(57)【要約】【課題】  従来のサスペンドメタルマスクではマスク基板を形成しているため、マスク基板の厚みが影響して、ペーストを薄く印刷するには限界があった。【解決手段】  電鋳母型１の表面にマスクパターンに相当するパターンを持つパターンレジスト膜３を形成し、パターンレジスト膜３に覆われていない部分をエッチングして電鋳母型１に凹部を施し、電鋳母型１からパターンレジスト膜３を剥離し、凹凸の施された電鋳母型１の表面に２次レジスト膜６を形成し、電鋳母型１の凸部が露出するまで２次レジスト膜６を研磨し、電鋳母型１凸部と研磨した２次レジスト膜６の表面上に導電性を有するメッシュスクリーン８を密着し、メッシュスクリーン８の方向からめっきをかけて電着層９を形成してメッシュスクリーン８と一体化し、電鋳母型１から一体化したメッシュスクリーン８と電着層９とを剥離する工程とからなるサスペンドメタルマスクの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電鋳母型の表面にマスクパターンに相当するパターンを持つ１次レジスト膜を形成する。ついで、電鋳母型の１次レジスト膜に覆われていない部分をエッチングして電鋳母型に凹部を施す。ついで、電鋳母型から１次レジスト膜を剥離する。ついで、凹凸の施された電鋳母型の表面に２次レジスト膜を形成する。ついで、電鋳母型の凸部が露出するまで２次レジスト膜を研磨する。ついて、電鋳母型凸部と研磨した２次レジスト膜の表面上に導電性を有するメッシュスクリーンを密着する。ついで、メッシュスクリーンの方向からめっきをかけて電着層を形成してメッシュスクリーンと一体化する。ついで、電鋳母型から一体化したメッシュスクリーンと電着層とを剥離する工程とからなることを特徴とするサスペンドメタルマスクの製造方法。
【請求項２】
電鋳母型の表面にマスクパターンに相当するパターンを持つ１次レジスト膜を形成し、電鋳母型の１次レジスト膜に覆われていない部分をエッチングして電鋳母型に凹部を形成し、電鋳母型から１次レジスト膜を剥離し、凹凸の施された電鋳母型の表面に２次レジスト膜を形成し、電鋳母型の凸部が露出するまで２次レジスト膜を研磨し、電鋳母型凸部と研磨した２次レジスト膜の表面上に導電性を有するメッシュスクリーンを密着し、メッシュスクリーンの方向からめっきをかけて電着層を形成して、メッシュスクリーンと電着層を一体化し、電鋳母型から一体化したメッシュスクリーンと電着層とを剥離して形成したことを特徴とするサスペンドメタルマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、積層セラミックコンデンサといったチップ状電子部品の内部電極等のスクリーン印刷に使用するサスペンドメタルマスクの製造方法及びサスペンドメタルマスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、内部に金属導体層とセラミック絶縁層とが交互に積層された構造を持つ積層セラミックコンデンサや積層インダクタ等の積層体のチップ状電子部品の製造工程において、セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する際にスクリーン印刷法が使用されている。例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ等の低抵抗金属粉末と有機樹脂等のバインダーと有機溶剤からなる内部電極ペーストをスクリーン印刷法により、前記グリーンシート上へ印刷することで、内部電極を形成している。
近年の電子部品の小型化、高密度化の流れに伴い、積層セラミックコンデンサにおいては小型大容量化が求められ、小型大容量化のために誘電体層の積層数の更なる増加と、１層当たりの誘電体層の更なる薄層化が進んでおり、それに伴って内部電極パターンをスクリーン印刷法で薄く印刷することが要求されてきている。
