(57)【要約】【課題】同軸コネクタと平面線路、特に裏面グランド付コプレーナ線路の接続面での伝播モード不連続のギャップを軽減させる。【解決手段】同軸線路部１１０の内導体１１１の先端部に、内導体１１１とは断面形状が異なる内導体先端部１２１Ａを形成することで、同軸線路部１１０と裏面グランド付コプレーナ線路２００との間のモード変換を内導体先端部１２１Ａにおいて段階的に変化させる。また、伝搬モード変換部１２０における外導体１２２および内導体先端部１２１Ａと、裏面グランド付コプレーナ線路２００の中心導体２０３および表面グランド２０２と、同軸線路部１１０における外導体１１２と内導体１１１とで、特性インピーダンスが同一となるように内部誘電体層１１３、１２２を形成し、同軸コネクタ１００および裏面グランド付コプレーナ線路２００のインピーダンス整合をとる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内導体と
前記内導体の先端部に接続され、前記内導体とは異なる断面形状を有する内導体先端部と
前記内導体先端部および前記内導体の外周側に設けられた外導体と、
前記内導体先端部の長さ方向の一部および前記内導体と前記外導体との間に設けられた誘電体と、
を備えることを特徴とする同軸コネクタ。
【請求項２】
前記内導体先端部と前記外導体とのインピーダンスが、前記内導体と前記外導体とのインピーダンスに一致するよう、前記誘電体が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の同軸コネクタ。
【請求項３】
前記内導体先端部と前記外導体との間に設けられた前記誘電体は、前記内導体と前記外導体との間に設けられた前記誘電体よりも誘電率が高いことを特徴とする請求項２に記載の同軸コネクタ。
【請求項４】
前記内導体先端部と前記外導体との間における前記誘電体の厚さが、前記内導体と前記外導体との間における前記誘電体の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の同軸コネクタ。
【請求項５】
前記内導体先端部は、電界分布が、接続対象となる平面線路に対向する側で密度が低く、前記平面線路の表面に平行な方向に結合を強くさせるように形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の同軸コネクタ。
【請求項６】
前記内導体先端部は、前記内導体の軸方向と直交する方向に電界を集中させるべく、その断面形状が設定されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の同軸コネクタ。
【請求項７】
前記内導体先端部は、接続対象となる平面線路に対向する側が凸となり、前記平面線路から離間した側が平面となる断面視半円状であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の同軸コネクタ。
【請求項８】
前記内導体先端部は、接続対象となる平面線路の表面に直交する方向の厚さが、前記内導体の半径未満とされていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の同軸コネクタ。
【請求項９】
前記内導体先端部は、接続対象となる平面線路に対向する側と、前記平面線路から離間した側とがそれぞれ平面により形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の同軸コネクタ。
【請求項１０】
前記内導体から前記内導体先端部に向けて、その断面積が漸次縮小するテーパ形状とされていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の同軸コネクタ。
【請求項１１】
前記内導体先端部は、前記外導体内部における軸線方向の長さが、当該同軸コネクタで伝搬される信号の実行波長λに対し、λ／１０以上であることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の同軸コネクタ。
【請求項１２】
同軸線路と平面線路とが線路変換部を介して接続され、
前記線路変換部は、
前記同軸線路の先端部に接続され、前記内導体とは異なる断面形状を有する内導体先端部と
前記内導体先端部の外周側に設けられた外導体と、
前記外導体と前記内導体先端部との間に設けられた誘電体と、を備え、
