(57)【要約】【課題】簡易な工程で精度良くパターンを形成することが可能な印刷方法を提供する。【解決手段】表面に粗面部１０Ａおよび鏡面部１０Ｂを有する除去板１０と、平板ブランケット１上のインク２を加圧接触させる。除去板１０の粗面部１０Ａと鏡面部１０Ｂとにおける表面性、すなわちインク２に対する密着性の違いにより、インク２のうち鏡面部１０Ｂに対応する部分が、除去板１０に転写され平板ブランケット１上から除去される。平板ブランケット１上では、粗面部１０Ａに対応する部分が残留し、この残留した部分が印刷パターン層２Ｂとなる。この印刷パターン層２Ｂに、被印刷基板４を加圧接触させることにより、被印刷基板４上に印刷パターン層２Ｂが転写される。【選択図】図１
2010143104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブランケット上に転写層を形成する工程と、
前記ブランケット上の転写層と、表面の選択的な第１の領域に粗面部を有する除去板とを向かい合わせた状態で加圧接触させることにより、前記転写層のうち前記第１の領域を除いた第２の領域に対応する部分を選択的に除去して前記ブランケット上に印刷パターン層を形成する工程と、
前記ブランケット上の印刷パターン層と被印刷基板とを向かい合わせた状態で加圧接触させることにより、前記印刷パターン層を前記被印刷基板上に転写する工程と
を含む印刷方法。
【請求項２】
前記除去板上の第１の領域に、前記粗面部としての多孔質めっき膜を形成する工程を含む
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項３】
前記多孔質めっき膜を形成する工程は、
基材上に触媒層を形成する工程と、
前記触媒層上の前記第２の領域にマスクを形成した状態で無電解めっき処理を施す工程とを含む
請求項２に記載の印刷方法。
【請求項４】
前記多孔質めっき膜を形成する工程は、
基材上に触媒層を形成する工程と、
前記触媒層の全面に対して無電解めっき処理を施す工程と、
前記無電解めっき処理により形成された多孔質めっき膜のうち前記第２の領域に形成された部分を選択的に除去する工程とを含む
請求項２に記載の印刷方法。
【請求項５】
前記除去板の粗面部を湿式エッチングにより形成する
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項６】
基材上の前記第２の領域にマスクを形成した状態で前記湿式エッチングを施す
請求項５に記載の印刷方法。
【請求項７】
基材上の全面に対して前記湿式エッチングを施したのち、前記第２の領域に平坦化膜を形成する
請求項５に記載の印刷方法。
【請求項８】
前記除去板の粗面部を、サンドブラストにより形成する
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項９】
基材上の前記第２の領域にマスクを形成した状態で前記サンドブラストを施す
請求項８に記載の印刷方法。
【請求項１０】
基材上の全面に対して前記サンドブラストを施したのち、前記第２の領域に平坦化膜を形成する
請求項８に記載の印刷方法。
【請求項１１】
前記除去板上に前記粗面部を形成する前に、前記除去板の表面に鏡面加工を施す
請求項２ないし請求項１０のいずれか１項に記載の印刷方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種薄膜プロセスに用いられる反転オフセット方式の印刷方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜プロセスの一つとして、反転オフセット印刷法が利用されている。反転オフセット印刷法では、例えばＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）などのゴムよりなるブランケットと、このブランケットの表面に印刷パターンを形成するための除去板とが用いられる。具体的には、ブランケットの表面にインクなどを塗布しておき、この上から除去板を加圧接触させることにより、ブランケット上のインクのうち不要な部分を除去板に転写させてブランケット上から除去するようになっている。
【０００３】
この除去板には、印刷パターンに応じて表面に凹凸が形成されている。この凹凸により、ブランケットとの加圧接触の際、凸部に対応する領域においてブランケット上のインクが除去板に転写され、凹部に対応する領域では、インクがブランケット上に残留する。これにより、ブランケット上には印刷パターンが形成され、この印刷パターンを被印刷基板に対して加圧接触させることによって、被印刷基板に所望のパターンが印刷される。
【０００４】
