(57)【要約】【課題】はんだシートを用いる転写法によって電極に適正量のはんだを供給することを可能にする電極接続部の形成方法を提供する。【解決手段】はんだシート１０により電極形成面を被覆する工程と、前記電極形成面を被覆する前記はんだシート１０上において加熱加圧ローラ３０を転動させ、該加熱加圧ローラ３０が移動する際に接触する前記はんだシート１０の部位を溶融させる工程と、前記加熱加圧ローラ３０が通過した後に、前記電極形成面を被覆するはんだシート１０を除去する工程とを備える。【選択図】図１
2010080540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだシートにより電極形成面を被覆する工程と、
前記電極形成面を被覆する前記はんだシート上において加熱加圧ローラを転動させ、該加熱加圧ローラが移動する際に接触する前記はんだシートの部位を溶融させる工程と、
前記加熱加圧ローラが通過した後に、前記電極形成面を被覆するはんだシートを除去する工程と、
を備えることを特徴とする電極接続部の形成方法。
【請求項２】
半導体ウエハの電極が形成された面をはんだシートにより被覆し、電極にはんだを転写することを特徴とする請求項１記載の電極接続部の形成方法。
【請求項３】
はんだシートと電気的絶縁性を有する被覆シートとが積層されたはんだシート体により、前記被覆シートが前記バンプ形成面に対向する配置として電極形成面を被覆する工程と、
前記電極形成面を被覆する前記はんだシート体上において加熱加圧ローラを転動させ、前記バンプの頂部を前記被覆シートを通過させて前記はんだシートに進入させるとともに、前記加熱加圧ローラが移動する際に接触する前記はんだシートの部位を溶融させる工程と、
前記加熱加圧ローラが通過した後に、前記バンプ形成面の表面を前記被覆シートにより被覆して、前記はんだシートを除去する工程と、
を備えることを特徴とする電極接続部の形成方法。
【請求項４】
前記電極は、台座部と台座部上に突出する突起部とを備え、
前記はんだシート体上において前記加熱加圧ローラを転動させる工程において、前記はんだシート体を加圧した際に、前記突起部を前記被覆シートを通過して前記はんだシートに進入させることを特徴とする請求項３記載の電極接続部の形成方法。
【請求項５】
前記被覆シートの厚さを前記台座部の高さに一致する厚さに設定したはんだシート体を使用することを特徴とする請求項４記載の電極接続部の形成方法。
【請求項６】
半導体ウエハの電極が形成された面を前記はんだシート体により被覆し、前記電極にはんだを転写することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項記載の電極接続部の形成方法。
【請求項７】
前記加熱加圧ローラの加熱温度を、前記はんだシートの融点以上の温度に設定し、
前記はんだシートを除去する際にはんだシートを巻取る巻取りローラの加熱温度を、該はんだシートの融点以下の温度に設定することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の電極接続部の形成方法。
【請求項８】
前記加熱加圧ローラの加熱温度を、前記はんだシートの融点以上で、かつ融点を３０℃以上超えない温度域に設定し、
前記巻取りローラの加熱温度を、前記はんだシートの融点以下で、かつ融点よりも３０℃以下の低温とならない温度域に設定することを特徴とする請求項７記載の電極接続部の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
はんだシートを使用して電極にはんだを転写してバンプ接続部を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金バンプなどの電極を有する半導体チップをフリップチップ接続により基板に実装する方法として、基板の接続パッドにはんだをプリコートし、はんだを溶融して金バンプを接続パッドに接合する方法が広く適用されている。この接合方法においては、半導体チップの電極間隔が微細になるとともに接続パッドの配置間隔が微小になり、接続パッドを短絡させないようにはんだを供給する処理のためのコストが増大する。また、金バンプを接続パッドにはんだ接合する際に、隣接する金バンプあるいは接続パッドにはんだが接触して電気的な短絡が生じるという問題が発生する。
