(57)【要約】【課題】基板の表裏に片面ずつリソグラフィパターンをパターニングするときに、基板の表裏両面で相互に正確に位置合わせされたリソグラフィパターンを設けるパターニング方法を提供する。【解決手段】まず、ガラス基板２１の端に、ガラス基板２１の表面２１ａ，２１ｂに対して垂直な切り欠き２２を設ける。次に、アライメントマーク３３，３４が切り欠き２２に合致するように第１マスク３１をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のオモテ面２１ａに第１マスクパターン３２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。そして、ガラス基板２１を裏返し、ウラ面２１ｂを上方に露呈させ、アライメントマーク４３，４４が切り欠き２２に合致するように第２マスク３２をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のウラ面２１ｂに第２マスクパターン４２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。【選択図】図２
2010103155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表裏両面に、相互に位置合わせされたリソグラフィパターンをパターニングするパターニング方法において、
少なくとも２方向に直線状のエッジを有するように、前記基板の表面に対して垂直な切り欠きを前記基板に複数形成する切り欠き形成ステップと、
マスクに設けられたアライメントマークを前記切り欠きに位置合わせして、前記基板の一方の表面にリソグラフィパターンを設けるとともに、マスクに設けられたアライメントマークを前記基板の他方の表面側から前記切り欠きに位置合わせし、前記基板の他方の表面にリソグラフィパターンを設けるリソグラフィステップと、
を備えることを特徴とするパターニング方法。
【請求項２】
前記切り欠き形成ステップで設けられる複数の前記切り欠きに、前記基板を切り欠いた直線状のエッジの方向が相互に垂直な前記切り欠きが少なくとも１組は含まれることを特徴とする請求項１記載のパターニング方法。
【請求項３】
前記切り欠き形成ステップで設けられる複数の前記切り欠きに、直線状のある切り欠きに対して垂直な切り欠きを形成したＴ字型の切り欠きが含まれることを特徴とする請求項１または２記載のパターニング方法。
【請求項４】
前記切り欠き形成ステップで形成する複数の前記切り欠きに、前記リソグラフィステップで前記基板の位置及び向きを定めるオリエンテーションフラットを含むことを特徴とする請求項１ないし３いずれかに記載のパターニング方法。
【請求項５】
前記切り欠きは、前記基板を研磨または切断することによって設けられることを特徴とする請求項１ないし４いずれかに記載のパターニング方法。
【請求項６】
前記切り欠きは、前記基板を複数重ね合わせた状態で、複数の前記基板に対して同時に設けられることを特徴とする請求項１ないし５いずれかに記載のパターニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の両面にリソグラフィパターンを設けるパターニング方法に関するものであり、さらに詳しくは、基板の表裏で相互に位置合わせされたリソグラフィパターンを設けるパターニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板やガラス基板の表面に微細な構造をパターニングする方法として、フォトリソグラフィが広く知られている。フォトリソグラフィでは、基板表面に塗布されたレジストを、マスクを通して露光し、予めマスクに描かれたパターンをレジストに転写する。そして、露光されたレジストを現像し、蒸着やエッチングを施してレジストを除去することで基板上にリソグラフィパターンをパターニングする。
【０００３】
このとき、基板上に予め設けられたアライメントマークに、マスクのアライメントマークを正確に位置合わせすることで、基板上の所定位置に正確にリソグラフィパターンを設けることができるようになっている。また、複数のリソグラフィパターンを重ねて設ける場合にも同様に、基板上のアライメントマークにマスクのアライメントマークを位置合わせすることで、新たに設けるリソグラフィパターンを、既に設けられているリソグラフィパターンに対して正確に位置合わせしてパターニングすることができる。
【０００４】
ところで、上述のように基板の一方の表面にリソグラフィパターンを設けるだけでなく、基板の両面にリソグラフィパターンを設けることが必要となる場合がある。このような基板の表裏両面にリソグラフィパターンを設ける場合には、両面のリソグラフィパターンの相対的な位置が正確に一致して設けられることが求められる。
【０００５】
