(57)【要約】【課題】画素セル配列上のシミ状パターン発生を抑制できると同時に、製造コストを増加させることなく製造することができ、これによって上記のシミ画像不良の発生を抑制し良好な画像が得られる固体撮像装置を提供する。【解決手段】本発明は、固体撮像素子の受光領域を囲むように開口させた格子状の遮光膜パターンまたは配線パターンにおいて、パターンの一部に一定の隙間をもたせることを特徴とする。また、周辺回路及び、画素上の配線層を遮光膜に用いる場合がある。この場合には、複数の配線層を遮光膜に使用する場合、第一の配線層のレイアウトに応じて、第二層以降の配線層のレイアウトが決定され、受光領域上では、受光領域を囲む配線の一部に一定の隙間を持たせることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードと、該フォトダイオードで発生させた電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョンとを有する画素セルが、半導体基板上に複数二次元状に配列された固体撮像装置において、
前記それぞれの画素セル内の前記フォトダイオードを取り囲み、前記フォトダイオードの直上は開口されている格子状パターンからなる遮光膜が、前記半導体基板上の前記複数の画素セルが形成された領域に亘って層間絶縁膜を介して設けられ、
前記それぞれの画素セル内において、前記遮光膜を構成する格子状パターンの一部が切断された隙間が形成されている
ことを特徴とする、固体撮像装置。
【請求項２】
前記遮光膜の下部であって前記それぞれのフォトダイオード間の領域に下層膜が設けられている、請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記下層膜が前記遮光膜の直下に設けられている、請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記下層膜が配線層である、請求項２または３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記下層膜が駆動用トランジスタのゲート配線である、請求項２または３記載の固体撮像装置。
【請求項６】
一対の前記隙間が、前記画素セル内の対角線上の位置に設けられている、請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記隙間の形状が、前記格子状パターンに対して斜め形状である、請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記隙間のサイズが、前記画素セルの一辺のサイズに対し1/10以上である、請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項９】
フォトダイオードと、該フォトダイオードで発生させた電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョンとを有する画素セルを、半導体基板上に複数二次元状に配列する工程を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記それぞれの画素セル内の前記フォトダイオードを取り囲み、前記フォトダイオードの直上は開口されている格子状パターンからなる遮光膜を、前記半導体基板上の前記複数の画素セルが形成された領域に亘って層間絶縁膜を介して設ける工程と、
前記それぞれの画素セル内において、前記遮光膜を構成する格子状パターンの一部が切断された隙間を形成する工程と、
を有することを特徴とする、固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記遮光膜の下部であって前記それぞれのフォトダイオード間の領域に下層膜を設ける工程を有する、請求項９記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記下層膜を前記遮光膜の直下に設ける、請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記下層膜が配線層である、請求項１０または１１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記下層膜が駆動用トランジスタのゲート配線であり、該配線の表面が遮光性の高融点金属シリサイドからなる、請求項１０または１１記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体基板上に光電変換素子を設けたＣＣＤ(Charge