(57)【要約】【課題】電子放出源、ゲート電極、アノード電極を備え、電子放出源から放出された電子の広がりを抑制する磁石を備えた真空デバイスにおいて、磁石の厚さや材料等の制限を受けずに電子を集束できる構造の真空デバイスを提供すること。【解決手段】永久磁石４２１，４２２の間に、ディスプレイのパネル１０Ｄ、ミラー４３を配置してあり、両永久磁石の対向領域の磁束ＭＦは、平行になる。カソード部２１の電子放出源２１２から放出された電子は、磁束ＭＦによりアノード部２２の蛍光体膜２２２に集束する。蛍光体膜２２２の発光により発生した光は、反射面４３１により光路ＬＦが曲げられて進む。永久磁石４２１，４２２は、光路ＬＦの外に位置する。【選択図】図１
2010003474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の磁石の間にパネルとミラーを配置した真空デバイスであって、パネルは、対向する背面基板と透光性の前面基板、及び側面部材からなる真空容器を備え、背面基板にはカソード電極、電子放出源及びゲート電極を形成し、前面基板には透光性のアノード電極及び蛍光体膜を形成してあり、ミラーは、反射面をアノード電極側に向けてその反射面が前面基板に対して傾斜するように配置してあり、一対の磁石の対向面は少なくとも蛍光体膜を覆う大きさであることを特徴とする真空デバイス。
【請求項２】
請求項１又は請求項２に記載の真空デバイスにおいて、一対の磁石はヨークに取付けてあることを特徴とする真空デバイス。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の真空デバイスにおいて、一対の磁石は、背面基板上の表面電極とアノード電極の所定のギャップ及び所定のアノード電圧に対して最適の電子集束に必要な強さの磁界を作ることを特徴とする真空デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、電界放出型等の電子源を備えたディスプレイ、撮像素子等の真空デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電界放出型の電子放出源、例えばスピント型の電子放出源のように先端の尖った電子放出源の場合、電子放出源から放出された電子（電子群）は、所定の範囲に広がりながらアノード電極へ向かって進む。その広がりを抑制するため、電子放出源とアノード電極の間に磁界を印加する真空デバイスが提案されている。
図７により従来の磁界を印加する真空デバイスの一つであるディスプレイについて説明する（特許文献１参照）。
図７（ａ）は、ディスプレイの断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のディスプレイに印加された磁界を説明する図である。
【０００３】
ディスプレイのパネル１０Ｄは、ガラスの背面基板（カソード側基板）１１１、ガラスの前面基板（アノード側基板）１１２、側面部材（スペーサ）１２からなる真空容器を備えている。背面基板１１１と前面基板１１２は、対向するように配置してあり、背面基板１１１にはカソード部２１とゲート電極３１を形成し、前面基板１１２にはアノード部２２を形成してある。カソード部２１は、カソード電極２１１、複数のスピント型の電子放出源２１２からなり、アノード部２２は、透光性のアノード電極（導電膜）２２１、蛍光体膜２２２からなる。パネル１０Ｄの外側の周縁部には、対向する永久磁石４１１と４１２、永久磁石４１３と４１４を取付けてある。永久磁石４１２，４１４は、蛍光体膜２２２からＹ１方向へ放射される光の通過の障害にならない位置に取付けてある。
【０００４】
電子放出源２１２から電子を引き出すように機能するゲート電極３１の間に印加された電位差により電子放出源２１２から放出された電子は、ゲート電極３１、アノード電極２２１により加速されてアノード電極２２１に向かって進み、蛍光体膜２２２に到達（衝突）する。蛍光体膜２２２は、電子に励起されて発光し、光（可視光像）をＹ１方向へ放射する。その際電子放出源２１２から放出された電子は、広がりながらアノード電極２２１に向かって進むが、永久磁石４１１と４１２、４１３と４１４の磁界によりローレンツ力が働いて回転しながら螺旋状に進む。そのため電子放出源２１２から放出された電子は、広がることなく蛍光体膜２２２に集束する。
【０００５】
