(57)【要約】【課題】液晶パネルにおいて、パネルサイズが大型化することなく狭額縁化が図れるとともに、耐久性向上と低コスト化を図ることができる。【解決手段】この発明に係る液晶パネル１００においては、画像を表示する表示面２００を備えるカラーフィルタ基板１２０と、スイッチング素子基板１１０と、このカラーフィルタ基板１２０及びスイッチング素子基板１１０間の表示面２００に対応した領域を囲う様に配置され該領域に液晶１４０を狭持するシール材１３０とを備え、表示面２００が曲面となる様にカラーフィルタ基板１２０及びスイッチング素子基板１１０が湾曲し、このカラーフィルタ基板１２０及びスイッチング素子基板１１０の湾曲により変形を生じている基板端面ＥＧｘにおいては、切断ダメージｄｍを溶融或いは削り除去して形成された強化面を有するものである。【選択図】図１
2010066462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示面を備える第一の基板と、前記第一の基板に対向して配置された第二の基板と、前記第一基板及び第二の基板間の前記表示面に対応した領域を囲う様に配置され該領域に液晶を狭持するシール材とを備え、前記表示面が曲面となる様に前記第一の基板及び前記第二の基板が湾曲した湾曲型液晶パネルであって、
前記第一の基板及び前記第二の基板の前記湾曲により変形を生じている基板端面においては、切断ダメージを溶融或いは削り除去して形成された強化面を有することを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
画像を表示する表示面を備える第一の基板と、前記第一の基板に対向して配置された第二の基板と、前記第一基板及び第二の基板間の前記表示面に対応した領域を囲う様に配置され該領域に液晶を狭持するシール材とを備え、前記表示面が曲面となる様に前記第一の基板及び前記第二の基板が湾曲した湾曲型液晶パネルの製造方法であって、
前記第一の基板を取り出す第一のマザー基板と前記第二の基板を取り出す第二のマザー基板を前記シール材により互いに対向して貼り合わせる工程と、
前記第一の基板及び前記第二の基板の前記湾曲により変形を生じる基板端面に対して、前記第一の基板及び第二の基板の所定の形状の外側に削りしろを設けた形状に切断する工程と、前記第一の基板及び前記第二の基板の前記湾曲により変形を生じる基板端面以外の基板端面に対して、前記所定形状に切断する工程と、前記削りしろを削ることにより、前記湾曲により変形を生じる基板端面に対して、切断ダメージを除去して形成された強化面を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
削りしろを削る工程を薬液によるエッチングにより行い、該エッチングにより同時に行われる第一の基板と第二の基板の表面を削り基板厚さを薄くする薄型化工程を備えたことを特徴とする請求項２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
削りしろを削る工程を薬液によるエッチングにより行い、前記湾曲により変形を生じる基板端面以外の基板端面を前記薬液に曝さずに行うことを特徴とする請求項２或いは請求項３に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
基板を保持する保持部材を湾曲により変形を生じる基板端面以外の基板端面に密着して保持することにより、前記湾曲により変形を生じる基板端面以外の基板端面を前記薬液に曝さずに削りしろを削る工程を行うことを特徴とする請求項４に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
湾曲により変形を生じる基板端面以外の基板端面を形成する切断工程を薬液による削りしろを削る工程より後に行うことにより、前記湾曲により変形を生じる基板端面以外の基板端面を前記薬液に曝さずに削りしろを削る工程を行うことを特徴とする請求項４に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項７】
湾曲により変形を生じる基板端面に平行な方向に複数の液晶パネルが一列に繋がった列状セル基板を該列状セル基板の長手方向に対し両側に各複数の液晶パネルの削りしろが連続して設けられた形状に第一のマザー基板と第二のマザー基板より切り出す工程と、
前記各複数の液晶パネルの削りしろを、湾曲により変形を生じる基板端面に対向する方向より一括して削ることにより、前記各複数の液晶パネルの削りしろを削る工程を同時に行うことを特徴とする請求項２〜６の何れかに記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項８】
複数の列状セル基板を、其々の複数の列状セル基板における連続して設けられた各液晶パネルの削りしろを揃えて保持して、
各複数の列状セル基板における前記削りしろを削る工程を同時に行うことを特徴とする請求項７に記載の液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は湾曲型液晶パネル及びその液晶パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、液晶パネルは貼り合わされた二枚のマザーガラス基板から所定の大きさの個片サイズへの切り出すことにより製造される。切り出しは、スクラブホイールにより、貼り合わされたマザー基板の表側及び裏側から其々二枚のマザーガラス基板表面に切断の起点となる切断傷を形成した後に、応力を印加することによりガラス基板を分断することにより行われる。また、応力の印加方法として、形成された切断傷に沿ってレーザー光を照射して切断する方法が使われる場合もある。これら何れの切断方法においても、基板の切断面には微小な傷やクラックなどのダメージが入ることがあり、この様な基板端面に残存する傷やクラックは、その後に加わった応力によって成長する。特に、最近、デザインなどの面での液晶パネルへの要求が多様化するのに伴って、表示面を凹面や凸面の曲面にするため、液晶パネルを湾曲形状に変形加工した液晶パネル（以後、湾曲型液晶パネルと呼ぶ。）などが開発されてきている。これらの湾曲型液晶パネルでは、湾曲形状への加工時や、製品としての使用時において、ガラスに応力が生じ易い。その結果、上記説明した微小な傷やクラックを起点として液晶パネルが破損するという問題があった。
【０００３】
この様に湾曲型液晶パネルにおいて、基板端面の強度を向上させることが望まれているが、一般的な液晶パネルについては、基板端面の強度を向上する方法が幾つか提案されている。特許文献１では、ガラス基板端面を樹脂にて保護することで補強し、衝撃や曲げのストレスに対する信頼性を向上させる方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４-３０２１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
然しながら、特許文献１のガラス基板端面を樹脂にて保護する方法では、外周端面に保護用樹脂を付着させる事により、本来のパネルサイズよりも大きくなるため、最近の狭額縁化の用途に支障が出てしまう。また、湾曲型液晶パネルにおいて、この方法により端面のどの部分を保護すれば良いかが規定されていないことから、全ての端面を保護してしまうと無用にパネルサイズの大型化が発生し、逆に保護が必要な端面が保護されないと十分に補強効果が得られずにパネルの破損を発生してしまうなど問題が残存する。以上の説明の様に、従来の液晶パネルの製造方法においては、湾曲型液晶パネルにおける耐久性向上及び低コスト化と狭額縁化を両立できる適当な方法が無かった。
【０００６】
この発明は、上述の様な問題を解決するためになされたもので、湾曲型液晶パネルにおいて、パネルサイズが大型化することなく狭額縁化が図れるとともに、製造される液晶パネルの耐久性向上と低コスト化が図れる湾曲型液晶パネル及びその製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液晶パネルにおいては、画像を表示する表示面を備える第一の基板と、この第一の基板に対向して配置された第二の基板と、この第一基板及び第二の基板間の表示面に対応した領域を囲う様に配置され該領域に液晶を狭持するシール材とを備え、この表示面が曲面となる様に前記第一の基板及び前記第二の基板が湾曲した湾曲型液晶パネルであって、この第一の基板及び第二の基板の湾曲により変形を生じている基板端面においては、切断ダメージを溶融或いは削り除去して形成された強化面を有するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明においては、湾曲型液晶パネルにおいて、狭額縁化とともに、耐久性向上と低コスト化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１.