このように基板の表裏両面にリソグラフィパターンを設けるときに、表裏のリソグラフィパターンを相互に正確に位置合わせされた状態で設けるためには、一方の表面にリソグラフィパターンを設けるときに参照したアライメントマークを、他方の表面にリソグラフィパターンを設けるときにも参照できるようにしたり、表裏に同時にパターニングする等の工夫が必要になる。
【０００６】
しかしながら、通常のフォトリソグラフィ装置は、基板表面に設けられたアライメントマークを、マスクを通して観察しながら、基板に対するマスクの位置を調節するようになっている。したがって、基板の表面にリソグラフィパターンを設けた後に、この基板を裏返して裏面に新たにリソグラフィパターンを設けるときには、基板が透明であってもアライメントマークを明瞭に観察することができず、表裏のリソグラフィパターンを相互に正確に位置合わせされた状態で設けることは難しい。
【０００７】
このため、基板の両面に相互に位置合わせした状態でパターニングするために、特殊な機構を備えた両面パターニング用のフォトリソグラフィ装置が知られている。例えば、透明な基板の両面をパターニングするときに、一方の表面に設けられたアライメントマークを、基板を裏返した状態でも観察できるように特別な光学系を設けたフォトリソグラフィ装置が知られている（特許文献１）。
【０００８】
また、基板の一方の面に設けたリソグラフィパターンを基準として基板の端を直線的に切断し、裏面側にパターニングするときには切断した基板の端を基板ホルダに用意されたピンに突き当てることで、両面のリソグラフィパターンの位置合わせを行う方法が知られている（特許文献２）。
【０００９】
さらに、基板にエッチングによって貫通孔を設けておき、この貫通孔をアライメントマークとして基板の各面にパターニングすることで、基板表裏のリソグラフィパターンを位置合わせする方法が知られている（特許文献３）。
【特許文献１】特開２０００−１００７１３号公報
【特許文献２】特開平６−４３６５８号公報
【特許文献３】特開昭６１−１８５９３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように、基板の表裏に各々位置合わせしてパターニングするためには、基板の表裏に同時にマスクを位置合わせする特殊な機構をフォトリソグラフィ装置に設けたり、基板裏面に位置するアライメントマークを観察可能にする特別な光学系を設けたりする必要がある。しかし、こうした特殊な機構や光学系は複雑で高価であるために、これを用いるフォトリソグラフィ装置は高価なものになってしまう。
【００１１】
また、基板の一方の表面にリソグラフィパターンを設けるときに、このリソグラフィパターンに合わせて基板の端を切断しておけば、この切断された基板の端を基準とすることで基板の一方の表面にリソグラフィパターンを設けるときに、リソグラフィパターンの位置に合わせて基板の端を切断しておけば、この切断された基板の端をピンに押し当てるなどすることで、アライメントマークによる位置合わせのかわりとすることができる。
【００１２】
しかしながら、このような突き当てによって表裏のリソグラフィパターンを正確に一致させようとすると、特許文献２に記載されているように、予め表裏のパターンが正確に一致した標準基板を用意する必要がある。そして、標準基板をピンに押し当てた状態で標準基板上のパターンにマスクを予め位置合わせしておき、一方の面にリソグラフィパターンの設けられた基板を、切断された端をピンに押し当てることによってマスクに対して位置合わせし、裏面のフォトリソグラフィを行うといったように、煩雑な手順が必要となる。
【００１３】
また、突き当てによる位置合わせでは、既に設けてあるリソグラフィパターンや、このリソグラフィパターンを設けるときに参照したアライメントマークを観察することはできず、上述のように標準基板にマスクの位置合わせを頼ることになるので、実際のアライメント状態を確認したり、アライメントの状態を補正することは難しい。
【００１４】
さらに、突き当てによる位置合わせの精度は、標準基板の表裏に設けられたリソグラフィパターンの位置合わせ精度や、リソグラフィパターンの位置に応じた基板端の切断精度、ピンへの基板端の突き当ての精度等に影響されることから、リソグラフィパターンの寸法によっては正確な位置合わせを行うことは難しい。
【００１５】
また、前述のように基板に貫通孔を設けておき、これを基板表裏のアライメントマークとすることもできるが、基板を貫通させるほどのエッチングには莫大な時間やエッチング液が必要となり、１枚１枚の基板に貫通孔を設けること自体が難しい。さらに、エッチングによって貫通孔を設ける場合には、長時間にわたってエッチングする必要があるため、温度等の僅かな条件の違いでも表裏での寸法，形状，テーパの傾斜角度等が異なってしまうため、複数の基板にわたって安定したアライメントマークを設けることが難しいという問題がある。
【００１６】
