(57)【要約】【課題】薄い膜厚の保護層を有し、かつ、熱ストレスに起因する該保護層における欠陥の発生を抑制可能な液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基体上に形成される導体層と、前記基体及び前記導体層上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層に側面が接し、該導体層上に設けられる電極部と、前記絶縁層と前記電極部との共通の平坦面上に形成される発熱抵抗体層と、前記発熱抵抗体層及び前記絶縁層上に積層される保護層とを有する液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、前記絶縁層に前記電極部に対応するスルーホールを形成し、該電極部の材料により、該スルーホールを埋めかつ該絶縁層の表面を被覆した後、機械的研磨法又はＣＭＰ法により該絶縁層と該電極部の表面が面一となるように研磨することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。【選択図】図１
2010143114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に形成され、駆動信号を供給する導体層と、
前記基体及び前記導体層上に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層を貫通し、前記導体層に一端が電気的に接続されるように該導体層上に設けられる電極部と、
前記絶縁層と前記電極部との共通の平坦面上に形成され、前記電極部に電気的に接続される発熱抵抗体層と、
前記発熱抵抗体層及び前記絶縁層上に積層される保護層と、を具備して構成される液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
絶縁層に前記電極部に対応するスルーホールを形成し、該電極部の材料である電極材料により、該スルーホールの内部を埋めかつ該絶縁層の表面を被覆した後、機械的研磨法又は機械的化学的研磨法（ＣＭＰ法）により該絶縁層と該電極部の表面が面一となるように研磨することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層にスルーホールを形成する前に、該絶縁層の表面を機械的研磨法又は機械的化学的研磨法（ＣＭＰ法）により平坦化することを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層にスルーホールを形成した後であって、
前記電極材料により、前記スルーホールの内部を埋めかつ前記絶縁層の表面を被覆する前に、
前記電極材料が前記絶縁層に拡散することを防止し、かつ該電極材料と該絶縁層との密着性を確保する下地層を、前記スルーホールの内表面及び絶縁層の外表面に形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項４】
前記下地層が、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮ及びＴａＳｉＮからなる群から選ばれる少なくとも一種の材料からなる層であることを特徴とする請求項３に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項５】
前記下地層上に、銅からなる層を形成することを特徴とする請求項３又は４に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット記録ヘッドの基板に用いることが可能な液体吐出ヘッド用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、加熱による膜沸騰現象によって記録媒体の記録面に対しインク滴を吐出し記録動作を行うインクジェット記録ヘッドは、広く実用に供されている。インクジェット記録ヘッドは、例えば、インクを加熱する発熱抵抗体層が基体上に形成される記録ヘッド用基板（以下、基板という）と、基板上に設けられ複数のインク吐出口と、各インク吐出口に連通するインク流路と、インク流路の一端が合流する共通インク室を形成するインク流路形成部材とを含んで構成されている。
【０００３】
その基板は、例えば、図３に示されるように、基体１上に形成される絶縁層４と、絶縁層４上に積層される発熱抵抗層５と、発熱抵抗層５上に発熱部５ａを挟んで離隔して形成され、供給される電力を発熱抵抗層５に導く電極層６Ａ及び６Ｂと、電極層６Ａ及び６Ｂ、発熱抵抗層５を被覆する保護層８と、その保護層８をさらに覆う保護層９及び１０とを含んで構成されている。
【０００４】
