(57)【要約】    【課題】  ＬＳＩのより近くに部品を実装することができるようにして配線長距離を短くすることでき、信号伝達速度を向上させることができる電子機器の冷却装置及び冷却方法を提供する。    【解決手段】  単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合し、複数のフィンの存在領域として規定される面と前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面を実質的に同一形状でかつ同一面積とするので、冷却装置を可及的に縮小することができ、例えば電子機器としてのＬＳＩのすぐ近くにＬＳＩの周辺部品を実装することができ、結果として配線長を短くし、信号伝達速度を向上させることができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフィンを一のチャンバー内部に有する単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合してなり、前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面と前記複数のフィンの存在領域として規定される面とが実質的に同一形状でかつ同一面積とされてなることを特徴とする電子機器の冷却装置。  
【請求項２】
隣り合うフィン間の流路幅が０．２ｍｍから０．８ｍｍで高さが２ｍｍから５ｍｍの複数のフィンを一のチャンバー内部に有する単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合してなることを特徴とする電子機器の冷却装置。
【請求項３】
請求項２記載の電子機器の冷却装置において、前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面と前記複数のフィンの存在領域として規定される面とが実質的に同一形状でかつ同一面積とされてなる電子機器の冷却装置。
【請求項４】
液冷ユニットを用いて行う電子機器の冷却方法であって、前記液冷ユニットは複数のフィンを一のチャンバー内部に有する単一の液冷ユニットであり、その単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合し、前記単一の複数のフィンの存在領域として規定される面と前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面を実質的に同一形状でかつ同一面積とすることを特徴とする電子機器の冷却方法。
【請求項５】
液冷ユニットを用いて行う電子機器の冷却方法であって、前記液冷ユニットの隣り合うフィン間の流路幅を０．２ｍｍから０．８ｍｍとする共に、各フィンの高さを２ｍｍから５ｍｍとしてなる複数のフィンを一のチャンバー内部に有してなる単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合することを特徴とする電子機器の冷却方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の冷却装置及び冷却方法に関し、特に電子機器のプロセッサ等のＬＳＩを冷却する冷媒として水などの液体を使用する液冷モジュール構造を備えた電子機器の冷却装置及び冷却方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に使用されるＬＳＩは、世代毎にその集積度が加速的に増加している。
このＬＳＩ集積度の増加に伴い、発熱量も増加していく傾向があり、場合によっては２００Ｗ以上もの発熱があるＬＳＩも出てきている。
しかし、ＬＳＩが高速に動作するためには、ＬＳＩの動作温度を一定温度以下に制御する必要があり、この点にＬＳＩの発熱量に見合った冷却モジュールが取り付けられることの必要性が生じる。
【０００３】
一方、近年では、ＬＳＩ内部の演算速度の向上だけではなく、ＬＳＩとメモリー間など、ＬＳＩとその周辺部の信号伝達速度の高速化によって当該電子機器を構成するシステム全体を高速化し、大型計算機をはじめとした電子機器の更なる速度向上を図る必要性も重要になってきている。
