(57)【要約】【課題】エッチングによって発生しためっきバリが製品となるリードフレームや半導体装置に残らない半導体装置の製造方法及びそのリードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】複数の単位リードフレーム領域１０が多列又は単列に配置されたリードフレーム素材１１に、単位リードフレーム領域１０毎に半導体装置１２を製造する方法であって、リードフレーム素材１１をその表側から第１のめっき層２４をレジスト膜としてハーフエッチングした後、プレス加工によってめっきバリ３７を有するリードフレーム素材１１の外枠端を除去する外枠除去工程と、プレス加工によってリードフレーム素材１１の単位リードフレーム領域１０を除く領域にパイロット孔２９を形成するパイロット孔形成工程とを設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単位リードフレーム領域が多列又は単列に配置されたリードフレーム素材に、前記単位リードフレーム領域毎に半導体装置を製造する方法であって、
前記各単位リードフレーム領域の表側に、素子搭載領域を囲んで配置され、上面がワイヤボンディング部となる柱状端子を形成する第１の回路パターンを、前記各単位リードフレーム領域の裏側に、前記柱状端子に対応する外部接続端子部を含む第２の回路パターンを形成する第１工程と、
前記第１、第２の回路パターンが形成された前記リードフレーム素材の表側及び裏側に第１、第２のめっき層をそれぞれ形成する第２工程と、
前記リードフレーム素材をその表側から前記第１のめっき層をレジスト膜としてハーフエッチングする第３工程と、
前記リードフレーム素材の表側の前記素子搭載領域に半導体素子を搭載してワイヤボンディングした後、樹脂封止して、該半導体装置の中間製品を形成する第４工程と、
前記中間製品を、前記第２のめっき層をレジスト膜として、ハーフエッチングし、前記柱状端子を個々に分離する第５工程と、
前記単位リードフレーム領域に形成された前記半導体装置を個片化する第６工程とを有し、
前記第３工程と前記第４工程との間に、プレス加工によってめっきバリを有する前記リードフレーム素材の外枠端を除去する外枠除去工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第３工程と前記第４工程との間に、更に、プレス加工によって前記リードフレーム素材の前記単位リードフレーム領域を除く領域にパイロット孔を形成するパイロット孔形成工程を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回路パターン及び前記第２の回路パターンには、前記第３工程で両面からハーフエッチングして所定の位置に貫通形成される予備パイロット孔のパターンを含み、
前記第３工程と前記第４工程との間に、前記予備パイロット孔を基準として、前記外枠除去工程を行った後、プレス加工によって前記予備パイロット孔を更に拡大してパイロット孔を形成するパイロット孔拡大工程とを設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１記載の半導体装置の製造方法において、前記第３工程と前記第４工程の間に、前記第３工程で発生した前記第１の回路パターンの前記柱状端子のめっきバリを除去するめっきバリ除去工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の単位リードフレーム領域が多列又は単列に配置されたリードフレーム素材に、前記単位リードフレーム領域毎に半導体素子を搭載し、樹脂封止して半導体装置を製造するために使用するリードフレームの製造方法であって、
前記各単位リードフレーム領域の表側に、素子搭載領域を囲んで配置され、上面がワイヤボンディング部となる柱状端子を形成する第１の回路パターンを、前記各単位リードフレーム領域の裏側に、前記柱状端子に対応する外部接続端子部を含む第２の回路パターンを形成する第１工程と、
前記第１、第２の回路パターンが形成された前記リードフレーム素材の表側及び裏側に第１、第２のめっき層をそれぞれ形成する第２工程と、
前記リードフレーム素材をその表側から前記第１のめっき層をレジスト膜としてハーフエッチングする第３工程と、
前記第３工程の後に、プレス加工によって、めっきバリを有する前記リードフレーム素材の外枠端を除去する外枠除去工程を設けたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のリードフレームの製造方法において、前記外枠除去工程の前後又は前記外枠除去工程と同時に、プレス加工によって前記リードフレーム素材の前記単位リードフレーム領域を除く領域にパイロット孔を形成するパイロット孔形成工程を設けたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項７】
