(57)【要約】【課題】不要な領域へのインクの漏れ込みを抑えるとともに、インクの密着性を高めることで、優れた特性と高い信頼性を安定して得ることができる有機ＴＦＴアレイの製造方法を提供する。【解決手段】マトリクス状に配列された複数の有機ＴＦＴを有する有機ＴＦＴアレイの製造方法において、表面が撥液性を有する第１の基板を作成する工程と、下地層の上に複数のソース電極・ドレイン電極がマトリクス状に形成された第２の基板を作成する工程と、第２の基板に形成された複数のソース電極・ドレイン電極で形成される複数のチャネルの間隔と等しい間隔で、第１の基板の表面に有機半導体前駆体溶液を塗布し乾燥させる工程と、有機半導体前駆体溶液が塗布・乾燥された第１の基板と第２の基板とを重ね合わせて、有機半導体前駆体溶液を第２の基板の前記チャネルに転写する工程と、を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配列された複数の有機ＴＦＴを有する有機ＴＦＴアレイの製造方法において、
表面が撥液性を有する第１の基板を作成する工程と、
下地層の上に複数のソース電極・ドレイン電極がマトリクス状に形成された第２の基板を作成する工程と、
前記第２の基板に形成された前記複数のソース電極・ドレイン電極で形成される複数のチャネルの間隔と等しい間隔で、前記第１の基板の表面に有機半導体前駆体溶液を塗布し乾燥させる工程と、
前記有機半導体前駆体溶液が塗布・乾燥された第１の基板と前記第２の基板とを重ね合わせて、前記有機半導体前駆体溶液を前記第２の基板の前記チャネルに転写する工程と、を有することを特徴とする有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【請求項２】
前記有機半導体前駆体溶液は、インクジェット法を用いて塗布されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【請求項３】
前記有機ＴＦＴは、ボトムゲート構造であり、
前記下地層は、ゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【請求項４】
前記有機ＴＦＴは、トップゲート構造であり、
前記下地層は、基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【請求項５】
前記第１の基板の表面の有機半導体前駆体溶液が塗布される領域の撥液性は、該領域を囲む領域の撥液性よりも低いことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＴＦＴアレイの製造方法に関し、特に転写により有機半導体膜を形成する有機ＴＦＴアレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとも記す）を形成する技術が大幅に進歩し、特にアクティブマトリクス型の大画面表示装置の駆動素子への応用開発が進められている。現在実用化されているＴＦＴは、ａ−Ｓｉやｐｏｌｙ−ＳｉといったＳｉ系の無機材料で製造されているが、このような無機材料を用いたＴＦＴの製造においては、真空プロセスや高温プロセスを必要とし、製造コストに大きく影響を及ぼしている。
【０００３】
そこで、このような問題に対応する為、近年、有機材料を用いたＴＦＴ（以下、有機ＴＦＴとも記す）が種々検討されている。有機材料は無機材料に比べ、材料の選択肢が広く、また、有機ＴＦＴの製造工程においては、前述の真空プロセス、高温プロセスに代わり、印刷、塗布といった生産性に優れたプロセスが用いられる為、製造コストを抑えることができる。さらに耐熱性の乏しい、例えばプラスティックフィルム基板等にも形成することができる可能性があり、多方面への応用が期待されている。
【０００４】
有機半導体材料の塗布方法としては、有機半導体材料を溶解した溶液（以下、インクとも記す）を直接塗布するインクジェット法、ディスペンサ法等の液滴塗布技術が知られている。これらの技術は、１．真空プロセスが不要、２．材料の浪費がない、３．直接パターニングできる為フォトリソグラフィー法と比べてエッチング工程が不要、といった利点がある。これにより、製造コストを抑えることができ、多方面で鋭意研究が行われている。
【０００５】
ところで、このような有機ＴＦＴにおいて、優れた電気特性と高い信頼性を得る為には、有機半導体膜を適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成する必要がある。しかしながら、有機ＴＦＴの有機半導体膜を前述のインクジェット法やディスペンサ法等を用いて形成する際、塗布されたインクが乾燥し固形化するまでに基板の表面状態や乾燥雰囲気等の影響により濡れ広がり、周縁の不要な領域まで到達する場合がある。この為、パターニング不良や充分な膜厚が得られないといった問題があり、有機ＴＦＴの良好な特性が得られないといった問題があった。
