(57)【要約】【課題】インピーダンス整合を行いつつ、直流抵抗値の上昇を抑制することが可能な配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１は、絶縁層２ａ〜２ｆと絶縁層２ａ〜２ｆに形成された貫通導体６ｂとを有する。貫通導体６ｂは、その側面に、テーパ状に形成された複数の突出部８を有する。複数の突出部８は、貫通導体６ｂを平面視したときに、離間して位置している。そして複数の突出部８は、貫通導体６ｂを平面視したときに、隣接する突出部８のうち一方と貫通導体６ｂの中心軸とを結ぶ線、および他方と中心軸とを結ぶ線のなす角度が９０度以上である。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と該絶縁層に形成された貫通導体とを有する配線基板において、前記貫通導体は、その側面に、テーパ状に形成された複数の突出部を有し、前記複数の突出部は、前記貫通導体を平面視したときに、離間して位置している配線基板。
【請求項２】
前記複数の突出部は、前記貫通導体を平面視したときに、隣接する前記突出部のうち一方と前記貫通導体の中心軸とを結ぶ線、および他方と前記中心軸とを結ぶ線のなす角度が９０度以上である請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の突出部は、形状および大きさが同じである請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記複数の突出部は、前記貫通導体よりも高い固有抵抗値を有する材料からなる請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁層の上下に第１接地導体層および第２接地導体層を有し、
前記複数の突出部は、前記絶縁層、前記第１接地導体層および前記第２接地導体層の積層方向において、前記第１接地導体層または前記第２接地導体層に近づくにつれて、その数が減少している請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁層の上下に第１接地導体層および第２接地導体層を有し、
前記複数の突出部は、前記絶縁層、前記第１接地導体層および前記第２接地導体層の積層方向において、前記第１接地導体層と前記第２接地導体層とから等しい距離に設けられている請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
複数の絶縁層からなる絶縁基板と、少なくとも１つの前記絶縁層を貫通しており、一端が前記絶縁基板の表面に位置する貫通導体と、前記絶縁基板の表面に設けられ、前記貫通導体の前記一端に接続される導体パッドとを有する配線基板であって、前記貫通導体は、その側面に、テーパ状に形成された複数の突出部を有し、前記複数の突出部は、前記貫通導体を平面視したときに、離間して位置している配線基板。
【請求項８】
導体ペーストが形成された貫通孔を有する第１セラミックグリーンシートを準備する準備工程と、
少なくとも１つの前記第１セラミックグリーンシートにおいて、前記貫通孔の周囲に、平面視して三角形状の導体ペーストを塗布し、第３セラミックグリーンシートを作製する作製工程と、
前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとを積層して、グリーンシート積層体を得る積層工程と、
前記グリーンシート積層体を焼成する焼成工程と
を有し、
前記作製工程において、前記三角形状の導体ペーストは、その底辺から頂点へ向かう方向が、前記貫通孔から放射状に外側に向かう方向に一致し、該放射状に外側に向かう方向に導体ペーストの厚みが薄くなっており、
前記積層工程において、前記三角形状の導体ペーストがずれるように、前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとを積層する配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の配線基板に電子部品が搭載されている電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高速伝送に対応した半導体素子が搭載される配線基板およびその製造方法、ならびにその配線基板を用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高速化および大容量化に対応して、半導体素子をはじめとする電子部品が搭載された多層配線基板に関する開発が活発に行なわれている。例えば、グリッド状にランドを持つＢＧＡ(Ball Grid Array)パッケージやＣＳＰ(Chip Scale Package)が採用されている。また更なる高速化に対応するために、半導体素子を実装する多層配線基板上に設けられた電極から貫通導体を介して多層配線基板内に形成された信号配線、その信号配線から貫通導体を介して多層配線基板を実装するために設けられた電極までの一連の信号伝送経路において、インピーダンス整合を取ることがますます重要となっている。
