(57)【要約】      （修正有）【課題】２００ｍＷ超級の高出力動作時においてもガウシアン形状が良好な遠視野像（ＦＦＰ）を得ることができ、且つ長期信頼性を歩留まり良く得ることができるようにする。【解決手段】窒化化合物半導体素子は、基板１Ａの上に形成され、ｎ型窒化化合物半導体層、多重量子井戸活性層１３及びｐ型窒化化合物半導体層を含む積層構造体４０を備えている。積層構造体４０は、該積層構造体４０の上部に形成されたリッジストライプ領域１８と、該リッジストライプ領域１８が延びる方向に対して垂直な方向に形成された端面からなる共振面とを有し、積層構造体４０には、端面をリッジストライプ領域１８が延びる方向に彫り込んだ段差部１９ａが形成されている。段差部１９ａにおけるリッジストライプ領域側の端部は、リッジストライプ領域１８と接している。【選択図】図１
2010003806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成され、ｎ型窒化化合物半導体層、活性層及びｐ型窒化化合物半導体層を含む積層構造体を備え、
前記積層構造体は、該積層構造体の上部に形成されたリッジストライプ領域と、該リッジストライプ領域が延びる方向に対して垂直な方向に形成された端面からなる共振面とを有し、
前記積層構造体には、前記端面を前記リッジストライプ領域が延びる方向に彫り込んだ段差部が形成されており、
前記段差部における前記リッジストライプ領域側の端部は、前記リッジストライプ領域と接していることを特徴とする窒化化合物半導体素子。
【請求項２】
前記段差部における前記リッジストライプ領域側の端部は、前記共振面と接していることを特徴とする請求項１に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項３】
前記端面は、レーザ光を出射する出射端面と前記レーザ光を反射する反射端面とからなり、
前記段差部は、前記出射端面側に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項４】
前記段差部は、該段差部の側面と前記共振面との距離が前記リッジストライプ領域の近傍部分において他の部分よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項５】
前記段差部は、その側面が第１の絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項６】
前記段差部は、その側面が光吸収膜により覆われていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項７】
前記リッジストライプ領域は、その上面の一部が前記共振面と接するように形成された第２の絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項８】
基板の上に形成され、ｎ型窒化化合物半導体層、活性層及びｐ型窒化化合物半導体層を含む積層構造体を備え、
前記積層構造体は、該積層構造体の上部に形成されたリッジストライプ領域と、該リッジストライプ領域が延びる方向に対して垂直な方向に形成された端面からなる共振面とを有し、
前記積層構造体には、前記端面を前記リッジストライプ領域が延びる方向に彫り込んだ段差部が形成されており、
前記段差部における前記リッジストライプ領域側の端部は、前記リッジストライプ領域から離れており、
前記積層構造体には、前記段差部から間隔をおき、且つ前記段差部に沿った溝部が形成され、
前記溝部における前記リッジストライプ領域側の端部は、前記リッジストライプ領域と接していることを特徴とする窒化化合物半導体素子。
【請求項９】
前記段差部における前記リッジストライプ領域側の端部は、前記共振面と接していることを特徴とする請求項８に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項１０】
前記端面は、レーザ光を出射する出射端面と前記レーザ光を反射する反射端面とからなり、
前記段差部は、前記出射端面側に設けられていることを特徴とする請求項８又は９に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項１１】
前記段差部は、その側面が第１の絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項１２】
前記段差部は、その側面が光吸収膜により覆われていることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項１３】
前記リッジストライプ領域は、その上面の一部が前記共振面と接するように形成された第２の絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の窒化化合物半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化化合物半導体素子に関し、特に、リッジストライプ領域を有する窒化化合物半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
組成が一般式ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１である。）で表される窒化化合物半導体のバンドギャップエネルギーは、各元素の組成比を調整することにより、青色光又は紫外光に対応する大きさを持たせることができる。このため、窒化化合物半導体を活性層に有する半導体レーザ素子等の窒化ガリウム（ＧａＮ）系発光素子が活発に研究されている。
【０００３】
ＧａＮ系半導体レーザ素子は、ブルーレイ（Blu-ray）ディスクに代表される次世代ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）用の光源として重要である。次世代ＤＶＤに対するさらなる高速記録動作を実現するには、ＧａＮ系半導体レーザ素子のさらなる高出力化が必須となる。しかしながら、安定した光出射形状、すなわち遠視野像（ＦＦＰ：Far Field Pattern）で２００ｍＷを超える光出力を安定して動作し且つ維持することは困難である。また、ＤＶＤセットにおいては、単体のＧａＮ系半導体レーザ素子を記録用と再生用との双方の光源に用いるため、高出力化と低ノイズ化とを同時に実現する必要がある。
【０００４】
一般に、ＧａＮ系半導体レーザ素子において、基板面に平行な方向の注入電流狭窄は、ＧａＮ系半導体層の上部をストライプ状にエッチングして形成されるリッジ構造を用いている。従って、基板に平行な方向における光の閉じ込め構造は、実屈折率導波構造となる。このため、ストライプ状の光導波領域内を伝播するレーザ光は、基板に平行な方向に漏洩しやすく、この漏れ光（迷光）がレーザ共振器方向において多重反射し、出射端面から漏洩してレーザ光と干渉する。これにより、ＧａＮ系半導体レーザ素子の遠視野像にはリップルが混在しやすく、ガウシアン形状から外れることが多い。
【０００５】
