(57)【要約】【課題】マッピング時の長時間を必要としないドリフト補正が可能な走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法を実現する。【解決手段】電子線を開始座標からへＸ方向に走査し（ステップＳ２０１）ドリフト補正用の基準画像を用いてドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ａ）。電子線２を−Ｘ方向に走査しドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ｂ）。次に、電子線を開始座標から−Ｙ方向に走査し、ドリフト補正を行う。電子線をＹ方向に走査しドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ｄ）。以降、同様にして、Ｘ方向、Ｙ方向に電子線を走査し、１ライン毎にドリフト補正を行う。ただし、最終のＹ方向への走査は行なわない。それまでのドリフト補正により補正されているからである。【選択図】図３
2010170842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源と、電子源から放出された一次電子線を集束するレンズ系と、一次電子線を試料上に走査する走査制御部と、試料ステージを移動するステージ駆動部と、一次電子線を試料表面に照射することによって発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、結晶由来の回折信号を検出する検出器および結晶方位を解析する分析部と具備する走査型電子顕微鏡において、
結晶方位マッピングでは多方向から走査を行い、一定期間ごとに、分析開始前のドリフト補正用画像と一定期間経過後の画像とのマッチングを行い、ずれ速度を計算し、視野補正を行うドリフト補正制御部を備えることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項２】
請求項１記載の走査型電子顕微鏡において、上記ドリフト補正制御部は、上記試料上の分析開始点からＸ方向に一ライン走査し、視野補正を行い、Ｘ方向の同一ラインを−Ｘ方向に走査し、視野補正を行い、上記分析開始点から−Ｙ方向に一ライン走査し、視野補正を行い、Ｙ方向の同一ラインをＹ方向に走査し、視野補正を行い、上記分析開始点を、−Ｙ方向、Ｘ方向に一画素移動して、一ライン走査する毎に視野補正を行い、上記分析開始点を、さらに、−Ｙ向、Ｘ方向に一画素移動して、一ライン走査する毎に視野補正を行い、上記分析開視点の−Ｙ向、Ｘ方向への一画素移動を繰りかえし、分析領域全てを走査して、視野補正を行うことを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項３】
請求項２記載の走査型電子顕微鏡において、観察または分析終了後、同一試料を観察または分析する際には、上記ドリフト補正制御部は、上記視野補正に使用したドリフト補正用画像を用いて、ドリフト方向・速度を算出し、算出したドリフト方向・速度に従った上記走査制御部もしくステージ駆動部の動作に伴って、上記分析領域のドリフト補正を行う特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項４】
請求項２記載の走査型電子顕微鏡において、上記ドリフト補正制御部は、ライン走査の途中の、任意のタイミングで視野補正を実行することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項５】
請求項２記載の走査型電子顕微鏡において、一次電子線を試料表面に照射することによって発生するＸ線を検出するエネルギー分散型検出器および波長分散型検出器や陰極光を検出する検出器を備えることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項６】
請求項２記載の走査型電子顕微鏡において、上記ドリフト補正制御部は、上記ドリフト補正用画像を分析領域外に複数個設定し、分析領域外に設定しない場合は倍率を低倍に切り替えることで補正用の画像を確保し、分析時には元の倍率に戻すことで、電子線の走査位置精度を保つことを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項７】
請求項６記載の走査型電子顕微鏡において、上記ドリフト補正制御部は、上記複数個設定したドリフト補正用画像を分析中に任意のタイミングで切り替えることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
【請求項８】
電子源と、電子源から放出された一次電子線を集束するレンズ系と、一次電子線を試料上に走査する走査制御部と、試料ステージを移動するステージ駆動部と、一次電子線を試料表面に照射することによって発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、結晶由来の回折信号を検出する検出器および結晶方位を解析する分析部と具備する走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法において、
