(57)【要約】【課題】基板の搬送を行うにあたり、基板にパーティクルが付着することを抑制し、基板の処理システムで製造される製品の歩留まりを向上させる。【解決手段】基板搬送装置は、基板を保持する基板保持部９１と、基板保持部９１を鉛直方向に昇降させる昇降機構９３と、を有している。基板保持部９１における基板保持面９１ｂには、所定のガスを上方に噴射する複数のガス噴射口１００が形成されている。昇降機構の駆動源は、リニアモータである。【選択図】図５
2010192685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して搬送する基板搬送装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直方向に昇降させる昇降機構と、を有し、
前記基板保持部における基板保持面には、所定のガスを上方に噴射する複数のガス噴射口が形成され、
前記昇降機構の駆動源は、リニアモータであることを特徴とする、基板搬送装置。
【請求項２】
前記基板保持部を鉛直方向の軸周りに回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記回転機構の駆動源は、リニアモータであることを特徴とする、請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記基板保持部を水平方向に移動させる水平移動機構を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記水平移動機構の駆動源は、リニアモータであることを特徴とする、請求項４に記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記基板保持部の同心円上に設けられ、鉛直方向に延伸する複数の枠部材を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記複数の枠部材は、基板の搬入出側が開口するように配置されていることを特徴とする、請求項６に記載の基板搬送装置。
【請求項８】
前記基板保持部に保持される基板の上方に設けられ、所定のガスを水平方向に噴射するガスヘッダーを有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の基板搬送装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の基板搬送装置と、基板に所定の処理を施す処理装置を有する基板処理システムであって、
前記処理装置は、当該処理装置と前記基板保持部との間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構を有することを特徴とする、基板処理システム。
【請求項１０】
前記基板搬送機構は、一対のアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部とを備えた搬送アームと、前記一対のアーム部の間隔を調整すると共に、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有することを特徴とする、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記基板搬送機構は、基板の外周に適合する形状を有するアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部と、を備えた搬送アームと、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有することを特徴とする、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記アーム移動機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記基板搬送機構は、基板を保持して搬送する搬送アームを有し、前記搬送アームは、屈曲自在に連結された複数のアーム部と、先端の前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部と、を有することを特徴とする、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記基板搬送機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させるアーム移動機構を有することを特徴とする、請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
前記基板搬送機構は、前記搬送アームを複数有することを特徴とする、請求項１０〜１４のいずれかに記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の搬送装置及び当該基板搬送装置を有する基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ等の基板上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の各種処理が行われている。
