(57)【要約】【課題】基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させる。【解決手段】塗布現像処理ユニット１は、平面視において環状に形成された軌道４２と、基板Ｗを保持し、軌道４２上を移動する複数の基板保持部４１と、軌道４２に沿って配置され、基板Ｗに所定の処理を行う複数の処理装置と、基板保持部４１と処理装置との間の基板Ｗの搬送を制御する制御装置１４と、基板保持部４１と処理装置との間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を有している。複数の基板保持部４１は、複数の処理装置の数よりも多く配置されている。制御装置１４は、基板Ｗの処理レシピを格納するレシピ格納部１７０と、処理レシピに基づき基板保持部４１を所定の処理装置へ移動させる基板保持部制御部１７１と、基板保持部４１と所定の処理装置との間で基板の搬送を行うように基板搬送機構を制御する基板搬送機構制御部１７２と、を有している。【選択図】図１
2010192688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理システムであって、
平面視において環状に形成された軌道と、
基板を保持し、前記軌道上を移動する複数の基板保持部と、
前記軌道に沿って配置され、基板に所定の処理を行う複数の処理装置と、
前記基板保持部と前記処理装置との間の基板の搬送を制御する制御装置と、
前記基板保持部と前記処理装置との間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、
を有し、
前記複数の基板保持部は、前記複数の処理装置の数よりも多く配置され、
前記制御装置は、
基板の処理レシピを格納するレシピ格納部と、
前記処理レシピに基づいて、前記基板保持部を所定の処理装置へ移動させる基板保持部制御部と、
前記基板保持部制御部によって移動した前記基板保持部と前記所定の処理装置との間で基板の搬送を行うように前記基板搬送機構を制御する基板搬送機構制御部と、を有することを特徴とする、基板処理システム。
【請求項２】
前記基板搬送機構は、前記処理装置内に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記基板保持部における基板保持面には、所定のガスを上方に噴射する複数のガス噴射口が形成されていることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記基板保持部はリニアモータにより前記軌道上を移動することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記基板保持部は、当該基板保持部の同心円上に設けられ、鉛直方向上向きに延伸する複数の枠部材を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記複数の枠部材は、基板の搬入出側が開口するように配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記基板保持部に保持される基板の上方に設けられ、所定のガスを水平方向に噴射するガスヘッダーを有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記基板搬送機構は、一対のアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部とを備えた搬送アームと、前記一対のアーム部の間隔を調整すると共に、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記基板搬送機構は、基板の外周に適合する形状を有するアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部と、を備えた搬送アームと、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記アーム移動機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させることを特徴とする、請求項８又は９に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記基板搬送機構は、基板を支持して搬送する搬送アームを有し、前記搬送アームは、屈曲自在に連結された複数のアーム部と、先端の前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部と、を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記基板搬送機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させるアーム移動機構を有することを特徴とする、請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記基板搬送機構は、前記搬送アームを複数有することを特徴とする、請求項８〜１２のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記複数の処理装置は、前記処理レシピにおける基板の処理順に配置されていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１５】
前記複数の処理装置は、基板に所定の液体を供給して処理を行う複数の液処理装置と、基板に所定の温度で熱処理を行う複数の熱処理装置とを有し、
前記複数の液処理装置は、少なくとも水平方向に並んで配置された液処理装置群を形成し、
前記複数の熱処理装置は、少なくとも水平方向に並んで配置された熱処理装置群を形成し、
前記液処理装置群と前記熱処理装置群は、前記軌道に沿って配置されていることを特徴とする、請求項１〜１３に記載の基板処理システム。
【請求項１６】
前記軌道に沿って配置された各処理装置は、鉛直方向に多段にそれぞれ設けられ、
前記複数の基板保持部及び前記軌道は、前記鉛直方向に多段に設けられた処理装置に対応する高さに多段にそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の基板処理システム用いて、基板を処理する方法であって、
前記処理レシピに基づいて、基板を保持している基板保持部を所定の処理装置に移動させる工程と、
前記基板搬送機構によって前記基板保持部から前記所定の処理装置に基板を搬送する工程と、
前記所定の処理装置において、基板に所定の処理を施す工程と、
前記所定の処理装置から最短距離に位置し且つ基板を保持していない他の基板保持部を選択し、当該他の基板保持部を前記所定の処理装置へ移動させる工程と、
前記基板搬送機構によって前記所定の処理装置から前記他の基板保持部に基板を搬送する工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１６の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１９】
請求項１７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の処理システム、基板の処理方法、プロラム及びコンピュータに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の各種処理が行われている。
【０００３】
