(57)【要約】【課題】  試料の作製が容易であり、高価な装置を必要としない不純物の拡散深さ測定方法を提供する。【解決手段】  ｐ型の半導体基板２に複数個のｎ型の不純物を含む複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅが形成されている試料１００を用意する。隣接するコラム同士は絶縁壁４で絶縁されている。半導体コラム１０ａ〜１０ｅの他方側の面１０ｔは階段状をなしている。次に、半導体コラム１０ａ〜１０ｅの一方側の面１０ｓに同一条件でｐ型の不純物を注入して熱処理する。ｐ型の不純物の拡散深さよりも長い半導体コラム１０ａ〜１０ｃにはｐｎ接合６ｓが形成される。次に、熱処理後の各半導体コラム１０ａ〜１０ｅの長さ方向の抵抗値を計測する。次に、抵抗値の計測結果から、半導体コラム１０ａ〜１０ｅについてｐｎ接合６ｓの有無を判断し、半導体コラムの高さから拡散深さを測定する。【選択図】  図２
2010003815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体に不純物を注入して熱処理した後の不純物の拡散深さを測定する方法であり、
第１導電型の不純物を含む半導体コラムの長さ方向から第２導電型の不純物を注入して熱処理する拡散工程と、
熱処理後の半導体コラムの長さ方向の抵抗値を計測する計測工程と、
前記計測工程で計測された抵抗値が所定値以上であれば、前記第２導電型不純物の拡散深さが半導体コラムの高さよりも浅く、その抵抗値が所定値以下であれば、前記拡散深さが半導体コラムの高さよりも深いと判定する判定工程と、
を備えている拡散深さ測定方法。
【請求項２】
前記拡散工程と前記計測工程を、高さを異にする２本の半導体コラムに対して同一条件で実施し、
前記判定工程で、短い半導体コラムの前記抵抗値が所定値以上であれば、前記拡散深さが短い半導体コラムの高さよりも浅いと判定し、短い半導体コラムの前記抵抗値が所定値以下であって長い半導体コラムの前記抵抗値が所定値以上であれば、前記拡散深さが短い半導体コラムの高さよりも深くて長い半導体コラムの高さよりも浅いと判定し、長い半導体コラムの前記抵抗値が所定値以下であれば、前記拡散深さが長い半導体コラムの高さよりも深いと判定することを特徴とする請求項１の拡散深さ測定方法。
【請求項３】
請求項１又は２の測定方法に用いる試料であり、
１枚の半導体基板に複数個の前記半導体コラムが形成されており、
前記複数個の半導体コラムの一方側の面は同一平面内にあり、
その平面から垂直に伸びている絶縁壁によって隣接する半導体コラム同士が絶縁されており、
前記複数個の半導体コラムの他方側の面の高さが半導体コラム毎に相違して階段状をなしていることを特徴とする試料。
【請求項４】
前記の階段状の高さの差が０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項３の試料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体に不純物を注入して熱処理した後の不純物の拡散深さを測定する方法に関する。また、その測定方法に用いる試料にも関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワー半導体装置の高性能化に伴い、半導体に不純物を注入して熱処理した後の不純物の拡散深さを測定する方法が要求されている。
【０００３】
半導体に不純物を注入して熱処理した後の不純物の拡散深さを測定するための一般的な方法として、ＳＩＭＳ（Secondary Ion-microscope Mass Spectrometer）分析が知られている。ＳＩＭＳ分析では、試料に一次イオンを照射したときに放出される二次イオンを質量分析器を用いて分析することによって、不純物の深さ方向の濃度分布を測定し、測定した濃度分布から不純物の拡散深さを算出する。例えば特許文献１には、ＳＩＭＳ分析を利用して、サブミクロン領域の不純物の濃度分布を測定する技術が開示されている。例えば特許文献２には、ＳＩＭＳ分析の分解能を向上させる技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−９８２８８号公報
【特許文献２】特開平１１−２４８６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記したＳＩＭＳ分析などの従来の測定方法を用いた場合、試料作製に手間取ったり、測定のために高価な装置を必要としたりする。
本発明は試料の作製が容易であり、高価な装置を必要としない測定方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、半導体に不純物を注入して熱処理した後の不純物の拡散深さを測定する方法に関する。
本方法は、第１導電型の不純物を含む半導体コラムの長さ方向から第２導電型の不純物を注入して熱処理する拡散工程と、熱処理後の半導体コラムの長さ方向の抵抗値を計測する計測工程と、判定工程を備えている。判定工程では、計測工程で計測された抵抗値が所定値以上であれば、第２導電型不純物の拡散深さが半導体コラムの高さよりも浅く、その抵抗値が所定値以下であれば、拡散深さが半導体コラムの高さよりも深いと判定する。
【０００７】
