(57)【要約】【課題】入射光ケラレとシェーディングの低減化を同時に実現することを目的とする。【解決手段】基板１１表面に形成された溝５１内に転送レジスタ１６を形成する固体撮像素子において、光電変換領域１２の表面に傾斜５２を設けることにより、入射光ケラレとシェーディングの低減化を同時に実現することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を信号電荷に光電変換する複数の光電変換領域と、
前記光電変換領域から前記信号電荷を読み出す読み出しゲートと、
前記読み出しゲートによって読み出された前記信号電荷の転送を行う転送レジスタと、
前記読み出しゲートおよび前記転送レジスタに電圧を印加する電極と
を基板内に備え、
前記基板の表面側の前記光電変換領域間に溝が形成され、前記溝の底部に前記転送レジスタおよび前記読み出しゲートならびに前記電極が形成され、前記光電変換領域表面が前記基板の表面に対して傾斜することを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記溝を格子状に形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記光電変換領域を個々に分離する画素分離領域を前記溝内もしくは溝下部に形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項４】
少なくとも前記電極と前記溝の側壁との間を埋め込むように遮光膜を形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記電極の転送レジスタ方向に形成された部分を、前記溝内の前記画素分離領域の少なくとも一部上および前記転送レジスタ上および前記読み出しゲートの少なくとも一部上に形成することを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記溝の側壁が傾斜または、垂直面であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記光電変換領域の表層に前記光電変換領域の内層の導電型と異なる導電型のホールアキュムレーション層を備えることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記光電変換領域表面の傾斜面の法線が、撮像領域の中心方向を向いていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記撮像領域中心付近に配置している光電変換領域表面は前記基板表面と平行であることを特徴とする請求項８記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記光電変換領域表面の傾斜角を前記撮像領域中心からの距離に比例して段階的に大きくすることを特徴とする請求項８または請求項９のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記溝内に前記信号電荷を電圧に変換する浮遊容量と変換後の信号電荷をリセットするトランジスタとをさらに備えることを特徴とする請求項１または請求項８のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の固体撮像素子の前記傾斜を形成する際に、
前記基板にレジスト膜を形成する工程と、
前記傾斜が設けられる領域上に傾斜上部から傾斜下部にかけて透過率が大きくなり、前記溝を形成する領域上の透過率が最大となるような石英ガラスを介して前記レジスト膜をエッチングすることにより前記溝を形成する領域上の前記レジスト膜を除去する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記基板表面をエッチングすることにより前記溝と前記傾斜とを同時に形成する工程と
を有し、前記レジスト膜のエッチング工程にて前記傾斜に対応する前記レジスト膜表面の傾きを形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子に関し、詳しくは遮光膜を有するインターレース式または、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）の固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体撮像素子は、多画素化が進み、画素サイズの縮小化が必要になってきている。しかし画素特性の維持は必要なため、光電変換領域および光電変換部上の開口部の拡大および同等維持が困難になってきている。
