(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザートリミングが安定化され、半導体基板へのレーザーの入射が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板１０と、該半導体基板に積層され、半導体基板の厚さ方向に複数の層が積層された多層構造体３０と、該多層構造体に積層された抵抗体５０と、を有し、該抵抗体の一部がレーザー照射にて溶断され、該抵抗体の抵抗値が調整された半導体装置であって、多層構造体は、レーザーを反射する複数の反射層３１と、複数の反射層間、及び反射層と抵抗体との間それぞれに配置された絶縁層３２と、を有し、抵抗体に最も近い位置における反射層と絶縁層との２つの界面のうち、少なくとも一方が、厚さ方向に対して斜めに形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板に積層され、前記半導体基板の厚さ方向に複数の層が積層されてなる多層構造体と、
該多層構造体に積層された抵抗体と、を有し、
該抵抗体の一部がレーザー照射にて溶断され、該抵抗体の抵抗値が調整された半導体装置であって、
前記多層構造体は、前記レーザーを反射する複数の反射層と、複数の前記反射層間、及び前記反射層と前記抵抗体との間それぞれに配置された複数の絶縁層と、を有し、
前記抵抗体に最も近い位置における前記反射層と前記絶縁層との２つの界面のうち、少なくとも一方が、前記厚さ方向に対して斜めに形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記反射層として、前記半導体基板から前記抵抗体の方向に順次積層された第１反射層と、第２反射層と、を有し、
前記絶縁層として、前記第１反射層と前記第２反射層との間に積層された第１絶縁層と、前記第２反射層と前記抵抗体との間に積層された第２絶縁層と、を有し、
前記第２反射層における前記第２絶縁層との積層面が、前記界面として、前記厚さ方向に対して斜めに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１絶縁層における前記第２反射層との積層面が、前記厚さ方向に対して斜めに形成され、
前記第２反射層は、前記第１絶縁層における前記第２反射層との積層面の形状に合わせて積層され、前記第１絶縁層と前記第２反射層との積層面、及び前記第２反射層と前記第２絶縁層との積層面が、前記界面として、前記厚さ方向に対して斜めに形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー照射によって抵抗値が調整された抵抗体を有する半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板上に絶縁層を介してＣｒＳｉなどを堆積し、該ＣｒＳｉを所定パターンに形成してなる抵抗体に、レーザーを照射してその一部を溶断することで、抵抗体の抵抗値を所望の値に調整するレーザートリミング方法が知られている。
【０００３】
ところで、上記したレーザートリミング方法では、抵抗体を透過し、下層の絶縁層と半導体基板との界面などで反射した反射光が、抵抗体へ入射した入射光と干渉を起こすために、安定して抵抗体を溶断することができない、という問題があった。
【０００４】
そこで、例えば特許文献１では、抵抗体の下に、絶縁膜（絶縁層）を介して金属反射膜（反射層）を形成し、抵抗体にて、入射光と反射層による反射光とが互いに強めあうように、絶縁層の厚さが調整された半導体装置が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２では、半導体基板と、該半導体基板の表面に形成され、該半導体基板の厚さ方向に対して斜めとなる斜め領域と、該斜め領域を含め半導体基板上に形成された絶縁膜（絶縁層）と、該絶縁層上であって、斜め領域の上方に形成された薄膜抵抗（抵抗体）と、を有する半導体装置が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−４１４６１号公報
