(57)【要約】 【課題】電極から剥がしたときに破損するおそれがなく、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することを目的とする。【解決手段】めっき浴２中に浸漬した２つの電極３、４間に通電して、前記電極３、４の一方の表面上に電鋳膜を形成するニッケル合金電鋳膜の製造方法であって、スルファミン酸ニッケルと、クエン酸と、合金材料供給源とを含み、前記スルファミン酸ニッケルの濃度が２５０〜６００ｇ／Ｌであり、前記クエン酸の濃度が８４〜１４７ｇ／Ｌであり、前記合金材料供給源の濃度が０．５〜８．５ｇ／Ｌであるめっき浴２を用いるニッケル合金電鋳膜の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき浴中に浸漬した２つの電極間に通電して、前記電極の一方の表面上に電鋳膜を形成するニッケル合金電鋳膜の製造方法であって、
スルファミン酸ニッケルと、クエン酸と、合金材料供給源とを含み、前記スルファミン酸ニッケルの濃度が２５０〜６００ｇ／Ｌであり、前記クエン酸の濃度が８４〜１４７ｇ／Ｌであり、前記合金材料供給源の濃度が０．５〜８．５ｇ／Ｌであるめっき浴を用いることを特徴とするニッケル合金電鋳膜の製造方法。
【請求項２】
前記合金材料供給源が亜リン酸であり、前記亜リン酸の濃度が４〜８ｇ／Ｌであるめっき浴を用いることを特徴とする請求項１に記載のニッケル合金電鋳膜の製造方法。
【請求項３】
前記合金材料供給源がトリメチルアミンボランであり、前記トリメチルアミンボランの濃度が１〜３ｇ／Ｌであるめっき浴を用いることを特徴とする請求項１に記載のニッケル合金電鋳膜の製造方法。
【請求項４】
前記めっき浴に光沢剤および／または界面活性剤が含まれていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のニッケル合金電鋳膜の製造方法。
【請求項５】
前記めっき浴のｐＨが３〜５であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のニッケル合金電鋳膜の製造方法。
【請求項６】
前記めっき浴で形成した電鋳膜を、不活性雰囲気下、２００℃〜４００℃の温度範囲で１時間以上熱処理することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のニッケル合金電鋳膜の製造方法。
【請求項７】
リンまたはホウ素を有し、硬度が６８０Ｈｖ以上であることを特徴とするニッケル合金電鋳膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高硬度の金属膜に対する需要が高まっている。前記高硬度の金属膜は、研削装置のブレードなどに用いられており、硬度が高いほど、研削装置の研削能力を向上させることができる。前記金属膜に用いられる金属としてはニッケル（Ｎｉ）を挙げることができる。なお、ニッケル系の金属では、純ニッケルよりもニッケル合金を用いた方が高硬度の金属膜とすることができる。
【０００３】
前記金属膜として、電鋳技術を用いて形成される電鋳膜が用いられる場合がある。前記電鋳膜は、めっき浴（めっき液）に浸漬した２つの電極間を通電して、前記めっき浴中の金属成分を一方の電極の表面に堆積して形成する。
前記めっき浴としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケルおよびホウ酸を主成分とするニッケルめっき浴（ワット浴）が知られており、ニッケル電鋳膜を作製することができる。
【０００４】
特許文献１は、ニッケルベルト及びその製造方法、感光体並びに画像形成装置に関するものである。また、特許文献２は、光ディスク用スタンパの製造方法に関するものである。特許文献１および特許文献２には、スルファミン酸ニッケル浴を用いて、低応力のＮｉ電鋳膜を作製する構成が開示されている。低応力のＮｉ電鋳膜を作製することができるので、高硬度のＮｉ電鋳膜として作製しても、電極などから容易に剥がすことができ、様々な部材・形状に加工することができる。
しかし、特許文献１および特許文献２に開示されたスルファミン酸ニッケル浴には、緩衝成分としてホウ酸が含まれている。ホウ酸を含むめっき浴は排水処理が困難であるという問題があった。
【０００５】
