(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ表示装置の高輝度化や高精細化を容易にする。【解決手段】  赤色系の光を発する第１のサブ画素、緑色系の光を発する第２のサブ画素、および青色系の光を発する第３のサブ画素を有する画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素は、それぞれ、第１の電極、第２の電極、および発光層を有し、かつ、前記第１の電極と前記発光層とは、前記第１の電極と前記発光層との間に介在する絶縁層の開口部で接続しており、それぞれの前記サブ画素における前記開口部の面積は概ね等しく、第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、あらかじめ定められた順番で繰り返し並んでおり、かつ、前記第１の方向で隣接する２つの前記サブ画素の前記開口部の間隙の寸法が２通り以上である表示装置。【選択図】        図５（ａ）
2010080220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示パネルを有し、それぞれの前記画素は、赤色系の光を発する第１のサブ画素、緑色系の光を発する第２のサブ画素、および青色系の光を発する第３のサブ画素を有する表示装置であって、
前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素は、それぞれ、第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在する発光層を有し、かつ、前記第１の電極と前記発光層とは、前記第１の電極と前記発光層との間に介在する絶縁層の開口部で接続しており、
それぞれの前記サブ画素の前記開口部の面積は概ね等しく、
前記表示パネルの第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、あらかじめ定められた順番で繰り返し並んでおり、かつ、前記第１の方向で隣接する２つの前記サブ画素の前記開口部の間隙の寸法が２通り以上であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記表示パネルの前記第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでおり、
隣接する前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＲＧとし、
隣接する前記第２のサブ画素と前記第３のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＧＢとし、
隣接する前記第３のサブ画素と前記第１のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＢＲとしたときに、それぞれの前記間隙の寸法ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの関係が下記数式１乃至数式４のいずれかの関係であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
ＤＲＧ≠ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式１）
ＤＲＧ＝ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式２）
ＤＲＧ≠ＤＧＢ＝ＤＢＲ  ・・・（数式３）
ＤＲＧ＝ＤＢＲ≠ＤＢＲ  ・・・（数式４）
【請求項３】
前記表示パネルの前記第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでおり、
前記第１の方向で連続する前記第３のサブ画素、前記第１のサブ画素、および前記第２のサブ画素において、
隣接する前記第３のサブ画素と前記第１のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＢＲとし、
隣接する前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＲＧとしたときに、
１枚の前記表示パネル全体におけるそれぞれの前記間隙の寸法ＤＢＲ，ＤＲＧの関係は、ＤＢＲ＜ＤＲＧの関係、またはＤＢＲ＞ＤＲＧの関係のいずれか一方のみであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示パネルの前記第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでおり、
前記第１の方向で連続する前記第３のサブ画素、前記第１のサブ画素、および前記第２のサブ画素において、
隣接する前記第３のサブ画素と前記第１のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＢＲとし、
隣接する前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＲＧとしたときに、
１枚の前記表示パネル全体におけるそれぞれの前記間隙の寸法ＤＢＲ，ＤＲＧの関係には、ＤＢＲ＜ＤＲＧの関係である場合と、ＤＢＲ＞ＤＲＧの関係である場合とがあることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記発光層は、有機エレクトロルミネセンス材料でなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の電極は、複数の前記サブ画素で共有していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）材料でなる発光層を有する有機ＥＬ表示装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、映像や画像を表示するアクティブマトリクス方式の表示装置には、たとえば、有機ＥＬ材料でなる発光層を有する有機ＥＬ表示装置がある。有機ＥＬ表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示パネルを有し、それぞれの画素は、たとえば、赤色系の光を発する第１のサブ画素、緑色系の光を発する第２のサブ画素、および青色系の光を発する第３のサブ画素を有する。このとき、表示パネルの第１の方向（たとえば、水平方向）には、たとえば、第１のサブ画素、第２のサブ画素、および第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでいる。
【０００３】
第１のサブ画素、第２のサブ画素、および第３のサブ画素は、それぞれ、第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極との間に介在する発光層を有する。このとき、第１の電極は、サブ画素毎に独立した電極であり、第２の電極は、複数のサブ画素で共有している電極である。またこのとき、それぞれのサブ画素における第１の電極と発光層とは、たとえば、前記第１の電極と前記発光層との間に介在する絶縁層（バンク層と呼ぶこともある）の開口部で接続している。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置の表示パネルを製造するときには、まず、たとえば、ガラス基板などの第１の絶縁基板の表面に、走査信号線、映像信号線、ＴＦＴ素子などを形成する。
【０００５】
次に、ＴＦＴ素子のソースまたはドレインに接続される第１の電極を形成し、その上に、第１の電極のうちのあらかじめ定められた領域が露出する開口部を有する絶縁層（バンク層）を形成する。
【０００６】
次に、たとえば、第１のサブ画素の発光層、第２のサブ画素の発光層、および第３のサブ画素の発光層を順次形成する。このとき、それぞれのサブ画素の発光層は、一般に、シャドウマスク（蒸着マスクと呼ぶこともある）を用いた蒸着法で形成する（たとえば、特許文献１を参照。）。
【０００７】
次に、複数のサブ画素で共有する第２の電極、および保護膜を形成する。
【０００８】
そして最後に、保護膜の上に第２の絶縁基板を貼り付ける。
【０００９】
なお、有機ＥＬ表示装置の表示パネルの詳細な製造手順は、たとえば、回路構成や発光層が発した光の出射方向などによって異なるが、概ね上記のような手順で製造される。
【特許文献１】特開２００４−１８５８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造方法において、それぞれのサブ画素の発光層を形成するときには、通常、上記のようにシャドウマスク（蒸着マスク）を用いた蒸着法で形成する。すなわち、第１のサブ画素の発光層を形成するときには、当該発光層を形成する面（バンク層）の上に、第１のサブ画素の発光層を配置する領域のみが開口したシャドウマスクを設置し、加熱して蒸発させた蒸着材料を固着させる。また、第２のサブ画素の発光層を形成するときには、当該発光層を形成する面（バンク層）の上に、第２のサブ画素の発光層を配置する領域のみが開口したシャドウマスクを設置し、加熱して蒸発させた蒸着材料を固着させる。また、第３のサブ画素の発光層を形成するときには、当該発光層を形成する面（バンク層）の上に、第３のサブ画素の発光層を配置する領域のみが開口したシャドウマスクを設置し、加熱して蒸発させた蒸着材料を固着させる。