このようなレーザ素子をＤＶＤセットに用いた場合は、有効利用光の減少により、レーザ素子に対して、さらなる高出力化への負荷、高ノイズ化及び読み取りエラー発生等の要因となる。
【０００６】
ＧａＮ系半導体レーザ素子において、良好なＦＦＰ形状を得る方法として、特許文献１及び特許文献２に記載された方法が知られている。
【０００７】
特許文献１には、出射端面の光導波領域付近に複数の凹部を形成し、光導波領域の外部に漏洩した迷光を散乱及び屈折させることにより、ＦＦＰに生じるリップルを抑制する方法が記載されている。
【０００８】
特許文献２には、ＧａＮからなる基板の上部に、あらかじめ底面以外の壁面を粗面とした凹部を形成し、粗面化された壁面を有する凹部を共振器端面に表出するように劈開して、光導波領域外に漏洩した迷光を凹部で散乱及び屈折させることにより、ＦＦＰに生じるリップルを抑制する方法が記載されている。
【０００９】
ここで、図１０に窒化化合物半導体の結晶構造を示す。図１０に示すように、窒化化合物半導体は、六方晶系の結晶構造を有している。このため、素子の上面の面方位を（０００１）面とし、共振器端面の面方位を（１−１００）面（＝Ｍ面）とする半導体レーザ素子を作製する場合、これらの面に共に垂直な（１１−２０）面（＝Ａ面）ではなく、該Ａ面から３０°だけ傾斜した結晶面に沿った劈開が生じやすくなる。その結果、Ａ面に沿った劈開を行うときだけでなく、Ｍ面に沿った劈開を行って共振器端面を形成するときにも、Ｍ面から６０°だけ傾斜した方向に劈開ずれ（端面クラック）が発生するという問題がある。
【００１０】
このため、従来から、平滑な共振器端面を有する窒化化合物半導体素子を作製することは非常に困難である。
【００１１】
ところで、近年用いられる窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の上に形成された半導体レーザ素子を劈開する場合に、ＧａＮ基板の上に成長した窒化化合物半導体層の側からＭ面に沿ってスクライブ溝を形成し、形成したスクライブ溝によって、劈開を容易にする試みがなされている。上記の特許文献１及び特許文献２においても、窒化化合物半導層にスクライブ溝を線状に形成した後、ブレーキング等によって劈開を行う方法が記載されている。
【００１２】
なお、本願明細書において、結晶の面方位及び結晶軸を表す指数に付した負の符号は、該符号に続く一の指数の反転を便宜的に表している。
【特許文献１】特開２００５−３１１３０８号公報
【特許文献２】特開２００６−２８７１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、前記従来例に係る半導体レーザ素子は、出力が２００ｍＷを超える（以下、２００ｍＷ超級と呼ぶ。）ような高出力動作をさせる場合は、良好なＦＦＰ形状を安定して得ることが困難である。なぜなら、上記の特許文献１及び特許文献２は、凹部の形成時に光導波領域に含まれるＧａＮ結晶の内部にまで結晶欠陥等のダメージが印加されることを回避するために、光導波路から離れた位置に凹部を形成している。このため、２００ｍＷ超級の高出力動作時には、光導波領域及びその近傍の光密度が非常に高くなるので、凹部における迷光散乱及び屈折の効果が弱まるからである。なお、凹部形成時に生じるダメージとは、上記の特許文献１においては、エッチングダメージであり、特許文献２においては、結晶成長時の異常成長等である。
【００１４】
さらに、特許文献２においては、凹部が形成された加工基板上への結晶成長が必要となるため、結晶成長条件の変化等により、所望の形状を有する凹部を安定して形成することは困難である。従って、上記の従来例においては、２００ｍＷ超級の高出力動作時に良好なＦＦＰ形状を安定して得ることは難しい。
【００１５】
本発明は、前記の従来の問題を解決し、その主たる目的は、２００ｍＷ超級の高出力動作時においてもガウシアン形状が良好な遠視野像（ＦＦＰ）を得ることができ、且つ長期信頼性を歩留まり良く得ることができるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記の目的を達成するため、本発明は、窒化化合物半導体素子を、複数の窒化化合物半導体からなる積層構造体に、リッジストライプ領域と接するように段差部を設けるか、又はリッジストライプ領域と接しない段差部及びリッジストライプ領域と接する溝部を設ける構成とする。
【００１７】
具体的に、本発明に係る第１の窒化化合物半導体素子は、基板の上に形成され、ｎ型窒化化合物半導体層、活性層及びｐ型窒化化合物半導体層を含む積層構造体を備え、積層構造体は、該積層構造体の上部に形成されたリッジストライプ領域と、該リッジストライプ領域が延びる方向に対して垂直な方向に形成された端面からなる共振面とを有し、積層構造体には、端面をリッジストライプ領域が延びる方向に彫り込んだ段差部が形成されており、段差部におけるリッジストライプ領域側の端部は、リッジストライプ領域と接していることを特徴とする。
【００１８】
第１の窒化化合物半導体素子によると、リッジストライプ領域と端部が接する段差部を積層構造体に設けているため、２００ｍＷ超級の高出力動作時においても、ガウシアン形状が良好なＦＦＰ形状を得ることができる。さらに、この段差部を設けたことにより、リッジストライプ領域からの漏洩光が出射端面から漏出することを抑制できるため、低ノイズ化をも同時に図ることができる。
【００１９】
第１の窒化化合物半導体素子において、段差部におけるリッジストライプ領域側の端部は共振面と接していることが好ましい。
【００２０】
第１の窒化化合物半導体素子において、端面はレーザ光を出射する出射端面とレーザ光を反射する反射端面とからなり、段差部は、出射端面側に設けられていることが好ましい。
【００２１】
第１の窒化化合物半導体素子において、段差部は、該段差部の側面と共振面との距離がリッジストライプ領域の近傍部分において他の部分よりも大きくなるように形成されていることが好ましい。
【００２２】
第１の窒化化合物半導体素子において、段差部は、その側面が第１の絶縁膜により覆われていることが好ましい。
【００２３】
第１の窒化化合物半導体素子において、段差部は、その側面が光吸収膜により覆われていることが好ましい。
【００２４】
第１の窒化化合物半導体素子において、リッジストライプ領域は、その上面の一部が共振面と接するように形成された第２の絶縁膜により覆われていることが好ましい。
【００２５】
第１の窒化化合物半導体素子において、段差部におけるリッジストライプ領域側の端部は、共振面から離れており、積層構造体には、段差部から間隔をおき、且つ段差部に沿った溝部が形成され、溝部におけるリッジストライプ領域側の端部は、リッジストライプ領域と接していることが好ましい。
【００２６】
