(57)【要約】【課題】光取り出し効率と生産性の双方を改善することの可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板４０上に、メサ部１４およびメサ部１４に電気的に接続されたバンプ１７，１８を有する半導体発光素子１０が１００μｍよりも大きなピッチで形成された第一ウェハ３０と、支持基板２１の一方の面上に、第一ウェハ３０におけるバンプ１７，１８の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成された接続電極２２，２３と、支持基板２１の他方の面上に、接続電極２２，２３に接続されたビア２４，２５および外部電極２６，２７を有する第二ウェハ５０とを貼り合わせ後、第一ウェハ３０の基板４０を除去し、第二ウェハ５０のうち半導体発光素子１０との非対向領域をダイシングすることにより第二ウェハ５０をチップ化して、配線基板２０を作製する。【選択図】図３
2010103186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板上に下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を前記第一基板側からこの順に含む半導体層を結晶成長によって形成したのち、前記半導体層を選択的にエッチングすることによって、前記下部クラッド層の一部、前記活性層および前記上部クラッド層を含む複数の凸部を１００μｍよりも大きなピッチで形成すると共に前記各凸部の裾野に前記下部クラッド層の露出面および前記第一基板の露出面を前記凸部側からこの順に形成し、さらに、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との対向領域内に、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面に別個に接する複数の電流注入電極を形成することによって、第一ウェハを形成する第一工程と、
第二基板の一方の面に複数の接続電極を、前記第一ウェハにおける前記電流注入電極の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成することによって、第二ウェハを形成したのち、前記第二ウェハの前記接続電極側の表面を前記第一ウェハの前記電流注入電極側の表面に向けて、前記第一ウェハおよび前記第二ウェハを互いに貼り合わせることによって、前記電流注入電極と前記接続電極とをそれぞれ一つずつ互いに接合する第二工程と、
前記第二ウェハのうち前記接続電極との対向領域に貫通孔を形成したのち、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との対向領域内に、前記貫通孔を介して前記電流注入電極に接する引き出し電極を形成する第三工程と、
前記第一基板を除去したのち、前記第二基板のうち、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との非対向領域をダイシングすることによって、前記第二基板をチップ化する第四工程と
を含む半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第一工程において、前記凸部は柱形状に形成され、前記下部クラッド層の露出面および前記第一基板の露出面によって囲まれている請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第二基板のチップ化によって得られた半導体発光装置は、１００μｍ角よりも大きなチップサイズを有する請求項２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記電流注入電極は前記第一基板の法線方向に延在する柱状の突出電極である請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記接続電極は前記第二基板の法線方向に延在する柱状の突出電極である請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第一基板はサファイア基板であり、
前記第四工程において、前記第一基板をレーザリフトオフにより剥離する請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第二基板は絶縁性基板であり、
前記第三工程において、前記貫通孔を埋め込むビアと、前記ビアに接する外部電極とを形成することによって、前記引き出し電極を形成する請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記第二基板は絶縁性基板であり、
前記第三工程において、前記貫通孔の底面から前記第二基板のうち前記第一基板とは反対側の表面にかけて導電膜を形成することによって、前記引き出し電極を形成する請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記第二基板は、表面の主要部が第一絶縁膜で覆われた導電性基板であり、
前記第三工程において、前記第二ウェハのうち前記接続電極との対向領域に貫通孔を形成したのち、前記貫通孔の形成によって露出した前記導電性基板の表面を覆う第二絶縁膜を形成し、さらに、前記貫通孔を埋め込むビアと、前記ビアに接する外部電極とを形成することによって、前記引き出し電極を形成する請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
