(57)【要約】【課題】オートドープの影響を適切に検出可能なオートドープの検出方法の提供。【解決手段】オートドープの検出方法として、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置してエピ膜を気相成長させ、ＰウェハＷｐの断面深さ方向の抵抗分布を測定する方法を適用している。このため、ＡｓウェハＷａとともにＰウェハＷｐにエピ膜を気相成長させるときに、ＡｓウェハＷａから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、ＰウェハＷｐのエピ成長膜に多量のドーパントを取り込ませることができる。したがって、エピ成長膜におけるオートドープ取り込み部分の抵抗率を、ＰウェハＷｐの抵抗率やエピドープ制御膜部分の抵抗率よりも低くすることができ、この抵抗分布を測定することで、オートドープの発生状況を適切に検出できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サセプタに配置された複数のウェハ上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する製造装置を用い、前記エピタキシャル膜の気相成長時におけるオートドープの発生状況を検出するオートドープの検出方法であって、
前記サセプタに、高濃度のドーパントを含み抵抗率が０．０１Ωｃｍ以下の高濃度ウェハと、低濃度のドーパントを含み抵抗率が１０Ωｃｍ〜５０Ωｃｍの低濃度ウェハとを配置し、
前記高濃度ウェハと前記低濃度ウェハとにエピタキシャル膜を気相成長させ、
前記低濃度ウェハの成膜面と交差する方向の抵抗分布を測定することで、前記オートドープの発生状況を検出する
ことを特徴とするオートドープの検出方法。
【請求項２】
請求項１に記載のオートドープの検出方法であって、
前記エピタキシャル膜の抵抗率をＲ１とし、
前記抵抗分布における最も低い抵抗率をＲ２として、
以下の式（１）で算出されるディップ率Ｄを前記オートドープの発生状況として検出する
Ｄ＝（Ｒ１−Ｒ２）／Ｒ２×１００  …  （１）
ことを特徴とするオートドープの検出方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のオートドープの検出方法であって、
前記高濃度ウェハのドーパントとして、Ａｓ（ヒ素）を用い、
前記低濃度ウェハのドーパントとして、Ｐ（リン）を用い、
前記高濃度ウェハと前記低濃度ウェハとに、Ｎ型のエピタキシャル膜を気相成長させる
ことを特徴とするオートドープの検出方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のオートドープの検出方法であって、
前記高濃度ウェハのドーパントとして、Ｂ（ホウ素）を用い、
前記低濃度ウェハのドーパントとして、Ｂ（ホウ素）を用い、
前記高濃度ウェハと前記低濃度ウェハとに、Ｐ型のエピタキシャル膜を気相成長させる
ことを特徴とするオートドープの検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オートドープの検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハにエピタキシャル膜（以下、エピ膜と称す）を形成する際に、ウェハ内のドーパントが蒸発し、この蒸発したドーパントがエピ膜内に取り込まれるいわゆるオートドープ現象が発生することが知られている。このオートドープの影響により、エピ膜の抵抗率の均一性が悪くなるため、オートドープの影響を抑制する検討がなされている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１では、ウェハ（シリコン基板）をサセプタの外周に沿って一周分のみ配置している。これは、仮に、このウェハの内側にウェハが存在した場合に、内側のウェハからオートドープの原因となる気化シリコンが発生して、外周側のウェハに付着してしまうからであり、特許文献１では、前述のようにウェハを配置することで、オートドープの影響を抑制している。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２８９８７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の構成のように、オートドープの影響を抑制する検討はなされているが、オートドープの影響度を適切に評価する手段が存在していない。これまで、ウェハに回路を形成した製品の抵抗率からオートドープの影響を判断することが実施されてきたが、オートドープの影響の検出度が低く、エピ膜形成プロセスの最適化を導きにくいという問題点がある。
