(57)【要約】【課題】光源に半導体発光素子を備えることにより省エネルギ化を図ることができ、且つ、適切な放熱路の確保により高い発光効率と長い寿命特性とを備えるランプを提供する。【解決手段】ランプ１は、ＬＥＤ素子を構成中に含むＬＥＤユニット１０と、ＬＥＤユニット１０におけるＬＥＤチップに電力を供給して点灯させる点灯回路ユニット１５とを備えている。ＬＥＤユニット１０は、ヒートシンク１３の底壁外面１３ａに取り付けられており、点灯回路ユニット１５は、回路用ケース１４の底壁内面１４ａに取り付けられている。そして、回路用ケース１４は、筒状をしたヒートシンク１３の筒内に対して、側壁同士が対向する状態で内挿されており、ヒートシンク１３の側壁と回路用ケース１４の側壁との間には間隙１３ｄがあいている。間隙１３ｄには、空気が存在しており断熱層として機能する。【選択図】図１
2010103241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子を構成中に含む発光ユニットと、前記発光ユニットにおける半導体発光素子に電力を供給して点灯させる点灯回路ユニットとを備えるランプであって、
有底筒状若しくは有底方形状をし、その底壁外面に前記発光ユニットが熱結合された状態で取り付けられた第１の基台と、
有底筒状若しくは有底方形状をし、その底壁内面に前記点灯回路ユニットが熱結合された状態で取り付けられた第２の基台とを有し、
前記第２の基台の少なくとも一部は、前記第１の基台の筒内に対し導入されており、
前記第２の基台の側壁と前記第１の基台の側壁とは、少なくとも一部同士が互いの間に間隙をあけた状態で対向しており、
前記第１の基台の側壁と前記第２の基台の側壁との間の間隙には、断熱層が介挿されている
ことを特徴とするランプ。
【請求項２】
前記第１の基台の側壁と前記第２の基台の側壁との間の間隙には、気体が存在し、
当該気体により前記間隙における前記断熱層が構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
【請求項３】
前記第２の基台の少なくとも一部は、その底壁側から前記第１の基台の筒内に導入されており、
前記第１の基台の底壁内面と前記第２の基台の底壁外面とは、互いの間に間隙をあけた状態で対向している
ことを特徴とする請求項１または２に記載のランプ。
【請求項４】
前記第２の基台の少なくとも一部は、その底壁側から前記第１の基台の筒内に導入されており、
前記第１の基台の底壁内面と前記第２の基台の底壁外面とは、接合されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載のランプ。
【請求項５】
一端において、前記第１の基台の開口側端部と前記第２の基台の開口側端部とが接合された絶縁性のホルダーと、
前記ホルダーの他端に取り付けられた給電口金とを有する
ことを特徴とする請求項３または４に記載のランプ。
【請求項６】
前記ホルダーは、０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する材料から構成されている
ことを特徴とする請求項５に記載のランプ。
【請求項７】
前記第１の基台における側壁は、二重構造になっており、内壁要素と外壁要素との間に間隙があいている
ことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載のランプ。
【請求項８】
前記第１の基台は、前記第２の基台に比べて、熱伝導性に優れる材料から構成されている
ことを特徴とする請求項１から７の何れかに記載のランプ。
【請求項９】
前記第１の基台は、金属材料またはセラミックス材料から構成されており、
前記第２の基台は、絶縁性を有する樹脂材料またはセラミックス材料から構成されている
ことを特徴とする請求項８に記載のランプ。
【請求項１０】
前記第１の基台には、前記発光ユニットが取り付けられた前記底壁外面を覆う状態に、ドーム状または円柱状の透光性カバーが取り付けられている
ことを特徴とする請求項１から９の何れかに記載のランプ。
【請求項１１】
前記透光性カバーは、レンズ機能を有する
ことを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項１２】
前記発光ユニットは、導電ランドが敷設された基板と、当該基板に実装された複数の前記半導体発光素子と、前記基板上における前記半導体発光素子の周囲を覆う状態で形成された波長変換層とから構成されている
ことを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載のランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ランプに関し、特にＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などの半導体発光素子を備え、白熱電球代替として用いられるランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、省エネルギ化を図り地球温暖化の防止を図るべく、照明分野においても従来の白熱電球などの代替として、ＬＥＤを用いたランプが研究・開発されている（例えば、特許文献１，２を参照）。ＬＥＤは、放電や輻射を用いる従来のランプに比べ、高いエネルギ効率が得られるという優位性を有する。また、近年では、ＬＥＤの高光束化も進んできており、一部の用途では、従来の白熱電球などの代替として使用され始めている。従来技術に係るＬＥＤランプの構成について、図１１を用い説明する。
【０００３】
図１１に示すように、ＬＥＤランプは、有底筒状をしたヒートシンク９３の底壁外面９３ａにＬＥＤユニット９０が載置されている。ＬＥＤユニット９０は、ＬＥＤ基板９１と、ＬＥＤ基板９１に実装された光源ブロック９２とからなる。光源ブロック９２は、ＬＥＤチップと、その周囲を覆うように形成された波長変換層とからなる。
ヒートシンク９３の底壁内面９３ｂには、点灯回路ユニット９５が取り付けられており、点灯回路ユニット９５は、リードによりＬＥＤユニット９０に接続されている。ヒートシンク９３は、Ｚ軸方向下側の端部９３ｃで、絶縁性のホルダー９６に接合されている。ホルダー９６のＺ軸方向下側には給電口金９７が取り付けられている。点灯回路ユニット９５と給電口金９７とは、リードにより接続されている。
【０００４】
ヒートシンク９３の底壁外面９３ａは、そこに載置されたＬＥＤユニット９０を含み、透光性を有しドーム状をしたカバー９８で覆われている。
