(57)【要約】【課題】  直接上準位を励起することにより、ＵＶ光または可視光領域のレーザを発生させることができるレーザ装置を提供することである。【解決手段】  励起光を放出する励起光源と、所望の波長帯の光を反射する第１のミラーと第２のミラーが対向して設置され、さらに第１のミラーと第２のミラーの光路間に該励起光を導入する励起光結合手段と導入された該励起光により発光するレーザ媒質が配置されている共振器を備えるレーザ装置において、励起光源に、励起光の波長が３４０〜５００ｎｍの範囲内である、チッ化ガリウム系半導体光源、レーザ媒質に、少なくともＥｒ３＋、Ｈｏ３＋，Ｓｍ３＋、Ｔｍ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｕ３＋、Ｔｂ３、またはＮｄ３＋が少なくとも１つ添加されているフッ化物ガラスまたはフッ化物結晶を用い、かつ、レーザ発振波長が励起波長よりも長いことを特徴とするレーザ装置。【選択図】  図１
2010080928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光を放出する励起光源と、所望の波長帯の光を反射する第１のミラーと第２のミラーが対向して設置され、さらに第１のミラーと第２のミラーの光路間に該励起光を導入する励起光結合手段と導入された該励起光により発光するレーザ媒質が配置されている共振器を備えるレーザ装置において、
励起光源に、励起光の波長が３４０〜５００ｎｍの範囲内である、チッ化ガリウム系半導体光源、レーザ媒質に、少なくともＥｒ３＋、Ｈｏ３＋、Ｓｍ３＋、Ｔｍ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｕ３＋、Ｔｂ３、またはＮｄ３＋のいずれか１種類が添加されているフッ化物ガラスまたはフッ化物結晶を用い、
かつ、レーザ発振波長が励起波長よりも長いことを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
該共振器の光路中に、該所望の波長帯においてシングルモードとなる光導波路が少なくとも１つ挿入されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
該レーザ媒質が光導波路のコア部を形成すること特徴とする請求項１または２に記載のレーザ装置。
【請求項４】
該レーザ媒質の片端または両端に石英系ガラスからなる光導波路が接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項５】
該励起光結合手段が、光カプラ、誘電体多層膜フィルタ、プリズム、グレーティングのいずれかであることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＵＶ光または可視光などの短波長のレーザを発生させる装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、加工・通信・計測などの多くの分野でレーザが用いられるようになってきた。最近では、光技術の進展に伴い、ＵＶや可視波長のような、より短波長なレーザが必要とされている。特に、半導体の製造、蛍光顕微鏡分野、医療・バイオ用途などの分野では、ＵＶ〜可視波長のレーザが必要不可欠になりつつある。
【０００３】
しかし、現存する高出力レーザのほとんどは、特に近赤外〜赤外の波長領域にあり、例えば、Ｔｉ：Ｓａｐｐｈｉｒｅレーザ（６５０ｎｍ〜１１００ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（１０６４ｎｍ）、半導体レーザ（波長８０８ｎｍ、９１５ｎｍ、９６０ｎｍ、９７０〜９８０ｎｍ、等）などが挙げられる。
【０００４】
可視波長領域で直接発光する半導体レーザは少なく、チッ化ガリウム系半導体光源による３８０〜５００ｎｍ、赤半導体６３５ｎｍ、６５０ｎｍ帯など、限られたものしかない。これらの波長以外で、現在入手できる可視レーザのほとんどは、上記の高出力な近赤外レーザを波長変換することにより得られている（非特許文献１）。
