(57)【要約】【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子１０は、基板１１の表面に半導体層１２が積層されて構成されている。基板１１は、少なくとも１つの側面１１ａが中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する。【選択図】図１
2010080719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に半導体層が積層されて構成された半導体発光素子であって、
上記基板は、少なくとも１つの基板側面が中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する半導体発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体発光素子において、
上記基板側面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分がソーワイヤによる切断面である半導体発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された半導体発光素子において、
上記基板側面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分が該基板側面の全面である半導体発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記基板は、全ての基板側面が中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する半導体発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記基板側面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分が上記基板の法線方向に対して傾斜した平面を含む半導体発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記基板側面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分が複数の平面を含む半導体発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記基板側面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分が曲面を含む半導体発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記基板は、最大側辺の長さの基板厚さに対する比であるアスペクト比が０．３〜３０である半導体発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記基板は、非矩形の基板側面を有する半導体発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記基板は、平面視で非矩形の形状に形成されている半導体発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記基板が、サファイア基板、ＳｉＣ基板、又はＧａＮ基板である半導体発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載された半導体発光素子において、
上記半導体層は、上記基板における中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する基板側面に対応した層側面が、該基板の該部分に連続して中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである半導体発光素子。
【請求項１３】
複数の半導体発光素子が作り込まれたウエハを、間隔をおいて並行して走行するソーワイヤでマルチ切断することにより個々の半導体発光素子に分割する工程を含む半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に半導体層が積層されて構成された半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子では、光取り出し効率が高いことが望まれる。
【０００３】
特許文献１には、サファイア基板の半導体層が積層されたのとは反対側の裏面を粗面化した半導体発光素子が開示されており、これにより光取り出し効率の向上を図ることができる、と記載されている。また、特許文献１には、その製造方法として、複数の半導体発光素子が作り込まれたサファイアウエハの裏面の分割すべき箇所にダイヤモンドスクライブ法又はレーザスクライブ法により溝を形成し、その溝を含むサファイアウエハの裏面にサンドブラスト法により粗面化した後、機械的に個々の半導体発光素子に劈開して分割することが開示されている。
【０００４】
一方、ソーワイヤによりシリコンインゴットをスライスしてシリコンウエハを得る技術は広く知られている（例えば、特許文献２〜７）。
【特許文献１】特開２００６−２４５０６６号公報
【特許文献２】特開２０００−７１１６０号公報
【特許文献３】特開２００１−１０５２９５号公報