図１１に示す従来技術に係るＬＥＤランプでは、点灯駆動時においてＬＥＤユニット９０および点灯回路ユニット９５で生じた熱が、ヒートシンク９３に伝達され、放熱される。
【特許文献１】特開２００６−３１３７１７号公報
【特許文献２】特開２００６−３１３７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術に係るＬＥＤランプでは、ヒートシンク９３の底壁の内外面９３ａ、９３ｂにＬＥＤユニット９０と点灯回路ユニット９５とが取り付けられており、駆動時の双方から発生する熱がヒートシンク９３へと伝達されることになり、放熱路の確保という観点から十分ではない。ここで、放熱性を上げるためには、ヒートシンク９３の容量を増やすことも考えられるが、白熱電球の代替ということを考え合わすと、ランプ全体での大きなサイズ増加は許容されない。即ち、放熱のためにヒートシンク９３の容量増加をすることは、既存のソケットなどの器具に対する適用を困難なものとする。
【０００６】
駆動時において、熱を効率的に逃がすことができない場合には、ＬＥＤユニット９０における発光ブロック９２の温度上昇を招き、発光効率が低下したり、寿命が短くなったりするという問題を生ずる。
本発明は、上記問題の解決を図るべくなされたものであって、光源に半導体発光素子を備えることにより省エネルギ化を図ることができ、且つ、適切な放熱路の確保により高い発光効率と優れた寿命特性とを備えるランプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、次の構成を採用することを特徴とする。
本発明に係るランプは、半導体発光素子を構成中に含む発光ユニットと、発光ユニットにおける半導体発光素子に電力を供給して点灯させる点灯回路ユニットとを備えている。また、本発明に係るランプは、有底筒状若しくは有底方形状をし、その底壁外面に発光ユニットが熱結合された状態で取り付けられた第１の基台と、同じく有底筒状若しくは有底方形状をし、その底壁内面に点灯回路ユニットが熱結合された状態で取り付けられた第２の基台とを有する。そして、第２の基台の少なくとも一部は、第１の基台の筒内に対して導入されており、第１の基台の側壁と第１の基台の側壁とは、少なくともその一部同士が互いの間に間隙をあけた状態で対向している。そして、本発明に係るランプでは、第１の基台の側壁と第２の基台の側壁とが対向する間隙に断熱層が介挿されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
上記のように、本発明に係るランプでは、発光ユニットが第１の基台に熱結合された状態で取り付けられており、点灯回路ユニットが第２の基台に熱結合されて状態で取り付けられている。そして、第２の基台の少なくとも一部が第１の基台の筒内に導入され、第１の基台の側壁内面と第２の基台の側壁外面とが対向する部分に断熱層が介挿されている。このように、本発明に係るランプでは、発光ユニットと点灯回路ユニットとが別の基台に取り付けられているので、点灯駆動時に発光ユニットから生じる熱を第１の基台に伝達する際に、点灯回路ユニットから生じる熱の影響を受け難い。
【０００９】
また、本発明に係るランプでは、第１の基台と第２の基台との側壁間において、断熱層が介挿された部分を有しており、駆動時において、点灯回路ユニットで生じた熱が第１の基台へと伝達され難い。よって、本発明に係るランプでは、発光ユニットで生じた熱が、点灯回路ユニットからの熱に影響を受け難い第１の基台に伝達され、これを介して効率的に放熱されることになり、適切な放熱路が確保される。
【００１０】
また、本発明に係るランプでは、発光ユニットの構成中に半導体発光素子を含むので、従来の白熱電球などに比べて省エネルギ化を図ることができる。
従って、本発明に係るランプは、光源に半導体発光素子を備えることにより省エネルギ化を図ることができ、且つ、適切な放熱路の確保により高い発光効率と優れた寿命特性とを備える。
【００１１】
なお、本発明に係るランプにおいて、上記第１の基台の側壁は、必ずしも連続して一巡するように設けられている必要はなく、底壁の縁部分から複数の棒状体が延設された形態のものでもよい。
上記本発明に係るランプでは、次のバリエーションを採用することができる。
上記本発明に係るランプでは、第１の基台の側壁内面と第２の基台の側壁外面とが対向する部分において、互いの間に間隙があいており、当該間隙に気体（空気や窒素ガスなど）が存在する。本発明に係るランプでは、間隙における気体の存在により前記断熱層が構成されている。
【００１２】
上記本発明に係るランプでは、第２の基台の少なくとも一部が、その底壁側から前記第１の基台の筒内に導入されており、第１の基台の底壁内面と第２の基台の底壁外面とが、互いの間に間隙をあけた状態で対向している、という構成を採用することができる。
上記本発明に係るランプでは、第２の基台の少なくとも一部が、その底壁側から前記第１の基台の筒内に導入されており、第１の基台の底壁内面と第２の基台の底壁外面とが接合されている、という構成を採用することができる。
【００１３】
上記本発明に係るランプでは、第１の基台の開口側端部と第２の基台の開口側端部とが、絶縁性のホルダーにおける一端に接合されており、ホルダーの他端に給電口金が取り付けられている、という構成を採用することができる。ここで、ホルダーを構成する材料としては、０．５［Ｗ／ｍ・Ｋ］以上の熱伝導性を有する材料（例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ））を採用することができる。このような材料を採用することにより、放熱性の向上を図ることができる。
【００１４】
上記本発明に係るランプでは、第１の基台における側壁が二重構造になっており、内壁要素と外壁要素との間に間隙があいている、という構成を採用することができる。
上記本発明に係るランプでは、第１の基台が、第２の基台に比べて、熱伝導性に優れる材料から構成されている、という構成を採用することができる。具体的には、第１の基台が金属材料またはセラミックス材料で形成されており、第２の基台が絶縁性を有する樹脂材料またはセラミックス材料により形成されている、という構成を採用することができる。
【００１５】
上記本発明に係るランプでは、第１の基台に対し、発光ユニットが取り付けられた底壁外面を覆う状態に、ドーム状または円筒状の透光性カバーが取り付けられている、という構成を採用することができる。
上記発明に係るランプでは、透光性カバーがレンズ機能を有する、という構成を採用することができる。このような構成を採用する場合には、中心光度の向上を図ることができる。なお、レンズとしては、凸レンズ、または凸レンズと凹レンズとの組み合わせなどとすることができる。
