(57)【要約】【課題】  ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを製造することができるフォトマスクブランクスを選択する方法及び製造する方法を提供する。【解決手段】  ペリクルを貼り付ける領域内において、フォトマスクブランクスの中心を対称点として点対称の関係にある二点の高低差が０．１５μｍ以下であるか、フォトマスクブランクスの中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが０．２０μｍ以下であるものを選択するフォトマスクブランクスの選択方法、及び、ペリクルを貼り付ける領域内におけるフォトマスク用基板の中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差又はフォトマスク用基板の中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが所定の値であるフォトマスク用基板を準備してフォトマスクブランクスを製造する方法、並びにこれらにより選択又は製造されたものを用いるフォトマスクの製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク用基板上にブランクス膜が形成されたフォトマスクブランクスの選択方法であって、前記ブランクス膜が形成された面内の、ペリクルを貼り付ける領域内において、前記フォトマスクブランクスの中心を対称点として点対称の関係にある二点の高低差が、いずれの任意の前記二点についても０．１５μｍ以下であるフォトマスクブランクスを良品として選択することを特徴とするフォトマスクブランクスの選択方法。
【請求項２】
フォトマスク用基板上にブランクス膜が形成されたフォトマスクブランクスの選択方法であって、前記ブランクス膜が形成された面内の、ペリクルを貼り付ける領域内において、該領域と交わる任意の前記フォトマスクブランクスの中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが、いずれの円上でも０．２０μｍ以下であるフォトマスクブランクスを良品として選択することを特徴とするフォトマスクブランクスの選択方法。
【請求項３】
フォトマスクブランクスの製造方法であって、少なくとも、
フォトマスク用基板として、ペリクルを貼り付ける領域内における前記フォトマスク用基板の中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差又は前記フォトマスク用基板の中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが所定の値であるフォトマスク用基板を準備し、
該フォトマスク用基板の表面上にブランクス膜を形成してフォトマスクブランクスを製造することを特徴とするフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項４】
前記準備するフォトマスク用基板を、前記フォトマスク用基板の中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差が０．１５μｍ以下であるフォトマスク用基板とすることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項５】
前記準備するフォトマスク用基板を、前記フォトマスク用基板の中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが０．２０μｍ以下であるフォトマスク用基板とすることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載のフォトマスクブランクスの選択方法で選択されたフォトマスクブランクスを用い、リソグラフィによりマスクパターンを形成し、フォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
請求項３ないし請求項５のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法によって製造されたフォトマスクブランクスに、リソグラフィによりマスクパターンを形成し、フォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造等におけるフォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスクブランクスの選択方法及び製造方法並びにフォトマスクブランクスを用いたフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＤＲＡＭ等の集積回路の高集積化に伴い、回路設計のパターンルールの微細化の要求が日を追うごとに高まっている。半導体デバイスの高集積化が進むにつれ、フォトリソグラフィ工程での微細化に対する要求が高まっており、既にデバイスの設計ルールは０．１μｍ以下にまで微細化し、パターン寸法精度の要求は１０ｎｍ以下にまで達している。その結果、半導体製造プロセスに用いられているフォトリソグラフィ工程での加工精度に多くの課題が生じてきた。
【０００３】
それら課題のひとつは、パターン形成工程の高精度化にかかわる要因のひとつであるリソグラフィ工程に用いられるフォトマスクの平坦度である。微細化に伴い、レジストが許容する焦点深度はより浅くなってきており、焦点ずれの原因のひとつとなるフォトマスクの平坦度が小さいことが重要になる。
