(57)【要約】【課題】製造する際、ワイヤーボンディングを安定して行うことが可能な樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム、リードフレームの製造方法、および樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂封止型半導体装置３０は、ダイパッド１２と、ダイパッド１２上に搭載された半導体素子３１と、各々がインナーリード２１とアウターリード２２とを有する複数のリード２０とを備えている。半導体素子３１と各インナーリード２１とはボンディングワイヤー３３により接続され、ダイパッド１２と、半導体素子３１と、リード２０と、ボンディングワイヤー３３とは封止樹脂３４により封止されている。各インナーリード２１の横方向断面は、天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有し、底縁２１ｇは、その両端に一対の突出部２１ｉを有する。【選択図】図４
2010192509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止型半導体装置において、
ダイパッドと、
ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
ダイパッドの周縁に設けられ、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードと、
半導体素子と各リードのインナーリードとを接続するボンディングワイヤーと、
ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止する封止樹脂とを備え、
各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らないことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
各リードのインナーリードの横方向断面において、底縁両端に設けられた一対の突出部間に、少なくとも１つの追加の突出部が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
半導体装置用のリードフレームにおいて、
ダイパッドと、
ダイパッドの周縁に設けられ、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードとを備え、
各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らないことを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。
【請求項６】
各リードのインナーリードの横方向断面において、底縁両端に設けられた一対の突出部間に、少なくとも１つの追加の突出部が設けられていることを特徴とする請求項４または５記載のリードフレーム。
【請求項７】
各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードを含むリードフレームを製造するリードフレームの製造方法において、
基板を準備する工程と、
基板に対し、基板裏面側に位置する一対の部分レジストを含むレジストパターンを形成する工程と、
レジストパターンが形成された基板に対してエッチングを施す工程とを備え、
エッチングを施す工程において、基板裏面側の一対の部分レジストにより、両端に一対の突出部を有する底縁を有するインナーリードが形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項８】
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
請求項７記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
リードフレーム裏面にバックアップ材を取り付ける工程と、
リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
半導体素子と各リードのインナーリードとをボンディングワイヤーにより接続する工程と、
ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止する工程と、
バックアップ材を除去する工程と、
リードフレームを切断して樹脂封止型半導体装置毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
請求項７記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
ボンディング用金型の凸部上にリードフレームの各リードのインナーリードがくるように、リードフレームをボンディング用金型上に載置する工程と、
リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
半導体素子と各リードのインナーリードとをボンディングワイヤーにより接続する工程と、
ボンディング用金型をリードフレームから取り除く工程と、
ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止する工程と、
リードフレームを切断して樹脂封止型半導体装置毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム、リードフレームの製造方法、および樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、樹脂封止型半導体装置において、ますますその形状を小型化および薄型化することが要求されてきている。このような背景のもと、樹脂封止型半導体装置のうち二方向端子のものについては、その開発のトレンドが、ＤＩＰ（Dual In-line Package）から、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）という順に移り変わりつつある。
【０００３】
