(57)【要約】【課題】  各種機器の小型化及び多機能化に対応し、各種記号を１つの操作ボタンに表示可能にする。【解決手段】  本発明に係る操作ボタン１は、半導体プロセスによって単一の基板２３上に複数の発光素子２５をマトリクス状に形成することで構成され、該発光素子２５を選択的に発光させて記号を形成する発光部１３と、発光部１３を収容し、使用者が操作可能な筺体５，７と、を備えている。そして、筺体５，７は、前記記号が投影される投影面５ａを有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体プロセスによって単一の基板上に複数の発光素子をマトリクス状に形成することで構成され、該発光素子を選択的に発光させて記号を形成する発光部と、
前記発光部を収容し、使用者が操作可能な筺体と、
を備え、
前記筺体は、前記記号が投影される投影面を有することを特徴とする、操作ボタン。
【請求項２】
前記発光部と前記投影面との間に配置され、前記記号を前記投影面に拡大して投影する拡大レンズをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の操作ボタン。
【請求項３】
前記基板上に大きさの異なる前記複数の発光素子が形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の操作ボタン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、操作ボタンに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パソコンや携帯電話機等の各種機器の多機能化及び小型化が進み、キーボードのキーやダイヤルボタン等の各操作ボタンには、１つのボタンで多くの機能に対応した操作を行うため、複数の種類の文字や図形等を含む記号が印刷されている。例えば、特許文献１には、キーボードの各キーの上面に、各種記号を熱転写によって印刷したものが開示されている。
【特許文献１】特開平１−３０２６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記のような各種機器の操作ボタンは、その小型化に伴って、各種記号の印刷スペースが小さくなり、多機能化に対応した新たな記号を追加することが難しいという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、各種機器の小型化及び多機能化に対応し、各種記号を１つの操作ボタンに表示可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る操作ボタンは、半導体プロセスによって単一の基板上に複数の発光素子をマトリクス状に形成することで構成され、該発光素子を選択的に発光させて記号を形成する発光部と、前記発光部を収容し、使用者が操作可能な筺体と、を備えている。そして、前記筺体は、前記記号が投影される投影面を有している。
【０００６】
また、上記操作ボタンにおいて、前記発光部と前記投影面との間に配置され、前記記号を前記投影面に拡大して投影する拡大レンズをさらに備えることが好ましい。
【０００７】
また、前記基板上に大きさの異なる前記複数の発光素子が形成されていることが好ましい。
【０００８】
なお、本発明における記号とは、文字や図形等を含むものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、各種機器の小型化及び多機能化に対応し、各種記号を１つの操作ボタンに表示可能にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る操作ボタンの一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本発明に係る操作ボタンは、パソコンや携帯電話機等、１つのボタンで複数の操作を行えるように構成された各種機器に適用可能であるが、以下ではその一例として、パソコン等の一般的なキーボードに適用した一実施形態について説明する。図１は、本発明に係る操作ボタンをキーボードに適用した場合の一実施形態を示す断面図である。図２は、図１の操作ボタンの平面図である。
【００１１】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る操作ボタンは、キーボードのキートップ１として形成されており、キーボード本体のハウジング３に上下動可能に支持されている。より詳細には、キートップ１は、使用者によって押し下げられる操作部５と、この操作部５を支持する支持部７とを備えている。なお、本実施形態における操作部５と支持部７とが、本発明における筺体に相当する。
【００１２】
支持部７は、ハウジング３に形成された筒部３ａに挿入されるステム部７ａと、ステム部７ａの上端に形成された平板部７ｂとを備えている。ステム部７ａの下端は、ハウジング３の内部に設けられたラバースプリング９と当接しており、このラバースプリング９によってキートップ１が上方へ付勢されている。また、ステム部７ａの下端部には、ハウジング３の筒部３ａに形成された係止部３ｂによって係止される被係止部７ｃが形成されており、ラバースプリング９によって上方へ付勢されたキートップ１の上方への移動を規制するようになっている。