従って、保護層８と、保護層９及び１０とは、インク流路形成部材により形成される各インク流路１１における底部を形成することとなる。各インク流路１１は、例えば、一方の端部側にインク吐出口が形成されている。
【０００５】
保護層８、保護層９及び１０は、ピンホールなどの欠陥によりインクが直接的に発熱抵抗層５に接触することを回避するために、その膜厚が全体に亘って均一となるように形成されることが望まれる。
【０００６】
しかし、保護層８、保護層９及び１０は、図３に示されるように、電極層６Ａ及び６Ｂの下面であって相互間に形成される発熱抵抗層５の発熱部５ａを覆うように形成される。このため、保護層９の表層が発熱部５ａに対応して凹部又は段差（ステップ）を有することとなる。
【０００７】
そこで、熱ストレスに起因した保護層９の亀裂を回避すべく保護層９の凹部の周縁部についてもその膜厚が他の部分と同様に均一となるように保護層９を形成するためには、保護層９を十分厚く形成することが必要となる。
【０００８】
このように保護層９を十分厚く形成する場合、省電力化、熱応答性、発熱抵抗層５の耐久性の観点からは、得策とは言えないため、保護層９の膜厚をより薄くし、かつ、保護層９の凹部の周縁部について欠陥が生じない方法が提案されている。
【０００９】
例えば、特許文献１においては、保護膜のバイアススパッタ方法が提案されている。他にも、保護膜における段差の形状を変更する方法、保護膜のリフロー方法、及び、電極の断面形状をテーパ状の電極の断面形状に変更する方法等が提案されている。
【特許文献１】特開昭６０−２３４８５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記保護膜のバイアススパッタ方法においては、安定した均一な膜厚形成が困難となる場合があり、更なる改良が望まれる。また、保護膜における段差の形状を変更する方法、及び、保護膜のリフロー方法においては、製造工程数が増大する不都合が生じる。また、電極の断面形状をテーパ状の電極の断面形状に変更する方法においては、テーパ形状の勾配が比較的大きい電極の部位によっては、保護層の膜厚が十分とはならない場合がある。一方、テーパ形状の勾配が比較的小さい電極の部位によっては、電極に接続される配線の幅、及び、断面積が小さくなり、配線抵抗が比較的大きくなる場合がある。
【００１１】
以上の問題点を考慮し、本発明は、膜厚の薄い保護層を有し、かつ、熱ストレスに起因する該保護層における欠陥の発生を抑制可能な液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法は、基体上に形成され、駆動信号を供給する導体層と、前記基体及び前記導体層上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層を貫通し、前記導体層に一端が電気的に接続されるように該導体層上に設けられる電極部と、前記絶縁層と前記電極部との共通の平坦面上に形成され、前記電極部に電気的に接続される発熱抵抗体層と、前記発熱抵抗体層及び前記絶縁層上に積層される保護層と、を具備して構成される液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、絶縁層に前記電極部に対応するスルーホールを形成し、該電極部の材料である電極材料により、該スルーホールの内部を埋めかつ該絶縁層の表面を被覆した後、機械的研磨法又は機械的化学的研磨法（ＣＭＰ法）により該絶縁層と該電極部の表面が面一となるように研磨することを特徴とする。
【００１３】
また、前記絶縁層にスルーホールを形成する前に、該絶縁層の表面を機械的研磨法又は機械的化学的研磨法（ＣＭＰ法）により平坦化することを特徴とする。
【００１４】
また、前記絶縁層にスルーホールを形成した後であって、前記電極材料により、前記スルーホールの内部を埋めかつ前記絶縁層の表面を被覆する前に、前記電極材料が前記絶縁層に拡散することを防止し、かつ該電極材料と該絶縁層との密着性を確保する下地層を、前記スルーホールの内表面及び絶縁層の外表面に形成することを特徴とする。
【００１５】
また、前記下地層が、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮ及びＴａＳｉＮからなる群から選ばれる少なくとも一種の材料からなる層であることを特徴とする。
【００１６】
また、前記下地層上に、銅からなる層を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法によれば、保護層の欠陥の原因となる凹部（段差）を形成せずに保護膜を形成することができるため、膜厚の薄い保護層を有し、かつ、熱ストレスに起因する該保護層における欠陥の発生のない液体吐出ヘッド用基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（第１の実施形態）
