(57)【要約】【課題】液晶素子を備える光ディスク装置であって、シーク動作に要する時間を短縮できる光ディスク装置を提供する。【解決手段】光ディスク装置１においては、移動手段１３によって光ピックアップ１２の位置が移動される場合に、液晶素子１２４の駆動電圧が変更されることがある。光ピックアップ装置１には、液晶素子１２４の駆動電圧が変更される場合に、一旦、駆動電圧を目標の駆動電圧に変更するために必要な変化量より大きな変化量で変化させたオーバードライブ電圧とし、所定時間の経過後に目標の駆動電圧とする電圧制御機能を備える液晶素子制御手段２６が設けられる。【選択図】図１
2010003340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに光を照射して光ディスクからの戻り光を受光し、信号を出力する光ピックアップと、
前記光ピックアップの光学系中に配置され、波面収差の補正を行う液晶素子と、
前記光ピックアップを前記光ディスクの半径方向に移動する移動手段と、
を備える光ディスク装置であって、
前記移動手段によって前記光ピックアップの位置が移動される場合に、前記液晶素子の駆動電圧が変更されることがあり、
前記液晶素子の駆動電圧が変更される場合に、一旦、前記駆動電圧を目標の駆動電圧に変更するために必要な変化量より大きな変化量で変化させたオーバードライブ電圧とし、所定時間の経過後に前記目標の駆動電圧とする電圧制御機能を備える液晶素子制御手段を設けたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記移動手段による前記光ピックアップの移動と、前記液晶素子制御手段による前記液晶素子の駆動電圧を変更する制御動作とが、並行して行われることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記液晶素子制御手段は、前記液晶素子の駆動電圧が変更される場合に、前記移動手段による前記光ピックアップの移動量に基づいて前記オーバードライブ電圧を使用するか否かを判断するように設けられ、
前記オーバードライブ電圧を使用しない場合には、前記オーバードライブ電圧とすることなく前記目標の駆動電圧とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
光ピックアップの光学系中に波面収差の補正を行う液晶素子が配置される光ディスク装置のシーク制御方法であって、
シーク動作として前記光ピックアップを移動することによって前記液晶素子の駆動電圧を変更する必要がある場合に、
一旦、前記駆動電圧を目標の駆動電圧に変更するために必要な変化量より大きな変化量で変化させたオーバードライブ電圧とし、所定時間の経過後に前記目標の駆動電圧とする制御動作が行われることを特徴とする光ディスク装置のシーク制御方法。
【請求項５】
前記光ピックアップの移動は、前記液晶素子の前記駆動電圧の制御動作と並行して行われることを特徴とする請求項４に記載の光ディスク装置のシーク制御方法。
【請求項６】
前記液晶素子の駆動電圧を変更する必要がある場合に、前記オーバードライブ電圧とする前に、前記移動手段による前記光ピックアップの移動量に基づいて前記オーバードライブ電圧を使用するか否かを判断するステップを有し、
前記オーバードライブ電圧を使用しないと判断された場合には、前記オーバードライブ電圧とすることなく前記目標の駆動電圧に変更することを特徴とする請求項４又は５に記載の光ディスク装置のシーク制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに記録された情報の再生を行ったり、光ディスクへの情報の記録を行ったりするために使用される光ディスク装置に関し、詳細には、その光学系に液晶素子を有する光ディスク装置のシーク制御技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクに記録された情報の再生を行ったり、光ディスクへの情報の記録を行ったりするために使用される光ディスク装置には、光ピックアップが備えられる。光ピックアップには、光源から出射される光を光ディスクへと導くと共に、光ディスクで反射された戻り光を受光素子へと導く光学系が備えられる。
【０００３】
ところで、光ピックアップの使用時において、例えば光ディスクの反りや光ピックアップの光学系に備えられる対物レンズの設置誤差等が存在すると、波面収差（主にコマ収差）が発生することが知られている。また、光ピックアップの使用時において、情報記録面を保護する透明カバー層の厚みの違いによっても波面収差（主に球面収差）が発生することが知られている。
【０００４】
