(57)【要約】      （修正有）【課題】より高い吐出安定性と印刷性を有するインクジェット方式印刷用の拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。【解決手段】シリコン基板等のＮ型の半導体基板１上に、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）を含有する拡散剤組成物２と、Ｎ型の不純物拡散成分を含有する拡散剤組成物３とを選択的に塗布する。その後、周知の手段を用いて乾燥させる。そして、電気炉等の拡散炉内に載置して焼成し、拡散剤組成物２中のＰ型の不純物拡散成分（Ａ）、および拡散剤組成物３中のＮ型の不純物拡散成分を半導体基板１の表面から半導体基板１内に拡散させる。【選択図】図１
2010161317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット方式印刷に用いられる拡散剤組成物であって、
Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）と、
アルコール性水酸基を有する水溶性高分子化合物（Ｂ）と、
表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を含む溶剤（Ｃ）と、
を含有することを特徴とする拡散剤組成物。
【請求項２】
前記不純物拡散成分（Ａ）は、III族元素の化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載の拡散剤組成物。
【請求項３】
前記水溶性高分子化合物（Ｂ）のケン化度が９０ｍｏｌ％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の拡散剤組成物。
【請求項４】
前記水溶性高分子化合物（Ｂ）は、ポリビニルアルコールであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の拡散剤組成物。
【請求項５】
前記溶剤（Ｃ）は、前記有機溶剤を、組成物の全重量に対して３０重量％以上となるように含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の拡散剤組成物。
【請求項６】
水酸基を有する水溶性モノマー（Ｄ）をさらに含有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の拡散剤組成物。
【請求項７】
Ｎ型の半導体基板に、インクジェット方式により、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）を含有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の拡散剤組成物を吐出してパターンを形成する工程と、
前記拡散剤組成物中の不純物拡散成分（Ａ）を前記半導体基板に拡散させる工程と、
を含むことを特徴とする不純物拡散層の形成方法。
【請求項８】
請求項７に記載の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備えたことを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池の製造において、半導体基板中に、例えばＰ型の不純物拡散層を形成する場合には、Ｐ型の不純物拡散成分を含む拡散剤を半導体基板表面にパターニングし、パターニングされた拡散剤からＰ型の不純物拡散成分を拡散させて、Ｐ型不純物拡散層を形成していた。具体的には、まず、半導体基板表面に熱酸化膜を形成し、続いてフォトリソグラフィ法により所定のパターンを有するレジストを熱酸化膜上に積層し、当該レジストをマスクとして拡散剤を塗布した後、拡散剤中の不純物拡散成分を拡散させて、半導体基板中にＰ型不純物拡散層を形成している。
【０００３】
このように、従来は、半導体基板中に不純物拡散層を形成するために、多くの工程を実施しなければならなかった。これに対し、インクジェット方式を用いて拡散剤を半導体基板表面にパターニングする方法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。インクジェット方式では、マスクを使わずにインクジェットノズルからＰ型不純物拡散層形成領域に拡散剤を吐出してパターニングするため、従来のフォトリソグラフィ法等と比較して複雑な工程を必要とせず、容易にパターンを形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６８８１０号公報
【特許文献２】特開２００３−３３２６０６号公報
