(57)【要約】【課題】  異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極の電極指間の短絡等の問題を改善した弾性表面波装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第1膜厚を有する第1のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成され、第1膜厚より大きい第２膜厚を有する第２のＩＤＴ電極１３と、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３のうち第1のＩＤＴ電極９のみを被覆する絶縁膜２０と、を備えている。【選択図】  図２
2010103920.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、第1膜厚を有する第1のＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に形成され、前記第1膜厚より大きい第２膜厚を有する第２のＩＤＴ電極と、
前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極のうち前記第1のＩＤＴ電極のみを被覆する絶縁膜と、
を備える、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記第1のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極はそれぞれ、単層で構成されている、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極が圧電基板上に形成された弾性表面波装置を製造する方法であって、
前記圧電基板上の第１領域に、第１膜厚を有する前記第１のＩＤＴ電極を形成する工程と、
前記第１のＩＤＴ電極を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記圧電基板上の前記第１領域と、該第１領域とは異なる第２領域とに、前記第１膜厚より大きい第２膜厚を有する導電膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングストッパーとして前記第１領域の前記導電膜をエッチングする工程と、
前記第２領域の前記導電膜を所定のパターンでエッチングすることにより第２のＩＤＴ電極を形成する工程と、
を備える、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極はそれぞれ、単層で構成されている、請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、単一の圧電基板上に互いに異なる周波数特性を有するＩＤＴ電極を複数形成した弾性表面波装置が種々提案されている。例えば、特許文献１に記載の弾性表面波フィルタでは、１つの圧電基板上に第１フィルタ部と第２フィルタ部とが形成され、第１フィルタ部を構成するＩＤＴ電極の膜厚と、第２フィルタ部を構成するＩＤＴ電極の膜厚とを異ならせることで、異なる２つの周波数帯の周波数信号を抽出する２つのフィルタ部を形成している。
【特許文献１】特開２００１−８５９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１の弾性表面波フィルタは、第１フィルタ部及び第２フィルタ部が形成された圧電基板をパッケージ内に収容することによって封止されているが、第１フィルタ部及び第２フィルタ部をそれぞれ構成するＩＤＴ電極がパッケージの内部空間に露出している。そのため、製造時に混入した異物がＩＤＴ電極に付着し、ＩＤＴ電極の電極指間を短絡させてしまうという問題があった。また、高周波側の周波数帯に対応するフィルタ部のＩＤＴ電極の方が電極指の間隔が狭くなる場合が多く、上記のような問題が顕著であった。
【０００４】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極の電極指間の短絡等の問題を改善した弾性表面波装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、第1膜厚を有する第1のＩＤＴ電極と、前記圧電基板上に形成され、前記第1膜厚より大きい第２膜厚を有する第２のＩＤＴ電極と、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極のうち前記第1のＩＤＴ電極のみを被覆する絶縁膜と、を備えている。
