(57)【要約】【課題】基板の周縁部を保持する保持溝の内部を好適に洗浄することのできる基板処理装置を提供する。【解決手段】起立させた基板５０を収容する処理槽１０と、基板５０の周縁部５２を保持する保持溝２２を有し処理槽１０に対して昇降移動する基板昇降部（リフタ）２０と、処理槽１０に収容された基板５０を保持溝２２の溝壁面および溝底面から脱離させるとともに、基板５０の外周面５４が保持溝２２の溝底面に対向した状態で基板５０を保持する槽内保持部１２と、槽内保持部１２に保持された基板５０の周縁部５２と保持溝２２との間に、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させる保持溝洗浄部３０と、を備える基板処理装置１００。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
起立させた基板を収容する処理槽と、
前記基板の周縁部を保持する保持溝を有し前記処理槽に対して昇降移動する基板昇降部と、
前記処理槽に収容された前記基板を前記保持溝の壁面および底面から脱離させるとともに、前記基板の外周面が前記保持溝の前記底面に対向した状態で前記基板を保持する槽内保持部と、
前記槽内保持部に保持された前記基板の前記周縁部と前記保持溝との間に、前記周縁部に沿って洗浄液を流通させる保持溝洗浄部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記基板が前記槽内保持部に保持された状態で、前記基板の外周面と、前記保持溝の壁面および底面とで、前記洗浄液の流路が形成されている請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板が前記槽内保持部に保持された状態で、前記外周面が前記保持溝の内部に位置することを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記槽内保持部に保持された前記基板の径方向に洗浄液を供給する基板洗浄部をさらに備える請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板洗浄部から供給される洗浄液が、前記保持溝の内部を流通した前記洗浄液の下流側位置を経由して前記基板の径方向に流動することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板昇降部が、前記基板の周縁部に沿って互いに離間して設けられた複数の前記保持溝を有するとともに、
前記保持溝洗浄部が、複数の前記保持溝を結ぶ方向に前記洗浄液を供給することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
複数の前記保持溝のうち、前記保持溝洗浄部から供給される前記洗浄液の上流側の保持溝は断面形状がＹ字型をなし、下流側の保持溝は断面形状がＶ字型をなしていることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記槽内保持部に保持された前記基板と、前記保持溝の底面とのクリアランスが、前記基板の径に対して０．５から２％である請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
起立させた基板の周縁部を保持して前記基板を処理槽に対して昇降移動させる保持溝を洗浄する方法であって、
前記処理槽に収容された前記基板を前記保持溝の壁面および底面から脱離させるとともに、前記基板の外周面が前記保持溝の前記底面に対向した状態で前記基板を保持する槽内保持工程と、
前記周縁部に沿って洗浄液を送出して前記保持溝の内部を洗浄する保持溝洗浄工程と、
を含む保持溝洗浄方法。
【請求項１０】
前記槽内保持工程にて、前記外周面が前記保持溝の内部に位置するよう前記基板を保持することを特徴とする請求項９に記載の保持溝洗浄方法。
【請求項１１】
前記保持溝洗浄工程にて、前記周縁部に沿って送出された洗浄液により前記保持溝の内部に負圧を形成することを特徴とする請求項９または１０に記載の保持溝洗浄方法。
【請求項１２】
前記保持溝洗浄工程と、
前記保持溝の内部を流通した洗浄液を前記基板の径方向に流動させる基板洗浄工程と、
を同時に、または交互に繰り返して行うことを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の保持溝洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および保持溝洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用基板やディスプレイ装置用基板などの基板に対してエッチング液などの薬液による薬液処理および純水による水洗処理その他の洗浄処理を処理槽の中で行う基板処理装置が種々提案されている。
これらの処理は、処理槽に蓄えられた薬液や洗浄液に基板を浸漬して処理が行われる。
【０００３】
基板は、基板昇降部（リフタ）に設けられた保持溝で保持されて処理槽に対して浸漬または引き上げられることが一般的である。
そして、基板の洗浄処理にあっては、ノズルより洗浄液を吐出することにより、基板や保持溝に残留した薬液（以下、残留薬液という）を除去している。
【０００４】
この種の装置に関し、下記特許文献１には、基板を洗浄液に浸漬して洗浄する洗浄槽の内部で、保持溝により基板を保持するとともに、基板の接線方向に洗浄液を吐出して保持溝の内部を洗浄する洗浄装置の発明が記載されている。
また、下記特許文献２から４には、処理槽内で保持溝から基板を受け取って保持する槽内保持部を備え、保持溝から基板を離間させた状態で保持溝の内部を薬液や洗浄液と接触させる基板処理装置の発明が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１４５１０５号公報
【特許文献２】特開２０００−１２９４７１号公報
【特許文献３】特開２００６−３１０７６７号公報
【特許文献４】特開平１１−１８６３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載の洗浄装置は、保持溝に基板を保持した状態でその内部を洗浄するため、保持溝への洗浄液の流通が基板によって阻害される。
