(57)【要約】【課題】電子放出素子に良好な均一性を有する電界を加えることが可能な発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１０は、アノード電極１１と、アノード電極１１と対向するように設置され、電界の印加により電子を放出する電子放出素子１６と、電子放出素子１６の上に設けられ、開口１４ａを備えるシャドウマスク１４と、アノード電極１１と、シャドウマスク１４との間に設置され、開口１３ａを備えるゲート電極１３と、を備える。ゲート電極１３の開口１３ａの半径をＲｇとし、シャドウマスク１４の開口１４ａの半径をＲｍとし、ゲート電極１３とシャドウマスク１４とが離間する距離をｈｇ、シャドウマスクの厚さをｈｍとすると、Ｒｇ、Ｒｍ、ｈｇ及びｈｍは、１．５≦Ｒｇ／Ｒｍ≦１．８７、１．５≦Ｒｍ／ｈｇ≦２．０、ｈｍ／ｈｇ≦０．２を満たす。これにより、電子放出素子１６に良好な均一性を有する電界を加えることが可能となる。【選択図】図１
2010192212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極と対向するように設置され、電界の印加により電子を放出する電子放出素子と、
前記電子放出素子の上に設けられ、所定の位置に開口を備えるマスクと、
前記第１の電極と、前記マスクとの間に設置され、所定の位置に開口を備える第２の電極と、を備え、
前記第２の電極の開口の半径をＲgとし、前記マスクの開口の半径をＲｍとし、前記第２の電極と前記マスクとが離間する距離をｈｇ、前記マスクの厚さをｈｍとすると、該Ｒｇ、Ｒｍ、ｈｇ及びｈｍは、
１．５≦Ｒｇ／Ｒｍ≦１．８７
１．５≦Ｒｍ／ｈｇ≦２．０
ｈｍ／ｈｇ≦０．２
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第２の電極の開口と、前記マスクの開口とは、同軸に設けられることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記電子放出素子は、
少なくとも金属又は半金属のいずれかを含む基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成され、炭素から形成された電子放出膜を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記電子放出膜は、グラフェンシートを有するカーボンナノウォールを備えることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記電子放出膜は、前記カーボンナノウォール上に形成された微結晶ダイヤモンド膜を有することを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記電子放出膜は、前記微結晶ダイヤモンド膜の上に突出するように形成される、グラファイトからなる突起部を更に備え、
前記突起部は前記微結晶ダイヤモンド膜を介して、前記微結晶ダイヤモンド膜の下方に位置する前記カーボンナノウォールから成長していることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界電子放出型電極を利用した発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＦＥＬ（Field Emission lamp）のように、電界電子放出現象を利用した発光装置が照明として用いられている。例えば、３極型電極構造のＦＥＬは、アノード電極と、カソード電極と、ゲート電極と、電子放出素子とを備える。ゲート電極は、アノード電極とカソード電極との間に設置され、電子放出素子はカソード電極上に設置される。このＦＥＬで、ゲート電極に電圧を印加すると、カソード電極上に設置した電子放出素子の表面に電界が生じ、この素子表面から電子が放出される。放出された電子は、ゲート電極に空けられた開口を通過して、アノード電極上に塗布した蛍光体に照射され、蛍光体が発光する。この際、蛍光体の輝度は蛍光体に照射される電子の持つエネルギーと密度によって決定される。電界放出素子から放出される電子の密度は、電子放出素子の表面に加わる電界の強度によって左右される。
