(57)【要約】【課題】太陽電池特性を向上させることができる太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る太陽電池１０は、裏面上に形成されたｉｎ接合２０とｉｐ接合３０とを備える。ｉｐ接合３０のｉ型アモルファスシリコン層３０ｉは、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎの第２方向における一端部を覆う。【選択図】図２
2010080887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面と、前記受光面の反対側に設けられる裏面とを有する半導体基板と、
前記裏面上に順次形成される真性な第１のｉ型半導体層と一導電型を有する一導電型半導体層とによって構成される第１の半導体接合と、
前記裏面上に順次形成される実質的に真性な第２のｉ型半導体層と他導電型を有する他導電型半導体層とによって構成される第２の半導体接合と
を備え、
前記第１の半導体接合及び前記第２の半導体接合それぞれは、第１方向に沿って形成されており、
前記第２のｉ型半導体層は、前記一導電型半導体層のうち前記第１方向と略直交する第２方向における一端部を覆う
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記第１の半導体接合の前記第２方向における一端部は、前記半導体基板に向かって傾斜する斜面を有しており、
前記第２のｉ型半導体層は、前記斜面を覆う
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第１のｉ型半導体層は、前記一導電型半導体層のうち前記第２方向における一端部を覆う
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池。
【請求項４】
受光面と、前記受光面の反対側に設けられる裏面とを有する半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、
前記裏面上に真性な第１のｉ型半導体層と一導電型を有する一導電型半導体層とを順次形成する工程と、
前記一導電型半導体層上に被覆層を形成する工程と、
前記被覆層の一部を第１方向に沿って除去することによって、第１溝を形成する工程と、
前記第１溝内に露出する前記一導電型半導体層を除去することによって、前記第１溝から前記半導体基板側に延びる第２溝を形成する工程と、
前記第２溝の底面上及び側面上に、実質的に真性な他のｉ型半導体層と他導電型を有する他導電型半導体層とを順次形成する工程と、
前記被覆層を除去する工程と
を備え、
前記第２のｉ型半導体層を形成する工程において、
前記第２のｉ型半導体層によって、前記一導電型半導体層のうち前記第１方向と略直交する第２方向における一端部を覆う
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記第２溝を形成する工程において、
前記一導電型半導体層のうち前記被覆層の前記第２方向における一端部と前記半導体基板との間に設けられた部分を除去する
ことを特徴とする請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面接合型の太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、クリーンで無尽蔵に供給される太陽光を直接電気に変換できるため、新しいエネルギー源として期待されている。
【０００３】
従来、半導体基板の裏面上に形成された複数のｎ型半導体層及び複数のｐ型半導体層を備える、いわゆる裏面接合型の太陽電池が提案されている（例えば、特許文献１参照）。各ｎ型半導体層及び各ｐ型半導体層は、所定の方向に沿って交互に形成される。
【特許文献１】特開２００６−５２３０２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、半導体基板内部における光生成キャリアの再結合を抑制するには、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間隔を狭くすることが好ましい。これにより、太陽電池特性を向上させることができる。
【０００５】
