(57)【要約】【課題】複数のウエハーを搬送し、真空処理するための手段を提供する。【解決手段】本発明の真空処理装置によれば、第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂと処理用真空槽１１３とはそれぞれ接続されており、各受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂ内に配置された第一、第二のトレイ２１ａ,２１ｂに基板３１ａ,３１ｂをそれぞれ配置し、各受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂから交互に処理用真空槽１１３へと、基板を第一、第二のトレイ２１ａ,２１ｂに乗ったまま搬入し、真空処理を行う。各トレイ２１ａ,２１ｂはこれらの真空槽１１２ａ,１１２ｂ、１１３の外部に出ることはなく、また処理用真空槽１１２へは多数の受渡用真空槽から基板を出し入れできる。【選択図】図２
2010161169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台が配置され、前記載置台上で複数の基板を真空処理する処理用真空槽と、
前記処理用真空槽に仕切弁を介して接続され、大気との間に扉が設けられた複数の受渡用真空槽とを有する真空処理装置であって、
前記各受渡真空槽内には、
前記扉から搬入された複数の前記基板を吸着して持ち上げた後、前記受渡真空槽内に位置するトレイに配置する吸着装置と、
真空雰囲気中で、前記トレイを前記処理用真空槽に搬出入させるトレイ搬送装置とが設けられ、
前記吸着装置は、前記トレイ搬送装置上の前記トレイから、複数の前記基板を吸着して持ち上げる真空処理装置。
【請求項２】
前記処理用真空槽には、前記載置台上に配置された前記トレイを持ち上げる昇降装置が設けられた請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記扉の外側には、基板搬送装置が設けられ、前記基板は前記基板搬送装置によって前記受渡用真空槽に搬出入される請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項４】
載置台が配置され、前記載置台上で複数の基板を真空処理する処理用真空槽と、
前記処理用真空槽に仕切弁を介して接続され、大気との間に扉が設けられた複数の受渡用真空槽とを有する真空処理装置であって、
前記仕切弁を閉じて複数の前記基板を前記受渡用真空槽内で前記トレイに乗せる工程と、
前記受渡用真空槽を真空雰囲気にして前記仕切弁を開け、前記処理用真空槽と接続し、前記トレイを前記処理用真空槽内に搬入する工程と、
前記処理用真空槽内で複数の前記基板を真空処理する工程と、
前記真空処理が終了すると、処理された複数の前記基板は、前記トレイに乗せて前記処理用真空槽から搬入した前記受渡用真空槽内に戻す工程と、
前記真空処理が終了する前に、他の前記受渡用真空槽内で未処理の複数の基板を別のトレイに乗せて待機させておき、処理が終了した複数の前記基板が前記真空処理層から搬出されると、待機させた複数の前記基板を前記別のトレイにのせて前記真空処理室内に搬入して前記真空処理を行う真空処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置と真空処理方法の技術分野に係り、特に、複数の基板を一括して処理する真空処理装置と真空処理方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板を真空雰囲気中で一枚ずつ処理する枚葉式の真空処理装置が広く用いられているが、太陽電池などの技術分野では、小型の基板に対して成膜処理が行われるため、複数枚の基板を一緒に処理して処理速度を向上させたいという要求がある。
この場合、各基板を処理する際に、ハンドとピンとの間で基板を受け渡し、ハンドから真空処理室内の載置台上に基板を移載しようとすると、基板の枚数に応じてピンが増えるため、載置台上に形成するピンが出入りする穴も増加し、載置台中にヒータを設けることも困難となり、また、基板と載置台との間の接触面積が減少する。また、小径の基板がピン上から脱落する虞もある。
