(57)【要約】【課題】チャネル幅を大きくするソース・ドレイン構造を採用し、ドレイン電流の大きさを増加させる可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】複数の直線状のソース電極１７と複数のドレイン電極１８とが略平行であって交互に配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。ソース電極１７とドレイン電極１８との間に形成されるチャネル２１も複数となって、可動ゲート１５の長さと比較して、チャネル幅の全長が大幅に長くなり、大きなドレイン電流が取り出せるようになる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
半導体基板の表面に覆われるゲート酸化膜と、
半導体基板内に設けられ、複数の直線状のソース電極を含むソースと、
半導体基板内に設けられ、複数の直線状のドレイン電極を含むドレインと、
複数のソース電極に電気的に接続されるソース配線部と、
複数のドレイン電極に電気的に接続されるドレイン配線部と、
ソース電極とドレイン電極との間に形成される複数のチャネルと、
複数のチャネルの上方に配置され、ゲート酸化膜に対して空間部を挟んで空中に設けられる梁構造の可動ゲートと、
を備える可動ゲート型電界効果トランジスタであって、
前記複数のソース電極と前記複数のドレイン電極とは略平行であって交互に配置されることを特徴とする可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記ソース配線部は、複数のソース電極接続部を歯とし、また、これら複数のソース電極接続部が垂直に接続されるソース主配線部を根元部として櫛歯状に形成され、複数のソース電極接続部と複数のソース電極とが重ねて配置されるようにゲート酸化膜内に設けられ、また、
前記ドレイン配線部は、複数のドレイン電極接続部を歯とし、また、これら複数のドレイン電極接続部が垂直に接続されるドレイン主配線部を根元部として櫛歯状に形成され、複数のドレイン電極接続部と複数のドレイン電極とが重ねて配置されるようにゲート酸化膜内に設けられることを特徴とする請求項１に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部の幅に対してソース主配線部の幅が大きく構成され、また、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部の幅に対してドレイン主配線部の幅が大きく構成されることを特徴とする請求項２に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートは、両端を支持する支持部と、残る自由端である開放部と、を備え、
前記ソース引出配線部が開放部から引き出され、かつ前記ドレイン引出配線部が開放部から引き出されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートの長手方向とソース引出配線部とが直交し、かつ、前記可動ゲートの長手方向とドレイン引出配線部とが直交することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記可動ゲートの長手方向と前記ソース電極の長手方向とが平行に配置され、かつ、前記可動ゲートの長手方向と前記ドレイン電極の長手方向とが平行に配置されることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか一項に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記可動ゲートの長手方向と前記ソース電極の長手方向とが直交するように配置され、かつ、前記可動ゲートの長手方向と前記ドレイン電極の長手方向とが直交するように配置されることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか一項に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項８】
半導体基板と、
半導体基板の表面に覆われるゲート酸化膜と、
２本の直線状のソース電極を歯とし、また、これら２本のソース電極が垂直に接続される基幹ソース電極を根元部とするΠ字状の電極を含むように半導体基板内に設けられるソースと、
２本の直線状のドレイン電極を歯とし、また、これら２本のドレイン電極が垂直に接続される基幹ドレイン電極を根元部とするΠ字状の電極を含むように半導体基板内に設けられるドレインと、
ソースに電気的に接続されるソース配線部と、
ドレインに電気的に接続されるドレイン配線部と、
ソースとドレインとの間に形成されるチャネルと、
チャネルの上方に配置され、ゲート酸化膜に対して空間部を挟んで空中に設けられる梁構造の可動ゲートと、
を備える可動ゲート型電界効果トランジスタであって、
前記複数のソース電極と前記複数のドレイン電極とは略平行であって交互に配置され、かつ前記基幹ソース電極と前記基幹ドレイン電極とは略平行に配置されることを特徴とする可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記ソース配線部は、２本のソース電極接続部を歯とし、また、これら２本のソース電極接続部が垂直に接続されるソース主配線部を根元部とするΠ字状の配線部を含み、Π字状のソースに重ねて配置されるようにゲート酸化膜内に設けられ、また、
前記ドレイン配線部は、２本のドレイン電極接続部を歯とし、また、これら２本のドレイン電極接続部が垂直に接続されるドレイン主配線部とするΠ字状の配線部を含み、Π字状のドレインに重ねて配置されるようにゲート酸化膜内に設けられることを特徴とする請求項８に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部の幅に対してソース主配線部の幅が大きく構成され、また、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部の幅に対してドレイン主配線部の幅が大きく構成されることを特徴とする請求項９に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートは、両端を支持する支持部と、残る自由端である開放部と、を備え、
前記ソース引出配線部が開放部から引き出され、かつ前記ドレイン引出配線部が開放部から引き出されることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートの長手方向とソース引出配線部とが直交し、かつ、前記可動ゲートの長手方向とドレイン引出配線部とが直交することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１３】
前記ソースは、ソース電極または基幹ソース電極に電気的に接続されるように半導体基板内に設けられるソース引出電極を備え、
前記ドレインは、ドレイン電極または基幹ドレイン電極に電気的に接続されるように半導体基板内に設けられるドレイン引出電極を備えることを特徴とする請求項８に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１４】
前記可動ゲートは、両端を支持する支持部と、残る自由端である開放部と、を備え、
前記ソース引出電極が開放部から引き出され、かつ前記ドレイン引出電極が開放部から引き出されることを特徴とする請求項１３に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１５】
前記可動ゲートの長手方向とソース引出電極とが直交し、かつ、前記可動ゲートの長手方向とドレイン引出電極とが直交することを特徴とする請求項１３に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１６】
前記ソースは、Π字状の電極に対してさらにΠ字状の溝が形成され、
前記ドレインは、Π字状の電極に対してさらにΠ字状の溝が形成され、
前記ソース配線部は、ソースのΠ字状の溝内に配置され、２本のソース電極接続部を歯とし、また、これら２本のソース電極接続部が垂直に接続されるソース主配線部を根元部とするΠ字状の配線部を含み、また、
前記ドレイン配線部は、ドレインのΠ字状の溝内に配置され、２本のドレイン電極接続部を歯とし、また、これら２本のドレイン電極接続部が垂直に接続されるドレイン主配線部を根元部とするΠ字状の配線部を含むことを特徴とする請求項８に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１７】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートは、両端を支持する支持部と、残る自由端である開放部と、を備え、
前記ソース引出配線部が開放部から引き出され、かつ前記ドレイン引出配線部が開放部から引き出されることを特徴とする請求項１６に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１８】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートの長手方向とソース引出配線部とが直交し、かつ、前記可動ゲートの長手方向とドレイン引出配線部とが直交することを特徴とする請求項１６に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１９】
前記可動ゲートの長手方向と前記ソース電極の長手方向とが平行に配置され、かつ、前記可動ゲートの長手方向と前記ドレイン電極の長手方向とが平行に配置されることを特徴とする請求項８〜請求項１８の何れか一項に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２０】
前記可動ゲートの長手方向と前記ソース電極の長手方向とが直交するように配置され、かつ、前記可動ゲートの長手方向と前記ドレイン電極の長手方向とが直交するように配置されることを特徴とする請求項８〜請求項１８の何れか一項に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２１】
半導体基板と、
半導体基板の表面に覆われるゲート酸化膜と、
複数の直線状のソース電極を歯とし、また、これら複数のソース電極が垂直に接続される基幹ソース電極を根元部とする櫛歯状の電極を含むように半導体基板内に設けられるソースと、
複数の直線状のドレイン電極を歯とし、また、これら複数のドレイン電極が垂直に接続される基幹ドレイン電極を根元部とする櫛歯状の電極を含むように半導体基板内に設けられるドレインと、
ソースに電気的に接続されるソース配線部と、
ドレインに電気的に接続されるドレイン配線部と、
ソースとドレインとの間に形成されるチャネルと、
チャネルの上方に配置され、ゲート酸化膜に対して空間部を挟んで空中に設けられる梁構造の可動ゲートと、
を備える可動ゲート型電界効果トランジスタであって、
前記複数のソース電極と前記複数のドレイン電極とは略平行であって交互に配置され、かつ前記基幹ソース電極と前記基幹ドレイン電極とは略平行に配置されることを特徴とする可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２２】
前記ソース配線部は、複数のソース電極接続部を歯とし、また、これら複数のソース電極接続部が垂直に接続されるソース主配線部を根元部として櫛歯状の配線部を含み、櫛歯状のソースに重ねて配置されるようにゲート酸化膜内に設けられ、また、
前記ドレイン配線部は、複数のドレイン電極接続部を歯とし、また、これら複数のドレイン電極接続部が垂直に接続されるドレイン主配線部を根元部として櫛歯状の配線部を含み、櫛歯状のドレインに重ねて配置されるようにゲート酸化膜内に設けられることを特徴とする請求項２１に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２３】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部の幅に対してソース主配線部の幅が大きく構成され、また、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部の幅に対してドレイン主配線部の幅が大きく構成されることを特徴とする請求項２２に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２４】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートは、両端を支持する支持部と、残る自由端である開放部と、を備え、
前記ソース引出配線部が開放部から引き出され、かつ前記ドレイン引出配線部が開放部から引き出されることを特徴とする請求項２２または請求項２３に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２５】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートの長手方向とソース引出配線部とが直交し、かつ、前記可動ゲートの長手方向とドレイン引出配線部とが直交することを特徴とする請求項２２または請求項２３に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２６】
前記ソースは、ソース電極または基幹ソース電極に電気的に接続されるように半導体基板内に設けられるソース引出電極を備え、
前記ドレインは、ドレイン電極または基幹ドレイン電極に電気的に接続されるように半導体基板内に設けられるドレイン引出電極を備えることを特徴とする請求項２１に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２７】
前記可動ゲートは、両端を支持する支持部と、残る自由端である開放部と、を備え、
前記ソース引出電極が開放部から引き出され、かつ前記ドレイン引出電極が開放部から引き出されることを特徴とする請求項２６に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２８】
前記可動ゲートの長手方向とソース引出電極とが直交し、かつ、前記可動ゲートの長手方向とドレイン引出電極とが直交することを特徴とする請求項２６に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２９】
前記ソースは、櫛歯状の電極に対してさらに櫛歯状の溝が形成され、
前記ドレインは、櫛歯状の電極に対してさらに櫛歯状の溝が形成され、
前記ソース配線部は、ソースの櫛歯状の溝内に配置され、複数のソース電極接続部を歯とし、また、これら複数のソース電極接続部が垂直に接続されるソース主配線部を根元部とする櫛歯状の配線部を含み、また、
前記ドレイン配線部は、ドレインの櫛歯状の溝内に配置され、複数のドレイン電極接続部を歯とし、また、これら複数のドレイン電極接続部が垂直に接続されるドレイン主配線部とする櫛歯状の配線部を含むことを特徴とする請求項２１に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項３０】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートは、両端を支持する支持部と、残る自由端である開放部と、を備え、
前記ソース引出配線部が開放部から引き出され、かつ前記ドレイン引出配線部が開放部から引き出されることを特徴とする請求項２９に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項３１】
前記ソース配線部は、ソース電極接続部またはソース主配線部に電気的に接続されるソース引出配線部を備え、
前記ドレイン配線部は、ドレイン電極接続部またはドレイン主配線部に電気的に接続されるドレイン引出配線部を備え、
前記可動ゲートの長手方向とソース引出配線部とが直交し、かつ、前記可動ゲートの長手方向とドレイン引出配線部とが直交することを特徴とする請求項２９に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項３２】
前記可動ゲートの長手方向と前記ソース電極の長手方向とが平行に配置され、かつ、前記可動ゲートの長手方向と前記ドレイン電極の長手方向とが平行に配置されることを特徴とする請求項２１〜請求項３１の何れか一項に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項３３】
前記可動ゲートの長手方向と前記ソース電極の長手方向とが直交するように配置され、かつ、前記可動ゲートの長手方向と前記ドレイン電極の長手方向とが直交するように配置されることを特徴とする請求項２１〜請求項３１の何れか一項に記載の可動ゲート型電界効果トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical Systems：微小電気機械素子）技術を用いて形成される可動ゲート型電界効果トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
可動ゲート型電界効果トランジスタが、図を参照しつつ説明される。図３０は可動ゲート型電界効果トランジスタの説明図であり、図３０（ａ）は平面図、図３０（ｂ）はａ−ａ線断面図、図３０（ｃ）はｂ−ｂ線断面図、図３０（ｄ）は内部構造図である。
可動ゲート型電界効果トランジスタ５００は、半導体基板５０１、ゲート酸化膜５０２、ソース５０３、チャネル５０４、ドレイン５０５、ソース配線部５０６、ドレイン配線部５０７、ソース側接続部５０８、ドレイン側接続部５０９、支持体５１０，５１１、可動ゲート５１２、空間部（gap)５１３を備える。
【０００３】
可動ゲート型電界効果トランジスタ５００は、チャネル５０４上のゲート酸化膜５０２と、可動ゲート５１２と、の間に空間部（gap）５１３を有している。このため可動ゲート５１２が変位すると、可動ゲート５１２とゲート酸化膜５０２との間の空間部５１３の距離も変化する。そして、この空間部５１３の距離の変化に応じてチャネル５０４に誘起されるキャリアの密度が変化するため、ドレイン電流も変化する。このような可動ゲート型電界効果トランジスタ５００は、例えば、機械スイッチ、共振器、メモリなどの用途で使用される。
【０００４】
