(57)【要約】【課題】高い変換効率を維持しつつ、長期間にわたって安定した信頼性の高い極端紫外光を生成することができる極端紫外光源装置を提供すること。【解決手段】液体金属であるドロップレットＤにプリパルスＰ１を照射した後にメインパルスＰ２を照射してＥＵＶ光を生成する極端紫外光源装置において、プリパルスＰ１をドロップレットＤ１に照射しドロップレットＤ１の一部を残してプリパルスレーザ光照射側の該ドロップレットＤ１空間外の異なる空間にプリプラズマ１の空間を生成するプリパルスレーザと、プリプラズマ１の空間にメインパルスＰ２を照射してＥＵＶ光を生成するメインパルスレーザと、を備える。【選択図】        図１
2010103499.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットにプリパルスレーザ光を照射した後にメインパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置において、
前記プリパルスレーザ光を前記ターゲットに照射し前記ターゲットの一部を残して前記プリパルスレーザ光照射側の該ターゲット空間外の異なる空間にプリプラズマを生成するプリパルスレーザ光源と、
前記プリプラズマに前記メインパルスレーザ光を照射して前記極端紫外光を生成するメインパルスレーザ光源と、
を備えたことを特徴とする極端紫外光源装置。
【請求項２】
前記ターゲットは、液滴であり、
前記プリパルスレーザ光源は、前記液滴をプリパルスレーザ照射後においても、液滴として存在する程度のレーザ強度であることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光源装置。
【請求項３】
前記ターゲットは、
固体ターゲットであることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光源装置。
【請求項４】
前記プリパルスレーザ光源は、前記ターゲットの一部にアブレーションが生じる程度のレーザ強度であることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光源装置。
【請求項５】
前記プリパルスレーザ光の照射強度は、１０７〜１０９Ｗ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の極端紫外光源装置。
【請求項６】
前記メインパルスレーザ光源は、前記プリプラズマのみに前記メインパルスレーザ光を照射することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の極端紫外光源装置。
【請求項７】
前記プリパルスレーザ光源は、前記ターゲットの進行軸と略一致し、前記ターゲットの進行方向と逆方向から前記ターゲットにプリパルスを照射し、
前記ターゲットの進行方向に、前記液滴にプリパルスレーザ光照射後においても存在するターゲットおよび前記プリプラズマ内に残ったデブリの収容が可能な開口を有するキャッチャーを設けたことを特徴とする請求項２または３に記載の極端紫外光源装置。
【請求項８】
前記プリパルスレーザ光源は、ピコ秒以下の時間幅をもつパルスを生成するピコ秒パルスレーザであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の極端紫外光源装置。
【請求項９】
ターゲットにプリパルスレーザ光を照射した後にメインパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成方法であって、
前記プリパルスレーザ光を前記ターゲットに照射し前記ターゲットの一部を残して前記プリパルスレーザ光照射側の該ターゲット空間外の異なる空間にプリプラズマを生成するプリプラズマ生成ステップと、
前記プリプラズマに前記メインパルスレーザ光を照射して前記極端紫外光を生成する極端紫外光生成ステップと、
を含むことを特徴とする極端紫外光生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液体金属のターゲットにプリパルスレーザ光を照射した後にメインパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置および極端紫外光生成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには４５ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば、３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ）光源と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光源としては、ターゲットにレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）光源と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）光源と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）光源との３種類がある。これらのうち、ＬＰＰ光源は、プラズマ密度を大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより、必要な波長帯のみの発光が可能であり、ほぼ等方的な角度分布をもつ点光源であるので、光源の周囲に電極等の構造物がなく、極めて大きな捕集立体角の確保が可能である等の利点を有することから、数十から数百ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。
【０００４】
このＬＰＰ方式によるＥＵＶ光光源装置は、まず、真空チャンバ内に供給されるターゲット物質に対してレーザ光を照射することにより、ターゲット物質が励起してプラズマ化する。このプラズマから、ＥＵＶ光を含む様々な波長成分が放射される。そこで、所望の波長成分、たとえば、１３．５ｎｍの波長を有する成分を選択的に反射するＥＵＶ集光ミラーを用いてＥＵＶ光が反射集光され、露光装置に入力される。ＥＵＶ集光ミラーの反射面には、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）の薄膜とシリコン（Ｓｉ）の薄膜とを交互に積層した多層膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）が形成されている。この多層膜は波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を高反射（約６０％から７０％）することができる。
