(57)【要約】【課題】電極の外周部に対応する配向膜の部分における配向不良の発生を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】この液晶表示装置１００は、ＴＦＴ基板１ａおよび対向基板２１と、ＴＦＴ基板１ａ上に形成された共通電極１８と、共通電極１８上に形成された配向膜１９とを備える。また、共通電極１８の外周部１８２には、平面的に見て、複数の突出部１８３が形成され、突出部１８３の側辺（１８３ａおよび１８３ｂ）は、平面的に見て、ラビング軸Ｒに対して３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜するように形成されている。【選択図】図４
2010170066.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された電極と、
前記電極上に形成された配向膜とを備え、
前記電極の外周部の少なくとも一部には、平面的に見て、複数の突出部が形成され、
前記突出部の側辺は、平面的に見て、ラビング軸に対して所定の角度範囲で傾斜するように形成されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記突出部の側辺は、平面的に見て、ラビング軸に対して３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜するように形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記突出部の側辺は、平面的に見て、先端に向かって幅が小さくなる形状に形成された２つの第１側辺および第２側辺を含む、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記電極は、平面的に見て、４つの辺を有する略矩形形状の外周部を有するように形成され、
前記電極の外周部の４つの辺のうち少なくとも最初にラビング処理される辺には、前記複数の突出部が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された共通電極と、
前記一対の基板のうち他方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続される画素電極とを備え、
前記電極は、複数の画素に一体に形成された前記共通電極である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続される画素電極と、
前記一対の基板のうち他方の基板上に形成された共通電極とを備え、
前記電極は、画素毎に形成された前記画素電極である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれに接続される複数の画素電極と、
前記一対の基板のうち他方の基板上に形成された共通電極とを備え、
前記電極は、画素毎に形成された前記画素電極である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれに接続される複数の画素電極と、
前記一対の基板のうち他方の基板上に形成された共通電極とを備え、
前記電極は、前記複数の画素電極を含み、
前記複数の画素電極が配置される領域の外縁部に位置する前記画素電極の外周部の少なくとも前記外縁部に対応する辺には、平面的に見て、前記複数の突出部が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に形成され、絶縁膜を介して互いに対向するように配置された画素電極および共通電極とを備え、
前記電極は、前記画素電極または前記共通電極のうちの上方に配置される電極であり、
前記電極は、前記ラビング軸に対して傾斜したスリットが形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、
前記一方の基板の前記薄膜トランジスタの上方に形成された共通電極と、
前記共通電極上に絶縁膜を介して形成されるとともに、前記複数の薄膜トランジスタにそれぞれ接続される複数の画素電極とをさらに備え、
前記電極は、前記複数の画素電極を含み、
前記複数の画素電極には、前記ラビング軸に対して傾斜したスリットが形成され、
前記複数の画素電極が配置される領域の外縁部に位置する前記画素電極の外周部の少なくとも前記外縁部に対応する辺には、平面的に見て、前記複数の突出部が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記配向膜は、前記電極の表面を覆うように形成され、前記電極の外周部に対応する段差部を有し、
前記配向膜の段差部は、前記電極の突出部の形状を反映するような形状を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、電極と電極の表面上に形成される配向膜とを備える液晶表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電極と電極の表面上に形成される配向膜とを備える液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示される液晶表示装置では、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が設けられたＴＦＴ基板、および、ＴＦＴ基板に対向するとともに、液晶層を挟持するように設けられた対向基板を備えている。通常、ＴＦＴ基板および対向基板の液晶層側には、それぞれ、矩形形状の画素電極および共通電極（対向電極）が形成されており、電極の外周部には段差が形成されている。また、それぞれの電極の液晶層側の表面上には配向膜が形成され、配向膜の電極の外周部の段差に対応する部分には段差部が形成されている。