図１は、本発明の実施の形態１における液晶パネルの概略図である。以下、この液晶パネルの構成について図１を用いて説明する。図１（ａ）は液晶パネル全体を示した平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）における断面線Ａ−Ｂでの断面図を示したものである。なお、図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。表示画素の繰り返し部分の省略及び膜構成の一部簡略化を行っている。また、図中、既出の図において説明したものと同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。以下の図においても同様とする。
【００１０】
ここでは、一例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をスイッチング素子に用いて動作される液晶パネルについて説明を行うことにする。図１（ａ）及び図１（ｂ）に示される様に、この液晶パネル１００は、画像を表示する表示面２００を有する第一の基板であるカラーフィルタ基板１２０と、カラーフィルタ基板１２０の表示面２００と反対側の面に対向して配置される第二の基板であるスイッチング素子基板１１０と、カラーフィルタ基板１２０とスイッチング素子基板１１０との間の表示面２００に対応する領域を囲う様に配置されたシール材１３０を備えており、このシール材１３０によりカラーフィルタ基板１２０とスイッチング素子基板１１０との間の表示面２００に対応する領域に液晶１４０が狭持されている。また、スイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０は何れも図１中の矢印Ｘと平行な方向を長手方向とする矩形となっており、カラーフィルタ基板１２０の表示面２００が凸面の曲面となる側に湾曲されている。湾曲方向は、この長手方向に湾曲の曲率が最大となる方向に湾曲されている。また、この湾曲に対応して、長手方向に平行な二辺ＥＧｘは湾曲されて変形しており、短手方向に平行な二辺ＥＧｙは変形されない。
【００１１】
また、上述のスイッチング素子基板１１０は、透明基板であるガラス基板１１１の一方の面における表示面２００に対応する領域に液晶１４０を配向させる配向膜１１２、配向膜１１２の下部に設けられ液晶１４０を駆動する電圧を印加する画素電極１１３、画素電極１１３に電圧を供給するＴＦＴなどのスイッチング素子１１４、スイッチング素子１１４を覆う絶縁膜１１５、スイッチング素子１１４に信号を供給する配線であるゲート配線１１６及びソース配線１１７などを有し、更に表示面２００に対応する領域外にはスイッチング素子１１４に供給される信号を外部から受け入れる端子１１８、端子１１８から入力された信号を対向電極へ伝達するためのトランスファ電極（図示せず）などを有している。また、ガラス基板１１１の他方の面には偏光板１５１を有している。
【００１２】
一方、上述のカラーフィルタ基板１２０は、透明基板であるガラス基板１２１の一方の面に液晶１４０を配向させる配向膜１２２、配向膜１２２の下部に配置され、スイッチング素子基板１１０上の画素電極１１３との間に電界を生じ液晶１４０を駆動する共通電極１２３、共通電極１２３下部に設けられるカラーフィルタ１２４及び遮光層１２５などを有している。また、ガラス基板１２１の他方の面には偏光板１５２を有しており、この偏光板１５２については、偏光板１５１と同種の素材からなる偏光板が用いられている。
【００１３】
また、スイッチング素子基板１１０とカラーフィルタ基板１２０はシール材１３０及び基板間の距離を一定の距離に保持するスペーサ（図示せず）を介して貼り合わされている。スペーサとしては、基板上に散布された所定の粒径を持つ粒状のスペーサを用いても良いし、何れか一方の基板上に樹脂をパターニングして所定の高さに形成された柱状のスペーサを用いても良い。更に、トランスファ電極と共通電極１２３は、トランスファ材（図示せず）により電気的に接続されており、端子１１８から入力された信号が共通電極１２３に伝達される。この他に、液晶パネル１００は駆動信号を発生する駆動用ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などを装備した制御基板１５３、制御基板１５３を端子１１８に電気的に接続するＦＦＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｆｌａｔ Ｃａｂｌｅ）１５４、光源となるバックライトユニット（通常は、表示面２００の反対側であるスイッチング素子基板１１０に対向して配置されるが、ここでは図示せず）などを備えており、これら部材と共に表示面２００の部分が開放された筐体（図示せず）の中に収納される。
【００１４】
また、スイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０は、其々、この所定の形状となる様に、少なくとも、この所定の形状よりも大きな外形を持つマザー基板より切り出されることにより形成されている。通常、この様にマザー基板より切り出して形成される液晶パネルにおいては、基板切断時に発生する微小な傷やクラックなどの切断ダメージが液晶パネルの基板端面に残存する。しかし、本実施の形態１の液晶パネル１００においては、スイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０の基板端面のうち、湾曲により変形しない短手方向に平行な二辺の基板端面ＥＧｙにのみ、基板切断時に発生する微小な傷やクラックなどの切断ダメージｄｍ部分が残存しており、湾曲により変形される長手方向に平行な二辺の基板端面ＥＧｘには切断ダメージｄｍ部分が残存しない。
【００１５】
この液晶パネル１００は次の様に動作する。例えば制御基板１５３から電気信号が入力されると、画素電極１１３及び共通電極１２３に駆動電圧が加わり、駆動電圧に合わせて液晶１４０の分子の方向が変わる。そして、バックライトユニットの発する光がスイッチング素子基板１１０、液晶１４０及びカラーフィルタ基板１２０を介して観察者側に透過或いは遮断されることにより、液晶パネル１００の表示面２００に映像などが表示される。
【００１６】
なお、この液晶パネル１００は、一例であり他の構成でも良い。液晶パネル１００の動作モードは、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードや、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、強誘電性液晶モードなどでもよく、駆動方法は、単純マトリックスやアクティブマトリックスなどでもよく、カラーフィルタ基板１２０に設けた共通電極１２３をスイッチング素子基板１１０側に設置して、画素電極１１３との間に横方向に液晶１４０に対して電界をかける横電界方式を用いた液晶パネルでも良い。また、透明基板についても一例としてガラスを用いたが、透明であれば透明プラスチックや石英など、他の材質であっても良い。
【００１７】