これらの一連の処理は、通常、塗布現像処理システムを用いて行われる。塗布現像処理システムは、例えばカセット単位でウェハを搬入出するためのカセットステーションと、各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ステーションと、隣接する露光装置と処理ステーションとの間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション等を有している。
【０００４】
処理ステーションには、基板を搬送する搬送装置と、搬送装置の周囲に設けられ、複数の処理装置が鉛直方向に多段に配置された処理装置群と、が設けられている。搬送装置には、ウェハを保持して搬送する１基のウェハ搬送体が設けられ、ウェハ搬送体は、鉛直方向及び水平方向に移動可能であると共に、回転できるように構成されている。そして、ウェハ搬送体は、ウェハを各処理装置に搬送することができる（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１８９３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、この塗布現像処理システムを用いて基板に一連の処理を行う場合、基板処理のスループットを向上させるために、各処理装置への基板の搬送を効率よく行うことが要求されている。
【０００７】
しかしながら、従来のように１基の基板搬送体のみを有する搬送装置を用いた場合、各処理装置への基板の搬送効率が悪い場合がある。例えば複数の処理装置で基板の処理が同時に終了すると、処理装置では搬送装置による基板の搬出を待たなければならい。しかも、基板搬送体の動作を高速化するにも技術的な限界がある。したがって、基板処理のスループットを向上させるには至らなかった。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するための本発明は、基板の処理システムであって、平面視で環状に形成された軌道と、基板を保持し、前記軌道上を移動する複数の基板保持部と、前記軌道に沿って配置され、基板に所定の処理を行う複数の処理装置と、前記基板保持部と前記処理装置との間の基板の搬送を制御する制御装置と、前記基板保持部と前記処理装置との間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を有し、前記複数の基板保持部は、前記複数の処理装置の数よりも多く配置され、前記制御装置は、基板の処理レシピを格納するレシピ格納部と、前記レシピに基づいて処理装置での処理を行った基板を保持させる基板保持部の中から、当該基板処理装置から最短距離に位置し且つ基板を保持していない基板保持部を選択し当該処理装置へ移動させると共に、前記基板搬送機構により当該処理装置から基板を搬出させる指示信号を出力する移動指示部と、前記レシピ格納部のレシピに基づいて、基板を保持している基板保持部を所定の処理装置へ移動させると共に、前記基板搬送機構により当該処理装置へ基板を搬入させる指示信号を出力する搬送指示部と、を備えていることを特徴としている。なお、処理レシピに基づいて基板保持部を所定の処理装置へ移動させるとは、例えば、処理装置での処理が終了した基板を当該処理装置から受け取るために処理装置まで移動する場合と、処理装置での処理が終了した基板を受け取った後に当該基板を保持した状態で次の処理装置まで移動する場合の両方を指す。
【００１０】
本発明によれば、基板保持部は処理装置の数より多く設けられ、軌道上には基板を保持していない基板保持部が常に存在するので、制御装置は、例えば所定の処理装置で処理を施された基板を基板保持部に受け渡す際に、当該基板を保持していない基板保持部の中から基板の受け渡す際の待ち時間が最短となるような基板保持部の選択を行い、当該所定の処理装置へ移動させることができる。したがって、処理装置で所定の処理が施された基板は、各処理装置から基板保持部への受け渡しを迅速に行うことができる。また、複数の処理装置で基板の処理が同時に終了したような場合でも軌道上には基板を保持していない基板保持部が常に存在するため、従来のような、処理装置での基板の搬送待ちが発生せず、基板を効率よく搬送することができる。この結果、基板処理システムのスループットを向上させることができる。
【００１１】
前記基板搬送機構は、前記処理装置内に配置されていてもよい。
【００１２】
前記基板保持部における基板保持面には、所定のガスを上方に噴射する複数のガス噴射口が形成されていてもよく、前記基板保持部はリニアモータにより前記軌道上を移動してもよい。
【００１３】
また、前記基板保持部は、当該基板保持部の同心円上に設けられ、鉛直方向上向きに延伸する複数の枠部材を有していてもよく、前記複数の枠部材は、基板の搬入出側が開口するように配置されていてもよい。さらには、前記基板保持部に保持される基板の上方に設けられ、所定のガスを水平方向に噴射するガスヘッダーを有していてもよい。
【００１４】
前記基板搬送機構は、一対のアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部とを備えた搬送アームと、前記一対のアーム部の間隔を調整すると共に、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有していてもよい。
【００１５】
また、前記基板搬送機構は、基板の外周に適合する形状を有するアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部と、を備えた搬送アームと、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有していてもよく、前記アーム移動機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させてもよい。
【００１６】
さらには、前記基板搬送機構は、基板を支持して搬送する搬送アームを有し、前記搬送アームは、屈曲自在に連結された複数のアーム部と、先端の前記アーム部に設けられ、基板を支持する支持部と、を有していてもよく、前記基板搬送機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させるアーム移動機構を有していてもよい。
【００１７】
また、前記基板搬送機構は、前記搬送アームを複数有していてもよい、
【００１８】
前記複数の処理装置は、前記処理レシピにおける基板の処理順に配置されていてもよく、前記複数の処理装置は、基板に所定の液体を供給して処理を行う複数の液処理装置と、基板に所定の温度で熱処理を行う複数の熱処理装置とを有し、
前記複数の液処理装置は、少なくとも水平方向に並んで配置された液処理装置群を形成し、前記複数の熱処理装置は、少なくとも水平方向に並んで配置された熱処理装置群を形成し、前記液処理装置群と前記熱処理装置群は、前記軌道に沿って配置されていてもよい。
【００１９】
前記軌道に沿って配置された各処理装置は、鉛直方向に多段にそれぞれ設けられ、前記複数の基板保持部及び前記軌道は、前記鉛直方向に多段に設けられた処理装置に対応する高さに多段にそれぞれ設けられていてもよい。
【００２０】
別な観点による本発明は、前記基板処理システムを用いて基板を処理する方法であって、前記処理レシピに基づいて、基板を保持している基板保持部を所定の処理装置に移動させる工程と、前記基板搬送機構によって前記基板保持部から前記所定の処理装置に基板を搬送する工程と、前記所定の処理装置において、基板に所定の処理を施す工程と、前記所定の処理装置から最短距離に位置し且つ基板を保持していない他の基板保持部を選択し、当該他の基板保持部を前記所定の処理装置へ移動させる工程と、前記基板搬送機構によって前記所定の処理装置から前記他の基板保持部に基板を搬送する工程と、を有することを特徴としている。