また、上記特許文献２から４に記載の基板処理装置は、いずれも基板の周縁部を保持する保持溝に対して背面側から洗浄液が吐出されるため、保持溝の内部は洗浄液の流れに対して陰となってしまう。この結果、上記特許文献１から４に記載の洗浄装置では、保持溝に対し十分な洗浄を行うことができない。
【０００７】
基板や保持溝の洗浄が不十分であると、以下に示すように、薬液またはその反応生成物がパーティクルとして基板に付着するという問題が発生する。
図１０は、保持溝２２に保持された基板５０と、基板５０に付着したパーティクル２００を示す模式図である。
洗浄工程の次工程が乾燥工程である場合を一例に挙げて説明する。乾燥工程では、処理槽に蓄えられた純水の表面にイソプロピルアルコールなどの揮発性液体を層状に設けておき、保持溝２２に保持された基板５０をこれに浸漬および引き上げることにより基板５０の水分を除去する。
このとき、洗浄工程が不十分であって残留薬液が保持溝２２と基板５０の間に付着していると、保持溝２２を処理槽内に下降させるに伴って残留薬液と揮発性液体とが反応してパーティクル２００が生成される。生成されたパーティクル２００は処理槽内を漂い、浸漬される基板５０の表面に対して保持溝２２を基点として筋状に付着することとなる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板処理装置は、起立させた基板を収容する処理槽と、
前記基板の周縁部を保持する保持溝を有し前記処理槽に対して昇降移動する基板昇降部と、
前記処理槽に収容された前記基板を前記保持溝の壁面および底面から脱離させるとともに、前記基板の外周面が前記保持溝の前記底面に対向した状態で前記基板を保持する槽内保持部と、
前記槽内保持部に保持された前記基板の前記周縁部と前記保持溝との間に、前記周縁部に沿って洗浄液を流通させる保持溝洗浄部と、
を備える。
【０００９】
上記発明によれば、基板の周縁部に案内された洗浄液が保持溝の内部を溝方向に流通するとともに、保持溝の底部近傍に存在する液体に対してはこれを掻き出す流れが形成される。これは、洗浄液が周縁部にガイドされて保持溝の溝方向に沿って流れるため、保持溝の内部に対する吸引力が発生するためである。
【００１０】
すなわち、本発明によれば、上記特許文献１に記載の洗浄装置のように保持溝に基板を保持した状態でその内部を洗浄する方式と異なり、保持溝から脱離した周縁部と保持溝との間に洗浄液を流通させることから、洗浄液を保持溝内に良好に流通させることができる。その結果、保持溝の内部に対する高い洗浄力を得ることができるため、残留薬液やその反応生成物が保持溝から除去され、これが基板に付着することが防止される。
【００１１】
また本発明の保持溝洗浄方法は、起立させた基板の周縁部を保持して前記基板を処理槽に対して昇降移動させる保持溝を洗浄する方法であって、
前記処理槽に収容された前記基板を前記保持溝の壁面および底面から脱離させるとともに、前記基板の外周面が前記保持溝の前記底面に対向した状態で前記基板を保持する槽内保持工程と、
前記周縁部に沿って洗浄液を送出して前記保持溝の内部を洗浄する保持溝洗浄工程と、
を含む。
【００１２】
上記発明によれば、基板の周縁部に沿って洗浄液を送出することにより、周縁部に案内された洗浄液が保持溝の内部を溝方向に沿って流通するとともに、保持溝の底部近傍に存在する液体を掻き出す流れが形成されて保持溝の内部が洗浄される。
【００１３】
なお、上記発明において、基板の周縁部とは、基板の主面の外縁部と、基板の外周面とを含む。
また、基板の外周面が保持溝の底面に対向しているとは、当該二つの面が空間的に重なりあっている状態と、互いにオフセットして対向している状態を含む。
また、基板の周縁部と保持溝との間とは、基板の主面の外縁部または外周面と、保持溝の壁面または底面との間の空間領域をいい、保持溝の内部を含んでもよい。
【００１４】
本発明の各種の構成要素は、個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。
【００１５】
また、本発明による保持溝洗浄方法を説明するにあたり、複数の工程を順番に記載することがあるが、明示の場合を除き、その記載の順番は工程を実行する順番を必ずしも限定するものではない。また、複数の工程は、明示の場合を除き、個々に相違するタイミングで実行されることに限定されず、ある工程の実行中に他の工程が発生すること、ある工程の実行タイミングと他の工程の実行タイミングとの一部ないし全部が重複していること、等でもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の基板処理装置および保持溝洗浄方法によれば、保持溝の内部に対する高い洗浄力を得ることができるため、残留薬液やその反応生成物が保持溝から除去され、これが基板に付着することが防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１８】
＜第一実施形態＞
図１は、本発明の第一の実施形態にかかる基板処理装置１００を示す正面模式図である。
図２は、保持溝洗浄用ノズル３４から保持溝２２に向けて洗浄液Ｗを吐出している状態を模式的に示す斜視図である。同図では、基板５０は図示を省略している。
【００１９】
（基板処理装置について）
はじめに、本実施形態の基板処理装置１００の概要について説明する。
基板処理装置１００は、起立させた基板５０を収容する処理槽１０と、基板５０の周縁部５２を保持する保持溝２２を有し処理槽１０に対して昇降移動する基板昇降部（リフタ）２０と、処理槽１０に収容された基板５０を保持溝２２の壁面（溝壁面２４）および底面（溝底面２３）から脱離させるとともに、基板５０の外周面５４が保持溝２２の溝底面２３に対向した状態で基板５０を保持する槽内保持部１２と、槽内保持部１２に保持された基板５０の周縁部５２と保持溝２２との間に、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させる保持溝洗浄部３０と、を備えている。
【００２０】
次に、本実施形態の基板処理装置１００について詳細に説明する。
基板処理装置１００は、薬液処理をおこなった基板５０を処理槽１０にて洗浄液Ｗで洗浄する装着である。基板５０を薬液に浸漬しておこなう薬液処理は、図示しない他の処理槽でおこなってもよく、または共通の処理槽１０で行ってもよい。
