(57)【要約】      （修正有）【課題】熱、光、水分、酸素などでの劣化が少なく、薄膜の経時安定性に優れ、長寿命な有機光電変換素子を提供する。更には光電変換効率の高い有機光電変換素子を提供する。【解決手段】少なくとも一方が光透過性である二つの電極の間に光電変換層を有する光電変換素子において、前記光電変換層が、下式で表される化合物を含有することを特徴とする。2010192782.tif 000011（式中、Ｒ1およびＲ2は、互いに独立に、１価の有機残基を表し、Ｒ3およびＲ4は、互いに独立に、水素原子もしくは１価の有機残基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が光透過性である二つの電極の間に光電変換層を有する光電変換素子において、前記光電変換層が、下記一般式[１]で表される化合物を含有することを特徴とする光電変換素子。
一般式［１］
【化１】
2010192782.tif 000010
（式中、Ｒ1およびＲ2は、互いに独立に、１価の有機残基を表し、
Ｒ3とＲ4は、互いに独立に、水素原子もしくは１価の有機残基を表す。）
【請求項２】
Ｒ1およびＲ2が、置換基を有してもよいアリール基である請求項１記載の光電変換素子。
【請求項３】
Ｒ3およびＲ4が、水素原子である請求項１または２記載の光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換材料として、有機化合物を用いた光電変換素子に関するものである
。
【背景技術】
【０００２】
光電変換素子は、太陽光を直接電力に変換でき、さらにはその発電の過程で有害ガス等
を全く発生しないクリーンな省エネルギーソースであり、注目を集めている。
これまでは、シリコンや化合物半導体を用いたものが開発、実用化されている。中でも、シリコンを用いたものは、製造過程で高純度シリコンが必要とされ、製造工程は高温プロセスからなり、製造に要するエネルギーを考慮すると、光電変換素子として必ずしも省エネルギー技術に十分貢献しているとは言えなかった。
【０００３】
また、これらデバイスはその性質上、固く、もろいといった特徴を持っている。さらに
は、高温プロセスが必要となり、基材には、ガラスを用いることが必要条件となっている。
【０００４】
近年の技術開発により、これら問題点を解決すべく、製造時の省エネルギー化が期待で
き、高温プロセスを用いず大面積化が用意な（塗布）プロセスが適応できる有機材料を用いた太陽電池が注目されている。さらに、低温でデバイスが作製できるため、基材にプラスチックなどを利用することも可能で、軽量且つフレキシブルなデバイスの実現も可能であり、新たな応用用途が期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2004-335737号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】J.Xue, S.Uchida, B.P.Land, S.R.Forrest, Appl. Phys. Lett., 85, 5757 (2004)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般に有機デバイスは、熱、光、水分、酸素などの外的要因により有機材料そのものが
劣化し、無機デバイスに比べて寿命が短いといった特性がある。さらに、有機光電変換素子は、実用化には、光電変換効率を向上させる必要がある。また、光電変換材料は一般的に薄膜として使用されるため、薄膜の経時安定性がデバイスの寿命に大きな影響を与える。さらに、塗布プロセスを応用するためには、汎用の溶媒に対して、高い溶解性が必要とされる。
【０００８】
本発明を実施することにより、これら課題を解決した光電変換素子の提供が可能である
ことを見出し本発明に至った。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、少なくとも一方が光透過性である二つの電極の間に光電変換層を有する光電
変換素子において、前記光電変換層が、下記一般式[１]で表される化合物を含有することを特徴とする光電変換素子に関する。
一般式［１］
【００１０】
【化１】
2010192782.tif 000002
【００１１】
（式中、Ｒ1およびＲ2は、互いに独立に、１価の有機残基を表し、
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立に、水素原子もしくは１価の有機残基を表す。）
Ｒ1およびＲ2が、置換基を有してもよいアリール基であることが好ましい。
【００１２】
また、Ｒ3およびＲ4が、水素原子であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高い経時安定性を持つ光電変換素子を提供することが出来る。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の、一般式［１］で示される化合物について説明する。
【００１５】
本発明において、１価の有機残基としては、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシルオキシ基、置換基を有してもよいアルキルスルファニル基、置換基を有してもよいアリールスルファニル基、置換基を有してもよいアルキルスルフィニル基、置換基を有してもよいアリールスルフィニル基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいカルバモイル基、置換基を有してもよいスルファモイル基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいホスフィノイル基、置換基を有してもよいシリル基、置換基を有してもよいシリルオキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、シアノ基等が挙げられる。
【００１６】
置換基を有してもよいアルキル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、
より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクダデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、１−エチルペンチル基
