(57)【要約】【課題】集積回路の一部となりうる温度補償抵抗（ＴＣＲ）回路を提供する。【解決手段】ＴＣＲ回路１００は、２つの抵抗器１１０、１２０およびダイオード１３０からなる。２つの抵抗器は並列に接続され、またダイオードは、これらの抵抗器のうちの１つと直列に接続される。ＴＣＲ回路の２つの並列な脚部は、接地などの基準電圧源に接続することができる。バイポーラトランジスタ、ツェナーダイオードもしくはショットキーダイオード、または特別に処理された抵抗器などの特化されたデバイスは、ＴＣＲ回路では必要とされない。ＴＣＲ回路の抵抗器およびダイオードは、抵抗器の抵抗値の温度変化を調整するように選択することができ、それにより、回路に対する抵抗の温度係数を負、ゼロ、または正にする。位相ロックループ（ＰＬＬ）回路については、ＴＣＲ回路の応用例として記載される。【選択図】図１
2010161343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の抵抗値を有する第１の抵抗器と、
第２の抵抗値を有し、前記第１の抵抗器と並列に接続された第２の抵抗器と、
前記第２の抵抗器と直列に接続されたダイオードとからなる回路であって、該当回路が所定の温度係数を有するように前記第１の抵抗値および前記第２の抵抗値は選択される、回路。
【請求項２】
位相ロックループ（ＰＬＬ）とともに動作するように構成され、また前記ＰＬＬは、
増幅器と、
電圧制御発振器（ＶＣＯ）と、
前記増幅器に接続された第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ、前記増幅器、および前記ＶＣＯに接続された第２のトランジスタとを備え、前記第２のトランジスタは、絶対温度に対して比例的な（ＰＴＡＴ）電流を前記ＶＣＯに提供する、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
集積回路として構成される、請求項１に記載の回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
政府の実施権
本発明は、米国政府の支援により、契約第Ｆ０９６０３−０２−Ｄ−００５５−０００６号（下請契約第４４００１８３５７３号）のもとで行われた。米国政府は、本発明に特定の権利を有するものとする。
【０００２】
本発明は、一般には電気回路および電子回路に関し、具体的には、異なる温度係数向けに設計された回路に関する。
【背景技術】
【０００３】
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）集積回路などの集積回路で使用される抵抗器は、通常、正の温度係数を有する。すなわち、抵抗器の抵抗は、温度が高くなるにつれて増大する。しかし、正の温度係数を有する抵抗器の使用が常に望ましいわけではない。集積回路（ＩＣ）上の抵抗器の温度係数を調整するために複雑な回路を追加すると、チップ密度を低減させる一方、ＩＣのコストおよび／または電力要件を増大させることがある。
【０００４】
多数の従来技術のデバイスが、温度変化を調整するように開発されてきた。それらの従来技術のデバイスの中には、Ｂｒｏｋａｗ、「Ａ  Ｓｉｍｐｌｅ  Ｔｈｒｅｅ−Ｔｅｒｍｉｎａｌ  ＩＣ  Ｂａｎｄｇａｐ  Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ（簡単な３端子ＩＣバンドギャップ基準）」、ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ、Ｖｏｌ．ＳＣ−９、Ｎｏ．６、１９７４年１２月、３８８〜３９３頁（「Ｂｒｏｋａｗ」）、Ｊ．ＣｈｅｎおよびＢ．