【０００５】
本発明の目的は、オートドープの影響を適切に検出可能なオートドープの検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のオートドープの検出方法は、サセプタに配置された複数のウェハ上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する製造装置を用い、前記エピタキシャル膜の気相成長時におけるオートドープの発生状況を検出するオートドープの検出方法であって、前記サセプタに、高濃度のドーパントを含み抵抗率が０．０１Ωｃｍ以下の高濃度ウェハと、低濃度のドーパントを含み抵抗率が１０Ωｃｍ〜５０Ωｃｍの低濃度ウェハとを配置し、前記高濃度ウェハと前記低濃度ウェハとにエピタキシャル膜を気相成長させ、前記低濃度ウェハの成膜面と交差する方向の抵抗分布を測定することで、前記オートドープの発生状況を検出することを特徴とする。
【０００７】
ここで、オートドープの発生状況の検出対象となるエピタキシャルウェハの製造装置としては、いわゆるパンケーキ型、バレル型等、サセプタに配置された複数のウェハにエピタキシャル膜を気相成長可能ないずれの製造装置であってもよい。
この発明によれば、オートドープを発生させやすい高濃度ウェハを低濃度ウェハとともにサセプタに配置して、これらのウェハにエピ膜を気相成長させるときに、高濃度ウェハから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、低濃度ウェハに形成されるエピ膜に多量のドーパントを取り込ませることができる（以下、ドーパントが取り込まれたエピ膜をエピ成長膜と称す）。したがって、エピ成長膜における多量のドーパントが取り込まれた部分の抵抗率を、低濃度ウェハの抵抗率やエピ膜におけるドーパントが取り込まれていない部分の抵抗率よりも低くすることができる。したがって、オートドープの発生状況を低濃度ウェハの成膜面と交差する方向の抵抗分布として表すことができ、この抵抗分布を測定することで、オートドープの発生状況を適切に検出できる。
【０００８】
本発明のオートドープの検出方法では、前記エピタキシャル膜の抵抗率をＲ１とし、前記抵抗分布における最も低い抵抗率をＲ２として、以下の式（１）で算出されるディップ率Ｄを前記オートドープの発生状況として検出することが好ましい。
【０００９】
（数１）
Ｄ＝（Ｒ１−Ｒ２）／Ｒ２×１００  …  （１）
【００１０】
この発明によれば、上記ディップ率Ｄを求めてオートドープの発生状況を数値化することで、エピ膜形成プロセスの最適化を容易に導くことができる。
【００１１】
本発明のオートドープの検出方法では、前記高濃度ウェハのドーパントとして、Ａｓ（ヒ素）を用い、前記低濃度ウェハのドーパントとして、Ｐ（リン）を用い、前記高濃度ウェハと前記低濃度ウェハとに、Ｎ型のエピタキシャル膜を気相成長させることが好ましい。
この発明によれば、Ｎ型のエピ膜を気相成長させるときのオートドープの発生状況を良好に検出できる。
【００１２】
本発明のオートドープの検出方法では、前記高濃度ウェハのドーパントとして、Ｂ（ホウ素）を用い、前記低濃度ウェハのドーパントとして、Ｂ（ホウ素）を用い、前記高濃度ウェハと前記低濃度ウェハとに、Ｐ型のエピタキシャル膜を気相成長させることが好ましい。
この発明によれば、Ｐ型のエピ膜を気相成長させるときのオートドープの発生状況を良好に検出できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
［エピタキシャルウェハの製造装置の構成］
まず、エピタキシャルウェハの製造装置の構成について説明する。
図１は、エピタキシャルウェハの製造装置の概略構成を示す断面図である。