これらの問題を回避する方法として、はんだシートから金バンプにはんだを転写する方法によって金バンプにはんだを供給して、金バンプと接続パッドとをはんだ接合する方法が検討されている。
【特許文献１】特開平８−２０３９０４号公報
【特許文献２】特開２００７−２０８０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
はんだシートを使用して金バンプにはんだを供給する方法には、はんだシートを溶融して金バンプにはんだを供給する方法がある。しかしながら、この方法の場合は、はんだが溶融した際の表面張力によってはんだの厚さにばらつきが生じ、金バンプに供給されるはんだ量がばらつく。また、はんだの表面が酸化することによってはんだの接合性が不安定になり、金バンプへに付着するはんだの量がばらつくという問題がある。
【０００４】
また、はんだシートを加熱する温度を制御し、はんだシートを半溶融状態（軟化させた状態）とし、金と錫との固相拡散によって金バンプにはんだを転写する方法も考えられる。しかしながら、この場合は、はんだシートが金バンプに固着して、はんだシートを金バンプから引き剥がし難く、はんだシートを無理に引き剥がすと金バンプを損傷してしまうといった問題がある。
【０００５】
本願においてフリップチップ接続により実装しようとしている半導体チップの金バンプは、台座部分と突起部分の高さがそれぞれ１０〜１５μｍ、台座径が２５〜３５μｍ程度の大きさのものである。金バンプにはんだを供給し、電気的に短絡させずにフリップチップ接続できるようにするには、金バンプの突起部分のみに、２〜３μｍ程度の厚さにはんだを供給することが求められる。したがって、このような微小な金バンプにはんだを供給する際には、はんだの供給量を高精度に制御することができないと、はんだが過剰に供給されてしまって電気的な短絡が生じたり、はんだが不足して金バンプと接続パッドとが接合不良になるという問題が生じる。
【０００６】
本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、はんだシートによる転写法を利用して金バンプ等の電極に適正量のはんだを供給することを可能にする電極接続部の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態の一観点によれば、はんだシートにより電極形成面を被覆する工程と、前記電極形成面を被覆する前記はんだシート上において加熱加圧ローラを転動させ、該加熱加圧ローラが移動する際に接触する前記はんだシートの部位を溶融させる工程と、前記加熱加圧ローラが通過した後に、前記電極形成面を被覆するはんだシートを除去する工程と、を備えることを特徴とする電極接続部の形成方法が提供される。
【０００８】
また、他の観点によれば、はんだシートと電気的絶縁性を有する被覆シートとが積層されたはんだシート体により、前記被覆シートが前記バンプ形成面に対向する配置として電極形成面を被覆する工程と、前記電極形成面を被覆する前記はんだシート体上において加熱加圧ローラを転動させ、前記バンプの頂部を前記被覆シートを通過させて前記はんだシートに進入させるとともに、前記加熱加圧ローラが移動する際に接触する前記はんだシートの部位を溶融させる工程と、前記加熱加圧ローラが通過した後に、前記バンプ形成面の表面を前記被覆シートにより被覆して、前記はんだシートを除去する工程と、を備える電極接続部の形成方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る電極接続部の形成方法によれば、電極を損傷することなく、はんだシートから電極に的確にはんだを転写して供給することができる。これにより高集積度となり、電極が微細化する半導体チップ等の電極に適量のはんだを供給することができ、実装時における電気的短絡といった問題の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る電極接続部の形成方法の実施の形態として、はんだシートを使用して半導体チップの金バンプからなる電極にはんだを転写することにより電極接続部を形成する方法について説明する。
（第１の実施の形態）
本実施の形態においては、はんだシート１０の供給ローラ１２と、加熱加圧ローラ３０と、はんだシート１０の巻取りローラ４０とを使用して金バンプ２２にはんだを供給する。図１及び図２に、はんだシート１０の供給ローラ１２、加熱加圧ローラ３０、巻取りローラ４０を用いて、半導体ウエハ２０に形成された金バンプ２２にはんだを供給する方法を示す。
