(57)【要約】【課題】本発明は、工程数を増やすことなく、第１電極層上に配線抵抗を低減するための補助電極を形成することが可能な、新規な有機ＥＬ素子およびその製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基板と、基板上にストライプ状に形成された第１電極層と、基板上に発光領域内および補助電極形成領域内の第１電極層が露出するように形成された絶縁層と、絶縁層上に第１電極層の長手方向に垂直にストライプ状に形成された第２電極層分断用隔壁と、絶縁層上に補助電極形成領域を囲むように形成され、所定の幅の開口部を有する補助電極形成用隔壁と、補助電極形成用隔壁の開口部を除く少なくとも発光領域内の第１電極層上に形成された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に形成された第２電極層と、補助電極形成領域内の第１電極層上に形成され、第２電極層と同一の材料からなる補助電極とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にストライプ状に形成された第１電極層と、
前記第１電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の前記第１電極層が露出するように形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に、前記第１電極層の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成された絶縁性の第２電極層分断用隔壁と、
前記絶縁層上に、前記補助電極形成領域を囲むように形成され、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁と、
前記補助電極形成用隔壁の開口部を除く、少なくとも前記発光領域内の前記第１電極層上に形成され、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された第２電極層と、
前記補助電極形成領域内の前記第１電極層上に形成され、前記第２電極層と同一の材料からなる補助電極と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記絶縁層上に、前記補助電極形成用隔壁を囲むように形成された第２補助電極形成用隔壁を有することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記第２電極層分断用隔壁の各々が、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
ストライプ状の第１電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の前記第１電極層が露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記第１電極層の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第２電極層分断用隔壁を形成するとともに、前記補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記絶縁層、前記第２電極層分断用隔壁および前記補助電極形成用隔壁が形成された前記第１電極層上に、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に第２電極層を形成するとともに、前記補助電極形成領域内の前記第１電極層上に補助電極を形成する第２電極層形成工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２電極層形成工程が、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記補助電極形成領域内の前記第１電極層の上に、金属材料を成膜する工程であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記金属材料の成膜方法が真空蒸着法であることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記金属材料として金属ペーストを用いることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陰極隔壁を有し、陽極上に配線抵抗を低減するための補助電極が形成されている有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、パッシブ型の有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと略すことがある。）素子の製造方法として、陽極上に逆テーパー（逆台形）形状を有する絶縁性の隔壁を設け、その上から有機層および陰極を順に蒸着法により成膜することにより、陰極を分断する方法が知られている。
【０００３】
また、パッシブ型の有機ＥＬパネルの駆動時の配線抵抗を低減するために、陽極上に補助電極（配線ともいう。）を形成することが知られている。この補助電極を形成する場合、例えば、フォトリソグラフィー法による陽極のパターニング後に、補助電極を形成するために、さらにフォトリソグラフィー法によって抵抗率の比較的小さい金属の薄膜をパターニングする必要がある。そのため、工程数が増えるという問題があった。
【０００４】
そこで、第１電極と第２電極との間に有機層が設けられている有機ＥＬ素子において、第２電極形成時に第１電極上に配線を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。この方法では、第１電極上に、第１電極の一部分が露出するように絶縁膜を形成し、絶縁膜上に絶縁リブを形成し、絶縁膜および絶縁リブが形成された第１電極上に、第１電極の所定の部分が露出するように金属マスクを用いて有機層を形成し、有機層上に第２電極を形成することで、第２電極形成時に第１電極上に第２電極と同一の金属で配線を形成することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３０６６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、工程数を増やすことなく、第１電極層上に配線抵抗を低減するための補助電極を形成することが可能な、新規な有機ＥＬ素子およびその製造方法を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上にストライプ状に形成された第１電極層と、上記第１電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の上記第１電極層が露出するように形成された絶縁層と、上記絶縁層上に、上記第１電極層の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成された絶縁性の第２電極層分断用隔壁と、上記絶縁層上に、上記補助電極形成領域を囲むように形成され、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁と、上記補助電極形成用隔壁の開口部を除く、少なくとも上記発光領域内の上記第１電極層上に形成され、発光層を含む有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に形成された第２電極層と、上記補助電極形成領域内の上記第１電極層上に形成され、上記第２電極層と同一の材料からなる補助電極とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。
【０００８】
本発明によれば、補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁が形成されているので、例えば有機層形成用塗工液を用いて発光層等の有機層を形成する場合には、有機層形成用塗工液が補助電極形成用隔壁の開口部に入り込むのを防ぐことができる。よって、補助電極形成用隔壁の開口部内に有機ＥＬ層を形成させないことが可能である。したがって、第２電極層形成時に、補助電極形成用隔壁の開口部内の第１電極層上に第２電極層と同一の材料を成膜することができる。すなわち、工程数を増やすことなく、第１電極層上に補助電極を形成することが可能な有機ＥＬ素子とすることができる。
【０００９】
上記発明においては、上記絶縁層上に、上記補助電極形成用隔壁を囲むように形成された第２補助電極形成用隔壁を有していてもよい。この場合、有機層形成用塗工液が補助電極形成用隔壁の開口部に入り込むのを効果的に防ぐことができる。
【００１０】
また本発明においては、上記第２電極層分断用隔壁の各々が、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されていることが好ましい。この場合、有機層形成用塗工液が小隔壁間に入り込むのを抑制することができ、第２電極層を確実に分断し、第２電極層分断用隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを防止することができるからである。
【００１１】
