(57)【要約】【課題】ＣｕとＳｎとの重量比率の精度を向上することが可能な半田バンプの製造方法を提供すること。【解決手段】半導体素子２０に形成されたＵＢＭ層３０上に、開口部４１を有するレジスト層４０を設け、電気メッキ法により開口部４１の内側面でその厚さが略０のＣｕメッキ層１１を形成し、さらに開口部４１にＳｎメッキ層１２を形成後、レジスト層４０を除去し、ＵＢＭ層３０のエッチングを行ない、Ｃｕメッキ層１１及びＳｎメッキ層１２をリフローすることで、Ｓｎ−０．７Ｃｕの半田バンプを形成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体素子に設けられた電極上に、Ｔｉ層、Ｎｉ層及びＰｄ層を順次スパッタリングにより積層させてメタル層を形成する工程と、
前記メタル層の表面に、前記メタル層を露出させた開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
硫酸銅、及び、電界により前記メタル層に吸着する抑制剤を有するＣｕ用のメッキ液の、前記硫酸銅及び前記抑制剤の割合を調整する工程と、
前記開口部から露出する前記メタル層表面に前記メッキ液を用いて電気メッキ処理を行い、前記開口部の内側面側に対して前記開口部の中央側でその厚みが厚いＣｕメッキ層を形成する工程と、
前記開口部から露出する前記メタル層表面及び前記Ｃｕメッキ層表面にＳｎメッキ層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記メタル層にエッチングを行い、前記メタル層の前記Ｓｎメッキ層と前記半導体素子の間に位置する前記Ｔｉ層及び前記Ｎｉ層の一部、及び、前記Ｃｕメッキ層と当接する前記Ｐｄ層を少なくとも残存させる工程と、
前記Ｃｕメッキ層及び前記Ｓｎメッキ層をリフローする工程と、を備えることを特徴とする半田バンプの製造方法。
【請求項２】
前記Ｃｕメッキ層は、前記Ｃｕメッキ層及び前記Ｓｎメッキ層の全体の重量に対して０．５％〜３％の重量比率に形成されることを特徴する請求項１に記載の半田バンプの製造方法。
【請求項３】
前記Ｃｕメッキ層は、前記開口部の内側面と前記メタル層の表面とが交わる稜部に前記Ｃｕメッキ層の端部が位置し、前記稜部から前記開口部の中央側へ向って少なくとも一定距離までその厚みが漸増していることを特徴とする請求項１に記載の半田バンプの製造方法。
【請求項４】
前記Ｃｕメッキ層は、前記開口部の内側面から前記開口部の中央側へ離間して形成されることを特徴とする請求項１に記載の半田バンプの製造方法。
【請求項５】
前記Ｃｕメッキ層は、前記開口部の内側面の位置で、最も厚さが薄く形成されることを特徴とする請求項１に記載の半田バンプの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に接続するＳｎ−Ｃｕの半田バンプの製造方法に関し、特に、Ｓｎ及びＣｕの重量比率の精度向上が可能なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、家庭用電子機器等には、様々な種類の半導体装置が用いられている。このような半導体装置は、例えば、インターポーザ（又はサブストレート）と呼ばれる基板上にＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のＩＣ（以下「半導体素子」）が半田バンプ等により接続されて形成されている。
【０００３】
これらの半導体装置は、インターポーザとプリント基板とを、半田ボールや端子を介して半田等により接続することで実装されることとなる。
【０００４】