【特許文献４】特開２００１−２８７１４６号公報
【特許文献５】特開２００６−１７９６７７号公報
【特許文献６】特開２００７−１９６３１２号公報
【特許文献７】特開２００７−２０３４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、光取り出し効率の高い半導体発光素子及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体発光素子は、基板の表面に半導体層が積層されて構成されたものであって、
上記基板は、少なくとも１つの基板側面が中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する。
【０００７】
本発明の半導体発光素子の製造方法は、複数の半導体発光素子が作り込まれたウエハを、間隔をおいて並行して走行するソーワイヤでマルチ切断することにより個々の半導体発光素子に分割する工程を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、基板の少なくとも１つの基板側面が中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する。半導体発光素子（基板及び半導体層）の屈折率と素子外部の屈折率との差異に起因する全反射角の制約から、発光した光の多くは素子内部に閉じ込められる。そして、その素子内部に閉じ込められた光の一部は、基板内を通過し、中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである基板の基板側面の部分と素子外部との界面に入射したとき、種々の反射角で界面から基板（半導体発光素子）側に反射される。種々の反射角で反射された光の一部は、全反射角の制約から解放され、素子内部に閉じ込められずに素子外部に出射する確率が高められることとなり、その結果、高い光取り出し効率を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１０】
（実施形態１）
図１は実施形態１に係る半導体発光素子１０を示す。
【００１１】
実施形態１に係る半導体発光素子１０は、基板１１の表面に半導体層１２が積層されて構成され、例えば発光ダイオード等として使用されるものである。
【００１２】
基板１１は、矩形板状に形成されている（つまり、半導体発光素子１０として矩形板状に分割形成されている）。基板１１は、縦及び横の寸法が厚さよりも大きい薄板状であってもよく、また、縦及び横の寸法が厚さよりも小さい厚板状であってもよい。後者の場合、後述のソーワイヤを用いてウエハを切断する特徴を生かすことができる。定量的には、基板１１は、例えば、縦及び横が１００〜１０００μｍ、並びに厚さが５０〜２００μｍであり、最大側辺の長さの基板厚さに対する比であるアスペクト比が０．３〜３０であることが好ましい。なお、半導体層１２の厚さは基板１１の厚さに比べて非常に小さいので、このアスペクト比が半導体発光素子１０にも相当する。
【００１３】
基板１１としては、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板、及びＧａＮ基板等が挙げられる。なお、サファイアはＡｌ２Ｏ３のコランダム構造の単結晶である。
【００１４】
基板１１は、表面及び裏面の法線方向がａ軸方向（ａ面＜｛１１−２０｝面＞の面方位）、ｃ軸方向（ｃ面＜｛０００１｝面＞の面方位）、ｍ軸方向（ｍ面＜｛１−１００｝面＞の面方位）、若しくはｒ軸方向（ｒ面＜｛１−１０２｝面＞の面方位）であってもよく、又は他の結晶面の面方位であってもよい。基板１１は、各基板側面１１ａの法線方向がａ軸方向（ａ面＜｛１１−２０｝面＞の面方位）、ｃ軸方向（ｃ面＜｛０００１｝面＞の面方位）、ｍ軸方向（ｍ面＜｛１−１００｝面＞の面方位）、若しくはｒ軸方向（ｒ面＜｛１−１０２｝面＞の面方位）であってもよく、又は他の結晶面の面方位であってもよい。
【００１５】
基板１１は、少なくとも１つの基板側面１１ａが中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである粗面化した部分を有する（図１では基板側面１１ａの全面）。ここで、中心線平均粗さ（Ｒａ）は、レーザー顕微鏡非接触式粗さ測定機によりＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１規定に基づいて測定される。
【００１６】
このように、基板１１の少なくとも１つの基板側面１１ａが中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する。半導体発光素子１０（基板１１及び半導体層１２）の屈折率と素子外部の屈折率との差異に起因する全反射角の制約から、発光した光の多くは素子内部に閉じ込められる。そして、その素子内部に閉じ込められた光の一部は、基板１１内を通過し、中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである基板１１の基板側面１１ａの部分と素子外部との界面に入射したとき、種々の反射角で界面から基板１１（半導体発光素子１０）側に反射される。種々の反射角で反射された光の一部は、全反射角の制約から解放され、素子内部に閉じ込められずに素子外部に出射する確率が高められることとなり、その結果、高い光取り出し効率を得ることができる。
