(57)【要約】【課題】半導体層と電極材料の接触不良のない、低抵抗で安定なｐ型電極を形成することを目的とする。【解決手段】この発明にかかる窒化物半導体装置の製造方法は、処理対象層である窒化物半導体層１の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理により形成したアモルファス層２に対しアルカリ処理を行なうことで、電極を形成した場合オーミックコンタクト形成に適した処理面を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）窒化物半導体より成る処理対象層を用意する工程と、
（ｂ）前記処理対象をエッチングする工程と、
を備え、
前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１）前記処理対象に対しプラズマ処理を施し、アモルファス層を形成する工程と、
（ｂ−２）前記アモルファス層に対しアルカリ処理を施し、前記アモルファス層を除去する工程と、
を備える、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）は、ｐ型導電性の前記処理対象層を用意する工程である、
請求項１に記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ−１）は、前記窒化物半導体より成る処理対象層のＣ面上に前記プラズマ処理を施す工程である、
請求項１または２に記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ−１）は、酸素、窒素、アルゴンのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を施す工程である、
請求項１〜３のいずれかに記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ−１）は、前記アモルファス層厚が５ｎｍ以下である、
請求項１〜４のいずれかに記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ−２）は、アルカリ水溶液によるアルカリ処理を施す工程である、
請求項１〜５のいずれかに記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ−２）は、前記アルカリ水溶液としてＴＭＡＨ、またはＮａＯＨを用いる工程である、
請求項６に記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ−２）は、前記アルカリ処理下における、前記アルカリ水溶液の温度が２０〜４０℃である、
請求項６または７に記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｂ−２）は、前記アルカリ処理下における、前記アルカリ水溶液のアルカリイオン濃度が２〜５％である、
請求項６〜８のいずれかに記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
（ｃ）前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）との間に、前記処理対象層上にマスクを形成する工程をさらに備え、
前記工程（ｂ−１）と前記工程（ｂ−２）は、前記マスクがされない部分に対して実行される、
請求項１〜９のいずれかに記載の、窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
窒化物半導体層と、
前記半導体層上に形成された電極部と、
を備える、窒化物半導体レーザ装置の製造方法であって、
前記半導体層を処理対象層として請求項１〜１０のいずれかに記載の窒化物半導体装置の製造方法を実行することにより、前記半導体層の、前記電極部との接触面を形成する、窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体に対して行なう、例えばプラズマ処理、アルカリ処理等によるエッチング方法を含む、窒化物半導体装置および窒化物半導体レーザ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の窒化物半導体においては、半導体素子を加工する場合ドライエッチングがおもに用いられてきた。ウェットエッチングも可能であるが、窒化物半導体は物理的、化学的に非常に安定であるため、ウェットエッチングのみではエッチングが難しい。
