(57)【要約】【課題】本発明は、リリースフィルムや導電性ポストの上面に形成された部分の封止樹脂を除去する工程を不要にすると共に、封止樹脂を形成する際に使用する金型の損傷を防ぐことで、半導体装置の製造コストを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】下部金型４８と上部金型５１との間に、導電性ポスト母材４１及び第１及び第２の半導体チップ１２，１４が実装された配線基板１１を配置すると共に、押圧部５２により導電性ポスト母材４１の先鋭形状とされた上端部４３を押し潰して、平坦な上面１６Ａを有した導電性ポスト１６を形成し、次いで、導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａと押圧部５２とを接触させた状態で、上部金型５１と配線基板１１との間に樹脂を充填して、封止樹脂１８を形成し、次いで、封止樹脂１８が形成された配線基板１１から金型４７を除去する。【選択図】図１７
2010003839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板の上面側に実装された電子部品と、前記配線基板の上面側に配置されると共に、前記配線基板と電気的に接続された導電性ポストと、前記配線基板の上面に設けられ、前記電子部品を封止すると共に、前記導電性ポストの前記平坦な上面を露出する封止樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板に、前記導電性ポストの母材になると共に、導電性ポスト母材を実装する導電性ポスト母材実装工程と、
前記配線基板に、前記電子部品を実装する電子部品実装工程と、
前記導電性ポスト母材及び前記電子部品が実装された前記配線基板が載置される下部金型と、前記導電性ポスト母材及び前記電子部品と対向するように配置される上部金型と、前記導電性ポスト母材の上端部と対向する部分の前記上部金型に設けられ、前記導電性ポスト母材の突出方向に移動可能な構成とされた押圧部と、を備えた金型を準備する金型準備工程と、
前記下部金型と前記上部金型との間に、前記導電性ポスト母材及び前記電子部品が実装された前記配線基板を配置すると共に、前記押圧部により前記導電性ポスト母材の上端部を押し潰して、前記導電性ポストを形成する導電性ポスト形成工程と、
前記導電性ポストの上面と前記押圧部とを接触させた状態で、前記上部金型と前記配線基板との間に樹脂を充填して、前記封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、
前記封止樹脂形成工程後に前記封止樹脂が形成された前記配線基板から前記金型を除去する金型除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電性ポスト母材の上端部は、先鋭形状であり、
前記導電性ポスト形成工程では、前記導電性ポスト母材の先鋭形状とされた上端部を押し潰すことで、前記導電性ポストに平坦な上面を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金型除去工程後に、前記導電ポストの上面と、前記封止樹脂の上面及び側面とを囲むと共に、前記導電性ポストと電気的に接続されるように、前記封止樹脂にシールドケースを配設するシールドケース配設工程を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記押圧部は、ばねと、前記導電性ポスト母材の上端部と接触する押圧部本体とを有することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記押圧部本体は、イジェクトピンであることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ばねは、圧縮コイルばねであることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ばねのばね定数は、２５０Ｎ／ｍｍ〜１０００Ｎ／ｍｍであることを特徴とする請求項４ないし６のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記電子部品は、金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続された半導体チップであり、
前記導電性ポストの上面は、前記金属ワイヤよりも上方に位置することを特徴とする請求項１ないし７のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、配線基板に実装された電子部品及び導電性ポストと、電子部品及び導電性ポストを封止すると共に、導電性ポストの上面を露出する封止樹脂と、封止樹脂を囲むように配置され、導電性ポストを介して、配線基板に設けられたグラウンド層と電気的に接続されるシールドケースと、を備えた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、導電性ポストを介して、配線基板に設けられたグラウンド層と電気的に接続されたシールドケースを備えた半導体装置（図１参照）がある。
【０００３】
図１は、従来の半導体装置の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の半導体装置２００は、配線基板２０１と、第１の半導体チップ２０２と、スペーサ２０３と、第２の半導体チップ２０４と、導電性ポスト２０６と、封止樹脂２０８と、シールドケース２１１とを有する。
【０００５】
配線基板２０１は、配線基板本体２１５と、パッド２１７〜２１９とを有する。配線基板本体２１５は、複数の絶縁層（図示せず）、ビア（図示せず）、配線（図示せず）、パッド２１７〜２１９と電気的に接続され、配線基板本体２１５の下面２１５Ｂ側に設けられた外部接続端子（図示せず）、及びグラウンド層（図示せず）等から構成されている。配線基板本体２１５としては、例えば、多層配線構造体を用いることができる。
【０００６】
パッド２１７〜２１９は、配線基板本体２１５の上面に設けられており、図示していないビア及び配線と電気的に接続されている。また、パッド２１９は、配線基板本体２１５に設けられたグラウンド層（図示せず）と電気的に接続されている。
【０００７】
第１の半導体チップ２０２は、配線基板２１５の上面２１５Ａに接着されている。第１の半導体チップ２０２は、金属ワイヤ２２２を介して、パッド２１７と電気的に接続されている。スペーサ２０３は、第１の半導体チップ２０２上に接着されている。スペーサ２０３は、金属ワイヤ２２２と第２の半導体チップ２０４とが接触することを防止するための部材である。
