(57)【要約】【課題】従来からの運用では、主にレチクルはレチクル・ケースに収容された状態で、レチクル・ストッカに保管されるため、レチクル・ケース自体から出る脱ガスの影響を受けやすく、脱ガス成分の付着と微細化による露光時の照射エネルギーの増加とあいまって、ヘイズが発生することが明らかとなった。  これらのことから、レチクル・ケースに収容しない状態でレチクルを保管するベア・レチクル・ストッカ（ベア・レチクル保管庫）の適用が有効である。しかしながら、ベア・レチクル・ストッカのレチクル入出庫能力は比較的低いという問題がある。【解決手段】本願発明は光リソグラフィ工程において、比較的ラフなプロセスに使用するレチクルは、レチクル・ケースに収容して保管し、比較的微細なプロセスに使用するレチクルは、レチクル・ケースに収容しないで保管するものである。【選択図】図１
2010103145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む：
（ａ）第１の最小加工寸法を有する第１の光リソグラフィ処理装置群；
（ｂ）前記第１の最小加工寸法よりも小さい第２の最小加工寸法を有する第２の光リソグラフィ処理装置群；
（ｃ）前記第１の光リソグラフィ処理装置群で使用される第１のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収納した状態で保管する第１のレチクル保管庫；
（ｄ）前記第２の光リソグラフィ処理装置群で使用される第２のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管する第２のレチクル保管庫。
【請求項２】
前記１項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む：
（ｅ）前記第２のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するための空のレチクル・ケースを保管するレチクル・ケース・ストッカ。
【請求項３】
前記２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む：
（ｆ）前記第１の光リソグラフィ処理装置群、前記第２の光リソグラフィ処理装置群、前記第１のレチクル保管庫、前記第２のレチクル保管庫、および前記レチクル・ケース・ストッカ間で、レチクル・ケースを搬送するレチクル・ケース搬送機構。
【請求項４】
前記３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２のレチクル保管庫と前記レチクル・ケース・ストッカとは、前記レチクル・ケース搬送機構上において近接して配置されている。
【請求項５】
前記１項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースと、前記第２のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースとは異なる。
【請求項６】
前記３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ＯＨＴ，ＯＨＳ，ＲＧＶ，およびＡＧＶの少なくとも一つを含む。
【請求項７】
前記３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。
【請求項８】
以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む：
（ａ）第１の最小加工寸法を有する第１の光リソグラフィ処理装置群；
（ｂ）前記第１の最小加工寸法よりも小さい第２の最小加工寸法を有する第２の光リソグラフィ処理装置群；
（ｃ）前記第１の光リソグラフィ処理装置群で使用される第１のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収納した状態で保管する天井搬送機構；
（ｄ）前記第２の光リソグラフィ処理装置群で使用される第２のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫。
【請求項９】
前記８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構には、前記第２のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送する空のレチクル・ケースをも保管する。
【請求項１０】
前記８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、天井コンベアまたはＯＨＢである。
【請求項１１】
前記８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースと、前記第２のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースとは異なる。
【請求項１２】
以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む：
（ａ）光リソグラフィ処理装置群；
（ｂ）前記光リソグラフィ処理装置群で使用されるレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫；
（ｃ）前記ベア・レチクル保管庫に近接して設置されたレチクル・ケース・ストッカ；
（ｄ）前記ベア・レチクル保管庫と前記レチクル・ケース・ストッカ間でレチクル・ケースを移送するためのレチクル・ケース移し替え機構。
【請求項１３】
前記１２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む：
（ｅ）前記光リソグラフィ処理装置群、前記ベア・レチクル保管庫、および前記レチクル・ケース・ストッカ間で、レチクル・ケースを搬送するレチクル・ケース搬送機構。
【請求項１４】
前記１３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ＯＨＴ，ＯＨＳ，ＲＧＶ，およびＡＧＶの少なくとも一つを含む。
【請求項１５】
前記１３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。
【請求項１６】
前記１２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース移し替え機構は、前記ベア・レチクル保管庫のポート上の空きレチクル・ケースを前記レチクル・ケース・ストッカのポート上へ移送する。