Ｓｈｉ、「Ｎｅｗ  Ａｐｐｒｏａｃｈ  ｔｏ  ＣＭＯＳ  Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｗｉｔｈ  Ｖｅｒｙ  Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ（温度係数が非常に低いＣＭＯＳ電流基準に対する新しい手法）」、Ｇｒｅａｔ  Ｌａｋｅｓ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｖｅｒｙ  Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ（ＧＬＳＶＬＳＩ）  ’０３  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、２８１〜８４頁、ワシントンＤＣ、Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ  Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ（ＡＣＭ）Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ（「ＣｈｅｎおよびＳｈｉ」）、ならびに米国特許第６，３５１，１１１号（「Ｌａｒａｉａ」）などに記載のバンドギャップ回路が含まれる。また、いくつかの従来技術の温度補償回路は、米国特許第３，８９９，６９５号（「Ｓｏｌｏｍｏｎ」）、第４，１１４，０５３号（「Ｔｕｒｎｅｒ」）、第４，２２９，７５３号（「Ｂｅｒｇｅｒｏｎ」）、第４，２５８，３１１号（「Ｔｏｋｕｄａ」）、第４，８５３，６１０号（「Ｓｃｈａｄｅ」）、第４，９５６，５６７号（「Ｈｕｎｌｅｙ」）、第５，０３８，０５３号（「Ｄｊｅｎｇｕｅｒｉａｎ」）、第５，１２５，１１２号（「Ｐａｃｅ」）などに記載のバイポーラトランジスタ、ショットキーダイオード、および／またはツェナーダイオードなどの特化されたデバイスを利用する。米国特許第５，３８６，１６０号（「Ａｒｃｈｅｒ」）（温度補償のために電流ミラーを利用する）、第６，３３３，２３８号（「Ｂａｌｄｗｉｎ」）、および第６，７９８，０２４号（「Ｈｅｍｍｅｎｗａｙ」）（ＢａｌｄｗｉｎおよびＨｅｍｍｅｎｗａｙは、温度係数を最小化する製作方法について記載している）も参照されたい。米国特許出願第２００７／０１６４８４４号（「Ｌｉｎ」）に記載の１つの従来技術の回路は、負温度係数抵抗器および正温度係数抵抗器を利用する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，３５１，１１１号
【特許文献２】米国特許第３，８９９，６９５号
【特許文献３】米国特許第４，１１４，０５３号
【特許文献４】米国特許第４，２２９，７５３号
【特許文献５】米国特許第４，２５８，３１１号
【特許文献６】米国特許第４，８５３，６１０号
【特許文献７】米国特許第４，９５６，５６７号
【特許文献８】米国特許第５，０３８，０５３号
【特許文献９】米国特許第５，１２５，１１２号
【特許文献１０】米国特許第５，３８６，１６０号
【特許文献１１】米国特許第６，３３３，２３８号
【特許文献１２】米国特許第６，７９８，０２４号
【特許文献１３】米国特許出願第２００７／０１６４８４４号
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｂｒｏｋａｗ、「Ａ  Ｓｉｍｐｌｅ  Ｔｈｒｅｅ−Ｔｅｒｍｉｎａｌ  ＩＣ  Ｂａｎｄｇａｐ  Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ（簡単な３端子ＩＣバンドギャップ基準）」、ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ、Ｖｏｌ．ＳＣ−９、Ｎｏ．６、１９７４年１２月、３８８〜３９３頁
【非特許文献２】Ｊ．ＣｈｅｎおよびＢ．Ｓｈｉ、「Ｎｅｗ  Ａｐｐｒｏａｃｈ  ｔｏ  ＣＭＯＳ  Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｗｉｔｈ  Ｖｅｒｙ  Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ（温度係数が非常に低いＣＭＯＳ電流基準に対する新しい手法）」、Ｇｒｅａｔ  Ｌａｋｅｓ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｖｅｒｙ  Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ（ＧＬＳＶＬＳＩ）  ’０３  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、２８１〜８４頁、ワシントンＤＣ、Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ  Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ（ＡＣＭ）Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ
【非特許文献３】ＧｌａｓｅｒおよびＳｕｂａｋ−Ｓｈａｒｐｅ、「Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ：Ｄｅｓｉｇｎ，Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ（集積回路工学：設計、製作、および応用）」、Ａｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙ、１９７７年、２２頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
また、従来技術のデバイスの多くは、ゼロ温度係数（ＺＴＣ）回路としてのみ温度を補償することができ（たとえば、ＴｕｒｎｅｒおよびＬｉｎ）、または絶対温度に対して相補的な（ＣＴＡＴ）電流と絶対温度に対して比例的な（ＰＴＡＴ）電流を組み合わせて温度補償を実現することができる（たとえば、Ｄｊｅｎｇｕｅｒｉａｎ）。負、ゼロ、または正の温度補償を実現するのに特化されたデバイスの使用を必要としない簡単で柔軟な回路設計が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の実施形態は、回路を含む。本発明の第１の実施形態は、回路である。この回路は、第１の抵抗器、第２の抵抗器、およびダイオードからなる。第１の抵抗器は、第１の抵抗値を有する。第２の抵抗器は、第２の抵抗値を有する。第２の抵抗器は、第１の抵抗器と並列に接続される。ダイオードは、第２の抵抗器と直列に接続される。
【０００９】
本発明の第２の実施形態は、位相ロックループである。この位相ロックループは、増幅器、電圧制御発振器（ＶＣＯ）、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、および温度補償抵抗回路を含む。第１のトランジスタは、増幅器に接続される。第２のトランジスタは、第１のトランジスタ、増幅器、およびＶＣＯに接続される。温度補償抵抗回路は、増幅器および第１のトランジスタに接続される。温度補償抵抗回路は、第１の抵抗器、第２の抵抗器、およびダイオードを含む。第１の抵抗器は、第１の抵抗値を有する。第２の抵抗器は、第２の抵抗値を有する。第２の抵抗器は、第１の抵抗器と並列に接続される。ダイオードは、第２の抵抗器と直列に接続される。第１の抵抗器とダイオードはどちらも、基準電圧源に接続される。
【００１０】
本発明の第３の実施形態は、集積回路である。この集積回路は、温度補償抵抗回路を含む。温度補償抵抗回路は、第１の抵抗器、第２の抵抗器、およびダイオードを含む。第１の抵抗器は、第１の抵抗値を有する。第２の抵抗器は、第２の抵抗値を有する。第２の抵抗器は、第１の抵抗器と並列に接続される。ダイオードは、第２の抵抗器と直列に接続される。
【００１１】
実施形態の様々な例について、以下の図面を参照して本明細書に説明する。図面では、同じ番号で同じ要素を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態による温度補償抵抗回路の図である。
【図２】本発明の実施形態による位相ロックループ回路の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
集積回路の一部となりうる温度補償抵抗（ＴＣＲ）回路が提供される。ＴＣＲ回路は、２つの抵抗器およびダイオードからなる。２つの抵抗器は並列に接続され、またダイオードは、これらの抵抗器のうちの１つと直列に接続される。抵抗器およびダイオードは、抵抗器の抵抗値の温度変化を調整するように選択することができ、それにより、回路に対する抵抗の温度係数を負、ゼロ、または正にする。本発明は、ＴＣＲ回路内の温度係数を負、ゼロ、または正にするのに使用可能な抵抗値および電圧を決定する数学的モデルを含む。ＴＣＲ回路は、温度補償を実現するのに、バイポーラトランジスタ、ショットキーダイオード、ツェナーダイオード、負温度係数抵抗器、および／または他の特別に処理された抵抗器などの特化されたデバイスの使用を必要としない。むしろ、温度補償抵抗回路は、標準的なＣＭＯＳプロセスデバイス（２つの抵抗器および単一のダイオード）の使用を必要とするにすぎない。
