(57)【要約】【課題】ワイヤの断線を回避することと、屈折率の高い樹脂で封止材を形成することを、両立させることができる樹脂封止型の発光装置を提供する。【解決手段】本発明の発光装置１は、第１電極部６と、第２電極部７と、それらの電極部間に介装された絶縁部８と、第１電極部６の電極面６Ａに実装された光半導体素子３と、光半導体素子３と第２電極部７の間にループ形状に架け渡されたワイヤ１０と、透光性を有する樹脂によって形成されるとともに、光半導体素子３とワイヤ１０を一体に封止する封止材５とを備える。第１電極部６と第２電極部７の各電極面６Ａ，７Ａは、共通の基準平面上に配置されている。ワイヤ１０のループ形状の内側部分には、基準平面からワイヤ１０側に突出する突起部１１が設けられている。突起部１１は、封止材５よりも熱膨張係数又はヤング率の小さい絶縁材料で形成されている。【選択図】図１
2010161257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極部と、
第２電極部と、
前記第１電極部と前記第２電極部の間に介装された絶縁部と、
前記第１電極部の電極面に実装された発光素子と、
前記発光素子と前記第２電極部の間にループ形状に架け渡されるとともに、一端が前記発光素子の電極に接続され、他端が前記第２電極部の電極面に接続されたワイヤと、
透光性を有する樹脂によって形成されるとともに、前記発光素子と前記ワイヤを一体に封止する封止材と
を備え、
前記第１電極部の電極面と前記第２電極部の電極面が共通の基準平面上に配置されるとともに、
前記ワイヤのループ形状の内側部分に、前記基準平面から前記ワイヤ側に突出する突起部が設けられ、
前記突起部は、前記封止材よりも熱膨張係数又はヤング率の小さい絶縁材料で形成されている
発光装置。
【請求項２】
前記突起部は、前記ワイヤの傾斜に沿う第１面と前記発光素子の端面に沿う第２面を含む多角形に形成されている
請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記突起部には、前記ワイヤを通すための凹み部分を有する樋部が設けられている
請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記突起部は、前記絶縁部と一体に形成されている
請求項１、２又は３記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子から出力される光を反射させる反射面を有する反射材を有し、
前記突起部、前記絶縁部及び前記反射材は、同じ絶縁材料で形成されている
請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
前記突起部の高さが前記発光素子の発光部の高さ以下である
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
第１電極部と、第２電極部と、前記第１電極部と前記第２電極部の間に介装された絶縁部と、前記第１電極部の電極面に実装された発光素子と、前記発光素子と前記第２電極部の間にループ形状に架け渡されるとともに、一端が前記発光素子の電極に接続され、他端が前記第２電極部の電極面に接続されたワイヤと、透光性を有する樹脂によって形成されるとともに、前記発光素子と前記ワイヤを一体に封止する封止材とを備え、前記第１電極部の電極面と前記第２電極部の電極面が共通の基準平面上に配置されるとともに、前記ワイヤのループ形状の内側部分に、前記基準平面から前記ワイヤ側に突出する突起部が設けられ、前記突起部は、前記封止材よりも熱膨張係数又はヤング率の小さい絶縁材料で形成されている発光装置を光源として備える
表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び表示装置に関する。詳しくは、樹脂封止型の発光装置とこれを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置の一つの形態として、樹脂封止型の発光装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。図８は従来の発光装置（樹脂封止型発光装置）の構成を示すもので、（Ａ）はその上面図、（Ｂ）はその側断面図である。図８において、発光源となる光半導体素子５０は、第１電極部５１に搭載されている。光半導体素子５０は、図示しない導電性のダイボンド材を用いて第１電極部５１に固定されている。第１電極部５１と第２電極部５２との間には絶縁部５３が介在している。第１電極部５１と第２電極部５２は、絶縁部５３によって電気的に分離されている。光半導体素子５０の上面には図示しない電極が形成されている。光半導体素子５０の電極は導電性のワイヤ（ボンディングワイヤ）５４を介して第２電極部５２に電気的に接続されている。光半導体素子５０の実装位置の周辺には反射材５５が設けられている。反射材５５は反射面５６を有している。光半導体素子５０は、ワイヤ５４と一体に封止材５７によって封止（樹脂封止）されている。
