(57)【要約】【課題】信号ラインの線路幅が一様なマイクロストリップライン回路またはストリップライン回路において、特性インピーダンスを簡便に調整することが可能なインピーダンス変換器およびインピーダンス調整方法を提供する。【解決手段】信号ラインと、グランド層との間に、導体層を設ける。導体層は、普段はグランド層から絶縁されているが、ビスを所定の穴に差し込み固定することで、グランド層に導通可能である。この所定の穴は、基板部を貫通しており、導体層に接続されたコンタクトホールの先端にはグランド層と同じ面に配置する端子を設ける。ビスの頭部又はビスに螺号するナットで、端子とグランド層とを導通する。グランド層に導通した導体層がグランドとして振舞うことで、信号ラインからグランドまでの距離が擬似的に変更され、基板部のインピーダンスが調整される。【選択図】図２
2010187262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
幅が一様な信号ラインと、誘電体基板と、導体層と、グランド層と、前記誘電体基板、前記導体層および前記グランド層を貫通する穴部とを有する基板部と、
前記導体層を前記グランド層に導通するための導通部と、
前記導通部を前記基板部に固定するための固定部と
を具備し、
前記信号ラインと、前記誘電体基板における一部の誘電体と、前記導体層と、前記誘電体基板における別の一部の誘電体と、前記グランド層とは、この順番に積層されており、
前記穴部は、
前記導体層に接続されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールに接続されて、前記グランド層と同じ面に配置されて、前記グランド層とは前記誘電体によって絶縁された端子と
を具備し、
前記導通部は、
前記穴部を貫通して、前記固定部で固定するための棒部と、
前記端子と、前記グランド層とを接続するための面部と
を具備する
インピーダンス変換器。
【請求項２】
請求項１に記載のインピーダンス変換器において、
前記導通部は、
ネジ部を有するビスと、
前記ネジ部に螺号するナットと
を具備し、
前記ナットは、
前記面部
を具備し、
前記ビスは、
前記棒部
を具備する
インピーダンス変換器。
【請求項３】
請求項１に記載のインピーダンス変換器において、
前記導通部は、
頭部と、ネジ部とを有するビス
を具備し、
前記頭部は、
前記面部
を具備し、
前記ネジ部は、
前記棒部
を具備する
インピーダンス変換器。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のインピーダンス変換器において、
前記固定部は、
前記ネジ部が貫通するための穴を有するカバー部と、
前記カバー部の穴を貫通した前記ネジ部に螺号して前記ビスを固定するためのナットと
を具備する
インピーダンス変換器。
【請求項５】
請求項４に記載のインピーダンス変換器において、
前記固定部は、
前記カバー部を、前記ビスから絶縁するために、前記カバー部と、前記ビスを固定するためのナットとの間に配置された絶縁体
をさらに具備する
インピーダンス変換器。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれかに記載のインピーダンス変換器において、
前記固定部は、
前記ネジ部と螺号するためのネジ穴を有するカバー部
を具備する
インピーダンス変換器。
【請求項７】
請求項６に記載のインピーダンス変換器において、
前記ネジ穴は、前記カバー部を貫通している
インピーダンス変換器。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のインピーダンス変換器において、
前記基板部は、
マイクロストリップライン回路
を具備する
インピーダンス変換器。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載のインピーダンス変換器において、
前記基板部は、
ストリップライン回路
を具備する
インピーダンス変換器。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のインピーダンス変換器において、
前記基板部は、
前記信号ライン、前記導体層、前記グランド層および前記誘電体基板とさらに積層されて、かつ、前記穴部に貫通された第２の導体層と、前記第２の導体層は、前記信号ライン、前記導体層または前記グランド層のいずれとも、前記誘電体基板の誘電体によって絶縁されており、