【特許文献２】特開平１０−２２４５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に示される半導体装置の場合、抵抗体にて干渉光が強まる領域を形成するために、絶縁層の厚さをレーザーの波長程度に調整しなければならない。また、絶縁層に微細構造を形成する場合、その微細構造によって、反射光の光路長が変動するため、微細構造の変形に伴って、入射光と反射層による反射光とが互いに強めあうように、絶縁層の厚さをその都度調整しなければならない。これらにより、コストがかかることが懸念される。
【０００７】
これに対して、特許文献２に示される半導体装置の場合、抵抗体及び絶縁層を透過して斜め領域に入射した入射光は、斜め領域にて、半導体基板の厚さ方向に対して斜めの方向に反射されるので、特許文献２の図６（ｂ）に示されるように、半導体装置に入射した入射光と斜め領域にて反射された反射光との干渉光が複雑となり、抵抗体にて干渉光が必ず強まる領域が形成される。このように、特許文献２に示される半導体装置は、絶縁層の厚さを調整しなくとも、安定してレーザートリミングを行うことができる半導体装置となっている。
【０００８】
しかしながら、特許文献２に示される半導体装置では、上記したように、斜め領域を半導体基板の表面に形成している。したがって、斜め領域を透過して半導体基板に入射した入射光が半導体基板内で干渉し、入射光同士が互いに強めあい、これにより半導体基板に結晶欠陥などが生じる虞がある。そのため、半導体基板における斜め領域下に能動素子や受動素子を形成することができず、これによって半導体基板の体格が増加する、という問題が生じる虞がある。
【０００９】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、レーザートリミングが安定化され、半導体基板へのレーザーの入射が抑制された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、半導体基板と、該半導体基板に積層され、半導体基板の厚さ方向に複数の層が積層された多層構造体と、該多層構造体に積層された抵抗体と、を有し、該抵抗体の一部がレーザー照射にて溶断され、該抵抗体の抵抗値が調整された半導体装置であって、多層構造体は、レーザーを反射する複数の反射層と、複数の反射層間、及び反射層と抵抗体との間それぞれに配置された複数の絶縁層と、を有し、抵抗体に最も近い位置における反射層と絶縁層との２つの界面のうち、少なくとも一方が、厚さ方向に対して斜めに形成されていることを特徴する。
【００１１】
このように本発明によれば、レーザーを反射する反射層を多層に有している。したがって、抵抗体に照射されたレーザーは、半導体基板に到達するまでに、複数の反射層にて反射される構成となっている。このように、本発明に係る半導体装置は、反射層を１つ有する半導体装置と比べ、半導体基板へのレーザーの入射が抑制された半導体装置となっている。これにより、半導体基板内に入射した入射光の干渉によって、半導体基板に結晶欠陥が生じることが抑制されるので、半導体基板における多層構造体下に能動素子や受動素子を形成することができる。したがって、半導体基板の体格の増大を抑制することができる。
【００１２】
また、本発明によれば、抵抗体に最も近い位置における反射層と絶縁層との２つの界面のうち、少なくとも一方が、厚さ方向に対して斜めとなっている。したがって、該界面にて、レーザーを厚さ方向に対して斜めの方向に反射することができる。すなわち、抵抗体にて、光路長が異なる反射波を反射することができる。これにより、抵抗体にて、入射光と反射光とが必ず強めあう領域が形成されるので、半導体装置における各層の厚さに依らず、レーザートリミングを安定して行うことができる。以上のようにして、上記した半導体装置は、レーザートリミングが安定化され、半導体基板へのレーザーの入射が抑制された半導体装置となっている。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の具体的な構成としては、請求項２に記載のように、反射層として、半導体基板から抵抗体の方向に順次積層された第１反射層と、第２反射層と、を有し、絶縁層として、第１反射層と第２反射層との間に積層された第１絶縁層と、第２反射層と抵抗体との間に積層された第２絶縁層と、を有し、第２反射層における第２絶縁層との積層面が、界面として、厚さ方向に対して斜めに形成されている、としても良い。