(57)【要約】      （修正有）【課題】長時間高温加熱剥離における問題を解決できる圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧電単結晶基板に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板の一主面から所定深さの位置にイオン注入層を形成する（Ｓ１０１）。イオン注入層が形成された圧電単結晶基板を支持基板に接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、支持基板側からＴＨＧレーザ光を照射する（Ｓ１０４）。ここで、圧電単結晶基板は支持基板よりもＴＨＧレーザ光の光吸収率が高いので、圧電単結晶基板における支持基板との接合界面付近で光が吸収され、局所的に発熱する。この発熱によりイオン注入層を剥離面として、圧電薄膜が圧電単結晶基板から剥離され、圧電薄膜と支持基板とを有する複合圧電基板が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板にイオンを注入することで、イオン注入層を形成する工程と、
前記圧電基板の前記イオン注入面側に支持体を配設する工程と、
イオン注入層が形成された前記圧電基板を加熱することにより前記圧電基板から圧電薄膜を剥離して、該圧電薄膜と前記支持体とからなる複合圧電基板を形成する工程を有する、圧電デバイスの製造方法であって、
前記複合圧電基板を形成する工程は、
前記圧電基板における前記圧電薄膜となる部分に光を照射する、圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記複合圧電基板を形成する工程は、
同じ厚みにおける前記圧電基板の光吸収率が前記支持体の光吸収率よりも高い波長の光を、前記支持体側から照射する、請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記複合圧電基板を形成する工程は、
前記同じ厚みにおける圧電基板の光吸収率が前記支持体の光吸収率よりも低い波長の光を、前記圧電基板側から照射する、請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記複合圧電基板を形成する工程は、
前記同じ厚みにおける圧電基板の光吸収率と前記支持体の光吸収率との比が２倍以上である波長の光を照射する、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記圧電基板と前記支持体との界面に、前記圧電基板の光吸収率および前記支持体の光吸収率よりも特定波長の光吸収率が高い光吸収層を形成する工程を有し、
前記複合圧電基板を形成する工程は、
前記特定波長の光を照射する、請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記圧電基板および前記支持体の内の低い方の光吸収率と前記光吸収層の光吸収率との比が２倍以上である波長の光を、前記圧電基板および前記支持体の内の前記光吸収率が低い側から照射する、請求項５に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記圧電基板と前記支持体との接合界面に、金属電極パターンを形成する工程を有する、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、圧電薄膜を支持体で支持してなる圧電単結晶デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、圧電性を有する単結晶材料を用いた圧電デバイスが各種製造および使用されている。その中で、圧電デバイスとしてＳＡＷやＦ−ＢＡＲ等があるが、さらに高周波のラム波デバイスに対応する等の理由により、圧電体を薄膜化してなる薄膜型圧電デバイスが多く開発されている。そして、このような薄膜型圧電デバイスを形成するための圧電薄膜の製造方法は、例えば、非特許文献１や特許文献１に示すように各種考案されている。
【０００３】
非特許文献１には、圧電単結晶を形成する材料、例えばＡｌＮやＺｎＯをスパッタ法やＣＶＤ法を用いて堆積させる堆積法や、所定厚みを有する圧電単結晶基板を支持基板に貼り付けた後研磨することにより薄膜化する研磨法が示されている。
【０００４】