薬液処理と洗浄処理を他の処理槽でそれぞれ行う場合は、基板５０を保持した基板昇降部２０を複数の処理槽間で移動させ、薬液および洗浄液にそれぞれ基板５０を浸漬する。一方、薬液処理と洗浄処理を共通の処理槽１０で行う場合には、処理槽１０内に基板５０を収容して薬液処理を行った後、槽内の薬液を排出し、処理槽１０に洗浄液Ｗを供給して洗浄処理を行う。
【００２１】
基板５０としては、半導体装置用基板（半導体ウェーハ）のほか、液晶表示装置用基板などのディスプレイ装置用基板を用いることができる。本実施形態では、図１に示すように略円形の半導体ウェーハを基板５０として例示する。
【００２２】
処理槽１０は上方開口した容器であり、基板５０がセットされた基板昇降部２０が開口１８より上下方向に出入りする。
【００２３】
基板昇降部２０は、基板５０を保持した状態で処理槽１０に対して昇降移動することにより、基板５０を洗浄液Ｗに浸漬し、または洗浄液Ｗより引き上げる機構である。
本実施形態の基板昇降部２０は、起立した基板５０を、基板５０の法線方向（図１の紙面前後方向）に複数枚並べて保持し、同時に洗浄液Ｗに浸漬または引き上げをすることができる。
基板昇降部２０は、基板５０を保持するリフタ基板保持部２６（リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂ）と、駆動ロボット（図示せず）等により昇降駆動される駆動部２８とを含んで構成される。
【００２４】
本実施形態の基板昇降部２０では、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂは一対ずつ設けられ、いずれも基板５０の外周面５４に沿って配置されている。
リフタ基板保持部２６ｂは、リフタ基板保持部２６ａよりも基板５０の中央側を、下方より支持する。一方、リフタ基板保持部２６ａは、リフタ基板保持部２６ｂよりも基板５０の側方側を、斜め下方より支持する。
また、対になるリフタ基板保持部２６ａ同士およびリフタ基板保持部２６ｂ同士は、それぞれ基板５０の中心を通る鉛直線に関して対称の位置に設けられている。
【００２５】
リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂは、それぞれ基板５０の法線方向に伸びる棒状に構成され、その延在方向に対して交差する方向に伸びる多数の保持溝２２（保持溝２２ａ，２２ｂ）が並んで刻設されている（図４，５を参照）。
保持溝２２は、基板５０の外周面５４および主面５６の外周縁５８のいずれかまたは両方を保持する。
【００２６】
本実施形態の基板処理装置１００では、各一対のリフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂが備える四本の保持溝２２ａ，２２ｂは同一平面に位置し、また基板５０の外周面５４に沿って形成されている。
【００２７】
すなわち、本実施形態の基板処理装置１００は、基板昇降部２０が、基板５０の周縁部５２に沿って互いに離間して設けられた複数の保持溝２２を有している。
【００２８】
槽内保持部１２（図６を参照）は、処理槽１０の内部側方より内向きに突出して設けられており、下降中の基板昇降部２０から基板５０が受け渡されてこれを保持する。
基板昇降部２０は、処理槽１０内を下降して基板５０を槽内保持部１２に受け渡した後、さらに所定の過移動量だけ下降して停止する。これにより、リフタ基板保持部２６と基板５０との間には、保持溝２２の溝深さ方向にクリアランスが生じる。
【００２９】
基板５０は、槽内保持部１２に保持された状態で洗浄液Ｗにより洗浄される。
処理槽１０には、基板昇降部２０とともに基板５０が収容される時点で洗浄液Ｗが予め貯留されていてもよく、または基板５０が基板昇降部２０から槽内保持部１２に受け渡された後に洗浄液Ｗが処理槽１０に供給されてもよい。
【００３０】
保持溝洗浄部３０は、保持溝洗浄配管３２と保持溝洗浄用ノズル３４とで構成されている。保持溝洗浄配管３２は、基板処理装置１００の奥行方向（図１における紙面前後方向）に延在する配管であり、処理槽１０の外部より供給された洗浄液Ｗが内部を流通している。
保持溝洗浄用ノズル３４は、保持溝２２の内部を洗浄するための専用ノズルである。
【００３１】
保持溝２２（保持溝２２ａ，２２ｂ）は、それぞれ溝底面２３（溝底面２３ａ，２３ｂ）と、その両側に立設された溝壁面２４（溝壁面２４ａ，２４ｂ）により構成されている。
【００３２】
保持溝洗浄用ノズル３４は、基板処理装置１００の奥行方向に並ぶ保持溝２２と一対一で対応するように複数設けられている。保持溝洗浄用ノズル３４から噴射される洗浄液Ｗの流れは、基板５０が槽内保持部１２で支持される位置で保持溝２２ａ，２２ｂにまっすぐに当たって、同時に洗浄する構成となっている。
【００３３】
すなわち、本実施形態の保持溝洗浄部３０は、複数の保持溝２２を結ぶ方向に洗浄液Ｗを供給する。具体的には、保持溝洗浄用ノズル３４は、リフタ基板保持部２６ｂとリフタ基板保持部２６ａを結ぶ延長線上に設けられている。
そして、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂを各一対備える本実施形態の基板処理装置１００においては、リフタ基板保持部２６ａのそれぞれ両側に、二式の保持溝洗浄配管３２および保持溝洗浄用ノズル３４が配置されている。
【００３４】
また、図１に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、槽内保持部１２に保持された基板５０の径方向に洗浄液Ｗを供給する基板洗浄部４０をさらに備えている。
なお、本実施形態において基板５０の径方向とは、基板５０の接線方向に対する交差方向を意味し、基板５０の幾何中心を通る方向であることを要するものではない。
【００３５】
基板洗浄部４０は、基板洗浄配管４２と基板洗浄用ノズル４４とで構成されている。基板洗浄配管４２は、基板処理装置１００の奥行方向に延在する配管であり、処理槽１０の外部より供給された洗浄液Ｗが内部を流通している。
基板洗浄用ノズル４４は、基板５０を洗浄するための専用ノズルである。
基板洗浄配管４２は、処理槽１０の内部下方において、基板昇降部２０を挟んで両側に平行して二式が配置されている。
【００３６】