第一基板上に下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を前記第一基板側からこの順に含む半導体層を結晶成長によって形成したのち、前記半導体層を選択的にエッチングすることによって、前記下部クラッド層の一部、前記活性層および前記上部クラッド層を含む複数の凸部を１００μｍよりも大きなピッチで形成すると共に前記各凸部の裾野に前記下部クラッド層の露出面および前記第一基板の露出面を前記凸部側からこの順に形成し、さらに、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との対向領域内に、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面に別個に接する複数の電流注入電極を形成することによって、第一ウェハを形成する第一工程と、
第二基板の一方の面に複数の接続電極を、前記第一ウェハにおける前記電流注入電極の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成したのち、前記接続電極との対向領域に貫通孔を形成し、さらに、前記第一ウェハおよび前記第二ウェハを互いに貼り合わせた際に、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との対向領域内に配置されるように、前記貫通孔を介して前記電流注入電極に接する引き出し電極を形成することによって、第二ウェハを形成する第二工程と、
前記第二ウェハの前記接続電極側の表面を前記第一ウェハの前記突出電極側の表面に向けて、前記第一ウェハおよび前記第二ウェハを互いに貼り合わせることによって、前記突出電極と前記接続電極とをそれぞれ一つずつ互いに接合する第三工程と、
前記第一基板を除去したのち、前記第二基板のうち、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との非対向領域をダイシングすることによって、前記第二基板をチップ化する第四工程と
を含む半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写技術を用いた半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオード（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）は、液晶ディスプレイのバックライトや、ＬＥＤディスプレイの表示パネル、照明器具など、様々な機器に用いられるようになってきている。それに伴い、ＬＥＤの低コスト化、低消費電力化および高出力化が強く求められるようになってきている。ＬＥＤのコストを下げるためには、例えば、生産性の向上や、安価な材料の選択などが必要となる。また、ＬＥＤの消費電力を下げたり、ＬＥＤの出力を高くしたりするためには、内部量子効率や、光取り出し効率を上げる工夫を行うことが必要となる。
【０００３】
例えば、生産性を向上させるために、ＬＥＤチップの発光効率を維持しつつ、チップサイズを縮小することが行われている。さらには、光射出面側に存在する、結晶成長に用いた基板を除去したり、ＬＥＤの光射出面に電極を設けないようにしたりすることも一般に行われている（特許文献１，２参照）。基板の除去は、例えば、レーザリフトオフ法を用いることにより簡単に行うことができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３-１６８７６２号
【特許文献２】特開２００２-１１８１２４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、チップサイズを数百μｍ角以下に小さくした場合には、ワイヤボンディングをするパッド電極、つまり、ある程度の大きさを必要とする電極をＬＥＤチップに設けることが困難となる。また、基板を除去した後では、ＬＥＤチップが薄く、ＬＥＤチップ単体でのハンドリングが難しくなるので、マウンタを用いて個々のＬＥＤチップをインターポーザなどの回路基板に実装（フリップチップ接続）することは現実的ではない。
【０００６】
このように、チップサイズを数百μｍ角以下に小さくした場合には、光取り出し効率を向上させつつチップハンドリングを容易にし、生産性を向上させる技術が必要となっていた。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光取り出し効率と生産性の双方を改善することの可能な半導体発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一の半導体発光装置の製造方法は、以下の（Ａ１）〜（Ａ４）の各工程を含むものである。
（Ａ１）第一基板上に下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を第一基板側からこの順に含む半導体層を結晶成長によって形成したのち、半導体層を選択的にエッチングすることによって、下部クラッド層の一部、活性層および上部クラッド層を含む複数の凸部を１００μｍよりも大きなピッチで形成すると共に各凸部の裾野に下部クラッド層の露出面および第一基板の露出面を凸部側からこの順に形成し、さらに、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面との対向領域内に、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面に別個に接する複数の電流注入電極を形成することによって、第一ウェハを形成する第一工程