前記誘電体は、前記外導体と前記内導体先端部とのインピーダンスが、前記同軸線路のインピーダンスと一致するよう設けられていることを特徴とする同軸コネクタ・平面線路接続構造。
【請求項１３】
前記内導体先端部が、前記同軸線路の端部に設けられた同軸コネクタから突出し、前記平面線路の導体上に添接されていることを特徴とする請求項１２に記載の同軸コネクタ・平面線路接続構造。
【請求項１４】
前記内導体先端部は、前記同軸線路の前記内導体の軸方向と直交する方向に電界を集中させるべく、その断面形状が設定されていることを特徴とする請求項１２または１３に記載の同軸コネクタ・平面線路接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は同軸線路に関し、特に同軸線路と平面線路との平行接続に用いる同軸コネクタおよび同軸コネクタ・平面線路接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯およびミリ波帯における高周波信号の伝送線路として、同軸線路や平面線路が広く使用されている。同軸線路と平面線路とは導電性材料により相互に接続される。
【０００３】
その際、同軸線路とマイクロストリップ線路等の平面線路との接続箇所では伝播モードが一致せず、不所望な反射が生じるという問題があった。同軸線路内の電界は、中心導体から外部導体の全周へ向かう全方位分布を有している。これに対し、マイクロストリップ線路内の電界はストリップ導体から接地導体へ向かって下方へ分布している。そのため、両者の接合部にて電界分布が不連続となり、これに起因して不所望な反射が生じ、変換損失が生じてしまうのである。
【０００４】
特許文献１及び２は、伝播モード変換に係る発明を開示している。
特許文献１記載の同軸マイクロストリップ変換コネクタ構造は、平面線路との接続面に近づくにつれて、同軸線路の誘電体層をＶ字の形状から、下部を半円とした形状に変化させている。これによって、電界分布を下部に集中させ、マイクロストリップ線路と近似させる。その結果、同軸コネクタとマイクロストリップ線路の伝播モードを一致させて不連続を解消する構造である。
また、特許文献２記載の同軸マイクロストリップ変換器は、同軸コネクタの内導体の中心軸に対して、挿入孔を上部にずらした偏心孔を有している。これによって同軸コネクタの電界分布を下部に集中させ、マイクロストリップ線路と近似させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２３５６１３号公報
【特許文献２】特開２００５−２３６６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
現在、高周波の平面線路としては低分散特性や低放射損失である裏面グランド付コプレーナ線路が一般的に用いられている。上記の特許文献１及び２に記載の発明は、同軸コネクタ―マイクロストリップ線路変換に特化したものであり、電界分布が同軸コネクタ下部に集中している。そのためコプレーナ線路のように、断面で見た電界分布が表面グラウンド間に集中的に分布している構造では変換損失が発生する。
そこでなされた本発明の目的は、同軸コネクタと平面線路、特に裏面グランド付コプレーナ線路の接続面での伝播モード不連続のギャップを軽減させることのできる同軸コネクタ、同軸コネクタ・平面線路接続構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる目的のもと、本発明の同軸コネクタは、内導体と、内導体の先端部に接続され、内導体とは異なる断面形状を有する内導体先端部と、内導体先端部および内導体の外周側に設けられた外導体と、内導体先端部の長さ方向の一部および内導体と外導体との間に設けられた誘電体と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、同軸線路と平面線路とが線路変換部を介して接続され、線路変換部は、同軸線路の先端部に接続され、内導体とは異なる断面形状を有する内導体先端部と、内導体先端部の外周側に設けられた外導体と、外導体と内導体先端部との間に設けられた誘電体と、を備え、誘電体は、外導体と内導体先端部とのインピーダンスが、同軸線路のインピーダンスと一致するよう設けられていることを特徴とする同軸コネクタ・平面線路接続構造とすることもできる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、外導体内部に、同軸線路の内導体とは断面形状が異なる内導体先端部を配置することにより、内導体先端部の所定の平面方向において電界密度が高い電界分布を有する同軸コネクタを構成することができる。
