(57)【要約】【課題】製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】複数の画素によって構成されたアクティブエリア１０２を備えた表示装置であって、各画素に配置された自発光性の有機ＥＬ素子４０と、アクティブエリアの周辺１０４に配置された光反射性を有する金属層５００と、を備えたアレイ基板１００と、アレイ基板の有機ＥＬ素子に対向して配置された封止基板２００と、アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、アレイ基板と封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材３００と、を備え、金属層５００とシール部材３００とは、金属層を形成する金属材料を含む絶縁層５０１を介して溶着されたことを特徴とする。【選択図】      図２
2010080339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子と、前記アクティブエリアの周辺に配置された光反射性を有する金属層と、を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記表示素子に対向して配置された第２基板と、
前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、を備え、
前記金属層と前記シール部材とは、前記金属層を形成する金属材料を含む絶縁層を介して溶着されたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記金属層を形成する金属材料の窒化物によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記金属材料は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記金属層を形成する金属材料を成膜するのに続いて窒素を導入しながら連続的に成膜されたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記金属層を形成する金属材料の酸化物によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記金属材料は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）のいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁層は、前記金属層を形成する金属材料をパターニングするのに続いて酸化処理することによって形成されたことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記金属層は、前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記シール部材と全周にわたって前記絶縁層を介して重なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記金属層は、前記第１基板に備えられた配線または前記表示素子を構成する電極と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示素子は、
反射層及びこの反射層の上に積層された透過層を有する第１電極と、
前記第１電極の前記透過層の上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層を覆うように配置された第２電極と、を備えたトップエミッション方式であり、
前記金属層は、前記第１電極の反射層と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化及び軽量化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代の平面表示装置の有力候補として注目を集めている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えて構成されている。このような有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。
【０００４】
このような構成の有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んで構成されている。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように密封する必要がある。
【０００５】
そこで、例えば、特許文献１によれば、有機ＥＬ素子が配置された基板の周辺に設置した低融点ガラスであるフリットガラスを介して封止基板を貼り合せることにより水分の流入を防止する構成が提案されている。また、特許文献２によれば、透明な材質の第１フリット層と、不透明な材質の第２フリット層を含む密封材により厚さ調整を可能とする構成が提案されている。
【特許文献１】特開２００７−２００８４０号公報
【特許文献２】特開２００７−２００８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬ素子を備えたアレイ基板と封止基板とをフリットガラスによって接合する場合には、通常、封止基板となるガラス板にフリットガラスを塗布して硬化焼成し、冷却した後にアレイ基板を合わせ、レーザー等の局所的に加熱する装置によってフリットガラスを溶融して、アレイ基板と封止基板との外周全部を接合し、両基板の間に有機ＥＬ素子を密封している。
【０００７】
平面表示装置については、画像を表示するアクティブエリアの大きさは所望のサイズを確保しつつ、外形寸法を縮小すること（狭額縁化）が市場から強く望まれており、有機ＥＬ表示装置についても同様の要望がある。そのため、アレイ基板と封止基板との接合を担うフリットガラスの塗布幅（溶着後の幅）の縮小が望まれる一方で、表示装置として十分な機械的強度及び密封性能を確保する必要がある。
【０００８】
しかしながら、アレイ基板の表面に剥き出しとなった金属配線とフリットガラスとが直接溶着されている箇所については、引き剥がす力に対する機械的強度及び密封性能が不足する傾向にあり、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０００９】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、狭額縁化が可能であるとともに、機械的強度及び密封性能を向上することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子と、前記アクティブエリアの周辺に配置された光反射性を有する金属層と、を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記表示素子に対向して配置された第２基板と、