複数の基板をトレイ上に配置し、トレイを一枚の基板と見て搬送すると、従来と同じ構造の装置が使用でき、脱落の問題も解消できるが、トレイを基板と一緒に大気中に取り出すと大気が吸着し、トレイと共に基板を真空雰囲気中に搬入すると、トレイから吸着ガスが放出され、真空排気する時間が長くなったり、形成する薄膜の品質が悪化する。
真空雰囲気中で基板を搬送する装置は例えば下記文献に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１９５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するために創作されたものであり、複数の基板を一括して真空処理し、大気中の水分等の吸着ガスの影響のない高い品質の真空処理を行うことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明は、載置台が配置され、前記載置台上で複数の基板を真空処理する処理用真空槽と、前記処理用真空槽に仕切弁を介して接続され、大気との間に扉が設けられた複数の受渡用真空槽とを有する真空処理装置であって、前記各受渡真空槽内には、前記扉から搬入された複数の前記基板を吸着して持ち上げた後、前記受渡真空槽内に位置するトレイに配置する吸着装置と、真空雰囲気中で、前記トレイを前記処理用真空槽に搬出入させるトレイ搬送装置とが設けられ、前記吸着装置は、前記トレイ搬送装置上の前記トレイから、複数の前記基板を吸着して持ち上げる真空処理装置である。
また、本発明は、前記処理用真空槽には、前記載置台上に配置された前記トレイを持ち上げる昇降装置が設けられた真空処理装置である。
また、本発明は、前記扉の外側には、基板搬送装置が設けられ、前記基板は前記基板搬送装置によって前記受渡用真空槽に搬出入される真空処理装置である。
また、本発明は、載置台が配置され、前記載置台上で複数の基板を真空処理する処理用真空槽と、前記処理用真空槽に仕切弁を介して接続され、大気との間に扉が設けられた複数の受渡用真空槽とを有する真空処理装置であって、前記仕切弁を閉じて複数の前記基板を前記受渡用真空槽内でトレイに乗せる工程と、前記受渡用真空槽を真空雰囲気にして前記仕切弁を開け、前記処理用真空槽と接続し、前記トレイを前記処理用真空槽内に搬入する工程と、前記処理用真空槽内で複数の前記基板を真空処理する工程と、前記真空処理が終了すると、処理された複数の前記基板は、前記トレイに乗せて前記処理用真空槽から搬入した前記受渡用真空槽内に戻す工程と、前記真空処理が終了する前に、他の前記受渡用真空槽内で未処理の複数の基板を別のトレイに乗せて待機させておき、処理が終了した複数の前記基板が前記真空処理層から搬出されると、待機させた複数の前記基板を前記別のトレイにのせて前記真空処理室内に搬入して前記真空処理を行う真空処理方法である。
【発明の効果】
【０００６】
複数の基板を確実に一括処理できる。
トレイに水分等が吸着しないので、高い品質の薄膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の真空処理装置の一例について説明する断面図
【図２】本発明の真空処理装置の一例について真空処理中の基板と処理室搬入前の待機中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図３】本発明の真空処理装置の一例について載置部上に置かれた処理後の基板と処理室搬入前の待機中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図４】本発明の真空処理装置の一例について第一の搬送装置に乗って処理室から搬出されようとする基板と処理室搬入前の待機中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図５】本発明の真空処理装置の一例について第一の受渡用真空槽内に載置された処理後の基板と第二の搬送装置に乗って処理室へ搬入されようとする基板がある時点の状態を説明する断面図