さらに本発明は、ストライプ状の第１電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の上記第１電極層が露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、上記第１電極層の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第２電極層分断用隔壁を形成するとともに、上記補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁を形成する隔壁形成工程と、上記絶縁層、上記第２電極層分断用隔壁および上記補助電極形成用隔壁が形成された上記第１電極層上に、発光層を含む有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、上記有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、上記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成するとともに、上記補助電極形成領域内の上記第１電極層上に補助電極を形成する第２電極層形成工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明によれば、補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁を形成した後、絶縁層、第２電極層分断用隔壁および補助電極形成用隔壁が形成された第１電極層上に、有機層を印刷法、吐出法または転写法により形成するので、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液が入り込むのを防ぐことができる。よって、補助電極形成用隔壁の開口部内に有機ＥＬ層を形成させないことが可能である。したがって、第２電極層形成時に、補助電極形成用隔壁の開口部内の第１電極層上に第２電極層と同一の材料を成膜して、補助電極を形成することができる。すなわち、工程数を増やすことなく、第１電極層上に補助電極を形成することが可能である。
【００１３】
上記発明においては、上記第２電極層形成工程が、上記有機エレクトロルミネッセンス層および上記補助電極形成領域内の上記第１電極層の上に、金属材料を成膜する工程であることが好ましい。第２電極層の材料としては抵抗が低いものであればよく、金属材料が最も適しているからである。
【００１４】
この際、上記金属材料の成膜方法が真空蒸着法であってもよい。真空蒸着法は、ドライプロセスで有機ＥＬ層へのダメージが少ない方法であり、積層に適しているからである。
【００１５】
また、上記金属材料として金属ペーストを用いてもよい。ウェットプロセスはドライプロセスよりも大面積の対応に適しているからである。ウェットプロセスであっても、有機ＥＬ層に影響を与えない溶媒が配合された金属ペーストは使用可能である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明においては、補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁が形成されているので、補助電極形成用隔壁の開口部内に有機ＥＬ層を形成させないようにすることができ、工程数を増やすことなく、第１電極層上に補助電極を形成することが可能であるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の有機ＥＬ素子およびその製造方法について詳細に説明する。
【００１８】
Ａ．有機ＥＬ素子
まず、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、基板と、上記基板上にストライプ状に形成された第１電極層と、上記第１電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の上記第１電極層が露出するように形成された絶縁層と、上記絶縁層上に、上記第１電極層の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成された絶縁性の第２電極層分断用隔壁と、上記絶縁層上に、上記補助電極形成領域を囲むように形成され、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁と、上記補助電極形成用隔壁の開口部を除く、少なくとも上記発光領域内の上記第１電極層上に形成され、発光層を含む有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に形成された第２電極層と、上記補助電極形成領域内の上記第１電極層上に形成され、上記第２電極層と同一の材料からなる補助電極とを有することを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の有機ＥＬ素子について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す上面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図である。なお、図１において、有機ＥＬ層および第２電極層は省略されている。
図１〜図３に例示する有機ＥＬ素子１は、基板２と、基板２上にストライプ状に形成された第１電極層３と、第１電極層３が形成された基板２上に、発光領域１２内および補助電極形成領域１３内の第１電極層３が露出するように形成された絶縁層４と、絶縁層４上に、第１電極層の長手方向１１と直交する方向にストライプ状に形成された絶縁性の第２電極層分断用隔壁５と、絶縁層４上に、補助電極形成領域１３を囲むように形成され、所定の幅ｄの開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁６と、補助電極形成用隔壁６の開口部を除く、少なくとも発光領域１２内の第１電極層３上に形成され、発光層を含む有機ＥＬ層７と、有機ＥＬ層７上に形成された第２電極層８と、補助電極形成領域１３内の第１電極層３上に形成され、第２電極層８と同一の材料からなる補助電極９とを有している。
【００２０】
このような有機ＥＬ素子は、例えば図４および図５に示すように作製することができる。なお、図４(a)〜(d)は上面図、図５(a)は図４(a)のＣ１−Ｃ１線断面図、図５(b)は図４(b)のＣ２−Ｃ２線断面図、図５(c)は図４(c)のＣ３−Ｃ３線断面図、図５(d)は図４(d)のＣ４−Ｃ４線断面図である。図４(b)および(c)において第１電極層を一点鎖線、図４(d)において第２電極層分断用隔壁および補助電極用隔壁を二点鎖線で示している。
【００２１】
まず、基板２上にストライプ状の第１電極層３を形成する（図４(a)および図５(a)）。次いで、第１電極層３が形成された基板２上に、発光領域１２内および補助電極形成領域１３内の第１電極層３が露出するように絶縁層４を形成する（図４(b)および図５(b)）。次に、絶縁層４上に、第１電極層の長手方向１１と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第２電極層分断用隔壁５を形成するとともに、補助電極形成領域１３を囲むように、所定の幅ｄの開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁６を形成する（図４(c)および図５(c)）。
【００２２】
次に、第２電極層分断用隔壁５および補助電極形成用隔壁６が形成された基板２上の全面に、印刷法、吐出法または転写法により有機層形成用塗工液を塗布し、有機層２０を形成する（図４(d)および図５(d)）。このとき、補助電極形成用隔壁６の開口部の幅が比較的狭いため、補助電極形成用隔壁６の開口部に有機層形成用塗工液が入り込むのを防ぐことができる。
【００２３】
印刷法、吐出法または転写法の場合、補助電極形成用隔壁の開口部の幅が比較的狭いと、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液が入り込み難くなる理由については明らかではないが、次のように考えられる。すなわち、印刷法では、補助電極形成用隔壁の開口部の幅が比較的狭いので、版やブランケットが補助電極形成用隔壁の開口部内の第１電極層表面に接触できなくなり、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液が入り込み難くなるものと思料される。転写法では、印刷法と同様に、補助電極形成用隔壁の開口部の幅が比較的狭いので、転写シートが補助電極形成用隔壁の開口部内の第１電極層表面に接触できなくなり、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液が入り込み難くなるものと思料される。また、吐出法では、有機層形成用塗工液を補助電極形成用隔壁の開口部内の第１電極層上に吐出しないことにより、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液を入り込み難くすることができる。
【００２４】
よって、図４(d)および図５(d)に例示するように、補助電極形成用隔壁６の開口部に有機層２０を形成しないようにすることができる。すなわち、補助電極形成領域１３に有機層２０を形成させないことが可能である。
【００２５】
次いで、有機層２０を含む有機ＥＬ層７が形成された基板２上の全面に、例えば金属材料を真空蒸着法により成膜し、第２電極層８および補助電極９を形成する（図５(e)）。金属材料は補助電極形成用隔壁の開口部にも堆積されるので、図５(e)に例示するように、補助電極形成用隔壁６の開口部には補助電極９が形成される。よって、第１電極層３の直上に、第２電極層８と同一の材料で補助電極９を形成することができる。したがって、工程数を増やすことなく、第１電極層上に補助電極を形成することが可能である。
【００２６】
この補助電極９は、図２に例示するように、補助電極形成領域１３を囲むように形成された補助電極形成用隔壁６によって第２電極層８と分断されている。よって、補助電極形成領域１３にて第１電極層３と補助電極９とが接触していても、第１電極層および第２電極層間でショートすることはない。
【００２７】
図１〜図３に例示する有機ＥＬ素子において、第１電極層については、ストライプ状の第１電極層の長手方向に沿って電流が流れる。このとき、第１電極層の直上に補助電極が形成されているので、第１電極層の長手方向に沿って電流が流れやすくなり、配線抵抗による電圧低下を抑えることができる。一方、第２電極層については、第２電極層が第２電極層分断用隔壁によって分断されており、第１電極層の長手方向に対して垂直な方向に沿って電流が流れる。このとき、第２電極層分断用隔壁と補助電極形成用隔壁とは別体に形成されているので、補助電極形成用隔壁によって電流が遮られることはない。
【００２８】
なお、「発光領域」とは、発光に寄与する領域をいう。