（Ａ２）第二基板の一方の面に複数の接続電極を、第一ウェハにおける電流注入電極の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成することによって、第二ウェハを形成したのち、第二ウェハの接続電極側の表面を第一ウェハの電流注入電極側の表面に向けて、第一ウェハおよび第二ウェハを互いに貼り合わせることによって、電流注入電極と接続電極とをそれぞれ一つずつ互いに接合する第二工程
（Ａ３）第二ウェハのうち接続電極との対向領域に貫通孔を形成したのち、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面との対向領域内に、貫通孔を介して電流注入電極に接する引き出し電極を形成する第三工程
（Ａ４）第一基板を除去したのち、第二基板のうち、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面との非対向領域をダイシングすることによって、第二基板をチップ化する第四工程
【０００９】
本発明の第二の半導体発光装置の製造方法は、以下の（Ｂ１）〜（Ｂ４）の各工程を含むものである。
（Ｂ１）第一基板上に下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を第一基板側からこの順に含む半導体層を結晶成長によって形成したのち、半導体層を選択的にエッチングすることによって、下部クラッド層の一部、活性層および上部クラッド層を含む複数の凸部を１００μｍよりも大きなピッチで形成すると共に各凸部の裾野に下部クラッド層の露出面および第一基板の露出面を凸部側からこの順に形成し、さらに、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面との対向領域内に、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面に別個に接する複数の電流注入電極を形成することによって、第一ウェハを形成する第一工程
（Ｂ２）第二基板の一方の面に複数の接続電極を、第一ウェハにおける電流注入電極の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成したのち、接続電極との対向領域に貫通孔を形成し、さらに、第一ウェハおよび第二ウェハを互いに貼り合わせた際に、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面との対向領域内に配置されるように、貫通孔を介して電流注入電極に接する引き出し電極を形成することによって、第二ウェハを形成する第二工程
（Ｂ３）第二ウェハの接続電極側の表面を第一ウェハの突出電極側の表面に向けて、第一ウェハおよび第二ウェハを互いに貼り合わせることによって、突出電極と接続電極とをそれぞれ一つずつ互いに接合する第三工程
（Ｂ４）第一基板を除去したのち、第二基板のうち、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面との非対向領域をダイシングすることによって、第二基板をチップ化する第四工程
【００１０】
本発明の第一および第二の半導体発光装置の製造方法では、電流注入電極が第一ウェハのうち第一基板とは反対側に形成され、かつ第一基板が第一ウェハから除去される。これにより、電流注入電極および第一基板が活性層から射出された光にロスを与える虞がなくなる。また、接続電極が第一ウェハにおける電流注入電極の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成され、かつ、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面との対向領域内に形成された電流注入電極と、第一ウェハおよび第二ウェハまたは第二ウェハの貼り合わせによって接合されたのち、第一基板が除去される。引き出し電極は、第一ウェハおよび第二ウェハまたは第二ウェハを互いに貼り合わせた際に、各凸部の上面および各下部クラッド層の露出面との対向領域内に配置されるように形成される。これにより、引き出し電極は、ワイヤボンディングをするのに適した大きさとすることが可能であり、また、第二基板のチップ化によって得られた半導体発光装置は、十分な厚みの支持基板を有しているので、チップ単体でのハンドリングも容易である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の第一および第二の半導体発光装置の製造方法によれば、電流注入電極および第一基板が活性層から射出された光にロスを与える虞がなく、繰り返し転写や拡大転写を行う必要がなく、引き出し電極はワイヤボンディングをするのに適した大きさとすることが可能であり、かつ、チップ単体でのハンドリングも容易であるので、光取り出し効率と生産性の双方を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明の一実施の形態に係る半導体発光装置１の断面構成を表すものである。なお、図１は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。
【００１４】
