(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上に、直接または他の層を介して１層または２層以上の電荷輸送層を積層し、該電荷輸送層上に光硬化性樹脂を含むバンク及び該バンクによって区画された領域を形成し、該バンクによって区画された領域に機能性層を有する有機電界発光素子の駆動寿命を向上させる。【解決手段】該電荷輸送層４、上にバンク５，及び該バンクによって区画された領域を形成し、該バンク５、によって区画された領域に１層または２層以上の機能性層を有する有機電界発光素子１０ａ、であって、該バンク５、の線膨張率と該バンク５，に接する電荷輸送層４，の線膨張率の差が７０ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする、有機電界発光素子。【選択図】図１
2010192475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第一の電極、及び前記第一の電極と対向するように形成された第二の電極を有し、
前記第一の電極及び前記第二の電極の間に、有機層を有し、
該有機層が電荷輸送層を含み、 
該電荷輸送層上にバンク及び該バンクによって区画された領域を形成し、 
該バンクによって区画された領域に１層または２層以上の機能性層を有する有機電界発光素子であって、 
該バンクの線膨張率と該バンクに接する電荷輸送層の線膨張率の差が７０ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項２】
前記電荷輸送層が湿式成膜法で形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子及びその製造方法。
【請求項３】
前記機能性層の少なくとも1層が湿式成膜法で形成されたことを特徴とする請求項１又
は２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
該機能性層の少なくとも１層が、発光層であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。 
【請求項５】
該バンクが網目状のパターンに形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
該バンクがストライプ状のパターンに形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いたことを特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。 
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いたことを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子、並びに、これを備えた、有機ＥＬ表示装置、及び有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に複数の有機層（発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層等）が積層して設けられる。有機電界発光素子における有機層の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。
このうち、真空蒸着法は積層化が容易であるため、陽極及び/または陰極からの電荷注
入の改善、励起子の発光層封じ込めが容易であるという利点を有する。
【０００３】
一方、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（組成物）に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。
さらに、特許文献１には、有機層上に形成する陰極配線を分離配置すること等を目的として、陽極上にバンクを設けた有機電界発光素子が開示されている。しかしながら、陽極上にバンクを設けた有機電界発光素子では、バンクで区画された領域内に設けられる有機層の膜厚が不均一となり、ディスプレイを作製した際に表示ムラが生じてしまうことがあった。
【０００４】
この膜厚が不均一となることを解決するために、特許文献２や特許文献３では、有機層上にバンクを形成する技術が開示されている。しかしながら、有機層上にバンクを形成した素子では、駆動寿命など素子特性に課題を残していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３５１７７９号公報
【特許文献２】特開２００４−２３４９０１号公報
【特許文献３】特開２００４−２３５１２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板上に、直接または他の層を介して１層または２層以上の電荷輸送層を積層し、該電荷輸送層上に光硬化性樹脂を含むバンク及び該バンクによって区画された領域を形成し、該バンクによって区画された領域に機能性層を有する有機電界発光素子の駆動寿命を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、鋭意検討した結果、有機層上にバンクを有する素子の駆動寿命には、駆動時に素子の温度が上がることで、各層の熱膨張が起こり、素子の寿命に影響していることを見出して本発明に到達した。
即ち、本発明は、基板上に、第一の電極、及び前記第一の電極と対向するように形成された第二の電極を有し、前記第一の電極及び第二の電極の間に有機層を有し、該有機層が電荷輸送層を含み、該電荷輸送層上にバンク及び該バンクによって区画された領域を形成し、 該バンクによって区画された領域に１層または２層以上の機能性層を有する有機電
界発光素子であって、 該バンクの線膨張率と該バンクに接する電荷輸送層の線膨張率の
差が７００ｐｐｍ／Ｋ以内であることを特徴とする、有機電界発光素子、並びに、これを
備えた有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明に存する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の有機電界発光素子は、発光ムラや欠陥が少なく、駆動寿命が長い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の有機電界発光素子の構造の別の例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の有機電界発光素子の構造の更に別の例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の有機電界発光素子の構造の更に別の例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではなく、その要旨の範囲内において種々に変更して実施することができる。 
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、第一の電極、及び前記第一の電極と対向するように形成された第二の電極を有し、前記第一の電極及び前記第二の電極の間に、有機層を有し、該有機層が電荷輸送層を含み、該電荷輸送層上にバンク及び該バンクによって区画された領域を形成し、該バンクによって区画された領域に１層または２層以上の機能性層を有する有機電界発光素子であって、該バンクの線膨張率と該バンクに接する電荷輸送層の線膨張率の差が７０ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする、有機電界発光素子である。
【００１１】
なお、本発明において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」と「メタクリル酸」の双方を含むことを意味し、「（メタ）アクリレート」、「（メタ）アクリロイル」なども同様の意味である。また、モノマー名の前に「（ポリ）」をつけたものは、当該「モノマー」と、その「ポリマー」との双方を含むことを意味し、「酸（無水物）」、「（無水）…酸」とは、「酸」とその「酸無水物」の双方を含むことを意味する。 
【００１２】
また、「（共）重合」とは「重合」と「共重合」の双方を含むことを意味する。 
また、本発明において、「全固形分」とは、組成物の構成成分のうち、溶剤を除くすべての成分を意味する。 
また、本発明において、各種の樹脂の分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）で測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）である。
【００１３】
Ａ．有機電界発光素子 
まず、本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、第一の電極、及び前記第一の電極と対向するように形成された第二の電極を有し、前記第一の電極及び前記第二の電極の間に、有機層を有し、該有機層が電荷輸送層を含み、該電荷輸送層上にバンク及び該バンクによって区画された領域を形成し、該バンクによって区画された領域に１層または２層以上の機能性層を有する有機電界発光素子であって、該バンクの線膨張率と該バンクに接する電荷輸送層の線膨張率の差が７０ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする、有機電界発光素子である。
【００１４】
＜線膨張＞
本発明の有機電界発光素子は、バンクの線膨張率と、バンクに接する電荷輸送層の線膨張率の差は、通常７０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは５０ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以下、また通常１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上であ
る。
【００１５】
上記範囲内であると、バンクと下地層の密着性が保たれやすいので、駆動中の熱の影響を受けにくく、駆動寿命が改善される点で好ましい。
［線膨張の測定方法］
線膨張率の測定は、ＴＭＡ１２０（エスアイアイナノテクノロジー社製）を用いて測定を行う。  
【００１６】
（測定方法）
３ｍｍ×３０ｍｍのフィルム状試験片を切り出し、引っ張りプローブに取り付ける。チャック間は２０ｍｍ。毎分５℃で２５℃から１８０℃まで昇温する。次に１８０℃から２５℃まで毎分５℃で降温する。次に再び同様に１８０℃まで昇温したときの伸びを計測する。
【００１７】
具体的には、温度範囲を２５℃から１８０℃、昇温速度は５℃／分とする。サンプルを引っ張りプローブに取り付け、張力９８ｍＮで引っ張りながら加熱する。横軸に温度、縦軸に伸びをプロットし、任意の点における傾きから膨張係数を計算する。線膨張係数（ｐｐｍ／Ｋ）＝｛（温度Ｔ２におけるチャック間の距離−温度Ｔ１におけるチャック間の距離）／（Ｔ２−Ｔ１））／初期のサンプル長（２０ｍｍ）｝×１００００００として計算する。
【００１８】
尚、本発明の特定に用いる測定機器は、上記と同等の測定が可能であれば、上記の測定機器に限定されるものではなく、その他の測定機器を用いてもよいが、上記の測定機器を用いることが好ましい。
本発明の有機電界発光素子は、電荷輸送層、該電荷輸送層上に隣接して設けられるバンク、及び該バンクにより区画された領域に機能性層を有する。
【００１９】
本発明における電荷輸送層は、例えば架橋性または熱やエネルギー照射で不溶化する化合物を使用する、若しくは含有させることにより、バンク形成に使用する溶剤によって下地層が溶解し、有機電界発光素子の特性を低下させたり、下地層の溶解の程度が温度などの環境因子によって変動し、得られた有機電界発光素子の特性がばらつくこと等を抑制できる。
【００２０】
なお、通常、電荷輸送層、及び機能性層のうち、本発明においては特に、該機能性層が発光層を含む層であることが好ましい。特に、機能性層のうち、電荷輸送層と隣接する層が発光層であることが好ましい。この場合、上記バンクを利用して、混色なく発光層が形成されたものとすることができる。但し、機能性層は必ずしも発光層を含む必要はない。
【００２１】