二式の基板洗浄配管４２には、保持溝洗浄配管３２における保持溝洗浄用ノズル３４と同様に、基板処理装置１００の奥行方向に並ぶ保持溝２２と一対一で対応する複数の基板洗浄用ノズル４４がそれぞれ開口形成されている。
【００３７】
各一対の基板洗浄用ノズル４４と保持溝洗浄用ノズル３４は、いずれも同一平面上に形成されている。なお、ここでいう同一平面は、幾何的な厳密性を要するものではなく、基板５０の厚み相当のずれを許容する。
【００３８】
平行する基板洗浄配管４２に設けられた同一平面内の基板洗浄用ノズル４４の開口方向は互いに対向している。したがって、基板洗浄用ノズル４４から噴射される洗浄液Ｗは互いに衝突してその向きを変える。
具体的には、基板洗浄用ノズル４４は処理槽１０の底面１６に沿って内向きに開口形成されている。よって、対向する基板洗浄用ノズル４４からそれぞれ噴射された洗浄液Ｗは処理槽１０の底面１６に沿って流動した後、互いに衝突して、底面１６より離れる方向に、すなわち処理槽１０にセットされた基板５０の径方向を上方に流動する。
【００３９】
処理槽１０には保持溝洗浄部３０および基板洗浄部４０より洗浄液Ｗが供給される。なお、保持溝洗浄部３０および基板洗浄部４０から処理槽１０に供給される洗浄液Ｗは同種であっても異種であってもよいが、本実施形態ではこれを共通とし、洗浄液Ｗには、いずれも純水を用いるものとする。
【００４０】
保持溝洗浄配管３２と基板洗浄配管４２は、それぞれ別のバルブ（図示せず）で制御され、任意のタイミングで個別に洗浄液Ｗを吐出することができる。
【００４１】
（保持溝洗浄方法について）
図３（ａ）〜（ｃ）は、処理槽１０に供給される洗浄液Ｗの流動状態を示す模式図である。同図を用いて、本実施形態による保持溝洗浄方法（以下、本方法という場合がある。）について説明する。
【００４２】
本方法は、起立させた基板５０の周縁部５２を保持して基板５０を処理槽１０に対して昇降移動させる保持溝２２を洗浄する方法であって、処理槽１０に収容された基板５０を保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３から脱離させるとともに、基板５０の外周面５４が保持溝２２の溝底面２３に対向した状態で基板５０を保持する槽内保持工程と、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを送出して保持溝２２の内部を洗浄する保持溝洗浄工程と、を含む。
【００４３】
図３（ａ）は、槽内保持工程における洗浄液Ｗの流動状態を示している。
槽内保持工程では、基板昇降部２０を降下させて、リフタ基板保持部２６に保持されている基板５０を処理槽１０に収容させるとともに、基板昇降部２０から槽内保持部１２に基板５０を受け渡す。
基板５０は前工程として薬液処理が施されており、基板５０および基板昇降部２０の表面には残留薬液が付着している。
【００４４】
ここで、本方法の槽内保持工程では、基板５０を処理槽１０にセットするとともに基板５０を洗浄する。
基板洗浄部４０の基板洗浄用ノズル４４からは洗浄液Ｗが吐出され、また処理槽１０は予め洗浄液Ｗで満たされている。
基板洗浄用ノズル４４から吐出される洗浄液Ｗは、処理槽１０の底部中央で互いに衝突して上方に向きを変え、矢印で示すように上昇流ＦＵ（アップフロー）が形成される。
【００４５】
かかる上昇流ＦＵにより、基板５０および基板昇降部２０の表面に付着している残留薬液は処理槽１０の上方および側方に向かって洗い流される。このため、基板５０および基板昇降部２０から洗い流された残留薬液は、処理槽１０の開口１８よりオーバーフローする洗浄液Ｗとともに処理槽１０より排出され、基板５０に再付着することがない。
【００４６】
洗浄液Ｗの上昇流ＦＵにより洗浄された基板５０は、処理槽１０内を下降する基板昇降部２０から槽内保持部１２に受け渡される。基板５０の受け渡し後、基板昇降部２０は下方に過移動し、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂと基板５０との間にはクリアランスが形成される。
【００４７】
槽内保持工程では、基板５０は、保持溝２２の溝底面２３（図２を参照）と外周面５４とを対向させて槽内保持部１２により保持される。
【００４８】
図３（ｂ）は、保持溝２２の内部を洗浄する保持溝洗浄工程における洗浄液Ｗの流動状態を示している。
保持溝洗浄工程では、溝壁面２４と周縁部５２との間に洗浄液Ｗを流通させる（図２を参照）。
【００４９】
保持溝洗浄工程では、保持溝洗浄部３０の保持溝洗浄用ノズル３４より吐出された洗浄液Ｗを、基板５０の周縁部５２に沿って、リフタ基板保持部２６と基板５０との間のクリアランス内を流動させる。以下、保持溝洗浄用ノズル３４より基板５０の接線方向に吐出される洗浄液Ｗの流れを接線流ＦＴとする。
保持溝洗浄部３０から吐出された洗浄液Ｗの接線流ＦＴは、基板５０の主面の外縁部および外周面５４にガイドされて、図２に示すようにリフタ基板保持部２６ａからリフタ基板保持部２６ｂに向けて保持溝２２ａおよび２２ｂの内部を流通する。
【００５０】
このとき、保持溝２２から脱離した基板５０の周縁部５２に沿う洗浄液Ｗの流動性は良好であり、保持溝洗浄用ノズル３４から吐出された洗浄液Ｗは比較的高速で周縁部５２の表面に沿って流動する。これに対し、保持溝２２の内部はキャビティとなり特に溝底面２３の近傍については、洗浄液Ｗは比較的低速で流動する。
本方法では、基板５０の周縁部５２をガイド板として用いることにより、周縁部５２に沿って保持溝２２との間に送出された洗浄液Ｗの接線流ＦＴを溝方向に案内する。そして、接線流ＦＴを拡散させることなく、保持溝２２の上部と下部とで流速に差を設けることができる。かかる流速差により、保持溝２２の上部は相対的に低圧となり、下部は相対的に高圧となる。
【００５１】
すなわち、本方法では、保持溝洗浄工程にて、周縁部５２に沿って送出された洗浄液Ｗにより保持溝２２の内部に負圧を形成する。
そして、かかる負圧により、保持溝２２内部の残留薬液は掻き出され、洗浄液Ｗとともに流下される。
【００５２】
図３（ｃ）は、槽内保持部１２に保持された基板５０を洗浄する基板洗浄工程における洗浄液Ｗの流動状態を示している。
基板洗浄工程では、対向する基板洗浄用ノズル４４より処理槽１０の内側に向かってそれぞれ洗浄液Ｗを噴出することにより、同図に矢印で示すように基板５０の径方向への上昇流ＦＵが形成される。