【０００４】
リソグラフィにおける焦点ずれを軽減するためには、ウエーハ露光時に、露光パターンを許容される誤差内で所定の位置と幅で描画できる程度に、原画に当たるマスクパターンを正確に位置させる必要がある。即ち、理想的には、極めて良好な平坦性をもったフォトマスク用基板上に遮光膜パターンや位相シフト膜パターン等が形成されていることが望まれる。
しかし、フォトマスクをウエーハ露光装置内に装着した際に、特許文献１に開示されているように、ウエーハ露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャックによりチャックすることにより、フォトマスクを真空チャックする部分の表面形状に依存してフォトマスクの全体の表面形状が大きく変形してしまう場合がある。これを改善するために、上記チャッキングによるフォトマスクの変形を、シミュレーションを行うことによってあらかじめ考慮する方法が特許文献１に開示されている。
【０００５】
ところで、フォトマスクは、一般に、以下のような工程を経て製造される。すなわち、まず、透明な基板（以下、フォトマスク用基板と呼ぶ）上に遮光膜、半透明膜、位相シフト膜等を単独又は組み合わせて成膜（本明細書中では、このフォトマスク用基板上に成膜した膜をブランクス膜と呼ぶ）したフォトマスクブランクスを作製する。次いで、このフォトマスクブランクス上にレジストを塗布してリソグラフィによりレジスト膜を加工し、更にレジスト膜をエッチングマスクとしてマスクパターンを形成した後にレジスト膜を剥離してフォトマスクを製造する。その後に防塵カバーとして、ペリクル膜をマスクパターンを覆うように形成する。ペリクル膜はニトロセルロース、酢酸セルロースなどからなる透明な薄膜からなり、ペリクル枠に貼り付けられている。ペリクル枠はアルミニウム合金、ステンレス、ポリエチレン等からなり、一般にはアルミニウム合金からなる。ペリクル枠はポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等からなる粘着層でフォトマスクに貼り付けられる。
【０００６】
しかしながら、フォトマスクブランクスの平坦度を十分に小さくした場合でも、リソグラフィによりマスクパターンを形成した後、ペリクル枠を貼り付けることにより、フォトマスクの平坦度が悪化するとともに、マスクパターンを歪ませてしまうことがあった。また、このようにマスクパターンが歪んだ状態で露光すると、露光精度を確保できないという問題があった。さらに、近年のパターンルールの微細化の進行や焦点深度の低下のためにペリクルの貼り付けによるフォトマスクの変形による影響が無視できなくなってきている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−５０４５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを製造することができるフォトマスクブランクスを選択する方法及び製造する方法、並びにこれらにより選択又は製造されたフォトマスクブランクスを用いたフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的達成のため、本発明は、フォトマスク用基板上にブランクス膜が形成されたフォトマスクブランクスの選択方法であって、前記ブランクス膜が形成された面内の、ペリクルを貼り付ける領域内において、前記フォトマスクブランクスの中心を対称点として点対称の関係にある二点の高低差が、いずれの任意の前記二点についても０．１５μｍ以下であるフォトマスクブランクスを良品として選択することを特徴とするフォトマスクブランクスの選択方法を提供する（請求項１）。
【００１０】
このような、ブランクス膜が形成された面内の、ペリクルを貼り付ける領域内において、フォトマスクブランクスの中心を対称点として点対称の関係にある二点の高低差が、いずれの任意の二点についても０．１５μｍ以下であるフォトマスクブランクスを良品として選択するフォトマスクブランクスの選択方法であれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクブランクスを選択することができる。そして、このようなフォトマスクブランクスであれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを作製することができる。
【００１１】
また、本発明は、フォトマスク用基板上にブランクス膜が形成されたフォトマスクブランクスの選択方法であって、前記ブランクス膜が形成された面内の、ペリクルを貼り付ける領域内において、該領域と交わる任意の前記フォトマスクブランクスの中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが、いずれの円上でも０．２０μｍ以下であるフォトマスクブランクスを良品として選択することを特徴とするフォトマスクブランクスの選択方法を提供する（請求項２）。
【００１２】
このような、ブランクス膜が形成された面内の、ペリクルを貼り付ける領域内において、該領域と交わる任意のフォトマスクブランクスの中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが、いずれの円上でも０．２０μｍ以下であるフォトマスクブランクスを良品として選択するフォトマスクブランクスの選択方法であっても、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクブランクスを良品として選択することができる。
