(57)【要約】【課題】認識可能な浅い刻印を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実装基板の主面上に第１の半導体チップを固着（ステップＳ１１）し、第１の半導体チップの上に第２の半導体チップを固着（ステップＳ１２）し、第１及び第２の半導体チップを実装基板の主面上の配線に金属細線を介して接続する工程（ステップＳ１３、１４）と、実装基板の主面、第１及び第２の半導体チップ、及び金属細線を被って、規定された厚さより厚く封止樹脂を配設する工程（ステップＳ１５）と、封止樹脂の上方から出力の安定したレーザ光を照射して、封止樹脂の上面から規定された厚さより深い位置に底面を持つように記号を刻印する工程（ステップＳ１６）と、封止樹脂の上面から規定された厚さになるまで、封止樹脂の上面に平行に封止樹脂を研削し、記号の底面を残す工程（ステップＳ１７）とを備えている。【選択図】図２
2010080651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板の主面上に第１の半導体チップを固着し、前記第１の半導体チップの上に第２の半導体チップを固着し、前記第１及び第２の半導体チップを前記実装基板の主面上の配線に金属細線を介して接続する工程と、
前記実装基板の主面、前記第１及び第２の半導体チップ、及び前記金属細線を被って、製品寸法より第１厚さだけ厚くなるように封止樹脂を配設する工程と、
前記封止樹脂の上方から出力の安定したレーザ光を照射して、前記封止樹脂の上面から前記第１厚さより深い位置に底面を持つように記号を刻印する工程と、
前記封止樹脂の上面から前記製品寸法になるまで、前記封止樹脂の上面に平行に前記封止樹脂を研削し、前記記号の底面を残す工程と、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
実装基板の主面上に第１の半導体チップを固着し、前記第１の半導体チップの上に第２の半導体チップを固着し、前記第１及び第２の半導体チップを前記実装基板の主面上の配線に金属細線を介して接続する工程と、
前記実装基板の主面、前記第１及び第２の半導体チップ、及び前記金属細線を被って、封止樹脂を配設する工程と、
前記封止樹脂の上に一定の厚さの樹脂スペーサを配設する工程と、
前記樹脂スペーサの上方から出力の安定したレーザ光を照射して、前記封止樹脂の上面より深い位置に底面を持つように記号を刻印する工程と、
前記樹脂スペーサを除去し、前記封止樹脂の上面に前記記号の底面を残す工程と、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂スペーサは、エポキシ樹脂を主成分とするシート材またはフィルム材であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記封止樹脂はエポキシ樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記刻印は、個片化される前に行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型化を目指す半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルネットワーク情報社会の急速な進展に対応し、携帯電話に代表されるモバイル情報端末等の高性能・高機能化及び小型化が加速されている。そして、これらを支えるＬＳＩ等の半導体装置は、半導体チップの有する高性能、高機能等を引き出して、その上、小型化を達成するために、例えば、半導体チップを三次元に積層するチップスタック型ＭＣＰ（St-MCP：Stacked Multi Chip Package）が採用される。
【０００３】
半導体装置は、例えば、プログラム保存用のＮＯＲ（Negative OR circuit）型フラッシュメモリ、処理中データの一時保管用ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）やＤＲＡＭ（Dynamic RAM）、大量データ保存用のＮＡＮＤ（Negative AND circuit）型ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）等を内蔵する半導体チップで構成される。これらを有するチップスタック型ＭＣＰにおいては、半導体装置の実装に要する面積すなわち横の広がりの他に、厚さすなわち高さを要求仕様に抑えることが課題である。
【０００４】
半導体装置は、例えば、モールド法により樹脂封止した後に、樹脂の表面に、製品名／番号、製造年月日／週等の製品及び製造等を特定するための情報（記号）が書き込まれている。半導体装置を薄くしようとすると、インクの厚さが無視できなくなるので、レーザを使用して封止樹脂の表面に刻印するレーザマーキング方法が多くなっている。