なお、半導体装置のインターポーザと半導体素子との接続に用いられる半田バンプには、従来、Ｐｂ−５Ｓｎ等の鉛を主材料とした半田が用いられていた。しかし、鉛は人体に悪影響を及ぼす等の様々な問題があり、現在では鉛を使用しない鉛フリー半田が用いられている。このような、鉛フリー半田として、例えばＳｎ−Ｃｕを用いた半田が、半田バンプに用いられている（例えば引用文献１参照）。
【０００５】
この半田バンプの製造方法は、例えば、半導体素子上にスパッタリング等によりＴｉ、Ｎｉ、Ｐｄを順次積層させたＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）層（メタル層）を形成する。次に、ＵＢＭ層上の半田バンプを設ける位置に開口部を有するレジスト層を形成する。
【０００６】
次に、レジスト層の開口部から露出するＵＢＭ層上に所定の体積で、且つ、膜厚一定のＣｕメッキ層、Ｓｎメッキ層を順次形成する。これらＣｕメッキ層及びＳｎメッキ層を形成したら、レジスト層を除去（剥離）する。レジスト層除去後、エッチングにより、余分なＵＢＭ層を除去し、半導体素子をリフローすることで、ＵＢＭ層上にＳｎ−Ｃｕの半田バンプが形成される。
【０００７】
このような半田バンプは、一般に、ＳｎとＣｕとの重量比率は、半田バンプの融点が一番低くなる重量比率であるＳｎ−０．７Ｃｕ（Ｃｕが半田バンプの総重量の０．７％）前後に調整されている。しかし、Ｃｕの重量比率が０．７％と異なるにつれて、半田バンプの融点が高くなる問題がある。
【特許文献１】特開２００４−２０７６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した半田バンプでは次のような問題があった。即ち、エッチングによりＵＢＭ層を除去する場合、酸系のエッチング液を用いてＮｉ層及びＰｄ層をエッチングする。しかし、酸系のエッチング液は、Ｃｕメッキ層に接触するとＣｕメッキ層もエッチングしてしまう。
【０００９】
ここで、Ｃｕメッキ層は、レジスト層を除去すると、ＵＢＭ層上に、開口部の形状で２段に積層されたＣｕメッキ層とＳｎメッキ層が設けられる構成となる。即ち、Ｃｕメッキ層の側面が外部に露出することとなる。
【００１０】
この状態で、酸系のエッチング液で、Ｎｉ層及びＰｄ層をエッチングすると、Ｃｕメッキ層の側面が外部に露出しているため、Ｃｕメッキ層も、側面からのエッチング、所謂サイドエッチングされることとなる。
【００１１】
Ｃｕメッキ層がサイドエッチングされた場合、Ｃｕメッキ層及びＳｎメッキ層の重量（半田バンプの重量）に対するＣｕメッキ層の重量比率も異なってくる。半田バンプは、半田バンプの重量に対して、Ｃｕの重量比率が０．７％前後より減少し、Ｃｕの重量比率が異なる（０．７％前後から外れる）ため、Ｓｎ−Ｃｕの半田バンプの融点が高くなる虞がある。
【００１２】
特に、半導体素子とインターポーザを接続させる半田バンプであるため、半田バンプ自体の体積は極小であり、さらに、半田バンプの重量の０．７％であるＣｕメッキ層の体積はさらに極小である。このため、短時間であってもＣｕメッキ層がサイドエッチングされると、重量比率が急激に崩れることとなる。また、このように、Ｃｕメッキ層は半田バンプに対する重量比率が小さく、その体積が極小であるため、例えば、体積を大きめ（層厚を厚め）にＣｕメッキ層に形成することで、Ｃｕメッキ層のサイドエッチングの対策も考えられる。しかし、このように、Ｃｕメッキ層を厚く形成する対策では、Ｃｕメッキ層の割合の管理が容易ではなく、所定の重量比率から大きく外れる虞が高い。
【００１３】
半田バンプの融点が高くなると、インターポーザと半田バンプとの半田付け（接続）における加熱温度不足による未接続や、加熱温度の増大により半導体チップ等へ悪影響を与える虞がある。
【００１４】