【００１１】
図１（ａ）は、加熱ステージ５０に配置した半導体ウエハ２０と、供給ローラ１２、加熱加圧ローラ３０及び巻取りローラ４０を示す。
半導体ウエハ２０には個片の半導体チップとなる単位チップ部が、縦横に整列して形成されている。金バンプ２２は、単位チップ部に形成されている各々の電極の位置に、金線を用いたボールボンディング法によって形成される。
半導体ウエハ２０を加熱ステージ５０上に配置しているのは、はんだシート１０から金バンプ２２にはんだを転写する（供給する）際に、的確にはんだが転写されるようにするためである。加熱ステージ５０の加熱温度は、はんだシート（はんだ）の融点よりも低温に設定する。
【００１２】
本実施形態においては、供給ローラ１２と加熱加圧ローラ３０と巻取りローラ４０とを軸線方向が互いに平行となるように配置している（並列配置）。
また、各ロール体間の間隔をロール体の外径程度の間隔に設定し、これらのロール体が連動的に移動するように設定している。供給ローラ１２と、加熱加圧ローラ３０と、巻取りローラ４０とを比較的接近させて配置し、間をおかずに移動するように設定しているのは、はんだ供給（転写）操作が効率的に行えるようにすることと、はんだシート１０から金バンプ２２に的確にはんだが転写されるようにするためである。
もちろん、供給ローラ１２、加熱加圧ローラ３０及び巻取りローラ４０の配置位置、移動制御方法は適宜設定可能であり、供給ローラ１２と加熱加圧ローラ３０と巻取りローラ４０の移動動作を個別に制御してもよい。
【００１３】
供給ローラ１２、加熱加圧ローラ３０及び巻取りローラ４０は、搬送支持機構によって支持され、加熱ステージ５０に配置されている半導体ウエハ２０を横断する一方側（前方位置）と他方側（後方位置）との間を搬送される。
供給ローラ１２と加熱加圧ローラ３０と巻取りローラ４０を連続的に移動させるために、一つの搬送支持機構にこれらのローラ体を一括して支持する方法も可能である。また、それぞれのローラ体を個別の搬送支持機構に支持し、個別に移動制御することもできる。
【００１４】
図１（ａ）は、加熱ステージ５０に配置されている半導体ウエハ２０の一方側（前方位置）に、供給ローラ１２と加熱加圧ローラ３０と巻取りローラ４０が位置している状態である。
この状態から、各ローラ体が、半導体ウエハ２０に向け、言い換えれば、半導体ウエハ２０を横断する他方側（後方位置）に向けて移動開始する。供給ローラ１２と加熱加圧ローラ３０と巻取りローラ４０の移動順は、最初に供給ローラ１２が半導体ウエハ２０上を移動し、次いで、加熱加圧ローラ３０が移動し、最後に巻取りローラ４０が移動するように設定する。
【００１５】
供給ローラ１２は長尺状に形成されたはんだシート１０（厚さ数十μｍ〜100μｍ程度）をロール状に巻回したものである。半導体ウエハ２０の電極形成面の全面をはんだシート１０によって被覆するから、供給ローラ１２は、半導体ウエハ２０の外径よりも広幅のはんだシート１０を巻回したものを使用する。
【００１６】
加熱加圧ローラ３０は、半導体ウエハ２０の電極形成面に広げられたはんだシート１０を金バンプ２２に押圧しながら、はんだシート１０を溶融させ、金バンプ２２にはんだを付着させる作用をなす。
加熱加圧ローラ３０は円柱状に形成されたローラ体に加熱ヒータを内蔵して形成され、加熱ヒータへの通電を制御することによって加熱加圧ローラ３０の加熱温度が制御される。加熱加圧ローラ３０は半導体ウエハ２０の全幅を通過する長さに形成されている。また、加熱加圧ローラ３０の加圧力も適宜調節可能となっている。
【００１７】
巻取りローラ４０は、はんだシート１０から金バンプ２２にはんだを転写した後、はんだシート１０を半導体ウエハ２０から剥離するようにして巻取る作用をなす。半導体ウエハ２０を覆っているはんだシート１０の端縁を巻取りローラ４０の外面に接触させることによって、はんだシート１０が巻取りローラ４０の外面に付着する。はんだシート１０の端縁を付着させた状態から、巻取りローラ４０を回転させながら前送りすることによって、はんだシート１０が巻取りローラ４０に巻き取られる。
【００１８】
金バンプ２２に供給されるはんだの量は、巻取りローラ４０を加熱する温度に影響される。したがって、本実施形態においては巻取りローラ４０もローラ体に加熱ヒータを内蔵し、加熱加圧ローラ３０と同様に、加熱ヒータへの通電を制御することによって加熱温度が制御される。
