(57)【要約】【課題】ＲＲＯの発生を抑制できるスタンパの製造方法を提供する。【解決手段】プリアンブル部、アドレス部およびバースト部を含むサーボ領域およびディスクリートトラックを含むデータ領域に対応する磁性パターンを有する磁気記録媒体を製造するために用いられるスタンパを製造する方法であって、原盤上に、プリアンブル部、アドレス部およびバースト部を含むサーボ領域およびディスクリートトラックを含むデータ領域に対応するレジストパターンを形成する際に、前記プリアンブル部および／またはアドレス部に、半径方向に沿って凸部と凹部とが交互に現れるような追加のレジストパターンを形成し、前記原盤およびレジストパターンの全面に導電膜を成膜した後、電気鋳造を行って金属層を成長させ、前記金属層を原盤から剥離することを特徴とするスタンパの製造方法。【選択図】      図１
2010003393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリアンブル部、アドレス部およびバースト部を含むサーボ領域およびディスクリートトラックを含むデータ領域に対応する磁性パターンを有する磁気記録媒体を製造するために用いられるスタンパを製造する方法であって、
原盤上に、プリアンブル部、アドレス部およびバースト部を含むサーボ領域およびディスクリートトラックを含むデータ領域に対応するレジストパターンを形成する際に、前記プリアンブル部および／またはアドレス部に、半径方向に沿って凸部と凹部とが交互に現れるような追加のレジストパターンを形成し、
前記原盤およびレジストパターンの全面に導電膜を成膜した後、電気鋳造を行って金属層を成長させ、
前記金属層を原盤から剥離する
ことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２】
前記追加のレジストパターンが、半径方向に沿ってビット１とビット０とが交互に現れる冗長ビット列であることを特徴とする請求項１に記載のスタンパの製造方法。
【請求項３】
前記追加のレジストパターンが、誤り訂正符号を兼ねていることを特徴とする請求項１に記載のスタンパの製造方法。
【請求項４】
前記誤り訂正符号に相当するレジストパターンが、ハミング符号を構成することを特徴とする請求項３に記載のスタンパの製造方法。
【請求項５】
さらに、前記プリアンブル部のレジストパターンを、半径方向に沿って凹部によって分割して形成することを特徴とする請求項１に記載のスタンパの製造方法。
【請求項６】
さらに、磁気記録媒体の外周よりも外側に位置する前記原盤の領域に、周方向に沿って延び、半径方向に互いに分離して形成された、ディスクリートトラックと類似の形状を有するレジストパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のスタンパの製造方法。
【請求項７】
電気鋳造後に、前記原盤から剥離された金属層の、磁気記録媒体の外周よりも外側に位置する領域を除去することを特徴とする請求項６に記載のスタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクリートトラック媒体などの磁気記録媒体の製造に用いられるスタンパの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の記録密度を向上させるには、磁気記録層の一部を除去または変性させて、記録トラックと分離領域とを形成し、隣接する記録トラック間の記録再生に関する干渉を抑えたディスクリートトラック媒体を用いることが有効である。
【０００３】
図７（ａ）〜（ｆ）を参照して、スタンパを用いたインプリント工程によりディスクリートトラック媒体を製造する方法の一例を説明する。
【０００４】
基板５１上に、下地層５２および磁気記録層５３を成膜する。磁気記録層５３上にレジスト６１を塗布する（図７ａ）。凹凸パターンが形成されたスタンパ４０をレジスト６１に対向して配置し、インプリントを行ってスタンパ４０の凹凸パターンをレジスト６１に転写する（図７ｂ）。スタンパ４０を取り外した後、凹部に残存しているレジスト残渣を除去し、残ったレジスト６１のパターンをマスクとして、磁気記録層５３をエッチングして磁性パターン５３ａを形成する（図７ｃ）。レジスト６１のパターンを剥離する（図７ｄ）。全面に非磁性層５４を成膜して、磁性パターン５３ａ間の凹部に非磁性層５４を埋め込む（図７ｅ）。表面の非磁性層５４を、磁性パターン５３ａが露出するまでエッチバックして、表面の平坦化を行う（図７ｆ）。