【０００３】
ここで、インピーダンス整合とは信号伝送路において、送り出し側の出力インピーダンスと受け側の入力インピーダンスを合わせること、つまり伝送線路内で信号が反射して損失を受けないようにすることである。
【０００４】
そこで、上記のような高速伝送パッケージにおいてインピーダンス整合を行う場合、配線基板内の金属層に設けたインピーダンス整合ホール等によりインダクタンスを調整する方法がある（例えば、特許文献１参照）。また、貫通導体の径を小さくして抵抗値を大きくする方法、および貫通導体長を長くして抵抗値を大きくする方法が取られている。
【特許文献１】特開２００５―１９７７２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、高速伝送を実現するためには、配線導体の直流抵抗値による伝送ロスも同時に小さくしなければいけない。すなわち、高速伝送に必要なインピーダンス整合をとること、および直流抵抗値の上昇を抑制することを両立させる必要がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するために案出されたものであり、その目的は、インピーダンス整合を行いつつ、直流抵抗値の上昇を抑制することが可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線基板は、絶縁層と該絶縁層に形成された貫通導体とを有する配線基板において、前記貫通導体は、その側面に、テーパ状に形成された複数の突出部を有し、前記複数の突出部は、前記貫通導体を平面視したときに、離間して位置している。
【０００８】
また、好ましくは、本発明の配線基板において、前記複数の突出部は、前記貫通導体を平面視したときに、隣接する前記突出部のうち一方と前記貫通導体の中心軸とを結ぶ線、および他方と前記中心軸とを結ぶ線のなす角度が９０度以上である
また、好ましくは、本発明の配線基板において、前記複数の突出部は、形状および大きさが同じである。
【０００９】
また、好ましくは、本発明の配線基板において、前記複数の突出部は、前記貫通導体よりも高い固有抵抗値を有する材料からなることを特徴とする。
【００１０】
また、好ましくは、本発明の配線基板において、前記絶縁層の上下に第１接地導体層および第２接地導体層を有し、前記複数の突出部は、前記絶縁層、前記第１接地導体層および前記第２接地導体層の積層方向において、前記第１接地導体層または前記第２接地導体層に近づくにつれて、その数が減少している。
【００１１】
また、好ましくは、本発明の配線基板において、前記絶縁層の上下に第１接地導体層および第２接地導体層を有し、前記複数の突出部は、前記絶縁層、前記第１接地導体層および前記第２接地導体層の積層方向において、前記第１接地導体層と前記第２接地導体層とから等しい距離に設けられている。
【００１２】
また、好ましくは、本発明の配線基板において、複数の絶縁層からなる絶縁基板と、少なくとも１つの前記絶縁層を貫通しており、一端が前記絶縁基板の表面に位置する貫通導体と、前記絶縁基板の表面に設けられ、前記貫通導体の前記一端に接続される導体パッドとを有する配線基板であって、前記貫通導体は、その側面に、テーパ状に形成された複数の突出部を有し、前記複数の突出部は、前記貫通導体を平面視したときに、離間して位置している。
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法は、導体ペーストが形成された貫通孔を有する第１セラミックグリーンシートを準備する準備工程と、少なくとも１つの前記第１セラミックグリーンシートにおいて、前記貫通孔の周囲に、平面視して三角形状の導体ペーストを塗布し、第３セラミックグリーンシートを作製する作製工程と、前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとを積層して、グリーンシート積層体を得る積層工程と、前記グリーンシート積層体を焼成する焼成工程とを有する。前記作製工程において、前記三角形状の導体ペーストは、その底辺から頂点へ向かう方向が、前記貫通孔から放射状に外側に向かう方向に一致し、該放射状に外側に向かう方向に導体ペーストの厚みが薄くなっており、前記積層工程において、前記三角形状の導体ペーストがずれるように、前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとを積層する。
【００１４】
また、本発明の電子装置は、上記本発明の配線基板に、半導体素子を含む電子部品が搭載されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の配線基板によれば、インピーダンス整合を行いつつ、直流抵抗値の上昇を抑制することが可能な配線基板を実現できる。
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法によれば、インピーダンス整合を行いつつ、直流抵抗値の上昇を抑制することが可能な配線基板を製造することができる。
【００１７】
