(57)【要約】【課題】  露出幅が小さくても加工ラインが曲がることなく、確実に端子加工を行うことができるレーザブレイク処理による端子加工方法を提供する。【解決手段】  第一基板３１、第二基板３４に対する分断面どうしが同一面となる第一分断面Ｂ２、Ｂ３を形成し、その後に、端子部３３を覆う第一基板の部位を、第一基板の第一分断面から１０ｍｍ以下の幅で端材部３５として切除して第二分断面Ｂ１を形成し、端子部を露出させる貼り合せ基板の端子加工方法であって、レーザスクライブ加工による第一スクライブラインＳ１、第二スクライブラインＳ２、第三スクライブラインＳ３を形成し、次いで、第二スクライブラインＳ２および第三スクライブラインＳ３に沿ってブレイク処理を行って第一分断面Ｂ２，Ｂ３を形成し、次いで、第一スクライブラインＳ１に沿ってレーザブレイク処理を行って端材部３５を切除する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の脆性材料基板と、機能膜に接続される端子部が前記機能膜とともに片側面に形成された第二の脆性材料基板とを、前記端子部が第一基板で覆われるように貼り合わせた構造の貼り合せ基板に対し、
前記端子部の前記機能膜に接続される側とは逆側の端子部外側端に、第一基板および第二基板を分断する第一分断面を形成し、
その後に、前記端子部を覆う第一基板の部位を、前記第一基板の第一分断面から１０ｍｍ以下の幅で端材部として切除して第二分断面を形成し、前記端子部を露出させる貼り合せ基板の端子加工方法であって、
第一基板の第二分断面となる予定位置、第一基板の第一分断面となる予定位置、第二基板の第一分断面となる予定位置に、レーザスクライブ加工による第一スクライブライン、第二スクライブライン、第三スクライブラインを形成し、
次いで、第二スクライブラインおよび第三スクライブラインに沿ってブレイク処理を行って第一分断面を形成し、
次いで、第一スクライブラインに沿ってレーザブレイク処理を行って前記端材部を切除することにより端子部を露出させる貼り合せ基板の端子加工方法。
【請求項２】
第二スクライブラインおよび第三スクライブラインに対するブレイク処理を、レーザブレイク処理で行う請求項１に記載の貼り合せ基板の端子加工方法。
【請求項３】
第一分断面を形成した後に、前記端材部を切除する前の貼り合せ基板を中間加工品として搬送し、その後、前記中間加工品の第一スクライブラインに対するレーザブレイク処理を行う請求項１または請求項２のいずれかに記載の貼り合せ基板の端子加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、脆性材料の貼り合せ基板に対し、基板の一部（端材部、耳部、接続部ともいう）を切除して外部機器との電気的接続を行う端子部を露出させる端子加工方法に関する。
ここで、脆性材料の貼り合せ基板とは、ガラス基板、単結晶シリコン、半導体ウエハ、サファイア、セラミック等の材料を用いた貼り合せ基板をいう。
【背景技術】
【０００２】
以下の説明では「スクライブライン」とは、基板を分断する前に、基板上の分断予定ラインに沿って予め形成する有限深さのクラックをいう。
また、「ブレイク処理」とは、基板を分断する加工をいう。
スクライブラインに沿ってブレイク処理が行われることによって、当初の有限深さのクラックが基板裏面まで伸展させられる。これにより、基板が完全に分断されることとなる。
【０００３】
また、「レーザスクライブ加工」とは、脆性材料基板に対して分断予定ラインを設定し、この分断予定ラインに沿ってレーザビームのビームスポット（レーザビームが照射され加熱される領域）を走査して基板を軟化温度以下で加熱し、次いでビームスポットが通過した軌跡に沿って基板を冷却することにより、熱応力を利用して基板表面に分断予定ラインに沿ったスクライブライン（有限深さのクラック）を形成する加工をいう。
【０００４】
また、「レーザブレイク処理」とは、先に形成したスクライブラインに沿って、レーザビームのビームスポットを走査して再度加熱することにより（必要に応じて再加熱後に再度冷却してもよい）、熱応力を利用してスクライブライン（有限深さのクラック）を深さ方向に伸展させ、基板の裏面に到達させて分断する処理をいう。
【０００５】