【０００３】
これらの一連の処理は、通常、塗布現像処理システムを用いて行われる。塗布現像処理システムは、例えばカセット単位で基板を搬入出するためのカセットステーションと、各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ステーションと、隣接する露光装置と処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うためのインターフェイスステーション等を有している。また、処理ステーション内には、各処理装置への基板の搬送を行う基板搬送装置が設けられている。
【０００４】
従来の基板搬送装置には、例えば略円環状に形成された本体部と、当該本体部の内側に突出し基板の下面を保持する保持部を備えた搬送アームが用いられている。搬送アームは鉛直方向及び水平方向に移動可能であると共に、回転できるように構成されている。かかる構成によって、基板搬送装置は、各処理装置に基板を搬送することができる（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−４６０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、例えば特許文献１に開示されるような搬送アームにおいては、基板搬送の際に、搬送アームと基板との接触面においてパーティクルが付着してしまう。また、昇降機構が搬送アームを昇降させる際、昇降機構の駆動部が磨耗するため、昇降機構がパーティクル発生源となってしまう。そして、このようパーティクルが、基板処理システムにより製造される製品の歩留まり低下の要因となり、特に線幅の微細化が進むに従い無視できない問題となっている。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の搬送を行うにあたり、基板にパーティクルが付着することを抑制し、基板の処理システムで製造される製品の歩留まりを向上させることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための本発明は、基板を保持して搬送する基板搬送装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を鉛直方向に昇降させる昇降機構と、を有し、前記基板保持部における基板保持面には、所定のガスを上方に噴射する複数のガス噴射口が形成され、前記昇降機構の駆動源は、リニアモータであることを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、基板保持部のガス噴射口から噴射されるガスにより、基板を基板保持部から所定の距離浮いた状態で保持することができるので、基板の搬送時に基板にパーティクルが付着することを抑制できる。また、基板保持部を昇降動させる昇降機構の駆動部にはリニアモータを用いているので、駆動部が磨耗しない。このため、駆動部から磨耗によるパーティクルが発生せず、従来の基板搬送時に発生していたパーティクルが基板に付着することを防止できる。このため、基板にパーティクルが付着することを抑制でき、基板処理システムで製造される製品の歩留まりを向上させることができる。
【００１０】
前記基板保持部を鉛直方向の軸周りに回転させる回転機構を有していてもよく、前記回転機構の駆動源は、リニアモータであってもよい。
【００１１】
また、記基板保持部を水平方向に移動させる水平移動機構を有していてもよく、前記水平移動機構の駆動源は、リニアモータであってもよい。
【００１２】
前記基板保持部の同心円上に設けられ、鉛直方向に延伸する複数の枠部材を有していてもよく、前記複数の枠部材は、基板の搬入出側が開口するように配置されていてもよい。
【００１３】
前記基板保持部に保持される基板の上方に設けられ、所定のガスを水平方向に噴射するガスヘッダーを有していてもよい。
【００１４】
別な観点による本発明は、前記の基板搬送装置と、基板に所定の処理を施す処理装置を有する基板処理システムであって、前記処理装置は、当該処理装置と前記基板保持部との間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構を有することを特徴としている。
【００１５】
前記基板搬送機構は、一対のアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部とを備えた搬送アームと、前記一対のアーム部の間隔を調整すると共に、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有していてもよい。
【００１６】
また、前記基板搬送機構は、基板の外周に適合する形状を有するアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部と、を備えた搬送アームと、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有していてもよい。
【００１７】
前記アーム移動機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させてもよい。