【０００５】
図８（ａ）〜（ｈ）を参照して、上記のインプリント工程に用いられるスタンパの製造方法の一例を説明する。
【０００６】
Ｓｉウエハ３１を用意し、その上にレジスト３２を塗布する（図８ａ）。レジスト３２に所定のパターンに従って電子ビーム描画を行う（図８ｂ）。レジスト３２を現像し、硬化していないレジストを除去してレジストパターン３２ａを形成し、これを原盤３５とする（図８ｃ）。スパッタ装置を用い、原盤３５の全面にＮｉ導電膜３６を成膜する（図８ｄ）。電気鋳造法によりＮｉ導電膜３６上にＮｉ電鋳膜３７を堆積する（図８ｅ）。形成された板状のＮｉ電鋳膜３７を原盤から剥離する（図８ｆ）。Ｎｉ電鋳膜３７を洗浄してスタンパ４０を製造する。
【０００７】
なお、たとえばファザースタンパを原盤として用い、サンスタンパを製造する場合には図８（ｄ）〜（ｇ）の工程を行う。
【０００８】
従来、磁気記録媒体の凹凸パターンを高精度に形成できるスタンパとして、たとえば特許文献１および２に開示されたものが知られている。これらのスタンパは、高さの異なる凸部を有し、レジストに対してスタンパ凸部を均一に押し込んで、レジスト残渣の厚さを均一化することにより、磁気記録媒体の凹凸パターンを高精度に形成するものである。
【０００９】
しかし、すでにスタンパを製造する時点において別の問題が発生する。上記のように電気鋳造法により原盤の凹凸パターンが転写されたニッケルスタンパを製造するが、鋳造時に凹凸パターンの転写位置にずれが発生する。この結果、ディスクリートトラック媒体のＲＲＯ（repeatable runout）量が大きくなることが問題になる。上述した特許文献１および２はこの問題を考慮していない。
【特許文献１】特開２００７−１４９１９６号公報
【特許文献２】特開２００７−１４１２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
以下、図面を参照してＲＲＯの問題をより詳細に説明する。
【００１１】
図９（ａ）は原盤３５上に電気鋳造法によりニッケルを堆積してスタンパ４０を形成した状態を示している。この状態で、Ｎｉ電鋳膜からなるスタンパ４０には圧縮歪が生じている。このため、原盤３５（図９ｂ）とスタンパ４０（図９ｃ）とを分離すると、スタンパ４０のパターン部の外径ｂは、原盤３５のパターン部の外径ａに対して０．０１〜０．０５％小さくなっている。
【００１２】
このとき、スタンパ４０のパターン部が均等に縮小すれば問題はない。しかし、スタンパ４０上の位置によって縮小度合いが異なるため、記録トラックが真円でなくなる現象が生じる。この現象はＲＲＯ（repeatable runout）値が大きいことで観測される。この現象を転写不良とも呼ぶ。
【００１３】
スタンパ４０上の位置によって縮小度合いが異なる１つの理由は、以下において説明するように、電気鋳造時に原盤３５上に存在するレジストパターンの密度に依存して変形量が異なることにある。
【００１４】
図１０に原盤の平面図を示す。原盤３５上にはデータ領域１（トラック部）とサーボ領域２が形成される。図１０は、原盤３５の表面に１５のサーボセクタがあるように図示しているが、実際には１００以上のサーボセクタがある。便宜上、図１０において、原盤３５の円周をサーボ領域２の数で均等に分割し、サーボ領域２が中心となるようにした領域を一区画と呼ぶ。
【００１５】
図１１に原盤上に形成される従来のレジストパターンの一例の平面図を示す。図１１は、たとえば図１０のＡ部の拡大図である。灰色の部分が凸部をなすレジストパターンである。図１１に示すように、周方向（ｘ方向）に沿って２つのデータ領域（トラック部）１の間にサーボ領域２が挟まれている。サーボ領域２は、プリアンブル部２１、アドレス部２２、バースト部２３を含む。プリアンブル部２１では、半径方向に延びる細長い凸部をなすレジストパターンと凹部とが周方向に沿って交互に現れる。バースト部２３では、周方向および半径方向に配列されたドット状の凹部を、凸部をなすレジストパターンが取り囲んでいる。アドレス部２２では、アドレスによってレジストパターンの形状が異なる。データ領域（トラック部）１では、周方向に延びる細長い凸部をなすレジストパターンと凹部とが半径方向に沿って交互に現れる。
【００１６】