【請求項１７】
前記１２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース移し替え機構は、前記レチクル・ケース・ストッカのポート上の空きレチクル・ケースを前記ベア・レチクル保管庫のポート上へ移送する。
【請求項１８】
以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む：
（ａ）光リソグラフィ処理装置群；
（ｂ）前記光リソグラフィ処理装置群で使用されるレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫；
（ｃ）前記レチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するための空のレチクル・ケースを保管する天井搬送機構。
【請求項１９】
前記１８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、ＯＨＴ，ＯＨＳ，およびＯＨＢの少なくとも一つを含む。
【請求項２０】
前記１８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置（または半導体装置）の製造方法に関し、特に、半導体製造工程におけるレチクル保管及び自動搬送技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２００６−０２４８５０号公報（特許文献１）には、レチクルの保管時には、レチクルをレチクル・ポッドに収容した状態か、または、単体の状態でレチクル・ストッカに保管し、レチクルの搬送時にはレチクルをレチクル・ポッドに収容した状態で搬送する半導体集積回路装置の製造工程（ウエハ工程）技術が開示されている。そこにおいては、効率的な半導体装置の製造システムの運用を図るため、レチクルとレチクル・ポッドとの関連付けの切断タイミングをホスト・システム上と個々の露光装置上とで同期させる技術が示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０２４８５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近の微細化製品製造の増加に伴い、品質維持技術が課題となってきた。具体的には９０ｎｍ以下の微細プロセスにおいては、従来考慮不要であったレチクル・パターン表面上の化学成長物質などの微細付着物・成長異物の排除、すなわちレチクル・ヘイズ（Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｈａｚｅ）対策が、製品品質・歩留まりを大きく左右するキー・パラメータとなることがわかってきた。
【０００５】
本願発明者らの検討によると、従来からの運用では、主にレチクルはＲＳＰ（Ｒｅｔｉｃｌｅ  ＳＭＩＦ  Ｐｏｄ）などのレチクル・ケース（レチクル搬送容器）に収容された状態で、レチクル・ストッカに保管されるため、レチクル・ケース自体から出る脱ガスの影響を受けやすく、脱ガス成分の付着と微細化による露光時の照射エネルギーの増加とあいまって、ヘイズが発生することが明らかとなった。
【０００６】
このヘイズ対策としては、更に脱ガス成分の少ないプラスチック材料を用いたレチクル・ケースを試用することも考えられるが、他の要求仕様を満たし、脱ガス成分も少ない材料を開発することは必ずしも容易ではない。また、レチクルの検査や洗浄の頻度を増やすことも考えられるが、それ自体大幅なコストアップとであり、レチクルの洗浄回数には限度があるという根本的な問題もある。
【０００７】
一方、レチクル・ケースに起因して発生することから、レチクル・ケースに収容しない状態でレチクルを保管するベア・レチクル・ストッカ（ベア・レチクル保管庫）の適用が有効である。しかしながら、ベア・レチクル・ストッカのレチクル入出庫能力は比較的低いという問題がある。
【０００８】
本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。
【０００９】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体集積回路装置の製造プロセスを提供することにある。
【００１０】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１２】
すなわち、本願発明は光リソグラフィ工程において、比較的ラフなプロセスに使用するレチクル（たとえばＫｒＦエキシマ・レーザ露光用レチクル）は、レチクル・ケースに収容して保管し、比較的微細なプロセスに使用するレチクル（たとえばＡｒＦエキシマ・レーザ露光用レチクル）は、レチクル・ケースに収容しないで保管するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１４】
すなわち、光リソグラフィ工程において、比較的ラフなプロセスに使用するレチクルは、レチクル・ケースに収容して保管し、比較的微細なプロセスに使用するレチクルは、レチクル・ケースに収容しないで保管するので、ベア・レチクル・ストッカが管轄するレチクル数を比較的少量に抑えることができる。その結果、ベア・レチクル・ストッカのレチクル入出庫が工程の隘路となることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１６】
１．以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む：
（ａ）第１の最小加工寸法を有する第１の光リソグラフィ処理装置群；
（ｂ）前記第１の最小加工寸法よりも小さい第２の最小加工寸法を有する第２の光リソグラフィ処理装置群；
（ｃ）前記第１の光リソグラフィ処理装置群で使用される第１のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収納した状態で保管する第１のレチクル保管庫；
（ｄ）前記第２の光リソグラフィ処理装置群で使用される第２のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管する第２のレチクル保管庫。
【００１７】
２．前記１項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む：
