(57)【要約】【課題】半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、赤色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子３０と、青色半導体レーザ素子２０とを備え、赤色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０の各々が電力を供給するためのワイヤ（ワイヤ７ａおよび７ｂ、ワイヤｅおよび７ｆ、ワイヤ７ｃおよび７ｄ）に個別に接続された状態で単一のパッケージ４内に配置され、かつ、レーザ光の出射方向（Ｘ方向）から見て、赤色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子３０との間に青色半導体レーザ素子２０が配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色半導体レーザ素子と、
緑色半導体レーザ素子と、
青色半導体レーザ素子とを備え、
前記赤色半導体レーザ素子、前記緑色半導体レーザ素子および前記青色半導体レーザ素子の各々が電力を供給するためのワイヤに個別に接続された状態で単一のパッケージ内に配置され、かつ、レーザ光の出射方向から見て、前記赤色半導体レーザ素子と前記緑色半導体レーザ素子との間に前記青色半導体レーザ素子が配置されている、半導体レーザ装置。
【請求項２】
第１発光部を有する赤色半導体レーザ素子と、
第２発光部を有する緑色半導体レーザ素子と、
第３発光部を有する青色半導体レーザ素子と、
前記赤色半導体レーザ素子、前記緑色半導体レーザ素子および前記青色半導体レーザ素子が配置された支持基体を有するパッケージとを備え、
レーザ光の出射方向から見て、前記赤色半導体レーザ素子と前記緑色半導体レーザ素子との間に前記青色半導体レーザ素子が配置され、前記第１発光部、前記第２発光部および前記第３発光部がそれぞれ前記支持基体側になるように配置されている、半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記パッケージは、前記赤色半導体レーザ素子、前記緑色半導体レーザ素子および前記青色半導体レーザ素子が配置された支持基体を有する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記赤色半導体レーザ素子と前記支持基体との間に配置される第１放熱基台と、
前記緑色半導体レーザ素子および前記青色半導体レーザ素子と前記支持基体との間に配置される少なくとも１つの第２放熱基台とをさらに備え、
前記第１放熱基台は、前記第２放熱基台から分離されている、請求項２または３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記支持基体は、前記第１放熱基台が配置された部分と前記第２放熱基台が配置された部分との間に溝部を有する、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記支持基体は、前記第１放熱基台が配置される第１支持基体と、前記第２放熱基台が配置され、前記第１支持基体と分離された第２支持基体とを有する、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
赤色半導体レーザ素子と、緑色半導体レーザ素子と、青色半導体レーザ素子とを含み、前記赤色半導体レーザ素子、前記緑色半導体レーザ素子および前記青色半導体レーザ素子が単一のパッケージ内に配置され、かつ、レーザ光の出射方向から見て、前記赤色半導体レーザ素子と前記緑色半導体レーザ素子との間に前記青色半導体レーザ素子が配置されている半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置からの光の変調を行う変調手段とを備える、表示装置。
【請求項８】
前記赤色半導体レーザ素子、前記緑色半導体レーザ素子および前記青色半導体レーザ素子は、略同時に発振するか、または時系列的に交互に発振するように構成されている、請求項７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置および表示装置に関し、特に、赤色半導体レーザ素子と、緑色半導体レーザ素子と、青色半導体レーザ素子とを備える半導体レーザ装置およびそれを備える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、赤色半導体レーザ素子と、緑色半導体レーザ素子と、青色半導体レーザ素子とを備える半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１に記載のレーザ光源（半導体レーザ装置）では、単一のパッケージ（ステム）の上に接合された単一の支持基板（放熱基台）の表面上に、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子がこの順番で所定の間隔を隔てて平面的に配置されている。すなわち、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子とが隣接するように配置されている。また、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子は、それぞれ、ろう材により、導電性の金属層によって被覆された支持基板にジャンクションダウン方式で接合されている。
【０００４】
ここで、緑色半導体レーザ素子は発光効率（エネルギー変換効率）が悪いため、緑色半導体レーザ素子が赤色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子と同程度の発光強度を得るためには、緑色半導体レーザ素子に対して赤色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子よりも、より多くの電力を供給する必要がある。したがって、半導体レーザ装置の動作時に、緑色半導体レーザ素子からの発熱量は、赤色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子からの発熱量と比べて大きくなる。
【０００５】
一方、発振波長の長い赤色半導体レーザ素子は、発振波長の短い青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子と比べて、バンドギャップが小さい材料からなる。このため、赤色半導体レーザ素子において、温度の上昇によって増加する閾値電流の増加量が、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子における閾値電流の増加量と比べて大きくなる。したがって、赤色半導体レーザ素子では、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子と比べて、閾値電流の増加に伴って増加する動作電流の増加量が大きいため、温度上昇に起因して発光特性がより劣化しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１８６２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に開示されたレーザ光源では、赤色半導体レーザ素子が、緑色半導体レーザ素子と隣接するように単一の支持基板の表面上に接合されていることによって、両者を略同時または時系列的に交互に発振させた場合に、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子から支持基板を介して赤色半導体レーザ素子に熱が伝播する。このため、レーザ光源の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することによって、赤色半導体レーザ素子の動作電流が大きくなる。したがって、赤色半導体レーザ素子の発光特性が劣化するという問題点がある。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することが可能な半導体レーザ装置および表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００９】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、赤色半導体レーザ素子と、緑色半導体レーザ素子と、青色半導体レーザ素子とを備え、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子の各々が電力を供給するためのワイヤに個別に接続された状態で単一のパッケージ内に配置され、かつ、レーザ光の出射方向から見て、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子との間に青色半導体レーザ素子が配置されている。
【００１０】
この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子との間に青色半導体レーザ素子を配置することによって、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子からの熱が、赤色半導体レーザ素子に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる。また、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子の各々を電力を供給するためのワイヤに個別に接続された状態で配置することによって、各々のレーザ素子に個別に接続されたワイヤの部分から各々のレーザ素子が発生する熱を放出させることができるので、これによっても、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる。
【００１１】
この発明の第２の局面による半導体レーザ装置は、第１発光部を有する赤色半導体レーザ素子と、第２発光部を有する緑色半導体レーザ素子と、第３発光部を有する青色半導体レーザ素子と、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子が配置された支持基体を有するパッケージとを備え、レーザ光の出射方向から見て、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子との間に青色半導体レーザ素子が配置され、第１発光部、第２発光部および第３発光部がそれぞれ支持基体側になるように配置されている。
【００１２】
この発明の第２の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子との間に青色半導体レーザ素子を配置することによって、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子からの熱が、赤色半導体レーザ素子に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる。また、第１発光部、第２発光部および第３発光部をそれぞれ支持基体側になるように配置することによって、赤色半導体レーザ素子の第１発光部において発生する熱と、緑色半導体レーザ素子の第２発光部において発生する熱と、青色半導体レーザ素子の第３発光部において発生する熱とを、容易に、第１発光部、第２発光部および第３発光部の近傍に位置する支持基体から放出させることができる。これにより、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子からの熱が、赤色半導体レーザ素子に伝播するのをより低減することができるとともに、赤色半導体レーザ素子の第１発光部において発生する熱を支持基体において放出させることができるので、これによっても、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる。