【０００８】
第２の半導体チップ２０４は、スペーサ２０３上に接着されている。第２の半導体チップ２０４は、金属ワイヤ２２３を介して、パッド２１８と電気的に接続されている。
【０００９】
導電性ポスト２０６は、はんだ２２５を介して、パッド２１９に実装されている。これにより、導電性ポスト２０６は、パッド２１９を介して、配線基板本体２１５に設けられたグラウンド層（図示せず）と電気的に接続されている。導電性ポスト２０６の上面２０６Ａは、封止樹脂２０８から露出されている。導電性ポスト２０６の上面２０６Ａには、導電性接着剤２２７が設けられている。導電性ポスト２０６は、導電性接着剤２２７を介して、シールドケース２１１と電気的に接続されている。
【００１０】
封止樹脂２０８は、配線基板本体２１５の上面２１５Ａ側に設けられており、第１及び第２の半導体チップ２０２，２０４、スペーサ２０３、金属ワイヤ２２２，２２３、及び導電性ポスト２０６の側面部分を封止している。
【００１１】
シールドケース２１１は、導電性接着剤２２７により導電性ポスト２０６に接着されている。これにより、シールドケース２１１はグラウンド電位とされている。また、シールドケース２１１は、接着剤２２８により封止樹脂２０８に接着されている。
【００１２】
図２〜図６は、従来の半導体装置の製造工程を示す図である。図２〜図６において、従来の半導体装置２００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１３】
図２〜図６を参照して、従来の半導体装置２００の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、はんだ２２５を用いて導電性ポスト２０６をパッド２１９に実装し、次いで、第１の半導体チップ２０２とパッド２１７とをワイヤボンディング接続し、次いで、第１の半導体チップ２０２上にスペーサ２０３を接着する。次いで、スペーサ２０３上に第２の半導体チップ２０４を接着し、その後、第２の半導体チップ２０４とパッド２１８とをワイヤボンディング接続する。
【００１４】
次いで、図３に示す工程では、図２に示す構造体が載置される下部金型２３３と、第２の半導体チップ２０４と対向する面２３４Ａにリリースフィルム２３５が貼り付けられた上部金型２３４とを備えた金型２３１を準備し、次いで、金型２３１内に図２に示す構造体を収容し、その後、リリースフィルム２３５と導電性ポスト２０６の上面２０６Ａとを接触させる。リリースフィルム２３５は、導電性ポスト２０６の上面２０６Ａに封止樹脂２０８が形成されることを防止するためのフィルムである。リリースフィルム２３５の厚さは、例えば、５０μｍとすることができる。なお、リリースフィルム２３５は、封止樹脂２０８を形成するたびに、新しいリリースフィルム２３５に交換する必要がある。
【００１５】
次いで、図４に示す工程では、リリースフィルム２３５と導電性ポスト２０６の上面２０６Ａとを接触させた状態で、配線基板本体２１５とリリースフィルム２３５との間に樹脂を導入して、封止樹脂２０８を形成する。このとき、導電性ポスト２０６の上面２０６Ａは、リリースフィルム２３５と接触しているため、導電性ポスト２０６の上面２０６Ａに封止樹脂２０８が形成されることはない。
【００１６】
次いで、図５に示す工程では、図４に示す金型２３１を、封止樹脂２０８が設けられた配線基板２０１から除去する。次いで、図６に示す工程では、導電性接着剤２２７及び接着剤２２８を用いて、図５に示す構造体にシールドケース２１１を接着する。これにより、半導体装置２００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−２５２３１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
図７及び図８は、従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明するための図である。図７及び図８において、図４に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１８】
しかしながら、図７に示すように、所望の高さよりも導電性ポスト２０６の高さが低い場合及び／又は導電性ポスト２０６とパッド２１９との間に配置されたはんだ２２５の厚さが薄い場合、導電性ポスト２０６の上面２０６Ａとリリースフィルム２３５とが接触しないため、導電性ポスト２０６の上面２０６Ａが封止樹脂２０８により覆われてしまう。この場合、導電性ポスト２０６の上面２０６Ａに形成された部分の封止樹脂２０８を除去する工程が別途必要となるため、半導体装置２００の製造コストが増加してしまうという問題があった。
【００１９】
また、図８に示すように、所望の高さよりも導電性ポスト２０６の高さが高い場合及び／又は導電性ポスト２０６とパッド２１９との間に配置されたはんだ２２５の厚さが厚い場合、導電性ポスト２０６の上部がリリースフィルム２３５を突き破って、導電性ポスト２０６が上部金型２３４を損傷させてしまう。この場合、新たな金型２３１を準備する必要があるため、半導体装置２００の製造コストが増加してしまうという問題があった。
【００２０】
さらに、リリースフィルム２３５を用いて半導体装置２００を製造する場合、封止樹脂２０８を形成する前に毎回新しいリリースフィルム２３５に交換する必要があるため、リリースフィルム２３５半導体装置２００の製造コストが増加してしまうという問題があった。
【００２１】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、リリースフィルムや導電性ポストの上面に形成された部分の封止樹脂を除去する工程を不要にすると共に、封止樹脂を形成する際に使用する金型の損傷を防ぐことで、半導体装置の製造コストを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の一観点によれば、配線基板と、前記配線基板の上面側に実装された電子部品と、前記配線基板の上面側に配置されると共に、前記配線基板と電気的に接続された導電性ポストと、前記配線基板の上面に設けられ、前記電子部品を封止すると共に、前記導電性ポストの前記平坦な上面を露出する封止樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記配線基板に、前記導電性ポストの母材になると共に、導電性ポスト母材を実装する導電性ポスト母材実装工程と、前記配線基板に、前記電子部品を実装する電子部品実装工程と、前記導電性ポスト母材及び前記電子