【０００３】
このような３極型電極構造のＦＥＬの最も大きな特徴は、アノード・カソード電極間の電圧を一定にしたまま、即ち、蛍光体に突入する電子線の速度を保ったままで、電子放出密度を変化させることができることにある。蛍光体の発光効率は、電子線速度が低速になるほど発光効率が低下する傾向を持つため、この特長によって三極型構造のＦＥＬは発光効率を落とさずに、発光強度を調節できることが可能となる。
【０００４】
一方、三極電極構造の問題点として、基本的に一様な構造とはならないゲート電極は、電子放出素子上の電界強度に勾配を生じさせることがある。量子効果に由来する電子放出特性は大きな非線形性を持つため、わずかな電界強度の勾配であっても、電子放出密度分布に大きな変化をもたらし、特に、電界強度が最も高くなるゲート電極直下の部分からの電子放出は、ほとんどがゲート電極で捕集されてしまうため、電力損失増大の原因となる。
【０００５】
そこで、ゲート電極での電力損失を削減することを目的に、例えば、特許文献１に開示されているように、電子放出素子上にシャドウマスクを配置する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１１００５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述した特許文献１では、電極設置に伴う電子放出素子上の表面電界強度の変化に関しては考慮されておらず、マスクされていない電子放出素子の表面、つまりシャドウマスクの開口を介して露出する電子放出素子の表面の電界に大きな勾配が生じうる。
【０００８】
このような電界の勾配の存在は、不均一な電子放出をもたらすことで、発光装置の発光の均一性を妨げるだけでなく、部分的に過剰な電子線を蛍光体に照射することで発光特性を劣化させ、ランプの寿命を縮める原因となっている。
【０００９】
本発明は上述した問題を鑑みてなされたものであり、マスクの開口部を介して露出する電子放出素子上に良好な均一性をもつ電界を生じさせることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点に係る発光装置は、
第１の電極と、
前記第１の電極と対向するように設置され、電界の印加により電子を放出する電子放出素子と、
前記電子放出素子の上に設けられ、所定の位置に開口を備えるマスクと、
前記第１の電極と、前記マスクとの間に設置され、所定の位置に開口を備える第２の電極と、を備え、
前記第２の電極の開口の半径をＲｇとし、前記マスクの開口の半径をＲｍとし、前記第２の電極と前記マスクとが離間する距離をｈｇとし、前記マスクの厚さをｈｍとすると、該Ｒｇ、Ｒｍ、ｈｇ、及びｈｍは、
１．５≦Ｒｇ／Ｒｍ≦１．８７
１．５≦Ｒｍ／ｈｇ≦２．０
ｈｍ／ｈｇ≦０．２
を満たすことを特徴とする。
【００１１】
前記第２の電極の開口と、前記マスクの開口とは、同軸に設けられてもよい。
【００１２】
前記電子放出素子は、
少なくとも金属又は半金属のいずれかを含む基板と、
前記基板上に形成されたバリア層と、
前記バリア層上に形成され、炭素から形成された電子放出膜を備えてもよい。
【００１３】
前記電子放出素子は、
前記電子放出膜は、グラフェンシートを有するカーボンナノウォールを備えてもよい。
【００１４】
前記電子放出膜は、前記カーボンナノウォール上に形成された微結晶ダイヤモンド膜を有してもよい。
【００１５】
前記電子放出膜は、前記微結晶ダイヤモンド膜の上に突出するように形成される、グラファイトからなる突起部を更に備え、
前記突起部は前記微結晶ダイヤモンド膜を介して、前記微結晶ダイヤモンド膜の下方に位置する前記カーボンナノウォールから成長してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、シャドウマスクとゲート電極との間の距離と、シャドウマスクの厚さと、シャドウマスクの開口と、ゲート電極の開口と、を所定の関係を満たすように設定することにより、シャドウマスクの開口部を介して露出する電子放出素子に良好な均一性を有する電界を生じさせることが可能な発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
