(57)【要約】【課題】走査露光装置において基板の表面位置を計測する際の計測対象ポイントの間隔をより小さくすることができる技術を提供する。【解決手段】複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有する走査露光装置は、前記複数の計測ポイントが並んだ方向である配置方向と前記基板の走査方向とが直交しない状態で前記基板の表面位置を前記計測器に計測させる制御部を備える。前記計測器による計測結果に基づいて前記基板の露光が制御される。【選択図】図９
2010103437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有する走査露光装置であって、
前記複数の計測ポイントが並んだ方向である配置方向と前記基板の走査方向とが直交しない状態で前記基板の表面位置を前記計測器に計測させる制御部を備え、前記計測器による計測結果に基づいて前記基板の露光が制御される、
ことを特徴とする走査露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板のショット領域の辺に沿った方向が前記配置方向と直交しないように基準方向に対する前記基板の回転角を決定するとともに前記ショット領域の前記辺に沿った方向を前記走査方向として決定し、
該決定された回転角および走査方向に従って前記基板が制御されながら前記計測器による計測が実行される、
ことを特徴とする請求項１に記載の走査露光装置。
【請求項３】
前記計測器を回転させる回転機構を更に備え、
前記制御部は、前記基板のショット領域の辺に沿った方向が前記配置方向と直交しないように基準方向に対する前記配置方向の回転角を決定し、
前記回転機構は、該決定された回転角に従って前記計測器を回転させる、
ことを特徴とする請求項１に記載の走査露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数の計測ポイントのうち最も外側に配置された２つの計測ポイントの間隔である計測可能領域の幅がショット領域の幅よりも大きい場合に、前記配置方向と前記走査方向とが直交しないように前記配置方向と前記走査方向とがなす角度を決定する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の走査露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記走査方向に直交する方向における前記基板の計測ポイントの間隔が前記基板の要求される計測対象ポイントの間隔に一致するように前記配置方向と前記走査方向とがなす角度を決定する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の走査露光装置。
【請求項６】
各々基板を保持する２つの基板ステージと、前記計測器が配置された計測ステーションと、露光ステーションとを備え、前記２つの基板ステージの各々は、前記計測ステーションで前記計測器によって基板の計測がなされた後に前記露光ステーションで該基板の露光がなされるように制御される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の走査露光装置。
【請求項７】
複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有する走査露光装置であって、
前記複数の計測ポイントが並んだ方向である配置方向と前記基板の走査方向とが直交し、前記走査方向と前記基板のショット領域の辺に沿った方向とが直交しない状態で前記基板の表面位置を前記計測器に計測させる制御部を備え、
前記計測器による計測結果に基づいて前記基板の露光が制御される、
ことを特徴とする走査露光装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記基板の走査方向と前記ショット領域の辺に沿った方向とがなす角度が指定角度になるように前記基板の回転角を決定し、
該決定された回転角に従って前記基板が制御されながら前記計測器による計測が実行される、
ことを特徴とする請求項７に記載の走査露光装置。
