(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上にプラズマによって活性化させたガスを供給する際に、処理室内に発生したＮａ＋イオンによる基板の汚染を抑制する基板処理装置を提供する。【解決手段】処理室２０１と、処理室２０１内に反応ガスを供給するガス供給ラインと、処理室２０１内を排気するガス排気ラインと、処理室２０１内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、処理室２０１内に収容された基板２００の電位を調整可能な基板電位調整機構と、ガス供給ライン、ガス排気ライン、プラズマ発生機構、及び基板電位調整機構をそれぞれ制御する制御部１２１と、を備え、プラズマ発生機構によるプラズマ発生領域２２４近傍には石英部材２１０が設けられており、制御部１２１は、処理室２０１内に反応ガスを供給させると共にプラズマを発生させ、プラズマにより活性化させた反応ガスを基板２００上に供給して基板２００を処理する間又は処理後、基板２００の電位を正電位とする。【選択図】図１
2010098248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に反応ガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理室内を排気するガス排気ラインと、
前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記処理室内に収容された前記基板の電位を調整可能な基板電位調整機構と、
前記ガス供給ライン、前記ガス排気ライン、前記プラズマ発生機構、及び前記基板電位調整機構をそれぞれ制御する制御部と、を備え、
前記プラズマ発生機構によるプラズマ発生領域近傍には石英部材が設けられており、
前記制御部は、
前記処理室内に反応ガスを供給させると共にプラズマを発生させ、前記プラズマにより活性化させた前記反応ガスを前記基板上に供給して前記基板を処理する間又は処理後、前記基板の電位を正電位とする
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用いて基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法の一工程として、プラズマにより活性化した反応ガスを基板上に供給して基板を処理する基板処理工程が実施される場合がある。かかる基板処理工程は、基板を収容する処理室と、処理室内に反応ガスを供給するガス供給ラインと、処理室内を排気するガス排気ラインと、処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、を備えた基板処理装置により実施されてきた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の基板処理装置を用いて基板を処理すると、処理室内に発生したＮａ＋イオンにより基板が汚染されてしまう場合があった。
【０００４】
本発明は、プラズマによって活性化させたガスを基板上に供給して基板を処理する際に、処理室内に発生したＮａ＋イオンによる基板の汚染を抑制することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態によれば、基板を収容する処理室と、前記処理室内に反応ガスを供給するガス供給ラインと、前記処理室内を排気するガス排気ラインと、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記処理室内に収容された前記基板の電位を調整可能な基板電位調整機構と、前記ガス供給ライン、前記ガス排気ライン、前記プラズマ発生機構、及び前記基板電位調整機構をそれぞれ制御する制御部と、を備え、前記プラズマ発生機構によるプラズマ発生領域近傍には石英部材が設けられており、前記制御部は、前記処理室内に反応ガスを供給させると共にプラズマを発生させ、前記プラズマにより活性化させた前記反応ガスを前記基板上に供給して前記基板を処理する間又は処理後、前記基板の電位を正電位とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置によれば、プラズマによって活性化させたガスを基板上に供給して基板を処理する際に、処理室内に発生したＮａ＋イオンによる基板の汚染を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
（１）基板処理装置の構成
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の断面構成図である。ＭＭＴ装置とは、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生する変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｔｙｐｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、プラズマにより活性化したガスを基板上に供給して基板を処理する装置である。