部品が実装された前記配線基板が載置される下部金型と、前記導電性ポスト母材及び前記電子部品と対向するように配置される上部金型と、前記導電性ポスト母材の上端部と対向する部分の前記上部金型に設けられ、前記導電性ポスト母材の突出方向に移動可能な構成とされた押圧部と、を備えた金型を準備する金型準備工程と、前記下部金型と前記上部金型との間に、前記導電性ポスト母材及び前記電子部品が実装された前記配線基板を配置すると共に、前記押圧部により前記導電性ポスト母材の上端部を押し潰して、前記導電性ポストを形成する導電性ポスト形成工程と、前記導電性ポストの上面と前記押圧部とを接触させた状態で、前記上部金型と前記配線基板との間に樹脂を充填して、前記封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、前記封止樹脂形成工程後に前記封止樹脂が形成された前記配線基板から前記金型を除去する金型除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２３】
本発明によれば、配線基板に、導電性ポストの母材になると共に、上端部が先鋭形状とされた導電性ポスト母材を実装し、次いで、配線基板に電子部品を実装し、次いで、導電性ポスト母材及び電子部品が実装された配線基板が載置される下部金型と、導電性ポスト母材及び電子部品と対向するように配置される上部金型と、導電性ポスト母材の上端部と対向する部分の上部金型に設けられ、導電性ポスト母材の突出方向に移動可能な構成とされた押圧部と、を備えた金型を準備し、次いで、下部金型と上部金型との間に、導電性ポスト母材及び電子部品が実装された配線基板を配置すると共に、押圧部により導電性ポスト母材の上端部を押し潰して、導電性ポストを形成し、次いで、導電性ポストの上面と押圧部とを接触させた状態で、上部金型と配線基板との間に樹脂を充填して封止樹脂を形成することにより、導電性ポスト母材の高さばらつきや導電性ポストとパッドとの間に配置されるはんだの厚さに依存することなく、封止樹脂から導電性ポストの上面を確実に露出させることが可能となる。これにより、従来必要であったリリースフィルムや導電性ポストの上面に形成された部分の封止樹脂を除去する工程が不要になると共に、封止樹脂を形成する際に使用する上部金型の損傷を防ぐことが可能となるので、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、リリースフィルムや導電性ポストの上面に形成された部分の封止樹脂を除去する工程が不要になると共に、封止樹脂を形成する際に使用する上部金型の損傷を防ぐことが可能となるため、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２６】
（第１の実施の形態）
図９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００２７】
図９を参照するに、第１の実施の形態の半導体装置１０は、配線基板１１と、電子部品である第１及び第２の半導体チップ１２，１４と、スペーサ１３と、導電性ポスト１６と、封止樹脂１８と、シールドケース１９とを有する。
【００２８】
配線基板１１は、配線基板本体２２と、パッド２３〜２５とを有する。配線基板本体２２は、複数の絶縁層（図示せず）、ビア（図示せず）、配線（図示せず）、パッド２３〜２５と電気的に接続され、配線基板本体２２の下面２２Ｂ側に設けられた外部接続端子（図示せず）、及びグラウンド層（図示せず）等から構成されている。配線基板本体２２としては、例えば、多層配線構造体（具体的には、例えば、ビルドアップ構造体）を用いることができる。
【００２９】
パッド２３〜２５は、配線基板本体２２の上面２２Ａに設けられている。パッド２３は、配線基板１１と第１の半導体チップ１２とを電気的に接続するためのパッドである。パッド２３は、金属ワイヤ２８と接続されている。パッド２４は、配線基板１１と第２の半導体チップ１４とを電気的に接続するためのパッドである。パッド２４は、金属ワイヤ２９と接続されている。パッド２５は、配線基板１１に導電性ポスト１６を実装するためのパッドである。
【００３０】
第１の半導体チップ１２は、配線基板２２の上面２２Ａに接着されている。第１の半導体チップ１２は、金属ワイヤ２８が接続される電極パッド３１を有する。第１の半導体チップ１２は、金属ワイヤ２８を介して、パッド２３と電気的に接続されている。
【００３１】
スペーサ１３は、第１の半導体チップ１２上に接着されている。スペーサ１３は、金属ワイヤ２８と第２の半導体チップ１４とが接触することを防ぐための部材である。
【００３２】
第２の半導体チップ１４は、スペーサ１３上に接着されている。第２の半導体チップ１４は、金属ワイヤ２９が接続される電極パッド３３を有する。第２の半導体チップ１４は、金属ワイヤ２９を介して、パッド２４と電気的に接続されている。
【００３３】
導電性ポスト１６は、平坦な上面１６Ａ（後述する導電性接着剤３７が配設される面）と、平坦な上面１６Ａを囲むように形成された傾斜面１６Ｂと、傾斜面１６Ｂよりも下方に形成された側面１６Ｃとを有する。導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａは、封止樹脂１８から露出されている。平坦な上面１６Ａは、封止樹脂１８の上面１８Ａと略面一とされている。導電性ポスト１６は、はんだ３５が形成されたパッド２５に実装されている。これにより、導電性ポスト１６は、パッド２５を介して、配線基板本体２２に設けられたグラウンド層（図示せず）と電気的に接続されている。パッド２５に実装された導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａは、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９よりも上方に配置されている。
【００３４】
このように、パッド２５に実装された導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａを、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９よりも上方に配置することで、封止樹脂１８により第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９を確実に封止することができる。導電性ポスト１６の材料としては、例えば、ＣｕやＡｕ等を用いることができる。導電ポスト１６の形状が略四角柱の場合、配線基板本体２２の上面２２Ａと略平行な面方向に導電ポスト１６を切断した際の導電ポスト１６の断面形状は、例えば、１辺の長さが０．６ｍｍの四角形とすることができる。また、導電ポスト１６の形状が略円柱の場合、導電ポスト１６の直径は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。
