(57)【要約】【課題】微細構造の角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる技術を提供すること。【解決手段】角速度センサ１００は、振動素子１０と、振動素子１０を支持する支持基板２０と、ダンパー３０と備えている。振動素子１０は、基部１１とこの基部から延出された振動子部１とで形成されている。振動子部１は、ｘ軸方向に並ぶように配置された３本の振動子２Ａ〜２Ｃと、この各振動子２Ａ〜２Ｃを支持する支持部３と、基部１１及び支持部３を連結する緩衝部４とで形成されている。ダンパー３０は、支持部３の底面３ａの中央に設けられる。このダンパー３０により、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部が支持基板２０側に大きく変位してしまい、振動素子１０が破壊されてしまうことを防止することができる。これにより、角速度センサ１００の耐衝撃性を向上させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する支持基板と、
前記表面に対向する第１の対向面と、前記第１の対向面に設けられ、前記支持基板に電気的に接続される端子とを有し、前記支持基板に支持される基部と、
前記表面に対向する第２の対向面と、前記第２の対向面に設けられ、前記端子と電気的に接続される圧電機能層と、前記圧電機能層により所定の振幅で振動される自由端とを有し、前記基部に設けられた振動子部と、
前記表面及び前記第２の対向面に挟まれた領域に設けられ、前記自由端による前記振幅を超える振動を規制する規制部と
を具備する角速度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の角速度センサであって、
前記振動子部は、
前記自由端をそれぞれ有し、それぞれ並ぶように配置された３本の振動子と、
前記各振動子が並ぶ方向で第１の幅を有し、前記各振動子を支持する支持部と、
前記方向で前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有し、前記支持部及び前記基部を連結する連結部とを有する
角速度センサ。
【請求項３】
請求項２に記載の角速度センサであって、
前記規制部は、前記第２の対向面上の、前記支持部の中央に設けられた凸部である
角速度センサ。
【請求項４】
請求項２に記載の角速度センサであって、
前記規制部は、前記表面上の、前記支持部の中央に対向する位置に設けられた凸部である
角速度センサ。
【請求項５】
請求項２に記載の角速度センサであって、
前記規制部は、前記第２の対向面上において、前記各振動子の前記自由端に設けられた凸部である
角速度センサ。
【請求項６】
請求項２に記載の角速度センサであって、
前記規制部は、前記表面上において、前記各振動子の前記自由端に対向する位置に設けられた凸部である
角速度センサ。
【請求項７】
請求項２に記載の角速度センサであって、
前記支持基板は、前記各振動子の自由端に対向する位置に設けられた凹部を有する
角速度センサ。
【請求項８】
請求項７に記載の角速度センサであって、
前記規制部は、前記第２の対向面上において、前記各振動子の前記自由端に設けられた凸部である
角速度センサ。
【請求項９】
請求項７に記載の角速度センサであって、
前記規制部は、前記凹部内において、前記各振動子の前記自由端に対向する位置に設けられた凸部である
角速度センサ。
【請求項１０】
請求項７に記載の角速度センサであって、
前記規制部は、前記凹部の縁部である
角速度センサ。
【請求項１１】
請求項１に記載の角速度センサであって、
前記規制部は、熱硬化型樹脂、または、紫外線硬化型樹脂により形成される
角速度センサ。
【請求項１２】
配線基板と、
表面を有し、前記配線基板と電気的に接続される支持基板と、前記表面に対向する第１の対向面と、前記第１の対向面に設けられ、前記支持基板に電気的に接続される端子とを有し、前記支持基板に支持される基部と、前記表面に対向する第２の対向面と、前記第２の対向面に設けられ、前記端子と電気的に接続される圧電機能層と、前記圧電機能層により所定の振幅で振動する自由端とを有し、前記基部に設けられた振動子部と、前記表面及び前記第２の対向面に挟まれた領域に設けられ、前記自由端による前記振幅を超える振動を規制する規制部とを有する角速度センサと
を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ビデオカメラの手振れ検知やバーチャルリアリティ装置における動作検知、カーナビゲーションシステムにおける方向検知などに用いられる角速度センサ、及びこの角速度センサを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、民生用の角速度センサとして、振動型のジャイロセンサが広く用いられている。振動型ジャイロセンサは、共振周波数で振動する振動子を有しており、この振動子に設けられた圧電体により角速度の影響によって生じるコリオリ力を検出することで角速度を検出する。振動型ジャイロセンサは、単純な機構、短い起動時間、安価に製造可能といった利点を有しており、例えば、ビデオカメラ、バーチャルリアリティ装置、カーナビゲーションシステムなどの電気機器に搭載されている。これらの電子機器に搭載されたジャイロセンサは、それぞれ手振れ検知、動作検知、方向検知などに活用されている。
【０００３】
振動型ジャイロセンサは、搭載される電子機器の小型化、高性能化に伴い、小型化、高性能化が要求されている。振動型ジャイロセンサの小型化を図る上で、薄膜プロセス及びフォトリソグラフィ技術により、シリコンの単結晶基板から微細な構造体を形成するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）と呼ばれる技術を用いることが一般的となってきている。
【０００４】
例えば、下記特許文献１には、ＭＥＭＳ技術を用いて形成された振動素子を有する振動型ジャイロセンサが開示されている。シリコン基板から切り出された振動素子は、台座とこの台座から延びる単一の振動子とを備えており、いわゆる片持ち梁型の形状を有している。台座は金属バンプを介して支持基板に電気的に接続され、振動子は、圧電体に電圧が印加されることで振動する。
【０００５】
