(57)【要約】【課題】寿命の長い樹脂スタンパーを形成する。【解決手段】第１次型締め力で型締めを行った後、第１の型締め力に対し１／７ないし１／２５の第２次型締め力で型締めを行なって、熱硬化性樹脂を２段階で加圧する。【選択図】図２
2010170624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体の磁気記録層をドライエッチングして、該磁気記録層の表面に凹凸パターンからなるディスクリートトラックを形成するためのマスクとして使用される紫外線硬化性樹脂に、該凹凸パターンを転写するための樹脂スタンパーであって、
該磁気記録媒体の中心孔の孔径よりも３ｍｍ以上小さい孔径を持つ中心孔を有することを特徴とする樹脂スタンパー。
【請求項２】
前記磁気記録媒体の外径よりも７ｍｍ以上大きい外径を有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂スタンパー。
【請求項３】
磁気記録媒体の磁気記録層をドライエッチングして、該磁気記録層の表面に凹凸パターンからなるディスクリートトラックを形成するためのマスクとして使用される紫外線硬化性樹脂に、該凹凸パターンを転写するための樹脂スタンパーの製造方法であって、
固定側金型上に凹凸パターンを有する原盤を設け、該固定側金型上に移動側金型を合わせて配置し、該原盤と該移動側金型と間のキャビティー内に溶融した射出成形樹脂材料を射出し、第１次型締め力で型締めを行った後、該第１の型締め力に対し１／７ないし１／２５の第２次型締め力で型締めを行なって、該射出成形樹脂材料を２段階で加圧し、冷却することにより樹脂を成形し、成形された樹脂に中心孔を設けることを特徴とする樹脂スタンパーの製造方法。
【請求項４】
前記中心孔は、該磁気記録媒体の中心孔の孔径よりも３ｍｍ以上小さい孔径を持つことを特徴とする樹脂スタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録層表面にディスクリートトラックを有する磁気記録媒体の製造プロセスに使用される樹脂スタンパー、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体の記録密度を向上するために、記録トラック同士を物理的に分離したディスクリートトラックレコーディング媒体（ＤＴＲ媒体）が提案されている。
【０００３】
このＤＴＲ媒体の製造する過程で、磁気記録層表面に塗布されたレジストに対してインプリントスタンパを押し付け、レジストに凹凸パターンを転写し、さらに、このレジストをマスクとして磁気記録層を加工する（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
従来、このようなインプリントスタンパとしては、電鋳プロセスにより作製されたＮｉスタンパが、ファザースタンパ、マザースタンパまたはサンスタンパとして用いられていた。しかし、電鋳プロセスを用いた場合、Ｎｉスタンパ１枚あたり１時間程度の長い作製時間がかかり、またＮｉスタンパは寿命が短く大量生産には適していないという問題があった。これに対して、電鋳プロセスにより、ファザースタンパとして最初のＮｉスタンパを作製し、その後に作成されるマザースタンパまたはサンスタンパは、射出成形プロセスを用いて作製すれば、１枚当たり数秒程度の短い作製時間で樹脂スタンパが得られる。
【０００５】
このような射出形成プロセスは、これまで光ディスクの作製に使用されてきた。
【０００６】
例えば２枚の成形基板を貼り合わせたＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等の光ディスクでは、少なくとも１枚の成形基板にトラックピッチ３００ｎｍ以上の凹凸パターンが形成され、この凹凸を含む厚さ３０μｍ以上の光記録層が成膜されている。
【０００７】
しかし、ＤＴＲ媒体では、トラックピッチ、凹凸高さ共に１００ｎｍ以下のパターンを形成する。このように、データが高密度化されトラックが微細になると、レジストパターンの転写、剥離により樹脂スタンパの寿命が低下しやすかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１５７５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、低コストで寿命の長い樹脂スタンパーを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の樹脂スタンパーは、磁気記録媒体の磁気記録層をドライエッチングして、該磁気記録層の表面に凹凸パターンからなるディスクリートトラックを形成するためのマスクとして使用される紫外線硬化性樹脂に、該凹凸パターンを転写するための樹脂スタンパーであって、
該磁気記録媒体の中心孔の孔径よりも３ｍｍ以上小さい孔径を持つ中心孔を有することを特徴とする。
