(57)【要約】      （修正有）【課題】配線交差部におけるショートを回避できる液晶表示装置の提供。【解決手段】対向配置される一対の基板の間に、非表示領域を囲む内側シール材ＳＬｉと、前記内側シール材を囲む外側シール材と、前記内側シール材と外側シール材との間に充填された液晶領域により形成された表示領域とを備える液晶表示装置であって、前記一対の基板の一方に、第１の方向に延在する複数のゲート信号線ＧＬと第２の方向に延在する複数のドレイン信号線ＤＬとが形成され、前記複数のゲート信号線およびドレイン信号線の延長配線部が前記非表示領域ＨＬを迂回して配置されるとともに、それぞれ、前記内側シール材の形成領域内に形成されており、前記内側シール材の形成領域に形成された第１の柱状スペーサＰＳＰが、前記ゲート信号線と前記ドレイン信号線との交差部に重畳する位置を回避して形成されている。【選択図】図１
2010066461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置される一対の基板の間に、非表示領域を囲む内側シール材と、前記内側シール材を囲む外側シール材と、前記内側シール材と前記外側シール材との間に充填された液晶と、前記液晶が充填された領域に形成された表示領域とを備える液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の液晶側の面に、少なくとも、第１の方向に延在する複数の並設されたゲート信号線と第２の方向に延在する複数の並設されたドレイン信号線とが形成され、
前記複数のゲート信号線および前記複数のドレイン信号線のうち、仮想的にそのまま延長した場合に前記非表示領域を横切って配置されることとなる前記ゲート信号線および前記ドレイン信号線は、それぞれ、前記非表示領域を迂回するパターンで形成されるとともに、前記内側シール材の形成領域内に形成されるものを備え、
前記内側シール材の形成領域に、前記一対の基板のうちいずれかの基板に固定された第１の柱状スペーサが形成され、前記第１の柱状スペーサは、前記ゲート信号線と前記ドレイン信号線との交差部に重畳する位置を回避して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記内側シール材の形成領域に形成される前記第１の柱状スペーサは、前記ゲート信号線および前記ドレイン信号線の形成されていない領域上に形成されたものと、前記ゲート信号線あるいは前記ドレイン信号線上に形成されたものとを有し、
前記ゲート信号線および前記ドレイン信号線の形成されていない領域上に形成された前記第１の柱状スペーサの径は、前記ゲート信号線あるいは前記ドレイン信号線上に形成された前記第１の柱状スペーサの径よりも大きくなっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記表示領域に、前記一対の基板のうちいずれかの基板に固定された第２の柱状スペーサが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記内側シール材の形成領域に形成された前記第１の柱状スペーサの高さは前記表示領域に形成された前記第２の柱状スペーサの高さより大きく形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記外側シール材の形成領域に、前記一対の基板のうちいずれかの基板に固定された第３の柱状スペーサが形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記外側シール材の形成領域に形成された前記第３の柱状スペーサの高さは、前記表示領域に形成された前記第２の柱状スペーサの高さより大きく形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記外側シール材にグラスファイバあるいはビーズが混入されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記外側シール材に混入された前記グラスファイバあるいは前記ビーズの径は、前記表示領域に形成された前記第２の柱状スペーサの高さより大きく形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
隣接する一対の前記ゲート信号線の間に前記ゲート信号線に沿ってコモン信号線あるいは容量信号線が形成され、
前記コモン信号線あるいは前記容量信号線のうち、仮想的にそのまま延長した場合に前記非表示領域を横切って配置されることとなる前記コモン信号線あるいは前記容量信号線は、前記非表示領域を迂回するパターンで形成されるとともに、前記内側シール材の形成領域内に形成されるものを備え、
前記第１の柱状スペーサは、前記コモン信号線あるいは前記容量信号線と前記ドレイン信号線との交差部に重畳する位置を回避して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記内側シール材の形成領域に形成される前記第１の柱状スペーサは、前記ゲート信号線、前記ドレイン信号線、前記コモン信号線、および前記容量信号線の形成されていない領域上に形成されたものと、前記ゲート信号線、前記ドレイン信号線、前記コモン信号線、あるいは前記容量信号線上に形成されたものとを有し、