本発明に係る第２の窒化化合物半導体素子は、基板の上に形成され、ｎ型窒化化合物半導体層、活性層及びｐ型窒化化合物半導体層を含む積層構造体を備え、積層構造体は、該積層構造体の上部に形成されたリッジストライプ領域と、該リッジストライプ領域が延びる方向に対して垂直な方向に形成された端面からなる共振面とを有し、積層構造体には、端面をリッジストライプ領域が延びる方向に彫り込んだ段差部が形成されており、段差部におけるリッジストライプ領域側の端部はリッジストライプ領域から離れており、積層構造体には段差部から間隔をおき且つ段差部に沿った溝部が形成され、溝部におけるリッジストライプ領域側の端部は、リッジストライプ領域と接していることを特徴とする。
【００２７】
第２の窒化化合物半導体素子によると、リッジストライプ領域と端部が接する段差部を積層構造体に設けているため、２００ｍＷ超級の高出力動作時においても、ガウシアン形状が良好なＦＦＰ形状を得ることができる。さらに、積層構造体には、段差部から間隔をおき且つ段差部に沿った溝部が形成され、溝部におけるリッジストライプ領域側の端部は、リッジストライプ領域と接しているため、リッジストライプ領域からの漏洩光がこの溝部（迷光抑制溝）によって出射端面から漏出することを抑制できるため、低ノイズ化をも同時に図ることができる。
【００２８】
第２の窒化化合物半導体素子において、段差部におけるリッジストライプ領域側の端部は、共振面と接していることが好ましい。
【００２９】
第２の窒化化合物半導体素子において、端面は、レーザ光を出射する出射端面とレーザ光を反射する反射端面とからなり、段差部は、出射端面側に設けられていることが好ましい。
【００３０】
第２の窒化化合物半導体素子において、段差部はその側面が第１の絶縁膜により覆われていることが好ましい。
【００３１】
第２の窒化化合物半導体素子において、段差部はその側面が光吸収膜により覆われていることが好ましい。
【００３２】
第２の窒化化合物半導体素子において、リッジストライプ領域は、その上面の一部が共振面と接するように形成された第２の絶縁膜により覆われていることが好ましい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に係る窒化化合物半導体素子によると、高出力動作時においても迷光を抑制し、且つ良好なＦＦＰ形状を高歩留まりで得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３５】
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る窒化化合物半導体素子であって、半導体レーザ素子の出射端面側の平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における断面構成を示し、（ｃ）は（ａ）のＩｃ−Ｉｃ線における断面構成を示している。
【００３６】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、第１の実施形態に係る半導体レーザ素子は、例えば主面の面方位が（０００１）面のｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる基板１Ａの主面上に形成された、ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で示される窒化化合物半導体からなる積層構造体４０を有している。
【００３７】
積層構造体４０の上部には、光導波領域であるリッジストライプ領域１８が結晶軸の＜１−１００＞方向に平行に形成され、該＜１−１００＞方向に垂直な面である（１−００）面（Ｍ面）が共振面として劈開により露出されている。
【００３８】
本発明の特徴として、互いに対向する共振面（出射端面のみを図示）の少なくとも出射端面側の積層構造体４０には、共振面をリッジストライプ領域１８が延びる方向に彫り込んだ段差部１９ａが形成されている。また、段差部１９ａにおけるリッジストライプ領域１８側の端部は、該リッジストライプ領域１８及び共振面と接している。
【００３９】
また、積層構造体４０における段差部１９ａを含む露出面は、リッジストライプ領域１８の上面を除いて、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜２０により覆われている。
【００４０】
ここで、積層構造体４０の構成の一例を示す。基板１Ａの主面上には、厚さが約０．２μｍのｎ型ＧａＮ層１０、厚さが約２．０μｍのｎ型Ａｌ０．０３Ｇａ０．９７Ｎからなるｎ型クラッド層１１、厚さが約１５０ｎｍのｎ型ＧａＮからなる第１の光ガイド層１２、厚さが約９ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層と厚さが約３ｎｍのＩｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎからなる量子井戸（３層）と厚さが約９ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなるバリア層（２層）とにより構成された多重量子井戸活性層１３と、厚さが約７０ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなる活性層保護層１４と、厚さが約１０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２０Ｇａ０．８０Ｎからなるキャップ層１５と、厚さが約０．４μｍのｐ型Ａｌ０．０３Ｇａ０．９７Ｎからなるｐ型クラッド層１６と、厚さが約０．１μｍのｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１７とが順次形成されている。
【００４１】
以下、前記のように構成された半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
【００４２】
まず、図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照しながら、ウェハ１の主面上に積層構造体４０を形成する工程を説明する。なお、図２（ａ）及び図２（ｂ）は、部分断面図であり、図示されている部分は、実際には直径が５０ｍｍ程度の大きさを持つウェハ１の一部に過ぎない。
【００４３】
図２（ａ）に示すように、主面の面方位が（０００１）面であるｎ型ＧａＮからなるウェハ１を用意する。ここで、図２（ａ）に現れているウェハ１の断面は、（１−１００）面であり、１次劈開によって露出する。＜１１−２０＞方向は、図の紙面上にあり、ウェハ１の主面の面方位である（０００１）面に平行である。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示すように、ウェハ１の主面上に窒化化合物半導体からなる積層構造体４０を形成する。
【００４５】
まず、ＧａＮからなるウェハ１を、有機金属気相堆積（ＭＯＶＰＥ：metal-orgnic vapor phase epitaxy）装置における反応炉内のサセプタに保持する。続いて、反応炉を約１０００℃にまで昇温し、原料ガスとしてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びアンモニア（ＮＨ３）ガスと、キャリアガスである水素及び窒素とを同時に供給する。これと同時に、ｎ型ドーパントとしてシラン（ＳｉＨ４）ガスを供給して、厚さが約０．２μｍでＳｉの不純物濃度が約５×１０１７ｃｍ−３のｎ型ＧａＮ層１０を成長する。