また、製造時において、ラビングローラーにより配向膜のラビング処理が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１９９１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板および対向基板に形成された配向膜のラビング処理時において、たとえば、電極の外周部の辺に対応する配向膜の段差部に対して略直交する方向からラビングローラーの毛が接触した際に、ラビングローラーの毛が、様々な方向に傾き、傾きが不均一になる。この状態でラビング処理を行うと、配向膜の表面が均一にラビングされず、特に、電極の外周部に対応する配向膜の部分には配向不良が発生しやすいという問題点がある。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、電極の外周部に対応する配向膜の部分における配向不良の発生を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における液晶表示装置は、一対の基板と、一対の基板のうち一方の基板上に形成された電極と、電極上に形成された配向膜とを備え、電極の外周部の少なくとも一部には、平面的に見て、複数の突出部が形成され、突出部の側辺は、平面的に見て、ラビング軸に対して所定の角度範囲で傾斜するように形成されている。
【０００７】
この第１の局面による液晶表示装置では、上記のように、電極の外周部の少なくとも一部には、平面的に見て、複数の突出部が形成され、突出部の側辺は、平面的に見て、ラビング軸に対して所定の角度範囲で傾斜するように形成されていることによって、ラビング処理時において、ラビングローラーの毛が電極の突出部の側辺に接触した際に、突出部の側辺の傾斜している方向に沿うようにラビングローラーの毛を傾かせることができる。これにより、ラビングローラーの毛を同じ方向に傾かせた状態でラビング処理を行うことができるので、電極の外周部に対応する配向膜の表面を均一にラビングすることができる。その結果、電極の外周部に対応する配向膜の部分における配向不良の発生を抑制することができる。
【０００８】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、突出部の側辺は、平面的に見て、ラビング軸に対して３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜するように形成されている。このように構成すれば、ラビングローラーの毛を３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜させた状態でラビング処理を行うことができる。
【０００９】
この場合、好ましくは、突出部の側辺は、平面的に見て、先端に向かって幅が小さくなる形状に形成された２つの第１側辺および第２側辺を含む。このように構成すれば、第１側辺または第２側辺に沿った方向にラビングローラーの毛を３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜させた状態でラビング処理を行うことができる。
【００１０】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、電極は、平面的に見て、４つの辺を有する略矩形形状の外周部を有するように形成され、電極の外周部の４つの辺のうち少なくとも最初にラビング処理される辺には、複数の突出部が形成されている。このように構成すれば、最初にラビング処理される辺の突出部の突出形状により、ラビングローラーの毛を突出形状に沿うように傾斜させた状態で、ラビング処理を開始することができる。
【００１１】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、一対の基板のうち一方の基板上に形成された共通電極と、一対の基板のうち他方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続される画素電極とを備え、電極は、複数の画素に一体に形成された共通電極である。また、好ましくは、一対の基板のうち一方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続される画素電極と、一対の基板のうち他方の基板上に形成された共通電極とを備え、電極は、複数の画素毎に形成された画素電極である。このように構成すれば、縦電界方式である液晶表示装置においても、配向不良の発生を抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、一対の基板のうち一方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続される画素電極と、一対の基板のうち他方の基板上に形成された共通電極とを備え、電極は、画素毎に形成された画素電極である。このように構成すれば、縦電界方式の液晶表示装置において、画素毎に形成された画素電極の突出部に沿うようにラビングローラーの毛を傾斜させることができるので、ラビングローラーの毛が傾斜した状態でラビング処理を開始することができる。
【００１３】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、一対の基板のうち一方の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタのそれぞれに接続される複数の画素電極と、一対の基板のうち他方の基板上に形成された共通電極とを備え、電極は、画素毎に形成された画素電極である。このように構成すれば、縦電界方式の液晶表示装置において、複数の画素電極にそれぞれ形成された突出部に沿うようにラビングローラーの毛を傾斜させることができるので、確実にラビングローラーの毛が傾斜した状態でラビング処理を開始することができる。