【００１３】
上記第１および第２の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、赤色半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板上に形成されているとともに、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子は、それぞれ、窒化物系半導体を含む材料により構成されている。このように構成すれば、本発明の半導体レーザ装置を構成する赤色半導体レーザ素子と、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子とを容易に形成することができる。
【００１４】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、パッケージは、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子が配置された支持基体を有する。このように構成すれば、支持基体によって、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子の各々において発生した熱を外部に放出することができる。
【００１５】
上記パッケージが支持基体を有する半導体レーザ装置において、好ましくは、赤色半導体レーザ素子は、支持基体側に形成された第１発光部を有する。このように構成すれば、赤色半導体レーザ素子の第１発光部において発生する熱を、容易に、赤色半導体レーザ素子の第１発光部の近傍に設けられた支持基体から放出させることができるので、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化をより抑制することができる。
【００１６】
上記パッケージが支持基体を有する半導体レーザ装置において、好ましくは、赤色半導体レーザ素子と支持基体との間に配置される第１放熱基台と、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子と支持基体との間に配置される少なくとも１つの第２放熱基台とをさらに備え、第１放熱基台は、第２放熱基台から分離されている。このように構成すれば、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子からの熱が、第２放熱基台および第１放熱基台を介して、赤色半導体レーザ素子に伝播するのを低減することができる。また、赤色半導体レーザ素子において発生する熱を、第１放熱基台から放出させることができるとともに、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子において発生する熱を、第２放熱基台から放出させることができる。これらにより、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化をより抑制することができる。
【００１７】
この場合、好ましくは、第１放熱基台の熱伝導率は、第２放熱基台の熱伝導率よりも大きい。このように構成すれば、第１放熱基台において赤色半導体レーザ素子から支持基体への放熱を効率よく行うことができる。また、第２放熱基台において緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子から支持基体へ熱が伝達されるのをある程度遅らせることができる。したがって、赤色半導体レーザ素子に熱をより伝播させにくくすることができる。
【００１８】
上記第１放熱基台が第２放熱基台から分離されている半導体レーザ装置において、好ましくは、第２放熱基台は、緑色半導体レーザ素子と支持基体との間に配置される第３放熱基台と、青色半導体レーザ素子と支持基体との間に配置され、第３放熱基台と分離された第４放熱基台とを含む。このように構成すれば、緑色半導体レーザ素子において発生する熱と青色半導体レーザ素子において発生する熱とを、第３放熱基台および第４放熱基台において別々に放出させることができるので、赤色半導体レーザ素子に熱をさらに伝播させにくくすることができる。
【００１９】
上記第１放熱基台が第２放熱基台から分離されている半導体レーザ装置において、好ましくは、支持基体は、第１放熱基台が配置された部分と第２放熱基台が配置された部分との間に溝部を有する。このように構成すれば、支持基体の溝部によって、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子からの熱が赤色半導体レーザ素子に伝播するのを一層低減することができる。
【００２０】
上記第１放熱基台が第２放熱基台から分離されている半導体レーザ装置において、好ましくは、支持基体は、第１放熱基台が配置される第１支持基体と、第２放熱基台が配置され、第１支持基体と分離された第２支持基体とを有する。このように構成すれば、第１放熱基台が第２放熱基台から分離されているのみならず、第１放熱基台が配置される第１支持基体と第２放熱基台が配置される第２支持基体とも分離されているので、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子からの熱が赤色半導体レーザ素子に伝播するのをより一層低減することができる。
【００２１】
上記パッケージが支持基体を有する半導体レーザ装置において、好ましくは、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子は、それぞれ、第２発光部および第３発光部を有し、第２発光部および第３発光部は、それぞれ、支持基体側になるように配置されている。このように構成すれば、緑色半導体レーザ素子の第２発光部において発生する熱と、青色半導体レーザ素子の第３発光部において発生する熱とを、第２発光部および第３発光部の近傍に位置する支持基体から容易に放出させることができる。
【００２２】
上記第１放熱基台が第２放熱基台から分離されている半導体レーザ装置において、好ましくは、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子は、それぞれ、第１発光部、第２発光部および第３発光部を有し、第１発光部は、第１放熱基台側になるように配置されているとともに、第２発光部および第３発光部は、それぞれ、第２放熱基台側になるように配置されている。このように構成すれば、赤色半導体レーザ素子の第１発光部において発生する熱を、第１発光部の近傍に位置する第１放熱基台および支持基体から容易に放出させることができるとともに、緑色半導体レーザ素子の第２発光部において発生する熱と、青色半導体レーザ素子の第３発光部において発生する熱とを、第２発光部および第３発光部の近傍に位置する第２放熱基台および支持基体から容易に放出させることができる。
【００２３】
上記第１放熱基台が第２放熱基台から分離されている半導体レーザ装置において、好ましくは、パッケージ、第１放熱基台および第２放熱基台は、それぞれ、導電性を有する。このように構成すれば、パッケージと、赤色半導体レーザ素子の一方電極、緑色半導体レーザ素子の一方電極および青色半導体レーザ素子の一方電極とを接続するためのワイヤが不要になるので、半導体レーザ装置におけるワイヤ配線が複雑化するのを抑制することができる。
【００２４】
上記パッケージが支持基体を有する半導体レーザ装置において、好ましくは、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子の支持基体側と反対側の電極には、それぞれ、ワイヤが接続されている。このように構成すれば、電力を供給するための配線の自由度を大きくすることができるとともに、各々のレーザ素子において発生する熱を、各々に接続されたワイヤを介して放出させることができる。
【００２５】
上記第１および第２の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子は、同一の基板の表面上に形成されている。このように構成すれば、緑色半導体レーザ素子と青色半導体レーザ素子とを別々に固定する必要がないので、緑色半導体レーザ素子の発光点と、青色半導体レーザ素子の発光点との間隔をより正確に位置決めすることができる。
【００２６】
上記パッケージが支持基体を有する半導体レーザ装置において、好ましくは、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子とは、それぞれ、支持基体の両端部近傍に配置されている。このように構成すれば、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子との間隔を大きくすることができるので、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子からの熱が、赤色半導体レーザ素子に伝播するのをより低減することができるとともに、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化をより抑制することができる。
【００２７】
上記第１および第２の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、赤色半導体レーザ素子は、単一のパッケージ内に複数個配置され、複数の赤色半導体レーザ素子は、それぞれ、緑色半導体レーザ素子と隣り合わないようにパッケージ内に配置されている。このように構成すれば、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子からの熱が、緑色半導体レーザ素子と隣り合わないように複数配置された赤色半導体レーザ素子の各々に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置の動作時に、各々の赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる。
【００２８】
上記第１および第２の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子は、共通の一方電極を有する。このように構成すれば、緑色半導体レーザ素子の一方電極および青色半導体レーザ素子の一方電極に共通の電源を接続して、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を駆動させることができる。
【００２９】
上記第１および第２の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子は、それぞれ、支持基体側とは反対側に形成された第２発光部および第３発光部を有する。このように構成すれば、支持基体側に第２発光部および第３発光部が配置される場合と比べて、第２発光部および第３発光部を支持基体から遠ざけることができるので、第２発光部および第３発光部において発生した熱が、支持基体を介して赤色半導体レーザ素子に伝播するのをより低減することができる。
【００３０】
この発明の第３の局面による表示装置は、赤色半導体レーザ素子と、緑色半導体レーザ素子と、青色半導体レーザ素子とを含み、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子が単一のパッケージ内に配置され、かつ、レーザ光の出射方向から見て、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子との間に青色半導体レーザ素子が配置されている半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置からの光の変調を行う変調手段とを備える。
