(57)【要約】【課題】  光学基板の射出成形における温度サイクルや樹脂充填時の圧力保持時間などを長くすることなく、光学基板に反射防止用の微細構造を高精度で転写形成できるように、モールド及び当該モールドの製造方法を工夫すること。【解決手段】  転写されて作成される光学基板の表面に反射防止用の微細構造体を形成する凸形状及び凹形状のうちの少なくとも一方の形状をなす微細構造型体が複数形成されたモールドにおいて、前記微細構造型体間には、隣接する凸形状の微細構造型体を連結する凸形状の連結型部又は隣接する凸形状の微細構造型体間を連結する凹形状の連結型部が形成されており、前記凸形状の連結型部の高さ寸法は前記凸形状の微細構造型体の高さ寸法より小さく、前記凹形状の連結型部の深さ寸法は前記凹形状の微細構造型体の深さ寸法より小さく形成されていることを特徴とするモールド。【選択図】図１
2010143161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写されて作成される光学基板の表面に反射防止用の微細構造体を形成する凸形状及び凹形状のうちの少なくとも一方の形状をなす微細構造型体が複数形成されたモールドにおいて、
前記微細構造型体間には、隣接する凸形状の微細構造型体を連結する凸形状の連結型部又は隣接する凸形状の微細構造型体間を連結する凹形状の連結型部が形成されており、
前記凸形状の連結型部の高さ寸法は前記凸形状の微細構造型体の高さ寸法より小さく、
前記凹形状の連結型部の深さ寸法は前記凹形状の微細構造型体の深さ寸法より小さく形成されていることを特徴とするモールド。
【請求項２】
前記微細構造型体の形状は、円柱形状、円錐形状、円錐台形状、角柱形状、角錐形状、角錐台形状のいずれかであることを特徴とする請求項１記載のモールド。
【請求項３】
前記複数個の微細構造型体は一まとまりのブロックとして構成され、
前記複数のブロックの間には、前記連結型部の幅寸法より大きな幅寸法を備え、前記ブロックを区切る凸形状又は凹形状の区分線型部が配置されることを特徴とする請求項１又は２記載のモールド。
【請求項４】
前記微細構造型体は、成型される光学基板の反射防止構造を形成するためのものであって、
微細構造型体は、反射を抑制すべき光の波長以下のピッチで形成されると共に、
前記凸形状の微細構造型体の高さ寸法又は前記凹形状の微細構造型体の深さ寸法と、前記凸形状の連結型部の高さ寸法又は前記凹形状の連結型部の深さ寸法との比は、２．５〜５であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のモールド。
【請求項５】
表面に反射防止用の凸形状及び凹形状のうちの少なくとも一方の形状の微細構造体が複数形成された光学基板において、
前記微細構造体間には、隣接する凸形状の微細構造体を連結する凸形状の連結部又は隣接する凹形状の微細構造体を連結する凹形状の連結部が形成されており、
前記凸形状の連結部の高さ寸法は前記凸形状の微細構造体の高さ寸法より小さく、前記凹形状の連結部の深さ寸法は前記凹形状の微細構造体の深さ寸法より小さく形成されていることを特徴とする光学基板。
【請求項６】
透光性を有する合成樹脂からなることを特徴とする請求項５記載の光学基板。
【請求項７】
請求項１に記載のモールドの製造方法であって、
基板上に少なくとも光吸収層およびパターン形成層からなる無機レジスト層を形成する工程と、
前記凸形状もしくは凹形状の微細構造型体、前記凸形状の連結型部及び前記凹形状の連結型部の形成パターンに応じてレーザ光の照射パワーを変化させて潜像を形成する工程と、
エッチング処理により前記凸形状もしくは凹形状の微細構造型体、前記凸形状の連結型部又は前記凹形状の連結型部を形成する工程と、
前記パターンをマスクとして基板をエッチングし、凸形状もしくは凹形状の微細構造型体、前記凸形状の連結型部又は前記凹形状の連結型部を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を含むことを特徴とするモールドの製造方法。
【請求項８】
請求項３に記載のモールドにおいて、
前記区分線型部がモールド中心から放射状に形成されていることを特徴とするモールド。
【請求項９】
請求項３に記載のモールドにおいて、
前記区分線型部の断面形状がＵ字型であることを特徴とするモールド。
【請求項１０】
請求項７に記載のモールド製造方法において、
前記パターンをマスクとして基板をエッチングする工程において、前記マスクのエッチングを行う工程と前記基板のエッチングを行う工程とを繰り返し、凸形状の凹形状の構造体を形成することを特徴とするモールド製造方法。
【請求項１１】
請求項１から４，８および９に記載のモールドにおいて、
前記微細構造体、連結型部、および区分線型部が形成されていない領域に、構造体より小さい凹凸がランダムに形成されていることを特徴とするモールド。
【請求項１２】
請求項７に記載のモールド製造方法において、
前記パターンをマスクとして基板をエッチングする工程において、パターンが形成されていない領域の光吸収層が島状に残るようにエッチングを行い、前記島状の光吸収層と、前期パターンとをマスクとして基板をエッチングすることにより、構造体より小さい凹凸と構造体を同時に形成することを特徴とするモールド製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド、光学基板及びモールドの製造方法に係り、特に反射防止処理用の微細構造体が形成された光学基板を成型するためのモールド、表面に反射防止処理用の微細構造体が形成された光学基板及び前記モールドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、透光性材料を用いた光学基板では、光学基板の光入射面に入射光の反射を防止するため表面処理が施されている。このような表面処理としては、誘電体薄膜を光学基板表面に真空蒸着法等により積層する処理や、微細な凹凸パターン（微細構造体）を光学基板表面に形成する処理がある。
光学基板の表面に微細な凹凸パターンを形成する反射防止処理は、光学用合成樹脂を射出成形して光学基板を製造するに際して、表面に前記凹凸パターンを転写する微細構造型体を形成したモールドを使用することにより実現される。ここで、光学基板は、光学素子、光電変換デバイス又は発光デバイス用の基板を意味する。
下記の特許文献１には、微細パターンが形成された光学素子を射出成形で作製する際の転写性を向上させるため、基板上に円錐形状の凹凸による微細パターン（レジストパターン）を形成し、その微細パターンの先端部分に二酸化シリコン膜を形成して先端部に太幅部分を設け、このパターンが形成された基板上に金型用金属を被着させた後、基板を取り除き、先端部がオーバーハングされた大幅部を有する微細パターンを備えた金型（スタンパ）を形成するものが記載されている。
【０００３】