ところが、凹凸を利用した除去板によってブランケット上に形成される印刷パターンの精度は、凹凸形状のアスペクト比（ここでは、凹部における深さの幅に対する比率）に依存する。具体的には、アスペクト比が所定値以下、すなわち凹部の深さよりも幅が大きい場合、ブランケットと除去板との加圧接触時において、ブランケットがその弾性により撓み、凸部だけでなく凹部底面にもインクが付着し易くなる。このような転写不良により、所望の印刷パターンを得にくくなってしまう。
【０００５】
そこで、特許文献１には、除去板に設けられた複数の凹部において、幅や底面積の大きに応じて深さを設定することにより適切なアスペクト比を実現し、上記のようなブランケットの弾性変形に起因した転写不良を抑制する手法が提案されている。また、特許文献２には、凹部内に印刷パターンとして無視できるようなダミーの突起を設けることにより、ブランケットに撓みが生じた場合にも凹部におけるインクとの接触をなくして転写不良を抑制する手法が提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７―２６１１４４号公報
【特許文献２】特開２００７−１６０７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の手法では、凹部の幅や面積に応じて深さを変化させる必要があり、また上記特許文献２の手法では、凹部内に微細加工を施す必要があるため、いずれも工程が複雑化するという問題があった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡易な工程で精度良くパターンを形成することが可能な印刷方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の印刷方法は、ブランケット上に転写層を形成する工程と、ブランケット上の転写層と、表面の選択的な第１の領域に粗面部を有する除去板とを向かい合わせた状態で加圧接触させることにより、転写層のうちの第１の領域を除いた第２の領域に対応する部分を選択的に除去してブランケット上に印刷パターン層を形成する工程と、ブランケット上の印刷パターン層と被印刷基板とを向かい合わせた状態で加圧接触させることにより、印刷パターン層を被印刷基板上に転写する工程とを含むものである。
【００１０】
本発明の印刷方法では、除去板の表面の第１の領域に粗面部を設け、この除去板の表面にブランケット上の転写層を加圧接触させる。このとき、除去板の粗面部が形成された第１の領域とそれ以外の第２の領域とにおける表面性の違いにより、転写層のうちの第２の領域に対応する部分が、除去板に選択的に転写されブランケット上から除去される。これにより、ブランケット上には、転写層のうちの第１の領域に対応する部分のみが残留し、この残留した転写層が印刷パターン層となる。このようにして形成した印刷パターン層に、被印刷基板を加圧接触させることにより、被印刷基板上に印刷パターン層が転写される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の印刷方法によれば、表面の第１の領域に粗面部を有する除去板とブランケット上の転写層とを加圧接触させるようにしたので、粗面部が形成された第１の領域のパターンに応じて、ブランケット上に印刷パターン層を形成することができる。このように、除去板の第１および第２の領域における表面性の違いを利用して印刷パターンを形成することにより、凹凸を利用した場合のようなブランケットの変形による転写不良が生じることがない。また、このような転写不良を抑制すべく、凹部の幅や面積に応じて深さを調節（アスペクト比を調節）したり、凹部内に微細加工を施す必要もない。よって、簡易な工程で精度良くパターンを印刷することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
（１）実施の形態：除去板の粗面部を多孔質めっき膜を用いて構成する例（鏡面部をマスクした状態で無電解めっき処理を施す）
（２）変形例１：除去板の粗面部を多孔質めっき膜を用いて構成する例（無電解めっき処理の後、フォトリソグラフィにより鏡面部の多孔質めっき膜を選択的に除去する）
（３）変形例２：除去板の粗面部を湿式エッチングにより形成する例（鏡面部をマスクした状態で湿式エッチングを行う）
（４）変形例３：除去板の粗面部を湿式エッチングにより形成する例（湿式エッチングの後、フォトリソグラフィにより鏡面部に平坦化膜を形成する）
【００１３】