図１２（ａ）および（ｂ）を参照して、電気鋳造時におけるプリアンブル部２１のレジストパターン３２ａとＮｉ電鋳膜３６の挙動を説明する。図１２（ａ）および（ｂ）は半径方向の断面であり、左側に中心軸を示している。図１２（ａ）に示すプリアンブル部２１のレジストパターン３２ａは、たとえば長さＬ＝１２ｍｍ（１２００００００ｎｍ）、高さＨ＝８０ｎｍである。上述したように、電鋳時には圧縮歪が発生するため，電鋳によるニッケルの堆積量に応じて、中心方向に向く力がレジストに作用する。レジストパターン３２ａは外周側の側壁だけでＮｉ電鋳膜３６にかかる圧縮応力を受け止めている。Ｎｉ電鋳膜３６の膜厚がさらに厚くなると、圧縮応力が大きくなり、レジストパターン３２ａのせん断降伏応力を上回る。プリアンブル部２１のレジストパターン３２ａは非常に細長い直方体であるため、その全体が平行移動することはない。図１２（ｂ）に示すように、レジストパターン３２ａは、外周側の側壁からせん断面に沿って変形しやすいと考えられる。
【００１７】
図１３を参照して、電気鋳造時におけるデータ領域（トラック部）１のレジストパターン３２ａとＮｉ電鋳膜３６の挙動を説明する。データ領域（トラック部）１では、周方向に延びる細長い凸部をなすレジストパターンと凹部とが半径方向に沿って交互に現れる。図１３に示すように、データ領域（トラック部）１では、半径方向において外周側から内周側へ向かって、レジストパターン３２ａの側壁がトラックピッチの周期で現れるので、Ｎｉ電鋳膜３６に生じる圧縮応力は分散される。ただし、各レジストパターン３２ａの側壁にかかる応力は均等ではなく、外周側ほど大きい。上記のようにデータ領域（トラック部）１では圧縮応力が分散されるため、デプリアンブル部２１と比べて、レジストパターン３２ａが変形しにくい。ただし、データ領域（トラック部）１でも状況によっては、レジストパターン３２ａの変形が起こる。
【００１８】
図１２と図１３の比較から、半径方向におけるレジストパターン３２ａの数が多いほど、Ｎｉ電鋳膜３６の圧縮応力に拮抗する能力が高い。図１１に示すように、アドレス部２２ではアドレスが２進数で記述されているため上位桁になるほど、半径方向におけるレジストパターン３２ａの凹凸数が少なくなる。アドレス部２２はレジストパターン３２ａの凹凸数がトラック部１よりプリアンブル部２１に近く、プリアンブル部２１と同じ挙動をすると考えられる。図１１に示すように、バースト部２３はトラック部１の構成に近く、トラック部１と同じ挙動をすると考えられる。
【００１９】
以下、図１４を参照して、ＲＲＯの発生メカニズムを説明する。電鋳によりＮｉ電鋳膜に圧縮応力が発生し、Ｎｉ電鋳膜が縮もうとする。トラック部１およびバースト部２３では、図１３に示したように、多数のレジストパターンの側壁によってＮｉ電鋳膜の圧縮応力が分散されるので、レジストパターン３２ａは変形しにくい。一方、プリアンブル部２１およびアドレス部２２では、レジストパターンがＮｉ電鋳膜の圧縮応力に屈して変形し、中心側へ移動しやすい。電気鋳造によって堆積されるＮｉ電鋳膜は連続膜であるので、プリアンブル部２１およびアドレス部２２の変形の影響が、トラック部１およびバースト部２３にも及ぶ。この結果、本来は真円をなすべき１周分のトラックの軌道は、一区画内の一部において中心側へ向かって変形する。こうしてＲＲＯが発生する。
【００２０】
上で説明したように、トラック部１においてはＮｉ電鋳膜の圧縮応力が多数のレジストパターンに分散されるが、分散された圧縮応力が十分な大きさであれば、トラック部１においてもレジストパターンの変形が生じる。Ｎｉ電鋳膜の圧縮応力は外周側で大きいので、トラック部１におけるレジストパターンの変形は外周側から発生する。図１５に示すように、一区画内で、プリアンブル部２１およびアドレス部２２のレジストパターンの変形とともに、トラック部１およびバースト部２３においてもレジストパターンの変形が生じると、その区画内で広範囲に１周分のトラックの軌道が中心側へ向かって変形する。
【００２１】
また、アドレス部２２に形成されるレジストパターンの配置はアドレスすなわち原盤上の位置によって異なる。このため、異なる位置のアドレス部２２ではレジストパターンの変形量も異なる。したがって、図１６に示すように、それぞれの区画でレジストパターンの変形量が異なり、１周分のトラックの軌道が区画に応じて種々の変形量で中心側へ向かって変形することがありうる。なお、図１６では、便宜上、原盤を８つの区画で区切った場合を示している。
【００２２】