【００１４】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、一対の基板のうち一方の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタのそれぞれに接続される複数の画素電極と、一対の基板のうち他方の基板上に形成された共通電極とを備え、電極は、複数の画素電極を含み、複数の画素電極が配置される領域の外縁部に位置する画素電極の外周部の少なくとも外縁部に対応する辺には、平面的に見て、複数の突出部が形成されている。このように構成すれば、縦電界方式の液晶表示装置において、複数の画素電極のうち外縁部に位置する画素電極の外周部の外縁部に形成された複数の突出部に沿うようにラビングローラーの毛を傾斜させることができるので、ラビングローラーの毛が傾斜した状態でラビング処理を開始することができる。
【００１５】
一対の基板のうち一方の基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に形成され、絶縁膜を介して互いに対向するように配置された画素電極および共通電極とを備え、電極は、画素電極または共通電極のうちの上方に配置される電極であり、電極は、ラビング軸に対して傾斜したスリットが形成されている。このように構成すれば、横電界方式である、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置においても、電極の突出部によりラビングローラーの毛を傾斜させた状態でラビング処理を開始することができるので、配向不良の発生を抑制することができる。
【００１６】
一対の基板のうち一方の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、一方の基板の薄膜トランジスタの上方に形成された共通電極と、共通電極上に絶縁膜を介して形成されるとともに、複数の薄膜トランジスタにそれぞれ接続される複数の画素電極とをさらに備え、電極は、複数の画素電極を含み、複数の画素電極には、ラビング軸に対して傾斜したスリットが形成され、複数の画素電極が配置される領域の外縁部に位置する画素電極の外周部の少なくとも外縁部に対応する辺には、平面的に見て、複数の突出部が形成されている。このように構成すれば、横電界方式であるＦＦＳ方式の液晶表示装置において、画素電極を共通電極の上方に配置する場合においても、複数の画素電極のうち外縁部に位置する画素電極の外周部の外縁部に形成された複数の突出部に沿うようにラビングローラーの毛を傾斜させることができるので、ラビングローラーの毛が傾斜した状態でラビング処理を開始することができる。
【００１７】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、配向膜は、電極の表面を覆うように形成され、電極の外周部に対応する段差部を有し、配向膜の段差部は、電極の突出部の形状を反映するような形状を有する。このように構成すれば、ラビング処理時において、ラビングローラーの毛が電極の突出部の側辺に対応する形状を有する配向膜の段差部に接触した際に、突出部の側辺の傾斜している方向に沿うようにラビングローラーの毛を傾かせることができる。これにより、ラビングローラーの毛を同じ方向に傾かせた状態でラビング処理を行うことができるので、電極の外周部に対応する配向膜の表面を均一にラビングすることができる。その結果、電極の外周部に対応する配向膜の段差部における配向不良の発生を抑制することができる。
【００１８】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、電極の外周部に対応する配向膜の部分における配向不良の発生を抑制することが可能な液晶表示装置を備えた電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態による横電界方式の液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１の４００−４００線に沿った画素の断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による横電界方式の液晶表示装置の画素の拡大平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による横電界方式の液晶表示装置の共通電極の平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による横電界方式の液晶表示装置のラビング処理を説明するための図である。
【図６】本発明の第１実施形態による横電界方式の液晶表示装置のラビング処理を説明するための図である。
【図７】本発明の第１実施形態による横電界方式の液晶表示装置のラビング処理を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態による縦電界方式の液晶表示装置の平面図である。
【図９】図１０の５００−５００線に沿った画素の断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による縦電界方式の液晶表示装置の表示部の拡大平面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態による横電界方式の液晶表示装置の平面図である。
【図１２】図１３の６００−６００線に沿った画素の断面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態による横電界方式の液晶表示装置の表示部の拡大平面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態による縦電界方式の液晶表示装置の平面図である。
【図１５】本発明の第４実施形態による縦電界方式の液晶表示装置の表示部の拡大平面図である。
【図１６】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。
【図１８】本発明の第１実施形態の第１変形例を示す平面図である。
【図１９】本発明の第２実施形態の変形例を示す平面図である。
【図２０】本発明の第１実施形態の第２変形例を示す平面図である。