そこで、ペーストを薄く印刷するスクリーン印刷版の製造方法の従来技術として、電鋳母型の表面にマスク基板の厚みよりも厚くパターンレジスト膜を形成する工程と、電鋳母型のパターンレジスト膜で覆われていない表面に、パターンレジスト膜の厚みよりも薄い捨て電着層を１次電着する工程と、捨て電着層の表面に剥離処理を施したうえで、マスク基板に相当する電着層を２次電着する工程と、電鋳母型を平板治具の上に弾性マットを介して載置するとともに、電着層およびパターンレジスト膜の表面上に、その外周に囲い枠を付けた導電性を有するメッシュを、これにテンションをかけて押し付けた状態で密着重合させる工程と、メッシュ方向からめっきをかけてメッシュと電着層を一体接合する工程と、捨て電着層から電着層をメッシュごと剥離する工程とからなることを特徴とする超薄型のメッシュ一体型メタルマスクの製造方法（例えば、特許文献１を参照）が存在している。
【特許文献１】特開平８−１８３１５１号公報（特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄、及び図１〜図６を参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の超薄型のメッシュ一体型メタルマスクでは、マスク基板に相当する２次電着層が存在するため、メッシュ一体型のメタルマスクの総厚は、メッシュの厚み以外に、メッシュとマスク基板を一体接合するときのめっきの厚みと、マスク基板の厚みぶんだけ厚みが増えることになる。よって、ペーストを薄く印刷するにも限界があった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するための本発明の第１発明は、請求項１に記載された通りのサスペンドメタルマスクの製造方法であり、次のようなものである。
電鋳母型の表面にマスクパターンに相当するパターンを持つ１次レジスト膜を形成する。ついで、電鋳母型の１次レジスト膜に覆われていない部分をエッチングして電鋳母型に凹部を施す。ついで、電鋳母型から１次レジスト膜を剥離する。ついで、凹凸の施された電鋳母型の表面に２次レジスト膜を形成する。ついで、電鋳母型の凸部が露出するまで２次レジスト膜を研磨する。ついで、電鋳母型凸部と研磨した２次レジスト膜の表面上に導電性を有するメッシュスクリーンを密着する。ついで、メッシュスクリーンの方向からめっきをかけて電着層を形成してメッシュスクリーンと一体化する。ついで、電鋳母型から一体化したメッシュスクリーンと電着層とを剥離する構成である。
【０００５】
上記課題を解決するための本発明の第２発明は、請求項２に記載された通りのサスペンドメタルマスクであり、次のようなものである。
電鋳母型の表面にマスクパターンに相当するパターンを持つ１次レジスト膜を形成し、電鋳母型の１次レジスト膜に覆われていない部分をエッチングして電鋳母型に凹部を形成し、電鋳母型から１次レジスト膜を剥離し、凹凸の施された電鋳母型の表面に２次レジスト膜を形成し、電鋳母型の凸部が露出するまで２次レジスト膜を研磨し、電鋳母型凸部と研磨した２次レジスト膜の表面上に導電性を有するメッシュスクリーンを密着し、メッシュスクリーンの方向からめっきをかけて電着層を形成して、メッシュスクリーンと電着層を一体化し、電鋳母型から一体化したメッシュスクリーンと電着層とを剥離して形成する構成である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係るサスペンドメタルマスクの製造方法及びサスペンドメタルマスクは、上記説明のような構成を有するので、以下に記載する効果を奏する。
