(57)【要約】【課題】座標入力装置において接触抵抗を低減し、入力感度の低下や入力時間遅れの発生を抑制する。【解決手段】座標入力装置は、第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、を備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取るものであって、少なくとも前記第１の抵抗膜は透明有機導電膜を含み、前記透明有機導電膜は、膜中に、Ｉｎよりなる金属粒子を、１重量％以上で３０重量％未満の割合で含むことを特徴とする。【選択図】図５Ｃ
2010170331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、
第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、
を備え、
前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置であって、
少なくとも前記第１の抵抗膜は透明有機導電膜を含み、
前記透明有機導電膜は、膜中に、Ｉｎよりなる金属粒子を、１重量％以上で３０重量％未満の割合で含むことを特徴とする座標入力装置。
【請求項２】
前記金属粒子は、平均粒径が２０ｎｍのＩｎのナノ粒子であることを特徴とする請求項１記載の座標入力装置。
【請求項３】
前記透明有機導電膜は、前記Ｉｎよりなる金属粒子の他に、Ｎａ，Ｍｇ，Ｋ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｈｇ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｐｄよりなる群から選ばれる一または複数の金属ナノ粒子を含むことを特徴とする請求項１または２記載の座標入力装置。
【請求項４】
前記透明有機導電膜は、ポリチオフェンまたはチオフェン誘導体よりなることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の座標入力装置。
【請求項５】
前記第２の抵抗膜は、インジウム・スズ酸化物よりなることを特徴とする請求項４記載の座標入力装置。
【請求項６】
第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、を備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置の製造方法であって、
前記第１および第２の抵抗膜の少なくとも一方は透明有機導電材料よりなる透明有機導電膜よりなり、前記透明有機導電膜は、前記透明有機導電材料の原料を溶解した溶媒中に、さらにインジウム・スズ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３・ＳｎＯ２）を溶解させた塗布液の塗布により形成され、
前記塗布液中における前記インジウム・スズ酸化物の添加量は、前記塗布液中における前記透明有機導電膜の固形分濃度に対し、Ｉｎイオン換算で、１重量％以上で３０重量％未満に設定されることを特徴とする座標入力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に座標入力装置に係り、特に抵抗膜を有する座標入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯型情報機器の普及および進展に伴い、電子手帳やＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、さらに携帯電話、ＰＨＳ、電卓、時計、ＧＰＳ（Global Positioning System, 全地球位置情報システム）などの携帯型あるいは移動式情報処理装置において、また銀行ＡＴＭシステムや自動販売機、ＰＯＳ（Point Of Sales）システムなど、固定式情報処理装置においても、データ入力を、画面をペンないし指で押圧することにより行う座標入力装置の、マン−マシンインターフェースへの採用が拡がっている。
【０００３】
これらの高機能情報処理装置では、半導体技術の進歩により、装置の小型化および多機能化が進んでおり、特に、携帯電話やＰＤＡ、ノートパソコンなどの携帯情報端末では、その入力装置または表示装置の、筐体中に占める割合が増加している。