【００１１】
ところで、発光層を蒸着法で形成する場合、蒸着源の加熱にともない、発光層を形成する第１の絶縁基板およびシャドウマスクの温度が上昇し、第１の絶縁基板およびシャドウマスクが膨張する。また、第１の絶縁基板は、一般にガラス基板であり、シャドウマスクは、一般にニッケル−コバルト合金などで形成されている。また、シャドウマスクは、通常、発光層を形成する面とあらかじめ定められた間隔を保持するように配置されている。したがって、発光層を形成する工程では、第１の絶縁基板の熱膨張量とシャドウマスクの熱膨張量とに差が生じ、発光層が形成される領域が、設計時に定めた領域よりも広くなってしまう。
【００１２】
このとき、第１のサブ画素の発光層が、設計時に定めた領域の外側にはみ出してしまい、隣接する第２のサブ画素の発光層または第３のサブ画素の発光層と接触してしまうと、たとえば、当該サブ画素を有する画素の表示に異常が生じるなどの問題が発生する。
【００１３】
そのため、従来の有機ＥＬ表示装置の表示パネルでは、たとえば、隣接する２つのサブ画素におけるバンク層の開口部の間隙の寸法を広くし、それぞれのサブ画素の発光層が接触しないようにしている。
【００１４】
しかしながら、たとえば、表示領域において１つの画素が占有する領域の面積（すなわち画素のサイズ）を変えずに、隣接する２つのサブ画素におけるバンク層の開口部の間隙の寸法を広くすると、バンク層の開口部の面積が狭くなり、それぞれのサブ画素における発光領域の面積が狭くなる。そのため、従来の有機ＥＬ表示装置では、たとえば、高輝度化や高精細化が難しいという問題があった。
【００１５】
本発明の目的は、たとえば、有機ＥＬ表示装置の高輝度化や高精細化が可能な技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００１８】
（１）複数の画素がマトリクス状に配置された表示パネルを有し、それぞれの前記画素は、赤色系の光を発する第１のサブ画素、緑色系の光を発する第２のサブ画素、および青色系の光を発する第３のサブ画素を有する表示装置であって、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素は、それぞれ、第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在する発光層を有し、かつ、前記第１の電極と前記発光層とは、前記第１の電極と前記発光層との間に介在する絶縁層の開口部で接続しており、それぞれの前記サブ画素の前記開口部の面積は概ね等しく、前記表示パネルの第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、あらかじめ定められた順番で繰り返し並んでおり、かつ、前記第１の方向で隣接する２つの前記サブ画素の前記開口部の間隙の寸法が２通り以上である表示装置。
【００１９】
（２）前記（１）の表示装置において、前記表示パネルの前記第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでおり、隣接する前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＲＧとし、隣接する前記第２のサブ画素と前記第３のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＧＢとし、隣接する前記第３のサブ画素と前記第１のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＢＲとしたときに、それぞれの前記間隙の寸法ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの関係が下記数式１乃至数式４のいずれかの関係である表示装置。
ＤＲＧ≠ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式１）
ＤＲＧ＝ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式２）
ＤＲＧ≠ＤＧＢ＝ＤＢＲ  ・・・（数式３）
ＤＲＧ＝ＤＢＲ≠ＤＢＲ  ・・・（数式４）
【００２０】
（３）前記（１）の表示装置において、前記表示パネルの前記第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでおり、前記第１の方向で連続する前記第３のサブ画素、前記第１のサブ画素、および前記第２のサブ画素において、隣接する前記第３のサブ画素と前記第１のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＢＲとし、隣接する前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＲＧとしたときに、１枚の前記表示パネル全体におけるそれぞれの前記間隙の寸法ＤＢＲ，ＤＲＧの関係は、ＤＢＲ＜ＤＲＧの関係、またはＤＢＲ＞ＤＲＧの関係のいずれか一方のみである表示装置。
【００２１】
（４）前記（１）の表示装置において、前記表示パネルの前記第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでおり、前記第１の方向で連続する前記第３のサブ画素、前記第１のサブ画素、および前記第２のサブ画素において、隣接する前記第３のサブ画素と前記第１のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＢＲとし、隣接する前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＲＧとしたときに、１枚の前記表示パネル全体におけるそれぞれの前記間隙の寸法ＤＢＲ，ＤＲＧの関係には、ＤＢＲ＜ＤＲＧの関係である場合と、ＤＢＲ＞ＤＲＧの関係である場合とがある表示装置。
【００２２】
（５）前記（１）の表示装置において、前記発光層は、有機エレクトロルミネセンス材料でなる表示装置。
【００２３】
（６）前記（１）の表示装置において、前記第２の電極は、複数の前記サブ画素で共有している表示装置。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の表示装置によれば、有機ＥＬ表示装置の高輝度化や高精細化が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
図１（ａ）乃至図１（ｄ）は、本発明に関わる有機ＥＬ表示装置の一構成例を示す模式図である。
図１（ａ）は、本発明に関わる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す模式図である。図１（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の表示領域の概略構成の一例を示す模式図である。図１（ｃ）は、１つのサブ画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。図１（ｄ）は、図１（ｃ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【００２７】
本発明は、たとえば、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置（以下、単に有機ＥＬ表示装置という。）に適用される。有機ＥＬ表示装置は、たとえば、図１（ａ）に示すように、複数本の走査信号線１０１および複数本の映像信号線１０２を有する表示パネル１、第１の駆動回路２、第２の駆動回路３、および制御回路４を有する。
【００２８】
表示パネル１の表示領域ＤＡは、複数の画素がマトリクス状に配置されており、それぞれの画素は、たとえば、赤色系の光を発する第１のサブ画素、緑色系の光を発する第２のサブ画素、および青色系の光を発する第３のサブ画素を有する。このとき、それぞれのサブ画素は、第１の電極、第２の電極、およびそれらの電極の間に介在する発光層（有機ＥＬ層）とを有する。第１のサブ画素は、たとえば、ピーク波長が６５０μｍ付近の赤色系の光を発する第１の発光層を有する。第２のサブ画素は、たとえば、ピーク波長が５５０μｍ付近の緑色系の光を発する第２の発光層を有する。第３のサブ画素は、たとえば、ピーク波長が４００μｍ付近の青色系の光を発する第３の発光層を有する。
【００２９】
またこのとき、表示パネル１の表示領域ＤＡは、たとえば、図１（ｂ）に示すように、第１の発光層１０３Ｒ、第２の発光層１０３Ｇ、および第３の発光層１０３Ｂが規則的（周期的）に配置されている。一般的な有機ＥＬ表示装置の場合、表示領域ＤＡの第１の方向（＋ｘ方向）には、第１の発光層１０３Ｒ、第２の発光層１０３Ｇ、および第３の発光層１０３Ｂがこの順番で繰り返し並んでおり、１つの画素１０４は、第１の方向で連続する第１の発光層１０３Ｒ、第２の発光層１０３Ｇ、および第３の発光層１０３Ｂを有する。
【００３０】
また、一般的な有機ＥＬ表示装置の場合、表示領域ＤＡの第２の方向（ｙ方向）には、同じ系統の色の光を発する発光層が繰り返し並んでいる。
【００３１】