ところで、振動型のジャイロセンサは、角速度を検出するための振動子を含む形態を有しているため、衝撃に対する機械的強度が低いという問題がる。例えば、電子機器を落としたときの衝撃によって、電子機器に搭載されたジャイロセンサの振動子が損傷してしまう場合がある。このような問題に関連する技術として、例えば、特許文献２には、振動体（振動素子）のアームを囲むように配置され、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの弾性体により形成されたストッパーを有する振動型ジャイロセンサが記載されている。また、特許文献２には、ストッパー付の支持アームによりフレキシブルに振動体を支持することで、振動型ジャイロセンサの耐衝撃性を向上させることができる、との記載がされている。
【特許文献１】特開２００８−３９５７６号公報（段落［００２７］［００２８］図３）
【特許文献２】特開２０００−２９２１７３号公報（段落［０００３］〜［０００７］［００１５］〜［００１８］図３〜図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載のストッパーやストッパー付の支持アームは、例えば、特許文献１に記載されたようなＭＥＭＳ技術により形成された微細な振動素子の耐衝撃性向上のための機構としては不向きである。
【０００７】
また、特許文献１に記載の振動素子は、シリコンの単結晶基板から所望の形状が切り出されて形成されているため、微細な亀裂などが生じた場合に、その亀裂を起因として壁界面による破壊が生じてしまう。これにより、少しの衝撃でも破壊が生じてしまうなどの問題がある。特に、振動素子が実装されている支持基板側に落下衝撃が生じた場合に、振動子に対して破壊が生じやすい方向に衝撃が加わってしまうため、台座と振動子が繋がる部分で破壊が生じやすい。
【０００８】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、微細構造の角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態に係る角速度センサは、支持基板と、基部と、振動子部と、規制部とを具備する。  
前記支持基板は、表面を有する。  
前記基部は、第１の対向面と、端子とを有し、前記支持基板に支持される。  
前記第１の対向面は、前記表面に対向する。  
前記端子は、前記第１の対向面に設けられ、前記支持基板に電気的に接続される。  
前記振動子部は、第２の対向面と、圧電機能層と、自由端とを有し、前記基部に設けられる。  
前記第２の対向面は、前記表面に対向する。  
前記圧電機能層は、前記第２の対向面に設けられ、前記端子と電気的に接続される。  
前記自由端は、前記圧電機能層により所定の振幅で振動される。  
前記規制部は、前記表面及び前記第２の対向面に挟まれた領域に設けられ、前記自由端による前記振幅を超える振動を規制する。  
本発明では、規制部が設けられているため、落下衝撃などにより振動子部の自由端が必要以上に大きな動きをし、支持基板側に大きく変位することで、振動子部が破壊されてしまうことを防止することができる。これにより、角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。  
また、規制部は、支持基板の表面及び振動子部の第２の対向面に挟まれた領域に設けられる。この場合、規制部は、例えば、支持基板の表面上、あるいは、圧電機能層が形成される第２の対向面上に形成されるため、微細構造でなる角速度センサであっても、容易に規制部を形成することができる。
【００１０】
上記角速度センサにおいて、前記振動子部は、３本の振動子と、支持部と、連結部とを有していてもよい。  
前記３本の振動子は、前記自由端をそれぞれ有し、それぞれ並ぶように配置される。  
前記支持部は、前記各振動子が並ぶ方向で第１の幅を有し、前記各振動子を支持する。
前記連結部は、前記方向で、前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有し、前記支持部及び前記基部を連結する。  
本発明は、３本の振動子を有する、いわゆる３音叉型の形状を有する。  
連結部が、支持部よりも小さい幅で形成され、振動素子がくびれた形状を有している場合、落下衝撃などの衝撃が連結部に集中するため、特に、連結部での破壊が生じやすいという問題がある。
【００１１】
上記角速度センサにおいて、前記規制部は、前記第２の対向面上の、前記支持部の中央に設けられた凸部であってもよい。  
本発明では、凸部が支持部の、第２の対向面上の中央に設けられているため、連結部に加わる衝撃を適切に緩和することができ、角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。
【００１２】
上記角速度センサにおいて、前記規制部は、前記表面上の、前記支持部の中央に対向する位置に設けられた凸部であってもよい。  
これにより、連結部に加わる衝撃を適切に緩和することができ、角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。
【００１３】
上記角速度センサにおいて、前記規制部は、前記第２の対向面上において、前記各振動の前記自由端に設けられた凸部であってもよい。  
これにより、角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。
【００１４】
上記角速度センサにおいて、前記規制部は、前記表面上において、前記各振動子の前記自由端に対向する位置に設けられた凸部であってもよい。  
これにより、角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。
【００１５】
上記角速度センサにおいて、前記支持基板は、前記各振動子の自由端に対向する位置に設けられた凹部を有していてもよい。
【００１６】
上記角速度センサにおいて、前記規制部は、前記第２の対向面上において、前記各振動子の前記自由端に設けられた凸部であってもよい。
【００１７】
上記角速度センサにおいて、前記規制部は、前記凹部内において、前記各振動子の前記自由端に対向する位置に設けられた凸部であってもよい。
【００１８】
上記角速度センサにおいて、前記規制部は、前記凹部の縁部であってもよい。
【００１９】
上記角速度センサにおいて、前記規制部は、熱硬化型樹脂、または、紫外線硬化型樹脂により形成されてもよい。  
