(57)【要約】【課題】  押印装置に含まれるＸ−ＹステージのＸ−Ｙ面におけるストロークの低減。【解決手段】  ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、モールドに形成されたモールドマークと基準マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するための第１のスコープと、モールドマークを介さずに、基板に形成された基板マークのＸ−Ｙ平面における位置を計測するための第２のスコープと、ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、を有し、Ｘ−Ｙ平面において、ディスペンサの中心は、モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置され、第２のスコープの中心は、ディスペンサの中心に対して第１の距離の２倍よりは小さい距離だけ前記方向またはその逆の方向にずれた位置に配置されている、ものとする。【選択図】  図１
2010080631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基準マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するための第１のスコープと、
前記モールドマークを介さずに、前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークのＸ−Ｙ平面における位置を計測するための第２のスコープと、
前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
を有し、
Ｘ−Ｙ平面において、前記ディスペンサの中心は、前記モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置され、前記第２のスコープの中心は、前記ディスペンサの中心に対して前記第１の距離の２倍よりは小さい距離だけ前記方向またはその逆の方向にずれた位置に配置されている、
ことを特徴とする押印装置。
【請求項２】
モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基準マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するための第１のスコープと、
前記モールドマークを介さずに、前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークのＸ−Ｙ平面における位置を計測するための複数の第２のスコープと、
前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
を有し、
Ｘ−Ｙ平面において、前記ディスペンサの中心は、前記モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置され、前記複数の第２のスコープそれぞれの中心は、前記ディスペンサの中心に対して前記第１の距離の２倍よりは小さい距離だけ前記方向とは逆の方向にずれた位置に配置されている、
ことを特徴とする押印装置。
【請求項３】
前記複数の第２のスコープそれぞれの中心のＸ−Ｙ平面における位置を変える駆動手段を有する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の押印装置。
【請求項４】
モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基準マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するための第１のスコープと、
前記モールドマークを介さずに、前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークのＸ−Ｙ平面における位置を計測するための第２のスコープと、
前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
を有し、
Ｘ−Ｙ平面において、前記ディスペンサの中心および前記第２のスコープの中心は、前記モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置されている、
ことを特徴とする押印装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の押印装置を用いて基板の各ショットに樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程において前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有する押印装置に関する。特に、基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂にモールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で液状樹脂を硬化させてショットに樹脂のパターンを形成する押印装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