表示パネル１は、一般に、第１の基板と第２の基板の２枚の基板を貼り合わせた構成になっており、第１の基板と第２の基板との間には、たとえば、走査信号線１０１、映像信号線１０２、および各サブ画素などが配置されている。このとき、図１（ｂ）に示した第２のサブ画素１０４Ｇは、たとえば、図１（ｃ）および図１（ｄ）に示すように、第１の基板１００の上に配置された第１の電極１０５、第２の電極１０６、および第２の発光層１０３Ｇを有する。なお、図１（ｄ）の断面図では、第２の電極１０６の上に配置される保護膜や第２の基板を省略している。
【００３２】
またこのとき、第１の基板１００と第１の電極１０５との間には、たとえば、走査信号線１０１、映像信号線１０２、ＴＦＴ素子などが配置されており、ＴＦＴ素子の半導体層１０７、第１の絶縁層１０８、ＴＦＴ素子のゲート電極１０９、第２の絶縁層１１０、ＴＦＴ素子のソース電極１１１およびドレイン電極１１２、第３の絶縁層１１３などが形成されている。そして、第１の電極１０５は、第３の絶縁層１１３に設けられた開口部ＣＨ１によりソース電極１１１に接続している。
【００３３】
また、第３の絶縁層１１３の上には、第１の電極１０５の一部分と重なる位置に開口部ＣＨ２を有する第４の絶縁層１１４（バンク層）が形成されている。このとき、第２の発光層１０３Ｇが第１の電極１０５および第２の電極１０６の両方と接触しているのは、開口部ＣＨ２の第１の電極１０５側の開口端と重なる領域のみであり、当該領域が発光領域となる。
【００３４】
また、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の場合は、第３の絶縁層１１３と第１の電極１０５との間に反射層１１５が配置されている。
【００３５】
また、第１のサブ画素および第３のサブ画素は、それぞれ、第２のサブ画素１０４Ｇと同じ構成であり、第２の発光層１０３Ｇが第１の発光層１０３Ｒまたは第３の発光層１０３Ｂに変わるだけである。
【００３６】
なお、図１（ｃ）および図１（ｄ）に示したサブ画素の構成は、本発明が適用可能な有機ＥＬ表示装置におけるサブ画素の概略構成の一例である。本発明は、たとえば、図１（ｃ）および図１（ｄ）に示したサブ画素の構成のうちの、反射層１１５、第１の電極１０５、第４の絶縁層１１４の開口部ＣＨ２、および発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの配置方法に関するものである。したがって、本発明が適用可能な有機ＥＬ表示装置では、たとえば、第１の基板１００と第３の絶縁層１１３との間の構成が適宜変更可能である。そのため、本明細書では、第１の基板１００と第３の絶縁層１１３との間の構成および製造方法に関する詳細な説明は省略する。
【００３７】
図１（ｃ）および図１（ｄ）に示したような構成のサブ画素を有する表示パネルを製造するときには、まず、ガラス基板などの第１の基板１００の表面に、走査信号線１０１、映像信号線１０２、半導体層１０７、第１の絶縁層１０８、ゲート電極１０９、第２の絶縁層１１０、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２、開口部ＣＨ１を有する第３の絶縁層１１３などを、所定の手順で形成する。
【００３８】
次に、第３の絶縁層１１３の上に、反射層１１５および第１の電極１０５を形成する。反射層１１５は、たとえば、アルミニウムなどの光反射率が高い金属膜をエッチングして形成する。第１の電極１０５は、たとえば、ＩＺＯまたはＩＴＯなどの透明な導電膜をエッチングして形成する。
【００３９】
次に、開口部ＣＨ２を有する第４の絶縁層１１４を形成する。第４の絶縁層１１４は、一般にバンク層と呼ばれている絶縁層であり、たとえば、ＳｉＮなどからなる絶縁膜を形成（成膜）した後、当該絶縁膜をエッチングして開口部ＣＨ２を形成する。
【００４０】
次に、第１の発光層１０３Ｒ、第２の発光層１０３Ｇ、および第３の発光層１０３Ｂを、所定の順番で形成する。第１の発光層１０３Ｒ、第２の発光層１０３Ｇ、および第３の発光層１０３Ｂは、それぞれ、シャドウマスク（蒸着マスク）を用いた蒸着法で形成する。
【００４１】
次に、第２の電極１０６を形成する。第２の電極１０６は、たとえば、ＩＺＯまたはＩＴＯなどの透明な導電膜を成膜して形成する。
【００４２】
その後、たとえば、保護膜を形成し、ガラス基板などの第２の基板を張り合わせることで、図１（ｃ）および図１（ｄ）に示したような構成のサブ画素を有する表示パネルが得られる。
【００４３】
図２は、従来の有機ＥＬ表示装置におけるサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。
【００４４】
従来の有機ＥＬ表示装置の表示パネル１におけるサブ画素の配置、言い換えると第４の絶縁層１１４の開口部ＣＨ２および発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの配置は、たとえば、図２に示すような配置になっている。
【００４５】
第４の絶縁層１１４の開口部ＣＨ２は、それぞれ、たとえば、ｘ方向の寸法がＬＸ、ｙ方向の寸法がＬＹの概略長方形の開口端を有する。このとき、ｘ方向で隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隔ＰＸＲＧ，ＰＸＧＢ，ＰＸＢＲは、通常、同じ値に設定されており、ｘ方向で隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲが同じ値になっている。
【００４６】
なお、間隔ＰＸＲＧは、第１の発光層１０３Ｒを配置する開口部ＣＨ２と第２の発光層１０３Ｇを配置する開口部ＣＨ２との間隔である。また、間隔ＰＸＧＢは、第２の発光層１０３Ｇを配置する開口部ＣＨ２と第３の発光層１０３Ｂを配置する開口部ＣＨ２との間隔である。また、間隔ＰＸＢＲは、第３の発光層１０３Ｂを配置する開口部ＣＨ２と第１の発光層１０３Ｒを配置する開口部ＣＨ２との間隔である。
また、間隙ＤＲＧは、第１の発光層１０３Ｒを配置する開口部ＣＨ２と第２の発光層１０３Ｇを配置する開口部ＣＨ２との間隙である。また、間隙ＤＧＢは、第２の発光層１０３Ｇを配置する開口部ＣＨ２と第３の発光層１０３Ｂを配置する開口部ＣＨ２との間隙である。また、間隙ＤＢＲは、第３の発光層１０３Ｂを配置する開口部ＣＨ２と第１の発光層１０３Ｒを配置する開口部ＣＨ２との間隙である。
【００４７】
またこのとき、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、それぞれ、たとえば、ｘ方向の寸法がＯＥＸ、ｙ方向の寸法がＯＥＹの概略長方形である。発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、通常、上記のようにシャドウマスクを用いた蒸着法で形成する。そのため、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、蒸着尤度Ｍを考慮し、ｘ方向の寸法ＯＥＸおよびｙ方向の寸法ＯＥＹを、それぞれ、ＯＥＸ＝ＬＸ＋２・Ｍ、ＯＥＹ＝ＬＹ＋２・Ｍに設定している。
【００４８】
蒸着尤度Ｍは、たとえば、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの形成位置や寸法にずれが生じたときの発光領域の減少を防ぐために設ける余剰部分の寸法であり、たとえば、下記の数式５により与えられる。
Ｍ＝√（ＡＡ２＋ＭＡ２＋ＭＳ２）  ・・・（数式５）
【００４９】
なお、数式５において、ＡＡは発光層を形成する第１の基板１００とシャドウマスクとの位置合わせの精度、ＭＡはシャドウマスクの設計精度、ＭＳはシャドウマスクの開口部の寸法の精度である。
【００５０】
またさらに、従来の有機ＥＬ表示装置では、たとえば、図２に示したように、ｘ方向で隣接する２つの発光層の間に間隙ＵＸを設ける場合がある。この場合、間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲは、ＤＲＧ＝ＤＧＢ＝ＤＢＲ＝２・Ｍ＋ＵＸになる。なお、図２に示した例では、ｘ方向で隣接する発光層の区別をしやすくするために、２つの発光層の間に間隙ＵＸを設けた場合を示しているが、これに限らず、間隙ＵＸが０μｍであってもよいことはもちろんである。
【００５１】
従来の発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを形成する工程における上記の３つの精度ＡＡ，ＭＡ，ＭＳが、それぞれ、たとえば、ＡＡ＝±５μｍ、ＭＡ＝±５μｍ、ＭＳ＝±３μｍであるとすると、数式５から、蒸着尤度Ｍは約７．７μｍとなる。したがって、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍを考慮して発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを形成する場合、間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲは、画素のピッチＰＸによらず、最低でも７．７×２＝１５．４μｍ必要になる。
【００５２】
有機ＥＬ表示装置では、高輝度化のために、それぞれのサブ画素における発光領域をできるだけ広くすることが望ましい。そのため、従来の有機ＥＬ表示装置では、たとえば、発光層の間隙ＵＸを０μｍにし、２つの開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲを必要最小限の値（たとえば、ＤＲＧ＝ＤＧＢ＝ＤＢＲ＝２・Ｍ）にしていることが多い。
