(57)【要約】【課題】例えばサンプリング回路等の周辺回路を構成するトランジスタのオンオフの切り替えに伴ってトランジスタの出力側に発生するノイズを低減する。【解決手段】電気光学装置は、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に設けられ、第１のソース電極（７１Ｓ）、第１のドレイン電極（７１Ｄ）、及びゲート信号が入力される第１のゲート電極（７１Ｇ）を有する第１のトランジスタ（７１）と、第１のトランジスタと同一導電型のトランジスタであって、浮遊状態とされた第２のソース電極（８１Ｓ）、第１のドレイン電極に電気的に接続された第２のドレイン電極（８１Ｄ）、及びゲート信号が反転された反転ゲート信号が入力される第２のゲート電極（８１Ｇ）を有する第２のトランジスタ（８１）とを備える。【選択図】図３
2010054557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及びゲート信号が入力される第１のゲート電極を有する第１のトランジスタと、
該第１のトランジスタと同一導電型のトランジスタであって、（ｉ）浮遊状態とされた第２のソース電極、（ｉｉ）前記第１のドレイン電極に電気的に接続された第２のドレイン電極、及び（ｉｉｉ）前記ゲート信号が反転された反転ゲート信号が入力される第２のゲート電極を有する第２のトランジスタと
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１の半導体層と同一膜から形成された第２の半導体層を有し、
前記第１のソース電極及び前記第２のソース電極は、互いに同一膜から形成され、
前記第１のドレイン電極及び前記第２のドレイン電極は、互いに同一膜から形成され、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、互いに同一膜から形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１のドレイン電極及び前記第２のドレイン電極は、互いに同一の抵抗値を有するように形成され、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、互いに同一の抵抗値を有するように形成される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記周辺領域に設けられ、画像信号を供給する画像信号線と
を備え、
前記第１のトランジスタは、前記画像信号線が供給される画像信号を、前記ゲート信号として入力されるサンプリング信号に応じて前記複数のデータ線に夫々供給する複数のサンプリング用トランジスタとして形成され、
前記第２のトランジスタは、前記複数のサンプリング用トランジスタの各々に対応して１つずつ設けられた複数のダミーサンプリング用トランジスタとして形成される
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数のサンプリング用トランジスタとして形成された複数の第１のトランジスタ、及び前記複数のダミーサンプリング用トランジスタとして形成された複数の第２のトランジスタは、前記複数のデータ線が配列される方向に沿って、交互に配列されることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、複数の画素から構成される表示領域に縦横に配列された複数の走査線及びデータ線、並びにこれらの各交点に対応して複数の画素電極が基板上に設けられる。基板上の表示領域の周辺に位置する周辺領域には、例えば走査線駆動回路、データ線駆動回路、サンプリング回路等、複数の画素を制御するための周辺回路が設けられる。周辺回路は、例えばＴＦＴ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等のトランジスタを含んで構成される。
【０００３】
この種の電気光学装置は、外部回路から外部回路接続端子を介して画像信号線へ供給される画像信号に基づいて駆動される。画像信号は、基板上の表示領域に配線された複数のデータ線に、画像信号線からサンプリング回路を介して供給される。サンプリング回路は、データ線毎に設けられた例えば片チャネル型のＴＦＴからなる複数のサンプリング用トランジスタを含んでいる。サンプリング用トランジスタのソースには画像信号線が接続され、ドレインにはデータ線が接続され、ゲートにはサンプリング信号を供給するサンプリング信号線が接続される。
【０００４】
このようなサンプリング回路として、例えば特許文献１では、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとが並列接続されたトランスファスイッチを複数含むスイッチ回路が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３００５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したサンプリング用トランジスタのオンオフがサンプリング信号に応じて切り替えられる際、サンプリング用トランジスタのドレインからデータ線へ出力される画像信号にノイズが発生してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００７】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばサンプリング回路等の周辺回路を構成するトランジスタのオンオフの切り替えに伴って該トランジスタの出力側に発生するノイズを低減でき、高品質な画像を表示可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、複数の画素電極と、該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及びゲート信号が入力される第１のゲート電極を有する第１のトランジスタと、該第１のトランジスタと同一導電型のトランジスタであって、（ｉ）浮遊状態とされた第２のソース電極、（ｉｉ）前記第１のドレイン電極に電気的に接続された第２のドレイン電極、及び（ｉｉｉ）前記ゲート信号が反転された反転ゲート信号が入力される第２のゲート電極を有する第２のトランジスタとを備える。