【０００６】
そこで、このような問題に対応する為に種々の技術が検討されている。例えば、フォトリソグラフィー法を用いて、被塗布領域の周縁に撥液性を有する材料でバンクと呼ばれる隔壁を形成し、吐出されたインクの塗布領域外への流出を防止するようにした技術が知られている（特許文献１参照）。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されているような技術においては、バンク構造を形成する為の不要な工程を要する。この為、製造コストの高価格化や歩留まりの低下等を招くという問題があった。
【０００８】
一方、印刷技術を用いてインクを塗布する方法が知られている。しかしながら、この場合は、高価なインクを無駄に浪費するという問題があった。
【０００９】
そこで、このような問題に対応する為に、例えば、特許文献２では、最初に、ブランケット（転写体）上に、インクジェット法を用いて、インクを塗布し、転写により形成するインクの形状と略同じ形状のパターンを形成する。その後、インク塗布面に凸版を押圧して、該凸版に接触する部分のインキ（不要なインク）をブランケット上から除去した後、ブランケット上に残ったインクを被転写体に転写する方法が提案されている。これにより、高価なインクの消費量を低減するものである。
【００１０】
また、特許文献３では、所定の離型性を有するシリンダー（転写体）上に、インクジェット法を用いて、インクを塗布し、転写により形成するインクの形状と同じ形状のパターンを形成する。そして、該パターンを被転写体に直接転写する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第３６９２５２４号公報
【特許文献２】特開２００７−２６８８５３号公報
【特許文献３】特開２００４−４２５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、より高密度の有機ＴＦＴに対しては、チャネル（ソース電極とドレイン電極で挟まれた領域）に塗布するインクの量は、非常に少なくなりインクの乾燥が速くなる。この為、特許文献２に開示されている方法では、凸版で不要なインクをブランケット上から除去する際には、既にインクが乾燥し、精度よく除去できないという問題がある。さらに、この方法では、不要なインクを除去する為の凸版（印刷版）を要し、製造工程の複雑化と高価格化を招くという問題がある。
【００１３】
また、特許文献３に開示されている方法では、転写により形成するインクの形状と同じ形状のパターンをシリンダー（転写体）上に形成し、該パターンを被転写体に直接転写する為、不要なインクを除去する工程を要せず、生産性に優れている。しかしながら、シリンダー（転写体）上のインクの乾燥が不十分な状態で、被転写体に転写を行った場合、被転写体の表面に濡れ広がり、周縁の不要な領域まで到達する場合がある。この為、パターニング不良や充分な膜厚が得られないといった問題があり、特に高密度の有機ＴＦＴアレイに対しては、不適である。
【００１４】
一方、シリンダー（転写体）上のインクの乾燥が適切な状態で、被転写体に転写を行ったとしても、乾燥し固化した有機半導体インクの表面と電極（ソース電極、ドレイン電極）やゲート絶縁膜との界面の密着性を充分確保することは非常に困難であり、安定して良好な性能を確保するのは容易ではない。
【００１５】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたもので、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、不要な領域へのインクの漏れ込みを抑えるとともに、インクの密着性を高めることで、優れた特性と高い信頼性を安定して得ることができる有機ＴＦＴアレイの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的は、下記の１から５の何れか１項に記載の発明によって達成される。
【００１７】
１．マトリクス状に配列された複数の有機ＴＦＴを有する有機ＴＦＴアレイの製造方法において、
表面が撥液性を有する第１の基板を作成する工程と、
下地層の上に複数のソース電極・ドレイン電極がマトリクス状に形成された第２の基板を作成する工程と、
前記第２の基板に形成された前記複数のソース電極・ドレイン電極で形成される複数のチャネルの間隔と等しい間隔で、前記第１の基板の表面に有機半導体前駆体溶液を塗布し乾燥させる工程と、
