(57)【要約】【課題】簡易な構成で、ソース電極及びドレイン電極に流れる電流を増大させたトランジスタ素子を提供することを課題とする。【解決手段】トランジスタ素子１０において、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａを有するソース電極１８と、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａを有するドレイン電極２０とが、間隔を持って隔てられ、且つ互いの波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａ，２０Ａを対向させて配設させている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を有するソース電極と、
波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を有するドレイン電極であって、前記ソース電極と間隔を持って隔てられ、且つ互いの前記波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を対向させて配設されるドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極に接続して配設されるチャネル層と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に流れる電流を制御するためのゲート電極と、
前記チャネル層と前記ゲート電極とを絶縁するためのゲート絶縁層と、
を備えるトランジスタ素子。
【請求項２】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを、互いの波状に凹凸した平面形状の端辺における凸部と凹部とが対向するように配設されている請求項１に記載のトランジスタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、トランジスタ素子としては、無機半導体を用いた無機トランジスタ素子、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ素子が知られており、研究、開発が盛んに行われている。
【０００３】
一般に、トランジスタ素子では、チャネル幅を長くしたり、チャネル長を短くすれば、ソース・ドレイン電極間に大電流が流れ易くなり電気特性が向上される。これを目的として、例えば、特許文献１では、櫛形のソース・ドレイン電極が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−７８６７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、直線状や櫛形のソース・ドレイン電極を有するトランジスタ素子に比べ、簡易な構成で、ソース電極及びドレイン電極に流れる電流を増大させたトランジスタ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を有するソース電極と、
波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を有するドレイン電極であって、前記ソース電極と間隔を持って隔てられ、且つ互いの前記波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を対向させて配設されるドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極に接続して配設されるチャネル層と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に流れる電流を制御するためのゲート電極と、
前記チャネル層と前記ゲート電極とを絶縁するためのゲート絶縁層と、
を備えるトランジスタ素子。
【０００７】
請求項２に係る発明は、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを、互いの波状に凹凸した平面形状の端辺おける凸部と凹部とが対向するように配置されている請求項１に記載のトランジスタ素子。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１に係る発明によれば、直線状や櫛形のソース・ドレイン電極を有するトランジスタ素子に比べ、簡易な構成で、ソース電極及びドレイン電極に流れる電流が増大される。
請求項２に係る発明によれば、ソース電極及びドレイン電極の対向させる際、互いの波状に凹凸した平面形状を持つ端辺の凸部及び凹部の位置を考慮しない場合に比べ、簡易な構成で、ソース電極及びドレイン電極に流れる電流が増大される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係るトランジスタ素子を示す概略断面図である。