【００３５】
封止樹脂１８は、配線基板本体２２の上面２２Ａ側に設けられており、第１及び第２の半導体チップ１２，１４、スペーサ１３、金属ワイヤ２８，２９、傾斜面１６Ｂ及び側面１６Ｃに対応する部分の導電性ポスト１６を封止している。封止樹脂１８としては、例えば、モールド樹脂を用いることができる。また、モールド樹脂の材料としては、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。
【００３６】
シールドケース１９は、封止樹脂１８の表面を覆うような形状とされている。シールドケース１９は、導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａに設けられた導電性接着剤３７により導電性ポスト１６と接着されている。これにより、シールドケース１９は、導電性ポスト１６を介して、グラウンド電位とされている。また、シールドケース１９は、封止樹脂１８の上面１８Ａに設けられた接着剤３８により封止樹脂１８と接着されている。
【００３７】
シールドケース１９は、第１及び第２の半導体チップ１２，１４が放射する電磁波が半導体装置１０の外部に漏れることを防止するためのものである。シールドケース１９の厚さは、例えば、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍとすることができる。また、シールドケース１９の材料としては、例えば、コバール（ＮｉとＣｏの合金）やステンレス等を用いることができる。
【００３８】
図１０〜図１９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図１０〜図１９において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００３９】
図１０〜図１９を参照して、第１の実施の形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。始めに、図１０に示す工程では、周知の手法により、配線基板本体２２と、パッド２３〜２５とを備えた配線基板１１を形成する。配線基板本体２２は、複数の絶縁層（図示せず）、ビア（図示せず）、配線（図示せず）、パッド２３〜２５と電気的に接続され、配線基板本体２２の下面２２Ｂ側に設けられた外部接続端子（図示せず）、及びグラウンド層（図示せず）等から構成されている。配線基板本体２２としては、例えば、多層配線構造体（具体的には、例えば、ビルドアップ構造体）を用いることができる。
【００４０】
次いで、図１１に示す工程では、導電性ポスト１６の母材となる導電性ポスト母材４１を準備する。導電性ポスト１６は、ポスト本体４２と、ポスト本体４２と一体的に構成され、先鋭形状とされた上端部４３とを有する。ポスト本体４２の高さＨ１は、はんだ３５を用いて導電性ポスト母材４１をパッド２５上に実装した際、ポスト本体４２と上端部４３との境界面が、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９よりも上方に位置するような値とされている。
【００４１】
これにより、後述する図１６に示す工程において、配線基板１１に実装された導電性ポスト母材４１の上端部４３を押し潰すことで形成される導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａを、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９よりも上方に配置することができる。
【００４２】
ポスト本体４２の高さＨ１は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。ポスト本体４２の形状は、例えば、四角柱や円柱とすることができる。
【００４３】
上端部４３は、先鋭部４４を構成可能な傾斜面４３Ａを有する。上端部４３の形状は、例えば、四角錐や円錐とすることができる。上端部４３のＨ２の高さは、例えば、０．２ｍｍとすることができる。上記構成とされた導電性ポスト母材４１の材料としては、例えば、ＣｕやＡｕ等を用いることができる。
【００４４】
次いで、図１２に示す工程では、はんだ３５を用いてパッド２５に導電性ポスト母材４１を実装する（導電性ポスト母材実装工程）。具体的には、パッド２５の上面にはんだ３５を形成し、このはんだ３５を溶融させた状態で、はんだ３５を介して、導電性ポスト母材４１をパッド２５にマウントすることで、パッド２５に導電性ポスト母材４１を実装する。
【００４５】
次いで、図１３に示す工程では、配線基板本体２２の上面２２Ａに電子部品である第１の半導体チップ１２を接着させた後、電極パッド３１とパッド２３とを金属ワイヤ２８で接続（ワイヤボンディング接続）し、次いで、第１の半導体チップ１２上にスペーサ１３を接着し、次いで、スペーサ１３上に電子部品である第２の半導体チップ１４を接着させた後、電極パッド３３とパッド２４とを金属ワイヤ２９で接続（ワイヤボンディング接続）する（電子部品実装工程）。
【００４６】
次いで、図１４に示す工程では、導電性ポスト母材４１、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４が実装された配線基板１１が載置される下部金型４８と、導電性ポスト母材４１、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４と対向するように配置される上部金型５１と、導電性ポスト母材４１の上端部４３と対向する部分の上部金型５１に設けられ、導電性ポスト母材４１の突出方向に移動可能な構成とされた押圧部５２と、を備えた金型４７を準備する（金型準備工程）。
【００４７】
下部金型４８は、導電性ポスト母材４１、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４が実装された配線基板１１が載置される基板載置面４８Ａを有する。
【００４８】
上部金型５１は、上部金型本体５４と、押圧部５２を収容する収容部５５とを有する。収容部５５は、導電性ポスト母材４１の上端部４３と対向する部分の上部金型本体５４に形成されている。収容部５５は、後述するばね６２（押圧部５２の構成要素の１つ）を収容する第１の開口部５７と、後述する接触部６５（押圧部５２の構成要素の１つ）を導電性ポスト母材４１の突出方向に対して移動可能にスライドさせるための第２の開口部５８とを有する。第２の開口部５８は、第１の開口部５７と一体的に構成されている。また、第２の開口部５８の直径は、第１の開口部５７の直径よりも小さくなるように構成されている。
