(57)【要約】【課題】スルーホール内部における短絡の発生とスルーホール内部に形成されるダメージ層の除去とを可能とする太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】  本実施形態に係る太陽電池１の製造方法は、ｎ型単結晶シリコン基板１０の受光面１０Ａ側からｎ型単結晶シリコン基板１０内部まで延びる第１穴２０を形成する工程と、受光面１０Ａ上及び第１穴２０の内壁面上に、ｉ型非晶質シリコン層１１とｐ型非晶質シリコン層１２とＴＣＯ層１３とを順次形成する工程と、裏面１０Ｂ上にｉ型非晶質シリコン層１４とｎ型非晶質シリコン層１５とＴＣＯ層１６とを順次形成する工程と、ｎ型単結晶シリコン基板１０の裏面１０Ｂ側から第１穴２０まで延びる第２穴３０を形成することによってスルーホールＴＨを形成する工程とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面から前記第１主面の反対側に設けられる第２主面まで貫通する貫通孔を有する半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の前記第１主面から前記半導体基板の内部まで延びる第１穴を形成する工程Ａと、
前記第１主面上及び前記第１穴の内壁面上に、実質的に真性なｉ型非晶質半導体層と一導電型半導体層と透明導電層とを順次形成するとともに、前記第２主面上に実質的に真性なｉ型非晶質半導体層と他導電型半導体層と透明導電層とを順次形成する工程Ｂと、
前記半導体基板の前記第２主面から前記第１穴まで延びる第２穴を形成することによって前記貫通孔を形成する工程Ｃと、
前記貫通孔内に導電性材料を充填する工程Ｄと
を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記第１主面又は前記第２主面のうち一方の主面は、光を受ける受光面の反対側に設けられる裏面であって、
前記工程Ｃと前記工程Ｄとの間に、前記一方の主面上から前記貫通孔の内壁面上に跨るように絶縁層を形成する工程Ｅを備え、
前記工程Ｅにおいて、前記貫通孔の内壁面のうち少なくとも前記半導体基板が露出する部分まで前記絶縁層によって覆う
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記第１主面は、光を受ける受光面であり、
前記第２主面は、前記受光面の反対側に設けられる裏面であって、
前記半導体基板は、前記他導電型を有しており、
前記工程Ｃと前記工程Ｄとの間に、前記第２主面上から前記貫通孔の内壁面上に跨るように絶縁層を形成する工程Ｅを備え、
前記工程Ｅにおいて、前記貫通孔の内壁面のうち少なくとも前記半導体基板が露出する部分まで前記絶縁層によって覆う
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通孔を有する半導体基板を備える太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、クリーンで無尽蔵に供給される太陽光を直接電気に変換する。従って、太陽電池は、新しいエネルギー源として期待されている。
【０００３】
一般的に、太陽電池１枚当りの出力は数Ｗ程度である。従って、家屋やビル等の電源として太陽電池を用いる場合には、配線材によって接続された複数の太陽電池を備える太陽電池モジュールが用いられる。
【０００４】
従来、太陽電池の受光面積の拡大を目的として、太陽電池の裏面側に配線材を配置する手法が提案されている（非特許文献１参照）。非特許文献１に記載の太陽電池は、受光面から裏面まで貫通する貫通孔（以下、「スルーホール」という。）内部に形成されるスルーホール電極が受光面上に形成された受光面側細線電極に接続された構造（いわゆる、「メタルラップスルー構造」）を有する。配線材は、裏面側でスルーホール電極に接続される。
【非特許文献１】Ｆ．Ｃｌｅｍｅｎｔ，「Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ａｎｄ  ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｓｃｒｅｅｎ−ｐｒｉｎｔｅｄ  ｍｃ−Ｓｉ  ｍｅｔａｌ  ｗｒａｐ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌｓ」，第２１回ヨーロッパ光起電太陽エネルギー会議，ミラノ，２００７年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、上記非特許文献１に記載の太陽電池では、半導体基板の裏面に不純物を熱拡散することによってｐｎ接合が形成される。そのため、ｐｎ接合界面における光生成キャリアの再結合の抑制には余地があった。
【０００６】