【００１６】
上記本発明に係るランプでは、発光ユニットが、導電ランドが敷設された基板と、当該基板に実装された複数の半導体発光素子と、基板上における半導体発光素子の周囲を覆う状態で形成された波長変換層とを含む、という構成を採用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下では、本発明を実施するための最良の形態について、数例を示して説明する。なお、以下の説明で用いる形態は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる一例であって、本発明は、その本質的な特徴部分以外において、何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
［実施の形態１］
１．ＬＥＤランプ１の全体構成
実施の形態１に係るＬＥＤランプ１の構成について、図１を用い説明する。図１は、ＬＥＤランプ１の構成を示す側面図（一部、切欠き断面図）である。
【００１８】
図１に示すように、実施の形態１に係るＬＥＤランプ１は、有底筒状をしたヒートシンク１３の底壁外面１３ａにＬＥＤユニット１０が載置されている。ＬＥＤユニット１０は、ＬＥＤ基板１１と、ＬＥＤ基板１１に実装された複数の光源ブロック１２とからなる。ヒートシンク１３は、例えば、アルミニウム合金などの金属材料を用い形成されている。ＬＥＤユニット１０は、ＬＥＤ基板１１の底面全体が、ヒートシンク１３の底壁外面１３ａに当接することにより、ヒートシンク１３に対して熱結合されている。
【００１９】
ヒートシンク１３の底壁内面１３ｂには、回路用ケース１４が接合されている。回路用ケース１４は、有底筒状をしており、その底壁外面がヒートシンク１３の底壁内面１３ｂに当接され、接合されている。回路用ケース１４は、絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料またはセラミックス材料を用い形成されている。点灯回路ユニット１５は、一部が回路用ケース１４の底壁内面１４ａに当接されることにより、回路用ケース１４に対して熱結合されている。
【００２０】
図１に示すように、ヒートシンク１３の筒内には、回路用ケース１４が、その底壁側から導入されている。ヒートシンク１３の側壁内面１３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間には、間隙１３ｄがあいている。間隙１３ｄには、空気などの気体が存在しており、ヒートシンク１３と回路用ケース１４との間の断熱層として機能する。
回路用ケース１４の底壁内面１４ａには、点灯回路ユニット１５が取り付けられている。点灯回路用ユニット１５の側部と回路用ケース１４の側壁との間には間隙１４ｂがあけられている。
【００２１】
点灯回路ユニット１５は、リード１９によりＬＥＤユニット１０に接続されている。
ヒートシンク１３および回路用ケース１４は、それぞれの下端部１３ｃ、１４ｃにおいて、絶縁性のホルダー１６に接合されている。ホルダー１６のＺ軸方向下側の下端部分は、縮径されており、当該部分に給電口金１７が取り付けられている。給電口金１７が、ネジが形成された側面部分１７ａと下端部分１７ｂとが、それぞれ給電用端子として機能する。なお、ホルダー１６における給電口金１７の取り付けられた部分の内方には、シリコーン樹脂が充填されている（図示を省略）。
【００２２】
ホルダー１６は、０．５［Ｗ／ｍ・Ｋ］以上の熱伝導率を有する材料、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）から構成されていることが望ましい。ホルダー１６をこのような材料から構成すれば、放熱性の向上を図ることができる。
点灯回路ユニット１５は、リード１９を介してＬＥＤユニット１０に接続されており、リード２０を介して給電口金１７に接続されている。
【００２３】
ヒートシンク１３の底壁外面１３ａは、透光性を有しドーム状をしたカバー１８で覆われている。カバー１８における内面１８ａには、光拡散層が形成されている（図示を省略）。なお、カバー１８として、レンズ機能を有するように構成しておくことが望ましい。例えば、凸レンズや、凸レンズと凹レンズとの組み合わせとすることができる。このようにカバー１８にレンズ機能を持たせるようにすれば、中心光度の向上を図ることができる。
【００２４】
本実施の形態に係るＬＥＤランプ１では、ＬＥＤユニット１０がヒートシンク１３に熱結合された状態で取り付けられており、点灯回路ユニット１５が回路用ケース１４に熱結合された状態で取り付けられている。
２．ＬＥＤユニット１０の構成
ＬＥＤユニット１０の構成について、図２（ａ），（ｂ）を用い説明する。
【００２５】
図２（ａ）に示すように、ＬＥＤランプ１が備えるＬＥＤユニット１０は、円板状をしたＬＥＤ基板１１と、ＬＥＤ基板１１の一方の主面状に実装された複数（例えば、９個）の光源ブロック１２とからなる。
図２（ｂ）に示すように、ＬＥＤ基板１１は、絶縁性の基板本体１１０と、そのＺ軸方向上側の主面に敷設された導電ランド１１１とにより構成されている。ＬＥＤ基板１１における基板本体１１０は、例えば、次のような材料を用い構成することができる。
【００２６】
（ａ１）セラミックス；ＡｌＮ、Ａｌ２０３、ＢＮ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｃや、これらの混合物
（ａ２）金属；Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕや、これらの混合物
（ａ３）ガラスエポキシなどの樹脂
（ａ４）ガラスおよびその混合物
図２（ｂ）に示すように、図２（ａ）の矢印Ａで示す個々の光源ブロック１２は、ＬＥＤチップ１２０とその周囲を覆うように形成された波長変換層１２８、およびバンプ１２７により構成されている。ＬＥＤチップ１２０は、Ｚ軸方向の下側から、電極層１２１、ｐ−ＧａＮ層１２１、発光層１２３、ｎ−ＧａＮ層１２４、サファイア基板１２５の順に積層されており、ｎ−ＧａＮ層１２４には電極層１２６が積層されている。ＬＥＤチップ１２０における電極層１２１、１２６は、各々がバンプ１２７を介して導電ランド１１１に接続されている。
【００２７】
ＬＥＤチップ１２０から出射された光は、波長変換層１２８において波長が変換されて外方に放射される。
ＬＥＤチップ１２０における電極層１２１は、例えば、Ａｇ／Ｐｔ／Ａｕからなり、発光層１２３から出射された光の内、ＬＥＤ基板１１側に向けて出射された成分を高効率に反射する。即ち、電極層１２１は、高反射層としての機能も有する。一方、電極層１２６は、例えば、Ｎｉ／Ａｕからなる。