【００４９】
このように、第１の開口部５７と一体的に構成された第２の開口部５８の直径を、第１の開口部５７の直径よりも小さくすることにより、後述する押圧部本体６１（押圧部５２の構成要素の１つ）が上部金型本体５４から抜け落ちることを防止できる。
【００５０】
押圧部５２は、押圧部本体６１と、ばね６２とを有する。押圧部本体６１は、鍔部６４と、接触部６５とを有する。押圧部本体６１としては、例えば、イジェクトピンを用いることができる。鍔部６４は、接触部６５と一体的に構成されており、第１の開口部５７に収容されている。鍔部６４は、接触部６５が上部金型本体５４の下方に抜け落ちることを防止するための部材である。
【００５１】
接触部６５は、ばね６２の力により導電性ポスト母材４１の先鋭形状とされた上端部４３を押し潰すための部材である。接触部６５は、上端部４３と接触する平坦な接触面６５Ａを有する。
【００５２】
上記構成とされた押圧部本体６１の材料としては、例えば、鉄、鋼、超鋼等を用いることができる。
【００５３】
ばね６２は、鍔部６４の上端部に設けられている。ばね６２は、接触部６５の接触面６５Ａに導電性ポスト母材４１の上端部４３が接触した際、ばね力により、接触部６５を介して、導電性ポスト母材４１の上端部４３を押し潰すための部材である。ばね６２のばね定数は、例えば、２５０Ｎ／ｍｍ〜１０００Ｎ／ｍｍにするとよい。
【００５４】
このように、ばね６２のばね定数を２５０Ｎ／ｍｍ〜１０００Ｎ／ｍｍとすることにより、後述する図１６に示す工程において、導電性ポスト母材４１の上端部４３を押し潰して、平坦な上面１６Ａを有した導電性ポスト１６を形成することができる。
【００５５】
なお、ばね定数が２５０Ｎ／ｍｍよりも小さいと導電性ポスト母材４１の上端部４３を押し潰すことができないため、導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａを形成することができない。また、ばね定数が１０００Ｎ／ｍｍよりも大きいと導電性ポスト母材４１の上端部４３を押し潰す力が強すぎるため、所望の高さよりも導電性ポスト１６の高さが低くなってしまう。導電性ポスト母材４１の上端部４３を押し潰すために必要な力は、例えば、５ｋｇｆ〜１０ｋｇｆとすることができる。ばね６２としては、例えば、圧縮コイルばねを用いることができる。
【００５６】
上記構成とされた押圧部５２は、簡単に交換可能な構成とされている。そのため、例えば、押圧部５２が破損した場合、破損した押圧部５２のみを破損していない押圧部５２に交換すればよいため、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【００５７】
次いで、図１５に示す工程では、導電性ポスト母材４１、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４が実装された配線基板１１を下部金型４８の基板載置面４８Ａに載置し、接触部６５の接触面６５Ａが導電性ポスト母材４１の上端部４３と対向するように、第１及び第２の半導体チップ１２，１４の上方に上部金型５１を配置する。
【００５８】
次いで、図１６に示す工程では、下部金型４８に近づく方向（図１６に示す下方向）に上部金型５１を移動させて、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト母材４１の上端部４３とを接触させ、ばね６２のばね力により、図１５に示す導電性ポスト母材４１の先鋭形状とされた上端部４３を押し潰して、平坦な上面１６Ａを有した導電性ポスト１６を形成する（図１５及び図１６に示す工程が「導電性ポスト形成工程」に相当する工程である）。
【００５９】
次いで、図１７に示す工程では、導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａと接触部６５の接触面６５Ａとを接触させた状態で、上部金型５１と配線基板１１との間に樹脂を充填して、第１及び第２の半導体チップ１２，１４、スペーサ１３、傾斜面１６Ｂ及び側面１６Ｃに対応する部分の導電性ポスト１６、及び金属ワイヤ２８，２９、を封止する封止樹脂１８を形成する（封止樹脂形成工程）。これにより、封止樹脂１８の上面１８Ａは、導電性ポスト１６の上面１６Ａと略面一となる。
【００６０】
このように、導電性ポスト母材４１、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４が実装された配線基板１１が載置される下部金型４８と、導電性ポスト母材４１、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４と対向するように配置される上部金型５１と、導電性ポスト母材４１の上端部４３と対向する部分の上部金型５１に設けられ、導電性ポスト母材４１の突出方向に移動可能な構成とされた押圧部５２と、を備えた金型４７を準備し、次いで、上部金型５１と下部金型４８との間に、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び導電性ポスト母材４１が実装された配線基板１１を配置し、次いで、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト母材４１の上端部４３とを接触させ、ばね６２のばね力により、導電性ポスト母材４１の先鋭形状とされた上端部４３を押し潰して、平坦な上面１６Ａを有した導電性ポスト１６を形成し、その後、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａとを接触させた状態で、上部金型５１と配線基板１１との間に樹脂を充填して、第１及び第２の半導体チップ１２，１４、スペーサ１３、傾斜面１６Ｂ及び側面１６Ｃに対応する部分の導電性ポスト１６、及び金属ワイヤ２８，２９を封止する封止樹脂１８を形成することにより、導電性ポスト母材４１の高さばらつきや導電性ポスト１６とパッド２５との間に配置されるはんだ３５の厚さに依存することなく、封止樹脂１８から導電性ポスト１６の上面１６Ａを確実に露出させることが可能となる。これにより、従来必要であったリリースフィルムや導電性ポスト１６の上面１６Ａに形成された部分の封止樹脂１８を除去する工程が不要になると共に、封止樹脂１８を形成する際に使用する上部金型本体５４の損傷を防ぐことが可能となるので、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【００６１】