以上のように、ディスクリートトラック媒体の製造に用いられるスタンパの従来の製造方法では、大きなＲＲＯが発生することが問題になる。
【００２３】
本発明の目的は、ＲＲＯの発生を抑制できるスタンパの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の一実施形態によれば、プリアンブル部、アドレス部およびバースト部を含むサーボ領域およびディスクリートトラックを含むデータ領域に対応する磁性パターンを有する磁気記録媒体を製造するために用いられるスタンパを製造する方法であって、原盤上に、プリアンブル部、アドレス部およびバースト部を含むサーボ領域およびディスクリートトラックを含むデータ領域に対応するレジストパターンを形成する際に、前記プリアンブル部および／またはアドレス部に、半径方向に沿って凸部と凹部とが交互に現れるような追加のレジストパターンを形成し、前記原盤およびレジストパターンの全面に導電膜を成膜した後、電気鋳造を行って金属層を成長させ、前記金属層を原盤から剥離してスタンパを製造することを特徴とするスタンパの製造方法が提供される。
【００２５】
そして、誤り訂正符号を用いて、凸部と凹部とが頻繁に入れ替わるレジストパターンを形成することを特徴とするスタンパの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の方法によれば、プリアンブル部および／またはアドレス部において、半径方向に沿うレジストパターンの数を増やし、電気鋳造時に金属膜の圧縮応力を分散させることができるので、レジストパターンの変形を抑制してＲＲＯを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を説明する。  
図１０に原盤の平面図を示す。原盤３５上にはデータ領域１（トラック部）とサーボ領域２が形成される。データ領域１（トラック部）およびサーボ領域２は、製造しようとするＤＴＲ（discrete track recording）媒体に形成されるそれぞれの領域に対応する。図１０は、原盤３５の表面に１５のサーボセクタがあるように図示しているが、実際には１００以上のサーボセクタがある。
【００２８】
ＤＴＲ媒体のデータ領域は、ユーザデータを記録する領域である。周方向に沿って形成された記録トラックが分離領域を介して一定のトラックピッチＴｐで半径方向に周期的に形成された構造を有する。
【００２９】
ＤＴＲ媒体のサーボ領域は、ヘッド位置決めのための情報が磁性パターンで形成された領域である。媒体上におけるサーボ領域の形状は、磁気記録装置のヘッドがアクセスする際の軌跡に沿った円弧状をなす。サーボ領域の周方向長は、中心からの半径値に比例して長くなっている。
【００３０】
ＤＴＲ媒体においては、たとえば図７に示したように、磁性パターン５３ａ間の凹部に非磁性層５４を埋め込んで分離領域を形成する。分離領域には薄い磁気記録層が残っていてもよい。また、磁性パターン５３ａ間の磁気記録層の特性、たとえば結晶状態を変性させることによって分離領域を形成してもよい。上記のように磁性パターン５３ａ間に凹部がある場合には、非磁性層を埋め込んで媒体表面を平坦化することが好ましい。
【００３１】
便宜上、図１１を参照して、原盤上に形成される従来のレジストパターンを再度説明する。図１１に示すように、周方向（ｘ方向）に沿って２つのデータ領域（トラック部）１の間にサーボ領域２が挟まれている。サーボ領域２は、プリアンブル部２１、アドレス部２２、バースト部２３を含む。プリアンブル部２１では、半径方向に延びる細長い凸部をなすレジストパターンと凹部とが周方向に沿って交互に現れる。バースト部２３では、周方向および半径方向に配列されたドット状の凹部を、凸部をなすレジストパターンが取り囲んでいる。アドレス部２２では、アドレスによってレジストパターンの形状が異なる。データ領域（トラック部）１では、周方向に延びる細長い凸部をなすレジストパターンと凹部とが半径方向に沿って交互に現れる。
【００３２】
ＤＴＲ媒体におけるプリアンブル部、アドレス部、およびバースト部の機能を説明する。
【００３３】
プリアンブル部は、媒体の回転時の偏心などにより生ずる時間ズレに対し、サーボ信号再生用クロックを同期させるＰＬＬ処理や、信号再生振幅を適正に保つＡＧＣ処理を行うために設けられる。
【００３４】