【０００６】
また、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極が圧電基板上に形成された弾性表面波装置を製造する方法であって、前記圧電基板上の第１領域に、第１膜厚を有する前記第１のＩＤＴ電極を形成する工程と、前記第１のＩＤＴ電極を被覆する絶縁膜を形成する工程と、前記圧電基板上の前記第１領域と、該第１領域とは異なる第２領域とに、前記第１膜厚より大きい第２膜厚を有する導電膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングストッパーとして前記第１領域の前記導電膜をエッチングする工程と、前記第２領域の前記導電膜を所定のパターンでエッチングすることにより第２のＩＤＴ電極を形成する工程と、を備えている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極の電極指間の短絡等の問題を改善した弾性表面波装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る弾性表面波装置の平面図である。図２は、図１の弾性表面波装置のII−II線断面図である。図３は、図１の弾性表面波装置のIII−III線断面図である。図４は、図１の弾性表面波装置のIV−IV線断面図である。
【００１０】
図１〜図４に示すように、本実施形態に係る弾性表面波装置１は、弾性表面波素子３と、この弾性表面波素子３を接合するベース基板５とを備えている。なお、図１では、説明の便宜のため、ベース基板５、後述する絶縁膜２０及び半田バンプ２５の図示を省略している。
【００１１】
弾性表面波素子３は、例えば弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子等であり、圧電基板７と、圧電基板７上に形成された第１のＩＤＴ電極９、第１の電極端子１１、第２のＩＤＴ電極１３、第２の電極端子１５及び枠体１７とを備えている。圧電基板７は、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電材料で形成されている。
【００１２】
第１のＩＤＴ電極９は、図１の矢印Ｙ方向に２個並べて配置されている。各第１のＩＤＴ電極９は、櫛歯状に形成された２つの電極（以下、第１の櫛歯状電極という）１９，１９によって構成されている。各第１の櫛歯状電極１９，１９は、互いに対向し、電極指１９ａ，１９ａが互いに噛み合うように配置されている。
【００１３】
また、図１〜図３に示すように、第１のＩＤＴ電極９の表面上には、第１のＩＤＴ電極９を被覆するＳｉＯ２からなる絶縁膜２０が形成されている。なお、図１では、絶縁膜２０の形成範囲を破線Ｐで示している。以下、この破線Ｐで囲まれた領域に対応する圧電基板７上の領域を第１領域Ｐという。
【００１４】
第１の電極端子１１は、第１のＩＤＴ電極９の基端部１９ｂと接続されており、図２に示すように、後述するベース基板５に設けられた素子接続用電極２１に接続されるようになっている。
【００１５】
第２のＩＤＴ電極１３は、第１のＩＤＴ電極９と同様に、図１の矢印Ｙ方向に２個並べて配置されている。各第２のＩＤＴ電極１３は、櫛歯状に形成された２つの電極（以下、第２の櫛歯状電極という）２３，２３によって構成されている。各第２の櫛歯状電極２３，２３は、互いに対向し、電極指２３ａ，２３ａが互いに噛み合うように配置されている。
【００１６】
第２の電極端子１５は、第２のＩＤＴ電極１３の基端部２３ｂと接続されており、図２に示すように、後述するベース基板５に設けられた素子接続用電極２１に接続されるようになっている。
【００１７】
図２に示すように、枠体１７は、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３を一括して取り囲むように、圧電基板７の周縁部に沿って設けられている。
【００１８】
ベース基板５は、セラミックやガラスセラミックなどの絶縁性材料で形成されており、図２〜図４に示すように、半田バンプ２５によってその周縁部が枠体１７の上面に接合されている。こうすることで、弾性表面波素子３は、枠体１７とベース基板５とによって封止されている。