また、特許文献１は、いわゆるスマートカット法と呼ばれる方法である。スマートカット法では、圧電材料として、例えば、ＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3の基板（以下、特にこれらの材質からなる圧電基板をＬＮ基板およびＬＴ基板と称する。）を用い、（１）圧電基板に所定条件でイオン注入を行うことで、圧電基板の表面からの圧電薄膜を形成したい深さの位置にイオン注入層を形成する。（２）イオン注入層が形成された圧電基板に支持体を接合する。（３）この圧電基板と支持体とからなる複合部材を加熱することで、当該イオン注入層を剥離面として圧電薄膜を圧電基板から剥離し、複合圧電基板をする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１６３３６３号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Y.Osugi etal.:"Single crystal FBAR with LiNO3 and LiTaO3",2007 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, pp.873-876
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の堆積方法を用いる場合には、所望の配向膜を得るための成膜温度や成膜条件等からＡｌＮ等に材料が限られてしまう。また、結晶軸の配向方向を制御することができないため、振動モードを考慮して結晶を形成することが難しい。また、上述の研磨法を用いる場合には、圧電薄膜となる部分以外は、研磨屑となってしまうので、圧電材料の利用効率が非常に悪い。さらに、研磨条件や元の圧電基板の形状バラツキ等により、圧電薄膜全体を均一な厚みに形成することが難しく、生産性が悪くなってしまう。
【０００８】
さらに、上述のスマートカット法を用いる場合、上述のイオン注入層を利用した剥離工程で加熱処理を行うが、４５０℃程度ないしは５００℃以上の高温で３０分等の長時間に亘り加熱を行わなければならないので、以下に示す各種の問題が発生する。
【０００９】
（Ａ）圧電基板のキュリー温度によっては、高温長時間加熱で圧電性が劣化して、剥離後の圧電薄膜の圧電特性が悪くなる。
【００１０】
（Ｂ）圧電基板にＬＮ基板やＬＴ基板を用いる場合には、高温長時間加熱により圧電基板中の酸素が外部へ拡散するので、圧電基板の表面付近が剥離してなる圧電薄膜は、絶縁性が劣化して、圧電特性が悪くなる。
【００１１】
（Ｃ）圧電薄膜側の表面に電極が形成されているような場合には、高温長時間加熱により電極を形成する金属元素が圧電薄膜中に拡散して、圧電薄膜の結晶構造が崩れ、圧電薄膜内での伝送損失が大きくなる。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、上述の高温長時間加熱による各種の問題を解決できる圧電単結晶体を用いた圧電デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、圧電デバイスの製造方法に関するものである。この圧電デバイスの製造方法は、圧電基板にイオンを注入することでイオン注入層を形成する工程と、圧電基板のイオン注入面側に支持体を配設する工程と、イオン注入層が形成された圧電基板を加熱することにより圧電基板から圧電薄膜を剥離して、該圧電薄膜と支持体とからなる複合圧電基板を形成する工程を有する。そして、この複合圧電基板を形成する工程は、圧電基板における圧電薄膜となる部分に光を照射する工法を用いる。
【００１４】
この製造方法では、従来の雰囲気による加熱を行うのではなく、複合圧電基板に光を照射し、圧電薄膜部分での光の吸収による発熱で、圧電薄膜の局所加熱を行う。これにより、短時間で剥離に必要な熱量を与えることができる。
【００１５】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、複合圧電基板を形成する工程は、同じ厚みにおける圧電基板の光吸収率が支持体の光吸収率よりも高い波長の光を、支持体側から照射する。
【００１６】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、複合圧電基板を形成する工程は、同じ厚みにおける圧電基板の光吸収率が支持体の光吸収率よりも低い波長の光を、圧電基板側から照射する。
【００１７】