前記有機半導体前駆体溶液が塗布・乾燥された第１の基板と前記第２の基板とを重ね合わせて、前記有機半導体前駆体溶液を前記第２の基板の前記チャネルに転写する工程と、を有することを特徴とする有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【００１８】
２．前記有機半導体前駆体溶液は、インクジェット法を用いて塗布されることを特徴とする前記１に記載の有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【００１９】
３．前記有機ＴＦＴは、ボトムゲート構造であり、
前記下地層は、ゲート絶縁膜であることを特徴とする前記１または２に記載の有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【００２０】
４．前記有機ＴＦＴは、トップゲート構造であり、
前記下地層は、基板であることを特徴とする前記１または２に記載の有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【００２１】
５．前記第１の基板の表面の有機半導体前駆体溶液が塗布される領域の撥液性は、該領域を囲む領域の撥液性よりも低いことを特徴とする前記１から４の何れか１項に記載の有機ＴＦＴアレイの製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、転写に用いる基板（第１の基板）の表面を撥液性を有するようにした。これにより、塗布された有機半導体溶液の濡れ広がりが抑えられ、適正な膜厚で所定の位置に精度良く塗布することができる。
【００２３】
さらに、有機半導体溶液として有機半導体前駆体材料を溶解した溶液（以下、前駆体インクとも記す）を用いるようにした。有機半導体前駆体は、前駆体から有機半導体に変化する際、分子の形状が変化し、それまでの分子の配向状態が変化し再配向が生じる。これにより、被転写基板（第２の基板）との密着性を高めることができる。
【００２４】
これらにより、不要な領域への前駆体インクの漏れ込みを抑えるとともに、前駆体インクの密着性が高められ、優れた特性と高い信頼性を安定して得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態に係るボトムゲート型の有機ＴＦＴの概略構成を示す断面模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係るトップゲート型の有機ＴＦＴの概略構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＴＦＴアレイの概略構成を示す平面模式図である。
【図４】第１の基板、第２の基板の製造工程の概要を示す断面模式図である。
【図５】転写工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下図面に基づいて、本発明に係る有機ＴＦＴアレイの製造方法の実施の形態を説明する。尚、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限られない。
【００２７】
最初に本発明に係る有機ＴＦＴアレイを構成する有機ＴＦＴの代表的な実施形態の１つであるボトムゲート型の有機ＴＦＴの概略構成を図１を用いて説明する。図１は、ボトムゲート型の有機ＴＦＴ１の概略構成を示す断面模式図である。
【００２８】
有機ＴＦＴ１は、図１に示すように、基板Ｐ２、ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜ＩＦ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、有機半導体膜ＳＦ、パッシベーション膜ＰＦ、及び画素電極Ｅ等から構成される。尚、画素電極Ｅは、有機ＴＦＴ１を例えば表示装置の駆動素子として用いる場合の図示しない表示層を駆動する電極である。また、各部材の材料や形成方法の詳細は後述する。また、本実施形態においてはボトムゲート型の有機ＴＦＴ１の構成を示したが、本発明に係る有機ＴＦＴの素子構成は特に限定されず、例えば図２に示すようなトップゲート型であってもよい。
【００２９】
次に、このような構成の有機ＴＦＴ１を有する有機ＴＦＴアレイの概略構成を図３を用いて説明する。図３は、有機ＴＦＴアレイ１Ａの概略構成を示す平面模式図である。
【００３０】
有機ＴＦＴアレイ１Ａは、図３に示すように、有機ＴＦＴ１を備えた画素Ｐｘが２次元マトリクス状に配列されている。有機ＴＦＴアレイ１Ａは、外部から入力される映像信号に基づき有機ＴＦＴ１を駆動する為の図示しない行ドライバ、列ドライバがそれぞれ行選択線ＨＬ、列信号線ＶＬを介して有機ＴＦＴアレイ１Ａに接続されている。１つの行選択線ＨＬには、該当する行の画素Ｐｘ（有機ＴＦＴ１）がすべて接続され、１つの列信号線ＶＬには該当する列の画素Ｐｘ（有機ＴＦＴ１）がすべて接続されている。
