(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子への水分の浸入を低減でき、製造歩留まりの高い有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを有したアレイ基板３０と、対向基板４０と、対向基板４０の周縁部を取り囲むように形成され、アレイ基板３０及び対向基板４０を接合したシール材５０と、シール材５０の外周全域に亘って設けられ、アレイ基板３０及び対向基板４０に接着され、大気中で形成できる材料で形成された水分浸入防止材６０と、を備えている。【選択図】図２
2010170796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有機ＥＬ素子を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、
前記対向基板の周縁部を取り囲むように形成され、前記アレイ基板及び対向基板を接合したシール材と、
前記シール材の外周全域に亘って設けられ、前記アレイ基板及び対向基板に接着され、大気中で形成できる材料で形成された水分浸入防止材と、を備えている有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記水分浸入防止材は、セラミックス接着用特殊金属はんだ又はシリコーンで形成されている請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記対向基板は、前記シール材の内側に位置する凹部を有し、前記複数の有機ＥＬ素子から放出される光を透過させる請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記凹部に設けられた乾燥剤をさらに備えている請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記アレイ基板及び対向基板間に充填され、樹脂で形成された充填材をさらに備え、
前記アレイ基板に対向した前記対向基板の表面は、平坦であり、前記複数の有機ＥＬ素子から放出される光を透過させる請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として、有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置等が用いられている。有機ＥＬ表示装置は液晶表示装置と異なりバックライトユニットが不要であるため、製品の薄型化、軽量化、低消費電力化、低コスト化及び水銀レス化が可能である。有機ＥＬ表示装置は自発光型の表示装置であることから、高視野角及び高速応答といった特徴を有している。上記したことから、有機ＥＬ表示装置は、ノートＰＣ（パーソナルコンピュータ）、モニタ及びビューワ等の静止画向け製品だけでなく、テレビジョン受像機等の動画向け製品としても注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ表示パネルは、アレイ基板を備えている。アレイ基板は、ガラス基板と、このガラス基板上にマトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子とを有している。各有機ＥＬ素子は、１つの画素を形成している。各有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、発光層（有機ＥＬ層）と、正孔輸送層と、電子輸送層とを有している。発光層は、発光機能を有する有機化合物を含み、赤色、緑色及び青色の何れかの発光色に発光可能である。
【０００４】
有機ＥＬ表示パネルは、上記アレイ基板の他、アレイ基板に対向配置された対向基板と、アレイ基板及び対向基板の周縁部に配置されこれら周縁部同士を接合した樹脂からなるシール材とで形成されている。水分により劣化し易い有機ＥＬ素子を水分から保護するため、アレイ基板、対向基板及びシール材で囲まれた空間に乾燥剤が配置されている。これにより、樹脂を浸入した水分は、乾燥剤により吸収することができる。
【０００５】
その他、有機ＥＬ表示パネルは、上記アレイ基板の他、アレイ基板に対向配置された対向基板と、アレイ基板及び対向基板間に挟持されアレイ基板及び対向基板を接合した接着層とで形成されている。なお、この場合、一般的に、パネル内に乾燥剤を配置することはない。
【０００６】