ここで、本発明の有機電界発光素子における電荷輸送層は、電荷を輸送する性能を有する層であれば、本発明の効果を著しく逸脱しない限りその種類に制限はない。電荷輸送層はそれぞれ、電子を輸送する性能を有する層であってもよく、また正孔を輸送する性能を有する層であってもよい。また正孔及び電子を輸送する性能を有する層、例えば発光層等であってもよい。このような電荷輸送層の例としては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等が挙げられる。
尚、電荷輸送層の成膜方法は、膜均一性に優れる点で湿式成膜法である事が好ましい。
【００２２】
また、上記機能性層は、上記バンクにより区画された領域、すなわちその一部がバンクに接する電荷輸送層のうち、上記バンクが形成されていない領域に形成されてその機能を果たすことが可能な層であり、通常、有機電界発光素子の２つの電極間に形成される層の１層または２層以上を積層したものである。有機電界発光素子の２つの電極間に形成され
る複数の有機層としては、特に限定されるものではないが、例としては正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等が挙げられる。機能性層は、これらのうちの１層のみからなるものであってもよく、また２層以上が積層されたものであってもよい。
【００２３】
また上記機能性層の形状としては上記バンクにより区画された領域のみに形成されているものであってもよく、また例えば上記バンクにより区画された領域及び上記バンク上、すなわちバンクにより区画された領域及びバンクを覆うように形成されているものであってもよい。ただし、発光層は、バンクにより区画された領域のみに形成されていることが好ましい。また上記機能性層の形成方法に制限はなく、通常機能性層の種類に応じて適宜選択されるが、湿式成膜法で形成されることが好ましい。
【００２４】
上記バンクの形状を利用して機能性層を形成する場合、すなわちバンクにより隔てられた領域にそれぞれ異なる種類の機能性層を形成する場合や、機能性層をバンクによって分離したい場合等には、湿式成膜法で機能性層形成用組成物を塗布して機能性層を形成することできるためである。
また第１の電極及び第２の電極は、何れかが陽極であり、他方が陰極である。 
【００２５】
以下、本発明の有機電界発光素子について、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極であり、電荷輸送層が正孔輸送層、さらに機能性層が発光層である場合を例に説明する。図１は、上記実施形態における有機電界発光素子の構造を模式的に示す断面図である。図１に示す有機電界発光素子１０ａは、基板１の上に、陽極２、正孔輸送層４（電荷輸送層）、パターン状に形成されたバンク５、上記バンク５により区画された領域に少なくとも形成された発光層６（機能性層）、及び陰極７を有する。以下、上記各部材について説明する。
【００２６】
＜１．基板＞ 
基板１は有機電界発光素子１０ａの支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板等、汎用材料からなる透明基板を用いることが好ましい。 
【００２７】
基板１の材料の例としては、ＢＫ７、ＳＦ１１、ＬａＳＦＮ９、ＢａＫ１、Ｆ２などの各種ショットガラス、合成フェーズドシリカガラス、光学クラウンガラス、低膨張ボロシリケートガラス、サファイヤガラス、ソーダガラス、無アルカリガラスなどのガラス、ＴＦＴが形成されたガラス、高分子材料としては、ポリメチルメタクリレートや架橋アクリレートなどのアクリル樹脂、ピスフェノールＡポリカーボネートなどの芳香族ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリシクロオレフィンなどの非晶性ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどのスチレン樹脂、ポリエーテルスルホンなどのポリスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂などの合成樹脂、等が挙げられる。また、これらのうち２種以上の積層体であってもよい。目的と用途に応じて、これらの基板の上に反射防止フィルム、円偏光フィルム、位相差フィルムなどの光学フィルムを形成、若しくは貼り合わせてもよい。 
【００２８】
ただし、合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意することが好ましい。基板１のガスバリア性が小さすぎると、基板１を通過した外気により有機電界発光素子１０ａが劣化する可能性があるからである。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
＜２．陽極＞ 
本実施の形態において、第１の電極は陽極とする。
【００２９】
基板１上には、例えば陽極２が設けられる。陽極２は、発光層６側への正孔注入の役割を果たすものである。 
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属；インジウム及び／またはスズの酸化物等の金属酸化物；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。なお、陽極２の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【００３０】
陽極２の形成方法に制限は無いが、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われる。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダ樹脂溶液にそれらを分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。 
【００３１】
また、陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、中でも８０％以上とすることが好ましく、この場合、陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常１０００ｎｍ以下、中でも５００ｎｍ以下が好ましい。一方、陽極２が不透明でよい場合、陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。さらに、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。 
【００３２】
また、陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極２の表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることが好ましい。 
さらに、正孔注入の効率を更に向上させ、かつ、正孔注入層３の陽極２への付着力を改善させる目的で、正孔注入層３と陽極２との間に公知の陽極バッファ層を挿入してもよい。 
【００３３】
＜３．正孔注入層＞ 
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。 
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【００３４】
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。 
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞ 
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。 
【００３５】
（正孔輸送性化合物） 
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。 
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。 
【００３６】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【００３７】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。 
【００３８】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【００３９】
【化１】
2010192475.tif 000003
【００４０】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【００４１】
【化２】
2010192475.tif 000004
【００４２】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。）） 
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【００４３】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。 
Ｒ１およびＲ２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。 
【００４４】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。 
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（3,4-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（PEDOT/PSS）もまた好ましい。また、このポリマーの末端を
メタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【００４５】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。 
【００４６】
（電子受容性化合物） 
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。 
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。 
【００４７】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸ア
ンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。 
【００４８】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。 
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。 
【００４９】
（その他の構成材料） 
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。 
【００５０】
（溶剤） 
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。 
【００５１】
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。 
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。 
【００５２】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。 
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。 
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。 
【００５３】
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。 
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。 
（成膜方法） 
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。 
【００５４】
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましくい。 
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。 
【００５５】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
【００５６】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。 