【００１３】
また、本発明は、フォトマスクブランクスの製造方法であって、少なくとも、フォトマスク用基板として、ペリクルを貼り付ける領域内における前記フォトマスク用基板の中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差又は前記フォトマスク用基板の中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが所定の値であるフォトマスク用基板を準備し、該フォトマスク用基板の表面上にブランクス膜を形成してフォトマスクブランクスを製造することを特徴とするフォトマスクブランクスの製造方法を提供する（請求項３）。
【００１４】
このように、フォトマスク用基板として、ペリクルを貼り付ける領域内におけるフォトマスク用基板の中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差又はフォトマスク用基板の中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが所定の値であるフォトマスク用基板を準備し、これにブランクス膜を形成するフォトマスクブランクスの製造方法であれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクブランクスを製造することができる。そして、このようなフォトマスクブランクスであれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを作製することができる。
【００１５】
この場合、前記準備するフォトマスク用基板を、前記フォトマスク用基板の中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差が０．１５μｍ以下であるフォトマスク用基板とすることや（請求項４）、前記準備するフォトマスク用基板を、前記フォトマスク用基板の中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが０．２０μｍ以下であるフォトマスク用基板とすること（請求項５）が好ましい。
【００１６】
このように、準備するフォトマスク用基板を、フォトマスク用基板の中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差が０．１５μｍ以下であるフォトマスク用基板やフォトマスク用基板の中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが０．２０μｍ以下のものとすれば、より確実に、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクブランクスを製造することができる。
【００１７】
また、本発明は、上記のいずれかのフォトマスクブランクスの選択方法で選択されたフォトマスクブランクスを用い、リソグラフィによりマスクパターンを形成し、フォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法（請求項６）、及び、上記のいずれかのフォトマスクブランクスの製造方法によって製造されたフォトマスクブランクスに、リソグラフィによりマスクパターンを形成し、フォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供する（請求項７）。
【００１８】
このように、上記のいずれかのフォトマスクブランクスの選択方法で選択されたフォトマスクブランクスや、上記のいずれかのフォトマスクブランクスの製造方法によって製造されたフォトマスクブランクスを用いてフォトマスクを製造すれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを製造することができる。そして、このようなフォトマスクであれば、ペリクルを貼り付けることによる平坦度及び形状の変化が小さいので、ペリクルを貼り付け後の露光工程において設計どおりのマスクパターンを安定して使用することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のフォトマスクブランクスの選択方法及びフォトマスクブランクスの製造方法であれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを製造できるフォトマスクブランクスを選択又は製造することができる。
また、本発明のフォトマスクの製造方法であれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを製造することができる。このようなフォトマスクであれば、ペリクルを貼り付けることによる平坦度及び形状の変化が小さいので、ペリクルを貼り付け後の露光工程において設計どおりのマスクパターンを安定して使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
前述のように、従来、フォトマスクブランクスの平坦度を十分に小さくした場合でも、リソグラフィによりマスクパターンを形成した後、ペリクル枠を貼り付けることにより、フォトマスクの平坦度が悪化するとともに、マスクパターンを歪ませてしまうことがあり、このようにマスクパターンが歪んだ状態で露光すると、露光精度を確保できないという問題があった。
【００２１】