エピタキシャルウェハの製造装置１は、図１に示すように、半導体結晶を板状に加工したウェハＷの成膜面にエピタキシャル膜を気相成長させて、エピタキシャルウェハを製造する。この製造装置１は、反応容器２を備えている。この反応容器２には、反応ガス供給筒部材３と、サセプタ４と、加熱部５と、排気部６とが設けられている。
【００１４】
反応ガス供給筒部材３は、略筒状に形成されており、この略筒状の軸方向が上下方向と略一致しかつ前記軸を中心に回転可能に設けられている。また、反応ガス供給筒部材３の上端は、閉塞されている。さらに、反応ガス供給筒部材３の上端側の側面には、筒状の内部と外部とを連通する複数の供給孔３１が設けられている。また、反応ガス供給筒部材３の下端側には、反応ガスを供給する図示しない反応ガス供給部が接続されている。
ここで、反応ガスとしては、エピタキシャル膜を気相成長させるための原料ガスの他、キャリアガスを混合させたものを採用できる。原料ガスとしては、気相成長させるエピタキシャル膜に応じたものを採用すればよく、例えば、シリコンソースであるＳｉＨＣｌ３およびＰｈｏｓ（リン）ドーパントソースを水素ガスで希釈したＮ型の混合反応ガスを採用できる。また、キャリアガスとしては、例えば水素（メイン水素）を含んだものを採用できる。
サセプタ４は、中央に反応ガス供給筒部材３が挿通される挿通孔４１を有する円板状（図２参照）に形成されている。このサセプタ４には、挿通孔４１を囲むように内側に並べられた６個のウェハＷと、この６個のウェハＷを囲むように外側に並べられた１２個のウェハＷと、が配置される。
加熱部５は、高周波コイルであり、サセプタ４の下側に設けられている。この加熱部５は、通電されることで加熱され、サセプタ４上のウェハＷを加熱する。排気部６は、反応容器２の内部と外部とを連通するように、反応容器２の下面に設けられている。
【００１５】
［オートドープの検出方法］
次に、上記エピタキシャルウェハの製造装置を利用したオートドープの検出方法について説明する。
図２は、サンプルウェハ作成工程のウェハの配置状態を示す平面図である。図３は、サンプルウェハ作成工程のサセプタの温度と各種ガスの流量との関係を示すタイミングチャートである。図４は、オートドープ発生時のサンプルウェハにおける断面深さ方向の抵抗分布を示すグラフである。図５は、オートドープ未発生時のサンプルウェハにおける断面深さ方向の抵抗分布を示すグラフである。
【００１６】
オートドープの検出方法は、後述するＰｈｏｓウェハＷｐにエピ成長膜を形成したサンプルウェハを作成するサンプルウェハ作成工程と、前記サンプルウェハの断面深さ方向（成膜面と直交する方向）の抵抗分布を測定する抵抗分布測定工程と、前記抵抗分布に基づくディップ率を算出するディップ率算出工程とから構成されている。
【００１７】
（サンプルウェハ作成工程）
サンプルウェハ作成工程では、まず、図２に示すように、オートドープの検出に用いる１６個のＡｓフルチャージウェハＷａ（以下、ＡｓウェハＷａと称す）と、低濃度ウェハとしての２個のＰｈｏｓウェハＷｐ（以下、ＰウェハＷｐと称す）と、を準備する。ＡｓウェハＷａは、Ｓｉの基板に高濃度のＡｓ（ヒ素）を含ませることで、抵抗率を０．０１Ωｃｍ以下に調整したウェハである。ＰウェハＷｐは、Ｓｉの基板に低濃度のＰｈｏｓ（リン）を含ませることで、抵抗率を１０Ωｃｍ〜５０Ωｃｍに調整したウェハである。
そして、５個のＡｓウェハＷａと１個のＰウェハＷｐとを内側に並べ、１１個のＡｓウェハＷａと１個のＰウェハＷｐとを外側に並べる。また、このとき、内側のＰウェハＷｐと外側のＰウェハＷｐとを隣接するように並べる。
【００１８】
次に、図３に示すように、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２までの間、反応ガス供給筒部材３を回転させながら反応容器２の内部に所定量（メイン水素指数が１）のメイン水素のみを供給するとともに、加熱部５を設定温度Ｓ１で動作させて、サセプタ４を室温Ｓ０から昇温させる昇温工程を実施する。このとき、反応容器２に供給されたメイン水素は、排気部６から排気される。これにより、反応容器２内には、常時、メイン水素指数が１のメイン水素が存在する。
