(57)【要約】【課題】表示領域の周囲の額縁幅を狭くすることができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置の有機発光層を挟持する電極が、複数のサブピクセルに共通な共通電極１１、１８と、複数のサブピクセルに個別に電位を供給する中間電極１３、１５と、から構成され、中間電極１３、１５は、２つの共通電極１１、１８の間に有機発光層１２、１４、１６を介して形成されるとともに、表示領域と非表示領域とで電気的に切断され、非表示領域において２つの共通電極１１、１８が電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの電極で発光層を含む有機発光層を挟持した発光素子を積層した複数のサブピクセルで構成される画素が、基板上の表示領域内に並列に配置される有機ＥＬ表示装置において、
前記有機発光層を挟持する前記電極が、前記複数のサブピクセルに共通な共通電極と、前記複数のサブピクセルに個別に電位を供給し、２つの前記共通電極の間に有機発光層を介して挟まれるように形成される中間電極と、から構成され、
前記中間電極は、２つの共通電極の間に前記有機発光層を介して形成されるとともに、前記表示領域と該表示領域の外側にある非表示領域とで電気的に切断され、
前記２つの共通電極が、前記基板上の前記非表示領域において電気的に接続されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記共通電極が電気的に接続された非表示領域において、前記２つの共通電極と電源配線が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
サブピクセルの発光素子を２層構成とし、前記サブピクセル間で１層の有機発光層を共通とし、各サブピクセルの他の１層に異なる発色の有機発光層を配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
サブピクセルの発光素子を３層構成とし、サブピクセル間でいずれか２層の有機発光層をそれぞれ共通とし、各サブピクセルの他の１層に発色する有機発光層と非発光処理した有機発光層を配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種ディスプレイや画像表示装置等に用いられる積層型の有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、一般に、基板上に第１電極、積層構造体および第２電極が順次積層されて構成される。積層構造体は、例えば、単一の有機発光層や、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層を積層した三層構成、これらの層間に電子あるいは正孔の注入層が介在した積層構造からなる。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が２次元に並列配列されて表示領域が形成されており、小型化および高精細化を図った技術として、特許文献１が挙げられる。この特許文献１には、一つの単位画素内において、絶縁基板上に複数の有機ＥＬ素子が積層された積層型の有機ＥＬ表示装置が開示されている。この有機ＥＬ表示装置では、各層で電源配線を引き回し、絶縁基板の周縁部で各層をずらせて端子を露出させる構造となっており、前記端子構造は開孔サイズの異なるマスクを使用して形成させる。
【０００４】
【特許文献１】米国特許ＵＳ５７０７７４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術では、電源配線と電気的に接続させるために、複数の端子用段差が必要である。また、マスクを使用して端子用段差を形成する場合、マスク開孔位置から成膜材料の回り込みが発生したり、基板との位置合わせ精度による成膜位置ずれが発生する。そのため、マスク開孔からの成膜材料の回り込み幅や、マスクと基板の合わせ精度幅を端子用段差に加えて構成しなければならなくなる。
【０００６】
これらにより、表示領域周縁部に大面積を確保する必要が生じ、有機ＥＬ表示装置における表示領域外周の領域（以後、「額縁」と呼ぶ）の幅（以後、「額縁幅」と呼ぶ）を狭くすることが難しくなる。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑み、表示領域の周囲の額縁幅を狭く設定することができる積層型の有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成すべくなされた本発明の構成は以下の通りである。
【０００９】
２つの電極で発光層を含む有機発光層を挟持した発光素子を積層した複数のサブピクセルで構成される画素が、基板上の表示領域内に並列に配置される有機ＥＬ表示装置において、
前記有機発光層を挟持する前記電極が、前記複数のサブピクセルに共通な共通電極と、前記複数のサブピクセルに個別に電位を供給し、２つの前記共通電極の間に有機発光層を介して挟まれるように形成される中間電極と、から構成され、