【図６】本発明の真空処理装置の一例について第一の受渡用真空槽内に載置された処理後の基板と載置部上に置かれた基板と載置部上に置かれた処理前の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図７】本発明の真空処理装置の一例について第一の吸着装置に吸着された処理後の基板と真空処理中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図８】本発明の真空処理装置の一例について第一の大気側搬入装置に移載された処理後の基板と真空処理中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図９】本発明の真空処理装置の一例について第一の搬送室に載置された処理後の基板と真空処理中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図１０】本発明の真空処理装置の一例について第一の大気側搬入装置に移載された処理前の基板と真空処理中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図１１】本発明の真空処理装置の一例について第一の吸着装置に吸着された処理前の基板と真空処理中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図１２】本発明の真空処理装置の一例について処理室搬入前の待機中の基板と真空処理中の基板がある時点の状態を説明する断面図
【図１３】本発明の処理対象である基板の一例を説明する平面図
【図１４】本発明の吸着装置部材に設けられた部材の一例の一状態を説明する平面図
【図１５】本発明の吸着装置部材に設けられた部材の一例の別の状態を説明する平面図
【図１６】本発明の真空処理装置の一例の別の構成を説明する平面図
【図１７】本発明における昇降装置部材に設けられた載置部の一例の一状態を説明する面図
【図１８】(ａ)、(ｂ)：本発明において昇降装置の上方で第一または第二の搬送装置が基板の乗ったトレイを載置している状態を説明する図
【図１９】(ａ)、(ｂ)：載置台と昇降装置の位置関係を説明するための図(１)
【図２０】(ａ)、(ｂ)：載置台と昇降装置の位置関係を説明するための図(２)
【図２１】(ａ)、(ｂ)：載置台と昇降装置の位置関係を説明するための図(３)
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１の符号１０は、本発明の真空処理装置である。
この真空処理装置１０は、第一の受渡室１０２ａと第二の受渡室１０２ｂと処理室１０３を有している。第一の受渡室１０２ａと第二の受渡室１０２ｂと処理室１０３は、第一の受渡用真空槽１１２ａと、第二の受渡用真空槽１１２ｂと、処理用真空槽１１３とをそれぞれ有している。
第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂと処理用真空槽１１３とは第一、第二の仕切弁１２３ａ,１２３ｂによってそれぞれ接続されている。
第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂと大気雰囲気との間には第一、第二の扉１２２ａ,１２２ｂがそれぞれ設けられている。
【０００９】
各真空槽１１２ａ,１１２ｂ,１１３には、真空排気装置１８１ａ,１８１ｂ,１８２がそれぞれ接続されており、各扉１２２ａ,１２２ｂを閉じ、真空排気装置１８１ａ,１８１ｂ,１８２によって各真空槽１１２ａ,１１２ｂ,１１３内を真空排気して真空雰囲気にすると、第一、第二の仕切弁１２３ａ,１２３ｂを開閉することで、処理用真空槽１１３の真空雰囲気を維持した状態で、第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂとを処理用真空槽１１３に接続できるように構成されている。
【００１０】
他方、第一、第二の仕切弁１２３ａ,１２３ｂを閉じた状態で、第一、第二の扉１２２ａ,１２２ｂを開け、乾燥大気又はＮ2ガスを導入すると、処理用真空槽１１３内部の真空雰囲気を維持した状態で、第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂの内部を乾燥した大気雰囲気(又はＮ2雰囲気)にすることができる。
ここでは、第一、第二の扉１２２ａ,１２２ｂの外側には、大気雰囲気に置かれた第一、第二の搬送室１０１ａ,１０１ｂがそれぞれ配置されており、第一、第二の扉１２２ａ,１２２ｂが開けられると、第一の受渡用真空槽１１２ａの内部と第二の受渡用真空槽１１２ｂの内部は、それぞれ第一の搬送室１０１ａの内部と第二の搬送室１０１ｂの内部に接続されるようになっている。