上記接着層を設けることにより、パネル強度を高くすることができる。しかしながら、接着層の側面から浸入する水分により、有機ＥＬ素子が劣化してしまう問題がある。この問題を解決するため、シール材の外面を覆うようにＤＬＣ（Diamond like Carbon）膜を形成した技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。上記のようにＤＬＣ膜を形成することにより、有機ＥＬ素子を水分から保護することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１５１２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記ＤＬＣ膜は、真空中で形成されるものである。しかしながら、真空中での工程において、パネル内部と外部の気圧差により、対向基板がアレイ基板から剥がれる恐れがある。また、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により形成した場合、有機ＥＬ素子等に放電が生じ、有機ＥＬ素子等が破損する恐れがある。このため、有機ＥＬ素子への水分の浸入を低減でき、製造歩留まりの高い技術が求められている。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、有機ＥＬ素子への水分の浸入を低減でき、製造歩留まりの高い有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る有機ＥＬ表示装置は、
複数の有機ＥＬ素子を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、
前記対向基板の周縁部を取り囲むように形成され、前記アレイ基板及び対向基板を接合したシール材と、
前記シール材の外周全域に亘って設けられ、前記アレイ基板及び対向基板に接着され、大気中で形成できる材料で形成された水分浸入防止材と、を備えている。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、有機ＥＬ素子への水分の浸入を低減でき、製造歩留まりの高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す平面図。
【図２】図１の線Ａ１−Ａ２に沿って示した有機ＥＬ表示装置を示す概略断面図であり、特に、実施例１の有機ＥＬ表示装置の一部を示す図。
【図３】図２に示したアレイ基板の配線構造を示す平面図。
【図４】上記実施の形態に係る実施例１の有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図５】上記実施の形態に係る実施例２の有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図６】上記実施の形態に係る比較例２の有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図７】上記実施の形態に係る実施例３の有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図８】上記実施の形態に係る実施例４の有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置について詳細に説明する。  
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板３０と、対向基板４０と、シール材５０と、水分浸入防止材６０とを備えている。
【００１３】
シール材５０は、対向基板４０の周縁部を取り囲むように形成されている。水分浸入防止材６０は、シール材５０の外周全域に亘って設けられ、アレイ基板３０及び対向基板４０に接着されている。
【００１４】
図２では、有機ＥＬ表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。
【００１５】
図２に示すように、アレイ基板３０は、ガラス等の透明な絶縁性の基板１を有している。表示領域において、基板１上には、画素ＰＸがマトリクス状に設けられている。画素ＰＸは、駆動トランジスタＳＷ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを有している。
【００１６】
表示領域において、基板１上には、例えばポリシリコン（以下、ｐ−Ｓｉと称する）からなる半導体層２が形成されている。基板１及び半導体層２上に、ゲート絶縁膜３が成膜されている。ゲート絶縁膜３は、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成することができる。
【００１７】
ゲート絶縁膜３上に、ゲート電極４が形成されている。ゲート絶縁膜３及びゲート電極４上に、層間絶縁膜５が形成されている。層間絶縁膜５は、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯＸからなる。
【００１８】
層間絶縁膜５上に、ソース電極６ａ及びドレイン電極６ｂが形成されている。ソース電極６ａは、ゲート絶縁膜３及び層間絶縁膜５に形成された導電材料を介して半導体層２のソース領域に接続されている。ドレイン電極６ｂは、ゲート絶縁膜３及び層間絶縁膜５に形成された他の導電材料を介して半導体層２のドレイン領域に接続されている。
【００１９】
上記半導体層２、ゲート絶縁膜３、ゲート電極４、層間絶縁膜５、ソース電極６ａ及びドレイン電極６ｂは、上記駆動トランジスタＳＷを形成している。層間絶縁膜５、ソース電極６ａ及びドレイン電極６ｂ上に、絶縁材料で形成された保護膜７が形成されている。保護膜７上に、絶縁材料で形成された平坦化膜８が成膜されている。
【００２０】
電極層Ｌは、平坦化膜８上に形成されている。電極層Ｌは、保護膜７及び平坦化膜８に設けたコンタクトホールを介して、駆動トランジスタＳＷのドレイン電極６ｂに接続されている。
