(57)【要約】【課題】プログラム／消去動作回数の増加によって可変的にプログラム立ち上がり電圧を設定することができる不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。【解決手段】第１ページに対してプログラムパルスを印加してプログラム動作を遂行する段階と、前記第１ページに検証電圧を印加して検証動作を遂行する段階と、前記検証動作結果前記第１ページのプログラム動作が完了することができなかった場合、前記第１ページの閾値電圧の中で最高閾値電圧値を設定する段階と、前記第１ページに対して前記プログラムパルスを増加させながらプログラム動作及び検証動作を繰り返し遂行してプログラム動作を完了させる段階と、前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧に前記検証電圧と前記最高閾値電圧値の差を合わせて第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧に設定する段階と、前記設定された第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧によって第２ページに対するプログラム動作を遂行する段階と、を含む。【選択図】図４
2010170643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ページに対してプログラムパルスを印加してプログラム動作を遂行する段階と、
前記第１ページに検証電圧を印加して検証動作を遂行する段階と、
前記検証動作の結果、前記第１ページのプログラム動作が完了されない場合、前記第１ページの閾値電圧の中で最高閾値電圧値を設定する段階と、
前記第１ページに対して前記プログラムパルスを増加させながらプログラム動作及び検証動作を繰り返し遂行してプログラム動作を完了させる段階と、
前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧に前記検証電圧と前記最高閾値電圧値の差を合わせて第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧に設定する段階と、
前記設定された第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧によって第２ページに対するプログラム動作を遂行する段階と、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
【請求項２】
前記最高閾値電圧値を設定する段階は、
前記プログラム動作を遂行したメモリセルの中で、検証電圧以上にプログラムされたセルがない場合、前記検証電圧を減少させて検証動作を遂行する段階と、
前記減少された検証電圧以上にプログラムされたセルが検出されるまで前記検証電圧を減少させて検証動作を遂行する段階を繰り返し遂行する段階と、
前記減少された検証電圧以上にプログラムされたセルが検出された場合、該時点で印加された検証電圧を前記最高閾値電圧に設定する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
【請求項３】
前記最高閾値電圧値を設定する段階は、
前記プログラム動作を遂行したメモリセルの中で検証電圧以上にプログラムされたセルがある場合、検証電圧を増加させて検証動作を遂行する段階と、
前記増加された検証電圧以上にプログラムされたセルが検出されないまで前記検証電圧を増加させて検証動作を遂行する段階を繰り返し遂行する段階と、
前記増加された検証電圧以上にプログラムされたセルが検出されない場合、該時点で検証電圧以前に印加された検証電圧を前記最高閾値電圧で設定する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
【請求項４】
前記第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧に設定する段階は、
前記検証電圧が前記最高閾値電圧値より大きい場合、前記第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧は、前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧より増加されるように設定される段階と、
前記検証電圧が前記最高閾値電圧値より小さい場合、前記第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧は、前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧より減少されるように設定される段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