特許文献３は、電気ニッケルめっき浴に関するものであり、硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸ニッケル：２４〜４２ｇ／Ｌを含み、ｐＨ：３〜５である電気ニッケルめっき浴が開示されている。特許文献３に開示された電気ニッケルめっき浴は、ホウ酸を含まないめっき浴であり、前記排水処理の問題を有しない。しかし、特許文献３に開示された純Ｎｉからなる電鋳膜では、硬度が十分ではなかった。
【０００６】
近年の需要に応じて、より高硬度の金属膜を形成するために、リン（Ｐ）やホウ素（Ｂ）などとのニッケル合金からなる電鋳膜を作製する場合には、従来のめっき浴にＰ源やＢ源を添加することとなる。その場合、特許文献３に開示された方法を用いても、その応力を低くすることができず、めっき中や、めっき後に電極からＮｉ合金電鋳膜を剥がすときに、割れが生じたり、粉々になるという問題が発生した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１００１５６号公報
【特許文献２】特開平９−３５３３７号公報
【特許文献３】特許第３２６１６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、めっき中や、めっき後に電極から剥がしたときに破損するおそれがなく、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、めっき浴中に浸漬した２つの電極間に通電して、前記電極の一方の表面上に電鋳膜を形成するニッケル合金電鋳膜の製造方法であって、スルファミン酸ニッケルと、クエン酸と、合金材料供給源とを含み、前記スルファミン酸ニッケルの濃度が２５０〜６００ｇ／Ｌであり、前記クエン酸の濃度が８４〜１４７ｇ／Ｌであり、前記合金材料供給源の濃度が０．５〜８．５ｇ／Ｌであるめっき浴を用いることを特徴とする。
【００１０】
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、前記合金材料供給源が亜リン酸であり、前記亜リン酸の濃度が４〜８ｇ／Ｌであるめっき浴を用いることを特徴とする。
【００１１】
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、前記合金材料供給源がトリメチルアミンボランであり、前記トリメチルアミンボランの濃度が１〜３ｇ／Ｌであるめっき浴を用いることを特徴とする。
【００１２】
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、前記めっき浴に光沢剤および／または界面活性剤が含まれていることを特徴とする。
【００１３】
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、前記めっき浴のｐＨが３〜５であることを特徴とする。
【００１４】
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、前記めっき浴で形成した電鋳膜を、不活性雰囲気下、２００℃〜４００℃の温度範囲で１時間以上熱処理することを特徴とする。
【００１５】
本発明のニッケル合金電鋳膜は、リンまたはホウ素を有し、硬度が６８０Ｈｖ以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
上記の構成によれば、電極から剥がしたときに破損するおそれがなく、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することができる。
【００１７】
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、めっき浴中に浸漬した２つの電極間に通電して、前記電極の一方の表面上に電鋳膜を形成するニッケル合金電鋳膜の製造方法であって、スルファミン酸ニッケルと、クエン酸と、合金材料供給源とを含み、前記スルファミン酸ニッケルの濃度が２５０〜６００ｇ／Ｌであり、前記クエン酸の濃度が８４〜１４７ｇ／Ｌであり、前記合金材料供給源の濃度が０．５〜８．５ｇ／Ｌであるめっき浴を用いる構成なので、低応力で、かつ、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することができる。また、前記合金材料供給源がホウ素を含まない場合には、めっき浴の排水中のホウ酸やホウ素の除去処理を行わなくてもよいので、製造工程を容易とすることができる。