【００２８】
波長変換層１２８は、樹脂材料やガラス材料に対して蛍光体粒子が分散されたもの、あるいは蛍光体セラミックスなどを用い構成されている。ここで、波長変換層１２８の構成には、一例として次のような蛍光体材料を用いることができる。
（ｂ１）青色蛍光体
・  アルミン酸塩蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋
・  ハロ燐酸塩蛍光体；（Ｓｒ，Ｂａ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ２＋，Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ２＋
・  珪酸塩（シリケート）蛍光体；Ｂａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ２＋
（ｂ２）青緑色蛍光体
・  アルミン酸塩蛍光体；Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋
・  珪酸塩蛍光体  ⇒  Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８・２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ２＋
（ｂ３）緑色蛍光体
・  アルミン酸塩蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ２＋
・  珪酸塩（シリケート）蛍光体；（Ｂａ,Sr）２ＳｉＯ4：Ｅｕ２＋
・  α-サイアロン蛍光体；Ｓｒ１．５Ａｌ３Ｓｉ９Ｎ１６：Ｅｕ２＋、Ｃａ-α-ＳｉＡｌＯＮ：Ｙｂ２＋
・  β-サイアロン蛍光体；β-Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２＋
・  酸窒化物蛍光体
オクソニトリドシリケート；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ２＋
オクソニトリドアルミノシリケート；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２Ｓｉ４ＡｌＯＮ７：Ｃｅ３＋
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ａｌ２−ｘＳｉｘＯ４−ｘＮｘ：Ｅｕ２＋（0＜ｘ＜2）
・  窒化物蛍光体
ニトリドシリケート蛍光体；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｃｅ３＋
・  硫化物蛍光体
チオガレート；ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋
・  ガーネット蛍光体；Ca３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ３＋、ＢaＹ2ＳiＡｌ４Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋
・  酸化物蛍光体；CaＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ３＋
（ｂ４）黄色蛍光体
・  珪酸塩（シリケート）蛍光体；（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ4：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋
・  ガーネット蛍光体；（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋，Ｐｒ３＋
・  硫化物蛍光体
チオガレート；ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋
・  α-サイアロン蛍光体；Ｃａ-α-ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ２＋、
（０．７５（Ｃａ０．９Ｅｕ０．１）Ｏ・２．２５ＡｌＮ・３．２５Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２＋、
Ｃａ１．５Ａｌ３Ｓｉ９Ｎ１６：Ｅｕ２＋など）
（ｂ５）橙色蛍光体
・  珪酸塩（シリケート）蛍光体；（Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ4：Ｅｕ２＋
・  ガーネット蛍光体；Ｇｄ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋
・  α-サイアロン蛍光体；Ｃａ-α-ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ２＋
（ｂ６）赤色蛍光体
・  硫化物蛍光体；（Ｓｒ，Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ２＋、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋，Ｓｍ３＋
・  珪酸塩（シリケート）蛍光体；Ｂａ3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋
・  窒化物または酸窒化物蛍光体；
（Ｃａ、Ｓｒ）ＳｉＮ２：Ｅｕ２＋、（Ｃａ、Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｓｉ５-ｘＡｌｘＯｘＮ８-ｘ：Ｅｕ２+（０≦ｘ≦１）
なお、蛍光体の代わりに金属錯体，有機染料，顔料などの波長変換材料を用いることもできる。
【００２９】
３．優位性
実施の形態１に係るＬＥＤランプ１が有する優位性について、説明する。
ＬＥＤランプ１では、発光ユニットとしてのＬＥＤユニット１０が、第１の基台としてのヒートシンク１３における底壁外面１３ａに熱結合された状態で取り付けられている。一方、点灯回路ユニット１５は、第２の基台としての回路用ケース１４の底壁内面１４ａに熱結合されて状態で取り付けられている。そして、ＬＥＤランプ１では、回路用ケース１４が、その底壁側からヒートシンク１３の筒内に導入されており、ヒートシンク１３の側壁内面１３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間に、間隙１３ｄが形成され、この間隙１３ｄに存在する空気（気体）が断熱層としての機能を有する。
【００３０】