【０００５】
波長変換には非線形光学結晶（ＢＢＯ結晶、ＬＢＯ結晶等）や分極反転素子（ＰＰＬＮ等）などの波長変換デバイスが用いられる。
【０００６】
しかし、非線形光学結晶を用いた場合、基本波と高調波の進行方向が異なる（いわゆるウォークオフ）ため、高効率な波長変換が得られない。また、分極反転素子を用いた場合にも、分極反転の周期構造の不均一や素子温度の変化などに起因した損失が必ず発生する。以上から分かるように、現存しない可視波長のレーザを波長変換により生成する場合、基本波となる近赤外レーザを新たに作製し、かつ、非線形光学結晶または分極反転素子を新たに設計し、さらには、波長変換デバイスの温度調節を正確に行う必要があり、極めて困難である。
【０００７】
また、可視光レーザを得る他の手段として、アップコンバージョン現象を用いる方法がある。この方法は、所望の発光波長よりも長い波長の励起光を、希土類イオンに多段階に吸収させることによって、より短波長の光を得る方法である（非特許文献２）。しかし、アップコンバージョンによる発光は、多段階の吸収過程を必要とするが故に、途中の準位から所望の準位以外へと電子状態が遷移してしまうので、その分の励起エネルギーを損失してしまう。
【０００８】
高効率なレーザ発振を得るための１つの手段は、レーザ発振の上準位以上を直接励起することである。最近、波長４４５ｎｍのチッ化ガリウム系半導体レーザを励起光源としたＰｒ３＋添加フッ化物ファイバレーザ（レーザ発振波長６３５ｎｍ）が提案されている（非特許文献３）。波長４４５ｎｍ付近は、Ｐｒ３＋イオンの吸収帯にまさに一致している上、６３５ｎｍ帯のレーザ発振は４準位系のレーザ発振であるため、基底準位吸収（ＧＳＡ）がなく、容易にレーザ発振させることができる。しかし、その他の希土類において、半導体レーザで直接上準位を励起してレーザ発振させることが困難であり、今までに報告がない。
【０００９】
また、非特許文献３では、チッ化ガリウム系半導体レーザのビーム形状を整形する際に、アナモルフィックプリズム対を利用している。アナモルフィックプリズム対を用いた光学系では、プリズムにより光軸がシフトするため非点収差が発生する。特に、励起光を光導波路等に集光する場合、この非点収差が結合効率を悪化させてしまう。
【００１０】
また、チッ化ガリウム系半導体光源として、チッ化ガリウム（ＧａＮ）半導体の他に、アルミニウムが添加されているチッ化アルミニウムガリウム（ＧａＡｌＮ）半導体、インジウムが添加されているチッ化インジウムガリウム（ＧａＩｎＮ）半導体を用いる光源が知られており、チッ化ガリウム（ＧａＮ）のバンドギャップは３６０ｎｍであり、Ｉｎ（インジウム）を加えると発光波長は長波長側にシフトし、Ａｌ（アルミニウム）を加えると発光波長は短波長側にシフトすることが知られている（非特許文献４）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｋｌａｕｓ  Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ、  Ｓｔｅｐｈａｎ  Ｓｃｈｉｌｌｅｒ、  Ｊｕｒｇｅｎ  Ｍｌｙｎｅｋ、  Ｍａｒｋｕｓ  Ｂｏｄｅ，  ａｎｄ  Ｉｎｇｏ  Ｆｒｅｉｔａｇ，：‘１．１−Ｗ ｓｉｎｇｌｅ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ５３２−ｎｍ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ｂｙ  ｓｅｃｏｎｄ−ｈａｒｍｏｎｉｃ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ａ  ｍｉｎｉａｔｕｒｅ  Ｎｄ：ＹＡＧ  ｒｉｎｇ  ｌａｓｅｒ’，Ｏｐｔｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  Ｖｏｌ．  ２１  Ｉｓｓｕｅ  ２４，  ｐｐ．１９９９−２００１  (１９９６)
