(57)【要約】      （修正有）【課題】ロットの切り替わりにおいても適切なクリーニング条件，かつ適切なタイミングでクリーニングを実行するクリーニング方法を提供する。【解決手段】各ロットのプロセス条件とこれらプロセス条件にそれぞれ設定されたクリーニング条件とを予め記憶しておき，各処理室においてプロセス処理を実行する前に，クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断しＳ１１０，クリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室にクリーニング用基板を割込み搬送して，切り替わり前のロットのクリーニング条件を読み出してＳ１２０，その条件に基づいてクリーニング処理を実行しＳ１４０，クリーニング条件が同じロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室に対するクリーニング処理は実行しない。【選択図】図６
2010098053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板からなるロットが複数設定され，各ロットごとに前記基板を複数の処理室に搬送し，各処理室内で前記基板のプロセス処理を並行して実行する基板処理装置における各処理室のクリーニング方法であって，
前記基板処理装置は，前記各ロットのプロセス条件とこれらプロセス条件にそれぞれ設定されたクリーニング条件とを記憶する記憶部を備え，
前記各処理室においてプロセス処理を実行する前に，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断し，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室にクリーニング用基板を割込み搬送して，切り替わり前のロットのクリーニング条件に基づいてクリーニング処理を実行し，前記クリーニング条件が同じロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室に対するクリーニング処理は実行しないことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項２】
前記クリーニング処理は，基板のプロセス処理を実行した回数に応じて算出したクリーニング時間で実行することを特徴とする請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項３】
前記記憶部は，前記各ロットのプロセス条件をこれに設定されたクリーニング条件でグループ分けしたグループ分けデータを記憶し，
前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かの判断は，前記グループ分けデータに基づいて，異なるクリーニンググループに属するか否かによって判断することを特徴とする請求項２に記載のクリーニング方法。
【請求項４】
前記ロットの切り替わりによるクリーニング処理とは別に，前記各処理室ごとに前記ロットの切り替わりに拘わらず，同じプロセス条件でプロセス処理が実行された回数をカウントして，そのカウント値が予め設定された使用回数に達すると，その処理室にクリーニング用基板を搬送してクリーニング処理を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のクリーニング方法。
【請求項５】
前記ロットの切り替わりによるクリーニング処理のタイミングと，前記実行回数によるクリーニング処理のタイミングが重なる場合には，前記ロットの切り替わりによるクリーニング処理を実行せずに，前記実行回数によるクリーニング処理を優先して実行することを特徴とする請求項４に記載のクリーニング方法。
【請求項６】
複数枚の基板からなるロットが複数設定され，各ロットごとに前記基板を複数の処理室に搬送し，各処理室内で前記基板のプロセス処理を並行して実行する基板処理装置における各処理室のクリーニング方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した記録媒体であって，
前記基板処理装置は，前記各ロットのプロセス条件とこれらプロセス条件にそれぞれ設定されたクリーニング条件とを記憶する記憶部を備え，
前記基板処理方法は，
前記各処理室においてプロセス処理を実行する前に，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断し，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室にクリーニング用基板を割込み搬送して切り替わり前のロットのクリーニング条件に基づいてクリーニング処理を実行し，前記クリーニング条件が同じロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室に対するクリーニング処理は実行しないことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板処理装置に設けられた処理室の内部をクリーニングするクリーニング方法及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では，半導体ウエハやＦＰＤ用のガラス基板などの基板に対してエッチングや成膜など種々のプロセス処理がそれぞれの目的に合わせて異なるプロセス条件で実施される。例えばプラズマ処理装置などの基板処理装置では，複数枚の基板に対してプロセス処理が連続して行われる。
【０００３】
このような基板処理装置では，所定のタイミングで処理室内のクリーニングを実行することにより，プロセス処理の際に処理室の内壁などに堆積した反応生成物や処理室内に外部から混入する微粒子などのパーティクル（微細な粒子状の異物）を適切に除去するようにしている。
【０００４】
ところが，常に同じクリーニング条件でクリーニングを行っても，クリーニングの過不足が生じる虞がある。例えばクリーニング不足になると処理室内にパーティクルが発生したり，クリーニング過剰になると処理室内状態（例えば内壁に付着する反応生成物の量，処理室内の温度）などが最適にならず，プロセス処理に影響を与えたりするなどの不都合がある。これでは，基板上に製造される半導体デバイスの品質劣化にも繋がる虞もある。
【０００５】
このため，本発明者らは処理の種別（例えば処理室内状態調整処理，エッチング処理）ごとにクリーニング条件を設定し，その処理の種別ごとにその処理の終了後に，設定されたクリーニング条件で処理室内のクリーニングを実行することで，適切なクリーニングを行うことができる技術を提案した（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２５０７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで，複数枚の基板をロットごとに処理室に搬送してプロセス処理を実行する場合には，ロットの切り替わりでもクリーニングが必要な場合がある。例えば前のロットの処理とはプロセス条件が異なるロットの別の処理に切り替える場合には，クリーニングによって処理室内の状態を調整しておくことが好ましい。
【０００８】
しかしながら，このような場合にも，別の処理に設定されたクリーニング条件で処理室内をクリーニングしても，適切にクリーニングができない。すなわち，切り替わり前のロットの処理に設定されるクリーニング条件と，切り替わり後のロットの処理に設定されるクリーニング条件は異なるため，例えば切り替わり前の処理によって処理室内に堆積した付着物などは，切り替わり後のロットのクリーニング条件では適切に除去することができない。