または、請求項３に記載のように、半導体装置の構成を、第１絶縁層における第２反射層との積層面が、厚さ方向に対して斜めに形成され、第２反射層は、第１絶縁層における第２反射層との積層面の形状に合わせて積層され、第１絶縁層と第２反射層との積層面、及び第２反射層と第２絶縁層との積層面が、界面として、厚さ方向に対して斜めに形成されている、としても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。図２は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は第１積層工程と第２積層工程を示し、（ｂ）は形成工程を示し、（ｃ）は第３積層工程を示し、（ｄ）は第４積層工程を示し、（ｅ）は第５積層工程を示している。なお、以下においては、半導体基板の厚さ方向を、単に厚さ方向と示す。
【００１５】
図１に示すように、半導体装置１００は、半導体基板１０と、該半導体基板１０の表面１０ａに積層された多層構造体３０と、該多層構造体３０の表面３０ａに積層された抵抗体５０及び電極５１，５２と、抵抗体５０及び電極５１，５２を被覆・保護する保護膜７０と、を有している。
【００１６】
半導体基板１０は、図示しない能動素子や受動素子（以下、単に素子と示す）が形成される領域である。本実施形態に係る半導体基板１０は単結晶シリコンからなり、表面１０ａに酸化シリコンからなる絶縁膜（図示略）が形成されている。
【００１７】
多層構造体３０は、複数の反射層３１と、複数の絶縁層３２と、を有している。本実施形態に係る多層構造体３０は、反射層３１として２つの反射層３３，３４と、絶縁層３２として２つの絶縁層３５，３６と、を有しており、２つの反射層３３，３４は、窒化シリコンからなり、２つの絶縁層３５，３６は、酸化シリコンからなる。多層構造体３０は、図１に示すように、半導体基板１０から抵抗体５０の方向に、第１反射層３３、第１絶縁層３５、第２反射層３４、及び第２絶縁層３６の順に積層されてなり、第２絶縁層３６と第２反射層３４との第１界面４０、第２反射層３４と第１絶縁層３５との第２界面４１、及び第１絶縁層３５と第１反射層３３との第３界面４２にて、多層構造体３０に入射したレーザーを反射するようになっている。図１に示すように、第１界面４０及び第２界面４１は、厚さ方向に対して略垂直な方向に沿う上辺及び下辺と、該上辺と該下辺とを結び、且つ厚さ方向に対して斜めとされた斜辺と、を有する凹形状が複数連なってなる凹凸形状（以下、このような凹凸形状を、便宜上、台形形状と示す）となっている。これにより、第２反射層３４の表面３４ａ（第１界面４０）の一部に、厚さ方向に対して斜めとなる斜辺３４ｂが形成され、第１絶縁層３５の表面３５ａ（第２界面４１）の一部に、厚さ方向に対して斜めとなる斜辺３５ｂが形成されている。多層構造体３０に入射したレーザーは、これら斜辺３４ｂ，３５ｂにて、厚さ方向に対して斜めの方向に反射される。
【００１８】
抵抗体５０は、アルミニウムなどの導電材料にて形成された電極５１と電極５２とを所望の抵抗値にて電気的に接続するものである。本実施形態に係る抵抗体５０は、多層構造体３０の表面３０ａに、スパッタリングによってＣｒＳｉを堆積し、堆積されたＣｒＳｉを所定パターンに形成することで形成される。抵抗体５０の抵抗値は、レーザー照射にてその一部を溶断することで、所望の値に調整される。
【００１９】
保護膜７０は、抵抗体５０及び電極５１，５２を被覆・保護するものである。本実施形態に係る保護膜７０は、酸化シリコンと窒化シリコンとが厚さ方向に積層されてなる。
【００２０】
次に、半導体装置１００の製造方法を説明する。先ず、単結晶シリコンからなる半導体基板１０を用意する。そして、半導体基板１０の表面１０ａに、熱酸化法によって酸化シリコンよりなる絶縁膜（図示略）を形成し、該酸化シリコンに、ＣＶＤ法によって、窒化シリコンよりなる第１反射層３３を積層する。以上が、第１積層工程である。第１積層工程終了後、第１反射層３３の表面３３ａ（第３界面４２）に、ＣＶＤ法によって酸化シリコンよりなる第１絶縁層３５を積層する。以上が、第２積層工程である。以上の工程を経ることで、図２（ａ）に示すように、半導体基板１０に第１反射層３３と第１絶縁層３５を積層する。
【００２１】