（１）電鋳母型に凹凸を形成し、電鋳母型の凸部に導電性を有するメッシュスクリーンを密着させた状態で２次電着層を形成し、この２次電着層のみでマスクを形成して、一体化したメッシュスクリーンと２次電着層を電鋳母型から剥離するため、従来技術でいうところのマスク基板を形成していないサスペンドメタルマスクを得ることができる。すなわち、マスク基板の厚みぶんだけ総厚を薄くすることができるので、ペーストをより薄く印刷することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
電鋳母型の表面にマスクパターンに相当するパターンを持つ１次レジスト膜を形成する。ついで、電鋳母型の１次レジスト膜に覆われていない部分をエッチングして電鋳母型に凹部を施す。ついで、電鋳母型から１次レジスト膜を剥離する。ついで、凹凸の施された電鋳母型の表面に２次レジスト膜を形成する。ついで、電鋳母型の凸部が露出するまで２次レジスト膜を研磨する。ついで、電鋳母型凸部と研磨した２次レジスト膜の表面上に導電性を有するメッシュスクリーンを密着する。ついで、メッシュスクリーンの方向からめっきをかけて電着層を形成してメッシュスクリーンと一体化する。ついで、電鋳母型から一体化したメッシュスクリーンと電着層とを剥離する工程とからなるサスペンドメタルマスクの製造方法及びサスペンドメタルマスクである。
【実施例】
【０００８】
以下、図面を用いて本発明の一実施例に関して説明する。
図１は、本発明の特徴であるサスペンドメタルマスクの製造方法の一実施例を説明する工程図、図２は本発明の特徴であるサスペンドメタルマスクの製造方法の他の実施例を説明する工程図である。
【０００９】
先ず、図１に基づいて電鋳母型１をエッチングするサスペンドメタルマスクの製造方法の一実施例について説明する。
図１（ａ）に示すように、前処理を施した導電性の電鋳母型１を用意する。
ここでいう前処理とは後に施すレジストの密着性を向上させる処理を行うことであり、上述の目的を達成するのならばどのような処理をしても構わないが、例えばバフ研磨といった物理的処理や、塩酸処理といった化学的処理や、それらを複合した処理を行う。加えてアルカリ脱脂等の脱脂処理を加えてさらに密着性を向上させてもよい。
また、導電性の電鋳母型１としては、ＳＵＳ３０１やＳＵＳ３０４といったステンレス材を使用するのが一般的ではあるが、もちろんステンレス材以外の導電性材料を使用しても構わない。
【００１０】
図１（ｂ）に示すように、電鋳母型１に１次レジスト膜２を形成する。
レジスト膜を形成する方法としては、ドライフィルムレジストといったフィルム状のフォトレジストを既存のラミネータを使用してラミネートするといった方法や、液状のレジストをロールコータやスピンコータやバーコータやカーテンコータといった既存の液状レジスト塗布装置を使用して電鋳母型上に液状レジストを成膜するといった方法があるが、何れの方法でも電鋳母型上にレジスト膜を成膜できれば良い。レジストは大別してネガタイプのレジストとポジタイプのレジストがあるが、何れのタイプのものであってもよい。
ここでは、例えばネガタイプのドライフィルムレジストをラミネータを使用して電鋳母型にラミネートする。
なお、１次レジスト膜２の厚みに関しては、次工程でパターンレジスト膜が形成できるのであれば、どのような厚みであっても構わない。なぜならば、１次レジスト膜２は後の工程で電鋳母型１をエッチングするのに使用するだけだからである。
【００１１】
図１（ｃ）に示すように、パターン露光を行う。
パターン露光方法は特に限定はしない。例えば、ガラスやフィルムといった素材のフォトマスクを１次レジスト膜２に密着させた後に超高圧水銀灯やメタルハライドランプといった紫外線を発生する光源を使用して１次レジスト膜２に紫外線を照射しても良いし、半導体レーザや超高圧水銀灯を光源に持つ直接描画装置を使用して、フォトマスクを使用せずに１次レジスト膜２にパターンを直接描画しても構わない。
なお、密着露光用のマスクや描画パターンはフォトレジストのタイプに合わせて、ネガパターンかポジパターンを選択して使用する。
【００１２】