【０００３】
上記構成からなる発光装置においては、第１電極部５１と第２電極部５２を通して光半導体素子５０に電力が供給されることにより、光半導体素子５０から光が出力（出射）される。このとき、光半導体素子５０から出力された光は封止材５７を通して発光装置の外部に取り出される。このため、光半導体素子５０の出力光を効率良く外部に取り出すためには、封止材５７の光学的な特性として、光の透過率が高いことと屈折率が高いことが望ましい。このうち、封止材５７の屈折率に関しては、これが高くなると、光半導体素子５０から封止材５７へ取り出される光が増加する。封止材５７と外部（空気）の界面で光の反射は増加するが、その反射光は反射面５６で反射されて発光装置の外部に出力する。このため、外部に取り出される光の量が相対的に増える。発光装置を高温の環境で使用する場合は、封止材５７に耐熱性の高い透明なシリコーン樹脂が用いられる。しかし、シリコーン樹脂は、一般的なエポキシ樹脂と比較して屈折率が低い。このため、シリコーン樹脂の使用は、発光装置の発光効率の制約になっている。そこで、発光装置の発光効率を向上させる目的で、例えば、シリコーン樹脂にそれよりも屈折率の高い材料を混合して総合的な屈折率を高くすることが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１１４６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のようにシリコーン樹脂に高屈折率材料を混合すると、封止材５７のヤング率が高くなる。このため、温度変化による封止材５７とワイヤ５４の熱膨張係数差による熱応力が大きくなり、その影響でワイヤ５４が断線しやすくなる。ワイヤ５４の断線は、発光装置が点灯しなくなるという致命的な欠陥を招く。このため、従来においては、高屈折率な封止材５７を使用することができず、このことが発光装置の発光効率を向上させるうえでネックになっている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る発光装置は、第１電極部と、第２電極部と、前記第１電極部と前記第２電極部の間に介装された絶縁部と、前記第１電極部の電極面に実装された発光素子と、前記発光素子と前記第２電極部の間にループ形状に架け渡されるとともに、一端が前記発光素子の電極に接続され、他端が前記第２電極部の電極面に接続されたワイヤと、透光性を有する樹脂によって形成されるとともに、前記発光素子と前記ワイヤを一体に封止する封止材とを備え、前記第１電極部の電極面と前記第２電極部の電極面が共通の基準平面上に配置されるとともに、前記ワイヤのループ形状の内側部分に、前記基準平面から前記ワイヤ側に突出する突起部が設けられ、前記突起部は、前記封止材よりも熱膨張係数又はヤング率の小さい絶縁材料で形成された構成となっている。また、本発明に係る表示装置は、上記構成の発光装置を光源として備えたものとなっている。
【０００７】
本発明に係る発光装置及び表示装置においては、ワイヤのループ内側部分に突起部を設けたことにより、当該突起部を設けない場合に比較して、突起部の体積の分だけ、ワイヤの内側部分に占める封止材の体積が小さくなる。このため、封止材よりも熱膨張係数又はヤング率の小さい絶縁材料で突起部を形成することにより、温度変化によってワイヤに加わる熱応力を低減することが可能となる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、温度変化によってワイヤに加わる熱応力を低減して、ワイヤの断線を有効に防止することができる。このため、封止材の材料として、屈折率の高い樹脂を用いることができる。したがって、ワイヤの断線を回避することと、屈折率の高い樹脂で封止材を形成することを、両立させることができる。その結果、発光装置の発光効率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の構成を示すもので、（Ａ）はその上面図、（Ｂ）はその側断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。