図１（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施の形態に係る印刷方法に用いられる除去板（除去板１０）の構成を模式的に表したものである。図１（Ａ）は、除去板１０を上面からみたものであり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。図２〜３は、除去板１０を用いた印刷方法について工程順に表したものである。この印刷方法は、インク２を形成した平板ブランケット１に除去板１０を加圧接触させ、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ｂを形成する工程と、印刷パターン層２Ｂを被印刷基板４に転写する工程とを経る、いわゆる反転オフセット印刷法である。なお、本実施の形態におけるインク２が本発明における転写層に対応している。
【００１４】
［除去板１０の構成］
まず、図１（Ａ），（Ｂ）を参照して、除去板１０の構成について説明する。除去板１０は、例えば石英、ガラス、樹脂または金属などよりなる平板状の版であり、平板ブランケット１上に形成されたインク２（転写層）のうちの不要な部分を除去するものである。この除去板１０の表面には、印刷パターンに対応して粗面部１０Ａと鏡面部１０Ｂとが混在して形成されている。
【００１５】
粗面部１０Ａは、最終的に被印刷基板４に転写される印刷パターン層２Ｂと同一のパターンの領域（第１の領域）に形成されている。この粗面部１０Ａの平均粗さＲａは、印刷対象となるインク２の材質にもよるが、例えば１００Å以上であることが望ましい。鏡面部１０Ｂは、除去板１０の表面において粗面部１０Ａを除いた領域（第２の領域）に形成されている。鏡面部１０Ｂは、鏡面加工が施されていることが望ましく、その平均粗さＲａは、例えば１０Å以下である。この除去板１０の具体的な作製方法については後述する。
【００１６】
［除去板１０を用いた印刷方法］
次に、上記のような除去板１０を用いた具体的な印刷方法について説明する。
【００１７】
（１．平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ｂを形成する工程）
まず、図２（Ａ）に示したように、除去板１０と平板ブランケット１を向かい合わせて配置する。平板ブランケット１は、基材１１の一面にＰＤＭＳ層１２を形成したものである。基材１１は、ガラスや金属などから構成され、厚みは１０〜５００μｍ程度である。ＰＤＭＳ層１２の厚みは１〜５０００μｍであり、加圧接触時における接触むらを防ぐために厚い方が望ましい。ここでは、平板ブランケット１のＰＤＭＳ層１２の表面に、転写対象となるインク２を全面にわたって塗布しておき、このインク２が塗布された面に、除去板１０の粗面部１０Ａおよび鏡面部１０Ｂが向かい合うように配置する。なお、インク２の塗布方法としては、例えばスピンコート法、スプレー法、ＣＡＰコーティング法、スリットコーティング法、ＬＢ成膜法またはインクジェット法などが好適である。
【００１８】
インク２としては、反転オフセット印刷法に適したものであれば特に限定されないが、例えば無電解めっき処理の際の触媒材料を含むものを用いることができる。具体的には、インク２として、触媒材料としての金属化合物または金属微粒子（金属ナノ粒子）を非極性溶媒に混合させたものを用いることができる。非極性溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサンもしくはヘプタンなどの直鎖アルカン類の炭化水素、シクロペンタンもしくはシクロヘキサンなどのシクロアルカン類、またはエチルメチルエーテル、ジエチルエーテルもしくはテトラヒドロフランなどエーテル類などが挙げられる。
【００１９】
金属化合物としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）またはパラジウム（Ｐｄ）などの金属と、分子式ＣｎＨｍＣＯＯＨにより表記される直鎖脂肪酸、分子式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＮＨ２により表記される直鎖アルキルアミン、分子式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＳＨにより表記される直鎖アルキルチオールまたは分子式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＣＮにより表記される直鎖アルキルニトリルなどのうちの少なくとも１つ以上の有機化合物とを結合したものを用いることができる。なお、これらの分子式において、ｎは、５以上４０以下の整数であることが望ましく、ｍは、ｍ＝２ｎ＋１であることが望ましい。
【００２０】