Coupled Device)型イメージセンサやＭＯＳ(Metal-Oxide-Semiconductor)型イメージセンサといった固体撮像装置において、プロセスコストを増加させることなく、シミといった画像不良が発生することがない良好な画像を得る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置としてＣＣＤ型イメージセンサは半導体基板上にフォトダイオードなどの光電変換素子と電荷転送路が設けられており、光電変換素子に照射された光が信号電荷に変換される。そして、その信号電荷が電荷転送経路によって転送されて、出力部から出力される構成となっている。一方ＭＯＳ型イメージセンサは、半導体基板上の画素セル内にフォトダイオードなどの光電変換素子とトランジスタなどの信号検出素子が設けられており、光電変換素子に照射された光が信号電荷に変換される。そして、その変換された信号電荷の電荷量に応じた信号が信号検出素子から読み出される構成となっている。
【０００３】
ＭＯＳ型イメージセンサでは増幅型ＭＯＳセンサを用いた固体撮像装置が近年注目されている。この固体撮像装置は、画素セルごとにフォトダイオードで検出した画像信号をトランジスタで増幅する装置であり、高感度という特徴をもつ。このような固体撮像装置では二次元に配列された画素を有する撮像領域からの信号を水平方向に出力する、または垂直方向に出力する回路としてダイナミック型シフトレジスタが用いられる。これによって、回路の簡素化、高密度化及び低消費電力化が図られている。画素セル内においてフォトダイオードで検出した信号電荷は、読み出しトランジスタと呼ばれる固体撮像装置特有のトランジスタで読み出される。そして、フローティングディフュージョンアンプにその信号電荷が蓄積され、その後増幅トランジスタによって信号として出力される。
【０００４】
固体撮像素子ではＣＣＤ型イメージセンサ、ＭＯＳ型イメージセンサにかかわらず、フォトダイオード部分以外を覆うような遮光膜が設けられている。これはフォトダイオード部以外の領域に直接入射光が入るのを防ぐためで、通常アルミニウム、タングステン等の金属が用いられる。ＣＣＤ型イメージセンサでは電荷転送経路上に光が入射することでスミアなどの特性不良が発生する。一方ＭＯＳ型イメージセンサでは、信号検出素子に光が入射することでトランジスタの誤動作等の不具合が発生する。このためフォトダイオード以外の領域について、遮光膜を配置しておくことが一般的である。
【０００５】
図８は特許文献１記載の従来例における固体撮像装置の断面図である。特許文献１では、ＭＯＳ型あるいはＣＣＤ型の撮像素子が形成されている半導体基板１の表面にフォトダイオードを覆うようにアルミ等による第一遮光膜２が設けてある。その上に平坦化膜３を介して第一遮光膜２を覆うように第二遮光膜４がある。第二遮光膜４は、半導体基板１の表面に形成されたドーム状の凸部を反映して、第一遮光膜２の表面に形成された凸状部を覆い、この部分での乱反射を防ぐ。第二遮光膜４は平坦化された膜（平坦化膜３）上に形成されているので、表面段差が少なく乱反射を防ぐことが出来る。第二遮光膜４の上には、平坦化膜５が形成されている。
【０００６】
図９は特許文献１記載の固体撮像装置の平面パターン図である。レイアウト例としては第１遮光膜の開口部６は第一遮光膜２がない部分で、フォトダイオード形成領域に相当し、第二遮光膜４は第一遮光膜２の開口部６以外のほとんどすべてを覆っている。このように遮光膜は固体撮像装置の受光領域に形成されたそれぞれのフォトダイオードを囲むように、格子状にパターン形成されている。
【特許文献１】特開平４−１９９８７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のように固体撮像装置にはアルミニウム、タングステン等の金属で用いられた格子状の遮光膜が形成されている。ところが格子状にレイアウトされた遮光膜の形成工程において、シミ状の画像不良が発生するという課題があることが判明した。遮光膜は、フォトダイオード上部の配線層間絶縁膜上にアルミニウムやタングステン等の金属膜を形成し、フォトレジストをマスクとして異方性プラズマエッチングを行うことにより、所望のパターンに形成される。この異方性エッチング後、エッチングガスと金属材料などとの反応生成物であるポリマー除去、パーティクル除去を目的に洗浄工程が追加される。洗浄工程は大きく分けて薬液を半導体基板上に噴霧塗布するステップと、噴霧塗布された薬液を半導体基板を高速回転することで振り切り乾燥させるステップと、その後純水で洗浄するステップとに分かれている。