そこで本発明は、ＣｕとＳｎとの重量比率の精度を向上することが可能な半田バンプの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を解決し目的を達成するために、本発明の半田バンプの製造方法は次のように構成されている。
【００１６】
本発明の一態様とし、少なくとも半導体素子に設けられた電極上に、Ｔｉ層、Ｎｉ層及びＰｄ層を順次スパッタリングにより積層させてメタル層を形成する工程と、前記メタル層の表面に、前記メタル層を露出させた開口部を有するレジスト層を形成する工程と、硫酸銅、及び、電界により前記メタル層に吸着する抑制剤を有するＣｕ用のメッキ液の、前記硫酸銅及び前記抑制剤の割合を調整する工程と、前記開口部から露出する前記メタル層表面に前記メッキ液を用いて電気メッキ処理を行い、前記開口部の内側面側に対して前記開口部の中央側でその厚みが厚いＣｕメッキ層を形成する工程と、前記開口部から露出する前記メタル層表面及び前記Ｃｕメッキ層表面にＳｎメッキ層を形成する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、前記メタル層にエッチングを行い、前記メタル層の前記Ｓｎメッキ層と前記半導体素子の間に位置する前記Ｔｉ層及び前記Ｎｉ層の一部、及び、前記Ｃｕメッキ層と当接する前記Ｐｄ層を少なくとも残存させる工程と、前記Ｃｕメッキ層及び前記Ｓｎメッキ層をリフローする工程と、を備えることを特徴とする半田バンプの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、Ｃｕメッキ層及びＳｎメッキ層形成後にＵＢＭ層をエッチングするＳｎ−Ｃｕ半田バンプの製造方法であっても、ＣｕとＳｎとの重量比率の精度を向上することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の一実施の形態に係る半田バンプ１０の構成を示す断面図、図２は同半田バンプ１０の形成工程を示す断面図、図３は同半田バンプ１０の形成工程を示す断面図、図４は同半田バンプ１０の形成工程を示す断面図、図５は同半田バンプ１０の形成工程を示す断面図、図６は同半田バンプ１０の形成工程を示す断面図である。
【００１９】
図１に示すように、半田バンプ１０は、例えばＬＳＩ等の半導体素子やウェハ等（以下「半導体素子」として説明）に形成されている。即ち、半田バンプ１０は、半導体素子２０の電極等に形成されたＵＢＭ層（メタル層）３０に形成されている。このような半導体素子２０は、形成された半田バンプ１０をインターポーザ等に半田付けを行なうことで半導体装置を形成することとなる。
【００２０】
ＵＢＭ層３０は、半導体素子２０側から、Ｔｉ層３１、Ｎｉ層３２及びＰｄ層３３が順次形成されている。なお、Ｔｉ層３１、Ｎｉ層３２及びＰｄ層３３は、スパッタリング等により形成されている。
【００２１】
半田バンプ１０は、Ｓｎ−Ｃｕにより形成されている。ここで、半田バンプ１０は、その融点が一番低くなる重量比率のＳｎ−Ｃｕとして、例えば半田バンプ１０（Ｓｎ−Ｃｕ）の重量に対してＣｕの重量が０．７％となるＳｎ−０．７Ｃｕが用いられる。ここで、Ｃｕの重量比率は、半田バンプ１０を形成する上での精度等の観点から、比較的融点が低い重量比率であればよく、一例として、比較的融点が低くなる比率として、Ｃｕの重量が半田バンプ１０の重量に対して０．５％〜３％の範囲であればよい。なお、半田バンプ１０の使用条件によって、Ｃｕの重量比率は０．７％に限られるものではなく、その重量比率は適宜設定可能である。
【００２２】
このような半田バンプ１０の製造方法を図１〜６を用いて説明する。  
