(57)【要約】【課題】剛性を低下させずに照明光の照射による過熱が抑制された液晶装置を得る。【解決手段】透明性を有する第２の基板１１と、第２の基板に対向する第１の基板１０と、第１の基板１０と第２の基板１１との間に挟持された液晶層２４と、第１の基板１０の液晶層２４側に形成された反射層１６と、を備える液晶装置１であって、第１の基板１０の液晶層２４側とは反対側の面には、第１の基板１０の厚さが厚い第１の領域５１と第１の基板１０の厚さが薄い第２の領域５２とからなる段差が形成されており、第２の領域５２には第１の基板１０の形成材料よりも熱伝導性が高い材料からなる放熱手段６が配置されていることを特徴とする液晶装置１。【選択図】図３
2010066440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明性を有する第２の基板と、
前記第２の基板に対向する第１の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板の前記液晶層側に形成された反射層と、
を備える液晶装置であって、
前記第１の基板の前記液晶層側とは反対側の面には、前記第１の基板の厚さが厚い第１の領域と前記第１の基板の厚さが薄い第２の領域とからなる段差が形成されており、該第２の領域には前記第１の基板の形成材料よりも熱伝導性が高い材料からなる放熱手段が配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、前記第２の領域は周囲を前記第１の領域で囲まれた領域であることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置であって、
前記熱伝導性が高い材料は金属であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
透明性を有する第２の基板と、
前記第２の基板に対向する第１の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板の前記液晶層側に形成された反射層と、
を備える液晶装置の製造方法であって、
前記第１の基板の前記液晶層側とは反対側の面に凹部を形成する第１の工程と、
前記凹部に前記第１の基板の形成材料よりも熱伝導性が高い放熱材料を配置する第２の工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２の基板と前記第１の基板とはシール材を介して貼り合わされており、
前記第１の工程は、前記第１の基板における前記シール材と平面視で重なる領域の内側の領域を所定の深さまでエッチングして前記凹部を形成する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記放熱材料は金属であり、
前記第２の工程は、前記放熱材料を前記凹部に接着する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５または６に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記放熱材料は金属であり、
前記第２の工程は、溶融金属を前記凹部に流し込み金属層を形成する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶プロジェクタ等の電子機器に用いられる液晶装置として、反射型液晶装置が注目されている。かかる液晶装置は、画素電極が反射型であるため、画素電極の下側にトランジスタ等のスイッチング素子を設けることができ、高解像度と高輝度の両立が可能という長所を有する一方で、表示面側から強い照明光が照射されることによる過熱という問題がある。かかる過熱を抑制するために、液晶装置に用いられる石英基板等の基板厚の低減、あるいは、該基板の裏面の全域に放熱板を装着する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３１９８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし上述の方法は、基板の剛性の低下により液晶層にストレス等が生じ、表示品質の劣化の原因となり得るという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］透明性を有する第２の基板と、上記第２の基板に対向する第１の基板と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に挟持された液晶層と、上記第１の基板の上記液晶層側に形成された反射層と、を備える液晶装置であって、上記第１の基板の上記液晶層側とは反対側の面には、上記第１の基板の厚さが厚い第１の領域と上記第１の基板の厚さが薄い第２の領域とからなる段差が形成されており、該第２の領域には上記第１の基板の形成材料よりも熱伝導性が高い材料からなる放熱手段が配置されていることを特徴とする液晶装置。