結晶方位マッピングでは多方向から走査を行い、一定期間ごとに、分析開始前のドリフト補正用画像と一定期間経過後の画像とのマッチングを行い、ずれ速度を計算し、視野補正を行うことを特徴とする走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法。
【請求項９】
請求項８記載の走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法において、上記試料上の分析開始点からＸ方向に一ライン走査し、視野補正を行い、Ｘ方向の同一ラインを−Ｘ方向に走査し、視野補正を行い、上記分析開始点から−Ｙ方向に一ライン走査し、視野補正を行い、Ｙ方向の同一ラインをＹ方向に走査し、視野補正を行い、上記分析開始点を、−Ｙ方向、Ｘ方向に一画素移動して、一ライン走査する毎に視野補正を行い、上記分析開始点を、さらに、−Ｙ向、Ｘ方向に一画素移動して、一ライン走査する毎に視野補正を行い、上記分析開視点の−Ｙ向、Ｘ方向への一画素移動を繰りかえし、分析領域全てを走査して、視野補正を行うことを特徴とする走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法。
【請求項１０】
請求項９記載の走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法において、観察または分析終了後、同一試料を観察または分析する際には、上記視野補正に使用したドリフト補正用画像を用いて、ドリフト方向・速度を算出し、算出したドリフト方向・速度に従った上記走査制御部もしくステージ駆動部の動作に伴って、上記分析領域のドリフト補正を行う特徴とする走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法。
【請求項１１】
請求項９記載の走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法において、ライン走査の途中の、任意のタイミングで視野補正を実行することを特徴とする走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法。
【請求項１２】
請求項９記載の走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法において、上記走査型電子顕微鏡は、一次電子線を試料表面に照射することによって発生するＸ線を検出するエネルギー分散型検出器および波長分散型検出器や陰極光を検出する検出器を備えることを特徴とする走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法。
【請求項１３】
請求項９記載の走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法において、上記ドリフト補正用画像を分析領域外に複数個設定し、分析領域外に設定しない場合は倍率を低倍に切り替えることで補正用の画像を確保し、分析時には元の倍率に戻すことで、電子線の走査位置精度を保つことを特徴とする走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法において、上記複数個設定したドリフト補正用画像を分析中に任意のタイミングで切り替えることを特徴とする走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、後方散乱電子回折法を用いる走査型電子顕微鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査型電子顕微鏡は、集束した電子線を試料表面に照射することにより発生する二次電子や反射電子を検出し、画像化する装置である。例えば、二次電子像は試料表面の構造に忠実な像情報を有し、反射電子像は組成差に応じたコントラストを得ることができる。
【０００３】
結晶方位を解析する後方散乱電子回折法（ＥＢＳＤ法）は、試料を７０゜に傾斜させて測定する。このとき、電子線を照射した位置から発生した回折電子をＥＢＳＤ検出器で捉えることにより、結晶構造および方位に依存したパターンが得られる。このパターンをコンピュータ上で解析すれば電子線照射位置における結晶方位が特定される。
【０００４】
なお、ＥＢＳＤ法は前述した過程を要するため、ＳＥＭ観察やエネルギー分散形Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｒｅｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）と比べ、測定点あたりの電子線滞在時間は長い。
【０００５】