更に、トランスファ材については、シール材１３０中に導電性の粒子などを混合することにより代用でき省略することも可能である。また、ここでは、小型液晶パネルなどの様に、一辺にのみ端子１１８を設け、一つの制御基板１５３のみを接続する構成としたが、端子１１８をスイッチング素子基板１１０の二辺に設け、其々に制御基板１５３を接続する構成としても良い。更に駆動用ＩＣを制御基板１５３に載せた状態で接続するのではなく端子１１８上に配置して駆動用ＩＣの端子を端子１１８に直接接続する構成としても良い。また、シール材１３０において、液晶を注入する注入口の図示を省略しているが、液晶の注入方法として、真空中で注入口より注入する真空注入法を用いる場合には注入口及び注入口を封止する封止剤が形成される。また、液晶を液滴状で配置して真空中で基板を貼り合わせて注入する滴下注入法を用いる場合には、注入口及び封止剤は省略可能である。
【００１８】
次に、本実施の形態１における液晶パネルの製造方法について説明する。スイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０の製造方法については一般的な方法を用いるため、簡単に説明する。スイッチング素子基板１１０は、ガラス基板１１１の一方の面に、成膜、フォトリソグラフィー法によるパターンニング、エッチングなどのパターン形成工程を繰り返し用いてスイッチング素子１１４や画素電極１１３、端子１１６、トランスファ電極１１７などを形成することにより製造される。また、カラーフィルタ基板１２０は、同様に、ガラス基板１２１の一方の面にカラーフィルタ１２４や共通電極１２３などを形成することにより製造される。また、これらスイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０については、これらの基板に比べ面積の大きな二枚の異なるマザー基板内に、其々複数枚のスイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０が同時に製造される。また、いずれの基板も少なくとも貼り合わされる前までは、湾曲されない平面基板として製造される。
【００１９】
続いて、本実施の形態１において特徴的な組み立て工程について図２に示すフローチャートに従って説明する。まず、基板洗浄工程において、画素電極１１３が形成されているスイッチング素子基板１１０を洗浄する（Ｓ１）。次に、配向膜材料塗布工程において、スイッチング素子基板１１０の一方の面に、例えば印刷法により配向膜１１２の材料となるポリイミドからなる有機膜を塗布し、ホットプレートなどにより焼成処理し乾燥させる（Ｓ２）。その後、配向膜材料の塗布されたスイッチング素子基板１１０に対して配向処理を行い、配向膜１１２を形成する（Ｓ３）。また、Ｓ１からＳ３と同様に、共通電極１２３が形成されているカラーフィルタ基板１２０についても、洗浄、有機膜の塗布、及び配向処理を行うことにより配向膜１２２を形成する。
【００２０】
続いて、シール材１３０を形成するシール材塗布工程において、スイッチング素子基板１１０或いはカラーフィルタ基板１２０の一方の面にシール材１３０となる樹脂の塗布処理を行う（Ｓ４）。また、シール材１３０には、例えばエポキシ系接着剤などの熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂を用いることができ、後に行う液晶注入工程として、滴下注入方式を用いる場合には、紫外線硬化型樹脂を用いることが望ましい。このシール材塗布工程について、本実施の形態１においては、スクリーン印刷を用いた。
【００２１】
次に、スイッチング素子基板１１０或いはカラーフィルタ基板１２０の一方の面に、樹脂中に導電性の粒子を混在させたものや銀ペーストなどの基板間の導通を取るトランスファ材の塗布処理を行うトランスファ材塗布工程（Ｓ５）、スイッチング素子基板１１０或いはカラーフィルタ基板１２０の一方の面に基板間の距離を一定の距離に保持するスペーサを湿式法や乾式法により散布するスペーサ散布工程（Ｓ６）などが行われる。これら工程については、例えば、トランスファ材塗布工程は基板を貼り合わせるためのシール材中に導電性の粒子を混在させることにより、シール材の形成工程と兼ねることも可能であり、スペーサ散布工程はスイッチング素子基板１１０或いはカラーフィルタ基板１２０の一方の面に予め基板間の距離を決定する突起状の柱状スペーサを形成しておくことにより、其々省略することも可能である。
【００２２】
以上の様に準備が行われたスイッチング素子基板１１０とカラーフィルタ基板１２０に対して、滴下注入方式によって、液晶の滴下工程（Ｓ７）及びスイッチング素子基板１１０とカラーフィルタ基板１２０の貼り合わせ工程（Ｓ８）を行うことによって液晶の封止を行う。この液晶滴下工程（Ｓ７）から基板貼り合わせ工程（Ｓ８）までの工程について、図３を用い具体的に説明する。
【００２３】
本実施の形態１では、液晶パネルに比べ面積の大きなマザー基板より液晶パネルを複数枚取り出して製造（多面取り）する方法の一例として、貼り合わされた一対のマザー基板より四枚の液晶パネルを取り出す場合について説明する。まず、図３（ａ）は、カラーフィルタ基板を取り出す第一のマザー基板であるマザー基板２０を示した平面図である。図に示す様に、マザー基板２０に対して、点線で囲われる領域である矩形の四枚のカラーフィルタ基板１２０が形成されており、其々のカラーフィルタ基板１２０には、基板を貼り合わせるためのシール材１３０が液晶パネルの表示面２００（図中破線で囲われる領域）を囲む様に、閉ループの略矩形状に形成されている。この様な準備が行われた四枚のカラーフィルタ基板１２０に対し、其々の閉ループをなすシール材１３０のパターンで囲まれる領域内に、多数の微細な液滴状の液晶１４１が併せて所定のパネル内の容積となる様に滴下される。ここでは、滴下注入法を用いて液晶１４０を充填する方法を一例としたので、この様に形成したが、真空注入法を用いる場合には、シール材１３０は完全に閉じた形状ではなく一部開口させた注入口が形成される。また、貼り合わせた後に前記注入口より液晶１４０は注入されることから、上記説明した液滴状の液晶１４１の形成処理は省略される。
【００２４】
更に、図３（ｂ）に示す様に、カラーフィルタ基板１２０を取り出すマザー基板２０上に、スイッチング素子基板１１０を取り出す第二のマザー基板であるマザー基板１０が互いに対向して配置され、四枚のカラーフィルタ基板１２０に対して、四枚のスイッチング素子基板１１０が其々対応する様に位置合わせされたうえ、真空中において貼り合わされる。カラーフィルタ基板１２０上に形成された液滴状の液晶１４１はスイッチング素子基板１１０とカラーフィルタ基板１２０間に挟まれ拡げられ、図中、液晶１４０で示す様にシール材１３０で囲われる領域内に均一に拡がり充填される。なお、図中では、便宜上、マザー基板１０とマザー基板２０が若干ずれた状態で示されているが、マザー基板２０上にマザー基板１０が配置されたことを示すためであり、実際には、ほぼ完全に重なる様に位置合わせされて貼り合わされている。
【００２５】