【００３１】
この発明の第３の局面による表示装置では、上記のように、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子との間に青色半導体レーザ素子を配置することによって、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子からの熱が、赤色半導体レーザ素子に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる半導体レーザ装置を用いて、変調手段により光を変調させて所望の画像を表示させることができる。
【００３２】
上記第３の局面による表示装置において、好ましくは、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を、略同時に発振するか、または時系列的に交互に発振するように構成されている。なお、「略同時に発振する」とは、一方の半導体レーザ素子が発振している間に、他の半導体レーザ素子が発振していればよく、必ずしも赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子の発振の開始が一致している必要はない。このように赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を略同時または時系列的に交互に発振する場合には、それぞれ個別に発振させる場合と比べて、発振させているレーザ素子の数や合計発振時間が増加するので、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を駆動させることにより発生する合計の熱量が大きくなる。この場合に、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子とを隣り合わないように配置することによって、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子からの熱が、赤色半導体レーザ素子に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置の動作時に、赤色半導体レーザ素子の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を有効に抑制することができる表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。
【図２】図１の１０００−１０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図３】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置を備え、半導体レーザ素子が時系列的に交互に点灯されるプロジェクタ装置を示した模式図である。
【図４】図３に示した第１実施形態による制御部が時系列的に信号を発信する状態を示したタイミングチャートである。
【図５】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置を備え、半導体レーザ素子が略同時に点灯されるプロジェクタ装置を示した模式図である。
【図６】本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。
【図７】図６の２０００−２０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。
【図９】図８の３０００−３０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。
【図１１】図１０の４０００−４０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。
【図１３】図１２の５０００−５０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１４】本発明の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１５】本発明の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１６】本発明の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１７】本発明の変形例による半導体レーザ装置の構造を光出射方向に対して直交する方向から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３５】
（第１実施形態）
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。
【００３６】
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００では、図１および図２に示すように、約６４０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子１０と、約４６５ｎｍの発振波長を有する青色半導体レーザ素子２０と、約５３０ｎｍの発振波長を有する緑色半導体レーザ素子３０とが、それぞれ、レーザ光の出射方向（Ｘ方向）から見て、レーザ光の出射方向と垂直な方向の一方端部側（Ｙ１側）から順に所定の間隔を隔てて配置されている放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃ（図２参照）の表面上に接合されている。これにより、半導体レーザ装置１００は、ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を構成している。また、赤色半導体レーザ素子１０は、後述するパッケージ４（支持基体４ａ）のＹ１側の端部近傍に配置されているとともに、緑色半導体レーザ素子３０は、パッケージ４（支持基体４ａ）のレーザ光の出射方向と垂直な方向の他方端部側（Ｙ２側）の端部近傍に配置されている。なお、赤色半導体レーザ素子１０は、約６１０ｎｍ〜約７５０ｎｍの範囲の発振波長を有するように構成してもよい。また、青色半導体レーザ素子２０は、約４３５ｎｍ〜約４８５ｎｍの範囲の発振波長を有するように構成してもよい。また、緑色半導体レーザ素子３０は、約５００ｎｍ〜約５６５ｎｍの範囲の発振波長を有するように構成してもよい。なお、放熱基台１ａは、本発明の「第１放熱基台」の一例であり、放熱基台１ｂおよび１ｃは、それぞれ、本発明の「第２放熱基台」の一例である。
【００３７】
また、半導体レーザ装置１００は、ディスプレイ用の光源として使用することが可能なように構成されている。すなわち、半導体レーザ装置１００は、ディスプレイ用の光源として使用可能なように、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０が、略同時に発振するか、または時系列的にそれぞれ交互に発振するように構成されている。これによって、半導体レーザ装置１００を、白色などの複数色を表示可能なディスプレイ用の光源として用いることが可能となるように構成されている。
【００３８】
また、第１実施形態では、図２に示すように、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃは、それぞれ、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０において発生した熱を、後述する支持基体４ａに放出させるために設けられている。また、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃは、絶縁性を有するとともに、熱伝導率が大きく熱伝導性が良好なＡｌＮからなる。なお、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃは、絶縁性を有するとともに、熱伝導率が大きく熱伝導性が良好なダイヤモンドやＳｉＣなどを用いてもよい。さらに、放熱基台１ａをＣｕからなるとともに、放熱基台１ｂおよび１ｃをＳｉからなるように構成してもよい。このように構成すれば、放熱基台１ａ（Ｃｕ）は放熱基台１ｂおよび１ｃ（Ｓｉ）に比べて熱伝導率が大きいので、放熱基台１ａにおいて赤色半導体レーザ素子１０から支持基体４ａへの放熱を効率よく行うことができる。また、放熱基台１ｂおよび１ｃは放熱基台１ａに比べて熱伝導率が小さいので、放熱基台１ｂおよび１ｃにおいて緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０から支持基体４ａへ熱が伝達されるのをある程度遅らせることができる。したがって、赤色半導体レーザ素子１０に熱をより伝播させにくくすることができる。
【００３９】
また、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃは、それぞれ、Ａｕを含む金属層２ａ、２ｂおよび２ｃと、ＡｕＳｎを含む半田からなる導電性の融着層３ａ、３ｂおよび３ｃとを介して、導電性を有する支持基体４ａの平坦面状の面に接合されている。この金属層２ａ、２ｂおよび２ｃは、それぞれ、支持基体４ａに対する融着層３ａ、３ｂおよび３ｃの濡れ性を改善するために形成されている。また、支持基体４ａは、熱伝導率が大きく熱伝導性が良好なＣｕまたはＦｅからなり、表面にはＡｕメッキが施されている。これにより、支持基体４ａは、放熱可能なように構成されている。また、支持基体４ａは、導電性を有するステム（支持体）４ｂに一体的に固定されている。なお、導電性を有する支持基体４ａとステム４ｂとはパッケージ４の構成要素である。また、パッケージ４は、接地されている。
【００４０】
ここで、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子１０が接合されている放熱基台１ａは、支持基体４ａのＹ１側に接合されているとともに、緑色半導体レーザ素子３０が接合されている放熱基台１ｃは、支持基体４ａのＹ２側に接合されている。また、青色半導体レーザ素子２０が接合されている放熱基台１ｂは、放熱基台１ａおよび１ｃの間に配置されるように支持基体４ａに接合されている。これにより、赤色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子３０とは隣り合わないように青色半導体レーザ素子２０を挟んで支持基体４ａの表面上に配置されている。さらに、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０は、単一のパッケージ４内に配置されているとともに、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃは、それぞれ、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０と支持基体４ａとの間に配置されている。
【００４１】
また、図１および図２に示すように、ステム（支持体）４ｂには、絶縁リング５を介して、Ｙ１側から順にリード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅおよび６ｆが取り付けられている。このリード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅおよび６ｆは、図示しない電源と接続されている。また、リード端子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅおよび６ｆには、それぞれ、Ａｕからなる導電性のワイヤ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅおよび７ｆの一方端が接続されている。このワイヤ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅおよび７ｆは、半導体レーザ素子（赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０）に電力を供給するために設けられている。