なお、先行技術のひとつとして後述する「多光子吸収を用いたレーザスクライブ」は、基板内部にレーザビームを集光して基板内部を改質する加工技術であり、基板面にスクライブラインを形成することなく加工する技術であることから、上述した「レーザスクライブ加工」および「レーザブレイク処理」とは加工のメカニズムが異なるので、ここでは「レーザスクライブ加工」および「レーザブレイク処理」とは区別して用いるものとする。
【０００６】
ガラス基板等の脆性材料基板は、種々の製品において適宜の大きさや形状に加工された上で利用されている。
例えば、液晶表示パネルの製造では、２枚の大面積ガラス基板（マザー基板）を使用し、一方の基板上にカラーフィルタ（ＣＦ）をパターン形成し、他方の基板上に液晶を駆動するＴＦＴ（Thin film Transistor）および外部接続のための端子部をパターン形成し、これら２枚の基板の貼り合せ基板を形成する。その後、１つ１つの単位表示基板に分割する工程を実行することにより、液晶表示パネルが製造される。
【０００７】
このうち、マザー基板を単位表示基板に分割する工程では、従来、２枚の基板のそれぞれに対し、カッターホイールを圧接しながら相対移動させることによりスクライブラインを刻み、次いでスクライブラインに沿って、基板の裏側から曲げモーメントを加えてブレイク処理を行っていた。これにより、単位表示基板に分断していた。
【０００８】
ところで、上述した液晶表示パネル用の貼り合せ基板では、カラーフィルタが形成された側の第一基板（ＣＦ基板）と、ＴＦＴおよびこのＴＦＴに接続される端子部が形成された側の第二基板（ＴＦＴ基板）とを貼り合わせるときに、ＴＦＴや端子部が形成された基板面が第一基板によって覆われるようにしてある。
【０００９】
この端子部は、ＴＦＴと外部機器との間の信号線を接続する領域であることから、端子部を露出させて信号線を接続できるようにする必要がある。そのため、大面積の貼り合せ基板を単位表示基板に分断する際に、端子部に対向する第一基板（ＣＦ基板）の部位に対し、ＴＦＴが接続される側とは逆側になる端子部の外側端（すなわち単位表示基板の端部）に沿って分断するとともに、端子部の外側端から少なくとも外部機器と接続する信号線の取り付けが可能な幅を、端材部として切除するようにしている。
【００１０】
端材部を切除する端子加工は、端材部の両端にそれぞれスクライブラインを形成し、これらのスクライブラインに沿ってブレイク処理を行うことにより行われる。
その場合にカッターホイールによる各スクライブラインの形成順、および、ブレイク装置によるブレイク処理の順を工夫することにより、端子加工を容易に行うことができる貼り合せ基板の端子加工方法が開示されている（特許文献１参照）。
【００１１】
この特許文献１によれば、図４に示すように、貼り合せ基板を以下の手順（１）〜（５）で加工することで、端子加工におけるブレイク不良の発生を抑えることができることが開示されている。
（１）第一基板５１（ＣＦ基板）上に、第二基板５４（ＴＦＴ基板）の端子部５３に対向する端材部（耳部）の幅（Ｌ）に相当する間隔で第一、第二のスクライブラインＳ１、Ｓ２を形成（図４（ａ））
（２）第二基板５４上に第一スクライブラインＳ２の裏面側の延長上の位置に第三スクライブラインＳ３を形成し、その後に第一スクライブラインＳ１に沿って第一基板５１をブレイク（図４（ｂ）〜（ｄ））
（３）第三スクライブラインＳ３に沿って第二基板５４をブレイク（図４（ｅ））
（４）第一スクライブラインＳ１に沿った第一基板５１の分断面Ｂ１と第三スクライブラインＳ３に沿った分断面Ｂ３とによる第一基板５１、第二基板５４の分離（図４（ｆ））
（５）第二スクライブラインＳ２に沿ってブレイクを行い、分断面Ｂ２に沿って第一基板５１に残った端材部（耳部）５５を切除（図４（ｇ））
【００１２】
上記手順による端子加工方法は、長所と短所とを兼ね備えている。
この端子加工方法の長所は、第一スクライブラインＳ１と第二スクライブラインとの幅である端材部の幅（Ｌ）が短くなっても（例えば１０ｍｍ以下）、直線のスクライブラインに沿った直線的な端子加工が可能である。
【００１３】