【００５７】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞ 
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【００５８】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（
１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。 蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない
限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【００５９】
＜４．正孔輸送層＞ 
本発明の実施形態において、電荷輸送層は正孔輸送層とする。
正孔輸送層４は、正孔注入層３側から発光層６側へ正孔を輸送する層である。
正孔輸送層の線膨張率は、通常３５ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは５０ｐｐｍ／Ｋ以上、さらに好ましくは７５ｐｐｍ／Ｋ以上、また、通常２００ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは１５０ｐｐｍ／Ｋ以下、更に好ましくは１００ｐｐｍ／Ｋ以下である。
【００６０】
上記範囲内であると、正孔輸送層に接する正孔注入層や発光層、電子阻止層やバンクとの密着性が保たれやすいので、駆動中の熱の影響を受けにくく、寿命が長くなる点で好ましい。
また、正孔輸送材料としては、通常は正孔輸送性の化合物を用い、低分子でも高分子でもよい。また、正孔輸送層の上に電子阻止層や発光層、バンクなどを塗布で形成するために、光や熱で架橋や脱離などをして不溶化する不溶化基を有する化合物を用いて形成することが好ましい。
【００６１】
正孔輸送層４を形成する材料としては、本発明の構成を満たす様に、以下のものから適宜材料の選択を行う。
正孔輸送層４を形成する材料としては、上記正孔注入層３に混合して用いてもよい正孔輸送化合物として例示した化合物と同様のものが挙げられる。
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。 
【００６２】
これらの中から、上述した線膨張率を満たすものを適宜選択すればよい。
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。 
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（II）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（II）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、ＡｒａまたはＡｒｂが異なっているものであってもよい。 
【００６３】
【化３】
2010192475.tif 000005
【００６４】
（式（II）中、Ａｒａ及びＡｒｂは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。） 
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フル
オレン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。 
【００６５】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。 
【００６６】
溶解性、耐熱性の点から、Ａｒａ及びＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。 
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）及びフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。 
【００６７】
Ａｒａ及びＡｒｂの置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。 
【００６８】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（II）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。 
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III−１）及び／または下記式（III−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。 
【００６９】
【化４】
2010192475.tif 000006
【００７０】
（式（III−１）中、Ｒa、Ｒb、Ｒｃ及びＲｄは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ
基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔ及びｓは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｔまたはｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲaまたはＲbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲaまたはＲbどうしで環を形成していてもよい。） 
【００７１】
【化５】
2010192475.tif 000007
【００７２】
（式（III−２）中、Ｒｅ及びＲｆは、各々独立に、上記式（III−１）におけるＲa、 Ｒb、ＲｃまたはＲｄと同義である。ｒ及びｕは、各々独立に、０〜３の整数を表す。 
ｒまたはｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅ及びＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅまたはＲｆどうしで環を形成していてもよい。Ｘは、５員環または６員環を構成する原子または原子群を表す。） 
Ｘの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基である。 
【００７３】
また、ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III−１）及び／または下記式（III−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（III−３）で表される繰り返し単位
を有することが好ましい。 
【００７４】
【化６】
2010192475.tif 000008
【００７５】
（式（III−３）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香
族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。ｖ及びｗは、各々独立に０または１を表す。） 
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（II）における、Ａｒａ及びＡｒｂと同様である。 
【００７６】
上記式（III−１）〜（III−３）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。 
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。 
また正孔輸送層４は、バンク５形成時に使用する溶剤に溶解しないことが好ましい。このため、架橋基を有する正孔輸送性化合物を用いたり、架橋基を有する添加物を含有させ、正孔輸送層４の形成後に熱、光などの活性エネルギー線照射により不溶化させることが好ましい。架橋基を有する正孔輸送性化合物は、モノマー、オリゴマー或いはポリマーのいずれであってもよい。架橋基としては、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる
。架橋基を有する正孔輸送性化合物は、上記の架橋基を、１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。架橋基を有する正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。これらは１種単独で、または２種以上を任意の比率及び組合せで用いることができる。 
【００７７】
なお、ここで「誘導体」とは当該用語を付された化合物を排除するものではなく、例えば「トリフェニルアミン誘導体」は、トリフェニルアミンと、トリフェニルアミンから誘導して得られる化合物との両方を含むものとする。 
正孔輸送層４はまた、不溶化性化合物を不溶化して形成される層であることが好ましい。不溶化性化合物は、不溶化基を有する化合物であって、不溶化することにより不溶化ポリマーを形成する。 
【００７８】
正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、不溶化基が主鎖または側鎖に結合しているものが挙げられる。
本発明における不溶化性化合物は、不溶化基を含む基を有する化合物である。
不溶化基とは、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により反応する基であり、反応後は反応前に比べて有機溶媒や水への溶解性を低下させる効果を有する基である。
【００７９】
本発明においては、不溶化基は、解離基又は架橋性基であることが好ましい。
（解離基）
本発明における正孔輸送材料は、不溶化基として、解離基を有していることが不溶化後（解離反応後）の電荷輸送能に優れる点で好ましい。
ここで、解離基とは、結合している芳香族炭化水素環から７０℃以上で解離し、さらに溶媒に対して可溶性を示す基をいう。ここで、溶媒に対して可溶性を示すとは、化合物が熱及び／又は活性エネルギー線の照射によって反応する前の状態で、常温でトルエンに０．１重量％以上溶解することをいい、化合物のトルエンへの溶解性は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上である。 
【００８０】
このような解離基として好ましくは、芳香族炭化水素環側に極性基を形成せずに熱解離する基であり、逆ディールスアルダー反応により熱解離する基であることがより好ましい。 
またさらに、１００℃以上で熱解離する基であることが好ましく、３００℃以下で熱解離する基であることが好ましい。
【００８１】
解離基の具体例は、以下の通りであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
解離基が２価の基である場合の具体例は、以下の＜２価の解離基群Ａ＞の通りである。
＜２価の解離基群Ａ＞
【００８２】
【化７】
2010192475.tif 000009
【００８３】
解離基が１価の基である場合の具体例は、以下の＜１価の解離基群Ｂ＞の通りである。
＜１価の解離基群Ｂ＞
【００８４】
【化８】
2010192475.tif 000010
【００８５】
（架橋性基）
また、本発明における正孔輸送材料は、不溶化基として、架橋性基を有していることが、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により起こる反応（不溶化反応）の前後で、溶媒に対する溶解性に大きな差を生じさせることができる点で好ましい。
ここで、架橋性基とは、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により近傍に位置するほかの分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。
【００８６】
架橋性基としては、不溶化がしやすいという点で、例えば、架橋性基群Ｔに示す基が挙げられる。 
［架橋性基群Ｔ］ 
【００８７】
【化９】
2010192475.tif 000011
【００８８】
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Ａｒ３１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。） 
エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテル基、ビニルエーテル基などのカチオン重合によって不溶化反応する基が、反応性が高く不溶化が容易な点で好ましい。中でも、カチオン重合の速度を制御しやすい点でオキセタン基が特に好ましく、カチオン重合の際に素子の劣化をまねくおそれのあるヒドロキシル基が生成しにくい点でビニルエーテル基が好ましい。
【００８９】
シンナモイル基などアリールビニルカルボニル基、ベンゾシクロブテン環由来の基などの環化付加反応する基が、電気化学的安定性をさらに向上させる点で好ましい。
また、架橋性基の中でも、不溶化後の構造が特に安定な点で、ベンゾシクロブテン環由来の基が特に好ましい。
架橋性基は分子内の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基に直接結合してもよいが、２価の基を介して結合してもよい。この２価の基としては、−Ｏ−基、−Ｃ（＝Ｏ）−基又は（置換基を有していてもよい）−ＣＨ２−基から選ばれる基を任意の順番で１〜３０個連結してなる２価の基を介して、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基に結合することが好ましい。
【００９０】
正孔輸送層の成膜は、真空蒸着法又は湿式成膜法など、本発明の効果を損なわない限り、公知の技術を用いることができるが、膜の均一性に優れるといった点で、湿式成膜法で形成されることが好ましい。
湿式成膜法により正孔輸送層４を形成する場合は、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布用組成物（以下、正孔輸送層形成用組成物という場合がある）を調製し、それを用いて成膜工程、乾燥工程を経ることにより形成する。これらの詳細は、先の〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した内容と同様である。
【００９１】
正孔輸送層４を製造するための塗布用組成物に含有させる正孔輸送層用溶剤としては、正孔輸送層４の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述の正孔輸送性化合物や高分子材料を溶解することが可能なものが好ましい。また、正孔注入層３を溶解しない溶剤を用いることがより好ましい。 
また乾燥の手法についても、〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した手法と同様であれば、他に制限はない。 
【００９２】
また、真空蒸着法により正孔輸送層４を形成してもよく、この場合における成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。 
なお、正孔輸送層４の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【００９３】
＜５．バンク＞ 
正孔輸送層４上には、パターン状にバンク５が設けられる。バンク５のパターンの形状は特に限定されるものではなく、発光層６の形状や陰極７の形状等に合わせて適宜選択されるが、網目状のパターン又はストライブ状のパターンであることが好ましい。また、本実施形態では機能性層が発光層６であることから、発光領域のパターンを反転させたパターン等とすることができる。陰極７を区画すること等を目的として設けられる場合、上記バンクを陰極隔壁として利用し、有機電界発光パネルにおける、陰極のストライプ状パターニングに用いることができる。
【００９４】
またバンクの断面形状についても特に限定されず、例えば断面形状は矩形状であっても
よく、半円形状であってもよく、また逆テーパー形状の台形状やテーパー形状の台形状等であってもよい。またバンクの上面から見た形状についても特に限定されず、矩形、楕円形、または角が丸い長方形等の開口部をもつ形状、あるいは直線状の形状であってもよい。本発明においてはバンクが上述の第１の電極に接していないことが好ましい。
【００９５】
またバンク５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上、また、通常１００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の範囲である。これにより機能性層（ここでは発光層６）または機能性層以降に成膜される層の膜厚ムラを抑制することができる。なお正孔輸送層上に成膜される第１層目の層が発光層６である場合は特に、バンク５の膜厚が、発光層６の膜厚より大きいことが好ましい。 
【００９６】
またバンク５の幅についても本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、フォトレジストの解像度、バンクが設けられる層とバンクとの密着性等の面から通常１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上である。また通常上記バンクが設けられた領域は通常、有機電界発光素子の非発光領域とされるため、有機電界発光素子の発光効率や発光面積等の面から、通常５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下である。
【００９７】
本発明に係るバンクの線膨張率は、通常３５ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは５０ｐｐｍ／Ｋ以上、さらに好ましくは７５ｐｐｍ／Ｋ以上、また、通常２００ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは１５０ｐｐｍ／Ｋ以下、更に好ましくは１００ｐｐｍ／Ｋ以下である。
上記範囲内であると、バンクに接する正孔輸送層や正孔注入層、発光層、電子阻止層、陰極などとの密着性が保たれやすいので、駆動中の熱の影響を受けにくく、得られる素子の駆動寿命が長くなる為、好ましい。
【００９８】
本発明に係るバンク材料としては、例えば、ポジ型あるいはネガ型のレジスト材料、電荷輸送材料、無機物、無機酸化物、金属酸化物などの無機材料などが挙げられ、本発明の構成を満たすように、以下に記載のバンク材料から適宜選択される。
〔５−１．バンクの材料〕 
本発明にかかるバンクの材料の線膨張率は、通常３５ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは５０ｐｐｍ／Ｋ以上、さらに好ましくは７５ｐｐｍ／Ｋ以上、また、通常２００ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは１５０ｐｐｍ／Ｋ以下、更に好ましくは１００ｐｐｍ／Ｋ以下である。
【００９９】
上記範囲内であると、バンクに接する正孔輸送層や正孔注入層、発光層、電子阻止層、陰極などとの密着性が保たれやすいので、駆動中の熱の影響を受けにくく、得られる素子の駆動寿命が長くなる為、好ましい。
上記線膨張率の範囲内であれば、バンク５の材料としては、目的とするパターン状にバンク５を形成可能な材料であれば特に限定されず、例えばバンク５が電荷輸送性を有するものとしてもよい。バンク５が電荷輸送性を有する場合、発光面内にバンク材料の残渣（剥離不良）があった場合にも、素子の発光ムラを少なくできるという利点がある。 
【０１００】
上記バンク５の材料としては、具体的には、スクリーン印刷レジスト材料、フォトレジストなどのレジスト材料、または上記正孔輸送層の形成に用いられる材料等を用いることができる。 
スクリーン印刷レジスト材料は、直接必要な部分にのみ樹脂を印刷するため、スクリーン印刷レジスト材料をバンク５の材料として用いた場合、比較的無駄が少なくまた大面積にも対応し易い。また現像工程が必要ないため、現像液等による正孔輸送層の特性低下がないという利点がある。またフォトレジストは汎用されていることから、フォトレジストをバンク５の材料として用いた場合、プロセス条件として既知の条件を利用することができ、微細加工精度が高く、さらにはポジ型、ネガ型等の種類を含む材料選択、露光、現像
、ベーク等の条件を適切に設定することにより、逆テーパー形状の台形状やテーパー形状の台形状等の断面形状を比較的容易に作製することができるという利点がある。 
【０１０１】
また、上記バンク５の材料として正孔輸送層の形成に用いられる材料を用いる利点としては、例えばパターニング後、正孔輸送層上に残渣が残ってしまった場合であっても、機能性層に影響を及ぼす可能性が少ない点がある。またハーフトーンマスクを用いるフォトリソグラフィー等を用いて、凹型の断面形状を持ち、正孔輸送層とバンクを兼用する構造を正孔輸送層の材料で形成し、製造工程を簡略化できるという点が挙げられる。 
【０１０２】
上記バンク５の材料として用いられるフォトレジストとしては、ポジ型、ネガ型のいずれも使用できる。ポジ型フォトレジストの例としては、ＴＥＬＲ−Ｐ００３  ＰＭ（東京応化工業社製）、ＭＣＰＲ  ｉ７０１０Ｎ（ローム・アンド・ハース社製）が挙げられる。ネガ型フォトレジストの例としては、ＺＰＮ２４６４（日本ゼオン社製）がある。使用するフォトレジストは、バンクを形成する目的に応じて選択することが好ましい。例えば、インクジェット印刷用として形成する場合は、テーパー形状の断面を有するバンク形成に適したフォトレジストの使用が好適である。一方、バンク５をパッシブマトリクスディスプレイ等における陰極隔壁として形成する場合は、逆テーパー形状の断面を有するバンク形成に適したフォトレジストの使用が望ましい。 
【０１０３】
また、正孔輸送層と同様の材料としては、上述した正孔注入層や正孔輸送層の欄で説明した材料や、後述する正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等の欄で説明するいかなる材料も用いることが可能である。上記の中でも、本実施形態において異なる発光色を良好に塗り分けるためには、発光層をバンク形成直後に成膜することが望ましいという観点から、発光層に隣接する層であることが好ましい。 
【０１０４】
以下、フォトレジストの例について詳説するが、本発明はこれに限定されるものではない。 
（５−１−１．フォトレジスト） 
フォトレジスト（バンク形成用組成物）に含有されていることが好ましい材料としては、バインダー樹脂、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤、及びアミノ化合物などが挙げられる。 
【０１０５】
以下、これらについて詳述する。 
（バインダー樹脂） 
本発明に用いられるフォトレジストは、バインダー樹脂を含有することが好ましい。バインダー樹脂としては、現像液で現像可能な樹脂が用いられる。現像液としては通常アルカリ現像液が好適に用いられることから、バインダー樹脂はアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。 
【０１０６】
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、アクリル酸系樹脂、カルボキシ基含有ウレタン樹脂、変性エポキシ樹脂、変性ノボラック樹脂、カルド樹脂、カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物、各種エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂等が挙げられ、好ましくは、アクリル酸系樹脂、カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物、エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂、及び変性ノボラック樹脂が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を任意の比率及び組合せで用いることができる。 
【０１０７】
以下に、上記の中でも特に好適に用いられるバインダー樹脂として、アクリル酸系樹脂、カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物、エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂及び変性ノボラック樹脂について、さらに
詳述する。 
・アクリル酸系樹脂 
本発明に用いられるフォトレジストに含有されるバインダー樹脂としては、アクリル酸系樹脂であることが好ましい。 
【０１０８】