【０００５】
薄い半導体装置への刻印として、例えば、半導体チップが載置された側のモールド樹脂の表面で、かつ金属細線の湾曲頂上部以外のマーキング領域に装置本体の製品情報がレーザマーキングされる半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
しかしながら、開示された半導体装置は、金属細線の湾曲頂上部を避ける必要があるために、金属細線の位置が異なるとマーキング位置を変更したり、マーキングに必要な記号を分割して刻印する場合が生じたり、また、記号の大きさを小さくせざるを得ない場合が生じたりする可能性がある。その結果、書き込まれた情報の認識に時間がかかったり、正確に認識されない場合が生じることになる。
【０００７】
そして、これらの問題を回避するために、金属細線の湾曲頂上部に達しない程度に浅く刻印して、封止樹脂の表面のマーキング位置を限定しないようにすると、レーザの出力のばらつき等のために、記号の一部の刻印の深さが浅くなり過ぎて認識不可能となるという問題が生じることがある。
【特許文献１】特開２００６−１５６６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、認識可能な浅い刻印を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、実装基板の主面上に第１の半導体チップを固着し、前記第１の半導体チップの上に第２の半導体チップを固着し、前記第１及び第２の半導体チップを前記実装基板の主面上の配線に金属細線を介して接続する工程と、前記実装基板の主面、前記第１及び第２の半導体チップ、及び前記金属細線を被って、規定された厚さより厚く封止樹脂を配設する工程と、前記封止樹脂の上方から出力の安定したレーザ光を照射して、前記封止樹脂の上面から前記規定された厚さより深い位置に底面を持つように記号を刻印する工程と、前記封止樹脂の上面から前記規定された厚さになるまで、前記封止樹脂の上面に平行に前記封止樹脂を研削し、前記記号の底面を残す工程とを備えていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の別態様の半導体装置の製造方法は、実装基板の主面上に第１の半導体チップを固着し、前記第１の半導体チップの上に第２の半導体チップを固着し、前記第１及び第２の半導体チップを前記実装基板の主面上の配線に金属細線を介して接続する工程と、前記実装基板の主面、前記第１及び第２の半導体チップ、及び前記金属細線を被って、封止樹脂を配設する工程と、前記封止樹脂の上に一定の厚さの樹脂スペーサを配設する工程と、前記樹脂スペーサの上方から出力の安定したレーザ光を照射して、前記封止樹脂の上面より深い位置に底面を持つように記号を刻印する工程と、前記樹脂スペーサを除去し、前記封止樹脂の上面に前記記号の底面を残す工程とを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、認識可能な浅い刻印を有する半導体装置の製造方法を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。各図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１３】
本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法について、図１乃至図４を参照しながら説明する。図１は半導体装置の構成を模式的に示す図で、図１（ａ）は一部を切り欠いた平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２は半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示すフローチャートである。図３は半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す構造断面図である。図４は図３に続く、半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す構造断面図である。図３及び図４は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面にほぼ対応する断面図である。なお、半導体装置の封止樹脂の側を上、対向するバンプ電極の側を下または底という。
【００１４】