一方、短所としては、以下の点が挙げられる。まず、第一に、ブレイク処理に、異なる２種類（曲げモーメント型、せん断型）のブレイク装置を使い分けて使用する必要がある。すなわち、図４（ｃ）、図４（ｅ）において分断面Ｂ１、分断面Ｂ３を形成するときは、図５に示すように、基板との接触面を鋭角にしたブレイクバー４２を、ラインＫ（スクライブラインＳ２、Ｓ３を裏側に延長したライン上）に沿って押圧して曲げモーメントを加えるブレイク装置を用いることになる。これに対し、図４（ｇ）において分断面Ｂ１を形成するときは、図６に示すように、第一基板５１との接触面を平面にしたブレイクバー４３を端材部（耳部）５５に当て、せん断力が加わるように押圧する特殊なブレイク装置を用いることになる。
【００１４】
第二に、カッターホイールによるスクライブラインＳ１〜Ｓ３の加工は、レーザスクライブ加工に比べると、カレットが生じやすい。カレット発生は、歩留まりに影響を及ぼすおそれがあるので、極力発生を抑えたい。そのため、カレット発生を低減したい場合には、レーザ加工によりスクライブラインを形成する方が望ましい。
【００１５】
第三に、図４（ｆ）において、第一基板５１の端材部（耳部）５５（端材部）と第二基板５４の端子部５３とが分離されて、単位表示基板Ｍ１と基板Ｍ２とが形成されることになるが、このとき単位表示基板Ｍ１では、端子部５３を覆っていた端材部（耳部）５５が分離され、端子部５３が露出した状態になってしまう。
図４（ｆ）の工程で単位表示基板Ｍ１の端子部５３が露出した状態にされた単位表示基板Ｍ１は、次工程（例えば組立ライン）に搬送されて製品化の加工が行われる。
【００１６】
しかしながら端子部５３が露出した状態のままで、次工程に搬送されると、搬送中に端子部５３の端面に傷が付いてしまうおそれがある。特に、図４（ｇ）までの加工が行われるパネル製造ラインと、製品の組み立てが行われる組立ラインとの距離が離れている場合には、搬送中に端子部５３に傷がつかないようにする必要があり、搬送に手間を要する。
このような理由から、端子部５３の保護カバーとして機能する端材部（耳部）５５は、後の工程（上記例では組立ライン）で切除することが望ましい。
【００１７】
そこで、端子部が端材部（耳部）で覆われた状態のまま、先にマザー基板を単位表示基板（液晶表示パネル）の大きさに分断し、後から端材部を切除するようにしたレーザ加工方法が開示されている（特許文献２参照）。
【００１８】
この特許文献２に記載の加工方法によれば、（１）単位表示基板（液晶表示パネル）の大きさに分断し、（２）その後、分断された各単位表示基板（液晶表示パネル）に対し、端子部を露出させるための切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射することにより、多光子吸収の現象を利用して端材部（特許文献２では切断部という）を切り離し、端子部を露出させる。すなわち、レーザ光が切断予定ライン直下の基板内に集光するように照射し、多光子吸収を生じさせて基板内を改質する。そして、改質領域を起点として端材部（切断部）が分断される。このときのレーザ加工を、「多光子吸収を用いたレーザスクライブ」という。
【特許文献１】特許第３７９２５０８号公報
【特許文献２】特開２００７−６２０７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
特許文献２に記載の多光子吸収を用いたレーザスクライブを採用した場合には、以下の問題がある。
レーザ照射による多光子吸収だけでは、改質がなされるだけで加工予定ラインの位置で基板を完全分断することが困難な場合がある。すなわち、たとえ基板内の改質領域にクラックが形成されたとしても、クラックを伸展させなければ分断されない場合がある。そのときはブレイク装置を用いた分断処理が必要になる。この場合、分断しようとする端材部（切断部）の真下に端子部が存在するため、せん断型のブレイク装置は使用できず、曲げモーメント型のブレイク装置で分断することになる。曲げモーメント型のブレイク装置では、切断予定ラインを挟んで両側を均等に支持した状態で裏側から押圧する必要があるが、端材部（切断部）の幅が小さくなると、均等に支持できなくなり、曲げモーメント型のブレイク装置によっても安定して分断できなくなる。したがって、端材部（切断部）の幅が１０ｍｍより小さい場合には、先に単位表示基板に分断し、その後に、端材部（切断部）を切除する工程を採用すると分断不良が発生しやすくなり、５ｍｍ以下になるとブレイク装置による分断自体が困難になった。また、多光子吸収によって形成した改質領域やカッターホイールによって形成したスクライブラインにはマイクロクラックが形成されるため基板の端面強度が低下する。さらに、端材部を切除した端面は端子部に近接しているため、研磨加工などによりマイクロクラックを除去することも困難である。