【０００８】
本実施形態に係る基板処理装置は、例えばシリコン等からなる基板としてのウエハ２００を処理する処理炉２０２を備えている。処理炉２０２は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に反応ガスを供給するガス供給ラインと、処理室２０１内を排気するガス排気ラインと、処理室２０１内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と
、処理室２０１内に収容されたウエハ２００の電位を調整可能な基板電位調整機構と、ガス供給ライン、ガス排気ライン、プラズマ発生機構、及び基板電位調整機構をそれぞれ制御する制御部としてのコントローラ１２１と、を備えている。
【０００９】
（処理室）
図１に示すとおり、処理炉２０２が備える処理容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第２の容器である碗型の下側容器２１１と、を備えている。上側容器２１０が下側容器２１１の上に被せられることにより、ウエハ２００を収容する処理室２０１が構成される。上側容器２１０は、例えば石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料により構成されており、下側容器２１１は、例えばアルミニウム等の金属材料により構成されている。なお、処理室２０１の内壁を構成する下側容器２１１の内側面及び底面は、処理室２０１内に露出する金属面を減少させるように、石英からなる石英壁２１１ａにより覆われている。
【００１０】
処理室２０１内の底側中央には、ウエハ２００を下方から保持する基板保持具としてのサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、ウエハ２００の金属汚染を低減するよう、例えば、石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料により構成されている。
【００１１】
サセプタ２１７の内部には、加熱手段としてのヒータ（図中省略）が一体的に埋め込まれている。ヒータに電力を供給することで、サセプタ２１７上に載置されたウエハ２００の温度を、所定の温度（例えば３５０℃〜７００℃）に昇温できるようになっている。
【００１２】
サセプタ２１７の内部には、ウエハ２００に対向するように水平姿勢で設置された電位調整電極２６１が設けられている。この電位調整電極２６１は、インピーダンス可変手段２７４を介してグランドに接地されている。インピーダンス可変手段２７４は、コイルや可変コンデンサを備えている。コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を変動させることにより、後述するプラズマから見た電位調整電極２６１（ウエハ２００）のインピーダンスを調整でき、ウエハ２００に引き込むプラズマ中の荷電粒子の量を調整可能なように構成されている。
【００１３】
電位調整電極２６１には、インピーダンス可変手段２７４と並列に、電位調整電極２６１の電位を調整する直流電源２６２が接続されている。直流電源２６２の陽極（＋側）は、スイッチ２６３を介して電位調整電極２６１とインピーダンス可変手段２７４との間に接続されている。直流電源２６２の陰極（−側）は、インピーダンス可変手段２７４とグランドとの間に接続されている。スイッチ２６３を接続状態にすることで、電位調整電極２６１の電位を正電位とすることが可能なように構成されている。主に、電位調整電極２６１、直流電源２６２により、処理室２０１内に収容されたウエハ２００の電位を調整可能な基板電位調整機構が構成される。
【００１４】
サセプタ２１７の下方には、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降手段２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが設けられている。一方、前述の下側容器２１１底面には、ウエハ２００を突上げるウエハ突上げピン２６６が、少なくとも３箇所設けられている。ウエハ突上げピン２６６は、サセプタ昇降手段２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に、サセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように構成されている。
【００１５】
下側容器２１１の側壁には、仕切弁としてのゲートバルブ２４４が設けられている。ゲートバルブ２４４を開けることにより、搬送手段（図中省略）を用いて処理室２０１内外にウエハ２００を搬送することができるよう構成されている。ゲートバルブ２４４を閉めることにより、処理室２０１を気密に封止することができるよう構成されている。
【００１６】
（ガス供給ライン）
処理室２０１の上部には、処理室２０１内へ反応ガスや不活性ガスを供給するシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３、ガス導入口２３４、バッファ室２３７、開口２３８、遮蔽プレート２４０、ガス吹出口２３９を備えている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入される反応ガスや不活性ガスを分散して処理室２０１内へ供給する分散空間として機能する。
