(57)【要約】【課題】  中継基板を介して配線基板に実装されるパッケージ基板の当該実装構造であって、前記中継基板と前記配線基板及び前記パッケージ基板との接続信頼性の向上を図ることができる実装構造および電子部品を提供する。【解決手段】  パッケージ基板の実装構造は、電子部品１４０が搭載されるパッケージ基板１２５と、前記パッケージ基板１２５が実装される配線基板１３０と、前記パッケージ基板１２５と前記配線基板１３０との間に設けられ、前記パッケージ基板１２５及び前記配線基板１３０に接続される中継基板１１０と、前記パッケージ基板１２５と同心状に位置し、且つ、鉛直方向に設けられたネジ部１０４と螺合して前記パッケージ基板１２５又は前記配線基板１３０に作用する荷重又は位置を無段階に連続して調整するセンター・ロック機構部１５０と、を含む。【選択図】  図２
2010161125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が搭載されるパッケージ基板と、
前記パッケージ基板が実装される配線基板と、
前記パッケージ基板と前記配線基板との間に設けられ、前記パッケージ基板及び前記配線基板に接続される中継基板と、
前記パッケージ基板と同心状に位置し、且つ、鉛直方向に設けられたネジ部と螺合して前記パッケージ基板又は前記配線基板に作用する荷重又は位置を無段階に連続して調整するセンター・ロック機構部と、
を含むパッケージ基板の実装構造。
【請求項２】
請求項１記載のパッケージ基板の実装構造であって、
前記電子部品上に固着され、前記電子部品を冷却する放熱部を更に含み、
前記センター・ロック機構部は、前記放熱部に取り付けられていることを特徴とするパッケージ基板の実装構造。
【請求項３】
請求項１記載のパッケージ基板の実装構造であって、
前記センター・ロック機構部は、前記パッケージ基板に取り付けられていることを特徴とするパッケージ基板の実装構造。
【請求項４】
請求項１記載のパッケージ基板の実装構造であって、
前記センター・ロック機構部は、前記配線基板が搭載された板部において鉛直方向に設けられたセンター・ロック取り付け部材に取り付けられていることを特徴とするパッケージ基板の実装構造。
【請求項５】
請求項１乃至４記載のパッケージ基板の実装構造であって、
前記センター・ロック機構部は、前記センター・ロック機構部から作用される荷重又は前記荷重が作用される前記パッケージ基板、前記配線基板、及び前記中継基板の少なくとも１つの位置を検出する検出部を含み、
前記検出部により検出される情報に基づき、前記センター・ロック機構部を作動するアクチュエータがフィードバック制御されることを特徴とするパッケージ基板の実装構造。
【請求項６】
中継基板を介して配線基板上に実装されるパッケージ基板に搭載される電子部品であって、
前記パッケージ基板と同心状にセンター・ロック機構部が位置し、前記センター・ロック機構部が鉛直方向に設けられたネジ部と螺合して前記パッケージ基板又は前記配線基板に作用する荷重又は位置が無段階に連続して調整されることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中継基板を介して配線基板に実装されるパッケージ基板の当該実装構造および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子は高集積化してきており、また、半導体装置の実装の高密度化が要求されている。そこで、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置に比べて外部接続端子（バンプ、ランド等）の狭ピッチ化を図ることができるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置及びＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置が注目され実用化されている。
【０００３】
ＢＧＡ型半導体装置においては、配線基板に実装されるパッケージ基板のパッド上に、接続端子として電極バンプたる半田バンプがエリアアレイ状に配置される。一方、ＬＧＡ型半導体装置においては、半導体素子が搭載される面と反対側の主面に面接続端子としての電極パッドが格子状に設けられたパッケージ基板と、前記電極パッドの形成位置に対応する位置に同様の電極パッドが設けられた配線基板との間の導通が、ネジ、補強板等の治具部品を用いた機械的加圧によりとられてなる。
【０００４】
ＢＧＡ型半導体装置及びＬＧＡ型半導体装置は、実装面積の縮小化及び高密度化を実現でき、電子機器の小型化、軽量化、及び高機能化に対応することができる。しかしながら、ＢＧＡ型半導体装置では、パッケージ基板と配線基板との接合時に生じる熱の問題及び交換作業時の時間又はコストの問題がある。一方、ＬＧＡ型半導体装置では、加圧してパッケージ基板と配線基板との導通をとる構造になっているため、常温での作業で済み、また交換も容易である。
【０００５】
