(57)【要約】      （修正有）【課題】製造コストの上昇を最小限に抑え、Ｓｉウェハ以外の支持体を用いても微細な配線を形成することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】平滑面を有する支持体の前記平滑面上に熱可塑性樹脂層１１を形成する第１工程と、熱可塑性樹脂層１１上に第１配線層１２ａを形成する第２工程と、熱可塑性樹脂層１１上に第１配線層１２ａを被覆する第１絶縁層１３ａを形成する第３工程と、第１絶縁層１３ａ上に、電極パッド２１を有する半導体チップ２０を、電極パッド２１と第１絶縁層１３ａとが対向するように実装する第４工程と、熱可塑性樹脂１１を加熱し軟化させて、前記支持体を除去する第５工程と、を有する半導体パッケージ１の製造方法。【選択図】図１
2010080528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平滑面を有する支持体の前記平滑面上に熱可塑性樹脂層を形成する第１工程と、
前記熱可塑性樹脂層上に第１配線層を形成する第２工程と、
前記熱可塑性樹脂層上に前記第１配線層を被覆する第１絶縁層を形成する第３工程と、
前記第１絶縁層上に、電極パッドを有する半導体チップを、前記電極パッドと前記第１絶縁層とが対向するように実装する第４工程と、
前記熱可塑性樹脂を加熱し軟化させて、前記支持体を除去する第５工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
更に、前記熱可塑性樹脂層の前記第１配線層が形成されている面の反対面上に、絶縁層と配線層とを順次積層形成する第６工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記第２工程において、前記第１配線層に開口部を形成し、
前記第５工程より後に、前記熱可塑性樹脂層側から、前記開口部にレーザ光を照射し、前記第１配線層をマスクとして、少なくとも前記熱可塑性樹脂層及び前記第１絶縁層を貫通し前記電極パッドを露出する貫通孔を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記開口部は、前記レーザ光の径よりも小さく形成されることを特徴とする請求項３記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔に導体を充填し、少なくとも前記電極パッドと前記第１配線層とを電気的に接続する工程を有することを特徴とする請求項３又は４記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に半導体チップを実装した半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に半導体チップを実装した半導体パッケージに関して、半導体チップを基板に実装する様々な方法が提案されており、その中でもフリップチップ実装が主流となりつつある。フリップチップ実装は、半導体チップに形成された電極パッドを、はんだボール等を介して基板に形成された配線と接合し、半導体チップと基板とを電気的に接続する実装方法である。
【０００３】
最近では、半導体パッケージの小型化等の要求により、半導体チップの電極パッドも小型化、高密度化しつつあり、それにともなって、半導体チップが実装される基板の配線にも微細化の要求がなされている。
【０００４】
半導体パッケージに用いる基板に配線を形成する方法としては、セミアディティブ法やサブトラクティブ法で配線をビルドアップしていく方法が主流であるが、これらの方法で、更なる配線の微細化に対応することは困難である。更なる配線の微細化に対応する方法としては、Ｓｉウェハを支持体とし、Ｓｉウェハ上に微細な配線を形成する方法が提案されている。Ｓｉウェハ表面は平滑面であるため、Ｓｉウェハ上には、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝１／１μｍ程度の微細な配線を形成することが可能である。
【特許文献１】特許第２９１９９７６号公報
【特許文献２】特開２００７−１１５７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、Ｓｉウェハを支持体として用いる方法は微細な配線の形成には有効であるが、これまでの半導体パッケージの製造方法に比べ、半導体パッケージの製造コストが上昇するという問題があった。微細な配線の形成後に支持体であるＳｉウェハをエッチングにより除去する工程等が必要なためである。
【０００６】