「補助電極形成領域」とは、補助電極が設けられる領域をいう。この補助電極形成領域は、絶縁層により画定される。
【００２９】
以下、本発明の有機ＥＬ素子における各構成について説明する。
【００３０】
１．絶縁層
本発明における絶縁層は、第１電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の第１電極層が露出するように形成されるものである。絶縁層により、第１電極層と第２電極層とが接触してショートするのを防ぐことができる。
【００３１】
絶縁層の形成位置としては、絶縁層が、発光領域内および補助電極形成領域内の第１電極層が露出するように形成されていればよい。
補助電極形成領域の幅は、補助電極が形成可能であり、補助電極形成用隔壁の開口部の幅以下であればよい。通常、補助電極形成領域の幅は、補助電極形成用隔壁の開口部の幅よりも小さくなるように設定される。具体的に、補助電極形成領域の幅は、１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６０μｍ〜１μｍの範囲内、さらに好ましくは３０μｍ〜１μｍの範囲内である。補助電極形成領域の幅が広すぎると、補助電極形成用隔壁の開口部の幅も広くなりすぎ、有機層形成用塗工液が補助電極形成用隔壁の開口部に入り込みやすくなり、第１電極層の直上に、第２電極層と同じ材料で補助電極を形成することが困難になるからである。一方、補助電極形成領域の幅が狭すぎると補助電極の形成が困難になるからである。
また、発光領域の大きさとしては、有機ＥＬ素子の用途等に応じて適宜選択される。
【００３２】
絶縁層は、第１電極層の端部を覆うように形成されていることが好ましい。第１電極層の端部では有機ＥＬ層の厚みが薄くなるため、絶縁層を形成することでショートし難くすることができる。また隣り合う発光領域が電気的に接続されるのを防ぐことができるからである。絶縁層が形成された部分は、発光に寄与しない領域とすることができる。
【００３３】
絶縁層の形成材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。
【００３４】
絶縁層の形成方法としては、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００３５】
２．補助電極形成用隔壁
本発明における補助電極形成用隔壁は、上記絶縁層上に、補助電極形成領域を囲むように形成され、所定の幅の開口部を有するものである。この補助電極形成用隔壁は、絶縁性を有している。
【００３６】
補助電極形成用隔壁の開口部の幅は、有機層の形成方法に応じて適宜調整されるものであるが、具体的には、１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６０μｍ〜１μｍの範囲内、さらに好ましくは３０μｍ〜１μｍの範囲内である。補助電極形成用隔壁の開口部の幅が広すぎると、有機層形成用塗工液が補助電極形成用隔壁の開口部に入り込みやすくなり、第１電極層の直上に、第２電極層と同じ材料で補助電極を形成することが困難になるからである。一方、補助電極形成用隔壁の開口部の幅が狭すぎるものは形成が困難であったり、また補助電極形成用隔壁の開口部の幅が狭すぎると有機層が補助電極形成用隔壁の開口部で連なって成膜されるおそれがあったりするからである。
【００３７】
なお、補助電極形成用隔壁の開口部の幅は、光学顕微鏡、レーザ顕微鏡、走査型白色干渉法により測定することができる。
【００３８】
補助電極形成用隔壁が所定の高さを有していれば、補助電極と第２電極層とを分断することができるため、補助電極形成用隔壁の断面形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、矩形状、台形状（順テーパー形状）、逆テーパー形状等が挙げられる。好ましくは、逆テーパー形状等のオーバーハング形状である。
【００３９】
逆テーパー形状の場合、基板表面に対するテーパー角度θは、０°＜θ＜９０°であればよいが、好ましくは２０°＜θ＜８０°、より好ましくは３０°＜θ＜７０°である。なお、逆テーパー形状の場合、テーパー角度θとは、図２に例示するような基板２表面に対するテーパー角度θ１をいう。
【００４０】
補助電極形成用隔壁の高さとしては、基板表面から補助電極形成用隔壁表面までの高さが、発光領域の中心部における基板表面から第２電極層表面までの高さよりも高くなるように設定される。通常、補助電極形成用隔壁の高さは、第２電極層分断用隔壁の高さと同一である。
【００４１】
補助電極形成用隔壁により画定される領域の幅は、５００μｍ以下であることが好ましい。上記領域の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。
なお、補助電極形成用隔壁により画定される領域とは、図１に例示するような領域１５をいう。
【００４２】
補助電極形成用隔壁は、通常、ストライプ状の第１電極層の端に配置される。図１および図２に例示するように、ストライプ状の第１電極層３の片端に補助電極形成用隔壁６が形成されていてもよく、図６および図７に例示するように、ストライプ状の第１電極層３の両端に補助電極形成用隔壁６が形成されていてもよい。
なお、図６は上面図、図７は図６のＤ−Ｄ線断面図であり、図６において有機ＥＬ層および第２電極層は省略されている。
【００４３】
補助電極形成用隔壁は、第２電極層分断用隔壁と一体に形成されていてもよい。この場合、第２電極層について第１電極層の長手方向に対して垂直な方向への電流を遮らないように、補助電極形成用隔壁が第２電極層分断用隔壁と一体に形成される。例えば図８および図９に示すように、補助電極形成用隔壁６が第２電極層分断用隔壁５と一体に形成されている場合には、第２電極層について第１電極層の長手方向に対して垂直な方向への電流を遮ることはない。
【００４４】
本発明においては、図１０および図１１に例示するように、絶縁層４上に、補助電極形成用隔壁６ａを囲むように第２補助電極形成用隔壁６ｂが形成されていてもよい。この場合、有機層形成用塗工液が補助電極形成用隔壁の開口部に入り込むのを効果的に防ぐことができる。
なお、図１０は上面図、図１１は図１０のＥ−Ｅ線断面図であり、図１０において有機ＥＬ層および第２電極層は省略されている。
【００４５】
補助電極形成用隔壁と第２補助電極形成用隔壁との間隔は、補助電極形成用隔壁の開口部の幅と同様に、有機層形成用塗工液が入り込み難いものであることが好ましい。具体的に、補助電極形成用隔壁と第２補助電極形成用隔壁との間隔は、１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６０μｍ〜１μｍの範囲内、さらに好ましくは３０μｍ〜１μｍの範囲内である。補助電極形成用隔壁と第２補助電極形成用隔壁との間隔が上記範囲であれば、有機層形成用塗工液が補助電極形成用隔壁の開口部に入り込むのを効果的に防ぐことができる。
なお、補助電極形成用隔壁と第２補助電極形成用隔壁との間隔とは、図１０に例示するような間隔ｋ１、ｋ２をいう。
【００４６】
第２補助電極形成用隔壁により画定される領域の幅は、５００μｍ以下であることが好ましい。上記領域の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。
なお、第２補助電極形成用隔壁により画定される領域とは、図１０に例示するような領域１６をいう。
【００４７】
補助電極形成用隔壁の形成材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。
【００４８】
補助電極形成用隔壁の形成方法としては、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００４９】
３．第２電極層分断用隔壁
本発明における第２電極層分断用隔壁は、上記絶縁層上に、第１電極層の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成されるものである。この第２電極層分断用隔壁は絶縁性を有している。第２電極層分断用隔壁は、第２電極層を複数に分断するために設けられるものである。
【００５０】
パッシブ型の有機ＥＬ素子の場合、通常、第１電極層がストライプ状に形成されることから、このストライプ状の第１電極層の長手方向に直交するように、第２電極層分断用隔壁もストライプ状に形成される。
【００５１】
第２電極層分断用隔壁が所定の高さを有していれば、第２電極層を複数に分断することができるため、第２電極層分断用隔壁の断面形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、矩形状、台形状（順テーパー形状）、逆テーパー形状等が挙げられる。好ましくは、逆テーパー形状等のオーバーハング形状である。
【００５２】
逆テーパー形状の場合、基板表面に対するテーパー角度θは、０°＜θ＜９０°であればよいが、好ましくは２０°＜θ＜８０°、より好ましくは３０°＜θ＜７０°である。なお、逆テーパー形状の場合、テーパー角度θとは、図３に例示するような基板２表面に対するテーパー角度θ２をいう。
【００５３】
第２電極層分断用隔壁の高さとしては、通常、基板表面から第２電極層分断用隔壁表面までの高さが、発光領域の中心部における基板表面から第２電極層表面までの高さよりも高くなるように設定される。
【００５４】
第２電極層分断用隔壁の幅は、特に限定されるものではないが、１００μｍ以下であることが好ましい。第２電極層分断用隔壁の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。
【００５５】
第２電極層分断用隔壁の各々は、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されていることが好ましい。図１２および図１３に示す例においては、第２電極層分断用隔壁５の各々は、所定間隔ｍをおいて平行に設けられた２個の小隔壁５ａ，５ｂから構成されている。上記の補助電極形成用隔壁の開口部と同様に、小隔壁５ａ，５ｂ間の間隔ｍが比較的狭いため、小隔壁５ａ，５ｂ間に有機層形成用塗工液が入り込むのを抑制することができる。よって、第２電極層を確実に分断し、第２電極層分断用隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを防止することが可能である。なお、図１３は図１２のＦ−Ｆ線断面図であり、図１２において有機ＥＬ層および第２電極層は省略されている。