【００１１】
本発明の基板搬送方法を説明する。
本発明の真空処理装置１０では、複数枚数の基板をトレイに乗せて搬入し、トレイ毎に真空処理しており、図２は、第一のトレイ２１ａに乗った複数枚数の基板３１ａが処理用真空槽１１３内で真空処理中であり、次に処理すべき第二のトレイ２１ｂに乗った複数枚数の基板３１ｂが第二の受渡用真空槽１１２ｂで待機している状態を示す図面である。
【００１２】
処理用真空槽１１３内で真空処理が開始される場合、第一、第二の仕切弁１２３ａ,１２３ｂは閉じられており、処理用真空槽１１３は真空雰囲気にされている。
処理用真空槽１１３の内部には、載置台１６５が配置されており、第一のトレイ２１ａは、この載置台１６５上に載置され、基板３１ａは、第一のトレイ２１ａの上に配置されている。
載置台１６５の内部にはヒータ１６６が配置されている。第一のトレイ２１ａの裏面は載置台１６５の表面と面接触し、基板の裏面は第一のトレイ２１ａの表面と面接触しており、予めこのヒータ１６６に通電して発熱させ、載置台１６５を昇温させると、載置台１６５に接触している第一のトレイ２１ａ及びこの上の基板３１ａは、載置台１６５からの熱伝導によって加熱される。
【００１３】
処理室１０３はシャワープレート１７１を有しており、シャワープレート１７１は載置台１６５の上方に配置されている。
処理用真空槽１１３の外部にはガス導入系１７２が配置されており、ガス導入系１７２からシャワープレート１７１に薄膜の原料ガスを供給し、シャワープレート１７１から処理用真空槽１１３内に原料ガスを散布させながらシャワープレート１７１に電圧１７３を印加すると、載置台１６５上の基板３１ａ表面の上方で原料ガスのプラズマが形成され、化学反応により基板３１ａ表面に薄膜が形成される。
【００１４】
ここでは原料ガスとして、Ｓｉを含む化合物のガスとそれと反応する化合物のガスが供給され、処理用真空槽１１３内では基板３１ａ表面にＳｉの薄膜が形成される。
【００１５】
処理用真空槽１１３内で基板３１ａ表面に所定膜厚の薄膜が形成されたら、電圧を停止してプラズマを消滅させる。
処理室１０３はトレイを上下移動させる昇降装置１６１を有している。この昇降装置１６１は、一乃至複数本の横に配置された横棒から成る載置部（ここでは二本）１６２と、載置部１６２を上下移動させるモータ１６４を有している。
【００１６】
図１９(ｂ)に示すように、載置台１６５の外側には、支持部１６３が配置されている。この支持部１６３によって、載置部１６２は、モータ１６４に接続されており、モータ１６４は支持部１６３を介して載置部１６２を上下移動させるように構成されている。
図１９(ａ)に示すように、載置台１６５表面には載置部１６２の横棒本数と同数の直線状の溝１６８が形成されている。載置部１６２の幅は溝１６８の幅よりも狭く形成され、また、載置部１６２の厚みは溝１６８の深さよりも浅く形成されており、図２０(ａ)、(ｂ)に示すように、載置部１６２は溝１６８の内部に、載置台１６５表面と同じ深さか、それよりも深い位置で静止している。
第一のトレイ２１ａが載置台１６５の上に載置されると、第一のトレイ２１ａの底面は載置台表面と接触する。その状態を図２１(ａ)、(ｂ)に示す。
基板表面に所定膜厚の薄膜が形成された後、昇降装置１６１を動作させ、図３に示すように載置部１６２を上昇させ、基板３１ａを載置した第一のトレイ２１ａを載置部１６２上に乗せ、載置台１６５から離間させる。
【００１７】
第一の受渡室１０２ａは、第一のトレイ搬送装置１５１ａと第一の吸着装置１３１ａを有しており、第二の受渡室１０２ｂは、第二のトレイ搬送装置１５１ｂと第二の吸着装置１３１ｂを有している。第一のトレイ搬送装置１５１ａと第二のトレイ搬送装置１５１ｂは同じ構成であり、同じ部材には同じ符号を付して一緒に説明する。
【００１８】
第一、第二のトレイ搬送装置１５１ａ,１５１ｂは、ハンド部１５５と、ハンド部１５５を水平方向に移動させるハンド移動装置１５３を有している。ハンド部１５５は、アーム部１５４を介して、ハンド移動装置１５３に接続されており、アーム部１５４が真空槽内をスライド移動し、ハンド部１５５がアーム部１５４上をアーム部１５４に対してスライド移動することで、第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂ内から処理用真空槽１１３にハンド部１５５を進入及び退去できるようになっている。