【図６】図５に示す突起部を拡大した上面図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。
【図８】従来の発光装置の構成を示すもので、（Ａ）はその上面図、（Ｂ）はその側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明の技術的範囲は以下に記述する実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００１１】
本発明の実施の形態については、以下の順序で説明する。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．第３の実施の形態
４．第４の実施の形態
５．第５の実施の形態
６．第６の実施の形態
７．適用例
【００１２】
＜１．第１の実施の形態＞
図１は本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の構成を示すもので、（Ａ）はその上面図、（Ｂ）はその側断面図である。図示した発光装置１は、樹脂封止型の発光装置であって、大きくは、光半導体素子３と、反射材４と、封止材５とを備えた構成となっている。光半導体素子３は、発光素子の一例として設けられたものである。ここでは、方向性の定義として、図１の中にＸ方向とＹ方向とＺ方向を明示する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交する関係にある。
【００１３】
発光装置１は、全体的に平面視四角形（図例では正方形）状に形成されている。発光装置１の外形を規定する四角形の相対応する２辺はＸ方向と平行に配置され、他の２辺はＹ方向と平行に配置されている。第１電極部６と第２電極部７は、平板状のリードフレームの電極部であって、いずれも導電材料（金属等）によって形成されている。第１電極部６は一方の面（上面）を電極面６Ａとし、第２電極部７も一方の面（上面）を電極面７Ａとしている。第１電極部６の電極面６Ａと第２電極部７の電極面７Ａは、同一平面上、さらに詳しくはＸＹ平面に平行な共通の基準平面上に配置されている。このため、第１電極部６の電極面６Ａと第２電極部７の電極面７Ａは、光半導体素子３の厚み方向に相当するＺ方向で同じ高さ位置に配置されている。
【００１４】
絶縁部８と支持部９は、いずれも絶縁材料（樹脂等）によって形成されている。第１電極部６と第２電極部７の下側は部分的にハーフエッチングされており、そのエッチングされた部分に絶縁材料が入り込み、第１電極部６と第２電極部７が絶縁部８と支持部９によって脱落しないようになっている。絶縁部８は断面逆Ｔ字形に形成されている。絶縁部８は、Ｙ方向に長い帯状に形成されている。絶縁部８は、Ｘ方向で第１電極部６と第２電極部７の間に介装されている。絶縁部８は、第１電極部６と第２電極部７を電気的に分離するものである。絶縁部８は、Ｘ方向で第１電極部６と第２電極部７を物理的に分離する状態で形成されている。支持部９は、発光装置１の外形に沿って平面視四角形の枠状に形成されている。支持部９は、絶縁部８と一体に形成されている。
【００１５】
発光装置１は、例えば、インサートモールド成形によって得られるものである。インサートモールド成形では、モールド用の金型内にインサート品を装填した状態で当該金型内に樹脂を注入した後、当該樹脂を硬化させることで、一体化した複合部品を得る方法である。発光装置１をインサートモールド成形で作製する場合は、第１電極部６と第２電極部７を有するリードフレームをインサート品として金型内に装填し、樹脂の注入と硬化を行なう。これにより、第１電極部６、第２電極部７、反射材４、絶縁部８及び支持部９を一体化した構造が得られる。この構造体に光半導体素子３をダイボンドし、ワイヤ１０をワイヤボンディングする。その後、封止材５でモールド成型し、ダイシングにより個片化することで、発光装置１が得られる。
【００１６】
反射材４は、その表面に反射面４Ａを有している。反射材４の反射面４Ａは、光半導体素子３から出力された光の一部を外部に取り出すために、当該反射面４Ａに入射した光を上方向に反射させるものである。反射材４の反射面４Ａは、例えば、ＸＹ平面に対して４５度の角度で傾斜したすり鉢状に形成されている。反射面４Ａは、例えば、上述したインサートモールド成形によれば、反射材４そのものである。ただし、インサートモールド成形以外にも、例えば、積層セラミックス基板を用いても同様な構造を形成できる。セラミックス材料は主に白色アルミナが用いられる。この場合、反射面４Ａはセラミックス材料のままか、金属のメタライズをつけて形成してもよい。