この半導体発光装置１は、半導体発光素子１０と、配線基板２０とを互いに重ね合わせたものである。この半導体発光装置１は、マウンタなどによってハンドリングが可能なチップサイズ、例えば、１００μｍ角よりも大きなチップサイズを有している。半導体発光素子１０および配線基板２０のサイズは互いに同一であってもよいし、製造誤差などによる多少の誤差を含む範囲内で互いに異なっていてもよい。
【００１５】
半導体発光素子１０は、少なくとも、下部クラッド層１１、活性層１２、上部クラッド層１３を配線基板２０とは反対側からこの順に含んで構成されている。下部クラッド層１１の上部、活性層１２および上部クラッド層１３は、積層方向に延在する柱状のメサ部１４（凸部）となっており、メサ部１４の裾野には、下部クラッド層１１が露出している。下部クラッド層１１のうちメサ部１４の裾野に露出している面（露出面１１Ａ）は、メサ部１４の周囲に形成されており、環状となっている。つまり、メサ部１４は、露出面１１Ａによって囲まれている。
【００１６】
ここで、活性層１２は、例えばノンドープのＧａＮ系またはＩｎＧａＮ系の半導体材料からなる。また、下部クラッド層１１および上部クラッド層１３は、例えば、互いに異なる導電型（ｎ型またはｐ型）のＧａＮ系またはＩｎＧａＮ系の半導体材料からなる。下部クラッド層１１および上部クラッド層１３は、活性層１２の屈折率よりも低い屈折率を有し、かつ活性層１２のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有している。つまり、メサ部１４は、ダブルヘテロ構造となっており、電流注入によって、活性層１２から活性層１２のバンドギャップに相当する波長の光を発する発光ダイオード（ＬＥＤ）として機能する。
【００１７】
下部クラッド層１１のうちメサ部１４の裾野に露出している面（露出面１１Ａ）には、下部電極１５が設けられている。この下部電極１５は、例えば、ＴｉまたはＡｌを主成分とする金属からなり、露出面１１Ａにオーミック接触しており、下部クラッド層１１と電気的に接続されている。また、下部電極１５上には、バンプ１７（電流注入電極、突出電極）が設けられている。このバンプ１７は、積層方向（後述の成長基板３０の法線方向）に延在する柱形状となっており、露出面１１Ａとの対向領域内に形成されている。このバンプ１７は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属からなり、下部電極１５と電気的に接続されている。
【００１８】
メサ部１４の上面１４Ａには、上部電極１６が設けられている。この上部電極１６は、例えば、Ａｇ、Ｔｉ、Ｗ、ＰｄまたはＰｔを主成分とする金属からなり、上面１４Ａにオーミック接触しており、上部クラッド層１３と電気的に接続されている。また、上部電極１６上には、バンプ１８（電流注入電極、突出電極）が設けられている。このバンプ１８は、バンプ１７と同様、積層方向（後述の成長基板３０の法線方向）に延在する柱形状となっており、上面１４Ａおよび露出面１１Ａとの対向領域内に形成されている。このバンプ１８は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属からなり、上部電極１６と電気的に接続されている。
【００１９】
また、バンプ１７，１８の周囲には、絶縁層１９が設けられている。絶縁層１９は、バンプ１７，１８の側面やメサ部１４を覆っている。絶縁層１９は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、ＳｉＯＮ（シリコンオキシナイトライド）、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、ＰＭＭＡ(ポリメチルメタクリレート)等のポリアクリレート、ＰＶＡ(ポリビニルアルコール)、ＰＳ(ポリスチレン)、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等からなる。なお、この絶縁層１９は、必要に応じて、省略することが可能である。
【００２０】
配線基板２０は、半導体発光素子１０を支持すると共に、半導体発光素子１０のバンプ１７，１８を外部回路（図示せず）に接続する中間基板である。この配線基板２０は、支持基板２１（第二基板）を有している。この支持基板２１は、絶縁性材料、例えば、絶縁層１９の材料として列挙した材料などからなり、半導体発光素子１０を支持するのに十分な剛性を有している。この支持基板２１には、下部電極１５との対向領域と、上部電極１６との対向領域とにビアホール２１Ａ（貫通孔）がそれぞれ一つずつ設けられている。下部電極１５との対向領域に設けられたビアホール２１Ａ内にはビア２４が埋め込まれており、上部電極１６との対向領域に設けられたビアホール２１Ａ内にはビア２５が埋め込まれている。ビア２４，２５は、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属からなり、支持基板２１の絶縁性によって、互いに絶縁分離されている。
【００２１】
この配線基板２０は、支持基板２１の半導体発光素子１０側の面であって、かつ下部クラッド層１１の露出面１１Ａおよびメサ部１４の上面１４Ａとの対向領域内に接続電極２２，２３を有している。これら接続電極２２，２３は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属からなり、接続電極２２はビア２４の半導体発光素子１０側の面に接して設けられており、接続電極２３はビア２５の半導体発光素子１０側の面に接して設けられている。
