(57)【要約】【課題】  押印装置における重ね合わせ精度の改善。【解決手段】  モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、基板チャックに保持された基板に配された液状樹脂にモールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で液状樹脂を硬化させて樹脂のパターンを基板に形成する押印装置であって、モールドチャックは、基部と、モールドの複数の周辺部をそれぞれ保持する複数の保持部と、複数の保持部を基部に対しＺ軸方向においてそれぞれ位置決めする複数の第１の駆動機構と、を有するものとする。【選択図】  図８
2010080714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板に配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて樹脂のパターンを前記基板に形成する押印装置であって、
前記モールドチャックは、
基部と、
モールドの複数の周辺部をそれぞれ保持する複数の保持部と、
前記複数の保持部を前記基部に対しＺ軸方向においてそれぞれ位置決めする複数の第１の駆動機構と、
を有することを特徴とする押印装置。
【請求項２】
前記複数の周辺部は、モールドの四隅の部分である、
ことを特徴とする請求項１に記載の押印装置。
【請求項３】
前記モールドチャックは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の少なくとも一方におけるモールドのサイズを変更する変倍機構を有する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の押印装置。
【請求項４】
前記変倍機構は、前記モールドの側面に接触する複数のコンタクト部と、前記複数のコンタクト部のうち少なくとも一部のコンタクト部をＸ−Ｙ平面に平行な方向において前記基部に対し位置決めする第２の駆動機構と、を有する、ことを特徴とする請求項３に記載の押印装置。
【請求項５】
モールドに形成されたパターンのディストーションまたはモールドにより転写されたパターンのディストーションの情報に基づいて、前記駆動機構の動作を制御する制御手段を有する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の押印装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の押印装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成する工程と、
前記工程において前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有する押印装置に関する。特に、基板チャックに保持された基板に配された液状樹脂にモールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で液状樹脂を硬化させて樹脂のパターンを基板に形成する押印装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
紫外線、Ｘ線あるいは電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの微細パターンの形成方法に代わる技術としてナノインプリントが既に知られている。ナノインプリントは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成したモールド（雛型または原版ともいう）を、樹脂材料を塗布したウエハ等の基板に押し付ける（押印する）ことによって、樹脂上にパターンを転写する技術である。
【０００３】
ナノインプリントには幾つかの種類があり、その一方法として光硬化法が従来から提案されている（特許文献１）。光硬化法は、紫外線硬化型の樹脂に透明なモールドで押し付けた状態で感光、硬化させてからモールドを剥離する（離型する）方法である。この光硬化法によるナノインプリントは、温度制御が比較的容易に行なえる点や透明なモールド越しに基板上のアライメントマークの観察が出来る点から半導体集積回路の製造に適していると言える。
【０００４】
また、異なるパターンの重ね合せを考慮すると、基板全面を一括転写する方式もあるが、製造するデバイスのチップの大きさに合せたモールドを製作し、基板上のショットに逐次転写するステップ＆リピート方式の適用が好ましい。