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、複数の画素電極は、それぞれ例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなり、例えばガラス基板等の基板上の画素領域或いは画素アレイ領域（又は、「画像表示領域」とも呼ぶ）に、例えば複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して例えばマトリクス状に配列される。第１のトランジスタは、画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、例えばサンプリング回路、データ線駆動回路等の周辺回路の少なくとも一部を構成する。第１のトランジスタは、典型的には、片チャネル型のトランジスタ（即ち、Ｎチャネル型又はＰチャネル型のトランジスタ）であり、画素領域の一辺に沿って複数設けられる。電気光学装置の動作時には、例えば画像信号等に基づいて、画素電極の電位が制御され、複数の画素電極が配列された画素領域において画像表示が行われる。
【００１０】
本発明では特に、第２のトランジスタは、第１のトランジスタと同一導電型のトランジスタである。即ち、第２のトランジスタは、第１のトランジスタがＮチャネル型のトランジスタからなる場合には、第１のトランジスタと同一導電型であるＮチャネル型のトランジスタからなり、第１のトランジスタがＰチャネル型のトランジスタからなる場合には、第１のトランジスタと同一導電型であるＰチャネル型のトランジスタからなる。第２のトランジスタは、第２のソース電極、第２のドレイン電極及び第２のゲート電極を有している。第２のソース電極は、浮遊状態とされ、第２のドレイン電極は、第１のトランジスタが有する第１のドレイン電極に電気的に接続され、第２のゲート電極には、第１のトランジスタが有する第１のゲート電極に入力されるゲート信号が反転された反転ゲート信号が入力される。ここで反転ゲート信号は、ゲート信号が例えば所定電位に対して反転された信号であり、第１のトランジスタがオン状態となる場合には第２のトランジスタがオフ状態になるように且つ第１のトランジスタがオフ状態となる場合には第２のトランジスタがオン状態になるように、第２のトランジスタを制御するための信号である。即ち、第１のトランジスタがゲート信号に応じてオフ状態からオン状態に切り替わる際、第２のトランジスタが反転ゲート信号に応じてオン状態からオフ状態に切り替わり、第１のトランジスタがゲート信号に応じてオン状態からオフ状態に切り替わる際、第２のトランジスタが反転ゲート信号に応じてオフ状態からオン状態に切り替わる。
【００１１】
よって、第１のトランジスタのオンオフの切り替えに伴って第１のトランジスタの第１のドレイン電極側に発生するノイズを、第２のトランジスタのオンオフの切り替えに伴って第２のトランジスタの第２のドレイン電極側に発生するノイズによって打ち消す（即ちキャンセルさせる）ことができる。従って、例えばサンプリング回路等の周辺回路を構成する第１のトランジスタのオンオフの切り替えに伴って第１のトランジスタの出力側（即ち、第１のドレイン電極側）に発生するノイズを低減できる。この結果、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００１２】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、例えばサンプリング回路等の周辺回路を構成する第１のトランジスタのオンオフの切り替えに伴って該第１のトランジスタの出力側に発生するノイズを低減でき、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、前記第２のトランジスタは、前記第１の半導体層と同一膜から形成された第２の半導体層を有し、前記第１のソース電極及び前記第２のソース電極は、互いに同一膜から形成され、前記第１のドレイン電極及び前記第２のドレイン電極は、互いに同一膜から形成され、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、互いに同一膜から形成される。
【００１４】
この態様によれば、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのトランジスタ特性を互いにより近づけることができる。よって、第１のトランジスタのオンオフの切り替えに伴って第１のトランジスタの第１のドレイン電極側に発生するノイズを、第２のトランジスタのオンオフの切り替えに伴って第２のトランジスタの第２のドレイン電極側に発生するノイズによってより確実に打ち消すことができる。ここで、「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜から形成される」とは、一枚の膜として連続して形成されていることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分として形成されていれば足りる趣旨である。
【００１５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１のドレイン電極及び前記第２のドレイン電極は、互いに同一の抵抗値を有するように形成され、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、互いに同一の抵抗値を有するように形成される。
【００１６】
この態様によれば、典型的には、第１のドレイン電極及び第２のドレイン電極は、基板上に配置される面積が互いに等しくなるように、互いに同一膜から形成される。更に、第１のゲート電極及び第２のゲート電極も、基板上に配置される面積が互いに等しくなるように、互いに同一膜から形成される。よって、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのトランジスタ特性を互いにより近づけることができる。従って、第１のトランジスタのオンオフの切り替えに伴って第１のトランジスタの第１のドレイン電極側に発生するノイズを、第２のトランジスタのオンオフの切り替えに伴って第２のトランジスタの第２のドレイン電極側に発生するノイズによってより確実に打ち消すことができる。尚、ここで「互いに同一の抵抗値を有する」とは、文字通り完全に同一の抵抗値を有することのみならず、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのトランジスタ特性が実践上同じとなる程度に互いに近い（即ち、互いに殆ど同一或いは実践上同一の）抵抗値を有することも含む。
