(57)【要約】【課題】基板表面の荒れを抑制して基板を処理できる工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】処理室内に、表面に２ｎｍ以下の酸化膜が形成されている基板を搬入する工程（ステップ３０２）と、その後、処理室内でＮ２Ｏガスによりパージを行う工程（ステップ３０５）と、その後、処理室内で基板を処理する工程（ステップ３０６）と、その後、処理室内から基板を搬出する工程（ステップ３０９）と、を備える。【選択図】図５
2010080811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に、表面に２ｎｍ以下の酸化膜が形成されている基板を搬入する工程と、
前記処理室内でＮ２Ｏガスによりパージを行う工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記処理室内から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板を処理する工程で形成される膜は気相成長によるＳｉＯ２膜であり、成膜ガスとしてＤＣＳガス及びＮ２Ｏガスを前記処理室内に供給する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を使用して半導体ウエハにシリコン酸化膜を形成する工程を備える半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ装置を用いて半導体シリコンウエハ上に酸化膜（ＣＶＤ酸化膜）を形成する場合に、シリコンウエハ表面に形成される自然酸化膜を抑制するために、Ｎ２パージボックス等を使用してＣＶＤ装置のローディングエリアのＯ２濃度を下げる手段が用いられることがある。
【０００３】
このようにして自然酸化膜が抑制されたシリコンウエハ上に、ＣＶＤ装置にて、例えば、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス（ＤＣＳガス）とＮ２Ｏガスとを用いてＣＶＤ法により酸化シリコン膜の成膜を行う際には、ＣＶＤ酸化膜の膜質を向上させるために、８００℃以上の高温で酸化膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ：Dichlorosilane High Temperature Oxide）を形成する場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように自然酸化膜の膜厚が薄い（２ｎｍ以下）場合には、８００℃以上の高温ではウエハ表面の状態が荒れ、その結果として、その上に形成したＤＣＳ−ＨＴＯ膜のパーティクル検査ではパーティクルとして見えてしまうという問題があった。
【０００５】
従って、本発明の主な目的は、基板表面の荒れを抑制して基板を処理できる工程を備える半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
処理室内に、表面に２ｎｍ以下の酸化膜が形成されている基板を搬入する工程と、
前記処理室内でＮ２Ｏガスによりパージを行う工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記処理室内から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板表面の荒れを抑制して基板を処理できる工程を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して説明する。
まず、自然酸化膜の膜厚が薄い（２ｎｍ以下）と、８００℃以上の高温ではウエハ表面の状態が荒れる現象について説明する。
【０００９】
８００℃以上の高温かつ減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）で常用する低圧力下（約０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ）では、図１に示すように、シリコン基板２７０上に形成されている自然酸化膜２７１の膜厚ｔが薄い（２ｎｍ以下）と、シリコン基板２７０と自然酸化膜２７１との界面で発生したＳｉＯ分子２７２がガス化して、自然酸化膜２７１の表面から抜け出し、エッチングが起こるという現象（サーマルエッチング）のために、ウエハ２００の表面の状態が荒れてしまう。その結果として、自然酸化膜２７１上に形成したＤＣＳ−ＨＴＯ膜のパーティクル検査ではＤＣＳ−ＨＴＯ膜の表面がパーティクルとして見えてしまう。
【００１０】
これに対して、ウエハ２００の自然酸化膜２７１の膜厚ｔが厚い（２ｎｍを超えている）と、図２に示すように、シリコン基板２７０と自然酸化膜２７１との界面で発生したＳｉＯ分子２７２は、自然酸化膜２７１の表面から抜け出すことができず、サーマルエッチングは起こらない。
【００１１】
図３は、Ｏ２ガス分圧およびウエハ２００の温度に対する、ＳｉとＯ２の反応を説明するための図であり、線２８０より下側では、次式（１）の反応が進み、エッチングが起こる。
２Ｓｉ＋Ｏ２→２ＳｉＯ        （１）
これに対して、線２８０より上側では、次式（２）の反応が進み、Ｓｉの酸化が起こる。
Ｓｉ＋Ｏ２→ＳｉＯ２        （２）
【００１２】
図３より、自然酸化膜２７１の膜厚ｔが薄い（２ｎｍ以下）場合に、サーマルエッチングを起こさせないためには、ウエハ温度とＯ２分圧とが線２８０よりも上側の領域あるようにすればいいと考えられる。例えば、ウエハ温度が８００℃の場合には、Ｏ２分圧は、１０−５Ｔｏｒｒ以上とすればよい。但し、ガスの種類によっては、Ｏ２分圧を高くすると、サーマルエッチングを抑制するにとどまらず、自然酸化膜を厚くしすぎてしまうので、適切なガス種を選択することが好ましい。