特にフォトマスクの平坦度（ＴＴＶ、Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が０．０５μｍ以上変化すると形状の変化も大きく、その影響は大きい。
そこで、本発明者は、ペリクル枠を貼り付けた後に、フォトマスクの平坦度の悪化、マスクパターンの歪みを安定して発生させないフォトマスクブランクスを得るべく、鋭意実験及び検討を行った。
【００２２】
一般的にフォトマスクにペリクルを貼り付けるとペリクルはフォトマスクの形状に引かれるように変形する。その際、フォトマスクもペリクルに引かれる形で変形してしまう。ペリクルの変形は像の歪みには影響しないが、フォトマスクの変形はわずかな歪みでも像の精度に大きく影響する。そのため、ペリクルが歪まないようにすれば、フォトマスクも変形を起こさないようになる。ペリクルがフォトマスクに接着する面、すなわち、ペリクル枠のうちフォトマスクに接着する面（ペリクル面とも言う）は、フォトマスクに比べて表面粗さが粗いことと、接着シートが介在することのため、フォトマスクとの接着によって局所的な範囲で歪みを起こすことはなく、ペリクル枠の枠面４辺で平面を形成して歪みを発生させている。本研究者は、この点に着目し、フォトマスクの中心を基準点として対称な形状を用いることにより、それぞれの向かい合うペリクル枠の歪みを相殺しあうため、結果的にフォトマスクに歪みの少ないものを得ることができることを見出した。
【００２３】
すなわち、ペリクルの形状に依らず、フォトマスクブランクスを、ペリクルを貼り付けようとする領域（ペリクル貼り付け領域）の平坦性や形状を、その対称性に着目して制御すれば、ペリクル貼り付け前後でフォトマスクブランクスの平坦度及び形状をほとんど変化させず、元のパターンによる露光を安定的に行うことが可能となることを見出した。
【００２４】
本発明者はこれらの知見を基にさらに研究を進め、フォトマスクブランクスのペリクルを貼り付けようとする領域内における、フォトマスクブランクスの中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差や、フォトマスクブランクスの中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキを基準としてフォトマスクブランクスの平坦性を制御することがよいことに想到し、本発明を完成させた。
【００２５】
以下、本発明について図面を参照しながらさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２６】
まず、図２を参照して、本発明におけるフォトマスクブランクス等の定義に用いる各要素の位置関係を説明する。
図２（ａ）は、ペリクルを貼り付けた状態のフォトマスクブランクスの断面図である。フォトマスクブランクス１０は、フォトマスク用基板１１上にブランクス膜１２が形成されたものである。なお、フォトマスク用基板１１の材質としては、露光波長に対して実質透明のものであればよく、具体的には合成石英などが用いられる。ブランクス膜１２は、遮光膜、半透明膜、位相シフト膜等を単独又は組み合わせて成膜したものである。
また、本発明が適用できるフォトマスクブランクス１０の大きさや、ブランクス膜１２の材質、複層の構造、膜厚等には特に制約はない。
【００２７】
実際のフォトマスクの製造プロセスでは、ブランクス膜１２にリソグラフィ等によりマスクパターンを形成し、フォトマスクとした後にペリクル３０を貼り付けるのであるが、図２（ａ）では便宜上フォトマスクブランクス１０にペリクル３０を貼り付ける様子を示した。
ペリクル３０は、主に防塵膜であるペリクル膜３２と、ペリクル膜３２を均一に張り、フォトマスクに固定するためのペリクル枠３１とからなる。ペリクル膜３２はニトロセルロース、酢酸セルロース等からなる透明な薄膜からなる。ペリクル枠３１はアルミニウム合金、ステンレス、ポリエチレン等からなり、一般にはアルミニウム合金からなる。ペリクル枠３１はポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等からなる粘着層（図示せず）でフォトマスクに貼り付けられる。
本発明はペリクル膜やペリクル枠、粘着層等の材質や寸法等によって特に限定されることはない。
【００２８】
図２（ｂ）には、フォトマスクブランクス１０のブランクス膜１２表面をペリクル３０側から見た場合の概略図を示した。
図２（ｂ）中には、ペリクル枠３１が粘着層によって貼り付けられる部分（ペリクル貼り付け領域）５１が示されている。このペリクル貼り付け領域５１は、フォトマスクブランクス１０において、マスクパターンを形成してフォトマスクとした後にペリクル枠３１が貼り付けられる領域である。
【００２９】
フォトマスクブランクス１０の、ブランクス膜１２が形成された面の平面的な形状が、フォトマスクブランクス１０の中心Ｏが定義できる形状であれば本発明を適用することができる。図２（ｂ）に示したような正方形である場合には、フォトマスクブランクス１０の中心は、２本の対角線（Ｄ）の交点と一致する。
なお、一般的にペリクル貼り付け領域５１が作る長方形の中心とフォトマスクブランクス１０の中心は一致する。また、一般に、ブランクス膜１２をフォトマスク用基板１１に形成した後にはブランクス膜１２の膜応力を緩和するための熱処理等の緩和処理を行うため、フォトマスク用基板１１とフォトマスクブランクス１０の平坦性はほぼ一致する。
【００３０】
