(57)【要約】【課題】微小な欠陥を検出することを可能とし、欠陥の少ない積層体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】支持体１１０上に少なくとも１層以上の薄膜１２０、１６０を形成する成膜工程と、前記薄膜１２０、１６０の上にＣＶＤで欠陥カバー層１３０、１７０を形成する欠陥カバー層形成工程と、前記欠陥カバー層１３０、１７０の上から欠陥のサイズが０．１μｍ以上２０μｍ以下の膜欠陥を検出する検査工程と、を有することを特徴とする積層体の製造方法である。欠陥カバー層１３０、１７０は、薄膜１２０、１６０のいずれかと同組成であることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に少なくとも１層以上の薄膜を形成する成膜工程と、
前記薄膜の上にＣＶＤで欠陥カバー層を形成する欠陥カバー層形成工程と、
前記欠陥カバー層の上から欠陥のサイズが０．１μｍ以上２０μｍ以下の膜欠陥を検出する検査工程と、を有することを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項２】
前記欠陥カバー層は、前記支持体上に形成された前記薄膜のいずれかと同組成であることを特徴とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項３】
前記欠陥カバー層の厚みは、前記薄膜の総厚みの３０％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体の製造方法に関し、特に、可撓性の支持体上に有機膜と、無機膜とを有する薄膜が複数形成された積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学素子、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置、半導体装置、薄膜太陽電池など、各種の装置に、ガスバリアフィルム、保護フィルム、光学フィルタや反射防止フィルムなどの光学フィルムなど、各種の機能性フィルム（機能性シート）が利用されている。
【０００３】
また、これらの機能性フィルムの製造に、スパッタリングやプラズマＣＶＤなどの真空成膜法による成膜（薄膜形成）が利用されている。
【０００４】
真空成膜法によって、効率良く、高い生産性を確保して成膜を行なうためには、長尺な基材に連続的に成膜を行うことが好ましい。
【０００５】
このような成膜方法を実施する設備として、長尺な基板（ウェブ状の基板）をロール状に巻き回してなる供給ロールと、成膜済の基材をロール状に巻回する巻取りロールとを用いる、いわゆるロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ）の成膜装置が知られている。このロール・ツー・ロールの成膜装置は、プラズマＣＶＤによって基材に成膜を行う成膜室を通過する所定の経路で、供給ロールから巻取りロールまで長尺な基材を挿通し、供給ロールからの機材の送り出しと、巻取りロールによる成膜済基材の巻取りとを同期して行いつつ、成膜室において、搬送される基材に連続的に成膜を行う。
【０００６】
このようにして形成されたフィルムの表面には、微小な欠陥が存在し、このような微小な欠陥を検出するために、欠陥によって生ずる散乱光を測定・検出する方法が行われている。その際、微弱な散乱光が測定光に埋もれないように、入射角からわずかに光軸をずらして（暗視野にして）検出する方法が開示されている。近年は、欠陥が小さくなり、散乱光が弱くなっているため、ノイズ対策として様々な手段が講じられている。
【０００７】
例えば、下記の特許文献１には、検出手段の光軸の反射位置から所定位置ずらした部位に光源を反射させ、直接反射光を避けて散乱光を検出する検出方法が開示されている。また、特許文献２には、バックグランドノイズを減らすために、入射・検出角度を最適にする表面検査装置が開示されている。特許文献３には、余計な散乱光を遮光板により遮断し、異物を検出する異物検査装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３１０６００号公報
【特許文献２】特開２００１−２２８０９４号公報