前記中間電極は、２つの共通電極の間に前記有機発光層を介して形成されるとともに、前記表示領域と該表示領域の外側にある非表示領域とで電気的に切断され、
前記２つの共通電極が、前記基板上の前記非表示領域において電気的に接続されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、２つの共通電極が電気的に接続されているため、電源配線と接続するための端子を少なくすることができる。また、中間電極は表示領域のみ設けられたり、中間電極の表示領域外の部分は、表示領域内の中間電極と電気的に切断されていたりするため、表示領域外においては中間電極材料の有無に関わらず、２つの共通電極を電気的に接続させることができる。
【００１１】
即ち、表示領域外に形成された、マスク開孔からの成膜材料の回りこみや、マスクと基板の合わせ精度幅を考慮しなくとも、表示領域内の中間電極とショートすることなく、２つの共通電極を電気的に接続できる。これにより、有機ＥＬ表示装置の表示領域周囲の狭額縁化が可能となる。
【００１２】
また、共通電極と電源配線とを電気的に接続する端子位置と、２つの共通電極を電気的に接続する位置が同一となるので、端子に必要な面積を小さくすることができる。これにより、更に額縁幅を狭くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の実施の形態について説明する。なお、本明細書で特に図示または記載されない部分については、当該技術分野の周知もしくは公知技術を適用する。また、以下の実施形態は本発明の例示形態であって、これらに限定されるものではない。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１から図４を参照して、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の構造について説明する。図１は、第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。図２は、第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の図１に対応する平面構造を示す平面図である。
【００１５】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、１画素を、並列に配置した２個のサブピクセル（第１サブピクセルＰ１、第２サブピクセルＰ２）で構成している。そして、各サブピクセルを、各々が異なる色に発光する発光層を含む有機発光層が電極で挟持された発光素子を、一方の電極を共有する様に３層積層して形成している。第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。
【００１６】
図１において、１０は基板、１１は第１共通電極、１２は第１有機発光層、１３ａ，１３ｂ，１３ｃは第１中間電極、１４は第２有機発光層、１５ａ，１５ｂ，１５ｃは第２中間電極、１６は第３有機発光層、１８は第２共通電極、１９は保護層である。また、１７ａ，１７ｂはコンタクトホール、２０は中間電極絶縁領域、２１は共通電極接続領域、２２は電源手段である。各サブピクセルＰ１，Ｐ２から発せられた光は、第２共通電極１８を介して取り出される。
【００１７】
共通電極１１、１８は、相隣接するサブピクセルＰ１，Ｐ２間でそれぞれが電気的に接続されており、表示領域外まで電気的に接続されている。また、中間電極１３，１５は、複数のサブピクセルに個別に電位を供給する。
【００１８】
有機発光層１２，１４，１６は、例えば、正孔輸送層、発光層および電子輸送層からなる３層構造や、正孔輸送層および発光層からなる２層構造、または発光層のみからなる１層であってもよい。また、これらの層構造において、適切な層間に電子注入層あるいは正孔注入層が介在した積層構造であってもよく、特に限定されない。
【００１９】
本発明において、中間電極絶縁領域２０とは、最外周発光サブピクセルとその外周に形成された中間電極（図１における第２サブピクセルＰ２の第１中間電極１３ｂと１３ｃ、第２中間電極１５ｂと１５ｃ）が電気的に切断されている領域をいう。そして、中間電極絶縁領域２０は、基板１０の端部より内側であって、非発光領域２９に形成される。
【００２０】
また、本実施形態において、共通電極接続領域２１とは、中間電極を挟むように形成された２つの共通電極（図１における第１共通電極１１と第２共通電極１８）が、基板１０の端部より内側であって、非表示領域２９で電気的に接続されている領域をいう。共通電極接続領域２１は、非表示領域２９において、表示領域２８の外周すべて、もしくは表示領域２８外部の一部で形成されていればよい。特に、一部のみの形成であれば更に額縁幅を狭くすることができるため好ましい。
【００２１】
また共通電極接続領域２１は、基板１０の端部より内側であって非表示領域２９に形成されていれば、中間電極絶縁領域２０と一部が重なっていてもよい。中間電極絶縁領域２０の幅が、その内側に共通電極接続領域２１を形成できる広い幅で形成されている場合には、中間電極絶縁領域２０の内側に共通電極接続領域２１を形成してもよい。
【００２２】