光ピックアップの使用時に、このような波面収差が発生すると、光ディスク装置の再生や記録の品質が劣化する。このため、従来、このような波面収差の影響を低減するための様々な技術が開示されている。この中に、光ピックアップの光学系中に液晶素子を配置し、通過する光に位相差を与えて波面収差をキャンセル手法がある（例えば、特許文献１参照）。液晶素子を用いて波面収差を補正する方法は、例えばレンズを機械的に移動して波面収差の補正を行う構成に比べて装置を小型化できる等の利点があり、広く採用されている。
【特許文献１】特開平１０−２０２６３号公報
【特許文献２】特開２００７−８０４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液晶素子を用いて波面収差の補正を行う方式の場合には、液晶素子の設定を変更してから安定するまでに長い時間（例えば数百ｍｓ）を要するために、例えば次のような問題を有する。
【０００６】
図７は、液晶素子を有する従来の光ディスク装置におけるシーク動作時の動作フローを示すフローチャートである。ここでは、液晶素子が光ディスクの反りやレンズの貼り付け誤差等によって生じる波面収差（コマ収差）の補正を行うものである場合を例に説明する。この例においては、液晶素子は光ピックアップがアクセスする位置（光ディスクの半径方向の位置）に応じて設定条件が適宜変更される。
【０００７】
図７を参照して、シーク命令が出されると、目標位置において適切に波面収差の補正を行えるように、液晶素子の設定が変更される（ステップＳ１０１）。液晶素子の設定が変更されると、液晶素子が設定条件に見合った効果を発揮できるようになる（すなわち、液晶素子が安定する）まで待つ（ステップＳ１０２）。その後、液晶素子が安定すると光スポットの位置が目標位置（目標アドレス）に形成されるように、光ピックアップの移動が開始される（ステップＳ１０３）。そして、目標位置に光ピックアップの位置が移動されて（ステップＳ１０４）、シーク動作が終了する。
【０００８】
このような従来のシーク動作の制御方法では、シーク動作に要する時間は、概ね光ピックアップが目的位置に移動するまでの時間と液晶素子が安定するまでの時間との合計となる。そして、上述のように液晶素子が安定するまでの時間は例えば数百ｍｓと長いために、シーク動作に要する時間が長くなりすぎるといった問題があった。
【０００９】
この点、特許文献２においては、収差補正手段（液晶素子の場合もあるとされる）の制御動作と、光ピックアップを光ディスク半径方向に移動する送り手段の制御動作とを並行させる光ディスク装置について提案している。このため、この特許文献２の技術を参考に、上述のステップＳ１０１とステップＳ１０３を同時に開始することが考えられる。そうすれば、シーク動作に要する時間が短縮される。
【００１０】
しかしながら、例えば光ピックアップの移動距離が短い場合には、光ピックアップが目的位置に移動されるまでの時間が短く、結局は液晶素子が安定するまで待つ必要がある。このため、特許文献２の技術を使っても、シーク動作に要する時間が十分短くなるとは言えず、更にシーク動作に要する時間を短縮することが望まれた。
【００１１】
以上の点を鑑みて、本発明の目的は、液晶素子を備える光ディスク装置であって、シーク動作に要する時間を短縮できる光ディスク装置を提供することである。また、本発明の他の目的は、液晶素子を備える光ディスク装置において、シーク動作に要する時間を短縮できるシーク制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明は、光ディスクに光を照射して光ディスクからの戻り光を受光し、信号を出力する光ピックアップと、前記光ピックアップの光学系中に配置され、波面収差の補正を行う液晶素子と、前記光ピックアップを前記光ディスクの半径方向に移動する移動手段と、を備える光ディスク装置であって、前記移動手段によって前記光ピックアップの位置が移動される場合に、前記液晶素子の駆動電圧が変更されることがあり、前記液晶素子の駆動電圧が変更される場合に、一旦、前記駆動電圧を目標の駆動電圧に変更するために必要な変化量より大きな変化量で変化させたオーバードライブ電圧とし、所定時間の経過後に前記目標の駆動電圧とする電圧制御機能を備える液晶素子制御手段を設けたことを特徴としている。
【００１３】
この構成によれば、液晶素子制御手段は、液晶素子の駆動電圧の変更を行う際に、駆動電圧を一旦オーバードライブ電圧とし、その後、目標の駆動電圧とする電圧制御を行うことがある。そして、このような電圧制御を行う場合、直ちに目標の駆動電圧にする場合に比べて、液晶の屈折率が狙いの屈折率となるまでの時間を速くでき、液晶素子が安定するまでに要する時間を短縮できる。このために、液晶素子の設定（駆動電圧）変更を伴うシーク動作に要する時間を短縮することが可能となる。
【００１４】
上記構成の光ディスク装置において、前記移動手段による前記光ピックアップの移動と、前記液晶素子制御手段による前記液晶素子の駆動電圧を変更する制御動作とが、並行して行われるようにしても良い。この構成によれば、いずれか一方の動作が終了してから他方の動作を行う場合に比べて、液晶素子の設定（駆動電圧）変更を伴うシーク動作に要する時間を短縮することが可能となる。