これらの製造方法では、複合圧電基板に対して光を照射する際に、照射光に対する圧電基板と支持体との光吸収率の関係から、照射方向を決定する。すなわち、圧電基板の方が光照射率が高い波長の光を照射する場合には支持体側から光を照射し、支持体の方が光照射率が高い波長の光を照射する場合には圧電基板側から光を照射する。これにより、圧電基板と支持体との接合界面近傍に存在する圧電薄膜の領域で効果的に光が吸収され、発熱する。これにより、圧電基板と支持体の組み合わせに応じた必要最小限の光照射量で剥離を行うことができる。
【００１８】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、複合圧電基板を形成する工程は、同じ厚みにおける圧電基板の光吸収率と支持体の光吸収率との比が２倍以上である波長の光を照射する。
【００１９】
この製造方法では、特に圧電基板と支持体との光吸収率が２倍以上である場合には、図５に示すように、不要な温度上昇を抑えることができ、特性の劣化をより効果的に抑制することができる。
【００２０】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、圧電基板と支持体との接合界面に、圧電基板の光吸収率および支持体の光吸収率よりも特定波長の光吸収率が高い光吸収層を形成する工程を有す。そして、この圧電デバイスの製造方法では、複合圧電基板を形成する工程は特定波長の光を照射する。
【００２１】
この製造方法では、圧電基板と支持体との接合界面に光吸収層を設置し、当該光吸収層で吸収されやすい光を照射する。これにより、光吸収層が発熱して、圧電基板と支持体との接合界面近傍、すなわち圧電薄膜の領域が効果的に加熱される。
【００２２】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、圧電基板および支持体の内の低い方の光吸収率と光吸収層の光吸収率との比が２倍以上である波長の光を、圧電基板および支持体の内の光吸収率が低い側から照射する。
【００２３】
この製造方法では、光吸収層の光吸収率を、圧電基板および支持体の光吸収率が低い側の２倍にすることで、上述の圧電基板と支持体との光吸収率を２倍にする場合と同様の作用が得られる。これにより、光吸収層による発熱の内の不要な温度上昇を招く発熱を抑制できる。
【００２４】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、圧電基板と支持体との接合界面に、金属電極パターンを形成する工程を有する。
【００２５】
この製造方法では、金属電極パターンが形成される場合であっても、上述のような短時間局所加熱が可能であるので、金属拡散が抑制され、特性劣化を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によれば、スマートカット法を用いて圧電単結晶性材料を用いた圧電デバイスを製造する際に、長時間加熱による各種特性劣化を防ぎ、優れた特性を有する圧電デバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態の薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図３】図１に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図４】図１に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図５】圧電単結晶基板１と支持基板３０Ｂとの光吸収率の比と、剥離が生じた時点での接合界面の温度との関係を示すグラフである。
【図６】光吸収層を形成する場合の製造フローを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電単結晶性材料を用いたＦ−ＢＡＲ用の薄膜型圧電デバイスを例に説明する。
【００２９】
図１は、本実施形態の薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
図２〜図４は、図１に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【００３０】