【００４２】
また、図２に示すように、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃの表面上には、それぞれ、Ａｕを含む金属層８ａ、８ｂおよび８ｃが形成されている。また、図１に示すように、金属層８ａ、８ｂおよび８ｃには、それぞれ、ワイヤ７ｂ、７ｄおよび７ｆの他方端が接続されている。
【００４３】
また、第１実施形態では、図２に示すように、金属層８ａ、８ｂおよび８ｃの表面上には、それぞれ、導電性を有するとともに、熱伝導率が大きく熱伝導性が良好なＡｕＳｎを含む半田からなる融着層９ａ、９ｂおよび９ｃが形成されている。この融着層９ａ、９ｂおよび９ｃは、それぞれ、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０を放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃ上に接合するために設けられているとともに、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０において発生した熱を、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃに放出させるために設けられている。
【００４４】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の表面上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１２、ＡｌＩｎＧａＰからなる活性層１３およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１４がこの順番で積層された構造を有している。また、青色半導体レーザ素子２０は、ｎ型ＧａＮ基板２１の表面上に、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮからなるｎ型クラッド層２２、ＩｎＧａＮからなる活性層２３およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮからなるｐ型クラッド層２４がこの順番で積層された構造を有している。また、緑色半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＩｎＧａＮ基板３１の表面上に、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮからなるｎ型クラッド層３２、ＩｎＧａＮからなる活性層３３およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮからなるｐ型クラッド層３４がこの順番で積層された構造を有している。また、活性層１３、２３および３３は、単層構造、２層の障壁層（図示せず）と１層の井戸層（図示せず）とが交互に積層された単一量子井戸（ＳＱＷ）構造、障壁層（図示せず）と井戸層（図示せず）とが交互に複数積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造などのいずれの構造により構成されてもよい。
【００４５】
また、ｐ型クラッド層１４、２４および３４は、それぞれ、素子の略中央部に形成されたリッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａと、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａのレーザ光の出射方向と垂直な方向（Ｙ方向）に延びる平坦部とを有している。また、図１に示すように、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａは、それぞれ、共振器方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。すなわち、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０は、リッジ導波型のレーザ素子構造を有するように構成されている。なお、図２に示すように、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａを構成するｐ型クラッド層１４、２４および３４の上部に、それぞれ、後述するｐ側電極１６、２６および３６とのコンタクト特性を向上させるためのｐ型コンタクト層を設けてもよい。
【００４６】
また、第１実施形態では、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａの下部の活性層１３、２３および３３の部分において、それぞれ、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０における本発明の「第１発光部」、「第３発光部」および「第２発光部」がそれぞれ形成されている。また、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０は、それぞれ、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａがパッケージ４の支持基体４ａ側（Ｚ１側）に位置するように放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃに接合されている。したがって、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０は、それぞれ、ジャンクションダウン方式により放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃに接合されている。
【００４７】
また、ｐ型クラッド層１４、２４および３４の平坦部とリッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａの側面とを覆うように、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層１５、２５および３５がそれぞれ形成されている。また、リッジ部１４ａ、２４ａおよび３４ａと電流ブロック層１５、２５および３５との表面上には、それぞれ、Ａｕなどからなるｐ側電極１６、２６および３６が形成されている。このｐ側電極１６、２６および３６は、それぞれ、金属層８ａ、８ｂおよび８ｃと融着層９ａ、９ｂおよび９ｃとを介して、ワイヤ７ｂ、７ｄおよび７ｆに接続されている。
【００４８】
また、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の表面上には、Ａｕを含むｎ側電極１７が形成されている。また、ｎ型ＧａＮ基板２１の表面上には、Ａｕを含むｎ側電極２７が形成されている。また、ｎ型ＩｎＧａＮ基板３１の表面上には、Ａｕを含むｎ側電極３７が形成されている。また、図１および図２に示すように、ｎ側電極１７、２７および３７には、それぞれ、ワイヤ７ａ、７ｃおよび７ｅの他方端が接続されている。すなわち、パッケージ４（支持基体４ａ）側とは反対側の電極であるｎ側電極１７、２７および３７に、それぞれ、１本のワイヤ７ａ、７ｃおよび７ｅが接続されている。
【００４９】
また、リード端子６ａとリード端子６ｂとの間に電圧（リード端子６ｂが正電位）を印加することによって、赤色半導体レーザ素子１０は、駆動可能なように構成されている。また、リード端子６ｃとリード端子６ｄとの間に電圧（リード端子６ｄが正電位）を印加することによって、青色半導体レーザ素子２０は、駆動可能なように構成されている。また、リード端子６ｅとリード端子６ｆとの間に電圧（リード端子６ｆが正電位）を印加することによって、緑色半導体レーザ素子３０は、駆動可能なように構成されている。
【００５０】
次に、図２〜図５を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００を備えるプロジェクタ装置１４０および１５０について説明する。
【００５１】
まず、図２〜図４を参照して、半導体レーザ素子が時系列的に点灯されるプロジェクタ装置１４０について説明する。
【００５２】
本発明の第１実施形態によるプロジェクタ装置１４０には、図３に示すように、赤色半導体レーザ素子１０（図２参照）、青色半導体レーザ素子２０（図２参照）および緑色半導体レーザ素子３０（図２参照）が設けられた半導体レーザ装置１００と、複数の光学部品からなる光学系１４１と、半導体レーザ装置１００および光学系１４１を制御する制御部１４２とが設けられている。これにより、半導体レーザ装置１００からの光が、光学系１４１により変調された後、スクリーン１４３などに投影されるように構成されている。なお、光学系１４１は、本発明の「変調手段」の一例である。
【００５３】
また、光学系１４１において、半導体レーザ装置１００から出射された光は、それぞれ、レンズ１４１ａにより平行光に変換された後、ライトパイプ１４１ｂに入射される。
【００５４】
ライトパイプ１４１ｂは内面が鏡面となっており、光は、ライトパイプ１４１ｂの内面で反射を繰り返しながらライトパイプ１４１ｂ内を進行する。この際、ライトパイプ１４１ｂ内での多重反射作用によって、ライトパイプ１４１ｂから出射される各色の光の強度分布が均一化される。また、ライトパイプ１４１ｂから出射された光は、リレー光学系１４１ｃを介してデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）素子１４１ｄに入射される。
【００５５】
ＤＭＤ素子１４１ｄは、マトリクス状に配置された微小なミラー群からなる。また、ＤＭＤ素子１４１ｄは、各画素位置の光の反射方向を、投写レンズ１４１ｅに向かう第１の方向Ａと投写レンズ１４１ｅから逸れる第２の方向Ｂとに切り替えることにより各画素の階調を表現（変調）する機能を有している。各画素位置に入射される光のうち第１の方向Ａに反射された光（ＯＮ光）は、投写レンズ１４１ｅに入射されて被投写面（スクリーン１４３）に投写される。また、ＤＭＤ素子１４１ｄによって第２の方向Ｂに反射された光（ＯＦＦ光）は、投写レンズ１４１ｅには入射されずに光吸収体１４１ｆによって吸収される。
【００５６】
また、プロジェクタ装置１４０では、制御部１４２によってパルス電圧が半導体レーザ装置１００に供給されるように制御されることによって、半導体レーザ装置１００の赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０は、それぞれ、時系列的に分割されて１素子ずつ交互（ｃｙｃｌｉｃ）に駆動されるように構成されている。また、制御部１４２によって、光学系１４１のＤＭＤ素子１４１ｄは、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０の駆動とそれぞれ同期しながら、各画素の階調を変調するように構成されている。
【００５７】
具体的には、図４に示すように、青色半導体レーザ素子２０の駆動に関するＢ信号、緑色半導体レーザ素子３０の駆動に関するＧ信号および赤色半導体レーザ素子１０の駆動に関するＲ信号が、それぞれ互いに重ならないように時系列的に分割され、制御部１４２によって半導体レーザ装置１００の各レーザ素子に供給される。また、このＢ信号、Ｇ信号およびＲ信号に同期して、制御部１４２からＢ画像信号、Ｇ画像信号およびＲ画像信号が、それぞれ、ＤＭＤ素子１４１ｄに出力される。
【００５８】