次に、第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の作製方法について説明する。
【００２３】
基板１０上には、必要に応じてＴＦＴ等のスイッチング素子、これらスイッチング素子を保護するための絶縁層が形成されている。絶縁層は、絶縁性材料であれば特に限定されないが、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素などの無機材料や、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはこれらの積層体などが好ましい。特に、平坦性の高い有機材料が含まれていることが好ましい。
【００２４】
基板１０上には、第１共通電極１１が形成されている。第１共通電極１１は、例えば、高反射率を有する導電性材料で形成され、反射電極として構成される。第１共通電極１１の電極材料としては、特に限定されないが、光反射性を有する部材であることが好ましく、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等や、これらを含む金属を５０〜３００ｎｍ程度形成した膜からなることが好ましい。第１共通電極１１が反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上させることができる。また、必要に応じてＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明電極材料を積層して用いてもよい。
【００２５】
このような基板１０に対して、真空蒸着や塗布などの公知の作製方法により第１有機発光層１２を堆積する。第１有機発光層１２は、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料および電子輸送材料より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。正孔注入材料もしくは正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、または電子注入材料もしくは電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。さらに、有機発光層１２，１４，１６は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。
【００２６】
各色の有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できる。しかし、これらの例示材料に限定されるものではない。
【００２７】
有機発光層は、正孔注入、正孔輸送、電子注入および電子輸送の各単機能をもつ層であってもよいし、複合機能をもつ層であってもよい。
【００２８】
有機発光層の膜厚は０．０５μｍ〜０．３μｍ程度がよく、好ましくは０．０５〜０．１５μｍ程度である。
【００２９】
正孔注入及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物およびＥｕ錯体等が使用できるが、本発明の構成として限定されるものではない。
【００３０】
電子注入及び輸送材料の例としては、アルミニウムに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等が使用できる。
【００３１】
次に、コンタクトホール１７ｂおよび有機発光層１２の共通電極接続領域２１の形成をする。形成方法としては、レーザー加工が好ましく、ＹＡＧレーザー（ＳＨＧ、ＴＨＧ含む）、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用するものを用いる。これらのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、基板１０上に所定のパターンで照射する。コンタクトホール１７ｂの径としては、２μｍ〜１５μｍが好ましい。なお、共通電極接続領域２１は、有機発光層１６形成後にレーザー加工等を行なった後、第２共通電極１８を成膜して、形成してもよい。
【００３２】
なお本件のレーザー加工は、エキシマレーザーを用いて、出力５００ｍＪで、加工領域、深さに合わせてショット数を最適化して形成した。
【００３３】
次に、透明電極の成膜及びパターニングを行い、第１中間電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃおよび中間電極絶縁領域２０を形成する。これにより、第１共通電極１１と第１中間電極１３ｂとがコンタクトホール１７ｂを介して電気的に接続される。
【００３４】
中間電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃの電極材料としては、光透過率の高い材料が好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜、ポリアセチレンなどの有機導電膜や、Ａｇ，Ａｕ，Ａｌなどの金属を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度形成した半透過膜でもよい。