（ｅ）前記第２のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するための空のレチクル・ケースを保管するレチクル・ケース・ストッカ。
【００１８】
３．前記２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む：
（ｆ）前記第１の光リソグラフィ処理装置群、前記第２の光リソグラフィ処理装置群、前記第１のレチクル保管庫、前記第２のレチクル保管庫、および前記レチクル・ケース・ストッカ間で、レチクル・ケースを搬送するレチクル・ケース搬送機構。
【００１９】
４．前記３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２のレチクル保管庫と前記レチクル・ケース・ストッカとは、前記レチクル・ケース搬送機構上において近接して配置されている。
【００２０】
５．前記１から４項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースと、前記第２のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースとは異なる。
【００２１】
６．前記３から５項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ＯＨＴ，ＯＨＳ，ＲＧＶ，およびＡＧＶの少なくとも一つを含む。
【００２２】
７．前記３から５項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。
【００２３】
８．以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む：
（ａ）第１の最小加工寸法を有する第１の光リソグラフィ処理装置群；
（ｂ）前記第１の最小加工寸法よりも小さい第２の最小加工寸法を有する第２の光リソグラフィ処理装置群；
（ｃ）前記第１の光リソグラフィ処理装置群で使用される第１のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収納した状態で保管する天井搬送機構；
（ｄ）前記第２の光リソグラフィ処理装置群で使用される第２のレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫。
【００２４】
９．前記８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構には、前記第２のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送する空のレチクル・ケースをも保管する。
【００２５】
１０．前記８または９項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、天井コンベアまたはＯＨＢである。
【００２６】
１１．前記８から１０項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースと、前記第２のレチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するレチクル・ケースとは異なる。
【００２７】
１２．以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む：
（ａ）光リソグラフィ処理装置群；
（ｂ）前記光リソグラフィ処理装置群で使用されるレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫；
（ｃ）前記ベア・レチクル保管庫に近接して設置されたレチクル・ケース・ストッカ；
（ｄ）前記ベア・レチクル保管庫と前記レチクル・ケース・ストッカ間でレチクル・ケースを移送するためのレチクル・ケース移し替え機構。
【００２８】
１３．前記１２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光リソグラフィ・ラインは、更に、以下を含む：
（ｅ）前記光リソグラフィ処理装置群、前記ベア・レチクル保管庫、および前記レチクル・ケース・ストッカ間で、レチクル・ケースを搬送するレチクル・ケース搬送機構。
【００２９】
１４．前記１３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ＯＨＴ，ＯＨＳ，ＲＧＶ，およびＡＧＶの少なくとも一つを含む。
【００３０】
１５．前記１３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。
【００３１】
１６．前記１２から１５項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース移し替え機構は、前記ベア・レチクル保管庫のポート上の空きレチクル・ケースを前記レチクル・ケース・ストッカのポート上へ移送する。
【００３２】
１７．前記１２から１６項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記レチクル・ケース移し替え機構は、前記レチクル・ケース・ストッカのポート上の空きレチクル・ケースを前記ベア・レチクル保管庫のポート上へ移送する。
【００３３】
１８．以下の光リソグラフィ・ラインを使用する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記光リソグラフィ・ラインは、以下を含む：
（ａ）光リソグラフィ処理装置群；
（ｂ）前記光リソグラフィ処理装置群で使用されるレチクル群に属する各レチクルをレチクル・ケースに収容しない状態で保管するベア・レチクル保管庫；
（ｃ）前記レチクル群に属する各レチクルを収容して搬送するための空のレチクル・ケースを保管する天井搬送機構。
【００３４】
１９．前記１８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、ＯＨＴ，ＯＨＳ，およびＯＨＢの少なくとも一つを含む。
【００３５】
２０．前記１８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記天井搬送機構は、ウエハ搬送機構を兼ねている。
【００３６】
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００３７】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。
