(57)【要約】      （修正有）【課題】２枚の基板受載板を用いて基板を搬送する場合でも基板検出センサが正確にウェーハの有無を検出することができ、又空間的な制約を受けにくい基板処理装置を提供する。【解決手段】上下２枚の基板受載板８１，８２を用いて基板１２を搬送する基板搬送モジュール部４を具備する基板処理装置に於いて、上受載板と対向可能な位置に上反射型光基板検出器８５を設けると共に、下受載板と対向可能な位置に下反射型光基板検出器８８を設け、前記上反射型光基板検出器が光を射出し、前記下受載板に反射された光を前記上反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出し、前記下反射型光基板検出器が光を射出し、前記上受載板に反射された光を前記下反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出する。【選択図】図４
2010103252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下２枚の基板受載板を用いて基板を搬送する基板搬送モジュール部を具備する基板処理装置に於いて、上受載板と対向可能な位置に上反射型光基板検出器を設けると共に、下受載板と対向可能な位置に下反射型光基板検出器を設け、前記上反射型光基板検出器が光を射出し、前記下受載板に反射された光を前記上反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出し、前記下反射型光基板検出器が光を射出し、前記上受載板に反射された光を前記下反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に、薄膜を生成し、或は不純物の拡散、エッチング、アッシング、アニール処置等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程の１つに基板（ウェーハ）に薄膜の生成処理、不純物の拡散、エッチング、アッシング、アニール処置等を行う基板処理がある。基板処理を実施する過程で、搬送室によりロードロックチャンバからプロセスチャンバにウェーハを搬送する工程がある。ウェーハを搬送する場合、１枚ずつ搬送する場合と２枚ずつ搬送する場合とがあり、いずれの場合も搬送が確実に実施されたことを確認する為、搬送過程でウェーハの有無を正確に検出する必要がある。
【０００３】
従来の基板処理装置に於いては、ウェーハの有無を検出するには透過型センサが用いられている。該透過型センサは、投光器と受光器から成り、前記投光器より射出された光を、前記受光器が検出すればＯＮであり、前記投光器より射出された光を前記受光器が受光できない場合はＯＦＦである。
【０００４】
ウェーハの有無の判断は、ウェーハを挾む位置に前記透過型センサが設置され、前記投光器を作動させた際に、該投光器から射出された光を前記受光器が検出した場合にはウェーハが無しと判断され、前記投光器から射出された光がウェーハによって遮られ、前記受光器が光を検出できなかった場合にはウェーハが有りと判断される。
【０００５】
然し乍ら、従来の場合は、前記投光器と前記受光器がウェーハを挾む位置に設置できない場合は前記透過型センサ自体を設置できないという制約がある。又、ウェーハが光路を遮断することでウェーハが有りと検出される為、搬送されているウェーハが１枚でも２枚でもウェーハが有りとしか判断されず、ウェーハが１枚であるか２枚であるかは判別できない。その為、正確なウェーハの検出を行うことができず、重複してウェーハを搬送した場合にウェーハを破損させてしまうという問題があった。