紫外線、Ｘ線あるいは電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの微細パターンの形成方法に代わる技術としてナノインプリントが既に知られている。ナノインプリントは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成したモールド（雛型または原版ともいう）を、樹脂材料を塗布したウエハ等の基板に押し付ける（押印する）ことによって、樹脂上にパターンを転写する技術である。
【０００３】
ナノインプリントには幾つかの種類があり、その一方法として光硬化法が従来から提案されている（特許文献１）。光硬化法は、紫外線硬化型の樹脂に透明なモールドで押し付けた状態で感光、硬化させてからモールドを剥離する（離型する）方法である。この光硬化法によるナノインプリントは、温度制御が比較的容易に行なえる点や透明なモールド越しに基板上のアライメントマークの観察が出来る点から半導体集積回路の製造に適していると言える。
【０００４】
また、異なるパターンの重ね合せを考慮すると、基板全面を一括転写する方式もあるが、製造するデバイスのチップの大きさに合せたモールドを製作し、基板上のショットに逐次転写するステップ＆リピート方式の適用が好ましい。
【０００５】
更に、ショットごとにアライメントを行なうダイバイダイ方式と、グローバル方式によるアライメントとを、ショットの配列精度やスループットに応じて使い分けることが望ましい。
【特許文献１】米国特許第７，０２７，１５６号公報
【特許文献２】特開２００７−１８４３４２号公報
【特許文献３】特許第０３５４８４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の半導体露光装置では、グローバルアライメントでのサンプルショットの計測に要する時間がスループットの観点から問題となっていた。
【０００７】
この問題の１つの解決手段として、被転写基板を載置した露光用の基板ステージとは別に計測用のステージを用意し、複数のアライメント計測手段によりオフアクシスで被転写基板のサンプルショット計測を同時に行なう方法が特許文献２に開示されている。この特許文献２による方法では、サンプルショットの計測に基板ステージの動作が伴わないので、計測時間の短縮は可能であるが、露光用の基板ステージとは別に計測用のステージが必要で、両者の間に基板の搬送手段も必要になる。これに代えて、基板が載置された露光用の基板ステージをアライメント計測手段のある場所まで移動させ、サンプルショットの計測を行なうとしても、露光装置に必要なフットプリントが増大し、装置全体が大型化するという問題があった。
【０００８】
一方、ナノインプリント装置においては、紫外線硬化樹脂の吐出手段であるディスペンサヘッドが基板ステージの必要ストロークの観点から、モールド保持手段の近傍に配置されることが多い。このため、ダイバイダイアライメントおよびグローバルアライメントの両方に対応しようとした場合、グローバルアライメントでのサンプルショット計測用のオフアクシスアライメントスコープを配置する場所の確保が容易ではない。オフアクシスアライメントスコープの配置場所によっては、サンプルショット計測のために追加される基板ステージのストロークが過大となったり、装置のスループットの低下を招いたりしうる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を考慮してなされた本発明の一側面としての押印装置は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基準マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するための第１のスコープと、
前記モールドマークを介さずに、前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークのＸ−Ｙ平面における位置を計測するための第２のスコープと、
前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
を有し、
Ｘ−Ｙ平面において、前記ディスペンサの中心は、前記モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置され、前記第２のスコープの中心は、前記ディスペンサの中心に対して前記第１の距離の２倍よりは小さい距離だけ前記方向またはその逆の方向にずれた位置に配置されている、
ことを特徴とする押印装置である。
【００１０】