【０００９】
さらに，各ロットのプロセス処理を複数の処理室で並行して実行する場合には，各処理室でプロセス処理される基板の枚数は，１つの処理室で処理する場合よりも少なくなるので，ロットの切り替わりごとに常にクリーニングを行うと，クリーニング過剰となる場合がある。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，ロットの切り替わりにおいても適切なクリーニング条件，かつ適切なタイミングでクリーニングを実行できるクリーニング方法等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，複数枚の基板からなるロットが複数設定され，各ロットごとに前記基板を複数の処理室に搬送し，各処理室内で前記基板のプロセス処理を並行して実行する基板処理装置における各処理室のクリーニング方法であって，前記基板処理装置は，前記各ロットのプロセス条件とこれらプロセス条件にそれぞれ設定されたクリーニング条件とを記憶する記憶部を備え，前記各処理室においてプロセス処理を実行する前に，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断し，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室にクリーニング用基板を割込み搬送して切り替わり前のロットのクリーニング条件に基づいてクリーニング処理を実行し，前記クリーニング条件が同じロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室に対するクリーニング処理は実行しないことを特徴とするクリーニング方法が提供される。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，複数枚の基板からなるロットが複数設定され，各ロットごとに前記基板を複数の処理室に搬送し，各処理室内で前記基板のプロセス処理を並行して実行する基板処理装置における各処理室のクリーニング方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した記録媒体であって，前記基板処理装置は，前記各ロットのプロセス条件とこれらプロセス条件にそれぞれ設定されたクリーニング条件とを記憶する記憶部を備え，前記基板処理方法は，前記各処理室においてプロセス処理を実行する前に，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断し，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室にクリーニング用基板を割込み搬送して切り替わり前のロットのクリーニング条件に基づいてクリーニング処理を実行し，前記クリーニング条件が同じロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室に対するクリーニング処理は実行しないことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【００１３】
このような本発明によれば，複数の基板のプロセス処理が並行して実行される各処理室において，前のロットとはクリーニング条件が異なるロットに切り替わる場合には，その処理室内のクリーニング処理が実行される。しかも，切り替わり後のロットのクリーニング条件は用いることなく，切り替わり前のロットのクリーニング条件が用いられる。これにより，例えば切り替わり前のロットのプロセス処理で処理室の内壁などに堆積した付着物などを効果的に除去できるので，次のロットのプロセス処理を適切に実行することができる。
【００１４】
これに対して，前のロットとはクリーニング条件が同じロットに切り替わる場合には，その処理室内のクリーニング処理は実行されない。この場合には，次のロットにおいてもほぼ同様のプロセス処理が実行されるので，処理室内をクリーニングする必要がない場合が多く，しかも，複数の処理室で並行にプロセス処理を実行する場合においても，各処理室においてクリーニングが過剰となることを防止できる。このように，本発明によればロットの切り替わりにおいても適切なクリーニング条件，かつ適切なタイミングでクリーニングを実行できる。
【００１５】
また，上記クリーニング処理は，基板のプロセス処理を実行した回数に応じて算出したクリーニング時間で実行することが好ましい。これによれば，実際の実行回数に応じたクリーニング時間を設定することができるので，過不足のない適切なクリーニングを実行することができる。特に，複数の処理室で並行してプロセス処理を実行する場合には，いずれかの処理室が故障などによって稼働できなくなった場合に他の処理室で予定以上の枚数をプロセス処理が実行されたとしても，その実行回数に応じたクリーニング時間が設定されるので，過不足のないクリーニングを実行できる。
【００１６】
また，上記記憶部は，前記各ロットのプロセス条件をこれに設定されたクリーニング条件でグループ分けしたグループ分けデータを記憶し，前記クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かの判断は，前記グループ分けデータに基づいて，異なるクリーニンググループに属するか否かによって判断するようにしてもよい。これによれば，次のロットのプロセス条件が異なるクリーニンググループに属するか否かを判断すれば足りるので，クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを簡単に判断することができる。
【００１７】
また，上記ロットの切り替わりによるクリーニング処理とは別に，前記各処理室ごとに前記ロットの切り替わりに拘わらず，同じプロセス条件でプロセス処理が実行された回数をカウントして，そのカウント値が予め設定された使用回数に達すると，その処理室にクリーニング用基板を搬送してクリーニング処理を行うことが好ましい。これによれば，例えば同じプロセス条件のロットの処理が多く続いたときに，ロットの切り替わりによるクリーニングが行われなかったとしても，その実行回数が予め設定された使用回数に達すればクリーニング処理が実行される。これにより，各処理室内のコンディションを常に最適な状態に保つことができる。
【００１８】
また，上記ロットの切り替わりによるクリーニング処理のタイミングと，前記実行回数によるクリーニング処理のタイミングが重なる場合には，前記ロットの切り替わりによるクリーニング処理を実行せずに，前記実行回数によるクリーニング処理を優先して実行することが好ましい。これにより，クリーニング過剰になることを防止できる。
【００１９】
なお，本明細書中１ｍＴｏｒｒは（１０−３×１０１３２５／７６０）Ｐａ，１ｓｃｃｍは（１０−６／６０）ｍ３／ｓｅｃとする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば，ロットの切り替わりにおいても適切なクリーニング条件，かつ適切なタイミングでクリーニングを実行できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２２】
（基板処理装置の構成例）