アドレス部には、サーボマークと呼ばれるサーボ信号認識コードや、セクタ情報、シリンダ情報などが、プリアンブル部の周方向ピッチと同一ピッチで、マンチェスタコードにより形成される。シリンダ情報は、サーボトラック毎に異なるパターンとなるため、シーク動作時のアドレス判読ミスの影響が小さくなるように、グレイコードと呼ばれる隣接トラックとの変化が最小となるコード変換をしてから、マンチェスタコード化して形成される。便宜上、図面ではマンチェスタコードを省略している。
【００３５】
バースト部は、シリンダアドレスのオントラック状態からのオフトラック量を検出するためのオフトラック検出用領域であり、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄバーストと呼ばれる径方向にパターン位相がずれた４つのマークが形成される。各バーストには、周方向に沿って複数個のマークがプリアンブル部と同一のピッチで配置される。バースト部の半径方向の周期は、アドレスパターンが変化する周期、換言すれば、サーボトラック周期に比例する。バーストマークの形状は、四角形、厳密にはヘッドアクセス時のスキュー角を考慮して平行四辺形となるように形成されるが、スタンパの加工精度や転写時の加工性能により、多少丸みを帯びた形状となる。バーストマークは非磁性部として形成される。バースト部のＡＢＣＤバーストからの再生信号の平均振幅値を演算処理することにより、オフトラック量が算出される。
【００３６】
以下、上記のようなＤＴＲ媒体の製造に用いられるスタンパを製造するための原盤上のレジストパターンの好適な例を説明する。以下においては、必要に応じて、本発明のレジストパターンと対比するために、従来のレジストパターンを図示する。
【００３７】
実施例１
図１（ａ）に従来のプリアンブル部のレジストパターン、図１（ｂ）に本実施例のプリアンブル部のレジストパターンを示す。
【００３８】
図１（ｂ）に示すように、本実施例のプリアンブル部は、従来のプリアンブル部のレジストパターン２１１の間に、冗長ビット列２１２を挿入したものである。この例では、２列のレジストパターン２１１ごとに１列の冗長ビット列２１２を挿入している。冗長ビット列２１２は、半径方向に沿ってビットが１０１０と変化している。
【００３９】
従来のプリアンブル部のレジストパターン２１１は、半径方向に延びる細長い形状を有しており、電鋳時にＮｉ電鋳膜に生じる圧縮応力を受けると変形しやすい。これに対して、冗長ビット列２１２は、半径方向に沿ってビットが１０１０と配置されているため、電鋳時にＮｉ電鋳膜に生じる圧縮応力を分散させることができるので変形しにくい。したがって、レジストパターン２１１の間に冗長ビット列２１２を挿入したことにより、プリアンブル部全体のレジストパターンの変形を抑制でき、最終的に製造されるＤＴＲ媒体のＲＲＯを低減できる。
【００４０】
実施例２
図２（ａ）に従来のアドレス部のレジストパターン、図２（ｂ）に本実施例のアドレス部のレジストパターンを示す。
【００４１】
図２（ａ）に示すアドレス部のレジストパターン２２１は、グレイコードで形成されている。図２（ｂ）に示すように、本実施例のアドレス部は、従来のアドレス部のレジストパターン２２１の間に、冗長ビット列２２２を挿入したものである。この例では、１列のレジストパターン２２１ごとに１列の冗長ビット列２２２を挿入している。冗長ビット列２１２は、半径方向に沿ってビットが１０１０と変化している。
【００４２】
本実施例では、レジストパターン２２１の間に冗長ビット列２２２を挿入したことにより、アドレス部全体のレジストパターンの変形を抑制でき、最終的に製造されるＤＴＲ媒体のＲＲＯを低減できる。
【００４３】
実施例３
図３に、本実施例のプリアンブル部のレジストパターンを示す。本実施例のプリアンブル部のレジストパターン２１１ａは、半径方向に沿って、トラック部１と同様に形成された凹部によって分離されている。
【００４４】
このように、半径方向に沿って凹部によって分離されたレジストパターン２１１ａを形成したことにより、プリアンブル部全体のレジストパターンの変形を抑制でき、最終的に製造されるＤＴＲ媒体のＲＲＯを低減できる。
【００４５】
実施例４
図４（ａ）に従来のアドレス部のレジストパターン、図４（ｂ）に誤り訂正符号としてのハミング符号を構成するレジストパターン、図４（ｃ）に本実施例のアドレス部のレジストパターンを示す。
【００４６】