第１不純物を含む半導体コラムに第２導電型の不純物を注入して熱処理すると、注入面の側に第２導電型不純物の拡散領域が形成される。第２導電型不純物の拡散深さが半導体コラムの長さよりも短い場合には、半導体コラムの内部にｐｎ接合が形成される。そのために、半導体コラムの長手方向の抵抗値を測定すると高い抵抗値が測定される。一方、第２導電型不純物の拡散深さが半導体コラムの長さよりも長い場合には、半導体コラムが全長に亘って第２導電型に反転し、半導体コラムの内部にｐｎ接合が形成されない。そのために、半導体コラムの長手方向の抵抗値を測定すると低い抵抗値が測定される。
本発明では、半導体コラムの長さ方向の抵抗値を計測し、測定された抵抗値を所定値と比較して、第２導電型不純物の拡散深さが半導体コラムの高さよりも浅いのか深いのかを判定する。
【０００８】
拡散工程と計測工程を、高さを異にする２本の半導体コラムに対して同一条件で実施すれば、拡散深さを定量的に測定することができる。
この場合に、判定工程で、短い半導体コラムの抵抗値が所定値以下であって長い半導体コラムの抵抗値が所定値以上であれば、拡散深さが短い半導体コラムの高さよりも深くて長い半導体コラムの高さよりも浅いと判定する。この場合には、短い半導体コラムにｐｎ接合は形成されず、長い半導体コラムにのみｐｎ接合が形成される。また、以下に示す式（１）が成立する。
短い半導体コラムの長さ≦不純物の拡散深さ＜長い半導体コラムの長さ  （１）
従って、両半導体コラムの長さを調整することによって拡散深さを定量的に測定することができる。
短い半導体コラムの抵抗値が所定値以上であれば、拡散深さが短い半導体コラムの高さよりも浅いと判定する。この場合には、両半導体コラムの長さを短くすることで、式（１）が成立する長さにまで調整することができる。長い半導体コラムの抵抗値が所定値以下であれば、拡散深さが長い半導体コラムの高さよりも深いと判定する。この場合には、両半導体コラムの長さを長くすることで、上記の式（１）が成立する長さにまで調整することができる。
【０００９】
本方法に用いる試料は、１枚の半導体基板に複数個の半導体コラムが形成されており、複数個の半導体コラムの一方側の面は同一平面内にあり、その平面から垂直に伸びている絶縁壁によって隣接する半導体コラム同士が絶縁されており、複数個の半導体コラムの他方側の面の高さが半導体コラム毎に相違して階段状をなしている。半導体コラムの配置は限定されないが、２次元に半導体コラムを配置する場合、Ｘ方向に階段状であり、Ｙ方向にも階段状であってもよい。またはＸ方向に階段状であって、Ｙ方向には一様な高さの半導体コラムが連続していてもよい。
【００１０】
上記の試料によると、階段状をなしている複数個の半導体コラムの他方側の面から不純物を注入して熱処理し、半導体コラムの長さ方向の抵抗値を計測することによって、半導体コラムにｐｎ接合が形成されているか否かを判断することができる。各半導体コラムは絶縁壁で囲まれているので、抵抗値を計測するときに隣接する半導体コラムの抵抗値が影響することはない。上記の試料を用いることによって、不純物の拡散深さを定量的に測定することができる。また、上記の試料は半導体基板を用いて作製するので、容易に作製することができる。
【００１１】
階段状をなしている他方側の面では高さの差は限定されないが、０．２μｍ以下であることが好ましい。０．２μｍ以下の高い測定精度で不純物の拡散深さを測定することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、試料の作製が容易であり、高価な装置を必要としない不純物拡散深さ測定方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
下記に説明する実施例の好ましい特徴を列記する。
（第１特徴）  試料を作製するときに、半導体基板の表面に半導体コラムをエピタキシャル成長させる。
（第２特徴）  試料を作製するときに、高さが等しい半導体コラムを複数個形成する。
【実施例】
【００１４】
（第１実施例）
図１、図２に、本発明の第１実施例である試料１００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の模式的な図を示す。図１、図２は試料１００の断面図を示す。
まず、図１に示すように、試料１００を用意する。試料１００を作製する方法については後記する。試料１００では、ｐ型の半導体基板２に複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅが形成されている。複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅにはｎ型の不純物が含まれており、半導体コラムの全長に亘ってｎ型の不純物の拡散領域６ａ〜６ｅが形成されている。隣接するコラム同士は、一方側の面１０ｓから垂直に伸びている絶縁壁４によって絶縁されている。複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅの一方側の面１０ｓは同一平面（半導体基板２の表面）内にある。複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅの他方側の面１０ｔの高さは半導体コラム毎に相違しており、階段状をなしている。複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅの高さの差Ｔ１〜Ｔ４は０．２μｍ以下である。