次に図７（ｂ）により、永久磁石４１１と４１２、４１３と４１４の磁界について説明する。
永久磁石４１１と４１２、４１３と４１４の磁界は、図７（ｂ）のようになり、磁束ＭＦは、対向する永久磁石４１１と４１２の間、及び対向する永久磁石４１３と４１４の間では、背面基板１１１及び前面基板１１２と直交する方向へ平行になるが、それらの対向位置から離れると平行性が崩れ非平行になる。そしてその非平行の度合いは、カソード電極２１１とアノード電極２２２の対向領域の中央部分３０付近において最も大きくなる。また磁束密度は、永久磁石の対向位置から離れるほど小さくなる。したがって図７（ａ）のように永久磁石４１１〜４１４をパネル１０Ｄの周縁部に配置した場合、電子の集束の度合いは、カソード電極２１１とアノード電極２２２の対向領域の場所によって異なり、不均一になる。
【０００６】
そこで図７（ａ）の永久磁石４１１〜４１４に代えて、背面基板１１１と前面基板１１２の全面に透光性のある永久磁石膜を形成して、カソード電極２１１とアノード電極２２２が対向する領域の広い範囲において磁束を平行にする真空デバイスも提案されている（特許文献１［００２９］、特許文献２図６参照）。
しかし背面基板１１１と前面基板１１２の全面に透光性の永久磁石膜を形成する場合、永久磁石膜が厚いと透光性がなくなるから、その膜厚は、ｎｍ単位にしなければならないが、その程度の膜厚になると、電子の広がりを抑制するのに必要な強さの磁界が得られなくなる。また透光性の永久磁石膜を形成するには、使用可能な材料も限られる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２６９２１８号公報
【特許文献２】特開２００５−３２２５８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願発明は、従来の磁界を印加する真空デバイスにおける前記問題点に鑑み、真空デバイスのカソード電極とアノード電極の間の全領域の磁界を平行にすることができ、かつ磁石の厚さ、大きさ、材料の選択自由度を高め、電子の広がりを抑制して電子の最適な集束に必要な強さの磁界を印加できる構造の真空デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明は、その目的を達成するため、請求項１に記載の真空デバイスは、対向する一対の磁石の間にパネルとミラーを配置した真空デバイスであって、パネルは、対向する背面基板と透光性の前面基板、及び側面部材からなる真空容器を備え、背面基板にはカソード電極、電子放出源及びゲート電極を形成し、前面基板には透光性のアノード電極及び蛍光体膜を形成してあり、ミラーは、反射面をアノード電極側に向けてその反射面が前面基板に対して傾斜するように配置してあり、一対の磁石の対向面は少なくとも蛍光体膜を覆う大きさであることを特徴とする。
請求項２に記載の真空デバイスは、請求項１又は請求項２に記載の真空デバイスにおいて、一対の磁石はヨークに取付けてあることを特徴とする。
請求項３に記載の真空デバイスは、請求項１又は請求項２に記載の真空デバイスにおいて、一対の磁石は、背面基板上の表面電極とアノード電極の所定のギャップ及び所定のアノード電圧に対して最適の電子集束に必要な強さの磁界を作ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明の真空デバイスは、対向する一対の磁石の間にパネルとミラーを配置し、ミラーの反射面で光路を曲げるように構成してあるから、磁石は、パネルのアノード部から放射される光、或いはアノード部に到達する光の光路外に配置されている。したがって磁石は、光の進行に何ら障害にならない。また磁石は、任意の厚さ、任意の大きさのものを用いることができるから、少なくともアノード部の蛍光体膜或いは後述する光電変換膜の全面を覆う大きさにすることができる。したがって真空デバイスのパネル内の磁束は、電子放出源と蛍光体膜或いは光電変換膜が対向する全領域において平行になり、均一になる。そして電子の集束の度合いは、その全領域において均一になる。
本願発明の真空デバイスは、磁石の厚さ、大きさ、材料に制限がないし、ヨークを設けることもできるから、所定のアノード電圧及び背面基板上の表面電極とアノード電極の所定のギャップに対して電子の最適な集束に必要な強さの磁界を容易に作ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１〜図６により本願発明の真空デバイスの実施例を説明する。なお各図に共通の部分は、同じ符号を使用している。