【００１７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記周辺領域に設けられ、画像信号が供給される画像信号線とを備え、前記第１のトランジスタは、前記画像信号線に供給される画像信号を、前記ゲート信号として入力されるサンプリング信号に応じて前記複数のデータ線に夫々供給する複数のサンプリング用トランジスタとして形成され、前記第２のトランジスタは、前記複数のサンプリング用トランジスタの各々に対応して１つずつ設けられた複数のダミーサンプリング用トランジスタとして形成される。
【００１８】
この態様によれば、第１のトランジスタは、サンプリング回路を構成する複数のサンプリング用トランジスタとして、例えば画素領域の近傍に複数のデータ線の配列方向（即ち、複数の走査線の延びる方向）に沿って配列するように複数形成される。尚、第１のソース電極は、画像信号線に電気的に接続され、第１のドレイン電極は、データ線に電気的に接続され、第１のゲート電極にはゲート信号として例えばデータ線駆動回路からサンプリング信号が入力される。
【００１９】
第２のトランジスタは、複数のダミーサンプリング用トランジスタとして、複数のサンプリング用トランジスタとしての複数の第１のトランジスタの各々に対応して１つずつ設けられる。典型的には、複数のダミーサンプリング用トランジスタ（言い換えれば、複数の第２のトランジスタ）は、複数のサンプリング用トランジスタ（言い換えれば、複数の第１のトランジスタ）と交互に、複数のデータ線の配列方向に沿って配列するように形成される。
【００２０】
よって、サンプリング用トランジスタのオンオフの切り替えに伴ってサンプリング用トランジスタのドレイン電極側に発生するノイズを、ダミーサンプリング用トランジスタのオンオフの切り替えに伴ってダミーサンプリング用トランジスタのドレイン電極側に発生するノイズによって打ち消すことができる。従って、サンプリング回路を構成する複数のサンプリング用トランジスタのオンオフの切り替えに伴ってサンプリング用トランジスタの出力側に発生するノイズを低減できる。この結果、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００２１】
上述した第１のトランジスタが複数のサンプリング用トランジスタとして形成され、第２のトランジスタが複数のダミーサンプリング用トランジスタとして形成される場合には、前記複数のサンプリング用トランジスタとして形成された複数の第１のトランジスタ、及び前記複数のダミーサンプリング用トランジスタとして形成された複数の第２のトランジスタは、前記複数のデータ線が配列される方向に沿って、交互に配列されてもよい。
【００２２】
この場合には、複数のサンプリング用トランジスタとしての複数の第１のトランジスタと、複数のダミーサンプリング用トランジスタとしての複数の第２のトランジスタとを、互いにトランジスタ特性が殆ど或いは完全に同じになるように、基板上に容易に配置可能である。よって、サンプリング用トランジスタのオンオフの切り替えに伴ってサンプリング用トランジスタのドレイン電極側に発生するノイズを、ダミーサンプリング用トランジスタのオンオフの切り替えに伴ってダミーサンプリング用トランジスタのドレイン電極側に発生するノイズによって打ち消すことができる。
【００２３】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００２４】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００２５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図５を参照して説明する。
【００２７】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のII−II’線断面図である。
【００２８】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２９】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、本実施形態では、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３によって規定される額縁領域より以遠の領域として規定されており、額縁領域を含む領域である。つまり、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａを除く領域であり、光を出射しない領域として設定される。
【００３０】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３３】
尚、本実施形態では、画像表示領域１０ａにおける液晶層５０に対して対向基板２０側から入射される入射光が、ＴＦＴアレイ基板１０側から表示光として出射されることを前提している。
【００３４】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００３５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【００３６】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと該画素電極９ａをスイッチング制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０とが形成されており、データ信号Ｄｉが供給されるデータ線６ａが該画素スイッチング用ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。尚、データ線６ａに書き込むデータ信号Ｄｉは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３７】