【００２１】
この例では、電極層Ｌは、下部電極９、反射膜１０及び画素電極１１を含んでいる。下部電極９は、ドレイン電極６ｂに直に接続されている。下部電極９は、ＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）で形成されている。反射膜１０は、下部電極９上に形成されている。反射膜１０は、光反射性を有する。反射膜１０はＡｌ（アルミニウム）で形成されている。画素電極１１は、反射膜１０上に形成されている。画素電極１１は、ＩＴＯで形成されている。
【００２２】
平坦化膜８上に、隔壁絶縁層１２が形成されている。隔壁絶縁層１２には、画素電極１１に対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極１１が形成される列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層１２は、画素電極１１に対応した位置に貫通孔を有している。隔壁絶縁層１２は、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層１２は、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成されている。
【００２３】
画素電極１１上には、有機活性層として、発光層を含んだ有機物層１３が形成されている。有機物層１３は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が、画素電極１１上に順に積層して形成されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。
【００２４】
この実施の形態において、正孔輸送層は、４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニルであるα−ＮＰＤで膜厚２００ｎｍに形成されている。発光層兼電子輸送層は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体であるＡｌｑ３で膜厚５０ｎｍに形成されている。
【００２５】
隔壁絶縁層１２及び有機物層１３は、対向電極１４で被覆されている。この例では、対向電極１４は、複数の画素ＰＸ間で接続された共通電極である。また、この例では、対向電極１４は、光透過性の電極である。対向電極１４は、電子注入層を兼ねている。対向電極１４は、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ合金）で膜厚２ｎｍに形成されている。対向電極１４は、低電位電源配線２０に電気的に接続されている。  
上記画素電極１１、対向電極１４及び有機物層１３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成している。
【００２６】
上記のように、基板１上にアレイパターン３０ａが形成されている。アレイパターン３０ａ上には、パッシベーション膜３０ｂが設けられている。より詳しくは、パッシベーション膜３０ｂは、対向電極１４上に成膜されている。ここで、アレイパターン３０ａは、基板１とパッシベーション膜３０ｂとの間に積層されたものである。
【００２７】
パッシベーション膜３０ｂは、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたＳｉＮからなり、膜厚５００ｎｍである。パッシベーション膜３０ｂは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆っている。パッシベーション膜３０ｂは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水や酸素の進入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性の劣化を抑制するものである。基板１上に形成されたアレイパターン３０ａ及びパッシベーション膜３０ｂは、アレイ基板３０を形成している。
【００２８】
対向基板４０は、アレイ基板に所定の隙間を置いて対向配置されている。対向基板４０は、例えばガラスで形成されている。対向基板４０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤから放出される光を透過させる。  
この例では、対向基板４０は、凹部４１を有している。凹部４１は、アレイ基板３０及び対向基板４０間に隙間を形成している。
【００２９】
シール材５０は、対向基板４０の周縁部を取り囲むように形成されている。シール材５０は、アレイ基板３０及び対向基板４０を接合している。対向基板４０及びシール材５０は、アレイ基板３０との間の雰囲気を気密に保持している。
【００３０】
アレイ基板３０及び対向基板４０で囲まれた空間は、Ｎ２等の不活性ガスで満たされている。アレイ基板３０及び対向基板４０で囲まれた空間は、空気を含んでいない。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの酸化を抑制することができる。
【００３１】