さらに、電子線を、Ｘ、Ｙの二次元的に走査すれば方位マッピング像が得られる。一度、ＥＢＳＤマッピングを行えば、分析領域の配向や結晶粒径などが瞬時に算出できる。
【０００６】
また、マッピングを行う場合は分析領域と電子線の送り幅を設定する必要がある。送り幅は結晶粒径以下の値が目安となり、分析領域と送り幅を指定すれば、自動的に方位マッピング像の画素数（測定点数）が決定される。
【０００７】
関連する技術としては、特許文献１に記載されたものがある。この特許文献１に記載された技術は、集束電子ビームを走査して試料に照射し、エネルギー分散型Ｘ線分光器や波長分散型Ｘ線分光器を用いて、試料画像を得るものであり、画像マッチングによるドリフト補正技術である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１０６１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、ＥＢＳＤ分析時のマッピングは測定原理上、１フレームマッピングである。従って、試料あるいは走査型電子顕微鏡由来のドリフト（温度変化、機械的位置ずれ、帯電現象による位置ずれ、外乱等）を生じた場合はＥＢＳＤマッピングの精度低下につながる。
【００１０】
特許文献１等に記載された画像マッチングを利用したドリフト補正技術を用いればＥＢＳＤマッピングの精度低下を容易に防止することができる。
【００１１】
しかしながら、ＥＢＳＤのマッピング方法を考慮すれば、測定点毎に画像マッチングを行う手段が最適であるが、この手法では、基準画像と測定画像とを比較し、電子線走査位置のずれ量を算出し、そのずれを補正する回数が膨大な数となるため、測定時間の増大に繋がり、非現実的である。
【００１２】
このような背景から、従来の技術にあっては、ＥＢＳＤ法における有効なドリフト補正技術は存在しなかった。
【００１３】
本発明の目的は、マッピング時の長時間を必要としないドリフト補正が可能な走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明は次のように構成される。
【００１５】
電子源と、電子源から放出された一次電子線を集束するレンズ系と、一次電子線を試料上に走査する走査制御部と、試料ステージを移動するステージ駆動部と、一次電子線を試料表面に照射することによって発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、結晶由来の回折信号を検出する検出器および結晶方位を解析する分析部を具備する走査型電子顕微鏡およびドリフト補正方法において、結晶方位マッピングでは多方向から走査を行い、一定期間ごとに、分析開始前のドリフト補正用画像と一定期間経過後の画像とのマッチングを行い、ずれ速度を計算し、視野補正を行う。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、マッピング時の長時間を必要としないドリフト補正が可能な走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による一実施形態の電子型顕微鏡を示す概略構成図である。
【図２】電子顕微鏡による試料の観察および分析の全体の手順を示すフローチャートである。
【図３】電子顕微鏡による試料の分析の手順を示すフローチャートである。
【図４】電子顕微鏡による試料の分析時のドリフト補正手順を示すフローチャートである。
【図５】電子顕微鏡による分析時の電子線走査方法を示した概略図である。
【図６】電子顕微鏡による分析時の電子線走査方法を示した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施例について添付図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明の実施例１が適用される走査型電子顕微鏡の概略構成図である。
【００２０】
図１において、走査型電子顕微鏡１００は、電子顕微鏡本体５０と、電子顕微鏡制御部６０と、結晶方位分析・制御コンピュータ７０と、ドリフト補正制御コンピュータ８０からなる。
【００２１】
走査電子顕微鏡本体５０は、電子源となる電子銃１から発散された電子線２を集束するコンデンサレンズ３と、電磁界を発生させ電子線２を偏向する偏向コイル４と、電子線２を試料５の表面上に収束させる対物レンズ６と、試料５が配置される試料ステージ７と、対物レンズ６と試料５との間に配置された二次電子検出器８と、ＥＢＳＤ検出器９とを備える。
【００２２】
二次電子検出器８は、電子線２が試料５の表面に照射されたときに発生する二次電子を検出する。この信号はドリフト補正制御コンピュータ８０にてドリフト補正に利用される。
【００２３】
電子顕微鏡制御部６０は、偏向コイル４の電流制御を行い、電子線２をＸ、Ｙ方向に偏向走査するＸ制御部１０と、Ｙ制御部１１と、Ｘ制御部１０及びＹ制御部１１に指示をだす電子線偏向指示部１２と、試料ステージ７を駆動して、試料ステージ７の傾斜および移動を行わせるステージ駆動部１３と、このステージ駆動部１３に指示をだすステージ駆動指示部１４と、二次電子検出器８にて検出された信号を画像に変換する画像処理部１５とを備える。
