(57)【要約】【課題】ガス種に対応した複数のガス排気ラインに対して複数の反応室から排気ガスを切り換えて排気する場合に、ガス排気ラインに対する排気ガスの誤誘導を防ぎ、ガス排気ラインの切り換えにおいて、ガス真空ポンプの背圧上昇によるポンプの停止を回避する。【解決手段】ガス排気ライン切り換え機構は、複数の反応室の各反応室をそれぞれ排気する複数の真空ポンプを、反応室から排気される排気ガスに含まれるガス種に対応した複数のガス排気ラインに切り換えて接続する。真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に複数の開閉バルブを接続し、開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入自在とし、不活性ガスを導入した開閉バルブにおいて、真空ポンプ側の圧力をガス排気ライン側の圧力よりも高圧とする圧力勾配を形成する構成とする。【選択図】図１
2010161150.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の反応室の各反応室をそれぞれ排気する複数の真空ポンプを、前記反応室から排気される排気ガスに含まれるガス種に対応した複数のガス排気ラインに切り換えて接続するガス排気ライン切り換え機構であって、
前記真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に複数の開閉バルブを接続し、
前記開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入自在とし、
前記不活性ガスを導入した開閉バルブにおいて、真空ポンプ側の圧力をガス排気ライン側の圧力よりも高圧とする圧力勾配を形成することを特徴とする、ガス排気ライン切り換え機構。
【請求項２】
前記真空ポンプは窒素ガスを導入する窒素ガス導入部を備え、
窒素ガスの導入によって開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入することを特徴とする、請求項１に記載のガス排気ライン切り換え機構。
【請求項３】
前記ガス排気ラインは、成膜ガスを除害する成膜ガス除害装置に接続される成膜ガス排気ラインと、クリーニングガスを除害するクリーニングガス除害装置に接続されるクリーニングガス排気ラインとを有し、
前記窒素ガス導入部から導入された不活性ガスは、成膜ガス排気ライン又はクリーニングガス排気ラインの少なくとも何れかに排気されることを特徴とする、請求項１又は２に記載のガス排気ライン切り換え機構。
【請求項４】
前記反応室は、被処理基板上に窒化シリコン膜を堆積させるモノシランガスと、反応室内部に堆積した窒化シリコン膜をプラズマクリーニングするＮＦ3を切り換えて導入するガス導入部を備え、
前記成膜ガス除害装置はモノシランガスを除害し、前記クリーニングガス除害装置はＮＦ3を除害してスクラバに排出することを特徴とする、請求項１から３の何れか一つに記載のガス排気ライン切り換え機構。
【請求項５】
複数の反応室の各反応室をそれぞれ排気する複数の真空ポンプを、前記反応室から排気される排気ガスに含まれるガス種に対応した複数のガス排気ラインに切り換えて接続するガス排気ライン切り換え方法であって、
排気する排気ガスのガス種を切り換える際に、前記真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に設けた複数の開閉バルブを開いて前記真空ポンプと各ガス排気ラインとを導通させると共に、前記開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入し、
前記不活性ガスを導入した開閉バルブにおいて、真空ポンプ側の圧力をガス排気ライン側の圧力よりも高圧とする圧力勾配を形成することを特徴とする、ガス排気ライン切り換え方法。
【請求項６】
前記真空ポンプは窒素ガスを導入する窒素ガス導入部を備え、
窒素ガスの導入によって開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入することを特徴とする、請求項５に記載のガス排気ライン切り換え方法。
【請求項７】