【図２１】本発明の第１実施形態の第３変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。なお、第１実施形態では、横電界方式である、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置１００に本発明を適用した場合について説明する。
【００２２】
第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、ガラスからなるＴＦＴ基板１ａ上に、複数の画素２ａを含む表示部２、Ｖドライバ３およびＨドライバ４が設けられている。また、Ｖドライバ３およびＨドライバ４には、それぞれ、複数のゲート線５および複数のデータ線６が接続されている。また、駆動ＩＣ７が、表示部２、Ｖドライバ３およびＨドライバ４に接続されている。
【００２３】
次に、図２および図３を参照して、本発明の第１実施形態による画素２ａの詳細な構成について説明する。
【００２４】
図２に示すように、ＴＦＴ基板１ａの表面上には、バッファ膜８が形成されている。このバッファ膜８は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる。また、バッファ膜８の表面上の画素選択用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）９が形成される領域には、能動層１０が形成されている。この能動層１０は、ポリシリコンなどからなる。また、バッファ膜８の表面上には、能動層１０を覆うように絶縁膜１１が形成されている。なお、絶縁膜１１の能動層１０に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜１１は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１１の表面上には、ゲート電極として機能するゲート線５が形成されている。このゲート線５は、クロムやモリブデンを含む金属などからなる。また、絶縁膜１１およびゲート線５の表面上には、層間絶縁膜１２が形成されている。
【００２５】
また、絶縁膜１１および層間絶縁膜１２には、能動層１０のソース領域１０ａを露出するためのコンタクトホール１１ａおよび１２ａと、ドレイン領域１０ｂを露出するためのコンタクトホール１１ｂおよび１２ｂとが形成されている。また、コンタクトホール１１ａおよび１２ａを介してソース領域１０ａに接続されるとともに、層間絶縁膜１２の表面上に延びるようにデータ線６が形成されている。このデータ線６は、アルミニウムやアルミニウム合金を含む金属などからなる。また、コンタクトホール１１ｂおよび１２ｂを介してドレイン領域１０ｂに接続されるとともに、層間絶縁膜１２の表面上に延びるようにドレイン電極１３が形成されている。このドレイン電極１３は、アルミニウムやアルミニウム合金を含む金属などからなる。また、データ線６、ドレイン電極１３および層間絶縁膜１２の表面上には、絶縁膜からなるパッシベーション膜１４が形成されている。また、薄膜トランジスタ９は、ソース領域１０ａおよびドレイン領域１０ｂを含む能動層１０と、ソース電極（データ線６）と、ゲート電極（ゲート線５）と、ドレイン電極１３とを含んで構成されている。
【００２６】
また、パッシベーション膜１４の表面上には、絶縁膜からなる平坦化膜１５が形成されている。また、パッシベーション膜１４および平坦化膜１５には、コンタクトホール１４ａおよび１５ａが形成されている。このコンタクトホール１４ａおよび１５ａは、ドレイン電極１３を露出させるために形成されている。また、平坦化膜１５の表面上には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からなる画素電極１６が形成されている。この画素電極１６は、図３に示すように、各画素２ａ毎に形成されている。この画素電極１６は、コンタクトホール１４ａおよび１５ａを介してドレイン電極１３と電気的に接続されている。また、図２に示すように、画素電極１６の表面上には、絶縁膜１７が形成されている。この絶縁膜１７の表面上には、共通電極１８が形成されている。なお、共通電極１８は、本発明の「電極」の一例である。なお、共通電極１８は、複数の画素２ａに共通して形成されている。
【００２７】
ここで、第１実施形態では、図４に示すように、共通電極１８には、平面的に見て、共通電極１８の長辺方向（Ｙ方向）に沿った方向に延びる矩形形状を有する縦型のスリット１８１が形成されている。この共通電極１８は、平面的に見て、長辺および短辺を含む４つの辺１８２ａ〜１８２ｄを有する略矩形形状の外周部１８２を有している。共通電極１８の外周部１８２の４つの辺１８２ａ〜１８２ｄのうち最初にラビング処理される部分に対応する辺１８２ａ（ラビング軸Ｒとのなす角が、０度以上４５度以下の辺であり、図４では、共通電極１８の矢印Ｙ１方向側の辺である）には、突出部１８３が形成されている。この突出部１８３は、平面的に見て、先端に向かって幅が小さくなるとともに、先端が尖った山形形状を有している。なお、共通電極１８の外周部１８２ａおよび１８２ｂの略全領域に、複数の突出部１８３が形成されていてもよいし、共通電極１８の外周部１８２ａ〜１８２ｄの略全領域に、複数の突出部１８３が形成されていてもよい。
【００２８】
また、第１実施形態では、突出部１８３は、２つの第１側辺１８３ａおよび第２側辺１８３ｂを含んでいる。この第１側辺１８３ａおよび第２側辺１８３ｂは、それぞれ、平面的に見て、ラビング軸Ｒに対して同じ方向に３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜するように形成されている。具体的には、第１側辺１８３ａは、ラビング軸Ｒに対して時計回り方向に角度α１（３０度以上６０度以下）の範囲で傾斜するように形成されており、第２側辺１８３ｂは、ラビング軸Ｒに対して時計回り方向に角度α２（３０度以上６０度以下）の範囲で傾斜するように形成されている。また、角度α１は、角度α２よりも小さい角度に形成されている。なお、共通電極１８に形成されているスリット１８１は、ラビング軸Ｒに対して反時計回り方向に角度α３（５度以上１０度以下）の範囲で傾斜するように形成されている。
