(57)【要約】【課題】多種類の材質の組み合わせで容易に製造できる細胞培養シートの製造方法の提供。【解決手段】支持体と、支持体上に複数の柱状部分を有し、かつ該柱状部分が被覆層を有する細胞培養シートの製造方法であって、  アルミニウム基材を陽極酸化し、細孔を有する陽極酸化膜を作成する工程、  陽極酸化膜の細孔内壁に、被覆層を形成する工程、  被覆層を形成した細孔内に、樹脂または金属を充填する工程、および  陽極酸化膜を溶解、または剥離する工程、を備える、細胞培養シートの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、支持体上に複数の柱状部分を有し、かつ該柱状部分が被覆層を有する細胞培養シートの製造方法であって、
アルミニウム基材を陽極酸化し、細孔を有する陽極酸化膜を作成する工程、
陽極酸化膜の細孔内壁に、被覆層を形成する工程、
被覆層を形成した細孔内に、樹脂または金属を充填する工程、および
陽極酸化膜を溶解、または剥離する工程、
を備える、細胞培養シートの製造方法。
【請求項２】
前記被覆層が、貴金属またはカーボンである請求項１に記載の細胞培養シートの製造方法。
【請求項３】
前記被覆層を形成する前に、陽極酸化皮膜のアルミニウムを除去し、細孔を貫通化処理する工程、および、
前記陽極酸化皮膜を溶解する前に、前記細孔の底部を被覆層と同じまたは別の先端部被覆で被覆する請求項１または２に記載の細胞培養シートの製造方法。
【請求項４】
請求項1〜３のいずれかに記載の製造方法で製造した細胞培養シート。
【請求項５】
前記被覆層が金またはカーボンで前記充填層がニッケルである請求項１または２に記載の細胞培養シートの製造方法。
【請求項６】
前記被覆層が金またはカーボンで前記充填層がポリメタクリル酸メチル樹脂である請求項１または２に記載の細胞培養シートの製造方法。
【請求項７】
前記先端部被覆が金またはカーボンである請求項３に記載の細胞培養シートの製造方法。
【請求項８】
請求項４に記載の細胞培養シートに細胞を播種し、培地を添加する細胞の培養方法。
【請求項９】
さらに、前記細胞培養シートに微弱電流を印加する請求項８に記載の細胞の培養方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、細胞培養シートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ヒト由来細胞、動物細胞または植物細胞には極めて多種類の細胞があり、その特性もそれぞれ異なっている。したがってこれらの細胞を培養し十分な量確保できれば再生医療等の分野で有用であるのはもちろん研究目的にも有用である。
【０００３】
特許文献1には、陽極酸化ポーラスアルミナの細孔に物質を充填した後、アルミナを除去することによりナノピラー構造体を作製する、ナノピラー構造体の製造方法が記載されている。またナノピラーを用いた生体関連分子の分離デバイスが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、従来技術として、転写パターンが形成されたシリコンウエハをスタンパとして用いるナノインプリント技術で、２５ｎｍ以下の微細構造の形成が可能なことが記載されている。また、各高分子セグメントの比率と溶解性の違いによって、数ｎｍ〜数十ｎｍのミクロ相分離構造を形成することができる。また、この方法で形成されたブロック共重合体の微細パターンをマスク材として用いて、基板にエッチング加工を施すことによって微細な構造を作製する方法も従来技術で報告されると記載されている。
特許文献2の発明は、予め形成した型を用いて凸部を形成し、形成された凸部内で相分離を誘起することによって、各凸部内に２種類以上の相を形成した微細構造である。そして、この微細構造体は、凸部内の各相の体積分率や分子構造、凸部の形状を変更することによって、凸部内の相の形状を、柱状、層状等に制御することができることが記載されている。
【０００５】
特許文献３には、樹脂製等の容器を加熱して軟化し、その容器に微細な凹凸パターンが形成された金型を押し付けることにより、金型の微細形状を容器に転写し、突起群を形成した細胞培養容器が記載されている。
【０００６】
特許文献４には、フラーレン、カーボンナノチューブおよびピーポットからなる群より選択される少なくとも一種の炭素ナノ材料を含有する材料で三次元細胞培養担体を構成して、ヒト由来細胞、動物細胞または植物細胞を三次元で培養する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−６２０４９号公報
【特許文献２】特開２００７−１２５６６５号公報
【特許文献３】特開２００５−１６８４９４号公報
【特許文献４】特開２００５−１３０７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
多種類の細胞培養容器や機材が知られているが、培養液が十分多数の細胞内部に到達でき、しかも培養後に細胞を剥離することが容易な細胞培養シートを簡易に製造する方法が当技術では見つかっていない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、陽極酸化皮膜中に形成出来るマイクロポアを型に用いて、マイクロポアへの被覆技術と充填技術とを用いれば、多数の１０〜２５０ｎｍの直径の柱状部分が規則的に林立し、しかも柱状部分の材質とその表面を異なる被覆層で被覆した細胞培養シートが、多種類の材質の組み合わせで容易に製造できることを見出し本発明を完成した。
【００１０】
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（９）を提供する。
（１）支持体と、支持体上に複数の柱状部分を有し、かつ該柱状部分が被覆層を有する細胞培養シートの製造方法であって、
アルミニウム基材を陽極酸化し、細孔を有する陽極酸化膜を作成する工程、
陽極酸化膜の細孔内壁に、被覆層を形成する工程、
被覆層を形成した細孔内に、樹脂または金属を充填する工程、および
陽極酸化膜を溶解、または剥離する工程、
を備える、細胞培養シートの製造方法。
（２）前記被覆層が、貴金属またはカーボンである（１）に記載の細胞培養シートの製造方法。
（３）前記被覆層を形成する前に、陽極酸化皮膜のアルミニウムを除去し、細孔を貫通化処理する工程、および、
陽極酸化皮膜を溶解する前に、前記細孔の底部を被覆層と同じまたは別の先端部被覆で被覆する（１）または（２）に記載の細胞培養シートの製造方法。
（４）上記（１）〜（３）のいずれかに記載の製造方法で製造した細胞培養シート。
（５）前記被覆層が金またはカーボンで前記充填層がニッケルである（１）または（２）に記載の細胞培養シートの製造方法。
（６）前記被覆層が金またはカーボンで前記充填層がポリメタクリル酸メチル樹脂である（１）または（２）に記載の細胞培養シートの製造方法。
（７）前記先端部被覆が金またはカーボンである（３）に記載の細胞培養シートの製造方法。
（８）上記（４）に記載の細胞培養シートを血清処理し、細胞を播種し、培地を添加する細胞の培養方法。
（９）さらに、前記細胞培養シートに微弱電流を印加する（８）に記載の細胞の培養方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の製造方法を用いれば、多数の１０〜２５０ｎｍの径の柱状部分が規則的に林立し、しかも柱状部分の材質とその表面を異なる被覆層で被覆した細胞培養シートを簡易な工程で製造できる。また、細胞培養シートの柱状部分を広範囲の所望のサイズで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（Ａ），（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の細胞培養シートの製造方法のうち、アルミニウム基板および陽極酸化皮膜を剥離または溶解する前の状態を示す断面図である。図１（Ａ）は樹脂充填、被覆ありの態様を示し、図１（Ｂ）は金属充填、被覆ありの態様を示し、図１（Ｃ）は、アルミニウム板材除去後に先端部被覆を形成した態様を示す。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の細胞培養シートの異なった態様を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜本発明の細胞培養シートの製造方法＞