前記ガス排気ラインは、成膜ガスを除害する成膜ガス除害装置に接続される成膜ガス排気ラインと、クリーニングガスを除害するクリーニングガス除害装置に接続されるクリーニングガス排気ラインとを有し、
排気する排気ガスのガス種の切り換え時において、前記窒素ガス導入部から導入した不活性ガスを、成膜ガス排気ライン又はクリーニングガス排気ラインの少なくとも何れかに排気することを特徴とする、請求項５又は６に記載のガス排気ライン切り換え方法。
【請求項８】
前記反応室に、被処理基板上に窒化シリコン膜を堆積させるモノシランガスと、反応室内部に堆積した窒化シリコン膜をプラズマクリーニングするＮＦ3を切り換えて導入し、
反応室から排気されたモノシランガスを成膜ガス排気ラインを介して成膜ガス除害装置に排気し、
反応室から排気されたＮＦ3をクリーニングガス排気ラインを介してクリーニングガス除害装置に排気することを特徴とする、請求項５から７の何れか一つに記載のガス排気ライン切り換え方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排気ガスをその排気ガスに含まれるガス種に対応したガス排気ラインに切り換えるガス排気ライン切り換え機構および切り換え方法に関し、特に、ガス排気ラインに対して複数のチャンバから排気ガスが排気される構成のガス排気ラインの切り換えに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池用反射防止膜の成膜技術として、モノシラン（ＳｉＨ4）、アンモニア（ＮＨ3）、窒素などのガスを導入するＣＶＤ装置が知られている。このＣＶＤ装置において、被処理基板上に数十〜数百ｎｍ膜厚の窒化シリコン膜の堆積を繰り返すと、反応室（チャンバ内）の電極あるいは基板サセプタ、防着板などにも窒化シリコン膜が形成される。この窒化シリコン膜は絶縁膜であるため、反応室内において電荷の局所集中や異常放電を誘発し、所望の膜厚分布あるいは膜質を有する成膜を維持することができず、数百バッチ毎に反応室内に堆積した窒化シリコン膜をクリーニング処理によって除去する必要がある。反応室内のクリーニング処理は、反応室を開放して行われる。
【０００３】
ＣＶＤ装置は４００℃以上の成膜温度で基板を加熱しているため、反応室を降温させてクリーニング処理を行い、その後、反応室を再度昇温させる必要がある。反応室の温度を昇降させるには時間を要するため、クリーニング処理では、堆積物を除去するメンテナンス時間に加えて、反応室の温度の昇降に要する時間が必要であるため、ＣＶＤ装置の実質的な稼働率が低下するという問題がある。
【０００４】
そこで、反応室のクリーニング処理において、反応室を開放することなく反応室内にＮＦ3を導入して行うリモートプラズマクリーニングが知られている。例えば、半導体用成膜装置や液晶装置用成膜装置に用いられる反応室において、ＮＦ3を導入してプラズマエッチングを行って反応室内に付着した反応生成物を除去するプラズマクリーニングを行うことが知られている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−９０９号公報（段落０００４〜０００６、図１参照）
【特許文献２】特開平９−１８４０７５号公報
【特許文献３】特開平１０−３１２９６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＮＦ3を用いたプラズマクリーニングを行うＣＶＤ装置では成膜ガスとクリーニングガスが排気される。これらのガス排気において、環境保護のためにガス除害を行う必要がある。この排気ガスを除害するためは、反応室から排気された成膜ガスを成膜ガス除害装置（加熱分解方式）に導く成膜ガス排気ラインと、反応室から排気されたクリーニングガスをクリーニングガス除害装置（加熱吸着方式）に導くクリーニングガス排気ラインとを設け、各排気ガスをそれぞれのガス排気ラインに切り換えて導く必要がある。
【０００７】
