(57)【要約】【課題】水平壁上に同極の表示電極を配置するオンバス構造における精密度を維持しつつ、列方向（縦方向）に隣接するセル間での電荷結合による誤放電や励起紫外線の漏れによるクロストークを抑え、同時に十分な排気効率を実現する手段を提供する。【解決手段】面ガラス基板側モジュール２０に設けられる水平壁２９２の誘電率等を調整することで解決する。具体的には、垂直壁２９１、水平壁２９２の高さ及びアスペクト比の調整、水平壁中にガス封入空間３３を設け水平壁の構成成分である低融点ガラスより誘電率が低い放電ガスをそのガス封入空間３３にも充填すること、垂直壁を上下のラインのセルごとに半ピッチずらすことで、単一のセルからの影響を低減すること、などが考えられる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面ガラス基板側パネルと、複数の発光セルを形成する垂直壁及び水平壁が設けられた背面ガラス基板側パネルとを備え、前記前面ガラス基板側パネルと前記背面ガラス基板側パネルとの間隙に放電ガスが封入されるプラズマディスプレイパネルであって、前記水平壁と向き合う前記前面ガラス基板側パネルにＸ表示電極またはＹ表示電極が形成され、前記水平壁のパターン幅が１４５μｍ以上３００μｍ以下、アスペクト比が０．４以上１以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記Ｘ表示電極と向き合う前記水平壁のパターン幅は、前記Ｙ表示電極と向き合う前記水平壁のパターン幅よりも広いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記水平壁又は前記垂直壁をＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の無鉛低融点ガラスで構成することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前面ガラス基板側パネルと、複数の発光セルを形成する垂直壁及び水平壁が設けられた背面ガラス基板側パネルとを備え、前記前面ガラス基板側パネルと前記背面ガラス基板側パネルとの間隙に放電ガスが封入されるプラズマディスプレイパネルであって、前記水平壁がガス封入空間を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記ガス封入空間が同一列内の隣接セルの間に設けられていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
請求項４または５に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記ガス封入空間にも前記放電ガスが充填されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前面ガラス基板側パネルと、複数の発光セルを形成する垂直壁及び水平壁が設けられた背面ガラス基板側パネルとを備え、前記前面ガラス基板側パネルと前記背面ガラス基板側パネルとの間隙に放電ガスが封入されるプラズマディスプレイパネルであって、前記複数の発光セルは行単位で配置され、隣接する行のセルの前記垂直壁は半ピッチずれることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルを使用することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）において、特に表示面を構成するセルを１個ずつ囲むメッシュパターンの隔壁を有し、そのメッシュパターン水平方向の隔壁に重なるように前面基板のバス電極（金属電極）を配置したパネル構造（オンバス構造と定義する）に関する。
【背景技術】
【０００２】
カラー表示用ＡＣ型ＰＤＰにおいては面放電形式が採用されている。ここで言う面放電形式とは、交互に陰極及び陽極となる表示電極対を、前面側又は背面側の基板の上に平行に配列し、表示電極対と交差するようにアドレス電極を配置する形式である。面放電形式のＰＤＰでは、表示電極の長さ方向（行方向）に沿ってマトリクス表示の列毎に放電を分離する隔壁が不可欠である。この隔壁はパネル厚さ方向の放電空間寸法を規定するスペーサーの役割も担う。
【０００３】
隔壁パターンは、ストライプパターンとメッシュパターンに大別される。このうちメッシュパターンの隔壁は放電空間を行方向及び列方向の双方に沿って区画するものである。典型的なメッシュパターンは格子縞パターンである。メッシュパターンには、セルごとに放電が分離できると共に、セルを囲むように隔壁側面に蛍光体を配置して蛍光体発光面積を増大できるという長所がある。しかし、各セルが閉じているため、内部排気において排気抵抗が大きく処理に時間が掛かるという短所がある。
【０００４】
この問題に対して、水平壁を垂直壁に比べて低く形成する（いわゆる）段差リブ構造が提案されている。
【０００５】
特開２００５−１０１００５号公報（特許文献１）では、メッシュパターンの水平壁を垂直壁に比べ１３０％大きくする技術が開示されている。水平隔壁を垂直隔壁に比べ大きくすることで、熱収縮を利用して水平壁高さを垂直壁高さに比べて１０μｍ低くし排気効率を高める技術が開示されている。
【０００６】
特開２００１−１８９１３５号公報（特許文献２）では、水平壁と垂直壁の高さの差が非表示部を介して隣接する表示電極間距離の１／３以下にすることで誤放電をなくすことが開示されている。
【０００７】