このような信号伝達速度の高速化は、具体的には配線長距離の縮小化によって達成される。しかし、そのような配線長距離の縮小化は、反面、冷却モジュールがＬＳＩ上に実装できる放熱面積の確保を困難にするという結果を伴い、冷却モジュールがＬＳＩ上に実装できる放熱面積をＬＳＩの発熱量の増大に見合う程度には大きくできないという問題を生じる。
【０００４】
そこで、ＬＳＩの上に、フィンが設けられそのフィン間に液体冷媒を流すことができるコールドプレートと呼ばれるチャンバーを有する冷却モジュールが提案されている。特に、冷却性能を向上させるためにフィン間流路の幅０．２ｍｍ以下になるような微細なフィンを形成させ、液体冷媒とフィンとの接触面積を増やすことによって熱伝達率を上げ、冷却性能を向上させる試みが多くなされている。
【０００５】
例えば、特許文献１には冷却性能を向上させるために、フィンをワイヤーカットやマイクロ加工によって、微細加工して、フィン間流路の幅０．２ｍｍ以下になるような微細なフィンを形成させる方法とその冷却能力について記載されている。
【０００６】
また、特許文献２には屈曲型の流路を有することを特徴とし、複数のＬＳＩを同時に冷却する液冷式の冷却モジュールが提案されている。
【０００７】
特許文献３には多数の微細な流路からなる並列流路の各流路へ冷媒を分配する第１のヘッダーと、並列流路から流出した冷媒が合流する第２のヘッダーとを有する半導体素子用冷却器が提案されている。
【特許文献１】特開平０５−１２９４８５
【特許文献２】ＷＯ００−１６３９７
【特許文献３】特開２００１−３５９８１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に開示された流路幅が０．２ｍｍ以下のレベルでフィンを形成させるようなマイクロ加工では、流路幅に対するフィン高さの比であるアスペクト比は約５が限界であることから、フィン高さも最大で１ｍｍ程度を越えることができない。したがって、そのようなフィンでは、流路の断面積が小さく、圧力損失が大きくなりすぎるために、液体冷媒の流量が制限されて、実際のポンプと組み合わせた場合の冷却性能は最大で１５０Ｗ程度となり不十分である。また、微細フィンの形成は製法上のコストアップの原因となり、また液体冷媒中の異物が詰まる危険を生じる原因ともなる。
【０００９】
特許文献２に開示された液冷モジュールは液体冷媒がフィン間を通る道が長くなり、また屈曲型の流路の急な曲がりが、液体冷媒を流す際の圧力損失を増大させてしまう。また、特許文献２に開示された液冷モジュールにおいては複数のＬＳＩを同時に冷却するということが可能であり、その分コールドプレートの体積も大きくすることができ、流路を屈曲型にすることができる。しかし、それ自体が単一の発熱体である単一のＬＳＩに着目する場合には、屈曲の流路でかつ微細なフィンを形成してなる液冷ユニットを適用することはは、生産技術上の問題が大きくコスト増の原因となる。
【００１０】
特許文献３の半導体素子用冷却器では冷却装置自体の大きさ如何に関わらず専ら冷却性能に着目した検討が行われ、信号伝達速度の高速化の要請から進められる配線長距離の縮小化によって冷却モジュールがＬＳＩ上に実装できる放熱面積の確保が困難となっているという問題を直接に解決する手段を提供するものではない。さらには、特許文献３の半導体素子用冷却器は、配線長を短くし、信号伝達速度を向上させるという技術的要請に対し、何ら積極的に寄与するものではない。
【００１１】
本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＬＳＩのより近くに部品を実装することができるようにして配線長距離を短くすることでき、信号伝達速度を向上させることができる電子機器の冷却装置及び冷却方法を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
すなわち本発明の電子機器の冷却装置は、複数のフィンを一のチャンバー内部に有する単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合してなり、前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面と前記複数のフィンの存在領域として規定される面とが実質的に同一形状でかつ同一面積とされてなることを特徴とする。  
【００１３】
さらに本発明の電子機器の冷却装置は、隣り合うフィン間の流路幅が０．２ｍｍから０．８ｍｍで高さが２ｍｍから５ｍｍの複数のフィンを一のチャンバー内部に有する単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合してなることを特徴とする。