【００１５】
また、上記構成の光ディスク装置において、前記液晶素子制御手段は、前記液晶素子の駆動電圧が変更される場合に、前記移動手段による前記光ピックアップの移動量に基づいて前記オーバードライブ電圧を使用するか否かを判断するように設けられ、前記オーバードライブ電圧を使用しない場合には、前記オーバードライブ電圧とすることなく前記目標の駆動電圧とするようにしても良い。
【００１６】
シーク動作時の光ピックアップの移動量が大きい場合には、液晶素子の駆動電圧をオーバードライブ電圧とすることなく、直ちに目標の駆動電圧に変更した場合の液晶素子の安定時間よりも、光ピックアップの移動時間の方が長くなる場合がある。このような場合には、わざわざオーバードライブ電圧を使用して液晶素子の安定時間を短縮する必要がなく、本構成のような光ディスク装置とすることも可能である。そして、本構成の場合には、必要以上にオーバードライブ電圧を使用しないので、消費電力の低減が可能となる。
【００１７】
また、上記目的を達成するために本発明は、光ピックアップの光学系中に波面収差の補正を行う液晶素子が配置される光ディスク装置のシーク制御方法であって、シーク動作として前記光ピックアップを移動することによって前記液晶素子の駆動電圧を変更する必要がある場合に、一旦、前記駆動電圧を目標の駆動電圧に変更するために必要な変化量より大きな変化量で変化させたオーバードライブ電圧とし、所定時間の経過後に前記目標の駆動電圧とする制御動作が行われることを特徴としている。
【００１８】
本構成によれば、液晶素子の駆動電圧を変更するにあたって直ちに目標の駆動電圧にする場合に比べて、液晶の屈折率が狙いの屈折率となるまでの時間を速くでき、液晶素子が安定するまでに要する時間を短縮できる。このために、液晶素子の設定（駆動電圧）変更を伴うシーク動作に要する時間を短縮することが可能となる。
【００１９】
上記構成の光ディスク装置のシーク制御方法において、  前記光ピックアップの移動は、前記液晶素子の前記駆動電圧の制御動作と並行して行われることとしても良い。この構成によれば、いずれか一方の動作が終了してから他方の動作を行う場合に比べて、液晶素子の設定（駆動電圧）変更を伴うシーク動作に要する時間を短縮することが可能となる。
【００２０】
また、上記構成の光ディスク装置のシーク制御方法において、前記液晶素子の駆動電圧を変更する必要がある場合に、前記オーバードライブ電圧とする前に、前記移動手段による前記光ピックアップの移動量に基づいて前記オーバードライブ電圧を使用するか否かを判断するステップを有し、前記オーバードライブ電圧を使用しないと判断された場合には、前記オーバードライブ電圧とすることなく前記目標の駆動電圧に変更することとしても良い。この構成によれば、不必要にオーバードライブ電圧を使用しないので、シーク動作に伴う消費電力を低減することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、液晶素子を備える光ディスク装置であって、シーク動作に要する時間を短縮できる光ディスク装置を提供できる。また、本発明によれば、液晶素子を備える光ディスク装置において、シーク動作に要する時間を短縮できるシーク制御方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の光ディスク装置及び光ディスク装置のシーク制御方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本実施形態の光ディスク装置の構成を示すブロック図である。本実施形態の光ディスク装置１は、光ディスク４０に記録される情報の再生と、光ディスク４０への情報の記録と、を行うために使用される装置である。なお、本発明は、光ディスク４０に記録される情報の再生のみを行う装置や、光ディスク４０への情報の記録のみを行う装置にも適用できるが、ここでは、光ディスクの再生及び記録を行える装置を一例として説明する。
【００２４】
スピンドルモータ１１は、光ディスク４０を連続回転するためのモータである。スピンドルモータ１１の出力軸には、光ディスク４０を着脱自在に保持するチャック部（図示せず）が取り付けられている。このため、チャック部に光ディスク４０が保持された状態でスピンドルモータ１１を駆動すると、光ディスク４０が連続回転することになる。スピンドルモータ１１は、スピンドルモータ制御部２１によって、その駆動を制御される。
【００２５】
光ピックアップ１２は、光ディスク４０に光を照射して、光ディスク４０で反射された戻り光を受光し、光情報を電気信号に変換して出力する。光ピックアップ１２の光学系には、光ディスク４０に光を照射するための光源（例えば半導体レーザ）１２１と、光源１２１から出射された光を光ディスク４０の情報記録面４０ａに集光するための対物レンズ１２２と、光ディスク４０からの戻り光を受光して、光電変換する受光素子１２３と、が備えられる。