【００２１】
また、別な観点による本発明は、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムであってもよく、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記録媒体であってもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システム内部構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる塗布現像処理システム内部構成の概略を示す側面図である。
【図３】本実施の形態にかかる塗布現像処理システム内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】本実施の形態にかかる塗布現像処理システム内部構成の概略を示す側面図である。
【図５】基板保持部の構成の概略を示す平面図である。
【図６】基板保持部の構成の概略を示す側面図である。
【図７】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図８】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】レジスト塗布装置の基板搬送機構が基板を搬送する様子を示す説明図である。
【図１０】熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図１１】熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】基板処理の各工程を示したフローチャートである。
【図１３】他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図１４】他の実施の形態にかかる熱処理装置の構成の概略を示す説明図である。
【図１５】他の実施の形態にかかる熱処理装置の構成の概略を示す説明図である。
【図１６】他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図１７】他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を示す側面図である。
【図１８】他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図１９】他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２０】他の実施の形態にかかる熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図２１】他の実施の形態にかかる熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す平面図である。また、図２及び図３は、塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す側面図である。
【００２５】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間でカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３と、塗布現像処理システム内での基板Ｗの処理を制御する制御装置１４を一体に接続した構成を有している。なお、本実施の形態において基板Ｗは、例えば半導体ウェハである。
【００２６】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、複数、例えば５つのカセット載置板２１が設けられている。カセット載置板２１は、水平方向のＸ方向（図１中の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板２１には、塗布現像処理システム１の外部に対してカセットを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
【００２７】
カセットステーション１０には、Ｘ方向に延びる搬送路３０上を移動自在な基板搬送体３１が設けられている。基板搬送体３１は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。基板搬送体３１は、例えば搬送アームに基板Ｗを支持して、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する、カセットステーション１０に隣接した処理ステーション１１の基板搬送装置４０との間で基板の受け渡しを行うことができる。
【００２８】
処理ステーション１１には、各種の処理装置を備えた、例えば８つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ８が設けられている。例えば処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第１の処理装置群Ｇ１〜第６の処理装置群Ｇ６が設けられ、処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第６の処理装置群Ｇ６〜第８の処理装置群Ｇ８が設けられている。
【００２９】
図１に示すように第１の処理装置群Ｇ１〜第６の処理装置群Ｇ６及び第７の処理装置群Ｇ７〜第９の処理装置群Ｇ９に挟まれた領域には、基板搬送領域Ａが形成されている。基板搬送領域Ａには、基板搬送装置４０が配置されている。
【００３０】
第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３、第６の処理装置群Ｇ６、第７の処理装置群Ｇ７、及び第９の処理装置群Ｇ９には、例えば図２及び図３に示すように、基板Ｗの熱処理を行う熱処理装置５０〜５４が、鉛直方向にそれぞれ４段重ねて設けられている。
【００３１】
第２の処理装置群Ｇ２には、図２に示すように基板Ｗのレジスト膜の下層に反射防止膜を形成する反射防止膜形成装置６０が、鉛直方向に４段重ねて設けられている。
【００３２】
第４の処理装置群Ｇ４には、基板Ｗを疎水化処理するアドヒージョン装置６１が、鉛直方向に４段重ねて設けられている。
【００３３】
第５の処理装置群Ｇ５には、基板Ｗにレジスト液を塗布して基板Ｗ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置６２が、鉛直方向に４段重ねて設けられている。
【００３４】
第８の処理装置群Ｇ８には、図３に示すように基板Ｗに現像液を供給して現像処理する現像処理装置６３が、鉛直方向に４段重ねて設けられている。
【００３５】
基板搬送装置４０は、例えば基板Ｗを水平に保持する複数の基板保持部４１と、平面視において環状に設けられた軌道４２を有している。基板保持部４１は、軌道４２上を移動可能になっている。基板搬送装置４０は、例えば図４に示すように鉛直方向に例えば４段配置され、例えば各第１の処理装置群Ｇ１〜第９の処理装置群Ｇ９に積層された各処理装置と同じ高さに配置されている。
【００３６】
インターフェイスステーション１３には、図１に示すように基板搬送体７０、受け渡し装置７１及び基板Ｗの外周部を露光する周辺露光装置７２が設けられている。基板搬送体７０は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。基板搬送体７０は、例えば搬送アームに基板Ｗを支持して、インターフェイスステーション１３に隣接した露光装置１２と、受け渡し装置７１、周辺露光装置７２及び基板搬送装置４０との間で基板Ｗを搬送できる。