【００１７】
ガス導入口２３４には、反応ガスを供給する反応ガス供給管２３２ａと、Ｎ２ガス等の不活性ガス（パージガス）を供給する不活性ガス供給管２３２ｂと、が合流するように接続されている。反応ガス供給管２３２ａには、反応ガス供給源２５０ａ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ａ、開閉弁であるバルブ２５２ａが上流から順に接続されている。不活性ガス供給管２３２ｂには、不活性ガス供給源２５０ｂ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｂ、開閉弁であるバルブ２５２ｂが上流から順に接続されている。主に、反応ガス供給管２３２ａ、不活性ガス供給管２３２ｂ、反応ガス供給源２５０ａ、不活性ガス供給源２５０ｂ、マスフローコントローラ２５１ａ，２５２ｂ、バルブ２５２ａ，２５２ｂにより、処理室２０１内に反応ガスを供給するガス供給ラインが構成される。バルブ２５２ａ，２５２ｂを開閉させることにより、マスフローコントローラ２５１ａ，２５２ｂにより流量制御しながら、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に反応ガス及び不活性ガスを供給自在に構成されている。
【００１８】
（ガス排気ライン）
下側容器２１１の側壁下方にはガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガス排気管２３１が接続されている。ガス排気管２３１には、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂ、排気装置である真空ポンプ２４６が、上流から順に接続されている。主に、ガス排気管２３１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６により、処理室２０１内のガスを排気するガス排気ラインが構成されている。真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気することが可能なように構成されている。また、ＡＰＣ２４２の開度を調整することにより、処理室２０１内の圧力を調整自在に構成されている。
【００１９】
（プラズマ発生機構）
処理容器２０３（上側容器２１０）の外周には、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲うように、第１の電極としての筒状電極２１５が設けられている。筒状電極２１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。筒状電極２１５には、インピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して、高周波電力を発生する高周波電源２７３が接続されている。
【００２０】
また、筒状電極２１５の外側表面の上下端側には、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂがそれぞれ取り付けられている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、筒状、例えばリング状に形成された永久磁石によりそれぞれ構成されている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、処理室２０１の半径方向に沿った両端（すなわち、各磁石の内周端と外周端）にそれぞれ磁極を有している。そして、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの磁極の向きは、互いに逆向きになるよう配置されている。すなわち、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの内周部の磁極同士は異極となっている。これにより、筒状電極２１５の内側表面に沿って、円筒軸方向の磁力線が形成される。
【００２１】
主に、筒状電極２１５、整合器２７２、高周波電源２７３、上部磁石２１６ａ、下部磁石２１６ｂにより、処理室２０１内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構が構成されている。処理室２０１内に反応ガスを導入した後、筒状電極２１５に高周波電力を供給し
て形成した電界と、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂにより形成された磁界とにより、処理室２０１内にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、上述の電磁界が、放出された電子を周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。
【００２２】
