(57)【要約】【課題】表面にパターンが形成された半導体装置用の基板におけるパターン倒れを防止しつつ、高い洗浄効果の得られる基板洗浄装置を提供する。【解決手段】半導体装置用の基板Ｗを洗浄する基板洗浄装置１において、気泡発生手段３は基板保持手段６に保持された基板Ｗに供給される洗浄液中に、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が１０ｎｍ以上、１００μｍ以下の気泡を発生させ、噴射ノズル２１は、この気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、基板Ｗに向けてミストを噴射することにより当該基板Ｗを洗浄する。【選択図】図３
2010103366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を洗浄する基板洗浄装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板に供給される洗浄液中に気泡発生用のガスを供給して、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が１０ｎｍ以上、１００μｍ以下の気泡を発生させるための気泡発生手段と、
この気泡発生手段にて気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、前記基板保持手段に保持された基板に向けてミストを噴射することにより当該基板を洗浄する噴射ノズルと、を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記基板保持手段を鉛直軸回りに回転させる回転機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記噴射ノズルは、前記気泡を含んだ洗浄液と噴霧用のガスとの混合領域に、ミストの吐出口を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記ミストの平均粒径が１００ｎｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面にパターンが形成され、半導体装置用の基板例えば半導体ウエハを洗浄する基板洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（以下、ウエハという）表面への薄膜の成膜とそのパターニングとを繰り返して集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、例えばフォトリソグラフィにて利用したレジストマスクの残渣やレジストマスク現像時にこのレジストマスク自体に残った現像残渣、また加工雰囲気中の微小なごみなどがウエハ表面に付着している場合があり、これらを除去するための洗浄工程が設けられている。
【０００３】
この洗浄工程に用いられる洗浄装置の一つである枚葉式のスピン洗浄装置は、ノズルを用いてウエハの表面に洗浄液、例えば純水を連続的に吹き付けると共にウエハを回転させ、例えばウエハの中心から外周に向けてノズルをスキャンさせることによってウエハ表面を洗浄するようになっている。この後、洗浄後のウエハ表面に残っている洗浄液は、例えばウエハを回転させることによる振り切りや、ウエハの加熱によって除去される。
【０００４】
このとき、洗浄されるウエハＷにおいて絶縁膜が例えばラインアンドスペース（多数のライン状の凸部１０２と溝部１０１ａ、１０１ｂとが平行に形成されるパターン）状にエッチングされ、例えば図１１（ａ）に示すようにこれら凸部１０２同士の間に形成された溝部１０１ａの幅が狭い密領域１０３と、溝部１０１ｂの幅が広い疎領域１０４とが隣り合って配置されており、このようなウエハＷの表面に現像残渣やごみ（以下、これらをまとめて付着物１０５という）が付着している場合について考える。
【０００５】
図１１（ｂ）に示すように、洗浄後、ウエハＷの表面に洗浄液が残っている時点においては、溝部１０１ａ、１０１ｂ内に入り込んだ洗浄液の液溜まり１２１の液表面には、その表面積を小さくしようとする表面張力が働くことから、左右の溝部１０１ａ、１０１ｂに洗浄液が存在する場合には凸部１０２を左右方向へと引っ張る力が働く。ところが例えば既述のようにウエハＷ表面に疎領域１０４と密領域１０３とが存在すると、表面積の広い溝部１０１ｂを備えた疎領域１０４にて洗浄液の乾燥が先に進行するため、この疎領域１０４の溝部１０１ｂには洗浄液が殆ど残っていないにも拘らず、密領域１０３の溝部１０１ａにはまだ洗浄液が残っていることがある。
【０００６】
このとき例えば疎領域１０４と密領域１０３との界面においては、洗浄液の殆ど残っていない疎領域１０４側の溝部１０１ｂへと凸部１０２を引っ張る力よりも、洗浄液の残っている密領域１０３側の溝部１０１ａへと引っ張る力の方が大きくなり、例えば図１１（ｃ）に示すように密領域１０３側へ向けて凸部１０２が倒れるパターン倒れと呼ばれる現象が発生することがある。またこうしたパターン倒れは、同じ領域１０３、１０４内の溝部１０１ａ、１０１ｂ同士の幅の僅かなばらつきに起因する洗浄液の乾燥速度の差によっても発生することが知られている。このほかパターン倒れは、上記の洗浄液の乾燥時だけでなく、例えば洗浄液がウエハＷに衝突する際の衝撃などによっても発生することが分かっている。
【０００７】
特に近年は半導体装置の高集積化が進んでおり、凸部１０２の幅はより狭くなっていると共に、例えば絶縁膜においては、誘電率は低いものの機械的には脆いＳｉＣＯＨ膜などの多孔質膜が採用され始めていることなどから、こうしたパターン倒れの問題は顕著になってきている。また、こうした絶縁膜と比べてさらに柔らかいレジストマスクにおいてはパターン倒れの問題はますます大きい。さらにまたこのパターン倒れは、例えば図１２（ａ）に示すように、double  gate型  Fully  Depleted  ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ構造を形成する時に上面及び側面にチャネルを形成するための短冊状のピラーや、ＦＩＮ−ＦＥＴと呼ばれるダブルゲート構造を形成する時に配置されるゲート電極などの柱状体１１０、あるいは図１２（ｂ）に示すように例えばゲート電極の上層側に形成されたシリンダー型（円筒型）の電極である円筒体１１１などについても、発生することが知られている。