【００１４】
前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面と前記複数のフィンの存在領域として規定される面とが実質的に同一形状でかつ同一面積とされてなる様にしてもよい。
【００１５】
さらに本発明の電子機器の冷却方法は、液冷ユニットを用いて行う電子機器の冷却方法であって、前記液冷ユニットは複数のフィンを一のチャンバー内部に有する単一の液冷ユニットであり、その単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合し、前記単一の複数のフィンの存在領域として規定される面と前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面を実質的に同一形状でかつ同一面積とすることを特徴とする。
【００１６】
加えて本発明の電子機器の冷却方法は、液冷ユニットを用いて行う電子機器の冷却方法であって、前記液冷ユニットの隣り合うフィン間の流路幅を０．２ｍｍから０．８ｍｍとする共に、各フィンの高さを２ｍｍから５ｍｍとしてなる複数のフィンを一のチャンバー内部に有してなる単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合することを特徴とする。
【００１７】
［作用］
本発明の電子機器の冷却装置及び冷却方法によれば、単一の液冷ユニットを単一の発熱体に熱的に接合し、複数のフィンの存在領域として規定される面と前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面を実質的に同一形状でかつ同一面積とするので、冷却装置を可及的に縮小することができ、例えば電子機器としてのＬＳＩのすぐ近くにＬＳＩの周辺部品を実装することができ、結果として配線長を短くし、信号伝達速度を向上させることができる。
【００１８】
しかも、隣り合うフィン間の流路幅が０．２ｍｍから０．８ｍｍで高さが２ｍｍから５ｍｍの複数のフィンを一のチャンバー内部に有する本発明の電子機器の冷却装置及び冷却方法におけるフィン構造の形成は、フィンピッチ、フィン高さとも微細加工の領域ではないため、容易な製造方法にて加工でき、すなわち安価な冷却モジュールが提供される。
【００１９】
さらに、液体冷媒に含まれる異物などによって流路間が詰まることがなく、従来の冷却性能を格段にしのぐＬＳＩサイズにて２００Ｗ以上冷却可能な冷却構造が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の電子機器の冷却装置及び冷却方法によれば、前記複数のフィンの存在領域として規定される面と前記単一の発熱体の前記単一の液冷ユニットに対する熱的接合面を実質的に同一形状でかつ同一面積とするので、ＬＳＩのより近くに部品を実装することができる結果、配線長距離を短くすることでき、信号伝達速度を向上させることができる。
しかも、隣り合うフィン間の流路幅が０．２ｍｍから０．８ｍｍで高さが２ｍｍから５ｍｍの長さにすることで、圧力損失を大きくすることなく、液体冷媒の流量を落とすことなく、液体冷媒と放熱フィンの接触面積を増大させることができるために、冷却性能を従来よりも格段に高めることができる。
特に、フィン間流路幅を０．２ｍｍ以上とすることで製造方法をプレス加工が可能にするなど容易にし、安価な液冷モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施の形態であるコールドプレート１００の斜視図を示している。コールドプレート１００は、内部空間２を有するチャンバー１と、内部空間２に設けられたフィン構造体３を有してなる。
【００２２】
チャンバー１は、チャンバー底板１１と、平板形状をしたチャンバー上蓋１２と、チャンバー枠体１３とを備え、チャンバー底板１１はチャンバー枠体１３が有する一方の開口を閉じており、チャンバー上蓋１２はチャンバー枠体１３が有する他の開口を閉じている。
【００２３】
チャンバー１の内部空間２における上流側空間２１は、フィン構造体３の上流に位置する空間であり、下流側空間２２はフィン構造体３の下流に位置する空間であり、その上流側空間２１及び下流側空間２２のそれぞれは、内部空間２の一部をなす。