【００１８】
前記基板搬送機構は、基板を保持して搬送する搬送アームを有し、前記搬送アームは、屈曲自在に連結された複数のアーム部と、先端の前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部と、を有していてもよく、前記基板搬送機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させるアーム移動機構を有していてもよい。
【００１９】
また、前記基板搬送機構は、前記搬送アームを複数有していてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、基板の搬送を行うにあたり、基板にパーティクルが付着することを抑制し、基板の処理システムの歩留まりが低下することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システム内部構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる塗布現像処理システム内部構成の概略を示す側面図である。
【図３】本実施の形態にかかる塗布現像処理システム内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】基板保持部の構成の概略を示す平面図である。
【図５】基板保持部の構成の概略を示す側面図である。
【図６】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図７】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図８】レジスト塗布装置の基板搬送機構が基板を搬送する様子を示す説明図である。
【図９】熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図１０】熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１１】基板処理の各工程を示したフローチャートである。
【図１２】他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図１３】他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明にかかる塗布現像処理システム１の構成の概略を示す説明図である。
【００２３】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間でカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。なお、本実施の形態において、基板Ｗとして例えば半導体ウェハが用いられる。
【００２４】
カセットステーション１０には、カセット載置台３０が設けられている。カセット載置台３０には、複数、例えば４つのカセット載置板３１が設けられている。カセット載置板３１は、水平方向のＸ方向（図１中の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板３１には、塗布現像処理装置１０の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
【００２５】
カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路４０上を移動自在な基板搬送体４１が設けられている。基板搬送体４１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板３１上のカセットＣと、後述する第３の処理装置群Ｇ３の受け渡し装置７０〜７６との間で基板Ｗを搬送できる。
【００２６】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つの処理装置群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１の処理装置群Ｇ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２の処理装置群Ｇ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３の処理装置群Ｇ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４の処理装置群Ｇ４が設けられている。
【００２７】
例えば第１の処理装置群Ｇ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えば基板Ｗを現像処理する現像処理装置５０、基板Ｗのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下、「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置５１、基板Ｗにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置５２、基板Ｗのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下、「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置５３が下から順に４段に重ねられている。なお、現像処理装置５０、下部反射防止膜形成装置５１、レジスト塗布装置５２及び上部反射防止膜形成装置５３の数や配置は任意に選択できる。