これにより、例えば、ＭＥＭＳ技術により形成された微細な角速度センサであっても、容易に規制部を形成することができる。
【００２０】
本発明の一形態に係る電子機器は、配線基板と、角速度センサとを具備する。  
前記角速度センサは、支持基板と、基部と、振動子部と、規制部とを具備する。  
前記支持基板は、表面を有し、前記配線基板と電気的に接続される。  
前記基部は、第１の対向面と、端子とを有し、前記支持基板に支持される。  
前記第１の対向面は、前記表面に対向する。  
前記端子は、前記第１の対向面に設けられ、前記支持基板に電気的に接続される。  
前記振動子部は、第２の対向面と、圧電機能層と、自由端とを有し、前記基部に設けられる。  
前記第２の対向面は、前記表面に対向する。  
前記圧電機能層は、前記第２の対向面に設けられ、前記端子と電気的に接続される。  
前記自由端は、前記圧電機能層により所定の振幅で振動される。  
前記規制部は、前記表面及び前記第２の対向面に挟まれた領域に設けられ、前記自由端による前記振幅を超える振動を規制する。  
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明によれば、微細構造の角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の各実施形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）  
図１は、本実施形態に係る角速度センサ１００を示す側面図である。
【００２４】
図１に示すように、本実施形態に係る角速度センサ１００は、振動素子１０と、支持基板２０と、ダンパー３０とを備えている。振動素子１０及び支持基板２０は、フリップチップ実装により、複数のバンプ１５を介して電気的に接続されている。
【００２５】
図２は、振動素子１０を示す底面図であり、図３は、振動素子１０を底面方向から見た斜視図である。
【００２６】
これらの図に示すように、振動素子１０は、基部１１と、基部１１から延出されるように設けられた振動子部１とを備えている。振動子部１は、３本の振動子２Ａ〜２Ｃと、この振動子２Ａ〜２Ｃを支持する支持部３と、支持部３と基部１１とを連結する緩衝部４とで形成されている。振動素子１０の概ねの大きさは、ｚ軸方向の幅が約０．６６ｍｍ、ｙ軸方向の全長が約２ｍｍ、ｚ軸方向の厚みが約０．２ｍｍであるが、これに限られない。
【００２７】
３本の振動子２Ａ〜２Ｃは、一の方向（ｘ軸方向）に沿って並ぶように間隙をおいて配置され、支持部３から一体的にほぼ同一方向（ｙ軸方向）へ延出されている。３本の振動子の先端部は、自由端とされており、他方の端部は、支持部３に固定され、固定端とされている。各振動子２Ａ〜２Ｃは、例えば、それぞれ同一のアーム長、形成幅、形成厚みで形成されているが、勿論これに限られない。例えば、ノイズ低減のために、それぞれの振動子の形成幅を異ならせてもよい。以後の説明では、これら３本の振動子２Ａ〜２Ｃのうち、外側に位置する２本の振動子２Ｂ及び２Ｃを外側振動子２Ｂ、２Ｃとそれぞれ称し、中央に位置する振動子２Ａを中央振動子２Ａと称する。
【００２８】
緩衝部４は、基部１１の形成幅及び支持部３の形成幅よりも小さい形成幅（ｘ軸方向）で構成されている。これにより、振動子２Ａ〜２Ｃの根元部位を構成する支持部３から、基部１１への振動の伝播を緩和することが可能となり、角速度検出特性の向上を図ることが可能となる。
【００２９】
また、３本の振動子２Ａ〜２Ｃ、支持部３及び緩衝部４の厚み（ｚ軸方向）は同じであり、その厚みａは、例えば１００μｍとされる。これに対し、基部１１の厚みｂ（ｚ軸方向）は、各振動子２、支持部３及び緩衝部４の厚みaよりも厚く、例えば、２００μｍとなるように構成されている。このように、基部１１の厚みを厚くすることにより、振動子２から基部１１へ伝播する振動を更に抑制することができる。
【００３０】
振動子部１の底面（第２の対向面）には、圧電機能層５Ａ〜５Ｃ及びリード配線１３が形成される。３本の振動子２Ａ〜２Ｃの底面２ａ〜２ｃには、それぞれ圧電機能層５Ａ〜５Ｃが形成され、この圧電機能層により、３本の振動子２Ａ〜２Ｃに振動が励起され、各振動子は、ｚ軸方向に振動する。振動子部１の底面は、振動素子１０が支持基板２０に実装された状態で（図１参照）、支持基板２０の表面２０ａと対向する。
【００３１】
基部１１の底面１１ａ（第１の対向面）には、接続端子１２、リード配線１３が実装されている。リード配線１３は、基部１１の底面１１ａ、緩衝部４の底面４ａ及び支持部３の底面３ａに亘って設けられ、接続端子１２と、圧電機能層５Ａ〜５Ｃとを電気的に接続する。接続端子１２上には、例えばＡｕでなるバンプ１５がそれぞれ形成され、この複数のバンプ１５を介して振動素子１０が支持基板２０と電気的に接続される。基部１１の底面１１ａは、振動素子１０が支持基板に実装された状態で、支持基板の表面２０ａと対向する（図１参照）。
【００３２】
振動素子１０は、圧電特性を有さないＳｉ基板から所定形状に切り出されて形成される。Ｓｉ基板としては、例えばその抵抗値が１ＭΩ／ｃｍ２の単結晶基板を用いることができるが、これに限られない。単結晶Ｓｉ基板が用いられる場合、振動素子１０の底面１０ａに対応する面が（１００）方位面とされ、振動素子１０の側面１０ｂに対応する面が（１１０）方位面とされてもよい。このような方位面を有する単結晶Ｓｉ基板を用いることにより、ｚ軸方向の厚みが部分的に異なる振動素子を容易に形成することができる。
【００３３】
支持部３の底面３ａには、支持部３の中央に位置するようにダンパー３０（規制部）が形成される。ダンパー３０は、リード配線１３などが形成された後、リード配線１３上に形成される。ダンパー３０は、例えば、円柱状や、四角柱状に形成されるが、ダンパー３０の形状は、特に限定されない。但し、ダンパー３０の高さには、制限があり、振動素子１０が支持基板２０に実装されたときに、ダンパー３０が支持基板２０と接触しないように設定されている。つまり、ダンパー３０の高さは、バンプ１５の高さｄ（図１参照）よりも小さく設定されている。なお、ダンパーの高さについての詳細は、後述する（図８参照）。
【００３４】
