(57)【要約】【課題】必要な強度を備え、遊離砥粒を用いた加工を経ることなく、固定砥粒による加工を可能とする磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材を提供する。【解決手段】板状のガラス素材の表層に脆性処理層が形成されている磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材である。上記脆性処理層は引張り応力層である。このような磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材は、板状のガラス素材の表層にイオン交換法によって引張り応力層を形成することにより得られる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のガラス素材の表層に脆性処理層が形成されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材。
【請求項２】
前記脆性処理層は引張り応力層であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材。
【請求項３】
板状のガラス素材に脆性処理を施すことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記脆性処理をガラス素材の表層に引張り応力層を形成することにより行うことを特徴とする請求項３に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記引張り応力層をイオン交換法によって形成することを特徴とする請求項４に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一項に記載の製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（HDD）等の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、並びに該基板製造用のガラス素材に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（HDD）等の磁気ディスク装置に搭載される情報記録媒体の一つとして磁気ディスクがある。磁気ディスクは、基板上に磁性層等の薄膜を形成して構成されたものであり、その基板として従来はアルミ基板が用いられてきた。しかし、最近では、高記録密度化の追求に呼応して、アルミ基板と比べて磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔をより狭くすることが可能なガラス基板の占める比率が次第に高くなってきている。また、ガラス基板表面は磁気ヘッドの浮上高さを極力下げることができるように、高精度に研磨して高記録密度化を実現している。
【０００３】
上述したように高記録密度化にとって必要な低フライングハイト（浮上量）化のために磁気ディスク表面の高い平滑性は必要不可欠である。磁気ディスク表面の高い平滑性を得るためには、結局、高い平滑性の基板表面が求められるため、高精度にガラス基板表面を研磨する必要がある。
【０００４】
このようなガラス基板を作製するために、従来遊離砥粒を用いていた例えば粗研削（ラッピング）工程において、ダイヤモンドシートを用いた固定砥粒を用いた研磨方法が提案されている（例えば特許文献１等）。ダイヤモンドシートとは、ダイヤモンド砥粒を樹脂（例えばアクリル系樹脂等）などの支持材を用いて固定したペレット（あるいはこのようなペレットをシートに貼り付けたもの）である。
このラッピング工程の終了後は、高精度な平面を得るための鏡面研磨加工を行っている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１９１２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、固定砥粒を用いた加工においては、加工面の粗さが大きい必要があり、板ガラス状の素材から直接固定砥粒を用いた加工を行うことができず、最初に必ず遊離砥粒を用いた粗研磨工程を経る必要があり、従来コストアップの要因となっていた。
この問題を解決するためには、ガラス成分をより加工性の良い（脆性の高い）素材を用いる必要があるが、磁気ディスク用ガラス基板においては、磁気ディスクを搭載するＨＤＤの可搬性から一定以上の強度を有する必要があり、このような加工性の良いガラス素材は磁気ディスク用ガラス基板としては用いることはできない。
【０００７】
本発明はこのような従来の課題を解決すべくなされたものであって、その目的は、必要な強度を備え、遊離砥粒を用いた加工を経ることなく、固定砥粒による加工を可能とする磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、並びにそれによって得られるガラス基板を利用した磁気ディスクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