【００５３】
図３（ａ）および図３（ｂ）、図４（ａ）乃至図４（ｅ）は、発光層の形成方法の一例とその問題点を説明するための模式図である。
図３（ａ）は、第１の発光層の形成を開始した直後の第１の基板とシャドウマスクとの関係の一例を示す模式図である。図３（ｂ）は、第１の発光層の形成を終了する直前の第１の基板とシャドウマスクとの関係の一例を示す模式図である。
図４（ａ）は、第１の基板の熱膨張の様子の一例を示す模式図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の領域Ｈ１に形成された発光層の平面形状の一例を示す模式図である。図４（ｃ）は、図４（ａ）の領域Ｈ２に形成された発光層の平面形状の一例を示す模式図である。図４（ｄ）は、図４（ａ）の領域Ｈ４に形成された発光層の平面形状の一例を示す模式図である。図４（ｅ）は、図４（ａ）の領域Ｈ６に形成された発光層の平面形状の一例を示す模式図である。
なお、図３（ａ）および図３（ｂ）では、第１の基板１００の上に形成されている半導体層１０７、第１の絶縁層１０８、第３の絶縁層１１３、反射層１１５、第１の電極１０５、第４の絶縁層１１４などを省略している。
また、図４（ｂ）乃至図４（ｅ）の各図において、開口部ＣＨ２を囲む破線は設計データにおける発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの形成領域を表している。また、図４（ｂ）乃至図４（ｅ）の各図において、開口部ＣＨ２の内部に示した矢印は、矢の向きで第１の基板１００が熱膨張する際に膨張する方向を表し、長さで熱膨張の度合いを表している。
【００５４】
有機ＥＬ表示装置の表示パネル１の製造方法において、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを形成する工程は、第１の発光層１０３Ｒを形成する工程、第２の発光層１０３Ｇを形成する工程、および第３の発光層１０３Ｂを形成する工程を、あらかじめ定められた順序で行う。このとき、それぞれの発光層を形成する工程は、通常、シャドウマスクを用いた蒸着法で行われる。
【００５５】
蒸着法で第１の発光層１０３Ｒを形成するときには、たとえば、図３（ａ）に示すように、第１の基板１００の第１の発光層１０３Ｒを形成する面にシャドウマスク５を配置して行う。シャドウマスク５は、たとえば、３６％Ｎｉ−Ｆｅ合金などの金属材料で形成されており、設計データにおける第１の発光層１０３Ｒの形成領域Ｑと対応する箇所に開口領域５Ａを有する。このとき、シャドウマスク５は、たとえば、外周部が蒸着装置のフレームに固定されており、第１の基板１００とあらかじめ定められた間隔で保持されている。そして、この状態で、第１の発光層１０３Ｒの材料である蒸着源６を加熱蒸発させ、蒸発した材料を第１の基板１００側に導き、固着（堆積）させる。
【００５６】
このとき、第１の発光層１０３Ｒの形成を開始した直後は、たとえば、図３（ａ）に示すように、形成領域Ｑとシャドウマスク５の開口領域５Ａの位置が一致している。しかしながら、蒸着源６の加熱にともない蒸着装置内の温度が上昇するため、時間の経過とともに第１の基板１００およびシャドウマスク５の温度が上昇し、徐々に膨張していく。
【００５７】
第１の基板１００とシャドウマスク５とは、異なる材料で形成されており、通常、熱膨張係数が異なる。第１の基板１００がガラス基板の場合、その熱膨張係数は、たとえば、３．８×１０−６ｐｐｍ／℃程度である。一方、シャドウマスク５は、たとえば、３６％Ｎｉ−Ｆｅ合金などで形成されており、その熱膨張係数は、たとえば、１．２×１０−６ｐｐｍ／℃である。
【００５８】
そのため、第１の発光層１０３Ｒの形成を開始した直後は、設計データにおける第１の発光層１０３Ｒの形成領域Ｑとシャドウマスク５の開口領域５Ａの位置が一致していても、第１の発光層１０３Ｒの形成が終了する直前には、たとえば、図３（ｂ）に示すように、形成領域Ｑとシャドウマスク５の開口領域５Ａの位置にずれが生じる。
【００５９】
その結果、第１の基板１００の上に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑの寸法よりも大きくなる。
【００６０】
また、第２の発光層１０３Ｇを形成するとき、および第３の発光層１０３Ｂを形成するときにも、同様の現象が発生する。そのため、第１の基板１００の上に形成された第２の発光層１０３Ｇおよび第３の発光層１０３Ｂは、設計データにおいて形成する領域の寸法よりも大きくなる。
【００６１】
またこのとき、それぞれの発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、形成領域Ｑに対して、第１の基板１００が膨張する方向と反対の方向にはみ出す。
【００６２】
表示パネル１に用いる基板を１枚ごとに個別に形成する場合、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを形成する工程で１枚の第１の基板１００を加熱すると、当該第１の基板１００は、たとえば、図４（ａ）に示すように、第１の基板１００の中心（重心）を膨張中心とし、実線で示した外周が破線の位置まで広がるような膨張をする。
【００６３】
このとき、第１の基板１００のｘ方向への膨張は、ｘ方向の中心を通る中心線ＤＡＣ１を境に、中心線ＤＡＣ１よりも左側の部分は−ｘ方向に膨張し、右側の部分は＋ｘ方向に膨張する。また、第１の基板１００のｙ方向への膨張は、ｙ方向の中心を通る中心線ＤＡＣ２を境に、中心線ＤＡＣ２よりも上側の部分は＋ｙ方向に膨張し、下側の部分は−ｙ方向に膨張する。
【００６４】
すなわち、表示領域ＤＡを中心線ＤＡＣ１，ＤＡＣ２で４分割した場合、左上の領域に形成される発光層は、設計データにおける形成領域に対して、＋ｘ方向および−ｙ方向にはみ出す。また、左下の領域に形成される発光層は、設計データにおける形成領域に対して、＋ｘ方向および＋ｙ方向にはみ出す。また、右上の領域に形成される発光層は、設計データにおける形成領域に対して、−ｘ方向および−ｙ方向にはみ出す。また、右下の領域に形成される発光層は、設計データにおける形成領域に対して、−ｘ方向および＋ｙ方向にはみ出す。
【００６５】
またこのとき、第１の基板１００のｘ方向への膨張の度合いは、ｘ方向の中心を通る中心線ＤＡＣ１から遠ざかるほど大きくなる。また、第１の基板１００のｙ方向への膨張の度合いは、ｙ方向の中心を通る中心線ＤＡＣ２から遠ざかるほど大きくなる。
【００６６】
図４（ａ）に示した第１の基板１００の領域Ｈ１乃至領域Ｈ９のそれぞれに形成される第１の発光層１０３Ｒの平面形状の一例について、図４（ｂ）乃至図４（ｅ）を参照しながら説明する。
【００６７】
第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの中心付近にある領域Ｈ１は、中心線ＤＡＣ１，ＤＡＣ２の両方に近い領域であり、ｘ方向およびｙ方向への熱膨張の度合いが小さい。そのため、設計データにおける発光層の形成領域と、シャドウマスク５の開口領域５Ａとの、熱膨張による位置ずれの度合いが小さい。したがって、第１の基板１００の領域Ｈ１に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域との関係は、たとえば、図４（ｂ）に示すような関係になる。すなわち、領域Ｈ１に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからのｘ方向へのはみ出し量Δｘおよびｙ方向へのはみ出し量Δｙがともに小さい。
【００６８】
また、第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの上辺中央部にある領域Ｈ２は、ｘ方向への熱膨張の度合いは小さく、＋ｙ方向への熱膨張の度合いが大きい。そのため、第１の基板１００の領域Ｈ２に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域Ｑとの関係は、たとえば、図４（ｃ）に示すような関係になる。すなわち、領域Ｈ２に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからのｘ方向へはみ出し量Δｘが小さく、−ｙ方向へのはみ出し量Δｙが大きい。
【００６９】
また、第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの下辺中央部にある領域Ｈ３は、ｘ方向への熱膨張の度合いは小さく、−ｙ方向への熱膨張の度合いが大きい。そのため、第１の基板１００の領域Ｈ３に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域Ｑとの関係は、たとえば、図４（ｃ）を上下反転させたような関係になる。すなわち、領域Ｈ３に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからのｘ方向へのはみ出し量Δｘが小さく、＋ｙ方向へのはみ出し量Δｙが大きい。
【００７０】