【非特許文献２】Ｗｈｉｔｌｅｙ，Ｔ．Ｊ．，  Ｍｉｌｌａｒ，Ｃ．Ａ．，  Ｗｙａｔｔ，  Ｒ．，  Ｂｒｉｅｒｌｅｙ，Ｍ．Ｃ．，  Ｓｚｅｂｅｓｔａ，  Ｄ．：‘Ｕｐｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｐｕｍｐｅｄ  ｇｒｅｅｎ  ｌａｓｉｎｇ  ｉｎ  ｅｒｂｉｕｍ  ｄｏｐｅｄ  ｆｌｕｏｒｏｚｉｒｃｏｎａｔｅ  ｆｉｂｒｅ’，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌｕｍｅ  ２７，  Ｉｓｓｕｅ  ２０，  ｐｐ１７８５ − １７８６
【非特許文献３】ＷＥＩＣＨＭＡＮＮ，  Ｕ．，  ＢＡＩＥＲ，  Ｊ．，  ＢＥＮＧＯＥＣＨＥＡ，  Ｊ．，  ａｎｄ  ＭＯＥＮＣＨ，  Ｈ．  ：  ‘ＧａＮ−ｄｉｏｄｅ  ｐｕｍｐｅｄ  Ｐｒ３＋：ＺＢＬＡＮ  ｆｉｂｅｒ−ｌａｓｅｒｓ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ｖｉｓｉｂｌｅ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｒａｎｇｅ’，  Ｐｒｏｃ．  ＣＬＥＯ／Ｅｕｒｏｐｅ−ＩＱＥＣ，  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ．，  Ｍｕｎｉｃｈ，  Ｇｅｒｍａｎｙ，  ２００７
【非特許文献４】Ｖｕｒｇａｆｔｍａｎ，Ｉ．，  Ｍｅｙｅｒ，Ｊ．Ｒ．‘Ｂａｎｄ  ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ  ｆｏｒ  ｎｉｔｒｏｇｅｎ-ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ’  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ９４，  ３６７５ （２００３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のように、レーザ媒質の発光波長が所望の波長帯域（ＵＶや可視領域）にない場合、異なる波長帯の既存レーザに対して、必ず損失を伴う波長変換手段をとる必要がある。たとえ既存のレーザ波長と波長変換デバイスの組み合わせたとしても、得ることのできないレーザ波長帯も存在することは言うまでもない。
【００１３】
また、  アップコンバージョン現象を用いて所望の波長帯域（ＵＶや可視領域）の発光を得る場合においても、複数の励起過程を経る間に、一部の励起エネルギーを失ってしまうので効率的ではない。
【００１４】
唯一、ＧＳＡが存在しないため、レーザ発振させることができるＰｒ３＋を用いたレーザにおいては、チッ化ガリウム系半導体レーザを用いた上準位を直接励起する方法が報告されているが、アナモルフィックプリズム対を利用するため非点収差が発生し、結合効率を悪化する。さらにその他の希土類において、直接上準位を励起するレーザ発振させる報告されておらず、ＵＶおよび可視波長領域のレーザ装置は限られている。
【００１５】
本発明では、波長変換手段およびアップコンバージョン現象を用いずに、直接上準位を励起することにより、ＵＶ光または可視光領域のレーザを発生させることができるレーザ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
そこで、本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、波長変換手段およびアップコンバージョン現象を用いずに、種々の希土類元素を用いて、ＵＶ光・可視光領域のレーザが構成できることを見出し、本発明に至ったものである。