上述の利点を有するＬＧＡ型半導体装置において、ヒートシンク及び金属板を用いて、パッケージ基板と配線基板との間に、導電性エラストマ等を有する樹脂基板を中継基板として挟み込んで固定する構造が提案されている。これについて図１を参照して説明する。なお、図１（ａ）は当該構造の半分を図示した上面図であり、図１（ｂ）は、当該構造の側面図である。
【０００６】
図１に示すように、本例では、金属からなる補強板２上に配線基板３０が設けられ、配線基板３０上には、ＬＧＡ型半導体装置２０のパッケージ基板２５が中継基板１０を介して実装されている。
【０００７】
ＬＧＡ型半導体装置２０のパッケージ基板２５の上面には、半導体素子４０が実装されている。半導体素子４０の上面は、ヒートスプレッダ２１を介して、ヒートシンク１の下面が接している。ヒートシンク１は、放熱するＬＧＡ型半導体装置２０を冷却する機能を有する。
【０００８】
ヒートシンク１及び補強板２の四隅近傍には、バネ３が設けられたネジ４が貫通して設けられている。ヒートシンク１及び補強板２の四隅近傍に貫通して設けられたネジ４の締結により、パッケージ基板２５と配線基板３０との間に介在する中継基板１０が押圧され、パッケージ基板２５が中継基板１０を介して配線基板３０に固定されている。
【０００９】
ＬＧＡ型半導体装置２０のパッケージ基板２５は、セラミックス又はガラス等の無機材料からなる基板基材の両面に、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）等からなる配線パターンが多層配線層構造をもって選択的に配設されている。
【００１０】
パッケージ基板２５の上面に実装された半導体素子４０は、所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、コンデンサ等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路を具備し、当該主面には、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる電極パッド（図示を省略）が配設されている。
【００１１】
パッケージ基板２５の下面には、外部接続用面端子たる電極パッド２６が、例えばスパッタリング法により複数格子状に配設されている。
【００１２】
配線基板３０は、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド等の有機樹脂材からなる基板基材の両面に、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）等からなる配線パターンが多層配線層構造をもって選択的に配設されている。当該配線パターンの一部として、基板基材の上面には、パッケージ基板２５の電極パッド２６の形成位置に対応する位置に、外部接続用面端子たる電極パッド３１が複数格子状に配設されている。
【００１３】
電極パッド２６が設けられたパッケージ基板２５の下面と、電極パッド３１が設けられた配線基板３０の上面との間には、中継基板１０が設けられている。中継基板１０は、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド等の有機樹脂材からなる基板基材に貫通孔が形成され、当該貫通孔内および当該貫通孔の上端部および下端部に弾性体たる導電性エラストマ１５が設けられている。
【００１４】
導電性エラストマ１５の端面は、パッケージ基板２５の電極パッド２６と、配線基板３０の電極パッド３１とに接触している。
【００１５】
なお、発熱性回路素子を搭載したパッケージ基板と、前記発熱性回路素子を放熱するためのヒートシンクとを有し、前記ヒートシンクと前記パッケージ基板とを接合するための第１の加圧力と、前記パッケージ基板を外部のプリント基板に加圧するための第２の加圧力とを分離したパッケージ構造が提案されている。
【００１６】
また、ＩＣソケット中の楕円リング状コンタクトの傾きを交互に逆向きとしたコンタクトが提案されている。
【００１７】
更に、接続部を有する回路基板と、前記回路基板上にフェースダウン状態で配置され、前記接続部と対向する電極部を有する半導体素子と、前記回路基板の接続部と前記半導体素子の電極部とを電気的に接続する導電性ワイヤとを有する半導体装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特許第４０３６７４２号公報
【特許文献２】特開２００２−２５２０６８号公報
【特許文献３】特開２００８−１１２８２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、図１に示す構造では、ヒートシンク１及び補強板２の四隅近傍に貫通して設けられたネジ４の締結により、パッケージ基板２５と配線基板３０との間に介在する中継基板１０が押圧され、パッケージ基板２５が中継基板１０を介して配線基板３０に固定されている。
【００２０】
従って、ヒートシンク１の四隅を起点とした傾き又は反りに因り、パッケージ基板２５と配線基板３０との間に介在する中継基板１０への押圧が不均一となって、パッケージ基板２５と配線基板３０との接続不良（導通不良）の発生を招くおそれがある。