【０００４】
このような座標入力装置として、第１の方向に対向する電極対を形成した第１の抵抗膜と、前記第１の方向に直交する第２の方向に対向する電極対を形成した第２の抵抗膜とを微少距離だけ離間して配設し、前記第１の抵抗膜と第２の抵抗膜を、入力面上の一点においてペンなどの押圧ツール、あるいは指などで押圧して接触させ、かかる接触点のＸ座標およびＹ座標を、前記第１の抵抗膜の抵抗値、および前記第２の抵抗膜の抵抗値を測定することで算出する構成の座標入力装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１０９９９８号公報
【特許文献２】特開２００７−１７２９８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような抵抗膜を有する座標入力装置では、特に一方の抵抗膜に有機導電膜を使い他方の抵抗膜に、これとは異なる透明導電膜を使った場合、異導電体接触による接触抵抗の増大が発生し、入力感度の低下や、座標入力時間の遅れなどが発生しやすい。また前記第１および第２の抵抗膜の双方に有機導電膜を使った場合には、有機導電膜の抵抗値が高いため、やはり接触抵抗が増大する問題が発生する。
【０００７】
このような接触抵抗に起因する座標入力装置の動作信頼性を確保し、読み取り精度を向上させるには、前記第１および第２の抵抗体の接触部に、ある程度の電流、より具体的には２ｍＡ／ｍｍ2以上の電流密度の電流を、ある程度の時間、連続して流す必要がある。しかし、連続的な接触を繰り返していると、特に抵抗膜として有機導電体を使った場合、有機導電体が焼き切れてしまう問題が発生しやすい。すなわち、このような抵抗膜を使った座標入力装置では、入力面がペンなどの押圧ツールで押圧され前記第１の抵抗膜と第２の抵抗膜との間に電流が流れる際、前記第１の抵抗膜と第２の抵抗膜との接触面積が、押圧の開始時点では非常に小さいため、電流密度が非常に大きくなり、特に前記第１あるいは第２の抵抗膜の少なくとも一方に電圧耐性の低い有機導電膜を使っている場合には、前記有機導電膜が焼き切れる問題が発生しやすい。また、このような押圧の開始時点では、前記第１の抵抗膜と第２の抵抗膜との接触の瞬間に大きな過渡電圧が発生し、抵抗膜の損傷が発生しやすい。
【０００８】
この問題を解決するため、特許文献１では有機導電膜全体に印加される電圧を５V以下、好ましくは１V以下に制限することを提案している。しかし、この方法は、大きな面積の座標入力装置の場合、大きな電圧を印加することが必要となるため、適用が困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一の側面によれば座標入力装置は、第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、を備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取るものであり、少なくとも前記第１の抵抗膜は透明有機導電膜を含み、前記透明有機導電膜は、膜中に、Ｉｎよりなる金属粒子を１重量％以上で３０重量％未満の割合で含むことを特徴とする。
【００１０】
他の側面によれば、第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、を備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置の製造方法であって、前記第１および第２の抵抗膜の少なくとも一方は透明有機導電材料よりなる透明有機導電膜よりなり、前記透明有機導電膜は、前記透明有機導電材料の原料を溶解した溶媒中に、さらにインジウム・スズ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３・ＳｎＯ２）を溶解させた塗布液の塗布により形成され、前記塗布液中における前記インジウム・スズ酸化物の添加量は、前記塗布液中における前記透明有機導電膜の固形分濃度に対し、Ｉｎイオン換算で、１重量％以上で３０重量％未満に設定されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