また、本発明の第２の側面としての押印装置は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基準マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するための第１のスコープと、
前記モールドマークを介さずに、前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークのＸ−Ｙ平面における位置を計測するための複数の第２のスコープと、
前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
を有し、
Ｘ−Ｙ平面において、前記ディスペンサの中心は、前記モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置され、前記複数の第２のスコープそれぞれの中心は、前記ディスペンサの中心に対して前記第１の距離の２倍よりは小さい距離だけ前記方向とは逆の方向にずれた位置に配置されている、
ことを特徴とする押印装置である。
【００１１】
さらに、本発明の第３の側面としての押印装置は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基準マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するための第１のスコープと、
前記モールドマークを介さずに、前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークのＸ−Ｙ平面における位置を計測するための第２のスコープと、
前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
を有し、
Ｘ−Ｙ平面において、前記ディスペンサの中心および前記第２のスコープの中心は、前記モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置されている、
ことを特徴とする押印装置である。
【００１２】
本発明の他の側面は、『特許請求の範囲』や、『発明を実施するための最良の形態』、添付した図面等に記載したとおりである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、押印装置に含まれるＸ−ＹステージのＸ−Ｙ面におけるストロークの低減の点で有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態である光硬化法を用いたナノインプリント装置（押印装置）について説明する。
【００１５】
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１に係るナノインプリント装置の構成図で、図２は、本発明の実施形態１に係るナノインプリント装置の制御ブロック図である。また、図１０は、本発明の実施形態１に係るアライメントマークの配置を示すモールドチャック周辺の断面図である。
【００１６】
図１、図２及び図１０において、１は基板であるウエハ、２はウエハ１を保持するためのウエハチャック（基板チャックともいう）である。３はウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能、ウエハ１のｚ位置の調整機能、及びウエハ１の傾きを補正するためのチルト機能を有する微動ステージで、ウエハ１を所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ４上に配置される。以下、微動ステージ３とＸＹステージ４とを合せて、基板ステージ、ウエハステージまたはＸ−Ｙステージと総称する。
【００１７】
５はＸＹステージ４が載置されるベース定盤、６は微動ステージ３上に取り付けられ、微動ステージ３のｘ及びｙ方向（ｙ方向は不図示）の位置を計測するためにレーザ干渉計７からの光を反射する参照ミラーである。８及び８’はベース定盤５上に屹立し、天板９を支える支柱である。
【００１８】
１０はウエハ１に転写される凹凸のパターンＰ２がその表面に形成されたモールドで、図示しない機械的保持手段によって、モールドチャック１１に固定される。モールドチャック１１は同じく図示しない機械的保持手段によって、モールドチャックステージ１２（モールドステージともいう）に載置される。１１Ｐはモールド１０をモールドチャック１１に設置する際にモールド１０のモールドチャック１１上の位置を規制する複数の位置決めピンである。
【００１９】
モールドチャックステージ１２にはモールド１０（モールドチャック１１）のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能及びモールド１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。また、そのｘ及びｙ方向の位置を計測するためにレーザ干渉計７’からの光を反射する反射面を有する（ｙ方向は不図示）。モールドチャック１１及びモールドチャックステージ１２には、ＵＶ光源１６からコリメータレンズ１７を通して照射されるＵＶ光をモールド１０へと通過させる開口１１Ｈ及び１２Ｈをそれぞれ有する。
