(57)【要約】【課題】従来に比べて処理の均一性の向上を図ることができるバッフル板及び基板処理装置を提供する。【解決手段】複数の排気孔５ａを有し、基板を載置するための載置台３の周囲に設けられるバッフル板５であって、積層体構造を有し、処理チャンバー２内の圧力を調整するための圧力調整用ガスを供給する圧力調整用ガス供給路５０を具備している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部で基板を処理する処理チャンバー内の、前記基板を載置するための載置台の周囲に設けられ、複数の排気孔を有し、これらの排気孔を介して前記処理チャンバー内から排気するためのバッフル板であって、
複数の板状部材を積層した積層体からなり、前記処理チャンバー内の圧力を調整するための圧力調整用ガスを供給する圧力調整用ガス供給路が内部に形成されていることを特徴とするバッフル板。
【請求項２】
請求項１記載のバッフル板であって、
バッフル板上側面から上方に向けて前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とするバッフル板。
【請求項３】
請求項１記載のバッフル板であって、
バッフル板下側面から下方に向けて前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とするバッフル板。
【請求項４】
請求項１記載のバッフル板であって、
前記排気孔内に前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とするバッフル板。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載のバッフル板であって、
前記載置台の周方向に沿った複数の領域毎に前記圧力調整用ガスの供給量を独立に制御可能とされていることを特徴とするバッフル板。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載のバッフル板であって、
前記力調整用ガスとしてアルゴンガス又は窒素ガスを供給するよう構成されていることを特徴とするバッフル板。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項記載のバッフル板であって、
さらに、高周波電力を供給又は所定電位に設定可能とされた電極を具備していることを特徴とするバッフル板。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１項記載のバッフル板であって、
さらに、温度調節機構を具備していることを特徴とするバッフル板。
【請求項９】
内部で基板を処理する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に設けられ、前記基板を載置するための載置台と、
前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記載置台の周囲に設けられ、複数の排気孔を有し、これらの排気孔を介して前記処理チャンバー内から排気するためのバッフル板であって、複数の板状部材を積層した積層体からなり、前記処理チャンバー内の圧力を調整するための圧力調整用ガスを供給する圧力調整用ガス供給路が内部に形成されているバッフル板と、
を具備していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９記載の基板処理装置であって、
バッフル板上側面から上方に向けて前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９記載の基板処理装置であって、
バッフル板下側面から下方に向けて前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項９記載の基板処理装置であって、
前記排気孔内に前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項９〜１２いずれか１項記載の基板処理装置であって、
前記載置台の周方向に沿った複数の領域毎に前記圧力調整用ガスの供給量を独立に制御可能とされていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項９〜１３いずれか１項記載の基板処理装置であって、
前記力調整用ガスとしてアルゴンガス又は窒素ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
請求項９〜１４いずれか１項記載の基板処理装置であって、
さらに、前記バッフル板が高周波電力を供給又は所定電位に設定可能とされた電極を具備していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
請求項９〜１５いずれか１項記載の基板処理装置であって、
さらに、前記バッフル板が温度調節機構を具備していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
請求項９〜１６いずれか１項記載の基板処理装置であって、