【００２２】
また、この配線基板２０は、支持基板２１の半導体発光素子１０とは反対側の面であって、かつ下部クラッド層１１の露出面１１Ａおよびメサ部１４の上面１４Ａとの対向領域内に外部電極２６，２７（引き出し電極）を有している。これら外部電極２６，２７は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属からなり、外部電極２６はビア２４の半導体発光素子１０とは反対側の面に接して設けられており、外部電極２７はビア２５の半導体発光素子１０とは反対側の面に接して設けられている。
【００２３】
このような構成を有する半導体発光装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２４】
（第一工程）
まず、半導体発光素子１０を含む第一ウェハ３０を作製する。例えばサファイア基板からなる基板４０（第一基板）上に下部クラッド層１１、活性層１２および上部クラッド層１３を基板４０側からこの順に含む半導体層を、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法などの結晶成長法を用いて形成する（図示せず）。次に、上記半導体層を選択的にエッチングすることによって、下部クラッド層１１の一部、活性層１２および上部クラッド層１３を含む複数のメサ部１４を１００μｍよりも大きなピッチで形成すると共に、各メサ部１４の裾野に、環状の露出面１１Ａおよび露出面４０Ａをメサ部１４側からこの順に形成する（図２（Ａ）参照）。次に、各露出面１１Ａとの対向領域内に一つずつ、露出面１１Ａに接する下部電極１５を形成すると共に、各上面１４Ａとの対向領域内に一つずつ、上面１４Ａに接する上部電極１６を形成する（図２（Ａ）参照）。続いて、各下部電極１５との対向領域内に一つずつ、下部電極１５に接するバンプ１７を形成すると共に、各上部電極１６との対向領域内に一つずつ、上部電極１６に接するバンプ１８を形成する（図２（Ａ）参照）。さらに、バンプ１７，１８およびメサ部１４を絶縁性材料で覆ったのち、露出面４０Ａとの対向領域を除去して、絶縁層１９を形成する（図２（Ａ）参照）。このようにして、第一ウェハ３０を形成する。
【００２５】
（第二工程）
次に、例えば絶縁性基板からなる支持基板２１の一方の面に複数の接続電極２２，２３を、第一ウェハ３０におけるバンプ１７，１８の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成する（図２（Ｂ）参照）。このようにして、第二ウェハ５０を形成する。次に、第二ウェハ５０の接続電極２２，２３側の表面を第一ウェハ３０のバンプ１７，１８側の表面に向けて、第一ウェハ３０および第二ウェハ５０を互いに貼り合わせる（図２（Ｂ）参照）。これにより、バンプ１７と接続電極２２とが一つずつ互いに接合されると共に、バンプ１８と接続電極２３とが一つずつ互いに接合される。
【００２６】
（第三工程）
次に、第二ウェハ５０のうち接続電極２２，２３との対向領域にビアホール２１Ａを形成する（図２（Ｃ）参照）。続いて、各メサ部１４の上面１４Ａおよび下部クラッド層１１の露出面１１Ａとの対向領域内に、ビアホール２１Ａを介してバンプ１７に接するビア２４および外部電極２６を形成すると共に、ビアホール２１Ａを介してバンプ１８に接するビア２５および外部電極２７を形成する（図３（Ａ）参照）。これにより、バンプ１７，１８からの引出し電極（ビア２４，２５、外部電極２６，２７）が形成される。
【００２７】
（第四工程）
次に、基板４０をレーザリフトオフにより剥離する（図３（Ｂ）参照）。続いて、支持基板２１のうち各メサ部１４の上面１４Ａおよび各下部クラッド層１１の露出面１１Ａとの非対向領域（すなわち、半導体発光素子１０との非対向領域）をダイシングすることによって、支持基板２１をチップ化し、配線基板２０を作製する（図３（Ｃ）参照）。このようにして、本実施の形態の半導体発光装置１が製造される。
【００２８】
このように、本実施の形態の製造方法では、下部電極１５、上部電極１６およびバンプ１７，１８が第一ウェハ３０のうち基板４０とは反対側に形成され、かつ基板４０が第一ウェハ３０から除去される。これにより、下部電極１５、上部電極１６、バンプ１７，１８および基板４０が活性層１２から射出された光に対してロスを与える虞がなくなる。また、接続電極２２，２３が第一ウェハ３０におけるバンプ１７，１８の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成され、かつ、各メサ部１４の上面１４Ａおよび各下部クラッド層１１の露出面１１Ａとの対向領域内に形成されたバンプ１７，１８と、第一ウェハ３０および第二ウェハ５０の貼り合わせによって接合されたのち、基板４０が除去される。つまり、半導体発光素子１０の、第二ウェハ５０への転写は一回で済んでおり、繰り返し転写や拡大転写を行う必要がない。また、各メサ部１４は１００μｍよりも大きなピッチで形成されており、かつ、外部電極２６，２７は、第一ウェハ３０および第二ウェハ５０を互いに貼り合わせた際に、半導体発光素子１０との対向領域内に配置されるように形成される。これにより、外部電極２６，２７は、ワイヤボンディングをするのに適した大きさとすることが可能であり、また、支持基板２１のチップ化によって得られた半導体発光装置１は、十分な厚みの支持基板を有しているので、チップ単体でのハンドリングも容易である。従って、光取り出し効率と生産性の双方を改善することができる。