【００１４】
負、ゼロ、または正の温度係数回路としてのＴＣＲ回路の簡単さおよび柔軟性は、様々な電気的応用例での使用を可能にする。１つのそのような応用例（ＴＣＲ回路を利用してＰＴＡＴ電流を生成する位相ロックループ）について、ＴＣＲ回路の詳細な応用例として本明細書で説明する。遅延素子および遅延ロックループを含む本明細書に開示する位相ロックループに関係する他の特定の回路は、開示されるＴＣＲ回路に基づいて、当業者には容易に設計することができる。
【００１５】
しかし、当業者には容易に理解されるように、このＴＣＲ回路は、大部分のＣＭＯＳ回路に広く適用することが可能である。ＴＣＲ回路は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、ならびに標準的な集積回路および非集積回路に組み込むことができる。ＴＣＲ回路の最終用途には、温度補償抵抗が必要とされる民生用、軍用、および宇宙用の適用分野が含まれる。
【００１６】
図に移ると、図１は、本発明の実施形態による温度補償抵抗（ＴＣＲ）回路１００を示す。図１では見やすいように実線の長方形の内側に示すＴＣＲ回路１００は、抵抗器１１０と、抵抗器１１０に並列に接続された別の抵抗器１２０と、抵抗器１２０に直列に接続されたダイオード１３０とからなる。ＴＣＲ回路１００の抵抗器１１０の脚部とダイオード１３０はどちらも、基準電圧源１４０に接続される。図１に示す基準電圧源１４０は接地電圧源であるが、他の基準電圧源も同様に可能である。ＴＣＲ回路１００は、標準的なデバイスを使用して、かつ／またはそれだけには限らないがＣＭＯＳ集積回路などの集積回路上で、実現することができる。
【００１７】
その結果得られるＴＣＲ回路１００の温度係数は、成分値および入力電流を選択することによって調整される。たとえば、
Ｔ０＝基準温度、
Ｔ＝当該の温度、
Ｒ１０＝温度Ｔ０での抵抗器１１０の抵抗、
Ｒ２０＝温度Ｔ０での抵抗器１２０の抵抗、ならびに
α＝抵抗器１１０および１２０に対する温度係数
とする。
【００１８】
このとき、温度Ｔでの抵抗器１１０の抵抗Ｒ１は、
（１）Ｒ１＝Ｒ１０［１＋α（Ｔ−Ｔ０）］＝Ｒ１０（Ａ＋ＢＴ）
であり、上式で、ＡおよびＢは正の定数である。
【００１９】
同様に、温度Ｔでの抵抗器１２０の抵抗Ｒ２は、
（２）Ｒ２＝Ｒ２０［１＋α（Ｔ−Ｔ０）］＝Ｒ２０（Ａ＋ＢＴ）
である。
【００２０】
また、温度ＴのＴＣＲ回路１００に、入力電圧Ｖ０および入力電流Ｉで電力が印加されるとき、
（３ａ）Ｖ０＝Ｉ１Ｒ１
であり、上式で、Ｉ１は基準点１６０を流れる電流である。このとき、
（３ｂ）Ｖ０＝Ｉ２Ｒ２＋Ｖｄ
であり、上式で、Ｉ２は基準点１６２を流れる電流であり、またＶｄはダイオード１３０の両端間の電圧降下である。
【００２１】
次いで、（３ａ）と（３ｂ）を等式化すると、
（３）Ｖ０＝Ｉ１Ｒ１＝Ｉ２Ｒ２＋Ｖｄ
であり、上式で、Ｖｄは、
【００２２】
【数１】
2010161343.tif 000003
【００２３】
によって求めることができる。
次いで、ＧｌａｓｅｒおよびＳｕｂａｋ−Ｓｈａｒｐｅによれば、
【００２４】
【数２】
2010161343.tif 000004
【００２５】
であり、上式で、Ｖｇ０は温度０°ケルビンでのダイオード１３０に対するギャップ電圧であり（たとえば、シリコンの場合、Ｖｇ０＝１．２１Ｖ）、
Ｉｓはダイオード１３０に対する飽和電流であり、
またＶＴはダイオード１３０に対する熱電圧である。ＧｌａｓｅｒおよびＳｕｂａｋ−Ｓｈａｒｐｅ、「Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ：Ｄｅｓｉｇｎ，Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ（集積回路工学：設計、製作、および応用）」、Ａｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙ、１９７７年、２２頁（式２．１３参照）を、あらゆる目的で参照により組み込む。