本発明の細胞培養シートの製造方法は、少なくとも、
（１）アルミニウム基材を陽極酸化し、細孔（マイクロポア）を有するアルミナ皮膜を形成する陽極酸化処理工程、
（２）前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化により生じた細孔の内壁に被覆層を形成する工程、
（３）被覆層を形成した細孔内に、樹脂、または金属を充填する工程、および
（４）陽極酸化皮膜を溶解または剥離する工程を備える。
【００１４】
また、本発明の別の態様の製造方法は、少なくとも、
（１）アルミニウム基材を陽極酸化し、細孔（マイクロポア）を有するアルミナ皮膜を形成する陽極酸化処理工程、
・陽極酸化皮膜のアルミニウムを除去し、細孔を貫通化処理する工程、
（２）前記陽極酸化により生じた細孔の内壁に被覆層を形成する工程、
（３）被覆層を形成した細孔内に、樹脂、または金属を充填する工程、
・細孔底部を被覆層と同じまたは別の先端部被覆で被覆する工程、および
（４）陽極酸化皮膜を溶解または剥離する工程を備える。
【００１５】
［アルミニウム基材］
本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基材は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム材；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金材；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基材；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基材；アルミニウムをラミネートした樹脂基材；等が挙げられる。基材の形状はブロックや異型材であってもよく限定されないが、陽極酸化後溶解または剥離されるので板材が不要な部分が少なく好適である。以下ではアルミニウム板の場合で説明する。
【００１６】
本発明の製造方法においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理工程により陽極酸化皮膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、９５．０質量％以上であるのが好ましく、９９．５質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポアの配列の規則性が向上するので好ましい。
【００１７】
また、本発明の製造方法においては、アルミニウム基板のうち後述する陽極酸化処理工程を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
【００１８】
＜熱処理＞
熱処理を施す場合は、２００〜３５０℃で３０秒〜２分程度施すのが好ましい。これにより、後述する陽極酸化処理工程により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法が挙げられる。
【００１９】
＜脱脂処理＞
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
【００２０】
脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０〜２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５〜２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０〜２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０〜５０℃でアルミニウム基板表面に１５〜６０秒間接触させ、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。
【００２１】
これらのうち、アルミニウム表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。
【００２２】
また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
【００２３】
＜鏡面仕上げ処理＞
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸をなくして、電着法等による粒子形成処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。アルミニウム基板の表面の凹凸としては、例えば、アルミニウム基板が圧延を経て製造されたものである場合における、圧延時に発生した圧延筋が挙げられる。
本発明において、鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
【００２４】
機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤（例えば、ダイヤ、アルミナ）とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、＃１５００のものが好ましい。これにより、光沢度を５０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに５０％以上）とすることができる。
【００２５】
化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法等が挙げられる。
また、リン酸−硝酸法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｉ法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｖ法、Ａｌｃｏａ  Ｒ５法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好適に例示される。中でも、リン酸−硝酸法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好ましい。
化学研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
【００２６】
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２−３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
電解研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
【００２７】
これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。
【００２８】
鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さＲa、０．１μｍ以下、光沢度５０％以上の表面を得ることができる。平均表面粗さＲaは、０．０３μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以下であるのがより好ましい。また、光沢度は７０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましい。
なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、ＪＩＳ  Ｚ８７４１−１９９７の「方法３  ６０度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計（例えば、ＶＧ−１Ｄ、日本電色工業社製）を用いて、正反射率７０％以下の場合には入反射角度６０度で、正反射率７０％を超える場合には入反射角度２０度で、測定する。
【００２９】
［（１）陽極酸化処理工程］
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板に陽極酸化処理を施すことにより、該アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する酸化皮膜を形成する工程である。
本発明においては、陽極酸化処理として従来公知の方法を用いることができるが、上記絶縁性基材が、上記式（ｉ）により定義される規則化度に優れた、好ましくは、該規則化度が７０％以上となるように配列するマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜であるため、後述する自己規則化法を用いるのが好ましい。
また、陽極酸化処理は定電圧処理として実施することが好ましい。
【００３０】
自己規則化法は、陽極酸化皮膜のマイクロポアが規則的に配列する性質を利用し、規則的な配列をかく乱する要因を取り除くことで、規則性を向上させる方法である。具体的には、高純度のアルミニウムを使用し、電解液の種類に応じた電圧で、長時間（例えば、数時間から十数時間）かけて、低速で陽極酸化皮膜を形成させる。
この方法においては、ポア径は電圧に依存するので、電圧を制御することにより、ある程度所望のポア径を得ることができる。
【００３１】
自己規則化法によりマイクロポアを形成するには、少なくとも後述する陽極酸化処理（Ａ）を施せばよいが、後述する自己規則化方法Ｉまたは自己規則化方法ＩＩにより形成するのが好ましい。
次に、好適態様である自己規則化方法Ｉおよび自己規則化方法ＩＩについて詳述する。
【００３２】
［（１−ａ）自己規則化方法Ｉ］
自己規則化方法Ｉでは、陽極酸化処理（陽極酸化処理（Ａ））を施した後、陽極酸化皮膜を溶解する酸またはアルカリを用いて、前記陽極酸化皮膜を完全に溶解（脱膜処理（Ｂ））した後に、再度陽極酸化（再陽極酸化処理（Ｃ））を施す。
次に、自己規則化方法Ｉの各処理について詳述する。
【００３３】
＜陽極酸化処理（Ａ）＞
陽極酸化処理（Ａ）における電解液の平均流速は、０．５〜２０．０ｍ／ｍｉｎであるのが好ましく、１．０〜１５．０ｍ／ｍｉｎであるのがより好ましく、２．０〜１０．０ｍ／ｍｉｎであるのが更に好ましい。上記範囲の流速で陽極酸化処理（Ａ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため好ましい。このようなかくはん装置としては、例えば、「マグネティックスターラーＨＳ−５０Ｄ（ＡＳ  ＯＮＥ製）」等が挙げられる。
【００３４】
陽極酸化処理（Ａ）は、例えば、酸濃度１〜１０質量％の溶液中で、アルミニウム基板を陽極として通電する方法を用いることができる。
陽極酸化処理（Ａ）に用いられる溶液としては、酸溶液であることが好ましく、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３５】
陽極酸化処理（Ａ）の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度０．１〜２０質量％、液温−１０〜３０℃、電流密度０．０１〜２０Ａ／ｄｍ2、電圧３〜３００Ｖ、電解時間０．５〜３０時間であるのが好ましく、電解液濃度０．５〜１５質量％、液温−５〜２５℃、電流密度０．０５〜１５Ａ／ｄｍ2、電圧５〜２５０Ｖ、電解時間１〜２５時間であるのがより好ましく、電解液濃度１〜１０質量％、液温０〜２０℃、電流密度０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、電圧１０〜２００Ｖ、電解時間２〜２０時間であるのが更に好ましい。
【００３６】
陽極酸化処理（Ａ）の処理時間は、０．５分〜１６時間であるのが好ましく、１分〜１２時間であるのがより好ましく、２分〜８時間であるのが更に好ましい。
【００３７】
陽極酸化処理（Ａ）は、一定電圧下で行う以外に、電圧を断続的または連続的に変化させる方法も用いることができる。この場合は電圧を順次低くしていくのが好ましい。これにより、陽極酸化皮膜の抵抗を下げることが可能になり、陽極酸化皮膜に微細なマイクロポアが生成するため、特に電着処理により封孔処理する際に、均一性が向上する点で、好ましい。
【００３８】
本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理（Ａ）により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、１〜３００μｍであるのが好ましく、５〜１５０μｍであるのがより好ましく、１０〜１００μｍであるのが更に好ましい。
【００３９】
また、本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理（Ａ）により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアの平均ポア密度は２００万個／ｍｍ2以上であるのが好ましい。
また、マイクロポアの占める面積率は、３〜５０％であるのが好ましい。
ここで、マイクロポアの占める面積率は、アルミニウム表面の面積に対するマイクロポアの開口部の面積の合計の割合で定義される。
【００４０】
＜脱膜処理（Ｂ）＞
脱膜処理（Ｂ）は、上記陽極酸化処理（Ａ）によりアルミニウム基板表面に形成した陽極酸化皮膜を溶解させて除去する処理である。
上記陽極酸化処理（Ａ）によりアルミニウム基板表面に陽極酸化皮膜を形成した後、後述する貫通化処理工程を直ちに施してもよいが、上記陽極酸化処理（Ａ）の後、更に脱膜処理（Ｂ）および後述する再陽極酸化処理（Ｃ）をこの順で施した後に、後述する貫通化処理工程を施すのが好ましい。
【００４１】
陽極酸化皮膜は、アルミニウム基板に近くなるほど規則性が高くなっているので、この脱膜処理（Ｂ）により、一度陽極酸化皮膜を除去して、アルミニウム基板の表面に残存した陽極酸化皮膜の底部分を表面に露出させて、規則的な窪みを得ることができる。したがって、脱膜処理（Ｂ）では、アルミニウムは溶解させず、アルミナ（酸化アルミニウム）からなる陽極酸化皮膜のみを溶解させる。
【００４２】
アルミナ溶解液は、従来公知のものを限定せずに使用できるが、クロム化合物、硝酸、リン酸、ジルコニウム系化合物、チタン系化合物、リチウム塩、セリウム塩、マグネシウム塩、ケイフッ化ナトリウム、フッ化亜鉛、マンガン化合物、モリブデン化合物、マグネシウム化合物、バリウム化合物およびハロゲン単体からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有した水溶液が好ましい。
【００４３】
具体的なクロム化合物としては、例えば、酸化クロム（ＩＩＩ）、無水クロム（ＶＩ）酸等が挙げられる。
ジルコニウム系化合物としては、例えば、フッ化ジルコンアンモニウム、フッ化ジルコニウム、塩化ジルコニウムが挙げられる。
チタン化合物としては、例えば、酸化チタン、硫化チタンが挙げられる。
リチウム塩としては、例えば、フッ化リチウム、塩化リチウムが挙げられる。
セリウム塩としては、例えば、フッ化セリウム、塩化セリウムが挙げられる。
マグネシウム塩としては、例えば、硫化マグネシウムが挙げられる。
マンガン化合物としては、例えば、過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カルシウムが挙げられる。