【０００８】
ウエハＷ洗浄時のパターン倒れの発生を抑制する一つの手法として、例えば既述の洗浄装置において洗浄液をミスト状に微粒化してウエハＷ表面に噴射する手法が知られている。本発明者らは当該ミストの粒径を小さくすることにより、パターン倒れの発生をさらに抑制することが可能であることを実験的に把握している。そこで発明者らは、より粒径の小さな洗浄液ミストを簡便な手法で生成し、ウエハＷの洗浄を行うことの可能な洗浄装置の開発を進めてきた。
【０００９】
ここで特許文献１にはマイクロバブルを含んだ洗浄液を噴射してウエハＷ表面を洗浄する技術が記載されている。しかしながら当該技術は、マイクロバブルを含んだ洗浄液がウエハＷ表面で圧壊する際のエネルギーを用いてウエハＷの洗浄効率を高めようとする技術であり、洗浄液のミストの粒径を小さくすることには何ら着目されておらず、当該技術をもってパターン倒れの発生を抑制することはできない。
【特許文献１】特開２００８−９８４３０号公報：図１、第００４８段落〜第００４９段落
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は表面にパターンが形成された半導体装置用の基板におけるパターン倒れを防止しつつ、洗浄効果の高い基板洗浄装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る基板洗浄装置は、表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を洗浄する基板洗浄装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板に供給される洗浄液中に気泡発生用のガスを供給して、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が１０ｎｍ以上、１００μｍ以下の気泡を発生させるための気泡発生手段と、
この気泡発生手段にて気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、前記基板保持手段に保持された基板に向けてミストを噴射することにより当該基板を洗浄する噴射ノズルと、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
この基板洗浄装置は前記基板保持手段を鉛直軸回りに回転させる回転機構を備えている場合が好適である。さらに前記噴射ノズルは、前記気泡を含んだ洗浄液と噴霧用のガスとの混合領域に、ミストの吐出口を備えているとよい。そして、前記ミストの平均粒径は１００ｎｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、気泡径が１０ｎｍ以上、１００μｍ以下のいわゆるマイクロバブル、マイクロナノバブルまたはナノバブルと呼ばれる気泡径領域の気泡を含んだ洗浄液と、この洗浄液の噴霧用のガスとを混合する噴射ノズルを用いて洗浄液を微粒化することにより、基板表面に噴霧されるミストをより小さくすることができる。この結果、表面にパターンが形成された半導体装置用の基板の洗浄にあたり、パターン倒れの発生を抑えることができるので、半導体装置の歩留まりを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図１〜図３を参照しながら本発明の実施形態に係る基板洗浄装置１（以下、単に「洗浄装置１」という）の全体構成について説明する。  
本例に係る洗浄装置１は、ウエハＷの表裏両面を洗浄可能な構成を備えている。図１及び図２に示すように洗浄装置１は、ウエハＷの洗浄機構を納めるケース体１０と、このケース体１０の内部に格納され、ウエハＷの洗浄が行われる空間を区画する処理容器であるカップ体４と、ウエハＷの表面（上面）に洗浄液を供給するノズル２１が設けられたノズルアーム２３と、を備えている。
【００１５】
また、前記カップ体４の内部には、ウエハＷに供給された洗浄液が周囲に飛散することを防止するためのインナーカップ５１と、このインナーカップ５１内にてウエハＷを保持するウエハ保持手段６と、このウエハ保持手段６に保持されたウエハＷの裏面（下面）側に洗浄液などを供給し、裏面洗浄を行うためのアンダープレート２５とを備えている。
【００１６】
ケース体１０には、ウエハの搬入出口が行われる搬送口１１が設けられており、この搬送口１１は第１のシャッタ１２により開閉自在となっている。第１のシャッタ１２はケース体１０の内側に設けられており、ケース体１０の内部が陽圧になった場合でも当該ケース体１０内の雰囲気の外部への漏洩を防止することができる。
【００１７】
ケース体１０内に納められたカップ体４は、ウエハＷの洗浄が行われる空間を区画して、洗浄の際に飛散した洗浄液を捕集してドレインとして排出し、またインナーカップ５１側から流れ出てきた洗浄液のミストを含む気流を装置外へと排気する役割を果たす。図１に示すように本実施の形態に係るカップ体４は、ウエハ保持手段６の側周を囲む大径の下部側の円筒と、この下部側の円筒よりも小径の上部側の円筒とを上下に積み重ね、内側に向けて傾斜した中間の円筒にてこれら上下の円筒を連結した構成となっている。
【００１８】
カップ体４の上面は天板４８で覆われていて、ケース体１０内の雰囲気とカップ体４内の雰囲気とは互いに区画されている。天板４８には、Ｎ２ガス等の不活性ガスを供給するパージガス供給部４６が設けられていて、カップ体４内にダウンフローを形成し、洗浄液の蒸気がカップ体４内に充満することを防止する。またこのようなダウンフローを形成することによって、ウエハＷの表面にウォーターマークが生じ難くなるという効果も得られる。
【００１９】
一方、カップ体４の下部には円環状の凹部をなす第１の液受け部４７が設けられており、この第１の液受け部４７はケース体１０の底面を突き抜けて下方側へと突出している。第１の液受け部４７の底部にはドレイン配管４５が設けられており、カップ体４内に飛散した洗浄液やカップ体４内を流れる洗浄液のミストを含んだ気流が洗浄装置１の外部へと排出されるようになっている。
【００２０】