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−８６１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は斯かる実情に鑑み、２枚の基板受載板を用いて基板を搬送する場合でも基板検出センサが正確にウェーハの有無を検出することができ、又空間的な制約を受けにくい基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上下２枚の基板受載板を用いて基板を搬送する基板搬送モジュール部を具備する基板処理装置に於いて、上受載板と対向可能な位置に上反射型光基板検出器を設けると共に、下受載板と対向可能な位置に下反射型光基板検出器を設け、前記上反射型光基板検出器が光を射出し、前記下受載板に反射された光を前記上反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出し、前記下反射型光基板検出器が光を射出し、前記上受載板に反射された光を前記下反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、上下２枚の基板受載板を用いて基板を搬送する基板搬送モジュール部を具備する基板処理装置に於いて、上受載板と対向可能な位置に上反射型光基板検出器を設けると共に、下受載板と対向可能な位置に下反射型光基板検出器を設け、前記上反射型光基板検出器が光を射出し、前記下受載板に反射された光を前記上反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出し、前記下反射型光基板検出器が光を射出し、前記上受載板に反射された光を前記下反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出するので、前記上受載板の検出結果は前記下受載板の検出結果に干渉されず、又前記下受載板の検出結果も前記上受載板の検出結果に干渉されない為、前記上受載板と前記下受載板に対して正確な基板の検出が行え、又、受光の有無の他、前記上下の反射型光基板検出器は位置検出器でもある為、仮に反射光が返ってきたとしても、上下基板間（上下受載板間）の距離は前記上下の反射型光基板検出器にて充分検知できる距離であり、基板の有無を判定することができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１１】
先ず、図１〜図３に於いて、本発明の基板処理装置の１例であり、アッシング処理を行う為のアッシャ装置について説明する。
【００１２】
アッシャ装置１は、ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）２と、ロードロックチャンバ部３と、トランスファーモジュール部４と、アッシング処理がなされる処理室として用いられるプロセスチャンバ部５、及びコントローラ２０とを備え、該コントローラ２０は前記ＥＦＥＭ２と、前記ロードロックチャンバ部３と、前記トランスファーモジュール部４と、前記プロセスチャンバ部５を駆動制御する。
【００１３】
前記ＥＦＥＭ２は、第１ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）６、第２ＦＯＵＰ７及び前記第１ＦＯＵＰ６と前記第２ＦＯＵＰ７から前記ロードロックチャンバ部３へウェーハ１２を搬送する第１の搬送部である大気ロボット８を備える。前記第１ＦＯＵＰ６及び前記第２ＦＯＵＰ７には２５枚のウェーハ１２が収納され、前記大気ロボット８は、横行、進退、回転可能であるアーム部を有し、該アーム部の先端にはウェーハ１２を５枚一括載置可能なツイーザ１０が設けられている。前記アーム部が前記第１ＦＯＵＰ６又は前記第２ＦＯＵＰ７から５枚ずつウェーハ１２を抜出し、搬送する。
【００１４】
前記ロードロックチャンバ部３は、第１ロードロックチャンバ９、第２ロードロックチャンバ１１と、前記第１ＦＯＵＰ６と前記第２ＦＯＵＰ７から搬送されたウェーハ１２を前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１内でそれぞれ保持する第１バッファユニット１３、第２バッファユニット１４を備えている。
【００１５】