、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、トリフルオロメチル基、２−エチルヘキシル基、フェナシル基、１−ナフトイルメチル基、２−ナフトイルメチル基、４−メチルスルファニルフェナシル基、４−フェニルスルファニルフェナシル基、４−ジメチルアミノフェナシル基、４−シアノフェナシル基４−メチルフェナシル基、２−メチルフェナシル基、３−フルオロフェナシル基、３−トリフルオロメチルフェナシル基、３−ニトロフェナシル基等の鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。さらに、環状のアルキル基（シクロ
アルキル環）として、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基がある。
【００１７】
置換基を有してもよいアリール基としては、炭素数６〜３０のアリール基が好ましく、
より好ましくは炭素数６〜１４のアリール基である。フェニル基、ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アンスリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、５−ナフタセニル基、１−インデニル基、２−アズレニル基、９−フルオレニル基、ターフェニル基、クオーターフェニル基、ｏ−、ｍ−、およびｐ−トリル基、キシリル基、ｏ−、ｍ−、およびｐ−クメニル基、メシチル基、ペンタレニル基、ビナフタレニル基、ターナフタレニル基、クオーターナフタレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、インダセニル基、フルオランテニル基、アセナフチレニル基、アセアントリレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントリル基、ビアントラセニル基、ターアントラセニル基、クオーターアントラセニル基、アントラキノリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、プレイアデニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基等が挙げられる。
【００１８】
さらに、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子を含む、芳香族あるいは脂肪族の複
素環も挙げられ、例えば、チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ナフト［２，３−ｂ］チエニル基、ピロリル基、チアントレニル基、フリル基、ピラニル基、イソベンゾフラニル基、クロメニル基、キサンテニル基、フェノキサチイニル基、２Ｈ−ピロリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリジニル基、イソインドリル基、３Ｈ−インドリル基、インドリル基、１Ｈ−インダゾリル基、プリニル基、４Ｈ−キノリジニル基、イソキノリル基、キノリル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサニリル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、プテリジニル基、４ａＨ−カルバゾリル基、カルバゾリル基、β−カルボリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、ペリミジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェナルサジニル基、イソチアゾリル基、フェノチアジニル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノキサジニル基、イソクロマニル基、クロマニル基、ピロリジニル基、ピロリニル基、イミダゾリジニル基、イミダゾリニル基、ピラゾリジニル基、ピラゾリニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基、インドリニル基、イソインドリニル基、キヌクリジニル基、モルホリニル基、チオキサントリル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、ベンゾフリル基、イソチアゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノキサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ピラニル基等がある。
【００１９】
置換基を有してもよいアルケニル基としては、炭素数２〜１０のアルケニル基が好まし
く、例えば、ビニル基、アリル基、スチリル基等が挙げられる。
【００２０】
置換基を有してもよいアルキニル基としては、炭素数２〜１０のアルキニル基が好まし
く、例えば、エチニル基、プロピニル基、プロパルギル基等が挙げられる。
【００２１】
置換基を有してもよいアルコキシ基としては、炭素数１〜２０のアルコキシ基が好まし
く、より好ましくは炭素数１〜６のアルコキシ基である。例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブ
トキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ヘキシルオキシキ、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、エトキシカルボニルメチル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ基、アミノカルボニルメチルオキシ基、Ｎ，
Ｎ−ジブチルアミノカルボニルメチルオキシ基、Ｎ−メチルアミノカルボニルメチルオキシ基、Ｎ−エチルアミノカルボニルメチルオキシ基、Ｎ−オクチルアミノカルボニルメチルオキシ基、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノカルボニルメチルオキシ基、ベンジルオキシ基、シアノメチルオキシ基等が挙げられる。
【００２２】
置換基を有してもよいアリールオキシ基としては、炭素数６〜３０のアリールオキシ基