また、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される様に、其々のシール材１３０の近傍には、図中矢印Ｘと平行な方向に並ぶ二つずつの液晶パネルを単位とする領域を囲む様にダミーシール１３０ｃが形成されている。これは、後に行われる二つずつの液晶パネルを単位とするガラスの研磨工程時に対向する基板の内側、特に端子１１８などが水や薬液によりダメージを受けないように基板外周部を囲い保護するものである。ダミーシール１３０ｃについては、シール材１３０と同じ材料によりスクリーン印刷により同時に形成しても良く、表示領域内に基板間の距離を決定する突起状の柱状スペーサを用いる場合には、この柱状スペーサと同じ材料により形成しても良い。また、少なくともガラスの研磨工程において、保護できれば良いことから、必ずしも、この様に貼り合わせ工程（Ｓ８）の時点で完全に囲う様に形成する必要は無く、ガスの通気経路などの開口部を設けて、ガラスの研磨工程の直前に開口部を封止する様にしても良い。また、ガラスの研磨工程の直前に基板端の外周を全て封止しても良く、その場合には、この貼り合わせ工程（Ｓ８）の前でのダミーシール１３０ｃの形成は省略可能である。
【００２６】
以上の様に貼り合わされたスイッチング素子基板１１０とカラーフィルタ基板１２０に対して、形成されたシール材１３０の硬化処理が行われる。この工程は、例えばシール２３３の材質に合わせて熱を加えることや、紫外線を照射することにより行われる。以上の様にして、液晶滴下工程（Ｓ７）から基板貼り合わせ工程（Ｓ８）までの工程が行われる。
【００２７】
続いて、図２に示すフローチャートに示す様に、一次基板切断工程において、貼り合わせた基板を、先ず、複数の液晶パネルが一列に繋がったに列状のセル基板（本実施の形態では二つの液晶パネルが繋がっている。以下、スティック状セル基板と呼ぶ）に分断する（Ｓ９）。次に、図中矢印Ｘ方向に平行な辺の基板端面ＥＧｘに形成された切断ダメージを除去する基板端研磨工程と湾曲液晶パネルを得るために、湾曲加工が容易になる様に、ガラス基板１１１及びガラス基板１２１の表面を削り基板厚さを薄くする薄型化研磨工程とを同時に行う（Ｓ１０）。この工程は、薬液を用いた化学研磨によりガラス基板表面を削ることにより行われる。次に、二次基板切断工程であるセル分断工程において、貼り合わせた基板を個々の液晶パネルに対応する個別セル基板に分断する（Ｓ１１）。この一次基板切断工程（Ｓ９）から基板端研磨及び薄型化研磨（Ｓ１０）、更にセル分断工程（Ｓ１１）までの工程について、図４〜図７を用い具体的に説明する。
【００２８】
先ず、貼り合わされた基板をスティック状セル基板に分断する一次基板切断工程（Ｓ９）について図４を用いて説明する。図４（ａ）は、この一次基板切断工程（Ｓ９）における切断位置を示したものであり、切断は図中破線で示される切断線ＢＬの位置において分断される。一般的には、ガラス基板の切断は切断線ＢＬに沿って、切断傷が形成され、その後、切断傷の近傍に圧力を印加することにより分断することができる。本実施の形態１では、図４（ａ）に示す様に、図中矢印Ｘと平行な方向の切断線ＢＬにより二本のスティック状セル基板に分断される。本実施の形態１では、図中矢印Ｘと平行な方向、即ち液晶パネルの長手方向に平行な二辺のみが湾曲されることから、湾曲される二辺の方向と一次基板切断工程（Ｓ９）における切断方向（切断線ＢＬの方向）を一致する様に決定した。更に、切断位置はスイッチング素子基板１１０の所定の形状（図中点線で示される矩形領域）ではなく、所定の形状よりも外側に形成された切断線ＢＬにより分断される。また、マザー基板１０側より見た図のみを用いて説明したが、マザー基板２０側についても同じ切断線ＢＬ上で切断され、カラーフィルタ基板１２０に対しても同様に所定の形状よりも外側において切断される。
【００２９】
続いて、図４（ｂ）は、以上の様に行った一次基板切断工程（Ｓ９）により形成された二本のスティック状セル基板のうちの一本のスティック状セル基板ＳＴＣについて示すものである。一次基板切断工程（Ｓ９）後においては、図に示す様に、二枚の液晶パネルが一列に繋がったスティック状セル基板ＳＴＣが得られ、このスティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側に、二枚の液晶パネル其々の切断により形成された基板端面ＥＧｄが連続した状態に形成される。この切断により形成された基板端面ＥＧｄについては、図中斜線による網掛けにより示す様に、切断傷を起因としたり、分断時において生じたり、切断を起因とする切断ダメージｄｍが残存している。切断ダメージとしては、具体的には微小な傷やクラック、残留応力などであり、本来のガラス基板よりも応力や衝撃に対して抗力が弱く、破損の起点となり易い部分である。然しながら、本実施の形態においては、この切断により形成された基板端面ＥＧｄに残存する切断ダメージｄｍ部分を以後に行う基板端研磨工程により研磨除去することから、除去される領域を見込んで、削りしろを設けて切断されている。この削りしろは、一次基板切断工程（Ｓ９）の説明で行ったとおり、スイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０に対して、所定の形状よりも外側に形成された切断線ＢＬにより分断したことにより、このスティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側に形成されており、各液晶パネルの削りしろが連続して設けられている。また、この後に、このスティック状セル基板ＳＴＣに対して行われる基板端研磨工程及び薄型化研磨工程（Ｓ１０）に対応して、先に説明した通り、図中矢印Ｘと平行な方向に並ぶ二つずつの液晶パネルを単位とする領域、即ち、このスティック状セル基板ＳＴＣの外周部を囲む様にダミーシール１３０ｃが形成されている。
【００３０】
続いて、この様に準備されたスティック状セル基板ＳＴＣに対して、図５に示す様に基板端研磨工程及び薄型化研磨工程（Ｓ１０）を行う。この工程は、図に示す様に、複数のスティック状セル基板ＳＴＣを保持部材ＨＬＤにより保持し、薬液ＥＣＴを保持したエッチング槽ＴＮＫ中に浸漬して薬液ＥＣＴによりスティック状セル基板ＳＴＣの表面のガラスをエッチング研磨する。薬液ＥＣＴとしては、市販のガラスエッチング液である希フッ酸やバッファードフッ酸などのフッ酸系のエッチング液が用いることができ、傷やクラックを除去可能なためには、薬液ＥＣＴが傷やクラックの内部に浸透し難くするため、上記フッ酸系のエッチング液に液の粘度を上昇させる添加物を混合することが好ましい。
【００３１】
また、スティック状セル基板ＳＴＣの保持方法について、図６を用いて説明する。図６（ａ）は、複数枚のスティック状セル基板ＳＴＣを保持部材ＨＬＤにより保持した状態を示すものであり、基板端研磨工程及び薄型化研磨工程が同時に行われる様に、複数のスティック状セル基板ＳＴＣを間隔を空けて保持し、更に、スティック状セル基板ＳＴＣの短手方向の二辺により保持して薬液ＥＣＴ内に浸漬する。これにより、スティック状セル基板ＳＴＣの薄型化研磨を行う基板面と、切断により形成された基板端面ＥＧｄのみが薬液ＥＣＴに接触され、研磨が行われる。この際に、保持部材ＨＬＤが、強度の高い保持母材ＨＬＤ−Ｍと、スティック状セル基板ＳＴＣと密着して密着面への薬液ＥＣＴの接触を防ぐ、柔軟なシリコンゴムなどの保持クッション材ＨＬＤ−Ｐより構成した。これにより、保持部材ＨＬＤによる保持される面では薬液ＥＣＴによる研磨が行われない。図６（ｂ）は、図６（ａ）の様に保持して基板端研磨工程及び薄型化研磨工程を行った後の状態を示したものであるが、スティック状セル基板ＳＴＣは基板面側においては、間隔を空けて保持されていることから、薬液ＥＣＴに接触されて、基板厚さが薄く研磨加工が行われている。また、基板端面ＥＧｄについても、薬液ＥＣＴにより研磨加工が行われ、基板端面ＥＧｄに存在する切断ダメージｄｍ部分が除去され、強化された新たな基板面よりなる基板端面ＥＧｘが形成される。