【００１３】
そこで、本実施の形態では、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス（ＤＣＳガス）とＮ２Ｏガスとを用いて８００℃以上の高温でＣＶＤ法により酸化シリコン膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ膜）の成膜を行う前に、ウエハ温度を８００℃以上の高温で安定化させる過程で、Ｎ２Ｏガスによるパージを行っている。Ｎ２Ｏガスによるパージを行うことによって、サーマルエッチングを抑えられると共に、自然酸化膜の成長も抑制できる。Ｎ２Ｏガスによるパージを行う際の処理炉内の圧力は、約０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒであることが好ましい。
【００１４】
次に、本実施の形態で使用する基板処理装置および当該装置を使用してＤＣＳ−ＨＴＯ膜を形成する方法について説明する。
【００１５】
図４は本発明の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
【００１６】
図４に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１７】
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２ ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
【００１８】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。
【００１９】
後述するシールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２０】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２１】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２２】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００２３】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２４】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
【００２５】
次に、図４、５を参照して、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス（ＤＣＳガス）とＮ２Ｏガスとを用いて８００℃以上の高温でＣＶＤ法によりウエハ２００上に酸化シリコン膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ膜）の成膜を行う方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００２６】
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図４に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される（ステップ３０２、図５参照）。ボート２１７を処理室２０１に搬入した後、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールする。
【００２７】
なお、ウエハ２００を装填したボート２１７を処理室２０１に搬入する際には、処理室２０１内の温度は６００℃に保たれている。また、マニホールド２０９の下端に接続したＮ２パージボックス（図示せず）を用いて、ローディングエリアをＮ２雰囲気で満たした状態でボート２１７を処理室２０１に搬入することにより、処理室２０１内にＯ２が混入されるのを防止している。このようにすることにより、ウエハ２００を６００℃に保たれた処理室２０１に搬入する際に、自然酸化膜が成長するのを抑制している。
【００２８】
処理室２０１内が大気圧から所望の圧力（真空度）、例えば約０．１Ｐａ〜１．０Ｐａとなるように真空排気装置２４６によって真空排気される。また、処理室２０１内の温度が６００℃から８００℃以上に上昇するようにヒータ２０６によって加熱される。（ステップ３０３、図５参照）。昇温速度は、約２０℃／ｍｉｎであり、サーマルエッチングが起こる温度となっている時間は短いので、この昇温の際には、サーマルエッチングはほとんど起こらない。
【００２９】
なお、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。また、ヒータ２０６によって処理室２０１内が加熱（昇温、降温、温度保持）される場合には、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。
【００３０】
その後、リークチェックを行う（ステップ３０４、図５参照）。この際の処理室２０１内の圧力は、０．１Ｐａ〜０．５Ｐａであり、温度は８００℃以上であり、時間は約１〜３分である。このように時間が短いので、このリークチェックの際には、サーマルエッチングはほとんど起こらない。
【００３１】