【００２１】
また、パッケージ基板２５を、中継基板１０を介して配線基板３０に固定する際に、ネジ４の締結順序に因り、ネジ４毎にパッケージ基板２５と配線基板３０との間に介在する中継基板１０への押圧の分布が異なるおそれがある。その結果、中継基板１０の導電性エラストマ１５と、パッケージ基板２０の電極パッド２６及び配線基板３０の電極パッド３１との接触圧が場所により異なってしまう。即ち、中継基板１０の導電性エラストマ１５と、パッケージ基板２０の電極パッド２６及び配線基板３０の電極パッド３１との接触圧が小さい、又は中継基板１０の導電性エラストマ１５との接触面積が小さくなったパッケージ基板２０の電極パッド２６及び配線基板３０の電極パッド３１では、導電性エラストマ１５との電気接続が不安定となり、接続不良（導通不良）の発生を招くおそれがある。
【００２２】
更に、パッケージ基板２５上に実装されている半導体素子４０の高性能化に因り、激しい発熱が生じるおそれがあり、また、半導体素子４０はパッケージ基板２５に比し大きな弾性率を有する。従って、半導体素子４０が実装されたパッケージ基板２５には、熱応力に起因する反りが発生しやすい。
【００２３】
また、パッケージ基板２５は、セラミックス或いはガラス等の無機材料からなり、配線基板３０は、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド等の有機樹脂材からなり、配線基板３０の熱膨張係数はパッケージ基板２５の熱膨張係数よりも大きい。かかる熱膨張係数の相違に因り、パッケージ基板２５の電極パッド２６と、配線基板３０の電極パッド３１と、中継基板１０とに剪断応力が働き、パッケージ基板２５及び配線基板３０は、平面方向において逆方向に寸法変化する。また、配線基板３０に反りやうねり等が発生するおそれもある。
【００２４】
その結果、中継基板１０の導電性エラストマ１５と、パッケージ基板２０の電極パッド２６及び配線基板３０の電極パッド３１との接触圧が小さくなった、又は中継基板１０の導電性エラストマ１５との接触面積が小さくなったパッケージ基板２０の電極パッド２６及び配線基板３０の電極パッド３１では、導電性エラストマ１５との電気接続が不安定となり、接続不良（導通不良）の発生を招くおそれがある。
【００２５】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、中継基板を介して配線基板に実装されるパッケージ基板の当該実装構造であって、前記中継基板と前記配線基板及び前記パッケージ基板との接続信頼性の向上を図ることができる実装構造および電子部品を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
実施の形態の一観点によれば、電子部品が搭載されるパッケージ基板と、前記パッケージ基板が実装される配線基板と、前記パッケージ基板と前記配線基板との間に設けられ、前記パッケージ基板及び前記配線基板に接続される中継基板と、前記パッケージ基板と同心状に位置し、且つ、鉛直方向に設けられたネジ部と螺合して前記パッケージ基板、前記配線基板、及び前記中継基板の少なくとも１つに作用する荷重又は位置を無段階に連続して調整するセンター・ロック機構部と、を含むパッケージ基板の実装構造が提供される。
【００２７】
実施の形態の他の観点によれば、中継基板を介して配線基板上に実装されるパッケージ基板に搭載される電子部品であって、前記パッケージ基板と同心状にセンター・ロック機構部が位置し、前記センター・ロック機構部が鉛直方向に設けられたネジ部と螺合して前記パッケージ基板又は前記配線基板に作用する荷重又は位置が無段階に連続して調整されることを特徴とする電子部品が提供される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、中継基板を介して配線基板に実装されるパッケージ基板の当該実装構造であって、前記中継基板と前記配線基板及び前記パッケージ基板との接続信頼性の向上を図ることができる実装構造および電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】ＬＧＡ型半導体装置において、ヒートシンク及び金属板を用いて、パッケージ基板と配線基板との間に中継基板を挟み込んで固定する構造を示す図である。
【図２】第１の実施の形態の構造を示す図である。
【図３】アクチュエータのフィードバック制御を説明するためのブロック図である。
【図４】第２の実施の形態の構造を示す図である。
【図５】第３の実施の形態の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００３１】
１．第１の実施の形態
図２に、第１の実施の形態の構造を示す。図２（ａ）は当該構造の半分を図示した上面図であり、図２（ｂ）は、当該構造の側面図である。
【００３２】
