(57)【要約】【課題】液浸露光装置内の不要な粒子を効率よく吸着、除去する。【解決手段】本発明の液浸露光装置の洗浄方法は、ダミーウェハＤＷを液浸露光装置のステージ６１１に戴置するステップと、ダミーウェハＤＷと投影レンズ６０４との間に液浸液６０５を供給しつつステージ６１１を移動させるステップと、を含む。ダミーウェハＤＷは、基板１０と、基板１０に設けられ、供給された液浸液６０５に懸濁している異物（粒子）の吸着力が基板１０より高い吸着領域１２と、を有する。【選択図】図１
2010103363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダミーウェハを液浸露光装置のステージに戴置するステップと、
前記ダミーウェハと投影レンズとの間に液浸液を保持しつつ前記ステージを移動させるステップと、
を含み、
前記ダミーウェハは、
基板と、
前記基板に設けられ、供給された前記液浸液に懸濁している粒子の吸着力が前記基板より高い吸着領域と、
を有する液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項２】
前記吸着領域は、水との接触角が１５°以上１００°以下である請求項１に記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項３】
前記吸着領域は、水との接触角が６０°以上８０°以下である請求項２に記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項４】
前記吸着領域は、窒化シリコン膜、炭窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、又は炭素膜から形成された請求項１乃至３いずれかに記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項５】
前記吸着領域の表面が、プラズマ処理されている請求項４に記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項６】
前記基板がシリコン基板である請求項４または５に記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項７】
前記ダミーウェハは、複数種類の前記吸着領域を有する請求項１乃至６いずれかに記載の液浸露光装置の洗浄方法。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかに記載の液浸露光装置の洗浄方法に用いられるダミーウェハ。
【請求項９】
ダミーウェハと、
前記ダミーウェハの上方に位置する投影レンズと、
前記ダミーウェハを戴置するステージと、
前記ステージに戴置された前記ダミーウェハと前記投影レンズとの間に液浸液を供給する液浸液供給部と、
前記投影レンズに対して前記ステージを相対的に移動させる制御部と、
を有し、
前記ダミーウェハは、
基板と、
前記基板に設けられ、供給された前記液浸液に懸濁している粒子の吸着力が前記基板より高い吸着領域と、
を有する液浸露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸露光装置の洗浄方法、ダミーウェハ、及び液浸露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイス等の急速な高密度化に伴って、マスクのパターンが微細化している。マスクパターンの微細化に対応するため、半導体露光装置の投影レンズとウェハとの間を液浸液で満たした「液浸露光技術」が採用されるようになっている。この液浸露光技術では、短波長光源として、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が用いられている。また、「液浸露光技術」では、投影レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）を大きくするため、液浸液として、超純水（ｎ＝１．４４）が利用されている。このような「液浸露光技術」により、回路線幅の微細化を達成することが可能となっている。
【０００３】