【０００５】
ここで、特許文献１には、固体ターゲットに予め窪みを設け、アブレーションレーザをこの窪みに向けて照射し、この窪みの内壁の表層部分を気化させ、さらにこの気化した物質に加熱用レーザを照射して高温プラズマ化し、変換効率の高い光源を実現している。なお、変換効率とは、ターゲットに照射されるレーザ光のパワーに対して、生成される所望の波長のＥＵＶ光のパワーの比をいう。この光源では、変換効率を高くすることができるが、一時的な極端紫外光の観察には適しているが、バルク材では、長時間にわたり同じ窪みを連続的に生成し、この窪みに固体ターゲットを連続的に供給するのは困難であり、長時間の安定した運転が必要とされる露光装置用光源として用いることは困難である。
【０００６】
また、特許文献２には、ノズルから圧力によって押し進められる常温において気体であるＸｅなどの希ガスで実現される気体の１次ターゲットに第１のエネルギーパルスを照射して２次ターゲットを生成し、所定時間を経て等方的に拡大された２次ターゲットに対して第２のエネルギーパルスを照射し、生成したプラズマから放射線を放出するようにしている。しかし、Ｘｅターゲットのプラズマでは、必要とする１３．５ｎｍのＥＵＶ光の発光効率が低いことから、結果として変換効率（１％以下）が低く、露光装置用光源として用いることは困難である。
【０００７】
一方、特許文献３には、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を効率よく発光することができるＳｎの液体ドロップレットを採用し、図１４に示すように、プリパルスＰ３００で液体のドロップレットであるターゲットＣ３００を粉々に破壊して拡大させ、この拡大したターゲットＣ３０１にメインパルスＰ３０１を照射してＥＵＶ光を発生させるものが記載されている。この光源では、固体ではなくＳｎの液体のドロップレットを用いていることと、粉々に粉砕拡大したターゲットにメインパルスを照射することによりＥＵＶの発光効率を高めたため、露光装置用光源として長時間、安定した運転が可能になり、ターゲットとして気体でなく液体金属を用いることによって変換効率の改善を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２５０８４２号公報
【特許文献２】特表２００５−５２５６８７号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２００８／０１４９８６２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、液体金属のドロップレットにプリパルスを照射すると、ドロップレットは、ドロップレット進行軸から弾き飛ばされドロップレットが破壊し、プリパルスレーザの光軸方向にプラズマ、ドロップレットが気化したものおよび微小ドロップレットなどが拡大しながら飛散しデブリが多く発生する。そして、これらの拡大飛散したターゲットにメインパルスの照射することによっても、微小ドロップレットの径や量が大きい場合には、さらに多くのデブリが発生し、飛散する。この飛散したデブリは、周辺の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーなどの反射面を汚染または損傷することにより１３．５ｎｍのＥＵＶ光の反射率が短期間に低下するため、長期間にわたって信頼性の高い光源を実現することができないという問題点があった。
【００１０】
なお、飛散した微小ドロップレット群は、中性粒子であるため、電磁界などの発生によって飛散を制御することができない。また、この飛散の位置と分布の制御が困難なことは、メインパルスのスポット径と一致させることも困難となり、上述したように、メインパルスに照射されずに、そのままデブリとして周囲に飛散するものが多くなっていた。
【００１１】
この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高い変換効率を維持しつつ、長期間にわたって安定した信頼性の高い極端紫外光を生成することができる極端紫外光源装置および極端紫外光生成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、この発明にかかる極端紫外光源装置は、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射した後にメインパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置において、前記プリパルスレーザ光を前記ターゲットに照射し前記ターゲットの一部を残して前記プリパルスレーザ光照射側の該ターゲット空間外の異なる空間にプリプラズマを生成するプリパルスレーザ光源と、前記プリプラズマに前記メインパルスレーザ光を照射して前記極端紫外光を生成するメインパルスレーザ光源と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、この発明にかかる極端紫外光源装置は、上記の発明において、前記ターゲットは液滴であり、前記プリパルスレーザ光源は、前記液滴をプリパルスレーザ照射後においても、液滴として存在する程度のレーザ強度であることを特徴とする。
【００１４】
また、この発明にかかる極端紫外光源装置は、上記の発明において、前記ターゲットは固体ターゲットであることを特徴とする。
【００１５】
また、この発明にかかる極端紫外光源装置は、上記の発明において、前記プリパルスレーザ光源は、前記ターゲットの一部にアブレーションが生じる程度のレーザ強度であることを特徴とする。
【００１６】
また、この発明にかかる極端紫外光源装置は、上記の発明において、前記プリパルスレーザ光の照射強度は、１０７〜１０９Ｗ／ｃｍ２であることを特徴とする。
【００１７】
また、この発明にかかる極端紫外光源装置は、上記の発明において、前記メインパルスレーザ光源は、前記プリプラズマのみに前記メインパルスレーザ光を照射することを特徴とする。
【００１８】