金属ナノ粒子としては、Ａｕ、ＡｇまたはＰｄなどの金属の微粒子（平均粒径が２０ｎｍ以下であることが望ましい）を用いることができ、その表面が有機化合物の保護剤により覆われたものを用いるのが望ましい。金属ナノ粒子を安定的に保存することができるからである。そのような保護剤としては、分子式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＮＨ２により表記される直鎖アルキルアミン、分子式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＳＨにより表記される直鎖アルキルチオールまたは分子式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＣＮにより表記される直鎖アルキルニトリルなどのうちの少なくとも１つ以上の有機化合物とを結合したものを用いることができる。なお、これらの分子式において、ｎは、５以上４０以下の整数であることが望ましく、ｍは、ｍ＝２ｎ＋１であることが望ましい。
【００２１】
続いて、図２（Ｂ）に示したように、向かい合わせた平板ブランケット１と除去板１０とを加圧接触させる。この際、圧縮気体加圧法を用いて接触させるようにするとよい。圧縮気体加圧法は、平板ブランケット１と除去板１０とを向かい合わせた状態で密閉空間内に固定すると共に、平板ブランケット１および除去板１０のうちの一方の背面側から圧縮気体を噴射させて押し出すことにより、これらを接触させる方法である。
【００２２】
次いで、図２（Ｃ）に示したように、平板ブランケット１から除去板１０を分離させる。このとき、前段の工程において、例えば圧縮気体加圧法を用いて平板ブランケット１と除去板１０とを加圧接触させていた場合には、密閉空間内を排気させることにより真空化したのち、機械的な手段により両者を分離することができる。これにより、インク２のうちの不要部分（不要パターン層２Ａ）が、除去板１０の鏡面１０Ｂ上に転写され、平板ブランケット１上から除去される。一方、平板ブランケット１上には、インク２のうちの粗面部１０Ａに対応する部分が残留し、この残留した部分が印刷パターン層２Ｂとなる。このようにして、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ｂを形成する。
【００２３】
（２．印刷パターン層２Ｂを被印刷基板４に転写する工程）
続いて、図３（Ａ）に示したように、印刷パターン層２Ｂが形成された平板ブランケット１と被印刷基板４とを向かい合わせて配置する。被印刷基板４は、例えば基板４０上に、印刷パターン層２Ｂに対する密着性を高めるための密着層４１を形成したものである。基板４０としては、例えば、シリコン、合成石英、ガラス、金属、樹脂または樹脂フィルムなどの材料からなる基板を用いる。密着層４１としては、例えばアミノ系シラン化合物、メルカプト系シラン化合物、フェニル系シラン化合物、アルキル系シラン化合物などの化合物のうち少なくとも１つ以上を含んだものを用いることができる。この密着層４１は、例えばスピンコート法、浸漬法または熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法などを用いて、基板４０上に成膜するようにすればよい。
【００２４】
次いで、図３（Ｂ）に示したように、向かい合わせた平板ブランケット１と被印刷基板４とを加圧接触させる。この際も、前段における平板ブランケット１と除去板１０とを加圧接触させる場合と同様、例えば上述したような圧縮気体加圧法を用いるとよい。
【００２５】
最後に、図３（Ｃ）に示したように、平板ブランケット１から被印刷基板４を分離させる。この場合にも、前段の平板ブランケット１から除去板１０を分離させる場合と同様の手法を用いることができる。これにより、平板ブランケット１上の印刷パターン層２Ｂは被印刷基板４（密着層４１）上に転写される。
【００２６】
［除去板１０の作製方法］
次に、除去板１０の作製方法について図４（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。まず、図４（Ａ）に示したように、除去板１０の表面に、無電解めっき処理の触媒材料を含む触媒層１１０を全面にわたって形成する。但し、この無電解めっき処理は、ポーラス構造のめっき膜（多孔質めっき膜１３０）を析出させるためのものである。多孔質めっき膜１３０としては、例えば奥野製薬工業製の酸化亜鉛膜などが挙げられ、厚みは例えば０．３〜０．５μｍである。このような酸化亜鉛を用いることにより、弱酸性溶液で容易にエッチングすることが可能となる。なお、触媒層１１０の形成前に、除去板１０の表面に鏡面加工を施しておくことが望ましい。
【００２７】
続いて、図４（Ｂ）に示したように、触媒層１１０上に、粗面部１０Ａに対応する領域Ｒ１（第１の領域）に開口１２０Ａを有するマスク１２０を形成する。マスク１２０としては、例えばフォトレジストマスクを用いることができる。
【００２８】