【図２】発光装置の一部を模式的に示す図である。
【図３】本実施形態の電子放出素子を模式的に示す図である。
【図４Ａ】開口中心からの距離に対する電界強度を示す図である。
【図４Ｂ】電界強度差が１％以内となる面積の割合を示す図である。
【図５Ａ】開口中心からの距離に対する電界強度を示す図である。
【図５Ｂ】電界強度差が１％以内となる面積の割合を示す図である。
【図６】電界強度差が１％以内となる面積の割合を示す図である
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施形態に係る発光装置について図を用いて説明する。
【００１９】
発光装置１０は、図１に示すようにアノード電極１１と、蛍光体膜１２と、ゲート電極１３と、シャドウマスク１４と、カソード電極１５と、電子放出素子１６と、を備える。なお、カソード電極１５及び電子放出素子１６は、支持基板２０上に、支持部材２１を介して配置されており、アノード電極１１は、支持基板２０に対向する可視光に対して透過率の高い材料からなる対向基板２３上に配置される。また、ゲート電極１３とシャドウマスク１４との間には、スペーサ２２が配置されている。また、支持基板２０とアノード電極１１との間には、枠状に形成された側壁２４が設けられており、アノード電極１１と、蛍光体膜１２と、ゲート電極１３と、シャドウマスク１４と、カソード電極１５と、電子放出素子１６とは、支持基板２０、対向基板２３、側壁２４とからなる空間に配置される。
【００２０】
アノード電極１１は、可視光に対して透過率の高い導電材料から形成され、対向基板２３の支持基板２０と対向する面に形成される。アノード電極１１は、図示しないアノード電源に接続されており、例えば５〜７ｋＶの電圧が印加される。また、アノード電極１１上には蛍光体膜１２が形成される。
【００２１】
蛍光体膜１２は、蛍光体材料、例えばＰ２２蛍光体から形成され、アノード電極１１のカソード電極１５に対向する面上に形成される。電子放出素子１６から発せられた電子が蛍光体膜１２に衝突することにより、蛍光体膜１２中の蛍光体が発光する。蛍光体膜１２から発せられた光は、アノード電極１１、対向基板２３を介して発光装置１０の外に導出される。
【００２２】
ゲート電極１３は、アノード電極１１とカソード電極１５との間に設置される。ゲート電極１３には開口１３ａが形成される。開口１３ａの平面形状は略円形に形成される。ここで、図２に示すようにゲート電極１３の開口１３ａの半径をＲｇとする。また、支持部材２１上に設置されるカソード電極１５とシャドウマスク１４は接地され、ゲート電極１３はゲート電源に接続されており、ゲート電圧Ｖｇは、例えば２〜２．５ｋＶの電圧が印加される。
【００２３】
シャドウマスク１４は、導電性の材料から形成され、ゲート電極１３の直下にある電子放出素子１６を覆うように設置される。シャドウマスク１４は、電子放出素子１６と同電位となるように電気的に接続され、ゲート電極１３直下で電子放出を発生させないようにする。シャドウマスク１４には、平面形状が略円形の開口１４ａが形成される。シャドウマスク１４の開口１４ａとゲート電極１３の開口１３ａとは同軸となるように設置される。ここで、図２に示すようにシャドウマスク１４の開口１４ａの半径をＲｍとする。また、ゲート電極１３とシャドウマスク１４との離間する距離をｈｇとし、シャドウマスクの厚さをｈｍとする。
【００２４】
下記の数１に示すように、電子放出素子から放出される電子の量は、電界強度によって変化し、わずかに電界が変化するだけで、電子放出密度が大きく変化する。なお、以下の数１では、Ｉ：電子電流、Ｖ：電界強度、ａ，ｂは電子放出素子の材質、形状で決まる定数である。
【００２５】
【数１】
2010192212.tif 000003
【００２６】