また、この発明にかかる極端紫外光源装置は、上記の発明において、前記プリパルスレーザ光源は、前記ターゲットの進行軸と略一致し、前記ターゲットの進行方向と逆方向から前記ターゲットにプリパルスを照射し、前記ターゲットの進行方向に、前記液滴にプリパルスレーザ光照射後においても存在するターゲットおよび前記プリプラズマ内に残ったデブリの収容が可能な開口を有するキャッチャーを設けたことを特徴とする。
【００１９】
また、この発明にかかる極端紫外光源装置は、上記の発明において、前記プリパルスレーザ光源は、ピコ秒以下の時間幅をもつパルスを生成するピコ秒パルスレーザであることを特徴とする。
【００２０】
また、この発明にかかる極端紫外光生成方法は、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射した後にメインパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成方法であって、前記プリパルスレーザ光を前記ターゲットに照射し前記ターゲットの一部を残して前記プリパルスレーザ光照射側の該ターゲット空間外の異なる空間にプリプラズマを生成するプリプラズマ生成ステップと、前記プリプラズマに前記メインパルスレーザ光を照射して前記極端紫外光を生成する極端紫外光生成ステップと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、プリパルスレーザ光源が、プリパルスレーザ光をターゲットに照射し前記ターゲットの一部を残して前記プリパルスレーザ光照射側の該ターゲット空間外の異なる空間にプリプラズマを生成し、メインパルスレーザ光源が、前記プリプラズマにメインパルスレーザ光を照射して極端紫外光を生成するようにし、デブリをプリプラズマのみから発生するようにしているため、デブリの発生が少なく、長期間にわたって安定した信頼性の高い極端紫外光光源および極端紫外光生成方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、この発明の実施の形態である極端紫外光源装置による極端紫外光発光処理の概念を示す模式図である。
【図２】図２は、プラズマからのＥＵＶ発光後のデブリと残存ドロップレットとの関係を示す模式図である。
【図３】図３は、この発明の実施の形態１である極端紫外光源装置の構成を示す模式図である。
【図４】図４は、この発明の実施の形態２である極端紫外光源装置の構成を示す模式図である。
【図５】図５は、プリパルスの位置制御系を示す模式図である（その１）。
【図６】図６は、プリパルスの位置制御系を示す模式図である（その２）。
【図７】図７は、プリパルスの位置制御系を示す模式図である（その３）。
【図８】図８は、ドロップレット、プリパルス、およびメインパルスのタイミング制御御系を示す模式図である。
【図９】図９は、この発明の実施の形態３である極端紫外光源装置に用いられる固体ターゲットとして、ワイヤ状ターゲットを用いた場合のＥＵＶ光発生の動作状態を示す図である。
【図１０】図１０は、この発明の実施の形態３の変形例１である極端紫外光源装置に用いられる固体ターゲットとして、ディスク状ターゲットを用いた場合のＥＵＶ光発生の動作状態を示す図である。
【図１１】図１１は、この発明の実施の形態３の変形例２である極端紫外光源装置に用いられる固体ターゲットとして、ディスク状ターゲットを用いた場合のＥＵＶ光発生の動作状態を示す図である。
【図１２】図１２は、この発明の実施の形態３の変形例３である極端紫外光源装置に用いられる固体ターゲットとして、テープターゲットを用いた場合のＥＵＶ光発生の動作状態を示す図である。
【図１３】図１３は、この発明の実施の形態３の変形例４である極端紫外光源装置に用いられる固体ターゲットとして、円筒状ターゲットを用いた場合のＥＵＶ光発生の動作状態を示す図である。
【図１４】図１４は、この発明の実施の形態３の変形例５である極端紫外光源装置に用いられる固体ターゲットとして、くぼみターゲットを用いた場合のＥＵＶ光発生の動作状態を示す図である。
【図１５】図１５は、この発明の実施の形態４である極端紫外光源装置に用いられるプリパルスレーザの構成を示す模式図である。
【図１６】図１６は、この発明の実施の形態４の変形例１である極端紫外光源装置に用いられるプリパルスレーザの構成を示す模式図である。
【図１７】従来の極端紫外光源装置による紫外光発光状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、この発明を実施するための形態である極端紫外光源装置について説明する。
【００２４】
まず、図１および図２を参照して、この発明の一態様についての概念を説明する。図１において、液体金属であるＳｎのドロップレットＤは、ターゲットとして、ドロップレット軸Ｃ１に沿ってノズルから放出される。所定位置に着いたドロップレットＤ１には、図１（ａ）に示すように、プリパルスレーザから照射されるプリパルスＰ１が照射され、図１（ｂ）に示すように、ドロップレットＤ１は、プリパルスＰ１によるアブレーションによってプリプラズマ１を生成する。ここで、プリプラズマ１は、ドロップレットの照射表面付近の部分がＥＵＶ光を発光しない程度の弱いプラズマ状態、あるいは中性気体（蒸気）とこの弱いプラズマ状態との混合状態と推測される。以下の説明及び図面において、この弱いプラズマ状態、あるいは中性気体と弱いプラズマ状態との混合状態と推測される状態をプリプラズマと記述する。
【００２５】
そして、このプリプラズマ１の生成とともに、アブレーションしないドロップレットの一部である破壊されない残存ドロップレットＤ２が残る。ここで、残存ドロップレットＤ２は、ドロップレット軸Ｃ１から大きくずれず、プリプラズマ１は、プリパルスＰ１の照射方向に逆向きで生成され、残存ドロップレットＤ２の空間と、プリプラズマ１の空間とは分離された状態となる。プリパルスＰ１が照射された後の微小時間Δｔ後、図１（ｂ）に示すように、メインパルスレーザから、このプリプラズマ１にのみメインパルスＰ２が照射され、１３．５ｎｍの所望のＥＵＶ光２が等方的に発光される。その後、図１（ｃ）および図２に示すように、所望のＥＵＶ光２の生成後に残存ドロップレットＤ２は、略ドロップレット軸Ｃ１に沿ってドロップレット進行方向ＤＡに移動する。
【００２６】
ここで、残存ドロップレットＤ２は、プリパルスＰ１によってドロップレットが破壊して、飛散が発生しておらず、しかもメインパルスＰ２がこの残存ドロップレットＤ２に照射されていないため、デブリが発生しない。さらに、メインパルスＰ２がプリプラズマ１の空間に照射されて、この照射空間からＥＵＶ光を発光する。その結果、プリプラズマ１の空間のみからデブリ３が発生するため、発生するデブリの量が極めて少なく、周辺の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーなどの反射面の汚染が極めて少なく、長期間にわたって安定した信頼性のある露光装置用の光源装置が実現される。