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、安価な片面用のリソグラフィ装置によって基板の表裏両面で正確に位置合わせされたリソグラフィパターンを設けることができるパターニング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明のパターニング方法は、基板の表裏両面に、相互に位置合わせされたリソグラフィパターンをパターニングするパターニング方法であり、少なくとも２方向に直線状のエッジを有するように、前記基板の表面に対して垂直な切り欠きを前記基板に複数形成する切り欠き形成ステップと、マスクに設けられたアライメントマークを前記切り欠きに位置合わせして、前記基板の一方の表面にリソグラフィパターンを設けるとともに、マスクに設けられたアライメントマークを前記基板の他方の表面側から前記切り欠きに位置合わせし、前記基板の他方の表面にリソグラフィパターンを設けるリソグラフィステップと、を備えることを特徴とする。
【００１８】
また、前記切り欠き形成ステップで設けられる複数の前記切り欠きに、前記基板を切り欠いた直線状のエッジの方向が相互に垂直な前記切り欠きが少なくとも１組は含まれることを特徴とする。
【００１９】
また、前記切り欠き形成ステップで設けられる複数の前記切り欠きに、直線状のある切り欠きに対して垂直な切り欠きを形成したＴ字型の切り欠きが含まれることを特徴とする。
【００２０】
また、前記切り欠き形成ステップで形成する複数の前記切り欠きに、前記リソグラフィステップで前記基板の位置及び向きを定めるオリエンテーションフラットを含むことを特徴とする。
【００２１】
また、前記切り欠きは、前記基板を研磨または切断することによって設けられることを特徴とする。
【００２２】
また、前記切り欠きは、前記基板を複数重ね合わせた状態で、複数の前記基板に対して同時に設けられることを特徴とする。
【００２３】
本発明のパターニング方法は、基板の表裏両面に、相互に位置合わせされたリソグラフィパターンをパターニングするパターニング方法であり、前記基板に、表面に対して垂直な切り欠きを設ける切り欠き形成ステップと、マスクに設けられたアライメントマークを前記切り欠きに位置合わせして、前記基板の一方の表面にリソグラフィパターンを設けるとともに、マスクに設けられたアライメントマークを前記基板の他方の表面側から前記切り欠きに位置合わせし、前記基板の他方の表面にリソグラフィパターンを設けるリソグラフィステップと、を備えることを特徴とする。
【００２４】
また、前記切り欠きは、少なくとも２方向に直線を有することを特徴とする。
【００２５】
また、前記切り欠きは、前記基板を研磨または切断することによって設けられることを特徴とする。
【００２６】
また、前記切り欠きは、前記基板を複数重ね合わせた状態で、複数の前記基板に対して同時に設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、安価な片面用のリソグラフィ装置によって基板の表裏両面で正確に位置合わせされたリソグラフィパターンを設けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１に示すように、入射角度制限フィルタ１１は、透明なガラス基板１２の表裏にそれぞれ第１多層膜１３と第２多層膜１４が設けられたものであり、イメージセンサに被写体を略密着するほどに近接させて撮像する撮像装置でイメージセンサの前面に配置して用いられ、被写体からイメージセンサへの光の入射角度を制限する。また、入射角度制限フィルタ１１には、第１多層膜１３と第２多層膜１４の全面を覆うように、赤外線反射膜１６ａ，１６ｂが設けられている。
【００２９】
第１多層膜１３は、イメージセンサが感応する波長帯の光を略全て吸収するように、屈折率の異なる誘電体材料が複数積層された多層膜であり、ガラス基板１２のオモテ面１２ａ側（被写体側）に設けられている。また、第１多層膜１３には、円形の孔１７がイメージセンサの画素配列に応じた配列で複数設けられている。孔１７の径は、後述する第２多層膜１４の孔１８の径よりも大きい。
【００３０】
第２多層膜１４は、第１多層膜１３と同様に、イメージセンサが感応する波長帯の光を略全て吸収するように、屈折率の異なる誘電体材料が複数積層された多層膜であり、ガラス基板１２のウラ面１２ｂ側（イメージセンサ側）に設けられている。また、第２多層膜１４には、円形の孔１８が、イメージセンサの画素配列に応じた配列で複数設けられている。この孔１８の径は、第１多層膜１３に設けられた孔１７の径よりも小さい。
【００３１】
また、孔１７と孔１８は、入射角度制限フィルタ１１をオモテ面１２ａ（またはウラ面１２ｂ）側を正面に見たときに、互いの中心位置が一致する用に設けられている。このため、入射角度制限フィルタ１１を透過してイメージセンサに達することができる光は、破線で示すように相互に対応する孔１７及び孔１８に順に通過して範囲に限られ、矢印で示すように孔１７を通過しても第２多層膜１４に入射してしまうような光は第２多層膜１４で吸収されるので、入射角度制限フィルタ１１を透過しない。これにより、入射角度制限フィルタ１１は、イメージセンサへの光の入射角度を、表面（オモテ面１２ａ及びウラ面１２ｂ）に略垂直な範囲に制限する。