【００１７】
すなわち、本発明は、励起光を放出する励起光源と、所望の波長帯の光を反射する第１のミラーと第２のミラーが対向して設置され、さらに第１のミラーと第２のミラーの光路間に該励起光を導入する励起光結合手段と導入された該励起光により発光するレーザ媒質が配置されている共振器を備えるレーザ装置において、励起光源に、励起光の波長が３４０〜５００ｎｍの範囲内である、チッ化ガリウム系半導体光源、レーザ媒質に、少なくともＥｒ３＋、Ｈｏ３＋、Ｓｍ３＋、Ｔｍ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｕ３＋、Ｔｂ３、またはＮｄ３＋のいずれか１種類が添加されているフッ化物ガラスまたはフッ化物結晶を用い、かつ、レーザ発振波長が励起波長よりも長いことを特徴とするレーザ装置を提供するものである。
【００１８】
さらには、該共振器の光路中に、該所望の波長帯においてシングルモードとなる光導波路が少なくとも１つ挿入されていることを特徴とするレーザ装置、該レーザ媒質が光導波路のコア部を形成すること特徴とするレーザ装置、該レーザ媒質の両端に石英系ガラスからなる光導波路が接続されていることを特徴とするレーザ装置、または該励起光結合手段が、光カプラ、誘電体多層膜フィルタ、プリズム、グレーティングのいずれかであることを特徴とするレーザ装置を提供するものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、ＵＶ光または可視光領域のレーザ発振を高効率に得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による実施形態の例を示すものである。
【図２】本発明による実施形態の例を示すものである。
【図３】本発明の第１の実施例を示す。
【図４】本発明の第１の実施例による発振スペクトルを示す。
【図５】本発明の第１の実施例による出力特性を示す。
【図６】本発明の第２の実施例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明における実施形態の例を、図１を用いて示す。図１の例は、励起光源１０１、レーザ光全反射フィルタ１０２、励起光反射／レーザ光透過ミラー１０３、集光レンズ１０４、希土類添加フッ化物ガラスファイバ１０５、レーザ光部分反射フィルタ１０６により構成される。励起光源１０１より放出される、コリメートされた励起光は、励起光反射／レーザ光透過ミラー１０３によって反射された後、集光レンズ１０４によって、希土類添加フッ化物ガラスファイバ１０５のコアに結合される。励起側の希土類添加フッ化物ガラスファイバ端面１０５−ａはフレネル反射を抑制するために８°に斜め研磨されている。励起側と反対の希土類添加フッ化物ガラスファイバ端面１０５−ｂは直角に研磨されており、レーザ光部分反射フィルタ１０６に隙間なく密着させられている。
【００２２】
希土類添加フッ化物ガラスファイバ１０５へ結合された励起光は、希土類添加フッ化物ガラスファイバ１０５内を伝搬する間に吸収され、自然放出光（ＡＳＥ光）を放出する。ＡＳＥ光はレーザ光全反射フィルタ１０２およびレーザ光部分反射フィルタ１０６により構成されている共振器中を往復することによりレーザ光となり、一部がレーザ光部分反射フィルタ１０６を透過して出力される。
【００２３】
励起光反射／レーザ光透過ミラー１０３、集光レンズ１０４は、レーザ媒質の発光帯の波長域において反射防止コーティングされていることが望ましい。レーザ光部分反射フィルタ１０６の反射率は、該フィルタ１０６を透過して出てくるレーザ光が最大になるように定められるのが望ましい。
【００２４】
集光レンズ１０４は励起波長およびレーザ発振波長において色収差が補正されているものが望ましい。
【００２５】
共振器を構成する際、励起側と反対の希土類添加フッ化物ガラスファイバ端面１０５−ｂにレーザ光部分反射フィルタ１０６を密着させる代わりに、該ファイバ端面１０５−ｂにコーティング等により直接ミラーを形成しても良い。