【００１７】
このような観点からは、基板１１は、基板側面１１ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分が、当該基板側面１１ａの面積の１０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましく、１００％であること、つまり、当該基板側面１１ａの全面であることが最も好ましい。また、基板１１は、全ての基板側面１１ａが中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有することが好ましく、全ての基板側面１１ａの全面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍであることが最も好ましい。基板側面１１ａの全面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである場合、基板側面１１ａは、不規則であるが均一な単一の表面態様が表面に現れる。
【００１８】
かかる中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分の具体的態様としては、例えば、当該基板側面１１ａにおいて横方向に帯状あるいは筋状に延びる部分が挙げられ、また、ソーワイヤ２３による切断面がそれに相当する。
【００１９】
半導体層１２は、例えば、バッファ層、ｎ型ＧａＮ層、発光層である多重量子井戸層、ｐ型ＧａＮ層、及び電極が積層された構成を有する。半導体層１２は、厚さが例えば４〜１０μｍである。
【００２０】
半導体層１２は、より高い光取り出し効率を得ることができる観点から、基板１１における中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を有する基板側面１１ａに対応した層側面１２ａが、基板１１のその部分に連続して中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。
【００２１】
次に、実施形態１に係る半導体発光素子１０の製造方法について説明する。なお、半導体発光素子１０は、基板１１の全ての基板側面１１ａの全面及び半導体層１２の全ての層側面１２ａの全面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである構成のものである。
【００２２】
まず、有機金属気相成長法（Metal Organic Ｖapor Phase Epitaxy：ＭＯＶＰＥ）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の技術を組み合わせて公知の方法によりウエハ１１’の表面に半導体層１２を形成し、電子ビーム蒸着装置、ドライエッチングなどの公知のウエハプロセスを使って複数の半導体発光素子１０をマトリクス状に作り込む。
【００２３】
ここで、ウエハ１１’は、例えば、厚さが０．３〜３．０ｍｍ、及び直径が５０〜３００ｍｍである。そして、直径５０ｍｍのウエハ１１’の場合で、１枚のウエハ１１’には５０００〜１２０００個の半導体発光素子１０を作り込むことができる。
【００２４】
続いて、マルチワイヤソー装置２０のワーク取付部２１に粘着シート２２でウエハ１１’を貼設し、図２に示すように、ワーク取付部２１を半導体発光素子１０の１つ分の間隔をおいて並行して走行するソーワイヤ２３に近づけてウエハ１１’を当接させる。このとき、ウエハ１１’及び半導体層１２は、各々、半導体発光素子１０間に延びる複数の切断部がストライプ状に形成され、粘着シート２２に貼設された状態で、複数の半導体発光素子１０が一列の並んだ短冊状にマルチ切断されて分割される。図３に示すように、ソーワイヤ２３による切断面は半導体発光素子１０の基板１１の基板側面１１ａ及び半導体層１２の層側面１２ａとなるが、それらの基板側面１１ａ及び層側面１２ａは中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍとなる。なお、ワーク取付部２１には、半導体層１２が構成された表面側が粘着シート２２に貼り付けられるようにウエハ１１’を設けてもよく、また、その裏面側が粘着シート２２に貼り付けられるようにウエハ１１’を設けてもよい。また、ウエハ１１’の厚さが例えば８０〜２００μｍとなるように、事前に裏面側に研削加工を施してもよい。なお、図２及び３に示すようなウエハ１１’を走行するソーワイヤ２３の列に対して下降させる方式とは逆に、ウエハ１１’をソーワイヤ２３の列に対して上昇させる方式であってもよく、また、静止支持されたウエハ１１’に対して走行するソーワイヤ２３の列を上方から降下させる又は下方から上昇させる方式であってもよい。
【００２５】
ここで、このソーワイヤ２３によるウエハ１１’の切断加工は、遊離砥粒方式及び固定砥粒方式のいずれで行ってもよい。前者の場合、例えば、ソーワイヤ２３として、ピアノ線、硬鋼線等のＦｅ系金属線、或いは、タングステン線、インコネル（Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金）等の金属線を用い、砥粒メディアとして、人工研磨石、ケイ石、砂、金属球等を用いればよい。後者の場合、例えば、ソーワイヤ２３として、例えば、上記金属線にダイヤモンド砥粒等を固定したものを用いればよい。ソーワイヤ２３の外径は例えば５０〜２００μｍである。また、加工時におけるソーワイヤ２３の張力は例えば３〜５０Ｎ、線速は例えば１００〜１０００ｍ／ｍｉｎ、及びウエハ１１’の厚さ方向の移動速度は例えば５０〜１０００μｍ／ｍｉｎである。