また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されている。走査線１１ａには、走査線駆動回路１０４から所定のタイミングで走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍが、この順に線順次で印加される。尚、本実施形態では、説明の簡単のため、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍがこの順に線順次で走査線１１ａに印加されるように構成しているが、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｍ）が走査線１１ａに印加される順序は、任意の順序であってもよい。
【００３８】
画素電極９ａは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給されるデータ信号Ｄｉを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）は、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００３９】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列して画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に電気的に接続されている。
【００４０】
図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置には、そのＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７を含む周辺回路並びに画像信号線６が設けられている。
【００４１】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）を順次生成して出力する。
【００４２】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）を順次生成して出力する。
【００４３】
サンプリング回路７は、データ線６ａ毎に設けられた複数のサンプリング用ＴＦＴ７１と、該複数のサンプリング用ＴＦＴ７１の各々に対応して１つずつ設けられたダミーサンプリング用ＴＦＴ８１及びインバータ（或いはＮＯＴ回路）１１０とを備えている。
【００４４】
サンプリング用ＴＦＴ７１は、本発明に係る「第１のトランジスタ」の一例であり、Ｎチャネル型ＴＦＴから構成されている。尚、サンプリング用ＴＦＴ７１は、Ｐチャネル型ＴＦＴから構成されてもよい。サンプリング用ＴＦＴ７１のソースは、画像信号線６に電気的に接続されている。サンプリング用ＴＦＴ７１のゲートは、サンプリング信号線９７に電気的に接続されている。サンプリング用ＴＦＴ７１のドレインは、データ線６ａに電気的に接続されている。各サンプリング用ＴＦＴ７１は、画像信号線６を介して画像信号ＶＩＤが入力されると共にサンプリング信号線９７を介してデータ線駆動回路１０１からサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が入力されると、画像信号ＶＩＤをサンプリングして、各データ線６ａにデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）として印加するように構成されている。
【００４５】
ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１は、本発明に係る「第２のトランジスタ」の一例であり、サンプリング用ＴＦＴ７１と同一導電型のＴＦＴであるＮチャネル型ＴＦＴから構成されている。尚、サンプリング用ＴＦＴ７１がＰチャネル型ＴＦＴから構成されると共に、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１が、サンプリング用ＴＦＴ７１と同一導電型のＴＦＴであるＰチャネル型ＴＦＴから構成されてもよい。ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のソースは、電気的に浮遊状態（即ち、フローティング状態）とされている。ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のゲートは、インバータ１１０を介してサンプリング信号線９７に電気的に接続されている。ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のドレインは、サンプリング用ＴＦＴ７１のドレインに電気的に接続されている（言い換えれば、データ線６ａに電気的に接続されている）。
【００４６】
インバータ１１０は、データ線駆動回路１０１からサンプリング信号線９７に出力されたサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）を反転して（即ち、論理否定して）、反転サンプリング信号ＳｉＢ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）としてダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のゲートに出力する。よって、サンプリング用ＴＦＴ７１のゲートが高電位側の電位とされる際には、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のゲートは低電位側の電位とされ、サンプリング用ＴＦＴ７１のゲートが低電位側の電位とされる際には、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のゲートは高電位側の電位とされる。
【００４７】
次に、本実施形態に係るサンプリング用ＴＦＴ及びダミーサンプリング用ＴＦＴの具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、本実施形態に係るサンプリング用ＴＦＴ及びダミーサンプリング用ＴＦＴの構成を示す平面図である。図５は、図４のV−V’線断面図である。尚、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４８】