【００１９】
ハンド部１５５は、載置台１６５よりも上方位置で移動するように構成されており、ハンド部１５５が処理用真空槽１１３内で移動する際には、載置台１６５と衝突しない。
第一のトレイ２１ａを載置台１６５上から載置部１６２に乗せて持ち上げた後、載置部１６２をハンド部１５５が移動する高さよりも高い位置で静止させておく。
予め第一の扉１２２ａと第一の仕切弁１２３ａとを閉じ、第一の受渡用真空槽１１２ａ内を真空排気しておき、処理用真空槽１１３内の原料ガスが真空排気によって除去された後、第一の仕切弁１２３ａを開け、処理用真空槽１１３内部と第一の受渡用真空槽１１２ａ内部とを接続する。
【００２０】
図４に示すように、モータ１６４を下降させ、第一の受渡用真空槽１１２ａ内のハンド部１５５を処理用真空槽１１３内に移動させ、支持部１６３の間に挿入する。
載置部１６２の横棒は第一のトレイ２１ａの両端付近に位置しており、載置部１６２の横棒の間には第一のトレイ２１ａの裏面が露出している。第一の受渡用真空槽１１２ａ内のハンド部１５５は、第一のトレイ２１ａの露出部分の真下位置で静止させる。
次に、載置部１６２を降下させると、第一の受渡用真空槽１１２ａ内のハンド部１５５が横棒の間を通って、相対的に載置部１６２よりも上方位置に移動し、その際に、図１８に示すように第一のトレイ２１ａとその上の基板３１ａがハンド部１５５上に移載される。
【００２１】
次に、第一のトレイ２１ａを乗せたハンド部１５５を第一の受渡用真空槽１１２ａ内に戻し、第一の仕切弁１２３ａを閉じる。
このとき、第二の受渡用真空槽１１２ｂは真空雰囲気にされており、未処理の基板３１ｂが複数枚配置された第二のトレイ２１ｂが第二のトレイ搬送装置１５１ｂのハンド部１５５上に配置されている。
真空処理された基板３１ａが処理用真空槽１１３から搬出された後、図５に示すように載置部１６２は処理用真空槽１１３内でハンド部１５５の移動する高さよりも低い位置に静止させておき、第二の仕切弁１２３ｂを開け、第二のトレイ２１ｂを載置した第二のトレイ搬送装置１５１ｂのハンド部１５５を処理用真空槽１１３内に移動させ、載置部１６５の真上位置で静止させる。
その状態で載置部１６２を上昇させると、第二のトレイ搬送装置１５１ｂのハンド部１５５が載置部１６２の横棒の間を相対的に通過するように載置部１６２が上昇し、載置部１６２が第二のトレイ搬送装置１５１ｂのハンド部１５５よりも高くなったとき、図６に示すように第二のトレイ２１ｂがハンド部１５５上から載置部１６２上に移載される。
【００２２】
第二のトレイ２１ｂが移載された後、第二のトレイ搬送装置１５１ｂのハンド部１５５を第二の受渡用真空槽１１２ｂ内へと戻し、第二の仕切弁１２３ｂを閉じた後、第二のトレイ２１ｂ上の未成膜の基板３１ｂは処理用真空槽１１３内において真空処理が開始される。
このとき、真空処理された基板３１ａは、第一の受渡用真空槽１１２ａ内に位置しており、その真上には第一の吸着装置１３１ａが配置されている。
第二の受渡室にも第一の吸着装置１３１ａと同じ構成の第二の吸着装置１３１ｂが配置されており、同じ部品には同じ符号を付して一緒に説明する。
第一、第二の吸着装置１３１ａ,１３１ｂは、吸着部１３５と、吸着部１３５を上下移動させる吸着部移動装置１３３とを有している。
吸着部１３５の鉛直下方を向いた吸着面１３７には、基板３１ａより小径の凹部１３６が複数個形成されており、図１４に示すように、各凹部１３６の内周面には、凹部１３６一個毎にそれぞれ複数個の気体噴出孔１３８が配置され、各凹部１３６の内側又は外側には、凹部１３６一個毎に複数個の突起１４０が配置されている。ここでは内側に配置されている。
【００２３】
各凹部１３６は水平面内に配置されている。各基板３１ａは凹部と一対一に対応する位置に配置されており、第一のトレイ搬送装置１５１ａのハンド部１５５が第一の受渡用真空槽１１２ａ内の所定位置に静止したときに凹部の真下位置に位置するように、第一のトレイ２１ａ上において配置されている。