【００３２】
赤外線反射膜１６ａは、イメージセンサによる撮像に不要な波長帯の赤外線を反射するように誘電体材料が複数積層された反射膜であり、第１多層膜１３を覆うようにオモテ面１２ａの全面に設けられている。同様に、赤外線反射膜１６ｂは、第２多層膜１４を覆うようにウラ面１２ｂの全面に設けられている。
【００３３】
入射角度制限フィルタ１１は、図２に示すガラス基板２１から製造される。ガラス基板２１は、入射角度制限フィルタ１１を複数個取りできる大きさの円盤状のガラス基板であり、オリエンテーションフラット１９（以下、ＯＦという）が設けられている。また、入射角度制限フィルタ１１を製造するときには、ガラス基板２１の表面（オモテ面２１ａ及びウラ面２１ｂ）に対して垂直な切り欠き２２が設けられる。ＯＦ１９は、ガラス基板２１の位置及び向きを定めるために設けられ、例えば、入射角度制限フィルタ１１の製造過程で使用される露光装置等で、ガラス基板２１の移動や搬送，固定時に、ガラス基板２１の位置及び向きの調節の基準として用いられる。
【００３４】
切り欠き２２は、平坦部２３、溝２４，２６から構成され、ガラス基板２１上に第１多層膜１３、第２多層膜１４、赤外線反射膜１６ａ，１６ｂをフォトリソグラフィ等により設けるときに、マスクとの位置合わせに用いられる。平坦部２３は、ガラス基板２１の表面に対して垂直に設けられている。また、平坦部２３は、ガラス基板２１の径に対して垂直な直線状に設けられるとともに、ＯＦ１９に対しても垂直になる位置及び向きに設けられる。溝２４は、平坦部２３の中央に、ガラス基板２１の表面に垂直に、ガラス基板２１の径の方向に沿って所定の深さに設けられる。このため、溝２４の直線状のエッジは、平坦部２３のエッジに垂直になっており、平坦部２３と溝２４とでＴ字型の切り欠きが構成される。また、溝２６は、ガラス基板２１の表面に垂直に設けられるとともに、ガラス基板２１の中心を基準として、溝２４の丁度反対側に、ガラス基板２１の径の方向に沿って設けられる。このため、溝２６の直線状のエッジは、溝２４のエッジ及びＯＦ１９と平行であり、平坦部２３のエッジと垂直になっている。溝２６のガラス基板２１の端からの深さは、溝２４と同じ深さとなっている。
【００３５】
また、図２（Ａ）に示す第１マスク３１は、ガラス基板２１のオモテ面２１ａに、第１多層膜１３をパターニングするときに使用されるフォトマスクである。第１マスク３１は、ガラス基板２１よりも大きく、ガラス基板２１の全体を覆う大きさの透明な平板のガラスからなり、第１多層膜１３をパターニングするときにガラス基板２１側に向けられる表面に、第１マスクパターン３２とアライメントマーク３３，３４が設けられている。第１マスクパターン３２は、複数個分の第１多層膜１３に応じた形状のマスクパターンとなっている（図３参照）。また、アライメントマーク３３，３４は、第１マスク３１をガラス基板２１上に配置するときに、ガラス基板２１のオモテ面２１ａ側から切り欠き２２に位置合わせされる。アライメントマーク３３は、平坦部２３と溝２４に対応するように、２つのＬ字型のマークを、長辺を平行に、かつ短辺が向き合うように配置した形状となっている。また、アライメントマーク３４は、溝２６に対応するように、２つの直線型のマークを平行に配置した等号形状となっている。
【００３６】
同様に、図２（Ｂ）に示す第２マスク４１は、ガラス基板２１のウラ面２１ｂに、第２多層膜１４をパターニングするときに使用されるフォトマスクである。第２マスク４１は、ガラス基板２１よりも大きく、ガラス基板２１の全体を覆う大きさの透明な平板のガラスからなり、第２多層膜１４をパターニングするときにガラス基板２１側に向けられる表面に、第２マスクパターン４２とアライメントマーク４３，４４が設けられている。第２マスクパターン４２は、複数個分の第２多層膜１４に応じた形状のマスクパターンとなっている（図３参照）。また、アライメントマーク４３，４４は、第２マスク４１をガラス基板２１上に配置するときに、ガラス基板２１のウラ面２１ｂ側から切り欠き２２に位置合わせされる。アライメントマーク４３は、平坦部２３と溝２４に対応するように、２つのＬ字型のマークを、長辺を平行に、かつ短辺が向き合うように配置した形状となっている。また、アライメントマーク４４は、溝２６に対応するように、２つの直線型のマークを平行に配置した等号形状となっている。
【００３７】
なお、第２マスクパターン４２内の個々の第２多層膜１４に対応したパターンの個数と、第１マスクパターン３２内の個々の第１多層膜１３に対応したパターンの個数は等しい。また、アライメントマーク４３，４４に対する第２マスクパターン４２の位置関係（距離や向き、パターンの配列等）と、アライメントマーク３３，３４に対する第１マスクパターン３２の位置関係は等しくなるように設けられている。このため、例えば、アライメントマーク３３とアライメントマーク４３が重なるように、かつ、アライメントマーク３４とアライメントマーク４４が重なるように、第１マスク３１と第２マスク４１を重ね合わせると、後述するように詳細なパターンの太さ等は異なるが、第１マスクパターン３２と第２マスクパターン４２とで正確に重なり合う。