【００２０】
以上のことから、端子加工は、カッターホイールによる機械的加工を採用した場合であっても、多光子吸収を用いたレーザスクライブを採用した場合であっても短所があり、新たな端子加工方法が望まれていた。
【００２１】
そこで、本発明は上述したカッターホイールによる端子加工や多光子吸収を用いたレーザスクライブによる端子加工で生じる諸問題を解決し、端子の露出幅を１０ｍｍ以下にした場合であっても加工可能な新しい端子加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するためになされた本発明は、レーザスクライブ加工とレーザブレイク処理とを利用して端子加工を行うものである。
すなわち、本発明は、第一の脆性材料基板と、機能膜に接続される端子部が機能膜とともに片側面に形成された第二の脆性材料基板とを、端子部が第一基板で覆われるように貼り合わせた基板に対して行う。
ここで、「機能膜」とは、液晶表示パネルではＴＦＴをいうが、基板面に形成された端子部と接続され何らかの機能を奏する機能膜であれば特に限定されない。例えば、ＴＦＴ以外の薄膜素子、抵抗膜、光学膜等であってもよい。
「端子部」とは、機能膜と外部機器との間で信号線や動力線を接続する領域をいう。一般には導電性膜（例えば金属膜、透明導電膜）がパターン形成される。端子部は外部機器と接続する必要があるため、少なくとも端子部の外側端（端子部が機能膜と接続される側と逆側の端）から外部機器との接続に必要な幅で、端子部の表面が露出されることになる。一方、端子部の幅は小さくするほど、機能膜として使用できる面積を大きくすることができる。それゆえ、露出させる端子部の幅は、下限が外部機器と接続可能な幅であり、上限は１０ｍｍ以下の範囲とするのが好ましい。具体的には、露出される端子部の幅を２ｍｍ〜８ｍｍ程度にするのが好ましい。
【００２３】
本発明の端子加工方法は、まず、端子部の機能膜に接続される側とは逆側の端子部外側に、第一基板および第二基板に対する分断面どうしが同一面となる第一分断面を形成する。その後に、端子部を覆う第一基板の部位を、第一基板の第一分断面から１０ｍｍ以下の幅で端材部として切除して第二分断面を形成し、端子部を露出させる。
【００２４】
ところで、先に単位表示基板（液晶表示パネル）の大きさに分断してから、端材部（切断部）をレーザスクライブ加工を利用して切除する場合、レーザビームのビームスポットを直線的に走査しても加工ラインが曲がってしまう現象が発生する。
これは、ビームスポットが走査されるライン（分断予定ライン）が単位表示基板（液晶表示パネル）の周辺領域になるため、ビームスポットを走査したときに、走査ラインより中央側と辺側とで不均一な応力場が形成されることに起因する。形成された加工ライン（スクライブライン、分断線）は、単位表示基板の周辺で不均一な応力場の影響を受けて加工ラインが曲がるものと考えられる。
そして加工ラインの曲がりは、端子部の露出幅（端材部の幅）が小さくなると目立つようになる。
【００２５】
そのため、以上の手順で端子加工を行う際に、まず、第一基板の第二分断面となる予定位置、第一基板の第一分断面となる予定位置、第二基板の第一分断面となる予定位置に、レーザスクライブ加工による第一スクライブライン、第二スクライブライン、第三スクライブラインを形成する。この時点では基板はいまだ分断されていないため、スクライブラインは基板周辺の不均一な応力場が形成されやすい位置に形成されるのではなく、均一な応力場の領域で加工されるため、スクライブラインは直線になる。