図４（ｂ）に示すハミング符号のビット列２２３はグレイコードから生成される。ここでは、６ビットで表現されたアドレスに対するハミング符号を説明する。ハミング符号に必要にビット数は５ビットである。ハミング符号のビット列をＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５とする。このとき、各ビット列は以下のようにして決定される。
【００４７】
ビット列Ｐ５は、ビット１、２、３、４、５とＰ５ビットを合わせたときに、１の数が奇数となるように決定する。ビット１、２、３、４、５が００１１０ならば、Ｐ５を１とすることで１の数が奇数となる。ビット列１、２、３、４、５が１０１０１ならば、Ｐ５を０とすることで１の数が奇数となる。ビット列Ｐ４は、ビット１、２、３、４、６に基づいて決定する。ビット列Ｐ３はビット１、２、３、５、６に基づいて決定する。ビット列Ｐ２はビット１、２、４、５、６に基づいて決定する。ビット列Ｐ１はビット１、３、４、５、６に基づいて決定する。ハミング符号のビット列２２３を半径方向に見ると、１１が配置された個所や００が配置された個所があり、実施例１および２のように必ずしも１０１０の配置になっていない。しかし、ほとんどの部分で１０１０の配置になっているので、ハミング符号のビット列２２３でも、電鋳時にＮｉ電鋳膜に生じる圧縮応力を分散させて変形しにくいという効果を得ることができる。
【００４８】
図４（ｃ）に示すように、本実施例のアドレス部は、従来のアドレス部のレジストパターン２２１の間に、ハミング符号ライクのビット列２２３を挿入したものである。なお、ビット１とビット２の間には、全体のパリティビット列Ｐを挿入している。このように、ハミング符号のビット列２２３を挿入した場合にも、電鋳時にＮｉ電鋳膜に生じる圧縮応力を分散させることができるので変形しにくい。
【００４９】
実施例５
図５に、本実施例の原盤上のレジストパターンを示す。この原盤は、磁気記録媒体の外周よりも外側に位置する領域に、周方向に沿って延び、半径方向に互いに分離して形成された、ディスクリートトラックと類似の形状を有するレジストパターン２５０を形成したものである。
【００５０】
電鋳時における原盤上のレジストパターンの変形は外周側から発生しやすい。実際に、ＲＲＯは媒体の外周側で大きいことがわかっている。つまり転写不良は外周側に集中する傾向がある。磁気記録媒体の外周よりも外側に位置する領域に、ディスクリートトラックと類似の形状を有するレジストパターン２５０を形成したことにより、原盤の全面においてレジストパターンの変形を抑制でき、最終的に製造されるＤＴＲ媒体のＲＲＯを低減できる。電気鋳造後には、Ｎｉ電鋳膜を原盤から剥離し、磁気記録媒体の外周よりも外側に位置する領域を除去すれば、スタンパの製造に利用される領域の転写不良は少なくなる。
【００５１】
なお、ＥＢ描画によって磁気記録媒体の外周よりも外側に位置する領域に多数のレジストパターンを形成する場合、ＥＢ描画時間を短縮するためにらせん状のパターンとしてもよい。
【００５２】
以上のように、原盤上の少なくともプリアンブル部および／またはアドレス部に、本来のレジストパターンに加えて、半径方向に沿って凸部と凹部とが交互に現れるような追加のレジストパターンを形成することにより、電鋳時のレジストパターンの変形を抑制できる。この結果、転写不良に起因するディスクリートトラック媒体のＲＲＯを低減できる。
【００５３】
本発明に係るスタンパは、各実施例で示したレジストパターンを形成するように電子ビーム描画を制御することを除いて、図８（ａ）〜（ｈ）を参照して説明した方法により製造することができる。
【００５４】
本発明に係るスタンパを用いてＤＴＲ媒体を製造するには、たとえば図７（ａ）〜（ｆ）を参照して説明した方法を用いることができる。
【００５５】
次に、ＤＴＲ媒体の製造に用いられる好適な材料および工程について説明する。  
基板としては、たとえばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化物表面を有するＳｉ単結晶基板、およびこれらの基板にＮｉＰなどのメッキを施したものなどが挙げられる。
【００５６】
軟磁性下地層には、Ｆｅ、ＮｉまたはＣｏを含む材料が用いられる。より具体的には、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金およびＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどが挙げられる。