前記信号ライン、前記導体層、前記第２の導体層、前記グランド層および前記誘電体基板を貫通する第２の穴部と
をさらに具備し、
前記第２の穴部は、
前記第２の導体層に接続された第２のコンタクトホールと、
前記第２のコンタクトホールに接続されて、前記グランド層と同じ面に配置されて、前記グランド層とは前記誘電体によって絶縁された第２の端子と
を具備し、
前記信号ラインから前記第２の導体層までの距離は、前記信号ラインから前記導体層までの距離とは異なる
インピーダンス変換器。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載のインピーダンス変換器において、
第２の基板部と、
前記基板部と、前記第２の基板部とに接続された任意のチップ部品と
をさらに具備し、
前記第２の基板部は、前記基板部と構成が同じであって、
前記基板部におけるグランド層と、前記第２の基板部におけるグランド層とは、同じ面に配置され、かつ、お互いに接続されており、
前記基板部における信号ラインと、前記第２の基板部における信号ラインとは、同じ面に配置され、かつ、前記チップ部品を介して接続されている
インピーダンス変換器。
【請求項１２】
（ａ）インピーダンス変換器において、基板部の穴部に導通部の棒部を貫通するステップと、
（ｂ）前記導通部の面部で、前記基板部のグランド層と、前記穴部の端子とを接続するステップと、
（ｃ）前記導通部を前記基板部に固定するステップと
を具備し、
前記基板部は、幅が一様な信号ラインと、誘電体基板と、導体層とをさらに具備し、
前記信号ラインと、前記誘電体基板における一部の誘電体と、前記導体層と、前記誘電体基板における別の一部の誘電体と、前記グラント層とは、この順番に積層されており、
前記穴部は、前記誘電体基板、前記導通部および前記グランド層を貫通しており、
前記穴部は、
前記導体層に接続されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールに接続されて、前記グランド層と同じ面に配置されて、前記グランド層とは前記誘電体によって絶縁された端子と
を具備し、
前記ステップ（ｂ）は、
（ｂ−１）前記導体層を前記グランド層に導通するステップ
を具備し、
前記ステップ（ｃ）は、
（ｃ−１）前記棒部を、前記インピーダンス変換部の固定部に固定するステップ
を具備する
インピーダンス調整方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のインピーダンス調整方法において、
前記基板部が、
前記信号ライン、前記導体層、前記グランド層および前記誘電体基板とさらに積層されて、かつ、前記穴部に貫通された第２の導体層と、前記第２の導体層は、前記信号ライン、前記導体層または前記グランド層のいずれとも、前記誘電体基板の誘電体によって絶縁されており、
前記信号ライン、前記導体層、前記第２の導体層、前記グランド層および前記誘電体基板を貫通する第２の穴部と
をさらに具備し、
前記第２の穴部が、
前記第２の導体層に接続された第２のコンタクトホールと、
前記第２のコンタクトホールに接続されて、前記グランド層と同じ面に配置されて、前記グランド層とは前記誘電体によって絶縁された第２の端子と
を具備し、
かつ、前記信号ラインから前記第２の導体層までの距離は、前記信号ラインから前記導体層までの距離とは異なる場合において、
前記ステップ（ａ）は、
（ａ−１）前記棒部を貫通する穴部を選択するステップ
を具備する
インピーダンス調整方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載のインピーダンス調整方法において、
前記インピーダンス変換器が、
第２の基板部と、
前記基板部と、前記第２の基板部とに接続された任意のチップ部品と
をさらに具備し、
前記第２の基板部が、前記基板部と構成が同じであって、
前記基板部におけるグランド層と、前記第２の基板部におけるグランド層とが、同じ面に配置され、かつ、お互いに接続されており、
かつ、前記基板部における信号ラインと、前記第２の基板部における信号ラインとが、同じ面に配置され、かつ、前記チップ部品を介して接続されている場合において、