【００４６】
その後、ｎ型ＧａＮ層１０の上に、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）も供給しながら、厚さが約２．０μｍでＳｉの不純物濃度が約５×１０１７ｃｍ−３のｎ型Ａｌ０．０３Ｇａ０．９７Ｎからなるｎ型クラッド層１１を成長する。その後、ｎ型クラッド層１１の上に厚さが約１５０ｎｍでＳｉの不純物濃度が約５×１０１７ｃｍ−３のｎ型ＧａＮからなる第１の光ガイド層１２を成長し、その後、成長温度を約８００℃にまで降温し、キャリアガスを窒素のみに変更して、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）とＴＭＧとを供給して、厚さが約９ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を成長する。さらに、厚さが約３ｎｍのＩｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎからなる量子井戸層（３層）と膜厚約９ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎバリア層（２層）とを交互に成長して多重量子井戸活性層１３を形成する。その後、多重量子井戸活性層１３の上に、厚さが約７０ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなる活性層保護層１４を成長して、多重量子井戸活性層１３の表面を保護する。
【００４７】
次に、再び反応炉内の温度を約１０００℃にまで昇温し、キャリアガスに水素を混合して、ｐ型ドーパントであるビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）ガスを供給しながら、活性層保護層１４の上に、厚さが約１０ｎｍでＭｇの不純物濃度が約１×１０２０ｃｍ−３のｐ型Ａｌ０．２０Ｇａ０．８０Ｎからなるキャップ層１５を成長する。
【００４８】
次に、キャップ層１５の上に、厚さが約０．４μｍでＭｇの不純物濃度が約１×１０２０ｃｍ−３のｐ型Ａｌ０．０３Ｇａ０．９７Ｎからなるｐ型クラッド層１６を成長する。
【００４９】
次に、ｐ型クラッド層１６の上に、厚さが約０．１μｍでＭｇの不純物濃度が約１×１０２１ｃｍ−３のｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１７を成長する。
【００５０】
なお、本発明において、積層構造体４０の具体的な構成及び各半導体層１０〜１７の成長方法は任意であり、上記の構成及び成長方法は一例に過ぎない。
【００５１】
次に、積層構造体４０を形成した後は、ドライエッチングにより積層構造体４０の上部に電流狭窄用の、幅が約１．２μｍのリッジストライプ領域１８を形成する工程、ドライエッチングによりウェハ１を劈開する劈開領域に段差部１９ａを構成する劈開ガイド溝１９を形成する工程、スパッタによりリッジストライプ領域１８を除く積層構造体４０の上に絶縁膜２０を形成する工程、真空蒸着法によりリッジストライプ領域１８の上にｐ側電極（コンタクト電極）を形成する工程、ウェハ１の裏面を研磨してその厚さを約８０μｍとする工程、及びｎ側電極を形成する工程等を順次行う。ここで、ｐ側電極には、パラジウム（Ｐｄ）及び白金（Ｐｔ）の積層膜を用い、ｎ側電極にはチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）からなる積層膜を用いる。さらに、ｐ側電極の上には、ｎ側電極と同様の構成を持つチタン（Ｔｉ）／白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）からなる配線電極を形成する。
【００５２】
以下、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照しながら、劈開ガイド溝１９の配置例とその形成方法とを説明する。図３（ａ）は分割（劈開）前の状態を示しており、図３（ｂ）は、分割された個々のレーザチップの１つを示している。図３（ａ）及び図３（ｂ）においては、簡単のため、積層構造体４０の詳細な構成は省略している。また、リッジストライプ領域１８の上面にはｐ側電極等が形成されているが、ここでは省略している。
【００５３】
図３（ａ）に示すように、積層構造体４０の上部に形成された複数の劈開ガイド溝１９は、それぞれが結晶軸の＜１１−２０＞方向に離散的に、すなわち不連続に配列されると共に、＜１−１００＞方向にも離散的に配列されている。また、図３（ｂ）に示す劈開されたレーザチップのように、劈開ガイド溝１９、ここでは劈開ガイド溝１９が劈開されてなる段差部１９ａは、積層構造体４０に形成されるリッジストライプ領域１８とは交差していない。
【００５４】
まず、劈開ガイド溝１９の＜１１−２０＞方向の配列について詳述する。リッジストライプ領域１８における共振器端面を精度良く平滑に形成するには、劈開ガイド溝１９は＜１１−２０＞方向においてリッジストライプ領域１８の側面にまで及んでいることが好ましい。さらには、劈開ガイド溝１９をエッチングにより形成する際のリッジストライプ領域１８へのダメージを回避するために、リッジストライプ領域１８に近づくにつれて劈開ガイド溝１９はその幅が減少するように形成されることが好ましい。劈開ガイド溝１９をこのような形態とすることにより、光導波路であるリッジストライプ領域１８へのダメージが緩和されるため、レーザ素子の特性及び信頼性に与える影響を軽微にすることができる。
【００５５】
一方、劈開ガイド溝１９の＜１−１００＞方向における配列ピッチは、各レーザ素子の共振器長に等しい値に設定する。第１の実施形態においては、共振器長が約３００μｍ〜９００μｍであるため、劈開ガイド溝１９の＜１−１００＞方向における配列ピッチも３００〜９００μｍに設定される。なお、レーザ素子における共振器長の寸法は上記の値に限定されない。従って、劈開ガイド溝１９の配列間隔は、レーザ素子の設計寸法に応じて適切な値に設定される。
【００５６】
次に、各劈開ガイド溝１９の形状について詳述する。第１の実施形態においては、劈開ガイド溝１９の平面形状は、典型的には六角形状を有しているが、各角部が丸みを帯びた楕円形状を有していてもよい。劈開ガイド溝１９は、その延びる方向が＜１１−２０＞方向であり、長さ寸法は２００μｍ以下に設定される。また、劈開ガイド溝１９の幅方向は＜１−１００＞方向であり、その幅寸法は例えば２μｍ〜６μｍ程度に設定される。なお、劈開ガイド溝１９の深さは、図２（ｂ）に示した積層構造体４０の結晶成長表面であるｐ型コンタクト層１７から深さ方向に向かって少なくとも多重量子井戸活性層１３に至り、好ましくはｎ型光ガイド層１２、さらに好ましくはｎ型クラッド層１１に至るように形成する。さらには、劈開ガイド溝１９の深さは、１次劈開の容易性を考えると、ウェハ１にまで及んでも構わない。