【０００３】
このような状況において、電極等の低段差化により集光力拡大も目的とした固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
以下、特許文献１の固体撮像素子について図７を用いて説明する。
【０００４】
図７は特許文献１の固体撮像素子の構成を示す図である。
特許文献１のインターレース型の固体撮像素子は、図７（ａ）のレイアウト図および図７（ｂ）の概略構成断面図に示すように転送レジスタ部分に溝１５１が形成されており、前記溝に囲まれて光電変換領域１１２が形成されている。この光電変換領域１１２は、上層にｐ＋層からなるホールアキュムレーション層１１３が形成され、その下層にｎ＋型拡散層（以下、ｎ型層と称す）１１４が形成されてなる。この光電変換領域１１２のｎ型層１１４は、シリコン基板１１１表面に上記ホールアキュムレーション層１１３が形成されるためにシリコン基板１１１の深い位置まで形成される。上記光電変換領域１１２の一方側には、読み出しゲート１１５を介して、垂直転送レジスタ（以下、転送レジスタと称す）１１６が形成されている。この転送レジスタ１１６は、上層にｎ型層１１７を備え、その下層にｐ型層１１８をそなえている。さらに画素領域を分離する画素分離領域１１９が形成されている。上記光電変換領域１１２の他方側には画素分離領域１１９を介してこの画素に隣接する別の画素の転送レジスタ１１６が形成されている。上記転送レジスタ１１６および読み出しゲート１１５は、基板１１１の表面側に形成された上記溝１５１の底部に形成されている。
【０００５】
また、上記転送レジスタ１１６および読み出しゲート１１５上には、絶縁膜１２１を介して、電荷読み出し電極および電荷転送電極となる電極１２２が形成されている。さらに、層間絶縁膜１２３を介して、上記光電変換領域１１２上に開口部１３４を設けた遮光膜１３３が形成されている。
【０００６】
通常、マイクロレンズ等により集光された光は、光電変換領域１１２表面側の法線方向および斜め方向から入射する。上記集光された光は、光電変換領域１１２上の開口部１３４より、ｎ型層１１４に進入し、ｎ型層１１４で入射した光に相当する電荷量に変換される。そして、読み出しゲート１１５を通して、転送レジスタ１１６に電荷を転送する。
【０００７】
このように、上記特許文献１に開示されているような基板上の溝を利用した低段差化構造が提案されている。すなわち、低段差化により斜め方向から入射した光のケラレを発生させる遮蔽物を低減させることで、集光力の拡大も意図している。また、更なる高感度化の要求から光電変換領域への入射光損失とシェーディングの低減が必要である。
【特許文献１】特開２００４−３１９９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、基板表面に溝を形成し、その溝の底部に読み出し電極および転送電極を形成する従来の構成では、撮像エリア内の各画素の低段差量が一様であり、シェーディングを悪化させている撮像エリア内の局所箇所の入射光ケラレ低減が困難であるという問題点があった。
【０００９】
そこで、本発明の固体撮像素子は、入射光ケラレとシェーディングの低減化を同時に実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像素子は、入射光を信号電荷に光電変換する複数の光電変換領域と、前記光電変換領域から前記信号電荷を読み出す読み出しゲートと、前記読み出しゲートによって読み出された前記信号電荷の転送を行う転送レジスタと、前記読み出しゲートおよび前記転送レジスタに電圧を印加する電極とを基板内に備え、前記基板の表面側の前記光電変換領域間に溝が形成され、前記溝の底部に前記転送レジスタおよび前記読み出しゲートならびに前記電極が形成され、前記光電変換領域表面が前記基板の表面に対して傾斜することを特徴とする。
【００１１】
また、前記溝を格子状に形成することを特徴とする。
また、前記光電変換領域を個々に分離する画素分離領域を前記溝内もしくは溝下部に形成することを特徴とする。
【００１２】
また、少なくとも前記電極と前記溝の側壁との間を埋め込むように遮光膜を形成することを特徴とする。
また、前記電極の転送レジスタ方向に形成された部分を、前記溝内の前記画素分離領域の少なくとも一部上および前記転送レジスタ上および前記読み出しゲートの少なくとも一部上に形成することを特徴とする。