【特許文献３】特開２００６−１５６６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のインクジェット方式を用いてパターニングする方法において、用いられる拡散剤の粘度が高い場合には、インクジェットノズルで目詰まりを起こしやすく、吐出安定性が低下する。一方、吐出安定性を向上させるために、拡散剤の粘度を下げた場合には、半導体基板上に着弾した拡散剤が半導体基板上に拡がって、塗布した拡散剤によって形成したパターンが時間の経過と共に不鮮明になり、印刷性が低下してしまうおそれがある。
【０００６】
また、用いられる拡散剤の表面張力が大きい場合には、インクジェットノズルから拡散剤を吐出させるのに必要とされる拡散剤にかける圧力が大きくなるため、吐出安定性が低下する。また、半導体基板上に着弾した拡散剤が半導体基板上で縮んで印刷のムラ、いわゆるハジキが発生してしまい、印刷性が低下する。一方、吐出安定性を向上させ、また、ハジキの発生を抑えるために、拡散剤の表面張力を小さくした場合には、半導体基板上に着弾した拡散剤が半導体基板上に拡がって、塗布した拡散剤によって形成したパターンが時間の経過と共に不鮮明になり、印刷性が低下してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、発明者によるこうした認識に基づいてなされたものであり、その目的は、より高い吐出安定性と印刷性を有するインクジェット方式印刷用の拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある態様は拡散剤組成物であり、この拡散剤組成物は、インクジェット方式印刷に用いられる拡散剤組成物であって、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）と、アルコール性水酸基を有する水溶性高分子化合物（Ｂ）と、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を含む溶剤（Ｃ）と、を含有することを特徴とする。
【０００９】
この態様によれば、より高い吐出安定性と印刷性を有するインクジェット方式印刷用の拡散剤組成物を得ることができる。
【００１０】
本発明の他の態様は不純物拡散層の形成方法であり、この不純物拡散層の形成方法は、Ｎ型の半導体基板に、インクジェット方式により、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）を含有する上述の態様の拡散剤組成物を吐出してパターンを形成する工程と、拡散剤組成物中の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
この態様によれば、より高精度に不純物拡散層を形成することができる。
【００１２】
本発明のさらに他の態様は太陽電池であり、この太陽電池は、上記態様の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備えたことを特徴とする。
【００１３】
この態様によれば、より信頼性の高い太陽電池を得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、より高い吐出安定性と印刷性を有するインクジェット方式印刷用の拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（Ａ）〜（Ｅ）は、実施形態１に係る不純物拡散層の形成方法を含む太陽電池の製造方法を説明するための工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
【００１７】
（実施形態）
本実施形態に係る拡散剤組成物は、インクジェット方式印刷に用いられるものであり、不純物拡散成分（Ａ）と、水溶性高分子化合物（Ｂ）と、溶剤（Ｃ）と、を含有する。以下、本実施形態の拡散剤組成物の各成分について詳述する。
【００１８】
《不純物拡散成分（Ａ）》
不純物拡散成分（Ａ）は、一般にドーパントとして太陽電池の製造に用いられる化合物である。不純物拡散成分（Ａ）は、例えばIII族元素の化合物を含むＰ型の不純物拡散成分であり、太陽電池における電極を形成する工程において、Ｎ型の半導体基板内にＰ型の不純物拡散層（不純物拡散領域）を形成することができる。不純物拡散成分（Ａ）に含まれるIII族元素の化合物としては、例えば、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられ、不純物拡散成分（Ａ）にはこれらの化合物が１種類以上含まれる。不純物拡散成分（Ａ）の濃度は、半導体基板に形成される不純物拡散層の層厚等に応じて適宜調整される。
【００１９】
《水溶性高分子化合物（Ｂ）》