【００５６】
なお、「小隔壁間の間隔」とは、第２電極層分断用隔壁を構成する複数の小隔壁のうち、隣接する小隔壁の向かい合う端部から端部までの距離をいう。
ここで、小隔壁の端部とは、小隔壁の最も外側の端部をいう。例えば、小隔壁の断面形状が逆テーパー形状である場合、小隔壁の端部は、図１３に例示するように上底面の端部となる。また例えば、小隔壁の断面形状が順テーパー形状である場合、小隔壁の端部は、図１４に例示するように下底面の端部となる。
【００５７】
小隔壁間の間隔は、有機層を形成する際の塗布方法に応じて適宜調整されるものであるが、具体的には、１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６０μｍ〜１μｍの範囲内、さらに好ましくは３０μｍ〜１μｍの範囲内である。小隔壁間の間隔が広すぎると、有機層形成用塗工液が小隔壁間に入り込みやすくなり、第２電極層を分断することが困難となるおそれがあるからである。一方、小隔壁間の間隔が狭すぎるものは形成が困難であったり、また小隔壁間の間隔が狭すぎると有機層が小隔壁間で連なって成膜されるおそれがあったりするからである。
なお、小隔壁間の間隔は、光学顕微鏡、レーザ顕微鏡、走査型白色干渉法により測定することができる。
【００５８】
第２電極層分断用隔壁を構成する小隔壁の数が３個以上である場合、通常、小隔壁間の間隔は等間隔とされる。
【００５９】
第２電極層分断用隔壁を構成する小隔壁の数としては、複数であればよく、例えば、２個、３個等とすることができる。第２電極層分断用隔壁を構成する小隔壁の数が多すぎると、発光領域が相対的に狭くなることから、第２電極層分断用隔壁を構成する小隔壁の数は２個であることが好ましい。
【００６０】
第２電極層分断用隔壁により画定される領域の幅は、３００μｍ以下であることが好ましい。上記領域の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。
なお、第２電極層分断用隔壁により画定される領域とは、図１２に例示するような領域１７をいう。
【００６１】
第２電極層分断用隔壁の形成材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。
【００６２】
第２電極層分断用隔壁の形成方法としては、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００６３】
４．有機ＥＬ層
本発明における有機ＥＬ層は、上記補助電極形成用隔壁の開口部を除く、少なくとも発光領域内の第１電極層上に形成されるものである。この有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含んでいる。
【００６４】
有機ＥＬ層の形成位置としては、有機ＥＬ層が、補助電極形成用隔壁の開口部を除く、少なくとも発光領域内の第１電極層上に形成されていればよい。すなわち、有機ＥＬ層を構成する各層が、少なくとも発光領域に形成され、補助電極形成用隔壁の開口部に形成されていなければよい。例えば、有機ＥＬ層７は、図２に示すように補助電極形成用隔壁６および第２電極層分断用隔壁（図示なし）の上に形成されていてもよく、図１５に示すように補助電極形成用隔壁６および第２電極層分断用隔壁（図示なし）の上に形成されていなくてもよい。また、有機ＥＬ層が補助電極形成用隔壁および第２電極層分断用隔壁の上に形成されている場合、図２に例示するように有機ＥＬ層７が補助電極形成用隔壁６および第２電極層分断用隔壁（図示なし）上の全部に形成されていてもよく、図１６に例示するように有機ＥＬ層７が補助電極形成用隔壁６および第２電極層分断用隔壁（図示なし）上の一部に形成されていてもよい。
【００６５】
なお、有機ＥＬ層を構成する各層が、補助電極形成用隔壁の開口部に形成されていないことは、例えば、補助電極形成用隔壁の開口部における有機ＥＬ層の厚みを、Zygo社製の走査型白色干渉法またはキーエンス社製のレーザ顕微鏡により測定することにより、確認することができる。
【００６６】
本発明に用いられる有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有するものである。すなわち、有機ＥＬ層とは、少なくとも発光層を含む層であり、その層構成が有機層１層以上の層をいう。通常、塗布によるウェットプロセスで有機ＥＬ層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、１層もしくは２層の有機層で構成される場合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。
【００６７】
発光層以外に有機ＥＬ層を構成する有機層としては、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等を挙げることができる。正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。また、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。さらに、有機ＥＬ層を構成する有機層としては、キャリアブロック層のような正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。
【００６８】
以下、有機ＥＬ層における各構成について説明する。
【００６９】
（１）発光層
本発明における発光層に用いられる材料としては、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料を挙げることができる。
【００７０】
色素系材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどを挙げることができる。
【００７１】
また、金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を挙げることができる。
【００７２】
さらに、高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を挙げることができる。
【００７３】
上記発光層中には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。
【００７４】
発光層の厚みとしては、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。
【００７５】
発光層は、第２電極層分断用隔壁により分断される。この際、発光層は、赤・緑・青等の複数色の発光部を有するようにパターン状に形成されていることが好ましい。これにより、カラー表示が可能な有機ＥＬ素子を得ることができる。
この場合、図１７および図１８に例示するように、赤色の発光部２１Ｒ、緑色の発光部２１Ｇおよび青色の発光部２１Ｂが、ストライプ状の第１電極層の長手方向１１に対して平行にストライプ状に配列されていてもよく、図１９および図２０に例示するように、赤色の発光部２１Ｒ、緑色の発光部２１Ｇおよび青色の発光部２１Ｂが、ストライプ状の第１電極層の長手方向１１に対して垂直にストライプ状に配列されていてもよい。
なお、図１７は上面図、図１８は図１７のＧ−Ｇ線断面図であり、図１９は上面図、図２０は図１９のＨ−Ｈ線断面図である。図１７および図１９において、補助電極形成用隔壁を一点鎖線、第２電極層分断用隔壁を二点差線で示しており、第２電極層は省略されている。図１７および図１９において赤色の発光部２１Ｒ、緑色の発光部２１Ｇおよび青色の発光部２１Ｂを省略したものは、図１に相当する。
【００７６】
（２）正孔注入層
上述したように、正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。すなわち、正孔注入層は、正孔注入機能のみを有していてもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有していてもよい。
【００７７】
正孔注入層に用いられる材料としては、発光層内への正孔の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン誘導体等を用いることができる。具体的には、ビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【００７８】
また、正孔注入層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００７９】
（３）電子注入層
上述したように、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。すなわち、電子注入層は、電子注入機能のみを有していてもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有していてもよい。
【００８０】
電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等のようにアルカリ金属類、およびアルカリ金属類のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体等を用いることができる。
【００８１】
また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入層とすることもできる。上記電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体等を挙げることができ、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等が挙げられる。
【００８２】
上記電子注入層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００８３】