【図２】本実施形態に係るトランジスタ素子におけるソース電極及びドレイン電極を示す概略平面図である。
【図３】本実施形態に係るトランジスタ素子におけるソース電極及びドレイン電極を示す概略拡大平面図である。
【図４】本実施形態に係るトランジスタ素子におけるソース電極及びドレイン電極の他の一例を示す概略平面図である。
【図５】本実施形態に係るトランジスタ素子におけるソース電極及びドレイン電極の他の一例を示す概略平面図である。
【図６】本実施形態に係るトランジスタ素子の製造方法を示す工程図である。
【図７】本実施形態に係るトランジスタ素子における、インクジェット法によるソース電極及びソース電極の形成方法を説明するための工程図である。
【図８】本実施形態に係るトランジスタ素子における、インクジェット法によるソース電極及びソース電極の形成方法の他の一例を説明するための工程図である。
【図９】本実施形態に係るトランジスタ素子の他の一例を示す概略断面図である。
【図１０】本実施形態に係るトランジスタ素子の他の一例を示す概略断面図である。
【図１１】本実施形態に係るトランジスタ素子の他の一例を示す概略断面図である。
【図１２】試験例１で形成したソース電極及びドレイン電極を示す概略構成図である。
【図１３】比較例１で形成したソース電極及びドレイン電極を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本実施形態に係るトランジスタ素子を示す概略断面図である。図２は、本実施形態に係るトランジスタ素子におけるソース電極及びドレイン電極を示す概略平面図である。図３は、本実施形態に係るトランジスタ素子におけるソース電極及びドレイン電極を示す概略拡大平面図である。
【００１２】
本実施形態に係るトランジスタ素子１０は、例えば、基板１２上に、ゲート電極１４が設けられ、このゲート電極１４の設けられた基板１２上にゲート絶縁層１６が設けられている。このゲート絶縁層１６上には、ソース電極１８及びドレイン電極２０が間隔を隔てて設けられており、これらのソース電極１８及びドレイン電極２０の間には、例えば有機半導体層からなるチャネル層２２が設けられている。
【００１３】
チャネル層２２は、ソース電極１８及びドレイン電極２０の双方に接すると共に、これらのソース電極１８及びドレイン電極２０を導通するように設けられている。ゲート電極１４は、ゲート絶縁層１６によってソース電極１８及びドレイン電極２０に対して絶縁されている。
【００１４】
上記構成の本実施形態に係るトランジスタ素子１０においては、ゲート電極１４に印加する電圧の電圧値を調整することで、ソース電極１８とドレイン電極２０との間（その間のチャネル層２２）に流れる電流が制御される。
【００１５】
そして、本実施形態に係るトランジスタ素子１０に配設されるソース電極１８及びドレイン電極２０は、図２及び図３に示すように、それぞれ波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａ，２０Ａを有している。ソース電極１８及びドレイン電極２０は、互いの波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａ，２０Ａ同士が間隔を持って隔てられ対向して配置されている。ここで、端辺の平面形状とは、トランジスタ素子の厚み方向（基板の厚み方向）からみた形状である。
【００１６】
なお、本実施形態では、ソース電極１８及びドレイン電極２０は、全ての端辺が波状の凹凸した平面形状を持った形態を説明するが、この互いの波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａ，２０Ａは、ソース電極１８及びドレイン電極２０の互いの端辺に有していればよい。
【００１７】
ソース電極１８における波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａは、例えば、湾曲してドレイン電極２０側に突出した凸部１８Ｂと、湾曲してソース電極１８側（内側）に窪んだ凹部１８Ｃと、が同じ大きさで周期的に交互に配列して構成されている。
【００１８】
ドレイン電極２０における波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａも、同様に、例えば、湾曲してソース電極１８側に突出した凸部２０Ｂと、湾曲してドレイン電極２０側（内側）に窪んだ凹部２０Ｃと、が同じ大きさで周期的に交互に配列して構成されている。
【００１９】