そこで、本実施形態では、ゲート電極１３の開口１３ａの半径Ｒｇと、シャドウマスク１４の開口１４ａと、ゲート電極１３とシャドウマスク１４の離間する距離ｈｇとを、以下の関係式を満たすように形成し、ゲート電極１３と電界放出素子間に所定の電圧を印加することで、露出された電子放出素子に良好な均一性を有する電界を発生させる。言い換えれば電子放出素子表面の電界の勾配を低減させることができる。
【００２７】
（式１）
１．５≦Ｒｇ／Ｒｍ≦１．８７
【００２８】
（式２）
１．５≦Ｒｍ／ｈｇ≦２．０
【００２９】
（式３）
ｈｍ／ｈｇ≦０．２
【００３０】
上述した良好な均一性を有する電界について説明する。本実施形態で用いる微結晶ダイヤモンド、カーボンナノウォール、スティックを利用した電子放出素子は、その電子放出特性が量子効果に基づく非線形をもつため、僅かな電界強度変化で大きく電子放出密度が変化してしまう。よって、平均的な特性をもつ素子を１ｍＡ／ｃｍ2で素子を駆動させるとき、電子放出密度の放出面内の許容誤差を１０％とすれば、その変化をもたらす電界強度の許容誤差は１％程度となる。このため、本出願においては、許容される電界の勾配を、電子放出面のうち電界強度の差が１％の範囲内とし、本発明によって達成される電極構造が良好な均一性を持つ状態とは、その電界強度差が１％以内にある面積が全電子放出面に対して最低でも２５％以上であるものとする。これは、電界強度差が１％以内にある面積が最低でも２５％あれば、発光装置の発光は十分均一と言えるためである。
【００３１】
電子放出素子１６は、電界電子放出性を備える材料、例えばカーボン等から形成される。電子放出素子１６の表面に電界が生じることにより、素子表面から電子が放出される。
【００３２】
電界放出素子１６としては、電界電子放出性を備える材料を用いることができるが、本実施形態では、電子放出素子１６は、図３に示すように基板３１と、バリア層３２と、電子放出膜３３と、を有する。また、電子放出膜３３は、曲面をなす花弁状（扇状）の複数のグラファイト構造の炭素薄片が起立しながら互いにランダムな方向に繋がりあっているカーボンナノウォール（Carbon Nano Wall（ＣＮＷ））４１と、ＣＮＷ４１上に連続して堆積された、粒径がナノメートルオーダー（１μｍ未満）の複数の微結晶ダイヤモンド微粒子を含む層である微結晶ダイヤモンド膜（炭素膜）４２と、主にＣＮＷ４１の一部が成長し、微結晶ダイヤモンド膜４２の隙間を貫通し、微結晶ダイヤモンド膜４２の表面から突き出ている針状のスティック４３と、を有する。
【００３３】
ＣＮＷ４１からはスティック４３が成長している。また、スティック４３の周囲には微結晶ダイヤモンド膜４２のダイヤモンド微粒子４２ａが配置している。また個々のダイヤモンド微粒子４２ａ間には、ｓｐ２結合が支配的な相４２ｂが形成される。このようにスティック４３がＣＮＷ４１から成長することによって、スティック４３とＣＮＷ４１とが連続しているので、導体であるＣＮＷ４１からスティック４３に効率よく電子が供給され、スティック４３から良好に電子が放出される。
【００３４】
基板３１は、少なくとも金属あるいは半金属のいずれかを含む導電性材料、例えばＳｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、ステンレス合金からなる。金属あるいは半金属は、基板３１全体に含まれてもよく、電子放出膜３３が形成される面側のみ形成されていてもよい。
【００３５】
バリア層３２は、ＣＶＤにより生じる原料ガスを分解してなる反応性の高い炭素が内部に拡散しにくく且つ所定の粒径を有する粒子が基板３１の表面に敷き詰められた層であり、ダイヤモンド粒子、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の炭化物、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒化物、酸化鉄、酸化クロム、酸化アルミニウム等の酸化物等から形成される。
【００３６】