図４及び図５において、サンプリング用ＴＦＴ７１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられた下地絶縁膜１２上に形成されている。サンプリング用ＴＦＴ７１は、半導体層７４、ソース配線７１Ｓ、ドレイン配線７１Ｄ、ゲート配線７１Ｇ及びゲート絶縁膜７５を備えている。
【００４９】
半導体層７４は、本発明に係る「第１の半導体層」の一例であり、ゲート配線７１Ｇからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域７４Ｃと、ソース領域７４Ｓとドレイン領域７４Ｄとを有している。尚、チャネル領域７４Ｃに隣接する領域をＬＤＤ(Lightly Doped Drain)領域としてもよい。
【００５０】
ソース配線７１Ｓは、本発明に係る「第１のソース電極」の一例であり、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ソース配線７１Ｓは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール６１ｓを介してソース領域７４Ｓに電気的に接続されている。ソース配線７１Ｓは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ソース配線７１Ｓは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、画像信号線６と電気的に接続されている（図３参照）。
【００５１】
ドレイン配線７１Ｄは、本発明に係る「第１のドレイン電極」の一例であり、ソース配線７１Ｓと同一膜から形成されている、即ち、ドレイン配線７１Ｄは、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール６１ｄを介してドレイン領域７４Ｄに電気的に接続されている。ドレイン配線７１Ｄは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成された部分と、この部分からデータ線６ａに繋がるようにデータ線６ａに交わる方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延びる部分とを有している。ドレイン配線７１Ｄは、当該ドレイン配線７１より層間絶縁膜４２を介して下層側に形成されたデータ線６ａと、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール６３を介して電気的に接続されている。
【００５２】
ゲート配線７１Ｇは、本発明に係る「第１のゲート電極」の一例であり、半導体層７４よりゲート絶縁膜７５を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４のチャネル領域７４とゲート絶縁膜７５を介して重なると共に、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ゲート配線７１Ｇは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、サンプリング信号線９７と電気的に接続されている（図３参照）。
【００５３】
ソース配線７１Ｓ及びドレイン配線７１Ｄの上層側には、層間絶縁膜４３及び４４が順に積層されている。
【００５４】
図４及び図５において、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１は、サンプリング用ＴＦＴ７１と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられた下地絶縁膜１２上に形成されている。ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１は、半導体層８４、ソース配線８１Ｓ、ドレイン配線８１Ｄ、ゲート配線８１Ｇ及びゲート絶縁膜８５を備えている。
【００５５】
半導体層８４は、本発明に係る「第２の半導体層」の一例であり、半導体層７４と同一膜から形成されている。半導体層８４は、ゲート配線８１Ｇからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域８４Ｃと、ソース領域８４Ｓとドレイン領域８４Ｄとを有している。尚、半導体層７４にＬＤＤ領域が形成されている場合には、半導体層７５にもＬＤＤ領域が形成されていることが好ましい。この場合には、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１とサンプリング用ＴＦＴ７１のトランジスタ特性を互いに殆ど或いは実践上完全に同じにすることが可能である。
【００５６】
ソース配線８１Ｓは、本発明に係る「第２のソース電極」の一例であり、ソース配線７１Ｓと同一膜から形成されている。即ち、ソース配線８１Ｓは、半導体層８４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ソース配線８１Ｓは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール６２ｓを介してソース領域７４Ｓに電気的に接続されている。ソース配線８１Ｓは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ソース配線８１Ｓは、他の配線或いは回路に電気的に接続されていない浮遊状態とされている（図３参照）。
【００５７】
ドレイン配線８１Ｄは、本発明に係る「第２のドレイン電極」の一例であり、ドレイン配線７１Ｄと同一膜から形成されている。即ち、ドレイン配線８１Ｄは、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ドレイン配線８１Ｄは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール６２ｄを介してドレイン領域８４Ｄに電気的に接続されている。ドレイン配線８１Ｄは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成された部分と、この部分からデータ線６ａに繋がるようにデータ線６ａに交わる方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延びる部分とを有している。ドレイン配線８１Ｄは、当該ドレイン配線８１より層間絶縁膜４２を介して下層側に形成されたデータ線６ａと、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール６４を介して電気的に接続されている。
