(57)【要約】【課題】光伝送モジュールの各部の動作状態を示す状態情報を保存するメモリへの書込回数を低減させる。【解決手段】光伝送モジュール１０は、１又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に含まれる状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する状態値記憶部５４を有する。光伝送モジュール１０は、各部の状態を監視して１又は複数の状態情報の各値を検出し、検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値が、状態値記憶部５４に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、当該状態情報の値を含む範囲のフラグを更新する。【選択図】図１
2010161525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝送モジュールの各部の状態を監視して１又は複数の状態情報の各値を検出する検出手段と、
前記１又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する記憶手段と、
前記検出手段により検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、当該状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新する更新手段と、を含む
ことを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項２】
前記検出手段により検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値について予め定められた閾値と比較して異常状態が発生したか否かを判断する判断手段をさらに含み、
前記更新手段は、前記判断手段により異常状態が発生したと判断された場合であって、かつ、前記状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、前記状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新する
ことを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項３】
前記記憶手段は、不揮発性メモリである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光伝送モジュール。
【請求項４】
光伝送モジュールの各部の状態を監視して検出される１又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する記憶手段を含む光伝送モジュールの状態情報を保存する状態情報保存方法であって、
前記光伝送モジュールの各部の状態を監視して１又は複数の状態情報の各値を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、当該状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新する更新ステップと、を含む
ことを特徴とする状態情報保存方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送モジュール及び状態情報保存方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光伝送モジュールを仕様の範囲外で使用すると故障することがあり、光伝送モジュールに構成部品の動作状態や動作環境等の情報を取得する機能を設け、取得した情報を記録して故障原因の解析に役立てることがある。例えば、下記の特許文献１には、光伝送モジュールの各部の動作状態を示す各種のモニタデータの最小値及び最大値を不揮発性メモリに記録する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３１９８９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の技術では、最小値及び最大値を不揮発性メモリに書き込む頻度が多くなってしまうため、書き込みを終えるまで処理を待機すると処理速度が低下してしまう上に、不揮発性メモリの上書きの上限回数に達しやすい等の問題があった。
【０００５】
本発明の目的の一つは、光伝送モジュールの各部の動作状態を示す状態情報を保存するメモリへの書込回数を低減させた光伝送モジュール及び状態情報保存方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係る光伝送モジュールは、光伝送モジュールの各部の状態を監視して１又は複数の状態情報の各値を検出する検出手段と、前記１又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する記憶手段と、前記検出手段により検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、当該状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新する更新手段と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の一態様では、前記検出手段により検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値について予め定められた閾値と比較して異常状態が発生したか否かを判断する判断手段をさらに含み、前記更新手段は、前記判断手段により異常状態が発生したと判断された場合であって、かつ、前記状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、前記状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新することとする。