【０００３】
ウェットエッチングによる加工方法としては、イオン注入によりダメージ層を形成し、そのダメージ層をＫＯＨ水溶液を用いてエッチングする方法がある（特許文献１）。また、Ｃ面以外の面をＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液を用いてエッチングする方法もある（特許文献２）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２３３３８５号公報
【特許文献２】特開２００８−１０６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような窒化物半導体にあっては、ＫＯＨ水溶液を用いた場合、この水溶液自体の扱いが難しく、かつイオン注入によるダメージ層の形成は制御も難しいため、薄膜で正確にエッチングする手段としては向かない。
【０００６】
また、ＴＭＡＨ溶液を用いたエッチングの場合、特許文献２の記載ではＣ面でのエッチングができない。通常はＣ面を主面として結晶成長を行うために、この溶液を用いたウェットエッチング処理として使うことができない。
【０００７】
例えばレーザダイオードを作製し、ｐ型電極形成を行った場合、ｐ型電極形成前の半導体表面がプロセス中のコンタミネーションにより汚染されていると、この汚染物が抵抗成分となりｐ型電極のコンタクト抵抗の増大やバラツキの原因となる。このｐ型電極のコンタクト抵抗のバラツキ、増大により、このレーザダイオードを動作させるための動作電圧の増加や動作時の発熱による特性バラツキを生じる。その結果、規定の温度範囲内で安定して動作出力を得ることが難しいという問題点があった。そのため、デバイス特性への影響がなく、低抵抗で安定したｐ型電極が望まれる。
【０００８】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、例えばＰｄ／Ｔａを含む材料をｐ型電極として用い、半導体・電極間の抵抗成分が小さいｐ型電極を製造しうる窒化物半導体のエッチング方法を含む、窒化物半導体装置および窒化物半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明にかかる窒化物半導体装置の製造方法は、窒化物半導体より成る処理対象層を用意する工程と、処理対象層をエッチングする工程とを備えるものである。このエッチングする工程は、処理対象層に対しプラズマ処理を施し、アモルファス層を形成する工程と、アモルファス層に対しアルカリ処理を施し、アモルファス層を除去する工程とを備えるものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、窒化物半導体より成る処理対象層を用意する工程と、処理対象層をエッチングする工程とを備え、このエッチングする工程は、処理対象層に対しプラズマ処理を施し、アモルファス層を形成する工程と、アモルファス層に対しアルカリ処理を施し、アモルファス層を除去する工程とを備えるものであることにより、処理対象層のエッチング面に例えば電極を接触させる場合、抵抗を小さくすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜実施の形態１＞
＜製造方法＞
本発明にかかる窒化物半導体装置の製造方法について、以下説明する。
【００１２】
以下では特に、本発明にかかる窒化物半導体装置の製造方法のうち、処理対象層としての窒化物半導体層のエッチング方法について述べる。
【００１３】
＜エッチング方法＞
図１（ａ）〜図１（ｃ）は本発明の実施の形態１にかかる、ＧａＮなどの窒化物半導体層のエッチング処理方法を示す作製工程図である。
【００１４】
図１（ａ）は、エッチングの処理対象層となる窒化物半導体層１を用意する工程である。例えば、ｐ型のＡｌXＧａ1-XＮ（０≦ｘ≦１）を基板上に成長したものも使用でき、目的に応じて構成することが可能である。
【００１５】
図１（ｂ）は、各種ガスによるプラズマ６を用いたプラズマ処理にて、窒化物半導体層１上に、アモルファス層２を形成する工程である。アモルファス層２を形成する窒化物半導体層１の面は、窒化物半導体のＣ面を用いることができる。
【００１６】