ソース電極１８及びドレイン電極２０は、互いの波状に凹凸した平面形状を持つ端辺の凸部と凹部とが対向するように配置されている。具体的には、ソース電極１８における波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａの凸部１８Ｂとドレイン電極２０波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａの凹部２０Ｃとが対向しており、且つソース電極１８における波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａの凹部１８Ｃとドレイン電極２０波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａの凸部２０Ｂとも対向している。
【００２０】
つまり、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を構成する周期的に配設される凸部及び凹部の周期の位相が互いにずれて（例えば位相が１０°以上９０°以下でずれていることがよく、本実施例では９０°ずれた例を示している）、ソース電極１８とドレイン電極２０とが対向して配置されている。特に、本実施形態では、ソース電極１８及びドレイン電極２０の間隙を小さくする点から、ソース電極１８における波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａの凸部１８Ｂの少なくとも先端が、ドレイン電極２０波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａの凹部２０Ｃの窪んでいる領域に入り込むと共に、ドレイン電極２０波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａの凸部２０Ｂの少なくとも先端もソース電極１８における波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａの凹部１８Ｃの窪んだ領域に入り込んでいることがよい。
【００２１】
ここで、本実施形態では、線対称のソース電極１８とドレイン電極２０とが互いに対向する端辺１８Ａ，２０Ａとして、同じ大きさの凸部及び凹部が周期的に配置して構成された波状に凹凸した平面形状を持つ端辺で、且つソース電極１８とドレイン電極２０との端辺同士で凸部及び凹部の周期の位相がずれて互いの凸部及び凹部が対向している形態を説明したが、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺であれば、これに限られるわけではない。
【００２２】
一例を挙げれば、本実施形態では、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺が、同じ大きさ凸部及び凹部が配置された構成に限られず、例えば、図４に示すように、異なる大きさの凸部及び凹部が配置された構成であってもよい。
【００２３】
また、本実施形態では、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺が、凸部及び凹部が周期的に配置された構成に限られず、例えば、図５に示すように、凹部及び凸部が非周期的に配置され、ソース電極１８及びドレイン電極２０が非線対称の構成であってもよい。
【００２４】
上記図４乃至図５に示す構成では、必ずしもソース電極１８とドレイン電極２０との端辺同士で互いの凸部及び凹部が対向している必要はなく、例えば凸部及び凹部の配設させる周期をずらしたり、ソース電極１８及びドレイン電極２０が狭められるように配置すればよい。
【００２５】
なお、ソース電極１８とドレイン電極２０との対向する、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺の凹凸の程度は、表面粗さで（ソース電極１８とドレイン電極２０とに互いに対向する端面の表面粗さ）１μｍ以上１０００μｍ以下であることがよく、望ましくは２μｍ以上３０μｍ以下である。
【００２６】
この表面粗さの測定方法は次の通りである。表面粗さを測定する端面方向にｘ軸をとり、このｘ軸に垂直な直線をｙ軸とする。そして、端辺のｙ座標をある周期を持って等間隔に２０点（ｉ）計測する。このときのｙ座標の値の平均値をｍとし、２０点の偏差の２乗の平均値の平方根、すなわち√（Σ（ｙｉ−ｍ）２／２０）を表面粗さとする。具体的には、つまり、表面粗さＲｒｍｓを偏差の２乗の平均値ｍの平方根とする。なお、平均値ｍは下記式（Ａ）で示され、表面粗さＲｒｍｓは下記式（Ｂ）で示される。各式中の符号は上記通りである。
【００２７】
【数１】
2010192578.tif 000003
【００２８】
次に、本実施形態に係るトランジスタ素子１０の製造方法について説明する。図６は、本実施形態に係るトランジスタ素子の製造方法を示す工程図である。
【００２９】