【００１３】
ラバースプリング９は、キーボード本体のハウジング３の内部に設けられたメンブレンスイッチ１１上に固定されている。そして、上方へ付勢されたキートップ１が使用者によって押下されたときに、ラバースプリング９が変形し、ラバースプリング９に形成された押圧部９ａによってメンブレンスイッチ１１が押圧されて導通するようになっている。
【００１４】
キートップ１の操作部５は、支持部７の平板部７ｂに対向して配置された上面部５ａと、上面部５ａの周縁から下方へ広がるように延びるスカート部５ｂとを備えている。そして、スカート部５ｂの下端部が、支持部７の平板部７ｂに取り付けられ、上面部５ａと平板部７ｂとの間に空間Ｓを形成することによって、後述する発光部１３を収容するようになっている。
【００１５】
キートップ１の支持部７における平板部７ｂの上面には、発光素子の発光により文字や図形等を形成する発光部１３と、発光部１３を駆動するドライバチップ１５とが実装されたプリント回路板１７が取り付けられている。ドライバチップ１５は、可撓性のケーブル１９によって図示しない制御装置に接続されており、この制御装置からの制御信号を受信して、制御信号に応じた文字や図形等を形成するように発光部１３を駆動する。この制御装置からの信号は、本実施形態のようにパソコン等のキーボードの場合、例えば、日本語入力モードと英語入力モードとを切り替えるシフトキーが使用者によって押下されたときに切り替えられる。そして、例えば、日本語入力モードのときは、発光部１３にひらがな文字が形成され、英語入力モードのときは、発光部１３にアルファベット文字が形成される。このように各種入力モードに対応して、発光部１３に形成される文字や図形等を変更可能となっている。
【００１６】
発光部１３と操作部５の上面部５ａとの間には、拡大レンズ２１が配置されている。この拡大レンズ２１は、操作部５のスカート部５ｂに環状に形成された座部５ｃによって支持されており、発光部１３で形成された文字や図形等を拡大して上面部５ａに投影するようになっている。上面部５ａは、発光部１３からの光を透過する樹脂等で構成されており、上面部５ａに投影された文字や図形等が操作部５の外部から視認できるようになっている。図２は、後述する発光部１３における４行４列のマトリクス状に配置された発光素子２５を全て発光させた場合に、上面部５ａで視認される光の像を符号Ｋで示している。なお、この上面部５ａは、本発明における投影面に相当する。
【００１７】
次に、発光部１３の構成について図面を参照しつつ具体的に説明する。図３は、本実施形態に係る発光部１３の平面図である。図４は、図３の発光部１３のiv−iv線断面図である。図５は、図３の発光部１３のv−v線断面図である。
【００１８】
図３に示すように、発光部１３は、基板２３と、基板２３上に形成された複数の発光素子２５と、複数の発光素子２５を電気的に接続する第一電極配線Ｘ（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４）及び第二電極配線Ｙと、第一電極配線Ｘから延びる電極リード配線Ｚ（Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４）とを備えている。
【００１９】
基板２３は、例えば、２０００〜６０００Ω・ｃｍの電気抵抗率を有する高抵抗性のものであり、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガリウム燐（ＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の単結晶で形成されている。
【００２０】
図３に示すように、複数の発光素子２５は、基板２３上に４行４列のマトリクス状に配置されている。各発光素子２５は、図４に示すように、基板２３上に形成されたｎ型半導体層２７と、このｎ型半導体層２７上に形成されたｐ型半導体層２９とを有している。そして、これらの層２７，２９によって半導体のｐｎ接合が形成されており、このｐｎ接合に後述するように電流を供給し、電子と正孔とを再結合させることによって、各発光素子２５が発光するようになっている。
【００２１】
ｎ型半導体層２７は、例えば、ｎ型不純物としてＳ、Ｓｉ、Ｓｅ、ＳｎやＣ等の原子をドープしたＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ等の単結晶で形成し、その層厚を１μｍ〜４μｍにする。ｎ型不純物の濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃにする。
【００２２】
ｐ型半導体層２９は、例えば、ｐ型不純物としてＺｎ、Ｍｇ、Ｃ等の原子をドープしたＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ等の単結晶で形成し、その層厚を１μｍ〜４μｍにする。ｎ型不純物の濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃにする。
【００２３】