上記のように、本実施の形態１に係るＬＥＤランプ１では、ＬＥＤユニット１０と点灯回路ユニット１５とが別の部材（ヒートシンク１３と回路用ケース１４）とに取り付けられ、熱結合されているので、点灯駆動時にＬＥＤユニット１０から生じる熱をヒートシンク１３に伝達する際に、点灯回路ユニット１５から生じる熱の影響を受け難い。即ち、ＬＥＤランプ１では、点灯回路ユニット１５で生じた熱が直接ヒートシンク１３に伝達され難く、このためにＬＥＤユニット１０で生じた熱が高い効率でヒートシンク１３へと伝達されることになる。
【００３１】
また、ＬＥＤランプ１では、ヒートシンク１３の側壁内面１３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間において、空気が存在する間隙１３ｄが介挿されており、この間隙１３ｄが断熱層として機能する。よって、ＬＥＤランプ１では、その駆動時において、点灯回路ユニット１５で生じた熱が、間隙１３ｄにより熱伝達を抑制され、ヒートシンク１３へと伝達され難くなっている。このため、ＬＥＤランプ１では、駆動時において、ＬＥＤユニット１０で生じた熱が、点灯回路ユニット１３からの熱に影響を受け難いヒートシンク１３へと高効率に伝達され、ヒートシンク１３を介して放熱されることになり、適切な放熱路が確保される。
【００３２】
また、ＬＥＤランプ１では、光源としてＬＥＤチップ１２０を含むので、従来の白熱電球などに比べて省エネルギ化を図ることができる。
また、ＬＥＤランプ１では、ヒートシンク１３および回路用ケース１４に接合されたホルダー１６が、シリコーン樹脂を介して給電口金１７に接合されているので、ＬＥＤユニット１０および点灯回路ユニット１５で生じた熱が、給電口金１７を介しても放熱される。よって、ＬＥＤランプ１では、高い放熱性を有する。
【００３３】
従って、実施の形態１に係るＬＥＤランプ１では、高い効率での点灯駆動が可能であり、また、ＬＥＤチップ１２０の温度上昇を抑制することにより、長寿命化を図ることが可能である。
［実施の形態２］
実施の形態２に係るＬＥＤランプ２について、図３を用い説明する。なお、図３では、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と同一構成部分については、同一の符号を付し、以下での説明を省略する。
【００３４】
図３に示すように、ＬＥＤランプ２は、ヒートシンク２３の形状が、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と構成面で相違する箇所である。ＬＥＤランプ２におけるヒートシンク２３は、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１のヒートシンク１３に比べて、底壁が広く形成されており、側壁がＺ軸下方に行くに従って縮径されている。なお、ヒートシンク２３の底壁外面２３ａに取り付けられているＬＥＤユニット１０については、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と同一であるが、ヒートシンク２３の底壁外面２３ａの面積に合わせて、光源ブロック１２の実装数を増やすことも可能である。
【００３５】
ＬＥＤランプ２における回路用ケース１４は、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１の回路用ケース１４と同一形状・サイズを有し、上記同様に、ヒートシンク２３の底壁内面２３ｂに接合されている。このため、ヒートシンク２３における側壁内面２３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間の間隙２３ｄは、Ｚ軸方向上方から下方に行くに従って狭くなっている。
【００３６】
ＬＥＤランプ２における他の構成は、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と同様である。
本実施の形態２に係るＬＥＤランプ２では、ヒートシンク２３の形状が、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と相違し、ヒートシンク２３の側壁内面２３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間の間隙２３ｄが上記ＬＥＤランプ１よりも大容量となっている。ただし、間隙２３ｄが広くなっているのは、ＬＥＤランプ２におけるＺ軸方向上側であって、下端部２３ｃでは、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１のヒートシンク１３と同様の径になっており、ホルダー１６に接合されている。
【００３７】
以上のように、本実施の形態に係るＬＥＤランプ２では、ヒートシンク２３の側壁内面２３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間隙２３ｄが、Ｚ軸方向上側に行くに従って広くなっていることで、断熱層として機能する間隙２３ｄの容量を大きく確保することができる。そして、ヒートシンク２３における下端部２３ｃは、Ｚ軸方向上側と比べて縮径されており、白熱電球の代替性という観点から問題を生じない。即ち、既存の白熱電球用のソケットなどをそのまま使用することができる。
【００３８】
本実施の形態に係るＬＥＤランプ２では、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１が有する優位性をそのまま有することは勿論である。
［実施の形態３］
実施の形態３に係るＬＥＤランプ３について、図４を用い説明する。なお、図４では、上記実施の形態１，２に係るＬＥＤランプ１，２と同一構成部分については、同一の符号を付し、以下での説明を省略する。
【００３９】
図４に示すように、ＬＥＤランプ３は、上記実施の形態１，２に係るＬＥＤランプ１，２に対して、ヒートシンク３３の側壁形状に特徴を有する。具体的には、ＬＥＤランプ３におけるヒートシンク３３は、側壁がＺ軸方向上側では上記実施の形態２に係るヒートシンク２３と同様に、拡径されているが、Ｚ軸方向の中程部分で回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間の間隙３３ｄがなくなる状態に縮径されている。ヒートシンク３３の側壁は、Ｚ軸方向中程（符号３３ｅ部分）から下側において、側壁内面３３ｆが回路用ケース１４の側壁外面１４ｆに当接した状態のまま、下端部３３ｃでホルダー３６に接合されている。
【００４０】
