(57)【要約】【課題】衝撃センサの占有面積を減少させる手段を提供する。【解決手段】衝撃センサが、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された絶縁層と、可撓性を有し、導電性シリコン材料で形成された複数のビームと、ビームの固定端をそれぞれ固定する、導電性シリコン材料で形成された固定部と、一の端部に固定部が形成され、絶縁層上に導電性シリコン材料で形成された固定端配線と、ビームの自由端に、隙間を介して対向する押圧部を有し、絶縁層上に導電性シリコン材料で形成された自由端配線と、を備え、複数のビームの、それぞれの固定端と自由端とを結ぶ長さ方向と直交方向のビーム幅を、異なるビーム幅に形成する。【選択図】        図２
2010025625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成された絶縁層と、
可撓性を有し、導電性シリコン材料で形成された複数のビームと、
前記ビームの固定端をそれぞれ固定する、導電性シリコン材料で形成された固定部と、
一の端部に前記固定部が形成され、前記絶縁層上に導電性シリコン材料で形成された固定端配線と、
前記ビームの自由端に、隙間を介して対向する押圧部を有し、前記絶縁層上に導電性シリコン材料で形成された自由端配線と、を備え、
前記複数のビームの、それぞれの前記固定端と前記自由端とを結ぶ長さ方向と直交方向のビーム幅を、異なる前記ビーム幅に形成したことを特徴とする衝撃センサ。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のビームの固定端のビーム幅を同じにし、前記固定端を除くビームのビーム幅を、異なる前記ビーム幅に形成したことを特徴とする衝撃センサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記複数のビームの長さおよび厚さを、同じにしたことを特徴とする衝撃センサ。
【請求項４】
可撓性を有する複数のビームと、前記ビームの固定端をそれぞれ固定する固定部と、一の端部に前記固定部が形成された固定端配線と、前記ビームの自由端に、隙間を介して対向する押圧部を有する自由端配線とを備え、
前記複数のビームの、それぞれの前記固定端と前記自由端とを結ぶ長さ方向と直交方向のビーム幅を、異なる前記ビーム幅に形成した衝撃センサの製造方法であって、
シリコン基板を準備する工程と、
前記シリコン基板上に、窒化シリコンからなる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、導電性シリコン材料からなる前記固定端配線および前記自由端配線を形成する工程と、
前記絶縁層上、並びに前記固定端配線および前記自由端配線上を覆う酸化シリコンからなる犠牲酸化膜を形成する工程と、
前記犠牲酸化膜の上面を平坦化する工程と、
前記平坦化された犠牲酸化膜の、前記固定端配線の前記固定部の形成領域に、前記固定端配線に達する貫通穴を形成する工程と、
前記貫通穴の内部、および前記犠牲酸化膜上に、ＣＶＤ法により導電性シリコン材料を堆積して、導電性シリコン層を形成する工程と、
前記導電性シリコン層上に、前記ビーム幅の異なる複数のビームの形成領域を覆うレジストマスクを形成し、前記導電性シリコン層をエッチングして、前記固定部および前記複数のビームを形成し、前記レジストマスクを除去する工程と、
前記犠牲酸化膜を除去する工程と、を備えることを特徴とする衝撃センサの製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記シリコン基板に、多数の前記衝撃センサを同時に形成した場合に、
前記犠牲酸化膜を除去する前に、前記シリコン基板を個片に分割する工程を備えることを特徴とする衝撃センサの製造方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記複数のビームの固定端のビーム幅を同じにし、前記固定端を除くビームのビーム幅を、異なる前記ビーム幅に形成することを特徴とする衝撃センサの製造方法。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれか一項において、