また、第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの左辺中央部にある領域Ｈ４は、ｙ方向への熱膨張の度合いは小さく、−ｘ方向への熱膨張の度合いが大きい。そのため、第１の基板１００の領域Ｈ４に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域Ｑとの関係は、たとえば、図４（ｄ）に示すような関係になる。すなわち、領域Ｈ４に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからのｙ方向へのはみ出し量Δｙが小さく、＋ｘ方向へのはみ出し量Δｘが大きい。
【００７１】
また、第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの右辺中央部にある領域Ｈ５は、ｙ方向への熱膨張の度合いは小さく、＋ｘ方向への熱膨張の度合いが大きい。そのため、第１の基板１００の領域Ｈ５に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域Ｑとの関係は、たとえば、図４（ｄ）を左右反転させたような関係になる。すなわち、領域Ｈ５に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからのｙ方向へのはみ出し量Δｙが小さく、−ｘ方向へのはみ出し量Δｘが大きい。
【００７２】
また、第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの左上角部にある領域Ｈ６は、−ｘ方向および＋ｙ方向への熱膨張の度合いが大きい。そのため、第１の基板１００の領域Ｈ６に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域Ｑとの関係は、たとえば、図４（ｅ）に示すような関係になる。すなわち、領域Ｈ６に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからの＋ｘ方向へのはみ出し量Δｘおよび−ｙ方向へのはみ出し量Δｙがともに大きい。
【００７３】
また、第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの左下角部にある領域Ｈ７は、−ｘ方向および−ｙ方向への熱膨張の度合いが大きい。そのため、第１の基板１００の領域Ｈ７に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域Ｑとの関係は、たとえば、図４（ｅ）を上下反転させたような関係になる。すなわち、領域Ｈ７に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからの＋ｘ方向へのはみ出し量Δｘおよび＋ｙ方向へのはみ出し量Δｙがともに大きい。
【００７４】
また、第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの右上角部にある領域Ｈ８は、＋ｘ方向および＋ｙ方向への熱膨張の度合いが大きい。そのため、第１の基板１００の領域Ｈ８に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域Ｑとの関係は、たとえば、図４（ｅ）を左右反転させたような関係になる。すなわち、領域Ｈ８に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからの−ｘ方向へのはみ出し量Δｘおよび−ｙ方向へのはみ出し量Δｙがともに大きい。
【００７５】
また、第１の基板１００のうちの、表示領域ＤＡの右下角部にある領域Ｈ９は、＋ｘ方向および−ｙ方向への熱膨張の度合いが大きい。そのため、第１の基板１００の領域Ｈ９に形成された第１の発光層１０３Ｒの平面形状と、設計データにおける形成領域Ｑとの関係は、たとえば、図４（ｅ）を１８０℃回転させたような関係になる。すなわち、領域Ｈ９に形成された第１の発光層１０３Ｒは、設計データにおける形成領域Ｑからの−ｘ方向へのはみ出し量Δｘおよび＋ｙ方向へのはみ出し量Δｙがともに大きい。
【００７６】
また、図を参照した説明は省略するが、第１の基板１００の領域Ｈ１乃至Ｈ９の各領域に形成された第２の発光層１０３Ｇの平面形状と設計データにおける形成領域との関係、および第３の発光層１０３Ｂの平面形状と設計データにおける形成領域との関係は、それぞれ、第１の発光層１０３Ｒの平面形状と設計データにおける形成領域Ｑとの関係と同様の関係になる。
【００７７】
ところで、第１の基板１００の表示領域ＤＡに形成される多数個の第１の発光層１０３Ｒにおいて、ｘ方向へのはみ出し量Δｘおよびｙ方向へのはみ出し量Δｙが最も大きくなるのは、第１の基板１００の膨張中心からの距離が最も遠い第１の発光層１０３Ｒ、すなわち表示領域ＤＡの角部に形成される第１の発光層１０３Ｒである。
【００７８】
このとき、ｘ方向のはみ出し量Δｘの最大値Δｘｍａｘ、およびｙ方向のはみ出し量Δｙの最大値Δｙｍａｘは、たとえば、第１の基板１００の材料（熱膨張係数）とシャドウマスク５の材料（熱膨張係数）との組み合わせ、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの形成条件（蒸着源の加熱温度および蒸着時間）、第１の基板１００の大きさ（表示領域ＤＡの面積）などによって異なる。
【００７９】
熱膨張係数が３．８×１０−６ｐｐｍ／℃である第１の基板１００（ガラス基板）と、熱膨張係数が１．２×１０−６ｐｐｍ／℃であるシャドウマスク５とを用いて、第１の発光層１０３Ｒ、第２の発光層１０３Ｇ、および第３の発光層１０３Ｂのそれぞれを形成するときの形成条件およびはみ出し量Δｘの最大値Δｘｍａｘの一例を、下記の表に示す。
【００８０】
【表１】
2010080220.tif 000003
【００８１】
なお、上記の表において、ＥＬＲは第１の発光層１０３Ｒとして用いる有機ＥＬ材料、ＥＬＧは第２の発光層１０３Ｇとして用いる有機ＥＬ材料、ＥＬＢは第３の発光層１０３Ｂとして用いる有機ＥＬ材料である。また、上記の表において、ＳＴＥはそれぞれの有機ＥＬ材料でなる蒸着源の加熱温度、ＳＴＩは蒸着時間、ΔＴＳは蒸着開始時と終了時での第１の基板１００の温度差、Δｘｍａｘは発光層のｘ方向へのはみ出し量Δｘの最大値である。また、上記の表における発光層のはみ出し量Δｘの最大値Δｘｍａｘは、たとえば、図４（ａ）に示した表示領域ＤＡの対角の寸法が５０ｃｍである場合の、表示領域ＤＡの角部（たとえば、領域Ｈ７）に形成される発光層のｘ方向へのはみ出し量Δｘの最大値である。
【００８２】
しかしながら、従来の有機ＥＬ表示装置におけるｘ方向で隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲは、たとえば、上記の数式５で与えられる蒸着尤度Ｍに基づいて、ＤＲＧ＝ＤＧＢ＝ＤＢＲ＝２・Ｍ（μｍ）になるようにしている。そのため、第１の基板１００とシャドウマスク５との熱膨張係数の差による発光層のｘ方向へのはみ出し量Δｘｍａｘが大きいと、たとえば、第１の発光層１０３Ｒが、隣のサブ画素（第２の発光層１０３Ｇを有する第２のサブ画素）の開口部ＣＨ２にかかって第２のサブ画素の発光色に異常を来すなどの問題が生じやすくなり、表示パネルの製造歩留まりの低下が懸念される。
【００８３】
上記のような熱膨張による発光層のはみ出し量Δｘに起因する問題を解決する方法としては、たとえば、間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲをＤＲＧ＝ＤＧＢ＝ＤＢＲ＝２・Ｍ＋ＵＸ（μｍ）にし、発光層の間隙ＵＸを大きくするという方法が考えられる。しかしながら、発光層の間隙ＵＸを大きくすると、非発光領域が増える分、開口部ＣＨ２の面積が狭くなり、有機ＥＬ表示装置の輝度出力の低下および消費電力の増加が懸念される。
【実施例１】
【００８４】
図５（ａ）乃至図５（ｃ）は、本発明による実施例１の有機ＥＬ表示装置におけるサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。
図５（ａ）は、実施例１の有機ＥＬ表示装置における表示領域の左下角部のサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。図５（ｂ）は、実施例１の有機ＥＬ表示装置における表示領域の右上角部のサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。図５（ｃ）は、実施例１の有機ＥＬ表示装置における表示領域の中心部分のサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。
【００８５】
有機ＥＬ表示装置の表示パネル１を１枚ごとに個別に製造する場合、第１の基板１００に形成される発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、それぞれ、設計データにおける形成領域から、表示領域ＤＡの中心（膨張中心）に向かう方向にはみ出す。このとき、ｘ方向へのはみ出し量Δｘが最も大きくなるのは、表示領域ＤＡの左辺および右辺に沿って形成される発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂである。またこのとき、表示領域ＤＡの左辺に沿って形成される発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、設計データにおける形成領域から＋ｘ方向へのはみ出し量Δｘが大きく、−ｘ方向へのはみ出し量はほぼ０μｍである。一方、表示領域ＤＡの右辺に沿って形成される発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、設計データにおける形成領域から−ｘ方向へのはみ出し量Δｘが大きく、＋ｘ方向へのはみ出し量はほぼ０μｍである。