【００２８】
例えば第１の処理装置群Ｇ１の各装置５０〜５３は、処理時に基板Ｗを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数の基板Ｗを並行して処理することができる。
【００２９】
例えば第２の処理装置群Ｇ２には、図３に示すように基板Ｗの熱処理を行う熱処理装置６０や、基板Ｗを疎水化処理するアドヒージョン装置６１、基板Ｗの外周部を露光する周辺露光装置６２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置６０は、基板Ｗを載置して加熱する熱板と、基板Ｗを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理装置６０、アドヒージョン装置６１及び周辺露光装置６２の数や配置は、任意に選択できる。
【００３０】
例えば第３の処理装置群Ｇ３には、複数の受け渡し装置７０、７１、７２、７３、７４、７５、７６が下から順に設けられている。また、第４の処理装置群Ｇ４には、複数の受け渡し装置８０、８１、８２が下から順に設けられている。
【００３１】
図１に示すように第１の処理装置群Ｇ１〜第４の処理装置群Ｇ４に囲まれた領域には、基板搬送領域Ｄが形成されている。基板搬送領域Ｄには、例えば基板搬送装置９０が配置されている。
【００３２】
基板搬送装置９０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在となっている。これにより、基板搬送装置９０は、基板搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１の処理装置群Ｇ１、第２の処理装置群Ｇ２、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の所定の装置に基板Ｗを搬送することができる。
【００３３】
図１に示すように第３の処理装置群Ｇ３のＸ方向正方向側の隣には、基板搬送体１１０が設けられている。基板搬送体１１０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。基板搬送体１１０は、基板Ｗを支持した状態で上下に移動して、第３の処理装置群Ｇ３内の各受け渡し装置に基板Ｗを搬送できる。
【００３４】
インターフェイスステーション１３には、基板搬送体１２０と受け渡し装置１２１が設けられている。基板搬送体１２０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。基板搬送体１２０は、例えば搬送アームに基板Ｗを支持して、第４の処理装置群Ｇ４内の各受け渡し装置と受け渡し装置１２１に基板Ｗを搬送できる。
【００３５】
次に、基板搬送装置９０の構成について詳述する。基板搬送装置９０は、図４及び図５に示すように基板Ｗを水平に保持する基板保持部９１と、鉛直方向に延伸する昇降軸９２と、昇降軸９２に沿って基板保持部９１を鉛直方向に昇降させる昇降機構９３と、水平方向（図１のＹ方向）に延びる軌道９４に沿って基板保持部９１を水平移動させる水平移動機構９５と、基板保持部９１を鉛直方向の軸周りに回転させる回転機構としての回転台９６とを有している。
【００３６】
基板保持部９１は、図４に示すように平面視において略円形状に形成された本体部９１ａを有している。本体部９１ａの上面、すなわち基板Ｗの保持面９１ｂには、上方に窒素ガスや空気等の所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口１００が所定位置に形成されている、本体部９１ａの内部には、図５に示すようにガス噴射口１００に連通し、図示しないガス供給源からのガスをガス噴射口１００に供給するガス供給管１００ａが設けられている。このため、基板保持部９１はガス噴射口１００から噴射されるガスによって、基板Ｗを水平姿勢で基板保持部９１の表面から所定の距離浮いた状態とすることができるようになっている。
【００３７】
本体部９１ａ上には、鉛直方向に延伸する枠部材１０１と、枠部材１０１に設けられ、当該枠部材１０１の内側に突出して設けられた円環状のガスヘッダー１０２とが設けられている。枠部材１０１は、基板保持部９１へ基板を受け渡す際に干渉しない位置、例えば図４に示すように基板Ｗの搬入出側が開口するように基板保持部９１の同心円上に等間隔で半円状に３本設けられ、基板Ｗが基板保持部９１から脱落することを防止している。ガスヘッダー１０２にはガスを水平方向内側に噴射するための複数のガス噴射口（図示せず）が所定の位置に形成されている。基板保持部９１に保持される基板Ｗは、図５に示すようにガス噴射口１００から噴射されるガスの流れによって形成される、いわゆるエアカーテンによって基板Ｗの浮き上がりを防止している。このような構成により、基板保持部９１は、枠部材１０１の側面の開口部分から基板Ｗを搬入して保持することができる。