【００２６】
通常、Ｖｇ０≧Ｖｄである（たとえば、シリコンの場合、Ｖｄ≒０．７Ｖ）。温度Ｔでの熱電圧ＶＴは、式
【００２７】
【数３】
2010161343.tif 000005
【００２８】
によって求めることができる。上式で、ｋ＝ボルツマン定数であり、またｑ＝電子上の電荷の大きさである。
また、抵抗器１１０の脚部と抵抗器１２０の脚部が並列であるとき、
（６）Ｉ＝Ｉ１＋Ｉ２
である。
【００２９】
式（４）、（５）、および（５ａ）から、温度
【００３０】
【数４】
2010161343.tif 000006
【００３１】
に対する電圧の変化は、
【００３２】
【数５】
2010161343.tif 000007
【００３３】
である。
式（１）および（３）から、
【００３４】
【数６】
2010161343.tif 000008
【００３５】
であり、または
【００３６】
【数７】
2010161343.tif 000009
【００３７】
について（８）を解くと、
【００３８】
【数８】
2010161343.tif 000010
【００３９】
である。
次いで、式（２）、（３）、（６）、（７）、および（８）を組み合わせると、
【００４０】
【数９】
2010161343.tif 000011
【００４１】
である。
【００４２】
【数１０】
2010161343.tif 000012
【００４３】
について解くと、
【００４４】
【数１１】
2010161343.tif 000013
【００４５】
が得られる。式（１０）は、抵抗器１１０および１２０それぞれに対する抵抗Ｒ１およびＲ２（ならびに温度Ｔ０での対応する抵抗Ｒ１０およびＲ２０）、ダイオード１３０、ならびに入力電流Ｉの選択だけに基づいて、ＴＣＲ回路１００の出力電圧が負、ゼロ、または正の温度係数
【００４６】
【数１２】
2010161343.tif 000014
【００４７】
を有することができることを示す。たとえば、
【００４８】
【数１３】
2010161343.tif 000015
【００４９】
が０になるように抵抗器１１０および１２０ならびにダイオード１３０を選択することによって、ＴＣＲ回路１００の温度依存性が解消される。同様に、負の温度依存性が必要とされる応用例では、式（１０）に従って、抵抗器１１０および１２０ならびにダイオード１３０を適切に選択することができる。
【００５０】
ＴＣＲ回路１００を利用する応用回路の設計者は、適用要件について考慮してから、抵抗器１１０、抵抗器１２０、およびダイオード１３０に使用すべき特定の抵抗値および電圧値を決定することができる。たとえば、これらの適用要件は、ＴＣＲ回路１００に対する入力電流Ｉ、入力電圧Ｖ０、および／または効果的な抵抗を指定することがある。
【００５１】
さらに、応用例の適用要件に応じて、電圧および温度がＴＣＲ回路１００の構成要素に与える２次効果および３次効果などのさらなる効果を考慮しなければならないことがある。当業者には認識されるように、これらのさらなる効果については、応用回路および／またはＴＣＲ回路のシミュレーションを介して容易に考慮することができる。このシミュレーションは、カリフォルニア州サンノゼのＣａｄｅｎｃｅ  Ｄｅｓｉｇｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ社製のＳＰＥＣＴＲＥシミュレーションソフトウェアを使用して行われることが好ましい。
【００５２】
設計者は、ＴＣＲ回路１００に関して、ＴＣＲ回路１００内で使用される特定の構成要素に影響を与える選択を行うことができる。たとえば、設計者は、ＴＣＲ回路の脚部間の比もしくは百分比または電流比を指定することができる。たとえば、電流の６０％を抵抗器１２０およびダイオード１３０に流し（したがって電流の４０％を抵抗器１１０に流し）、またはＴＣＲ回路１００の２つの脚部間の電流比を１：１にする。設計者はまた、抵抗器１２０とダイオード１３０の電圧降下間の電圧比または百分比を選択することができる。たとえば、全電圧降下の２／３がダイオード１３０で起こり、また全電圧降下の１／３が抵抗器１２０で起こるようにする。
