(57)【要約】【課題】発光素子からの出射光の利用効率が低下することを防ぎつつ、発光素子の輝度を高い精度で補正可能にする。【解決手段】基板の面上には発光素子Ｅ１〜Ｅｎと受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎが形成される。基板に垂直な方向からみて発光素子Ｅ１〜Ｅｎと受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎは重なり合わない。各発光素子Ｅの補正値を取得する場合には、予め定められた電気エネルギー（電流または電圧）を供給して発光素子Ｅ１〜Ｅｎを１つずつ順番に発光させる。例えば、発光素子Ｅ２の出射光を測定する場合には受光素子ＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３を使用し、発光素子Ｅ３の出射光を測定する場合には受光素子ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４を使用する。発光素子Ｅごとに測定値を基準値と比較し、各発光素子Ｅの補正値を求める。各発光素子Ｅの補正値はメモリに記憶され、これを用いて発光素子Ｅ１〜Ｅｎの各々に供給する電気エネルギーを補正する。【選択図】図７
2010023390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面上に形成され、供給される電気エネルギーに応じた輝度で各々発光する複数の発光素子と、
前記基板の面上のうち前記複数の発光素子の各々が形成された各領域を除いた領域に形成され、入射される光の量に応じたレベルの検出信号を各々出力する複数の受光素子と、
前記複数の発光素子を１つずつ順次選択する選択手段と、
前記選択手段が前記発光素子を選択するたびに、当該選択された前記発光素子に所定の電気エネルギーを供給する供給手段と、
前記選択手段が前記発光素子を選択するたびに、当該選択された前記発光素子に対応する２以上の前記受光素子を前記複数の受光素子の中から選択し、当該選択された２以上の前記受光素子の検出信号に基づいて、前記選択手段が選択した前記発光素子からの出射光の光量を測定する測定手段と、
前記発光素子ごとに、前記測定手段による光量の測定値と予め定められた基準値とを比較して比較結果から当該発光素子に供給する電気エネルギーの補正値を決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した前記発光素子ごとの補正値を記憶する記憶手段と、
前記複数の発光素子の各々に供給する電気エネルギーを前記記憶手段に記憶された前記発光素子ごとの補正値を用いて補正する補正手段と、
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記測定手段は、出射光の測定に使用する２以上の前記受光素子を前記発光素子ごとに変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記測定手段は、出射光の測定対象となる前記発光素子と、出射光の測定に使用する２以上の前記受光素子との相対的な位置が同じになるように、出射光の測定に使用する２以上の前記受光素子を選択する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の受光素子の各々は入出力特性が同じである
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記複数の発光素子の配列ピッチと前記複数の受光素子の配列ピッチとが等しい
ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記複数の受光素子の各々は、前記検出信号として、入射される光の量に応じたレベルの検出電流を出力し、
前記測定手段は、選択した２以上の前記受光素子の各々から出力された検出電流を足し合わせた電流値を前記測定値とする
ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記基板の面上には、前記発光素子ごとに、当該発光素子を挟んで両側に前記受光素子が配置される
ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記発光素子を挟んで両側に配置された２つの前記受光素子の各々は、Ｐ型半導体とＮ型半導体の一方で形成された第１領域と、前記Ｐ型半導体と前記Ｎ型半導体の他方で形成された第２領域とを有し、
前記２つの前記受光素子の各々において、前記第１領域は前記第２領域より前記発光素子の近くに位置する
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の発光装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子などの発光素子を利用した発光装置およびこれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は温度変化や経時劣化により特性が変わるため、駆動電流を補正するなどして輝度を調整する必要がある。例えば、特許文献１に記載された画像形成装置用の光ヘッドでは、エレクトロルミネッセント素子１１０からの光を受光する光検出素子１２０をエレクトロルミネッセント素子１１０の直下に形成し、エレクトロルミネッセント素子１１０に供給する駆動電流の大きさを光検出素子１２０の受光量に応じて補正している。また、特許文献２に記載された有機電界発光表示装置２０では、並列接続された複数のフォトダイオード２３０を画素領域Ａの周辺部に設け、フォトダイオード２３０（並列接続）から出力される電気的信号を用いて有機電界発光素子（画素）の輝度を調整している。
【特許文献１】特開２００７−２９０３２９号公報
【特許文献２】特開２００７−１７３８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、特許文献１のようにエレクトロルミネッセント素子１１０の直下に光検出素子１２０を形成した構成では、エレクトロルミネッセント素子１１０から出射された光が光検出素子１２０を透過するときに反射や吸収によって減少する。つまり、最終的に外部に出射される光量が減少するため、エレクトロルミネッセント素子１１０からの出射光の利用効率が低下する。また、このような光量の減少を補うため、エレクトロルミネッセント素子１１０に供給する駆動電流を増やすと、その分、エレクトロルミネッセント素子１１０の劣化が早まり寿命が短くなる。