アクリル酸系樹脂は、アルカリ可溶性が向上する点で、側鎖又は主鎖に、カルボキシ基又はフェノール性水酸基のいずれかを有する単量体を重合させて得られる（共）重合体であることが好ましい。 
主鎖又は側鎖に、カルボキシ基又はフェノール性水酸基のいずれかを有する単量体としては、例えば、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートに酸（無水物）を付加させた単量体が挙げられる。酸（無水物）としては、（無水）コハク酸、（無水）フタル酸、（無水）マレイン酸などが挙げられる。 
【０１０９】
ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートに酸（無水物）を付加させた単量体としては、例えば、コハク酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）エステル、アジピン酸（２−アクリロイロキシエチル）エステル、フタル酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）エステル、ヘキサヒドロフタル酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）エステル等が挙げられる。 
【０１１０】
さらに、上記の単量体と共重合させることができる単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン等のスチレン系単量体類、桂皮酸、マレイン酸、フマル酸、無水マレイン酸、イタコン酸などの不飽和基含有カルボン酸類、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸のエステル類、（メタ）アクリル酸にε−カプロラクトン、γ−ブチロラクトン等のラクトン類を付加させた化合物類等、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等のアクリロニトリル類、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド等のアクリルアミド類、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、桂皮酸ビニル、ピバリン酸ビニル等の酸ビニル類が挙げられる。 
【０１１１】
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
・カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物 
本発明に用いられるフォトレジストに含有される別の好ましいバインダー樹脂としては、カルボキシ基含有ビニル系樹脂とエポキシ基含有不飽和化合物との反応生成物が挙げられる。 
【０１１２】
カルボキシ基含有ビニル系樹脂としては、例えば、（メタ）アクリレート−（メタ）アクリル酸共重合体、スチレン−（メタ）アクリレート−（メタ）アクリル酸系重合体等が挙げられ、１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 
またエポキシ基含有不飽和化合物としては、例えば、アリルグリシジルエーテル、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられ、１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 
【０１１３】
・エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂 
本発明に用いられるフォトレジストに含有されるさらに別の好ましいバインダー樹脂としては、エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂が挙げられる。 
エチレン性不飽和基とカルボキシ基とを含有する樹脂としては、２種以上の不飽和基を有する化合物と不飽和カルボン酸、及び必要に応じて不飽和カルボン酸エステルとの共 
重合体などが挙げられる。 
【０１１４】
２種以上の不飽和基を有する化合物としては例えば、アリル（メタ）アクリレート、３−アリルオキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、シンナミル（メタ）アクリレート、メタリル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジアリル（メタ）アクリルアミド、ビニル（メタ）アクリレート、２−フェニルビニル（メタ）アクリレート、ビニル（メタ）アクリルアミド等が挙げられ、、１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 
【０１１５】
また不飽和カルボン酸又は不飽和カルボン酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸（エステル）、及び（メタ）アクリル酸（エステル）等が挙げられ、１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 
・変性ノボラック樹脂 
本発明におけるフォトレジストに含有されるバインダー樹脂としては、変性ノボラック樹脂であることが好ましい。 
【０１１６】
変性ノボラック樹脂は、ノボラック樹脂と不飽和基含有エポキシ化合物を反応後、得られた反応物の水酸基と（無水）多塩基酸とを付加させることで得られる樹脂である。 
ノボラック樹脂類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、安息香酸、４−ヒドロキシフェニル酢酸、サリチル酸、等のフェノール類の少なくとも１種を、酸触媒下、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール等のアルデヒド類、又は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、の１種または２種以上を重合して得られる樹脂が挙げられる。 
【０１１７】
また、ノボラック樹脂の代わりに、レゾール樹脂を用いてもよい。 
不飽和基含有エポキシ化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート、グリシジルオキシ（ポリ）アルキレングリコール（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、（３，４−エポキシシクロヘキシル）ビニル等が挙げられる。１種のみを用いてもよく、また２種以上を併用してもよい。 
【０１１８】
（無水）多塩基酸としては、水酸基と付加する基を有する化合物であればとくに制限はなく、公知の材料を用いることができるが、例えば、マレイン酸、コハク酸、イタコン酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸、メチル−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸等の二塩基性カルボン酸及びその無水物；トリメリット酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、等の多塩基性カルボン酸及びその無水物、などが挙げられ、１種のみを用いてもよく、また２種以上を併用してもよい。 
【０１１９】
・バインダー樹脂の含有量など 
フォトレジスト中におけるバインダー樹脂の含有割合は、溶剤を除く全固形分に対して、通常５重量％以上、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは１５重量％以上であり、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。この下限値を下回るとバンクを形成するのに十分な硬化性が得られず、所望の形状のバンクが形成できない可能性がある。また、この上限値を上回ると塗布性や現像性が低下する可能性がある。 
【０１２０】
上記バインダー樹脂は、１種を単独で用いてもよく、異なる２種を混合して用いてもよ
い。 
（エチレン性不飽和化合物） 
本発明に用いられるフォトレジストは、エチレン性不飽和化合物を含有することが好ましい。 
【０１２１】
エチレン性不飽和化合物としては、特に制限はないが、後述の有機電界発光素子の製造方法のバンク形成工程における現像の際、露光部と非露光部との現像液に対する溶解性の差が大きくなり、バンクのパターンが所望の形状に形成される点で、エチレン性不飽和基を分子内に２個以上有する化合物であることが好ましく、また、その不飽和基は（メタ）アクリロイルオキシ基に由来することが更に好ましい。 
【０１２２】
エチレン性不飽和基を分子内に２個以上有する化合物としては、例えば、不飽和カルボン酸とポリヒドロキシ化合物とのエステル類、（メタ）アクリロイルオキシ基含有ホスフェート類、ヒドロキシ（メタ）アクリレート化合物とポリイソシアネート化合物とのウレタン（メタ）アクリレート類、及び、（メタ）アクリル酸又はヒドロキシ（メタ）アクリレート化合物とポリエポキシ化合物とのエポキシ（メタ）アクリレート類等が挙げられ、好ましくは、エステル（メタ）アクリレート類、又は、ウレタン（メタ）アクリレート類であり、特に好ましくはジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート等、５官能以上のものである。 
【０１２３】
フォトレジスト中の、エチレン性不飽和化合物の濃度は、溶剤を除く全固形分に対して、通常５重量％以上、好ましくは１０重量％以上、また通常８０重量％以下、好ましくは７０重量％以下である。この下限値を下回ると、バンク形成工程における露光の際、露光による硬化性が十分でなく、所望の形状のバンクが形成できない可能性があり、また、この上限値を上回ると所望の形状のバンクが形成できない可能性がある。 
【０１２４】
上記エチレン性不飽和化合物は、１種を単独で用いてもよく、異なる２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
（光重合開始剤） 
本発明におけるフォトレジストは、光重合開始剤を含有することが好ましい。 
光重合開始剤としては、活性光線によりエチレン性不飽和基を重合させる化合物であれば特に限定されるものではなく、公知の光重合開始剤を用いることができる。 
【０１２５】
フォトレジスト中の、光重合開始剤の濃度は、溶剤を除く全固形分に対して、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また通常３０重量％以下、好ましくは２０重量％以下である。フォトレジスト中の光重合開始剤の濃度が過度に大きいとバンクを形成する正孔輸送層との密着性が低下する可能性があり、また濃度が小さ過ぎると形成するバンクの硬化性が低下する可能性がある。 
【０１２６】
上記光重合開始剤は、１種を単独で用いてもよく、また異なる２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
（アミノ化合物） 
本発明に用いられるフォトレジストは、露光によるフォトレジストの架橋を促進する点で、アミノ化合物を含有することが好ましい。 
【０１２７】
アミノ化合物としては、公知の化合物を用いることができるが、例えば、官能基としてメチロール基、及び／またはそれを炭素数１以上８以下のアルコール縮合変性したアルコキシメチル基を少なくとも２個有するアミノ化合物が挙げられる。 
フォトレジスト中の、アミノ化合物の濃度は、溶剤を除く全固形分に対して、通常４０重量％以下、好ましくは３０重量％以下、また、通常０．５重量％以上、好ましくは１重
量％以上である。濃度が大き過ぎると、フォトレジストの保存安定性に影響する可能性があり、また濃度が小さ過ぎると、形成したバンクの硬化性が低下する可能性がある。 
【０１２８】
上記アミノ化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
（その他の成分） 
本発明におけるフォトレジストは、さらに、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、撥液剤、着色剤、表面改質剤、現像改良剤、紫外線吸収剤、重合禁止剤、酸化防止剤、シランカップリング剤、エポキシ化合物、その他の樹脂、溶剤等が挙げられる。 
【０１２９】
（撥液剤） 
本発明におけるフォトレジストは、撥液剤を含有することが好ましい。 