【００１９】
図１（ｂ）は、供給ローラ１２を半導体ウエハ２０に向けて移動させ、半導体ウエハ２０の端縁（前方側の端縁）から半導体ウエハ２０の上にはんだシート１０を広げるようにして被着開始した状態を示す。
供給ローラ１２に巻回されているはんだシート１０を半導体ウエハ２０の金バンプ２２が形成されている面に軽く押接させることによって、半導体ウエハ２０の電極形成面上にはんだシート１０が付着する。その状態で供給ローラ１２を前送りすることにより、半導体ウエハ２０の上にはんだシート１０が広げられていく。
【００２０】
図１（ｃ）は、供給ローラ１２、加熱加圧ローラ３０及び巻取りローラ４０ををさらに前送りした状態である。供給ローラ１２は半導体ウエハ２０を横断した位置にあり、加熱加圧ローラ３０は半導体ウエハ２０を横断する中途位置にあり、巻取りローラ４０は半導体ウエハ２０にまだ接触しない位置にある。
供給ローラ１２ははんだシート１０を徐々に広げながら、半導体ウエハ２０の全面をはんだシート１０によって被覆する。
【００２１】
加熱加圧ローラ３０は、半導体ウエハ２０の前方側の端縁位置から半導体ウエハ２０を覆うはんだシート１０を軽く加圧しながら回転する。加熱加圧ローラ３０の加熱温度を、はんだシート１０が溶融される温度以上（融点以上）に設定し、加熱加圧ローラ３０の外面が接触する部位のはんだシート１０を溶融しながら転動する。
加熱加圧ローラ３０は回転しながらはんだシート１０を押さえていくことによって、はんだシート１０の加熱加圧ローラ３０が接触する部位が瞬間的に溶融する。はんだシート１０は加熱加圧ローラ３０が接触した部位が瞬間的に溶融するのみであり、加熱加圧ローラ３０が通過したはんだシート１０はシート体のままで残留する。
【００２２】
加熱加圧ローラ３０の加熱温度は金バンプ２２に供給されるはんだの量に影響する。加熱加圧ローラ３０の加熱温度は、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート１０を加熱した際に、はんだが溶融して金バンプ２２とはんだシート１０との界面に金属間化合物が生成される程度の温度とするのがよい。加熱加圧ローラ３０の加熱温度を高温に設定し過ぎて、はんだシート１０が溶け過ぎてしまう状態となることは好ましくない。加熱加圧ローラ３０の加熱温度については後述する。
【００２３】
図２（ａ）は、供給ローラ１２が半導体ウエハ２０を横断して他方側（後方位置）に移動し、加熱加圧ローラ３０が半導体ウエハ２０上をさらに移動し、巻取りローラ４０が半導体ウエハ２０上を転動開始した状態を示す。
巻取りローラ４０が半導体ウエハ２０の一方側から半導体ウエハ２０上で移動開始する際に、巻取りローラ４０の外面を加熱加圧ローラ３０が通過したはんだシート１０の表面に軽く接触させ、はんだシート１０の端縁を巻取りローラ４０の外面に付着させて巻取り開始する。巻取りローラ４０を前送りしながら回転させることによって、巻取りローラ４０の外面にはんだシート１０が巻き付いてはんだシート１０が巻き取られる。
巻取りローラ４０はフリー回転可能に支持して、巻取りローラ４０が前送りされる作用によって転動するようにしてもよいし、巻取りローラ４０に回転用の駆動機構を付設して回転駆動させながら前送りさせてもよい。
【００２４】
図２（ｂ）は、加熱加圧ローラ３０が半導体ウエハ２０を通過し、巻取りローラ４０が半導体ウエハ２０の他方側の縁部の近傍まで移動した状態を示す。
溶融後のはんだシート１０が巻取りローラ４０の外周面に巻き取られ、半導体ウエハ２０に形成された金バンプ２２にはんだ１０ａが転写された状態になる。
【００２５】
図３に、巻取りローラ４０が通過し、金バンプ２２にはんだ１０ａが供給された状態を拡大して示す。
半導体ウエハ２０の電極形成面に形成されている金バンプ２２は、扁平な球形状の台座部２２ｂと、台座部２２ｂから突出する突起部２２ａとからなる。はんだシート１０から金バンプ２２に供給されるはんだ１０ａは、金バンプ２２の突起部２２ａの外面を被覆するように被着する。