【００５８】
ゲート配線８１Ｇは、本発明に係る「第２のゲート電極」の一例であり、ゲート配線７１Ｇと同一膜から形成されている。即ち、ゲート配線８１Ｇは、半導体層８４よりゲート絶縁膜８５を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。ゲート配線８１Ｇは、半導体層８４のチャネル領域８４Ｃとゲート絶縁膜８５を介して重なると共に、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ゲート配線８１Ｇは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、インバータ１１０の出力線と電気的に接続されている（図３参照）。
【００５９】
図５において、遮光膜５１０が、サンプリング用ＴＦＴ７１毎及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１毎に設けられている。遮光膜５１０は、サンプリング用ＴＦＴ７１及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１よりも下地絶縁膜１２を介して下層側に配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、サンプリング用ＴＦＴ７１及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１の各々に重なるように形成されている。遮光膜５１０によって、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域からの光漏れやサンプリング用ＴＦＴ７１及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１による戻り光（例えば、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光など）の再反射を、遮光膜５１０によって低減できる。
【００６０】
図３から図５において、上述のように構成された本実施形態に係る液晶装置の動作時には、サンプリング用ＴＦＴ７１のゲート配線７１Ｇにはサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が入力されるのに対して、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のゲート配線８１Ｇには反転サンプリング信号ＳｉＢ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が入力されるので、サンプリング用ＴＦＴ７１がサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）に応じてオフ状態からオン状態に切り替わる際、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１が反転サンプリング信号ＳｉＢ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）に応じてオン状態からオフ状態に切り替わり、サンプリング用ＴＦＴ７１がサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）に応じてオン状態からオフ状態に切り替わる際、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１が反転サンプリング信号ＳｉＢ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）に応じてオフ状態からオン状態に切り替わる。
【００６１】
よって、サンプリング用ＴＦＴ７１のオンオフの切り替えに伴ってドレイン配線７１Ｄに発生するノイズ（言い換えれば、ドレイン配線７１Ｄに電気的に接続されたデータ線６ａに発生するノイズ）を、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のオンオフの切り替えに伴ってダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のドレイン配線８１Ｄに発生するノイズによって打ち消す（即ちキャンセルさせる）ことができる。
【００６２】
即ち、サンプリング用ＴＦＴ７１のオンオフの切り替えに伴ってデータ線６ａに発生するノイズ（言い換えれば、データ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）に発生するノイズ）を、上述の如く構成された（即ち、サンプリング用ＴＦＴ７１と同一導電型のＴＦＴであって、浮遊状態とされたソース配線８１Ｓと、サンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄに電気的に接続されたドレイン配線８１Ｄと、サンプリング信号Ｓｉが反転された反転サンプリング信号ＳｉＢが入力されるゲート配線８１Ｇとを有する）ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１によって低減できる。従って、本実施形態に係る液晶装置によれば、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００６３】