【００２６】
光ピックアップ１２に備えられる対物レンズ１２２は、対物レンズアクチュエータ１２５に搭載されて、光ディスク４０の回転軸と平行なフォーカス方向（図１の上下方向）と光ディスク４０の半径方向（図１の左右方向）と平行なトラック方向とに移動可能となっている。なお、対物レンズアクチュエータ１２５の構成は、コイルに流れる電流と、永久磁石によって作られる磁界と、の電磁気的な作用を用いて対物レンズ１２２を保持するホルダを移動させて対物レンズ１２５を動かす周知の構成であるために、ここではその説明を省略する。
【００２７】
また、光ピックアップ１２の光学系には、コマ収差（波面収差）の補正を行えるように、光源１２１と対物レンズ１２２の間の光路中に液晶素子１２４が配置されている。なお、本実施形態においては、液晶素子１２４は対物レンズ１２２と共に対物レンズアクチュエータ１２５に搭載され、対物レンズ１２２と共に移動するように設けられている。
【００２８】
図２は、本実施形態の光ディスク装置１が備える液晶素子１２４の構成を説明するための図で、図２（ａ）は液晶素子１２４の概略断面図、図２（ｂ）は液晶素子１２４が備える一方の透明電極５２の構成を示す概略平面図である。図２（ａ）に示すように、液晶素子１２４は、液晶５１と、液晶５１を挟む２つの透明電極５２、５３と、それぞれ２つの透明電極５２、５３のうちのいずれか一方を保持する２つのガラス基板５４、５５と、を備える。
【００２９】
液晶５１は、２つの透明電極５２、５２によって電圧を印加されると液晶分子の配向方向が変化し、屈折率が変化する。印加電圧の大きさによって、液晶分子の配向方向の変化量が異なり、屈折率も変化する。このために、２つの透明電極５２、５３の間に与える電圧を調整することで、液晶素子１２４を通過する光に対して与える位相シフト（位相差）を調整できる。
【００３０】
透明電極５２は、図２（ｂ）に示すように、５つの分割電極５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅから成る。この５つの分割電極５２ａ〜５２ｅは、各々独立に電位を与えられるようになっている。一方、透明電極５３は、分割されることなく、１つの共通電極となっている。このため、各分割電極５２ａ〜５２ｅと、透明電極５３との間に挟まれる液晶５１には、それぞれ異なる駆動電圧を印加することができ、各分割電極５２ａ〜５２ｅを通過する光には、それぞれ異なる位相シフト（位相差）を与えることが可能となる。そして、これにより液晶素子１２４は、光ディスク４０の反りや対物レンズ１２２の貼り付け誤差等によって生じるコマ収差の補正を可能としている。
【００３１】
図３は、光ディスク４０の半径方向に発生するコマ収差分布の一例を示す模式図である。図３に示すように、コマ収差分布は光スポットの中心に対して点対称となる。このために、図３に点線で示すようなコマ収差分布とは反対方向の位相差を液晶素子１２４によって与えてやれば、コマ収差を打ち消す（コマ収差の補正を行う）ことができる。図３（ｂ）に示す液晶素子１２４の透明電極５２の分割パターンは、この点を考慮して形成されるものである。
【００３２】
分割電極５２ｂと分割電極５２ｃ、及び、分割電極５２ｄと分割電極５２ｅの形状は、線対称に形成される。そして、分割電極５２ｂと分割電極５２ｃには、絶対値がほぼ同一で向きが異なる位相差が発生される。また、分割電極５２ｄと分割電極５２ｅも、絶対値がほぼ同一で向きが異なる位相差が発生される。なお、各分割電極５２ａ〜５２ｅを通過する光に発生させる位相差量については、光ディスク装置１の製造時に行った調整実験等によって決定された量である。
【００３３】
なお、本実施形態においては、図４に示すように、光ディスク４０の半径方向の位置について３つの領域に分類し、第１〜第３の３つ領域で、各々異なる設定条件（駆動電圧；これにより発生する位相差量が決まる）で液晶素子１２４を駆動することとしている。そして、各領域（第１〜第３領域）の液晶素子１２４の設定条件について、テーブルとしてメモリ３１に予め記憶させる構成としている。
【００３４】
本実施形態では、液晶素子１２４の設定が異なる領域を第１〜第３領域の３つの領域としているが、この数は、当然変更して構わない。また、本実施形態では、液晶素子１２４の設定条件を予めテーブルとして記憶させる構成としている。しかし、この構成に限定されず、例えば、チルトセンサ等を利用して、光ディスク４０を光ディスク装置１に挿入した時点で液晶素子の設定条件をその都度求め、求められた設定条件を用いて液晶素子の駆動を行う構成等としても、勿論構わない。
【００３５】