金バンプ２２の突起部２２ａの外面にはんだ１０ａが被着するのは、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート１０を押さえながら加熱した際に、台座部２２ｂから突出している突起部２２ａのみがはんだシート１０内に進入し、突起部２２ａにはんだ１０ａが転写されることによる。加熱加圧ローラ３０によってはんだシート１０を加圧する際には、台座部２２ｂにはんだシート１０が接触しない程度に加熱加圧ローラ３０の加圧力を調節するのがよい。
【００２６】
図４は、上述した方法によって金バンプ２２にはんだ１０ａを供給した後、半導体ウエハ２０を個片の半導体チップ２０ａにダイシングする状態を示す。ダイシング刃６０により隣接する単位チップ部分の境界位置を切断することによって個片の半導体チップ２０ａが得られる。
これらの半導体チップ２０ａは、金バンプ２２の突起部２２ａにはんだ１０ａが供給されて得られるから、実装基板の接続パッドに金バンプ２２を位置合わせして加熱することによって、はんだ接合により実装される。
【００２７】
（ローラ加熱温度）
前述したように、はんだシート１０から金バンプ２２にはんだを転写する際に、的確にはんだ１０ａが転写されるようにするには、加熱加圧ローラ３０の温度と巻取りローラ４０の温度が重要な条件となる。
【００２８】
【表１】
2010080540.tif 000003
【００２９】
表１は、加熱加圧ローラ３０と巻取りローラ４０の加熱温度を変えたときに、はんだシート１０から金バンプ２２に供給されるはんだの状態を実験した結果を示す。実験で使用したはんだシートは、融点221℃のSn-3.5Ag（錫−銀はんだ）である。はんだシート厚は５０μｍ、金バンプの台座径２０μｍ、台座高さ１０μｍ、突起部径４μｍ、突起部高さ１０μｍである。
【００３０】
表１に示す実験結果において、はんだ転写状態として良好な結果が得られたのは、加熱加圧ローラ３０の温度を、融点（221℃）を若干上回る温度（融点を30℃程度上回る温度範囲内）とし、巻取りローラ４０の温度を融点（221℃）を若干下回る温度（融点を30℃程度下回る温度範囲）とした場合である。
その他の場合、たとえば加熱加圧ローラ３０の温度を融点以下とすると、巻取りローラ４０の温度を融点以上とした場合を除いて金バンプ２２に供給されるはんだ量が不足した。この実験結果は、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート１０を加熱して金バンプ２２にはんだ１０ａを転写するには、加熱加圧ローラ３０の加熱温度をはんだの融点以上に設定して、はんだシート１０が溶融されるようにする必要があることを示す。
【００３１】
また、加熱加圧ローラ３０を融点温度以上に設定した場合で、巻取りローラ４０の温度を融点を30℃以上下回る温度に設定すると、はんだシート１０を巻取りローラ４０によって巻取る際に金バンプ２２が欠落する問題が生じた。この実験結果は、巻取りローラ４０の温度を低く設定しすぎると、巻取りローラ４０がはんだシート１０に接触することによって金バンプ２２に付着したはんだの固化が進み、はんだシート１０が引き剥がし難くなることを示す。したがって、巻取りローラ４０の温度を過度に低温に設定することも好ましくない。
【００３２】
また、加熱加圧ローラ３０の温度を、融点よりも30℃以上超える温度に設定すると、はんだシート１０の溶融が進み、金バンプ２２に供給されるはんだ量が過多となった。また、巻取りローラ４０の温度を融点以上(実験では融点よりも９℃以上）にすると、加熱加圧ローラ３０の温度にかかわらず金バンプ２２に供給されるはんだ量が過多となった。
この実験結果は、加熱加圧ローラ３０によって過度にはんだシート１０を加熱すると、過剰にはんだが金バンプ２２に転写される（供給される）ことを示している。したがって、金バンプ２２に供給するはんだの量を的確に制御するには、加熱加圧ローラ３０の温度を過度に高温にせず、適切なはんだ量が転写される温度範囲に設定する必要がある。加熱加圧ローラ３０の加熱温度の設定は、使用するはんだシートのはんだ組成や金バンプ２２の形状等によるから、実際に転写を行って適切な温度範囲を設定するのがよい。
【００３３】
また、巻取りローラ４０を過度に高温にすると、巻取りローラ４０によってはんだシート１０を巻取る際にはんだシート１０が再度溶融されることになり、金バンプ２２に転写されるはんだの量が過多になる。したがって、巻取りローラ４０の温度を設定する場合は、はんだの融点以上にならないように設定し、また過度に低温にならないようにする。巻取りローラ４０の温度設定も、実際に転写操作を行って金バンプ２２への転写状態をみながら調節するのがよい。