前記複数のビームを、同じ長さおよび厚さに形成することを特徴とする衝撃センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、設定された複数の加速度閾値の加速度が作用したことをそれぞれ検出する衝撃センサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の衝撃センサは、可撓部の一端を枠状の支持部に固定し、自由端に質量部を形成した片持ち梁部を形成した第１基板と、質量部に形成された第２電極に対向する第１電極が形成された第２基板と、質量部に形成された第３電極に対向する第４電極が形成された第３基板とを、それぞれガラス層を介して積層し、可撓部の長さ、幅、厚さを変えて加速度検出感度を調整し、これらを複数並べて、複数の加速度閾値を検出している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、コイルスプリングで移動可能に支持された環状マグネットと、環状マグネットの移動方向の位置が異なる接点部を有する一対のリードスイッチとを円筒チューブ内に配置して衝撃センサを構成し、大きさの異なる加速度により、コイルスプリングの付勢力に抗して移動する環状マグネットによる磁場の位置に応じて、リードスイッチの一方または両方を閉作動させて、異なる加速度閾値を検出しているものもある（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平１０−６８７４２号公報（主に、段落０００９、第１図、第５図）
【特許文献２】特開２００２−４８８１４号公報（主に、段落００１９−００２２、第２図、第３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の物流システムの多様化によって様々な商品が輸送されるようになり、これに伴って輸送される商品は、積込、積降時や輸送中等に、様々な衝撃を受ける場合があり、その衝撃によって、輸送された商品に故障や破損等の不具合が生ずる場合がある。
この輸送された商品に不具合が生じた場合に、商品が受けた衝撃の履歴を記録しておけば、原因究明における調査範囲を絞り込むことができるため、商品の輸送箱に取付けることができる衝撃センサを搭載した小型の衝撃記録パッケージ等の開発が望まれている。
【０００５】
しかしながら、上述した従来の特許文献１の技術においては、枠状の支持部の内部に片持ち梁部を形成して、衝撃センサを製造しているため、支持部を形成するための面積を要し、衝撃センサの占有面積が大きくなって衝撃センサを搭載した衝撃記録パッケージ等を大型化させるという問題がある。
また、特許文献２の技術においては、円筒チューブ内に環状マグネット等を配置して衝撃センサを構成しているため、衝撃センサ全体が大型になり、衝撃センサを搭載した衝撃記録パッケージを大型化させ、前記と同様の問題を生じさせる。
【０００６】
衝撃センサを搭載した衝撃記録パッケージが大型になると、これを輸送される商品や、その輸送箱の内部に取付けた場合は、輸送箱に収納することが可能な商品の数を減少させることになり、輸送箱の外部に取付けた場合は、トラック等の輸送機器に積載する輸送箱の数を減少させることになる。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、衝撃センサの占有面積を減少させる手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために、衝撃センサが、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された絶縁層と、可撓性を有し、導電性シリコン材料で形成された複数のビームと、前記ビームの固定端をそれぞれ固定する、導電性シリコン材料で形成された固定部と、一の端部に前記固定部が形成され、前記絶縁層上に導電性シリコン材料で形成された固定端配線と、前記ビームの自由端に、隙間を介して対向する押圧部を有し、前記絶縁層上に導電性シリコン材料で形成された自由端配線と、を備え、前記複数のビームの、それぞれの前記固定端と前記自由端とを結ぶ長さ方向と直交方向のビーム幅を、異なる前記ビーム幅に形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
これにより、本発明は、ビーム幅を変えて加速度閾値の設定を容易に変更することができる他、２つの異なる加速度閾値以上の加速度が作用したことを区別して検出する衝撃センサを簡素な構成で形成することができると共に、ビームの固定端を固定するための構成を簡素化して衝撃センサの占有面積を減少させることができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、図面を参照して本発明による衝撃センサおよびその製造方法の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は実施例１の衝撃センサの断面を示す説明図、図２は実施例１の衝撃センサの上面を示す説明図、図３は実施例１の衝撃センサの製造方法を示す説明図である。