１台のＣＶＤ装置に成膜ガス排気ラインとクリーニングガス排気ラインとを繋げる場合には、各ガス排気ラインとの接続を開閉バルブを切り換えることによって、両ガスが混合することなく、成膜ガスとクリーニングガスの排気ガスの切り換えを行うことができる。しかしながら、複数台のＣＶＤ装置が成膜ガス排気ラインとクリーニングガス排気ラインとに繋がっている場合には、成膜ガス排気ラインとクリーニングガス排気ラインは、スクラバ排気するためのポンプを下流側で引き合う構成となるため、成膜ガスをクリーニングガス排気ラインに誤誘導したり、あるいは、クリーニングガスを成膜ガス排気ラインに誤誘導する可能性がある。
【０００８】
成膜ガスがクリーニングガス排気ラインに誤誘導された場合には、例えば、クリーニングガス除害装置の吸着剤の急激な温度上昇を引き起こして、除害能力が低下したり、吸着剤が損傷するという問題が発生する。
【０００９】
また、クリーニングガスが成膜ガス排気ラインに誤誘導された場合には、例えば、成膜ガス除害装置内部でモノシランとＮＦ3ガスが爆発的に反応し、排気配管や除害装置が破損するという問題が発生する。
【００１０】
図９〜図１１は、ガス排気ラインに複数のＣＶＤ装置が接続された場合のガス排気ライン切り換え機構を説明するための図である。
【００１１】
図９、１０に示すガス排気ライン切り換え機構１００は、成膜ガス除害装置１０３に接続された成膜ガス排気ライン１０２と、クリーニングガス除害装置１０５に接続されたクリーニングガス排気ライン１０４に対して、ＣＶＤ装置１１１およびＣＶＤ装置１２１から排気される成膜ガスとクリーニングガスとを切り換えて排気する。
【００１２】
例えば、ＣＶＤ装置１１１からの排気ガスを排気する構成では、ＣＶＤ装置１１１の反応室１１１ａを排気する真空ポンプ１１２と成膜ガス排気ライン１０２との間に開閉バルブＡを設け、真空ポンプ１１２とクリーニングガス排気ライン１０４との間に開閉バルブＢを設け、開閉バルブＡ，Ｂを切り換えて開閉することによって、反応室１１１ａからの排気ガスを成膜ガス排気ライン１０２あるいはクリーニングガス排気ライン１０４に切り換えて排気する。ＣＶＤ装置１２１についても同様である。
【００１３】
図１１に示すように、ＣＶＤ装置１２１において成膜処理を行う場合には、開閉バルブＣを開くと共に開閉バルブＤを閉じて、反応室から排気された成膜ガスを成膜ガス排気ライン１０２に排気する。一方、ＣＶＤ装置１２１においてクリーニング処理を行う場合には、開閉バルブＣを閉じると共に開閉バルブＤを開いて、反応室から排気されたクリーニングガスをクリーニングガス排気ライン１０４に排気する。
【００１４】
成膜工程からクリーニング工程、あるいはクリーニング工程から成膜工程に切り換える際には、両開閉バルブＣ，Ｄを共に開状態とする必要がある。これは、両開閉バルブＣ，Ｄを共に閉状態とすると、真空ポンプの背圧が上昇してポンプが停止するおそれがあるためである。
【００１５】
ポンプの停止を回避するために、両開閉バルブＣ，Ｄを共に開状態とする移行工程を設けると、開閉バルブＣ，Ｄの入口側と出口側の圧力勾配が逆転して逆流する場合が生じる。
【００１６】
図９は、ＣＶＤ装置１２１において成膜工程からクリーニング工程に切り換える際の状態を示している。このとき、開閉バルブＣ，Ｄを共に開状態とすると、ＣＶＤ装置１２１から排気されたクリーニングガス（ＮＦ3）が成膜ガス排気ライン１０２に排気されたり（図中の破線ａで示す）、クリーニングガス排気ライン１０４からのクリーニングガス（ＮＦ3）が開閉バルブＤおよび開閉バルブＣを通って成膜ガス排気ライン１０２に排気される場合（図中の破線ｂで示す）が生じる。また、成膜ガス排気ライン１０２からの成膜ガス（ＳｉＨ4）が開閉バルブＣおよび開閉バルブＤを通ってクリーニングガス排気ライン１０４に排気される（図中の一点鎖線ｃで示す）場合が生じる。
【００１７】
また、図１０は、ＣＶＤ装置１２１においてクリーニング工程から成膜工程に切り換える際の状態を示している。このとき、開閉バルブＣ，Ｄを共に開状態とすると、クリーニングガス排気ライン１０４からのクリーニングガス（ＮＦ3）が開閉バルブＤおよび開閉バルブＣを通って成膜ガス排気ライン１０２に排気されたり（図中の破線ｄで示す）、ＣＶＤ装置１２１から排気されたクリーニングガス（ＮＦ3）が成膜ガス排気ライン１０２に排気される場合（図中の破線ａで示す）が生じる。また、成膜ガス排気ライン１０２からの成膜ガス（ＳｉＨ4）が開閉バルブＣおよび開閉バルブＤを通ってクリーニングガス排気ライン１０２に排気される（図中の一点鎖線ｅで示す）場合が生じる。