又、Ｓｉウェハは平滑面を有するからこそ、その上に微細な配線の形成が可能なのであって、半導体パッケージを構成する基板として有機基板のような反り、うねりがある基板を用い、その基板上にＳｉウェハ上と同じデザインの微細な配線を形成することは困難であるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、製造コストの上昇を最小限に抑え、Ｓｉウェハ以外の支持体を用いても微細な配線を形成することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、平滑面を有する支持体の前記平滑面上に熱可塑性樹脂層を形成する第１工程と、前記熱可塑性樹脂層上に第１配線層を形成する第２工程と、前記熱可塑性樹脂層上に前記第１配線層を被覆する第１絶縁層を形成する第３工程と、前記第１絶縁層上に、電極パッドを有する半導体チップを、前記電極パッドと前記第１絶縁層とが対向するように実装する第４工程と、前記熱可塑性樹脂を加熱し軟化させて、前記支持体を除去する第５工程と、を有する半導体パッケージの製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、製造コストの上昇を最小限に抑え、Ｓｉウェハ以外の支持体を用いても微細な配線を形成することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供するこができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００１１】
［本発明に係る半導体パッケージの構造］
始めに、本発明に係る半導体パッケージの構造について説明する。図１は、本発明に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図１を参照するに、本発明に係る半導体パッケージ１は、基板１０と、半導体チップ２０と、接着層３１と、封止層３２とを有する。
【００１２】
基板１０は、熱可塑性樹脂層１１と、第１配線層１２ａと、第２配線層１２ｂと、第３配線層１２ｃと、第１絶縁層１３ａと、第２絶縁層１３ｂと、第３絶縁層１３ｃと、第１ビアホール１４ｘと、第２ビアホール１４ｙと、第３ビアホール１４ｚと、ソルダーレジスト層１５と、第１金属層１６と、第２金属層１７と、外部接続端子１８とを有する。
【００１３】
基板１０において、熱可塑性樹脂層１１の上面１１ａ上には、第１配線層１２ａが形成されており、更に第１配線層１２ａを被覆する第１絶縁層１３ａが形成されている。第１配線層１２ａは、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝１／１μｍ程度の微細な配線である。なお、本明細書において「微細な配線」とは、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）≦５／５μｍの配線を指すものとする。熱可塑性樹脂層１１の下面１１ｂ上には、第２絶縁層１３ｂ、第２配線層１２ｂ、第３絶縁層１３ｃ、第３配線層１２ｃが積層形成されている。第２配線層１２ｂ及び第３配線層１２ｃは、例えばＬ／Ｓ＝５０／５０μｍ程度の比較的低密度に形成されている。
【００１４】
熱可塑性樹脂層１１の材料としては、例えばポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）やフェノキシ樹脂等を用いることができる。第１配線層１２ａ、第２配線層１２ｂ、第３配線層１２ｃの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。第１絶縁層１３ａの材料としては、例えば液状のエポキシ系樹脂等を用いることができる。第２絶縁層１３ｂ、第３絶縁層１３ｃの材料としては、例えばフィルム状のエポキシ系樹脂等を用いることができる。なお、一般に、液状のエポキシ系樹脂は、フィルム状のエポキシ系樹脂と比較して軟化する温度が高い。
【００１５】
第１配線層１２ａと第２配線層１２ｂとは、熱可塑性樹脂層１１及び第２絶縁層１３ｂに形成された第２ビアホール１４ｙを介して電気的に接続されている。又、第２配線層１２ｂと第３配線層１２ｃとは、第３絶縁層１３ｃに形成された第３ビアホール１４ｚを介して電気的に接続されている。
【００１６】
第３絶縁層１３ｃ上には第３配線層１２ｃを部分的に露出する開口部１５ｘを有するソルダーレジスト層１５が形成されている。ソルダーレジスト層１５の材料としては、例えば感光性樹脂組成物等を用いることができる。ソルダーレジスト層１５の開口部１５ｘ内に露出した第３配線層１２ｃ上には、第１金属層１６が形成されている。第１金属層１６としては、例えば第３配線層１２ｃ上にＮｉ層とＡｕ層とをこの順番で積層したＮｉ／Ａｕ層等を用いることができる。
【００１７】
第１金属層１６上には、第２金属層１７が形成されている。第２金属層１７の材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。第２金属層１７上には、外部接続端子１８が形成されている。外部接続端子１８としては、はんだボール、Ａｕバンプ、導電性ペースト等を用いることができる。外部接続端子１８として、はんだボールを用いた場合には、外部接続端子１８の材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。第３配線層１２ｃ、第１金属層１６、第２金属層１７、外部接続端子１８は、電気的に接続されている。外部接続端子１８は、例えばマザーボード等と接続される。
【００１８】
半導体チップ２０は、薄板化された半導体基板（図示せず）、半導体集積回路（図示せず）、複数の電極パッド２１等を有する。半導体基板（図示せず）は、例えば薄板化されたＳｉウェハが個片化されたものである。半導体集積回路（図示せず）は、拡散層（図示せず）、絶縁層（図示せず）、ビアホール（図示せず）、及び配線（図示せず）等から構成されている。複数の電極パッド２１は、半導体集積回路（図示せず）上に設けられており、半導体集積回路（図示せず）に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。
