(57)【要約】【課題】発熱プレートの中央部が周辺部と比較して高温化することを抑制することで、はんだ材と回路部品を載置した基板を均一に加熱することのできる技術を提供する。【解決手段】回路部品と基板の間に配置されたはんだ材を溶融して回路部品を基板にはんだ付けする装置であり、交流磁界を発生する誘導コイル２０と、交流磁界が誘起する誘導電流によって発熱する発熱プレート３０を備えている。発熱プレート３０には、その中央部を含む長尺のスリット３１が形成されている。発熱プレート３０の透磁率は、スリット内の透磁率よりも大きい。はんだ付け装置１は、はんだ材と回路部品が載置された基板が取り付けられた発熱プレート３０を、スリット３１の長尺方向が交流磁界Ｍｆの方向に交差するように配置する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部品と基板の間に配置されたはんだ材を溶融して回路部品を基板にはんだ付けする装置であり、
交流磁界を発生する誘導コイルと、
交流磁界が誘起する誘導電流によって発熱する発熱プレートを備えており、
発熱プレートは、その中央部を含む平面内を一方向に伸びており透磁率が他の領域の透磁率よりも低い低透磁率領域を有しており、
はんだ材と回路部品が載置された基板が取り付けられた発熱プレートが、その平面が交流磁界の方向に平行になるとともに、低透磁率領域の長手方向が交流磁界の方向に交差するように交流磁界内に配置されることを特徴とするはんだ付け装置。
【請求項２】
はんだ材と回路部品が載置された基板が取り付けられた発熱プレートが、誘導コイルの内側空間に配置されることを特徴とする請求項１に記載のはんだ付け装置。
【請求項３】
はんだ材と回路部品が載置された基板が取り付けられた発熱プレートが、低透磁率領域の長手方向が交流磁界の方向に直交するように交流磁界内に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載のはんだ付け装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路部品と基板の間に配置されたはんだ材を溶融して回路部品を基板にはんだ付けする装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のはんだ付け装置として、誘導加熱を利用してはんだ材を溶融するはんだ付け装置が特許文献１に開示されている。このはんだ付け装置は、交流磁界を発生する誘導コイルと、交流磁界が誘起する誘導電流によって発熱する発熱プレートを備えている。このはんだ付け装置では、発熱プレートに、はんだ材と回路部品を載置した基板を取り付ける。基板等が取り付けられた発熱プレートは交流磁界内に配置される。交流磁界によって発熱プレート内に誘導電流が誘起され、その誘導電流に対する電気抵抗によって発熱プレートが発熱する。発熱プレートの熱によって基板に載置されているはんだ材が溶融し、回路部品と基板がはんだ付けされる。なお、交流磁界に置かれた部材が誘導電流によって発熱する現象が、誘導加熱と呼ばれている。
【０００３】
複数の回路部品が分散配置されている基板に対応するため、特許文献２には、発熱プレートの所望の位置のみを発熱させる技術が開示されている。特許文献２の発熱プレートは、発熱プレート全体が非磁性体（交流磁界に曝されても発熱しない物質）で形成され、加熱したい領域の基板に接触する部分に磁性体（交流磁界によって誘導電流が誘起されて発熱する物質）が分散配置されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３６１１０号公報
【特許文献２】特開２００５−２２２９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２の発熱プレートは、回路部品が載置されている領域の基板を局所的に加熱する。特許文献２の技術は、発熱プレートに意図的に高低差のある温度分布を形成する。