たとえば、特許文献１には、ステージ洗浄用基板を用いて液浸露光装置のステージを洗浄する技術が記載されている。ステージ洗浄用基板は、通常の（半導体デバイス製造用の）基板とほぼ同一の形状および大きさを有する。ステージ洗浄用基板の材質は、液浸液への汚染物の溶出が無い素材であればよく、通常の基板と同じ材料（例えばシリコン）を用いることができる。また、ステージ洗浄用基板の表面に撥水性が付与されていても良い。このステージ洗浄用基板は、通常の露光処理時には、洗浄用基板格納部に格納されている。そして、基板ステージの洗浄処理を行なうとき、搬送機構によりステージ上にステージ洗浄用基板を搬出する仕組みになっている。
【特許文献１】特開２００７−２０１１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液浸露光装置では、投影レンズとウェハとの間には液浸液が満たされている。したがって、ウェハやステージと液浸液とが直接接触する。そのため、ウェハ表面やステージに異物が付着していると、異物が液浸液に取り込まれてしまうことがある。
【０００５】
異物の生成には、例えば、以下の３通りが考えられる。
（１）ウェハに形成された感光性膜、上層膜（保護膜、トップコート膜）、および、下地膜に起因する異物の生成。たとえば、感光性膜が液浸液に溶出、ステージに堆積したり、ウェハのエッジ部から下地膜や感光性膜が剥がれたりすることにより、異物となる。
（２）液浸液中の泡やウェハ上の水滴の残りに起因した異物の生成。
（３）液浸露光装置からの異物の生成。
【０００６】
液浸液中に取り込まれた異物は、パターン欠陥を引き起こす原因となる。したがって、できるだけ、時間を取らない簡便な方法で、これら異物を効率よく除去することが好ましい。こうすることで、半導体装置の製造におけるスループットを低下させることなく、かつ、歩留まりを向上できると考えられる。
【０００７】
しかしながら、上記文献記載のステージ洗浄用基板では、異物の捕集効果が十分ではなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、ダミーウェハを液浸露光装置のステージに戴置するステップと、
前記ダミーウェハと投影レンズとの間に液浸液を保持しつつ前記ステージを移動させるステップと、
を含み、
前記ダミーウェハは、
基板と、
前記基板に設けられ、供給された前記液浸液に懸濁している粒子の吸着力が前記基板より高い吸着領域と、
を有する液浸露光装置の洗浄方法
が提供される。
【０００９】
また、本発明によれば、上記の液浸露光装置の洗浄方法に用いられるダミーウェハが提供される。
【００１０】
さらに、本発明によれば、ダミーウェハと、
前記ダミーウェハの上方に位置する投影レンズと、
前記ダミーウェハを戴置するステージと、
前記ステージに戴置された前記ダミーウェハと前記投影レンズとの間に液浸液を供給する液浸液供給部と、
前記投影レンズに対して前記ステージを相対的に移動させる制御部と、
を有し、
前記ダミーウェハは、
基板と、
前記基板に設けられ、供給された前記液浸液に懸濁している粒子の吸着力が前記基板より高い吸着領域と、
を有する液浸露光装置
が提供される。
【００１１】
この発明によれば、基板よりも吸着力の高い吸着領域を有するダミーウェハに液浸液を供給させつつステージ移動させることで、液浸液に取り込まれた粒子を吸着領域に吸着させることができる。これにより、液浸露光装置内の不要な粒子を効率よく除去することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、液浸露光装置内の不要な粒子を効率よく吸着、除去する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
（第１の実施形態）
本実施の形態は、液浸露光装置６０の洗浄方法である。液浸露光装置６０としては、例えば、図２、３に示した装置を用いることができる。図１は、本実施形態の洗浄方法で用いられるダミーウェハＤＷを示す模式図である。図１（ａ）は、ダミーウェハＤＷの平面図である。また、図１（ｂ）は、ダミーウェハＤＷのＡ−’Ａ断面図である。本実施形態の洗浄方法は、ダミーウェハＤＷを液浸露光装置６０のステージ６１１に戴置するステップと、ダミーウェハＤＷと投影レンズ６０４との間に液浸液６０５を供給しつつステージ６１１を移動させるステップと、を含む。ダミーウェハＤＷは、基板１０と、基板１０に設けられ、供給された液浸液６０５に懸濁している異物（粒子）の吸着力が基板１０より高い吸着領域１２と、を有する。