【０００５】
半導体集積回路の製造に適用するには、各種プロセスによるウエハの倍率（サイズ）変化に対応する必要がある。ウエハは、種々のメタルを使用してパターンニングされ、縦方向・横方向（Ｘ方向・Ｙ方向）によってメタルの構造が異なりうる。このため、成膜やスパッタリング等の加熱プロセスを経て、ウエハ全体が拡大または縮小し、その結果、Ｘ方向とＹ方向とでサイズが異なる現象が発生している。実際の半導体プロセスでは、±１０ｐｐｍ程度のウエハ全体の変倍が発生しており、Ｘ方向とＹ方向との倍率差も１０ｐｐｍ程度発生している。ウエハ全体が拡大または縮小するので、それにより各チップも倍率（サイズ）が変動している。
【０００６】
これまでのリソグラフィーにおいては、露光装置（いわゆるステッパまたはスキャナ）が各ショットのサイズ（例えば２５ｍｍ＊３３ｍｍ）を変化させて対応している。スキャナ（走査露光装置）の場合は、投影光学系の縮小倍率をノミナルの値（例えば１／４）からウエハの倍率に合わせて数ｐｐｍ程度変更し、さらにウエハの倍率に合わせて走査速度を数ｐｐｍ程度変更しうる。このようにして、Ｘ方向とＹ方向とで倍率差（偏倍）が発生しても、高精度な重ね合わせを可能としている。
【０００７】
なお、ウエハの倍率は、周知のグローバルアライメント計測により算出可能である。グローバルアライメント計測は、ダイバイダイアライメント計測の場合に比べて被計測マークの間隔を、例えば５倍またはそれ以上に、大きく設定できる。そのため、ウエハステージの位置決め精度を差し引いても、グローバルアライメント方式のほうがダイバイダイアライメント方式より高精度な計測が可能であり、現状のほとんどの露光装置がグローバルアライメント計測を採用している。
【０００８】
一方、ナノインプリント装置（押印装置）は、上述の露光装置と異なり、投影光学系がなく、また、走査されるマスク（レチクル）でパターン化（変調）された光での、走査されるウエハの露光（走査露光）が行われるものでもない。したがって、倍率補正に関しては、別の技術の導入が必要となる。
【０００９】
これに関連して、本出願人は、プロキシミティＸ線露光装置（Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｘ−ｒａｙ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）の技術分野において、マスクのサイズを変更する技術を提案している（特許文献１および２）。プロキシミティＸ線露光装置は、マスクとウエハとを数ミクロンの間隔で近接（Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ）して配置して、１ｎｍ以下の波長のＸ線を用いた露光を行うものである。押印装置と同じく、投影光学系はなく、走査露光も行われない。このため、マスクを指示するホルダーの側面に力を加えることにより、マスクをｐｐｍオーダーで変形させて倍率補正を行う。Ｘ方向とＹ方向とで異なる力で変形させることで、偏倍補正（Ｘ方向とＹ方向とで異なる倍率の補正）も可能である。
【００１０】
なお、ホルダーの側面から力を加える場合、縮小することしかできない。そこで、マスクは、例えば、１０ｐｐｍ程度設計値より大きなマスクパターンを電子ビーム露光装置等により描画して製作する。そして、ウエハの倍率が１の場合には、力を加えてマスクを縮小する。
【特許文献１】特開平１０−３１２９５６号公報
【特許文献２】特開２００３−７５９７号公報
【特許文献３】特開２００４−２１４４１５号公報
【特許文献４】特開２００５−２７４９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
押印装置においても、前述のプロキシミティＸ線露光装置の場合と同様に、モールドに力を加えることで倍率補正を行うことができる。しかしながら、以下に記載するよう課題がある。
【００１２】
今後のリソグラフィーにおいて、例えば３２ｎｍハーフピッチ程度の半導体デバイスの製造に押印装置を適用することが考えられる。この場合、重ね合わせ精度は、ＩＴＲＳ（ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ  ＲＯＡＤＭＡＰ  ＦＯＲ  ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ）では、５．７ｎｍとなる。したがって、倍率調整も数ｎｍ以下の精度で制御しなければならない。