その状態で第一の吸着装置１３１ａの吸着部移動装置１３３によってその吸着部１３５を下降させると、凹部１３６が基板３１ａに接近する。
【００２４】
図１３は、一枚の基板の拡大図である。この基板３１ａは、太陽電池用の基板であり、正方形の四隅が円形の一部を形成するように丸められている。
ここでは突起１４０は凹部１３６毎に四個ずつ設けられており、各凹部１３６周辺の突起１４０は、凹部１３６に基板３１ａが接近したときに、基板３１ａの四辺に近接した四辺よりも外側位置に配置されるように形成されている。各基板３１ａが突起１４０の間に入り込める向きとなるように、基板３１ａは配置されている。
従って、基板３１ａに凹部１３６が接近すると、図１５に示すように基板３１ａは突起１４０の間に入り込む。
【００２５】
第一の吸着装置１３１ａの吸着部１３５の降下は、突起１４０間に基板３１ａが入った後、吸着面１３７が基板３１ａの表面に接触する前に停止される。
第一の受渡用真空槽１１２ａの外部には不図示の気体供給系１７５が設けられており、この気体供給系１７５から各気体噴出孔１３８に気体が供給されると、基板３１ａと第一の吸着装置１３１ａの吸着部１３５が非接触の状態で、基板３１ａと凹部１３６の間に気体が噴出される。気体噴出孔１３８からの気体の噴出方向は、半径方向とは垂直な方向であり、一個の凹部１３６の縁の円周上では気体は円周の同一方向に噴出される。
【００２６】
この気体により基板３１ａには回転力が印加されるが、基板３１ａの一部が突起１４０に当接し、回転は制止される。基板３１ａが停止した状態では基板３１ａ表面と凹部１３６表面との間で気体の渦１３９が形成され、凹部１３６内が負圧になり、大気圧との差圧によって基板３１ａが凹部１３６に吸着される。
このとき、基板３１ａと吸着面１３７との間には、噴出気体の流束が形成されており、基板３１ａが吸着面１３７に接触しようとすると圧縮された流束の反発力によって押し戻され、基板３１ａは吸着面１３７と接触しないで凹部１３６に吸着された状態が維持される。
従って、第一の吸着装置１３１ａの吸着部移動装置１３３によってその吸着部１３５を上方に移動させると、各基板３１ａは凹部１３６に非接触の状態で、図７に示すように第一の吸着装置１３１ａの吸着部１３５に吸着されてこの吸着部１３５と一緒に上方に移動されるので、第一のトレイ２１ａは、第一の受渡用真空槽１１２ａ内に残っている。
【００２７】
第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ、１１２ｂには、第一、第二の搬送室１０１ａ、１０１ｂが隣接しており、第一、第二の搬送室１０１ａ、１０１ｂ内には、第一、第二の基板搬送装置１４１ａ,１４１ｂがそれぞれ配置されている。
第一、第二の基板搬送装置１４１ａ、１４１ｂは同じ構成であり、同じ部材には同じ符号を付して一緒に説明する。第一、第二の基板搬送装置１４１ａ、１４１ｂは、複数の基板を載置できる移動板１４５と、移動板１４５を水平方向に移動させる移動装置１４３を有している。移動板１４５が移動する高さは、ハンド部１５５が移動する高さよりも高く配置されており、第一、第二の基板搬送装置１４１ａ、１４１ｂの移動板１４５はいずれも、第一、第二のトレイ搬送装置１５１ａ,１５１ｂと衝突しない。
【００２８】
第一の受渡用真空槽１１２ａの内部では、吸着部１３５が、移動板１４５の移動高さよりも高い位置で静止されており、第一の扉１２２ａを開け、移動板１４５を第一の受渡用真空槽１１２ａの内部に入れ、第一の吸着装置１３１ａの吸着部１３５の下方位置で静止させる。
第一の吸着装置１３１ａを降下させ、基板３１ａの裏面がその真下に位置する移動板１４５と接触するか又はその直前のときに降下を停止させ、吸着を解除すると図８に示すように、第一の吸着装置１３１ａに吸着されていた基板３１ａは移動板１４５上に移載される。
次いで、基板３１ａを乗せた移動板１４５を第一の搬送室１０１ａに戻すと、真空処理が行われた基板３１ａを真空処理装置１０の外部に取り出すことができる。
【００２９】
このときに、図９に示すように、第一の受渡用真空槽１１２ａと大気との間の第一の扉１２２ａを閉じると、第一の扉１２２ａが空いていた時間は僅かであり、しかも、空いていた間も、第一の受渡用真空槽１１２ａには乾燥空気等の乾燥気体が供給されていたから、乾燥気体は第一の扉１２２ａから流出し、第一の受渡用真空槽１１２ａには大気は侵入しない。