次いで、図４（Ｃ）に示したように、マスク１２０を形成した除去板１０を所定の無電解めっき液に浸漬することにより、除去板１０上の選択的な領域Ｒ１にのみ無電解めっき処理（いわゆる部分選択めっき処理）を施す。これにより、領域Ｒ１にのみ、多孔質めっき膜１３０が形成される。
【００２９】
こののち、図４（Ｄ）に示したように、鏡面部１０Ｂに対応する領域Ｒ２上のマスク１２０および触媒層１１０を除去する。これにより、多孔質めっき膜１３０よりなる粗面部１０Ａと、除去板１０の表面が露出してなる鏡面部１０Ｂとが所定のパターンで設けられた除去板１０を形成することができる。
【００３０】
［除去板１０を用いた印刷方法の効果］
本実施の形態では、印刷対象となるインク２を塗布した平板ブランケット１と、表面に印刷パターンに対応して粗面部１０Ａおよび鏡面部１０Ｂが形成された除去板１０とを向かい合わせた状態で加圧接触させたのち、これらを分離する。これにより、インク２のうちの除去板１０の鏡面部１０Ｂに対応する部分（不要パターン層２Ａ）は、除去板１０上へ転写され、平板ブランケット１上から除去される。一方、平板ブランケット１上では、除去板１０の粗面部１０Ａに対応する部分が残留し、印刷パターン層２Ｂが形成される。
【００３１】
ここで、図５〜図７を参照して、比較例に係る除去板１００を用いた印刷方法について説明する。図５は、除去板１００の構成を模式的に表したものであり、図５（Ａ）は、除去板１００を上面からみたもの、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のII−II線における矢視断面図である。図６および図７は、除去板１００を用いた印刷方法において、平板ブランケット１上から不要部分を除去して印刷パターン層１０２Ｂを形成する工程を順に表したものである。なお、本実施の形態と同様の構成要素については、同一の符号を付している。
【００３２】
除去板１００は、本実施の形態の除去板１０と同様、平板ブランケット１上に形成されたインク２（転写層）のうちの不要な部分を除去する平板状の版である。但し、除去板１００では、表面の凹凸形状を利用して不要部分を除去するようになっており、印刷パターンに対応して、凹部１００Ａおよび凸部１００Ｂが混在して形成されている。凹部１００Ａは、最終的に被印刷基板４に転写される印刷パターン層１０２Ｂと同一のパターンで形成されている。すなわち、凹部１００Ａの幅（面積）や深さは、印刷パターンに応じて領域ごとに異なっている。凸部１００Ｂは、除去板１００の表面において凹部１００Ａを除いた領域に形成されている。
【００３３】
このような凹部１００Ａおよび凸部１００Ｂを有する除去板１００を用いた印刷方法では、まず、図６（Ａ）に示したように、インク２を塗布形成した平板ブランケット１と、除去板１００とを向かい合わせて配置する。次いで、図６（Ｂ）に示したように、平板ブランケット１と除去板１００とを加圧接触させる。こののち、図６（Ｃ）に示したように、平板ブランケット１と除去板１００とを分離することにより、インク２のうちの凸部１００Ｂに対応する部分（不要パターン層１０２Ａ）が除去板１００上へ転写され、平板ブランケット１から除去される。一方、平板ブランケット１上には、凹部１００Ａに対応する部分が残留し、印刷パターン層１０２Ｂが形成される。なお、形成した印刷パターン層１０２Ｂを被印刷基板４上へ転写する工程については、本実施の形態の印刷方法と同様である。
【００３４】
ところが、上記のような除去板１００を用いた印刷方法では、除去板１００の凹凸形状のアスペクト比（具体的には凹部１００Ａの深さＤ／幅Ｗ）によっては、印刷パターン層１０２Ｂに欠損が生じることがある。これは、平板ブランケット１を構成するＰＤＭＳ層１２が弾性を有し、加圧されることによって撓み易いことに起因する。
【００３５】
例えば、図６（Ａ）〜（Ｃ）では、凹部１００Ａは、アスペクト比（＝Ｄ１／Ｗ１）が約１であり、この場合には加圧接触時においてＰＤＭＳ層１２に撓みが生じた場合（図６（Ｂ））にも、凹部１００Ａの底面に接触することはないため、形成される印刷パターン層１０２Ｂに欠損は生じにくい。
【００３６】
また、図７（Ａ），（Ｂ）には、除去板１００において、アスペクト比（＝Ｄ２／Ｗ２）が約０．２５である凹部１００Ａ付近における加圧接触、分離の様子について示す。図７（Ａ）に示したように、アスペクト比が比較的小さな凹部１００Ａでは、加圧接触時において、ＰＤＭＳ層１２が撓むとインク２が凹部１００Ａの底面に接触してしまう。このため、図７（Ｂ）に示したように、平板ブランケット１と除去板１００とを分離すると、インク２のうち、凸部１００Ｂに対応する部分（不要パターン層１０３Ａ）だけでなく、凹部１００Ａにおける接触部分１０３１も除去板１００上へ転写されてしまう。このように、接触部分１０３１が除去されることによって、平板ブランケット１上に形成される印刷パターン層１０３Ｂには、欠損Ｘが生じてしまう。また、この欠損Ｘは、アスペクト比が小さくなるにつれて発生し易くなる。従って、凹凸形状が形成された除去板１００を用いた印刷方法では、凹部１００Ａのアスペクト比によって印刷パターンに欠損が生じてしまう。このため、精度良く印刷パターンを形成するためには、凹部１０４Ａの幅や面積に応じて、適切なアスペクト比を実現する深さを設定しなければならない。