【００５３】
基板洗浄部４０から供給される洗浄液Ｗは、保持溝２２の内部を流通した洗浄液Ｗの下流側位置を経由して基板５０の径方向に流動する。
【００５４】
すなわち、本実施形態の場合、保持溝洗浄用ノズル３４から吐出される洗浄液Ｗの下流側にあたるリフタ基板保持部２６ｂよりも後方を上昇流ＦＵが流動する。より具体的には、基板５０の対称位置に一対のリフタ基板保持部２６ｂが設けられた本実施形態の基板処理装置１００の場合、基板洗浄用ノズル４４により形成される上昇流ＦＵは、リフタ基板保持部２６ｂ同士の間を通って処理槽１０内を上昇する。
【００５５】
図３（ｂ）に示す保持溝洗浄工程と、同図（ｃ）に示す基板洗浄工程とは同時に行ってもよく、保持溝洗浄工程の後に基板洗浄工程を各一回行ってもよく、または両者を交互に各複数回行ってもよい。すなわち、本方法では、保持溝洗浄工程と、保持溝２２の内部を流通した洗浄液Ｗを基板５０の径方向に流動させる基板洗浄工程を同時に、または交互に繰り返して行う。
なお、本方法において、保持溝洗浄工程と基板洗浄工程とを同時に行うとは、両工程が重複して実行される時間が存在することをいい、各工程の開始と終了のタイミングが互いに一致していることは要しない。
【００５６】
（保持溝の詳細について）
図４は図１のIV方向矢視図であり、リフタ基板保持部２６ａおよびこれに保持された基板５０の横断面を模式的に示す図である。同図では、リフタ基板保持部２６ａの保持溝２２ａに基板５０の周縁部５２が保持された状態（破線にて図示）と、基板５０が槽内保持部１２（図１を参照）に受け渡されて周縁部５２が保持溝２２ａから脱離した状態（実線にて図示）とを模式的に示している。
すなわち、基板５０は破線で図示のように保持溝２２ａに嵌合した状態でリフタ基板保持部２６ａに下方支持されて、基板昇降部２０とともに下降移動して処理槽１０に収容される。
基板昇降部２０が所定高さに到達すると、基板５０はリフタ基板保持部２６ａとともに槽内保持部１２によって保持される。そして、さらに基板昇降部２０が下方に過移動することで、基板５０はリフタ基板保持部２６ａから槽内保持部１２に受け渡され、矢印にて示すように保持溝２２ａから離脱する。
【００５７】
また、図５は図１のV方向矢視図であり、リフタ基板保持部２６ｂおよびこれに保持された基板５０の横断面を模式的に示す図である。同図では、リフタ基板保持部２６ｂの保持溝２２ｂに基板５０の周縁部５２が保持された状態（破線にて図示）と、基板５０が槽内保持部１２（図１を参照）に保持されて周縁部５２が保持溝２２ｂから脱離した状態（実線にて図示）とを模式的に示している。
基板５０は破線で図示のように保持溝２２ｂに嵌合した状態でリフタ基板保持部２６ｂに下方支持されて処理槽１０に収容される。そして、基板昇降部２０が所定高さに到達すると基板５０はリフタ基板保持部２６ｂとともに槽内保持部１２によって保持される。そして、基板昇降部２０が下方に過移動することで、基板５０はリフタ基板保持部２６ｂから槽内保持部１２に受け渡され、矢印にて示すように保持溝２２ｂから離脱する。
【００５８】
ここで、リフタ基板保持部２６ａにおける保持溝２２ａの横断面形状は、図４に示すようにＹ字型をなし、溝幅は上部において広く、下部において狭く形成されている。言い換えると、保持溝２２ａを挟んで対向する溝壁面２４ａは、溝底面２３ａ近傍の下部側（溝壁面２４ａ１）では直立し、溝底面２３ａから離れる上端側（溝壁面２４ａ２）では互いに離間している。
そして、溝壁面２４ａ２の対向幅は基板５０の板厚よりも僅かに大きく、所定の間隙をもって基板５０を挟持することができる。
【００５９】
一方、リフタ基板保持部２６ｂにおける保持溝２２ｂの横断面形状は、図５に示すようにＶ字型をなし、溝幅は溝底面２３ｂから上方に向かって拡大するテーパー状をなしている。
そして、溝底面２３ｂ近傍における溝壁面２４ｂの対向幅は基板５０の板厚よりも大きく、所定の間隙をもって基板５０を挟持することができる。
【００６０】
本実施形態の基板処理装置１００においては、槽内保持部１２に基板５０を受け渡した後の基板昇降部２０の過移動量を、保持溝２２の溝深さよりも小さくしている。
これにより、本実施形態の基板処理装置１００では、基板５０が槽内保持部１２に保持された状態で、その外周面５４が保持溝２２の内部に位置することとなる。
【００６１】
ここで、保持溝２２の深さは、基板５０の径に対して１から３％程度とすることが好ましい。具体的には、本実施形態の基板処理装置１００で洗浄処理する基板５０の径を例えば３００ｍｍとして、保持溝２２の深さを３〜９ｍｍ程度とするとよい。
ここで、基板５０の径とは、基板５０が円形または略円形の場合はその直径を意味し、基板５０が矩形の場合は対角線の長さをいう。
【００６２】
また、本実施形態の基板処理装置１００において、槽内保持部１２に保持された基板５０と、保持溝２２の底面（溝底面２３）とのクリアランスを、基板５０の径に対して０．５から２％とすることが好ましい。かかるクリアランスは、保持溝２２ａまたは２２ｂの一方について満足することが好ましく、保持溝２２ａおよび２２ｂに対してともに満足することがより好ましい。
【００６３】
本実施形態の基板処理装置１００の場合、基板昇降部２０の昇降方向に対して、リフタ基板保持部２６ｂの保持溝２２ｂはほぼ直交しており、リフタ基板保持部２６ａの保持溝２２ａは斜交している。したがって、駆動部２８を昇降駆動して基板昇降部２０の過移動量を基板５０の径に対して０．５から２％とすることにより、保持溝２２ｂの溝底面２３ｂと基板５０とのクリアランスを上記範囲とすることができる。そして、保持溝２２ａの溝底面２３ａと基板５０とのクリアランスは、これよりも小さなものとなる。
【００６４】
したがって、本実施形態の基板処理装置１００においては、基板昇降部２０の過移動量を２〜５ｍｍとするとよい。
本実施形態のように保持溝２２の溝深さと同等またはそれ以下のクリアランスにて基板５０を溝底面２３に対向させ、基板昇降部２０の過移動量を抑制することにより、処理槽１０の深さ方向の寸法を抑制して洗浄液Ｗの消費量を低減することができる。
【００６５】
本実施形態の基板処理装置１００では、リフタ基板保持部２６から槽内保持部１２に受け渡されて保持溝２２より離脱した基板５０は、これらの保持溝２２から完全には離間せず、外周面５４を含む周縁部５２の一部が保持溝２２の内部に留まっている。