また、樹脂封止型半導体装置のうち四方向端子のものについては、その開発のトレンドが、ＱＦＪ（Quad Flat J-leaded Package）（ＰＬＣＣ（Plastic Lead Chip Carrier））から、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat J-leaded Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）という順に移り変わりつつある。
【０００４】
このうち小型薄型のパッケージであるＱＦＮに関しては、更なるコストダウンの要求により、個別封止タイプから一括封止タイプへと移り変わりつつある。
【０００５】
このＱＦＮは、リード部を有しており、リード部は、表裏一体に形成された内部端子と外部端子とを有している。そして近年、ＱＦＮのコストを更に下げることが要求されてきている。このため、ＱＦＮのリード部の内部端子先端にインナーリードを設け、これにより金からなるボンディングワイヤーの長さを短くし、コストダウンを図るものが登場している。該インナーリードは、内部端子から連続的に加工形成されており、その裏面（ワイヤーボンディングされる面と反対側の面）は、ハーフエッチングにより肉薄に加工されている。この結果、リード部の外部端子の形状を損ねることなく、半導体素子およびリード部を樹脂封止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−９１４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このようなインナーリードを有するＱＦＮを製造する際、従来、リードフレーム上の個々の半導体素子毎に樹脂封止する手法（個別封止法）が用いられており、リードフレーム上の複数の半導体素子を一括して樹脂封止し、その後個々の半導体素子毎にダイシングする手法（一括封止法）を用いることは困難であると考えられている。これは、以下の理由による。
【０００８】
すなわち、一括封止法を用いる場合、リードフレーム裏面に封止樹脂の漏洩を防止するためのテープを貼り付けた状態でワイヤーボンディングを行う。このため、インナーリード裏面とテープとの間に空隙が生じる。したがって、例えば図１３に示すように従来のインナーリードの場合、その付根が肉薄であるため、ワイヤーボンディング時にインナーリードが大きくたわんで塑性変形してしまう。この結果、テープを剥離した後、インナーリード先端がパッケージ裏面から外方に露出するおそれがある。
【０００９】
また従来、ハーフエッチング加工されたインナーリードの横断面形状は、図１４に示すようにお椀型となっている。このため、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方に押されてその底面がテープに着地した際、インナーリードが安定せず、横ぶれするおそれがある。この結果、インナーリード表面にワイヤーが正しくボンディングされない可能性がある。
【００１０】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、樹脂封止型半導体装置の製造工程において、ワイヤーボンディングを安定して行うことが可能な樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム、リードフレームの製造方法、および樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置において、ダイパッドと、ダイパッド上に搭載された半導体素子と、ダイパッドの周縁に設けられ、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードと、半導体素子と各リードのインナーリードとを接続するボンディングワイヤーと、ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止する封止樹脂とを備え、各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
【００１２】
本発明は、各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らないことを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
【００１３】
本発明は、各リードのインナーリードの横方向断面において、底縁両端に設けられた一対の突出部間に、少なくとも１つの追加の突出部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
【００１４】
本発明は、半導体装置用のリードフレームにおいて、ダイパッドと、ダイパッドの周縁に設けられ、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードとを備え、各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有することを特徴とするリードフレームである。
【００１５】
本発明は、各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らないことを特徴とするリードフレームである。
【００１６】
本発明は、各リードのインナーリードの横方向断面において、底縁両端に設けられた一対の突出部間に、少なくとも１つの追加の突出部が設けられていることを特徴とするリードフレームである。
【００１７】
本発明は、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードを含むリードフレームを製造するリードフレームの製造方法において、基板を準備する工程と、基板に対し、基板裏面側に位置する一対の部分レジストを含むレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンが形成された基板に対してエッチングを施す工程とを備え、エッチングを施す工程において、基板裏面側の一対の部分レジストにより、両端に一対の突出部を有する底縁を有するインナーリードが形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法である。