レーザ光の取り出し方向は１０６に限るものではなく、レーザ光全反射フィルタ１０２を部分反射ミラーとし、該フィルタ１０２側からレーザ光を出力しても良い。
【００２６】
また、励起側の希土類添加フッ化物ガラスファイバ端面１０５−ａを斜めに研磨して反射光の発生を抑制する代わりに、直角に研磨することによりファイバ端面でのフレネル反射を利用したミラーを形成しても良い。
【００２７】
また、レーザ媒質の例として希土類添加フッ化物ガラスファイバを用いているが、１０５の位置に配置されるレーザ媒質はファイバ形状である必要はなく、希土類添加フッ化物バルクガラス、希土類添加フッ化物バルク結晶、またはファイバ形状でない希土類添加フッ化物光導波路も使用できる。さらには、該レーザ媒質の両端または片端に石英系光導波路を接続して用いることができる。
【００２８】
レーザ媒質として、ファイバ形状の代わりにバルク形状のものを用いる場合の例を、図２に示す。図２は、図１の光学系において、集光レンズ１０４とレーザ光部分反射フィルタ１０６の間に、希土類添加フッ化物ガラスファイバ１０５の代わりに、バルク状希土類添加フッ化物レーザ媒質２０１およびレンズ２０２が挿入されている。また、レンズ２０２とレーザ光部分反射フィルタ１０６の代わりに、凹面部に部分反射コーティングが施された一対の凹面鏡を向かい合わせて用いても良い。
【００２９】
レーザ媒質に添加される希土類元素は、励起光源の発振波長が３４０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のいずれかの波長である光を吸収する希土類元素であればよいが、特に、Ｅｒ３＋、Ｈｏ３＋、Ｓｍ３＋、Ｔｍ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｕ３＋、Ｔｂ３＋、Ｎｄ３＋が好ましい。
【００３０】
例えば、コアに添加される希土類元素が、Ｅｒ３＋では、発振波長が３５５ｎｍ〜３９０ｎｍ、４００ｎｍ〜４１５ｎｍｎｍ、４３８ｎｍ〜４６０ｎｍ、４７７ｎｍ〜４９７ｎｍのいずれかの範囲内にある励起光を用いることができ、Ｈｏ３＋では、発振波長が３４０ｎｍ〜３７０ｎｍ、３８０ｎｍ〜３９０ｎｍ、４１０ｎｍ〜４２０ｎｍ、４４０ｎｍ〜４９５ｎｍのいずれかの範囲内にある励起光を用いることができ、Ｓｍ３＋では、発振波長が３５５ｎｍ〜３８０ｎｍ、３９０ｎｍ〜４１０ｎｍｎｍ、４５５ｎｍ〜４９０ｎｍのいずれかの範囲内にある励起光を用いることができ、Ｔｍ３＋では、発振波長が３４５ｎｍ〜３６５ｎｍ、４５５ｎｍ〜４８５ｎｍの範囲内にある励起光を用いることができ、Ｄｙ３＋では、発振波長が３４０ｎｍ〜〜４０５ｎｍ、４４０ｎｍ〜４６０ｎｍのいずれかの範囲内にある励起光を用いることができ、Ｅｕ３＋では、発振波長が３９０ｎｍ〜４００ｎｍのいずれかの範囲内にある励起光を用いることができ、Ｔｂ３＋では、発振波長が３４０ｎｍ〜３８５ｎｍ、４７５ｎｍ〜４９５ｎｍのいずれかの範囲内にある励起光を用いることができ、Ｎｄ３＋では、発振波長が３４０ｎｍ〜３６０ｎｍ、４２５ｎｍ〜４３５ｎｍ、４４５ｎｍ〜４８５ｎｍ、４９０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内にある励起光を用いることができる。
【００３１】
また、励起光を添加されている希土類元素の励起に効率的に利用するためには、レーザ媒質のホストガラスとして低フォノンエネルギーを有する物質が好ましいことから、レーザ媒質にフッ化物ガラスまたはフッ化物結晶を用いる。フッ化物ガラスよりフォノンエネルギーが大きい石英ガラスなどを増幅部の光導波路のコア部に用いると、非輻射緩和速度が速いために、添加されている希土類元素を励起しても、非発光の過程を経て基底状態に戻る割合が多くなるため、効率が悪い。
【００３２】