このような同軸コネクタと平面線路、特に裏面グランド付コプレーナ線路と接続すると、同軸線路における電界分布と、裏面グランド付コプレーナ線路の電界分布との間のモード変換が段階的に変化し、変換損失が減少する。
これにより、伝播モード不連続のギャップを軽減させ、周波数特性を良好にしてより高周波での適用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態における同軸コネクタおよび裏面グランド付コプレーナ線路の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における同軸コネクタおよび裏面グランド付コプレーナ線路の平面図および側面図である。
【図３】内導体および内導体先端部を示す斜視図である。
【図４】同軸線路および裏面グランド付コプレーナ線路の断面電界分布を示す図である。
【図５】従来の同軸コネクタおよび裏面グランド付コプレーナ線路を示す側面図および斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に示した構成と、従来の構成における、入力反射特性の電磁界解析結果を示す図である。
【図７】本発明の第２〜第４の実施形態における内導体および内導体先端部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明による同軸線路を実施するための最良の形態を説明する。しかし、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１および図２は本発明の第一の実施形態である同軸線路―裏面グランド付コプレーナ線路変換部を示す模式図であり、図１は同軸コネクタと裏面グランド付コプレーナ線路接続前の斜面図、図２は接続後の側面図と平面図である。
図１および図２に示すように、本発明の第一の実施形態である同軸線路―裏面グランド付コプレーナ基板線路変換構造は、同軸コネクタ１００と、裏面グランド付コプレーナ線路２００とが接続されることで構成されている。
【００１３】
裏面グランド付コプレーナ線路２００は、平面状の誘電体層２０１の一面側に中心導体２０３および表面グランド２０２が設けられ、他面側に裏面グランド２０４が設けられている。これら中心導体２０３、表面グランド２０２、裏面グランド２０４は、いずれも導体から形成されている。
【００１４】
誘電体層２０１の一面側において、中心導体２０３、表面グランド２０２は、それぞれ、裏面グランド付コプレーナ線路２００における信号の伝搬方向に連続して形成されている。中心導体２０３は、裏面グランド付コプレーナ線路２００の幅方向の中心部に配置されている。表面グランド２０２は、中心導体２０３の幅方向両側に一定の間隙を隔てて配置されている。ここで、中心導体２０３と表面グランド２０２との間隙は特性インピーダンスが所定値Ｚ、例えば５０Ωとなるように調整されている。
裏面グランド２０４は、誘電体層２０１の他面側において、その全面を覆うように形成されている。
【００１５】
そして、これら表面グランド２０２と、裏面グランド２０４とは、伝搬方向に間隔を隔てて多数が配列された、誘電体層２０１を貫通する貫通ビア２０５により互いに導通している。
【００１６】
同軸コネクタ１００は、同軸線路部１１０と、伝搬モード変換部１２０と、を備える。
同軸線路部１１０は、断面円形の内導体１１１と、内導体１１１の外周側に間隔を隔てて配置された外導体１１２と、外導体１１２と内導体１１１とのインピーダンスを整合するため外導体１１２と内導体１１１との間に設けられた内部誘電体層１１３と、を備える。内導体１１１および外導体１１２は、導電性材料により形成されている。
【００１７】
伝搬モード変換部１２０は、同軸線路部１１０の先端部に、内導体１１１に連続して内導体１１１と同材料で設けられた内導体先端部１２１Ａと、内導体先端部１２１Ａの外周側に設けられた外導体１２２および基板実装用突出部１２４と、を備える。
【００１８】
内導体先端部１２１Ａは、同軸線路部１１０の内導体１１１に連続して形成され、内導体１１１とは異なる断面形状とされている。
内導体先端部１２１Ａは、少なくともその長さ方向の一部を、ブロック状とされたコネクタ本体１０１の端面Ｘから突出させ、同軸コネクタ１００を裏面グランド付コプレーナ線路２００に接続したときに、裏面グランド付コプレーナ線路２００の中心導体２０３上に平行に実装される。