水溶性高分子化合物（Ｂ）は、水酸基、特にアルコール性水酸基を有する水溶性高分子化合物である。水溶性高分子化合物（Ｂ）は、不純物拡散成分（Ａ）を溶媒としての水へ分散させる機能を有する。水溶性高分子化合物（Ｂ）の具体例としては、例えば、ポリビニルアルコールが挙げられる。ポリビニルアルコール等の水溶性高分子化合物（Ｂ）を拡散剤組成物に含有させることで、拡散剤組成物の粘度の増加を抑えることができ、拡散剤組成物中に混入した気泡の抜けやすさ、すなわち消泡性を向上させることができる。これにより、拡散剤組成物の吐出安定性が向上する。また、水溶性高分子化合物（Ｂ）は、ケン化度が９０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、この場合、拡散剤組成物の半導体基板への拡散性を向上させることができる。
【００２０】
《溶剤（Ｃ）》
溶剤（Ｃ）は、基準温度となる２０℃における表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を含むものである。表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤としては、例えば、メタノールが挙げられる。基準温度２０℃におけるメタノールの表面張力は、２２．６ｍＮ／ｍである。溶剤（Ｃ）は、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を、組成物の全重量に対して３０重量％以上となるように含むことが好ましい。溶剤（Ｃ）が、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を組成物の全重量に対して３０重量％以上となるように含有する場合には、拡散剤組成物の表面張力を低下させることができる。これにより、拡散剤組成物の印刷性が向上する。
【００２１】
また、溶剤（Ｃ）は、粘度が５ｃｐ以下の有機溶剤を含有してもよい。粘度が５ｃｐ以下の有機溶剤としては、例えば、メタノールが挙げられる。粘度が５ｃｐ以下の有機溶剤は、拡散剤組成物の全重量に対して３０重量％以上となるように含有することが好ましい。溶剤（Ｃ）が、粘度が５ｃｐ以下の有機溶剤を拡散剤組成物の全重量に対して３０重量％以上となるように含有する場合には、拡散剤組成物の粘度の増加を抑えて、消泡性を向上させることができる。これにより、拡散剤組成物の吐出安定性が向上する。
【００２２】
また、溶剤（Ｃ）は、沸点が１８０℃以上の高沸点溶剤を含有してもよい。沸点が１８０℃以上の高沸点溶剤としては、例えば、トリエチレングリコールモノメチルエーテル（ＴＧＭＥ）が挙げられる。沸点が１８０℃以上の高沸点溶剤は、拡散剤組成物の全重量に対して３０重量％以下となるように含有することが好ましい。溶剤（Ｃ）が、沸点が１８０℃以上の高沸点溶剤を、拡散剤組成物の全重量に対して３０重量％以下となるように含有する場合には、拡散剤組成物の乾燥性を低下させることができる。そして、拡散剤組成物の乾燥性を低下させることによって、拡散剤組成物の乾燥によって生じるインクジェットノズルの目詰まりを防ぐことができる。その結果、拡散剤組成物の吐出安定性が向上する。
【００２３】
さらに、溶剤（Ｃ）は、ジプロピレングリコールを含有してもよい。溶剤（Ｃ）がジプロピレングリコールを含有する場合には、拡散剤組成物の表面張力と粘度とを高めることができる。
【００２４】
本実施形態に係る拡散剤組成物において、不純物拡散成分（Ａ）と水溶性高分子化合物（Ｂ）とは、これらの合計含有量が、拡散剤組成物の全重量に対して、約１〜１０重量％の範囲であることが好ましい。不純物拡散成分（Ａ）と水溶性高分子化合物（Ｂ）の合計含有量が、拡散剤組成物の全重量に対して１重量％未満となった場合は、半導体基板上に着弾した拡散剤が半導体基板上に拡がりやすくなり、印刷性が低下してしまう。一方、不純物拡散成分（Ａ）と水溶性高分子化合物（Ｂ）の合計含有量が、拡散剤組成物の全重量に対して１０重量％を上回った場合には、インクジェットノズルで目詰まりを起こしやすくなり、吐出安定性が低下してしまう。
【００２５】
また、溶剤（Ｃ）の含有量は、拡散剤組成物の全重量に対して、約９０〜９９重量％の範囲であることが好ましい。溶剤（Ｃ）の含有量が、拡散剤組成物の全重量に対して９０重量％未満となった場合には、インクジェットノズルで目詰まりを起こしやすくなり、吐出安定性が低下してしまう。一方、溶剤（Ｃ）の含有量が、拡散剤組成物の全重量に対して９９重量％を上回った場合には、半導体基板上に着弾した拡散剤が半導体基板上に拡がりやすくなり、印刷性が低下してしまう。
【００２６】
拡散剤組成物は、さらに水酸基を有する水溶性モノマー（Ｄ）を含有してもよい。水溶性モノマー（Ｄ）を含有することで、拡散剤組成物における不純物拡散成分（Ａ）の拡散性が向上する。水酸基を有する水溶性モノマー（Ｄ）としては、例えば、水酸基を６個有するマンニトール（マンニット）が挙げられる。
【００２７】