図１、図２において、１は衝撃センサであり、２つの加速度閾値の加速度が作用したことをそれぞれ検出するセンサであって、シリコン（Ｓｉ）からなるシリコン基板２上に形成された窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）からなる絶縁層としてのシリコン窒化膜３上に、シリコンマイクロマシニングを利用して製造されたＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）の衝撃センサである。
【００１１】
５はビームであり、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）等のＮ型不純物（本実施例では、リン）を導電型不純物としたリンドープポリシリコン等の導電性を有する導電性シリコン材料を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積し、これを熱処理して形成された可撓性を有する板状部材であって、固定端６ａから自由端６ｂに向かって延在して（この固定端６ａと自由端６ｂとを結ぶ方向を長さ方向という。）形成され、図２に示すように、上面視で、その長さ方向に直交する方向の幅（ビーム幅という。）を異なるビーム幅とし、同じ長さおよび同じ厚さ（図１に示す断面の長さ方向に直交する方向の長さをいう。）で形成された２つのビーム５ａ、５ｂが、長さ方向を平行にして並設されている。
【００１２】
８は固定部であり、ビーム５と同様の導電性シリコン材料で形成され、ビーム５の固定端６ａを、ビーム５ａ、５ｂのそれぞれのビーム幅で固定して、片持梁状のビーム５ａ、５ｂを形成する機能を有している。
９は固定端配線であり、リンドープポリシリコン等の導電性シリコン材料で、ビーム５と反対側に、ビーム５の長さ方向に沿って延在する配線であって、その一の端部には固定部８が形成され、他の端部には、アルミニウム（Ａｌ）等の導電材料で形成されたパッド１０ａが形成されている。
【００１３】
１２は自由端配線であり、固定端配線９と同様の導電性シリコン材料で、ビーム５と反対側に、ビーム５の長さ方向に沿って延在する配線であって、その一の端部にはビーム５の自由端６ｂと隙間を介して対向する押圧部１３が形成され（自由端６ｂと押圧部１３との間の隙間を接点隙間という。）、他の端部には、パッド１０ａと同様の導電材料で形成されたパッド１０ｂが形成されている。
【００１４】
本実施例の２つのビーム５ａ、５ｂは、それぞれに設定された加速度閾値の加速度を検出するために、それぞれの長さおよび厚さを同じにし、固定端６ａから自由端６ｂまでの長さ方向のビーム幅を同じにして、ビーム５ａはビーム幅を狭くして（本実施例では、５μｍ）、ビーム５ｂは、ビーム幅を広くして（本実施例では、１５μｍ）形成され、接点隙間はそれぞれ同じ０．５μｍに形成されている。
【００１５】
なお、ビーム幅によって加速度閾値を設定する場合には、衝撃センサ１が検出する加速度閾値の平均レベルを、接点隙間や厚さによって決定し、平均レベルから増減させる変化分をビーム幅で設定するようにする。
図３において、１５はマスク部材としてのレジストマスクであり、フォトリソグラフィにより、シリコン基板２の上面側にスピンコート法等により塗布されたポジ型またはネガ型のレジストを露光および現像処理して形成されたマスクパターンであって、本実施例のエッチング工程等におけるマスクとして機能する。
【００１６】
１７は犠牲酸化膜であり、リンドープ酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなるリンドープ酸化膜（ＰＳＧ）で形成された酸化膜であって、ビーム５、固定部８、パッド１０ａ、１０ｂの形成後に除去される。
以下に、図３にＰで示す工程に従って、本実施例の衝撃センサの製造方法について説明する。
【００１７】
Ｐ１、多数の衝撃センサ１を形成することが可能な面積を有するシリコン基板２を準備し、そのシリコン基板２上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる厚さ０．３μｍのシリコン窒化膜３を形成する。
Ｐ２、シリコン窒化膜３上に、ＣＶＤ法により、リンドープポリシリコンを０．５μｍの厚さに堆積し、フォトリソグラフィにより、固定端配線９および自由端配線１２の形成領域を覆うレジストマスク１５（不図示）を形成し、これをマスクとして異方性エッチングにより堆積したリンドープポリシリコンをエッチングして、シリコン窒化膜３上にリンドープポリシリコンからなる固定端配線９および自由端配線１２を形成し、前記のレジストマスク１５を除去する。
【００１８】