具体的には、ｐｎ接合界面における特性を向上可能なＨＩＴ（Heterojunction with Intrinsic Thin layer）構造を上記非特許文献１に記載の太陽電池に適用することが考えられる。ＨＩＴ構造では、受光面上にｐ型非晶質シリコン層及び受光面側透明導電層が順次形成され、裏面上にｎ型非晶質シリコン層及び裏面側透明導電層が順次形成される。また、ｎ型結晶系シリコン基板とｐ型非晶質シリコン層とによって形成されるｐｎ接合領域、及びｎ型結晶系シリコン基板とｎ型非晶質シリコン層とによって形成されるＢＳＦ接合領域には、実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層が介挿される。
【０００７】
このようなＨＩＴ構造を上記非特許文献１に記載の太陽電池に適用する場合、以下のような問題があった。
【０００８】
第１に、ｎ型結晶系シリコン基板に予めスルーホールを形成しておく場合、スルーホール内壁に形成されるダメージ層をエッチング法で除去した後に、ｐ型非晶質シリコン層及び受光面側透明導電層を受光面上に順次形成するとともに、ｎ型非晶質シリコン層及び裏面側透明導電層を裏面上に順次形成することができる。しかしながら、この場合、受光面側透明導電層と裏面側透明導電層とがスルーホール内部で短絡してしまうおそれがあった。
【０００９】
第２に、受光面上にｐ型非晶質シリコン層及び受光面側透明導電層を予め順次形成するとともに、裏面上にｎ型非晶質シリコン層及び裏面側透明導電層を予め順次形成した後に、ｎ型結晶系シリコン基板にスルーホールを形成する場合、受光面側透明導電層と裏面側透明導電層との短絡を防止することができる。しかしながら、この場合、スルーホール形成後にスルーホール内壁に形成されるダメージ層をエッチング法で除去すると、各透明導電層及び各非晶質シリコン層がダメージを受けてしまうおそれがあった。
【００１０】
本発明は、上述した状況に鑑みてなされたものであり、スルーホール内部における短絡の発生とスルーホール内部に形成されるダメージ層の除去とを可能とする太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法は、第１主面から第１主面の反対側に設けられる第２主面まで貫通する貫通孔を有する半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、半導体基板の第１主面から半導体基板の内部まで延びる第１穴を形成する工程Ａと、第１主面上及び第１穴の内壁面上に、実質的に真性なｉ型非晶質半導体層と一導電型半導体層と透明導電層とを順次形成するとともに、第２主面上に実質的に真性なｉ型非晶質半導体層と他導電型半導体層と透明導電層とを順次形成する工程Ｂと、半導体基板の第２主面から第１穴まで延びる第２穴を形成することによって、貫通孔を形成する工程Ｃと、貫通孔内に導電性材料を充填する工程Ｄとを備えることを要旨とする。
【００１２】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法によれば、第１穴を形成した後であって、各非晶質シリコン層及び各透明導電層を形成する前に、第１穴の内壁に形成されたダメージ層をエッチング法によって除去することができる。そのため、各非晶質シリコン層及び各透明導電層にダメージを与えることなく、貫通孔のうち第1穴の内壁におけるダメージ層を除去することができる。また、各非晶質シリコン層及び各透明導電層を形成した後に貫通孔を形成することができる。そのため、各透明導電層が貫通孔内において短絡することを防止することができる。
【００１３】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法において、第１主面又は第２主面のうち一方の主面は、光を受ける受光面の反対側に設けられる裏面であって、工程Ｃと工程Ｄとの間に、一方の主面上から貫通孔の内壁面上に跨るように絶縁層を形成する工程Ｅを備え、工程Ｅにおいて、貫通孔の内壁面のうち半導体基板が露出する部分まで絶縁層によって覆ってもよい。
【００１４】
本発明の特徴に係る太陽電池の製造方法において、第１主面は、光を受ける受光面であり、第２主面は、受光面の反対側に設けられる裏面であって、半導体基板は、他導電型を有しており、工程Ｃと工程Ｄとの間に、第２主面上から貫通孔の内壁面上に跨るように絶縁層を形成する工程Ｅを備え、工程Ｅにおいて、貫通孔の内壁面のうち半導体基板が露出する部分まで絶縁層によって覆ってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、スルーホール内部における短絡の発生とスルーホール内部に形成されるダメージ層の除去とを可能とする太陽電池の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１７】
［第１実施形態］
（太陽電池の製造方法）
以下において、第１実施形態に係る太陽電池１の製造方法について、図面を参照しながら説明する。各図（ａ）は、本実施形態に係るｎ型単結晶シリコン基板１０の平面図であり、各図（ｂ）は、各図（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【００１８】
（１）第1穴の形成
まず、図１（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０を準備する。ｎ型単結晶シリコン基板１０は、光を受ける受光面１０Ａと、受光面１０Ａの反対側に設けられる裏面１０Ｂとを有する。図１（ｂ）に示すように、受光面１０Ａに略垂直な垂直方向において、ｎ型単結晶シリコン基板１０の厚みはＬである。