【００３５】
中間電極絶縁領域２０は、表示領域外部に形成される。図１に示すように、中間電極絶縁領域２０を境に表示領域内の最外周サブピクセル中間電極と表示領域外の中間電極とは、電気的に切断されている。また、中間電極絶縁領域２０を形成する際、表示領域外周に形成される中間電極（図１に示す第１中間電極１３ｃ、第２中間電極１５ｃ）を除去してもよく、表示領域外周に形成される中間電極（図１に示す第１中間電極１３ｃ、第２中間電極１５ｃ）とともに、表示領域外周に形成された有機発光層（図１に示す第１有機発光層１２、第２有機発光層１４）を除去してもよい。
【００３６】
パターニング方法としては、前述のレーザー加工で行なうことができるが、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより転写してもよい。
【００３７】
次に、上記と同様の作製方法で、第２有機発光層１４、コンタクトホール１７ａ、第２中間電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、および第３有機発光層１６を順次形成する。
【００３８】
次に、第２共通電極１８をスパッタ等により形成する。第２中間電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃと第２共通電極１８の材料としては、第１中間電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃと同様に光透過率の高い材料が好ましい。
【００３９】
有機ＥＬ表示装置を構成するには、基板上の表示領域内にサブピクセルＰ１，Ｐ２からなる画素を並列に複数配置する。さらに保護層１９として、例えば、窒化酸化シリコンを成膜して、有機ＥＬ表示装置を得た。
【００４０】
次に、図１および図３を参照して、次に、上記構造の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について説明する。図３は、第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す電気回路図である。
【００４１】
図１および図３に示すように、第１サブピクセルＰ１は、第１中間電極１３ａと第２中間電極１５ａがコンタクトホール１７ａを介して接続されており、第１有機発光層１２と第３有機発光層１６に電圧が印加される構成となっている。同様に第２サブピクセルＰ２においては、第２有機発光層１４と第３有機発光層１６に電圧が印加される。
【００４２】
第１サブピクセルＰ１の有機発光層１２に印加した場合、第１サブピクセルＰ１の有機発光層１２が発光するとともに、第２サブピクセルＰ２の第２有機発光層１４も発光する。このとき、第１サブピクセルＰ１および第２サブピクセルＰ２の第３有機発光層１６には逆方向電圧が印加されるため、発光しない。逆に、第１サブピクセルＰ１および第２サブピクセルＰ２の第３有機発光層１６に印加した場合は、第１サブピクセルＰ１の有機発光層１２に印加した場合、第１サブピクセルＰ１の有機発光層１２が発光しない。
【００４３】
上述の動作を繰り返すことで、有機発光層１２，１４，１６を時分割で発光させることができる。具体的には、電源手段２２は、人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度、あるいはそれ以上の高い周期で駆動することにより、第１有機発光層１２、第２有機発光層１４の発光色と第３有機発光層１６の発光色との任意の混合色の光を表現しうる。
【００４４】
このように本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、第１共通電極１１と第２共通電極１８が電気的に接続されているため、電源配線と接続するための端子を少なくすることができる。また、中間電極１３ｃ，１５ｃの表示領域外の部分は、表示領域内の中間電極１３ａ，１３ｂ、１５ａ，１５ｂと電気的に切断されているため、表示領域外においては中間電極材料の有無に関わらず、第１共通電極１１と第２共通電極１８を電気的に接続できる。
【００４５】
即ち、表示領域内の中間電極１３ａ，１３ｂ、１５ａ，１５ｂとショートすることなく、２つの共通電極１１，１８を表示領域に近い箇所で電気的に接続できる。したがって、表示領域外に形成された、マスク開孔からの成膜材料の回りこみや、マスクと基板の合わせ精度幅を考慮する必要はなく、表示領域の周縁部の配線数を少なくでき、有機ＥＬ表示装置の狭額縁化が可能となる。
【００４６】
また、第１共通電極１１および第２共通電極１８と電源配線とを電気的に接続する端子位置と、これら共通電極１１，１８を電気的に接続する位置が同一となるので、端子に必要な面積を小さくすることができ、更に額縁幅を狭くすることができる。
【００４７】
また、図１に示す構造例では、共通電極接続領域２１において、第１中間電極１３ｃおよび第２中間電極１５ｃが除去され、これらの中間電極１３ｃ，１５ｃは電気的に切断されている。これに限定されるものではなく、図４に示すように、共通電極接続領域２１において、第１中間電極１３ｃおよび第２中間電極１５ｃが除去されていなくとも、同様の効果が得られる。