【実施例１】
【００１２】
図１〜図３により実施例１に係るディスプレイを説明する。
図１（ａ）は、ディスプレイの断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ１方向の側面図である。
ディスプレイは、パネル１０Ｄ、ミラー４３、一対の永久磁石４２１，４２２からなり、パネル１０Ｄは、図７のパネル１０Ｄと同じで、ガラスの背面基板（カソード側基板）１１１、ガラスの前面基板（アノード側基板）１１２、側面部材（スペーサ）１２からなる真空容器を備えている。背面基板１１１と前面基板１１２は、対向するように配置してあり、背面基板１１１にはカソード部２１とゲート電極３１を形成し、前面基板１１２にはアノード部２２を形成してある。カソード部２１は、カソード電極２１１、複数のスピント型の電子放出源２１２からなり、アノード部２２は、透光性のアノード電極（導電膜）２２１、蛍光体膜２２２からなる。アノード電極には透明導電膜の外、所定箇所に画素に相当する開口部を設けた透光性の金属薄膜を用いることができる。
なお前面基板１１２は、透光性を有するが、背面基板１１１は、不透光性のものであってもよい。
【００１３】
永久磁石４２１，４２２は、磁極が対向するように、例えば、永久磁石４２１の背面基板１１１に対向する面がＮ極の場合、永久磁石４２２の前面基板１１２に対向する面がＳ極となるように配置してある。そして永久磁石４２１，４２２の対向面（磁極が対向する面）は、少なくとも蛍光体膜２２２を覆う大きさに設定してある。即ち永久磁石４２１，４２２の対向面の大きさは、蛍光体膜２２２と同じか、それよりも大きく形成してある。また永久磁石４２１，４２２の対向面の間には、パネル１０Ｄとミラー４３を配置してある。ミラー４３は、前面基板１１２の外側に、反射面４３１を前面基板１１２、蛍光体膜２２２側に向けて、その反射面４３１が前面基板１１２に対して傾斜するように（例えば４５度に）配置してある。そして反射面４３１の投射面積（前面基板１１２上の投射面積）は、蛍光体膜２２２と少なくとも同じ大きさに設定してある。
永久磁石４２１，４２２、パネル１０Ｄ、ミラー４３を上記のように配置すると、永久磁石４２１，４２２の対向面の間の磁束ＭＦ（破線）は、平行になり、かつ背面基板１１１、前面基板１１２と直交する。したがってカソード部２１とアノード部２２が対向する領域の磁束は、平行になる。
【００１４】
電子放出源２１２から放出された電子は、ゲート電極３１、アノード電極２２１に加速されて蛍光体膜２２２に到達（衝突）し、蛍光体膜２２２を励起して発光する。発光した光（可視光像）は、透光性のアノード電極（導電膜）２２１、前面基板１１２を通過し、ミラー４３の反射面４３１で光路ＬＦが曲げられてスクリーン等（図示せず）に投写される。
電子源放出２１２から放出された電子は、広がりながらアノード電極２２１に向かって進むが、永久磁石４２１，４２２の磁界によりローレンツ力が働いて回転しながら螺旋状に進む。そのため電子放出源２１２から放出された電子は、広がることなく進み蛍光体膜２２２に集束する。
【００１５】
図１のディスプレイの磁界は、カソード部２１とアノード部２２が対向する全領域において平行になるから、全ての電子放出源２１２から放出された電子は、広がることなく、また軌道がそれることなく蛍光体膜２２２に集束する。またミラー４３を設けたことにより、永久磁石４２２の位置は、ディスプレイから放射される光の光路ＬＦ外になり、光の進行の障害にならないから、永久磁石２２１，４２２は、厚さ、大きさ、材質を任意に選定することができ、後述するようにヨークを設けることもできる。また電子の集束に適した磁界の強さは、後述するように、ゲート電極３１（後述する背面基板上の表面電極）とアノード電極２２１の距離（ギャップ）、アノード電圧の大きさによって変わるが、そのギャップやアノード電圧に対して最適の強さの磁界を作る永久磁石４２１，４２２を用いることができる。
ディスプレイは、例えば蛍光体膜２２２は一辺が２／３インチ（約１７ｍｍ）、ゲート電極とアノード電極のギャップは２．２ｍｍ、永久磁石４２１，４２２は一辺が４０ｍｍ，厚さ５ｍｍのものを用いる。