次いで、第二スクライブラインおよび第三スクライブラインに沿ってブレイク処理を行い、第一分断面を形成する。このブレイク処理は、レーザブレイク処理でも機械的なブレイク処理でもよい。その結果、単位表示基板ごとに分割され、以後第一スクライブラインは単位表示基板の周辺に位置するようになる。続いて、第一スクライブラインに沿ってレーザブレイク処理を行い、端材部をレーザブレイク処理により切除する。この時点で、第一スクライブラインは単位表示基板の周辺に位置するため、不均一な応力場が形成されるが、既に直線状の第一スクライブラインが形成されているので、これに誘導されてクラックが伸展するため、レーザブレイク処理によって第一スクライブラインに沿って直線状の分断が可能になる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、端子幅が１０ｍｍ以下であっても、まっすぐな分断面を有する端子を加工することができる。また、レーザブレイク処理で第一スクライブライン（有限深さのクラック）を深さ方向に伸展させることができるので、分断不良にならず、確実に完全分断することができる。さらに、端材部を切除した端面の端面強度の低下を防止できる。
【００２７】
（その他の課題を解決するための手段及び効果）
上記発明において、第二スクライブラインおよび第三スクライブラインに対するブレイク処理を、レーザブレイク処理で行うようにしてもよい。
これにより、機械的なブレイク処理を行うブレイク装置を用いる必要がなくなり、レーザ装置だけを用いてスクライブから第一分断面でのブレイクまで加工できる。また、カレットの発生を減らすことができる。
【００２８】
上記発明において、第一分断面を形成した後に、端材部を切除する前の貼り合せ基板を中間加工品として搬送し、その後、中間加工品の第二スクライブラインに対するレーザブレイク処理を行うようにしてもよい。
端子部の保護カバーとしての端材部を取り付けた中間加工品を搬送することにより、端子部が傷つくことが防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。ここでは液晶表示パネル用の貼り合せガラス基板Ｇに端子加工を行う場合を例に説明する。
【００３０】
（レーザ加工装置）
最初に、レーザスクライブ加工とレーザブレイク処理とを行うレーザ加工装置について説明する。なお、本発明では貼り合せ基板の両面に対してレーザ加工を行うことから、随時、基板の反転処理が行われる。そのため、基板を反転させるための市販のロボットアームがレーザ加工装置の隣に設置されている。このロボットアームによる反転処理技術については周知技術を利用するだけであるため、説明を省略する。
なお、ここでは説明を省略するが、貼り合せ基板の表面側と裏面側とにレーザ加工装置を設ければ反転処理自体が不要になるので、ロボットアームに代えて、表裏一対のレーザ加工装置を設置してもよい。
【００３１】
図１は本発明の端子加工方法を実施する際に用いるレーザ加工装置ＬＳ１の概略構成図である。
【００３２】
水平な架台１上に平行に配置された一対のガイドレール３、４に沿って、図１の紙面前後方向（以下Ｙ方向という）に往復移動するスライドテーブル２が設けられている。両ガイドレール３、４の間に、スクリューネジ５が前後方向に沿って配置され、このスクリューネジ５に、スライドテーブル２に固定されたステー６が螺合されており、スクリューネジ５をモーター（図示外）によって正、逆転することにより、スライドテーブル２がガイドレール３，４に沿ってＹ方向に往復移動するように形成されている。
【００３３】
スライドテーブル２上に、水平な台座７がガイドレール８に沿って、図１の左右方向（以下Ｘ方向という）に往復移動するように配置されている。台座７に固定されたステー１０ａに、モーター９によって回転するスクリューネジ１０が貫通螺合されており、スクリューネジ１０ａが正、逆転することにより、台座７がガイドレール８に沿って、Ｘ方向に往復移動する。
【００３４】
台座７上には、回転機構１１によって回転する回転テーブル１２が設けられており、この回転テーブル１２の上に、ガラスの貼り合せ基板Ｇが水平な状態で載せられる。この基板Ｇは、単位表示基板を切り出すためのマザー基板である。回転機構１１は、回転テーブル１２を、垂直な軸の周りで回転するようにしてあり、任意の回転角度に回転できる。この回転機構１１を９０度回転することにより、互いに直交する２方向に沿ってレーザ加工を行うことができる。また、基板Ｇは、吸引チャックによって回転テーブル１２に固定される。
【００３５】
回転テーブル１２の上方には、レーザ装置１３と光学ホルダ１４とが取付フレーム１５に保持されている。