【００２９】
また、共通電極１８の外周部１８２の４つの辺１８２ａ〜１８２ｄのうち対向する２つの辺（辺１８２ａおよび辺１８２ｃ、または、辺１８２ｂおよび辺１８２ｄ）に形成された突出部１８３の第１側辺１８３ａ同士、および、第２側辺１８３ｂ同士は、それぞれ、平面的に見て、略平行に形成されていてもよい。
【００３０】
また、図２に示すように、共通電極１８の表面上には、ポリイミド（ＰＩ）などからなる配向膜１９が形成されている。また、第１実施形態では、配向膜１９は、共通電極１８の表面を覆うように形成され、共通電極１８の外周部１８２に対応する段差部１９ａ（図４参照）を有している。この配向膜１９の段差部１９ａは、平面的に見て、共通電極１８の突出部１８３の形状を反映するように先端が尖った山形形状に形成されている。また、平面的に見て、配向膜１９の段差部１９ａよりも外側に位置する領域には、配向膜１９の端部１９ｂが配置されている。
【００３１】
ＴＦＴ基板１ａと対向するように、液晶層２０を挟んで対向基板２１が配置されている。この対向基板２１の表面上には、カラーフィルタ２２およびブラックマトリクス２３が形成されている。カラーフィルタ２２およびブラックマトリクス２３の表面上には、保護膜としてオーバーコート層２４が形成されている。オーバーコート層２４の表面上には、ポリイミド（ＰＩ）などからなる配向膜２５が形成されている。また、ＴＦＴ基板１ａの矢印Ｚ１方向側の表面上には、偏光板２６が形成されている。また、対向基板２１の矢印Ｚ２方向側の表面上には、偏光板２７が形成されている。また、ＴＦＴ基板１ａの矢印Ｚ１方向側には、バックライト２８が設けられている。このバックライト２８は、ＴＦＴ基板１ａ側から対向基板２１側に向けて光が出射されるように構成されている。上記のように、画素電極１６とスリット１８１が設けられた共通電極１８とをＴＦＴ基板１ａに設けることにより、上下に位置する画素電極１６と共通電極１８との間で横電界を発生させるＦＦＳ方式によって液晶表示装置１００が駆動されるように構成されている。
【００３２】
図５〜図７を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００のラビング処理について説明する。
【００３３】
図５および図６に示すように、ラビングローラー２９は、共通電極１８のスリット１８１の延びる方向（Ｙ方向）に略直交する方向（Ｘ方向）に対して、時計回り方向に角度α３（５度以上１０度以下）で傾斜するように配置されている。複数の表示部２が形成された大板のガラス基板１の配向膜１９（図２参照）の表面に対して、図６に示すように、ラビングローラー２９が矢印Ａ方向に回転するとともに、大板のガラス基板１が矢印Ｂ方向に搬送される。そして、ラビングローラー２９の毛２９ａが大板のガラス基板１に形成された配向膜１９に接触することにより、ラビング処理が行われる。このラビング処理により、配向膜１９は液晶分子をラビング軸Ｒの方向に配向できるようになる。ラビング軸Ｒは、ラビングローラーの回転軸に対して垂直な方向である。
【００３４】
図７に示すように、ラビング処理において、ラビングローラー２９の毛２９ａが共通電極１８の辺１８２ａの突出部１８３に対応する配向膜１９の段差部１９ａに接触した際に、ラビングローラー２９の毛２９ａを突出部１８３の尖った先端に対応する部分により、所定の方向に傾くように容易に導くことができ、突出部１８３の第１側辺１８３ａおよび第２側辺１８３ｂに沿った方向にラビングローラー２９の毛２９ａを角度α４（３０度以上６０度以下）の範囲で傾かせた状態でラビング処理が行われる。
【００３５】
また、ラビングローラー２９の毛２９ａが共通電極１８の４つの辺１８２ｂ〜１８２ｄの突出部１８３に対応する配向膜１９の段差部１９ａに接触した際にも、ラビングローラー２９の毛２９ａを突出部１８３の尖った先端に対応する部分により、所定の方向に傾くように容易に導くことができ、突出部１８３の第１側辺１８３ａおよび第２側辺１８３ｂに沿った方向にラビングローラー２９の毛２９ａを３０度以上６０度以下の角度範囲で傾かせた状態でラビング処理が行われる。
【００３６】
第１実施形態では、上記のように、共通電極１８の外周部１８２に、平面的に見て、複数の突出部１８３を形成し、突出部１８３の側辺（１８３ａおよび１８３ｂ）を、平面的に見て、ラビング軸Ｒに対して３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜するように形成することによって、ラビング処理時において、ラビングローラー２９の毛２９ａが共通電極１８の突出部１８３の側辺（１８３ａおよび１８３ｂ）に対応する段差部１９ａに接触した際に、突出部１８３の側辺の傾斜している方向に沿うようにラビングローラー２９の毛２９ａを３０度以上６０度以下の角度範囲で傾かせることができる。これにより、ラビングローラー２９の毛２９ａを同じ方向に傾かせた状態でラビング処理を行うことができるので、共通電極１８の外周部１８２に対応する配向膜１９の表面を均一にラビングすることができる。その結果、共通電極１８の外周部１８２に対応する部分（段差部１９ａ）における配向不良の発生を抑制することができる。
【００３７】
また、第１実施形態では、上記のように、共通電極１８の外周部１８２の４つの辺１８２ａ〜１８２ｄのうち最初にラビング処理される辺１８２ａに、突出部１８３を形成することによって、最初にラビング処理される辺１８２ａの突出部１８３によりラビングローラー２９の毛２９ａを突出部１８３の側辺（１８３ａおよび１８３ｂ）に沿うように角度α４（３０度以上６０度以上）の範囲で傾斜させた状態で、ラビング処理を開始することができる。
【００３８】
また、第１実施形態では、上記のように、突出部１８３が形成された共通電極１８を、画素電極１６の上方側に配置して、共通電極１８に、ラビング軸Ｒに対して傾斜したスリット１８１を形成する。この場合、好ましくは、共通電極１８を、複数の画素２ａに一体に形成することによって、横電界方式である、ＦＦＳ方式の液晶表示装置１００において、配向不良の発生を抑制することができる。