水分浸入防止材６０は、シール材５０の外周全域に亘って設けられ、アレイ基板３０及び対向基板４０に接着されている。
【００３２】
水分浸入防止材６０は、水分の浸入を低減でき、大気中で形成できる材料で形成されていれば良い。水分浸入防止材６０としては、セラミックス接着用特殊金属はんだ又はシリコーンを利用することができる。真空中で水分浸入防止材６０を形成しなくともよいため、有機ＥＬ素子等の破損を防止することができる。
【００３３】
水分浸入防止材６０の材料として、ＳｉＮのように真空中で形成しなければならない材料は除くものである。なぜなら、対向基板４０がアレイ基板３０から剥がれたり、アレイパターン３０ａが破損したりする恐れがあるためである。仮に、上記剥がれ及び破損なしに水分浸入防止材６０を形成できても、水分浸入低減の十分な効果を得るための所望な厚さが得られない問題がある。所望な厚さが得られたとしても製造時間が長くなり、製造効率が低下することになる。
【００３４】
ここで、水分浸入防止材６０の形成方法について説明する。特に、水分浸入防止材６０としてセラミックス接着用特殊金属はんだを利用した場合について説明する。  
まず、シール材５０近傍領域のアレイ基板３０及び対向基板４０を、有機溶剤を用いて洗浄化する。続いて、超音波はんだごてを用意する。超音波はんだごては、熱だけでなく、振動も加えることができる。
【００３５】
その後、超音波はんだごてを用い、８０ｋＨｚの超音波振動周波数とし、シール材５０の外周全域に亘ってセラミックス接着用特殊金属はんだ（旭硝子社製）を塗布し、アレイ基板３０及び対向基板４０に接着させる。これにより、水分浸入防止材６０が形成される。
【００３６】
図３に示すように、有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に設けられた複数の画素ＰＸを有している。複数の画素ＰＸは、表示領域に位置している。画素ＰＸとしては、赤色を発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含んだ赤画素、緑色を発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含んだ緑画素及び青色を発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含んだ青画素がある。
【００３７】
有機ＥＬ表示装置は、走査信号線ＳＬ及び映像信号線ＶＬを有している。走査信号線ＳＬは、各々が画素ＰＸの行方向に延びている。映像信号線ＶＬは、各々が列方向に延びている。走査信号線ＳＬ及び映像信号線ＶＬは、複数の画素ＰＸに接続されている。
【００３８】
次に、この実施の形態の実施例１及び２、並びに比較例１乃至３の有機ＥＬ表示装置について説明する。  
（実施例１）
図４に示すように、有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板３０と、対向基板４０と、シール材５０と、水分浸入防止材６０とを備えている。有機ＥＬ表示装置は、中空封止構成を採っている。中空封止構成とは、アレイ基板３０及び対向基板４０がこれらの間に空隙部を形成して有機ＥＬ素子を封止した構成である。水分浸入防止材６０は、セラミックス接着用特殊金属はんだで形成されている。対向基板４０は、凹部４１を有している。有機ＥＬ表示装置に乾燥剤は設けられていない。
【００３９】
（実施例２）
図５に示すように、有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板３０と、対向基板４０と、シール材５０と、水分浸入防止材６０とを備えている。有機ＥＬ表示装置は、樹脂からなる充填材７０をさらに備えている。充填材７０は、アレイ基板３０及び対向基板４０間に充填されている。充填材７０は、シール材５０とともにアレイ基板３０及び対向基板４０を接合している。この様に本実施例における有機ＥＬ表示装置は、固体封止構成を採っている。
【００４０】
アレイ基板３０に対向した対向基板４０の表面は、平坦である。水分浸入防止材６０は、セラミックス接着用特殊金属はんだで形成されている。対向基板４０は、凹部４１を有している。有機ＥＬ表示装置に乾燥剤は設けられていない。
【００４１】
シール材５０及び充填材７０の形成方法について説明する。まず、対向基板４０上に、シール材５０となる第１の紫外線硬化型の樹脂を塗布装置にて塗布する。その後、樹脂で囲まれた領域に、充填材７０となる紫外線硬化型の樹脂を充填する。続いて、真空チャンバ内で、第２の紫外線硬化型の樹脂を介してアレイ基板３０及び対向基板４０を貼り合せる。次いで、第１及び第２の紫外線硬化型の樹脂に紫外線を照射する。これにより、第１及び第２の紫外線硬化型の樹脂が硬化され、シール材５０及び充填材７０が形成される。上記のことから、有機ＥＬ素子が固体封止される。
【００４２】
ここで、本願発明者等は、水分によって生じる劣化の有無を調査するため、有機ＥＬ表示装置を用意し、実施例１及び２と比較した。  
比較例１（図示せず）の有機ＥＬ表示装置は、実施例１の有機ＥＬ表示装置と同様に構成されている。但し、比較例１の有機ＥＬ表示装置に、水分浸入防止材は形成されていない。
