(57)【要約】【課題】加工した電極層の端部におけるバリの発生を低減すると共に、電極層間のショート又は断線の問題をなくし、かつ有機ＥＬ表示装置の製造歩留りを向上させることができる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも２層以上の電極層と、該電極層間に形成され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、からなる複数の副画素と、該副画素を区画するように該副画素間に形成される画素分離膜と、を備え、該副画素を配列することにより形成される表示領域を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、該画素分離膜上であって該有機化合物層が形成されていない領域において光照射を行うことにより、該電極層のうち少なくとも一層を分割することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２層以上の電極層と、該電極層間に形成され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、からなる複数の副画素と、
該副画素を区画するように該副画素間に形成される画素分離膜と、
を備え、該副画素を配列することにより形成される表示領域を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
該画素分離膜上であって該有機化合物層が形成されていない領域において光照射を行うことにより、該電極層のうち少なくとも一層を分割することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記副画素が、少なくとも３層以上の電極層と、該電極層間に形成され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、からなることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記光照射がレーザー光照射であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記画素分離膜上であって前記有機化合物層が形成されていない領域が、前記複数の副画素に共通する有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層のうち前記画素分離膜上にある領域を部分的に光照射する工程と、前記有機化合物層のうち光照射されている領域を除去する工程と、によって形成されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記光照射がレーザー光照射であることを特徴とする、請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、カラー発光の表示装置の構成部材となる多色発光素子の開発が盛んに行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１に開示されている多色発光素子では、個別に駆動できる少なくとも２つの発光素子が積層されている。また特許文献１に開示されている多色発光素子では、個別に駆動できるように各々の発光素子を透明電極によって分割している。またこの透明電極は、隣接する画素と画素との間を境界線として分割されている。ここで、有機化合物層上に形成される電極層を隣接する画素と画素との間を境界線として分割する方法の１つとして、特許文献２に開示されているレーザーアブレーションを用いた加工法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】米国特許５７０７７４５号明細書
【特許文献２】特開平５−３０７７号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に開示されている加工法を採用して、レーザーアブレーションにより電極材料の加工を行うと、加工を行った電極の端部で大きなバリが発生する場合がある。このバリは、有機ＥＬ表示装置の構成材料である有機材料と電極材料との密着力が弱く、レーザーアブレーションによって有機化合物層と電極層との間で剥離が発生することに起因して発生する。また、電極を透過したレーザーによって有機化合物層もレーザーアブレーションされる。これにより有機化合物層が電極層の端部を押し上げられ、バリが発生する原因となる。
【０００６】