【特許文献３】特開平０５−０４５２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１から３に記載の検査方法および装置では、フィルム表面のごく微小な欠陥を検出するにあたっては、本来検出したい欠陥の散乱光を、比較的大きな欠陥に由来する散乱光によりうまく検出できなかった。そのため、検査においては、良好な結果が得られているものの、フィルム自体には、微小な欠陥が存在していた。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、微小な欠陥を検出することを可能とし、欠陥の少ない積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１は、前記目的を達成するために、支持体上に少なくとも１層以上の薄膜を形成する成膜工程と、前記薄膜の上にＣＶＤで欠陥カバー層を形成する欠陥カバー層形成工程と、前記欠陥カバー層の上から欠陥のサイズが０．１μｍ以上２０μｍ以下の膜欠陥を検出する検査工程と、を有することを特徴とする積層体の製造方法を提供する。
【００１２】
請求項１によれば、支持体の上に薄膜を形成した後、ＣＶＤにより欠陥カバー層を形成しているため、スパッタリングにより行う方法と比較し、大きな欠陥と薄膜などが形成する隙間にも欠陥カバー層を形成することができる。したがって、大きな欠陥による散乱光を防止することができ、上記サイズの小さな欠陥のみを検査することができる。これにより、欠陥の少ない良好な積層体を形成することができる。また、大きな欠陥については、別途検査を行うことにより、品質の管理を行う。
【００１３】
請求項２は請求項１において、前記欠陥カバー層は、前記支持体上に形成された前記薄膜のいずれかと同組成であることを特徴とする。
【００１４】
請求項２によれば、薄膜のいずれかの組成と同じ組成を用いて欠陥カバー層を形成しているので、欠陥カバー層として異なる材料を用いることなく、積層体を形成し、検査を行うことができる。
【００１５】
請求項３は請求項１または２において、前記欠陥カバー層の厚みは、前記薄膜の総厚みの３０％以下であることを特徴とする。
【００１６】
請求項３によれば、欠陥カバー層の厚みを薄膜の総厚みの３０％以下とすることにより、大きな欠陥による散乱光を防止することができるので、光の散乱を防止し、小さい欠陥のみを検査することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の積層体の形成方法によれば、薄膜を形成した後、ＣＶＤにより欠陥カバー層を形成し、薄膜上にできる欠陥を欠陥カバー層で覆っている。これにより、大きな欠陥に由来する散乱光を遮蔽することができ、本来検出したい欠陥である小さい欠陥を検出するための散乱光を効果的に測定することができる。したがって、欠陥の少ない良好な積層体を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】積層体の製造方法によって製造される積層体を示す図である。
【図２】検査時の光の散乱を説明する図である。
【図３】積層体の製造方法を実施する装置の一例を示す図である。
【図４】積層体の製造方法を実施する装置の別の例を示す図である。
【図５】積層体の製造方法を実施する装置のさらに別の例を示す図である。
【図６】ＣＣＰ−ＣＶＤ法により成膜する成膜装置の摸式図である。
【図７】欠陥カバー層が緻密である場合と粗である場合の欠陥カバー層の表面状態を説明する図である。
【図８】実施例の結果を示す表図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面に従って本発明に係る積層体の製造方法の好ましい実施の形態について説明する。本発明は以下の好ましい実施の形態により説明されるが、本発明の範囲を逸脱すること無く、多くの手法による変更を行うことができ、本実施の形態以外の他の実施の形態を利用することができる。したがって、本発明の範囲内における全ての変更が特許請求の範囲に含まれる。また、本明細書において「〜」を用いて表わされる数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を含む範囲を意味する。
【００２０】