【００３８】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００３９】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００４０】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体集積回路装置（半導体装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ基板、ＬＣＤガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００４１】
６．本願において「群」というときは、その要素の数は「１」を含む自然数である。
【００４２】
７．以下の実施の形態でも同様であるが、一般に半導体製造ラインで使用されるウエハ又はレチクルの搬送系は、フロア面近傍を移動するフロア搬送系（Ｆｌｏｏｒ−Ｂａｓｅｄ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔａｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ）と天井面近傍を移動する天井搬送系（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  ｏｒ  Ｃｅｉｌｉｎｇ−Ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔａｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ）の２種類に大別される。フロア搬送系の主な例としては、ＲＧＶ（Ｒａｉｌ  Ｇｕｉｄｅｄ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）、ＡＧＶ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇｕｉｄｅｄ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）等がある。一方、天井搬送系（天井搬送機構）の主な例としては、ＯＨＶ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｈｏｉｓｔ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）、ＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｈｏｉｓｔ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）、ＯＨＳ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｈｏｉｓｔ  Ｓｈｕｔｔｌｅ）、天井コンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｐｏｗｅｒｅｄ  Ｒｏｌｌｅｒ  Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）等がある。また、天井搬送系の中には、簡易なストッカ（Ｓｔｏｃｋｅｒ）を兼ねたＯＨＢ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｈｏｉｓｔ  Ｂｕｆｆｅｒ）等がある。
【００４３】
８．一般に（以下の実施の形態でも同じ）半導体製造ラインで使用されるウエハ搬送容器の代表例は、フープ（Ｆｏｕｐ：Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）である。また、レチクル容器の代表例は、ＲＳＰ（Ｒｅｔｉｃｌｅ  ＳＭＩＦ  Ｐｏｄ）等である。なお、レチクル容器について、「異なる」とは、「ほぼ同一形状（形状の相違を許容する）、同一材料でもよいが、少なくとも個体として異なる」すなわち、微細プロセス用とラフプロセス用は相互に混ざり合わないように使い分けしていることを示す。もちろん、同一材料ではなく、材料の全部又は一部を最適化してもよいことは言うまでもない。
【００４４】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００４５】
以下では、光リソグラフィ・ライン２３（図１参照）の全体構成、レチクル・ケースの使い分け（図５参照）、ウエハ・レチクルの搬送系の相互乗り入れ（共用）等については、セクション２から４においても、ほぼそのまま適用可能であるが、主にセクション１で説明し、原則として同一の説明を他のセクションでは繰り返さない。すなわち、セクション１以外では、原則としてセクション１と異なる部分のみを説明する。
【００４６】
なお、レチクルがレチクル・ポッドに入った状態を作図上、レチクル・ポッド上にレチクルを搭載したように示すが、これはレチクル・ポッドがレチクルを内部に有することを示す。すなわち、レチクル・ポッドがからではないことを示すものである。
【００４７】
１．本願発明の第１の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の説明（主に図１から図６）
図１は本願発明の第１の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。図２は図１におけるレチクル受け入れ装置一般（リソグラフィ装置、レチクルおよびレチクル・ポッド・ストッカなど）とレチクル搬送系（レチクル・ケース搬送機構）の間でのレチクルの受け渡しを説明するための装置模式断面図である。図３は図１におけるラフ寸法加工用レチクル（第１のレチクル群に属するレチクル）に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図４は図１における微細寸法加工用レチクル（第２のレチクル群に属するレチクル）に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図５は図１におけるレチクル・ポッド（レチクル容器）の使い分けを示すレチクル・ポッド群斜視図である。図６は図１におけるウエハ搬送系とレチクル搬送系（レチクル・ケース搬送機構）の間の共用関係を説明する搬送系斜視図である。これらに基づいて、本願発明の第１の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。