他方、はんだ材が分散配置されている基板の広い範囲を均一に加熱する方が好都合な場合がある。例えば、複数のはんだ材が密に分散配置されている場合や、ひとつの発熱プレートを、回路部品が載置される領域（加熱したい領域）が相違する異種の基板に共通して用いたい場合などである。特許文献２の発熱プレートは、そのような場合に適用できない。
また、磁性体を分散配置しておらず単一の磁性体を備えた発熱プレートでは、磁性体の中央が周囲よりも高温になる傾向がある。従って、単一の磁性体を備えた発熱プレートによっても、基板の広い範囲を均一に加熱することができない。
本発明は、上記課題に鑑みて創作された。本発明の目的は、はんだ材と回路部品を載置した基板を均一に加熱することのできるはんだ付け装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
様々な形状の発熱プレートを試作して誘導加熱による発熱の状態を調べたところ、発明者らは、コイルが発生する交流磁界の向きと、発熱プレートの形状と、発熱プレートの温度分布との間に特殊な関連が存在することを見出した。図３に、発明者が試作した発熱プレート３０の平面図を示す。この発熱プレート３０は、略八角形に形成されており、その厚みが均一である。発熱プレート３０は、その中央部にスリット３１が形成されている。図示の左右方向を、交流磁界Ｍｆの方向とする。誘導コイル２０に図示の向きの電流が流れている時には、交流磁界Ｍｆの方向は図示右向きとなる。なお、図３の磁束密度B0,B1については、実施例で説明する。
【０００７】
図４と図５は、図３の発熱プレート３０を交流磁界に曝したときの温度分布を示している。図４は、発熱プレート３０を、その平面（表面或いは裏面）が交流磁界Ｍｆの方向に平行になるとともに、スリット３１の長手方向が交流磁界Ｍｆの方向に交差するように配置した場合の温度分布を示す。図５は、発熱プレート３０を、その平面（表面或いは裏面）が交流磁界Ｍｆの方向に平行になるとともに、スリット３１の長手方向が交流磁界Ｍｆの方向と平行となるように配置した場合の温度分布を示す。なお、比較のために、図６に、外形形状は同じであるがスリットを有さない発熱プレート３２を、その平面が交流磁界Ｍｆの方向に平行になるように交流磁界に曝したときの温度分布を示す。なお、図４〜図６では、明度が高い領域ほど温度が高いことを示している。
【０００８】
図５と図６は、ほぼ同様の温度分布を示している。両者ともに中央と周辺との温度差（図中では明度差）が大きい。図５に示すように、スリット３１の長手方向が交流磁界Ｍｆの方向と平行となるように発熱プレート３０を配置した場合、スリット３１は温度分布にほとんど影響しない。すなわち、長手方向が交流磁界Ｍｆの方向に平行なスリットは、中央と周辺との温度差を解消することができない。他方、図４の場合、発熱プレート３０の中央と周囲の温度差が小さい。即ち、スリット３１の長手方向が交流磁界Ｍｆの方向に交差するように発熱プレート３０を配置すると、発熱プレート３０内の温度が均一化する。同じ形状のスリット３１を備えていても、スリット３１の長手方向と交流磁界Ｍｆの方向との位置関係によって発熱プレート３０内の温度差が大きく異なる。すなわち、交流磁界Ｍｆの向きと、スリット３１の長手方向の向きと、発熱プレート３０の温度分布との間には、顕著な関連がある。
【０００９】
上記した関連の根拠は現在検討中であるが、現時点では、交流磁界Ｍｆ内に載置されることによって発熱プレート内を通過する高密度の磁束が、スリットによって長さの短い２つの高密度部に分断されることがひとつの原因であると推測される。この推測に基づくと、磁束の方向の変化によって流れる誘導電流は大局的にはスリットの長手方向に平行に流れるが、高密度の磁束がスリットの両側に分断されることによって、誘導電流がスリットの両側に分散する。即ち、発熱プレート中央への誘導電流の集中が緩和される。その結果、発熱プレート中央部の温度上昇が抑制される。なお、上記では、誘導電流は大局的にはスリットの長手方向に平行に流れると説明したが、実際の誘導電流は渦電流であり、渦電流群の総和としてスリットの長手方向に平行に流れるように見える。
【００１０】