（４）電子輸送層
電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではなく、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）の誘導体等を挙げることができる。
【００８４】
上記電子輸送層の厚みとしては、電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００８５】
５．補助電極
本発明における補助電極は、補助電極形成領域内の第１電極層上に形成され、第２電極層と同一の材料からなるものである。
【００８６】
補助電極の材料は、第２電極層と同一の材料であればよい。なお、第２電極層の材料については、後述の第２電極層の項に記載するので、ここでの説明は省略する。
【００８７】
本発明においては、補助電極は補助電極形成用隔壁により第２電極層と電気的に絶縁されているので、電圧の印加に関与しない。よって、補助電極が第１電極層に接触していても、第１電極層および第２電極層間でショートすることはない。
【００８８】
６．第１電極層
本発明における第１電極層は、基板上にストライプ状に形成されるものである。
第１電極層は、陽極であっても陰極であってもよいが、通常は陽極として形成される。
【００８９】
第１電極層は透明性を有していても有していなくてもよい。第１電極層の透明性は、光の取出し面等によって適宜選択される。例えば第１電極層側から光を取り出す場合は、第１電極層は透明または半透明である必要がある。
【００９０】
陽極としては、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましく、具体的には、ＩＴＯ、酸化インジウム、金のような仕事関数の大きい金属、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等を挙げることができる。
【００９１】
第１電極層は抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
【００９２】
第１電極層の成膜方法としては、一般的な電極の成膜方法を用いることができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法などを挙げることができる。また、第１電極層のパターニング方法としては、所望のパターンに精度よく形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、具体的にはフォトリソグラフィー法等を挙げることができる。
【００９３】
７．第２電極層
本発明における第２電極層は、上記有機ＥＬ層上に形成されるものである。
第２電極層は、陽極であっても陰極であってもよいが、通常は陰極として形成される。
【００９４】
また、第２電極層は、透明性を有していても有していなくてもよく、光の取出し面等によって適宜選択される。例えば第２電極層側から光を取り出す場合は、第２電極層は透明または半透明である必要がある。
【００９５】
陰極としては、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましく、例えばＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃａをはじめとするアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類、または、アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金などが挙げられる。
【００９６】
また、第２電極層は抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。中でも、金属材料が好ましい。第２電極層の材料としては抵抗が低いものであればよく、金属材料が最も適しているからである。
【００９７】
金属材料の成膜方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の一般的な蒸着法や、金属ペーストを塗布する方法等が挙げられる。中でも、真空蒸着法、金属ペーストを塗布する方法が好ましい。真空蒸着法は、ドライプロセスで有機ＥＬ層へのダメージが少ない方法であり、積層に適している。また、金属ペーストを塗布する方法はウェットプロセスであり、ウェットプロセスはドライプロセスよりも大面積の対応に適している。ウェットプロセスであっても、有機ＥＬ層に影響を与えない溶媒が配合された金属ペーストは使用可能である。すなわち、有機ＥＬ層の耐溶剤性などによって有機ＥＬ層に影響を与えないように工夫することで、ウェットプロセスも適用可能となる。
【００９８】
８．基板
本発明に用いられる基板は、上述の絶縁層、補助電極形成用隔壁、第２電極層分断用隔壁、第１電極層などを支持するものであり、所定の強度を有するものであれば特に限定されない。本発明においては、第１電極層が所定の強度を有する場合には、第１電極層が基板を兼ねるものであってもよいが、通常は所定の強度を有する基板上に第１電極層が形成される。
【００９９】
基板としては、上記の隔壁や第１電極層等が形成可能であれば特に限定されるものではないが、例えば光の取出し面により光透過性が必要か否かが適宜決定される。一般的には、基板側を光の取出し面とすることが好ましいことから、基板は透明な材料で形成されることが好ましい。
【０１００】
このような基板の形成材料としては、例えばソーダ石灰ガラス、アルカリガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス板、またはフィルム状に成形が可能な樹脂基板等を用いることができる。この樹脂基板に用いる樹脂としては、耐溶媒性および耐熱性の比較的高い高分子材料であることが好ましい。具体的には、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリミクロイキシレンジメチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル−スチレン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。また、上記の他にも所定の条件を満たす高分子材料であれば使用可能であり、２種類以上の共重合体を用いることもできる。さらに必要に応じて水分、酸素等のガスを遮断するガスバリア性を有する基板を用いてもよい。
【０１０１】
９．導電層
本発明においては、第１電極層と補助電極との間および第１電極層と発光層との間に導電層が形成されていてもよい。また、第１電極層と補助電極との間および発光層と第２電極層との間に導電層が形成されていてもよい。この導電層は、発光領域および補助電極形成領域のいずれにも形成されるものである。
【０１０２】
導電層に用いられる材料としては、導電性を有し、補助電極の機能を阻害するものでなければ特に限定されるものではなく、例えば、導電性高分子や、アルカリ金属類およびアルカリ金属のハロゲン化物が挙げられる。
導電性高分子としては、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。より具体的には、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を用いることができる。
また、アルカリ金属類およびアルカリ金属のハロゲン化物としては、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、カルシウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等が挙げられる。
【０１０３】
Ｂ．有機ＥＬ素子の製造方法
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、ストライプ状の第１電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の上記第１電極層が露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、上記第１電極層の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第２電極層分断用隔壁を形成するとともに、上記補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁を形成する隔壁形成工程と、上記絶縁層、上記第２電極層分断用隔壁および上記補助電極形成用隔壁が形成された上記第１電極層上に、発光層を含む有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、上記有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、上記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成するとともに、上記補助電極形成領域内の上記第１電極層上に補助電極を形成する第２電極層形成工程とを有することを特徴とするものである。
【０１０４】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図４および図５は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。なお、図４(a)〜(d)は上面図、図５(a)は図４(a)のＣ１−Ｃ１線断面図、図５(b)は図４(b)のＣ２−Ｃ２線断面図、図５(c)は図４(c)のＣ３−Ｃ３線断面図、図５(d)は図４(d)のＣ４−Ｃ４線断面図である。図４(b)および(c)において第１電極層を一点鎖線、図４(d)において第２電極層分断用隔壁および補助電極用隔壁を二点鎖線で示している。
【０１０５】