このプラズマ処理としては、窒化物半導体層１としての例えばｐ型ＧａＮ層の表面に対して所望のアモルファス層２が形成できれば良く、使用ガスとしては酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、アルゴン（Ａｒ）のいずれかを含むものを用いて行われる。その方法としては、ＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、ＥＣＲ（電子サイクロン共鳴）や平行平板型等によるプラズマ処理を用いることが可能である。基本的にはｐ型ＧａＮ層をエッチング処理するものではなく、アモルファス層２を形成するための処理であるが、所望のアモルファス層２が形成できればドライエッチングプロセスと組み合わせてエッチング処理として用いることも可能である。このとき、アモルファス層２の厚さとしては５ｎｍ以下が望ましい。また、特に酸素を用いた場合は、半導体表面に残存していたレジスト等の有機物残渣が除去されるため電極材料の半導体への密着性を向上させることが可能である。
【００１７】
図１（ｃ）は、アモルファス層２形成後、アルカリ処理を施す工程である。このアルカリ処理により、上記プラズマ処理で形成されたアモルファス層２が除去され、処理面７が形成される。
【００１８】
アモルファス層２の除去には、例えばアルカリ水溶液を用いたウェット処理を用いる。ウェット処理において、アモルファス層２を形成した窒化物半導体層１表面を、アルカリ水溶液に曝すことでアモルファス層２が除去できる。このときのアルカリ水溶液への曝し方としては、窒化物半導体層１を溶液中に浸しても良いし、アモルファス層２が形成された表面側のみにアルカリ水溶液をかけても良い。このときのアルカリ水溶液としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液を用いることが良く、このときの処理温度としては２０〜４０℃程度がよい。また水溶液のアルカリイオン濃度としては２〜５％程度のものを用いれば、十分に除去効果が発揮される。ここでアルカリ水溶液としてＴＭＡＨを用いたが、ＮａＯＨ（水酸化ナトリウム）等のアルカリ水溶液を用いても同様に効果が発揮できる。
【００１９】
これらの図１（ａ）〜（ｃ）の処理を経て形成された、窒化物半導体層１の処理面７は、処理面７上に電極を形成する場合、オーミックコンタクトを形成するのに適した状態となる。ただし、このアルカリ処理時の処理温度、処理濃度はこの範囲に限定されるものではなく、実施する処理に応じて適宜選択することが可能である。また、窒化物半導体層１は例に挙げたｐ型窒化物半導体に限定されるものではなく、ｎ型でも同様な効果を得るものである（ｎ型の場合は、ショットキー形成に効果を発揮する）。
【００２０】
＜電極接触面としての応用＞
例えば処理面７がｐ型ＧａＮであれば、このｐ型ＧａＮに対して上記エッチング方法により電極形成前処理を施し、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、スパッタ法によりｐ型電極材料を堆積しリフトオフ法等を用いてパターンニングを行うことにより、低抵抗なコンタクト抵抗を有するｐ型電極（図示せず）が形成することができる。このときの電極材料としては、例えばパラジウム（Ｐｄ）を用いたものが考えられる。また、このときの熱処理として、酸素を含む雰囲気で行うことが可能である（図示せず）。
【００２１】
上記のｐ型電極の形成に際し、ｐ型電極材料としてはＰｄを用いた電極としてＰｄ／Ｔａ／Ｐｄ構造が考えられる。この膜厚としては、それぞれ１０〜１００ｎｍ程度があればよい。Ｐｄはｐ型半導体とのオーミック性を得るために必要であり、Ｔａは後述の熱処理時のＰｄの凝集抑制やオーミック性反応促進のために必要となる。例えばＰｄの膜厚は５５ｎｍ程度でＴａの膜厚は１５ｎｍ程度、上部Ｐｄの膜厚は１００ｎｍが考えられる。所望のコンタクト抵抗を得るためには、ｐ型電極形成後に熱処理を行う必要があるが、このときの熱処理雰囲気としては酸素を含む雰囲気が望ましい。具体的には、熱処理雰囲気は大気、酸素（Ｏ2）、Ｏ3、ＮＯ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ等のガス中であればよい。また、そのときの処理温度としては４００℃〜８００℃程度とし、材料構造等により最適な温度を用いる。
【００２２】
次に、ｐ型電極上にワイヤーボンディング等のためのパッド電極を形成できる（図示せず）。パッド電極の形成はｐ型電極形成同様に蒸着法やスパッタ法を用いて行うことが可能である。そして、パッド電極材料としては、チタン（Ｔｉ）を含む材料であることが望ましく、具体的にはＴｉ／Ｔａ／Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ等が考えられ、膜厚としては、パッド形成後の処理に応じて変更が可能である。