本願発明は上記の新たな知見に基づいて創作された。上記のスリットは、発熱プレートの周囲の領域よりも透磁率が低い領域を意味する。本願発明は、交流磁界を発生する誘導コイルと、交流磁界が誘起する誘導電流によって発熱する発熱プレートを備えたはんだ付け装置であり、次の技術的特徴を有する。即ち、発熱プレートは、その中央部を含む平面内を一方向に伸びており透磁率が他の領域よりも低い低透磁率領域を有している。そして、はんだ材と回路部品が載置された基板が取り付けられた発熱プレートが、その平面（表面或いは裏面）が交流磁界の方向に平行になるとともに、低透磁率領域の長手方向が交流磁界の方向に交差するように交流磁界内に配置される。
低透磁率領域は、他の領域を形成する材料の透磁率より小さい透磁率の材料で形成されていてもよいし、発熱プレートに設けられたスリットが形成する空隙であってもよい。
抵透磁率領域は、前記した一方向に一繋がりに伸びていてもよいし、分離した複数個の抵透磁率部が前記した一方向に沿って並んでいてもよい。
【００１１】
上記したはんだ付け装置は、図４に示したように、その中央の温度上昇が抑制され、発熱プレート全体の温度が均一化する。上記したはんだ付け装置を用いると、分散配置されたはんだ材を発熱プレートによって均一に溶融し、回路部品を基板にはんだ付けすることができる。なお、図４に示したように、発熱プレートは、低透磁率領域の長手方向が交流磁界の方向に直交するように交流磁界内に配置されることが好ましい。
低透磁率領域の幅（長手方向と交差する方向の長さ）は、僅かでよい。このはんだ付け装置は、発熱プレート内に磁性体が分散配置されている特許文献２の技術と異なり、低透磁率領域を含む全体を均一な温度とすることができる。
【００１２】
はんだ材と回路部品が載置された基板が取り付けられた発熱プレートは、誘導コイルの内側空間に配置されることが好ましい。
誘導コイルの内側空間では磁力線が略平行に通る。即ち、内側空間には一様な磁界が形成される。磁界の一様性も、発熱プレート全体の温度を均一化することに貢献する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のはんだ付け装置によると、発熱プレートの中央と周辺の温度差が小さくなり、はんだ材を均一に溶融して回路部品を基板にはんだ付けすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。
（１）発熱プレートの外形形状は略八角形である。
（２）低透磁率領域は、発熱プレートをその厚み方向に貫通しているスリットである。
（３）スリットの幅（スリット長手方向と発熱プレートの厚み方向の双方に直交する方向のスリット長さ）は、発熱プレートの厚みよりも小さい。
【実施例】
【００１５】
図１に、はんだ付け装置１の要部斜視図を示す。はんだ付け装置１は、コンベア１０、誘導コイル２０、発熱プレート３０、温度計測器４０、及び、コントローラ５０を備えている。図２に、図１をII-II線で切断した要部断面図を示す。図２は、基板６０等を取り付けた発熱プレート３０の周囲の構造を詳しく示している。なお、図２に示すように、基板６０等を取り付けた発熱プレート３０が、はんだ付け装置１のコンベア１０に載置されて誘導コイル２０内へ搬送されるが、図１では、基板６０等は省略して発熱プレート３０のみを表記してある。図３に、発熱プレート３０の平面図を示す。図３は、誘導コイル２０と発熱プレート３０の位置関係も示している。
【００１６】
まず、図２を参照して基板６０等を取り付けた発熱プレート３０の周囲の構造を説明する。発熱プレート３０自体の構成については後に詳述する。はんだ付け装置１のコンベア１０上に、発熱プレート３０がパレット１２を介して載置されている。発熱プレート３０上には、基板６０が取り付けられている。基板６０には、はんだ材６２と回路部品６４が載置されている。各々の回路部品６４と基板６０の表面との間に、はんだ材６２が配置されている。回路部品６４は、冶具７０によって基板６０上に固定されている。本明細書では、回路部品６４、はんだ材６２、冶具７０、及び基板６０を併せて基板６０等と称する。基板６０等が取り付けられた発熱プレート３０は、コンベア１０によって図１〜図３に示すｘ方向に搬送される。