【００１９】
半導体チップ２０は、基板１０上に接着層３１を介して搭載され、封止層３２で封止されている。接着層３１としては、例えば液状タイプの接着剤やフィルムタイプの接着剤等を用いることができる。封止層３２の材料としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂やＵＶ樹脂等を用いることができる。
【００２０】
半導体チップ２０の電極パッド２１と基板１０の第１配線層１２ａ及び第２配線層１２ｂとは、接着層３１及び第１絶縁層１３ａに形成された第１ビアホール１４ｘ、並びに、熱可塑性樹脂層１１及び第２絶縁層１３ｂに形成された第２ビアホール１４ｙを介して電気的に接続されている。第１ビアホール１４ｘは、例えば平面視円形状、断面視矩形状であり、平面視円形状部の直径φ１は、例えば１〜５μｍとすることができる。第２ビアホール１４ｙは、例えば平面視円形状、断面視台形状であり、平面視円形状部の最大部の直径φ２は、例えば４０μｍとすることができる。電極パッド２１のピッチＰ１は、例えば８０μｍとすることができる。
【００２１】
このように、本発明に係る半導体パッケージ１は、熱可塑性樹脂層１１の上面１１ａ上には、例えばＬ／Ｓ＝１／１μｍ程度の微細な配線である第１配線層１２ａが形成されており、熱可塑性樹脂層１１の下面１１ｂ上には、例えばＬ／Ｓ＝５０／５０μｍ程度の比較的低密度の配線である第２配線層１２ｂ及び第３配線層１２ｃが形成されていることが特徴である。又、第１ビアホール１４ｘの平面視円形状部の直径φ１が、例えば５μｍ程度と極めて小径であることが特徴である。又、第２配線層１２ｂが、熱可塑性樹脂層１１を貫通して配線されていることが特徴である。
【００２２】
［本発明に係る半導体パッケージの製造方法］
続いて、本発明に係る半導体パッケージの製造方法について説明する。図２〜図１７は、本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図である。図２〜図１７において、図１に示す半導体パッケージ１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図２〜図１７を参照しながら、本発明に係る半導体パッケージ１の製造方法について説明する。
【００２３】
始めに、図２に示す工程では、板状の支持体２を用意する。支持体２の上面２ａは、平滑面である。支持体２の上面２ａは、例えばバフ研磨、電解砥粒研磨等の平滑加工が施されている。本明細書において「平滑面」とは、算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ規格Ｂ０６０１−１９９４）が３０ｎｍ以下の面を称する。支持体１１の材料としては、ＳＵＳ、Ｃｕ、ガラス等を用いることができるが、上面２ａの算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ規格Ｂ０６０１−１９９４）を３０ｎｍ以下にできる材料であれば、どのようなものを用いても構わない。支持体２の厚さは、例えば１００μｍとすることができる。
【００２４】
次いで、図３に示す工程では、支持体２の上面２ａに熱可塑性樹脂層１１を形成する。熱可塑性樹脂層１１は、例えば２００℃程度の熱により軟化する材料から構成されており、後述する工程で、支持体２を剥離する際の剥離層として機能する。熱可塑性樹脂層１１の材料としては、例えばポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）やフェノキシ樹脂等を用いることができる。
【００２５】
熱可塑性樹脂層１１は、支持体２の上面２ａに熱可塑性樹脂層１１を構成する材料を、例えばスピンコート法により一様に塗布することで形成することができる。熱可塑性樹脂層１１の厚さＴ１は、例えば１〜３μｍとすることができる。熱可塑性樹脂層１１を、例えばスピンコート法により極めて薄く形成する理由は、熱可塑性樹脂層１１の上面１１ａの算術平均粗さＲａを、支持体２の上面２ａの算術平均粗さＲａと同程度に維持するためである。
【００２６】
次いで、図４に示す工程では、熱可塑性樹脂層１１の上面１１ａ上に第１配線層１２ａを形成する。第１配線層１２ａの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。熱可塑性樹脂層１１の上面１１ａは平滑面であるため、Ｓｉウェハ上に配線を形成する場合と同程度の微細な配線を形成することができる。従って、第１配線層１２ａは、例えばＬ／Ｓ＝１／１μｍ程度に形成することが可能である。第１配線層１２ａの厚さは、例えば３〜５μｍとすることができる。
【００２７】