まず，本発明の実施形態にかかる基板処理方法を実施可能な基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は，基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置１００は，基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して所定のプロセス処理を行う複数（ここでは６つ）のプラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６を備える処理ユニット１１０と，この処理ユニット１１０に対して大気圧雰囲気中でウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０と，基板処理装置１００全体の動作を制御する制御部３００とを備える。
【００２３】
ここでの各プラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６はプラズマエッチング装置として構成した場合を例に挙げる。各プラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６はそれぞれ同様に構成される。すなわち処理室２１０を備え，その内部に配置したウエハＷ上に処理ガスのプラズマを生起してウエハ表面にプラズマエッチング処理を施すように構成される。なお，各プラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６の具体的構成例は後述する。
【００２４】
なお，図１に示す基板処理装置１００は，プラズマ処理装置を６つ設けた場合を例に挙げているが，これに限定されるものではなく，５つ以下のプラズマ処理装置を備えたものであってもよい。また，図１に示す基板処理装置１００には，必ずしも同様のプラズマ処理装置を設けなくてもよく，エッチング以外のプロセス処理を行う処理装置（例えば熱処理装置，成膜装置など）を設けてもよい。
【００２５】
上記搬送ユニット１２０の搬送室１３０は，例えばＮ２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される断面略矩形状の箱体により構成されている。搬送室１３０における断面略矩形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃが並設されている。これらカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃには，カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃを載置される。搬送室１３０の側壁には，ウエハＷの投入口としての３つのロードポート１３６Ａ〜１３６Ｃが各カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃに対応するように設けられている。
【００２６】
図１では，例えば各カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃに３台のカセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃをそれぞれ１つずつ載置することができる例を挙げているが，カセット台とカセット容器の数はこれに限られず，例えば１台又は２台であってもよく，また４台以上設けてもよい。
【００２７】
各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃには，少なくとも１ロット分（例えば２５枚）以上のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へロードポート１３６Ａ〜１３６Ｃを介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。
【００２８】
ここでは，各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃにはそれぞれ，各ロットのウエハＷが収容される。具体的には，１ロット分（例えば２５枚）のエッチング処理を施すための製品用ウエハＷｐ，エッチング処理前に各処理室２１０内の状態を調整するための複数の調整用ウエハＷｄ，各処理室２１０内のクリーニングを行うための複数のクリーニング用ウエハＷｆが収容される。各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃに収容される製品用ウエハＷｐは，同じプロセス条件でウエハの処理を実行するロットのもののみならず，異なるプロセス条件でウエハの処理を実行するロットのものであってもよい。
【００２９】
なお，これに限られることはなく，どのカセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃにどの種類のウエハが収容されていてもよい。例えばカセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃにはそれぞれ製品用ウエハＷｐ，調整用ウエハＷｄ，クリーニング用ウエハＷｆの種類ごとに収容されていてもよい。
【００３０】
搬送室１３０内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる搬送ユニット側搬送機構１６０が設けられている。この搬送ユニット側搬送機構１６０は，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送するように構成されている。具体的には搬送ユニット側搬送機構１６０は基台１６２上に固定され，この基台１６２は搬送室１３０内の中心部を長手方向に沿って設けられた図示しない案内レール上を例えばリニアモータ駆動機構によりスライド移動可能に構成されている。搬送ユニット側搬送機構１６０は例えば図１に示すような２つのピックを備えるダブルアーム機構であってもよく，また１つのピックを備えるシングルアーム機構であってもよい。
【００３１】
搬送室１３０の一端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する一方の側面には，ウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３７が設けられている。オリエンタ１３７は，例えば内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備え，ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。
【００３２】
次に，処理ユニット１１０の構成例について説明する。本実施形態にかかる基板処理装置１００がクラスタツール型であることから，処理ユニット１１０は図１に示すように，断面多角形（例えば六角形）に形成された共通搬送室１１２を備える。共通搬送室１１２の周囲には各プラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６が各ゲートバルブ２４０を介して接続されている。
【００３３】
また，共通搬送室１１２の周囲には，第１，第２ロードロック室１１４Ｍ，１１４Ｎの先端がそれぞれゲートバルブ（真空圧側ゲートバルブ）２４０を介して接続されており，第１，第２ロードロック室１１４Ｍ，１１４Ｎの基端は，それぞれゲートバルブ（大気圧側ゲートバルブ）１１８を介して搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する他側面に接続されている。
【００３４】