【０００７】
このような構成であれば、第１の基板の剛性の低下を抑制しつつ放熱機能を向上させることができる。したがって、液晶装置の耐久性等を損わずに表示品質を向上できる。
【０００８】
［適用例２］上述の液晶装置であって、上記第２の領域は周囲を上記第１の領域で囲まれた領域であることを特徴とする液晶装置。
【０００９】
このような構成であれば、液晶装置を構成する基板の剛性の低下をより一層抑制できる。
【００１０】
［適用例３］上述の液晶装置であって、上記熱伝導性が高い材料は金属であることを特徴とする液晶装置。
【００１１】
金属は耐熱性と熱伝導性が高いため、第２の領域における上記第１の基板の厚さをより一層薄くできる。したがって、このような構成の液晶装置であれば、放熱機能及び表示品質をより一層向上させることができる。
【００１２】
［適用例４］上述の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【００１３】
このような電子機器であれば、該液晶装置に対してより強い光を照射できる。したがって、表示品質をより一層向上できる。
【００１４】
［適用例５］透明性を有する第２の基板と、上記第２の基板に対向する第１の基板と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に挟持された液晶層と、上記第１の基板の上記液晶層側に形成された反射層と、を備える液晶装置の製造方法であって、上記第１の基板の上記液晶層側とは反対側の面に凹部を形成する第１の工程と、上記凹部に上記第１の基板の形成材料よりも熱伝導性が高い放熱材料を配置する第２の工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【００１５】
このような製造方法であれば、第１の基板の形成材料を、局所的に熱伝導性がより高い材料に置き換えることができる。したがって、剛性の低下を抑制しつつ放熱性が向上した液晶装置を得ることができる。
【００１６】
［適用例６］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第２の基板と上記第１の基板とはシール材を介して貼り合わされており、上記第１の工程は、上記第１の基板における上記シール材と平面視で重なる領域の内側の領域を所定の深さまでエッチングして上記凹部を形成する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【００１７】
このような製造方法であれば、上述のエッチングによる第１の基板の剛性の低下を抑制できる。
【００１８】
［適用例７］上述の液晶装置の製造方法であって、上記放熱材料は金属であり、上記第２の工程は、上記放熱材料を上記凹部に接着する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【００１９】
このような製造方法であれば、該金属板により第１の基板の剛性を向上できる。したがって、剛性の低下をより一層抑制しつつ、放熱性が向上した液晶装置を得ることができる。
【００２０】
［適用例８］上述の液晶装置の製造方法であって、上記放熱材料は金属であり、上記第２の工程は、溶融金属を上記凹部に流し込み金属層を形成する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【００２１】
このような製造方法であれば、金属材料を任意の形状にできる。したがって、上述の一部の領域の平面形状が複雑である場合においても剛性の低下を抑制と放熱性が向上とを両立させた液晶装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照し、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる液晶装置１の表示領域１００における各素子、配線等の等価回路図である。なお、液晶装置１はアクティブマトリクス方式の反射型液晶装置であり、後述するようにプロジェクタのライトバルブとして用いられるものである。
【００２４】
図示するように、液晶装置１の表示領域１００においては、図示しない走査線駆動回路から延在する走査線１２と、図示しないデータ線駆動回路から延在するデータ線１４と、が交差するように形成されている。画素４は、走査線１２とデータ線１４との交差に対応して設けられており、画素４ごとに反射層としての画素電極１６と、画素電極１６への通電制御を行うためのスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２０と、が形成されている。ＴＦＴ２０の３つの電極の内、ソース電極にはデータ線１４が、ゲート電極には走査線１２が、ドレイン電極には画素電極１６が、夫々電気的に接続されている。また、走査線１２と略平行に延在する容量線１５が形成されており、ＴＦＴ２０のドレイン電極と容量線１５との間に蓄積容量１５ａが形成されている。