【００６６】
そして、槽内保持部１２に保持された基板５０は、周縁部５２のうち外周面５４が保持溝２２の溝底面２３に対向し、周縁部５２のうち主面５６の外周縁５８が保持溝２２の溝壁面２４に対向している。
【００６７】
これにより、本実施形態によれば、図４に示すように、基板５０が槽内保持部１２に保持された状態で、基板５０の外周面５４と、保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３とで、洗浄液Ｗの流路２９が形成されている。
【００６８】
流路２９は、溝壁面２４と基板５０とのクリアランスにより部分的に開口した管状断面をなしている。なお、本実施形態の場合、溝壁面２４と基板５０とのクリアランスは、外周面５４と溝底面２３との距離よりも小さい。このため、洗浄液Ｗは流路２９の延在方向、すなわち保持溝２２の溝方向に主として流通する。
【００６９】
また、基板５０の主面５６の外周縁５８に沿って洗浄液Ｗの接線流ＦＴを流動させることにより、溝幅が大きく開口した溝壁面２４の上部と外周縁５８との間では、流路２９の内部よりも高速で洗浄液Ｗが流動する。これにより、保持溝２２は上部側が低圧となって、流路２９に存在していた残留薬液は流路２９から上方に掻き出される。
【００７０】
上述のように、複数の保持溝２２のうち、保持溝洗浄部３０から供給される洗浄液Ｗの上流側の保持溝２２ａは断面形状がＹ字型をなし、下流側の保持溝２２ｂは断面形状がＶ字型をなしている。
また、保持溝２２ａは基板５０の外側に位置し、保持溝２２ｂは基板５０の中心側に位置している。このため、Ｙ字型の保持溝２２ａにおける直立した溝壁面２４ａ１により、基板５０を起立させた状態で好適に保持することができる。また、接線流ＦＴの下流側に位置して洗浄液Ｗの流速が低下する保持溝２２ｂに関しては、その断面形状をＶ字型とすることにより、溝底面２３ｂの近傍においても基板５０の周縁部５２と離間して溝内の洗浄性が良好となる。
【００７１】
また、保持溝２２ａを構成する上部側の溝壁面２４ａ２と基板５０との為す角θａは、保持溝２２ｂを構成する溝壁面２４ｂと基板５０との為す角θｂよりも大きい。
そして、保持溝２２ａの上端と基板５０との間の空隙Ｇａは、保持溝２２ｂの上端と基板５０との間の空隙Ｇｂよりも大きい。
これにより、保持溝２２ａは、基板５０の保持力を所望に確保しつつも、保持溝２２ａにおける洗浄液Ｗの流動性を維持して、保持溝２２ａから保持溝２２ｂに至る接線流ＦＴの流速が過剰に減速されることを防止している。
【００７２】
図６は、図１のVI方向矢視図であり、槽内保持部１２を模式的に示す斜視図である。同図では、基板５０は図示を省略している。
槽内保持部１２には、基板昇降部２０から受け渡された基板５０を嵌合保持するための保持溝２２ｃが並んで設けられている。同図では、上下方向に伸びる保持溝２２ｃが示されている。
保持溝２２ｃの並び方向である同図の左右矢印方向は、図１に示す基板処理装置１００の奥行方向に相当する。
【００７３】
なお、本方法の槽内保持工程において、基板洗浄用ノズル４４から噴射される洗浄液Ｗの上昇流ＦＵにより基板５０の周縁部５２は洗浄される。このため、次工程の保持溝洗浄工程および基板洗浄工程が周縁部５２の一部を槽内保持部１２に保持した状態で行われるとしても、当該一部に洗浄不良が生じることはない。
かかる意味で、槽内保持部１２による基板５０の保持位置は、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂによる保持位置と離間していることが好ましい。さらには、本実施形態の基板処理装置１００のように、保持溝洗浄部３０により形成される接線流ＦＴに関してリフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂよりも上流位置にて、槽内保持部１２により基板５０を保持するとよい。これにより、接線流ＦＴとともに押し流される保持溝２２内の残留薬液が槽内保持部１２の近傍において基板５０に再付着することがない。
【００７４】
槽内保持部１２は、保持溝２２ｃを構成する溝底面２３ｃおよび溝底面２３ｃの両側に立設された溝壁面２４ｃと、隣接する保持溝２２ｃ同士の間に設けられた上端面２５ｃを備えている。
【００７５】
保持溝２２ｃの溝方向は同図の上下方向である。そして、溝底面２３ｃおよび上端面２５ｃは、基板５０の周縁部５２にあわせて湾曲形状をなしている。
これにより、槽内保持部１２により基板５０を保持するに際して、保持溝２２ｃに対する基板５０の周縁部５２の嵌合深さは略等しくなり、洗浄液Ｗによる基板５０の洗浄性を損なうことを防止している。
【００７６】
上記本実施形態の作用および効果について説明する。
本実施形態では、槽内保持部１２に保持された基板５０と保持溝２２との間に、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させる。これにより、周縁部５２にガイドされる洗浄液Ｗにより保持溝２２の内部にも溝方向への流れが誘起されるため、溝内が好適に洗浄される。
【００７７】
また、本実施形態では、基板５０が槽内保持部１２に保持された状態で、基板５０の外周面５４と保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３とで洗浄液Ｗの流路２９を形成している。これにより、洗浄液Ｗは外周面５４によるガイド機能の影響を強く受け、保持溝２２の溝方向への流動性が良好に得られる。
【００７８】
また本実施形態では、基板５０が槽内保持部１２に保持された状態で、その外周面５４が保持溝２２の内部に位置している。これにより、互いに対面する外周面５４と溝底面２３とに挟まれた領域内を洗浄液Ｗが流通することになるため、外周面５４による洗浄液Ｗのガイド機能が十分に発揮される。また、基板５０の外周面５４と、保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３とで、洗浄液Ｗの流路２９が管状に形成されるため、保持溝２２の内部に存在する残留薬液を流路２９に沿って好適に流下することができる。
【００７９】