共通搬送室１１２は，その内部を所定の真空圧力に制御できるように構成されており，プラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６の各処理室２１０間，又は各処理室２１０と各第１，第２ロードロック室１１４Ｍ，１１４Ｎとの間でウエハＷを搬出入する機能を有する。
【００３５】
第１，第２ロードロック室１１４Ｍ，１１４Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスする機能を有している。第１，第２ロードロック室１１４Ｍ，１１４Ｎの内部にはそれぞれ，ウエハＷを載置可能な受渡台１１６が設けられている。
【００３６】
共通搬送室１１２内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる処理ユニット側搬送機構１５０が設けられている。処理ユニット側搬送機構１５０は，２つのピック１５２Ａ，１５２Ｂを有しており，一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができるようになっている。
【００３７】
処理ユニット側搬送機構１５０は基台１５４に回転自在に支持されている。基台１５４は，共通搬送室１１２内の基端側から先端側にわたって配設された案内レール１５６上を例えば図示しないスライド駆動用モータによりスライド移動自在に構成されている。なお，基台１５４には例えばアーム旋回用のモータなどの配線を通すためのフレキシブルアーム１５８が接続されている。
【００３８】
このように構成された処理ユニット側搬送機構１５０によれば，この処理ユニット側搬送機構１５０を案内レール１５６に沿ってスライド移動させることにより，第１，第２ロードロック室１１４Ｍ，１１４Ｎ及びプラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６の各処理室２１０にアクセス可能となる。例えば処理ユニット側搬送機構１５０を第１，第２ロードロック室１１４Ｍ，１１４Ｎ及び対向配置されたプラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ６の各処理室２１０にアクセスさせる際には，処理ユニット側搬送機構１５０を案内レール１５６に沿って共通搬送室１１２の基端側寄りに位置させる。
【００３９】
また，処理ユニット側搬送機構１５０を他の４つのプラズマ処理装置ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４，ＰＭ５の各処理室２１０にアクセスさせる際には，処理ユニット側搬送機構１５０を案内レール１５６に沿って共通搬送室１１２の先端側寄りに位置させる。これにより，１つの処理ユニット側搬送機構１５０により，共通搬送室１１２に接続されているすべての処理室２１０と第１，第２ロードロック室１１４Ｍ，１１４Ｎにアクセス可能となる。
【００４０】
なお，処理ユニット側搬送機構１５０の構成は上記のものに限られず，２つの搬送機構によって構成してもよい。すなわち，共通搬送室１１２の基端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第１搬送機構を設けるとともに，共通搬送室１１２の先端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第２搬送機構を設けるようにしてもよい。また，処理ユニット側搬送機構１５０のピックの数は，２つに限られることはなく，例えば１つのみとしてもよい。
【００４１】
（プラズマ処理装置の構成例）
次に，上記プラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６の構成例について図面を参照しながら説明する。なお，これらプラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ６は同様の構成であるため，ここではプラズマ処理装置ＰＭによって代表して説明する。図２はこのようなプラズマ処理装置ＰＭの概略構成を示す断面図を示す断面図である。ここでは，プラズマ処理装置ＰＭを平行平板型のプラズマエッチング装置として構成した場合を例に挙げる。
【００４２】
図２に示すように，プラズマ処理装置ＰＭは，例えばアルミニウム製，ステンレス製などの金属製の円筒形の処理室（チャンバ）２１０を有しており，この処理室２１０内にはその底部に下部電極としてのサセプタ２１１を備える。サセプタ２１１は，ウエハＷを載置するステージとしても機能する。すなわち，サセプタ２１１は，円柱状に形成され，その上面に例えば直径が３００ｍｍのウエハＷを載置できるようになっている。
【００４３】
処理室２１０の側壁とサセプタ２１１との間には，サセプタ２１１の上方の気体を処理室２１０の外へ排出する流路として機能する排気路２１２が形成されている。この排気路２１２の途中には環状のバッフル板２１３が配設されており，排気路２１２のバッフル板２１３から下の空間は，可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（以下，「ＡＰＣ（Ａｄａｐｔｉｖｅ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）バルブ」という）２１４に通じている。ＡＰＣバルブ２１４は，真空引き用の排気ポンプであるターボ分子ポンプ（以下，「ＴＭＰ」という）２１５に接続されており，さらにこのＴＭＰ２１５を介して排気ポンプであるドライポンプ（以下，「ＤＰ」という）２１６に接続されている。これらＡＰＣバルブ２１４，ＴＭＰ２１５，およびＤＰ２１６によって構成される排気流路（以下，「本排気ライン」という）は，処理室２１０内を高真空状態になるまで減圧するためのものである。そして処理室２１０内の圧力は，ＡＰＣバルブ２１４によって調節される。
【００４４】
また，排気路２１２のバッフル板２１３から下の空間は，本排気ラインとは別の排気ライン（以下，「粗引きライン」という）にも接続されている。この粗引きラインは，途中にバルブＶ２を備えた排気管２１７とＤＰ２１６によって構成されている。処理室２１０内の気体は通常，本排気ラインよりも先にこの粗引きラインによって排出されることになる。
【００４５】
下部電極としてのサセプタ２１１には高周波電源２１８が導線２５０を介して接続されており，高周波電源２１８から所定の高周波電力が印加される。導線２５０には，整合器２１９と，導線２５０の導通および切断を切り替えるスイッチ２５１が備えられている。整合器２１９は高周波電源２１８の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるためのもので，処理室２１０内にプラズマが生成されている時に高周波電源２１８の内部インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。
【００４６】
上記スイッチ２５１は，電気的にサセプタ２１１と高周波電源２１８の間に位置しており，サセプタ２１１の電気的状態をフローティング（浮遊）状態と導通状態のいずれかに設定することができる。例えば，ウエハＷがサセプタ２１１の上面に載置されていないとき，スイッチ２５１は，サセプタ２１１を電気的フローティング状態とする。
【００４７】
サセプタ２１１の内部の上方には，ウエハＷを静電吸着するための導電膜からなる円板状の電極板２２０が設けられている。電極板２２０には直流電源２２２が電気的に接続されている。ウエハＷは，直流電源２２２から電極板２２０に印加される直流電圧に応じて発生するクーロン力またはジョンソン・ラーベク（Ｊｏｈｎｓｅｎ−Ｒａｈｂｅｋ）力によってサセプタ２１１の上面に吸着保持される。円環状のフォーカスリング２２４は，シリコン等からなり，サセプタ２１１の上方に発生したプラズマをウエハＷに向けて収束させるものである。