【００１３】
また、モールドの姿勢は、作製時（電子ビーム露光装置内でパターン面（Ｃｒ面）が上向き）と使用時（押印装置内でパターン面が下向き）とで異なっている。このため、モールド上のイメージプレースメント（ＩＰ）の精度や変動も問題となりうる。
【００１４】
このような原版の姿勢や形状の変化を考慮して、原版に描画するパターンを補正する技術が知られている（特許文献３および４）。
【００１５】
しかし、上述のような重ね合わせ精度を押印装置で達成するためには、さらなる技術開発が必要である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述の課題を考慮してなされた本発明の一側面としての押印装置は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板に配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて樹脂のパターンを前記基板に形成する押印装置であって、
前記モールドチャックは、
基部と、
モールドの複数の周辺部をそれぞれ保持する複数の保持部と、
前記複数の保持部を前記基部に対しＺ軸方向においてそれぞれ位置決めする複数の第１の駆動機構と、
を有することを特徴とする押印装置である。
【００１７】
本発明の他の側面は、『特許請求の範囲』や、『発明を実施するための最良の形態』、添付した図面等に記載したとおりである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、押印装置における重ね合わせ精度の改善の点で有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態である光硬化法を用いたナノインプリント装置（押印装置）について説明する。
【００２０】
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１に係るナノインプリント装置の構成図で、図２は、本発明の実施形態１に係るナノインプリント装置の制御ブロック図である。  また、図６は、本発明の実施形態１に係るアライメントマークの配置を示すモールドチャック周辺の断面図である。
【００２１】
図１、図２及び図６において、１は基板であるウエハ、２はウエハ１を保持するためのウエハチャック（基板チャックともいう）である。３はウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能、ウエハ１のｚ位置の調整機能、及びウエハ１の傾きを補正するためのチルト機能を有する微動ステージで、ウエハ１を所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ４上に配置される。以下、微動ステージ３とＸＹステージ４とを合せて、基板ステージ、ウエハステージまたはＸ−Ｙステージと総称する。
【００２２】
５はＸＹステージ４が載置されるベース定盤、６は微動ステージ３上に取り付けられ、微動ステージ３のｘ及びｙ方向（ｙ方向は不図示）の位置を計測するためにレーザ干渉計７からの光を反射する参照ミラーである。８及び８’はベース定盤５上に屹立し、天板９を支える支柱である。
【００２３】
１０はウエハ１に転写される凹凸のパターンＰ２がその表面に形成されたモールドで、図示しない機械的保持手段によって、モールドチャック１１に固定される。モールドチャック１１は同じく図示しない機械的保持手段によって、モールドステージ１２に載置される。１１Ｐはモールド１０をモールドチャック１１に設置する際にモールド１０のモールドチャック１１上の位置を規制する複数の位置決めピンである。
【００２４】
モールドステージ１２にはモールド１０（モールドチャック１１）のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能及びモールド１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。また、そのｘ及びｙ方向の位置を計測するためにレーザ干渉計７’からの光を反射する反射面を有する（ｙ方向は不図示）。モールドチャック１１及びモールドステージ１２には、ＵＶ光源１６からコリメータレンズ１７を通して照射されるＵＶ光をモールド１０へと通過させる開口１１Ｈ及び１２Ｈをそれぞれ有する。
【００２５】