前記ゲート信号線、前記ドレイン信号線、前記コモン信号線、および前記容量信号線の形成されていない領域上に形成された前記第１の柱状スペーサの径は、前記ゲート信号線、前記ドレイン信号線、前記コモン信号線、あるいは前記容量信号線上に形成された前記第１の柱状スペーサの径よりも大きくなっていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、その表示領域の一部においてたとえば開口部などの非表示領域を有するアクティブ・マトリックス型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブ・マトリックス型の液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される一対の基板のうち一方の基板の液晶側の面において、たとえばｘ方向に延在しｙ方向に並設された複数のゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に並設された複数のドレイン信号線に囲まれた各画素領域に、少なくとも、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備えて構成されている。
【０００３】
そして、一方の基板に対する他方の基板の固定は、画素領域の集合からなる表示領域を囲むように形成され、液晶を封入する機能を兼ね備えるシール材によってなされている。また、これら各基板の間において、液晶の層厚を均一にするため、表示領域およびシール材の形成領域には散在されたスペーサが介在されているのが通常である。
【０００４】
このような液晶表示装置のうち、たとえばアミューズメント機器に適用されるものであって、各基板において、表示領域の一部に透孔からなる開口部（非表示領域）を形成したものが知られてきている。このような液晶表示装置は、たとえば下記特許文献１に開示がなされている。
【０００５】
この場合、下記特許文献１には詳述していないが、液晶表示領域に開口部を形成することから、各基板の間には、該開口部を囲むようにして新たなシール材（このシール材を内側シール材と称し、これに対し、基板の外周に形成されるこれまでのシール材を外側シール材と称する場合がある）を形成し、液晶の封入を行う必要が生じる。
【０００６】
なお、内側シール材を有するものではないが、本発明に関連する文献としては下記特許文献２があり、該特許文献２には、外側シール材の形成領域にいわゆる柱状スペーサと称されるスペーサを配置させた技術が開示されている。該柱状スペーサは、蒸着で配向膜を形成する際に、マスクを載置させる台として機能させる旨が記載されている。
【特許文献１】特開２００５−４６３５２号公報
【特許文献２】特開２００６−３２３１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、内側シール材と外側シール材とを有するような構成において、各基板の間に、外側シール材の形成領域における場合と同様に、内側シール材の形成領域にもスペーサを介在させる場合、以下に示す不都合が生じることが見出された。なお、シール材（外側シール材、内側シール材）は、たとえばスクリーン印刷や、ディスペンサや、インクジェット方式によって形成し、作業の容易さからシール材にグラスファイバあるいはビーズを混入させることによって、該グラスファイバあるいはビーズを前記スペーサとして機能させていた。
【０００８】
図９、図１０は、このような液晶表示装置において不都合となる理由を示す説明図である。なお、図９、図１０は、それぞれ、本発明の実施例の構成を示す図２、図４に対応する図となっている。このため、以下の説明は、図９、図１０に示す構成において不都合な部分の説明に止まり、周辺の詳細な構成は図２、図４における説明を参照されたい。
【０００９】
図９において、液晶を挟持する基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２に開口部ＨＬが形成され、この開口部ＨＬの近傍において該開口部ＨＬを囲むようにして内側シール材ＳＬｉ、この内側シール材ＳＬｉおよびこの内側シール材ＳＬｉの外方の表示領域ＡＲを囲むようにして外側シール材ＳＬｏが形成されている。基板ＳＵＢ１の液晶側の面にゲート信号線ＧＬ、コモン信号線ＣＬ、およびドレイン信号線ＤＬが形成され、これら各信号線のうち、仮想的にそのまま延長した場合に前記開口部ＨＬを横切って配置されることとなる各信号線は、前記開口部ＨＬを迂回するパターンで形成されている。そして、これら信号線の迂回パターンは前記開口部ＨＬの周辺の内側シール材ＳＬｉの形成領域内にできるだけ配置されるように構成されている。その理由は、表示領域ＡＲとして機能できる領域の面積をできるだけ大きく形成するためである。
【００１０】
この場合、内側シール材ＳＬｉにたとえばグラスファイバＧＦが混入されている場合（なお、外側シール材ＳＬｏ内に混入されるグラスファイバ等は図示省略している）、内側シール材ＳＬｉにおいてグラスファイバＧＦの位置は定まらないことから、たとえばゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部に配置される場合がある。図１０（ａ）は、内側シール材ＳＬｉ内に配置されるゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの配置状態を示した拡大図で、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部に配置されるグラスファイバＧＦが存在していることを示している。この場合、図１０（ａ）のｂ，ｃ−ｂ，ｃ線における断面図である図１０（ｂ）に示すように、ドレイン信号線ＤＬは絶縁膜ＧＩを介してゲート信号線ＧＬと層間絶縁が図られている。しかし、やはり図１０（ａ）のｂ，ｃ−ｂ，ｃ線における断面図である図１０（ｃ）に示すように、基板ＳＵＢ２に基板ＳＵＢ１側への圧力Ｐが加わった場合、前記圧力ＰはグラスファイバＧＦを通して前記絶縁膜ＧＩを破壊し、ドレイン信号線ＤＬとゲート信号線ＧＬとの電気的ショートが発生するという不都合が生じる。
【００１１】