【００３７】
次に、処理ステーション１１の基板搬送装置４０の構成について説明する。
【００３８】
基板搬送装置４０の基板保持部４１は、図１に示すように各基板処理装置で同時に処理可能な基板枚数よりも多い台数が設置されている。本実施の形態においては、例えば第１の処理装置群Ｇ１〜第９の処理装置群Ｇ９の各同一平面上に９台の処理装置が設けられ、同時に処理可能な基板の枚数は９枚となっている。そして、基板保持部４１は、例えば１２台設けられている。なお、基板保持部４１の数は本実施の形態に限定されず、基板処理装置の台数より多い台数であれば、任意に設定することができる。
【００３９】
基板保持部４１は、例えば図５に示すように、平面視で略円状に形成された本体部４１ａを有している。本体部４１ａその上面には、窒素ガスや空気等のガスを噴射するための複数のガス噴射口８０が形成されている。ガス噴射口８０は、基板Ｗの裏面に均一にガスを噴射できる位置に配置されている。基板保持部４１の内部には、図６に示すようにガス噴射口８０に連通し、図示しないガス供給源からのガスをガス噴射口８０に供給するガス供給管８０ａが設けられている。このため、基板保持部４１はガス噴射口８０から噴射されるガスによって、基板Ｗを水平姿勢で基板保持部４１の表面から所定の距離浮いた状態とすることができるようになっている。
【００４０】
本体部４１ａ上には、鉛直方向に延伸する枠部材８１と、枠部材８１に設けられ、当該枠部材８１の内側に突出して設けられた円環状のガスヘッダー８２とが設けられている。枠部材８１は、基板保持部４１へ基板を受け渡す際に干渉しない位置、例えば図５に示すように基板Ｗの搬入出側が開口するように基板保持部４１の同心円上に等間隔で半円状に３本設けられ、基板Ｗが基板保持部４１から脱落することを防止している。ガスヘッダー８２にはガスを水平方向内側に噴射するための複数のガス噴射口（図示せず）が所定の位置に形成されている。基板保持部４１に保持される基板Ｗは、図６に示すようにガス噴射口から噴射されるガスによって形成される、いわゆるエアカーテンによって基板Ｗの浮き上がりを防止している。このような構成により、基板保持部４１は、枠部材８１の側面の開口部分から基板Ｗを搬入して保持することができる。なお、枠部材８１の数及び配置は本実施の形態の内容に限定されるものではなく、基板保持部４１での基板Ｗの受け渡し時に基板Ｗと干渉しない配置であれば、任意の位置に設けてもよい。
【００４１】
基板保持部４１の下面には、図６に示すように駆動部（図示せず）などを内蔵した基板保持部搬送機構９０が設けられている。基板保持部搬送機構９０は、図１に示した軌道４２上に取り付けられている。基板保持部４１は、この基板保持部搬送機構９０によって軌道４２上を移動自在となっている。基板保持部４１は、通常は軌道４２上を、例えば時計回りに周回しながら、第１の処理装置群Ｇ１〜第９の処理装置群Ｇ９、及び基板搬送体３１、７０に対して基板Ｗの搬送を行っている。なお、軌道４２の形状は、処理装置の台数や種類に応じて任意に設定可能であり、例えば円環状等であってもよい。また、基板保持部搬送機構９０の駆動部としては、動作時の騒音が小さく、駆動部の摩擦によるパーティクルの発生の恐れの少ない、リニアモータを用いることが好ましい。
【００４２】
次に、レジスト塗布装置６２の構成について説明する。図７は、レジスト塗布装置６２の構成の概略を示す横断面図であり、図８は、レジスト塗布装置６２の構成の概略を示す縦断面図である。
【００４３】
レジスト塗布装置６２は、図７に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の基板搬送装置４１に対向する面には、基板Ｗの搬入出口１０１が形成されている。
【００４４】
処理容器１００内には、図８に示すように基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック１０２が設けられている。スピンチャック１０２は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、基板Ｗをスピンチャック１０２上に吸着保持できる。
【００４５】
スピンチャック１０２は、例えばモータ（図示せず）などを内蔵した駆動機構１０３を有し、この駆動機構１０３によって所定の速度に回転できる。また、駆動機構１０３には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１０２は上下動可能である。
【００４６】
スピンチャック１０２の周囲には、基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１０４が設けられている。カップ１０４の下面には、回収した液体を排出する排出管１０５と、カップ１０４内の雰囲気を排気する排気管１０６が接続されている。
【００４７】
図７に示すようにカップ１０４のＸ方向負方向（図７の下方向）側には、Ｙ方向（図７の左右方向）に沿って延伸するレール１１０が形成されている。レール１１０は、例えばカップ１０４のＹ方向負方向（図７の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図７の右方向）側の外方まで形成されている。レール１１０には、アーム１１１が取り付けられている。
【００４８】
アーム１１１には、レジスト液を吐出する塗布ノズル１１２が支持されている。アーム１１１は、ノズル駆動部１１３により、レール１１０上を移動自在である。また、アーム１１１は、ノズル駆動部１１３によって昇降自在であり、塗布ノズル１１２の高さを調節できる。
【００４９】
処理容器１００内のスピンチャック１０２の上方には、図８に示すように基板搬送機構１２０が設けられている。基板搬送機構１２０は、基板Ｗを保持して搬送する搬送アーム１２１を有している。搬送アーム１２１は、図７に示すように基板Ｗの搬送方向Ｄ（図７中のＸ方向）に延伸する一対のアーム部１２２、１２２と、各アーム部１２２を支持し、基板Ｗの搬送方向Ｄと直角方向（図７中のＹ方向）に延伸する連結部１２３とを有している。各アーム部１２２の上面には、基板Ｗの裏面を吸着して水平に支持する支持部としての吸着パッド１２４が設けられている。
【００５０】
搬送アーム１２１には、図８に示すように例えばモータ（図示せず）などを内蔵したアーム移動機構１２５が設けられている。アーム移動機構１２５は、連結部１２３を基板Ｗの搬送方向Ｄと直角方向に移動させて、一対のアーム部１２２、１２２の間隔を調整することができる。また、アーム移動機構１２５は、搬送アーム１２１を鉛直方向に移動させることもできる。このように搬送アーム１２１が上下動することによって、搬送アーム１２１は、スピンチャック１０２に基板Ｗを受け渡すと共に、スピンチャック１０２から基板Ｗを受け取ることができる。
【００５１】
処理容器１００の内側面には、図７に示すように基板Ｗの搬送方向Ｄに延伸する一対のレール１２６、１２６が設けられている。アーム移動機構１２５は、図８に示すようにレール１２６に取り付けられ、レール１２６に沿って移動可能になっている。そしてこのアーム移動機構１２５によって、搬送アーム１２１は、図９に示すように基板Ｗを保持した状態で、基板搬送装置４０とレジスト塗布装置６２との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００５２】
なお、反射防止膜形成装置６０、現像処理装置６３も、上述したレジスト塗布装置６２と同様の構成を有し、基板搬送機構１２０を備えている。さらに、アドヒージョン装置６１も同様に、基板搬送機構１２０を備えている。
【００５３】