また、本発明の電子装置によれば、電子部品に伝送される信号品質をより良好なものとすることが可能となり、電子部品の作動性に優れる電子装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施の形態について以下に詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１による配線基板の構成例を示す断面図である。図２は、図１における領域Ｐの拡大図である。図１に示すように、本実施の形態による配線基板１は、絶縁基板２と絶縁基板２に設けられた配線導体３とを有する。絶縁基板２は、複数の絶縁層２ａ〜２ｆからなる。配線導体３は、絶縁基板２の表面に設けられた電極パッド４ａ，４ｂ、絶縁層２ｂと絶縁層２ｃとの間に形成された内部配線５、電極パッド４ａと内部配線５とを接続する貫通導体６ａ、電極パッド４ｂと内部配線５とを接続する貫通導体６ｂ、絶縁層２ｃと絶縁層２ｄとの間に形成された導体部７ａ、および絶縁層２ｅと絶縁層２ｆとの間に形成された導体部７ｂを有する。貫通導体６ｂは、側面に、テーパ状に形成された複数の突出部８を有する。突出部８は、貫通導体６ｂの絶縁層２ｄ，２ｅを貫通する部分の側面に設けられている。
【００１９】
なお、絶縁層２ａ〜２ｆは、それぞれ複数の絶縁層に細分化可能である。すなわち、絶縁層２ａ〜２ｆは、それぞれより薄い複数の絶縁層からなる。よって、図２は、さらに細分化された絶縁層９ａ〜９ｅからなる領域を示している。
【００２０】
内部配線５は、信号配線として機能し、導体部７ａ，７ｂは、接地導体層として機能する。電極パッド４ａは、配線基板１に半導体素子を実装する際の電極パッドである。電極パッド４ｂは、配線基板１を外部回路基板に実装するために形成された電極パッドである。
【００２１】
複数の突出部８は、貫通導体６ｂを平面視したときに、離間して位置している。図３は、貫通導体６ｂの平面図である。このように、突出部８が互いに離間していると、図３の平面に垂直な方向、すなわち電流の流れる方向に容量が形成されることを抑制することができるため、インピーダンス整合を行うことがより容易になる。
【００２２】
また、図３に示すように、隣接する突出部８のうち一方の突出部８ａと貫通導体６ｂの中心軸Ｐとを結ぶ線、および他方の突出部８ｂと貫通導体６ｂの中心軸Ｐとを結ぶ線とのなす角度（以下、「隣接角度」ともいう。）が９０度であれば、突出部８間の容量の形成をより抑制することができる。
【００２３】
なお、平面視したときに、突出部８の数が少ない場合には、隣接角度を９０度以上にすることができる。その場合には、突出部８間の容量の形成をより抑制することが可能となる。
【００２４】
本実施の形態による配線基板１において、絶縁層２ａ〜絶縁層２ｆは、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス等の無機絶縁材料からなる。
【００２５】
電極パッド４ａ，４ｂ、内部配線５、貫通導体６ａ，６ｂ、および導体部７ａ，７ｂは、例えば、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ）または銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）等の金属粉末メタライズ、あるいは銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），金（Ａｕ）またはニオブ（Ｎｂ）やそれらの合金等で形成される。配線導体３は、厚膜法や薄膜法等の金属層形成手段によりセラミックス等からなる絶縁基板に所定パターンに形成される。
【００２６】
例えば、配線導体３を厚膜法で形成する場合、Cu粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、セラミックグリーンシートに所定のパターンで印刷塗布し、これらセラミックグリーンシートを積層して積層体とするともに焼成することによって形成することができる。
【００２７】
特に、絶縁基板２内に形成された貫通導体６ａ，６ｂは、セラミックグリーンシートに貫通孔を金型やパンチングによる打ち抜き方法、またはレーザ加工等の加工方法により形成しておき、Cu粉末等に適当な有機バインダ、溶剤、ガラス粉末、樹脂ビーズ、およびフィラー等を添加混合して得た金属ペーストを貫通孔の内側側面の所定の領域に塗布し、このようにして形成されたセラミックグリーンシートを所望の枚数積層し、焼成することによって形成することができる。
【００２８】
ここで、図４を用いて、突出部８を有する貫通導体６ｂの製造方法について説明する。なお、説明をわかりやすくするために、図２の領域Ｑに示す構成の製造方法を説明する。まず、（ａ）に示すように、セラミックグリーンシート（以下、単に「グリーンシート」ともいう。）１０に、レーザもしくは金型により、貫通孔１１を形成する。そして、（ｂ）に示すように、金属ペーストを貫通孔１１の内側側面の所定の領域に塗布することにより、貫通導体１２を形成する。
【００２９】