また、可動ゲート型電界効果トランジスタ５００は、加速度センサの用途でも使用される。可動ゲート５１２の質量部分が加速されたとき、梁構造の可動ゲート５１２は力により変位させられる。そして、可動ゲート５１２の変位に応じてドレイン電流が変化する。  さらに、このような加速度センサ（つまり可動ゲート型電界効果トランジスタ）が、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４および非特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０６−２０４５０２号公報
【特許文献２】特開２０００−１０８０９９号公報
【特許文献３】特開平９−１８０１５号公報
【特許文献４】特開平８−３３５７０５号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】M. Fernandez-Bolanos, N. Abele, D. Bouvet, V. Pott, G-A. Racine, J.M. Quero, A.M. Ionescu, "Polyimide sacrificial layer process for SOI SG-MOSFET pressure sensor ", 2006, Journal of MicroElectronic Engineering, Vol.83, pp. 1185-1188
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来技術の可動ゲート型電界効果トランジスタ５００は、大きなドレイン電流が取り出せないという欠点があった。
ドレイン電流は、空間部５１３の距離に加え、図３０（ｄ）に示すように、チャンネル５０４の長さ（ソース５０３やドレイン５０５の長手方向の長さでもある）であるチャネル幅ａにも依存する。チャネル幅ａを長くすれば、ドレイン電流が大きくなる。チャネル５０４は、平行な一対のドレイン５０３とソース５０５とにより挟まれる領域である。そこで、ドレイン５０３とソース５０５とを長手方向に沿って直線状に伸ばすとチャネル幅ａも長くなる。しかしながら、チャネル５０４は可動ゲート５１２の下側に位置する必要があり、可動ゲート５１２の長さを超えてチャネル幅ａを長くすることはできなかった。このため、十分な大きさのドレイン電流を確保できず、期待される素子特性が得られないという課題があった。例えば機械スイッチとしての応用では、扱える電流値が小さくなり、適用用途が制限されるという問題があった。
【０００８】
そこでこの発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、チャネル幅を大きくするソース・ドレイン構造を採用し、ドレイン電流の大きさを増加させる可動ゲート型電界効果トランジスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の特徴をなす可動ゲート型電界効果トランジスタは、以下のようになる。
まず、ソースは、複数の直線状のソース電極を含むように構成される。また、ドレインは複数の直線状のドレイン電極を含むように構成される。そして、これら複数のソース電極と複数のドレイン電極とが略平行であって交互に配置される。
このような可動ゲート型電界効果トランジスタは、ソース電極とドレイン電極との間に形成されるチャネルも複数となって、可動ゲートの長さと比較して、チャネル幅の全長が大幅に長くなり、大きなドレイン電流が取り出せるようになる。
【００１０】
ここで、櫛歯状のソース配線部がソース電極に接続され、また、櫛歯状のドレイン配線部がドレイン電極に接続される構成を採用したため、ソース電極やドレイン電極への接触面を多くして配線抵抗を低減し、ドレイン電流を効率的に流すことができる。この際、櫛歯状のソース配線部やドレイン配線部の根元部の幅を大きくするとさらに配線抵抗を低減し、ドレイン電流をより効率的に流すことができる。
【００１１】
また、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部は可動ゲートの開放部から引き出されており、可動ゲートの下側にある配線部を少なくして、静電結合の発生を少なくしている。これは、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部が可動ゲートの長手方向と直交するように配置しても実現される。さらにソース引出配線部が一方の開放部から引き出され、ドレイン引出配線部が他方の開放部から引き出されるようにしてソースとドレインと間の不要な電気的な干渉をなくすようにすると良い。
【００１２】
さらにまた、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行か垂直に配置されるようにすると良い。これにより、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【００１３】
また、本発明の特徴をなす他の可動ゲート型電界効果トランジスタは、以下のようになる。
まず、ソースは、２本の直線状のソース電極が基幹ソース電極に垂直に接続されるΠ字状の電極を含むように構成される。また、ドレインは、２本の直線状のドレイン電極が基幹ドレイン電極に垂直に接続されるΠ字状の電極を含むように構成される。そして、これら２本のソース電極と２本のドレイン電極とが略平行であって交互に配置され、かつ基幹ソース電極と基幹ドレイン電極とが略平行に配置される。
このような可動ゲート型電界効果トランジスタは、ソースとドレインとの間に形成されるチャネルがつづら折り状のチャネル（矩形歯状のチャネル）となって、チャネル幅も長くなり、大きなドレイン電流が取り出せるようになる。特に、ソース電極と基幹ドレイン電極との間、および、ドレイン電極と基幹ソース電極との間、にも、チャネルが形成されてチャネル幅がさらに長くなっている。
【００１４】
ここで、Π字状のソース配線部がΠ字状のソース電極に接続され、また、Π字状のドレイン配線部がΠ字状のドレイン電極に接続される構成を採用したため、ソース電極とソース配線部との接触面やドレイン電極とドレイン配線部の接触面を多くすることで配線抵抗を少なくし、ドレイン電流を効率的に流すことができる。この際、Π字状のソース配線部やドレイン配線部の根元部の幅を大きくすると配線抵抗がさらに少なくなってドレイン電流をより効率的に流すことができる。
また、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部は可動ゲートの開放部から引き出されており、可動ゲートの下側にある配線部を少なくして、静電結合の発生を少なくしている。これは、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部が可動ゲートの長手方向と直交するように配置しても実現される。
さらにソース引出配線部が一方の開放部から引き出され、ドレイン引出配線部が他方の開放部から引き出されるようにしてソースとドレインと間の不要な電気的な干渉をなくすようにすると良い。
【００１５】
また、Π字状のソース電極に電気的に接続されるソース引出電極と、Π字状のドレイン電極に電気的に接続されるドレイン引出電極とを半導体基板内に形成する構成を採用しても良い。ゲート酸化膜内にソース配線部やドレイン配線部を配線せずに半導体基板内のソース引出電極やドレイン引出電極を直接可動ゲート外へ引き出す配線としているため、ゲート酸化膜を薄く形成することができる。
この場合も、ソースのソース引出電極やドレインのドレイン引出電極は可動ゲートの開放部から引き出されるようにして、可動ゲートの下側にある配線部を少なくして、静電結合の発生を少なくしている。これは、ソースのソース引出電極やドレインのドレイン引出電極が可動ゲートの長手方向と直交するような配線を採用することでも実現される。
さらにソース引出電極が一方の開放部から引き出され、ドレイン引出電極が他方の開放部から引き出されるようにしてソースとドレインと間の不要な電気的な干渉をなくすようにすると良い。
【００１６】
さらにまた、Π字状のソース配線部がソース電極のΠ字状の溝内に配置され、また、Π字状のドレイン配線部がドレイン電極のΠ字状の溝内に配置される構成を採用したため、ソース電極やドレイン電極への接触面を多くして配線抵抗を少なくし、ドレイン電流を効率的に流すことができる。そして、ゲート酸化膜内にソース配線部やドレイン配線部を配置せずに半導体基板内にソース引出配線部やドレイン引出配線部を配置しているため、ゲート酸化膜を薄く形成することができる。
この場合も、配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部は可動ゲートの開放部から引き出されており、可動ゲートの下側にある配線部を少なくして、静電結合の発生を少なくしている。これは、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部が可動ゲートの長手方向と直交するように配置しても実現される。
さらにソース引出配線部が一方の開放部から引き出され、ドレイン引出配線部が他方の開放部から引き出されるようにしてソースとドレインと間の不要な電気的な干渉をなくすようにすると良い。
【００１７】
さらにまた、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行か垂直に配置されるようにすると良い。これにより、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【００１８】
また、本発明の特徴をなす他の可動ゲート型電界効果トランジスタは、以下のようになる。
まず、ソースは、複数の直線状のソース電極が基幹ソース電極に垂直に接続される櫛歯状のソース電極として構成される。また、ドレインは、複数の直線状のドレイン電極が基幹ドレイン電極に垂直に接続される櫛歯状のドレイン電極として構成される。そして、これら複数のソース電極と複数のドレイン電極とが略平行であって交互に配置され、かつ基幹ソース電極と基幹ドレイン電極とが略平行であって交互に配置される。
このような可動ゲート型電界効果トランジスタは、ソースとドレインとの間に形成されるチャネルがつづら折り状のチャネル（矩形歯状のチャネル）となって、チャネル幅も長くなり、大きなドレイン電流が取り出せるようになる。特に、ソース電極と基幹ドレイン電極との間、および、ドレイン電極と基幹ソース電極との間、にも、チャネルが形成されてチャネル幅がさらに長くなっている。
【００１９】
ここで、櫛歯状のソース配線部が櫛歯状のソース電極に接続され、また、櫛歯状のドレイン配線部が櫛歯状のドレイン電極に接続される構成を採用したため、ソース電極やドレイン電極への接触面を多くして配線抵抗を少なくし、ドレイン電流を効率的に流すことができる。この際、櫛歯状のソース配線部やドレイン配線部の根元部の幅を大きくすることでさらに配線抵抗を少なくし、ドレイン電流をより効率的に流すことができる。
この場合も、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部は可動ゲートの開放部から引き出されており、可動ゲートの下側にある配線部を少なくして、静電結合の発生を少なくしている。これは、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部が可動ゲートの長手方向と直交するように配置しても実現される。
さらにソース引出配線部が一方の開放部から引き出され、ドレイン引出配線部が他方の開放部から引き出されるようにしてソースとドレインと間の不要な電気的な干渉をなくすようにすると良い。
【００２０】
また、櫛歯状のソース電極に電気的に接続されるソース引出電極と、櫛歯状のドレイン電極に電気的に接続されるドレイン引出電極とを半導体基板内に形成する構成を採用しても良い。ゲート酸化膜内にソース配線部やドレイン配線部を配線せずに半導体基板内のソース引出電極やドレイン引出電極を直接可動ゲート外へ引き出す配線としているため、ゲート酸化膜を薄く形成することができる。
この場合も、ソース引出電極やドレイン引出電極は可動ゲートの開放部から引き出されるようにして、可動ゲートの下側にある配線部を少なくし、静電結合の発生を少なくしている。これは、ソース引出電極やドレイン引出電極が可動ゲートの長手方向と直交するような配線を採用することでも実現される。
さらにソース引出電極が一方の開放部から引き出され、ドレイン引出電極が他方の開放部から引き出されるようにしてソースとドレインと間の不要な電気的な干渉をなくすようにすると良い。
【００２１】
さらにまた、櫛歯状のソース配線部が櫛歯状のソース電極の櫛歯状の溝内に配置され、また、櫛歯状のドレイン配線部が櫛歯状のドレイン電極の櫛歯状の溝内に配置される構成を採用したため、ソース電極とソース配線部との接触面やドレイン電極とドレイン配線部との接触面を多くしてドレイン電流を効率的に流すことができる。そして、ゲート酸化膜内にソース配線部やドレイン配線部を配置せずに半導体基板内にソース引出配線部やドレイン引出配線部を配置しているため、ゲート酸化膜を薄く形成することができる。
この場合も、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部は可動ゲートの開放部から引き出されており、可動ゲートの下側にある配線部を少なくして、静電結合の発生を少なくしている。これは、ソース配線部のソース引出配線部やドレイン配線部のドレイン引出配線部が可動ゲートの長手方向と直交するように配置しても実現される。
さらにソース引出配線部が一方の開放部から引き出され、ドレイン引出配線部が他方の開放部から引き出されるようにしてソースとドレインと間の不要な電気的な干渉をなくすようにすると良い。
【００２２】
さらにまた、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行か垂直に配置されるようにすると良い。これにより、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、チャネル幅を大きくするソース・ドレイン構造を採用し、ドレイン電流の大きさを増加させる可動ゲート型電界効果トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は正面図、図１（ｃ）は側面図である。
【図２】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図２（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図２（ｂ）はＡ−Ａ線断面図、図２（ｃ）はＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】チャネル幅の説明図である。
【図４】Ａ−Ａ断面から見た可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法の工程図である。
【図５】Ｂ−Ｂ断面から見た可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法の工程図である。
【図６】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は正面図、図６（ｃ）は側面図である。
【図７】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図７（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図７（ｂ）はＣ−Ｃ線断面図、図７（ｃ）はＤ−Ｄ線断面図である。
【図８】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図８（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図８（ｂ）はチャネル幅の説明図である。
【図９】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図９（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図９（ｂ）はＥ−Ｅ線断面図、図９（ｃ）はＦ−Ｆ線断面図である。
【図１０】チャネル幅の説明図である。
【図１１】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図１２】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図１３】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図１３（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図１３（ｂ）はＧ−Ｇ線断面図、図１３（ｃ）はＨ−Ｈ線断面図である。
【図１４】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図１５】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図１６】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図１６（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図１６（ｂ）はＩ−Ｉ線断面図、図１６（ｃ）はＪ−Ｊ線断面図である。
【図１７】可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法の工程図である。
【図１８】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図１９】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図２０】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図２０（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図２０（ｂ）はＫ−Ｋ線断面図、図２０（ｃ）はＬ−Ｌ線断面図である。
【図２１】チャネル幅の説明図である。
【図２２】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図２３】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図２４】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図２４（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図２４（ｂ）はＭ−Ｍ線断面図、図２４（ｃ）はＮ−Ｎ線断面図である。