図１に、本発明の積層体の製造方法によって製造される積層体の概念図を示す。図１（ａ）は薄膜が単層の積層体１００、図１（ｂ）は、薄膜が３層の積層体１５０の概略図である。図１に示すように、本発明の製造方法は、支持体１１０の表面に薄膜１２０、１６０を形成し、この薄膜１２０、１６０の上にＣＶＤによって欠陥カバー層１３０、１７０を形成し、積層体１００、１５０を製造するものである。
【００２１】
＜支持体＞
本発明において、薄膜１２０、１６０および欠陥カバー層１３０、１７０が形成される支持体１１０は、特に限定はなく、ＰＥＴフィルムなどの各種の樹脂フィルム、アルミニウムシートなどの各種の金属シートなど後述する薄膜および欠陥カバー層の形成が可能なものであれば、ガスバリアフィルム、光学フィルム、保護フィルムなどの各種フィルムに利用されている支持体が、全て利用可能である。また、支持体１１０は、表面に、保護膜や接着膜など、各種の膜が形成されているものであってもよい。
【００２２】
＜薄膜＞
薄膜１２０、１６０は、支持体１１０の表面に形成され、有機物からなる有機膜または無機物からなる無機膜である。図１（ａ）においては、１層からなる薄膜１２０を示しているが、この薄膜１２０は有機膜でも無機膜でもよい。また、図１（ｂ）に示すように複数の層からなる薄膜とし、有機膜と無機膜を交互に積層することもできる。
【００２３】
［有機膜］
有機膜は、ポリマーを主成分とする膜である。具体的には、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂（以下、アクリル樹脂およびメタクリル樹脂を併せてアクリレート樹重合物ともいう）等の膜である。
【００２４】
有機膜の成膜方法としては、通常の溶液塗布法、あるいは、真空成膜法などを挙げることができる。
【００２５】
溶液塗布法としては、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スライドコート法、或いは、米国特許第２６８１２９４号明細書に記載のホッパ−を使用するエクストル−ジョンコート法により塗布することができる。有機層は、市販の重合性接着剤を塗布、硬化させて形成することもできる。
【００２６】
真空成膜法としては、特に制限はないが、蒸着、プラズマＣＶＤなどの成膜方法が好ましい。中でも特に、米国特許４８４２８９３号、同４９５４３７１号、同５０３２４６１号の各明細書に記載のフラッシュ蒸着法が好ましい。フラッシュ蒸着法はモノマー中の溶存酸素を低下させる効果を有し、重合率を高めることができるため特に有用である。
【００２７】
［無機膜］
本発明の積層体の製造方法により形成される薄膜は、無機膜により形成することもでき
る。無機膜の形成に用いられる材料としては、特に限定されず、製造する積層体に応じた
、各種の無機物の膜が利用可能である。
【００２８】
例えば、積層体をガスバリアフィルム（水蒸気バリアフィルム）として製造する際には、無機膜として、窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ケイ素膜などを成膜することが好ましい。
【００２９】
また、有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイのような表示装置など、各種のデバイスや装置の保護フィルムを製造する際には、無機膜として、酸化ケイ素膜などを成膜することが好ましい。
【００３０】
さらに、光反射防止フィルム、光反射フィルム、各種のフィルタなどの光学フィルムを製造する際には、無機膜として、目的とする光学特性を有する、あるいは発現する材料からなる膜を成膜すればよい。
【００３１】
薄膜の膜厚は、薄膜が有機膜の１層である場合は２００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である。また、無機膜の１層である場合は、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００３２】
＜欠陥カバー層＞
欠陥カバー層１３０、１７０は、ＣＶＤにより形成され、薄膜に形成された欠陥をカバーし、後の検査工程において、小さい欠陥を検査する際の大きな欠陥からの散乱光を遮蔽することができ、小さい欠陥の検査を効果的に行うことができる。
【００３３】