【００３１】
ここで、有機ＴＦＴアレイ１Ａで行われる表示制御動作の流れを説明する。
【００３２】
最初に、行ドライバにより行選択線ＨＬを介して表示データを設定すべき行を１つだけ選択する。行の選択は、選択する行の行選択線ＨＬを活性化（ＯＮ）し、その他の行選択線ＨＬを不活性（ＯＦＦ）にすることで行われる。次に表示データを列ドライバから、列信号線ＶＬを介して画素Ｐｘに伝達する。ここで、行選択線ＶＬを不活性化すると、画素Ｐｘに伝達された信号は記憶され、画素Ｐｘは記憶された信号に基づき表示層を駆動する。この一連の動作をすべての行について行なうことで、一画面分の表示駆動がなされる。
【００３３】
このような構成の有機ＴＦＴアレイ１Ａにおいて、優れた特性と高い信頼性を安定して得る為には、有機半導体膜ＳＦを適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成し、且つ、密着性を高めることが重要である。
【００３４】
そこで、このような要求を満たす為、本発明においては、有機半導体膜ＳＦを転写により形成するものであり、転写に用いる基板（第１の基板）の表面を撥液性を有するようにし、さらに、第１の基板に塗布する有機半導体溶液として有機半導体前駆体材料を溶解した溶液（前駆体インク）を用いるようにした。そして、前駆体インクが塗布・乾燥された第１の基板とソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄが形成された被転写基板（第２の基板）とを重ね合わせて、前駆体インクを第２の基板のソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄで形成されるチャネルに転写するものである。
【００３５】
詳細には、通常、有機半導体膜を適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成するには、充分高い撥液性を有する基板の表面に有機半導体溶液（インク）をインクジェット法を用いて塗布し乾燥させることが必要である。しかしながら、一般に、有機ＴＦＴに用いる基板の表面は、濡れ性が高い為、直接インクジェット法によるパターンニングで、塗布されたインクの膜厚や形状を制御することは困難である。
【００３６】
そこで、本発明においては、先ず、高い撥液性を有する第１の基板の表面に、インクをインクジェット法を用いて塗布し乾燥させ、その後、第１の基板に塗布・乾燥されたインクを第２の基板に転写するものである。これにより、インクの膜厚や形状を制御することができ、有機半導体膜ＳＦを適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成できるようにするものである。
【００３７】
一方、このようにして第２の基板に転写されたインクを該第２の基板に密着させる必要がある。これは、ボトムコンタクト型の有機ＴＦＴにおいては、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄとの安定した電気的接続を得る為であり、ボトムゲート型の有機ＴＦＴにおいては、ゲート絶縁膜の効果を充分発揮させる為である。
【００３８】
この密着性を高めるには、有機半導体分子の基板表面への再配向が必要である。しかしながら、通常の有機半導体溶液（インク）を基板の表面に塗布しただけではこのような再配向を生じさせるのは困難である。再配向を促すには、熱的処理等を行なう必要があるが、この場合、温度を有機半導体のＴｇ以上、もしくは融点以上の温度にする必要がある。この為、有機半導体の熱分解を招く恐れがあり、有機ＴＦＴの性能の劣化やバラツキが生じる。
【００３９】
そこで、本発明においては、このような問題に対応する為、有機半導体溶液（インク）として有機半導体前駆体材料を溶解した溶液（前駆体インク）を用いるようにした。
【００４０】
有機半導体前駆体は、前駆体から有機半導体に変化する際、分子の形状が変化し、それまでの分子の配向状態が必ず変化する。この際、前駆体からの変化の伴わない半導体結晶では起こり難い基板との再配向が生じる為、好適な密着状態を得ることができる。これにより、被転写基板（第２の基板）との密着性を高めることができる。
【００４１】
次に、有機ＴＦＴアレイ１Ａの製造方法の概要を図４、図５を用いて説明する。図４（ａ）は、第１の基板１０の製造工程を示す断面模式図、図４（ｂ）〜図４（ｄ）は、第２の基板２０の製造工程を示す断面模式図、図５（ａ）〜図５（ｄ）は、前駆体インクＩＫを第１の基板１０に塗布・乾燥させる工程、及び転写工程を示す平面及び断面模式図である。