なお、筒状電極２１５、上部磁石２１６ａ、及び下部磁石２１６ｂの周囲には、これらが形成する電磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電磁界を有効に遮蔽するための遮蔽板２２３が設けられている。
【００２３】
（コントローラ）
制御手段としてのコントローラ１２１は、信号線Ａを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、及び真空ポンプ２４６を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降手段２６８を、信号線Ｃを通じてゲートバルブ２４４を、信号線Ｄを通じて整合器２７２、及び高周波電源２７３を、信号線Ｅを通じてマスフローコントローラ２５１ａ，２５２ｂ、バルブ２５２ａ，２５２ｂを、さらに図示しない信号線を通じてサセプタに埋め込まれたヒータ、インピーダンス可変手段２７４、直流電源２６２、スイッチ２６３をそれぞれ制御するように構成されている。
【００２４】
（２）半導体装置の製造方法
続いて、上記の基板処理装置により実施される本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ１２１により制御される。
【００２５】
（ウエハの搬入工程）
まず、ウエハ２００の搬送位置までサセプタ２１７を下降させて、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａにウエハ突上げピン２６６を貫通させる。その結果、突き上げピン２６６上端がサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。
【００２６】
続いて、ゲートバルブ２４４を開き、図中省略の搬送手段を用いて処理室２０１内にウエハ２００を搬入する。その結果、ウエハ２００は、サセプタ２１７の表面から突出したウエハ突上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。
【００２７】
処理室２０１内にウエハ２００を搬入したら、搬送手段を処理室２０１外へ退避させ、ゲートバルブ２４４を閉じて処理室２０１内を密閉する。そして、サセプタ昇降手段２６８を用いてサセプタ２１７を上昇させる。その結果、ウエハ２００はサセプタ２１７の上面に配置される。その後、ウエハ２００を所定の処理位置まで上昇させる。
【００２８】
なお、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する際には、ガス排気ラインにより処理室２０１内を排気しつつ、ガス供給ラインから処理室２０１内にＮ２ガス等の不活性ガスを供給し、処理室２０１内を不活性ガスで満たすと共に、酸素濃度を低減させておくことが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気しつつ、バルブ２５２ｂを開けることにより、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に不活性ガスを供給することが好ましい。
【００２９】
（ウエハの昇温工程）
続いて、サセプタの内部に埋め込まれたヒータ（図示せず）に電力を供給し、ウエハ２００の温度が所定温度（例えば室温〜５００℃）になるように加熱する。
【００３０】
（活性化ガス供給工程）
続いて、バルブ２５２ｂを閉め、バルブ２５２ａを開け、バッファ室２３７を介して処
理室２０１内に反応ガスを導入（供給）する。このとき、処理室２０１内に供給する反応ガスの流量はマスフローコントローラ２５１ａにより調整する。また、反応ガス供給開始後の処理室２０１内の圧力が、所定の圧力（例えば０．１〜１００Ｐａ）になるようにＡＰＣ２４２の開度を調整する。
【００３１】
反応ガスの導入を開始した後、筒状電極２１５に対して高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加し、処理室２０１内（ウエハ２００の上方のプラズマ生成領域２２４内）にマグネトロン放電プラズマを発生させる。なお、印加する電力は、例えば１５０〜２００Ｗ以下の出力値とする。
【００３２】
上述のようにプラズマを発生させることにより、処理室２０１内に導入された反応ガスが活性化する。そして、ウエハ２００の表面が、プラズマにより活性化された反応ガス中に晒されて処理（例えば酸化膜形成、窒化膜形成、金属膜形成など）される。
【００３３】
なお、ウエハ２００表面に引き込まれるプラズマ中の荷電粒子の量が所定の量になるように、インピーダンス可変手段２７４のコイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を変動させ、プラズマから見た電位調整電極２６１（ウエハ２００）のインピーダンスを調整しておく。ウエハ２００表面に引き込まれるプラズマ中の荷電粒子の量を調整することにより、処理速度を調整することができる。
【００３４】
所定の処理時間が経過してウエハ２００の処理が完了したら、高周波電源２７３からの電力の印加を停止して、処理室２０１内におけるプラズマ生成を停止する。
【００３５】