上記で述べた薄膜上には、薄膜表面にできた突起状欠陥、薄膜表面に付着した異物欠陥、薄膜表面にできたキズ欠陥、薄膜表面に窪んでできた凹み欠陥などの欠陥が形成される場合がある。このような欠陥を検査する際、欠陥は小さくなるにつれ、散乱光が弱くなるため、大きな欠陥に由来する散乱光で隠れてしまい、小さな欠陥を検査することが困難であった。そこで、ＣＶＤにより欠陥カバー層を形成することにより、大きな欠陥の散乱光を遮蔽することができ、小さな欠陥の検査が可能となる。
【００３４】
なお、本発明において、大きな欠陥とは、欠陥のサイズが３０μｍ以上１５０μｍ以下の欠陥のことをいい、小さな欠陥とは、欠陥のサイズが０．１μｍ以上２０μｍ以下の欠陥のことをいい、好ましくは０．１μｍ以上１０μｍ以下、さらに好ましくは、０．１μｍ以上３μｍ以下の欠陥のことをいう。
【００３５】
また、本発明において欠陥のサイズとは後述の検査装置の受光装置によって検出された欠陥の見かけの大きさを指す。
【００３６】
欠陥カバー層に用いられる材料としては、ＣＶＤにより成膜することができる無機物であれば、特に限定されず用いることができ、具体的には、無機膜により薄膜を形成する際に用いられる材料を用いることができる。中でも、薄膜を形成する層のいずれかの層と同組成であることが好ましい。薄膜を形成する層と同組成とすることにより、支持体上に形成される積層体に不要な物質を混入させる必要がないので、良好な積層体を形成することができる。
【００３７】
欠陥カバー層はＣＶＤ法によって形成する。ＣＶＤ法によって形成することにより、薄膜上に形成された大きい欠陥と薄膜の間のわずかな隙間まで、ＣＶＤで欠陥カバー層を形成することができるので、大きな欠陥による散乱光を遮断することができるので、本来検出したい小さい欠陥の散乱光のみを検出することができるので、良好・確実・高精度に欠陥の検出をすることができるので、欠陥の少ない良好な積層体を形成することができる。
【００３８】
欠陥カバー層の厚みは、薄膜の３０％以下であることが好ましく、より好ましくは２０％以下である。欠陥カバー層の厚みを上記範囲とすることにより、良好に検査することができる。また、下限は、大きな欠陥による散乱光を防止することができるように程度に欠陥カバー層が形成されていれば良く、２０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは４０ｎｍ以上である。
【００３９】
＜検査装置＞
検査装置は、欠陥カバー層が形成された積層体を検査する装置である。検査装置としては、例えば、光を照射する照明装置、照明装置からの光を集光照射されるバックアップロールと、バックアップロール上を走行する積層体からの反射光を明暗信号として取り込む受光装置を備える検査装置を挙げることができる。例えば、特開２００６−２０８１８４号記載の検査装置を使用することができる。
【００４０】
図２（ａ）は、支持体１１０上に薄膜１２０のみ形成された図であり、図２（ｂ）は、薄膜１２０の上に欠陥カバー層１３０が形成された図である。
【００４１】
欠陥カバー層を有さない図２（ａ）では、検査のための光を照射すると、大きな欠陥１９０による散乱光が強いため、大きな欠陥１９０の周囲にある小さい欠陥１８０を検査するための光を遮ってしまう。そのため、大きな欠陥１９０の周囲にある小さい欠陥１８０の検査を行うことができていなかった。
【００４２】
これに対し、図２（ｂ）では、欠陥カバー層１３０により、大きい欠陥１９０の散乱光を抑えることができるので、小さい欠陥１８０の散乱光を検出することができる。したがって、高精度に欠陥の検出を行うことができるので、欠陥の少ない良好な積層体を形成することができる。
【００４３】
＜積層体の製造方法＞
次に積層体の製造方法について説明する。図３に、本発明の積層体の製造方法を実施する積層体製造装置の一例を概念的に示す。
【００４４】
図３に示す積層体製造装置２０（以下、製造装置２０とする）は、図示されるように、長尺なフィルム状の支持体１１０（フィルム原反）の表面に、薄膜である所定のポリマーを主成分とする有機膜１２を形成（成膜）し、この有機膜１２の上にＣＶＤにより、欠陥カバー層１３０を形成し、積層体を製造するものである。製造された積層体は、検査装置６０により積層体上の欠陥が検査される。
【００４５】