【００５３】
適用要件を考慮して設計上の選択を行った後、設計者は、上記の式（１）〜（１０）によって提供された分析に基づいて、抵抗器１１０、抵抗器１２０、およびダイオード１３０に対する特定の構成要素を選択することができる。位相ロックループ応用回路で使用される特定の構成要素の例については、以下を参照されたい。
【００５４】
図２は、本発明の実施形態によるＴＣＲ回路１００を利用する位相ロックループ（ＰＬＬ）回路２００を示す。ＰＬＬ回路２００は、増幅器２１０、トランジスタ２２０および２３０、電圧制御発振器２４０、ならびにＴＣＲ回路１００を含む。ＴＣＲ回路１００は、図２では見やすいように実線の長方形の内側に示す。
【００５５】
増幅器２１０の反転入力に入力電圧２１２を印加することができる。入力電圧２１２は、基準信号を表すことができる。クロック出力２４４は、制御電圧２４２と固定の関係を有することができる。増幅器２１０の非反転入力は、抵抗器２２２およびＴＣＲ回路１００を介して基準電圧源２７０（たとえば、接地）に接続することができる。
【００５６】
増幅器２１０の出力は、トランジスタ２２０および２３０両方のゲートに結合することができる。トランジスタ２２０および２３０両方のソースは、ソース電圧２６０に結合することができる。トランジスタ２２０のドレインは、抵抗器２２２とＴＣＲ回路１００の両方と直列に接続することができ、ＴＣＲ回路１００は、基準電圧源２７０（すなわち、接地電圧）に接続される。トランジスタ２３０のドレインは、ＶＣＯ２４０に接続することができ、したがって、バイアス電流２３２をＶＣＯ２４０へ供給することができる。
【００５７】
ＰＬＬ回路２００内でＴＣＲ回路１００を使用すると、ＶＣＯ２４０へ供給されるバイアス電流２３２が確実に、絶対温度に対して比例的な（ＰＴＡＴ）バイアス電流２３２になる。ＶＣＯ２４０へのバイアス電流としてＰＴＡＴバイアス電流２３２を使用すると、ＶＣＯ２４０の使用可能な周波数範囲を増大させることができる。たとえば、入力電圧２１２が１．２Ｖのときに、抵抗器２２２が８ＫΩの抵抗を有し、抵抗器１１０が１６ＫΩの抵抗を有し、また抵抗器１２０が１ＫΩの抵抗を有すると、温度補償抵抗回路を使用しない類似のＰＬＬ回路に比べて、ＶＣＯ２４０の使用可能な周波数範囲を、５０％を超えて増大させることができる。この例では、抵抗器１１０および抵抗器１２０を選択すると、ＴＣＲ回路１００は負の温度係数を有する。このとき、ＴＣＲ回路１００の負の温度係数により、バイアス電流２３２を絶対温度に比例させることができる。
結論
本発明の例示的な実施形態について上に説明した。しかし、特許請求の範囲によって定義される本発明の本来の範囲および精神から逸脱することなく、記載の実施形態に変更および修正を加えうることが、当業者には理解されるであろう。しかし、本明細書に詳細に記載の上記その他の構成は、例示のみを目的として提供されること、そして本発明は、以下の特許請求の範囲の範囲および精神内のすべての修正形態および改良形態を包含することを理解されたい。したがって、他の構成および他の要素（たとえば、機械、インターフェース、機能、順序、および機能の分類など）を代わりに使用でき、また一部の要素を完全に省略できることが、当業者には理解されるであろう。さらに、本明細書に記載の要素の多くは、個別のまたは分散された構成要素として、他の構成要素と一緒に、任意の適切な組合せおよび位置で実施できる機能上の要素である。
【符号の説明】
【００５８】
１００  温度補償抵抗（ＴＣＲ）回路
１１０  抵抗器
１２０  抵抗器
１３０  ダイオード
１４０  基準電圧源
１６０  基準点
１６２  基準点
２００  位相ロックループ（ＰＬＬ）回路
２１０  増幅器
２１２  入力電圧
２２０  トランジスタ
２２２  抵抗器
２３０  トランジスタ
２３２  バイアス電流
２４０  電圧制御発振器、ＶＣＯ
２４２  制御電圧
２４４  クロック出力
２６０  ソース電圧
２７０  基準電圧源
【図１】
2010161343.tif 000016
【図２】
2010161343.tif 000017
【外国語明細書】
2010161343000001.pdf