前記第１バッファユニット１３、前記第２バッファユニット１４は、第１ボート１５、第２ボート１６と、その下部の第１インデックスアセンブリ１７、第２インデックスアセンブリ１８を備え、前記第１ボート１５、前記第２ボート１６と、その下部の前記第１インデックスアセンブリ１７、前記第２インデックスアセンブリ１８は、前記第１ロードロックチャンバ９のθ回転軸１９、前記第２ロードロックチャンバ１１のθ回転軸２１により同時に回転する。
【００１６】
前記トランスファーモジュール部４は、搬送室２２を備えており、前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１は、第１ゲートバルブ２３、第２ゲートバルブ２４を介して前記搬送室２２に取付けられている。又、該搬送室２２には、真空アームロボットユニット２５が貫通して設けられており、前記搬送室２２内部には、第２の搬送部として用いられる複節アーム２６が設けられ、該複節アーム２６は伸縮自在且つ回転自在であり、該複節アーム２６の先端部には、表面にウェーハ１２を載置可能で先端が２又に分かれた構造となっている石英製の基板受載板（以下、フィンガ組２７と称す）が、上下２枚重ねて取付けられている。
【００１７】
前記プロセスチャンバ部５は、処理室として用いられる第１プラズマ処理ユニット２８、第２プラズマ処理ユニット２９と、その上部に設けられた第１プラズマ発生室３１、第２プラズマ発生室３２を備え、前記第１プラズマ処理ユニット２８、前記第２プラズマ処理ユニット２９は、前記第１ゲートバルブ２３、前記第２ゲートバルブ２４を介して前記搬送室２２に取付けられている。
【００１８】
前記第１プラズマ処理ユニット２８、前記第２プラズマ処理ユニット２９は前記ウェーハ１２を載置する第１サセプタテーブル３３、第２サセプタテーブル３４を備え、前記第１サセプタテーブル３３、前記第２サセプタテーブル３４をそれぞれ貫通して第１リフターピン３５、第２リフターピン３６が設けられている。又、前記第１リフターピン３５、前記第２リフターピン３６は、Ｚ軸３７、Ｚ軸３８の方向にそれぞれ上下する。
【００１９】
前記第１プラズマ発生室３１、前記第２プラズマ発生室３２は、第１反応容器３９、第２反応容器（図示せず）をそれぞれ備え、前記第１反応容器３９、前記第２反応容器の外部には、第１高周波コイル４２、第２高周波コイル（図示せず）が設けられている。又、前記第１高周波コイル４２、前記第２高周波コイルに高周波電力を印加することで、第１ガス導入口４４、第２ガス導入口（図示せず）から導入されたアッシング処理用の反応ガスをプラズマ化し、該プラズマを用いて前記第１サセプタテーブル３３、前記第２サセプタテーブル３４上に載置された前記ウェーハ１２上のレジストをアッシング（プラズマ処理）する。
【００２０】
次に、図３に於いて、前記第１プラズマ処理ユニット２８の詳細について説明する。尚、前記第２プラズマ処理ユニット２９は前記第１プラズマ処理ユニット２８と同様の構成である為、その説明を省略する。
【００２１】
前記第１プラズマ処理ユニット２８は、半導体基板や半導体素子に乾式処理であるアッシングを施す高周波無電極放電型のプラズマ処理ユニットであり、前記第１プラズマ発生室３１、半導体基板等の前記ウェーハ１２を収容する第１プロセスチャンバ４６、前記第１プラズマ発生室３１、特に第１高周波コイル４２に高周波電力を供給する高周波電源４７、及び該高周波電源４７の発信周波数を制御する周波数整合器４８を備えている。又、前記高周波電源４７の出力側にはＲＦセンサ５３が接地され、進行波、反射波等をモニタしている。該ＲＦセンサ５３によってモニタされた反射電力は、前記周波数整合器４８に入力され、該周波数整合器４８は反射波が最小となる様周波数を制御する。
【００２２】
前記第１プラズマ発生室３１は、減圧可能に構成され、且つプラズマ用の反応ガスが供給され、前記第１反応容器３９と、該第１反応容器３９の外周に巻回された前記第１高周波コイル４２と、該第１高周波コイル４２の外周に配置され、且つ電気的に接地された外側シールド４９とで構成される。
【００２３】