が好ましく、より好ましくは炭素数６〜１４のアリールオキシ基である。例えば、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、２−クロロフェニルオキシ基、２−メチルフェニルオキシ基、２−メトキシフェニルオキシ基、２−ブトキシフェニルオキシ基、３−クロロフェニルオキシ基、３−トリフルオロメチルフェニルオキシ基、３−シアノフェニルオキシ基、３−ニトロフェニルオキシ基、４−フルオロフェニルオキシ基、４−シアノフェニルオキシ基、４−メトキシフェニルオキシ基、４−ジメチルアミノフェニルオキシ基、４−メチルスルファニルフェニルオキシ基、４−フェニルスルファニルフェニルオキシ基等が挙げられる。
【００２３】
置換基を有してもよいアシルオキシ基としては、炭素数２〜２０のアシルオキシ基が好
ましく、例えば、アセチルオキシ基、プロパノイルオキシ基、ブタノイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、トリフルオロメチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、１−ナフチルカルボニルオキシ基、２−ナフチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００２４】
置換基を有してもよいアルキルスルファニル基としては、炭素数１〜２０のアルキルス
ルファニル基が好ましく、例えば、メチルスルファニル基、エチルスルファニル基、プロピルスルファニル基、イソプロピルスルファニル基、ブチルスルファニル基、ヘキシルスルファニル基、シクロヘキシルスルファニル基、オクチルスルファニル基、２−エチルヘキシルスルファニル基、デカノイルスルファニル基、ドデカノイルスルファニル基、オクタデカノイルスルファニル基、シアノメチルスルファニル基、メトキシメチルスルファニル基等が挙げられる。
【００２５】
置換基を有してもよいアリールスルファニル基としては、炭素数６〜３０のアリールス
ルファニル基が好ましく、より好ましくは炭素数６〜１４のアリールスルファニル基である。例えば、フェニルスルファニル基、１−ナフチルスルファニル基、２−ナフチルスルファニル基、２−クロロフェニルスルファニル基、２−メチルフェニルスルファニル基、２−メトキシフェニルスルファニル基、２−ブトキシフェニルスルファニル基、３−クロロフェニルスルファニル基、３−トリフルオロメチルフェニルスルファニル基、３−シアノフェニルスルファニル基、３−ニトロフェニルスルファニル基、４−フルオロフェニルスルファニル基、４−シアノフェニルスルファニル基、４−メトキシフェニルスルファニル基、４−メチルスルファニルフェニルスルファニル基、４−フェニルスルファニルフェニルスルファニル基、４−ジメチルアミノフェニルスルファニル基等が挙げられる。
【００２６】
置換基を有してもよいアルキルスルフィニル基としては、炭素数１〜２０のアルキルス
ルフィニル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜６のアルキルスルフィニル基である。例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、プロピルスルフィニル基、イソプロピルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、ヘキシルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、オクチルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、デカノイルスルフィニル基、ドデカノイルスルフィニル基、オクタデカノイルスルフィニル基、シアノメチルスルフィニル基、メトキシメチルスルフィニル基等が挙げられる。
【００２７】
置換基を有してもよいアリールスルフィニル基としては、炭素数６〜３０のアリールス
ルフィニル基が好ましく、より好ましくは炭素数６〜１４のアリールスルフィニル基である。例えば、フェニルスルフィニル基、１−ナフチルスルフィニル基、２−ナフチルスル
フィニル基、２−クロロフェニルスルフィニル基、２−メチルフェニルスルフィニル基、２−メトキシフェニルスルフィニル基、２−ブトキシフェニルスルフィニル基、３−クロロフェニルスルフィニル基、３−トリフルオロメチルフェニルスルフィニル基、３−シアノフェニルスルフィニル基、３−ニトロフェニルスルフィニル基、４−フルオロフェニルスルフィニル基、４−シアノフェニルスルフィニル基、４−メトキシフェニルスルフィニル基、４−メチルスルファニルフェニルスルフィニル基、４−フェニルスルファニルフェニルスルフィニル基、４−ジメチルアミノフェニルスルフィニル基等が挙げられる。
【００２８】
置換基を有してもよいアルキルスルホニル基としては、炭素数１〜２０のアルキルスル
ホニル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜６のアルキルスルホニル基である。例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ヘキシルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、オクチルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、デカノイルスルホニル基、ドデカノイルスルホニル基、オクタデカノイルスルホニル基、シアノメチルスルホニル基、メトキシメチルスルホニル基等が挙げられる。
【００２９】
置換基を有してもよいアリールスルホニル基としては、炭素数６〜３０のアリールスル
ホニル基が好ましく、より好ましくは炭素数６〜１４のアリールスルホニル基である。例えば、フェニルスルホニル基、１−ナフチルスルホニル基、２−ナフチルスルホニル基、２−クロロフェニルスルホニル基、２−メチルフェニルスルホニル基、２−メトキシフェニルスルホニル基、２−ブトキシフェニルスルホニル基、３−クロロフェニルスルホニル基、３−トリフルオロメチルフェニルスルホニル基、３−シアノフェニルスルホニル基、３−ニトロフェニルスルホニル基、４−フルオロフェニルスルホニル基、４−シアノフェニルスルホニル基、４−メトキシフェニルスルホニル基、４−メチルスルファニルフェニルスルホニル基、４−フェニルスルファニルフェニルスルホニル基、４−ジメチルアミノフェニルスルホニル基等が挙げられる。