レーザ装置１３は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ又は一酸化炭素レーザなどが使用される。基板Ｇの加工には、ガラス材料のエネルギー吸収効率が大きい波長の光を発振する炭酸ガスレーザを使用することが好ましい。
【００３６】
レーザ装置１３から出射されたレーザビームは、ビーム形状を調整するためのレンズ光学系が組み込まれた光学ホルダ１４によって、楕円形のビームスポットが基板Ｇ上に照射される。ビームスポット形状は特に限定されないが、楕円等の長軸を有する形状が、加工予定ラインに沿って効率よく加熱できる点で優れている。
【００３７】
取付フレーム１５には、光学ホルダ１４に近接して、冷却ノズル１６が設けられている。冷却ノズル１６からは冷媒が噴射される。冷媒には、冷却水、圧縮空気、Ｈeガス、炭酸ガス等を用いることができるが、本実施形態では圧縮空気を噴射するようにしてある。
冷却ノズル１６から噴射される冷却媒体は、ビームスポットの左端から少し離れた位置に向けられ、基板Ｇの表面に冷却スポットを形成するようにしてある。
ビームスポットの通過により加熱された領域を、冷却スポットによって冷却することにより、加工予定ラインに沿って熱応力が発生し、基板にクラックが形成される。
【００３８】
また、取付フレーム１５には、カッターホイール１８が、昇降機構１７を介して取り付けられている。このカッターホイール１８は、基板Ｇの端辺に初期亀裂を形成するときに、一時的に下降するようにして用いられる。
【００３９】
また、レーザ加工装置ＬＳ１には、あらかじめ基板Ｇに刻印されている位置決め用のアライメントマークを検出することができるカメラ２０が搭載されており、カメラ２０により検出されたアライメントマークの位置から、基板Ｇ上に設定する加工予定ラインの位置と回転テーブル１２との対応位置関係を求め、カッターホイール１８の下降位置やレーザビームの照射位置が加工予定ライン上にくるように、正確に位置決めできるようにしてある。
【００４０】
（端子加工手順）
次に、レーザ加工装置ＬＳ１を用いて、液晶表示パネル用の貼り合せ基板Ｇを加工するときの加工手順について説明する。
【００４１】
図２は液晶表示パネル用の貼り合せ基板の加工工程ごとの平面図である。図において、各符号の引き出し線のうち、実線の引き出し線については表面側の基板を表し、破線の引き出し線については裏面側の基板を表す。また、図３は図２で示す各工程におけるＡ−Ａ’断面図である。
【００４２】
図２（ａ）、図３（ａ）に示すように、貼り合せ基板Ｇは、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成された第一基板３１（ＣＦ基板）と、ＴＦＴ３２およびＴＦＴ３２に接続される端子部３３が形成された第二基板３４（ＴＦＴ基板）とからなる。第二基板３４は、ＴＦＴ３２および端子部３３が形成された基板面が内側の貼り合せ面（接合面）になるようにしてある。
【００４３】
まず、第一基板３１に対し、レーザスクライブ加工により、第一スクライブラインＳ１、第二スクライブラインＳ２を形成する。第一スクライブラインＳ１は、片側基板（第一基板）だけを分断する位置に形成するスクライブラインである。第二スクライブラインＳ２は、第一基板３１と第二基板３４とを同一面で完全分断する位置に形成するスクライブラインであり、後述する第三スクライブラインＳ３と対となるようにして形成される。
【００４４】
端子加工が行われる位置には、第一スクライブラインＳ１と第二スクライブラインＳ２とが、距離Ｌ（図３）を隔てて形成するようにしてある。距離Ｌは、端子部３３が露出する幅であり、この幅を大きくとると液晶表示パネルの表示画面が小さくなるので、最大でも１０ｍｍ以下にする。なお、距離Ｌの下限については技術的に加工でき、また、端子として外部機器との接続が確実にできる幅であれば特に限定されないが、一般には１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲で設定する。
なお、端子加工は少なくとも１辺が対象となる。本実施形態では３辺に端子加工が行われる。
【００４５】