また、特開２００１−１２６６２８号公報（特許文献３）では、水平壁と前面基板との間隙をなくし垂直壁と前面ガラス基板との間に間隙を設けることで排気を確保する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１０１００５号公報
【特許文献２】特開２００１−１８９１３５号公報
【特許文献３】特開２００１−１２６６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、段差リブ構造は製造に工数、コストを要す。更には動作に際して段差リブ構造は誤放電（隣接するセル間同士での電荷の移動）、クロストーク（電荷の制御不良による電荷のにじみ）がおきやすいという短所がある。
【０００９】
特許文献１記載の技術では、オンバス構造の場合、縦方向のセル間結合により誤放電及びクロストークが発生する。
【００１０】
また、特許文献２記載の技術では、同極の表示電極を水平壁上に重ねるオンバス構造で誤放電を防ぐことはできるがクロストークの問題は残る。
【００１１】
さらに、特許文献３記載の技術では、垂直壁と前面基板との間に隙間を設けているため、隣り合うセルから異色の発光がもれてしまい、精密度という点で問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、水平壁上に同極の表示電極を配置するオンバス構造における精密度を維持しつつ、列方向（縦方向）に隣接するセル間での電荷結合による誤放電や励起紫外線の漏れによるクロストークを抑え、同時に十分な排気効率を実現する手段を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００１５】
本発明の代表的な実施の形態に関わるプラズマディスプレイパネルは、前面ガラス基板側パネルと、複数の発光セルに応じて垂直壁及び水平壁が設けられた背面ガラス基板側パネルとを備え、前面ガラス基板側パネルと背面ガラス基板側パネルとの間隙に放電ガスが封入され、水平壁と向き合う前面ガラス基板側パネルにＸ表示電極またはＹ表示電極が形成され、水平壁のパターン幅が１４５μｍ以上３００μｍ以下、アスペクト比が０．４以上１以下であることを特徴とする。
【００１６】
また、このプラズマディスプレイパネルは、Ｘ表示電極と向き合う水平壁のパターン幅は、Ｙ表示電極と向き合う水平壁のパターン幅よりも広いことを特徴としても良い。
【００１７】
このプラズマディスプレイパネルの水平壁及び水平壁はＺｎＯ―Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系低融点ガラスで構成することを特徴としても良い。
【００１８】
本発明の代表的な実施の形態に関わる別のプラズマディスプレイパネルは、前面ガラス基板側パネルと、複数の発光セルに応じて垂直壁及び水平壁が設けられた背面ガラス基板側パネルとを備え、前面ガラス基板側パネルと背面ガラス基板側パネルとの間隙に放電ガスが封入されるプラズマディスプレイパネルであって、前記水平壁がガス封入空間を有することを特徴とする。
【００１９】
このプラズマディスプレイパネルは、ガス封入空間が同一列内の隣接セルの間に設けられていることを特徴としても良い。
【００２０】
このプラズマディスプレイパネルは、ガス封入空間にも放電ガスが充填されることを特徴としても良い。
【００２１】
本発明の代表的な実施の形態に関わる別のプラズマディスプレイパネルは、前面ガラス基板側パネルと、複数の発光セルに応じて垂直壁及び水平壁が設けられた背面ガラス基板側パネルとを備え、前面ガラス基板側パネルと背面ガラス基板側パネルとの間隙に放電ガスが封入されるプラズマディスプレイパネルであって、これらの複数の発光セルは行単位で配置され、隣接する行のセルの垂直壁は半ピッチずれることを特徴とする。
【００２２】
これらのプラズマディスプレイパネルを使用したプラズマディスプレイ装置も本明細書記載の発明の射程に入る。
【発明の効果】
【００２３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００２４】
本発明の代表的な実施の形態に関わるプラズマディスプレイパネルでは、オンバス構造における誤放電とクロストークを防ぐことにより、安定した動作性能と単位発光スポットの精細度の高いＰＤＰを実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
【００２６】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態にかかわるＰＤＰのセル構造を示す図である。また、図２は表示電極と隔壁の配置関係を示す図である。
【００２７】
ＰＤＰは前面ガラス基板側パネル１０及び背面ガラス基板側パネル２０からなる。またこのＰＤＰの表示面ＥＳはｍ×ｎ個のセル（発光セル）からなる。各セルにおいて表示放電を生じさせるための電極対を構成するＸ表示電極Ｘ、Ｙ表示電極Ｙがマトリクス表示の行方向（横方向）に延び、アドレス電極Ａが列方向（縦方向）に延びている。
【００２８】
Ｘ表示電極Ｘ、Ｙ表示電極Ｙは前面ガラス基板側パネル１０の基材である前面ガラス基板１１の内面に一対ずつ配置されている。本明細書中では、Ｘ表示電極Ｘ、Ｙ表示電極Ｙのそれぞれは、面放電ギャップ（放電ギャップ）を形成する透明電極膜４２と、その列方向の端縁に重ねられた金属電極４１からなることを想定する。ただし、透明電極膜４２がない金属電極４１のみからなる構成でも本発明の適用は可能である。なお、Ｘ表示電極Ｘの金属電極４１を金属電極４１Ｘ、Ｙ表示電極Ｙの金属電極４１を金属電極４１Ｙと以下の説明で記載する場合もある。
【００２９】