（第１の基板１０の作成工程）
基板Ｐ１の表面に撥液層ＣＦを形成し第１の基板を作成する（図４（ａ））。基板Ｐ１の材料としては、ポリイミドやポリアミド、ポリエチレンテフタノール（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ガラス等を用いることができる。尚、基板Ｐ１の材料としては、加熱プロセスを考慮し、その熱膨張係数が、第２の基板２０に用いられる基板Ｐ２と概ね等しい材料、または同じ材料を用いることが好ましい。もし、熱膨張係数が異なるものを使用せざるを得ない場合には、撥液層ＣＦの膜厚を５μｍ以下、好ましくは１μｍ以下に薄くすることで応力を最小限に緩和し、基板の反りを抑えることができる。
【００４２】
撥液層ＣＦは、シリコン系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、フッ素系樹脂等をコートすることで形成できる。尚、撥液層ＣＦと前駆体インクＩＫとの接触角は、安定して２０°以上、好ましくは３０°以上あると、塗布される前駆体インクＩＫの膜厚や形状を制御できる。また、撥液層ＣＦの材料としては、インクジェット用溶媒に対して形状制御ができる程度の撥液性を有し、且つ表面エネルギーが第２の基板２０よりも低いものであれば、幅広く選定することができる。
【００４３】
ここで、撥液層ＣＦは面内強度分布を持たせると好ましい。基板の表面の撥液性は、表面の撥液処理により付与される場合や、基板自体が有している場合等様々である。いずれにしろ、撥液層ＣＦを形成するプロセスにより、膜厚等が不均一となり、基板表面の撥液性が均一にならない場合がある。この為、塗布・乾燥された前駆体インクＩＫの位置精度が低下する場合には、撥液層ＣＦに面内強度分布を持たせるとよい。すなわち、撥液層ＣＦの前駆体インクＩＫが塗布される領域の撥液性を、該領域を囲む領域よりも低くしておくとよい。面内強度分布を持たせる方法としては、紫外線の露光等による親液化、スタンプ等機械的な力により局所的な凹凸を形成することによる見かけ上の撥液性の制御等を用いることができる。
（第２の基板２０の作成工程）
最初に、基板Ｐ２の上にゲート電極Ｇを形成する（図４（ｂ））。基板Ｐ２の材料としては、ポリイミドやポリアミド、ポリエチレンテフタノール（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルスルホン（ＰＥＳ）、ガラス等を用いることができる。
【００４４】
ゲート電極Ｇの形成方法としては、基板Ｐの上にスパッタ法、蒸着等を用いてゲート電極材料を成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターン化することで形成することができる。ゲート電極Ｇの材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｇ等やこれらを含む合金または酸化物等、またはカーボンナノチューブ等の有機導電体等を用いることができる。
【００４５】
次に、ゲート絶縁膜ＩＦを成膜する（図４（ｃ））。ゲート絶縁膜ＩＦの成膜方法としては、スパッタ法、蒸着、ＣＶＤ法等を用いることができる。ゲート絶縁膜ＩＦの材料としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン等の無機酸化物や、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物を用いることができる。あるいは、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン等の有機化合物等も用いることができる。
【００４６】
次に、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄを形成し第２の基板２０を完成する（図４（ｄ））。ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄは、ゲート絶縁膜ＩＦが成膜された基板Ｐ２を洗浄後、前述のゲート電極Ｇの形成方法と同様に、フォトリソグラフィー法や、種々の印刷法や液滴塗布法等を用いて形成することができる。ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの電極材料としては、ゲート電極Ｇの場合と同様の電極材料を用いることができる。
（前駆体インクＩＫ塗布・乾燥工程）