【００２５】
ＴＦＴ２０のゲート電極には、走査線１２を介して、走査線駆動回路から所定のタイミングで走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎが、線順次に印加される。ＴＦＴ２０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎの入力により一定期間だけオン状態となり、データ線１４から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｍが所定のタイミングで画素電極１６に書き込まれる。画素電極１６を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｍは、画素電極１６と液晶層２４（図３参照）を介して対向する対向電極１８（図３参照）との間で一定期間保持される。
【００２６】
図２は、液晶装置１の外観を示す斜視図である。液晶装置１は、枠状のシール材２２を介して対向するように貼り合わされた、第１の基板としての素子基板１０と第２の基板としての対向基板１１との一対の基板を有している。素子基板１０と対向基板１１とシール材２２とにより形成された空間には、液晶層２４が封入されている。対向基板１１の液晶層２４とは反対側の面には、偏光板２６が配置されている。素子基板１０は、対向基板１１より大きく、一部が対向基板１１に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部分には、液晶層２４を駆動するためのドライバ回路が設けられている。
【００２７】
図３は、液晶装置１の概略構成を示す模式断面図である。素子基板１０と対向基板１１との間に挟持された液晶層２４は、液晶分子（不図示）を含有している。そして、該液晶分子は誘電異方性が正のポジ型の液晶分子である。したがって、電圧印加時には電界方向に沿って配向し、非印加時には後述する配向膜の配向方向に沿って配向する。対向基板１１は透明性が必要であるため、透明材料であるガラス、あるいは石英等で形成されている。素子基板１０は透明性は必要ではないが、剛性及び絶縁性が必要であり、対向基板１１と同じくガラスあるいは石英で形成されている。
【００２８】
素子基板１０の液晶層２４側には、ＴＦＴ２０と反射層としての画素電極１６とが形成されている。画素電極１６はＡｌ（アルミニウム）等の導電性と反射性を有する材料で形成されている。なお、画素電極１６をＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等の透明導電材料で形成し、該画素電極と素子基板１０との間に反射層を別途形成してもよい。ＴＦＴ２０と画素電極１６との間には層間絶縁層３０が形成されており、ＴＦＴ２０と画素電極１６とは該層間絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して導通している。そして、画素電極１６の液晶層２４側の、少なくとも平面視で表示領域１００（図１参照）と重なる領域には第１の配向膜４４が形成されている。なお、素子基板１０の液晶層２４側の面から該第１の配向膜までの構成要素を総称して、以下、素子層３５と称する。
【００２９】
素子基板１０の液晶層２４側の反対側の面には、放熱手段としての金属板６が配置されている。ここで、該反対側の面は、第１の領域５１と第２の領域５２とに区画されている。第２の領域５２は平面視で（枠状の）シール材２２の内側の領域、すなわち平面視でシール材２２に囲まれた領域である。したがって、第１の領域５１は、平面視でシール材２２と重なる領域と平面視でシール材２２の外側の領域とを合わせた領域である。ここで、第２の領域５２は、上述の反対側の面から所定の深さまでエッチングされており、凹部５３が形成されている。そして、金属板６は該凹部内に接着層８により接着されている。なお、凹部５３の深さは素子基板１０の板厚の略８０％が好ましい。したがって、素子基板１０の板厚が１．２ｍｍである場合、凹部５３の深さは略１．０ｍｍとなる。
【００３０】
対向基板１１の液晶層２４側には、遮光層２８が形成されている。遮光層２８は、平面視で、画素電極１６が形成されていない領域に形成されている。画素電極１６が平面視でマトリクス状の形成されている場合、遮光層２８は平面視で格子状となる。そして、対向基板１１の液晶層２４側の少なくとも表示領域１００には、遮光層２８を覆うように対向電極１８が形成されている。対向電極１８は透明性が必要であり、上述のＩＴＯで形成されている。そして、対向電極１８の液晶層２４側には第２の配向膜４６が形成されている。また、対向基板１１の液晶層２４側の反対側の面には偏光板２６が配置されている。該偏光板の偏光方向は、第２の配向膜４６の配向方向と略同一である。対向基板１１の液晶層２４側の面から第２の配向膜４６までの構成要素を総称して、以下、対向層３６と称する。
【００３１】