更に、本実施形態では特に、半導体層７４及び７５は、互いに同一膜から形成され、且つ、ソース配線７１Ｓ及び８１Ｓは、互いに同一膜から形成され、且つ、ドレイン配線７１Ｄ及び８１Ｄは、互いに同一膜から形成され、且つ、ゲート配線７１Ｇ及び８１Ｇは、互いに同一膜から形成されている。よって、サンプリング用ＴＦＴ７１及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のトランジスタ特性を互いにより近づけることができる。従って、サンプリング用ＴＦＴ７１のオンオフの切り替えに伴ってサンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄに発生するノイズ（言い換えれば、データ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）に発生するノイズ）を、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のオンオフの切り替えに伴ってダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のドレイン配線８１Ｄに発生するノイズによってより確実に打ち消すことができる。
【００６４】
加えて、本実施形態では特に、ドレイン配線７１Ｄ及び８１Ｄは、互いに同一の抵抗値を有するように形成され、ゲート配線７１Ｇ及び８１Ｇは、互いに同一の抵抗値を有するように形成されている。即ち、ドレイン配線７１Ｄ及び８１Ｄは、上述したように互いに同一膜から形成されると共に、互いに同じ配線長を有するように（言い換えれば、ＴＦＴアレイ基板１０上に配置される面積が互いに等しくなるように）形成されている。更に、ゲート配線７１Ｇ及び８１Ｇも、上述したように互いに同一膜から形成されると共に、互いに同じ配線長を有するように形成されている。よって、サンプリング用ＴＦＴ７１及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のトランジスタ特性を互いにより近づけることができる。
【００６５】
更に加えて、本実施形態では特に、サンプリング用ＴＦＴ７１及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１は、複数のデータ線６ａが配列される方向（即ち、Ｘ方向）に沿って、交互に配列されている。より詳細には、サンプリング用ＴＦＴ７１及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１は、サンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄとダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のドレイン配線８１Ｄとが隣り合うように、且つ、サンプリング用ＴＦＴ７１のソース配線７１Ｓとダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のソース配線８１Ｓとが互いに隣り合うように、Ｘ方向に沿って交互に（即ち、サンプリング用ＴＦＴ７１、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１、サンプリング用ＴＦＴ７１、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１、…の順に）配列されている。よって、サンプリング用ＴＦＴ７１及びダミーサンプリング用ＴＦＴ８１を、互いにトランジスタ特性が殆ど或いは完全に同じになるように、ＴＦＴアレイ基板１０上に容易に配置可能である。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１を備えるので、サンプリング用ＴＦＴ７１のオンオフの切り替えに伴ってサンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄに発生するノイズを、ダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のオンオフの切り替えに伴ってダミーサンプリング用ＴＦＴ８１のドレイン配線８１Ｄに発生するノイズによって打ち消すことができる。従って、サンプリング回路７を構成する複数のサンプリング用ＴＦＴ７１のオンオフの切り替えに伴ってデータ線６ａに発生するノイズを低減できる。この結果、高品質な画像を表示することが可能となる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について、図６を参照して説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００６７】
図６に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００６８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００６９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７０】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７１】
尚、図６を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７２】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係るサンプリング用ＴＦＴ及びダミーサンプリング用ＴＦＴの構成を示す平面図である。
【図５】図４のV−V’線断面図である。
【図６】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７５】
６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、７１…サンプリング用ＴＦＴ、７１Ｄ…ドレイン配線、７１Ｇ…ゲート配線、７１Ｓ…ソース配線、８１…ダミーサンプリング用ＴＦＴ、７４…半導体層、８１Ｄ…ドレイン配線、８１Ｇ…ゲート配線、８１Ｓ…ソース配線、８４…半導体層、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、１１０…インバータ
【図１】
2010054557.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010054557.tif 000005
【図４】
2010054557.tif 000006
【図５】
2010054557.tif 000007
【図６】
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