ダンパー３０は、例えば、レジスト膜がパターニングされて形成される。この場合、ダンパー３０の高さは、レジスト膜の種類や粘度、レジスト膜の塗布に用いられるスピンナーの回転数などを適宜変更することで調整される。レジスト膜の種類としては、例えば、熱硬化型樹脂や、紫外線硬化型樹脂などが挙げられるが、これらに限られない。レジスト膜に熱硬化型樹脂が用いられる場合、パターン形成後に、例えば、３００℃前後の熱が加えられて熱硬化される。一方、レジスト膜に紫外線硬化型樹脂が用いられる場合、パターン形成後に、紫外線硬化型樹脂に紫外線が照射されて硬化される。ダンパー３０の形成に、パターニング技術を用いることで、容易に支持部３上にダンパー３０を形成することができるとともに、容易に所望の高さのダンパー３０を得ることができる。さらに、レジスト膜を熱硬化、あるいは紫外線硬化することで、ダンパー３０が有機溶剤に溶解してしまうことを防止することもできる。
【００３５】
ダンパー３０は、バンプ１５形成時に、バンプ１５と同一の材料（例えば、Ａｕ）を用いて、支持部３の中央に形成されてもよい。これにより、工程を削減することができる。
【００３６】
図４は、図２及び図３に示すＡ−Ａ間の断面図である。
【００３７】
図４に示すように、外側振動子２Ｂ、２Ｃは、単結晶Ｓｉ層４１Ｂ、４１Ｃと、この上に設けられた熱酸化層４２Ｂ、４２Ｃと、この上に設けられた圧電機能層５Ｂ、５Ｃ、及びこれを覆う保護層４３Ｂ、４３Ｃとから構成されている。圧電機能層５Ｂ、５Ｃは、熱酸化層４２Ｂ，４２Ｃ上に形成された下部電極層１６Ｂ、１６Ｃと、この下部電極層１６Ｂ、１６Ｃの上に形成された圧電層１７Ｂ、１７Ｃと、この圧電層１７Ｂ、１７Ｃの上に形成された駆動電極１８Ｂ、１８Ｃによって構成されている。
【００３８】
一方、中央振動子２Ａは、単結晶Ｓｉ層４１Ａと、この上に設けられた熱酸化層４２Ａと、この上に設けられた圧電機能層５Ａ、及びこれを覆う保護層４３Ａとから構成されている。圧電機能層５Ａは、熱酸化層４２Ａ上に形成された下部電極層１６Ａと、この下部電極層１６Ａの上に形成された圧電層１７Ａと、この圧電層１７Ａの上に形成された駆動電極１８Ａ及び検出電極１９ａ、１９ｂによって構成されている。検出電極１９ａ、１９ｂは、中央振動子２Ａ上に配置された駆動電極１８Ａに対して左右対象な位置にそれぞれ形成されている。
【００３９】
基部１１は、単結晶Ｓｉ層上に熱酸化層、更にこの上に保護層、接続端子１２及びリード配線１３が順次形成されている。また、支持部３、緩衝部４は、単結晶Ｓｉ層４１上に熱酸化層、更にこの上に保護層、また更にこの上にリード配線が形成されている。支持部３のリード配線上には、さらに、ダンパー３０が形成される。
【００４０】
図５は、振動素子１０の駆動検出回路の構成を示すブロック図である。なお、図５では、図を分かりやすく表示するため、３本の振動子２Ａ〜２Ｃ及び支持部３を抜き出して表示している。
【００４１】
図５に示すように、振動素子１０は、ＩＣ駆動回路素子などの制御部３１によって駆動制御される。各振動子２Ａ〜２Ｃの下部電極層１６Ａ〜１６Ｃは、制御部３１のＶｒｅｆ端子にそれぞれ接続されている。Ｖｒｅｆ端子は基準電極となるグランド電位又は所定のＤＣオフセット電位に接続されている。各振動子２Ａ〜２Ｃ上の駆動電極１８Ａ〜１８Ｃは、制御部３１のＧ０端子にそれぞれ接続されており、自励発振回路３２で生成された駆動信号が入力される。また、検出電極１９ａ、１９ｂはＧａ、Ｇｂ端子にそれぞれ接続されている。Ｇａ、Ｇｂ端子は演算回路３３に接続されている。演算回路３３は、検出電極１９ａ、１９ｂの和信号（Ｇａ＋Ｇｂ）を生成し、これを参照信号として自励発振回路３２へフィードバックする。この意味で、中央振動子２Ａに設けられた駆動電極１８Ａは、振動子の振動特性を検出する参照電極としての機能も兼用する。また、演算回路３３は、検出電極１９ａ、１９ｂの差分信号（Ｇａ−Ｇｂ）を生成し、これを角速度信号として検波回路３６へ出力する。検波回路３６で信号処理された検出信号は、平滑回路３７へ供給された後、角速度信号として処理される。
【００４２】
制御部３１及び振動素子１０の接続は、振動素子１０が支持基板２０を介して、制御部３１を構成するＩＣ素子が実装された配線基板（図示せず）と接続されることで行われる。
【００４３】
外側振動子２Ｂ，２Ｃ上の各々の駆動電極１８Ｂ、１８Ｃには、共通の駆動信号が入力される。これにより、圧電層１７Ｂ、１７Ｃの逆圧電効果により、外側振動子２Ｂ、２Ｃは、圧電機能層５Ａ、５Ｂの膜面に対して垂直な方向（ｚ軸方向）に同相で励振される。
【００４４】
一方中央振動子２Ａには、外側振動子とは、逆相の駆動信号が入力される。これにより、中央振動子２Ａは、ｚ軸方向に外側振動子２Ｂ，２Ｃとは逆相で振動する。ここで、中央振動子２Ａ上の駆動電極１８Ａの面積をＳ１とし、外側振動子２Ｂ、２Ｃ上の駆動電極１８Ｂ、１８Ｃの面積をそれぞれＳ２、Ｓ３とした場合には、Ｓ１：Ｓ２（＝Ｓ３）＝２：１となるように面積比が設定されている。これにより、中央振動子２Ａの先端部は、外側振動子２Ｂ、２Ｃの先端部の約２倍の振幅で振動する。このように、中央振動子２Ａの位相を外側振動子２Ｂ、２Ｃの位相とは逆相とし、中央振動子２Ａの振幅を外側振動子２Ｂ、２Ｃの振幅の２倍とすることで、各振動子２Ａ〜２Ｃの駆動により発生する力のモーメントを打ち消すことができる。これにより、基部１１及び支持基板２０への振動を低減することができる。
【００４５】
駆動電極１８Ａ及び検出電極１９ａ、１９ｂは、圧電層１７Ａの圧電効果により、中央振動子２Ａの振動特性を電気的に検出し、駆動電極１８Ａを介して検出された参照信号は、制御部３１内の自励発振回路３２にフィードバックされ、検出電極１９ａ、１９ｂを介して検出された検出信号の差分信号は、角速度信号として処理される。角速度信号が印加されていない場合、検出電極１９ａ、１９ｂの差分信号は原理的に０となる。
【００４６】
一方、この状態において、ｙ軸方向の周りに角速度が作用すると、各振動子２Ａ〜２Ｃにコリオリ力が生じて各振動子２Ａ〜２Ｃを圧電機能層５Ａ〜５Ｃの形成面と平行な方向（ｘ軸方向）に振動する成分が生成される。この振動成分は、中央振動子２Ａ上の圧電層１７Ａの圧電効果を利用して検出電極１９ａ、１９ｂより検出され、これの差分信号に基づいて各速度の大きさと方向が検出される。
【００４７】
