(57)【要約】【課題】回路基板に蓋体板を接着することで中空の空洞部を形成する半導体パッケージにおいて、その信頼性向上を図る。【解決手段】半導体チップ５を搭載する搭載面３ａ上に立設された環状の周壁部１７を有する回路基板３と、周壁部１７の上端面１７ａに固定されることで回路基板３と共に半導体チップ５を含む空洞部を形成する導電性の蓋体板９とを備え、前記上端面１７ａには、蓋体板９を回路基板３の接地用配線部に電気接続するための接続突起部３１が突出して形成されている。接続突起部３１は、蓋体板９の厚さ方向に貫通して形成された挿入孔４３に挿入されると共に挿入孔４３に接着され、蓋体板９は、非導電性接着剤５１によって回路基板に固定される。そして、接続突起部３１よりも前記上端面１７ａの内縁側において、非導電性接着剤５１を前記上端面１７ａの周方向にわたって環状に塗布する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、これを搭載する搭載面及び前記半導体チップを囲むように前記搭載面上に立設された環状の周壁部を有する回路基板と、環状に形成された前記周壁部の上端面に固定されることで前記回路基板共に中空の空洞部を形成する導電性の蓋体板とを備え、
前記上端面には、前記蓋体板を前記回路基板の接地用配線部に電気接続するための接続突起部が突出して形成され、
当該接続突起部は、前記蓋体板にその厚さ方向に貫通して形成された挿入孔に挿入されると共に当該挿入孔に接着され、
前記蓋体板は、非導電性接着剤によって前記回路基板に固定され、
前記非導電性接着剤が、少なくとも前記接続突起部よりも前記上端面の内縁側において前記上端面の周方向にわたって環状に形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記接続突起部が、半田からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体パッケージを製造する製造方法であって、
前記半導体チップを前記搭載面に固定すると共に前記回路基板に電気接続するチップ搭載工程と、
前記接続突起部を前記挿入孔に挿入するように前記蓋体板を前記周壁部の上端面に配置して、前記非導電性接着剤により前記蓋体板を前記回路基板に固定する蓋体固定工程と、
当該蓋体固定工程後に、前記接続突起部を前記挿入孔に接着して前記接続突起部と前記蓋体板とを電気接続する蓋体接続工程とを備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、中空の空洞部内に半導体チップを設けた半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体パッケージには、例えば特許文献１のように、回路基板と、回路基板の搭載面に固定された半導体チップ（トランスデューサ部）と、回路基板の搭載面を覆って回路基板と共に半導体チップを含む中空の空洞部を形成する蓋体板（カバー）とを備えたものがある。この蓋体板には、半導体チップに対する電磁気的なシールド効果を得るための導電層が形成されており、導電層は回路基板の搭載面に形成される配線部と電気接続されるようになっている。この蓋体板と回路基板とは、導電層と配線部とを導電性接着剤によって接着することで固定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００４−５３７１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、この種の半導体パッケージにおいては、空洞部の気密性を確保する必要がある。例えば、半導体チップが外部の音響を検出するマイクロフォンチップ等からなる場合には、蓋体板に空洞部を外方に連通させる音響孔を形成し、この音響孔を介して空洞部内に伝播する音響を検出するが、回路基板と蓋体板との間に隙間があると、音響を正しく検出することができない。
そして、上記従来の半導体パッケージにおいて空洞部の気密性を確保するためには、導電性接着剤の量を増加させて回路基板と蓋体板との隙間を埋める必要がある。しかしながら、この場合には、余分な導電性接着剤が空洞部内に入り込み、回路基板の複数の内部端子等に接触することで、半導体パッケージの電気回路が短絡する虞がある。