これにより、Ｂ信号に基づいて、青色半導体レーザ素子２０の青色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｂ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子１４１ｄにより青色光が変調される。また、Ｂ信号の次に出力されるＧ信号に基づいて、緑色半導体レーザ素子３０の緑色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｇ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子１４１ｄにより緑色光が変調される。さらに、Ｇ信号の次に出力されるＲ信号に基づいて、赤色半導体レーザ素子１０の赤色光が発光されるとともに、このタイミングで、Ｒ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子１４１ｄにより赤色光が変調される。その後、Ｒ信号の次に出力されるＢ信号に基づいて、青色半導体レーザ素子２０の青色光が発光されるとともに、このタイミングで、再度、Ｂ画像信号に基づいて、ＤＭＤ素子１４１ｄにより青色光が変調される。上記の動作が繰り返されることによって、Ｂ画像信号、Ｇ画像信号およびＲ画像信号に基づいたレーザ光照射による画像が、被投写面（スクリーン１４３）に投写される。このようにして、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００が時系列的に交互に点灯されるプロジェクタ装置１４０が構成されている。
【００５９】
次に、図２および図５を参照して、半導体レーザ素子が略同時に点灯されるプロジェクタ装置１５０について説明する。
【００６０】
まず、本発明の第１実施形態によるプロジェクタ装置１５０には、図５に示すように、赤色半導体レーザ素子１０（図２参照）、青色半導体レーザ素子２０（図２参照）および緑色半導体レーザ素子３０（図２参照）が設けられた半導体レーザ装置１００と、複数の光学部品からなる光学系１５１と、半導体レーザ装置１００および光学系１５１を制御する制御部１５２とが設けられている。これにより、半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光が、光学系１５１により変調された後、外部のスクリーン１５３などに投影されるように構成されている。なお、光学系１５１は、本発明の「変調手段」の一例である。
【００６１】
また、光学系１５１において、半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光は、凹レンズと凸レンズとからなる分散角制御レンズ１５１ａにより所定ビーム径を有する平行光に変換された後、フライアイインテグレータ１５１ｂに入射される。また、フライアイインテグレータ１５１ｂでは、蝿の目状のレンズ群からなる２つのフライアイレンズが向き合うように構成されており、液晶パネル１５１ｇ、１５１ｊおよび１５１ｐに入射する際の光量分布が均一となるように分散角制御レンズ１５１ａから入射される光に対してレンズ作用を付与する。すなわち、フライアイインテグレータ１５１ｂを透過した光は、液晶パネル１５１ｇ、１５１ｊおよび１５１ｐのサイズに対応したアスペクト比（たとえば１６：９）の広がりをもって入射できるように調整されている。
【００６２】
また、フライアイインテグレータ１５１ｂを透過した光は、コンデンサレンズ１５１ｃによって集光される。また、コンデンサレンズ１５１ｃを透過した光のうち、赤色光のみがダイクロイックミラー１５１ｄによって反射される一方、緑色光および青色光はダイクロイックミラー１５１ｄを透過する。
【００６３】
そして、赤色光は、ミラー１５１ｅを経てレンズ１５１ｆによる平行化の後に液晶パネル１５１ｇに入射される。この液晶パネル１５１ｇは、赤色用の駆動信号（Ｒ画像信号）に応じて駆動されることにより赤色光を変調する。なお、レンズ１５１ｆを透過した赤色光は、入射側偏光板（図示せず）を介して液晶パネル１５１ｇに入射される。
【００６４】
また、ダイクロイックミラー１５１ｈでは、ダイクロイックミラー１５１ｄを透過した光のうちの緑色光のみが反射される一方、青色光はダイクロイックミラー１５１ｈを透過する。
【００６５】
そして、緑色光は、レンズ１５１ｉによる平行化の後に液晶パネル１５１ｊに入射される。この液晶パネル１５１ｊは、緑色用の駆動信号（Ｇ画像信号）に応じて駆動されることにより緑色光を変調する。なお、レンズ１５１ｉを透過した緑色光は、入射側偏光板（図示せず）を介して液晶パネル１５１ｊに入射される。
【００６６】
また、ダイクロイックミラー１５１ｈを透過した青色光は、レンズ１５１ｋ、ミラー１５１ｌ、レンズ１５１ｍおよびミラー１５１ｎを経て、さらにレンズ１５１ｏによって平行化がなされた後、液晶パネル１５１ｐに入射される。この液晶パネル１５１ｐは、青色用の駆動信号（Ｂ画像信号）に応じて駆動されることにより青色光を変調する。なお、レンズ１５１ｏを透過した青色光は、入射側偏光板（図示せず）を介して液晶パネル１５１ｐに入射される。
【００６７】
その後、液晶パネル１５１ｇ、１５１ｊおよび１５１ｐによって変調された赤色光、緑色光および青色光は、ダイクロイックプリズム１５１ｑにより合成された後、出射側偏光板（図示せず）を介して投写レンズ１５１ｒへと入射される。また、投写レンズ１５１ｒは、投写光を被投写面（スクリーン１５３）上に結像させるためのレンズ群と、レンズ群の一部を光軸方向に変位させて投写画像のズームおよびフォーカスを調整するためのアクチュエータを内蔵している。
【００６８】
また、プロジェクタ装置１５０では、制御部１５２によって、青色半導体レーザ素子２０の駆動に関するＢ信号、緑色半導体レーザ素子３０の駆動に関するＧ信号および赤色半導体レーザ素子１０の駆動に関するＲ信号としての定常的な電圧が、半導体レーザ装置１００各レーザ素子に供給される。これによって、半導体レーザ装置１００の赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０は、それぞれ、実質的に同時に発振されるように構成されている。また、制御部１５２によって半導体レーザ装置１００の赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０の各々の光の強度を制御することによって、スクリーン１５３に投写される画素の色相や輝度などが制御されるように構成されている。これにより、制御部１５２によって所望の画像がスクリーン１５３に投写される。このようにして、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００が略同時に点灯されるプロジェクタ装置１５０が構成されている。
【００６９】
第１実施形態では、上記のように、赤色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子３０との間に青色半導体レーザ素子２０を支持基体４ａの表面上に配置することによって、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子３０からの熱が、赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置１００の動作時に、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる。また、支持基体４ａによって、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０の各々において発生した熱を外部に放出することができる。
【００７０】
また、第１実施形態では、パッケージ４（支持基体４ａ）側とは反対側の電極であるｎ側電極１７、２７および３７に、それぞれ、１本のワイヤ７ａ、７ｃおよび７ｅを接続することによって、電力を供給するための配線の自由度を大きくすることができるとともに、各々の半導体レーザ素子（赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０）に個別に接続されたワイヤ（７ａ、７ｃおよび７ｅ）の部分から各々の半導体レーザ素子が発生する熱を放出させることができるので、半導体レーザ装置１００の動作時に、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる。
【００７１】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子１０を、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に形成するとともに、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０を、それぞれ、ＡｌＩｎＧａＮおよびＩｎＧａＮを含む材料により構成することによって、半導体レーザ装置１００における赤色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０とを容易に形成することができる。
【００７２】
また、第１実施形態では、放熱基台１ａを、放熱基台１ｂおよび１ｃから分離することによって、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０からの熱が、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃを介して、赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのを低減することができる。また、赤色半導体レーザ素子１０において発生する熱を、放熱基台１ａから放出させることができるとともに、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０において発生する熱を、それぞれ、放熱基台１ｃおよび１ｂから放出させることができる。これらにより、半導体レーザ装置１００の動作時に、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化をより抑制することができる。また、緑色半導体レーザ素子３０において発生する熱および青色半導体レーザ素子２０において発生する熱を、放熱基台１ｃおよび１ｂにおいて別々に放出させることができるので、赤色半導体レーザ素子１０に熱をさらに伝播させにくくすることができる。
【００７３】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子１０のリッジ部１４ａを、支持基体４ａ側に形成することによって、赤色半導体レーザ素子１０の発光部（リッジ部１４ａの下部の活性層１３の部分）において発生する熱を、容易に、赤色半導体レーザ素子１０の発光部の近傍に設けられた支持基体４ａから放出させることができるので、半導体レーザ装置１００の動作時に、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化をより抑制することができる。
【００７４】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０を、略同時に発振するか、または時系列的に交互に発振するように構成することによって、赤色半導体レーザ素子１０、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０を駆動させることにより発生する熱量が大きくなる状態において、赤色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子３０とを隣り合わないように配置することにより、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子３０からの熱が、赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置１００の動作時に、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を有効に抑制することができる。