しかしながら、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間隔を狭くすると、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが接触してしまう場合がある。この場合、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との接触部分には、低品質なダイオードが形成されるため、太陽電池特性が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、太陽電池特性を向上させることができる太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の特徴に係る太陽電池は、受光面と、受光面の反対側に設けられる裏面とを有する半導体基板と、裏面上に順次形成される実質的に真性な第１のｉ型半導体層と一導電型を有する一導電型半導体層とによって構成される第１の半導体接合と、裏面上に順次形成される実質的に真性な第２のｉ型半導体層と他導電型を有する他導電型半導体層とによって構成される第２の半導体接合とを備え、第１の半導体接合及び第２の半導体接合それぞれは、第１方向に沿って形成されており、第２のｉ型半導体層は、一導電型半導体層のうち第１方向と略直交する第２方向における一端部を覆うことを要旨とする。
【０００８】
本発明の特徴に係る太陽電池によれば、第２の半導体接合の他導電型半導体層は、第２のｉ型半導体層によって、第１の半導体接合の一導電型半導体層と電気的に分離される。従って、一導電型半導体層と他導電型半導体層との間で低品質なダイオードが形成されることを抑制することができる。また、第１の半導体接合と第２の半導体接合との間に間隙を設ける必要がないため、第１の半導体接合と第２の半導体接合との間隔を狭くすることができる。従って、半導体基板内部における光生成キャリアの再結合を抑制することができる。その結果、太陽電池特性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の特徴に係る太陽電池において、第１の半導体接合の第２方向における一端部は、半導体基板に向かって傾斜する斜面を有しており、第２のｉ型半導体層は、斜面を覆っていてもよい。
【００１０】
本発明の特徴に係る太陽電池において、第１のｉ型半導体層は、一導電型半導体層のうち第２方向における一端部を覆っていてもよい。
【００１１】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法は、受光面と、受光面の反対側に設けられる裏面とを有する半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、裏面上に実質的に真性な第１のｉ型半導体層と一導電型を有する一導電型半導体層とを順次形成する工程と、一導電型半導体層上に被覆層を形成する工程と、被覆層の一部を第１方向に沿って除去することによって、第１溝を形成する工程と、第１溝内に露出する一導電型半導体層を除去することによって、第１溝から半導体基板側に延びる第２溝を形成する工程と、第２溝の底面上及び側面上に、実質的に真性な他のｉ型半導体層と他導電型を有する他導電型半導体層とを順次形成する工程と、被覆層を除去する工程とを備え、第２のｉ型半導体層を形成する工程において、第２のｉ型半導体層によって、他導電型半導体層のうち第１方向と略直交する第２方向における一端部を覆うことを要旨とする。
【００１２】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法では、第２溝を形成する工程において、一導電型半導体層のうち被覆層の第２方向における一端部と半導体基板との間に設けられた部分を除去してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、太陽電池特性を向上させることができる太陽電池及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１５】
（太陽電池の構成）
本発明の実施形態に係る太陽電池の構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る太陽電池１０の裏面側の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における拡大断面図である。
【００１６】
図１及び図２に示すように、太陽電池１０は、半導体基板１１、ｉｎ接合２０、ｉｐ接合３０、ｎ側電極４０ｎ及びｐ側電極４０ｐを備える。
【００１７】
半導体基板１１は、太陽光を受ける受光面と、受光面の反対側に設けられた裏面とを有する。半導体基板１１は、受光面における受光によって光生成キャリアを生成する。光生成キャリアとは、光が半導体基板１１に吸収されて生成される正孔と電子とをいう。
【００１８】
半導体基板１１は、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ、多結晶Ｓｉなどの結晶系半導体材料や、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどの化合物半導体材料を含む一般的な半導体材料によって構成することができる。本実施形態では、半導体基板１１がｎ型単結晶シリコン基板であるものとする。なお、半導体基板１１の受光面には、微小な凹凸が形成されていてもよい。
【００１９】