【００２０】
１３は、その一端がモールドチャックステージ１２に固定され、天板９を貫通するガイドバー１４及び１４’の他端を固定するガイドバープレートである。１５及び１５’はエアシリンダまたはリニアモータからなるモールド昇降用リニアアクチュエータで、ガイドバー１４及び１４’を図１のＺ軸方向に駆動し、モールドチャック１１に保持されたモールド１０をウエハ１に押し付けたり、引き離したりする。
【００２１】
１８は天板９に支柱１９及び１９’により懸架されたアライメント棚で、ガイドバー１４及び１４’が貫通している。２０は静電容量センサなどのギャップセンサで、ウエハチャック２上のウエハ１の高さ（平坦度）を計測する。２１（図１に図示せず）はモールドチャック１１またはモールドチャックステージ１２に取り付けられた複数のロードセルで、モールド１０の押し付け力を計測する。
【００２２】
３０及び３０’はアライメント計測用のＴＴＭ（スルー・ザ・モールド）アライメントスコープである（第１のスコープともいう）。当該スコープは、ウエハ１に形成されたアライメントマーク（基板マークともいう）とモールド１０に設けられたアライメントマーク（モールドマークともいう）との位置ずれを計測するための光学系および撮像系または受光素子を有する。ＴＴＭアライメントスコープ３０及び３０’により、ウエハ１とモールド１０との間のｘ及びｙ方向の位置ずれを計測する。
【００２３】
３１はグローバルアライメント用のオフアクシスアライメントスコープ（第２のスコープともいう）で、アライメント棚１８の下面に配置され、ウエハ上のアライメントマーク（基板マークともいう）の位置を計測する。オフアクシスアライメントスコープ３１は、モールド１０（モールドマーク）を介さずに、ウエハチャック２に保持されたウエハ１に形成されたアライメントマークのＸ−Ｙ平面における位置を計測するためのものである。ここで、オフアクシスアライメントスコープ３１は、ショットサイズやショットレイアウトの変更に応じて、ウエハ上のアライメントマークの位置が変わっても対応できるようにｘｙ平面内でその位置を変えることができるようになっている。
【００２４】
３２はウエハ１の表面に液状の樹脂（液状樹脂）を滴下する樹脂滴下ノズルを備えたディスペンサヘッド（樹脂吐出手段）である。なお、液状樹脂は光硬化樹脂が好ましい。
【００２５】
５０は微動ステージ３上（Ｘ−Ｙステージ上）に配置された基準マーク台上の基準マークである。
【００２６】
１００は以上のアクチュエータやセンサ類を統括して、装置に所定の動作をさせるＣＰＵ（中央制御装置）である。
【００２７】
ここで図１及び図７から図１０を用いて、半導体デバイス作成時のナノインプリント装置の動作について説明する。図７は複数枚のウエハに同じモールドを使用して、あるレイヤのパターンの転写を行なう場合のフローチャートである。
【００２８】
図７において、ステップＳ１では、図示しないモールド搬送手段により、モールドチャック１１にモールド１０が供給される。
【００２９】
ステップＳ２では、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３１により図１０に示すモールド１０のアライメントマークＭ１、Ｍ２と微動ステージ３上の基準マーク５０とを同時に観察するなどして、それらの間の位置ずれを計測する。
【００３０】
そして、この計測結果を使用して、モールドチャックステージ１２により主にモールド１０のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置を合わせる。
【００３１】
次に、ステップＳ３で図示しないウエハ搬送手段により、ウエハチャック２にウエハ１が供給される。
【００３２】
続くステップＳ４ではＸＹステージ４を駆動して、ギャップセンサ２０によりウエハ１全面の高さ（平坦度）を計測する。この計測データは後述するように、モールド押印時にウエハ１の転写ショット面を図示しない装置の基準平面に合せる際に使用される。
【００３３】
次にステップＳ５では、ウエハ１上に先行して転写された複数のプリアライメントマーク（図示せず）をプリアライメント計測手段（図示せず）により撮像する。そして、画像処理により複数のプリアライメントマークの装置に対するｘ、ｙ方向のずれを計測し、その結果を元にウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置補正を行なう。
【００３４】
続くステップＳ６では、ＸＹステージ４を駆動して、オフアクシスアライメントスコープ３１の下に、図９で斜線を施した特定のショット２、９、１３、２０（サンプル計測ショットまたは単にサンプルショット）を順に移動させる。そして、各サンプル計測ショットごとに、図１０に示すウエハ１上のアライメントマークＷ１、Ｗ２を、オフアクシスアライメントスコープ３１を用いて撮像して、（不図示の）装置基準に対するｘ、ｙ方向の位置ずれ量（Ｘ−Ｙ平面における位置）を計測する。