撥液剤としては、バンクに撥液性を持たせる効果があれば特に限定されないが、例えば、フッ素含有化合物やシリコン含有化合物が挙げられる。溶剤として有機溶剤を用いる場合には、フッ素含有化合物を用いることが好ましい。 
【０１３０】
フッ素含有化合物としては、特に制限されず、低分子化合物でも、高分子化合物であってもよいが、例えば、パーフルオロアルキル基やパーフルオロポリエーテル基などを含む化合物が挙げられる。 
パーフルオロアルキル基を含む化合物としては、例えば、特開平７−３５９１６号公報、特開平１１−２８１８１５号公報、国際公開第２００４−０４２４７４号パンフレット、特開２００５−６０５１５号公報、特開２００５−３１５９８４号公報、特開２００６−１７１０８６号公報、等に記載の化合物；ＢＹＫ−３４０（ビッグケミー社製）、モディパーＦ２００、Ｆ６００、Ｆ３０３５（以上、日油社製）フタージェントＭシリーズ、Ｓシリーズ、Ｆシリーズ、Ｇシリーズ、Ｄシリーズ、オリゴマーシリーズ（以上、ネオス社製）、ユニダイン（ダイキン工業社製）、トリフロロプロピルトリクロロシラン（信越シリコーン社製）、サーフロンＳ−３８６（ＡＧＣセイミケミカル社製）、等のパーフルオロ基含有アクリルモノマーを成分として共重合した樹脂が挙げられる。 
【０１３１】
さらに、撥液剤として用いられる樹脂（以下、「撥インク性樹脂」と称する）としては、例えば、フッ素化エポキシ樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアミド樹脂、フッ素化ポリウレタン樹脂、フッ素化シロキサン樹脂及びそれらの変性樹脂などのも挙げられる。 
また、撥液剤として、バンク形成工程中、例えば現像工程などで撥液剤が流出する可能性がない点で、撥インク性樹脂を用いることが好ましい。さらに、撥インク性樹脂は、側鎖として架橋性基を有する撥インク性樹脂（以下、「架橋性基含有撥インク性樹脂」と称する）を用いることが好ましい。 
【０１３２】
架橋性基含有撥インク樹脂としては、特に制限はないが、例えば、メガファックＲＳ−１０１、ＲＳ−１０２、ＲＳ−１０５、ＲＳ−４０１、ＲＳ−４０２、ＲＳ−５０１、ＲＳ−５０２（以上、ＤＩＣ社製）、オプツールＤＡＣ（ダイキン工業社製）、パーフルオロ（メタ）アクリレート、パーフルオロジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。 
上記の撥液剤は、１種を単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 
【０１３３】
上記撥液剤の濃度は、撥液剤におけるフッ素原子含有量が１０重量％以上の場合は、フォトレジストの溶剤を除く全固形分に対して、通常０．００１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、また通常１０重量％以下、好ましくは６重量％以下である。 
また、フッ素原子含有量が１０重量％より少ない場合は、通常０．１重量％以上、好ま
しくは１重量％以上、また通常７０重量％以下、好ましくは５０重量％以下である。 
【０１３４】
この下限値を下回ると、バンクの撥インク性が不十分となり、機能性層（本実施の形態では発光層）を形成する際に、機能性層形成用組成物（発光層形成用組成物）がバンクにより区画された領域に流れ出してしまう可能性がある。また、この上限値を上回ると、後述の現像工程での現像が困難となり、所望の形状のバンクが形成されにくくなる可能性がある。 
【０１３５】
上記撥液剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
（着色剤） 
本発明に用いられるフォトレジストは、着色剤を含んでいてもよい。 
着色剤としては、公知の着色剤を用いることができ、例えば、顔料、染料等が挙げられるが、機能性層が発光層を含む場合、バンクを黒色に着色することで、より鮮明な画素が得られる点で、黒色着色剤が好ましい。黒色着色剤としては、例えば、黒色染料や、カーボンブラック、チタンブラック、有機顔料などが挙げられる。 
【０１３６】
着色剤の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常６０重量％以下、好ましくは４０重量％以下である。 
着色剤として顔料を用いる場合は、フォトレジスト中で顔料が凝集するのを防止する点で、さらに分散剤や分散助剤を含んでいてもよい。 
上記着色剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
【０１３７】
（表面改質剤、現像改良剤） 
本発明に用いられるフォトレジストは、表面改質剤及び現像改良剤を含んでいてもよい。 
表面改質剤及び現像改良剤としては、特に制限はなく、公知の材料をもちいることができるが、例えば、カチオン性、アニオン性、ノニオン性、フッ素系、シリコン系界面活性剤などが挙げられる。 
【０１３８】
表面改質剤または現像改良剤の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常２０重量％以下、好ましくは１０重量％以下である。 
上記表面改質剤及び現像改良剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
（重合禁止剤、酸化防止剤） 
本発明に用いられるフォトレジストは、フォトレジストの安定性が向上する点で、重合禁止剤や酸化防止剤を含有することが好ましい。 
【０１３９】
重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、メトキシフェノール等が挙げられる。
また酸化防止剤としては、例えば、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−クレゾール（ＢＨＴ）等のヒンダードフェノール系の化合物などが挙げられる。 
重合開始剤及び酸化防止剤の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常５ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以上６００ｐｐｍ以下である。 
【０１４０】
この濃度が小さすぎると、フォトレジストが重合したり酸化したりして、バンク形成材料として用いることが困難となる可能性がある。また、この濃度が大きすぎると、例えば、バンク形成工程における加熱の際、フォトレジストの硬化が不十分となる可能性がある。 
上記重合禁止剤及び酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
【０１４１】
（シランカップリング剤） 
本発明に用いられるフォトレジストは、形成したバンクと正孔輸送層との密着性を向上する点で、シランカップリング剤を含有していてもよい。 
シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ系、メタクリル系、アミノ系、イミダゾール系シランカップリング剤等が挙げられ、中でもエポキシ系、及びイミダゾール系シランカップリング剤が好ましい。 
【０１４２】
シランカップリング剤の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常２０重量％以下、好ましくは１５重量％以下である。 
上記シランカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
（エポキシ化合物） 
本発明に用いられるフォトレジストは、形成したバンクの硬化性や、形成したバンクと正孔輸送層との密着性を向上する点で、エポキシ化合物を含有していてもよい。 
【０１４３】
エポキシ化合物としては、エポキシ基を有する繰り返し単位を含む化合物が好ましく、公知の材料を用いることができるが、例えば、ポリヒドロキシ化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエーテル化合物、ポリカルボン酸化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエステル化合物、及び、ポリアミン化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルアミン化合物、等が挙げられる。 
【０１４４】
上記エポキシ化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組合せで併用してもよい。 
エポキシ化合物の濃度は、フォトレジスト中の溶剤を除く全固形分に対して、通常４０重量％以下、好ましくは３０重量％以下である。濃度が大きすぎると、フォトレジストの保存安定性に影響する可能性がある。 
【０１４５】
（溶剤） 
本発明に用いられるフォトレジストは、通常溶剤を含有する。 
フォトレジストに含有される溶剤としては、特に制限は無く、フォトレジスト及び各成分を溶解又は分散させるための溶剤が適宜選択されるが、例えば、水、ジイソプロピルエーテル、ミネラルスピリット、ｎ−ペンタン、アミルエーテル、エチルカプリレート、ｎ−ヘキサン、ジエチルエーテル、イソプレン、エチルイソブチルエーテル、ブチルステアレート、ｎ−オクタン、バルソル＃２、アプコ＃１８ソルベント、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、アプコシンナー、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキセン、メチルノニルケトン、プロピルエーテル、ドデカン、Ｓｏｃａｌ  ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｎｏ．１及びＮｏ．２、アミルホルメート、ジヘキシルエーテル、ジイソプロピルケトン、ソルベッソ＃１５０、酢酸ブチル（ｎ、ｓｅｃ、ｔ）、ヘキセン、シェル  ＴＳ２８  ソルベント、ブチルクロライド、エチルアミルケトン、エチルベンゾネート、アミルクロライド、エチレングリコールジエチルエーテル、エチルオルソホルメート、メトキシメチルペンタノン、メチルブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルイソブチレート、ベンゾニトリル、エチルプロピオネート、メチルセロソルブアセテート、メチルイソアミルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピルアセテート、アミルアセテート、アミルホルメート、シクロヘキシルアセテート、ビシクロヘキシル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジペンテン、メトキシメチルペンタノール、メチルアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、プロピルプロピオネート、プロピレングリコール−ｔ−ブチルエーテル、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、カルビトール、シクロヘキサノン、酢酸エチル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸、３−エトキシプロピオン酸、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライム、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールアセテート、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール−ｔ−ブチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、等が挙げられる。 
【０１４６】
また、フォトレジストに含有される溶剤の沸点は、通常６０℃以上、好ましくは７０℃以上、また通常２８０℃以下、好ましくは２６０℃以下である。 
上記溶剤は、フォトレジスト溶液中の全固形分の割合が、通常１０重量％以上、また通常９０重量％以下となるように使用される。 
上記溶剤は、１種を単独で用いてもよく、また異なる２種以上を任意の比率及び組合せで混合して用いてもよい。 
【０１４７】
〔５−２．バンクの形成〕 
バンク５の形成方法は、上記材料に応じて適宜選択される。 
例えばバンク５を製造するための材料が、上記フォトレジストである場合には、フォトレジストを上記正孔輸送層４上に塗布し、フォトマスク等を用いて目的とするパターン状に露光・現像する方法等とすることができる。 