【請求項９】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の走査露光装置によって基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査露光装置およびそれを用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細構造を有する半導体デバイスを製造するために露光装置が使用されている。露光装置は、原版（レチクル又はマスクとも呼ばれうる）に形成されたパターンを投影光学系によって基板（例えば、ウエハ、ガラスプレート等）に投影して転写する。
【０００３】
近年では、露光装置は、解像度の改善と露光領域の拡大のために、原版と基板とを走査しながら、原版のパターンを基板に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が主流となっている。このような露光装置は、走査露光装置又はスキャナと呼ばれうる。
【０００４】
単一の基板ステージのみを有するスキャナでは、図２のように、ショット領域２０４をスリット形状の露光光２０３を用いて露光する際に、スキャン方向の前方に計測ポイント２０１を有するフォーカスセンサにより、露光と並行して基板の表面形状が計測される。これにより、高精度なリアルタイムフォーカス制御が実現されている。この方式では、フォーカスセンサによる計測結果に基づいて基板ステージの鉛直方向（投影光学系の光軸方向）における位置が調整される。また、走査方向（スキャン方向）は、図３に示すように、矩形のショット領域３０１の長辺又は短辺に平行な方向である。フォーカスセンサによる検出の誤差は、ショットの繰り返しと基板表面の大局的な形状とに基づいて除去されうる（特許文献１）。
【０００５】
一方、露光装置の処理能力を向上させるために、複数の基板ステージを用いて、原版のパターンを基板に転写する露光装置がある（特許文献２）。このようなタイプの露光装置では、予め基板の表面形状を計測しておき、その表面形状に基づいて露光時にフォーカスの制御がなされる。
【特許文献１】特開平０９−０４５６０８号公報
【特許文献２】特開２０００−３２３４０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板を走査しながらその表面形状を計測する場合は、図４に示すように、一般的には、走査方向は、原版のデザイン（レチクルデザイン）によって規定される矩形のショット領域の長辺に平行な方向である。また、フォーカスセンサの計測ポイント２０１は、一般的には、ショット領域の短辺に平行な方向に沿って配置される。走査方向に平行な方向における計測対象ポイントの間隔は、フォーカスセンサの応答性によって定まり、走査方向に直交する方向における計測対象ポイントの間隔は、フォーカスセンサの計測ポイントの配置間隔によって定まりうる。図４に示す例では、ショット領域の長辺に平行な方向における計測対象ポイントの間隔は、δｘ（４０１）であり、ショット領域の短辺に平行な方向における計測対象ポイントの間隔は、δｙ（４０２）である。
【０００７】
走査方向における計測対象ポイントの間隔は、高応答性のフォーカスセンサや高速の処理系を使用することによって、又は、走査速度を遅くすることによって、小さくすることができる。一方、走査方向に直交する方向における計測対象ポイントの間隔は、フォーカスセンサの計測ポイントの配置間隔と同じである。よって、図５に例示するように、基板が計測ポイント５０１の配置間隔よりも小さい周期で変化する表面形状５０２を有する場合には、それを検出することができない。
【０００８】
また、図６（ａ）に示すように、フォーカスセンサの計測ポイントが配置された計測可能領域の幅とショット領域の幅とは一致しないことが多い。ショット領域６００の外側に位置する計測ポイント６０２を有するフォーカスセンサによる計測結果は、無効とされる。
【０００９】
本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、例えば、走査露光装置において基板の表面位置を計測する際の計測対象ポイントの間隔をより小さくすることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の側面は、複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有する走査露光装置に係り、前記走査露光装置は、前記複数の計測ポイントが並んだ方向である配置方向と前記基板の走査方向とが直交しない状態で前記基板の表面位置を前記計測器に計測させる制御部を備え、前記計測器による計測結果に基づいて前記基板の露光が制御される。