図２に示すように、先ず、第１の工程として、半導体素子２０の電極を有する面の表面に、Ｔｉ（チタン）層３１をスパッタリング等により形成する。次に、Ｔｉ層３１上にＮｉ（ニッケル）層３２を形成し、さらにＮｉ層３２上にＰｄ（パラジウム）層３３をスパッタリング等により形成する。このように、Ｔｉ層３１、Ｎｉ層３２及びＰｄ層３３を順次形成して積層させることでＵＢＭ層３０を形成する。
【００２３】
なお、Ｔｉ層３１及びＮｉ層３２は、半田バンプ１０に溶解しにくく、且つ、半導体素子２０と半田バンプ１０との密着具合を向上させるために設けられる。尚、Ｐｄ層３３は、Ｎｉ層３２の表面の酸化防止のために設けられる。
【００２４】
図３に示すように、第２の工程として、第１の工程で形成したＵＢＭ層３０上にレジスト層４０を形成する。このレジスト層４０は、後述する半田バンプ１０を形成するためのパターンである開口部４１を有する。なお、この開口部４１は、ＵＢＭ層３０を露出させる。
【００２５】
次に、図４に示すように、第３工程として、開口部４１から露出するＵＢＭ層３０表面であって、且つ、開口部４１の内側面よりも内側に電気メッキ法によりＣｕメッキ層１１を形成する。このＣｕメッキ層１１は、図４に示すように、Ｃｕメッキ層１１の端部が開口部４１の内側面とＵＢＭ層３０の表面とが交わる稜部に位置し、この稜部から開口部４１の中央側へ向って少なくとも一定距離までその厚みが漸増して変化するように形成される。
【００２６】
即ち、Ｃｕメッキ層１１は、開口部４１の内側面ではその厚さ（高さ）略０μｍであり、殆ど形成されない。開口部４１の内側面から離間するに従い、その厚さが厚くなり、一定距離からは略平坦な断面形状となる。なお、開口部４１の内側面で、Ｃｕメッキ層１１の厚さが殆ど形成されず、半田バンプ１０の体積に対するＣｕメッキ層１１の体積は、半田バンプ１０に対するＣｕメッキ層１１の重量比率が０．５％〜３％となる体積であればよく、その断面形状は、円弧状でもよい。
【００２７】
このようなＣｕメッキ層１１の形成方法の詳細を以下に述べる。  
先ず、電気メッキ法に用いるメッキ液を調整する。このメッキ液は、例えば硫酸銅溶液であり、硫酸銅溶液中には、例えば、硫酸銅と、二種類の有機物（有機化合物）の抑制剤である溶質が含まれている。これら抑制剤は、レベラー（平滑用）としての抑制剤（以下「第１抑制剤」）と、界面活性剤としての抑制剤（以下「第２抑制剤」）の２つである。
【００２８】
レベラーとしての第１抑制剤は、例えば、ポリアミン等の有機物を用いる。第１抑制剤は、電界の強さが強いとより引かれてメッキ表面に吸着する性質を有している。また、第１抑制剤は、レベラー、即ち、メッキ表面を平滑にする機能も有している。なお、この第１抑制剤は、有機剤であり、Ｃｕが表面に析出されにくくする効果を有する。
【００２９】
即ち、この第１抑制剤は、電気メッキを行なう際に、電界の強さが強いＣｕメッキ層１１及び／又はＵＢＭ層３０（Ｐｄ層３３）の表面に吸着され、吸着された第１抑制剤表面にＣｕメッキ層１１が析出されにくくなる。これにより、Ｃｕメッキ層１１の形成が抑制されることとなる。なお、この第１抑制剤は、同等の性質を有していればポリアミンでなく、他の有機物等でもよい。
【００３０】
界面活性剤としての第２抑制剤は、例えばポリエチレングリコール等の有機物を用いる。この第２抑制剤は、Ｃｕメッキ層１１及び／又はＵＢＭ層３０に接触することでその表面に吸着する。このように、この抑制剤が吸着することでＣｕメッキ層１１が析出されにくくなる効果を有する。
【００３１】
なお、このようなメッキ液中の２つの抑制剤と硫酸銅との割合の調整としては、適宜、上述したＣｕメッキ層１１のように、開口部４１の内側面でその厚さが略０となるように調整する。即ち、各抑制剤の性質や、電気メッキの電界の強さ、浸漬時間等により、Ｃｕメッキ層１１の析出、及び、抑制剤の吸着等の条件も異なる。このため、Ｃｕメッキ層１１の形成状態も異なることから、適宜メッキ液を調整する。具体的な割合の調整は、各割合の抑制剤を有するメッキ液でＣｕメッキ層１１を形成し、形成されたＣｕメッキ層１１の測定及び確認を行い、所定の形状、即ち、少なくとも、開口部４１の内側面で厚さが略０となる割合を決定すれば良い。