【００１３】
また、前記溝の側壁を、傾斜または、垂直面で形成することを特徴とする。
また、前記溝の側壁が傾斜または、垂直面であることを特徴とする。
また、前記光電変換領域の表層に前記光電変換領域の内層の導電型と異なる導電型のホールアキュムレーション層を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、前記光電変換領域表面の傾斜面の法線が、撮像領域の中心方向を向いていることを特徴とする。
また、前記撮像領域中心付近に配置している光電変換領域表面は前記基板表面と平行であることを特徴とする。
【００１５】
また、前記光電変換領域表面の傾斜角を前記撮像領域中心からの距離に比例して段階的に大きくすることを特徴とする。
また、前記溝内に前記信号電荷を電圧に変換する浮遊容量と変換後の信号電荷をリセットするトランジスタとをさらに備えることを特徴とする。
【００１６】
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記固体撮像素子の前記傾斜を形成する際に、前記基板にレジスト膜を形成する工程と、前記傾斜が設けられる領域上に傾斜上部から傾斜下部にかけて透過率が大きくなり、前記溝を形成する領域上の透過率が最大となるような石英ガラスを介して前記レジスト膜をエッチングすることにより前記溝を形成する領域上の前記レジスト膜を除去する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記基板表面をエッチングすることにより前記溝と前記傾斜とを同時に形成する工程とを有し、前記レジスト膜のエッチング工程にて前記傾斜に対応する前記レジスト膜表面の傾きを形成することを特徴とする。
【００１７】
以上により、入射光ケラレとシェーディングの低減化を同時に実現することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、基板表面に形成された溝内に転送レジスタを形成する固体撮像素子において、光電変換領域の表面に傾斜を設けることにより、入射光ケラレとシェーディングの低減化を同時に実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
単位画素サイズの縮小にともなう感度及びシェーディングを抑制するという目的を、基板に溝を形成し、同時に光電変換領域の表面に傾斜を形成し、上記溝の底部の基板に画素分離領域、転送レジスタおよび読み出しゲートを形成し、転送レジスタおよび読み出しゲートの電極の少なくとも垂直転送方向に形成された部分は、溝内に形成することによって実現する。
（実施例１）
本発明の固体撮像素子にかかる第１実施例を、図１，図２によって説明する。
【００２０】
図１は実施例１における固体撮像素子の構成を示す図であり、図１（ａ）は、平面レイアウト図を示し、図１（ｂ）は、平面レイアウト図におけるＡ−Ａ線断面の概略構成断面図を示す。図２は実施例１の固体撮像素子における光電変換領域の配置位置と傾斜方向との関係を説明する図である。
【００２１】
図１（ａ），図１（ｂ）に示すように、ｐ型の基板１１に溝５１と上記溝５１に隣接して形成される光電変換領域１２の表面に傾斜５２が形成されている。上記溝５１は、例えば、転送レジスタ方向（垂直転送方向）に形成される電極２２の形成領域に形成され、その側壁は基板１１に対して垂直に形成しても良いし、底面に比べて上部開口部のほうが広くなるようにななめに形成しても良い。斜めに形成することにより、後述のホールアキュムレーション層１３を形成するためのイオン注入が容易となる。転送レジスタ１６は光電変換領域１２に隣接して垂直方向に形成され、転送レジスタ１６に信号を供給する電極２２は転送レジスタ１６上、あるいは光電変換領域１２間に水平方向にも形成される。そのため、電極が垂直，水平方向に形成される場合は、溝５１は格子状に形成されることになる。上記光電変換領域１２の表面の傾斜５２は、傾斜部のもっとも低い位置が溝５１の底部と同じ高さあるいは底部より高い位置に形成され、傾斜角度は、光電変換領域上に形成されるレンズのシュリンク量に応じて定められ、例えば、上記溝５１の底表面と平行面に対して、３〜７°傾斜している。この場合、Ｆ値１〜１２での斜め光に対して、おおよそ垂直方向になる。その場合、傾斜により、光電変換領域１２は最も高いところと最も低いところで５０〜１００ｎｍの高さの差が形成される。