また、特許文献２のように画素領域Ａの周辺部にフォトダイオード２３０（並列接続）を設けた構成では、フォトダイオード２３０までの距離が有機電界発光素子（画素）ごとに異なるため、各有機電界発光素子からの出射光を正確に測定することができない。したがって、各有機電界発光素子の輝度を正確に調整することができない。
【０００４】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、発光素子からの出射光の利用効率が低下することを防ぎつつ、発光素子の輝度を高い精度で補正可能な発光装置、およびこれを用いた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板の面上に形成され、供給される電気エネルギーに応じた輝度で各々発光する複数の発光素子と、前記基板の面上のうち前記複数の発光素子の各々が形成された各領域を除いた領域に形成され、入射される光の量に応じたレベルの検出信号を各々出力する複数の受光素子と、前記複数の発光素子を１つずつ順次選択する選択手段と、前記選択手段が前記発光素子を選択するたびに、当該選択された前記発光素子に所定の電気エネルギーを供給する供給手段と、前記選択手段が前記発光素子を選択するたびに、当該選択された前記発光素子に対応する２以上の前記受光素子を前記複数の受光素子の中から選択し、当該選択された２以上の前記受光素子の検出信号に基づいて、前記選択手段が選択した前記発光素子からの出射光の光量を測定する測定手段と、前記発光素子ごとに、前記測定手段による光量の測定値と予め定められた基準値とを比較して比較結果から当該発光素子に供給する電気エネルギーの補正値を決定する決定手段と、前記決定手段が決定した前記発光素子ごとの補正値を記憶する記憶手段と、前記複数の発光素子の各々に供給する電気エネルギーを前記記憶手段に記憶された前記発光素子ごとの補正値を用いて補正する補正手段と、を備えることを特徴とする。
なお、前記測定手段は、出射光の測定に使用する２以上の前記受光素子を前記発光素子ごとに変更する構成であってもよい。
【０００６】
以上の構成によれば、基板の面上に複数の発光素子と重なり合わないように複数の受光素子が形成されるから、発光素子からの光は受光素子を介さずに外部に出射可能である。したがって、特許文献１の構成と比較して、各発光素子からの出射光の利用効率を高めることができる。また、１つの発光素子の出射光（光量）を２以上の受光素子を使用して測定するので、受光面積が広くできる分、各発光素子の出射光を正確に測定することができる。よって、各発光素子の輝度を高い精度で補正可能である。
【０００７】
また、各発光素子の輝度を高い精度で補正するためには、各発光素子の出射光をできるだけ正確に測定する必要がある。このため、上述した発光装置において、前記測定手段は、出射光の測定対象となる前記発光素子と、出射光の測定に使用する２以上の前記受光素子との相対的な位置が同じになるように、出射光の測定に使用する２以上の前記受光素子を選択する構成としたり、前記複数の受光素子の各々は入出力特性が同じである構成としたり、前記複数の発光素子の配列ピッチと前記複数の受光素子の配列ピッチとが等しい構成とすることが望ましい。
【０００８】
また、上述した電気光学装置において、前記複数の受光素子の各々は、前記検出信号として、入射される光の量に応じたレベルの検出電流を出力し、前記測定手段は、選択した２以上の前記受光素子の各々から出力された検出電流を足し合わせた電流値を前記測定値とする構成であってもよい。また、上述した電気光学装置において、前記基板の面上には、前記発光素子ごとに、当該発光素子を挟んで両側に前記受光素子が配置される構成であってもよい。
【０００９】
また、前記発光素子を挟んで両側に配置された２つの前記受光素子の各々は、Ｐ型半導体とＮ型半導体の一方で形成された第１領域と、前記Ｐ型半導体と前記Ｎ型半導体の他方で形成された第２領域とを有し、前記２つの前記受光素子の各々において、前記第１領域は前記第２領域より前記発光素子の近くに位置する構成であってもよい。この構成においては、基板の面に垂直な方向からみたとき、発光素子の両側に配置された２つの受光素子の第１領域と第２領域の配置を発光素子に対して揃えることができる。したがって、第１領域と第２領域のシート抵抗が異なることによる検出信号のズレをなくし、より正確に各発光素子の出射光を測定することができる。
【００１０】
また、本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例は、上述したいずれかの発光装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写真方式の画像形成装置である。画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体（例えば感光体ドラム）と、像担持体を露光する本発明の発光装置と、像担持体の潜像に対する現像剤（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器を含む。
もっとも、本発明に係る発光装置の用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、スキャナなどの画像読取装置においては、本発明に係る発光装置を原稿の照明に利用することが可能である。画像読取装置は、上述したいずれかの発光装置と、発光装置から出射して読取対象（原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えば、ＣＣＤ：Charge Coupled Deviceなどの受光素子）を備える。さらに、発光素子をマトリクス状や千鳥状に配列させた発光装置は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など、各種電子機器の表示装置としても利用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置を露光装置（光ヘッド）として利用した電子写真方式の画像形成装置の部分的な構造を示す斜視図である。同図に示すように画像形成装置は、発光装置１００と、感光体ドラム７０と、集束性レンズアレイ８０を備える。発光装置１００は、Ｘ方向（主走査方向）に沿って発光素子Ｅと受光素子ＰＤが多数形成された長尺状の基板１０を有する。感光体ドラム７０は、Ｘ方向の回転軸に支持された円柱体であり、外周面を基板１０に対向させた状態で回転する。発光装置１００と感光体ドラム７０との間に配置された集束性レンズアレイ８０は、各発光素子Ｅからの出射光を感光体ドラム７０の外周面に結像させる。以上の露光によって感光体ドラム７０の外周面には所望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。