【００１７】
図１に示すように、基板６０等が取り付けられた発熱プレート３０は、はんだ付け装置１の誘導コイル２０の内側空間に配置される。基板６０等が取り付けられた発熱プレート３０は、誘導コイル２０の内側空間に収まる大きさとなっている。発熱プレート３０は、その平面が誘導コイル２０の軸線方向（図に示すｘ方向）と平行となるように配置される。誘導コイル２０は、水冷銅管の巻き線を用いて形成されている。誘導コイル２０の巻き線は、コンベア１０の途中に巻き回されている。実際には、誘導コイル２０は、図１よりも多数回にわたってコンベア１０の周囲に巻き回されている。コンベア１０は、誘導コイル２０の内側空間を貫通するように配置されている。
【００１８】
はんだ付け装置１の温度計測器４０は、誘導コイル２０の内側空間の温度を計測する。
はんだ付け装置１のコントローラ５０は、誘導コイル２０の内側空間の温度に基づいて、基板６０の温度を推定する。コントローラ５０は、温度計測器４０が計測した内側空間の温度が、予め設定された目標温度となるように誘導コイル２０へ通電する交流電流を制御する。
【００１９】
図３を参照して発熱プレート３０の構成を詳述する。発熱プレート３０は、上面視すると、略八角形の形状を有している。発熱プレート３０の中央部には、長尺のスリット３１が設けられている。スリット３１は、発熱プレート３０を厚み方向に貫通している空隙である。図１〜図３では、理解し易いようにスリットの幅を大きく描いているが、スリットの幅は、発熱プレート３０の厚みよりも小さい。発熱プレート３０の材料には、強磁性体のひとつであるステンレスが用いられる。発熱プレート３０は、材料のプレートをレーザーカッタで略八角形に切断することによって形成される。スリット３１もレーザーカッタによって形成される。スリット３１が形成された後に、表面に銅メッキ等の表面処理を施し、発熱プレート３０が完成する。発熱プレート３０は、その平面が誘導コイル２０の軸線方向（図に示すｘ方向）と平行となるように、かつ、スリット３１の長手方向が誘導コイル２０の軸線方向と直交するように、誘導コイル２０の内側空間に配置される。
【００２０】
はんだ付け装置１が、回路部品６４を基板６０にはんだ付けする動作を説明する。なお、はんだ付け動作は真空内で行われる。
まず、基板６０等が取り付けられた発熱プレート３０が、誘導コイル２０の内側空間に配置される。
コントローラ５０は、誘導コイル２０に交流電流を流す。これにより、誘導コイル２０の周囲に交流磁界Ｍｆが発生する。交流磁界Ｍｆの方向は、概ね、誘導コイル２０の軸線方向（ｘ方向）に沿っている。
図３に示すように、誘導コイル２０が発生する交流磁界Ｍｆによって発熱プレート３０内に磁束が発生する。誘導コイル２０に図３に示す方向の電流が流れている時には、交流磁界Ｍｆの向きが図３に示す右向きとなる。したがって、発熱プレート３０に、図３に示す右向きの磁束が発生する。このときスリット３１が形成されていな範囲で発生する磁束の磁束密度は、スリット３１内で発生する磁束の磁束密度と相違する。発熱プレート３０のうちスリット３１が形成されていない範囲には、磁束密度Ｂ1の磁束が発生する。スリット３１内には、磁束密度Ｂ0の磁束が発生する。発熱プレート３０の材料の透磁率をμ1とし、はんだ付けを実施している時のスリット３１内の透磁率をμ0とし、交流磁界Ｍｆによる磁界強度をＨとすると、以下の関係式が成立している。
・磁束密度Ｂ1＝透磁率μ1・磁界強度Ｈ
・磁束密度Ｂ0＝透磁率μ0・磁界強度Ｈ
透磁率μ0は真空透磁率であり、透磁率μ1の方が透磁率μ0よりも大きい。したがって、発熱プレート３０のうちスリット３１が形成されていない範囲の磁束密度Ｂ1の方がスリット３１内での磁束密度Ｂ0よりも大きい。図３では、矢印の太さによって磁束密度の大きさを模式的に表している。
【００２１】
交流磁界Ｍｆの方向が反転することにより、発熱プレート３０に発生する磁束の方向が反転する現象に伴い、発熱プレート３０に誘導電流が流れる。発熱プレート３０自体の電気抵抗によって発熱プレート３０が発熱する。発熱プレート３０の熱によって基板６０に載置されているはんだ材６２が溶融し、回路部品６４と基板６０がはんだ付けされる。