次に、処理室２０１内の温度を８００℃以上で安定化させる（ステップ３０５、図５参照）。この安定化には約４０分要するので、処理室２０１内をＮ２Ｏパージをすることで、サーマルエッチングを抑制している。また、パージガスとしてＮ２Ｏガスを使用しているので、自然酸化膜の成長も抑制している。Ｎ２Ｏガスによるパージを行う際の処理室２０１内の圧力は、０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒである。
【００３２】
続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される（ステップ３０６、図５参照）。
本実施の形態では、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス（ＤＣＳガス）とＮ２Ｏガスとを用いて８００℃以上でＣＶＤ法により酸化シリコン膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ膜）の成膜を行う。
【００３３】
予め設定された処理時間が経過すると、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス（ＤＣＳガス）とＮ２Ｏガスの供給を止め、ボート２１７の回転も止める。
その後、処理室２０１の真空排気装置２４６による処理室２０１の真空排気と不活性ガス供給源からの処理室２０１内への不活性ガス（本実施の形態ではＮ２ガス）の供給とを繰り返すサイクルパージが行われる（ステップ３０７、図５参照）。また、このサイクルパージが行われている間に、処理室２０１内の温度は、８００℃以上から６００℃まで降温される。
【００３４】
その後、処理室２０１内に不活性ガス供給源からの不活性ガス（本実施の形態ではＮ２ガス）が供給され、処理室２０１内が不活性ガスで満たされるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（ステップ３０８、図５参照）。
【００３５】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される（ステップ３０９、図５参照）。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７から取出される（ウエハディスチャージ）。
【００３６】
なお、ウエハ２００を装填したボート２１７を処理室２０１から搬出する際には、処理室２０１内の温度は６００℃に保たれている。また、マニホールド２０９の下端にはＮ２パージボックス（図示せず）を接続して、ローディングエリアをＮ２雰囲気で満たした状態でボート２１７を処理室２０１から取り出すことにより、処理室２０１内にＯ２が混入するのを防止している。
【００３７】
次に、図５、７を参照して、比較のための成膜シーケンスを説明する。なお、この比較例においては、処理室２０１内が大気圧から所望の圧力（真空度）となるように真空排気され、処理室２０１内の温度が６００℃から８００℃以上に上昇するように加熱されるステップ４０３までは、上述の本発明の好ましい実施の形態のステップ３０３までと同じである。
【００３８】
次に、比較例においては、処理室２０１内の温度を８００℃以上で安定化させる（ステップ４０４、図７参照）。安定化時には、処理室２０１内をＮ２パージをする。この安定化には約４０分要する。Ｎ２ガスによるパージを行う際の処理室２０１内の圧力は、０．１Ｔｏｒｒ〜１．０Ｔｏｒｒである。
【００３９】
その後、リークチェックを行う（ステップ４０５、図７参照）。この際の処理室２０１内の圧力は、０．１Ｐａ〜０．５Ｐａであり、温度は８００℃以上であり、時間は約１〜３分である。
【００４０】
続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。次いで、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス（ＤＣＳガス）とＮ２Ｏガスとを用いて８００℃以上でＣＶＤ法により酸化シリコン膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ膜）の成膜を行う（ステップ４０６、図７参照）。このステップ４０６以降の工程は、上述の本発明の好ましい実施の形態のステップ３０６以降の工程と同じである。
【００４１】
成膜前の温度安定化時に、Ｎ２Ｏパージを行った本発明の好ましい実施の形態と、Ｎ２パージを行った比較例におけるパーティクル個数および膜厚均一性の比較結果を図６に示す。
【００４２】
図６において、成膜温度は８００℃以上であるが、ウエハ２００のボート２１７内での位置によって温度のばらつきがある。成膜時の温度を表すｔｅｍｐの欄で、ＵはヒータのUpper Zoneを表し、ＣＵはヒータのCenter Upper Zoneを表し、ＣはヒータのCenter Zoneを表し、ＣＬはヒータのCenter Lower Zoneを表し、ＬはヒータのLower Zoneを表す。
【００４３】
成膜時に流すＳｉＨ２Ｃｌ２ガス（ＤＣＳガス）の流量は２０ｓｃｃｍであり、Ｎ２Ｏガスの流量は１００ｓｃｃｍである。成膜時には、圧力制御用バルブの開度を安定させるためのＮ２もインナーチューブの外側から２００ｓｃｃｍ流している（ＢＰ−Ｎ２の欄参照）。
【００４４】
成膜時の圧力は０．２５Ｔｏｒｒであり、成膜時間は１６．５分間である。成膜速度は、Ｎ２Ｏパージを行った本発明の好ましい実施の形態で、４．０６０Å／ｍｉｎであり、Ｎ２パージを行った比較例で、３．６３０Å／ｍｉｎである。
【００４５】