【００５７】
磁気記録層としては、典型的には、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2からなる強磁性体が用いられる。
【００５８】
レジストは、インプリントにより凹凸パターンを転写した後、磁気記録層を加工するためのマスクとして用いられる。レジスト材料は、塗布後にインプリントによる凹凸転写が可能な材料であればよく、たとえばポリマー材料、低分子有機材料、液状Ｓｉレジストなどが挙げられる。液状ＳｉレジストとしてはＳＯＧ（spin-on glass）が挙げられる。
【００５９】
磁性パターン間の凹部に埋め込まれる非磁性体は、強磁性体ではない材料であれば特に限定されないが、カーボン、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの酸化物、またはＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｒｕなどの金属、これらの合金や化合物などが挙げられる。
【００６０】
図７（ｂ）の転写工程は、両面同時転写型のインプリント装置を用い、インプリントリソグラフィー法により行う。垂直記録用のディスク基板の両面にレジスト（たとえばＳＯＧ）を塗布し、その両面に所望の凹凸パターンを有するインプリントスタンパを配置し、両面から均等な圧力で挟み込んで、レジストに凹凸パターンを転写する。
【００６１】
図７（ｃ）において、凹部に残存しているレジスト残渣を除去し、磁気記録層５３の表面を露出させる。この結果、磁性パターンを形成する部位にレジストが凸部をなすパターンとして形成された状態になる。残ったレジストのパターンをマスクとして、磁気記録層５３をイオンミリングすることにより磁性パターン５３ａを形成する。
【００６２】
図７（ｄ）において、残ったレジストパターンをエッチングにより除去する。図７（ｅ）において、全面に非磁性層５４を成膜して、磁性パターン５３ａ間の凹部に非磁性層５４を埋め込む。図７（ｆ）において、表面の非磁性層５４を、磁性パターン５３ａが露出するまでエッチバックして、表面の平坦化を行う。さらに、表面を研磨し、ＤＬＣ保護層を形成し、潤滑剤を塗布することによりＤＴＲ媒体を製造する。
【００６３】
次に、本発明に係るＤＴＲ媒体を搭載した磁気記録装置について説明する。図６に本発明に係る磁気記録装置のブロック図を示す。この図では磁気記録媒体の上面にのみヘッドスライダを示しているが、磁気記録媒体の両面にディスクリートトラックを有する垂直磁気記録層が形成されており、この磁気記録媒体の上下面にダウンヘッド／アップヘッドがそれぞれ設けられる。なお、磁気記録装置の構成は、本発明に係るＤＴＲ媒体を用いている点を除けば、基本的に従来の装置と同様である。
【００６４】
ディスクドライブは、ヘッド・ディスクアセンブリ（ＨＤＡ）１００と呼ばれる本体部と、プリント回路基板（ＰＣＢ）２００とからなる。
【００６５】
ヘッド・ディスクアセンブリ（ＨＤＡ）１００は、ＤＴＲ媒体５５と、磁気記録媒体１を回転させるスピンドルモータ１０１と、ピボット１０２を中心に回動するアクチュエータアーム１０３と、アクチュエータアーム１０３の先端に取り付けられたサスペンション１０４と、サスペンション１０４に支持されリードヘッドおよびライトヘッドを含むヘッドスライダ１０５と、アクチュエータアーム１０３を駆動するボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１０６と、ヘッドの入出力信号を増幅するヘッドアンプ（図示せず）などを有する。ヘッドアンプ（ＨＩＣ）はアクチュエータアーム１０３上に設けられ、フレキシブルケーブル（ＦＰＣ）１２０を通してプリント回路基板（ＰＣＢ）２００に接続されている。なお、上記のようにヘッドアンプ（ＨＩＣ）をアクチュエータアーム１０３上に設ければヘッド信号のノイズを有効に低減できるが、ヘッドアンプ（ＨＩＣ）はＨＤＡ本体に固定してもよい。
【００６６】
上述したようにＤＴＲ媒体５５には両面に垂直磁気記録層が形成され、両面のそれぞれにおいて、ヘッドが移動する軌跡に一致するようにサーボ領域が円弧をなして形成されている。磁気記録媒体の仕様は、ドライブに適応した外径および内径、記録再生特性などを満足する。サーボ領域がなす円弧の半径は、ピボットから磁気ヘッド素子までの距離として与えられる。
【００６７】