【０００８】
また、本発明の一態様では、前記記憶手段は、不揮発性メモリであることとする。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る状態情報記録方法は、光伝送モジュールの各部の状態を監視して検出される１又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に該当する状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する記憶手段を含む光伝送モジュールの状態情報を保存する状態情報保存方法であって、前記光伝送モジュールの各部の状態を監視して１又は複数の状態情報の各値を検出する検出ステップと、前記検出ステップにより検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値が前記記憶手段に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、当該状態情報の値に該当する範囲のフラグを更新する更新ステップと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様によれば、光伝送モジュールの各部から検出された状態情報の最大値や最小値を記憶する記憶手段への書込回数を低減させることができる。
【００１１】
本発明の一態様によれば、異常状態が発生した場合に検出される状態情報の最大値や最小値を記憶する記憶手段への書込回数を低減させることができる。
【００１２】
本発明の一態様によれば、光伝送モジュールのシステムを再起動しても状態情報の最大値や最小値の情報を保存することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係る光伝送モジュールの機能ブロック図である。
【図２】状態値記憶テーブルの一例を示す図である。
【図３】状態値保存処理のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための好適な実施の形態（以下、実施形態という）を、図面に従って説明する。
【００１５】
図１には、本実施形態に係る光伝送モジュール１０の機能ブロック図を示す。図１に示されるように、光伝送モジュール１０は、光送信部２０、光受信部３０、及び状態情報保存回路４０を含み構成され、各部はプリント基板上に形成されることとしてよい。また、光伝送モジュール１０は電源供給回路６０と電源配線により接続され、電源供給回路６０からの電力供給を受けて動作するものである。
【００１６】
光送信部２０は、ＬＤ（レーザダイオード）と、ＬＤに電流を供給して駆動させる駆動回路等を含む送信回路とを備え、送信データに応じて変調した光信号をＬＤから送信するものである。
【００１７】
光受信部３０は、光信号を受光する受光素子と、受光素子により受光した光信号に応じて出力される光電流の波形を整形する波形整形回路等を含む受信回路とを備え、外部から光信号を受信して受信データを得るものである。なお、受光素子にはＰＤ（フォトダイオード）やＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等を用いることとしてよい。
【００１８】
状態情報保存回路４０は、光伝送モジュール１０の光送信部２０、光受信部３０等の動作状態や、電源供給回路６０から供給される電源電圧等の各種の状態情報に基づいて異常状態の発生を判断すると共に、光伝送モジュール１０において異常状態が発生した場合の上記各種の状態情報の最大値や最小値を保存する回路である。図１に示されるように、本実施形態では、状態情報保存回路４０は、電源監視回路４２、温度センサ４４、ＡＤ変換部４６、異常状態判定部４８、異常検知アラーム設定部５０、状態値書込制御部５２、状態値記憶部５４、及び状態値書込閾値設定部５６を含む。以下、各部の詳細について説明する。
【００１９】
電源監視回路４２は、電源供給回路６０から光伝送モジュール１０に供給される電源電圧値を監視しており、監視している電源電圧値が予め定められた範囲内にない場合には、異常検知アラーム設定部５０に電源電圧値の異常に該当するアラーム信号を設定する。電源監視回路４２は、光送信部２０と光受信部３０とのそれぞれに供給される電源電圧値を監視することとしてよい。
【００２０】
温度センサ４４は、光伝送モジュール１０の温度を検出するものであり、検出する温度は、光伝送モジュール１０のケース内温度でもよいし、プリント基板の温度であってもよい。
【００２１】
