(57)【要約】【課題】発光画素面積が大きい有機ＥＬ表示装置およびそのような有機ＥＬ表示装置が効率的に得られる製造方法を提供する。【解決手段】支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設けるとともに、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、補助配線層と、下部電極とを異なる面に配線するとともに、補助配線層と下部電極とを、非発光部分において電気接続するか、あるいは、補助配線層と、下部電極とを同一面に配線し、補助配線層と、下部電極とを非発光部分において電気接続するとともに、補助配線層と下部電極との間であって、電気接続部を除いた箇所に電気絶縁層を設ける。【選択図】図１
2010080453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設けるとともに、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記補助配線層と、前記下部電極とを異なる面に配線するとともに、
前記補助配線層と、前記下部電極とを非発光部分において電気接続すること、
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記補助配線層と前記下部電極との間に、電気絶縁層が設けてあることを特徴とする請求の範囲１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記補助配線層と前記下部電極とが、前記非発光部分に設けたビアホールを介して電気接続してあることを特徴とする請求の範囲１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設け、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記補助配線層と、前記下部電極とを同一面に配線し、
前記補助配線層と、前記下部電極とを非発光部分において電気接続部を設けて電気接続してあるとともに、
この電気接続部を除く前記補助配線層と前記下部電極の間に、電気絶縁層が設けてあること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記電気絶縁層の表面が平坦化してあることを特徴とする請求の範囲２〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
前記ビアホールの側面が、順テーパー状としてあることを特徴とする請求の範囲３または５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
前記ビアホール内部に、前記下部電極を延設して電気接続してあることを特徴とする請求の範囲３、５または６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設け、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記補助配線層と、前記下部電極とを部分的に異なる面に配線する工程と、
前記補助配線層と、前記下部電極とを非発光部分において電気接続する工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記下部電極と前記補助配線層との間に電気絶縁層を設ける工程を含むことを特徴とする請求の範囲８に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記非発光部分にビアホールを設ける工程と、
当該ビアホールを介して、前記補助配線層と、前記下部電極とを電気接続する工程と、
を含むことを特徴とする請求の範囲８または９に有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１１】
支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設け、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記補助配線層と、前記下部電極とを同一面に配線する工程と、
前記補助配線層と、前記下部電極とを非発光部分において電気接続を形成して電気接続する工程と、
当該電気接続部を除いて、前記補助配線層と前記下部電極との間に電気絶縁層を設ける工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記電気絶縁層の表面を平坦化する工程を含むことを特徴とする請求の範囲９〜１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ビアホールの側面を順テーパー状とする工程を含むことを特徴とする請求の範囲１０または１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ビアホール内部に前記下部電極を延設し、前記下部電極と前記補助配線層とを電気接続する工程を含むことを特徴とする請求の範囲１０、１２または１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と称する場合がある。）およびその製造方法に関する。
さらに詳しくは、民生用および工業用の表示機器（ディスプレイ）に好適なように、発光画素面積が大きい有機ＥＬ表示装置およびそのような有機ＥＬ表示装置が効率的に得られる製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電極間に発光層を挟持して構成したＥＬ素子を、マトリクス状に配した走査電極線や信号電極線を介して駆動（発光）させるＥＬ表示装置が提案されているが、発光画素の高精細化のために、走査電極線等の配線抵抗による電圧降下や、応答遅延を防止することが要求されている。
このため、第１７図に示すように、ガラス基板１０１上に、第１透明電極（下部電極）１０２と、無機発光層１０４と、第２電極（対抗電極）１０５とを順次に積層した無機ＥＬ素子において、抵抗減少用の補助電極１０３と、第１透明電極１０２とを同一面に網目状に配線するとともに、第１透明電極１０２の側端および非発光部分領域にて電気接続した無機ＥＬ素子が提案されている。
この種の補助電極を備えたＥＬ素子に関するものとしては、特許文献１に開示されたＥＬ素子がある。
また、特許文献２には、第１８図に示すように、基板２０１上に、いわゆる単純マトリスク状に形成した複数の透明電極２０２の周囲（非発光部分）に、各透明電極２０２の四辺と重なるようにして金属電極２０３を形成して電気接続し、この金属電極２０３を絶縁層２０６で被覆することにより、金属電極２０３によって透明電極２０２の配線抵抗値を抑制するようにした有機ＥＬ素子が提案されている。
一方、特許文献３には、第１９図に示すように、支持基板３０１上に平坦化層３０６、下部電極３０２、有機発光層３０４および対向電極３０５を順次積層してなる有機ＥＬ素子において、下部電極３０２の下面端部で電気接続する補助配線層３０３を形成し、この補助配線層３０３を平坦化層３０６内に埋設した有機ＥＬ表示装置が開示されている。
しかしながら、第１７図に示すＥＬ素子は、第１透明電極（下部電極）と補助電極が同一平面に配線され、両者が重なった状態で電気接続されるとともに、この透明電極及び補助電極上に直接発光層が積層されているため、透明電極と補助電極の膜厚に起因した段差が生ずる箇所が多かった。このため、対向電極と下部電極の短絡によって、選択された画素以外の画素が発光するというクロストークが発生したり、対向電極の断線によって選択画素が発光しないという非発光ラインの発生等の表示欠陥が生じやすくなるという問題が見られた。
また、透明電極と補助電極とが同一平面内に形成してあるため、補助電極自身の所要断面積が小さくなり、発光画素の高精細化に十分対応することができなかった。特に、発光画素を高精細化して、例えば、透明電極の抵抗値が１ｋΩ以上の値となった場合には、補助電極の幅や膜厚を変更して、当該透明電極の抵抗値を低い値、例えば１００Ω以下の値に調整することが容易でなかった。
さらに、透明電極と補助電極とを同一平面内に形成してあるため、透明電極と補助電極とが位置ずれした場合に、位置ずれした補助電極を介して隣接する透明電極同士が短絡して表示欠陥が生じることにより、製造上の歩留まりが低くなるという問題が見られた。
また、第１８図に示した有機ＥＬ素子の場合、金属電極が絶縁層によって被覆されているため、金属電極の位置ずれによって透明電極が短絡するという問題は回避できたが、透明電極と同一平面上に配線された金属電極が、透明電極の端辺に重なるように形成されているため、透明電極と金属電極との膜厚や積層高さに起因する段差がより顕著になり、透明電極と対向電極との間で短絡が発生し、第１７図に示したＥＬ素子の場合よりも、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥がさらに生じやすくなるという問題が見られた。
しかも、かかる有機ＥＬ素子の場合、金属電極は、透明電極と同一平面上で、かつ、ＥＬ素子の発光領域部分に影響を与えない透明電極の四辺部分のみで電気接続されるように構成してあるが、透明電極を金属電極が覆っているため、金属電極の所要断面積を大きくすると、発光面積が減少するという問題がみられた。その結果、発光画素を高精細化すると発光輝度が十分に得られないという問題があった。
一方、特許文献３に開示された有機ＥＬ表示装置は、補助配線層が平坦化層等の内部に埋設されているため、補助配線層の膜厚に起因した段差については問題とならず、製造上の歩留まりが高く、また、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥が少ないという利点がある。しかしながら、補助配線層と下部電極との電気接続部が、下部電極の側端に設けられているため、補助電極の所要断面積を大きくすることが困難であり、大きくしようとすると、発光画素面積が減少するという問題が見られた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１８０９７４号公報
【特許文献２】特開平１１−３１５９０号公報
【特許文献３】ＷＯ９７／３４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明の発明者らは上記問題を鋭意検討したところ、補助配線層を、部分的に下部電極と異なる面に配線するとともに、補助配線層を、有機ＥＬ表示装置における非発光部分において電気接続することにより、また、補助配線層と、下部電極とを同一面に配線した場合であっても、下部電極と補助配線層の間に電気絶縁層を設けて、非発光部分において電気接続することにより、それぞれ従来の問題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明の目的は、発光画素面積が大きく、補助配線層の膜厚による表示欠陥発生等の悪影響を排除し、しかも補助配線層の所要断面積を大きくすることができるとともに、発光輝度が高い有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、発光画素面積が大きく、補助配線層の膜厚による表示欠陥の発生等の悪影響を排した有機ＥＬ表示装置を、歩留まりよく製造することができる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