【００２２】
コントローラ５０は、誘導コイル２０の内側空間の温度に基づいて、基板６０の温度を推定する。コントローラ５０は、温度計測器４０が計測した内側空間の温度が、予め設定された目標温度となるように誘導コイル２０へ通電する交流電流を制御する。ここで、目標温度は、はんだ材６２が溶融する温度である。温度計測器４０とコントローラ５０は基板６０が加熱し過ぎないように制御している。コントローラ５０は、基板６０等を取り付けた発熱プレート３０が、誘導コイル２０の内側空間に位置しているときに、内側空間の温度を目標温度に調整している。
【００２３】
コントローラ５０が回路部品６４と基板６０がはんだ付けされたことを判別したら（例えば、目標温度に達してから設定時間が経過したら）、基板６０等が取り付けられた発熱プレート３０をコンベア１０によって誘導コイル２０の内側空間から外にｘ方向に搬送する。
誘導コイル２０の内側空間には、次にはんだ付けされるワーク（基板６０等が取り付けられた発熱プレート３０）が配置される。
【００２４】
発熱プレート３０を、その平面が交流磁界Ｍｆの方向に平行になるとともに、スリット３１の長手方向が交流磁界Ｍｆの方向に直交するように交流磁界Ｍｆ内に配置されると、発熱プレート３０が均一に発熱する。この現象を以下に実験例で示す。
【００２５】
（実験例）
図４に示す実験例の発熱プレート３０が載置される内側空間の交流磁界Ｍｆによる磁界強度Ｈは、10-7〜10-2Ａ／ｍ程度とする。発熱プレート３０の初期温度は２１０℃とする。交流磁界Ｍｆ内に発熱プレート３０を６０秒間配置しておく。すると、発熱プレート３０の温度分布は、図４に示す分布となる。ここで、図中の温度範囲Ｌ３は３１５．７℃から３２２．４℃の間であり、温度範囲Ｌ２は３２２．４℃から３３５．８℃の間であり、温度範囲Ｌ１は３３５．８℃から３４９．３℃の間であり、温度範囲Ｍは３４９．３℃から３５６．０℃の間であり、温度範囲Ｈ１は３５６．０℃から３６２．７℃の間であり、温度範囲Ｈ２は３６２．７℃から３６９．４℃の間であり、温度範囲Ｈ３は３６９．４℃から３７６．１℃の間であることを示す。
発熱プレート３０を上記のとおり配置すると、最高温度が３５７．５℃（温度範囲Ｈ１内）となり、最低温度が３１７．８℃（温度範囲Ｌ３内）となる。最高温度と最低温度の温度差は、３９．７℃である。
【００２６】
（比較実験）
図５に、発熱プレート３０を、その平面とスリット３１の長手方向の双方が交流磁界Ｍｆの方向に平行になるように配置したときの温度分布を示す。図６に、外形形状は同じであるがスリットが形成されていない発熱プレート３２をその平面とスリット３１の長手方向の双方が交流磁界Ｍｆの方向に平行になるように配置したときの温度分布を示す。図５と図６に示す比較実験のその他の条件は、図４に示した実験の条件と同じである。
【００２７】
スリット３１の長手方向が交流磁界Ｍｆの方向に平行になるように発熱プレート３０を配置した場合（図５）、発熱プレート３０の温度分布は、中央で最高温度３７６．１℃（温度範囲Ｈ３内）となり、周辺で最低温度３２８．３℃（温度範囲Ｌ２内）となる。したがって最高温度と最低温度の温度差は、４７．８℃となる。
【００２８】
スリット３１を有さない発熱プレート３２の場合（図６）、発熱プレート３２の発熱プレート３２の温度分布は、中央で最高温度３７２．７℃（温度範囲Ｈ３内）となり、周辺で最低温度３２７．１℃（温度範囲Ｌ３内）となる。したがって最高温度と最低温度の温度差は、４５．６℃である。
【００２９】
図４〜図６を比較すると明らかなとおり、スリット３１の長手方向が交流磁界Ｍｆと直交するように発熱プレート３０を配置した場合、他の場合よりも、発熱プレート全体の温度が顕著に均一化している。
【００３０】
図７と図８を参照して、スリット３１の長手方向が交流磁界Ｍｆの方向と直交するように（図３に示すように）発熱プレート３０を配置すると、発熱プレート３０の温度を均一化することができる理由を説明する。なお、以下で述べる理由は推定であることに留意されたい。