請求項５記載のリードフレームの製造方法において、前記第１の回路パターン及び前記第２の回路パターンには、前記第３工程で両面からハーフエッチングして所定の位置に貫通形成される予備パイロット孔のパターンを含み、
更に、前記第３工程の後に、前記予備パイロット孔を基準として前記外枠除去工程を行った後、プレス加工によって前記予備パイロット孔を更に拡大してパイロット孔を形成するパイロット孔拡大工程を設けることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１記載のリードフレームの製造方法において、前記第３工程の後に、前記第３工程で発生した前記第１の回路パターンの前記柱状端子のめっきバリを除去するめっきバリ除去工程を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表側が樹脂封止され裏側に接続端子を露出させた半導体装置の製造方法及びそのリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅又は銅合金等によって構成されるリードフレーム材を使用し、これをエッチング処理によってエリアアレイ状の端子を備えた半導体装置を実現するものとして、たとえば、特許文献１に記載の半導体装置の製造方法が知られている。
この半導体装置の製造方法は、リードフレーム材の表面側に半導体素子を囲んで形成されるワイヤボンディング部及びこれを囲む外枠の一部又は全部と、ワイヤボンディング部に対応してリードフレーム材の裏面側に形成される外部接続端子部とに貴金属めっき層を形成する第１工程と、リードフレーム材の裏面側に耐エッチングレジスト膜を形成した後、表面側に形成された貴金属めっき層をレジストマスクとして表面側から該リードフレーム材に所定深さのエッチング加工を行い、外枠の一部又は全部とワイヤボンディング部とを突出させる第２工程と、リードフレーム材に半導体素子を搭載した後、該半導体素子の電極パッド部とそれぞれ対応するワイヤボンディング部との間をボンディングワイヤによって接続し電気的導通回路を形成する第３工程と、半導体素子、ボンディングワイヤ、及び突出した外枠を含むリードフレーム材の表面側を樹脂封止する第４工程と、耐エッチングレジスト膜が除去されたリードフレーム材の裏面側に、裏面側に形成された貴金属めっき層をレジストマスクとしてエッチング加工を行って、外部接続端子部を突出させて独立させる第５工程とを有している。
【０００３】
ところが、図６に示すように、第２工程と第５工程のエッチング処理において、エッチングによって形成された端子（ワイヤボンディング部や外部接続端子部）７０や外枠７１等の端部のリードフレーム材７２がエッチング液によって浸食され（「サイドエッチング」と称されている）、めっきバリ７４〜７７が発生するという問題があった。このめっきバリ７４〜７７は、後工程でめっき剥がれの原因となり、剥がれためっきバリが不純物として残留すると、レジストとして機能するめっき層に傷が付き、その後のエッチング精度にも影響を及ぼし、めっき金属によって回路ショート等が発生するなど、不良品の発生や半導体装置の信頼性の低下を引き起こしていた。
そこで、特許文献２に示すように、前記した半導体装置の製造方法において、第２工程と第５工程の後に、ウォータジェットや超音波を用いて、めっきバリを除去することが行われていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２４１３５号公報
【特許文献２】特開２００７−４８９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２記載のバリ除去は、リードフレーム材の周囲やパイロット孔を固定（例えば、クランプ）して行うため、リードフレーム材の外周やパイロット孔周りに生じるめっきバリを除去することは困難であった。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、エッチングによって発生しためっきバリが製品となるリードフレームや半導体装置に残らない半導体装置の製造方法及びそのリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的に沿う第１の発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の単位リードフレーム領域が多列又は単列に配置されたリードフレーム素材に、前記単位リードフレーム領域毎に半導体装置を製造する方法であって、