［１］  本発明の一つの態様（第１の発明）は、支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設けるとともに、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機ＥＬ表示装置において、補助配線層と下部電極とを異なる面に配線するとともに、補助配線層と下部電極とを有機ＥＬ表示装置の非発光部分において電気接続した有機ＥＬ表示装置である。
このように構成することにより、電気接続部と発光部分とが重ならないため、下部電極側から外部に取り出す光量を多くすることができ、結果として、有機ＥＬ表示装置の発光輝度の値を大きくすることができる。
また、補助配線層と下部電極とを、垂直方向において異なる面に配線しているため、容易に平坦化することができ、補助配線層の膜厚に起因した短絡発生等の悪影響を排除することができる。
さらには、隣接する下部電極間、または下部電極と対向電極との短絡の問題も生じないため、補助配線層の厚さ、または幅を広げることができ、所要断面積を大きくすることができる。また、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧（消費電力）を小さくすることができ、かつ、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥を低減することができる。
［２］  また、第１の発明の有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、補助配線層と下部電極との間に、電気絶縁層を設けることが好ましい。
このように構成すると、補助配線層を電気絶縁層内に埋設することができるため、補助配線層を設けた場合であっても表面を平坦化することができる。したがって、隣接する下部電極同士、または下部電極と対向電極との間の電気絶縁性を十分に確保することができる。
［３］  また、第１の発明の有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、補助配線層と下部電極とを、有機ＥＬ表示装置の非発光部分に設けたビアホールを介して電気接続することが好ましい。
このように構成すると、補助電極の厚みの段差に起因して、下部電極が断線することが少なくなり、補助電極と下部電極とを確実に電気接続することができる。
［４］  また、本発明の他の態様（第２の発明）は、支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設けるとともに、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機ＥＬ表示装置において、補助配線層と、下部電極とを同一面に配線し、非発光部分において補助配線層と下部電極とを電気接続部を形成して電気接続するとともに、補助配線層と下部電極との間であって、電気接続部を除いた箇所に電気絶縁層を設けた有機ＥＬ表示装置である。
このように構成することにより、補助配線層および下部電極の電気接続部が、発光部分と重なっていないため、下部電極側から外部に取り出す光量を多くすることができ、結果として、有機ＥＬ表示装置の発光輝度の値を大きくすることができる。
また、同一平面に配線した下部電極と補助配線層の間には、電気接続部を除いて電気絶縁層が形成してあるので、下部電極と補助配線層の膜厚に起因する段差が電気絶縁層によって埋められ、対向電極と、下部電極および補助配線層の短絡や、対向電極の断線が生じることがなくなる。したがって、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥を低減することができる。
［５］  また、第１の発明および第２の発明の有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、電気絶縁層の表面が平坦化してあることが好ましい。
このように構成すると、補助配線層の膜厚が問題とならず、製造上の歩留まりが向上して、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥をより少なくすることができる。
［６］  また、第１の発明および第２の発明の有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、補助配線層と下部電極とを電気接続するためのビアホールの側面が、順テーパー状としてあることが好ましい。
このように構成すると、下部電極が電気絶縁層のエッジで断線することが少なくなり、より確実に補助配線層と電気接続することができる。また、このように構成すると、間口が広いために、補助配線層と下部電極との電気接続箇所における接触面積を大きくし、密着性を高めることができる。さらには、ビアホール内部に対して、間口が広い部分から、例えば導電材料等を容易に充填することができ、製造することも容易である。
［７］  また、第１の発明および第２の発明の有機ＥＬ表示装置を構成するにあたり、電気絶縁層のビアホール内部に、下部電極を延設して電気接続してあることが好ましい。
例えば、下部電極または補助配線層と同様の導電性材料をビアホール内部に充填して、下部電極を延設することにより、下部電極と補助配線層との間の電気接続がより確実となる。
［８］  また、本発明のさらに別の態様（第３の発明）は、支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設け、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
補助配線層と、下部電極とを部分的に異なる面に配線する工程と、
補助配線層と、下部電極とを非発光部分において電気接続部を形成して電気接続する工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
このように実施することにより、補助配線層および下部電極の電気接続部を、有機ＥＬ表示装置の発光部分以外に容易に設けることができる。また、補助配線層と下部電極とを、それぞれ垂直方向に異なる面に配線しているため、容易に平坦化することができる。しかも、補助配線層の所要断面積を大きくすることができるため、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧（消費電力）を小さくすることができ、かつ、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥をより低減することができる。
［９］  また、第３の発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、下部電極と補助配線層との間に電気絶縁層を設ける工程を含むことが好ましい。
このように実施すると、補助配線層を電気絶縁層内に埋設して、平坦化することができるとともに、隣接する下部電極との電気絶縁性を十分に確保することができる。
［１０］  また、第３の発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、有機ＥＬ表示装置の非発光部分にビアホールを設ける工程と、このビアホールを介して、補助配線層と下部電極とを電気接続する工程と、を含むことが好ましい。
このように実施すると、補助電極の厚みの段差により下部電極が断線することなく、補助電極と下部電極を確実に電気接続することができる。
［１１］  また、本発明のさらに別の態様（第４の発明）は、支持基板上に、補助配線層が電気接続された下部電極と、有機発光媒体と、対向電極とを順次に設け、当該下部電極および対向電極をＸＹマトリックス状に配設した有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
補助配線層と、下部電極とを同一面に配線する工程と、
補助配線層と、下部電極とを非発光部分において電気接続部を形成して電気接続する工程と、
補助配線層と下部電極の間であって、電気接続部を除いた箇所に電気絶縁層を設ける工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
このように実施することにより、補助配線層および下部電極の電気接続部を、発光部分以外に容易に設けることができる。また、下部電極と補助配線層との間に電気絶縁層を設けてあるので、補助配線層を下部電極と同一面に配線したとしても、対向電極との電気絶縁性を十分に確保することができる。また、このように実施することにより、下部電極と補助配線層の膜厚に起因する段差を電気絶縁層で埋めて平坦化することができるため、補助配線層の所要断面積を大きすることもできる。その結果、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥を低減することができる。
［１２］  また、第３の発明および第４の発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気絶縁層の表面を平坦化する工程を含むことが好ましい。
このように実施すると、補助配線層の膜厚が問題とならず、製造上の歩留まりが向上して、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥をより少なくすることができる。
［１３］  また、第３の発明および第４の発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、ビアホールの側面を順テーパー状とする工程を含むことが好ましい。
このように実施すると、下部電極が電気絶縁層のエッジで断線することがより少なくなる。また、このように実施すると、蒸着法等を用いてビアホール内部に導電材料を容易に充填することができる。
［１４］  また、第３の発明および第４の発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気絶縁層のビアホールの内部に、下部電極を延設し、下部電極と補助配線層とを電気接続する工程を含むことが好ましい。
例えば、下部電極または補助配線層と同様の導電性材料をビアホールの内部に充填することによって、下部電極を延設することにより、下部電極の断線を少なくし、下部電極と補助配線層との接続がより確実となり、結果として、製造の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）はＹ−Ｙ線断面図である。