まず、図６（Ａ）に示すように、基板１２を用意する。
基板１２としては、絶縁性（体積抵抗で１０１２Ωｃｍ以上、以下これに準ずる）を有し、その上に作製されるゲート電極１４、ゲート絶縁層１６、ソース電極１８、ドレイン電極２０、及び有機半導体層からなるチャネル層２２等を支持可能な材料から構成されていればよい。
【００３０】
基板１２としては、具体的には、ガラス、シリコンウェハ、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリススチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンブタジエン共重合体、塩化ビニルデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、又はシリコン樹脂等のプラスチック基板等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３１】
次に、図６（Ｂ）に示すように、この基板１２上にゲート電極１４を形成する。
ゲート電極１４に用いられる電極材料としては、金属、金属酸化物、導電性高分子等が使用される。
ゲート電極１４に用いられる金属としては  、アルミニウム、金、銀、銅、クロム、タンタル、タングステン、又はこれらの合金が挙げられる。ゲート電極１４に用いられる金属酸化物としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、又は酸化スズ（ＮＥＳＡ）等の金属酸化膜が挙げられる。
【００３２】
また、ゲート電極１４に用いられる導電性高分子としては、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリピリジン、又はポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等が挙げられる。
【００３３】
ゲート電極１４の形成方法としては、上記の電極材料を蒸着法や、スパッタ等の公知の薄膜形成方法を用いて作製した薄膜を、公知のフォトリソグラフィー法やリフトオフ法を利用する方法や、インクジェット法、マイクロシリンジにより滴下する方法等が利用される。
【００３４】
なお、ゲート電極１４としては、後述するソース電極１８及びドレイン電極２０の形成に用いる金属インク（詳細後述）と同じ材料を用いて、インクジェット法を用いて形成してもよい。このようにすれば、更なる工程短縮が図れる。この場合には、ゲート電極１４は、例えば、Ａｕメタルインクを用いてインクジェット法により形成される。
【００３５】
ゲート電極１４の層厚としては、例えば、厚み０．１μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内でることがよい。
【００３６】
次に、図６（Ｃ）に示すように、ゲート電極１４の形成された基板１２上に、ゲート電極１４及び基板１２の表面を覆うように、ゲート絶縁層１６を形成する。
ゲート絶縁層１６がゲート電極１４上に設けられることによって、ゲート電極１４が後工程で形成されるソース電極１８及びドレイン電極２０の双方から絶縁された状態となる。すなわち、ゲート絶縁層１６を設けることによって、ゲート電極１４に電圧を印加することでソース電極１８及びドレイン電極２０間に流れる電流が制御される。
【００３７】
ゲート絶縁層１６を構成する絶縁材料としては、絶縁性のものであれば無機、有機の何れの材料でもよく、一般的には酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリメチルメタクルレート（ＰＭＭＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰｈ）、又はポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）が挙げられ、これらの材料を２つ以上併用してもよい。
【００３８】
ゲート絶縁層１６を形成する方法としては、上記絶縁材料を蒸着法、スパッタ法、スクリーン印刷法、インクジェット法、又はスピンコーティング法等を用いて成膜する方法が挙げられるが、これらの方法に限られない。
【００３９】
ゲート絶縁層１６の層厚は、具体的には、基板１２とゲート電極１４との間の段差被覆性の向上の観点から、０．１μｍ以上４μｍ以下の範囲内であり、好ましくは、０．２μｍ以上２μｍ以下の範囲内である。
【００４０】
次に、図６（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁層１６上に、ソース電極１８及びドレイン電極２０が間隔を隔てて形成する。なお、これらのソース電極１８及びドレイン電極２０は、トランジスタ素子１０が製造された後にゲート電極１４に電圧が印加されることで、ソース電極１８とドレイン電極２０との間に有機半導体層からなるチャネル層２２を介して電流が流れる位置に設けられていればよい。