次に、熱処理装置５０〜５３の構成について説明する。図１０は、熱処理装置５０の構成の概略を示す横断面図であり、図１１は、熱処理装置５０の構成の概略を示す縦断面図である。
【００５４】
熱処理装置５０内には、図１０に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１３０を有している。処理容器１３０の基板保持部４１に対向する側面には、基板Ｗの搬入出口１３１が形成されている。また、熱処理装置５０は、図１１に示すように処理容器１３０内に、基板Ｗを加熱処理する加熱部１３２と、基板Ｗを冷却処理する冷却部１３３を備えている。
【００５５】
加熱部１３２には、基板Ｗを載置して加熱する熱板１４０が設けられている。熱板１４０は、厚みのある略円盤形状を有している。熱板１４０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、基板Ｗを熱板１４０上に吸着保持できる。
【００５６】
熱板１４０の内部には、給電により発熱するヒータ１４１が取り付けられている。このヒータ１４１の発熱により熱板１４０を所定の設定温度に調節できる。
【００５７】
熱板１４０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔１４２が形成されている。貫通孔１４２には、昇降ピン１４３が設けられている。昇降ピン１４３は、シリンダなどの昇降駆動機構１４４によって上下動できる。昇降ピン１４３は、貫通孔１４２内を挿通して熱板１４０の上面に突出し、基板Ｗを支持して昇降できる。
【００５８】
熱板１４０には、当該熱板１４０の外周部を保持する環状の保持部材１４５が設けられている。保持部材１４５には、当該保持部材１４５の外周を囲み、昇降ピン１４３を収容する筒状のサポートリング１４６が設けられている。
【００５９】
加熱部１３２に隣接する冷却部１３３には、基板Ｗを載置して冷却する冷却板１５０が設けられている。冷却板１５０は、厚みのある略円盤形状を有している。冷却板１５０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、基板Ｗを冷却板１５０上に吸着保持できる。
【００６０】
冷却板１５０の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材（図示せず）が内蔵されており、冷却板１５０を所定の設定温度に調整できる。
【００６１】
冷却部１３３のその他の構成は、加熱部１３２と同様の構成を有している。すなわち、冷却板１５０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔１５１が形成されている。貫通孔１５１には、昇降ピン１５２が設けられている。昇降ピン１５２は、シリンダなどの昇降駆動機構１５３によって上下動できる。昇降ピン１５２は、貫通孔１５１内を挿通して冷却板１５０の上面に突出し、基板Ｗを支持して昇降できる。
【００６２】
冷却板１５０には、当該冷却板１５０の外周部を保持する環状の保持部材１５４が設けられている。保持部材１５４には、当該保持部材１５４の外周を囲み、昇降ピン１５２を収容する筒状のサポートリング１５５が設けられている。
【００６３】
熱板１４０と冷却板１５０の上方には、基板搬送機構１６０が設けられている。基板搬送機構１６０は、図１０に示すように基板Ｗの外周部を保持して搬送する搬送アーム１６１を有している。搬送アーム１６１は、基板Ｗの外周に適合する形状、例えば略３／４円環状に構成されたアーム部１６２と、このアーム部１６２と一体に形成され、かつアーム部１６２を支持するための連結部１６３とを有している。アーム部１６２には、基板Ｗの外周部を直接支持する支持部１６４が例えば３箇所設けられている。支持部１６４はアーム部１６２の内円周に等間隔に設けられ、アーム部１６２の内側に突出している。
【００６４】
搬送アーム１６１には、図１１に示すように例えばモータ（図示せず）などを内蔵したアーム移動機構１６５が設けられている。アーム移動機構１６５は、搬送アーム１６１を支持し、鉛直方向に延伸する鉛直移動部１６６と、鉛直移動部１６６を支持し、基板Ｗの搬送方向Ｄと直角方向（図１０中のＹ方向）に延伸する水平移動部１６７とを有している。この鉛直移動部１６６によって、搬送アーム１６１は鉛直方向に移動することができる。このように搬送アーム１６１が上下動することによって、搬送アーム１６１は、昇降ピン１４３、１５２に基板Ｗを受け渡すと共に、昇降ピン１４３、１５２から基板Ｗを受け取ることができる。
【００６５】
処理容器１３０の内側面には、図１０に示すように基板Ｗの搬送方向Ｄ（図１０中のＸ方向）に延伸する一対のレール１６８、１６８が設けられている。アーム移動機構１６５の水平移動部１６７は、レール１６８に取り付けられ、レール１６８に沿って移動可能になっている。このアーム移動機構１６５によって、搬送アーム１６１は、基板Ｗを加熱部１３２と冷却部１３３との間を搬送することができる。また、搬送アーム１６１は、基板Ｗを保持した状態で、第１のバッファ装置４１と熱処理装置５６との間で基板Ｗを搬送することができる。
【００６６】
なお、熱処理装置５１〜５４の構成については、上述した熱処理装置５０と同様であるので説明を省略する。
【００６７】
次に、塗布現像処理システム１内の基板処理の制御を行う、制御装置１４について説明する。制御装置１４は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。制御装置１４は、例えば基板Ｗの処理レシピに基づいて、各種処理装置や基板搬送装置４０に指示信号を出力し、各種処理装置や基板搬送装置４０はその指示信号に基づいて、カセットＣ内の各ロットの基板Ｗの処理を実行する。
【００６８】
制御装置１４は、基板Ｗの処理レシピを格納するとともに当該処理レシピの進行状況を監視するレシピ格納部１７０と、レシピ格納部１７０の処理レシピに基づいて、基板保持部４１を所定の処理装置及び基板搬送体３１、７０へ移動させる制御を行う基板保持部制御部１７１と、基板保持部制御部１７１によって移動した基板保持部４１と当該所定の処理装置及び基板搬送体３１、７０との間で基板を搬送する制御を行う基板搬送機構制御部１７２とを有している。
【００６９】
制御装置１４による、基板搬送装置４０の制御について詳述する。先ず、カセット載置板２１に載置されたカセットＣの基板Ｗを基板搬送体３１により基板搬送装置４０へ受け渡す際には、時計回りで軌道４２上を周回している基板保持部４１の中から、基板保持部制御部１７１が、基板Ｗを保持しておらず且つ基板搬送体３１から最短距離、すなわち基板搬送体３１の正面に最も早く到着する基板保持部４１を選択する。次いで、基板保持部制御部１７１が当該基板保持部４１に対して基板搬送体３１の正面に移動させる指示信号を出力する。選択された基板保持部４１は、基板搬送体３１の正面に移動し、一旦停止する。その後、基板搬送機構制御部１７２は、基板搬送体３１に対して、基板Ｗを基板保持部４１へ搬送する指示信号を出力する。基板搬送体３１から基板保持部４１へ基板Ｗが搬送されると、基板保持部制御部１７１はその基板Ｗの処理レシピに基づき、当該基板保持部４１の行き先を所定の処理装置として、例えば熱処理装置５０に設定する。それと共に、基板搬送機構制御部１７２は、熱処理装置５０の基板搬送機構１６０に対して、当該基板保持部４１、すなわち熱処理装置５０が行き先として指定されている基板保持部４１上の基板Ｗを熱処理装置５０に搬入する指示信号を出力する。基板保持部制御部１７１により行き先を設定された基板保持部４１は、設定に従い熱処置装置５０の正面に移動した後、一旦停止する。その後、基板搬送機構１６０は、基板保持部４１から基板Ｗを受け取り熱処理装置５０に搬入し、熱処理装置５０内で当該基板Ｗの処理レシピに従い熱処理を行う。