本実施形態において、各振動子２Ａ〜２Ｃの動作周波数、すなわち、基本モード時におけるｚ軸方向の共振周波数（以下「縦共振周波数」という。）ｆｖがそれぞれ同一の周波数に設定されている。また、角速度の検出周波数、すなわち、各振動子２Ａ〜２Ｃのｘ軸方向の共振周波数（以下、「横共振周波数」という。）ｆｈは、中央振動子２Ａについてのみが縦共振周波数ｆｖ付近に設定され、外側振動子２Ｂ，２Ｃについては縦共振周波数ｆｖから数百〜数キロＨｚ離して設定されている。これにより、角速度の検出精度の向上を図ることができると同時に、外側振動子２Ｂ，２Ｃの基本動作モード時における振動方向の安定化を図ることができる。
【００４８】
ここで、緩衝部４は、振動子部１の共振周波数ｆ０が、各振動子２Ａ〜２Ｃの縦共振周波数ｆｖの１／√２倍以下となるように、その形成幅、形成長、形成厚み等が設定されていてもよい。図６は、周波数比（ｆ０／ｆｖ）と基部１１に伝播する振動量との関係を示している。図６に示すように、周波数比が小さくなるほど（ｆ０がｆｖに比べて低くなるほど）、基部１１へ伝播する振動量が低減される。したがって、振動子部１の共振周波数ｆ０が各振動子の縦共振周波数ｆｖの１／√２以下とされるように、緩衝部の形成幅などが設定されることで、各振動子２Ａ〜２Ｃから基部１１への振動を抑制することができる。なお、振動量の測定には、レーザドップラ振動計が用いられた。
【００４９】
次に、落下衝撃などの外部衝撃が角速度センサ１００に加わった場合の動作について説明する。
【００５０】
角速度センサ１００に外部衝撃が加えられ、振動素子１０から支持基板２０に向かう方向（ｚ軸方向）へ力が加えられた場合、振動子部１は、ｚ軸方向に歪む。この場合、各振動子２Ａ〜２Ｂの先端部が、定常状態での振幅を超えて支持基板へ向かう方向へ大きく移動しようとする。このとき、振動子部１は、緩衝部４と基部１１との境界部を支点として、ｚ軸方向へ歪むため、この境界部に比較的大きな応力が加わることになる。
【００５１】
しかしながら、本実施形態では、外部衝撃が加えられ、振動子部１がｚ軸方向に大きく歪んでしまう前に、支持部３の底面３ａの中央に設けられたダンパー３０が、支持基板２０の表面２０ａに当接する。これにより、振動子部１が支持基板２０側に大きく変位してしまうことを防止することができる。これにより、各振動子２Ａ〜２Ｂの先端部が支持基板２０の方向へ大きく移動し、振動子部１が破壊されてしまうことを防止することができる。
【００５２】
図７は、比較例を示す図である。図７（Ａ）は、ダンパー３０が設けられていない角速度センサを示す図であり、図７（Ｂ）は、外部衝撃が加えられた場合の、振動素子１０の破断状態を示す図である。
【００５３】
比較例に係る角速度センサ２００のように、ダンパー３０が設けられていない場合、外部衝撃により、振動子部１が大きく歪んでしまうため、振動素子１０の破断が生じてしまう。この場合、図７（Ｂ）に示すように、特に、緩衝部４と基部１１との境界部において振動素子の破断が生じやすい。これは、角速度センサに外部衝撃が生じた場合、緩衝部４と基部１１との境界部に大きな応力が加わるためである。また、Ｓｉの単結晶基板から所定の形状が切り出されて形成される振動素子１０の、破断が生じ易い方向（Ｓｉの単結晶の破断が生じ易い方向（ｚ軸方向））と、外部衝撃が加えられたときに振動素子１０が歪んでしまう方向（ｚ軸方向）とが一致してしまうためでもある。
【００５４】
一方、本実施形態に係る角速度センサ１００では、角速度センサにダンパー３０が形成されているため、効果的に振動素子１０の破断を防止することができ、角速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。
【００５５】
ところで、上述のように、中央振動子２Ａは、外側振動子２Ｂ，２Ｃの振幅の２倍の振幅で振動している。したがって、外部衝撃が加えられたとき、中央振動子２Ａは、外側振動子２Ｂ、２Ｃよりも大きく支持基板２０側に移動してしまう可能性が高い。しかし、本実施形態では、ダンパー３０が支持部３の中央に位置するように（中央振動子２Ａの固定端部分に近接するように）形成されているため、中央振動子２Ａの基板側への歪みを効果的に規制することができる。その結果、適切に角速度センサ１００の耐衝撃性を向上させることができる。
【００５６】
図８は、ダンパー３０の高さと、破壊発生率との関係を示す図である。
【００５７】
図８は、７５ｃｍの高さから角速度センサ１００をＰタイルに自由落下させ、これを１個につき１０回繰り返したときの耐衝撃性に関する実験結果を表している（ｎ＝１００個）。なお、振動素子１０と支持基板２０との距離ｄ（図１参照）は、２０μｍとされた。図８に示すように、ダンパー３０の高さが１０μｍ以上とされることで、外部衝撃による振動素子１０の破壊がほとんど生じないことが分かる。なお、ここでいう破壊とは、目視において認められた角速度センサ１００の欠損を意味し、破壊数は、一部にでも欠損が認められた角速度センサ１００の数をいう。
【００５８】
図１〜図３などでは、振動素子１０側にダンパー３０が形成される場合について説明した。しかし、これに限られず、支持基板２０の表面２０ａ上にダンパー３０が形成されてもよい。図９は、支持基板の表面２０ａ上にダンパー３０が形成された角速度センサ２００を示す図である。この場合、支持基板の表面２０上において、振動素子１０の支持部３の中央に対向する位置にダンパー３０が設けられる。このように、支持基板２０側にダンパー３０が形成されても、振動素子１０側にダンパー３０が形成された場合と同様の作用効果を奏する。
【００５９】
（第２実施形態）  
次に、本発明の第２実施形態に係る角速度センサついて説明する。なお、第２実施形態以降の説明では、上述の第１実施形態と同様の構成及び機能を有する部分については同一符号を付し、説明を省略又は簡略化する。
【００６０】
上述の第１実施形態に係る角速度センサ１００では、ダンパー３０が支持部３の中央に（あるいは、支持基板の表面２０ａ上の支持部３の中央に対向する位置）設けられる場合について説明した。一方、第２実施形態では、ダンパー３０が各振動子２の先端部に設けられる。
【００６１】
図１０は、第２実施形態に係る角速度センサ３００が備える振動素子１０の底面図である。図１０に示すように、ダンパー３０は、各振動子２Ａ〜２Ｃの底面２ａ〜２ｃの先端部にそれぞれ設けられる。この場合、各ダンパー３０Ａ〜３０Ｃは、各振動子２Ａ〜２Ｃの底面を構成する保護層４３Ａ〜４３Ｂ上にそれぞれ設けられる（図４参照）。ダンパー３０Ａ〜３０Ｃは、第１実施形態で説明したダンパー３０と同様に、円柱状や、四角柱状に形成されてもよく、その他の形状により形成されてもよい。また、ダンパー３０Ａ〜３０Ｃは、例えば、レジスト膜がパターニングされて形成されてもよく、ダンパー３０Ａ〜３０Ｃは、バンプ１５形成時に、バンプ１５と同一の材料（例えば、Ａｕ）を用いて形成されてもよい。但し、第２実施形態のダンパー３０Ａ〜３０Ｃは、外部からの振動、衝撃がない状態において、振動子２Ａ〜２Ｃが最大に振動した場合でも、ダンパー３０Ａ〜３０Ｃが支持基板２０と接触しないように、ダンパー３０Ａ〜３０Ｃの高さが設定されている。