【００１２】
また、発光装置１００は、動作モードとして、外部から供給される画像データに応じた潜像を感光体ドラム７０の外周面に形成する通常モードの他に、発光素子Ｅごとに輝度の補正値を取得する補正値取得モードを有する。例えば、画像形成装置の電源が投入された場合や、予め設定された日時になったとき、あるいは画像形成装置の動作時間が予め定められた時間を超えた場合などに、動作モードが補正値取得モードに切り替わる。
【００１３】
図２は、発光装置１００の電気的な構成を示すブロック図である。同図に示すように発光装置１００は、画素駆動回路１１と、画素部１２と、光センサ部１３と、Ａ／Ｄ変換回路１４と、制御回路１５を備える。制御回路１５は、画素駆動回路１１に対し、通常モードの場合に、画像形成装置が形成すべき画像の各画素の階調を指定する画像データＤoutを出力し、補正値取得モードの場合に、予め定められた基準電流を指定する基準データＤstdを出力する。
【００１４】
画素駆動回路１１は、各発光素子Ｅに供給する駆動電流Ｉdを、通常モードの場合は画像データＤoutに基づいて生成し、補正値取得モードの場合は基準データＤstdに基づいて生成する。その結果、通常モードの場合は、各発光素子Ｅに供給される駆動電流Ｉdの大きさが画像データＤoutに応じて異なるが、補正値取得モードの場合は、全ての発光素子Ｅに対して同じ大きさの駆動電流Ｉd（基準電流）が供給される。
【００１５】
画素部１２に備わる各発光素子Ｅは、画素駆動回路１１から供給される駆動電流Ｉdに応じた輝度で発光する。各発光素子Ｅは、相互に対向する陽極と陰極との間に有機ＥＬ材料の発光層を介在させた有機ＥＬ素子である。また、光センサ部１３に備わる各受光素子ＰＤは、入射された光の量に応じた大きさの検出電流ＩＰＤを出力する。Ａ／Ｄ変換回路１４は、光センサ部１３から出力された検出電流ＩＰＤをアナログ信号からデジタル信号に変換し、測定値Ｉoutとして制御回路１５に出力する。
【００１６】
制御回路１５は、補正値取得モードの場合に、Ａ／Ｄ変換回路１４から出力された測定値Ｉoutを用いて各発光素子Ｅの補正値を求める。各発光素子Ｅの補正値は、制御回路１５に備わるメモリ（図示省略）に記憶される。また、通常モードの場合、制御回路１５は、外部から供給される画像データＤinをメモリに記憶されている各発光素子Ｅの補正値を用いて補正し、これを画像データＤoutとして画素駆動回路１１に出力する。なお、各発光素子Ｅの補正値は、例えば、全ての画素について同一の階調を指定する画像データＤinが供給された場合に、各発光素子Ｅの輝度が均一化されるように設定される。
【００１７】
図３は、画素駆動回路１１の回路構成を示す図である。同図に示すように画素駆動回路１１は、発光素子Ｅごとに選択トランジスタＴ１と駆動トランジスタＴ２を備える。選択トランジスタＴ１は、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタであり、ゲートにはセレクト信号ＳＥＬが供給される。セレクト信号ＳＥＬがＨｉレベルになると、選択トランジスタＴ１はオン状態となり、基準データＤstdまたは１画素分の画像データＤoutが駆動トランジスタＴ２のゲートに供給される。駆動トランジスタＴ２は、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタであり、ゲートの電位に応じて駆動電流Ｉdの電流量を制御する。発光素子Ｅは、選択トランジスタＴ１がオンの期間において駆動電流Ｉdの電流量に応じた光量（輝度）で発光する。
【００１８】
図４は、発光素子Ｅと受光素子ＰＤと駆動トランジスタＴ２の配置を示す平面図である。また、図５は、図４におけるＩＶ−ＩＶ線の断面図である。図４に示すように、基板１０に垂直な方向からみると、発光素子Ｅと受光素子ＰＤと駆動トランジスタＴ２はＹ方向に配列し、受光素子ＰＤは発光素子Ｅと駆動トランジスタＴ２との間に配置される。駆動トランジスタＴ２は、半導体層３２とゲート電極３４を含む。図４に示すように半導体層３２は光透過性の絶縁層Ｌ０で覆われる。ゲート電極３４は、絶縁層Ｌ０の面上に形成されて半導体層３２のチャネル領域に対向する。
【００１９】
受光素子ＰＤは受光層４０を含む。半導体層３２と受光層４０は、単一の膜体を選択的に除去することで共通の工程で一括的に形成（以下では単に「同層から形成」という）される。例えば、半導体層３２と受光層４０は、非晶質のシリコンをレーザの照射（レーザアニール）で結晶化したポリシリコンの膜体である。受光層４０は、半導体層３２とともに絶縁層Ｌ０で覆われる。
【００２０】
受光層４０は、図４および図５に示すように、第１領域４１と第２領域４２と真性領域４４を含む。第１領域４１と第２領域４２は、相異なる導電型の半導体で形成された領域である。すなわち、第１領域４１はＰ型半導体およびＮ型半導体の一方で形成され、第２領域４２はＰ型半導体およびＮ型半導体の他方で形成される。真性領域４４は、第１領域４１と第２領域４２との間に位置する真性半導体の領域である。以上の構成を有する受光層４０は、真性領域４４に照射される光量に応じた大きさの電流（検出電流ＩＰＤ）を生成するＰＩＮ（Ｐ-Intrinsic-Ｎ）型のダイオードとして機能する。
【００２１】
図５に示すように、ゲート電極３４が形成された絶縁層Ｌ０の表面には光透過性の絶縁層Ｌ１が全面にわたって形成される。図４に示すように、絶縁層Ｌ１の面上には駆動トランジスタＴ２のソース電極３６およびドレイン電極３８が光反射性の導電材料（例えばアルミニウムや銀）で形成される。ソース電極３６は、絶縁層Ｌ１および絶縁層Ｌ０を貫通する導通孔Ｈ１ａを介して半導体層３２のソース領域に導通する。同様に、ドレイン電極３８は、絶縁層Ｌ１および絶縁層Ｌ０を貫通する導通孔Ｈ１ｂを介して半導体層３２のドレイン領域に導通する。