この従来の金型製造方法の概要は次のとおりである（図１５参照。図１５は下記特許文献の図２と同じ）。基板上に形成した微細パターン（レジストパターン）の凸部の先端部に二酸化シリコン膜３３，３４を形成して先端部に大幅部分６１を形成し、上記基板３上に電解ニッケル層を形成し、裏面を研磨して所定厚さの金型（スタンパ）となる金属層６を形成する。その後、金属層６からレジストパターン３２、二酸化シリコン膜３３を除去し、これにより、微細凹溝の先端部にオーバーハング形状の大幅部分６１の空洞領域が形成される。
上記のように、微細パターンの凹溝先端にオーバーハング形状の大幅部分６１が形成されているので、樹脂７を充填して反射防止構造７１を備えた光学素子７０を射出成形するとき溶融した樹脂は上記凹溝先端まで高充填率で充填される。
【特許文献１】特開２００７−９８８３９公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術による円錐形状の凹凸による微細パターンでは、パターンのサイズが小さい上、パターン幅又はパターン径とパターン高さとの比であるアスペクト比が大きい。このアスペクト比が大きいと、溶融した樹脂の粘度が高いため、モールド（金型）の凹凸パターンに樹脂が十分充填されない。そのため、転写不良となり、成形された光学素子について十分な反射防止特性がえられない場合がある。従来、このような事態を防止して微細な構造の転写性を向上させるために、温度サイクルや樹脂充填時の圧力保持時間などを長くするようにしており、このため、光学素子を大量に生産する際の生産能率が悪くてコスト増を招くことになる。
本発明は上記の問題が生じないようにすることを目的とするもので、温度サイクルや樹脂充填時の圧力保持時間などを長くすることなく、光学基板に反射防止用の微細構造を高精度で転写形成できるように、モールド及び当該モールドの製造方法を工夫することをその課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は、転写されて作成される光学基板の表面に反射防止用の微細構造体を形成する凸形状及び凹形状のうちの少なくとも一方の形状をなす微細構造型体が複数形成されたモールドにおいて、前記微細構造型体間には、隣接する凸形状の微細構造型体を連結する凸形状の連結型部又は隣接する凸形状の微細構造型体間を連結する凹形状の連結型部が形成されており、前記凸形状の連結型部の高さ寸法は前記凸形状の微細構造型体の高さ寸法より小さく、前記凹形状の連結型部の深さ寸法は前記凹形状の微細構造型体の深さ寸法より小さく形成されていることを特徴とするモールドである。
なお、上記の凸形状はモールドの表面に対して凸の形状であり、上記凹形状はモールド表面に対して凹の形状である。
請求項２の発明は、請求項１記載のモールドにおいて、前記微細構造型体の形状は、円柱形状、円錐形状、円錐台形状のいずれかであることを特徴とする。
【０００６】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載のモールドにおいて、前記複数個の微細構造型体は一まとまりのブロックとして構成され、前記複数のブロックの間には、前記連結型部の幅寸法より大きな幅寸法を備え、前記ブロックを区切る凸形状又は凹形状の区分線型部が配置されることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項記載のモールドにおいて、前記微細構造型体は、成型される光学基板の反射防止構造を形成するためのものであって、微細構造型体は、反射を抑制すべき光の波長以下のピッチで形成されると共に、前記凸形状の微細構造型体の高さ寸法又は前記凹形状の微細構造型体の深さ寸法と、前記凸形状の連結型部の高さ寸法又は前記凹形状の連結型部の深さ寸法との比は、２．５〜５であることを特徴とする。
【０００７】
請求項５の発明は、表面に反射防止用の凸形状及び凹形状のうちの少なくとも一方の形状の微細構造体が複数形成された光学基板において、前記微細構造体間には、隣接する凸形状の微細構造体を連結する凸形状の連結部又は隣接する凹形状の微細構造体を連結する凹形状の連結部が形成されており、前記凸形状の連結部の高さ寸法は前記凸形状の微細構造体の高さ寸法より小さく、前記凹形状の連結部の深さ寸法は前記凹形状の微細構造体の深さ寸法より小さく形成されていることを特徴とする光学基板である。
【０００８】
請求項６の発明は、請求項５記載の光学基板において、透光性を有する合成樹脂からなることを特徴とする。
【０００９】
請求項７の発明は、請求項１記載のモールドの製造方法であって、基板上に少なくともパターン形成層からなる無機レジスト層を形成する工程と、前記凸形状もしくは凹形状の微細構造型体、前記凸形状の連結型部及び前記凹形状の連結型部の形成パターンに応じてレーザ光の照射パワーを変化させて潜像を形成する工程と、エッチング処理により前記凸形状もしくは凹形状の微細構造型体、前記凸形状の連結型部又は前記凹形状の連結型部を形成する工程と、前記パターンをマスクとして基板をエッチングし、凸形状もしくは凹形状の微細構造型体、前記凸形状の連結型部又は前記凹形状の連結型部を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、を含むことを特徴とするモールドの製造方法である。
【００１０】
請求項８の発明は、請求項３に記載のモールドにおいて、前記区分線型部が、モールド中心から放射状に形成されていることを特徴とする。
なお、上記「区分線型部」は前記ブロックを区切る凸形状又は凹形状の構造を意味し、また、「モールド中心」はモールドの中心を意味し、「放射状に形成」は放射線状に形成を意味する。
【００１１】
請求項９の発明は、請求項３に記載のモールドにおいて、前記区分線型部の断面形状がＵ字型であることを特徴とする。
なお、上記の「断面形状がＵ字型」は、区分線型部の直交方向の断面形状がＵ字型であることを意味する。
【００１２】
請求項１０の発明は、請求項７に記載のモールド製造方法において、前記パターンをマスクとして基板をエッチングする工程において、前記マスクのエッチングを行う工程と前記基板のエッチングを行う工程とを繰り返し、凸形状の凹形状の構造体を形成することを特徴とするモールド製造方法である。
【００１３】
請求項１１の発明は、請求項１から４，８および９に記載のモールドにおいて、前記微細構造体、連結型部、および区分線型部が形成されていない領域に、構造体より小さい凹凸がランダムに形成されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項１２の発明は、請求項７に記載のモールド製造方法において、前記パターンをマスクとして基板をエッチングする工程において、パターンが形成されていない領域の光吸収層が島状に残るようにエッチングを行い、前記島状の光吸収層と、前期パターンとをマスクとして基板をエッチングすることにより、構造体より小さい凹凸と構造体を同時に形成することを特徴とするモールド製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
〔請求項１記載の発明〕