【００１１】
樹脂スタンパーの製造方法は、磁気記録媒体の磁気記録層をドライエッチングして、該磁気記録層の表面に凹凸パターンからなるディスクリートトラックを形成するためのマスクとして使用される紫外線硬化性樹脂に、該凹凸パターンを転写するための樹脂スタンパーの製造方法であって、
固定側金型上に凹凸パターンを有する原盤を設け、該固定側金型上に移動側金型を合わせて配置し、該原盤と該移動側金型と間のキャビティー内に溶融した射出成形樹脂材料を射出し、第１次型締め力で型締めを行った後、該第１の型締め力に対し１／７ないし１／２５の第２次型締め力で型締めを行なって、該射出成形樹脂材料を２段階で加圧し、冷却することにより樹脂を成形し、成形された樹脂に中心孔を設けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明を用いると、低コストで寿命の長い樹脂スタンパーを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】磁気ディスクの製造工程の一例を表す図
【図２】射出成形プロセスの一例を表す図
【図３】射出成形プロセスの一例を表す図
【図４】射出成形プロセスの一例を表す図
【図５】樹脂スタンパー中心孔径と転写パターン深さとの関係を表す図
【図６】樹脂スタンパー中心孔径と高次偏芯量との関係を表す図
【図７】樹脂スタンパー外径と基板の反りとの関係を表す図
【図８】樹脂スタンパー中心孔径と転写パターン深さとの関係を表す図
【図９】樹脂スタンパー中心孔径と高次偏芯量との関係を表す図
【図１０】樹脂スタンパー外径と基板の反りとの関係を表す図
【図１１】型締め比と偏芯量との関係を表す図
【図１２】型締め比と偏芯量との関係を表す図
【図１３】型締め比と偏芯量との関係を表す図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の樹脂スタンパーは、磁気記録媒体の磁気記録層をドライエッチングして、該磁気記録層の表面に凹凸パターンからなるディスクリートトラックを形成するためのマスクとして使用される紫外線硬化性樹脂に、凹凸パターンを転写する際に適用される。この樹脂スタンパーは、ドライエッチングに供される磁気記録媒体の中心孔の孔径よりも３ｍｍ以上小さい孔径を持つ中心孔を有する。
【００１５】
また、本発明の樹脂スタンパの製造方法は、磁気記録媒体の磁気記録層をドライエッチングして、該磁気記録層の表面に凹凸パターンからなるディスクリートトラックを形成するためのマスクとして使用される紫外線硬化性樹脂に、該凹凸パターンを転写する際に適用される樹脂スタンパーの製造方法である。この方法は、固定側金型上に凹凸パターンを有する原盤を設け、固定側金型上に移動側金型を組み合わせて配置し、該原盤と該移動側金型と間のキャビティー内に溶融した射出成形樹脂材料を射出し、加圧し、冷却することにより樹脂を成形し、成形された樹脂に中心孔を設けることを含み、射出成形樹脂材料の加圧は、第１次型締め力で型締めを行った後、該第１の型締め力に対し１／７ないし１／２５の第２次型締め力で型締めを行なうことにより、２段階で行われることを特徴とする。
【００１６】
ディスクリートトラック媒体の製造方法において、磁気記録媒体の磁気記録層をドライエッチングして、磁気記録層の表面に凹凸パターンからなるディスクリートトラックを形成するためのマスクとして使用される紫外線硬化性樹脂に、凹凸パターンを転写する場合に、Niスタンパー（マザースタンパー）から射出成形により樹脂スタンパーを複製し、その樹脂スタンパーと磁気記録層を紫外線硬化樹脂を介して真空貼り合わせを行い、紫外線照射により紫外線硬化樹脂を硬化させた後樹脂スタンパーと剥離することにより、パターン転写させる方法を用いることがコスト低減可能で微細化に適している。
【００１７】
本発明の樹脂スタンパーを用いると、この樹脂スタンパーの中心孔の孔径をドライエッチングに供される磁気記録媒体の中心孔の孔径よりも３ｍｍ以上小さくすることにより、偏芯量が少なく、真空貼り合わせと剥離の繰り返しに対する耐久性をもつ、寿命の長い樹脂スタンパを得ることが出来る。
【００１８】
本発明の樹脂スタンパー外径を、磁気記録媒体の外径よりも７ｍｍ以上大きくすることができる。これにより、さらに、樹脂スタンパーの反りの発生を抑制することが出来る。
【００１９】
また、本発明の樹脂スタンパーの製造方法を用いると、射出成形樹脂材料の加圧を所定の比率で２段階で行うことにより、偏芯量が少なく、真空貼り合わせと剥離の繰り返しに対する耐久性を向上し、寿命の長いを得ることが出来る。
【００２０】
また、この方法において、樹脂スタンパーの中心孔を、該磁気記録媒体の中心孔の孔径よりも３ｍｍ以上小さくすることができる。
【００２１】
さらに、この方法において、さらに樹脂スタンパー外径は、磁気記録媒体の外径よりも７ｍｍ以上大きくすることができる。
【００２２】