【００３８】
図３（Ａ）に示すように、第１マスクパターン３２は、区切線５１と遮光部５２から構成される。区切線５１は、入射角度制限フィルタ１１の形状及び大きさに応じた間隔で、縦横に直線的に設けられている。このため、区切線５１で区画された長方形の各領域が個々の入射角度制限フィルタ１１に対応する。遮光部５２は、区切線５１で区画された長方形の領域内に、イメージセンサの画素（あるいは複数の画素からなる撮像領域）に応じた配列で複数設けられている。また、遮光部５２の配列や大きさは第１多層膜１３の孔１７に対応する。区切線５１及び遮光部５２は、金属等の遮光性材料からなり、第１マスクパターン３２に光が入射すると、区切線５１や遮光部５２の部分は遮光され、区切線５１や遮光部５２以外の部分を光が透過する。
【００３９】
同様に、図３（Ｂ）に示すように、第２マスクパターン４２は、区切線５６と遮光部５７から構成される。区切線５６は、第１マスクパターン３２の区切線５１と同様に、入射角度制限フィルタ１１の形状及び大きさに応じた間隔で、縦横に直線的に設けられている。このため、区切線５６で区画された長方形の各領域が個々の入射角度制限フィルタ１１に対応する。遮光部５７は、第１マスクパターン３２の遮光部５２と同様に、区切線５６で区画された長方形の領域内に、イメージセンサの画素（あるいは複数の画素からなる撮像領域）に応じた配列で設けられている。また、遮光部５６の配列や大きさは第２多層膜１４の孔１８に対応する。区切線５６及び遮光部５７は、金属等の遮光性材料からなり、第２マスクパターン４２に光が入射すると、区切線５６や遮光部５７の部分は遮光され、区切線５６や遮光部５７以外の部分を光が透過する。
【００４０】
なお、区切線５６は、第１マスクパターン３２の区切線５１と同じ太さに設けられている。一方、前述のように、遮光部５７は第２多層膜１４の孔１８に対応し、遮光部５２は第１多層膜１３の孔１７に対応するので、遮光部５７の大きさは遮光部５２よりも小さい。
【００４１】
以下では、第１多層膜１３の孔１７と第２多層膜１４の孔１８の中心位置が、ガラス基板１２の表裏で正確に一致するように、第１マスク３１と第２マスク４１を用いてガラス基板２１上に第１多層膜１３や第２多層膜１４等をパターニングし、入射角度制限フィルタ１１を製造する手順を説明する。
【００４２】
まず、図４に示すように、ガラス基板２１に切り欠き２２が設けられる（切り欠き形成ステップ）。図４（Ａ）に示すように、ＯＦ１９の位置が揃うように、複数のガラス基板２１が円柱状に重ねあわされた状態で、図示しない固定具によって位置ずれしないように強固に固定される。こうして円柱状に重ねあわされた複数のガラス基板２１には、図４（Ｂ）に示すように、全てのガラス基板２１に対して同時に研磨加工が施され、平坦部２３が設けられる。この平坦部２３は、ガラス基板２１の径に垂直な向きになるように、ＯＦ１９に対して９０度の向きに、ＯＦ１９から９０度回転した位置に設けられる。ここで設けられる平坦部２３のエッジは、ガラス基板２１の表面に対して略９０度となっている。
【００４３】
そして、図４（Ｃ）に示すように、平坦部２３の中央に、溝２４が設けられる。溝２４は、ダイサーやスライサーといったガラス材料を切断する治具の刃を、平坦部２３の中央に、平坦部２３に対して垂直な向きにあててガラス基板２１を切削することにより設けられる。このため、溝２４は、平坦部２３からガラス基板２１の中心に向けて長方形状に凹む形状となる。なお、ここで設けられる溝２４のエッジは、平坦部２３と同様に、ガラス基板２１の表面に対して略９０度となっている。
【００４４】
ガラス基板２１に平坦部２３と溝２４が設けられると、図４（Ｄ）に示すように、ガラス基板２１の中心位置を基準として溝２４の丁度反対側に溝２６が設けられる。溝２６は、溝２４と同様に、ガラス材料を切断する治具の刃を、溝２４と平行になるようにガラス基板２１の端にあてて切削することにより設けられる。なお、溝２６のエッジは、平坦部２３や溝２４と同様に、ガラス基板２１の表面に対して略９０度となっている。
【００４５】
こうして複数のガラス基板２１にまとめて切り欠き２２が設けられると、円柱状に複数のガラス基板２１を保持していた固定具をはずし、図５〜７に示すように、個々のガラス基板２１に、第１多層膜１３や第２多層膜１４等が設けられる（リソグラフィステップ）。
【００４６】
図５（Ａ）に示すように、ガラス基板２１の一方の面をオモテ面２１ａとし、このオモテ面２１ａ上に、金属薄膜６１が所定の厚さで成膜される。ここで設けられる金属薄膜６１は、例えばアルミニウム薄膜であり、後の工程でガラス基板２１から剥離可能な材料からなる。そして、図５（Ｂ）に示すように、金属薄膜６１の上にレジスト６２が一様な厚みに塗布された後に、レジスト６２に略密着して第１マスク３１が配置され、第１マスク３１を介してレジスト６２が露光される。このとき、第１マスク３１は、アライメントマーク３３が平坦部２３及び溝２４のオモテ面２１ａ側のエッジに合致するように、かつ、アライメントマーク３４が溝２６のオモテ面２１ａ側のエッジに合致するように、位置及び向きが調節されてレジスト６２上に配置される。