【００３０】
置換基を有してもよいアシル基としては、炭素数２〜２０のアシル基が好ましく、例え
ば、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、トリフルオロメチルカルボニル基、ペンタノイル基、ベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、４−メチルスルファニルベンゾイル基、４−フェニルスルファニルベンゾイル基、４−ジメチルアミノベンゾイル基、４−ジエチルアミノベンゾイル基、２−クロロベンゾイル基、２−メチルベンゾイル基、２−メトキシベンゾイル基、２−ブトキシベンゾイル基、３−クロロベンゾイル基、３−トリフルオロメチルベンゾイル基、３−シアノベンゾイル基、３−ニトロベンゾイル基、４−フルオロベンゾイル基、４−シアノベンゾイル基、４−メトキシベンゾイル基等が挙げられる。
【００３１】
置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基としては、炭素数２〜２０のアルコキシ
カルボニル基が好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、オクタデシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、トリフルオロメチルオキシカルボニル基、１−ナフチルオキシカルボニル基、２−ナフチルオキシカルボニル基、４−メチルスルファニルフェニルオキシカルボニル基、４−フェニルスルファニルフェニルオキシカルボニル基、４−ジメチルアミノフェニルオキシカルボニル基、４−ジエチルアミノフェニルオキシカルボニル基、２−クロロフェニルオキシカルボニル基、２−メチルフェニルオキシカルボニル基、２−メトキシフェニルオキシカルボニル基、２−ブトキシフェニルオキシカルボニル基、３−クロロフェニルオキシカルボニル基、３−トリフルオロメチルフェニルオキシカルボニル基、３−シアノフェニルオキシカルボニル基、３−ニトロフェニルオキシカルボニル基、４−フルオロフェニルオキシカルボニル基、４−シアノフェニルオキシカルボニル基、４−メ
トキシフェニルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３２】
置換基を有してもよいカルバモイル基としては、総炭素数１〜２０のカルバモイル基が
好ましく、より好ましくは炭素数１〜６のカルバモイル基である。例えば、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ−プロピルカルバモイル基、Ｎ−ブチルカルバモイル基、Ｎ−ヘキシルカルバモイル基、Ｎ−シクロヘキシルカルバモイル基、Ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−デシルカルバモイル基、Ｎ−オクタデシルカルバモイル基、Ｎ−アセチルカルバモイル基、Ｎ−フェニルカルバモイル基、Ｎ−２−メチルフェニルカルバモイル基、Ｎ−２−クロロフェニルカルバモイル基、Ｎ−２−イソプロポキシフェニルカルバモイル基、Ｎ−２−(２−エチルヘキシル)フェニルカルバモイル基、Ｎ−３−クロロフェニルカルバモイル基、Ｎ−３−ニトロフェニルカルバモイル基、Ｎ−３−シアノフェニルカルバモイル基、Ｎ−４−メトキシフェニルカルバモイル基、Ｎ−４−シアノフェニルカルバモイル基、Ｎ−４−メチルスルファニルフェニルカルバモイル基、Ｎ−４−フェニルスルファニルフェニルカルバモイル基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルカルバモイル基、Ｎ、Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ、Ｎ−ジブチルカルバモイル基、Ｎ、Ｎ−ジフェニルカルバモイル基等が挙げられる。
【００３３】
置換基を有してもよいスルファモイル基としては、総炭素数０〜２０のスルファモイル
基が好ましく、例えば、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ、Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ、Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモオイル基等が挙げられる。より具体的には、Ｎ−メチルスルファモイル基、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−プロピルスルファモイル基、Ｎ−ブチルスルファモイル基、Ｎ−ヘキシルスルファモイル基、Ｎ−シクロヘキシルスルファモイル基、Ｎ−オクチルスルファモイル基、Ｎ−２−エチルヘキシルスルファモイル基、Ｎ−デシルスルファモイル基、Ｎ−オクタデシルスルファモイル基、Ｎ−フェニルスルファモイル基、Ｎ−２−メチルフェニルスルファモイル基、Ｎ−２−クロロフェニルスルファモイル基、Ｎ−２−メトキシフェニルスルファモイル基、Ｎ−２−イソプロポキシフェニルスルファモイル基、Ｎ−３−クロロフェニルスルファモイル基、Ｎ−３−ニトロフェニルスルファモイル基、Ｎ−３−シアノフェニルスルファモイル基、Ｎ−４−メトキシフェニルスルファモイル基、Ｎ−４−シアノフェニルスルファモイル基、Ｎ−４−ジメチルアミノフェニルスルファモイル基、Ｎ−４−メチルスルファニルフェニルスルファモイル基、Ｎ−４−フェニルスルファニルフェニルスルファモイル基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルスルファモイル基等が挙げられる。
【００３４】
置換基を有してもよいアミノ基としては、総炭素数０〜４０のアミノ基が好ましく、よ
り好ましくは炭素数１〜１４のアミノ基である。例えば、−ＮＨ2，Ｎ−アルキルアミノ