【請求項５】
プログラム／消去動作回数増加によるプログラムの中も増加特性を補償するダミープログラムパルス印加方式の不揮発性メモリ装置のプログラム方法において、
第１ページに対してプログラムパルスを印加してプログラム動作を遂行する段階と、
前記第１ページに検証電圧を印加して検証動作を遂行する段階と、
前記検証動作の結果、前記第１ページのプログラム動作が完了されない場合、前記第１ページの閾値電圧の中で最高閾値電圧値を設定する段階と、
前記第１ページに対して前記プログラムパルスを増加させながらプログラム動作及び検証動作を繰り返し遂行してプログラム動作を完了させる段階と、
前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧に前記検証電圧と前記最高閾値電圧値の差を合わせて第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧に設定する段階と、
前記設定された第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧によって第２ページに対するプログラム動作を遂行する段階と、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
【請求項６】
前記最高閾値電圧値を設定する段階は
前記プログラム動作を遂行したメモリセルの中で検証電圧以上にプログラムされたセルがない場合、前記検証電圧以上にプログラムされたセルが検出されるまで前記検証電圧を減少させて検証動作を遂行する段階を繰り返し遂行する段階と、
前記減少された検証電圧以上にプログラムされたセルが検出された場合、該時点で印加された検証電圧を前記最高閾値電圧に設定する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
【請求項７】
前記最高閾値電圧値を設定する段階は、
前記プログラム動作を遂行したメモリセルの中で検証電圧以上にプログラムされたセルがある場合、前記検証電圧以上にプログラムされたセルが検出されないまで前記検証電圧を増加させて検証動作を遂行する段階を繰り返し遂行する段階と、
前記増加された検証電圧以上にプログラムされたセルが検出されない場合、該時点で検証電圧以前に印加された検証電圧を前記最高閾値電圧で設定する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
【請求項８】
前記第２ページに対する前記プログラム立ち上がり電圧に設定する段階は、
前記検証電圧が前記最高閾値電圧値より大きい場合、前記第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧は前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧より増加されるように設定される段階と、
前記検証電圧が前記最高閾値電圧値より小さい場合、前記第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧は、前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧より減少されるように設定される段階と、
を含むことを特徴とする請求項５記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリ装置のプログラム方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電気的にプログラムと消去が可能で、一定周期でデータを再作成しなければならないリフレッシュ機能が必要でない不揮発性メモリ素子に対する需要が増加している。
【０００３】
不揮発性メモリセルは、電気的なプログラム/消去動作が可能な素子として薄い酸化膜に印加される強い電場によって電子が移動しながらセルの閾値電圧を変化させてプログラム及び消去動作を遂行する。
【０００４】
不揮発性メモリ装置は、通常的にデータが格納されるセルがマトリックス形態で構成されたメモリセルアレイ、前記メモリセルアレイの特定セルに対してメモリを書き込むか、特定セルに格納されたメモリを読み出すページバッファを含む。
【０００５】
前記ページバッファは、特定メモリセルと接続されたビットラインペア、メモリセルアレイに記録するデータを臨時格納するか、メモリセルアレイから特定セルのデータを読出して臨時格納するレジスタ、特定ビットラインまたは特定レジスタの電圧レベルを感知する感知ノード、前記特定ビットラインと感知ノードの接続可否を制御するビットライン選択部を含む。
【０００６】