図４に示すように、ｐ型半導体層２９及びｎ型半導体層２７の上面及び側面、並びに基板２３の上面には、これらの面を被覆する第一絶縁膜３１が設けられている。この第一絶縁膜３１は、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２等の無機絶縁膜や、ポリイミド等の有機絶縁膜等を用い、その厚さが０．１〜５μｍで形成されている。また、第一絶縁膜３１には、後述する第一電極配線Ｘを配置するための第一電極配線用孔３３及び第二電極配線Ｙを配置するための第二電極配線用第一孔３５が形成されている。
【００２４】
図３及び図４に示すように、第一電極配線Ｘは、発光素子２５が配置された４行４列の行方向（図１の矢印Ｈの方向。以下、単に、行方向という）に互いに並行して延びるように第一絶縁膜３１上に形成されている。なお、図３では、説明の便宜上、第一絶縁膜３１の図示を省略している。また、第一電極配線Ｘは、第一絶縁膜３１の第一電極配線用孔３３を介して各発光素子２５におけるｎ型半導体層２７の上面に接続されており、各行に配置された発光素子２５間を接続している。
【００２５】
より詳細には、第１行目の発光素子２５間を接続する第一電極配線Ｘ（以下、第１行目の第一電極配線Ｘ１という）は、２つの部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂに分割されており、この各部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂによって、第１行１列目の発光素子２５と第１行２列目の発光素子２５とを接続するとともに、第１行３列目の発光素子２５と第１行４列目の発光素子２５とを接続している。そして、第２行目の発光素子２５間を接続する第一電極配線Ｘ（以下、第２行目の第一電極配線Ｘ２という）は、第２行目における全ての発光素子２５を接続している。
【００２６】
第３行目の発光素子２５間を接続する第一電極配線Ｘ（以下、第３行目の第一電極配線Ｘ３という）と、第４行目の発光素子２５間を接続する第一電極配線Ｘ（以下、第４行目の第一電極配線Ｘ４という）の配置は、第１行目並びに第２行目の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２の配置と実質的に上下対称となっている。つまり、第４行目の第一電極配線Ｘ４が２つの部分Ｘ４ａ，Ｘ４ｂに分割されており、この各部分Ｘ４ａ，Ｘ４ｂによって、隣接する二つの発光素子２５が接続されている。第３行目の第一電極配線Ｘ３は、第３行目における全ての発光素子２５を接続している。
【００２７】
また、第一電極配線Ｘは、例えば、ＡｕＳｂ合金、ＡｕＧｅ合金、Ｎｉ系合金等を用いて、その厚さが０．５〜５μｍで形成されている。
【００２８】
電極リード配線Ｚは、図５に示すように、第一電極配線Ｘと同じく第一絶縁膜３１上に形成され、図３に示すように、発光素子２５が配置された４行４列の列方向（図３の矢印Ｖの方向。以下、単に、列方向という）に各第一電極配線Ｘから分岐して引き出されている。より詳細には、第１行目の第一電極配線Ｘ１の分割された部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂのそれぞれから延びる電極リード配線Ｚ（以下、第１行目の電極リード配線Ｚ１という）は、第１行目の第一電極配線Ｘ１によって接続された隣接する二つの発光素子２５の間の領域を経由して引き出されている。また、第２行目の第一電極配線Ｘから延びる電極リード配線Ｚ（以下、第２行目の電極リード配線Ｚ２という）は、第１行目の第一電極配線Ｘ１の分割された部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂの間の領域を経由して引き出されている。そして、第３行目の第一電極配線Ｘ３から延びる電極リード配線Ｚ（以下、第３行目の電極リード配線Ｚ３という）は、第４行目の第一電極配線Ｘ４の分割された部分Ｘ４ａ，Ｘ４ｂの間に配置されている。第４行目の第一電極配線Ｘ４の分割された部分Ｘ４ａ，Ｘ４ｂのそれぞれから延びる電極リード配線Ｚ（以下、第１行目の電極リード配線Ｚ４という）は、図２の下方向に延びている。
【００２９】
図４及び図５に示すように、第一絶縁膜３１上には、第二絶縁膜３７が形成されており、第一電極配線Ｘを被覆するようになっている。この第二絶縁膜３７は、例えば、第一絶縁膜３１と同様の組成及び厚さで形成されている。また、図３に示すように、この第二絶縁膜３７には、後述する第二電極配線Ｙを配置するための第二電極配線用第二孔３９が形成されている。
【００３０】
図３及び図５に示すように、第二電極配線Ｙは、発光素子２５が配置された４行４列の列方向に互いに並行して延びるように第二絶縁膜３７上に形成されている。なお、図３では、説明の便宜上、第一絶縁膜３１及び第二絶縁膜３７の図示を省略している。また、図４に示すように、第二電極配線Ｙは、第一絶縁膜３１の第二電極配線用第一孔３５及び第二絶縁膜３７の第二電極配線用第二孔３９を介して、各発光素子２５におけるｐ型半導体層２９の上面に接続されており、図１に示すように、各列に配置された発光素子２５間を接続している。また、第二電極配線Ｙは、例えば、第一電極配線Ｘと同様の上記組成及び厚さで形成されている。
【００３１】
図４及び図５に示すように、第二絶縁膜３７上には、第三絶縁膜４１が形成されており、第二電極配線Ｙを被覆するようになっている。この第三絶縁膜４１は、例えば、第一絶縁膜３１と同様の上記組成及び厚さで形成されている。