１２ｚは、例えば平面視円形状に開口された開口部である。第１配線層１２ａは、後述する工程で、第１ビアホール１４ｘを形成する際のマスクとしても機能し、開口部１２ｚは第１ビアホール１４ｘに対応する位置に形成されている。開口部１２ｚは、後述する工程で照射されるレーザ光の径よりも小さく形成される。開口部１２ｚに照射されるレーザ光の径は、例えば４０μｍ程度である。ただし、レーザ光は円形とは限らず、楕円形等の場合もある。開口部１２ｚを平面視円形状に開口する場合には、平面視円形状部の直径φ３は、例えば５μｍ程度とすることができる。後述する工程で形成される第１ビアホール１４ｘの平面視円形状部の直径φ１は、開口部１２ｚの平面視円形状部の直径φ３と略同一の値となる。開口部１２ｚのピッチＰ２は、半導体チップ２０の電極パッド２１のピッチＰ１と略同一の値に設定されている。
【００２８】
第１配線層１２ａは、例えば周知のセミアディティブ法により形成することができる。第１配線層１２ａを、セミアディティブ法により形成する例を、より詳しく説明すると、先ず、無電解めっき法又はスパッタ法により、熱可塑性樹脂層１１の上面１１ａ上に、例えばＣｕ等からなるシード層（図示せず）を形成した後に、第１配線層１２ａに対応する開口部を備えたレジスト膜（図示せず）を形成する。次いで、シード層（図示せず）をめっき給電層に利用した電解めっき法により、レジスト膜（図示せず）の開口部に例えばＣｕからなる配線（図示せず）を形成する。続いて、レジスト膜（図示せず）を除去した後に、配線（図示せず）をマスクにしてシード層（図示せず）をエッチングし、不要なシード層（図示せず）を除去することにより第１配線層１２ａを得ることができる。
【００２９】
次いで、図５に示す工程では、熱可塑性樹脂層１１の上面１１ａ上に、第１配線層１２ａを被覆する第１絶縁層１３ａを形成する。第１絶縁層１３ａの材料としては、例えば液状のエポキシ系樹脂等を用いることができる。後述する工程で、支持体２を剥離する際に、例えば２００℃の熱が印加されるため、第１絶縁層１３ａは、支持体２を剥離する際に印加される熱により軟化しない材料を選定する必要がある。第１絶縁層１３ａは、第１絶縁層１３ａを構成する材料を、例えばスピンコート法により塗布し、その後加熱して焼結することで形成することができる。
【００３０】
図５に示す工程により、第１配線層１２ａは、第１絶縁層１３ａにより被覆され、これ以降外気に触れることはない。例えば、以降に、熱可塑性樹脂層１１を除去する工程があると、第１配線層１２ａが外気に触れ、酸化される場合がある。このような場合に、酸化防止処理が必要になるが、第１配線層１２ａの厚さは、例えば３〜５μｍであり極めて薄いため、酸化防止処理を施すと更に薄くなり、電気的に好ましくない状態になる虞がある。本発明では、熱可塑性樹脂層１１を除去する工程はないため、第１配線層１２ａは酸化されることがなく、酸化防止処理を施す必要がない。本発明の効果の一つである。
【００３１】
次いで、図６に示す工程では、第１絶縁層１３ａ上に、接着層３１を介して半導体チップ２０を固着する。接着層３１としては、例えば液状タイプの接着剤やフィルムタイプの接着剤等を用いることができる。半導体チップ２０は、例えば所定のアライメントマークを用いた周知の方法で、第１絶縁層１３ａ上に位置決めされるが、その際、電極パッド２１が、開口部１２ｚの直上に来るように配置される。
【００３２】
次いで、図７に示す工程では、第１絶縁層１３ａ上に、半導体チップ２０を被覆する封止層３２を形成する。封止層３２の材料としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂やＵＶ樹脂等を用いることができる。封止層３２は、例えばモールド法、印刷法、ポッティング法等により形成することができる。半導体チップ２０の一部が、封止層３２から露出しても構わない。
【００３３】
次いで、図８に示す工程では、支持体２を除去する。支持体２は、例えば図７に示す構造体を、熱可塑性樹脂層１１が軟化する温度（例えば２００℃）に加熱することにより、容易に剥離し除去することができる。支持体２は、エッチングにより除去しても構わない。例えば、支持体２がＣｕから構成されている場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウェットエッチングにより支持体２を除去することができる。ただし、図７に示す構造体を加熱し、熱可塑性樹脂層１１を軟化させることにより、支持体２を除去する方が好ましい。支持体２を繰り返し使用することができ、半導体パッケージ１の製造コストを低減することができるからである。
【００３４】
次いで、図９に示す工程では、熱可塑性樹脂層１１の下面１１ｂ上に、第２絶縁層１３ｂを形成する。第２絶縁層１３ｂの材料としては、例えばフィルム状のエポキシ系樹脂等を用いることができる。第２絶縁層１３ｂは、熱可塑性樹脂層１１の下面１１ｂ上にフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートした後に、フィルム状のエポキシ系樹脂等をプレス（押圧）し、その後、所定の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。ここで、所定の温度は、熱可塑性樹脂層１１が軟化する温度（例えば２００℃）よりも低い温度に設定する必要がある。
【００３５】