次に、第２の基板２０に形成された複数のソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄで形成される複数のチャネルの間隔Ｗ（図５（ｂ１）、図５（ｂ２））と等しい間隔Ｗで、第１の基板１０の表面に前駆体インクＩＫを塗布し乾燥させる（図５（ａ１）、図５（ａ２））。前駆体インクＩＫの塗布方法としては、インクジェット法を用いることができる。前駆体インクＩＫの半導体材料としては、有機半導体前駆体であれば特に限定されない。
【００４７】
尚、前駆体インクＩＫに用いる溶媒は、表面張力の高いものを用いると位置制御性は高まるが、乾燥後の膜厚、広がりも重要であり、第１の基板１０の撥液層ＣＦとのマッチング等、塗布工程全体の要求事項間の均衡を考慮して選択することが重要である。
（転写工程）
次に、前駆体インクＩＫが塗布・乾燥された第１の基板１０と第２の基板２０とを重ね合わせて加圧し、前駆体インクＩＫを第２の基板２０のチャネルに転写する（図５（ｃ））。
【００４８】
ここで、第１の基板１０の形状は、平坦である必要はなく、例えば断面形状が半円状の半円柱状でもよい。転写工程において、第１の基板１０の形状が平坦であれば、第２の基板２０と重ね合わせて加圧するとともに加熱することで、前駆体インクＩＫを部分的もしくは完全に半導体化させることができ、第２の基板２０との密着性をより高めることができる。
【００４９】
また、転写を行うに際し、第２の基板２０の表面をインクジェット用の溶媒で湿らす、もしくは転写の雰囲気をインクジェット用の溶媒で満たすことにより、有機半導体前駆体の第２の基板２０への密着力を第１の基板１０への密着力よりもより高めることができる。
（半導体化工程）
次に、第２の基板２０に転写された前駆体インクＩＫを半導体化させて有機半導体膜ＳＦとすることで、有機ＴＦＴアレイ１Ａの基本構造である有機ＴＦＴアレイ１Ｂを完成させる（図５（ｄ））。本工程は、有機半導体の第２の基板２０への密着性を高め、有機ＴＦＴ１としての特性を発現させる工程である。一般に、有機半導体前駆体は、その分子の脱離基が外部からのエネルギーを受けて脱離することにより、半導体に変化するとともに、分子の再配向を生じ基板へ密着する。
【００５０】
半導体化が行われる際には、有機半導体前駆体が第２の基板２０に接触している状態であればよく、第１の基板１０への接触状態は問わない。
【００５１】
半導体化の方法としては、ホットプレート、熱風循環路等による熱プロセスや、レーザーによるアニーリング等を用いることができる。また、マイクロ波、紫外線等も用いることができる。
（パッシベーション膜ＰＦ、画素電極Ｅ形成工程：図示しない）
次に、有機ＴＦＴアレイ１Ｂにパッシべーション膜ＰＦ、及び画素電極Ｅを形成することで、有機ＴＦＴアレイ１Ａを完成させる。
【００５２】
最初に、有機半導体膜ＳＦを外部雰囲気から遮断、保護する為のパッシベーション膜ＰＦを成膜する。パッシベーション膜ＰＦの材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等を用いることができる。パッシベーション膜ＰＦの成膜方法としては、スパッタ法を用いることができるが、真空装置を要しコスト高となる為、大気圧プラズマ法を用いるほうが好ましい。大気圧プラズマ法は、高密度の薄膜を形成することができるので、有機半導体膜ＳＦの保護層として機能するパッシベーション膜ＰＦの形成に好適である。尚、パッシベーション膜ＰＦは必ずしも必要ではなく、有機半導体膜ＳＦの材料に応じて適宜形成する。
【００５３】
次に、パッシベーション膜ＰＦの上に画素電極Ｅを形成し、有機ＴＦＴアレイ１Ａを完成させる。画素電極Ｅの形成方法としては、スパッタ法を用いて画素電極材料を蒸着した後、フォトリソグラフィー法を用いて形成することができる。またＩＪ法、印刷法等を用いてダイレクトパターニングにより形成することもできる。画素電極Ｅの材料としては、ＩＴＯ等を用いることができる。
【実施例】
【００５４】
次に、本発明の実施形態に係るボトムゲート型の有機ＴＦＴ１を備えた有機ＴＦＴアレイ１Ａの製造方法の実施例を前述の図４、図５を用いて説明する。
（第１の基板１０の作成）
最初に、ＳｉＯ２／Ｃｒ膜が表面に成膜されたＳＴＮ液晶用のソーダライムガラス基板（図４（ａ）：基板Ｐ１）に、フォトリソグラフィー法を用いて、前駆体インクＩＫを塗布する際の基準位置を示すアラインメントマークＭを形成した（図５（ａ２））。
【００５５】
次に、基板Ｐ１を、ＫＢＭ−９０３（信越化学社製）をエタノールに０．１質量％希釈した溶液に１０分間浸漬した後、１８０℃、３０分間キュアすることでシランカップリング剤処理をした。
【００５６】
次に、サイトップＣＴＸ−８０９ＡＰ（旭硝子社製）を塗布し、５０℃、１時間、続いて１８０℃、１時間乾燥させることで、撥液層ＣＦを形成した（図４（ａ））。このようにして第１の基板１０を作成した。