【００３９】
（第２実施形態）
図８〜図１０を参照して、この第２実施形態では、突出部１８３が形成された画素電極１６ａおよび共通電極１８ａを縦電界方式である、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式の液晶表示装置１０１に適用した場合について説明する。
【００４０】
この第２実施形態による液晶表示装置１０１では、図８および図９に示すように、ＴＦＴ基板１ａの表示部２０１の画素２ｂに形成された画素電極１６ａの表面上には、配向膜１１９が形成されている。また、ＴＦＴ基板１ａと対向するように、液晶層２０を挟んで対向基板２１が配置されている。この対向基板２１の表面上には、カラーフィルタ２２、ブラックマトリクス２３およびオーバーコート層２４を介して、共通電極（対向電極）１８ａが形成されている。なお、画素電極１６ａおよび共通電極１８ａは、本発明の「電極」の一例である。また、対向基板２１の共通電極１８ａの表面上には、配向膜１２５が形成されている。
【００４１】
ここで、第２実施形態では、図１０に示すように、ＴＦＴ基板１ａの画素電極１６ａおよび対向基板２１の共通電極１８ａの外周部の略全領域には、平面的に見て、複数の突出部１６０および１８３が形成されている。また、第２実施形態では、ＴＦＴ基板１ａの配向膜１１９の段差部１１９ａは、平面的に見て、画素電極１６ａの突出部１６０の形状を反映するように先端が尖った山形形状に形成されている。また、ＴＦＴ基板１ａの配向膜１１９の段差部１１９ａよりも外側に位置する領域には、平面的に見て、配向膜１１９の端部１１９ｂが配置されている。また、対向基板２１の配向膜１２５の段差部１２５ａは、平面的に見て、共通電極１８ａの突出部１８３の形状を反映するように先端が尖った山形形状に形成されている。また、対向基板２１の配向膜１２５の段差部１２５ａよりも外側に位置する領域には、平面的に見て、配向膜１２５の端部１２５ｂが配置されている。
【００４２】
なお、第２実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００４３】
また、第２実施形態では、上記のように、突出部が形成された電極を、対向基板２１の複数の画素２ｂに一体に形成された共通電極１８ａ、および、ＴＦＴ基板１ａの複数の画素２ｂ毎に形成された画素電極１６ａにすることによって、縦電界方式である液晶表示装置１０１において、配向不良の発生を抑制することができる。
【００４４】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００４５】
また、第２実施形態のラビング処理方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００４６】
（第３実施形態）
図１１〜図１３を参照して、この第３実施形態では、表示部２０２の外縁部に配置された画素電極１６ｂ〜１６ｉのそれぞれの外周部の表示部２０２の外縁部に対応する辺には、平面的に見て、複数の突出部１６１が形成されている場合について説明する。なお、この第３実施形態では、ＴＦＴ基板１ａの共通電極１８ｅ上に画素電極１６ｂ〜１６ｊが形成される、横電界方式の液晶表示装置１０２に本発明を適用した場合について説明する。
【００４７】
この第３実施形態による液晶表示装置１０２では、図１１に示すように、表示部２０２の複数の画素２ｃには、平面的に見て、複数のスリット１６２（図１３参照）がそれぞれ形成された、複数の画素電極１６ｂ〜１６ｊが配置されている。なお、画素電極１６ｂ〜１６ｊは、本発明の「電極」の一例である。この画素電極１６ｂ〜１６ｊは、図１２に示すように、ＴＦＴ基板１ａの共通電極１８ｅ上に絶縁膜１７を介して形成されている。また、画素電極１６ｂ〜１６ｊ上には、画素電極１６ｂ〜１６ｊを覆うように配向膜２１９が形成されている。
【００４８】
また、第３実施形態では、図１１および図１３に示すように、複数の画素電極１６ｂ〜１６ｊのうち、表示部２０２の外縁部に配置されている画素電極１６ｂ〜１６ｉの外周部の表示部２０２の外縁部に対応する辺には、複数の突出部１６１が形成されている。具体的には、表示部２０２の外縁部の矢印Ｙ１方向側に配置されている画素電極１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄの外周部の矢印Ｙ１方向側には、複数の突出部１６１が形成されている。また、表示部２０２の外縁部の矢印Ｘ１方向側に配置されている画素電極１６ｄ、１６ｅおよび１６ｆの外周部の矢印Ｘ１方向側には、複数の突出部１６１が形成されている。また、表示部２０２の外縁部の矢印Ｙ２方向側に配置されている画素電極１６ｆ〜１６ｈの外周部の矢印Ｙ２方向側には、複数の突出部１６１が形成されている。また、表示部２０２の外縁部の矢印Ｘ２方向側に配置されている画素電極１６ｈ、１６ｉおよび１６ｂの外周部の矢印Ｘ２方向側には、複数の突出部１６１が形成されている。なお、第３実施形態では、突出部を容易に形成するために表示部２０２の外縁部以外の領域に配置された画素電極１６ｊには、突出部は形成されていない例を示したが、表示部２０２の外縁部以外の領域に配置された画素電極１６ｊにも、突出部を形成してもよいし、外縁部に対応する辺以外にも形成してもよい。
【００４９】
また、画素電極１６ｂ〜１６ｊ上に形成された配向膜２１９には、図１３に示すように、画素電極１６ｂ〜１６ｉに形成された複数の突出部１６１の形状を反映した段差部２１９ａが形成されている。また、配向膜２１９の段差部２１９ａの外側には、配向膜２１９の端部２１９ｂが配置されている。
【００５０】
なお、第３実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５１】