ｉｎ接合２０は、半導体基板１１の裏面上において、第１方向に沿ってライン状に形成される。本実施形態に係るｉｎ接合２０は、実質的に真性なｉ型アモルファスシリコン層２０ｉと、ｎ型の導電型を有するｎ型アモルファスシリコン層２０ｎとによって構成される。ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉとｎ型アモルファスシリコン層２０ｎとは、半導体基板１１の裏面上に順次形成される。このような構成（いわゆるＢＳＦ構造）によれば、半導体基板１１の裏面における光生成キャリアの再結合を抑制することができる。
【００２０】
ここで、第１方向に略直交する第２方向において、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎの幅は、ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉの幅よりも小さい。また、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎの第２方向における両側面は、ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉの第２方向における両側面と面一に形成される。これによって、ｉｎ接合２０の第２方向の両端部には、斜面２０ｆが形成される。
【００２１】
ｉｐ接合３０は、半導体基板１１の裏面上において、第１方向に沿ってライン状に形成される。本実施形態に係るｉｐ接合３０は、真性なｉ型アモルファスシリコン層３０ｉと、ｐ型の導電型を有するｐ型アモルファスシリコン層３０ｐとによって構成される。ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉとｐ型アモルファスシリコン層３０ｐとは、半導体基板１１の裏面上に順次形成される。このような構成（いわゆるＨＩＴ構造）によれば、ｐｎ接合特性を向上することができる。なお、第２方向において、ｐ型アモルファスシリコン層３０ｐの幅は、ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉの幅よりも小さい。
【００２２】
このようなｉｎ接合２０とｉｐ接合３０とは、図１及び図２に示すように、第２方向において互いに隣接するように形成される。
【００２３】
ｎ側電極４０ｎは、ｉｎ接合２０上において、第１方向に沿ってライン状に形成される。ｎ側電極４０ｎは、ｉｎ接合２０から電子を収集する収集電極である。ｎ側電極４０ｎは、ｉｎ接合２０上に順次形成された透明電極層と導電層とによって構成される（不図示）。透明電極層としては、透光性を有する導電性材料、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、酸化錫、酸化亜鉛などを用いることができる。導電層としては、Ａｇ，Ａｌなどの金属や、樹脂材料をバインダーとして銀粒子等の導電性粒子をフィラーとする樹脂型導電性ペーストなどを用いることができる。
【００２４】
ｐ側電極４０ｐは、ｉｐ接合３０上において、第１方向に沿ってライン状に形成される。ｐ側電極４０ｐは、ｉｐ接合３０から正孔を収集する収集電極である。ｐ側電極４０ｐは、ｎ側電極４０ｎと同様に、ｉｐ接合３０上に順次形成された透明電極層と導電層とによって構成される（不図示）。
【００２５】
ここで、本実施形態では、第２方向において、ｉｐ接合３０の一端部は、ｉｎ接合２０の一端部を覆っている。具体的には、ｉｐ接合３０のｉ型アモルファスシリコン層３０ｉは、ｉｎ接合２０の斜面２０ｆを覆う。ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎとｐ型アモルファスシリコン層３０ｐとは、ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉによって電気的に分離される。
【００２６】
（太陽電池の製造方法）
次に、太陽電池１０の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２７】
まず、図３に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板（半導体基板１１）の裏面上に、ＣＶＤ法を用いて、ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉとｎ型アモルファスシリコン層２０ｎとを順次形成する。これによって、ｉｎ接合２０が形成される。ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉの層厚は、実質的に発電に寄与しない程度の厚み、例えば数Å〜２５０Å程度である。ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎの層厚は、例えば１０ｎｍ程度である。
【００２８】