【００３７】
ところで、このような凹部を形成する手法としては、例えば湿式エッチングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）が用いられている。ここで、図８（Ａ）〜（Ｄ）に、フォトリソグラフィ法を用いた湿式エッチングにより凹部を形成する工程を順に示す。この場合、まず、図８（Ａ）に示したように、除去板１０４上に、凹部形成予定領域となる領域Ｒ３に開口を有するフォトレジストマスク１０５を形成する。続いて、図８（Ｂ）に示したように、フォトレジストマスク１０５を形成した除去板１０４に対し、フッ酸等を用いた湿式エッチングを施す。ところが、このような湿式エッチングを続けていくと、図８（Ｃ），（Ｄ）に示したように、エッチングが等方的に進み、いわゆるサイドエッチングＹが発生する。このため、所望の領域Ｒ３に精度良く凹部を形成することができず、得られるアスペクト比は１程度が限界となる。
【００３８】
また、図９（Ａ）〜（Ｃ）に、反応性イオンエッチングにより凹部を形成する工程を順に示す。この場合、まず、図９（Ａ）に示したように、除去板１０６上に、凹部形成予定領域となる領域Ｒ３に開口を有するメタルマスク１０７（例えばクロム（Ｃｒ））を形成する。除去板１０６としては、石英、ガラスまたは金属等の基材上にＳｉＯ2を成膜したものを用いる。続いて、図９（Ｂ）に示したように、メタルマスク１０７を形成した除去板１０６に対し、フロン系のガス（ＣＦ4、Ｃ4Ｆ8等）を用いた反応性イオンエッチングを施す。ところが、図９（Ｂ），（Ｃ）に示したように、エッチングが進むにつれ、凹部の側壁に反応生成物Ｚが形成されると共に凹部の断面形状が台形となり、得られるアスペクト比は３程度となる。このような反応性イオンエッチングは、上記湿式エッチングに比べると高いアスペクト比が得られるものの、強固に付着した反応生成物Ｚが転写の際等に剥離して異物となり、転写欠陥を生じてしまう。また、石英やガラス等の基板材料、反応性イオンエッチング装置や成膜装置は非常に高価であるため、生産コストが高くなってしまう。
【００３９】
上記のように、比較例に係る凹凸形状を用いた除去板では、凹部のアスペクト比が小さくなると、印刷パターンに欠損が生じ易い。従って、精度良く印刷パターンを形成するためには、適切なアスペクト比となるように、凹部の幅や面積などに応じて深さ設計を行う必要が生じる。ところが、このような凹部は各種エッチングにより形成するため、凹部の形状（幅、面積、深さ等）を精度良く形成することが困難である。また、この一方で、凹部内に印刷パターンとして無視できるようなダミーの突起を複数設けておくことにより、ブランケットに撓みが生じた場合のインクとの接触をなくす手法もあるが、この手法では凹部内に微細加工を施す必要があるため工程が複雑化する。
【００４０】
これに対し、本実施の形態では、除去板１０の表面に、上記のような凹凸形状ではなく、粗面部１０Ａおよび鏡面部Ｂを形成するようにしたので、粗面部１０Ａのパターンに応じて、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ｂを形成することができる。これは、除去板１０の表面の粗面部１０Ａおよび鏡面部Ｂの双方にインク２が接触した場合、インク２に対する密着性が、鏡面部１０Ｂにおいて高く、粗面部１０Ａでは低くなるためである。このように、除去板１０の粗面部１０Ａおよび鏡面部Ｂにおける表面性の違いを利用して印刷パターン層２Ｂを形成することにより、凹凸を利用した場合のようなブランケットの変形による転写不良が生じることがない。また、このような転写不良を抑制すべく、凹部の幅や面積に応じて深さを調節したり、凹部内に微細加工を施す必要もない。よって、簡易な工程で精度良くパターンを印刷することが可能となる。
【００４１】
＜適用例＞
上記のような除去板１０を用いた印刷方法は、各種薄膜プロセスに好適に用いることができる。例えば、印刷パターン層２Ｂを形成した被印刷基板４に対し、例えば無電解めっき処理を施すことにより、所望の金属薄膜を形成することができる。具体的には、まず、被印刷基板４上の印刷パターン層２Ｂに対し、例えばＵＶ（紫外線）オゾン処理、オゾン水洗浄処理または焼成処理などを施すことにより、印刷パターン層２Ｂに含まれる触媒材料を活性化させ、無電解めっき処理を促進させるようにする。続いて、この印刷パターン層２Ｂが形成された被印刷基板４に対し無電解めっき処理を施すことにより、被印刷基板４上に金属めっき膜を形成する。これにより印刷パターン層２Ｂに対応する金属パターンを形成することができる。無電解めっき処理により、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ＡｕまたはＡｇなど、様々な金属の析出が可能である。