【００６２】
なお、上述のように、中央振動子２Ａの振幅は、外側振動子２Ｂ、２Ｃの振幅の２倍であるため、中央振動子２Ａ上のダンパー３０Ａの高さと、外側振動子２Ｂ、２Ｃ上のダンパー３０Ｂ、Ｃの高さを異ならせてもよい。この場合、中央振動子２Ａ上のダンパー３０Ａが、外側振動子２Ｂ、２Ｃの高さよりも低くなるように形成されればよい。
【００６３】
ダンパー３０Ａ〜３０Ｃは、外部衝撃が加えられたときに、振動子２Ａ〜２Ｃがｚ軸方向に大きく歪んでしまう前に、支持基板２０の表面２０ａに当接し、振動子部１のｚ軸方向への歪みを規制する。これにより、角速度センサ３００の耐衝撃性を向上させることができる。
【００６４】
ダンパー３０Ａ〜３０Ｃは、振動素子１０側ではなく、支持基板２０側に設けられてもよい。この場合、３つのダンパー３０Ａ〜３０Ｃは、支持基板２０の表面２０ａ上において、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部に対向する位置に形成される。これにより、振動素子１０側にダンパー３０が形成されたときと同様の作用効果を奏する。
【００６５】
（第３実施形態）  
次に本発明の第３実施形態に係る角速度センサについて説明する。第３実施形態では、支持基板２０の表面２０ａ上において、各振動子２Ａ〜２Ｂの先端部に対向する位置に凹部５０が形成されている点において、上述の各実施形態と異なる。したがって、その点を中心に説明する。なお、上述の第２実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００６６】
図１１は、第３実施形態に係る角速度センサの側面図であり、図１２は、角速度センサの上面図である。
【００６７】
図１１に示すように、第３実施形態に係る角速度センサ４００は、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部にダンパー３０Ａ〜３０Ｃがそれぞれ設けられている。また、図１１及び図１２に示すように、第３実施形態に係る角速度センサ４００は、支持基板２０の表面２０ａ上において、各振動子２Ａ〜２Ｂの先端部に対向する位置に凹部５０が形成されている。第３実施形態では、支持基板２０として、多層張り合わせ基板が用いられている。支持基板２０は、例えば４層の基板２１〜２４からなり、それぞれの層の厚さは、上層から順に、例えば、１００μｍ、７５μｍ、７５μｍ、１００μｍとされている。
【００６８】
中央振動子２Ａの先端部は、定常状態で、例えば、３０μｍ〜６０μｍの振幅で振動しており、外側振動子２Ｂ、２Ｃの先端部は、例えば、１５μｍ〜３０μｍの振幅で振動している。
【００６９】
以下、比較例に係る角速度センサ７００を例に挙げて、支持基板２０の表面２０ａに凹部５０が形成されている理由、及び支持基板２０に凹部５０が設けられた、規制部を有しない角速度センサの問題点について説明する。
【００７０】
図１３（Ａ）は、比較例に係る角速度センサ７００を示す側面図であり、図１３（Ｂ）は、比較例に係る角速度センサ７００に外部衝撃が加えられたときの様子を示す図である。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示す、比較例に係る角速度センサ７００は、ダンパー３０（規制部）を有しない点において、第３実施形態に係る角速度センサ４００と相違するが、その他の点については、同様の構成である。
【００７１】
まず、図１３（Ａ）を参照して、支持基板２０の表面２０ａに凹部５０が形成される理由について説明する。
【００７２】
角速度センサ７００の共振倍率（以下、Ｑ値）を考慮すると、各振動子２Ａ〜２Ｃの上下方向の空間として、上下方向にそれぞれ約５０μｍ以上の空間がないと、Ｑ値が低下し、角速度センサとして、十分な特性を得ることができない。一方で、通常、各振動子２Ａ〜２Ｃから支持基板２０までの距離ｄ１は、バンプ１５の高さとなるが、バンプ１５の高さには、制限があり、バンプ１５の粘着強度、耐衝撃性などを考慮すると、典型的には、１５μｍ〜３０μｍである。
【００７３】
そうすると、角速度センサ７００が十分な特性を得るための空間（５０μｍ）としては、バンプ１５の高さ（１５μｍ〜３０μｍ）だけでは、不十分である。また、各振動子２Ａ〜２Ｂの片振幅（１５μｍ〜３０μｍ）を考慮しても、バンプ１５の高さ（１５μｍ〜３０μｍ）だけでは、不十分である。そこで、支持基板２０の表面２０ａ上において、各振動子２Ａ〜２Ｃに対応する位置に凹部５０を形成し、角速度センサ７００が特性を得るための十分な空間、及び各振動子２Ａ〜２Ｃの振動のための十分な空間を確保している。
【００７４】
次に、図１３（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、支持基板２０に凹部５０が設けられた、規制部を有しない角速度センサの問題点について説明する。
【００７５】
上述のように、支持基板２０の表面２０ａには、凹部５０が形成されるのであるが、角速度センサ７００は、非常に微細であるため、凹部５０の深さをコントロールするのは非常に困難である。この場合、凹部５０の形成方法として、例えば、最上層に位置する基板２１に貫通口を形成し、その後、貫通口を有する最上層の基板２１とその他の各基板２２〜２４とを張り合わせることで、支持基板２０に凹部５０を形成する、という方法が用いられる。
【００７６】
そうすると、凹部５０の深さは、最上層の基板２１の厚みである１００μｍとなり、各振動子２Ａ〜２Ｃから凹部５０の底面５０ａまでの距離ｄ２は、１１５μｍ〜１３０μｍ（バンプの高さｄ１及び最上層の基板２１の厚さの和）となる。
【００７７】
図１３（Ｂ）に示すように、角速度センサ７００に外部衝撃が加わった場合、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部が定常状態での振幅を超えて支持基板２０へ向かう方向へ大きく移動する。このとき、緩衝部４と基部１１との境界部に大きな応力が加わり、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部が下方に８０μｍまで変位したときに、境界部での破壊が始まる。