Ｘ表示電極Ｘ、Ｙ表示電極Ｙを被覆するように厚さ２０〜４０μｍ程度の誘電体層１７が設けられ、誘電体層１７の表面には保護膜１８として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が被着されている。この保護膜１８はＳｒＣａＯ等の他の電子放出係数の高い膜であっても良い。なお、行間の電極間隙（逆スリット）には、コントラストを高める目的で、塗料をガラス基板２１の外側に塗布する、マンガン、酸化鉄、クロム、他の顔料などを含む着色ガラス層をガラス基板２１の内面側に形成する、等によりブラックマトリクスと呼称される暗色層が配置されていても良い。
【００３０】
アドレス電極Ａは背面ガラス基板側パネル２０の基材である背面ガラス基板２１の内側にセル１列に対し１本ずつ配置されている。アドレス電極Ａは誘電体層２４で被覆されている。誘電体層２４の上に本発明に特有の構造を持つ格子パターンの隔壁２９が設けられている。
【００３１】
隔壁２９は低融点ガラスの焼成体である。隔壁２９は放電空間を列ごとに区画する部分（垂直壁）２９１と、行ごとに区画する部分（水平壁）２９２とからなる。垂直壁２９１と水平壁２９２の交差部分は互いの共通部分である。水平壁２９２の最小部は、垂直壁２９１の最小部と比較して２μｍほど低い。
【００３２】
誘電体層２４の表面及び隔壁２９の側面を被覆するように、カラー表示のためのＲＧＢ（赤緑青）の三色に対応した蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂが設けられている。図中の斜体文字は蛍光体の発光色を表す。色配列は各列のセルを同色としたＲ、Ｇ、Ｂの繰り返しパターンである。
【００３３】
蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂは該当するセル内の放電ガスが放つ紫外線によって励起され発光する蛍光体の層である。
【００３４】
各Ｘ表示電極Ｘ、Ｙ表示電極Ｙの金属電極４１はそれによる遮光を避け、かつ隔壁２９を部分的に隠して外光の反射を低減するために、隔壁２９と重なる位置に配置されている。これがオンバス構造の由来である。
【００３５】
図２からも明らかなように、交互に並ぶ水平壁２９２Ｘと２９２Ｙの上で、Ｘ表示電極Ｘの金属電極４１ＸとＹ電極の金属電極４１Ｙはそれぞれ２本にスプリット（分割）されている。すなわち、列方向の隣接セル間では同じ種類の電極が背中合わせに並ぶ配置となっている。
【００３６】
なお、図中の領域３００は後の図での位置確認用に記載したものであり、技術的意図は無い。ここでは領域３００の説明は省略する。
【００３７】
図３は図２の任意の列の中央線に沿った、アドレス電極Ａに沿った断面図である。Ｙ表示電極Ｙの金属電極４１Ｙの載る水平壁２９２Ｙの幅Ｗ１１は１４５μｍ以上と広く設定されている。これに対し、Ｘ電極バス部４１Ｘの載る水平壁２９２Ｘはそれよりも狭い１００−１５０μｍ程度の幅で形成されている。ここで１００μｍを最低値としたのは、金属電極４１Ｘの導通性確保の観点からであり、導通性さえ確保できれば幅はこの限りではない。ちなみに、同じく導通上の観点からスプリットされた各金属電極４１の幅は４０μｍ以上が好ましい。また図示していないものの、垂直壁２９１の幅は水平壁幅の幅を広げたことによる開口率の減少を吸収するため、加工精度の可能な範囲で狭くすることが望ましい。本明細書では垂直壁２９１の幅を４０−６０μｍとしてパネル性能を実現している。
【００３８】
この構造のＰＤＰは以下の手順で製造される。
【００３９】
１）前面ガラス基板１１、背面ガラス基板２１に個別に所定の構成要素を設けて、前面ガラス基板側パネル１０及び背面ガラス基板側パネル２０を生成する。
【００４０】
２）前面ガラス基板側パネル１０及び背面ガラス基板側パネル２０を重ね合わせて封止する。
【００４１】
３）背面ガラス基板側パネル２０に設けてある通気孔を介して内部の排気と放電ガスの充填を行う。
【００４２】
４）通気孔を塞ぐ。
【００４３】
また、具体的な隔壁の形成方法については、以下のようなものが考えられる。
【００４４】
Ａ）無鉛のＺｎＯ―Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系無鉛低融点ガラスとビビクルとが均一に混ざったペーストからなる厚さ２００μｍの隔壁材料層を誘電体層２４で覆うようにスロットコート法で形成する。
【００４５】
Ｂ）隔壁材料層を乾燥させた後、感光性ドライフィルムを貼り付け（またはレジスト材を塗布し）、露光・現像を含むフォトリソグラフィにより隔壁２９に対応した格子パターンの切削マスクを形成する。この際、マスクパターン寸法については熱収縮を見込んで隔壁の想定寸法より１．２倍大きな値とする。
【００４６】
Ｃ）サンドブラストによって、隔壁材料層の非マスキング部分を誘電体層２４が露出するまで切削する（隔壁材料層のパターニング）。
【００４７】
Ｄ）隔壁材料層を焼成して隔壁２９を形成する。
【００４８】
次に、前面ガラス基板側パネル１０及び背面ガラス基板側パネル２０それぞれの箇所の寸法について具体的に説明する。
【００４９】
本実施の形態では、３種の隔壁等寸法を想定している。なお、寸法がどの位置に対応するかについては図１ないし図３を参照されたい。
【００５０】
ａ）事例１
行ピッチＰ１                  ：５８０μｍ
列ピッチＰ２                  ：２８８μｍ