第２積層工程終了後、図２（ｂ）に示すように、異方性エッチングによって、第１絶縁層３５における表面３５ａ（第２界面４１）を、台形形状に形成する。これにより、表面３５ａ（第２界面４１）に、厚さ方向にたいして斜めとなる斜辺３５ｂを形成する。以上が、形成工程である。なお、斜辺３５ｂに沿う長さは、後述する調整工程にて、抵抗体５０に照射するレーザーの波長よりも長く形成されており、これによって、レーザーを反射する構成となっている。
【００２２】
形成工程終了後、図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法によって、表面３５ａ（第２界面４１）に、表面３５ａ（第２界面４１）の形状に合わせて窒化シリコンよりなる第２反射層３４を積層する。すなわち、第２反射層３４を、表面３５ａに均一に形成する。これにより、表面３４ａ（第１界面４０）に、厚さ方向にたいして斜めとなる斜辺３４ｂを形成する。以上が、第３積層工程である。なお、斜辺３４ｂに沿う長さは、上記した斜辺３５ｂに沿う長さと同程度になっている。
【００２３】
第３積層工程終了後、第２反射層３４における表面３４ａ（第１界面４０）の凹部に、溶融した酸化シリコンを注入し、冷却固化することで、該凹部を埋める。該酸化シリコンが固化したら、その表面をＣＭＰ法によって平らにする。そして、図２（ｄ）に示すように、平らになった酸化シリコンの表面に、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを積層し、これによって第２絶縁層３６を形成する。以上が、第４積層工程である。
【００２４】
第４積層工程終了後、図２（ｅ）に示すように、スパッタリングによって、第２絶縁層３６の表面３６ａ（多層構造体３０の表面３０ａ）に、抵抗体５０と電極５１，５１を形成する。そして、ＣＶＤ法によって、抵抗体５０及び電極５１，５２を被覆するように、表面３６ａ（３０ａ）に、酸化シリコンと窒化シリコンとが厚さ方向に積層されてなる保護膜７０を形成する。以上が、第５積層工程である。
【００２５】
第５積層工程終了後、抵抗体５０に集光するように、厚さ方向に沿ってレーザーを照射することで、抵抗体５０の一部を溶断し、抵抗体５０の抵抗値を所望の値に調整する。以上が、調整工程である。以上の工程を経ることで、半導体装置１００が形成される。
【００２６】
次に、本実施形態に係る半導体装置１００の特徴点と、その作用効果を説明する。上記したように、第１絶縁層３５の表面３５ａ（第２界面４１）が台形形状に形成され、表面３５ａ（第２界面４１）の一部に、厚さ方向にたいして斜めとなる斜辺３５ｂが形成されている。そして、表面３５ａ（第２界面４１）に均一に第２反射層３４が積層され、表面３４ａ（第１界面４０）に、厚さ方向に対して斜めとなる斜辺３４ｂが形成されている。このように、第１界面４０及び第２界面４１の一部が、厚さ方向に対して斜めに形成されている。したがって、調整工程において、図１の白抜き矢印で示すように、保護膜７０を介して抵抗体５０にレーザーを照射した場合、保護膜７０、抵抗体５０、及び第２絶縁層３６を透過して第１界面４０に入射したレーザーは、第１界面４０の斜辺３４ｂにて厚さ方向に対して斜めの方向に反射され、保護膜７０、抵抗体５０、第２絶縁層３６、及び第２反射層３４を透過して第２界面４１に入射したレーザーは、第２界面４１の斜辺３５ｂにて厚さ方向に対して斜めの方向に反射される。抵抗体５０に反射される反射波の光路長は、反射波が反射される角度によって変化するので、抵抗体５０に、様々な光路長を有する反射波が反射されることとなる。したがって、抵抗体５０に入射した入射光と、第１界面４０及び第２界面４１によって反射された反射光とによる干渉光が、抵抗体５０にて必ず強めあう領域を形成することができる。これにより、半導体装置１００を構成する各層の厚さに依らず、抵抗体５０を安定してレーザートリミングすることができる。
【００２７】
また、上記したように、本実施形態に係る多層構造体３０は、第１絶縁層３５と第１反射層３３とを有しており、これらの境界にて、レーザーを反射する第３界面４２が形成されている。したがって、調整工程において、第１界面４０及び第２界面４１を透過して、半導体基板１０に入射しようとするレーザーを、第３界面４２にて反射することができる。
【００２８】