【００３８】
水平移動機構９５は、例えば図５に示すように軌道９４の上面に設けられ、軌道９４上を移動する駆動部（図示せず）を内蔵している。水平移動機構９５の上面には、駆動部（図示せず）を内蔵し、回転自在に構成された、例えば略円盤状の回転台９６が設けられている。回転台９６の外周部近傍には、鉛直方向に延伸する昇降軸９２が設けられ、昇降軸９２には駆動部（図示せず）を内蔵する昇降機構９３が取り付けられている。基板保持部９１の本体部９１ａは、昇降機構９３の上面に支持されている。水平移動機構９５、昇降機構９３、回転台９６の駆動部には、いずれもリニアモータが用いられる。この場合、例えば水平昇降機構９３の下面側、移動機構９５、回転台９６はリニアモータの磁石側、昇降軸９２、軌道９４、水平移動機構９３の上面側は移動磁界側を形成している。なお、リニアモータの種類としては、誘導型、同期型、あるいはパルス型等から用途に応じて選定され、その形式は特に限定されるものではない。また、昇降軸９２、昇降機構９３、水平移動機構９５、回転台９６の配置は本実施の形態に限定されるものではなく、基板保持部９１が、例えば図１のＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在であれば、どのような配置構成としてもよく、また、例えば図１のＸ方向へ基板保持部９１を移動させる、他の水平移動機構を有していてもよい。
【００３９】
次に、レジスト塗布装置５２の構成について説明する。図６は、レジスト塗布装置５２の構成の概略を示す横断面図であり、図７は、レジスト塗布装置５２の構成の概略を示す縦断面図である。
【００４０】
レジスト塗布装置５２は、図６に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１３０を有している。処理容器１３０の基板保持部９１に対向する面には、基板Ｗの搬入出口１３１が形成されている。
【００４１】
処理容器１３０内には、図７に示すように基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック１３２が設けられている。スピンチャック１３２は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、基板Ｗをスピンチャック１３２上に吸着保持できる。
【００４２】
スピンチャック１３２は、例えばモータ（図示せず）などを内蔵した駆動機構１３３を有し、この駆動機構１３３によって所定の速度に回転できる。また、駆動機構１３３には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３２は上下動可能である。
【００４３】
スピンチャック１３２の周囲には、基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップＦが複数設けられている。カップＦの下面には、回収した液体を排出する排出管１３５と、カップＦ内の雰囲気を排気する排気管１３６が接続されている。
【００４４】
図６に示すようにカップＦのＸ方向負方向（図６の下方向）側には、Ｙ方向（図６の左右方向）に沿って延伸するレール１４０が形成されている。レール１４０は、例えばカップＦのＹ方向負方向（図６の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図６の右方向）側の外方まで形成されている。レール１４０には、アーム１４１が取り付けられている。
【００４５】
アーム１４１には、各基板Ｗにレジスト液を吐出する塗布ノズル１４２が支持されている。アーム１４１は、ノズル駆動部１４３により、レール１４０上を移動自在である。また、アーム１４１は、ノズル駆動部１４３によって昇降自在であり、塗布ノズル１４２の高さを調節できる。
【００４６】
処理容器１３０内のスピンチャック１３２の上方には、図７に示すように基板搬送機構１５０が設けられている。基板搬送機構１５０は、基板Ｗを保持して搬送する搬送アーム１５１を有している。搬送アーム１５１は、図６に示すように基板Ｗの搬送方向Ｄ（図６中のＸ方向）に延伸する一対のアーム部１５２、１５２と、各アーム部１５２を支持し、基板Ｗの搬送方向Ｄと直角方向（図６中のＹ方向）に延伸する連結部１５３とを有している。各アーム部１５２の上面には、基板Ｗの裏面を吸着して水平に支持する支持部としての吸着パッド１５４が設けられている。
【００４７】
搬送アーム１５１には、図７に示すように例えばモータ（図示せず）などを内蔵したアーム移動機構１５５が設けられている。アーム移動機構１５５は、連結部１５３を基板Ｗの搬送方向Ｄと直角方向に移動させて、一対のアーム部１５２、１５２の間隔を調整することができる。また、アーム移動機構１５５は、搬送アーム１５１を鉛直方向に移動させることもできる。このように搬送アーム１５１が上下動することによって、搬送アーム１５１は、スピンチャック１３２に基板Ｗを受け渡すと共に、スピンチャック１３２から基板Ｗを受け取ることができる。
【００４８】