【００４８】
まず、図１に基づいて、本願発明の第１の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法に使用するウエハ・ライン内の光リソグラフィ・ライン２３の構成の概要を説明する。図１に示すように、光リソグラフィ・ライン２３内には、フープ３に収容されたウエハ１を搬送するウエハ搬送系５、およびレチクル・ポッド４，４ａ，４ｂに収容されたレチクル２，２ａ，２ｂを搬送するレチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）が網の目のように張り巡らされている。ウエハ搬送系５には、ウエハ搬送車７が、レチクル搬送系６にはレチクル搬送車８が複数設置されている。これらのウエハ搬送系５およびレチクル搬送系６は、相互乗り入れ部９（連結部）で相互に乗り入れ可能としてもよい（搬送自由度の向上等の効果がある）。
【００４９】
これらの間に、各種の装置が配置されている。各種の装置の例としては、以下のものがある。ウエハ・ストッカ１１は、ウエハ１を収容したフープ３を保管する場所である。ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置群２１は、加工寸法が比較的大きいプロセス層に関する（たとえばＫｒＦエキシマ・レーザ露光に関する）ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置１８ａからなる装置群である。微細寸法光リソグラフィ一貫装置群２２は、加工寸法が比較的小さいプロセス層に関する（たとえばＡｒＦエキシマ・レーザ露光に関する）微細寸法光リソグラフィ一貫装置１９ａからなる装置群である。レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫１２（第１のレチクル保管庫）は、ラフ寸法加工用レチクル・ポッド４ａ（レチクル容器）内に収容された状態で、ラフ寸法加工用レチクル２ａを保管する場所である。ベア・レチクル保管庫１４（第２のレチクル保管庫）は、微細寸法加工用レチクル２ｂ（第２のレチクル群に属するレチクル）を微細寸法加工用レチクル・ポッド４ｂに収容しない状態で保管する場所である。空レチクル・ポッド保管庫１５は微細寸法加工用レチクル２ｂを収容するための微細寸法加工用レチクル・ポッド４ｂを空の状態で保管する場所である。これらの各装置には、ウエハ搬送系５またはレチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）とのインターフェースとして、必要に応じて、共通ウエハ・ポート１６、共通レチクルまたはレチクル・ポッド用ポート１７、および移し替え専用ポート１７ａ等のポートが設けられている。
【００５０】
次に、図２に基づいて、レチクル受け入れ装置２４（リソグラフィ装置、レチクルおよびレチクル・ポッド・ストッカなど）について、ポート１７の働きを説明する。図２に示すように、レチクル搬送系６によって、搬送されたレチクル・ポッド４は、レチクル・ポート１７上に設置される。そこで、レチクル・ポッド４の底面（底蓋）がポート１７本体内部にレチクル２ごと引き込まれて、装置２４内部のレチクル搬送ロボット２５によって、装置２４の内部に取り込まれる。その後、レチクル・ポッド４の底面が上昇して、レチクル・ポッド４を閉鎖する。空のレチクル・ポッド４をレチクル搬送系６が持ち去る。
【００５１】
装置２４から排出される場合は、この逆で、空のレチクル・ポッド４の底面がポート１７本体内部に引き込まれ、その状態で、レチクル搬送ロボット２５がレチクル２をレチクル・ポッド４の底面上に設置する。その後、レチクル２ごとレチクル・ポッド４の底面が上昇して、レチクル・ポッド４を閉鎖する。レチクル２が入ったレチクル・ポッド４をレチクル搬送系６が持ち去る。
【００５２】
次に図３に基づいて、ラフ寸法加工用レチクル群１０ａ（第１のレチクル群）の工程中での流れを説明する。図３に示すように、ラフ寸法加工用レチクル２ａ（第１のレチクル群に属するレチクル１０ａ）は、ラフ寸法加工用レチクル・ポッド４ａに収容された状態で、レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫１２（第１のレチクル保管庫）内に保管されている。必要があるときは、レチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）のレチクル搬送車８に乗って、たとえばラフ寸法光リソグラフィ一貫装置１８ａ（第１の光リソグラフィ処理装置）に搬送される。そこで、図２で説明したように、ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置１８ａのレチクル・ポートを介して、同装置内に取り込まれる。
【００５３】
一方、微細寸法加工用レチクル群１０ｂ（第２のレチクル群）の工程中での流れは、以下のようになる。すなわち、図４に示すように、微細寸法加工用レチクル２ｂ（第２のレチクル群に属するレチクル）は、微細寸法加工用レチクル・ポッド４ｂに収容されない状態で、ベア・レチクル保管庫１４（第２のレチクル保管庫）内に保管されている。微細寸法加工用レチクル・ポッド４ｂの方は、空の状態で空レチクル・ポッド保管庫１５に保管されている。必要があるときは、レチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）のレチクル搬送車８に乗って、たとえば微細寸法光リソグラフィ一貫装置１９ａ（第２の光リソグラフィ処理装置）に搬送される。そこで、図２で説明したように、微細寸法光リソグラフィ一貫装置１９ａのレチクル・ポートを介して、同装置内に取り込まれる。このように、加工の微細度等により、レチクルの管理方式を変更したので、ライン全体としてのレチクル管理効率の向上が図れるメリットがある。また、ベア・レチクル保管庫１４を用いた管理は、微細寸法のマスクを直接扱うことから、ハンドリングの高速化が困難である。従って、ここに説明したような、混合管理方式は、ベア・レチクル保管庫１４を用いた管理方式をラインの一部に限定できるメリットがある。
【００５４】