モリブデン化合物としては、例えば、モリブデン酸ナトリウムが挙げられる。
マグネシウム化合物としては、例えば、フッ化マグネシウム・五水和物が挙げられる。
バリウム化合物としては、例えば、酸化バリウム、酢酸バリウム、炭酸バリウム、塩素酸バリウム、塩化バリウム、フッ化バリウム、ヨウ化バリウム、乳酸バリウム、シュウ酸バリウム、過塩素酸バリウム、セレン酸バリウム、亜セレン酸バリウム、ステアリン酸バリウム、亜硫酸バリウム、チタン酸バリウム、水酸化バリウム、硝酸バリウム、あるいはこれらの水和物等が挙げられる。
上記バリウム化合物の中でも、酸化バリウム、酢酸バリウム、炭酸バリウムが好ましく、酸化バリウムが特に好ましい。
ハロゲン単体としては、例えば、塩素、フッ素、臭素が挙げられる。
【００４４】
中でも、上記アルミナ溶解液が、酸を含有する水溶液であるのが好ましく、酸として、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等が挙げられ、２種以上の酸の混合物であってもよい。
酸濃度としては、０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であるのが好ましく、０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であるのがより好ましく、０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であるのが更に好ましい。上限は特にないが、一般的には１０ｍｏｌ／Ｌ以下であるのが好ましく、５ｍｏｌ／Ｌ以下であるのがより好ましい。不要に高い濃度は経済的でないし、より高いとアルミニウム基板が溶解するおそれがある。
【００４５】
アルミナ溶解液は、−１０℃以上であるのが好ましく、−５℃以上であるのがより好ましく、０℃以上であるのが更に好ましい。なお、沸騰したアルミナ溶解液を用いて処理すると、規則化の起点が破壊され、乱れるので、沸騰させないで用いるのが好ましい。
【００４６】
アルミナ溶解液は、アルミナを溶解し、アルミニウムを溶解しない。ここで、アルミナ溶解液は、アルミニウムを実質的に溶解させなければよく、わずかに溶解させるものであってもよい。
【００４７】
脱膜処理（Ｂ）は、陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板を上述したアルミナ溶解液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。
【００４８】
浸せき法は、陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板を上述したアルミナ溶解液に浸せきさせる処理である。浸せき処理の際にかくはんを行うと、ムラのない処理が行われるため、好ましい。
浸せき処理の時間は、１０分以上であるのが好ましく、１時間以上であるのがより好ましく、３時間以上、５時間以上であるのが更に好ましい。
【００４９】
＜再陽極酸化処理（Ｃ）＞
上記脱膜処理（Ｂ）により陽極酸化皮膜を除去して、アルミニウム基板の表面に規則的な窪みを形成した後、再び陽極酸化処理を施すことで、マイクロポアの規則化度がより高い陽極酸化皮膜を形成することができる。
再陽極酸化処理（Ｃ）における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同一の条件で行われるのが好ましい。
また、直流電圧を一定としつつ、断続的に電流のオンおよびオフを繰り返す方法、直流電圧を断続的に変化させつつ、電流のオンおよびオフを繰り返す方法も好適に用いることができる。これらの方法によれば、陽極酸化皮膜に微細なマイクロポアが生成するため、特に電着処理により封孔処理する際に、均一性が向上する点で、好ましい。
【００５０】
また、再陽極酸化処理（Ｃ）を低温で行うと、マイクロポアの配列が規則的になり、また、ポア径が均一になる。
一方、再陽極酸化処理（Ｃ）を比較的高温で行うことにより、マイクロポアの配列を乱し、また、ポア径のばらつきを所定の範囲にすることができる。また、処理時間によっても、ポア径のばらつきを制御することができる。
【００５１】
本発明の製造方法においては、このような再陽極酸化処理（Ｃ）により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、１０〜３００μｍであるのが好ましく、１００〜２５０μｍであるのが更に好ましい。
【００５２】
また、本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理（Ｃ）により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアのポア径は０．０１〜０．３μｍが好ましく、０．０３〜０．２５μｍがより好ましい。平均ポア密度は、２００万個／ｍｍ2以上であるのが好ましい。
【００５３】
［（１−ｂ）自己規則化方法ＩＩ］
自己規則化方法ＩＩでは、アルミニウム基板表面を陽極酸化処理し（陽極酸化処理（Ｄ））、酸またはアルカリを用いて、前記陽極酸化皮膜を部分的に溶解させ（酸化皮膜溶解処理（Ｅ））、再度陽極酸化処理を実施して前記マイクロポアを深さ方向に成長したのちに、前記マイクロポアの断面形状の変曲点よりも上方の陽極酸化皮膜を除去する。
次に、自己規則化方法ＩＩの各処理について詳述する。
【００５４】
＜陽極酸化処理（Ｄ）＞
陽極酸化処理（Ｄ）は、従来公知の電解液を用いることができるが、直流定電圧条件下にて、通電時の皮膜形成速度Ａと、非通電時の皮膜溶解速度Ｂとした時、以下一般式（ｉｉ）で表されるパラメータＲが、１６０≦Ｒ≦２００、好ましくは１７０≦Ｒ≦１９０、特に好ましくは１７５≦Ｒ≦１８５を満たす電解液を用いて処理を施すことで、孔の規則配列性を大幅に向上することができる。
【００５５】
Ｒ＝Ａ［ｎｍ／ｓ］÷（Ｂ［ｎｍ／ｓ］×印加電圧［Ｖ］）  ・・・  （ｉｉ）
【００５６】
陽極酸化処理（Ｄ）における電解液の平均流速は、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、０．５〜２０．０ｍ／ｍｉｎであるのが好ましく、１．０〜１５．０ｍ／ｍｉｎであるのがより好ましく、２．０〜１０．０ｍ／ｍｉｎであるのが更に好ましい。上記範囲の流速で陽極酸化処理（Ｄ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため、好ましい。そのようなかくはん装置としては、例えば、「マグネティックスターラーＨＳ−５０Ｄ（ＡＳ  ＯＮＥ製）」等が挙げられる。
また、陽極酸化処理液の粘度としては、２５℃、１気圧下における粘度が０．０００１〜１００．０Ｐａ・ｓが好ましく、０．０００５〜８０．０Ｐａ・ｓが更に好ましい。上記範囲の粘度を有する電解液で陽極酸化処理（Ｄ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
【００５７】
陽極酸化処理（Ｄ）で用いる電解液には、酸性、アルカリ性いずれも使用することができるが、孔の真円性を高める観点から酸性の電解液が好適に用いられる。
具体的には、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、塩酸、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは２種以上を組み合わせて、上記一般式（ｉｉ）の計算式より所望のパラメータに調整して用いることができる。
【００５８】