本発明によれば、磁気記録媒体の製造コスト低減可能であり高データ密度化が可能である。上述のように、樹脂スタンパーの内径は磁気ディスク原料媒体の内径よりも３ｍｍ以上小さくし、外径は７ｍｍ以上大きくするのが良好である。より好ましくは樹脂スタンパーの内径を６．５ｍｍから７．５ｍｍの範囲に設定し、外径７０ｍｍから７８ｍｍの範囲に設定することで高品質な磁気記録媒体の製造が可能である。
【００２３】
本発明に使用できる射出成形材料としては、例えば日本ゼオン社製  環状オレフィンポリマー  ZEONOR 1060R、及び帝人化成製  ポリカーボネート材AD5503等があげられる。
【００２４】
本発明に使用できる紫外線硬化樹脂材料は、モノマー、オリゴマー、重合開始剤を含む。溶媒は含まない。
【００２５】
本発明に使用される紫外線硬化性樹脂材料は、モノマー、オリゴマー、接着剤、重合開始剤を混合してなってもよい。モノマーやオリゴマー材料は複数種類を混合しても良い。
【００２６】
モノマー材料としては、下記のようなものが使われる。
【００２７】
・アクリレート類 
ビスフェノールA・エチレンオキサイド変性ジアクリレート(BPEDA) 
ジペンタエリスリトールヘキサ（ペンタ）アクリレート(DPEHA) 
ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート(DPEHPA) 
ジプロピレングリコールジアクリレート(DPGDA) 
エトキシレイテドトリメチロールプロパントリアクリレート(ETMPTA) 
グリセリンプロポキシトリアクリレート(GPTA) 
4-ヒドロキシブチルアクリレート(HBA) 
1,6-ヘキサンジオールジアクリレート(HDDA) 
2-ヒドロキシエチルアクリレート(HEA) 
2-ヒドロキシプロピルアクリレート(HPA) 
イソボルニルアクリレート(IBOA) 
ポリエチレングリコールジアクリレート(PEDA) 
ペンタエリスリトールトリアクリレート(PETA) 
テトラヒドロフルフリルアクリレート(THFA) 
トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA) 
トリプロピレングリコールジアクリレート(TPGDA) 
・メタクリレート類 
テトラエチレングリコールジメタクリルレート(4EDMA) 
アルキルメタクリレート(AKMA) 
アリルメタクリレート(AMA) 
1,3-ブチレングリコールジメタクリレート(BDMA) 
n-ブチルメタクリレート(BMA) 
ベンジルメタクリレート(BZMA) 
シクロヘキシルメタクリレート(CHMA) 
ジエチレングリコールジメタクリレート(DEGDMA) 
2-エチルヘキシルメタクリレート(EHMA) 
グリシジルメタクリレート(GMA) 
1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート(HDDMA) 
2-ヒドロキシエチルメタクリレート(2-HEMA) 
イソボルニルメタクリレート(IBMA) 
ラウリルメタクリレート(LMA) 
フェノキシエチルメタクリレート(PEMA) 
t-ブチルメタクリレート(TBMA) 
テトラヒドロフルフリルメタクリレート(THFMA) 
トリメチロールプロパントリメタクリレート(TMPMA) 
特に、イソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）、トリプロピレングリコールジアクリレート（ＴＰＧＤＡ）、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート(HDDA)、ジプロピレングリコールジアクリレート（ＤＰＧＤＡ）、ネオペンチルグリコールジアクリレート（ＮＰＤＡ）、
エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート（ＴＩＴＡ）などが粘度１０CP以下にすることができるため良好である。
【００２８】
オリゴマー材料としては、例えばウレタンアクリレート系材料、たとえば、ポリウレタンジアクリレート（ＰＵＤＡ）やポリウレタンヘキサアクリレート（ＰＵＨＡ）、その他、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、フッ化ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ−Ｆ）、ポリカーボネートジアクリエート、フッ化ポリカーボネートメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ−ＰＣ−Ｆ）などが使われる。
【００２９】
重合開始剤としては、チバガイギー社製 イルガキュア１８４及びチバガイギー社製 ダロキュア１１７３などが使われる。
【００３０】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００３１】