【００４７】
露光後のレジスト６２を現像すると、図５（Ｃ）に示すように、レジストパターン６３が形成される。レジストパターン６３は、第１マスクパターン３２に対応する形状となっており、レジスト６２から区切線５１や遮光部５２に対応する部分が除かれたパターンとなっている。前述のように、切り欠き２２にアライメントマーク３３，３４を位置合わせして第１マスク３１を配置しているので、ここで形成されるレジストパターン６３とガラス基板２１との相対的な位置関係は、アライメントマーク３３，３４と第１マスクパターン３２の位置関係に等しく、レジストパターン６３は、切り欠き２２を基準とした所定位置に形成される。
【００４８】
こうしてレジストパターン６３が形成されると、図５（Ｄ）に示すように、レジストパターン６３をマスクとして下層の金属薄膜６１がエッチングされる。これにより、ガラス基板２１のオモテ面２１ａには、レジストパターン６３に対応する金属薄膜パターン６４が形成される。金属薄膜パターン６４は、金属薄膜６１のうちレジストパターン６３に覆われた部分だけが残り、レジストパターン６３の合間から露呈された部分だけが除かれたものであり、レジストパターン６３と同じリソグラフィパターンとなっている。したがって、金属薄膜パターン６４は、第１多層膜１３に対応する部分が金属薄膜６１で覆われておらず、孔１７に対応する部分が金属薄膜６１で覆われたリソグラフィパターンとなっている。
【００４９】
上述のように、ガラス基板２１のオモテ面２１ａに金属薄膜パターン６４が設けられると、図６（Ａ）に示すように、オモテ面２１ａには金属薄膜パターン６４を保護するレジスト６６が塗布されて、ガラス基板２１は裏返される。そして、ガラス基板２１のウラ面２１ｂに、金属薄膜６７が所定の厚さで成膜される。ここで設けられる金属薄膜６７は、前述の金属薄膜６１と同様に、例えばアルミニウム薄膜であり、後の工程でガラス基板２１から剥離可能な材料からなる。
【００５０】
こうして、ウラ面２１ｂに金属薄膜６７が設けられると、図６（Ｂ）に示すように、金属薄膜６７上にレジスト６８が一様な厚みに塗布された後に、レジスト６８上に略密着して第２マスク４１が配置され、第２マスク４１を介してレジスト６８が露光される。このとき、第２マスク４１は、アライメントマーク４３が平坦部２３及び溝２４のウラ面２１ｂ側のエッジ形状と合致するように、かつ、アライメントマーク４４が溝２６のウラ面２１ｂ側のエッジ形状と合致するように、位置及び向きが調節されてレジスト６８上に配置される。
【００５１】
露光後のレジスト６８を現像すると、図６（Ｃ）に示すように、レジストパターン６９（リソグラフィパターン）が形成される。レジストパターン６９は、第２マスクパターン４２に対応する形状となっており、レジスト６８から区切線５６や遮光部５７に対応する部分が除かれたパターンとなっている。前述のように、切り欠き２２にアライメントマーク４３，４４を位置合わせして第２マスク４１を配置しているので、ここで形成されるレジストパターン６９とガラス基板２１との相対的な位置関係は、アライメントマーク４３，４４と第２マスクパターン４２の位置関係に等しく、レジストパターン６９は、切り欠き２２を基準とした所定位置に形成される。このため、レジストパターン６９の位置や向きは、オモテ面２１ａに設けたレジストパターン６３や金属薄膜パターン６４の位置や向きと一致している。
【００５２】
こうしてレジストパターン６９が形成されると、図６（Ｄ）に示すように、レジストパターン６９をマスクとして下層の金属薄膜６７がエッチングされる。これにより、ガラス基板２１のウラ面２１ｂには、レジストパターン６９に対応する金属薄膜パターン７１が形成される。金属薄膜パターン７１は、金属薄膜６７のうちレジストパターン６９に覆われた部分だけが残り、レジストパターン６９の合間から露呈された部分だけが除かれたものであり、レジストパターン６９と同じリソグラフィパターンとなっている。したがって、金属薄膜パターン７１は、第２多層膜１４に対応する部分が金属薄膜６７で覆われておらず、孔１８に対応する部分が金属薄膜６７で覆われたリソグラフィパターンとなっている。また、孔の部分の大きさが異なるが、金属薄膜パターン７１の位置や向きは、オモテ面２１ａに既に設けられた金属薄膜パターン６４の位置や向きと一致する。なお、ウラ面２１ｂに金属薄膜パターン７１が形成されると、オモテ面２１ａ側に塗布されたレジスト６６が同時に除去される。
【００５３】