前述のケース体１０の搬送口１１に対向するカップ体４の側部には、図１、図２に示すようにウエハＷの搬入出を行うための搬送口４１が形成されており、この搬送口４１は第２のシャッタ４２により開閉自在となっている。この第２のシャッタ４２についてもカップ体４の内側に設けられており、カップ体４の内部が陽圧になった場合における当該カップ体４内の雰囲気の外部への漏洩を防止している。
【００２１】
さらにカップ体４の側部、例えば図２に示すように円筒状のカップ体４の中心を挟んで既述の搬送口４１とは反対側に位置する上部側の円筒の側壁面には、ノズルアーム２３がカップ体４内に進入するためのアーム進入口４３が設けられており、このアーム進入口４３についても第３のシャッタ４４により開閉自在な構成となっている。
【００２２】
カップ体４内には、洗浄の際にウエハＷから飛散した洗浄液を受け止めて、排液管５２へと案内するためのインナーカップ５１が設けられている。インナーカップ５１は、例えばカップ体４の下部側の大径の円筒よりも一回り小さな径を備えた円筒状の部材として構成され、図１に示すようにカップ体４の下部側の円筒内に収納され、ウエハ保持手段６を取り囲むように配置されている。インナーカップ５１は不図示の昇降機口によりカップ体４内を昇降可能に構成されていて、ウエハＷの搬入出の際にはウエハＷの搬送経路の下方側へとインナーカップ５１全体が退避する一方、ウエハＷを洗浄する際には処理位置まで上昇する構成となっている。
【００２３】
インナーカップ５１の上端部は、既述したカップ体４の中間の円筒の傾斜にあわせて、内側へ向けて傾斜したテーパ部５３が形成されており、インナーカップ５１を処理位置まで上昇させた状態においてテーパ部５３の先端は、後述のウエハ保持手段６によって保持されるウエハＷの上面の高さ位置よりも若干高い位置まで伸びだして、テーパ部５３の内面が当該ウエハＷの周囲を取り囲むように配置される。
【００２４】
インナーカップ５１の下部には、既述のカップ体４側の第１の液受け部４７よりひとまわり小さな円環状の凹部をなし、当該第１の液受け部４７の空間内に配置される第２の液受け部５４が形成されている。この第２の液受け部５４の底部には排液管５２が設けられており、洗浄中のウエハＷから飛散した洗浄液は主としてこの第２の液受け部５４に案内され、排液管５２を介して洗浄装置１外へと排出されるようになっている。
【００２５】
インナーカップ５１の内側には基板保持手段であるウエハ保持手段６が配置されている。ウエハ保持手段６は、カップ体４の内側を貫通して下方へと伸びる円筒状の回転筒６３と、この回転筒６３の上端部に設けられ、当該上端部から回転筒６３の径方向へ向けて外側にフランジ状に広がる突縁部６４とを備えている。突縁部６４の外周端部には、当該突縁部６４の上面よりも例えば数ｃｍ離れた高さ位置にて、夫々ウエハＷを支持、保持する支持ピン６１及び保持ピン６２が例えば各々３本ずつ設けられている。
【００２６】
支持ピン６１は、突縁部６４の外端から上方へ向けて伸びだすように設けられた支持ピンアーム６１１の上端部に固定された小片状の部材であり、各支持ピン６１の上面には突縁部６４の内側から外側の方向へ向けて高くなるように傾斜し、ウエハＷの下面側の外周端を支持するテーパ面が設けられている。支持ピンアーム６１１の下端部は、突縁部６４の内周側へ向けてＬ字状に横方向に伸びだしており、当該横方向に伸びだした部分が突縁部６４の下面に固定されている。
【００２７】
他方、保持ピン６２は、突縁部６４の外端から上方へ向けて伸びだすように設けられた保持ピンアーム６２１の上端部に固定されると共に、ウエハＷの外端部を上下から挟むために、その先端部が上下に二股分かれた小片状の部材として構成されている。保持ピン６２は、二股に分かれた先端部を突縁部６４の内側へ向け、且つ、この先端部とは反対側の基端部を支軸として上下に回動可能なように保持ピンアーム６２１に固定され、ウエハＷを保持していない状態においては図１中に破線で示すように二股に分かれた先端部をやや上方に向けるように付勢されている。
【００２８】
さらにこの保持ピン６２が設けられた保持ピンアーム６２１は、不図示の搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置と、突縁部６４上でウエハＷを保持する処理位置との間で保持ピン６２を昇降させることが可能なように突縁部６４の外端部に固定されている。図１中に破線で示すように保持ピンアーム６２１は、ウエハＷを保持していない状態においては保持ピン６２が受け渡し位置にて待機するように上方側に向けて付勢されている。
【００２９】
かかる支持ピン６１及び保持ピン６２を備えたウエハ保持手段６上へのウエハＷの受け渡し動作を簡単に説明しておくと、ウエハＷを保持していない状態においては、保持ピン６２は支持ピン６１のテーパ面よりも上方の高さ位置にて二股の先端部をやや上方へ向けて待機している。そしてウエハＷを保持した不図示の搬送アームがカップ体４内に進入し、ウエハ保持手段６の上方位置にて下降すると、ウエハＷの下面側の外周部がまず二股に分かれた保持ピン６２の下側の部材と接触する。この結果、ウエハＷの荷重によって保持ピン６２が下方へ向けて回動し、上下に二股に分かれた保持ピン６２の先端部がウエハＷの外周端部を上下から挟んで固定する。さらにウエハＷの荷重によって保持ピンアーム６２１が処理位置まで押し下げられることにより、ウエハＷの下面が支持ピン６１のテーパ面に到達して当該テーパ面にてウエハＷの外周端が支持される。
【００３０】
当該ウエハ保持手段６においては、支持ピン６１と保持ピン６２とが互いに隣り合うように配置されており、さらに図２に示すようにこれら支持ピン６１と保持ピン６２との組はウエハＷの周方向に等間隔に例えば３組配置されている。
【００３１】
図１に示すように回転筒６３下端部の側方には回転モータ７１と接続されたプーリー７３が設けられており、これら回転筒６３の下端部とプーリー７３とには回転ベルト７２が捲回されていて、回転モータ７１を駆動させることにより回転筒６３を鉛直軸回りに回転させ、各ピン６１、６２に保持されたウエハＷを回転させることができるようになっている。回転モータ７１や回転ベルト７２、プーリー７３はウエハ保持手段６を回転させる回転機構に相当する。
【００３２】