【図２】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の他の形態を模式的に示した発光部分の断面図である。
【図３】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の他の形態を模式的に示す概略説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）はＹ−Ｙ線断面図である。
【図４】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置のさらに他の形態を模式的に示した非発光部分の断面図である。
【図５】第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置を模式的に示した断面図であり、（ａ）は非発光部分、（ｂ）は発光部分の断面図である。
【図６】第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の他の形態をを模式的に示した断面図であり、（ａ）は非発光部分、（ｂ）は発光部分の断面図である。
【図７】第２の実施形態におけるさらに有機ＥＬ表示装置のさらに他の形態を模式的に示した断面図であり、（ａ）は非発光部分、（ｂ）は発光部分の断面図である。
【図８】第３の実施形態における製造方法の補助配線層形成工程における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図である。
【図９】第３の実施形態における製造方法の電気絶縁層形成工程における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略平面図である。
【図１０】第３の実施形態における製造方法の電気絶縁層形成工程における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略平面図である。
【図１１】第３の実施形態における製造方法の下部電極形成工程における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略平面図である。
【図１２】第３の実施形態における製造方法の下部電極形成工程における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略平面図である。
【図１３】第３の実施形態における製造方法の下部電極形成工程における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図である。
【図１４】第３の実施形態における製造方法の有機発光媒体および対向電極形成工程における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略平面図である。
【図１５】第５の実施形態における有機ＥＬ表示装置の電気絶縁層を模式的に示す概略説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図である。
【図１６】第６の実施形態における有機ＥＬ表示装置の補助配線パターンを模式的に示す概略平面図である。
【図１７】従来の補助電極を備えたＥＬ素子を模式的に示す概略説明図であり、（ａ）は補助電極と第１電極の積層部の断面図、（ｂ）は補助電極の配線部の断面図である。
【図１８】従来の透明電極の周囲に金属電極を備えた有機ＥＬ素子を模式的に示す概略断面図である。
【図１９】従来の補助配線層を備えた有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。また、参照する図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。
なお、本発明の有機ＥＬ表示装置において、支持基板上に積層される下部電極、有機発光媒体、対向電極および電気絶縁層は、特に平坦化処理を行わない場合、各層の表面は滑らかに凹凸、隆起することがあるが、図面上の理解を容易にするため、適宜、各層を平坦化した状態で示す場合がある。
【０００８】
［第１の実施形態］
まず、第１図を参照して、本発明の有機ＥＬ表示装置における第１の実施形態について説明する。第１図は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第１の実施形態を模式的に示したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）はＹ−Ｙ線断面図である。
【０００９】
１．基本的形態
第１図に示す本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、支持基板１上に、下部電極（透明電極）２、有機発光層を含む有機層（以下、有機発光媒体という）４、および対向電極５をこの順に積層してなる有機ＥＬ表示装置であり、下部電極２と対向電極５がＸＹマトリックスを形成し、下部電極２と対向電極５の各交差部分が有機ＥＬ表示装置の発光部分（発光画素部分）８を構成している。
そして、支持基板１と下部電極２の間の対向電極５の下部に相当する部分に電気絶縁層６が設けてあり（第１図（ｃ）参照）、この電気絶縁層６内に、下部電極２の抵抗値を減少させるための補助配線層３が埋設して配線してある。
【００１０】
本実施形態における補助配線層３は、電気絶縁層６内に埋設されることによって下部電極２と部分的に異なる面に配線され、かつ、有機ＥＬ表示装置の発光部分（発光画素部分）８と重ならないように非発光部に配線されるとともに、この非発光部において下部電極２に対して電気接続されて、下部電極２の抵抗値を減少させるように構成してある。
ここで、発光部分（発光画素部分）８とは、下部電極２と対向電極５とが交差する領域であり、かつ、有機発光媒体４に正孔または電子を注入できる領域である。また、非発光部分とは、下部電極２と対向電極５が交差していない領域であるか、または、下部電極２と対向電極５とが交差するものの、有機発光媒体４に正孔または電子を注入することができない領域である。
【００１１】
また、補助配線層３は、この非発光部、すなわち、各下部電極２の間に下部電極２と平行に配線され、対向電極５の下部に相当する部分は電気絶縁層６に埋設されるとともに（第１図（ｃ）参照）、この下部電極２との平行配線部から各対向電極５の間隙に延びる配線部が対向電極５と平行に配線されていることを特徴としている。そして、補助配線層３は、対向電極５の間隙部において、下部電極２と電気接続している構成である（第１図（ｂ）参照）。
また、電気絶縁層６は、支持基板１と下部電極２の間に形成される平坦化された絶縁層であり、内部に補助配線層３を埋設していることを特徴としている。
なお、電気絶縁層６は、第１図に示す補助配線層３のみを埋設する形態の他、第２図に示すように、表面に下部電極２を埋設し、下部電極２とともに表面を平坦化するように構成してもよい。このように構成すると、下部電極２の厚みに起因した段差も電気絶縁層６に埋設されることによって緩和され、対向電極５の断線や下部電極２と対向電極５との間の短絡もなくなる。すなわち、断線や、クロストーク等の表示欠陥をより低減させることができる。
【００１２】
さらに、電気絶縁層６の形態としては、第３図に示すように、下部電極２と補助配線層３との間に、ほぼ全面にわたって電気絶縁層６を形成し、補助配線層３をすべて電気絶縁層６に埋設することも好ましい。
このように構成すると、補助配線層３は、電気絶縁層６に埋設されることになり、すべての部分が下部電極２とは異なる面に配線されることになる。
なお、この場合、補助配線層３と下部電極２との間にすべて電気絶縁層６が存在することになるので、補助配線層３を下部電極２に電気接続するために、電気絶縁層６の有機ＥＬ表示装置の発光部分８と重ならない非発光部分にビアホール７を形成することができる。したがって、このビアホール７を介して補助配線層３と下部電極２を電気接続させることができる（第３図（ｂ）参照）。
なお、このように構成しても、第１図の場合と同様に、下部電極２の抵抗値を有効に減少させることができる。
【００１３】
また、電気絶縁層６に形成するビアホール７は、第３図に示すように、対向電極５の間隙部に位置する電気絶縁層６と下部電極２とを連通する開口部となっている。そのため、ビアホール７内に、下部電極２と補助配線層３とを導通する導通部２ａを配設することにより、下部電極２と補助配線層３とを電気的に接続することができる。
また、導通部２ａとしては、下部電極２と補助配線層３とを電気的に接続するものであれば、部材の種類は特に制限されるものではなく、例えば、第３図（ｂ）に示すように、スルーホール７に導電性部材を充填して導通部２ａを形成してもよい。また、第４図に示すように、下部電極２の下面を延設することにより、下部電極２そのものを導通部２ａとしてもよい。
なお、このようにビアホール７を設けることにより、補助配線層３の厚みの段差によって、下部電極２に断線が生ずることが少なくなる。したがって、下部電極２と補助配線層３とを確実に電気接続することができ、表示領域の輝度分布がより均一化するとともに、製造歩留まりを高くすることができる。
【００１４】
以上のような構成からなる本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、補助配線層３および下部電極２の電気接続部が、有機ＥＬ表示装置における発光部分８と重なることがない。したがって、下部電極側から外部に取り出す光量を多くすることができ、結果として、有機ＥＬ表示装置の発光輝度の値を大きくすることができる。
また、補助配線層３と下部電極２との間には電気絶縁層６が設けてあるため、補助配線層３を電気絶縁層６内に埋設することができる。したがって、補助配線層３と下部電極２とが、それぞれ垂直方向に異なる面に配線される部分を有するため、補助配線層３が下部電極２の上に突出することがなくなり、装置各層を容易に平坦化することができる。また、このように構成することにより、補助配線層３の膜厚も問題とならない。
よって、このように構成することにより、製造上の歩留まりが向上して、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥をより少なくすることができる。
さらに、補助配線層３を埋設した電気絶縁層６を設けることにより、隣接する下部電極２と補助配線層３や下部電極２同士の電気絶縁性を十分に確保し、短絡等も生じず、補助配線層３の所要断面積を大きくすることができる。
【００１５】
２．構成要素
以下、本実施形態の有機ＥＬ表示装置を、その構成要素ごとにさらに具体的に説明する。
（１）下部電極