【００１８】
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、前記合金材料供給源が亜リン酸であり、前記亜リン酸の濃度が４〜８ｇ／Ｌであるめっき浴を用いる構成なので、低応力で、かつ、高硬度のＮｉＰ合金電鋳膜の製造方法およびＮｉＰ合金電鋳膜を提供することができる。
【００１９】
本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法は、前記合金材料供給源がトリメチルアミンボランであり、前記トリメチルアミンボランの濃度が１〜３ｇ／Ｌであるめっき浴を用いる構成なので、低応力で、かつ、高硬度のＮｉＢ合金電鋳膜の製造方法およびＮｉＢ合金電鋳膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のニッケル合金電鋳膜の製造方法で用いるめっき浴の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
（実施形態１） 
【００２２】
本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜の製造方法は、めっき浴中に浸漬した２つの電極間に通電して、前記電極の一方の表面上に電鋳膜を形成するニッケル合金電鋳膜の製造方法であって、スルファミン酸ニッケルと、クエン酸と、合金材料供給源とを含み、前記スルファミン酸ニッケルの濃度が２５０〜６００ｇ／Ｌであり、前記クエン酸の濃度が８４〜１４７ｇ／Ｌであり、前記合金材料供給源の濃度が０．５〜８．５ｇ／Ｌであるめっき浴を用いる。前記めっき浴には、光沢剤および／または界面活性剤が含まれてもよい。
【００２３】
図１は、本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜の製造方法で用いるめっき浴の一例を示す模式図である。
図１に示すように、めっき槽１に、めっき浴（めっき液）２が満たされている。前記めっき浴２には、電源５に接続された陽極（陽極板）３と陰極（陰極板）４とが浸漬されている。たとえば、陽極板３としてはニッケル板を用い、陰極板４としてはＳＵＳ板を用いる。
【００２４】
＜スルファミン酸ニッケル＞
スルファミン酸ニッケルは、めっき浴のニッケルイオンの主供給源である。
めっき浴中のスルファミン酸ニッケルの濃度は、２５０〜６００ｇ／Ｌとすることが好ましい。スルファミン酸ニッケルの濃度が２５０ｇ／Ｌ未満の場合には、陰極の表面に十分なニッケルイオンを供給することができない。また、スルファミン酸イオンの分解が起こりやすくなり、めっき浴の安定性に問題がある。スルファミン酸ニッケルの濃度が６００ｇ／Ｌ超の場合には、めっき浴の粘度が高くなり、ピットなどの欠陥が発生しやすくなる。また、めっき浴に沈殿が発生しやすくなり、めっき浴の安定性に問題がある。たとえば、スルファミン酸ニッケルは、４５０ｇ／Ｌとする。
【００２５】
＜クエン酸＞
クエン酸は、めっき浴のｐＨ緩衝剤として用いられ、めっき浴のｐＨを所望の範囲とすることができる。
クエン酸の濃度は、８４〜１４７ｇ／Ｌとすることが好ましい。この範囲とすることにより、電極から剥がしたときに破損するおそれがなく、高硬度のニッケル合金電鋳膜を製造することができる。クエン酸が８４ｇ／Ｌ未満の場合には、陰極の表面近傍のｐＨの変動を所望の範囲に抑制することができない。そして、膜の応力を低下させることができず、膜がめくれる場合がある。また、クエン酸が１４７ｇ／Ｌ超の場合には、水酸化ニッケル等の沈殿が生じる場合があり、めっき浴の安定性に問題がある。
【００２６】
＜合金材料供給源＞
合金材料供給源は、ニッケル合金としてニッケルに組み合わせる材料を供給するものである。たとえば、リン（Ｐ）を含むニッケル合金電鋳膜（ＮｉＰ合金電鋳膜）を製造するためには、前記合金材料供給源としてＰを含む材料（Ｐ源）である亜リン酸などを用いることができる。また、ホウ素（Ｂ）を含むニッケル合金電鋳膜（ＮｉＢ合金電鋳膜）を製造するためには、前記合金材料供給源としてＢを含む材料（Ｂ源）であるトリメチルアミンボラン(Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ  ｂｏｒａｎｅ：ＴＭＡＢ)などを用いることができる。