１３は、その一端がモールドステージ１２に固定され且つ天板９を貫通するガイドバー１４及び１４’の他端を固定するガイドバープレートである。１５及び１５’はエアシリンダまたはリニアモータからなるモールド昇降用リニアアクチュエータで、ガイドバー１４及び１４’を図１のＺ軸方向に駆動し、モールドチャック１１に保持されたモールド１０をウエハ１に押し付けたり、引き離したりする。
【００２６】
１８は天板９に支柱１９及び１９’により懸架されたアライメント棚で、ガイドバー１４及び１４’が貫通している。２０は静電容量センサなどのギャップセンサで、ウエハチャック２上のウエハ１の高さ（平坦度）を計測する。２１（図１に図示せず）はモールドチャック１１またはモールドステージ１２に取り付けられた複数のロードセルで、モールド１０の押し付け力を計測する。
【００２７】
３０及び３０’はアライメント計測用のＴＴＭ（スルー・ザ・モールド）アライメントスコープである。当該スコープは、ウエハ１に形成されたアライメントマーク（基板マークともいう）とモールド１０に設けられたアライメントマーク（モールドマークともいう）との位置ずれを計測するための光学系および撮像系または受光素子を有する。ＴＴＭアライメントスコープ３０及び３０’により、ウエハ１とモールド１０との間のｘ及びｙ方向の位置ずれを計測する。
【００２８】
３２はウエハ１の表面に液状の樹脂（液状樹脂）を滴下する樹脂滴下ノズルを備えたディスペンサヘッド（樹脂吐出手段）である。なお、液状樹脂は光硬化樹脂が好ましい。
【００２９】
５０は微動ステージ３上（Ｘ−Ｙステージ上）に配置された基準マーク台上の基準マークである。
【００３０】
１００は以上のアクチュエータやセンサ類を統括して、装置に所定の動作をさせるＣＰＵ（中央制御装置）である。
【００３１】
ここで図１及び図３から図７を用いて、半導体デバイス作成時のナノインプリント装置の動作について説明する。図３は複数枚のウエハに同じモールドを使用して、あるレイヤのパターンの転写を行なう場合のフローチャートである。
【００３２】
図３において、ステップＳ１では、図示しないモールド搬送手段により、モールドチャック１１にモールド１０が供給される。
【００３３】
ステップＳ２では、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３１により、図６に示すモールド１０のアライメントマークＭ１、Ｍ２と微動ステージ３上の基準マーク５０とを同時に観察するなどして、それらの間の位置ずれを計測する。
【００３４】
そして、この計測結果を使用して、モールドステージ１２により主にモールド１０のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置を合わせる。
【００３５】
次に、ステップＳ３で図示しないウエハ搬送手段により、ウエハチャック２にウエハ１が供給される。
【００３６】
続くステップＳ４ではＸＹステージ４を駆動して、ギャップセンサ２０によりウエハ１全面の高さ（平坦度）を計測する。この計測データは後述するように、モールド押印時にウエハ１の転写ショット面を図示しない装置の基準平面に合せる際に使用される。
【００３７】
次にステップＳ５では、ウエハ１上に先行して転写された複数のプリアライメントマーク（図示せず）をプリアライメント計測手段（図示せず）により撮像する。そして、画像処理により複数のプリアライメントマークの装置に対するｘ、ｙ方向のずれを計測し、その結果を元にウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置補正を行なう。
【００３８】
続くステップＳ６では、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３０’を使用した計測を行う。すなわち、サンプル計測ショットにおいて、モールド１０上のアライメントマークＭ１、Ｍ２（モールドマーク）とウエハ１上のアライメントマークＷ１、Ｗ２（基板マーク）とのｘ、ｙ方向の相対的位置ずれ量（Ｘ−Ｙ平面における位置ずれ）を計測する。図５において、斜線を施した特定のショット２、９、１３、２０がサンプル計測ショットである。
【００３９】
図６において、Ｐ１はアライメントマークＷ１、Ｗ２とともに先行レイヤで転写されたパターンで、Ｐ２はモールド１０の転写パターンである。
【００４０】
図７は、モールドマークおよび基板マークを同時に撮像する方式である場合のＴＴＭアライメントスコープ３０、３０’で撮像される各アライメントマークの例を示す。この場合、計測できるのはｘ方向の位置ずれのみで、ｙ方向についてはパターンＰ１、Ｐ２の周囲にそれぞれｙ方向に同様に配置されたアライメントマークを使用して計測する。また、このｙ方向の位置ずれを計測するためのＴＴＭアライメントスコープ（図示せず）が対応する位置に配置されている。