【００７８】
上述のように、各振動子２Ａ〜２Ｃから凹部５０の底面５０ａまでの距離ｄ２は、１１５μｍ〜１３０μｍとされているため、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部は、下方向へ８０μｍ以上変位してしまう。その結果、境界部での破壊の可能性が高くなってしまう。さらに、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部が下方に、距離ｄ２（１１５μｍ〜１３０μｍ）変位してしまった場合には、先端部が凹部５０の底部５０ａに衝突してしまうため、先端部が破壊されてしまう可能性もある。
【００７９】
そこで、第３実施形態に係る角速度センサ４００では、図１１に示すように、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部にダンパー３０Ａ〜３０Ｃを形成することで、例えば、先端部が８０μｍを超える変位まで下方へ移動することを規制する。これにより、角速度センサ４００の耐衝撃性を向上させることができる。ここで、ダンパー３０Ａ〜３０Ｃの高さは、典型的には、５０μｍ〜７０μｍとされるが、これに限られない。
【００８０】
ダンパー３０は、振動素子１０側に形成される場合に限られず、支持基板２０側に形成されてもよい。この場合、支持基板の凹部５０の底面５０ａ上において、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部に対向する位置に３つのダンパー３０Ａ〜３０Ｃがそれぞれ形成される。
【００８１】
ダンパー３０Ａ〜３０Ｂが凹部内に形成される場合、ダンパー３０Ａ〜３０Ｂは、封止樹脂により形成されてもよい。封止樹脂によりダンパーを形成する場合、ディスペンサを用いて封止樹脂を吐出することで、凹部内にダンパー３０Ａ〜３０Ｂを形成してもよい。これにより、容易にダンパー３０を形成することができる。なお、封止樹脂は、リフロー工程などの熱に対する耐熱性を有していてもよい。
【００８２】
３つのダンパー３０Ａ〜３０Ｃを形成する代わりに、凹部５０内に厚さ５０μｍ〜７０μｍの板（規制部）を入れてもよい。あるいは、凹部５０内に、エポキシ樹脂などのアンダーフィル材（規制部）が、厚さ５０μｍ〜７０μｍで形成されてもよい。
【００８３】
第３実施形態では、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部側にダンパー３０が形成される場合について説明した。しかし、これに限られず、各振動子２Ａ〜２Ｃの固定端側にダンパー３０が形成されてもよい。この場合、第１実施形態に示したように、支持部３の底面３ａにおいて支持部の中央に、あるいは、支持基板２０の表面２０ａ上において、支持部３の中央に対向する位置に、ダンパー３０が形成される。または、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端側及び固定端側の両方にダンパー３０が形成されてもよい。図１４は、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端側及び固定端側の両方にダンパー３０が形成された様子を示す図である。
【００８４】
（第４実施形態）  
次に本発明の第４実施形態について説明する。
【００８５】
図１５は、第４実施形態に係る角速度センサを示す側面図である。図１５に示すように、第４実施形態に係る角速度センサ５００では、ダンパー３０が形成されない。第４実施形態では、ダンパー３０の代わりに、支持基板２０に設けられた凹部５０の縁部５０ｂ（規制部）が、各振動子２Ａ〜２Ｃによる下方への移動を規制する。つまり、外部衝撃が加えられたとき、各振動子２Ａ〜２Ｃの下方に位置する縁部５０ｂが各振動子２Ａ〜２Ｃによる下方への移動を規制する。
【００８６】
次に、縁部５０ｂのｙ軸方向での位置について説明する。
【００８７】
各振動子２Ａ〜２Ｃの固定端部側に位置する縁部５０ｂを、ｙ軸方向に沿って、徐々に、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部側に近づけていった場合を想定する。この場合、縁部５０ｂが各振動子２Ａ〜２Ｃを規制する効果は、縁部５０ｂが各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部側に近づくに従って高くなる。一方で、角速度センサ５００の共振倍率（Ｑ値）は、縁部５０ｂが各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部側に近づくに従って、急激に低下する。従って、縁部５０ｂの位置は、縁部５０ｂによる規制の効果と、角速度センサ５００の共振倍率（Ｑ値）とを比較考慮して設定される。
【００８８】
縁部５０ｂは、典型的には、各振動子２Ａ〜２Ｃの先端部側から０．５ｍｍ以上離れた位置に設けられるが、これに限られない。
【００８９】
第４実施形態に係る角速度センサ５００では、凹部５０を形成するだけでよいため、耐衝撃性に優れた角速度センサ５００を容易に製造することができる。凹部５０の縁部５０ｂは、所定の曲率半径Ｒで形成されてもよい。これにより、各振動子２Ａ〜２Ｃが縁部５０ｂに衝突するときの衝撃を緩和することができる。
【００９０】
（第５実施形態）  
次に本発明の第５実施形態について説明する。上述の各実施形態では、３音叉型の角速度センサについて説明した。第５実施形態では、１音叉型の形態を有している点において、上述の各実施形態とは異なる。
【００９１】
図１６は、第５実施形態に係る角速度センサを示す側面図である。図１７は、第５実施形態に係る角速度センサが有する振動素子の底面図である。
【００９２】
図１６に示すように、第５実施形態に係る角速度センサ６００は、振動素子１１０と、支持基板２０とを備えている。図１７に示すように、振動素子１１０は、振動子部１０１と基部１１と備えている。振動子部１０１は、１つの振動子１０２で形成されている。振動子１０２は、基部１１から一方向（ｙ軸方向）に延びるように設けられ、先端部が自由端となっており、他方の端部が基部に固定され、固定端とされている。振動子１０２の底面１０２ａ（第２の対向面）は、振動素子１１０が支持基板２０に実装された状態で、支持基板２０の表面２０ａと対向する。