図１に示すように、半導体装置１は、配線を有する実装基板１１、実装基板１１の上側の表面（主面または上面）のソルダレジスト１７上に、接着材２１を介して接着固定された半導体チップ２５、半導体チップ２５上に、接着材２１を介して接着固定された半導体チップ２７、半導体チップ２５、２７の周縁部にそれぞれ配設されたボンディングパッド２６、２８と、実装基板１１の周縁部に配設された接続端子１３とを接続する金属細線３１、実装基板１１の上面、半導体チップ２５、２７、金属細線３１を被うように形成された封止樹脂３５、及び、封止樹脂３５の表面に文字を含む記号が刻印された刻印部４１を有している。
【００１５】
更に、半導体装置１は、外部と接続するためのバンプ電極４５を底面に有している。実装基板１１は、下側の表面（底面）に配線の一部をなすランド１５が形成され、ランド１５に、例えば、半田ボールからなるバンプ電極４５が接続され、バンプ電極４５との接続部を除いたランド１５及び底面がソルダレジスト１８で被われている。半導体装置１は、刻印部４１及びバンプ電極４５等の凹凸部を除くと、概略、直方体形状をなしている。なお、図１（ｂ）に破線で示す比較のための構成要素は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面には、存在しないものである。
【００１６】
次に、半導体装置１の製造方法を、構成要素の詳細と共に説明する。ここでは、半導体チップが２枚積層される例を示すが、３枚以上の積層であっても同様の方法で製造が可能である。
【００１７】
半導体チップ２５、２７は、半導体ウェーハ（図示略）状態のまま、厚さが、例えば、約５０〜１００μｍになるように裏面が研削される。その後、半導体チップ２５、２７は、裏面にテープ状またはフィルム状の接着材２１が貼り付けられ、ダイシング法等により個片化されて、半導体チップ２５、２７の裏面とほぼ同寸法の接着材２１が貼り付けられた個片となる。半導体チップ２５、２７は、表面の相対向する２辺に沿った周縁部に、それぞれ、ボンディングパッド２６、２８が形成されている。ボンディングパッド２６、２８は、半導体チップ２５、２７の４辺の周縁部以外、例えば中央部に形成されることも可能である。
【００１８】
実装基板１１は、上面に、半導体チップ２５、２７のボンディングパッド２６、２８に対応する位置に、ソルダレジスト１７が開口された接続端子１３を有している。また、底面に、バンプ電極４５が接続されるソルダレジスト１７の開口部を有するランド１５が形成されている。上面の接続端子１３は、底面のランド１５と配線（図示略）により接続されている。組み立て途中にある実装基板１１は、後工程において、複数の半導体装置１に個片化される。
【００１９】
図２及び図３（ａ）に示すように、実装基板１１の上面の決められた位置に第１の半導体チップである半導体チップ２５を、接着材２１を介して貼り付けてある（ステップＳ１１）。半導体チップ２５の上面の決められた位置に第２の半導体チップである半導体チップ２７を、接着材２１を介して貼り付けて、固定する（ステップＳ１２）。接着材２１は、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする半硬化状態の樹脂である。接着材２１は、キュアにより硬化され、半導体チップ２５、２７を固定する。なお、半導体チップ２５、２７を半硬化状態で接着しておいて、後工程の封止樹脂のキュア時に接着材２１を硬化させて、しっかりと固定することも可能である。また、接着材２１は、半導体チップ２５、２７の裏面に最初に配設される以外に、まず、下地となる面の決められた位置に配設され、次に、接着材２１の上に半導体チップ２５、２７が貼り付けられても差し支えない。
【００２０】
図２及び図３（ｂ）に示すように、半導体チップ２５のボンディングパッド２６と、実装基板１１の接続端子１３とを、例えば、Ａｕを主成分とする金属細線３１で接続する（ステップＳ１３）。半導体チップ２７のボンディングパッド２８と、実装基板１１の接続端子１３とを、例えば、同様の金属細線３１で接続する（ステップＳ１４）。
【００２１】
実装基板１１の接続端子１３は、半導体チップ２５、２７の対向する側面の外側の位置に、それぞれ、２列ずつ配置され、下側の半導体チップ２５のボンディングパッド２６は、２列の接続端子１３の内側に接続され、上側の半導体チップ２７のボンディングパッド２８は、２列の接続端子１３の外側に接続されている。上側及び下側の半導体チップと、実装基板１１の接続端子１３の外側及び内側の列は、クロスして接続することも可能である。また、半導体チップ２５のボンディングパッド２６と半導体チップ２７のボンディングパッド２８とを金属細線３１で接続することも可能である。また、１つの接続端子１３または１つのボンディングパッド２６、２８に１本の金属細線３１が接続される場合だけでなく、複数本の金属細線３１が接続される場合もある。
【００２２】