励起光源としては、発振波長が３４０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲より選ばれる１つ以上の波長を有するものであれば特に限定されない。
【００３３】
例えば、チッ化ガリウム系半導体光源、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、色素レーザ、Ａｒイオンレーザ、波長変換レーザなどが利用できる。
【００３４】
しかし、サイズおよび消費電力を考慮すると、小型で消費電力の小さい光源である波長変換レーザまたはチッ化ガリウム系半導体光源が好ましい。また、電気／光変換効率に注目すると、波長変換レーザでは、基本波レーザを波長変換する際に損失が生じるので、直接３４０ｎｍ〜５００ｎｍ付近の波長を発光できる、チッ化ガリウム系半導体光源がより好ましい。
【００３５】
特にチッ化ガリウム系半導体光源において、チッ化ガリウム系半導体レーザを用いる場合、その出射ビームは楕円形状をしているため、レーザ媒質が円形のコアを有する光ファイバなどの光導波路に対しては、円形ビームに変形するビームの整形を行うことが好ましい。例えば、シリンドリカルレンズを用いてビームを整形した励起光とすることがより望ましい。
【００３６】
また、光導波路のレーザ媒質を用い、且つ、該レーザ媒質の片側または両側に、石英系光ガラスからなる導波路を接続して用いる場合、該光導波路の導波路パラメータは、接続する導波路間の接続損失が０．２ｄＢ以下であるように設定されることが好ましい。導波路パラメータが大きく異なる場合には、接続部で損失が発生するだけではなく、構造の不整合に起因する反射が発生する可能性がある。さらに好ましくは、接続部分での反射を抑制するために、融着接続を用いるのが好ましい。
【００３７】
さらに、光導波路のレーザ媒質に石英系ガラスからなる光導波路を接続することは、下記の理由から、該レーザ媒質の励起光入射端の破損を防ぐ効果もある。励起光の形状が完全なシングルモードでない場合、励起光が光導波路に入射される際に、光の一部が光導波路のコアの外に放射されてしまう。また、励起光入射側の光導波路端面において、コア部近傍に傷や構造不整が在った場合には、電場集中により発熱する場合がある。特に、ガラス転移温度の低いフッ化物ガラス（ＺＢＬＡＮガラスでは約２８０℃）では注意が必要である。レーザ媒質の端面を保護するために、例えば図１に示される例において、励起側の希土類添加フッ化物ガラスファイバ端面１０５−ａに石英系ファイバを融着接続することもできる。石英系ガラスはフッ化物ガラスに比べてガラス転移温度が高いので、発熱に対する耐性が高い。
【００３８】
また、共振器中を往復している所望のレーザ光がマルチモードで発振している場合、該共振器の光路中に所望の波長帯でシングルモードである光導波路を挿入することにより、シングルモード以外の成分へ損失を与え、選択的にシングルモードでレーザ発振させることもできる。
【００３９】
また、使用する石英系ガラスからなる光導波路は、コア部が石英系ガラスであればよいが、紫外光〜可視光領域に対して吸収の少ないものが好ましい。特に、紫外〜青紫領域のレーザ発振を行う場合は、該光導波路のコア材料として、紫外〜青紫にかけて吸収を有するＧｅが高添加されている石英ガラスは好ましくなく、例えば、純粋石英ガラスを用いることが好ましい。
【００４０】
励起光結合手段である励起光反射／レーザ光透過ミラーとしては、光カプラ、誘電体多層膜フィルタ、プリズム、グレーティングなどを利用できる。プリズムを用いる場合、励起波長と所望のレーザ波長が近い場合には、励起光とレーザ光を分離することが困難となる。また、グレーティングを用いる場合には回折損失が生じる。故に、光カプラや誘電体多層膜フィルタを用いるのがより好ましい。
【００４１】
以下に、本発明を用いた具体的な実施例を開示する。
【実施例１】
【００４２】