前記各単位リードフレーム領域の表側に、素子搭載領域を囲んで配置され、上面がワイヤボンディング部となる柱状端子を形成する第１の回路パターンを、前記各単位リードフレーム領域の裏側に、前記柱状端子に対応する外部接続端子部を含む第２の回路パターンを形成する第１工程と、
前記第１、第２の回路パターンが形成された前記リードフレーム素材の表側及び裏側に第１、第２のめっき層をそれぞれ形成する第２工程と、
前記リードフレーム素材をその表側から前記第１のめっき層をレジスト膜としてハーフエッチングする第３工程と、
前記リードフレーム素材の表側の前記素子搭載領域に半導体素子を搭載してワイヤボンディングした後、樹脂封止して、該半導体装置の中間製品を形成する第４工程と、
前記中間製品を、前記第２のめっき層をレジスト膜として、ハーフエッチングし、前記柱状端子を個々に分離する第５工程と、
前記単位リードフレーム領域に形成された前記半導体装置を個片化する第６工程とを有し、
前記第３工程と前記第４工程との間に、プレス加工によってめっきバリを有する前記リードフレーム素材の外枠端を除去する外枠除去工程を有する。
【０００８】
第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記第３工程と前記第４工程との間に、更に、プレス加工によって前記リードフレーム素材の前記単位リードフレーム領域を除く領域にパイロット孔を形成するパイロット孔形成工程を設けるのが好ましい。
【０００９】
また、第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記第１の回路パターン及び前記第２の回路パターンには、前記第３工程で両面からハーフエッチングして所定の位置に貫通形成される予備パイロット孔のパターンを含み、
前記第３工程と前記第４工程との間に、前記予備パイロット孔を基準として前記外枠除去工程を行った後、プレス加工によって前記予備パイロット孔を更に拡大してパイロット孔を形成するパイロット孔拡大工程を設けることも可能である。
【００１０】
第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記第３工程と前記第４工程の間に、前記第３工程で発生した前記第１の回路パターンの前記柱状端子のめっきバリを除去するめっきバリ除去工程を有するのが好ましい。ここで、めっきバリ除去工程としては、例えば、ウォータジェット、超音波処理、及びレーザー処理のいずれか１又は２以上を組み合わせて行うのが好ましい。
【００１１】
また、第２の発明に係るリードフレームの製造方法は、複数の単位リードフレーム領域が多列又は単列に配置されたリードフレーム素材に、前記単位リードフレーム領域毎に半導体素子を搭載し、樹脂封止して半導体装置を製造するために使用するリードフレームの製造方法であって、
前記各単位リードフレーム領域の表側に、素子搭載領域を囲んで配置され、上面がワイヤボンディング部となる柱状端子を形成する第１の回路パターンを、前記各単位リードフレーム領域の裏側に、前記柱状端子に対応する外部接続端子部を含む第２の回路パターンを形成する第１工程と、
前記第１、第２の回路パターンが形成された前記リードフレーム素材の表側及び裏側に第１、第２のめっき層をそれぞれ形成する第２工程と、
前記リードフレーム素材をその表側から前記第１のめっき層をレジスト膜としてハーフエッチングする第３工程と、
前記第３工程の後に、プレス加工によって、めっきバリを有する前記リードフレーム素材の外枠端を除去する外枠除去工程を設ける。
【００１２】
第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、前記外枠除去工程の前後又は前記外枠除去工程と同時に、プレス加工によって前記リードフレーム素材の前記単位リードフレーム領域を除く領域にパイロット孔を形成するパイロット孔形成工程を設けてもよい。
【００１３】
また、第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、前記第１の回路パターン及び前記第２の回路パターンには、前記第３工程で両面からハーフエッチングして所定の位置に貫通形成される予備パイロット孔のパターンを含み、
更に、前記第３工程の後に、前記予備パイロット孔を基準として前記外枠除去工程を行った後、プレス加工によって前記予備パイロット孔を更に拡大してパイロット孔を形成するパイロット孔拡大工程を設けるのが好ましい。
【００１４】
そして、第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、前記第３工程の後に、前記第３工程で発生した前記第１の回路パターンの前記柱状端子のめっきバリを除去するめっきバリ除去工程を有するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