前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、を備え、
前記金属層と前記シール部材とは、前記金属層を形成する金属材料を含む絶縁層を介して溶着されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、狭額縁化が可能であるとともに、機械的強度及び密封性能を向上することが可能な表示装置を提供できる。このため、製造歩留まりの低下が抑制されるとともに、表示素子が大気に曝されることがなく、表示素子の劣化が抑制されるため、良好な表示品位の維持及び長寿命化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、特に、有機ＥＬ表示装置を例にして説明する。
【００１３】
有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板（第１基板）１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。
【００１４】
アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板（第２基板）２００によって封止されている。封止基板２００は、光透過性を有する絶縁性の基板、特にガラス基板によって構成されている。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、平坦に形成されていても良いし、少なくともアクティブエリア１０２との対向面が窪み、周縁部より肉薄に形成されても良い。
【００１５】
これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、それぞれの周縁部がアクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００によって接合されている。この実施の形態においては、シール部材３００は、フリットガラス（低融点ガラス）からなる。
【００１６】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。
【００１７】
図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、各種スイッチ（第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３）、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート−ソース間の電位を保持する機能を有している。
【００１８】
駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。
【００１９】
これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。
【００２０】
このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。
【００２１】
そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。
【００２２】
表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００２３】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板などの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、有機絶縁膜（平坦化層）１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されている。アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。
【００２４】
すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。
【００２５】
ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇや図示しないゲート線などが配置されている。ゲート電極２０Ｇやゲート線は、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや図示しない信号線などが配置されている。
【００２６】
これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや信号線は、有機絶縁膜１１４によって覆われている。このような有機絶縁膜１１４は、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化する目的で、樹脂材料をコーティングするなどの手法により形成されている。
【００２７】
この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。
【００２８】
すなわち、第１電極６０は、有機絶縁膜１１４の上において各画素ＰＸに独立した島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、有機絶縁膜１１４をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。
【００２９】
このような第１電極６０は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層の上に、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第１電極６０は、反射層を含んでいることが望ましい。
【００３０】
有機活性層６２は、第１電極６０の上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。なお、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。
【００３１】