【００１９】
図２に示すように、ベース基板５における第１の電極端子１１及び第２の電極端子１５に対応する位置には、ベース基板５を貫通する貫通孔５ａが形成されている。この貫通孔５ａには、素子接続用電極２１が設けられており、各素子接続用電極２１は、半田バンプ２５によって、対応する各電極端子１１，１５に接合されている。この構成により、ベース基板５に接合された弾性表面波素子３は、ベース基板５の素子接続用電極２１に接続される外部の駆動回路と電気的に接続可能となっている。
【００２０】
次に、上記のように構成された第１のＩＤＴ電極９、第２のＩＤＴ電極１３、第１の電極端子１１、第２のＩＤＴ電極１３及び枠体１７の断面構成について、詳細に説明する。
【００２１】
第１のＩＤＴ電極９は、図２及び図３に示すように、第１膜厚を有する第１導電膜３１で形成されている。そして、第２のＩＤＴ電極１３は、図２及び図４に示すように、第１膜厚より大きい第２膜厚を有する第２導電膜３２で形成されている。こうすることで、第２のＩＤＴ電極１３の膜厚が、第１のＩＤＴ電極９の膜厚より大きくなり、第２のＩＤＴ電極１３が低周波側の周波数帯域に対応するフィルタ特性を有し、第１のＩＤＴ電極９が高周波側の周波数帯域に対応するフィルタ特性を有している。
【００２２】
枠体１７は、図２〜図４に示すように、第２導電膜３２と第３導電膜３３とを積層して形成されている。こうすることで、枠体１７の高さが第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３の高さより高くなり、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３と、ベース基板５との間に空隙が確保される。
【００２３】
第１の電極端子１１及び第２の電極端子１５は、図２に示すように、枠体１７と同様、第２導電膜３２及び第３導電膜３３を積層して形成されている。こうすることで、第１の電極端子１１及び第２の電極端子１５の高さが、枠体１７の高さと同じになり、弾性表面波素子３をベース基板５に接合したときに、第１の電極端子１１及び第２の電極端子１５を、ベース基板５に設けられた素子接続用電極２１に接合することができる。
【００２４】
上記の第１導電膜３１、第２導電膜３２及び第３導電膜３３は、例えば、ＡｌやＡｌ合金（例えば、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｔｉ系）、ＣｕやＣｕ合金（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｔｉ系、Ｃｕ−Ｒｄ系）、ＡｇやＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｇ−Ｔｉ系、Ａｇ−Ｒｄ系）等の金属膜で形成することができる。なお、第１導電膜３１、第２導電膜３２及び第３導電膜３３は、後述するように、互いに成膜のタイミングを異ならせて形成されている。
【００２５】
次に、以上のように構成された弾性表面波装置１の製造方法について、図５〜図８を参照しつつ説明する。
【００２６】
まず、圧電基板７を準備し、図５（ａ）に示すように、この圧電基板７上に、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の結晶成長法を用いて、第１導電膜３１を形成する。
【００２７】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１導電膜３１上にレジストＲ１を塗布し、フォトリソグラフィー法により所定のパターンを露光、現像した後、図５（ｃ）に示すように、ウェットエッチング法により第１導電膜３１をエッチングする。その後、図５（ｄ）に示すように、レジストＲ１を剥離する。
【００２８】
続いて、図５（ｅ）に示すように、第１導電膜３１上にレジストＲ２を塗布し、フォトリソグラフィー法により所定のパターンを露光、現像した後、図５（ｆ）に示すように、ドライエッチング法により第１導電膜３１をエッチングする。このとき、エッチング剤としては、例えば、ＢＣｌ３，Ｃｌ２，Ｎ２の混合ガスを使用する。その後、図５（ｇ）に示すように、レジストＲ２を剥離する。こうして、圧電基板７上の第１領域Ｐに第１のＩＤＴ電極９が形成される。
【００２９】