（ｄ）前記基板と、前記第２の基板とのそれぞれについて、前記ステップ（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を実行するステップ
をさらに具備する
インピーダンス調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インピーダンス変換器と、これを用いたインピーダンス調整方法とに係り、特に、インピーダンスを調整可能なインピーダンス変換器と、これを用いたインピーダンス調整方法とに係る。
【背景技術】
【０００２】
高周波用の伝送線路として、一般的に、マイクロストリップラインが使用されている。このマイクロストリップラインの特性インピーダンスは、線路幅、使用されている誘電体基板の誘電率、マイクロストリップラインとグランドとの距離、などに基づいて決まる。
【０００３】
マイクロ波回路にて、それぞれ異なるインピーダンスを有する複数の回路素子同士を接続することがある。このとき、それぞれの回路素子の性能を十分に引き出したり、電力を効率良く伝達させたりするためには、これらの接続部分にて、インピーダンス整合を取る必要がある。インピーダンス整合を取る手段として、例えば、マイクロストリップラインによるインピーダンス変換器を介して接続部分を結合する。
【０００４】
例えば、回路素子間や回路素子の入出力において、インピーダンス変換器を配置する。このインピーダンス変換器は、特性インピーダンスが５０Ωとは異なるように形成したマイクロストリップラインを用いている。
【０００５】
従来、マイクロストリップラインによるインピーダンス変換器は、線路幅を段階的に変化させることにより特性インピーダンスを変換していた。しかし、線路幅を変化させて特性インピーダンスを変更する方法では、線路幅によっては、導体損失が大きくなるという問題がある。
【０００６】
もしくは、マイクロストリップライン上部にカバーを設けて、このカバーの開閉によってインピーダンスを調整する手法も知られている。しかし、この手法では、カバーを開閉しつつインピーダンスを調整するので手間がかかり、さらには、カバーの影響によって調整時の特性が再現しないという問題もある。
【０００７】
特許文献１（特開２００３−１１５７０６号公報）には、高周波回路基板に係る記載が開示されている。この高周波回路基板は、ストリップ線路構造を有する。このストリップ線路構造は、ストリップ導体と、接地導体とを含んで構成される。このストリップ導体は、誘電体の内部に配置され高周波信号を伝達するものである。また、この接地導体は、このストリップ導体に沿って配置され一定電位を与えられるものである。この高周波回路基板は、分離導体と、分離導体端子と、接地導体端子とを有する。この分離導体は、ストリップ導体と接地導体との領域に配置され、ストリップ導体及び接地導体とは分離して形成されたものである。また、この分離導体端子は、分離導体と電気的に導通し、少なくとも一部が誘電体の表面に現れるものである。さらに、この接地導体端子は、接地導体と電気的に導通し、少なくとも一部が誘電体の表面に現れるものである。この高周波回路基板は、分離導体をフローティング状態とするか接地状態とするかを、誘電体表面での分離導体端子及び接地導体端子の間の断続によって切り替え可能としたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１１５７０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、信号ラインの線路幅が一様なマイクロストリップライン回路またはストリップライン回路において、特性インピーダンスを簡便に調整することが可能なインピーダンス変換器およびインピーダンス調整方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によるインピーダンス変換器は、基板部と、導通部と、固定部とを具備する。ここで、基板部は、幅が一様な信号ラインと、誘電体基板と、導体層と、グランド層と、穴部とを有する。穴部は、誘電体基板、導体層およびグランド層を貫通する。導通部は、導体層をグランド層に導通するためのものである。固定部は、導通部を基板部に固定するためのものである。信号ラインと、誘電体基板における一部の誘電体と、導体層と、誘電体基板における別の一部の誘電体と、グランド層とは、この順番に積層されている。穴部は、コンタクトホールと、端子とを具備する。ここで、コンタクトホールは、導体層に接続されている。端子は、コンタクトホールに接続されて、グランド層と同じ面に配置されて、グランド層とは誘電体によって絶縁されている。導通部は、棒部と、面部とを具備する。ここで、棒部は、穴部を貫通して、固定部で固定するためのものである。面部は、端子と、グランド層とを接続するためのものである。