従来、たとえば粗研削工程において、板ガラスから切り出した素材を直接固定砥粒を用いて加工することはできなかった。これは、フロート法などで製造された板ガラス表面は微小クラックのない平滑な面であるため、固定砥粒を用いた加工を行うには、ガラス表面の靭性値が高すぎるためである。このため、従来は、遊離砥粒を用いた加工を行い、基板表面にマイクロクラック層を形成して、見かけ上の靭性値を低下させる必要があった。しかし、一般にガラスのような脆性材料においては、素材表面に形成されたマイクロクラックによりその強度が大きく変化することは良く知られている事実であり、初めに遊離砥粒を用いた加工を行うことは、コストアップの点も含めて必ずしも好ましい方法ではない。また、前にも説明したように、より靭性値の低い組成の（加工性の良い）ガラスを用いた場合、強度が低く、割れ易いため、高い強度を必要とする磁気ディスク用ガラス基板として用いることはできない。
【０００９】
そこで、本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、フロート法などで製造された通常の靭性値の高い板状ガラスの表層に脆性処理を施し、例えば引張り応力層を形成することで、ガラス表面の破壊靭性値を下げ、微小クラックの無い平滑面であっても、固定砥粒を用いた加工を良好に行えることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）板状のガラス素材の表層に脆性処理層が形成されていることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材。
（構成２）前記脆性処理層は引張り応力層であることを特徴とする構成１に記載の磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材。
【００１１】
（構成３）板状のガラス素材に脆性処理を施すことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成４）前記脆性処理をガラス素材の表層に引張り応力層を形成することにより行うことを特徴とする構成３に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成５）前記引張り応力層をイオン交換法によって形成することを特徴とする構成４に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００１２】
（構成６）構成３乃至５のいずれか一項に記載の製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、必要な強度を備え、遊離砥粒を用いた加工を経ることなく、固定砥粒による加工を可能とする磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、並びにそれによって得られるガラス基板を利用した磁気ディスクの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を詳述する。
本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材は、板状のガラス素材の表層に脆性処理層が形成されていることを特徴としている。
この板状のガラス素材の表層に形成されている脆性処理層は例えば引張り応力層である。ガラス素材の表層に引張り応力層を形成することで、ガラス表面の破壊靭性値を下げ、ガラス表面が微小クラックの無い平滑面であっても、従来の遊離砥粒を用いた加工を経ることなく、直接固定砥粒を用いた加工を良好に行うことができる。
【００１５】
本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板製造用ガラス素材は、たとえばフロート法などで製造された板状のガラス素材に脆性処理を施すことにより製造することができる。
本発明では、このような脆性処理をガラス素材の表層に引張り応力層を形成することにより行うことが好適である。ガラス素材の表層だけを破壊靭性値を下げ、その他の領域は所定の強度を保持させることができるからである。
【００１６】
また、本発明では、上記引張り応力層をイオン交換法によって形成することが好ましい。表層の引張り応力層（脆性処理層）は、研磨量の小さい固定砥粒を用いた加工によって完全に除去される（引張り応力層の厚さは加工取代以下とする）必要があるため、上記引張り応力層はガラス素材の表層に薄く均一な厚さに形成することが好ましく、これにはイオン交換法が好適である。
【００１７】
イオン交換法による引張り応力層の形成は、所定比率で混合した所定の溶融塩中に板状のガラス素材を浸漬させることにより行うことができる。
ここで、イオン交換法としては、低温型イオン交換法、高温型イオン交換法、表面結晶化法、ガラス表面の脱アルカリ法などが知られているが、ガラス転移点の観点からガラス転移温度を超えない領域でイオン交換を行う低温型イオン交換法を用いることが好ましい。本発明においては、ここでいう低温型イオン交換法とは、ガラス転移温度（Ｔｇ）以下の温度領域で、ガラス中のアルカリイオンを、それよりもイオン半径の小さいアルカリイオンと置換し、イオン交換部の容積減少によってガラス表層に引張り応力を発生させてガラス表面を脆性処理する（引張り応力層を形成する）方法である。たとえばガラス中には、Ｎａイオンを含むため、このＮａイオンを、これよりもイオン半径の小さい例えばＬｉイオンと置換させる。従って、本発明では、溶融塩中には、少なくともＬｉイオンを含む必要がある。
【００１８】
このようなイオン交換処理時の温度、つまりイオン交換処理を行うときの溶融塩の加熱温度は、イオン交換の促進等の観点からは、２８０〜６６０℃、特に３００〜４００℃であることが好ましい。