【００２７】
前記合金材料供給源の濃度は０．５〜８．５ｇ／Ｌとすることが好ましい。前記合金材料供給源の濃度をこの範囲とすることにより、めっきを厚付けした場合に応力による皮膜割れが無く、また電極からはがしたときに破損する恐れのない、高硬度のニッケル合金電鋳膜を製造することができる。
亜リン酸の濃度は３．５〜８．５ｇ／Ｌとすることが好ましく、４〜８ｇ／Ｌとすることがより好ましい。亜リン酸が３．５ｇ／Ｌ未満の場合には、電鋳膜中に高硬度化に十分な量のリンを共析させることができない。また、亜リン酸が８．５ｇ／Ｌ超の場合には、めっき浴中に沈殿が発生しやすくなり、めっき浴の安定性に問題が生じる。亜リン酸の濃度を、４〜８ｇ／Ｌとすることにより、高硬度の膜を安定的に析出させることができる。
ＴＭＡＢの濃度は０．５〜３．５ｇ／Ｌとすることが好ましく、１〜３ｇ／Ｌとすることがより好ましい。ＴＭＡＢが０．５ｇ／Ｌ未満の場合には、電鋳膜中に高硬度化に十分な量のホウ素を共析させることができない。また、ＴＭＡＢが３．５ｇ／Ｌ超の場合には、めっき浴中に沈殿が発生しやすくなり、めっき浴の安定性に問題が生じる。ＴＭＡＢの濃度が、１〜３ｇ／Ｌとすることにより、高硬度の膜を安定的に析出させることができる。
【００２８】
＜光沢剤、界面活性剤＞
前記めっき浴には、光沢剤および／または界面活性剤を含めてもよい。
光沢剤および／または界面活性剤を加えることにより、形成した金属膜の表面を平滑で光沢のあるものとすることができる。また、膜質を緻密なものとするとともに、凸部（ピット）や凹部（ピンホール）などの欠陥を少なくすることができる。
光沢剤として、アルキンジオールなどを用いることができる。アルキンジオールとしては、硬度上昇剤でもある２−ブチン−１，４−ジオールなどを挙げることができる。
【００２９】
また、光沢剤として、サッカリンを用いることができる。サッカリンとしては、応力減少剤でもあり、サッカリンナトリウムなどを挙げることができる。さらに、光沢剤として、応力減少剤でもあるアリルスルホン酸ナトリウムを用いることができる。また、界面活性剤としては、ピット防止剤でもあるラウリル硫酸ナトリウムを挙げることができる。
また、前記めっき浴は、その他の微量な不可避成分を含んでいてもよい。
【００３０】
図１に示す電源５を操作して、陽極板３と陰極板４の間を通電することにより、めっき浴へ溶解されている金属イオンが、陰極板４の表面に金属となって析出・堆積してニッケル合金電鋳膜が形成される。なお、めっき浴の電流値および電流印加時間は、ニッケル合金電鋳膜の膜厚に応じて適宜設定する。
このとき、前記めっき浴のｐＨは３〜５とすることが好ましい。めっき浴のｐＨが３未満の場合には、スルファミン酸ニッケルが分解する。また、めっき浴のｐＨが５超の場合には、めっき浴中に沈殿が発生しやすくなり、めっき浴の安定性に問題が生じる。
【００３１】
＜ニッケル合金電鋳膜＞
前記めっき浴により製造されたニッケル合金電鋳膜は、リンまたはホウ素を有するので、硬度が６８０Ｈｖ以上と高硬度の膜となるとともに、クエン酸の緩衝効果のため、低応力の膜となる。低応力の膜となるので、厚さを１００μｍ程度まで厚くつけても、電極などから容易に剥がすことができ、割れが生じたり、粉々になるということがない。そのため、たとえば、ダイヤモンドなどを混入させてニッケル合金電鋳膜を形成することにより、研削装置のブレードの刃などに容易に加工することができる。また、前記ブレードの刃などに用いた場合、硬度が６８０Ｈｖ以上であるので、ブレードの研削能力を向上させることができる。
【００３２】
前記めっき浴を行った後に、前記めっき浴で形成した電鋳膜を、不活性雰囲気下、２００℃〜４００℃の温度範囲で１時間以上熱処理（アニール処理）を行ってもよい。これにより、ニッケル合金電鋳膜の硬度をより高めることができる。
【００３３】
本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜の形成方法は、めっき浴中に浸漬した２つの電極間に通電して、前記電極の一方の表面上に電鋳膜を形成するニッケル合金電鋳膜の製造方法であって、スルファミン酸ニッケルと、クエン酸と、合金材料供給源とを含み、前記スルファミン酸ニッケルの濃度が２５０〜６００ｇ／Ｌであり、前記クエン酸の濃度が８４〜１４７ｇ／Ｌであり、前記合金材料供給源の濃度が０．５〜８．５ｇ／Ｌであるめっき浴を用いる構成なので、高濃度のクエン酸を用いて製造するニッケル合金電鋳膜の応力を低減して、電極から剥がしたときに破損するおそれがなく、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することができる。また、前記合金材料供給源がホウ素を含まない場合には、めっき浴の排水中のホウ酸やホウ素の除去処理を行わなくてもよいので、製造工程を容易とすることができる。