次に、図４に示すように、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎ上に、ＣＶＤ法を用いて、被覆層５０を形成する。被覆層５０は、後工程においてエッチング法によって選択的に除去可能な材料を用いて形成される。被覆層５０としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンなどを用いることができる。被覆層５０の厚みは、例えば１００ｎｍ程度である。
【００２９】
次に、図５に示すように、フォトリソグラフィー法によって、被覆層５０の一部を所定間隔で第１方向に沿って除去する。これによって、第１方向に沿ってそれぞれ延びる複数本の第１溝５０ｇが形成される。
【００３０】
次に、図６に示すように、被覆層５０をマスクとし、エッチング法によって、ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉとｎ型アモルファスシリコン層２０ｎとの一部を所定間隔で第１方向に沿って除去する。これによって、第１方向に沿ってそれぞれ延びる複数本の第２溝２０ｇが形成される。第２溝２０ｇは、第１溝５０ｇから半導体基板１１側に延びる。本実施形態では、第２溝２０ｇは、半導体基板１１まで達するように形成される。
【００３１】
ここで、第２溝２０ｇを形成する工程では、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎのうち、被覆層５０の第２方向における一端部と半導体基板１１との間に設けられた部分をも除去する。すなわち、被覆層５０の下に設けられたｎ型アモルファスシリコン層２０ｎを抉るように除去する。この場合、被覆層５０の下に設けられたｉ型アモルファスシリコン層２０ｉを同様に抉るように除去してもよい。被覆層５０の下でエッチングを等方的に進めることによって、ｉｎ接合２０に斜面２０ｆが形成される。
【００３２】
次に、図７に示すように、第２溝２０ｇの底面上及び側面上に、ＣＶＤ法を用いて、ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉとｐ型アモルファスシリコン層３０ｐとを順次形成する。これによって、ｉｐ接合３０が形成される。ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉの層厚は、実質的に発電に寄与しない程度の厚み、例えば数Å〜２５０Å程度である。ｐ型アモルファスシリコン層３０ｐの層厚は、例えば１０ｎｍ程度である。被覆層５０の下部にも回り込むようにｉ型アモルファスシリコン層３０ｉ及びｐ型アモルファスシリコン層３０ｐを形成することによって、ｉｎ接合２０の斜面２０ｆは、ｉｐ接合３０のｉ型アモルファスシリコン層３０ｉによって覆われる。ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎとｐ型アモルファスシリコン層３０ｐとは、ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉによって電気的に分離される。
【００３３】
次に、図８に示すように、エッチング法によって、被覆層５０を全て除去する。これによって、ｉｐ接合３０とｎ型アモルファスシリコン層２０ｎとが露出される。なお、このときｐ型アモルファスシリコン層３０ｐの端部は、ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉによって覆われており、ｐ型アモルファスシリコン層３０ｐの中央部は露出される。また、本工程において、被覆層５０の表面に形成されたｉ型アモルファスシリコン層３０ｉとｐ型アモルファスシリコン層３０ｐとは、被覆層５０とともに除去される。
【００３４】
次に、スパッタリング法を用いて、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎ上及びｐ型アモルファスシリコン層３０ｐ上に、第１方向に沿って、ＩＴＯ層（透明電極層）を形成する。続いて、印刷法や塗布法などを用いて、透明電極層上に銀ペースト（導電層）を配ける。
【００３５】
（作用及び効果）
本実施形態に係る太陽電池１０は、裏面上に形成されたｉｎ接合２０とｉｐ接合３０とを備える。ｉｐ接合３０のｉ型アモルファスシリコン層３０ｉは、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎの第２方向における一端部を覆う。
【００３６】
これによって、ｉｐ接合３０のｐ型アモルファスシリコン層３０ｐは、ｉｎ接合２０のｎ型アモルファスシリコン層２０ｎと電気的に分離される。従って、ｐ型アモルファスシリコン層３０ｐとｎ型アモルファスシリコン層２０ｎとの間で低品質なダイオードが形成されることを抑制することができる。また、ｉｎ接合２０とｉｐ接合３０との間に間隙を設ける必要がないため、ｉｎ接合２０とｉｐ接合３０との間隔を狭くすることができる。従って、半導体基板１１内部における光生成キャリアの再結合を抑制することができる。その結果、太陽電池特性を向上させることができる。
【００３７】