処理容器１３０の内側面には、図６に示すように基板Ｗの搬送方向Ｄに延伸する一対のレール１５６、１５６が設けられている。アーム移動機構１５５は、図７に示すようにレール１５６に取り付けられ、レール１５６に沿って移動可能になっている。そしてこのアーム移動機構１５５によって、搬送アーム１５１は、図８に示すように基板Ｗを保持した状態で、基板搬送体４１とレジスト塗布装置５２との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００４９】
なお、現像処理装置５０、下部反射防止膜形成装置５１及び上部反射防止膜形成装置５３も、上述したレジスト塗布装置５２と同様の構成を有し、基板搬送機構１５０を備えている。さらに、アドヒージョン装置６１も同様に、基板搬送機構１５０を備えている。
【００５０】
次に、熱処理装置６０の構成について説明する。図９は、熱処理装置６０の構成の概略を示す横断面図であり、図１０は、熱処理装置６０の構成の概略を示す縦断面図である。
【００５１】
熱処理装置６０内には、図９に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１６０が基板保持部９１の軌道９４に沿って水平に４つ設けられている。処理容器１６０の基板搬送装置９０に対向する側面には、基板Ｗの搬入出口１６１が形成されている。搬入出口１６１に対向する領域には後述する搬送室１９１が処理容器１６０に隣接して設けられている。また、熱処理装置６０は、図１０に示すように処理容器１６０内に、基板Ｗを加熱処理する加熱部１６２と、基板Ｗを冷却処理する冷却部１６３を備えている。
【００５２】
加熱部１６２には、基板Ｗを載置して加熱する熱板１７０が設けられている。熱板１７０は、厚みのある略円盤形状を有している。熱板１７０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、基板Ｗを熱板１７０上に吸着保持できる。
【００５３】
熱板１７０の内部には、給電により発熱するヒータ１７１が取り付けられている。このヒータ１７１の発熱により熱板１７０を所定の設定温度に調節できる。
【００５４】
熱板１７０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔１７２が形成されている。貫通孔１７２には、昇降ピン１７３が設けられている。昇降ピン１７３は、シリンダなどの昇降駆動機構１７４によって上下動できる。昇降ピン１７３は、貫通孔１７２内を挿通して熱板１７０の上面に突出し、基板Ｗを支持して昇降できる。
【００５５】
熱板１７０には、当該熱板１７０の外周部を保持する環状の保持部材１７５が設けられている。保持部材１７５には、当該保持部材１７５の外周を囲み、昇降ピン１７３を収容する筒状のサポートリング１７６が設けられている。
【００５６】
加熱部１６２に隣接する冷却部１６３には、基板Ｗを載置して冷却する冷却板１８０が設けられている。冷却板１８０は、厚みのある略円盤形状を有している。冷却板１８０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、基板Ｗを冷却板１８０上に吸着保持できる。
【００５７】
冷却板１８０の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材（図示せず）が内蔵されており、冷却板１８０を所定の設定温度に調整できる。
【００５８】
冷却部１６３のその他の構成は、加熱部１６２と同様の構成を有している。すなわち、冷却板１８０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔１８１が形成されている。貫通孔１８１には、昇降ピン１８２が設けられている。昇降ピン１８２は、シリンダなどの昇降駆動機構１８３によって上下動できる。昇降ピン１８２は、貫通孔１８１内を挿通して冷却板１８０の上面に突出し、基板Ｗを支持して昇降できる。
【００５９】
冷却板１８０には、当該冷却板１８０の外周部を保持する環状の保持部材１８４が設けられている。保持部材１８４には、当該保持部材１８４の外周を囲み、昇降ピン１８２を収容する筒状のサポートリング１８５が設けられている。
【００６０】
熱板１７０と冷却板１８０の上方には、基板搬送機構１９０が設けられている。基板搬送機構１９０は、図９に示すように、処理容器１６０の搬入出口１６１に対向する領域に設けられたＹ方向に延びる搬送路１９２上を移動自在な搬送アーム１９３を有している。搬送アーム１９３は基板Ｗの外周に適合する形状、例えば略３／４円環状に構成されたアーム部１９４と、アーム部１９４に設けられ基板Ｗの外周部を直接支持する支持部１９５が例えば３箇所設けられている。支持部１９５はアーム部１９４の内円周に等間隔に設けられ、アーム部１９４の内側に突出している。
【００６１】
搬送アーム１９３は昇降機構１９６、水平移動機構１９７、回転機構１９８により、鉛直方向、Ｘ方向及び鉛直軸周りにも移動自在であり、各処置容器１６０内の各熱板１７０、冷却板１８０及び基板搬送装置９０との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００６２】
以上のように構成された塗布現像処理装置１０では、例えば次のような基板処理が行われる。図１１は、かかる基板処理の主な工程の例を示すフロー図である。