図１（ｄ）に示すように、描画した１次レジスト膜２を現像、乾燥し、パターンレジスト膜３を形成する。
【００１３】
図１（ｅ）に示すように、パターンレジスト膜３を形成した電鋳母型に対してエッチングを行う。
エッチング液は、既存のエッチング液を使用すればよい。エッチング深さは特に限定されず、凹部の寸法精度が良く、次工程で液状レジストを充填でき、次工程のレジスト研磨でレジストが研磨時に剥がれない程度の深さがあればよい。例えば、１０μｍ程度の深さにエッチングする。
【００１４】
図１（ｆ）に示すように、エッチングした電鋳母型１の表面に残っているパターンレジスト膜３を既存のレジスト剥離剤等を用いて剥離する。
【００１５】
図１（ｇ）に示すように、パターンレジスト膜３を剥離した電鋳母型１の表面全体に２次レジスト膜６を形成する。
この時に使用するレジストも１次レジスト膜２に使用するレジスト同様にどのようなレジスト及びレジスト成膜方法を用いても構わないが、２次レジスト膜６は電鋳母型１の凹部にレジストを充填するのが目的であるので、ドライフィルムレジストよりも液状レジストのほうが好適に使用することができる。
なお、ドライフィルムレジストを使用してラミネートする場合は、ラミネート時に凹部に気泡が混入しないように、真空ラミネータといった装置を使用するのが望ましい。
ここでは、例えば、ネガ型液状レジストをバーコータを使用して塗布を行う。
【００１６】
図１（ｈ）に示すように、この２次レジスト膜６を形成した電鋳母型１の２次レジスト膜６を全面露光する。
ここでは、例えば、１次レジスト膜２のようにパターンを形成するわけではないので、超高圧水銀灯やメタルハライドランプといった紫外線を発生する光源を使用して２次レジスト膜６を全面露光すればよい。
【００１７】
図１（ｉ）に示すように、２次レジスト膜を、エッチング５を施していない電鋳母型面１が露出するまで研磨を行う。
このとき、２次レジスト膜はエッチング５していない電鋳母型１面と同じ高さまで研磨するのが望ましいが、わずかながらであれば２次レジスト膜がエッチング５していない電鋳母型面よりも低くなっても構わないものである。２次レジスト膜がエッチング５していない電鋳母型面と同じ厚みの場合は、後の工程で形成されるマスク部分が面一で形成される。２次レジスト膜がエッチング５していない電鋳母型面よりも低い場合は、マスクのエッジ部分および開口部のメッシュスクリーン部分が２次レジスト膜の薄さぶん突出して形成されるものである。
【００１８】
図１（ｊ）に示すように、事前に適度なテンションで枠材に張架した導電性を有するメッシュスクリーン８を治具等を使用して電鋳母型表面に密着させる。
導電性を有するメッシュスクリーンとしては、例えば、ステンレスやタングステン等の金属細線を編組してなるメッシュ織物や、その編組してなるメッシュ織物の表面にニッケルめっき等を施したものや、ポリエステル等の合成樹脂繊維を編組してなるメッシュ織物の表面にニッケルめっき等を施して導電性を付与したものや、あるいはニッケルや銅等の電鋳により直接メッシュスクリーンを形成したものなどを用いるものである。
このとき使用する枠材に張架した導電性を有するメッシュスクリーン８は、密着する導電性を有するメッシュスクリーン８を適度なテンションで直接枠体に張架した、いわゆる”直張りスクリーン”でも構わないし、密着する導電性を有するメッシュスクリーン８を図示しない支持体メッシュスクリーンを介して適度なテンションで枠体に張架した、いわゆる”コンビネーションスクリーン”でも構わない。
なお、支持体メッシュスクリーンには導電性を有さないメッシュスクリーン、例えばポリエステル等の合成樹脂繊維を編組してなるメッシュ織物であるメッシュスクリーンを使用しても構わない。もちろん前述の導電性を有するメッシュスクリーンを使用もよいことはいうまでもないものである。