【００３２】
基板厚さの削り量としては、本実施の形態１では、スティック状セル基板ＳＴＣを構成する二枚のガラス基板の研磨加工前における基板厚さを０．７ｍｍに設定し、その基板厚さに対して、０．３ｍｍの厚さとなるまで、即ち、０．４ｍｍ削る様に研磨加工した。基板端面についても、基板面方向と略等方に研磨されることから、同様に０．４ｍｍ削る様に研磨加工される。切断ダメージｄｍ部分が確実に除去できる端面削り量と、所望の基板厚さの設計に対する薄型化研磨に対する削り量が同程度で良い場合には、上記説明の図６（ａ）〜図６（ｂ）で説明した保持方法のみで基板端研磨工程及び薄型化研磨工程を完了しても良いが、薄型化研磨に必要な削り量に対して、基板端研磨に必要な削り量のバランスが合わない場合、例えば、更に基板端研磨のみを行う必要がある場合には、更に追加の基板端研磨工程を実施しても構わない。その場合には、図６（ｃ）に示す様に、スティック状セル基板ＳＴＣを基板間にシリコンゴムなどの保護シートＧＳＴを交互に重ね合わせて、保持部材ＨＬＤ２により保持して行う。この様に保持すれば、スティック状セル基板ＳＴＣの表面を薬液ＥＣＴに接触させずに基板端面のみを薬液ＥＣＴに接触することができ、基板端研磨工程のみを独立して行うことができる。また、この様に基板端研磨工程のみを独立して行う場合には、スティック状セル基板ＳＴＣを間隔を空けて保持して行う基板端研磨工程及び薄型化研磨工程の同時処理工程の前に行う様に順番を変更しても良い。
【００３３】
続いて、図７（ａ）は、以上の様に基板端研磨及び薄型化研磨工程（Ｓ１０）を実施したスティック状セル基板ＳＴＣについて示すものである。図４（ｂ）において、スティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側に位置する基板端面ＥＧｄには切断ダメージｄｍ部分が残存することを説明したが、この図７（ａ）に示す様に、この切断ダメージｄｍが除去され、スティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側には強化された新たな基板面よりなる基板端面ＥＧｘが形成されている。また、この基板端面ＥＧｘが其々の液晶パネルの所定形状に対し、長手方向（図中矢印Ｘと平行な方向）の最終的な外形端となる。更に、二次基板切断工程であるセル分断工程（Ｓ１１）を行うことにより個々の液晶パネルが最終形状となる様に分断される。図７（ｂ）は、基板端研磨及び薄型化研磨工程（Ｓ１０）を実施したスティック状セル基板ＳＴＣに対してセル分断工程（Ｓ１１）を行い分断して形成された一つのセル基板ＣＥＬについて示すものである。セル分断工程（Ｓ１１）においては、図中矢印Ｙの方向に平行な切断が行われ基板端面ＥＧｙが形成される。これらの新たに切断により形成された基板端面ＥＧｙについては、切断ダメージｄｍ部分が残存する。それに対して、図中矢印Ｘの方向に平行な基板端面ＥＧｘについては、一次基板切断工程（Ｓ９）において形成された切断ダメージｄｍ部分が研磨除去されたスティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側に位置する基板端面が、そのまま使用されることから、切断ダメージｄｍ部分は残存しない。
【００３４】
また、この第二切断工程（Ｓ１１）においては、端子１１８と対向するガラス基板部分を不要ガラス片としてカラーフィルタ基板１２０より除去するための切断も行われる。この際、不要ガラス片とスイッチング素子基板１１０と間には、基板端研磨及び薄型化研磨工程（Ｓ１０）のために形成されたダミーシール１３０ｃの一部が残存する。ダミーシール１３０ｃと不要ガラス片の密着力が大きいと不要ガラス片を除去する際に、基板割れやスイッチング素子基板１１０上の膜のハガレなどを生じることが懸念される。図７（ｂ）の様にダミーシール１３０ｃ部についても不要ガラス片を除去したい場合には、例えば、次の方法を取ると良い。基板間の距離を決定する突起状の柱状スペーサと同じ材料でスイッチング素子基板１１０上或いはカラーフィルタ基板１２０上に形成すると、不要ガラス片の除去の際にダミーシール１３０ｃが一方の基板のみ固着して、他方の基板からは容易に剥がれることから、上記説明の様な不具合が発生せず不要ガラス片を除去できる。また、ダミーシール１３０ｃをシール材１３０と同じ材料により形成して、スイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０にしっかりと固着される場合には、図７（ｃ）に示す様に、端子上部のみの不要ガラス片を除去してダミーシール１３０ｃ部では、カラーフィルタ基板１２０を残す様に切断を行うと良い。また、ダミーシール１３０ｃをシール材１３０と同じ材料により形成した場合にも、ダミーシール１３０ｃ部において一方の基板との密着力を落とす様に、例えば、基板との密着力の低い膜を介して形成する方法、或いは基板との貼り合わせ前にダミーシール１３０ｃのみを硬化して貼り合わせ時に対向する基板に固着させない方法などを用いれば、図７（ｂ）の様に、ダミーシール１３０ｃ部にカラーフィルタ基板１２０を残さない構成をとることも可能である。以上の様にして、一次基板切断工程（Ｓ９）から基板端研磨及び薄型化研磨工程（Ｓ１０）、更にセル分断工程（Ｓ１１）までの工程が行われる。
【００３５】
続いて、図２に示すフローチャートに示す様に、偏光板貼り付け工程において、個々のセル基板ＣＥＬに偏光板１５１、１５２を貼り付ける（Ｓ１２）。続いて、制御基板実装工程において、制御基板１５３を実装し（Ｓ１３）、最後に基板を湾曲する様に変形された状態で筐体内に組み込み保持することによって（Ｓ１４）、図１において説明した構成を持つ湾曲型の液晶パネル１００が完成する。湾曲方向としては、本実施の形態１ではスイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０の長手方向に平行な二辺の基板端面ＥＧｘについて切断ダメージｄｍ部分が残存しない様に形成されたことから、この切断ダメージｄｍ部分が残存しない長手方向に平行な二辺の基板端面ＥＧｘのみが湾曲により変形する様に、即ち、液晶パネル１００の長手方向に平行な方向に湾曲の曲率が最大となる方向に湾曲する。また、本実施の形態１では表示面２００側が凸となる様に湾曲させたが、表示面２００側が凹になる様に湾曲させても良い。また、一次基板切断工程（Ｓ９）と第二切断工程（Ｓ１１）の切断する行方向と列方向を反対とすることにより、スイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０の短手方向に平行な二辺の基板端面ＥＧｙについて切断ダメージｄｍ部分が残存しない様に形成することができ、液晶パネル１００の短手方向に平行な方向に湾曲の曲率が最大となる方向に湾曲することも可能である。
【００３６】