【０００８】
ところがこの洗浄工程において、通常広く用いられている洗浄薬液によって金属膜の下地層間絶縁膜が、エッチングレートは小さいもののエッチングされる。すると、ウェハ面内の個々の撮像素子が形成されているチップ上に広範囲にわたって、緩やかな段差（エッチングムラ）が発生することにより、シミ状画像が発生することが本発明者らによって確認されている。
【０００９】
そして、このシミ状画像が発生する原因は、上記洗浄工程後においても、上記遮光膜の格子状パターン内部に上記線状薬液が残留して、薬液だまりを形成してしまうことが主要な原因であることを、本発明者らは解明した。
【００１０】
図１０は固体撮像装置チップ上を光学顕微鏡で見た写真であるが、チップ上の広範囲にわたって薄い線３０のような跡が認められ、その線の内側と外側で若干明るさが異なっているため、シミがあるような画像に見える。ただし図１０中ではシミの薄い線を実線で強調している。
【００１１】
本発明は画素セル配列上のシミ状パターン発生を抑制できると同時に、製造コストを増加させることなく製造することができ、これによって上記のシミ画像不良の発生を抑制し良好な画像が得られる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、固体撮像素子の受光領域を囲むように開口させた格子状の遮光膜パターンまたは配線パターンにおいて、パターンの一部に一定の隙間をもたせることを特徴とする。
【００１３】
具体的には、フォトダイオードと、このフォトダイオードで発生させた電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョンとを有する画素セルが、半導体基板上に複数二次元状に配列された固体撮像装置を前提としている。
【００１４】
このような固体撮像装置において、それぞれの画素セル内のフォトダイオードを取り囲み、前記フォトダイオードの直上は開口されている格子状パターンからなる遮光膜が設けられる。この場合において、この遮光膜は、前記半導体基板上の複数の画素セルが形成された領域に亘って層間絶縁膜を介して設けられる。そして、前記それぞれの画素セル内において、前記遮光膜を構成する格子状パターンの一部が切断された隙間が形成されていることを特徴としている。
【００１５】
また、周辺回路及び、画素上の配線層を遮光膜に用いる場合がある。この場合には、複数の配線層を遮光膜に使用する場合、第一の配線層のレイアウトに応じて、第二層以降の配線層のレイアウトが決定され、受光領域上では、受光領域を囲む配線の一部に一定の隙間を持たせることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、遮光膜および配線層形成時の異方性エッチング後の洗浄工程において、格子状レイアウトに起因して発生していた格子内の液だまりに対して、パターンの一部に設けられた隙間が液だまりの排出口として作用する。このため、洗浄工程におけるスピン乾燥時の振り切りステップにおいて、ウェハ上の薬液の循環効率が向上し、格子状パターン内で薬液が滞留することがなくなる。従って、受光領域上方の層間絶縁膜にエッチングムラが発生することなく、シミ画像不良の発生を抑制することが可能となる。これにより、製造コストを増加させることなく、シミ画像不良を抑制し、良好な画像を得ることが可能な固体撮像装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明者らは固体撮像装置の画素セル配列領域にシミパターンが発生する理由をさらに検討した。まず、これについて説明する。図１（ａ）は遮光膜の斜視図、図１（ｂ）は固体撮像素子の画素セル部の断面図を示している。図１（ｂ）を用いて基本構造を説明すると、Ｎ型シリコン基板７上に素子分離膜８が形成され、フォトダイオード９が二次元アレイ状に複数個並んでおり、その上層にＰ型表面シールド層１０が配置されている。さらにこれらの上層に、第一層間絶縁膜１１、第一配線層１２、第二層間絶縁膜１３、フッ素拡散防止膜１４、第二配線層１５が形成されている。第二層間絶縁膜１３はＦＳＧ(fluorinated silicate glass)が用いられることがあるため、フッ素拡散防止膜１４にはｐ−ＳｉＯＮ膜１４が用いられる。