【００５７】
図３（ａ）に示す第１劈開ライン２１は、＜１１−２０＞方向に配列された複数の劈開ガイド溝１９を規制しており、ウェハ１は第１劈開ライン２１に沿って１次劈開される。このように、劈開ガイド溝１９を図３（ａ）に示す第１劈開ライン２１に沿って正確に配列することにより、レーザ素子の共振器端面を形成する１次劈開を精度良く且つ高歩留まりを得られる正確な位置で行うことが可能となる。なお、図３（ａ）に示す＜１−１００＞方向に延びる第２劈開ライン２２は、互いに隣り合うレーザ素子を分割するラインである。
【００５８】
以下、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照しながら劈開工程を詳述する。
【００５９】
上述した方法により劈開ガイド溝１９を形成した後、図３（ａ）に示す第１劈開ライン２１に沿って１次劈開を行う。このとき、図示しない装置を用いてウェハ１の裏面から応力を印加すると、＜１１−２０＞方向に平行な第１劈開ライン２１の上に配列された複数の劈開ガイド溝１９に沿って劈開が進行する。このため、６０°方向への劈開ずれ発生が抑制されるので、Ｍ面すなわち（１−１００）面の平滑な共振器端面を有するレーザバーを作製できる。なお、レーザバーとは、ウェハ１に対して各第１劈開ライン２１に沿った劈開のみを行ったことにより得られる、レーザチップが横方向に連なった状態のバー状のウェハをいう。
【００６０】
その上、第１の実施形態においては、劈開領域に劈開ガイド溝１９を設けていることにより、劈開ずれの発生を原因とするレーザバーの分断が生じにくくなる。このため、レーザバー自体の長さを延長することが可能となるので、この製造効率の改善に伴って製造コストが低減し、歩留まりをも向上することができる。
【００６１】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、それぞれ１次劈開後の出射端面におけるリッジストライプ領域１８付近の平面構成を表している。図４（ａ）及び図４（ｂ）においては、簡単のため、絶縁膜２０及びｐ側電極等は省略している。
【００６２】
図４（ａ）に示す例では、劈開ガイド溝１９が劈開により分割されてなる段差部１９ａは、そのリッジストライプ領域１８側の端部を該リッジストライプ１８領域と接するように形成されている。なお、図４（ａ）においては、ウェハ１の主面に平行な面内において劈開ガイド溝１９が六角形的な平面形状を有するように表しているが、これは一例に過ぎず、ドライエッチングのマスク形状を調整することにより、多様な平面形状を有する劈開ガイド溝１９を形成することができる。１次劈開を所定の方向に案内するには、各劈開ガイド溝１９が劈開方向に長軸を有する異方的な形状を有していることが好ましい。
【００６３】
また、図４（ｂ）に示す他の例では、劈開ガイド溝１９の幅方向の寸法を＜１１−２０＞方向で連続的に変化させた場合を示している。レーザ素子の共振器端面を形成する１次劈開は、図３（ａ）の第１劈開ライン２１に沿って規制される。このため、共振器長の精度を上げるには、劈開ガイド溝１９の幅寸法を例えば２μｍ程度と極力小さくする方が好ましい。しかしながら、リッジストライプ領域１８の側方に漏洩し、該リッジストライプ領域１８を除く領域の共振器端面で多重反射する迷光が、出射端面から出射してレーザ光と干渉する現象を抑制するには、リッジストライプ領域１８と隣接する劈開ガイド溝１９の幅寸法は１次劈開に影響を与えない寸法、例えば６μｍ程度を限度として大きくする方が好ましい。
【００６４】
従って、図４（ｂ）に示す例では、迷光がレーザ光と干渉する程度が大きく低減されるため、リップルが少なくガウシアン形状に近い良好なＦＦＰを得ることが容易となる。
【００６５】
図５（ａ）に、図４（ａ）に示すレーザ構造である積層構造体４０の上に絶縁膜２０を設けた平面構成を示す。
【００６６】
図５（ａ）に示すように、リッジストライプ領域１８の上面を除き、段差部１９ａの側面及び底面を含む全体を絶縁膜２０で被覆することにより、段差部１９ａにおける電気的絶縁を維持できると共に、特に段差部１９ａがリッジストライプ領域１８と接する位置における電気的リークを回避することができる。
【００６７】
なお、図５（ｂ）は図５（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線における断面構成、すなわち出射端面付近の段差部１９ａに沿った断面構成を示し、図５（ｃ）は図５（ａ）のＶｃ−Ｖｃ線における断面構成、すなわち出射端面から離れた位置のレーザ構造（積層構造体４０）の内部の断面構成を示している。また、図５（ｂ）及び図５（ｃ）においては、積層構造体４０のうち多重量子井戸活性層１３の位置のみを模式的に示している。図５（ｃ）からは、劈開端面から離れた積層構造体４０の内部ではリッジストライプ領域１８の下部が多重量子井戸活性層１３の上側に位置することが分かる。これに対し、図５（ｂ）からは、端面部分においては、リッジストライプ領域１８の下部は多重量子井戸活性層１３の上側に位置するものの、段差部１９ａの底部は多重量子井戸活性層１３を横断していることが分かる。従って、図５（ａ）〜図５（ｃ）から分かるように、出射端面において多重量子井戸活性層１３における基板に平行な方向の幅が制約されることにより、リッジストライプ領域１８から該リッジストライプ領域１８の側方に漏洩して伝播する光（迷光）が出射端面から漏出することを抑制できる。
【００６８】
次に、レーザチップ製造工程として、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）装置を用いたスパッタ法により、１次劈開により得られたレーザバーの共振器端面のうち出射端面には、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等からなる誘電体保護膜を成膜し、他方の反射端面には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）と酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等からなる誘電体多層膜をする。
【００６９】
ＧａＮ系半導体レーザ素子において、２００ｍＷ超級の高出力化を実現するには、出射端面に生じる瞬時的光学損傷（ＣＯＤ：Catastrophic Optical Damage）を防止する必要がある。従って、出射端面側の誘電体膜コートについて詳述する。
【００７０】
積層構造体４０に１次劈開により形成された出射端面は、ＥＣＲ装置により誘電体膜コートが成膜されるまでの間に大気中に暴露されるため、水分及び有機物等が容易に付着して汚染される。ウェハ１の劈開を真空中で実施する方法もあるが、製造時の作業性及びコストを考慮すると、量産性に欠ける。ＧａＮ系半導体レーザ素子は、従来の赤外レーザ素子及び赤色レーザ素子と比較すると、生成されるレーザ光が短波長で且つその光エネルギーが大きいため、レーザ光自身で端面に付着した汚染物が分解される。分解された異物は端面の酸化、端面における光吸収、及び端面反射率の変化を誘発する。このため、ＣＯＤが生じる時点の光出力値の低下、及びエージング中のＣＯＤレベルの低下によるレーザ素子の頓死を促す。