次いで、図１０に示す工程では、接着層３１及び第１絶縁層１３ａを貫通する第１ビアホール１４ｘ、並びに、熱可塑性樹脂層１１及び第２絶縁層１３ｂを貫通する第２ビアホール１４ｙを形成する。第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール１４ｙは、例えば図９に示す構造体にＵＶ−ＹＡＧレーザを照射することにより同時に形成することができる。この際、ＵＶ−ＹＡＧレーザは、レーザ光の中心が、開口部１２ｚの中心（電極パッド２１の中心）と略一致するように照射する。第１ビアホール１４ｘは、例えば平面視円形状、断面視矩形状に形成され、第２ビアホール１４ｙは、例えば平面視円形状、断面視台形状に形成される。
【００３６】
ＵＶ−ＹＡＧレーザの照射パワーは、接着層３１、第１絶縁層１３ａ、熱可塑性樹脂層１１、第２絶縁層１３ｂは溶融するが、第１配線層１２ａは溶融しない程度のパワーに設定されている。そのため、第１配線層１２ａがマスクとして機能し、第１ビアホール１４ｘの平面視円形状部の直径φ１は、開口部１２ｚの平面視円形状部の直径φ３により決定され、例えば５μｍ程度と極めて小径の貫通孔とすることができる。又、第１配線層１２ａがマスクとして機能することにより、微細なピッチの特別なマスクを準備する必要がないため、半導体パッケージ１の製造コストを低減することができる。第２ビアホール１４ｙの平面視円形状部の最大部の直径φ２は、例えば４０μｍとすることができる。
【００３７】
次いで、図１１に示す工程では、第２絶縁層１３ｂ上に第２配線層１２ｂを形成する。第２配線層１２ｂは、例えばＬ／Ｓ＝５０／５０μｍ程度に形成することができる。第２配線層１２ｂの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。第２配線層１２ｂは、第１配線層１２ａと同様に、例えばセミアディティブ法により形成される。この際、第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール１４ｙの壁面、並びに、第１ビアホール１４ｘ内に露出する電極パッド２１及び第２ビアホール１４ｙ内に露出する第１配線層１２ａの表面にシード層（図示せず）を形成するが、電極パッド２１がＡｌ等の腐食されやすい金属から形成されている場合には、シード層（図示せず）をスパッタ法により形成することが好ましい。シード層（図示せず）は、無電解めっき法でも形成することができるが、無電解めっき法を用いると、電極パッド２１が腐食される虞があるからである。第２配線層１２ｂは、第１ビアホール１４ｘ及び第２ビアホール１４ｙを介して電極パッド２１と電気的に接続される。又、第２配線層１２ｂは、第２ビアホール１４ｙを介して第１配線層１２ａと電気的に接続される。
【００３８】
次いで、図１２に示す工程では、第２絶縁層１３ｂ上に、第２配線層１２ｂを被覆する第３絶縁層１３ｃを形成する。第３絶縁層１３ｃの材料としては、例えばフィルム状のエポキシ系樹脂等を用いることができる。第３絶縁層１３ｃは、第２絶縁層１３ｂ上にフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートした後に、フィルム状のエポキシ系樹脂等をプレス（押圧）し、その後、所定の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。ここで、所定の温度は、熱可塑性樹脂層１１が軟化する温度（例えば２００℃）よりも低い温度に設定する必要がある。
【００３９】
次いで、図１３に示す工程では、第３絶縁層１３ｃを貫通し、第２配線層１２ｂを露出する第３ビアホール１４ｚを形成する。第３ビアホール１４ｚは、例えば図１２に示す構造体にＣＯ２レーザを照射することにより形成することができる。第３ビアホール１４ｚは、例えば平面視円形状、断面視台形状に形成される。
【００４０】
次いで、図１４に示す工程では、第３絶縁層１３ｃ上に第３配線層１２ｃを形成する。第３配線層１２ｃは、例えばＬ／Ｓ＝５０／５０μｍ程度に形成することができる。第３配線層１２ｃの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。第３配線層１２ｃは、第１配線層１２ａと同様に、例えばセミアディティブ法により形成される。第３配線層１２ｃは、第３ビアホール１４ｚを介して第２配線層１２ｂと電気的に接続される。
【００４１】
このようにして、熱可塑性樹脂層１１の下面１１ｂ上に所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、２層のビルドアップ配線層（第２配線層１２ｂ及び第３配線層１２ｃ）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００４２】
次いで、図１５に示す工程では、第３配線層１２ｃを被覆するように、第３絶縁層１３ｃ上にソルダーレジスト層１５を形成する。ソルダーレジスト層１５は、第３配線層１２ｃを露出する開口部１５ｘを有する。ソルダーレジスト層１５としては、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物を用いることができる。
【００４３】
次いで、図１６に示す工程では、ソルダーレジスト層１５の開口部１５ｘ内に露出した第３配線層１２ｃ上に、第１金属層１６を形成する。第１金属層１６としては、例えば第３配線層１２ｃ上にＮｉ層とＡｕ層とをこの順番で積層したＮｉ／Ａｕ層等を用いることができる。第１金属層１６は、例えば無電解めっき法により形成することができる。
【００４４】