【００１６】
また永久磁石４２１，４２２は、酸化鉄−ストロンチウム−バリウム等からなるストロンチウム系フエライト磁石、酸化鉄−酸化ストロンチウム−バリウム−コバルト−ランタン等からなるランタンコバルト系フエライト磁石、マンガン−アルミニウム−カーボン等からなるマンガンアルミニウムカーボン磁石、鉄−クロム−コバルト等からなる鉄クロムコバルト磁石、サマリウム−コバルト等からなるサマリウムコバルト磁石、ネオジウム−鉄−ホウ素等からなるネオジウム系磁石、鉄−ニッケル−コバルト−アルミニウム、鉄−ニッケル−コバルト−アルミニウム−チタン、鉄−ニッケル−コバルト−アルミニウム−銅等からなるアルニコ磁石、バリウム−酸化鉄−酸素等からなるバリウム磁石等を用いることができる。またそれらの磁石材料の粉末と樹脂を混ぜ合わせたボンド磁石を用いることもできる。また永久磁石４２１，４２２は、電磁石であってもよい。
【００１７】
電子放出源２１２は、スピント型の電子放出源に限らず、カーボンナノチューブ、薄膜の端部をエミッタとする平面型又はエッジエミッタ型、表面電導等を用いた電界放出型の電子放出源であってもよい。またミラー４３は、全面反射型ミラー、ハーフミラー、ダイクロイックミラー、直角プリズム、凹面鏡、凸面鏡等を用いることができる。
ミラー４３は、磁束の乱れを生じないように表面を研磨したガラス等の誘電体を基板としてアルミニウム薄膜や誘電体薄膜を蒸着したものを用いる。
ミラー４３の反射面４３１と前面基板１１２の表面のなす角度は、光路ＬＦが永久磁石４２２とパネル１０Ｄと干渉しないようにするために４５度が最も好ましく、４０度〜５０度が好適である。ミラー４３は、図１（ａ）のように３角柱状にすると永久磁石４２２と面接触させて固定できるので、真空デバイスの組立てが容易になる。
【００１８】
図２は、図１の永久磁石４２１，４２２にコ字状のヨークを設けた例を示す。
図２（ａ）は、側面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＸ１方向の側面図である。
永久磁石４２１，４２２は、コ字状のヨーク４５の内面に取付けてある。ヨーク４５は、永久磁石４２１，４２２の磁路を形成するから、磁気抵抗が小さくなり、永久磁石４２１，４２２の対向領域の磁界の強さが大きくなる。
ヨーク４５は、パネル１０Ｄから放射された光の光路外に位置するから、光の進行の障害にならない。
【００１９】
図３は、図１の永久磁石４２１，４２２にロ字状（四角形）のヨークを設けた例を示す。
図３（ａ）は、図３（ｂ）のＸ１方向の側面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ２部分の矢印方向の断面図である。
永久磁石４２１，４２２は、ロ字状のヨーク４６の内面に取付けてある。ミラー４３は、反射面４３１がヨーク４６の開口部側を向くように配置してある。ヨーク４６は、図３（ａ）において永久磁石４２１，４２２の左右の磁路を形成するから、磁気抵抗がさらに小さくなり、永久磁石４２１，４２２の対向領域の磁界の強さが大きくなり、かつその対向領域の磁界の強さが均一になる。したがって永久磁石４２１，４２２の対向領域の電子は、均一に集束する。
ヨーク４６は、パネル１０Ｄから放射された光の光路外に位置するから、光の進行の障害にならない。
【実施例２】
【００２０】
図４は、実施例２に係るディスプレイを示す。
図４のディスプレイの基本的構成は、図１のディスプレイと同じであるが、パネル１０Ｄのゲート電極３１の上（アノード電極２２１側）に、集束電極３２を設けた点が、図１のディスプレイと相違している。
集束電極３２にゲート電極３１よりも負の電位を印加すると、電子放出源２１２から放出されてアノード電極２２１へ向かって進む電子は、集束電極３２の電位によって集束する。即ち集束電極３２は、いわゆる電界集束の機能を有する。したがって図４のディスプレイは、磁界集束に加えて電界集束を併用することになるから、永久磁石４２１，４２２の磁界の強さが十分でない場合にも、その磁界集束を補うことができる。
なお集束電極３２の集束効果は、実施例３で説明する撮像素子についても有効である。
【実施例３】
【００２１】
図５は、実施例３に係る撮像素子を示す。
図５（ａ）は、撮像素子の断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＸ１方向の側面図である。