【０００５】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、半導体チップに対するシールド効果を確保できると共に、空洞部の気密性を確保しながら半導体パッケージの電気回路が短絡することを防止できる半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の半導体パッケージは、半導体チップと、これを搭載する搭載面及び前記半導体チップを囲むように前記搭載面上に立設された環状の周壁部を有する回路基板と、環状に形成された前記周壁部の上端面に固定されることで前記回路基板共に中空の空洞部を形成する導電性の蓋体板とを備え、前記上端面には、前記蓋体板を前記回路基板の接地用配線部に電気接続するための接続突起部が突出して形成され、当該接続突起部は、前記蓋体板にその厚さ方向に貫通して形成された挿入孔に挿入されると共に当該挿入孔に接着され、前記蓋体板は、非導電性接着剤によって前記回路基板に固定され、前記非導電性接着剤が、少なくとも前記接続突起部よりも前記上端面の内縁側において前記上端面の周方向にわたって環状に形成されていることを特徴とする。
【０００７】
この発明に係る半導体パッケージにおいては、半導体チップを覆う導電性の蓋体板が挿入孔及び接続突起部を介して回路基板の接地用配線部に電気接続されているため、蓋体板は半導体チップに対する電磁気的なシールド効果を発揮することができる。すなわち、半導体パッケージを実装する実装基板のグランドパターンに接地用配線部を電気接続することで、半導体パッケージ外部において発生した電磁気的なノイズが、蓋体板を介して空洞部内に侵入すること防いで半導体チップに到達することを防止できる。
【０００８】
また、回路基板の上端面と蓋体板との隙間は、導電性接着剤よりも接着力の高い非導電性接着剤の塗布量を増加等することで埋めることができ、これによって空洞部の気密性を向上させることができる。そして、非導電性接着剤の増加によって余分な非導電性接着剤が空洞部内に入り込んだとしても、空洞部内に露出する半導体パッケージの電気回路が短絡することはない。
さらに、接続突起部と挿入孔とを別途の導電性接着剤によって接着する場合、この導電性接着剤は非導電性接着剤よりも周壁部上端面の外縁側に位置するため、非導電性接着剤によって導電性接着剤が空洞部内に入り込むことを防止でき、空洞部内に露出する半導体パッケージの電気回路が短絡することを防止できる。
【０００９】
また、前記半導体パッケージにおいては、前記接続突起部が半田からなることが好ましい。
この場合には、挿入孔内に配された接続突起部を溶かすことで、挿入孔に対して電気接続状態で接着することができる。このため、別途に導電性接着剤を挿入孔に流し込む必要がなくなり、回路基板と蓋体板との電気接続を容易に行うことができる。
【００１０】
そして、本発明の半導体パッケージの製造方法は、前記半導体パッケージを製造する方法であって、請求項１又は請求項２に記載の半導体パッケージを製造する製造方法であって、前記半導体チップを前記搭載面に固定すると共に前記回路基板に電気接続するチップ搭載工程と、前記接続突起部を前記挿入孔に挿入するように前記蓋体板を前記周壁部の上端面に配置して、前記非導電性接着剤により前記蓋体板を前記回路基板に固定する蓋体固定工程と、当該蓋体固定工程後に、前記接続突起部を前記挿入孔に接着して前記接続突起部と前記蓋体板とを電気接続する蓋体接続工程とを備えることを特徴とする。
【００１１】
上記製造方法によれば、蓋体固定工程において蓋体板を回路基板上に配置する際に接続突起部を蓋体板の挿入孔に挿入するため、回路基板に対する蓋体板の位置決めを容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体チップに対するシールド効果を確保することができる。
また、本発明によれば、空洞部の気密性を確保しながら、半導体パッケージの電気回路が短絡することを防止できる。したがって、信頼性の高い半導体パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体パッケージを回路基板の搭載面側から見た状態を示す概略平面図している。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図４】図１〜３の半導体パッケージの要部を示す拡大断面図である。
【図５】図４に示す接続突起部の変形例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図１から図４を参照して本発明の一実施形態に係る半導体パッケージについて説明する。図１〜３に示すように、この実施形態に係る半導体パッケージ１は、平面視矩形の箱型に形成された回路基板３と、回路基板３の搭載面３ａに搭載されたマイクロフォンチップ（半導体チップ）５及びＬＳＩチップ７と、搭載面３ａの上方を覆って回路基板３と共にマイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７を含む中空の空洞部Ｓを形成する平板状の蓋体板９とを備え、所謂マイクロフォンパッケージを構成している。