【００７１】
従って、特に出射端面側において、誘電体膜コートの成膜直前の端面処理方法が重要である。具体的には、ＥＣＲ装置内の高真空状態における希ガスと不活性ガスとを混合させた雰囲気でのプラズマ処理及びそれに続くＡｌ２Ｏ３コートが、エージング中のＣＯＤ発生による頓死を抑制する手段として効果的である。この方法によれば、１次劈開から誘電体膜コートまでの大気中の放置時間に依存することなく、ＣＯＤ発生による頓死を抑制することが可能となる。
【００７２】
次に、端面コートを行ったレーザバーに対して第２劈開ライン沿って劈開（２次劈開）することにより、レーザバーから複数のレーザチップ（個々の半導体レーザ素子）を得る。個々の半導体レーザ素子は、ウェハ１から分割されたチップを基板１Ａとして備える。
【００７３】
このように、２次劈開工程が終了した後は、半導体レーザ素子のｎ側部分、例えば基板１Ａを窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等からなるサブマウントの上に半田材を介して固着しし、さらに、ｐ側電極をワイヤボンディングにより配線する。
【００７４】
このとき、段差部１９ａが半導体レーザ素子の特定の位置に形成されていることを利用して、実装工程における位置決めマーカーとしての機能を段差部１９ａに発揮させることもできる。
【００７５】
上記の方法によって製造された半導体レーザ素子は、劈開ガイド溝１９に導かれた平滑な共振器端面を有しており、且つ出射端面側にはＣＯＤ劣化を抑制した誘電体膜コートが施されているため、室温下のパルス測定において、閾値電流が３０ｍＡで２５０ｍＷの出力時に１２０ｍＡの動作電流で発振することが確認され、１０００時間以上の寿命を示している。
【００７６】
また、基板に平行な方向の遠視野像（ＦＦＰ）を評価すると、迷光によるレーザ光の干渉が抑制されることから、リップルが少ないガウシアン分布の良好なＦＦＰ形状が５ｍＷ程度の低出力動作から２５０ｍＷ程度の高出力動作までの高範囲で得られている。また、５ｍＷ程度の低出力時におけるノイズ（ＲＩＮ：Rerative Intensity Noise）を３００ＭＨｚ程度の高周波を重畳することにより評価したところ、−１２５ｄＢ／Ｈｚ以下となり、次世代ＤＶＤセット用の光源として実用可能な低ノイズ化を実現できている。
【００７７】
なお、第１の実施形態においては、段差部１９ａの端部はリッジストライプ領域１８の側面と接しているが、段差部１９ａの端部はリッジストライプ領域１８の側面と必ずしも接する必要はない。例えば、段差部１９ａとリッジストライプ領域１８の側面との距離が０．１μｍよりも小さければ、段差部１９ａの端部がリッジストライプ領域１８と接している場合と同等の効果を得られている。すなわち、段差部１９ａとリッジストライプ領域１８との距離が０．１μｍより小さい場合であっても両者が接しているとみなすことができる。この理由は定かではないが、リッジストライプ領域１８からその外側に漏洩したキャリア（特に正孔）の拡散長（０．１μｍ程度）に起因して、段差部１９ａとリッジストライプ領域１８との距離が０．１μｍよりも小さい領域では、レーザ光に寄与する成分が主であり、迷光となりにくい可能性が推測される。
【００７８】
（第１の実施形態の一変形例）
本変形例は、劈開ガイド溝１９の平面形状を種々に変化させた構成を有している。図６（ａ）〜図６（ｅ）に本変形例に係るレーザ構造を示す。図６（ａ）〜図６（ｅ）に示すように、本変形例に係る劈開ガイド溝１９（段差部１９ａ）は、＜１１−２０＞方向に複数に分割されて形成されている。
【００７９】
図６（ａ）及びその劈開後の拡大図である図６（ｂ）は、第１劈開ライン２１に沿った複数の劈開ガイド溝１９（段差部１９ａ）の長さが互いに等しい場合を示し、図６（ｃ）は、第１劈開ライン２１に沿った複数の劈開ガイド溝１９（段差部１９ａ）の長さが異なる場合を示す。劈開精度の観点では、図６（ｂ）及び（ｃ）に大きな差異はない。
【００８０】
これに対し、図６（ｄ）及び図６（ｅ）は、リッジストライプ領域１８の近傍の劈開ガイド溝１９（段差部１９ａ）において、その平面形状が変化していることを特徴とする。すなわち、図６（ｄ）においては、リッジストライプ領域１８と接する段差部１９ａにおいてのみ、出射端面と段差部１９ａの側面との距離が大きくなっている。このため、リッジストライプ領域１８から漏洩した迷光がレーザ光と干渉する割合を低減することができるため、高出力動作時においても良好なＦＦＰ形状を実現することができる。
【００８１】
また、図６（ｅ）においては、リッジストライプ領域１８と接する段差部１９ａにおいてのみ、段差部１９ａの側面が直線形状でなく波形状となっている。このため、高出力動作時においても迷光を散乱させることができ、良好なＦＦＰ形状を実現できる。
【００８２】
なお、図６（ｄ）及び図６（ｅ）において、積層構造体４０に対して行う劈開は、リッジストライプ領域１８から離れた第１劈開ライン２１に沿った長い劈開ガイド溝１９によって制約されるため、劈開自体の精度に支障を来すことはない。
【００８３】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００８４】
第２の実施形態においては、第１の実施形態により得られたＦＦＰ形状をさらに改善できるよう、積層構造体を覆う絶縁膜の構成を変えている。
【００８５】
図７（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る窒化化合物半導体素子であって、半導体レーザ素子の出射端面側の平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のVIIｂ−VIIｂ線における断面構成を示し、（ｃ）は（ａ）のVIIｃ−VIIｃ線における断面構成を示している。なお、図７（ａ）〜図７（ｃ）において、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示した構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００８６】
図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、第２の実施形態に係る半導体レーザ素子は、積層構造体４０を覆う絶縁膜２０における出射端面を含む端部の上に、迷光を吸収する光吸収膜２３を設けている。ここで、絶縁膜２０は、第１の実施形態と同様に、電気的パッシベ−ション機能と屈折率差による光閉じ込め機能とを担っている。
【００８７】
以下、光導波領域であるリッジストライプ領域１８から基板の主面の面内方向に漏洩する迷光の波長について詳述する。
【００８８】