また本実施形態の基板処理装置１００は、槽内保持部１２に保持された基板５０の径方向に洗浄液Ｗを供給する基板洗浄部４０をさらに備えている。これにより、保持溝２２の内部のみならず、基板５０の表面を好適に洗浄することができる。
【００８０】
また本実施形態では、基板洗浄部４０から供給される洗浄液Ｗは、保持溝２２の内部を流通した洗浄液Ｗの下流側位置を経由して基板５０の径方向に流動する。これにより、保持溝２２より掻き出された残留薬液を含む接線流ＦＴは、基板洗浄用ノズル４４に形成された上昇流ＦＵと合流して、基板５０の表面に滞留することなく処理槽１０の開口１８より系外に排出される。このため、残留薬液が基板５０に再付着することが防止される。
【００８１】
また本実施形態の基板処理装置１００は、基板昇降部２０が、基板５０の周縁部５２に沿って互いに離間して設けられた複数の保持溝２２ａおよび２２ｂを有するとともに、保持溝洗浄部３０が、これらの保持溝を結ぶ方向に洗浄液Ｗを供給する。これにより、基板５０の周縁部５２に沿って流動する洗浄液Ｗにより、複数の保持溝を洗浄することができる。
【００８２】
また本実施形態では、保持溝洗浄部３０から供給される洗浄液Ｗの上流側の保持溝２２ａは断面形状がＹ字型をなし、下流側の保持溝２２ｂは断面形状がＶ字型をなしている。これにより、保持溝２２ａにおいては平行する溝壁面２４ａ１によって基板５０を起立した状態で良好に保持するとともに、保持溝２２ａから保持溝２２ｂに至る洗浄液Ｗの流速低下を抑制する。また、保持溝２２ｂを溝底面２３ｂからテーパー状に上方開口させることにより、流速の低下した洗浄液Ｗによっても溝内が良好に洗浄される。
【００８３】
また本実施形態では、周縁部５２に沿って送出された洗浄液Ｗにより保持溝２２の内部に負圧が形成される。これにより、保持溝２２の内部に存在する残留薬液が保持溝２２より掻き出されるため、高い洗浄力を得ることができる。
【００８４】
また本実施形態では、保持溝洗浄工程とともに、保持溝２２の内部を流通した洗浄液Ｗを基板５０の径方向に流動させる基板洗浄工程を同時に、または交互に繰り返して行う。これにより、保持溝２２より掻き出された残留薬液が基板５０の周縁部５２近傍にて滞留することなく、上昇流ＦＵにより処理槽１０から好適に排除される。
【００８５】
上記特許文献との対比を次に示す。
本実施形態の基板処理装置１００では、特許文献１に記載の洗浄装置のように保持溝に基板を保持した状態でその内部を洗浄する方式と異なり、保持溝２２から脱離した周縁部５２と保持溝２２との間に洗浄液Ｗを流通させることから、洗浄液Ｗが保持溝２２内を良好に流通する。
さらに、特許文献２から４に記載の基板処理装置のように保持溝の背面側から洗浄液を吐出する方式と異なり、本実施形態の基板処理装置１００では、基板５０の周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させることから、残留薬液が保持溝２２の陰に残ることがない。
また、特許文献３に記載の基板処理装置のように基板から上下に完全に離間した保持溝に対して洗浄液を吐出する方式と異なり、本実施形態の基板処理装置１００では、周縁部５２に沿ってこれと保持溝２２との間に洗浄液Ｗを流通させることから、基板５０の周縁部５２を洗浄液Ｗのガイドとして用いることができる。このため、所定の深さおよび長さをもつ保持溝２２に対しても良好に内部を洗浄することができる。
【００８６】
＜第二実施形態＞
図７は本実施形態にかかる基板処理装置１００を示す正面模式図である。
本実施形態の基板処理装置１００は、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂに対して、それぞれ専用の保持溝洗浄用ノズル３４（保持溝洗浄用ノズル３４ａ，３４ｂ）を備えている。
【００８７】
具体的には、保持溝洗浄用ノズル３４ａは処理槽１０の側方に設けられ、基板５０の接線方向に処理槽１０の外側から内側に向かって、リフタ基板保持部２６ａに対して洗浄液Ｗを吐出する。そして、保持溝洗浄用ノズル３４ｂは処理槽１０の下部中央に設けられ、基板５０の接線方向に内側から外側に向かってリフタ基板保持部２６ｂに対して洗浄液Ｗを吐出する。
【００８８】
保持溝洗浄用ノズル３４ｂは吐出口を二つ備え、二式のリフタ基板保持部２６ｂに対してそれぞれ洗浄液Ｗを吐出する。
【００８９】
保持溝洗浄用ノズル３４ａおよび３４ｂで形成された洗浄液Ｗの接線流ＦＴは、保持溝２２ａおよび２２ｂの内部を洗浄して残留薬液を洗い流した後、リフタ基板保持部２６ａとリフタ基板保持部２６ｂの中間部で合流する。
【００９０】
＜第三実施形態＞
図８は本実施形態にかかる基板処理装置１００を示す正面模式図である。
本実施形態の基板処理装置１００は、リフタ基板保持部２６ｂが基板昇降部２０の下部中央に一式のみ設けられている。また、対向する基板洗浄用ノズル４４から噴射される洗浄液Ｗの流速を互いに相違させ、槽内保持部１２に保持された基板５０の径方向に向かう上昇流ＦＵを処理槽１０の幅方向（同図の左右方向）の一方側にオフセットさせている点で第一実施形態と相違する。
【００９１】
これにより、保持溝洗浄用ノズル３４の一方（同図の場合、左方）から吐出されてリフタ基板保持部２６ａからリフタ基板保持部２６ｂに向かう洗浄液Ｗの接線流ＦＴを、上昇流ＦＵが阻害することがない。
【００９２】
また、この場合、リフタ基板保持部２６ａとリフタ基板保持部２６ｂとの距離が第一実施形態よりも大きくなって洗浄液Ｗの接線流ＦＴがより減速するため、リフタ基板保持部２６ｂの保持溝２２ｂの断面形状をＶ字型として洗浄性を良好にするとよい。
【００９３】
＜第四実施形態＞
図９は本実施形態にかかる基板処理装置１００において、リフタ基板保持部２６およびこれに保持された基板５０の横断面を模式的に示す図である。
【００９４】
本実施形態の基板処理装置１００は、リフタ基板保持部２６より受け渡された基板５０の周縁部５２が、リフタ基板保持部２６の保持溝２２から離間した状態で槽内保持部１２（図１を参照）に保持される。また、基板５０は、外周面５４が保持溝２２の上端面２５に対向して槽内保持部１２に保持される点で第一実施形態と相違する。
【００９５】
図９では、リフタ基板保持部２６の保持溝２２に基板５０の周縁部５２が保持された状態（破線にて図示）と、基板５０が槽内保持部１２に保持されて周縁部５２が保持溝２２から脱離した状態（実線にて図示）とを示している。