請求項１記載の発明によれば、転写されて作成される光学基板の表面に反射防止用の微細構造体を形成する凸形状及び凹形状のうちの少なくとも一方の形状をなす微細構造型体が複数形成されたモールドにおいて、モールドの表面に形成される微細構造型体間には、隣接する凸形状の微細構造型体を連結する凸形状の連結型部、又は、隣接する凸形状の微細構造型体間を連結する凹形状の連結型部を形成し、これらの凸形状の連結型部の高さ寸法は前記凸形状の微細構造型体の高さ寸法より小さく、凹形状の連結型部の深さ寸法は前記凹形状の微細構造型体の深さ寸法より小さく形成したので、光学基板の成型時において合成樹脂が前記凸形状の連結型部又は凹形状の連結型部に沿って流れので、モールドに溶融した樹脂が十分にかつ速やかに充填される。したがって、凹凸の微細構造の転写性が向上し、光学基板の反射防止用の高形状精度の微細構造体が形成される。
【００１６】
〔請求項２記載の発明〕
請求項２記載の発明によれば、そのモールドの微細構造型体の形状は、円柱形状、円錐形状、円錐台形状、角柱形状、角錐形状、角錐台形状のいずれかであるから、光学基板が必要とする反射防止処理が要求される仕様に従って光学基板の表面に適正な形状の微細構造体を形成することができる。
そして、円錐形状及び円錐台形状である場合の利点は、干渉露光法直接描画法により、作製が容易である。そしてまた、角柱形状および角柱台形状の場合の利点は、円錐形状及び円錐台形状の場合に比べて微細構造体を隙間なく形成できるので、高い反射防止効果が得られる。
【００１７】
〔請求項３記載の発明〕
請求項３記載の発明によれば、そのモールドの微細構造型体を一まとまりのブロックとし、ブロックの間に連結型部より幅広の区分線型部を配置したので、合成樹脂が区分線型部から連結型部へ、さらに微細構造体へと流れやすい。したがって、光学基板の成型時に合成樹脂の流動性が更に向上するので微細構造型体の転写性が向上し、光学基板の反射防止用の微細構造が高精度で形成される。
【００１８】
〔請求項４記載の発明〕
請求項４記載のモールドによれば、微細構造型体は、反射を抑制すべき光の波長以下のピッチで形成されると共に、凸形状の微細構造型体の高さ寸法又は前記凹形状の微細構造型体の深さ寸法と、前記凸形状の連結型部の高さ寸法又は前記凹形状の連結型部の深さ寸法との比を、反射防止機能を維持し、かつ、転写性の向上効果が得られる２．５〜５にしている。したがって、転写性が良好であり、これによる光学基板は所期の反射防止効果を発揮することができる。
【００１９】
〔請求項５記載に発明〕
請求項５記載の発明によれば、その光学基板の微細構造体間には、隣接する凸形状の微細構造体を連結する凸形状の連結部又は隣接する凸形状の微細構造体を連結する凹形状の連結部が形成され、凸形状の連結部の高さ寸法は前記凸形状の微細構造体の高さ寸法より小さく、凹形状の連結部の深さ寸法は前記凹形状の微細構造体の深さ寸法より小さく形成されているので、反射防止効果を損なわずに、光学基板の製造時にモールドに合成樹脂が速やかにかつ十分に充填される。これにより転写性が向上し、反射防止用の微細構造体が高精度で形成され、所望の反射防止効果を発揮することができる。
【００２０】
〔請求項６記載の発明〕  
請求項６記載の発明によれば、その光学基板は、透光性を有する合成樹脂で成型されるので光学素子、光電変換デバイス又は発光デバイス用の基板等の光学基板を大量に複製することができ、製造コストを低減することができる。
【００２１】
〔請求項７記載の発明〕
請求項７記載の発明によれば、モールドをヒートモードリソグラフィでパターンを形成するので、微細構造体型間に連結型部を形成した構造を他の方法より容易に製造することができ、コストを低減することができる。
【００２２】
〔請求項８記載の発明〕
請求項８記載の発明によれば、そのモールドにおける区分線型部をモールド中心から放射状に形成しているので、モールド中心に向けて注入された溶融樹脂が区分線型部に沿って外周に流動しやすくなる。
【００２３】
〔請求項９記載の発明〕
請求項９記載の発明によれば、そのモールドにおける区分線型部の断面形状をＵ字型にしているので、離型時に樹脂基板モールドに引っかかることによって発生する転写不良を低減することができる。
【００２４】
〔請求項１０記載の発明〕
請求項１０記載の発明によれば、モールド製造方法において、無機レジスト層および光吸収層のエッチング工程と基板のエッチング工程とを繰り返して構造体を形成するので、構造体の高さおよびテーパー角を容易に制御することができる。
【００２５】
〔請求項１１記載の発明〕
請求項１１記載の発明によれば、構造体が形成されていない平坦な領域に構造体より微細な凹凸が形成されているので、基板転写工程において、溶融樹脂のような流動性をもつ樹脂は、この凹凸には充填されず、樹脂は凸部と接触する。
したがって、樹脂基板に転写する際、樹脂とモールドとの接触面積を小さくすることができるので、離型性を向上させることができる。
【００２６】
〔請求項１２記載の発明〕
請求項１２記載の発明によれば、マスクとなる光吸収層を一部残した状態で基板をエッチングするので、新たな工程を追加することなく、基板に微細な凹凸を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態の微細構造体を有するモールドの一部を拡大したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図、図２は図１（ａ）中のＡ−Ａ線に相当する断面図である。
モールド１００は光学基板を成型するために使用されるものであり、光学基板には反射防止用の微細構造体が形成される。この光学基板製造用のモールド１００の基板１１０には、円柱形状の微細構造型体１２０が複数形成されている。ここで、光学基板に反射防止用に形成される微細な構造体を微細構造体といい、光学基板に微細構造体を転写するためモールドに形成される微細な構造を微細構造型体という。
モールド１００において微細構造型体１２０は、複数個がピッチｐ、ドットピッチｄを隔てて縦横方向に方形の格子状をなすよう形成されている。このモールド１００を用いて光学基板を製造すると、光学基板の表面には、微細構造型体１２０が転写されて形成される多数の凹形状の微細構造体が配置され、所望の反射防止効果が発揮される。
また、これらの微細構造型体１２０のうち隣接する微細構造型体１２０は、列方向（図１（ａ）中縦方向）に凸形状の連結型部１３０で連結されている。また、凸形状の連結型部１３０は、前記微細構造型体１２０の高さ寸法より小さい高さ寸法を備えている。このため本例では、光学基板の成型時において合成樹脂が前記凸形状の連結型部１３０に沿って流れるためモールド全体に広がる。
したがって、合成樹脂がモールド１００に十分に充填され、転写性が向上し、光学基板の反射防止用の微細構造の転写精度が高い。
本例では、図２に示すように、微細構造型体１２０の高さをＨ、凸形状の連結型部１３０の高さをｈとするとき、ｈとＨの比（Ｈ／ｈ）は２．５〜５とすることが望ましい。ｈとＨの比をこのようにすることにより、光学基板への微細構造体の転写性を良好にし、光学基板に所望の反射防止効果を発揮させることができる。
【００２８】
〔第２の実施形態〕
次に第２の実施形態について説明する。図３は第２の実施形態のモールドの一部を拡大して示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。