図１に、本実施例に使用される磁気ディスクの製造工程を示す
ディスクは半径９ｍｍ〜２２ｍｍのデータゾーンにおいて、トラック密度が３２５ｋＴＰＩ（track per inch、７８nmトラックピッチに相当）である。
【００３２】
このようなサーボ領域を有する磁気ディスクを製造するには、磁気ディスク上の磁性層パターンと対応する凹凸パターンを有するスタンパを用いてインプリントを行う。なおインプリントおよびその後の加工によって形成された磁性層の凹凸パターンは非磁性体材料によってその凹部が埋め込まれ、表面が平坦化されていても構わない。
【００３３】
以下、本実施例に使用される磁気ディスクの製造方法を説明する。 
まず、本発明に係る樹脂スタンパを作製した。 
スタンパの型となる原盤の基板として６インチ径のＳｉウエハーを用意した。一方、日本ゼオン社製のレジストＺＥＰ−５２０Aをアニソールで２倍に希釈し、０．０５μｍのフィルタでろ過した。Ｓｉウエハー上にレジスト溶液をスピンコートした後、２００℃で３分間プリベークして、厚さ約５０nmのレジスト層を形成した。
【００３４】
ＺｒＯ／Ｗ熱電界放射型の電子銃エミッターを有する電子ビーム描画装置を用い、加速電圧５０ｋＶの条件で、Ｓｉウエハー上のレジストに所望のパターンを直接描画した。描画時にはサーボパターン、バーストパターン、アドレスパターン、トラックパターンを形成するための信号と、描画装置のステージ駆動系（少なくとも一方向の移動軸の移動機構と回転機構とを有する、いわゆるＸ−θステージ駆動系）へ送る信号と、電子ビームの偏向制御信号とを同期させて発生する信号源を用いた。描画中は線速度５００ｍｍ／秒のＣＬＶ（Constant Linear Velocity）でステージを回転させるとともに、半径方向にもステージを移動させた。また、１回転毎に電子ビームに偏向をかけて、同心円をなすトラック領域を描画した。なお、１回転あたり７．８ｎｍずつ送り、１０周で１トラック（１アドレスビット幅に相当）を形成した。
【００３５】
ＳｉウエハーをＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン社製）に９０秒間浸漬してレジストを現像した後、ＺＭＤ−Ｂ（日本ゼオン社製）に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥させ、レジスト原盤を作製した。
【００３６】
レジスト原盤５上にスパッタリングによってＮｉからなる導電膜を形成した。具体的には、ターゲットに純ニッケルを使用し、８×１０−３Ｐａまで真空引きした後、アルゴンガスを導入して圧力を１Ｐａに調整したチャンバー内で４００ＷのＤＣパワーを印加して４０秒間スパッタリングを行い、厚さ約１０ｎｍの導電膜を成膜した。
【００３７】
導電膜をつけたレジスト原盤をスルファミン酸ニッケルメッキ液（昭和化学（株）製、ＮＳ−１６０）に浸漬し、９０分間Ｎｉ電鋳して、厚さ約３００μｍの電鋳膜を形成した。電鋳浴条件は次の通りである。
【００３８】
スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ
ホウ酸：４０ｇ／Ｌ
界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）：０．１５ｇ／Ｌ
液の温度：５５℃
ｐＨ：４．０
電流密度：２０Ａ／ｄｍ２。
【００３９】
レジスト原盤から、電鋳膜および導電膜をレジスト残渣がついた状態で剥離した。酸素プラズマアッシングによりレジスト残渣を除去した。具体的には、酸素ガスを１００ｍｌ／分で導入して圧力を４Ｐａに調整したチャンバー内で１００Ｗのパワーを印加して２０分間プラズマアッシングを行った。図１（ａ）に示すように、こうした導電膜および電鋳膜を含むファザースタンパ１を得た。その後、さらに電鋳を行い、図１（ｂ）に示すようなマザースタンパー２を複製し、マザースタンパ２の不要部を金属刃で打ち抜くことにより射出成形用スタンパ３を得た。
【００４０】
このマザースタンパー２から射出成形装置により樹脂スタンパー３を複製した。射出成形樹脂材料として、例えば日本ゼオン製環状オレフィンポリマーZEONOR 1060Rを使用することができる。あるいは、帝人化成製  ポリカーボネート材AD5503を使用することが出来る。
【００４１】
射出成形装置による樹脂スタンパーの複製を更に詳しく説明する。
【００４２】
図２ないし４に、射出成形装置により樹脂スタンパを形成する射出成形プロセスの一例を表す図を示す。
【００４３】
図２に示すように、本発明に用いられる樹脂スタンパの製造には、中心ｃを持つ円盤状の可動式金型１０と、この可動式金型１０に対向して中心ｃと同心上に設けられた円盤状の固定式金型２０とを使用することができる。
【００４４】