【００４８】
また必要に応じて、第２共通電極１８で、表示領域２８および表示領域に形成される平坦化層などの樹脂層の端部まで覆うように形成することにより、外部からの水分浸入を抑制することができるため、シュリンク等の劣化も低減できる。この場合、樹脂層の端部よりも外側に共通電極接続領域２１を設けてもよい。
【００４９】
（第２の実施形態）
次に、図５を参照して、第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の構造について説明する。図５は、第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。
【００５０】
本実施例は、第１中間電極１３ａ、１３ｂおよび第２中間電極１５ａ、１５ｂを、スパッタマスクを用いてスパッタリング法を用いて形成した以外は、実施例１と同様に作製して、有機ＥＬ表示装置を得た。なお、本実施例で使用したスパッタマスクは、非表示領域２９に第１中間電極および第２中間電極が形成されないように予め作製した。
【００５１】
中間電極をスパッタリング法で作製した場合にも、実施例１と同様な効果が得られた。
【００５２】
（第３の実施形態）
次に、図６および図７を参照して、第３の実施形態における、有機ＥＬ表示装置の構造について説明する。図６は、第３の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。図７は、第３の実施形態における有機ＥＬ表示装置の図６に対応する平面構造を示す平面図である。
【００５３】
図６及び図７に示すように、第３の実施形態では、表示領域外において、基板上に配された電源配線２３が絶縁層で覆われていること以外は、第１の実施形態と同様の構造とした。即ち、共通電極接続領域２１において、第１共通電極１１および第２共通電極１８と絶縁層２７で覆われた電源線２３とが電気的に接続されている。
【００５４】
本実施形態では、中間電極とショートすることなく、２つの共通電極１１，１８を表示領域に近い箇所で電気的に接続させることができ、かつ電源線２３と接続する端子のための面積を少なくすることができる。これにより有機ＥＬ表示装置の額縁幅をさらに狭くすることができる。
【００５５】
後述する第４及び第５の実施形態のように、２つの共通電極１１，１８の間に中間電極が１層存在する場合でも、共通電極接続領域２１で第１共通電極１１および第２共通電極１８と電源線２３とを電気的に接続することで、同様の効果が得られる。
【００５６】
（第４の実施形態）
次に、図８および図９を参照して、第４の実施形態における有機ＥＬ表示装置の構造について説明する。図８は、第４の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。図９は、第４の実施形態における有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す電気回路図である。
【００５７】
図８および図９に示すように、基板１０上の第１サブピクセルＰ１に第３有機発光層１６、第２サブピクセルＰ２に第２有機発光層１２を形成し、発光素子を２層構成とした以外は、第１の実施形態と同様にして作製した。即ち、１画素を構成する隣接するサブピクセルＰ１，Ｐ２の発光素子を２層構成とし、１層の有機発光層１４を共通とし、他の１層を異なる発色の有機発光層１２，１６で構成している。
【００５８】
本実施形態では、発光素子が２層構成となった場合でも、第１の実施形態と同様に有機ＥＬ表示装置の額縁幅を狭くすることができる。
【００５９】
（第５の実施形態）
次に、図１０および図１１を参照して、第５の実施形態における有機ＥＬ表示装置の構造について説明する。図１０は、第５の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。
【００６０】
図１０に示すように、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、第１の実施形態と同様にして第２有機発光層１４まで成膜し、共通電極接続領域２１を形成した後に、第２サブピクセルＰ２の第２有機発光層１４に非発光処理を行なう。具体的には、第２有機発光層１４を成膜し、共通電極接続領域２１形成した後に、紫外線照射をすることで非発光層２６を非発光処理する。非発光処理する照射光としては紫外線が好ましく、水銀ランプなどの一般的なＵＶ光をマスクして照射したり、エキシマレーザーなどの紫外光レーザーを用いてもよい。非発光処理後、第２共通電極１８を実施例１と同様にして形成する。
【００６１】
次に、第３有機発光層２４は、第１の実施形態の有機発光層１６とは逆の順で積層する。具体的には、第２有機発光層１６の積層構成が第２共通電極１８から順に電子輸送層／発光層／である場合、本実施例の第２有機発光層は正孔輸送層／発光層／電子輸送層とする。
【００６２】
第１の実施形態と同様の作製方法で、コンタクトホール１７ａを形成し、表面電極２５ａ、２５ｂ、２５ｃを成膜、パターニングにより中間電極絶縁領域２０に合わせて遮断した後、保護層１９を形成し、有機ＥＬ表示装置を得た。