【００１８】
特許文献１は、複数の反応室から排気される排気ガスを一つの除害装置で処理する構成例である。この構成では、成膜時の可燃性ガスとクリーニング時の支燃性ガスとが配管内で混合することを避ける構成が示されているが、排気ガスを一つの除害装置で処理する構成であるため、前記した開閉バルブが同時に開状態となることによる問題点やそのための構成は示されていない。
【００１９】
特許文献１では、不活性ガスを導入することによって可燃性ガスや支燃性ガスを希釈し、排気配管内での濃度が爆発限界以下とする構成が示されている。
【００２０】
また、特許文献３では、排気されるガス種に応じて特定の排気経路へ切り換える場合、排気されるガスに含まれるガス種を検出し、検出結果に応じた排気経路へ切り換えることによって、切換のタイミングを適切に行うことが示されている。
【００２１】
しかしながら、一般にバルブ機構は切り換え指令を受けてから切り換え動作が完了するまで所定時間を要するため、複数のガス排気ラインに複数のＣＶＤ装置が接続される構成では、開閉バルブの低い応答性によって、前記したように成膜ガス排気ライン１０２とクリーニングガス排気ライン１０４とが結果的に接続された状態となるという問題が発生する。
【００２２】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、ガス種に対応した複数のガス排気ラインに対して複数の反応室から排気ガスを切り換えて排気する場合に、ガス排気ラインに対する排気ガスの誤誘導を防ぐことを目的とする。
【００２３】
また、ガス排気ラインの切り換えにおいて、ガス真空ポンプの背圧上昇によるポンプの停止を回避することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明は、成膜工程からクリーニング工程へ切り換え、あるいはクリーニング工程から成膜工程への切り換えにおいて、反応室から排気ガスを排気するガス排気ラインを排気ガスの種類に応じて切り換える際に、ガス排気ラインに対して上流側から不活性ガスでパージしながら切り換える。
【００２５】
この不活性ガスのパージによって、反応室側の真空ポンプとガス排気ラインとの間に設けた開閉バルブの圧力勾配の逆転を防ぎ、当該開閉バルブをガスが逆流することによって発生する、ガス排気ラインに対する排気ガスの誤誘導を防ぐ。
【００２６】
本願発明はガス排気ラインの切り換え機構の装置の態様、ガス排気ラインを切り換え方法の態様とすることができる。
【００２７】
[ガス排気ライン切り換え機構]
本願発明のガス排気ライン切り換え機構の態様は、複数の反応室の各反応室をそれぞれ排気する複数の真空ポンプを、反応室から排気される排気ガスに含まれるガス種に対応した複数のガス排気ラインに切り換えて接続するガス排気ライン切り換え機構である。
【００２８】
このガス排気ライン切り換え機構の態様において、真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に複数の開閉バルブを接続し、開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入自在とし、不活性ガスを導入した開閉バルブにおいて、真空ポンプ側の圧力をガス排気ライン側の圧力よりも高圧とする圧力勾配を形成する構成とする。
【００２９】
開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入することによって、不活性ガスを導入した開閉バルブの圧力勾配は、真空ポンプ側の圧力はガス排気ライン側の圧力よりも高圧となる。この圧力勾配によって排気ガスが開閉バルブを逆流することを防ぎ、これによって、成膜ガス排気ラインからクリーニングガス排気ラインに向かって成膜ガスが流れ込むことを防ぎ、また、クリーニングガス排気ラインから成膜ガス排気ラインに向かってクリーニングガスが流れ込むことを防ぐ。
【００３０】
これによって、真空ポンプの背圧側にある全開閉バルブが閉じる状態を回避することができ、真空ポンプの背圧上昇によるポンプの駆動停止を防ぐことができる。
【００３１】