次いで、図１８に示す工程では、図１７に示す封止樹脂１８が形成された配線基板１１から金型４７を除去する（金型除去工程）。
【００６２】
次いで、図１９に示す工程では、導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａ及び封止樹脂１８の表面（上面及び側面）を囲むように、封止樹脂１８にシールドケース１９を配設して、シールドケース１９と導電性ポスト１６とを電気的に接続する（シールドケース配設工程）。具体的には、導電性接着剤３７により導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａとシールドケース１９とを接着すると共に、接着剤３８により封止樹脂１８とシールドケース１９とを接着する。導電性ポスト１６は、導電性接着剤３７によりシールドケース１９と接着されることで、シールドケース１９と電気的に接続される。これにより、第１の実施の形態の半導体装置１０が製造される。
【００６３】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、導電性ポスト母材４１、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４が実装された配線基板１１が載置される下部金型４８と、導電性ポスト母材４１、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４と対向するように配置される上部金型５１と、導電性ポスト母材４１の上端部４３と対向する部分の上部金型５１に設けられ、導電性ポスト母材４１の突出方向に移動可能な構成とされた押圧部５２と、を備えた金型４７を準備し、次いで、上部金型５１と下部金型４８との間に、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び導電性ポスト母材４１が実装された配線基板１１を配置し、次いで、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト母材４１の上端部４３とを接触させ、ばね６２のばね力により、導電性ポスト母材４１の先鋭形状とされた上端部４３を押し潰して、平坦な上面１６Ａを有した導電性ポスト１６を形成し、その後、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト１６の平坦な上面１６Ａとを接触させた状態で、上部金型５１と配線基板１１との間に樹脂を充填して、第１及び第２の半導体チップ１２，１４、スペーサ１３、傾斜面１６Ｂ及び側面１６Ｃに対応する部分の導電性ポスト１６、及び金属ワイヤ２８，２９を封止する封止樹脂１８を形成することにより、導電性ポスト母材４１の高さばらつきや導電性ポスト１６とパッド２５との間に配置されるはんだ３５の厚さに依存することなく、封止樹脂１８から導電性ポスト１６の上面１６Ａを確実に露出させることが可能となる。これにより、従来必要であったリリースフィルムや導電性ポスト１６の上面１６Ａに形成された部分の封止樹脂１８を除去する工程が不要になると共に、封止樹脂１８を形成する際に使用する上部金型本体５４の損傷を防ぐことが可能となるので、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【００６４】
（第２の実施の形態）
図２０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図２０において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６５】
図２０を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置７０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた導電性ポスト１６の代わりに導電性ポスト７１を設けた以外は、半導体装置１０と同様に構成される。
【００６６】
導電性ポスト７１は、封止樹脂１８から露出されると共に、導電性接着剤３７が配設されると共に、封止樹脂１８から露出された上面７１Ａを有する。上面７１Ａは、導電性ポスト７１の側面７１Ｂ近傍に形成された平坦な上面７２と、平坦な上面７２に囲まれた凹部７７と、凹部７７の底面を形成する湾曲面７７Ａとを有する。平坦な上面７２は、封止樹脂１８の上面１８Ａと略面一とされている。
【００６７】
導電性ポスト７１は、はんだ３５によりパッド２５上に実装されている。これにより、導電性ポスト７１は、パッド２５を介して、配線基板本体２２に設けられたグラウンド層（図示せず）と電気的に接続されている。パッド２５に実装された導電性ポスト７１の平坦な上面７２は、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９よりも上方に配置されている。
【００６８】
このように、パッド２５に実装された導電性ポスト７１の平坦な上面７２を、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９よりも上方に配置することで、封止樹脂１８により第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９を確実に封止することができる。
【００６９】
導電性ポスト７１の材料としては、例えば、ＣｕやＡｕ等を用いることができる。凹部７７に対応する部分を除いた導電ポスト７１の形状が略四角柱の場合、配線基板本体２２の上面２２Ａと略平行な面方向に導電ポスト７１を切断した際の導電ポスト７１の断面形状は、例えば、１辺の長さが０．６ｍｍの四角形とすることができる。また、凹部７７に対応する部分を除いた導電ポスト７１の形状が略円柱の場合、導電ポスト７１の直径は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。
【００７０】
図２１〜図２８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図２１〜図２８において、第２の実施の形態の半導体装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７１】