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：１８０μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１４５μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１４５μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．８〜０．８１
（上記は実測寸法）
上記水平壁２９２と垂直壁２９１の部分的高低差を測定したところ、中央部分が他の部分よりも２μｍ低くなっている。
【００５１】
一方、前面ガラス基板側パネル１０の前面ガラス基板１１の内向面全面にスパッタリングによる酸化スズやインジウムとスズの合金酸化膜などの薄膜を０．２μｍの厚さで透明導電膜４２として成膜する。この透明導電膜４２の上に積層する形で、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ（クロム／銅／クロム）の三層の金属層で形成された金属電極４１をスパッタリングにより１μｍの厚さで成膜し、レジストの塗布、フォトリソグラフィによるパターンエッチングを経て金属電極４１を形成する。
【００５２】
前面ガラス基板側パネル１０の製造工程の最後に、真空蒸着などの蒸着法により酸化マグネシウムを成膜し、保護層１８を形成する。
【００５３】
製造された前面ガラス基板側パネル１０と上述の仕様の背面ガラス基板側パネル２０を組み合わせ、放電ガス（Ｎｅ８０％＋Ｘｅ２０％）を封入しＰＤＰを作成する。
【００５４】
なお、以下から凹み量も表中に記載する。また、全ての事例で行ピッチＰ１は５８０μｍ、列ピッチＰ２は２８８μｍである。また放電ガスはＮｅ８０％＋Ｘｅ２０％である。
【００５５】
ｂ）事例２
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：１８５μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１４５μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：１μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：４０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１４５μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：２μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．７８
ｃ）事例３
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：２１０μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１４５μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：１．４μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：４０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１４５μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：１．６μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．６９
ｄ）事例４
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：１４５μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１４５μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：２．２μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１４５μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：２．０μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：１．００
ｅ）事例５
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：１８５μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１４５μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：１．０μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１４５μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：２．０μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．７８
ｆ）事例６
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：２１０μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１４５μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：１．４μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１４５μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：１．６μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．６９