本発明の目的は、内部シール材の形成領域において、配線交差部における電気的ショートを回避できる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の液晶表示装置では、内部シール材の形成領域に散在されるスペーサは定められた位置に形成できるようにし、該スペーサを通して配線交差部に力が作用することのないように構成したものである。
【００１３】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１４】
（１）本発明の液晶表示装置は、対向配置される一対の基板の間に、非表示領域を囲む内側シール材と、前記内側シール材を囲む外側シール材と、前記内側シール材と前記外側シール材との間に充填された液晶と、前記液晶が充填された領域に形成された表示領域とを備える液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の液晶側の面に、少なくとも、第１の方向に延在する複数の並設されたゲート信号線と第２の方向に延在する複数の並設されたドレイン信号線とが形成され、
前記複数のゲート信号線および前記複数のドレイン信号線のうち、仮想的にそのまま延長した場合に前記非表示領域を横切って配置されることとなる前記ゲート信号線および前記ドレイン信号線は、それぞれ、前記非表示領域を迂回するパターンで形成されるとともに、前記内側シール材の形成領域内に形成されるものを備え、
前記内側シール材の形成領域に、前記一対の基板のうちいずれかの基板に固定された第１の柱状スペーサが形成され、前記第１の柱状スペーサは、前記ゲート信号線と前記ドレイン信号線との交差部に重畳する位置を回避して形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記内側シール材の形成領域に形成される前記第１の柱状スペーサは、前記ゲート信号線および前記ドレイン信号線の形成されていない領域上に形成されたものと、前記ゲート信号線あるいは前記ドレイン信号線上に形成されたものとを有し、
前記ゲート信号線および前記ドレイン信号線の形成されていない領域上に形成された前記第１の柱状スペーサの径は、前記ゲート信号線あるいは前記ドレイン信号線上に形成された前記第１の柱状スペーサの径よりも大きくなっていることを特徴とする。
【００１６】
（３）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記表示領域に、前記一対の基板のうちいずれかの基板に固定された第２の柱状スペーサが形成されていることを特徴とする。
【００１７】
（４）本発明の液晶表示装置は、（３）において、前記内側シール材の形成領域に形成された前記第１の柱状スペーサの高さは前記表示領域に形成された前記第２の柱状スペーサの高さより大きく形成されていることを特徴とする。
【００１８】
（５）本発明の液晶表示装置は、（３）において、前記外側シール材の形成領域に、前記一対の基板のうちいずれかの基板に固定された第３の柱状スペーサが形成されていることを特徴とする。
【００１９】
（６）本発明の液晶表示装置は、（５）において、前記外側シール材の形成領域に形成された前記第３の柱状スペーサの高さは、前記表示領域に形成された前記第２の柱状スペーサの高さより大きく形成されていることを特徴とする。
【００２０】
（７）本発明の液晶表示装置は、（３）において、前記外側シール材にグラスファイバあるいはビーズが混入されていることを特徴とする。
【００２１】
（８）本発明の液晶表示装置は、（７）において、前記外側シール材に混入された前記グラスファイバあるいは前記ビーズの径は、前記表示領域に形成された前記第２の柱状スペーサの高さより大きく形成されていることを特徴とする。
【００２２】
（９）本発明の液晶表示装置は、（１）において、隣接する一対の前記ゲート信号線の間に前記ゲート信号線に沿ってコモン信号線あるいは容量信号線が形成され、
前記コモン信号線あるいは前記容量信号線のうち、仮想的にそのまま延長した場合に前記非表示領域を横切って配置されることとなる前記コモン信号線あるいは前記容量信号線は、前記非表示領域を迂回するパターンで形成されるとともに、前記内側シール材の形成領域内に形成されるものを備え、
前記第１の柱状スペーサは、前記コモン信号線あるいは前記容量信号線と前記ドレイン信号線との交差部に重畳する位置を回避して形成されていることを特徴とする。
【００２３】
（１０）本発明の液晶表示装置は、（９）において、前記内側シール材の形成領域に形成される前記第１の柱状スペーサは、前記ゲート信号線、前記ドレイン信号線、前記コモン信号線、および前記容量信号線の形成されていない領域上に形成されたものと、前記ゲート信号線、前記ドレイン信号線、前記コモン信号線、あるいは前記容量信号線上に形成されたものとを有し、
前記ゲート信号線、前記ドレイン信号線、前記コモン信号線、および前記容量信号線の形成されていない領域上に形成された前記第１の柱状スペーサの径は、前記ゲート信号線、前記ドレイン信号線、前記コモン信号線、あるいは前記容量信号線上に形成された前記第１の柱状スペーサの径よりも大きくなっていることを特徴とする。
【００２４】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の液晶表示装置によれば、内側シール材の形成領域において、配線交差部における電気的ショートを回避できるようになる。
【００２６】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００２８】
〈実施例１〉
（全体の構成）
図２（ａ）は、液晶表示装置の概略を示した平面図である。また、図２（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を図２（ｂ）に、図２（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を図２（ｃ）に示している。