【００６３】
先ず、複数枚の基板Ｗを収容したカセットＣがカセットステーション１０の所定のカセット載置板３１に載置される。その後、基板搬送体４１によりカセットＣ内の各基板Ｗが順次取り出され、処理ステーション１１の第３の処理装置群Ｇ３の例えば受け渡し装置７３に搬送される。
【００６４】
次に基板Ｗは、受け渡し装置７３により基板搬送装置９０の基板保持部９１に受け渡され、熱処理装置６０に対応する位置に搬送される。基板保持部９１に保持される基板Ｗは、熱処理装置６０の搬送アーム１９２により熱処理装置６０に搬入され、熱処理、温度調節される（図１１の工程Ｓ１）。その後、基板Ｗは、搬送アーム１９２により基板搬送装置９０に受け渡され、例えば第１の処理装置群Ｇ１の下部反射防止膜形成装置５１に対応する位置に搬送される。その後、基板Ｗは下部反射防止膜形成装置５１の搬送アーム１５１により当該下部反射防止膜形成装置５１内に搬入され、基板Ｗ上に下部反射防止膜が形成される（図１１の工程Ｓ２）。その後、基板Ｗは、搬送アーム１５１により基板保持部９１に受け渡され、第２の処理装置群Ｇ２の熱処理装置６０に対応する位置に搬送される。その後、熱処理装置６０の搬送アーム１９２により熱処理装置６０内に搬入され、加熱、温度調節され、その後搬送アーム、基板保持部９１を介して第３の処理装置群Ｇ３の受け渡し装置７３に戻される。
【００６５】
次に基板Ｗは、基板搬送体１１０によって同じ第３の処理装置群Ｇ３の受け渡し装置７４に搬送される。その後基板Ｗは、基板搬送装置９０によって第２の処理装置群Ｇ２のアドヒージョン装置６１に搬送され、アドヒージョン処理される（図１１の工程Ｓ３）。その後、基板Ｗは、基板搬送装置９０によってレジスト塗布装置５２に搬送され、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される（図１１の工程Ｓ４）。その後基板Ｗは、基板搬送装置９０によって熱処理装置６０に搬送されて、プリベーク処理される（図１１の工程Ｓ５）。その後、基板Ｗは、基板搬送装置９０によって第３の処理装置群Ｇ３の受け渡し装置７５に搬送される。
【００６６】
次に基板Ｗは、基板搬送装置９０によって上部反射防止膜形成装置５３に搬送され、基板Ｗ上に上部反射防止膜が形成される（図１１の工程Ｓ６）。その後基板Ｗは、基板搬送装置９０によって熱処理装置６０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、基板Ｗは、周辺露光装置６２に搬送され、周辺露光処理される（図１１工程Ｓ７）。
【００６７】
その後、基板Ｗは、基板搬送装置９０によって第３の処理装置群Ｇ３の受け渡し装置７６に搬送される。
【００６８】
次に基板Ｗは、基板搬送体１１０によって受け渡し装置７２に搬送され、基板搬送装置９０によって第４の処理装置群Ｇ４の受け渡し装置８２に搬送される。その後、基板Ｗは、インターフェイスステーション１３の基板搬送体１２０によって露光装置１２に搬送され、露光処理される（図１１の工程Ｓ８）。
【００６９】
次に、基板Ｗは、基板搬送体１２０によって第４の処理装置群Ｇ４の受け渡し装置８０に搬送される。その後、基板Ｗは、基板搬送装置９０によって熱処理装置６０に搬送され、露光後ベーク処理される（図１１の工程Ｓ９）。その後、基板Ｗは、基板搬送装置９０によって現像処理装置５０に搬送され、現像される（図１１の工程Ｓ１０）。現像終了後、基板Ｗは、基板搬送装置９０によって熱処理装置６０に搬送され、ポストベーク処理される（図１１の工程Ｓ１１）。
【００７０】
その後、基板Ｗは、基板搬送装置９０によって第３の処理装置群Ｇ３の受け渡し装置７０に搬送され、その後カセットステーション１０の基板搬送体４１によって所定のカセット載置板３１のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００７１】
以上の実施の形態によれば、基板搬送装置９０は基板Ｗと接触することなく基板を搬送することができるので、基板搬送の際に基板Ｗの裏面へパーティクルが付着することを防止できる。したがって、基板Ｗにパーティクルが付着することによる塗布現像処理ユニットの歩留まりの低下を抑制することができる。また、基板搬送装置９０は、昇降、回転及び水平移動用の駆動部としてリニアモータを用いているため、各駆動部は磨耗することがない。このため、基板搬送装置９０から駆動部の磨耗よるゴミが発生することを防止できると共に、基板搬送時の騒音を低減することができる。また、従来は駆動部の磨耗により経時的に発生していた、搬送装置の搬送誤差も防止することができる。
【００７２】
なお、以上の実施の形態では、基板を非接触で保持することができる基板搬送装置９０を搬送空間Ｄに配置していたが、例えば、カセットステーション１０の基板搬送体４１、処理ステーション１１の基板搬送体１１０、及びインターフェイスステーション１３の基板搬送体１２０の代わりに基板搬送装置９０を用いてもよい。かかる場合、基板Ｗが例えば搬送用のアームと接触する機会が減少するので、基板Ｗへのパーティクルの付着をさらに低減することができる。
【００７３】