陽極酸化処理（Ｄ）の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、一般的には電解液濃度０．１〜２０質量％、液温−１０〜３０℃、電流密度０．０１〜２０Ａ／ｄｍ2、電圧３〜５００Ｖ、電解時間０．５〜３０時間であるのが好ましく、電解液濃度０．５〜１５質量％、液温−５〜２５℃、電流密度０．０５〜１５Ａ／ｄｍ2、電圧５〜２５０Ｖ、電解時間１〜２５時間であるのがより好ましく、電解液濃度１〜１０質量％、液温０〜２０℃、電流密度０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、電圧１０〜２００Ｖ、電解時間２〜２０時間であるのが更に好ましい。
【００５９】
本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理（Ｄ）により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、０．１〜３００μｍであるのが好ましく、０．５〜１５０μｍであるのがより好ましく、１〜１００μｍであるのが更に好ましい。
【００６０】
また、本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理（Ｄ）により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアの平均ポア密度は２００万個／ｍｍ2であるのが好ましい。
また、マイクロポアの占める面積率は、３〜５０％であるのが好ましい。
【００６１】
＜酸化皮膜溶解処理（Ｅ）＞
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）は、上記陽極酸化処理（Ｄ）により形成された陽極酸化皮膜に存在するマイクロポアの径（ポア径）を拡大させる処理（孔径拡大処理）である。
【００６２】
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）は、上記陽極酸化処理（Ｄ）後のアルミニウム基板を酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。
【００６３】
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜６０℃であるのが好ましい。
一方、酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜３５℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。
【００６４】
また、酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、ポア径の拡大量は陽極酸化処理（Ｄ）の条件により異なるが、処理前後の拡大比が１．０５倍〜１００倍が好ましく、１．１倍〜７５倍がより好ましく、１．２倍〜５０倍が特に好ましい。
【００６５】
自己規則化方法ＩＩにおいては、上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）の後に、再度上記陽極酸化処理（Ｄ）を施すのが好ましい。
【００６６】
再度の陽極酸化処理（Ｄ）により、アルミニウム基板の酸化反応が進行し、アルミニウム基板上に、マイクロポアの深さがより深い陽極酸化皮膜を有するアルミニウム部材が得られる。なお、陽極酸化皮膜のアルミニウム基板側には、バリア層が存在している。
【００６７】
また、自己規則化方法ＩＩにおいては、上記陽極酸化処理（Ｄ）、上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）および上記陽極酸化処理（Ｄ）をこの順に施した後に、更に上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）を施すのが好ましい。
【００６８】
この処理により、マイクロポアの中に処理液が入るため、再度の陽極酸化処理（Ｄ）で形成された陽極酸化皮膜を全て溶解し、再度の陽極酸化処理（Ｄ）で形成されたマイクロポアのポア径を広げることができる。
即ち、再度の酸化皮膜溶解処理（Ｅ）により、陽極酸化皮膜の変曲点より表面側のマイクロポアの内部が溶解し、すなわち、マイクロポアの断面形状の変曲点よりも上方の陽極酸化皮膜が除去されて、アルミニウム基板上に、直管状のマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を有するアルミニウム部材が得られる。なお、陽極酸化皮膜のアルミニウム基板側には、バリア層が存在している。
【００６９】
ここで、マイクロポアのポア径の拡大量は、再度の陽極酸化処理（Ｄ）の処理条件により異なるが、処理前後の拡大比が１．０５倍〜１００倍が好ましく、１．１倍〜７５倍がより好ましく、１．２倍〜５０倍が特に好ましい。
【００７０】
自己規則化方法ＩＩは、上述した陽極酸化処理（Ｄ）と酸化皮膜溶解処理（Ｅ）のサイクルを１回以上行うものである。繰り返しの回数が多いほど、上述したポアの配列の規則性が高くなる。
また、直前の陽極酸化処理（Ｄ）で形成された陽極酸化皮膜を酸化皮膜溶解処理（Ｅ）で全て溶解することにより、皮膜表面から見たマイクロポアの真円性が飛躍的に向上するため、上記サイクルを２回以上繰り返して行うのが好ましく、３回以上繰り返して行うのがより好ましく、４回以上繰り返して行うのが更に好ましい。
また、上記サイクルを２回以上繰り返して行う場合、各回の酸化皮膜溶解処理および陽極酸化処理の条件は、それぞれ同じであっても、異なっていてもよく、また、最後の処理を陽極酸化処理で終えてもよい。
【００７１】
本発明の製造方法においては、陽極酸化処理として、以下に述べるインプリント処理を用いた方法も好ましく用いることができる。
【００７２】
［（１−ｃ）：インプリント処理を用いた方法］
インプリント処理を用いた方法では、アルミニウム基板の表面にマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成させる陽極酸化処理の前に、陽極酸化処理のマイクロポアの生成の起点となる複数の窪みを該アルミニウム基板の表面に所定の間隔および配列で形成させておく。このような窪みを形成させることにより、マイクロポアの配列およびポア径の真円度を所望の範囲に制御することが容易となる。
【００７３】
窪みを形成させる方法は、特に限定されず、例えば、インプリント（転写）法を含む物理的方法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法が挙げられる。なお、インプリント処理では、窪みの形成に、自己規則化方法（Ｉ）における、陽極酸化処理工程（Ａ）および脱膜処理（Ｂ）をこの順に実施することにより窪みを形成する手順や、電気化学的粗面化処理によりくぼみを形成する手順のような電気化学的な方法は用いない。
陽極酸化処理のマイクロポアの生成の起点となる複数の窪みを所定の間隔および配列で形成させておくことにより陽極酸化により形成されるマイクロポアの起点を任意の所望の配列とすることができるようになり、得られる構造体の真円性を高くすることができる。
【００７４】
＜物理的方法＞
例えば、インプリント法（突起を有する基板またはロールをアルミニウム基板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法）を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム基板の表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平１０−１２１２９２号公報に記載されている方法を用いることができる。
また、アルミニウム基板の表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からＳｉＯ2を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたＳｉＯ2をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。