図２１〜図２８を参照して、第２の実施の形態の半導体装置７０の製造方法について説明する。始めに、図２１に示す工程では、導電性ポスト７１の母材となる導電性ポスト母材７３を準備する。導電性ポスト母材７３は、ポスト本体７４と、ポスト本体７４と一体的に構成され、先鋭形状とされた上端部７５とを有する。ポスト本体７４の高さＨ３は、はんだ３５により導電性ポスト母材７３をパッド２５上に実装した際、ポスト本体７４と上端部７５との境界面が、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９よりも上方に位置するような値とされている。
【００７２】
これにより、後述する図２５に示す工程において、配線基板１１に実装された導電性ポスト母材７３の上端部７５を押し潰すことで形成される導電性ポスト７１の平坦な上面７２を、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び金属ワイヤ２８，２９よりも上方に配置することができる。
【００７３】
ポスト本体７４の高さＨ３は、例えば、０．６ｍｍとすることができる。ポスト本体７４の形状は、例えば、四角柱や円柱とすることができる。
【００７４】
上端部７５は、先鋭部７６と、先鋭部７６を構成可能な凹部７７と、凹部７７に露出された湾曲面７７Ａとを有する。上端部７５のＨ４の高さは、例えば、０．２ｍｍとすることができる。上記構成とされた導電性ポスト母材７３の材料としては、例えば、ＣｕやＡｕ等を用いることができる。
【００７５】
次いで、図２２に示す工程では、はんだ３５により、パッド２５に導電性ポスト母材７３を実装する（導電性ポスト母材実装工程）。具体的には、パッド２５の上面にはんだ３５を形成し、このはんだ３５を溶融させた状態で、はんだ３５を介して、導電性ポスト母材７３をパッド２５にマウントすることで、パッド２５に導電性ポスト母材７３を実装する。
【００７６】
次いで、図２３に示す工程では、配線基板本体２２の上面２２Ａに電子部品である第１の半導体チップ１２を接着させた後、電極パッド３１とパッド２３とを金属ワイヤ２８で接続（ワイヤボンディング接続）し、次いで、第１の半導体チップ１２上にスペーサ１３を接着し、次いで、スペーサ１３上に電子部品である第２の半導体チップ１４を接着させた後、電極パッド３３とパッド２４とを金属ワイヤ２９で接続（ワイヤボンディング接続）する（電子部品実装工程）。
【００７７】
次いで、第１の実施の形態で説明した図１４に示す金型４７を準備し（金型準備工程）、その後、図２４に示す工程では、導電性ポスト母材７３、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４が実装された配線基板１１を下部金型４８の基板載置面４８Ａに載置し、接触部６５の接触面６５Ａが導電性ポスト母材７３の上端部７５と対向するように、第１及び第２の半導体チップ１２，１４の上方に上部金型５１を配置する。
【００７８】
次いで、図２５に示す工程では、図２４に示す状態から下部金型４８に近づく方向（図２４における下方向）に上部金型５１を移動させて、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト母材７３の上端部７５とを接触させ、ばね６２のばね力により、図２４に示す導電性ポスト母材７３の先鋭形状とされた上端部７５を押し潰して、湾曲面７７Ａ及び平坦な上面７２からなる上面７１Ａを備えた導電性ポスト７１を形成する（図２４及び図２５に示す工程が「導電性ポスト形成工程」に相当する工程である）。
【００７９】
次いで、図２６に示す工程では、導電性ポスト７１の平坦な上面７２と接触部６５の接触面６５Ａとを接触させた状態で、上部金型５１と配線基板１１との間に樹脂を充填して、第１及び第２の半導体チップ１２，１４、スペーサ１３、金属ワイヤ２８，２９、導電性ポスト７１の側面７１Ｂを封止する封止樹脂１８を形成する（封止樹脂形成工程）。これにより、封止樹脂１８の上面１８Ａは、導電性ポスト７１の平坦な上面７２と略面一となる。
【００８０】
このように、導電性ポスト母材７３、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４が実装された配線基板１１が載置される下部金型４８と、導電性ポスト母材７３、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４と対向するように配置される上部金型５１と、導電性ポスト母材７３の上端部４３と対向する部分の上部金型５１に設けられ、導電性ポスト母材７３の突出方向に移動可能な構成とされた押圧部５２と、を備えた金型４７を準備し、次いで、上部金型５１と下部金型４８との間に、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び導電性ポスト母材７３が実装された配線基板１１を配置し、次いで、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト母材７３の上端部７５とを接触させ、ばね６２のばね力により、導電性ポスト母材７３の先鋭形状とされた上端部７５を押し潰して、平坦な上面７２を有した導電性ポスト７１を形成し、その後、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト７１の平坦な上面７２とを接触させた状態で、上部金型５１と配線基板１１との間に樹脂を充填して、第１及び第２の半導体チップ１２，１４、スペーサ１３、金属ワイヤ２８，２９、導電性ポスト７１の側面７１Ｂを封止する封止樹脂１８を形成することにより、導電性ポスト母材７３の高さばらつきや導電性ポスト７１とパッド２５との間に配置されるはんだ３５の厚さに依存することなく、封止樹脂１８から導電性ポスト７１の上面７１Ａを確実に露出させることが可能となる。これにより、従来必要であったリリースフィルムや導電性ポスト７１の上面７１Ａに形成された部分の封止樹脂１８を除去する工程が不要になると共に、封止樹脂１８を形成する際に使用する上部金型本体５４の損傷を防ぐことが可能となるので、半導体装置７０の製造コストを低減することができる。
【００８１】
次いで、図２７に示す工程では、図２６に示す封止樹脂１８が形成された配線基板１１から金型４７を除去する（金型除去工程）。
【００８２】
次いで、図２８に示す工程では、導電性ポスト７１の上面７１Ａ及び封止樹脂１８の表面を囲むように、封止樹脂１８にシールドケース１９を配設する（シールドケース配設工程）。具体的には、導電性接着剤３７により導電性ポスト７１の上面７１Ａとシールドケース１９とを接着すると共に、接着剤３８により封止樹脂１８とシールドケース１９とを接着する。導電性ポスト７１は、導電性接着剤３７によりシールドケース１９と接着されることで、シールドケース１９と電気的に接続される。これにより、第２の実施の形態の半導体装置７０が製造される。
