(57)【要約】【課題】  複数のラインを円滑にガイドするラインキャリヤアセンブリを有するリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】  リソグラフィ装置は、複数の可撓性媒体移送ライン及びラインキャリヤのアセンブリを含み、ラインキャリヤは装置のある接続点から別の接続点へ複数の可撓性媒体移送ラインを可動式にガイドするように構成され、２つの接続点のうちの少なくとも１つが可動式である。可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つが、低摩擦外層がその上に提供された内側のベース層を含み、少なくとも１つの接続点の移動の間に、キャリヤ及び隣接する可撓性媒体移送ラインに対して可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つを円滑にガイドするように、低摩擦外層が内側のベース層よりも小さい摩擦容量を有する。【選択図】図３
2010103529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調節する照明システムと、
パターニングデバイスを支持する支持体であって、前記パターニングデバイスが放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができる支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
複数の可撓性媒体移送ライン及びラインキャリヤであって、前記ラインキャリヤが前記装置のある接続点から別の接続点へ複数の可撓性媒体移送ラインを可動式にガイドし、前記２つの接続点のうちの少なくとも１つが可動式である、複数の可撓性媒体移送ライン及びラインキャリヤとを備え、
前記可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つは低摩擦外層がその上に提供された内側のベース層を備え、前記２つの接続点のうちの少なくとも１つの移動の間に、前記ラインキャリヤ及び隣接する可撓性媒体移送ラインに対して前記可撓性媒体移送ラインのうちの前記少なくとも１つを円滑にガイドするように、前記低摩擦外層が前記内側のベース層よりも小さい摩擦容量を有するリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記低摩擦外層は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記低摩擦外層は、前記ベース層上に塗布された表面コーティングである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記表面コーティングは、約１００℃を超える温度で前記ベース層に塗布される、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記ベース層は、ポリウレタン製である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記２つの接続点のうちの前記少なくとも１つは、前記基板テーブル内に配置される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
複数の可撓性媒体移送ライン及びラインキャリヤのアセンブリであって、前記ラインキャリヤが、装置のある接続点から別の接続点へ前記複数のラインを可動式にガイドし、前記２つの接続点のうちの少なくとも１つが可動式であり、
前記可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つは低摩擦外層がその上に提供される内側のベース層を備え、前記２つの接続点のうちの前記少なくとも１つの移動の間に、前記ラインキャリヤ及び隣接する可撓性媒体移送ラインに対して前記可撓性媒体移送ラインのうちの前記少なくとも１つを円滑にガイドするように、前記低摩擦外層が前記内側のベース層よりも小さい摩擦容量を有するアセンブリ。
【請求項８】
前記低摩擦外層は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記低摩擦外層は、前記ベース層上に塗布された表面コーティングである、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記表面コーティングは、約１００℃を超える温度で前記ベース層に塗布される、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記低摩擦外層を備えた前記可撓性媒体移送ラインのうちの前記少なくとも１つは、ホースである、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記ベース層は、ポリウレタン製である、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記ラインキャリヤは、互いに緊密に押し合う前記複数の可撓性媒体移送ラインで充填される、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記ラインキャリヤは、相互に関節でつながり、前記複数の可撓性媒体移送ラインを少なくとも部分的に取り囲みガイドする複数のチェーンリンクを有するガイドチェーンを備える、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記低摩擦外層は、前記可撓性媒体移送ラインの前記ベース層の実質的に全外周に提供される、請求項７に記載のアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置に関し、特に、複数の可撓性媒体移送ラインと、装置のある接続点から別の接続点へ幾つかのラインを可動式にガイドし、２つの接続点のうちの少なくとも１つが可動式であるラインキャリヤのアセンブリを含むリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行又は反平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、例えば、基板ステージ及びパターニングデバイスステージ等の正確に動作する部品を含む。