【００２６】
そして、ワーク取付部２１に設けたウエハ１１’をその法線方向を軸として９０°回転させ、上記と同様にワーク取付部２１を並行して走行するソーワイヤ２３に近づけてウエハ１１’を当接させる。このとき、ウエハ１１’は、各々、半導体発光素子１０間に延びる複数の切断部がストライプ状に形成され、その結果、縦横に複数の切断部が格子状に形成され、粘着シート２２に貼設された状態でマルチ切断されて、複数の半導体発光素子１０が個々に分割される。
【００２７】
なお、上記のようにソーワイヤ２３によりウエハ１１’の全厚さを切断せず、ソーワイヤ２３によりウエハ１１’の中間厚さまでを切断して、複数の半導体発光素子１０を個々に分割するように格子状に溝部を形成し、その後、その溝部で機械的に劈開して分割するようにしてもよい。但し、この場合は、基板側面１１ａの一部だけがソーワイヤ２３による切断面となる。
【００２８】
（実施形態２）
図４は実施形態２に係る半導体発光素子１０を示す。なお、実施形態１と同一名称の部分は実施形態１と同一符号で示す。
【００２９】
実施形態２に係る半導体発光素子１０では、基板１１の一方の対向する一対の基板側面１１ａが基板１１の表面の法線方向に対して同じ角度だけ傾斜した平面に形成されている。そして、それらの一対の基板側面１１ａ及びそれらに対応した半導体層１２の層側面１２ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）は５０〜１０００ｎｍである。この傾斜角度は基板１１の表面の法線方向に対して例えば４〜６０°である。
【００３０】
この半導体発光素子１０では、上記の構成により他方の対向する一対の基板側面１１ａが非矩形の平行四辺形に形成されている。光取り出し効率の向上の観点からは、このように半導体発光素子１０が非矩形の面を有すことが好ましい。従って、一方の対向する一対の基板側面１１ａに加えて他方の対向する一対の基板側面１１ａもが基板１１の表面の法線方向に対して同じ角度だけ傾斜した平面であって、全ての基板側面１１ａが非矩形の平行四辺形に形成された構成、或いは、一方の対向する一対の基板側面１１ａに加えて表面及び裏面の形状もが非矩形の平行四辺形に形成された構成であることが好ましく、表面、裏面、及び全ての基板側面１１ａのいずれもが非矩形の平行四辺形に形成された構成であることがより好ましい。
【００３１】
この半導体発光素子１０を製造するには、図５に示すように、ソーワイヤ２３とウエハ１１’とを横方向に所定の相対移動をさせながら、ソーワイヤ２３によりウエハ１１’及び半導体層１２を厚さ方向に切断すればよい。
【００３２】
その他の構成、製造条件、及び作用効果は実施形態１と同一である。
【００３３】
（実施形態３）
図６は実施形態３に係る半導体発光素子１０を示す。なお、実施形態１と同一名称の部分は実施形態１と同一符号で示す。
【００３４】
実施形態３に係る半導体発光素子１０では、基板１１の対向する一対の基板側面１１ａの一方が断面くの字に突出し且つ他方が断面くの字に没入して形成されている。そして、それらの一対の基板側面１１ａ及びそれらに対応した半導体層１２の層側面１２ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）は５０〜１０００ｎｍである。なお、もう１つの対向する一対の基板側面１１ａ及び層側面１２ａも同様の構成を有していてもよい。
【００３５】
この半導体発光素子１０を製造するには、図７に示すように、ソーワイヤ２３とウエハ１１’とを横方向に所定の相対移動をさせながら、ソーワイヤ２３によりウエハ１１’を厚さ方向に切断すればよい。
【００３６】
その他の構成、製造条件、及び作用効果は実施形態１と同一である。
【００３７】
（実施形態４）
図８は実施形態４に係る半導体発光素子１０を示す。なお、実施形態１と同一名称の部分は実施形態１と同一符号で示す。
【００３８】
実施形態４に係る半導体発光素子１０では、基板１１の対向する一対の基板側面１１ａの一方が断面円弧状に突出し且つ他方が断面円弧状に没入した曲面に形成されている。そして、それらの一対の基板側面１１ａ及びそれらに対応した半導体層１２の層側面１２ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）は５０〜１０００ｎｍである。なお、もう１つの対向する一対の基板側面１１ａ及び層側面１２ａも同様の構成を有していてもよい。
【００３９】
この半導体発光素子１０を製造するには、図９に示すように、ソーワイヤ２３とウエハ１１’とを横方向に所定の相対移動をさせながら、ソーワイヤ２３によりウエハ１１’を厚さ方向に切断すればよい。
【００４０】
その他の構成、製造条件、及び作用効果は実施形態１と同一である。
【００４１】
（実施形態５）
図１０は実施形態５に係る半導体発光素子１０を示す。なお、実施形態１と同一名称の部分は実施形態１と同一符号で示す。
【００４２】