【００８３】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、導電性ポスト母材７３、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４が実装された配線基板１１が載置される下部金型４８と、導電性ポスト母材７３、第１の半導体チップ１２、及び第２の半導体チップ１４と対向するように配置される上部金型５１と、導電性ポスト母材７３の上端部４３と対向する部分の上部金型５１に設けられ、導電性ポスト母材７３の突出方向に移動可能な構成とされた押圧部５２と、を備えた金型４７を準備し、次いで、上部金型５１と下部金型４８との間に、第１及び第２の半導体チップ１２，１４及び導電性ポスト母材７３が実装された配線基板１１を配置し、次いで、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト母材７３の上端部７５とを接触させ、ばね６２のばね力により、導電性ポスト母材７３の先鋭形状とされた上端部７５を押し潰して、平坦な上面７２を有した導電性ポスト７１を形成し、その後、接触部６５の接触面６５Ａと導電性ポスト７１の平坦な上面７２とを接触させた状態で、上部金型５１と配線基板１１との間に樹脂を充填して、第１及び第２の半導体チップ１２，１４、スペーサ１３、金属ワイヤ２８，２９、導電性ポスト７１の側面７１Ｂを封止する封止樹脂１８を形成することにより、導電性ポスト母材７３の高さばらつきや導電性ポスト７１とパッド２５との間に配置されるはんだ３５の厚さに依存することなく、封止樹脂１８から導電性ポスト７１の上面７１Ａを確実に露出させることが可能となる。これにより、従来必要であったリリースフィルムや導電性ポスト７１の上面７１Ａに形成された部分の封止樹脂１８を除去する工程が不要になると共に、封止樹脂１８を形成する際に使用する上部金型本体５４の損傷を防ぐことが可能となるので、半導体装置７０の製造コストを低減することができる。
【００８４】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００８５】
例えば、第１及び第２の実施の形態で説明した導電性ポスト母材４１，７３の代わりに、押圧部５２に設けられた接触部６５の接触面６５Ａと接触可能な上面を有した導電性ポスト（例えば、図１に示す導電性ポスト２０６）を用いてもよい。この場合、第１及び第２の半導体装置１０，７０と同様な効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、配線基板に実装された電子部品及び導電性ポストと、電子部品及び導電性ポストを封止すると共に、導電性ポストの上面を露出する封止樹脂と、封止樹脂を囲むように配置され、導電性ポストを介して、配線基板に設けられたグラウンド層と電気的に接続されるシールドケースと、を備えた半導体装置の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図３】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図４】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図６】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明するための図（その１）である。
【図８】従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明するための図（その２）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１０）である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【符号の説明】
【００８８】
１０，７０  半導体装置
１１  配線基板
１２  第１の半導体チップ
１３  スペーサ
１４  第２の半導体チップ
１６，７１  導電性ポスト
１６Ａ，１８Ａ，２２Ａ，７１Ａ，７２  上面
１６Ｂ，４３Ａ  傾斜面
１６Ｃ，７１Ｂ  側面
１８  封止樹脂
１９  シールドケース
２２  配線基板本体
２２Ｂ  下面
２３〜２５  パッド
２８，２９  金属ワイヤ
３１，３３  電極パッド
３７  導電性接着剤
３８  接着剤
４１，７３  導電性ポスト母材
４２，７４  ポスト本体
４３，７５  上端部
４４，  先鋭部
４７  金型
４８Ａ  基板載置面
４８  下部金型
５１  上部金型
５２  押圧部
５４  上部金型本体
５５  収容部
５７  第１の開口部
５８  第２の開口部
６１  押圧部本体
６２  ばね
６４  鍔部
６５  接触部
６５Ａ  接触面
７７Ａ  湾曲面
７７  凹部
Ｈ１〜Ｈ４  高さ
【図１】
2010003839.tif 000003
【図２】
2010003839.tif 000004
【図３】
2010003839.tif 000005
【図４】
2010003839.tif 000006
【図５】
2010003839.tif 000007
【図６】
2010003839.tif 000008
【図７】
2010003839.tif 000009
【図８】
2010003839.tif 000010
【図９】
2010003839.tif 000011
【図１０】
2010003839.tif 000012
【図１１】
2010003839.tif 000013
【図１２】
2010003839.tif 000014
【図１３】
2010003839.tif 000015
【図１４】
2010003839.tif 000016
【図１５】
2010003839.tif 000017
【図１６】
2010003839.tif 000018
【図１７】
2010003839.tif 000019
【図１８】
2010003839.tif 000020
【図１９】
2010003839.tif 000021
【図２０】
2010003839.tif 000022
【図２１】
2010003839.tif 000023
【図２２】
2010003839.tif 000024
【図２３】
2010003839.tif 000025
【図２４】
2010003839.tif 000026
【図２５】
2010003839.tif 000027
【図２６】
2010003839.tif 000028
【図２７】
2010003839.tif 000029
【図２８】
2010003839.tif 000030