このように、本実施形態に係る多層構造体３０は、２つの反射層３３，３４と２つの絶縁層３５，３６とを備え、これによりレーザーを反射する３つの界面４０〜４２を有している。したがって、１つの反射層と２つの絶縁層とを備え、これによりレーザーを反射する２つの界面を有する半導体装置に比べて、半導体基板１０へのレーザーの入射が抑制された構成となっている。これにより、半導体基板１０に入射したレーザーによって、半導体基板１０に結晶欠陥が生じることが抑制され、半導体基板１０に形成された素子にリーク電流などの不具合が生じることが抑制される。したがって、半導体基板１０における抵抗体５０下に素子を形成することができるので、半導体装置１００の体格の増大を抑制することができる。
【００２９】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体装置１００は、レーザートリミングが安定化され、半導体基板へのレーザーの入射が抑制された半導体装置となっている。
【００３０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を、図３及び図４に基づいて説明する。図３は、第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図であり、第１実施形態に示した図１に対応している。図４は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は第３積層工程を示し、（ｂ）は形成工程を示している。図４は、第１実施形態に示した図２に対応している。
【００３１】
第２実施形態に係る半導体装置１００は、第１実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、第１実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。
【００３２】
第１実施形態では、第１絶縁層３５における表面３５ａ（第２界面４１）が、異方性エッチングによって台形形状に形成され、第２反射層３４が表面３５ａ（第２界面４１）に均等に形成され、これにより第１界面４０及び第２界面４１の一部が、厚さ方向に対して斜めとされた斜辺３５ｂ，３４ｂを有する例を示した。これに対し、本実施形態においては、第２反射層３４における表面３４ａ（第１界面４０）が、異方性エッチングによって台形形状に形成され、第１界面４０の一部が厚さ方向に対して斜めとなっている点を特徴とする。
【００３３】
図３に示すように、本実施形態に係る多層構造体３０は、第１実施形態に係る多層構造体３０と同様に、半導体基板１０から抵抗体５０の方向に、第１反射層３３、第１絶縁層３５、第２反射層３４、及び第２絶縁層３６の順に積層されてなり、第２絶縁層３６と第２反射層３４との第１界面４０、第２反射層３４と第１絶縁層３５との第２界面４１、及び第１絶縁層３５と第１反射層３３との第３界面４２にて、多層構造体３０に入射したレーザーを反射するようになっている。そして、第２反射層３４の表面３４ａ（第１界面４０）が台形形状とされ、これにより、表面３４ａ（第１界面４０）の一部が厚さ方向にたいして斜めとなる斜辺３４ｂとなっている。多層構造体３０に入射したレーザーは、斜辺３４ｂにて、厚さ方向に対して斜めの方向に反射される。
【００３４】
次に、半導体装置１００の製造方法を説明する。なお、第１、第２、第４、第５積層工程及び調整工程は、第１実施形態と同様なのでその記載を省略し、第３積層工程と形成工程のみを説明する。
【００３５】
第２積層工程終了後、図４（ａ）に示すように、ＣＶＤ法によって、第１絶縁層３５の表面３５ａ（第２界面４１）に、窒化シリコンよりなる第２反射層３４を積層する。以上が、第３積層工程である。
【００３６】
第３積層工程終了後、図４（ｂ）に示すように、異方性エッチングによって、第２反射層３４の表面３４ａ（第１界面４０）を台形形状に形成する。これにより、表面３４ａ（第１界面４０）の一部に、厚さ方向に対して斜めとなる斜辺３４ｂを形成する。以上が、形成工程である。なお、斜辺３４ｂに沿う長さは、調整工程にて、抵抗体５０に照射するレーザーの波長よりも長く形成されており、これによって、レーザーを反射する構成となっている。
【００３７】