所定厚みからなる圧電単結晶基板１を用意し、図２（Ａ）に示すように、裏面１２側から水素イオンを注入することで、イオン注入層１００を形成する（図１：Ｓ１０１）。この際、圧電単結晶基板１としては、薄膜型圧電デバイス単体が複数配列されたマルチ状態の基板を用いる。そして、例えば圧電単結晶基板１にＬＴ基板を用いれば、加速エネルギー１５０ＫｅＶで１．０×１０17ａｔｏｍ／ｃｍ2のドーズ量により水素イオン注入を行うことにより、裏面１２から深さ約１μｍの位置に水素イオン層が形成されて、イオン注入層１００が形成される。なお、圧電単結晶基板１には、ＬＴ基板以外に、ＬＮ基板やＬＢＯ（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）基板やランガサイト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）基板を用いてもよく、それぞれの基板に応じた条件でイオン注入を行う。
【００３１】
次に、図２（Ｂ）に示すように、圧電単結晶基板１の裏面１２にＡｌ（アルミニウム）等を用いて所定厚みからなる下部電極２０および下部配線電極２１（図４（Ｂ）参照）を形成する。さらに、当該下部電極２０および下部配線電極２１が形成された裏面１２上に接合層３０Ａを形成する（図１：Ｓ１０２）。接合層３０Ａとしては例えばＳｉＯ2膜を用い、その表面をＣＭＰ処理等により研磨して平坦化する。
【００３２】
ここで、支持基板３０Ｂを用意しておく、支持基板３０Ｂは、母体基板３０１Ｂ上に支持層３０２Ｂを形成してなる。母体基板３０１Ｂには、ＳｉＯ2とＢ2Ｏ3を混合したホウケイ酸ガラスのような所定波長の光の吸収率が絶縁性材料を用いる。今回の説明ではホウケイ酸ガラスを用いた場合を示す。ホウケイ酸ガラスからなる母体基板３０１Ｂ表面には、回路電極パターン５０を形成するとともに、ＳｉＯ2からなる支持層３０２Ｂを形成する。さらに、この支持層３０２Ｂに対してエッチング等を行うことで、後述する上部電極等が形成される領域に対応する部分に凹部を形成するとともに、回路電極パターン５０の一部に対応する領域に貫通孔を形成する。そして、当該凹部および貫通孔に犠牲層材料を成膜して犠牲層４０Ａ，４０Ｂを形成し、支持層３０２Ｂの表面をＣＭＰ等により平坦化する。
【００３３】
このように形成された支持基板３０Ｂに対して、図２（Ｃ）に示すように、支持層３０１Ａを接合層３０Ａの表面に清浄化接合技術を用いて直接接合することで、圧電単結晶基板１と支持基板３０Ｂとを接合する（図１：Ｓ１０３）。ここで、清浄化接合とは、真空中でＡｒイオン等を照射して接合面を活性化させた状態で接合するものであり、加熱を必要としない接合方法である。このように清浄化接合を行うことで、接合面が加熱されないため、上述のように圧電単結晶基板１と、接合層３０Ａおよび支持基板３０Ｂの支持層３０２Ｂと、支持基板３０Ｂの母体基板３０１Ｂとの線膨張係数が異なっていても、各界面付近での割れが発生することを防止できる。また、加熱を行わないことで、圧電単結晶基板１に熱が加わらないので、加熱による特性劣化を防止することができる。さらには、親水化接合のようにＯＨ基を用いないので、水素の発生によるボイド等も防止することができる。
【００３４】
次に、図２（Ｄ）に示すように、支持基板３０Ｂが接合された圧電単結晶基板１に対して、波長３５５ｎｍからなるＴＨＧレーザ光９００を支持基板３０Ｂ側から照射して剥離を行う（図１：Ｓ１０４）。この際、ＴＨＧレーザ光９００の照射時間は１００μｓｅｃ．とする。
【００３５】
ここで、波長３５５ｎｍの光の光吸収率（＝１−（透過率＋反射率））は、支持基板３０Ｂの材料であるホウケイ酸ガラスが３００μｍあたり７％〜８％程度であり、圧電単結晶基板１の材料である還元処理をしたＬＴ基板は１０μｍあたり３５％〜４０％程度である。このため、照射光は、支持基板３０Ｂ側から照射されても、支持基板３０Ｂでは殆ど吸収されず、圧電単結晶基板１の接合面側で大半が吸収される。したがって、圧電単結晶基板１と支持基板３０Ｂとの接合界面近傍で、局所的に温度が上昇する。これにより、圧電単結晶基板１の接合界面近傍に存在するイオン注入層１００が加熱剥離に必要十分な温度に達し、剥離が生じる。そして、このような加熱剥離が生じることで、図２（Ｅ）に示すように、圧電薄膜３が支持基板３０Ｂによって支持される構造からなる複合圧電基板が形成される。この際、レーザ光の照射時間が、上述のように１００μｓｅｃ．と極短時間であるので、剥離が行われる温度となっている時間も短くなる。これにより、長時間高温加熱が行われないので、圧電性劣化や絶縁性劣化が殆ど生じず、これらの劣化を防止することができる。さらには、下部電極２０や回路電極パターン５０の圧電薄膜３への拡散を抑制することができる。