上流側空間２１の上部から液体冷媒が流入できるようにチャンバー上蓋１２には液体冷媒を流入させるための流入口１８が設けられ、下流側空間２２の上部から液体冷媒が流出できるようにチャンバー上蓋１２には液体冷媒を流出させるための流出口１９が設けられている。
【００２４】
なお、流入口１８は、上流側空間２１に液体冷媒を流入させることが可能であれば、上流側空間２１に接するチャンバー枠体１３の任意の場所に取り付けることができる。流出口１９においても、下流側空間２２から液体冷媒を流出させることが可能であれば、下流側空間２２に接するチャンバー枠体１３の任意の場所に取り付けることができる。
【００２５】
図２は、図１におけるコールドプレート１００のＡＡ断面図を示している。例えば配線基板（図示せず）に取り付けられたＬＳＩなどの被冷却体９９は、チャンバー底板１１に例えばグリースや熱伝導性シートなどの熱伝導性接合材９８により熱的に接合されている。また、フィン構造体３は例えばフィン３１〜３３を備えており、フィン３１〜３３を含む複数のフィンは互いに並列になるようにチャンバー底板１１に固定されている。
【００２６】
図３は、図１におけるコールドプレート１００の内部構造を示す平面図である。フィン３２とフィン３３とは、フィン間流路２３を挟んで対向するように隣り合っている。フィン構造体３には、フィン間流路２３のようなフィン間流路が複数設けられている。これらのフィン間流路は互いに並列の関係にある。
【００２７】
コールドプレート１００の外から流入口１８を通って上流側空間２１に流入した液体冷媒は、フィン構造体３に設けられた複数のフィン間流路のいずれか、例えばフィン間流路２３を通って下流側空間２２に流入し、そこから流出口１９を通ってコールドプレート１００の外に流出する。したがって、被冷却体９９で発生し、熱伝導性接合材９８とチャンバー底部１１を経由してフィン３１〜３３のようなフィンに移動した熱は、そこからフィン間流路を流れる液体冷媒へと放熱され、液体冷媒によってコールドプレート１００の外へと運ばれる。
【００２８】
図４は本発明の電子機器の冷却装置及び冷却方法に適用されるコールドプレート１００の構造の一例を示し、チャンバー底板１１、チャンバー上蓋１２、チャンバー枠体１３は省略し、フィン構造体３のみを示してある。ここで、液体冷媒が流れる方向を縦方向、液体冷媒が流れる方向に対して垂直の方向を横の長さとすると、Ｗはフィン構造体３の横の長さ、Ｌはフィン構造体の縦の長さ、Ｚはフィン構造体の高さを表していている。また、Ｗｃはフィン間流路の幅の長さ、Ｗｗはフィン１枚の厚みの長さを表している。
【００２９】
本発明の電子機器の冷却装置及び冷却方法に適用されるコールドプレート１００では、複数のフィンの存在領域として規定され、フィン構造体３の横の長さＷとフィン構造体の縦の長さＬによって得られる形状Ｗ・Ｌ及び面積Ｗ×Ｌは、冷却の対象となる単一の発熱体、例えば単一のＬＳＩ９９のコールドプレート１００に対する熱的接合面９９ａと実質的に同一形状でかつ同一面積とされる。これによってコールドプレート１００からより迅速に液体冷媒に熱伝達が行われると同時にスペース効率の向上が可能となる。
【００３０】
以上のコールドプレート１００を用いる場合には、被冷却体９９を効率的に冷却するためには、微細なフィンを多く形成すれば、フィン間流路に流れる液体冷媒との接触面積を大きくできるために、より多くの熱を効率的に奪うことができ、すなわちコールドプレート１００の冷却性能を向上させることができる。しかし、フィンを微細にしすぎると、フィン間流路も狭まるために液体冷媒が流れにくくなり、結果として冷却性能は低下する。つまり、冷却モジュールの冷却性能の最適化を実施する際には、ポンプの能力に応じてフィンの枚数及びサイズを検討する必要がある。
【００３１】
係る観点から、本発明の電子機器の冷却装置及び冷却方法では、フィン間流路幅Ｗｃは０．２ｍｍから０．８ｍｍとする。フィン間流路幅が０．２ｍｍ未満の場合は、圧力損失が大きくなり、２００Ｗ以上の冷却能力を有するためには現状のポンプでは冷却性能が出にくいうえに製法の難易度が上がってしまう。フィン間流路幅が０．８ｍｍ以上では液体冷媒と接するフィンの表面積が小さくなるために満足な冷却性能がでない。
【００３２】