【００１１】
本発明によるインピーダンス調整方法は、（ａ）インピーダンス変換器において、基板部の穴部に導通部の棒部を貫通するステップと、（ｂ）導通部の面部で、基板部のグランド層と、穴部の端子とを接続するステップと、（ｃ）導通部を前記基板部に固定するステップとを具備する。ここで、基板部は、幅が一様な信号ラインと、誘電体基板と、導体層とをさらに具備する。信号ラインと、誘電体基板における一部の誘電体と、導体層と、誘電体基板における別の一部の誘電体と、グラント層とは、この順番に積層されている。穴部は、誘電体基板、導通部およびグランド層を貫通している。穴部は、コンタクトホールと、端子とを具備する。コンタクトホールは、導体層に接続されている。端子は、コンタクトホールに接続されて、グランド層と同じ面に配置されて、グランド層とは誘電体によって絶縁されている。また、ステップ（ｂ）は、（ｂ−１）導体層を前記グランド層に導通するステップを具備する。ステップ（ｃ）は、（ｃ−１）棒部を、インピーダンス変換部の固定部に固定するステップを具備する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、信号ラインの幅が一様なマイクロストリップライン回路またはストリップライン回路において、ビスの出し入れだけで特性インピーダンスを調整することが可能となるので、低損失なインピーダンス変換器と、この変換器を用いる手間のかからないインピーダンス調整方法とを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態によるインピーダンス変換器の構成を説明するための、部分的な断面図である。
【図２】図２は、本発明による基板部の構成を説明するための、正面から見た、断線Ａ−Ａ’による断面図である。
【図３】図３は、本発明による基板部の構成を説明するための、全体を上から見た平面図である。
【図４】図４は、本発明による基板部の構成を説明するための、第１の導体層を上から見た、断線Ｂ−Ｂ’による断面図である。
【図５】図５は、本発明による基板部の構成を説明するための、第２の導体層を上から見た、断線Ｃ−Ｃ’による断面図である。
【図６】図６は、本発明による基板部の構成を説明するための、グランド層を下から見た下面図である。
【図７】図７は、本発明による基板部に用いるカバー部の構成について説明するための、正面から見た、断線Ｄ−Ｄ’による断面図である。
【図８】図８は、本発明による基板部に用いるカバー部の構成について説明するための、上から見た平面図である。
【図９】図９は、本実施形態によるインピーダンス変換器で用いる絶縁体の構成について説明するための俯瞰図である。
【図１０】図１０は、本実施形態によるインピーダンス変換器に用いるケース部の構成について説明するための、正面から見た、断線Ｅ−Ｅ’による断面図である。
【図１１】図１１は、本実施形態によるインピーダンス変換器に用いるケース部の構成について説明するための、上から見た平面図である。
【図１２】図１２は、本発明による基板部のグランド層において、ビス穴にナットを固定する前後を比較するための図である。図１２（Ａ）はナットを固定する前を、図１２（Ｂ）はナットを固定した後を、それぞれ示す。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施形態によるインピーダンス変換器の、正面から見た、部分的な断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第３の実施形態によるインピーダンス変換器の、正面から見た、部分的な断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第４の実施形態によるインピーダンス変換器の、基板部の構成について説明するための、正面から見た断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添付図面を参照して、本発明によるインピーダンス変換器と、これを用いるインピーダンス調整方法とを実施するための形態を以下に説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態によるインピーダンス変換器の構成を説明するための、部分的な断面図である。