なお、図４では、Ｚ軸方向下側において、ヒートシンク３３の側壁内面３３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間隙３３ｄがない形態を示しているが、必ずしも密に当接している必要はなく、わずかな間隙が存在してもよい。
なお、ＬＥＤランプ３におけるヒートシンク３３を除く各要素の構成は、上記実施の形態１，２に係るＬＥＤランプ１，２と同様である。
【００４１】
本実施の形態に係るＬＥＤランプ３では、上述のように、ヒートシンク３３の側壁内面３３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとが、Ｚ軸方向下側で当接する構成が採用されており、このために、ヒートシンク３３と回路用ケース１４ｔの接合強度をより高く確保することができる。このため、ユーザが、ヒートシンク３３の側壁外面を把持して、ソケットに給電口金１７を螺合させようとする場合にあっても、ヒートシンク３３と回路用ケース１４との接合部分、およびヒートシンク３３の下端部３３ｃとホルダー３６との接合部分に歪を生じ難く、破損などを生じ難い。
【００４２】
また、本実施の形態に係るＬＥＤランプ３でも、Ｚ軸方向上側においてはヒートシンク３３の側壁内面３３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間に間隙３３ｄを有し、当該間隙３３ｄに空気が存在する。このため、この空気が存在する間隙３３ｄが、ヒートシンク３３と回路用ケース１４との間の断熱層として機能する。
本実施の形態に係るＬＥＤランプ３でも、上記実施の形態１，２に係るＬＥＤランプ１，２が有する優位性をそのまま有することは勿論である。
［実施の形態４］
実施の形態４に係るＬＥＤランプ４について、図５を用い説明する。なお、図５では、上記実施の形態１，２，３に係るＬＥＤランプ１，２，３と同一構成部分については、同一の符号を付し、以下での説明を省略する。
【００４３】
図５に示すように、本実施の形態に係るＬＥＤランプ４では、上記実施の形態３に係るＬＥＤランプ３のヒートシンク３３と相似のヒートシンク４３を備える。ＬＥＤランプ４が備えるヒートシンク４４は、上記実施の形態３に係るヒートシンク３３に比べて、Ｚ軸方向に若干長くなっている。そして、ＬＥＤランプ４では、ヒートシンク４４の底壁内面４３ｂと回路用ケース４４の底壁外面４４ｄとの間にも間隙４３ｇを有するところに主な特徴を有する。そして、ヒートシンク４４の底壁内面４３ｂと回路用ケース４４の底壁外面４４ｄとの間にも間隙４３ｇにも空気が存在しており、当該間隙４３ｇもヒートシンク４３と回路用ケース４４との間の断熱層として機能する。
【００４４】
ヒートシンク４３の構造およびヒートシンク４３と回路用ケース４４との相対配置関係を除き、ＬＥＤランプ４は、上記実施の形態３に係るＬＥＤランプ３と同一の構成を有する。
本実施の形態に係るＬＥＤランプ４では、ヒートシンク４３と回路用ケース４４との間において、側方の間隙４３ｄに加えて、底壁間にも間隙４３ｇを有する。このため、ＬＥＤランプ４では、上記実施の形態３に係るＬＥＤランプ３に対して、より一層、点灯回路ユニット１５からの熱がヒートシンク４３へと伝達され難く、発光ユニット１０からの熱が高い効率を以ってヒートシンク４３へと伝達され、放熱される。
［実施の形態５］
実施の形態５に係るＬＥＤランプ５について、図６を用い説明する。なお、図６では、上記実施の形態１，２，３，４に係るＬＥＤランプ１，２，３，４と同一構成部分については、同一の符号を付し、以下での説明を省略する。
【００４５】
図６に示すように、本実施の形態に係るＬＥＤランプ５では、ヒートシンク５３の側壁が内側要素５３ｉと外側要素５３ｈとからなる二重構造となっている。具体的には、ヒートシンク５３は、その底壁内面５３ｂからＺ軸方向の下方に向けて、内側要素５３ｉと外側要素５３ｈとが設けられており、互いの間に間隙５３ｊがあけられている。ヒートシンク５３の側壁を構成する両要素５３ｉ、５３ｈは、ともにＺ軸方向に沿った構成である。
【００４６】
なお、本実施の形態に係るＬＥＤランプ５においても、ヒートシンク５３の底壁内面５３ｂと回路用ケース４４の底壁外面４４ｄとの間に間隙５３ｇがあいており、また、ヒートシンク５３の側壁を構成する内側要素５３ｉの内面５３ｆと回路用ケース４４の側壁外面４４ｆとの間に間隙５３ｄがあいている。
ヒートシンク５３は、そのＺ軸方向下側において、内側要素５３ｉの下端部５３ｃがホルダー１６に接合されている。一方、ヒートシンク５３の外側要素５３ｈは、Ｚ軸方向下側が自由端となっており、間隙５３ｊは、下方で外方に解放されている。
【００４７】
本実施の形態に係るＬＥＤランプ５では、ヒートシンク５３と回路用ケース４４との間に間隙５３ｄ、５３ｇが設けられているので、上記実施の形態４に係るＬＥＤランプ４と同様に、ヒートシンク５３と回路用ケース４４との間の断熱が確実に図られ、点灯回路ユニット１５からの熱の影響を少なくＬＥＤユニット１０からの熱をヒートシンク５３へと伝達することができる。
【００４８】
また、ＬＥＤランプ５では、ヒートシンク５３における側壁を内側要素５３ｉと外側要素５３ｈとの二重構造としているので、側壁の表面積が、上記ヒートシンク４３に対して略２倍となる。このため、ＬＥＤランプ５では、ＬＥＤユニット１０から伝達された熱が、内側要素５３ｉおよび外側要素５３ｈの各表面から高い効率を以って外部に放熱される。
【００４９】
なお、図６に示すように、本実施の形態に係るＬＥＤランプ５では、ヒートシンク５３の側壁を構成する内側要素５３ｉの下端部５３ｃが外側要素５３ｈのそれよりも、Ｚ軸方向下方となるように設定されているが、逆の関係となってもよい。ただし、白熱電球代替という特性を考慮する必要がある。
［実施の形態６］
実施の形態６に係るＬＥＤランプ６について、図７を用い説明する。なお、図７では、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と同一構成部分については、同一の符号を付し、以下での説明を省略する。
【００５０】
図７に示すように、本実施の形態に係るＬＥＤランプ７では、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１に対して、ヒートシンク１３の形態およびヒートシンク１３と回路用ケース１４との接合形態などは同一の構成を有する。ただし、本実施の形態に係るＬＥＤランプ６では、ヒートシンク１３の側壁内面１３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間に、空気ではなく、ウレタンなどの断熱部材６０が充填されている。
【００５１】