このような不揮発性メモリ装置は、プログラム/消去動作の回数が増加するほどプログラム速度が増加すると知られている。プログラム/消去動作の回数が増加するほど各メモリセルのフローティングゲートにトラップされるチャージ（charge）が増加しながら、各セルの閾値電圧が高くなるからである。したがって、ＩＳＰＰ（Incremental  step  pu-lse  program）プログラム方法によるプログラムパルスが相対的に少なく印加されても目標とする閾値電圧以上にプログラムされる。
【０００７】
このような特性を考慮し、前記ＩＳＰＰプログラム方法でプログラム立ち上がり電圧を低く設定して印加する方法を考慮することができる。プログラム/消去動作回数が低い時点でもこのような方法を使う場合、プログラム時間が増加するような問題が発生する。すなわち、プログラム立ち上がり電圧が低くなることによって印加しなければならないパルスがさらに多くなるからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであって、その目的は、プログラム/消去動作回数の増加によって可変的にプログラム立ち上がり電圧を設定することができる不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供するのである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための本願発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第１ページに対してプログラムパルスを印加してプログラム動作を遂行する段階と、前記第１ページに検証電圧を印加して検証動作を遂行する段階と、前記検証動作の結果、前記第１ページのプログラム動作が完了されない場合、前記第１ページの閾値電圧の中で最高閾値電圧値を設定する段階と、前記第１ページに対して前記プログラムパルスを増加させながらプログラム動作及び検証動作を繰り返し遂行してプログラム動作を完了させる段階と、前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧に前記検証電圧と前記最高閾値電圧値の差を合わせて第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧に設定する段階と、前記設定された第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧によって第２ページに対するプログラム動作を遂行する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、プログラム／消去動作回数の増加によるプログラムの増加特性を補償するダミープログラムパルス印加方式の不揮発性メモリ装置のプログラム方法において、第１ページに対してプログラムパルスを印加してプログラム動作を遂行する段階と、前記第１ページに検証電圧を印加して検証動作を遂行する段階と、前記検証動作の結果、前記第１ページのプログラム動作が完了されない場合、前記第１ページの閾値電圧の中で最高閾値電圧値を設定する段階と、前記第１ページに対して前記プログラムパルスを増加させながらプログラム動作及び検証動作を繰り返し遂行してプログラム動作を完了させる段階と、前記第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧に前記検証電圧と前記最高閾値電圧値の差を合わせて第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧に設定する段階と、前記設定された第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧によって第２ページに対するプログラム動作を遂行する段階と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、本発明の課題解決手段によれば、プログラム立ち上がり電圧を可変的に設定することができる。特に、プログラム/消去動作回数が少ない初期動作の時にはプログラム立ち上がり電圧を相対的に大きく設定してプログラム速度の遅いセルの特性を補償することができる。また、プログラム/消去動作回数の多い後期動作の時にはプログラム立ち上がり電圧を相対的に小さく設定してプログラム速度の速いセルの特性を補償することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の適用される不揮発性メモリ装置の全体構成を示した図面である。
【図２】通常的な不揮発性メモリ装置のプログラム／消去動作回数の増加による閾値電圧変化の特性を示したグラフである。
【図３】通常的に用いられる不揮発性メモリ装置のプログラム方法の概念を説明するための図面である。
【図４】本発明の一実施例による不揮発性メモリ装置のプログラム方法を示した順序図である。