【００１５】
マイクロフォンチップ５は、厚さ方向に貫通する内孔１１ａを形成してなる支持部１１と、支持部１１の内孔１１ａを覆うように設けられて音響等の圧力変動を振動により検出する音響検出部１３とを備えている。音響検出部１３は、支持部１１の内孔１１ａを覆うように設けられた略板状の固定電極と、固定電極と内孔１１ａの貫通方向に所定の間隔をもって対向配置されて圧力変動に応じて振動するダイヤフラムとを備えている。
ＬＳＩチップ７は、マイクロフォンチップ５を駆動制御する役割を果たすものであり、例えばマイクロフォンチップ５からの電気信号を増幅するための増幅回路や、前記電気信号をデジタル信号として処理するためのＡ／Ｄ変換器、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）等を含んで構成されている。
【００１６】
回路基板３は、マイクロフォンチップ５から出力される電気信号を中継するものであり、例えばセラミック多層配線基板等の所謂多層配線基板からなる。この回路基板３は、平面視矩形板状に形成されて搭載面３ａを有する底壁部１５と、マイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７を囲繞するように搭載面３ａから突出する平面視矩形環状の周壁部１７とを備えている。
また、搭載面３ａのうちマイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７が配置されていない領域には、搭載面３ａよりも高い位置に面（上面１９ａ）を有する段差部１９が、例えばマイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７の配列方向にわたって形成されている。この段差部１９は、周壁部１７の内面に一体に形成されている。そして、段差部１９の上面１９ａは周壁部１７の上端面１７ａよりも低く位置し、底壁部１５の搭載面３ａと周壁部１７の上端面１７ａとの間が階段状に形成されている。
【００１７】
段差部１９の上面１９ａには、ＬＳＩチップに電気接続される内部端子２１が複数（図示例では４つ）形成されている。なお、図示例において、複数の内部端子２１は、それぞれ電源用内部端子、出力信号用内部端子、ゲインコントロール用内部端子及びグランド接続用内部端子の役割を果たすようになっている。
一方、搭載面３ａの反対側に向く底壁部１５の裏面３ｂには、半導体パッケージ１を実装する実装基板に電気接続するための外部端子２３が複数（図示例では４つ）形成されている。なお、図示例において、複数の外部端子２３は、前述した電源用内部端子、出力信号用内部端子、ゲインコントロール用内部端子及びグランド用内部端子にそれぞれ対応する電源用外部端子、出力信号用外部端子、ゲインコントロール用外部端子及びグランド用外部端子２３Ａをなしており、回路基板３の内部配線を介して各内部端子２１に個別に電気接続されている。
【００１８】
また、底壁部１５の内部には、導電性のシールド板部２５が設けられている。シールド板部２５は、搭載面３ａと略平行に配されており、周壁部１７よりも内側に位置する回路基板３の搭載面３ａ全体の下方を覆うように形成されている。また、シールド板部２５は、周壁部１７の下方に位置する底壁部１５の各角部まで延びるように形成されている。
そして、シールド板部２５は、底壁部１５内に形成された導電性のスルーホール２７を介してグランド用外部端子２３Ａに電気接続されている。なお、図示例において、スルーホール２７は、周壁部１７の下方に位置する底壁部１５の角部に形成されているが、シールド板部２５とグランド用外部端子２３Ａとが回路基板３の厚さ方向に重なる位置に形成されていればよく、例えば周壁部１７よりも内側に形成されてもよい。
【００１９】
周壁部１７には、その厚さ方向に貫通するように延びる導電性のスルーホール２９が複数（図示例では４つ）形成され、周壁部１７の各角部に配されている。各スルーホール２９の下端は底壁部１５内まで突出しており、シールド板部２５に電気接続されている。すなわち、これら複数のスルーホール２９は、底壁部１５のシールド板部２５やスルーホール２７、グランド用外部端子２３Ａと共に回路基板３の接地用配線部２０を構成している。一方、各スルーホール２９の上端は周壁部１７の上端面１７ａから突出しており、この突出部分は、蓋体板９と電気接続するための接続突起部３１として形成されている。