【００４１】
ここで、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を有するソース電極１８及びドレイン電極２０の形成方法としては、上記電極材料（ゲート電極１４で説明した電極材料）を蒸着法や、スパッタ等の公知の薄膜形成方法を用いて作製した薄膜を、公知のフォトリソグラフィー法やリフトオフ法を利用する方法や、インクジェット法、マイクロシリンジにより滴下する方法等が利用される。以下、インクジェット法によるソース電極１８及びドレイン電極２０の形成方法を説明する。図７は、本実施形態に係るトランジスタ素子における、インクジェット法によるソース電極及びソース電極の形成方法を説明するための工程図である。
【００４２】
インクジェット法によるソース電極１８及びドレイン電極２０の形成方法として以下に示すような方法があるが、これに限られるものではない。図７（Ａ）に示すように、まず、基板１２及びゲート電極１４上に形成されたゲート絶縁層１６上に、ソース電極１８を形成するための第１ライン３０（ソース電極形成領域）の一端と、第１ライン３０に沿うと共に第１ライン３０と離間した当該ドレイン電極２０を形成するための第２ライン４０（ドレイン電極形成領域）の一端と、に、特定の大きさの金属インク滴を着弾させ円形の金属インク層３１，４１をそれぞれ形成する。この際、それぞれのライン上における円形の金属インク層３１，４１の中心位置をずらして形成する。
【００４３】
次に、図７（Ｂ）に示すように、各ライン上であって円形の金属インク層３１，４１の一端に重なるように、特定の大きさの金属インク滴を着弾させ円形の金属インク層３２，４２をそれぞれ形成する。
【００４４】
次に、図７（Ｃ）に示すように、各ライン上であって円形の金属インク層３２，４２の一端に重なるように、特定の大きさの金属インク滴を着弾させ円形の金属インク層３３，４３をそれぞれ形成する。
【００４５】
そして、図７（Ｄ）に示すように、これら繰り返し、第１ライン３０上、及び第２ライン４０上に、それぞれの円形の金属インク層の一端同士が重ねて連ねた層が形成され、これを乾燥させることで、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を有するソース電極１８及びドレイン電極２０が形成される。
【００４６】
上記インクジェット法によるソース電極１８及びドレイン電極２０の形成方法においては、ソース電極１８及びドレイン電極２０における端辺を、精度良く、波状に凹凸した平面形状とする観点からは、前に着弾形成させた各円形の金属インク層が乾燥した後に、次の各金属インク滴を着弾させる手法を採用することがよい。
【００４７】
そして、この手法を採用する場合、電極形成速度を向上させる観点から、図８（Ａ）に示すように、第１ライン３０上、及び第２ライン上に、それぞれ、予め定められた間隔で複数の金属インク層３４，４４を形成・乾燥させた後、図８（Ｂ）に示すように、各ライン上に形成された複数の円形の金属インク層３４，４４間に当該各円形の金属インク層の一端が重なるように円形の金属インク層３５，４５を形成する手法を採用することがよい。なお、当該先に形成する複数の円形の金属インク層３４，４４間の間隔は、次に形成する円形の金属インク層３５，４５が、各円形の金属インク層３４，４５の一端がそれぞれ重なる間隔とする。
【００４８】
インクジェット法によるソース電極１８及びドレイン電極２０の形成方法において使用する金属インクとしては、例えば、各種金属単体（例えばタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、又はニオブ（Ｎｂ））、これらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料、Ａｇ合金（例えばＡｇＰｄＣｕ合金等）、又はＡｌ合金から選択された導電性（体積抵抗率１０−２Ω・ｃｍ未満、以下同様である）の材料等の金属材料を後述する溶媒に溶解又は分散させたものが挙げられる。
【００４９】
金属インクとしては、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、又は白金（Ｐｔ）等の金属材料を、粒径１０ｎｍ以下で分散させた所謂ナノメタル粒子を溶媒に分散又は溶解したもの（所謂、ナノメタルインク）も挙げられる。
【００５０】
金属インクに含まれる上記金属材料の濃度は、上記粘度条件を満たす範囲内の濃度であればよく、溶媒の粘度によって異なるが、例えば、金属インク溶液１００質量部に対して、５質量部以上７０質量部以下の範囲内であることが好ましく、５質量部以上６０質量部以下の範囲内であることが特に好ましい。