次いで、図２（ｂ）、図３（ｂ）に示すように、基板Ｇを反転し、第一基板３１の第二スクライブラインＳ２の裏面側の延長上に、第三スクライブラインＳ３を形成する。（なお、第三スクライブラインＳ３を先に形成してから、第一スクライブラインＳ１、第二スクライブラインＳ２を形成してもよい）
【００４６】
次いで、図２（ｃ）、図３（ｃ）に示すように、第三スクライブラインＳ３に沿って再度加熱するレーザブレイク処理を行い、熱応力によってクラック（第三スクライブラインＳ３）を裏面に達するまで伸展させて分断面Ｂ３を形成する。
【００４７】
次いで、図２（ｄ）、図３（ｄ）に示すように、基板Ｇを反転し、第二スクライブラインＳ２に沿って再度加熱するレーザブレイク処理を行い、熱応力によってクラック（第二スクライブラインＳ２）を裏面に達するまで伸展させて分断面Ｂ２を形成する。
【００４８】
ここまでの加工により、図２（ｅ）、図３（ｅ）に示すように、基板Ｇは分断面Ｂ２、分断面Ｂ３からなる第一分断面で分離され、単位表示基板Ｍ１および隣接する基板Ｍ２が切り出される。なお、本実施形態では、隣接する基板Ｍ２は、単位表示基板間に設けられた不要部であり、廃棄されるが、この不要部である基板Ｍ２が生じないように単位表示基板Ｍ１同士が隣接するように配置すれば、基板Ｇをさらに無駄なく有効利用することができる。
【００４９】
次いで、図２（ｆ）、図３（ｆ）に示すように、第一スクライブラインＳ１に沿って再度加熱するレーザブレイク処理を行い、熱応力によってクラック（第一スクライブラインＳ１）を裏面に達するまで伸展させて分断面Ｂ１を形成する。
このとき分断面Ｂ１は、先に形成した分断面Ｂ２から１０ｍｍ以内の位置にあり、第一スクライブラインＳ１の左右で構造的に非対称な応力分布が生じている。さら再加熱によってこの部分に生じる熱応力は、第一スクライブラインＳ１の左右で非対称になっている。したがって、基板に形成される応力勾配だけで、クラックの伸展方向が定まるならばクラックは曲がってしまうのであるが、先に第一スクライブラインＳ１が形成されているため、このスクライブラインＳ１に誘導されるようにクラックが伸展するようになる。その結果、第一スクライブラインＳ１に沿って直線的に分断面Ｂ２が形成され、曲がることはない。
【００５０】
次いで、図２（ｇ）、図３（ｇ）に示すように、端材部３５が切除され、端子加工がなされた単位表示基板Ｍ１が得られる。
以上の加工手順により、良好な端子加工が可能になる。
【００５１】
なお、上記加工手順において、図２（ｅ）、図３（ｅ）の工程で分離された単位表示基板Ｍ１を、中間製品として取り出し、これを同一工場内の別の場所や他工場に搬送し、最初にレーザスクライブ加工に用いたレーザ加工装置ＬＳ１とは別の場所に置かれた第二のレーザ加工装置ＬＳ２（レーザ加工装置ＬＳ１と同じ仕様、性能でよい）でレーザブレイク処理を行うようにしてもよい。その場合、搬送中の端子部３３は第一基板３１（端材部３５となる部分）で覆われて保護されているので、傷が付くことはない。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の端子加工方法は、ガラス基板等の脆性材料基板の端子加工に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の端子加工方法で用いるレーザ加工装置の概略構成図。
【図２】本発明の端子加工方法の加工手順を示す平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面を示す図。
【図４】従来の端子加工方法の加工手順の一例を示す図。
【図５】従来の端子加工で使用する曲げモーメント型ブレイク装置の一例を示す図。
【図６】従来の端子加工で使用するせん断型ブレイク装置の一例を示す図。
【符号の説明】
【００５４】
２  スライドテーブル
７  台座
１２  回転テーブル
３１  第一基板（ＣＦ基板）
３２  機能膜（ＴＦＴ）
３３  端子部
３４  第二基板（ＴＦＴ基板）
３５  端材部
Ｓ１  第一スクライブライン
Ｓ２  第二スクライブライン
Ｓ３  第三スクライブライン
Ｂ１  第二分断面
Ｂ２、Ｂ３  第一分断面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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