【００１１】
本発明の第２の側面は、複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有する走査露光装置に係り、前記走査露光装置は、前記複数の計測ポイントが並んだ方向である配置方向と前記基板の走査方向とが直交し、前記走査方向と前記基板のショット領域の辺に沿った方向とが直交しない状態で前記基板の表面位置を前記計測器に計測させる制御部を備え、前記計測器による計測結果に基づいて前記基板の露光が制御される。
【００１２】
本発明の第３の側面は、デバイス製造方法に係り、前記デバイス製造装置は、上記の走査露光装置によって基板を露光する工程と、該基板を現像する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えば、走査露光装置において基板の表面位置を計測する際の計測対象ポイントの間隔をより小さくすることができる技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１５】
［第１実施形態］
図１は、本発明の好適な実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。光源１０１は、例えば、エキシマレーザ又はｉ線ランプである。光源１０１から射出された光は、光学部材１２２に入射する。光学部材１２２は、光の強度を減衰させるために使用される。光学部材１２２は、例えば、互いに異なる複数の減光率を有する光学素子（例えば、ＮＤフィルタ）を含む。光学部材１２２を通過した光は、光学ユニット１０２に入射する。光学ユニット１０２は、コヒーレントな光の角度を振動させることで、照度むらを低減する。光学ユニット１０２を通過した光は、ビーム整形光学系１０３に入射する。ビーム整形光学系１０３は、光の断面形状を整形するとともに光をインコヒーレント化する。
【００１６】
ビーム整形光学系１０３を通過した光は、オプティカルインテグレータ１０５を通過し、コンデンサレンズ１０６に入射する。コンデンサレンズ１０６は、オプティカルインテグレータ１０５が形成する２次光源からの光でマスキングブレード１０９を照明する。コンデンサレンズ１０６を通過した光の一部は、ハーフミラー１０７で取り出されて集光レンズ１１１を介してフォトディテクタ１１２に入射する。フォトディテクタ１１２は、基板（ウエハ）１１８が露光されているときの露光量をモニタするために使用される。
【００１７】
マスキングブレード１０９は、例えば、上下左右４枚の独立に駆動される遮光板を含み、結像レンズ１１０に関して、原版（レチクル）１１６と光学的に共役面に配置されている。スリット部材１０８は、例えば、一対の遮光板を含み、マスキングブレード１０９が配置された面から光軸方向にシフトした位置に配置されている。そのため、スリット部材１０８を通過した光によって形成される光強度分布は、台形状の断面形状を有する。結像レンズ１１０は、スリット部材１０８およびマスキングブレード１０９を通過した光で原版１１６を照明する。
【００１８】
投影光学系１１３は、原版１１６のパターンを基板１１８に投影する。原版１１６は、原版ステージ１１５によって保持され、基板１１８は、基板ステージ１１７によって保持される。原版ステージ１１５、基板ステージ１１７は、例えば、エアパット等により浮上した状態で駆動される。
【００１９】
基板１１８の露光量は、フォトディテクタ１１２により検出され、制御される。また、基板ステージ１１７には照度計１１４が取り付けられている。照度計１１４による検出結果とフォトディテクタ１１２による検出結果との関係を調べておくことで、基板１１８の露光量をフォトディテクタ１１２によってモニタすることができる。
【００２０】
原版ステージ１１５と基板ステージ１１７との位置調整等の各種のキャリ部レーショのために、基板ステージ１１７の上には、フィディシャルマーク１２６が配置されている。
【００２１】
この走査露光装置は、２つの基板ステージ１１７、１１９を備えている。２つの基板ステージ１１７、１１９は、それらの位置が相互に入れ替えられうる。基板ステージ１１７、１１９は、例えば、ステージ制御部１２８によって制御される。基板ステージ１１９は、基本的には基板ステージ１１７と同様の構成を有しうる。基板ステージ１１９は、例えば、照度計１２０、フィディシャルマーク１２７を有する。
【００２２】