基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ−アシルアミノ基、Ｎ−スルホニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジスルホニルアミノ基等が挙げられる。より具体的には、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−イソプロピルアミノ基、Ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ−tert−ブチルアミノ基、Ｎ−ヘキシルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基、Ｎ−オクチルアミノ基、Ｎ−２−エチルヘキシルアミノ基、Ｎ−デシルアミノ基、Ｎ−オクタデシルアミノ基、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−２−メチルフェニルアミノ基、Ｎ−２−クロロフェニルアミノ基、Ｎ−２−メトキシフェニルアミノ基、Ｎ−２−イソプロポキシフェニルアミノ基、Ｎ−２−(２−エチルヘキシル)フェニルアミノ基、Ｎ−３−クロロフェニルアミノ基、Ｎ−３−ニトロフェニルアミノ基、Ｎ−３−シアノフェニルアミノ基、Ｎ−３−トリフルオロメチルフェニルアミノ基、Ｎ−４−メトキシフェニルアミノ基、Ｎ−４−シアノフェニルアミノ基、Ｎ−４−トリフルオロメチルフェニルアミノ基、Ｎ−４−メチルスルファニルフェニルアミノ基、Ｎ−４−フェ
ニルスルファニルフェニルアミノ基、Ｎ−４−ジメチルアミノフェニルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジブチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジアセチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジベンゾイルアミノ基、Ｎ、Ｎ−(ジブチルカルボニル)アミノ基、Ｎ、Ｎ−(
ジメチルスルホニル)アミノ基、Ｎ、Ｎ−(ジエチルスルホニル)アミノ基、Ｎ、Ｎ−(ジブチルスルホニル)アミノ基、Ｎ、Ｎ−(ジフェニルスルホニル)アミノ基等が挙げられる。
【００３５】
置換基を有してもよいホスフィノイル基としては、総炭素数２〜５０のホスフィノイル
基が好ましく、例えば、ジメチルホスフィノイル基、ジエチルホスフィノイル基、ジプロピルホスフィノイル基、ジフェニルホスフィノイル基、ジメトキシホスフィノイル基、ジエトキシホスフィノイル基、ジベンゾイルホスフィノイル基、ビス(２,４,６−トリメチ
ルフェニル)ホスフィノイル基等が挙げられる。
【００３６】
置換基を有してもよいシリル基としては、メチルシリル基、ジメチルシリル基、トリメ
チルシリル基、エチルシリル基、ジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルビニルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、クロロメチルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、シクロヘキシルジメチルシリル基、クロロメチルジメチルシリル基、ベンジルジメチルシリル基、ジメチルフェネチルシリル基、ジメチルオクチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、トリベンジルシリル基等が挙げられる。
【００３７】
置換基を有してもよいシリルオキシ基としては、メチルシリルオキシ基、ジメチルシリ
ルオキシ基、トリメチルシリルオキシ基、エチルシリルオキシ基、ジエチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、ジメチルビニルシリルオキシ基、ジメチルエチルシリルオキシ基、ジメチルプロピルシリルオキシ基、ジメチルイソプロピルシリルオキシ基、クロロメチルジメチルシリルオキシ基、ブチルジメチルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基、シクロヘキシルジメチルシリルオキシ基、クロロメチルジメチルシリルオキシ基、ベンジルジメチルシリルオキシ基、ジメチルフェネチルシリルオキシ基、ジメチルオクチルシリルオキシ基、メチルジフェニルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基等が挙げられる。
【００３８】
ハロゲン基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００３９】
さらに、前述した置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシルオキシ基、置換基を有してもよいアルキルスルファニル基、置換基を有してもよいアリールスルファニル基、置換基を有してもよいアルキルスルフィニル基、置換基を有してもよいアリールスルフィニル基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいカルバモイル基、置換基を有してもよいスルファモイル基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいホスフィノイル基、置換基を有してもよいシリル基および置換基を有してもよいシリルオキシ基の水素原子はさらに他の置換基で置換されていても良い。
【００４０】
そのような置換基としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン基、メトキシ基、エトキシ基、tert−ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボ
ニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基、アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メトキサリル基等のアシル基、メチルスルファニル基、tert−ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基、フェニルスルファニル基、ｐ−トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基、メチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基等のアルキルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基等のジアルキルアミノ基、フェニルアミノ基、ｐ−トリルアミノ基等のアリールアミノ基、メチル基、エチル基、tert−ブチル基、ドデシル基等のアルキル基、フェニル基、ｐ−トリル基、キシリル基、クメニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基等のアリール基等の他、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ホルミル基、メルカプト基、スルホ基、メシル基、ｐ−トルエンスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリメチルシリル基、ホスフィニコ基、ホスホノ基、トリメチルアンモニウミル基、ジメチルスルホニウミル基、トリフェニルフェナシルホスホニウミル基等が挙げられる。