次に、図６（ｈ）に示すように、圧電基板７上の第１領域Ｐと、この第１領域Ｐとは異なる領域である第２領域Ｓとに、テトラエトキシシランを原料とするＣＶＤ法等の結晶成長法を用いて、ＳｉＯ２からなる絶縁膜２０を形成する。
【００３０】
そして、図６（ｉ）に示すように、絶縁膜２０上にレジストＲ３を塗布し、フォトリソグラフィー法により所定のパターンを露光、現像した後、図６（ｊ）に示すように、ウェットエッチング法により第２領域Ｓの絶縁膜２０をエッチングする。その後、図６（ｋ）に示すように、レジストＲ３を剥離する。こうして、圧電基板７上の第１領域Ｐに、第１のＩＤＴ電極９を被覆する絶縁膜２０が形成される。
【００３１】
続いて、図６（ｌ）に示すように、圧電基板７上の第１領域Ｐ及び第２領域Ｓに、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の結晶成長法を用いて、第２導電膜３２を形成する。
【００３２】
そして、図６（ｍ）に示すように、第２導電膜３２上にレジストＲ４を塗布し、フォトリソグラフィー法により所定のパターンを露光、現像した後、図６（ｎ）に示すように、ウェットエッチング法により第１領域Ｐの第２導電膜３２をエッチングする。このとき、エッチング剤として、第２導電膜３２より絶縁膜２０のエッチングレートが小さくなるものを使用することができ、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含むアルカリ現像液（東京応化工業株式会社製，製品名：ＮＭＤ−Ｗ）を使用することで、絶縁膜２０をエッチングストッパーとして第２導電膜３２を選択的にエッチングする。その後、図７（ｏ）に示すように、レジストＲ４を剥離する。
【００３３】
次に、図７（ｐ）に示すように、圧電基板７上の第１領域Ｐ及び第２領域ＳにレジストＲ５を塗布し、フォトリソグラフィー法により所定のパターンを露光、現像した後、図７（ｑ）に示すように、ドライエッチング法により第２領域Ｓの第２導電膜３２をエッチングする。このとき、エッチング剤としては、例えば、ＢＣｌ３，Ｃｌ２，Ｎ２の混合ガスを使用する。その後、図７（ｒ）に示すように、レジストＲ５を剥離する。こうして、第２のＩＤＴ電極１３が形成される。
【００３４】
次に、図８（ｓ）に示すように、圧電基板７上の第１領域Ｐ及び第２領域ＳにレジストＲ６を塗布し、フォトリソグラフィー法により所定のパターンを露光、現像した後、図８（ｔ）に示すように、スパッタリング法等により第３導電膜３３を形成する。そして、図８（ｕ）に示すように、レジストＲ６を剥離して、レジストＲ６上に形成された第３導電膜３３を除去する。こうすることで、第２導電膜３２及び第３導電膜３３からなる積層体でそれぞれ構成された第１の電極端子１１、第２の電極端子１５及び枠体１７が形成される。
【００３５】
以上のようにして、本実施形態に係る弾性表面波素子３が製造される。
【００３６】
そして、図２に示すように、弾性表面波素子３をベース基板５に対向させて配置し、半田バンプ２５によって、ベース基板５の周縁部と枠体１７とを接合するとともに、ベース基板５に設けられた素子接続用電極２１と、第１の電極端子１１及び第２の電極端子１５とを接合する。こうして、本実施形態に係る弾性表面波装置１が製造される。
【００３７】
本実施形態に係る弾性表面波装置１によれば、第１のＩＤＴ電極９が第１膜厚を有する第１導電膜３１によって形成され、第２のＩＤＴ電極１３が第１膜厚より大きい第２膜厚を有する第２導電膜３２によって形成されている。そのため、第２のＩＤＴ電極１３の膜厚が第１のＩＤＴ電極９の膜厚より大きくなっており、第１のＩＤＴ電極９の膜厚と第２のＩＤＴ電極１３の膜厚とが異なるため、異なる２つの周波数帯の周波数信号を抽出する２つのフィルタ部を形成することができる。
【００３８】
また、上記弾性表面波装置１では、第１のＩＤＴ電極９が絶縁膜２０によって被覆されているため、導電性の異物が第１のＩＤＴ電極９に付着することによる短絡を防止することができる。
【００３９】
なお、上記弾性表面波装置１では、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３のうち第１のＩＤＴ電極９のみが絶縁膜２０によって被覆されており、第２のＩＤＴ電極１３は絶縁膜によって被覆されていない。これは、次の理由のためである。
【００４０】