【００３２】
次に、少なくともＵＢＭ層３０、開口部４１及びレジスト層４０をメッキ液に浸漬させ、所定の電流を所定の時間印加する。なお、所定の電流及び所定の時間とは、Ｃｕメッキ層１１の厚さや、メッキ液の性質、及び、メッキ条件（電流、時間等）の関係により異なるため、適宜設定するものであり、ここではその詳細は省略する。
【００３３】
メッキ液にＵＢＭ層３０が接触すると、まず、メッキ液中の第２抑制剤がＵＢＭ層３０に吸着し始める。次に、電流が印加されると、ＵＢＭ層３０表面に銅イオンが移動し、付着（還元）し始めるとともに、第１抑制剤もＵＢＭメッキ層に吸着（付着）し始める。
【００３４】
ＵＢＭ層３０に電流が印加された場合に、開口部４１の内側面とＵＢＭ層３０との稜部（開口部４１の底内側部）の電界が強く、開口部４１の中央側に向って除々に弱くなり、一定距離からは一定になる。即ち、開口部４１の中央側から一定距離の点から、開口部４１の内側面側に向うにつれて電界が強くなる。
【００３５】
即ち、第１抑制剤は、開口部４１の内側面側でより多く吸着され、開口部４１の中央側に向って、吸着される第１抑制剤は減少していき、開口部４１の中央側の一定の距離からは吸着される第１抑制剤は一定となる。
【００３６】
このため、電流を印加し始めると、先ず、開口部４１から露出するＵＢＭ層３０全体に第２抑制剤が吸着され続けるとともに、ＵＢＭ層３０の露出する面全体で第１抑制剤が吸着される。特に、開口部４１の内側面側に第１抑制剤が多く吸着される。
【００３７】
さらに開口部４１から露出する第１抑制剤及び第２抑制剤を含むＵＢＭ層３０表面に銅イオンが付着し、Ｃｕメッキ層１１が形成されることとなる。このとき、第１抑制剤、第２抑制剤には、銅イオンの付着（還元）が抑制される。さらに、ＵＢＭ層３０の上部に付着し形成されているＣｕメッキ層１１の表面にも第１抑制剤及び第２抑制剤が吸着されることとなる。
【００３８】
このように、ＵＢＭ層３０及び形成されつつあるＣｕメッキ層１１の表面に、第１抑制剤及び第２抑制剤がさらに吸着し、Ｃｕメッキ層１１の形成が抑制される。特に、ＵＢＭ層３０の開口部４１の内側面側から中央側に向って各抑制剤の吸着が少ない。このため、Ｃｕメッキ層１１は、その厚さがＵＢＭ層３０の開口部４１内側面側で略０となり、開口部４１の中央側に向って次第にその厚さが厚くなり、開口部４１の内側面から一定距離離間する中央側からはその厚さが平坦に形成されることとなる。このように電気メッキによりＣｕメッキ層１１を所定の時間形成したら、メッキ液を洗浄することで、所定の重量比率となる体積（膜厚）にＣｕメッキ層１１が形成される。
【００３９】
次に、第３工程でＣｕメッキ層１１を形成したら、第４工程として、Ｃｕメッキ層１１及びＵＢＭ層３０表面、且つ、開口部４１内にＳｎメッキを行ない、Ｓｎメッキ層１２を形成する。なお、Ｓｎメッキ層１２は、電気メッキ法を用いてもよく、この他、蒸着メッキ法であってもよい。このとき、半田バンプ１０に対するＣｕメッキ層１１の重量比率が０．７％となるように、Ｓｎメッキ層１２の厚さを形成する。
【００４０】
なお、このようなＳｎメッキ層１２の体積は、形成するＣｕメッキ層１１を考慮して、メッキ処理の処理時間によりＳｎメッキ層１２のメッキ膜厚の厚さを決定することで所定の体積とする。ここで、メッキ膜厚の厚さを決定するメッキ処理の処理時間は、使用するメッキ液やメッキ処理の条件等により予め調整を行ない設定する。
【００４１】