上述のように、オモテ面２１ａ及びウラ面２１ｂに金属薄膜パターン６４と金属薄膜パターン７１が各々設けられると、図７（Ａ）に示すように、金属薄膜パターン６４，７１が設けられたガラス基板２１には、表裏両面にそれぞれ誘電体多層膜７２，７３が成膜される。ここで成膜される誘電体多層膜７２は、屈折率の異なる誘電体材料が複数積層された多層膜であり、イメージセンサが感応する波長帯の光を略全て吸収する構成となっている。
【００５４】
そして、図７（Ｂ）に示すように、ガラス基板２１から金属薄膜パターン６４と金属薄膜パターン７１が剥離される。このとき、オモテ面２１ａから金属薄膜パターン６４が剥離されると、金属薄膜パターン６４上に積層された誘電体多層膜７２は金属薄膜パターン６４とともにガラス基板２１から剥離される。一方、金属薄膜パターン６４の合間から露呈されたオモテ面２１ａ上に直接積層された誘電体多層膜７２の一部は、オモテ面２１ａに残る。これにより、オモテ面２１ａには、第１多層膜１３が形成される。
【００５５】
同様に、ウラ面２１ａから金属薄膜パターン７１が剥離されると、金属薄膜パターン７１上に積層された誘電体多層膜７３は金属薄膜パターン７１とともにガラス基板２１から剥離され、ウラ面２１ｂ上に直接積層された誘電体多層膜７３はウラ面２１ｂに残る。これにより、ウラ面２１ｂには、第２多層膜１４が形成される。
【００５６】
そして、図７（Ｃ）に示すように、さらに第１多層膜１３と第２多層膜１４を各々覆うように、赤外線反射膜１６ａ，１６ｂが成膜される。こうして表裏に第１多層膜１３、第２多層膜１４、赤外線反射膜１６ａ，１６ｂが設けられたガラス基板２１は、区切線５１，５６に対応する位置で切断され、個々の入射角度制限フィルタ１１に切り分けられる。
【００５７】
上述のように、ガラス基板２１には第１多層膜１３や第２多層膜１４を設ける前に、ガラス基板２１の表面に対して垂直な切り欠き２２が設けられ、第１マスク３１も第２マスク３２も表裏からこの切り欠き２２に対して位置合わせされる。このため、オモテ面２１ａ側に設けられるリソグラフィパターン（レジストパターン６３，金属薄膜パターン６４，及び第１多層膜１３）と、ウラ面２１ｂ側に設けられるリソグラフィパターン（レジストパターン６９，金属薄膜パターン７１，及び第２多層膜１４）とは、相互に正確に位置合わせされた状態でパターニングされる。
【００５８】
特に、切り欠き２２がガラス基板２１の表面に対して垂直な切り欠きとなっているので、ガラス基板２１の中心から切り欠き２２の位置は、オモテ面３９側から観察しても、ウラ面４０側から観察しても等しい。このため、第１マスク３１や第２マスク３２をガラス基板２１に位置合わせするときに、マスクを配置する表面とは逆の表面を観察するための特殊な光学系は必要なく、単にマスクを配置する表面（オモテ面２１ａ及びウラ面２１ｂ）側から切り欠き２２を観察し、これにアライメントマーク３３，３４，４３，４４を合致させるだけで、各面のリソグラフィパターンは相互に正確に位置合わせされた状態でパターニングされる。
【００５９】
また、切り欠き２２は、エッチングによって設けられるのではなく、研磨治具や、ダイサー，スライサーといった機械的な加工治具によって設けられるので、容易にかつ短時間で、ガラス基板２１の表裏で同じ位置及び形状に設けることができる。さらに、複数のガラス基板２１を重ね合わせて円柱状に整列してから、切り欠き２２を設ける加工が行われるので、複数のガラス基板２１に同時に切り欠き２２を設けることができる。
【００６０】
また、切り欠き２２は、ガラス基板２１の径に平行な方向と、ガラス基板２１の径に垂直な方向との２方向に直線部分があるアライメントマークとなっている。このため、この２方向の直線部分でマスクの位置合わせを行うことにより、ガラス基板２１に対するマスクの相対的な位置や回転の具合を容易に精度良く調節することができる。
【００６１】
なお、上述の実施形態では、透明なガラス基板２１の両面にリソグラフィパターンをパターニングする例を説明したが、これに限らず、基板の両面にパターニングするときには、パターニングする基板の材料の透明性や厚さによらず本発明を好適に適用することができる。例えば、白板，青板，石英等の透明基板の両面に位置合わせしてパターニングする場合であっても、一方の表面に設けたアライメントマークが裏面側から観察すると、ピントがぼやけたりしてはっきりと観察できない厚い板（０．３ｍｍ以上の透明基板等）を用いる場合であっても、本発明によれば表裏両面に相互に正確に位置合されたリソグラフィパターンを設けることができる。また、例えば、樹脂材料からなる基板や、シリコン基板、不透明膜がコーティングされた基板等の不透明な基板に対しても、本発明によれば表裏両面に相互に正確に位置合されたリソグラフィパターンを設けることができる。
【００６２】
なお、上述の実施形態では、多数のガラス基板２１を円柱状に重ね合わせた状態で切り欠き２２を設ける例を説明したが、これに限らず、円盤状に円柱状のガラス材料をスライスしてガラス基板２１を製造する場合には、円柱状のガラス材料をスライスする前に、円柱状のガラス材料に第１アライメントマーク２２を設けておき、これをスライスしてガラス基板２１としても良い。また、個々のガラス基板２１に切り欠き２２をそれぞれ設けるようにしても良い。