【００２９】
［変形例］
上記実施の形態の半導体発光装置１は、上述した方法以外の方法によっても製造可能である。例えば、図４（Ａ）に示したように、第一ウェハ３０には、バンプ１７，１８を設けず、その代わりに、第二ウェハ５０の接続電極２２，２３上にバンプ１７，１８を設けておく。具体的には、まず、例えば絶縁性基板からなる支持基板２１の一方の面に複数の接続電極２２，２３を、第一ウェハ３０におけるバンプ１７，１８の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成する。次に、接続電極２２，２３との対向領域にビアホール２１Ａを形成する。続いて、第一ウェハ３０および第二ウェハ５０を互いに貼り合わせた際に、前記各メサ部１４の上面および各下部クラッド層１１の露出面１１Ａとの対向領域（つまり、半導体発光素子１０との対向領域）内に配置されるように、ビアホール２１Ａを介してバンプ１７，１８に接する引出し電極（ビア２４，２５、外部電極２６，２７）を形成する。次に、接続電極２２，２３上にバンプ１７，１８を設ける。このようにして、バンプ１７，１８を備えた第二ウェハ５０を作製することが可能である。そのあとは、例えば、図４（Ｂ）に示したように、第一ウェハ３０および第二ウェハ５０を貼り合わせることにより、第一ウェハ３０の下部電極１５と、第二ウェハ５０のバンプ１７とを接合すると共に、第一ウェハ３０の上部電極１６と、第二ウェハ５０のバンプ１８とを接合する。これにより、図２（Ｂ）と同様、支持基板２１と基板４０との間に、半導体発光素子１０を挟み込んだ形態にすることができるので、以下は、上記第一の実施の形態と同様の工程を経ることによって、半導体発光装置１を製造することが可能である。
【００３０】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく種々変形可能である。
【００３１】
例えば、図５に示したように、ビアホール２１Ａ内にビア２４を設ける代わりに、接続電極２２と外部電極２６とを電気的に接続する導電膜２８をビアホール２１Ａの底面（接続電極２２の表面）から支持基板２１のうち第一ウェハ３０とは反対の表面にかける形成すると共に、ビアホール２１Ａ内にビア２５を設ける代わりに、接続電極２３と外部電極２７とを電気的に接続する導電膜２９をビアホール２１Ａの底面（接続電極２３の表面）から支持基板２１のうち第一ウェハ３０とは反対の表面にかける形成することも可能である。なお、導電膜２８，２９は、例えば、ＩＴＯなどの酸化物導電膜等によって構成されている。
【００３２】
また、例えば、図６に示したように、支持基板２１として、表面の主要部が絶縁膜６２（第一絶縁膜）で覆われた導電性基板６１を用いることも可能である。なお、導電性基板６１は、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓまたはメタルからなり、絶縁膜６２は、例えば、絶縁層１９の材料として列挙した材料などからなる。そのような支持基板２１を有する第二ウェハ５０における引出し電極は、例えば、以下のようにして作製することが可能である。まず、導電性基板６１の表面の主要部を絶縁膜６２で覆ったのち、絶縁膜６２の表面のうち一の面側に複数の接続電極２２，２３を形成することによって、第二ウェハ５０を形成する。次に、第二ウェハ５０のうち接続電極２２，２３との対向領域にビアホール２１Ａを形成する。このとき、ビアホール２１Ａの底面に接続電極２２，２３を露出させる。続いて、ビアホール２１Ａの形成によって露出した導電性基板６１の表面を覆う絶縁膜（第二絶縁膜）を形成し、さらに、ビアホール２１Ａを埋め込むと共に接続電極２２，２３と接するビア２４，２５と、ビア２４，２５に接する外部電極２６，２７とを形成する。このようにして、第二ウェハ５０に、バンプ１７，１８からの引出し電極（ビア２４，２５、外部電極２６，２７）を形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体発光装置の断面図である。
【図２】図１の半導体発光装置の製造方法の一例について説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程について説明するための断面図である。
【図４】図１の半導体発光装置の一変形例の断面図である。
【図５】図１の半導体発光装置の他の変形例の断面図である。
【図６】図１の半導体発光装置のその他の変形例の断面図である。の波形図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…半導体発光装置、１０…半導体発光素子、１１…下部クラッド層、１１Ａ，４０Ａ…露出面、１２…活性層、１３…上部クラッド層、１４…メサ部、１４Ａ…上面、１５…下部電極、１６…上部電極、１７，１８…バンプ、１９…絶縁層、２０…配線基板、２１…支持基板、２１Ａ…ビアホール、２２，２３…接続電極、２４，２５…ビア、２６，２７…外部電極、２８，２９…導電膜、３０…第一ウェハ、４０…基板、５０…第二ウェハ、６１…導電性基板、６２…絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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