(57)【要約】【課題】撮像装置に用いられる撮像管を周辺磁界から遮蔽する磁気遮蔽具、及び該磁気遮蔽具を備える撮像装置を提供する。【解決手段】本発明は、撮像装置に用いられる撮像管２０を周辺磁界から遮蔽する磁気遮蔽具１５を提供し、撮像管２０は、入射する光を吸収して電荷に変換し、この電荷を蓄積する光導電膜２と、光導電膜２の表面を走査するための電子ビームを発射する電子ビーム源５と、光導電膜２に蓄積された電荷を、電子ビームの入射により直接電気信号として取り出す信号ピン３とを備え、本発明の磁気遮蔽具１５は、光導電膜２の近傍の電子ビームの入射を周辺磁界から保護するための予め規定された形状寸法を有する遮蔽材からなる。【選択図】図４
2010170789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置に用いられる撮像管を周辺磁界から遮蔽する磁気遮蔽具であって、
前記撮像管は、
入射する光を吸収して電荷に変換し、この電荷を蓄積する光導電部と、
前記光導電部の表面を走査するための電子ビームを発射する電子ビーム源と、
該光導電部に蓄積された電荷を、電子ビームの入射により直接電気信号として取り出す信号読み出し電極とを備え、
前記磁気遮蔽具は、
前記光導電部の近傍の電子ビームの入射を周辺磁界から保護するための予め規定された形状寸法を有する遮蔽材からなることを特徴とする磁気遮蔽具。
【請求項２】
前記磁気遮蔽具は、円状の開口部を有し、且つ前記撮像管における光導電部の表面を覆うように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の磁気遮蔽具。
【請求項３】
前記磁気遮蔽具の予め規定された形状寸法は、前記光導電部の表面上における前記撮像管の中心から所定の距離を維持するように規定されていることを特徴とする、請求項２に記載の磁気遮蔽具。
【請求項４】
前記所定の距離は、４０ｍｍ以上、３００ｍｍ以下で規定されていることを特徴とする、請求項３に記載の磁気遮蔽具。
【請求項５】
前記磁気遮蔽具の予め規定された形状寸法は、前記撮像装置の筐体形状に適合させて規定され、且つ外部磁界に起因する磁力線が前記光導電部に侵入されないように配置されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気遮蔽具。
【請求項６】
前記磁気遮蔽具は、前記撮像装置の筐体の一部を形成していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気遮蔽具。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気遮蔽具を備えることを特徴とする、撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像管を用いる撮像装置に関するものであり、特に各カラーチャンネルに用いる撮像管を備えるカラー撮像装置について、撮像装置周辺の磁界の影響によるレジストレーションのずれを抑制し、高画質な撮影を可能とする磁気遮蔽具及び撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像管カラーテレビジョンカメラでは、撮像管を赤、緑、青の各チャンネルにそれぞれ組み込み、それぞれのチャンネルより得られる各色の画像を重ね合わせることでカラー画像を得ている。
【０００３】
撮像管は、導電面からなるターゲット電極と光導電膜を含む光導電部で構成されるターゲット部と、信号を読み出すための走査電子ビーム発生部（電子ビーム源とも称される）とを備え、ターゲット電極に外部電極から正電圧を印加することで、光導電膜に入射する光（紫外線、赤外線、可視光線、及びＸ線を含み、これらを総じて光と称する）を吸収して電荷に変換し、変換された電荷を光導電部に蓄積し、蓄積された電荷を電子ビームにより直接電気信号として取り出すデバイスである。
【０００４】
このターゲット部と走査電子ビーム発生部は、筐体によって真空を介して対向するように保持される。走査電子ビームは、管周辺に配置した偏向ヨークを用いて磁界によって曲げられ、光導電部を走査する。
【０００５】