【００２７】
なお、プリプラズマ１にのみにメインパルスＰ２を照射した場合であっても、図１７に示した光源装置による変換効率と同等の変換効率を得ることを発明者らは発見した。この場合、プリパルスＰ１のレーザ強度は、１×１０９Ｗ／ｃｍ２以下であり、所望のＥＵＶ光２を得るために、１×１０７Ｗ／ｃｍ２以上であることが必要であった。また、プリパルスレーザは波長１．０６４μｍのＹＡＧレーザ、メインパルスレーザは波長１０．６μｍのＣＯ２レーザを用いており、繰り返し周波数は、７ｋＨｚ以上である。したがって、ドロップレットＤも、この繰り返し周波数に対応した間隔あるいはその倍数の間隔で同期して放出される。
【００２８】
ここで、プリパルスＰ１のドロップレットＤ１に対するスポット径は、ドロップレットＤ１の径以下であり、メインパルスＰ２のプリプラズマ１に対するスポット径は、プリプラズマ１の径と略同一にしている。また、プリパルスＰ１のプリパルス照射方向Ｐ１ＡとメインパルスＰ２のメインパルス照射方向Ｐ２Ａとは異なる方向であるとともに、プリパルスＰ１およびメインパルスＰ２の集光位置は異なる。従来例（図１７）と異なり、このメインパルスＰ２の集光位置はドロップレットＤ１のプリパルスレーザの入射側の手前の位置に発生するプリプラズマ１の中心付近となる。
【００２９】
なお、プリプラズマ１は、イオンを有するため、電磁界制御が可能であり、プリプラズマ１の空間の位置および分布を制御することができる。
【００３０】
（実施の形態１）
つぎに、図３を参照して、上述した概念を適用した極端紫外光源装置について説明する。図３において、この極端紫外光源装置は、ＳｎのドロップレットＤを図示しない真空チャンバ内に放出するノズル１０と、この真空チャンバ内のドロップレットＤに７ｋＨｚ以上の繰り返し周波数で１．０６４μｍのプリパルスＰ１を照射するＹＡＧレーザであるプリパルスレーザ１１と、この真空チャンバ内で発生したプリプラズマ１に７ｋＨｚ以上でプリパルスＰ１と同じ繰り返し周波数で１０．６μｍのメインパルスＰ２をプリプラズマ１に照射するＣＯ２レーザであるメインパルスレーザ２１とを有する。プリパルスＰ１の強度は、１×１０７Ｗ／ｃｍ２以上、１×１０９Ｗ／ｃｍ２以下である。このプリパルスＰ１の強度は、ドロップレットＤの一部から、１３．５ｎｍの所望かつ十分なＥＵＶ光２を発生させることができるプリプラズマ１とドロップレットが破壊されない残存ドロップレットＤ２を生成することができる程度のものである。
【００３１】
プリパルスレーザ１１は、ミラー１２および集光ミラー１３を介して、プリパルスＰ１を、所定の位置に達したドロップレットＤ１に照射し、プリプラズマ１を残存ドロップレットＤ２の空間外に生成させる。
【００３２】
一方、メインパルスレーザ２１は、ミラー２２、軸外放物面の集光ミラー２３、楕円面のＥＵＶ集光ミラー２４の貫通孔２４ａを介して、プリパルスＰ１によって生成されたプリプラズマ１にのみ、メインパルスＰ２を照射し、ＥＵＶ光２を生成させる。メインパルスＰ２は、最終的にダンパ２５に吸収される。
【００３３】
楕円面のＥＵＶ集光ミラー２４は、生成されたＥＵＶ光２を集光し、この集光されたＥＵＶ光は、図示しないチャンバ外の露光装置側へ入力される。
【００３４】
トリガ発生器３１は、プリパルスレーザ１１のプリパルスＰ１発生タイミング、メインパルスレーザ２１のメインパルスＰ２発生タイミング、およびノズル１０からのドロップレットＤの放出タイミングを、メインコントローラ３０の制御のもとに、調整して発生する。すなわち、プリパルスＰ１およびメインパルスＰ２の繰り返し周波数とドロップレットＤの放出周波数とを一致させるとともに、ドロップレットＤ１の所定の空間位置でのプリパルスＰ１およびメインパルスＰ２の照射タイミングの同期をとる。
【００３５】
画像解析器３４は、バックライト３５によって照らされたドロップレットＤ１の反射光あるいはプリプラズマ１の発光をＣＣＤカメラ３３で受光し、この受光画像を解析する。集光位置コントローラ３２は、画像解析器３４の解析結果をもとに、集光ミラー１３，２３の集光位置および方向を制御する。
【００３６】
なお、残存ドロップレットＤ２は、ドロップレット進行方向ＤＡ先に設けられたデブリキャッチャー４０によって回収される。
【００３７】
このような構成によって、滴下するドロップレットＤ１は、プリパルスＰ１が照射されることによって、ドロップレットＤ１のプリパルスの入射側の空間にプリプラズマ１を生成し、微小時間Δｔ後、このプリプラズマ１のみにメインパルスＰ２を照射することによって、ＥＵＶ光２を生成し、ＥＵＶ集光ミラー２４を介してＥＵＶ光を外部に出力する。なお、プリパルスレーザとメインパルスレーザの遅延時間である微小時間ΔＴは５０ｎs〜１００ｎsの範囲が最適であった。上述したように、残存ドロップレットＤ２にメインパルスＰ２を照射せず、プリプラズマ１から発生する僅かなデブリが発生するのみであるので、デブリによるＥＵＶ集光ミラー２４の反射面などの光学素子への汚染が極端に少なくなり、長期間にわたって安定した信頼性のある光源が実現される。また、液体金属すなわちＳｎのドロップレットを用いており、さらに、プリプラズマ１に対して効率的にメインパルスＰ２が照射されるため、プリパルスによりドロップレット全体を破壊拡大したターゲットにメインパルスを照射した場合と同様の高い変換効率も実現される。
【００３８】
（実施の形態２）
上述した実施の形態１では、プリパルスＰ１をドロップレット軸Ｃ１に略直交する方向から照射することを前提として説明したが、この実施の形態２では、図４に示すように、プリパルスＰ１をドロップレット軸Ｃ１に略沿った方向から照射するようにしている。
【００３９】
この場合、メインパルスＰ２照射後、プリプラズマ１から生成されるデブリ３は、ドロップレット軸Ｃ１に沿って生成されるため、デブリキャッチャー４０は、残存ドロップレットＤ２のみならず、プリプラズマ１から生成されるデブリ３も容易に回収することができる。この場合、デブリ３のドロップレット軸Ｃ１からの広がり具合をもとに、デブリキャッチャー４０の開口を決定すればよい。これによって、デブリの飛散量を最小限に抑えることができる。なお、図４に示すように、デブリの飛散方向すなわちドロップレットＤの進行方向と、垂直な方向にＥＵＶ集光ミラー２４が配置されるため、特にＥＵＶ集光ミラー２４の反射面のデブリ汚染を効果的に防ぐことができる。