金属細線３１は、例えば、ボールボンディング法により、半導体チップ２５、２７のボンディングパッド２６、２７へファーストボンディングされるが、実装基板１１の接続端子１３へファーストボンディングされることは可能である。
【００２３】
図２及び図３（ｃ）に示すように、実装基板１１の上面、半導体チップ２５、２６、及び金属細線３１を被って、上面に削り代ｈを付加した封止樹脂３５ａを配設する（ステップＳ１５）。つまり、削り代ｈを研削ライン５１まで削り落として半導体装置１の厚さが製品寸法となるように、封止樹脂３５ａは封止樹脂３５より削り代ｈ分だけ厚く形成される。封止樹脂３５ａは、例えば、トランスファモールド法により形成される。封止樹脂３５ａは、例えば、エポキシ樹脂を主成分とし、カーボン等からなるフィラーが混入されている。封止樹脂３５ａを硬化するためのキュア時に、接着材２１を同時に硬化することが可能である。
【００２４】
図２及び図４（ａ）に示すように、封止樹脂３５ａの上方から出力の安定したレーザ光を照射して、封止樹脂３５の削り代ｈより深い位置に底面を持つように記号を刻印する（ステップＳ１６）。刻印部４１ａは、例えば、記号を形成する線または面にＹＡＧレーザを照射して、封止樹脂３５を蒸散させることにより形成される。
【００２５】
封止樹脂３５ａの削り代ｈは、レーザマーキング装置（図示略）が安定して動作するとき、つまりレーザ出力のばらつきが許容範囲内にあって、封止樹脂３５ａの刻印の深さが許容範囲内にあるとき、封止樹脂３５ａの刻印の深さを基に決められる。例えば、最終的な半導体装置１において、刻印の深さの中心値約２０μｍ、ばらつきが約１０μｍ（刻印の深さの範囲は約１５〜２５μｍ）となる。
【００２６】
レーザ出力を低減させて行くと、出力の中心値は下がり、刻印の深さの中心値は所望の値になるが、刻印の深さのばらつきは必ずしも許容範囲内にあるとは限らない。そのため、刻印の深さのばらつきが許容範囲内にあることを最優先にして、レーザ出力が強目に設定される。ここで「出力の安定したレーザ光」とは、刻印の深さのばらつきが許容範囲内にあることを最優先にして出力を調整したレーザ光を意味する。
【００２７】
しかし、出力の安定したレーザ光ではレーザ光が封止樹脂を貫通して半導体チップ２７または金属細線３１に照射され半導体チップ２７または金属細線３１を破壊してしまう。そこで、半導体装置１の最終的な封止樹脂３５に削り代ｈを付け加ることにより、出力の安定したレーザ光でもレーザ光が半導体チップ２７または金属細線３１に届かないようにしている。この設定されたレーザ出力において、削り代ｈは刻印の深さの中心値が、封止樹脂３５の表面から約２０μｍ深くに達するように選択される。
【００２８】
例えば、出力の安定したレーザ光で封止樹脂３５ａに刻印した時、刻印された深さ、つまり封止樹脂３５ａ上面から刻印部４１ａの底面までの距離が、中心値で約９０μｍ、ばらつきが約１０μｍである場合、削り代ｈを約７０μｍとすることが可能である。削り代ｈ分の７０μｍが研削により削り落とされたとすると、封止樹脂３５の上面に、刻印の深さの中心値約２０μｍ、ばらつきが約１０μｍとなる刻印が形成される。なお、より深い刻印が必要な場合、例えば、刻印の深さの中心値が約２５μｍとなるように、削り代ｈを約６５μｍとすることも可能である。
【００２９】
また、封止樹脂３５の上面側に最も近い金属細線３１と、刻印部４１ａの刻印の底面が干渉しないように、それぞれのばらつきも考慮して高さ方向の寸法は設定される。そして、例えば、最も上面側にある金属細線３１の位置の中心値から、上に、約５０μｍの位置に刻印部４１ａの刻印の底面の中心値があるように設定することが可能である。
【００３０】
図２及び図４（ｂ）に示すように、封止樹脂３５ａの上面から削り代ｈの底面となる研削ライン５１に至るまで、封止樹脂３５の上面に平行に研削し、刻印部４１の刻印の底面を残す（ステップＳ１７）。周知の研削装置（図示略）により、封止樹脂３５ａの研削に適する砥石等の研削ツールを使用して、研削することが可能である。
【００３１】
図２及び図１に示すように、実装基板１１の底面のランド１５に、半田ボールが接続され、リフローが施されてバンプ電極４５が形成される（ステップＳ１８）。その後、例えば、ダイシング法により個片化されて（ステップＳ１９）、半導体装置１が完成する。
【００３２】
上述したように、半導体装置１は、封止樹脂３５ａが予め削り代ｈ分だけ厚く形成され、封止樹脂３５ａの上方から、レーザ出力のばらつきが小さい状態で、削り代ｈより深い位置に底面を有する刻印部４１ａが形成され、その後、封止樹脂３５ａの削り代ｈが研削されて作製される。その結果、半導体装置１は、刻印部４１が、当初形成された刻印より浅くなるものの、認識するのに十分な深さを有し、しかも、刻印の底面位置のばらつきが小さいために、安定して認識可能なものとなる。つまり、刻印の底面位置のばらつきが小さいために、認識可能な刻印と認識不可能な刻印とが混在することが抑制される。