プリント回路基板（ＰＣＢ）２００は、４つの主要なシステムＬＳＩを搭載している。これらは、ディスクコントローラ（ＨＤＣ）２１０、リード／ライトチャネルＩＣ２２０、ＭＰＵ２３０およびモータドライバＩＣ２４０である。
【００６８】
ＭＰＵ２３０はドライブ駆動システムの制御部であり、本実施形態に係るヘッド位置決め制御システムを実現するＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＰＵおよびロジック処理部を含む。ロジック処理部はハードウェア回路で構成された演算処理部であり、高速演算処理が行われる。また、その動作ソフト（ＦＷ）はＲＯＭに保存されており、このＦＷに従ってＭＰＵがドライブを制御する。
【００６９】
ディスクコントローラ（ＨＤＣ）２１０はハードディスク内のインターフェース部であり、ディスクドライブとホストシステム（例えばパーソナルコンピュータ）とのインターフェースや、ＭＰＵ、リード／ライトチャネルＩＣ、モータドライバＩＣとの情報交換を行い、ドライブ全体を管理する。
【００７０】
リード／ライトチャネルＩＣ２２０はリード／ライトに関連するヘッド信号処理部であり、ヘッドアンプ（ＨＩＣ）のチャネル切替えやリード／ライトなどの記録再生信号を処理する回路で構成される。
【００７１】
モータドライバＩＣ２４０は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７７およびスピンドルモータ７２の駆動ドライバ部であり、スピンドルモータ７２を一定回転に駆動制御したり、ＭＰＵ２３０からのＶＣＭ操作量を電流値としてＶＣＭ７７に与えてヘッド移動機構を駆動したりする。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来のプリアンブル部のレジストパターンおよび実施例１のプリアンブル部のレジストパターンを示す平面図。
【図２】従来のアドレス部のレジストパターンおよび実施例２のアドレス部のレジストパターンを示す平面図。
【図３】実施例３のプリアンブル部のレジストパターンを示す平面図。
【図４】従来のアドレス部のレジストパターン、ハミング符号を構成するレジストパターン、および実施例４のアドレス部のレジストパターンを示す平面図。
【図５】実施例５の原盤上のレジストパターンを示す平面図。
【図６】本発明に係る磁気記録装置を示すブロック図。
【図７】ディスクリートトラック媒体の製造方法を示す断面図。
【図８】スタンパの製造方法を示す断面図。
【図９】原盤およびスタンパを示す斜視図。
【図１０】原盤の平面図。
【図１１】原盤上に形成される従来のレジストパターンの一例を示す平面図。
【図１２】電気鋳造時におけるプリアンブル部のレジストパターンとＮｉ電鋳膜の挙動を説明する断面図。
【図１３】電気鋳造時におけるデータ領域のレジストパターンとＮｉ電鋳膜の挙動を説明する断面図。
【図１４】ＲＲＯの発生メカニズムを説明する図。
【図１５】ＲＲＯの発生メカニズムを説明する図。
【図１６】ＲＲＯの発生メカニズムを説明する図。
【符号の説明】
【００７３】
１…データ領域、２…サーボ領域、２１…プリアンブル部、２２…アドレス部、２３…バースト部、２１１…レジストパターン、２１１ａ…レジストパターン、２１２…冗長ビット列、２２１…レジストパターン、２２２…冗長ビット列、２２３…ハミング符号のビット列、２５０…レジストパターン、３１…Ｓｉウエハ、３２…レジスト、３２ａ…レジストパターン、３５…原盤、３６…Ｎｉ導電膜、３７…Ｎｉ電鋳膜、４０…スタンパ、５１…基板、５２…下地層、５３…磁気記録層、５３ａ…磁性パターン、５４…非磁性層、６１…レジスト、５５…ＤＴＲ媒体、１００…ヘッド・ディスクアセンブリ（ＨＤＡ）、１０１…スピンドルモータ、１０２…ピボット、１０３…アクチュエータアーム、１０４…サスペンション、１０５…ヘッドスライダ、１０６…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１２０…フレキシブルケーブル（ＦＰＣ）、２００…プリント回路基板（ＰＣＢ）、２１０…ディスクコントローラ（ＨＤＣ）、２２０…リード／ライトチャネルＩＣ、２３０…ＭＰＵ、２４０…モータドライバＩＣ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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