このとき図５に示すように、ラフ寸法加工用レチクル群１０ａ（第１のレチクル群）に属するラフ寸法加工用レチクル２ａ（第１のレチクル群に属するレチクル）に使用するラフ寸法加工用レチクル・ポッド４ａと、微細寸法加工用レチクル群１０ｂ（第２のレチクル群）に属する微細寸法加工用レチクル２ｂ（第２のレチクル群に属するレチクル）に使用する微細寸法加工用レチクル・ポッド４ｂは、相互に混ざり合わないようにする。このように、両群のレチクル・ポッドが交じり合わないので、各群のレチクル・ポッドの材質等をその群に最適化することができる。たとえば、微細寸法加工用レチクル・ポッド４ｂのみを脱ガスの少ない材料にする等の対策が可能である。
【００５５】
図１において、相互乗り入れ部９（連結部）を設けているのは、図６に示すように、両方の軌道上５，６をウエハ搬送車７およびレチクル搬送車８の両方が走行可能とした方が、搬送の自由度または搬送所要時間の点で有利だからである。
【００５６】
２．本願発明の第２の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の説明（主に図７および図８）
この例は、基本的に図１（図２から図６を含む）に示す光リソグラフィ・ライン２３（ウエハ・ライン内の光リソグラフィ処理部）を使用しつつ、それに加えて又はその一部に代えて、天井コンベア等の天井搬送機構をレチクル２入りのレチクル・ポッド、空のレチクル・ポッドの保管に利用するものである。
【００５７】
図７は本願発明の第２の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの内、ラフ寸法加工用レチクル（第１のレチクル群に属するレチクル）に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図８は本願発明の第２の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの内、微細寸法加工用レチクル（第２のレチクル群に属するレチクル）に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。これらに基づいて、本願発明の第２の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。
【００５８】
図７に示すように、使用されないときは、ラフ寸法加工用レチクル・ポッド４ａ内に収容されたラフ寸法加工用レチクル２ａ（第１のレチクル群に属するレチクル）は、天井搬送機構２６（バッファーまたはストッカを兼ねる）上で、保管又は待機している。必要があるときは、レチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）のレチクル搬送車８に乗って、たとえばラフ寸法光リソグラフィ一貫装置１８ａ（第１の光リソグラフィ処理装置）に搬送される。そこで、図２で説明したように、ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置１８ａのレチクル・ポートを介して、同装置内に取り込まれる。ここで、天井搬送機構２６の例としては、搬送機能とバッファー機能（簡易なストッカ機能）を併せ持つ、天井コンベアまたはＯＨＢ等が好適である。このように、ケースに入れた状態のレチクル２と空のレチクル・ケース４を天井搬送機構２６上に保管することで、レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫１２と空レチクル・ポッド保管庫１５を全部又は一部不要にできるメリットがある。
【００５９】
一方、図８に示すように、微細寸法加工用レチクル２ｂ（第２のレチクル群に属するレチクル）は、微細寸法加工用レチクル・ポッド４ｂに収容されない状態で、ベア・レチクル保管庫１４（第２のレチクル保管庫）内に保管されている。微細寸法加工用レチクル・ポッド４ｂの方は、空の状態で天井搬送機構２６（セクション１と同様に、空レチクル・ポッド保管庫１５のも保管されるようにしてもよい）上に保管されている。必要があるときは、レチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）のレチクル搬送車８に乗って、たとえば微細寸法光リソグラフィ一貫装置１９ａ（第２の光リソグラフィ処理装置）に搬送される。そこで、図２で説明したように、微細寸法光リソグラフィ一貫装置１９ａのレチクル・ポートを介して、同装置内に取り込まれる。
【００６０】
その他の部分（たとえば、図１、図５及び図６に関する説明）については、セクション１と同様であり、説明は繰り返さない（以下のセクションでも同じ）。
【００６１】
３．本願発明の第３の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の説明（主に図９から図１２）
この例は、基本的に図１（図２から図６を含む）に示す光リソグラフィ・ライン２３（ウエハ・ライン内の光リソグラフィ処理部）の全部又は一部を使用しつつ、ベア・レチクル保管庫１４の使用の効率化を図ったものである。
【００６２】
図９は本願発明の第３の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図１０は図９におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫の周辺の詳細を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。図１１は図９におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫との間での具体的な流れ（ベア・レチクル保管庫のポートからの空レチクル・ポッドの移送）を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。図１２は図９におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫との間での具体的な流れ（空レチクル・ポッド保管庫のポートからの空レチクル・ポッドの移送）を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。これらに基づいて、本願発明の第３の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。
【００６３】