【００２９】
液晶表示装置は、液晶ＬＣを挟持して配置される基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を外囲器としている。ここで、基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２は、それぞれ、たとえば中央において、比較的面積の大きな開口部ＨＬが形成されている。基板ＳＵＢ１に対する基板ＳＵＢ２の固定は、それらの外周付近に環状に形成された外側シール材ＳＬｏと、開口部ＨＬ付近に環状に形成された内側シール材ＳＬｉによってなされている。液晶ＬＣは、外側シール材ＳＬｏの内側の領域であって内側シール材ＳＬｉの外側の領域において充填され、この液晶が充填された領域は表示領域ＡＲを構成するようになっている。
【００３０】
基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣ側の面には、図２（ａ）において、ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬ、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬ、隣接するゲート信号線ＧＬの間に平行に配置さるコモン信号線ＣＬが形成されている。これらゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬ、およびコモン信号線ＣＬは、それぞれ、その一端側から対応する信号が供給されるようになっている。ここで、ゲート信号線ＧＬとコモン信号線ＣＬは、たとえば、基板ＳＵＢ１上に同じ層で形成され、ドレイン信号線ＤＬは、基板ＳＵＢ１にゲート信号線ＧＬおよびコモン信号線ＣＬをも被って形成される絶縁膜ＧＩ（図３（ｂ）、（ｃ）参照）上に形成されるようになっている。
【００３１】
この場合、ゲート信号線ＧＬのうち、仮想的にそのまま延長した場合に非表示領域（開口部ＨＬとその周辺の領域）を横切って配置されることとなるゲート信号線ＧＬは、開口部ＨＬの周辺を迂回するパターンで形成されるようになっている。より詳しくは、開口部ＨＬの図中上側とその周辺の領域を横切って配置されることとなるゲート信号線ＧＬは、開口部ＨＬの図中上側の周辺を迂回するパターンで形成され、開口部ＨＬの図中下側とその周辺の領域を横切って配置されることとなるゲート信号線ＧＬは、開口部ＨＬの図中下側の周辺を迂回するパターンで形成されている。コモン信号線ＣＬの場合にあっても、ゲート信号線ＧＬと同様に、開口部ＨＬの図中上側とその周辺の領域を横切って配置されることとなるコモン信号線ＣＬは、開口部ＨＬの図中上側の周辺を迂回するパターンで形成され、開口部ＨＬの図中下側とその周辺の領域を横切って配置されることとなるコモン信号線ＣＬは、開口部ＨＬの図中下側の周辺を迂回するパターンで形成されている。同様に、ドレイン信号線ＤＬの場合にあっても、開口部ＨＬの図中左側とその周辺の領域を横切って配置されることとなるドレイン信号線ＤＬは、開口部ＨＬの図中左側の周辺を迂回するパターンで形成され、開口部ＨＬの図中右側とその周辺の領域を横切って配置されることとなるドレイン信号線ＤＬは、開口部ＨＬの図中右側の周辺を迂回するパターンで形成されている。
【００３２】
これらゲート信号線ＧＬ、コモン信号線ＣＬ、およびドレイン信号線ＤＬの開口部ＨＬの周辺における迂回パターンは前記内側シール材ＳＬｉの形成領域内にできるだけ収容されるように配置されている。その理由は、表示領域ＡＲとして機能できる領域の面積をできるだけ大きく形成するためである。このため、内側シール材ＳＬｉの外側の領域において、前記各信号線の迂回パターンが若干はみ出されて配置されていてもよい。また、内側シール材ＳＬｉの形成領域において、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部（以下、配線交差部と称する場合がある）、コモン信号線ＣＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部（以下、配線交差部と称する場合がある）が形成されることは免れず、しかも、表示領域ＡＲにおける配線交差部よりも高い密度で配置されるようになる。
【００３３】
そして、表示領域ＡＲおよび内側シール材ＳＬｉの形成領域には、たとえば基板ＳＵＢ２の液晶側の面に固定されて配置される柱状スペーサＰＳＰが散在されて形成されている。この場合、表示領域ＡＲにおける柱状スペーサＰＳＰはたとえばゲート信号線ＧＬ上に重畳するように配置されている。実質的な画素領域内に配置させて開口率を低減させることのないようにするためである。内側シール材ＳＬｉの形成領域における柱状スペーサＰＳＰ（図２（ａ）においては図示せず。図２（ｂ）、図２（ｃ）参照）は、配線交差部上に重畳することを回避して配置されている。内側シール材ＳＬｉの形成領域における柱状スペーサＰＳＰについては後に詳述する。なお、外側シール材ＳＬｏの形成領域には、この実施例の場合、スペーサとして該外側シール材ＳＬｏに混入されたたとえばグラスファイバ（図示せず）が用いられている。シール材は、たとえばスクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット方式などによって形成され、シール材にグラスファイバ等を混入させることによって作業の容易化を図ることができる。
【００３４】
隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域により画素領域(図中点線枠内)を構成するようになっている。この画素領域には、その拡大図Ａ内の等価回路に示すように、ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、コモン信号線ＣＬを通して前記映像信号に対して基準となる信号が供給される対向電極ＣＴを備えている。
