(57)【要約】【課題】本発明は、リードフォーミングを不要とし、もって製品の製造時間の短縮及びコスト低減をなし得ることを目的とする。【解決手段】１つ以上の半導体ペレット１１と、ドレイン，ソース及びゲート用の３本のリード端子１２ａ〜１２ｃと、前記半導体ペレッ１１とリード端子を電気的に接続する接続部材と、前記半導体ペレット１１，接続部材及びリード端子１２ａ〜１２ｃの一部を樹脂封止する外囲器とを具備するＳＩＰ型樹脂封止半導体装置において、前記ソース，ドレイン用リード端子１２ｂ，１２ａ間の間隔を、ソース用またはドレイン用リード端子１２ｂ，１２ａとゲート用リード端子１２ｃ間の間隔より大きくしたことを特徴とするＳＩＰ型樹脂封止半導体装置。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の半導体ペレットと、第１・第２のリード端子及びゲート用の第３のリード端子と、前記半導体ペレットとリード端子を電気的に接続する接続部材と、前記半導体ペレット，接続部材及びリード端子の一部を樹脂封止する外囲器とを具備するＳＩＰ型樹脂封止半導体装置において、  
前記第１・第２のリード端子間の間隔を、第１のリード端子用または第２のリード端子と第３のリード端子間の間隔より大きくしたことを特徴とするＳＩＰ型樹脂封止半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車載，家電，携帯機器等に適用可能なＳＩＰ型樹脂封止半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の如く、電気製品に使用される半導体として、ＴＯ−２２０系と呼ばれるパッケージが知られている。このパッケージは、リード端子が２．５４ｍｍ（０．１インチ）幅の世界標準のパッケージだが、１００Ｖ以上の高電圧が印加される端子については、各社共端子間の短絡を防止するため５ｍｍ程度の間隔を取ることを社内基準で設けていることが、一般的である。従って、ＴＯ−２２０系パッケージの半導体では、半導体をプリント基板等に実装する前にリードの間隔を広げるフォーミング対応がしばしば必要になる。
【０００３】
ところで、このリードフォーミングは、各社の実装形態にあわせなければならないことから、場合によっては１０種類以上ものフォーミング金型が必要になる。また、通常別工程で行われることでの加工費及び生産上のリードタイムが余計にかかるなどの問題が伴っていた。
【０００４】
また、昨今の電気製品の薄型化トレンドを受け、半導体製品にも基板実装時の高さを低くしたいという要求がある。しかし、上述したようにリードフォーミングを行う場合は、リードの根本からの加工ができないため、顧客の希望レベルまで低くできないケースがあった。
【０００５】
図２（Ａ），（Ｂ）は、従来のＳＩＰ型樹脂封止半導体装置の説明図であり、図２（Ａ）は同装置の正面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の側面図である。  
図中の符番１は半導体ペレットであり、ソース，ドレイン及びゲート用の３本のリード端子２ａ，２ｂ，２ｃとコネクター（図示せず）を介して接続されている。リード端子２ａ，２ｂ，２ｃの一部、半導体ペレット1及びコネクターは、樹脂製の外囲器４により樹脂封止されている。なお、図中の符番５は、係止用のねじ穴である。こうした構成の半導体装置において、ＴＯ−２２０系パッケージの場合、リード端子２ａ，２ｂ間、及びリード端子２ｂ，２ｃ間の距離Ｌは、通常２．５４ｍｍに設定されている。しかし、上記半導体装置を顧客で使用される際には、各社の社内基準に従って例えば図３に示すように、ドレイン用のリード端子２ｂとソース用のリード端子２ａ（又はゲート用のリード端子）との距離Ｌ’が距離Ｌより大きくなるようにリード端子２ｂの根本から折り曲げて距離を稼ぐフォーミング加工することが必要である。
【０００６】
従来、ＳＩＰ型半導体装置としては、特許文献１、あるいは非特許文献１に示すような種々のタイプが知られている。
【特許文献１】特開２００４−３９８０１号公報
【非特許文献１】「カラー版  図解半導体ガイド」，ｐ.７９，昭和５６年５月２５日発光，（株）誠文堂新光社発行
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこうした事情を考慮してなされたもので、ソース，ドレイン用リード端子間の間隔を、ソース用またはドレイン用リード端子とゲート用リード端子間の間隔より大きくした構成にすることにより、基板に実装する前のリードフォーミングを不要とし、もって製品の製造時間の短縮及びコスト低減をなし得るＳＩＰ型樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るＳＩＰ型樹脂封止半導体装置は、１つ以上の半導体ペレットと、第１・第２のリード端子及びゲート用の第３のリード端子と、前記半導体ペレットとリード端子を電気的に接続する接続部材と、前記半導体ペレット，接続部材及びリード端子の一部を樹脂封止する外囲器とを具備するＳＩＰ型樹脂封止半導体装置において、前記第１・第２のリード端子間の間隔を、第１のリード端子用または第２のリード端子と第３のリード端子間の間隔より大きくしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、基板に実装する前のリードフォーミングを不要とし、もって製品の製造時間の短縮及びコスト低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明のＳＩＰ型樹脂封止半導体装置について更に詳しく説明する。  