レチクル群１０の工程中の流れは、セクション１の微細寸法加工用レチクル群１０ｂ（第２のレチクル群）の工程中での流れとほぼ同じである。すなわち、図９に示すように、レチクル２は、レチクル・ポッド４（レチクル容器）に収容されない状態で、ベア・レチクル保管庫１４内に保管されている。レチクル・ポッド４の方は、空の状態で空レチクル・ポッド保管庫１５に保管されている。必要があるときは、レチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）のレチクル搬送車８に乗って、たとえば光リソグラフィ一貫装置２０に搬送される。そこで、図２で説明したように、光リソグラフィ一貫装置２０のレチクル・ポート１７を介して、同装置内に取り込まれる。
【００６４】
ここで、図１０に示すように、光リソグラフィ一貫装置２０での使用が完了したレチクル２は、再びレチクル・ポッド４に収容されて、レチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）のレチクル搬送車８に乗って、ベア・レチクル保管庫１４のレチクル・ポート１７に帰ってくる。精密なレチクル２のハンドリングは高速にできないため、ベア・レチクル保管庫１４のレチクル・ポート１７が混雑して、次々に搬送されてくるレチクル２をベア・レチクル保管庫１４内に搬入できず、搬送路上で渋滞が生ずる等の問題がある。このため、この例では、ベア・レチクル保管庫１４と空レチクル・ポッド保管庫１５を近接させて、その間にレチクル・ポッド移し替えロボット２７（レチクル・ケース移し替え機構）を設置している。なお、空レチクル・ポッド保管庫１５には、共通レチクルまたはレチクル・ポッド用ポート１７とは別に、移し替え専用ポート１７ａを設け、それをベア・レチクル保管庫１４のレチクル・ポート１７との間の受け渡しに適用するようにすると、レチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）の混雑回避に有効である。
【００６５】
このレチクル・ポッド移し替えロボット２７（レチクル・ケース移し替え機構）を中心とする移し替え動作を図１０から図１２に基づいて説明する。図１０に示すように、レチクル・ポッド移し替えロボット２７はレチクル・ポッド移し替えロボット用軌道２８上を移動可能となっている。たとえば、図１１に示すように、レチクル搬送車８がレチクル２を搬送してきており、ベア・レチクル保管庫１４のレチクル・ポート１７が占有されている場合には、レチクル・ケース移し替え機構２７により、ベア・レチクル保管庫１４のレチクル・ポート１７上の空のレチクル・ポッド４を空レチクル・ポッド保管庫１５の空きポート１７ａ（専用ポート）に速やかに移送する。その後に、空いたベア・レチクル保管庫１４のレチクル・ポート１７にレチクル２入りのレチクル・ポッド４をランディングさせる。また、レチクル２を搬送する場合には、図１２に示すように、レチクル・ポッド移し替えロボット２７が、移し替え専用ポート１７ａを介して、空レチクル・ポッド保管庫１５内の空きレチクル・ポッド４をベア・レチクル保管庫１４のレチクル・ポート１７上に移送する。その後、その空きレチクル・ポッド４にベア・レチクル保管庫１４内のレチクル２が収容され、レチクル搬送車８によって、光リソグラフィ一貫装置１８（光リソグラフィ処理装置）へ搬送される。
【００６６】
なお、セクション１のような混合型のレチクル管理システムでは、空レチクル・ポッド保管庫１５にラフ寸法加工用レチクルをレチクル・ポッドに収容した状態で保管してもよい。ただし、ラフ寸法加工用レチクル・ポッド４ａと微細寸法加工用レチクル・ポッド４b間の相互干渉等に留意する必要がある。
【００６７】
４．本願発明の第４の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の説明（主に図１３および図１４）
この例は、基本的に図１（図２から図６を含む）に示す光リソグラフィ・ライン２３（ウエハ・ライン内の光リソグラフィ処理部）の全部又は一部を使用しつつ、空レチクル・ポッド保管庫１５の全部又は一部をレチクル搬送系６（レチクル・ケース搬送機構）に代替させたものである。
【００６８】
図１３は本願発明の第４の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。図１４は図１３における各装置のポートとレチクル・ポッドとの関係を説明するためのクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。これらに基づいて、本願発明の第４の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を説明する。
【００６９】
レチクル群１０の工程中の流れは、セクション１の微細寸法加工用レチクル群１０ｂ（第２のレチクル群）の工程中での流れとほぼ同じである。すなわち、図１３に示すように、レチクル２は、レチクル・ポッド４（レチクル容器）に収容されない状態で、ベア・レチクル保管庫１４内に保管されている。レチクル・ポッド４の方は、空の状態でレチクル搬送車８によって保持されている。必要があるときは、そのレチクル搬送車８に乗って、たとえば光リソグラフィ一貫装置２０に搬送される。そこで、図２で説明したように、光リソグラフィ一貫装置２０のレチクル・ポート１７を介して、同装置内に取り込まれる。
【００７０】
このシステムにおいて、保管庫として必要な搬送車８に数は、図１４に示すように、この保管方式を適用する光リソグラフィ一貫装置１８のレチクル・ポート１７の総数と、ベア・レチクル保管庫１４のレチクル・ポート１７の総数との総和である。
【００７１】
このように、搬送系上に空のレチクル・ケースを保管するようにしたので、空レチクル・ポッド保管庫１５とそれに関する設備等が不要になるメリットがある。なお、セクション１のような混合型のレチクル管理方式では、レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫１２（図１）の代用として、搬送系を使用することも可能である。
【００７２】
５．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００７３】
例えば、前記実施の形態では、セクション１をベースとして、各例の特徴部分を中心に複数のセクションに分けて説明したが、前記のごとく、各例は相互に独立のものではなく、相互に矛盾しない範囲で、併用可能であることは言うまでもない。
【００７４】