既述のようにウエハＷは、支持ピン６１並びに保持ピン６２によって突縁部６４の上面よりも高い位置にて保持されるので、突縁部６４とウエハＷとの間には空間が形成され、この空間からウエハＷの裏面（下面）に洗浄液を供給することができる。またウエハＷは二股に分かれた先端部を有する保持ピン６２によって径方向外側からその外端部を上下に挟んで保持されるので、回転中、ウエハＷに働く遠心力に起因する位置ずれを防止できる。
【００３３】
ウエハ保持手段６に保持されるウエハＷと突縁部６４との間に形成される既述の空間には、例えばウエハＷをと同程度の径を有する円板状のアンダープレート２５が設けられている。アンダープレート２５はウエハ保持手段６に保持されたウエハＷから例えば０．５ｍｍ〜数ｍｍ下方の位置にて当該ウエハＷの裏面に対向し、その中央に設けられた開口部２８１からウエハＷの裏面に向けて洗浄液を供給し、当該裏面全体に洗浄液のパドル（液膜）を形成する役割を果たす。
【００３４】
アンダープレート２５の下面側中央部には、突縁部６４の中央部および回転筒６３内を貫通するように設けられた支柱２６が設けられており、この支柱２６の下端部には、支持板７５を介して昇降機構７４が接続されていてアンダープレート２５を昇降させることができる。これにより、ウエハＷの搬入出時には搬送アームと干渉しないようにアンダープレート２５を下方側へと退避することができる。なお、アンダープレート２５の高さ位置を固定し、回転筒６３を昇降させることによって、ウエハ保持手段６に保持されたウエハＷとアンダープレート２５との相対位置を調整する構成を採用してもよい。
【００３５】
アンダープレート２５および支柱２６には、その内部を貫通して既述の開口部２８１へと接続され、洗浄液や液膜破壊用のガス（例えばＮ２ガス）をウエハＷの裏面に向けて供給するための裏面洗浄用流路２８が設けられている。また、アンダープレート２５にはヒータ２７が埋設されており、図示しない電源からヒータ２７への給電量を調節することによりウエハＷの温度制御が可能となっている。
【００３６】
ノズルアーム２３は、ウエハＷの表面（上面）側を洗浄するノズル２１を備えており、カップ体４に隣接して配置されたノズルアーム格納部１３内に格納されている。ノズルアーム２３は、その基端部に設けられた駆動機構２０によって横方向に回動可能且つ、上下動可能に構成され、既述のアーム進入口４３を介してノズルアーム格納部１３とカップ体４内のウエハＷ中心部の上方位置との間を回動し、またウエハＷの上方にて上下動することができる。
【００３７】
ノズルアーム２３の先端部にはウエハＷに洗浄液を供給する後述の噴射ノズル（二流体噴射ノズル）であるノズル２１が設けられており、このノズル２１にはノズルアーム２３上に配された洗浄液供給管２４及びガス供給管２２を介して洗浄液ならびにその噴霧用のガス（以下、キャリアガスという）である例えばＮ２ガスが供給されるようになっている。
【００３８】
図３は、洗浄装置１への洗浄液並びにガスの供給経路図であり、ノズル２１の洗浄液供給管２４及びガス供給管２２、並びにアンダープレート２５側の裏面洗浄用流路２８の上流側は洗浄液供給部８２若しくは窒素ガス供給部８１と接続されている。  
詳細には、洗浄液供給部８２には２本の洗浄液供給ライン８２１、８２２が設けられていて、これらの洗浄液供給ライン８２１、８２２へは洗浄液である例えば純水が供給される。第１の洗浄液供給ライン８２１は、後述の気泡発生手段３とその吐出管３０１とを介してノズル２１側の洗浄液供給管２４に接続されており、第２の洗浄液供給ライン８２２は共通ライン８３０を介してアンダープレート２５側の裏面洗浄用流路２８に接続されている。
【００３９】
また窒素ガス供給部８１には３本のガス供給ライン８１１、８１２、８１３が設けられていて、これらのガス供給ライン８１１、８１２、８１３にはＮ２ガスが供給される。気泡発生用ガス供給ライン８１１は気泡発生手段３に接続され、洗浄液内に後述するマイクロナノバブル発生用のガスを供給する役割を果たし、洗浄液供給部８２はガス供給管２２に接続されノズル２１にキャリアガスを供給する役割を果たす。またパドル破壊ガス供給ライン８１３は、既述の第２の洗浄液供給ライン８２２と共通の共通ライン８３０に接続されており、ウエハＷの裏面に形成されたパドルを破壊してウエハＷをアンダープレート２５から分離しやすくするためのガスを洗浄液と切り替えて供給することができるようになっている。
【００４０】
洗浄液供給部８２、窒素ガス供給部８１と、これらに接続された洗浄液供給ライン８２１、８２２、ガス供給ライン８１１〜８１３との間には、バルブ、流量計などからなる流量調整部８３ｂ、８３ａが各々介設されており、後述する制御部８からの指示に基づいて各種流体の供給タイミング及び供給量が制御される。
【００４１】
以上に説明した構成を備えた表裏面洗浄型の洗浄装置１において、当該洗浄装置１は背景技術にて説明したウエハＷの表面（本例では上面）に形成されたパターンが倒れるのを抑えるために、ノズル２１から供給されるミストの粒径を小さくするための手段を備えている。以下、その詳細な構成について説明する。
【００４２】
ミストの粒径を小さくするための手段として、本実施の形態に係る洗浄装置１は、径が１０ｎｍ以上、１００μｍ以下の例えば１００ｎｍ程度の微小な気泡を洗浄液に供給する気泡発生手段３を備えている。気泡発生手段３は、例えばナノプラネット研究所製のマイクロナノバブル発生装置等により構成され、図４（ａ）に示すように円筒状の筐体部３１に既述の第１の洗浄液供給ライン８２１と、気泡発生用ガス供給ライン８１１とが接続されている。以下図４（ａ）、図４（ｂ）の説明においては図面に向かって右手を手前側として説明する。
【００４３】
筐体部３１は、例えばステンレススチール等により構成された内部が中空の円筒であり、手前側の先端部には気泡を含む洗浄液（以下、気泡含有洗浄液という）の吐出先である吐出管３０１が接続されていて、当該吐出管３０１を介してノズル２１へと洗浄液を供給することができるようになっている。ここで第１の洗浄液供給ライン８２１より例えば５０ｍｌ／ｍｉｎ〜３００ｍｌ／ｍｉｎの範囲の例えば１００ｍｌ/ｍｉｎの洗浄液が筐体部３１に供給されると、エジェクタ効果により筐体部３１内が負圧となって、気泡発生用ガス供給ライン８１１側からは例えば１ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍの範囲の例えば１００ｓｃｃｍのＮ２ガスが吸引される
【００４４】