【００８６】
したがって、熱膨張による発光層のはみ出し量Δｘを考慮してｘ方向で隣接する２つの発光層の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲを設定する場合、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍと、２つの発光層のうちの一方の発光層におけるｘ方向へのはみ出し量Δｘを考慮して設定すれば、非発光領域の増加量を最小限に抑えられることを、本願発明者らは見出した。
【００８７】
すなわち、実施例１の有機ＥＬ表示装置では、図４（ａ）に示した領域Ｈ７におけるサブ画素の配置、言い換えると第４の絶縁層１１４の開口部ＣＨ２および発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを、たとえば、図５（ａ）に示すような配置にする。なお、実施例１の有機ＥＬ表示装置では、すべての開口部ＣＨ２の面積（開口端の寸法）を等しくする。また、図５（ａ）に示した例における発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、従来の製造方法と同様に、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍに基づいた寸法の開口領域５Ａを有するシャドウマスク５を用いて形成しており、第１の基板１００およびシャドウマスク５の熱膨張の影響がなければ、破線で示した概略長方形の形成領域Ｑに形成される。
【００８８】
表示パネル１を１枚ごとに個別に製造する場合、たとえば、表示領域ＤＡの左下角部にある領域Ｈ７に形成される発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、前述のように、＋ｘ方向および＋ｙ方向にはみ出す。そのため、第１の発光層１０３Ｒと第２の発光層１０３Ｇの間隙ＤＲＧは、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍ、２つの発光層の間隙ＵＸ、および第１の発光層１０３Ｒのｘ方向のはみ出し量ΔｘＲｍａｘに基づき、ＤＲＧ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＲｍａｘにする。
【００８９】
また、第２の発光層１０３Ｇと第３の発光層１０３Ｂの間隙ＤＧＢは、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍ、２つの発光層の間隙ＵＸ、および第２の発光層１０３Ｇのｘ方向のはみ出し量ΔｘＧｍａｘに基づき、ＤＧＢ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＧｍａｘにする。同様に、第３の発光層１０３Ｂと第１の発光層１０３Ｒの間隙ＤＢＲは、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍ、２つの発光層の間隙ＵＸ、および第３の発光層１０３Ｂのｘ方向のはみ出し量ΔｘＢｍａｘに基づき、ＤＢＲ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＢｍａｘにする。
【００９０】
このとき、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂのｘ方向のはみ出し量ΔｘＲｍａｘ，ΔｘＧｍａｘ，ΔｘＢｍａｘが、それぞれ、上記の表に示したような関係（ΔｘＲｍａｘ＞ΔｘＧｍａｘ＞ΔｘＢｍａｘ）であれば、間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの関係は、ＤＲＧ＞ＤＧＢ＞ＤＢＲになる。またこのとき、それぞれの開口部ＣＨ２の寸法（面積）を等しくするのであれば、隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隔ＰＸＲＧ，ＰＸＧＢ，ＰＸＢＲの関係は、ＰＸＲＧ＞ＰＸＧＢ＞ＰＸＢＲになる。
【００９１】
また、図は省略するが、実施例１の有機ＥＬ表示装置では、表示領域ＤＡの左下角部の領域Ｈ７だけに限らず、図４（ａ）に示した表示領域ＤＡのうちの、中心線ＤＳＣ１よりも左側の領域におけるサブ画素の配置、言い換えると開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲを、すべてＤＲＧ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＲｍａｘ，ＤＧＢ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＧｍａｘ，ＤＢＲ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＢｍａｘにする。
【００９２】
一方、実施例１の有機ＥＬ表示装置では、図４（ａ）に示した領域Ｈ８におけるサブ画素の配置、言い換えると第４の絶縁層１１４の開口部ＣＨ２および発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを、たとえば、図５（ｂ）に示すような配置にする。なお、図５（ｂ）に示した例における発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、従来の製造方法と同様に、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍに基づいた寸法の開口領域５Ａを有するシャドウマスク５を用いて形成しており、第１の基板１００およびシャドウマスク５の熱膨張の影響がなければ、破線で示した概略長方形の形成領域に形成される。
【００９３】
表示パネル１を１枚ごとに個別に製造する場合、たとえば、表示領域ＤＡの右上角部にある領域Ｈ８に形成される発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、前述のように、−ｘ方向および−ｙ方向にはみ出す。そのため、第１の発光層１０３Ｒと第２の発光層１０３Ｇの間隙ＤＲＧは、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍ、２つの発光層の間隙ＵＸ、および第２の発光層１０３Ｇのｘ方向のはみ出し量ΔｘＧｍａｘに基づき、ＤＲＧ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＧｍａｘにする。
【００９４】
また、第２の発光層１０３Ｇと第３の発光層１０３Ｂの間隙ＤＧＢは、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍ、２つの発光層の間隙ＵＸ、および第３の発光層１０３Ｂのｘ方向のはみ出し量ΔｘＢｍａｘに基づき、ＤＧＢ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＢｍａｘにする。同様に、第３の発光層１０３Ｂと第１の発光層１０３Ｒの間隙ＤＢＲは、数式５で与えられる蒸着尤度Ｍ、２つの発光層の間隙ＵＸ、および第１の発光層１０３Ｒのｘ方向のはみ出し量ΔｘＲｍａｘに基づき、ＤＢＲ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＲｍａｘにする。
【００９５】
このとき、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂのｘ方向のはみ出し量ΔｘＲｍａｘ，ΔｘＧｍａｘ，ΔｘＢｍａｘが、それぞれ、上記の表に示したような関係（ΔｘＲｍａｘ＞ΔｘＧｍａｘ＞ΔｘＢｍａｘ）であれば、間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの関係は、ＤＢＲ＞ＤＲＧ＞ＤＧＢになる。
【００９６】
また、実施例１の有機ＥＬ表示装置では、すべての開口部ＣＨ２の面積（開口端の寸法）を等しくするので、隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隔ＰＸＲＧ，ＰＸＧＢ，ＰＸＢＲの関係は、ＰＸＢＲ＞ＰＸＲＧ＞ＰＸＧＢになる。
【００９７】
また、図は省略するが、実施例１の有機ＥＬ表示装置では、表示領域ＤＡの右上角部の領域Ｈ８だけに限らず、図４（ａ）に示した表示領域ＤＡのうちの、中心線ＤＡＣ１よりも右側の領域におけるサブ画素の配置、言い換えると開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲを、すべてＤＲＧ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＧｍａｘ，ＤＧＢ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＢｍａｘ，ＤＢＲ＝２・Ｍ＋ＵＸ＋ΔｘＲｍａｘにする。
【００９８】
またこのとき、中心線ＤＡＣ１を挟んで隣接する２つの画素のサブ画素の配置は、たとえば、図５（ｃ）に示すようになる。このとき、中心線ＤＡＣ１の左側にある画素と右側にある画素では、上記のように、開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの設定方法が異なるが、値が入れ替わるだけある。したがって、１つの画素のピッチＰＸの値は変わるものの中心線ＤＡＣ１を基準にした画素のｘ方向の寸法ＰＬＸは同じ値になる。