まず、基板２上にストライプ状の第１電極層３を形成する（図４(a)、図５(a)）。次いで、第１電極層３が形成された基板２上に、発光領域１２内および補助電極形成領域１３内の第１電極層３が露出するように絶縁層４を形成する（図４(b)、図５(b)、絶縁層形成工程）。次に、絶縁層４上に、第１電極層の長手方向１１と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第２電極層分断用隔壁５を形成するとともに、補助電極形成領域１３を囲むように、所定の幅ｄの開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁６を形成する（図４(c)、図５(c)、隔壁形成工程）。
【０１０６】
次に、第２電極層分断用隔壁５および補助電極形成用隔壁６が形成された基板２上の全面に、印刷法、吐出法または転写法、例えばグラビア印刷法により有機層形成用塗工液を塗布し、有機層２０を形成する（図４(d)、図５(d)、有機層形成工程）。このとき、補助電極形成用隔壁６の開口部の幅が比較的狭いため、補助電極形成用隔壁６の開口部に有機層形成用塗工液が入り込むのを防ぐことができる。
【０１０７】
印刷法、吐出法または転写法の場合、補助電極形成用隔壁の開口部の幅が比較的狭いと、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液が入り込み難くなる理由については明らかではないが、次のように考えられる。すなわち、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の項に記載したように、印刷法では、補助電極形成用隔壁の開口部の幅が比較的狭いので、版やブランケットが補助電極形成用隔壁の開口部内の第１電極層表面に接触できなくなり、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液が入り込み難くなるものと思料される。転写法では、印刷法と同様に、補助電極形成用隔壁の開口部の幅が比較的狭いので、転写シートが補助電極形成用隔壁の開口部内の第１電極層表面に接触できなくなり、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液が入り込み難くなるものと思料される。また、吐出法では、有機層形成用塗工液を補助電極形成用隔壁の開口部内の第１電極層上に吐出しないことにより、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層形成用塗工液を入り込み難くすることができる。
【０１０８】
よって、図４(d)および図５(d)に例示するように、補助電極形成用隔壁６の開口部に有機層２０を形成しないようにすることができる。すなわち、補助電極形成領域１３に有機層２０を形成させないことが可能である。
【０１０９】
次いで、図示しないが、有機層２０を含む有機ＥＬ層を形成する。
次に、有機ＥＬ層７が形成された基板２上の全面に、例えば金属材料を真空蒸着法により成膜し、有機ＥＬ層７上に第２電極層８を形成するとともに、補助電極形成領域１３内の第１電極層３上に補助電極９を形成する（図５(e)、第２電極層形成工程）。真空蒸着法等では金属材料が補助電極形成用隔壁の開口部にも堆積されるので、図５(e)に例示するように、補助電極形成用隔壁６の開口部には補助電極９が形成される。よって、第１電極層３と補助電極９とを接触させることができ、第１電極層３の直上に、第２電極層８と同一の材料で補助電極９を形成することができる。したがって、工程数を増やすことなく、第１電極層上に補助電極を形成することが可能である。
【０１１０】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法における各工程について説明する。
【０１１１】
１．絶縁層形成工程
本発明における絶縁層形成工程は、ストライプ状の第１電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の上記第１電極層が露出するように絶縁層を形成する工程である。
【０１１２】
なお、基板、第１電極層、絶縁層、および絶縁層の形成方法については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１１３】
２．隔壁形成工程
本発明における隔壁形成工程は、上記絶縁層上に、上記第１電極層の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第２電極層分断用隔壁を形成するとともに、上記補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁を形成する工程である。
【０１１４】
なお、第２電極層分断用隔壁、補助電極形成用隔壁、およびこれらの隔壁の形成方法については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１１５】
３．有機ＥＬ層形成工程
本発明における有機ＥＬ層形成工程は、上記絶縁層、上記第２電極層分断用隔壁および上記補助電極形成用隔壁が形成された上記第１電極層上に、発光層を含む有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、上記有機ＥＬ層を形成する工程である。
【０１１６】
有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有するものであり、その層構成については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の項に記載した通りである。本発明においては、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成すればよく、有機ＥＬ層を構成する他の層を、印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成することができる。例えば、絶縁層、第２電極層分断用隔壁および補助電極形成用隔壁が形成された第１電極層上に、正孔注入層および発光層を印刷法、吐出法または転写法により順に形成した後に、発光層上に電子輸送層や電子注入層を印刷法、吐出法および転写法、以外の方法、例えば真空蒸着法により形成することができる。
【０１１７】
このように、有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層を印刷法、吐出法または転写法により形成し、有機ＥＬ層を構成する他の層を印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成してもよいが、中でも、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち、湿式法で形成する有機層のすべてを印刷法、吐出法または転写法により形成することが好ましい。これにより、補助電極形成用隔壁の開口部に有機層を確実に形成しないようにすることができるからである。
【０１１８】
以下、有機層形成工程、ならびに、印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で有機ＥＬ層を構成する層を形成する方法について説明する。
【０１１９】
（１）有機層形成工程
本発明における有機層形成工程は、上記絶縁層、上記第２電極層分断用隔壁および上記補助電極形成用隔壁が形成された上記第１電極層上に、発光層を含む有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する工程である。
【０１２０】
印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層の数としては、１層以上であればよく、例えば１層、２層、３層等とすることができる。
【０１２１】
印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層が挙げられる。中でも、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層は、発光層であることが好ましい。また、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層は、正孔注入層および発光層であってもよい。
【０１２２】
上記有機層を形成する際には、絶縁層、第２電極層分断用隔壁および補助電極形成用隔壁が形成された第１電極層上に、有機層を形成するための有機層形成用塗工液を、印刷法、吐出法または転写法により塗布する。この有機層形成用塗工液には、有機層の種類に応じた材料が用いられる。
【０１２３】
有機層形成用塗工液は、上記有機層を構成する材料を溶媒に溶解もしくは分散させることにより調製される。溶媒としては、有機層を構成する材料に応じて適宜選択される。例えば、有機層として発光層を形成する場合、発光層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、上述した発光材料を溶解もしくは分散させることができるものであれば特に限定されるものではなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、テトラリン、メシチレン等を挙げることができる。
【０１２４】
印刷法としては、グラビア印刷法、活版印刷法、スクリーン印刷法などが挙げられる。吐出法としては、インクジェット法が挙げられる。インクジェット法の場合、有機層形成用塗工液を不連続的に吐出してもよく連続的に吐出してもよい。また、転写法としては、熱転写法が挙げられる。
【０１２５】
有機層形成用塗工液の塗布に際しては、絶縁層、第２電極層分断用隔壁および補助電極形成用隔壁が形成された第１電極層上の全面に有機層形成用塗工液を塗布してもよく、絶縁層、第２電極層分断用隔壁および補助電極形成用隔壁が形成された第１電極層上にパターン状に有機層形成用塗工液を塗布してもよい。
【０１２６】
また、有機層形成用塗工液の塗布に際しては、ストライプ状の第１電極層の長手方向に対して平行に有機層形成用塗工液を塗布してもよく、ストライプ状の第１電極層の長手方向に対して垂直に有機層形成用塗工液を塗布してもよい。例えば赤色の発光部２１Ｒ、緑色の発光部２１Ｇおよび青色の発光部２１Ｂの３色の発光部を有するようにパターン状に発光層を形成する場合、図１７に例示するように、ストライプ状の第１電極層の長手方向１１に対して平行に各発光層形成用塗工液を塗布してもよく、図１９に例示するように、ストライプ状の第１電極層の長手方向１１に対して垂直に各発光層形成用塗工液を塗布してもよい。