図２に示すように、本例では、金属からなる補強板１０２上には、図示を省略する絶縁シート等を介して配線基板１３０が固着されている。配線基板１３０上には、ＬＧＡ型半導体装置１２０のパッケージ基板１２５が中継基板１１０を介して実装されている。
【００３３】
ＬＧＡ型半導体装置１２０のパッケージ基板１２５の上面には、半導体素子１４０が実装されている。半導体素子１４０の上面は、ヒートスプレッダ１２１を介して、ヒートシンク１０１が接している。なお、ヒートシンク１０１の下面は、図示を省略する熱伝導性粘着シート等を介してヒートスプレッダ１２１の上面に固着している。ヒートシンク１０１は、放熱するＬＧＡ型半導体装置２０を冷却する機能を有する。
【００３４】
補強板１０２には、外周面にネジ溝が形成されたスクリューネジ（ネジ部）１０４が貫通して設けられている。なお、補強板１０２及びスクリューネジ１０４にあっては、荷重又は機械的圧力により変形し難いよう、例えばＳＵＳ３００番系、ＳＵＳ４００番系等、剛性の高い材料から構成されることが望ましい。
【００３５】
ＬＧＡ型半導体装置１２０のパッケージ基板１２５は、セラミックス又はガラス等の無機材料からなる基板基材の両面に、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）等からなる配線パターンが多層配線層構造をもって選択的に配設されている。
【００３６】
パッケージ基板１２５の上面に実装された半導体素子１４０は、所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、コンデンサ等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路を具備し、当該主面には、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる電極パッド（図示を省略）が配設されている。
【００３７】
パッケージ基板１２５の下面には、外部接続用面端子たる電極パッド１２６が、例えばスパッタリング法により複数格子状に配設されている。
【００３８】
配線基板１３０は、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド等の有機樹脂材からなる基板基材の両面に、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）等からなる配線パターンが多層配線層構造をもって選択的に配設されている。当該配線パターンの一部として、基板基材の上面には、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６の形成位置に対応する位置に、外部接続用面端子たる電極パッド１３１が複数格子状に配設されている。
【００３９】
電極パッド１２６が設けられたパッケージ基板１２５の下面と、電極パッド１３１が設けられた配線基板１３０の上面との間には、中継基板１１０が設けられている。中継基板１１０は、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド等の有機樹脂材からなる基板基材に貫通孔が形成され、当該貫通孔内および当該貫通孔の上端部および下端部に弾性体たる導電性エラストマ１１５が設けられている。
【００４０】
導電性エラストマ１１５の端面は、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６と、配線基板１３０の電極パッド１３１とに接触している。
【００４１】
本例では更に、センター・ロック機構部１５０が、ＬＧＡ型半導体装置１２０およびヒートシンク１０１の中心と同心状に位置し、ヒートシンク１０１の外周の略全周に沿って取り付けられ、スクリューネジ１０４に螺合している。
【００４２】
センター・ロック機構部１５０は、外周にネジ溝が形成されたネジ部１５０ａと、ネジ部１５０ａに接合し水平方向に形成されたヒートシンク取り付け部１５０ｂを有する。ネジ部１５０ａがスクリューネジ１０４に螺合し、ヒートシンク取り付け部１５０ｂがヒートシンク１０１の外周の略全周に亘って取り付けられている。ヒートシンク取り付け部１５０ｂは、平面視円環状の形状を有する。
【００４３】
センター・ロック機構部１５０のネジ部１５０ａの外周部分には、例えばモータ等のアクチュエータ１６０が設けられている。アクチュエータ１６０は矢印Ａで示すように自転しながら、矢印Ｂで示すようにセンター・ロック機構部１５０の外周を公転する。アクチュエータ１６０を電動又は手動等で動作することにより、スクリューネジ１０４に螺合しているセンター・ロック機構部１５０を作動でき、センター・ロック機構部１５０が取り付けられているヒートシンク１０１が上下に（鉛直方向に）移動する。
【００４４】
このように、ヒートシンク１０１に取り付けられたセンター・ロック機構部１５０と、スクリューネジ１０４との螺合における押込（締結）量を連続して変えることができ、センター・ロック機構部１５０からヒートシンク１０１に作用する荷重又はヒートシンク１０１の位置を無段階に連続して調整することができる。
【００４５】