前記基板の処理が、プラズマエッチング処理であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板のプラズマ処理等に使用されるバッフル板及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば半導体装置の製造工程においては、処理チャンバー内に半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等の基板を収容して所定の処理を施す基板処理装置が使用されている。このような基板処理装置としては、例えば、処理チャンバー内に基板を載置するための載置台が設けられるとともに、この載置台に対向するように処理ガスを供給するためのシャワーヘッドが設けられ、載置台に載置された基板に向けて処理ガスを供給するよう構成されたものが知られている。また、載置台の周囲を囲むように複数の排気孔（円孔、長孔、角孔等からなる）を有するバッフル板（排気プレートとも言う。）を設け、このバッフル板の排気孔を介して、処理チャンバー内からの排気を行うようにしたものが知られている。
【０００３】
上記構成の基板処理装置では、載置台の周囲に設けられたバッフル板を介して載置台の周囲から排気を行うことにより、処理チャンバー内の圧力及び処理ガスの流れを均一化し、基板面の処理の均一化を図っている。また、処理チャンバー内でプラズマを発生させて基板の処理を行う基板処理装置では、上記したバッフル板を設け、またこのバッフル板に電圧を印加することによって、処理空間からのプラズマの漏れを防止することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−６５７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように従来においては、複数の排気孔を有するバッフル板を載置台の周囲に設けることにより、載置台の周囲からの排気の均一化、プラズマの閉じ込め等を行っている。しかしながら、上記の如きバッフル板を使用した場合であっても、基板上の処理空間においては、基板の中央部から周縁部に向かう処理ガスの流れが形成されるため、例えば、基板の周縁部において、基板の中央部等と比べて処理速度が遅い等の処理の均一性（面内均一性）の低下が生じるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べて処理の均一性の向上を図ることのできるバッフル板及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載のバッフル板は、内部で基板を処理する処理チャンバー内の、前記基板を載置するための載置台の周囲に設けられ、複数の排気孔を有し、これらの排気孔を介して前記処理チャンバー内から排気するためのバッフル板であって、複数の板状部材を積層した積層体からなり、前記処理チャンバー内の圧力を調整するための圧力調整用ガスを供給する圧力調整用ガス供給路が内部に形成されていることを特徴とする。
【０００７】
請求項２記載のバッフル板は、請求項１記載のバッフル板であって、バッフル板上側面から上方に向けて前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする。
【０００８】
請求項３記載のバッフル板は、請求項１記載のバッフル板であって、バッフル板下側面から下方に向けて前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする。
【０００９】
請求項４記載のバッフル板は、請求項１記載のバッフル板であって、前記排気孔内に前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項５記載のバッフル板は、請求項１〜４いずれか１項記載のバッフル板であって、前記載置台の周方向に沿った複数の領域毎に前記圧力調整用ガスの供給量を独立に制御可能とされていることを特徴とする。
【００１１】
請求項６記載のバッフル板は、請求項１〜５いずれか１項記載のバッフル板であって、前記力調整用ガスとしてアルゴンガス又は窒素ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項７記載のバッフル板は、請求項１〜６いずれか１項記載のバッフル板であって、さらに、高周波電力を供給又は所定電位に設定可能とされた電極を具備していることを特徴とする。
【００１３】
請求項８記載のバッフル板は、請求項１〜７いずれか１項記載のバッフル板であって、さらに、温度調節機構を具備していることを特徴とする。
【００１４】
請求項９記載の基板処理装置は、内部で基板を処理する処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に設けられ、前記基板を載置するための載置台と、前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記載置台の周囲に設けられ、複数の排気孔を有し、これらの排気孔を介して前記処理チャンバー内から排気するためのバッフル板であって、複数の板状部材を積層した積層体からなり、前記処理チャンバー内の圧力を調整するための圧力調整用ガスを供給する圧力調整用ガス供給路が内部に形成されているバッフル板と、を具備していることを特徴とする。
【００１５】
請求項１０記載の基板処理装置は、請求項９記載の基板処理装置であって、バッフル板上側面から上方に向けて前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項１１記載の基板処理装置は、請求項９記載の基板処理装置であって、バッフル板下側面から下方に向けて前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項１２記載の基板処理装置は、請求項９記載の基板処理装置であって、前記排気孔内に前記圧力調整用ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項１３記載の基板処理装置は、請求項９〜１２いずれか１項記載の基板処理装置であって、前記載置台の周方向に沿った複数の領域毎に前記圧力調整用ガスの供給量を独立に制御可能とされていることを特徴とする。