また、例えばレジスト塗布装置５２は、上述した搬送機構１５０に代えて、図１２及び図１３に示すような、別の構成の搬送機構２５０を有していてもよい。基板搬送機構２５０は、基板Ｗを保持して搬送する多関節状の搬送アーム２５１を例えば２つ有している。各搬送アーム２５１は、複数、例えば４つのアーム部２５２を有している。４つのアーム部２５２のうちの一のアーム部２５２は、その端部において他のアーム部２５２に屈曲自在に連結されている。各アーム部２５２の間には動力が伝達され、搬送アーム２５１は屈伸及び旋回可能になっている。先端のアーム部２５２ａには、基板Ｗの裏面を吸着して水平に保持する保持部としての吸着パッド２５３が設けられている。
【００７４】
基端のアーム部２５２ｂの下面には、アーム移動機構２５４が設けられている。アーム移動機構２５４は、アーム部２５２ｂを支持するシャフト２５５と、シャフト２５５の下方に設けられ、例えばモータ（図示せず）などを内蔵した駆動機構２５６とを有している。このアーム移動機構２５４によって、搬送アーム２５１は、鉛直方向に移動し、基板Ｗを保持する際や、搬送アーム２５１が移動する際に互いに干渉しないように、搬送アーム５１の高さ方向の位置を変えることができる。そして、搬送アーム２５１は、複数のカップＦと基板搬送装置４０との間で基板Ｗを搬送することができる。
【００７５】
なお、上述した搬送機構１５０、１９０、２５０と各処理装置の組み合わせは、本実施の形態に限定されるものではなく、それぞれ他の処理装置においても適用が可能である。
【００７６】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板が基板以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。また、本発明は、処理装置で行われる処理がＣＶＤ処理以外のプラズマ処理、例えばエッチング処理にも適用でき、さらにプラズマ処理以外の処理にも適用できる。さらに、本発明は、本実施の形態の搬送アームの形状に限定されず、他の種々の搬送アームにも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、基板に所定の処理を施す処理装置に対して基板の搬送を行うのに有用である。
【符号の説明】
【００７８】
１      塗布現像処理システム
１０    カセットステーション
１１    処理ステーション
１２    露光装置
１３    インターフェイスステーション
３０    カセット載置台
３１    カセット載置板
４０    搬送路
４１    基板搬送体
５０    現像処理装置
５１    下部反射防止膜形成装置
５２    レジスト塗布装置
５３    上部反射防止膜形成装置
６０    熱処理装置
６１    アドヒージョン装置
６２    周辺露光装置
７０〜７６  受け渡し装置
８０〜８２  受け渡し装置
９０    基板搬送装置
９１    基板保持部
９１ａ  本体部
９１ｂ  保持面
９２    昇降軸
９３    昇降機構
９４    軌道
９５    水平移動機構
９６    回転台
１００  ガス噴射口
１００ａ  ガス供給管
１０１  枠部材
１０２  ガスヘッダー
１１０  基板搬送体
１２０  基板搬送体
１２１  受け渡し装置
１３０  処理容器
１３１  搬入出口 
１３２  スピンチャック
１３３  駆動機構
１３５  排出管
１３６  排気管
１４０  レール
１４１  アーム
１４２  塗布ノズル
１４３  ノズル駆動部
１５０  基板搬送機構
１５１  搬送アーム
１５２  アーム部
１５３  連結部
１５４  吸着パッド
１５５  アーム移動機構
１５６  レール
１６０  処理容器
１６１  搬入出口
１６２  加熱部
１６３  冷却部
１７０  熱板
１７１  ヒータ
１７２  貫通孔
１７３  昇降ピン
１７４  昇降駆動機構
１７５  保持部
１７６  サポートリング
１８０  冷却板
１８１  貫通孔
１８２  昇降ピン
１８３  昇降駆動機構
１８４  保持部材
１８５  サポートリング
１９０  基板搬送機構
１９１  搬送室
１９２  搬送路
１９３  搬送アーム
１９４  アーム部
１９５  保持部
２５０  基板搬送機構
２５１  搬送アーム
２５２  アーム部
２５２ａ  アーム部
２５３  吸着パッド
２５４  アーム移動機構
２５５  シャフト
２５６  駆動機構
Ｆ    カップ
Ｃ    カセット
【図１】
2010192685.tif 000003
【図２】
2010192685.tif 000004
【図３】
2010192685.tif 000005
【図４】
2010192685.tif 000006
【図５】
2010192685.tif 000007
【図６】
2010192685.tif 000008
【図７】
2010192685.tif 000009
【図８】
2010192685.tif 000010
【図９】
2010192685.tif 000011
【図１０】
2010192685.tif 000012
【図１１】
2010192685.tif 000013
【図１２】
2010192685.tif 000014
【図１３】
2010192685.tif 000015