【００３５】
このように構成された画素は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に基板ＳＵＢ１に平行な成分を有する電界を発生せしめて液晶を駆動させるようになっている。このように基板ＳＵＢ１に平行な成分を有する電界によって液晶を駆動させる方式を横電界方式あるいはＩＰＳ（In Plane Switching）方式と称している。
【００３６】
（画素の構成）
図３（ａ）は、前記液晶表示装置の基板ＳＵＢ１側において、マトリックス状に配置された各画素のうちの一つの画素の一実施例を示した平面図である。
【００３７】
また、図３（ｂ）、図３（ｃ）は、それぞれ、図３（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を、図３（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を示している。
【００３８】
まず、基板ＳＵＢ１の液晶側の面（表面）には、ゲート信号線ＧＬおよびコモン信号線ＣＬが比較的大きな距離を有して平行に形成されている。
【００３９】
ゲート信号線ＧＬとコモン信号線ＣＬの間の領域には、たとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）の透明導電材料からなる対向電極ＣＴが形成されている。対向電極ＣＴは、そのコモン信号線ＣＬ側の辺部において該コモン信号線ＣＬに重畳されて形成され、これにより、該コモン信号線ＣＬと電気的に接続されて形成されている。
【００４０】
そして、基板ＳＵＢ１の表面には、ゲート信号線ＧＬ、コモン信号線ＣＬ、および対向電極ＣＴをも被うようにして絶縁膜ＧＩが形成されている。この絶縁膜ＧＩは、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するもので、それに応じて膜厚等が設定されるようになっている。
【００４１】
絶縁膜ＧＩの上面であって、ゲート信号線ＧＬの一部と重畳する個所に、たとえばアモルファスシリコンからなる非晶質の半導体層ＡＳが形成されている。この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるものである。
【００４２】
なお、この半導体層ＡＳは、たとえば、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域の他に、符号ＡＳ'で示すように、ドレイン信号線ＤＬの下層、ドレイン信号線ＤＬと薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴとを電気的に接続する接続部ＪＣの下層、および、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴの該薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域を超えて延在する部分（パッド部ＰＤを含む）の下層にも形成され、たとえばドレイン信号線ＤＬにおいて段差を少なく構成できるようにしている。
【００４３】
そして、図中ｙ方向に伸張してドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬはその一部において薄膜トランジスタＴＦＴ側に延在する延在部を有し、この延在部（接続部ＪＣ）は前記半導体層ＡＳ上に形成された該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴに接続されている。
【００４４】
また、ドレイン信号線ＤＬおよびドレイン電極ＤＴの形成の際に同時に形成されるソース電極ＳＴが、半導体層ＡＳ上にてドレイン電極ＤＴと対向し、かつ、半導体層ＡＳ上から画素領域側に若干延在された延在部を有して形成されている。この延在部は後に説明する画素電極ＰＸと接続されるパッド部ＰＤに至るようにして構成されている。
【００４５】
ドレイン電極ＤＴは、ソース電極ＳＴの先端部を囲むようにして形成されたたとえばＵ字状のパターンとして形成されている。これにより、該薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル幅を大きく構成するようにできる。
【００４６】
なお、半導体層ＡＳは、それを絶縁膜ＧＩ上に形成する際に、たとえば、半導体層ＡＳの表面に高濃度の不純物がドープされて形成され、たとえば、ドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴをパターニングして形成した後に、ドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴ上のフォトレジスト膜をマスクとしてドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴの形成領域以外の領域に形成された高濃度の不純物層をエッチングするようにしている。半導体層ＡＳとドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴのそれぞれの間に高濃度の不純物層を残存させ、この不純物層をオーミックコンタクト層として形成するためである。
【００４７】
このようにすることにより、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート信号線ＧＬをゲート電極としたいわゆる逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）構造のトランジスタが構成されることになる。
【００４８】