【図２５】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図２６】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図２７】可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図２７（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図２７（ｂ）はＯ−Ｏ線断面図、図２７（ｃ）はＰ−Ｐ線断面図である。
【図２８】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図２９】可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。
【図３０】可動ゲート型電界効果トランジスタの説明図であり、図３０（ａ）は平面図、図３０（ｂ）はａ−ａ線断面図、図３０（ｃ）はｂ−ｂ線断面図、図３０（ｄ）は内部構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
続いて、本発明を実施するための形態の可動ゲート型電界効果トランジスタ１について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ１の構成について図を参照しつつ説明する。図１は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は正面図、図１（ｃ）は側面図である。図２は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図２（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図２（ｂ）はＡ−Ａ線断面図、図２（ｃ）はＢ−Ｂ線断面図である。図３はチャネル幅の説明図である。
【００２６】
可動ゲート型電界効果トランジスタ１は、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、複数のソース電極１７、複数のドレイン電極１８、ソース配線部１９、ドレイン配線部２０、複数のチャネル２１を備える。
【００２７】
半導体基板１１は、平面度が高い表面を有するｐ型のシリコン基板である。
ゲート酸化膜１２は、半導体基板１１の表面を覆うシリコン酸化膜である。
【００２８】
ソース側接続部１３は、一端が外界に露出しており、また、他端がゲート酸化膜１２内でソース配線部１９と電気的に接続されている。このソース側接続部１３には各種の配線が接続されることとなる。
ドレイン側接続部１４は、一端が外界に露出しており、また、他端がゲート酸化膜１２内でドレイン配線部２０と電気的に接続されている。このドレイン側接続部１４には各種の配線が接続されることとなる。
【００２９】
可動ゲート１５は、ポリシリコンにより形成されており、空間部１６を隔ててチャネル２１の上側に配置される矩形状の部材である。可動ゲート１５は、２個の支持部１５ａにより矩形状部材の両方の短辺側で支持され、残る長辺側では自由端であって開放部１５ｂが形成される。このような支持部１５ａに支持される可動ゲート１５は、梁構造体となっており、図１（ｃ）で示す矢印γ方向（ゲート酸化膜１２の表面に対して垂直方向）に可動ゲート１５の中央部が移動する。なお、支持部１５ａはシリコン酸化膜を加工して形成される。
空間部１６は、ゲート酸化膜１２と可動ゲート１５との間に挟まれる空間である。
【００３０】
ソース電極１７は、ｐ型シリコン基板である半導体基板１１上に形成された不純物拡散層（ｎ+注入層）である直線状の電極である。これら複数のソース電極１７が平行に配置されてソースが構成される。
ドレイン電極１８は、ｐ型シリコン基板である半導体基板１１上に形成された不純物拡散層（ｎ+注入層）である直線状の電極である。これら複数のドレイン電極１８が平行に配置されてドレインが構成される。
【００３１】
ソース配線部１９は、複数（ソース電極１７と同数）のソース電極接続部１９ａ、ソース主配線部１９ｂ、ソース引出配線部１９ｃを備える。ソース配線部１９は、複数のソース電極接続部１９ａを歯とし、また、これら複数のソース電極接続部１９ａが垂直に接続されるソース主配線部１９ｂを根元部として櫛歯状に形成され、複数のソース電極接続部１９ａと複数のソース電極１７とが重ねて配置されるようにゲート酸化膜１２内に設けられる。ソース配線部１９はポリシリコンにより一体に形成される層である。
ソース配線部１９では、 ソース電極接続部１９ａの幅（図２（ａ）中の左右方向の幅）に対してソース主配線部１９ｂの幅（図２（ａ）中の上下方向の幅）が大きく構成され、ソース配線部１９の配線抵抗を低減している。
【００３２】
ドレイン配線部２０は、複数（ドレイン電極１８と同数）のドレイン電極接続部２０ａ、ドレイン主配線部２０ｂ、ドレイン引出配線部２０ｃを備える。ドレイン配線部２０は、複数のドレイン電極接続部２０ａを歯とし、また、これら複数のドレイン電極接続部２０ａが垂直に接続されるドレイン主配線部２０ｂを根元部として櫛歯状に形成され、複数のドレイン電極接続部２０ａと複数のドレイン電極１８とが重ねて配置されるようにゲート酸化膜１２内に設けられる。ドレイン配線部２０はポリシリコンにより一体に形成される層である。
ドレイン配線部２０は、ドレイン電極接続部２０ａの幅（図２（ａ）中の左右方向の幅）に対してドレイン主配線部２０ｂの幅（図２（ａ）中の上下方向の幅）が大きく構成され、ドレイン配線部２０の配線抵抗を低減している。
【００３３】
チャネル２１は、半導体基板１１のうちソース電極１７とドレイン電極１８との間の領域である。本発明の特徴的構成であり、図３で示すように、複数のソース電極１７と複数のドレイン電極１８とが略平行であり、かつそれぞれ交互に配置されるため、チャネル２１も複数領域形成される。ソース電極１７とドレイン電極１８とがともにｎ個（本形態では３個）あるならば、チャネル２１は２ｎ−１個（本形態では５個）形成されることとなる。このようにチャネル２１において単位ゲート面積あたりの実効チャンネル幅を増加させることで、ドレイン・ソース間電流を増加させている。
可動ゲート型電界効果トランジスタ１の構成はこのようなものである。
【００３４】
続いて可動ゲート型電界効果トランジスタ１の機能について説明する。
このような可動ゲート型電界効果トランジスタ１は、チャネル２１上のゲート酸化膜１２と、可動ゲート１５と、の間に空間部（gap）１６を有している。このため可動ゲート１５が変位すると、可動ゲート１５とゲート酸化膜１２との間の空間部１６の距離も変化する。そして、この空間部１６の距離の変化に応じて空間部１６の電界が変化し、チャネル２１に誘起されるキャリアの密度が変化してドレイン電流も変化する。
可動ゲート型電界効果トランジスタ１の機能はこのようなものである。
【００３５】
続いて、このような可動ゲート型電界効果トランジスタ１の製造方法について図を参照しつつ説明する。図４はＡ−Ａ断面（図２（ａ）参照）から見た可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法の工程図である。図５はＢ−Ｂ断面（図２（ａ）参照）から見た可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法の工程図である。
【００３６】
可動ゲート型電界効果トランジスタ１の製造方法では、犠牲層を用いて可動ゲートを形成する犠牲層プロセスを用いる。
図４（ａ），図５（ａ）は、ソース電極・ドレイン電極形成前状態の説明図である。これまでの工程について概略説明する。Ｓｉ（シリコン）製の半導体基板１１の表面に、熱酸化膜を形成する（熱酸化膜形成工程）。そして、熱酸化膜にレジストを形成してエッチング加工して中央にくぼみを形成してからレジストを剥離除去し、図５（ａ）で示す熱酸化膜２２を形成する（支持部形成工程）。熱酸化膜２２は可動ゲートの支持部となる。
【００３７】
そして、図４（ｂ），図５（ｂ）に示すように、熱酸化により半導体基板１１にゲート酸化膜２３を形成する（ゲート酸化膜形成工程）。ゲート酸化膜２３は熱酸化膜２２の下側にも形成される。
【００３８】
そして、図４（ｃ），図５（ｃ）に示すように、マスク２４が熱酸化膜２２やゲート酸化膜２３の上面に形成される（マスク形成工程）。詳しくは、フォトレジストが、ゲート酸化膜２３の上面に塗布される。そしてフォトレジストが感光されてパターニングが行われる。パターニングは、通常の等倍紫外線露光や縮小紫外線露光などにより行われる。等倍紫外線露光か縮小紫外線露光かは、必要な線幅に応じて決定される。このようにして、ソース電極・ドレイン電極を形成するためのマスク２４が形成される。
【００３９】
そして、図４（ｄ），図５（ｄ）に示すように、イオン注入および熱処理による拡散で不純物拡散層とした複数のソース電極１７および複数のドレイン電極１８を形成する（ソース電極・ドレイン電極形成工程）。
【００４０】
そして、図４（ｅ），図５（ｅ）に示すように、マスク２４を除去する（マスク除去工程）。フォトレジストであるマスクは、プラズマアッシング装置によりアッシング除去される。
【００４１】
そして、図４（ｆ），図５（ｆ）に示すように、コンタクトホール２５を形成する（コンタクトホール形成工程）。ソース電極とソース配線部とを電気的に接続し、および、ドレイン電極とドレイン配線部とを電気的に接続するための準備として、ソース電極およびドレイン電極の上のゲート酸化膜２３に配線用の櫛歯状のコンタクトホール２５を形成する。具体的にはフォトレジストのパターニングにより櫛歯状のコンタクトホール形成箇所を外界に露出するマスクの形成工程、エッチングによりゲート酸化膜を除去するコンタクトホール形成工程、フォトレジストのアッシング除去工程、が行われる。
【００４２】
そして、図４（ｇ），図５（ｇ）に示すように、配線部用のポリシリコンを堆積する（ポリシリコン堆積工程）。ポリシリコン（Poly-Si）層２６は、化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法により堆積される。
【００４３】
そして、図４（ｈ），図５（ｈ）に示すように、ソース配線部１９・ドレイン配線部２０を形成する（ソース配線部・ドレイン配線部形成工程）。ソース配線部およびドレイン配線部を形成するための準備として、ポリシリコン層上に配線用の櫛歯状のソース配線部・ドレイン配線部のマスクを形成する。具体的にはフォトレジストのパターニングにより櫛歯状のソース配線部・ドレイン配線部の形成箇所を覆うマスクの形成工程、エッチングによりポリシリコン層を除去する除去工程、マスクであるフォトレジストのアッシング除去工程、ゲート酸化膜１２の形成工程が行われる。
【００４４】
そして、図４（ｉ），図５（ｉ）に示すように、犠牲層２７を形成する（犠牲層形成工程）。例えば、フォトレジストと同様の取り扱いができる感光性ポリイミドが塗布され、パターニングをする。このような感光性ポリイミドが感光されてパターニングが行われる。パターニングは、通常の等倍紫外線露光や縮小紫外線露光などにより行われる。また、パターニング後に熱処理され、犠牲層２７が形成される。
【００４５】
そして、図４（ｊ），図５（ｊ）に示すように、可動ゲート１５を形成する（可動ゲート形成工程）。ポリシリコン層が、犠牲層、ゲート酸化膜および酸化膜を覆うようにスパッタ法や蒸着法などを用いて堆積される。そしてこのポリシリコン層の上面にマスクが形成される。詳しくは、フォトレジストが、ポリシリコン層の上面に塗布される。そしてフォトレジストが感光されてパターニングが行われる。パターニングは、通常の等倍紫外線露光や縮小紫外線露光などにより行われる。このようにして、可動ゲート用のマスクが形成される。そしてマスクで覆われている箇所を除いて、エッチングにより除去されて、可動ゲート１５の形状に加工される。そして、このマスクは、プラズマアッシング装置によりアッシング除去され、可動ゲート１５が形成される。
【００４６】
そして、図４（ｋ），図５（ｋ）に示すように、犠牲層２７が除去される（犠牲層除去工程図）である。有機材料の犠牲層は、プラズマエッチングにより短時間に除去される。本形態では、ガスとしてＯ２とＨ２Ｏガスとを適用した表面弾性波プラズマエッチングを適用した。なお、通常のＯ２ガスを用いたプラズマエッチング、ＣＦ４やＳＦ６等のフッ素系ガス単体を用いたプラズマエッチング、または、フッ素系ガスにＯ２を混合した混合ガスを用いたプラズマエッチングも適用できる。さらに、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）などの手法も適用可能である。これらの手法は、エッチング速度、他材質とのエッチング選択比を考慮して選択すれば良い。
その後水素アニール工程で歪みの影響除去およびＳｉと電極とのコンタクト抵抗低減等を行い、可動ゲート型電界効果トランジスタ１とする。
【００４７】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ１についての説明がなされた。
特に図３からも明らかなように、複数（本形態で３本）のソース電極１７と複数（本形態で３本）のドレイン電極１８とにより複数（本形態で５本）のチャネル２１を形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。すなわち、複数のチャネル幅の総和（本形態では５ａ）がチャネル幅の全長となっている。このため、可動ゲート１５のγ方向（図１（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【００４８】
また、ゲート酸化膜１２内でポリシリコン（Poly-Si）層という半導体層で形成された櫛歯状のソース配線部１９の根元部のソース主配線部１９ｂやソース引出配線部１９ｃ、および、ドレイン配線部２０の根元部のドレイン主配線部２０ｂやドレイン引出配線部２０ｃの配線幅を広くすることで、配線抵抗の低減を実現している。この点でも可動ゲート１５の変位に対して、従来技術と比較して、大きなドレイン電流を得ることができる。
【００４９】
また、ソース配線部１９のソース引出配線部１９ｃとドレイン配線部２０のドレイン引出配線部２０ｃとを前後逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【００５０】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ１とすることができる。
【００５１】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタを改良した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ２の構成について図を参照しつつ説明する。図６は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は正面図、図６（ｃ）は側面図である。図７は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図７（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図７（ｂ）はＣ−Ｃ線断面図、図７（ｃ）はＤ−Ｄ線断面図である。
【００５２】
可動ゲート型電界効果トランジスタ２は、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、複数のソース電極１７、複数のドレイン電極１８、ソース配線部１９、ドレイン配線部２０、複数のチャネル２１を備える。
【００５３】
先に図１〜図３を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ１と比較すると、先の形態では図１で示すようにソース側接続部１３やドレイン側接続部１４が可動ゲート１５の支持部１５ａの近くに配置されていたのに対し、本形態では図６で示すようにソース側接続部１３やドレイン側接続部１４が可動ゲート１５の開放部１５ｂの近くに配置されている点が相違する。
【００５４】
また、先の形態では図２（ａ）で示すようにソース配線部１９のソース引出配線部１９ｃやドレイン配線部２０のドレイン引出配線部２０ｃが可動ゲート１５の支持部１５ａの近くから引き出されていたのに対し、本形態では図７（ａ）で示すようにソース配線部１９のソース引出配線部１９ｃやドレイン配線部２０のドレイン引出配線部２０ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂの近くから引き出されている点が相違する。
【００５５】
そして、換言すれば、このソース配線部１９のソース引出配線部１９ｃやドレイン配線部２０のドレイン引出配線部２０ｃでは、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とソース引出配線部１９ｃの引出方向（矢印β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とドレイン引出配線部２０ｃの引出方向（矢印β方向）とが直交している点が相違する。
【００５６】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース配線部１９およびドレイン配線部２０を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【００５７】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ２についての説明がなされた。
特に図７からも明らかなように、複数のソース電極１７と複数のドレイン電極１８とにより複数のチャネルを形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。すなわち、複数のチャネル幅の総和がチャネル幅の全長となっている。このため、可動ゲート１５のγ方向（図６（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【００５８】
また、ゲート酸化膜１２内でポリシリコン（Poly-Si）層という半導体層で形成された櫛歯状のソース配線部１９の根元部のソース主配線部１９ｂやソース引出配線部１９ｃ、および、ドレイン配線部２０の根元部のドレイン主配線部２０ｂやドレイン引出配線部２０ｃの配線幅をともに広くすることで、配線抵抗の低減を実現している。この点でも可動ゲート１５の変位に対して、従来技術と比較して、大きなドレイン電流を得ることができる。