以上の様に製造された本実施の形態１の湾曲型液晶パネルにおいては、湾曲により変形を生じている基板端面ＥＧｘに切断ダメージｄｍを削り除去して形成された強化面が形成される。その結果、湾曲形状への加工時や製品としての使用時において、ガラスへの応力により変形を生じている基板端面において、通常の切断により形成された基板端面に存在する微小な傷やクラックを起点とする液晶パネルの破損が発生しない。この強化面による効果は、製造時における湾曲加工時においても、剥がれやギャップ不良による不良品の発生を防止できることから歩留りの改善に寄与し、製品としての使用時においても、同様の不良の後発生を防止できることから信頼性の改善に寄与する。また、強化面の形成を特定の湾曲により変形する端面についてのみ、予め所定の基板形状よりも外側に設けた削りしろを研磨除去する方法を用いたことから、強化面を形成しながらも、所定の液晶パネルサイズより大きくなることもなく、正確なサイズの液晶パネルをマザー基板の大きさに対して効率良く取り出すことができる。その結果、パネルサイズが大型化することなく狭額縁化が図れるとともに、製造される液晶パネルの耐久性向上と低コスト化を両立して製造することができる。
【００３７】
また、本実施の形態１では、湾曲により変形を生じる基板端面ＥＧｘに対応して切断ダメージｄｍ部の残存する削りしろを除去する研磨処理工程を、複数の液晶パネルが一列に繋がったスティック状セル基板ＳＴＣの状態で行った。これにより、其々の液晶パネルの切断により形成された基板端面ＥＧｄを揃えた状態で基板端面ＥＧｘに対向する方向より一括して研磨処理を行うことができ、必要な端面についてのみ同時に効率的に行うことができる。また、これら工程を複数のスティック状セル基板ＳＴＣを長手方向の端面を揃え、間隔を空けて保持しながら薬液によるエッチングにより行うことから基板端研磨工程と湾曲が容易となる薄型化研磨工程を同時に行うことができるとともに、複数の液晶パネルからなるスティック状セル基板ＳＴＣを更に複数本同時に一括して処理することができ湾曲型液晶パネルの製造に好適な処理を効率的に行うことができる。また、上記の研磨工程が、湾曲により変形を生じる基板端面以外の研磨の不要な基板端面ＥＧｙを形成する切断が行われる前のスティック状セル基板ＳＴＣの状態で行われることから、基板端面ＥＧｙが薬液に曝されず、別途、基板端面ＥＧｙに保護層の形成処理などを行うことなく研磨の必要な面に対してのみ選択的に研磨処理を行うことができ、効率的かつ低コストで製造することができる。
【００３８】
また、本実施の形態１では、スティック状セル基板ＳＴＣの状態で、湾曲により変形を生じる基板端面ＥＧｘに関する削りしろを除去する工程を行ったが、スティック状セル基板ＳＴＣを分断する第二切断工程を先に実施し、セル基板ＳＥＬの状態で基板端研磨工程或いは薄型化研磨工程を行っても良い。その場合には、スティック状セル基板ＳＴＣの場合と同様に、図６（ａ）におけるスティック状セル基板ＳＴＣをセル基板ＳＥＬに置き換えて、複数のセル基板ＳＥＬにおける其々の基板端面ＥＧｄの位置を揃え、間隔を空けて保持しながら薬液に浸漬しエッチングを行う。これにより湾曲により変形を生じる基板端面ＥＧｘに対応して切断ダメージｄｍ部を除去する削りしろが形成された基板端面ＥＧｄのみが薬液ＥＣＴに接触され、研磨を行われる。この様にして、実施の形態１と同様に基板端研磨工程と薄型化研磨工程を同時に行うことが可能である。また、湾曲により変形を生じる基板端面以外の研磨が不要な基板端面ＥＧｙについては、基板端面ＥＧｙに保護層などを形成処理しても良いが、図６（ａ）における保持部材ＨＬＤにより密着して保持することにより基板端面ＥＧｙを薬液に曝さない様に保護して行うのが好ましい。この様にすることで、保持部材ＨＬＤによりセル基板ＳＥＬの保持の役割と基板端面ＥＧｙの保護の役割を兼ねることができ、別途、基板端面ＥＧｙに保護層の形成処理などを行うことなく研磨の必要な面のみを選択的に行うことができる。
【００３９】
また、本実施の形態１では、マザー基板より、二行、二列に配置された四枚の液晶パネルを取り出す場合を例に取り説明したが、これに限らずマザー基板のサイズと取り出す液晶パネルのサイズに応じて、行の数、列の数、取り出す液晶パネルの数を適宜設定可能である。また、多面取りに限られず、マザー基板より、一枚の液晶パネルを取り出す場合においても、液晶パネルに大きさ及び形状に対して、マザー基板の大きさ及び形状が異なり、マザー基板より切断により不要部を除去して液晶パネルを取り出す場合においては、本実施の形態の方法は転用可能である。これら、多面取り及び一枚の液晶パネルを取り出す場合についても、本実施の形態１と同様の効果を有する。
【００４０】
実施の形態２.
実施の形態１においては、湾曲により変形を生じる基板端面ＥＧｘに対応して切断ダメージを除去する基板端研磨工程を、薬液による研磨を用いて基板薄型化工程と同時に行う製造方法を選択した湾曲型液晶パネルについて説明を行ったが、本実施の形態２では、この基板端研磨工程を基板薄型化工程と独立に行う製造方法を選択した湾曲型液晶パネルについて説明する。なお、ここでは、本実施の形態２において、実施の形態１と同様である点は詳細な説明を省略し、実施の形態１の液晶パネルとの相違点について主に説明を行う。
【００４１】
本実施の形態２の液晶パネルにおいては、構成については、図１において説明した実施の形態１の構成と同様であることから詳細な説明は省略する。また、製造方法において、スイッチング素子基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０の製造方法については、実施の形態１と同様であることから詳細な説明は省略する。
【００４２】
続いて、本実施の形態２において特徴的な組み立て工程について、図８に示すフローチャートに従って説明する。基板洗浄工程（Ｓ１）〜筐体組み込み工程（Ｓ１４）において、本実施の形態１と比較して、基板端研磨工程と薄型化研磨工程を同時に行う研磨工程（Ｓ１０）が独立した研磨工程、即ち、薄型化研磨工程（Ｓ１０−１）と、基板端研磨工程（Ｓ１０−２）とに分離して行われる様に変更した点、薄型化研磨工程（Ｓ１０−１）が一次基板切断工程（Ｓ９）よりも前に行われる様に変更した点、基板端研磨工程（Ｓ１０−２）が薬液を用いずに行われる様に変更した点が異なる。更に、この変更に伴い、薄型化研磨工程に対応した基板外周部を囲い保護するダミーシール１３０ｃ形成方法の変更が必要となり、ダミーシール１３０ｃ形成の行われるシール材塗布工程（Ｓ４）が異なる。従って、以下、シール材塗布工程（Ｓ４）〜基板端研磨工程（Ｓ１０−２）について、図９〜図１１を用い具体的に説明する。
【００４３】
先ず、シール材塗布工程（Ｓ４）について図９を用い説明する。図９（ａ）は、液晶滴下工程（Ｓ７）時のカラーフィルタ基板を取り出す第一のマザー基板の状態を示した平面図であり、図９（ｂ）は、貼り合わせ工程（Ｓ８）時の状態を示した平面図である。図３を用い説明した実施の形態１におけるシール材塗布工程（Ｓ４）と比較して、本実施の形態２では、薄型化研磨工程（Ｓ１０−１）において対向する基板の内側が薬液によりダメージを受けない様に保護するダミーシール１３０ｃをマザー基板２０の外周部に形成する点が異なる。これは本実施の形態２においては、マザー基板１０とマザー基板２０を切断する前に、薄型化研磨工程（Ｓ１０−１）を行うため、貼り合わされるマザー基板１０とマザー基板２０の最外周部となる様に設けられる。また、本実施の形態２のダミーシール１３０ｃも実施の形態１において説明したとおり、少なくともガラスの研磨工程において保護できれば良いことから、必ずしも、この様に貼り合わせ工程（Ｓ８）の時点で完全に囲う様に形成する必要は無い。従って、実施の形態１と同様にガスの通気経路などの開口部を設けて、薄型化研磨工程（Ｓ１０−１）の直前に開口部を封止する様にしても良い。更に、薄型化研磨工程（Ｓ１０−１）の直前に基板端の外周を全て封止する方法を用いても良く、その場合には、この貼り合わせ工程（Ｓ８）の前でのダミーシール１３０ｃの形成は省略可能である。その他の部分については、図３を用い説明した実施の形態１と同様であることから説明を省略する。