拡散剤組成物は、インクジェットヘッドから吐出される際の粘度が、１０ｃｐ以下であることが好ましい。また、拡散剤組成物中に含まれる金属不純物の濃度は、５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。これにより、金属不純物の含有によって生じる光起電力効果の効率の低下を抑えることができる。また、本実施形態の拡散剤組成物は、その他の添加剤として一般的な界面活性剤や、消泡剤等を含有してもよい。
【００２８】
《不純物拡散層の形成方法、および太陽電池の製造方法》
図１を参照して、Ｎ型の半導体基板にインクジェット方式によりＰ型の不純物拡散成分（Ａ）を含有する上述の拡散剤組成物を吐出してパターンを形成する工程と、拡散剤組成物中の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる工程と、を含む不純物拡散層の形成方法と、これにより不純物拡散層が形成された半導体基板を備えた太陽電池の製造方法について説明する。図１（Ａ）〜（Ｅ）は、実施形態１に係る不純物拡散層の形成方法を含む太陽電池の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００２９】
まず、図１（Ａ）に示すように、シリコン基板等のＮ型の半導体基板１上に、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）を含有する上述の拡散剤組成物２と、Ｎ型の不純物拡散成分を含有する拡散剤組成物３とを選択的に塗布する。Ｎ型の不純物拡散成分を含有する拡散剤組成物３は、周知の方法で調整されたものであり、例えば、スピン塗布法などの周知の方法により半導体基板１の表面全体に拡散剤組成物３を塗布し、その後、オーブン等の周知の手段を用いて塗布した拡散剤組成物３を乾燥させる。そして、周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法により、拡散剤組成物３を選択的に除去してパターン状とする。なお、拡散剤組成物３をインクジェット方式により半導体基板１の表面に選択的に塗布してパターンを形成してもよい。
【００３０】
拡散剤組成物２は、インクジェット方式により半導体基板１の表面に選択的に塗布することで、パターン状とする。すなわち、周知のインクジェット吐出機のインクジェットノズルから、半導体基板１のＰ型不純物拡散層形成領域に拡散剤組成物２を吐出してパターニングする。パターンを形成した後は、オーブン等の周知の手段を用いて塗布した拡散剤組成物２を乾燥させる。インクジェット吐出機としては、電圧を加えると変形するピエゾ素子（圧電素子）を利用したピエゾ方式の吐出機を用いる。なお、加熱により発生する気泡を利用したサーマル方式の吐出機等を用いてもよい。
【００３１】
次に、図１（Ｂ）に示すように、拡散剤組成物２および拡散剤組成物３がパターニングされた半導体基板１を、例えば、電気炉等の拡散炉内に載置して焼成し、拡散剤組成物２中のＰ型の不純物拡散成分（Ａ）、および拡散剤組成物３中のＮ型の不純物拡散成分を半導体基板１の表面から半導体基板１内に拡散させる。なお、拡散炉に代えて、慣用のレーザーの照射により半導体基板１を加熱してもよい。このようにして、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）が半導体基板１内に拡散して、Ｐ型不純物拡散層４が形成され、また、Ｎ型の不純物拡散成分が半導体基板１内に拡散して、Ｎ型不純物拡散層５が形成される。
【００３２】
次に、図１（Ｃ）に示すように、周知のエッチング法により、拡散剤組成物２および拡散剤組成物３を除去する。
【００３３】
次に、図１（Ｄ）に示すように、熱酸化等により、半導体基板１のＰ型不純物拡散層４およびＮ型不純物拡散層５が形成された側の表面に、パッシベーション層６を形成する。また、半導体基板１のパッシベーション層６が形成された側と反対側の面に、周知の方法により微細な凹凸構造を有するテクスチャ構造を形成し、その上に太陽光の反射防止効果を有するシリコン窒化膜７を形成する。
【００３４】
次に、図１（Ｅ）に示すように、周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法により、パッシベーション層６を選択的に除去して、Ｐ型不純物拡散層４およびＮ型不純物拡散層５の所定領域が露出するようにコンタクトホール６ａを形成する。そして、Ｐ型不純物拡散層４上に設けられたコンタクトホール６ａに、例えば電解めっき法および無電解めっき法により所望の金属を充填して、Ｐ型不純物拡散層４と電気的に接続された電極８を形成する。また、同様にして、Ｎ型不純物拡散層５上に設けられたコンタクトホール６ａに、Ｎ型不純物拡散層５と電気的に接続された電極９を形成する。以上の工程により、本実施形態に係る太陽電池１０を製造することができる。
【００３５】