本願発明者は、迷光を確実に抑制することを目的として、その波長成分をレーザラマン顕微鏡で調査した。その結果、主レーザ光の波長である４０５ｎｍに混在して、波長が４０５ｎｍ以上（且つ６００ｎｍ程度以下）の広域に及ぶ長波長光を観測した。この長波長光の起源は明確ではないが、リッジストライプ領域１８の内部を伝播する、波長が４０５ｎｍのレーザ光が漏洩した場合に、この漏洩したレーザ光が波長が４０５ｎｍよりも小さいバンドギャップエネルギーを持つ領域を励起して発光させることに起因していると推測される。ここで、励起される領域とは波長が４０５ｎｍよりも小さいエネルギーレベル（準位）を有すると推測される多重量子井戸活性層１３におけるインジウム（Ｉｎ）の偏析領域、キャップ層１５等のｐ型半導体層におけるＭｇからなる不純物添加領域（拡散された領域を含む）、及び第１の光ガイド層１２等のｎ型半導体層におけるＳｉからなる不純物添加領域のことである。
【００８９】
このことから、迷光を確実に抑制するには、主レーザ光よりも波長が長い光を抑制することが有効である。そこで、第２の実施形態においては、迷光を吸収する光吸収膜２３として、波長が４０５ｎｍ以上の長波長域に及ぶ広域で光吸収を有するアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）を用いている。
【００９０】
ここで、α−Ｓｉからなる光吸収膜２３は、ＥＣＲ装置等によって堆積され、図７（ａ）及び図７（ｃ）に示すように、出射端面付近にのみ形成してもよく、また、リッジストライプ領域１８に沿って共振器長方向の全域に形成してもよい。
【００９１】
さらには、第２の実施形態においては、絶縁膜２０の上に光吸収膜２３を形成しているが、これとは逆に、光吸収膜を積層構造遺体４０の上に堆積した後、絶縁膜２０を形成してもよい。
【００９２】
また、第２の実施形態においては、光吸収膜２３にα−Ｓｉを用いているが、迷光を吸収する媒体であれば、誘電体膜に限られない。例えば、パラジウム（Ｐｄ）及び金（Ａｕ）等の金属であっても構わない。
【００９３】
また、第２の実施形態においても、段差部１９ａの端部はリッジストライプ領域１８の側面と接しているが、段差部１９ａがリッジストライプ領域１８と接していない場合であっても、段差部１９ａとリッジストライプ領域１８との距離が０．１μｍよりも小さければ、段差部１９ａの端部がリッジストライプ領域１９ａと接している場合と同等の効果を得ることができる。すなわち、段差部１９ａとリッジストライプ領域１８との距離が０．１μｍよりも小さい場合であっても接しているとみなすことができる。
【００９４】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００９５】
第３の実施形態においては、第１の実施形態及び第２の実施形態により得られたＣＯＤレベルをさらに高出力化し、２００ｍＷ超級の信頼性を改善できるよう、積層構造体を覆う絶縁膜２０の形成位置を変更している。
【００９６】
図８（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る窒化化合物半導体素子であって、半導体レーザ素子の出射端面側の平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のVIIIｂ−VIIIｂ線における断面構成を示し、（ｃ）は（ａ）のVIIIｃ−VIIIｃ線における断面構成を示している。なお、図８（ａ）〜図８（ｃ）において、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示した構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００９７】
図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すように、第３の実施形態に係る半導体レーザ素子は、リッジストライプ領域１８の側面を含む積層構造体４０の上に形成されるＳｉＯ２からなる絶縁膜２０が、リッジストライプ領域１８上における出射端面側の端部にも、ｐ側電極と接しないように形成されている。
【００９８】
共振器端面は、積層構造体４０を構成するｐｎ接合及び活性層（多重量子井戸活性層１３）が露出しているため、界面準位等の非発光再結合中心が存在し、且つ、出射端面においては特に光密度が高いため、非発光再結合中心を介した無効電流の増大、発熱の増大及びＣＯＤの劣化が加速される。
【００９９】
第３の実施形態においては、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、リッジストライプ領域１８上における出射端面側の端部に形成された絶縁膜２０によって、ｐ側電極からリッジストライプ領域１８への電流注入が阻止される。これにより、出射端面付近では多重量子井戸活性層１３からの発光が抑制されるので、ＣＯＤ劣化の進行が抑制される。さらに、図８（ａ）に示すような端面非注入構造とすることにより、段差部１９ａがリッジストライプ領域１８と接することに起因する該リッジストライプ領域１８へのダメージの導入の影響を軽微にすることができる。
【０１００】
図８（ａ）〜図８（ｃ）には、ＳｉＯ２からなる絶縁膜２０のみを示したが、第２の実施形態と同様に、例えばα−Ｓｉからなる光吸収膜を形成することにより、迷光を効果的に抑制する構成としてもよい。
【０１０１】
また、第３の実施形態においては、積層構造体４０におけるリッジストライプ領域１８の側方に形成される絶縁膜２０と、リッジストライプ領域１８上における端面側に形成される絶縁膜２０とをいずれもＳｉＯ２により形成したが、リッジストライプ領域１８上に形成される絶縁膜２０と、リッジストライプ領域１８の側方に形成される絶縁膜２０とは互いに異なる組成の絶縁膜とすることも可能である。例えば、いずれか一方を窒化シリコン（ＳｉＮ）としてもよい。
【０１０２】
ここで、第３の実施形態を第１の実施形態及び第２の実施形態と比較すると、第３の実施形態に係る半導体レーザ素子は、エージング前のＣＯＤレベルが１００ｍＷ程度向上し、且つエージング中のＣＯＤレベルの低下も抑制された。このため、２００ｍＷの高出力エージングにおいても１０００時間以上の安定動作を高歩留まりで確保することができる。
【０１０３】
なお、第３の実施形態においては、出射端面への電流注入を阻止する構成をリッジストライプ領域１８上に設けた絶縁膜２０により実現したが、この構成に限られず、ｐ側半導体層への電流注入を阻害する構成であれば他の構成でも同様の効果を得ることができる。
【０１０４】
また、第３の実施形態においても、段差部１９ａの端部はリッジストライプ領域１８の側面と接しているが、段差部１９ａがリッジストライプ領域１８と接していない場合であっても、段差部１９ａとリッジストライプ領域１８との距離が０．１μｍよりも小さければ、段差部１９ａの端部がリッジストライプ領域１９ａと接している場合と同等の効果を得ることができる。すなわち、段差部１９ａとリッジストライプ領域１８との距離が０．１μｍよりも小さい場合であっても接しているとみなすことができる。