【００９６】
すなわち、基板処理装置１００は、周縁部５２が保持溝２２に対向した状態で基板５０を槽内保持部１２で保持するに際しては、第一実施形態のように基板５０の外周面５４を溝底面２３に正対して対向させて保持してもよい。または、本実施形態のように基板５０の外周面５４を溝底面２３にオフセットして対向させて保持してもよい。
【００９７】
また、基板処理装置１００は、第一実施形態のように基板５０の外周面５４を含む周縁部５２の一部が保持溝２２の内部に位置してもよく、本実施形態のように基板５０の周縁部５２の全部が保持溝２２の外部に位置してもよい。
【００９８】
本実施形態の基板処理装置１００では、槽内保持部１２に保持される基板５０の主面５６が、保持溝２２の溝壁面２４の一方に対して面一となっている。これにより、保持溝洗浄用ノズル３４（図２を参照）より基板５０の外周縁５８に沿って吐出された洗浄液Ｗの接線流ＦＴは、外周縁５８とともに保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３の表面を伝って流動する。
【００９９】
すなわち、本実施形態の場合、基板５０の主面５６の外周縁５８と保持溝２２の溝底面２３および溝壁面２４とで、洗浄液Ｗの流路２９が形成されることとなる。
よって、基板５０の外周縁５８に沿って図９の紙面前後方向に流れる洗浄液Ｗの接線流ＦＴが、保持溝２２の内部の洗浄液Ｗを引き摺り、残留薬液を掻き出して流路２９を流下させる。
【０１００】
なお、本実施形態のように基板５０の周縁部５２を保持溝２２から離間させる場合は、保持溝２２の上端面２５と基板５０の外周面５４の距離を、保持溝２２の深さの５倍以下、好ましくは１倍以下とするとよい。
保持溝２２の深さの５倍以下の距離で基板５０の周縁部５２と保持溝２２の上端面２５とを対向させることにより、周縁部５２のガイド機能によって保持溝２２の溝方向に洗浄液Ｗの接線流ＦＴを形成することができる。また、保持溝２２の深さの１倍以下の距離で基板５０の周縁部５２と保持溝２２の上端面２５とを対向させることにより、周縁部５２に沿って流れる接線流ＦＴにより保持溝２２の内部に負圧が形成されて保持溝２２内の残留薬液を掻き出す効果が好適に得られる。
【０１０１】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される限りにおける種々の変形、改良等の態様も含む。
例えば、上記実施形態では、槽内保持部１２が処理槽１０の内壁面上に固定的に設けられた態様を例示した。ただし、本発明はこれに限られず、槽内保持部１２は基板昇降部２０に設けられていてもよく、または処理槽１０および基板昇降部２０とは別離して設けられていてもよい。
【０１０２】
また、上記実施形態では、保持溝洗浄部３０および基板洗浄部４０からは洗浄液Ｗとして純水が供給される態様を例示した。ただし、保持溝洗浄部３０および基板洗浄部４０は、洗浄液Ｗを流動させるものであればよく、例えば処理槽１０に貯留された洗浄液Ｗに対して気体を噴射してこれを流動させるジェットノズルでもよい。
【０１０３】
また、上記実施形態では、保持溝洗浄部３０は保持溝洗浄用ノズル３４より基板５０の周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを吐出する態様を例示したが、本発明はこれに限られない。例えば、保持溝洗浄用ノズル３４から任意の方向に洗浄液Ｗを排出し、これを処理槽１０内に設けられたガイド板により基板５０の周縁部５２に沿って案内してもよい。
【０１０４】
また、上記実施形態では、対向する基板洗浄部４０より処理槽１０の内側に向かって洗浄液Ｗを吐出することによりこれを合流させて上昇流ＦＵを得る態様を例示したが、本発明はこれに限られない。例えば、処理槽１０の下部中央に基板洗浄部４０を設け、上方に向けて基板洗浄用ノズル４４より洗浄液Ｗを吐出してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】第一実施形態にかかる基板処理装置を示す正面模式図である。
【図２】保持溝洗浄用ノズルから保持溝に向けて洗浄液を吐出している状態を模式的に示す斜視図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、処理槽に供給される洗浄液の流動状態を示す模式図である。
【図４】図１のIV方向矢視図である。
【図５】図１のV方向矢視図である。
【図６】図１のVI方向矢視図である。
【図７】第二実施形態にかかる基板処理装置を示す正面模式図である。
【図８】第三実施形態にかかる基板処理装置を示す正面模式図である。
【図９】第四実施形態にかかる基板処理装置において、リフタ基板保持部およびこれに保持された基板の横断面を模式的に示す図である。
【図１０】保持溝に保持された基板と、基板に付着したパーティクルを示す模式図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０    処理槽
１２    槽内保持部
１６    底面
１８    開口
２０    基板昇降部
２２    保持溝
２３    溝底面
２４    溝壁面
２５    上端面
２６    リフタ基板保持部
２８    駆動部
２９    流路
３０    保持溝洗浄部
３２    保持溝洗浄配管
３４    保持溝洗浄用ノズル
４０    基板洗浄部
４２    基板洗浄配管
４４    基板洗浄用ノズル
５０    基板
５２    周縁部
５４    外周面
５６    主面
５８    外周縁
１００    基板処理装置
２００    パーティクル
ＦＴ    接線流
ＦＵ    上昇流
Ｗ    洗浄液
【図１】
2010103263.tif 000003
【図２】
2010103263.tif 000004
【図３】
2010103263.tif 000005
【図４】
2010103263.tif 000006
【図５】
2010103263.tif 000007
【図６】
2010103263.tif 000008
【図７】
2010103263.tif 000009
【図８】
2010103263.tif 000010
【図９】
2010103263.tif 000011
【図１０】
2010103263.tif 000012