前記第１反応容器３９は、通常軸線が垂直になる様に配置され、トッププレート５１及び前記第１プロセスチャンバ４６によって上下端が気密に封止される。前記第１反応容器３９上部の前記トッププレート５１には、図示しないガス供給ユニットから伸張され、且つ所要のプラズマ用の反応ガスを供給する為のガス供給管５２が、前記第１ガス導入口４４に付設されている。前記ガス供給ユニットは、ガスの流量を制御する機能を持ち、具体的には流量制御部であるマスフローコントローラ５４及びガス供給バルブ５５を有している。
【００２４】
又前記第１反応容器３９の下方の前記第１プロセスチャンバ４６の底面には、複数、例えば４本の支柱５６によって支持されるサセプタ５７が設けられ、該サセプタ５７には、前記第１サセプタテーブル３３及び前記サセプタ５７上のウェーハ１２を加熱する基板加熱部５８が具備される。
【００２５】
前記サセプタ５７の下方には排気板５９が配設され、前記サセプタ５７と前記排気板５９の間にバッフルリング６１が設けられる。該バッフルリング６１、前記サセプタ５７、前記排気板５９で第１排気室６２が形成される。又、前記バッフルリング６１は円筒形状であり、外周には多数の通気口が一定の間隔毎に設けられている。従って、前記第１排気室６２は前記第１プロセスチャンバ４６と仕切られ、又通気口によって前記第１プロセスチャンバ４６と連通している。
【００２６】
前記排気板５９には、排気連通孔６３が設けられ、該排気連通孔６３によって前記第１排気室６２と第２排気室６４が連通される。又、該第２排気室６４には、排気管６５が連通されており、該排気管６５には排気装置６６が設けられている。
【００２７】
尚、流量制御部及び前記排気装置６６によってガスの供給量、排気量を調整することにより、前記第１プロセスチャンバ４６の圧力が調整される。
【００２８】
上記の様に構成された前記アッシャ装置１に於いては、前記第１ＦＯＵＰ６、前記第２ＦＯＵＰ７から前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１へとウェーハ１２が搬送される。この際、先ず図２に示される様に、前記大気ロボット８が前記第１ＦＯＵＰ６、前記第２ＦＯＵＰ７のポッドにツィーザ１０を挿入し、５枚の前記ウェーハ１２を前記ツィーザ１０上へ載置する。この時、取出す前記ウェーハ１２の高さ方向の位置に合わせて前記大気ロボット８の前記ツィーザ１０及びアーム部を上下させる。
【００２９】
前記ウェーハ１２を前記ツィーザ１０へ載置した後、前記大気ロボット８がθ回転軸６７を中心に回転し、又横行、進退の協働により前記第１バッファユニット１３、前記第２バッファユニット１４の前記第１ボート１５、前記第２ボート１６に前記ウェーハ１２を搭載する。この時、前記第１ボート１５、前記第２ボート１６は、前記第１ロードロックチャンバ９のＺ軸６８及び前記第２ロードロックチャンバ１１のＺ軸６９方向に動作し、前記第１ボート１５、前記第２ボート１６は、前記大気ロボット８から２５枚の前記ウェーハ１２を受取る。２５枚の前記ウェーハ１２を受取った後、前記第１ボート１５、前記第２ボート１６の最下層にある前記ウェーハ１２が前記トランスファーモジュール部４の高さ位置に合う様、前記第１ボート１５、前記第２ボート１６を前記Ｚ軸６８、前記Ｚ軸６９方向に動作させる。
【００３０】
前記第１バッファユニット１３、前記第２バッファユニット１４によって保持されている前記ウェーハ１２を、前記複節アーム２６が回転伸縮することで前記ウェーハ１２を受取り、前記フィンガ組２７に搭載する。前記トランスファーモジュール部４のθ回転軸７１方向で前記複節アーム２６を回転し、更に前記トランスファーモジュール部４のＹ軸７２方向に前記複節アーム２６を延伸し、前記第１サセプタテーブル３３、前記第２サセプタテーブル３４上に移載する。
【００３１】
ここで、前記ウェーハ１２を、前記フィンガ組２７から前記第１サセプタテーブル３３、前記第２サセプタテーブル３４へ移載する工程を説明する。
【００３２】