そして、センター・ロック機構部１５０は、ＬＧＡ型半導体装置１２０およびヒートシンク１０１の中心と同心状に位置し、平面視円環状の形状を有するヒートシンク取り付け部１５０ｂがヒートシンク１０１の外周の略全周に亘って取り付けられている。従って、センター・ロック機構部１５０は、ヒートシンク１０１に対し、連続した線での接触、即ち、面接触している。
【００４６】
従って、中継基板１１０を介したパッケージ基板１２５と配線基板１３０との位置関係に傾き及び偏りが発生することを防止することができる。よって、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧がどの場所においても安定する。その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との極めて安定な電気的接触による導通を得ることができる。
【００４７】
本例では更に、センター・ロック機構部１５０は、センター・ロック機構部１５０からヒートシンク１０１に作用する荷重又はヒートシンク１０１の位置を検出するセンサ（検出部）１６５を備える。センサ１６５は、センター・ロック機構部１５０のヒートシンク取り付け部１５０ｂとヒートシンク１０１との接触箇所に位置する。
【００４８】
ここで、図３も参照する。図３は、アクチュエータ１６０のフィードバック制御を説明するためのブロック図である。
【００４９】
図３に示すように、センサ１６５により検出されたセンター・ロック機構部１５０からヒートシンク１０１に作用する荷重又はヒートシンク１０１の位置に関するデータは制御装置１７０に送られ、制御装置１７０により、センター・ロック機構部１５０を作動するアクチュエータ１６０がフィードバック制御される。
【００５０】
配線基板１３０に中継基板１１０を介して実装された半導体装置１２０が搭載された電子機器の設置環境に温度変化が生じる場合、半導体装置１２０、中継基板１１０、及び配線基板１３０を構成する材料の熱膨張係数の相違に因り、半導体装置１２０、中継基板１１０、及び配線基板１３０の位置ずれ又は反りが発生し、その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧が変化するおそれがある。また、半導体装置１２０のパッケージ基板１２５及び配線基板１３０において、表裏面の配線密度分布又は製造プロセスに因り、半導体装置１２０、中継基板１１０、及び配線基板１３０の位置ずれ又は反りが発生し、その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧が変化するおそれもある。
【００５１】
かかる場合に、上述のフィードバック制御により、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧の変化に対応して、ヒートシンク１０１に取り付けられたセンター・ロック機構部１５０と、スクリューネジ１０４との螺合における押込（締結）量を連続して変えることができる。従って、センター・ロック機構部１５０からヒートシンク１０１に作用する荷重又はヒートシンク１０１の位置を所望の荷重又は位置にすることができる。よって、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧がどの場所においても安定する。その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との極めて安定な電気的接触による導通を得ることができる。
【００５２】
２．第２の実施の形態
上述の第１の実施の形態においては、センター・ロック機構部１５０が、ＬＧＡ型半導体装置１２０およびヒートシンク１０１の中心と同心状に位置し、ヒートシンク１０１の外周の略全周に沿って取り付けられ、スクリューネジ１０４に螺合している。しかしながら、センター・ロック機構部の取り付け箇所は、かかる態様に限定されず、図４に示す態様であってもよい。
【００５３】
図４に、第２の実施の形態の構造を示す。図４（ａ）はヒートシンクを取り除いた状態における当該構造の半分を図示した上面図であり、図４（ｂ）は、当該構造の側面図である。図４において、図２において示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５４】
図４に示すように、第２の実施の形態では、略矩形形状を有するパッケージ基板１２５の外周部分に、スペーサ部材２６０が取り付けられている。略円形形状を有するスペーサ部材２６０には、パッケージ基板１２５より僅かに小さい矩形形状が開口形成されている。
【００５５】
更に、センター・ロック機構部２５０が、ＬＧＡ型半導体装置１２０およびヒートシンク１０１の中心と同心状に位置し、パッケージ基板１２５の外周部分に取り付けられたスペーサ部材２６０の外周の略全周に沿って取り付けられ、スクリューネジ１０４に螺合している。
【００５６】