【００３２】
次いで、以上のように構成された発光部１３を半導体プロセスによって製造する方法について、図６〜図８を参照しつつ説明する。
【００３３】
まず、基板２３を準備し、図６（ａ）に示すように、この基板２３上にＭＯＣＶＤ法等を用いてｎ型半導体層２７及びｐ型半導体層２９を順次形成する。
【００３４】
次に、図６（ｂ）に示すように、ｐ型半導体層２９上にレジストＲ１を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法によりｐ型半導体層２９及びｎ型半導体層２７の一部をエッチングして、基板２３を露出させる。その後、レジストＲ１を剥離する。こうすることで、基板２３上に、島状に形成されたｐ型半導体層２９及びｎ型半導体層２７が４行４列のマトリクス状に配置される。
【００３５】
次に、図６（ｃ）に示すように、ｐ型半導体層２９上にレジストＲ２を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法によりｐ型半導体層２９の一部をエッチングして、ｎ型半導体層２７を露出させる。その後、レジストＲ２を剥離する。
【００３６】
次に、図６（ｄ）に示すように、ｎ型半導体層２７及びｐ型半導体層２９が形成された基板２３の全面に、スパッタリング法等により第一絶縁膜３１を形成する。
【００３７】
続いて、図７（ｅ）に示すように、第一絶縁膜３１上にレジストＲ３を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法により第一絶縁膜３１をエッチングして、第一電極配線用孔３３及び第二電極配線用第一孔３５を形成する。その後、レジストＲ３を剥離する。
【００３８】
次に、図７（ｆ）に示すように、第一絶縁膜３１上にレジストＲ４を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、スパッタリング法等により第一電極配線Ｘを形成するための合金層Ｘ’を形成する。続いて、図７（ｇ）に示すように、レジストＲ４を剥離して、第一電極配線Ｘを形成する。
【００３９】
次に、図７（ｈ）に示すように、スパッタリング法等により第一絶縁膜３１上に第二絶縁膜３７を形成した後、レジストＲ５を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像する。続いて、ウェットエッチング法により第二絶縁膜３７をエッチングし、第二電極配線用第二孔３９を形成するとともに、第二電極配線用第一孔３５を露出させる。その後、レジストＲ５を剥離する。
【００４０】
次に、図８（ｉ）に示すように、第二絶縁膜３７上にレジストＲ６を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、スパッタリング法等により第二電極配線Ｙを形成するための合金層Ｙ’を形成する。続いて、図８（ｊ）に示すように、レジストＲ６を剥離して、第二電極配線Ｙを形成する。
【００４１】
最後に、図８（ｋ）に示すように、スパッタリング法等により第二絶縁膜３７上に第三絶縁膜４１を形成し、第二電極配線Ｙを被覆する。
【００４２】
以上のようにして、本実施形態に係る発光部１３が製造される。
【００４３】
次に、以上のように構成された発光部１３によって、文字や図形等を形成する方法について説明する。
【００４４】
発光部１３は、上記のようにドライバチップ１５によって駆動される。より詳細には、発光部１３は、各電極リード配線Ｚ及び各第二電極配線Ｙがプリント回路板１７に形成された回路を介して、ドライバチップ１５に接続されている。そして、このドライバチップ１５によって、電極リード配線Ｚのうちの一つと、第二電極配線Ｙのうちの一つとに選択的に順方向電圧を印加することで、選択された電極リード配線Ｚに連続する第一電極配線Ｘ及び選択された第二電極配線Ｙの双方に接続された一つの発光素子２５を発光させることができる。
【００４５】
発光部１３は、このようにしてマトリクス状に配置された発光素子２５を選択的に発光させることができる。そして、所望の複数の発光素子２５を同時に発光させたい場合は、発光させる各発光素子２５に接続された第一電極配線Ｘに連続する電極リード配線Ｚと、発光させる発光素子２５に接続された第二電極配線Ｙとに順方向電圧を印加する。こうすることで、発光素子２５の発光によって所望の文字や図形等を形成することができる。
【００４６】
なお、本実施形態では、図３に示すように発光素子２５を４行４列のマトリクス状に配置した発光部１３について説明したが、これに限定されるものではなく、１６行１６列、３２行３２列等、所望の文字や図形を形成できる程度の画素数を有するように、発光素子２５の形成個数を適宜変更すればよい。
【００４７】
本実施形態に係るキートップ１（操作ボタン）によれば、発光部１３においてマトリクス状に配置された発光素子２５を選択的に発光させることによって、文字や図形等をキートップ１の操作部５における上面部５ａ（筺体の投影面）に投影している。そのため、キーボードの入力モードや各種機能の切り替えに応じ、発光させる発光素子２５を選択することによって、１つのキートップ１上に多くの種類の文字や図形等を表示することができる。
【００４８】