【００１９】
請求項１４記載の基板処理装置は、請求項９〜１３いずれか１項記載の基板処理装置であって、前記力調整用ガスとしてアルゴンガス又は窒素ガスを供給するよう構成されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項１５記載の基板処理装置は、請求項９〜１４いずれか１項記載の基板処理装置であって、さらに、前記バッフル板が高周波電力を供給又は所定電位に設定可能とされた電極を具備していることを特徴とする。
【００２１】
請求項１６記載の基板処理装置は、請求項９〜１５いずれか１項記載の基板処理装置であって、さらに、前記バッフル板が温度調節機構を具備していることを特徴とする。
【００２２】
請求項１７記載の基板処理装置は、請求項９〜１６いずれか１項記載の基板処理装置であって、前記基板の処理が、プラズマエッチング処理であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、従来に比べて処理の均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化を図ることのできるバッフル板及び基板処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係るバッフル板及び基板処理装置としてのプラズマエッチング装置１の構成を示すものである。
【００２５】
プラズマエッチング装置１は、内部を気密に閉塞可能とされ、内部で基板（本実施形態では半導体ウエハＷ）を処理するための処理チャンバー２を具備している。この処理チャンバー２は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等から略円筒形状に成形されており、この処理チャンバー２は電気的に接地されている。また、処理チャンバー２の側壁部には、半導体ウエハＷを処理チャンバー２内に搬入、搬出するための開口と、この開口を気密に閉塞するためのゲートバルブ（いずれも図示せず）が設けられている。
【００２６】
上記処理チャンバー２内には、半導体ウエハＷを載置し、かつ、下部電極として作用する構成するサセプタ（載置台）３が設けられている。また、このサセプタ３には、半導体ウエハＷを吸着するための静電チャック、半導体ウエハＷを所定温度に制御するための温調機構等が設けられている。
【００２７】
上記処理チャンバー２の天井部には、シャワーヘッド４が、上記サセプタ３と対向するように設けられている。このシャワーヘッド４は、図示しない処理ガス供給源から供給される処理ガスを、サセプタ３に載置された半導体ウエハＷに向けてシャワー状に供給するようになっており、このシャワーヘッド４及び処理ガス供給源等によって処理ガス供給機構が構成されている。
【００２８】
また、シャワーヘッド４は、サセプタ３に対向配置された対向電極（上部電極）として作用するようになっており、サセプタ３（下部電極）とともに一対の対向電極を構成している。サセプタ３には、その中央部下側に配置された給電部３ａを介して少なくとも１つの図示しない高周波電源が接続されている。一方、シャワーヘッド４は、接地電位に接続されている。
【００２９】
処理チャンバー２内のサセプタ３より上側の空間は、ここでプラズマが発生し、このプラズマによって半導体ウエハＷの処理が行われる処理空間２ａとされている。また、処理チャンバー２のサセプタ３より下側の部分には、サセプタ３の周辺部から下方に延びる環状の排気空間２ｂが形成されている。また、サセプタ３の周囲には、上記した処理空間２ａと排気空間２ｂとを仕切るように、バッフル板５が設けられている。このバッフル板５の外周部は、処理チャンバー２の内壁の部分に固定されており、内周部は、サセプタ３の下側の部分に固定されている。
【００３０】
図２は、バッフル板５の上面図であり、この図２に示されるように、バッフル板５は、外形が略環状に形成されている。また、図１中の下部に拡大して示すように、このバッフル板５には、当該バッフル板５を上下方向に貫通する複数の排気孔５ａが形成されている。図２に示されるように、本実施形態では、排気孔５ａは円孔（直径が例えば１ｍｍから数ｍｍ程度）とされているが、排気孔５ａの形状は、円孔に限らず、長孔、角孔等どのような形状であっても良く、その大きさも上記の大きさに限定されるものではない。そして、これらの排気孔５ａを介して、処理チャンバー２の排気空間２ｂに接続された図示しないターボ分子ポンプ等の真空ポンプによって、処理チャンバー２（処理空間２ａ）内が真空排気されるようになっている。
【００３１】
また、上記バッフル板５には、圧力調整用ガス供給機構として、圧力調整用ガス供給路５０が形成されている。図１中の下部左側に拡大して示すように、この圧力調整用ガス供給路５０は、バッフル板５の内周部の所定位置に１つ設けられたガス導入部５０ａと、ガス導入部５０ａと接続されバッフル板５の内周部に沿って環状に形成された内周側ガス供給路５０ｂと、内周側ガス供給路５０ｂから放射状に外周方向に延在する複数の径方向ガス供給路５０ｃと、この径方向ガス供給路５０ｃから上方に向かって延在しバッフル板５の上側面に開口する複数の厚さ方向ガス供給路５０ｄとによって構成されている。厚さ方向ガス供給路５０ｄは、図２に示すように、排気孔５ａの間に設けられ、かつ、バッフル板５の全面に均一に分散されて多数配置されている。図３は、上記した内周側ガス供給路５０ｂ、径方向ガス供給路５０ｃ、厚さ方向ガス供給路５０ｄの位置関係の概略を模式的に示すものである。