これらのステージの各々は、ステージにデータ、電気及びその他の必要な媒体を供給するケーブル及びホース等の幾つかのラインに接続できる。ケーブル、ホース等の束は「大動脈（ａｏｒｔａ）」と呼ばれ、ステージと共に比較的容易に移動できるように移送する必要がある。そうするために、ケーブルは、ドラッグチェーン、エネルギーチェーン又はケーブルチェーンとしても知られる一般に入手できるチェーンキャリヤによって移送することができる。そのようなチェーンキャリヤは、ステージの動きに追随する際に柔軟に屈曲、又は他の方法により変形するように相互に関節でつながった複数のチェーンリンクを有するガイドチェーンを含む。これらのチェーンリンクは、共に幾つかのケーブル、ホース等を部分的に取り囲み、ガイドする。
【０００４】
[0004]  障害がない動作を可能にするため、チェーンリンク内のケーブル、ホース等の数は制限される。チェーンリンク内の利用可能な容積の最大約８０％をケーブル、ホース等で充填することができるということが現在利用可能なチェーンキャリヤの製造業者／供給業者によって規定されている。チェーンリンクを充填する程度を上げると動きの自由が制約され、ケーブル、ホース等の過剰な磨耗が発生する。
【０００５】
[0005]  従って、規定された以上のホースをチェーンキャリヤの容積に配置することは望ましくない。さらに、現行のリソグラフィ装置内の利用可能なスペースは極めて限定され、リソグラフィ装置の将来の開発によって、新しいタイプが出るたびに必要な機能はさらに高度になる。例えば、液浸リソグラフィ装置などの開発品は多数のケーブル、ホース等を必要とする。チェーンキャリヤ内のホースは十分なフローを可能にするために大口径を有する必要があるが、同時に、ホースがキャリヤの小さい屈曲半径に追随できるように高い柔軟性を備える必要がある。ホース材料の現時点で好ましいオプションの１つはＰＵＲである。
【０００６】
[0006]  ケーブル、ホース等の量が増加すると、それらをチェーンキャリヤ内に隙間なく詰める必要がある。この場合、ケーブル、ホース等には、隣接するケーブル、ホース等に接触せずに動く十分なスペースがない。例えば、２つのＰＵＲホースがチェーンキャリヤ内に隣り合って引かれている場合、高い摩擦で特徴付けられるＰＵＲ同士の接触が起こる。その結果、スティックスリップ効果が発生し、ホース上に強い引張力がかかり、ホース表面から微粒子が生成される。微粒子の生成によって汚染が発生する危険がある。強い引張力と磨耗は、ホースを損傷する可能性がある。ホースを用いて加圧下で流体が移送されるため、ホースが破裂する危険がある。
【０００７】
[0007]  チェーンキャリヤ内のケーブル、ホース等の量を制限して、これらのケーブル、ホース等の間の加圧下の表面接触を防止し、ケーブル、ホース等が自由に動けるスペースを提供することは可能であろう。また、チェーンキャリヤ内の内部の仕切りを用いて直接の相互接触を防止することができる。高圧の表面接触を防止するため、チェーンキャリヤの屈曲半径を拡張できるため、ケーブル、ホース等にかかる曲げ力は低減する。また、既存のチェーンキャリヤと並べて、又は逆向きに追加のチェーンキャリヤを使用することもできる。
【０００８】
[0008]  しかし、装置内部の利用可能なスペースが非常に限られている場合には上記のすべてのオプションは解決策にならない。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  複数のラインを含み、小型で柔軟でありながら、磨耗しにくく大きい引張力を必要としない多数のラインを含むことができるラインキャリヤの信頼性があるアセンブリを提供することが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明のある実施形態によれば、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、複数の可撓性媒体移送ライン及びラインキャリヤのアセンブリであって、ラインキャリヤが、装置のある接続点から別の接続点へ複数のラインを可動式にガイドするように構成され、２つの接続点のうちの少なくとも１つが可動式で、ラインのうちの少なくとも１つが、低摩擦外層がその上に提供された内側のベース層を含み、少なくとも１つの接続点の移動の間に、隣接するラインのうちの少なくとも１つ及びキャリヤに対してラインを円滑にガイドするように、低摩擦外層が内側のベース層よりも小さい摩擦容量を有するアセンブリとを含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の別の実施形態では、複数の可撓性媒体移送ライン及びラインキャリヤのアセンブリであって、ラインキャリヤが装置のある接続点から別の接続点へ複数のラインを可動式にガイドするように構成され、２つの接続点のうちの少なくとも１つが可動式であり、ラインのうちの少なくとも１つが低摩擦外層がその上に提供された内側のベース層を含み、少なくとも１つの接続点の移動の間に、隣接するラインのうちの少なくとも１つ及びキャリヤに対してラインを円滑にガイドするように、低摩擦外層が内側のベース層よりも小さい摩擦容量を有するアセンブリが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
[0012]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の図面を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００１３】