ガラス素材を溶融塩に接触させる時間（処理時間）は、上述のイオン交換が完結するに十分な時間であればよく、通常は、数十分〜１時間程度とすることが好ましい。
【００１９】
なお、ガラス素材を溶融塩に接触させる前に、予備加熱の目的で、ガラス素材を１００〜３００℃程度に加熱しておいてもよい。
また、イオン交換処理後のガラス素材は、冷却、洗浄工程を経て、上述の固定砥粒を用いる加工に供される。
【００２０】
ここで、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムと硝酸リチウムの混合塩における比率を変えた条件１〜６の溶融塩中にフロート法で製造された板状のガラス素材を浸漬させることによりイオン交換処理を行い、得られたガラス素材に対する、固定砥粒（ダイヤモンド砥粒）を用いた加工レートを以下の表１に示す。固定砥粒を用いた加工は、後述の実施例に記載した方法によって行った。なお、表１中の「未処理」とは、ガラス素材に対してイオン交換処理を行わずに、加工を行った場合である。
【００２１】
【表１】
2010080015.tif 000002
【００２２】
表１の結果から、条件２〜４においては、未処理基板よりも良好な加工レートが得られた。なお、条件１においては、ガラス表面に圧縮応力が発生してしまい、加工レートは低かった。また、リチウムイオン濃度の高い条件５においては、より大きな引張り応力が発生し、処理後に基板割れの発生が認められた。さらに、ナトリウムイオン比率の高い条件６においては、条件１と同様にガラス表面に圧縮応力が発生してしまい、加工レートは低かった。なお、カリウムイオン比率を上げた条件においては、混合塩の凝固点が上がってしまう（図１を参照）。この場合、溶融塩の温度を上げることで処理は可能であるが、溶融塩にガラスを浸漬するために必要な余熱時間および処理後の冷却時間が長くなってしまう。
【００２３】
本発明において、好適なイオン交換により引張り応力層が形成されるためには、例えば上記硝酸カリウムと硝酸ナトリウムと硝酸リチウムの混合塩におけるリチウムイオンの比率を0.2〜0.6wt%、ナトリウム又はカリウムイオンの比率を、ナトリウムイオン5〜8 wt%、カリウムイオン25〜35wt%とするのが好ましい。
本発明によれば、研磨量が少なくて済む固定砥粒による加工が可能となるため、ガラスの基材の薄いものが使用できるため、コスト低減にも寄与する。
【００２４】
本発明においては、ガラス素材を構成するガラスは、アモルファスのアルミノシリケートガラスとすることが好ましい。このようなガラス基板は表面を鏡面研磨することにより平滑な鏡面に仕上げることができ、また加工後の強度が良好である。このようなアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ2が５８重量％以上７５重量％以下、Ａｌ2Ｏ3が５重量％以上２３重量％以下、Ｌｉ2Ｏが３重量％以上１０重量％以下、Ｎａ2Ｏが４重量％以上１３重量％以下を主成分として含有するアルミノシリケートガラス（ただし、リン酸化物を含まないアルミノシリケートガラス）を用いることができる。例えば、ＳｉＯ2 を６２重量％以上７５重量％以下、Ａｌ2Ｏ3を５重量％以上１５重量％以下、Ｌｉ2 Ｏを４重量％以上１０重量％以下、Ｎａ2 Ｏを４重量％以上１２重量％以下、ＺｒＯ2を５．５重量％以上１５重量％以下、主成分として含有するとともに、Ｎａ2Ｏ／ＺｒＯ2 の重量比が０．５以上２．０以下、Ａｌ2Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４以上２．５以下であるリン酸化物を含まないアモルファスのアルミノシリケートガラスとすることができる。なお、ＣａＯやＭｇＯといったアルカリ土類金属酸化物を含まないガラスであることが望ましい。
【００２５】
本発明においては、上記ガラス素材を用いて、研削加工、鏡面研磨加工後のガラス基板の表面は、算術平均表面粗さＲａが０．６ｎｍ以下である鏡面とされることが好ましい。更に、最大粗さＲｍａｘが６ｎｍ以下である鏡面とされることが好ましい。なお、本発明においてＲａ、Ｒｍａｘというときは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１に準拠して算出される粗さのことである。
また、本発明において表面粗さ（例えば、最大粗さＲｍａｘ、算術平均粗さＲａ）は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定したときに得られる表面形状の表面粗さとすることが好ましい。
【００２６】
本発明においては、鏡面研磨工程の後に、化学強化処理を施すことが好ましい。化学強化処理の方法としては、例えば、ガラス転移点の温度を超えない温度領域、例えば摂氏３００度以上４００度以下の温度で、イオン交換を行う低温型イオン交換法などが好ましい。化学強化処理とは、溶融させた化学強化塩とガラス基板とを接触させることにより、化学強化塩中の相対的に大きな原子半径のアルカリ金属元素と、ガラス基板中の相対的に小さな原子半径のアルカリ金属元素とをイオン交換し、ガラス基板の表層に該イオン半径の大きなアルカリ金属元素を浸透させ、ガラス基板の表面に圧縮応力を生じさせる処理のことである。化学強化処理されたガラス基板は耐衝撃性に優れているので、例えばモバイル用途のＨＤＤに搭載するのに特に好ましい。化学強化塩としては、硝酸カリウムや硝酸ナトリウムなどのアルカリ金属硝酸を好ましく用いることができる。