【００３４】
本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜の形成方法は、前記合金材料供給源が亜リン酸であり、前記亜リン酸の濃度が４〜８ｇ／Ｌであるめっき浴を用いる構成なので、低応力で、かつ、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することができる。
【００３５】
本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜の形成方法は、前記合金材料供給源がトリメチルアミンボランであり、前記トリメチルアミンボランの濃度が１〜３ｇ／Ｌであるめっき浴を用いる構成なので、低応力で、かつ、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することができる。
【００３６】
本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜の形成方法は、前記めっき浴に光沢剤および／または界面活性剤が含まれている構成なので、低応力で、かつ、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することができる。
【００３７】
本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜の形成方法は、前記めっき浴のｐＨが３〜５である構成なので、低応力で、かつ、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することができる。
【００３８】
本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜の形成方法は、前記めっき浴で形成した電鋳膜を、不活性雰囲気下、２００℃〜４００℃の温度範囲で１時間以上熱処理する構成なので、低応力で、かつ、高硬度のニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜を提供することができる。
【００３９】
本発明の実施形態であるニッケル合金電鋳膜は、リンまたはホウ素を有し、硬度が６８０Ｈｖ以上である構成なので、低応力で、かつ、高硬度のニッケル合金電鋳膜を提供して、電極などから容易に剥がすことができ、研削装置のブレードの刃などに容易に加工することができる。前記ブレードの刃などに用いた場合、硬度が６８０Ｈｖ以上であるので、ブレードの研削能力を向上させることができる。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
＜めっき浴の調製＞
まず、スルファミン酸ニッケル四水和物（スルファミン酸Ｎｉ）４５０ｇ／Ｌ、緩衝剤としてクエン酸一水和物（クエン酸）を１０５ｇ／Ｌ、Ｐ源として亜リン酸を８ｇ／Ｌ、水に溶解した。さらに、添加剤として、ニッケルめっき用添加剤（アトテック社製）を所定濃度加えて、めっき浴を調製した。ｐＨの調整には炭酸ニッケルおよびアミド硫酸を用いた。
【００４１】
＜めっき工程＞
次に、めっき槽に前記めっき浴を入れた後、ＳＵＳ陰極板（試験板）およびニッケル陽極板を挿入した。
めっき浴条件は、初期ｐＨを４とし、めっき浴温度を５０℃とし、電流密度を５Ａ／ｄｍ２とした。この条件下、前記試験板および前記ニッケル陽極板に、２０分間通電して、マグネチックスタラーで撹拌しながらめっきを行うことにより、試験板上に膜厚約２０μｍのニッケル合金電鋳膜（実施例１）を得た。
その後、硬度計を用いて、ニッケル合金電鋳膜（実施例１）の硬度（ビッカース硬度）評価を行った。ニッケル合金電鋳膜（実施例１）の硬度は、７０５Ｈｖであった。また、皮膜状態に割れが発生したかどうかを目視で評価した。
【００４２】
（実施例２）