以下、図面を参照して本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法の第１の実施形態を説明する。
【００１９】
先ず、図１（ａ）に示されるように、基体１の平坦面に熱酸化により酸化膜２を形成した後、所定のパターニング及びエッチング処理により、導体層である共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂを形成する。共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂの材料には、アルミニウム、アルミニウムと銅の合金等を用いることができる。共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂは、スパッタリング法により前記材料の膜を形成し、所望のパターンにパターニングを行うことで形成することができる。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示されるように、ＳｉＯ2等からなる絶縁層４を、例えばＣＶＤ法により、酸化膜２と、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂとを、酸化膜と導体層上の全体にわたり覆うように形成する。
【００２１】
このとき、絶縁層４の表面は、下地である共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂの表面段差に対応した凹凸を生じ、その段差Ｄ１は共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂの膜厚とほぼ同程度である。したがって、絶縁層４の膜厚は、後述する研磨工程により、埋込み電極６Ａ及び６Ｂの表面が絶縁層４と面一かつ所望の膜厚を得られるように、あらかじめ厚めに形成しておく。即ち、後に形成する導電体層６を絶縁層４の表面から完全に除去するまで研磨するべく、少なくとも段差Ｄ１の分を厚めに形成する。
【００２２】
続いて、リアクティブイオンエッチング法等により絶縁層４に対して所定のパターニング、エッチング処理を行うことにより、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂに到達するスルーホール７Ａ及び７Ｂを形成する。スルーホール７Ａは、絶縁層４を貫通し、共通導体層３Ａに一端が電気的に接続されるように共通導体層３Ａ上に設けられる後述する電極部となる埋込み電極６Ａに対応するように形成する。スルーホール７Ｂについても同様である。
【００２３】
その際、スルーホール７Ａ及び７Ｂの内面は、後述するスパッタリングによるシード層ＳＳの形成に備えて、良好にシード層ＳＳが形成されるように６０度程度の勾配（勾配がない状態を９０度とする）をもつように形成する。具体的には、エッチングの条件をレジストも少なからずエッチングする条件に設定する。
【００２４】
続いて、シード層ＳＳを、スルーホール７Ａ及び７Ｂの内表面と絶縁層４の外表面にスパッタリングにより形成する。シード層ＳＳは、下地層として、導電体層６の絶縁層４に対する拡散防止効果と、導電体層６と絶縁層４との密着性を確保する効果を併せ持つ材料からなる層を、厚さ５０〜１００ｎｍで形成することが好ましい。前記下地層の材料としては、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮからなる群から選ばれる少なくとも一種の材料を用いることができる。また、下地層上に、さらに後述する銅の電解メッキの電極層として最適な銅からなる層を厚さ約２００ｎｍで形成し、シード層ＳＳを２層構成とすることがより好ましい。ここで２層目に銅を用いる理由は、シード層ＳＳは前記下地層のみとすることは可能であるが、基板の面内膜厚分布の良好な電解メッキを行うには、より電気的抵抗値の小さなシード層ＳＳであることが好ましいためである。
【００２５】
続いて、埋込み電極６Ａ及び６Ｂを形成すべく、導電体層６を例えば電解メッキ法により、スルーホール７Ａ及び７Ｂの内部を埋め、かつ絶縁層４の外表面を被覆するように形成する。導電体層６の膜厚は、スルーホール７Ａ及び７Ｂの深さ以上に設定する。このとき導電体層６の表面には、スルーホール７Ａ及び７Ｂの深さ及び段差Ｄ１とほぼ同程度の段差が生じる。電極材料である導電体層６の材料としては、銅などを用いることができる。また、電解メッキ法は、導電体層６の成分である金属の金属塩溶液をメッキ液として使用し、一般的な電解メッキ装置により行うことができる。また、前記メッキ液は、メッキ膜厚の均一性、メッキ表面の光沢性を所望の状態に制御するため、必要に応じて添加剤を含んでもよい。
【００２６】