さらに、傾斜角度は前記範囲内の任意の角度に固定しても良いし、撮像領域中心からの距離に応じて斜め光に対しておおむね垂直方向に表面が傾斜するように、外周に向かって徐々に角度を大きくして良く、その場合、あらかじめ定めた複数の角度に段階的に大きくしていっても良い。さらに、撮像領域中心またはその周辺領域は傾斜を設けなくても良い。上記基板１１は、半導体基板、例えばシリコン基板からなる。上記光電変換領域１２は、ｎ型層１４から成り、その上層にｎ型層１４と逆導電型のホールアキュムレーション層１３をさらに設けても良い。光電変換領域１２の表面にホールアキュムレーション層１３を設けることにより、光電変換領域１２の表面領域へ電子の偏析を抑制することができ、暗電流を防止することができる。また、上記溝５１の底部における基板１１には、上記光電変換領域１２側より読み出しゲート１５、転送レジスタ１６、画素分離領域１９が形成されている。上記転送レジスタ（垂直レジスタ）１６は、上層にｎ型層１７を備え、その下層にｐ型層１８を備えている。
【００２２】
上記光電変換領域１２の下層のｎ型層１４は、溝の底部との平行性を保つために、上記光電変換領域１２の表面に傾斜５２形成前に形成してもよいし、光電変換領域１２の上面との並行性を保つために、上記光電変換領域１２の表面に傾斜５２形成後に形成してもよい。また、上記光電変換領域１２の上層のホールアキュムレーション層１３上に、シリコン基板に進入する入射光の反射を防ぐ反射防止膜２３が形成されている。反射防止膜２３の屈折率は、シリコン基板＜反射防止膜２３＜反射防止膜上層間膜（図示せず）である。
【００２３】
上記溝５１の内面を含む上記基板１１表面にはゲート絶縁膜２１が形成され、上記溝５１内の上記ゲート絶縁膜２１上には電荷読み出し電極および電荷転送電極となる電極２２が形成されている。ここでは、電極２２は２層構造でも単層構造でもよい。この電極２２は、図示したように、読み出しゲート１５および転送レジスタ１６の直上に形成されることが好ましい。
【００２４】
さらに、上記電極２２を被覆する層間絶縁膜３１が上記基板１１表面に形成されている。さらに上記層間絶縁膜３１を介して上記溝５１の側壁を上記電極２２間の隙間を埋め込むように、上記光電変換領域１２上に開口部３４を形成した遮光膜３３が形成されている。
【００２５】
上記説明ではｐ型の基板１１を用いる場合を例に説明したが、ｎ型の基板１１を用いる場合は、ｐｗｅｌｌ領域を形成し、ｐｗｅｌｌ領域内に上記構成要素を形成することもできる。
【００２６】
図２において、図２（ａ）は固体撮像素子１全体における光電変換領域１２の配置の様子を示す図であり、ここでは９つの光電変換領域１２が配置される場合を例示している。図２（ｂ）は図２（ａ）の位置Ａにおける光電変換領域１２の傾斜方向を示す断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）の位置Ｂにおける光電変換領域１２の傾斜方向を示す断面図、図２（ｄ）は図２（ａ）の位置Ｃにおける光電変換領域１２の傾斜方向を示す断面図である。
【００２７】
上記固体撮像素子１の傾斜方向は、図２に示すように、固体撮像素子１全体における撮像エリアの中心付近は、主に基板１１に対して垂直方向からの入射光が入射されるため、光電変換領域１２の表面と溝底部面が平行に形成される。これに対して、固体撮像素子１全体における周辺領域に形成される各光電変換領域１２は、垂直方向からの入射光より中心方向からの入射光が増加するため、表面側の法線が撮像エリアの中心または中心付近を向くような方向に傾斜して形成される。このように、固体撮像素子１全体における光電変換領域１２の形成領域に応じて、主に入射光が入射する方向である中心方向を向くように光電変換領域１２の表面に傾斜を持たせることにより、各光電変換領域１２の表面に入射する光の入射角が垂直になり、撮像エリアの局所的な最適化を図ることができ、集光改善し、感度、シェーディングを良化することが可能となる。
【００２８】
このとき、上記撮像エリア中央付近の溝底部面と平行な光電変換部１２の表面の傾斜は、フォトマスクとエッチングを用いて表面高さを調節して形成する。
（実施例２）
以下、実施例２として、実施例１における固体撮像素子の製造方法例について、図３〜図６を用いて説明する。
【００２９】
図３，図４は実施例２における固体撮像素子の製造方法を示す工程断面図である。図５は実施例２におけるｎ型層を先に形成する固体撮像素子の製造方法を示す工程断面図である。図６は実施例２の固体撮像素子の製造方法で用いるグレースケールマスクを説明する図であり、図６（ａ）はクレースケールマスクを用いる領域を説明する図、図６（ｂ）はグレースケールマスクを用いてレジスト膜に傾斜を形成する工程を説明する図である。