撮像管カメラの位置や方向を変更した場合、地磁気やその他の周辺機器等による磁界（以下、周辺磁界と称する）と撮像管の方向の相対関係が変化するため、偏向ヨークやフォーカスコイルが作り出す磁界が影響を受け、アドレスエラーが生じる。赤、緑、青の各チャンネルの撮像管はカメラ内では異なった角度で取り付けられていることから、周辺磁界が電子ビームの偏向やフォーカスに及ぼす影響もそれぞれ異なり、被写体のエッジ部に沿って色付きの輪郭が生じる。
【０００６】
この現象は、レジストレーションずれと呼ばれ、撮像管カメラの位置や方向を大きく変える場合には、その都度、レジストレーション調整作業が必要となる。レジストレーションずれは解像度が向上するほどより目立つようになるため、高画質が必要となるハイビジョンカラーカメラなどでは、特に問題となる。そこで、従来から各種の対策が施されてきた。
【０００７】
レジストレーションずれ対策としては、周辺磁界によって変化した撮像管内部の磁界を偏向ヨークの制御などによって補正する方法と、不要な磁界が撮像管内部に入らないように遮蔽する方法とがある。しかしながら、レジストレーションずれは、カメラの画面中央部と周辺部で方向や距離が異なるため、画面全体を単純に平行移動や回転をするような方法では補正が難しく、前者の方法では、出力画像全体のレジストレーションずれを検知し、偏向ヨークを制御して補正する複雑な追加機構が必要となる。
【０００８】
また、補正機構を追加することなく、レジストレーションずれを防止するために、パーマロイなど透磁率が高く、磁力線が貫通しづらい材料を用いて撮像管周辺の空間を覆うことにより、撮像管内部への磁気の混入を防ぐ技法が提案されている（例えば、特許文献１，２、非特許文献１参照）。
【０００９】
特許文献１，２には、撮像管が収容された偏向ヨーク、或いは色チャンネルの偏向ヨークが接続されたプリズムユニットを、比透磁率の高いパーマロイなどの金属からなるケースによって覆うことで、撮像管内の磁界への周辺磁界による影響を低減し、レジストレーションずれを防止する技法が開示されている。上記の方法で、レジストレーションずれを或る程度は低減でき、ＮＴＳＣ方式など、比較的解像度の低い撮像装置においてはその有効性が確認できている。しかしながら、ハイビジョン方式など、解像度の高い撮像装置では、レジストレーションずれを十分に抑制することができていないため、被写体輪郭部の偽色が目立つようになる。
【００１０】
そこで、非特許文献１は、ハイビジョンカメラ全体をパーマロイシールドで覆う構造のシールドボックスについて開示している。このシールドボックスを装着したカメラのレジストレーションずれは、２画素以下となり、該形状のシールドボックスは解像度の高いハイビジョン撮像装置においても有効であることが分かっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】実用新案公昭６３−３４３７６号公報
【特許文献２】特開平２−１００２４１号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】財団法人  機械システム振興協会、「超高感度撮像システムの高度な活用に関するフィージビリティスタディ」、報告書、システム開発１９−Ｆ−５、２００８年３月、ｐｐ．８１−８６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、非特許文献１に開示されるシールドボックスを装着すると、撮像装置のサイズが肥大化し、重量も重くなるため、装置の運用性が大きく損なわれるという問題があった。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、高解像度の撮像管を用いた撮像装置においても十分にレジストレーションを抑制することができるシールドケースの形状や寸法と、該シールドケースと撮像管、特にシールドケースと光導電膜との位置関係を明確にし、撮像装置の運用性を損なわないサイズ及び重量のシールドケースを実現することで、良好な画質が得られるようにする磁気遮蔽具及び撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明による一態様の磁気遮蔽具は、撮像装置に用いられる撮像管を周辺磁界