【００７５】
＜粒子線法＞
粒子線法は、アルミニウム基板の表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）、電子ビームが挙げられる。
粒子線法としては、例えば、特開２００１−１０５４００号公報に記載されている方法を用いることもできる。
【００７６】
＜ブロックコポリマー法＞
ブロックコポリマー法は、アルミニウム基板の表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
ブロックコポリマー法としては、例えば、特開２００３−１２９２８８号公報に記載されている方法を用いることができる。
【００７７】
＜レジストパターン・露光・エッチング法＞
レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法により、アルミニウム基板の表面上に形成したレジスト膜に露光および現像を施し、レジストパターンを形成した後これをエッチングする。レジストを設け、エッチングしてアルミニウム基板の表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。
【００７８】
上述した種々の窪みを形成させる方法の中でも、物理的方法、ＦＩＢ法、レジストパターン・露光・エッチング法が望ましい。
【００７９】
インプリント処理において、アルミニウム基板の表面に複数の窪みを所定の間隔および配列で形成する場合、特に０．１μｍ前後の間隔で微細な窪みを形成する場合、上記アルミニウム板表面に微細な窪みを人工的に規則正しく形成するのに、電子ビームリソグラフィやＸ線リソグラフィなどを用いた高解像度の微細加工技術を毎回適用することは経済的でないため、複数の突起を表面に備えた基板を陽極酸化するアルミニウム基板表面に押し付けるインプリント（転写）法が好ましい。
具体的には、突起を有する基板またはロールをアルミニウム基板表面に密着させ、油圧プレスなどを用いて圧力を印加することにより実施できる。基板に設ける突起の配列（パターン）は、陽極酸化処理によって形成する陽極酸化皮膜のマイクロポアの配列に対応させるものとし、正六角形状の周期的な配列は言うに及ばず、周期的配列の一部を欠いたような任意のパターンとすることもできる。また、突起を形成する基板は鏡面の表面を有するとともに、押し付ける圧力により突起が破壊したり、突起の配置が変形することのない強度と硬度を有するものが望ましい。このためには、アルミニウムやタンタルのような金属基板も含め、微細加工が容易で汎用的なシリコン基板等を用いることができるが、強度の高いダイヤモンドやシリコンカーバイドで構成されている基板は、繰り返し使用回数を多くすることができるので、より望ましい。これによって、突起を有する基板またはロールを１個作製しておけば、これを繰り返し使用することにより、効率的に多数のアルミニウム板に規則的な窪み配列を形成することができる。
【００８０】
上記のインプリント法を用いた場合の圧力としては、基板の種類にもよるが、０．００１〜１００トン／ｃｍ2が好ましく、０．０１〜７５トン／ｃｍ2がより好ましく、０．１〜５０トン／ｃｍ2が特に好ましい。
また、プレス時の温度としては、０〜３００℃が好ましく、５〜２００℃がより好ましく、１０〜１００℃が特に好ましく、プレスの時間としては、２秒〜３０分が好ましく、５秒〜１５分がより好ましく、１０秒〜５分が特に好ましい。
また、プレス後の表面形状を固定化する観点から、アルミニウム基板の表面を冷却する方法も後処理として付け加えることができる。
【００８１】
インプリント処理を用いた方法では、上記のようにアルミニウム基板の表面に窪みを形成した後、該アルミニウム基板表面に陽極酸化処理を施す。
このとき、陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができ、一定電圧で処理する方法や、直流電圧を一定としつつ、断続的に電流のオンおよびオフを繰り返す方法、直流電圧を断続的に変化させつつ、電流のオンおよびオフを繰り返す方法も好適に用いることができる。
【００８２】
また、陽極酸化処理を低温で行うと、マイクロポアの配列が規則的になり、また、ポア径が均一になる。
一方、陽極酸化処理を比較的高温で行うことにより、マイクロポアの配列を乱し、また、ポア径のばらつきを所定の範囲にすることができる。また、処理時間によっても、ポア径のばらつきを制御することができる。
【００８３】
本発明においては、このような陽極酸化処理により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、１０〜３００μｍであるのが好ましく、１００〜２５０μｍであるのが更に好ましい。
【００８４】
また、本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアのポア径は１０〜２５０ｎｍであるのが好ましく、０．０３〜２５０μｍであるのがより好ましい。
平均ポア密度は、２００万個／ｍｍ2以上であるのが好ましい。
本発明の製造方法においては、陽極酸化処理工程で上記（１−ａ）〜（１−ｃ）の処理のいずれかを実施することが好ましい。
【００８５】
上記の陽極酸化処理工程を用いるとマイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が高い陽極酸化皮膜が得られる。
規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００    （ｉ）
上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの断面の略円の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。規則化度の測定方法の詳細については、特開２００８−２７０１５７号公報に記載されている。
本発明の製造方法で得られる陽極酸化皮膜の細孔の規則化度は、４０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【００８６】
＜定電流処理＞
定電流処理は、上述した陽極酸化処理の後に行われる。これにより、規則化配列性を落とすことなく、酸化アルミニウムの膜厚を厚くし、マイクロポアの軸方向長さを長くすることが可能となる。
【００８７】
一定電圧下での陽極酸化処理後の一定電流下での陽極酸化処理では、電解時間は５分〜３０時間が好ましく、３０分〜５時間がより好ましい。定電流とは、好ましくは定電流設定にし、変動幅は好ましくは±１０〜１Ａ／ｍ2に制御する。
【００８８】
定電流処理、陽極酸化処理での電解液、電解液濃度、温度条件は同じでも良いが、異なっていてもよい。
一定電圧下での陽極酸化処理後の一定電流下での陽極酸化処理では、電流密度は０〜10000Ａ／ｍ２が好ましく、０〜1000Ａ／ｍ２が更に好ましく、０〜400Ａ／ｍ２が最も好ましい。
【００８９】
［（２）アルミニウム除去処理］
［（２−ａ）アルミニウム基板の溶解］
上記陽極酸化処理工程の後のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化皮膜（アルミナ）は溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いる。
即ち、アルミニウム溶解速度１μｍ／分以上、好ましくは３μｍ／分以上、より好ましくは５μｍ／分以上、および、陽極酸化皮膜溶解速度０．１ｎｍ／分以下、好ましくは０．０５ｎｍ／分以下、より好ましくは０．０１ｎｍ／分以下の条件を有する処理液を用いる。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨが４以下８以上、好ましくは３以下９以上、より好ましくは２以下１０以上の処理液を使用して浸漬処理を行う。
【００９０】