上述したように、本実施形態では、 ゲート電極１３の開口１３ａの半径をＲgとし、シャドウマスク１４の開口１４ａの半径をＲｍとし、ゲート電極１３とシャドウマスク１４とが離間する距離をｈｇとし、シャドウマスクの厚さをｈｍとし、Ｒｇ、Ｒｍ、ｈｇ及びｈｍが、
１．５≦Ｒｇ／Ｒｍ≦１．８７、
１．５≦Ｒｍ／ｈｇ≦２．０、
ｈｍ／ｈｇ≦０．２
を満たすようにゲート電極１３とシャドウマスク１４とを形成する。これにより、シャドウマスク１４の開口１４ａを介して露出する電子放出素子１６に良好な均一性を有する電界を加えることが可能となる。
【００３７】
（実施例）
本実施形態の構成を採る発光装置を電界シミュレータＥｓｔａｔ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ社製）を用いて電子放出素子の電子放出部分、つまりシャドウマスクの開口を介して露出する部分の電界強度分布を算出した結果を以下に示す。ここで、図２に示すｈｇを１ｍｍ、ｈｍを０．２ｍｍ、Ｖｇ＝２．５ｋＶとした。
【００３８】
図２における開口の中心０から周方向に向かう距離ｘ（ｍｍ）に対する規格化した電界強度を図４Ａに示す。図４Ａに示すように、ゲート電極とシャドウマスクの開口半径の比Ｒｇ／Ｒｍ＝１．１の場合では、中心部と比較し周辺部の電界強度が相対的に高くなる傾向を示す。一方、Ｒｇ／Ｒｍが２．２の場合、中心部の電界強度が相対的に高くなり、電界強度に勾配が強く生ずる。これに対し、Ｒｇ／Ｒｍが１．７の場合では、図４Ａに示すように、このような傾向が弱まり、電界強度の勾配を抑制することができていることがわかる。
【００３９】
図４Ｂは、Ｖｇ=２ｋＶ、２．５ｋＶの場合について、Ｒｇ／Ｒｍに対する電界強度差が１％以内となる面積の割合を表したものである。Ｖｇ＝２．５ｋＶの場合をみると、図４Ａで示されたように、電界強度差１％以内の面積の割合は、Ｒｇ／Ｒｍが小さく、具体的にはＲｇ／Ｒｍ＜１．５のとき、開口の中心部と比較し周辺部で電界が強くなるため電界の勾配も激しくなり、電界強度差１％の面積割合は２５％を下回った。これに対し、
Ｒｇ／Ｒｍを大きく、具体的にはＲｇ／Ｒｍ＞２．０のとき、周辺部と比較し中心部で電界強度が高くなり、電界強度差１％の面積割合は２５％を下回った。これに対し、Ｒｇ／Ｒｍが１．５から２．０の範囲では、電界強度差１％の面積割合は約２５％以上であった。
【００４０】
また、Ｖｇ＝２．０ｋＶの場合についてもＶｇ＝２．５ｋＶの場合と同様の傾向を示したが、電界均一領域の割合のピークがＲｇ／Ｒｍが小さい方向へ若干シフトし、電界均一領域の割合２５％以上となるのは、Ｒｇ／Ｒｍが１．４から１．８７の範囲であった。
【００４１】
電子放出素子として、１ｍＡ／ｃｍ2の電子放出をもたらす閾値電界強度が１Ｖ／μｍ程度である微結晶ダイヤモンド、カーボンナノウォール、スティックを利用した電子放出素子を使用する場合、ゲート電極に印加する電圧は２ｋＶ〜２．５ｋＶであることから、Ｒｇ／Ｒｍは、上記式１に示すように、上述のＶｇ＝２．０ｋＶと２．５ｋＶの両者の場合において電界均一領域が２５％以上となる、１．５以上、１．８７以下とすることが好ましいと言える。
【００４２】
次に、ゲート電極またはシャドウマスクの開口径と、ゲート電極とシャドウマスク間の距離ｈｇの変化に対する、シャドウマスクの開口を介して露出する部分の電界強度分布を、Ｅｓｔａｔを用いて算出した結果を以下に示す。ここで、図２に示すｈｍを０．２ｍｍ、Ｒｇ／Ｒｍ＝１．７、Ｖｇ＝２．５ｋＶとした。
【００４３】
前述の電界均一領域が高くすることができる範囲に存するＲｇ／Ｒｍ＝１．７の条件を課した状態で、Ｒｇとｈｇの比、Ｒｇ／ｈｇが１．０、１．５、１．８、２．５と設定したときの、図２における開口の中心０から周方向に向かう距離ｘ（ｍｍ）に対する電界強度（Ｖ／μｍ）を図５Ａに示す。Ｒｍ／ｈｇが小さい、具体的には１．０とすると、中心部の電界が強くなる傾向を示した。一方、Ｒｍ／ｈｇを大きい、具体的には２．５とすると、図５Ａに示すように中心部の電界よりも周辺部の電界が、数％ではあるが大きくなる傾向を示した。
【００４４】