【００３３】
また、半導体装置１は、刻印部４１ａが形成された後、刻印の深さ方向の途中までを研削して除去するので、新たに形成される封止樹脂３５の上面と刻印の開口との縁の部分がだれることが少なく、刻印部４１ａの認識がし易い形状となる。
【００３４】
また、半導体装置１は、刻印部４１の底面位置のばらつきが小さいために、刻印部４１と金属細線３１との高さ方向の位置をより接近して設定することが可能となり、高さ方向を薄くすることが可能である。
【実施例２】
【００３５】
本発明の実施例２に係る半導体装置の製造方法について、図５乃至図７を参照しながら説明する。図５は半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示すフローチャートである。図６は半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す構造断面図である。図７は半導体装置の製造の一工程において、個片化前の半導体装置と固定治具との配置を模式的に示す断面図である。実施例１の半導体装置の製造方法とは、封止樹脂の削り代の部分を樹脂スペーサで置き換えた点が異なる。なお、実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３６】
図５に示すように、半導体装置１の製造方法は、ステップＳ１１からステップＳ１４までは、実施例１の半導体装置１の製造方法と同様である。
【００３７】
図５及び図６（ａ）に示すように、実装基板１１の上面、半導体チップ２５、２７、及び金属細線３１を被って、封止樹脂３５を配設する（ステップＳ２１）。実施例１の封止樹脂３５ａとは、削り代分が不要な分だけ、封止樹脂３５は低く形成され、硬化される。
【００３８】
図５及び図６（ｂ）に示すように、硬化された封止樹脂３５の上面に樹脂スペーサ６１が配設される（ステップＳ２２）。樹脂スペーサ６１は、例えば、エポキシ樹脂を主成分とし、例えば、カーボン等からなるフィラーが混入され、テープ状またはフィルム状の形態をなしている。なお、樹脂スペーサ６１は、後述のレーザ光に対して、封止樹脂３５と同様な性質を有していることが好ましい。樹脂スペーサ６１は、封止樹脂３５に対して粘着性を有していてもよい。樹脂スペーサ６１は、例えば、配設時の適切な押圧によって、封止樹脂３５の上面の凹凸にある空気より多くの空気の取り込みは抑制することが可能である。樹脂スペーサ６１は、例えば、厚さ約８０μｍである。なお、樹脂スペーサ６１は、封止樹脂３５と同様なフィラーが混入されることは必ずしも必要なく、後述のレーザ光によって安定して刻印されるならば、他のフィラーを混入またはフィラーなしとすることは差し支えない。
【００３９】
図７に示すように、複数個の半導体装置１となる予定の個片化前の構造体５は、封止樹脂３５の上に樹脂スペーサ６１が配設された状態で、固定治具６３により周辺部が固定される。固定治具６３は、構造体５を載置する底板６５、構造体５の周辺部を樹脂スペーサ６１の上方から押さえる上板６７、底板６５と上板６７とを側面で固定する側板６９で構成される。固定治具６３の内側で構造体５または樹脂スペーサ６１と接触する部分には、構造体５の損傷を防止するための緩衝材（図示略）が配置されている。
【００４０】
図５及び図６（ｃ）に示すように、固定治具６３に固定された構造体５は、樹脂スペーサ６１の上方から出力の安定したレーザ光を照射して、樹脂スペーサ６１より深い位置、すなわち封止樹脂３５の上部に底面を持つように記号が刻印される（ステップＳ２３）。刻印部４１ｂは、例えば、記号を形成する線または面にＹＡＧレーザを照射して、樹脂スペーサ６１及び封止樹脂３５を蒸散させることにより形成される。
【００４１】
図５に示すように、構造体５を固定治具６３から取り出して、または、上板６７を取り外して、樹脂スペーサ６１を取り除く（ステップＳ２４）。樹脂スペーサ６１を、例えば、その端部を保持して、剥がすように取り除くと、図４（ｂ）に示すように、封止樹脂３５の上面に刻印部４１を有する断面となる。
【００４２】
図５に示すように、封止樹脂３５の上面に刻印部４１を有する構造体（図４（ｂ）参照）は、実施例１の半導体装置１の製造方法と同様に、ステップＳ１８及びステップＳ１９を経て、半導体装置１が完成する。
【００４３】
上述したように、半導体装置１は、樹脂スペーサ６１が封止樹脂３５の上面に配設され、樹脂スペーサ６１の上方から、レーザ出力のばらつきが小さい状態で、樹脂スペーサ６１より深い位置に底面を有する刻印部４１ｂが形成され、その後、樹脂スペーサ６１が物理的に除去されて作製される。その結果、半導体装置１は、実施例１で作製したものと同様となり、実施例１が有する効果と同様な効果を有している。