【００９９】
このように、第１の基板１００の熱膨張により発光層がはみ出す方向とはみ出し量の最大値に基づいて、開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲを設定すると、たとえば、第１の発光層１０３Ｒが、隣のサブ画素（第２の発光層１０３Ｇを有する第２のサブ画素）の開口部ＣＨ２にかかる確率を低くすることができ、発光色の異常などによる製造歩留まりの低下を抑えることができる。
【０１００】
また、第１の基板１００の熱膨張により発光層がはみ出す方向とはみ出し量の最大値に基づいて、開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲを設定すると、非発光領域の増加を抑えることができるので、有機ＥＬ表示装置の輝度出力の低下あるいは消費電力の増加を抑えることができる。
【０１０１】
また、以上のようなことから、実施例１の有機ＥＬ表示装置は、従来の有機ＥＬ表示装置に比べて、高輝度化や高精細化が容易であると言える。
【０１０２】
なお、実施例１では、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂのはみ出し量の最大値Δｘｍａｘの値および関係が、上記の表に示したような関係になっている場合を例に挙げている。しかしながら、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの形成に用いる材料の組み合わせや、形成条件が変われば、はみ出し量の最大値Δｘｍａｘの値の関係が変わる。また、はみ出し量の最大値Δｘは、たとえば、表示領域ＤＡの大きさによっても変わる。したがって、開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの値や大小関係は、発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂの形成に用いる材料の組み合わせや表示領域ＤＡの大きさによって適宜変更可能である。
【０１０３】
すなわち、実施例１で説明したサブ画素の配置方法を適用した有機ＥＬ表示装置では、すべての開口部ＣＨ２の面積（開口端の寸法）が等しく、かつ、ｘ方向で隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隙が２通り以上であればよく、具体的には、ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの関係が、下記数式１乃至数式４のいずれかの関係であればよい。
ＤＲＧ≠ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式１）
ＤＲＧ＝ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式２）
ＤＲＧ≠ＤＧＢ＝ＤＢＲ  ・・・（数式３）
ＤＲＧ＝ＤＢＲ≠ＤＢＲ  ・・・（数式４）
【０１０４】
ところで、有機ＥＬ表示装置は、近年、たとえば、テレビやパーソナルコンピュータ用のディスプレイなどへの適用を想定した大型化（大画面化）が進んでいる。そのような大画面の有機ＥＬ表示装置に用いる表示パネル１を製造するときには、表示領域の外周部に形成される発光層１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂのはみ出し量Δｘ（Δｘｍａｘ）が大きくなる。そのため、実施例１で説明したようなサブ画素の配置方法は、たとえば、大画面の有機ＥＬ表示装置の実用化にも大きく寄与すると考えられる。
【０１０５】
また、実施例１では、ｘ方向で隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの設定方法を例に挙げているが、これに限らず、ｙ方向で隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隙についても実施例１で説明したような方法で設定することは可能である。
【実施例２】
【０１０６】
図６（ａ）乃至図６（ｄ）は、本発明による実施例２のサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。
図６（ａ）は、表示パネルを２面取りと呼ばれる方法で製造するときのサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。図６（ｂ）は、表示パネルを４面取りと呼ばれる方法で製造するときのサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。図６（ｃ）は、表示パネルを６面取りと呼ばれる方法で製造するときのサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。図６（ｄ）は、表示パネルを３２面取りと呼ばれる方法で製造するときのサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。
【０１０７】
実施例１では、有機ＥＬ表示装置の表示パネル１を１枚ずつ個別に製造する場合を例に挙げ、第１の基板１００の熱膨張の仕方とサブ画素の配置方法について説明している。
【０１０８】
しかしながら、現在実用化されている有機ＥＬ表示装置は、たとえば、携帯電話端末などの携帯型電子機器のディスプレイとして用いられるものが多く、これらの有機ＥＬ表示装置に用いられる表示パネル１は、表示領域ＤＡの対角の寸法が数インチから十数インチ程度である。
【０１０９】
このような小型の表示パネル１を製造するときには、たとえば、１枚の大面積のガラス基板（マザーガラス）を用いて複数枚の表示パネル１を一括して製造する多面取りと呼ばれる方法で製造するのが一般的である。
【０１１０】
１枚のマザーガラスを用いて２枚の表示パネル１を一括して製造する２面取りと呼ばれる方法では、たとえば、図６（ａ）に示すように、１枚のマザーガラス７の２カ所の領域７０１，７０２のそれぞれが、表示パネル１の第１の基板１００に相当する。このとき、たとえば、領域７０１の表示領域ＤＡの第１の発光層１０３Ｒと、領域７０２の表示領域ＤＡの第１の発光層１０３Ｒは、通常、同時に形成する。またこのとき、マザーガラス７は、当該マザーガラス７の中心（重心）を膨張中心とし、実線で示した外周が破線の位置まで広がるような膨張をする。
【０１１１】
このとき、マザーガラス７の領域７０１は、たとえば、図４（ａ）に示した第１の基板１００における上半分、すなわち中心線ＤＡＣ２よりも上側の部分と同様の熱膨張をする。また、マザーガラス７の領域７０２は、たとえば、図４（ａ）に示した第１の基板１００における下半分、すなわち中心線ＤＡＣ２よりも下側の部分と同様の熱膨張をする。
【０１１２】
そのため、領域７０１，７０２のサブ画素の配置に、実施例１で説明した配置方法を適用すれば、表示パネル１の製造歩留まりの低下を抑えることができる。また、領域７０１，７０２のサブ画素の配置に、実施例１で説明した配置方法を適用すれば、有機ＥＬ表示装置の輝度出力の低下あるいは消費電力の増加を抑えることができる。またさらに、領域７０１，７０２のサブ画素の配置に、実施例１で説明した配置方法を適用すれば、有機ＥＬ表示装置の高輝度化、高精細化が容易になる。
【０１１３】
１枚のマザーガラスを用いて４枚の表示パネル１を一括して製造する４面取りと呼ばれる方法では、たとえば、図６（ｂ）に示すように、１枚のマザーガラス７の４カ所の領域７１１〜７１４のそれぞれが、表示パネル１の第１の基板１００に相当する。このとき、たとえば、それぞれの領域７１１〜７１４の表示領域ＤＡの第１の発光層１０３Ｒは、通常、同時に形成する。またこのとき、マザーガラス７は、当該マザーガラス７の中心（重心）を膨張中心とし、実線で示した外周が破線の位置まで広がるような膨張をする。
【０１１４】
このとき、マザーガラス７の領域７１１は、たとえば、図４（ａ）に示した第１の基板１００における中心線ＤＡＣ１よりも左側であり、かつ、中心線ＤＡＣ２よりも上側の部分と同様の熱膨張をする。また、マザーガラス７の領域７１２は、たとえば、図４（ａ）に示した第１の基板１００における中心線ＤＡＣ１よりも左側であり、かつ、中心線ＤＡＣ２よりも下側の部分と同様の熱膨張をする。また、マザーガラス７の領域７１３は、たとえば、図４（ａ）に示した第１の基板１００における中心線ＤＡＣ１よりも右側であり、かつ、中心線ＤＡＣ２よりも上側の部分と同様の熱膨張をする。また、マザーガラス７の領域７１４は、たとえば、図４（ａ）に示した第１の基板１００における中心線ＤＡＣ１よりも右側であり、かつ、中心線ＤＡＣ２よりも下側の部分と同様の熱膨張をする。
【０１１５】
そのため、領域７１１，７１２のサブ画素の配置に、図５（ａ）に示したような配置方法を適用し、領域７１３，７１４のサブ画素の配置に、図５（ｂ）に示したような配置方法を適用すれば、表示パネル１の製造歩留まりの低下を抑えることができる。また、領域７１１，７１２のサブ画素の配置に、図５（ａ）に示したような配置方法を適用し、領域７１３，７１４のサブ画素の配置に、図５（ｂ）に示したような配置方法を適用すれば、有機ＥＬ表示装置の輝度出力の低下あるいは消費電力の増加を抑えることができる。またさらに、領域７１１，７１２のサブ画素の配置に、図５（ａ）に示したような配置方法を適用し、領域７１３，７１４のサブ画素の配置に、図５（ｂ）に示したような配置方法を適用すれば、有機ＥＬ表示装置の高輝度化、高精細化が容易になる。