本発明によるインピーダンス変換器は、カバー部１１と、絶縁体１３と、基板部１９と、ケース部１４と、ビス８と、ナット１６、１７とを具備する。なお、構造が単純なビス８、ナット１６、絶縁体１３、ナット１７については、断面図ではなく正面図を示している。また、基板部１９の断面については、簡略化した図を示している。さらに、図１は、ビス８一本分に対応する一部分だけ示しているが、実際のカバー部１１、基板部１９、ケース部１４は横方向にさらに長いことが望ましい。以下、これらの構成要素について、それぞれの詳細を説明する。
【００１６】
図２は、本発明による基板部１９の構成を説明するための、正面から見た、断線Ａ−Ａ’による断面図である。この基板部１９は、信号ライン１と、第１の導体層２と、第２の導体層３と、グランド層４と、ビス穴５、５’、６、６’、７、７’と、チップ部品９と、誘電体基板１０とを具備する。
【００１７】
ビス穴５、５’、６、６’、７、７’の総数に限定は無く、より多くても、より少なくても構わない。ビス穴５、５’、６、６’、７、７’のそれぞれは、代表として１つずつ描かれているが、複数であることが好ましい。また、導体層の枚数は、２枚に限定されず、１枚以上の何枚であっても構わない。
【００１８】
ここで、信号ライン１の層と、第１の導体層２と、第２の導体層３と、グランド層４とはこの順序に積層されており、それぞれの層の間には誘電体基板１０の誘電体が配置されている。
【００１９】
信号ライン１は、図２の中央あたりで分割されている。チップ部品９は、２つの端子を具備する。これら２つの端子が、分割された信号ライン１の双方に、それぞれ電気的に接続されるように、チップ部品９は配置されている。
【００２０】
ビス穴５、５’、６、６’、７、７’は、第１の導体層２と、第２の導体層３と、グランド層４と、誘電体基板１０と、を貫通している。これらのビス穴５、５’、６、６’、７、７’における直径は、ビス８のネジ部が棒部として自由に通れる程度であることが望ましい。つまり、これらのビス穴５、５’、６、６’、７、７’に、ビス８用のタップは不要である。
【００２１】
ここで、ビス穴５、５’は、第１の導体層２と、グランド層４とを電気的に接続するためのコンタクトホールをそれぞれ具備する。コンタクトホールは、グランド層４と同じ面までのびており、コンタクトホールの先端には端子が設けられている。ただし、この端子と、グランド層４とは、誘電体基板１０の誘電体によって絶縁されている。また、このコンタクトホールは、信号ライン１と、第２の導体層３とも、誘電体基板１０の誘電体によって絶縁されている。
【００２２】
また、ビス穴６、６’は、第２の導体層３と、グランド層４とを電気的に接続するコンタクトホールをそれぞれ具備する。コンタクトホールは、グランド層４と同じ面までのびており、コンタクトホールの先端には端子が設けられている。ただし、この端子と、グランド層４とは、誘電体基板１０の誘電体によって絶縁されている。また、このコンタクトホールは、信号ライン１と、第１の導体層２とにも、誘電体基板１０の誘電体によって絶縁されている。
【００２３】
なお、ビス穴７、７’は、単なる穴であるが、グランド層４と同じ面に端子が設けられている。この端子と、グランド層４とは、誘電体基板１０の誘電体によって絶縁されている。
【００２４】
このように、基板部１９に設けられた各ビス穴は、いずれもタップを有しないので、単に「穴部」と呼称しても構わない。
【００２５】
信号ライン１と同様に、第１の導体層２および第２の導体層３も、チップ部品９の位置において、誘電体基板１０の誘電体によって左右に分割されている。なお、基板部１９全体で考えると、チップ部品９より左側の半分と、右側の半分とは、同じ構造である。ここで、例えば、チップ部品９より右側の、ビス穴５、６、７を含む半分を、本発明の構成単位とする。後に説明するとおり、本発明によるインピーダンス変換器では、構成単位ごとに独立してインピーダンスの調整が可能である。
【００２６】