図３に示すように、内導体先端部１２１Ａは、本実施形態では、前記の伝搬方向に直交する方向の断面形状が略半円形状とされている。ここで、略半円形状の断面の内導体先端部１２１Ａは、裏面グランド付コプレーナ線路２００の中心導体２０３に対向する側が円弧面１２１ａとされ、中心導体２０３から離間する側が、中心導体２０３の表面にほぼ平行な平面１２１ｂとされている。
内導体先端部１２１Ａのコネクタ内部の長さ、つまりコネクタ本体１０１の端面Ｘから内導体先端部１２１Ａと内導体１１１との切り換え位置Ｗまでの寸法は、同軸コネクタ１００および裏面グランド付コプレーナ線路２００で伝搬する信号の実行波長λに対し、λ／１０以上の長さを有するものとするのが好ましい。これは、内導体先端部１２１Ａにおいてモード変換を行うには、λ／１０以上の線路長を要するためである。
【００１９】
また、内導体先端部１２１Ａにおいて、内導体先端部１２１Ａと内導体１１１との切り換え位置Ｗからコネクタ本体１０１の端面Ｘまでの部分、つまり内導体先端部１２１Ａがコネクタ本体１０１内に位置する部分においては、内導体先端部１２１Ａの外周部に、外導体１２２が同軸線路部１１０の外導体１１２に連続して形成され、外導体１２２と内導体先端部１２１Ａとの間には、同軸線路部１１０の内部誘電体層１１３に連続して内部誘電体層１２３が設けられている。
【００２０】
内導体先端部１２１Ａがコネクタ本体１０１内に位置する部分においては、外導体１２２と内導体先端部１２１Ａによる特性インピーダンスが、裏面グランド付コプレーナ線路２００の中心導体２０３と表面グランド２０２における特性インピーダンスと同じ値Ｚ、例えば５０Ωとなるよう、外導体１２２と内導体先端部１２１Ａの外径／内径比、言い換えれば内部誘電体層１２３の厚さが調整されている。
また、同軸線路部１１０において、外導体１１２と内導体１１１による特性インピーダンスも、裏面グランド付コプレーナ線路２００の中心導体２０３と表面グランド２０２における特性インピーダンスと同じ値Ｚ、例えば５０Ωとなるよう、外導体１１２と内導体１１１の外径／内径比、言い換えれば内部誘電体層１１３の厚さが調整されている。
このとき、内部誘電体層１１３、１２２を形成する誘電体の比誘電率を１としたとき、同軸線路部１１０においては、特性インピーダンスが前記に例示した５０Ωとなる外導体１１２と内導体１１１の外径／内径比は約２．３である。一方、内導体先端部１２１Ａにおける特性インピーダンスが同じ５０Ωとなるときの外導体１２２と内導体先端部１２１Ａの外径／内径比は約１．８となる。このような外導体１１２と内導体１１１、外導体１２２と内導体先端部１２１Ａの外径／内径比に調整することで、インピーダンス整合をとることができる。なおここで、任意の誘電率での外導体１１２と内導体１１１、外導体１２２と内導体先端部１２１Ａの外径/内径比は、この値に誘電率の平方根を掛けることで容易に求まる。
【００２１】
ところで、同軸線路部１１０の外導体１１２と、内導体先端部１２１Ａの外導体１２２との切り換え位置は、内導体先端部１２１Ａと内導体１１１との切り換え位置Ｗと同じ位置か、それよりも裏面グランド付コプレーナ線路２００側にずらした位置とするのが好ましい。これは外導体１１２と外導体１２２の形状の不連続による高周波での局所的な浮遊容量成分の影響を抑えるためであり、間隙を調整することによって、浮遊容量成分を相殺できるからである。間隙の幅を増やすことによって、より高い周波数での反射特性の改善が期待できる。ただしその反面、低周波での整合が悪くなるため、設計の際は注意が必要である。
【００２２】
基板実装用突出部１２４は外導体１２２に連続して外導体１２２と同材料で形成されている。基板実装用突出部１２４は、内導体先端部１２１Ａのコネクタ本体１０１の端面Ｘから、内導体先端部１２１Ａと平行な方向に突出して設けられている。この基板実装用突出部１２４は、内導体先端部１２１Ａとの間に、所定の間隙を隔てている。基板実装用突出部１２４は、内導体先端部１２１Ａの厚さ（裏面グランド付コプレーナ線路２００の表面に直交する方向の寸法）と等しい高さと、内導体先端部１２１Ａのコネクタ本体１０１の端面Ｘからの突出長と等しい長さを有している。
この基板実装用突出部１２４と、裏面グランド付コプレーナ線路２００側において基板実装用突出部１２４に対向する部分の表面グランド２０２は、実装時の特性インピーダンスが、前記と同じ値Ｚ、例えば５０Ωとなるように、幅や中心導体２０３との間隔が調整されている。