図５の撮像素子の基本的構成は、図１のディスプレイと同じで、パネル１０Ｃのアノード部２３の構成のみが相違している。アノード部２３は、アノード電極２３１と光電変換膜２３２からなる。したがってアノード部２３は、図１のディスプレイのアノード部２２の蛍光体膜２２２を光電変換膜２３２に代えたものに相当する。
【００２２】
光路ＬＦを通って入射する光（可視光像）は、反射面４３１で光路が曲げられ、アノード基板１１２、アノード電極２２１を通過して光電変換膜２３２に到達する。一方電子放出源２１２から放出された電子は、ゲート電極３１、アノード電極２３１に加速されて光電変換膜２３２に到達する。光電膜２３２は、光を電気信号（映像信号）に変換して外部回路（図示せず）へ供給する。電子源放出２１２から放出された電子は、広がりながらアノード電極２２１に向かって進むが、永久磁石４２１，４２２の磁界によりローレンツ力が働いて回転しながら螺旋状に進む。そのため電子放出源２１２から放出された電子は、広がることなく進み光電変換膜２３２に集束する。
なおミラー４３として紫外線等の短波長の光が透過するダイクロイックミラーを用いれば紫外線等による光電変換膜の劣化を防げるので撮像素子の寿命を改善することができる。
【００２３】
次に図６により、本願発明の真空デバイス（ディスプレイ、撮像素子）のアノード電圧、ゲート電極・アノード電極の距離（ギャップ）及び磁界の強さとの関係について、試験結果を説明する。
図５において、縦軸は、アノード電極に印加するアノード電圧Ｖａ（Ｖ）、横軸は、ギャップ（ｍｍ）を表し、イ、ロ、ハ、ニは、夫々ゲート電極・アノード電極間の磁界の強さが１７０ｍＴ，１００ｍＴ，８０ｍＴ，５０ｍＴのときのグラフである。
【００２４】
図６は、電子放出源から放出された電子が蛍光体膜或いは光電変換膜に最適の状態で集束するときの条件を表しており、例えば、アノード電圧Ｖａが５０００（Ｖ）で、ギャップが５ｍｍの場合、磁界の強さは１７０ｍＴになる。したがって真空デバイスのギャップが５ｍｍのとき、アノード電極に５０００（Ｖ）印加する必要がある場合、最適の電子集束を達成するには、磁界の強さを１７０ｍＴに設定する必要がある。またアノード電圧が１０００（Ｖ）で、ギャップが５ｍｍの場合、磁界の強さは８０ｍＴになり、アノード電圧が５０００（Ｖ）で、ギャップが１０ｍｍの場合、磁界の強さは８０ｍＴになり、アノード電圧が５０００（Ｖ）で、ギャップが１６ｍｍの場合、磁界の強さは５０ｍＴになる。
【００２５】
図６のグラフから分かるように、真空デバイスの電子の最適集束条件は、アノード電圧とギャップが変わると、磁界の強さも変わるが、本願発明の真空デバイスは、任意の強さの磁界を作る永久磁石を用いることができる。また永久磁石の材料も制限がない。したがって本願発明の真空デバイスは、所定のアノード電圧及びギャップに対して電子の最適の収束に必要な強さの磁界を作る永久磁石を用いることができる。
なお電子集束状態の微調整は、所定の前記ギャップのパネルを製作し、適切な磁石を組合せた上でアノード電圧を調整することが好ましい。
ここでギャップは、背面基板（カソード基板）上に形成した電極の内、アノード電極に最も近い電極とアノード電極の距離のことであり、そのアノード電極に最も近い電極を背面基板の表面電極と呼ぶ。例えば表面電極は、実施例１，３の場合ゲート電極３１であり、実施例２の場合集束電極３２であり、エッジエミッタ型の電界放出型電子放出源の場合電子放出源になる。
【００２６】
前記実施例は、電界放出型の電子放出源を用いた真空デバイスについて説明したが、電界放出型の電子放出源に限らず、熱電子放出源を用いた真空デバイスであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本願発明の実施例１に係るディスプレイを示す。
【図２】図１のディスプレイにコ字状のヨークを設けた例を示す。
【図３】図１のディスプレイにロ字状のヨークを設けた例を示す。
【図４】本願発明の実施例２に係るディスプレイを示す。
【図５】本願発明の実施例３に係る撮像素子を示す。
【図６】本願発明の真空デバイスのアノード電圧、ゲート電極とアノード電極のギャップ、磁界の強さの関係を示すグラフである。
【図７】従来のディスプレイを示す。
【符号の説明】
【００２８】
１０Ｃ  撮像素子のパネル
１０Ｄ  ディスプレイのパネル