【００１９】
次に、図２（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０に複数の第１穴２０を形成する。具体的には、第１方向に沿って並べられる７個の第１穴を、第１方向に略直交する第２方向に２列形成する。各第１穴２０は、図２（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の受光面１０Ａ側からｎ型単結晶シリコン基板１０内部の所定位置Ｐまで延びる。所定位置Ｐは、垂直方向において、受光面１０Ａから距離ｘの位置である。距離ｘは、ｎ型単結晶シリコン基板１０の厚みＬよりも小さい。従って、第１穴２０は、ｎ型単結晶シリコン基板１０を貫通しない。本実施形態では、第１穴２０を円環状に形成する。
【００２０】
このような第１穴２０の形成には、レーザアブレーション加工、或いはドリルやサンドブラスト等を用いた機械的加工法を適用することができる。レーザアブレーション加工では、ＫｒＦエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光などを用いることができる。
【００２１】
（２）エッチング処理
次に、第１穴２０の形成によって第１穴２０の内壁に形成されるダメージ層を、エッチング法によって除去する。具体的には、ｎ型単結晶シリコン基板１０をフッ酸硝酸混合液に浸漬することによって、第１穴２０の内壁のダメージ層を除去する。
【００２２】
（３）半導体層及び透明導電層の形成
次に、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の受光面１０Ａ上及び第１穴２０の内壁面上に、実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層１１とｐ型非晶質シリコン層１２と透明導電層（ＴＣＯ（Transparent Conductive Oxide）層）１３とを順次形成する。本実施形態では、第１穴２０にマスキングしないため、図３（ｂ）に示すように、ｉ型非晶質シリコン層１１とｐ型非晶質シリコン層１２とＴＣＯ層１３は、第１穴２０の内壁面上にも形成される。ｉ型非晶質シリコン層１１とｐ型非晶質シリコン層１２とは、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成することができる。ＴＣＯ層１３は、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法によって形成することができる。
【００２３】
続いて、図３（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の裏面１０Ｂ上に、実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層１４とｎ型非晶質シリコン層１５とＴＣＯ層１６とを順次形成する。ｉ型非晶質シリコン層１４とｎ型非晶質シリコン層１５とは、ＣＶＤ法によって形成することができる。ＴＣＯ層１６は、上記ＴＣＯ層１３と同様に形成することができる。
【００２４】
（４）貫通孔の形成
次に、図４（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の受光面１０Ａから裏面１０Ｂまで貫通するスルーホールＴＨを形成する。具体的には、図４（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の裏面１０Ｂから第１穴２０まで延びる第２穴３０を形成する。これによって、第１穴２０と第２穴３０とが繋げられて、スルーホールＴＨが形成される。
【００２５】
ここで、本実施形態では、第２穴３０の直径ｚは、第1穴２０の直径ｙよりも小さい。このような第２穴３０の形成には、レーザアブレーション加工、或いはドリルやサンドブラスト等を用いた機械的加工法を適用することができる。なお、第２穴３０は、受光面１０Ａ側及び裏面１０Ｂ側のいずれからレーザを照射しても良い。
【００２６】
（５）絶縁層の形成
次に、図５（ａ）に示すように、ＴＣＯ層１６上に所定パターンのマスクを施して、ＣＶＤ法、スパッタ法或いは塗布法によって絶縁層１７を形成する。この際、絶縁層１７は、図５（b）に示すように、ＴＣＯ層１６上からスルーホールＴＨの内壁面上（特に、第２穴３０の内壁面上）まで跨って形成される。絶縁層１７は、スルーホールＴＨの内壁面のうちｎ型単結晶シリコン基板１０が露出する部分まで覆う。絶縁層１７によって、後述するスルーホール電極４１（図６参照）とｎ型単結晶シリコン基板１０とが電気的に分離される。絶縁層１７としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。
【００２７】
（６）導電体の形成