前記透明有機導電膜が、膜中に、１重量％以上で３０重量％未満の割合で、Ｉｎよりなる金属粒子を含むことにより、前記座標入力装置においては前記押圧点における前記第１の抵抗膜と前記第２の抵抗膜との接触抵抗を１５０Ω／ｃｍ2以下に抑制することができ、前記押圧点において前記第１の抵抗膜と前記第２の抵抗膜の間を流れる電流の電流密度を２ｍＡ／ｍｍ2以上に増加させることができる。その結果、座標入力装置において座標読み取り電圧として従来よりも高い電圧を使うことが可能となり、座標入力装置をより大面積に構成することができ、前記第１および第２の抵抗膜の少なくとも一方に有機導電膜を使った場合であっても、入力感度の低下や入力時間遅れの発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による座標入力装置の構成を示す分解斜視図である。
【図２】図１の座標入力装置の動作を説明する図である。
【図３】図１の座標入力装置の動作を説明する図である。
【図４】図１の座標入力装置の全体構成を示す図である。
【図５Ａ】図１の座標入力装置の製造方法を説明する図（その１）である。
【図５Ｂ】図１の座標入力装置の製造方法を説明する図（その２）である。
【図５Ｃ】図１の座標入力装置の製造方法を説明する図（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、座標入力装置４０の構成を示す。
【００１４】
図１を参照するに、座標入力装置４０は、上面にＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3・ＳｎＯ2：インジウム・スズ酸化物）よりなる透明導電膜３２を担持したガラス基板２１と、前記ガラス基板２１にスペーサ部材２３を介して対向して形成され、前記ガラス基板２１に面する側に透明有機導電膜４２を担持した例えばポリエチレンテレフタレート系の透明樹脂基板２２とより構成され、前記透明有機導電膜４２と透明導電膜３２とは、前記スペーサ部材２３により、例えば７００μｍ程度の間隔を隔てて配設されている。
【００１５】
さらに前記透明導電膜３２の、Ｙ軸方向に対向する一対の縁部には、Ｘ軸方向に連続的に延在する電極パターン３３Ａ，３４Ａが形成され、前記電極パターン３３Ａは前記ガラス基板２１上の配線パターン３３により、前記ガラス基板２１上の端子部３３Ｔ，３３Ｓに引き出される。同様に、前記電極パターン３４Ａは前記ガラス基板２１上の配線パターン３４により、前記ガラス基板２１上の端子部３４Ｔ，３４Ｓに引き出される。
【００１６】
また前記透明有機導電膜４２の、Ｘ軸方向に対向する一対の縁部には、Ｙ軸方向に連続的に延在する電極パターン４３Ａ，４４Ａが形成され、前記電極パターン４３Ａは前記透明樹脂基板２２上の配線パターン４３により、前記樹脂基板２２上の端子部４３Ｔおよび４３Ｓに引き出される。同様に、前記電極パターン４４Ａは前記透明樹脂基板２１上の配線パターン４４により、前記ガラス基板２１上の端子部４４Ｔおよび４４Ｓに引き出される。
【００１７】
さらに前記ガラス基板２１上には、前記透明樹脂基板２２上の端子部４３Ｔ，４３Ｓにコンタクトする配線パターン３５および３８が形成されており、前記配線パターン３５および３８は、前記透明樹脂基板４２上の電極パターン４３Ａを、それぞれ前記ガラス基板２１上の端子部３５Ｔ，３８Ｔへと、引き出す。同様に前記ガラス基板２１上には、前記透明樹脂基板２２上の端子部４４Ｔ，４４Ｓにコンタクトする配線パターン３６，３７が形成されており、前記配線パターン３６，３７は、前記透明樹脂基板４２上の電極パターン４４Ａを、それぞれ前記ガラス基板２１上の端子部３６Ｔ，３７Ｔへと引き出す。
【００１８】
本実施形態では、前記基板２１，２２は、従来の典型的なサイズである１３４ｍｍ×７９ｍｍよりも大きい、２１４ｍｍ×２８５ｍｍのサイズを有している。
【００１９】
図２，３は、図１の座標入力装置４０の動作を示す図である。
【００２０】
図２を参照するに、前記透明樹脂基板２２の表面が、ある押圧点（Ｘ１，Ｙ１）においてスタイラスペン４０Ｐにより押圧され、これにより前記透明樹脂基板２２に担持されている透明有機導電膜４２が、前記ガラス基板２１に担持されているＩＴＯ膜３２に前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）においてコンタクトする。