前記めっき浴中に亜リン酸の代わりに、Ｂ源としてＴＭＡＢを３ｇ／Ｌ加えたほかは実施例１と同様にして、めっきを行うことにより、試験板上に膜厚約２０μｍのニッケル合金電鋳膜（実施例２）を得た。
その後、硬度計を用いて、ニッケル合金電鋳膜（実施例２）の硬度評価を行った。ニッケル合金電鋳膜（実施例２）の硬度は、８３０Ｈｖであった。
【００４３】
（実施例３）
実施例２で得られたニッケル合金電鋳膜（実施例２）に、窒素雰囲気下、３００℃で１時間熱処理を加えて、ニッケル合金電鋳膜（実施例３）を得た。
その後、硬度計を用いて、ニッケル合金電鋳膜（実施例３）の硬度評価を行った。ニッケル合金電鋳膜（実施例３）の硬度は、１０５０Ｈｖであった。
【００４４】
（比較例１）
前記めっき浴中に亜リン酸を加えなかったほかは実施例１と同様にして、めっきを行うことにより、試験板上に膜厚約２０μｍのニッケル電鋳膜（比較例１）を得た。
その後、硬度計を用いて、ニッケル電鋳膜（比較例１）の硬度評価を行った。ニッケル電鋳膜（比較例１）の硬度は、６４０Ｈｖであった。
【００４５】
（比較例２）
前記めっき浴中にクエン酸の代わりにホウ酸（Ｈ３ＢＯ３）を３０ｇ／Ｌ加えたほかは比較例１と同様にして、めっきを行うことにより、試験板上に膜厚約２０μｍのニッケル電鋳膜（比較例２）を得た。
その後、硬度計を用いて、ニッケル電鋳膜（比較例２）の硬度評価を行った。ニッケル電鋳膜（比較例２）の硬度は、６７０Ｈｖであった。
【００４６】
（実施例４、５、比較例３〜７）
前記めっき浴中のクエン酸の濃度を変えたほかは実施例１と同様にして、めっきを行うことにより、試験板上に膜厚約２０μｍのニッケル合金電鋳膜（実施例４、５、比較例３〜７）を得た。
表１には、実施例４、５、比較例３〜７のめっき浴の条件および評価結果を、実施例１の条件および評価結果と合わせて示す。
【００４７】
なお、表１において、めっき浴で沈殿が発生しなかったものを安定なめっき浴状態とした。また、皮膜状態は、試験板上に形成されたニッケル合金電鋳膜の状態を目視観測したものであり、「割れ」は割れが発生したものであり、「一部割れ」は一部のみに割れが発生したものであり、「端部焼け」は皮膜の端部が光沢の無い黒色の膜となったものであり、「一部焼け」は皮膜の一部分が光沢の無い黒色の膜となったものであり、「良好」はこれらの異常が生じなかったものである。
【００４８】
実施例１、４、５は、めっき浴状態が安定であり、低応力の膜となり、皮膜状態が良好であったので◎と評価した。また、比較例４、５は、めっき浴状態は安定であるが、皮膜状態が「一部割れ」、「一部焼け」であったので△と評価した。それ以外を×と評価した。なお、比較例３、４は、クエン酸の濃度が低かったため、皮膜状態が「割れ」、「一部割れ」となったと思われる。
【００４９】
【表１】
2010235974.tif 000003
【００５０】
（実施例６〜８）
前記めっき浴中のＴＭＡＢの濃度を変えたほかは実施例２と同様にして、めっきを行うことにより、試験板上に膜厚約２０μｍのニッケル合金電鋳膜（実施例６〜８）を得た。
表２には、実施例６〜８のめっき浴の条件および評価結果を、実施例２の条件および評価結果と合わせて示す。
【００５１】
【表２】
2010235974.tif 000004
【００５２】
（実施例９〜１１）
前記めっき浴中の亜リン酸の濃度を変えたほかは実施例１と同様にして、めっきを行うことにより、試験板上に膜厚約２０μｍのニッケル合金電鋳膜（実施例９〜１１）を得た。
表２には、実施例９〜１１のめっき浴の条件および評価結果を、実施例１の条件および評価結果と合わせて示す。
【００５３】
【表３】
2010235974.tif 000005
【００５４】
（実施例１２）
１００分間通電したほかは実施例１と同様にして、めっきを行うことにより、試験板上に膜厚約１００μｍのニッケル合金電鋳膜（実施例１２）を得た。皮膜状態は割れがなく、良好であった。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、ニッケル合金電鋳膜の製造方法およびニッケル合金電鋳膜に関するものであって、電極から剥がしたときに破損するおそれがなく、高硬度の電鋳膜を製造・利用する産業において利用可能性がある。
【符号の説明】
【００５６】
１…めっき槽、２…めっき浴、３…陽極（陽極板）、４…陰極（陰極板）、５…電源。
【図１】
2010235974.tif 000006