このような処理液としては、酸またはアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物（例えば、塩化白金酸）、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであるのが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドするのが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、このような処理液の組成は特に限定されず、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水等を用いることができる。
【００９１】
また、このような処理液の酸またはアルカリ濃度は、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
【００９２】
更に、このような処理液を用いた処理温度は、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
【００９３】
本発明の製造方法においては、アルミニウム基板の溶解は、上記陽極酸化処理工程の後のアルミニウム基板を上述した処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒〜５時間が好ましく、１分〜３時間がより好ましい。
【００９４】
［（２−ｂ）機械的研磨処理］
機械的研磨処理では、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板およびアルミニウム基板近傍の陽極酸化皮膜を機械的に研磨して除去することにより、マイクロポアによる孔を貫通化させる。
機械的研磨処理では、公知の機械的研磨処理方法を幅広く用いることができ、例えば、鏡面仕上げ処理について例示した機械研磨を用いることができる。但し、精密研磨速度が高いことから化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理を行うことが好ましい。ＣＭＰ処理には、フジミインコーポレイテッド社製のＰＬＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００、日立化成社製のＧＰＸ ＨＳＣ８００、旭硝子（セイミケミカル）社製のＣＬ−１０００等のＣＭＰスラリーを用いることができる。
【００９５】
［（３）貫通化処理工程］
貫通化処理工程は、上記陽極酸化処理工程およびアルミニウム除去処理の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化する工程である。
この工程は陽極酸化処理によって形成される細孔のアスペクト比が５〜７以下で低い場合は行わず、未貫通構造のまま、次工程の内壁被覆工程を行うのが好ましい。細孔のアスペクト比が５〜７超で、高い場合は貫通化処理を行って貫通構造にして、次工程の内壁被覆工程を行うのが好ましい。細孔のアスペクト比が５〜７の間の場合では、未貫通構造のままでも好ましく、貫通構造にする事も好ましい。
上記貫通化処理工程では、下記（２−ａ）または（２−ｂ）の処理を実施することが好ましい。
（３−ａ）酸またはアルカリを用いて、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム基板を溶解し、マイクロポアによる孔を貫通化する処理（化学溶解処理）。
化学溶解処理では、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板を溶解し、さらに、陽極酸化皮膜の底部を除去して、マイクロポアによる孔を貫通化させる。
（３−ｂ）陽極酸化皮膜を有するアルミニウム基板を機械的に研磨し、マイクロポアによる孔を貫通化する処理（機械的研磨処理）。
【００９６】
［（４）内壁被覆工程］
陽極酸化皮膜の細孔内を被覆する処理として、炭素薄膜で被覆する場合はガス流通法があり、金属で被覆する方法は、めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法等、が例示できる。本発明においては、細孔内部のみを選択的に被覆でき、かつ、厚さ数１０ｎｍ程度の薄層で被覆できる以下の方法が好ましい。陽極酸化皮膜の細孔を予め被覆すると、その後に形成される柱状（ピラー）部分に陽極酸化皮膜内部の不純物の影響等が及ぶのを防ぐことができる。また、陽極酸化皮膜を予め被覆すると、被覆された柱状部分が後に陽極酸化皮膜から剥がしやすくなる。さらに細胞培養シートの被覆された柱状部分は強度が高い。
【００９７】
［（４−１）内壁被覆Ｉ（ガス流通式）］
陽極酸化皮膜の細孔中に、気体状の炭化水素を気相炭化させ、細孔内壁に炭素薄膜を堆積させる方法として、ガス流通法が知られている。
「P．M．Ajayan，T．W．Ebbesen，T．Ichihashi,S．Iijima，K．Tanigaki and H．Hiura，Opening carbon nanotubues with oxygen and implications forfilling，Nature，vol．362，p．522-524京谷隆，無機化合物を鋳型とする新しい炭素材料の合成，高分子，日本，42巻，６月号，486頁」
好ましい有機物としては、液化または蒸気化することが必要であり、液化する方法としては、温度を上げること、溶媒に溶かすこと等が挙げられる。溶かす溶媒を具体的に例示するなら、フルフリルアルコール、ポリビニルアルコール、ポリアクリロニトリル、酢酸ビニル、これらの一部重合物、石炭や石油等のピッチ、アセナフチレン等が挙げられる。蒸気化は、温度を沸点近傍まで上昇させる事で達成できる。
かかる有機物を上述の陽極酸化皮膜と接触させ、細孔中に充填し、これを加熱することにより該有機物を炭化すると、カーボンが、チューブ状に該細孔中に生成する。細孔に前記有機物を充填する際には、予め減圧しておくと細孔中に有機物が入りやすいため好ましい。
また、有機物の炭化の際の加熱温度は、有機物の炭化は生じるが陽極酸化皮膜自体が破壊されたり、生成したカーボン自体と反応したりする恐れのない範囲で選択すればよく、例えば４００〜１４００℃が好ましく、５００〜１２００℃が好ましく７００〜１０００℃が最も好ましい。
【００９８】
気体状の炭化水素を気相炭化させ、細孔内壁に炭素薄膜を堆積させる事も好ましい。気体状の炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、プロピレン、ベンゼン、エチレン等の常温で気体の炭化水素が好適に用いられる。かかる気体状の炭化水素は、通常、キャリアガスと共に無機物質に接触させるように流通させる。このときの流量は、細孔の長さ（薄膜の厚さ）、細孔の径により異なるため特に限定されないが、気体状炭化水素の濃度、流量等の気体状の炭化水素の流通条件は適宜調節する。
キャリアガスの好ましい種類は不活性ガスが好ましく、例えば、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ａｒ（アルゴン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）、Ｒｎ（ラドン）、Ｎ２（窒素）等を挙げることができる。中でも入手性、価格から窒素、Ａｒ、Ｈｅが好ましい。不活性ガスの好ましい圧力は、０．１MＰａ〜１０〜１Paが好ましい。１０ｋＰａ〜１Ｐａが特に好ましい。
【００９９】
気体状炭化水素濃度の好ましい範囲は０．１〜１０Ｖｏｌ％が好ましく、０．５〜８Ｖｏｌ％がより好ましく、１〜５Ｖｏｌ％が最も好ましい。
処理時間の好ましい範囲は０．５〜１２時間が好ましく、１〜８時間が好ましく１．２〜５時間が最も好ましい。