モールド２００の基板２１０には、円柱形状の微細構造型体２２０が複数形成されている。微細構造型体２２０は、複数個がピッチｐ、ドットピッチｄを隔てて縦横方向に方形の格子状に配置して形成されている。また、この第２実施形態のモールド２００では、四方に隣接する微細構造型体２２０間に図中縦方向及び横方向に凸形状の連結部２３０Ｖ，２３０Ｈを形成している。これによれば、微細構造型体２２０は、４方で凸形状の連結部２３０Ｖ，２３０Ｈで連結されているから、光学基板の成型時において合成樹脂が前記凸形状の連結部２３０Ｖ，２３０Ｈに沿って流れる。このため、モールド全体に広がるから、合成樹脂の転写性が向上する。
この実施形態では、微細構造型体２２０の高さ、連結部２３０Ｖ、２３０Ｈの高さ寸法は、第１の実施形態と同様のものとすることが好ましい。
この第２の実施形態の利点は、構造体の四方に連結部２３０Ｖ，２３０Ｈを形成したので、第１の実施形態よりも合成樹脂の流動性が高まり、より転写性が」向上する。
【００２９】
〔第３の実施形態〕
次に第３の実施形態について説明する。図４は第３の実施形態のモールドの一部を拡大したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。
モールド３００の基板３１０には、円柱形状の微細構造型体３２０が複数形成されている。微細構造型体３２０は、複数個がピッチｐ、ドットピッチｄを隔て縦横方向に行列をなすよう形成されている。これらの微細構造型体３２０のうち隣接する微細構造型体３２０は、列方向（図４（ａ）中縦方向）に凸形状の連結型部３３０で連結されている。
また、この第３の実施形態のモールド３００は、微細構造体を複数列、例えば４列でまとめたブロック３４０として形成し、このブロック３４０を前記凸形状の連結型部３３０より幅の広い区分線型部３５０で挟むようにしている。また、この凸形状の連結型部３３０の高さ寸法は、前記微細構造型体３２０と同程度の寸法としている。なお、ブロック３４０を構成する微細構造型体３２０の列数は４列に限らず所望の値とすることができる。
また、区分線型部３５０をモールド中心から放射状に形成すると、注入された溶融樹脂が区分線型部に沿って外周に流動しやすくなるから、モールド全面に樹脂を充填できる。
区分線型部３５０の断面形状は、矩形、Ｕ字型のいずれの形状をとることができるが、離型性を考慮すると、Ｕ字型であれば、離型時に樹脂基板が区分型部に引っかかることによって発生する転写不良を低減できる。したがって、Ｕ字型が好ましい。
なお、上記の「矩形」は区分線型部３５０に直交する方向の断面形状が矩形であることを意味し、上記の「Ｕ字型」は同断面の形状が概略Ｕの形であることを意味する。
この実施形態のモールド３００では、光学基板の成型時に合成樹脂が区分線型部３５０を流れ、微細構造型体３２０、連結型部３３０への流動性が向上して微細構造型体３２０の転写性が向上し、光学基板の反射防止用の微細構造が高精度で形成される。
第３の実施形態の利点は、微細構造体をブロック毎に形成し、ブロックの境界にライン部より幅が広いブロックラインを形成したので、請求項１のモールドよりもさらに樹脂の流動性が向上するためさらに転写性が向上する。
【００３０】
〔第４の実施形態〕
次に第４の実施形態について説明する。図５は第４の実施形態のモールドの一部を拡大したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。
モールド４００の基板４１０には、円柱形状の微細構造型体４２０が複数形成されている。微細構造型体４２０は、複数個がピッチｐ、ドットピッチｄを隔てて縦横方向に行列をなすよう形成されている。また、本例に係るモールド４００では、四方に隣接する微細構造型体４２０間に図中縦方向及び横方向に凸形状の連結部４３０Ｖ，４３０Ｈを形成している。
また、この第４の実施形態４のモールド４００は、微細構造体を複数行列、例えば３行４列でまとめたブロック４４０として形成し、このブロック４４０の四方を前記凸形状の連結型部４３０より幅の広い区分線型部４５０で挟むようにしている。また、この凸形状の区分線型部４５０の高さ寸法は、前記微細構造体４２０と同程度の寸法にしている。なお、ブロック４４０を構成する微細構造型体３２０の行列数は３行４列に限らず所望の値とすることができる。
第４の実施形態のモールド４００によれば、光学基板の成型時に合成樹脂が区分線型部４５０を流れ、微細構造型体４２０、連結型部４３０への流動性が向上して微細構造型体４２０の転写性が向上し、光学基板の反射防止用の微細構造が高精度で形成される。
この第４の実施形態の微細構造体をブロック毎に形成し、ブロック境界にライン部より幅が広いブロックラインを形成したので、請求項１のモールドよりさらに樹脂の流動性が向上するためさらに転写性が向上する。 
【００３１】
なお、以上の各実施形態１〜４では、微細構造型体の形状を円柱形状としているが、光学基板に要求される反射防止の仕様により、この形状は円柱形状の他、円錐形状、円錐台形状、四角柱形状、四角錐形状、四角錐台形状、楕円柱形状、楕円錐形状、楕円錐台形状、つり鐘形状のいずれとすることもできる。またこれらを適宜組み合わせた多他種類の形状によるものにすることもできる。
多種類の形状を組み合わせたものの、単一の形状によるものに対する利点は反射防止効果が高いことである。
【００３２】
また、以上の各実施形態１〜４では、微細構造型体及び連結部は基板の表面から突設した凸形状としたが、微細構造型体は基板の表面から凹設した凹形状のものとすることができる。この場合は、凹形状の微細構造型体を表面からへこんだ凹形状の連結型部で連結させる。そして、凹形状の連結型部の深さ寸法を、微細構造型体の深さ寸法より小さくし、このときの、微細構造型体の深さ寸法と、凹形状の連結型部の深さ寸法との比については２．５〜５が好ましい。因みに、これらは臨界的は技術的意義を有するものではないが、２．５未満では反射防止効果が小さく、反対に５より大きいと転写不良が生じやすい傾向があるので、この範囲が実用上好適な範囲である。
凹形状の微細構造体を採用した場合は、凸形状の微細構造型体を採用した場合と同様に、光学基板への微細構造体の転写性が向上し、これにより光学基板の反射防止用の微細構造が高精度で形成される。
【００３３】
なお、上記実施形態のモールドは、凸形状の微細構造型体及び凹形状の微細構造型体の一方だけを形成したものであるが、両方の形状の微細構造型体を混在させて形成することができる。この場合、凸形状の微細構造型体間には凸形状の連結型部を形成し、凹形状の微細構造型体間には凹形状の連結型部を形成する。
更に、上記各例では、微細構造型体を縦横に配置した正方格子構造としたが、三角格子構造でも六方格子構造でもよいし、整列していない不定状態としてもよい。
【００３４】
〔第５の実施形態〕
次に、第５の実施形態について説明する。この実施形態は、モールド及び光学基板の製造方法である。
モールドは下記（１）〜（７）の工程によって製造され、光学基板は下記（８）の工程で製造される。図６は第５の実施形態のモールド及び光学基板の製造方法を示すものであり、（ａ）〜（ｈ）は各工程を示す模式図である。