この後、時刻Ｔ２になり、サセプタ４の温度がＳ１になると、メイン水素指数が１のメイン水素をキャリアガスとして、例えば腐食性ガスである塩化水素ガスを反応容器２内に供給する前処理工程を実施する。この前処理工程は、腐食性ガスをウェハＷの成膜面に流すことにより気相エッチングを実施して、成膜面の自然酸化膜を除去するためのものである。
ここで、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置しているため、前処理工程において、ＡｓウェハＷａに多量に含まれるＡｓが蒸発する。そして、この蒸発したＡｓは、一部が反応容器２中の塩化水素ガスやメイン水素とともに排気部６から排気されるが、残りは反応容器２中に残留する。反応容器２中に残留するＡｓ蒸発量は、前処理温度、メイン水素流量、反応容器２の容量などの諸条件により異なる。
【００１９】
そして、前処理工程をＹ分間（Ｙは自然数）だけ実施して時刻Ｔ３になると、加熱部５の設定温度をＳ１よりも低いＳ２に設定する。この後、サセプタ４の温度がＳ２になり時刻Ｔ４になると、所定量（成長ガス指数が１）の成長ガス（ＳｉＨＣｌ３）と、所定量（ドープガス指数が１）のドーパントガス（Ｐｈｏｓ）とを混合反応ガスとして供給し、成長ガスおよびドーパントガスのマスフロー流量安定のための排気工程を実施する。そして、各ガスのマスフロー流量が安定する時刻Ｔ５になると、所定の成長温度Ｓ２の下で混合反応ガスを一定供給することで、抵抗率がＲ１のエピ膜をウェハに気相成長させるエピ成長工程を実施する。そして、時刻Ｔ６になると、混合反応ガスのみの供給を停止させることでエピ成長工程を終了させ、反応容器２のパージ工程を実施する。この後、時刻Ｔ７に加熱部５による加熱を終了し、時刻Ｔ８にメイン水素の供給を停止する。
ここでは、前処理工程で反応容器２内に多量のＡｓが残留しているため、このエピ成長工程において、ＰウェハＷｐに多量のＡｓが取り込まれたＮ型のエピ成長膜が形成される。つまり、ＰウェハＷｐの表面に設けられてＡｓが含まれるオートドープ取り込み部分と、このオートドープ取り込み部分の表面に設けられてＡｓが含まれずかつエピ膜成分のみを含むエピドープ制御膜部分と、からなるエピ成長膜が形成される。
なお、ＡｓウェハＷａの上にも、ＰウェハＷｐと同様のエピ成長膜が形成される。
【００２０】
（抵抗分布測定工程）
抵抗分布測定工程では、サンプルウェハを成膜面と直交する方向に切断して、切断面を研磨する。そして、この切断面における断面深さ方向の抵抗分布を測定する。
抵抗分布は、図４に示すように、ＰウェハＷｐの表面に設けられたオートドープ取り込み部分では、エピ成長膜の表面に近づくにしたがって抵抗率がＲ２まで下がった後にＲ１まで上がり、エピドープ制御膜部分では、Ｒ１で一定となる。ここで、オートドープ取り込み部分において、抵抗率がＲ２まで徐々に下がるのは、前処理工程における時間の経過とともにＰウェハＷｐの表面に付着するＡｓの量が徐々に増えていくためである。また、オートドープ取り込み部分において、抵抗率がＲ２からＲ１まで上がるのは、前処理工程からエピ成長工程に移行する過程において、ＰウェハＷｐの表面に付着するＡｓの量が徐々に減って略０になるためである。
【００２１】
（ディップ率算出工程）
ディップ率算出工程では、図４に示す測定結果に基づいて、エピ膜の抵抗率をＲ１とし、抵抗分布における最も低い抵抗率をＲ２として、以下の式（１）で算出されるディップ率Ｄを算出する。
【００２２】
（数１）
Ｄ＝（Ｒ１−Ｒ２）／Ｒ２×１００  …  （１）
【００２３】
このディップ率Ｄは、値が大きいほどオートドープが多く発生していることを表す。
図４に示すようにオートドープが発生している場合、ＰウェハＷｐのディップ率Ｄは０よりも大きい値となり、オートドープが発生していることを認識できる。また、図５に示すように、オートドープが発生していない場合、オートドープ取り込み部分の抵抗率はＲ１以上となり、抵抗分布における最も低い抵抗率がＲ１となる。このため、ＰウェハＷｐのディップ率Ｄは０となり、オートドープが発生していないことも認識できる。
このようにオートドープの発生状況を適切に表すディップ率Ｄに基づいて、エピ膜形成プロセスの最適化を導くことが可能となる。
【００２４】
［実施形態の作用効果］