本実施形態では、下部電極は補助配線層と電気的に接続している。そして、補助配線層には、導電性の高い材料、すなわち低抵抗材料が使用されるため、下部電極層において導電性の高い材料を使用することは必須ではない。なお、下部電極側から外部へ光を取り出す場合は、発光波長において、光透過率が３０％以上となるような導電材料を使用することが好ましい。
また、下部電極層は、有機ＥＬ素子の構成に対応して、陽極あるいは陰極となるが、下部電極層が陽極の場合は、正孔注入性に優れる高仕事関数（仕事関数４．０ｅＶ以上）の金属などの導電性物質を用いることが好ましい。また、陽極においては、抵抗率は問われないため、半導体を用いることもできる。具体的には、たとえば、金（Ａｕ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），プラチナ（Ｐｔ）などの金属、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ，ＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを添加した混合物），Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ，ＳｎＯ2：Ｓｂ（ＳｎＯ2にＳｂを添加した混合物）などの導電性の酸化物、α−ケイ素，ポリシリコン，α−炭化ケイ素，α−炭素などの半導体を好適に用いることができる。更には、有機半導体である全共役系ポリマーも用いることができる。このようなポリマーとして、具体的には、ポリアニリン、ポリアリーレンビニレン、ポリチェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリピロールなどを好適に用いることがきる。
一方、下部電極層が陰極の場合は、電子注入性に優れる低仕事関数（仕事関数４．０ｅＶ以下）の金属、合金などの導電性物質を用いることが好ましい。また、陰極においても、抵抗率は問われないため、半導体を用いることもできる。
また、陰極に使用する合金としては、アルカリ土類金属、アルカリ金属または希土類金属を微量含有するもの、例えば、Ａｌ−Ｌｉ，Ａｌ−Ｍｇ，Ａｌ−Ｂａ，Ａｌ−Ｃａ，Ａｌ−Ｓｃ，Ａｌ−Ｙｂなどを好適に用いることができる。更には、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化物を超薄膜（２０ｎｍ程度以下）にしたものも陰極として用いることができる。また、陰極の構成材料として、ＬａＢ6やＴｉＮなどの低仕事関数のホウ化金属や、チッ化金属や、あるいは、低仕事関数の希土類シリサイドを用いることも好ましく、さらに有機発光媒体と前記金属との混合物を用いることも好ましい。
また、本実施形態においては、下部電極層は抵抗率が高くてもよいため、膜厚を薄くすることができる。その場合、膜厚を３００ｎｍ以下の値、特に２〜２００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。この場合において、膜厚が２〜１０ｎｍの範囲では、連続層が形成されない可能性がある。しかしながら、下部電極層と補助配線層を広い面積で密着させるような場合には、有機ＥＬ素子の動作上、支障がないことが判明している。
一方、膜厚が３００ｎｍより厚い場合には、下部電極層の段差部分において対向電極が断線したり、下部電極と対向電極が短絡する場合がある。
なお、本実施形態においては、下部電極は公知の方法により形成することができる。例えば、スパッタリング法により製膜し、その後フォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより下部電極は形成される。
【００１６】
（２）補助配線層
本実施形態において、補助配線層は、下部電極の抵抗値を減少させる補助電線としての機能を有する。このため、低い抵抗値を有するとともに、下部電極と電気的に接続されている必要がある。
ここで、電気的接続とは、補助配線層と対向電極とに電源が接続された場合、有機ＥＬ表示装置に電圧が印加されるように補助配線層と下部電極とが接続されていることを意味する。したがって、補助配線層は、有機ＥＬ表示装置に供給される電流が流れるものであり、低い抵抗値を有するものが好ましい。すなわち、このような補助配線層を備えることにより、下部電極層の抵抗値を極めて低くすることができる。
また、本実施形態に用いる補助配線層としては、抵抗値が低いものであれば、特に制限はないが、たとえば、この補助配線層により低抵抗化された電極ライン（例えば、信号電極線）の抵抗値を５ｋΩ以下とするような金属線であることが好ましい。
この理由は、補助配線層と組み合わせた電極ラインの抵抗値が５ｋΩを超えると、画素の発光輝度ムラ、または有機ＥＬ表示装置の発光輝度ムラを発生する場合があるためである。
なお、テレビ画像表示を行う場合は、補助配線層と組み合わせて、電極ラインの抵抗値を１ｋΩ以下の値とすることがさらに好ましい。
また、信号電極線の長さが１０ｃｍ程度の場合、信号電極線の単位長さ（１ｃｍ当たりの長さ）あたりの抵抗値としては、１００Ω以下の値であることが好ましい。
また、補助配線層の抵抗率を、５×１０-4Ω・ｃｍ以下の値とすることが好ましい。この理由は、補助配線層の抵抗率が５×１０-4Ω・ｃｍを超えると、補助配線層を設けることによる信号電極線の抵抗値の減少効果が期待できない場合があるためである。
このような補助配線層に用いられる金属としては、たとえばタングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），金（Ａｕ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），ネオジウム（Ｎｄ），およびこれらの合金を挙げることができる。
また、これらの合金の具体例としては、Ｍｏ−Ｗ、Ｔａ−Ｗ、Ｔａ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｄ、Ａｌ−Ｚｒ等の合金を挙げることができる。
更に、補助配線層の構成材料としては、金属とケイ素の化合物である、ＴｉＳｉ2，ＺｒＳｉ2，ＨｆＳｉ2，ＶＳｉ2，ＮｂＳｉ2，ＴａＳｉ2，ＣｒＳｉ2，ＷＳｉ2，ＣｏＳｉ2，ＮｉＳｉ2，ＰｔＳｉ，Ｐｄ2Ｓｉなども好ましい。また、これらの金属やケイ素化合物をそれぞれ積層した構成であってもよい。
なお、本実施形態に用いられる補助配線層に好ましく用いられる金属の抵抗率を表１に示す。
【００１７】
【表１】
2010080453.tif 000003
【００１８】
また、補助配線層は、金属膜からなる構成とすることが、成膜が容易となることから好ましい。この場合、かかる金属膜は、単層膜であっても良いが、膜の安定性を高める上で二種以上の多層膜とすることも好ましい。
このような多層膜としては、上記金属またはそれらの合金を用いて形成することができる。たとえば、三層の場合、Ｔａ層とＣｕ層とＴａ層、およびＴａ層とＡｌ層とＴａ層、二層の場合、Ａｌ層とＴａ層、Ｃｒ層とＡｕ層、Ｃｒ層とＡｌ層、およびＡｌ層とＭｏ層の組合わせを挙げることができる。
ここで、膜の安定性とは、低抵抗率を維持しうるとともに、エッチングの際、その処理に用いる液等により腐食されにくい性質をいう。たとえば、補助配線層をＣｕやＡｇで構成した場合には、補助配線層の抵抗率自体は低いものの、腐食しやすい場合がある。それに対して、ＣｕやＡｇからなる金属膜の上部および下部、あるいはいずれか一方に、耐食性に優れた金属、たとえばＴａ，Ｃｒ，Ｍｏ等の膜を積層することにより、補助配線層の安定性を高めることができる。
また、補助配線層を金属膜として構成する場合、その膜厚を１００ｎｍ〜数１０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、特に好ましくは２００ｎｍ〜５μｍの範囲内の値とすることである。
この理由は、かかる膜厚が１００ｎｍ未満となると、抵抗値が大きくなり、補助配線層として好ましくなく、一方、かかる膜厚が数１０μｍを超えると平坦化しにくくなり、有機ＥＬ表示装置の欠陥が生じるおそれがあるためである。
また、金属膜の幅（短辺の長さ）は、有機ＥＬ表示装置の精細度によるが、例えば、２μｍ〜１，０００μｍの範囲内の値とすることが好ましく、５μｍ〜３００μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、かかる金属膜の幅が２μｍ未満となると、補助配線層の抵抗が大きくなる場合があるであり、一方、かかる金属膜の幅が１００μｍを超えると、ＥＬ光の外部への取り出しを妨害する場合があるためである。
【００１９】
（３）電気絶縁層
電気絶縁層は、下部電極と補助配線層とを電気絶縁するとともに、補助配線層のパターン縞の凸部を緩和するために設けられている。この電気絶縁層は、絶縁性材料からなる層であり、表面が平坦化してあることが好ましい。そして、電気絶縁層における平坦度は０．２μｍ以下の値であることが好ましい。
また、電気絶縁層の表面粗さは、発光欠陥の発生を抑制するため、１０ｎｍ以下の値とすることが好ましい。
ここで、電気絶縁層の平坦度は、触針式膜厚計あるいは走査型原子間力顕微鏡等で測定される補助配線層におけるパターン縞の凹凸量と定義することができる。
一方、電気絶縁層の表面粗さは、電気絶縁層自体の表面における粗さ（凹凸）であり、５００μｍ角〜１ｍｍ角の面積において触針式膜厚計等で測定される表面凹凸値の２乗平均値で定義される値である。
また、電気絶縁層の構成材料としては、所定の電気絶縁性を有する材料であれば、特に種類の制限はないが、例えば、２ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁耐圧を有する材料が好ましい。
また、電気絶縁層は、下部電極を成膜する際の温度に耐えられる耐熱性を有する構成材料が好ましい。
また、電気絶縁層は、補助配線層を埋設する際や、補助配線層と下部電極とを電気的に接続するためのビアホールの加工を行う際に、微細なビアホールを形成するためにエッチング加工ができる構成材料であることが好ましい。
したがって、このような構成材料としては、たとえば透明性ポリマー、酸化物、ガラスなどを挙げることができる。
より具体的に言えば、好ましい透明性ポリマーとしては、ポリイミド，フッ素化ポリイミド，フッ素系樹脂，ポリアクリレート，ポリキノリン，ポリオキサジアゾール，環状構造を有するポリオレフィン，ポリアリレート，ポリカーボネート，ポリサルフォン，ラダー型ポリシロキサン等が挙げられる。
また、好ましい酸化物としては、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，フッ素添加ＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＹｂＯ3などを上記エッチング加工が可能な材料の好適例として挙げることができる。
さらに上述した電気絶縁層の構成材料に加えて、感光性を有するフォトレジストおよびその硬化物を挙げることができる。