ここでバリを有する電極を、発光素子が積層された多色発光素子の電極層として使用すると、バリ部分において、バリの発生した電極と、上層の電極との間でショートしたり、加工された電極の上部に位置する電極が断線したりするといった問題が発生する。このため有機ＥＬ表示装置の製造歩留りが低下する。また、バリの一部が剥がれ落ちたことにより、当該バリによって隣接する電極間がショートするといった問題が発生する。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、加工した電極端部におけるバリの発生を低減すると共に、電極間のショート又は断線の問題をなくし、かつ有機ＥＬ表示装置の製造歩留りを向上させることができる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、少なくとも２層以上の電極層と、該電極層間に形成され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、からなる複数の副画素と、
該副画素を区画するように該副画素間に形成される画素分離膜と、
を備え、該副画素を配列することにより形成される表示領域を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
該画素分離膜上であって該有機化合物層が形成されていない領域において光照射を行うことにより、該電極層のうち少なくとも一層を分割することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、光照射を行って画素分離膜上にある電極層を下降することにより、電極層の端部のバリの発生を抑制することができる。従って、電極層間のショート、或いは断線の問題をなくすことができ、有機ＥＬ表示装置の製造歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置は、複数の副画素と、この副画素を区画するように副画素間に形成される画素分離膜と、を備える。ここで副画素は、この少なくとも２層以上の電極層と、この電極層間に形成され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、からなる。またこの副画素は、例えば、マトリックス状に配列することにより表示領域が形成される。そして、この画素分離膜上であって当該有機化合物層が形成されていない領域において、光照射を行うことにより、電極層のうち少なくとも一層を分割するものである。
【００１１】
以下に、本発明の実施例を、図面を用いて説明する。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の製造方法における第１の実施形態によって製造される有機ＥＬ表示装置を示す概略図である。図１において、（ａ）は、１画素分の有機ＥＬ表示装置を示す断面外略図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。
【００１３】
図１（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。また図１（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置は、第１副画素Ｐ１と、第２副画素Ｐ２と、第３副画素Ｐ３とが並列に配置されており、この３個の副画素Ｐ１，Ｐ２及びＰ３により１つの画素が構成されている。
【００１４】
ところで図１（ａ）に示される副画素Ｐ１，Ｐ２及びＰ３には、電極層と電極層との間に各々が異なる色に発光する有機化合物層がそれぞれ形成されている。
【００１５】
即ち、第１副画素Ｐ１では、基板１０上に、第１電極層１１ａ、第１有機化合物層１３ａ、第２電極層１４ａ、第２有機化合物層１５ａ、第３電極層１６ａ、第３有機化合物層１７及び第４電極層１８がこの順に積層されている。
【００１６】
尚、第１副画素Ｐ１において、第２有機化合物層１５ａには、コンタクトホール２０ａが設けられており、第２電極層１４ａと第３電極層１６ａとが直接電気接続できるようになっている。また第３有機化合物層１７には、コンタクトホール２１ａが設けられており、第３電極層１６ａと第４電極層１８とが直接電気接続できるようになっている。これにより第１副画素Ｐ１は、図１（ｂ）に示される等価回路Ａを形成し、所望の電圧を印加したときに第１有機化合物層１３ａが発光するようになっている。
【００１７】
第２副画素Ｐ２では、基板１０上に、第１電極層１１ｂ、第１有機化合物層１３ｂ、第２電極層１４ｂ、第２有機化合物層１５ｂ、第３電極層１６ｂ、第３有機化合物層１７及び第４電極層１８がこの順に積層されている。
【００１８】
尚、第２副画素Ｐ２において、第１有機化合物層１３ｂには、コンタクトホール１９ｂが設けられており、第１電極層１１ｂと第２電極層１４ｂとが直接電気接続できるようになっている。また第３有機化合物層１７には、コンタクトホール２１ｂが設けられており、第３電極層１６ｂと第４電極層１８とが直接電気接続できるようになっている。これにより第２副画素Ｐ２は、図１（ｂ）に示される等価回路Ｂを形成し、所望の電圧を印加したときに第２有機化合物層１５ｂが発光するようになっている。
【００１９】
第３副画素Ｐ３では、基板１０上に、第１電極層１１ｃ、第１有機化合物層１３ｃ、第２電極層１４ｃ、第２有機化合物層１５ｃ、第３電極層１６ｃ、第３有機化合物層１７及び第４電極層１８がこの順に積層されている。
【００２０】