Ｐ３、ＣＶＤ法により、シリコン窒化膜３上、並びに固定端配線９および自由端配線１２上を覆う、リンドープ酸化シリコンからなる厚さ１．５μｍ程度の犠牲酸化膜１７を形成し、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により、犠牲酸化膜１７の上面を研磨して、固定端配線９および自由端配線１２の上面からの厚さが接点隙間に相当する０．５μｍとなるように平坦化する。
【００１９】
Ｐ４、平坦化された犠牲酸化膜１７上に、フォトリソグラフィにより、固定端配線９の固定部８の形成領域を露出させた開口部を有するレジストマスク１５を形成し、これをマスクとして、異方性エッチングにより犠牲酸化膜１７をエッチングして、固定端配線９に達する貫通穴２１を形成する。
Ｐ５、工程Ｐ４で形成したレジストマスク１５を除去し、ＣＶＤ法により、貫通穴２１の内部および犠牲酸化膜１７上に、導電性シリコン材料を堆積して導電性シリコン層を形成し、ＣＭＰ法により、導電性シリコン層の上面を、犠牲酸化膜１７の上面からの厚さがビーム５の厚さに相当する１μｍとなるように研磨する。
【００２０】
次いで、研磨した導電性シリコン層上に、フォトリソグラフィにより、ビーム幅の異なる２つのビーム５ａ、５ｂの形成領域（図２参照）を覆うレジストマスク１５（不図示）を形成し、異方性エッチングにより、導電性シリコン層をエッチングして、自由端配線１２の押圧部１３上に延在するビーム５ａ、５ｂ、およびそれぞれの固定端６ａを固定する固定部８を形成する。
【００２１】
そして、前記のレジストマスク１５を除去後に、１０００℃以上の温度の熱処理を施して、ＣＶＤ法により形成されたビーム５ａ、５ｂの歪を除去すると共にそれらの組織を均質化して、ビーム５ａ、５ｂの可撓性を安定させる。
Ｐ６、熱処理後に、フォトリソグラフィにより、犠牲酸化膜１７上およびビーム５ａ、５ｂ上を覆い、固定端配線９および自由端配線１２のそれぞれのパッド１０ａ、１０ｂの形成領域を露出させた開口部を有するレジストマスク１５（不図示）を形成し、これをマスクとして、異方性エッチングにより犠牲酸化膜１７をエッチングして、固定端配線９および自由端配線１２にそれぞれ達する貫通穴２３を形成し、スパッタ法により、アルミニウムをレジストマスク１５上および貫通穴２３の内部に堆積してアルミニウム膜を形成し、その後に、剥離剤を用いたリフトオフ法によりレジストマスク１５を除去し、アルミニウムからなるパッド１０ａ、１０ｂを形成する。
【００２２】
Ｐ７、パッド１０ａ、１０ｂの形成後に、酸化シリコンを選択的に除去する、フッ酸（ＨＦ）を用いたベーパエッチングにより、アルミニウムのエッチングを抑制しつつ犠牲酸化膜１７を除去し、その後にレーザビームを用いた切断装置により、シリコン基板２を個片に分割して、図１、図２に示す衝撃センサ１を形成する。
このようにして形成された本実施例の衝撃センサ１は、ビーム幅が異なるビーム５ａ、５ｂを有し、長さおよび厚さが同じであっても、ビーム幅の広狭により、それぞれの可撓性が異なっているので、ビーム５の厚さ方向に加速度が作用したときに、その加速度によりビーム５ａ、５ｂがそれぞれの可撓性で撓んで、自由端６ｂの先端が自由端配線１２の押圧部１３の方向、つまり接点隙間を狭める方向に移動する。
【００２３】
このとき、可撓性の高い、つまり剛性の低いビーム５、本実施例ではビーム幅の狭いビーム５ａに、設定された加速度閾値以上の加速度が作用すると、ビーム５ａの自由端６ｂの先端が自由端配線１２の押圧部１３に押圧されて、そのパッド１０ａと１０ｂとの間が電気的に接続される。
また、可撓性の低いビーム５ｂに設定された加速度閾値以上の加速度が作用すると、ビーム５ａおよび５ｂの自由端６ｂの先端がそれぞれ自由端配線１２の押圧部１３に押圧されて、それぞれのパッド１０ａと１０ｂとの間が電気的に接続される。
【００２４】
これにより、２つの異なる加速度閾値以上の加速度が作用したことを、それぞれのパッド１０ａ、１０ｂ間の導通により区別して検出することが可能になる。
上記した本実施例の衝撃センサ１は、ビーム５のビーム幅を変化させて、検出すべき加速度閾値を設定するので、衝撃センサ１が検出する加速度閾値の設定を容易に変更することができ、顧客からの加速度閾値の変更の要求に、即座に対応することができる。
【００２５】
また、本実施例の衝撃センサ１は、可撓性を変化させる場合に、長さを同じにしてビーム幅を変更するので、長さを変更して可撓性を変化させる場合に較べて、上面視における無駄スペースを排除することができる。
更に、本実施例の衝撃センサ１は、導電性シリコン材料からなるビーム５、固定部８、固定端配線９、自由端配線１２を備えており、ビーム５の自由端６ｂや固定端配線９、自由端配線１２に特別な電極を設けなくても、ビーム５の可撓性を利用して、その自由端６ｂの先端が自由端配線１２の押圧部１３に押圧されたときに、パッド１０ａと１０ｂとの間を電気的に接続することが可能になり、衝撃センサ１の構成の簡素化を図ることができると共に、製造コストの削減を図ることができる。