【００１５】
まず、ダミーウェハＤＷについて詳細に説明する。
【００１６】
基板１０は、通常の（半導体デバイス製造用の）基板とほぼ同一の形状および大きさを有する。基板１０の材質は、通常の基板と同じ材料であってもよいが、液浸液６０５への汚染物の溶出が無い素材であればよい。たとえば、基板１０は、シリコン基板とすることができる。
【００１７】
本実施形態において、吸着領域１２は、基板１０に１種類の膜が層状に設けられている。吸着領域１２は、膜剥がれ、汚染物の溶出がなく、液浸液６０５に懸濁している異物の吸着力が基板１０より高ければよい。
【００１８】
本実施形態において、「液浸液６０５に懸濁している異物の吸着力が基板１０より高い」とは、少なくとも１種類以上の異物に対して基板１０より吸着力が高いことをいう。異物は、図１０で示すように、ウェハのエッジ部から上層膜（保護膜、トップコート膜）、下地膜や感光性膜が剥がれたりすることで、異物となるもの（Ｐ５）、それらが堆積したもの（Ｐ１）がある。また、液浸液６０５中の泡やウェハ上の水滴の残りに起因する異物（Ｐ２、Ｐ４）や液浸露光装置６０由来の異物（Ｐ３）がある。
【００１９】
異物の組成としては、有機化合物を主成分とする粒子、無機化合物を主成分とする粒子等が例示される。また、フッ素化合物を主成分とする粒子、金属化合物を主成分とする粒子を例示することができる。有機化合物を主成分とする粒子は、製品ウェハに成膜された感光性膜（レジスト）や下地膜（ＢＡＲＫ、Ｂｏｔｔｏｍ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔ）から生成すると考えられる。また、フッ素化合物を主成分とする粒子の主な由来は、上層膜と考えられる。金属化合物を主成分とする粒子の由来は、液浸露光装置と考えられ、具体的な金属としては、アルミニウム、チタン、鉄、クロム、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、モリブデン、鉛等が挙げられる。
【００２０】
異物の吸着力は、具体的には、吸着領域１２に対する異物表面の界面自由エネルギー（γ）と吸着領域１２に対する異物の接着仕事量（Ｗ）とのバランスで予測することができる。
【００２１】
界面自由エネルギー（γ）とは、界面近傍の分子がもつ接着仕事に関与していない過剰の自由エネルギーをいう。したがって、吸着領域１２に対する異物表面の界面自由エネルギー（γ）は、異物が吸着領域１２に接したときの界面の安定性を示す指標となる。吸着領域１２に対する界面自由エネルギー（γ）が小さいほど、液浸液６０５中で吸着領域１２に付着した異物は脱着しにくくなる。
【００２２】
また、接着仕事量（Ｗ）とは、ある対象物に対する接着性を示す指標である。したがって、吸着領域１２に対する接着仕事量（Ｗ）が大きいほど、液浸液６０５中の異物は、吸着領域１２に接着しやすくなる。
【００２３】
吸着領域１２に対する異物の界面自由エネルギー（γ）および吸着領域１２に対する異物の接着仕事量（Ｗ）は、それぞれ、吸着領域１２の親水性、すなわち、吸着領域１２に接触する水の接触角と一定の関係を有する。そこで、吸着領域１２に対する異物の界面自由エネルギー（γ）と水の接触角との関係、および、吸着領域１２に対する異物の接着仕事量（Ｗ）と水の接触角との関係を、あらかじめ把握することで、液浸液６０５に懸濁している異物の吸着力を間接的に予測することができる。
【００２４】
たとえば、基板１０がシリコン基板であるとき、吸着領域１２は、水との接触角を以下のようにすることができる。
【００２５】
すなわち、吸着領域１２は、水との接触角を１５°以上１００°以下にすると好ましく、６０°以上８０°以下とするとより好ましい。
【００２６】
水との接触角が上記範囲となる吸着領域１２は、具体的には、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）膜、炭化シリコン膜、または炭素膜から形成することができる。炭素膜としては、アモルファスカーボンを例示することができる。炭化シリコン膜としては、ＳｉＣ、ＳｉＣＨ、ＳｉＯＣ、または、ＳｉＯＣＨ等を例示することができる。これらの材料からなる吸着領域１２は、たとえば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により基板１０に成膜することができる。