次に、ＴＣＯ層１３上に受光面側細線電極４０を形成するとともに、スルーホールＴＨ内にスルーホール電極４１を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、スクリーン印刷等によって、ＴＣＯ層１３上に所定のパターンで導電性材料を配置するとともに、図６（ｂ）に示すように、スルーホールＴＨ内に導電性材料を充填する。このような導電性材料としては、例えば、熱硬化型の銀ペーストなどを用いることができる。
【００２８】
続いて、図６（ｃ）に示すように、ＴＣＯ層１６上に受光面側接続用電極４２と裏面側細線電極５１と裏面側接続用電極５２とを形成する。具体的には、スクリーン印刷等によって、ＴＣＯ層１６上に所定のパターンで導電性材料を配置する。
【００２９】
以上によって、本実施形態に係る太陽電池１が作製される。
【００３０】
（７）モジュール化工程
以下において、複数の太陽電池１を備える太陽電池モジュールの製造方法について説明する。
【００３１】
まず、複数の太陽電池１を配線材によって互いに電気的に接続する。具体的には、配線材の一端部を一の太陽電池１の受光面側接続用電極４２に接続するとともに、配線材の他端部を他の太陽電池１の裏面側接続用電極５２に接続する。
【００３２】
次に、受光面側保護材上に、封止材、複数の太陽電池１、封止材及び裏面側保護材を順次配置する。続いて、封止材を加熱することによって封止材を硬化させる。
【００３３】
なお、受光面側保護材２としては、ガラスなどの透光性材料を用いることができる。また、裏面側保護材３としては、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）等の樹脂フィルム、Ａｌ箔を樹脂フィルムでサンドイッチした構造を有する積層フィルムなどを用いることができる。また、封止材４としては、ＥＶＡ、ＥＥＡなどの樹脂材料を用いることができる。
【００３４】
（作用及び効果）
本実施形態に係る太陽電池１の製造方法は、ｎ型単結晶シリコン基板１０の受光面１０Ａからｎ型単結晶シリコン基板１０内部まで延びる第１穴２０を形成する工程と、受光面１０Ａ上及び第１穴２０の内壁面上に、ｉ型非晶質シリコン層１１とｐ型非晶質シリコン層１２とＴＣＯ層１３とを順次形成する工程と、裏面１０Ｂ上にｉ型非晶質シリコン層１４とｎ型非晶質シリコン層１５とＴＣＯ層１６とを順次形成する工程と、ｎ型単結晶シリコン基板１０の裏面１０Ｂから第１穴２０まで延びる第２穴３０を形成することによってスルーホールＴＨを形成する工程とを備える。
【００３５】
従って、第１穴２０を形成した後であって、各非晶質シリコン層及び各ＴＣＯ層を形成する前に、第１穴２０の内壁に形成されたダメージ層をエッチング法によって除去することができる。そのため、各非晶質シリコン層及び各ＴＣＯ層にダメージを与えることなく、スルーホールＴＨのうち第1穴２０の内壁におけるダメージ層を除去することができる。また、各非晶質シリコン層及び各ＴＣＯ層を形成した後に、スルーホールＴＨを形成することができる。そのため、ＴＣＯ層１３とＴＣＯ層１６とがスルーホールＴＨ内において短絡することを防止することができる。
【００３６】
また、本実施形態では、第１穴２０は受光面１０Ａ側から形成され、第２穴３０は裏面１０Ｂ側から形成される。そのため、スルーホールＴＨのうち第２穴３０の内壁面上にのみ絶縁層１７を形成すれば良い。従って、スルーホールＴＨの内壁面全面に絶縁層１７を形成する場合に比べて、太陽電池１の製造コストを低減することができる。
【００３７】
［第２実施形態］
以下において、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法について、図面を参照しながら説明する。上記第１実施形態と第２実施形態との相違点は、第２穴３０が２段階に分けて形成される点である。
【００３８】
（１）第1穴及び予備穴の形成
まず、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の受光面１０Ａに複数の第１穴２０を形成する。続いて、ｎ型単結晶シリコン基板１０の裏面１０Ｂに複数の予備穴２５を形成する。予備穴２５の直径は、第1穴２０の直径と略同一である。
【００３９】
（２）エッチング処理
次に、第１穴２０の内壁及び予備穴２５の内壁に形成されるダメージ層を、エッチング法によって除去する。
【００４０】
（３）半導体層及び透明導電層の形成
次に、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の受光面１０Ａ上及び第１穴２０の内壁面上に、ｉ型非晶質シリコン層１１とｐ型非晶質シリコン層１２とＴＣＯ層１３とを順次形成する。
【００４１】
続いて、図８（ｂ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の裏面１０Ｂ上に、ｉ型非晶質シリコン層１４とｎ型非晶質シリコン層１５とＴＣＯ層１６とを順次形成する。
【００４２】
（４）貫通孔の形成
次に、図９（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０の受光面１０Ａから裏面１０Ｂまで貫通するスルーホールＴＨを形成する。具体的には、図９（ｂ）に示すように、第１穴２０と予備穴２５とを繋げるようにｎ型単結晶シリコン基板１０を除去する。このように、裏面１０Ｂから第１穴２０まで延びる第２穴３０を形成することによって、第１穴２０と第２穴３０とが繋がったスルーホールＴＨが形成される。