センター・ロック機構部２５０は、外周にネジ溝が形成されたネジ部２５０ａと、ネジ部２５０ａに接合し水平方向に形成されたパッケージ基板取り付け部２５０ｂを有する。ネジ部２５０ａがスクリューネジ１０４に螺合し、パッケージ基板取り付け部２５０ｂがスペーサ部材２６０の外周の略全周に亘って取り付けられている。パッケージ基板取り付け部２５０ｂは、平面視円環状の形状を有する。
【００５７】
センター・ロック機構部２５０のネジ部２５０ａの外周部分には、例えばモータ等のアクチュエータ１６０が設けられている。アクチュエータ１６０は矢印Ａで示すように自転しながら、矢印Ｂで示すようにセンター・ロック機構部２５０の外周を公転する。アクチュエータ１６０を電動又は手動等で動作することにより、スクリューネジ１０４に螺合しているセンター・ロック機構部２５０を作動でき、センター・ロック機構部２５０がスペーサ部材２６０を介して取り付けられているパッケージ基板１２５が上下に（鉛直方向に）移動する。
【００５８】
このように、スペーサ部材２６０を介してパッケージ基板１２５に取り付けられたセンター・ロック機構部２５０と、スクリューネジ１０４との螺合における押込（締結）量を連続して変えることができ、センター・ロック機構部２５０からパッケージ基板１２５に作用する荷重又はヒートシンク１０１の位置を無段階に連続して調整することができる。
【００５９】
そして、センター・ロック機構部２５０は、ＬＧＡ型半導体装置１２０およびヒートシンク１０１の中心と同心状に位置し、平面視円環状の形状を有するパッケージ基板取り付け部２５０ｂがパッケージ基板１２５に取り付けられたスペーサ部材２６０の外周の略全周に亘って取り付けられている。従って、センター・ロック機構部２５０は、スペーサ部材２６０に対し、連続した線での接触、即ち、面接触している。
【００６０】
従って、本実施の形態においても、中継基板１１０を介したパッケージ基板１２５と配線基板１３０との位置関係に傾き及び偏りが発生することを防止することができる。よって、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧がどの場所においても安定する。その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との極めて安定な電気的接触による導通を得ることができる。
【００６１】
更に、本実施の形態においては、センター・ロック機構部２５０は、センター・ロック機構部２５０からパッケージ基板１２５に作用する荷重又はヒートシンク１０１の位置を検出するセンサ（検出部）２６５を備える。センサ２６５は、センター・ロック機構部２５０のパッケージ基板取り付け部２５０ｂとパッケージ基板１２５が取り付けられたスペーサ部材２６０に位置する。
【００６２】
第１の実施の形態において図３を参照して説明したように、第２の実施の形態においても、センサ２６５により検出されたパッケージ基板１２５に作用する荷重又はパッケージ基板１２５の位置に関するデータは制御装置１７０（図３参照）に送られ、制御装置１７０により、センター・ロック機構部２５０を作動するアクチュエータ１６０がフィードバック制御される。
【００６３】
従って、半導体装置１２０、中継基板１１０、及び配線基板１３０の位置ずれ又は反りが発生し、その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧が変化するおそれもある場合であっても、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧の変化に対応して、センター・ロック機構部２５０と、スクリューネジ１０４との螺合における押込（締結）量を連続して変えることができる。
【００６４】
従って、センター・ロック機構部２５０からパッケージ基板１２５に作用する荷重又はパッケージ基板１２５の位置を所望の荷重又は位置にすることができる。よって、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧がどの場所においても安定する。その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との極めて安定な電気的接触による導通を得ることができる。
【００６５】
３．第３の実施の形態
センター・ロック機構部の取り付け箇所は、第１の実施の形態および第２の実施の形態において示される態様に限定されず、図５に示す態様であってもよい。
【００６６】
図５に、第３の実施の形態の構造を示す。図５において、図２及び図４において示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６７】
図５に示すように、第３の実施の形態では、パッケージ基板１２５の外周部分に、外周面にネジ溝が形成されたスクリューネジ３６０が取り付けられている。
【００６８】
そして、補強板１０２にはセンター・ロック取り付け部材３７０が鉛直方向に貫通して設けられている。更に、センター・ロック取り付け部材３７０には、センター・ロック機構部３５０が取り付けられている。センター・ロック取り付け部材３７０のうち、センター・ロック機構部３５０が取り付けられている箇所には、操作窓３７１が設けられており、外部から操作窓３７１を介してセンター・ロック機構部３５０を目視・操作することができる。