Ｓｎメッキ層１２を形成したら、次に、第５工程として、レジスト層４０を、レジスト剥離液等を用いて除去する。この状態では、図５に示すようにＵＢＭ層３０の上部にＣｕメッキ層１１及びＳｎメッキ層１２が積層された状態となる。
【００４２】
次に、図６に示すように、第６工程として、ＵＢＭ層３０のエッチングを行なう。先ず、Ｎｉ層３２及びＰｄ層３３を、酸系のエッチング液でエッチングを行う。このとき、Ｎｉ層３２は、Ｓｎメッキ層１２の底面形状と同等、又は、Ｓｎメッキ層１２の底面積（又は形状）よりも小さな面積となるようにエッチングを行なう。
【００４３】
また、Ｐｄ層３３は、Ｓｎメッキ層１２の底面形状と略同等のエッチングを行なう。即ち、Ｓｎメッキ層１２の底面形状と同等となるエッチングをＰｄ層３３に行なうことで、Ｐｄ層３３とＳｎメッキ層１２とが互いに当接する面を外部に晒すことを防止する。これにより、Ｃｕメッキ層１１が外部に露出することを防止することとなる。
【００４４】
次に、Ｔｉ層３１をエッチングする。尚、Ｔｉ層３１のエッチングは、異方性エッチングを用いても、他のエッチングであっても何でも良い。また、Ｔｉ層３１は、例えばＮｉ層３２と略同一の形状及び面積にすればよい。
【００４５】
次に、第７工程として、エッチングを行なったＵＢＭ層３０、Ｃｕメッキ層１１及びＳｎメッキ層１２をＣｕメッキ層１１及びＳｎメッキ層１２の溶融温度でリフローする。このリフローにより、Ｃｕメッキ層１１及びＳｎメッキ層１２が融解し、融解したＣｕメッキ層１１及びＳｎメッキ層１２が混合されるとともに、表面張力により、図１に示す円形状のＳｎ−Ｃｕの半田バンプ１０が形成される。
【００４６】
このように構成された半田バンプ１０では、Ｃｕメッキ層１１とＳｎメッキ層１２とを形成後、酸系のエッチング液でＮｉ層３２及びＰｄ層３３をメッキしても、Ｃｕメッキ層１１が露出しないため、エッチング液でエッチングされることがない。これにより、半田バンプ１０に対するＣｕメッキ層１１の重量比率がくずれることがなく、重量比率の精度を向上させることが可能となる。
【００４７】
以下、詳しく述べる。  
一般に、エッチング液は酸性であるため、Ｃｕメッキ層１１にエッチング液が触れると、Ｃｕメッキ層１１もエッチングされてしまう。
【００４８】
しかし本実施の形態は、上述したように、第１の抑制剤により、開口部４１の内側面の位置での厚さを略０としたＣｕメッキ層１１を形成し、Ｓｎメッキ層１２及びＰｄ層３３でＣｕメッキ層１１を覆うことで、外部にＣｕメッキ層１１が露出することがない。また、Ｎｉ層３２及びＰｄ層３３のエッチングの際にも、Ｐｄ層３３のエッチングは、開口部４１の開口面積と略同一とすることで、Ｐｄ層３３のエッチング過多による、Ｃｕメッキ層１１のＰｄ層３３とＳｎメッキ層１２との間からの露出をも防止することが可能となる。
【００４９】
このため、Ｎｉ層３２及びＰｄ層３３のエッチングを行なっても、Ｃｕメッキ層１１は、エッチングされることなく、所定のＣｕメッキ層１１の体積を維持することが可能となる。これにより、半田バンプ１０とＣｕとの重量比率も所定の重量比率（ここでは０．５％〜３％）の範囲内に管理することが可能となり、融点温度の低い半田バンプ１０とすることが可能となる。
【００５０】
また、このような、開口部４１の内側面の位置の厚さが略０μｍとなるＣｕメッキ層１１は、第１抑制剤を有するメッキ液で電気メッキするだけでよく、そのＣｕメッキ層１１を容易に形成することができる。さらに、一度、所定の形状にＣｕメッキ層１１を形成可能なメッキ液を調整すれば、以下、同様の電気メッキ条件で、Ｃｕメッキ層１１を形成することが可能となる。即ち、Ｃｕメッキ層１１の厚さ等の製造管理が容易となる。また、調整したメッキ液を用いて所定の条件で電気メッキを行えばよく、特に特別な工程を必要としないため、半導体装置の製造コストを増加させることもない。