また、本実施形態に係る太陽電池１０の製造方法では、被覆層５０の一部を除去することによって形成される第２溝を利用して、ｉｐ接合３０を形成することができる。従って、隣接するとともに電気的に分離されたｉｎ接合２０とｉｐ接合３０とを簡便に形成することができる。
【００３８】
また、ｐ型アモルファスシリコン層３０ｐの端部は、ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉによって覆われており、ｐ型アモルファスシリコン層３０ｐの中央部は露出されている。このため、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎ上に形成するｎ側電極４０ｎの位置が多少ずれたとしても、ｐ型アモルファスシリコン層３０ｐとｎ側電極４０ｎとの間の短絡は、ｉ型アモルファスシリコン層３０ｉによって抑制される。従って、太陽電池１０の製造歩留まりを向上させることができる。
【００３９】
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４０】
例えば、上記実施形態では、第２溝２０ｇは、半導体基板１１に達することとしたが、第２溝２０ｇは、ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉに達していればよい。ただし、第２溝２０ｇと半導体基板１１との間にｉ型アモルファスシリコン層２０ｉを残存させる場合には、ｉｐ接合３０のｉ型アモルファスシリコン層３０ｉの層厚を小さくすることが好ましい。これによって、半導体基板１１とｉｐ接合３０との電気的抵抗値を小さく抑えることができる。なお、第２溝２０ｇは、半導体基板１１の内部まで入り込んでいてもよい。
【００４１】
また、上記実施形態では、半導体基板１１は、ｎ型単結晶シリコン基板であることとしたが、半導体基板１１は、ｐ型単結晶シリコン基板であってもよい。
【００４２】
また、上記実施形態では、ｉｐ接合３０が、ｉｎ接合２０の第２方向における一端部を覆うこととしたが、ｉｎ接合２０が、ｉｐ接合３０の第２方向における一端部を覆っていてもよい。
【００４３】
また、上記実施形態では、ｉｎ接合２０及びｉｐ接合３０は、アモルファスシリコンによって構成されることとしたが、これに限られるものではない。例えば、ｉｎ接合２０及びｉｐ接合３０は、アモルファスシリコンカーバイドや微結晶シリコンによって構成されていてもよい。
【００４４】
また、上記実施形態では、ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉとｉ型アモルファスシリコン層３０ｉとは、実質的に真性であることとしたが、ｐ型ドーパント及びｎ型ドーパントの両方を互いに補償しあうように含んでいてもよい。
【００４５】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明に係る太陽電池の実施例について具体的に説明するが、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。
【００４７】
（実施例）
まず、（１００）方位のｎ型単結晶シリコン基板（１００ｍｍ角、２００μｍ厚、抵抗率０．１Ωｃｍ）を準備した。
【００４８】
次に、アルカリ水溶液（２０％水酸化ナトリウム）を用いた異方性エッチング法によって、ｎ型単結晶シリコン基板の受光面に微細なテクスチャ構造を形成した。
【００４９】
次に、ｎ型単結晶シリコン基板の裏面上に、ＲｆプラズマＣＶＤ法によって、ノンドープのｉ型アモルファスシリコン層とｎ型不純物をドープしたｎ型アモルファスシリコン層とを順次形成した。ｉ型アモルファスシリコン層の層厚は５ｎｍであり、ｎ型アモルファスシリコン層の層厚は５ｎｍであった。
【００５０】
次に、ｎ型アモルファスシリコン層上に、ＲｆプラズマＣＶＤ法によって、１００ｎｍ厚の窒化シリコン層を犠牲層として形成した。
【００５１】
次に、窒化シリコン層上に、スピンコート法によって、５μｍ厚のフォトレジスト層を形成し、露光によって第１方向に沿った開口パターンを形成した。続いて、フッ化水素酸水溶液（５％フッ化水素酸）を用いて、窒化シリコン層の一部を開口パターンに従って除去した。これによって、複数本の第１溝を形成した。なお、第１溝の開口幅は、後工程で形成されるｉｎ接合とｉｐ接合とのピッチが１０００μｍとなるように調整した。
【００５２】
次に、ｎ型単結晶シリコン基板の受光面上に、ＲｆプラズマＣＶＤ法によって、８０ｎｍ厚の窒化シリコン層をパッシベーション層として形成した。
【００５３】
次に、アルカリ水溶液（３％水酸化ナトリウム）を用いた等方性エッチング法によって、第１溝の内部に露出するｎ型アモルファスシリコン層を除去した。また、当該工程において、ｉ型アモルファスシリコン層及びｎ型単結晶シリコン基板を同時に除去することによって、第１溝からｎ型単結晶シリコン基板内部まで達する第２溝を形成した。この際、被覆層５０の下に設けられたｎ型アモルファスシリコン層とｉ型アモルファスシリコン層とが抉るように除去されることによって、ｉｎ接合の端部に斜面が形成された。なお、第２溝の鉛直方向長さは、約２μｍであった。