【００３６】
さらには、圧電単結晶基板１と支持基板３０Ｂとの光吸収率の比が特定の関係になる光を照射することで、さらに温度上昇を抑圧することもできる。
表１は圧電単結晶基板１と支持基板３０Ｂとの光吸収率の比と、剥離が生じた時点での接合界面の温度との関係を示す表である。また、図５は、表１の関係をグラフ化したものである。
【００３７】
【表１】
2010161671.tif 000003
【００３８】
表１および図５に示すように、支持基板３０Ｂの光吸収率が圧電単結晶基板１の光吸収率の約１／２倍以下であると、剥離時の接合界面温度は２５０℃よりも低くすることができる。逆に言えば、光吸収率が高い側の圧電単結晶基板１の光吸収率が、光吸収率が低い側の支持基板３０Ｂの光吸収率の約２倍以上となることで、剥離時の接合界面温度は２５０℃よりも低くすることができる。これにより、上述の圧電性劣化、絶縁性劣化、金属拡散をより効果的に抑制および防止することができる。この結果、優れた特性の圧電薄膜３を有する複合圧電基板を形成することができる。
【００３９】
また、加熱温度が低くなることで、線膨張係数が異なっていても、加熱により発生する応力を抑制することができるので、当該応力による割れを抑制することができる。これにより、温度特性が優れたり耐電力性が優れるが熱膨張係数が圧電単結晶基板１と異なるような材質であっても支持基板に利用することができるので、支持基板の選択幅が広げられるとともに、より安価なものを選択することもできる。
【００４０】
また、さらに、従来のような雰囲気を昇温する加熱工程では、通常、急激な昇降温を行わず、所定のプロファイルで徐々に昇温および降温を行わなければならず、剥離工程のスループットが低かったが、本実施形態の製造方法では、加熱時間と比較的非常に短いレーザ光の照射時間で剥離が行えるので、剥離工程のスループットを劇的に向上させることができる。
【００４１】
次に、圧電薄膜１０の剥離面（表面）１３をＣＭＰ等により鏡面仕上げにする（図１：Ｓ１０５）。このように表面１３を鏡面化することで、圧電デバイスとしての特性を向上することができる。
【００４２】
次に、図３（Ａ）に示すように、圧電薄膜１０の表面１３上に、上部電極６０や、配線電極６１Ａおよびバンプパッド６１Ｂ等の上面電極パターンを形成する（図１：Ｓ１０６）。
次に、上面電極パターンが形成された圧電薄膜１０の表面にレジスト膜７０を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、図３（Ｂ）に示すように、犠牲層４０Ａ，４０Ｂを除去するためのエッチング窓７１，７２をレジスト膜７０に形成する（図１：Ｓ１０７）。
【００４３】
次に、エッチング窓７１にエッチング液もしくはエッチングガスを導入することで、図３（Ｃ）に示すように、犠牲層４０Ａ，４０Ｂを除去する。これにより、単体の薄膜型圧電デバイスの下部電極２０および上部電極６０が形成される領域に対応する犠牲層４０Ａが形成された空間は、空隙８０となる（図１：Ｓ１０８）。そして、このような犠牲層４０Ａ，４０Ｂの除去を行った後、図３（Ｄ）に示すようにレジスト膜７０の除去を行う。
【００４４】
次に、図４（Ａ）に示すように、薄膜型圧電デバイスとして完成させるための仕上げ上面電極として、回路電極パターン５０と配線電極６１Ａおよびバンプパッド６１Ｂとを接続するスルーホール電極９１を形成するとともに、バンプパッド６１Ｂ上にバンプ９０を形成する（図１：Ｓ１０９）。そして、図４（Ｂ）に示すように、マルチ状態から個別の薄膜型圧電デバイスを切り出す。このようにして薄膜型圧電デバイスを形成する。
【００４５】
このように、本実施形態に示す特徴的な製造方法、すなわち、光照射による剥離を行う工程を有することで、従来のスマートカット法における長時間高温加熱を用いることで発生する上述の各課題を解決して、各種特性に優れた薄膜型圧電デバイスを製造することができる。
【００４６】
なお、上述の説明では、圧電単結晶基板の方が支持基板よりも吸収し易いレーザ光を支持基板側から照射する例を示したが、支持基板の方が圧電単結晶基板よりも吸収し易いレーザ光を圧電単結晶基板１側から照射してもよい。
【００４７】