から遮蔽する磁気遮蔽具であって、前記撮像管は、入射する光を吸収して電荷に変換し、この電荷を蓄積する光導電部と、前記光導電部の表面を走査するための電子ビームを発射する電子ビーム源と、該光導電部に蓄積された電荷を、電子ビームの入射により直接電気信号として取り出す信号読み出し電極と、前記光導電部及び前記電子ビーム源を真空空間で対向するように収容する筐体とを備え、前記磁気遮蔽具は、前記真空空間内における前記光導電部の近傍の電子ビームの入射を周辺磁界から保護するための予め規定された形状寸法を有する遮蔽材からなることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明による一態様の磁気遮蔽具において、前記磁気遮蔽具は、円状の開口部を有し、且つ前記撮像管における光導電部の表面を覆うように構成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明による一態様の磁気遮蔽具において、前記磁気遮蔽具の予め規定された形状寸法は、前記光導電部の表面上における前記撮像管の中心から所定の距離を維持するように規定されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明による一態様の磁気遮蔽具において、前記所定の距離は、４０ｍｍ以上、３００ｍｍ以下で規定されていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明による一態様の磁気遮蔽具において、前記磁気遮蔽具の予め規定された形状寸法は、前記撮像装置の筐体形状に適合させて規定され、且つ外部磁界に起因する磁力線が前記光導電部に侵入されないように配置されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明による一態様の磁気遮蔽具において、前記磁気遮蔽具は、前記撮像装置の筐体の一部を形成していることを特徴とする。
【００２１】
更に、本発明による撮像装置は、本発明による一態様の磁気遮蔽具を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、外部磁界の影響によるレジストレーションずれを抑制しつつ、製造が容易で、高解像度・高画質を有する撮像装置を提供できるという特有の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】撮像管の構成を示す側断面図である。
【図２】磁界中で撮像管内の電子の軌道を示す図である。
【図３】撮像管の光導電部の近傍の側断面図である。
【図４】本発明による一実施例の磁気遮蔽具と既存の撮像管の構成を示す図であり、図４(ａ)は正面図、図４（ｂ）は側面図である。
【図５】本発明による一実施例の磁気遮蔽具の形状寸法と、レジストレーションずれの距離の関係を示す図である。
【図６】本発明による別の実施例の磁気遮蔽具と撮像装置の側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明による実施例１の磁気遮蔽具を備える撮像装置について説明する。
【００２５】
まず、本発明の理解のために、図１〜図３を参照して撮像管の構造を説明する。図１は、撮像管の側断面図である。図２は、磁界中で撮像管内の電子の軌道を示す図である。図３は、撮像管の光導電部の近傍の側断面図である。
【００２６】
図１を参照するに、撮像管２０は、主に、入射する光を吸収して電荷に変換し、この電荷を蓄積する光導電部（光導電膜２）と、光導電膜２の表面を走査するための電子ビームを発射する電子ビーム源５と、光導電膜２に蓄積された電荷を、電子ビームの入射により直接電気信号として取り出す信号ピン３（信号読み出し電極）とを備え、ガラス管４（撮像管の筐体）によって、光導電膜２及び電子ビーム源５を真空空間で対向するように収容するように構成されている。以下、撮像管２０の構造を、より詳細に説明する。
【００２７】
撮像管２０の光入射側には透光性基板１が設けられている。更に、透光性基板１の一方の面には、その導電面を介して光導電膜２が形成される。この透光性基板１には、信号ピン３が埋め込まれ、透光性基板１の導電面と信号ピン３が電気的に接続される状態となる。ガラス管４は、管状の部材であり、透光性基板１とシール（密封）されることにより、内部空間が真空に保持される。