図３に第１の実施例を示す。図３に示される光学系は、励起光源であるチッ化ガリウム系半導体レーザ４０１（インジウム添加有り、中心波長：４４８ｎｍ：日亜化学工業製）、非球面レンズ４０２（ＮＡ：０．６０）、シリンドリカルレンズ４０３（ｆ＝−２５ｍｍ）、シリンドリカルレンズ４０４（ｆ＝５０ｍｍ）、レーザ光全反射フィルタ４０５（ＨＲ：５２０ｎｍ〜５６０ｎｍ、ＡＲ：８３０ｎｍ〜８７０ｎｍ、１５１０ｎｍ〜１５７０ｎｍ）、励起光反射／レーザ光透過ミラー４０６（４５°入射、ＨＲ：４４０ｎｍ〜４５５ｎｍ、ＡＲ：５２０ｎｍ〜５６０ｎｍ、８３０ｎｍ〜８７０ｎｍ、および１５１０ｎｍ〜１５７０ｎｍ）、非球面レンズ４０７（ＮＡ：０．３０）、レーザ媒質であるＥｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ４０８（ホストガラス：ＺＢＬＡＮガラス、Ｅｒ３＋：３０００ｐｐｍ、ＮＡ：０．２２、コア径：３．３μｍ、ファイバ長：６５ｃｍ）、レーザ光部分反射フィルタ４０９（波長：５４３±１０ｎｍにおいて反射率：７６％、その他の波長は透過）により構成される。励起光が透過する光学部品（４０２，４０３，４０４，４０７）は波長４４８ｎｍにおいて反射防止コーティングされている。レーザ光が透過する光学部品４０６、４０７には波長５２０ｎｍ〜５６０ｎｍ、８３０ｎｍ〜８７０ｎｍ、および１５１０ｎｍ〜１５７０ｎｍにおいてＡＲコーティングされている。
【００４３】
励起側のＥｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ端面４０８−ａはフレネル反射を抑制するために、８°研磨されている。励起側と反対のＥｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ端面４０８−ｂは直角に研磨され、レーザ光部分反射フィルタ４０９に隙間なく密着させた。レーザ光部分反射フィルタ４０９を透過してきた光を測定用ファイバ（コア径：６２．５μｍ、マルチモードＧＩ型ファイバ）に結合し、その波長スペクトルを光スペクトラムアナライザ（ＡＮＤＯ製：ＡＱ−６３１５Ａ）を用いて測定した。
【００４４】
その結果、励起光１２０ｍＷ以上投入したとき、波長５４３ｎｍ帯でレーザ発振を確認した。Ｅｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ４０８に励起光１７６ｍＷを結合させたとき、レーザ共振器から出力されたレーザ光の波長スペクトルを図４に示す。
【００４５】
また、透過光のうち波長５４３±１０ｎｍに含まれる光パワーをバンドパスフィルタ（透過波長５４３±１０ｎｍ）および、パワーメータヘッド（Ａｎｒｉｔｓｕ製：ＭＡ９４１１Ａ）を用いて測定した。図５にファイバに投入した励起パワーと得られたレーザ出力の関係を示す。最大２００ｍＷの励起光をファイバに投入すると、最大１２ｍＷのレーザ出力を得た。
【実施例２】
【００４６】
図６に第２の実施例を示す。図６に示される光学系は、励起光源であるチッ化ガリウム系半導体レーザ７０１および７０５（インジウム添加有り、中心波長：４４８ｎｍ）、非球面レンズ７０２および７０６（ＮＡ：０．６０）、シリンドリカルレンズ７０３および７０７（ｆ＝−２５ｍｍ）、シリンドリカルレンズ７０４および７０８（ｆ＝５０ｍｍ）、偏光ビームスプリッタ７０９、非球面レンズ７１０（ＮＡ：０．３０）、ＷＤＭカプラ７１１（ファイバ：Ｎｕｆｅｒｎ製純粋石英コアファイバＳ４６０ＨＰ、合波波長：５４３ｎｍおよび４４８ｎｍ）、レーザ媒質であるＥｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ７１３（ホストガラス：ＺＢＬＡＮガラス、Ｅｒ３＋：３０００ｐｐｍ、ＮＡ：０．２２、コア径：３．３μｍ、ファイバ長：６５ｃｍ）、レーザ光部分反射膜（誘電体多層膜）が端面に蒸着されたフェルール７１４（波長：５４３±１０ｎｍにおいて反射率：８６％、その他の波長は透過）、レーザ光全反射膜（誘電体多層膜）が端面に蒸着されたフェルール７１５（波長：５４３±１０ｎｍにおいて反射率：９９．５％以上、その他の波長は透過）により構成される。