図３は、本発明による基板部１９の構成を説明するための、全体を上から見た平面図である。誘電体基板１０の上に、信号ライン１が乗っている。信号ライン１の幅は、一様である。
【００２７】
ビス穴５、５’、６、６’、７、７’は、図１に示されたものの他に、信号ライン１より奥の側にも存在することが望ましい。また、番号が同じビス穴同士が、信号ライン１を通る垂直面に対して対照的に配置されることが望ましいが、他の配置であっても構わない。
【００２８】
図４は、本発明による基板部１９の構成を説明するための、第１の導体層２を上から見た、断線Ｂ−Ｂ’による断面図である。この断面において、ビス穴５、５’のコンタクトホールは第１の導体層２に電気的に接続されている。ビス穴６、６’、７、７’と、第１の導体層２との間には、誘電体基板１０が配置されている。
【００２９】
図５は、本発明による基板部１９の構成を説明するための、第２の導体層３を上から見た、断線Ｃ−Ｃ’による断面図である。この断面において、ビス穴６、６’のコンタクトホールは第１の導体層２に電気的に接続されている。ビス穴５、５’、７、７’と、第１の導体層２との間には、誘電体基板１０が配置されている。
【００３０】
図６は、本発明による基板部１９の構成を説明するための、グランド層４を下から見た下面図である。ビス穴５、５'、６、６’、７、７’と、グランド層４との間には、誘電体基板１０が配置されている。
【００３１】
図７は、本発明による基板部１９に用いるカバー部１１の構成について説明するための、正面から見た、断線Ｄ−Ｄ’による断面図である。図８は、本発明による基板部１９に用いるカバー部１１の構成について説明するための、上から見た平面図である。カバー部１１は、複数のビス穴１２と、複数の窪み１１０とを具備する。複数のビス穴１２は、それぞれ、ビス穴５、５'、６、６’、７、７’に対応する位置に配置されている。また、複数の窪み１１０は、複数のビス穴１２にそれぞれ対応する位置に配置されている。なお、複数のビス穴１２の直径は、ビス８のネジ部である棒部が自由に通れる程度である。また、複数のビス穴１２に、ビス８用のタップは不要である。
【００３２】
図９は、本実施形態によるインピーダンス変換器で用いる絶縁体１３の構成について説明するための俯瞰図である。絶縁体１３は、円筒形であり、中央に穴を具備する。絶縁体１３の直径は、カバー１１の設けられた窪みの中に接地可能な程度であることが望ましい。また、絶縁体１３における中央の穴の直径は、ビス８のネジ部である棒部が自由に通れる程度であることが望ましい。なお、絶縁体１３の中央の穴に、ビス８用のタップは不要である。
【００３３】
図１０は、本実施形態によるインピーダンス変換器に用いるケース部１４の構成について説明するための、正面から見た、断線Ｅ−Ｅ’による断面図である。図１１は、本実施形態によるインピーダンス変換器に用いるケース部１４の構成について説明するための、上から見た平面図である。ケース部１４は、枠部と、複数のナット調整穴１５を具備する。複数のナット調整穴１５は、ナット１７を操作するために必要な空間であって、ビス穴５、５'、６、６’、７、７’に対応する位置に配置されている。枠部は、基板部１９を支持するためのものであって、ナット調整穴１５に干渉しない範囲なら、どのように配置しても構わない。
【００３４】
ここで、本発明によるインピーダンス変換器の動作、すなわち本発明によるインピーダンス調整方法について説明する。
【００３５】
図１に示したとおり、ビス８は、ナット１６と、絶縁体１３と、カバー部１１のビス穴１２のいずれかと、基板部１９のビス穴５、５'、６、６’、７、７’のいずれかと、ナット１７とをこの順番に貫通する。ナット１６とナット１７とでビス８を締めることによって、絶縁体１３と、カバー部１１と、基板部１９とが固定される。ここで、ナット１７は導体である。なお、ビス８の頭部は、カバー部１１側にあっても良いし、ケース部１４側にあっても構わない。
【００３６】
図１２は、本発明による基板部１９のグランド層４において、ビス穴にナット１７を固定する前後を比較するための図である。図１２（Ａ）はナット１７を固定する前を、図１２（Ｂ）はナット１７を固定した後を、それぞれ示す。図１２に示されるように、導体であるナット１７は、導通部としての面部において、ビス穴のコンタクトホールと、その周囲のグランド層４とを、電気的に接続する。
【００３７】