また、支持体シート状物とは合成樹脂や金属からなるシート状のものであり、これらも導電性の有無を問わないのはいうまでもないものである。
直張りスクリーンを使用すれば直張りサスペンドメタルマスクとなり、コンビネーションスクリーンを使用すればコンビネーションサスペンドメタルマスクとなる。
ここでは、直張りサスペンドメタルマスク及びコンビネーションサスペンドメタルマスクを総称してサスペンドメタルマスクとする。
【００１９】
図１（ｋ）に示すように、導電性を有するメッシュスクリーン８を電鋳母型１に密着させた状態でメッシュスクリーン方向からめっきをかけて電着層９を形成する。
なお、めっきの前にはめっきの密着性を高めるために、メッシュスクリーンに酸洗等の前処理をしておくことが望ましい。
この電着層９は、従来技術においては２次電着層としてマスク基板となる１次電着層とメッシュスクリーン８を接合一体化するのに行われるめっきであるが、本発明では、この２次電着層自体でマスク基板を形成する。
すなわち、電鋳母型１に密着した状態で電鋳母型１の凸部をパターンとして電着層９でマスクを形成するので、従来のマスク基板をめっきで貼り付ける製造方法と異なり、マスク部分がほとんど突出しない形状が得られるものである。
【００２０】
図１（ｌ）に示すように、電鋳母型１から剥離を行う。
以上により、電着層９のみでパターン形成したマスク部分がほとんど突出しない形状のサスペンドメタルマスクを得ることができる。
なお、この電着層９形成工程において、一般的なスルファミン酸ニッケルめっき浴やニッケルを主成分とするスルファミン酸合金めっき浴を使用すれば、めっきは等方性に成長するため、例えば導電性を有するメッシュスクリーンに２μｍｔ程度のめっきを施した場合は、マスク部分の厚みが２μｍｔ程度の形状が得られるものである。
一方、この電着層９形成工程において、本出願人が先に出願した特開２００５−１２５５４７に記載の高オープニング率を得られるめっき浴を使用すれば、電鋳母型凸部側に選択的にめっきが成長するので、例えば、導電性を有するメッシュスクリーンに１μｍｔ程度のめっきを施した場合は、マスク部分の厚みは４μｍｔ程度となり、高オープニング率で、総厚が従来のめっき浴でめっきした場合よりも総厚が１μｍｔ程度薄く、かつマスク部分の厚みが２μｍｔ程度厚い形状となるため、マスク部分のピンホールの発生を抑制し、より耐刷性の高い形状が得られるため好適である。
【００２１】
次に、図２に基づいて電鋳母型１をエッチング５するサスペンドメタルマスクの製造方法の他の実施例について説明する。
図２は、前記説明した図１（ｆ）のエッチング５した電鋳母型１の１次レジスト膜２を剥離する工程を削除して行うものである。
すなわち、図２（ａ）に示すように、前処理した導電性の電鋳母型１を用意する。
なお、ここでいう前処理とは後に施すレジストの密着性を向上させる処理を行うことである。
図２（ｂ）に示すように、電鋳母型１に１次レジスト膜２を形成する。
図２（ｃ）に示すように、パターンを露光する。
図２（ｄ）に示すように、描画した１次レジスト膜２を現像、乾燥し、パターンレジスト膜３を形成する。
図２（ｅ）に示すように、パターンレジスト膜３を形成した電鋳母型１にエッチング5を行う。
図２（ｆ）に示すように、パターンレジスト膜３面と、エッチング５処理された電鋳母型１の凹部面に２次レジスト膜６を形成する。
ここで、２次レジスト膜６は電鋳母型１の凹部にレジストを充填するのが目的であるので、ドライフィルムレジストよりも液状レジストのほうが好適に使用できる。なお、ドライフィルムレジストを使用してラミネートする場合は、ラミネート時に凹部に気泡が混入しないよう、真空ラミネータといった装置を使用するのが望ましい。
図２（ｇ）に示すように、電鋳母型１に形成した２次レジスト膜６を全面露光する。
図２（ｈ）に示すように、パターンレジスト膜３及び２次レジスト膜６を、エッチング５を施していない電鋳母型１面が露出するまで研磨を行う。