このとき筐体部３１の内部では、図４（ｂ）に示すように洗浄液が筐体部３１の側周部から供給されることにより、洗浄液が筐体部３１の内壁面に沿って激しく旋回しながら吐出管３０１へと向かって流れる旋回流が形成される。ここで気泡発生手段３に対する第１の洗浄液供給ライン８２１の接続位置や接続方向は、冷媒の旋回流が吐出管３０１に向かうにつれて、その旋回半径が徐々に狭まるように調節されているため、当該旋回流は、図４（ｂ）に示すように吐出管３０１との接続部付近のある点において大気の流れと激しく混合されることとなる。
【００４５】
そしてこの旋回流は気泡発生用ガス供給ライン８１１から供給されたＮ２ガスの流れを切断、粉砕し、例えば直径が数百ｎｍから数十μｍのマイクロバブルやマイクロナノバブル（以下、これらを総称してマイクロナノバブルという）を洗浄液内に大量に供給することができる（参考：都並結依、大成博文、「マイクロバブルの収縮過程と収縮パターン」第１回マイクロ・ナノバブル技術シンポジウム）。
【００４６】
このような機構により発生したマイクロナノバブルは、洗浄液とＮ２ガスとの摩擦によって例えば４０ｍＶ〜１００ｍＶの負電荷を帯びており（洗浄液である液体の種類及びマイクロナノバブル発生用のガスの種類の選択によっては正電荷を帯びる場合もある）互いに凝集、合体しにくい性質を有する。また各マイクロナノバブルに働く浮力は非常に小さく、ほぼゼロであることからその上昇速度もほぼゼロ（実質ゼロといえる）となるので、マイクロナノバブルを洗浄液内に均一に分散させることが可能となっている。また各マイクロナノバブルの内部は負圧となっているため、発生時には数百ｎｍ〜数十μｍの直径を有していたマイクロナノバブルは時間の経過と共に収縮して消失するが、その寿命はおよそ１０分程度と数百μｍ以上の気泡径を有する通常の気泡の寿命（１０秒程度）と比較して非常に長い。そして気泡発生手段３から吐出管３０１へ吐出された気泡含有洗浄液は、例えば数ｍ秒〜数分といったマイクロナノバブルの消失時間よりも短い時間でノズル２１に到達するので、マイクロナノバブルを含んだままの状態で洗浄液がノズル２１に供給される。
【００４７】
噴射ノズルであるノズル２１は、図５に示すように例えば円筒状のノズル本体２１１内に鉛直軸方向に内管２１２を配置した二重管構造となっており、気泡発生手段３より吐出管３０１へと供給された気泡含有洗浄液は、洗浄液供給管２４を経て内管２１２内の洗浄液通流路２１４を通り、ノズル２１先端部の気液混合領域２１５へ到達する。一方、窒素ガス供給部８１からは例えば５ＮＬ／ｍｉｎ〜１５０ＮＬ／ｍｉｎの範囲の例えば１００ＮＬ／ｍｉｎのキャリアガスであるＮ２ガスがキャリアガス供給ライン８１２、ガス供給管２２を流れてノズル２１に供給される。ノズル２１に到達したキャリアガスは内管２１２とノズル本体２１１との間の円筒状のガス通流路２１３を流れて先端部の気液混合領域２１５へ達する。
【００４８】
ノズル２１の先端部では、ガス通流路２１３と洗浄液通流路２１４とが開口し、これらの流路２１３、２１４から供給される気泡含有洗浄液とキャリアガスとが混合される気液混合領域２１５を形成している。この気液混合領域２１５において微小なミストを形成していると予想されるメカニズムについて説明すると、例えば図６に模式的に示すように、気泡含有洗浄液中にはマイクロナノバブルが均一に分散した状態となっており、この気泡含有洗浄液の流れにキャリアガスが合流すると、気泡含有洗浄液はキャリアガスから受ける剪断力により破砕される。このとき、気泡含有洗浄液の破砕面は、マイクロナノバブルに達した位置で途切れ、当該マイクロナノバブルを基点として新たな破砕面が作られ、気液混合領域２１５内では微細且つ均一なミスト１２０が形成されるものと考えられる。
【００４９】
このように、本実施の形態に係る洗浄装置１にて供給されるミスト１２０は、マイクロナノバブルを基点として形成されるものであるため、その内部にマイクロナノバブルを殆ど含有していない。このため本実施の形態は、例えば背景技術にて言及した特許文献１に記載の技術のように、ミスト中に含まれているマイクロナノバブルの圧壊のエネルギーを利用して洗浄効率を高めようとする技術とは、マイクロナノバブルの利用目的が異なる。また、後述の実験結果にて示すように、洗浄液に対するキャリアガスの流量比を高くするほどノズル２１にて形成されるミスト１２０中における小さな粒径領域のミスト１２０の割合が多くなることが確認されており、キャリアガスを全く用いていない、即ち二流体方式の噴射ノズルを採用していない特許文献１に記載の技術では、粒径の小さなミストの生成量が少なく、パターン倒れの発生を十分に抑えることができないおそれが高い。
【００５０】
ここで本例に係るノズル２１においては、気液混合領域２１５の直下に吐出口２１６が直接開口しており、気液混合領域２１５で形成されたミスト１２０がそのままウエハＷ表面へと供給されることとなる。このように、気液混合領域２１５に直接開口するように吐出口２１６を設けた理由は、例えば気泡含有洗浄液とキャリアガスとの流量比やこれらの流体の全流量を増減することにより、ミスト１２０の平均粒径や粒径分布、ウエハＷ表面への供給速度などを比較的自由に制御できるからである。これに対して、例えば気液混合領域２１５と吐出口２１６との間に導入管を設け、この導入管を介してウエハＷに向けてミスト１２０を供給すると、洗浄液とキャリアガスとの流量比や全流量などを変化させても、導入管を通過する間に例えば導入間の径や長さに応じてミスト１２０の性状が平均化されてしまい、ミスト１２０性状の制御性が落ちてしまうことが分かっている。なお、例えば洗浄液やキャリアガスの供給量が変動するといった装置条件下において、こうした変動に起因する洗浄結果のバラツキを抑えることなどを目的として、気液混合領域２１５と吐出口２１６との間に導入管を備えたノズル２１を採用してもよいことは勿論である。
【００５１】
また、例えば負の電荷を帯びたマイクロナノバブルを基点としてミスト１２０が形成される際に、電荷がミスト１２０側に移動して負電荷を帯びたミスト１２０が生成される。この結果、ノズル２１から供給されたミスト１２０は互いに反発し合って凝集、成長が抑えられ、粒径の小さな状態のままウエハＷ表面へと供給することができる。なお、ミスト１２０が電荷を帯びた状態のままウエハＷに到達することが好ましくない場合には、例えばパージガス供給部４６から正に帯電したガスを供給して、ミスト１２０を中和してもよい。電荷を帯びていない場合にもミスト１２０は互いに引き合わないので凝集、成長するおそれは低い。