【００１８】
第一配線層１２及び第二配線層１５は、図１（ｂ）においては両方遮光膜としての役割を果たしている。即ち、図１（ａ）のように第二配線層１５は格子状で、フォトダイオード９への四方からの光の入射に対して効果的に遮光する。シミパターンは第二配線層１５の形成時に発生すると推定される。第二配線層１５は前述したように異方性エッチングによってパターンニングされ、ポリマー除去のために洗浄処理される。このとき、格子状に形成された第二配線層１５上に薬液が噴霧され、第二配線層１５に囲まれた格子領域にも薬液が入る。
【００１９】
一般的な半導体集積回路パターンでは洗浄薬液は基板の高速回転によるスピン乾燥ステップにおいて振切られるため薬液だまりは発生しない。しかし、格子状という特有パターン上においては第二配線層１５（遮光膜）の側壁が壁になることと薬液の表面張力で薬液を振切る際の妨害となってしまう。このため、図１（ａ）、図１（ｂ）の薬液だまり２７のように薬液が滞留する状態が確率的に発生すると推定され、格子の開口部内部全体に亘っている。洗浄薬液は下地のｐ−ＳｉＯＮ膜１４をエッチングするが、薬液だまり２７が発生している格子内と薬液だまりが発生していない格子内でｐ−ＳｉＯＮ膜１４の膜減り量に差が生じ、エッチングムラが発生する。
【００２０】
薬液だまりの出来る画素は広範囲にわたって集団となって分布するため光学顕微鏡ではムラの有る領域、ムラの無い領域で反射率や透過率に差が生じるので見え方が異なる。またｐ−ＳｉＯＮ膜１４の膜厚ムラによりｐ−ＳｉＯＮ膜１４から第一層間絶縁膜１１までの反射率や透過率が場所によって異なるのでシミ画像不良が発生すると考えられる。格子サイズが小さくなるほど表面張力の影響により液だまりの振り切りが困難となるので、上記図１０のようなシミは、画素セルサイズの微細化に伴って良好な画像を得るための大きな課題となる。本発明は以上のような知見に基づいてなされている。
【００２１】
図２は本発明の実施の形態によるＭＯＳ型固体撮像装置の画素セル部におけるパターンレイアウトを示す図である。図３は図２でのａ−ａ断面図である。まず図３を用いて断面構造を説明すると、画素セル部ではＮ型Ｓｉ基板７に素子分離膜８とフォトダイオード９が形成されている。フォトダイオード９は二次元アレイ状に複数個並んでおり、フォトダイオード９の上層には、Ｐ型不純物で形成された表面シールド層１０が配置されている。さらに、フォトダイオード９の上層には第一層間絶縁膜１１が配置され、その上に第一配線層１２および、第二層間絶縁膜１３が配置されている。その上にｐ−ＳｉＯＮ膜１４などのフッ素拡散防止膜が配置され、その上に第二配線層１５が配置される。更にその上にｐ−ＳｉＮ膜などの保護膜１６が形成されている。
【００２２】
第一層間絶縁膜１１はＢＰＳＧ(Boro-Phospho Silicate Glass)が用いられ、第二層間絶縁膜１３にはＴＥＯＳ(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)によるシリコン酸化膜とフッ素を含有したＦＳＧが用いられる。それぞれ、７００℃程度の温度でＣＶＤ法（化学気相成長法）で形成されている。特に第二層間絶縁膜１３に第一配線層１２のパターン間の配線間容量低減のためにＦＳＧが用いられることがあるため、第二層間絶縁膜１３上にはフッ素拡散防止のためのｐ−ＳｉＯＮ膜１４が形成される。第一配線層１２および第二配線層１５にはアルミニウムやその合金などの金属が用いられ、回路動作のための配線としての役割とフォトダイオード領域以外に光が入射することを防ぐための遮光膜としての役割を果たしている。図３では第一配線層１２、第二配線層１５は遮光膜となっている。
【００２３】
ここで、第二配線層１５は格子状のレイアウトを有しており（図１参照）、四方からの光の入射に対して効果的に遮光の役割を果たしている。第一配線層１２は後に図２を用いて説明するように直線状にレイアウトされており、主に画素内にあるトランジスタを動作させるための配線の役割を果たす。これとともに第一配線層１２は、トランジスタの直上に位置しており、第二配線層の遮光を補助し、トランジスタが誤動作することを抑制している。第二配線層１５の上に形成された保護膜１６は表面を保護するために形成されている。
【００２４】