【００４０】
（プリパルスの位置制御例）
ここで、プリパルスレーザ１１から出力されるプリパルスＰ１の位置制御について説明する。図５に示すように、ＣＣＤカメラ３３が、プリプラズマ１の発光を撮像し、この発光位置をプリパルスＰ１の焦点位置として決定すればよい。すなわち、画像解析器３４によってプリプラズマ１の発光位置を特定し、集光位置コントローラ３２は、この特定した位置がプリパルスＰ１の所望の集光位置となるように、集光ミラー１３の３軸ステージ１４を制御することによって、プリパルスＰ１の位置制御がなされる。
【００４１】
また、図６に示すように、レーザ干渉計を用いてプリパルスＰ１の位置制御を行うようにしてもよい。この実施例ではマッハツェンダ干渉計採用している。すなわち、光源としてのレーザ５０とレンズ３３ａとの間に、部分反射ミラーＭ１、全反射ミラーＭ２、全反射ミラーＭ３、および部分反射ミラーＭ４を設け、レーザ５０、部分反射ミラーＭ１、全反射ミラーＭ２、部分反射ミラーＭ４を通る一方の光路と、レーザ５０、部分反射ミラーＭ２、全反射ミラーＭ３、部分反射ミラーＭ４を通る他方の光路とを形成し、この２つの光路間の干渉を計測する。そして、一方の光路、すなわち全反射ミラーＭ２と部分反射ミラーＭ４との間に、プリプラズマ１が配置するようにレーザ干渉計を配置する。
【００４２】
ＣＣＤカメラ３３は、レンズ３３ａを介してプリプラズマ１空間が介在することによる干渉縞を撮像し、画像解析器３４は、この撮像された干渉縞を解析し、集光位置コントローラ３２は、プリプラズマ１空間の密度に応じた干渉縞をもとに、プリプラズマ１の密度がメインパルスＰ２によりＥＵＶ発光の効率が最適となる密度の値となる位置をプリパルスＰ１の焦点位置として特定し、この特定した位置がプリパルスＰ１の所望の焦点位置となるように、集光ミラー１３の３軸ステージ１４を制御することによって、プリパルスＰ１の焦点位置の位置制御を行う。なお、メインレーザがＣＯ２レーザの場合のプリプラズマの密度が約１０１８個／ｃｃの密度であれば、高い変換効率を得ることができる。
【００４３】
なお、図６に示すように、干渉計の光源は、レーザであることが好ましい。取得される画像は、プリプラズマ１の密度に依存した屈折率の空間分布で上述したように干渉縞として観測される。ここで、干渉計の光源の波長を短くすれば、屈折率の変化に対するフリンジ数が密になるため、一層、薄い密度の状態のプラズマも計測可能になるからである。
【００４４】
さらに、図７に示すように、プローブレーザ５１をプリプラズマ１に照射し、その散乱光をＣＣＤカメラ３３によって観測してプリパルスＰ１の集光位置を制御するようにしてもよい。この場合、プローブレーザ５１としては、波長が短く、強度が強い程、プリプラズマ１からの散乱光の強度も強くなるので、ＣＣＤカメラ３３で検出する信号強度が上がり、Ｓ／Ｎ比の高い画像を得ることができる。このようにしてＣＣＤカメラ３３が得た画像をもとに、画像解析器３４がプリプラズマ１の位置および分布を解析し、集光位置コントローラ３２は、この解析結果をもとに、プリパルスＰ１の焦点位置を特定し、この特定した焦点位置が所望の焦点位置となるように、集光ミラー１３の３軸ステージ１４を制御することによって、プリパルスＰ１の焦点位置の位置制御を行う。
【００４５】
なお、プリパルスＰ１は、７から１００ｋＨｚ以上の繰り返し周波数で照射されている場合、その繰り返される全ての画像を解析して位置制御することは、現実的ではない。実際には、数ｍｓ〜数ｓにわたった平均値を３軸ステージ１４にフィードバックして位置制御を行うようにしてもよい。
【００４６】
また、プリパルスＰ１の位置制御を行う場合、図５〜図７では、１つのＣＣＤカメラ３３を用いるようにしていたが、プリパルスＰ１の焦点位置は３次元位置であるため、ＣＣＤカメラは少なくとも２つ必要になる。
【００４７】
なお、図５〜図７の実施例では、プリパルスレーザの集光光学系として、軸外放物面ミラーを使用しているが、この例に限定されることなく、集光レンズを使用して、集光レンズの手前または後の光路中に高反射ミラーを配置して、この高反射ミラーを３軸ステージに設置して、プリパルスレーザの焦点の位置を制御してもよい。
【００４８】
（タイミング制御例）
つぎに、ドロップレットＤ、プリパルスＰ１、およびメインパルスＰ２のタイミング制御について説明する。図８は、タイミング制御系の構成を示すブロック図である。図８において、ノズル１０には、液体金属を液滴として放出するためのピエゾ素子６１が設けられ、このピエゾ素子６１は、ピエゾコントローラ６０を介してメインコントローラ３０に接続され、ドロップレットＤの放出タイミングが制御される。ピエゾ素子６１は、ノズル１０の先端をドロップレット進行方向ＤＡに振動させることによってドロップレットＤを所定の周期で放出する。その他の構成は、図３に示した構成と同じであり、同一部分には同一符号を付している。なお、ＣＣＤカメラ３３および画像解析器３４は、プリパルスＰ１の監視系を構成しているが、さらにＣＣＤカメラ５３および画像解析器５４は、メインパルスＰ２の監視系を構成している。
【００４９】
まず、時刻Ｔ＝０において、ピエゾコントローラ６０からピエゾ素子６１にドロップレットＤ放出の制御信号が伝達され、ドロップレットＤが位置ｆ０から放出される。このドロップレットＤは、時刻Ｔ＝０から所定時間ΔＴ１だけ遅れてプリパルスＰ１の焦点位置ｆ１に到達する。ここで、この瞬間を狙ってプリパルスＰ１をドロップレットＤに照射するように、トリガ発生器３１ａを制御すればよい。
【００５０】
しかし、ドロップレットＤがプリパルスＰ１の焦点位置ｆ１に常に同じ時間間隔で遅れて到達するとは限らない。これは、ドロップレットＤそのものの不安定性であったり、図示しないチャンバなどの構造物の熱変形等に起因する比較的長時間にわたる変形などが生じるからである。すなわち、種々の起因によって、ドロップレットＤの放出位置ｆ０からプリパルスＰ１の焦点位置ｆ１に到達するまでの時刻は変化する可能性がある。このために、ドロップレットＤのプリパルスＰ１の焦点位置ｆ１への到達を監視し、ドロップレットＤに対してプリパルスＰ１の焦点位置でプリパルスＰ１を照射できるようにプリパルスＰ１の照射タイミングを制御する必要がある。
【００５１】