【００７５】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０を、それぞれ、ジャンクションダウン方式により放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃ（支持基体４ａ側）に接合することによって、赤色半導体レーザ素子１０の第１発光部において発生する熱を、第１発光部の近傍に位置する放熱基台１ａおよび支持基体４ａから容易に放出させることができる。さらに、緑色半導体レーザ素子３０の第２発光部において発生する熱と、青色半導体レーザ素子２０の第３発光部において発生する熱とを、第３発光部および第２発光部の近傍に位置する放熱基台１ｃおよび１ｂと支持基体４ａとから容易に放出させることができる。
【００７６】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子１０を支持基体４ａのＹ１側の端部近傍に配置し、かつ、緑色半導体レーザ素子３０を支持基体４ａのＹ２側の端部近傍に配置することによって、赤色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子３０との間隔を大きくすることができるので、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子３０からの熱が、赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのをより低減することができるとともに、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化をより抑制することができる。
【００７７】
また、第１実施形態では、プロジェクタ装置１４０において、制御部１４２によってパルス電圧を半導体レーザ装置１００に供給するように制御することにより、半導体レーザ装置１００の赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０を、それぞれ、時系列的に分割されて１素子ずつ交互に駆動（発振）するように構成されている。この場合、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０を駆動させることにより発生する熱量は、時系列的に分割されて１素子ずつ交互に駆動されることに起因して、赤色半導体レーザ素子１０のみを駆動させた場合と比べて大きくなるが、このような場合においても、赤色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子３０とを隣り合わないように配置することにより、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子３０からの熱が、赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置１００の動作時に、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を有効に抑制することができる。
【００７８】
また、第１実施形態では、プロジェクタ装置１５０において、制御部１５２によって定常的な電圧を半導体レーザ装置１００に供給するように制御することにより、半導体レーザ装置１００の赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０を、それぞれ、実質的に同時に発振するように構成されている。この場合、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０を駆動させることにより発生する熱量は、各々の半導体レーザ素子が実質的に同時に発振されることに起因して、赤色半導体レーザ素子１０のみを駆動させた場合と比べて大きくなるが、このような場合においても、赤色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子３０とを隣り合わないように配置することにより、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子３０からの熱が、赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置１００の動作時に、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を有効に抑制することができる。
【００７９】
また、第１実施形態では、プロジェクタ装置１４０に、半導体レーザ装置１００と光学系１４１とを設けるとともに、プロジェクタ装置１５０に、半導体レーザ装置１００と光学系１５１とを設けることによって、発振波長の長い赤色半導体レーザ素子１０が劣化するのを抑制することができる半導体レーザ装置１００を用いて、光学系１４１および１５１により光を変調させて所望の画像を表示させることができる。
【００８０】
（第１実施形態の変形例）
次に、図１、図６および図７を参照して第１実施形態の変形例について説明する。この第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置２００では、上記第１実施形態と異なり、ｐ側電極１６、２６および３６が、導電性を有する放熱基台２０１ａ、２０１ｂおよび２０１ｃを介して、支持基体４ａと電気的に接続されることにより、正極（ｐ側）が共通のアノードコモン結線が実現されている場合について説明する。
【００８１】
本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置２００では、図６および図７に示すように、接地されているパッケージ４の導電性を有するステム（支持体）４ｂには、Ｙ１側から順にリード端子２０６ａ、２０６ｃ、２０６ｅおよび２０６ｇが取り付けられている。また、リード端子２０６ａ、２０６ｃ、２０６ｅおよび２０６ｇには、それぞれ、ワイヤ２０７ａ、２０７ｃ、２０７ｅおよび２０７ｇの一方端が接続されている。また、図６に示すように、ワイヤ２０７ｇの他方端は、導電性を有する支持基体４ａの表面上に接続されている。
【００８２】
ここで、第１実施形態の変形例では、図７に示すように、赤色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および緑色半導体レーザ素子３０は、それぞれ、融着層９ａ、９ｂおよび９ｃによって、Ｙ１側から順に所定の間隔を隔てて配置されている放熱基台２０１ａ、２０１ｂおよび２０１ｃに接合されている。この放熱基台２０１ａ、２０１ｂおよび２０１ｃは、導電性を有するとともに、熱伝導率が大きく熱伝導性が良好なＣｕからなる。なお、放熱基台２０１ａ、２０１ｂおよび２０１ｃは、導電性を有するとともに、熱伝導率が大きく熱伝導性が良好なＡｌなどを用いてもよい。なお、放熱基台２０１ａは、本発明の「第１放熱基台」の一例であり、放熱基台２０１ｂおよび２０１ｃは、それぞれ、本発明の「第２放熱基台」の一例である。
【００８３】
また、第１実施形態の変形例では、放熱基台２０１ａ、２０１ｂおよび２０１ｃは、それぞれ、ＡｕＳｎを含む半田からなる導電性の融着層３ａ、３ｂおよび３ｃを介して、導電性の支持基体４ａに接合されている。これにより、赤色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６、青色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６および緑色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６は、それぞれ、融着層９ａ、９ｂおよび９ｃと、放熱基台２０１ａ、２０１ｂおよび２０１ｃと、融着層３ａ、３ｂおよび３ｃとを介して、支持基体４ａと電気的に接続されている。すなわち、赤色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６と、青色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６と、緑色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６とがすべて接続された、正極（ｐ側）が共通であるアノードコモン結線が実現されている。これにより、上記第１実施形態における３本のリード端子６ｂ、６ｄおよび６ｆ（図１参照）が、リード端子２０６ｇに一本化されるとともに、第１実施形態における３本のワイヤ７ｂ、７ｄおよび７ｆ（図１参照）が、ワイヤ２０７ｇに一本化される。この結果、リード端子およびワイヤの本数を削減することが可能であるので、ワイヤ配線を簡略化することが可能であるとともに、半導体レーザ装置２００を小型化することが可能である。
【００８４】
また、図６および図７に示すように、ｎ側電極１７、２７および３７には、それぞれ、ワイヤ２０７ａ、２０７ｃおよび２０７ｅの他方端が接続されている。これにより、リード端子２０６ａとリード端子２０６ｇとの間に電圧を印加することによって、赤色半導体レーザ素子１０は、駆動可能なように構成されている。また、リード端子２０６ｃとリード端子２０６ｇとの間に電圧を印加することによって、青色半導体レーザ素子２０は、駆動可能なように構成されている。また、リード端子２０６ｅとリード端子２０６ｇとの間に電圧を印加することによって、緑色半導体レーザ素子３０は、駆動可能なように構成されている。なお、第１実施形態の変形例のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００８５】
第１実施形態の変形例では、上記のように、パッケージ４（支持基体４ａ）、放熱基台２０１ａ、２０１ｂおよび２０１ｃが、それぞれ、導電性を有するように構成することによって、パッケージ４と、赤色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１６、緑色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６および青色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６とを接続するためのワイヤが不要になるので、半導体レーザ装置２００におけるワイヤ配線が複雑化するのを抑制することができる。なお、第１実施形態の変形例の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００８６】
（第２実施形態）
次に、図８および図９を参照して第２実施形態について説明する。この第２実施形態による半導体レーザ装置３００では、上記第１実施形態と異なり、青色半導体レーザ素子２０と緑色半導体レーザ素子３０とが、同一の放熱基台３０１ｄの表面上に所定の間隔を隔てて接合されている場合について説明する。なお、放熱基台３０１ｄは、本発明の「第２放熱基台」の一例である。
【００８７】
本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置３００では、図８および図９に示すように、青色半導体レーザ素子２０と緑色半導体レーザ素子３０とが、放熱基台３０１ｄの表面上に所定の間隔を隔てて接合されている。具体的には、図９に示すように、絶縁性を有するとともに、熱伝導率が大きく熱伝導性が良好なＡｌＮからなる放熱基台３０１ｄは、支持基体４ａのＹ２側から中央部近傍までＹ方向に延びるように配置されている。また、放熱基台３０１ｄは、ＡｕＳｎを含む半田からなる導電性の融着層３０３ｄによって、Ａｕを含む金属層３０２ｄを介して、導電性を有する支持基体４ａのＹ２側に接合されている。