【００４１】
これらのｘ方向及びｙ方向の位置ずれからθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置ずれも算出される。
【００４２】
そして、図５における上記サンプル計測ショットでのＴＴＭアライメントスコープによる計測結果から、ウエハ１上の各ショットにおけるｘ、ｙ、θ方向のずれを算出して、ショットごとの転写を行なう際のウエハステージの位置決め目標位置が決定される。当該決定は、計測されたショット座標を設計上のショット座標の座標変換により近似する式の係数を、最小自乗法等を用いて算出するなどの方法で行うことができる。
【００４３】
これは、例えば特許文献２で開示されている、ステップ＆リピート方式の半導体投影露光装置で用いられているグローバルアライメント計測の手法と同様のものである。
【００４４】
次に、ステップＳ７でウエハ１上の各ショットに対して、図４に示すフローチャートによるパターン転写が行なわれる。
【００４５】
全ショットの転写が終了すると、ステップＳ８で（図示しない）ウエハ搬送手段によりウエハ１がウエハチャック２から回収される。
【００４６】
続くステップＳ９では、続いてパターン転写を行なうウエハがあるかどうかの判定が行なわれ、転写するウエハがある場合はステップＳ３に戻り、転写するウエハが無い場合はステップＳ１０に進む。
【００４７】
ステップＳ１０では（図示しない）モールド搬送手段によりモールドチャック１１からモールド１０の回収を行ない、複数ウエハへのパターン転写を終了する。
【００４８】
図４は、本発明の実施形態１のナノインプリント装置に係る、１ウエハのパターン転写時のフローチャートで、図３のステップＳ７に相当する。
【００４９】
以下、図４と図１、図２を用いて、本発明の実施形態１にかかわるナノインプリント装置の動作及び作用等について説明する。
【００５０】
図４において、まず、ステップＳ７０１でＸＹステージ４を駆動し、ウエハ１の載置されたウエハチャック２を移動させ、ウエハ１上のパターンの転写を行なう場所（ショット）をディスペンサヘッド３２の下に持って来る。
【００５１】
続くステップＳ７０２でディスペンサヘッド３２によってウエハ１上の目的のショットに光硬化樹脂の滴下を行なう。
【００５２】
この際、ディスペンサヘッドの樹脂吐出ノズルの配置が直線状である場合は、ＸＹステージ４をショットサイズに応じて駆動させながら、樹脂の吐出を行なう。
【００５３】
一方、樹脂吐出ノズルがショット全面を覆うマトリクスタイプの場合は、ＸＹステージ４の駆動は必要なく、一度に樹脂の吐出が可能である。
【００５４】
次に、ステップＳ７０３で該ショットの表面がモールド１０のパターンＰ２と対向する位置に来るようにＸＹステージ４を駆動する。この際、ウエハステージの位置は図３のステップＳ６のアライメント計測の結果によって決定され、決定された目標位置に移動する。
【００５５】
さらに、前述のウエハ高さ計測データに基づき、微動ステージ３によりウエハチャック２のｚ方向の高さと傾きを調整して、ウエハ１の前記ショットの表面を装置の基準平面（不図示）に合せる。
【００５６】
そして、ステップＳ７０４でリニアアクチュエータ１５及び１５’を駆動することによりモールドチャック１１を所定位置まで下降させる。
【００５７】
次に、ステップＳ７０５で、モールドチャック１１またはモールドステージ１２に取り付けられた（図示しない）複数のロードセル２１の出力によりモールド１０の押し付け力が適切な値かどうかの判定を行なう。押し付け力が所定の範囲になかった場合、ステップＳ７０５の判定をｎｏで抜け、ステップＳ７０６に進む。
【００５８】
ステップＳ７０６では、リニアアクチュエータ１５及び１５’によってモールドチャック１１のｚ方向の位置を変えるか、または微動ステージ３によってウエハチャック２のｚ方向の位置を変えることにより、モールド１０の押し付け力の調整を行なう。目標とする押し付け力になるまでステップＳ７０５とステップＳ７０６のループを回り、ステップＳ７０５でモールド１０の押し付け力が適切であると判定されると、ステップＳ７０５をｙｅｓで抜け、ステップＳ７０７に進む。
【００５９】
ステップＳ７０７では、ＵＶ光源１６により所定時間のＵＶ光の照射を行なう。
【００６０】