また、３００φウエハ・ラインを例にとり、具体的に説明したが、４５０φや２００φウエハ・ライン当にも、ほぼ、そのまま適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本願発明の第１の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。
【図２】図１におけるレチクル受け入れ装置一般（リソグラフィ装置、レチクルおよびレチクル・ポッド・ストッカなど）とレチクル搬送系（レチクル・ケース搬送機構）の間でのレチクルの受け渡しを説明するための装置模式断面図である。
【図３】図１におけるラフ寸法加工用レチクル（第１のレチクル群に属するレチクル）に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。
【図４】図１における微細寸法加工用レチクル（第２のレチクル群に属するレチクル）に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。
【図５】図１におけるレチクル・ポッド（レチクル容器）の使い分けを示すレチクル・ポッド群斜視図である。
【図６】図１におけるウエハ搬送系とレチクル搬送系（レチクル・ケース搬送機構）の間の共用関係を説明する搬送系斜視図である。
【図７】本願発明の第２の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの内、ラフ寸法加工用レチクル（第１のレチクル群に属するレチクル）に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。
【図８】本願発明の第２の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの内、微細寸法加工用レチクル（第２のレチクル群に属するレチクル）に関する部分を切り出したクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。
【図９】本願発明の第３の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。
【図１０】図９におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫の周辺の詳細を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。
【図１１】図９におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫との間での具体的な流れ（ベア・レチクル保管庫のポートからの空レチクル・ポッドの移送）を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。
【図１２】図９におけるベア・レチクル保管庫と空レチクル・ポッド保管庫との間での具体的な流れ（空レチクル・ポッド保管庫のポートからの空レチクル・ポッドの移送）を示すクリーン・ルーム模式平面レイアウト図である。
【図１３】本願発明の第４の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法における光リソグラフィ・ラインの概要を示すクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。
【図１４】図１３における各装置のポートとレチクル・ポッドとの関係を説明するためのクリーン・ルーム模式斜視レイアウト図である。
【符号の説明】
【００７６】
１  ウエハ
２  レチクル（マスク）
２ａ  ラフ寸法加工用レチクル（第１のレチクル群に属するレチクル）
２ｂ  微細寸法加工用レチクル（第２のレチクル群に属するレチクル）
３  フープ（ウエハ搬送容器）
４  レチクル・ポッド（レチクル容器）
４ａ  ラフ寸法加工用レチクル・ポッド
４ｂ  微細寸法加工用レチクル・ポッド
５  ウエハ搬送系
６  レチクル搬送系（レチクル・ケース搬送機構）
７  ウエハ搬送車
８  レチクル搬送車
９  相互乗り入れ部
１０  レチクル群
１０ａ  ラフ寸法加工用レチクル群（第１のレチクル群）
１０ｂ  微細寸法加工用レチクル群（第２のレチクル群）
１１  ウエハ・ロット保管庫（ウエハ・ストッカ）
１２  レチクル・ポッド内収容レチクル保管庫（第１のレチクル保管庫）
１４  ベア・レチクル保管庫（第２のレチクル保管庫）
１５  空レチクル・ポッド保管庫
１６  共通ウエハ・ポート
１７  共通レチクルまたはレチクル・ポッド用ポート
１７ａ  移し替え専用ポート
１８  光リソグラフィ一貫装置（光リソグラフィ処理装置）
１８ａ、１８ｂ  ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置（第１の光リソグラフィ処理装置）
１９ａ、１９ｂ  微細寸法光リソグラフィ一貫装置（第２の光リソグラフィ処理装置）
２０  光リソグラフィ一貫装置群（光リソグラフィ処理装置群）
２１  ラフ寸法光リソグラフィ一貫装置群（第１の光リソグラフィ処理装置群）
２２  微細寸法光リソグラフィ一貫装置群（第２の光リソグラフィ処理装置群）
２３  光リソグラフィ・ライン（ウエハ・ライン内の光リソグラフィ処理部）
２４  レチクル受け入れ装置（リソグラフィ装置、レチクルおよびレチクル・ポッド・ストッカなど）
２５  レチクル搬送ロボット（ポートと装置内部間でレチクルを移送するロボット）
２６  天井搬送機構
２７  レチクル・ポッド移し替えロボット（レチクル・ケース移し替え機構）
２８  レチクル・ポッド移し替えロボット用軌道
【図１】
2010103145.tif 000003
【図２】
2010103145.tif 000004
【図３】
2010103145.tif 000005
【図４】
2010103145.tif 000006
【図５】
2010103145.tif 000007
【図６】
2010103145.tif 000008
【図７】
2010103145.tif 000009
【図８】
2010103145.tif 000010
【図９】
2010103145.tif 000011
【図１０】
2010103145.tif 000012
【図１１】
2010103145.tif 000013
【図１２】
2010103145.tif 000014
【図１３】
2010103145.tif 000015
【図１４】
2010103145.tif 000016