以上説明した本実施形態に係る拡散剤組成物の作用効果を総括すると、本実施形態に係る拡散剤組成物は、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）と、アルコール性水酸基を有する水溶性高分子化合物（Ｂ）と、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を含む溶剤（Ｃ）と、を含有する。そして、これにより、インクジェット方式用の拡散剤組成物により高い吐出安定性と印刷性を与えることができる。また、この拡散剤組成物を用いることで、より精度の高いパターン形成が可能となり、太陽電池の信頼性を向上させることができる。
【００３６】
また、水溶性高分子化合物（Ｂ）のケン化度を９０ｍｏｌ％以上とし、また、水溶性高分子化合物（Ｂ）をポリビニルアルコールとすることで、吐出安定性と印刷性をさらに向上させることができる。また、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を、組成物の全重量に対して３０重量％以上となるように含むことで、印刷性をさらに向上させることができる。
【００３７】
また、拡散剤組成物が、沸点が１８０℃以上の高沸点溶剤を含有する場合には、拡散剤組成物の乾燥性を下げることができ、これにより、拡散剤組成物の乾燥によって生じるインクジェットノズルの目詰まりを防ぐことができ、そのため吐出安定性をさらに向上させることができる。
【００３８】
また、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池の製造方法ではインクジェット方式印刷を使用するため、不純物の拡散領域を所望の場所に選択的に設けることができる。そのため、従来の方法と比較して、複雑な工程を必要とすることなく、また、拡散剤組成物の消費を抑えることができる。これにより、太陽電池の製造コストを抑えることができる。
【００３９】
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれるものである。
【００４０】
例えば、上述の実施形態では、不純物拡散成分（Ａ）がIII族元素の化合物を含むＰ型の不純物拡散成分であったが、Ｖ族元素の化合物を含むＮ型の不純物拡散成分であってもよい。Ｖ族元素の化合物としては、例えば、Ｐ２Ｏ５等が挙げられる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の実施例を説明するが、これら実施例は、本発明を好適に説明するための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。
【００４２】
（拡散剤組成物）
（実施例１〜７）
下記表１に記載の成分および含有比に従って、水溶性高分子化合物（Ｂ）としてのポリビニルアルコールを水に溶解し、その後、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）とＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）を添加して溶解した。続いて、不純物拡散成分（Ａ）として粉末状のＢ２Ｏ３を添加し、８０℃に加熱して１時間攪拌した。その後、混合物を冷却し、溶剤（Ｃ）を添加して希釈し、インクジェット方式印刷用の拡散剤組成物（Ｐ型ドーパント液）を得た。なお、実施例１〜４、６、および７では、重合度が３００のポリビニルアルコールを用い、実施例５では、重合度が６００のポリビニルアルコールを用いた。また、実施例４は、水溶性モノマー（Ｄ）を含む場合の実施例であり、実施例６は、水溶性高分子化合物（Ｂ）のケン化度が９０ｍｏｌ％未満である場合の実施例であり、実施例７は、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤（Ｃ１）が３０重量％未満である場合の実施例である。
【００４３】
（比較例１〜３）
下記表２に記載の成分および含有比に従って、実施例１〜７と同様にしてインクジェット方式印刷用の拡散剤組成物（Ｐ型ドーパント液）を得た。なお、比較例２、３では、重合度が３００のポリビニルアルコールを用いた。
【００４４】
比較例１では、実施例１の組成において、水溶性高分子化合物（Ｂ）としてのポリビニルアルコールを、アルコール性水酸基を有さないポリアリルアミンに置き換えた組成を持つ拡散剤組成物を得た。すなわち、比較例１は、水溶性高分子化合物（Ｂ）を含まない拡散剤組成物である。
【００４５】
比較例２では、実施例１の組成において、溶剤（Ｃ１）および溶剤（Ｃ２）を水に置き換えた組成を持つ拡散剤組成物を得た。すなわち、比較例２は、溶剤（Ｃ）を含まない拡散剤組成物である。基準温度２０℃における水の表面張力は、７２．７５ｍＮ／ｍである。
【００４６】