【００５１】
なお、ここで、Ｃｕメッキ層１１は、開口部４１の内側面に位置する厚さが略０μｍとしたが、実際には、非常に薄い厚さのＣｕメッキ層１１が開口部４１の周囲に形成される場合もある。しかし、この場合であっても、外部に露出するＣｕメッキ層１１は、極小であり、ＵＢＭ層３０のエッチング時に、サイドエッチがなされても、極少量のＣｕメッキ層１１がエッチングされるだけで済む。このため、Ｃｕメッキ層１１の体積が変わることが殆どない。
【００５２】
上述したように、電界の強さでその吸着が異なる抑制剤を含むメッキ液を用いてＣｕメッキ層１１を形成することで、Ｓｎメッキ層１２及びＰｄ層３３によりＣｕメッキ層１１が外部に露出することがなくなる。これにより、ＵＢＭ層３０をエッチングしても、Ｃｕメッキ層１１のエッチングを防止することが可能となり、Ｃｕメッキ層１１の所定の体積を維持することが可能となる。
【００５３】
また、これにより、半田バンプ１０の重量に対するＣｕの重量比率が所定の割合に維持することが可能となり、Ｃｕ（Ｃｕメッキ層１１）の重量比率の精度を向上させ、融点の低い半田バンプ１０を形成することが可能となる。
【００５４】
なお、上述した発明の形態以外の変形例について説明する。例えば、上述した例では、ＵＢＭ層３０として、半導体素子２０側からＴｉ層３１、Ｎｉ層３２及びＰｄ層３３を有する構成としたが、これらの構成に限定されるものではない。半導体素子２０と半田バンプ１０との密着具合を向上させることが可能であれば、他の材料を用いても良く、また、いずれかを有さない構成でもよい。
【００５５】
また、Ｃｕメッキ層１１の断面形状は、開口部４１の内側面から離間するに従い、その厚さが厚くなり、一定距離からは略平坦な断面形状、としたが、上述にもあるように、円弧状の断面でもよい。また、その断面が矩形状でもよい。即ち、Ｃｕメッキ層１１が外部に露出せず、且つ、半田バンプ１０との重量比率が所定の範囲内であれば、どのような形状でも適用できる。
【００５６】
なお、上述したＣｕメッキ層１１は、図４では、開口部４１の内側面の位置では略０μｍであり、開口部４１内側面から殆ど離間することなくＣｕメッキ層１１が形成されている。しかし、Ｃｕメッキ層１１の端部が、図４に示すよりもさらに内側、即ち、内側面とある程度の距離離間した点からＣｕメッキ層１１が形成されていてもよい。即ち、Ｃｕメッキ層１１の外端部が、開口部４１と当接しない（外部に露出しない）、又は、開口部４１の内側面位置で略０μｍの厚さであればよい。また、例え開口部４１の内側面位置である程度の厚みがあるＣｕメッキ層１１であっても、Ｃｕメッキ層１１の一番厚い膜厚より薄く、外部に露出する厚さ（面積）が極小であり、エッチング後のＣｕの重量比率が所定の範囲であれば、Ｃｕメッキ層１１の一部が外部に露出してもよい。
【００５７】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半田バンプを示す断面図。
【図２】同半田バンプの形成工程の一を示す断面図。
【図３】同半田バンプの形成工程の一を示す断面図。
【図４】同半田バンプの形成工程の一を示す断面図。
【図５】同半田バンプの形成工程の一を示す断面図。
【図６】同半田バンプの形成工程の一を示す断面図。
【符号の説明】
【００５９】
１０…半田バンプ、１１…Ｃｕメッキ層、１２…Ｓｎメッキ層、２０…半導体素子、３０…ＵＢＭ層、３１…Ｔｉ層、３２…Ｎｉ層、３３…Ｐｄ層、４０…レジスト層、４１…開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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