第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第２電極６４は、半透過層を含んでいることが望ましい。
【００３２】
また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。これにより、隣接する異なる色の有機ＥＬ素子が絶縁される。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。
【００３３】
封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０に対向するように配置されている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリアの周辺１０４において、シール部材３００により接合されている。シール部材３００は、フリットガラスであり、このようなフリットガラスは、レーザー光を照射するなどして熱を加えることによって溶融し、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００との間に密閉空間が形成される。有機ＥＬ素子４０は、この密閉空間内に配置され、密封されることになる。
【００３４】
ところで、この実施の形態においては、アレイ基板１００は、シール部材３００の下地として、金属層５００を備えている。この金属層５００は、アクティブエリア１０２の周辺１０４に配置され、光反射性を有する金属材料によって形成されている。このような金属層５００とシール部材３００とは、金属層５００を形成する金属材料を含む絶縁層５０１を介して溶着されている。
【００３５】
例えば、図２に示すように、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２からその周辺１０４に延在しており、シール部材３００が配置されるシール領域３１０にも配置されている。金属層５００は、シール領域３１０に対応するように、層間絶縁膜１１３の上に配置されている。
【００３６】
このような金属層５００は、例えば、図３に示すように、アクティブエリア１０２を囲むように一連の枠状に配置されている。この場合、金属層５００は、シール部材３００と全周にわたって絶縁層５０１を介して重なっている。なお、金属層５００は、このような配置に限らず、一連でなくても良い。例えば、金属層５００は、島状に形成され、アクティブエリア１０２を囲むように点在するように配置されても良いし、アクティブエリア１０２に沿った少なくとも一辺に配置されても良いし、特に強固な接合が要求されるコーナー部などの特定の箇所についてのみ配置されても良い。
【００３７】
この金属層５００は、その上面、つまり封止基板２００との対向面に絶縁層５０１を含んでいる。換言すると、絶縁層５０１は、金属層５００の一部であり、金属層５００を形成する過程で形成可能である。つまり、金属層５００において、下面側（つまり層間絶縁膜１１３側）は金属材料単体であり、上面側が金属材料を含む絶縁層５０１となっている。
【００３８】
このような金属層５００は、シール領域３１０において、アレイ基板１００の表面に露出している。このため、シール部材３００として、フリットガラスを塗布、硬化させた封止基板２００をアレイ基板１００に貼り合わせる際、シール部材３００は、金属層５００の上面の絶縁層５０１に接触する。
【００３９】
そして、封止基板２００の外面側からレーザー光を照射することによって、フリットガラスを加熱し、また一部のレーザー光が金属層５００によって反射されるなどしてフリットガラスと絶縁層５０１との界面の温度上昇によってフリットガラスが溶融し、フリットガラスが絶縁層５０１に溶着される。
【００４０】
このような絶縁層５０１は、金属層５００の一部であり、金属層５００とは別体で成膜された薄膜とは異なり、絶縁層５０１と金属層５００との間に明確な界面は形成されていない。加えて、金属層５００において、金属材料単体よりも金属材料を含む絶縁層５０１の方が比較的高い融点を有している。つまり、金属層５００において、その下面側よりも上面側が高い融点を有している。このため、金属層５００自体の溶着時の熱によるダメージが少ない。
【００４１】
また、金属層５００とは別体の絶縁性薄膜を積層した構造では、金属層５００と絶縁性薄膜との間の界面にレーザー光のエネルギーが集中し、金属層５００から薄膜が剥離するおそれがある。一方で、本実施形態の構造によれば、金属層５００の内部でレーザー光のエネルギーが局所的に集中することはなく、過熱が抑制されるとともに、フリットガラスと絶縁層５０１との界面にレーザー光のエネルギーが集中する。このため、フリットガラスの溶融が促進され、アレイ基板１００と封止基板２００とを強固に接合することが可能となる。
【００４２】
したがって、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合するために、シール領域３１０を大幅に拡大する必要がなく、狭額縁化が可能となる。また、機械的強度及び密封性能を向上することが可能となり、製造歩留まりの低下を抑制できるとともに、有機ＥＬ素子の劣化が抑制されるため、良好な表示品位の維持及び長寿命化が可能となる。
【００４３】
≪第１構成例≫
第１構成例においては、絶縁層５０１は、例えば、金属層５００を形成する金属材料の窒化物によって形成されている。金属層５００を形成する金属材料は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれかであることが望ましい。金属材料としてチタンを適用して金属層５００を形成した場合、金属層５００の上面には、チタン窒化物（ＴｉＮ）からなる絶縁層５０１が形成される。また、金属材料としてアルミニウムを適用して金属層５００を形成した場合、金属層５００の上面には、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）からなる絶縁層５０１が形成される。
【００４４】
このような絶縁層（窒化物層）５０１を含む金属層５００は、例えば、金属層５００を形成する金属材料を成膜するのに続いて窒素を導入しながら連続的に成膜し（反応性スパッタ法）、所望の形状にパターニングされることによって形成可能である。
【００４５】
このようにして形成された金属層５００は、図４に示すように、その厚み方向において、下面側が金属材料単体によって形成され、上面側が金属材料の窒化物によって形成されるといった構造上の特徴を有している。
【００４６】