【００２４】
試料５は、通常、水平に存在しているが、ここでは電子線２を照射することで回折電子が発生する角度（典型的には７０°）にステージ駆動部１３によって傾斜されている。回折電子はＥＢＳＤ検出器９で検出され、結晶方位分析制御コンピュータ７０にて解析が行われる。
【００２５】
結晶方位分析・制御コンピュータ７０は、ＥＢＳＤ検出器９で検出された信号を解析し、結晶方位を同定する解析部１６と、分析中に電子線２の走査方向を決定し電子線偏向指示部１２に走査方向を命令する走査制御部１７とを備える。
【００２６】
ドリフト補正制御コンピュータ８０は、画像処理部１５によって画像化された二次電子像を複数個記憶することができる画像記憶部１８と、この画像記憶部１８に記憶された、同一箇所の一定期間前後の画像を比較することでずれ量を計算し、電子線偏向指示部１２もしくはステージ駆動指示部１４を用いて電子線照射位置を補正する視野補正制御部１９と、視野補正制御部１９によって計算された画像のずれ量を利用し、分析後のドリフト方向および速度を算出し、その軌跡より電子線偏向指示部１２もしくはステージ駆動指示部１４を用いて電子線照射位置を補正するドリフト軌跡記憶制御部２０とを備える。
【００２７】
図２は、本発明の実施例１における走査型電子顕微鏡１００の概略動作フローチャートである。
【００２８】
図１、図２において、まず、試料ステージ７により試料５を分析位置に移動する（ステップＳ１０１）。結晶方位分析コンピュータ７０は、目的の視野を確認した後に分析領域および電子線２の送り幅や照射時間などを決定する（ステップＳ１０２）。
【００２９】
ステップＳ１０２で決定した倍率でドリフト補正用の画像領域を確保する場合（ステップＳ１０３のＹｅｓの場合）、ドリフト補正制御コンピュータ８０は、補正用の画像領域を任意の場所に複数個設定し、補正用画像領域の数に応じて、一領域あたりの取り込み回数（他の補正用画像に移行するまで回数）を決定する（ステップＳ１０４）。
【００３０】
例えば、補正用画像を４箇所設定し、分析終了までの補正回数が１００回だとすると、１領域あたりの取り込み回数は（１００回÷４箇所＝）２５回となる。
【００３１】
ステップＳ１０２で決定した倍率でドリフト補正用の領域を確保しない場合（ステップＳ１０３でＮｏの場合）は、電子線偏向指示部（倍率指示部）１２にて低倍率に変更し、補正用画像領域を確保する（ステップＳ１０６）。
【００３２】
補正用の画像領域が決定した後、二次電子検出器８にてドリフト補正用となる基準の画像を取得する（ステップＳ１０５）。
【００３３】
ドリフト補正用画像を低倍率に変更して取得した場合は（ステップＳ１０７のＮｏの場合）、分析時の倍率に戻す（ステップＳ１０８）。
【００３４】
低倍率に変更していない場合は（ステップＳ１０７のＹｅｓの場合）、そのままの倍率でよい。
【００３５】
次に、ＥＢＳＤ分析を開始する（ステップＳ１０９）。詳しくは後述する。ＥＢＳＤ分析が終了し、同一試料、測定時間の分析を実施する場合（ステップＳ１１０のＹｅｓの場合）、ドリフト軌跡記憶制御部２０で算出されたドリフト速度と方向に基づいて電子線偏向指示部１２もしくはステージ駆動指示部１４によりドリフトを相殺する方向へ連続的に駆動させながら、分析を行う（ステップＳ１１１）。
【００３６】
同一試料で分析を実施しない場合（ステップＳ１１０のＮｏの場合）は、処理終了となる。
【００３７】
図３は、ＥＢＳＤ分析についてのフローチャートを示す図である（図２のステップＳ１０９の詳細フローチャート）。ＥＢＳＤ分析における分析時の電子線走査方法について、図３、図５、図６を用いて説明する。
【００３８】
本発明の実施例１においては、７×５画素の領域について測定すると仮定する。このとき、画素領域の左下座標を（０，０）、右上座標を（６，４）と定義する。
【００３９】
電子線２を座標（０，４）から（６，４）へＸ方向に走査する（ステップＳ２０１、図５の（Ａ））。電子線２が座標（６，４）へ到達し、測定した時点で、上述したドリフト補正用の基準画像を用いて、ドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ａ）。
【００４０】
電子線２を座標（６，４）から（０，４）へ−Ｘ方向に走査する（ステップＳ２０３、図５の（Ｂ））。電子線２が座標（０，４）へ到達し、測定した時点で前記ドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ｂ）。
【００４１】
ここで、（０，４）→（６，４）、（６，４）→（０，４）と同じラインを二度走査するため、測定データが重複することになる。以後、測定データが重複する測定点は以下に従って選別する。
（ａ）ドリフト量が零ならば、その走査で得られた１ライン全ての測定データを優先する。