この第５の実施形態では、まず、製造すべき光学基板の転写型となる微細構造体及び連結部と同じ形状の石英製の母型を製造し、この母型にＮｉ鋳造を行い、ニッケル製のマスタスタンパを製造する。従って、光学基板と母型とは同型であり、母型及び光学基板とマスタスタンパとは凹凸が逆形状となる。
【００３５】
（１）製膜工程
まず、図６（ａ）に示すように、研磨、洗浄された石英基板５１０上に、光吸収層５２０としてＡｇＩｎＳｂＴｅ（膜厚１２ｎｍ）をＤＣスパッタリング法で形成し、この光吸収層５２０の上にパターン形成層５３０となるＺｎＳ−ＳｉＯ２（膜厚７５ｎｍ）をＲＦスパッタリング法で形成する。これによって原盤５００が作成される。
なお、上記の石英基板５１０上に形成された光吸収層５２０及びパターン形成層５３０が、フォトリソグラフィにおけるレジスト層に相当する。
【００３６】
（２）露光工程
次いで、図６（ｂ）に示すように、製膜工程で作成した原盤５００を露光装置で露光する。露光装置は、波長４１３ｎｍのレーザ光ＬＢをＮＡ０．９の対物レンズ６２１で集光して原盤５００に潜像を形成する。このモールドの製造法で使用される露光装置の概略構成は図７に示されているとおりである。露光装置６００は、原盤５００を回転駆動するモーター６１０と、回転する原盤５００を図中左から右へ移動して露光を行う光ピックアップ６２０とを備えており（図６（ｂ））、上記のようにして光ピックアップ６２０で原盤５００を露光することで、原盤５００上に潜像がうずまき状に形成される。なお、レーザ光の強度は光変調器（図示略）によって行う。光ピックアップ６２０は、図６（ｂ）に示すように、凸レンズである対物レンズ６２１を備え、レーザ光ＬＢを原盤５００に集光する。また、光ピックアップ６２０は原盤表面上に常にフォーカス位置で集光するように、フォーカスサーボ機構を備えている。
【００３７】
光ピックアップ６２０によって照射されるレーザ光のパワーの変調例を図８に模式的に示している。図８（ａ）に示すように、原盤５００に形成される微細構造体５３５間に連結部５３６を形成する場合は、パターン形成層５３０が所望の熱変質を起こすようにレーザ光のパワーを変調する。一方、図８（ｂ）に示すように、微細構造体間に連結部（上記連結部５３６参照）を形成しない場合は、その微細構造体５３７間でのレーザ光のパワーをパターン形成層が熱変質しない程度の低いパワーとする。
レーザ光の照射によって光吸収層で熱が発生し、その熱によってパターン形成層５３０及び光吸収層５２０が熱変質する。ここで、光吸収層５２０には熱変質部５２１が形成され、パターン形成層５３０には熱変質部５３１及び他の熱変質部５３２が形成される。パターン形成層５３０において、熱変質する領域はレーザパワーに依存し、高パワーで形成された熱変質部５３１はパターン形成層５３０の表面まで達し、低パワーで形成された他の熱変質部５３２はパターン形成層５３０の表面まで達していない。したがって、この例では熱変質部５３１はパターン形成層５３０の表面まで達しているのに対して、他の熱変質部５３２はパターン形成層５３０の表面まで達していない。
【００３８】
この処理は、光吸収層５２０及びパターン形成層５３０からなるレジスト層を熱変質させることによって、レジスト層に潜像を形成するヒートモードリソグラフィである。このヒートモードリソグラフィは、レーザ光の集光スポット径より小さいパターンを形成できる特徴を有する。このため、通常のフォトリソグラフィより微細なパターンを形成できる。また、電子線を用いるＥＢリソグラフィに比べて、装置コストの低減、露光時間の短縮化が可能である。
【００３９】
なお、上記連結部を有しない場合の微細構造体５３７の形状は、図８の例では円形状であるが、当該微細構造体５３７の形状はレーザ光の照射時間で変更することができる。
図９は他の微細構造体形状を形成したモールドの一部拡大図である。モールド５００の表面に、微細構造体５８１の形状を楕円形とし、微細構造体５８１の長径方向に連続する連結部５８２を形成している。
このように、微細構造材５８１を楕円にするには、形成時のレーザ照射時間を長くすればよい。すなわち、微細構造材が直径ｄの円形状の場合は、例えば、レーザー照射時間はｔ１であるのに対して、長径が短径ｄの２倍の楕円形状の場合は円形状の約２倍である。
また、微細構造材が円錐形状、円錐台形状、角柱形状、角錐形状のうち適宜のものを採用できる。
【００４０】
（３）現像工程
次いで、図６（ｃ）に示すように、露光後の原盤５００をフッ酸水溶液でエッチングする。すると、レーザ光が照射されなかったパターン形成層５３０の部分がフッ酸水溶液で除去され、原盤上にレーザ照射に応じたＺｎＳ−ＳｉＯ２及びＡｇＩｎＳｂＴｅのパターンが形成される。このとき、高いレーザパワーで照射された熱変質部５３１はパターン形成層５３０の表面まで達しているため厚くなり、低いレーザパワーで照射された他の熱変質部５３２は、表面まで熱変質していないため、その表面部分がエッチングにより除去されて薄くなる。
【００４１】
（４）光吸収層除去工程
次いで、図６（ｄ）に示すように、Ａｒイオンスパッタエッチングにより光吸収層５２０を除去し、レーザ光未照射部の原盤５００の石英基板５１０を露出する。次のエッチング工程では、残ったＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜及びＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜で構成される熱変質部５３１，５３２がマスク層になる。
【００４２】
（５）エッチング工程
この工程では熱変質部５３１，５３２で構成されるパターンをマスクとして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により石英をエッチングする。ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜厚が微細構造体部に相当する熱変質部５３１と、連結部に相当する熱変質部５３２とでは異なることを利用して、微細構造体５１１と連結部５１２とを異なる高さに形成する。なお、微細構造体５１１の高さはエッチング時間で制御することができる。また、微細構造体５１１の壁面傾斜角は、Ａｒイオンスパッタエッチングの条件及びＲＩＥの条件によって制御できるので、円柱形状だけでなく、円錐形状、釣鐘形状の微細構造体を形成することができる。
具体的には、マスクであるパターンのエッチングと石英基板のエッチングとを複数回繰り返すことによって、石英基板に形成される構造体のテーパー角をつける方法である（請求項１０）。
【００４３】
図１３はエッチング工程のフロー図である。エッチング工程において、まずＡｒイオンスパッタエッチングによって、パターンが形成されていない領域の光吸収層を除去し、石英基板表面を露出する（図１３（ｂ））。次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、パターンをマスクとして石英基板をエッチングする（図１３（ｃ））。このときの石英基板のエッチング深さは、最終的な深さをＨとすると、例えば、Ｈ／３にする。このときのプロセスガスはＣＨＦ３であり、ガス流量は２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワーは１５０Ｗでエッチングを行う。