ビス穴のコンタクトホールと、グランド層４とが電気的に接続されることによって、グランド層４は、コンタクトホールが電気的に接続された導体層２、３のいずれかとも導通する。したがって、グランド層４と導通した導体層も、グランド層として機能する。その結果、信号ライン１から見て、グランド層までの距離、すなわち誘電体基板１０の厚さは、擬似的に薄くなる。
【００３８】
一般的に、マイクロストリップラインにおいて、信号ラインとグランド層との間の誘電体の厚さが大きければ大きいほど、その特性インピーダンスも大きくなる。つまり、本発明のインピーダンス変換器では、ビス穴５、５'、６、６’、７、７’の一部にビス８を通してナット１６、１７を締めることによって、インピーダンスを段階的に調整することを可能としている。
【００３９】
なお、ビス８とナット１６とが導体であったとしても、カバー部１１は、絶縁体１３によって絶縁されているので、グランド層４と電気的に接続されない。
【００４０】
もし、カバー部１１がグランド層４と導通しても構わない場合は、本発明によるインピーダンス変換器として、例えば、次の２つのバリエーションが考えられる。
【００４１】
（第２の実施形態）
図１３は、本発明の第２の実施形態によるインピーダンス変換器の、正面から見た、部分的な断面図である。本実施形態によるインピーダンス変換器は、図１で示した第１の実施形態によるインピーダンス変換器から、いくつかの点を変更したものである。すなわち、カバー部１１の形状を変更し、絶縁体１３およびナット１６を省略し、ビス８の向きを逆転した。その他の構成要素については、第１の実施形態と同じであるので詳細な説明を省略する。
【００４２】
なお、図１３でも、図１と同様に、構造が単純なビス８およびナット１７については、断面図ではなく正面図を示している。また、基板部１９の断面については、簡略化した図を示している。さらに、図１３は、ビス８一本分の部分だけ示しているが、実際のカバー部１１、基板部１９、ケース部１４は右にさらに長い。以下、これらの構成要素について、それぞれの詳細を説明する。
【００４３】
本実施形態のカバー部１１は、ビス穴１２を具備する。このビス穴１２は、ビス８用のタップを具備する。その結果、第１の実施形態では用いたナット１６が省略されている。さらに、先に述べたように、本実施形態ではカバー部１１をグランド層４から絶縁する必要が無いので、第１の実施境内では用いた絶縁体１３も省略されている。このように、本実施形態ではナット１６と絶縁体１３が無いので、カバー部１１における窪み１１０も省略されており、直径が一様なビス穴１２がカバー部１１に設けられている。ただし、ビス穴１２は必ずしもカバー部１１の全体を貫通する必要は無く、途中までであっても構わない。
【００４４】
本実施形態によるインピーダンス変換器の他の構成や、本実施形態によるインピーダンス調整方法については、本発明の第１の実施形態と同じであるので、詳細な説明を省略する。
【００４５】
（第３の実施形態）
図１４は、本発明の第３の実施形態によるインピーダンス変換器の、正面から見た、部分的な断面図である。本実施形態によるインピーダンス変換器は、図１３で示した第２の実施形態によるインピーダンス変換器に、いくつかの変更を加えたものである。すなわち、ナット１７を省略し、カバー部１１の形状を変更した。その他の構成要素については、図１３に示した第２の実施形態と同じであるので、詳細な説明を省略する。
【００４６】
なお、図１３でも、図１と同様に、構造が単純なビス８については、断面図ではなく正面図を示している。また、基板部１９の断面については、簡略化した図を示している。さらに、図１３は、ビス８一本分の部分だけ示しているが、実際のカバー部１１、基板部１９、ケース部１４は右にさらに長い。以下、これらの構成要素について、それぞれの詳細を説明する。
【００４７】
本実施形態では、第１〜第２の実施形態で用いられたナット１７も省略されている。その代わりに、ビス８の頭部が、導通部としての面部の役割、すなわち、基板部１９におけるグランド層４とコンタクトホールとを導通する役割を負っている。そのため、本実施形態におけるビス８の頭部の面積は、第１〜第２の実施形態におけるナット１７の面積と同等以上であることが望ましい。さらに、本実施形態におけるビス８の頭部の、ネジ側の面が、グランド層４とコンタクトホールとに同時に接触可能な形状、例えば平面、であることが望ましい。
【００４８】