【００２７】
最近では、磁気ディスクの情報記録密度を向上させる目的で、磁気ディスクの磁性層に対して、ディスクの円周方向に沿う磁気異方性を付与する場合がある。ディスクの円周方向とは即ち磁気ヘッドの移動方向であるので、この方向に沿って磁気異方性が付与されていると、高記録密度化に資するからである。ディスク状ガラス基板の表面にテープ研磨処理を行うことにより、ディスクの円周方向に配向する筋状の筋からなるテクスチャを形成することができる。このテクスチャ処理が施されたガラス基板上に磁性層を形成すると、ディスクの円周方向に磁気異方性を生じせしめることができる。このテクスチャ処理は、テープ研磨処理において研磨剤としてダイヤモンド研磨剤を利用する。研磨テープとガラス基板とを接触させ、ダイヤモンド研磨剤を供給し、研磨テープとガラス基板とを相対的に移動させることにより、ガラス基板の表面にテクスチャが形成される。
【００２８】
本発明において磁気ディスクは、本発明による磁気ディスク用ガラス基板の上に少なくとも磁性層を形成して製造される。磁性層の材料としては、異方性磁界の大きな六方晶系であるＣｏＰｔ系強磁性合金を用いることができる。磁性層の形成方法としてはスパッタリング法、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板の上に磁性層を成膜する方法を用いることができる。またガラス基板と磁性層との間に、下地層を介挿することにより磁性層の磁性グレインの配向方向や磁性グレインの大きさを制御することができる。例えば，Ｃｒ系合金など立方晶系下地層を用いることにより、例えば磁性層の磁化容易方向を磁気ディスク面に沿って配向させることができる。この場合、面内磁気記録方式の磁気ディスクが製造される。また、例えば、ＲｕやＴｉを含む六方晶系下地層を用いることにより、例えば磁性層の磁化容易方向を磁気ディスク面の法線に沿って配向させることができる。この場合、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが製造される。下地層は磁性層同様にスパッタリング法により形成することができる。
【００２９】
また、本発明においては、磁性層の上に、保護層、潤滑層をこの順に形成するとよい。保護層としてはアモルファスの水素化炭素系保護層が好適である。例えばプラズマＣＶＤ法により保護層を形成することができる。保護層の膜厚としては、３０オングストロームから８０オングストロームが好ましい。また、潤滑層としては、パーフルオロポリエーテル化合物の主鎖の末端に官能基を有する潤滑剤を用いることができる。取り分け、極性官能基として水酸基を末端に備えるパーフルオロポリエーテル化合物を主成分とすることが好ましい。潤滑層の膜厚は５オングストロームから１５オングストロームとすることが好ましい。潤滑層はディップ法により塗布形成することができる。
【実施例】
【００３０】
以下に実施例を挙げて、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
以下の（１）粗ラッピング工程（粗研削工程）、（２）形状加工工程、（３）精ラッピング工程（精研削工程）、（４）端面研磨工程、（５）主表面研磨工程、（６）化学強化工程、を経て本実施例の磁気ディスク用ガラス基板を製造した。
【００３１】
（１）粗ラッピング工程
まず、フロート法で製造された板ガラスから所定の大きさに切り出したガラス素材を得た。なお、これ以外にも、溶融ガラスからダイレクトプレスによりガラス基板を得てもよい。このアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１３重量％を含有する化学強化用ガラスを使用した。
得られたガラス基板に対して、前述の表１に示す条件３によってイオン交換処理を行った。
【００３２】
次いで、処理後のガラス基板に寸法精度及び形状精度の向上させるためラッピング工程を行った。このラッピング工程は両面ラッピング装置を用い、粒度＃４００のダイヤモンド砥粒をアクリル樹脂で固定したペレットが貼り付けられた上下定盤の間にキャリアにより保持したガラス基板を密着させて行なった。具体的には、荷重を１００ｋｇ程度に設定して、上記ラッピング装置のサンギアとインターナルギアを回転させることによって、キャリア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。本発明によるガラス素材を用いたため、固定砥粒を用いたこのときの加工レートは大きく、良好にラッピングできた。
【００３３】
（２）形状加工工程
次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔を空けると共に、外周端面の研削をして直径を６５ｍｍφとした後、外周端面および内周端面に所定の面取り加工を施した。このときのガラス基板端面の表面粗さは、Ｒｍａｘで４μｍ程度であった。なお、一般に、２．５インチ型ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）では、外径が65ｍｍの磁気ディスクを用いる。
（３）精ラッピング工程