このため、ＣＣＤカメラ３３で、プリパルスＰ１がドロップレットＤに照射された際のプラズマ発光の画像を取得し、このプラズマ発光が常に略同じ強度で検出されるように、トリガ発生器３１ａを介してプリパルスＰ１の発振タイミングを変化させている。画像解析器３４は、ＣＣＤカメラ３３から送られた画像をもとにプラズマ発光強度を分析し、予め記録してある、良好なタイミングでのプラズマ発光強度と比較し、プリパルスＰ１の照射タイミングが適正であるか否かを判断する。メインコントローラ３０は、この照射タイミングの判断結果をもとに、トリガ発生器３１ａのタイミングを変化させ、プリパルスＰ１の照射タイミングを変化させ、適正な照射タイミングとなるように制御している。
【００５２】
同様にして、時刻Ｔ＝ΔＴ２後におけるドロップレットＤから発生したプリプラズマ１の発光をＣＣＤカメラ５３で取得し、画像解析器５４によるプラズマ発光強度の判断結果をもとに、メインコントローラ３０がトリガ発生器３１ｂを介してメインパルスＰ２の照射タイミングを制御する。なお、メインパルスＰ２の場合、ＣＣＤカメラ５３がＥＵＶ光の強度を直接検出してもよい。
【００５３】
なお、上述した実施の形態では、Ｓｎの液体金属のドロップレットを例にあげて説明したが、これに限らず、液体金属のドロップレットであればよい。また、照射するプリパルスレーザ１１は１．０６４μｍのＹＡＧレーザ、メインパルスレーザ２１を１０．６μｍのＣＯ２レーザとして説明したが、ドロップレットから所望のＥＵＶ光を発することができる照射レーザであればよい。
【００５４】
（実施の形態３）
上述した実施の形態１，２では、ターゲットとして液体ターゲットであるドロップレットを用いていたが、この実施の形態３では、ターゲットとして固体ターゲットを用いるようにしている。
【００５５】
図９は、固体ターゲットとして、ワイヤ状ターゲットを用いた場合のＥＵＶ光発生の動作状態を示す図である。ワイヤ状ターゲット１００は、強度の強いピアノ線（高炭素鋼の鋼線）である芯材１０１にＳｎのターゲット材１０２をコートしたものである。このターゲット材１０２は、溶融Ｓｎ金属浴中に、芯材１０１を浸積して溶融めっきによってＳｎ金属をコートしてもよいし、Ｓｎ金属の粉体を吹き付けて芯材１０１にＳｎ金属を塗布するようにしてもよいし、真空蒸着によってＳｎ金属を芯材１０１にコートするようにしてもよい。
【００５６】
ワイヤ状ターゲット１００は、ドロップレットＤのドロップレット軸Ｃ１と同様に、ターゲット軸Ｃ１０を一方向に移動し、所定周波数でプリパルスＰ１が照射される（図９（ａ））。その後、プリパルスＰ１が照射されたターゲット材１０２の一部はプリプラズマ１を生成し、このプリプラズマ１にメインパルスＰ２が所定周波数で照射されることによって強いプラズマを発生し、ＥＵＶ光２が発生する（図９（ｂ））。
【００５７】
このワイヤ状ターゲット１００は、予めワイヤ状ターゲット１００が巻き取られたドラムから駆動機構によって繰り出され、他のドラムによって、芯材１０１上にターゲット材１０２が残存したワイヤ状ターゲット１００が巻き取られるようにして、使い捨てるようにしている。
【００５８】
なお、ワイヤ状ターゲット１００をループ状にし、再利用するようにしてもよい。この場合、残存したワイヤ状ターゲット１００に対し、冷却機能によって高温化したターゲット材１０１を冷却し、その後、再生機構によってターゲット材１０２を芯材１０１に再コートあるいは補充コートして新たなワイヤ状ターゲット１００に再生する。
【００５９】
このワイヤ状ターゲット１００の場合、デブリが固体→液体→気体に変化するため、ドロップレットＤの場合に比して、熱（固体→液体の潜熱）が必要となり、中性粒子の発生量が少なくなる。また、このワイヤ状ターゲット１００によって生じたプリプラズマ１は、ドロップレットＤによって生じたプリプラズマ１に比して、密度状態の最適化が容易となり、変換効率（ＣＥ）を高めることができる。
【００６０】
（実施の形態３の変形例１）
この変形例１では、ワイヤ状ターゲット１００に替えて、ディスク状ターゲット１１０をターゲットとして用いている。図１０に示すように、ディスク状ターゲット１１０は、ディスク１１１の周縁にＳｎのターゲット材１１２がコートされている。ディスク状ターゲット１１０が軸Ｃ２０を中心に回転する状態で、ターゲット部材１１２に対して外径方向から所定周波数でプリパルスＰ１が照射されると（図１０（ａ））、プリプラズマ１が発生し、このプリプラズマ１に対して所定周波数でメインパルスＰ２を照射することによって強いプラズマを発生し、ＥＵＶ光２を発生する（図１０（ｂ））。
【００６１】
この場合、プリパルスＰ１が照射されるディスク状ターゲット１１０の周縁上の軌跡を螺旋状とすることによって比較的長いＥＵＶ光２の発光が可能となる。もちろん、冷却機構と再生機構とをもちいてターゲット材１１２を再生することにより、ＥＵＶ光２の連続発光が可能となる。
【００６２】
この変形例１では、ディスク状ターゲット１１０の場合、デブリが固体→液体→気体に変化するため、ドロップレットＤの場合に比して、熱（固体→液体の潜熱）が必要となり、中性粒子の発生量が少なくなる。また、このディスク状ターゲット１１０によって生じたプリプラズマ１は、ワイヤ状ターゲット１００によって生じたプリプラズマ１に比して、密度状態の最適化が容易となり、変換効率（ＣＥ）を高めることができる。
【００６３】
（実施の形態３の変形例２）
この変形例２では、変形例１と同様なディスク状をなすディスク状ターゲット１２０が用いられるが、Ｓｎのターゲット材１２２が、ディスク１２１の周縁ではなく、ディスク１２１の一側面の最外周近傍にリング状にコートされている。ディスク状ターゲット１２０が軸Ｃ３０を中心に回転する状態で、ターゲット材１２２に対して略軸Ｃ３０方向から所定周波数でプリパルスＰ１が照射されると（図１１（ａ））、プリプラズマ１が発生し、このプリプラズマ１に対して所定周波数でメインパルスＰ２を照射することによって強いプラズマを発生し、ＥＵＶ光２を発生する（図１１（ｂ））。
【００６４】
この場合、プリパルスＰ１が照射されるターゲット材１２２上の軌跡を渦巻き状とすることによって比較的長いＥＵＶ光２の発光が可能となる。もちろん、冷却機構と再生機構とをもちいてターゲット材１２２を再生することにより、ＥＵＶ光２の連続発光が可能となる。
【００６５】
この変形例２では、ディスク状ターゲット１２０の場合、デブリが固体→液体→気体に変化するため、ドロップレットＤの場合に比して、熱（固体→液体の潜熱）が必要となり、中性粒子の発生量が少なくなる。また、このディスク状ターゲット１２０によって生じたプリプラズマ１は、ワイヤ状ターゲット１００によって生じたプリプラズマ１に比して、密度状態の最適化が容易となり、変換効率（ＣＥ）を高めることができる。