【００２１】
そこで図２の状態では、前記電極４３Ａおよび４４Ａの一方、図２Ａの例では電極４３Ａに電源電圧Ｖｃｃを供給し、他方を接地して、前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）において抵抗分割（ＲＸ１，ＲＸ２）により生じる電圧降下を、前記透明有機導電膜４２に前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）においてコンタクトするＩＴＯ膜３２の電位Ｖｓｘを測定することにより求める。これにより、前記押圧点のＸ座標が求められる。
【００２２】
次に図３の状態において、前記電極３３Ａおよび３４Ａの一方、図２Ｂの例では電極３３Ａに電源電圧Ｖｃｃを供給し、他方を接地して、前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）において抵抗分割（ＲＹ１，ＲＹＸ２）により生じる電圧降下を、前記透明有機導電膜４２に前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）においてコンタクトする透明有機導電膜４２の電位Ｖｓｙを測定することにより求める。これにより、前記押圧点のＹ座標が求められる。
【００２３】
図４は、駆動回路５１、Ａ／Ｄ変換器５２および制御／処理装置（ＣＰＵ）５３までも含めた、前記座標入力装置４０の全体構成を示す図である。
【００２４】
前記駆動回路５１は、前記図２の状態において、前記ＣＰＵ５３の制御の下、前記電極パターン４３Ａと４４Ａに、それぞれ前記端子４３Ｔおよび４４Ｔを介して座標読み取り電圧を印加し、また前記図３の状態において、前記ＣＰＵ５３の制御の下、前記電極パターン３３Ａと３４Ａに、それぞれ端子３３Ｔおよび３４Ｔを介して座標読み取り電圧を印加する。
【００２５】
前記Ａ／Ｄ変換器５２は、前記図２の状態においては前記端子３３Ｓ，３３Ｔ，３４Ｓ，３４Ｔに現れる電圧をＡ／Ｄ変換して前記ＣＰＵ５３に送り、また図３の状態においては前記端子４３Ｓ，４３Ｔ，４４Ｓ，４４Ｔに現れる電圧をＡ／Ｄ変換して前記ＣＰＵ５３に送る。
【００２６】
さらに前記ＣＰＵ５３は、前記Ａ／Ｄ変換器５２からの出力に基づいて、前記押圧点のＸ座標およびＹ座標を算出する。
【００２７】
さて、このような座標入力装置４０において動作信頼性を確保し、読み取り精度を向上させるには、前記ＩＴＯ膜３２と有機導電膜４２の接触部に、ある程度の電流、より具体的には２ｍＡ／ｍｍ2以上の電流密度の電流を、ある程度の、例えば０．０５秒以上の時間、連続して流す必要がある。またこのような座標入力装置４０を大きな面積で形成するためには、前記電極４３Ａと４４Ａの間に、大きな座標読み取り電圧を印加できる必要がある。このためには、前記有機導電膜４２として、前記押圧点において低い接触抵抗を実現できる膜を使う必要がある。
【００２８】
そこで本発明は前記有機導電膜４２として、前記有機導電膜４２とＩＴＯ膜３２の間の接触抵抗が１５０Ω／ｃｍ2以下となり、座標読み取り点となる対向電極の接触点に流れる電流を、抵抗膜全体に印加する電圧にかかわらず２ｍＡ以上、望ましくは２．５ｍＡ以上流せる有機導電膜を使う。
【００２９】
より具体的には本発明は、前記有機導電膜４２として、膜中に１重量％以上で３０重量％未満の割合でＩｎを含む金属粒子を含む膜を使い、これにより、接触抵抗を１５０Ω／ｃｍ2以下とし、座標読み取り点となる対向電極の接触点に流せる電流を、抵抗膜全体に印加する電圧にかかわらず２ｍＡ以上、望ましくは２．５ｍＡ以上とする。このように接触抵抗を低減し、また接触点に流せる電流を増加させることにより、本発明では前記有機導電膜４２の損傷による劣化を効果的に抑制することが可能となる。特に本発明においては前記金属粒子として、平均粒径が２０ｎｍのＩｎのナノ粒子を使うのが好ましい。
【００３０】
以下、本発明を実施例により説明する。
【実施例１】
【００３１】
実施例１では、図１の座標入力装置４０において、前記有機導電膜４２を、化学式
【化１】
2010170331.tif 000003