【００９３】
振動子１０２の底面１０２ａには圧電機能層１０５が形成されている。この圧電機能層により振動子１０２に振動が励起され、振動子は、上下方向（ｚ軸方向）に振動する。ダンパー３０は、圧電機能層１０５上（保護層４３上（図４参照））であって、振動子１０２の先端部近傍に形成される。これにより、外部衝撃が加えられ、振動子１０２がｚ軸方向に大きく歪んでしまう前に、ダンパー３０が、支持基板２０の表面２０ａに当接する。これにより、振動子が大きく支持基板２０側に変位してしまうことを防止することができ、角速度センサ６００の耐衝撃性を向上させることができる。
【００９４】
ダンパー３０は、支持基板２０側に設けられていてもよい。この場合、ダンパー３０は、支持基板２０の表面２０ａ上において、振動子１０２の先端部近傍に対向する位置に形成される。ダンパー３０は、振動子１０２の固定端側に設けられていてもよい。あるいは、ダンパー３０は、支持基板２０の表面２０ａ上において、振動子１０２の固定端に対応する位置に形成されてもよい。あるいは、ダンパー３０は、振動子１０２の先端部側及び固定端側の両方に形成さてもよい。また、支持基板２０には、凹部５０が形成されていてもよい。上述の第３実施形態及び上述の第４実施形態において説明した構成は、第５実施形態に適用することができる。
【００９５】
上述の各実施形態は、種々の変形が可能である。
【００９６】
上述の各実施形態では、３音叉型、または１音叉型の角速度センサについて説明した。しかし、これに限られず、２音叉型の角速度センサであってもよく、４音叉型、あるいはそれ以上の音叉型の角速度センサあっても構わない。
【００９７】
（電子機器に係る実施形態）  
次に、上記各実施形態に係る角速度センサ１００、３００〜６００を搭載した電子機器について説明する。
【００９８】
図１８は、上記各実施形態に係る角速度センサ１００、３００〜６００を搭載した電子機器の例として、デジタルカメラを示す概略斜視図である。図１９は、そのデジタルカメラの構成を示すブロック図である。
【００９９】
デジタルカメラ２６０は、角速度センサ１００、３００〜６００を搭載する機器本体２６１を備えている。機器本体２６１は、例えば、金属製、樹脂製などのフレームまたは筐体である。実際には、角速度センサ１００、３００〜６００は、例えば数ｍｍ角の大きさでパッケージングされて構成されている。パッケージングされたジャイロ装置には、少なくとも２軸の回りの回転角速度を検出するために、少なくとも２つの角速度センサ１００、３００〜６００が搭載されていてもよい。
【０１００】
図１９に示すように、デジタルカメラ２６０は、角速度センサ１００、３００〜６００と、制御部５１０と、レンズ等を備える光学系５２０と、ＣＣＤ５３０、光学系５２０に手振れ補正を実行する手振れ補正機構５４０とを有する。
【０１０１】
角速度センサ１００、３００〜６００によって、２軸のコリオリ力が検出される。制御部５１０は、この検出されたコリオリ力に基づき手振れ補正機構５４０を使って光学系５２０で手振れの補正を行う。
【０１０２】
角速度センサ１００、３００〜６００を搭載する電子機器としては、上記したデジタルカメラに限られない。例えば、電子機器としては、ラップトップ型のコンピュータ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistance）、電子辞書、オーディオ／ビジュアル機器、プロジェクタ、携帯電話、ゲーム機器、カーナビゲーション機器、ロボット機器、その他の電化製品等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の一形態に係る角速度センサを示す側面図である。
【図２】振動素子を示す底面図である。
【図３】振動素子を底面方向から見た斜視図である。
【図４】図２及び図３に示すＡ−Ａ間の断面図である。
【図５】振動素子の駆動検出回路の構成を示すブロック図である。
【図６】周波数比（ｆ０／ｆｖ）と基部に伝播する振動量との関係を示す図である。
【図７】比較例を示す図である。
【図８】ダンパーの高さと、破壊発生率との関係を示す図である。
【図９】支持基板の表面上にダンパーが形成された様子を示す図である。
【図１０】本発明の他の形態に係る角速度センサが備える振動素子の底面図である。
【図１１】本発明のさらに別の実施形態に係る角速度センサの側面図である。
【図１２】図１１に示す角速度センサの上面図である。
【図１３】比較例に係る角速度センサを示す図である。
【図１４】各振動子の先端側及び固定端側の両方にダンパーが形成された様子を示す図である。
【図１５】本発明のさらに別の実施の形態に係る角速度センサを示す側面図である。
【図１６】本発明のさらに別の実施の形態に係る角速度センサを示す側面図である。
【図１７】図１５に示す角速度センサが有する振動素子の底面図である。
【図１８】上記各実施形態に係る角速度センサを搭載した電子機器の例として、デジタルカメラを示す概略斜視図である。
【図１９】デジタルカメラの構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１、１０１…振動子部
２、１０２…振動子
３…支持部
４…緩衝部
５、１０５…圧電機能層
１２…接続端子
２０…支持基板
２０ａ…表面
３０…ダンパー
５０…凹部
５０ｂ…縁部
１００、３００、４００、５００、６００…角速度センサ
２６０…デジタルカメラ
【図１】
2010078440.tif 000003
【図２】
2010078440.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2010078440.tif 000014
【図１３】
2010078440.tif 000015
【図１４】
2010078440.tif 000016
【図１５】
2010078440.tif 000017
【図１６】
2010078440.tif 000018
【図１７】
2010078440.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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