このとき、パターンレジスト膜３及び２次レジスト膜６はエッチング５していない電鋳母型１面と同じ高さまで研磨するのが望ましいが、わずかながらであれば、２次レジスト膜６がエッチング５していない電鋳母型１面よりも低くなっても構わない。２次レジスト膜６がエッチング５していない電鋳母型１と同じ厚みの場合は、後の工程で形成されるマスク部分が面一で形成される。２次レジスト膜６がエッチング５していない電鋳母型１面よりも低い場合は、マスクのエッジ部分および開口部のメッシュスクリーン部分が２次レジスト膜６の薄さぶん突出して形成されるものである。
図２（ｉ）に示すように、事前に適度なテンションで枠材に張架した導電性を有するメッシュスクリーン８を治具等を使用して電鋳母型表面に密着させる。
導電性を有するメッシュスクリーンとしては、例えば、ステンレスやタングステン等の金属細線を編組してなるメッシュ織物や、その編組してなるメッシュ織物の表面にニッケルめっき等を施したものや、ポリエステル等の合成樹脂繊維を編組してなるメッシュ織物の表面にニッケルめっき等を施して導電性を付与したものや、あるいはニッケルや銅等の電鋳により直接メッシュスクリーンを形成したものなどを用いるものである。
このとき使用する枠材に張架した導電性を有するメッシュスクリーン８は、密着する導電性を有するメッシュスクリーン８を適度なテンションで直接枠体に張架した、いわゆる“直張りスクリーン”でも構わないし、密着する導電性を有するメッシュスクリーン８を図示しない支持体メッシュスクリーンや支持体シート状物等を介して適度なテンションで枠体に張架した、いわゆる“コンビネーションスクリーン”でも構わない。
なお、支持体メッシュスクリーンには導電性の有無は問わないものとする。例えば、導電性を有さないメッシュスクリーンとしては、ポリエステル等の合成樹脂繊維を編組してなるメッシュ織物であるメッシュスクリーンを使用しても構わないし、もちろん前述の導電性を有するメッシュスクリーンを使用もよいことはいうまでもないものである。
また、支持体シート状物とは、合成樹脂や金属からなるシート状のものであり、これらも導電性の有無を問わないのはいうまでもないものである。
直張りスクリーンを使用すれば直張りサスペンドメタルマスクとなり、コンビネーションスクリーンを使用すれば直張りコンビネーションサスペンドメタルマスクとなる。
ここでは、直張りサスペンドメタルマスク及びコンビネーションサスペンドメタルマスクを総称してサスペンドメタルマスクとする。
図２（ｊ）に示すように、導電性を有するメッシュスクリーン８を電鋳母型１に密着させた状態でメッシュスクリーン方向からめっきをかけて電着層９を形成する。
なお、めっきの前にはめっきの密着性を高めるために、メッシュスクリーンに酸洗等の前処理をしておくことが望ましい。
この電着層９は、従来技術においては２次電着層としてマスク基板となる１次電着層とメッシュスクリーン８を接合一体化するのに行われるめっきであるが、本発明では、この２次電着層自体でマスク基板を形成する。
すなわち、電鋳母型１に密着した状態で電鋳母型１の凸部をパターンとして電着層９でマスクを形成するので、従来のマスク基板をめっきで貼り付ける製造方法と異なり、マスク部分がほとんど突出しない形状を得ることができる。
図２（ｋ）に示すように、電鋳母型１から剥離を行う。
以上により、電着層９のみでパターン形成したマスク部分がほとんど突出しない形状のサスペンドメタルマスク１０が得られるものである。
なお、この電着層形成工程において、一般的なスルファミン酸ニッケルめっき浴やニッケルを主成分とするスルファミン酸合金めっき浴を使用すれば、めっきは等方性に成長するため、例えば導電性を有するメッシュスクリーンに２μｍｔ程度のめっきを施した場合はマスク部分の厚みが２μｍｔ程度の形状が得られるものである。