【００２６】
更に、本実施例の衝撃センサ１は、ビーム５および固定部８をＣＶＤ法で形成するので、ビーム５の固定端６ａを固定するための構成を簡素化することができ、ビーム５の一端を固定するための枠状の支持部を不要にして、衝撃センサを小型化することが可能になり、衝撃センサ１の占有面積、つまり基板上の搭載面積を減少させて、衝撃センサ１を搭載する衝撃記録パッケージ等の装置の小型化を図ることができる。
【００２７】
更に、本実施例の製造方法では、その工程Ｐ５における熱処理の前に形成される固定端配線９および自由端配線１２は導電性シリコン材料で形成するので、ＣＶＤ法で形成したビーム５の歪の除去や均質化ための熱処理によって、固定端配線９等に生ずる変質や溶融による影響を懸念することなく、安定した品質のビーム５を形成することができる。
更に、本実施例の製造方法では、ビーム５の自由端６ｂと、これに対向する自由端配線１２の押圧部１３との間の接点隙間は、犠牲酸化膜１７の上面をＣＭＰ法により研磨して形成するので、犠牲酸化膜１７の除去後に形成される接点隙間を、精度よく形成することができる。
【００２８】
更に、本実施例の製造方法では、犠牲酸化膜１７を形成する酸化シリコンとは異なる窒化シリコンからなるシリコン窒化膜３を絶縁層として用いるので、ビーム５を片持梁状に形成し、ビーム５と自由端配線１２との接点隙間を形成するときに、シリコン窒化膜３およびシリコンからなるビーム５や自由端配線１２等のエッチングレートを抑制しながら、酸化シリコンを選択的にエッチングすることが可能になり、ビーム５および接点隙間を容易に、かつ精度よく形成することができる。
【００２９】
上記の小型化された本実施例の衝撃センサ１を、衝撃を受けた履歴を記録する衝撃記録パッケージとして用いる場合は、ＣＰＵやメモリ、タイマ等を備えたＬＳＩと共に基板上に搭載して構成するとよい。
このようにすれば、衝撃センサ１の基板上の搭載面積を減少させて衝撃記録パッケージの小型化を図ることができると共に、異なるビーム幅を有する２つのビーム５ａ、５ｂが、それぞれに設定された加速度閾値以上の加速度の作用により、それぞれのパッド１０ａ、１０ｂ間を導通させたことをＬＳＩで判別して、２つの加速度閾値を区別して、その履歴を記録することができる小型の衝撃記録パッケージを得ることができる。
【００３０】
なお、本実施例では、犠牲酸化膜１７は、フッ酸を用いたベーパエッチングにより除去するとして説明したが、バッファードフッ酸を用いたウェットエッチングにより除去するようにしてもよい。
また、本実施例では、犠牲酸化膜１７の除去後に、多数の衝撃センサ１が形成されたシリコン基板２を個片に分割するとして説明したが、犠牲酸化膜１７の除去前に切断するようにしてもよい。このようにすれば、切断時における薄いビーム５の破損を防止することができると共に、切断時の切断屑の接点隙間等への侵入を防止することができ、衝撃センサ１の品質を向上させることができる。
【００３１】
このことは、切削液を噴射しながら高速回転するダイシングブレードによりシリコン基板２を切断して個片に分割する切断装置を用いる場合に、特に有効である。
この場合に、犠牲酸化膜１７の除去は、上記と同様のベーパエッチングまたはウェットエッチングによって、個片化された衝撃センサ１の犠牲酸化膜１７をバッチ処理により除去するとよい。
【００３２】
以上説明したように、本実施例では、衝撃センサに、シリコン基板上のシリコン窒化膜上に形成された、導電性シリコン材料からなる固定端配線と自由端配線と、固定端配線上に導電性シリコン材料で形成された固定部に固定端を固定され、自由端配線の押圧部に接点隙間を介して自由端を対向させた、導電性シリコン材料からなる可撓性を有する２つの板状のビームとを設け、これら２つのビームの、それぞれのビーム幅を、異なるビーム幅に形成するようにしたことによって、ビーム幅を変えて加速度閾値の設定を容易に変更することができる他、２つの異なる加速度閾値以上の加速度が作用したことを区別して検出する衝撃センサを簡素な構成で形成することができると共に、ビームの固定端を固定するための構成を簡素化して衝撃センサの占有面積を減少させることができる。
【００３３】
なお、本実施例においては、ビーム幅の異なるビームは２つ設けるとして説明したが、異なるビーム幅を有するビームの数は前記に限らず、３つ以上であってもよい。このようにすれば、３以上の加速度閾値を区別して検出する小型化された衝撃センサを得ることができる。
【実施例２】