【００１７】
光半導体素子３は、電力の供給を受けて光を出力（出射）するものである。光半導体素子３に対する電力の供給は、第１電極部６、第２電極部７及びワイヤ１０を介して行なわれる。光半導体素子３は、平面視四角形のチップ状に形成されている。光半導体素子３は、ＸＹ平面で発光装置１の中央部に搭載されている。光半導体素子３の上面には、図示しない発光部と電極が設けられている。光半導体素子３の上面に設けられた発光部からは、光が半球状に出力されるようになっている。光半導体素子３は、第１電極部６の電極面６Ａに図示しない導電性のダイボンディングペースト、又はハンダを用いて実装されている。光半導体素子３の下面は、上記ダイボンド材による接着層を介して第１電極部６の電極面６Ａに接している。光半導体素子３は、ワイヤ（例えば、金ボンディングワイヤなど）１０を介して第２電極部７に電気的に接続されている。ワイヤ１０は、Ｘ方向で光半導体素子３と第２電極部７の間にループ形状に架け渡されている。ワイヤ１０は、Ｘ方向と平行に配線されている。ワイヤ１０の一端は、光半導体素子３の上面に設けられた電極（不図示）に接続されている。ワイヤ１０の他端は、第２電極部７の電極面７Ａに接続されている。このため、ワイヤ１０の一端と他端は、Ｚ方向で光半導体素子３の厚み相当の段差をもって配置されている。
【００１８】
封止材５は、光半導体素子３とワイヤ１０を一体に封止するものである。封止材５は、透光性（光を透過する性質）の樹脂によって形成されている。封止材５は、光半導体素子３から出力された光や反射材４で反射された光を外部に取り出すための光取り出し面５Ａを有している。光取り出し面５Ａは、光半導体素子３の上方に球面状に形成されている。封止材５は、当該封止材５の下側部分で光半導体素子３とワイヤ１０を一体に封止している。封止材５の上側部分は半球状に突出した状態で形成されている。封止材５は、反射材４の反射面４Ａを含む上面と、第１電極部６の電極面６Ａと、第２電極部７の電極面７Ａに、それぞれ面的に接している。封止材５の光取り出し面５Ａは、平面的に見て、反射材４の反射面４Ａよりも一回り大きな円形状に形成されている。
【００１９】
また、光半導体素子３の近傍には突起部１１が設けられている。突起部１１は、ワイヤ１０のループ形状の内側部分に設けられている。突起部１１は、上述した基準平面からワイヤ１０側（上側）に突出する状態で設けられている。突起部１１は、封止材５よりも熱膨張係数又はヤング率の小さい絶縁材料で形成されている。
【００２０】
突起部１１は、Ｙ方向から見て三角形に形成されている。突起部１１は、絶縁部８の直上に、当該絶縁部８の長手方向（Ｙ方向）に沿って凸状に形成されている。このため、発光装置１を平面的に見ると、ワイヤ１０の下側に当該ワイヤ１０に交差する状態で突起部１１が配置されている。突起部１１は、例えば、絶縁性の接着剤によって絶縁部８の上面に接着（固定）されるものである。
【００２１】
突起部１１の高さと光半導体素子３の発光部の高さを、それぞれ上記の基準平面からの高さ寸法（Ｚ方向の寸法）で規定すると、突起部１１の高さは、光半導体素子３の発光部の高さ以下に設定されている。このため、光半導体素子３の発光部から出力された光が突起部１１によって遮られる現象を避けることができる。突起部１１の高さは、好ましくは、光半導体素子３の発光部の高さと同一高さとすることが望ましい。ただし、突起部１１を透光性の材料で形成した場合は、突起部１１の高さが光半導体素子３の発光部の高さを超えていても、光半導体素子３の発光部から出力された光が突起部１１によって遮られる現象を避けることができる。
【００２２】
封止材５と突起部１１の具体的な材料事例を以下に示す。
【００２３】
（封止材５の材料事例）
材料名＝透明シリコーン樹脂（フェニルタイプ）
屈折率＝1.5〜1.55
硬度＝Shore D 60以上
熱膨張係数＝100〜300ppm/℃
ヤング率＝0.1〜10GPa
【００２４】
（突起部１１の第１材料事例）
材料名＝シリコーン樹脂
熱膨張係数＝10〜30ppm/℃
【００２５】
（突起部１１の第２材料事例）
材料名＝シリコーン樹脂
ヤング率＝0.001〜0.1GPa
【００２６】
（突起部１１の第３材料事例）
材料名＝エポキシ樹脂
熱膨張係数＝10〜30ppm/℃
【００２７】