尚、第３副画素Ｐ３において、第１有機化合物層１３ｃには、コンタクトホール１９ｃが設けられており、第１電極層１１ｃと第２電極層１４ｃとが直接電気接続できるようになっている。また第２有機化合物層１５ｂには、コンタクトホール２１ｂが設けられており、第２電極層１４ｃと第３電極層１６ｃとが直接電気接続できるようになっている。これにより第３副画素Ｐ３は、図１（ｂ）に示される等価回路Ｃを形成し、所望の電圧を印加したときに第３有機化合物層１７ｃが発光するようになっている。
【００２１】
ところで、１つの副画素が少なくとも３層以上の電極層を有するのが好ましい。例えば、図１に示されている装置のように、１つの副画素が４層の電極層と、各電極層間に形成される３層の有機化合物層と、からなる場合、高価なメタルマスクを用いて有機化合物層を色毎に塗り分ける必要がなく、製造コストを低減できるので好ましい。
【００２２】
一方で、図１（ａ）で示される有機化合物層（１３ａ乃至１３ｃ、１５ａ乃至１５ｃ及び１７）は、少なくとも発光層を含む単層薄膜又は２層以上からなる積層体である。ここで、有機化合物層が２層以上からなる積層体である場合、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等のいずれかが含まれる。
【００２３】
一方、絶縁性基板（基板１０）上には、必要に応じてＴＦＴ等のスイッチング素子（図示せず）が形成され、第１電極層１１ａ乃至１１ｃに電気的に接続される。
【００２４】
次に、図面を参照しながら本発明の製造方法を説明する。図２は本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１の実施形態を示す断面模式図である。
【００２５】
本実施形態において、ます基板１０上に第１電極層１１ａ乃至１１ｃと、画素分離膜１２と、を所望の形状でパターン形成する。画素分離膜１２を形成した後、複数の副画素に共通する第１有機化合物層１３を、第１電極層１１ａ乃至１１ｃ及び画素分離膜１２を覆うように形成する（図２（ａ））。
【００２６】
本実施形態において使用される基板１０は、絶縁性の基板が好ましく、例えば、ガラス基板が挙げられる。
【００２７】
第１電極層１１ａ乃至１１ｃの構成材料として、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ等の金属単体、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性化合物が挙げられる。尚、第１電極層１１ａ乃至１１ｃは、上記の金属単体から構成される薄膜と、上記透明導電性化合物から構成される薄膜と、を積層した積層体であってもよい。
【００２８】
画素分離膜１２の構成材料として、アクリル、ポリイミド等の高分子化合物、酸化珪素、窒化珪素等の無機化合物を用いることができる。
【００２９】
第１有機化合物層１３は、例えば、電子輸送層、発光層、正孔輸送層の３層で構成されるが本発明においてはこれに限定されるものではない。
【００３０】
電子輸送層を構成する電子注入輸送材料として、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用することができる。
【００３１】
発光層を構成する発光材料は、取り出す光の色又は光の波長に応じて適宜選択することができる。例えば、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物、及びこれらの単独オリゴ体、或いは複合オリゴ体等を使用することができる。
【００３２】
正孔輸送層を構成する正孔注入輸送材料として、フタロシアミン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等を使用することができる。
【００３３】
第１電極層１１ａ乃至１１ｃの形成方法として、スパッタ法、或いは真空蒸着法で成膜した金属膜、或いは透明導電性化合物膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する方法が挙げられる。
【００３４】
画素分離膜１２の形成方法として、塗布法を用いて形成した高分子化合物膜、或いはＣＶＤ法で形成した無機化合物膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する方法が挙げられる。
【００３５】
第１有機化合物層１３の形成方法として、真空蒸着法、塗布法等を用いることができる。
【００３６】
第１有機化合物層１３を形成した後、この第１有機化合物層１３において、所定の位置に光照射を行う。そして第１有機化合物層１３のうち光照射を行った領域を部分的に除去する（図２（ｂ））。具体的には、第１有機化合物層１３のうち画素分離膜１２上にある領域を部分的に光照射し、光照射されている領域（画素分離膜１２上にある領域）を除去する。
【００３７】
この工程により第１有機化合物層１３は、いくつかの領域（１３ａ乃至１３ｃ）に分断されると共にコンタクトホール（１９ｂ及び１９ｃ）が形成される。これと同時に画素分離膜１２上には第１有機化合物層１３が形成されていない領域が形成されるようになる。その一方で、分割された第１有機化合物層１３ａ乃至１３ｃの端部は、いずれも画素分離膜１２上に存在することになる。