【００３０】
図３（ａ），図３（ｂ）に示すように、基板１１上に酸化膜もしくは窒化膜からなるハードマスク層８１を形成した後、レジスト膜８２を形成する。上記基板１１には半導体基板として、例えばシリコン基板を用いる。次いでリソグラフィー技術によってレジスト膜８２に開口部８３と傾斜した表面を形成する。本リソグラフィー技術の一例として、図６に示すようなグレースケールマスクを適用する。本マスクの特徴として、ステッパーに備え付けられている光源からの光を透過しない微小なサイズのクロム（遮光性あり）からなるドットをマスクに配置する。その遮光性のあるドットの密度を変化させることで、透過率を変化させることができ、レジスト膜８２に照射されるエッチング光量が変化して図６（ｂ）に示すような傾斜した表面を持つレジスト膜８２を形成することが可能である。図６（ｂ）に示すように石英ガラス９１上に密度の異なるクロム等の膜９２、９３、９４、９５、９６を形成し、その透過率を９２＜９３＜９４＜９５＜９６とする。このレジスト膜８２をエッチングマスクに用いて、ハードマスク層８１、基板１１をエッチングして、図３（ｂ）に示すように、溝５１と、後に光電変換領域１２となる基板表面の傾斜を形成する。光電変換領域１２の表面の傾斜は、レジスト膜８２が転写されることで形成される。上記エッチングは、ドライエッチングにて行う。上記溝５１の深さは、０．０１μｍ以上、後に形成される光電変換領域のｎ型層の最もポテンシャルの深い位置までの深さが必要である。撮像エリア内で、グレースケールマスクを用いる場合の例として、図６（ａ）のように撮像領域の中心付近以外の領域等に用いることで、任意エリアでの傾斜方向の設定が可能となる。その後、ドライエッチングにて除去されなかった領域のレジスト膜８２、ハードマスク層８１を除去する。
【００３１】
次いで、図３（ｃ）に示すように、上記溝５１の内面を含む基板１１表面に転送レジスタおよび読み出しゲートのゲート絶縁膜２１を形成する。
次いで、図３（ｄ）に示すように、既存の不純物ドーピング技術（例えば、イオン注入法）によって、上記溝５１の底部の基板１１にｐ−型層からなる読み出しゲート１５を形成する。さらにｐ＋型層からなる画素分離領域１９を形成する。さらにｐ＋型層であるｐ型層１８とその上層にｎ型層１７を形成して転送レジスタ１６を形成する。さらに、基板１１に光電変換領域１２となるｎ型層１４を形成する。上記各不純物ドーピング技術では、例えばその都度レジストマスクを形成して行う。
【００３２】
以上の説明では、基板１１に溝５１と傾斜を形成した後で光電変換領域１２となるｎ型層１４を形成したが、ｎ型層１４の底部を基板１１表面に対して平行に形成するために、溝５１と傾斜の形成前にｎ型層１４を形成しても良い。図５を用いてこの工程を説明する。
【００３３】
まず、図５（ａ）に示すように、基板１１における光電変換領域１２の形成領域にｎ型層１４を選択的に形成する。
次に、図５（ｂ），図５（ｃ）に示すように、基板１１上に酸化膜もしくは窒化膜からなるハードマスク層８１を形成した後、レジスト膜８２を形成する。次いでリソグラフィー技術によってレジスト膜８２に開口部８３と傾斜した表面を形成する。このレジスト膜８２をエッチングマスクに用いて、ハードマスク層８１、基板１１をエッチングして、図５（ｃ）に示すように、溝５１と、後に光電変換領域１２となる基板表面の傾斜を形成する。光電変換領域１２の表面の傾斜は、レジスト膜８２が転写されることで形成される。上記エッチングは、ドライエッチングにて行う。上記溝５１の深さは、０．０１μｍ以上、光電変換領域１２のｎ型層１４の最もポテンシャルの深い位置までの深さが必要である。
【００３４】
次に、図５（ｄ）に示すように、上記溝５１の内面を含む基板１１表面に転送レジスタおよび読み出しゲートのゲート絶縁膜２１を形成する。その後、既存の不純物ドーピング技術（例えば、イオン注入法）によって、上記溝５１の底部の基板１１にｐ−型層からなる読み出しゲート１５を形成する。さらにｐ＋型層からなる画素分離領域１９を形成する。さらにｐ＋型層であるｐ型層１８とその上層にｎ型層１７を形成して転送レジスタ１６を形成する。以上により、ｎ型層１４底部の形状以外が図３（ｄ）と同じとなる構造が形成される。
【００３５】
図３または図５の工程に次いで、図４（ａ）に示すように、上記溝５１内のゲート絶縁膜２１上に電荷転送電極および読み出し電極となる電極２２を形成する。この電極２２は、例えば、単層構造もしくは、２層構造に形成される。上記電極２２の垂直転送方向に形成された部分は、溝５１内の転送レジスタおよび読み出しゲート１５の少なくとも一部上さらに画素分離領域１９の少なくとも一部上に形成されることが好ましい。