【００２７】
また、基板１０上に窒化シリコン膜や炭化シリコン膜、炭素膜等を成膜した後、プラズマ処理等による表面処理を施すことにより、吸着領域１２を形成してもよい。プラズマ処理では、不活性ガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）などを用いることができる。
【００２８】
つづいて、液浸露光装置６０について図２、３を用いつつ詳細に説明する。図２は液浸露光装置６０の側面図である。
【００２９】
液浸露光装置６０は、ダミーウェハＤＷと、ダミーウェハＤＷの上方に位置する投影レンズ６０４と、ダミーウェハＤＷを戴置するステージ６１１と、ステージ６１１に戴置されたダミーウェハＤＷと投影レンズ６０４との間に液浸液６０５を供給するシャワーヘッド６０６（液浸液供給部）と、投影レンズ６０４に対してステージ６１１を相対的に移動させる制御部６１２と、を有する。
【００３０】
液浸露光装置６０は、大きく分けて、露光ユニット６１およびウェハ供給部６２からなる。露光ユニット６１は、ダミーウェハＤＷと、投影レンズ６０４と、ステージ６１１と、シャワーヘッド６０６と、制御部６１２と、収納部６０３と、搬送用アーム６０１ａと、レチクル６０２と、を有する。ウェハ供給部６２は、製品用の処理ウェハＴＷを搬送するローダー６０７及び搬送用アーム６０１ｂを有する。
【００３１】
図３（ａ）は、露光ユニット６１が有する収納部６０３および搬送用アーム６０１の平面図である。図３（ｂ）は、露光ユニット６１が有する収納部６０３および搬送用アーム６０１ａの側面図である。レチクル６０２は、パターンを処理ウェハＴＷに露光転写する際に用いるガラス板であり、遮光パターンが設けられている。ダミーウェハＤＷによる液浸露光装置６０の洗浄の際は、レクチル６０２を使用しなくてよいし、光源から光を放射しなくてよい。
【００３２】
図３（ｃ）は、ウェハ供給部６２が有するローダー６０７および搬送用アーム６０１の平面図である。図３（ｄ）は、ウェハ供給部６２が有するローダー６０７および搬送用アーム６０１ｂの側面図である。製品用の処理ウェハＴＷは、シリコン基板に下地膜、感光性膜および上層膜が順に積層されている。
【００３３】
つづいて、ダミーウェハＤＷを用いた液浸露光装置６０の洗浄方法について詳細に説明する。
【００３４】
図４は、ダミーウェハＤＷを用いた液浸露光装置６０の洗浄方法の一例を説明するフローチャートである。まず、液浸露光装置６０がアイドリング状態となり（Ｓ１０１）、指定時間が経過すると（Ｓ１０３Ｙ）、搬送用アーム６０１ａがダミーウェハＤＷ（異物除去基板）を搬送し（Ｓ１０５）、ステージ６１１（ウェハステージ）上に戴置する。そして、シャワーヘッド６０６から液浸液６０５を投影レンズ６０４との間に供給しつつ、図５に示すように、シャワーヘッド６０６に対してステージ６１１を移動させて、ステージ６１１内を洗浄（清掃）する（Ｓ１０７）。その後、搬送用アーム６０１ａがダミーウェハＤＷを収納部６０３に収納する。
【００３５】
ついで、ロットが仕掛かった場合（Ｓ１０９Ｙ）、すなわち、製品となるウェハの液浸露光を開始する直前に、搬送用アーム６０１ａがダミーウェハＤＷをステージ６１１に搬送し（Ｓ１１１）、ロットの先頭で同様にダミーウェハＤＷを用いたステージ内洗浄を行う（Ｓ１１３）。その後、製品となる処理ウェハＴＷの液浸露光を行う（ロット処理実施、Ｓ１１５）。この際、図２で示すように、搬送用アーム６０１ｂがローダー６０７から処理ウェハＴＷをステージ６１１に移動し、レチクル６０２が取り付けられ、光源から光が放射され、露光が行われる。
【００３６】
なお、以上の動作は一例であり、ロットの先頭で洗浄を行わないケースや、ウェハ毎に洗浄を実施するケース等、任意に設定することが可能である。
【００３７】
つづいて、本実施形態の作用効果について説明する。本実施形態の方法によれば、基板１０よりも吸着力の高い吸着領域１２を有するダミーウェハＤＷに液浸液６０５を供給させつつステージ６１１を移動させることで、液浸液６０５に取り込まれた異物を吸着領域１２に吸着させることができる。これにより、液浸露光装置６０内の不要な異物を効率よく除去することができる。したがって、パターン欠陥の発生を防止し、半導体製造の歩留まりを向上させることが可能となる。