【００１８】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、リードフレーム裏面にバックアップ材を取り付ける工程と、リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と各リードのインナーリードとをボンディングワイヤーにより接続する工程と、ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止する工程と、バックアップ材を除去する工程と、リードフレームを切断して樹脂封止型半導体装置毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１９】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法において、請求項７記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、ボンディング用金型の凸部上にリードフレームの各リードのインナーリードがくるように、リードフレームをボンディング用金型上に載置する工程と、リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と各リードのインナーリードとをボンディングワイヤーにより接続する工程と、ボンディング用金型をリードフレームから取り除く工程と、ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止する工程と、リードフレームを切断して樹脂封止型半導体装置毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有する。このことにより、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方に押され、その底面がバックアップ材に着地した際、インナーリードが横ぶれすることがない。したがって、安定したワイヤーボンディングを行うことが可能となる。
【００２１】
また本発明によれば、各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らない。このことにより、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方に押された際、インナーリードの変形を小さくし、その変形量を製品に影響を及ぼさない程度に抑えることができる。
【００２２】
また本発明によれば、リードフレーム上の複数の半導体素子を一括して樹脂封止する手法（一括封止法）を用いて、樹脂封止型半導体装置を製造することが可能となる。このことにより、樹脂封止型半導体装置のコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【図２】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のII−II線断面図）。
【図３】本発明の一実施の形態によるリードフレームのリードを示す縦方向断面図（図２のIII部拡大図）。
【図４】本発明の一実施の形態によるリードフレームのリードを示す横方向断面図（図３のIV−IV線断面図）。
【図５】リードフレームのリードの変形例を示す横方向断面図。
【図６】本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置を示す平面図。
【図７】本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置を示す断面図（図６のVI−VI線断面図）。
【図８】本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造工程を示す図。
【図９】リードフレームの製造工程において、インナーリードが形成される工程を示す図。
【図１０】本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す図。
【図１１】樹脂封止型半導体装置の製造工程において、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方へ押圧された状態を示す図。
【図１２】本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造工程の変形例を示す図。
【図１３】従来のインナーリードを示す縦方向断面図。
【図１４】従来のインナーリードを示す横方向断面図（図１３のXIII−XIII線断面図）。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図１２を参照して説明する。
【００２５】
リードフレームの構成
まず、図１乃至図４により、本発明の一実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。ここで、図１は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面図であり、図２は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のII−II線断面図）である。また図３は、本発明の一実施の形態によるリードフレームのリードを示す縦方向断面図（図２のIII部拡大図）であり、図４は、本発明の一実施の形態によるリードフレームのリードを示す横方向断面図（図３のIV−IV線断面図）である。図５は、リードフレームのリードの変形例を示す横方向断面図である。なお、本明細書において、インナーリード２１の縦方向断面とは、インナーリード２１の長手方向に沿う垂直断面をいい、インナーリード２１の横方向断面とは、インナーリード２１の長手方向に垂直な方向に沿う垂直断面をいう。
【００２６】
図１および図２に示すように、リードフレーム１０は、外枠部材１１と、外枠部材１１内方に設けられたダイパッド１２と、ダイパッド１２の周縁に設けられるとともに外枠部材１１の内側端辺１１ａから内方へ突出する複数の細長状リード２０とを備えている。
【００２７】
このうち外枠部材１１は、外形形状および内側開口形状が矩形の回廊形状であり、各リード２０は外枠部材１１の内側端辺１１ａから同一平面内に突設されている。