例えば、支持基板をＳｉ基板で形成し、支持基板の表面をプラズマで荒らした（微細な凹凸をつけた）後、ＳｉＮ膜を成膜し、ＣＭＰで鏡面仕上げにする。このような処理を行った後に、圧電単結晶基板側から波長１．０６４μｍのレーザ光を照射する。この波長では、ＬＴ基板からなる圧電単結晶基板１は厚み３００μｍあたり光吸収率が２０％程度であり、Ｓｉ基板からなる支持基板は厚み１００μｍあたり光吸収率が４０％〜５０％程度である。したがって、圧電単結晶基板側から照射されたレーザ光により支持基板の表面、すなわち接合界面で局所的に昇温され、剥離が可能となる。これにより、上述の製造方法を同じ作用効果を得ることができる。
【００４８】
また、さらには、圧電単結晶基板と支持基板との接合界面に光吸収層を形成しても良い。
【００４９】
図６は、光吸収層を形成する場合の製造フローを示すフローチャートである。図６に示す光吸収層を有する圧電デバイスの製造方法は、図１に示した製造方法に対して、光吸収層付きの支持基板を形成する点で異なり、他の工程は同じであるので、説明は省略する。
【００５０】
光吸収層付きの支持基板の製造方法は、例えば、まず、ガラスで形成した支持基板の表面にＮｉ−Ｚｎ合金（黒ニッケル）をメッキ加工する。さらに、サンドブラスト等を用いてこのメッキ層を表面粗化し、光吸収層を形成する。このように光吸収層が形成された支持基板に対して犠牲層等を形成し、圧電単結晶基板へ接合する（図６：Ｓ２０３）。次に、波長１０μｍのレーザ光を照射する。この際、レーザ光の照射方向は、圧電単結晶基板側から照射するとよい。ここで、波長１０μｍのレーザ光に対して、ＬＴ基板からなる圧電単結晶基板およびガラスからなる支持基板は３００μｍあたりでの光吸収率が３％〜５％程度であり、Ｎｉ−Ｚｎ合金からなる光吸収層は１μｍあたりでの光吸収率が８０％〜９０％程度である。したがって、光吸収層の表面付近でレーザ光が吸収され、局所的に昇温され、剥離が可能となる。これにより、上述の製造方法を同じ作用効果を得ることができる。
【００５１】
また、このように圧電単結晶基板と支持基板との光吸収率の比を考慮したり、光吸収層を設けたりすることで、他のレーザ光も使用することができる。例えば、波長１０６００ｎｍのＣＯ2レーザ光、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ光、波長５３２ｎｍのＳＨＧレーザ光、波長２６６ｎｍのＦＨＧレーザ光、波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザ光、波長２４８ｎｍＫｒＦレーザ光、波長３５３ｎｍのＸｅＦレーザ光、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌレーザ光を用いても良い。さらには、これら異なる複数の波長を含む波長域のブロード光を用いて良い。すなわち、レーザ光の波長、圧電単結晶基板の材質、支持基板の材質、レーザ光の照射方向を適宜設定することで、効果的な光照射剥離を実現することができる。これにより、特性劣化を極力防止してなる圧電デバイスを製造することができる。
【００５２】
また、上述の説明では、Ｆ−ＢＡＲデバイスの製造方法を例に示したが、他の圧電薄膜を用いるＳＡＷデバイスや、ラム波用デバイス、ジャイロ、ＲＦスイッチ等にも本実施形態の製造方法を適用することができる。さらには、焦電デバイスや他の結晶性デバイスに対しても、本実施形態の製造方法を適用することができる。
【００５３】
また、上述の説明では、下部電極を有する薄膜型圧電デバイスを例に説明したが、下部電極を有さない薄膜型圧電デバイスに対しても、本実施形態の製造方法を適用することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１−圧電単結晶基板、１０−圧電薄膜、１２−圧電単結晶基板１の裏面、１３−圧電薄膜の表面、２０−下部電極、２１−下部配線電極、３０Ａ−接合層、３０Ｂ−支持基板、３０１Ｂ−母体基板、３０２Ｂ−支持層、４０Ａ，４０Ｂ−犠牲層５０−回路電極パターン、６０−上部電極、６１Ａ−配線電極、６１Ｂ−バンプパッド、７０−レジスト膜、７１，７２−エッチング窓、８０−空隙、９０−バンプ、９１−スルーホール電極、１００−イオン注入層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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