【００３８】
またこの工程において、コンタクトホール（１９ｂ及び１９ｃ）を形成したり、第１有機化合物層１３を図２（ｂ）に示されるように分割したりする方法として、好ましくは、所定の位置に光照射を行う方法が挙げられる。光照射として、好ましくは、レーザー光照射（レーザーアブレーション法）である。ここでレーザーアブレーション法に用いるレーザーとして、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。また、第１有機化合物層１３をレーザー光照射により所望のパターン（１３ａ乃至１３ｃ）に加工する方法として、数μｍに集光したレーザーを走査する方法、遮光膜をパターン配置したマスクを用いて所望の領域にのみレーザーを照射する方法等が挙げられる。
【００３９】
ただし、第１有機化合物層１３を所望のパターンに分割する方法は、光照射に限定されるものではない。メタルマスクを用いて真空蒸着を行うことで第１有機化合物層１３をパターン形成する方法を用いてもよいし、インクジェット等の塗布法で所望のパターンで塗布する方法を用いてもよい。
【００４０】
次に、第１有機化合物層１３ａ乃至１３ｃ及び画素分離膜１２上に、これらの部材を覆うように第２電極層１４を形成する（図２（ｃ））。第２電極層１４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等からなる透明電極であるのが望ましいが、膜厚が１０ｎｍ乃至３０ｎｍである半透過性のＡｌ薄膜、Ａｇ薄膜等であってもよい。
【００４１】
第２電極層１４の形成方法として、スパッタ法、真空蒸着法等を用いることができる。
【００４２】
第２電極層１４を形成した後、図２（ｄ）に示すように、第２電極層を所望のパターン（１４ａ乃至１４ｃ）に分割する。ここで、分割された第２電極層１４ａ乃至１４ｃは、それぞれ第１有機化合物層１３ａ乃至１３ｃを覆っており、各電極層１４ａ乃至１４ｃの端部は画素分離膜１２上に形成される。
【００４３】
ここで第２電極層１４を分割する方法は、具体的には、第２電極層１４のうち画素分離膜１２上であって第１有機化合物層が形成されていない領域において光照射を行う方法である。光照射として、好ましくは、レーザー光照射（レーザーアブレーション法）である。レーザーアブレーション法に用いるレーザーとして、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。
【００４４】
またレーザーアブレーション法を用いた、第２電極層１４のパターンの具体的な形成方法としては、例えば、数μｍに集光したレーザーを走査する方法、遮光マスクを用いて所望の領域にのみレーザーを照射する方法等を用いることができる。
【００４５】
ここで、第２電極層１４にレーザーを照射する場合は、第２電極層１４と画素分離膜１２とが接している領域（画素分離膜１２上であって第１有機化合物層が形成されていない領域）で行う。画素分離膜１２の構成材料であるアクリル、ポリイミド等の高分子化合物や酸化珪素、窒化珪素等の無機膜は、有機化合物層の構成材料である有機化合物と比較して高い熱耐性を有し、また第２電極層の構成材料との密着力も高いからである。従って、レーザーアブレーション法により第２電極層１４を分割する際に熱が発生した場合でも、画素分離膜１２の変形は小さく、また、第２電極層１４の構成材料の剥離も発生しにくい。このため、画素分離膜１２上で第２電極層１４の分割を行うと、第２電極層１４ａ乃至１４ｃのいずれにおいても電極層の端部におけるバリの発生を抑制することが可能となる。
【００４６】
第２電極層１４の形成及びパターン形成を終えた後、第２有機化合物層１５を、画素分離膜１２及び第２電極層１４ａ乃至１４ｃを覆うように形成する。そして、第１有機化合物層１３ａ乃至１３ｃと同様の方法により、コンタクトホール２０ａ及び２０ｃ並びに第２有機化合物層のパターンを形成する。これにより、所望のパターン（１５ａ乃至１５ｃ）に分割されている第２有機化合物層を形成する（図２（ｅ））。
【００４７】
ここで、第２有機化合物層１５ａ乃至１５ｃは、それぞれ第２電極層１４ａ乃至１４ｃを覆う領域に形成されている。また、第２有機化合物層１５ａ乃至１５ｃの端部は、いずれも画素分離膜１２上に形成される。
【００４８】
尚、第２有機化合物層１５の形成、コンタクトホール２０ａ及び２０ｃの形成、並びに第２有機化合物層１５の分割・パターン化を行う方法は、第１有機化合物層において用いた方法と同じ方法を用いることができる。
【００４９】
次に、画素分離膜１２と第２有機化合物層１５ａ乃至１５ｃとを覆うように、第３電極層１６を形成する（図２（ｆ））。第３電極層１６の形成方法として、スパッタ法、真空蒸着法等を用いることができる。
【００５０】
次に、第３電極層１６を、所望のパターン（１６ａ乃至１６ｃ）に分割する（図２（ｇ））。これにより、第３電極層１６ａ乃至１６ｃは、それぞれ第２有機化合物層１５ａ乃至１５ｃを覆う領域に形成されている。また、第３電極層１６ａ乃至１６ｃの端部は、いずれも画素分離膜１２上に形成されている。