【００４１】
本発明において、Ｒ1およびＲ2は化合物の安定性の点から、置換基を有してもよいアリ
ール基であることが好ましい。
【００４２】
また、本発明において、Ｒ3およびＲ4は化合物の安定性及び化合物の結晶性の高さの点
から、水素原子であることが好ましい。
【００４３】
本発明の一般式［１］の化合物の代表例を例示化合物（１）〜（７２）として具体的に以下に例示するが、これらに限られるものではない。なお、例示化合物中のＭｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、tBuは３級ブチル基、Ｈｅｘはヘキシル基を示す。
【００４４】
【化２】
2010192782.tif 000003
【００４５】
【化３】
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【００４６】
【化４】
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【００４７】
【化５】
2010192782.tif 000006
【００４８】
【化６】
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【００４９】
【化７】
2010192782.tif 000008
【００５０】
［光電変換素子］
一般的に、有機光電変換素子は、一対の電極と有機半導体層から構成される。光電変換
効率の向上などを目的に、電極と有機半導体のエネルギー的なマッチングや有機半導体層の作製法方などによってさまざまな形の素子構造が提案されている。
【００５１】
１．ショットキー型光電変換素子
電子供与性（ｐ型）または電子受容性（ｎ型）の有機半導体と電極との界面において形
成されるショットキー障壁を利用し、光起電力を得る光電変換素子である。例えば、ｐ型の光電変換層を用いた場合には、一対の電極のうち仕事関数が小さいほうの電極との界面にショットキー障壁が形成され、その界面に電荷分離が生じ光電変換が行われる。
【００５２】
２．バイレイヤーヘテロ接合型光電変換素子
一対の電極の間に、電子供与性（ｐ型）および電子受容性（ｎ型）の有機半導体層を個
々に形成し、ｐｎ接合界面に光電荷分離を生じさせ光電流を得る光電変換素子である。
【００５３】
３．バルクヘテロ接合型光電変換素子
一対の電極の間に、電子供与性（ｐ型）および電子受容性（ｎ型）の有機半導体材料を
任意の比率で混合させ有機半導体層を形成する。この際、ｐ型及びｎ型の材料は均一に分散していても、不均一であっても構わない。個々のｐ型材料、ｎ型材料が形成する界面で光電荷分離が起こるため、バイレイヤーヘテロ接合型よりもｐｎ接合を広く形成させることが出来る。
【００５４】
本発明における化合物はいずれの素子構造にも適応することが可能である。
【００５５】
［成膜方法］
光電変換層を作製する際の有機半導体層の作成方法について説明する。成膜法は大きく
、乾式成膜法あるいは湿式成膜法に分類される。乾式成膜法の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法等の物理気相成長法あるいはプラズマ重合等の化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が挙げられる。湿式成膜法は、有機化合物を溶解させることができる溶媒中に溶解させ、その溶液を用いて薄膜化する方法である。塗布方法としては、キャスト法、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、ディッピング（浸漬）コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法、インクジェット法、スピンコート法、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）法等の通常の方法を用いることができる。
【００５６】
成膜の際の有機半導体層の膜厚は、素子の種類などにより、特に制限はないが、好まし
くは５ｎｍ〜５０μｍ、より好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００５７】
湿式成膜法を用いて有機半導体薄膜層を形成する場合、層を形成する材料あるいはその
材料とバインダー樹脂を適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレン、１，２−ジクロロベンゼンなどの炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１−メチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイドなどの極性溶媒）および／または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により薄膜を形成することができる。その塗布液中の本発明の化合物の濃度は、好ましくは、０．１〜６０質量％、より好ましくは０．１〜２０質量％とすることにより、任意の厚さの膜を形成できる。
【００５８】
有機薄膜層に樹脂バインダーを用いることも可能である。有機薄膜層の樹脂バインダー
としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ポリエチレン、ポリプロピレン等の絶縁性ポリマーおよびこれらの共重合体、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の光伝導性
ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレン等の導電性ポリマーを挙げることができる。樹脂バインダーは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。薄膜の機械的強度を考慮するとガラス転移温度の高い樹脂バインダーが好ましく、電荷移動度を考慮すると極性基を含まない構造の樹脂バインダーや光伝導性ポリマー、導電性ポリマーが好ましい。この樹脂バインダーは使わない方が有機半導体の特性上好ましいが、目的によっては使用することもある。この場合の樹脂バインダーの使用量は、特に制限はないが、有機半導体薄膜層中、好ましくは０．０５〜２０質量％で用いられる。
【００５９】
本発明の材料は、特に湿式成膜法での薄膜作製に適している。湿式成膜で薄膜を作製す
るためには、上記で挙げた溶媒等に材料が溶解することが必要であるが、単に溶解するだけでは不十分である。通常、乾式成膜法で薄膜を作製する材料でも、溶媒にある程度溶解させることができる。しかし、湿式成膜法では、材料を溶媒に溶解させて薄膜にした後で、溶媒が蒸発して薄膜が形成する過程があり、湿式成膜法に適さない材料は結晶性が高いものが多いため、この過程で結晶化してしまい良好な薄膜を形成させることが困難である。本発明の材料は、このような結晶化が起こりにくい点でも優れている。
【００６０】
［その他の有機半導体材料］
光電変換層を作製する際、本発明の材料は、単独であっても、他の材料と一緒に用いて
も良い。さらに、発生したキャリア（ホールまたは電子）を電極まで効率よく運ぶため、あるいは、電極へのキャリアの注入障壁を軽減させるために、有機半導体層と電極の間に電荷輸送層を形成しても良い。
【００６１】
その際に用いることができる電子供与性有機材料としては、フェニレンビニレン、フル
オレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体や、その誘導体が用いられる。また、高分子に限定されるものではなく、例えばポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物や、１，１−ビス｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２−２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾ−ル等の芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ（３−メチルチオフェン）等も用いられる。
【００６２】
電子受容性材料としてはＣ６０、Ｃ７０をはじめとするフラーレン類やカーボンナノチ
ューブ、及びそれらの誘導体や、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ドープされたポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）
等の導電性有機化合物、またはテトラチオフルバレン、テトラメチルフェニレンジアミン等の電子供与性化合物と、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン等の電子受容性化合物とからなる電荷移動錯体を形成する有機材料等を挙げることができる。また、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属との金属ドープ層が挙げられる。好適な材料としては、ＢＣＰ（バソキュプロイン）または、Ｂｐｈｅｎ（バソフェナントロン）と、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒなどの金属ドープ層が挙げられる。
【００６３】
［基板］
基板は、透明なものであっても不透明なものであっても特に限定されるものではなく、
任意の材料により形成することが可能である。基板の材料の例を挙げると、ガラス、サファイア、チタニア等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ナイロン、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂フィルム、塩化ビニル、ポリエチレン、セルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリノルボルネン等の有機材料、ステンレス、チタン、アルミ等の金属に、絶縁性を付与するために表面をコート或いはラミネートしたもの等の複合材料などが挙げられる。また、これらを延伸して用いても良い。これらの材料を２種類以上積層した複合フィルムも使用することができる。
【００６４】
［電極］
光電変換素子を構成する一対の電極のうち、少なくとも一つは光を透過する必要がある
。この際、光の透過率は光電変換効率に大きな影響を与える。
【００６５】
具体的な例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、白金、クロム、ニッケル、リチウム、インジウム、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、シリコン化合物およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。
【００６６】
電極の形状としては、フラットな形状が一般的である。エネルギー変換効率を向上させ
るために、波型、ピラミッド型、くし型当の凹凸を故意に形成させることもある。
【００６７】
これら電極の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、化学反応法（ゾルゲル法など）、キャスト法、スプレーコーティング法、インクジェット法、スピンコート法などを挙げることができる。
【００６８】
［その他の部材］
光電変換素子は、前記の各層以外に、その他の構成部材を備えていても良い。例えば、
紫外線を透過させない光学膜（フィルタ）を備えていても良い。紫外線は、エネルギーが高いため有機材料を劣化させる一因となる。この紫外線を遮断することにより、素子を長寿命化させることが出来る。
【００６９】
外部からの衝撃に対して光電変換層を保護する目的で、保護膜を備えていても良い。保
護膜は、例えば、スチレン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンポリビニルアルコール共重合体等のポリマー膜、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム等の無機酸化膜や窒化膜、アルミニウム等の金属板もしくは金属箔、あるいはこれらの積層膜などにより構成す