成膜した酸化シリコン膜の膜厚およびウエハ面内の膜厚の均一性については、thickness& unif.の欄を参照のこと。この欄で、ＴＯＰはボートTop部のモニタウエハを表し、ＣＴはボートCenter Top部のモニタウエハを表し、ＣＥＮはボートCenter部のモニタウエハを表し、ＣＢはボートCenter Bottom部のモニタウエハを表し、ＢＴＭはボートBottom部のモニタウエハを表す。
【００４６】
成膜した酸化シリコン膜の膜厚の平均値およびウエハ間の均一性については、ＷｔｏＷの欄を参照のこと。
【００４７】
成膜した酸化シリコン膜のパーティクル検査結果については、Particle（＞０．１２μｍ）およびParticle（＞０．５μｍ）の欄を参照のこと。ここで、Particle（＞０．１２μｍ）とは、Particleの粒径が＞０．１２μｍをいい、Particle（＞０．５μｍ）とは、Particleの粒径が＞０．５μｍをいう。
【００４８】
Ｎ２パージを行った比較例では、サーマルエッチングによりウエハ表面の荒れが発生し、パーティクルとしてカウントされてしまっている。これに対して、Ｎ２Ｏパージを行った本発明の好ましい実施の形態ではパーティクルが劇的に減少し、サーマルエッチングが防止されていると考えられる。また、Ｎ２Ｏパージを行うことによる均一性の悪化等は見られない。
【００４９】
本発明の好ましい実施の形態によれば、Ｎ２パージＢＯＸを用いて自然酸化膜を抑制しつつ、８００℃以上の高温および低圧力下において良質なＤＣＳ−ＨＴＯ膜を成膜することが可能となり、今後の半導体デバイスの性能向上に貢献できる。
【００５０】
また、ＤＣＳ−ＨＴＯの成膜で使用するＮ２Ｏガスを使用して、成膜前の温度安定化時に、Ｎ２Ｏパージを行うことによりサーマルエッチングが防止できるため、新たな設備の導入も不要であり、設備にコストをかける必要もない。
【００５１】
なお、上記本発明の好ましい実施の形態では、成膜ガスとしてＤＣＳとＮ２Ｏガスを供給したが、サーマルエッチングを発生しやすい条件であれば、成膜ガスとして他のガスを使用する場合でも、同様に適用できる。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明の好ましい実施の形態によれば、
処理室内に、表面に２ｎｍ以下の酸化膜が形成されている基板を搬入する工程と、
前記処理室内でＮ２Ｏガスによりパージを行う工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記処理室内から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００５３】
好ましくは、前記基板を処理する工程で形成される膜は気相成長によるＳｉＯ２膜であり、成膜ガスとしてＤＣＳガス及びＮ２Ｏガスを供給する。
【００５４】
また、本発明の好ましい実施の形態によれば、
基板を処理する処理室と、
パージガスであるＮ２Ｏガスを供給する第１のガス供給系と、
処理ガスを供給する第２のガス供給系と、
前記各部の構成を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、表面上に２ｎｍ以下の酸化膜が形成された基板を前記処理室内に搬入してＮ２Ｏガスによるパージを行う工程と、前記処理室内で基板を処理する工程と、を有するように制御する基板処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】酸化膜が薄い場合のシリコンウエハ表面の状態を説明するための概略断面図である。
【図２】酸化膜が厚い場合のシリコンウエハ表面の状態を説明するための概略断面図である。
【図３】酸素ガス分圧とシリコンウエハ表面の反応との関係を示す図である。
【図４】本発明の好ましい実施の形態の基板処理装置で使用される縦型の処理炉とそれに付随する部材との概略構成図であり、特に処理炉部分を縦方向に切断した縦断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施の形態における成膜シーケンスを説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の好ましい実施の形態におけるＮ２Ｏパージの効果を説明するための表である。
【図７】比較のための成膜シーケンスを説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００５６】
１１５  ボートエレベータ
２００  ウエハ
２０１  処理室
２０２  処理炉
２０３  プロセスチュー
２０４  インナーチューブ
２０５  アウターチューブ
２０６  ヒータ
２０９  マニホールド
２１６  断熱板
２１７  ボート
２１９  シールキャプ
２２０ａ、２２０ｂ  Ｏリング
２３０  ノズル
２３１  排気管
２３２  ガス供給管
２３５  ガス流量制御部
２３６  圧力制御部
２３７  駆動制御部
２３８  温度制御部
２３９  主制御部
２４０  コントローラ
２４１  マスフローコントローラー（ＭＦＣ）
２４２  圧力調整装置
２４５  圧力センサ
２４６  真空排気装置
２５０  筒状空間
２５１  ヒータベース
２５４  回転機構
２５５  回転軸
２６３  温度センサ
２７０  Ｓｉ基板
２７１  自然酸化膜
２７２  ＳｉＯ
【図１】
2010080811.tif 000003
【図２】
2010080811.tif 000004
【図３】
2010080811.tif 000005
【図４】
2010080811.tif 000006
【図５】
2010080811.tif 000007
【図６】
2010080811.tif 000008
【図７】
2010080811.tif 000009