【００２０】
なお、上記構成の回路基板３が例えばセラミック多層配線基板からなる場合には、内部端子２１、外部端子２３、シールド板部２５、スルーホール２７，２９等の導電部を導電性ペーストにより形成したセラミックシートを複数積層することで製造することができる。なお、周壁部１７は平面視矩形環状に形成されたセラミックシートを積層することで構成することができる。
そして、上記構成の回路基板３の搭載面３ａに不図示のダイボンド材を介して搭載されたマイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７は、複数の第１ボンディングワイヤ３５によって相互に電気接続されている。また、ＬＳＩチップ７は、複数の第２ボンディングワイヤ３７を介して段差部１９上の複数の内部端子２１に電気接続されている。
【００２１】
蓋体板９は、銅材等の導電性板材からなり、回路基板３の平面視形状に対応する矩形状に形成されている。そして、蓋体板９は、周壁部１７の上端面１７ａに固定されることで回路基板３上方の開口を塞ぎ、回路基板３と共に中空の空洞部Ｓを形成する。
この蓋体板９には、その厚さ方向に貫通する音響孔４１及び複数（図示例では４つ）の挿入孔４３が形成されている。音響孔４１は、蓋体板９を周壁部１７の上端面１７ａに配した状態で周壁部１７の内側に位置し、空洞部Ｓを外方に連通させる役割を果たしている。なお、図示例において、音響孔４１はＬＳＩチップ７の上方に配置されているが、少なくともマイクロフォンチップ５に対向しないように配置されることが好ましい。
【００２２】
各挿入孔４３は、蓋体板９を周壁部１７の上端面１７ａに配した状態で接続突起部３１を挿入するように、平面視で蓋体板９の各角部に形成されている。挿入孔４３の内径は、図４に示すように、接続突起部３１の外周面との間に隙間が形成されるように、接続突起部３１の外径よりも大きく設定されている。また、接続突起部３１の突出高さは蓋体板９の厚さ寸法よりも低く設定されている。このため、蓋体板９を周壁部１７の上端面１７ａに配した状態では、接続突起部３１の先端がこの挿入孔４３内に位置している。
【００２３】
上記構成の蓋体板９は、エポキシ系樹脂接着剤等の非導電性接着剤５１によって周壁部１７の上端面１７ａに固定されている。この非導電性接着剤５１は、周壁部１７の上端面１７ａにおいて接続突起部３１の形成位置よりも上端面１７ａの内縁側において上端面１７ａの周方向にわたって環状に形成されている。
また、接続突起部３１は挿入孔４３に挿入された状態において、挿入孔４３内に充填された導電性接着剤５３によって挿入孔４３に接着されている。これにより、蓋体板９が回路基板３の接地用配線部２０に電気接続されることになる。
【００２４】
以上のように構成される半導体パッケージ１の製造方法について説明する。
半導体パッケージ１を製造する際には、はじめに、回路基板３の搭載面３ａにマイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７を不図示のダイボンド材により固定する。また、ＬＳＩチップ７と回路基板３の内部端子２１との間、及び、マイクロフォンチップ５とＬＳＩチップ７との間にそれぞれボンディングワイヤ３５，３７を配して、マイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７を回路基板３に電気接続する（チップ搭載工程）。
【００２５】
次いで、別途製作しておいた蓋体板９を周壁部１７の上端面１７ａに配して、非導電性接着剤５１により蓋体板９を回路基板３に固定する（蓋体固定行程）。この工程においては、蓋体板９を配置する前に、接続突起部３１よりも周壁部１７の上端面１７ａの内縁側において上端面１７ａの周方向にわたって非導電性接着剤５１を環状に塗布しておく。そして、複数の接続突起部３１が各挿入孔４３に挿入されるように、蓋体板９を周壁部１７の上端面１７ａに配置すればよい。なお、非導電性接着剤５１は、周壁部１７の上端面１７ａに塗布されることに限らず、少なくとも周壁部１７の上端面１７ａのうち接続突起部３１よりも内縁側に形成されれば、例えば蓋体板９に塗布されてもよい。
その後、導電性接着剤５３により接続突起部３１を挿入孔４３に接着して接続突起部３１と蓋体板９とを電気接続する（蓋体接続工程）ことで、半導体パッケージ１の製造が完了する。なお、この蓋体固定行程においては、挿入孔４３内に導電性接着剤５３を流し込めばよいが、接続突起部３１は挿入孔４３よりも小さく形成されているため、導電性接着剤５３を挿入孔４３内に保持することができる。