【００３５】
図１０において、Ｐ１はアライメントマークＷ１、Ｗ２とともに先行レイヤで転写されたパターンで、Ｐ２はモールド１０の転写パターンである。
【００３６】
計測されたｘ方向及びｙ方向の位置ずれ量からθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置ずれも算出される。
【００３７】
そして、図９における上記サンプル計測ショットでのオフアクシスアライメントスコープによる計測結果から、ウエハ１上の各ショットにおけるｘ、ｙ、θ方向のずれを算出して、ショットごとの転写を行なう際のウエハステージの位置決め目標位置が決定される。当該決定は、計測されたショット座標を設計上のショット座標の座標変換により近似する式の係数を、最小自乗法等を用いて算出するなどの方法で行うことができる。
【００３８】
これは、例えば特許文献３で開示されている、ステップ＆リピート方式の半導体投影露光装置で用いられているグローバルアライメント計測の手法と同様のものである。
【００３９】
次に、ステップＳ７でウエハ１上の各ショットに対して、図８に示すフローチャートによるパターン転写が行なわれる。
【００４０】
全ショットの転写が終了すると、ステップＳ８で（図示しない）ウエハ搬送手段によりウエハ１がウエハチャック２から回収される。
【００４１】
続くステップＳ９では、続いてパターン転写を行なうウエハがあるかどうかの判定が行なわれ、転写するウエハがある場合はステップＳ３に戻り、転写するウエハが無い場合はステップＳ１０に進む。
【００４２】
ステップＳ１０では（図示しない）モールド搬送手段によりモールドチャック１１からモールド１０の回収を行ない、複数ウエハへのパターン転写を終了する。
【００４３】
図８は、本発明の実施形態１のナノインプリント装置に係る、１ウエハのパターン転写時のフローチャートで、図７のステップＳ７に相当する。
【００４４】
以下、図８と図１、図２を用いて、本発明の実施形態１にかかわるナノインプリント装置の動作及び作用等について説明する。
【００４５】
図８において、まず、ステップＳ７０１でＸＹステージ４を駆動し、ウエハ１の載置されたウエハチャック２を移動させ、ウエハ１上のパターンの転写を行なう場所（ショット）をディスペンサヘッド３２の下に持って来る。
【００４６】
続くステップＳ７０２でディスペンサヘッド３２によってウエハ１上の目的のショットに光硬化樹脂の滴下を行なう。
【００４７】
次に、ステップＳ７０３で該ショットの表面がモールド１０のパターンＰ２と対向する位置に来るようにＸＹステージ４を駆動する。この際、ウエハステージの位置は図７のステップＳ６のアライメント計測の結果によって決定され、決定された目標位置に移動する。
【００４８】
さらに、前述のウエハ高さ計測データに基づき、微動ステージ３によりウエハチャック２のｚ方向の高さと傾きを調整して、ウエハ１の前記ショットの表面を装置の基準平面（不図示）に合せる。
【００４９】
そして、ステップＳ７０４でリニアアクチュエータ１５及び１５’を駆動することによりモールドチャック１１を所定位置まで下降させる。
【００５０】
次に、ステップＳ７０５で、モールドチャック１１またはモールドチャックステージ１２に取り付けられた（図示しない）複数のロードセル２１の出力によりモールド１０の押し付け力が適切な値かどうかの判定を行なう。押し付け力が所定の範囲になかった場合、ステップＳ７０５の判定をｎｏで抜け、ステップＳ７０６に進む。
【００５１】
ステップＳ７０６では、リニアアクチュエータ１５及び１５’によってモールドチャック１１のｚ方向の位置を変えるか、または微動ステージ３によってウエハチャック２のｚ方向の位置を変えることにより、モールド１０の押し付け力の調整を行なう。目標とする押し付け力になるまでステップＳ７０５とステップＳ７０６のループを回り、ステップＳ７０５でモールド１０の押し付け力が適切であると判定されると、ステップＳ７０５をｙｅｓで抜け、ステップＳ７０７に進む。
【００５２】
ステップＳ７０７では、ＵＶ光源１６により所定時間のＵＶ光の照射を行なう。
【００５３】
ＵＶ光の照射が完了すると、続くステップＳ７０８でリニアアクチュエータ１５及び１５’を駆動してモールドチャック１１を上昇させ、モールド１０をウエハ１上の硬化した樹脂から引き離す。
【００５４】
次にステップＳ７０９で、ＸＹステージ４を駆動し、次のショットがディスペンサヘッド３２の下に来るようにウエハ１を移動させる。
【００５５】
続くステップＳ７１０では、ウエハ１上の全ショットのパターン転写が終了したかどうかの判定を行なう。
【００５６】
未転写のショットがある場合は、ステップＳ７１０の判定をｎｏで抜け、ステップＳ７０２へ戻る。
【００５７】
未転写のショットが無い場合は、ステップＳ７１０の判定をｙｅｓで抜け、ステップＳ７１１に進む。
【００５８】