【図１】[0013]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0014]チェーンキャリヤが本発明のある実施形態による幾つかの移送ラインを保持する図１の基板テーブルの概略斜視図である。
【図３】[0015]図２のチェーンキャリヤを示す図である。
【図４】[0016]内部に保持された幾つかのケーブル及びホースを除いた、図３に示すチェーンキャリヤの上面図である。
【図５】[0017]その内部に保持された幾つかのケーブル及びホースを含めた、図４に示すチェーンキャリヤのＶ−Ｖ断面における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[0018]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイス支持体又はマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。この装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、一定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」を含む。さらに、この装置は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００１５】
[0019]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、又は他のタイプの光学コンポーネントなどの様々なタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組合せを含むことができる。
【００１６】
[0020]  パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持体は、機械的、真空、静電気、又は他のクランプ技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイス支持体は、例えばフレーム又はテーブルであってよく、必要に応じて固定式又は可動式とすることができる。パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、これは、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１７】
[0021]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に対応する。
【００１８】
[0022]  パターニングデバイスは、透過型又は反射型とすることができる。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクは、リソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１９】
[0023]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２０】
[0024]  本明細書で示すように、本装置は透過型である（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射型であってもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、又は反射マスクを使用する）。
【００２１】
[0025]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル又は「基板支持体」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスク支持体」）を有するタイプでよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブル又は支持体を、並列して使用することができ、あるいは１つ又は複数のテーブル又は支持体で準備ステップを実行している間、その他の１つ又は複数のテーブル又は支持体を露光に使用することができる。
【００２２】
[0026]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイスと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術を使用して投影システムの開口数を増加させることができる。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するという程度の意味である。
【００２３】
[0027]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを含むビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の場合には、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２４】
[0028]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含んでいてもよい。通常、少なくともイルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを含んでいてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２５】
[0029]  放射ビームＢは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイス支持体（例えばマスク）ＭＡ上に２つ以上のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２６】
[0030]  図示の装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２７】