本発明においては、上述したように、第１・第２のリード端子間の間隔Ｌ１を、第１のリード端子用または第２のリード端子と第３のリード端子間の間隔Ｌ２より大きく設定している。ここで、間隔Ｌ１と間隔Ｌ２との具体的な関係は、使用する半導体装置のタイプにより異なるが、例えばＭＯＳ型トランジスタにおいてはソース用リード端子（又はドレイン用リード端子）が挿着されるプリント基板の電極とゲート用リード端子が挿着されるプリント基板の電極間で短絡が生じないような距離を維持することが好ましい。具体的には、おおよそ間隔Ｌ１は間隔Ｌ２の２倍以上の関係にあることが好ましい。
【００１１】
次に、本発明の一実施形態に係るＭＯＳ型トランジスタ（ＳＩＰ型樹脂封止半導体装置）について図１（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。ここで、図１（Ａ）は同半導体装置の正面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の側面図を示す。
【００１２】
図中の符番１１は半導体ペレットであり、ドレイン，ソース及びゲート用の３本のリード端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃと接続部材としてのコネクター（図示せず）を介して接続されている。なお、接続部材としては、コネクターの代わりにボンディングワイヤでもよい。リード端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃの一部、半導体ペレット１１及びコネクターは、樹脂製の外囲器１４により樹脂封止されている。なお、図中の符番１５は、係止用のネジ穴である。図１（Ａ）において、Ｌ１はソース用のリード端子１２ｂとドレイン用のリード端子１２ａ間の間隔で約５．０８ｍｍ、Ｌ２はソース用のリード端子１２ｂとゲート用のリード端子１２ｃ間の間隔で約２．５４ｍｍである。
【００１３】
こうした構成のＳＩＰ型樹脂封止半導体装置においては、ドレイン用のリード端子１２ａとソース用のリード端子１２ｂ間の間隔Ｌ１を、ソース用のリード端子１２ｂとゲート用のリード端子１２ｃ間の間隔Ｌ２の２倍以上とした構成であるので、従来のように基板に実装する前のリードフォーミングが不要にできる。従って、製品のリードタイムを短縮し、コスト低減を図ることができる。また、リードフォーミングが不要なため、顧客から要求される半導体の実装高さ低減についても有利である。
【００１４】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。具体的には、上記実施形態では、間隔Ｌ１を間隔Ｌ２の２倍としたが、これに限定されず、様々な間隔にすることができる。また、上記実施形態では、ソース，ドレイン用リード端子間の間隔をソース用リード端子とゲート用リード端子間の間隔より大きくした場合について述べたが、ソース，ドレイン用リード端子間の間隔をドレイン用リード端子とゲート用リード端子間の間隔より大きくする場合でもよい。更に、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更には、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。更に述べれば、上記実施形態ではＳＩＰ型樹脂封止半導体装置がＭＯＳトランジスタである場合について述べたが、これに限らず、トライアック等高電圧が印加されるデバイスでも同様のことがいえる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施例に係るＳＩＰ型樹脂封止半導体装置の説明図。
【図２】従来のＳＩＰ型樹脂封止型半導体装置の説明図。
【図３】図２の半導体装置をフォーミング加工した後の説明図。
【符号の説明】
【００１６】
１１…半導体チップ、１２ａ…ドレイン用リード端子、１２ｂ…ソース用リード端子、１２ｃ…ゲート用リード端子、１４…外囲器、１５…ネジ穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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