【００５９】
そして、本形態の特徴としては、ソース配線部１９のソース引出配線部１９ｃやドレイン配線部２０のドレイン引出配線部２０ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているため、先に説明した図２（ａ）のソース引出配線部１９やドレイン引出配線部２０が可動ゲート１５と重なる領域と比較して、本形態の図７（ａ）のソース引出配線部１９やドレイン引出配線部２０が可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とソース引出配線部１９ｃの引出方向（矢印β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とドレイン引出配線部２０ｃの引出方向（矢印β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部１９ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部２０ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ２のノイズ、クロストークを低減することができる。
【００６０】
また、ソース配線部１９のソース引出配線部１９ｃとドレイン配線部２０のドレイン引出配線部２０ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【００６１】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ２とすることができる。
【００６２】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ２を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ２’の構成について図を参照しつつ説明する。図８は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図８（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図８（ｂ）はチャネル幅の説明図である。外観は図６で示すような構成となる。
【００６３】
可動ゲート型電界効果トランジスタ２’は、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、複数のソース電極１７、複数のドレイン電極１８、ソース配線部１９、ドレイン配線部２０、複数のチャネル２１を備える。
なお、これら構成は複数のソース電極１７および複数のドレイン電極１８の配置方向が変更され、さらにソース配線部１９やドレイン配線部２０の配置方向も併せて変更された点を除いては、先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース電極１７、ドレイン電極１８、ソース配線部１９、ドレイン配線部２０を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【００６４】
先に図１〜図７を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ１，２では、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とソース電極１７の長手方向（矢印α方向）とが平行に配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とドレイン電極１８の長手方向（矢印α方向）とが平行に配置されるものであった。しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図８（ａ）で示すように、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とソース電極１７の長手方向（矢印β方向）とが直交するように配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とドレイン電極１８の長手方向（矢印β方向）とが直交するように配置されるようにしても良い。この場合も、図８（ｂ）で示すように、複数のキャリア２１が形成される。
このように、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行に配置されるときに加え、ソース電極の長手方向とドレイン電極の長手方向とが垂直に配置されるときも、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【００６５】
さらに、ソース配線部１９のソース引出配線部１９ｃやドレイン配線部２０のドレイン引出配線部２０ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているため、支持部１５ａの近くから引き出される場合と比較しても、本形態の図８（ａ）のソース引出配線部１９やドレイン引出配線部２０が可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とソース引出配線部１９ｃの引出方向（矢印β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とドレイン引出配線部２０ｃの引出方向（矢印β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部１９ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部２０ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ２’のノイズ、クロストークを低減することができる。
本形態の可動ゲート型電界効果トランジスタ２’でも上記した効果と同様の効果を奏しうるものである。
【００６６】
続いて、他の形態の可動ゲート型電界効果トランジスタ３について図を参照しつつ説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ３の構成について図を参照しつつ説明する。図９は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図９（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図９（ｂ）はＥ−Ｅ線断面図、図９（ｃ）はＦ−Ｆ線断面図である。図１０はチャネル幅の説明図である。外観は図６で示すような構成となる。
【００６７】
可動ゲート型電界効果トランジスタ３は、図６，図９，図１０で示すように、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、ソース２８（図１０参照）、ドレイン２９（図１０参照）、ソース配線部３０（図１０参照）、ドレイン配線部３１（図１０参照）、チャネル３２（図１０参照）を備える。先に図１〜図３を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ１と比較すると、先の形態では図２（ａ）で示すように複数のソース電極１７や複数のドレイン電極１８を平行に、かつ交互に配置した構成であるのに対し、本形態では図９，図１０で示すように、半導体基板１１上において、ソース２８とドレイン２９がΠ字状の電極を含むように構成し、ソース電極２８ａと基幹ドレイン電極２９ｂとの間、および、ドレイン電極２９ａと基幹ソース電極２８ｂとの間、にチャネル３２を形成する点が相違する。また、図２（ａ）で示すチャネル２１は複数個平行に構成されているのに対して、チャネル３２は連続した１つのチャネルとして構成されている。
【００６８】
さらに、先の形態ではソース配線部１９とドレイン配線部２０は櫛歯状に形成されていたが、本形態では図９，図１０で示すように、ゲート酸化膜１２内において、ソース配線部３０とドレイン配線部３１をΠ字状の配線部を含むように構成した点が相違する。
【００６９】
そして、本形態でも図９（ａ）で示すようにソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されている。
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【００７０】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース２８，ドレイン２９，ソース配線部３０，ドレイン配線部３１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【００７１】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ３についての説明がなされた。
特に図１０からも明らかなように、Π字状のソース２８とΠ字状のドレイン２９とを構成したためチャネル幅を大幅に長くしており、可動ゲート１５の長さ以上のチャンネル幅を実現している。特に、ソース電極２８ａと基幹ドレイン電極２９ｂとの間、および、ドレイン電極２９ａと基幹ソース電極２８ｂとの間、にも、チャネル３２が形成されてチャネル幅がさらに長くなっている。このため、可動ゲート１５の変位に対して、従来技術より大きなドレイン電流を得ることができる。
【００７２】
そして、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの近くから引き出される場合と比較しても、本形態では図９（ａ）のソース引出配線部３０ｃやドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部３０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部３１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ３のノイズ、クロストークを低減することができる。
【００７３】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃとドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【００７４】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ３とすることができる。
【００７５】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ３を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ３’の構成について図を参照しつつ説明する。図１１は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【００７６】
先に図９，図１０を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ３では、ソース配線部３０とドレイン配線部３１をΠ字状に構成し、ソース配線部３０のソース電極接続部３０ａにソース引出配線部３０ｃが接続され、ドレイン配線部３１のドレイン電極接続部３１ａにドレイン引出配線部３１ｃが接続され、これらソース引出配線部３０ｃやドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているものであった。
【００７７】
しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図１１で示すように、ソース電極接続部３０ａの幅に対してソース主配線部３０ｂの幅を大きく構成し、このソース主配線部３０ｂに同じ幅のソース引出配線部３０ｃを接続し、また、ドレイン電極接続部３１ａの幅に対してドレイン主配線部３１ｂの幅を大きく構成し、このドレイン主配線部３１ｂに同じ幅のドレイン引出配線部３１ｃを接続し、これらソース引出配線部３０ｃおよびドレイン引出配線部３１ｃを通じてドレイン電流を取り出すようにしても良い。
このようなソース配線部３０では、ソース電極接続部３０ａの幅に対してソース主配線部３０ｂおよびソース側引出先部３０ｃの幅が大きく構成されて、ソース配線部３０の配線抵抗を低減している。同様に、ドレイン配線部３１では、ドレイン電極接続部３１ａの幅に対してドレイン主配線部３１ｂおよびドレイン側引出先部３１ｃの幅が大きく構成され、ドレイン配線部３０の配線抵抗を低減している。
【００７８】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【００７９】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース２８，ドレイン２９，ソース配線部３０，ドレイン配線部３１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【００８０】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ３’についての説明がなされた。
特に図１１からも明らかなように、ソース２８とドレイン２９をΠ字状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。櫛歯状のため、可動ゲート１５のγ方向（図９（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【００８１】
また、ゲート酸化膜１２内でポリシリコン（Poly-Si）層という半導体層で形成された櫛歯状のソース配線部３０の根元部のソース主配線部３０ｂやソース引出配線部３０ｃおよびドレイン配線部３１の根元部のドレイン主配線部３１ｂやドレイン引出配線部３０ｃの配線幅を広くすることで、配線抵抗の低減を実現している。この点でも可動ゲート１５の変位に対して、従来技術と比較して、大きなドレイン電流を得ることができる。
【００８２】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの近くから引き出される場合と比較しても、本形態では図１１のソース引出配線部３０ｃやドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部３０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部３１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ３’のノイズ、クロストークを低減することができる。
【００８３】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃとドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【００８４】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ３’とすることができる。
【００８５】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ３を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ３”の構成について図を参照しつつ説明する。図１２は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【００８６】
先に図９，図１０を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ３では、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極２８ａの長手方向（α方向）とが平行に配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極２９ａの長手方向（α方向）とが平行に配置されるものであった。しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図１２で示すように、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極２８ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極２９ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置されるようにしても良い。
このように、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行に配置されるときに加え、ソース電極の長手方向とドレイン電極の長手方向とが垂直に配置されるときも、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【００８７】
そして、このソース配線部３０のソース電極接続部３０ａに接続されるソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン電極接続部３１ａに接続されるドレイン引出配線部３１ｃは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【００８８】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース２８，ドレイン２９，ソース配線部３０，ドレイン配線部３１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【００８９】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ３”についての説明がなされた。
特に図１２からも明らかなように、ソース２８とドレイン２９をΠ字状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図９（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【００９０】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの近くから引き出される場合と比較しても、本形態では図１２のソース引出配線部３０ｃやドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部３０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部３１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ３”のノイズ、クロストークを低減することができる。