【００５４】
次に、第２溝の底面上及び側面上に、ＲｆプラズマＣＶＤ法によって、ノンドープのｉ型アモルファスシリコン層とｐ型不純物をドープしたｐ型アモルファスシリコン層とを順次形成した。ｉ型アモルファスシリコン層の層厚は５ｎｍであり、ｐ型アモルファスシリコン層の層厚は５ｎｍであった。これによって、第２溝の内部にip接合を形成され、ｉｎ接合とｉｐ接合とが１０００μｍピッチで併せて９６本形成された。
【００５５】
次に、ｎ型単結晶シリコン基板の受光面上に形成されたパッシベーション層としての窒化シリコン層上に、スピンコート法によって、受光面保護層としてレジスト層を形成し、露光によって硬化させた。
【００５６】
次に、フッ化水素酸水溶液（５％フッ化水素酸）を用いて、犠牲層としての窒化シリコン層を除去した。
【００５７】
次に、ｉｎ接合上及びip接合上に、メタルマスクを用いたＲｆスパッタ法によって、５０ｎｍ厚のＩＴＯ層と５μｍ厚のＡｇ層とを形成した。
【００５８】
（比較例）
次に、以下のようにして、比較例に係る太陽電池を作製した。
【００５９】
まず、実施例と同様のｎ型単結晶シリコン基板の裏面上に、メタルマスクを用いたＲｆプラズマＣＶＤ法によって、ノンドープのｉ型アモルファスシリコン層とｎ型不純物をドープしたｎ型アモルファスシリコン層とを櫛歯状に順次形成した。ｉ型アモルファスシリコン層の層厚は５ｎｍであり、ｎ型アモルファスシリコン層の層厚は５ｎｍであった。
【００６０】
次に、ｎ型単結晶シリコン基板の裏面上に、メタルマスクを用いたＲｆプラズマＣＶＤ法によって、ノンドープのｉ型アモルファスシリコン層とｐ型不純物をドープしたｐ型アモルファスシリコン層とを櫛歯状に順次形成した。ｉ型アモルファスシリコン層の層厚は５ｎｍであり、ｐ型アモルファスシリコン層の層厚は５ｎｍであった。これによって、複数本のｉｎ接合と複数本のｉｐ接合とが交互に形成された。
【００６１】
次に、ｎ型単結晶シリコン基板の受光面上に、ＲｆプラズマＣＶＤ法によって、８０ｎｍ厚の窒化シリコン層を表面反射防止層として形成した。
【００６２】
（太陽電池特性の測定）
次に、太陽電池特性として太陽電池の変換効率を測定した。具体的には、ソーラーシミュレーターを用いて、上述の実施例及び比較例それぞれ１０個ずつについて、太陽電池の変換効率を測定した。表１に測定結果を示す。
【表１】
2010080887.tif 000003
【００６３】
上表に示すように、実施例に係る太陽電池の変換効率は、比較例に係る太陽電池の変換効率よりも高かった。
【００６４】
実施例に係る太陽電池では、ｉｎ接合とｉｐ接合との間隔を狭くするとともに、ｉｐ接合を構成するｉ型アモルファスシリコン層によって両者を電気的に分離することができた。そのため、実施例に係る太陽電池において変換効率を向上させることができた。
【００６５】
一方で、比較例に係る太陽電池では、ｉｎ接合とｉｐ接合とが接触してしまった部分において低品質なダイオードが形成されたため、変換効率が低下したものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施形態に係る太陽電池１０の裏面側の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における拡大断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である（その１）。
【図４】本発明の実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である（その２）。
【図５】本発明の実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である（その３）。
【図６】本発明の実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である（その４）。
【図７】本発明の実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である（その５）。
【図８】本発明の実施形態に係る太陽電池１０の製造方法を説明するための図である（その６）。
【符号の説明】
【００６７】
１０…太陽電池
１１…半導体基板
２０…ｉｎ接合
２０ｆ…斜面
２０ｉ…ｉ型アモルファスシリコン層
２０ｎ…ｎ型アモルファスシリコン層
３０…ｉｐ接合
３０ｉ…ｉ型アモルファスシリコン層
３０ｐ…ｐ型アモルファスシリコン層
４０ｎ…ｎ側電極
４０ｐ…ｐ側電極
５０…被覆層
５０ｇ…第１溝
２０ｇ…第２溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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