ＵＶ光の照射が完了すると、続くステップＳ７０８でリニアアクチュエータ１５及び１５’を駆動してモールドチャック１１を上昇させ、モールド１０をウエハ１上の硬化した樹脂から引き離す。
【００６１】
次にステップＳ７０９で、ＸＹステージ４を駆動し、次のショットがディスペンサヘッド３２の下に来るようにウエハ１を移動させる。
【００６２】
続くステップＳ７１０では、ウエハ１上の全ショットのパターン転写が終了したかどうかの判定を行なう。
【００６３】
未転写のショットがある場合は、ステップＳ７１０の判定をｎｏで抜け、ステップＳ７０２へ戻る。
【００６４】
未転写のショットが無い場合は、ステップＳ７１０の判定をｙｅｓで抜け、ステップＳ７１１に進む。
【００６５】
ステップＳ７１１ではウエハ１の回収（図３のステップＳ８）に備えて、所定の位置にＸＹステージ４を駆動する。
【００６６】
以上、図４を用いて、ウエハ１へのパターン転写の動作及び作用について説明したが、グローバルアライメント方式ではなく、ダイバイダイアライメント方式で位置合わせをしてパターン転写することも可能である。例えば、配列精度の良いウエハ中心部のショットは、ダイバイダイアライメント方式を適用する。そして、アライメント誤差の大きそうなウエハ周辺部のショットは、それまでのダイバイダイアライメント方式での計測結果に基づくグローバルアライメント方式でのアライメントによりパターン転写を行なうようにしてもよい。
【００６７】
この場合、ダイ・バイ・バイアライメントは、図４のステップＳ７０４の前または後で、図３のステップＳ６で説明した、サンプル計測ショットに適用した方法で位置ずれ量の計測を行い、微動ステージ３によりｘ、ｙ、θ各方向の位置合わせを行なうことになる。
【００６８】
以下、本実施形態におけるモールドチャックの構成を説明する。本実施形態のモールドチャックは、モールドの形状（ねじれ等）を補正する機構（ディストーション補正機構ともいう）を有する。
【００６９】
ナノインプリント装置を用いたリソグラフィーにおいて、形成されるパターンの歪曲（ディストーション）を補正できることが有効である。投影光学系を有する露光装置を使用してパターニングする場合、その投影光学系のディストーション（歪曲収差）により、投影されるパターン像が歪み、パターン像とウエハに既に形成されているパターンとの重ね合わせ精度が劣化しうる。ナノインプリント装置は、投影光学系は存在しないため、そのディストーションの影響はないが、モールドチャックに保持されたモールドの平面度（平坦度）の影響により、転写されるパターンが歪んでしまう。転写されるパターンを歪ませる、モールドに形成されたパターンの変形（収差）に対しても、ここでは、「ディストーション」という表現を使用する。
【００７０】
また、ウエハに既に形成されているパターンにディストーション（歪曲収差）が存在する場合には、モールドでのパターンニングをディストーションなしで行っても、重ね合わせ精度は許容範囲外となりうる。よって、モールドのディストーション補正は、重ね合わせ精度が最も良くなるように行うのが好ましい。
【００７１】
このため、例えば、実際にパターンニングを行って重ね合わせ検査を実施し、その結果に基づいて、重ね合わせ精度が最も良くなるようにモールドのディストーションを追い込むことが、要求精度によっては必要となる。
【００７２】
ここで、モールドのディストーションの計測は、ＴＴＭアライメントスコープ３０・３０’を用いて次のように行うことができる。まず、Ｘ−Ｙ平面において、ウエハステージ上の基準マーク５０をモールドの各マークの位置（ノミナル位置）に移動する。そして、ＴＴＭアライメントスコープ３０・３０’を用いて各マークの位置ずれを計測する。その計測結果に基づいて、歪曲収差を算出すればよい。
【００７３】
上述のようにして算出された歪曲収差に基づき、例えば、歪曲収差が最小になる（低減する）ように、または、ウエハに既に形成されているパターンの歪曲収差に応じて、モールドの形状を補正すれば、重ね合わせ精度を改善することができる。
【００７４】
なお、要求精度によっては、モールド上の部分パターン（またはマーク）の位置ずれを計測せずに、モールドの平坦度を調整するだけでもよい。この場合、形状計測器（例えば、白色干渉計を含む計測器）等を使用してモールド（石英基板）の平坦度を計測し、計測された平坦度を調整に供すればよい。
【００７５】
また、モールドの形状を調整する機構は、液状樹脂を硬化させる紫外線を遮らないように構成しなければならない。
【００７６】