【図５】本発明の一実施例による不揮発性メモリ装置のプログラム方法で最高閾値電圧値を設定する方法の概念を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付された図面を参照して本願発明の望ましい実施例を詳しく説明する。 本発明は、以下開示される実施例に限定されるものではなく、様々な形態に具現することができ、単に本実施例は本発明の開示が完全になるようにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。図面における同一符号は同一の要素を指す。
【００１４】
図１は、本発明が適用される不揮発性メモリ装置の全体構成を示した図面である。
【００１５】
前記不揮発性メモリ装置１００は、メモリセルアレイ１０２、ページバッファ１０８、Ｘ／Ｙ−デコーダ１０４、１０６、高電圧発生器１１０、命令語インタフェースロジッグ部１１２、命令語レジスタ１１４、アドレスレジスタ／カウンタ１１６、データレジスタ１１８、ＩＯバッファ部１２０を含む。前記不揮発性メモリ装置の動作をよく調べて見る。
【００１６】
まず、前記命令語インタフェースロジッグ部１１２についてチップイネーブル信号／ＣＥがデ−スエイブルされ、ライトイネーブル信号／ＷＥがトグルされれば、これに応答して前記命令語インタフェースロジッグ部１１２が前記ＩＯバッファ部１２０と命令語レジスタ１１４を介して受信される命令語信号を受信し、その命令語によってプログラム命令、消去命令または読出し命令等を発生させる。
【００１７】
この時、前記命令語信号は前記不揮発性メモリ装置の動作モードを決めるページプログラムセットアップコード（page  program  setup  code）を含む。一方、前記命令語インタフェースロジッグ部１１２から出力される動作状態信号／Ｒ／Ｂは、一定時間の間デ−スエイブルされるが、外部のメモリコントローラー（図示せず）は、前記動作状態信号／Ｒ／Ｂを受信し、前記不揮発性メモリ装置がプログラム／消去／読出しなどの動作状態であることを認識する。すなわち、前記動作状態信号／Ｒ／Ｂがデ−スエイブルされる時間の間、前記メモリセルアレイの中で一つのページに対するプログラム/消去/読出しなどが実行される。
【００１８】
また、アドレスレジスタ/カウンタ１１６は前記ＩＯバッファ部１２０を介して受信されるアドレス信号を受信し、ローアドレス信号及びコラムアドレス信号を発生させる。
【００１９】
前記アドレス信号は、前記メモリセルのうち一つに含まれるページの中で一つに対応する。前記データレジスタ１１８は、前記ＩＯバッファ部１２０を介して受信される各種データを臨時格納し、Ｙ−デコーダ１０６へ伝達する。
【００２０】
前記高電圧発生器１１０は、前記プログラム命令、消去命令または読出し命令に応答してバイアス電圧を発生し、これをページバッファ１０８、Ｘ−デコーダ１０４などに供給する。
【００２１】
前記Ｘ−デコーダ１０４は、前記ローアドレス信号に応答し、前記メモリセルアレイのブロックの中でいずれか一つに前記高電圧発生器１１０から供給を受けたバイアス電圧をメモリセルアレイ１０２に供給する。前記Ｙ−デコーダ１０６は、前記コラムアドレス信号に応答し、前記ページバッファを介して前記メモリセルアレイのブロックによって共有されるビットライン（図示せず）にデータ信号を供給する。
【００２２】
前記ページバッファ１０８は、前記ＩＯバッファ部１２０及び前記Ｙ−デコーダ１０６を介して受信されるデータ信号をラッチして前記メモリセルアレイのブロックによって共有されるビットライン（図示せず）に出力する。
【００２３】
図２は、通常的な不揮発性メモリ装置のプログラム／消去動作回数の増加による閾値電圧変化特性を示したグラフである。
【００２４】
図示されたように、プログラム／消去動作回数が増加するほどプログラム状態の閾値電圧及び消去状態の閾値電圧が大きくなる現象が発生する。これはプログラム／消去動作回数が増加するほど不揮発性メモリセルのフローティングゲートにトラップされるチャージが増加するにつれて消去状態でも閾値電圧が増加するから発生する。その結果、同じプログラムパルスが印加による閾値電圧の変化量はさらに大きくなる。このような閾値電圧の変化量をプログラム速度に定義する。すなわち、同一のプログラムパルスを印加する時、閾値電圧の変化量がさらに大きければプログラム速度がさらに速いものと見る。
【００２５】
図示されたように、プログラム／消去動作回数が１０回の場合、プログラム状態の閾値電圧よりプログラム／消去動作回数が１０Ｋの場合、プログラム状態の閾値電圧がさらに大きいということが分かる。これは消去状態でも同じである。このようにプログラム／消去動作の回数に応じてプログラム速度が変わるようになることによって、このような変化量を補償するためのプログラム方法が用いられている。
【００２６】
図３は、通常的に用いられる不揮発性メモリ装置のプログラム方法の概念を説明するための図面である。