【００５２】
洗浄装置１全体の装置構成の説明に戻ると、以上に説明した構成を備える洗浄装置１は、搬入出時のウエハＷの受け渡し動作、ウエハ保持手段６によるウエハＷの回転動作、洗浄液やキャリアガスなどの供給動作などを制御する制御部８を備えている。制御部８は例えば図示しないＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータからなり、この記憶部には当該洗浄装置１によってウエハＷの洗浄を行うのに必要な制御、例えばアンダープレート２５の昇降動作やノズルアーム２３の回動、昇降動作に係る制御、洗浄液やキャリアガスの給断や供給量を調節する制御などについてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
【００５３】
次に、以上に説明した装置構成を備えた洗浄装置１の動作について説明する。まず、ケース体１０の第１のシャッタ１２とカップ体４の第２のシャッタ４２とを開く。このとき、インナーカップ５１並びにアンダープレート２５は下方へと退避させ、ノズルアーム２３はノズルアーム格納部１３内に格納した状態で第３のシャッタ４４を閉としておく。
【００５４】
ウエハＷを保持した不図示の搬送アームは、ケース体１０の搬送口１１とカップ体４の搬送口４１とを介してカップ体４内に進入し、ウエハ保持手段６の上方で停止する。そして搬送アームが下降することによりウエハＷの外端部が各支持ピン６１並びに保持ピン６２と接触し、既述の受け渡し動作によりウエハＷはこれらのピン６１、６２に受け渡されて、支持、固定される。本例においては、ウエハＷはパターンの形成された面（表面）を上面側に向けてウエハ保持手段６に保持されている。  
そしてウエハ保持手段６に保持されたウエハＷと、ウエハＷの下方に待機しているアンダープレート２５との間の隙間を通って搬送アームがケース体１０の外へと退避し、インナーカップ５１並びにアンダープレート２５が処理時の位置まで上昇した後、ウエハＷの表裏両面の洗浄を開始する。このときヒータ２７はアンダープレート２５を例えば２０℃〜７０℃の温度に保っておく。また本例においては、ウエハＷの両面を同時に洗浄する場合について説明する。
【００５５】
まずパターンの形成されたウエハＷの表面側の洗浄から説明すると、ノズルアーム格納部１３側の第３のシャッタ４４を開いてノズルアーム２３を回動させ、アーム進入口４３を介してカップ体４内にノズルアーム２３を進入させて、例えばノズル２１がウエハＷの中心に対向するようにノズルアーム２３の回動を停止させる。次いでノズルアーム２３を下降させ、吐出口２１６の設けられたノズル２１の先端がウエハＷ表面から例えば５ｍｍ〜５０ｍｍ上方の例えば１０ｍｍ上方の高さに位置するように停止させる。
【００５６】
そして回転モータ７１を作動させ回転筒６３を例えば５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの範囲の例えば１０００ｒｐｍの回転速度で回転させると共に、洗浄液供給部８２及び窒素ガス供給部８１から洗浄液並びにキャリアガスをノズル２１に向けて供給する。このときノズル２１に供給される洗浄液は、気泡発生手段３を通過してマイクロナノバブルを含有した気泡含有洗浄液となっており、気泡を含有した状態で例えば５０ｍｌ／ｍｉｎ〜３００ｍｌ／ｍｉｎの範囲の例えば１００ｍｌ／ｍｉｎの洗浄液がノズル２１へと供給される。
【００５７】
ここで例えば気泡発生手段３に洗浄液やマイクロナノバブル発生用のガスの供給を開始した直後の期間など、筐体部３１内に十分に発達した旋回流が形成されていない場合などにおいては、洗浄液内の気泡の径が十分に小さくなっておらず、そのままノズル２１にてミスト１２０を生成すると、十分に粒径の小さなミスト１２０が得られないおそれもある。そこで、例えば気泡発生手段３の吐出管３０１を分岐させて切り替え可能とし、一方をガス供給管２２へ接続し、他方を排液側に接続する構成としてもよい。この場合は例えば気泡発生手段３への洗浄液とマイクロバブル発生用のガスの供給を開始した直後は気泡発生手段３の吐出を排液側として、いわゆる「端切り」を行い、それから所定の時間が経過して十分に発達した旋回流が形成された後に気泡発生手段３の吐出をノズル２１側へと切り替えるようにしてもよい。この端切りの時間が例えば数十秒などと長い場合には、端切りはウエハＷの搬入動作などと並行して行われる。
【００５８】
一方、キャリアガスは例えば５ＮＬ／ｍｉｎ〜１５０ＮＬ／ｍｉｎの範囲の例えば１００ＮＬ／ｍｉｎの流量で供給され、これら気泡含有洗浄液とキャリアガスとがノズル２１の気液混合領域２１５にて混合され、既述のメカニズムにより粒径の小さなミストがウエハ保持手段６へ向けて供給される。
【００５９】
吐出口２１６から吐出され、回転しているウエハＷの表面に到達したミスト１２０は、ウエハＷ表面に衝突する際の衝撃により変形してウエハＷ表面を流れ、またウエハＷ表面に形成されたパターン内に流れ込み、例えばこの衝突や変形の衝撃によってウエハＷ表面に付着している付着物１０５をウエハＷ表面から剥がして流し去ることができる。このようにウエハＷにミストを衝突させることにより付着物１０５を剥がすのに十分なエネルギーが与えられる一方、ノズル２１から供給されるミスト１２０の径を小さくすることにより、例えば、より粒径の大きなミスト１２０が衝突する場合に比べてウエハＷ表面のパターンに加えられる衝撃は小さくなり、この結果、ウエハＷの洗浄効果を維持しつつパターン倒れの発生を抑制することができる。
【００６０】
こうしてウエハＷの表面洗浄を行い、ウエハＷの中央領域から周縁領域までをノズル２１から吐出されるミスト１２０が万遍なく洗浄するようにノズル２１をスキャンさせる。このようにして例えば予め決められた時間だけウエハＷの表面を洗浄したら、ノズル２１への洗浄液並びにキャリアガスの供給を停止してウエハＷの洗浄を終える。
【００６１】