【００１５】
次に、複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅの他方側の面１０ｔから同一条件でｐ型の不純物８を注入して、熱処理する（拡散工程）。不純物８の材料はＢ（ボロン）であり、注入条件は、１００ｋｅＶ、１．０×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２である。熱処理の条件は、１１００℃、１００ｍｉｎである。複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅに不純物８を注入して熱処理すると、図２に示すように、注入面の側にｐ型の不純物の拡散領域１６ａ〜１６ｅが形成される。このとき、不純物８の拡散深さよりも長い半導体コラム１０ａ〜１０ｃには、半導体コラム１０ａ〜１０ｃの内部にｐｎ接合６ｓが形成される。不純物８の拡散深さよりも長い半導体コラム１０ｄ、１０ｅには、半導体コラム１０ｄ、１０ｅの内部にｐｎ接合６ｓが形成されない。
【００１６】
次に、複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅの長さ方向に直流電源１２と電流計１４を直列に接続し、電圧を印加して電流値を計測する。印加する電圧の電圧値は１０Ｖである。さらに計測した電流値から抵抗値を算出する（計測工程）。なお計測工程では、直接抵抗値を測定してもよい。本実施例では、計測した電流値が１μＡ以下のときに、抵抗値が所定値以上であると判断する。すなわち、計測した電流値が１μＡ以下のときに、計測した半導体コラムの内部にｐｎ接合が形成されていると判断する。計測した電流値が１μＡ以上のときには、計測した半導体コラムの内部にｐｎ接合が形成されていないと判断する。
【００１７】
本実施例では、半導体コラム１０ａと１０ｂの間、半導体コラム１０ｂと１０ｃの間では、短い半導体コラムの抵抗値が所定値以上であって長い半導体コラムの抵抗値も所定値以上である。半導体コラム１０ｃと１０ｄの間では、短い半導体コラムの抵抗値が所定値以下であって長い半導体コラムの抵抗値が所定値以上である。半導体コラム１０ｄと１０ｅの間では、短い半導体コラムの抵抗値が所定値以下であって長い半導体コラムの抵抗値も所定値以下である。従って、半導体コラム１０ｃと１０ｄの間で以下の式が成立する。
半導体コラム１０ｄの長さ≦不純物８の拡散深さ＜半導体コラム１０ｃの長さ
そのため、半導体コラム１０ｃと１０ｄの長さを調整することによって、不純物８の拡散深さを定量的に測定することができる。また、半導体コラム１０ｃと半導体コラム１０ｄの高さの差Ｔ３は０．２μｍ以下であるので、従来の測定方法では達成することができなかった高い測定精度で不純物８の拡散深さを測定することができる。
【００１８】
図３に、試料１００の上面図を示す。図１、２は、図３におけるI−I断面を示したものである。試料１００では、図示Ｘ方向に階段状の半導体コラム１０ａ〜１０ｅが連続しており、図示Ｙ方向には一様な高さの半導体コラムが連続している。高さが等しい半導体コラムについては図面最上列の半導体コラムのみ参照符号を記載する。試料１００では、Ｙ方向に連続している高さの等しい半導体コラムの各抵抗値の平均値を、その高さの半導体コラムにおける抵抗値と決定する。そのため、高い精度で抵抗値を算出することができる。
【００１９】
図４〜図６に、試料１００を作製する方法を示す。
まず、図４に示すように、ｐ型の半導体基板２の表面にｎ型の半導体層６を形成する。ｐ型の半導体基板２の抵抗率は、１．４Ωｃｍ以下（Ｂ（ボロン）濃度＞１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）である。ｎ型の半導体層６の抵抗率は、３９〜４８Ω（Ｐ（リン）濃度＝０．９〜１．１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）である。
次に、図５に示すように、フォトリソグラフィーによって一定の間隔毎にパターンを形成した後、ｎ型の半導体層６のうちの絶縁壁４を形成する範囲をエッチングして、複数個のトレンチ群１８を形成する。半導体層６は複数個のｎ型の不純物の拡散領域６ａ〜６ｅに分離される。
【００２０】
次に、図６に示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を利用して複数個のトレンチ群１８の内部とｎ型の不純物の拡散領域６ａ〜６ｅの表面に絶縁壁４を形成する。その後に、エッチバックを行うことによって、ｎ型の半導体材料６ａ〜６ｅの表面に形成されている絶縁壁４を除去する。
次に、図１に示すように、フォトリソグラフィーによってパターンを形成した後、ｎ型の不純物の拡散領域６ａ〜６ｅの表面をエッチングし、高さが相違する半導体コラム１０ａ〜１０ｅを形成する。以上の工程により、試料１００を容易に作製することができる。この作製方法によると、エッチングする深さを調整することによって、複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅの高さの差を約０．０５μｍの精度まで制御することができる。