【００２７】
図示されたように、ＩＳＰＰ（Incremental  step  pulse  program）プログラム方法によってプログラム動作が遂行される。すなわち、プログラムパルスを印加した後、検証動作を実施し、各繰り返し動作ごとにプログラム電圧をステップ電圧Vstepほど上昇させてプログラム動作を繰り返す。この時、プログラム／消去動作回数に応じてプログラム速度が異なるということを考慮し、ダミープログラムパルスが印加される区間を追加する。
【００２８】
プログラム／消去動作回数が１回の場合には、第１立ち上がり電圧Vstart１を基準としてＩＳＰＰプログラム動作を遂行する。しかし、プログラム／消去動作回数が１０Ｋの場合には、プログラム速度が早い状態なので前記第１立ち上がり電圧Vstart１より小さい第２立ち上がり電圧Vstart２を基準としてＩＳＰＰプログラム動作を遂行する必要がある。したがって、プログラム／消去動作を始める時から第２立ち上がり電圧Vstart２を基準にＩＳＰＰプログラム動作を遂行する。プログラム立ち上がり電圧が低いのでプログラム／消去動作回数が１回ないし１０Ｋの場合には実質的にプログラム效果が現われないこともある。したがって、プログラム／消去動作回数が１回ないし１０Ｋの場合には第２立ち上がり電圧Vstart２が印加される時点から第１立ち上がり電圧Vstart１が印加される直前まで、印加されるプログラムパルスがダミープログラムパルスになることができる。プログラム／消去動作回数が１０Ｋ以上になる場合のために、ダミープログラムパルスを印加しているが、プログラム／消去動作回数が１０Ｋになる前まで総プログラム時間が長くなる問題が発生することになる。
【００２９】
図４は、本発明の一実施例による不揮発性メモリ装置のプログラム方法を示した順序図で、図５は本発明の一実施例による不揮発性メモリ装置のプログラム方法で最高閾値電圧値を設定する方法の概念を図示した図面である。
【００３０】
まず、第１ページに対してプログラム立ち上がりパルスを印加してプログラム動作を遂行する（段階４１０）。
【００３１】
本発明では、ＩＳＰＰプログラム立ち上がり電圧によってプログラム動作を遂行する。そして、第１ページに対するプログラム動作状態を基礎に第２ページに対するプログラム立ち上がりパルスの値を調節しようとする。
【００３２】
次に、前記プログラム動作に対して検証動作を遂行する（段階４１２）。プログラム対象セルが検証電圧以上にすべてプログラムされたかどうかを確認する。前記検証動作は、通常的な不揮発性メモリ装置の検証動作によって遂行されるので、詳細な動作説明は略する。
【００３３】
検証の結果、プログラム対象セルが検証電圧以上にプログラムが完了した場合には、次のページ、即ち、第２ページに対してプログラム動作を遂行することになる（段階４１４）。しかし、前記検証の結果プログラム検証電圧以上にプログラムが完了できなかった場合には最高閾値電圧値を設定する（段階４１４、４１６）。
【００３４】
図５を参照して前記最高閾値電圧値の設定方法をよく調べて見る。プログラム／消去動作回数が低い初期にはプログラム速度が速くないので、一度のプログラムパルス印加だけでは、検証電圧以上にプログラムされたセルが発生するしかない。すなわち、検証電圧Vverを基準にし、検証動作を遂行して見た結果、検証電圧以上にプログラムされたセルがない場合には、前記検証電圧Vverを減少させて再検証動作を遂行する。このように検証電圧Vverを減少させて検証動作を繰り返し遂行すれば、減少されて再設定された検証電圧Va以上にプログラムされたセルをセンシングすることができ、このようなセルの閾値電圧を最高閾値電圧に設定することができる。
【００３５】
一方、プログラム／消去動作回数が多い場合にはプログラム速度が速くなるので、一度のプログラムパルス印加だけで、検証電圧以上にプログラムされたセルが発生し得る。すなわち、検証電圧Vverを基準として検証動作を遂行して見た結果、検証電圧以上にプログラムされたセルがある場合には、前記検証電圧Vverを増加させて再検証動作を遂行する。このように検証電圧Vverを増加させて検証動作を繰り返し遂行すれば、増加されて再設定された検証電圧Vbより閾値電圧の高いセルが一つのみある場合がセンシングされることができ、その時印加された検証電圧を最高閾値電圧に設定することができる。または、増加されて再設定された検証電圧Vbより閾値電圧の高いセルがないことがあり、その直前に印加された検証電圧を最高閾値電圧に設定することができる。
【００３６】
また図４を参照すれば、前記段階４１６遂行の後、第１ページに対してプログラム動作をずっと遂行する（段階４１８）。
【００３７】
前記プログラム立ち上がりパルスだけではプログラムが完了せず、ステップ電圧Vstepほどプログラム電圧を増加させ、プログラム動作を繰り返し遂行する。