第１の発明に係る半導体装置の製造方法においては、第３工程と第４工程との間に、プレス加工によってめっきバリを有するリードフレーム素材の外枠端を除去する外枠除去工程を有しているので、外枠端に付着していためっきバリによって生じるその後のめっき層への傷等の不良の発生を防止し、半導体装置の信頼性を向上させる。
【００１６】
特に、第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、プレス加工によってリードフレーム素材の単位リードフレーム領域を除く領域にパイロット孔を形成する工程を設けている場合には、このパイロット孔を基準として、その後の処理が可能となるので、品質及び精度のよい半導体装置を提供できる。
【００１７】
また、第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、エッチングによって形成された予備パイロット孔をプレス加工によって更に拡大したパイロット孔を形成した場合には、予備パイロット孔の周囲に形成されていためっきバリの除去が可能となると共に、予備パイロット孔を拡大して新たに形成されたパイロット孔を基準にしてその後の処理ができる。
【００１８】
そして、第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、第３工程と第４工程の間に、第３工程で発生した第１の回路パターンの柱状端子のめっきバリを除去するめっきバリ除去工程を有する場合には、エッチングで柱状端子の周囲に発生したバリを除去できる。
【００１９】
第２の発明に係るリードフレームの製造方法においては、プレス加工によってめっきバリを有するリードフレーム素材の外枠端を除去する外枠除去工程を有しているので、外枠端に付着していためっきバリによって生じるその後のめっき層への傷等の不良の発生を防止し、最終製品となる半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２０】
第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、外枠除去工程の前後又は外枠除去工程と同時に、リードフレーム素材の単位リードフレーム領域を除く領域にパイロット孔を形成するパイロット孔形成工程を設けた場合には、そのパイロット孔を用いて後の処理ができるので、このリードフレームを用いて、より正確かつ精度よく半導体装置を製造できる。
【００２１】
また、第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、第１の回路パターン及び第２の回路パターンには、第３工程で両面からハーフエッチングして所定の位置に貫通形成される予備パイロット孔のパターンを含み、更に、第３工程の後に、予備パイロット孔を基準として外枠除去工程を行った後、プレス加工によって予備パイロット孔を更に拡大してパイロット孔を形成するパイロット孔拡大工程を設けた場合には、予備パイロット孔のめっきバリを除去できる他、新たに形成されたパイロット孔をリードフレームの位置決めに使用できる。
【００２２】
そして、第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、第３工程の後に、第３工程で発生した第１の回路パターンの柱状端子のめっきバリを除去するめっきバリ除去工程を有する場合には、柱状端子の周囲に形成されためっきバリを略確実に除去でき、これによって、品質のよい、不良率の少ない半導体装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いるリードフレーム素材の説明図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｆ）は同半導体装置の製造方法を示す工程図であって、図１におけるＸ−Ｘ’に対応する部分の断面図を示す。
【図３】（Ｇ）〜（Ｋ）は同半導体装置の製造方法を示す工程図であって、図１におけるＸ−Ｘ’に対応する部分の断面図を示す。
【図４】同製造方法の工程（Ｆ）の一部拡大図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法のパイロット孔拡大工程の説明図である。
【図６】めっきバリの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１〜図３に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法及びこれに使用するリードフレームの製造方法は、複数の単位リードフレーム領域１０が多列又は単列に配置されたリードフレーム素材１１に、単位リードフレーム領域１０毎に半導体装置１２を製造する方法である。