【００４８】
サセプタ２１１の内部には，冷媒室２２５が配置されている。この冷媒室２２５には，チラーユニット（図示せず）から配管２２６を介して所定温度の冷媒（例えば冷却水）が循環供給される。サセプタ２１１に載置されたウエハＷの処理温度は，冷媒室２２５によって温度制御される。
【００４９】
サセプタ２１１の上面においてウエハＷが吸着する部分（以下，「吸着面」という）には，複数の伝熱ガス供給孔２２７と伝熱ガス供給溝（図示せず）が形成されている。これら伝熱ガス供給孔２２７と伝熱ガス供給溝は，サセプタ２１１内部に備えられた伝熱ガス供給ライン２２８とバルブＶ３を有する伝熱ガス供給管２２９を経由して伝熱ガス供給部（図示せず）に繋がっており，ここからの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を吸着面とウエハＷの裏面との隙間に供給する。これによってウエハＷとサセプタ２１１との熱伝導性が向上する。なお，伝熱ガス供給孔２２７と伝熱ガス供給溝に対する伝熱ガスの供給量は，バルブＶ３によって調整される。
【００５０】
また，吸着面には，サセプタ２１１の上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン２３０が備えられている。これらのプッシャーピン２３０は，モータ(図示せず)の回転運動がボールねじ等によって直線運動に変換されることにより，図中上下方向に移動する。プッシャーピン２３０は，ウエハＷが吸着面に吸着保持されているときにはサセプタ２１１に収容されており，所定の処理（例えば，エッチング処理）が終了したウエハＷを処理室２１０から搬出するときにはサセプタ２１１の上面から突出してウエハＷをサセプタ２１１から上方へ持ち上げる。
【００５１】
処理室２１０の天井部には，上部電極２３３が配設されている。上部電極２３３には整合器２５３を介して高周波電源２５２が接続されており，所定の高周波電力が印加される。整合器２５３は，高周波電源２５２の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるもので，処理室２１０内にプラズマが生成されている時に高周波電源２５３の出力インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。
【００５２】
上部電極２３３は，処理室内にガスを導入するためのシャワーヘッドの機能も兼ねている。上部電極２３３は，多数のガス通気孔２３４を有する電極板２３５と，この電極板２３５を着脱可能に支持する電極支持体２３６とから構成される。電極支持体２３６の内部には，バッファ室２３７が設けられており，このバッファ室２３７には処理ガス供給部（図示せず）から延びている処理ガス導入管２３８が接続されている。この処理ガス導入管２３８の途中にはバルブＶ１が備えられており，このバルブＶ１によってバッファ室２３７に対するガス供給量が調整される。
【００５３】
処理室２１０の側壁には，ウエハＷの搬入出口２３１を開閉するゲートバルブ２４０が取り付けられている。このプラズマ処理装置ＰＭの処理室２１０内に処理ガスが供給され，上部電極２３３に高周波電力が印加されると，プラズマ生成空間Ｓに高密度のプラズマが発生し，イオンやラジカルが生成され，これによりウエハＷにエッチング処理が施される。
【００５４】
そしてプラズマ処理装置ＰＭには，装置全体の動作を制御する制御部３００が設けられている。制御部３００は，所定のプログラムにより所定の設定情報に基づいて各部を制御することにより，例えば処理室内状態の調整処理，エッチング処理，処理室内のクリーニング処理などを行うようになっている。
【００５５】
（制御部の構成例）
このような制御部３００の具体的な構成例について図面を参照しながら説明する。制御部３００は，図３に示すように，制御部本体を構成するＣＰＵ（中央処理装置）３１０，ＣＰＵ３１０が各部を制御するデータなどを一時的に格納するメモリ３２０を備える。
【００５６】
また制御部３００は，操作画面や選択画面などを表示するタッチパネルなどで構成される操作部３３０，基板処理装置１００の各部を制御するための各種コントローラ３４０，基板処理装置１００の処理を行うプログラムを格納するプログラム記憶部３５０，およびプログラムに基づく処理を実行するときに使用するレシピなどの各種のデータを記憶するデータ記憶部３６０を備える。
【００５７】
プログラム記憶部３５０とデータ記憶部３６０は，例えばフラッシュメモリ，ハードディスク，ＣＤ−ＲＯＭなどの記録媒体で構成され，必要に応じてＣＰＵ３１０によってデータが読み出される。また，ＣＰＵ３１０と，メモリ３２０，操作部３３０，各種コントローラ３４０，プログラム記憶部３５０，データ記憶部３６０とは，制御バス，システムバス，データバス等のバスラインによって電気的に接続されている。
【００５８】
各種コントローラ３４０には，バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，ＡＰＣバルブ２１４，ＴＭＰ２１５，ＤＰ２１６，高周波電源２１８，２５２，直流電源２２２，スイッチ２５１などを制御するコントローラも含まれる。
【００５９】
プログラム記憶部３５０には，例えばウエハにエッチング処理や処理室内状態の調整処理を実行するためのプロセス処理プログラム，処理室内のクリーニングを実行するためのクリーニング処理プログラムの他，ウエハを搬送制御するための搬送プログラムなどが記憶される。
【００６０】
データ記憶部３６０には，例えばプロセス処理プログラム，クリーニング処理プログラムなどにより各部を制御する際のプロセス条件（エッチング条件，処理室内調整条件），クリーニング条件などが複数記憶される。これらの条件は例えば処理室内圧力，ガス流量，高周波電力などからなるレシピで構成される。なお，プロセス条件は，各ロットごとに設定されている。これにより，各ロットの処理を開始する際には，設定されたプロセス条件が読み出され，そのプロセス条件に基づいてそのロットのウエハのプロセス処理が実行される。
【００６１】
データ記憶部３６０には，クリーニング設定データとして，図４に示すクリーニング条件割付データテーブル，図５に示すグループ分けデータテーブルで管理されるデータが記憶されている。図４に示すクリーニング条件割付データテーブルは，プロセス条件ごとにクリーニング条件が設定できるように構成されている。図４では，プロセス条件ａ，ｂにはそれぞれ同じクリーニング条件Ａが設定されており，プロセス条件ｃには異なるクリーニング条件Ｂが設定されている。
【００６２】
また，図５に示すグループ分けデータテーブルは，各プロセス条件を，それに対応するクリーニング条件ごとにグループ分けしたものである。すなわち，同じクリーニング条件が割り当てられているプロセス条件は同じクリーニンググループに属するようにグループ分けされている。ここでは，ロットａ，ｂのプロセス条件ａ，ｂはそれぞれ同じクリーニング条件Ａが設定されているので同じグループＡに属し，ロットｃのプロセス条件ｃには異なるクリーニング条件Ｂが設定されているので，異なるグループＢに属する。なお，これらのグループは図５に示すようにグループ名で管理してもよく，またディレクトリ名（クラス名）で管理してもよい。
【００６３】