基板ＳＵＢの表面には、前記薄膜トランジスタＴＦＴをも被って絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは、該薄膜トランジスタＴＦＴを液晶との直接の接触を回避させるために設けられるようになっている。また、この保護膜ＰＡＳは、対向電極ＣＴと後述の画素電極ＰＸとの間にも介在しており、前記絶縁膜ＧＩとともに、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間に設けられた容量素子の誘電体膜としても機能するようになっている。
【００４９】
保護膜ＰＡＳの上面には、画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、たとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）等の透明導電膜からなり、対向電極ＣＴと広い面積にわたって重畳して形成されている。
【００５０】
そして、画素電極ＰＸは、多数のスリットがスリットの長手方向と交叉する方向に並設されて形成され、これによって両端が互いに接続された多数の線状の電極からなる電極群を有するようにして形成されている。
【００５１】
なお、画素電極ＰＸの各電極は、図３（ａ）に示すように、画素の領域をたとえば図中上下に２分割させ、その一方の領域にはたとえばゲート信号線ＧＬの走行方向に対して＋４５°方向に延在するように形成され、他方の領域には−４５°方向に延在するようにして形成されている。いわゆるマルチドメイン方式を採用するもので、１画素内における画素電極ＰＸに設けたスリットの方向（画素電極ＰＸの電極群の方向）が単一である場合、観る方向により色つきが生じる不都合を解消した構成となっている。
【００５２】
このように形成された画素電極ＰＸは、薄膜トランジスタＴＦＴ側の辺部において、保護膜ＰＡＳに形成されたスルーホールＴＨ１を通して該薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴのパッド部ＰＤに電気的に接続されるようになっている。また、基板ＳＵＢ１の表面には画素電極ＰＸも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。
【００５３】
（内側シール材の形成領域における柱状スペーサ）
図１は、図２に示した内側シール材ＳＬｉおよびその近傍を拡大して示した図で、内側スペーサＳＬｉの形成領域に形成された柱状スペーサＰＳＰとともに示している。
【００５４】
上述したように、仮想的にそのまま延長した場合に非表示領域（開口部ＨＬおよびその周辺）を横切ることとなるゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬ、およびコモン信号線ＣＬは、それぞれ、開口部ＨＬを迂回するパターンで形成されるとともに、その迂回パターンは内側スペーサＳＬｉの形成領域内に形成されるものを備えている。このため、内側シール材ＳＬｉの形成領域内において、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの配線交差部、コモン信号線ＣＬとドレイン信号線ＤＬとの配線交差部が形成されることは免れない構成となる。
【００５５】
一方、内側シール材ＳＬｉの形成領域内には柱状スペーサＰＳＰが散在して配置され、この柱状スペーサＰＳＰは、信号線（ゲート信号線ＧＬ、コモン信号線ＣＬ、およびドレイン信号線ＤＬ）が形成されていない領域上に、あるいは走向する一本の信号線（ゲート信号線ＧＬ、コモン信号線ＣＬ、ドレイン信号線ＤＬのうちのいずれかの信号線）上に形成されることにより、内側シール材ＳＬｉの形成領域内において、ほぼ均等な分布で配置されている。このことから、柱状スペーサＰＳＰは配線交差部上には重畳して配置されていないようになっている。なお、柱状スペーサＰＳＰは、その全てを信号線が形成されていない領域上に形成するようにしてもよい。しかし、上述したように、内側シール材ＳＬｉの形成領域における配線交差部は表示領域ＡＲにおける配線交差部よりも高い密度で配置されるようになっているため、走向する一本の信号線上にも柱状スペーサＰＳＰを形成することによって、内側シール材ＳＬｉの形成領域内に配置させる柱状スペーサＰＳＰの数を増大させている。
【００５６】
柱状スペーサＰＳＰは、たとえば基板ＳＵＢ２側に形成した樹脂材層をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングすることによって形成するようになっている。このため、この柱状スペーサＰＳＰは所定の位置に精度よく形成できるともに、その後において、その位置が変わってしまうようなことはない。したがって、柱状スペーサＰＳＰを配線交差部に重畳する位置を回避して形成することは容易かつ確実に行い得る。そして、このようにした場合、たとえば、基板ＳＵＢ２に基板ＳＵＢ１側への圧力が加わった場合でも、配線交差部に力が加わることはなく、該配線交差部における各信号線の電気的ショートを回避できることになる。
【００５７】
図４（ａ）は、内側シール材ＳＬｉの形成領域に、ゲート信号線ＧＬ、コモン信号線ＣＬ、ドレイン信号線ＤＬが形成され、これら信号線が形成されていない領域上に、あるいは走向する一本の信号線上に形成される柱状スペーサＰＳＰを示した拡大平面図である。上述したように、配線交差部上にスペーサは形成されていない構造となっている。
【００５８】