実施形態５に係る半導体発光素子１０では、基板１１の各基板側面１１ａは、半導体層１２が構成された表面側の部分が基板１１の法線方向と平行に延びる垂直面と、それに続く部分が曲率半径が例えば５０〜１０００μｍの断面円弧状に内側に没入した曲面と、さらにそれに続く部分が裏面側に向かって基板１１の法線方向と平行に延びる垂直面とで構成されている。そして、表面側の垂直面は平坦であり、曲面及び裏面側の垂直面は中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである。基板側面１１ａにおける表面側の垂直面と曲面及び裏面側の垂直面との面積割合は、前者よりも後者の方が多いことが好ましい。
【００４３】
この半導体発光素子１０を製造するには、図１１に示すように、ソーワイヤ２３によりウエハ１１’を裏面側からの中間厚さ（例えば全厚さの１０〜９０％）まで切断して、複数の半導体発光素子１０を個々に分割するように格子状に溝部を形成し、その後、その溝部で機械的に劈開して分割すればよい。
【００４４】
その他の構成、製造条件、及び作用効果は実施形態１と同一である。
【００４５】
（実施形態６）
図１２は実施形態６に係る半導体発光素子１０を示す。なお、実施形態１と同一名称の部分は実施形態１と同一符号で示す。
【００４６】
実施形態６に係る半導体発光素子１０では、基板１１の各基板側面１１ａは、半導体層１２が構成された表面側の周縁の部分が曲率半径が例えば５０〜１０００μｍの断面円弧状の曲面と、それに続く部分が裏面側に向かって基板１１の法線方向と平行に延びる垂直面とで構成されている。また、半導体層１２の各層側面１２ａは、基板側面１１ａの曲面に連続した断面円弧状の曲面に形成されている。そして、基板側面１１ａ及び層側面１２ａの曲面は中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍであり、基板側面１１ａの垂直面は平坦である。
【００４７】
この半導体発光素子１０を製造するには、図１３に示すように、ソーワイヤ２３によりウエハ１１’及び半導体層１２を表面側からの中間厚さ（例えば全厚さの１０〜８０％）まで切断して、複数の半導体発光素子１０を個々に分割するように格子状に溝部を形成し、その後、その溝部で機械的に劈開して分割すればよい。
【００４８】
その他の構成、製造条件、及び作用効果は実施形態１と同一である。
【００４９】
（その他の実施形態）
上記実施形態１〜６では、平面視で四角形の半導体発光素子１０としたが、特にこれに限定されるものではなく、並行して走行するソーワイヤーの切断する方向の二つ以上の組み合わせで分割できればよく、平行四辺形、菱形、三角形等の平面視で非矩形の形状に形成されたものであってもよい。ソーワイヤ２３により半導体発光素子１０を分割する場合、ダイヤモンドスクライブやレーザスクライブの後に劈開して半導体発光素子１０を分割する場合のように結晶方位によって分割方向の制約を受けないので、デザインの自由度が高くなる。
【００５０】
上記実施形態１〜６では、ソーワイヤ２３を用いて半導体発光素子１０を製造したが、特にこれに限定されるものではなく、ダイシング加工、バンドソー加工等の方法により、基板１１の基板側面１１ａに中心線平均粗さ（Ｒａ）が５０〜１０００ｎｍである部分を形成加工することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、基板の表面に半導体層が積層されて構成された半導体発光素子及びその製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施形態１の半導体発光素子の側面図である。
【図２】ソーワイヤによるウエハの切断方法を示す説明図である。
【図３】実施形態１の半導体発光素子の製造方法を示す説明図である。
【図４】実施形態２の半導体発光素子の側面図である。
【図５】実施形態２の半導体発光素子の製造方法を示す説明図である。
【図６】実施形態３の半導体発光素子の側面図である。
【図７】実施形態３の半導体発光素子の製造方法を示す説明図である。
【図８】実施形態４の半導体発光素子の側面図である。
【図９】実施形態４の半導体発光素子の製造方法を示す説明図である。
【図１０】実施形態５の半導体発光素子の側面図である。
【図１１】実施形態５の半導体発光素子の製造方法を示す説明図である。
【図１２】実施形態６の半導体発光素子の側面図である。
【図１３】実施形態６の半導体発光素子の製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  半導体発光素子
１１  基板
１１’  ウエハ
１１ａ  基板側面
１２  半導体層
１２ａ  層側面
２０  マルチワイヤソー装置
２１  ワーク取付部
２２  粘着シート
２３  ソーワイヤ
【図１】
2010080719.tif 000003
【図２】
2010080719.tif 000004
【図３】
2010080719.tif 000005
【図４】
2010080719.tif 000006
【図５】
2010080719.tif 000007
【図６】
2010080719.tif 000008
【図７】
2010080719.tif 000009
【図８】
2010080719.tif 000010
【図９】
2010080719.tif 000011
【図１０】
2010080719.tif 000012
【図１１】
2010080719.tif 000013
【図１２】
2010080719.tif 000014
【図１３】
2010080719.tif 000015