【００５１】
尚、第３電極層１６を所望のパターンで分割する方法は、第２電極層において用いた方法と同じ方法を用いることができる。こうすることで、第２電極層１４を分割した場合と同様に、第３電極層１６ａ乃至１６ｃの各電極層の端部においてバリの発生を抑えることが可能となる。
【００５２】
次に、画素分離膜１２と第３電極層１６ａ乃至１６ｃとを覆うように、第３有機化合物層１７を形成し、コンタクトホール２１ａ及び２１ｂを形成する（図２（ｈ））。第３有機化合物層１７の形成、並びにコンタクトホール２１ａ及び２１ｂの形成を行う方法は、第１有機化合物層及び第２有機化合物層において用いた方法と同じ方法を用いることができる。
【００５３】
次に、第３有機化合物層１７上に第４電極層１８を形成する（図２（ｉ））。第４電極層１８の形成方法として、スパッタ法、真空蒸着法等を用いることができる。
【００５４】
以上の工程により製造した有機ＥＬ表示装置は、第２電極層及び第３電極層の加工端部においてバリの発生を抑制することができる。従って、有機ＥＬ表示装置の製造歩留まりを向上させることができる。また、本実施形態の製造方法では、各電極層と各有機化合物層の加工端部が一致していない。これにより、有機化合物層のパターニング不良等による電極層間のショートも低減することができる。従って、有機ＥＬ表示装置の製造歩留りを向上させることができる。
【００５５】
（第２の実施形態）
以下、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の第２の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図３は、本発明の製造方法における第２の実施形態によって製造される有機ＥＬ表示装置を示す断面概略図である。また、図４は本発明の第２実施例の有機ＥＬ表示装置の製造方法を表す図である。
【００５６】
図３に示される有機ＥＬ表示装置３は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。また図３に示される有機ＥＬ表示装置３は、第１副画素Ｑ１と、第２副画素Ｑ２と、第３副画素Ｑ３とが並列に配置されており、この３個の副画素Ｑ１，Ｑ２及びＱ３により１つの画素が構成されている。
【００５７】
ところで図３に示される副画素Ｑ１，Ｑ２及びＱ３には、電極層と電極層との間に各々が異なる色に発光する有機化合物層がそれぞれ形成されている。
【００５８】
即ち、第１副画素Ｑ１では、基板３０上に、第１電極層３１、第１有機化合物層３３ａ及び第２電極層３４ａがこの順に積層されている。
【００５９】
第２副画素Ｑ２では、基板３０上に、第１電極層３１、第１有機化合物層３３ｂ及び第２電極層３４ｂがこの順に積層されている。
【００６０】
第３副画素Ｑ３では、基板３０上に、第１電極層３１、第１有機化合物層３３ｃ及び第２電極層３４ｃがこの順に積層されている。
【００６１】
図３で示される有機化合物層（３３ａ乃至３３ｃ）は、少なくとも発光層を含む単層薄膜又は２層以上からなる積層体である。ここで、有機化合物層が２層以上からなる積層体である場合、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等のいずれかが含まれる。
【００６２】
一方、絶縁性基板（基板３０）上には、必要に応じてＴＦＴ等のスイッチング素子（図示せず）が形成され、第１電極層３１に電気的に接続される。
【００６３】
次に、図面を参照しながら本発明の製造方法を説明する。図４は本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２の実施形態を示す断面模式図である。
【００６４】
本実施形態において、ます基板３０上に第１電極層３１を形成した後、第１電極層３１上に画素分離膜３２を所望の形状でパターン形成する。画素分離膜１２を形成した後、各副画素において、それぞれ異なる層構成である第１有機化合物層３３ａ乃至３３ｃを各副画素Ｑ１乃至Ｑ３に対応する位置にパターン形成する（図４（ａ））。
【００６５】
本実施形態において使用される基板３０は、第１の実施形態で述べた基板１０と同じ材料を使用することができる。
【００６６】
第１電極層３１の構成材料として、第１の実施形態で述べた第１電極層１１ａ乃至１１ｃと同じ材料を使用することができる。
【００６７】
画素分離膜３２の構成材料として、第１の実施形態で述べた画素分離膜１２と同じ材料を使用することができる。
【００６８】
第１電極層３１及び画素分離膜３２の形成方法は、第１の実施形態で示される第１電極層１１ａ乃至１１ｃ及び画素分離膜１２と同様である。
【００６９】
第１有機化合物層３３ａ乃至３３ｃは、例えば、電子輸送層、発光層、正孔輸送層の３層で構成されるが本発明においてはこれに限定されるものではない。また電子輸送層、発光層及び正孔輸送層の構成材料は、第１の実施形態で述べた第１有機化合物層１３ａ乃至１３ｃと同じ材料を使用することができる。
