０上に加え、該シールド層は、再配列後メタルバンプ２８Ａ、電気鍍金網路５２および電気鍍金電極５０上に開口を有する。続いて、第２抗電気鍍金２６Ａは、シールド層上に粘着し、該第２抗電気鍍金２６Ａは、メタルバンプ２８Ａの設定位置上に開口を有する。電気鍍金網路５２を使用し、電流を導通し、適当な金属を選択し、電気鍍金を行い、例えば、銅、ニッケル、錫、はんだ、金、銀及び前記材料の結合であり、再配列後メタルバンプ２８Ａを形成する。その後、第２抗電気鍍金膜２６Ａを除去し、電気鍍金網路５２に対してエッチングする。メタルバンプ２８Ａを再配線し、完成する。これらのステップは、前記実施例に類似するので、別途図面を提供しない。
【００２８】
単層線路で再配線を達成できない場合、上記のように、複数層線路を使用することができる。以下を実施例とし、図４Ａ〜図４Ｄに示す。図１Ａ〜図１Ｆのステップに基づき、且つ導通孔２２内で薄金属層２４を鍍金した後、抗電気鍍金膜２６は、銅箔２０上に粘着し、露光現像によって電気鍍金開口を形成し、該開口は導通孔２２、中間位置および接続導通孔２２と中間位置を接続する横向き接続線４２を露出する（図４Ａ参照）。銅またはその他の適合した金属を電気鍍金し、設計した厚さに到達させ、接続線４２を形成する（図４Ｂ参照）。その後、抗電気鍍金膜２６を剥離し、化学エッチングまたはレーザー気化により抗電気鍍金膜２６下の一部の銅箔２０をエッチングする。第２絶縁層６８と第２銅箔７０の層は、半導体チップ１０上に堆積し、且つ永久固化する（図４Ｃ参照）。前記絶縁層１８及び銅箔２０の層積は、異なる実施方式を有し、同様に、ここで実施することができ、且つ簡易化を求めるため、ここでは詳細を省略する。図４Ｄに示すように、前記する導通孔２２を形成するような方法を利用し、中間位置情報の第２銅箔７０の一部及び第２絶縁層６８を除去する。再度、再配列後メタルバンプ２８Ａの機械強度を増加するため、再配列後メタルバンプ２８Ａの位置の下にブラインドビア７４を空ける。その後、再配列後メタルバンプ２８Ａ下のブラインドビア７４内と第２導通孔７２内に薄金属層７６を鍍金する。もう１つの方法は、プラズマをブラインドビア７４に充填し、それを固化させ、薄金属層のブラインドビア７４の鍍金に置き換えることができる。
【００２９】
図４Ｄに示すような構造及び図３Ａに示すような構造は、相当類似する。従って、図３Ａ〜図３Ｄと同一ステップで第２層接続線７８を形成し、第２金属層７０を利用し、再配列後メタルバンプ２８Ａを形成する。該再配列後メタルバンプ２８Ａは、中間位置の第２導通孔７２に接続する。結果は、図４Ｅのようである。前記プロセスは、繰り返し、実際により多くの中間位置及びより多くの接続線層を経由しメタルバンプを再配列することができる。
【００３０】
なお、本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない均等の範囲内で各種の変動や潤色を加えることができることは勿論である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  半導体チップ
１２  接続パッド
１４  鈍化層
１６  抗酸化層
１８  絶縁層
２０  銅箔
２２  通孔
２４  薄金属層
２６  抗電気鍍金膜
２８  メタルバンプ
３０  保護層
４２  接続路線
５０  電気鍍金電極
５２  電気鍍金網路
６０  ブラインドビア
６８  第２絶縁層
７０  第２銅箔
７２  第２導通孔
７４  第２ブラインドビア
４０Ａ  開口
２６Ａ  第２抗電気鍍金膜
２８Ａ  再配列後メタルバンプ
【図１Ａ】
2010161322.tif 000003
【図１Ｂ】
2010161322.tif 000004
【図１Ｃ】
2010161322.tif 000005
【図１Ｄ】
2010161322.tif 000006
【図１Ｅ】
2010161322.tif 000007
【図１Ｆ】
2010161322.tif 000008
【図１Ｇ】
2010161322.tif 000009
【図１Ｈ】
2010161322.tif 000010
【図２】
2010161322.tif 000011
【図３Ａ】
2010161322.tif 000012
【図３Ｂ】
2010161322.tif 000013
【図３Ｃ】
2010161322.tif 000014
【図３Ｄ】
2010161322.tif 000015
【図４Ａ】
2010161322.tif 000016
【図４Ｂ】
2010161322.tif 000017
【図４Ｃ】
2010161322.tif 000018
【図４Ｄ】
2010161322.tif 000019
【図４Ｅ】
2010161322.tif 000020