すなわち、第２のＩＤＴ電極１３は、図４に示すように、第１のＩＤＴ電極９に比べ膜厚が大きくなっている。そのため、第２のＩＤＴ電極１３を絶縁膜で被覆する場合、カバレッジ性を考慮すれば、絶縁膜の膜厚を第１のＩＤＴ電極９を被覆する絶縁膜２０より大きくする必要がある。したがって、この場合、第２のＩＤＴ電極１３は、質量の大きな絶縁膜によって被覆されることになり、電極指の振動が減衰され、所望の周波数特性を得ることが難しくなる。これに対し、第１のＩＤＴ電極９は、図３に示すように膜厚が小さくなるので、絶縁膜２０の膜厚を小さくしてもカバレッジ性が良い。そのため、第１のＩＤＴ電極９は、比較的質量の小さな絶縁膜２０によって被覆されることになり、周波数特性への影響も小さい。
【００４１】
また、第１のＩＤＴ電極９は、膜厚が小さく、高周波側の周波数帯に対応するものであり、通常、隣接する電極指の間隔が第２のＩＤＴ電極１３より小さい。そのため、異物の付着による短絡の問題が発生し易い。
【００４２】
以上のことから、上記弾性表面波装置１では、第１のＩＤＴ電極９のみを絶縁膜２０によって被覆している。
【００４３】
また、上記弾性表面波装置１によれば、第１のＩＤＴ電極９が第１導電膜３１で形成され、第２のＩＤＴ電極１３が第２導電膜３２で形成されており、各ＩＤＴ電極９，１３がそれぞれ単層で構成されている。そのため、ＩＤＴ電極が複数の導電膜を積層した積層体で構成されている場合に比べて、挿入損失を低減することができる。つまり、この場合は、ＩＤＴ電極を構成する積層体の各層の境界面で抵抗が増加するが、単層で構成した場合はこのような境界面が存在せず、挿入損失を低減することができる。
【００４４】
また、本実施形態によれば、枠体１７が、第２のＩＤＴ電極１３を形成する第２導電膜３２上に、第３導電膜３３を積層することで形成されている。そのため、例えば上記のように結晶成長法によって第２導電膜３２を形成する場合には、第２のＩＤＴ電極１３の形成と同時に、枠体１７の一部を形成することができる。枠体１７は第２のＩＤＴ電極１３の膜厚より大きく形成する必要があるため、このように枠体１７の一部を同時に形成することで、別個に形成する場合に比べて製造時間を短縮することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、１つの枠体１７によって、第１のＩＤＴ電極９と第２のＩＤＴ電極１３とを一括して包囲しているため、弾性表面波装置の小型化を図ることができる。
【００４６】
また、本実施形態に係る弾性表面波装置１の製造方法によれば、図５（ｇ）に示すように第１のＩＤＴ電極９を形成した後、続いて、図６（ｈ）〜（ｋ）に示すように、第１のＩＤＴ電極９を絶縁膜２０によって保護している。そのため、以後の工程で、第１のＩＤＴ電極９がレジストの剥離液等に曝され、形成した電極パターンを傷めるといったことがない。また、一般に、高周波側のＩＤＴ電極の電極パターンは、低周波側のＩＤＴ電極の電極パターンより精細に形成されているため、電極指の断線や短絡といった問題が発生し易いが、このように絶縁膜２０によって高周波側の第１のＩＤＴ電極９を被覆することで、このような問題の発生を防止することができる。
【００４７】
また、本実施形態に係る弾性表面波装置１の製造方法によれば、図６（ｍ）〜（ｎ）に示すように、絶縁膜２０をエッチングストッパーとして、第１領域Ｐの第２導電膜３２をエッチングしている。そのため、第１のＩＤＴ電極９を被覆する絶縁膜２０に、保護膜としての機能と、エッチングストッパーとしての機能とを併せ持たせている。したがって、それぞれの機能を果たす各構成を別個に形成する場合に比べて、製造工程を簡略化することができる。
【００４８】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、絶縁膜２０を破線Ｐで囲んだ領域に形成したが、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３のうち第１のＩＤＴ電極のみを被覆する限り、これに限定されるものではない。また、上記実施形態では、絶縁膜２０をＳｉＯ２で形成しているが、絶縁性を有すると共に、第２導電膜３２よりエッチングレートが小さくなる材料である限りこれに限定されるものではなく、例えば、ＳｉＮｘ等で形成してもよい。
【００４９】