前記フィンガ組２７と、前記第１リフターピン３５、前記第２リフターピン３６との協働により、前記ウェーハ１２を前記第１サセプタテーブル３３、前記第２サセプタテーブル３４上に移載する。又、逆の動作により、処理が終了した前記ウェーハ１２を前記第１サセプタテーブル３３、前記第２サセプタテーブル３４から、前記複節アーム２６を介した前記フィンガ組２７によって前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１内の前記第１バッファユニット１３、前記第２バッファユニット１４に前記ウェーハ１２を移載する。
【００３３】
以上の様に構成された前記アッシャ装置１では、前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１へウェーハ１２が搬送され、前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１内が真空引き（真空置換）され、前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１から、前記搬送室２２を経て前記ウェーハ１２が前記第１プラズマ処理ユニット２８、前記第２プラズマ処理ユニット２９へと搬送され、前記第１プラズマ処理ユニット２８、前記第２プラズマ処理ユニット２９で前記ウェーハ１２からレジスト除去がなされ（除去工程）、レジストの除去がなされた前記ウェーハ１２が、前記搬送室２２を経て再び前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１へ搬送される。
【００３４】
次に、図４〜図７に於いて、本発明に於けるウェーハの検出装置について説明する。
【００３５】
図中、７３は前記複節アーム２６を収納する気密容器７３である。該気密容器７３は中空構造で上方向に開放されており、該気密容器７３の上端にはリング状の蓋７４が被せられ、該蓋７４の上部は光を透過させる上部透明樹脂板７５で閉塞されている。前記気密容器７３の壁面には前記第１ロードロックチャンバ９、前記第２ロードロックチャンバ１１と連通したウェーハ搬送孔７６が穿設されており、開閉自在なゲート弁７８が前記ウェーハ搬送孔７６を閉塞可能に設けられている。又、該ウェーハ搬送孔７６と対向する位置の前記気密容器７３の壁面には、前記第１プラズマ処理ユニット２８、前記第２プラズマ処理ユニット２９と連通したウェーハ搬送孔７６′が穿設され、開閉自在なゲート弁７８′が前記ウェーハ搬送孔７６′を閉塞可能に設けられている。前記気密容器７３の底部には下部レーザ透過孔７７が穿設されており、該下部レーザ透過孔７７は光を透過させる下部透明樹脂板７９で閉塞されている。
【００３６】
ウェーハ１２の検出が行われるトランスファーモジュール部４では、前記気密容器７３を前記蓋７４と前記上部透明樹脂板７５と前記ゲート弁７８，７８′と前記下部透明樹脂板７９で閉塞することで前記搬送室２２を画成している。
【００３７】
該搬送室２２の下部には、前記真空アームロボットユニット２５が前記気密容器７３を貫通して設けられ、前記搬送室２２内部で第２の搬送部として前記複節アーム２６を構成している。又、該複節アーム２６は伸縮自在且つ回転自在な構造であり、該複節アーム２６の先端部には前記フィンガ組２７が取付けられている。又、該フィンガ組２７は略同形状の上フィンガ８１と下フィンガ８２が重なった状態を具備している。前記上フィンガ８１、前記下フィンガ８２は共に先端が２又に分かれた構造となっている。又、前記上フィンガ８１と前記下フィンガ８２の表面にはそれぞれ前記ウェーハ１２の位置合せを行う座刳８３が設けられ、該座刳８３上に前記ウェーハ１２を載置可能な構造となっている。
【００３８】
又、前記下部レーザ透過孔７７は、前記複節アーム２６を介して移動する前記下フィンガ８２の先端部と対向可能な位置に穿設されている。
【００３９】
前記上フィンガ８１の根本部２箇所には、前記座刳８３を跨ぐ形で上部レーザ透過孔８４が穿設され、該上部レーザ透過孔８４は前記下フィンガ８２の表面と対向している。又、前記上部透明樹脂板７５よりも上方で、前記フィンガ組２７と対向する位置には上部変位センサ８５が配設されている。該上部変位センサ８５は上部検出レーザ光線８６を射出し、該上部検出レーザ光線８６が前記座刳８３よりも外側の上部レーザ透過孔８４ａを通り、前記下フィンガ８２の根本部の表面で反射し、反射した前記上部検出レーザ光線８６が前記座刳８３部分の上部レーザ透過孔８４ｂを通り、前記上部変位センサ８５に受光される様傾けて配設する。