次に、本実施形態に係る半導体装置１００の特徴点と、その作用効果を説明する。上記したように、第２反射層３４の表面３４ａ（第１界面４０）が台形形状に形成され、表面３４ａ（第１界面４０）の一部に、厚さ方向に対して斜めとなる斜辺３４ｂが形成されている。したがって、調整工程において、保護膜７０を介して抵抗体５０にレーザーを照射した場合、保護膜７０、抵抗体５０、及び第２絶縁層３６を透過して第１界面４０に入射したレーザーは、第１界面４０の斜辺３４ｂにて厚さ方向に対して斜めの方向に反射される。抵抗体５０に反射される反射波の光路長は、反射波が反射される角度によって変化するので、抵抗体５０に、様々な光路長を有する反射波が反射されることとなる。したがって、抵抗体５０に入射した入射光と、第１界面４０によって反射された反射光とによる干渉光が、抵抗体５０にて必ず強めあう領域を形成することができる。これにより、半導体装置１００を構成する各層の厚さに依らず、抵抗体５０を安定してレーザートリミングすることができる。
【００３８】
また、上記したように、本実施形態に係る多層構造体３０は、第１実施形態と同様に、２つの反射層３３，３４と２つの絶縁層３５，３６とを備え、これによりレーザーを反射する３つの界面４０〜４２を有している。したがって、１つの反射層と２つの絶縁層とを備え、これによりレーザーを反射する２つの界面を有する半導体装置に比べて、半導体基板１０へのレーザーの入射が抑制された半導体装置１００となっている。これにより、半導体基板１０に入射したレーザーによって、半導体基板１０に結晶欠陥が生じることが抑制され、半導体基板１０に形成された素子にリーク電流などの不具合が生じることが抑制される。したがって、第１実施形態で示した半導体装置１００と同様に、半導体基板１０における抵抗体５０下に素子を形成することができるので、半導体装置１００の体格の増大を抑制することができる。
【００３９】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体装置１００は、第１実施形態で示した半導体装置１００と同様に、レーザートリミングが安定化され、半導体基板へのレーザーの入射が抑制された半導体装置となっている。
【００４０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００４１】
本実施形態では、２つの反射層３３，３４が、窒化シリコンによって形成される例を示した。しかしながら、反射層３３，３４の形成材料としては、上記例に限定されなく、レーザーを反射することができる材料であれば適宜採用することができる。例えば、アルミニウムによって反射層３３，３４を形成しても良い。この場合、第１積層工程において、スパッタリングによって、半導体基板１０の表面１０ａに、アルミニウムよりなる第１反射層３３を形成する。そして、第３積層工程においても同様に、スパッタリングによって、第１絶縁層３５の表面３５ａ（第２界面４１）に、アルミニウムよりなる第２反射層３４を形成する。
【００４２】
本実施形態では、第１界面４０及び第２界面４１の少なくとも一方が、台形形状とされた例を示した。しかしながら、第１界面４０及び第２界面４１の少なくとも一方が、厚さ方向に対して斜め形状を有する形状となっていれば良く、上記例に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は第１積層工程と第２積層工程を示し、（ｂ）は形成工程を示し、（ｃ）は第３積層工程を示し、（ｄ）は第４積層工程を示し、（ｅ）は第５積層工程を示している。
【図３】第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は第３積層工程を示し、（ｂ）は形成工程を示している。
【符号の説明】
【００４４】
１０・・・半導体基板
３０・・・多層構造体
３１・・・反射層
３２・・・絶縁層
４０〜４２・・・第１〜第３界面
５０・・・抵抗体
５１，５２・・・電極
７０・・・保護膜
１００・・・半導体装置
【図１】
2010098138.tif 000003
【図２】
2010098138.tif 000004
【図３】
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【図４】
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