さらに、モールドチャックは、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向において独立に力を加えてモールドを変形させる機構（変倍もしくは偏倍機構）も必要である。
【００７７】
一方、グローバルアライメント計測結果等に基づいて、または、プロセス毎に、温度調整機構によりウエハの温度を変化させて、ウエハ全体の倍率（サイズ）を変化させることも有効な手法となる。前述のように、モールドに力を加える変倍機構（加力機構）では、モールドを縮小することしかできないので、ウエハの温度調整機構を組合せることも有効である。例えば、温度調整機構によりウエハの温度を上昇させ、その結果Ｘ方向・Ｙ方向のうち大きく伸びた方向のみに加力機構により力を加えて、倍率補正・偏倍補正を行うこともできる。
【００７８】
また、例えば、モールドは大きめに作製しておくことなく、かつウエハ倍率の計測値がＸ軸方向で−１ｐｐｍ、Ｙ軸方向で−７ｐｐｍであった場合、温度調整機構によりウエハの温度を変えて、Ｘ軸方向を０ｐｐｍ、Ｙ軸方向を−６ｐｐｍに補正する。また、Ｙ軸方向のみに加力機構でモールドに力を加えてＹ軸方向にウエハを６ｐｐｍ縮小してＹ軸方向も０ｐｐｍとする。
【００７９】
さらにまた、温度調整機構による制御が高精度に行えない場合は、温度調整機構により倍率補正を粗く行って、加力機構により倍率補正を高精度に行うようにしてもよい。
【００８０】
つづいて、図８・図９を参照して、モールドチャックの構成の具体例を説明する。
【００８１】
図８は、モールドのディスト―ション補正機構を有するモールドチャックの構成を示す図である。図８において、（ｂ）はＹ軸方向から見た正面図、（ａ）はＺ軸方向に垂直な面で切り取った（ｂ）の断面図、（ｃ）はＸ軸方向に垂直な面で切り取った（ｂ）の断面図である。図８において、１はモールド、２はチャックベース（基部ともいう）、３（３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ）はモールドクランプ移動機構である。４はモールドクランプ可動ピン、５はモールドクランプ固定ピンである。モールドクランプ可動ピン４およびモールドクランプ固定ピン５は、モールドの複数の周辺部をそれぞれ保持する複数の保持部として機能する。モールドクランプ可動ピン４は、不図示の駆動機構によりＺ軸方向に可動であり、モールドクランプ固定ピン５と協働してモールドを挟持する。本実施形態においては、複数の周辺部は、モールドの四隅の部分としている。
【００８２】
モールドクランプ移動機構３（３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ）は、複数の保持部を基部に対しＺ軸方向においてそれぞれ位置決めする複数の駆動機構（第１の駆動機構ともいう）として機能する。なお、この駆動機構は、不図示のアクチュエータや、ガイド機構、位置センサを含みうる。例えば、圧電アクチュエータ（ピエゾ素子）と、保持部の移動をガイドする弾性変形（弾性ヒンジ）を利用したガイド機構と、制御量（保持部の位置）を検出する静電容量センサとを含む。ＣＰＵ１００（制御手段）は、位置センサの出力にしたがってアクチュエータを制御する。例示したような構成により、第１の駆動機構は、図８（ｃ）の矢印方向（Ｚ軸方向）において高い真直度で保持部を移動可能である。
【００８３】
このような第１の駆動機構を含むモールドチャックにより、上述したモールドのディストーション、ウエハに既に形成されているパターンのディストーション、およびモールドの平坦度の少なくとも１つの情報に基づいてモールドの形状を調節する。すなわち、ディストーションや平坦度の情報に基づいて、複数の保持部それぞれの移動量（目標位置）を算出し、それに基づいて、複数の第１の駆動機構それぞれを個別に（独立に）制御する。これにより、例えば、モールドがねじられるように変形し、またはその平坦度が改善され、その結果、重ね合わせ精度を改善することができる。
【００８４】
図９は、上述のディスト―ション補正機構に加えてモールドの変倍機構を有するモールドチャックの構成を示す図である。図９において、（ｂ）はＹ軸方向から見た正面図、（ａ）はＺ軸方向に垂直な面で切り取った（ｂ）の断面図、（ｃ）はＸ軸方向に垂直な面で切り取った（ｂ）の断面図である。図９において、図８中の符号と同一の符号は図８中の要素と同一の要素を表し、説明を省略する。すなわち、ディスト―ション補正機構については、説明を省略する。
【００８５】