【００２２】
図４に示すように、絶縁層Ｌ１の面上には第１検出電極５１および第２検出電極５２が駆動トランジスタＴ２のソース電極３６やドレイン電極３８と同層から形成される。第１検出電極５１および第２検出電極５２は、受光素子ＰＤから検出電流ＩＰＤを出力するための光反射性の電極（配線）である。第１検出電極５１は、受光層４０の第１領域４１に重なる部分ｐ１を含む。部分ｐ１は、絶縁層Ｌ１と絶縁層Ｌ０とを貫通する導通孔Ｈ２ａを介して受光層４０の第１領域４１に導通する。第２検出電極５２は、受光層４０の第２領域４２の全域に重なる部分ｐ２を含む。部分ｐ２は、絶縁層Ｌ１と絶縁層Ｌ０とを貫通する複数の導通孔Ｈ２ｂを介して受光層４０の第２領域４２に導通する。以上の構成において、受光層４０を経由して第１検出電極５１と第２検出電極５２とに流れる電流が検出電流ＩＰＤとして出力される。
【００２３】
図５に示すように、絶縁層Ｌ１の表面には、光透過性の絶縁層Ｌ２が全面にわたって形成される。絶縁層Ｌ２は、例えば、珪素酸化物や珪素窒化物などの無機層と、駆動トランジスタＴ２や受光素子ＰＤを反映した絶縁層Ｌ２の表面の段差を低減する平坦化層との積層（図示略）で構成される。
【００２４】
絶縁層Ｌ２の表面には、発光素子Ｅの陽極として機能する第１電極６２（図４では外形が便宜的に破線で図示されている）が形成される。第１電極６２の形成には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性の導電材料が使用される。図４のように基板１０に垂直な方向からみると、第１電極６２は、受光素子ＰＤと駆動トランジスタＴ２との間隙から、受光素子ＰＤからみて駆動トランジスタＴ２とは反対側の領域に連続するように形成される。したがって、受光素子ＰＤと第１電極６２は重なり合う。図４および図５に示すように、第１電極６２は、絶縁層Ｌ２を貫通する導通孔Ｈ３を介して駆動トランジスタＴ２のドレイン電極３８に導通する。導通孔Ｈ３は、基板１０に垂直な方向からみて駆動トランジスタＴ２（半導体層３２）と受光素子ＰＤ（受光層４０）との間隙に位置する。
【００２５】
図５に示すように、第１電極６２が形成された絶縁層Ｌ２の表面には素子規定層（バンク層）６４が形成される。素子規定層６４は、図４および図５に示すように、発光素子Ｅの外形に相当する形状（略円形）に開口部６４２が形成された絶縁性の膜体である。第１電極６２は、開口部６４２の内側に位置する部分（すなわち開口部６４２を介して素子規定層６４から露出する部分）を含む。開口部６４２は、受光素子ＰＤの受光層４０と重ならない位置および形状に形成される。
【００２６】
図５に示すように、素子規定層６４および第１電極６２を覆うように発光層６６が形成される。発光層６６は、複数の発光素子Ｅにわたって連続するように基板１０の全域に形成される。発光層６６の形成にはスピンコート法などの成膜技術が好適に利用される。また、図５に示すように発光層６６の表面には第２電極６８が形成される。第２電極６８は、複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成されて各発光素子Ｅの陰極として機能する。第２電極６８の形成には、光反射性の導電材料（例えばアルミニウムや銀）が使用される。
【００２７】
図４および図５に示すように、第１電極６２と発光層６６と第２電極６８との積層のうち素子規定層６４の開口部６４２の内側の部分が発光素子Ｅとして機能する。開口部６４２は素子規定層６４のうち受光層４０と重ならない領域に形成されるから、図４に示すように基板１０に垂直な方向からみると、受光素子ＰＤ（受光層４０）と発光素子Ｅは重なり合わない。すなわち、受光素子ＰＤは、基板１０の面上のうち発光素子Ｅと重ならない領域に形成される。
【００２８】
発光素子Ｅ（発光層６６）からの出射光の一部は、第２電極６８での反射後または発光層６６から直接的に第１電極６２に到達し、第１電極６２と絶縁層（Ｌ２，Ｌ１，Ｌ０）と基板１０を透過して外部（感光体ドラム７０側）に出射する。また、発光素子Ｅからの出射光の他の一部は、図４に矢印で図示したように、第２電極６８での反射後または発光層６６から直接的に受光素子ＰＤ側に進行し、受光層４０に入射されて検出電流ＩＰＤの生成に利用される。
【００２９】
図６は、発光素子Ｅ１〜Ｅｎと受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎの配置を示す平面図である。同図に示すように基板１０の面上（感光体ドラム７０とは反対側の表面上）には、ｎ個の発光素子Ｅ１〜ＥｎがＸ方向に等間隔で並べられ、一列の発光素子列をなしている。同様にｎ個の受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎについても、Ｘ方向に等間隔で並べられ、一列の受光素子列をなしている。このように基板１０に垂直な方向からみたとき、発光素子Ｅ１〜Ｅｎと受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎは重なり合わない。また、発光素子Ｅ１〜Ｅｎの配列ピッチと受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎの配列ピッチは等しい。さらに、受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎの入出力特性は同じであり、各受光素子ＰＤに入射される光の量が同じであれば、各受光素子ＰＤから出力される検出電流ＩＰＤの大きさも同じになる。
【００３０】
ところで、本実施形態に係る発光装置１００は、補正値取得モードの場合に、基準電流（基準データＤstd）に応じた輝度で発光素子Ｅ１〜Ｅｎを１つずつ順番に発光させる。また、この際に発光装置１００は、例えば図７に示すように、発光素子Ｅ２が発光中の場合は、３つの受光素子ＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３を使用して発光素子Ｅ２からの出射光の光量を測定し、発光素子Ｅ３が発光中の場合は、３つの受光素子ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４を使用して発光素子Ｅ３からの出射光の光量を測定する。なお、発光素子Ｅ１からの出射光の光量を測定する場合には２つの受光素子ＰＤ１，ＰＤ２を使用し、発光素子Ｅｎからの出射光の光量を測定する場合には２つの受光素子ＰＤｎ−１，ＰＤｎを使用する。このように発光装置１００は、２個または３個の受光素子ＰＤを使用して各発光素子Ｅからの出射光（光量）を測定する。また、出射光を測定する際に使用する２個または３個の受光素子ＰＤは、発光素子Ｅごとに異なる。