フォーカス計測（基板の表面位置の計測）およびアライメント計測をするための計測ステーションには、フォーカス計測およびアライメント計測を実施するスコープ１２３が配置されている。また、スコープ１２３は、基板１２１のひずみ量や、起伏形状を計測するために使用される。基板ステージ１１７によって保持された基板が投影光学系１１３の下で露光されている間に、基板ステージ１１９によって保持された基板がスコープ１２３の下で計測される。ツインステージタイプの走査露光装置は、基板を露光している間に次の基板を計測するこよによって高いスループットを発揮する。
【００２３】
フォーカス計測およびアライメント計測は、計測制御部１２９によって制御される。ステージ制御部１２８および計測制御部１２９は、主制御部（特許請求の範囲に記載された制御部に対応する）１３０によって制御される。
【００２４】
ステージ制御部１２８と計測制御部１２９とは、相互に直接接続され、基板ステージ１１９の位置に応じて計測制御部１２９における処理に対して割り込み要求がなされうる。この割り込み要求に従ってフォーカス計測が実施される。或いは、ステージ制御部１２８が管理している基板ステージ１１９の現在位置を計測制御部１２９が参照し、基板ステージ１１９が目標位置に達したことに応じてフォーカス計測が実施されてもよい。ステージ制御部１２８と計測制御部１２９とを相互に直接接続することで、主制御部１３０の介在による時間的な遅延が最小化されうる。
【００２５】
インターフェース１２４は、入力デバイス（例えば、キーボード、マウスなど）を含み、当該入力デバイスから与えられる指示に応じて走査露光装置の動作を規定する。インターフェース１２４はまた、基板の露光条件、ショットレイアウト等の条件を管理する。オペレータは、その管理されている条件から選択される条件で走査露光装置を動作させる。また、インターフェース１２４は、走査露光装置が設置されている環境にある基幹ネットワーク（例えば、ローカルネットワーク）１２５などに接続されており、そこから走査露光装置の動作条件等がダウロードされる場合もある。
【００２６】
主制御部１３０は、インターフェース１２４を介してオペレータ又はネットワーク１２５から与えられる指示に従って、走査露光装置の各部を制御する。
【００２７】
計測ステーションにおける計測項目は、例えば、基板のショットレイアウトのひずみ量の計測（アライメント計測）と、基板の表面位置（或いは表面形状）の計測（フォーカス計測）とを含む。このため、計測と同時に露光を行うシステムと異なり、計測対象ポイントの配列は、ショット領域の配列によっては制限されない。例えば、図７に例示するように、ショット領域７０３を露光するに当たって、互いに異なる走査において計測された結果７０１、７０２に基づいてショット領域７０３のフォーカス制御のための基板ステージの駆動量を決定してもよい。この例では、７０１のうち領域７０４に属するものと、７０２のうち領域７０５に属するものとが使用されうる。
【００２８】
ツインステージシステムの性質を考慮すれば、非走査方向にフォーカスセンサの計測ポイントを配置する方式を取ることなく、フォーカス計測を実施することが可能という特徴を利用することができる。
【００２９】
本発明の好適な実施形態では、フォーカスセンサ（計測器）１３１の計測ポイントの配置間隔よりも小さい間隔で基板の表面位置または表面形状を計測する。これは、複数の計測ポイントが並んだ方向である配置方向とショット領域の走査方向とが直交しないように該配置方向と該走査方向とを決定することによって実現される。該配置方向と該走査方向とが一致しないことは言うまでもない。
【００３０】
図６（ａ）のように、計測ポイント６０２がショット領域６００の外側に配置されている場合には、従来の方法では、その計測ポイント６０２でショット領域６００の内側の領域を計測することはできない。ここで、ショット領域の幅をＬ、パターンを有するショット領域６００の非走査方向（走査方向に直交する方向）における計測対象ポイントの間隔をＤ、最も外側に配置された２つの計測ポイントの間隔である計測可能領域の幅をＷ、整数をｎとする。このとき、Ｗ＞（ｎ−１）Ｄを満たす最大のｎの値が使用される計測ポイントの個数であり、図１０における白丸で表現した計測ポイントが使用され、黒丸で表現した計測ポイントは使用されない。この実施形態では、複数の計測ポイントの配置方向とショット領域の走査方向とが直交しないように、該配置方向と該走査方向とを決定することによって、非走査方向における計測対象ポイントの間隔を小さくする。即ち、複数の計測ポイントの配置方向とショット領域の走査方向とが直交しない状態で基板の表面位置のフォーカスセンサに計測させることによって、非走査方向における計測対象ポイントの間隔を小さくすることができる。