ただし、有機ＥＬ素子は、水、酸素等により劣化しやすいため、含水量が０．１重量％以下、およびガス透過係数（ＪＩＳＫ７１２６）が１×１０-13ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ2・ｓ・ｃｍＨｇ以下の電気絶縁層材料を採用することが好ましい。よって、例えば無機酸化物、無機窒化物または両者の組成物が挙げられる。
また、電気絶縁層の膜厚としては、補助配線層を埋設することができるならば特に制限はないが、たとえば補助配線層の膜厚よりも厚く、かつ、１０μｍ以下の値であることが好ましい。
【００２０】
（４）その他の構成要素
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、下部電極、補助配線層および電気絶縁層の他に、有機発光媒体、対向電極および支持基板を構成要素として含む。
このような有機ＥＬ表示装置において、下部電極と対向電極との間に介在する有機発光媒体は、少なくとも有機発光層を含むものであるが、有機発光層のみからなる単層であってもよい。また、有機発光媒体は、有機発光層とともに、正孔輸送層などを積層した多層構造であってもよい。
また、有機発光層に用いられる発光材料の種類についても特に制限はなく、従来の有機ＥＬ表示装置における公知のものを用いることができる。
例えば、有機発光層材料としては、オキシン金属錯体、スチルベン系色素、ポリフェニレンビニレン誘導体、ＤＣＭ（シアニン色素）誘導体などを高水準の有機ＥＬ表示装置を与える材料として挙げることができる。
また、対向電極は、下部電極と対をなす電極であって、下部電極とは反対の電荷を有し、下部電極が陽極ならば陰極となり、逆に下部電極が陰極ならば陽極となる。そして、下部電極側から注入された電荷（正孔または電子）と対向電極側から注入された電荷（電子又は正孔）とが有機発光媒体において再結合し、有機ＥＬ表示装置の発光を生じることになる。
したがって、対向電極側から有機ＥＬ表示装置の発光を取り出す場合には、発光波長における光透過度が３０％以上となるような対向電極を採用する必要がある。
このような構成材料としては、この種の有機ＥＬ表示装置の常用されているものをそのまま用いることができる。例えば、透明導電性酸化物膜、金属又は合金の膜厚２０ｎｍ以下の超薄膜、あるいは透明導電性酸化物膜と前記超薄膜の積層膜等を挙げることができる。
そして、本実施形態において補助配線層の幅が、ピッチ幅（１００％）に対して、１００〜１５０％の場合には、対向電極側から取り出すことが好ましい。
また、支持基板は、機械的強度に優れ、水分や酸素の透過性が少ないものであれば、この種の有機エレクトルミネッセンス表示装置に常用されているものをそのまま用いることができる。具体的には、例えば、ガラスやセラミックス等を挙げることができる。また、蛍光変換膜、カラーフィルターが配設された基板を用いても良い。
【００２１】
［第２の実施形態］
次に、第５図〜第７図を参照して、本発明の有機ＥＬ表示装置における第２の実施形態について説明する。第５図〜第７図は、有機ＥＬ表示装置の第２の実施形態を模式的に示した断面図であり、それぞれ（ａ）は、非発光部分（補助配線層と下部電極の接続部）、（ｂ）は、発光部分の断面図である。
【００２２】
１．基本的形態
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、第１の実施形態と同様、支持基板１上に、下部電極２、有機発光媒体４、および対向電極５をこの順に積層してなる有機ＥＬ表示装置であり、下部電極２と対向電極５がＸＹマトリックスを形成し、下部電極２と対向電極５の各交差部分が発光部分８（第１図参照）を構成している。
そして、本実施形態では、下部電極２の抵抗値を減少させるための補助配線層３を下部電極２と同一面に配線するとともに、この補助配線層３と下部電極２との間に、電気絶縁層６が設けてある。
ここで、補助配線層は、下部電極と同一面、すなわち下部電極が配線される支持基板上に配線されており、第１の実施形態と同様、有機ＥＬ表示装置の発光部分と重ならない非発光部分に配線され、この非発光部分において下部電極の下側（または上側）に積層されて、下部電極と直接電気接続するように構成してある。
このように本実施形態では、第１の実施形態と異なり、下部電極と補助配線層がビアホールを介することなく直接積層されて電気接続されるようになっている。
そして、この電気接続部を除く下部電極と補助配線層との間には、電気絶縁層を設けることを特徴としている。
また、電気絶縁層は、少なくとも電気接続部を除く下部電極と補助配線層との間に設けられていればよく、その態様としては、例えば第５図〜第７図に示すものがある。
第５図では、発光部分８において隣接する各下部電極２の間に配線される補助配線層３の上面を覆うように電気絶縁層６が形成してある。
また、第６図では、第５図の形態に加えて、下部電極２と補助配線層３の接続部分上（非発光部分）にも電気絶縁層６が形成してある。
さらに、第７図では、各下部電極２および補助配線層３の隣接する間隙部に電気絶縁層６を充填して形成してある。
ここで、本実施形態の電気絶縁層についても、第１の実施形態の場合と同様に表面を平坦化することが好ましい。
以上のような構成からなる本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、補助配線層および下部電極の電気接続部が、発光部分と重なっていないため、上述した第１の実施形態の場合と同様、下部電極側から外部に取り出す光量を多くすることができる。したがって、有機ＥＬ表示装置の発光輝度の値を大きくすることができる。
また、本実施形態では、同一平面に配線した下部電極と補助配線層との間には、電気接続部を除いて電気絶縁層が設けてあるので、下部電極と補助配線層との厚さ（膜厚）に起因する段差が電気絶縁層によって埋められる。これにより、従来生じていたような対向電極と下部電極の短絡によるクロストークや、対向電極の断線による表示欠陥、画面表示の不均一化等の発生を低減することができる。
【００２３】
２．構成要素
上述した基本的形態を有する第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、支持基板１、下部電極２、補助配線層３、有機発光媒体４、対向電極５および電気絶縁層６からなる各構成要素の構成材料、形成方法等については、第１の実施形態と同様であるため、ここでの説明は省略するものとする。
【００２４】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態について第８図〜第１４図を参照して説明する。第８図〜第１４図は、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法の各工程における有機ＥＬ表示装置を模式的に示す概略説明図であり、平面図および断面図を含む。
【００２５】
１．基本的形態
第３の実施形態は、支持基板１上に、補助配線層３が電気接続された下部電極２と、有機発光媒体４と、対向電極５とを順次に設け、当該下部電極２および対向電極５をＸＹマトリックス状に配設した有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴としている。
（１）補助配線層３と下部電極２とを、少なくとも部分的に異なる面に配線する工程
（２）補助配線層３を、下部電極２に対して、有機ＥＬ表示装置の非発光部分において電気接続する工程
このような各工程により、補助配線層および下部電極の電気接続部を発光部分以外の部分に容易に設けることができる。また、補助配線層を下部電極とは異なる面に配線しているため、容易に平坦化することができ、しかも、補助配線層の所要断面積を大きくすることもできる。
【００２６】
また、第３の実施形態を実施するにあたり、下部電極と補助配線層との間に電気絶縁層を設ける工程を含むことが好ましい。このように実施すると、補助配線層を電気絶縁層内に埋設して、平坦化することができるとともに、隣接する下部電極との電気絶縁性を十分に確保することができる。
また、第３の実施形態を実施するにあたり、有機ＥＬ表示装置の非発光部分にビアホールを設ける工程と、補助配線層を下部電極に対して、ビアホールを介して電気接続する工程を含むことが好ましい。
このように実施すると、補助配線層の厚みの段差に起因して、下部電極が断線することがなくなり、補助配線層と下部電極とを確実に電気接続することができる。
さらに、第３の実施形態を実施するにあたり、電気絶縁層の表面を平坦化する工程を含むことが好ましい。このように実施すると、補助配線層の膜厚が問題とならず、製造上の歩留まりが向上して、クロストークや表示欠陥をより少なくすることができる。
【００２７】
２．製造工程
以下、第３の実施形態の各工程を、第８図〜第１４図を参照しつつ具体的に説明する。
なお、第３の実施形態は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置を製造する方法であり、製造される有機ＥＬ表示装置の構成材料、構造は第１の実施形態と同様である。したがって、以下の説明は、第３の実施形態における特徴的な部分である補助配線層と電気絶縁層およびビアホールの形成方法について説明するものとし、その他の構成部分、例えば下部電極や、有機発光媒体等については、有機ＥＬ表示装置の分野における公知の製法を採ることができる。
【００２８】
まず、第８図（ａ）、（ｂ）に示すように、支持基板１上にフォトリソグラフィー法またはリフトオフ法等を用いて補助配線層３のパターンを形成する。このとき、補助配線層３のパターンは、発光部分８と重ならない非発光部分に配線する。
次に、補助配線層３を被覆するようにして電気絶縁層６を形成する。このとき、電気絶縁層６は内部に補助配線層３を埋設して形成されるので、表面に補助配線層３が突出することなく、補助配線層３の凹凸を平坦化することができる。
また、電気絶縁層６の形成方法としては、スピンコート，ロールコート，蒸着，ＣＶＤ，スパッタリング等によって電気絶縁層を成膜し、フォトリソグラフィー法を用いて任意の形状にパターニングする。または、成膜の際に任意の形状のマスクを用いて任意の形状に成膜することもでき、印刷手法を用いてもよい。
例えば、フォトレジストを用いて、パターニング、エッチングまたはリフトオフすることにより、第９図に示すような所定の位置（対向電極５の下部に相当する位置）に電気絶縁層６を形成する。
また、第３図で示したようなビアホール７を有する電気絶縁層６を形成する場合には、第１０図に示すように、電気絶縁層６を支持基板１上のほぼ全面に形成するとともに、所定位置（有機ＥＬ表示装置の非発光部分に相当する位置）にビアホール７を形成する。
次に、第１１図または第１２図（第１２図はビアホール７を設ける場合）に示すように、電気絶縁層６上に下部電極２を形成し、下部電極２と補助配線層６を接続する。
ここで、第１２図に示すビアホール７を設ける場合は、ビアホール７を介して下部電極２と補助配線層３を接続する。具体的には、第１３図（ｂ）に示すように、ビアホール７内に導電性部材を充填して導通部２ａを形成し、この導通部２ａを介して下部電極２と補助配線層６を電気的に接続する。