【００８８】
また、青色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２６側は、融着層９ｂによって、放熱基台３０１ｄのＹ１側の金属層８ｂの上にジャンクションダウン方式で接合されている。また、緑色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３６側は、融着層９ｃによって、放熱基台３０１ｄのＹ２側の金属層８ｃの上にジャンクションダウン方式で接合されている。また、第１実施形態と同様に、赤色半導体レーザ素子１０は、融着層９ａによって、支持基体４ａのＹ１側に接合された放熱基台１ａに金属層８ａを介して接合されている。これにより、赤色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子３０とは隣り合わないように青色半導体レーザ素子２０を挟んで配置されている。なお、第２実施形態のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００８９】
第２実施形態では、上記のように、青色半導体レーザ素子２０と緑色半導体レーザ素子３０とを、同一の放熱基台３０１ｄの表面上に間隔を隔てて接合することによって、半導体レーザ装置３００の組立時に、使用部品点数を減らすことができるので、容易に、半導体レーザ装置３００を組み立てることができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００９０】
（第３実施形態）
次に、図１０および図１１を参照して第３実施形態について説明する。この第３実施形態による半導体レーザ装置４００では、上記第２実施形態と異なり、青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０により、モノリシック型の青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０を形成している場合について説明する。
【００９１】
本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置４００では、図１０に示すように、パッケージ４のステム（支持体）４ｂには、Ｙ１側から順にリード端子６ａ、６ｂ、４０６ｄ、４０６ｈおよび４０６ｆが取り付けられている。また、リード端子６ａ、６ｂ、４０６ｄ、４０６ｈおよび４０６ｆには、それぞれ、ワイヤ７ａ、７ｂ、４０７ｄ、４０７ｈおよび４０７ｆの一方端が接続されている。
【００９２】
ここで、第３実施形態では、図１１に示すように、青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０は、モノリシック型の青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０を形成している。具体的には、青色半導体レーザ素子４２０は、ｎ型ＧａＮ基板４６１のＹ１側の表面上に、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮからなるｎ型クラッド層４２２と、ＩｎＧａＮからなる活性層４２３と、リッジ部４２４ａを有するｐ型ＡｌＩｎＧａＮからなるｐ型クラッド層４２４とがこの順番で積層された構造を有している。また、緑色半導体レーザ素子４３０は、青色半導体レーザ素子４２０が形成された基板と同一のｎ型ＧａＮ基板４６１のＹ２側の表面上に、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮからなるｎ型クラッド層４３２と、ＩｎＧａＮからなる活性層４３３と、リッジ部４３４ａを有するｐ型ＡｌＩｎＧａＮからなるｐ型クラッド層４３４とがこの順番で積層された構造を有している。また、リッジ部４２４ａおよび４３４ａの下部の活性層４２３および４３３の部分において、それぞれ、青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０における本発明の「第２発光部」および「第３発光部」がそれぞれ形成されている。
【００９３】
また、ｐ型クラッド層４２４および４３４の平坦部とリッジ部４２４ａおよび４３４ａの側面とを覆うように、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層４２５および４３５がそれぞれ形成されている。また、リッジ部４２４ａおよび４３４ａと電流ブロック層４２５および４３５との表面上には、それぞれ、Ａｕなどからなるｐ側電極４２６および４３６が形成されている。なお、リッジ部４２４ａおよび４３４ａを構成するｐ型クラッド層４２４および４３４の上部に、それぞれ、ｐ側電極４２６および４３６とのコンタクト特性を向上させるためのｐ型コンタクト層を設けてもよい。また、ｎ型ＧａＮ基板４６１の表面上には、Ａｕを含むｎ側電極４６２が形成されている。これにより、青色半導体レーザ素子４２０のｎ側電極４６２と緑色半導体レーザ素子４３０のｎ側電極４６２とが接続された、負極（ｎ側）が共通であるカソードコモン結線が実現されている。
【００９４】
また、青色半導体レーザ素子４２０のｐ側電極４２６は、融着層９ｂによって、放熱基台３０１ｄのＹ１側の金属層８ｂの上にジャンクションダウン方式で接合されている。また、緑色半導体レーザ素子４３０のｐ側電極４３６は、融着層９ｃによって、放熱基台３０１ｄのＹ２側の金属層８ｃの上にジャンクションダウン方式で接合されている。また、図１０に示すように、金属層８ｂおよび８ｃには、それぞれ、ワイヤ４０７ｄおよび４０７ｆの他方端が接続されている。また、図１０および図１１に示すように、ｎ側電極４６２には、ワイヤ４０７ｈの他方端が接続されている。
【００９５】
また、上記第２実施形態（第１実施形態）と同様に、リード端子６ａとリード端子６ｂとの間に電圧（リード端子６ｂが正電位）を印加することによって、赤色半導体レーザ素子１０は、駆動可能なように構成されている。また、リード端子４０６ｈとリード端子４０６ｄとの間に電圧（リード端子４０６ｄが正電位）を印加することによって、青色半導体レーザ素子４２０は、駆動可能なように構成されている。また、リード端子４０６ｈとリード端子４０６ｆとの間に電圧（リード端子４０６ｆが正電位）を印加することによって、緑色半導体レーザ素子４３０は、駆動可能なように構成されている。なお、第３実施形態のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。
【００９６】
第３実施形態では、上記のように、青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０を、モノリシック型の青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０として形成することによって、青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０のｎ側電極４６２に対して、共通のリード端子４０６ｈおよびワイヤ４０７ｈを使用することができるので、リード端子およびワイヤの数を減少させることができる。さらに、ワイヤの本数が少なくて済むので、ワイヤ配線を簡略化することができる。
【００９７】
また、第３実施形態では、青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０を、モノリシック型の青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０として形成することによって、青色半導体レーザ素子４２０の発光点と緑色半導体レーザ素子４３０の発光点とのＹ方向の間隔がより正確に位置決めした状態で、青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０を放熱基台３０１ｄの表面上に接合することができる。
【００９８】
また、第３実施形態では、緑色半導体レーザ素子４３０および青色半導体レーザ素子４２０が、共通のｎ側電極４６２を有するように構成することによって、緑色半導体レーザ素子４３０のｎ側電極４６２および青色半導体レーザ素子４２０のｎ側電極４６２に共通の電源を接続して、緑色半導体レーザ素子４３０および青色半導体レーザ素子４２０を駆動させることができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００９９】
（第４実施形態）
次に、図１２および図１３を参照して第４実施形態について説明する。この第４実施形態による半導体レーザ装置５００では、上記第３実施形態と異なり、モノリシック型の青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０を構成している青色半導体レーザ素子４２０と緑色半導体レーザ素子４３０とが、放熱基台３０１ｄにジャンクションアップ方式で接合されている場合について説明する。
【０１００】
本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置５００では、図１２に示すように、パッケージ４のステム（支持体）４ｂには、Ｙ１側から順にリード端子６ａ、６ｂ、５０６ｄ、５０６ｉおよび５０６ｆが取り付けられている。また、リード端子６ａ、６ｂ、５０６ｄ、５０６ｉおよび５０６ｆには、それぞれ、ワイヤ７ａ、７ｂ、５０７ｄ、５０７ｉおよび５０７ｆの一方端が接続されている。
【０１０１】
ここで、第４実施形態では、図１３に示すように、モノリシック型の青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０を構成している青色半導体レーザ素子４２０と緑色半導体レーザ素子４３０とが、放熱基台３０１ｄにジャンクションアップ方式で接合されている。具体的には、青色半導体レーザ素子４２０のｐ側電極４２６および緑色半導体レーザ素子４３０のｐ側電極４３６が支持基体４ａ側とは反対側（Ｚ２側）に位置するように、青色半導体レーザ素子４２０と緑色半導体レーザ素子４３０との共通のｎ側電極４６２が、融着層５０９ｄを介して、放熱基台３０１ｄの表面上に形成された金属層５０８ｄに接合されている。これにより、青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０は、それぞれ、リッジ部４２４ａおよび４３４ａが放熱基台３０１ｄとは反対側（Ｚ２側）に位置するように放熱基台３０１ｄに接合されている。また、ｐ側電極４２６および４３６には、それぞれ、ワイヤ５０７ｄおよび５０７ｆの他方端が接続されている。また、図１２に示すように、金属層５０８ｄには、ワイヤ５０７ｉの他方端が接続されている。
【０１０２】
また、リード端子５０６ｄとリード端子５０６ｉとの間に電圧を印加することによって、青色半導体レーザ素子４２０は、駆動可能なように構成されている。また、リード端子５０６ｆとリード端子５０６ｉとの間に電圧を印加することによって、緑色半導体レーザ素子４３０は、駆動可能なように構成されている。なお、第４実施形態のその他の構造は、上記第３実施形態と同様である。
【０１０３】