【００２５】
このリードフレーム素材１１は図１に示すように、一定の広さを有する銅板、銅合金（又は鉄ニッケル合金、アルミニウム、アルミ合金）で構成され、この実施の形態では、それぞれ複数の単位リードフレーム領域１０を有する単数又は複数のフレーム群１３〜１５及びその周囲には外枠１６が形成されるようになっている。
【００２６】
なお、このフレーム群１３〜１５の中に単列又は多列に単位リードフレーム領域１０が配置されている。以下の本発明の半導体装置及びリードフレームの製造方法の説明においては、主として図１におけるＸ−Ｘ’の断面図に示す領域について述べるが、通常は一枚のリードフレーム素材１１又は分割されたフレーム群１３〜１５について図２、図３の処理を行う。
【００２７】
まず、図２（Ａ）は、複数の単位リードフレーム領域１０が配置されたリードフレーム素材１１で、右側が外枠１６である。そして、図２（Ｂ）に示すように、各単位リードフレーム領域１０の表側に、素子搭載領域１８と、素子搭載領域１８を囲んで配置され上面がワイヤボンディング部１９となる柱状端子２０を形成する第１の回路パターン２１を、各単位リードフレーム領域１０の裏側に、柱状端子２０に対応する外部接続端子部２２を含む第２の回路パターン２３をそれぞれレジスト膜によって形成する（図３（Ｇ）参照）。以上の（Ａ）、（Ｂ）で本発明の第１工程を構成する。
【００２８】
図２（Ｃ）に示すように、第１、第２の回路パターン２１、２３が表裏に形成されたリードフレーム素材１１の表側及び裏側に第１、第２のめっき層２４、２５をそれぞれ形成する。この第１、第２のめっき層２４、２５としては厚みが例えば１〜５μｍのニッケルめっき層を適用する。なお、第１、第２のめっき層２４、２５に錫めっき層、下地ニッケルめっきの上に錫めっき層を形成してもよい。また、第１のめっき層２４の表面でワイヤボンディング部１９に相当する位置には貴金属（例えば、パラジウム、金、白金、銀等）めっきを行う。これによって、ワイヤボンディング性が向上する（以上、第２工程）。
【００２９】
次に、図２（Ｄ）に示すように、第１、第２の回路パターン２１、２３を構成するレジスト膜を除去する。なお、リードフレーム素材１１の外枠１６の部分は第１、第２の回路パターン２１、２３の領域外であるので、レジスト膜は存在しない。従って、第１、第２のめっき層２４、２５が形成されている。
【００３０】
そして、図２（Ｅ）に示すように、リードフレーム素材１１の裏側を耐エッチング膜（又はテープ）２６で覆う。次に、このリードフレーム１１の厚みの５０〜６５％まで除去するハーフエッチング処理を行う。リードフレーム素材１１の裏側は耐エッチング膜２６で覆われているので、図２（Ｆ）でリードフレーム素材１１の表側からハーフエッチングが行われることになる（以上、第３工程）。
【００３１】
なお、以上の工程によって、図４に示すように、各ワイヤボンディング部１９の周囲にはめっきバリ３６が発生する他、外枠１６の部分は側面からエッチング液が当たるので、外枠１６の端部にはめっきバリ３７が発生する。
【００３２】
この後、図３（Ｇ）に示すように、耐エッチング膜２６を除去し、リードフレーム素材１１の外枠１６の両外側部２７、２８をクランプし、ウォータジェット、超音波及びレーザーのいずれか１又は２以上の処理を用いて外枠端に形成されている以外のめっきバリ（図４におけるめっきバリ３６）を除去する（めっきバリ除去工程）。
【００３３】
この後、図１と図３（Ｈ）に示すように、リードフレーム素材１１の両外側部２７、２８のクランプを解いて、プレス加工Ａによって、この両外側部２７、２８（外枠端）を除去する。２７ａ、２８ａは切断線を示す。これによって、両外側部２７、２８の端部に形成されていためっきバリ３７がリードフレーム素材１１から除去される（外枠除去工程の一例）。
【００３４】
また、このプレス加工Ａと並行して、プレス加工Ｂによってリードフレーム素材１１の単位リードフレーム領域１０を除く領域（外枠１６）にパイロット孔２９を形成する（パイロット孔形成工程の一例）。なお、このプレス加工Ａとプレス加工Ｂとは同時でもよいし、別工程でもよい。また、プレス加工Ａ、Ｂ時のリードフレーム素材１１の位置決めは、リードフレーム素材１１の表側又は裏側の特定位置を基準にして周知の方法にて行う。
これによって、本発明の一実施の形態に係るリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームが完成する。
【００３５】
次に、図３（Ｉ）に示すように、ハーフエッチングされたリードフレーム素材１１の表側に形成される各単位リードフレーム領域１０の素子搭載領域１８に半導体素子３０を搭載してワイヤボンディングした後、樹脂封止して、半導体装置の中間製品３１を形成する。ここで、３２はボンディングワイヤを、３３は封止樹脂を示す（以上、第４工程）。