【００６９】
センター・ロック取り付け部材３７０に取り付けられたセンター・ロック機構部３５０は、ＬＧＡ型半導体装置１２０と同心状に位置し、スクリューネジ３６０に螺合している。
【００７０】
センター・ロック機構部３５０のうち、センター・ロック取り付け部材３７０の操作窓３７１を介して目視・操作できる箇所には、例えば図示を省略するモータ等のアクチュエータが設けられている。当該アクチュエータを電動又は手動等で動作することにより、スクリューネジ３６０に螺合しているセンター・ロック機構部３５０を作動でき、センター・ロック機構部３５０が取り付けられているセンター・ロック取り付け部材３７０が上下に（鉛直方向に）移動する。センター・ロック取り付け部材３７０は、配線基板１３０が固着された補強板１０２に貫通して設けられているため、センター・ロック取り付け部材３７０が上下に移動すると、配線基板１３０も上下に移動する。
【００７１】
このように、センター・ロック取り付け部材３７０を介してパッケージ基板１２５に取り付けられたセンター・ロック機構部３５０と、スクリューネジ３６０との螺合における押込（締結）量を連続して変えることができ、センター・ロック機構部３５０から配線基板１３０に作用する荷重又は配線基板１３０の位置を無段階に連続して調整することができる。
【００７２】
そして、センター・ロック機構部３５０は、ＬＧＡ型半導体装置１２０の中心と同心状に位置し、補強板１０２を介して配線基板１２５に取り付けられたセンター・ロック取り付け部材３７０に対し、連続した線での接触、即ち、面接触して取り付けられている。
【００７３】
従って、本実施の形態においても、中継基板１１０を介したパッケージ基板１２５と配線基板１３０との位置関係に傾き及び偏りが発生することを防止することができる。よって、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧がどの場所においても安定する。その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との極めて安定な電気的接触による導通を得ることができる。
【００７４】
更に、本実施の形態においては、センター・ロック機構部３５０は、センター・ロック機構部３５０から配線基板１２０に作用する荷重又は配線基板１２０の位置を検出するセンサ（検出部）３６５を備える。センサ３６５は、センター・ロック機構部３５０とセンター・ロック取り付け部材３７０との間に位置する。
【００７５】
第１の実施の形態において図３を参照して説明したように、第３の実施の形態においても、センサ３６５により検出された配線基板１２０に作用する荷重又は配線基板１２０の位置に関するデータは制御装置１７０（図３参照）に送られ、制御装置３７０により、センター・ロック機構部３５０を作動するアクチュエータ１６０（図３参照）がフィードバック制御される。
【００７６】
従って、半導体装置１２０、中継基板１１０、及び配線基板１３０の位置ずれ又は反りが発生し、その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧が変化するおそれもある場合であっても、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧の変化に対応して、センター・ロック機構部２５０と、スクリューネジ１０４との螺合における押込（締結）量を連続して変えることができる。
【００７７】
従って、センター・ロック機構部３５０から配線基板１３０に作用する荷重又は配線基板１３０の位置を所望の荷重又は位置にすることができる。よって、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との接触圧がどの場所においても安定する。その結果、中継基板１１０の導電性エラストマ１１５と、パッケージ基板１２５の電極パッド１２６及び配線基板１３０の電極パッド１３１との極めて安定な電気的接触による導通を得ることができる。
【００７８】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１０１      ヒートシンク
１１０      中継基板
１２０      ＬＧＡ型半導体装置
１２１      ヒートスプレッダ
１２５      パッケージ基板
１３０      配線基板
１４０      半導体素子
１５０、２５０、３５０        センター・ロック機構部
１６０      アクチュエータ
１７０      制御装置
２６０      スペーサ部材
３７０      センター・ロック取り付け部材
【図１】
2010161125.tif 000003
【図２】
2010161125.tif 000004
【図３】
2010161125.tif 000005
【図４】
2010161125.tif 000006
【図５】
2010161125.tif 000007