【００２３】
図４は本発明の同軸線路部１１０と、内導体先端部１２１Ａにおける、裏面グランド付コプレーナ線路２００の伝播方向に直交する断面での電界分布を示している。図４（ａ）に示すように、同軸線路部１１０では、電界分布が全周に均一であるのに対し、図４（ｂ）に示すように、断面略半円形の内導体先端部１２１Ａにおける電界分布は、外導体１２２との距離が遠くなる上部の平面１２１ｂ側での密度が低くなり、平面１２１ｂと円弧面１２１ａの接合部分となる端点における横方向での結合がもっとも強くなる。
【００２４】
従って、同軸線路部１１０における電界分布（図４（ａ））と、裏面グランド付コプレーナ線路の電界分布（図４（ｃ））との間のモード変換が、内導体先端部１２１Ａにおいて段階的に変化し、変換損失が減少する。
【００２５】
本実施例の構造を製造する方法としては、同軸線路部１１０の内導体１１１を外導体１１２に嵌合させる組み立て前の段階で、円柱形の内導体１１１の先端部を研磨して半円形にすることで内導体先端部１２１Ａを形成するのが望ましい。これにより、内導体先端部１２１Ａの加工形成は、円柱形の内導体１１１に切削または研磨等の機械加工を行うことにより容易に成形可能である。
【００２６】
その後、加工により先端部に内導体先端部１２１Ａを形成した内導体１１１を、その外周部に設けられた外導体１１２の両端部に開口した挿入部に、内部誘電体層１１３、１２２を形成する絶縁性の誘電体を介して収納固定し、さらに樹脂モールド成形を行うことでコネクタ本体１０１を成形する。内部誘電体層１１３、１２２を形成する絶縁性の誘電体は、樹脂製の絶縁性部材により成形され、その外径は外導体１１２、１２１の内径と同等か僅かに小さく成形される。
【００２７】
上述したように、同軸線路部１１０の内導体１１１の先端部に、内導体１１１とは断面形状が異なる内導体先端部１２１Ａを形成することで、同軸線路部１１０と裏面グランド付コプレーナ線路２００との間のモード変換が、内導体先端部１２１Ａにおいて段階的に変化し、変換損失を減少させることができる。このような内導体先端部１２１Ａは、製造が容易で、かつ十分な特性改善の効果が得られるものである。
【００２８】
また、伝搬モード変換部１２０における外導体１２２と内導体先端部１２１Ａによる特性インピーダンスと、裏面グランド付コプレーナ線路２００の中心導体２０３と表面グランド２０２における特性インピーダンスと、同軸線路部１１０において、外導体１１２と内導体１１１による特性インピーダンスと、が同一となるように、内部誘電体層１１３、１２２を形成することで、同軸コネクタ１００および裏面グランド付コプレーナ線路２００のインピーダンス整合をとることができる。
【００２９】
ここで、上記第一の実施形態に示した構成の効果を検証したのでその結果を示す。比較のため、図５に示すように、円柱形状の内導体１１１および外導体１１２の径を一定とした同軸コネクタを用いた。ここで、基板実装用突出部１２４は内導体１１１の直径と等しくし、基板実装用突出部１２４と裏面グランド付コプレーナ線路２００の幅は、実装時のインピーダンスが５０Ωとなるように調整し、本実施形態よりも広いものとした。
【００３０】
すると、図１、図２に示した第一の実施形態における構成と、図５に示した構成とで、同軸線路―裏面グランド付コプレーナ線路変換構造の入力反射特性の電磁解析結果を比較したので、その結果を図６に示す。
この図６に示すように、５５ＧＨｚから８０ＧＨｚの高周波帯において挿入損失が改善していることがわかる。
【００３１】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、内導体先端部１２１Ａを断面半円形としたが、以下、第２〜第４の実施形態では、その変形例を示す。なお、以下の各実施形態において、上記第１の実施形態と共通する構成においては、同符号を付してその説明を省略する。
本第２の実施形態では、図７（ａ）に示すように、内導体先端部１２１Ｂの厚さ（裏面グランド付コプレーナ線路２００の表面に直交する方向の寸法）が、同軸コネクタ１００の内導体１１１の半径よりも小さく形成されている。
伝搬モード変換部１２０の外導体１２２の径は、インピーダンス整合を、内導体先端部１２１Ｂの径との比によりとるため、第１の実施形態よりも小さくなる。
【００３２】
伝搬モード変換部１２０の間隙の幅は浮遊容量の増加分だけ第１の実施形態よりも広がっている。その他の構成については第１の実施形態と同様である。
【００３３】