可動式金型１０は、その中心部に、成形後に得られる樹脂スタンパの中心孔を打ち抜くためのカットパンチ１１が設けられている。可動式金型１０の固定式金型２０との対向面には、その周縁部に沿ってキャビティーリング１２が設けられ、可動式金型１０と固定式金型２０とを密着した時に、可動式金型１０と固定式金型２０との間に所定のキャビティーが得られるようになっている。
【００４５】
固定式金型２０は、その中心部に、樹脂スタンパへ凹凸パターンを転写するための例えばＮｉスタンパ等の金属スタンパ２の中心孔に嵌合し得る寸法形状を有するスタンパホルダ１５と、スタンパホルダ１５内を貫通し、射出成形樹脂材料を注入するためのスプルブッシュ１３とを有する。スプルブッシュ１３のキャビティー側にはカットパンチ１１の外形形状に沿って加工されたカットパンチ受け１６が設けられている。スタンパホルダ１５には金属スタンパ２がはめ込まれている。
【００４６】
図３に示すように、可動式金型１０を矢印ａの方向に移動して、可動式金型１０と固定式金型２０を合わせた後、矢印ｂの方向から樹脂注入孔１７を通して可動式金型１０と固定式金型２０の間に樹脂材料を注入すると共に、矢印ａの方向に第１の型締め力で型締めを行い、その後第１の型締め力に対し１／７ないし１／２５の第２次型締め力で型締めを行なうことにより２段階で樹脂材料を加圧し、冷却する。射出成形では溶融した樹脂材料を注入し圧力をかけることにより、ナノオーダーの微細パターンでも転写が可能である。
【００４７】
その後、可動式金型１０と固定式金型２０を離型することにより、図４に示すように金属スタンパ１４の凹凸パターンが転写された樹脂スタンパ３を形成することができる。
【００４８】
次に、図１に示すように、この樹脂スタンパ３を用いて磁気ディスクを作製した。
【００４９】
図１（ｇ）に示す１．８インチ径のドーナツ型ガラスからなるディスク基板４上に、図１（ｈ）に示すように、スパッタリングにより、軟磁性下地層及び磁性層を含む磁気記録層５を形成した。
【００５０】
磁気記録層５は、軟磁性下地層と磁性層を含む二層膜媒体用の磁気記録層である。ターゲットとしてＣｏＺｒＮｂを用いて軟磁性下地層を１００ｎｍ形成した後、Ｒｕターゲットを用いて下地層を２０ｎｍ形成し、さらにターゲットとしてＣｏＰｔＣｒＳｉを使用し、Ａｒガス雰囲気で、公知の手法によりスパッタリングを行うことにより、垂直磁気記録層を２０ｎｍの厚さに形成した。
【００５１】
図１（ｉ）に示すように、この磁気記録層５上に表面保護層６を形成した後、紫外線硬化樹脂材料からなるレジスト７を図３（ｊ）に示すように、回転数１００００ｒｐｍでスピンコートした。
【００５２】
図１（ｃ）に示すように、真空貼り合わせ法により樹脂スタンパ３をディスク基板表面の紫外線硬化樹脂レジスト７に貼り合わせ、紫外線照射し樹脂を硬化させた後、図１（ｄ）に示すように、樹脂スタンパー３を剥離した。
【００５３】
紫外線インプリントによる凹凸形成プロセスでは、パターン凹部の底にレジスト残渣が残る。
【００５４】
次に、酸素ガスを用いたＲＩＥにより、パターン凹部の底にあるレジスト残渣を除去した。レジスト７のパターンをマスクとして、Ａｒイオンミリングにより、図１（ｅ）に示すように、磁気記録層をエッチングした。続いて、図１（ｆ）に示すように、酸素ＲＩＥによりレジストのパターンを剥離した。さらに全面に図示しないカーボン保護層を成膜した。その後、作製した磁気ディスクに潤滑剤を塗布する。
【００５５】
ここで、上述した磁気ディスク媒体においては、磁気記録層をレジストのマスクがない部位において底までエッチングしているが、途中でＡｒイオンミリングを止め、凹凸が出来る程度の媒体であっても構わない。また、初めに磁性層を設けずにスタンパを基板上のレジストにインプリントした後エッチングするなどして先に基板形状に凹凸を設け、その後磁性膜を製膜した媒体であっても構わない。さらに、上述したものを含めいずれの場合にも溝部が何らかの非磁性材料によって埋め込まれていても構わない。
【００５６】
実施例１
まず、次に中心孔径１２ｍｍ、外径４８ｍｍの磁気ディスク媒体の場合を記す。
【００５７】
射出成形される樹脂スタンパーの中心孔の直径を１ｍｍから１５ｍｍまで変化させた場合の、内周部の溝深さの測定結果を表１に示す。
【００５８】
また、そのグラフを図５に示す。
【表１】
2010170624.tif 000003
【００５９】
樹脂スタンパーの中心孔の直径が細すぎると成形樹脂注入速度が遅くなり、内周部の転写状態が悪くなる傾向が見られた。実験結果からは、６．５ｍｍ以上の内径で良好な転写ができることがわかった。
【００６０】
また、転写後の樹脂スタンパー（真空貼り合わせ〜剥離後の樹脂スタンパー）の記録媒体のトラックパターンの繰り返し回転誤差いわゆるＲＲＯ（Repeatable Run Out）を、樹脂スタンパー表面に光再生を行なうことにより測定した。ＲＲＯの高次成分の偏芯量を測定した結果を表２に示す。そのグラフを図６に示す。図中、グラフ１０１，１０２，１０３，１０４は、各々、偏芯次数が１２次、１５次、２６次、３２次の場合を各々示している。