金属層５００を形成する金属材料として、上述した材料を選択した場合には、金属層５００は、アレイ基板１００に備えられた配線または有機ＥＬ素子４０を構成する電極を形成する工程で同時に形成可能である。図２に示したように、金属層５００が層間絶縁膜１１３の上に配置された構成では、金属層５００は、アレイ基板１００における層間絶縁膜１１３よりも後に形成される配線または電極と同一材料によって形成可能である。
【００４７】
例えば、層間絶縁膜１１３の上に配置される信号線やトランジスタ素子のソース電極及びドレイン電極がチタンやアルミニウムを主金属として形成される場合、あるいは、これらの信号線や電極がチタン／アルミニウム／チタンといった積層膜によって形成される場合には、金属層５００は、これらの信号線や電極と同一材料により同一工程で形成可能であり、その表面に金属材料の窒化物（ＴｉＮあるいはＡｌＮ）を形成することで絶縁層５０１を一体に形成できる。なお、金属層５００とトランジスタ素子２０のドレイン電極２０Ｄとが同一材料によって形成された場合、ドレイン電極２０Ｄの表面が絶縁層となるが、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０とのコンタクトに悪影響を及ぼすことはない。
【００４８】
また、有機絶縁膜１１４の上に配置される第１電極６０が反射層を含む構成においては、反射層がアルミニウムを主金属として形成される場合には、金属層５００は、第１電極６０の反射層と同一材料により同一工程で形成可能であり、その表面に金属材料の窒化物（ＡｌＮ）を形成することで絶縁層５０１を一体に形成できる。これにより、金属層５００を形成する工程及び絶縁層５０１を形成する工程を別途に必要とせず、製造工程が増加しないため、コストアップを抑制できる。
【００４９】
上述したような第１構成例によれば、金属層５００を形成する過程で連続成膜によりその上面側に絶縁層すなわち金属窒化物層５０１が形成され、強固な金属薄膜が形成される。金属窒化物層５０１は、金属材料より融点が高いので、レーザー照射による熱の影響で膜はがれが発生しにくい。また、金属窒化物層５０１において、レーザー光のエネルギーが十分に吸収されるので、金属窒化物層５０１上のフリットガラス３００の加熱及び溶融が促進され、その結果、フリットガラス３００と金属層５００との溶着性が向上し、接合強度が高くなる。金属窒化物層５０１は、金属材料を成膜する際に窒素を徐々に導入しながら連続的に成膜されるため、同一金属を含む窒化物が徐々に形成されることになり、格子不整合が少ない緻密な金属・金属窒化物界面（遷移層）が形成される。このように、金属層５００は、フリットガラス３００を溶着する際において安定した下地となり、高い密着性能及び封止性能を実現することができる。
【００５０】
次に、この第１構成例における実施例について説明する。
【００５１】
すなわち、封止基板２００となる厚さ０．７ｍｍの平板状のガラス板の周縁部に、粘度１，０００〜５０，０００ｃＰのペースト状にしたフリットガラス３００を、０．５ｍｍの幅に塗布できるよう適当な塗布条件を設定し、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の外周を囲む形状となるよう塗布する。フリットガラス３００を塗布したガラス板を、３００℃以上の温度で加熱してペースト中の有機物質を燃焼させ、フリットガラス３００を硬化させる。
【００５２】
一方で、アレイ基板１００の形成過程において、層間絶縁膜１１３の上に、金属材料としてチタン（Ｔｉ）をマグネトロンスパッタ法により成膜しながら、連続的に窒素ガス（Ｎ２）を導入して反応性スパッタ法に徐々に切り替えながら、窒化物層（ＴｉＮ）を１０ｎｍ成膜し、界面密着力の高いＴｉ／ＴｉＮ積層膜を形成する。このようにして形成した積層膜を、フォトリソグラフィー法及び塩素ガスを主として、ドライエッチングにより加工する。これにより、シール領域（溶着領域）３１０に、絶縁層５０１を含む金属層５００が形成されるとともに、アクティブエリア１０２においては、信号線などの各種配線やトランジスタ素子の各種電極が形成される。その後、アクティブエリア１０２において、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した有機ＥＬ素子４０と、隣接する有機ＥＬ素子を分離する隔壁７０を形成するなどしてアレイ基板１００が完成する。
【００５３】
その後、アレイ基板１００と、フリットガラス３００を硬化させた封止基板２００とを対向配置し、シール領域３１０において、金属層５００の表面の絶縁層５０１とフリットガラスとを接触させた後、封止基板２００側からシール領域３１０の金属層５００に向けてレーザー光を照射してフリットガラス３００を溶融し、フリットガラス３００と金属層５００とを絶縁層５０１を介して溶着する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００との外周全部が接合され、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０が密封される。
【００５４】
この第１構成例によれば、金属層５００として、Ｔｉ／ＴｉＮが強固に密着した積層膜を形成することができる。シール領域３１０に向けてレーザー光を照射した際には、絶縁層（ＴｉＮ）５０１によってレーザー光のエネルギーが十分に吸収されるので、フリットガラス３００の加熱及び溶融が促進され、溶着後の接合強度を向上することが可能となる。
【００５５】
≪第２構成例≫
第２構成例においては、絶縁層５０１は、例えば、金属層５００を形成する金属材料の酸化物によって形成されている。金属層５００を形成する金属材料は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）のいずれかであることが望ましい。金属材料としてアルミニウムを適用して金属層５００を形成した場合、金属層５００の上面には、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層５０１が形成される。また、金属材料としてタンタルを適用して金属層５００を形成した場合、金属層５００の上面には、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）からなる絶縁層５０１が形成される。
【００５６】
このような絶縁層（酸化物層）５０１を含む金属層５００は、例えば、金属層５００を形成する金属材料を成膜した後に所望の形状にパターニングするのに続いて酸化処理（例えば、陽極酸化処理やプラズマ酸化処理など）することによって形成可能である。つまり、絶縁層５０１は、金属層５００を形成するための金属材料を直接酸化することによって形成される。