を有するＰＥＤＯＴ−ＰＳＳにより、前記電極４３Ａ，４４Ａ間に＋５Ｖ／−５Ｖの座標読み取り電圧をそれぞれ印加した場合の接触抵抗が１５０Ω／ｃｍ2となるように成膜した。
【００３２】
より具体的には、前記ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのチオフェン原料を、図５Ａに示すように水よりなる溶媒１に分散して塗布液（プリカーサー）を作製し、これを図５Ｂに示すように前記透明樹脂基板２２上に滴下し、ダイコーターによるウェットコーティング法により、前記有機導電膜４２としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのプリカーサー膜４２Ｐを、前記透明樹脂基板２２上において例えばウエット膜厚で２０μｍの膜厚に形成する。その際本実施例では、前記溶媒中に平均粒径が約２０ｎｍのＩｎ2Ｏ3・ＳｎＯ2（ＩＴＯ）の粒子ＭＯを、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの固形分濃度に対し４重量％、すなわちＩｎイオン換算で２８重量％の濃度で添加しておく。このようにして添加されたＩＴＯ粒子は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが強酸性（ｐＨ２）であるため溶媒１中においてＩｎ−イオンとＳｎ＋イオンに解離し、このようなプリカーサー膜を乾燥させると、膜中に、図５Ｃに示すようにＩｎのナノ粒子４２Ｍが前記５重量％の割合で分散した構造の膜が、前記有機導電膜４２として得られる。このような有機導電膜４２中におけるＩｎのナノ粒子４２Ｍの存在は、電子顕微鏡観察により確認されている。
【００３３】
このようにして形成された有機導電膜４２を担持する透明樹脂基板２２を使って前記座標入力装置４０を組み立て、前記駆動回路５１により前記電極４３Ａおよび電極４４Ａに座標読み取り電圧としてそれぞれ＋５Ｖおよび−５Ｖの電圧を印加したところ、押圧点、すなわち有機導電膜４２とＩＴＯ膜３２の接触点に２ｍＡの電流が流れることが確認された。さらに前記座標入力装置４０において直径２Ｒの面積を持つペンにより繰り返し０．１秒間連続した押圧を行い、入力できなくなる回数を測定したところ、回数は１００万回以上の連続押圧による打点入力においても安定した座標読み取りができることが確認された。
【００３４】
なお、本実施例において前記有機導電膜４２の膜厚は、乾燥状態において０．１μｍである。また前記ＩＴＯ粒子ＭＯはＩｎ2Ｏ3の割合がモル比で７０％、ＳｎＯ2の割合がモル比で３０％のものを使った。この組成は、前記ＩＴＯ膜３２を構成するＩＴＯの組成と実質的に同じである。
【実施例２】
【００３５】
前記実施例１に示す構成の座標入力装置４０において、前記有機導電膜４２を、前記有機導電膜４２とＩＴＯ膜３２の接触抵抗を１００Ω／ｃｍ2となるように成膜した。この場合、ＩＴＯ粒子ＭＯの、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの固形濃度に対する割合は２重量％、すなわちＩｎイオン換算で１４重量％となる。これ以外、実施例２の座標入力装置は前記実施例１のものと同じである。
【００３６】
このようにして作製された座標入力装置において、実施例１と同様の条件により連続押圧試験を行ったところ、前記電極４３Ａおよび電極４４Ａにそれぞれ＋５Ｖおよび−５Ｖの読み取り電圧を印加した場合の前記接触点に流れる電流は、実施例１の場合に比べてさらに増加し、２．５ｍＡとなっていることが確認された。
【００３７】
さらに直径２Ｒの面積を持つペンにより繰り返し０．１秒間連続した押圧を行い、入力できなくなる回数を測定したところ、１００万回以上の入力においても安定した座標読み取りができることが確認された。
【実施例３】
【００３８】
前記実施例１に示す構成の座標入力装置４０において、前記電極４３Ａおよび電極４４Ａにそれぞれ＋７Ｖおよび−７Ｖの読み取り電圧を印加して前記接触点の電流を測定したところ、２．５ｍＡの電流が流れていることが確認された。
【００３９】
さらに直径２Ｒの面積を持つペンにより繰り返し連続した押圧を行い、入力できなくなる回数を測定したところ、１００万回以上の入力においても安定した座標読み取りができることが確認された。