【００２８】
ダイパッド１２は、外枠部材１１の内側端辺１１ａの四隅から延設された４本の吊りリード１３によって支持されている。図２において、ダイパッド１２はリード２０と同一の厚みをもっているが、これに限らず、ダイパッド１２の厚みをリード２０より薄くしても良く、あるいは厚くしても良い。
【００２９】
図２に示すように、各リード２０は、それぞれインナーリード２１とアウターリード２２とを有している。このうちインナーリード２１は、後述するように樹脂封止型半導体装置３０を製造する際、半導体素子３１と接続される内部端子としての役割を果たす。他方、アウターリード２２は、樹脂封止型半導体装置３０と外部の機器との接続を行う外部端子としての役割を果たす。
【００３０】
次に、図３および図４を用いて、各リード２０の構成について更に説明する。
【００３１】
図３に示すように、各リード２０のインナーリード２１の縦方向断面は、上辺２１ａと、上辺２１ａの一側（ダイパッド１２側）端部から下方に延びる端縁２１ｂと、端縁２１ｂに連結された水平部２１ｃと、水平部２１ｃとアウターリード２２側とを連結する湾曲部２１ｄとを有している。このうち湾曲部２１ｄは、湾曲部２１ｄの下端２１ｅから延びる垂線Ｈよりアウターリード２２側（図３の左側）へ入らないようになっている。すなわち図３において、湾曲部２１ｄの下端２１ｅにおける湾曲部２１ｄの接線Ｌと、リード２０底面上に位置する直線Ｐとがなす角θは９０°以下となる。このような構成により、インナーリード２１の付根の強度が高められている。
【００３２】
このような構成により、樹脂封止型半導体装置３０の製造工程において、インナーリード２１に力が加わった際に塑性変形が生じることを防止することができる。
【００３３】
さらに図４に示すように、各リード２０のインナーリード２１の横方向断面は、水平な天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有している。このうち底縁２１ｇは、インナーリード２１内方に湾曲した形状を有しており、その両端に一対の突出部２１ｉを有している。また一対の側縁２１ｈも、それぞれインナーリード２１内方に湾曲した形状を有している。
【００３４】
あるいは、図５に示すように、各リード２０のインナーリード２１の横方向断面において、底縁２１ｇの両端に設けられた一対の突出部２１ｉ間に追加の突出部２１ｊが設けられていてもよい。なお追加の突出部２１ｊは、一対の突出部２１ｉ間に２つ以上設けられていても良い。
【００３５】
このようなリードフレーム１０の材質は、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等とすることができる。
【００３６】
樹脂封止型半導体装置の構成
次に、図６および図７を用いて、本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の概略について説明する。図６は、本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図７は、本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置を示す断面図（図６のVI−VI線断面図）である。なお、樹脂封止型半導体装置の構成を理解しやすくするために、図６では後述する封止樹脂３４を省略し、図７では封止樹脂３４を仮想線（２点鎖線）で示している。
【００３７】
図６および図７に示す樹脂封止型半導体装置３０は、図１乃至図５に示すリードフレーム１０を用いて作成されるものである。この樹脂封止型半導体装置３０は、ダイパッド１２と、ダイパッド１２上に搭載された半導体素子３１とを備えている。
【００３８】
図７に示すように、半導体素子３１は、電気絶縁性の両面接着テープ３２を介して、ダイパッド１２上にその端子面と反対側の面を固着され搭載されている。この両面接着テープ３２としては、電気絶縁性のもののほか、導電性のものを用いても良い。また、半導体素子３１をダイパッド１２上に固着する場合、両面接着テープ３２に代えてペーストを用いても良い。あるいは、半導体素子３１をダイパッド１２上に直付けしても良い。また半導体素子３１の複数の端子３１ａは、半導体素子３１の各辺に沿って配置されている。
【００３９】
ダイパッド１２の周縁には、各々がインナーリード２１とアウターリード２２とを有する複数の細長状リード２０が設けられている。各リード２０は、略同一平面内において二次元的に互いに電気的に独立して配置されている。このリード２０の縦方向断面および横方向断面の構成は、図３乃至図５を用いて既に説明した構成と同一であるので、ここでは説明を省略する。
【００４０】
また、ダイパッド１２は、リード２０が二次元的に配置されている平面の略中央にリード２０から電気的に独立して配置されている。このダイパッド１２の四隅からは、吊りリード１３が、リード２０が二次元的に配置されている平面内に電気的に独立して延びている（図６）。
【００４１】
また、ダイパッド１２に搭載されている半導体素子３１の各端子３１ａは、各リード２０のインナーリード２１にボンディングワイヤー３３によって接続されている。
【００４２】
そして、アウターリード２２を外部に露出させるようにリード２０、ダイパッド１２、吊りリード１３、半導体素子３１およびボンディングワイヤー３３が封止樹脂３４により封止されている。封止樹脂３４は、樹脂封止型半導体装置に使用されている公知の樹脂材料を用いて形成することができる。
【００４３】
リードフレームの製造方法
次に、本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法について説明する。
【００４４】
ここで図８（ａ）−（ｄ）は、図１乃至図５に示す本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造工程を示す図である。また図９（ａ）−（ｂ）は、リードフレームの製造工程において、インナーリードが形成される工程を示す図である。なお図８（ａ）−（ｄ）に示す各工程は、上記の図２に対応するリードフレームの縦断面図で示してあり、図９（ａ）−（ｂ）に示す各工程は、上記の図４に対応するインナーリードの横方向断面図で示してある。
【００４５】