【００５１】
なお、金属インクとしては、上記金属材料の中でも、銀又は金といった低抵抗（１０−６Ω・ｃｍ程度の抵抗性）金属を用いることが、配線抵抗の低抵抗化が図れるため好ましい。
【００５２】
金属インクにおいて、上記金属材料を溶解又は分散させるための溶媒としては、例えば、エステル類（例えば酢酸ブチル、又は酢酸エチル等）、アルコール類（例えばイソプロピルアルコール、又はエチルアルコール等）、脂環式化合物（例えばトルエン等）、直鎖アルカン類（例えばデカン、ドデカン、テトラデカン等）、又は有機溶剤（例えばメチルエチルケトン、又はアセトン等）等が挙げられる。
【００５３】
金属インクに含まれる溶媒の沸点は、１１０℃以上であることが好ましく、１６０℃以上であることが更に好ましい。この条件を満たす溶媒であるという観点から、上記溶媒の中のデカン、ドデカン、又はテトラデカン等が金属インクの溶媒として好適に挙げられる。
【００５４】
また、金属インクの粘度は、２ｍＰａ・ｓ以上３０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、５ｍＰａ・ｓ以上１５ｍＰａ・ｓ以下であることが更に好ましい。この粘度は、例えば、用いる溶媒の種類や、含有する金属材料の濃度等を調整することで調整すればよい。
【００５５】
なお、この金属インクの粘度は、ソリッドステート式粘度計（Ｖｅｃｔｒｏｎ社製、商品名ＶｉＳｍａｒｔ）を使用し、２３℃、５５％ＲＨの環境下における試料の粘度を算出した。
【００５６】
次に、図６（Ｅ）に示すように、上記工程によって形成されたソース電極１８及びドレイン電極２０の間に向かって、例えば、有機半導体インク滴を滴下・乾燥させる。これにより、有機半導体層からなるチャネル層２２が形成される。この滴下の方法としては、インクジェット法を用いても良いし、マイクロシリンジを用いた滴下であってもよい。
【００５７】
この半導体インク滴を構成する半導体インクとしては、半導体と溶媒とを少なくとも含んだ構成であればよい。
【００５８】
この半導体としては、無機半導体であってもよいし、有機半導体であってもよい。
無機半導体としては、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎから選択される１以上の元素を含む有機金属化合物や塩化物が挙げられる。有機半導体としては、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、アゾ系顔料、ポリビニルカルバゾール、ポリアセチレン、チオフェン、ペンタセン、ペリレン、ＴＣＮＱ（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）、アントラセン、又はこれらの誘導体等が挙げられる。
【００５９】
半導体インク滴に用いられる溶媒としては、該半導体インク滴に含まれる半導体が溶解されるものであれば特に限定されないが、例えば、有機溶媒、例えば、炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒等や、水、又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。
【００６０】
なお、有機半導体層からなるチャネル層２２は、上記インクジェット法やマイクロシリンジ法に限られず、蒸着法や、スパッタ等の公知の薄膜形成方法を用いて作製した薄膜を、公知のフォトリソグラフィー法やリフトオフ法を利用する方法を採用してもよい。
【００６１】
そして、これによって、本実施形態に係るトランジスタ素子１０が製造されることとなる。
【００６２】
以上説明した本実施形態に係るトランジスタ素子１０では、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａを有するソース電極１８と、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺２０Ａを有するドレイン電極２０とが、間隔を持って隔てられ、且つ互いの波状に凹凸した平面形状を持つ端辺１８Ａ，２０Ａを対向させて配設させている。これにより、ソース電極１８とドレイン電極２０との間隙距離の中央部を結んだ線が湾曲することとなる。この線の長さはチャネル幅に相当し、当該線が直線状の場合（直線状のソース電極及びドレイン電極２０を対向させた場合）に比べ湾曲している分、チャネル幅が長くなる。特に、ソース電極１８及びドレイン電極２０とを、互いの波状に凹凸した平面形状の端辺１８Ａ，２０Ａおける凸部と凹部とが対向するように配置することで、当該線が湾曲が大きくなり、当該線が直線に比べ湾曲している分、チャネル幅が長くなる。そして、ソース電極１８とドレイン電極２０との間隔距離も狭められ、間隔距離に相当するチャネル長さも狭められることとなる。