【００３１】
図８は、受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎとＡ／Ｄ変換回路１４の接続構成を示す回路図である。同図に示すように、受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎは、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎを介してＡ／Ｄ変換回路１４に接続される。各受光素子ＰＤｉ（ｉ＝１〜ｎ）からは、入射した光の量に応じた大きさの検出電流ＩＰＤｉが出力される。また、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎのオンとオフは制御回路１５によって制御される。Ａ／Ｄ変換回路１４には、オンになったスイッチＳＷｉに接続されている受光素子ＰＤｉからの検出電流ＩＰＤｉのみが足し合わされて入力される。例えば、図８においてスイッチＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４のみがオンになっている場合、受光素子ＰＤ２から出力された検出電流ＩＰＤ２と、受光素子ＰＤ３から出力された検出電流ＩＰＤ３と、受光素子ＰＤ４から出力された検出電流ＩＰＤ４とが足し合わされてＡ／Ｄ変換回路１４に入力される。
【００３２】
図９は、補正値取得モードにおける発光装置１００の動作を示すタイミングチャートである。なお、同図においてＴ１，Ｔ２，Ｔ３，…Ｔｎ−１，Ｔｎの各期間は、全て同じ時間幅である。補正値取得モードにおいて制御回路１５は、セレクト信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬｎの信号レベルを図９に示すように切り替える。すなわち、期間Ｔ１ではセレクト信号ＳＥＬ１のみをＨｉレベルにし、期間Ｔ２ではセレクト信号ＳＥＬ２のみをＨｉレベルにし、期間Ｔ３ではセレクト信号ＳＥＬ３のみをＨｉレベルにする。このように制御回路１５は、期間Ｔｉにおいてセレクト信号ＳＥＬｉのみをＨｉレベルにする。
【００３３】
図３を参照して説明したように、セレクト信号ＳＥＬｉがＨｉレベルになると、選択トランジスタＴ１がオンになり発光素子Ｅｉが発光する。したがって、期間Ｔ１では発光素子Ｅ１が発光し、期間Ｔ２では発光素子Ｅ２が発光し、期間Ｔ３では発光素子Ｅ３が発光する。つまり、補正値取得モードにおいて発光素子Ｅ１〜Ｅｎは、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，…Ｅｎ−１，Ｅｎの順で１つずつ順番に発光する。また、補正値取得モードの場合、全ての発光素子Ｅ１〜Ｅｎに対して同じ大きさの駆動電流Ｉd（基準電流）が供給されるので、各発光素子Ｅは基準電流に応じた輝度で発光することになる。
【００３４】
また、以上の発光制御と並行し、制御回路１５は、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎのオンとオフを図９に示すように制御する。すなわち、期間Ｔ１では２つのスイッチＳＷ１，ＳＷ２のみをオンにする。また、期間Ｔ２では３つのスイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３のみをオンにし、期間Ｔ３では３つのスイッチＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４のみをオンにする。このように期間Ｔ２から期間Ｔｎ−１までの間は、対象となる期間をＴｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）とすると、３つのスイッチＳＷｊ−１，ＳＷｊ，ＳＷｊ＋１のみをオンにする。そして、期間Ｔｎでは２つのスイッチＳＷｎ−１，ＳＷｎのみをオンにする。
【００３５】
図８を参照して説明したように、オンになったスイッチＳＷｉ（ｉ＝１〜ｎ）に接続されている受光素子ＰＤｉからの検出電流ＩＰＤｉのみが足し合わされてＡ／Ｄ変換回路１４に入力され、最終的な測定値Ｉoutとして制御回路１５に出力される。したがって、期間Ｔ１では２つの受光素子ＰＤ１，ＰＤ２を使用して発光素子Ｅ１の出射光を測定することになる。また、期間Ｔ２では３つの受光素子ＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３を使用して発光素子Ｅ２の出射光を測定し、期間Ｔ３では３つの受光素子ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４を使用して発光素子Ｅ３の出射光を測定することになる。このように期間Ｔ２から期間Ｔｎ−１までの間は、対象となる期間をＴｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）としたとき、３つの受光素子ＰＤｊ−１，ＰＤｊ，ＰＤｊ＋１を使用して発光素子Ｅｊの出射光を測定することになる。また、期間Ｔｎでは２つの受光素子ＰＤｎ−１，ＰＤｎを使用して発光素子Ｅｎの出射光を測定することになる。
【００３６】
制御回路１５には、各期間Ｔｉ（ｉ＝１〜ｎ）ごとに測定された測定値Ｉoutが供給される。例えば、期間Ｔ１において測定された測定値Ｉoutが供給されると、制御回路１５は、この測定値Ｉoutを用いて発光素子Ｅ１の補正値を求める。また、期間Ｔ２において測定された測定値Ｉoutが供給されると、制御回路１５は、この測定値Ｉoutを用いて発光素子Ｅ２の補正値を求める。制御回路１５に備わるメモリ（図示省略）には基準値Ｉstdが格納されている。この基準値Ｉstdは、経時劣化などが全く生じていない発光素子Ｅについて測定を行った場合に得られる測定値Ｉoutである。制御回路１５は、測定値Ｉoutと基準値Ｉstdとの差分を算出し、算出した差分の値に基づいて発光素子Ｅの補正値を求める。
【００３７】