【０１２７】
有機層形成用塗工液の塗布後は、乾燥を行ってもよい。
【０１２８】
（２）印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で有機ＥＬ層を構成する層を形成する方法
本発明において、印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成する他の層としては、発光層以外の層であることが好ましい。このような層としては、例えば、正孔注入層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。
【０１２９】
印刷法、吐出法および転写法、以外の方法としては、真空蒸着法等の一般的な蒸着方法を用いることができる。マスクを用いて真空蒸着法等により層を形成することで、補助電極形成用隔壁の開口部に層を形成しないようにすることができる。
【０１３０】
４．第２電極層形成工程
本発明における第２電極層形成工程は、上記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成するとともに、上記補助電極形成領域内の上記第１電極層上に補助電極を形成する工程である。
【０１３１】
なお、第２電極層、補助電極、およびこれらの電極の形成方法については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１３２】
５．導電層形成工程
本発明においては、有機ＥＬ層形成工程にて発光層を形成する前に、発光領域内および補助電極形成領域内の第１電極層上に導電層を形成する導電層形成工程を行ってもよい。この場合、第１電極層と発光層との間および第１電極層と補助電極との間に導電層が形成されることになる。また、有機ＥＬ層形成工程にて発光層を形成した後に、発光層および補助電極形成領域内の第１電極層の上に導電層を形成する導電層形成工程を行ってもよい。この場合、発光層と第２電極層の間および第１電極層と補助電極との間に導電層が形成されることになる。いずれの場合においても、導電層は、発光領域および補助電極形成領域の両方に形成されることになる。
【０１３３】
導電層の形成方法としては、印刷法、吐出法および転写法のいずれでもなければ特に限定されるものではなく、湿式法であってもよく乾式法であってもよい。
湿式法としては、塗工液を塗布する方法が挙げられる。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスト法、ＬＢ法等を挙げることができる。
乾式法としては、真空蒸着法等の一般的な蒸着方法を用いることができる。
【０１３４】
なお、導電層に用いられる材料については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１３５】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１３６】
以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。
［実施例１］
（透明電極層の形成）
まず、ガラス基板（厚み０．７ｍｍ）に対して、イオンプレーティング法により膜厚２００ｎｍの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）電極膜を形成し、このＩＴＯ電極膜上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像、ＩＴＯ電極膜のエッチングを行って、幅１．７ｍｍのストライプ状の透明電極層を２．３ｍｍピッチで３０本形成した。
【０１３７】
（絶縁層の形成）
次に、上記のガラス基板（厚み０．７ｍｍ）に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ポリイミド前駆体を主成分とするポジ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、各透明電極層上に１．５ｍｍ×１．０ｍｍの発光領域（開口部）が２．３ｍｍピッチで存在し、また各透明電極層上に１．５ｍｍ×０．０２ｍｍの補助電極形成領域（開口部）が２．３ｍｍピッチで存在するように、絶縁層（厚み１．５μｍ）を形成した。
【０１３８】
（隔壁の形成）
次に、上記の絶縁層が形成されたガラス基板に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂からなるネガ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、絶縁層上に透明電極層と直交するように、ストライプ状で断面形状が逆テーパー状の第２電極層分断用隔壁を並列に形成した。この際、第２電極層分断用隔壁を構成する小隔壁の数は２個（２ライン）とした。小隔壁は、幅が５０μｍ、厚みが４μｍ、逆テーパーの角度が５０°であった。
また、上記第２電極層分断用隔壁を形成すると同時に、補助電極形成用隔壁を補助電極形成領域を囲むように形成した。補助電極形成用隔壁は幅が５０μｍ、厚みが４μｍ、逆テーパーの角度が５０°、開口部の幅が３０μｍであった。
【０１３９】
（正孔注入層用のインキおよび赤色発光層用のインキの調製）
次に、下記組成の正孔注入層用のインキＡ１を調製した。このインキＡ１のせん断速度１００／秒における粘度（インキ温度２３℃）を、Ｐｈｙｓｉｃａ社製の粘弾性測定装置ＭＣＲ３０１型により定常流測定モードで測定した結果、１５ｃＰであった。また、２Ｈｚにおける動的表面張力（インキ温度２３℃）をＳＩＴＡ ｔ６０／２（ＳＩＴＡ Ｍｅｓｓｔｅｃｈｎｉｋ ＧｍｂＨ社製）を用いて測定した結果、３０ｄｙｎｅ／ｃｍであった。
＜正孔注入層用のインキＡ１の組成＞
・ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン）／ＰＳＳ（ポリスチレンスルフォネート）（混合比＝１／２０）（バイエル社製 Ｂａｙｔｒｏｎ ＰＣＨ８０００）
…  ７０重量％
・混合溶媒（水：イソプロピルアルコール（沸点８２．４℃）＝７０：３０）
…  ３０重量％
【０１４０】
次いで、下記組成の赤色発光層用のインキＢ１を調製した。このインキＢ１のせん断速度１００／秒における粘度（インキ温度２３℃）を、上記のインキＡ１と同様に測定した結果、８０ｃＰであった。また、溶媒として使用するメシチレンとテトラリンの表面張力を、協和界面科学（株）製の表面張力計ＣＢＶＰ−Ｚ型により、液温２０℃で測定した。
＜赤色発光層用のインキＢ１の組成＞
・ポリフルオレン誘導体系の赤色発光材料（分子量：３００，０００）…  ２．５重量％
・溶媒（メシチレン：テトラリン＝５０：５０の混合溶媒）          …９７．５重量％
（混合溶媒の表面張力＝３２ｄｙｎｅ／ｃｍ、沸点＝１８６℃）
（メシチレンの表面張力＝２８ｄｙｎｅ／ｃｍ、沸点＝１６５℃）
（テトラリンの表面張力＝３５．５ｄｙｎｅ／ｃｍ、沸点＝２０７℃）
【０１４１】
（正孔注入層および発光層の形成）
グラビア版として、セル間隔２５μｍとなるように格子形状に配列された正方形のセル（セルの一辺が１００μｍ、セルの深さ３５μｍ）を備えた板状のグラビア版（有効幅８０ｍｍ）を準備した。このグラビア版では、正方形のセルの対角線方向を、後述のブランケットの稼動方向と一致させた。
次に、樹脂フィルムとして、易接着ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ（株）製 Ｕ１０、厚み１００μｍ、表面張力６０ｄｙｎｅ／ｃｍ）を準備した。なお、このフィルムの表面張力は、２種以上の表面張力が判っている液体（標準物質）を使用して、自動接触角計（協和界面科学（株）製 DropMaster 700型）にて接触角θを測定し、γｓ（樹脂フィルムの表面張力）＝γＬ（液体の表面張力）ｃｏｓθ＋γＳＬ（樹脂フィルムと液体の表面張力）の式に基づいて求めた。
次いで、直径１２ｃｍ、胴幅３０ｃｍのブランケット胴（表面にクッション層（硬度７０°）を備える）の周面に、上記の樹脂フィルムを装着してブランケットを作製した。なお、クッション層の硬度はＪＩＳ（Ｋ６２５３）デュロメータ硬さ試験によるＴｙｐｅＡ硬度である。
【０１４２】
次に、上記のグラビア版とブランケットを平台オフセット印刷機に装着し、グラビア版に上記の正孔注入層用のインキＡ１を供給し、ブレードを用いて不要なインキを除去して、セル内にインキを充填した。次いで、グラビア版からブランケットにインキを受理させ、その後、ブランケットから上記の隔壁等が形成されたガラス基板上にインキを転移させることによって、正孔注入層（厚み約７０ｎｍ）の形成を行った。なお、印刷速度は１０００ｍｍ／秒であり、乾燥は１２０℃に設定したホットプレート上で１時間とした。この正孔注入層は８０ｍｍ×８０ｍｍであり、上記の絶縁層の開口部を被覆するように形成した。
【０１４３】
次いで、グラビア版に上記の赤色発光層用のインキＢ１を供給し、正孔注入層の形成と同様の作業によって、赤色発光層（厚み約７０ｎｍ）の形成を行った。なお、印刷速度は１０００ｍｍ／秒であり、乾燥は１８０℃に設定したホットプレート上で１時間とした。この赤色発光層は８０ｍｍ×８０ｍｍであり、上記の正孔注入層を被覆するように形成した。
【０１４４】
（導電層の形成）
赤色発光層を形成した面側に、９０ｍｍ×９０ｍｍの開口部を備えたメタルマスクを配置した。次に、このマスクを介して真空蒸着法によりカルシウムを蒸着（蒸着速度＝０．１ｎｍ／秒）して導電層（厚み１０ｎｍ）を形成した。
【０１４５】
（第２電極層の形成）
次に、導電層の形成に用いたメタルマスクをそのまま使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着（蒸着速度＝０．４ｎｍ／秒）した。これにより、導電層上に、アルミニウムからなる９０ｍｍ×９０ｍｍの第２電極層（厚み３００ｎｍ）を形成した。