【表２】
2010170624.tif 000004
【００６１】
樹脂スタンパーの中心孔径が細すぎると樹脂スタンパーの歪みが増すことでＲＲＯが悪くなる傾向が見られ、中心孔径が大きすぎると、樹脂スタンパーに発生するバリの高さ及び高さ変動が増すことで貼り合わせ時に歪みが増すためにＲＲＯが悪くなる傾向が見られた。このことから、樹脂スタンパーの中心孔径が４ｍｍから９ｍｍまでの範囲が偏芯量１nm以下で良好であった。さらに、樹脂スタンパーの中心孔径が６．５ｍｍから７．５ｍｍまでの範囲がより偏芯量が少なく、良好であった。
【００６２】
次に、樹脂スタンパーの外径を３５ｍｍから１２０ｍｍまで変化させた際の磁気ディスク基板との真空貼り合わせ後の基板反り（ラジアルチルト）の測定結果を表３に示す。そのグラフを図７に示す。
【表３】
2010170624.tif 000005
【００６３】
表３には、樹脂スタンパーの剥離が問題無くできた場合を○、剥離装置の真空吸着がしにくく、及び剥離がしにくかった場合を×とした。
【００６４】
樹脂スタンパーの外径が大きすぎると磁気ディスクガラス基板からはみ出した面積が大きくなり紫外線吸収して変形する面積が大きくなるために貼り合わせ後の基板反りが増加し変形するため真空吸着しにくくなる傾向があった。樹脂スタンパーの外径が小さすぎると磁気ディスクガラス基板内にて樹脂スタンパー外径部の厚みが薄くなること、樹脂スタンパー外径部のバリが干渉することで貼り合わせ状態が悪くなり反りが増加する傾向があった。
【００６５】
この結果から、樹脂スタンパーの外径は５５ｍｍ以上が良好であることがわかった。より好ましくは５５から８５ｍｍが良いことがわかった。
【００６６】
次に中心孔径２０ｍｍ、外径６５ｍｍの磁気ディスク媒体の場合を記す。
【００６７】
射出成形される樹脂スタンパーの内径を１ｍｍから２３ｍｍまで変化させた際の内周部の溝深さの測定結果を表４に示す。そのグラフを図８に示す。
【表４】
2010170624.tif 000006
【００６８】
樹脂スタンパーの中心孔径が細すぎると射出成形樹脂材料の注入速度が遅くなり、内周部の転写状態が悪くなる傾向が見られた。ある程度以上の内径が必要であることが分かった。実験結果からは６．５ｍｍ以上の中心孔径で良好な転写ができた。
【００６９】
転写後の樹脂スタンパー（真空貼り合わせ〜剥離後の樹脂スタンパー）のリピータブルランアウト（ＲＲＯ）の光再生により測定た。その高次偏芯量を表５に示す。そのグラフを図９に示す。
【表５】
2010170624.tif 000007
【００７０】
図９中、２０１，２０２，２０３，２０４は、偏芯次数が１２次、１５次、２６次、３２次の場合を各々示している。
【００７１】
樹脂スタンパーの中心孔径が細すぎると成形樹脂の歪みが増すことでＲＲＯが悪くなる傾向が見られ、内径が大きすぎると成形バリの高さ及び高さ変動が増すことで貼り合わせ時に歪みが増すためにＲＲＯが悪くなる傾向が見られた。中心孔径４ｍｍから中心孔径１７ｍｍまでの範囲が偏芯量１nm以下で良好であった。さらに好ましくは中心孔径６．５ｍｍから９ｍｍまでの範囲が特に良好であった。
【００７２】
次に、樹脂スタンパーの外径を５０ｍｍから１２０ｍｍまで変化させた際の磁気ディスク基板との真空貼り合わせ後の基板反り（ラジアルチルト）の測定結果を表６に示す。
【表６】
2010170624.tif 000008
【００７３】
そのグラフを図１０に示す。表６には樹脂スタンパーの剥離が問題無くできた場合を○、剥離装置の真空吸着がしにくく、及び剥離がしにくかった場合を×をしてある。
【００７４】
樹脂スタンパーの外径が大きすぎると磁気ディスクガラス基板からはみ出した面積が大きくなり紫外線吸収して変形する面積が大きくなるために貼り合わせ後の基板反りが増加し変形するため真空吸着しにくくなる傾向があった。樹脂スタンパーの外径が小さすぎると磁気ディスクガラス基板内にて樹脂スタンパー外径部の厚みが薄くなること、樹脂スタンパー外径部のバリが干渉することで貼り合わせ状態が悪くなり反りが増加する傾向があった。
【００７５】
この結果からすると樹脂スタンパーの外径は７０ｍｍ以上が良好であること、より好ましくは７２から８５ｍｍが良いことがわかった。
【００７６】
このように、樹脂スタンパーの中心孔径は磁気ディスク原料媒体の中心孔径よりも３ｍｍ以上小さくすることが必要であり、好ましくは、外径は７ｍｍ以上大きくするのが良好であることが分かった。中心孔径を磁気ディスク原料媒体の中心孔径よりも３ｍｍ以上小さくした樹脂スタンパーにより、１０００枚の磁気ディスクを製造した。適当なインプリント回数ごとに製造された磁気ディスクを用いて磁気記録装置を作製し、アドレス信号を検出した。その結果、１０００枚目の磁気ディスクを含めていずれの磁気ディスクを用いた場合にも、内周位置から外周位置にかけて所定のアドレス信号が得られた。またＲＲＯも全面で良好な結果が得られた。