このような積層体１３０を形成する製造装置２０は、長尺な支持体１１０をロール状に巻回してなる支持体ロール２２から支持体１１０を送り出し、長手方向に搬送しつつ薄膜１２０である有機膜１２および欠陥カバー層１３０を成膜して、検査装置６０により欠陥の検査を行い、積層体をロール状に巻き取ることにより製造することができる。なお、欠陥の検査は、図３に示すように、欠陥カバー層１３０を形成した後に行うこともできる。また、欠陥カバー層を形成し、一度ロールに巻き取った後、再度送り出し、検査を行うことも可能である。また、図３においては、薄膜１２０として、有機膜１２を形成する方法について説明するが、有機膜を形成する代わりに無機膜を形成する方法とすることも可能である。
【００４６】
製造装置２０において、支持体１１０は、前述のように支持体ロール２２として、支持体供給室２４の回転軸３０に装填される。
【００４７】
支持体供給室２４は、図示しない駆動源によって回転軸３０を図中反時計方向に回転して、支持体ロール２２から支持体１１０を送り出し、ガイドローラ３２によって、所定の経路を案内して、支持体１１０を有機成膜室２６に送る。
【００４８】
なお、支持体供給室２４には、これ以外にも、搬送ローラ対やガイド部材など、支持体１１０を所定の経路で搬送するための各種の部材を有していてもよい。
【００４９】
また、支持体供給室２４は、真空チャンバになっており、真空排気手段２５によって所定の圧力（真空度）に排気される。製造装置２０においては、これにより、支持体供給室２４の圧力が、後述する有機成膜室２６における有機膜の成膜に悪影響を与えることを防止している。
【００５０】
支持体供給室２４から供給された支持体１１０は、有機成膜室２６に搬送される。
【００５１】
有機成膜室２６は、真空チャンバとなっており、また、ドラム３６と、モノマーノズル３８と、ＵＶ照射装置４２と、真空排気手段４４とを有して構成される。
【００５２】
ドラム３６は、中心線を中心に図中矢印方向に回転する円筒状の部材である。支持体供給室２４から搬送された支持体１１０は、ドラム３６の周面の所定領域に掛け回されて、ドラム３６に支持／案内されつつ、所定の搬送経路を搬送され、有機膜１２を成膜されて、後述する欠陥カバー層形成室２８に搬送される。
【００５３】
有機成膜室２６は、予め調合したモノマー混合物を含む塗料を用い、フラッシュ蒸着で支持体１１０に塗膜を成膜し、重合することにより、有機膜１２を成膜する。
【００５４】
有機膜１２を成膜する際には、有機成膜室２６内は、真空排気手段４４によって所定の圧力（真空度）に減圧されている。なお、真空排気手段４４は、後述する無機成膜室２２６の真空排気手段２４４と同様、公知のものを用いればよい。
【００５５】
モノマーノズル３８は、このような減圧下において、支持体１１０の表面に、予め調整したモノマーを塗布するものである。これにより、支持体１１０の表面にフラッシュ蒸着による塗膜が成膜される。
【００５６】
ＵＶ照射装置４２は、フラッシュ蒸着した塗膜にＵＶ光（紫外線）を照射することにより、モノマーを重合させて、有機膜１２を成膜するものである。
【００５７】
なお、利用可能な光源、および、照射エネルギーは、前述のとおりである。さらに、モノマーの重合法も、図３に示すＵＶ照射に限定されず、各種の方法が利用可能であるのも、前述のとおりである。
【００５８】
また、図３においては、薄膜として有機膜を形成する有機成膜室について説明したが、図４に、薄膜として無機膜１３を形成する無機成膜室２２６を有する製造装置２２０を示す。
【００５９】
無機成膜室２２６は、支持体１１０の表面に、真空成膜法によって無機膜１３を形成(成膜)するもので、ドラム２３６と、成膜手段２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、および２３８ｄと、真空排気手段の２４４と有して構成される。
【００６０】
無機成膜室２２６は、真空チャンバとなっており、隣接する空間とは、略気密に分離されている。従って、隣接する空間との間の隔壁に形成されるスリットは、支持体１１０に接触することなく、かつ、支持体１１０が通過可能な最小サイズとするのが好ましい。この点に関しては、各部屋から排出する排出口に関しても、同様である。
【００６１】
また、無機成膜室２２６が、スパッタリングやプラズマＣＶＤなどにより成膜を行うものである場合には、無機成膜室２２６には、高周波電源なども設置される。
【００６２】
有機成膜室２６と同様、無機成膜室のドラム２３６も、中心線を中心に図中矢印方向に回転する円筒状の部材である。