【００３４】
図４は実施例２の衝撃センサの上面を示す説明図である。
なお、上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施例のビーム３１は、図４に示すように、その固定端６ａのビーム幅を同じにして、固定端６ａを除くビーム３１のビーム幅が、異なるビーム幅となるように形成されており、２つのビーム３１ａ、３１ｂは、それぞれに設定された加速度閾値の加速度を検出するために、それぞれの長さおよび厚さを同じにして、ビーム３１ａは、固定端６ａを除くビーム幅を狭くして（本実施例では、３μｍ）、ビーム３１ｂは、実施例１のビーム５と同様に、つまり固定端６ａを除くビーム幅を固体端６ａのビーム幅と同じにして（本実施例では、５μｍ）形成され、接点隙間はそれぞれ同じ０．５μｍに形成されている。
【００３５】
なお、本実施例のビーム３１ａの自由端６ｂのビーム幅は、押圧部１３への押圧時の押圧面積を確保するために、固体端６ａと同じビーム幅に形成されているが、押圧面積を確保することが可能であれば、狭くしたビーム幅を自由端６ｂのビーム幅としてもよい。
また、固定端６ａを除くビーム幅によって加速度閾値を設定する場合には、衝撃センサ１が検出する加速度閾値の平均レベルを、接点隙間や厚さによって決定し、最大レベルの加速度閾値を検出するビーム３１を、ビーム３１ｂと同様に、固定端６ａから自由端６ｂまで長さ方向に同じビーム幅に形成し、そのビーム幅を固定端６ａのビーム幅として、減少させる変化分を、ビーム３１ａと同様にして異なるビーム幅で設定するようにする。
【００３６】
このような衝撃センサ１は、実施例１で示した製造方法（図３参照）と同様にして形成される。
この場合に、工程Ｐ５において、導電性シリコン層上に形成される２つのビーム３１ａ、３１ｂの形成領域を覆うレジストマスク１５は、図４に示すビーム３１ａ、３１ｂの形成領域を覆うように形成される。
【００３７】
上記の構成の衝撃センサ１は、そのビーム３１の固定端６ａの幅を同じにし、固定端６ａを除くビーム３１のビーム幅を変化させて、検出すべき加速度閾値を設定するので、ビーム３１の形成位置を変更することなく、加速度閾値の設定を容易に変更することができると共に、そのパッド１０ａ、１０ｂを、常に同じ位置に形成することが可能になり、衝撃センサ１を搭載する装置への搭載性を変えることなく、小型化された本実施例の衝撃センサ１を容易に組込むことができ、顧客からの加速度閾値の変更の要求に即座に対応することができると共に、顧客側においても加速度閾値の設定を変更した衝撃センサ１を容易に組込むことができる。
【００３８】
また、ビーム３１を３以上形成した場合には、これらの形成ピッチを等ピッチとすることができ、３以上の加速度閾値を検出する衝撃センサ１の搭載面積を減少させることができると共に、その組込み性を向上させることができる。
以上説明したように、本実施例では、上記実施例１と同様の効果に加えて、複数のビームの固定端のビーム幅を同じにし、固定端を除くビームのビーム幅を、異なるビーム幅に形成するようにしたことによって、ビームの形成位置を変更することなく、加速度閾値の設定を容易に変更することができると共に、それらのパッドを、同じ位置に形成することが可能になり、衝撃センサを搭載する装置への搭載性を変えることなく、小型化された衝撃センサを容易に組込むことができる。
【００３９】
なお、上記各実施例においては、ビームや固定部、固定端配線、自由端配線を形成する導電性シリコン材料は、Ｎ型不純物を導電型不純物として用いるとして説明したが、ボロン（Ｂ）等のＰ型不純物を導電型不純物として用いるようにしてもよい。
この場合に、ビームや固定部、固定端配線、自由端配線の導電型不純物は同型の不純物を用いることが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施例１の衝撃センサの断面を示す説明図
【図２】実施例１の衝撃センサの上面を示す説明図
【図３】実施例１の衝撃センサの製造方法を示す説明図
【図４】実施例２の衝撃センサの上面を示す説明図
【符号の説明】
【００４１】
１    衝撃センサ
２    シリコン基板
３    シリコン窒化膜
５、５ａ、５ｂ、３１、３１ａ、３１ｂ  ビーム
６ａ  固定端
６ｂ  自由端
８    固定部
９    固定端配線
１０ａ、１０ｂ  パッド
１２  自由端配線
１３  押圧部
１５  レジストマスク
１７  犠牲酸化膜
２１、２３  貫通穴
【図１】
2010025625.tif 000003
【図２】
2010025625.tif 000004
【図３】
2010025625.tif 000005
【図４】
2010025625.tif 000006