【００７７】
さらに、中心孔径を磁気ディスク原料媒体の中心孔径よりも３ｍｍ以上小さくし、かつ外径が７ｍｍ以上大きい樹脂スタンパーにより、１０００枚の磁気ディスクを製造した。適当なインプリント回数ごとに製造された磁気ディスクを用いて磁気記録装置を作製し、アドレス信号を検出した。その結果、１０００枚目の磁気ディスクを含めていずれの磁気ディスクを用いた場合にも、内周位置から外周位置にかけて所定のアドレス信号が得られた。またＲＲＯも全面で良好な結果が得られた。
【００７８】
実施例２
第１次型締め力、第２次型締め力を種々変化させて、樹脂スタンパーを作成した。
【００７９】
表７、表８に射出成形時の第１次型締め力、第２次型締め力と偏芯量の関係を示す。
【００８０】
そのグラフを図１１、図１２に示す。
【表７】
2010170624.tif 000009
【００８１】
【表８】
2010170624.tif 000010
【００８２】
また、図１１中、３０１，３０２は、偏芯次数が１２次、１５次の場合を各々示している。図１２中、４０１，４０２は、偏芯次数が１２次、１５次の場合を各々示している。
【００８３】
型締め力の比（第１次型締め力/第２次型締め力）が７以上２５以下の範囲で高次偏芯量が１nm以下となり良好な結果が得られることがわかった。また、型締め力の比（第１次型締め力/第２次型締め力）が７以上２５以下の範囲で成形され、高次偏芯量が１nm以下となる樹脂スタンパーにより、１０００枚の磁気ディスクを製造した。適当なインプリント回数ごとに製造された磁気ディスクを用いて磁気記録装置を作製し、アドレス信号を検出した。その結果、１０００枚目の磁気ディスクを含めていずれの磁気ディスクを用いた場合にも、内周位置から外周位置にかけて所定のアドレス信号が得られた。またＲＲＯも全面で良好な結果が得られた。
【００８４】
実施例３
樹脂スタンパーの中心孔径は磁気ディスク原料媒体の中心孔径よりも３ｍｍ以上小さくし、型締め力の比（第１次型締め力/第２次型締め力）が７以上２５以下の範囲で実施例２と同様にして樹脂スタンパーを得たところ、高次偏芯量及びラジアルチルトが良好な樹脂スタンパーが得られた。さらに、外径を７ｍｍ以上大きくすること以外は同様にして樹脂スタンパーを得たところ、高次偏芯量及びラジアルチルトが良好な樹脂スタンパーが得られた。
【００８５】
これらの樹脂スタンパーにより、１０００枚の磁気ディスクを製造した。
【００８６】
適当なインプリント回数ごとに製造された磁気ディスクを用いて磁気記録装置を作製し、アドレス信号を検出した。
【００８７】
その結果、１０００枚目の磁気ディスクを含めていずれの磁気ディスクを用いた場合にも、内周位置から外周位置にかけて所定のアドレス信号が得られた。またＲＲＯも全面で良好な結果が得られた。
【００８８】
なお、ＲＲＯは、例えば以下のような装置を使用して測定することが出来る。
【００８９】
図１３は、スタンパを再生してＲＲＯを調べるためのＲＲＯ評価装置の概略構成を示す。
【００９０】
図に示すように、光源には半導体レーザ光源１２０が用いられる。その出射光の波長は、例えば４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲の紫色波長帯のものである。半導体レーザ光源１２０からの出射光１１０は、コリメートレンズ１２１により平行光となり偏光ビームスプリッタ１２２、λ／４板１２３を透過して、対物レンズ１２４に入射される。その後、スタンパＳの基板を透過し、基板上の溝が形成されている面に集光される。このとき、レーザの開口数（以下ＮＡという）は対象となる媒体によって異なる。例えば樹脂スタンパの場合には０．６ｍｍ厚の樹脂スタンパ内部を透過するような評価方法とした場合、ＮＡは約０．５〜０．７となる。一方、Ｎｉスタンパなどの光を透過しない材料を用いたスタンパの場合、あるいは樹脂スタンパの表面を再生する場合には、ＮＡを０．８５以上に調整するか、あるいは樹脂材料の０．６ｍｍ厚相当となるような収差補正板をレーザとスタンパの間に挿入することができる。スタンパの情報記録層による反射光１１１は、再びスタンパＤの基板を透過し、対物レンズ１２４、λ／４板１２３を透過し、偏光ビームスプリッタ１２２で反射された後、集光レンズ１２５を透過して光検出器１２６に入射される。
【００９１】
光検出器１２７の受光部は、通常複数に分割されており、それぞれの受光部から光強度に応じた電流を出力する。出力された電流は、図示しないＩ／Ｖアンプ（電流電圧変換）により電圧に変換された後、演算回路１４０に入力される。入力された電圧信号は、演算回路１４０により、チルト誤差信号、ＨＦ信号、フォーカス誤差信号、及びトラック誤差信号などに演算処理される。チルト誤差信号はチルト制御を行うためのものであり、ＨＦ信号は光ディスクＤに記録された情報を再生するためのものであり、フォーカス誤差信号はフォーカス制御を行うためのものであり、またトラック誤差信号はトラッキング制御を行うためのものである。