【００６３】
支持体供給室２４から搬送された支持体は、ドラム２３６の周面の所定領域に掛け回されて、ドラム２３６に支持／案内されつつ、所定の搬送経路を搬送され、成膜手段２３８ａ〜２３８ｄ等によって、表面に、無機膜１３が形成される。また、無機成膜室２２６が、スパッタリングやプラズマＣＶＤ等による成膜をおこなうものである場合には、ドラム２３６は、対向電極としても作用するように、接地（アース）されてもよく、あるいは高周波電源に接続されてもよい。
【００６４】
成膜手段２３８ａ〜２３８ｄは、真空成膜法によって、支持体１１０の表面に無機膜１３を成膜するためのものである。
【００６５】
ここで、本発明の製造方法においては、無機膜１３の形成方法には、特に限定は無く、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング等、公知の真空成膜法（気相堆積法）が、全て、利用可能である。
【００６６】
従って、製造装置２２０において、成膜手段２３８ａ〜２３８ｄは、実施する真空成膜法に応じた、各種の部材で構成される。
【００６７】
例えば、無機成膜室２２６がＩＣＰ−ＣＶＤ法（誘導結合型プラズマＣＶＤ）によって無機膜の成膜を行なうものであれば、成膜手段２３８ａ〜２３８ｄは、誘導磁場を形成するための誘導コイルや、成膜領域に反応ガスを供給するためのガス供給手段等を有して構成される。
【００６８】
無機成膜室２２６が、ＣＣＰ−ＣＶＤ法（容量結合型プラズマＣＶＤ）によって無機膜の成膜を行なうものであれば、成膜手段２３８ａ〜２３８ｄは、中空状でドラム２３６に対向する面に多数の小孔を有し反応ガスの供給源に連結される、高周波電極および反応ガス供給手段として作用するシャワー電極等を有して構成される。
【００６９】
無機成膜室２２６が、ＣＶＤ法によって無機膜１３の成膜を行なうものであれば、成膜手段２３８ａ〜２３８ｄは、反応ガスの導入手段等を有して構成される。
【００７０】
さらに、無機成膜室２２６が、スパッタリングによって無機膜１３の成膜を行なうものであれば、成膜手段２３８ａ〜２３８ｄは、ターゲットの保持手段や高周波電極、スパッタガスの供給手段等を有して構成される。
【００７１】
真空排気手段２４４は、無機成膜室２２６内を真空排気して、真空成膜法による無機膜１３の成膜に応じた真空度とするものである。
【００７２】
真空排気手段２４４にも、特に限定はなく、ターボポンプ、メカニカルブースターポンプ、ロータリーポンプなどの真空ポンプ、さらには、クライオコイル等の補助手段、到達真空度や排気量の調整手段等を利用する、真空成膜装置に用いられている公知の（真空）排気手段が、各種、利用可能である。
【００７３】
なお、上記は、有機膜または無機膜を１層積層することにより、薄膜を形成する方法について説明したが、図５に示すように、有機成膜室２６および無機成膜室２２６を連続させて２層の薄膜として形成することができる。また、さらに、有機成膜室２６および無機成膜室２２６の構成を複数組み合わせることにより、さらに、複数の層からなる薄膜を形成することができる。
【００７４】
薄膜が形成された支持体１１０は、次に欠陥カバー層形成室２８に送られる。欠陥カバー層形成室２８では、形成された薄膜上に欠陥カバー層１３０を形成する。
【００７５】
欠陥カバー層形成室２８の構成としては、無機成膜室２２６と同様の構成とすることができる。欠陥カバー層形成室２８も、真空チャンバとなっているため、隣接する空間とは、略気密に分離されていることが好ましい。また、欠陥カバー層はＣＶＤにより形成されるため、成膜手段４８ａ〜４８ｄとしては、反応ガスの導入手段などを有して構成される。
【００７６】
欠陥カバー層は、ＣＣＰ−ＣＶＤ法（容量結合型プラズマＣＶＤ）によって形成されることが好ましい。図６は、ＣＣＰ−ＣＶＤ法により成膜する成膜装置の摸式図である。なお、図６においては、薄膜を形成した後、一度ロールに巻き取った後、再度送り出す方法で欠陥カバー層の形成を行っているが、図３〜５に示す装置において、欠陥カバー層形成室２８の代わりに図６に示す装置を設けることもできる。
【００７７】