【００３８】
次に、前記プログラム動作に対して検証動作を遂行する（段階４２０）。前記段階４１２の検証動作と同様に、プログラム対象セルが検証電圧以上にすべてプログラムされたかどうかを確認する（段階４２２）。
【００３９】
検証の結果、検証電圧以上にプログラムされていないセルがある場合には、プログラム電圧をステップ電圧ほど増加させて（段階４２４）、プログラム動作を繰り返し遂行する。
【００４０】
前記検証の結果、プログラム対象セルがすべて検証電圧以上にプログラムされた場合には第２ページに対するプログラム動作を遂行する前に、第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧を設定する（段階４２６）。
【００４１】
まず、前記第１ページと第２ページの関係をよく見れば、消去動作の単位となるメモリセルブロックに共通的に含まれるもので、消去動作回数が同じである。また、それぞれのページはＮＡＮＤ型不揮発性メモリ装置の特性によってプログラム動作の単位となる。したがって、第１ページと第２ページの実質的なプログラム／消去動作回数は同じものと見ることができ、プログラム／消去動作回数によるセルの特性も殆ど同じであると見られる。したがって、前記段階４１６で設定した第１ページの特性を根拠として第２ページのプログラム立ち上がりパルスを設定する。
【００４２】
第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧は、第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧に前記検証電圧と最高閾値電圧の差を加えた値に設定する。すなわち、次のような数式によって決定される。
［数式１］
第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧  ＝  第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧  ＋（検証電圧−最高閾値電圧）
【００４３】
図５（ａ）のようにプログラム／消去動作回数が少なくて最高閾値電圧が検証電圧より小さい場合には、前記第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧は第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧より大きくなる。それによってプログラム／消去動作回数が少ない初期にはダミープログラムパルスより増加されたプログラム立ち上がり電圧によってＩＳＰＰプログラム動作が遂行される。
【００４４】
図５（ｂ）のようにプログラム／消去動作回数が多くて最高閾値電圧が検証電圧より大きい場合には前記第２ページに対するプログラム立ち上がり電圧は、第１ページに対するプログラム立ち上がり電圧より小くなる。それによってプログラム／消去動作回数が多くなれば、ダミープログラムパルスのように低いプログラム立ち上がり電圧によってＩＳＰＰプログラム動作が遂行される。
【００４５】
次に、前記設定されたプログラム立ち上がり電圧によって第２ページに対するプログラム動作を遂行する（段階４３０）。
【００４６】
第２ページに対するプログラム動作も同様に上記説明した段階を遂行して第１+２ページに対するプログラム立ち上がり電圧を設定する。このような動作を繰り返して同一メモリセルブロック内に含まれた各ページに対するプログラム動作を完了する。
【００４７】
このような動作によってプログラム立ち上がり電圧を可変的に設定することができる。特に、プログラム／消去動作回数の少ない初期動作の時にはプログラム立ち上がり電圧を相対的に大きく設定してプログラム速度の遅いセルの特性を補償することができる。また、プログラム／消去動作回数の多い後期動作の時にはプログラム立ち上がり電圧を相対的に小さく設定してプログラム速度の速いセルの特性を補償することができる。
【００４８】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能なのはもちろんであり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４９】
１０２  メモリセルアレイ
１０４  Ｘ−デコーダ
１０６  Ｙ−デコーダ
１０８  ページバッファ
１１０  高電圧発生器
１１２  命令語インタフェースロジッグ部
１１４  命令語レジスタ
１１６  アドレスレジスタ/カウンタ
１１８  データレジスタ
１２０  ＩＯバッファ部
【図１】
2010170643.tif 000003
【図２】
2010170643.tif 000004
【図３】
2010170643.tif 000005
【図４】
2010170643.tif 000006
【図５】
2010170643.tif 000007