図７は、スリットを有さない発熱プレート３２に流れる誘導電流Ｉｇを示している。発熱プレート３２は、交流磁界Ｍｆ内に置かれると、その表面に多数の渦電流が発生する。小さな渦電流群の総和として、発熱プレート３２の表面に誘導電流Ｉｇが流れるように見える。発明者らの検討によると、発熱プレート３２を磁界の方向が一様な交流磁界Ｍｆ内（本実施例では誘導コイル２０の内側空間）に曝しても、誘導電流Ｉｇは発熱プレート３２内を一様に流れず、図７に示すように中央に集中する。その結果、周囲に比べて中央の温度が高くなる。
図８に、本実施例の発熱プレート３０を、図３に示すように交流磁界Ｍｆ内に配置した場合に流れる誘導電流Ｉｇを示す。図８に示すとおり、誘導電流Ｉｇはスリット３１の両側に分散する。その結果、発熱プレート３０の中央の温度上昇が抑制される。
【００３１】
本実施例のように、中央にスリット３１を有する発熱プレート３０を、図３に示すように交流磁界Ｍｆ内に配置すると、上記比較実験例の場合と比較して、発熱プレート３０全体の温度が均一化される。
【００３２】
上記実施例において、スリット３１内の透磁率μ0は、発熱プレート３０の透磁率μ1よりも小さい。スリット３１を、透磁率の観点で表現すると、スリット３１が画定する空間は、発熱プレート３０において透磁率が他の領域の透磁率よりも低い低透磁率領域と表現することと等価である。即ち、スリット３１の空間に相当する領域に、発熱プレート３０を構成する材料の透磁率より小さい透磁率の材料が充填されていてもよい。別言すれば、本発明の効果は、次の技術的特徴によって得られる。
（１）発熱プレートが、その中央部を含む平面内を一方向に伸びており透磁率が他の領域よりも低い低透磁率領域を有する。
（２）はんだ材と回路部品が載置された基板が取り付けられた発熱プレートが、その平面（表面或いは裏面）が交流磁界の方向に平行になるとともに、低透磁率領域の長手方向が交流磁界の方向に交差するように交流磁界内に配置される。
なお、低透磁率領域はさらに絶縁特性を有していることが一層好ましい。具体的には、発熱プレートは、低透磁率領域として、その中央に、長尺のスリットを有していることが好ましい。低透磁率領域が絶縁特性を有していると、誘導電流を低透磁率領域の両側に完全に分断できるからである。以下、実施例の発熱プレートの好適な変形例を示す。
【００３３】
（変形例１）
図９に示す発熱プレート３３のように、発熱プレート３３の中央部を含む領域に、複数個の孔３３ｂが一方向に並んで形成されていてもよい。はんだ付けを実施している時には、孔３３ｂ内部の透磁率が真空透磁率μ0となる。発熱プレート３３の材質は発熱プレート３０と同じであり、発熱プレート３３のうち孔３３ｂが形成されていない領域は、真空透磁率μ0よりも高い透磁率μ1を有する。したがって、孔３３ｂが、他の領域よりも透磁率が低い低透磁率領域である。はんだ付け装置１は、発熱プレート３３を、その平面が誘導コイル２０（図示していない）の発生する交流磁界Ｍｆの方向に平行になるとともに、孔３３ｂが並んでいる方向が交流磁界Ｍｆの方向に交差するように配置する。発熱プレート３０と同様に、発熱プレート３３を用いると、プレート全体の温度を均一化することができる。即ち、発熱プレート３３を採用するはんだ付け装置も、はんだ材を均一に溶融して回路部品を基板にはんだ付けすることができる。
【００３４】
（変形例２）
図１０に示す発熱プレート３４のように、発熱プレート３４の中央を含む領域に、長尺の溝３４ｂが形成されていてもよい。はんだ付けを実施している時には、溝３４ｂ内部の透磁率は真空透磁率μ0である。発熱プレート３４の材質は発熱プレート３０と同じであり、発熱プレート３４のうち溝３４ｂが形成されていいない領域は、真空透磁率μ0よりも高い透磁率μ1を有する。したがって、溝３４ｂが、他の領域よりも透磁率が低い低透磁率領域である。はんだ付け装置１は、発熱プレート３４を、その平面が誘導コイル２０（図示していない）の発生する交流磁界Ｍｆの方向に平行になるとともに、溝３４ｂの長手方向が交流磁界Ｍｆの方向に交差するように配置する。発熱プレート３０と同様に、発熱プレート３４を用いると、プレート全体の温度を均一化することができる。即ち、発熱プレート３４を採用するはんだ付け装置も、はんだ材を均一に溶融して回路部品を基板にはんだ付けすることができる。