【００４０】
尚、前記上部変位センサ８５が射出した前記上部検出レーザ光線８６と、前記下フィンガ８２の根本部の表面で反射した前記上部検出レーザ光線８６の一方が前記上部レーザ透過孔８４ａを通り、他方が前記上部レーザ透過孔８４ｂを通ればよいので、前記上部変位センサ８５が射出した前記上部検出レーザ光線８６が前記上部レーザ透過孔８４ｂを通り、前記下フィンガ８２の根本部の表面で反射した前記上部検出レーザ光線８６が前記上部レーザ透過孔８４ａを通る様に前記上部変位センサ８５を配設してもよい。
【００４１】
又、本発明では前記上部検出レーザ光線８６を前記下フィンガ８２の根本部で反射させているが、前記上部検出レーザ光線８６の反射位置は、前記下フィンガ８２の前記ウェーハ１２の載置箇所よりも外側であればよいので、前記上部レーザ透過孔８４と前記上部変位センサ８５の位置関係により前記下フィンガ８２の先端部等に反射位置を変更してもよい。
【００４２】
又、前記下フィンガ８２の先端部の外端には切欠き８７が設けられ、該切欠き８７は、前記上フィンガ８１の裏面と対向している。前記下部レーザ透過孔７７の下方、該下部レーザ透過孔７７と対向する位置には、下部変位センサ８８が配設されている。該下部変位センサ８８は、射出した下部検出レーザ光線８９が、前記下部レーザ透過孔７７を通り、前記座刳８３よりも外側の前記切欠き８７ａを通過して前記上フィンガ８１の裏面で反射し、反射した前記下部検出レーザ光線８９が前記座刳８３部分の前記切欠き８７ｂを通り、前記下部レーザ透過孔７７を通って前記下部変位センサ８８に受光される様に配設されている。
【００４３】
尚、前記下部変位センサ８８が射出した前記下部検出レーザ光線８９と、前記上フィンガ８１の裏面で反射した前記下部検出レーザ光線８９の一方が前記下フィンガ８２の前記ウェーハ１２の載置箇所を通り、他方が前記下フィンガ８２の前記ウェーハ１２の載置箇所よりも外側を通ればよいので、前記下部変位センサ８８が射出した前記下部検出レーザ光線８９が前記切欠き８７ｂを通り、前記上フィンガ８１の裏面で反射した前記下部検出レーザ光線８９が前記切欠き８７ａを通る様に前記下部変位センサ８８を配設してもよい。
【００４４】
又、前記下フィンガ８２に前記切欠き８７を設けず、前記下部変位センサ８８が射出した前記下部検出レーザ光線８９と、前記上フィンガ８１の裏面で反射した前記下部検出レーザ光線８９の一方が、前記下フィンガ８２の外側且つ前記ウェーハ１２の載置箇所を通らず、他方が該ウェーハ１２の載置箇所を通り、前記下部変位センサ８８に受光される様該下部変位センサ８８を配設してもよい。
【００４５】
上記した前記上部変位センサ８５、及び前記下部変位センサ８８は、反射したレーザ光線の受光量を計測する機能を有している。計測された受光量と、予め前記コントローラ２０内の記憶部に設定された受光量と比較することで、変位センサと反射位置の距離を測定することができる。
【００４６】
又、計測された受光量と、予め前記コントローラ２０内の記憶部に設定された受光量とを比較し、大きく逸脱していた場合には、前記変位センサが反射したレーザ光線を受光したとしても、前記ウェーハ１２が存在すると判断できる。
【００４７】
次に、実際にウェーハ１２の検出を行う場合について説明する。
【００４８】
前記フィンガ組２７が移動して、配設した前記上部変位センサ８５、前記下部変位センサ８８でウェーハ１２を検出可能な位置に前記フィンガ組２７（ウェーハ１２）を移動させる。
【００４９】
前記上部変位センサ８５であれば、射出した前記上部検出レーザ光線８６が前記上部レーザ透過孔８４ａを通り、前記下フィンガ８２の表面で反射し、前記上部レーザ透過孔８４ｂを通る経路をとる為、ウェーハ１２が前記上フィンガ８１に載置されていなければ、前記上部検出レーザ光線８５は前記上部変位センサ８５で受光される。
【００５０】