【００３１】
図８は、本発明の第１実施形態における基板の処理の流れを概略的に示すフローチャートである。なお、このフローチャートに示す処理は、この実施形態では主制御部（制御部）１３０によって制御される。
【００３２】
ステップＳ８０１では、主制御部１３０は、計測可能領域の幅Ｗとショット領域の幅Ｌとを比較し、Ｗ＞ＬでなければステップＳ８０２に処理を進め、Ｗ＞ＬであればステップＳ８０５に処理を進める。ここで、ショット領域の幅Ｌよりも狭い幅（Ｌ−α）における基板の表面位置を計測する場合には、Ｌを（Ｌ−α）に書き換えればよい。なお、αは正の数である。
【００３３】
ステップＳ８０２は、従来と同様に、フォーカスセンサ１３１の複数の計測ポイントの配置方向と基板の走査方向とが直交する非回転モードにおける計測対象ポイントを決定する。なお、計測対象ポイントは、基板のどのポイントにおいてその表面位置を計測するかを示す。
【００３４】
ステップＳ８０５では、主制御部１３０は、フォーカスセンサ１３１の複数の計測ポイントの配置方向と基板の走査方向とが直交しない回転モードにおける計測対象ポイントを決定する。回転モードでは、基板を回転させるとともに該基板のショット領域の辺に沿うように基板の走査方向を設定するか（第１方法）、フォーカスセンサ１３１の複数の計測ポイントの配置方向を回転させる（第２方法）。通常は、後者の方法（第２方法）では、基板および走査方向の回転は不要であるが、回転機構１９０によってフォーカスセンサ１３１を回転させる必要があるので、前者の方法（第１方法）の方が容易である。
【００３５】
ステップＳ８０６では、主制御部１３０は、第１方法に従う場合には、基準方向（例えば、ｙ方向）に対する基板（および、基準方向（例えば、ｙ方向）に対する走査方向）の回転角Θを決定する。或いは、ステップＳ８０６では、第２方法に従う場合には、基準方向（例えば、ｘ方向）に対するフォーカスセンサ１３１の複数の計測ポイントの配置方向の回転角Θを決定する。回転角Θは、例えば、（１）式に従って計算することができる。図６（ｂ）および図９には、第１方法に従う回転が例示されている。ここで、ショット領域の幅Ｌよりも狭い幅（Ｌ−α）における基板の表面位置を計測する場合には、Ｌを（Ｌ−α）に書き換えればよい。
【００３６】
Θ＝ｃｏｓ−１（Ｌ／Ｗ）  ・・・（１）
主制御部１３０は、非回転モードでは、ステップＳ８０３において、ステップＳ１１０２で決定された計測対象ポイント、基板の表面位置の計測が計測ステーションで実行されるようにステージ制御部１２８および計測制御部１２９を制御する。主制御部１３０は、回転モードでは、ステップＳ８０３において、ステップＳ８０５、Ｓ８０６で決定された計測対象ポイント、回転角Θに従って基板の表面位置計測が計測ステーションで実行されるようにステージ制御部１２８および計測制御部１２９を制御する。計測のために基板を回転角Θだけ回転させた場合（つまり、第１モードの場合）には、主制御部１３０は、計測の終了後に−Θだけ基板を回転させるようにステージ制御部１２８を制御する。基板の回転は、基板ステージ１１７、１１９を回転させることによって行ってもよいし、基板ステージ１１７、１１９を回転させずに基板ステージ１１７、１１９に搭載された基板チャックを回転させることによって行ってもよいし、他の方法によって行ってもよい。
【００３７】
ステップＳ８０４では、主制御部１３０は、ステップＳ８０３における計測結果に基づいて、その計測がなされた基板が露光ステーションで露光されるようにステージ制御部１２８、および、露光ステーションの関連する構成要素を制御する。なお、ステップＳ８０３とステップＳ８０４との間において、基板ステージ１１７と基板ステージ１１９との入れ替えがなされる。
【００３８】
図６（ｂ）中のＤ’は、基板およびその走査方向を回転させた場合（フォーカスセンサ１３１の複数の計測ポイントの配置方向を回転させた場合も同じ）の走査方向に直交する方向おける計測対象ポイントの間隔を示している。非回転モードでは、計測対象ポイントの間隔は、フォーカスセンサ１３１の計測ポイントの間隔と等しくＤであるが、回転モードでは、計測対象ポイントの間隔は、Ｄ’（＝ＤｃｏｓΘ）となる。したがって、回転モードでは、基板の表面位置（表面形状）を非回転モードよりも小さい計測ピッチで計測することができる。