次に、再びＡｒイオンエッチングによりマスクをエッチングする（図１３（ｄ））。これにより、マスクであるパターン形成層および光吸収層の直径はエッチング前より小さくなる。続いてＲＩＥにより、石英基板の最終的な深さをＨとすると、例えば、Ｈ１／３だけエッチングする（図１３（ｅ））。この工程を３回繰り返す（図１３（ｇ）まで繰り返す）ことによって、石英基板は所望の最終深さだけエッチングされ、そしてマスクの直径を段階的に小さくなることによって構造体のテーパー角がつけられる。テーパー角は、ＡｒイオンスパッタエッチングとＲＩＥの繰返し回数や、Ａｒイオンエッチングによるマスクのエッチング量により制御することができる。
また、Ａｒイオンスパッタエッチングの条件（例えばエッチング時間、エッチングパワー等）を変更することによって、パターンが形成されていないモールド表面に微細な凹凸を形成することもできる（請求項１１，１２）。このモールドにより、樹脂との接触面積を低減して離型性を向上させることができる。
【００４４】
図１４はエッチング工程のフロー図である。まず、Ａｒイオンスパッタエッチングにより、パターンが形成されていない領域の光吸収層をエッチングする（図１４（ｂ））。このとき、光吸収層の一部が島状に残るエッチング条件で行う。本実施例では、光吸収層を完全に除去するのに必要なエッチング時間よりも短時間（５０〜７０％の時間）で行った。エッチング時間の外のエッチングパワー、Ａｒ流量、これらの条件の組み合せで制御することもできる。
次に、ＲＩＥにより石英基板をエッチングする（図１４（ｃ））。光吸収層はＲＩＥに対してエッチング耐性がありマスクとなるため、島状に残った光吸収層に応じて石英基板がエッチングされる。これでパターンとともに、パターンより小さい微細な凹凸形状が石英基板上に形成される。
このように新たな工程を追加することなく、Ａｒイオンスパッタエッチングの条件の変更によって、パターンより微細な凹凸を形成することができる。
【００４５】
（６）光吸収層、パターン形成層除去工程
図６（ｆ）に示すように、パターン形成層５３０を塩酸水溶液によりウエットエッチングした後、光吸収層５２０を水酸化ナトリウム水溶液でウエットエッチングにより除去した後、十分な水洗を行い、石英基板５１０に微細構造体５１１及び連結部５１２が形成された母型５５０が得られる。このときの微細構造体５１１及び連結部５１２は、母型５５０の表面から突出する凸形状である。この母型５５０をモールドとして使用し、微細構造体が逆転形成された樹脂製の光学基板を製造することができるが、この実施形態では、以下の工程により母型５５０と凹凸反転した形状のニッケル製のマスタスタンパ５６０を製造し、母型５５０と同型の光学基板を作成する。
【００４６】
（７）スタンパ化工程
母型５５０にＮｉなどの導電性の薄膜を形成したのち、図６（ｇ）に示すように、Ｎｉ電鋳を行い、Ｎｉ製のマスタスタンパ５６０を作成する。このマスタスタンパ５６０においては、微細構造型体５６１及び連結型部５６２は、マスタスタンパ５６０表面に対して凹形状となる。このマスタスタンパ５６０を更に電鋳してサンスタンパを複製すれば、サンスタンパ表面には、凸形状の微細構造体を形成できる。光学基板を製造するためのモールドとして、必要に応じてマスタスタンパとサンスタンパのどちらを用いることもできる。
【００４７】
（８）光学基板転写工程
作製したマスタスタンパ５６０をモールドとして合成樹脂製の光学基板５７０の表面にマスタスタンパ５６０の表面形状を転写すると、微細構造を有する光学基板が得られる。転写方法としては、射出成形法、光硬化法、熱硬化法等があるが、効率よく基板を作製できる射出成形法が望ましい。
【００４８】
〔第６の実施形態〕
次に第６の実施形態について説明する。この実施形態は、第５の実施形態の製造方法によって製造したモールドである。
このモールドは、図１のモールド１００の凹凸を反転した形状であり、凹形状の微細構造型体と、凹形状の連結型部とを備えている。このモールドは、連結型部の深さが０，５０，１００，２００ｎｍであるニッケル製のもの（それぞれモールド１、モールド２、モールド３、モールド４とする）であり、微細構造体の転写性を評価した。各々のモールドには、ピッチｐ及びドットピッチｄが３００ｎｍ、ドット径が２００ｎｍ、高さが２５０ｎｍである微細構造体が形成されている。連結型部のパターン高さは、露光レーザパワーの制御によって行った。
モールド１〜４を用いて、射出成形法によりポリカーボネートの光学基板を作製し、基板とモールドの微細構造体の高さ（モールドでは深さ）をＡＦＭで測定した。その測定結果は下記の表１に示すとおりである。
【００４９】
【表１】
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【００５０】
転写した基板の構造体の高さもしくは深さとモールドの構造体の深さもしくは高さとの比を転写率とすると、モールドのライン部深さが０ｎｍのとき、即ちラインがないときの転写率は６０％程度であるのに対して、ライン部高さを高くしていくと転写率が向上した。微細構造体間に深さ１００ｎｍ以上のラインを形成すると、形成しない場合に比べて転写率が約１．７倍向上した。
【００５１】
〔第７の実施形態〕
次に第７の実施形態について説明する。この実施形態は第５の実施形態の製造方法により製造したモールドである。
このモールドは、連結型部の高さが０，５０，１００，２００ｎｍである石英製のもの（それぞれモールドａ、モールドｂ、モールドｃ、モールドｄとする）であり、微細構造体の転写率を評価した。基板の形状は図１に示したものと同様とし、石英モールド表面には、離型剤をディッピング法で塗布した。
モールドａ〜ｄを用いて、光硬化法で樹脂製の光学基板を製造した。光学基板の製造方法としては、まず透明なポリカーボネート製の光学基板上に紫外線硬化樹脂をスピンコート法で塗布し、この上に石英製モールドを圧着した後、モールド側から紫外線を照射し、樹脂を硬化させた。この後、光学基板をマスタスタンパから剥がして、光学基板上に微細構造を形成した。この光硬化法により各々のモールドから樹脂基板を作製して、基板の構造体高さを測定した。モールドａ、ｂ、ｃ、ｄから作製した基板の構造体の高さは、それぞれ２００，２５０，２５０，２５０ｎｍであった。光硬化法においても、ライン部を形成したことによる転写率の向上が見られた。
【００５２】
〔第８の実施形態〕
次に第８の実施形態について説明する。この実施形態は射出成形法により作製したポリカーボネート製の光学基板である。この光学基板の波長５００ｎｍでの反射率を測定した。第６の実施形態のモールド１〜４（上記表１参照）を用いて作製した光学基板のそれぞれの反射率は、３％、２％、１％、２％であった。微細構造体が形成されていないポリカーボネート基板の反射率約４％に対して、それぞれ反射防止の効果が見られた。これは、前記従来例のもの（微細構造体の高さ、密度はこの実施形態のものと同じ）よりも低い。