ステップＳ７１１ではウエハ１の回収（図７のステップＳ８）に備えて、所定の位置にＸＹステージ４を駆動する。
【００５９】
以上、図８を用いて、ウエハ１へのパターン転写の動作及び作用について説明したが、一部のショットをダイバイダイアライメント方式で位置合わせをしてパターン転写することも可能である。例えば、配列精度の良いウエハ中心部のショットには、ダイバイダイアライメント方式を適用する。そして、アライメント誤差の大きそうなウエハ周辺部のショットは、グローバルアライメント方式でのアライメントによりパターン転写を行なうケースが考えられる。
【００６０】
この場合、ダイ・バイ・バイアライメントは、図８のステップＳ７０４の前または後に行なうことになる。具体的には、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３０’を使用して、図１０に示すモールド１０上のアライメントマークＭ１、Ｍ２とウエハ１上のアライメントマークＷ１、Ｗ２との間の位置ずれを計測する。そして、ｘ、ｙ方向の位置ずれ量からθ方向の位置ずれ量を算出し、微動ステージ３により、ｘ、ｙ、θ各方向の位置ずれの補正（位置合わせ）を行なう。
【００６１】
図３は本発明の実施形態１におけるオフアクシスアライメントスコープの配置図である。モールドチャック１１の中心とウエハチャック２の中心とがＸ−Ｙ平面内で等しい位置とした場合を図示している。モールドチャックステージ１２、ディスペンサヘッド３２、およびオフアクシスアライメントスコープ３１のＸ−Ｙ平面への各投影とウエハ１との位置関係を示す平面図となっている。
【００６２】
図３において、１２０がモールドチャックステージ１２の投影、３１０がオフアクシスアライメントスコープ３１の投影、３２０がディスペンサヘッド３２の投影をそれぞれ示している。
【００６３】
このような配置のオフアクシスアライメントスコープ３１の下に４つのサンプルショット（ショット２、９、１３、２０）が位置するようにＸＹステージ４を順次移動させてアライメント計測を行なえばよい。
【００６４】
ここで、Ｘ−Ｙ平面において、オフアクシスアライメントスコープ３１（第２のスコープ）の中心は、ディスペンサの中心とモールドチャックの中心との間に配置されている。しかし、この配置に限らず、第２のスコープの中心は、ディスペンサの中心の近傍に配置されていればよい。そうすれば、Ｘ−Ｙステージのストロークを、ディスペンサがウエハ上の全ショットに樹脂を配するのに要するストロークから、サンプルショット計測のためにさらに拡大すること又は拡大量を抑えることができる。そのような「近傍」の配置としては、例えば、次のような配置であればよい。すなわち、ディスペンサの中心は、モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置されているとする。このとき、第２のスコープの中心は、ディスペンサの中心に対して当該第１の距離の２倍よりは小さい距離だけ当該方向またはその逆の方向にずれた位置に配置されている。
【００６５】
なお、ディスペンサの中心は、基板に対向するディスペンサの樹脂吐出口の中心を意味し、当該樹脂吐出口は、例えば、多数の開口（孔）を含むライン状または矩形状の領域である。モールドチャックは、そのＸ−Ｙ平面への投影が典型的には矩形状の形状をなし、モールドチャックの中心は、当該形状の中心を意味する。基板チャックは、そのＸ−Ｙ平面への投影が典型的には円形状の形状をなし、基板チャックの中心は、当該形状の中心を意味する。第２のスコープは、その視野または最終光学面が典型的には円形状の形状を有し、第２のスコープの中心は、当該形状の中心を意味する。
【００６６】
［実施形態２］
図４は本発明の実施形態２を示すオフアクシスアライメントスコープの配置図である。図３と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。
【００６７】
図４において、ディスペンサヘッド３２とオフアクシスアライメントスコープ３１とは、ｘ方向には、ほぼ同じ座標に配置されている。このように配置することで、実施形態１と同様の効果が得られるとともに、アライメント棚１８に必要とされるｘ方向の寸法を低減することが可能となる。
【００６８】
なお、図４に図示した例に限らず、Ｘ−Ｙ平面において、ディスペンサの中心および第２のスコープの中心は、モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置されていればよい。
【００６９】
［実施形態３］
図５は本発明の実施形態３を示すオフアクシスアライメントスコープの配置図である。図３と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。
【００７０】
図５において、３２０ａと３２０ｂは、それぞれディスペンサヘッド３２ａ、３２ｂ（いずれも不図示）の投影である。図５では、２つあるディスペンサヘッドとオフアクシスアライメントスコープ３１とは、ｘ方向に、ほぼ同じ座標に配置されている。