次に、（ｃ）に示すように、貫通導体１２を有するグリーンシートの表面に、貫通導体１２に接するように、焼成後に突出部８となる導体パターン１３を形成する。ここで、導体パターン１３は、導体ペーストが塗布される上面に設けられた開口（以下、「レジスト開口」という。）が三角形状である製版を用いて、スクリーン印刷法により形成する。ここで、製版の下面は、グリーンシートに対向し、導体ペーストは、レジスト開口を通ってグリーンシートに塗布される。この場合、三角形のレジスト開口の底辺が貫通導体１２の周囲に位置するように、製版を配置する。このとき、三角形の底辺付近を通ってグリーンシートに塗布される導体ペーストの量は、三角形の頂点付近を通ってグリーンシートに塗布される導体ペーストの量よりも多いことから、貫通導体１２に近い部分で導体ペーストの厚みを厚くすることができる。
【００３０】
ここで、積層したときに、導体パターン１３の位置がずれるように、グリーンシートに導体パターン１３を形成する。例えば、断面視したときに、貫通導体１２の内側に導体パターン１３を形成したグリーンシート１０Ａと、貫通導体１２の外側に導体パターン１３を形成したグリーンシート１０Ｂを形成する。
【００３１】
次に、（ｄ）に示すように、グリーンシート１０Ａ，グリーンシート１０Ｂ、および貫通導体１２のみが形成されたグリーンシート１０Ｃを積層して圧着し、グリーンシート積層体１４を形成する。このとき、導体パターン１３は、グリーンシート内に埋め込まれ、圧着の際に力が加わることにより、テーパ状の導体パターン１３となる。そして、最後に、このグリーンシート積層体１４を焼成すると、図２に示す突出部８を有する貫通導体構成を得ることができる。
【００３２】
なお、電極パッドを形成する際には、グリーンシート１０Ｃの表面に、貫通導体１３と接触するように、通常の四角形状のレジスト開口を有する製版を用いて導体ペーストを塗布し、グリーンシート積層体１４と一体的に焼成するとよい。
【００３３】
また、導体パターン１３が形成されたグリーンシートの間に導体パターン１３が形成されないグリーンシートを設けることにより、突出部８の間の距離を調整することができる。また、導体パターン１３が形成されないグリーンシートの厚みを適宜調整することにより、より容易にインピーダンス整合が可能となる。
【００３４】
また、貫通導体１２の貫通方向における突出部８の間隔が所定の長さ以上の場合には、突出部８を別の方法で製造することができる。図５は、突出部８の別の製造方法を説明するための図である。まず、（ａ）に示すように、ＰＥＴ等の支持体２１上に図４で説明した三角形のレジスト開口を有する製版を用いて導体パターン１３を形成する。そして、（ｂ）に示すように、支持体２１上に、導体パターン１３を覆うように、セラミックスラリー２２を塗布する。次に、導体パターン１３およびセラミックスラリー２２を乾燥させた後、図４（ａ），（ｂ）の工程と同様の工程により、貫通導体１２を有するセラミックグリーンシート（以下、「導体付きセラミックグリーンシート」という。）を得る。
【００３５】
そして、（ｃ）に示すように、支持体２１と導体付きセラミックグリーンシート２３の積層体から、支持体２１を剥離する。このようにして、複数の導体付きセラミックグリーンシート２３Ａ，２３Ｂを形成する。
【００３６】
最後に、（ｄ）に示すように、導体付きセラミックグリーンシート２３Ａ，２３Ｂの導体パターン１３同士を合わせるようにして、導体付きセラミックグリーンシート２３Ａ，２３Ｂの積層体２４を形成する。このような積層体２４を複数積層して焼成することにより、突出部８を有する貫通導体１２を形成することができる。
【００３７】
なお、図４，図５では、２つの貫通導体１３に同時に突出部８を形成する方法を示しているが、１つ若しくは３つ以上の貫通導体１３に突出部８を形成する際も同様の方法を用いることができる。
【００３８】
また、別の方法として、絶縁基板３内に、平面視して突出部を有する形の金型により貫通孔を形成し、金属ペーストを貫通孔の内側側面の所定の領域に塗布し、これにより形成された貫通導体を含むグリーンシートを複数枚積層、焼成することにより形成することができる。
【００３９】
以上のように、本実施の形態による配線基板によれば、貫通導体は、その側面に、テーパ状に形成された複数の突出部を有している。このとき、高周波信号は表皮効果により貫通導体の側面を伝送するため、貫通導体の側面に突出部が形成されていることにより、高周波信号の伝送距離が長くなって、高周波信号に対する抵抗値（高周波抵抗値）が大きくなる。また、突出部がテーパ状に形成されているために、先端部分に電流が集中して電流が流れにくくなることから、高周波抵抗値をより大きくすることができる。また、貫通導体の側面に突出部を設けるだけで、貫通導体の径や長さの調整をする必要がないため、直流抵抗値の増大を抑制できる。
【００４０】
また、各突出部の高周波抵抗値を合算した総高周波抵抗値を用いてインピーダンスを容易に計算することができるため、インピーダンス整合を容易に行うことができる。これは突出部の形状および大きさが同一であるときより顕著である。
【００４１】