【００９２】
対物レンズ１２４はアクチュエータ１２８にて上下方向、ディスクラジアル方向、およびチルト方向（ラジアル方向または／およびタンジェンシャル方向）に駆動可能であり、サーボドライバ１５０によってスタンパＤ上の情報トラックに追従するように制御される。
【００９３】
なお、本評価装置では、半導体レーザの波長の例として４００−４１０ｎｍの範囲としているが、これに限ることはなく、さらに短波長でもよい。トラックピッチは、レーザースポット径によって決めることが出来る。スタンパのダミー溝のトラックピッチは評価装置のプッシュプル法を用いたトラッキングを行う場合、レーザースポット径の０．５〜１．２倍にすることができる。レーザースポット径はλ／ＮＡで表すことができる。例えば、レーザー波長が４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の場合、トラックピッチは０．３１μｍ〜０．７５μｍにすることができる。また、例えば固定レーザーとして波長３５５ｎｍ，ＮＡ０．８５のものを用いた場合、レーザースポット径は０．４２μｍとなり、最小トラックピッチは０．２μｍとすることができる。トラックピッチは、広すぎるとダミー領域が広くなり、評価装置のレーザースポット径も大きくなる傾向があり、データ領域に対して粗い評価になりやすいため、できるだけ狭いほうがよい。一方、レーザーの波長は３５５ｎｍより狭いものは取扱が困難で現実的でない。これよりダミー溝のトラックピッチの下限を０．２μｍとすることが可能である。
【００９４】
このようなＲＲＯ評価装置を用いて、本発明のスタンパを再生することができる。本実施例においては、パルステック社製ＤＤＵ−１０００を用いた。このときのレーザ波長は４０５ｎｍ、ＮＡは０．６５であった。
【００９５】
次に、スタンパのＲＲＯ評価方法について説明する。
【００９６】
上記評価装置にスタンパをセットし、１．２ｍ／秒の線速度でスタンパを回転させる。なお線速度は、装置のトラッキング特性があるところから周波数が高くなるにつれて低下する傾向にある（サーボゲイン特性）。このため、スピンドルモータの最低回転数以上でできるだけ遅いほうが、ＲＲＯの高次成分を、その次数における変位量を増幅させて、より正確に調べることができる。この評価装置では、ディスクの一回転分を周波数に変換し、これを回転周波数とし、偏芯次数をこの回転周波数で表すことができる。
【００９７】
レーザを照射し、チルトやオフセットを、差信号（プッシュプル信号）最大となるところに調整し、トラッキングを行う。トラッキング後のプッシュプル信号の周波数解析を、ＦＦＴアナライザ（小野測器社製ＣＦ−５２１０使用）を用いて行った。
【００９８】
次に、トラッキングをＯＦＦにして、フォーカスのみ調整した状態で、同じプッシュプル信号のｐｅａｋ−ｔｏ  ｐｅａｋ値を調べた。このｐｅａｋ−ｔｏ  ｐｅａｋ電圧値は１／２トラックピッチ変位量に相当する。ＦＦＴアナライザにて測定した各周波数での電圧値を、ｐｅａｋ−ｔｏ  ｐｅａｋ電圧値で割ることにより変位量を計算した。なお、ＦＦＴアナライザの測定条件は１つのトラックを１００回測定し、平均化したデータを１回測定とし、かつダミー領域内でトラックを変えて５回測定した結果の最大値を変位量としている。この計算結果を本発明中でのスタンパのＲＲＯとした。この中で、特にスタンパの回転周波数を基準の１次として１５次から４０次の変位量に注目した。１５次未満の場合、スタンパを載置する位置による誤差が生じやすく、また、４０次を超えるところまで測定しなくても、ある程度安定した変位量が得られる。
【００９９】
ＲＲＯ特性を調べる装置の特性上、プッシュプル信号ＰＰの振幅（ｐ−ｐ）を和信号ＳＵＭの電圧値（ｐ−Ｇ）で規格化した値  ＰＰ／ＳＵＭが、少なくともＰＰ／ＳＵＭ＜０．１となればトラッキングを行うことが不可能となるため、このようにならないようトラッキングを行えるようなランドとグルーブの比を選定することができる。
【符号の説明】
【０１００】
３…樹脂スタンパ、５…磁気記録層、７…紫外線硬化性樹脂層、９…中心孔、６１…磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010170624.tif 000016
【図７】
2010170624.tif 000017
【図８】
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【図９】
2010170624.tif 000019
【図１０】
2010170624.tif 000020
【図１１】
2010170624.tif 000021
【図１２】
2010170624.tif 000022
【図１３】
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