続いて、図１（ｃ）に示されるように、絶縁層上の導電体層６及びシード層ＳＳを除去し、かつ、絶縁層４と埋込み電極６Ａ及び６Ｂとの表面が面一となるように研磨を行う。研磨の方法としては、機械的研磨法又は機械的化学的研磨法（ＣＭＰ法）により行う。
【００２７】
ＣＭＰ法による研磨としては、通常のＣＭＰ法の研磨方法を用いることができる。例えば、発泡ウレタン製の研磨パッドを貼り付けた回転平板を回転させる一方、ワークである基板の銅メッキ面を加圧しながら自転させ、機械的化学的研磨剤（ＣＭＰスラリー）を研磨パッドの表面に供給することにより行うことができる。
【００２８】
前記機械的化学的研磨剤としては、導電体層６と絶縁層４及びシード層ＳＳをほぼ同一の研磨レートで研磨でき、所望の表面の仕上がり状態を得られるものであればいかなる研磨剤を用いても構わない。
【００２９】
例えば、酸化アルミニウム等からなる砥粒を主成分とし、酸化剤として、過酸化水素、硝酸第二鉄、過ヨウ素酸カリウム等が含まれる、遊離砥粒型の機械的化学的研磨剤を用いることができる。
【００３０】
前記研磨により、平坦面ＦＳに露出する埋込み電極６Ａ及び６Ｂが形成される。
【００３１】
続いて、発熱抵抗層５となる層を平坦面ＦＳ全体にわたり形成した後、所定のパターニング及びドライエッチング法によるエッチング処理を行う。前記エッチングの処理時間は、従来に比べて比較的短く、かつ、必要最小限とされる所定時間に設定することが好ましい。これにより、発熱抵抗層５が埋込み電極６Ａ及び６Ｂに跨るように、絶縁層４及び埋込み電極６Ａ、６Ｂの平坦面上に形成される。
【００３２】
続いて、発熱抵抗層５及び絶縁層４全体を覆うように、第一の保護層を形成した後、耐キャビテーション層としての第二の保護層となる層を、第一の保護層を覆うように形成する。
【００３３】
そして、第二の保護層となる層に対し所定のパターニング及びエッチング処理を行うことにより、第二の保護層が形成される。なお、前述した駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における第一の保護層は除去する。以上より、本実施形態に係る液体吐出ヘッド用基板を得る。
【００３４】
（第２の実施形態）
続いて、図面を参照して本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法の第２の実施形態を説明する。第２の実施形態は、研磨時の終点制御をさらに精度よく行うために考案されたものであり、これにより、埋込み電極６Ａ及び６Ｂの厚さを基板面全体に均一に加工できる方法である。
【００３５】
まず、図２（ａ）に示されるように、基体１の平坦面に熱酸化により酸化膜２を形成した後、所定のパターニング及びエッチング処理により、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂを形成する。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示されるように、ＳｉＯ2等からなる絶縁層４を、例えばＣＶＤ法により、酸化膜２と、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂとを、その全体にわたり覆うように形成する。
【００３７】
このとき、絶縁層４の表面は、下地である共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂの表面段差に対応した凹凸を生じ、その段差は共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂの膜厚とほぼ同程度である。したがって、絶縁層４の膜厚は、後述する第１の研磨工程により、絶縁層４の表面を平坦かつ所望の膜厚を得られるように、あらかじめ厚めに形成しておく。即ち、第１の研磨工程において必要な除去量として、少なくとも前記段差分を厚めに形成する。
【００３８】
続いて、絶縁層４の表面を研磨することにより絶縁層４の表面を平坦化する（第１の研磨工程）。研磨条件は、第１の実施形態における研磨と同様の研磨条件を用いることも可能であるが、絶縁層４を平坦化研磨できる研磨剤、研磨パッド及び研磨装置であればいかなるものを用いても構わない。
【００３９】
続いて、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂに到達するスルーホール７Ａ及び７Ｂ、またシード層ＳＳを第１の実施形態と同様の方法で形成する。
【００４０】
続いて、第１の実施形態と同様に、埋込み電極６Ａ及び６Ｂを形成すべく、導電体層６を絶縁層４の外表面、スルーホール７Ａ及び７Ｂの内部を埋めるように形成する。その際、導電体層６の膜厚は、スルーホール７Ａ及び７Ｂの深さ以上とする。このとき、導電体層６の表面にはスルーホール７Ａ及び７Ｂの深さとほぼ同程度の段差が生じる。