（ｂ）走査開始画素の測定データは常に優先する。
（ｃ）一画素あたりのドリフト量を算出し、その量が少ないデータを優先する。
（ｄ）ドリフト量が同じ場合は最初に測定したデータを優先する。
もし、ステップＳ２０１、Ｓ２０３でドリフト量および方向が変化しなかったならば、（０，４）は（ｂ）に従いステップＳ２０１で測定したデータを優先し、
（１，４）、（２，４）、は（ｃ）に従いステップＳ２０１で測定したデータを優先する。また、（３，４）は（ｄ）に従いステップＳ２０１で測定したデータを優先し、（４，４）、（５，４）は（ｃ）に従いステップＳ２０３で測定したデータを優先し、（６，４）は（ｂ）に従いステップＳ２０３で測定したデータを優先する。
【００４２】
また、ステップＳ２０１でドリフトしており、ステップＳ２０３でドリフト量が零ならば、（０，４）〜（６，４）は（ａ）に従い、ステップＳ２０３で測定したデータを優先する。
【００４３】
次に、電子線２を（０，４）から（０，０）へ−Ｙ方向に走査する（ステップＳ２０４、図５の（Ｃ））。（０，０）へ到達し、測定した時点でドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ｃ）。
【００４４】
電子線２を（０，０）から（０，４）へＹ方向に走査する（ステップＳ２０５、図６の（Ａ））。（０，４）へ到達し、測定した時点でドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ｄ）。
【００４５】
なお、ステップＳ２０２ａ〜２０２ｄのドリフト補正は、ステップＳ２０１〜Ｓ２０５の走査途中でも任意のタイミングで実行することができ、１画素毎にでもドリフト補正が可能である（図示せず）。
【００４６】
今回仮定した領域ではＸ，Ｙ方向の幅が異なるため、全領域を測定するにはＸ方向が５ライン、Ｙ方向が７ライン走査しなければならない。つまり、６ライン目以降のＸ方向の走査が無いことになる。それゆえ、Ｘ，Ｙ方向の各ライン走査を終了させるタイミングを考慮しなくてはならない。
【００４７】
Ｘ方向の走査開始点が（０，０）でない場合（次のラインを走査する場合（ステップＳ２０６のＮｏ））、ステップＳ２０１の走査開始点を−Ｙ方向に一画素移動する（ステップＳ２０７、図６の（Ｂ））。
【００４８】
Ｙ方向の走査開始点が（５，４）でない場合（次のラインを走査する場合（ステップＳ２０９のＮｏ））、ステップＳ２０４の走査開始点をＸ方向に一画素移動する（ステップＳ２１０、図６の（Ｃ））。
【００４９】
そして、ステップＳ２０１〜Ｓ２０５と同様に、電子線２を走査する（図６の（Ｂ）、（Ｃ））。以後、走査開始点の一画素移動と電子線２の走査の繰り返しを（図６の（Ｄ）、（Ｅ））、分析領域全てについて行う。ただし、±Ｙ方向の最終走査ラインである（６，４）〜（６，０）の走査は必要ない。それまでのドリフト補正により既に補正が終了しているからである。
【００５０】
Ｘ方向の走査開始点が（０，０）の場合（次のラインを走査しない場合（ステップＳ２０６のＹｅｓ））、これ以後、ステップＳ２０１、Ｓ２０３、Ｓ２０６、Ｓ２０７を省略することができる（ステップＳ２０８）。
【００５１】
Ｙ方向の走査開始点が（５，４）の場合（次のラインを走査しない場合（ステップＳ２０９のＹｅｓ））で、さらに全領域について走査が完了していない場合は（ステップＳ２１１のＮｏ）、これ以後、ステップＳ２０４、Ｓ２０５を省略することができる（ステップＳ２１２）。
【００５２】
そして、ステップＳ２０８もしくはＳ２１２に従いながら、電子線２の走査と走査開始点の一画素移動を繰り返し、分析領域全てについて走査する。
【００５３】
全領域について走査が完了した場合は（ステップＳ２１１のＹｅｓ）、ドリフト軌跡記憶制御部２０にドリフト方向および量を記憶（ステップＳ２１３）した後にＥＢＳＤ分析を終了する。
【００５４】
次に、図４示したフローチャートを用いて、ドリフト補正について説明する。
【００５５】
ドリフト補正用の画像を、分析時の倍率で取得しない、または確保できない場合（ステップＳ３０１のＮｏ）は、低倍率に変更する（ステップＳ３０２）。
【００５６】
ドリフト補正用の画像が確保できた（ステップＳ３０１のＹｅｓとステップＳ３０２）後に、補正に用いる画像を取得する（ステップＳ３０３）。
【００５７】
Ｓ３０３で取得した画像と画像記録部１８に予め記憶されている分析前の基準画像とを視野補正制御部１９にて比較して、ずれ量の計算を行い、同時に一画素あたりのドリフト量も算出する。そして、ドリフト軌跡記憶制御部２０から電子線偏向指示部１２もしくはステージ駆動指示部１４を用いて電子線照射位置を補正する（ステップＳ３０４）。
【００５８】
画像を取得した結果、その補正領域の取り込み回数が図２に示したステップＳ１０４で決定した回数に到達した場合（ステップＳ３０５のＹｅｓ）は、他の補正領域に変更し（ステップＳ３０６）、次回はその領域にて視野補正を行う。
【００５９】
取り込み回数に到達していない場合（ステップＳ３０５のＮｏ）、次回のドリフト補正も同領域で行うこととなる。