なお、この場合、第１の実施形態の第４図で示したように、ビアホール７に下部電極２そのものを充填して補助配線層６と接続してもよい。
その後、第１４図に示すように下部電極２上に有機発光媒体４を形成し、さらに対向電極５を下部電極２とＸＹマトリックスを構成するように形成する。
これによって、第１図（または第３図）に示したような、下部電極２と補助配線層３が発光部分８と重ならない非発光部分で電気接続された有機ＥＬ表示装置が完成する。
なお、補助配線層３および電気絶縁層６の形成方法として上記の方法を好適例として上げたが、特にこれに制限されるものではなく、他の製法を用いることもできる。
【００２９】
［第４の実施形態］
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。この実施形態は、上述した第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
具体的には、支持基板１上に、補助配線層３が電気接続された下部電極２と、有機発光媒体４と、対向電極５とを順次に設け、当該下部電極２および対向電極５をＸＹマトリックス状に配設した有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴としている。
（１）補助配線層３を、下部電極２と同一面に配線する工程
（２）有機ＥＬ表示装置の非発光部分において、補助配線層３を下部電極に対して電気接続する工程
（３）電気接続部を除く補助配線層３と下部電極の間に電気絶縁層６を設ける工程
このような各工程により、補助配線層３および下部電極２の電気接続部を発光部分８以外の部分に容易に設けることができる。
また、下部電極２と補助配線層３との間に電気絶縁層６を設けるようにしてあるので、補助配線層３を下部電極２と同一面に配線しても対向電極５との電気絶縁性を十分に確保することができる。
さらに、下部電極２と補助配線層３のそれぞれの膜厚に起因する段差を電気絶縁層６で埋めて平坦化することができ、補助配線層３の所要断面積を大きすることもできる。その結果、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥を低減することができる。
なお、本実施形態の各工程における製造方法は、上述した第３の実施形態における製造方法と同様である。
【００３０】
［第５の実施形態］
次に、第１５図を参照して、第５の実施形態を説明する。第１５図は、有機ＥＬ表示装置の第５の実施形態を模式的に示したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図である。
なお、第５の実施形態は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置で設けたビアホール７の開口形状を順テーパー状に製造するものであり、製造される有機ＥＬ表示装置の構成材料、構造は第１の実施形態と同様である。したがって、以下の説明では、第５の実施形態における特徴的な部分であるビアホール７の形状についてのものである。
【００３１】
１．基本的形態
第１５図（ａ）、（ｂ）に示すように、第５の実施形態は、電気絶縁層６におけるビアホール７の側面が、下部電極２に向かって広く、補助配線層３に向かって狭く傾斜する順テーパー状としてある。
このようにビアホール７を順テーパー状に構成すると、下部電極２が電気絶縁層６のエッジで断線することが少なくなる上に、ビアホール７の内部に対して、間口が広い部分から導電材料を容易に充填することができ、また、間口が広いため、補助配線層３と下部電極２との電気接続箇所における接触面積を大きくして、密着性を向上させることができ、表示領域の輝度分布を均一化することができる。
【００３２】
２．製造工程
第５の実施形態では、電気絶縁層６にビアホール７を形成する工程において、ビアホール７の側面を順テーパー状とする工程を有する。
このようにすると、例えば、蒸着法等を用いて、ビアホール内部に導電材料を容易に充填することができ、また、ビアホール内部に導電材料を充填した後に断線をより少なくすることができる。
順テーパー状のビアホール７の形成方法は、例えばパターン断面がオーバーハング形状となるレジストを形成した後、電気絶縁層６を成膜し、レジストを剥離（リフトオフ）することにより形成することができる。また、感光性レジストをビアホール形状のマスクで露光する際に、マスクと基板との距離を離して露光し、その後現像（必要に応じて焼成）することによっても形成できる。
なお、他の製造工程や、形成方法は、第３の実施形態と同様とすることができる。
【００３３】
［第６の実施形態］
さらに、第１６図を参照して、第６の実施形態を説明する。第１６図は、有機ＥＬ表示装置の第６の実施形態を模式的に示した平面図である。
この第６の実施形態は、第１または第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置における補助配線層３の配線パターンを変更したものであり、その他の構成材料、構造、形成方法等は第１〜第４の実施形態と同様である。したがって、以下の説明では、第６の実施形態における特徴的な部分である補助配線層３の配線パターンについてのものである。
【００３４】
第６の実施形態の補助配線層３は、配線パターンが有機ＥＬ表示装置の発光部８と重ならない非発光部分に配線され、各下部電極２に沿って形成された梯子形状をなす配線パターンとなっている。
第１６図に示すように、補助配線層３は、各下部電極２（第１６図では図示省略）の間に沿って平行に配線されるとともに、この平行配線部分が対向電極５（第１６図では図示省略）の間隙に沿って形成される配線パターンで連結され、各下部電極２ごとに対応した梯子形状となっている。
このように補助配線層３を梯子形状の配線パターンに形成することによって、発光部分と干渉することなく補助配線層３の所要断面積を広くすることができ、配線抵抗の減少効率をより向上させるとともに、抵抗率の調整範囲値も広く確保することができるので、表示領域の輝度の均一性をより向上させることができる。
【実施例】
【００３５】
［実施例１］
（１）有機ＥＬ表示装置の製造
ａ．補助電極の形成
実施例１の有機ＥＬ表示装置を製造するにあたっては、まず、厚さ１．１ｍｍ、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのガラス基板ＯＡ２（日本電気硝子（株）製）上に、補助電極材料であるアルミニウムを膜厚が２００ｎｍとなるように成膜した。
このガラス基板上に、ポジ型レジストＨＰＲ２０４（富士フィルムオーリン（株）製）をスピンコートし、フォトマスクを介して紫外線を露光した後、現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いて、露光部を現像した。
次いで、オーブンを用いて、１３０℃、１０分の条件でポストベーク処理した後、アルミニウムエッチャント（酢酸／リン酸／硝酸）を用いて、アルミニウム膜をエッチングした。
その後、剥離液Ｎ３０３（長瀬産業（株）製）を用いてポジ型レジストを除去し、第８図に示すパターンを有する補助配線層を形成した。
【００３６】
ｂ．電気絶縁層の形成
次いで、補助配線層を形成した基板上に、ネガ型レジストＩＣ２８Ｔ−３（富士フィルムオーリン（株）製）をスピンコートし、フォトマスクを介して紫外線を露光した後、現像液としてキシレンを用いて、未露光部を現像した。
その後、１６０℃、１０分の条件でポストベーク処理し、レジストパターンを得た。このレジストパターンの上からＳｉＯ2をスパッタリングして、膜厚２００ｎｍの電気絶縁層とした。その後、剥離液Ｎ３０３を用いてネガ型レジストを除去し、第９図に示すように、電気絶縁層のパターンをリフトオフ法によって補助配線層上に形成した。
【００３７】
ｃ．下部電極の形成
次いで、電気絶縁層を形成した基板上に、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）をスパッタリングして、電気絶縁層上に、膜厚１２０ｎｍのＩＺＯ膜を形成した。
このＩＺＯ膜上に、ポジ型レジストＨＰＲ２０４をスピンコートし、フォトマスクを介して紫外線を露光した後、ＴＭＡＨにより露光部を現像した。
次いで、オーブンを用いて、１３０℃、１０分の条件でポストベーク処理した後、ＩＺＯエッチャント（５％蓚酸水溶液）を用いて、ポジ型レジストから露出しているＩＺＯ膜をエッチングした。
その後、剥離液Ｎ３０３を用いてポジ型レジストを除去し、第１１図に示すパターンを有する下部電極を形成した。
【００３８】
ｄ．有機ＥＬ素子の形成
下部電極を形成した基板をイソプロピルアルコール洗浄し、さらに紫外線洗浄を行った。この時点で、下部電極表面を、ＸＰＳを用いて表面観察したところ、炭素含有量が１０ａｔｍ％未満の値であることを確認した。
次いで、下部電極を形成して洗浄した基板を、蒸着装置（日本真空技術（株）製）内の基板ホルダーに固定した。
そして、蒸着装置内のモリブテン製の加熱ボードに、以下の材料をそれぞれ充填した。
正孔注入材料：４，４'，４''−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、および
４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］
ビフェニル（ＮＰＤ）
有機発光材料：４，４'−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル
（ＤＰＶＢｉ）
電子注入材料：トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）
【００３９】
さらに対向電極（陰極）材料としての銀ワイヤーをタングステン製フィラメントに、同じくマグネシウムリボンをモリブテン製の加熱ボードに装着した。
その状態で、真空層の真空度を６６５Ｘ１０-7Ｐａ（１Ｘ１０-7Ｔｏｒｒ）まで減圧し、以下の蒸着速度および膜厚となるように、正孔注入層から陰極の形成まで、途中で真空状態を破らず、一回の真空引きで順次積層し、第１図および第１４図に示すような有機ＥＬ素子を形成し、実施例１の有機ＥＬ表示装置とした。
なお、対向電極の銀およびマグネシウムは、それぞれ同時蒸着し、合わせて膜厚が２００ｎｍとなるように成膜した。
ＭＴＤＡＴＡ：蒸着速度0.1-0.3nm/sec.，膜厚６０ｎｍ
ＮＰＤ      ：蒸着速度0.1-0.3nm/sec.，膜厚２０ｎｍ
ＤＰＶＢｉ  ：蒸着速度0.1-0.3nm/sec.，膜厚５０ｎｍ
Ａｌｑ      ：蒸着速度0.1-0.3nm/sec.，膜厚２０ｎｍ
Ａｇ        ：蒸着速度1.3-1.4nm/sec.，膜厚２００ｎｍ
（ＡｇとＭｇとの合計膜厚）
Ｍｇ        ：蒸着速度0.1nm/sec.