なお、基板の微細構造体の高さが高い方がその効果が高いのは従来例の場合と同様であるが、微細構造体の高さが１５０ｎｍ以下であるとその効果は顕著でなく、５００ｎｍ以上であると生産性が著しく低下する。したがって、実用上は３００ｎｍ以下の範囲に止めるのが好ましい。
【００５３】
また、表１のモールド４によるものは反射率が２％と比較的高いが、これはそのライン部が深いために、微細構造体による反射防止効果が小さくなったものと思われる。ライン部の深さとしては、構造体の深さの１／５〜２／５程度のとき転写率の向上と反射防止効果とが両立する。即ち、モールドにおける構造体の高さとライン部の高さとの比が２．５〜５のとき、転写性向上と反射防止効果が得られる。光硬化法によりモールドａ〜ｄを用いて作製した基板についても、同様の効果が得られた。 
なお、光学基板材質をポリカーボネートやポレオレフィン等の透光性を有する樹脂基板にすれば、反射防止構造を有する回折格子やレンズ等の光学基板や、発光デバイスや光電変換デバイスに適用することができる。
本発明によれば、光学基板を射出成型法、光硬化法により多量に複製することができ、特に射出成型法においては、効率よく基板を作製することができる。
【００５４】
〔第９の実施形態〕
次に第９の実施形態について説明する。この実施形態は、ニッケル製であり、複数の微細構造型体を方形の格子状に配置し、複数の行及び複数の列でまとめたブロックを形成し、各ブロックの四方に連結型部よりも幅の広い区分線型部を形成し（図５参照）、凹形状、凸形状の微細構造型体が混在させたものである。第９の実施形態を製造するために用いられる露光装置の概略が図１０に示されている。この実施形態で使用した露光装置は、石英製の原盤５００上に光吸収層、パターン形成層を積層した原盤に、光ピックアップ８２０を使用してラスタスキャン方式でパターンを描画するものである。光ピックアップ８２０は、図２で示したものと同様に対物レンズ等を備えている。図示しない光変調器でレーザパワー及びレーザ光の照射タイミングを制御し、原盤上に潜像を形成した。この後、前記モールドの製造方法の、現像工程以降と同じ工程（図６（ｃ）〜（ｈ））を経て、Ｎｉモールドを作製した。
区分線型部を形成したモールドと、区分線型部を形成していないモールドとで転写性を比較した。各モールドの微細構造型体の直径は１５０ｎｍ、ピッチｐ及びドットピッチｄは２５０ｎｍ、微細構造型体の高さは３００ｎｍであり、連結型部の幅は１００ｎｍ、連結型部の高さは５０ｎｍとした。区分線型部の幅は１５０ｎｍ、高さは３００ｎｍとした。区分線型部を形成したモールドから作製した光学基板の微細構造体の高さが２９０ｎｍであったのに対して、区分線型部を形成していないモールドから作製した光学基板の微細構造体の高さは２４０ｎｍであった。このことから、区分線型部を形成したことによって、合成樹脂の流動性が良好となり転写性が向上したことがわかる。
【００５５】
〔第１０の実施形態〕
次に第１０の実施形態について説明する。この実施形態はモールドの他の製造方法である。
第１０の実施形態で製造されるモールドの構成を図１１に模式的に示しており、また、第１０の実施形態の製造方法を図１２に示している。そして、この製造方法の各行程は図１２（ａ）〜（ｋ）に示すとおりである。
第１０の実施形態で製造されるモールド９００は、石英製であり、図１１に示すように、基板９１０に凹形状の微細構造型体９２０、隣接する微細構造型体９２０を連結する凹形状の連結型部９３０、凸形状の微細構造型体９４０、微細構造型体９４０を連結する凸形状の連結型部９５０が混在するものとして構成される。
【００５６】
以下（１）〜（５）の工程では凹形状の微細構造型体９２０及び連結型部９３０を形成し、次いで（６）〜（１１）の工程では凸形状の微細構造型体９４０及び連結型部９５０を形成する。
【００５７】
（１）製膜工程１
図１２（ａ）に示すように、研磨、洗浄された石英基板１０１０上に、パターン形成層１０２０としてＺｎＴｅの膜厚を７０ｎｍになるようにＲＦスパッタリング法で形成した。これが原盤１０３０となる。パターン形成層１０２０は、ＺｎＴｅとＳｉＯ２との混合体としてもよい。
【００５８】
（２）露光工程１
制作した原盤１０３０を、光ピックアップ１１００を用い、波長４１３ｎｍ、対物レンズ１１０１のＮＡ０．９で集光したレーザ光ＬＢで露光して潜像を形成する（図１２（ｂ））。このとき、凹形状の微細構造型体９２０に相当する部分では、レーザ光を連結型部９３０の部分より高いパワーで照射する。レーザ光ＬＢを照射することによってパターン形成層１０２０で熱が発生し、その熱によってパターン形成層の所定の領域に熱変質部１０２１が形成される。熱変質部１０２１の深さはレーザ光のパワーに依存し、高パワーで照射された熱変質部１０２１はパターン形成層１０２０の表面まで熱変質し、低パワーで照射された熱変質部１０２１は前記方面までは達しない。なお、図１２（ｂ）では、全ての熱変質部１０２１は同じ厚さに描いてあるが、実際には熱変質部１０２１は、図６（ｂ）に示すように異なる厚さに形成される。
【００５９】
上記のように、微細構造型体９２０を形成する時のレーザ照射時間によって、微細構造型体９２０の形状を円形、楕円形等に制御することができる。微細構造型体９２０間に連結型部９３０を形成しない場合は、図８（ｂ）に示すように、微細構造型体間でのレーザ光のパワーを、パターン形成層が熱変質しない程度の低いパワーに設定する。微細構造型体９２０間に連結型部９３０を形成する場合は、図８（ａ）に示すように、レーザ光の強度をパターン形成層で所望の深さまで熱変質が起こる程度に調整する。
【００６０】
（３）現像工程１
図１２（ｃ）に示すように、露光後の原盤１０３０をフッ酸水溶液でエッチングすると、パターン形成層１０２０のレーザ光が照射された熱変質部１０２１がフッ酸水溶液で除去され、これによりレーザ照射に応じた除去部１０２２が形成され、当該除去部分１０２２によるＺｎＴｅのパターンが原盤１０３０に形成される。このとき、高いレーザパワーで照射された構造体の箇所は幅広い穴になり、低いレーザパワーで照射されたラインの領域は幅の狭い溝になる。
【００６１】
（４）エッチング工程１
図１２（ｄ）に示すように、ＺｎＴｅのパターンをマスクにして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により石英基板１０１０をエッチングする。これにより、パターン形成層１０２０の除去部１０２２の底部（石英基板１０１０の上面）が除去されて凹形状部１０１１が形成される。このとき、パターンの幅寸法が微細構造型体と連結型部とで異なることを利用して、微細構造型体と連結型部とで異なる高さにすることができる。
【００６２】
（５）パターン形成層除去工程
図１２（ｅ）に示すように、パターン形成層１０２０を塩酸水溶液によりウエットエッチングした後、十分な水洗を行うことによって、微細構造型体９２０に相当する凹形状部１０１１が形成された石英基板１０１０が得られる。なお、この段階で、石英基板１０１０をモールドとして、微細構造体が形成された樹脂基板を複製することもでき、また、この石英基板をもとに、Ｎｉモールドを作製することもできるが、この実施形態では、さらに処理を行って微細構造型体９４０を備えるモールドを作成する。