成膜装置３１０は、薄膜が形成された支持体に連続で欠陥カバー層を形成する装置であって、支持体を供給する供給室３１２と、薄膜上に欠陥カバー層を形成する成膜室（チャンバ）３１４と、欠陥カバー層が形成された支持体を巻き取る巻取り室３１６と、真空排気部３３２と、制御部３３６とを有する。この制御部３３６により、成膜装置３１０の各動作が制御される。また、真空排気部３３２により、供給室３１２、成膜室３１４および巻取り室３１６の内部が所定の真空度にされる。なお、真空排気部３３２による供給室３１２、成膜室３１４および巻取り室３１６の到達真空度には、特に限定はなく、実施する成膜方法等に応じて、十分な真空度を保てればよい。
【００７８】
供給室３１２は、支持体を供給する部位であり、ロール３２０、およびガイドローラ３２１が設けられている。巻取り室３１６は、欠陥カバー層が形成された支持体を巻き取る部位であり、巻取りロール３３０、およびガイドローラ３３１が設けられている。
【００７９】
成膜室３１４は、真空チャンバとして機能するものであり、支持体を搬送しつつ連続的に、薄膜の上にＣＣＰ−ＣＶＤ法によって、欠陥カバー層を形成する部位である。成膜室３１４には、４つのガイドローラ３２４、３２５、３２７、３２８と、ドラム３２６と、成膜部３４０とが設けられている。
【００８０】
図６に示すように、成膜部３４０は、ドラム３２６の下方に設けられており、支持体がドラム３２６に巻き掛けられた状態で、ドラム３２６が回転して、支持体が搬送方向Ｄに搬送されつつ、支持体の薄膜上に欠陥カバー層を形成するものである。この成膜部３４０は、成膜電極３４２、高周波電源３４４および原料ガス供給部３４６を有する。成膜部３４０の高周波電源３４４、および原料ガス供給部３４６は、制御部３３６に接続され、制御されている。
【００８１】
成膜室３１４の下方に、ドラム３２６の表面と所定の距離離間し、隙間Ｓを設けて成膜電極３４２が設けられている。成膜電極３４２は、成膜電極板３５０と、この成膜電極板３５０を保持する保持部とを有する。
【００８２】
成膜電極３４２（成膜電極板３５０）には、高周波電源３４４が接続されており、この高周波電源３４４により、成膜電極３４２の成膜電極板３５０に高周波電圧が印加される。これにより、成膜電極３４２（成膜電極板３５０）とドラム３２６の隙間Ｓに、所定の範囲で電界が発生する。
【００８３】
ＣＣＰプラズマＣＶＤ法により欠陥カバー層を形成することで、ＩＣＰプラズマＣＶＤ法に比べ、粗い膜を形成することができ、大きい欠陥の散乱光を遮断することができる。
【００８４】
図７は、欠陥カバー層が緻密である場合と粗である場合の欠陥カバー層の表面の状態を説明する図である。図７（ａ）に示すように支持体１１０上に大きな欠陥１９０がある場合、薄膜１２０を形成した後でも、図７（ｂ）に示すように大きな欠陥１９０が薄膜１２０の表面上に残る。その後、欠陥カバー層１３０が薄膜１２０上に形成される。
【００８５】
欠陥カバー層が緻密であると、図７（ｃ）に示すように、薄膜１２０表面上の欠陥１９０の形状が欠陥カバー層１３１の表面に忠実に表われる。言い換えると、欠陥カバー層１３１の表面上に大きな欠陥１９０の鋭い端部の形状が明瞭に表れる。このような大きな欠陥１９０の鋭い端部は、大きな欠陥１９０の散乱光が大きな強度を持つ原因となる。緻密な欠陥カバー層１３１は薄膜１２０表面上の欠陥の形状を忠実に表して鋭い端部を残してしまうため、大きな欠陥１９０の散乱光は強いままとなる。したがって、大きな欠陥１９０からの強度の大きい散乱光が小さな欠陥からの散乱光を遮ってしまうので、欠陥カバー層の効果を十分に発揮させることができなくなる。
【００８６】
一方、欠陥カバー層１３０が粗であると、図７（ｄ）に示すように、薄膜１２０表面上の欠陥の形状は欠陥カバー層１３０の表面に緩やかに表れる。言い換えると、大きな欠陥１９０の鋭い端部の形状は、欠陥カバー層１３０の表面上では鈍くなる。粗い欠陥カバー層１３０によって大きな欠陥１９０の散乱光の大きな強度の原因となる鋭い端部が抑制されるため、大きな欠陥１９０による散乱光の強度は低くなる。したがって、欠陥カバー層１３０は粗い膜で形成することが好ましい。
【００８７】
また、欠陥カバー層の成膜速度は、が遅くなると緻密な膜が形成され易くなり、逆に速すぎると十分な欠陥カバー層が形成されないので、好ましくない。欠陥カバー層の成膜速度は、２００〜２０００ｎｍ／分が好ましく、より好ましくは、３００〜１０００ｎｍである。
【００８８】