最後に、第２電極層を形成した面側に、紫外線硬化型接着剤を介して封止板を貼り合わせることにより、有機ＥＬ素子を得た。
【０１４６】
［比較例１］
下記のようにして絶縁層および隔壁を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４７】
（絶縁層の形成）
透明電極層が形成されたガラス基板（厚み０．７ｍｍ）に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ポリイミド前駆体を主成分とするポジ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、各透明電極層上に１．５ｍｍ×１．０ｍｍの発光領域（開口部）が２．３ｍｍピッチで存在するように絶縁層（厚み１．５μｍ）を形成した。
【０１４８】
（隔壁の形成）
次に、上記の絶縁層が形成されたガラス基板に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂からなるネガ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、絶縁層上に透明電極層と直交するように、ストライプ状で断面形状が逆テーパー状の隔壁を並列に形成した。この際、隔壁を構成する小隔壁の数は２個（２ライン）とした。小隔壁は、幅が５０μｍ、厚みが４μｍ、逆テーパーの角度が５０°であった。
【０１４９】
［比較例２］
下記のようにして正孔注入層および発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１５０】
（正孔注入層用のインキおよび赤色発光層用のインキの調製）
下記組成の正孔注入層用のインキを調製した。
＜正孔注入層用のインキの組成＞
・ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン）／ＰＳＳ（ポリスチレンスルフォネート）（混合比＝１／２０）（バイエル社製 Ｂａｙｔｒｏｎ ＰＣＨ８０００）
【０１５１】
また、下記組成の赤色発光層用のインキを調製した。
＜赤色発光層用のインキの組成＞
・ポリフルオレン誘導体系の赤色発光材料（分子量：３００，０００）…  １．５重量％
・溶媒（キシレン）                                              …９８．５重量％
【０１５２】
（正孔注入層および発光層の形成）
スピンコーターを用いて、正孔注入層（厚み約７０ｎｍ）の形成を行った。なお、回転数3000ｒｐｍであり、乾燥は１２０℃に設定したホットプレート上で１時間とした。この際、絶縁層の開口部を被覆するように正孔注入層を形成した。
次に、スピンコーターを用いて、発光層（厚み約７０ｎｍ）の形成を行った。なお、回転数1500ｒｐｍであり、乾燥は１８０℃に設定したホットプレート上で１時間とした。この際、上記正孔注入層を被覆するように発光層を形成した。
【０１５３】
［評価］
実施例１および比較例１、２について、次のようにして評価を行った。評価は電圧印加によって、選択位置（選択ライン）の輝度測定を行い、輝度の均一状況を評価した。選択位置としては、図２１おいて、第１電極層の長手方向１１、第２電極層の長手方向３１、第１電極層の電圧印加位置３２、第２電極層の電圧印加位置３３としたとき、第１電極層の電圧印加位置３２に最も近い箇所を選択位置Iとし、第１電極層の電圧印加位置３２に最も遠い箇所を選択位置IIとした。
実施例１では、一定電圧で選択位置Iの輝度を100％としたとき、選択位置IIの輝度は95％であった。
比較例１では、一定電圧で選択位置Iの輝度を100％としたとき、選択位置IIの輝度は80％であった。
比較例２では、一定電圧で選択位置Iの輝度を100％としたとき、選択位置IIの輝度は82％であった。
なお、比較例２の結果から、スピンコート法は、印刷法、吐出法および転写法のいずれにも該当しなく、本発明に適さないことがわかった。
【０１５４】
［実施例２］
小隔壁の間隔を３０μｍとして第２電極層分断用隔壁を形成し、下記のようにして正孔注入層および発光層を形成し、第２電極層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
なお、第２電極層分断用隔壁を形成する際には、後述の正孔注入層および発光層の形成時に基板上に着弾したインクが流出しないように、基板の外縁に、第２電極層分断用隔壁の短辺の端部と接合するように枠状の隔壁を形成した。この枠状の隔壁は電極分離領域よりも外側に設けた。
【０１５５】
（正孔注入層および発光層の形成）
マイクロドロップ社のマイクロドロップシステム（ディスペンサーヘッド  MD-K-140）を用いて、実施例１で用いた正孔注入層用のインキＡ１を第２電極層分断用隔壁間に吐出した。この際、着弾したインクは第２電極層分断用隔壁の高さで保持されるようにした。またこの際、インクをディスペンサーヘッドのヒーターで加熱して吐出し、塗布方向は第２電極層分断用隔壁の長手方向と平行方向とした。インクの吐出後は、自然乾燥させ、さらに１２０℃に設定したホットプレート上で１時間乾燥させた。これにより、正孔注入層（厚み約７０ｎｍ）を形成した。この正孔注入層は８０ｍｍ×８０ｍｍ領域でライン状に形成されており、絶縁層の開口部を被覆するように形成した。
【０１５６】
次いで、マイクロドロップ社のマイクロドロップシステム（ディスペンサーヘッド  MD-K-140）を用いて、実施例１で用いた赤色発光層用のインキＢ１を第２電極層分断用隔壁間に吐出した。この際、着弾したインクは第２電極層分断用隔壁の高さで保持されるようにした。またこの際、インクをディスペンサーヘッドのヒーターで加熱して吐出し、塗布方向は第２電極層分断用隔壁の長手方向と平行方向とした。インクの吐出後は、自然乾燥させ、さらに１８０℃に設定したホットプレート上で１時間乾燥させた。これにより、赤色発光層（厚み約７０ｎｍ）を形成した。この赤色発光層は８０ｍｍ×８０ｍｍ領域でライン状に形成されており、上記の正孔注入層を被覆するように形成した。
【０１５７】
（第２電極層の形成）
次に、導電層の形成に用いたメタルマスクをそのまま使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着（蒸着速度＝０．４ｎｍ／秒）した。これにより、導電層上に、アルミニウムからなる９０ｍｍ×９０ｍｍの第２電極層（厚み３００ｎｍ）を形成した。
【０１５８】
［実施例３］
下記のようにして電子注入層および第２電極層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１５９】
（電子注入層の形成）
赤色発光層を形成した面側に、発光領域が開口となるメタルマスクを配置した。次に、このマスクを介して真空蒸着法によりカルシウムを蒸着（蒸着速度＝０．１ｎｍ／秒）して、補助電極形成領域にはカルシウムが蒸着されないように電子注入層（厚み１０ｎｍ）を形成した。
【０１６０】
（第２電極層の形成）
次に、９０ｍｍ×９０ｍｍの開口部を備えたメタルマスクを使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着（蒸着速度＝０．４ｎｍ／秒）した。これにより、電子注入層上に、アルミニウムからなる９０ｍｍ×９０ｍｍの第２電極層（厚み３００ｎｍ）を形成した。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す模式図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す模式図である。
【図７】図６のＤ−Ｄ線断面図である。
【図８】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す模式図である。
【図９】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す模式図である。
【図１０】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す模式図である。
【図１１】図１０のＥ−Ｅ線断面図である。
【図１２】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す模式図である。
【図１３】図１２のＦ−Ｆ線断面図である。
【図１４】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す概略断面図である。
【図１５】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す概略断面図である。
【図１６】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す概略断面図である。
【図１７】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す模式図である。
【図１８】図１７のＧ−Ｇ線断面図である。
【図１９】本発明の有機ＥＬ素子の他の例を示す模式図である。
【図２０】図１９のＨ−Ｈ線断面図である。
【図２１】実施例および比較例の評価方法を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０１６２】
１  …  有機ＥＬ素子
２  …  基板
３  …  第１電極層
４  …  絶縁層
５  …  第２電極層分断用隔壁
６、６ａ  …  補助電極形成用隔壁
６ｂ  …  第２補助電極形成用隔壁
７  …  有機ＥＬ層
８  …  第２電極層
９  …  補助電極
１１  …  第１電極層の長手方向
１２  …  発光領域
１３  …  補助電極形成領域
２０  …  有機層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2010080310.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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