第３実施形態では、上記のように、複数の画素電極１６ｂ〜１６ｊが配置される領域の外縁部に位置する画素電極１６ｂ〜１６ｉの外周部の外縁部に対応する辺に、平面的に見て、複数の突出部１６１を形成することによって、横電界方式の液晶表示装置１０２において、複数の画素電極１６ｂ〜１６ｉに形成された複数の突出部１６１に沿うようにラビングローラー２９の毛２９ａを傾斜させることができるので、ラビングローラー２９の毛２９ａが傾斜した状態でラビング処理を開始することができる。したがって、共通電極１８ｅ上に画素電極１６ｂ〜１６ｊを設ける構成においても、配向不良の発生を抑制することができる。
【００５２】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５３】
また、第３実施形態のラビング処理方法は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５４】
（第４実施形態）
図１４および図１５を参照して、この第４実施形態では、表示部２０３の外縁部に配置された画素電極１６ｋ〜１６ｒの外周部の表示部２０３の外縁部に対応する辺にのみ、平面的に見て、複数の突出部１６３を形成した縦電界方式の構造について説明する。
【００５５】
この第４実施形態による液晶表示装置１０３では、図１４に示すように、表示部２０３の複数の画素２ｄのＴＦＴ基板１ａには、平面的に見て、複数の画素電極１６ｋ〜１６ｓがそれぞれ配置されている。なお、画素電極１６ｋ〜１６ｓは、本発明の「電極」の一例である。
【００５６】
また、第４実施形態では、図１４に示すように、ＴＦＴ基板１ａの複数の画素電極１６ｋ〜１６ｓのうち、表示部２０３の外縁部に配置されている画素電極１６ｋ〜１６ｒの外周部の表示部２０３の外縁部に対応する辺には、複数の突出部１６３が形成されている。具体的には、ＴＦＴ基板１ａの表示部２０３の外縁部の矢印Ｙ１方向側に配置されている画素電極１６ｋ、１６ｌおよび１６ｍの外周部の矢印Ｙ１方向側には、複数の突出部１６３が形成されている。また、ＴＦＴ基板１ａの表示部２０３の外縁部の矢印Ｘ１方向側に配置されている画素電極１６ｍ、１６ｎおよび１６ｏの外周部の矢印Ｘ１方向側には、複数の突出部１６３が形成されている。また、ＴＦＴ基板１ａの表示部２０３の外縁部の矢印Ｙ２方向側に配置されている画素電極１６ｏ、１６ｐおよび１６ｑの外周部の矢印Ｙ２方向側には、複数の突出部１６３が形成されている。また、ＴＦＴ基板１ａの表示部２０３の外縁部の矢印Ｘ２方向側に配置されている画素電極１６ｑ、１６ｒおよび１６ｋの外周部の矢印Ｘ２方向側には、複数の突出部１６３が形成されている。なお、ＴＦＴ基板１ａの表示部２０３の外縁部以外の領域に配置された画素電極１６ｓには、突出部は形成されていない。
【００５７】
また、図１５に示すように、ＴＦＴ基板１ａの画素電極１６ｋ〜１６ｓ上に形成された配向膜３１９には、画素電極１６ｋ〜１６ｒに形成された複数の突出部１６３の形状を反映した段差部３１９ａが形成されている。また、ＴＦＴ基板１ａの配向膜３１９の段差部３１９ａの外側には、配向膜３１９の端部３１９ｂが配置されている。なお、この第４実施形態では、上記した第２実施形態と同様、対向基板２１側の共通電極１８ａも突出部１８３を有しており、共通電極１８ａ上に形成された配向膜１２５には、突出部１８３の形状を反映した段差部１２５ａが形成されている。配向膜１２５の段差部１２５ａよりも外側に位置する領域には、配向膜１２５の端部１２５ｂが配置されている。
【００５８】
なお、第４実施形態のその他の構成は、上記した第２実施形態と同様である。
【００５９】
第４実施形態では、上記のように、複数の画素電極１６ｋ〜１６ｓが配置される領域の外縁部に位置する画素電極１６ｋ〜１６ｒの外周部の外縁部に対応する辺に、平面的に見て、複数の突出部１６３を形成することによって、縦電界方式の液晶表示装置１０３において、複数の画素電極１６ｋ〜１６ｒに形成された複数の突出部１６３に沿うようにラビングローラー２９の毛２９ａを傾斜させることができるので、ラビングローラー２９の毛２９ａが傾斜した状態でラビング処理を開始することができる。
【００６０】
なお、第４実施形態のその他の効果は、上記した第２実施形態と同様である。
【００６１】
また、第４実施形態のラビング処理方法は、上記した第２実施形態と同様である。
【００６２】
図１６および図１７を参照して、本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１０１、１０２および１０３を用いた電子機器について説明する。
【００６３】
本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１０１、１０２および１０３は、図１６および図１７に示すように、携帯電話２００およびＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）３００などに用いることが可能である。図１６の携帯電話２００においては、表示画面２００ａに本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００、１０１、１０２および１０３が用いられる。また、図１７のＰＣ３００においては、キーボード３００ａなどの入力部および表示画面３００ｂなどに本発明の第１〜第４実施形態による液晶表示装置１００および１０１を用いることが可能である。
【００６４】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６５】
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、液晶表示装置の一例として、ＦＦＳ方式およびＴＮ方式の液晶表示装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、ＦＦＳ方式およびＴＮ方式以外の方式の液晶表示装置に本発明を適用してもよい。
【００６６】