上記のような加工をすることによって、第１の実施形態と同等の効果が得られるうえ、同軸線路部１１０と基板線路との高さの違いによる、接続端での不連続をより減少することができる。また、内導体先端部１２１Ｂの弦の部分の幅は、内導体１１１の直径よりも短くなるため、実装する中心導体２０３の幅も小さくすることができ、構造の小型化が実現できる。
【００３４】
また、内導体先端部１２１Ｂの弦の部分の幅をさらに小さくし、断面で見た電界分布が同軸線路部１１０の横方向よりも、下部に集中的に分布するようにさせることで、マイクロストリップ線路など裏面グランド２０４との結合が支配的な平面線路との接続においても適用が可能となる。
【００３５】
（第３の実施形態）
第３の実施形態では、図７（ｂ）に示すように、内導体先端部１２１Ｃの上部だけでなく下部も平面部１２０ｄとした構成となっている。
内導体先端部１２１Ｃの外導体１２２の径は、インピーダンス整合を、内導体先端部１２１Ｃの径との比によりとるため、第１の実施形態よりも小さくなる。
【００３６】
伝搬モード変換部１２０の間隙の幅は浮遊容量の増加分だけ第１の実施形態よりも広がっている。その他の構成については第１の実施形態と同様である。
【００３７】
第１および第２の実施形態で示した構造では、裏面グランド付コプレーナ線路２００との伝播モードを一致させるため、内導体先端部１２１Ａ、１２０Ｂの下部での電界分布を残留させていた。
これに対し、本実施形態では、主に半導体基板などにおいて用いられている、裏面グランドの無いコプレーナ線路と同軸コネクタの接続を改善するため、内導体先端部１２１Ｃの横方向での電界の結合をより強化した構造となっている。
【００３８】
上記のような構成とすることで、第１の実施形態以上に同軸線路部１１０内での電界分布をコプレーナ線路と一致させることが可能である。また、平面線路と内導体先端部１２１Ｃの接触面を略一致させることによって、接続端Ｙでの不連続性、および実装の作業性が改善される。
【００３９】
（第４の実施形態）
上記第１〜第３の実施形態では内導体１１１と内導体先端部１２１Ａ、１２１Ｂ、１２１Ｃとの形状変化が不連続であった。
そこで、図７（ｃ）に示すように、本第４の実施形態の内導体先端部１２１Ｄでは、上記のような内導体１１１との形状変化を、その断面積が漸次小さくなるよう、テーパ面１２５により連続的なものとしたことを特徴とする。
これに対応して、内導体先端部１２１Ｄの外導体１２２の径は特性インピーダンスが５０Ωに保たれるように連続的に縮小する。
【００４０】
上記のような構成とすることで、形状変化による不連続をなくし、浮遊容量の発生を抑えられるため、帯域全体のさらなる特性の改善が可能である。
【００４１】
（その他の実施形態）
なお、本発明の同軸線路―平面線路変換構造は、図面を参照して説明した上述の各実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
例えば、外導体１１２、１２２内部に充填された内部誘電体層１１３、１２３において、それぞれの比誘電率を適切に選択することにより、外導体１１２、１２２の径を等しくしたまま、内導体１１１と内導体先端部１２１Ａ、１２１Ｂ、１２１Ｃ、１２１Ｄとの特性インピーダンスを一定に保つことも可能である。この場合、内導体先端部１２１Ａ、１２１Ｂ、１２１Ｃ、１２１Ｄの外導体１２２内の内部誘電体層１２３は、外導体１１２の内部に充填された内部誘電体層１１３に対して約２倍高い比誘電率を有している必要がある。
また、裏面グランド付コプレーナ線路をはじめとする平面線路は単一基板に限らず、多層基板でも適用可能である。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１００  同軸コネクタ
１０１  コネクタ本体
１１０  同軸線路部
１１１  内導体
１１２  外導体
１１３  内部誘電体層
１２０  伝搬モード変換部
１２１Ａ、１２１Ｂ、１２１Ｃ、１２１Ｄ  内導体先端部
１２２  外導体
１２３  内部誘電体層
１２４  基板実装用突出部
１２５  テーパ面
２００  裏面グランド付コプレーナ線路
２０１  誘電体層
２０２  表面グランド
２０３  中心導体
２０４  裏面グランド
２０５  貫通ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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