一方、この電着層９形成工程において、本出願人が先に出願した特開２００５−１２５５４７に記載の高オープニング率を得られるめっき浴を使用すれば、１次電着層形成側に選択的にめっきが成長するので、例えば、導電性を有するメッシュスクリーンに１μｍｔ程度のめっきを施した場合は、マスク部分の厚みは４μｍｔ程度となり、高オープニング率で、総厚が従来のめっき浴でめっきした場合よりも総厚が１μｍｔ程度薄く、かつマスク部分の厚みが２μｍｔ程度厚い形状となるため、マスク部分のピンホールの発生を抑制し、より耐刷性の高い形状が得られるため好適である。
以上の工程でサスペンドメタルマスクを製造するものである。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
薄膜印刷が要求されるスクリーン印刷分野にも利用することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の電鋳母型をエッチングして得られるサスペンドメタルマスクの製造方法の一実施例を示す工程図で、（ａ）は表面処理した導電性の電鋳母型を示す正断面図、（ｂ）は（ａ）の電鋳母型に１次レジスト膜を形成した状態を示す正断面図、（ｃ）は１次レジスト膜にパターンを露光した状態を示す正断面図、（ｄ）は描画したレジストを現像し、パターンレジスト膜を形成した状態を示す正断面図、（ｅ）はパターンレジスト膜を形成した電鋳母型をエッチングした状態を示す正断面図、（ｆ）は電鋳母型からパターンレジスト膜を剥離した状態を示す正断面図、（ｇ）はパターンレジスト膜を剥離し、エッチングを施した電鋳母型に２次レジスト膜を形成した状態を示す正断面図、（ｈ）は２次レジスト膜に全面露光した状態を示す正断面図、（ｉ）は２次レジスト膜をエッチングを施していない電鋳母型面が露出するまで研磨した状態を示す正断面図、（ｊ）は導電性を有するメッシュスクリーンを電鋳母型に密着させた状態を示す正断面図、（ｋ）は導電性を有するメッシュスクリーンを電鋳母型に密着した状態で電着層を形成した状態を示す正断面図、（ｌ）は電鋳母型からサスペンドメタルマスクを剥離した状態を示す正断面図である。
【図２】本発明の電鋳母型をエッチングして得られるサスペンドメタルマスクの製造方法の他の実施例を示す工程図で、（ａ）は表面処理した導電性の電鋳母型を示す正断面図、（ｂ）は（ａ）の電鋳母型に１次レジスト膜を形成した状態を示す正断面図、（ｃ）は１次レジスト膜にパターンを露光した状態を示す正断面図、（ｄ）は描画したレジストを現像し、パターンレジスト膜を形成した状態を示す正断面図、（ｅ）はパターンレジスト膜を形成した電鋳母型をエッチングした状態を示す正断面図、（ｆ）はパターンレジスト膜を形成した状態の電鋳母型にさらに２次レジスト膜を形成した状態を示す正断面図、（ｇ）は２次レジスト膜に全面露光した状態を示す正断面図、（ｈ）は２次レジスト膜及びパターンレジスト膜をエッチングを施していない電鋳母型面が露出するまで研磨した状態を示す正断面図、（ｉ）は導電性を有するメッシュスクリーンを電鋳母型に密着させた状態を示す正断面図、（ｊ）は導電性を有するメッシュスクリーンを電鋳母型に密着した状態で電着層を形成した状態を示す正断面図、（ｋ）は電鋳母型からサスペンドメタルマスクを剥離した状態を示す正断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１・・・・電鋳母型              ２・・・・１次レジスト膜
３・・・・パターンレジスト膜    ４・・・・レジスト現像
５・・・・電鋳母型エッチング    ６・・・・２次レジスト膜
７・・・・２次レジスト研磨面    ８・・・・メッシュスクリーン
９・・・・電着層              １０・・・・引き剥がされたサスペンドメタルマスク
【図１】
2010042569.tif 000003
【図２】
2010042569.tif 000004