【００３４】
以上のように加熱加圧ローラ３０の温度設定と巻取りローラ４０の温度設定を適切に行うことによって、金バンプ２２に転写されるはんだの量を的確に調節することができる。また、はんだシート１０を巻取る際に金バンプ２２を損傷させるといった問題を生じさせずに金バンプ２２にはんだ１０ａを転写することができる。
このように、本実施形態のバンプ接続部の形成方法によれば、金バンプ２２に転写するはんだの量を適切に制御することが可能となるから、金バンプ２２のサイズが微小となった場合でも、ばらつきなく金バンプ２２に適量のはんだを供給することが可能になる。これによって、半導体チップを実装した際に、はんだによって電気的短絡が生じるといった問題を回避することができる。
【００３５】
（第２の実施の形態）
電極接続部の形成方法についての第２の実施の形態は、はんだシート１０と電気的絶縁性を有する被覆シート１１の２層構造からなるはんだシート体１４を供給ローラ１２によって半導体ウエハ２０に供給して金バンプ２２にはんだを転写する方法である。
図５（ａ）は、はんだシート体１４を巻回した供給ローラ１２を半導体ウエハ２０に向けて移動させ、半導体ウエハ２０の端縁上からはんだシート体１４を半導体ウエハ２０上に広げはじめた状態を示す。
【００３６】
図６（ａ）に、図５（ａ）の供給ローラ１２によってはんだシート体１４を半導体ウエハ２０上に供給する状態を拡大して示す。
上述したように、供給ローラ１２には、はんだシート１０と被覆シート１１とからなるはんだシート体１４がロール状に巻回されている。被覆シート１１は半導体ウエハ２０の金バンプ２２が形成された面を被覆するためのものであり、金バンプ２２の台座部２２ｂの高さと略同厚に形成されている。被覆シート１１はアンダーフィル樹脂材等の電気的絶縁材によって形成される。
【００３７】
半導体ウエハ２０の表面にはんだシート体１４を接触させるようにしながら供給ローラ１２を転動させることにより、半導体ウエハ２０の表面にはんだシート体１４が広げられていく。なお、はんだシート体１４は、供給ローラ１２によって半導体ウエハ２０上にはんだシート体１４を供給した際に、被覆シート１１が半導体ウエハ２０に接する側（下層側）となるように供給ローラ１２に巻回されている。供給ローラ１２によって半導体ウエハ２０をはんだシート体１４に被覆している際には、金バンプ２２の突起部２２ａが被覆シート１１に一部くいこむようになる。
【００３８】
図５（ｂ）は、供給ローラ１２が半導体ウエハ２０上をさらに転動して前送りされ、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート体１４が加熱、加圧開始されている状態を示す。  図６（ｂ）に、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート体１４を押さえながら加熱する状態を拡大して示す。
前述したように加熱加圧ローラ３０ははんだシート体１４を加熱して、はんだシート１０を溶融しながら半導体ウエハ２０の表面に押圧する作用をなす。本実施形態においては、加熱加圧ローラ３０ははんだシート１０を溶融すると同時に、はんだシート体１４を加圧して被覆シート１１を半導体ウエハ２０の電極形成面にまで押し下げる作用をなす。
このはんだシート体１４を押圧する作用によって、金バンプ２２の突起部２２ａが被覆シート１１を突き抜けてはんだシート１０内に進入し、被覆シート１１が半導体ウエハ２０の表面にまで達する。
【００３９】
図６（ｃ）に、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート体１４を加熱加圧した状態を示す。被覆シート１１は半導体ウエハ２０の表面まで押し下げられ、被覆部１１ａとして金バンプ２２の隣接する台座部２２ｂ間を充填する。被覆シート１１の厚さを金バンプ２２の台座部２２ｂの高さと略同厚に形成しているのは、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート体１４を加圧した際に、半導体ウエハ２０の表面から金バンプ２２の台座部２２ｂの高さまで被覆部１１ａによって被覆される（充填される）ようにするためである。
【００４０】