また、上記第１〜第４実施形態では、突出部を電極の周辺部の４つの辺の全領域に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、突出部を電極の周辺部の４つの辺のうちの少なくとも１つの辺に形成されていてもよい。
【００６７】
また、上記第３実施形態では、外縁部の画素電極の外縁部の辺に突出部を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、外縁部以外の画素電極の外周部に突出部を形成してもよいし、外縁部の画素電極の外縁部の以外の辺に突出部を形成してもよい。
【００６８】
また、上記第１実施形態では、突出部１８３の第１側辺１８３ａがラビング軸Ｒに対して時計回り方向に３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜するように形成するとともに、第２側辺１８３ｂがラビング軸Ｒに対して時計回り方向に３０度以上６０度以下の角度範囲で傾斜するように形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、図１８に示す第１変形例のように、共通電極１８ｂの突出部１８４の第１側辺１８４ａがラビング軸Ｒに対して時計回り方向に角度α５（３０度以上６０度以下）の範囲で傾斜するように形成するとともに、第２側辺１８４ｂがラビング軸Ｒに対して反時計回り方向に角度α６（３０度以上６０度以下）の範囲で傾斜するように形成してもよい。この場合、共通電極１８ｂの表面を覆うように配向膜４１９が形成されるとともに、共通電極１８ｂの外形形状を反映するように段差部４１９ａが形成される。段差部４１９ａの外側の領域には、配向膜４１９の端部４１９ｂが配置される。
【００６９】
また、上記第２実施形態では、画素電極１６ａ（共通電極１８ａ）の突出部１８３の第１側辺１８３ａがラビング軸Ｒに対して時計回り方向にα１の角度（３０度以上６０度以下）の範囲で傾斜するように形成するとともに、第２側辺１８３ｂがラビング軸Ｒに対して時計回り方向に角度α２（３０度以上６０度以下）の範囲で傾斜するように形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、図１９に示すように、画素電極（共通電極）１８ｃの突出部１８５の第１側辺１８５ａがラビング軸Ｒに対して時計回り方向に角度α５（３０度以上６０度以下）の範囲で傾斜するように形成するとともに、第２側辺１８５ｂがラビング軸Ｒに対して反時計回り方向に角度α６（３０度以上６０度以下）の範囲で傾斜するように形成してもよい。
【００７０】
また、上記第１実施形態では、突出部の第１側辺と第２側辺とがラビング軸に対して時計周り方向（矢印Ｘ１方向側）に傾斜するように形成されている例を示したが、本発明はこれに限らず、図２０に示す第２変形例のように、辺１８２ａの突出部１８３の第１側辺１８３ａおよび第２側辺１８３ｂがラビング軸Ｒに対して時計周り方向（矢印Ｘ１方向側）に傾斜するように形成するとともに、辺１８２ｅの突出部１８８の第１側辺１８８ａおよび第２側辺１８８ｂがラビング軸Ｒに対して反時計周り方向（矢印Ｙ１方向側）に傾斜するように形成してもよい。この場合、共通電極１８８の表面を覆うように配向膜５１９が形成されるとともに、共通電極１８８の外形形状を反映するように段差部５１９ａが形成される。段差部５１９ａの外側の領域には、配向膜５１９の端部５１９ｂが配置される。
【００７１】
また、上記第１実施形態では、共通電極には、平面的に見て、共通電極１８の長辺の方向（Ｙ方向）に沿った方向に延びる縦型スリット１８１が形成されている例を示したが、本発明はこれに限らず、図２１に示す第３変形例のように、共通電極１８ｄに、平面的に見て、共通電極１８ｄの短辺の方向（Ｘ方向）に沿った方向に延びる横型スリット１８６が形成されていてもよい。この場合、共通電極１８ｄのＸ方向に沿ってラビング処理が行われる。また、共通電極１８ｄの表面を覆うように配向膜６１９が形成されるとともに、共通電極１８ｄの外形形状を反映するように段差部６１９ａが形成される。段差部６１９ａの外側の領域には、配向膜６１９の端部６１９ｂが配置される。
【符号の説明】
【００７２】
１ａ  ＴＦＴ基板（基板）
２ａ  画素
１６ａ〜１６ｓ  画素電極（電極）
１８、１８ａ〜１８ｅ  共通電極（電極）
１９ａ、１１９ａ、２１９ａ、３１９ａ、４１９ａ、５１９ａ、６１９ａ  段差部
２１  対向基板（基板）
１００、１０１、１０２、１０３  液晶表示装置
１１９、１２５、２１９、３１９、４１９、５１９、６１９  配向膜
１６０、１６１、１６３、１８３、１８４、１８５  突出部
１６２、１８１、１８６  スリット
１８２  外周部
１８３ａ、１８４ａ、１８５ａ、１８８ａ  第１側辺
１８３ｂ、１８４ｂ、１８５ｂ、１８８ｂ  第２側辺
【図１】
2010170066.tif 000003
【図２】
2010170066.tif 000004
【図３】
2010170066.tif 000005
【図４】
2010170066.tif 000006
【図５】
2010170066.tif 000007
【図６】
2010170066.tif 000008
【図７】
2010170066.tif 000009
【図８】
2010170066.tif 000010
【図９】
2010170066.tif 000011
【図１０】
2010170066.tif 000012
【図１１】
2010170066.tif 000013
【図１２】
2010170066.tif 000014
【図１３】
2010170066.tif 000015
【図１４】
2010170066.tif 000016
【図１５】
2010170066.tif 000017
【図１６】
2010170066.tif 000018
【図１７】
2010170066.tif 000019
【図１８】
2010170066.tif 000020
【図１９】
2010170066.tif 000021
【図２０】
2010170066.tif 000022
【図２１】
2010170066.tif 000023