図９において、６（６ａ、６ｂ）は可動コンタクトベース、７（７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ）は可動コンタクト、８（８ａ、８ｂ）は固定コンタクトベース、９（９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ）は固定コンタクトである。可動コンタクト７および固定コンタクト９は、モールドの側面に接触する複数のコンタクト部を構成する。チャックベース２は、可動コンタクトベース６を介して可動コンタクト７を、固定コンタクトベース８を介して固定コンタクト９をそれぞれ支持している。可動コンタクトベース６は、複数のコンタクト部のうち少なくとも一部のコンタクト部（可動コンタクト７）をＸ−Ｙ平面に平行な方向においてチャックベース２（基部）に対し位置決めする駆動機構（第２の駆動機構ともいう）として機能する。第２の駆動機構は、Ｘ軸・Ｙ軸に対応して２つあってもよく、Ｘ軸・Ｙ軸のいずれかに対応して１つだけあってもよい。
【００８６】
なお、第２の駆動機構は、不図示のアクチュエータや、ガイド機構、位置センサを含みうる。例えば、圧電アクチュエータ（ピエゾ素子）と、コンタクト部（可動コンタクト７）の移動をガイドする弾性変形（弾性ヒンジ）を利用したガイド機構と、制御量（コンタクト部の位置）を検出する静電容量センサとを含む。ＣＰＵ１００（制御手段）は、位置センサの出力にしたがってアクチュエータを制御する。例示したような構成により、第２の駆動機構は、図９（ｃ）の矢印方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の少なくとも一方）において高い真直度でコンタクト部を移動可能である。
【００８７】
このような第２の駆動機構を含むモールドチャックにより、例えば、モールドの倍率（サイズ）およびウエハに既に形成されているパターンの倍率（サイズ）の少なくとも一方の情報等に基づいてモールドの倍率（サイズ）を調節する。すなわち、倍率（サイズ）の情報に基づいて、コンタクト部（可動コンタクト７）の移動量（目標位置）を算出し、それに基づいて、少なくとも１つの第２の駆動機構それぞれを個別に（独立に）制御する。これにより、例えば、モールドが圧縮または伸張するように変形し、その結果、重ね合わせ精度を改善することができる。
【００８８】
以上に説明した実施形態の押印装置は、重ね合わせ精度の改善の点で有利である。
【００８９】
［物品の製造方法の実施形態］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、前述した押印装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
【００９０】
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
半導体やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの物品を製造するための微細パターンの形成に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】実施形態１に係るナノインプリント装置の構成図である。
【図２】実施形態１に係るナノインプリント装置の制御ブロック図である。
【図３】同一レイヤに関して複数のウエハに順次転写を行う流れを示す図である。
【図４】１つのウエハに転写を行う詳細な流れを示す図である。
【図５】グローバルアライメント計測のサンプルショットの配置を示す図である。
【図６】アライメントマークの配置を示すモールドチャック周辺の断面図である。
【図７】ＴＴＭアライメントスコープ視野内でのアライメントマークの位置関係を例示する図である。
【図８】モールドチャックの構成を示す図である。
【図９】モールドチャックの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
＜図１乃至図７＞
２  ウエハチャック
３  微動ステージ
４  ＸＹステージ
１１  モールドチャック
１２  モールドステージ
＜図８乃至図９＞
２  チャックベース
３  モールドクランプ移動機構
４  モールドクランプ可動ピン
５  モールドクランプ固定ピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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