【００２６】
以上のように製造された半導体パッケージ１は、回路基板３の外部端子２３にそれぞれ半田付けされる複数のランドを有する実装基板（不図示）に実装することができる。なお、グランド用外部端子２３Ａに電気接続されるランドは実装基板のグランドパターンをなしている。
このように半導体パッケージ１を実装基板に実装した状態では、マイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７が実装基板に電気接続されることになる。また、シールド板部２５及びこれに電気接続された蓋体板９が実装基板を介して接地状態となるため、半導体パッケージ１の外部において生じた電磁気的なノイズがシールド板部２５や蓋体板９を介してマイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７に到達することを抑制できる。すなわち、マイクロフォンチップ５及びＬＳＩチップ７に対する電磁気的なシールド効果を得ることができる。
【００２７】
そして、上記半導体パッケージ１において、回路基板３の上端面１７ａと蓋体板９との隙間は、導電性接着剤よりも接着力の高い非導電性接着剤５１の塗布量を増加等することで確実に埋めることができ、これによって空洞部Ｓの気密性を向上させることができる。また、非導電性接着剤５１の増加によって余分な非導電性接着剤５１が空洞部Ｓ内に入り込んだとしても、空洞部Ｓ内に露出する半導体パッケージ１の電気回路が短絡することはない。
さらに、接続突起部３１と挿入孔４３とを導電性接着剤５３によって接着しても、この導電性接着剤５３は非導電性接着剤５１よりも周壁部１７の上端面１７ａの外縁側に位置するため、非導電性接着剤５１によって導電性接着剤５３が空洞部Ｓ内に入り込むことを防止でき、空洞部Ｓ内に露出する内部端子２１、ボンディングワイヤ３５，３７等からなる半導体パッケージ１の電気回路が短絡することを防止できる。
以上のことから、信頼性の高い半導体パッケージ１を提供することができる。
【００２８】
また、上記半導体パッケージ１の製造方法によれば、蓋体固定工程において蓋体板９を回路基板３上に配置する際に接続突起部３１を蓋体板９の挿入孔４３に挿入するため、回路基板３に対する蓋体板９の位置決めを容易に行うことができる。
【００２９】
なお、上記実施形態において、周壁部１７内に形成された各スルーホール２９及びこれに一体に形成された接続突起部３１は、周壁部１７の各角部に配されるとしたが、少なくとも非導電性接着剤５１の塗布領域よりも周壁部１７の内縁側から離間した位置に配されていればよく、例えば周壁部１７の各辺の中途部等に配されていてもよい。
この場合、シールド板部２５も各スルーホール２９と回路基板３の厚さ方向に重なるように、周壁部１７の各辺の下方まで延びて形成されていればよい。また、蓋体板９の挿入孔４３は、接続突起部３１の配置に対応する位置に形成されていればよい。
【００３０】
また、回路基板３の接続突起部３１及び蓋体板９の挿入孔４３は、４つずつ形成されるとしたが、蓋体固定工程における回路基板３に対する蓋体板９の位置決めを考慮する場合には、少なくとも互いに対応するように２つずつ形成されていればよい。
そして、上端面１７ａの面方向に多数連ねて形成された回路基板３に対して、面方向に多数連ねて形成された蓋体板９を一括して取り付ける場合には、接続突起部３１及び挿入孔４３が１つの回路基板３及び蓋体板９につき１つずつ形成されていても、各回路基板３に対する各蓋体板９の位置決めを容易に行うことができる。
【００３１】
また、接続突起部３１は、導電性ペーストによってスルーホール２９に一体に形成されるとしたが、例えば半田によって形成されていてもよい。この場合には、例えば図５に示すように、周壁部１７の上端面１７ａに表出するスルーホール２９にめっきを施し、このめっき上に半田からなる接続突起部３２を形成すればよい。なお、この構成でも、上記実施形態と同様に、接続突起部３２が挿入孔４３に挿入されるように挿入孔４３の孔径よりも小さく形成されていることが好ましく、これにより、蓋体固定工程において非導電性接着剤５１によって蓋体板９を回路基板３に固定した後に、蓋体接続工程において接続突起部３２を溶かして挿入孔４３に接着することができる。また、接続突起部３１と挿入孔４３の内面との間に隙間があっても、接続突起部３１を溶かす際に半導体パッケージを傾ける等することで、接続突起部３１を挿入孔４３の内面に対して確実に接着することができる。
【００３２】