又、ウェーハ１２が前記上フィンガ８１の前記座刳８３に載置されていれば、前記下フィンガ８２の表面で反射した前記上部検出レーザ光線８６が前記ウェーハ１２に遮られる為、前記上部検出レーザ光線８６は前記上部変位センサ８５に受光されない。
【００５１】
同様に、前記下部変位センサ８８であれば、射出した前記下部検出レーザ光線８９が前記下部レーザ透過孔７７、前記切欠き８７ａを通り、前記上フィンガ８１の裏面で反射し、反射した前記下部検出レーザ光線８９は、前記切欠き８７ｂ、前記下部レーザ透過孔７７を通る経路をとる為、ウェーハ１２が前記下フィンガ８２に載置されていなければ、前記下部検出レーザ光線８９は前記下部変位センサ８８で受光される。
【００５２】
又、ウェーハ１２が前記下フィンガ８２の前記座刳８３に載置されていれば、前記上フィンガ８１の裏面で反射した前記下部検出レーザ光線８９が前記ウェーハ１２に遮られる為、前記下部検出レーザ光線８９は前記下部変位センサ８８に受光されない。
【００５３】
上記の様に、前記上部変位センサ８５、前記下部変位センサ８８共に、射出して反射された検出レーザ光線を受光できればウェーハ１２は載置されていないと判別でき、前記検出レーザ光線を受光できなければウェーハ１２が載置されていると判別できる。
【００５４】
尚、変位センサから射出された検出用レーザ光線をウェーハ１２に反射させて検出するのではなく、前記検出用レーザ光線をフィンガに反射させて検出しているのは、ウェーハ１２の場合はパターンウェーハ等表面状態が多数のパターンを持ち、基準が変化して上手く検出できない為である。
【００５５】
上記の様に、前記上部変位センサ８５は前記下フィンガ８２に載置されたウェーハ１２の有無に拘わらず、前記上フィンガ８１に載置されたウェーハ１２の有無を検出でき、又前記下部変位センサ８８は前記上フィンガ８１に載置されたウェーハ１２の有無に拘わらず、前記下フィンガ８２に載置されたウェーハ１２の有無を検出できる為、正確にウェーハ１２の検出を行うことができる。
【００５６】
又、本発明では、反射型の検出器（変位センサ）を用いているので、フィンガの位置ずれや、該フィンガの垂れ等により、前記ウェーハ１２が存在するにも拘らず反射されたレーザ光線を受光してしまった場合でも、反射されたレーザ光線の受光量を検出し、予め前記コントローラ２０内の記憶部に設定されていた受光量と比較することで、前記変位センサと反射位置の距離を測定することができる。
【００５７】
上記の様な構成とすることで、前記フィンガの位置ずれや、該フィンガの垂れ等による誤検出を防止することが可能となる。
【００５８】
尚、上記した各構成は、前記コントローラ２０によって制御されるものである。
【００５９】
尚、前記上部変位センサ８５、前記下部変位センサ８８共に搬送経路中のウェーハ１２を検出できればよく、前記上部変位センサ８５と前記下部変位センサ８８が同じ位置に設けられなくてもよい。
【００６０】
又、本発明に於ける実施例では、前記気密容器７３の前記蓋７４の上部に光を透過させる前記上部透明樹脂板７５で閉塞しているが、光を透過させる部分は前記上部変位センサ８５が、前記上部検出レーザ光線８６を射出し、受光できるだけの大きさがあればよいので、前記蓋７４を更に気密性の高い材質で構成し、前記上部検出レーザ光線８６が通過する箇所のみを透明部材とする構成としてもよい。
【００６１】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００６２】
（付記１）上下２枚の基板受載板を用いて基板を搬送する基板搬送モジュール部を具備する基板処理装置に於いて、上受載板と対向可能な位置に上反射型光基板検出器を設けると共に、下受載板と対向可能な位置に下反射型光基板検出器を設け、前記上反射型光基板検出器が光を射出し、前記下受載板に反射された光を前記上反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出し、前記下反射型光基板検出器が光を射出し、前記上受載板に反射された光を前記下反射型光基板検出器が受光するかどうかで基板の有無を検出することを特徴とする基板処理装置。