まず、導電性基板４０を準備する（図８（ａ））。この導電性基板４０としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等の金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を使用することができ、この導電性基板４０は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００４６】
次に、この導電性基板４０の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターン５１、５２を形成する（図８（ｂ））。なお感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。この場合、導電性基板４０裏面側に形成されるレジストパターン５２のうち、リード２０のインナーリード２１を形成しようとする位置に、一対の部分レジスト５２ａ、５２ａを設けておく（図９（ａ））。
【００４７】
次に、レジストパターン５１、５２を耐腐蝕膜として導電性基板４０に腐蝕液でエッチングを施す（図８（ｃ））。腐蝕液は、使用する導電性基板４０の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性基板４０として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、導電性基板４０の両面からスプレーエッチングにて行う。
【００４８】
上述したように、導電性基板４０の裏面側において、リード２０のインナーリード２１に対応する位置に、一対の部分レジスト５２ａ、５２ａが設けられている（図９（ａ））。このことにより、導電性基板４０に対して腐蝕液でエッチングを行った際、表面側のレジストパターン５１と裏面側の一対の部分レジスト５２ａ、５２ａとの間で、天縁２１ｆと、その両端に一対の突出部２１ｉを有する底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有する横方向断面をもつインナーリード２１が形成される（図９（ｂ））。
【００４９】
次いで、レジストパターン５１、５２を剥離して除去する（図８（ｄ））。このようにして、外枠部材１１と、外枠部材１１内方に設けられたダイパッド１２と、ダイパッド１２の周縁に設けられ、インナーリード２１とアウターリード２２とを有する複数の細長状リード２０とを有するリードフレーム１０が得られる。
【００５０】
樹脂封止型半導体装置の製造方法
次に、本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００５１】
ここで図１０（ａ）−（ｇ）は、図６および図７に示す本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す図である。また図１１は、樹脂封止型半導体装置の製造工程において、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方へ押圧された状態を示す図である。なお図１０（ａ）−（ｇ）に示す各工程は、上記の図７に対応する樹脂封止型半導体装置の縦断面図で示してある。また図１１は、上記の図４に対応するインナーリードの横方向断面図で示してある。
【００５２】
まず、上述した工程により、リードフレーム１０を作成する（図８（ａ）−（ｄ）、図１０（ａ））。次に、リードフレーム１０の裏面側に、テープ等からなるバックアップ材５７を取り付ける（図１０（ｂ））。
【００５３】
次に、ダイパッド１２の表面に電気絶縁性の両面接着テープ３２を貼付し、この両面接着テープ３２を介して半導体素子３１の回路形成面の裏面側を固着することにより、半導体素子３１を搭載する（図１０（ｃ））。
【００５４】
次いで、搭載した半導体素子３１の端子３１ａと、リードフレーム１０のインナーリード２１とを、ボンディングワイヤー３３で電気的に接続する（図１０（ｄ））。
【００５５】
このワイヤーボンディング工程において、ワイヤーボンダーによりボンディングワイヤー３３がインナーリード２１に接続される。この間、図１１に示すように、ワイヤーボンダーのキャピラリ５８によりインナーリード２１が下方へ押圧される。ここで、上述したように、各インナーリード２１の横方向断面は、天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有し、底縁２１ｇは、その両端に一対の突出部２１ｉを有している（図４参照）。したがって、インナーリード２１がキャピラリ５８により下方に押圧されて、インナーリード２１の底面がバックアップ材５７に着地した際、インナーリード２１が横ぶれすることがない（図１１）。したがって、ボンディングワイヤー３３をインナーリード２１表面に安定してボンディングすることが可能となる。
【００５６】
また、上述したように、各インナーリード２１の縦方向断面は、上辺２１ａと、端縁２１ｂと、端縁２１ｂに連結された水平部２１ｃと、水平部２１ｃとアウターリード２２側とを連結する湾曲部２１ｄとを有し、湾曲部２１ｄは、湾曲部２１ｄの下端から延びる垂線Ｈよりアウターリード２２側へ入らないようになっている（図３参照）。したがって、インナーリード２１の付根の強度が高められ、これによりインナーリード２１が下方へ押圧された際、インナーリード２１の変形を小さくし、その変形量を製品に影響を及ぼさない程度に抑えることができる。
【００５７】
続いて、リードフレーム１０を成形金型内に収容し、アウターリード２２を外部に露出させるようにして、リード２０、ダイパッド１２、吊りリード１３、半導体素子３１、およびボンディングワイヤー３３を封止樹脂３４により封止する（図１０（ｅ））。
【００５８】
次いで、リードフレーム１０を成形金型内から取出すとともに、リードフレーム１０の裏面からバックアップ材５７を除去する（図１０（ｆ））。
【００５９】
最後に、リードフレーム１０を切断して樹脂封止型半導体装置３０毎に分離する。具体的には、封止樹脂３４から露出しているリードフレーム１０の各リード２０と各吊りリード１３とを切断するとともに、外枠部材１１を除去する。このようにして、本実施の形態による樹脂封止型半導体装置３０が得られる（図１０（ｇ））。