【００４７】
励起光が透過する光学部品（７０２，７０３，７０４，７０６，７０７、７０８、７０９、７１０）は波長４４８ｎｍにおいて反射防止コーティングされている。Ｅｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ７１３とＷＤＭカプラ７１１のポートである石英ファイバ７１１−ｃは融着接続（融着点７１２）されている。フレネル反射の発生を抑制するため、ＷＤＭカプラ７１１のポートである石英ファイバ７１１−ａの端面は８°に斜め研磨されている。
【００４８】
また、ＷＤＭカプラ７１１のポート（７１１−ａ、７１１−ｂ、７１１−ｃ）間の挿入損失は、波長４４８ｎｍに対しポート７１１−ａ〜７１１−ｃ間において０．３ｄＢであり、波長５４３ｎｍに対しポート７１１−ｂ〜７１１−ｃ間において０．０５ｄＢである。
【００４９】
尚、本実施例では、２個のチッ化ガリウム系半導体レーザを用いているが、いずれか一方のチッ化ガリウム系半導体レーザを用いても良い。
【００５０】
レーザ光部分反射膜が端面に蒸着されたフェルール７１４を透過するレーザ光を光スペクトラムアナライザ（ＡＮＤＯ製：ＡＱ−６３１５Ａ）によりモニタしながら、励起パワーを増加させたとき、１３０ｍＷ以上の励起パワーにおいて、波長５４３ｎｍでレーザ発振を確認した。また、レーザ光部分反射膜が端面に蒸着されたフェルール７１４を透過したレーザ光の光パワーをパワーメータヘッド（Ａｎｒｉｔｓｕ製：ＭＡ９４１１Ａ）を用いて測定した。Ｅｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ７１３に励起光２００ｍＷを入射させたとき、該フェルール７１４から得られた５４３ｎｍレーザの出力は８ｍＷであった。尚、ＷＤＭカプラ７１１のポートである石英ファイバ７１１−ｂはシングルモードファイバであるため、該フェルール７１４から得られるビーム形状はシングルモード（ＬＰ０１）である。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、医療・生物分野で使用される光源、工業用検査光源、ディスプレイ用光源、プロジェクション用光源、光ジャイロ用光源などとして利用できる。
【符号の説明】
【００５２】
１０１：励起光源
１０２、４０５：レーザ光全反射フィルタ
１０３、４０６：励起光反射／レーザ光透過ミラー
１０４：集光レンズ
１０５：希土類添加フッ化物ガラスファイバ
１０５−ａ：励起側の希土類添加フッ化物ガラスファイバ端面
１０５−ｂ：励起側と反対の希土類添加フッ化物ガラスファイバ端面
１０６、４０９：レーザ光部分反射フィルタ
２０１：バルク状希土類添加フッ化物レーザ媒質
２０２：レンズ
４０１、７０１、７０５：チッ化ガリウム系半導体レーザ
４０２、４０７、７０２、７０６、７１０：非球面レンズ
４０３、４０４、７０３、７０４、７０７、７０８：シリンドリカルレンズ
４０８、７１３：Ｅｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ
４０８−ａ：励起側のＥｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ端面
４０８−ｂ：励起側と反対のＥｒ３＋添加フッ化物ガラスファイバ端面
７０９：偏光ビームスプリッタ
７１１：ＷＤＭカプラ
７１１−ａ、７１１−ｂ、７１１−ｃ：ＷＤＭカプラのポートである石英ファイバ（シングルモードファイバ）
７１２：融着点
７１４：レーザ光部分反射膜が端面に蒸着されたフェルール
７１５：レーザ光全反射膜が端面に蒸着されたフェルール 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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