第４実施形態では、上記のように、青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０を構成する青色半導体レーザ素子４２０と緑色半導体レーザ素子４３０とを、放熱基台３０１ｄにジャンクションアップ方式で接合することによって、ジャンクションダウン方式で接合する場合と比べて、青色半導体レーザ素子４２０の第３発光部（リッジ部４２４ａの下部の活性層４２３の部分）と緑色半導体レーザ素子４３０の第２発光部（リッジ部４３４ａの下部の活性層４３３の部分）とを放熱基台３０１ｄからＺ２方向に遠ざけることができるので、青色半導体レーザ素子４２０の第３発光部および緑色半導体レーザ素子４３０の第２発光部において発生した熱が、放熱基台３０１ｄ、パッケージ４および放熱基台１ａを介して、赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのを低減することができる。これにより、赤色半導体レーザ素子１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化をより抑制することができる。なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第３実施形態と同様である。
【０１０４】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【０１０５】
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、半導体レーザ装置が、赤色半導体レーザ素子と、青色半導体レーザ素子と、緑色半導体レーザ素子とをそれぞれ１つずつ備えた例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、半導体レーザ装置を、４つ以上の半導体レーザ素子を備えるように構成してもよい。この際、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子とは隣り合わないように配置する必要がある。たとえば、図１４の半導体レーザ装置６００のように、単一のパッケージ４の支持基体４ａ上に、Ｙ１側から順に、赤色半導体レーザ素子６１０、赤色半導体レーザ素子６１０、青色半導体レーザ素子６２０、緑色半導体レーザ素子６３０、緑色半導体レーザ素子６３０と並ぶように配置することによって、赤色半導体レーザ素子６１０と緑色半導体レーザ素子６３０とが隣り合わないように配置してもよい。これにより、発熱量の大きい緑色半導体レーザ素子６３０からの熱が緑色半導体レーザ素子６３０と隣り合わないように複数配置された赤色半導体レーザ素子６１０の各々に伝播するのを低減することができるので、半導体レーザ装置６００の動作時に、各々の赤色半導体レーザ素子６１０の温度が上昇することに起因する発光特性の劣化を抑制することができる。
【０１０６】
また、上記第１〜第４実施形態では、パッケージの支持基体の放熱基台側の面を平坦面状に形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、図１５の半導体レーザ装置７００のように、パッケージ７０４の支持基体７０４ａの放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃ側の面で、かつ、放熱基台１ａと１ｂとの間および放熱基台１ｂと１ｃの間に、それぞれ、溝部７０４ｃを設けてもよい。これにより、支持基体７０４ａの溝部７０４ｃによって、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０からの熱が赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのを一層低減することができる。
【０１０７】
また、上記第１〜第４実施形態では、パッケージの支持基体の放熱基台側の面を平坦面状に形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、図１６の半導体レーザ装置８００のように、パッケージ８０４の支持基体を放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃごとに、それぞれ、支持基体８０４ｄ、８０４ｅおよび８０４ｆに分離させるように構成してもよい。なお、支持基体８０４ｄは、本発明の「第１支持基体」の一例であり、支持基体８０４ｅおよび８０４ｆは、それぞれ、本発明の「第２支持基体」の一例である。これにより、放熱基台１ａ、１ｂおよび１ｃがそれぞれ分離されているのみならず、放熱基台１ａが配置される支持基体８０４ｄと、放熱基台１ｂが配置される支持基体８０４ｅと、放熱基台１ｃが配置される支持基体８０４ｆともそれぞれ分離されているので、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子２０からの熱が赤色半導体レーザ素子１０に伝播するのをより一層低減することができる。
【０１０８】
また、上記第１〜第４実施形態では、支持基体側とは反対側の電極に、それぞれ１本のワイヤを接続した例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、図１７の半導体レーザ装置９００のように、図１の第１実施形態におけるレーザ装置１００のｎ側電極１７、２７および３７に、それぞれ、ワイヤ７ａ、７ｃおよび７ｅを接続するとともに、ワイヤ９０７ｊ、９０７ｋおよび９０７ｌの一方端をそれぞれ接続することによって、ｎ側電極１７、２７および３７にそれぞれ２本のワイヤを接続してもよい。これにより、各々の半導体レーザ素子に複数個ワイヤを接続することによって、各々の半導体レーザ素子からより放熱させることが可能である。なお、ワイヤ９０７ｊ、９０７ｋおよび９０７ｌの他方端は、それぞれ、リード端子６ａ、６ｃおよび６ｅに接続されている。また、各々の半導体レーザ素子の支持基体側とは反対側の電極に、それぞれ、３本以上のワイヤを接続してもよい。
【０１０９】
また、上記第１〜第４実施形態では、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を、成長用基板（ｎ型ＧａＮ基板およびｎ型ＩｎＧａＮ基板）を有する状態で放熱基台に接合した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、Ｇｅなどからなる支持基板に貼り替えて成長用基板を除去した後に、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を放熱基台に接合してもよい。
【０１１０】
また、上記第１〜第４実施形態（第１実施形態の変形例を除く）では、導電性を有する支持基体およびステム（支持体）によってパッケージを構成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、支持基体およびステムを、セラミックスなどの熱伝導率が大きく熱伝導性の良好な絶縁体からなるように構成してもよい。
【０１１１】
また、上記第１〜第４実施形態では、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を、ＡｌＩｎＧａＮやＩｎＧａＮなどの窒化物系半導体層により形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＢＮ、ＴｌＮおよびこれらの混晶からなるウルツ鉱構造の窒化物系半導体層により形成してもよい。
【０１１２】
また、上記第１〜第４実施形態では、赤色半導体レーザ素子が接合される放熱基台と、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子が接合される放熱基台とを異ならせた例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、赤色半導体レーザ素子が接合される放熱基台と、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子が接合される放熱基台とが共通であってもよい。
【０１１３】
また、上記第１〜第４実施形態では、赤色半導体レーザ素子を、ジャンクションダウン方式で放熱基台に接合した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、赤色半導体レーザ素子を、ジャンクションアップ方式で放熱基台に接合してもよい。
【０１１４】
また、上記第４実施形態では、モノリシック型の青・緑２波長半導体レーザ素子部４６０を構成している青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０を、ジャンクションアップ方式で放熱基台に接合した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、個々の青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を、それぞれ、ジャンクションアップ方式で放熱基台に接合してもよい。また、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子のいずれか一方をジャンクションアップ方式で放熱基台に接合し、他方をジャンクションダウン方式で放熱基台に接合してもよい。この場合、赤色半導体レーザ素子へ伝播する熱の影響を考えて、緑色半導体レーザ素子をジャンクションアップ方式で放熱基台に接合する方が好ましい。
【０１１５】
また、上記第３実施形態では、青色半導体レーザ素子４２０および緑色半導体レーザ素子４３０を、１つの放熱基台３０１ｄの表面上に接合した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を、それぞれ、２つの放熱基台の表面上に個別に接合してもよい。
【０１１６】
また、上記第１〜第４実施形態では、赤色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子をそれぞれ支持基体の端部近傍に接着した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、赤色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を支持基体の中央近傍に接着してもよい。この際、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子とが互いに隣り合わないように、赤色半導体レーザ素子と緑色半導体レーザ素子との間に青色半導体レーザ素子が配置されている必要がある。
【０１１７】
また、上記第１実施形態では、プロジェクタ装置が液晶パネルを有する光学系を備える場合およびＤＭＤ素子を有する光学系を備える場合を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、プロジェクタ装置は変調手段を備えるものであればよく、たとえば、プロジェクタ装置がスキャンミラーを有する光学系を備えるように構成してもよい。
【符号の説明】
【０１１８】
１ａ、２０１ａ  放熱基台（第１放熱基台）
１ｂ、１ｃ、２０１ｂ、２０１ｃ、３０１ｄ  放熱基台（第２放熱基台）
４、７０４、８０４  パッケージ
４ａ、７０４ａ  支持基体
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、２０７ｇ、４０７ｈ、５０７ｉ、９０７ｊ、９０７ｋ、９０７ｌ  ワイヤ
１０、６１０  赤色半導体レーザ素子
２０、４２０、６２０  青色半導体レーザ素子
３０、４３０、６３０  緑色半導体レーザ素子
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００  半導体レーザ装置
１４０、１５０  プロジェクタ装置
１４１、１５１  光学系（変調手段）
７０４ｃ  溝部
８０４ｄ  支持基体（第１支持基体）
８０４ｅ、８０４ｆ  支持基体（第２支持基体）
Ｘ  出射方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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