第１の配向膜４４の配向方向と第２の配向膜４６の配向方向とは互いに直交している。したがって、画素電極１６と対向電極１８との間に電圧が印加されていない状態では液晶層２４に含有される液晶分子は９０度ねじれるツイスト配向となる。一方、上記一対の電極間に電圧が印加されている場合、該液晶分子は素子基板１０の基板面に対して垂直方向に配向される。液晶装置１は、画素４毎に画素電極１６と対向電極１８との間に印加する電圧を調整することにより液晶層２４に含有されるの液晶分子の配向を制御して、画素電極１６で反射される外光（太陽光等の、液晶装置の外部から照射される光）の比率を調節することにより、表示領域１００（図２参照）に画像を形成する。
【００３２】
ここで、上述したように、画素電極１６に照射される外光の一部は、該画素電極に吸収されて熱に変わり、さらに素子基板１０を加熱する。本実施形態にかかる液晶装置１は、平面視でシール材２２の内側、すなわち画素電極１６が形成されている領域を全て含む領域に上述の凹部５３が形成されており、該凹部内に金属板６が配置されている。素子基板１０の厚さは該凹部では元の厚さの略２０％まで薄くなっているため、上述の熱は金属板６に速やかに伝わる。そして、金属板６は素子基板１０の形成材料であるガラスよりも熱伝導性が高いため、かかる熱は金属板６の素子基板１０とは反対側の面から外部に放散される。したがって、液晶装置１は従来の液晶装置と比べて使用時、すなわち外光が照射されているときの温度上昇が抑制される。したがって、液晶層２４の温度上昇が抑制され、安定した画像表示が可能となる。
【００３３】
また、液晶装置１は金属板６による放熱の効果を、液晶装置の剛性を低減することなく得ている。単に放熱能力を向上させるためには、素子基板１０を全面的に薄くして金属板６を配置（接着）する方法も有り得る。しかし、かかる方法によれば液晶装置全体の剛性が低下するため、上述の一対の基板間の間隔すなわちセル厚（液晶層の層厚）を一定に保つことが困難となり、画像表示能力を劣化させ得る。
【００３４】
液晶装置１は、平面視で周囲を枠状のシール材２２で囲まれた領域のみ、すなわち第２の領域５２のみ素子基板１０をエッチングして板厚を低減して凹部５３を形成している。したがって、該凹部の周囲の領域すなわち第１の領域５１では、素子基板１０の板厚は初期の厚さのままで保たれており、かかる枠状の部分で液晶装置全体の剛性を保つことができる。したがって、本実施形態の液晶装置１であれば、セル厚の変動による表示品質の低下及び耐久性の低下等を抑制しつつ液晶層２４の過熱を抑制することができ、液晶装置としての品質を向上できる。
【００３５】
なお、金属板６の形成材料は熱伝導性が高い材料が好ましい。したがって、Ａｌ、Ｃｕ（銅）等で形成することが好ましい。また、金属板６は凹部５３内に完全に埋め込まれている必要はなく、素子基板１０の液晶層２４側の反対側の、第１の領域５１における面よりも盛り上がっていてもよい。また、接着層８の形成材料は熱伝導性に優れたシリコン系の材料が好ましい。
【００３６】
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態にかかる液晶装置２の概略構成を示す模式断面図である。本実施形態にかかる液晶装置２は、放熱手段として金属板６に替わって金属層７が配置されていることが特徴である。そして、液晶装置２は、かかる放熱手段の差異を除いては、液晶装置１と略同一の構成を有している。そこで、第１の実施形態の液晶装置１の説明における図１〜図２に相当する図は記載せず、液晶装置１の説明における図３に相当する図、すなわち模式断面図のみを示す。そして、図４においては、図３に示す構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略する。
【００３７】
上述したように、本実施形態にかかる液晶装置２は、凹部５３内に金属層７が配置されている。該金属層は溶融金属を流し込むことで形成できる。したがって、接着層８は不要であり、素子基板１０に直接接触するように形成できる。したがって、金属層７は素子基板１０との間の熱伝導性が向上しており、画素電極１６において生じた熱をより一層容易に外部に放散できる。
【００３８】
また、凹部５３の平面形状が矩形ではなく複雑な形状であっても、容易に放熱手段を形成できる。したがって、凹部５３の平面形状、あるいは液晶装置の平面形状の自由度が向上する。なお、金属層７の形成材料は低融点であることが必要であり、その他の条件すなわち熱伝導性が高いこと等は上述の金属板６と同様である。したがって、金属板６と同様にＡｌ等を用いることが好ましい。
【００３９】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について、図５（ａ）及び図５（ｂ）を用いて述べる。図５（ａ）は、第２の実施形態の液晶装置２の説明における図４に相当する図、すなわち模式断面図であり、図５（ｂ）は、液晶装置３を素子基板１０側から見た模式平面図である。