【００６６】
（実施の形態３の変形例３）
この変形例３では、固体ターゲットしてテープターゲット１３０を用いている。このテープターゲット１３０は、図１２に示すように、テープ状の芯材１３１の幅広の一側面にＳｎのターゲット材１３２がコートされている。テープターゲット１３０がターゲット軸Ｃ４０の方向に移動する状態で、ターゲット材１３２の面に略垂直な方向から所定周波数でプリパルスＰ１が照射されると（図１２（ａ））、プリプラズマ１が発生し、このプリプラズマ１に対して所定周波数でメインパルスＰ２を照射することによって強いプラズマを発生し、ＥＵＶ光２を発生する（図１２（ｂ））。
【００６７】
この場合、テープターゲット１３０が使い捨てである場合、テープターゲット１３０をループ状に移動させ、プリパルスＰ１が照射されるターゲット材１３２上の軌跡が順次、ターゲット軸Ｃ４０に垂直な方向にシフトさせることによって比較的長いＥＵＶ光２の発光が可能となる。もちろん、テープターゲット１３０をループ状にするとともに、冷却機構と再生機構とをもちいてターゲット材１３２を再生することにより、ＥＵＶ光２の連続発光が可能となる。
【００６８】
この変形例３では、テープターゲット１３０の場合、デブリが固体→液体→気体に変化するため、ドロップレットＤの場合に比して、熱（固体→液体の潜熱）が必要となり、中性粒子の発生量が少なくなる。また、このテープターゲット１３０によって生じたプリプラズマ１は、ワイヤ状ターゲット１００によって生じたプリプラズマ１に比して、密度状態の最適化が容易となり、変換効率（ＣＥ）を高めることができる。
【００６９】
（実施の形態３の変形例４）
この変形例４では、固体ターゲットして円筒状ターゲット１４０を用いている。この円筒状ターゲット１４０は、図１３に示すように、円筒状の芯材１４１の周面にＳｎのターゲット材１４２がコートされている。円筒状ターゲット１４０がターゲット軸Ｃ５０を中心に回転した状態で、ターゲット材１４２の面に略垂直な方向から所定周波数でプリパルスＰ１が照射されると（図１３（ａ））、プリプラズマ１が発生し、このプリプラズマ１に対して所定周波数でメインパルスＰ２を照射することによって強いプラズマを発生し、ＥＵＶ光２を発生する（図１３（ｂ））。
【００７０】
この場合、プリパルスＰ１が照射されるターゲット材１４２上の軌跡を螺旋状とすることによって比較的長いＥＵＶ光２の発光が可能となる。もちろん、冷却機構と再生機構とをもちいてターゲット材１３２を再生することにより、ＥＵＶ光２の連続発光が可能となる。
【００７１】
この変形例４では、円筒状ターゲット１４０の場合、デブリが固体→液体→気体に変化するため、ドロップレットＤの場合に比して、熱（固体→液体の潜熱）が必要となり、中性粒子の発生量が少なくなる。また、この円筒状ターゲット１４０によって生じたプリプラズマ１は、ワイヤ状ターゲット１００によって生じたプリプラズマ１に比して、密度状態の最適化が容易となり、変換効率（ＣＥ）を高めることができる。
【００７２】
（実施の形態３の変形例５）
この変形例５では、固体ターゲットして、くぼみをもつくぼみターゲット１５０を用いている。このくぼみターゲット１５０は、図１４に示すように、図１２に示したテープターゲット１３０の表面側にくぼみ１５３を設けたものである。すなわち、くぼみターゲット１５０は、テープ状の芯材１５０の幅広の一側面に、表面側にくぼみ１５３が形成されたＳｎのターゲット材１５２がコートされている。このくぼみ１５３は、ターゲット軸Ｃ６０方向に配列される。ターゲット材１５２上のくぼみ１５３は、テープ状のターゲット材１５２にくぼみ１５３が形成されているが、芯材１５１のターゲット材１５２が形成される面にくぼみを設け、このくぼみを含めてターゲット材１５２をコートすることによってくぼみ１５３を形成するようにしてもよい。
【００７３】
くぼみターゲット１５０がターゲット軸Ｃ６０方向に移動した状態で、ターゲット材１５２の面に略垂直な方向から、くぼみ１５３の位置に同期した所定周波数でプリパルスＰ１が照射されると（図１４（ａ））、プリプラズマ１がくぼみ１５３から発生し、このプリプラズマ１に対して所定周波数でメインパルスＰ２を照射することによって強いプラズマを発生し、ＥＵＶ光２を発生する（図１４（ｂ））。
【００７４】
この変形例５では、くぼみターゲット１５０の場合、デブリが固体→液体→気体に変化するため、ドロップレットＤの場合に比して、熱（固体→液体の潜熱）が必要となり、中性粒子の発生量が少なくなる。また、このくぼみターゲット１５０によって生じたプリプラズマ１は、テープターゲット１３０によって生じたプリプラズマ１に比して、密度状態の最適化が容易となり、変換効率（ＣＥ）を高めることができる。
【００７５】
なお、変形例５に示したくぼみ１５３は、上述した実施の形態３、実施の形態３の変形例１〜変形例４のそれぞれに適用可能である。このくぼみ１５３の形成によって、さらに高密度のプリプラズマ１の発生が可能となり、変換効率（ＣＥ）をさらに高めることができる。
【００７６】
また、変形例１〜５では、すべてをＳｎ材で形成するようにしてもよい。たとえば、変形例１では、ディスク状ターゲット１１０全てをＳｎで形成されるようにしてもよい。
【００７７】
（実施の形態４）
つぎに、この発明の実施の形態４について説明する。この実施の形態４では、図３に示したプリパルスレーザ１１として、パルス時間幅がピコ秒以下となるパルスを出力するピコ秒パルスレーザを用いている。ここで、パルス時間幅Ｔがピコ秒以下のパルスを出力するピコ秒パルスレーザとは、パルス幅Ｔが１ｎｓ未満（Ｔ＜１ｎｓ）のパルスレーザを示す。
【００７８】
図１５は、この発明の実施の形態４であるプリパルスレーザの構成を示す模式図である。図１５において、このプリパルスレーザ１１Ａは、自己モード同期チタンサファイヤレーザである。このプリパルスレーザ１１Ａは、対向する高反射ミラー２０１，２０２間にレーザ媒質としてのチタンサファイヤ結晶２０３を設け、励起光源２００が発する励起光ＬＡが高反射ミラー２０１を介してチタンサファイヤ結晶２０３に入力される。励起光源２００は、半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＶＯ４あるいは半導体励起Ｎｄ：ＹＡＧの第２高調波（５３２ｎｍ）を励起光ＬＡとして出力する。チタンサファイヤ結晶２０３は、励起光ＬＡによって光励起され、たとえば８００ｎｍの光を発する。なお、高反射ミラー２０１は、励起光ＬＡを透過させ、チタンサファイヤ結晶２０３から発する光を高反射する。一方、高反射ミラー２０２は、チタンサファイヤ結晶２０３から発する光を高反射する。