[0031]  １．ステップモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２８】
[0032]  ２．スキャンモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は、同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅を制限し、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さを決定する。
【００２９】
[0033]  ３．別のモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」は、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用することができる。
【００３０】
[0034]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードを利用することもできる。
【００３１】
[0035]  図２は、基板テーブルＷＴの概略実施形態の詳細図を示す。この基板テーブルＷＴは、装置のベースフレームＢＦに対していわゆるロングストロークアクチュエータ及びショートストロークアクチュエータによって正確に移動できる。基板テーブルＷＴとの間に、媒体として考えられる真空及び流体を移送するために、複数の空気圧及び／又は油圧ホース１〜１９は、基板テーブルＷＴに接続される。これらのホース１〜１９以外に、電気ケーブル、データライン等の他の複数のラインを基板テーブルＷＴに接続して、基板テーブルＷＴとの間で電気、制御信号及びセンサ信号のような他の媒体を供給する必要がある。ホース１〜１９及びその他のラインは、チェーンキャリヤＣＣ内に詰められている。これらのチェーンキャリヤＣＣ及びその内部に詰まったラインのアセンブリは、これらのアセンブリとその可動ステージとの適当な連携動作の重要性を強調すべく、「大動脈」と呼ばれる。チェーンキャリヤＣＣは、ホース１〜１９及び他のラインを取り囲みガイドするように設計されたガイドである。ガイドは、ライン上の磨耗と応力とを低減させ、絡まりを防止しオペレータの安全を向上させる。
【００３２】
[0036]  図２で、そのようなチェーンキャリヤＣＣが２つ、入れ子Ｕ字形に隣り合って提供されている。図３及び図４に示すように、基板テーブルＷＴの移動中、各々のＵ字形チェーンキャリヤＣＣの一方の脚部Ｌ１が短いのに対して他方の脚部Ｌ２は長い、またその逆である。同時に、脚部Ｌ１、Ｌ２を接続する屈曲部がロールオフする。チェーンキャリヤＣＣの形状の変化と共に、ホース１〜１９及びチェーンキャリヤ内に詰まったその他のラインはチェーンキャリヤＣＣに沿ってガイドされ、従って、柔軟にロールオフする必要がある。このために、ホース１〜１９及びその他のラインは、好ましくは、寿命を延ばすため、特殊で極めて柔軟なホース及びラインである。
【００３３】
[0037]  各チェーンキャリヤＣＣは、蝶番Ｈで相互に関節でつながった複数のチェーンリンクＣＬの外側に張り出したガイドチェーンを含む。チェーンリンクＣＬは、協働してホース１〜１９の長手方法の部分とチェーンキャリヤ内に詰まったその他のラインを取り囲み、ガイドする。
【００３４】
[0038]  ホース１〜１９は、すべて一方の同じチェーンキャリヤＣＣ内に詰められている。これを図３及び図５に詳細に示す。一方、その他のラインは、すべて他方のチェーンキャリヤＣＣ内に詰められている。このチェーンキャリヤＣＣのチェーンリンクＣＬは、その内部が内部仕切り壁Ｓによって３つの区分に分割されている。各区分内に複数のホース１〜１９がその外側表面が局所的に相互に接触するように互いに隣り合ってぎっしりと詰められている。
【００３５】
[0039]  各ホース１〜１９は、ベース層を含む。ベース層は、例えば極めて柔軟なポリウレタン（ＰＵＲ）製で、この使用に適している。ベース層のその他の材料も可能である。高い圧力に耐えるためにベース層を外装で強化してもよい。必要に応じて、例えば、特定のタイプの媒体を移送するため、内層又はコーティングをベース層の内側に提供することができる。
【００３６】
[0040]  本発明のある実施形態によれば、ホース１〜１９の元のベース層上に特別の外層が提供される。この外層は、元のベース層の摩擦係数よりも小さい摩擦係数を有する低摩擦層によって形成されている。特に、低摩擦層の摩擦係数は、元のベース層の摩擦係数の２倍以上も低い場合がある。従って、ホース１〜１９は、隣接するホースとチェーンキャリヤＣＣの内壁及び仕切り壁Ｓに対して円滑にガイドされる。チェーンキャリヤＣＣが基板テーブルＷＴと共に移動し、この移動中に巻かれると、ホース１〜１９は、互いの摩擦を低減させる外層上、並びにチェーンキャリヤＣＣの壁に対して容易に滑り、その滑り運動によって耐磨耗性を高めている。最小破裂圧力及び柔軟性に対するホース１〜１９の必要な特性は、摩擦を低減させる外層の提供によって悪影響を受けない。チェーンキャリヤＣＣ及びその内部でガイドされるホース１〜１９の巻き込み運動では、比較的小さい引張力が望ましい。これらすべてが、チェーンキャリヤＣＣ及びその内部に詰められたホース１〜１９のアセンブリを極めて柔軟にする。このアセンブリが一端を基板テーブルＷＴと共に移動し、他端をベースフレームＢＦに接続したままにしておくことが容易にできる。基板テーブルＷＴのアクチュエータを駆動する力は軽くなり、小さい引張力であってもこれらのアクチュエータの駆動の精度をさらに高める手助けになり、リソグラフィ工程全体の精度を高めることができる。その結果、チェーンキャリヤＣＣにその実装密度が８０％を超えるほどの多数のホースを詰め込むことができる。ホースは、互いに緊密に押し合うほど詰め込んでもよい。この高い実装密度及び／又は実装圧力は、その低摩擦外層のおかげで、ホース外側にネガティブなスティックスリップ効果を与えない。従って、チェーンキャリヤ内に詰め込む多数のホースに使用するスペースは少なくてすみ、それ故ステージがその機能性の高まりとともにますます多くのケーブル、ホース等を必要とする最近の開発品にスムーズに適合することができる。