ヒートシンク１３の側壁内面１３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間の断熱部材６０は、二点鎖線で囲んだ部分に示すように、ヒートシンク１３の側壁内面１３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間において、気泡６０ａを含みながら密に充填されている。なお、気泡６０ａについては、必須の構成ではないが、断熱性およびＬＥＤランプ６の軽量化という観点から、気泡６０ａを含むことが優位である。
【００５２】
本実施の形態に係るＬＥＤランプ６では、ヒートシンク１３と回路用ケース１４との間に断熱層として、ウレタンなどの断熱部材６０を有する点に特徴を有するが、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と同様に、ヒートシンク１３と回路用ケース１４との間の断熱性を確保することができる。このため、ＬＥＤランプ６では、ＬＥＤユニット１０で生じた熱を、点灯回路ユニット１５からの熱の影響を受け難い状態で、ヒートシンク１３へと伝達することができる。
【００５３】
また、ＬＥＤランプ６では、ヒートシンク１３の側壁内面１３ｆと回路用ケース１４の側壁外面１４ｆとの間に断熱部材６０を充填するので、この断熱部材６０が、ヒートシンク１３と回路用ケース１４との間の接着剤としての効果も奏し、強度の観点からより優位である。
［効果の確認］
上記実施の形態に係るＬＥＤランプ１，２，３，４，５，６が奏する効果について、複数個所の温度を測定した結果を考察しながら確認する。
【００５４】
１．サンプルの構成
（サンプル１）
サンプル１は、従来技術に係るＬＥＤランプを用いた。ここで、ＬＥＤユニットは、樹脂材料（例えば、全芳香族ポリイミド樹脂材料）からなる基台上に載置されており、含まれる光源ブロックの構成数は、７２［個］である。
【００５５】
なお、ＬＥＤユニットが載置された基台の容積は、４２［ｃｍ３］である。さらに、ＬＥＤユニットの外周を覆うカバーは、アクリル材料を用いて形成した。
（サンプル２）
サンプル２は、サンプル１に対して、カバーを省略した。他の構成は、サンプル１と同様である。
【００５６】
（サンプル３）
サンプル３は、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と同様の構成を採用する（図１を参照）。ただし、カバー１８は省略し、ヒートシンク１３をアルミニウム合金を用い形成した。ヒートシンク１３の容積は、４２［ｃｍ３］である。さらに、ホルダー１６は、樹脂材料を用い形成した。ＬＥＤユニット１０における光源ブロック１２の構成数は、７２［個］である。
【００５７】
（サンプル４）
サンプル４は、上記サンプル３と同様の構成を採用する。ただし、給電口金１７の内側において、ホルダー１６の内方にシリコーン樹脂を充填した。
（サンプル５）
サンプル５は、サンプル４の構成に加え、ＬＥＤユニット１０とヒートシンク１３における底壁外面１３ａとの間にシリコーン樹脂を介挿させた。
【００５８】
（サンプル６）
サンプル６は、図１に示す上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と同様の構成を採用する。ここで、ヒートシンク１３は、上記サンプル３，４，５と同様に、アルミニウム合金を用い形成した。ヒートシンク１３の容積、表面積などについては、上記サンプル３，４，５と同様である。また、カバー１８は、アクリル材料を用いて形成した。
【００５９】
２．温度測定条件と測定箇所
温度の測定にあたっては、上記サンプル１，２，３，４，５，６に対して、商用電力を供給し、点灯開始から１［時間］経過時点での温度を測定した。
各サンプル１，２，３，４，５，６における温度測定箇所は、図８に示すＰｏｓ．１からＰｏｓ．１１の各箇所である。
【００６０】
３．測定結果
上記サンプル１，２，３，４，５，６についての温度測定結果を、図９に示す。
図９に示すように、サンプル１，２では、箇所Ｐｏｓ．３（ＬＥＤ基板における発光ブロックの近傍箇所）での温度が、１１０［℃］と１２０［℃］となった。これに対して、サンプル６では、箇所Ｐｏｓ．３での温度が１００［℃］よりも若干低くなっており、サンプル３，４，５では、略９０［℃］となっている。よって、点灯回路ユニット１５を取り付ける回路用ケース１４とＬＥＤユニット１０を取り付けるヒートシンク１３とを別構成とし、互いの側壁同士の間に間隙１３どぉ設けているサンプル３，４，５では、サンプル１に対してはＬＥＤユニット１０の温度が３０［ｄｅｇ．］低下し、サンプル２に対しては２０［ｄｅｇ．］低下した。
【００６１】
また、測定箇所Ｐｏｓ．４からＰｏｓ．８においても、サンプル３，４，５，６は、サンプル１に対して２０［ｄｅｇ.］程度温度が低下し、サンプル２に対して１５［ｄｅｇ.］程度温度が低下した。
一方、箇所Ｐｏｓ．１１、即ち、給電口金１７，９７の側面の温度は、サンプル１，２が５５［℃］〜６０［℃］であるのに対して、サンプル３，４，５，６が８０［℃］〜９０［℃］となった。これより、サンプル３，４，５，６では、ＬＥＤユニット１０や点灯回路ユニット１５で生じた熱が、高い効率で給電口金１７まで伝達されていることが分かる。
【００６２】
以上より、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１と同様に、ＬＥＤユニット１０を取り付けるヒートシンク１３と、点灯回路ユニット１５を取り付ける回路用ケース１４とを別構成としたサンプル３，４，５，６では、箇所Ｐｏｓ．３から箇所Ｐｏｓ．１１に至る各温度が均一に近い状態となっており、サンプル１，２に対してＬＥＤユニット１０における温度が大きく低下している。よって、サンプル３，４，５，６では、ＬＥＤユニット１０の発光効率を高く維持することができ、また、その長寿命化を図ることができる。
【００６３】
特に、給電口金１７の取り付け箇所に相当するホルダー１６の内部にシリコーン樹脂を充填したサンプル３，４，５では、シリコーン樹脂を充填しなかったサンプル６よりも、さらに全ての箇所Ｐｏｓ．３〜Ｐｏｓ．１１での温度を５［ｄｅｇ.］程度低下させることができた。
［変形例］
変形例に係るＬＥＤランプの構成について、主な特徴であるＬＥＤユニット７０を示す図１０を用い説明する。
【００６４】
図１０（ａ）に示すように、本変形例に係るＬＥＤランプが備えるＬＥＤユニット７０は、円板状のＬＥＤ基板１１の主面上に、扁平な円筒状の光源ブロック７２が実装されている。光源ブロック７２は、ＬＥＤ基板１１の主面上に実装された複数のＬＥＤチップ７２０と、それら複数のＬＥＤチップ７２０をＬＥＤ基板１１全体に一つづきに覆うように形成された波長変換層７２８とから構成されている。二点鎖線で囲む矢印Ｂで指し示す部分について、図１０（ｂ）を用い説明する。