【００２１】
試料１００は、他の方法によっても作製することができる。図７、図８に試料１００の他の作製方法を示す。
まず、図７に示すように、ｐ型の半導体基板２の表面にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を利用して、絶縁膜４ａを形成する。ｐ型の半導体基板２の抵抗率は、１．４Ωｃｍ以下（Ｂ（ボロン）濃度＞１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）である。
次に、図８に示すように、絶縁膜４ａの表面にフォトレジストでパターンを形成後、絶縁膜４ａの一部をエッチングする。その後に、エッチングによって露出した半導体基板２の表面にｎ型の不純物の拡散領域６ａをエピタキシャル成長させる。ｎ型の半導体材料６ａの抵抗率は、３９〜４８Ω（Ｐ（リン）濃度＝０．９〜１．１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）である。その後、同様の手順を繰返して、ｐ型の半導体基板２の表面にｎ型の不純物の拡散領域６ｂ〜６ｅをエピタキシャル成長させることによって、複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅを形成する。エピタキシャル成長の条件を変えることによって、複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅの高さの差を調整することができる。
【００２２】
次に、図１に示すように、ｎ型の不純物の拡散領域６ａ〜６ｅの間に絶縁材料を埋め込んで絶縁壁４を形成する。以上の工程により、試料１００を容易に作製することができる。この作製方法によると、エピタキシャル成長の条件を変えることによって、複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅの高さを約０．０１μｍの精度まで制御することができる。
【００２３】
（第２実施例）
図９、図１０に、本発明の第２実施例である試料２００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の模式的な図を示す。図９、図１０は試料２００の断面図を示す。
まず、図９に示すように、試料２００を用意する。試料２００は１枚の半導体基板から形成されている。試料２００には、複数個の半導体コラム３０ａ〜３０ｅが形成されている。複数個の半導体コラム３０ａ〜３０ｅには、ｎ型の不純物が含まれており、半導体コラムの全長に亘ってｎ型の不純物の拡散領域３６ａ〜３６ｅが形成されている。隣接するコラム同士は、絶縁壁４によって絶縁されている。複数個の半導体コラム３０ａ〜３０ｅの一方側の面３０ｓは同一平面内にある。複数個の半導体コラム３０ａ〜３０ｅの他方側の面３０ｔの高さは半導体コラム毎に相違しており、階段状をなしている。複数個の半導体コラム３０ａ〜３０ｅの長さの差Ｔ５〜Ｔ８は０．２μｍ以下である。
【００２４】
次に、複数個の半導体コラム３０ａ〜３０ｅの他方側の面３０ｔから同一条件でｐ型の不純物２８を注入して、熱処理する。不純物２８の注入条件及び熱処理条件は、第１実施例で記載した条件と同一であるため省略する。複数個の半導体コラム３０ａ〜３０ｅに不純物２８を注入して熱処理すると、図１０に示すように、注入面の側にｐ型の不純物の拡散領域３６ａ〜３６ｅが形成される。このとき、不純物２８の拡散深さよりも長い半導体コラム３０ａ〜３０ｃには、半導体コラムの内部にｐｎ接合２６ｓが形成される。不純物８の拡散深さよりも長い半導体コラム３０ｄ、３０ｅには、半導体コラム３０ｄ、３０ｅの内部にｐｎ接合２６ｓが形成されない。
【００２５】
その後に、複数個の半導体コラム３０ａ〜３０ｅの長さ方向の抵抗値を計測し、不純物２８の拡散深さを測定する。抵抗値の計測方法及び拡散深さの測定方法については、第１実施例の測定方法と同様であるため、説明を省略する。
【００２６】
（第３実施例）
図１１、図１２に、本発明の第３実施例である試料３００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の模式的な図を示す。図１１、図１２は、試料３００の断面図を示す。
まず、図１１に示すように、試料３００を用意する。試料３００には、ｐ型の不純物を含む半導体基板４２に、トレンチ５８が彫られている。トレンチ５８の内部には、複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆが形成されている。複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆにはｎ型の不純物が含まれており、半導体コラムの全長に亘ってｎ型の不純物の拡散領域４６ａ〜４６ｅが形成されている。隣接するコラム同士は、複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆの一方側の面５０ｓから垂直に伸びている絶縁壁４４によって絶縁されている。複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆの他方側の面５０ｔは複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆに対応して深さが変化しており、階段状をなしている。複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆの長さの差Ｔ９〜Ｔ１３は０．２μｍ以下である。