【００２８】
光導電膜２は、膜厚２〜５０μｍのセレン（Ｓｅ）を主原料とする非結晶半導体層として真空蒸着法により形成される。
【００２９】
ガラス管４の内部には、奥部から開口部に向けて、電子ビーム源５、第１グリッド電極６、第２グリッド電極７、第３グリッド電極８、及びメッシュ電極９が配設される。
【００３０】
尚、信号ピン３には、透光性基板１の導電面からなるターゲット電極に正電圧を印加するために電源（図示せず）の正極性端子が接続され、更に、撮像信号を読み出すための読み出し部（図示せず）が接続される。この際、この電源の他方の負極性端子は、電子ビーム源５に接続され、走査電子ビームを介して閉回路を形成するように設置される。ターゲット電極に印加される電圧をターゲット電圧と称する。
【００３１】
また、ガラス管４の外側には、偏向ヨーク１０及び集束コイル１１が配設され、第３グリッド電極８内で加速される電子（電子ビーム５Ａ）を偏向及び集束させる。
【００３２】
電子ビーム源５には陰極材料が内蔵されており、これをヒータで加熱することにより電子雲が励起発生される。また、第１グリッド電極６、第２グリッド電極７、第３グリッド電極８、及びメッシュ電極９は、電子を光導電膜２の方向に引き出して加速させるための電極である。これらの加速電子は、集束コイル及び偏向コイルで集束偏向され、メッシュ電極９を通過させることで面内方向に均等な走査電子ビームに成形される。
【００３３】
ここで、各電極に印加される電圧は、電子ビーム源５のヒータ：約６Ｖ、第１グリッド電極６：約２０Ｖ、第２グリッド電極７：約３００Ｖ、第３グリッド電極８：約６００Ｖ、メッシュ電極９：約８００Ｖとすることができる。
【００３４】
光導電膜２の電子ビーム源５と対向する表面は、電子ビームで走査されると電子ビーム源５とほぼ同電位になり、光導電膜２とメッシュ電極９との間隙に強い減速電界が生じることになる。
【００３５】
電子ビーム５Ａは、メッシュ電極９を通過した後、減速され、略零の速度（即ち、零ではないが極めて零に近い速度）で光導電膜２の表面に到達する。これにより、高速で電子が光導電膜２に衝突するのを抑制することができ、衝突による二次電子の放出が抑制される。
【００３６】
ここで、撮像管２０内の走査電子ビーム５Ａの軌道に対する磁界の影響を明確にするため、一様な磁界の中を電子ビームが走行する場合、電子が進行方向に対して垂直に曲げられる距離を考える。一様な磁界Ｂがある空間を、電子が走行する場合を考えると、電子は、ローレンツ力を向心力とした図２に示すような円運動をする。この半径をｒとおくと、式（１）のように表すことができる。
【００３７】
【数１】
2010170789.tif 000003
【００３８】
また、磁界で電子が曲げられ、進行方向と垂直にずれる量をｘとおくと、式（２）のように表すことができる。
【００３９】
【数２】
2010170789.tif 000004
【００４０】
よって、電子が磁界によって曲げられる距離は、電子の走行速度に反比例することが分かる。
【００４１】
ところで、撮像管２０では、熱陰極で励起された電子をグリッド電極によって加速した電子を走査電子ビーム５Ａとして用いているが、二次電子の放出を防ぐため、電子が光導電膜２に付着する直前に、強い減速電界を加え、電子速度を略零の速度（即ち、零ではないが極めて零に近い速度）にする。このため、光導電膜２の近傍では、わずかな磁界の変化によっても、電子の軌道は大きく変化する。従って、レジストレーションずれに対しては、光導電膜２の近傍において、外部磁界の影響を低減することが最も効果的である。
【００４２】
一方、図３に示すように、従来からのシールドケース１１５（例えば、特許文献１，２）で撮像管２０（或いは、カラー撮像装置の場合、各色用の撮像管への入射を制御するプリズムユニット）を覆う場合、撮像管２０へ光を入射するための開口部が必要となる。しかしながら、透磁率の高いシールド材をシールドケース１１５に用いる場合には、磁力線がこの開口部に集中しているため、外部磁界から直接受ける影響だけではなく、シールドケース１１５を通過して湾曲して漏洩する磁力線の影響も受ける。