【００９１】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃとドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【００９２】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ３”とすることができる。
【００９３】
続いて、他の形態の可動ゲート型電界効果トランジスタ４について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ４の構成について図を参照しつつ説明する。図１３は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図１３（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図１３（ｂ）はＧ−Ｇ線断面図、図１３（ｃ）はＨ−Ｈ線断面図である。外観は図６で示すような構成となる。
【００９４】
可動ゲート型電界効果トランジスタ３は、図６，図１３で示すように、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、ソース３３（図１３参照）、ドレイン３４（図１３参照）、ソース配線部３５（図１３参照）、ドレイン配線部３６（図１３参照）、チャネル３７（図１３参照）を備える。先に図９を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ３と比較すると、先の形態ではソース２８とドレイン２９をΠ字状に形成した構成であるのに対し、本形態では図１３で示すようにソース３３とドレイン３４をΠ字状に構成するとともにソース電極３３ａにソース引出電極３３ｃを接続し、また、ドレイン電極３４ａにドレイン引出電極３４ｃを接続するとともにソース引出電極３３ｃとドレイン引出電極３４ｃを可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出すように延伸させた点が相違している。
【００９５】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【００９６】
さらに、先の形態ではソース配線部３０とドレイン配線部３１はΠ字状に構成されていたが、本形態では図１３で示すようにソース配線部３５とドレイン配線部３６はゲート酸化膜１２から引き出せるような形状とすれば良い点が相違する。
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、先に図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース３３，ドレイン３４，ソース配線部３５，ドレイン配線部３６を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【００９７】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ４についての説明がなされた。
特に図１３（ａ）からも明らかなように、Π字状のソース３３とΠ字状のドレイン３４とを構成したためチャネル幅を大幅に長くしており、可動ゲート１５の長さ以上のチャンネル幅を実現している。特に、ソース電極３３ａと基幹ドレイン電極３４ｂとの間、および、ドレイン電極３４ａと基幹ソース電極３３ｂとの間、にも、チャネル３７が形成されてチャネル幅がさらに長くなっている。このため、可動ゲート１５のγ方向（図１３（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術より大きなドレイン電流を得ることができる。
【００９８】
そして、ソース３３のソース引出電極３３ｃやドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの側から引き出すよりも、ソース３３のソース引出電極３３ｃやドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース３３のソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出電極３３ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出電極３４ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ４のノイズ、クロストークを低減することができる。
【００９９】
また、ソース３３のソース引出電極３３ｃとドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１００】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ４とすることができる。
【０１０１】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ４を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ４’の構成について図を参照しつつ説明する。図１４は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１０２】
先に図１３を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ４では、ソース３３とドレイン３４をΠ字状の電極を含むように構成し、ソース３３のソース電極接続部３３ａにソース引出電極３３ｃが接続され、ドレイン３４のドレイン電極接続部３４ａにドレイン引出電極３４ｃが接続され、これらソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているものであった。
【０１０３】
しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図１４で示すように、可動ゲート型電界効果トランジスタ４’では、ソース３３とドレイン３４を櫛歯状に構成した。ソース３３の基幹ソース電極３３ｂにソース引出電極３３ｃが接続され、ドレイン３４の基幹ドレイン電極接続部３４ｂにドレイン引出電極３４ｃが接続され、これらソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているものとした。
【０１０４】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース３３のソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１０５】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース３３，ドレイン３４，ソース配線部３５，ドレイン配線部３６を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１０６】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ４’についての説明がなされた。
特に図１４からも明らかなように、ソース３３とドレイン３４を櫛歯状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図１３（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１０７】
また、ソース３３のソース引出電極３３ｃやドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの側から引き出すよりも、ソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出電極３３ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出電極３４ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ４’のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１０８】
また、ソース引出電極３３ｃとドレイン引出電極３４ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１０９】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ４’とすることができる。
【０１１０】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ４を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ４”の構成について図を参照しつつ説明する。図１５は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１１１】
先に図１３を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ４では、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極３３ａの長手方向（α方向）とが平行に配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極３４ａの長手方向（α方向）とが平行に配置されるものであった。しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図１５で示すように、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極３３ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極３４ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置されるようにした。
このように、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行に配置されるときに加え、ソース電極の長手方向とドレイン電極の長手方向とが垂直に配置されるときも、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【０１１２】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース３３のソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１１３】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図４，図５を用いて説明した製造方法に対して、ソース３３，ドレイン３４，ソース配線部３５，ドレイン配線部３６を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１１４】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ４”についての説明がなされた。
特に図１５からも明らかなように、ソース３３とドレイン３４をΠ字状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図１３（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１１５】
また、ソース３３のソース引出電極３３ｃやドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの側から引き出すよりも、ソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出電極３３ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出電極３４ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ４”のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１１６】
また、ソース引出電極３３ｃとドレイン引出電極３４ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１１７】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ４”とすることができる。
【０１１８】
続いて、他の形態の可動ゲート型電界効果トランジスタ５について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ５の構成について図を参照しつつ説明する。図１６は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図１６（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図１６（ｂ）はＩ−Ｉ線断面図、図１６（ｃ）はＪ−Ｊ線断面図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１１９】
可動ゲート型電界効果トランジスタ５は、図６，図１６で示すように、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、ソース３８（図１６参照）、ドレイン３９（図１６参照）、ソース配線部４０（図１６参照）、ドレイン配線部４１（図１６参照）、チャネル４２（図１６参照）を備える。先に図９を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ３と比較すると、先の形態では図９で示すようにΠ字状のソース２８の上側のゲート酸化膜１２内にソース配線部３０を配置し、また、Π字状のドレイン２９の上側のゲート酸化膜１２内にドレイン配線部３１を配置した構成であるのに対し、本形態では図１６（ｂ）で示すようにソース３８とドレイン３９に断面が凹字状（逆Π字状）となるように溝部を形成し、ソース３８の溝部内にΠ字状のソース配線部４０を設け、また、ドレイン３９の溝部内にΠ字状のドレイン配線部４１を設けた点が相違する。
【０１２０】
ソース配線部４０やドレイン配線部４１はタングステンを材料としている。このような構成によれば、ゲート酸化膜１２内には配線部がないため、間隔部１６を拡げている。これによって可動幅が制限されていた可動ゲート１５の上下可動範囲が拡大される。
【０１２１】
そして、本形態でも図１６（ａ）で示すようにソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃやドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されている。
可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（矢印α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。
【０１２２】
続いて製造方法について説明する。図１７は、可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法の工程図である。
まず、図１７（ａ）で示すように、周知技術のｎチャンネルＭＯＳＦＥＴの製造工程を用いて、チャンネルへの不純物導入、フィールド酸化膜形成、ゲート酸化膜形成を行う。
続いて図１７（ｂ）で示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、レジストマスク形成後、ゲート酸化膜ＣＦ系ガスで異方性エッチングする。続いて、シリコン製の半導体基板１１をＣＦ系およびＨＢｒ系ガスにより異方性ドライエッチングし、深さ０．５ｕｍのトレンチを形成する。
【０１２３】
続いて図１７（ｃ）で示すように、表面において１×１０１９〜１×１０２０〔ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〕程度のドープ濃度となるようにリンイオンを注入し、トレンチ内にドレイン／ソース領域に用いるｎ＋注入層を形成し、ソース３８、ドレイン３９を形成する。
続いて図１７（ｄ）で示すように、全面にノンドープのポリシリコン層を付着し、ボロンを高濃度に注入・拡散して高導電率化を図る。このとき、ドーピング源として、ＰＯＣｌ３を用いて、ポリシリコン内にリンをドープし、上記ドーピングの後、熱処理により活性化してｎ型の高濃度ドープポリシリコンを形成する。このとき、熱処理を行う場合のアニール条件を調整して、熱拡散によるリンの拡散する領域を制御し、トレンチ部の底に近い領域まで形成することが好ましい。また、このとき周知の方法でドープされたポリシリコン層を付着させてもよい。
【０１２４】
続いて図１７（ｅ）で示すように、全面に付着したポリシリコン層をマスクなしでＣＦ系およびＨＢｒ系ガスでドライエッチすることで、トレンチに埋設されたドレイン配線部４０／ソース配線部４１を形成する。
続いて図１７（ｆ）で示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、感光性ポリイミドをパターニングした後、３５０℃の熱処理を実施することで、犠牲層形成を行った。感光性ポリイミドの熱処理後の膜厚は５００ｎｍになるよう塗布条件を調整した。
なお、ポリイミドとしては感光性ポリイミドに限定されることはなく、非感光性ポリイミドをエッチング加工する手法でも問題はない。寸法精度、位置合せ精度を考慮して、手法を選択すれば良い。さらに、有機材料としてはポリイミド以外の一般的な有機材料（ポリアミド、エポキシ、アクリルなど）も適用することができるが、後工程での熱工程、脱ガス、表面平坦性、加工性、必要膜厚、犠牲層エッチング時の除去性などの諸条件を考慮して選択すれば良い。一般的には後工程でスパッタ成膜やフォトレジストパターニング工程が入ることからポリイミドを用いることが望ましいと言える。