なお、差分の値から補正値を求める際には、例えば、差分の値から補正値を算出する計算式を用意しておき、この計算式に差分の値を代入して求めてもよい。また、差分の値が取り得る数値範囲を複数に区分し、各区分ごとに補正値を定めた補正値テーブルを参照する構成であってもよい。また、測定値Ｉoutと基準値Ｉstdとの差分ではなく、測定値Ｉoutと基準値Ｉstdとの比から補正値を求める構成であってもよい。
【００３８】
制御回路１５では、このようにして発光素子Ｅごとに補正値を求めると、各発光素子Ｅの補正値を制御回路１５に備わるメモリ（図示省略）に記憶する。また、この後、制御回路１５は、動作モードを補正値取得モードから通常モードに切り替える。通常モードにおいて制御回路１５には、外部から画像データＤinが供給される。通常モードの場合、制御回路１５は、メモリに記憶されている各発光素子Ｅの補正値を読み出して画像データＤinを補正し、これを画像データＤoutとして画素駆動回路１１に出力する。つまり、制御回路１５は、各発光素子Ｅの補正値を用いて画像データＤinを補正することで、各発光素子Ｅに供給される駆動電流Ｉdの電流量を補正する。これにより各発光素子Ｅの輝度が調整される。
【００３９】
なお、発光素子Ｅ１〜Ｅｎのうち発光素子Ｅ１と発光素子Ｅｎについては、２つの受光素子ＰＤを使用して出射光の測定を行っているため、３つの受光素子ＰＤを使用して出射光の測定を行う発光素子Ｅ２〜Ｅｎ−１の場合とは、同じ輝度で発光している場合であっても測定値Ｉoutが異なる。このため、測定値Ｉoutとの比較に用いる基準値Ｉstdは２種類用意しておく必要がある。すなわち、発光素子Ｅ１，Ｅｎ用の基準値Ｉstdと、発光素子Ｅ２〜Ｅｎ−１用の基準値Ｉstdである。
【００４０】
但し、例えば図１０に示すように、基板１０の面上に受光素子ＰＤ０と受光素子ＰＤｎ＋１をさらに設け、発光素子Ｅ１については受光素子ＰＤ０，ＰＤ１，ＰＤ２を使用して出射光の測定を行い、発光素子Ｅｎについては受光素子ＰＤｎ−１，ＰＤｎ，ＰＤｎ＋１を使用して出射光の測定を行う構成とすれば、発光素子Ｅ１と発光素子Ｅｎについても３つの受光素子ＰＤを使用して出射光の測定を行うことができるから、メモリに２種類の基準値Ｉstdを記憶しておく必要がなくなる。また、このような構成とした場合、各発光素子Ｅの出射光を測定するにあたり、測定対象となる１つの発光素子Ｅと、測定の際に使用する３つの受光素子ＰＤとの相対的な位置を常に同じにできるから、各発光素子Ｅの出射光を正確に測定することができる。
【００４１】
以上説明したように本実施形態に係る発光装置１００では、基板１０の面上に発光素子Ｅ１〜Ｅｎと重なり合わないように受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎを形成している。したがって、発光素子Ｅ１〜Ｅｎからの光は、受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎを介さずに外部（感光体ドラム７０側）に出射される。よって、特許文献１の構成と比較して、各発光素子Ｅからの出射光の利用効率を高めることができる。また、出射光の利用効率を高めることで、発光素子Ｅを所期の輝度で発光させるために必要な駆動電流Ｉdを低減することができるから、その分、発光素子Ｅの経時劣化を抑えて長寿命化を図ることができる。
【００４２】
また、本実施形態に係る発光装置１００では、１つの発光素子Ｅの出射光を２個または３個の受光素子ＰＤを使用して測定するので、受光面積が広くできる分、各発光素子Ｅの出射光を正確に測定することができる。よって、各発光素子Ｅの輝度を高い精度で補正可能である。また、各受光素子ＰＤの受光面積を大きくするのではなく、複数の受光素子ＰＤを使用して１つの発光素子Ｅの出射光を測定することで、受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎを面積効率よく基板１０の面上に配置することができる。つまり、要求される補正精度が同じ場合、各受光素子ＰＤの受光面積を大きくして１つの受光素子ＰＤで１つの発光素子Ｅの出射光を測定する場合に比べ、基板１０の面積を小さくすることができ、発光装置１００の小型化が図れる。
【００４３】
なお、例えば、図１１に示すように発光素子Ｅ１〜Ｅｎと受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎ＋１を基板１０上に配置し、発光素子Ｅ１が発光中の場合は、２つの受光素子ＰＤ１，ＰＤ２を使用して発光素子Ｅ１の出射光を測定し、発光素子Ｅ２が発光中の場合は、２つの受光素子ＰＤ２，ＰＤ３を使用して発光素子Ｅ２の出射光を測定する構成としてもよい。すなわち、発光素子Ｅｉ（ｉ＝１〜ｎ）が発光中の場合は、２つの受光素子ＰＤｉ，ＰＤｉ＋１を使用して発光素子Ｅｉの出射光を測定する構成としてもよい。
【００４４】
また、図１２に示すように、複数の発光素子Ｅと複数の受光素子ＰＤを千鳥状に配置し、発光素子Ｅ１が発光中の場合は、２つの受光素子ＰＤ１，ＰＤ３を使用して発光素子Ｅ１の出射光を測定し、発光素子Ｅ２が発光中の場合は、２つの受光素子ＰＤ２，ＰＤ４を使用して発光素子Ｅ２の出射光を測定する構成としてもよい。すなわち、発光素子Ｅｉ（ｉ＝１〜ｎ）が発光中の場合は、２つの受光素子ＰＤｉ，ＰＤｉ＋２を使用して発光素子Ｅｉの出射光を測定する構成としてもよい。但し、この場合、発光素子Ｅと受光素子ＰＤがともにｎ個ずつ設けられていたとすると、発光素子Ｅ１から発光素子Ｅｎ−２までは上述した方法で出射光を測定することができるが、発光素子Ｅｎ−１と発光素子Ｅｎについては、受光素子ＰＤｎ＋１，ＰＤｎ＋２が存在しないため、１つの受光素子ＰＤで出射光を測定することになる。これを避けるため、例えば、基板１０上に受光素子ＰＤｎ＋１，ＰＤｎ＋２をさらに設ける構成としてもよい。また、発光素子Ｅｎ−１の出射光を測定する場合には、２つの受光素子ＰＤｎ−３，ＰＤｎ−１を使用し、発光素子Ｅｎの出射光を測定する場合には、２つの受光素子ＰＤｎ−２，ＰＤｎを使用する構成としてもよい。
【００４５】
また、複数の発光素子Ｅを千鳥状に配置する場合において、図１３に示すように受光素子ＰＤを配置し、発光素子Ｅ１の出射光を測定する場合と発光素子Ｅ２の出射光を測定する場合には、受光素子ＰＤ１，ＰＤ２を使用し、発光素子Ｅ３の出射光を測定する場合と発光素子Ｅ４の出射光を測定する場合には、受光素子ＰＤ２，ＰＤ３を使用する構成としてもよい。