【００６０】
樹脂封止型半導体装置の製造方法の変形例
次に図１２（ａ）−（ｇ）により、本実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造方法の変形例について説明する。
【００６１】
ここで図１２（ａ）−（ｇ）は、図６および図７に示す樹脂封止型半導体装置の製造工程の変形例を示す図である。なお図１２（ａ）−（ｇ）に示す各工程は、上記の図７に対応する樹脂封止型半導体装置の縦断面図で示してある。図１２（ａ）−（ｇ）に示す変形例は、ボンディング用金型を用いる点が異なるものであり、他の構成は図１０（ａ）−（ｇ）に示す実施の形態と略同一である。図１２（ａ）−（ｇ）において、図１０（ａ）−（ｇ）に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。
【００６２】
まず上述した工程により、リードフレーム１０を作成する（図８（ａ）−（ｄ）、図１２（ａ））。次に、上向きの凸部５９ａを有するボンディング用金型５９を準備し、リードフレーム１０をこのボンディング用金型５９上に載置する（図１２（ｂ））。この場合、リードフレーム１０の各リード２０のインナーリード２１がボンディング用金型５９の凸部５９ａ上にくるようにする。
【００６３】
次に、ダイパッド１２の表面に電気絶縁性の両面接着テープ３２を貼付し、この両面接着テープ３２を介して半導体素子３１の回路形成面の裏面側を固着することにより、半導体素子３１を搭載する（図１２（ｃ））。
【００６４】
次いで、搭載した半導体素子３１の端子３１ａと、リードフレーム１０のインナーリード２１とを、ボンディングワイヤー３３で電気的に接続する（図１２（ｄ））。
【００６５】
このワイヤーボンディング工程において、ワイヤーボンダーによりボンディングワイヤー３３がインナーリード２１に接続される。この間、ワイヤーボンダーのキャピラリによりインナーリード２１が下方へ押圧される。ここで、上述したように、各インナーリード２１の横方向断面は、天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有し、底縁２１ｇは、その両端に一対の突出部２１ｉを有している（図４参照）。したがって、インナーリード２１がキャピラリにより押圧された際、インナーリード２１がボンディング用金型５９の凸部５９ａ上で横ぶれすることがない。したがって、ボンディングワイヤー３３をインナーリード２１表面に安定してボンディングすることが可能となる。
【００６６】
また、インナーリード２１下方にボンディング用金型５９の凸部５９ａを配置したことにより、キャピラリにより押圧された際にインナーリード２１が下方に変形することがない。
【００６７】
続いて、ボンディング用金型５９をリードフレーム１０から取り除く。次いで、リードフレーム１０を成形金型内に収容する。次に、アウターリード２２を外部に露出させるようにして、リード２０、ダイパッド１２、吊りリード１３、半導体素子３１、およびボンディングワイヤー３３を封止樹脂３４により封止する（図１２（ｅ））。なお、アウターリード２２が樹脂封止されることを防ぐため、リードフレーム１０の裏面側であって、成形金型の下型上に、予め非接着性のシート等からなるバックアップ材５６を配置して、樹脂封止してもよい。
【００６８】
次いで、リードフレーム１０を成形金型内から取出す（図１２（ｆ））。
【００６９】
最後に、リードフレーム１０を切断して樹脂封止型半導体装置３０毎に分離する。具体的には、封止樹脂３４から露出しているリードフレーム１０の各リード２０と各吊りリード１３とを切断するとともに、外枠部材１１を除去する。このようにして、本実施の形態による樹脂封止型半導体装置３０が得られる（図１２（ｇ））。
【００７０】
このように本実施の形態によれば、各リード２０のインナーリード２１の横方向断面は、天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有し、底縁２１ｇは、その両端に一対の突出部２１ｉを有する。このことにより、ワイヤーボンディング時にインナーリード２１が下方に押された際、インナーリード２１が横ぶれすることがない。したがって、安定したワイヤーボンディングを行うことが可能となる。
【００７１】
また本実施の形態によれば、各リード２０のインナーリード２１の縦方向断面は、上辺２１ａと、端縁２１ｂと、端縁２１ｂに連結された水平部２１ｃと、水平部２１ｃとアウターリード２２側とを連結する湾曲部２１ｄとを有し、湾曲部２１ｄは、湾曲部２１ｄの下端から延びる垂線Ｈよりアウターリード２２側へ入らない。このことにより、ワイヤーボンディング時にインナーリード２１が下方に押された際、インナーリード２１の変形を小さくし、その変形量を製品に影響を及ぼさない程度に抑えることができる。
【００７２】
さらに本実施の形態によれば、リードフレーム１０上の複数の半導体素子３１を一括して樹脂封止する手法（一括封止法）を用いて、樹脂封止型半導体装置３０を製造することが可能となる。このことにより、樹脂封止型半導体装置３０のコストダウンを図ることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１０    リードフレーム
１１    外枠部材
１２    ダイパッド
１３    吊りリード
２０    リード
２１    インナーリード
２１ａ  上辺
２１ｂ  端縁
２１ｃ  水平部
２１ｄ  湾曲部
２１ｅ  下端
２１ｆ  天縁
２１ｇ  底縁
２１ｈ  側縁
２１ｉ  突出部
２１ｊ  追加の突出部
２２    アウターリード
３０    樹脂封止型半導体装置
３１    半導体素子
３１ａ  端子
３２    両面接着テープ
３３    ボンディングワイヤー
３４    封止樹脂
４０    導電性基板
５１、５２  レジストパターン
５２ａ  部分レジスト
５６、５７  バックアップ材
５８    キャピラリ
５９    ボンディング用金型
５９ａ  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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