【００７１】
ディスペンサヘッドが複数ある場合も、図５のように配置することで、実施形態１や２の場合と同様の効果が得られる。
【００７２】
［実施形態４］
図６は本発明の実施形態を示すオフアクシスアライメントスコープの配置図である。図３と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。
【００７３】
図６において、３１０ａ〜３１０ｄは、４つのオフアクシスアライメントスコープ３１ａ〜３１ｄ（いずれも図示せず）の投影である。
【００７４】
このように４つのオフアクシスアライメントスコープを配置することで、サンプルショット２、９、１３、２０のアライメント計測では、ＸＹステージ４の移動を行わずに並行して行える効果が得られる。なお、各オフアクシスアライメントスコープの位置をショットレイアウトに応じて変更できない場合であっても、４つのオフアクシスアライメントスコープがあれば、グローバルアライメント計測のためのステージの移動時間を短縮することができる。また、ここで、本実施形態において、「４つ」は例示に過ぎず、オフアクシスアライメントスコープは複数有ればよい。
【００７５】
すなわち、次のような配置であればよい。Ｘ−Ｙ平面において、ディスペンサの中心は、モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置されている。そして、複数の第２のスコープそれぞれの中心は、ディスペンサの中心に対して当該第１の距離の２倍よりは小さい距離だけ当該方向とは逆の方向にずれた位置に配置されている。
【００７６】
なお、グローバルアライメント計測では、計測精度の観点から、ウエハ上の最も外側のショットよりは１つ分内側（ウエハ中心寄り）のショットをサンプルショットとするのが通常である。よって、実施形態１乃至３において、オフアクシスアライメントスコープとディスペンサとのＸ−Ｙ平面における距離が１ショットのサイズ程度（３０ｍｍ程度）以下として、Ｘ−Ｙステージのストロークの拡大量をゼロまたは十分小さな値に抑えることも可能である。
【００７７】
以上に説明した実施形態によれば、基板ステージ（Ｘ−Ｙステージ）に必要とされるストロークの増大を抑えた押印装置を提供することができる。また、グローバルアライメントが可能で小フットプリント・高スループットな押印装置を提供することができる。
【００７８】
［物品の製造方法の実施形態］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、前述した押印装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
【００７９】
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
半導体やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの物品を製造するための微細パターンの形成に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】実施形態１に係るナノインプリント装置の構成図である。
【図２】実施形態１に係るナノインプリント装置の制御ブロック図である。
【図３】実施形態１に係るオフアクシスアライメントスコープの配置図である。
【図４】実施形態２に係るオフアクシスアライメントスコープの配置図である。
【図５】実施形態３に係るオフアクシスアライメントスコープの配置図である。
【図６】実施形態４に係るオフアクシスアライメントスコープの配置図である。
【図７】同一レイヤに関して複数のウエハに順次転写を行う流れを示す図である。
【図８】１つのウエハに転写を行う詳細な流れを示す図である。
【図９】グローバルアライメント計測のサンプルショットの配置を示す図である。
【図１０】アライメントマークの配置を示すモールドチャック周辺の断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  ウエハ
２  ウエハチャック
３  微動ステージ
４  ＸＹステージ
５  ベース定盤
６  参照ミラー
７・７’  レーザ干渉計
８・８’  支柱
９  天板
１０  モールド
１１  モールドチャック
１２  モールドチャックステージ
１３  ガイドバープレート
１４・１４’  ガイドバー
１５・１５’  リニアアクチュエータ
１６  ＵＶ光源
１７  コリメータレンズ
１８  アライメント棚
１９・１９’  支柱
２０  ギャップセンサ
３０・３０’  ＴＴＭアライメントスコープ
３１  オフアクシスアライメントスコープ
３２  ディスペンサヘッド
５０  基準マーク
１００  ＣＰＵ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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