【００３６】
その次に、図４（ｂ）に示すように、不純物ドーピング技術（例えば、イオン注入法）によって、上記ｎ型層１４の上層にホールアキュムレーション層１３（正孔蓄積層）を形成しても良い。この場合、ｎ型層１４およびホールアキュムレーション層１３からなる光電変換領域１２が形成される。この時、電子ノイズ低減として、溝５１の側壁部の基板表面側にもｐ型不純物を注入する。溝５１の側壁部を斜めに形成した場合には、この不純物注入が容易となる。
【００３７】
次いで、図４（ｃ）に示すように、上記電極２２を被覆する層間絶縁膜３１と光電変換領域１２上に反射防止膜２３を形成する。反射防止膜２３としては、窒化酸化物等を用い、屈折率は、層間絶縁膜３１より高く、シリコン基板より低いことが望ましい。次に溝５１と電極２２との隙間を埋め込むように上記層間絶縁膜３１を介して、基板１１上に遮光膜３３を形成する。遮光材料としては、タングステン等の金属材料を用いる。上記層間絶縁膜３１は、光電変換領域１２上の反射防止膜２３と同時に形成してもよい。
【００３８】
上記遮光膜３３は、溝５１と電極２２との隙間の全てもしくは一部を遮光膜３３で埋め込む。その後、リソグラフィー技術とエッチング技術とによって、光電変換領域１２上の遮光膜３３を加工して開口部３４を形成する。
【００３９】
上記製造方法で形成された固体撮像素子は、前記第１実施例で説明したような作用効果が得られる固体撮像素子となる。
以上のように、光電変換領域１２の表面の傾斜を形成する際のマスクとしてグレースケールマスクを用いることで、傾斜方向をグレースケールマスクの透過率により、マスク枚数を増加することなく容易に調整することができる。また、光電変換領域１２の表面の傾斜は、グレースケールマスクを用いることにより、該当部分のレジスト等の表面に形成された傾斜をプラズマエッチング等の手法により、シリコン基板表面に転写することで、溝５１を形成するプロセスと同一にすることが可能である。
【００４０】
以上の固体撮像素子の溝内に、さらに、信号電荷を電圧に変換する浮遊容量と変換後の信号電荷をリセットするトランジスタを設けることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、入射光ケラレとシェーディングの低減化を同時に実現することができ、遮光膜を有するインターレース式または、ＣＭＯＳの固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施例１における固体撮像素子の構成を示す図
【図２】実施例１の固体撮像素子における光電変換領域の配置位置と傾斜方向との関係を説明する図
【図３】実施例２における固体撮像素子の製造方法を示す工程断面図
【図４】実施例２における固体撮像素子の製造方法を示す工程断面図
【図５】実施例２におけるｎ型層を先に形成する固体撮像素子の製造方法を示す工程断面図
【図６】実施例２の固体撮像素子の製造方法で用いるグレースケールマスクを説明する図
【図７】従来の固体撮像素子の構成を示す図
【符号の説明】
【００４３】
１    固体撮像素子
１１    基板
１２    光電変換領域
１３    ホールアキュムレーション層
１４    ｎ型層
１５    読み出しゲート
１６    転送レジスタ
１７    ｎ型層
１８    ｐ型層
１９    画素分離領域
２１    ゲート絶縁膜
２２    電極
２３    反射防止膜
３１    層間絶縁膜
３３    遮光膜
３４    開口部
５１    溝
５２    傾斜
８１    ハードマスク層
８２    レジスト膜
８３    開口部
９１    石英ガラス
９２，９３，９４，９５，９６    膜
１１１    基板
１１２    光電変換領域
１１３    ホールアキュムレーション層
１１４    ｎ型層
１１５    読み出しゲート
１１６    転送レジスタ
１１７    ｎ型層
１１８    ｐ型層
１１９    画素分離領域
１２１    ゲート絶縁膜
１２２    電極
１２３    層間絶縁膜
１３３    遮光膜
１３４    開口部
１５１    溝
【図１】
2010192482.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010192482.tif 000009