【００６５】
図１０（ｂ）に示すように、ＬＥＤ基板１１は、基板本体１１０の一方の主面上に、導電ランド１１１が敷設された構成を有する。そして、ＬＥＤチップ７２０は、ＬＥＤ基板１１における導電ランド１１１に対し、Ｚ軸方向下側から順に、電極層７２１、ｎ−ＳｉＣ基板７２２、ｎ−ＧａＮ層７２３、発光層７２４、ｐ−ＧａＮ層７２５および電極層７２６が積層された構成を有する。ＬＥＤチップ７２０は、下側の電極層７２１が、ＬＥＤ基板２１における一部の導電ランド１１１に接合されており、上側の電極層７２６が他の部分の導電ランド１１１に対しＡｕワイヤー７２７により接続されている。
【００６６】
波長変換層７２８の構成については、上記実施の形態１に係るＬＥＤランプ１の波長変換層１２８と同様である。
ＬＥＤチップ７２０における電極層７２１は、例えば、Ｎｉ／Ａｇ／Ｐｔ／Ａｕからなり、上記ＬＥＤチップ１２０における電極層１２１と同様に、高反射層としての機能を有する。一方、電極層７２６は、例えば、Ｎｉ／Ａｕからなる。
【００６７】
なお、本変形例に係るＬＥＤユニット７０を、上記実施の形態１〜６に対して適用することも、勿論可能である。
［その他の事項］
上記実施の形態１〜６では、ＬＥＤユニット１０の外周を覆うカバー１８を設けることとしたが、カバー１８については必須の構成要素ではなく、省略することも可能である。
【００６８】
また、上記実施の形態１〜６では、ヒートシンク１３，２３，３３，４３，５３の形状を円筒形状としたが、必ずしも円筒形状に限定されるものではなく、各筒形状や長円断面を有するような形状とすることも可能である。回路用ケース１４，４４の形状についても同様である。
また、上記実施の形態１〜６に係るＬＥＤランプ１〜６では、給電端としてエジソンベースの給電口金１７を有することとしたが、給電端としては、エジソンベースの給電口金１７を必ずしも採用しなければならないものではなく、ピンが２本突設された給電口金を採用することもでき、あるいは、単にリードを延出させた構成とすることもできる。
【００６９】
また、上記実施の形態１〜６に係るＬＥＤランプ１〜６では、回路用ケース１４，４４の全体がヒートシンク１３，２３，３３，４３，５３の筒内に導入された構成を採用しているが、必ずしも回路用ケース１４，４４の全体をヒートシンク１３，２３，３３，４３，５３の筒内に導入しなければならないものではない。例えば、ヒートシンク１３，２３，３３，４３，５３における下端部１３ｃ，２３ｃ，３３ｃ，４３ｃ，５３ｃよりも下方に、回路用ケース１４，４４の一部が飛び出している構成を採用することもできる。
【００７０】
また、上記実施の形態１〜６および変形例に係るＬＥＤランプでは、発光源としてＬＥＤを採用したが、本発明は、これに限らず、半導体発光素子を採用することができる。ＬＥＤの他の例としては、例えば、半導体レーザ素子などがあげられる。
また、上記実施の形態１〜５に係るＬＥＤランプ１〜５では、ヒートシンク１３，２３，３３，４３，５３における側壁内面１３ｆ，２３ｆ，３３ｆ，４３ｆ，５３ｆと、回路用ケース１４における側壁外面１４ｆ，４４ｆとの間の間隙１３ｄ，２３ｄ，３３ｄ，４３ｄ，５３ｄに空気が存在する構成としたが、断熱性に優れる他の気体を充填する構成を採用することも可能である。
【００７１】
また、回路用ケース１４，４４の構成材料としては、樹脂材料以外にも、例えば、セラミックス材料を採用することができ、ヒートシンク１３，２３，３３，４３，５３の構成材料に対して、熱伝導性の低い材料を採用することが望ましい。回路用ケース１４，４４の形状は、有底筒状に限定されるものではなく、例えば、有底方形状とすることもできる。
【００７２】
また、ヒートシンク１３，２３，３３，４３，５３の材料としては、金属材料以外にも、例えば、セラミックス材料を用いることもできる。ヒートシンク１３，２３，３３，４３，５３の形状についても、例えば、有底筒状に限定されるものではなく、有底方形状とすることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、高い発光効率と、優れた寿命特性とを有するランプを実現するのに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】実施の形態１に係るＬＥＤランプ１の構成を示す側面図（一部、切欠き断面図）である。
【図２】（ａ）は、実施の形態１に係るＬＥＤランプ１が備えるＬＥＤユニット１０の構成を示す上面図であり、（ｂ）は、発光ユニット１０の構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態２に係るＬＥＤランプ２の構成を示す側面図（一部、切欠き断面図）である。
【図４】実施の形態３に係るＬＥＤランプ３の構成を示す側面図（一部、切欠き断面図）である。
【図５】実施の形態４に係るＬＥＤランプ４の構成を示す側面図（一部、切欠き断面図）である。
【図６】実施の形態５に係るＬＥＤランプ５の構成を示す側面図（一部、切欠き断面図）である。
【図７】実施の形態６に係るＬＥＤランプ６の構成を示す側面図（一部、切欠き断面図）である。
【図８】実験に係る温度測定箇所を示す模式側面図である。
【図９】サンプル毎の各箇所の温度測定結果を示す特性図である。
【図１０】（ａ）は、変形例に係るＬＥＤランプが備えるＬＥＤユニット７０の構成を示す上面図であり、（ｂ）は、発光ユニット７０の構成を示す断面図である。
【図１１】従来技術に係るＬＥＤランプの構成を示す側面図（一部、切欠き断面図）である。
【符号の説明】
【００７５】
１，２，３，４，５，６．ＬＥＤランプ
１０，７０．ＬＥＤユニット
１１．ＬＥＤ基板
１２，７２．光源ブロック
１３，２３，３３，４３，５３．ヒートシンク
１４，４４．回路用ケース
１５．点灯回路ユニット
１６，３６．ホルダー
１７．給電口金
１８．カバー
１９，２０．リード
６０．断熱部材
１１０．基板本体
１１１．導電ランド
１２０，７２０．ＬＥＤチップ
１２１，１２６，７２１，７２６．電極層
１２２，７２５．ｐ−ＧａＮ層
１２３，７２４．発光層
１２４，７２３．ｎ−ＧａＮ層
１２５．サファイア基板
１２７．バンプ
１２８，７２８．波長変換層
７２２．ｎ−ＳｉＣ基板
７２７．Ａｕワイヤー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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