比較例３では、実施例１の組成において、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤である溶剤（Ｃ１）を水に置き換え、基準温度２０℃における表面張力が３０ｍＮ／ｍより大きい溶剤（Ｃ２）の含有量を２６．２重量％から４９．８重量％とした組成を持つ拡散剤組成物を得た。すなわち、比較例３は、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を含まない拡散剤組成物である。基準温度２０℃におけるＴＧＭＥの表面張力は、３５．９ｍＮ／ｍである。
【００４７】
【表１】
2010161317.tif 000003
【表２】
2010161317.tif 000004
注）：
不純物拡散成分（Ａ）：Ｂ２Ｏ３
水溶性高分子化合物（Ｂ）：ポリビニルアルコール
溶剤（Ｃ）
溶剤（Ｃ１）：メタノール
溶剤（Ｃ２）：トリエチレングリコールモノメチルエーテル（ＴＧＭＥ）
溶剤（Ｃ３）：ジプロピレングリコール
水溶性モノマー（Ｄ）：マンニトール
溶剤（Ｃ１）は、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤に相当し、溶剤（Ｃ２）は、沸点が１８０℃以上の高沸点溶剤に相当する。
【００４８】
（拡散剤組成物のパターニング）
（実施例１〜７）（比較例１〜３）
上述のようにして得られた各拡散剤組成物を、ピエゾ方式のインクジェット吐出機を用いて半導体基板の表面に吐出して、所定形状のパターンを形成した。これを３回繰り返した。
【００４９】
（拡散剤組成物の評価）
各パターンを目視にて観察した。形成された全てのパターンに欠落、いわゆるかすれが生じていない場合に吐出安定性をＡとし、形成されたパターンのいずれかにかすれが生じていた場合に吐出安定性をＢとした。
【００５０】
また、かすれなく形成されたパターンを放置して、拡散剤組成物が半導体基板上で縮むことによって生じる印刷のムラ、いわゆるハジキの発生を目視にて観察した。形成されたパターンにハジキが生じていない場合に印刷性をＡＡとし、ハジキが生じているが、その程度が不純物拡散層の形成に影響しない程度である場合に印刷性をＡとし、不純物拡散層の形成に影響する程度にハジキが生じていた場合に印刷性をＢとした。なお、前記「不純物拡散層の形成に影響する程度」は、当業者が実験等によって設定することができる。
【００５１】
また、上述の不純物拡散層の形成方法にしたがって、各拡散剤組成物を用いてＰ型拡散層を形成し、当該Ｐ型拡散層のシート抵抗値を測定して、各拡散剤組成物の拡散性を評価した。なお、Ｐ型拡散層の形成工程において、半導体基板に形成したパターンの拡散は、酸素雰囲気下で６００℃−３０ｍｉｎ、窒素雰囲気下で１０００℃−３０ｍｉｎの条件で実施した。また、シート抵抗値の測定は、シート抵抗測定器ＶＲ−７０（株式会社日立国際電気エンジニアリング製）を用いて測定した。拡散性の評価は、シート抵抗値（Ω／ｓｑ．）が６０未満の場合をＡＡＡとし、６０以上８０未満の場合をＡＡとし、８０以上１００未満の場合をＡとし、１００以上の場合をＢとした。
【００５２】
吐出安定性、印刷性、拡散性の各特性において、評価の表示は、Ａが良、Ｂが不良であり、Ａが多いほどより良好であることを示している。
【００５３】
その結果、全実施例について、いずれも吐出安定性、印刷性、および拡散性が良好（Ａ〜ＡＡＡ）であった。比較例１では、吐出安定性、印刷性、および拡散性が全て不良（Ｂ）であった。比較例２、３では、拡散性が良好（Ａ）であったが、吐出安定性および印刷性が不良（Ｂ）であった。
【００５４】
実施例１〜７と比較例１〜３との比較から、水溶性高分子化合物（Ｂ）と、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を含む溶剤（Ｃ）とを含む場合に、良好な吐出安定性、印刷性、および拡散性が得られることがわかった。また、実施例６と他の実施例との比較から、水溶性高分子化合物（Ｂ）のケン化度が９０ｍｏｌ％以上であった場合に、より良好な拡散性が得られることがわかった。また、実施例４と他の実施例との比較から、水溶性モノマー（Ｄ）を含む場合に、さらに良好な拡散性が得られることがわかった。また、実施例７と他の実施例との比較から、溶剤（Ｃ）が、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の有機溶剤を組成物の全重量に対して３０重量％以上となるように含有する場合に、より良好な印刷性が得られることがわかった。
【符号の説明】
【００５５】
１  半導体基板、  ２，３  拡散剤組成物、  ４  Ｐ型不純物拡散層、  ５  Ｎ型不純物拡散層、  ６  パッシベーション層、  ６ａ  コンタクトホール、  ７  シリコン窒化膜、  ８，９  電極、  １０  太陽電池。
【図１】
2010161317.tif 000005