（第２の基板２０の作成）
最初に、ＳｉＯ２／Ｃｒ膜が表面に成膜されたＳＴＮ液晶用のソーダライムガラス基板（図４（ｂ）：基板Ｐ２）に、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極Ｇを形成した（図４（ｂ））。
【００５７】
次に、スパッタリング法を用いて、感光性有機絶縁膜を成膜し厚み５００ｎｍのゲート絶縁膜ＩＦを形成した（図４（ｃ））
次に、ゲート絶縁膜ＩＦの上に、リフトオフレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングした後、スパッタリング法を用いて、Ｃｒを厚み５ｎｍ、Ａｕを厚み５０ｎｍでこの順に成膜した。その後、常温のジメチルホルムアミドで超音波洗浄を行い不要部分のリフトオフレジストを除去し、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄを形成した（図１（ｄ））。チャネル長であるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間の距離は１０μｍ、チャネル幅は１００μｍとした。このようにして第２の基板２０を作成した。
（前駆体インクＩＫ塗布・乾燥）
次に、有機半導体前躯体（テトラベンゾポルフィリン前躯体金属錯体）を、インクジェット用の溶媒（安息香酸エチル）に希釈して前駆体インクＩＫを作成した。尚、有機半導体前躯体としては、ペンタセン前駆体、また、インクジェット用の溶媒としては、アニソール、テトラリン等を用いてもよい。
【００５８】
次に、第１の基板１０の表面に、インクジェット法を用いて前駆体インクＩＫを、第２の基板２０に形成された複数のチャネルの間隔Ｗ（図５（ｂ１）、図５（ｂ２））と等しい間隔Ｗで、アラインメントマークＭを基準として塗布した（図５（ａ１）、図５（ａ２））。続いて、塗布された前駆体インクＩＫを、１２０℃、５分間乾燥させた。尚、乾燥条件は、前駆体インクＩＫが半導体に変化しない温度であればよく、例えば８０℃、１０分間でもよい。
（転写）
次に、前駆体インクＩＫが塗布・乾燥された第１の基板１０と第２の基板２０とを重ね合わせて加圧し、前駆体インクＩＫを第２の基板２０のチャネルに転写した（図５（ｃ））。
【００５９】
第１の基板１０と第２の基板２０との重ね合わせは、それぞれの基板に設けられた図示しない位置合わせ用のアラインメントマークを観察しながら行った。また、加圧力は、０．３ｋｇｆ／ｃｍ２）とした。
（半導体化）
次に、第１の基板１０と第２の基板２０を分離し、第２の基板２０をホットプレートを用いて２００℃、３０分間加熱することで、第２の基板２０に転写された前駆体インクＩＫを半導体化させて有機半導体膜ＳＦを形成した。このようにして有機ＴＦＴアレイ１Ａの基本構造である有機ＴＦＴアレイ１Ｂを完成させた（図５（ｄ））。
【００６０】
このようにして完成させた有機ＴＦＴアレイ１Ｂを光学顕微鏡及びＡＦＭ（キーエンス社製）にて観察したところ、チャンネルに平均膜厚５０ｎｍの有機半導体膜ＳＦが精度よく成膜されていることが確認できた。
【００６１】
このように、本発明の実施形態に係る有機ＴＦＴアレイ１の製造方法においては、転写に用いる第１の基板１０の表面を撥液性を有するようにした。これにより、塗布された有機半導体溶液の濡れ広がりが抑えられ、適正な膜厚で所定の位置に精度良く塗布することができる。
【００６２】
さらに、有機半導体溶液として有機半導体前駆体材料を溶解した溶液（前駆体インクＩＫ）を用いるようにした。有機半導体前駆体は、前駆体から有機半導体に変化する際、分子の形状が変化し、それまでの分子の配向状態が変化し再配向が生じる。これにより、被転写基板である第２の基板２０との密着性を高めることができる。
【００６３】
これらにより、不要な領域への前駆体インクＩＫの漏れ込みを抑えるとともに、前駆体インクＩＫの密着性が高められ、優れた特性と高い信頼性を安定して得ることができる。
【符号の説明】
【００６４】
１  有機ＴＦＴ（有機薄膜トランジスタ）
１Ａ、１Ｂ  有機ＴＦＴアレイ
１０  第１の基板
２０  第２の基板
ＣＦ  撥液層
Ｄ  ドレイン電極
Ｅ  画素電極
Ｇ  ゲート電極
ＨＬ  行選択線
ＩＦ  ゲート絶縁膜
ＩＫ  有機半導体前駆体インク
Ｍ  アラインメントマーク
Ｐ１、Ｐ２  基板
ＰＦ  パッシベーション膜
Ｐｘ  画素
Ｓ  ソース電極
ＳＦ  有機半導体膜
ＶＬ  列信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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