【００４３】
従って、図３に示すように、このような従来からのシールドケース１１５では、その開口部が光導電膜２の周辺部に近接しているため、最も周辺磁界の影響が大きいと考えられる光導電膜２の周辺部にシールドケース１１５からの磁力線が漏洩して入り込み、略零の速度の電子が入射すべき位置をシフトさせうる。このように、従来からのシールドケース１１５では、十分な磁気遮蔽効果が得られていなかったと考えられる。
【００４４】
実際に、走査電子ビームの速度が略零となる光導電膜の近傍において、周辺磁界の影響が最も大きいと考えられる。そこで、このような状況下で、如何にして外部磁界の影響を抑制しつつ、且つシールドケースからの磁力線の影響を受けないようにするかについて着目した。このために、撮像管２０の真空空間内における光導電膜２の近傍の電子ビームの入射を周辺磁界から保護するように構成した本発明に係る各実施例の磁気遮蔽具（磁気シールド材）について、以下説明する。
【００４５】
（実施例１）
図４は、本発明による一実施例の磁気遮蔽具と既存の撮像管の構成を示す図であり、図４(ａ)は正面図、図４（ｂ）は側面図である。本実施例の磁気遮蔽具１５は、撮像管２０の真空空間内における光導電膜２の近傍の電子ビームの入射を周辺磁界から保護するための予め規定された形状寸法を有する遮蔽材からなる。本実施例の磁気遮蔽具１５は、円状の開口部ＯＰＡを有し、且つ撮像管２０における光導電膜２の表面を覆うように構成され、この予め規定された形状寸法は、光導電膜２の表面上における撮像管２０の中心から所定の距離を維持するように規定されている（磁気遮蔽具１５内の空間ＤＡを維持すると解しても良い）。
【００４６】
特に、この所定の距離は、４０ｍｍ以上、３００ｍｍ以下で規定するのが好適であることは、以下の説明から明らかになる。尚、磁気遮蔽具１５は、外部磁界の影響を妨げるのに十分な厚みを有することが好ましく、パーマロイ材を用いて構成した場合には、０．５ｍｍ厚以上にすれば十分であり、用途に応じて材料及び厚み、並びに任意の形成方法を選定すればよい。磁気遮蔽具１５において重要なことは、上述の予め規定された形状寸法を維持することである。
【００４７】
例えば、磁気遮蔽具１５を構成する主の遮蔽材は、パーマロイのほか、センダスト、Ｆｅ系又はＣｏ系の非晶質合金を用いることができ、塗布、貼付、他の金属との混合などの任意の形成方法を選定することができる。
【００４８】
また、磁気遮蔽具１５の予め規定された形状寸法は、本実施例の磁気遮蔽具１５を適用する撮像管２０（又は、撮像管２０を備える撮像装置）の筐体形状に適合させて規定すればよく、且つ磁気遮蔽具１５は、外部磁界に起因する磁力線が光導電膜２の近傍に侵入されないように配置する。
【００４９】
また、磁気遮蔽具１５を撮像装置の外部を覆うように構成する以外にも、撮像装置の筐体の一部を形成するように構成することも可能である。
【００５０】
更に、本実施例において、電子ビームを光導電膜２上で走査して撮像情報を再現する磁界集束・磁界偏向型撮像管からなる撮像管２０を対象として説明するが、電子ビームを光導電膜２上に入射して得られる情報を、画像情報の１画素として構成した撮像管に適用することもできる。
【００５１】
以下、磁気遮蔽具１５における形状寸法に関して、詳細に説明する。
【００５２】
磁気遮蔽具１５における形状寸法を規定するにあたり、様々な検証を行った。まず、光導電膜２の近傍を、パーマロイのような透磁率の高い磁気シールド材（０．５ｍｍ厚）で覆ったところ、磁気シールド材の形状や、シールド材と光導電膜との位置関係によって、走査ビームが曲げられる距離や方向が異なることが分かった。限定するものではないが、検証に用いた磁気遮蔽具１５は、平板パーマロイ材の上辺及び下辺を、同じ平板パーマロイで覆い、右側側辺を開放したボックス状の構造とした。また、左側側辺を覆う平板パーマロイ材には、図４左に示すように光を入射するため、半径ｒ０の円状の開口部が設けられている。
【００５３】