【００２７】
次に、各半導体コラム５０ａ〜５０ｆの一方側の面５０ｓから同一条件でｐ型の不純物２８を注入して、熱処理する。不純物４８の注入条件及び熱処理条件は、第１実施例で記載した条件と同一であるため省略する。複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆに不純物４８を注入して熱処理すると、図１２に示すように、注入面の側にｐ型の不純物の拡散領域５６ａ〜５６ｆが形成される。このとき、不純物４８の拡散深さよりも長い半導体コラム５０ａ〜５０ｃには、半導体コラムの内部にｐｎ接合４６ｓが形成される。不純物４８の拡散深さよりも長い半導体コラム５０ｄ〜５０ｆには、半導体コラム５０ｄ〜５０ｆの内部にｐｎ接合４６ｓが形成されない。
【００２８】
その後に、複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆの長さ方向の抵抗値を計測する。抵抗値は、複数個の半導体コラム５０ａ〜５０ｆの一方側の面５０ｓと半導体基板４２の裏面に各々配線を接続することによって計測することができる。その後に、不純物４８の拡散深さを測定する。拡散深さの測定方法については、第１実施例の測定方法と同様であるため、説明を省略する。
【００２９】
本発明の不純物拡散深さ測定方法では、試料を作製するときに、半導体基板の表面に半導体コラムをエピタキシャル成長させることが好ましい。エピタキシャル成長で半導体コラムを形成する場合、半導体コラムの高さを０．０１μｍの精度まで制御することができるため、より高い精度で不純物の拡散深さを測定することができる。
【００３０】
本発明の不純物拡散深さ測定方法では、試料を作製するときに、高さが等しい半導体コラムを複数個形成することが好ましい。高さが等しい半導体コラムの各抵抗値の平均値をその高さの半導体コラムにおける抵抗値と決定することによって、より精度の高い抵抗値を算出することができる。
【００３１】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、実施例ではｐ型の不純物の拡散深さの測定方法を記載したが、ｎ型の不純物の拡散深さ測定方法であってもよい。この場合、ｐ型の不純物が含まれている半導体コラムにｎ型の不純物を注入して熱処理する。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施例である試料１００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の工程（１）を示す。
【図２】試料１００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の工程（２）を示す。
【図３】試料１００の上面図を示す。
【図４】試料１００の作製方法の工程（１）を示す。
【図５】試料１００の作製方法の工程（２）を示す。
【図６】試料１００の作製方法の工程（３）を示す。
【図７】試料１００の他の作製方法の工程（１）を示す。
【図８】試料１００の他の作製方法の工程（２）を示す。
【図９】本発明の第２実施例である試料２００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の工程（１）を示す。
【図１０】試料２００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の工程（２）を示す。
【図１１】本発明の第３実施例である試料３００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の工程（１）を示す。
【図１２】試料３００を用いた不純物の拡散深さ測定方法の工程（２）を示す。
【符号の説明】
【００３３】
２、４２：ｐ型の半導体基板
４、２４、４４：絶縁壁
４ａ：絶縁膜
６：ｎ型の半導体層
６ａ〜６ｅ、２６ａ〜２６ｅ、４６ａ〜４６ｆ：ｎ型の不純物の拡散領域
８、２８、４８：ｐ型の不純物
１０ａ〜１０ｅ、３０ａ〜３０ｅ、５０ａ〜５０ｆ：半導体コラム
１２：直流電源
１４：電流計
１６ａ〜１６ｅ、３６ａ〜３６ｅ、５６ａ〜５６ｆ：ｐ型の不純物の拡散領域
１８、５８：トレンチ
Ｔ１〜Ｔ４、Ｔ５〜Ｔ８、Ｔ９〜Ｔ１３：半導体コラムの高さの差
【図１】
2010003815.tif 000003
【図２】
2010003815.tif 000004
【図３】
2010003815.tif 000005
【図４】
2010003815.tif 000006
【図５】
2010003815.tif 000007
【図６】
2010003815.tif 000008
【図７】
2010003815.tif 000009
【図８】
2010003815.tif 000010
【図９】
2010003815.tif 000011
【図１０】
2010003815.tif 000012
【図１１】
2010003815.tif 000013
【図１２】
2010003815.tif 000014