図１に戻って、光ピックアップ移動機構（ＯＰＵ移動機構）１３は、光ピックアップ１２を光ディスク４０の半径方向（図１の左右方向）に移動する手段である。光ピックアップ移動機構１３は、例えばステッピングモータと、ステッピングモータによって回転されるギヤ列と、光ピックアップ１２の例えばベース部分に取り付けられるラックと、から成る構成とできる。光ピックアップ移動機構１３の駆動の制御は、ＯＰＵ移動機構制御部２３によって行われる。
【００３６】
レーザ制御部２２は、光ピックアップ１２の光源（半導体レーザ）１２１から出射されるレーザ光のレーザパワーの制御を行う。また、記録処理部２９によって形成されたパルス波形に従って半導体レーザから成る光源１２１を発振する。なお、記録処理部２９は、例えば、外部から光ディスク４０に記録する記録データを受け取り、誤り訂正符号（ＥＣＣ；error correcting code）の付加及び符号化処理を行う。また、所定のライトストラテジ（例えば、メモリ３１に記憶される）にしたがって、記録用のパルスを生成する。
【００３７】
ＲＦアンプ２４は、受光素子１２３から出力される電気信号を受け取って、再生ＲＦ信号、フォーカスエラー信号（ＦＥ信号）、トラッキングエラー信号（ＴＥ信号）等の生成を行う。生成された再生ＲＦ信号は、再生処理部２８にて、波形等化処理、データの復調処理、及びエラー訂正処理等を行われ、再生データとして出力される。
【００３８】
サーボ制御部２５は、ＦＥ信号やＴＥ信号に基づいて、フォーカシング駆動信号やトラッキング駆動信号の生成等を行う。生成されたフォーカシング駆動信号やトラッキング駆動信号はアクチュエータ制御部２７に送られる。また、サーボ制御部２５は、ＯＰＵ移動機構制御部２３にも制御信号を供給する。
【００３９】
液晶素子制御部２６は、液晶素子１２４を駆動する駆動電圧の制御を行う。液晶素子制御部２６による液晶素子１２４の設定条件（駆動電圧）に関する制御動作の詳細については、後述する。
【００４０】
アクチュエータ制御部２７は、サーボ制御部２５から出力されるフォーカシング駆動信号及びトラッキング駆動信号に基づいて、対物レンズアクチュエータ１２５を駆動する。これにより、対物レンズアクチュエータ１２５を使用したフォーカシング制御及びトラッキング制御が実行される。
【００４１】
システムコントローラ３０は、マイクロコンピュータを備えて光ディスク装置１を構成する各部が実行すべき所要の動作に応じて適宜制御処理を実行する。なお、システムコントローラ３０には、メモリ３１が備えられている。メモリ３１には、例えば、システムコントローラ３０が各種処理を行う上で必要となる各種のパラメータや動作プログラム等が記憶される。
【００４２】
次に、液晶素子制御部２６による液晶素子１２４の設定条件（駆動電圧）に関する制御動作の詳細について説明する。本実施形態の光ディスク装置１においては、情報の再生や記録を行う場合に、液晶素子１２４は常に一定の設定条件で駆動されるわけではない。上述のように、液晶素子１２４の設定条件は、光ピックアップ１２が光ピックアップ移動機構１３によって光ディスク４０の半径方向に移動された場合に、設定条件が変更される場合がある。すなわち、光ピックアップ１２が光ピックアップ移動機構１３によって移動されて、現在のアドレスから目的のアドレスへと移動するシーク動作時に、液晶素子制御部２６は液晶素子１２４の設定を変更する制御動作を行う場合がある。以下、この制御動作について、図５を参照しながら説明する。
【００４３】
なお、図５は、本実施形態の光ディスク装置１が備える液晶素子制御部２６の制御動作を説明するための図で、図５（ａ）は液晶素子制御部２６によって実行される第１の制御動作を説明するための図、図５（ｂ）は液晶素子制御部２６によって実行される第２の制御動作を説明するための図である。
【００４４】
まず、図５（ａ）を参照しながら、液晶素子制御部２６によって実行される第１の制御動作について説明する。第１の制御動作は、シーク動作の際に液晶素子１２４の設定条件を変更する必要がある場合に、シーク動作の開始と同時に液晶素子１２４の駆動電圧を予め目標アドレス位置の条件としてメモリ３１に記憶されている駆動電圧に単純に変更する動作を指す。すなわち、第１の制御動作では、シーク動作が開始されると、液晶素子制御部２６は液晶素子１２４の駆動電圧を現在設定から目標の設定へと直ちに変更する。
【００４５】
液晶５１（図２参照）は、透明電極５２、５３（図２参照）に印加される電圧が変更されても直ちに狙いの屈折率となるわけではなく、図５（ａ）に示すようにタイムラグをもって狙いの屈折率となる。本明細書では、駆動電圧を変更してから狙いの屈折率で安定するまでの時間を液晶素子の安定時間と表現しており、液晶素子１２４は、駆動電圧が変更された場合に、或る安定時間が必要となる。
【００４６】
なお、本実施形態の液晶素子１２４は、透明電極５２を５つの分割電極５２ａ〜５２ｅとしており、各分割電極５２ａ〜５２ｅと透明電極５３とに間に発生させる駆動電圧は各々異なる。このために、正確には、各々の部分で液晶５１の屈折率が安定するまでの時間が異なることになるが、本実施形態では、このうちの最も長い時間を液晶素子１２４の安定時間としている。