ここで、図４（ａ）のｂ−ｂ線に相当する断面図を図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）には、信号線（ゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬ、およびコモン信号線ＣＬ）が形成されていない領域上に形成された柱状スペーサＰＳＰ（図中符号ＰＳＰ１で示す）と、走向する一本の信号線（たとえばドレイン信号線ＤＬ）上に形成される柱状スペーサＰＳＰ（符号ＰＳＰ２で示す）が示されている。この場合、信号線が形成されていない領域と信号線が形成されている領域は、該信号線の厚さ分の段差が発生しており、基板ＳＵＢ２側に固定させて形成するそれぞれの柱状スペーサＰＳＰ１、ＰＳＰ２は、その頂部が基板ＳＵＢ１側に適度な当接がなされるように、適切な高さに設定する必要が生じる。この場合、それぞれのスペーサの径を異ならしめて形成し、焼成を施すことによって径に対応させた高さに設定できる。すなわち、径を小さく形成することによって高さの低いスペーサを形成でき、径を大きく形成することによって高さの高いスペーサを形成できる。この場合、柱状スペーサＰＳＰ１の径を柱状スペーサＰＳＰ２の径よりも大きくすることで、柱状スペーサＰＳＰ１の高さを柱状スペーサＰＳＰ２の高さよりも大きくすることが望ましい。
【００５９】
なお、図４（ｂ）において、柱状スペーサＰＳＰ１、ＰＳＰ２は、基板ＳＵＢ２の液晶側の面のブラックマトリックスＢＭを被うカラーフィルタＣＦのほぼ平坦な表面に形成され、このため、柱状スペーサＰＳＰ１、ＰＳＰ２のそれぞれの高さは、それらの頂部が当接する基板ＳＵＢ１の液晶側の面の層構造に依存するようになっている。また、図中符号ＯＲＩ２は配向膜となっている。
【００６０】
（表示領域におけるスペーサ）
図５は、内側シール材ＳＬｉの形成領域に形成される柱状スペーサＰＳＰ（図中符号ＰＳＰ１、ＰＳＰ２で示す）と、内側シール材ＳＬｉの近傍の表示領域ＡＲに形成される柱状スペーサＰＳＰ（図中符号ＰＳＰ３で示す）を示した断面図である。図５において、内側シール材ＳＬｉの形成領域における構成は図４（ｂ）に示した構成と同様となっている。
【００６１】
図５に示すように、表示領域ＡＲに形成される柱状スペーサＰＳＰ３は、内側シール材ＳＬｉの形成領域に形成される柱状スペーサＰＳＰ１、ＰＳＰ２と同様に、基板ＳＵＢ２側に固定されている。これにより、柱状スペーサＰＳＰ１、ＰＳＰ２、ＰＳＰ３のそれぞれの形成は並行してなされるようになっている。この場合、基板ＳＵＢ１の液晶側の面において、表示領域ＡＲにおける層構造は内側シール材ＳＬｉの形成領域における層構造と異なるのが通常であるため、表示領域ＡＲに形成される柱状スペーサＰＳＰ３は、その高さを内側シール材ＳＬｉの形成領域に形成される柱状スペーサＰＳＰ１、ＰＳＰ２の高さと異ならしめて形成しなければならない。たとえば図５に示すように、表示領域ＡＲに形成される柱状スペーサＰＳＰ３が、内側シール材ＳＬｉの形成領域における柱状スペーサＰＳＰ１、ＰＳＰ２よりも高さを低く形成しなければならない場合、その径を柱状スペーサＰＳＰ１、ＰＳＰ２の径よりも小さく形成することによって、その頂部を基板ＳＵＢ１側の表面に適切に当接させることができる。上述したように、柱状スペーサは、その形成後において、焼成を施すことによって径に対応させた高さに設定できるからである。
【００６２】
〈実施例２〉
図６は、本発明の実施例２を説明する簡略化された断面図であり、たとえば、図２（ｂ）に対応した図となっている。図６において、特徴的な構成は、内側シール材ＳＬｉの形成領域に形成されている柱状スペーサＰＳＰ（図中符号ＰＳＰｉで示す）の高さを、表示領域に形成された柱状スペーサＰＳＰ（図中符号ＰＳＰａで示す）の高さおよび外側シール材ＳＬｏ内に混入されたグラスファイバＧＦの径よりも大きく設定していることにある。これにより、基板ＳＵＢ２は、たとえば基板ＳＵＢ２の開口部ＨＬの周辺の内側シール材ＳＬｉの形成領域において、該開口部ＨＬ側へ向かうにつれて基板ＳＵＢ１に対して間隙を大きくするように湾曲されるようになり、この湾曲によって基板ＳＵＢ２には、内側シール材ＳＬｉの外方であって液晶ＬＣ側の方向（図中矢印α方向）に示す力が発生することになる。
【００６３】
このように構成した理由は以下に示す通りである。液晶表示装置は水平面に対して立てて用いるのが通常となっており、この場合、基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶ＬＣは重力によって、内側シール材ＳＬｉの上側に蓄積され易くなる。そして、蓄積されたこの部分において、高温時に液晶ＬＣが大きく膨張し、この膨張によって基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間の間隔が広がってしまう。このため、内側シール材ＳＬｉの近傍部には輝度むらが生じ易くなり、表示の品質を劣化させることになる。それ故、上述のように構成することによって、たとえ、内側シール材ＳＬｉの近傍に液晶が蓄積、膨張しても、図中矢印αの力によって、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間の間隙が拡がるのを抑制させることができる。したがって、表示の品質の劣化を防止できるようになる。
【００６４】
実施例２に示した特徴的な構成は、これ以降に示す実施例にも適用できるものである。
【００６５】
〈実施例３〉
図７は、本発明の実施例３を説明する簡略化された断面図で、図６に対応した図となっている。図７に示す構成は、図６に示した構成に他の特徴的な構成を付加させたものとして示している。その特徴的な構成は、外側シール材ＳＬｏに混入されているグラスファイバＧＦの径を、表示領域に形成された柱状スペーサＰＳＰａの高さよりも大きく設定していることにある。これにより、基板ＳＵＢ２は、外側シール材ＳＬｏの形成領域において、外周側へ向かうにつれて基板ＳＵＢ１に対して間隙を大きくするように湾曲されるようになり、この湾曲によって基板ＳＵＢ２には、外側シール材ＳＬｏの内方であって液晶ＬＣ側の方向（図中矢印β方向）に示す力が発生することになる。
【００６６】