【０１１６】
なお、マザーガラス７における領域７１１，７１２は、図４（ａ）に示した表示領域ＤＡの左半分（中心線ＤＡＣ１よりも左側）の領域に相当する。そのため、領域７１１，７１２に形成された表示パネル１は、たとえば、１枚の表示パネル１の全体における第１のサブ画素の開口部ＣＨ２と第２のサブ画素の開口部ＣＨ２との間隙ＤＲＧが、同じ関係になる。また、他の間隙ＤＧＢ，ＤＢＲについても同様である。またさらに、マザーガラス７における領域７１３，７１４においても、１枚の表示パネル１の全体における間隙ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲは同じ関係になる。
【０１１７】
１枚のマザーガラス７を用いて６枚の表示パネル１を一括して製造する６面取りと呼ばれる方法では、たとえば、図６（ｃ）に示すように、１枚のマザーガラス７の６カ所の領域７２１〜７２６のそれぞれが、表示パネル１の第１の基板１００に相当する。このとき、たとえば、それぞれの領域７２１〜７２６の表示領域ＤＡの第１の発光層１０３Ｒは、通常、同時に形成する。またこのとき、マザーガラス７は、当該マザーガラス７の中心（重心）を膨張中心とし、実線で示した外周が破線の位置まで広がるような膨張をする。
【０１１８】
したがって、詳細な説明は省略するが、領域７２１〜７２６のサブ画素の配置に、実施例１で説明したような配置方法を適用すれば、表示パネル１の製造歩留まりの低下を抑えることができる。また、領域７２１〜７２６のサブ画素の配置に、実施例１で説明したような配置方法を適用すれば、有機ＥＬ表示装置の輝度出力の低下あるいは消費電力の増加を抑えることができる。またさらに、領域７２１〜７２６のサブ画素の配置に、実施例１で説明したような配置方法を適用すれば、有機ＥＬ表示装置の高輝度化、高精細化が容易になる。
【０１１９】
１枚のマザーガラス７を用いて３２枚の表示パネル１を一括して製造する３２面取りと呼ばれる方法では、たとえば、図６（ｃ）に示すように、１枚のマザーガラス７の３２カ所の領域のそれぞれが、表示パネル１の第１の基板１００に相当する。このとき、たとえば、それぞれの領域の表示領域ＤＡの第１の発光層１０３Ｒは、通常、同時に形成する。またこのとき、マザーガラス７は、当該マザーガラス７の中心（重心）を膨張中心とし、実線で示した外周が破線の位置まで広がるような膨張をする。
【０１２０】
このとき、マザーガラス７の左上側に配置されている８カ所の領域（網掛けを付している領域）は、たとえば、図４（ａ）に示した第１の基板１００における中心線ＤＡＣ１よりも左側であり、かつ、中心線ＤＡＣ２よりも上側の部分と同様の熱膨張をする。そのため、この８カ所の領域を１つの領域と見なし、当該１つの領域のサブ画素の配置に、実施例１で説明したような配置方法を適用すれば、表示パネル１の製造歩留まりの低下を抑えることができる。また、左上の８カ所の領域を１つの領域と見なし、当該１つの領域のサブ画素の配置に、実施例１で説明したような配置方法を適用すれば、有機ＥＬ表示装置の輝度出力の低下あるいは消費電力の増加を抑えることができる。またさらに、左上の８カ所の領域を１つの領域と見なし、当該１つの領域のサブ画素の配置に、実施例１で説明したような配置方法を適用すれば、有機ＥＬ表示装置の高輝度化、高精細化が容易になる。
【０１２１】
また、繰り返しの説明は省略するが、残りの領域のサブ画素の配置についても同様に、実施例１で説明したような配置方法を適用することで、表示パネル１の製造歩留まりの低下、有機ＥＬ表示装置の輝度出力の低下あるいは消費電力の増加を抑えることができる。また、有機ＥＬ表示装置の高輝度化、高精細化が容易になる。
【０１２２】
また、実施例２では、２面取り、４面取り、６面取り、および３２面取りの４通りの場合を例に挙げたが、表示パネル１を製造するときには、別の枚数を一括して製造する場合もある。その場合も、それぞれの領域における膨張の仕方（方向と度合い）に基づき、実施例１で説明した方法でサブ画素を配置することで、表示パネル１の製造歩留まりの低下、有機ＥＬ表示装置の輝度出力の低下あるいは消費電力の増加を抑えることができる。また、有機ＥＬ表示装置の高輝度化、高精細化が容易になる。
【０１２３】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１（ａ）】本発明に関わる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す模式図である。
【図１（ｂ）】有機ＥＬ表示装置の表示領域の概略構成の一例を示す模式図である。
【図１（ｃ）】１つのサブ画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。
【図１（ｄ）】図１（ｃ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図２】従来の有機ＥＬ表示装置におけるサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。
【図３（ａ）】第１の発光層の形成を開始した直後の第１の基板とシャドウマスクとの関係の一例を示す模式図である。
【図３（ｂ）】第１の発光層の形成を終了する直前の第１の基板とシャドウマスクとの関係の一例を示す模式図である。
【図４（ａ）】第１の基板の熱膨張の様子の一例を示す模式図である。
【図４（ｂ）】図４（ａ）の領域Ｈ１に形成された発光層の平面形状の一例を示す模式図である。
【図４（ｃ）】図４（ａ）の領域Ｈ２に形成された発光層の平面形状の一例を示す模式図である。
【図４（ｄ）】図４（ａ）の領域Ｈ４に形成された発光層の平面形状の一例を示す模式図である。
【図４（ｅ）】図４（ａ）の領域Ｈ６に形成された発光層の平面形状の一例を示す模式図である。
【図５（ａ）】実施例１の有機ＥＬ表示装置における表示領域の左下角部のサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。
【図５（ｂ）】実施例１の有機ＥＬ表示装置における表示領域の右上角部のサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。
【図５（ｃ）】実施例１の有機ＥＬ表示装置における表示領域の中心部分のサブ画素の配置方法の一例を示す模式図である。
【図６（ａ）】表示パネルを２面取りと呼ばれる方法で製造するときのサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。
【図６（ｂ）】表示パネルを４面取りと呼ばれる方法で製造するときのサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。
【図６（ｃ）】表示パネルを６面取りと呼ばれる方法で製造するときのサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。
【図６（ｄ）】表示パネルを３２面取りと呼ばれる方法で製造するときのサブ画素の配置方法を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１…表示パネル
１００…第１の基板
１０１…走査信号線
１０２…映像信号線
１０３Ｒ…（第１の）発光層
１０３Ｇ…（第２の）発光層
１０３Ｂ…（第３の）発光層
１０５…第１の電極
１０６…第２の電極
１０７…半導体層
１０８…第１の絶縁層
１０９…ゲート電極
１１０…第２の絶縁層
１１１…ソース電極
１１２…ドレイン電極
１１３…第３の絶縁層
１１４…第４の絶縁層
１１５…反射層
２…第１の駆動回路
３…第２の駆動回路
４…制御回路
５…シャドウマスク
６…蒸着源
７…マザーガラス
ＣＨ１，ＣＨ２…開口部
【図１（ａ）】
2010080220.tif 000004
【図１（ｂ）】
2010080220.tif 000005
【図１（ｃ）】
2010080220.tif 000006
【図１（ｄ）】
2010080220.tif 000007
【図２】
2010080220.tif 000008
【図３（ａ）】
2010080220.tif 000009
【図３（ｂ）】
2010080220.tif 000010
【図４（ａ）】
2010080220.tif 000011
【図４（ｂ）】
2010080220.tif 000012
【図４（ｃ）】
2010080220.tif 000013
【図４（ｄ）】
2010080220.tif 000014
【図４（ｅ）】
2010080220.tif 000015
【図５（ａ）】
2010080220.tif 000016
【図５（ｂ）】
2010080220.tif 000017
【図５（ｃ）】
2010080220.tif 000018
【図６（ａ）】
2010080220.tif 000019
【図６（ｂ）】
2010080220.tif 000020
【図６（ｃ）】
2010080220.tif 000021
【図６（ｄ）】
2010080220.tif 000022