真空ポンプは窒素ガスを導入する窒素ガス導入部を備え、窒素ガスの導入によって開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入する。
【００３２】
ガス排気ラインは、成膜ガスを除害する成膜ガス除害装置に接続される成膜ガス排気ラインと、クリーニングガスを除害するクリーニングガス除害装置に接続されるクリーニングガス排気ラインとを有し、窒素ガス導入部から導入された不活性ガスは、成膜ガス排気ラインあるいはクリーニングガス排気ラインの少なくとも何れかに排気される。
【００３３】
反応室は、被処理基板上に窒化シリコン膜を堆積させるモノシランガスと、反応室内部に堆積した窒化シリコン膜をプラズマクリーニングするＮＦ3を切り換えて導入するガス導入部を備える構成とすることができる。成膜ガス除害装置はモノシランガスを除害し、クリーニングガス除害装置はＮＦ3を除害してスクラバに排出する。
【００３４】
[ガス排気ライン切り換え方法]
本願発明のガス排気ライン切り換え方法の態様は、複数の反応室の各反応室をそれぞれ排気する複数の真空ポンプを、反応室から排気される排気ガスに含まれるガス種に対応した複数のガス排気ラインに切り換えて接続するガス排気ライン切り換え方法である。
【００３５】
このガス排気ライン切り換え方法の態様において、排気する排気ガスのガス種を切り換える際に、真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に設けた複数の開閉バルブを開いて真空ポンプと各ガス排気ラインとを導通させると共に、開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入する。この不活性ガスの導入によって、不活性ガスを導入した開閉バルブにおいて、真空ポンプ側の圧力をガス排気ライン側の圧力よりも高圧とする圧力勾配を形成する。
【００３６】
真空ポンプは窒素ガスを導入する窒素ガス導入部を備え、窒素ガスの導入によって開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入する。
【００３７】
ガス排気ラインは、成膜ガスを除害する成膜ガス除害装置に接続される成膜ガス排気ラインと、クリーニングガスを除害するクリーニングガス除害装置に接続されるクリーニングガス排気ラインとを有し、排気する排気ガスのガス種の切り換え時において、窒素ガス導入部から導入した不活性ガスを、成膜ガス排気ライン又はクリーニングガス排気ラインの少なくとも何れかに排気する。
【００３８】
反応室に、被処理基板上に窒化シリコン膜を堆積させるモノシランガスと、反応室内部に堆積した窒化シリコン膜をプラズマクリーニングするＮＦ3を切り換えて導入し、反応室から排気されたモノシランガスを成膜ガス排気ラインを介して成膜ガス除害装置に排気し、反応室から排気されたＮＦ3をクリーニングガス排気ラインを介してクリーニングガス除害装置に排気する。
【００３９】
本願発明の態様によれば、モノシランガスを排気する場合には、ＮＦ3をクリーニングガス除害装置に排気するクリーニングガス排気ラインにモノシランガスが逆流しないようにする必要があり、一方、ＮＦ3を排気する場合においても同様に、モノシランガスを成膜ガス除害装置に排気する成膜ガス排気ラインにＮＦ3が逆流しないようにする必要がある。このモノシランガスとＮＦ3の排気ガスを切り換えるタイミングにおいて、各ガス排気ラインに対して上流側から窒素ガスを流下し続けることによって、ガス排気ライン側を低圧とする圧力勾配を形成し、ガス排気ライン間を結合する結合部分を乗り越えて、一方のガス排気ラインから他方のガス排気ラインに排気ガスが逆流することを防ぐことができる。
【００４０】
また、本願発明の態様によれば、窒素ガスを流下させながらガス排気ラインの切り換えを行う際に、真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に設けた開閉バルブが同時に閉状態とならないように開閉制御することによって、ポンプの背圧上昇によりポンプが停止するといった事態を避けることができる。
【００４１】
本願発明の態様によれば、他の成膜装置の稼動状況に影響を与えることなく、ガス排気ラインの切り換えを行うことができる。