このように構成した理由も、液晶表示装置を水平面に対して立てて用いることに鑑みたものである。基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶ＬＣは、外側シール材ＳＬｏの近傍に蓄積され易くなり、蓄積されたこの部分において、高温時に液晶ＬＣが大きく膨張し、この膨張によって基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間の間隔が広がってしまう。このため、上述のように構成することによって、たとえ、外側シール材ＳＬｏの近傍に液晶が蓄積、膨張しても、図中矢印βの力によって、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間の間隙が拡がるのを抑制させるようにしている。したがって、この場合においても、表示の品質の劣化を防止できる。
【００６７】
実施例３に示した特徴的な構成は、これ以降に示す実施例においても適用できるものである。
【００６８】
〈実施例４〉
図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施例４を説明する構成図で、それぞれ、図２（ａ）、（ｂ）に対応した図となっている。図８（ａ）、（ｂ）は、実施例１に示した構成に、一部の構成を改変させたものとして示している。その改変された構成は、外側シール材ＳＬｏに混入させてスペーサの機能をもたせるグラスファイバＧＦを柱状スペーサＰＳＰ（符号ＰＳＰｏで示す）によって置き換えていることにある。
【００６９】
このようにした場合、前記柱状スペーサＰＳＰｏは、他の柱状スペーサの形成と同時に形成でき、また、その高さも、他の柱状スペーサの高さに影響されることなく自由に設定することができる。上述したように柱状スペーサの径を適当な値に設定すればよいからである。
【００７０】
実施例４に示した特徴的な構成は、これまでに示した実施例、また、これ以降に示す実施例においても適用できるものである。
【００７１】
〈実施例５〉
上述した実施例では、基板ＳＵＢ１の液晶側の面にコモン信号線ＣＬが形成されている場合を示したものである。しかし、このコモン信号線ＣＬの代わりに容量信号線が形成されているものにあっても適用できる。容量信号線は、基板ＳＵＢ１と液晶を介して対向する基板ＳＵＢ２の液晶側の面に対向電極が形成される縦型電界方式の液晶表示装置に形成される場合が多く、各画素において、画素電極との間に容量素子を形成させるための信号線である。このような容量素子は、画素電極に供給された映像信号を該画素電極に比較的長く蓄積させるように機能する。
【００７２】
〈実施例６〉
上述した実施例では、基板ＳＵＢ１の液晶側の面にコモン信号線ＣＬあるいは容量信号線が形成されている場合を示したものである。しかし、これらコモン信号線ＣＬあるいは容量信号線が形成されていない場合にも本発明を適用できる。内側シール材ＳＬｉの形成領域において、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部を形成せざるを得ない場合があるからである。
【００７３】
〈実施例７〉
上述した実施例において、グラスファイバＧＦをスペーサとして用いる代わりに、ビーズを用いてもよい。この場合、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間のギャップはビーズの径によって制御できる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の液晶表示装置の実施例１の要部を示す平面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の実施例１の概略を示す平面図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の実施例１の画素の構成を示す図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の実施例１の効果を示す図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の実施例１において表示部に形成されるスペーサを示す断面図である。
【図６】本発明の液晶表示装置の実施例２の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の実施例３の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の実施例４の構成を示す構成図である。
【図９】従来の液晶表示装置の不都合を説明するための図である。
【図１０】従来の液晶表示装置の不都合を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７５】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＨＬ……開口部、ＳＬｏ……外側シール材、ＳＬｉ……内側シール材、ＡＲ……表示領域、ＬＣ……液晶、ＧＬ……ゲート信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＤ……パッド部、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＰＳＰ……柱状スペーサ、ＧＩ……絶縁膜（ゲート絶縁膜）ＡＳ、ＡＳ'……半導体層、ＰＡＳ……保護膜、ＯＲＩ１、ＯＲＩ２……配向膜、ＧＦ……グラスファイバ、ＣＦ……カラーフィルタ、ＢＭ……ブラックマトリクス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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