【００４４】
以上の様に貼り合わされたマザー基板１０とマザー基板２０に対して、実施の形態１と同様、形成されたシール材１３０の硬化処理が行われる。続いて、本実施の形態２では、この貼り合わされたマザー基板１０とマザー基板２０に対して、切断を行う前に、薬液に浸漬することにより薄型化研磨工程（Ｓ１０−１）が行われる。以上の様にして、シール材塗布工程（Ｓ４）から薄型化研磨工程（Ｓ１０−１）までの工程が行われる。
【００４５】
続いて、貼り合わされた基板をスティック状セル基板に分断する一次基板切断工程（Ｓ９）について図１０を用いて説明する。図１０（ａ）は、この一次基板切断工程（Ｓ９）における切断位置を示したものであり、図１０（ｂ）は、一次基板切断工程（Ｓ９）により形成されたスティック状セル基板ＳＴＣについて示すものである。図４を用い説明した実施の形態１における一次基板切断工程（Ｓ９）と比較して、ダミーシール１３０ｃの位置のみが異なる。本実施の形態２では、ダミーシール１３０ｃはマザー基板１０及びマザー基板２０の外周部に形成されていることから、この一次基板切断工程（Ｓ９）でダミーシール１３０ｃも分断される。スティック状セル基板ＳＴＣ上においては短手方向の辺の近傍のみに残り長手方向には残存しない。その他の部分については、図４を用い説明した実施の形態１と同様であることから詳細な説明は省略するが、本実施の形態２のスティック状セル基板ＳＴＣにおいても、このスティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側に位置する基板端面ＥＧｄに切断ダメージｄｍ部分が残存しており、その切断ダメージｄｍ部分を研磨除去するための削りしろを設けて切断されている。
【００４６】
続いて、本実施の形態２における基板端研磨工程（Ｓ１０−２）について、図１１を用い説明する。上記説明の様に準備されたスティック状セル基板ＳＴＣに対して、図１１（ａ）に示す様に基板端研磨工程（Ｓ１０−２）を行う。この工程は、図に示す様に、スティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側に位置する基板端面ＥＧｄのみを、物理研磨手段（或いは機械的研磨手段）の一つとして、回転する粗面を持つグラインダＧＲを基板端面に接触させながら走査することにより研磨する。物理研磨手段としては、グラインダの他に、粗面を持つヤスリなどにより基板端面を擦る研磨方法と仕上げの鏡面加工としてアルミナやダイヤモンドペーストなどの硬い微粒子からなる研磨材とともにシート材により基板端面を擦る研磨方法（一例としてバフ研磨などがある。）などを組み合わせた方法が用いることができる。また、研磨時のスティック状セル基板ＳＴＣの保持は、基板端面ＥＧｄの研磨が行い易ければ良く、例えばスティック状セル基板ＳＴＣの短手方向の二辺により保持しながら行うのが良い。図中では基板端面ＥＧの研磨処理を回転するグラインダＧＲを矢印の様に基板端面ＥＧｄに沿って走査して行っているが、基板端面ＥＧｄの全面に接する様な大きなディスク状のグラインダや回転方式のヤスリに回転軸方向より接触させることにより研磨しても良い。また、長手方向に対し両側に位置する基板端面ＥＧｄに対して、図の様に両側同時に行っても良いし、片側ずつ順次行っても良い。また、図の様に一枚ずつスティック状セル基板ＳＴＣに対して行っても良いが、複数のスティック状セル基板ＳＴＣについて端面を揃えて保持することにより、複数のスティック状セル基板ＳＴＣの研磨処理を同時に行うことが可能であり、効率良く研磨処理を行うことができ好ましい。また、実施の形態１においては、基板端研磨工程を薬液により行うことから、スティック状セル基板ＳＴＣの端面の全周をダミーシール１３０ｃにより囲い保護して行ったが、本実施の形態２においては、薬液を用いない物理研磨手段を用いることから、特に、この基板端研磨工程（Ｓ１０−２）用にダミーシールの形成や封止処理を行う必要は無い。
【００４７】
この様に基板端研磨工程（Ｓ１０−２）を行うことにより、図１１（ｂ）に示す様に、スティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側に位置する基板端面ＥＧｄにおいては、残存する切断ダメージｄｍ部分が除去され、強化された新たな基板面よりなる基板端面ＥＧｘが形成される。また、この基板端面ＥＧｘが其々の液晶パネルの所定形状に対し、長手方向（図中矢印Ｘと平行な方向）の最終的な外形端となる。
【００４８】
以後、図８に示すフローチャートに示す様に、実施の形態１と同様に、二次基板切断工程（Ｓ１１）、偏光板貼り付け工程（Ｓ１２）、制御基板実装工程（Ｓ１３）、筐体組み込み工程（Ｓ１４）などを行うことにより、図１において説明した実施の形態１と同様の構成を持つ湾曲型の液晶パネル１００が完成する。二次基板切断工程（Ｓ１１）についても、基本的には実施の形態１と同様であることから図面を用いた詳細な説明は省略するが、端子１１８と対向するガラス基板部分を不要ガラス片として除去する切断処理に関しては、本実施の形態２では、薄型化研磨工程用に形成されたダミーシール１３０ｃが不要ガラス片と干渉しない位置に形成されていることから、不要ガラス片の除去は容易であり、ダミーシール１３０ｃの材料や切断位置などに特に工夫をする必要は無い。
【００４９】
以上の様に製造された本実施の形態２の湾曲型液晶パネルにおいても、実施の形態１と同様に、湾曲により変形を生じている基板端面ＥＧｘに切断ダメージｄｍを削り除去して形成された強化面が形成される。その結果、湾曲形状への加工時や製品としての使用時において、ガラスへの応力により変形を生じている基板端面において、通常の切断により形成された基板端面に存在する微小な傷やクラックを起点とする液晶パネルの破損が発生しない。この強化面による効果は、製造時における湾曲加工時においても、剥がれやギャップ不良による不良品の発生を防止できることから歩留りの改善に寄与し、製品としての使用時においても、同様の不良の後発生を防止できることから信頼性の改善に寄与する。また、強化面の形成を特定の湾曲により変形する端面についてのみ、予め所定の基板形状よりも外側に設けた削りしろを研磨除去する方法を用いたことから、強化面を形成しながらも、所定の液晶パネルよりも大きくなることもなく、正確なサイズの液晶パネルをマザー基板の大きさに対して効率良く取り出すことができる。その結果、パネルサイズが大型化することなく狭額縁化が図れるとともに、製造される液晶パネルの耐久性向上と低コスト化を両立して製造することができる。
【００５０】
また、本実施の形態２では、湾曲により変形を生じる基板端面ＥＧｘに対応して切断ダメージｄｍ部の残存する削りしろを除去する研磨処理工程を、複数の液晶パネルが一列に繋がったスティック状セル基板ＳＴＣの状態で行った。これにより、其々の液晶パネルの切断により形成された基板端面ＥＧｄを揃えた状態で基板端面ＥＧｘに対向する方向より一括して研磨処理を行うことができ、必要な端面についてのみ同時に効率的に行うことができる。また、本実施の形態２においては、基板端研磨工程について薬液を用いない物理研磨手段によって行ったことにより、ダミーシールの形成方法の選択やセル基板の外形設計において自由度が高い。