上述したような一実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）オートドープの発生状況を検出する方法として、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置してエピ膜を気相成長させ、ＰウェハＷｐの断面深さ方向の抵抗分布を測定する方法を適用している。
このため、オートドープを発生させやすいＡｓウェハＷａとともにＰウェハＷｐにエピ膜を気相成長させるときに、ＡｓウェハＷａから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、ＰウェハＷｐのエピ成長膜に多量のドーパントを取り込ませることができる。したがって、エピ成長膜におけるオートドープ取り込み部分の抵抗率を、ＰウェハＷｐの抵抗率やエピドープ制御膜部分の抵抗率よりも低くすることができ、この抵抗分布を測定することで、オートドープの発生状況を適切に検出できる。
【００２５】
（２）ディップ率Ｄをオートドープの発生状況として検出しているため、発生状況を数値化することで、エピ膜形成プロセスの最適化を容易に導くことができる。
【００２６】
（３）オートドープの検出に、Ａｓをドーパントとして含むＡｓウェハＷａと、Ｐをドーパントとして含むＰウェハＷｐとを用いているため、Ｎ型のエピ膜を形成する際のオートドープの発生状況を良好に検出できる。
【００２７】
［他の実施形態］
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更等が可能である。
【００２８】
すなわち、ディップ率Ｄを算出せずに、図４に示す抵抗分布におけるオートドープ取り込み部分の傾きに基づいて、オートドープの発生状況を検出してもよい。
また、Ｐ型のエピ膜を気相成長させるときのオートドープの発生状況を検出する方法として、本発明の高濃度ウェハとして、Ｓｉの基板に高濃度のＢ（ホウ素）を含ませることで、抵抗率を０．０１Ωｃｍ以下に調整したウェハを用い、低濃度ウェハとして、Ｓｉの基板に低濃度のＢ（ホウ素）を含ませることで、抵抗率を１０Ωｃｍ〜５０Ωｃｍに調整したウェハを用いてもよい。
本発明のオートドープの検出方法の特徴はオートドープが発生しやすい過酷条件とするため、ＡｓウェハＷａの数は、サセプタ４に装填可能な最大枚数とした方がよい。
【実施例】
【００２９】
次に、本発明の実施例について説明する。
｛サンプルウェハの作成｝
上記実施形態の製造装置１のサセプタ４に、図２に示すように、４個のＡｓウェハＷａと、１個のＰウェハＷｐと、低濃度ウェハとしての１個のＢｏｒｏｎウェハＷｂ（以下、ＢウェハＷｂと称す）と、を内側に並べ、１０個のＡｓウェハＷａと、１個のＰウェハＷｐと、１個のＢウェハＷｂと、を外側に並べた。また、ＰウェハＷｐ同士、ＢウェハＷｂ同士が隣接するように並べた。ここで、ＡｓウェハＷａ、ＰウェハＷｐ、ＢウェハＷｂは、以下の表１に示す構成を有している。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
そして、昇温工程および前処理工程の条件を以下の表２に示すように設定した水準１〜４で上記オートドープの検出方法におけるサンプルウェハ作成工程を実施した。また、水準１〜４におけるエピ成長工程は、Ｎ型のエピ膜の目標抵抗率が５Ωｃｍ、目標膜厚が８μｍとなるような条件で実施した。
なお、表２における「エピ前水素指数」とは、昇温工程と前処理工程におけるメイン水素指数を意味する。また、水準１におけるサンプルウェハ作成工程のサセプタの温度と各種ガスの流量との関係を示すタイミングチャートを図３に、水準４におけるタイミングチャートを図６にそれぞれ示す。
【００３２】
【表２】
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【００３３】
｛サンプルウェハの評価｝
ＢウェハＷｂの断面深さ方向の抵抗分布を測定したところ、図７に示すような結果が得られた。ＢウェハＷｂの表面に設けられたオートドープ取り込み部分では、エピ成長膜の表面に近づくにしたがって、抵抗率がＲ１以上に上がった後にＲ２まで下がり、その後Ｒ１まで上がり、エピドープ制御膜部分では、Ｒ１で一定となった。