【実施例４】
【００４０】
前記実施例１に示す構成の座標入力装置４０において、前記電極４３Ａおよび電極４４Ａにそれぞれ＋３．５Ｖおよび−３．５Ｖの読み取り電圧を印加して前記接触点の電流を測定したところ、２ｍＡの電流が流れていることが確認された。
【００４１】
さらに直径２Ｒの面積を持つペンにより繰り返し０．１秒間連続した押圧を行い、入力できなくなる回数を測定したところ、１００万回以上の入力においても安定した座標読み取りができることが確認された。
（比較例１）
前記図１の座標入力装置において、前記有機導電膜４２を、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳにより、前記電極４３Ａおよび電極４４Ａに＋５Ｖおよび−５Ｖの座標読み取り電圧をそれぞれ印加した場合の接触抵抗が１８０Ω／ｃｍ2となるように成膜した。
【００４２】
本比較例でも前記ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのチオフェン原料を、図５Ａに示すように水よりなる溶媒１に分散して塗布液（プリカーサー）を作製し、これを図５Ｂに示すように前記透明樹脂基板２２上に滴下し、ダイコーターによるウェットコーティング法により、前記有機導電膜４２としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのプリカーサー膜４２Ｐを、前記透明樹脂基板２２上において同様に２０μｍの膜厚に形成するが、本比較例では、前記溶媒中に平均粒径が約２０ｎｍのＮａＣｌ粒子を前記粒子ＭＯとして、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの固形分濃度に対し３０重量％、すなわちＮａイオン換算で３０重量％の濃度で添加している。このようにして添加されたＮａＣｌ粒子は前記溶媒中においてＮａ＋イオンとＣｌ−イオンに解離し、このようなプリカーサー膜を乾燥させると、膜中にＮａのナノ粒子が前記３０重量％の割合で分散した構造の膜が、前記有機導電膜４２として得られる。
【００４３】
このようにして形成されたＮａのナノ粒子を含む有機導電膜４２を担持する透明樹脂基板２２を使って前記座標入力装置４０を組み立て、前記駆動回路５１により座標読み取り電圧として前記電極４３Ａおよび電極４４Ａにそれぞれ＋５Ｖおよび−５Ｖの電圧を印加したところ、押圧点、すなわち有機導電膜４２とＩＴＯ膜３２の接触点には２ｍＡの電流が流れることいが確認されたが、直径２Ｒの面積を持つペンにより繰り返し０．１秒間連続した押圧を行い、入力できなくなる回数を測定したところ、１０万回の押圧により、座標読み取りができなくなることが確認された。先にも述べたように、このようにして形成した有機導電膜４２を使った場合、押圧点の接触抵抗は１８０Ω／ｃｍ2となっている。
（比較例２）
前記図１の座標入力装置において、前記有機導電膜４２を、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳにより、前記電極４３Ａおよび電極４４Ａに＋５Ｖおよび−５Ｖの座標読み取り電圧をそれぞれ印加した場合の接触抵抗が１８０Ω／ｃｍ2となるように成膜した。
【００４４】
より具体的には、本比較例でも前記ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのチオフェン原料を、図５Ａに示すように水よりなる溶媒１に分散して塗布液（プリカーサー）を作製し、これを図５Ｂに示すように前記透明樹脂基板２２上に滴下し、ダイコーターによるウェットコーティング法により、前記有機導電膜４２としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのプリカーサー膜４２Ｐを、前記透明樹脂基板２２上において２０μｍの膜厚に形成するが、本比較例では、前記溶媒中に平均粒径が約２０μｍのみょうばん粒子を前記粒子ＭＯとして、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの固形分濃度に対し１５重量％、Ａｌイオン換算で３０重量％の濃度で添加している。このようにして添加されたみょうばん粒子は前記溶媒中においてＡｌ＋イオンとＯＨ−イオンに解離し、このようなプリカーサー膜を乾燥させると、膜中にＡｌのナノ粒子が前記5重量％の割合で分散した構造の膜が、前記有機導電膜４２として得られる。