【発明の効果】
【００４２】
以上説明したように、本発明のガス排気ライン切り換え機構およびガス排気ライン切り換え方法によれば、ガス種に対応した複数のガス排気ラインに対して複数の反応室から排気ガスを切り換えて排気する場合に、ガス排気ラインに対する排気ガスの誤誘導を防ぐことができる。また、ガス排気ラインの切り換えにおいて、ガス真空ポンプの背圧上昇によるポンプの停止を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のガス排気ライン切り換え機構の構成例を説明するための図である。
【図２】成膜工程からクリーニング工程に切り換える際の動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】成膜工程からクリーニング工程に切り換える際の動作を説明するための動作図である。
【図４】成膜工程からクリーニング工程に切り換える際の動作を説明するための動作図である。
【図５】クリーニング工程から成膜工程に切り換える際の動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】クリーニング工程から成膜工程に切り換える際の動作を説明するための動作図である。
【図７】クリーニング工程から成膜工程に切り換える際の動作を説明するための動作図である。
【図８】開閉バルブの圧力勾配を説明するための図である。
【図９】ガス排気ラインに複数のＣＶＤ装置が接続された場合のガス排気ライン切り換え機構を説明するための図である。
【図１０】ＣＶＤ装置において成膜工程からクリーニング工程に切り換える際の状態を示す図である。
【図１１】開閉バルブの圧力勾配を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。以下、本発明のガス排気ライン切り換え機構の構成例について図１を用いて説明し、動作例について図２〜図８を用いて説明する。図２は成膜工程からクリーニング工程に切り換える際の動作を説明するためのフローチャートであり、図３，４は成膜工程からクリーニング工程に切り換える際の動作を説明するための動作図であり、図５はクリーニング工程から成膜工程に切り換える際の動作を説明するためのフローチャートであり、図６，７はクリーニング工程から成膜工程に切り換える際の動作を説明するための動作図であり、図８は開閉バルブの圧力勾配を説明するための図である。
【００４５】
［ガス排気ライン切り換え機構の構成例］
はじめに、本発明のガス排気ライン切り換え機構の構成例について図１を用いて説明する。
【００４６】
図１において、ガス排気ライン切り換え機構１は、成膜ガス除害装置３に接続された成膜ガス排気ライン２と、クリーニングガス除害装置５に接続されたクリーニングガス排気ライン４に対して、ＣＶＤ装置１１およびＣＶＤ装置２１から排気される成膜ガスとクリーニングガスとを切り換えて排気する。
【００４７】
ＣＶＤ装置１１からの排気ガスを排気する構成では、ＣＶＤ装置１１の反応室１１ａを排気する真空ポンプ１２と成膜ガス排気ライン２との間に開閉バルブＡを設け、真空ポンプ１２とクリーニングガス排気ライン４との間に開閉バルブＢを設け、開閉バルブＡ，Ｂを切り換えて開閉することによって、反応室１１ａからの排気ガスを成膜ガス排気ライン２あるいはクリーニングガス排気ライン４に切り換えて排気する。
【００４８】
ＣＶＤ装置２１についても同様に、ＣＶＤ装置２１の反応室２１ａを排気する真空ポンプ２２と成膜ガス排気ライン２との間に開閉バルブＣを設け、真空ポンプ２２とクリーニングガス排気ライン４との間に開閉バルブＤを設け、開閉バルブＣ，Ｄを切り換えて開閉することによって、反応室２１ａからの排気ガスを成膜ガス排気ライン２あるいはクリーニングガス排気ライン４に切り換えて排気する。
【００４９】
成膜ガス排気ライン２の先には成膜ガス除害装置３が設けられ、クリーニングガス排気ライン４の先にはクリーニングガス除害装置５が設けられ、それぞれ処理後のガスはスクラバ排気される。
【００５０】
本願発明のガス排気ライン切り換え機構１は、真空ポンプ１２，２２に窒素ガス（Ｎ2）を導入自在とし、開閉バルブＡ〜Ｄは図示しない制御回路によって開閉制御が行われる。また、各開閉バルブＡ〜Ｄには開閉状態を検出するセンサが設けられ、センサ信号は制御回路に送信される。