次いでウエハＷを例えば３００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍの範囲の例えば５００ｒｐｍの回転速度で回転させて振り切り乾燥を行い、ウエハＷ表面に残っている洗浄液を除去する。ここで既述のように本実施の形態に係る洗浄装置１はミスト１２０によって洗浄を行っていることから、例えば洗浄液をミスト状とせずに、バルクの状態のまま連続的に供給する場合などと比較してウエハＷ表面に供給される洗浄液の量は非常に少ない。このため洗浄終了後のウエハＷ表面は、例えば図７に示すように、密領域１０３においても疎領域１０４においても溝部１０１ａ、１０１ｂ内に進入したミスト１２０が残る程度であり、またこれらのミスト１２０が集まって液溜まり１２１を形成したとしてもその量は少ないと考えられる。この場合には、例えば背景技術において図１１（ｂ）を用いて説明した従来の洗浄液の供給方法、例えば洗浄液をミスト化せずに連続的に供給する場合などと比較して密領域１０３側の溝部１０１ａ内に形成される液溜まり１２１の液面の位置が低く、凸部１０２に働く表面張力も小さい。このため例えば密領域１０３と疎領域１０４との境界の領域では、凸部１０２を密領域１０３の溝部１０１ａ側へ引っ張る力と疎領域１０４の溝部１０１ｂ側へ引っ張る力との差が小さくなってパターン倒れが抑制されるのではないかと考えられる。
【００６２】
以上に説明したウエハＷの表面洗浄と並行して、ウエハＷの裏面洗浄は例えば以下の要領で行われる。ウエハＷ搬入のために下方へと退避していたアンダープレート２５が処理位置、例えばウエハＷの下面とアンダープレート２５の上面との隙間が例えば０．５ｍｍ以上、３ｍｍ以下の例えば０．８ｍｍとなる位置まで上昇すると、既述の回転速度（例えば５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの範囲の例えば１０００ｒｐｍ）にてウエハＷが回転を始める。
【００６３】
そして洗浄液供給部８２から裏面洗浄用流路２８に洗浄液が供給され、開口部２８１を介してウエハＷの裏面へと吐出される。開口部２８１から吐出された洗浄液は、アンダープレート２５に案内されてウエハＷの裏面全体にパドル（液膜）状に広がり、洗浄液の流れによって、また回転するウエハＷと洗浄液とが摺動するように接触することによって、ウエハＷの裏面に付着している付着物１０５が剥がされて除去される。
【００６４】
そして例えばウエハＷの表面の洗浄を終えるタイミングにて裏面洗浄用流路２８からの洗浄液の供給を停止し、振り切り乾燥を行うためにアンダープレート２５が処理位置から下降する。このとき洗浄液で満たされたウエハＷとアンダープレート２５との間の空間が真空となってウエハＷに撓みや割れを生じることおそれもある。そこで、窒素ガス供給部８１から裏面洗浄用流路２８にＮ２ガスを供給しアンダープレート２５上に形成されているパドルを破壊してからアンダープレート２５を例えばウエハＷを搬入出する際の待機位置まで下降させる。
【００６５】
次いでウエハＷの裏面側に残っている洗浄液は既述の振り切り乾燥動作によって表面側と同時に除去される。このとき、乾燥を促進するため、開口部２８１からＮ２ガスを供給するようにしてもよい。  
このようにしてウエハＷの表裏両面の洗浄及び乾燥が終了したら、インナーカップ５１を待機位置まで下降させ、搬入時とは逆の経路で搬送アームによりウエハＷを搬出し、一連のウエハＷの洗浄動作を終了する。
【００６６】
本実施の形態に係る洗浄装置１によれば以下の効果がある。気泡径が数百ｎｍ以上、１００μｍ以下のいわゆるマイクロナノバブル（上述の実施の形態ではマイクロナノバブルとマイクロバブルとの総称）と呼ばれる気泡径領域の気泡を含んだ洗浄液と、この洗浄液の噴霧用のガスとを混合する噴射ノズル（ノズル２１）を用いて洗浄液を微粒化することにより、ウエハＷ表面に噴霧される洗浄液のミストをより小さくすることができる。この結果、表面にパターンが形成されたウエハＷの洗浄にあたり、パターン倒れの発生を抑えることができるので、当該ウエハＷから製造される半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００６７】
また、ノズル２１から供給されるミスト１２０とキャリアガスとの気液混合流体がウエハＷ表面へと供給される速度と洗浄後のウエハＷの清浄度との間には、混合流体の供給速度を速くするほど清浄度が高くなるという関係がある。ここで本実施の形態に係る技術によりノズル２１から供給されるミスト１２０の粒径を小さくすると、ウエハＷ表面でのパターン倒れが発生しにくくなることから、さらに混合流体の供給速度を速くしても、パターン倒れの発生の程度を高々従来法（例えばマイクロナノバブルを含まない洗浄液を用いた噴射ノズルからの洗浄液の噴霧）と同程度に抑えることができる。この結果、パターン倒れの発生の程度を従来法と同程度に抑えつつ、ウエハＷの洗浄効果を向上させることも可能となる。
【００６８】
ここで洗浄液は上述の実施の形態中に例示した純水に限定されるものではなく、例えばイソプロピルアルコールなどの薬液を用いてもよい。この他、複数種類の洗浄液を混合して、または複数種類の洗浄液を順次、切り替えて供給するようにしてもよく、その洗浄液の種類、供給順序などは特定のものに限定されない。また気泡発生用のガスの種類についても、既述のＮ２ガスに限定されるものではなく、例えばアルゴンガスなどを用いてもよい。例えばミスト１２０の粒径を最小とする洗浄液と気泡発生用のガスとの組み合わせがある場合などには、洗浄液の種類毎に最適な種類の気泡発生用のガスを組み合わせるようにしてもよい。さらに、複数種類の洗浄液を切り替えて順次供給する場合などには、ある種類の洗浄液には、本実施の形態に係る技術を適用してノズル２１により微粒化し、別の種類の洗浄液（例えばパターン倒れを引き起こしにくい性質を持つ洗浄液）にはマイクロナノバブルを含有しない洗浄液を用いて噴射ノズルにより、または液体を単独で噴射するノズルにより、さらにまたは液体を微粒化せずに連続供給するノズルにより供給してもよいことは勿論である。
【００６９】
さらにまた洗浄液中に気泡を混入する手法は上述の実施の形態に示した洗浄液の旋回流を用いて気泡発生用のガスを切断、粉砕する手法に限定されるものでははない。例えば、洗浄液の一部を電気分解したり、洗浄液に超音波を印加したりすることにより、例えば１０ｎｍ〜数百ｎｍの気泡径を有する、マイクロナノバブルよりも小さなナノバブルを発生させ、こうしたナノバブルを含む洗浄液をノズル２１にて微粒化し、ウエハＷを洗浄してもよい。
【００７０】