ｇ）事例７
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：３００μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１４５μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：０．６μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１４５μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：１．２μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．４８
ｈ）事例８
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：１４５μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１２０μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：１．８μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１２０μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：１．９μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．８３
ｉ）事例９
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：３００μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１２０μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：０．５μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１２０μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：１．２μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．４０
ｊ）事例１０
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：１４５μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１００μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：１．５μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１００μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：２．０μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．６９
ｋ）事例１１
水平壁２９２のパターン幅Ｗ１１：２４５μｍ
水平壁２９２の高さＨ１        ：１００μｍ
水平壁２９２の凹み量          ：１．２μｍ
垂直壁２９１のパターン幅Ｗ１２：５０μｍ
垂直壁２９１の高さＨ２        ：１００μｍ
垂直壁２９１の凹み量          ：１．４μｍ
垂直壁２９１のアスペクト比    ：０．４１
（上記は各事例とも実測寸法）
以上の各事例において作成したパネルを用い、サステイン電圧２１５Ｖ、アドレスアドレス電圧７０Ｖにて点灯させたところ誤放電やクロストーク無く良好な画像を表示させることができる。
【００５６】
以上のように、水平壁のパターン幅及び垂直壁のアスペクト比を調整することで、誤放電やクロストークを防ぎ、良好な画面出力が可能なＰＤＰを製造することが可能となる。
【００５７】
（第２の実施の形態）
しかし、上述のような水平壁のパターン幅及び垂直壁のアスペクト比の実検証を繰り返し行う設計は検証に工数を要する。
【００５８】
図４は第２の実施の形態における誤放電、クロストーク対策を施した背面ガラス基板側パネル２０の表示電極と隔壁の配置関係を示す図（平面視パターン図）である。
【００５９】
図２の領域３００では水平壁２９２は中実であった。これに対し本発明における水平壁２９２ｂの同一列内の隣接セルの間にガス封入空間３３を有する点が特徴である。
【００６０】
本実施の形態においては、水平壁２９２ｂのガス封入空間３３にも放電ガスが封入されている。放電ガスの誘電率は垂直壁２９１及び水平壁２９２の形成材となる低融点ガラスの約１／８である（放電ガスの種類にも依存する）。したがって、中実の低融点ガラスを使用するより、ガス封入空間３３を設けたほうが誘電率も低くなる。
【００６１】
このガス封入空間３３が放電領域外にあることで、隣り合う行同士の表示電極間の静電容量を低減し、無駄な電力消費を抑え、かつ、駆動性能の応答性を高めることができる。この場合前記の水平壁の幅はガス封入空間３３を含む合計幅となる。
【００６２】