第一の搬送室１０１ａ内では、真空処理済みの基板３１ａを装置外に取り出した後、未処理の基板を移動板１４５上に配置する。この配置の配列及び向きは、第一の吸着装置１３１ａの凹部１３６の配列と同じ並びと向きにしておき、第一の扉１２２ａを開け、未処理の基板を乗せた移動板１４５を、第一の受渡用真空槽１１２ａ内に搬入する。
第一の受渡用真空槽１１２ａでは、ハンド部１５５上に第一のトレイ２１ａが配置されており、未処理の基板を乗せた移動板１４５は、図１０に示すように、吸着部１３５と第一のトレイ２１ａの間の位置で静止させる。符号３２ａは未処理の基板である。
このとき、搬入された基板３２ａは、吸着部１３５の各凹部１３６の真下に位置しており、第一の吸着装置１３１ａを鉛直に降下させて基板３２ａを非接触で吸着し、図１１に示すように、第一の吸着装置１３１ａを上昇させる。
次いで、移動板１４５を第一の搬送室１０１ａに戻すと、各基板３２ａの真下に第一のトレイ２１ａが配置されており、第一の扉１２２ａを閉じると共に、第一の吸着装置１３１ａを降下させ、第一のトレイ２１ａ上に基板３２ａを載置する。
【００３０】
図１２は、第一のトレイ２１ａ上に基板３２ａが載置されたときの図面であり、処理用真空槽１１３内では、基板３１ｂの真空処理が終了しておらず、第一の受渡用真空槽１１２ａ内を真空排気し、処理用真空槽１１３と第一の受渡真空槽１１２ａとを接続可能な状態にし、未処理基板３２ａを第一の受渡真空槽１１２ａ内で待機させる。
処理用真空槽１１３内での基板３１ｂの真空処理が終了すると、上記と同様の手順で、真空処理が終了した基板３１ｂを第二のトレイ２１ｂと一緒に第二の受渡真空槽１１２ｂに搬出し、未処理の基板３２ａを処理用真空槽１１３内に搬入し、真空処理を続行する。
【００３１】
以上説明したように、本発明では、第一、第２のトレイ２１ａ、２１ｂは、第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ、１１２ｂ内で、処理済み基板と未処理基板とが交換されており、第一、第二のトレイ２１ａ、２１ｂは大気中に取り出されず、真空雰囲気と乾燥ガスの雰囲気とを往復して使用されており、水分等の大気中の吸着ガスが吸着することはない。
【００３２】
上記実施例では、処理用真空槽１１３に、第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ、１１２ｂが接続され、トレイ上に配置した複数基板は二経路での搬入・搬出されていたが、本発明は二経路に限定されるものではなく、処理用真空槽１１３内の真空処理が終了する前に、受渡用真空槽内で待機状態に入る複数の基板があるように、三経路以上設けることができる。
【００３３】
例えば、図１６に示す真空処理装置１１は、処理用真空槽１１３に、第一〜第四の受渡室１０２ａ〜１０２ｄが接続されており、、第一〜第四の受渡室１０２ａ〜１０２ｄには、第一〜第四の搬送室１０１ａ〜１０１ｄがそれぞれ接続されている。
第一〜第四の受渡室１０２ａ〜１０２ｄには、上記第一、第二のトレイ搬送装置１５１ａ、１５１ｂと同じトレイ搬送装置が配置されており、第一〜第四の搬送室１０１ａ〜１０１ｄには、上記の第一、第二の基板搬送装置１４１ａ,１４１ｂと同じ基板搬送装置が
処理用真空槽１１３に対して四方向からトレイの搬出入が可能になっている。
なお、上記真空処理はスパッタ又はＣＶＤの他、エッチングや表面処理も含まれる。
【符号の説明】
【００３４】
１１２ａ……第一の受渡用真空槽    １１２ｂ……搬出用真空槽
１１３……処理用真空槽
１２３ａ……第一の仕切弁    １２３ｂ……第二の仕切弁
１５１ａ……第一のトレイ搬送装置    １５１ｂ……第二のトレイ搬送装置
１５３……ハンド移動装置    １５５……ハンド部
１６２……載置部    １６３……支持部  
１６５……載置台    
２１ａ……第一のトレイ    ２１ｂ……第二のトレイ
３１ａ……基板    ３１ｂ……基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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