【００４０】
（２）有機ＥＬ表示装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置において、下部電極（陽極）と、対向電極である上部電極（陰極）との間に、ＤＣ１２Ｖの電圧を印加し、各電極の交差部分の画素を発光させた。
その状態で色彩色差計ＣＳ１００（ミノルタ（株）製）を用いて発光輝度を測定したところ、３００ｃｄ／ｍ2という値が得られた。また、ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１に準拠してＣＩＥ色度座標を測定したところ、ＣＩＥｘ＝０．１４，ＣＩＥｙ＝０．２０である青色の強い発光が得られることを確認した。
さらにまた、得られた有機ＥＬ表示装置において、クロストークはほとんど見られず、隣接するラインの発光や欠陥表示についても２４０本中、１本も観察されなかった。
【００４１】
［実施例２］
（１）有機ＥＬ表示装置の製造
実施例１と同一の条件で補助配線層を形成した基板を作製した。
次いで、ネガ型レジストＩＣ２８Ｔ−３（富士フィルムオーリン（株）製）をスピンコートし、フォトマスクを介して紫外線を露光した後、現像液としてキシレンを用いて、未露光部を現像した。その後、１６０℃、１０分の条件でポストベーク処理し、レジストパターンを得た。このレジストパターンの上からＳｉＯ2をスパッタリングして、膜厚２００ｎｍの電気絶縁層とした。
次いで、剥離液Ｎ３０３を用いてネガ型レジストを除去し、第１０図に示すように、電気絶縁層に囲まれたビアホールを補助配線層上に形成した。なお、ビアホールの外観をＳＥＭ（Scanning  Electron  Microscopy，電子顕微鏡）を用いて観察したところ、ビアホールの断面が矩形状であることを確認した。
以下、実施例１と同一の条件により（なお、下部電極の形成工程については第１２図、第１３図参照）、第３図に示す有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００４２】
（２）有機ＥＬ表示装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置において、下部電極（陽極）と、対向電極である上部電極（陰極）との間に、ＤＣ１２Ｖの電圧を印加し、各電極の交差部分の画素を発光させた。色彩色差計ＣＳ１００（ミノルタ（株）製）を用いて発光輝度を測定したところ、３００ｃｄ／ｍ2という値が得られた。また、ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１に準拠してＣＩＥ色度座標を測定したところ、ＣＩＥｘ＝０．１４，ＣＩＥｙ＝０．２０である青色の強い発光が得られることを確認した。
さらにまた、得られた有機ＥＬ表示装置において、クロストークはほとんど見られず、隣接するラインの発光や欠陥表示についても２４０本中、１本も観察されなかった。
【００４３】
［実施例３］
（１）有機ＥＬ表示装置の製造
実施例２における矩形状のビアホールの代わりに、順テーパー状のビアホール（第１５図参照）を形成したほかは、実施例１と同様に有機ＥＬ表示装置を製造した。すなわち、補助配線層を形成した基板上に、パターン断面がオーバーハング形状となるネガ型レジストＺＰＮ１１００（日本ゼオン（株）製）を用いたほかは、実施例２と同様に有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、ビアホールの外観を、ＳＥＭを用いて観察し、ビアホールの断面が順テーパー状であることを確認した。
【００４４】
（２）有機ＥＬ表示装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置において、下部電極（陽極）と、対向電極である上部電極（陰極）との間に、ＤＣ１２Ｖの電圧を印加し、各電極の交差部分の画素を発光させた。色彩色差計ＣＳ１００を用いて発光輝度を測定したところ、３００ｃｄ／ｍ2という値が得られた。なお、下部電極と、上部電極とをそれぞれ選択して発光させたが、全表示領域（画素数約６万（２４０本×２４０本））における輝度分布は、±１０ｃｄ／ｍ2の範囲内であり、均一に発光することを確認した。
また、ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１に準拠してＣＩＥ色度座標を測定したところ、ＣＩＥｘ＝０．１４，ＣＩＥｙ＝０．２０である青色の強い発光が得られることを確認した。
さらにまた、得られた有機ＥＬ表示装置において、クロストークはほとんどみられず、隣接するラインの発光や欠陥表示についても２４０本中、１本も観察されなかった。
【００４５】
［実施例４］
（１）有機ＥＬ表示装置の製造
実施例２における電気絶縁層であるＳｉＯ2の代わりに、アクリル系ネガ型レジストを使用したほかは、実施例２と同様に有機ＥＬ表示装置を製造した。
すなわち、補助配線層を形成した基板上に、アクリル系ネガ型レジストＶ２５９ＰＡ（新日鉄化学（株）製）をスピンコートし、フォトマスクと基板のギャップ（プロキシミティーギャップ５００μｍ）をとって紫外線を露光した後、現像液としてＴＭＡＨを用いて、未露光部を現像し、１８０℃、１０分の条件でポストベーク処理し、膜厚２００ｎｍの電気絶縁層とした。
【００４６】
（２）有機ＥＬ表示装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置において、下部電極（陽極）と、対向電極である上部電極（陰極）との間に、ＤＣ１２Ｖの電圧を印加し、各電極の交差部分の画素を発光させた。色彩色差計ＣＳ１００を用いて発光輝度を測定したところ、３００ｃｄ／ｍ2という値が得られた。なお、下部電極と、上部電極とをそれぞれ選択して発光させたが、全表示領域における輝度分布は、±１０ｃｄ／ｍ2の範囲内で均一に発光することを確認した。
また、ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１に準拠してＣＩＥ色度座標を測定したところ、ＣＩＥｘ＝０．１４，ＣＩＥｙ＝０．２０である青色の強い発光が得られることを確認した。
さらに、得られた有機ＥＬ表示装置において、クロストークはほとんどみられず、隣接するラインの発光や欠陥表示についても２４０本中、１本も観察されなかった。
【００４７】
［実施例５］
（１）有機ＥＬ表示装置の製造
実施例５の有機ＥＬ表示装置の製造にあたっては、実施例１と同様のガラス基板ＯＡ２（日本電気硝子（株）製）からなる支持基板上に、アルミニウムをスパッタリングにより膜厚２００ｎｍとなるように成膜後、さらにクロムをスパッタリングにより膜厚５０ｎｍとなるように積層した。
次に、この支持基板上に、ポジ型レジストＨＰＲ２０４（富士フィルムオーリン（株）製）をスピンコートし、フォトマスクを介して紫外線を露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を現像液として用いて露光部を現像し、１３０℃、１０分の条件でポストベーク処理した。
その後、硝酸セリウムアンモニウム／過塩素酸水溶液からなるクロムエッチャントＨＣＥ（長瀬産業（株）製）と、酢酸／リン酸／硝酸からなるアルミニウムエッチャントを用いて、露出している部分のクロムおよびアルミニウム膜をエッチングした後、剥離液Ｎ３０３（長瀬産業（株）製）を用いてポジ型レジストを除去し、第８図に示すパターン形状のクロム／アルミニウムパターンからなる補助配線層を形成した。
次いで、この補助配線層を形成した基板上に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）をスパッタリングにより１２０ｎｍの膜厚となるように成膜した後、さらにクロムをＩＴＯ上にスパッタリングにより積層した。
そして、この基板上に上述したのと同様のポジ型レジストをスピンコートし、補助配線層に対して、第１１図に示すような下部電極形状に対応する位置決めがなされたフォトマスクを介して紫外線を露光し、さらに、現像液としてＴＭＡＨを用いて現像し、１３０℃、１０分の条件でポストベーク処理した。