【００４７】
第１の制御動作においては、シーク動作に要する時間は以下のように決まることになる。光ピックアップ１２が現在のアドレスから目標のアドレスまで移動するのに要する時間（図５では、この時間を移動時間と表現している）が液晶素子１２４の安定時間より長い場合（図５の移動時間ＩＩの場合）には、シーク動作に要する時間は、ほぼ移動時間で決まることになる。一方、移動時間が液晶素子１２４の安定時間よりも短い場合（図５の移動時間Ｉの場合）には、シーク動作に要する時間が液晶素子１２４の安定時間で決まることになる。
【００４８】
ところで、シーク動作に要する時間を短縮するという課題を解決するためには、移動時間を短くすること、及び液晶素子１２４の安定時間を短くすることが考えられるが、本発明では、液晶素子１２４の安定時間を短くすることで、シーク動作の要する時間を短くすることとしている。このために、液晶素子制御部２６が行う制御動作として、第１の制御動作だけではなく、第２の制御動作も行える構成としている。
【００４９】
図５（ｂ）を参照しながら液晶素子制御部２６によって実行される第２の制御動作について説明する。第２の制御動作では、シーク動作の際に液晶素子１２４の設定条件を変更する必要がある場合に、シーク動作の開始と同時に液晶素子１２４の駆動電圧を現在設定から直ちに目標の設定とするのではなく、一旦オーバードライブ電圧とし、所定時間の経過後に目標の駆動電圧に変更する。
【００５０】
ここで、オーバードライブ電圧とは、現在設定から目標の設定へと変更するために必要な変化量（図５（ｂ）ではＶｎ）より大きな変化量で変化させて得られるの駆動電圧のことを指す。図５（ｂ）では、本来Ｖｎだけ駆動電圧を上げるところ、Ｖｎにオーバードライブ量Ｖｏｄを加えた電圧変化を与えて、オーバードライブ電圧を得ている。
【００５１】
なお、図５（ｂ）では、現在設定から目標の設定とするにあたって駆動電圧を上げる場合を示しているが、現在設定から目標の設定とするにあたって駆動電圧を下げる場合もある。この場合には、本来下げるべき電圧量に対して、更に余分量（オーバードライブ量）の電圧を下げてオーバードライブ電圧を得ることになる。このように、本明細書では、目標の駆動電圧より高い駆動電圧とする場合だけではなく、目標の駆動電圧より低い駆動電圧とする場合も含め、現在設定から目標の設定へと変更するために必要な変化量より大きな変化量で変化させて得られる駆動電圧を全てオーバードライブ電圧と表現している。
【００５２】
オーバードライブ電圧を使用すると、本来の駆動電圧（目標の駆動電圧が該当）を使用する場合に比べて屈折率が変化するスピードを高められる。従って、図５（ａ）と図５（ｂ）を比較参照すればわかるように、所定の時間（オーバードライブ時間Ｔｏｄ）だけオーバードライブ電圧とし、その後目標の駆動電圧とする場合、直ちに目標の駆動電圧とする場合に比べて、液晶素子１２４の安定時間を短くすることができる。
【００５３】
なお、オーバードライブ量Ｖｏｄは、液晶５１の屈折率変化のスピードに影響を与える。また、オーバードライブ時間Ｔｏｄが長すぎると、液晶素子１２４の屈折率が目標の屈折率から離れすぎて、却って液晶素子１２４の安定時間が長くなる。また、オーバードライブ時間Ｔｏｄが短すぎると、オーバードライブ電圧を使用する効果が小さくなる。このために、オーバードライブ量Ｖｏｄとオーバードライブ時間Ｔｏｄとについては、液晶素子１２４の安定時間が移動時間よりも短くなるように、予め実験によって最適な値を求めている。そして、求めたオーバードライブ量Ｖｏｄとオーバードライブ時間Ｔｏｄをテーブルとしてメモリ３１に記憶している。
【００５４】
また、本実施形態の液晶素子１２４は、上述のように、透明電極５２が５つの分割電極５２ａ〜５２ｅに分かれており、各分割電極５２ａ〜５２ｅと透明電極５３とに間に発生させる駆動電圧は各々異なるものである。このために、それぞれの部分について、オーバードライブ量Ｖｏｄとオーバードライブ時間Ｔｏｄを求め、これをメモリ３１に記憶している。
【００５５】
液晶素子制御部２６によって実行される第１の制御動作と第２の制御動作とは以上のようであるが、本実施形態の光ディスク装置１においては、第１の制御動作と第２の制御動作とは次のように使い分けている。
【００５６】
上述のように、シーク動作時における光ピックアップ１２の移動距離が長い場合には、シーク動作に要する時間は、第１の制御動作としても第２の制御動作としても、移動時間によって決まる場合がある。このために、このような場合には、第１の制御動作を使用する。一方、光ピックアップ１２の移動距離が短い場合には、第１の制御動作を使用すると、シーク動作に移動時間より長い時間が必要となってしまう場合がある。このような場合には、第２の制御動作を使用する。こうすれば、単に液晶素子１２４が安定するのを待つためのみに費やされる時間がなくなり、シーク動作に要する時間の短縮が可能である。