【００４６】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、第１実施形態と共通する要素には、同じ符号を付し、説明を適宜省略する。
図１４に示すように、第２実施形態に係る発光装置１００の基板１０の面上には、１列の発光素子列を挟んでその両側に受光素子列が配置される。発光素子列は、Ｘ方向に等間隔で並べられたｎ個の発光素子Ｅ１〜Ｅｎからなる。また、受光素子列は、Ｘ方向に等間隔で並べられたｎ個の受光素子ＰＤ１１〜ＰＤ１ｎからなる第１の受光素子列と、Ｘ方向に等間隔で並べられたｎ個の受光素子ＰＤ２１〜ＰＤ２ｎからなる第２の受光素子列である。
【００４７】
なお、第１実施形態と同様、基板１０に垂直な方向からみたとき、発光素子Ｅ１〜Ｅｎと受光素子ＰＤ１１〜ＰＤ１ｎ，ＰＤ２１〜ＰＤ２ｎは重なり合わない。また、発光素子Ｅ１〜Ｅｎの配列ピッチと、受光素子ＰＤ１１〜ＰＤ１ｎの配列ピッチと、受光素子ＰＤ２１〜ＰＤ２ｎの配列ピッチは等しい。また、発光素子列から第１の受光素子列までの間隔（Ｙ方向）と、発光素子列から第２の受光素子列までの間隔（Ｙ方向）は等しい。さらに、受光素子ＰＤ１１〜ＰＤ１ｎ，ＰＤ２１〜ＰＤ２ｎの入出力特性は同じであり、各受光素子ＰＤに入射される光の量が同じであれば、各受光素子ＰＤから出力される検出電流ＩＰＤの大きさも同じになる。
【００４８】
また、図１４に示すように、受光素子ＰＤ１１〜ＰＤ１ｎ，ＰＤ２１〜ＰＤ２ｎの各々は、ＰＩＮ型のダイオードとして機能する受光層４０を含む。受光層４０は、Ｐ型半導体で形成された第１領域４１と、Ｎ型半導体で形成された第２領域４２と、第１領域４１と第２領域４２との間に位置し、真性半導体で形成された真性領域４４とを含む。また、発光素子Ｅｉを挟んでその両側に位置する受光素子ＰＤ１ｉ，ＰＤ２ｉは、３つの領域４１，４２，４４が、中央の発光素子Ｅｉからみたとき、第１領域４１（Ｐ型），真性領域４４，第２領域４２（Ｎ型）の順に揃っている。つまり、基板１０に垂直な方向からみたとき、各受光素子ＰＤでは、第１領域４１（Ｐ型）が第２領域４２（Ｎ型）よりも発光素子Ｅの近くに位置する。
【００４９】
各受光素子ＰＤにおいて、第１領域４１（Ｐ型）のシート抵抗と、第２領域４２（Ｎ型）のシート抵抗は異なる。したがって、上述したように受光素子ＰＤ１ｉ，ＰＤ２ｉにおける３つの領域４１，４２，４４の配置を発光素子Ｅｉに対して揃えることで、シート抵抗が異なることによる受光素子ＰＤ１ｉと受光素子ＰＤ２ｉの検出電流ＩＰＤのズレをなくし、より正確に各発光素子Ｅの出射光を測定することが可能になる。
【００５０】
なお、第１領域４１と第２領域４２の導電型を逆にしてもよい。すなわち、各受光素子ＰＤ（受光層４０）は、Ｎ型半導体で形成された第１領域４１と、Ｐ型半導体で形成された第２領域４２と、第１領域４１と第２領域４２との間に位置し、真性半導体で形成された真性領域４４とを有する構成であってもよい。
【００５１】
また、第２実施形態に係る発光装置１００においても、補正値取得モードの場合に、基準電流（基準データＤstd）に応じた輝度で発光素子Ｅ１〜Ｅｎを１つずつ順番に発光させる。また、この際に発光装置１００は、例えば図１５に示すように、発光素子Ｅ２が発光中の場合は、６つの受光素子ＰＤ１１〜ＰＤ１３，ＰＤ２１〜ＰＤ２３を使用して発光素子Ｅ２の出射光の光量を測定し、発光素子Ｅ３が発光中の場合は、６つの受光素子ＰＤ１２〜ＰＤ１４，ＰＤ２２〜ＰＤ２４を使用して発光素子Ｅ３の出射光の光量を測定する。なお、発光素子Ｅ１の出射光の光量を測定する場合には４つの受光素子ＰＤ１１，ＰＤ１２，ＰＤ２１，ＰＤ２２を使用し、発光素子Ｅｎの出射光の光量を測定する場合には４つの受光素子ＰＤ１ｎ−１，ＰＤ１ｎ，ＰＤ２ｎ−１，ＰＤ２ｎを使用する。このように本実施形態に係る発光装置１００は、４個または６個の受光素子ＰＤを使用して各発光素子Ｅの出射光（光量）を測定する。また、出射光を測定する際に使用する４個または６個の受光素子ＰＤは、発光素子Ｅごとに異なる。
【００５２】
以上説明した第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏することに加え、発光素子列の両側に受光素子列を配置することで、第１実施形態の構成に比べ、受光面積を２倍にすることができる。したがって、第１実施形態の構成に比べ、各発光素子Ｅの出射光をより正確に測定することができ、その結果、各発光素子Ｅの輝度をより高い精度で補正することが可能になる。また、受光素子ＰＤ１ｉ，ＰＤ２ｉにおける３つの領域４１，４２，４４の配置を発光素子Ｅｉに対して揃えることで、より正確に各発光素子Ｅの出射光を測定することが可能になる。
【００５３】
なお、例えば、図１６に示すように、複数の発光素子Ｅと複数の受光素子ＰＤを千鳥状に配置し、発光素子Ｅ２が発光中の場合は、３つの受光素子ＰＤ２１，ＰＤ１１，ＰＤ２２を使用して発光素子Ｅ２の出射光を測定し、発光素子Ｅ３が発光中の場合は、３つの受光素子ＰＤ１１，ＰＤ２２，ＰＤ１２を使用して発光素子Ｅ３の出射光を測定する構成としてもよい。
【００５４】
＜Ｃ：応用例＞
次に、以上説明した発光装置１００を利用した電子機器（画像形成装置）の具体例を説明する。
図１７は、画像形成装置の構成を示す断面図である。同図に示す画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置であり、４個の発光装置１００（１００Ｋ，１００Ｃ，１００Ｍ，１００Ｙ）と、各発光装置１００に対応する４個の感光体ドラム７０（７０Ｋ，７０Ｃ，７０Ｍ，７０Ｙ）を備える。図１に示したように、１つの発光装置１００は、対応する感光体ドラム７０の被露光面７０Ａ（外周面）と対向するように配置される。なお、各符号の添字「Ｋ」「Ｃ」「Ｍ」「Ｙ」は、黒（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味している。
【００５５】
図１７に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２には無端の中間転写ベルト７２が巻回される。４個の感光体ドラム７０は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム７０は、中間転写ベルト７２の駆動に同期して回転する。
【００５６】