【００６３】
（付記２）前記上受載板と前記下受載板の表面には基板載置用の座刳が設けられている付記１の基板処理装置。
【００６４】
（付記３）前記上受載板の根本には孔が穿設され、該孔は前記座刳を跨ぐ形状である付記２の基板処理装置。
【００６５】
（付記４）前記孔は前記下受載板と対向可能な位置にある付記３の基板処理装置。
【００６６】
（付記５）変位センサを前記上受載板の表面と対向可能な位置に配設し、前記変位センサから射出され、前記下受載板に反射されたレーザ光線が前記孔を通過する付記４の基板処理装置。
【００６７】
（付記６）前記下受載板の先端の外端に少なくとも１つの切欠きが設けられた付記１の基板処理装置。
【００６８】
（付記７）前記切欠きは、前記上受載板の先端と対向する位置にある付記６の基板処理装置。
【００６９】
（付記８）変位センサを前記下受載板の裏面と対向する位置に配設し、前記変位センサから射出され、前記上受載板に反射されたレーザ光線が前記切欠きを通過する付記７の基板処理装置。
【００７０】
（付記９）前記下受載板の先端は２又且つ線対称であり、前記切欠きは線対称に設けられている付記７の基板処理装置。
【００７１】
（付記１０）上下２枚の基板受載板を用いて基板を搬送する基板搬送モジュール部を具備する基板処理装置に於いて、上受載板と対向可能な位置に上反射型光基板検出器を設けると共に、下受載板と対向可能な位置に下反射型光基板検出器を設け、前記上反射型光基板検出器が光を射出し、前記下受載板に反射された光を前記上反射型光基板検出器が受光するかどうか、又は該上反射型光基板検出器が受光した受光量から測定した距離が設定値に対して大きく逸脱していないかどうかで基板の有無を検出し、前記下反射型光基板検出器が光を射出し、前記上受載板に反射された光を前記下反射型光基板検出器が受光するかどうか、又は該下反射型光基板検出器が受光した受光量から測定した距離が設定値に対して大きく逸脱していないかどうかで基板の有無を検出することを特徴とする基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明に於けるアッシャ装置を示す概略横断面図である。
【図２】本発明に於けるアッシャ装置を示す概略縦断面図である。
【図３】本発明に於けるアッシャ装置のプラズマ処理ユニットを示す概略縦断面図である。
【図４】本発明の実施の形態を示す搬送室の概略縦断面図である。
【図５】本発明の実施の形態を示す要部拡大図である。
【図６】本発明の実施の形態を示す要部拡大図である。
【図７】本発明の実施の形態を示す要部拡大図である。
【符号の説明】
【００７３】
１              アッシャ装置
２              ＥＦＥＭ
３              ロードロックチャンバ部
４              トランスファーモジュール部
５              プロセスチャンバ部
１２            ウェーハ
２０            コントローラ
２２            搬送室
２５            真空アームロボットユニット
２６            複節アーム
２７            フィンガ組
７５            上部透明樹脂板
７７            下部レーザ透過孔
７９            下部透明樹脂板
８１            上フィンガ
８２            下フィンガ
８３            座刳
８４            上部レーザ透過孔
８５            上部変位センサ
８６            上部検出レーザ光線
８７            切欠き
８８            下部変位センサ
８９            下部検出レーザ光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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