また、上記実施形態に係る製造方法では、図６（ｍ）〜（ｎ）に示す工程で、第１領域Ｐの第２導電膜３２をエッチングした後に、図７（ｐ）〜（ｑ）に示す工程で、第２領域Ｓの第２導電膜３２をエッチングしているが、これに限定されるものではなく、例えば、第１領域Ｐ及び第２領域Ｓの第２導電膜３２を同時にエッチングするようにしてもよい。この場合、例えば、図６（ｍ）に示す工程で、第２領域ＳのレジストＲ４に、第２のＩＤＴ電極１３の電極パターンに対応するパターンを露光、現像しておけばよい。
【００５０】
また、上記実施形態では、第１の電極端子１１、第２の電極端子１５及び枠体１７の高さが、第２のＩＤＴ電極１３より高く、第２のＩＤＴ電極１３が第１のＩＤＴ電極９の高さより高くなるように構成されているが、このような関係で構成されている限り、第１のＩＤＴ電極９、第１の電極端子１１、第２のＩＤＴ電極１３、第２の電極端子１５及び枠体１７は、これらを構成する上記例示した導電膜層の他に、１層以上の導電膜を含んでいてもよい。
【００５１】
また、上記実施形態において、第１の電極端子１１、第２の電極端子１５及び枠体１７は、第３導電膜３３を含む少なくとも１層からなるアンダーバンプメタル層を備えてもよい。このアンダーバンプメタル層は、例えば、図２に示す第３導電膜３３と半田バンプ２５との間に、図示しない第４導電膜及び第５導電膜を第３導電膜３３側からこの順に積層し、第３導電膜３３、第４導電膜及び第５導電膜からなる積層体によって構成する。このとき、例えば、第３導電膜３３をＣｒ，Ｎｉ，Ｔｉ等で、第４導電膜をＮｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｐｄ等で、第５導電膜をＡｕ等で形成する。なお、このアンダーバンプメタル層は、３層以外の複数層や単一層で構成してもよく、この場合、半田バンプに対するバリア層となるＮｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｐｄ等からなる層を含むように構成すればよい。
【００５２】
また、上記実施形態に係る弾性表面波装置１において、絶縁膜２０の膜厚は、第１のＩＤＴ電極９を十分に保護し得ると共に、第１のＩＤＴ電極９の周波数特性への影響が小さい範囲で設定することが好ましいが、例えば、絶縁膜２０の膜厚によって第１のＩＤＴ電極９の周波数特性を調整することもできる。また、上記実施形態に係る弾性表面波装置１では、絶縁膜２０によって第１のＩＤＴ電極９のみを被覆しているが、第１のＩＤＴ電極９と共に、第２のＩＤＴ電極１３を絶縁膜によって被覆して、第１のＩＤＴ電極９を被覆する絶縁膜の膜厚と、第２のＩＤＴ電極１３を被覆する絶縁膜の膜厚とをそれぞれ設定することによって、各ＩＤＴ電極の周波数特性の調整をすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の平面図である。
【図２】図１の弾性表面波装置のII−II線断面図である。
【図３】図１の弾性表面波装置のIII−III線断面図である。
【図４】図１の弾性表面波装置のIV−IV線断面図である。
【図５】図１の弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。
【図６】図１の弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。
【図７】図１の弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。
【図８】図１の弾性表面波装置の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  弾性表面波装置
３  弾性表面波素子
５  ベース基板
７  圧電基板
９  第１のＩＤＴ電極
１１  第１の電極端子
１３  第２のＩＤＴ電極
１５  第２の電極端子
１７  枠体
２０  絶縁膜
２５  半田バンプ
３１  第１導電膜
３２  第２導電膜
３３  第３導電膜
【図１】
2010103920.tif 000003
【図２】
2010103920.tif 000004
【図３】
2010103920.tif 000005
【図４】
2010103920.tif 000006
【図５】
2010103920.tif 000007
【図６】
2010103920.tif 000008
【図７】
2010103920.tif 000009
【図８】
2010103920.tif 000010