そして、本発明は、フォトマスクブランクス１０のペリクル貼り付け領域５１において、フォトマスクブランクス１０の中心Ｏを対称点として平坦性を管理する。具体的には、以下のような二つの態様がある。
【００３１】
（第一の態様）
フォトマスクブランクス１０のペリクル貼り付け領域（ペリクルを貼り付けようとする領域）５１において、フォトマスクブランクス１０の中心Ｏを対称点として点対称の関係にある二点の高低差が、任意の二点の組について小さい形状とする。具体的には、任意の二点の組について０．１５μｍ以下とし、さらに好ましくは、０．１０μｍ以下とする。
ここで、フォトマスクブランクス１０の中心Ｏを対称点として点対称の関係にある二点とは、図１（ａ）中に例示したような、点Ａと点Ａ’の組や、点Ｂと点Ｂ’の組である。
【００３２】
（第二の態様）
フォトマスクブランクス１０のペリクル貼り付け領域５１において、フォトマスクブランクス１０の中心Ｏを中心とした同心円上の点における高さのバラツキが小さい形状とする。具体的には、ある同心円について該同心円上のすべての点の高さのバラツキを０．２０μｍ以下とし、この条件がすべての同心円（すなわち、直径）について満たされるようにする。なお、この高さのバラツキは好ましくは、０．１５μｍ以下とする。
【００３３】
これを図示すると図１（ｂ）のようになる。
図１（ｂ）中の円Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３はそれぞれフォトマスクブランクス１０の中心Ｏを中心とした同心円である。同心円Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３のそれぞれの円上の点のうち、それぞれのペリクル貼り付け領域５１の部分（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３の実線部分）が所定のバラツキを満たせばよい。
【００３４】
このようにすることで、フォトマスクブランクス１０をフォトマスクとし、フォトマスクにペリクル３０を貼り付けたときに生じるフォトマスクの変形量を最小限にすることができる。
【００３５】
そして、このようなフォトマスクブランクス１０であれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを製造することができる。そして、このようなフォトマスクであれば、ペリクルを貼り付けることによる平坦度及び形状の変化が小さいので、ペリクルを貼り付けた後の露光工程において設計どおりのマスクパターンを安定して使用することができる。
【００３６】
このような形状のフォトマスクブランクス１０はあらかじめ形状を測定し、所定の形状のもののみを選び用いる事で実現できる。
また、このようなフォトマスクはあらかじめフォトマスク用基板を製造するときに形状を測定しておき、所定の形状となるための面内の研磨量をもとめておき、部分研磨や研磨荷重の調節によって所定の形状をつくることもできる。このようなフォトマスク用基板に主としてＣｒや金属シリサイドやこれに酸素、窒素を含んだ遮光膜や位相シフト膜、または両方を形成してフォトマスクブランクスを形成する。
【００３７】
なお、遮光膜や位相シフト膜は反射防止膜やエッチングストッパを有するなど、多層構造をしていてもよい。これら膜は一般には応力があり、フォトマスクを形成したときに残っている膜の量（被覆率）によって、膜によるフォトマスク用基板の変形量が変わるため、膜応力はなるべく小さい方が好ましい。特に０．３ＧＰａ以下とすると、フォトマスク用基板の変形量が抑えられ、このましい。膜応力が大きな膜を用いる必要があるときは被覆率をあらかじめ考慮することが好ましく、パターン形成した後のペリクル枠を貼るときのフォトマスクの形状が上記所定の形状をしていればよい。
【００３８】
さらに、ペリクルを形成したときのフォトマスクを露光機にチャックする時に所定の変形量以下となるようなフォトマスク形状を有していれば、露光機にチャックしても所定の平坦度を得ることができるため、好ましい。したがって、ペリクル３０を形成したフォトマスクが露光機にチャックしたときに所定の形状となるように、あらかじめフォトマスクブランクス１０、またはさらにブランクス膜１２の膜応力も考慮してフォトマスク用基板１１の形状をあらかじめ決めておけば、一層好ましい。
【００３９】
本発明によれば、ペリクル貼り付けによる歪みが効果的に防止されたフォトマスクブランクスが提供される。そして、このようなフォトマスクブランクスであれば、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを製造することができる。このようなフォトマスクであれば、ペリクルを貼り付けることによる平坦度及び形状の変化が小さいので、ペリクルを貼り付け後の露光工程において設計どおりのマスクパターンを安定して使用することができる。
【００４０】
なお、パターンルールが微細になるほどフォトマスクの変形による位置誤差が問題となる。本発明は、特にパターン線幅が６５ｎｍ以下で特に有効である。
本発明に係るフォトマスクブランクスから製造されたフォトマスクにおいて用いられる露光波長には特に制限はないが、露光波長が短い方が焦点深度が浅くなるため本発明が有効であり、２４８ｎｍ以下、特に１９３ｎｍ以下の露光波長に本発明は有効である。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の実施例および比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４２】
（実施例１）