そして、水準１で作成された２個のＢウェハＷｂ（内側のＢウェハＷｂと外側のＢウェハＷｂ）のそれぞれにおける中央近傍の抵抗率と、外縁近傍の抵抗率と、を測定し、これらの抵抗率に基づいてディップ率Ｄを算出した。つまり、水準１で作成されたＢウェハＷｂについて、４個のディップ率Ｄを算出した。また、同様にして、水準２〜４で作成されたＢウェハＷｂ、水準１〜４で作成されたＰウェハＷｐについても、４個ずつのディップ率Ｄを算出した。
水準１〜４で作成されたＢウェハＷｂのそれぞれにおけるディップ率Ｄの最小値、最大値、平均値の関係を図８に、ＰウェハＷｐのそれぞれにおけるディップ率Ｄの最小値、最大値、平均値の関係を図９に示した。
なお、オートドープが発生していない場合、図１０に示すように、抵抗分布における最も低い抵抗率がＲ１となるためディップ率Ｄは０となる。このため、ＢウェハＷｂにおいてもディップ率Ｄに基づいて、オートドープの発生状況を適切に認識できる。
【００３４】
図８および図９に示すように、同じバッチで処理したにもかかわらず、ＰウェハＷｐのディップ率ＤがＢウェハＷｂのディップ率Ｄよりも大きいことが確認できた。このことから、ＰウェハＷｐの方がオートドープの検出力が高いことが確認できた。つまり、Ｎ型のエピ膜気相成長時におけるオートドープの検出には、Ｐウェハを用いた方が指標化しやすく、成長プロセスの最適化を導きやすく、活用用途が広いことが確認できた。
【００３５】
また、エピ前水素指数の増加（昇温工程と前処理工程におけるメイン水素量の増加）に伴い、ディップ率Ｄが減少していることが確認できた。これは、反応容器２の排気効率が向上し、ＡｓウェハＷａからのオートドープが減少し、ＢウェハＷｂやＰウェハＷｐのエピ成長膜に取り込まれるＡｓが減少したためと考えられる。
さらに、前処理工程時間の増加に伴い、ディップ率Ｄが減少していることが確認できた。これは、エピ成長工程前の加熱時間を長くすることで排気効率が向上し、ＡｓウェハＷａからのオートドープが減少し、ＢウェハＷｂやＰウェハＷｐのエピ成長膜に取り込まれるＡｓが減少したためと考えられる。
そして、反応容器２の排気効率の制御因子であるエピ前水素指数と前処理工程時間とを比較した場合、エピ前水素指数の効果が大きいことが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、オートドープの検出方法に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態に係るエピタキシャルウェハの製造装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】前記一実施形態および本発明の実施例におけるサンプルウェハ作成工程のウェハの配置状態を示す平面図である。
【図３】前記一実施形態および前記実施例におけるサンプルウェハ作成工程のサセプタの温度と各種ガスの流量との関係を示すタイミングチャートである。
【図４】前記一実施形態におけるオートドープ発生時のサンプルウェハ（Ｐｈｏｓウェハ）における断面深さ方向の抵抗分布を示すグラフである。
【図５】前記一実施形態におけるオートドープ未発生時のサンプルウェハ（Ｐｈｏｓウェハ）における断面深さ方向の抵抗分布を示すグラフである。
【図６】前記実施例における水準４のサンプルウェハ作成工程のサセプタの温度と各種ガスの流量との関係を示すタイミングチャートである。
【図７】前記実施例におけるオートドープ発生時のサンプルウェハ（Ｂｏｒｏｎウェハ）における断面深さ方向の抵抗分布を示すグラフである。
【図８】前記実施例におけるＢｏｒｏｎウェハのサンプル作成条件とディップ率との関係を示すグラフである。
【図９】前記実施例におけるＰｈｏｓウェハのサンプル作成条件とディップ率との関係を示すグラフである。
【図１０】前記実施例におけるオートドープ未発生時のサンプルウェハ（Ｂｏｒｏｎウェハ）における断面深さ方向の抵抗分布を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３８】
１…製造装置
４…サセプタ
Ｗａ…高濃度ウェハとしてのＡｓフルチャージウェハ
Ｗｂ…低濃度ウェハとしてのＢｏｒｏｎウェハ
Ｗｐ…低濃度ウェハとしてのＰｈｏｓウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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