【００２３】
＜効果＞
この実施の形態１によれば、処理対象層である窒化物半導体層１に対しプラズマ処理を施し、形成されたアモルファス層２に対しアルカリ処理を施すことにより、窒化物半導体層１表面の抵抗成分となる汚染物を除去した処理面７を形成したことで、例えば窒化物半導体層１に電極を接触させる面の抵抗を小さくすることが可能となる。
【００２４】
また、この実施の形態１によれば、処理対象層である窒化物半導体層１として、ｐ型導電性の窒化物半導体を用いることにより、例えば窒化物半導体層１にｐ型電極を接触させる面の抵抗を小さくする、低抵抗なオーミックコンタクトが形成可能となる。
【００２５】
また、この実施の形態１によれば、窒化物半導体層１のＣ面上にプラズマ処理を施し、その後アルカリ処理することで、Ｃ面に対してもエッチングができ、例えば電極をＣ面に接触させる場合の抵抗を小さくすることが可能となる。
【００２６】
また、この実施の形態１によれば、酸素、窒素、アルゴンのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を施すことにより、処理対象層である窒化物半導体層１の表面にアモルファス層２を形成でき、その後のアルカリ処理で除去することで、例えば電極を接触させる面の抵抗を小さくすることが可能となる。
【００２７】
また、この実施の形態１によれば、プラズマ処理によって処理対象層である窒化物半導体層１に形成される、アモルファス層２の厚さを５ｎｍ以下にすることにより、例えば電極を接触させる面の抵抗を小さくすることが可能となる。
【００２８】
また、この実施の形態１によれば、処理対象層である窒化物半導体層１に対するアルカリ処理を、アルカリ水溶液により施すことにより、例えば電極を接触させる面の抵抗を小さくすることが可能となる。
【００２９】
また、この実施の形態１によれば、アルカリ水溶液としてＴＭＡＨ、ＮａＯＨを使用することにより、アルカリ処理を適切に行なうことができ、例えば電極を接触させる面の抵抗を小さくすることが可能となる。
【００３０】
また、この実施の形態１によれば、アルカリ水溶液の温度を２０〜４０℃に設定することにより、アルカリ処理を適切に行なうことができ、例えば電極を接触させる面の抵抗を小さくすることが可能となる。
【００３１】
また、この実施の形態１によれば、アルカリ水溶液のアルカリイオン濃度を２〜５％に設定することにより、アルカリ処理を適切に行なうことができ、例えば電極を接触させる面の抵抗を小さくすることが可能となる。
【００３２】
＜実施の形態２＞
＜製造方法＞
本実施の形態２にかかる、窒化物半導体装置の製造方法について、以下説明する。
【００３３】
ここでは実施の形態１の場合と同様に、特に窒化物半導体層のエッチング方法について述べる。
【００３４】
＜エッチング方法＞
図２（ａ）から図２（ｅ）は、本発明の実施の形態２にかかる、ＧａＮなどの窒化物半導体層１のエッチング処理方法を示す作製工程図である。
【００３５】
図２（ａ）は、実施の形態１の図１（ａ）と同様に、処理対象層である窒化物半導体層１を用意する工程である。
【００３６】
図２（ｂ）は、マスク材９を所定の範囲に形成する工程である。マスク材９を用いて選択的に処理領域を形成することが可能である。マスク材９の形成されない部分が処理領域である。
【００３７】
図２（ｃ）、（ｄ）に示すプラズマ処理、アルカリ処理に関しては、処理領域が前述のマスク材９によって制限される他は、実施の形態１に示す図１（ｂ）、（ｃ）と同様であるので、説明を省略する。
【００３８】
図２（ｅ）は、マスク材９を除去する工程である。アルカリ処理後マスク材９を除去することで、選択的に処理面７が形成できる。
【００３９】
＜電極接触面としての応用＞
例えばこの処理面７がｐ型ＧａＮであれば、このｐ型ＧａＮに対して上記エッチング方法により選択的に電極形成前処理を施し、蒸着法、スパッタ法によりｐ型電極材料を堆積し、リフトオフ法等を用いてパターンニングを行なうことにより、低抵抗なコンタクト抵抗を有するｐ型電極が形成できる。あるいは、マスク材９をそのまま用いて、この領域のみに電極を形成することも可能である。その結果、上記のｐ型電極を用いたデバイスの動作電圧の増加が抑制可能となり、また、発熱による影響を低減できるために安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。
【００４０】
このときの電極材料としては、例えばＰｄを用いたものが考えられる。また、このときの熱処理として、酸素を含む雰囲気で行うことが可能である（図示せず）。