【００３８】
（第２の実施形態）
本実施形態は、ダミーウェハＤＷに複数種類の吸着領域が設けられている点以外は第１の実施形態と同様である。
【００３９】
図６（ａ）は、本実施形態におけるダミーウェハＤＷの平面図であり、図６（ｂ）は、ダミーウェハＤＷのＡ−Ａ'断面図である。図６で示すダミーウェハＤＷでは、２種類の吸着領域１００１、１００２を有する。図示するように、吸着領域１００１、１００２は、矩形であり、基板１０に複数個の吸着領域１００１、１００２がマトリクス状に交互に配置されている。
【００４０】
このように、複数種類の吸着領域を設けることで、それぞれの吸着領域の特性に応じた異物を吸着させることができる。たとえば、ＳｉＣＮからなる吸着領域は、水中のフッ素含有粒子を吸着しやすく金属含有粒子を吸着しにくい。一方、ＳｉＮからなる吸着領域は、フッ素含有粒子を吸着しにくいが金属含有粒子を吸着しやすい。したがって、たとえば、吸着領域１００１をＳｉＣＮとし、吸着領域１００２をＳｉＮとすることで、フッ素含有粒子およびフッ素含有粒子を効率よく除去することができる。よって、複数の種類の吸着領域を組み合わせることで、様々な汚染状況にある液浸露光装置内の異物を効率的に捕集することができる。
【００４１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。また、当然ながら、上述した実施の形態は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本発明を満足する範囲で各種に変更することができる。たとえば、実施の形態では、露光ユニットとウェハ供給部とを有する液浸露光装置を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明は、液浸露光装置内に塗布機やベーク装置等を有する構成も採用することができる。
【００４２】
（実施例）
１．ダミーウェハの作製
図１に示すダミーウェハＤＷを以下のように作製した。シリコン基板１０にＳｉＯＣ（ＳｉＯＣＨ）、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ、および、アモルファスカーボンのいずれからなる膜をそれぞれＣＶＤ法により成膜した。ＳｉＯＣ（ＳｉＯＣＨ）を有するダミーウェハをＷ１、ＳｉＣＮ膜を有するダミーウェハをＷ３、ＳｉＮ膜を有するダミーウェハをＷ５、ＳｉＣＮ膜を有するダミーウェハをＷ６とした。また、Ｗ１およびＷ３を用いてそれぞれヘリウムガスによるプラズマ処理を行った。Ｗ１をプラズマ処理したものをＷ２とし、Ｗ３をプラズマ処理したものをＷ４とした。
【００４３】
また、シリコン基板１０をＨＭＤＳ雰囲気下で処理した。さらに、ベーク処理したものをＷ７（ＡＤＨ−２）とし、ベーク処理、水洗処理したものをＷ８（ＡＤＨ２−１）とし、水洗処理したものをＷ９（ＡＤＨ２−２）とした。
【００４４】
なお、吸着領域１２を形成させなかったシリコン基板１０をダミーウェハＷ１０とした。
【００４５】
２．ダミーウェハと液浸液の接触角の測定
ダミーウェハＷ１〜Ｗ１０と液浸液の接触角を接触角計によって、求めた。液浸液として超純水およびジヨードメタンを用いた。結果を表１にまとめた。
【００４６】
【表１】
2010103363.tif 000003
【００４７】
また、ダミーウェハ表面の水もしくはジヨードメタンの接触角、水もしくはジヨードメタンの表面自由エネルギーの値を下記式（１）〜（３）に適用することにより、ダミーウェハの表面自由エネルギー（γＡ）ならびにダミーウェハと水もしくはジヨードメタンとの界面自由エネルギー（γＡ−Ｌｉｑ）を求めた。
【００４８】
【数１】
2010103363.tif 000004
【００４９】
上層膜もしくは下地膜もしくは感光性膜から発生した異物の表面が、それぞれ、上層膜、下地膜、感光性膜と同等であると仮定した。ダミーウェハの場合と同様に、各異物の表面自由エネルギー（γＰａｒｔｉｃｌｅ）ならびに、各異物と水もしくはジヨードメタンとの界面自由エネルギー（γｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｌｉｑ．）を求めた。上記、表面エネルギーおよび界面自由エネルギーを下記式（４）〜（５）に適用することにより、異物とダミーウェハとの間の界面自由エネルギー（γ）および接着仕事量（Ｗ）を求めた。異物として４種類のレジストＡ〜Ｄを想定した。結果を図７、８にまとめた。