【００７０】
熱処理装置５０での熱処理が終了すると、レシピ格納部１７０内の当該基板Ｗの処理レシピに、処理レシピの進行状況、例えば熱処理終了の情報が記録される。熱処理終了の情報が処理レシピに記録されると、基板搬送機構制御部１７２は基板搬送機構１６０に対して基板Ｗを基板保持部４１に搬送するよう指示信号を出力する。それと共に、基板保持部制御部１７１は、熱処理終了の情報が記録された処理レシピを確認することで、熱処理装置５０から基板Ｗが搬出されることを認識し、軌道４２上を周回している基板保持部４１の中から、基板Ｗを保持しておらず且つ熱処理装置５０から最短距離、すなわち熱処理装置５０の正面に最も早く到着する基板保持部４１を選択し、当該基板保持部４１を熱処理装置５０の正面で一旦停止させる指示信号を出力する。そして、基板保持部制御部１７１の指示に従い、処理装置５０の正面で停止した基板保持部４１に、基板搬送機構１６０によって、熱処理済みの基板Ｗが搬送される。その後、基板保持部制御部１７１は、その基板Ｗの処理レシピの進行状況に基づき、基板保持部４１の次の行き先となる処理装置を設定する。そして、制御装置１４は上述の制御を、その基板Ｗの処理レシピによる処理が終了するまで行う。
【００７１】
なお、例えば、行き先を指定された基板保持部４１が指定された処理装置に移動した際に、当該処理装置で他の基板Ｗの処理が実行されており、当該基板保持部４１の基板Ｗを指定された処理装置に搬入できない場合がある。そのような場合、当該基板保持部４１は、制御装置１４により、例えば指定された処理装置を一旦通り過ぎ、軌道４２上を時計回りに周回した後、再度当該処理装置まで移動するように制御される。また、制御装置１４は、上述の制御を、基板搬送装置４０で搬送される複数の基板Ｗに対して並行して行う。
【００７２】
したがって、本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１においては、各処理装置に基板Ｗを搬送する基板保持部４１と、処理終了時に基板Ｗが受け渡される基板保持部４１を変えることができる。すなわち、各処理装置と基板保持部４１との間の基板Ｗの受け渡しにおいて、任意の基板保持部４１を設定することができる。
【００７３】
また、制御装置１４は、カセットＣの基板Ｗを基板搬送装置４０に対して、各処理装置で処理可能な枚数を超えて搬送しないように基板搬送体３１の制御を行う。これにより、基板搬送装置４０には、基板Ｗを保持していない基板保持部４１が常に存在することになる。したがって、各処理装置から搬出される処理済みの基板Ｗの行き先が常に確保される。このため、例えば他の処理装置において基板Ｗの搬入出を行っている場合においても、他の処理装置での基板Ｗの搬入出を待つことなく基板搬送装置４０と処理装置の間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００７４】
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１は以上のように構成されている。次に、この塗布処理システム１で行われる基板Ｗの処理について説明する。図１２は、かかる基板処理の主な工程を示すフローチャートである。
【００７５】
先ず、カセットステーション１０のカセット載置板２１にカセットＣが載置されると、基板搬送機構制御部１７２の指示により、カセットＣ内の基板Ｗが基板搬送体３１によって取り出され、基板保持部制御部１７１により選択された基板保持部４１に受け渡される。
【００７６】
基板Ｗを保持した基板保持部４１は、当該基板Ｗの処理レシピに基づき最初の処理装置である、例えば熱処理装置５０の搬入出口１３１に対応する位置で停止する。次いで、熱処理装置５０の基板搬送機構１６０によって当該熱処理装置５０に搬送され、温度調節される（図１２の工程Ｓ１）。
【００７７】
この際、基板搬送機構制御部１７２の指示により、カセットＣ１内からは順次基板Ｗが基板保持部４１に搬送され、各基板保持部４１は軌道上を時計回りに周回している。このため、熱処理装置５０に搬入された基板Ｗを搬送してきた基板保持部４１は、既に熱処理装置５０の搬入出口１３１に対応する位置には存在していない。したがって、基板保持部制御部１７１は熱処理装置５０での熱処理終了に伴い、基板Ｗを保持していない基板保持部４１の中から、熱処理装置５０の搬入出口１３１に最も早く到着するものを選択し、当該搬入出口１３１の正面に移動させる。その後、温度調節後の基板Ｗを、基板搬送機構１６０によって基板保持部４１に受け渡す。それと共に、基板保持部制御部１７１は、処理レシピに基づき当該基板保持部４１の次の行き先を指定する。なお、制御装置１４は基板搬送機構制御部１７２に対して、塗布現像処理システム１内の各処理装置で処理可能な基板Ｗの枚数を超えて基板Ｗを塗布現像処理システム１に搬入しないように制御を行っている。この場合、基板保持部４１は塗布現像処理システム１が同時に処理可能な基板枚数よりも多い台数が設けられているので、基板を保持していない基板保持部４１が常に所定の台数確保された状態が維持される。
【００７８】
行き先を指定された基板保持部４１は、軌道４２上を時計回りに移動し、次の処理装置である反射防止膜形成装置６０の搬入出口１０１に対応する位置で停止する。次いで、基板Ｗは基板搬送機構１２０によって当該反射防止膜形成装置６０に搬送され、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される（図１２の工程Ｓ２）。反射防止膜形成後、基板Ｗは、基板搬送機構１２０によって基板保持部制御部１７１に選択された基板保持部４１に受け渡される。それと共に、基板保持部制御部１７１は、当該基板保持部４１の次の行き先として熱処理装置５１を指定する。なお、例えば行き先を熱処理装置５１として指定された基板保持部４１が熱処理装置５１に移動した際に、当該熱処理装置５１で他の基板Ｗの処理が実行されており、当該基板保持部４１の基板Ｗを指定された処理装置に搬入できない場合は、当該基板保持部４１は、熱処理装置５１を一旦通り過ぎ、軌道４２上を時計回りに周回した後、再度当該処理装置まで移動するように制御される。
【００７９】
熱処理装置５１の搬入出口１３１の正面に移動した基板Ｗは、基板搬送機構１６０によって当該熱処理装置５１に搬送され、温度調節される。温度調節後、基板Ｗは、基板搬送機構１６０によって基板保持部４１に戻されると共に、基板保持部４１の次の行き先として指定されたアドヒージョン装置５１に移動する。
【００８０】
その後、基板Ｗは、アドヒージョン装置６１の基板搬送機構１２０によって当該アドヒージョン装置６１に搬送され、疎水化処理される（図１２の工程Ｓ３）。疎水化処理後、基板Ｗは、基板搬送機構１２０によって基板保持部制御部１７１に選択された基板保持部４１に戻され、基板保持部の次の行き先として指定されたレジスト塗布装置６２に移動する。
【００８１】
その後、基板Ｗは、レジスト塗布装置６２の基板搬送機構１２０によって当該レジスト塗布装置６２に搬送され、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される（図１２の工程Ｓ４）。レジスト膜形成後、基板Ｗは、基板搬送機構１２０によって基板保持部制御部１７１に選択された基板保持部４１に戻され、基板保持部４１の次の行き先として指定された熱処理装置５２にて熱処理が施される。その後、基板保持部制御部１７１に選択された基板保持部４１に戻され、基板保持部４１の次の行き先として指定された基板搬送体７０の正面に移動する。
【００８２】