【００４４】
その上、本実施例の半導体装置１の製造方法によれば、半導体装置１は、後工程で配設された樹脂スペーサ６１を除去することによって作製されるので、モールド成形された封止樹脂の高さをほとんどそのまま維持でき、高さのばらつきは実施例１の半導体装置１より小さく抑えることが可能である。
【００４５】
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々、変形して実施することができる。
【００４６】
例えば、実施例では、半導体チップを上下に２枚積層する例を示したが、半導体チップを３枚以上積層する場合であってもよく、半導体チップが１枚の場合であってもよい。積層した半導体チップを有して可能な限り薄型化が求められる以外に、１枚からなる半導体チップを有して可能な限り薄型化が求められる場合にも適応が可能となる。
【００４７】
また、実施例では、刻印部の形成にＹＡＧレーザを使用する例を示したが、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザ、ＹＶＯ４結晶を使用したレーザ等を使用することが可能である。それらの場合、レーザ出力のばらつきによる刻印の深さのばらつきが許容範囲内にある必要があり、削り代または樹脂スペーサの厚さは、それぞれ、適宜決められる。
【００４８】
また、実施例２では、樹脂スペーサは、封止樹脂の上に載置される例を示したが、半導体チップを接着したテープ状またはフィルム状の接着材と同様なテープ材またはフィルム材を、封止樹脂の上に接着して、固化させた後、実施例１と同様に、レーザ光を照射して刻印して、その後、テープ材またはフィルム材の部分を研削することは可能である。
【００４９】
その他、以下の付記に記載されるような構成が考えられる。  
（付記１）  実装基板の主面上に第１の半導体チップを固着し、前記第１の半導体チップの上に第２の半導体チップを固着し、前記第１及び第２の半導体チップを前記実装基板の主面上の配線に金属細線を介して接続する工程と、前記実装基板の主面、前記第１及び第２の半導体チップ、及び前記金属細線を被って、封止樹脂を配設する工程と、前記封止樹脂の上に一定の厚さの樹脂スペーサを配設する工程と、前記樹脂スペーサの上方から出力の安定したレーザ光を照射して、前記封止樹脂の上面より深い位置に底面を持つように記号を刻印する工程と、前記樹脂スペーサを除去し、前記封止樹脂の上面に前記記号の底面を残す工程とを備えている半導体装置の製造方法。
【００５０】
（付記２）  前記封止樹脂の上の前記樹脂スペーサは、上方から押さえられて、前記レーザ光が照射される付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００５１】
（付記３）  実装基板の主面と反対側の面に半田ボールを形成し、前記実装基板をダイシングして、個片化する工程とを更に有する付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の構成を模式的に示す図で、図１（ａ）は一部を切り欠いた平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示すフローチャート。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す構造断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る半導体装置の図３に続く製造方法を工程順に模式的に示す構造断面図。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示すフローチャート。
【図６】本発明の実施例２に係る半導体装置の製造方法を工程順に模式的に示す構造断面図。
【図７】本発明の実施例２に係る半導体装置の製造の一工程において、個片化前の半導体装置と固定治具との配置を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体装置
５  構造体
１１  基板
１３  接続端子
１５  ランド
１７、１８  ソルダレジスト
２１  接着材
２５、２７  半導体チップ
２６、２８  ボンディングパッド
３１  金属細線
３５、３５ａ  封止樹脂
４１、４１ａ、４１ｂ  刻印部
４５  バンプ電極
５１  研削ライン
６１  樹脂スペーサ
６３  固定治具
６５  底板
６７  上板
６９  側板
ｈ  削り代
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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