封止材５の材料事例と突起部１１の第１材料事例を適用した場合は、突起部１１が封止材５よりも熱膨張係数の小さい絶縁材料で形成されることになる。また、封止材５の材料事例と突起部１１の第２材料事例を適用した場合は、突起部１１が封止材５よりもヤング率の小さい絶縁材料で形成されることになる。また、封止材５の材料事例と突起部１１の第３材料事例を適用した場合は、突起部１１が封止材５よりも熱膨張係数の小さい絶縁材料で形成されることになる。
【００２８】
本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１においては、ワイヤ１０の内側部分に突起部１１を設けない場合に比較して、突起部１１の体積の分だけ、ワイヤ１０の内側部分に占める封止材５の体積が小さくなる。そうすると、ワイヤ１０の内側部分では、突起部１１の熱膨張係数又はヤング率が封止材５のそれよりも小さくなることから、温度変化によってワイヤ１０に加わる熱応力が低減する。このため、ワイヤ１０の断線が発生しにくくなる。したがって、ワイヤ１０の断線を回避することと、屈折率の高い樹脂で封止材５を形成することを、両立させることができる。
【００２９】
一般に、樹脂封止型の発光装置の封止材には、標準的な屈折率を有するジメチルタイプの透明シリコーン樹脂が用いられている。その場合の材料物性は、屈折率＝1.4〜1.45、硬度＝JIS A 50以下、熱膨張係数＝100〜300ppm/℃、ヤング率＝0.01〜0.1GPaとなる。
【００３０】
これに対して、上記の材料事例では、標準的な屈折率を有するジメチルタイプの透明シリコーン樹脂よりも屈折率の高いフェニルタイプの透明シリコーン樹脂を、封止材５の形成材料に採用している。このように屈折率の高いシリコーン樹脂を用いて封止材５を形成することにより、封止材５と外部（空気）の界面で光の反射を相対的に低減することができる。このため、外部に取り出される光の量を相対的に増加させて、光の取り出し効率を高めることが可能となる。
【００３１】
＜２．第２の実施の形態＞
図２は本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。図示した発光装置１においては、突起部１１が絶縁部８と一体に形成されている。また、反射材４、絶縁部８、支持部９及び突起部１１は、すべて同じ絶縁材料で形成されている。具体的には、反射材４に光学的な反射機能を持たせるために、例えば、白色のシリコーン樹脂で、材料の物性値が、反射率＝80%以上、熱膨張係数＝10〜30ppm/℃、ヤング率＝10〜50GPaの絶縁材料を用いて、反射材４、絶縁部８、支持部９及び突起部１１を形成している。この場合は、上記第１の実施の形態で封止材５の材料事例に挙げた透明シリコーン樹脂と比較して、突起部１１の熱膨張係数が封止材５の熱膨張係数よりも小さくなる。このため、上記第１の実施の形態と同様に、温度変化によってワイヤ１０に加わる熱応力が低減し、ワイヤ１０の断線が発生しにくくなる。また、突起部１１の高さを光半導体素子３の発光部の高さ以下とすることにより、光半導体素子３から出力された光が突起部１１で遮られる現象を避けることができる。
【００３２】
さらに、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置１においては、突起部１１と絶縁部８を一体に形成しているため、それらを別体で形成してから接着等で組み付ける場合に比較して、製造コストを低減することができる。また、反射材４と絶縁部８と支持部９と突起部１１を構成する絶縁材料を共通化することにより、反射材４と絶縁部８と支持部９と突起部１１を一体にインサートモールド成形で作製することができる。このため、突起部１１を別に作製して、接着等で組み付ける場合に比較して、製造コストを低減することができる。
【００３３】
＜３．第３の実施の形態＞
図３は本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。図示した発光装置１においては、上記第１の実施の形態と比較して、突起部１１の形状が異なっている。さらに詳述すると、突起部１１は、上記図１のＹ方向から見て、ワイヤ１０の傾斜（ループ形状）に沿う第１面１１Ａと光半導体素子３の端面に沿う第２面１１Ｂを含む多角形に形成されている。突起部１１の第１面１１Ａは、上記基準平面に対してワイヤ１０と同じ方向に傾斜した傾斜面となっている。突起部１１の第２面１１Ｂは、上記基準平面から垂直に立ち上がる垂直面となっている。突起部１１の全体形状を表す多角形は、図例のような台形の他にも、例えば、頂部が尖った直角三角形でもよい。