【００５０】
【数２】
2010103363.tif 000005
【００５１】
図７で示すように、吸着領域を設けたダミーウェハＷ１〜Ｗ９とレジストＡ〜Ｄとの間の界面自由エネルギーは、いずれも、基板のみのダミーウェハＷ１０のものより小さかった。一方、図８で示すように、吸着領域を設けたダミーウェハＷ１〜Ｗ９とレジストＡ〜Ｄとの間の接着仕事量は、いずれも、基板のみのダミーウェハＷ１０のものより小さかった。
【００５２】
３．ダミーウェハを用いた液浸露光装置の洗浄
つづいて、Ｗ３〜Ｗ９を用いて図２で示す液浸露光装置６０の洗浄を行った。具体的には、製品ウェハの液浸露光処理後、図５で示すように、ステージ６１１にダミーウェハＷ３〜Ｗ９をそれぞれ戴置し、シャワーヘッド６０６から液浸液を供給させつつステージ移動させた。その後、ダミーウェハに吸着した粒子数をパーティクルチェッカーにより測定した。測定した粒子は、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察、ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）測定により同定した。
【００５３】
液浸液として超純水を用いたときの結果を図９に示す。ダミーウェハＷ４が最も多くの異物を吸着した。ダミーウェハＷ３では、フッ素含有粒子を多く吸着したが、金属含有粒子の吸着量は少なかった。一方、ダミーウェハＷ５では、金属含有粒子を多く吸着したが、フッ素含有粒子の吸着量は少なかった。このようにダミーウェハの種類によって吸着する異物の量および種類に特徴があることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１の実施形態に係るダミーウェハを示す模式図である。図１（ａ）は、ダミーウェハの平面図である。また、図１（ｂ）は、ダミーウェハのＡ−’Ａ断面図である。
【図２】実施の形態に係る洗浄方法が用いられる液浸露光装置の一例を示す図である。
【図３】実施の形態に係る洗浄方法が用いられる液浸露光装置の一例を示す図である。
【図４】実施の形態に係る液浸露光装置の洗浄方法の一例を説明するフローチャートである。
【図５】実施の形態に係る液浸露光装置の洗浄方法の一例を説明する模式図である。
【図６】第２の実施形態に係るダミーウェハを示す模式図である。図６（ａ）は、第２の実施形態に係るダミーウェハの平面図である。また、図６（ｂ）は、第２の実施形態に係るダミーウェハのＡ−Ａ'断面図である。
【図７】実施例の結果を示す図である。
【図８】実施例の結果を示す図である。
【図９】実施例の結果を示す図である。
【図１０】実施の形態に係る洗浄方法が用いられる液浸露光装置を説明する図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０    基板
１２    吸着領域
６０    液浸露光装置
６１    露光ユニット
６２    ウェハ供給部
６０１ａ、ｂ    搬送用アーム
６０２    レチクル
６０３    収納部
６０４    投影レンズ
６０５    液浸液
６０６    シャワーヘッド
６０７    ローダー
６１１    ステージ
６１２    制御部
１００１    吸着領域
１００２    吸着領域
ＤＷ    ダミーウェハ
ＴＷ    処理ウェハ
【図１】
2010103363.tif 000006
【図２】
2010103363.tif 000007
【図３】
2010103363.tif 000008
【図４】
2010103363.tif 000009
【図５】
2010103363.tif 000010
【図６】
2010103363.tif 000011
【図７】
2010103363.tif 000012
【図８】
2010103363.tif 000013
【図９】
2010103363.tif 000014
【図１０】
2010103363.tif 000015