【００５７】
このようにして形成された金属層５００は、図５に示すように、その表面（つまり上面及び側面）が金属材料の酸化物によって形成され、この酸化物によって囲まれた内部が金属材料単体によって形成されるといった構造上の特徴を有している。
【００５８】
金属層５００を形成する金属材料として、上述した材料を選択した場合には、第１構成例と同様に、金属層５００は、アレイ基板１００に備えられた配線または有機ＥＬ素子４０を構成する電極を形成する工程で同時に形成可能であり、コストアップを抑制できる。
【００５９】
上述したような第２構成例によれば、金属層５００を形成した後の酸化処理によりその表面（上面及び側面）に絶縁層すなわち金属酸化物層５０１が形成され、強固な金属薄膜が形成される。フリットガラス３００を溶着する際、レーザー光の入射光強度（振幅）が金属層５００のうちの金属酸化物層５０１とフリットガラス３００との界面付近で極大となる一方で、金属層５００の内部での過度のエネルギー集中が抑制される。このため、金属層５００のダメージを低減できるとともに、フリットガラス３００と金属層５００との溶着性が向上し、接合強度が高くなる。金属層５００において、金属酸化物層５０１は、金属層５００を形成する金属材料を直接酸化することによって形成したものであるから、不純物の混入も少なく、格子不整合が少ない緻密な金属・金属酸化物界面が形成されるので、レーザー光の入射光強度が高くても界面でのダメージも少ない。このように、金属層５００は、フリットガラス３００を溶着する際において安定した下地となり、高い密着性能及び封止性能を実現することができる。
【００６０】
次に、この第２構成例における実施例について説明する。
【００６１】
すなわち、封止基板２００となる厚さ０．７ｍｍの平板状のガラス板の周縁部に、粘度１，０００〜５０，０００ｃＰのペースト状にしたフリットガラス３００を、０．５ｍｍの幅に塗布できるよう適当な塗布条件を設定し、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の外周を囲む形状となるよう塗布する。フリットガラス３００を塗布したガラス板を、３００℃以上の温度で加熱してペースト中の有機物質を燃焼させ、フリットガラス３００を硬化させる。
【００６２】
一方で、アレイ基板１００の形成過程において、アクティブエリア１０２においては有機絶縁膜１１４の上、及び、周辺１０４においては層間絶縁膜１１３の上に、金属材料としてアルミニウム（Ａｌ）をマグネトロンスパッタ法により成膜した後に、パターニングする。これにより、アクティブエリア１０２においては、第１電極６０の反射層が形成されるとともに、周辺１０４のシール領域（溶着領域）３１０においては、金属層５００が形成される。
【００６３】
その後、金属層５００を陽極として陽極酸化処理し、アルミニウム表面に活性な酸素がある状態で絶縁層（Ａｌ２Ｏ３）を１００〜３００ｎｍの厚さに形成する。この後、２２０℃でアニールして膜界面を安定化させる。アレイ基板１００の周辺１０４には、各種金属配線が配置されるので、アクティブエリア１０２の金属配線に影響を与えることなく選択的に周辺１０４にのみ陽極電位を印加して陽極酸化膜形成ができる。その後、アクティブエリア１０２において、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した有機ＥＬ素子４０と、隣接する有機ＥＬ素子を分離する隔壁７０を形成するなどしてアレイ基板１００が完成する。
【００６４】
その後、アレイ基板１００と、フリットガラス３００を硬化させた封止基板２００とを対向配置し、シール領域３１０において、金属層５００の表面の絶縁層５０１とフリットガラスとを接触させた後、封止基板２００側からシール領域３１０の金属層５００に向けてレーザー光を照射してフリットガラス３００を溶融し、フリットガラス３００と金属層５００とを絶縁層５０１を介して溶着する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００との外周全部が接合され、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０が密封される。
【００６５】
このような第２構成例においても、フリットガラス３００の加熱及び溶融が促進され、溶着後の接合強度を向上することが可能となる。
【００６６】
なお、この第２構成例においては、酸化処理については、陽極酸化だけではなくプラズマ酸化法による直接酸化によりアルミニウムの酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）を形成しても良い。また、金属材料もとして、アルミニウムのほかにタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）や、ＭｏＴａ、ＭｏＷ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、ＡｌＮｄなどの合金材料でも同様な効果が得られる。
【００６７】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、シール部材とその下地（金属層）との位置関係の一例を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、金属層の上面に絶縁層として窒化物層が形成された構造例を説明するための概略断面図である。
【図５】図５は、金属層の表面に絶縁層として酸化物層が形成された構造例を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１…有機ＥＬ表示装置  ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
４０…有機ＥＬ素子（表示素子）
６０…第１電極  ６２…有機活性層  ６４…第２電極
７０…隔壁
１００…アレイ基板  １０２…アクティブエリア  １０４…アクティブエリア周辺
１２０…配線基板  ２００…封止基板  ３００…シール部材（フリットガラス）
５００…金属層  ５０１…絶縁層（金属窒化物層、金属酸化物層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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