【００３７】
[0041]  好ましい実施形態では、テフロン（登録商標）としても知られているポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む外層を提供することで低減した摩擦容量が得られる。外層は、内部の添加剤として使用されるのでその他の摩擦低減材料も使用することができる。
【００３８】
[0042]  別の好ましい実施形態では、低摩擦の外層は、ベース層上に塗布された表面コーティングである。そのような表面コーティングは、すでに十分に所望の低摩擦容量を確保し、ホースのベース層上に比較的安価に提供することができる。有利には、表面コーティングは、約１００℃を超える温度、特に約１２０℃を超える温度でホースのベース層に塗布される。こうして塗布された摩擦低減コーティングは堅牢であり、チェーンキャリヤＣＣ内で隣接するホースに沿って滑る際に簡単に剥がれることはない。コーティングは、好ましくは、リソグラフィ装置の「大動脈」内で使用される現在の標準のＰＵＲホースの外皮として塗布されるＰＴＦＥコーティングである。
【００３９】
[0043]  図示の実施形態の他に、多数の変形実施形態が可能である。例えば、摩擦を低減させる外層を、リソグラフィ装置の「大動脈」の１つ又は複数のケーブルあるいはその他の媒体移送ライン上に提供してもよい。摩擦を低減させる外層をラインの実質的に全外周に提供することができる。しかし、摩擦を低減させる外層をライン上に部分的かつ局所的にのみ提供することもできる。また、ホース、ケーブル等の各々に摩擦を低減させる外層を提供する必要はなく、最も重要なホース、ケーブル等、例えば、直径が最大のホース、ケーブル等又は最も高い圧力に耐えなければならないホース、ケーブル等にのみ摩擦を低減させる外層を提供すればよい。チェーンキャリヤの代わりに、他のタイプのラインキャリヤ、例えば、可撓性（ケーブル）チャネル、トラフ、ダクトも摩擦を低減させる外層を備えた１つ又は複数のラインと組み合わせて使用することができる。例えば、多軸運動を有するラインキャリヤ及び／又は部分的に開いたラインキャリヤ及び／又は化学薬品、水又は温度耐性があるラインキャリヤ及び／又は高負荷に耐性があるラインキャリヤを用いることができる。これらのラインキャリヤも柔軟であり、一方では、複数のケーブル、ホース等を束ね、他方では、それらをリソグラフィ装置の可動部品の運動とともにガイドすることができる。ラインキャリヤ及びその内部に詰まったラインのアセンブリも、ラインをリソグラフィ装置の別の可動接続点、例えば、投影システムのマスクテーブル又は部品から可動にガイドするために使用することができる。一変形形態では、また、摩擦低減材料のスリーブを低摩擦外層としても使用することができる。このスリーブは、例えばＰＴＦＥ製，ナイロン製等であってもよい。スリーブは、ベース層の周囲に縮んでいてもよく、又は別の方法、例えば、外側端部にのみ局所的に、例えば、外側端部の周囲にシュリンクスリーブによってそこへ結合していてもよい。
【００４０】
[0044]  図２の実施形態と同様、チェーンキャリヤＣＣ及びその内部に詰まったラインのアセンブリを基板テーブルＷＴではなくパターニングデバイス支持体ＭＴに接続してもよい。ラインを用いてパターニングデバイス支持体ＭＴ上のアクチュエータへ電力を提供してもよい。ラインは、また例えばパターニングデバイス支持体ＭＴ上にパターニングデバイスＭＡを留める真空を提供することができる。ラインは、例えばパターニングデバイス支持体のガスベアリングに使用する加圧ガスを提供することができる。
【００４１】
[0045]  大気圧の環境で本発明の実施形態を用いることができる。別の方法としては、より低い圧力の環境で、例えば、真空内で本発明の実施形態を用いることができる。ライン間の摩擦を低減させると、ラインを互いに擦った時に生成される微粒子の量を低減させることができる。リソグラフィ装置の部品を汚染する微粒子が低減するため、これは有利である。例えばマスク、基板又はセンサ上の微粒子はリソグラフィ装置の精度を低減させ、及び／又は基板のターゲット部分に投影されたパターンの品質を低下させる可能性がある。真空内では、微粒子が真空の圧力レベルを撹乱することがある。放射ビームＢの経路に漂う微粒子は放射ビームＢの輝度を低減させることがある。
【００４２】
[0046]  本発明の実施形態は、リソグラフィ装置の分野以外でも有利に使用することができる。エネルギー、データ、液体及び／又はガスの移送を含む可動自動機械が存在する場所であればどこでも、ラインキャリヤ及びその内部でガイドされた１つ又は複数の摩擦低減ラインのアセンブリを使用することができる。この例は、工作機械、医療及び実験室装置、工業ロボットなどを含む。これらのその他の応用分野でも、強度、及び柔軟性などの適当な特性を備えた既存のラインは、ラインの少なくともいくつかにＰＴＦＥ表面コーティングのような摩擦を低減させる外層を備えた時には、通常では適切に収容及びガイドできないほど多くのライン数にあたる８０％を超える実装密度で一般に入手可能なチェーンキャリヤのようなラインキャリヤ内に有利に配置することができる。
【００４３】
[0047]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に言及する基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に適用し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを作製するために、複数回処理することができ、従って本明細書で使用される基板という用語は、すでに複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００４４】