【００６３】
即ち、本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、１画素を構成する隣接するサブピクセルＰ１，Ｐ２の発光素子を３層構成としている。そして、サブピクセルＰ１，Ｐ２間でいずれか２層の有機発光層１２，２４をそれぞれ共通とし、各ピクセルＰ１，Ｐ２の他の１層に発色する有機発光層１４と非発光処理した有機発光層２６を配置している。
【００６４】
さらに、本実施形態では、素子が３層積層されたうちの２層が共通電極で挟まれている。このような場合でも、第１の実施形態と同様に有機ＥＬ表示装置の額縁幅を狭くすることができる。
【００６５】
次に、図１０および図１１を参照して、第５の実施形態における有機ＥＬ表示装置の駆動方法について説明する。図１１は、第５の実施形態における有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す電気回路図である。
【００６６】
図１０および図１１に示すように、第１サブピクセルＰ１の有機発光層１２に印加した場合、第１サブピクセルＰ１の有機発光層１２が発光するとともに、第２サブピクセルＰ２の第１有機発光層１２も発光する。このとき、第１サブピクセルＰ１の第２有機発光層１４、および第２サブピクセルＰ２の第３有機発光層２４には逆方向電圧が印加されるため発光しない。逆に、第１サブピクセルＰ１の第２有機発光層１４に印加した場合は、第２サブピクセルＰ２の第３有機発光層２４にも印加されるため発光する。第１サブピクセルＰ１および第２サブピクセルＰ２の第１有機発光層１２には逆方向電圧が印加されるため発光しない。またこのとき、非発光層２６も印加されるが、非発光処理を行なっているため発光しない。
【００６７】
上述の動作を繰り返すことで、有機発光層１２，１４，１６を時分割で発光させることができる。具体的には、電源手段２２は、人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度、あるいはそれ以上高い周期で駆動することにより、第１サブピクセルＰ１、第２サブピクセルＰ２の発光色と、その任意の混合色の光を表現することができる。
【００６８】
なお、上記の第１から第５の実施形態では、トップエミッション型の積層型有機ＥＬ表示装置を示したが、これに限定されるものではなく、ボトムエミッション型の積層型有機ＥＬ表示装置構成でも同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。
【図２】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の平面構造を示す平面図である。
【図３】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す電気回路図である。
【図４】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の変形例を示す模式図である。
【図５】第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。
【図６】第３の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。
【図７】第３の実施形態における有機ＥＬ表示装置の平面構造を示す平面図である。
【図８】第４の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。
【図９】第４の実施形態における有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す電気回路図である。
【図１０】第５の実施形態における有機ＥＬ表示装置の画素配列および表示領域周縁部の断面構造を示す模式図である。
【図１１】第５の実施形態における有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す電気回路図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０  基板
１１  第１共通電極
１２  第１有機発光層
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ  第１中間電極
１４  第２有機発光層
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ  第２中間電極
１６  第３有機発光層
１７ａ，１７ｂ  コンタクトホール
１８  第２共通電極
１９  保護層
２０  中間電極絶縁領域
２１  共通電極接続領域
２２  電源手段
２３  電源線
２４  第３有機発光層
２５ａ，２５ｂ，２５ｃ  表面電極
２６  非発光層
２７  絶縁層
２８  表示領域
２９  非表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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