本実施形態にかかる液晶装置３は、放熱手段としての金属層７の配置の態様に特徴がある。そして、液晶装置３は、かかる金属層７の態様を除いては、液晶装置２と略同一の構成を有している。そこで、回路図等は記載せず、上述の模式断面図と模式平面図とでのみ説明する。そして、図５（ａ）においては、図４に示す構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略する。
【００４０】
図５（ａ）に示すように、液晶装置３に形成されている凹部５３の深さ、及び液晶装置３が備えている金属層７の厚さは、第２の実施形態の液晶装置２が備える該深さ及び該厚さと略同一である。したがってシール材２２で囲まれた領域内にも第１の領域５１が形成されており、該領域により凹部５３が分割されている点で異なっている。
【００４１】
図５（ｂ）に示すように、液晶装置３における第１の領域５１は、素子基板１０の外縁部と共に、シール材２２で囲まれた矩形の領域、すなわち平面視で表示領域１００（図２参照）と重なる領域にも形成されている。上述の表示領域１００と重なる領域では、第１の領域５１は交差するように形成されている。したがって凹部５３、すなわち金属層７が形成されている領域（図５（ａ）に示す第２の領域５２）は、シール材２２で囲まれた矩形の領域内に４分割されるように形成されている。
【００４２】
上述したように、シール材２２で囲まれた矩形の領域は照射光により温度が上昇する領域である。かかる領域内に第１の領域５１を形成することは、上述の温度の上昇を抑制する機能を若干低下させ得る。一方で、かかる態様であれば、凹部５３を形成から金属層７を形成するまでの間の素子基板１０の剛性を向上できる。したがって、本実施形態にかかる液晶装置３は、かかる剛性の向上により金属層７の形成等を容易に行うことができ、信頼性当も向上している。なお、第１の領域５１は、上述のシール材２２で囲まれた矩形の領域内に複数本形成することもできる。
【００４３】
（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態として、液晶装置の製造方法について図面を用いて説明する。図６（ａ）〜（ｅ）は、金属板６を備える、第１の実施形態の液晶装置１と同様の液晶装置の製造方法を示す工程断面図である。図６においては、ＴＦＴ２０等の形成工程は省略し、凹部５３の形成工程と金属板６の配置工程を主に示している。また、上述の各実施形態の液晶装置の構成要素と共通する構成要素には、同一の符号を付与している。以下、各工程について順に説明する。
【００４４】
まず、図６（ａ）に示すように、素子層３５が形成された素子基板１０の液晶層２４側の面にシール材２２を形成する。素子層３５が形成される領域は、将来的に表示領域１００（図２参照）となる領域と略一致する。そして、シール材２２は該表示領域を囲むように枠状に形成される。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に示すように、素子基板１０と、対向層３６が形成された対向基板１１と、を貼り合わせる。シール材２２により、上述の一対の基板は所定の間隔を空けて対向し、該一対の基板とシール材２２とにより空間が生じる。そして、該空間に液晶分子を含有する液材を充填して液晶層２４を形成する。
【００４６】
次に、図６（ｃ）に示すように、素子基板１０の外側の面、すなわち液晶層２４側の反対側の面の第１の領域５１に、レジスト層３２を形成する。レジスト層３２は、シール材２２の液晶層２４側とは反対側の面、及び素子基板１０の端面と対向基板１１の端面にも形成する。本実施形態では平面視で、素子層３５とシール材２２との間が若干空いており、平面視でシール材２２とも素子層３５とも重ならない環状の領域が生じている。かかる環状の領域には放熱手段としての金属板６を配置する必要性が少ない。したがって、かかる環状の領域は第１の領域５１に含めることが好ましい。
【００４７】
レジスト層３２は一般的なフォトレジストに限定されず、ガラスあるいは石英のエッチングに用いられるフッ酸系のエッチング液に耐性がある材料であれば用いることができる。また、形成方法もフォト工程に限定される必要はない。印刷法、あるいはテープ状の材料を貼付する手法を用いることもできる。レジスト層３２は、対向基板１１の液晶層２４側の反対側の面の全域にも形成される。かかるレジスト層はパターニングを必要としないため、スピンコート法で形成することができる。さらには、液晶装置全体をレジストに浸した後、第２の領域５２の該レジストをフォト工程により除去することも可能である。
【００４８】
次に、図６（ｄ）に示すように、素子基板１０の第２の領域５２を所定の深さまでエッチングして、凹部５３を形成する。そして、レジスト層３２を除去する。
【００４９】