１１１  背面基板
１１２  前面基板
１２  側面部材
２１  カソード部
２１１  カソード電極
２１２  電子放出源
２２，２３  アノード部
２２１，２３１  アノード電極
２２２  蛍光体膜
２３２  光電変換膜
３１    ゲート電極
３２    集束電極
４３  ミラー
４２１，４２２  永久磁石
４５，４６  ヨーク
【図１】
2010003474.tif 000003
【図２】
2010003474.tif 000004
【図３】
2010003474.tif 000005
【図４】
2010003474.tif 000006
【図５】
2010003474.tif 000007
【図６】
2010003474.tif 000008
【図７】
2010003474.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月6日(2009.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の磁石の間にパネルとミラーを配置した真空デバイスであって、パネルは、対向する背面基板と透光性の前面基板、及び側面部材からなる真空容器を備え、背面基板にはカソード電極、電子放出源及びゲート電極を形成し、前面基板には透光性のアノード電極及び蛍光体膜を形成してあり、ミラーは、反射面をアノード電極側に向けてその反射面が前面基板に対して傾斜するように配置してあり、一対の磁石の対向面は少なくとも蛍光体膜を覆う大きさであることを特徴とする真空デバイス。
【請求項２】
対向する一対の磁石の間にパネルとミラーを配置した真空デバイスであって、パネルは、対向する背面基板と透光性の前面基板、及び側面部材からなる真空容器を備え、背面基板にはカソード電極、電子放出源及びゲート電極を形成し、前面基板には透光性のアノード電極及び光電変換膜を形成してあり、ミラーは、反射面をアノード電極側に向けてその反射面が前面基板に対して傾斜するように配置してあり、一対の磁石の対向面は少なくとも光電変換膜を覆う大きさであることを特徴とする真空デバイス。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の真空デバイスにおいて、一対の磁石はヨークに取付けてあることを特徴とする真空デバイス。
【請求項４】
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の真空デバイスにおいて、一対の磁石は、背面基板上の表面電極とアノード電極の所定のギャップ及び所定のアノード電圧に対して最適の電子集束に必要な強さの磁界を作ることを特徴とする真空デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願発明は、その目的を達成するため、請求項１に記載の真空デバイスは、対向する一対の磁石の間にパネルとミラーを配置した真空デバイスであって、パネルは、対向する背面基板と透光性の前面基板、及び側面部材からなる真空容器を備え、背面基板にはカソード電極、電子放出源及びゲート電極を形成し、前面基板には透光性のアノード電極及び蛍光体膜を形成してあり、ミラーは、反射面をアノード電極側に向けてその反射面が前面基板に対して傾斜するように配置してあり、一対の磁石の対向面は少なくとも蛍光体膜を覆う大きさであることを特徴とする。
請求項２に記載の真空デバイスは、対向する一対の磁石の間にパネルとミラーを配置した真空デバイスであって、パネルは、対向する背面基板と透光性の前面基板、及び側面部材からなる真空容器を備え、背面基板にはカソード電極、電子放出源及びゲート電極を形成し、前面基板には透光性のアノード電極及び光電変換膜を形成してあり、ミラーは、反射面をアノード電極側に向けてその反射面が前面基板に対して傾斜するように配置してあり、一対の磁石の対向面は少なくとも光電変換膜を覆う大きさであることを特徴とする。
請求項３に記載の真空デバイスは、請求項１又は請求項２に記載の真空デバイスにおいて、一対の磁石はヨークに取付けてあることを特徴とする。
請求項４に記載の真空デバイスは、請求項１、請求項２又は請求項３に記載の真空デバイスにおいて、一対の磁石は、背面基板上の表面電極とアノード電極の所定のギャップ及び所定のアノード電圧に対して最適の電子集束に必要な強さの磁界を作ることを特徴とする。