【００５７】
なお、第１の制御動作としてもシーク動作に要する時間が移動時間によって決まる場合の光ピックアップ１２の移動距離は、予め実験やシミュレーション等によって求められて、閾値Ａとしてメモリ３１に記憶される。そして、液晶素子制御部２６は、シーク動作を開始する際に算出される光ピックアップ１２の移動距離と閾値Ａとを比較して、第１の制御動作と第２の制御動作とのうちのいずれの制御動作を使用するかを判断する構成となっている。
【００５８】
次に、本実施形態の光ディスク装置１におけるシーク動作について、図６を参照しながら説明する。図６は、本実施形態の光ディスク装置１におけるシーク動作時の動作フローを示すフローチャートである。
【００５９】
システムコントローラ３０によるシーク命令によってシーク動作が開始される。シーク動作の開始にあたって、システムコントローラ３０は、現アドレスと目標アドレスとから、光ピックアップ１２の移動量を算出する（ステップＳ１）。本実施形態では、移動量として移動距離を算出する構成としているが、移動に伴うトラックの本数を算出する構成等としても構わない。
【００６０】
次に、液晶素子１２４の設定（駆動電圧）の変更が必要か否かが判断される（ステップＳ２）。上述のように、本実施形態の光ディスク装置１においては、光ディスク４０の半径方向の位置について３つの領域（図４参照）に分類し、各領域で各々異なる設定条件で液晶素子１２４を駆動することにしている。このため、現アドレスから目標のアドレスへの移動が、同一の領域内の場合には、液晶素子１２４の設定は変更されない。したがって、ここでは、現アドレスから目標のアドレスへの移動が、他の領域への移動であるか否かが判断されることになる。
【００６１】
液晶素子１２４の設定を変更する場合には、液晶素子制御手段２６によって、ステップＳ１で算出した移動量が、上述の閾値Ａより小さいか否かが判断される（ステップＳ３）。移動量が閾値Ａより小さい場合には、液晶素子１２４の安定時間を強制的に短くするために、液晶素子制御手段２６は第２の制御動作を実行させる。
【００６２】
すなわち、液晶素子制御部２６は、予めメモリ３１に記憶されているテーブルを参照して、液晶素子１２４を駆動する駆動電圧をオーバードライブ電圧に設定する（ステップＳ４）。なお、ステップＳ４とほぼ同時に、システムコントローラ３０は、ＯＰＵ移動機構制御部２３に命じて、光ピックアップ移動機構１３による光ピックアップ１２の移動を開始する（ステップＳ５）。
【００６３】
液晶素子制御部２６は、予めメモリ３１に記憶される所定の時間（オーバードライブ時間Ｔｏｄ）が経過したか否かを確認し（ステップＳ６）、所定の時間Ｔｏｄが経過すると
液晶素子１２４の駆動電圧を目的の位置における駆動電圧として予めメモリ３１に記憶されている目標の駆動電圧に変更する（ステップＳ７）。このようにすれば、液晶素子１２４の安定時間より、光ピックアップ１２の移動時間の方が長くなる。このために、その後はシステムコントローラ３０によって、光ピックアップ１２が目標のアドレスに到達したか否かが確認され（ステップＳ１１）、光ピックアップ１２が目標のアドレスに到達することによりシーク動作が完了する。
【００６４】
ところで、ステップＳ３において、移動量が閾値Ａ以上の場合には、液晶素子１２４の安定時間を強制的に短くする必要がないために、液晶素子制御手段２６は第１の制御動作を実行させる。すなわち、液晶素子１２４の駆動電圧をオーバードライブ電圧とすることなく、目標の位置における液晶素子１２４の駆動電圧として記憶されている目標の駆動電圧に変更する（ステップＳ８）。また、ステップＳ８とほぼ同時に、システムコントローラ３０は、ＯＰＵ移動機構制御部２３に命じて、光ピックアップ移動機構１３による光ピックアップ１２の移動を開始する（ステップＳ９）。
【００６５】
この場合も、液晶素子１２４の安定時間よりも光ピックアップ１２の移動時間の方が長くなる。このために、その後はシステムコントローラ３０によって、光ピックアップ１２が目標のアドレスに到達したか否かが確認され（ステップＳ１１）、光ピックアップ１２が目標のアドレスに到達することによりシーク動作が完了する。
【００６６】
また、ステップＳ２で液晶素子１２４の設定を変更しないと判断される場合は、液晶素子制御部２６は駆動電圧を現在の設定のまま維持する。このため、この場合は、単にシステムコントローラ３０によって、ＯＰＵ移動機構制御部２３に命令が出されて、光ピックアップ移動機構１３による光ピックアップ１２の移動が開始される（ステップＳ１０）。そして、光ピックアップ１２が目標のアドレスに到達したか否かが確認され（ステップＳ１１）、光ピックアップ１２が目標のアドレスに到達することによりシーク動作が完了する。
【００６７】
以上のようにシーク動作の制御を行う場合、単に液晶素子１２４が安定するのを待つためにのみ費やされる待ち時間が発生しない。このため、シーク動作の時間短縮が可能となる。