【００４１】
続いて、図２（ｃ）に示されるように、絶縁層４上の導電体層６及びシード層ＳＳを除去し、かつ、絶縁層４と埋込み電極６Ａ及び６Ｂとの表面が面一となるように研磨を行う（第２の研磨工程）。研磨の方法としては、第１の実施形態と同様の方法で行うことができる。
【００４２】
なお、第２の研磨工程で用いる研磨剤は、導電体層６とシード層ＳＳの研磨レートが絶縁層４の研磨レートを上回るものであれば良い。しかし、この研磨レートの差が大きいほど、絶縁層４が除去されずに研磨の「ストップ層」として機能するため、第２の研磨工程における基板の面内分布をキャンセルすることが可能になるため好ましい。即ち、基板面内においては絶縁層４の露出するタイミングが必ずしも同時とは限らず、最も露出のタイミングが遅い面内部位において露出するまでは、他の部位は余剰研磨しなければならないためである。より好ましくは、余剰研磨による埋込み電極６Ａ及び６Ｂの表面のディッシング（表面が窪む現象）が発生しにくい研磨剤を用いる。これにより、研磨時の終点制御をさらに精度よく行うことができ、埋め込み電極６Ａ及び６Ｂの厚さを、基板面全体に均一に加工できる。
【００４３】
続いて、第１の実施形態と同様に、発熱抵抗層５を形成し、第一の保護層及び第二の保護層を形成する。なお、駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における第一の保護層は除去する。これにより、第２の実施形態に係る液体吐出ヘッド用基板を得る。
【実施例】
【００４４】
以下に本発明に係る実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４５】
［実施例１］
本実施例では、図１（ａ）に示されるように、基体１の平坦面に熱酸化により酸化膜２を形成した後、所定のパターニング及びエッチング処理により、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂを形成した。酸化膜２はＳｉＯ2からなり、厚さは１μｍとした。また、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂの材料にはアルミニウムと銅の合金を用い、スパッタリング法により厚さ６００ｎｍの膜を形成し、所望のパターンにパターニングを行うことで形成した。
【００４６】
次に、図１（ｂ）に示されるように、ＳｉＯ2からなる絶縁層４をＣＶＤ法により、酸化膜２と、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂとを、その全体にわたり覆うように形成した。
【００４７】
続いて、リアクティブイオンエッチング法により絶縁層４に対して所定のパターニング、エッチング処理を行い、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂに到達するスルーホール７Ａ及び７Ｂを形成した。
【００４８】
エッチング条件としては、エッチング時にレジストも少なからずエッチングするように設定し、スルーホール７Ａ及び７Ｂの内面が６０度程度の勾配を有するようにした。
【００４９】
続いて、シード層ＳＳをスルーホール７Ａ及び７Ｂの内表面と絶縁層４の外表面に形成した。シード層ＳＳは、下地層を形成した後、銅からなる厚さ約２００ｎｍの層を形成し、２層構成とした。
【００５０】
続いて、導電体層６を、スルーホール７Ａ及び７Ｂの内部を埋めかつ絶縁層４の外表面を被覆するように形成した。導電体層６の形成は、電解メッキ装置により、硫酸銅溶液を主成分としたメッキ液を用いて行った。導電体層６の厚さは、スルーホール７Ａ及び７Ｂの深さが２μｍであるため、約３μｍとした。
【００５１】
続いて、図１（ｃ）に示されるように、導電体層６及びシード層ＳＳを除去し、かつ、絶縁層４と埋込み電極６Ａ及び６Ｂとの表面が面一となるように機械的化学的研磨を行った。機械的化学的研磨は、発泡ウレタン製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの回転平板を４０ｒｐｍで回転させる一方、ワークである基板の銅メッキ面を研磨パッドの中心から約１５０ｍｍの位置に３２ｇ／ｃｍ2の圧力で加圧しながら４０ｒｐｍで自転させ、粒径が０．１μｍ程度の酸化アルミニウムの砥粒を主成分とする遊離砥粒型の機械的化学的研磨剤（ＣＭＰスラリー）を研磨パッドの表面に１００ｃｃ／ｍｉｎの供給量で供給することにより行った。
【００５２】
続いて、発熱抵抗層５となる層を平坦面ＦＳ全体にわたり形成した後、所定のパターニング及びドライエッチング法によるエッチング処理を行った。これにより、埋込み電極６Ａと６Ｂに跨るように、発熱抵抗層５を絶縁層４及び埋込み電極６Ａ、６Ｂ上に形成した。