ＡＤ変換部４６は、温度センサ４４により検出された温度を表すアナログデータ（ＭＯＤＴＥＭＰＭＯＮ）や、光送信部２０や光受信部３０等の動作状態を表す各種のアナログデータをデジタルデータに変換するものである。例えば、ＡＤ変換部４６は、温度センサ４４により検出されたＭＯＤＴＥＭＰＭＯＮの他に、ＬＤに入力されるバイアス電流（ＬｓＢＩＡＳＭＯＮ）、ＬＤからの光出力パワー（ＬｓＰＯＷＭＯＮ）、ＬＤの温度（ＬｓＴＥＭＰＭＯＮ）、そして、光受信部３０への光入力パワー（ＲｘＰＯＷＭＯＮ）等のアナログデータをデジタルデータに変換することとしてよい。ＡＤ変換部４６は変換したデジタルデータを異常状態判定部４８に出力する。
【００２２】
異常状態判定部４８は、ＡＤ変換部４６によりデジタルデータに変換された各種の状態情報に基づいて光伝送モジュール１０において異常状態が発生しているか否かを判定するものである。具体的には、異常状態判定部４８は、後述する異常状態閾値記憶部４８Ａと比較部４８Ｂを含み、上記異常状態の発生の判定処理を行う。
【００２３】
異常状態閾値記憶部４８Ａは、各種の状態情報毎に予め定められた閾値（異常状態閾値）を関連づけて記憶しているものである。異常状態閾値は、光伝送モジュール１０の仕様に基づいて定められることとしてよく、下限値又は／及び上限値により表されることとしてよい。ここでの下限値とは、当該下限値を下回った場合に異常状態が発生していると定める値とし、上限値とは、当該上限値を上回った場合に異常状態が発生していると定める値とする。異常状態閾値記憶部４８Ａは、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリやＲＯＭにより構成され、光伝送モジュール１０のシステムが再起動した場合にも、異常状態閾値記憶部４８Ａの記憶内容は消去されない。
【００２４】
比較部４８Ｂは、異常状態判定部４８に入力された状態情報の値と、異常状態閾値記憶部４８Ａに記憶された当該状態情報の異常状態閾値とを比較し、入力された状態情報の値が異常状態であるか否かの比較結果を出力する。例えば、ある状態情報について異常状態閾値記憶部４８Ａに上限値の異常状態閾値が記憶されている場合には、比較部４８Ｂは上記状態情報について入力された値と異常状態閾値とを比較し、入力された値が異常状態閾値を超えている場合にアラーム信号を出力する。なお、比較部４８Ｂは、ＡＤ変換部４６から順次入力されるデジタルデータについて比較処理を順次実行することとしてよい。
【００２５】
異常検知アラーム設定部５０は、電源監視回路４２や異常状態判定部４８からの入力を受け付けて、光伝送モジュール１０において発生している異常状態を示すアラーム信号を設定するものである。具体的には、異常検知アラーム設定部５０は、状態情報（ＬｓＢＩＡＳＭＯＮ、ＬｓＰＯＷＭＯＮ、ＬｓＴＥＭＰＭＯＮ、ＲｘＰＯＷＭＯＮ等）毎にアラームの発生を示すエラーフラグ（ＬｓＢＩＡＳＡＬＭ、ＬｓＰＯＷＡＬＭ、ＬｓＴＥＭＰＡＬＭ、ＲｘＰＯＷＡＬＭ等）を保持し、異常と判定された状態情報に対応するエラーフラグを「ＯＦＦ（１）」から「ＯＮ（０）」に切り替えて設定することとする。
【００２６】
状態値書込制御部５２は、異常状態判定部４８と異常検知アラーム設定部５０からの入力を受け付けて、異常状態と判定された状態情報の値を状態値記憶部５４に記憶する処理を制御するものである。本実施形態では、状態値書込制御部５２は、後述する状態値記憶部５４に記憶された状態値記憶テーブルと、状態値書込閾値設定部５６により設定された書込閾値とを用いて状態情報の値を状態値記憶部５４に書き込むか否かを判定すると共に、当該判定した結果に従って状態情報の値の書込を実行するものである。
【００２７】
状態値記憶部５４は、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリにより構成され、各状態情報の最大値又は／及び最小値を記憶するものである。本実施形態では、状態値記憶部５４には、状態情報の値の範囲毎にフラグを関連づけて記憶した状態値記憶テーブルが記憶されることとし、このフラグを書き換えることにより状態情報の値が到達した範囲を記憶することとしている。
【００２８】
図２には、状態値記憶テーブルの一例を示した。図２には、温度センサ４４により検出された温度の値を記憶するテーブルを示しており、同図に示されるように、状態値記憶テーブルは、アドレス、ビット番号、範囲、フラグの各項目を関連づけて構成されるものである。アドレスは不揮発性メモリ上のアドレスを示し、ビット番号はアドレスに含まれる各ビットの識別情報を示し、範囲は状態情報の値の範囲を示し、フラグは関連づけられた範囲に状態情報が到達したか否かを示す真偽値である。例えば、初期状態では各フラグは「ＯＦＦ（１）」として記憶されており、得られた状態情報の範囲が「５５度〜５６度」に入れば「０番目」のビットを「ＯＮ（０）」に書き換え、さらに、「５９度〜６０度」に入れば「０乃至４番目」までのビットを「ＯＮ（０）」に書き換えることとしてよい。
【００２９】
上記の状態値記憶テーブルにおいては、各範囲を均等にしているが範囲は均等としなくともよく、精度が要求される範囲については間隔を狭くすることとしても構わない。また、状態値記憶部５４には状態情報毎に上記の状態値記憶テーブルが保持されることとしてよい。
【００３０】
状態値書込閾値設定部５６は、状態値記憶部５４に記憶される状態情報の値（状態値）を状態値記憶部５４に書き込むか否かを判断する閾値（書込閾値）を設定するものである。具体的には、状態値書込閾値設定部５６は、状態値記憶テーブルのフラグが「ＯＮ（０）」である範囲を参照して、その範囲の上限（又は下限）の値を書込閾値として設定するものである。
【００３１】