【００３２】
以上のように構成された圧力調整用ガス供給路５０では、図示しない圧力調整用ガス供給源からガス導入部５０ａに供給された圧力調整用ガス（例えば、アルゴンガス又は窒素ガス）が、内周側ガス供給路５０ｂ、径方向ガス供給路５０ｃ、厚さ方向ガス供給路５０ｄを通って、バッフル板５の上側面に形成された多数の開口（厚さ方向ガス供給路５０ｄの開口）から上方に向かって放出されるようになっている。上記の圧力調整用ガス供給路５０は、ガス供給路用の溝及び孔を形成した複数の板状部材を積層することによって構成され、バッフル板５は積層構造を有している。なお、本実施形態では、圧力調整用ガス供給路５０を構成する板状部材は、後述する理由により、絶縁材から構成されている。
【００３３】
また、本実施形態では、図１中の下部に拡大して示すように、バッフル板５には、温度調節機構としてのヒータ５１と、電極５２が、上記した圧力調整用ガス供給路５０の下層側に、絶縁層５３を挟んで積層されるように設けられている。また、バッフル板５の表面も絶縁層５３で覆われている。したがって、バッフル板５は、少なくともその上面側が、絶縁材からなる複数の板状部材を積層し、その間に金属製のヒータ５１及び電極５２を挟み込んだ積層構造となっている。図４は、金属製の抵抗発熱ヒータからなるヒータ５１のパターン例の概略を模式的に示すものであり、図５は、電極５２のパターン例の概略を模式的に示すものである。
【００３４】
図４に示されるように、ヒータ５１は、上記した排気孔５ａの配置位置を避けるように配置され、図４に示す例では、矩形状に屈曲したパターンとなっている。なお、図４（及び図１）において５１ａは、ヒータ５１に給電するためのヒータ給電部である。また、図５に示されるように、電極５２は、上記した排気孔５ａの配置位置を避け、排気孔５ａ以外の部分を占めるように配置されている。電極５２は、高周波電源に接続されて高周波電力供給に使用されるか、又は、接地電位等の所定電位に設定される。なお、図５において５２ａは、電極５２が高周波電源等に接続されるＲＦ接続部である。
【００３５】
図７に、電極５２を高周波電源に接続、又は、接地電位等の所定電位にした場合の等価回路の構成を示す。図７に示すように、等価回路のプラズマ１００は、プラズマインピーダンスＺｐを有する。プラズマシース部１１０は、シース部分の容量を示すコンデンサー、境界で電流の流れか制限されることを示すダイオードと、イオンが受ける抵抗が並列に接続された回路として示される。バッフル板５には、整合器１５０及び高周波電源１５１が接続され、また、切替器１５２，１５３によって、高周波電源１５１と切断して接地電位等の所定電位に設定可能となっている。また、バッフル板５の表面に露出電極１５５を設け、自己バイアス電圧測定回路を構成できる。この場合、バッフル板５は、絶縁部材で覆われた電極５２を示すコンデンサーと露出電極１５５を示す抵抗が並列に接続した回路として示される。そして、整合器１５０の部分の電圧を測定し表示器１５４に表示させる。
【００３６】
上記構成のプラズマエッチング装置１によって、半導体ウエハＷのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハＷが、図示しない搬入・搬出口から処理チャンバー２内へと搬入され、サセプタ３上に載置される。そして、半導体ウエハＷが静電チャックによって静電吸着される。次いで、搬入・搬出口が閉じられ、真空ポンプによって、処理チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００３７】
その後、所定流量の所定の処理ガス（エッチングガス）が、シャワーヘッド４からシャワー状にサセプタ３上の半導体ウエハＷに供給される。一方、アルゴンガス又は窒素ガス等の圧力調整用ガスが、バッフル板５の圧力調整用ガス供給路５０から処理チャンバー２内に供給される。この圧力調整用ガスは、処理チャンバー２内（特に半導体ウエハＷが配置された処理空間２ａ内）の圧力を調整するためのもので、この圧力調整用ガスの流量を増加させると処理空間２ａ内の圧力が増加し、圧力調整用ガスの流量を減少させると処理空間２ａ内の圧力が減少する。従来行われている排気系の弁による圧力調整に比べて、このような圧力調整用ガスのガス流量の調整による圧力の調整は、速やかに、かつ精度良く行うことができ、微調整も容易に行うことができる。なお、上記のように圧力調整用ガスの流量によって圧力を調整することにより、従来使用されているＡＰＣ（自動圧力制御機）を省略することも可能となる。
【００３８】
また、この時、圧力調整用ガスは、半導体ウエハＷが配置された処理空間２ａ内の半導体ウエハＷの周囲の空間に供給され、半導体ウエハＷの直上の空間には供給されないため、半導体ウエハＷの処理に寄与する半導体ウエハＷの直上の空間内の処理ガスが希釈されてしまうことを抑制することができる。
【００３９】
そして、処理チャンバー２内の圧力が、所定の圧力に維持された後、サセプタ３に所定の周波数，例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が印加される。これにより、上部電極としてのシャワーヘッド４と下部電極としてのサセプタ３との間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。このプラズマによって、半導体ウエハＷに所定のエッチング処理が行われる。