はんだシート体１４によって半導体ウエハ２０を被覆した状態においては、はんだシート１０が外面側（上層）になる。したがって、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート体１４を加熱加圧した際に、はんだシート１０がじかに加熱加圧ローラ３０に接触して加熱溶融される。加熱加圧ローラ３０が転動する際に、加熱加圧ローラ３０とはんだシート１０との接触部分が瞬間的に溶融される作用は前述した実施の形態における場合と同様である。
【００４１】
図７（ａ）は、加熱加圧ローラ３０によって半導体ウエハ２０の表面を被覆するはんだシート体１４を加熱加圧した後、巻取りローラ４０によってはんだシート１０を巻取っている状態を示す。はんだシート体１４の被覆シート１１は半導体ウエハ２０の表面を被覆した状態で半導体ウエハ２０に残されるから、巻取りローラ４０によって巻き取られるのははんだシート１０のみである。
巻取りローラ４０によって加熱溶融後のはんだシート１０を巻取ることによって、金バンプ２２にはんだ１０ａが転写された状態になる。
【００４２】
図７（ｂ）は、半導体ウエハ２０の金バンプ２２にはんだ１０ａが転写された状態を示す。金バンプ２２の中間に被覆シート１１による被覆部１１ａが残留する。
図７（ｃ）に、金バンプ２２の中間に被覆部１１ａが残留し、金バンプ２２の突起部２２ａの外面にはんだ１０ａが付着（供給）されている状態を拡大して示す。
本実施形態においては、はんだシート１０と被覆シート１１の２層構造からなるはんだシート体１４を使用したことにより、加熱加圧ローラ３０によってはんだシート１０を加熱加圧する際に、半導体ウエハ２０の表面（電極形成面）から金バンプ２２の台座部２２ｂの上面までは被覆部１１ａによって被覆される。したがって、はんだシート１０を溶融した際にはんだが付着するのは、金バンプ２２の突起部２２ａのみとなる。
【００４３】
このように、はんだ１０ａを金バンプ２２の突起部２２ａの外面のみに付着させ、金バンプ２２の台座部２２ｂには付着させないようにすることによって、半導体チップを実装した際に、金バンプ２２に転写されたはんだ１０ａによって隣接する金バンプ同士が電気的に短絡することをさらに確実に防止することが可能となる。
【００４４】
なお、上記実施形態においては、半導体ウエハ２０のバンプ形成面をはんだシート１０あるいははんだシート体１４によって被覆して金バンプ２２にはんだを転写する方法について説明したが、本発明は半導体ウエハに設けたバンプにはんだを転写する場合に限定されるものではない。一般的な電子装置、半導体装置の製造工程においてバンプ接続部を形成する場合にも適用することが可能である。
また、上記実施形態においては電極としての金バンプ２２にはんだを転写する例を示したが、電極材料は金に限定されるものではなく、銅、銀、アルミニウム等からなるバンプについても適用可能である。
また、前述した実施形態においてははんだシート１０として錫−銀はんだを使用する例について説明したが、はんだシート１０に使用するはんだ材料についてもとくに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】電極接続部の形成方法についての第１の実施の形態の工程を示す説明図である。
【図２】電極接続部の形成方法についての第１の実施の形態の工程を示す説明図である。
【図３】半導体ウエハの金バンプにはんだが転写された状態の説明図である。
【図４】半導体ウエハをダイシングして個片の半導体チップを得る工程を示す説明図である。
【図５】電極接続部の形成方法についての第２の実施の形態の工程を示す説明図である。
【図６】電極接続部の形成方法についての第２の実施の形態の工程を示す説明図である。
【図７】電極接続部の形成方法についての第２の実施の形態の工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  はんだシート
１０ａ  はんだ
１１  被覆シート
１１ａ  被覆部
１２  供給ローラ
１４  はんだシート体
２０  半導体ウエハ
２０ａ  半導体チップ
２２  金バンプ
２２ａ  突起部
２２ｂ  台座部
３０  加熱加圧ローラ
４０  巻取りローラ
５０  加熱ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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