その後、基板Ｗは、基板搬送機構制御部１７２の指示により、基板搬送体７０によって周辺露光装置７２に搬送され、周辺露光処理される（図１２の工程Ｓ５）。その後、基板Ｗは、基板搬送体７０によって露光装置１２に搬送され、露光処理される（図１２の工程Ｓ６）。
【００８３】
その後、基板Ｗは、基板搬送体７０により露光装置１２から搬出され、基板保持部制御部１７１により選択された基板保持部４１に受け渡される。そして、基板保持部４１は次の行き先として指定された熱処理装置５２に移動する。
【００８４】
その後、基板Ｗは、熱処理装置５２の基板搬送機構１６０によって当該熱処理装置５２に搬送され、露光後ベーク処理される（図１２の工程Ｓ７）。露光後ベーク処理された基板Ｗは、熱処理装置５２の基板搬送機構１６０によって基板保持部制御部１７１に選択された基板保持部４１に戻され、基板保持部４１の次の行き先として指定された現像処理装置６３に移動する。
【００８５】
その後、基板Ｗは、現像処理装置６３の基板搬送機構１２０によって現像処理装置６３に搬送され、現像される（図１２の工程Ｓ８）。現像処理後、基板Ｗは、
基板搬送機構１２０によって基板保持部制御部１７１に選択された基板保持部４１に戻され、基板保持部４１の次の行き先として指定された熱処理装置５３に移動する。
【００８６】
その後、基板Ｗは、熱処理装置５３の搬送機構１６０によって当該熱処理装置５３に搬送されて、ポストベーク処理される（図１２の工程Ｓ９）。ポストベーク処理後、基板Ｗは、基板搬送機構１２０によって基板保持部制御部１７１に選択された基板保持部４１に戻され、基板保持部４１の次の行き先として指定された基板搬送体３１に対応する位置に移動する。
【００８７】
その後、基板Ｗは、基板搬送体３１によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００８８】
以上の実施の形態によれば、基板保持部４１に基板Ｗを受け渡す際に、基板保持部制御部１７１が基板Ｗの受け渡す際の待ち時間が最短となるような基板保持部４１の選択を行うことができる。その際、基板保持部４１が処理装置の数より多く設けられ、且つ基板搬送装置４０には処理装置の数以上の基板Ｗが搬送されないよう制御を行うため、基板搬送装置４０には基板Ｗを保持していない基板保持部４１が常に存在する。したがって、複数の処理装置で基板の処理が同時に終了したような場合でも、各処理装置の搬送機構によって、各処理装置から基板保持部４１への受け渡しを迅速に行うことができる。また、各処理装置は基板Ｗの処理レシピの順序で、軌道４２に沿って配置されているので、各処理装置から基板保持部４１に受け渡された基板Ｗを次の処理装置に搬送する際、基板保持部４１の移動距離は最小限に抑えられている。この結果、従来のような、処理装置での基板の搬送待ちが発生せず、且つ基板を効率よく搬送することができるので、塗布現像処理システム１のスループットを向上させることができる。
【００８９】
また、基板保持部４１は、基板Ｗと接触することなく基板Ｗを保持することができるので、基板搬送の際に基板Ｗの裏面へパーティクルが付着することを防止できる。
【００９０】
さらには、基板搬送装置４０の基板保持部４１をリニアモータにより搬送しており、基板保持部搬送機構９０と軌道４２の駆動部は非接触であるため、基板保持部搬送機構９０及び軌道４２に磨耗が発生することがない。このため、基板搬送装置４０から駆動部の磨耗よりゴミが発生することを防止できると共に、基板搬送時の騒音を低減することができる。また、従来は駆動部の磨耗により経時的に発生していた、搬送装置の搬送誤差も防止することができる。
【００９１】
以上の実施の形態では、基板保持部４１が基板保持部制御部１７１により指定された処理装置に移動した際、当該処理装置が他の基板Ｗの処理を実行中の場合は、基板保持部４１を一旦通過させ次の周回で当該処理装置に停止させていたが、基板保持部４１が通過した場合は、例えば処理装置側で、当該処理装置が行き先として指定されている基板保持部４１の中から任意の基板保持部４１を選択し、選択された基板保持部４１から基板Ｗを受け取ってもよい。かかる場合、処理装置で基板Ｗを処理できる状態になれば、たとえば、一旦通過した基板保持部４１が軌道４２上を周回してくることを待つことなく、最短距離にある基板保持部４１との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。その結果、当該処理装置の搬送機構によって処置装置内に基板Ｗを迅速に搬入することができ、基板Ｗを効率よく搬送できる。したがって、塗布現像処理システム１のスループットを向上させることができる。
【００９２】
また、以上の実施の形態では、基板保持部制御部１７１はレシピ格納部１７０の処理レシピの進行状況の情報に基づき、基板保持部４１の行き先を決定していたが、例えば基板Ｗの処理レシピの進行状況を基板保持部制御部１７１と基板搬送機構制御部１７２とによって管理してもよい。具体的には、例えば基板搬送体３１により基板保持部４１に基板Ｗが搬送される際に、レシピ格納部１７０の当該基板Ｗに対応する処理レシピを全て基板保持部制御部１７１に受け渡すと共に、レシピ格納部１７０の当該処理レシピ情報を削除する。そして、基板保持部制御部１７１は受け取った処理レシピ情報から行き先を割り出し、行き先として指定される所定の処理装置まで基板保持部４１を移動させる。次いで、処理装置の基板搬送機構により基板Ｗが処理装置に搬送される際に、基板保持部制御部１７１は持っていた処理レシピを基板搬送機構制御部１７２受け渡す。この際も、基板保持部制御部１７１の当該処理レシピ情報は、上述のレシピ格納部１７０との受け渡しの際と同様に削除される。
【００９３】
その後、処理レシピを受け取った基板搬送機構制御部１７２は、当該処理レシピに基づき処理装置内で基板Ｗに所定の処理を施す。基板Ｗの処理終了後、基板搬送機構制御部１７２により当該処理装置での処理終了の情報が処理レシピに記録される。その後、処理済の基板Ｗは、基板搬送機構制御部１７２の指示により当該処理装置の基板搬送機構により基板保持部４１に受け渡される。その際、基板搬送機構制御部１７２が持っていた処理レシピも、基板保持部４１に受け渡される。この際も、基板搬送機構制御部１７２当該レシピ情報は、上述のレシピ格納部１７０及び基板保持部制御部１７１との受け渡しの際と同様に削除される。
そして、基板Ｗと共に処理レシピを受け取った基板保持部制御部１７１は、再び当該処理レシピから行き先、すなわち処理レシピで指定される次の処理装置を割り出し、その処理装置まで基板保持部４１を移動させ、この作業を処理レシピに基づく全ての基板処理が終了するまで継続する。
【００９４】
かかる場合、例えばレシピ格納部１７０に異常が発生し、基板保持部制御部１７１及び基板搬送機構制御部１７２がレシピ格納部１７０の処理レシピ情報を確認することができなくなった場合でも、既に基板保持部制御部１７１及び基板搬送機構制御部１７２に処理レシピが受け渡された基板Ｗ、すなわち塗布現像処理ユニット１で処理中の基板Ｗはレシピ格納部１７０の処理レシピを必要としないので、レシピ格納部１７０の異常により中断することなく、処理レシピの全ての基板処理工程を終了させることができる。このため、塗布現像処理ユニット内に、処理中の半製品が取り残されることがなく、レシピ格納部１７０の復旧後に、速やかに塗布現像処理ユニット１を再起動させることができる。
【００９５】