図４中の寸法ｘ，ｙ，ｚ１，ｚ２がそれぞれ異なるシールドケースを作成し、撮像装置に装着した状態で、プロジェクター付レンズを用いてレジストレーション調整用パターンを撮像面に投射し、撮像装置を一定の方角に向けて撮影を行った。この際、撮像管２０は、一般的に広く用いられている磁界集束・磁界偏向型の撮像管とし、撮像装置の光学系は２／３型とし、磁気遮蔽具１５の開口部ＯＰＡの半径ｒ０は、一般的な２／３型レンズの接続が可能な最小の大きさである３２．５ｍｍとした。
【００５４】
ここで、撮像管２０を用いる撮像装置（カメラ）では、信号読み出し電極（信号ピン３）や光導電膜２の保護のために、光導電膜２の周辺に熱制御のための機構が必要となり、更に、磁界集束・磁界偏向型撮像管式のカメラでは、撮像管２０の周辺に偏向ヨークや集束コイルを配置しなければならないため、上記の形状でｘ，ｙ＜３０ｍｍ、ｚ１＜２０ｍｍとなるような磁気遮蔽具１５を実装できない。また、ｘ，ｙ，ｚ１，ｚ２のうちの１つを変化させて性能評価する場合に、他の寸法は４０ｍｍで固定にした。
【００５５】
次に、磁気遮蔽具１５を装着した撮像装置を１８０°回転させ、同様の撮影を行い、撮影された画面を比較することで、撮像装置を回転したことによる磁界の変化とレジストレーションずれの関係を評価した。評価の際、画面内で最も大きくレジストレーションがずれた距離を最大値、画面内でのレジストレーションずれを平均したものを平均値とする。
【００５６】
上記の実測結果を図５に示している。縦軸は、図４中のシールドケースの寸法、横軸は、ハイビジョン２／３型撮像面（９．６ｍｍ×５．４ｍｍ）上でのレジストレーションずれの距離を表し、黒丸はレジストレーションずれの画面内での最大値、白丸は平均値を表す。ハイビジョン２／３型撮像面での１画素を５μｍ角としたとき、レジストレーションずれが最大でも２画素以下である、つまり距離が１０μｍ以下であることが、良好な画像を得るためのレジストレーションずれの許容範囲であるとする。このとき、図５の結果では、ｘ，ｙ，ｚ１，ｚ２の全てが４０ｍｍ以上であるときに、十分な磁気シールド効果があることが分かった。また、カメラにシールド材を装着したとき、この距離はカメラ動作上の不具合のない上限値として３００ｍｍ以下にするのが望ましい。
【００５７】
上記の例では、撮像管前面の開口部の半径ｒ０を３２．５ｍｍとしたが、レンズ取り付け部材を取り付けるのに十分なサイズでよく、この半径ｒ０を小さくするほど好ましい。開口部を小さくした場合、よりシールドボックス内部への磁界流入が少なくなるため、ｚ１が４０ｍｍ以上あれば、光導電膜の近傍への磁界の漏洩は十分に防ぐことができる。
【００５８】
従って、本実施例の磁気遮蔽具１５によれば、撮像管２０における光導電膜２の表面を覆うように構成し、この予め規定された形状寸法として、光導電膜２の表面上における撮像管２０の中心から所定の距離を維持するように規定することが好適である。更に、この所定の距離は、４０ｍｍ以上、３００ｍｍ以下で規定するのが好適である。
【００５９】
次に、本発明による実施例２の磁気遮蔽具と撮像装置について説明する。
【００６０】
（実施例２）
図６は、本発明による別の実施例の磁気遮蔽具と撮像装置の側断面図である。本実施例の磁気遮蔽具２５は、実施例１の磁気遮蔽具１５の結果を、三管式カラー撮像管カメラに適用した場合の例であり、実施例１の利点を全て包含する。即ち、本実施例の磁気遮蔽具２５は、撮像管２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの真空空間内における各光導電膜２の近傍の電子ビームの入射を周辺磁界から保護するための予め規定された形状寸法を有する遮蔽材からなる。本実施例の磁気遮蔽具２５は、撮像管２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂにおける全ての光導電膜２の表面を覆うように構成され、この予め規定された形状寸法は、光導電膜２の表面上における各撮像管２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの中心から所定の距離（実施例１の図４に対照可能な形状寸法の距離ＤＡＲ，ＤＡＧ，ＤＡＢ）を維持するように規定されている。
【００６１】