図２は本発明の実施の形態による画素セル部のパターンレイアウト平面図を示しており、画素セル部の主要構成要素のみを示し、本発明を説明するために不要な要素は省略している。また、以下の図４から図７までにおいては、簡単のため、さらに符号を省略している。図２と同じ線種や塗りつぶしパターンで示されている部分は、図２と同一の構成要素であると理解されたい。
【００２５】
この図２では示していないが、フォトダイオード９間には画素駆動用トランジスタが形成される活性領域があり、画素信号を読み出すための読出しゲート１８、読み出された電荷を蓄積するフローティングディフュージョン１９が形成されている。フローティングディフュージョン１９は、この図２において、フォトダイオード９の上端、かつ、後述する第二配線層１５の下部にある。読み出しゲート１８はＴｉ、Ｃｏなどの金属によって表面がシリサイド化されている（図３には示していない）。
【００２６】
第一配線層１２（下層膜）は多数配列されたフォトダイオード９間のスペースに一方向、即ち図２においては縦方向のみに延びるように設けられている。これにより、画素駆動用トランジスタが形成される活性領域の直上を被覆する遮光膜として作用し、入射光によってこれらのトランジスタが誤動作することを防いでいる。また、第二配線層１５はフォトダイオード９の領域を囲むように配置され、これも遮光膜として作用する。この第二配線層１５（遮光膜）の、第一配線層１２の直上にある一部には切断された隙間２１が設けられていることが本発明の特徴である。隙間２１はフォトダイオード９の領域間またはフローティングディフュージョン１９の両側に少なくとも１個設けられる。
【００２７】
この隙間２１は、第二配線層１５形成時の異方性ドライエッチング後の洗浄工程において、薬液が格子状パターン内で滞留することを抑制するための排出口の役割を果たしている。この洗浄工程は主にバッチ式の洗浄装置を用い、まず、ジメチルホルムアミドを主成分とした薬液を、複数の半導体基板をカセットに収納した状態でスプレー噴射することでポリマーを除去する。その後薬液振切りステップにてカセットを回転させることで遠心力によってウェハ外周方向に薬液を振切り、その後純水洗浄を行い、乾燥ステップにて室温以上の高温Ｎ2乾燥やＩＰＡ(Iso propyl Alcohol)乾燥によってウェハを乾燥させ、一連の操作が完了する。
【００２８】
ここで格子状の第二配線層１５に隙間２１を設けておくと、洗浄工程における薬液振切りステップにおいて、第二配線層１５の格子状レイアウト内に滞留したポリマー除去用洗浄薬液の抜け道ができる。これにより、ウェハ上においてウェハ外周方向へ遠心力で薬液を振切る際の薬液排出効率が向上し液だまりが発生することがなくなる。こうして薬液だまりの発生が抑制されることで、受光領域上方において、遮光膜である第二配線層１５の下地層間絶縁膜１４のエッチングムラが発生することがなくなり、シミ画像不良の発生が抑制される。また隙間２１の位置は第一配線層１２の直上に位置した第二配線１５上の一辺内であれば、どこに配置されても問題はない。
【００２９】
図４は第二配線層１５に形成される隙間２１位置の第２の例を示す図である。格子状パターンの一つのコーナーに配置された隙間２１に対し二つ目の隙間２２を、隙間２１を通る格子の対角線上に配置させている。洗浄工程の薬液振切りステップではウェハの外周方向に遠心力が働くように回転している。このため、格子状配線パターンにおいて、ウェハの内側から外側へ向かって薬液が排出できるような隙間を作ることで薬液の排出効率の向上が期待できる。
【００３０】
図５は第二配線層１５に形成される隙間２１形状の他の例を示す図である。隙間２３は、第二配線層１５パターン内に塗布された薬液がスピン乾燥時のウェハ回転方向に対して排出されやすいようにパターン内部の排出口の長さを大きくし、斜め形状を有している特長がある。これにより薬液の排出効率向上の効果が期待できる。また、図６のように図５における形状の隙間２３に図４の配置を適用して、斜め形状の隙間２４を互いに格子の対角線上に相対配置させてもよい。
【００３１】
ここで、隙間２１、２２、２３、２４のサイズは画素セルの一辺の長さ、すなわち画素セル配置の周期の１／１０以上とし、上限は画素サイズの大きさと遮光性とを考慮して３／１０以下とすることが望ましい。また、隙間２１、２２、２３、２４は第一配線層１２の直上に位置した第二配線層１５の一部に設けられているため、隙間２１、２２、２３、２４から入射した光は下層にある第一配線層１２で遮光され、遮光効率が低下することはない。このように第一配線層１２もまた上述の通り遮光膜として働く。
【００３２】