【００４３】
（５）絶縁層の形成
次に、図１０（ａ）に示すように、ＴＣＯ層１６上に所定パターンのマスクを施して、ＣＶＤ法などによって絶縁層１７を形成する。この際、絶縁層１７は、図１０（b）に示すように、ＴＣＯ層１６上からスルーホールＴＨの内壁面上に跨って形成される。本実施形態では、スルーホールＴＨの内壁面が面一であるため、絶縁層１７は、スルーホールＴＨの内壁面略全面に形成される。ただし、絶縁層１７は、スルーホールＴＨの内壁面のうちｎ型単結晶シリコン基板１０が露出する部分まで覆っていればよい。
【００４４】
（６）導電体の形成
次に、ＴＣＯ層１３上に受光面側細線電極４０を形成するとともに、スルーホールＴＨ内にスルーホール電極４１を形成する（図６（ａ）参照）。続いて、ＴＣＯ層１６上に受光面側接続用電極４２と裏面側細線電極５１と裏面側接続用電極５２とを形成する（図６（ｃ）参照）。
【００４５】
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４６】
例えば、上述した第１実施形態では、大径の第１穴２０を受光面１０Ａに形成し、小径の第２穴３０を裏面１０Ｂに形成することとしたが、第１穴２０を裏面１０Ｂに形成するとともに、第２穴３０を受光面１０Ａに形成することとしてもよい。ただし、この場合には、絶縁層１７をスルーホールＴＨの内壁面略全面に形成することが好ましい。
【００４７】
また、上述した実施形態では、スルーホールＴＨを円孔状に形成することとしたが、これに限られるものではない。本発明は、スルーホールＴＨの形状を特定するものではない。
【００４８】
また、上述した実施形態では、受光面側細線電極４０及び裏面側細線電極５１を第２方向に沿って形成するとともに、受光面側接続用電極４２及び裏面側接続用電極５２を第１方向に沿って形成することとしたが、これに限られるものではない。本発明は、各電極の位置及び形状を特定するものではない。
【００４９】
また、上述した実施形態では、第１穴２０及び予備穴２５それぞれの形状は、円環状であることとしたが、これに限られるものではない。例えば、第１穴２０及び予備穴２５それぞれの形状は、円柱状を含む他の形状であってもよい。なお、第１穴２０及び予備穴２５それぞれを円環状に形成する場合には、円柱状に形成する場合に比べて、穴の形成時間の短縮を図ることができる。
【００５０】
また、上述した実施形態では、ｎ型単結晶シリコン基板１０を用いて説明したが、本発明に係る半導体基板の導電型及び材料は、これに限られるものではない。例えば、半導体基板は、ｐ型の導電型を有していてもよく、また、多結晶シリコンやＧａＡｓなどによって構成されていてもよい。
【００５１】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その１）。
【図２】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その２）。
【図３】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その３）。
【図４】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その４）。
【図５】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その５）。
【図６】本発明の第１実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その６）。
【図７】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その１）。
【図８】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その２）。
【図９】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その３）。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る太陽電池１の製造方法を説明するための図である（その４）。
【符号の説明】
【００５３】
ＴＨ…スルーホール、１…太陽電池、２…受光面側保護材、３…裏面側保護材、４…封止材、１０…ｎ型単結晶シリコン基板、１０Ａ…受光面、１０Ｂ…裏面、１１…ｉ型非晶質シリコン層、１２…ｐ型非晶質シリコン層、１３…ＴＣＯ層、１４…ｉ型非晶質シリコン層、１５…ｎ型非晶質シリコン層、１６…ＴＣＯ層、１７…絶縁層、２０…第１穴、２５…予備穴、３０…第２穴、４０…受光面側細線電極、４１…スルーホール電極、４２…受光面側接続用電極、５１…裏面側細線電極、５２…裏面側接続用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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