実際に、三管式カラー撮像管カメラ用の磁気遮蔽具２５を試作した。この際、本来は、赤、緑、青それぞれのチャンネルの撮像管ごとに磁気遮蔽具１５（実施例１の図４参照）を装着することが好ましい。しかしながら、各々の撮像管２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、プリズムユニット１６を介して近傍に配置され、更に、各撮像管２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの光導電膜２の周辺には、信号読み出しのためのプリアンプ回路（図示せず）や、光導電膜２を保護するための温度制御機構（図示せず）などが過密に配置されているため、個々の撮像管２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに磁気遮蔽具１５（実施例１の図４参照）を配置するのは困難である。
【００６２】
一方、前述した、十分な磁界遮蔽効果が得られる磁気遮蔽具２５の条件は、各光導電膜２を中心とする４０ｍｍの空間の外側が各々の開口部を除いて磁気遮蔽具２５で覆われ、且つ当該空間内には、他のシールド材が含まれないことと言い換えることができる。そこで、各チャンネルに対応する撮像管２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに上述の条件を満たし、且つ、赤、緑、青チャンネルの撮像管撮像管２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各光導電膜２をプリズムユニット１６ごと覆う構造の磁気遮蔽具２５を試作した（図６参照）。
【００６３】
この磁気遮蔽具２５を装着したハイビジョン撮像管カラーカメラで撮影を行ったところ、従来、カメラの方向を１８０度回転して撮影した場合に、レジストレーションずれを最大値及び平均値ともに１画素程度に抑制することができることを確認した。このシールドケースのサイズ及び重量は共に、カメラの運用性を大きく損なわない程度にまで抑えられている。
【００６４】
以上のように、各実施例の磁気遮蔽具及び撮像装置によれば、撮像管内の、特に光導電膜の近傍において、外部環境による磁界の変動を抑制することができ、この結果、撮像管の走査電子ビームを光導電膜の近傍で略零にしたとしても、レジストレーションずれといった画像不良現象を伴うことなく、高画質の撮像信号を得ることができるようになる。
【００６５】
上述の実施例は、個々に代表的な例として説明したが、本発明の趣旨及び範囲内で、多くの変更及び置換ができ、更に、各実施例を組み合わせて別の実施例を実現することができることは当業者に明らかである。例えば、撮像装置を駆動させるための各電極に印加する電圧は、前述した値に限定されるものではない。また、シールド材は、パーマロイ板に限らず、センダスト、Ｆｅ系又はＣｏ系の非晶質合金のうちのいずれかで構成してもよい。更に、上述の実施例では、磁界集束・磁界偏向型の撮像管を用いて説明したが、電子ビームを真空中で加速し、光導電部にランディングさせて蓄積電荷を読み出す方式のデバイスであれば、他の形式の撮像デバイスであってもよく、本発明における同様の効果を奏することになる。従って、本発明は、上述の実施例によって制限するものと解するべきではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
このように、各実施例の磁気遮蔽具及び撮像装置によれば、周辺磁界の影響を好適に抑圧することができるので、高画質が要求されるテレビジョンカメラ、特にハイビジョン用カメラに有用である。
【符号の説明】
【００６７】
１  透光性基板
２  光導電膜
３  信号ピン
４  ガラス管
５  電子ビーム源
５Ａ  電子ビーム
６  第１グリッド電極
７  第２グリッド電極
８  第３グリッド電極
９  メッシュ電極
１０  偏向ヨーク
１１  集束コイル
１５  磁気遮蔽具
１６  プリズムユニット
１７  レンズ
１８  撮像装置の筐体
２０  撮像管
２０Ｒ  赤色用撮像管
２０Ｇ  緑色用撮像管
２０Ｂ  青色用撮像管
２５  磁気遮蔽具
１１５  シールドケース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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