図５Ｂは、図５Ａの状況において、Ｒｍ／ｈｇに対する電界強度差が１％以内となる面積の割合を表したものである。図５Ｂから明らかなように、電界強度差１％以内の面積の割合は、Ｒｍ／ｈｇが１．４より小さい場合は、開口の中心で電界が強くなるため電界の勾配も激しくなり、電界強度差１％の面積割合は２５％を下回る。これに対し、Ｒｍ／ｈｇが１．５、１．８、２．０の場合では、電界強度差１％の面積割合は２５％以上となる。Ｒｍ／ｈｇがさらに大きくなると、中心部と比較し、周辺部の電界強度が徐々に高くなり、Ｒｍ／ｈｇが２．５では電界強度差１％の面積割合は２０％程度まで低下した。
【００４５】
このように、図５Ａ及び図５Ｂから、シャドウマスクの開口半径Ｒｍとゲート電極とシャドウマスクとの距離ｈｇとの比、Ｒｍ／ｈｇは、上記式２に示すように、１．５以上、２．０以下であることが好ましいと言える。
【００４６】
図６にＲｇ／Ｒｍ＝１．５、１．７、２．０の場合について、電界シミュレータＥｓｔａｔを用いて、シャドウマスクの厚さｈｍとゲート電極とシャドウマスク間距離ｈｇの比ｈｍ／ｈｇに対する、電子放出素子のシャドウマスクから露出している面積のうち、電界強度差が１％以内となる面積の割合を示す。ここで、図２に示すＶｇ＝１．５ｋＶとし、ｈｇとｈｍとの和が１．２ｍｍとなるように固定した状態で、ｈｇ、ｈｍを変化させている。
【００４７】
図６に示されるようにＲｇ／Ｒｍがどの数値の場合にも、ｈｍ／ｈｇが大きくなるに従って電界が均一な面積の割合は減少していく傾向を示した。これは、シャドウマスクのエッジは電界集中しやすく、シャドウマスクが厚くなるほど電界集中の影響が増大し、その影響が電子放出素子上の電界まで及ぶためである。
【００４８】
しかし、ｈｍ／ｈｇ＝０．２の場合には、前述の結果によって規定した、Ｒｇ／Ｒｍが好適な１．５〜２．０の範囲において、電界が均一な領域の割合が２５％以上となっている。
【００４９】
このことから、シャドウマスクの厚さと、シャドウマスク・ゲート電極間距離との比ｈｍ／ｈｇは上記式３に示される０．２以下と設定することが好ましい。
【００５０】
本発明は上述した実施形態に限られず、様々な変形及び応用が可能である。
例えば、本実施形態では、ゲート電極等が支持基板、対向基板及び側壁に囲まれた空間に設置される構成を例に挙げて説明したが、これに限られない。例えば、ガラス管等にこれらを設けることも可能である。
【００５１】
また、上述した実施形態では、ゲート電極１３の開口１３ａ及びシャドウマスク１４の開口１４ａが、それぞれ二つ設けられている例を挙げて説明したが、これに限られず各開口は一つであっても、二つ以上形成されていてもよい。
【００５２】
上述した実施形態では、ゲート電極１３の開口１３ａ、シャドウマスク１４の開口１４ａの平面形状が円形である場合を例に挙げて説明したが、これに限られず、楕円形、多角形状等であってもよい。
【００５３】
また、上述した実施形態では、電子放出膜１６は、ＣＮＷ３１と、微結晶ダイヤモンド膜３２と、スティック３３と、を有する場合を例に挙げて説明したが、これに限られない。例えば、電子放出膜１６はカーボンナノウォール（ＣＮＷ）３１のみであってもよく、ＣＮＷ３１と微結晶ダイヤモンド膜３２とから構成されても良い。
【符号の説明】
【００５４】
１０    発光装置
１１    アノード電極
１２    蛍光体膜
１３    ゲート電極
１３ａ  開口
１４    シャドウマスク
１４ａ  開口
１５    カソード電極
１６    電子放出素子
２０    支持基板
２１    支持部材
２２    スペーサ
２３    対向基板
２４    側壁
【図１】
2010192212.tif 000004
【図２】
2010192212.tif 000005
【図３】
2010192212.tif 000006
【図４Ａ】
2010192212.tif 000007
【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
2010192212.tif 000009
【図５Ｂ】
2010192212.tif 000010
【図６】
2010192212.tif 000011