【００３４】
上述のような凸形状で突起部１１を形成することにより、ワイヤ１０の内側部分に、当該ワイヤ１０のループ形状に沿わせて突起部１１を配置することができる。このため、ワイヤ１０の内側部分では、突起部１１が占める体積比率が高くなり、その分だけ、封止材５が占める体積比率が低くなる。したがって、温度変化によってワイヤ１０に加わる熱応力をより一層低減することができる。また、上記同様に突起部１１の高さを光半導体素子３の発光部の高さ以下に設定することで、光半導体素子３の発光部から出力された光が突起部１１によって遮られる現象を避けることができる。
【００３５】
＜４．第４の実施の形態＞
図４は本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。図示した発光装置１においては、突起部１１が絶縁部８と一体に形成されている。また、反射材４、絶縁部８、支持部９及び突起部１１は、すべて同じ絶縁材料で形成されている。これ以外の点は、上記第３の実施の形態と同様の構成となっている。この第４の実施の形態に係る発光装置においては、上記第２の実施の形態及び上記第３の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
＜５．第５の実施の形態＞
図５は本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。図示した発光装置１においては、上記第３の実施の形態と比較して、突起部１１に樋部１２が一体に設けられている点が異なる。図６は、突起部１１を拡大した上面図である。図示のように、突起部１１に設けられた樋部１２は、ワイヤ１０を通す部分を雨樋のようにＵ字形に凹ませた構造になっている。樋部１２は、Ｕ字形の凹み部分にワイヤ１０を通す（抱き込む）ように配置されている。ワイヤ１０は、樋部１２の凹み部分（凹面）に対して、非接触状態又は接触状態で配置されている。樋部１２の凹み部分の曲率半径は、ワイヤ１０の半径（ワイヤ直径の１／２）よりも大きく設定されている。このような寸法関係に設定する理由は、発光装置１の製造工程でワイヤボンディングを行なうときに、製造公差上の位置ずれがあっても、突起部１１の樋部１２の凹み部分にワイヤ１０を確実に通すためである。
【００３７】
上述のように突起部１１に樋部１２を設けることにより、ワイヤ１０の内側部分だけでなく、ワイヤ１０の周囲でも、樋部１２の存在によって、封止材５が占める体積比率を下げることができる。したがって、温度変化によってワイヤ１０に加わる熱応力をより一層低減することができる。また、上記同様に突起部１１の高さを光半導体素子３の発光部の高さ以下に設定することで、光半導体素子３の発光部から出力された光が突起部１１によって遮られる現象を避けることができる。
【００３８】
＜６．第６の実施の形態＞
図７は本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の構成を示す側断面図である。図示した発光装置１においては、突起部１１（樋部１２を含む）が絶縁部８と一体に形成されている。また、反射材４、絶縁部８、支持部９及び突起部１１は、すべて同じ絶縁材料で形成されている。これ以外の点は、上記第５の実施の形態と同様の構成となっている。この第６の実施の形態に係る発光装置においては、上記第２の実施の形態及び上記第５の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
＜７．適用例＞
本発明に係る発光装置は表示装置の光源として用いることができる。例えば、液晶表示装置のバックライトの光源として、上記の発光装置を用いることができる。また、上述した各々の実施の形態に係る発光装置のいずれかを光源として備える表示装置を発明として抽出することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１…発光装置、３…光半導体素子、４…反射材、５…封止材、６…第１電極部、６Ａ…電極面６Ａ、７…第２電極部、７Ａ…電極面７Ａ、８…絶縁部、１０…ワイヤ、１１…突起部、１１Ａ…第１面、１１Ｂ…第２面、１２…樋部
【図１】
2010161257.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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