【００６０】
補正領域を分析時の倍率で設定していない場合（ステップＳ３０７のＮｏ）は分析時の倍率に変更する（ステップＳ３０８）。
【００６１】
視野補正制御部１９によりドリフト方向と速度を算出し、ドリフトしていない場合（ステップＳ３０９のＮｏ）は、直前のデータを優先すると定義する（ステップＳ３１０）。
【００６２】
また、直前の走査が図３に示したステップＳ２０１ならばステップＳ２０３を、Ｓ２０４ならばＳ２０５を省略できる（ステップＳ３１１）。
【００６３】
ドリフトしている場合（ステップＳ３０９のＹｅｓ）は、ドリフト補正を終了し、次の電子線走査に移行する。
【００６４】
本発明は従来の分析手法と比べ、最大ドリフト量を２０分の１以下に低減することができる。このため高位置精度の結晶方位解析が実現できる。
【００６５】
例えば、１０×１０画素の分析領域で、ドリフトが一方向に１ｎｍ／画素でしていると仮定する。従来のマッピングにおいて、中心画素（４５画素目）のドリフト量は４４ｎｍ（分析開始画素はドリフトの影響を受けない）、最終測定点（１００画素目）のドリフト量は９９ｎｍである。
【００６６】
一方、本発明を用いれば、中心画素でのドリフト量は４ｎｍ、最終測定点では０ｎｍである。従って本発明は従来と比べて１／２２にドリフト量を低減させることができる。
【００６７】
さらに、測定点毎にドリフト補正を行う場合と比べ、ドリフト補正回数も低減できる。
【００６８】
例えば、１０×１０画素の分析領域で、測定点毎にドリフト補正を行った場合を仮定すると、補正回数は（１回×１００画素＝）１００回となる。
【００６９】
これに対して、本発明では（Ｘ走査２回×Y操作に買いかける１０ライン＝）４０回である。
【００７０】
また、ドリフト補正用の画像を複数視野使用することにより高位置精度で補正することができる。分析領域外に補正用の画像領域を設定すれば、試料汚染などによる分析精度の低下を低減することができる。
【００７１】
さらに、補正用画像を取得するときのみ低倍率に変更し、分析時には倍率を戻すことで、電子線走査精度の低下を防ぐことができる。
【００７２】
同一試料で、同じ大きさの分析領域（測定時間）の分析を行う場合は算出したドリフト方向と速度をもとに、ドリフトを相殺する方向および速度でイメージシフトもしくはステージ移動によってドリフトの影響を排除することができる。
【００７３】
これらについての処理負荷の増大は、新規に設置したドリフト補正専用の処理装置により負荷は低減される。
【００７４】
以上のように、本発明の実施例によれば、対象画像領域について、分析する複数の画素領域について、Ｘ方向、Ｙ方向に１ラインを往復走査し、一方向への走査毎に、基準画像を用いてドリフト補正を行い、対象画像領域の全領域についてドリフト補正を行うように構成されている。
【００７５】
したがって、ＥＢＳＤ法において、マッピング時の長時間を必要としないドリフト補正が可能な走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法を実現することができる。
【００７６】
なお、観察または分析終了後、同一試料を観察または分析する際には、ドリフト補正に使用した画像を用いて、ドリフト方向・速度を算出し、電子線偏向指示部１２又はステージ駆動部１３により分析領域の補正を行う。
【００７７】
また、本発明は、ＥＢＳＤ法にかぎらず、ＥＤＳ、ＷＤＳ、ＣＬ（カソードルミネッセンス）などの分析にも利用できる。
【００７８】
また、本発明は、一次電子線を試料表面に照射することによって発生するＸ線を検出するエネルギー分散型検出器および波長分散型検出器や陰極光（カソードルミネッセンス）を検出する検出器を備える装置にも適用可能である。
【００７９】
また、本発明においては、複数個設定したドリフト補正用の画像を試料の分析中に任意のタイミングで切り替えることができ、試料汚染などによる視野補正精度の低下を抑制するように構成することもできる。
【符号の説明】
【００８０】
１・・・電子銃、２・・・電子線、３・・・コンデンサレンズ、４・・・偏向コイル、５・・・試料、６・・・対物レンズ、７・・・試料ステージ、８・・・二次電子検出器、９・・・ＥＢＳＤ検出器、１０・・・Ｘ制御部、１１・・・Ｙ制御部、１２・・・電子線偏向指示部、１３・・・ステージ駆動部、１４・・・ステージ駆動指示部、１５・・・画像処理部、１６・・・解析部、１７・・・走査制御部、１８・・・画像記録部、１９・・・視野補正制御部、２０・・・ドリフト軌跡記憶制御部、５０・・・電子顕微鏡本体、６０・・・電子顕微鏡制御部、７０・・・結晶方位分析コンピュータ、８０・・・ドリフト補正制御コンピュータ、１００・・・電子顕微鏡
【図１】
2010170842.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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