また、複数の突出部は、貫通導体を平面視したときに、離間して位置していることから、電流の流れる方向に容量が形成されることを抑制することができるため、高周波抵抗値の低下を抑えることができ、突出部の数を少なくした場合でも、所望のインピーダンスを得ることができる。また、容量の形成を抑制することができると、インピーダンス整合をすることがより容易になる。これは、突出部の隣接角度が９０度以上であるとき、より顕著である。
【００４２】
また、複数の突出部の形状および大きさが同じである場合に、異なる突出部同士により電気容量が発生する場合においても、高周波抵抗の低下を算出しやすくなるため、個々の突出部の高周波抵抗値を合算した総高周波抵抗値を達成するための、必要な突出部の数が計算しやすくなり、より容易にインピーダンス整合をすることができる。
【００４３】
以上のように、本実施の形態による配線基板によれば、インピーダンス整合を行いつつ、直流抵抗値の上昇を抑制することが可能な配線基板を実現することができる。
【００４４】
なお、上述の説明において、突出部８は、断面積が先にいくに従って漸次小さくなっている、例えば円錐等の形状を有しているものとして説明したが、貫通導体６ｂの貫通方向に平行な面に延在する平板状の形状を有しており、貫通導体６ｂを平面視したときに、図２のような形状となっていてもよい。
【００４５】
（実施の形態２）
図６は、本発明の実施の形態２による配線基板の構成例を示す断面図である。図７は、図１における領域Ｒの拡大図である。なお、図１および図２と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。図６および図７に示すように、本実施の形態２による配線基板４１では、図１および図２に示した配線基板１よりも、導体部７ａ，７ｂの貫通孔の縁が、貫通導体６ｂにより近づいて形成されている。すなわち、導体部７ａ，７ｂにおいて、貫通導体６ｂを通す貫通孔の開口が実施の形態１による配線基板１よりも小さい。
【００４６】
この場合、導体部７ａ，７ｂと突出部８とで容量を形成しやすくなるため、突出部８は、絶縁基板２の厚み方向、すなわち絶縁層２ａ〜２ｆの積層方向において、導体部７ａ，７ｂから等しい距離に設ける。これにより、導体部７ａ，７ｂと突出部８との間の距離が一定の距離以上離れることから、導体部７ａ，７ｂと突出部８とで容量が形成されることを抑制する。また、同様の理由により、突出部８は、導体部７ａ，７ｂに近づくにつれて、その数が減少していることが好ましい。
【００４７】
本実施の形態による配線基板においても、実施の形態１による配線基板１と同様の効果が得られる。
【００４８】
上述の説明において、絶縁層２a〜絶縁層２ｆの無機絶縁材料は、例えばセラミックグリーンシート積層法や、押し出し成形法等の基板形成手段によって形成される。
【００４９】
これらの無機絶縁材料は以下のようにして作製される。無機絶縁材料が例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、まず、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化カルシウムまたは酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合して泥漿状となし、これをドクターブレード法、カレンダ法、リバースコータ法等でシート状と成すことによってセラミックグリーンシートを得る。そして、セラミックグリーンシートに各導体層と成る金属ペーストを所定のパターンに印刷塗布して、これらを上下に積層し、最後にこの積層体を還元雰囲気中で約１６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００５０】
また、絶縁層２a〜２ｆの無機絶縁材料は、ポリイミド，エポキシ樹脂，フッ素樹脂，ポリノルボルネンまたはベンゾシクロブテン等の有機絶縁材料、あるいはセラミック粉末等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で結合して成る複合絶縁材料等の電気的な絶縁材料から成っていてもよい。
【００５１】
例えば、複合絶縁材料からなる場合、まず酸化アルミニウム質焼結体から成るセラミックスを混合した熱硬化性のエポキシ樹脂、あるいはガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させて成るガラスエポキシ樹脂等から成る絶縁層の上面に、有機樹脂前駆体をスピンコート法もしくはカーテンコート法等により被着させ、これを熱硬化処理することによって絶縁層を形成する。この絶縁層と、銅層を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術およびフォトリソグラフィ技術を採用することによって形成して成る薄膜配線導体層とを交互に積層し、約１７０℃程度の温度で加熱硬化することによって製作される。これらの積層された無機絶縁材料の厚みは、使用する材料の特性に応じて、要求される仕様に対応する機械的強度や電気的特性等の条件を満たすように設定される。