【００４５】
このようにして形成されたＡｌのナノ粒子を含む有機導電膜４２を担持する透明樹脂基板２２を使って前記座標入力装置４０を組み立て、前記駆動回路５１により座標読み取り電圧として前記電極４３Ａおよび電極４４Ａにそれぞれ＋５Ｖおよび−５Ｖの電圧を印加したところ、前記押圧点、すなわち前記有機導電膜４２とＩＴＯ膜３２の接触点に１．５ｍＡの電流が流れることが確認された。さらに直径２Ｒの面積を持つペンによりくりかえし０．１秒間連続した押圧を行い、入力できなくなる回数を測定したところ、５万回の連続押圧により、すでに座標読み取りができなくなることが確認された。先にも述べたように、このようにして形成した有機導電膜４２を使った場合、押圧点の接触抵抗は１８０Ω／ｃｍ2となっている。このように、Ｉｎのナノ粒子の代わりにＮａやＡｌなど他の金属ナノ粒子を使った場合には、押圧点の接触抵抗が増大してしまい、有機導電膜４２が損傷する危険が増大する。
【００４６】
なお本実施形態において、前記溶媒１に添加されるＩＴＯ粒子ＭＯの割合を１重量％未満まで減らすと、接触抵抗が１５０Ω／ｃｍ2を超えて増大してしまい、また流れる電流も前記＋５Ｖおよび−５Ｖの読み取り電圧を印加した場合に２ｍＡより小さくなってしまい、安定な読み出し動作ができなくなる。一方、前記溶媒１に添加されるＩＴＯ粒子のＳｎ＋の割合がＳｎイオン換算で３０重量％を超えて増大させると、ＩＴＯから解離したＳｎ＋が溶媒１中においてスルホン酸と結合してＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのゲル化を引き起こし、有機導電膜４２の導電性が変化してしまう。このため、前記透明有機導電膜はＩｎよりなる金属粒子４２Ｍを、１重量％以上で３０重量％未満の割合で含むのが好ましい。
【００４７】
また前記ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのゲル化を抑制する観点からは、前記ＩＴＯ粒子ＭＯとして、通常のものよりもＳｎＯ2成分の割合の少ない、例えばＳｎＯ2成分のモル比が１０％以下のものを使うことが好ましい。また前記ＩＴＯ粒子ＭＯとして、ＳｎＯ2成分を含まないＩｎ2Ｏ3を使うことも可能である。
【００４８】
さて、このように本発明では前記金属粒子はＩｎのナノ粒子を含むが、前記透明有機導電膜４２はこの他に、Ｎａ，Ｍｇ，Ｋ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｈｇ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｐｄよりなる群から選ばれる一または複数の金属ナノ粒子を含んでいてもよい。
【００４９】
また以上の説明では、前記透明導電膜４２としてポリチオフェンであるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを使った例を説明したが、本実施形態による座標入力装置４０では、前記透明有機導電膜４２として、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンおよびこれらの誘導体ポリマに代表される、チオフェン系、あるいはポリアニリン系、あるいはポリピロール系などの有機導電性ポリマを用いることが可能である。一方、本実施形態では前記透明有機導電膜４２に対向する透明導電膜３２としてＩＴＯなどの無機系透明導電体を使っているが、他にＺｎＯなど、他の無機透明導電体を使うことも可能であり、さらに前記透明導電膜３２を、前記透明有機導電膜４２と同様な有機導電性ポリマにより形成することも可能である。
【００５０】
また前記図５Ａの工程で使われる溶媒１は、水に限定されるものではなく、エチルアルコールやエチレングリコールなど、一般的な水系溶媒を使うことも可能である。さらに前記図５Ａの工程で使われる粒子ＭＯはＩＴＯに限定されるものではなく、Ｉｎを含む他の無機化合物、例えばＩｎ2Ｏ3・ＺｎＯなどを使うことも可能である。