このようなクリーニンググループによって，クリーニング条件の異なるロットに切り替わったか否かを判断することができる。すなわち，各ロットごとにプロセス条件が設定されているので，そのプロセス条件が含まれるクリーニンググループが，同じ場合にはクリーニング条件が同じロットと判断でき，異なる場合にはクリーニング条件が異なるロットであると判断できる。
【００６４】
なお，プロセス条件，クリーニング条件の内容やクリーニング条件割付データテーブルの内容は，例えば上述した操作部３３０などからオペレータの操作により更新できるようになっている。また，制御部３００にネットワーク（図示せず）を介して接続されるホスト装置（図示せず）から更新することも可能である。
【００６５】
（基板処理装置の動作）
次に，上述したように構成された基板処理装置１００の動作について説明する。本実施形態にかかる基板処理装置１００では，１ロット分２５枚の製品用ウエハＷｐを複数のプラズマ処理装置で並行してエッチング処理を実行するようになっている。ここでは，カセット容器１３４Ａに収容されている最初のロットａの製品用ウエハＷｐのエッチング処理を，プラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３で並行して実行する場合を例に挙げて説明する。
【００６６】
先ず，製品用ウエハＷｐのエッチング処理を行う前に，各プラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３の各処理室２１０内の状態を安定化させるために，処理室内状態調整処理を実行する。処理室内状態調整処理は，例えば複数（例えば１〜３枚）の調整用ウエハＷｄを各処理室２１０内に搬送して，エッチング条件とほぼ同様の調整用レシピに基づいて実行する。
【００６７】
これにより，処理室内の温度や処理室の内壁などに付着する反応生成物の量を調整し，処理室２１０内を後に続くエッチング処理に適した状態にすることができる。なお，調整用ウエハＷｄは，例えば製品用ウエハＷｐと同じカセット容器１３４Ａに収容されており，製品用ウエハＷｐと同様のものが用いられる。
【００６８】
次に，処理室内状態調整処理が終了すると，製品用ウエハＷｐのエッチング処理が開始される。最初は各プラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３はすべて空いているため，各処理室２１０に１〜３番目の製品用ウエハＷｐが１枚ずつ順番に搬送される。具体的には，各製品用ウエハＷｐはそれぞれ順番にカセット容器１３４Ａから取り出され，ロードロック室１１４Ｍ，共通搬送室１１２を経て各処理室２１０に搬送される。そして，各処理室２１０にて並行してエッチング処理が実行される。
【００６９】
各処理室２１０でのエッチング処理は，予め設定されたプロセス条件に基づいて実行される。具体的には処理室２１０の内部が減圧され，上部電極２３３から処理ガス（例えばＣ４Ｆ８ガス，Ｏ２ガス，Ａｒガスを含む混合ガス）を所定の流量および流量比で処理室２１０内に導入される。このとき，ＡＰＣバルブ２１４等により処理室２１０内は所定の真空圧力に保持される。この状態で高周波電源２１８から高周波電力がサセプタ２１１に印加されるとともに，高周波電源２５２から高周波電力が上部電極２３３に印加されると，プラズマ生成空間Ｓにおいて処理ガスのプラズマが発生する。このプラズマによって生成されるラジカルやイオンにより，製品用ウエハＷｐの表面が物理的または化学的にエッチングされる。
【００７０】
そして，製品用ウエハＷｐのエッチング処理が終了すると，処理室２１０から取り出され，共通搬送室１１２，ロードロック室１１４Ｎ，搬送室１３０を介してカセット容器１３４Ａに戻される。このとき，各プラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３によって終了するタイミングが異なるので，製品用ウエハＷｐが搬出されて実行可能になったプラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３に，次の製品用ウエハＷｐが搬送される。こうして，最初のロットの製品用ウエハＷｐのエッチング処理が終了すると，続いて例えばカセット容器１３４Ｂに収容されている次のロットのエッチング処理が実行される。
【００７１】
ところで，このような製品用ウエハＷｐのエッチング処理が連続して実行されるうちに，処理室２１０内にエッチングによる反応生成物などのパーティクルが発生し処理室２１０の側壁などに徐々に堆積していく。このようなパーティクルは，次の製品用ウエハＷｐを処理する際に剥がれて製品用ウエハＷｐに付着する虞がある。パーティクルが製品用ウエハＷｐに付着すると，製品用ウエハＷｐ上に形成される半導体デバイスの配線ショート等の原因となり，ひいては歩留り低下の要因となる。
【００７２】
このため，基板処理装置１００では，所定のタイミングで各処理室２１０にクリーニング用ウエハＷｆを搬送して処理室２１０内のパーティクルを除去するクリーニング処理を行うようになっている。クリーニング処理は，例えば予め設定されたクリーニング処理条件（例えば処理室内圧力，ガス種，ガス流量などからなるクリーニングレシピ）に基づいて実行される。クリーニング処理は，例えばエッチング処理と同様の条件で行ってもよく，また異なる条件で行ってもよい。本実施形態におけるクリーニング処理は，ロットの切り替わりのタイミングで実行される。
【００７３】
（クリーニング処理）
ここで，本実施形態におけるクリーニング処理について図面を参照しながら説明する。図６は，本実施形態にかかるクリーニング処理の具体例を示すフローチャートである。このクリーニング処理は各プラズマ処理装置において各ロットのウエハＷを処理する前に実行される。先ず，ステップＳ１１０にてクリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断する。具体的には，図５に示すクリーニンググループ分けデータテーブルに基づいて，これから実行する次のロットと前のロットのクリーニンググループが異なるか否かにより判断することができる。クリーニンググループが異なれば，クリーニング条件が異なるロットの切り替わりと判断し，クリーニンググループが同じであれば，クリーニング条件が同じロットの切り替わりと判断する。
【００７４】
ステップＳ１１０にてクリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合は，ステップＳ１２０にて前ロットのクリーニング条件を読出す。前のロットのクリーニング条件でクリーニングを実行するためである。ここで，後のロットのクリーニング条件を用いずに，前のロットのクリーニング条件を用いるのは，以下の理由による。すなわち，前のロットのプロセス処理によって処理室２１０内に堆積した付着物などを除去するのであるから，前のロットのクリーニング条件を用いた方がクリーニング効果が大きいからである。
【００７５】
次に，ステップＳ１３０にて実行前チェックを行う。実行前チェックは処理室２１０がクリーニングを正常に実行できる状態にあるかどうかをチェックするものである。例えばウエハＷのプロセス処理が実行されている場合，処理室２１０内にウエハＷが存在する場合，処理室２１０からウエハＷが搬出されている途中である場合，あるいは処理室２１０のメンテナンスが実行されている場合などには，処理室２１０がクリーニングを正常に実行できる状態にはない。例えば，処理ガスの導入中，ウエハＷの温度調整等のためのバックガスの導入中，ウエハＷを吸着保持する電極板２２０（静電チャック）の制御中，および高周波電源の制御中などは，ウエハＷのプロセス処理中と判断される。また，処理室２１０のゲートバルブ２４０が開いているときは，ウエハＷの搬入出途中であると判断され，処理室２１０の蓋が開放されているときは，メンテナンスが実行されている判断される。