【００４２】
次に、上記実施の形態における除去板１０の作製方法の変形例（変形例１〜３）について説明する。以下では、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４３】
＜変形例１＞
図１０（Ａ）〜（Ｅ）は、変形例１に係る除去板２０の作製方法について工程順に表したものである。本変形例では、上記実施の形態の除去板１０の作製方法と同様、粗面部２０Ａとして多孔質めっき膜１３０を形成する。但し、本変形例では、除去板２０の表面の全面にわたって無電解めっき処理を施して多孔質めっき膜１３０を形成したのち、鏡面部２０Ｂに対応する領域Ｒ２を選択的に除去するようにしている。具体的には、まず、図１０（Ａ）に示したように、上記実施の形態と同様、除去板２０の表面に触媒層１１０を全面にわたって形成する。
【００４４】
続いて、図１０（Ｂ）に示したように、触媒層１１０を形成した除去板２０を、所定の無電解めっき液に浸漬して無電解めっき処理を施すことにより、除去板２０上の全面にわたって多孔質めっき膜１３０を形成する。次いで、図１０（Ｃ）に示したように、形成した多孔質めっき膜１３０上に、粗面部２０Ａに対応する領域Ｒ１に開口を有するマスク１２０を形成する。続いて、図１０（Ｄ）に示したように、マスク１２０を形成した除去板２０に対し、湿式エッチングを施すことにより、鏡面部２０Ｂに対応する領域Ｒ２の部分を選択的に除去する。これにより、領域Ｒ２に鏡面部２０Ｂが露出する。こののち、図１０（Ｅ）に示したように、領域Ｒ１上のマスク１２０および触媒層１１０を除去する。これにより、多孔質めっき膜１３０よりなる粗面部２０Ａと、鏡面部２０Ｂとが所定のパターンで設けられた除去板２０を形成することができる。なお、除去板２０の構成材料や粗面部２０Ａおよび鏡面部２０Ｂの平均粗さなどは、上記実施の形態の除去板１０、粗面部１０Ａおよび鏡面部１０Ｂと同様である。また、触媒層１１０の形成前に、除去板２０の表面に鏡面加工を施しておくことが望ましい。
【００４５】
このように、粗面部２０Ａを多孔質めっき膜１３０により形成する場合において、除去板２０の全面にわたって多孔質めっき膜を形成したのちに、領域Ｒ２に対応する部分を選択的に除去することにより、除去板２０を形成するようにしてもよい。このようにして作製した除去板２０を用いた場合であっても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
＜変形例２＞
図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、変形例２に係る除去板３０の作製方法について工程順に表したものである。本変形例では、除去板３０の粗面部３０Ａを湿式エッチングまたはサンドブラストにより形成する。具体的には、図１１（Ａ）に示したように、除去板３０上に、領域Ｒ１に開口を有するマスク１２０を形成する。続いて、図１１（Ｂ）に示したように、マスク１２０を形成した除去板３０に対し、湿式エッチングまたはサンドブラストを施す。これにより、領域Ｒ１において除去板３０の表面が荒らされ、粗面部３０Ａが形成される。こののち、図１１（Ｃ）に示したように、マスク１２０を除去すると、領域Ｒ２において鏡面部３０Ｂが露出する。
【００４７】
このように、粗面部３０Ａを、除去板３０の表面に、マスク１２０を用いた湿式エッチングやサンドブラストを施すことにより形成するようにしてもよい。このようにして作製した除去板３０を用いた場合であっても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、除去板３０の構成材料や粗面部３０Ａおよび鏡面部３０Ｂの平均粗さなどは、上記実施の形態の除去板１０、粗面部１０Ａおよび鏡面部１０Ｂと同様である。また、マスク１２０の形成前に、除去板３０の表面に鏡面加工を施しておくことが望ましい。
【００４８】
＜変形例３＞
図１２（Ａ）〜（Ｅ）は、変形例３に係る除去板４０の作製方法について工程順に表したものである。本変形例では、上記変形例２と同様、除去板４０の粗面部４０Ａを湿式エッチングまたはサンドブラストにより形成する。但し、本変形例では、除去板４０の表面の全面にわたって湿式エッチングまたはサンドブラストを施したのち、領域Ｒ２に平坦化膜１０８を設けるようにしている。
【００４９】