【００５１】
さらに前記透明有機導電膜４２にフッ素系添加剤を添加することにより、前記透明有機導電膜４２に撥水性を付与し、耐湿性を向上させることが可能である。前記透明有機導電膜４２に添加するフッ素系添加剤としては、四フッ化エチレン、およびポリテトラフルオロエチレン，テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体，テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体，テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体，ポリビニリデンフルオライド，ポリクロロトリフルオロエチレン，クロロトリフルオエチレン・エチレン共重合体，フルオロカーボン，パーフルオロブチルスルホン酸塩，パーフルオロアルキル基含有カルボン酸塩，パーフルオロアルキル基含有リン酸エステルよりなる群から選ばれる一または複数の化合物よりなるフッ素樹脂、およびパーフルオロアルキル基および親水性基および／または親油性基を含有したフッ素系ディスパージョン、およびトリフロロプロピルトリクロロシランおよびリフルオロプロピルトリメトキシシランのいずれかのシリル化剤、とよりなる群から選ばれる一または複数の化合物を、単体で、もしくは複数混合して使用することが可能である。
【００５２】
さらに、上記においてシランカップリング剤を併用しても良く、さらにこれに低分子量エポキシ樹脂あるいは低分子量アクリル樹脂を併用することも可能である。
【００５３】
前記透明有機導電膜４２の成膜方法は、先の実施例ではダイコーターを使った例を説明したが、これに限定されるものではなく、ブレードコーター、グラビアコーター、ディップコーター等を使った塗布法により実行することができる。
【００５４】
また前記透明樹脂基板２２としては、ポリエチレンテレフタレート系樹脂以外にも、ポリカーボネート系樹脂やノルボルネン系樹脂、あるいはポリシリコンメタクリル酸メチル系樹脂、さらにガラスを使うことも可能である。
【００５５】
さらに前記透明樹脂基板２２として、紫外線遮断機能を有する樹脂を使うことも可能である。
【００５６】
さらに前記透明有機導電膜４２に、必要に応じて、前記透明有機導電膜の溶媒に可溶な染料を添加することも可能である。このような染料としては、直接染料（アゾ系染料）、酸性染料（アントラキノン系、アゾ系）、塩基性染料（トリフェニルメタン系、オキサジン系、アジン系、チアジン系）反応染料、金属錯塩染料などの黄色あるいはマゼンタ色染料が挙げられる。これにより、透明有機導電膜の使用により生じる青色の着色を補償することができる。
【００５７】
本発明では前記有機導電膜４２とＩＴＯ膜３２の接触点における接触抵抗が低減されるため、従来のように駆動回路５１の発生する座標読み取り電圧の大きさを５Ｖ以内に抑制する必要はない。このため本発明では、駆動回路５１として、＋７Ｖおよび−７Ｖ、すなわち大きさで１４Ｖに達する大きな座標読み取り電圧を発生させる回路装置を使うことが可能となり、大きな面積の座標入力装置を実現することが可能となる。
【００５８】
また本発明では、前記透明導電膜３２としてＩＴＯを使った例を説明したが、前記透明導電膜３２はＩＴＯに限定されるものではなく、可視光を透過し、好ましくは５０Ω〜２０ｋΩの範囲の一定の抵抗値を有する膜であればよく、ＩＴＯのような無機透明導電膜の他に、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンに代表さえるような有機導電性ポリマを用いることができる。
【００５９】
以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６０】
２１  ガラス基板
２２  樹脂基板
２３  スペーサ
３２  透明導電膜
３３Ａ，３４Ａ，４３Ａ，４４Ａ  電極
３３〜３８，４３，４４  配線パターン
４２  透明有機導電膜
４３Ｓ，４３Ｔ，４４Ｓ，４４Ｔ  端子部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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