このようにして形成された積層体は、検査装置６０により検査される。本発明においては、最上層にＣＶＤにより欠陥カバー層１３０を形成しているので、大きな欠陥も欠陥カバー層で覆うことができる。したがって、小さい欠陥を検査する際に、大きい欠陥に由来する散乱光により、小さい欠陥に由来する散乱光が隠れることを防止することができるので、小さい欠陥を感度良く検査することができる。したがって、小さい欠陥の少ない積層体を製造することができる。
【実施例】
【００８９】
各積層体の製造を行った。
【００９０】
積層体１（実施例１）・・・用途：ＵＶフィルタ  支持体上にＺｎＯをスパッタリングで２００ｎｍ成膜した後、ＣＣＰプラズマＣＶＤ法で、成膜速度３００ｎｍ／分でＺｎＯを４０ｎｍ（欠陥カバー層）成膜した。
【００９１】
積層体１（実施例２）・・・実施例１と同様の方法により薄膜を成膜した後、ＩＣＰプラズマＣＶＤ法で、成膜速度１５０ｎｍ／分で欠陥カバー層を成膜した。
【００９２】
積層体２（実施例３）・・・用途：ガスバリア  蒸着でＤＰＨＡ（ジペンタエリストールヘキサアクリレート）を１０００ｎｍ成膜した後、ＣＣＰプラズマＣＶＤ法で、成膜速度５００ｎｍ／分でＳｉＮを１５０ｎｍ（欠陥カバー層）成膜した。
【００９３】
積層体３（実施例４）・・・用途：ガスバリア  塗布でＤＰＨＡを１０００ｎｍ成膜した後、スパッタリングでＴｉＮを１５０ｎｍ成膜した。さらに、その上に塗布でＤＰＨＡを１０００ｎｍ成膜した後、ＣＣＰプラズマＣＶＤ法で、成膜速度５００ｎｍ／分でＴｉＮを１５０ｎｍ（欠陥カバー層）成膜した。
【００９４】
積層体３（実施例５）・・・実施例４と同様の方法により薄膜を成膜した後、ＣＣＰプラズマＣＶＤ法で、成膜速度１０００ｎｍ／分で欠陥カバー層を成膜した。
【００９５】
積層体３（実施例６）・・・塗布でＤＰＨＡを１０００ｎｍ成膜した後、スパッタリングでＴｉＮを１００ｎｍ成膜した。さらに、その上に塗布でＤＰＨＡを１０００ｎｍ成膜した後、ＣＣＰプラズマＣＶＤ法で、成膜速度２００ｎｍ／分でＴｉＮを１５０ｎｍ（欠陥カバー層）成膜した。
【００９６】
積層体３（実施例７）・・・塗布でＤＰＨＡを１０００ｎｍ成膜した後、スパッタリングでＴｉＮを２００ｎｍ成膜した。さらに、その上に塗布でＤＰＨＡを１０００ｎｍ成膜した後、ＣＣＰプラズマＣＶＤ法で、成膜速度２０００ｎｍ／分でＴｉＮを１５０ｎｍ（欠陥カバー層）成膜した。
【００９７】
また、比較例１〜３として、実施例１、３、４の欠陥カバー層をスパッタリングで形成した以外は各実施例と同様の方法により製造した。
【００９８】
形成された積層体を、ハロゲン光を照射し、反射光の軸をずらし、ラインＣＣＤにより１．０μｍの欠陥のＳ／Ｎの測定を行った。１０ｄＢ以上を良好（○）、１５ｄＢ以上を◎として評価を行った。結果を図８に示す。
【００９９】
欠陥カバー層を設けることにより、Ｓ／Ｎの値が高く、欠陥の少ない良好な積層体が形成されていた。欠陥カバー層をＣＣＰプラズマＣＶＤ法で成膜することにより、ＩＣＰプラズマＣＶＤ法で成膜する場合と比較し、欠陥の少ない良好な積層体が形成されていた。また、成膜速度は２００〜２０００ｎｍ／分とすることが好ましく、３００〜１０００ｎｍ／分とすることにより、良好な積層隊が形成できることが確認できた。さらに、欠陥カバー層の材質を薄膜の層のいずれかの組成と同じ材質とすることにより、良好な積層体を形成することができた。
【符号の説明】
【０１００】
１２…有機膜、１３…無機膜、２０、２２０…積層体製造装置（製造装置）、２２…支持体ロール、２４…支持体供給室、２５、４４、２４４…真空排気手段、２６…有機成膜室、２８…欠陥カバー層形成室、３０…回転軸、３２…ガイドローラ、３６、２３６…ドラム、３８…モノマーノズル、４２…ＵＶ照射装置、４８、２３８…成膜手段、６０…検査装置、１００、１５０…積層体、１１０…支持体、１２０、１６０…薄膜、１３０、１３１、１７０…欠陥カバー層、１８０…小さい欠陥、１９０…大きい欠陥、２２６…無機成膜室、３１０…成膜装置、３１２…供給装置、３１４…成膜室、３１６…巻取り室、３３２…真空排気部、３３６…制御部、３４０…成膜部、３４２…成膜電極、３５０…成膜電極板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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