（基板電位調整機構によるウエハ電位の調整）
上述の活性化ガス供給工程においては、処理室２０１内にプラズマを発生させると、処理室２０１内にＮａ（ナトリウム）＋イオンが発生してしまう場合がある。特に、筒状電極２１５周辺ではプラズマのエネルギーが強いため、上側容器２１０の内壁や石英壁２１１ａ等の石英部材から、Ｎａ＋イオンが比較的多量に発生してしまう場合がある。
【００３６】
また、上述の活性化ガス供給工程においては、ウエハ２００に負電荷（負の荷電粒子）が帯電し、ウエハ２００の電位が負電位となることがある。このように、ウエハ２００の電位が負電位となると、処理室２０１内に発生したＮａ＋イオンがウエハ２００の表面に引き寄せられてしまい、ウエハ２００の表面がＮａ＋イオンによって汚染されてしまう場合がある。
【００３７】
そこで本実施形態においては、活性化ガス供給工程の実施中及び／又は実施完了後（処理室２０１内に反応ガスを供給させると共にプラズマを発生させ、プラズマにより活性化させた反応ガスをウエハ２００上に供給してウエハ２００を処理する間、及び／又はプラズマにより活性化させた反応ガスのウエハ２００上への供給を停止した後）に、基板電位調整機構を用いてウエハ２００の電位を弱い正電位に調整する。具体的には、スイッチ２６３を接続状態にして電位調整電極２６１の電位を正電位とすることで、ウエハ２００に帯電している負電荷を電位調整電極２６１側に移動させる等して除去し、ウエハ２００の電位を弱い正電位に調整することとしている。
【００３８】
その結果、処理室２０１内に発生したＮａ＋イオンは、ウエハ２００の表面に引き寄せられることなく、ガス排気ラインから処理室２０１外へと排出される。そして、ウエハ２００の表面はＮａ＋イオンによって汚染されにくくなる。また、電位調整電極２６１の電位を正電位とすることで、サセプタ２１７のＮａ＋イオンによる汚染も抑制される。
【００３９】
（処理室内の排気工程）
処理室２０１内におけるプラズマ生成を停止したら、バルブ２５２ａ，２５２ｂを閉めて処理室２０１内への反応ガスの供給を停止し、処理室２０１内を排気する。この際、バルブ２５２ｃを開けて処理室２０１内へ不活性ガスを供給し、処理室２０１内に残留している反応ガスや反応生成物の排出を促す。その後、ＡＰＣ２４２の開度を調整し、処理室２０１内の圧力を大気圧に復帰させる。なお、上述したように、処理室２０１内のＮａ＋イオンの排出が完了するまでは、スイッチ２６３を接続状態にして、ウエハ２００の電位を弱い正電位に調整しておく。
【００４０】
（ウエハの搬出工程）
処理室２０１内の圧力が大気圧に復帰したら、サセプタ２１７をウエハ２００の搬送位置まで下降させ、ウエハ突上げピン２６６上にウエハ２００を支持させる。そして、ゲートバルブ２４４を開き、図中省略の搬送手段を用いてウエハ２００を処理室２０１外へ搬出し、本実施形態にかかる半導体装置の製造を終了する。
【００４１】
（３）本実施形態にかかる効果
本発明の一実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果を奏する。
【００４２】
（ａ）本実施形態によれば、活性化ガス供給工程の実施中（処理室２０１内に反応ガスを供給させると共にプラズマを発生させ、プラズマにより活性化させた反応ガスをウエハ２００上に供給してウエハ２００を処理する間）に、基板電位調整機構を用いてウエハ２００の電位を弱い正電位に調整することとしている。具体的には、スイッチ２６３を接続状態にして電位調整電極２６１の電位を正電位とすることで、ウエハ２００に帯電している負電荷を電位調整電極２６１側に移動させる等して除去し、ウエハ２００の電位を弱い正電位に調整することとしている。
【００４３】
その結果、処理室２０１内に発生したＮａ＋イオンは、ウエハ２００の表面に引き寄せられることなく、ガス排気ラインから処理室２０１外へと排出される。そして、ウエハ２００の表面はＮａ＋イオンによって汚染されにくくなる。また、電位調整電極２６１の電位を正電位とすることで、サセプタ２１７のＮａ＋イオンによる汚染も抑制される。
【００４４】
（ｂ）本実施形態によれば、活性化ガス供給工程の実施完了後（プラズマにより活性化させた反応ガスのウエハ２００上への供給を停止した後）に、基板電位調整機構を用いてウエハ２００の電位を弱い正電位に調整することとしている。具体的には、スイッチ２６３を接続状態にして電位調整電極２６１の電位を正電位とすることで、ウエハ２００に帯電している負電荷を電位調整電極２６１側に移動させる等して除去し、ウエハ２００の電位を弱い正電位に調整することとしている。
【００４５】
その結果、処理室２０１内に残留しているＮａ＋イオンは、ウエハ２００の表面に引き寄せられることなく、ガス排気ラインから処理室２０１外へと排出される。そして、ウエハ２００の表面はＮａ＋イオンによって汚染されにくくなる。また、電位調整電極２６１の電位を正電位とすることで、サセプタ２１７のＮａ＋イオンによる汚染も抑制される。
【００４６】
（ｃ）本実施形態によれば、電位調整電極２６１には、インピーダンス可変手段２７４と並列に、電位調整電極２６１の電位を調整する直流電源２６２が接続されている。すなわち、直流電源２６２の陽極（＋側）は、スイッチ２６３を介して電位調整電極２６１とインピーダンス可変手段２７４との間に接続されている。また、直流電源２６２の陰極（−側）は、インピーダンス可変手段２７４とグランドとの間に接続されている。