【００３９】
この実施形態では、非回転モードにおいてフォーカスセンサ１３１の全ての計測ポイントがショット領域の幅に収まるかどうかを判断基準として非回転モードか回転モードかを選択している。これに代えて、要求される計測ピッチを判断基準として非回転モードか回転モードかを選択してもよい。つまり、より小さい計測ピッチで基板の表面位置を計測することが要求される場合には、回転モードを選択すればよい。
【００４０】
［第２実施形態］
第２実施形態では、要求される計測ピッチに応じた回転角Θが決定される。なお、第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。
【００４１】
図１１は、本発明の第２実施形態における基板の処理の流れを概略的に示すフローチャートである。なお、このフローチャートに示す処理は、この実施形態では主制御部１３０によって制御される。
【００４２】
ステップＳ１１０１では、主制御部１３０は、フォーカスセンサ１３１の複数の計測ポイントの間隔Ｄとデフォルトの基板の走査方向における計測ポイントの間隔ＳＰとのうち小さい方を計測ポイントの最小間隔Δｄとして決定する。デフォルトの基板の走査方向における計測ポイントの間隔は、サンプリング間隔（＝サンプリング時間間隔×走査速度）である。なお、最小間隔Δｄは、予め走査露光装置に設定されていてもよい。
【００４３】
ステップＳ１１０２では、主制御部１３０は、インターフェース１２４等を介して指定されたショット領域の長辺、短辺にそれぞれ沿った方向における計測対象ポイントの間隔Ｓ１、Ｓ２を読み込む。そして、主制御部１３０は、読み込んだ計測対象ポイントの間隔Ｓ１、Ｓ２のうち小さい方を計測対象ポイントの最小間隔Ｉｄとして決定する。
【００４４】
ステップＳ１１０３では、主制御部１３０は、計測ポイントの最小間隔Δｄを与える方向（これは当該計測ポイントが並ぶ方向である。）と計測対象ポイントの最小間隔Δｄを与える方向（これは当該計測対象ポイントが並ぶ方向である。）とが一致するように、基板の基本回転角（基本方向）Θ０を０度または９０度に決定する。
【００４５】
ステップＳ１１０では、主制御部１３０は、（２）式に従って、回転角Θを決定する。ここで、回転角Θは、第１方法に従う場合には、基準方向（例えば、ｙ方向）に対する基板（および、基準方向（例えば、ｙ方向）に対する走査方向）の回転角を意味する。或いは、回転角Θは、第２方法に従う場合には、基準方向（例えば、ｘ方向）に対するフォーカスセンサ１３１の複数の計測ポイントの配置方向の回転角を意味する。
【００４６】
Θ＝Θ０＋ｃｏｓ−１（Ｌ／Ｗ）  ・・・（２）
ステップＳ１１０５では、主制御部１３０は、ステップＳ１１０４で決定された回転角Θに従って基板の表面位置の計測が計測ステーションで実行されるようにステージ制御部１２８および計測制御部１２９を制御する。計測のために基板を回転角Θだけ回転させた場合（つまり、第１モードの場合）には、主制御部１３０は、計測の終了後に−Θだけ基板を回転させるようにステージ制御部１２８を制御する。
【００４７】
ステップＳ１１０６では、主制御部１３０は、ステップＳ１１０５における計測結果に基づいて、その計測がなされた基板が露光ステーションで露光されるようにステージ制御部１２８、および、露光ステーションの関連する構成要素を制御する。なお、ステップＳ１１０５とステップＳ１１０６との間において、基板ステージ１１７と基板ステージ１１９との入れ替えがなされる。
【００４８】
［第３実施形態］
第３実施形態では、基板の表面における断面形状の変化の周期が最も小さい方向（断面形状の変化が最も密な方向）が走査方向に一致するように基板を回転させて該表面の位置を計測する。
【００４９】
図１２は、本発明の第３実施形態における基板の処理の流れを概略的に示すフローチャートである。なお、このフローチャートに示す処理は、この実施形態では主制御部１３０によって制御される。
【００５０】
ステップＳ１２０１では、主制御部１３０は、露光対象（計測対象）の基板の表面形状に関連する情報を取得する。当該情報としては、例えば、該基板に形成されているパターンに関する情報、トポグラフィー等が含まれうる。基板に形成されているパターンに関する情報は、例えば、レシピファイルから取得することができる。
【００５１】