なお、図１４では、ビス穴１２がカバー部１１の途中まで設けてあるが、第２の実施形態のようにカバー部１１の全体を貫通していても構わない。
【００４９】
さらに、図１に示した第１の実施形態と組み合わせることも可能である。すなわち、一方では、コンタクトホールとグランド層４とを、ビス８の頭部のネジ側の面で導通し、もう一方では、第１の実施形態のようにカバー部１１と、絶縁部１３と、ナット１６とを用いてネジ８の固定を行っても構わない。ここで、カバー部１１をグランド層４から絶縁する必要が無ければ、絶縁部１３は省略可能である。
【００５０】
本実施形態によるインピーダンス変換器の他の構成や、本実施形態によるインピーダンス調整方法については、本発明の第２の実施形態と同じであるので、詳細な説明を省略する。
【００５１】
これまで、カバー部１１の形状や、ビス８の向きや、絶縁体１３およびナット１６、１７の有無、などが異なる実施形態について説明した。次に、基板部１９の構成が異なる実施形態について説明する。なお、後に説明するように、基板部１９が異なる以下の実施形態は、上記の第１〜第３の実施形態のいずれにも組み合わせることが可能である。ここでは、第１の実施形態におけるカバー部１１、ビス８、絶縁体１３、ナット１６、１７を用いて説明を行う。
【００５２】
（第４の実施形態）
図１５は、本発明の第４の実施形態によるインピーダンス変換器の、基板部１９の構成について説明するための、正面から見た断面図である。本実施形態による基板部１９はストリップラインであり、第１〜第３の実施形態による基板部１９はマイクロストリップラインであり、両者は以下の２つの点で異なる。
【００５３】
第１の相違点は、信号ラインの位置である。第１〜第３の実施形態による信号ライン１は基板部１９の最上面に位置していたが、本実施形態による信号ライン２６は、第１の導体層２０と、第２の導体層２１との間に位置している。なお、第１の導体層２と、信号ライン２６と、第２の導体層３との間には、それぞれ、誘電体基板１０の誘電体が配置されている。また、信号ライン２６と、ビス穴２３、２３’、２４、２４’、２５、２５’は、お互いに干渉しない位置に配置されている。
【００５４】
第２の相違点は、本実施形態による基板部１９の最上面に第３の導体層２７が追加されたことである。導体層２７と、第１の導体層２０との間には、誘電体基板１０の誘電体が配置されている。なお、ビス穴２３、２３’、２４、２４’、２５、２５’は、当然ながら、導体層２７をも貫通している。
【００５５】
本実施形態による基板部１９の、他の構成については、第１〜第３の実施形態と同じであるので詳細な説明を省略する。
【００５６】
本実施形態による基板部１９を用いることで、本発明によるインピーダンス変換器は、第１〜第３の実施形態におけるマイクロストリップラインと同様に、ストリップラインにも適用可能である。
【００５７】
ここで、本実施形態による基板部１９が、本発明の第１〜第３の実施形態のいずれとも組み合わせ可能であることは明白であるので、その詳細な説明を省略する。
【００５８】
なお、チップ部品１９の両側で、異なるインピーダンスに調整することも可能である。このとき、信号ライン１の幅は一様かつ一定であることに注目されたい。
【００５９】
また、複数のビス８を独立に調整可能であることにより、同一の基板部１９において複数のインピーダンス変換器を容易に実現できる。
【００６０】
さらに、本発明の一部の実施形態では、カバー部１１を開けることなくビス８の調整が可能なので、インピーダンスの調整の手間がさらに省けることになる。
【符号の説明】
【００６１】
１  信号ライン
２  第１の導体層
３  第２の導体層
４  グランド層
５、５'  ビス穴
６、６'  ビス穴
７、７'  ビス穴
８  ビス
９  チップ部品
１０  誘電体基板
１１  カバー部
１１０  窪み
１２  ビス穴
１３  絶縁体
１４  ケース部
１５  ナット調整穴
１６  ナット
１７  ナット
１８  エア
１９  基板部
２０  第１の導体層
２１  第２の導体層
２２  グランド層
２３、２３'  ビス穴
２４、２４'  ビス穴
２５、２５'  ビス穴
２６  信号ライン
２７  第３の導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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