【００７９】
半導体可飽和吸収ミラー２０５と出力結合ミラー２０８とは、レーザ共振器を形成する。高反射ミラー２０１によって反射された光は、凹面高反射ミラー２０４によって半導体可飽和吸収ミラー２０５に収束される。一方、高反射ミラー２０２によって反射された光は、プリズム２０６，２０７を介して出力結合ミラー２０８に導かれる。出力結合ミラー２０５は、レーザ共振器内の一部の光をプリパルスＰ１として外部出力する。
【００８０】
励起光源２００から高反射ミラー２０１を介して励起光ＬＡがチタンサファイヤ結晶２０３に照射されると、半導体可飽和吸収ミラー２０５の可飽和吸収によってレーザ共振器内の縦モードがモード同期して発振し、チタンサファイヤ結晶２０３内に蓄積された反転分布エネルギーを短時間（ピコ秒）内に集中した光パルス（プリパルスＰ１）として出力結合ミラー２０８から出力される。
【００８１】
このピコ秒以下の時間幅のプリパルスＰ１が、ドロップレットＤなどのターゲットに照射されると、プリパルスＰ１の時間幅がピコ秒以下という極めて短い時間であるため、ターゲットの薄い表面のみをプリプラズマ化することになる。このため、ドロップレットＤの場合、ターゲットが破壊されにくくなり、ターゲットの飛沫やデブリが減少することになる。また、ターゲットが固体ターゲットである場合も、ターゲット内部の破損を防止することができるとともに、ターゲットの飛沫やデブリが減少することになる。さらに、ピコ秒以下という時間幅が短いパルスが生成されるため、このパルスのピークパワーが高くなり、エネルギーの低いパルスであってもプリプラズマを発生させることができ、装置の小型化を促進することができる。
【００８２】
（実施の形態４の変形例１）
なお、ファイバレーザを用いてもピコ秒以下の時間幅をもったプリパルスＰ１を生成することもできる。図１６は、この発明の実施の形態４の変形例１であるプリパルスレーザの構成を示す模式図である。このプリパルスレーザ１１Ｂは、増幅媒体であるＹｂドープトファイバ２１２の一端に光学系を介して設けられた半導体可飽和吸収ミラー２１５と、他端にグレーティング２１３を介して設けられた高反射ミラー２１４とを有し、半導体可飽和吸収ミラーと高反射ミラー２１４との間でレーザ共振器が形成される。Ｙｂドープトファイバ２１２には、ＷＤＭカプラ２１１を介して、９１５ｎｍ励起光源２１０から出力された９１５ｎｍの励起光が入力される。Ｙｂドープトファイバ２１２は、入力された９１５ｎｍの光に励起されて９８０ｎｍの光を出力する。この９８０ｎｍの光は、グレーティング２１３を介して波長選択が行われつつ、半導体可飽和吸収ミラー２１５によってレーザ共振器内の縦モードがモード同期し、このモード同期したピコ秒パルスがカプラ２１６およびアイソレータ２１７を介し、プリパルスＰ１として出力される。
【００８３】
この変形例１では、実施の形態４と同様のピコ秒パルスによる作用効果を奏するとともに、プリパルスＰ１が光ファイバを用いて導入することができるため、ターゲットに対してプリパルスＰ１を容易かつ高精度に照射することができる。また、ファイバレーザの横モード品質を示すＭ２の値が、１．２程度であるため、集光性能が高く、小さなターゲットであってもプリパルスＰ１を高精度に集光して照射することができる。
【００８４】
なお、ピコ秒以下のプリパルスＰ１のパルスエネルギーが小さい場合には、再生増幅器によって増幅するようにしてもよい。さらに、パルス時間幅がフェムト秒となるパルスを出力するフェムト秒レーザを適用しても、同様な効果を得ることができる。
【００８５】
また、プリパルスＰ１の波長は、短くなればなるほど、ターゲットであるＳｎの吸収率が高くなる。このため、プリパルスＰ１の波長は、短い方が好ましい。たとえば、プリパルスレーザ１１として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いる場合、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの波長＝１０６４ｎｍ→この２倍高調波＝５３２ｎｍ→この３倍高調波＝３５５ｎｍ→この４倍高調波＝２６６ｎｍの順に、Ｓｎの吸収率は高くなり、短い波長のプリパルスＰ１とすることによって、高密度のプリプラズマを発生することができ、変換効率（ＣＥ）を高めることができる。
【００８６】
なお、上述した全ての実施の形態および全ての変形例は、適宜組合せが可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１  プリプラズマ
２  ＥＵＶ光
３  デブリ
１０  ノズル
１１，１１Ａ，１１Ｂ  プリパルスレーザ
１２，２２  ミラー
１３，２３  集光ミラー
２１  メインパルスレーザ
２４  ＥＵＶ集光ミラー
２４ａ  貫通孔
２５  ダンパ
３０  メインコントローラ
３１  トリガ発生器
３２  集光位置コントローラ
３３  ＣＣＤカメラ
３４  画像解析器
３５  バックライト
４０  デブリキャッチャー
１００  ワイヤ状ターゲット
１０１，１３１，１４１，１５１  芯材
１０２，１１２，１２２，１３２，１４２，１５２  ターゲット材
１１１，１２１  ディスク
１１０，１２０  ディスク状ターゲット
１３０  テープターゲット
１４０  円筒状ターゲット
１５０  くぼみターゲット
１５３  くぼみ
２００  励起光源
２０１，２０２，２１４  高反射ミラー
２０３  チタンサファイアヤ結晶
２０４  凹面高反射ミラー
２０５，２１５  半導体可飽和吸収ミラー
２０６，２０７  プリズム
２０８  出力結合ミラー
２１０  ９１５ｎｍ励起光源
２１１  ＷＤＭカプラ
２１２  Ｙｂドープトファイバ
２１３  グレーティング
２１６  カプラ
２１７  アイソレータ
Ｃ１  ドロップレット軸
Ｃ１０，Ｃ４０，Ｃ５０，Ｃ６０  ターゲット軸
Ｃ２０，Ｃ３０  軸
Ｄ，Ｄ１  ドロップレット
Ｄ２  残存ドロップレット
Ｐ１  プリパルス
Ｐ２  メインパルス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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