【００４３】
比較例１の有機ＥＬ表示装置に乾燥剤が設けられている。乾燥剤は、アレイ基板及び対向基板で囲まれた空間内部に配置されている。乾燥剤は、空間内部を乾燥状態に維持するためのものである。ここでは、乾燥剤は、対向基板に貼り付けられている。乾燥剤は、ＣａＯを主成分とする材料で形成されている。乾燥剤のサイズは、５ｍｍ×２５ｍｍ×０．２ｍｍである。
【００４４】
図６に示すように、比較例２の有機ＥＬ表示装置は、実施例１の有機ＥＬ表示装置と同様に構成されている。但し、比較例２の有機ＥＬ表示装置に、水分浸入防止材は形成されていない。
【００４５】
比較例３の有機ＥＬ表示装置は、実施例２の有機ＥＬ表示装置と同様に構成されている。但し、比較例３の有機ＥＬ表示装置に、水分浸入防止材は形成されていない。
【００４６】
実施例１及び２、並びに比較例１乃至３の有機ＥＬ表示装置の構成、乾燥剤の有無及び水分浸入防止材の有無については、次の表１に示す通りである。
【表１】
2010170796.tif 000003
【００４７】
調査する際、実施例１、比較例１、及び２では、３．５インチサイズの有機ＥＬ表示装置をそれぞれ８個作成した。実施例２及び比較例３では、３．５インチサイズの有機ＥＬ表示装置をそれぞれ１２個作成した。
【００４８】
実施例１、比較例１、及び２の有機ＥＬ表示装置は、４００ｍｍ×５００ｍｍのマザー基板を用いて２４面作成した。実施例１及び比較例３の有機ＥＬ表示装置は、４００ｍｍ×５００ｍｍのマザー基板を用いて２４面作成した。
【００４９】
そして、４８枚の有機ＥＬ表示装置を点灯させ、水分による劣化の有無を検査を行った。その際、４８枚の有機ＥＬ表示装置を８５℃、８５％ＲＨの高温高湿槽に投入し、２０時間後、５０時間後、１００時間後、２００時間後、３００時間後毎に取り出して検査を行った。検査としては、外部からの水分が浸入し易いシール材付近の画素を顕微鏡により観察し、水分による劣化の有無を確認し、１個所でも画素の劣化が認められた場合、その有機ＥＬ表示装置をＮＧとした。そして、ＮＧの有機ＥＬ表示装置を、水分による劣化発生した有機ＥＬ表示装置としてカウントした。ここでは、Ｎ枚の有機ＥＬ表示装置のうちＫ枚が水分による劣化が発生した場合にはＫ／Ｎと表示している。
【００５０】
実施例１及び２、並びに比較例１乃至３にて、水分により劣化の発生した有機ＥＬ表示装置の枚数の調査結果は次の通りである。  
実施例１では、８枚の有機ＥＬ表示装置を高温高湿槽に投入する前の劣化発生毎数は、０だった。２０時間、５０時間、１００時間、２００時間、３００時間投入後においても、劣化発生毎数は、０だった。  
比較例１の有機ＥＬ表示装置の水分による劣化発生枚数の調査結果は、実施例１と同じであった。
【００５１】
実施例２では、１２枚の有機ＥＬ表示パネルを高温高湿槽に投入する前の劣化発生毎数は、０だった。２０時間、５０時間、１００時間、２００時間、３００時間投入後においても、劣化発生毎数は、０だった。
【００５２】
比較例２では、８枚の有機ＥＬ表示装置を高温高湿槽に投入する前の劣化発生毎数は、０だった。２０時間投入後においても、劣化発生毎数は、０だった。５０時間投入後に、有機ＥＬ表示装置に劣化が発生した。５０時間投入後の劣化発生毎数は、４だった。１００時間投入後には、全ての有機ＥＬ表示装置に劣化が発生した。
【００５３】
比較例３では、１２枚の有機ＥＬ表示装置を高温高湿槽に投入する前の劣化発生毎数は、０だった。２０時間、５０時間投入後においても、劣化発生毎数は、０だった。１００時間投入後に、有機ＥＬ表示装置に劣化が発生した。１００時間投入後の劣化発生毎数は、１だった。２００時間投入後の劣化発生毎数は、５だった。３００時間投入後には、全ての有機ＥＬ表示装置に劣化が発生した。
【００５４】
実施例１及び２、並びに比較例１乃至３の有機ＥＬ表示装置における、水分により劣化の発生した有機ＥＬ表示装置の枚数の調査結果を表２に示す。
【表２】
2010170796.tif 000004
【００５５】
次に、実施例１及び２、並びに比較例１乃至３の有機ＥＬ表示装置を比較する。  
実施例１及び２の有機ＥＬ表示装置は、水分浸入防止材を備えているため、高温高湿に対する耐久性に優れている。比較例１の有機ＥＬ表示装置は、水分浸入防止材を備えていないが乾燥剤を備えているため、湿度に対する耐久性に優れている。これは、サイズの大きい乾燥剤を用いたためである。しかしながら、乾燥剤は光出射面側に位置している。乾燥剤のサイズを大きくした場合、乾燥剤が画素を覆ってしまう。このため、比較例１の有機ＥＬ表示装置では、表示品位が低下することになる。
【００５６】
比較例２及び３の有機ＥＬ表示装置は、水分浸入防止材を備えていないため、実施例１及び２の有機ＥＬ表示装置に比べ、高温高湿に対する耐久性が小さくなる。
【００５７】