【００５１】
また、本実施の形態１では、スティック状セル基板ＳＴＣの状態で、湾曲により変形を生じる基板端面ＥＧｘに対応して削りしろを除去する工程を行ったが、スティック状セル基板ＳＴＣを分断する第二切断工程を先に実施し、セル基板ＳＥＬの状態で基板端研磨工程或いは薄型化研磨工程を行っても良い。その場合には、スティック状セル基板ＳＴＣの場合と同様に、複数のセル基板ＳＥＬにおける其々の基板端面ＥＧｄの端面を揃えて保持しながら物理研磨手段による研磨処理を行う。これにより変形を生じる基板端面ＥＧｘに対応して切断ダメージｄｍ部を除去する削りしろが形成された基板端面ＥＧｄのみが研磨される。この様にして、実施の形態１と同様に複数の基板の基板端研磨工程を同時に行うことが可能である。
【００５２】
また、本実施の形態２では、湾曲により変形を生じる基板端面ＥＧｘに対応して切断ダメージを除去する基板端研磨工程を、薬液を用いない研磨方法として、グラインダ、やすり、研磨材などにより基板端面を擦る物理研磨手段を用いて行う製造方法を選択した湾曲型液晶パネルについて説明を行ったが、切断ダメージを除去し強化面を形成するためには、この様な接触させて削る方法以外にレーザー光などを切断ダメージ部に照射することによりガラスを溶融して切断ダメージを除去することも可能である。図１２は、実施の形態２における基板端研磨工程に替えて、レーザー光を照射して切断ダメージを除去する方法を用いた場合について説明した模式図である。図に示す様に、スティック状セル基板ＳＴＣの長手方向に対し両側に位置する基板端面ＥＧｄに対して、レーザー光ＬＬＴを照射するレーザーユニットＬＵＴを走査する。これにより、基板端面ＥＧｄに順次レーザー光ＬＬＴが照射され、基板端面ＥＧｄに残存する切断ダメージｄｍが溶融されて除去され、強化面が形成される。この方法を用いる場合、基板端面ＥＧｄの削りによる後退が殆ど生じないことから、実施の形態２において形成した予め設けられる削りしろについては設けなくても良いが、パネル外形に高い精度が要求される場合には、溶融による収縮量などを見越した若干量の削りしろを設けても良い。
【００５３】
この様な方法を用い実施の形態２を変形した場合においても、実施の形態２と同様に湾曲により変形を生じている基板端面ＥＧｘに切断ダメージｄｍを削り除去して形成された強化面が形成されることから、湾曲形状への加工時や、製品としての使用時において、ガラスへの応力により変形を生じている基板端面においても、通常の切断により形成された基板端面に存在する微小な傷やクラックを起点とする液晶パネルの破損が発生しない。この強化面による効果は、製造時における湾曲加工時においても、剥がれやギャップ不良による不良品の発生を防止できることから歩留りの改善に寄与し、製品としての使用時においても、同様の不良の後発生を防止できることから信頼性の改善に寄与する。
【００５４】
また、本実施の形態２では、湾曲により変形を生じる基板端面ＥＧｘに対応して切断ダメージを除去する基板端研磨工程について薬液を用いない研磨方法によって行った湾曲型液晶パネルについて説明を行ったが、実施の形態１の様に、基板端研磨工程について薬液を用いて行い、基板端研磨工程を基板薄型化工程と独立に行っても構わない。この場合には実施の形態１と同様に基板端研磨工程の前にスティック状セル基板ＳＴＣに対して基板外周にダミーシール或いは封止材を形成し、薬液を用いた基板端研磨工程を行う。
【００５５】
また、上記説明した、実施の形態１、実施の形態２、及びこれらの変形例においては、液晶パネルの湾曲工程を筐体への組み込み時において実施する様にしたが、これに限られず、湾曲面により両側より押圧するなどにより基板の貼り合わせ時において湾曲しても良いし、貼り合わせ後、例えば、液晶パネルの両面に貼り付ける偏光板について異種のものを用いること、一方の偏光板について貼付け時に加熱して膨張した状態で貼付けることなどにより液晶パネルと偏光板の応力バランスを崩して湾曲させる方法を用いても良い。また、この様に湾曲工程を変更した場合には、基板端面研磨工程について、液晶パネルを湾曲した状態で行っても良い。その場合においても、実施の形態１及び実施の形態２と同様に複数の湾曲された液晶パネルに対して、湾曲により変形する端面を揃えて保持し、複数の液晶パネルの研磨処理を同時に行うと良い。また、実施の形態１、実施の形態２、及びこれらの変形例では、全て、湾曲が容易となる薄型化研磨工程を行う例を用いて説明を行ったが、マザー基板に湾曲が十分可能な程度に薄いものを用いた場合には省略することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１における液晶パネルの平面図及び断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造方法における組み立て工程を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造工程におけるマザー基板を示した概略平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造工程における一次基板切断工程の切断前後の状態を示した概略平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造工程における研磨工程を示した概略図である。
【図６】本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造工程における研磨工程を示した概略図である。
【図７】本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造工程における研磨工程及び第二切断工程後を示した概略平面図である。
【図８】本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造方法における組み立て工程を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造工程におけるマザー基板を示した概略平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造工程における一次基板切断工程の切断前後の状態を示した概略平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造工程における研磨工程を示した概略図である。
【図１２】本発明の実施の形態２変形例における液晶パネルの製造工程における基板端面処理工程を示した概略図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０、２０ マザー基板、１００ 液晶パネル、１１０ スイッチング素子基板、
１２０ カラーフィルタ基板、１３０ シール材、１４０ 液晶、２００ 表示面、
ＥＧｘ、ＥＧｙ 基板端面、ｄｍ 切断ダメージ、
ＳＴＣ スティック状セル基板、ＥＣＴ 薬液、ＨＬＤ 保持部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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