【００４１】
＜効果＞
この実施の形態２によれば、処理対象層上にするマスクとしてマスク材９を形成することにより、プラズマ処理、アルカリ処理はマスクがされない部分に対してされ、多数の領域に選択的に処理面７を形成することが可能となる。また、半導体表面の抵抗成分となる汚染物を除去したオーミックコンタクト形成に適した表面を形成したことで、低抵抗なオーミックコンタクトが形成可能となる。
【００４２】
＜実施の形態３＞
＜製造方法＞
本実施の形態３にかかる、窒化物半導体レーザ装置の製造方法について説明する。本実施の形態３では、例えば図４に示すような構造の窒化物半導体レーザ装置について述べる。図４に示すのは、上記窒化物半導体レーザ装置１００の断面図である。
【００４３】
図の最下層部分のｎ型電極１８上に、ｎ型ＧａＮ層１９、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２０、ｎ型ＧａＮガイド層２１、活性層２２、ｐ型ＧａＮガイド層２３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４が、順に積層された多層構造になっている。
【００４４】
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、さらにその上に積層されるｐ型ＧａＮコンタクト層２５は、エッチングにより所定の形状にパターンニングされている。図に示すように、リッジ形状になっている。また、絶縁保護膜としてのＳｉＯ2膜２７は、ｐ型ＧａＮコンタクト層２５の上部を除く領域に、成膜される。
【００４５】
ｐ型電極２６は、ｐ型ＧａＮコンタクト層２５の上部と、ＳｉＯ2膜２７とを覆うように配置される。
【００４６】
本実施の形態３では特に、上記の窒化物半導体レーザ装置において、図４の上層部分における窒化物半導体層としてのｐ型ＧａＮコンタクト層２５の、電極部としてのｐ型電極２６との接触面である処理面２８のエッチング方法、電極形成の方法について、図３を用いて以下説明する。ただし、ｐ型ＧａＮコンタクト層、ｐ型電極の接触の組み合わせに限るものではない。
【００４７】
＜エッチング方法＞
図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３にかかる窒化物半導体レーザ装置（リッジ部）のエッチング方法を示す断面図である。図３におけるリッジ部３は、図４におけるｐ型ＧａＮコンタクト層２５のｐ電極２６との接触面に対応する。
【００４８】
図３（ａ）に示すのは、処理対象層である窒化物半導体層１（ｐ型ＧａＮ等）を用意する工程である。図３（ａ）における窒化物半導体層１は、図４におけるｐ型ＧａＮコンタクト層２５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４に相当する。実施の形態１、２との違いは、まず、窒化物半導体層１の上面（Ｃ面）の形状が、レジスト等のパターンを用いてエッチングすることにより、リッジ部３のように形成されていることである。
【００４９】
ここで、具体的なリッジ形成法としては、窒化物半導体層１（ｐ型ＧａＮ等）上に、転写技術を用いてレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターン（図示せず）をマスクとして窒化物半導体層１をエッチングするものである。リッジ形成のためのエッチングは、ドライエッチングが用いられる。ドライエッチングには、ＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）やＥＣＲ（電子サイクロン共鳴）等によるエッチングを用いることが可能である。このときのエッチングガスとしては塩素（Ｃｌ）系のガスが用いられる。エッチング深さもデバイスの特性に応じて変化するが、およそ０．５μｍ程度必要となる。また、リッジ部３のエッチングには、レジストパターンではなく、絶縁膜等の材料を用いても同様のリッジ加工が可能である。
【００５０】
また、リッジ部３側壁から窒化物半導体層１上にわたって、ＳｉＯ2膜（絶縁膜）４が図３（ａ）のようにリッジ部３の上部を避けるように配置される。
【００５１】
ＳｉＯ2膜４の形成法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によりＳｉＯ2を成膜し、リフトオフ法やエッチバック法により選択的にリッジ部３周辺に形成するものである。その結果、リッジ部３上部が開口して露出する。ＳｉＯ2膜の膜厚はデバイスの光学特性により決定されるもので、例えば２００ｎｍ程度の膜厚が必要となる。デバイス作製上はＳｉＯ2が望ましいが、ＳｉＮやその他の絶縁膜で光学特性を満たせる材料であれば良い。