まず、フォトマスクブランクス１０として、以下のものを準備した。すなわち、フォトマスク用基板１１が１５２ｍｍ角の合成石英基板であり、ブランクス膜１２は、ＭｏＳｉＯＮからなるハーフトーン膜（ＨＴ膜）を４６０オングストローム（Å）の厚さでフォトマスク用基板１１の表面全面にスパッタ装置により成膜されたものである。
なお、フォトマスクブランクス１０のペリクルを貼り付けようとする領域（ペリクル貼り付け領域）５２とその内側の面積は１００ｍｍ×１３２ｍｍである。
【００４３】
次に、ペリクル貼り付け前のフォトマスクブランクス１０の平坦度を、平坦度測定機としてＴｒｏｐｅｌ社製ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００Ｍを使用して測定した。
その結果、ペリクル３０を貼り付ける前のフォトマスクブランクス１０のペリクルを貼り付けようとする領域（ペリクル貼り付け領域）の内側の範囲５２の平坦度（ＴＴＶ）は０．１６μｍであり、フォトマスクブランクス１０の中心Ｏから点対称にある、ペリクル貼り付け領域５１内の任意の二点での高低差は０．１４μｍ以内であった（図３（ａ））。
【００４４】
次に、フォトマスクブランクス１０にペリクル３０を貼り付けた。このペリクル貼り付け後のフォトマスクブランクス１０の平坦度を、ペリクル貼り付け前と同様に測定した。
その結果、ペリクルを貼り付けた領域（ペリクル貼り付け領域）の内側の範囲５２での平坦度（ＴＴＶ）は０．１９μｍとほぼ変化しなかった（図３（ｂ））。また、フォトマスクブランクス１０の形状の変化もほとんど無かった。
【００４５】
（実施例２）
まず、実施例１と同様の寸法、ブランクス膜を有するフォトマスクブランクス１０を準備した。
【００４６】
次に、ペリクル貼り付け前のフォトマスクブランクス１０の平坦度を実施例１の場合と同様に測定した。
その結果、ペリクル貼り付け前のフォトマスクブランクス１０のペリクル貼り付け領域の内側の範囲５２の平坦度（ＴＴＶ）は０．２２μｍであり、フォトマスクブランクス１０の中心Ｏから同心円状の点での高さのバラツキがどの直径部分に対しても、ペリクル貼り付け領域５１内において０．１４μｍ以内であった（図４（ａ））。
【００４７】
次に、実施例１と同様のペリクル３０を貼り付け、ペリクル貼り付け後のフォトマスクブランクス１０の平坦度を実施例１の場合と同様に測定した。
その結果、ペリクル貼り付け領域の内側の範囲５２での平坦度（ＴＴＶ）は０．２１μｍとほぼ変化しなかった（図４（ｂ））。また、フォトマスクブランクス１０の形状の変化もほとんど無かった。
【００４８】
（比較例１）
まず、実施例１と同様の寸法、ブランクス膜を有するフォトマスクブランクス１０を準備した。
【００４９】
次に、ペリクル貼り付け前のフォトマスクブランクス１０の平坦度を実施例１の場合と同様に測定した。
その結果、ペリクル貼り付け前のフォトマスクブランクス１０のペリクル貼り付け領域の内側の範囲５２の平坦度（ＴＴＶ）は０．２５μｍであり、フォトマスクブランクス１０の中心Ｏから同心円状にある点での高さのバラツキがどの直径部分に対しても、ペリクル貼り付け領域５１内において０．２１μｍ以内であった（図５（ａ））。
【００５０】
次に、実施例１と同様のペリクル３０を貼り付け、ペリクル貼り付け後のフォトマスクブランクス１０の平坦度（ＴＴＶ）を実施例１の場合と同様に測定した。
その結果、ペリクル貼り付け領域の内側の範囲５２での平坦度は０．３９μｍと大きく変化し、フォトマスクブランクス１０の形状も変化した（図５（ｂ））。
【００５１】
実施例１及び２、比較例１の結果より、本発明のように、フォトマスクブランクスの平坦性を対称性に着目して所定の値の範囲とすることにより、ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクブランクスを製造することができることがわかる。
【００５２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係るフォトマスクブランクスが必要とする平坦度の分布を説明する概略図である。
【図２】フォトマスクブランクスとペリクル貼り付け領域の位置関係を説明する概略図であり、（ａ）はフォトマスクブランクスにペリクルを貼り付けた状態の断面図であり、（ｂ）はフォトマスクブランクスのブランクス膜表面をペリクル側から見た場合の概略図である。
【図３】実施例１において測定したフォトマスクブランクスの平坦度の分布を示す図であり、（ａ）、（ｂ）はそれぞれペリクル貼り付け前、ペリクル貼り付け後である。
【図４】実施例２において測定したフォトマスクブランクスの平坦度の分布を示す図であり、（ａ）、（ｂ）はそれぞれペリクル貼り付け前、ペリクル貼り付け後である。
【図５】比較例１において測定したフォトマスクブランクスの平坦度の分布を示す図であり、（ａ）、（ｂ）はそれぞれペリクル貼り付け前、ペリクル貼り付け後である。
【符号の説明】
【００５４】
１０…フォトマスクブランクス、  １１…フォトマスク用基板、
１２…ブランクス膜、
３０…ペリクル、  ３１…ペリクル枠、  ３２…ペリクル膜、
５１…ペリクル貼り付け領域、  ５２…ペリクル貼り付け領域の内側の範囲、
Ｏ…フォトマスクブランクスの中心、  Ｄ…対角線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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