【００５２】
また、上述の配線基板１，４１において、貫通導体６ｂに用いられる貫通導体用導体ペーストおよび突出部８に用いられる突出部用導体ペーストが、導体粒子と、絶縁粒子を含むとき、突出部用導体ペーストの絶縁粒子の比率を、貫通導体用ペーストに比較して、高くするとよい。このようにすると、突出部８の高周波抵抗値を高くすることができ、より少ない数の突出部８を形成した場合でも、個々の突出部８の高周波抵抗値を合算した総高周波抵抗値をより高くすることができる。
【００５３】
また、上述の配線基板１，４１において、絶縁層２ａの表面には、高速で動作するＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子や半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子が搭載される。図８は、配線基板４１に半導体素子５１を搭載して構成された電子装置の構成例を示す断面図である。この半導体素子５１は、表面に信号用や電源用、接地用の端子が形成され、各端子が絶縁層２の表面に形成された電極パッド４ａに、錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）合金や錫-銀-銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃu）等の半田または金（Ａｕ）等から成る接続導体５２を介して電気的に接続されて実装される。
【００５４】
電極パッド４ａは、絶縁層２の内部に形成されている内部配線５と、絶縁層２の表面から内部にかけて形成された貫通導体６ａ，６ｂとを介してそれぞれ所望の回路に電気的に接続され、半導体素子５１の各端子が、対応する回路配線と電気的に接続される。
【００５５】
配線基板４１において、信号波形を伝送する絶縁層２内に形成された信号配線は、各信号配線の配線幅および絶縁層２内に形成された絶縁層厚みを設定することにより、信号配線の特性インピーダンスを任意の値に設定することができる。そのため、例えば複数の信号配線により、良好な伝送特性を有する信号配線を形成することが可能となる。各信号配線の特性インピーダンスは一般的には５０Ωに設定される。なお、複数の信号配線は、それぞれ異なる電気信号を伝送するものとしてもよい。
【００５６】
半導体素子５１にて処理された信号は、貫通導体６ａを通り、信号配線５にて伝送され、再度貫通導体６ｂを通って、多層配線基板が実装される基板上に形成された外部電気回路に伝送される。
【００５７】
また、上述の配線基板１，４１に搭載される電子部品は、半導体素子５１のみに限らず、チップ抵抗，薄膜抵抗，コイルインダクタ，クロスインダクタ，チップキャパシターまたは電解キャパシター等を用いた、電子回路モジュール等を構成したものでもよい。
【００５８】
また、配線基板１の平面視における形状は、正方形状や長方形状の他に、菱形状，六角形状または八角形状、円形状等の形状であってもよい。
【００５９】
なお、上述の説明では、通常、インピーダンスが低下する傾向にある電極パッド４ｂと内部配線５とを接続する貫通導体６ｂに突出部８を形成したが、電極パッド４ａと内部配線５とを接続する貫通導体６ａに突出部８を設けることも可能である。
【００６０】
そして、このような配線基板１は、半導体素子収納用パッケージ等の電子部品収納用パッケージや電子部品搭載用基板、多数の半導体素子５１が搭載されるいわゆるマルチチップモジュールやマルチチップパッケージ、あるいはマザーボード等として使用される。
【００６１】
なお、本発明は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施の形態１による配線基板の構成例を示す断面図である。
【図２】図１における領域Ｐの拡大図である。
【図３】貫通導体の平面図である。
【図４】突出部を有する貫通導体の製造方法を説明するための図である。
【図５】突出部を有する貫通導体の別の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施の形態２による配線基板の構成例を示す断面図である。
【図７】図１における領域Ｒの拡大図である。
【図８】実施の形態２による配線基板を有する電子装置の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１，４１：多層配線基板
２      ：絶縁基板
２a〜２e ：絶縁層
６ａ，６ｂ：貫通導体
８        ：突出部
【図１】
2010080821.tif 000003
【図２】
2010080821.tif 000004
【図３】
2010080821.tif 000005
【図４】
2010080821.tif 000006
【図５】
2010080821.tif 000007
【図６】
2010080821.tif 000008
【図７】
2010080821.tif 000009
【図８】
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