【００７６】
ステップＳ１３０にて実行前チェックによって処理室２１０の状態がクリーニングに適さないと判断した場合，例えばクリーニングをエラー終了する（図示せず）。これに対して，ステップＳ１３０にて処理室２１０がクリーニングを正常に実行できる状態にあると判断した場合には，ステップＳ１４０にて処理室内のクリーニングを実行する。
【００７７】
ここで，ステップＳ１４０におけるクリーニングの実行内容の具体例を図７に示すフローチャートを参照しながら説明する。まず，制御部３００は，ステップＳ２１０にてクリーニングを実行する処理室２１０にクリーニング用ウエハＷｆを割込み搬送する。続いて，ステップＳ２２０にてＡＰＣバルブ２１４，ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２１５，ドライポンプ（ＤＰ）２１６を制御して処理室２１０内を所定の真空圧力例えば１００ｍＴｏｒｒに調整し，上部電極２３３，下部電極としてのサセプタ２１１，処理室２１０の内壁の各温度を６０℃，６０℃，２０℃に調整する。また，スイッチ２５１を切り替えることによって，サセプタ２１１を電気的フローティング状態に設定する。同様に，電極板２２０と直流電源２２２との導通を断って，電極板２２０を電気的フローティング状態に設定する。
【００７８】
次いで，ステップＳ２３０において，上部電極２３３からクリーニングガスとしてのＯ２ガスを処理室２１０内に供給する。このときのガス流量は例えば８００ｓｃｃｍに調整される。そして，ステップＳ２４０において，高周波電源２５２から上部電極２３３に所定の高周波電力例えば３００Ｗが印加される。
【００７９】
これにより，処理室２１０内のプラズマ生成空間Ｓにクリーニングガスがプラズマ化し，イオンやラジカルが生成される。このときサセプタ２１１が電気的フローティング状態に設定されているため，サセプタ２１１に大きなセルフバイアスが発生することはなく，サセプタ２１１へのイオンの引き込み力が緩和される。つまり，サセプタ２１１の上面に到達したイオンはこの上面に小さい運動エネルギーをもって衝突することになるため，サセプタ２１１上面がイオンによって削られてしまうことはない。
【００８０】
一方，イオンと同様にサセプタ２１１の上面に到達したラジカルは，サセプタ２１１の上面に堆積した反応生成物に接触し，他の揮発性反応生成物を生成する。この揮発性反応生成物は，サセプタ２１１の上面から容易に離脱（揮発）し，本排気ラインや粗引きラインを経由して処理室２１０の外へ排出される。こうして，サセプタ２１１の上面やその他の部位のクリーニングが行われて処理室２１０内の清浄化が進む。
【００８１】
そして，ステップＳ２５０にてクリーニング時間が経過したか否かを判断する。ここでのクリーニング時間は，前回のクリーニング処理後からカウントした処理済みウエハＷの枚数に応じて計算される。この場合，予め所定枚数（例えば２５枚）分のウエハ処理実行後のクリーニング時間を設定しておいて，このクリーニング時間を処理済みウエハＷの枚数で割り算して算出する。また，予め１枚のウエハ処理実行後のクリーニング時間を設定しておいて，このクリーニング時間を処理済みウエハＷの枚数でかけ算して算出するようにしてもよい。これにより，最適なクリーニング時間を算出できる。なお，クリーニング時間は，これに限られるものではなく，クリーニング条件で設定されたクリーニング時間を用いてもよい。
【００８２】
ステップＳ２５０にてクリーニング時間が経過したと判断した場合は，ステップＳ２６０にて上部電極２３３への高周波電力の印加を停止し，ステップＳ２７０にてクリーニングガスであるＯ２ガスの処理室２１０内への供給を停止する。そして，スイッチ２５１を切り替えて，サセプタ２１１と高周波電源２１８を電気的に接続させる。こうして，処理室２１０内のクリーニングが終了すると，次のロットの処理が開始される。
【００８３】
このような本実施形態におけるクリーニング処理によれば，プラズマ処理装置ＰＭ１〜ＰＭ３を用いて複数ロットの処理を連続して並行処理する際には，例えば図８に示すように，プロセス条件ａのロットからプロセス条件ｃのロットに切り替わる際にはクリーニング条件が異なるので，プロセス条件ｃのロットの処理前にクリーニング用ウエハＷｆが割込み搬送されて各処理室２１０内のクリーニング処理が実行される。次に，プロセス条件ｃのロットからプロセス条件ａのロットに切り替わる際にもクリーニング条件が異なるので，プロセス条件ａのロットの処理前にクリーニング用ウエハＷｆが割込み搬送されて各処理室２１０内のクリーニング処理が実行される。
【００８４】
これに対して，図９に示すように，プロセス条件ａのロットからプロセス条件ｂのロットに切り替わる際にはクリーニング条件が同じなので，クリーニング処理は実行されない。その後，プロセス条件ｂのロットからプロセス条件ａのロットに切り替わる際にもクリーニング条件が同じなので，クリーニング処理は実行されない。
【００８５】
このように，クリーニング条件が異なるロットに切り替わるときだけ，処理室内のクリーニング処理を実行させることができる。このため，適切なタイミングでクリーニングを実行できる。例えば図８に示すようにクリーニング条件が異なるロットの切り替わりでは，プロセス条件も変わるので，処理室２１０内をクリーニングしてその状態をリセットすることが好ましい。しかも，この場合には，前のロットのクリーニング条件でクリーニングを実行するので，処理室２１０内の状態を的確にリセットできる。
【００８６】
これに対して，図９に示すようにクリーニング条件が同じロットの切り替わりでは，プロセス条件もほとんど変わらないので，処理室２１０内をクリーニングしてその状態をリセットする必要はない。また，プロセス条件ａのロット（製品用ウエハＷｐ２５枚分）をプラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３で並行して処理すると，各プラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３では製品用ウエハＷｐを７〜８枚しか処理していないことになる。しかも，その後のロットは，クリーニング条件が同じなのでプロセス条件ｂもほとんど変わらない。
【００８７】
従って，このようにクリーニング条件が同じロットの切り替わりで，もしクリーニングを実行するようにすれば，クリーニング過多になってしまう。本実施形態ではこのような場合にはクリーニングを行わないことで，クリーニング過多になることを防止することができる。また，クリーニング回数を減らすことができるので，スループットを向上させることができる。
【００８８】
また，クリーニング処理を実行する時間は，前回のクリーニング処理からカウントされたウエハ処理の実行回数に基づいて設定されるので，クリーニング過不足のない，適切なクリーニング処理を行うことができる。これによれば，例えばプラズマ処理装置ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３のうちのいずれかの装置が故障などで稼働できなくなったときでも，適切なクリーニング処理を実行できる。
【００８９】
すなわち，装置が稼働できない場合には他の装置にウエハを振り分けてプロセス処理を実行することになる。その場合には他の装置のウエハの処理枚数が予定よりも増えるため，もしクリーニング処理の時間を一定に設定してあると，クリーニング不足が生じる。この点，本実施形態では，実際の処理枚数に応じてクリーニング時間を設定することができるので，このような場合にも過不足のない適切なクリーニングを実行できる。