【０１２５】
続いて、可動ゲートを形成するための材料を成膜する。今回の実施例では、ポリシリコンを膜厚１μｍで形成した。なお、可動ゲートの材質としては、導電性を有する材料であれば適用でき、単一金属ではＭＯＳ−ＦＥＴ工程との整合をとる場合にはＡｌを用いることができ、また、Ａｌの他にＡｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉなども適用できる。さらにまた、金属シリサイドなどの合金も適用可能である。また、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの無機絶縁材料なども適用できるが、絶縁材料の場合はゲート電極として機能させるために、なんらかの方法で導電性を付与する必要がある。
【０１２６】
次に、可動ゲートおよび配線を形成するために、フォトレジストをパターニングする。なお、図示は省略するが、配線は、前述したソース、ドレイン上に形成したコンタクトホール上まで形成される。
次にドライエッチング技術を用いてポリシリコンを所望の形状に加工し、可動ゲートと配線を形成する。加工方法としては、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）が望ましいが、イオンビームエッチングなどの手法や形状精度によっては湿式エッチングも適用可能である。また、他の材料を可動ゲートに適用した場合には、それぞれの材質によって加工方法を選択する必要がある。そのとき、他材質との選択性や加工精度、加工速度などを考慮して選択すれば良い。
次にフォトレジストをプラズマアッシングで除去することで所望の形状が得られる。
【０１２７】
次に、図１７（ｇ）で示すように、ポリイミドで形成された犠牲層を除去する。
除去方法として、ガスとしてＯ２とＨ２Ｏガスを適用した表面弾性波プラズマエッチングを用いた。除去方法としては、通常のＯ２ガスを用いたプラズマエッチングやＣＦ４やＳＦ６などのフッ素系ガス単体や、フッ素系ガスにＯ２を混合した混合ガスを用いたプラズマエッチングも適用できる。また、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）などの手法も適用可能である。これらの手法は、エッチング速度、他材質との選択比を考慮して選択すれば良い。
【０１２８】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ５についての説明がなされた。
特に図１６からも明らかなように、Π字状のソース３８とΠ字状のドレイン３９とを構成したためチャネル幅を大幅に長くしており、可動ゲート１５の長さ以上のチャンネル幅を実現している。特に、ソース電極３８ａと基幹ドレイン電極３９ｂとの間、および、ドレイン電極３９ａと基幹ソース電極３８ｂとの間、にも、チャネル４２が形成されてチャネル幅がさらに長くなっている。このため、可動ゲート１５の変位に対して、従来技術より大きなドレイン電流を得ることができる。
さらにまた、Π字状のソース配線部４０がソース３８のΠ字状の溝内に配置され、また、Π字状のドレイン配線部４１がドレイン３９のΠ字状の溝内に配置される構成を採用したため、ソース３８やドレイン３９への接触面を多くして配線抵抗を少なくし、ドレイン電流を効率的に流すことができる。そして、ゲート酸化膜１２内にソース配線部やドレイン配線部を配置せずに半導体基板内にソース引出配線部４０やドレイン引出配線部４１を配置しているため、ゲート酸化膜１２を薄く形成することができる。
【０１２９】
そして、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃやドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａから引き出す場合と比較して、本形態ではソース引出配線部４０ｃやドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部４０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部４１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ５のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１３０】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃとドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１３１】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ５とすることができる。
【０１３２】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ５を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ５’の構成について図を参照しつつ説明する。図１８は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１３３】
先に図１６を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ５では、ソース３８とドレイン３９がΠ字状の電極を含むように構成するとともにソース配線部４０とドレイン配線部４１をΠ字状の配線部を含むように構成し、ソース配線部４０のソース電極接続部４０ａにソース引出配線部４０ｃが接続され、ドレイン配線部４１のドレイン電極接続部４１ａにドレイン引出配線部４１ｃが接続され、これらソース引出配線部４０ｃやドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているものであった。
【０１３４】
しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図１８で示すように、ソース配線部４０およびドレイン配線部４１を櫛歯状に形成するものでもよい。図１８では、ソース主配線部４０ｂとソース引出配線部４０ｃとを接続し、また、ドレイン主配線部４１ｂにドレイン引出配線部４１ｃを接続し、これらソース引出配線部４０ｃおよびドレイン引出配線部４１ｃを通じてドレイン電流を取り出している。
【０１３５】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交している点が相違する。
【０１３６】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図１７を用いて説明した製造方法に対し、ソース３８，ドレイン３９，ソース配線部４０，ドレイン配線部４１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１３７】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ５’についての説明がなされた。
特に図１８からも明らかなように、ソース３８とドレイン３９をΠ字状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図１６（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１３８】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃやドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａから引き出される場合と比較して、本形態では図１８のソース引出配線部４０ｃやドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部４０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部４１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ５’のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１３９】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃとドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１４０】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ５’とすることができる。
【０１４１】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ５を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ５”の構成について図を参照しつつ説明する。図１９は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１４２】
先に図１６を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ５では、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極３８ａの長手方向（α方向）とが平行に配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極３９ａの長手方向（α方向）とが平行に配置されるものであった。しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図１９で示すように、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極３８ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極３９ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置されるようにした。
このように、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行に配置されるときに加え、ソース電極の長手方向とドレイン電極の長手方向とが垂直に配置されるときも、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【０１４３】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１４４】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図１７を用いて説明した製造方法に対し、ソース３８，ドレイン３９，ソース配線部４０，ドレイン配線部４１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１４５】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ５”についての説明がなされた。
特に図１９からも明らかなように、ソース３８とドレイン３９をΠ字状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図１６（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１４６】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃやドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５の側から引き出す場合と比較して、本形態では図１９のソース引出配線部４０ｃやドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部４０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部４１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ５”のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１４７】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃとドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１４８】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ５”とすることができる。
【０１４９】
続いて、他の形態の可動ゲート型電界効果トランジスタ６について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ６の構成について図を参照しつつ説明する。図２０は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図２０（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図２０（ｂ）はＫ−Ｋ線断面図、図２０（ｃ）はＬ−Ｌ線断面図である。図２１はチャネル幅の説明図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１５０】
可動ゲート型電界効果トランジスタ３は、図６，図２０，図２１で示すように、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、ソース２８（図２１参照）、ドレイン２９（図２１参照）、ソース配線部３０（図２１参照）、ドレイン配線部３１（図２１参照）、チャネル３２（図２１参照）を備える。先に図９を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ３と比較すると、先の形態では図９（ａ）で示すように、半導体基板１１上において、ソース２８とドレイン２９がΠ字状の電極を含むように構成するのに対し、本形態では図２０，図２１で示すように、半導体基板１１上において、ソース２８とドレイン２９が櫛歯状の電極を含むように構成する点が相違する。
【０１５１】
さらに、先の形態ではソース配線部３０とドレイン配線部３１はΠ字状の配線部を含むように形成されていたが、本形態では図２０，図２１で示すように、ゲート酸化膜１２内において、ソース配線部３０とドレイン配線部３１とが櫛歯状の配線部を含むように形成された点が相違する。
【０１５２】
そして、本形態でも図２０（ａ）で示すようにソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されている。
可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１５３】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、先に図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース２８，ドレイン２９，ソース配線部３０，ドレイン配線部３１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１５４】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ６についての説明がなされた。
特に図２０，図２１からも明らかなように、櫛歯状のソース２８と櫛歯状のドレイン２９とを構成したためチャネル幅を大幅に長くしており、可動ゲート１５の長さ以上のチャンネル幅を実現している。特に、ソース電極２８ａと基幹ドレイン電極２９ｂとの間、および、ドレイン電極２９ａと基幹ソース電極２８ｂとの間、にも、チャネル３２が形成されてチャネル幅がさらに長くなっている。このため、可動ゲート１５の変位に対して、従来技術より大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１５５】
そして、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの近くから引き出される場合と比較しても、本形態では図２０（ａ）のソース引出配線部３０ｃやドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部３０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部３１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ６のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１５６】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃとドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１５７】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ６とすることができる。
【０１５８】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ６を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ６’の構成について図を参照しつつ説明する。図２２は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１５９】
先に図２０，図２１を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ６では、ソース配線部３０とドレイン配線部３１を櫛歯状に構成し、ソース配線部３０のソース主配線３０ｂにソース引出配線部３０ｃが接続され、ドレイン配線部３１のドレイン主配線部３１ｂにドレイン引出配線部３１ｃが接続され、これらソース引出配線部３０ｃやドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているものであった。
【０１６０】
しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図２２で示すように、ソース電極接続部３０ａの幅に対してソース主配線部３０ｂの幅を大きく構成し、このソース主配線部３０ｂと同じ幅のソース引出配線部３０ｃとし、また、ドレイン電極接続部３１ａの幅に対してドレイン主配線部３１ｂの幅を大きく構成し、このドレイン主配線部３１ｂと同じ幅のドレイン引出配線部３１ｃとし、これらソース引出配線部３０ｃおよびドレイン引出配線部３１ｃを通じてドレイン電流を取り出すようにしても良い。
このようなソース配線部３０では、ソース電極接続部３０ａの幅に対してソース主配線部３０ｂおよびソース側引出先部３０ｃの幅が大きく構成されて、ソース配線部３０の配線抵抗を低減している。同様に、ドレイン配線部３１では、ドレイン電極接続部３１ａの幅に対してドレイン主配線部３１ｂおよびドレイン側引出先部３１ｃの幅が大きく構成され、ドレイン配線部３０の配線抵抗を低減している。
【０１６１】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１６２】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、先に図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース２８，ドレイン２９，ソース配線部３０，ドレイン配線部３１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１６３】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ６’についての説明がなされた。
特に図２２からも明らかなように、ソース２８とドレイン２９を櫛歯状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図２０（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１６４】
また、ゲート酸化膜１２内でポリシリコン（Poly-Si）層という半導体層で形成された櫛歯状のソース配線部３０の根元部のソース主配線部３０ｂやソース引出配線部３０ｃおよびドレイン配線部３１の根元部のドレイン主配線部３１ｂやドレイン引出配線部３０ｃの配線幅を広くすることで、配線抵抗の低減を実現している。この点でも可動ゲート１５の変位に対して、従来技術と比較して、大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１６５】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの近くから引き出される場合と比較しても、本形態では図２２のソース引出配線部３０ｃやドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部３０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部３１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ６’のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１６６】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃとドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１６７】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ６’とすることができる。
【０１６８】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ６を変形した他の形態について説明する。可動ゲート型電界効果トランジスタ６”の構成について図を参照しつつ説明する。図２３は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１６９】
先に図２０，図２１を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ６では、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極２８ａの長手方向（α方向）とが平行に配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極２９ａの長手方向（α方向）とが平行に配置されるものであった。しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図２３で示すように、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極２８ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極２９ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置されるようにしても良い。
このように、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行に配置されるときに加え、ソース電極の長手方向とドレイン電極の長手方向とが垂直に配置されるときも、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【０１７０】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１７１】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、先に図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース２８，ドレイン２９，ソース配線部３０，ドレイン配線部３１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１７２】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ６”についての説明がなされた。
特に図２３からも明らかなように、ソース２８とドレイン２９を櫛歯状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図２０（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１７３】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃやドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの近くから引き出される場合と比較しても、本形態では図２３のソース引出配線部３０ｃやドレイン引出配線部３１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部３０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部３１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部３０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部３１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ６”のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１７４】
また、ソース配線部３０のソース引出配線部３０ｃとドレイン配線部３１のドレイン引出配線部３１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１７５】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ６”とすることができる。
【０１７６】
続いて、他の形態の可動ゲート型電界効果トランジスタ７について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ７の構成について図を参照しつつ説明する。図２４は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図２４（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図２４（ｂ）はＭ−Ｍ線断面図、図２４（ｃ）はＮ−Ｎ線断面図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１７７】
可動ゲート型電界効果トランジスタ７は、図６，図２４で示すように、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、ソース３３（図２４参照）、ドレイン３４（図２４参照）、ソース配線部３５（図２４参照）、ドレイン配線部３６（図２４参照）、チャネル３７（図２４参照）を備える。先に図２０，図２１を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ６と比較すると、先の形態ではソース２８、ドレイン２９、ソース配線部３０、ドレイン配線部３１を櫛歯状に形成した構成であるのに対し、本形態では図２４で示すようにソース３３とドレイン３４を櫛歯状に構成するとともにソース３３のソース引出電極３３ｃとドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃを可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出すように延伸させた点が相違している。
【０１７８】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１７９】
さらに、先の形態ではソース配線部３０とドレイン配線部３１は櫛歯状に構成されていたが、本形態では図２４で示すようにソース配線部３５とドレイン配線部３６はゲート酸化膜１２から引き出せるような形状とすれば良い点が相違する。
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、先に図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース３３，ドレイン３４，ソース配線部３５，ドレイン配線部３６を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１８０】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ７についての説明がなされた。
特に図２４（ａ）からも明らかなように、櫛歯状のソース３３と櫛歯状のドレイン３４とを構成したためチャネル幅を大幅に長くしており、可動ゲート１５の長さ以上のチャンネル幅を実現している。特に、ソース電極３３ａと基幹ドレイン電極３４ｂとの間、および、ドレイン電極３４ａと基幹ソース電極３３ｂとの間、にも、チャネル３７が形成されてチャネル幅がさらに長くなっている。このため、可動ゲート１５の変位に対して、従来技術より大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１８１】
そして、ソース３３のソース引出電極３３ｃやドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの側から引き出すよりも、ソース３３のソース引出電極３３ｃやドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース３３のソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出電極３３ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出電極３４ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ７のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１８２】
また、ソース３３のソース引出電極３３ｃとドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１８３】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ７とすることができる。
【０１８４】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ７を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ７’の構成について図を参照しつつ説明する。図２５は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１８５】
先に図２４を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ７では、ソース３３とドレイン３４を櫛歯状の電極を含むように構成し、ソース３３のソース電極接続部３３ａにソース引出電極３３ｃが接続され、ドレイン３４のドレイン電極接続部３４ａにドレイン引出電極３４ｃが接続され、これらソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているものであった。
【０１８６】
本形態では、ソース３３とドレイン３４との位置を変更し、さらにソース引出電極３３ｃとドレイン電極３４ａも対向し、また、ドレイン引出電極３４ｃとソース電極３３ａも対向するようにして、僅かではあるがチャネル３７が形成される領域を増大させている。もちろん、ソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されている。
なお、ソース引出電極３３ｃとドレイン電極３４ａとが対向し、また、ドレイン引出電極３４ｃとソース電極３３ａとが対向する配置は、本明細書中のΠ字状のソース・ドレインや櫛歯状のソース・ドレインに適用できる配置である。
【０１８７】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース３３のソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１８８】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、先に図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース３３，ドレイン３４，ソース配線部３５，ドレイン配線部３６を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１８９】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ７’についての説明がなされた。
特に図２５からも明らかなように、ソース３３とドレイン３４を櫛歯状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図２４（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１９０】
また、ソース３３のソース引出電極３３ｃやドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの側から引き出すよりも、ソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出電極３３ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出電極３４ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ７’のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１９１】
また、ソース引出電極３３ｃとドレイン引出電極３４ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０１９２】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ７’とすることができる。
【０１９３】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ７を変形した他の形態について説明する。可動ゲート型電界効果トランジスタ７”の構成について図を参照しつつ説明する。図２６は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０１９４】
先に図２４を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ７では、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極３３ａの長手方向（α方向）とが平行に配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極３４ａの長手方向（α方向）とが平行に配置されるものであった。しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図２６で示すように、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極３３ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極３４ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置されるようにした。
このように、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行に配置されるときに加え、ソース電極の長手方向とドレイン電極の長手方向とが垂直に配置されるときも、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【０１９５】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース３３のソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０１９６】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、先に図４，図５を用いて説明した製造方法に対し、ソース３３，ドレイン３４，ソース配線部３５，ドレイン配線部３６を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０１９７】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ７”についての説明がなされた。