図７は第二配線層１５に形成される隙間２６の配置に関する第３の例を示す図である。フォトダイオード９間に、図示はしていないが画素駆動用トランジスタが形成される活性領域が形成され、画素信号を読み出すための読出しゲート、読み出された電荷を蓄積するフローティングディフュージョン１９が形成されている。またフォトダイオード９とフォローティングディフュージョン１９間の素子分離領域上には、読出し動作の中で読出された電荷をリセットするためのリセットトランジスタのゲート電極であるとともに配線でもあるリセットゲート２０（下層膜）が形成されている。各ゲートはＴｉ、Ｃｏなどの金属によってシリサイド化されている。第一配線層１２は画素駆動用トランジスタが形成される活性領域の直上に配置されており、入射光によってこれらのトランジスタが誤動作することを防いでいる。
【００３３】
画素セル内において遮光膜となる第二配線層１５はフォトダイオード９の領域を囲むように配置され、格子状のパターンを有している。第二配線層１５の一部には、隙間２６が形成されているが、その位置は第二配線層１５を構成する格子の１コーナーと、縦方向に対向する格子の１コーナーである。隙間２６は素子分離膜上に配置されたリセットゲート２０の直上に位置した第二配線層１５上の一辺内であればどこに配置されても問題はない。リセットゲート２０の本体はポリシリコン膜であるがその表面は高融点金属のシリサイドとなっているために光の透過率が極めて小さく、遮光膜として有効である。このため、リセットゲート２０上に位置する第二配線層１５の一部についても隙間２６を設けることが可能となる。
【００３４】
なお隙間２６を設けた直下のリセットゲート２０はトランジスタとして動作する部分ではなく素子分離膜８上に形成されており、信号伝達配線としてのみ作用しているため、隙間２６によって光が入射することによる誤動作の心配はない。隙間２６の配置としては図４のように第二配線層１５の格子パターンの対角線上に配置してもよい。また隙間の形状としては図５に示すように、第二配線層１５の格子状パターンを構成する配線を斜めに切断したような形状にしてもよい。
【００３５】
以上に述べたように本発明は、第二配線層１５に一定の隙間を設けることにより、遮光膜および配線パターン形成のための異方性エッチング後の洗浄工程において第二配線層１５の格子状パターン内に薬液が滞留することがない。このため、受光領域上方の層間絶縁膜１４にエッチングムラが発生することがなく、シミ画像不良は発生しない。従ってプロセスコストを増加させることなく良好な画像を得ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
以上説明したように、本発明は、プロセスコストを増加させることなく、配線および遮光膜形成時に発生するシミによる画像不良の発生を抑制することが可能であり、良好な画像の固体撮像装置を提供することが可能である。従って、固体撮像装置の製造において非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】シミパターン発生の説明図。
【図２】本発明の半導体装置の回路パターンの平面図。
【図３】本発明の半導体装置の回路パターンの断面図。
【図４】本発明における隙間の位置の例。
【図５】本発明における隙間の形状の例。
【図６】本発明における隙間の位置の第２の例。
【図７】本発明における隙間の位置の第３の例。
【図８】従来の半導体装置の回路パターンの断面図。
【図９】従来の半導体装置の回路パターンの平面図。
【図１０】発生したシミの様子を示す図。
【符号の説明】
【００３８】
１  半導体基板
２  第一遮光膜
３  平坦化膜
４  第二遮光膜
５  平坦化膜
６  第一開口部
７  Ｓｉ基板
８  素子分離
９  フォトダイオード
１０  表面シールド層
１１  第一層間絶縁膜
１２  第一配線層
１３  第二層間絶縁膜
１４  フッ素拡散防止膜
１５  第二配線層
１６  保護膜
１７  活性領域
１９  フローティングディフュージョン
２０  リセットゲート
２１  第二配線層における隙間
２２  第二配線層における隙間
２３  第二配線層における隙間
２４  第二配線層における隙間
２５  ゲート酸化膜
２６  第二配線層における隙間
２７  薬液だまり
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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