【００４０】
このエッチング処理において、バッフル板５の圧力調整用ガス供給路５０から半導体ウエハＷの周囲の空間に供給される圧力調整用ガスによって、半導体ウエハＷの周囲の空間の圧力が、半導体ウエハＷの直上の空間の圧力に比べて上昇し、処理空間２ａ内に形成されるプラズマに対して、このプラズマを半導体ウエハＷの直上の空間方向に向かわせる圧力を与えることができる。これによって、半導体ウエハＷの周囲の空間へのプラズマの拡散を抑制することができ、半導体ウエハＷの周縁部における処理速度の低下等の処理の面内均一性の低下を抑制することができる。
【００４１】
また、これに加えて、バッフル板５の電極５２に高周波電力を印加すれば、バッフル板５の上部の空間、つまり半導体ウエハＷの周囲の空間のプラズマ密度を高めることができ、これによって、半導体ウエハＷの周縁部における処理速度の低下等の処理の面内均一性の低下をより一層抑制することができる。
【００４２】
また、ヒータ５１に通電してバッフル板５の上部の空間、つまり半導体ウエハＷの周囲の空間の温度を高めることができ、これによって、半導体ウエハＷの周縁部における処理速度の低下等の処理の面内均一性の低下をさらに抑制することができる。
【００４３】
そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の印加、処理ガスの供給、圧力調整用ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー２内から搬出される。
【００４４】
上記したとおり、本実施形態のバッフル板５及びこのバッフル板５を使用したプラズマエッチング装置１によれば、処理チャンバー２内の半導体ウエハＷの周囲及び半導体ウエハＷの周縁部の上方のプラズマの状態を調整することができ、主として半導体ウエハＷの周縁部の処理の状態を制御することができる。これによって、半導体ウエハＷの周縁部における処理速度の低下等の処理の面内均一性の低下を抑制することができる。また、従来行われている排気系の弁による圧力調整に比べて、圧力調整用ガスのガス流量の調整による圧力の調整は、速やかに、かつ精度良く行うことができ、微調整も容易に行うことができる。
【００４５】
なお、上記の実施形態では、バッフル板５から上方に向けて圧力調整用ガスを供給する構成とした場合について説明したが、バッフル板５から下方に向けて圧力調整用ガスを供給する構成としてもよく、また、バッフル板５の排気孔５ａ内に排気孔５ａの側壁部から圧力調整用ガスを供給する構成としても良い。
【００４６】
また、上記の実施形態では、バッフル板５全体に、１系統の圧力調整用ガス供給路５０から圧力調整用ガスを供給するようにしたが、図６に示すように、バッフル板５を載置台３の周方向に沿った複数の領域、図６に示す例ではＡ〜Ｄの４つの領域に分割し、これらの４つの領域Ａ〜Ｄに夫々別系統の圧力調整用ガス供給路を設けて、夫々異なる流量で圧力調整用ガスを供給できるようにしても良い。このような構成とすれば、例えば排気用のターボ分子ポンプが処理チャンバー２の中心軸に対して偏芯して配置され、処理チャンバー２内の排気が不均一になる場合、例えばターボ分子ポンプに近い領域の圧力が低くなり、ターボ分子ポンプから遠い領域の圧力が高くなる場合等において、夫々の領域に供給する圧力調整用ガスの供給量を変更する（圧力の低い領域の圧力調整用ガスの供給量を圧力の高い領域の圧力調整用ガスの供給量より多くする）ことにより、処理チャンバー２内の圧力を均一化することができる。これにより、半導体ウエハＷの周方向の位置の違いによる処理の面内均一性の低下を抑制することができる。
【００４７】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、上記の実施形態では、本発明をプラズマエッチング装置に適用した場合について説明したが、プラズマエッチング装置に限らず、ＣＶＤ装置等の成膜装置や他の基板処理装置にも適用することができる。また、上記の実施形態では、シャワーヘッドが接地電位とされる場合について説明したが、シャワーヘッドに高周波電力を印加するタイプの基板処理装置についても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態のプラズマエッチング装置の構成を示す図。
【図２】図１のプラズマエッチング装置のバッフル板の上面構成を示す図。
【図３】図１のプラズマエッチング装置のバッフル板の要部構成を示す図。
【図４】図１のプラズマエッチング装置のバッフル板の要部構成を示す図。
【図５】図１のプラズマエッチング装置のバッフル板の要部構成を示す図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るバッフル板の構成を示す図。
【図７】電極を高周波電源に接続、又は、接地電位等の所定電位にした場合の等価回路を示す図。
【符号の説明】
【００４９】
１……プラズマエッチング装置、２……処理チャンバー、３……サセプタ（載置台）、４……シャワーヘッド、５……バッフル板、５０……圧力調整用ガス供給路、５１……ヒータ、５２……電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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