以上の実施の形態では、露光装置１２との基板Ｗの受け渡しを行う基板搬送体７０は、基板保持部４１と基板Ｗのやり取りを行っていたが、図１３に示すように例えば第６の処理装置群Ｇ６及び第７の処理装置群Ｇ７を基板搬送装置４０のインターフェイスステーション１３側に配置してもよい。その場合、例えば第６の処理装置群Ｇ６の熱処理装置５２は、図１４に示すように処理容器１３０の搬入出口１３１に対向する側面に、基板Ｗの搬入出口１６９が形成される。かかる場合、熱処理装置５２の加熱部１３２は基板搬送体７０側に配置され、冷却部１３３は基板保持部４１側に配置されている。こうすることで、熱処理装置５２での処理が終了した基板を、基板搬送体７０により周辺露光装置７２に受け渡することができる。
【００９６】
また、第７の処理装置群Ｇ７の熱処理装置５３については、熱処理装置５３と基板の搬送方向が勝手反対となるので、図１５に示すように処理容器１３０の搬入出口１３１に対向する側面に、基板Ｗの搬入出口１６９が形成される。かかる場合、熱処理装置５３の冷却部１３３は基板搬送体７０側に配置され、加熱部１３２は基板保持部４１側に配置されている。こうすることで、露光装置１３での処理が終了した基板を、基板搬送体７０により熱処理装置５２に受け渡し、熱処理終了後、熱処理装置５２の基板搬送機構１６０により、基板搬送装置４０に基板Ｗを搬送することができる。
【００９７】
以上の実施の形態では、各処理装置が、例えば軌道４２に沿って処理レシピの処理順序どおりに配置されていたが、必ずしも処理レシピの処理順序に従って配置する必要はない。また、例えば図１６及び図１７に示すように、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）に、例えば露光処理前の基板Ｗに対して熱処理を施す熱処理装置２６０を複数配置した処理装置群Ｇ９、露光処理前の基板Ｗに対して液処理を施す液処理装置２４０を集約して配置した処理装置群Ｇ１０を配置し、処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）に、露光処理後の基板Ｗに対して熱処理を施す熱処理装置２６０を複数配置した処理装置群Ｇ１１、露光処理後の基板Ｗに対して液処理を施す液処理装置２４０を複数配置した処理装置群Ｇ１２というように、各処理装置を集約して配置することも可能である。
【００９８】
上述のように、各処理装置を集約して配置を行う場合、例えば処理装置群Ｇ２の液処理装置２４０は、図１８、及び図１９に示すように、レジスト塗布や反射防止膜塗布用のカップ１０４を複数備え、液処理装置２４０内に基板Ｗを搬送する、基板搬送機構２５０を有していてもよい。基板搬送機構２５０は、基板Ｗを保持して搬送する多関節状の搬送アーム２５１を例えば２つ有している。各搬送アーム２５１は、複数、例えば４つのアーム部２５２を有している。４つのアーム部２５２のうちの一のアーム部２５２は、その端部において他のアーム部２５２に屈曲自在に連結されている。各アーム部２５２の間には動力が伝達され、搬送アーム２５１は屈伸及び旋回可能になっている。先端のアーム部２５２ａには、基板Ｗの裏面を吸着して水平に保持する保持部としての吸着パッド２５３が設けられている。
【００９９】
基端のアーム部２５２ｂの下面には、アーム移動機構２５４が設けられている。アーム移動機構２５４は、アーム部２５２ｂを支持するシャフト２５５と、シャフト２５５の下方に設けられ、例えばモータ（図示せず）などを内蔵した駆動機構２５６とを有している。このアーム移動機構２５４によって、搬送アーム２５１は、鉛直方向に移動し、基板Ｗを保持する際や、搬送アーム２５１が移動する際に互いに干渉しないように、搬送アーム５１の高さ方向の位置を変えることができる。そして、搬送アーム２５１は、複数のカップ１０４と基板搬送装置４０との間で基板Ｗを搬送することができる。
【０１００】
また、例えば処理装置群Ｇ３の熱処理装置２６０は、複数の基板Ｗを並行して処理することができるように、例えば図２０及び図２１に示すように露光後ベーク処理やポストベーク処理を行う熱処理装置５２、５３を水平方向に複数備え、上述した搬送機構１６０に代えて、別の構成の基板搬送機構２７０を有していてもよい。基板搬送機構２７０は、処理容器１３０の搬入出口１３１に対向する領域に設けられたＹ方向に延びる搬送路２７１上を移動自在な搬送アーム２７２を有している。アーム部２７２は昇降機構２７３、水平移動機構２７４、回転機構２７５により、鉛直方向、Ｘ方向及び鉛直軸周りにも移動自在であり、熱処理装置の各熱板１４０、冷却板１５０及び基板搬送装置４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。なお、上述した搬送機構１２０、１６０、２５０、２７０と各処理装置の組み合わせは、本実施の形態に限定されるものではなく、それぞれ他の処理装置においても適用が可能である。
【０１０１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板が基板以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。また、本発明は、処理装置で行われる処理がＣＶＤ処理以外のプラズマ処理、例えばエッチング処理にも適用でき、さらにプラズマ処理以外の処理にも適用できる。さらに、本発明は、本実施の形態の搬送アームの形状に限定されず、他の種々の搬送アームにも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の処理システムに有用である。
【符号の説明】
【０１０３】
１      塗布現像処理システム
１０    カセットステーション
１１    処理ステーション
１２    露光装置
１３    インターフェイスステーション
１４    制御装置
２０    カセット載置台
２１    カセット載置板
３０    搬送路
３１    基板搬送体
４０    基板搬送装置
４１    基板保持部
４１ａ  本体部
４２    軌道
５０〜５４  熱処理装置
６０    反射防止膜形成装置
６１    アドヒージョン装置
６２    レジスト塗布装置
６３    現像処理装置
７０    基板搬送体
７２    周辺露光装置
８０    ガス噴射口
８１    枠部材
８２    ガスヘッダー
９０    基板保持部搬送機構
１００  処理容器
１０１  搬入出口
１０２  スピンチャック
１０３  駆動機構
１０４  カップ
１０５  排出管
１０６  排気管
１１０  レール
１１１  アーム
１１２  塗布ノズル
１１３  ノズル駆動部
１２０  基板搬送機構
１２１  搬送アーム
１２２  アーム部
１２３  連結部
１２４  吸着パッド
１２５  アーム移動機構
１２６  レール
１３０  処理容器
１３１  搬入出口
１３２  加熱部
１３３  冷却部
１４０  熱板
１４１  ヒータ
１４２  貫通孔
１４３  昇降ピン
１４４  昇降駆動機構
１４５  保持部材
１４６  サポートリング
１５０  冷却板
１５１  貫通孔
１５２  昇降ピン
１５３  昇降駆動機構
１５４  保持部材
１５５  サポートリング
１６０  基板搬送機構
１６１  搬送アーム
１６２  アーム部
１６３  連結部
１６４  支持部
１６５  アーム移動機構
１６６  鉛直移動部
１６７  水平移動部
１６８  レール
１７０  レシピ格納部
１７１  移動指示部
１７２  搬送指示部
２４０  液処理装置
２５０  基板搬送機構
２５１  搬送アーム
２５２  アーム部
２５２ａ  アーム部
２５３  吸着パッド
２６０  熱処理装置
２７０  基板搬送機構
２７１  搬送路
２７２  アーム部
Ｃ    カセット
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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