次に、図６（ｅ）に示すように、凹部５３内に図示しない接着層８（図３参照）を形成し、該接着層で放熱手段としての金属板６を接着する。そして、対向基板１１の液晶層２４側の反対側の面に、偏光板２６を配置する。以上の工程により上述の第１の実施形態にかかる液晶装置を形成できる。
【００５０】
なお、本図に示す実施形態では、単体の液晶装置に対応する大きさの素子基板１０を用いる場合を示しているが、大型の素子基板１０を用いて複数の液晶装置をマトリクス状に形成した後、個々の液晶装置に分割する方法も可能である。また、対向基板１１側のレジスト層３２は必須ではない。素子基板１０のみエッチングに接触させる手法であれば、かかる対向基板１１側のレジスト層３２を形成することなく凹部５３を形成できる。
【００５１】
次に、上述の第１〜第３の実施形態にかかる反射型液晶装置のいずれかを電子機器としての投射型表示装置（プロジェクタ）におけるライトバルブに適用した例について説明する。図７は、投射型表示装置１０１の概略構成を示す図である。なお、以下の記載においては図３も参照する。
【００５２】
図７に示すように、光源ランプ２００から射出された光（概ね白色光）は、クロスダイクロイックミラーからなる色分解ミラー２０１により、三原色光、すなわち青色光Ｂと赤色光Ｒと緑色光Ｇとに分光される。また、上述の各光はミラー２０２を介して偏光ビームスプリッタ２０３に入射され、偏光ビームスプリッタ２０３によりＳ偏光が色光変調用のライトバルブ５（Ｂ，Ｒ，Ｇ）に入射される。なお、ライトバルブ５に付記されたアルファベットは、入射される色光の色を表わしている。
【００５３】
入射された色光は、各ライトバルブ５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の対向基板１１側から入射し、各画素電極１６により反射され、再び液晶層２４を透過して射出される。液晶層２４を透過する際に、画素電極１６と対向電極１８との間に印加されていた実効電圧に応じて、入射されたＳ偏光の偏光軸がＰ偏光軸とＳ偏光軸との間で各画素４（図１参照）毎に回転制御される。偏光ビームスプリッタ２０３ではライトバルブ５（Ｂ，Ｒ，Ｇ）から戻ってきたＳ偏光成分は反射しＰ偏光成分を透過する。従って、各偏光ビームスプリッタ２０３からは、ライトバルブ５（Ｂ，Ｒ，Ｇ）から射出された光の偏光軸の回転程度に応じた光量の色光が透過してくる。この光量が、各色光に割り当てられた階調レベルに応じた光量（透過率）に相当する。
【００５４】
各偏光ビームスプリッタ２０３を透過した色光は、色合成プリズム２０４内にＸ字状に形成された青色光反射・赤色光反射の波長選択反射層により、青色光Ｂと赤色光Ｒが反射され、緑色光Ｇが透過されて、カラー光が合成されて射出される。このカラー光を投射レンズ２０５によりスクリーン２０６に投射して該スクリーン上に画像を表示する。
【００５５】
このような構成において、投射型表示装置１０１のライトバルブ５として用いられている反射型液晶装置は、素子基板１０の液晶層２４の反対側に配置された金属板６により装置全体の温度上昇が抑制されるため、液晶層２４等の温度の温度変動を抑制できる。したがって、投射型表示装置１０１の画像表示の安定性を向上できる。また、冷却のための風速及び風量等を低減できるため、投射型表示装置１０１の騒音低減やサイズの縮小も実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施形態にかかる液晶装置の等価回路図。
【図２】第１の実施形態にかかる液晶装置の外観を示す斜視図。
【図３】第１の実施形態にかかる液晶装置の概略構成を示す模式断面図。
【図４】第２の実施形態にかかる液晶装置の概略構成を示す模式断面図。
【図５】第３の実施形態にかかる液晶装置の概略構成を示す模式図。
【図６】第４の実施形態としての液晶装置の製造工程を示す工程断面図。
【図７】電子機器としての投射型表示装置の概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００５７】
１…液晶装置、２…液晶装置、４…画素、５…ライトバルブ、６…放熱手段としての金属板、７…放熱手段としての金属層、８…接着層、１０…第１の基板としての素子基板、１１…第２の基板としての対向基板、１２…走査線、１４…データ線、１５…容量線、１５ａ…蓄積容量、１６…反射層としての画素電極、１８…対向電極、２０…ＴＦＴ、２２…シール材、２４…液晶層、２６…偏光板、２８…遮光層、３０…層間絶縁層、３２…レジスト層、３５…素子層、３６…対向層、４４…第１の配向膜、４６…第２の配向膜、５１…第１の領域、５２…第２の領域、５３…凹部、１００…表示領域、１０１…投射型表示装置、２００…光源ランプ、２０１…色分解ミラー、２０２…ミラー、２０３…偏光ビームスプリッタ、２０４…色合成プリズム、２０５…投射レンズ、２０６…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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