特に図２６からも明らかなように、ソース３３とドレイン３４を櫛歯状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図２４（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０１９８】
また、ソース３３のソース引出電極３３ｃやドレイン３４のドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａの側から引き出すよりも、ソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出電極３３ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出電極３４ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出電極３３ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出電極３４ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ７”のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０１９９】
また、ソース引出電極３３ｃとドレイン引出電極３４ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０２００】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ７”とすることができる。
【０２０１】
続いて、他の形態の可動ゲート型電界効果トランジスタ８について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ８の構成について図を参照しつつ説明する。図２７は可動ゲート型電界効果トランジスタの構造図であり、図２７（ａ）はゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図、図２７（ｂ）はＯ−Ｏ線断面図、図２７（ｃ）はＰ−Ｐ線断面図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０２０２】
可動ゲート型電界効果トランジスタ８は、図６，図２７で示すように、半導体基板１１、ゲート酸化膜１２、ソース側接続部１３、ドレイン側接続部１４、可動ゲート１５、空間部（gap)１６、ソース３８（図２７参照）、ドレイン３９（図２７参照）、ソース配線部４０（図２７参照）、ドレイン配線部４１（図２７参照）、チャネル４２（図２７参照）を備える。先に図２０，図２１を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ６と比較すると、先の形態では図２０で示すように櫛歯状のソース２８の上側のゲート酸化膜１２内にソース配線部３０を配置し、また、櫛歯状のドレイン２９の上側のゲート酸化膜１２内にドレイン配線部３１を配置した構成であるのに対し、本形態では図２７（ｂ）で示すようにソース３８とドレイン３９に溝部を形成し、ソース３８の溝部内に櫛歯状のソース配線部４０を設け、また、ドレイン３９の溝部内に櫛歯状のドレイン配線部４１を設けた点が相違する。
【０２０３】
ソース配線部４０やドレイン配線部４１はタングステンを材料としている。このような構成によれば、ゲート酸化膜１２内には配線部がないため、間隔部１６を拡げている。これによって可動幅が制限されていた可動ゲート１５の上下可動範囲が拡大される。
【０２０４】
そして、本形態でも図２７（ａ）で示すようにソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃやドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されている。
可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃ（β方向）とが直交している。
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も図１７を用いて説明された製造方法により、ソース３８，ドレイン３９，ソース配線部４０，ドレイン配線部４１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０２０５】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ８についての説明がなされた。
特に図２７からも明らかなように、櫛歯状のソース３８と櫛歯状のドレイン３９とを構成したためチャネル幅を大幅に長くしており、可動ゲート１５の長さ以上のチャンネル幅を実現している。特に、ソース電極３８ａと基幹ドレイン電極３９ｂとの間、および、ドレイン電極３９ａと基幹ソース電極３８ｂとの間、にも、チャネル４２が形成されてチャネル幅がさらに長くなっている。このため、可動ゲート１５の変位に対して、従来技術より大きなドレイン電流を得ることができる。
さらにまた、櫛歯状のソース配線部４０がソース３８の櫛歯状の溝内に配置され、また、櫛歯状のドレイン配線部４１がドレイン３９の櫛歯状の溝内に配置される構成を採用したため、ソース３８やドレイン３９への接触面を多くして配線抵抗を少なくし、ドレイン電流を効率的に流すことができる。そして、ゲート酸化膜１２内にソース配線部やドレイン配線部を配置せずに半導体基板内にソース引出配線部４０やドレイン引出配線部４１を配置しているため、ゲート酸化膜１２を薄く形成することができる。
【０２０６】
そして、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃやドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａから引き出す場合と比較して、本形態ではソース引出配線部４０ｃやドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部４０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部４１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ８のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０２０７】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃとドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０２０８】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ８とすることができる。
【０２０９】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ８を変形した形態について説明する。まず、可動ゲート型電界効果トランジスタ８’の構成について図を参照しつつ説明する。図２８は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０２１０】
先に図２７を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ８では、ソース３８とドレイン３９が櫛歯状の電極を含むように構成するとともにソース配線部４０とドレイン配線部４１を櫛歯状の配線部を含むように構成し、ソース配線部４０のソース主配線部４０ｂにソース引出配線部４０ｃが接続され、ドレイン配線部４１のドレイン主配線部４１ｂにドレイン引出配線部４１ｃが接続され、これらソース引出配線部４０ｃやドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されているものであった。
【０２１１】
本形態では、ソース３３とドレイン３４との位置を変更し、さらにソース引出電極３８ｃやドレイン引出電極３９ｃを追加して設ける。そして、ソース引出電極３８ｃとドレイン電極３９ａも対向し、また、ドレイン引出電極３９ｃとソース電極３８ａも対向するようにして、僅かではあるがチャネル３７が形成される領域を増大させている。もちろん、ソース引出電極３３ｃやドレイン引出電極３４ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂから引き出されている。
【０２１２】
可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０２１３】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、製造方法も図１７を用いて説明された製造方法により、ソース３８，ドレイン３９，ソース配線部４０，ドレイン配線部４１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０２１４】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ８’についての説明がなされた。
特に図２８からも明らかなように、ソース３８とドレイン３９を櫛歯状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図２７（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０２１５】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃやドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５ａから引き出される場合と比較して、本形態では図２８のソース引出配線部４０ｃやドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部４０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部４１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ８’のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０２１６】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃとドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０２１７】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ８’とすることができる。
【０２１８】
続いて、先に説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ８を変形した他の形態について説明する。可動ゲート型電界効果トランジスタ８”の構成について図を参照しつつ説明する。図２９は可動ゲート型電界効果トランジスタのゲート酸化膜および可動ゲートを取り去った内部構造図である。外観は図６で示すような構成となる。
【０２１９】
先に図２７を用いて説明した可動ゲート型電界効果トランジスタ８では、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極３８ａの長手方向（α方向）とが平行に配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極３９ａの長手方向（α方向）とが平行に配置されるものであった。しかしながら、このような形態に限定されるものではなく、図２９で示すように、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース電極３８ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置され、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン電極３９ａの長手方向（β方向）とが直交するように配置されるようにした。
このように、可動ゲートの長手方向に対し、ソース電極の長手方向およびドレイン電極の長手方向が平行に配置されるときに加え、ソース電極の長手方向とドレイン電極の長手方向とが垂直に配置されるときも、ソース電極とドレイン電極とが多く配置され、チャネル幅を長くすることができる。
【０２２０】
そして、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交している。
【０２２１】
なお、他の構成は先の説明と同じであり、同じ符号を付すとともに重複する説明を省略する。また、製造方法も、図１７を用いて説明した製造方法により、ソース３８，ドレイン３９，ソース配線部４０，ドレイン配線部４１を形成するマスク形状を変更するのみであって他は同じであるため、重複する説明を省略する。
【０２２２】
以上、本発明の可動ゲート型電界効果トランジスタ８”についての説明がなされた。
特に図２９からも明らかなように、ソース３８とドレイン３９を櫛歯状に形成することで、可動ゲート１５の電極幅以上のチャンネル幅を実現している。このため、可動ゲート１５のγ方向（図２７（ｃ）参照）の変位に対して、従来技術と比較しても大きなドレイン電流を得ることができる。
【０２２３】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃやドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５の開放部１５ｂ側から引き出されているため、支持部１５の側から引き出す場合と比較して、本形態では図２９のソース引出配線部４０ｃやドレイン引出配線部４１ｃが可動ゲート１５と重なる領域を少なくしている。これは、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とソース引出配線部４０ｃの引出方向（β方向）とが直交し、かつ、可動ゲート１５の長手方向（α方向）とドレイン引出配線部４１ｃの引出方向（β方向）とが直交しているときにも同様の効果が見込める。可動ゲート１５とソース引出配線部４０ｃとの間、可動ゲート１５とドレイン引出配線部４１ｃとの間の不要な静電結合を減らし、可動ゲート型電界効果トランジスタ８”のノイズ、クロストークを低減することができる。
【０２２４】
また、ソース配線部４０のソース引出配線部４０ｃとドレイン配線部４１のドレイン引出配線部４１ｃとを左右逆方向に引き出しており、ドレインとソースとの間の静電結合など不要な電気干渉も防止している。
【０２２５】
本形態ではこれら効果が相乗的に相俟って大きな電流変化を実現する可動ゲート型電界効果トランジスタ８”とすることができる。
【０２２６】
以上、本発明の各形態について説明した。
なお、可動ゲート１５としてポリシリコンを用いたが、これはアルミニウム、タングステン、モリブデン、銅などの導電性材料でもよい。
また、ドレイン配線部とソース配線部とに、ポリシリコンやタングステンを用いたが、これはアルミニウム、モリブデン、銅などの導電性材料でもよい。
また、ドレインとソースにｎ型半導体を、チャンネルにｐ型半導体を、ドレイン配線部とソース配線部にｎ型半導体を用いたが、これはドレインとソースにｐ型半導体を、チャンネルにｎ型半導体を、ドレイン配線部とソース配線部とにｐ型半導体を用いてもよい。
これら構成は適宜選択される。
【産業上の利用可能性】
【０２２７】
本発明は可動ゲート型電界効果トランジスタに適用される。さらに可動ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体加速度センサなど、幅広い分野に適用される。
【符号の説明】
【０２２８】
１，２，３，４，５，６，７，８：可動ゲート型電界効果トランジスタ
１１：半導体基板
１２：ゲート酸化膜
１３：ソース側接続部
１４：ドレイン側接続部
１５：可動ゲート
１５ａ：支持部
１５ｂ：開放部
１６：空間部（gap)
１７：ソース電極
１８：ドレイン電極
１９：ソース配線部
１９ａ：ソース電極接続部
１９ｂ：ソース主配線部
１９ｃ：ソース引出配線部
２０：ドレイン配線部
２０ａ：ドレイン電極接続部
２０ｂ：ドレイン主配線部
２０ｃ：ドレイン引出配線部
２１：チャネル
２２：熱酸化膜
２３：ゲート酸化膜
２４：マスク
２５：コンタクトホール
２６：ポリシリコン（Poly-Si）層
２７：犠牲層
２８：ソース
２８ａ：ソース電極
２８ｂ：基幹ソース電極
２９：ドレイン
２９ａ：ドレイン電極
２９ｂ：基幹ドレイン電極
３０：ソース配線部
３０ａ：ソース電極接続部
３０ｂ：ソース主配線部
３０ｃ：ソース引出配線部
３１：ドレイン配線部
３１ａ：ドレイン電極接続部
３１ｂ：ドレイン主配線部
３１ｃ：ドレイン引出配線部
３２：チャネル
３３：ソース
３３ａ：ソース電極
３３ｂ：基幹ソース電極
３３ｃ：ソース引出電極
３４：ドレイン
３４ａ：ドレイン電極
３４ｂ：基幹ドレイン電極
３４ｃ：ドレイン引出電極
３５：ソース配線部
３６：ドレイン配線部
３７：チャネル
３８：ソース
３８ａ：ソース電極
３８ｂ：基幹ソース電極
３９：ドレイン
３９ａ：ドレイン電極
３９ｂ：基幹ドレイン電極
４０：ソース配線部
４０ａ：ソース電極接続部
４０ｂ：ソース主配線部
４０ｃ：ソース引出配線部
４１：ドレイン配線部
４１ａ：ドレイン電極接続部
４１ｂ：ドレイン主配線部
４１ｃ：ドレイン引出配線部
４２：チャネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010161096.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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