【００３５】
（変形例３）
図１１に示す発熱プレート３５のように、発熱プレート３５の中央部を含む領域に、長尺の低透磁率領域３５ｂが形成されていてもよい。低透磁率領域３５ｂの透磁率を透磁率μ2とする。その他の領域３５ａの発熱プレート３５の材質は発熱プレート３０と同じであり、透磁率μ2よりも高い透磁率μ1を有する。はんだ付け装置１は、発熱プレート３５を、その平面が誘導コイル２０（図示していない）の発生する交流磁界Ｍｆの方向に平行になるとともに、低透磁率領域３５ｂの長手方向が交流磁界Ｍｆの方向に交差するように配置する。発熱プレート３０と同様に、発熱プレート３５を用いると、プレート全体の温度を均一化することができる。即ち、発熱プレート３５を採用するはんだ付け装置も、はんだ材を均一に溶融して回路部品を基板にはんだ付けすることができる。
【００３６】
本実施例では、発熱プレートの形状が略八角形である場合について説明したが、発熱プレートの形状は八角形に限定されるものではない。また、発熱プレートは、例えばその中央部を含む領域で複数個の部分の分割されており、夫々の部分が補助部品で接続されていてもよい。また、夫々の部分は補助部品で接続されていなくてもよい。
【００３７】
本実施例では、低透磁率領域が伸びている方向が交流磁界の方向に直交する場合を示した。上記２方向が直交することが好ましいが、上記２方向が直交に近い角度で交差していれば、実施例のはんだ付け装置と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
本実施例では、発熱プレートが誘導コイルの内側空間に配置される場合を説明した。発熱プレートは誘導コイルの交流磁界内に配置されればよい。発熱プレートは、一様な交流磁界内に、その平面が磁界方向と平行であり、低透磁率領域の長尺方向が磁界と直交するように配置されていればよい。
【００３９】
実施例は、以下の特徴を有していることにも留意されたい。
（１）はんだ付け装置は、回路部品と基板の間に配置されたはんだ材を、誘導加熱によって溶融する。
（２）発熱プレートは、はんだ材と回路部品が表面に載置された基板の裏面に取り付けられる。
（３）誘導コイルは、交流電流を通電することによって交流磁界を発生する。
（４）交流磁界内に搬送された発熱プレートには、交流磁界が誘起する誘導電流を発生する。
（５）発熱プレートを通る磁束の磁束密度は、透磁率が小さい領域の方が小さい。
（６）低透磁率領域は、他の領域と比較して誘起される誘導電流が小さい。
【００４０】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】はんだ付け装置の要部斜視図である。
【図２】図１のはんだ付け装置をII−II線に沿って切断した要部断面図である。
【図３】発熱プレート３０の平面図である。
【図４】発熱プレート３０の温度分布を示す。
【図５】スリット３１の向きを変更したときの発熱プレート３０の温度分布を示す。
【図６】スリットを有さない発熱プレート３２の温度分布を示す。
【図７】スリットを有さない発熱プレート３２に生じる誘導電流Ｉｇを説明する図である。
【図８】スリット付き発熱プレート３０に生じる誘導電流Ｉｇを説明する図である。
【図９】変形例１の発熱プレート３３の平面図である。
【図１０】変形例２の発熱プレート３４の平面図である。
【図１１】変形例３の発熱プレート３５の平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１：はんだ付け装置
１０：コンベア
１２：パレット
２０：誘導コイル
３０、３２、３３、３４、３５：発熱プレート
３１：スリット（低透磁率領域）
４０：温度計測器
５０：コントローラ
６０：基板
６２：はんだ材
６４：回路部品
７０：冶具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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