さらに、フィン間流路の幅を０．２〜０．８ｍｍとすることによって、微細フィンの製造と比較して、製造方法の選択肢が拡がる。たとえば、フィン間流路０．２ｍｍ以下には適用できなかった低コスト製法であるプレス加工、切削加工、押し出し加工などを用いることができる。
【００３３】
また、フィン高さにおいては、流路幅に対して約５倍から約２５倍まで（フィン高さで１ｍｍから５ｍｍまで）、つまりアスペクト比は５から２５までが好適である。アスペクト比が５以下の場合は、フィンの表面積が減ることによる熱伝達率の減少およびフィン間流路の断面積が小さいことによる圧力損失の増大が冷却性能を下げてしまう。また、フィン高さが流路幅の２５倍以上の場合は、例えフィンの材料に熱伝導率の高い銅を用いたとしても、フィン効率が悪くなるために表面積の増加が冷却性能に効かなくなっていくこと及びフィン間流路間の断面積が大きくなりすぎるためフィン間の流速が減少し、冷却性能が低下する。
【００３４】
また、フィンは必ずしもプレート状である必要はなく湾曲状やピン状構造などフィンの形は問わない。その場合に、流路幅とは液体の流れる方向に対して垂直な方向の隣り合うフィンもしくはピン同士の幅として特定することができる。また、フィン高さはフィンもしくはピンの最長部とチャンバー底部との最短距離として特定することができる。
【００３５】
また、フィン構造体３、チャンバー底部１１、チャンバー上蓋１２、チャンバー枠体１３、流入口１８、流出口１９などは必ずしもそれぞれひとつの部品である必要はなく、いずれかの組み合わせを一体形成してもかまわない。たとえば、チャンバー上蓋１２と流入口１８、流出口１９が一体になった部品を製造することなどが考えられる。それぞれの材料は、特段制限はないが、放熱性能を考えると熱伝導率の高い金属部材で加工のし易い銅もしくはアルミニウムが好適である。
【００３６】
本発明のコールドプレートとポンプ、タンク、熱交換器を液体冷媒が循環できるようにホースなどでつなげた液冷モジュールを電子機器に適用することで、ＬＳＩなどの温度を下げることができ、安定に動作させることができる。
【００３７】
［実施例１］
以下に本発明の電子機器の冷却方法の実施例につき説明する。
図４に、本実施例に用いた本発明のコールドプレートの具体的な構造の一例を示す。図４においてはチャンバー底板１１、チャンバー上蓋１２、チャンバー枠体１３は省略し、フィン構造体３のみを示してある。ここで、液体冷媒が流れる方向を縦方向、液体冷媒が流れる方向に対して垂直の方向を横の長さとすると、Ｗはフィン構造体３の横の長さ、Ｌはフィン構造体の縦の長さ、Ｚはフィン構造体の高さを表していている。また、Ｗｃはフィン間流路の幅の長さ、Ｗｗはフィン１枚の厚みの長さを表している。
【００３８】
本実施例では、Ｗ：２０ｍｍ、Ｌ：２０ｍｍ、Ｚ：２ｍｍ、Ｗｃ：０．２５ｍｍ、Ｗｗ：０．２５ｍｍとした。チャンバー底板１１、チャンバー上蓋１２、チャンバー枠体１３、フィン構造体３、流入口１８、流出口１９はすべて銅とし、それぞれの部材はロウ付けにより接合した。また、液体冷媒には水を用いて、発熱体はフィン構造体の底面積と同等のサイズである２０ｍｍ角のＬＳＩを想定して実験を行った。
【００３９】
図４で示したフィン構造を有するコールドプレートにおける液体冷媒の流量Ｑ［ｍｌ／ｍｉｎ］に対する冷却性能の指標である熱抵抗Ｒ［℃／Ｗ］をプロットしたグラフを図５に示す。流量が２００ｍｌ／ｍｉｎと比較的流量が小さい場合でも熱抵抗は０．０８［℃／Ｗ］というデータ得られた。流量を大きくしていくと、１０００ｍｌ／ｍｉｎを越えたあたりから熱抵抗は飽和していき、約０．０６５［℃／Ｗ］まで下がることが分かった。今、ＬＳＩの許容最高温度を８５℃、冷媒の温度を３５℃として検討した場合、ＬＳＩの冷媒の温度に対する許容温度上昇は５０℃になる。また、冷却能力は、ＬＳＩとコールドプレート間の熱伝導性接合材の熱抵抗を０．１［℃／Ｗ］とすると、流量が２００ｍｌ／ｍｉｎのときでも、５０［℃］÷（０．０８＋０．１）［℃／Ｗ］＝２７７［Ｗ］と導出でき、約２８０Ｗとなり２００Ｗ以上冷却できることになる。
【００４０】
次に、図６を用いて市販のポンプを用いたときに図４で示したフィン構造を有するコールドプレートに流れる流量を導出した。図６に示すように、本発明のコールドプレートにおける液体冷媒の流量に対して生じる圧力損失曲線（以後システムインピーダンス曲線と呼ぶ）と、ポンプの性能を示すＰＱ曲線の交点が、実際のポンプの動作点となり流量を導出することができる。ポンプはメーカーによってＰＱ特性が異なるので、ここでは、電子機器の液冷システム向けに市販されているなかで、異なるＰＱ特性をもつ２つのポンプＡ、ポンプＢを選択した。ポンプＡは低吐出圧であるが高流量のポンプ、ポンプＢは高吐出圧であるが低流量のポンプである。一方、本発明のコールドプレートのシステムインピーダンスは流量に対する圧力損失を実験にて導出した。