【００７０】
第１有機化合物層３３ａ乃至３３ｃの形成方法は、メタルマスクを用いた真空蒸着法、インクジェット等を用いた塗布法等を用いることができる。
【００７１】
次に、第１有機化合物層３３ａ乃至３３ｃ及び画素分離膜３２上に、これらの部材を覆うように第２電極層３４を形成する（図４（ｂ））。尚、第２電極層３４の構成材料及び形成方法は、第１の実施形態で述べた第２電極層１４ａ乃至１４ｃと同様である。
【００７２】
第２電極層３４を形成した後、図４（ｃ）に示すように、第２電極層を所望のパターン（３４ａ乃至３４ｃ）に分割する。ここで、分割された第２電極層３４ａ乃至３４ｃは、それぞれ第１有機化合物層３３ａ乃至３３ｃを覆っており、各電極層３４ａ乃至３４ｃの端部はそれぞれ画素分離膜３２上に形成される。
【００７３】
ここで第２電極層３４を分割する方法は、具体的には、第２電極層３４のうち画素分離膜３２上であって第１有機化合物層が形成されていない領域において光照射を行う方法である。光照射として、好ましくは、レーザー光照射（レーザーアブレーション法）である。レーザーアブレーション法に用いるレーザーとして、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。
【００７４】
またレーザーアブレーション法を用いた、第２電極層３４のパターンの具体的な形成方法としては、例えば、数μｍに集光したレーザーを走査する方法、遮光マスクを用いて所望の領域にのみレーザーを照射する方法等を用いることができる。
【００７５】
ここで、第２電極層３４にレーザーを照射する場合は、第２電極層３４と画素分離膜３２とが接している領域（画素分離膜３２上であって第１有機化合物層が形成されていない領域）で行う。画素分離膜３２の構成材料であるアクリル、ポリイミド等の高分子化合物や酸化珪素、窒化珪素等の無機膜は、有機化合物層の構成材料である有機化合物と比較して高い熱耐性を有し、また第２電極層の構成材料との密着力も高いからである。従って、レーザーアブレーション法により第２電極層３４を分割する際に熱が発生した場合でも、画素分離膜３２の変形は小さく、また、第２電極層３４の構成材料の剥離も発生しにくい。このため、画素分離膜３２上で第２電極層３４の分割を行うと、第２電極層３４ａ乃至３４ｃのいずれにおいても電極層の端部におけるバリの発生を抑制することが可能となる。
【００７６】
以上の方法で製造した有機ＥＬ表示装置は、第２電極層の加工したときに電極層の端部においてバリの発生を抑制することができる。このためバリの一部が剥がれ落ちることによる電極層間のショートを抑制することができる。従って、有機ＥＬ表示装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の製造方法における第１の実施形態により製造される有機ＥＬ表示装置を示す図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置の断面概略図であり、（ｂ）は等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の製造方法における第１の実施形態を示す断面概略図である。
【図３】本発明の製造方法における第２の実施形態により製造される有機ＥＬ表示装置の断面概略図である。
【図４】本発明の製造方法における第２の実施形態を示す断面概略図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  基板
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ  第１電極層
１２  画素分離膜
１３  第１有機化合物層
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ  第１有機化合物層
１４  第２電極層
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ  第２電極層
１５  第２有機化合物層
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ  第２有機化合物層
１６  第３電極層
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ  第３電極層
１７  第３有機化合物層
１８  第４電極層
１９ｂ、１９ｃ、２０ａ、２０ｃ、２１ａ、２１ｂ  コンタクトホール
３  有機ＥＬ表示装置
３０  基板
３１  第１電極層
３２  画素分離膜
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ  第１有機化合物層
３４  第２電極層
３４ａ、３４ｂ、３４ｃ  第２電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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