上記構成によれば、挿入孔４３内に配された接続突起部３１を溶かすことで、挿入孔４３に対して電気接続状態で接着することができるため、上記実施形態のように別途に導電性接着剤５３を挿入孔４３に流し込む必要がなくなる。したがって、回路基板３と蓋体板９との電気接続を容易に行うことができる。
なお、半田からなる接続突起部３２は、例えば挿入孔４３と同等以上の容積を有するように、蓋体板９の厚さ以上の突出高さを有していてもよい。この場合には、接続突起部３２を溶かす際に半導体パッケージを傾けなくても、接続突起部３２を挿入孔４３に対して確実に接着することができる。
【００３３】
また、接続突起部３１，３２の突出高さは、蓋体板９の厚さ寸法よりも小さく設定されることに限らず、例えば蓋体板９の厚さ寸法以上に設定されてもよい。この場合には、蓋体板９を周壁部１７の上端面１７ａに配した状態で、接続突起部３１，３２の先端が蓋体板９の上方に突出する。ただし、挿入孔４３内に導電性接着剤５３を容易に流し込むことができるように、また、半導体パッケージ１の高さ寸法を低く抑えるためには、接続突起部３１，３２の突出高さを少なくとも蓋体板９の厚さ寸法以下に設定することがより好ましい。
【００３４】
さらに、シールド板部２５は、周壁部１７よりも内側に位置する回路基板３の搭載面３ａの下方を覆うように形成されるとしたが、少なくともマイクロフォンチップ５に対する電磁気的なシールド効果が得られるように、マイクロフォンチップ５の下方を覆うように形成されていればよい。したがって、シールド板部２５は、例えば平面視で周壁部１７及び段差部１９によって囲まれた搭載面３ａの下方を覆うように形成されてもよい。
また、内部端子２１は、段差部１９の上面１９ａに露出して形成されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、段差部１９を形成せずに底壁部１５の搭載面３ａに直接露出して形成されてもよい。すなわち、回路基板３は、段差部１９を備えずに底壁部１５及び周壁部１７のみによって構成されていてもよい。
【００３５】
また、非導電性接着剤５１は、周壁部１７の上端面１７ａや蓋体板９に塗布するものに限らず、例えば周壁部１７の上端面１７ａや蓋体板９に貼付されるフィルム状のものであってものでもよい。フィルム状の非導電性接着剤５１は、上記実施形態と同様に接続突起部３１，３２や挿入孔４３よりも周壁部１７の上端面１７ａの内縁側において環状に形成されていれば、例えば蓋体板９の挿入孔４３も覆うように蓋体板９に貼り付けておいてもよい。この場合には、蓋体板９を周壁部１７の上端面１７ａに配置する際に挿入孔４３上に位置する非導電性接着剤５１のフィルム部分を接続突起部３１，３２によって破ることができる。
さらに、回路基板３及び蓋体板９の平面視形状は、矩形状に形成されることに限らず、任意の形状に形成されていてよく、例えば円形状や多角形状に形成されても構わない。
【００３６】
また、回路基板３は、多層配線基板によって構成されることに限らず、少なくともマイクロフォンチップ５を搭載する搭載面、マイクロフォンチップ５を囲むように搭載面上に立設された周壁部、及び、その上端面から突出して回路基板の接地用配線部に電気接続される接続突起部を備えていればよく、例えばリードフレームを樹脂封止したモールド基板によって構成されてもよい。すなわち、底壁部及び周壁部は樹脂により形成することが可能であり、また、接地用配線部は導電性のリードフレームに備えるリードやシールド板部によって形成することが可能である。さらに、接続突起部は、接地用配線部をなすリードによって構成されてもよいし、前述したように半田によって構成されてもよい。
さらに、上記実施形態においては、マイクロフォンチップ５を備える構成について述べたが、本発明は、加速度センサチップ等のように可動部を有する半導体チップを備えた半導体パッケージにも同様に適用することができる。なお、加速度センサチップ等を設ける場合には、蓋体板９に音響孔４を形成せずに空洞部Ｓを外方に対して密閉させても構わない。
【００３７】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【符号の説明】
【００３８】
１…半導体パッケージ、３…回路基板、３ａ…搭載面、５…マイクロフォンチップ（半導体チップ）、９…蓋体板、１７…周壁部、１７ａ…上端面、２０…接地用配線部、３１，３２…接続突起部、４３…挿入孔、５１…非導電性接着剤、Ｓ…空洞部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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