【０１０５】
（第３の実施形態の一変形例）
本変形例は、第３の実施形態における高出力化を図る構成に対して、劈開ガイド溝１９（段差部１９ａ）に持たせた劈開ガイド機能と迷光抑制機能とを分離した構成を採る。図９（ａ）〜図９（ｄ）に本変形例に係るレーザ構造を示す。
【０１０６】
図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、積層構造体４０の出射端面において、段差部１９ａがリッジストライプ１８の側面と接しない構成とする。
【０１０７】
さらに、積層構造体４０の上部における段差部１９ａの内側の領域には、段差部１９ａと５μｍ程度の間隔をおくと共に、該段差部１９ａに沿った迷光抑制溝２４が形成されている。ここで、迷光抑制溝２４の幅寸法は１０μｍ程度であり、その深さ寸法は、劈開ガイド溝１９と同程度としている。このように、迷光抑制溝２４を設けることにより、リッジストライプ領域１８からの迷光の出射端面への漏出が抑制される。なお、迷光抑制溝２４は、段差部１９ａと異なり、そのリッジストライプ領域１８側の端部は該リッジストライプ領域１８の側面と接していることが好ましい。
【０１０８】
また、絶縁膜２０は、リッジストライプ領域１８上には、出射端面側の端部にｐ側電極と接することなく且つ迷光抑制溝２４を越える領域にまで形成されている。
【０１０９】
このように、本変形例によると、劈開ガイド溝１９（段差部１９ａ）の端部をリッジストライプ領域１８の側面から離す構成とすることにより、劈開端面におけるリッジストライプ領域１８の周辺部が物理的に強固となるため、１次劈開時のリッジストライプ領域１８に印加される応力負荷を軽減することができる。
【０１１０】
また、絶縁膜２０をリッジストライプ領域１８上の出射端面側にも形成した端面非注入構造とあいまって、高出力安定動作を実現できる半導体レーザ素子の歩留まりをさらに改善することが可能になる。
【０１１１】
なお、本変形例においても、絶縁膜２０のみを示したが、第２の実施形態と同様に、例えばα−Ｓｉからなる光吸収膜を形成することにより、迷光を効果的に抑制する構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明に係る窒化化合物半導体素子は、高出力動作時においても迷光を抑制し且つ良好なＦＦＰ形状を高歩留まりで得ることができ、特にリッジストライプ領域を有する窒化化合物半導体レーザ素子等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る窒化化合物半導体素子を示し、（ａ）は出射端面側の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＩｃ−Ｉｃ線における断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る窒化化合物半導体素子の製造方法を示し、ウェハ上に窒化化合物半導体からなる積層構造体を形成する工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る窒化化合物半導体素子における劈開工程前の状態を示す平面図であり、（ｂ）は劈開後のチップを示す平面図である。
【図４】（ａ）及び(ｂ)は本発明の第１の実施形態に係る窒化化合物半導体素子における出射端面付近を示す平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る窒化化合物半導体素子における絶縁膜の形成後の状態を示し、（ａ）は出射端面側の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＶｃ−Ｖｃ線における断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施形態の一変形例に係る窒化化合物半導体素子における劈開工程前の状態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）〜（ｅ）は劈開後のチップの出射端面側を示し、段差部の平面形状を示す平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係る窒化化合物半導体素子を示し、（ａ）は出射端面側の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のVIIｂ−VIIｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のVIIｃ−VIIｃ線における断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施形態に係る窒化化合物半導体素子を示し、（ａ）は出射端面側の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のVIIIｂ−VIIIｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のVIIIｃ−VIIIｃ線における断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施形態の一変形例に係る窒化化合物半導体素子を示し、（ａ）は出射端面側の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のIXｂ−IXｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のIXｃ−IXｃ線における断面図であり、（ｄ）は（ａ）のIXｄ−IXｄ線における断面図である。
【図１０】窒化化合物半導体の結晶構造を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１      ウェハ
１Ａ    基板
１０    ｎ型ＧａＮ層
１１    ｎ型クラッド層
１２    第１の光ガイド層
１３    多重量子井戸活性層
１４    活性層保護層
１５    キャップ層
１６    ｐ型クラッド層
１７    ｐ型コンタクト層
１８    リッジストライプ領域
１９    劈開ガイド溝
１９ａ  段差部
２０    絶縁膜
２１    第１劈開ライン（共振面形成）
２２    第２劈開ライン（チップ分割）
２３    光吸収膜
２４    迷光抑制溝（溝部）
４０    積層構造体
【図１】
2010003806.tif 000003
【図２】
2010003806.tif 000004
【図３】
2010003806.tif 000005
【図４】
2010003806.tif 000006
【図５】
2010003806.tif 000007
【図６】
2010003806.tif 000008
【図７】
2010003806.tif 000009
【図８】
2010003806.tif 000010
【図９】
2010003806.tif 000011
【図１０】
2010003806.tif 000012