【０１４８】
フォトレジストの塗布の方式は本発明の効果を著しく損なわない限り制限はない。例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、ソフトリソグラフ法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、等が挙げられる。 
【０１４９】
また、上記フォトレジストの露光条件等については、上記材料の種類等に応じて適宜選択される。具体的な露光条件としては、露光波長に関しては、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、i線（波長３６５ｎｍ）、ブロード(ｇ、ｈ、ｉ線の３波長)、ＫｒＦエキシマレーザー（
波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザー
（波長１５７ｎｍ）等が選択可能であるが、本発明では、要求されるレジスト線幅と、取り扱い設備の簡便さから、放電ランプ等を光源に用いるｇ線、ｉ線、またはブロードを用いることが好ましい。また露光量については、通常所望のバンク形状を得るために適切な条件を選択するが、露光時間の観点から、１Ｊ／ｃｍ2以下であることが好ましい。 
【０１５０】
また現像液についても上記フォトレジストの種類により適宜選択されるが、ポジ型レジストの場合は、通常テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の水溶液が用いられる。ＴＭＡＨの濃度は２．３８％が一般的である。現像液中には必要に応じて界面活性剤等の添加剤を加えてもよい。ネガ型レジストの場合は、有機溶剤を含む現像液
が用いられ、レジストの材料に併せて複数の有機溶剤及び／または水を混合して用いたり、界面活性剤等の添加剤を加えてもよい。中でもＴＭＡＨ水溶液、またはハロゲン溶剤を含まない現像液が、環境負荷低減の観点から好ましい。また現像条件も上記フォトレジストの種類により適宜選択されるが、通常室温または１００℃以下に加熱した現像液に一定時間浸漬したり、現像液を基板に棒状ないしシャワー状に注いだりする方法とすることができる。この場合、現像時間を短縮し、または量産時に複数の基板をバラツキなく安定的に現像させるため、基板を揺動させたり現像液を撹拌したりしてもよい。 
【０１５１】
現像液が必要な時間を超えて現像液等がレジスト上に付着することにより、所望の形状に形成されたレジストが、過度に現像されて望ましくない形状に変化することを防止するため、現像時間終了後に現像液を除去する目的、及び現像液に含まれる成分や、現像されたレジスト残渣がバンクまたはその下地層に付着・残留することを防ぐ目的で、通常、現像の次にリンスを行う。リンスは、リンス液中に浸漬したり、リンス液を基板に棒状ないしシャワー状に注いだりする方法で行われる。リンス液についても上記フォトレジストの種類により適宜選択されるが、現像液及びフォトレジスト残渣を良好に溶解するものが好ましい。ＴＭＡＨ水溶液を現像液に用いる場合は通常超純水が用いられ、有機溶剤を含む現像液を使用する場合には、その有機溶剤を良好に溶解する液が用いられる。リンス液に、有機電界発光素子の特性に影響する不純物が含まれていると、アクティブ駆動有機電界発光素子パネルにおける駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）特性に対する影響、及び／または得られた有機電界発光素子の特性、例えば素子電圧、発光効率、駆動寿命等に影響を及ぼすことがある。適当でない不純物の例としては、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、銅、鉄、アルミニウム、パラジウムなどの金属イオンまたはそれらの金属酸化物、金属化合物、あるいはポリマーを含む有機化合物、バクテリア、微生物及びその死骸等が挙げられる。特に適当ではない不純物の例としては、ナトリウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、鉄イオン、銅イオン、アルミニウムイオン、パラジウムイオンなどの金属イオン、及び有機ハロゲン化物が挙げられる。中でも、金属イオン及び沸点が１５０℃以上の有機ハロゲン化物は、バンク形成工程におけるポストベークによっても除去できない可能性が高い。これらの不純物のリンス液中濃度は、通常０．１％以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下に低減されていることが好ましい。 
【０１５２】
リンス工程の後には、所望の形状に形成されたバンクと正孔輸送層との密着性を高め、またリンス液及びリンス液に含まれる、適当でない不純物を加熱により除去するため、ポストベークが通常行われる。ポストベークの条件も上記フォトレジストの種類により適宜選択されるが、ポストベーク温度についてはバンクと正孔輸送層との密着性を高め、リンス液及び適当でない不純物を除去する観点から、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上であり、高温によるバンク及び／または下地の構造変化、化学変化を防ぐ観点から、通常３５０℃未満、好ましくは３００℃未満である。加熱手段については特に制限はなく、ホットプレート、オーブン、赤外線や電磁波などの活性エネルギー線照射等が挙げられる。加熱時の雰囲気については、ポストベーク後に水分が再吸着すること、あるいは高温時のバンクまたは下地の酸化を防ぐため、露点０℃未満の乾燥空気中、窒素などの不活性ガス中、圧力１００Ｐａ未満の減圧下で行うことが好ましい。加熱時間についても特に制限はないが、製造時間を短縮する観点から、通常３時間以内、好ましくは１時間以内で行われる。 
【０１５３】
なお、必要に応じて、フォトレジストの塗布後、露光前にプリベーク工程を行ってもよい。プリベークの条件もフォトレジストの種類により適宜選択されるが、高温でプリベークを行うとフォトレジストを所望の形状に現像することが難しくなることから、通常ポストベークより低い温度で行われる。また現像前に、露光後ベークを施してもよい。露光後ベークは通常ネガ型のフォトレジストを使用する際、露光部を確実に不溶化させる目的で
行われる。 
【０１５４】
一方、上記バンク５の形成に正孔輸送層４と同様の材料を用いる場合、上記バンク５の形成は、上記フォトレジストを用いた場合と同様に、層形成後、露光・現像する方法であってもよく、ハーフトーンマスク等を用いて、凹型の断面形状を有するように露光・現像する方法であってもよく、また湿式成膜法等によってバンク５を形成する領域のみに上記材料を塗布する方法等であってもよい。 
【０１５５】
なお、上記バンク５は１層のみから形成してもよいが、上述した材料を用い、同一種類または異なる種類の２層以上の層を積層して形成してもよい。またバンク５の表面は、例えば機能性層（本実施の形態では発光層６）の形成方法や形成材料等に合わせて適宜、親液化処理や撥液化処理等を行なってもよい。親液化処理や撥液化処理の方法としては特に制限はないが、例としては、大気圧または減圧条件で、ＣＦ4などのフッ素化物、酸素、
アルゴンなどの希ガス、またはそれらの混合ガス雰囲気中でプラズマ放電を行う方法、バンク形成用材料に親液性や撥液性の材料を用いる方法、あるいはバンク形成用材料塗布液に親液性や撥液性の添加物、例えば界面活性剤を混合する方法などが挙げられる。 
【０１５６】
＜６．発光層＞ 
本実施の形態においては、機能性層は発光層とする。 
本実施の形態における有機電界発光素子では、少なくとも上記バンクにより区画された領域、すなわちバンク５が形成されていない領域の正孔輸送層４上に、発光層６が設けられる。発光層６は、電界を与えられた電極間において、陽極２から正孔注入層３等を通じて注入された正孔と、陰極７から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。 
【０１５７】
発光層は、発光材料、電荷輸送材料および溶媒を含有する組成物（発光層形成用組成物）を用いて成膜することにより形成ことが好ましい。
発光層形成用組成物は、発光材料、及び電荷輸送性化合物を含有する。
［発光材料］
本発明の有機電界発光素子は、陽極と、陰極との間に発光層を有し、該発光層が、発光材料を含有することが好ましい。
【０１５８】
発光材料としては、単一の分子量で規定される発光の性質を有する化合物であれば特に制限はなく、公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。
なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
【０１５９】
以下、発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光発光材料は以下の例示物に限定されるものではない。
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
【０１６０】
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
【０１６１】
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【０１６２】
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
【０１６３】
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
【０１６４】
燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【０１６５】
発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、発光材料の精製が困難となってしまったり、溶媒に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。
【０１６６】
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
［電荷輸送材料］
本発明における電荷輸送材料とは、正孔輸送性や電子輸送性などの電荷輸送性を有する化合物であって、単一の分子量で規定される化合物である。
【０１６７】
本発明においては、電荷輸送材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
発光層において、発光材料をドーパント材料とし、電荷輸送材料をホスト材料として用いることが好ましい。
電荷輸送材料は、従来有機電界発光素子の発光層に用いられている化合物であればよく、特に発光層のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。
【０１６８】
電荷輸送材料として具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シ
ラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等が挙げられる。
【０１６９】
例えば、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで
代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−トリス（１−ナフ
チルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピ
ロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのオキサジアゾール系化合物、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール系化合物、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）などのフェナントロリン系化合物等が挙げられる。
【０１７０】
（溶媒）
また、溶媒は、発光材料及び電荷輸送材料が良好に溶解する溶媒であれば特に限定されない。
溶媒の溶解性としては、常温・常圧下で、発光材料および電荷輸送材料を、各々、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上溶解することが好ましい。
【０１７１】