【００３６】
図３（Ｊ）に示すように、この中間製品３１を、第２のめっき層２５をレジスト膜として、ハーフエッチングし、柱状端子２０を個々に分離する。第２のめっき層２５は素子搭載領域１８もカバーしているので、素子搭載領域１８はエッチングされないで残る。
この後、再度ウォータジェット（超音波を併用する場合もある）等によって、エッチングによって形成されためっきバリを除去することもできるが、めっきバリの発生量が少ない場合にはこのめっきバリ除去処理は省略できる（以上、第５工程）。
【００３７】
そして、図３（Ｋ）に示すように、単位リードフレーム領域１０に形成された半導体装置１２を個片化して、各半導体装置１２を個別化する。この半導体装置１２は、めっきバリが除去されているので、品質のよい半導体装置１２の製品となる（以上、第６工程）。
【００３８】
続いて、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法及びそのリードフレームの製造方法について説明するが、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法及びそのリードフレームの製造方法と共通する部分は同一の番号を付して詳しい説明を省略する。
【００３９】
第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、基本的に第１の実施の形態に係る製造方法の第１〜第６の工程を有している。なお、図５に示すように、第１の回路パターン２１及び第２の回路パターン２３には、第３工程で両面からハーフエッチングして所定の位置の一例である外枠１６に貫通形成される予備パイロット孔３４のパターンを含む。
【００４０】
リードフレーム素材１１の外枠１６の裏側の部分はレジスト膜（耐エッチング膜２６）で覆わない。従って、第３工程でハーフエッチングされる予備パイロット孔３４は両面からエッチングされるので貫通孔となる。
【００４１】
そして、第３工程と第４工程との間に、貫通孔となった予備パイロット孔３４を基準とし、プレス加工によってめっきバリを有するリードフレーム素材１１の外枠端である外側部２７、２８を除去した（外枠除去工程）後、プレス加工によって予備パイロット孔３４を更に拡大してパイロット孔３５を形成する（以上、パイロット孔拡大工程）。
【００４２】
また、第３工程と第４工程との間に、第３工程で発生した柱状端子２０の頂部、即ちワイヤボンディング部１９の周囲に形成されためっきバリ３６を、ウォータジェット、超音波、レーザ処理で除去するめっきバリ除去工程を有するのが好ましい。
【００４３】
以上の処理によって本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームの製造方法によって製造されるリードフレームは完成する。
この後、新たに形成されたパイロット孔３５を基準にして、第４工程を適用すれば、半導体装置の中間製品が、更に第５工程、第６工程を適用すれば個別の半導体装置が完成する。
【００４４】
本発明は前記実施の形態に係る半導体装置の製造方法及びリードフレームの製造方法に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない程度の改良、変更は可能である。例えば、この実施の形態ではパイロット孔の位置をリードフレーム素材の両側に設けたが、リードフレーム素材の中央にパイロット孔を形成することもできる。
更には、この実施の形態では第１、第２のめっき層にニッケルめっきを使用し、塩化テトラミン銅等のアルカリエッチングを用いてエッチングしているが、第１、第２のめっき層の金属を変えて（例えば、下地ニッケルめっきの貴金属めっき）従来からエッチング液として使用されている塩化第二鉄溶液を使用することもできる。
【符号の説明】
【００４５】
１０：単位リードフレーム領域、１１：リードフレーム素材、１２：半導体装置、１３〜１５：フレーム群、１６：外枠、１８：素子搭載領域、１９：ワイヤボンディング部、２０：柱状端子、２１：第１の回路パターン、２２：外部接続端子部、２３：第２の回路パターン、２４：第１のめっき層、２５：第２のめっき層、２６：耐エッチング膜、２７、２８：外側部、２７ａ、２８ａ：切断線、２９：パイロット孔、３０：半導体素子、３１：中間製品、３２：ボンディングワイヤ、３３：封止樹脂、３４：予備パイロット孔、３５：パイロット孔、３６、３７：めっきバリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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