【００６３】
なお、上述の実施形態では、切り欠き２２が平坦部２３，溝２４，溝２６からなる例を説明したが、これに限らず、切り欠き２２の具体的な形状は任意に設けることができる。例えば、図８（Ａ）に示すガラス基板８１のように、切り欠きは、直径方向と直径に垂直な方向に直線部分がある切り欠き８２としても良い。また、図８（Ｂ）に示すガラス基板８３のように、ガラス基板２１の直径方向と、直径方向に対して斜め方向に直線部分がある切り欠き８４としても良い。このとき、第１マスク３１及び第２マスク４１を、ガラス基板２１に対して容易にかつ精度良く位置合わせするためには、切り欠きに、少なくとも２方向以上に直線部分が含まれていることが好ましい。
【００６４】
さらに、上述の実施形態では、切り欠き２２が、平坦部２３及び溝２４からなる部分と、溝２６からなる部分の２箇所の切り欠きからなるが、これに限らず、ガラス基板２１に対してマスク３１，４１を位置合わせするために必要な最小限の個数、位置に設けられていれば良く、切り欠き２２の具体的な個数や位置等は任意に定めることができる。但し、ガラス基板２１に対するマスク３１，４１の位置や向きを、容易にかつ正確に位置合わせするためには、上述の実施形態のように、互いにできるだけ離れた２箇所以上の位置に切り欠き２２を設けることが好ましく、上述の実施形態の平坦部２３と溝２４，２６とのように、少なくとも１組は直線状のエッジが相互に垂直なものを含むことが好ましい。切り欠き２２は、ＯＦ１９に平行な中央左右（またはＯＦ１９に垂直な中央上下）両端に設けられていることが特に好ましい。
【００６５】
なお、上述の実施形態では、透明なガラス基板２１の表裏両面にリソグラフィパターンを設けて、入射角度制限フィルタ１１とする例を説明したが、これに限らず、基板の両面に相互に位置合わせされた状態でリソグラフィパターンを設けるものであれば、製造する具体的な物品や、基板の材料、基板が透明であるか否か、リソグラフィパターンの材料等によらず、本発明を好適に適用することができる。
【００６６】
なお、上述の実施形態では、入射角度制限フィルタ１１として、ガラス基板２１の表裏両面に赤外線反射膜１６ａ，１６ｂが設けられている例を説明したが、これに限らず、赤外線反射膜はガラス基板２１の表裏のうち少なくとも一方の面に設けられていれば良い。
【００６７】
なお、上述の実施形態では、ガラス基板２１の表裏に各々異なるパターンを設けるために、第１マスク３１と第２マスク４１を用いる例を説明したが、これに限らず、表裏に同じパターンをパターニングするときには、パターニングに用いるマスクを表裏で共通のマスクにしても良い。
【００６８】
なお、上述の実施形態では、ＯＦ１９が、切り欠き２２とは別個に、ガラス基板２１に予め設けられている例を説明したが、これに限らず、切り欠き２２を設ける工程でＯＦ１９を同時に設けるようにしても良い。また、上述の実施形態では、ＯＦ１９を位置及び向きの調節に用い、マスク３１，４１の位置合わせには切り欠き２２だけを用いる例を説明したが、これに限らず、ＯＦ１９をマスク３１，４１の位置合わせに用いても良い。この場合、ＯＦ１９のエッジは面取りされていない状態の急峻なエッジを有していることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】入射角度制限フィルタの構成を示す断面図である。
【図２】ガラス基板、第１マスク、第２マスクの構成を模式的に示す説明図である。
【図３】第１マスクパターン及び第２マスクパターンの構成を示す説明図である。
【図４】ガラス基板に切り欠きを設ける手順を示す説明図である。
【図５】第１マスクを用いてオモテ面にパターニングする手順を示す説明図である。
【図６】第２マスクを用いてウラ面にパターニングする手順を示す説明図である。
【図７】ガラス基板の表裏に第１多層膜、第２多層膜を設ける手順を示す説明図である。
【図８】切り欠きの他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７０】
１１  入射角度制限フィルタ
１２，２１，８１，８３  ガラス基板
１３  第１多層膜
１４  第２多層膜
１６ａ，１６ｂ  赤外線反射膜
１７，１８  孔
１９  ＯＦ
２１  ガラス基板
２２，８２，８４  切り欠き
２３  平坦部
２４  溝
２６  溝
３１  第１マスク
３２  第１マスクパターン
３３，３４  アライメントマーク
４１  第２マスク
４２  第２マスクパターン
５１，５６  区切線
５２，５７  遮光部
６１，６７  金属薄膜
６２，６６，６８  レジスト
６３，６９  レジストパターン
６４，７１  金属薄膜パターン
７２，７３  誘電体多層膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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