【００６８】
以上に示した実施形態は一例であり、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００６９】
例えば、本実施形態においては、シーク時の光ピックアップ１２の移動量に応じて、液晶素子制御部２６が第１の制御動作（オーバードライブ電圧を使用しない）と第２の制御動作（オーバードライブ電圧を使用）とを使い分ける構成とした。しかし、これに限定される趣旨ではない。すなわち、液晶素子１２４の制御動作として、常にオーバードライブ電圧を使用する第２の制御動作を使用する構成としても構わない。
【００７０】
また、本実施形態においては、シーク動作を行う場合において、光ピックアップ１２の移動開始と、液晶素子１２４の設定条件の変更と、をほぼ同時に行う構成とした。しかしながら、この構成に限定される趣旨ではない。すなわち、例えば、液晶素子１２４の設定条件の変更のタイミングと、光ピックアップ１２の移動開始のタイミングと、をずらして行ってもよい。
【００７１】
そして、場合によっては、上述の第２の制御動作を使用する（オーバードライブ電圧を使用する）という前提で、液晶素子１２４が安定するのを待ってから光ピックアップ１２を移動させたり、或いは、光ピックアップ１２の移動が終了してから液晶素子の設定条件を変更させたりしても構わない。このような構成でも、液晶素子１２４の安定時間が短くなるので、シーク動作の時間短縮の手段とはなり得る。ただし、液晶素子制御部２６による液晶素子１２４の駆動電圧を変更する制御動作と、光ピックアップ１２の移動とは並行して行われるのが好ましい。
【００７２】
また、本実施形態においては、液晶素子がコマ収差を補正するものとして使用される場合に、本発明が適用される構成を示した。しかしながら、本発明はシーク動作の際に設定条件が変更されることがある液晶素子を備える光ディスク装置に対して広く適用できるものである。
【００７３】
具体的には、例えば、光ディスク装置による再生や記録の対象となる光ディスクが多層光ディスク（厚み方向に情報記録面を複数有する光ディスク）の場合、シーク動作時にフォーカスジャンプを伴う場合がある。ここで、フォーカスジャンプは、光スポットが形成される位置が、或る情報記録面から他の情報記録面へと移動する場合を指す。そして、このようなフォーカスジャンプが行われる場合に、球面収差が発生するために、これを補正するために液晶素子が使用され、液晶素子の設定条件の変更を行う。なお、この場合の液晶素子は、本実施形態の場合と透明電極５２の分割パターンが異なり、同心円状の複数の領域に分割されたパターンとなる。
【００７４】
このような場合にも、一旦、液晶素子の駆動電圧を目標の駆動電圧とするために必要な変化量より大きな変化量で変化させたオーバードライブ電圧とし、所定時間の経過後に目標の駆動電圧とする電圧制御を行えば、シーク動作に要する時間を短くできる場合ある。このため、このような場合にも本発明は適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明によれば、液晶素子を備える光ディスク装置において、シーク動作に要する時間の短縮が可能である。すなわち、本発明は、液晶素子を備える光ディスク装置に対して有用な技術である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】は、本実施形態の光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図２】は、本実施形態の光ディスク装置が備える液晶素子の構成を説明するための図である。
【図３】は、光ディスクの半径方向に発生するコマ収差分布の一例を示す模式図である。
【図４】は、本実施形態の光ディスク装置における、液晶素子の設定条件と光ディスクの半径方向の位置との関係を説明するための図である。
【図５】は、本実施形態の光ディスク装置が備える液晶素子制御部の制御動作を説明するための図である。
【図６】は、本実施形態の光ディスク装置におけるシーク動作時の動作フローを示すフローチャートである。
【図７】は、液晶素子を有する従来の光ディスク装置におけるシーク動作時の動作フローを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７７】
１        光ディスク装置
１２      光ピックアップ
１３      光ピックアップ移動機構（移動手段）
２６      液晶素子制御部（液晶素子制御手段）
４０      光ディスク
１２４    液晶素子
【図１】
2010003340.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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