以下に溶媒の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
【０１７２】
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶媒が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶媒の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、よ
り好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【０１７３】
溶媒の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、発光層形成用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、上限を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。なお、発光層形成用組成物として２種以上の溶媒を混合して用いる場合には、これらの溶媒の合計がこの範囲を満たすようにする。
【０１７４】
また、本発明における発光層形成用組成物は、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。
（発光層の形成方法）  
本発明における発光層の形成方法は、成膜性に優れる点で、湿式成膜法で行うことが好ましい。
【０１７５】
発光層を製造するための発光層形成用組成物の塗布後、得られた塗膜を乾燥し、発光層用溶媒を除去することにより、発光層が形成される。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、例えば、前記の［成膜方法］で記載した、本発明における湿式成膜法が挙げられ、中でも好ましくは、スピンコート法及びインクジェット法である。
【０１７６】
発光層の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
＜７．陰極＞ 
本実施の形態においては、第２の電極は陰極とする。 
【０１７７】
陰極７は、発光層６側の層に電子を注入する役割を果たすものである。陰極７の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。なお、陰極７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１７８】
陰極７の膜厚は、通常、陽極２と同様である。 
さらに、低仕事関数金属から成る陰極７を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１７９】
＜８．その他の層＞ 
以上、図１に示す層構成の有機電界発光素子を中心に説明してきたが、本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよく、後述するいずれの層を第１電荷輸送層、正孔輸送層、または機能性層として用いてもよい
。またさらにその性能を損なわない限り、陽極２と陰極７との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。 
【０１８０】
例えば図２に示すように、有機電界発光素子１０ｂとして、発光層６と陰極７との間に電子注入層８及び電子輸送層９を有する構成等とすることもできる。なお図１と同様の構成要素については同一の符号を付して表わし、その説明は省略する。また、例えば図３に示すように、有機電界発光素子１０ｃとして、第１電荷輸送層を正孔注入層３とし、正孔輸送層を電子阻止層１１とした構成等も可能である。図１及び図２と同様の構成要素については同一の符号を付して表わし、その説明は省略する。 
【０１８１】
また例えば第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極としてもよい。この場合、図４に示すように、有機電界発光素子１０ｄは、基板１の上に、陰極７、電子注入層８（第１電荷輸送層）、電子輸送層９（正孔輸送層）、電子輸送層９上にパターン状に形成されたバンク５、上記バンク５により区画された領域に少なくとも形成された発光層６（機能性層）、及び陽極２を有する構成等とすることができる。 
【０１８２】
〔８−１．電子輸送層〕 
電子輸送層９は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極７から注入された電子を効率よく発光層６の方向に輸送することができる化合物より形成される。 
電子輸送層９に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極７又は後述する電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。なお、電子輸送層９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１８３】
電子輸送層９の形成方法に制限はなく、例えば湿式成膜法により形成してもよいが、真空蒸着法により形成することが特に好ましい。 
電子輸送層９の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。 
【０１８４】
〔８−２．電子阻止層〕 
電子阻止層１１は、発光層６から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層６内で正孔と電子との再結合確率を上げ、生成した励起子を発光層６内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層６の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は効果的である。 
【０１８５】
電子阻止層１１に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明において、発光層６を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層１
１に湿式成膜の適合性があることが好ましい。このような電子阻止層１１に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット記載）等が挙げられる。なお、電子阻止層１１の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１８６】
電子阻止層１１の形成方法に制限はない。従って、上述の材料を上述の〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した方法や、その他の方法で正孔注入層３等の上に積層することにより形成することができる。 
〔８−３．電子注入層〕 
電子注入層８は、陰極７から注入された電子を効率よく発光層６へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうため、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。 
【０１８７】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。 
【０１８８】
また、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化リチ ウム（Ｌｉ2Ｏ）、炭酸セシウム（II）（ＣｓＣＯ3）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７０，  ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．４４，  ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，  ｐｐ．１５４等参照）。 
【０１８９】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、上述の材料を上述の〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した湿式成膜法や、その他の方法で発光層６上に積層することにより形成することができる。 
【０１９０】
〔８−４．正孔阻止層〕 
また、例えば、発光層６と電子輸送層９との間に、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、発光層６の上に、発光層６の陰極７側の界面に接するように積層される層である。この正孔阻止層は、陽極２から移動してくる正孔が陰極７に到達するのを阻止する役割と、陰極７から注入された電子を効率よく発光層６の方向に輸送する役割とを有する。 
【０１９１】
正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト），（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２
−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。なお、正孔阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 
【０１９２】
正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、上述の材料を上述の〔３−２．正孔注入層の形成〕の欄で説明した湿式成膜法や真空蒸着法等で形成できるが、真空蒸着法で形成することが好ましい。 
正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。 
【０１９３】
〔８−５．その他〕 
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明の有機電界発光素子を構成することも可能である。 
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 
【０１９４】
更には、本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。 
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。 
【０１９５】
Ｂ．有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬ照明
本発明の有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬ照明は、上述した有機電界発光素子を用いたことを特徴とする。上記有機電界発光素子を用いていることから、表示特性が表示領域内で均一で、駆動耐久性の高い有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬ照明とすることができるという利点を有する。また、機能性層として発光層が形成されている場合には、上述したバンクによって発光層を形成する際に隣接する発光層が混色してしまうこと等が少ないものとすることができる。したがって、より高品質な画像表示が可能な有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬ照明とすることができるという利点も有する。 
【０１９６】
このような有機電界発光素子を備えた有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬ照明としては、例えばパッシブマトリクス駆動有機電界発光ディスプレイ及び／またはアクティブマトリクス駆動有機電界発光ディスプレイを用いたテレビ、携帯電話用モニタ、携帯端末用モニタ、ＰＣ用モニタ、公衆向け情報表示装置等とすることができる。 
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬ照明を形成することができる。
【符号の説明】
【０１９７】
１  基板 
２  陽極 
３  正孔注入層 
４  正孔輸送層 
５  バンク 
６  発光層 
７  陰極 
８  電子注入層 
９  電子輸送層 
１０ａ〜１０ｄ  有機電界発光素子 
１１  電子阻止層 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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