【００４１】
この結果、図４で示したフィン構造を有するコールドプレートを用いた場合、ポンプＡでは約８００［ｍｌ／ｍｉｎ］、ポンプＢでは約４８０［ｍｌ／ｍｉｎ］流れることが分かった。この導出した流量から図５を用いて冷却性能を導出すると、ポンプＡでは２６３Ｗ、ポンプＢでは２８４Ｗ冷却できることが予測でき、実際の実験でも良い一致を確認した。
【００４２】
［実施例２］
次に第２の実施例について説明する。第２の実施例では、第１の実施例よりも流路幅を広げ、フィンの高さを高くしたケースを用い、Ｗ：２０ｍｍ、Ｌ：２０ｍｍ、Ｚ：５ｍｍ、Ｗｃ：０．４ｍｍ、Ｗｗ：０．４ｍｍとした。第１の実施例同様、チャンバー底板１１、チャンバー上蓋１２、チャンバー枠体１３、フィン構造体３、流入口１８、流出口１９はすべて銅とし、それぞれの部材はロウ付けにより接合した。また、液体冷媒には水を用いて、発熱体はフィン構造体の底面積と同等のサイズである２０ｍｍ角のＬＳＩを想定して実験を行った。
【００４３】
第２の実施例のフィン構造を有するコールドプレートにおける液体冷媒の流量Ｑ［ｍｌ／ｍｉｎ］に対する冷却性能の指標である熱抵抗Ｒ［℃／Ｗ］をプロットしたグラフを図７に示す。流量が２００［ｍｌ／ｍｉｎ］と比較的流量が小さい場合で熱抵抗は０．１５［℃／Ｗ］であった。流量が１２００［ｍｌ／ｍｉｎ］まで流量をあげると、熱抵抗は約０．０９６［℃／Ｗ］まで下がった。この熱抵抗の値を熱伝導性接合材の熱抵抗を０．１［℃／Ｗ］として、冷却性能を換算すると、２００［ｍｌ／ｍｉｎ］で２００Ｗ、１２００［ｍｌ／ｍｉｎ］で２５５Ｗである。
【００４４】
また、第２の実施例においてのコールドプレートのシステムインピーダンス曲線とポンプＡおよびポンプＢのＰＱ曲線から流量を求めたときのグラフを図８に示す。
図８からポンプＡおよびポンプＢを用いたときに流れる流量はそれぞれ９３０［ｍｌ／ｍｉｎ］、４８０［ｍｌ／ｍｉｎ］であった。この導出した流量から図７を用いて冷却性能を導出すると、ポンプＡでは２５０Ｗ、ポンプＢでは２２７Ｗ冷却できることが予測でき、実際の実験でも良い一致を確認した。
【００４５】
第１の実施例及び第２の実施例で示したサイズだけでなく、各種フィン間流路幅および流路高さをパラメーターとした実験を行い、２００Ｗ以上の冷却能力を有するためにはフィン間流路幅は０．２ｍｍから０．８ｍｍとすることが好適であることを確認した。
【００４６】
また、フィン高さにおいては、流路幅に対して約５倍から約２５倍まで（フィン高さで１ｍｍから５ｍｍまで）、つまりアスペクト比は５から２５までが好適であることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の冷却装置の第１の実施の形態を示す斜視図。
【図２】本発明の冷却装置の第１の実施の形態を示す断面図。
【図３】本発明の冷却装置の第１の実施の形態を示す平面図。
【図４】本発明の第１の実施の形態のフィン構造。
【図５】本発明の第１の実施の形態における流量に対する熱抵抗のグラフ
【図６】本発明の第１の実施の形態における圧力損失と流量の関係を示すグラフ
【図７】本発明の第２の実施の形態における流量に対する熱抵抗のグラフ
【図８】本発明の第２の実施の形態における圧力損失と流量の関係を示すグラフ
【符号の説明】
【００４８】
１・・・チャンバー、２・・・内部空間、３・・・フィン構造体、１１・・・チャンバー底部、１２・・・チャンバー上蓋、１３・・・チャンバー枠体、１８・・・流入口、１９・・・流出口、２１・・・上流側空間、２２・・・下流側空間、２３・・・フィン間流路、３１〜３３・・・フィン、４１・・・ヒートシンクのベース、９８・・・熱伝導性接合材、９９・・・被冷却体、９９ａ・・・フィンの存在領域として規定される面、１００・・・コールドプレート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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