例えば、図２に示した温度に関する状態値記憶テーブルにおいて、０乃至４番目のフラグまでが「ＯＮ（０）」であり、５番目以降のフラグが「ＯＦＦ（１）」であるとすると、状態値書込閾値設定部５６は、状態値記憶テーブルを参照してフラグの値が変化する境界にある４番目の範囲と５番目の範囲との境界値である「６０度」を書込閾値として設定し、メモリ（揮発メモリ）に記憶することとしてよい。なお、揮発メモリにはＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）を用いることとしてよい。そして、状態値書込制御部５２は、異常状態判定部４８から入力された温度のデータが、状態値書込閾値設定部５６に記憶された書込閾値の「６０度」を超えている場合には状態値記憶部５４に状態値を書き込むと判定し、超えていなければ書き込みを行わないと判定する。
【００３２】
また、状態値書込閾値設定部５６は、状態値記憶部５４に状態情報が記憶されていない場合には、異常状態閾値記憶部４８Ａに記憶されている異常状態閾値を書込閾値に設定することとしてよい。
【００３３】
次に、図３に示された状態値保存処理のフローチャートを参照しながら、光伝送モジュール１０により行われる状態値保存処理の流れを説明する。
【００３４】
図３に示されるように、光伝送モジュール１０では、各部の状態情報（アナログデータ）を取得し（Ｓ１０１）、取得した状態情報（アナログデータ）をＡＤ変換部４６により状態値（デジタルデータ）に変換する（Ｓ１０２）。次に、光伝送モジュール１０は変換された各状態値と異常状態閾値記憶部４８Ａに記憶された閾値とを比較して、異常状態が発生しているか否かを判断し（Ｓ１０３）、発生していないと判断した場合には（Ｓ１０３：Ｎ）処理を終え、発生していると判断する場合には（Ｓ１０３：Ｙ）以下の処理を行う。
【００３５】
光伝送モジュール１０は、異常状態検知アラーム設定部に異常状態の発生が判断された状態情報に対応するエラーフラグを設定する（Ｓ１０４）。そして、光伝送モジュール１０は、上記状態情報について状態値書込閾値設定部５６に設定されている書込閾値と得られた状態値とを比較して、当該状態値が状態値記憶部５４に記憶された状態値の範囲内にあるか否かを判断する（Ｓ１０５）。なお、書込閾値は予め読み込まれていてもよいし、Ｓ１０５の判断の前に読み込むこととしてもよい。そして、光伝送モジュール１０は、状態値が範囲内にあると判断する場合には（Ｓ１０５：Ｙ）、状態値の書込を行わずに処理を終了し、範囲内にないと判断する場合には（Ｓ１０５：Ｎ）、以下の処理を行う。
【００３６】
光伝送モジュール１０は、取得された状態値を含む範囲を特定し（Ｓ１０６）、特定された範囲に該当するフラグ値を「ＯＮ（０）」に書き換える（Ｓ１０７）。この際に光伝送モジュール１０は、取得された状態値と現在記憶されている状態値との間に含まれる範囲に該当するフラグ値も全て「ＯＮ（０）」に書き換えることとしてよい。具体的に、図２に示した状態値記憶テーブルにおいて、０番目のフラグ値が「０」、他のフラグ値が「１」である場合に、状態値「５９．５度」が取得されたとすると、１番目から４番目のフラグ値を全て「０」に書き換えることとしてよい。
【００３７】
次に、光伝送モジュール１０は、更新された状態値記憶テーブルに基づいて、状態値書込閾値設定部５６に設定する書込閾値を更新して（Ｓ１０８）、処理を終了する。例えば、上記の例であれば、４番目のフラグ値の範囲の上限である「６０度」が新たな書込閾値として設定される。
【００３８】
以上説明した本実施形態に係る光伝送モジュール１０によれば、光伝送モジュール１０の各部の状態を示す状態情報の最大値や最小値をそのまま不揮発性メモリである状態値記憶部５４に書き込むのではなく、予め定めた状態値の範囲のフラグ値を更新して状態値の到達点を保存することにより、不揮発性メモリに格納されたデータを上書きせずに状態値の保存ができる。このように、不揮発性メモリの書込回数や上書き回数を低減したことにより、不揮発性メモリへの書込処理時間を短縮することができる上に、不揮発性メモリの書込上限回数による制約を回避することができる。
【００３９】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態においては異常状態判定部４８と状態値書込制御部５２とを分けて構成しているが、異常状態の発生を判定する判定部と異常状態の状態値の書込を判定する判定部とを共通としても構わない。また、状態値記憶部５４に状態値を記憶する際に、状態値と共に異常状態検知アラーム設定部に設定されたアラームの種類を関連づけて記憶することとしても構わない。また、光伝送モジュール１０に通信インターフェースを設けて、異常状態検知アラーム設定部により設定されたエラーフラグを外部の装置に出力する構成を設けてもよい。また、その他にも本発明の要旨を逸脱しない範囲で多様な変更、変形又は置換が可能であることはもちろんである。
【符号の説明】
【００４０】
１０  光伝送モジュール、２０  光送信部、３０  光受信部、４０  状態情報保存回路、４２  電源監視回路、４４  温度センサ、４６  ＡＤ変換部、４８  異常状態判定部、４８Ａ  異常状態閾値記憶部、４８Ｂ  比較部、５０  異常検知アラーム設定部、５２  状態値書込制御部、５４  状態値記憶部、５６  状態値書込閾値設定部、６０  電源供給回路。
【図１】
2010161525.tif 000003
【図２】
2010161525.tif 000004
【図３】
2010161525.tif 000005