【００９０】
なお，上述したように処理室２１０内のクリーニング処理をロットの切り替わりのタイミングで行うだけでなく，さらにプロセス処理の実行回数が予め設定された回数（例えば２５回）に達したときのタイミングでクリーニング用ウエハＷｔを搬送してクリーニングを実行するようにしてもよい。
【００９１】
ところが，これらのクリーニング処理を別々に行うと，両者のタイミングが重なる場合がある。例えば図１０に示すように，同じプロセス条件ａのロットを連続して実行する場合には，処理室内状態調整処理（ウエハＷｄ）を省略することができる。この場合，クリーニングのための実行回数のカウントは，ロットが切り替わってもそのまま継続することが好ましい。この場合には，ロットが切り替わりのタイミングでクリーニング処理が行われないため，そのまま設定回数２５回に達する可能性が高い。従って，図１０に示すように２５回に達した後の次のロットがクリーニング条件の異なるロットであると，そのロットの切り替わりでのクリーニングのタイミングと重なってしまう。
【００９２】
このような場合には，ロットの切り替わりにおけるクリーニング処理を実行せずに，実行回数によるクリーニング処理を実行する。これにより，クリーニングが過多になることを防止できる。
【００９３】
また，基板処理装置１００を断電してメンテナンスなどを実行する際には，断電する前のロットのクリーニング条件を記憶しておき，再起動したときには最初のロットの処理を実行する前に断電前のロットのクリーニング条件でクリーニング処理を実行する。これにより，再起動後の処理室内の状態をリセットすることができる。
【００９４】
また，上述した実施形態の機能を実現するソフトウエアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステムあるいは装置に供給し，そのシステムあるいは装置のコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に記憶されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成され得る。
【００９５】
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭなどが挙げられる。また，媒体に対してプログラムを，ネットワークを介してダウンロードして提供することも可能である。
【００９６】
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部又は全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【００９７】
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【００９８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明は，基板処理装置に設けられた処理室の内部をクリーニングするクリーニング方法及び記録媒体に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の実施形態にかかるクリーニング方法を実施可能な基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置ＰＭの構成例を示す断面図である。
【図３】図１に示す制御部の構成例を示すブロック図である。
【図４】クリーニング条件割付データテーブルの具体例を示す図である。
【図５】グループ分けデータテーブルの具体例を示す図である。
【図６】本実施形態におけるクリーニング処理の具体例を示すフローチャートである。
【図７】図６に示すクリーニング処理の実行内容の具体例を示すフローチャートである。
【図８】各プラズマ処理装置の処理室で実行されるロットの処理の具体例とクリーニング処理のタイミングを説明するための図である。
【図９】各プラズマ処理装置の処理室で実行されるロットの処理の具体例とクリーニング処理のタイミングを説明するための図である。
【図１０】各プラズマ処理装置の処理室で実行されるロットの処理の具体例とクリーニング処理のタイミングを説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１００      基板処理装置
１１０      処理ユニット
１１２      共通搬送室
１１４（１１４Ｍ，１１４Ｎ）      ロードロック室
１１６      受渡台
１１８      ゲートバルブ
１２０      搬送ユニット
１３０      搬送室
１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）      カセット台
１３４（１３４Ａ〜１３４Ｃ）      カセット容器
１３６（１３６Ａ〜１３６Ｃ）      ロードポート
１３７      オリエンタ
１３８      回転載置台
１３９      光学センサ
１５０      処理ユニット側搬送機構
１５２Ａ，１５２Ｂ      ピック
１５４      基台
１５６      案内レール
１５８      フレキシブルアーム
１６０      搬送ユニット側搬送機構
１６２      基台
２１０      処理室
２１１      サセプタ
２１２      排気路
２１３      バッフル板
２１４      ＡＰＣバルブ
２１５      ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）
２１６      ドライポンプ（ＤＰ）
２１７      排気管
２１８      高周波電源
２１９      整合器
２２０      電極板
２２２      直流電源
２２４      フォーカスリング
２２５      冷媒室
２２６      配管
２２７      伝熱ガス供給孔
２２８      伝熱ガス供給ライン
２２９      伝熱ガス供給管
２３０      プッシャーピン
２３１      搬入出口
２３３      上部電極
２３４      ガス通気孔
２３５      電極板
２３６      電極支持体
２３７      バッファ室
２３８      処理ガス導入管
２４０      ゲートバルブ
２５０      導線
２５１      スイッチ
２５２      高周波電源
２５３      整合器
３００      制御部
３１０      ＣＰＵ
３２０      メモリ
３３０      操作部
３４０      各種コントローラ
３５０      プログラム記憶部
３６０      データ記憶部
ＰＭ（ＰＭ１〜ＰＭ６）      プラズマ処理装置
Ｗ        ウエハ
Ｗｄ      調整用ウエハ
Ｗｆ      クリーニング用ウエハ
Ｗｐ      製品用ウエハ
Ｗｔ      クリーニング用ウエハ
【図１】
2010098053.tif 000003
【図２】
2010098053.tif 000004
【図３】
2010098053.tif 000005
【図４】
2010098053.tif 000006
【図５】
2010098053.tif 000007
【図６】
2010098053.tif 000008
【図７】
2010098053.tif 000009
【図８】
2010098053.tif 000010
【図９】
2010098053.tif 000011
【図１０】
2010098053.tif 000012