ることができる。なお、これらの保護膜の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。さらには、２種以上の保護膜を積層させても良い。
【００７０】
一般に有機デバイスは、空気中の水分や酸素により劣化を招くといわれている。それを
防ぐため、バリア膜を備えていても良い。例えば、金属または無機酸化物が好ましく、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｒ、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化ホウ素、酸化カルシウム等を挙げることができる。
これら各種機能性膜を積層させる順番は特になく、これらの機能を併せ持つ機能性膜を用いても良い。
【実施例】
【００７１】
以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００７２】
まず、本発明における合成例を示す。例示した対称な化合物は、例えば、米国特許４５７９９４９により開示された合成法に従い合成できる。
【００７３】
＜合成例１＞
コハク酸ジメチル１８．４ｇ、３−クロロベンゾニトリル４２．７ｇ、ナトリウムブトキシド２５．３ｇをアミルアルコール２００ｇに溶解し、７時間還流させた。冷却した後、沈殿物をろ過し、酢酸、メタノールで洗浄することにより、例示化合物（１）を１８．２ｇ得た。ＭＡＬＤＩＴＯＦ−ＭＳ（ブルカーダルトニクス社製  autoflexII）による質量分析により、化合物（５）の分子量（理論値３５７．１９、実測値３５７．２３）に一致した。
【００７４】
＜合成例２＞
３−クロロベンゾニトリルの代わりに、ベンゾニトリルを用いた以外は合成例１と同様にして例示化合物（７）を得た。ＭＡＬＤＩＴＯＦ−ＭＳによる質量分析により、化合物（７）の分子量（理論値２８８．３０、実測値２８８．３７）に一致した。
【００７５】
＜合成例３＞
例示化合物（１）３５．７ｇに、ＤＭＦ１００ｍＬを加え室温で攪拌する。水酸化ナトリウム８．０ｇを加え、２時間攪拌した後５６．４ｇのヨウ化メチルを滴下し、さらに３時間攪拌した。反応液をメタノール５００ｍＬにあけろ過することにより例示化合物（６１）を得た。ＭＡＬＤＩＴＯＦ−ＭＳによる質量分析により、化合物（６１）の分子量（理論値３８５．２４、実測値３８５．２２）に一致した。
【００７６】
例示した非対称な化合物は、例えば、Tetrahedron誌  ２００２年  ５８巻  ５５４７
頁あるいは特開平７−２１１２２号公報により開示された合成法に従い合成できる。
【００７７】
実施例１
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、電荷注入バッファー層としてスピンコート法を用いてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを３０ｎｍの膜厚で成膜した。次に真空蒸着法を用いて、例示化合物（７）を３０ｎｍ積層させ、次いで、例示化合物（１５）を３０ｎｍ積層させ、さらに、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４、７−ジフェニル−１、１０−フェナントロリン）を５ｎｍ積層させた。その後、電極として真空蒸着法を用いてアルミニウムを１００ｎｍ積層させ、素子を作製した。
【００７８】
実施例２
例示化合物（７）の代わりに銅フタロシアニン、例示化合物（１５）の代わりに例示化
合物（１６）を用いた以外は、実施例１と同様に素子を作製した。
【００７９】
実施例３
例示化合物（７）の代わりに例示化合物（９）、例示化合物（１５）の代わりにＣ６０
フラーレンを用いた以外は、実施例１と同様に素子を作製した。
【００８０】
比較例１
例示化合物（７）の代わりにペンタセン、例示化合物（１５）の代わりにＣ６０フラー
レンを用いた以外は、実施例１と同様に素子を作製した。
【００８１】
実施例４
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、電荷注入バッファー層としてスピンコート法を
用いてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを３０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、例示化合物（６６）とＣ６０ＰＣＢＭを１：２の重量比でオルトジクロロベンゼンに溶解させ（１ｗｔ％）、スピンコート法を用いて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層の上に積層させ、６０℃  ３時間乾燥させた。さらに、真空蒸着法を用いて、ＬｉＦ（１ｎｍ）、アルミニウム（１００ｎｍ）の電極を作製した。
【００８２】
実施例５
例示化合物（６６）の代わりに例示化合物（６７）を用いた以外は、実施例４と同様に
素子を作製した。
【００８３】
実施例６
例示化合物（６６）の代わりに例示化合物（７０）を用いた以外は、実施例４と同様に
素子を作製した。
【００８４】
比較例２
例示化合物（６６）の代わりにポリ（３−ヘキシルチオフェン）（数平均分子量45,000
−65,000）を用いた以外は、実施例４と同様に素子を作製した。
【００８５】
以上のようにして作製した光電変換素子を用いて、大気下、４０℃の条件において光電変換素子を保管し、その光電変換効率の経時変化を比較した。それぞれの素子において、素子作成直後の光電変換効率を１としたときの、一日後、一週間後、一ヵ月後における光電変換効率の相対値を以下のとおりであった。
【００８６】
ここで、光電変換効率は、ＯＲＩＥＬ社製ソーラーシュミレーター（＃８１１６）をエ
アマスフィルターと組み合わせ、光量計で１００ｍＷ／ｃｍ2 の光量に調整して測定用光源とし、前記のように作成した光電変換セルに光照射をしながら、ＫＥＩＴＨＬＥＹ MODEL２４００ソースメーターを使用してＩ‐Ｖカーブ特性を測定し算出した。
表１
【００８７】
【表１】
2010192782.tif 000009
【００８８】
表１から明らかなように、本発明の化合物を用いて作製した素子は、一ヵ月後であって
も作製直後とほぼ同等の変換効率を示していることが分かる。