以上のように、水平壁２９２の誘電率を低下させることで誤放電やクロストークを防ぎ、良好な画面出力が可能なＰＤＰを製造することが可能となる。
【００６３】
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態について説明する。この実施の形態も、第２の実施の形態同様、静電容量の低下を狙ったものである。
【００６４】
図５は本実施の形態における、誤放電、クロストーク対策を施した背面ガラス基板側パネル２０の表示電極と隔壁の配置関係を示す図（平面視パターン図）である。
【００６５】
本実施の形態では隣り合う行同士でセルの位置が約半ピッチずれるメッシュパターンとしている。この様に約半ピッチずらすことで、他の単一セルに対する静電容量の影響を略半減することができる。
【００６６】
また、水平壁２９２ｃの幅を垂直壁２９１ｃの幅より十分太くすることで、垂直壁、水平壁共に２μｍ程度の高低差が生じ排気パスを形成することができる。これにより図上の排気パス９０ｃを設けることが可能となり排気処理を迅速に行うことが可能となる。
【００６７】
（第４の実施の形態）
次に第４の実施の形態について説明する。
【００６８】
図６は本実施の形態における、誤放電、クロストーク対策を施した背面ガラス基板側パネル２０の表示電極と隔壁の配置関係を示す図（平面視パターン図）である。
【００６９】
この図からも明らかな通り、走査電極となる表示電極Ｙａの金属電極４１に対応した水平壁２９２ａ−１の幅は広く形成されている。
【００７０】
一方、表示電極Ｘａの金属電極４１に対応した水平壁２９２ａ−２の幅は、１００−１５０μｍ程度に狭く形成されている。この際、金属電極４１をセル内にはみ出すように形成する場合には、水平壁２９２ａ−２の幅を更に狭く４０−６０μｍ程度で形成しても良い。
【００７１】
このように、水平壁のトータルの占有面積を増大させることによるセルの開口率の減少を抑える一方で、表示電極Ｙａに依拠する誤放電の発生を防ぐことができる。
【００７２】
（第５の実施の形態）
次に第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は表示電極のパターンに着目したものである。図７及び図８は第５の実施の形態にかかわる表示電極の形状を示す図である。
【００７３】
図７は水平壁２９２上に金属電極４２ａを配置している。この構成はここまで分割されていたＸ表示電極Ｘの金属電極４１Ｘを共通バス電極構造（金属電極４４）に置き換えたものである。Ｙ表示電極Ｙと異なり、Ｘ表示電極Ｘは１行を選択して動作する必要が薄いため、このように複数の行で共通のＸ表示電極Ｘを有することに問題は無い。これにより、水平壁の幅を減少させ、セルＣの面積を増加させることで輝度の向上に資することができる。また、電極数が減るため、コスト的な利点も無視できない。
【００７４】
図８は、図２における透明電極４２を省略し、金属電極４１ｂのみでＸ表示電極Ｘｂ及びＹ表示電極Ｙｂを構成している。セルごとに金属電極４１ｂよりセル内に延びるように配置されている突起部は放電ギャップを形成するためのものである。透明サステイン電極を設けないことにより放電電流の抑制及び電極間の静電容量の抑制にも効果的である。
【００７５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明はプラズマディスプレイパネル並びにそのプラズマディスプレイパネルを利用したプラズマディスプレイ装置への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】第１の実施の形態にかかわるＰＤＰのセル構造を示す図である。
【図２】表示電極と隔壁の配置関係を示す図である。
【図３】図２の任意の列の中央線に沿った、アドレス電極に沿った断面図である。
【図４】第２の実施の形態における誤放電、クロストーク対策を施した背面ガラス基板側パネルの表示電極と隔壁の配置関係を示す図（平面視パターン図）である。
【図５】第３の実施の形態における誤放電、クロストーク対策を施した背面ガラス基板側パネルの表示電極と隔壁の配置関係を示す図（平面視パターン図）である。
【図６】第４の実施の形態における誤放電、クロストーク対策を施した背面ガラス基板側パネルの表示電極と隔壁の配置関係を示す図（平面視パターン図）である。
【図７】第５の実施の形態にかかわる表示電極の形状を示す図である。
【図８】第５の実施の形態にかかわる表示電極の形状を示す別の図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０…前面ガラス基板側パネル、１１…前面ガラス基板、
２０…背面ガラス基板側パネル、２１…背面ガラス基板、２４…誘電体層、
２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ…蛍光体層、２９…隔壁、３３…ガス封入空間、
４１、４１ｂ、４３…金属電極、４２、４４…透明電極、９０ｃ…排気パス、
２９１、２９１ｃ…垂直壁、
２９２、２９２ａ−１、２９２ａ−２、２９２ｂ、２９２ｃ…水平壁、
Ａ…アドレス電極、Ｃ…セル、ＥＳ…表示面、
Ｘ、Ｘａ、Ｘｂ…Ｘ表示電極、Ｙ、Ｙａ、Ｙｂ…Ｙ表示電極、
Ｐ１…行ピッチ、Ｐ２…列ピッチ、
Ｗ１１…垂直壁２９１の高さ、Ｗ２１…水平壁２９２の上面の幅、
Ｈ１…水平壁２９２の高さ、Ｈ２…垂直壁２９１の高さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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