以上のように構成された有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ表示装置は、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを有したアレイ基板３０と、対向基板４０と、アレイ基板３０及び対向基板４０を接合した枠状のシール材５０と、枠状の水分浸入防止材６０とを備えている。水分浸入防止材６０は、シール材５０の外周全域に亘って設けられ、アレイ基板３０及び対向基板４０に接着され、大気中で形成できる材料で形成されている。シール材５０は、有機材料で形成されている。このため、シール材５０から水分が浸入し、有機ＥＬ素子が劣化してしまう問題があった。しかしながら、実施例１及び２の有機ＥＬ表示装置は、水分の浸入を抑制する水分浸入防止材６０を備えている。
【００５８】
水分浸入防止材６０を備えた有機ＥＬ表示装置は、水分浸入防止材６０を備えていない有機ＥＬ表示装置に比べ、高温高湿に対する耐久性を十分に得ることができる。水分浸入防止材６０を備えた有機ＥＬ表示装置は、乾燥剤無しに高温高湿に対する耐久性を十分に得ることができる。
【００５９】
また、水分浸入防止材６０は、大気中で形成できるセラミックス接着用特殊金属はんだ又はシリコーンを利用することができる。水分浸入防止材６０を真空中で形成する必要はない。このため、対向基板４０の剥離や有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの破損を防止することができる。  
上記したことから、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の浸入を低減でき、製造歩留まりの高い有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００６０】
また、水分浸入防止材６０を形成する際、プラズマＣＶＤ法を用いる必要はないため、製造効率の低下を招くこともない。  
上記実施の形態では、中空封止構成において、アレイ基板３０及び対向基板４０間に隙間が形成されているので、アレイ基板３０及び対向基板４０間の隙間が小さい場合に生じる光学干渉、すなわち、光学縞となる表示不良の発生を防止することができる。なせなら、対向基板４０は、凹部４１を有しているためである。上記したことから、凹部４１は、光学縞が出ない程度に対向基板４０をくりぬいて形成されていれば良い。  
上記したことから、有機ＥＬ素子への水分の浸入を低減でき、製造歩留まりの高い有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００６１】
（実施例３）
図７に示すように、有機ＥＬ表示装置は、半導体チップ８０をさらに備えていても良い。この例では、半導体チップ８０は、映像信号線ドライバである。半導体チップ８０は、シール材５０の外側に位置したアレイ基板３０の有効領域３００に実装されている。この場合、水分浸入防止材６０は、絶縁膜９０を介して半導体チップ８０を覆って形成されていても良い。
【００６２】
ここで、上記有効領域３００について説明する。アレイ基板３０の有効領域３００には、パッドｐ１、ｐ２、ｐ３及び引き出し配線ｗが形成されている。映像信号線ＶＬは、有効領域３００に延出している。パッドｐ１は、映像信号線ＶＬに接続されている。パッドｐ２、ｐ３は、引き出し配線ｗに接続されている。半導体チップ８０は、パッドｐ１、ｐ２に接続されている。アウターリードボンディングのパッドｐ３にはＦＰＣ（Flexible  printed circuit）１００が接続されている。
【００６３】
（実施例４）
図８に示すように、実施例４の有機ＥＬ表示装置は、実施例３で示した半導体チップを備えていない。実施例４の対向基板４０は、実施例３の対向基板と異なり、凹部を有していない。すなわち、光学縞となる表示不良が発生しない場合、対向基板４０に凹部を形成しなくとも良い。これにより、対向基板４０を安価に平易に用意することができる。これに対し、凹部を形成する場合、加工が難しくなってしまい、対向基板４０が高価になってしまう。
【００６４】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【００６５】
中空封止構成において、サイズの小さい乾燥剤を凹部に設けても良い。乾燥剤は、水分浸入防止材６０とともに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の低減を図ることができる。また、この場合でも狭額縁化を図ることができる。
【００６６】
水分浸入防止材６０が接触する領域のアレイ基板３０及び対向基板４０のそれぞれの表面の材料は、ガラス、金属又は金属酸化物であれば良い。これにより、水分浸入防止材６０を良好に接着させることができる。
【符号の説明】
【００６７】
ＰＸ…画素、ＳＷ…駆動トランジスタ、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、１…基板、２…半導体層、１１…画素電極、１３…有機物層、１４…対向電極、３０…アレイ基板、３０ａ…アレイパターン、３０ｂ…パッシベーション膜、４０…対向基板、４１…凹部、５０…シール材、６０…水分浸入防止材、７０…充填材、８０…半導体チップ、９０…絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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