【００６３】
（６）製膜工程２
次に、図１２（ｆ）に示すように、（５）の処理で作成された原盤１０３０の石英基板１０１０の表面に、図６（ａ）に示した処理を行う。即ち、石英基板１０１０上にＡｇＩｎＳｂＴｅからなる光吸収層１０４０と、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるパターン形成層１０５０とを塗布する。
【００６４】
（７）露光工程２
更に、図１２（ｇ）に示すように、（６）で作成された原盤１０３０について、図６（ｂ）で示した処理を行う。即ち、光ピックアップ１１００のレーザ光で露光し、潜像を形成する。この工程では、凹形状の連結型部９３０及び微細構造型体９４０の間に凸形状となる微細構造型体９４０及び連結型部９５０に対応するパターンを露光する。これにより、光吸収層１０４０及びパターン形成層１０５０には、熱変質部１０４１及び熱変質部１０５１が形成される。このとき、高いレーザパワーで照射された熱変質部１０５１の膜厚は、熱変質がパターン形成層１０５０の表面まで達しているため厚くなり、低いレーザパワーで照射された熱変質部１０５１は、パターン形成層１０５０の表面まで熱変質していないので薄いものとなる。なお、図１２（ｇ）では、全ての熱変質部１０５１は同じ厚さに描いてあるが、熱変質部１０５１は、図６（ｂ）に示すように異なる厚さに形成される。
【００６５】
（８）現像工程２
次に、図１２（ｈ）に示すように、（７）の処理を行った原盤１０３０について図６（ｃ）に示した現像処理を行う。現像処理により、原盤１０３０はフッ酸水溶液でエッチングされ、レーザ光が照射されなかったパターン形成層１０５０の部分がフッ酸水溶液で除去され、原盤１０３０上に熱変質部１０４１、熱変質部１０５１のパターンが形成される。このとき、高いレーザパワーで照射された熱変質部１０５１の膜厚は、熱変質がパターン形成層１０５０の表面まで達しているため厚くなり、低いレーザパワーで照射された熱変質部１０５１は、パターン形成層１０５０の表面まで熱変質していないため、その部分がエッチングにより除去されるので薄くなる。
【００６６】
（９）光吸収層除去工程
次いで、図１２（ｉ）に示すように、原盤１０３０について図６（ｄ）で示した処理を行う。この処理では、Ａｒイオンスパッタエッチングにより光吸収層１０４０を除去して、熱変質部１０４１及び熱変質部１０５１で構成されるパターンで覆われた石英基板１０１０を露出させる。
【００６７】
（１０）エッチング工程２
次いで、図１２（ｊ）に示すように、（９）の処理を行った原盤１０３０に図６（ｅ）で示した処理を行う。この処理では、熱変質部１０４１と、熱変質部１０５１で形成されるパターンをマスクとして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により石英基板１０１０をエッチングする。
【００６８】
（１１）光吸収層、パターン形成層除去工程
そして、図１２（ｋ）に示すように、（１０）の処理を行った原盤１０３０について図６（ｆ）で示した処理を行う。この処理では、パターン形成層１０５０の熱変質部１０５１を塩酸水溶液によりウエットエッチングした後、光吸収層１０４０の熱変質部１０４１を水酸化ナトリウム水溶液でウエットエッチングにより除去する。その後、十分な水洗を行う。
これらの処理を行うことにより、凹形状の微細構造型体９２０と凸形状の微細構造型体９４０とが存在するモールド９００を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】は、第１の実施形態の微細構造体を有するモールドの一部を拡大して示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図
【図２】は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図
【図３】は、第２の実施形態のモールドを拡大して示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図
【図４】は、第３の実施形態のモールドを拡大して示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図
【図５】は、第４の実施形態のモールドを拡大して示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図
【図６】は、第５の実施形態のモールド及び光学基板の製造方法を示すものであり、（ａ）〜（ｈ）は各工程を示す模式図
【図７】は、第５の実施形態の製造方法で使用される露光装置の概略構成図
【図８】は、光ピックアップが照射するレーザ光のパワーの変調例を示す模式図
【図９】は、他のレーザ光の照射例を示す模式図
【図１０】は、図１０は第９の実施の形態例を製造するために用いられる露光装置の概略図
【図１１】は、第１０の実施形態の製造方法で製造するモールドの構成を示す模式図
【図１２】は、第１０の実施形態のモールドの製造方法を示すものであり、（ａ）〜（ｋ）は各行程を示す模式図
【図１３】は、第５の実施形態のエッチング工程のフローを示すものであり、（ａ）〜（ｇ）は、各工程を示す模式図
【図１４】は、第５の実施形態の 他のエッチング工程のフローを示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は各工程を示す模式図
【図１５】は、従来技術による光学素子製造金型の製造方法を工程別に示す断面図
【符号の説明】
【００７０】
１００：モールド
１１０：基板
１２０：微細構造型体
１３０：連結型部
２００：モールド
２１０：基板
２２０：微細構造型体
２３０Ｈ、２３０Ｖ：連結部
３００：モールド
３１０：基板
３２０：微細構造型体
３３０：連結型部
３４０：ブロック
３５０：区分線型部
４００：モールド
４１０：基板
４２０：微細構造型体
４３０：連結型部
４３０Ｈ、４３０Ｖ：連結部
４４０：ブロック
４５０：区分線型部
５００：原盤
５１０：石英基板
５１１：微細構造体
５１２：連結部
５２０：光吸収層
５２１：熱変質部
５３０：パターン形成層
５３１、５３２：熱変質部
５３５：微細構造体
５３６：連結部
５３７：微細構造体  
５５０：母型
５６０：マスタスタンパ
５６１：微細構造型体
５６２：連結型部
５７０：光学基板
５８１：微細構造材
５８２：連結部
６００：露光装置
６１０：モーター
６２０：光ピックアップ
６２１：対物レンズ
８２０：光ピックアップ
９００：モールド
９１０：基板
９２０：微細構造型体
９３０：連結型部
９４０：微細構造型体
９５０：連結型部
１０１０：石英基板
１０１１：凹形状部
１０２０：パターン形成層
１０２１：熱変質部
１０２２：除去部
１０３０：原盤
１０４０：光吸収層
１０４１：熱変質部
１０５０：パターン形成層
１０５１：熱変質部
１１００：光ピックアップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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