【００６３】
一方で、波状に凹凸した平面形状を持つ端辺を有するソース電極１８及びドレイン電極２０の形状は、櫛型のソース電極及びドレイン電極２０といった互いの電極を入り込ませる複雑な形状に比べ、簡易な形状である。
【００６４】
したがって、本実施形態に係るトランジスタ素子１０では、直線状や櫛形のソース・ドレイン電極を有するトランジスタ素子に比べ、簡易な構成で、ソース電極及びドレイン電極に流れる電流が増大される。結果、電気特性の向上化が図れる。
【００６５】
なお、本実施形態に係るトランジスタ素子１０の構成は、上記に限られず、他の構成のトランジスタ素子であってもよい。
他の一例である本実施形態に係るトランジスタ素子１０１としては、例えば、図９に示すように、例えば、基板１２上にゲート電極１４、ゲート絶縁層１６、チャネル層２２がこの順に設けられ、このチャネル層２２上にソース電極１８及びドレイン電極２０が離間して設けられた形態が挙げられる。
【００６６】
また、他の一例である本実施形態に係るトランジスタ素子１０２としては、例えば、図１０に示すように、基板１２上にゲート電極１４、ゲート絶縁層１６がこの順に設けられ、このゲート絶縁層１６上にソース電極１８が設けられ、そして、ソース電極１８のゲート絶縁層１６と接する側と反対側の面をチャネル層２２の一端が覆うように、チャネル層２２が設けられ、さらに、チャネル層２２のソース電極１８を覆う一端と反対側の端において、チャネル層２２の上にドレイン電極２０が設けられた形態が挙げられる。
【００６７】
また、他の一例である本実施形態に係るトランジスタ素子１０３としては、例えば、図１１に示すように、基板１２上にソース電極１８及びドレイン電極２０が離間した位置に設けられると共に、ソース電極１８及びドレイン電極２０を被覆するようにチャネル層２２が設けられ、そして、このチャネル層２２上に、ゲート絶縁層１６、ゲート電極１４がこの順に設けられた形態が挙げられる。
【００６８】
（試験例）
次に、本実施形態に係る効果を確認するための試験例について説明する。
【００６９】
−試験例１−
上記インクジェット法に従って、下記金属インク滴の滴下条件で形成した円形の金属インク層が連なったソース電極１８、及びドレイン電極２０を形成した（図１２参照）。なお。このソース電極１８、及びドレイン電極２０が対向する端辺（端面）の表面粗さは７．３μｍであった。
・各円形の金属インク層の径ＲＡ：７０μｍ
・各電極を形成するためのライン上の隣合う各円形の金属インク層の中心間距離ＲＢ：６０μｍ
・ソース電極を形成するためのライン上における各円形の金属インク層の中心と、ドレイン電極を形成するためのライン上における各円形の金属インク層の中心と、のライン方向に沿ったズレ量ＲＣ：３０μｍ
・ソース電極を形成するためのライン上の各円形の金属インク層の中心と、ドレイン電極を形成するためのライン上の各円形の金属インク層の中心と、のラインと直交方向（電極対向方向）に沿った距離ＲＤ：７０μｍ
【００７０】
−比較例１−
長方形で、互いの対向する端辺が直線状のソース電極１８、及びドレイン電極２０を形成した（図１３参照）。但し、ソース電極１８、及びドレイン電極２０の間隔距離は１０μｍとした。なお、このソース電極１８、及びドレイン電極２０が対向する端辺（端面）の表面粗さは０．４６μｍであった。
【００７１】
−評価−
上記各例で形成したソース電極１８、及びドレイン電極２０のチャネル幅、チャネル長を調べた。チャネル幅、チャネル長は、電極長手方向距離２００μｍに相当する距離内で調べた。なお、チャネル幅は、ソース電極１８及びドレイン電極２０の間隙距離中心を結んだ線の長さとして調べた。
【００７２】
そこ結果、試験例１のチャネル幅は２２０μｍ、チャネル長は２５μｍから３０μｍまでの間であった。
一方、比較例１のチャネル幅は２００μｍ、チャネル長は２９μｍから３０μｍまでの間であった。
これらから、試験例１は、比較例１に比べ、チャネル幅が湾曲している分、長くなったことがわかる。
【符号の説明】
【００７３】
１０   トランジスタ素子
１２   基板
１４   ゲート電極
１６   ゲート絶縁層
１８   ソース電極
１８Ａ 端辺
１８Ｂ 凸部
１８Ｃ 凹部
２０   ドレイン電極
２０Ａ 端辺
２０Ｂ 凸部
２０Ｃ 凹部
２２   チャネル層
３０   第１ライン
３１〜３５    金属インク層
４０   第２ライン
４１〜４５    金属インク層
１０１ トランジスタ素子
１０２ トランジスタ素子
１０３ トランジスタ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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