[0048]  以上、光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用について特に言及してきたが、本発明は、他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、文脈によっては、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると内部にパターンが残される。
【００４５】
[0049]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００４６】
[0050]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ、又はその組合せを指すことができる。
【００４７】
[0051]以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り可能命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に格納したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００４８】
[0052]  上記説明は例示としてのものであって、制限するためのものではない。それ故、当業者には、特許請求の範囲から逸脱することなく、説明されたような本発明を修正することができることは明白であろう。
【００４９】
[0053]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成された支持体とを備える。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できる。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムとをさらに備える。またリソグラフィ装置は、複数の可撓性媒体移送ラインと、ラインキャリヤとを備える。ラインキャリヤは、装置のある接続点から別の接続点へ複数の可撓性媒体移送ラインを可動式にガイドするように構成され、２つの接続点のうちの少なくとも１つが可動式である。可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つが低摩擦外層がその上に提供された内側のベース層を備える。２つの接続点のうちの少なくとも１つの移動の間に、ラインキャリヤ及び隣接する可撓性媒体移送ラインに対して可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つを円滑にガイドするように、低摩擦外層は、内側のベース層よりも小さい摩擦容量を有する。
【００５０】
[0054]  低摩擦外層は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含んでいてもよい。低摩擦外層は、ベース層上に塗布された表面コーティングであってもよい。表面コーティングは、約１００℃を超える温度でベース層に塗布できる。
【００５１】
[0055]  低摩擦外層を備えた可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つはホースでよい。ベース層はポリウレタン製でもよい。
【００５２】
[0056]  ２つの接続点の少なくとも１つは、基板テーブル内に配置してもよい。
【００５３】
[0057]  ラインキャリヤの断面の８０％以上が可撓性媒体移送ラインを含むことができる。ラインキャリヤは、互いに緊密に押し合う複数の可撓性媒体移送ラインで充填できる。ラインキャリヤは、相互に関節でつながり複数の可撓性媒体移送ラインを少なくとも部分的に取り囲みガイドする複数のチェーンリンクを有するガイドチェーンを備える。
【００５４】
[0058]  低摩擦外層を可撓性媒体移送ラインのベース層の実質的に全外周に提供することができる。
【００５５】
[0059]  ある実施形態では、複数の可撓性媒体移送ライン及びラインキャリヤのアセンブリが提供される。ラインキャリヤは、装置のある接続点から別の接続点へ複数のラインを可動式にガイドするように構成され、２つの接続点のうちの少なくとも１つが可動式である。可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つは、低摩擦外層がその上に提供された内側のベース層を備える。２つの接続点のうちの少なくとも１つの移動の間に、ラインキャリヤ及び隣接する可撓性媒体移送ラインに対して可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つを円滑にガイドするように、低摩擦外層が内側のベース層よりも小さい摩擦容量を有する。
【００５６】
[0060]  低摩擦外層は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含んでいてもよい。低摩擦外層は、ベース層上に塗布された表面コーティングであってもよい。表面コーティングは、約１００℃を超える温度でベース層に塗布できる。
【００５７】
[0061]  低摩擦外層を備えた可撓性媒体移送ラインのうちの少なくとも１つはホースでよい。ベース層はポリウレタン製でもよい。
【００５８】
[0062]  ラインキャリヤの断面の８０％以上が可撓性媒体移送ラインを含むことができる。
【００５９】
[0063]  ラインキャリヤは、互いに緊密に押し合う複数の可撓性媒体移送ラインで充填できる。ラインキャリヤは、相互に関節でつながり、複数の可撓性媒体移送ラインを少なくとも部分的に取り囲みガイドする複数のチェーンリンクを有するガイドチェーンを備える。
【００６０】
[0064]  低摩擦外層を可撓性媒体移送ラインのベース層の実質的に全外周に提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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