【００５２】
さらに、後にｐ型電極８をリッジ部３およびＳｉＯ2膜４に接触するように形成のため、レジスト５を図３（ａ）のように形成する。ＳｉＯ2膜４上の、リッジ部３から所定の範囲を避けた範囲である。
【００５３】
図３（ｂ）は、上記のようにリッジ部３をもつ窒化物半導体層１に対し、プラズマ処理を施し、ＳｉＯ2膜４が形成されない領域にアモルファス層２を形成する工程である。プラズマ処理をする範囲が異なるが、実施の形態１、２におけるプラズマ処理と同様の工程である。
【００５４】
図３（ｃ）は、アルカリ水溶液を用いたアルカリ処理により、プラズマ処理で形成されたアモルファス層２が除去され、オーミックコンタクト作製に適した処理面７が形成される工程である。実施の形態２と同様に、ＳｉＯ2膜４が形成されない領域に選択的に処理領域を形成することができる。
【００５５】
＜電極形成の方法＞
図３（ｄ）に示すのは、アルカリ処理の後、電子ビーム（ＥＢ）、蒸着法、スパッタ法等によりｐ型電極材料を堆積する工程である。
【００５６】
さらに図３（ｅ）において、ｐ型電極材料堆積後、リフトオフ法により不要な部分のｐ型電極材料をレジスト５により除去することで、窒化物半導体層１上に選択的にｐ型電極材料を配置することが可能となる。このようにして、ｐ型電極材料堆積後、熱処理を行うことにより低抵抗なコンタクト抵抗を有するｐ型電極８が形成される。
【００５７】
ｐ型電極８の形成法としては、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、スパッタ法等により電極材料を成膜し、リフトオフ法により選択的にリッジ部３上部と側面に形成する。ｐ型電極材料としては、ｐ型窒化物半導体とオーミック特性が得られる材料であれば良い。例えばｐ型電極８としてはＰｄ／Ｔａ／Ｐｄのような電極構造が考えられる。また、外部との接続のためのパッド電極として例えばＴｉ／Ｔａ／Ｔｉ／Ａｕのような電極構造が考えられる。
【００５８】
以上より、図４における窒化物半導体レーザ装置１００において、ｐ型ＧａＮコンタクト層２５表面に、抵抗成分となる汚染物を除去したオーミックコンタクト形成に適した処理面２８を形成することができ、低抵抗なオーミックコンタクトが形成可能となる。
【００５９】
＜効果＞
この実施の形態３によれば、窒化物半導体レーザ装置１００において、窒化物半導体層であるｐ型ＧａＮコンタクト層２５の、電極部であるｐ型電極２６との接触面に対し、プラズマ処理、アルカリ処理を用いたエッチング、さらに電極形成を行なうことにより、デバイスの動作電圧の増加が抑制可能となり、また、発熱による影響を低減できるために安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施の形態１にかかる、窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】実施の形態２にかかる、窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】実施の形態３にかかる、窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】実施の形態３にかかる、窒化物半導体レーザ装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  窒化物半導体層、２  アモルファス層、３  リッジ部、４，２７  ＳｉＯ2膜、５  レジスト、６  プラズマ、７，２８  処理面、８，２６  ｐ型電極、９  マスク材、１８  ｎ型電極、１９  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、２１  ｎ型ＧａＮガイド層、２２  活性層、２３  ｐ型ＧａＮガイド層、２４  ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、２５  ｐ型ＧａＮコンタクト層、１００  窒化物半導体レーザ装置。
【図１】
2010098221.tif 000003
【図２】
2010098221.tif 000004
【図３】
2010098221.tif 000005
【図４】
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