具体的には、まず、図１２（Ａ）に示したように、湿式エッチングまたはサンドブラストにより、除去板４０の表面の全面を荒らす。続いて、図１２（Ｂ）に示したように、除去板４０の表面を全面にわたって覆うように、平坦化膜１０８を形成する。この平坦化膜１０８としては、除去板４０の基材と選択エッチングが可能な材料、例えばＳＯＧ（Spin-On-Glass：塗布ガラス材料）などを用いることができる。次いで、図１２（Ｃ）に示したように、形成した平坦化膜１０８上に、領域Ｒ１に開口を有するマスク１２０を形成する。続いて、図１２（Ｄ）に示したように、マスク１２０を形成した除去板４０に対し、例えばフッ酸系のエッチング液を用いて平坦化膜１０８のうち領域Ｒ１の部分を除去する。これにより、領域Ｒ１において、除去板４０の表面を粗面部４０Ａとして露出させることができる。こののち、図１２（Ｅ）に示したように、マスク１２０を除去することにより、領域Ｒ２において、鏡面部４０Ｂとしての平坦化膜１０８が露出する。
【００５０】
このように、粗面部４０Ａを湿式エッチングまたはサンドブラストにより形成する場合において、除去板４０の全面にわたって湿式エッチングまたはサンドブラストを施したのち、領域Ｒ２に平坦化膜１０８を設けるようにしてもよい。このようにして作製した除去板４０を用いた場合であっても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、湿式エッチングやサンドブラストを領域Ｒ１に対して部分的に施す場合（変形例２）に比べ、精度良く粗面部４０Ａのパターンを形成することが可能となる。更に、本変形例においては、平坦化膜１０８としてＳＯＧを用いる場合を例に挙げたが、感光性の塗布ガラス材料を用いるようにしてもよい。このような材料を用いた場合には、湿式エッチング等により表面を荒らした除去板４０上に、上記感光性塗布ガラス材料を塗布したのち露光することにより、領域Ｒ１に開口を有するパターンを形成することができる。これにより、上記のようなマスク１２０の形成工程および除去工程が不要となるため、工程を簡易化することができる。
【００５１】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、印刷方法として、印刷パターン層２Ｂ（インク２）として無電解めっき処理の触媒材料を含む層を形成する場合を例に挙げて説明したが、印刷対象はこれに限定されない。例えば、配線、電極用の金属微粒子を含む層、コンデンサ用の誘電体微粒子を含む層、および有機半導体材料や有機ＥＬ材料等の機能性材料を含む層などを形成することができる。また、印刷対象としてフォトレジストやカラーフィルタ層などの樹脂材料を用いてもよく、これらの樹脂材料を被印刷基板４上にパターン形成するようにしてもよい。
【００５２】
さらに、上記実施の形態等において説明した各構成要素の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、また他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る除去板の構成を表す模式図である。
【図２】図１の除去板を用いた印刷方法を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を表す断面図である。
【図４】図１の除去板の作製方法を説明するための断面図である。
【図５】比較例に係る除去板の構成を表す模式図である。
【図６】図５の除去板を用いて印刷パターン層を形成する工程を説明するための断面図である。
【図７】図５の除去板を用いて印刷パターン層を形成する工程を説明するための断面図である。
【図８】除去板に凹部を形成する工程を説明するための断面図である。
【図９】除去板に凹部を形成する工程を説明するための断面図である。
【図１０】変形例１に係る除去板の作製方法を説明するための断面図である。
【図１１】変形例２に係る除去板の作製方法を説明するための断面図である。
【図１２】変形例３に係る除去板の作製方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１，…平板ブランケット、１１…基材、１２…ＰＤＭＳ層、２…インク、２Ａ…不要パターン層、２Ｂ…印刷パターン層、４…被印刷基板、１０，２０，３０，４０…除去板、１０Ａ，２０Ａ，３０Ａ，４０Ａ…粗面部、１０Ｂ，２０Ｂ，３０Ｂ，４０Ｂ…鏡面部、４０…基板、４１…密着層、１０８…平坦化膜、１３０…多孔質めっき膜、Ｒ１，Ｒ２…領域。          
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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