次いで、図１７に示す工程では、第１金属層１６上に、第２金属層１７を形成する。第２金属層１７は所謂プレソルダであり、第２金属層１７の材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。第２金属層１７は、第１金属層１６上に、はんだペーストを塗布しリフロー処理することにより得られる。又、第１金属層１６上に、はんだボールを実装しても構わない。
【００４５】
次いで、図１７に示す第２金属層１７上に、外部接続端子１８を形成することにより、図１に示す半導体パッケージ１が完成する。外部接続端子１８としては、はんだボール、Ａｕバンプ、導電性ペースト等を用いることができる。外部接続端子１８として、はんだボールを用いた場合には、外部接続端子１８の材料としては、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、外部接続端子１８が、はんだから構成されている場合には、外部接続端子１８形成時に、第２金属層１７及び外部接続端子１８は溶融し合金となり、一つのバンプが形成される。以上が、本発明に係る半導体パッケージの製造方法である。
【００４６】
本発明によれば、平滑面を有する支持体上に、支持体の平滑性を維持するように熱可塑性樹脂層を薄く形成し、平滑な熱可塑性樹脂層の上に配線層を形成する。従って、Ｓｉウェハ上に配線を形成する場合と同様の微細な配線を形成することができる。
【００４７】
又、熱を加えることにより熱可塑性樹脂層が軟化し、容易に支持体を除去することが可能となり、支持体を繰り返し使用することができる。従って、半導体パッケージの製造コストを低減することができる。
【００４８】
又、熱可塑性樹脂層の微細な配線が形成されていない側の面には、従来の基板作製プロセスを用いて配線層をビルドアップしていくことが可能なため、低コストで多層配線層を形成することができる。
【００４９】
又、半導体チップの電極パッドと配線層とを接続するためのビアホールを配線層をマスクとして形成することにより、小径のビアホールを形成することができる。又、特別なマスクを作製する必要がないため、半導体パッケージの製造コストを低減することができる。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係る半導体パッケージを例示する断面図である。
【図２】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。
【図６】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。
【図７】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その６）である。
【図８】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その７）である。
【図９】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その８）である。
【図１０】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その９）である。
【図１１】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１０）である。
【図１２】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１１）である。
【図１３】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１２）である。
【図１４】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１３）である。
【図１５】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１４）である。
【図１６】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１５）である。
【図１７】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１６）である。
【符号の説明】
【００５２】
１  半導体パッケージ
２  支持体
２ａ  支持体２の上面
１０  基板
１１  熱可塑性樹脂層
１１ａ  熱可塑性樹脂層１１の上面
１１ｂ  熱可塑性樹脂層１１の下面
１２ａ  第１配線層
１２ｂ  第２配線層
１２ｃ  第３配線層
１２ｚ，１５ｘ  開口部
１３ａ  第１絶縁層
１３ｂ  第２絶縁層
１３ｃ  第３絶縁層
１４ｘ  第１ビアホール
１４ｙ  第２ビアホール
１４ｚ  第３ビアホール
１５  ソルダーレジスト層
１６  第１金属層
１７  第２金属層
１８  外部接続端子
２０  半導体チップ
２１  電極パッド
３１  接着層
３２  封止層
Ｐ１，Ｐ２  ピッチ
Ｔ１  厚さ
φ１，φ２，φ３  直径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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