次に、ダイヤモンド砥粒の粒度を＃１０００に変え、ガラス基板表面をラッピングすることにより、表面粗さをＲｍａｘで２μｍ程度、Ｒａで０．２μｍ程度とした。上記ラッピング工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽（超音波印加）に順次浸漬して、超音波洗浄を行なった。
【００３４】
（４）端面研磨工程
次いで、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させながらガラス基板の端面（内周、外周）の表面の粗さを、Ｒｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μｍ程度に研磨した。そして、上記端面研磨を終えたガラス基板の表面を水洗浄した。
【００３５】
（５）主表面研磨工程
次に、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去するための第１研磨工程を前述の図４に示す両面研磨装置を用いて行なった。両面研磨装置においては、研磨布７として研磨パッドが貼り付けられた上下研磨定盤５，６の間にキャリア４により保持したガラス基板を密着させ、このキャリア４を太陽歯車２と内歯歯車３とに噛合させ、上記ガラス基板を上下定盤５，６によって挟圧する。その後、研磨パッドとガラス基板の研磨面との間に研磨液を供給して回転させることによって、ガラス基板が定盤５，６上で自転しながら公転して両面を同時に研磨加工するものである。具体的には、ポリシャとして硬質ポリシャ（硬質発泡ウレタン）を用い、第１研磨工程を実施した。研磨液としては酸化セリウムを研磨剤として１０重量％分散したＲＯ水中にさらにエタノール系の低分子量のノニオン界面活性剤を０．１モル／リットル添加した。研磨液の溶媒の摩擦係数は０．７であった。なお、このノニオン界面活性剤を添加していない場合の溶媒の摩擦係数は０．４である。上記第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
【００３６】
次いで上記の第１研磨工程で使用したものと同じ両面研磨装置を用い、ポリシャを軟質ポリシャ（スウェード）の研磨パッド（アスカーＣ硬度で７２の発泡ポリウレタン）に替えて第２研磨工程を実施した。この第２研磨工程は、上述した第１研磨工程で得られた平坦な表面を維持しつつ、例えばガラス基板主表面の表面粗さをＲｍａｘで６ｎｍ程度以下の平滑な鏡面に仕上げるための鏡面研磨加工である。研磨液としてはコロイダルシリカ（平均粒径８０ｎｍ）を分散したＲＯ水中にさらにエタノール系の低分子量のノニオン界面活性剤を０．１モル／リットル添加して中性に調整されたものを使用した。研磨液の溶媒の摩擦係数は０．７であった。上記第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
鏡面研磨を終えたガラス基板の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）及び電子顕微鏡で分析したところ、鏡面状であり、凸状の表面欠陥は観察されなかった。そして、端部形状は従来のように丸まることなく、良好な形状に制御できていた。
【００３７】
（６）化学強化工程
次に、上記洗浄を終えたガラス基板に化学強化を施した。化学強化は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合した化学強化液を用意し、この化学強化溶液を３８０℃に加熱し、上記洗浄・乾燥済みのガラス基板を約４時間浸漬して化学強化処理を行なった。化学強化を終えたガラス基板を硫酸、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
また、上記工程を経て得られたガラス基板の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒｍａｘ＝２．１３ｎｍ、Ｒａ＝０．２０ｎｍと超平滑な表面を持つガラス基板を得た。また、そのガラス基板の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）及び電子顕微鏡で分析したところ、鏡面状であり、凸状の表面欠陥は観察されなかった。
また、得られたガラス基板の外径は65ｍｍ、内径は20mm、板厚は0.635mmであった。
こうして、本実施例の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
【００３８】
次に、本実施例で得られた磁気ディスク用ガラス基板に以下の成膜工程を施して、磁気ディスクを得た。
上記ガラス基板上に、Ｃｒ合金からなる付着層、ＣｏＴａＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、保護層、潤滑層を順次成膜した。保護層は、磁気記録層が磁気ヘッドとの接触によって劣化することを防止するためのもので、膜厚５ｎｍの水素化カーボンからなり、耐磨耗性が得られる。潤滑層は、パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤をディップ法により形成し、膜厚は０．９ｎｍである。
得られた磁気ディスクについて、所定のグライド特性試験を行ったが、特に障害も無く、良好な結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】イオン交換処理に用いる混合溶融塩中の硝酸カリウム比率による混合塩の凝固点変化を示す図である。
【図１】
2010080015.tif 000003