次に、上述と同様の硝酸セリウムアンモニウム／過塩素酸水溶液からなるクロムエッチャントと、４７％臭化水素水溶液からなるＩＴＯエッチャントを用いて、レジストから露出しているクロム／ＩＴＯ層をエッチングし、その後、上述と同様の剥離液を用いてポジ型レジストを除去した。
これによって、第１１図に示す下部電極に対応したクロム／ＩＴＯパターン層を形成した（なお、本実施例では、第１１図に示した電気絶縁層６は存在しない）。
次に、このクロム／ＩＴＯパターン層を形成した基板上に、アクリル系ネガ型レジストＶ２５９ＰＡ（新日鉄化学（株）製）をスピンコートし、支持基板側から背面露光（バックフラッシュ）した後、現像液にて未露光部分を現像し、１８０℃、１０分の条件でポストベーク処理し、これにより電気絶縁層を形成した。
その後、クロム／ＩＴＯパターン（下部電極に相当）上のクロムと、補助配線層上のクロムを、クロムエッチャントを用いて剥離し、ＩＴＯパターンからなる下部電極およびアルミニウムパターンからなる補助配線層を形成するとともに、この下部電極および補助配線層の間に電気絶縁層を充填形成した（第７図参照）。以下、実施例と同一の条件により、第７図に示す電気絶縁層を備えた有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００４８】
（２）有機ＥＬ表示装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置において、下部電極（陽極）と、対向電極である上部電極（陰極）との間に、ＤＣ１２Ｖの電圧を印加し、各電極の交差部分の画素を発光させた。色彩色差計ＣＳ１００を用いて発光輝度を測定したところ、３００ｃｄ／ｍ2という値が得られた。
また、ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１に準拠してＣＩＥ色度座標を測定したところ、ＣＩＥｘ＝０．１４，ＣＩＥｙ＝０．２０である青色の強い発光が得られることを確認した。
さらにまた、得られた有機ＥＬ表示装置において、クロストークはほとんど見られず、隣接するラインの発光や欠陥表示についても２４０本中、１本も観察されなかった。
【００４９】
［比較例１］
（１）有機ＥＬ表示装置の製造
比較例１の有機ＥＬ表示装置の構造は、実施例１において補助配線層と下部電極とを直接電気接合するとともに、当該電気接合箇所を、有機ＥＬ表示装置の発光部分の側部、すなわち、下部電極の端辺上に補助配線を積層して設け、当該電気接合箇所上を覆うように電気絶縁層を設けたほかは、実施例１と同様に有機ＥＬ表示装置を製造した（第１８図参照）。
【００５０】
（２）有機ＥＬ表示装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置において、下部電極と、対向電極との間に、ＤＣ１２Ｖの電圧を印加し、各電極の交差部分の画素を発光させた。色彩色差計ＣＳ１００を用いて発光輝度を測定したところ、２５０ｃｄ／ｍ2という、実施例１の発光輝度よりも低い値が得られた。
この原因としては、比較例１では、補助配線層と、下部電極とが一部重なっているため、外部に取り出せる発光量が減少したためと思われる。
なお、比較例１でも、ＣＩＥ色度座標については、ＣＩＥｘ＝０．１４，ＣＩＥｙ＝０．２０であり、青色の発光が得らることを確認した。
また、得られた有機ＥＬ表示装置において、クロストークが１０箇所以上発生し、これに起因して隣接するラインの発光や、断線による欠陥表示（非発光ライン）が２４０本の画素のうち、１５本に見られることが確認された。これは、下部電極と同一平面上に配線された補助電極が、下部電極の端辺に重なるように形成されているため、下部電極と補助電極との膜厚や、積層高さに起因する段差がより顕著となり、その結果、下部電極と対向電極との間での短絡や、対向電極の断線が生じたためと考えられる。
【００５１】
［比較例２］
（１）有機ＥＬ表示装置の製造
比較例２の有機ＥＬ表示装置の構造は、電気絶縁層を設けず、補助配線層と、下部電極とをすべて同一面内に形成して、直接電気接合したほかは、実施例１と同様に有機ＥＬ表示装置を製造した（第１７図参照）。
【００５２】
（２）有機ＥＬ表示装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置において、下部電極と、対向電極との間に、ＤＣ１２Ｖの電圧を印加し、各電極の交差部分の画素を発光させた。色彩色差計ＣＳ１００を用いて発光輝度を測定したところ、３００ｃｄ／ｍ2という値が得られた。また、ＣＩＥ色度座標については、ＣＩＥｘ＝０．１４，ＣＩＥｙ＝０．２０であり、青色発光であることを確認した。
また、得られた有機ＥＬ表示装置において、クロストークが１０箇所以上発生し、隣接するラインの発光や、断線による欠陥表示（非発光ライン）が２４０本中、１０本あることが確認された。
このクロストークの大量発生や欠陥表示の増加の原因としては、補助配線層と下部電極とが同一平面にあるため、これらの厚さ（膜厚）に起因した段差が大きくなり、またその段差を有する頻度が増えたので、対向電極と下部電極、あるいは対向電極と補助配線層との短絡または対向電極の断線が生じたためと考えられる。
【００５３】
【表２】
2010080453.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００５４】
以上、詳細に説明したように、本発明の有機ＥＬ表示装置（第１の発明）によれば、補助配線層と下部電極とが、少なくとも異なる面に配線された部分を有するとともに、補助配線層を、有機ＥＬ表示装置の非発光部分において電気接続することにより、発光輝度の値が大きくなり、補助配線層の膜厚が問題とならず、しかも補助配線層の所要断面積が大きく、発光輝度の均一性が高く、消費電力を小さくできるとともに、表示欠陥の少ない高品質の有機ＥＬ表示装置を提供することができるようになった。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置（第２の発明）によれば、補助配線層と、下部電極とを同一面に配線し、有機ＥＬ表示装置の非発光部分において補助配線層と、下部電極とを電気接続するとともに、補助配線層と下部電極との間であって、電気接続部を除いた箇所に電気絶縁層を設けることにより、補助配線層および下部電極の電気接続部が、発光部分と重なっていないため、下部電極側から外部に取り出す光量を多くすることができ、結果として、発光輝度の値が大きく、表示欠陥の少ない高品質の有機ＥＬ表示装置を提供することができるようになった。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法（第３の発明）によれば、補助配線層と下部電極とを部分的に異なる面に配線する工程と、補助配線層を、下部電極に対して、有機ＥＬ表示装置の非発光部分において電気接続する工程と、を含むことにより、補助配線層および下部電極の電気接続部を、発光部分以外に容易に設けることができるようになり、また、補助配線層と下部電極とを、それぞれ垂直方向に異なる面に配線しているため、容易に平坦化することができ、しかも、補助配線層の所要断面積を大きくした場合であっても、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥を低減できるようになった。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法（第４の発明）によれば、補助配線層と、下部電極とを同一面に配線する工程と、有機ＥＬ表示装置の非発光部分において、補助配線層を下部電極に対して電気接続する工程と、補助配線層と下部電極の間であって、電気接続部を除いた箇所に電気絶縁層を設ける工程と、を含むことにより、補助配線層および下部電極の電気接続部を、発光部分以外に容易に設けることができるようなった。また、このように実施することにより、下部電極と補助配線層の膜厚に起因する段差を電気絶縁層で埋めて平坦化することができるため、補助配線層の所要断面積を大きくした場合であっても、クロストークや非発光ラインの発生等の表示欠陥が低減できるようになった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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