また、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）の製造工程などにおいてウエハＷの両面をパターニングする場合などには、既述のアンダープレート２５に替えて噴射ノズルからなるノズル２１を備えた裏面洗浄用のノズルアーム２３を設け、このノズル２１についても気泡発生手段３からマイクロナノバブルを含有した気泡含有洗浄液を供給することにより粒径の小さなミスト１２０を利用した洗浄を行い、パターン倒れの発生を抑制するようにしてもよい。
【実施例】
【００７１】
（実験）  
マイクロナノバブルを含む洗浄液を噴射ノズル（ノズル２１）で微粒化し、ノズル２１から得られたミスト１２０の粒径分布を計測した。気泡発生手段３としてはナノプラネット研究所製のマイクロナノバブル発生装置を用い、気泡発生用のガス（Ｎ２ガス：１００ｓｃｃ）と洗浄液（純水：１０ｃｃ）とを混合して平均気泡径が１０μｍのマイクロナノバブル含有洗浄液を得た。このマイクロナノバブル含有洗浄液１０ｃｃをノズル２１に供給すると共に、キャリアガスの流量を種々変化させて、１０ｃｃ分のマイクロナノバブル含有洗浄液から得られるミスト数、及びその粒径分布を計測した。  
Ａ．実験条件  
（実施例１）  
マイクロナノバブルを含有する洗浄液を用い、キャリアガスの供給量を６００ｓｃｃｍとしてミストを生成した。  
（実施例２）  
マイクロナノバブルを含有する洗浄液を用い、キャリアガスの供給量を１２５０ｓｃｃｍとしてミストを生成した。  
（実施例３）  
マイクロナノバブルを含有する洗浄液を用い、キャリアガスの供給量を２０００ｓｃｃｍとしてミストを生成した。  
（比較例１）  
マイクロナノバブルを含有しない洗浄液を用い、（実施例１）と同じ条件でミストを生成した。  
（比較例２）  
マイクロナノバブルを含有しない洗浄液を用い、（実施例２）と同じ条件でミストを生成した。  
（比較例３）  
マイクロナノバブルを含有しない洗浄液を用い、（実施例３）と同じ条件でミストを生成した。
【００７２】
Ｂ．実験結果
（実施例１）と（比較例１）とにおける体積基準の粒径分布を図８に示し、（実施例２）と（比較例２）及び、（実施例３）と（比較例３）の同様の粒径分布を各々図９、図１０に示した。図８〜図１０の各図において、横軸はミストの粒径（［μｍ］）、縦軸は各粒径におけるミストの体積基準の頻度（［％］）を示している。
【００７３】
図８〜図１０の体積基準の粒径分布を見ると、キャリアガスの流量を６００ｓｃｃｍ（（実施例１）、（比較例１）：図８）→１２５０ｓｃｃｍ（（実施例２）、（比較例２）：図９）→２０００ｓｃｃｍ（（実施例３）、（比較例３）：図１０）と、多くしていくに従って、体積基準頻度のピークは左側の粒径の小さな領域へと移行しており、且つ、粒径分布もキャリアガス流量の増加に合わせて比較的小粒径の領域（数μｍ〜数十μｍの粒径領域）の割合が大きく、また幅広い粒径分布となっている。これは、キャリアガス流量を多くすることによって粒径の小さなミストの生成量が多くなった結果であると考えられる。
【００７４】
そして、図８〜図１０に示したいずれの実験結果においても、実線で示したマイクロナノバブルを含有する洗浄液から生成されたミスト（実施例１〜３）の方が、破線で示したマイクロナノバブルを含有しない洗浄液から生成されたミスト（比較例１〜３）に比べて、ミスト全体の粒径分布の中でも小粒径の領域であるおよそ数μｍ〜数十μｍのミストの割合が大きくなっている。
【００７５】
一方、全体の粒径領域の中でも大粒径の領域（百数十μｍ前後の粒径領域）では、図８の（実施例１）及び図１０の（実施例３）において、各々（比較例１）、（比較例３）と比べてこの領域のミストの割合が小さくなっており、全体として生成したミストは小粒径側にシフトしていることが分かる。なお、図９の（実施例２）において、当該百数十μｍ前後の粒径領域に（比較例２）には無い新たなピークができている理由は不明である。  
以上のことから、洗浄液にマイクロナノバブルを含有させることにより、マイクロナノバブルを含まない場合と比較して噴射ノズル（ノズル２１）においてより小さなミストを生成できることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】実施の形態に係る洗浄装置の全体構成を示す縦断側面図である。
【図２】前記洗浄装置の横断平面図である。
【図３】前記洗浄装置への洗浄液及びＮ２ガスの供給経路図である。
【図４】前記洗浄装置に適用される気泡発生手段の構成及びマイクロナノバブルの発生機構を示す説明図である。
【図５】前記洗浄装置に適用される噴射ノズルの縦断側面図である。
【図６】前記噴射ノズルにおけるミストの発生機構を示す説明図である。
【図７】前記洗浄装置により洗浄されたウエハ表面の様子を示す模式図である。
【図８】実施例に係る第１の特性図である。
【図９】実施例に係る第２の特性図である。
【図１０】実施例に係る第３の特性図である。
【図１１】従来の洗浄装置によるウエハの洗浄時に発生するパターン倒れの様子を示す説明図である。
【図１２】ウエハの表面に形成されたパターンの他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７７】
Ｗ          ウエハ
１          洗浄装置
１０        ケース体
１１０      柱状体
１１１      円筒体
１２０      ミスト
２１        ノズル
２２        ガス供給管
２３        ノズルアーム
２４        洗浄液供給管
２５        アンダープレート
２６        支柱
２８        裏面洗浄用流路
３          気泡発生手段
４          カップ体
６          ウエハ保持手段
６３        回転筒
６４        突縁部
８          制御部
【図１】
2010103366.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010103366.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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