各感光体ドラム７０の周囲には、発光装置１００の他にコロナ帯電器７３１（７３１Ｋ，７３１Ｃ，７３１Ｍ，７３１Ｙ）と現像器７３２（７３２Ｋ，７３２Ｃ，７３２Ｍ，７３２Ｙ）が配置される。コロナ帯電器７３１は、対応する感光体ドラム７０の被露光面７０Ａを一様に帯電させる。この帯電した被露光面７０Ａを各発光装置１００が露光することで静電潜像が形成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像材（トナー）を付着させることで感光体ドラム７０に顕像（可視像）を形成する。
【００５７】
以上のように感光体ドラム７０に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）７４（７４Ｋ，７４Ｃ，７４Ｍ，７４Ｙ）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、対応する感光体ドラム７０から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム７０と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。
【００５８】
シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送される。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７によってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート７５を排出する。
【００５９】
以上説明した画像形成装置は、有機ＥＬ素子を光源（露光手段）として利用しているので、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化できる。なお、ロータリ現像式の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラム７０からシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装置などにも発光装置１００を利用することが可能である。
【００６０】
また、発光装置１００の用途は像担持体（感光体ドラム７０）の露光に限定されない。例えば、発光装置１００は、原稿などの読取対象に光を照射する照明装置として画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。また、発光素子Ｅをマトリクス状や千鳥状に配列させた発光装置は、各種電子機器の表示装置としても利用可能である。本発明が適用される電子機器としては、例えば、可搬型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤなどがある。
【００６１】
＜Ｄ：変形例＞
発光素子Ｅは、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子であってもよい。受光素子ＰＤは、ＰＮ型のダイオードやフォトダイオード、フォトトランジスタであってもよい。発光素子Ｅに供給する電気エネルギーは電流でなく電圧であってもよい。受光素子ＰＤは、入射された光の量に応じた大きさの電圧を検出信号として出力するものであってもよい。各受光素子ＰＤからの検出信号（電流または電圧）を個別にＡ／Ｄ変換した後、光量の測定に使用する２以上の受光素子ＰＤからの検出値のみを加算演算して測定値を得る構成であってもよい。各発光素子Ｅの補正値を記憶するメモリは、発光装置１００内でなく画像形成装置内に備わる構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】画像形成装置の部分的な構造を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】画素駆動回路の回路図（一部）である。
【図４】発光素子と受光素子と駆動トランジスタの配置を示す平面図である。
【図５】図４におけるＩＶ−ＩＶ線の断面図である。
【図６】ｎ個の発光素子とｎ個の受光素子の配置を示す平面図である。
【図７】発光素子Ｅ２の出射光を測定する場合に使用する３個の受光素子と、発光素子Ｅ３の出射光を測定する場合に使用する３個の受光素子を示す図である。
【図８】ｎ個の受光素子とＡ／Ｄ変換回路の接続構成を示す回路図である。
【図９】補正値取得モードにおける発光装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図１０】発光素子と受光素子の配置を示す平面図（変形例）である。
【図１１】発光素子と受光素子の配置を示す平面図（変形例）である。
【図１２】発光素子と受光素子の配置を示す平面図（変形例）である。
【図１３】発光素子と受光素子の配置を示す平面図（変形例）である。
【図１４】第２実施形態に係る発光素子と受光素子の配置を示す図である。
【図１５】発光素子Ｅ２の出射光を測定する場合に使用する６個の受光素子と、発光素子Ｅ３の出射光を測定する場合に使用する６個の受光素子を示す図である。
【図１６】発光素子と受光素子の配置を示す平面図（変形例）である。
【図１７】電子機器の具体例（画像形成装置）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１００…発光装置、７０…感光体ドラム、８０…集束性レンズアレイ、Ｅ，Ｅ１〜Ｅｎ…発光素子、ＰＤ，ＰＤ１〜ＰＤｎ，ＰＤ１１〜ＰＤ１ｎ，ＰＤ２１〜ＰＤ２ｎ…受光素子、１１…画素駆動回路、１２…画素部、１３…光センサ部、１４…Ａ／Ｄ変換回路、１５…制御回路、Ｄin…画像データ（補正前）、Ｄout…画像データ（補正後）、Ｄstd…基準データ、Ｉd…駆動電流、ＩＰＤ，ＩＰＤ１〜ＩＰＤｎ…検出電流、Ｉout…測定値、Ｔ１…選択トランジスタ、Ｔ２…駆動トランジスタ、ＳＥＬ，ＳＥＬ１〜ＳＥＬｎ…セレクト信号、ＳＷ１〜ＳＷｎ…スイッチ、４０…受光層、４１…第１領域、４２…第２領域、４４…真性領域、６２…第１電極６２（陽極）、６４…素子規定層、６４２…開口部、６６…発光層、６８…第２電極（陰極）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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