ステップＳ１２０２では、主制御部１３０は、基板の表面形状の変化の周期が所定の基準よりも小さいか否か（例えば、フォーカスセンサ１３１の計測ポイントの間隔よりも小さいか否か）を判断する。そして、主制御部１３０は、該周期が該基準より小さくない場合にはステップＳ１２０４に処理を進め、該周期が該基準より小さい場合にはステップＳ１２０３に処理を進める。
【００５２】
ステップＳ１２０３では、例えば、基板の表面形状の周期が最も小さい方向が基板の走査方向に一致するように基板の回転角を決定する。基板の回転角は、ユーザによって指定される角度（指定角度）でもよく、この場合には、ステップＳ１２０２は、ユーザによる指定が存在するか否かを判断し、該指定が存在する場合に処理をステップＳ１２０３に進めるように変更されうる。基板の走査方向における計測ポイントの間隔は、フォーカスセンサ１３１のサンプリング間隔と走査速度とによって決定されるので、該計測ポイントの間隔を小さくすることは容易である。したがって、基板の表面形状の周期が最も小さい方向を走査方向に一致させることによって、基板の表面形状をより小さい間隔で計測することができる。
【００５３】
ステップＳ１２０４では、主制御部１３０は、ステップＳ１２０３が実行された場合には、回転モードで基板の計測がなされるようにステージ制御部１２８および計測制御部１２９を制御する。具体的には、主制御部１３０は、ステップＳ１２０３が実行された場合には、ステップＳ１２０３で決定された回転角Θに従って基板の表面位置の計測が計測ステーションで実行されるようにステージ制御部１２８および計測制御部１２９を制御する。計測のために基板を回転角Θだけ回転させた場合（つまり、第１モードの場合）には、主制御部１３０は、計測の終了後に−Θだけ基板を回転させるようにステージ制御部１２８を制御する。
【００５４】
ステップ１２０２が実行されていない場合（ステップＳ１２０２で”Ｎｏ”）には、主制御部１３０は、非回転モードで基板の計測がなされるようにステージ制御部１２８および計測制御部１２９を制御する。具体的には、ステップ１２０２が実行されていない場合には、主制御部１３０は、基板を回転させることなく該基板の計測がなされるようにステージ制御部１２８および計測制御部１２９を制御する。
【００５５】
ステップＳ１２０５では、主制御部１３０は、ステップＳ１２０４における計測結果に基づいて、その計測がなされた基板が露光ステーションで露光されるようにステージ制御部１２８、および、露光ステーションの関連する構成要素を制御する。なお、ステップＳ１２０４とステップＳ１２０５との間において、基板ステージ１１７と基板ステージ１１９との入れ替えがなされる。
【００５６】
［応用例］
本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、走査露光装置を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の好適な実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】先読み形式の基板の表面位置の計測方法を説明するための図である。
【図３】一般的な計測方法におけるショット領域と走査方向との関係を示す図である。
【図４】一般的な計測方法における計測対象ポイントの配置を例示する図である。
【図５】計測ポイントの配置間隔と基板の表面形状との関係を例示する図である。
【図６】本発明の好適な実施形態の計測方法を例示的に説明する図である。
【図７】計測ポイントの配置を例示する図である。
【図８】本発明の第１実施形態における基板の処理の流れを概略的に示すフローチャートである。
【図９】本発明の好適な実施形態の計測方法を例示的に説明する図である。
【図１０】一般的な計測方法におけるショット領域と計測ポイントとの関係を例示する図である。
【図１１】本発明の第２実施形態における基板の処理の流れを概略的に示すフローチャートである。
【図１２】本発明の第３実施形態における基板の処理の流れを概略的に示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５８】
１３０  主制御装置
１３１  フォーカスセンサ（計測器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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