また、本実施形態に係るキートップ１における発光部１３は、半導体プロセスを用いて、単一の基板２３上に複数の発光素子２５を形成することで構成されている。そのため、個別に形成されたチップ状の発光素子を基板上に表面実装して複数配置した場合に比べて、大幅な小型化が可能になる。つまり、表面実装した場合は、通常、チップ状の発光素子のサイズが小さくても１．０ｍｍ角程度の大きさであるとともに、隣接する発光素子間に０．５ｍｍ程度の間隔が必要となる。したがって、例えば、このチップ状の発光素子を１６行１６列のマトリクス状に配置すると、２４ｍｍ角程度のスペースが必要となる。これに対し、半導体プロセスを用いた場合は、超微細な加工が可能となり、例えば、基板上に１６行１６列のマトリクス状に発光素子を形成した場合、３．２ｍｍ角程度のスペースに形成することができる。したがって、このように半導体プロセスによって発光部１３を形成することによって、発光部１３の小型化が可能となり、キートップ１の小型化にも対応することが可能になる。よって、ひいてはキーボード装置自体の小型化も可能になる。
【００４９】
また、半導体プロセスを用いた場合は、例えば上記のように基板上に発光素子を表面実装した場合に比べて、同じ大きさの基板で比較すると、発光素子を高密度に配置することができるため、高精細な文字や図形等を表示することができる。
【００５０】
また、本実施形態に係るキートップ１では、発光部１３の小型化によって発光部１３の質量が小さくなり、キートップ１の操作に伴う振動によって発光部１３自身に与えられる衝撃を軽減することができる。そのため、発光部１３の耐久性を向上させることができる。また、半導体プロセスを用いることによって、発光部１３の発光素子２５を基板２３上に作り込んでいるため、上記のように発光素子を基板上に表面実装した場合に比べて機械的な強度を高くすることができ、発光部１３の信頼性を向上させることができる。
【００５１】
また、本実施形態に係るキートップ１では、発光部１３と操作部５の上面部５ａとの間に拡大レンズを設けているため、発光部１３を小型化しても、発光部１３に形成された文字や図形等を上面部５ａに拡大して投影することができ、使用者からの視認性を確保することができる。また、反対に、視認性を確保しつつ発光部の小型化を行うことができるので、発光部の製造コストを小さくすることができる。
【００５２】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、パソコン等のキーボードに本発明に係る操作ボタンを適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、携帯電話機や電子辞書等、１つのボタンで複数の操作を行うように構成された各種機器に適用することができ、上記と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
また、上記実施形態では、拡大レンズ２１を設けているため、収差による像の歪み等が発生する場合がある。この場合、拡大レンズによる収差を補正するように、基板上に大きさの異なる発光素子を形成してもよい。例えば、図３に示すように拡大レンズ２１が凸レンズであり、発光素子２５を４行４列のマトリクス状に配置した場合は、周縁領域に配置された１２個の発光素子２５のサイズを小さくする。このように拡大レンズが凸レンズの場合は、マトリクス状の配置領域の周縁部に近い発光素子ほど、拡大レンズを介して投影面に投影される光の像が大きくなる。そのため、逆に、マトリクス状に配置された発光素子の大きさを、発光素子の配置領域の周縁部に向かうにつれて小さくすることで、凸レンズによる収差を補正することができる。こうして、基板上に形成される発光素子の大きさを変えることで、レンズによる収差を補正すれば、例えば画素数を増やした発光部を使用する場合でも、共通の拡大レンズを用いることができるという利点がある。また、本発明では、半導体プロセスを用いて発光部を形成しているので、発光素子の大きさの変更には柔軟に対応することができ、拡大レンズの曲面形状を変更する場合に比べて、設計変更が容易であるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係る操作ボタンをキーボードに適用した場合の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１の操作ボタン（キートップ）の平面図である。
【図３】図１の操作ボタンにおける発光部の平面図である。
【図４】図３の発光部のiv−iv線断面図である。
【図５】図３の発光部のv−v線断面図である。
【図６】図３の発光部の製造方法を説明するための図である。
【図７】図３の発光部の製造方法を説明するための図である。
【図８】図３の発光部の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  キートップ
３  キーボード本体のハウジング
５  操作部
５ａ  上面部（投影面）
７  支持部
９  ラバースプリング
１１  メンブレンスイッチ
１３  発光部
２１  拡大レンズ
２３  基板
２５  発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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