【００５３】
続いて、発熱抵抗層５及び絶縁層４全体を覆うように、第一の保護層を形成し、さらに、耐キャビテーション層としての第二の保護層となる層を、第一の保護層を覆うように形成した。第二の保護層となる層に対し所定のパターニング及びエッチング処理を行うことにより、第二の保護層を形成した。なお、駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における第一の保護層は除去した。以上の工程により、本実施例における液体吐出ヘッド用基板を得た。前記液体吐出ヘッド用基板は、保護層の欠陥の原因となる発熱抵抗層５に対向する第一の保護層及び第二の保護層の凹部がないため、発熱時においても該保護層の欠陥が生じにくい。
【００５４】
［実施例２］
本実施例では、図２（ａ）に示されるように、基体１の平坦面に熱酸化により酸化膜２を形成した後、実施例１同様、所定のパターニング及びエッチング処理により、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂを形成した。
【００５５】
次に、図２（ｂ）に示されるように、ＳｉＯ2からなる絶縁層４をＣＶＤ法により、酸化膜２と、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂとを、その全体にわたり覆うように形成した。
【００５６】
続いて、絶縁層４を研磨し、絶縁層４の表面を平坦化した（第１の研磨工程）。第一の研磨工程における研磨条件としては、酸化セリウム系の遊離砥粒型研磨剤を用い、研磨圧力を１５０ｇ／ｃｍ2に設定したこと以外は実施例１と同様の研磨条件で行った。
【００５７】
続いて、絶縁層４に、共通導体層３Ａ及び個別導体層３Ｂに到達するスルーホール７Ａ及び７Ｂを、実施例１と同様の方法で形成した後、シード層ＳＳを実施例１と同様の方法で形成した。
【００５８】
続いて、実施例１と同様に導電体層６を、スルーホール７Ａ及び７Ｂの内部を埋めかつ絶縁層４の外表面を被覆するように形成した。導電体層６の厚さは、スルーホール７Ａ及び７Ｂの深さが２μｍであるため、約３μｍとした。
【００５９】
続いて、図２（ｃ）に示されるように、導電体層６及びシード層ＳＳを除去し、かつ、絶縁層４と埋込み電極６Ａ及び６Ｂとの表面が面一となるように研磨を行った（第２の研磨工程）。
【００６０】
第２の研磨工程は、発泡ウレタン製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの回転平板を５０ｒｐｍで回転させる一方、ワークである基板の銅メッキ面を研磨パッドの中心から約１５０ｍｍの位置に３００ｇ／ｃｍ2の圧力で加圧しながら５０ｒｐｍで自転させ、粒径が０．０３μｍ程度の酸化アルミニウムの砥粒を主成分とする遊離砥粒型の機械的化学的研磨剤（ＣＭＰスラリー）を研磨パッドの表面に２００ｃｃ／ｍｉｎの供給量で供給することで研磨を行った。
【００６１】
続いて、実施例１と同様に発熱抵抗層５を形成し、第一の保護層及び第二の保護層を形成した。なお、駆動信号入力部の一部をなす電極パッドとなる部分における第一の保護層は除去した。以上の工程により、本実施例における液体吐出ヘッド用基板を得た。前記液体吐出ヘッド用基板は、保護層の欠陥の原因となる発熱抵抗層５に対向する第一の保護層及び第二の保護層の凹部がないため、発熱時においても該保護層の欠陥が生じにくい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、第１の実施形態の各製造工程における部分断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、第２の実施形態の各製造工程における部分断面図である。
【図３】従来の液体吐出ヘッド用基板の構成を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１              基体
２              酸化膜
３Ａ            共通導体層
３Ｂ            個別導体層
４              絶縁層
５              発熱抵抗層
５ａ            発熱部
６              導電体層
６Ａ、６Ｂ      埋込み電極（電極層）
７Ａ、７Ｂ      スルーホール
８、９、１０    保護層
１１            インク流路
ＳＳ            シード層
ＦＳ            平坦面
Ｄ１、Ｄ２      段差
【図１】
2010143114.tif 000003
【図２】
2010143114.tif 000004
【図３】
2010143114.tif 000005