【００４７】
その結果、インピーダンス可変手段２７４による電位調整電極２６１（ウエハ２００）のインピーダンス調整と、基板電位調整機構によるウエハ２００の電位調整と、を独立し
て行うことが可能となる。具体的には、電位調整電極２６１（ウエハ２００）のインピーダンスを任意の値に調整しつつ、ウエハ２００の電位を弱い正電位に調整することが可能となる。すなわち、基板処理の速度を所望の速度に調整しつつ、Ｎａ＋イオンによるウエハ２００表面の汚染を抑制することが可能となる。
【００４８】
参考までに、従来の基板処理装置の構成を図２に示す。図２に示すように、従来の基板処理装置では、上述の基板電位調整機構が設けられていない。そのため、従来の基板処理装置では、ウエハ２００に負電荷（負の荷電粒子）が帯電してしまった場合に、ウエハ２００の電位を弱い正電位に調整することは困難であった。そのため、処理室２０１内に発生したＮａ＋イオンがウエハ２００の表面に引き寄せられ、ウエハ２００表面がＮａ＋イオンによって汚染されてしまう場合があった。
【００４９】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００５０】
本発明の一態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に反応ガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理室内を排気するガス排気ラインと、
前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記処理室内に収容された前記基板の電位を調整可能な基板電位調整機構と、
前記ガス供給ライン、前記ガス排気ライン、前記プラズマ発生機構、及び前記基板電位調整機構をそれぞれ制御する制御部と、を備え、
前記プラズマ発生機構によるプラズマ発生領域近傍には石英部材が設けられており、
前記制御部は、
前記処理室内に反応ガスを供給させると共にプラズマを発生させ、前記プラズマにより活性化させた前記反応ガスを前記基板上に供給して前記基板を処理する間又は処理後、前記基板の電位を正電位とする
基板処理装置が提供される。
【００５１】
好ましくは、
前記プラズマにより活性化させた前記反応ガスの前記基板上への供給を停止した後、前記基板の電位を正電位とする
基板処理装置が提供される。
【００５２】
好ましくは、
前記基板電位調整機構は、前記基板に対向するように設置された電位調整電極と、前記電位調整電極に接続され前記電位調整電極の電位を調整する電源装置と、を備える。
【００５３】
好ましくは、
前記制御部は、
前記処理室内に反応ガスを供給させると共にプラズマを発生させ、前記プラズマにより活性化させた前記反応ガスを前記基板上に供給して前記基板を処理する間、前記電位調整電極を正電位とすることにより前記基板に帯電している負電荷を除去し、前記基板の電位を正電位とする。
【００５４】
好ましくは、
前記制御部は、
前記プラズマにより活性化させた前記反応ガスの前記基板上への供給を停止して前記基板の処理を終了した後、前記電位調整電極を正電位とすることにより前記基板に帯電して
いる負電荷を除去し、前記基板の電位を正電位とする。
【００５５】
好ましくは、前記処理室内で基板を保持する石英からなる基板保持具を備える。
【００５６】
本発明の他の態様によれば、
基板を処理室内に搬入する搬入工程と、
前記基板を収容した前記処理室内に反応ガスを供給すると共に前記処理室内にプラズマを発生させ、前記プラズマにより活性化した前記反応ガスを前記基板の表面に供給して前記基板を処理する活性化ガス供給工程と、
前記処理室内でのプラズマの発生を停止すると共に前記処理室内への前記反応ガスの供給を停止しつつ前記処理室内を排気する排気工程と、
前記処理後の基板を前記処理室内から搬出する搬出工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内のプラズマ発生領域近傍には石英部材が設けられており、
前記活性化ガス供給工程を実施している間又は処理後、前記基板の電位を正電位とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００５７】
好ましくは、前記活性化ガス供給工程を実施した後、前記搬出工程を実施している間、前記基板の電位を正電位とする。
【００５８】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
【図２】従来の基板処理装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６０】
１２１  コントローラ（制御部）
２００  ウエハ（基板）
２０１  処理室
２１７  サセプタ（基板保持具）
２２４  プラズマ生成領域
【図１】
2010098248.tif 000003
【図２】
2010098248.tif 000004