【００５１】
ここで、成膜ガスとして、ＳｉＨ4（モノシランガス）、アンモニア（ＮＨ3）、窒素（Ｎ2）が用いられる。ＮＨ3は堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスである。
【００５２】
以下、本願発明のガス排気ライン切り換え機構１の動作について説明する。
はじめに、成膜工程からクリーニング工程に切り換える場合の動作例について、図２のフローチャートおよび図３，４の動作図を用いて説明する。なお、ここでは、ＣＶＤ装置２１の反応室２１ａの排気を行う開閉バルブＣ，Ｄの動作を例にして説明する。
【００５３】
図３において、ＣＶＤ装置２１が成膜工程の状態にあるとき、開閉バルブＣは開状態にあり、開閉バルブＤは閉状態にあって、反応室２１ａから排気されたＳｉＨ4（モノシランガス）やアンモニア（ＮＨ3）は開閉バルブＣを通って成膜ガス排気ライン２に排気されている。この成膜工程の状態において、反応室２１ａをクリーニングするクリーニング工程が開始されると（S1）、制御装置（図示していない）は反応室２１ａへの成膜ガスの供給を停止し(S2)、開閉バルブＣ，Ｄの上流側への窒素ガス（Ｎ2）の供給を開始する。この窒素ガス（Ｎ2）の供給は、真空ポンプ２２に窒素ガス（Ｎ2）を導入することで行うことができる（S3）。
【００５４】
次に、制御装置（図示していない）は開閉バルブＤの開動作を開始する。開閉バルブＤが開状態となることによって、反応室２１ａと成膜ガス排気ライン２とは開閉バルブＣを通して連通した状態となり、窒素ガス（Ｎ2）が成膜ガス排気ライン２に排気され、反応室２１ａとクリーニングガス排気ライン４とは開閉バルブＤを通して連通した状態となり、窒素ガス（Ｎ2）がクリーニングガス排気ライン４に排気される。
【００５５】
図８（ａ）は、このときの開閉バルブＣ，Ｄの圧力勾配を示している。開閉バルブＣ，Ｄの圧力勾配は、窒素ガス（Ｎ2）が流下することによって入口側（反応室２１ａ側）の圧力は出口側（成膜ガス排気ライン側およびクリーニングガス排気ライン側）よりも高い圧力となる、この圧力勾配によって、開閉バルブＣ，Ｄは成膜ガス排気ライン側からクリーニングガス排気ライン側への逆流を防ぐことができ（図３中の一点鎖線で示す）、また、クリーニングガス排気ライン側から成膜ガス排気ライン側への逆流を防ぐことができる（図３中の破線で示す）(S4)。
【００５６】
図４において、開閉バルブＤに設けたセンサが開閉バルブＤの開状態を検出すると（S5）、制御装置は開閉バルブＣの閉動作を開始する。これによって、開閉バルブＣ，Ｄが同時に閉状態となることを防ぎ、真空ポンプ２２の背圧上昇による真空ポンプの停止を回避することができる（S6）。
【００５７】
開閉バルブＣに設けたセンサが開閉バルブＣの閉状態を検出すると（S7）、制御装置（図示していない）は反応室２１ａへの窒素ガス（Ｎ2）の供給を停止し(S8)、反応室２１ａへのクリーニングガス（ＮＦ3）の供給を開始する。クリーニングガス（ＮＦ3）は開閉バルブＤを通ってクリーニングガス排気ライン４に排気される。このとき、開閉バルブＣは閉状態にあるため、クリーニングガス（ＮＦ3）が成膜ガス排気ライン２に排気されたり、成膜ガス排気ライン２から開閉バルブＣ，Ｄを通ってクリーニングガス排気ライン４に逆流することはない(S9)。
【００５８】
はじめに、クリーニング工程から成膜工程に切り換える場合の動作例について、図５のフローチャートおよび図６，７の動作図を用いて説明する。なお、ここでは、ＣＶＤ装置２１の反応室２１ａの排気を行う開閉バルブＣ，Ｄの動作を例にして説明する。
【００５９】
図６において、ＣＶＤ装置２１がクリーニングガス工程の状態にあるとき、開閉バルブＣは閉状態にあり、開閉バルブＤは開状態にあって、反応室２１ａから排気されたクリーニングガス（ＮＦ3）は開閉バルブＤを通ってクリーニングガス排気ライン４に排気されている。このクリーニングガス工程の状態において、反応室２１ａにおいて成膜を行う成膜工程が開始されると（S11）、制御装置（図示していない）は反応室２１ａへのクリーニングガス（ＮＦ3）の供給を停止し(S12)、開閉バルブＣ，Ｄの上流側への窒素ガス（Ｎ2）の供給を開始する。この窒素ガス（Ｎ2）の供給は、真空ポンプ２２に窒素ガス（Ｎ2）を導入することで行うことができる（S13）。
【００６０】
次に、制御装置（図示していない）は開閉バルブＣの開動作を開始する。開閉バルブＣが開状態となることによって、反応室２１ａと成膜ガス排気ライン２とは開閉バルブＣを通して連通した状態となり、窒素ガス（Ｎ2）が成膜ガス排気ライン２に排気され、反応室２１ａとクリーニングガス排気ライン４とは開閉バルブＤを通して連通した状態となり、窒素ガス（Ｎ2）がクリーニングガス排気ライン４に排気される。
【００６１】
図８（ｂ）は、このときの開閉バルブＣ，Ｄの圧力勾配を示している。開閉バルブＣ，Ｄの圧力勾配は、窒素ガス（Ｎ2）が流下することによって入口側（反応室２１ａ側）の圧力は出口側（成膜ガス排気ライン側およびクリーニングガス排気ライン側）よりも高い圧力となる、この圧力勾配によって、開閉バルブＣ，Ｄは成膜ガス排気ライン側からクリーニングガス排気ライン側への逆流を防ぐことができ（図６中の一点鎖線で示す）、また、クリーニングガス排気ライン側から成膜ガス排気ライン側への逆流を防ぐことができる（図６中の破線で示す）(S14)。
【００６２】
図７において、開閉バルブＣに設けたセンサが開閉バルブＣの開状態を検出すると（S15）、制御装置は開閉バルブＤの閉動作を開始する。これによって、開閉バルブＣ，Ｄが同時に閉状態となることを防ぎ、真空ポンプ２２の背圧上昇による真空ポンプの停止を回避することができる（S16）。
【００６３】
開閉バルブＤに設けたセンサが開閉バルブＤの閉状態を検出すると（S17）、制御装置（図示していない）は反応室２１ａへの窒素ガス（Ｎ2）の供給を停止し(S18)、反応室２１ａへの成膜ガスの供給を開始する。成膜ガスは開閉バルブＣを通って成膜ガス排気ライン２に排気される。このとき、開閉バルブＤは閉状態にあるため、成膜ガスがクリーニングガス排気ライン４に排気されたり、クリーニングガス排気ライン４から開閉バルブＣ，Ｄを通って成膜ガス排気ライン２に逆流することはない(S19)。
【００６４】
本発明の形態によれば、成膜ガスおよびクリーニングガスの排気ガスを互いに混合することなく、それぞれの排気ガス除害装置に導入することができる。
【００６５】
本発明の形態によれば、複数のＣＶＤ装置に対してそれぞれ成膜ガスとクリーニングガスについて複数系統の排気ラインを設けることなく、１式の成膜ガス排気ラインとクリーニングガス排気ラインによって排気ガス処理を行うことができる。
【００６６】
本発明の形態によれば、各ＣＶＤ装置の間に相互インタロックを設けることなく排気ガスの切り換えを行うことがで、また、互いのガス排気の影響を避けることができる。
【００６７】
なお、本発明は前記各実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨に基づいて種々変形することが可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明のガス排気ライン切り換え機構および方法は、太陽電池反射防止膜に限らず、半導体膜や液晶層の製造に適用することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１…ガス排気ライン切り換え機構
２…成膜ガス排気ライン
３…成膜ガス除害装置
４…クリーニングガス排気ライン
５…クリーニングガス除害装置
１１…ＣＶＤ装置
１１ａ…反応室
１２…真空ポンプ
１１…ＣＶＤ装置
２１…ＣＶＤ装置
２１ａ…反応室
２２…真空ポンプ
１００…ガス排気ライン切り換え機構
１０２…成膜ガス排気ライン
１０３…成膜ガス除害装置
１０４…クリーニングガス排気ライン
１０５…クリーニングガス除害装置
１１１…ＣＶＤ装置
１１１ａ…反応室
１１２…真空ポンプ
１２１…ＣＶＤ装置
１２２…真空ポンプ
Ａ〜Ｄ…開閉バルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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