流量の好ましい範囲は５×１０-4〜1m3／h [ｓtp]であり、１×１０-3〜５×１０-1m3／h [ｓtp]がさらに好ましく５×１０-3〜５×１０-2m3／h [ｓtp]が最も好ましい。日本工業規格  JIS B 7551：1999 フロート形面積流量計  解説 3.3 用語の定義に詳細が記載される。細孔内への充填の完全性からガス流通式が好ましい。好ましい温度の範囲は例えば４００〜１４００℃が好ましく、５００〜１２００℃が好ましく７００〜１０００℃が最も好ましい。この範囲が、内部に均一に被覆が生成する点で特に好ましい。
【０１００】
［（４−２）内壁被覆II（触媒+無電解）］
陽極酸化皮膜の細孔の内壁を金属状態のもので被覆したい場合において、はじめに金属塩などの金属化合物の状態で挿入し、その後、還元処理を行うことによって、金属状態に変化させる事ができる。
触媒作用がある好ましい金属は、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどが知られており、それらの金属塩水溶液、またはエタノール溶液を、好ましくは真空下で試料に滴下し、乾燥し、水素気流下で処理して還元し、金属化するか、焼成処理によって、金属化する事が可能である。
中でも白金が好ましく、その金属塩としては、塩化白金酸（Ｈ2 PｔＣ6 ・６Ｈ2Ｏ）として利用できる。
これらの溶液を含漬させる方法としては、メンブレンを真空容器中に入れて、減圧下で溶液を滴下し、そのまま静置し、適宜乾燥させる事で、ゲル状の白金水和物を細孔内に付着できる。好ましい塩化白金酸のＰｔの濃度は、０．１質量％〜１０質量％が好ましく０．３質量％〜８質量％がより好ましく、０．５質量％〜５質量％が最も好ましい。
静置時間の好ましい範囲は１時間〜１２時間であり、１．５時間〜１０時間がより好ましく、２時間〜８時間が最も好ましい。
乾燥条件の好ましい範囲は、不活性ガス下または真空下で行なう事が好ましく、好ましい温度は６０〜１２０℃が好ましく、８０〜１００℃が最も好ましい。
また市販の触媒付与溶液として例えば、触媒の付与を促進するためのクリーナー溶液（アトテックジャパン製セキュリガント９０２）、触媒液の汚染を防止するプレディップ溶液（アトテックジャパン社製ネオガントＢ）、触媒溶液（アトテックジャパン社製ネオガント８３４）液、触媒活性化溶液（アトテックジャパン社製ネオガントＷ）液、などがあり、適宜使用できる。
【０１０１】
＜加熱処理＞
金属化合物の反応性を高めるために必要な場合は加熱処理を行ってもよい。加熱処理の条件は、後に［（５）加熱処理］で説明する条件と同様である。
【０１０２】
＜還元処理＞
細孔内に金属酸化物を挿入しその後還元処理を行って金属状態にし、金属で被覆された細孔を得る。還元処理は、水素還元処理が好ましく、好ましい条件は、水素と不活性ガスの混合ガスが好ましく、混合比率の好ましい範囲は、水素：不活性ガス＝１：１０〜１０：１の範囲が好ましく、１：５〜５：１の範囲がより好ましく、１：３〜３：１の範囲が最も好ましい。
好ましい流量の範囲は１〜１０００ｃｃ／ｍｉｎであり、１０〜５００ｃｃ／ｍｉｎがより好ましく、３０〜３００ｃｃ／ｍｉｎが最も好ましい。
１００〜８００℃、より好ましくは２００〜７００℃、さらに好ましくは３００〜６００℃の範囲で、３０分〜十数時間、好ましくは1時間〜8時間処理することが好ましい。大気圧での処理が好ましい。
【０１０３】
＜無電解めっき処理＞
触媒金属を付着させた後、無電解めっき処理を行う事で、細孔内部に均一な皮膜が形成できる。好ましいめっき金属の種類としては、生体に悪影響を及ぼさない金属、合金が好ましく、無電解めっき膜の主成分はニッケル，金，銀，白金，パラジウム，コバルト，スズ，銅、Ｔｉが好ましい。めっきの簡便性から金が特に好ましい。
具体的には、無電解めっき処理により付与するべき金属と同種の金属もしくは金属化合物または無電解めっき処理により付与するべき金属よりもイオン化傾向の高い金属もしくは金属化合物を、上記陽極酸化皮膜の細孔内部および、陽極酸化皮膜の表面の少なくとも一方に付与する方法が好ましい。
上記のようにめっき核を付与したのち、無電解めっき処理によりめっき膜を形成する。処理方法は、温度、時間によりめっき層の厚さを制御できる観点から、浸漬法が好ましい。
無電解めっきに用いる還元剤や添加剤の選択により、リンまたはホウ素等の非金属元素を無電解めっき膜に析出させることも可能であり、高強度の微細金属構造体を製造することができる。
また、無電解めっき処理に用いるめっき液としては、従来公知のものを使用することができるが、濃度は、１〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１００〜２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。
また、形成されためっき膜を電極膜として使用する場合には、その通電性を高める観点から、金めっき液、銅めっき液、銀めっき液等、貴金属を有するめっき液が好ましく、経時による電極の安定性、すなわち、酸化による劣化を防ぐ観点から、金めっき液がより好ましい。
更に、無電解めっきの処理の温度、処理時間としては、形成しうる電極の厚さに依存するが、概ね０〜９０℃、１分〜１０時間が好ましく、５〜７５℃、１０分〜７時間がより好ましく、１０〜６０℃、３０分〜５時間が特に好ましい。
このような内壁被覆処理により形成される被覆の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜８０ｎｍがより好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍが特に好ましい。この範囲内では、均一性が十分であり、全体的に充填で埋まってしまう部分が発生し難いでの好ましい。
【０１０４】
［（４−３）内壁被覆III（スパッタ、蒸着）］
細孔長さが短い場合や、貫通していない場合には、スパッタリング法、真空蒸着法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、コロイド金属の直接塗布後、焼成処理をする方法などの公知の方法で被覆が形成できる。被覆の方法は真空蒸着法、スパッタリング法が簡便性、均一性、各種金属元素の選択が容易である点で好ましい。
好ましい内壁被覆の種類としては、細胞に悪影響を及ぼさない金属、合金、カーボンが好ましく、中でも金、Ｔｉ、カーボンが特に好ましい。
細孔長さが短く、且つ貫通していない場合には、スパッタリング、真空蒸着が、簡便性、均一性の点で特に好ましい。
このような内壁被覆処理により形成される被覆の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜８０ｎｍがより好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍが特に好ましい。この範囲内では、均一性が十分であり、全体的に充填で埋まってしまう部分が発生し難いでの好ましい。
【０１０５】
［（５）充填工程］
細孔内壁が被覆処理された陽極酸化皮膜の細孔内部に金属または樹脂を充填する。
［（５−１）金属充填工程］
＜電極膜形成処理＞
電極形成処理は、マイクロポア貫通孔を有する酸化皮膜の一方の表面に空隙のない電極膜を形成する処理である。
酸化皮膜の表面には、マイクロポア貫通孔による開口部が存在しているが、本処理により該酸化皮膜の表面に空隙のない電極膜を形成することにより、該開口部が電極膜で覆われた状態となる。
電極膜を形成する方法としては、マイクロポア貫通孔を有する酸化皮膜の一方の表面に空隙のない電極膜を形成することができる限り特に限定されない。具体的な形成方法としては、導電性材料、例えば、金属の無電解めっき処理、導電性材料、例えば、金属の直接塗布、等が好ましく、これらの中でも電極膜の均一性、及び操作の簡便性の観点から、無電解めっき処理が好ましい。
【０１０６】
電極膜形成処理に関して、無電解めっき処理を用いる際には、そのめっき核を酸化皮膜の一方の表面に付与することが好ましい。具体的には、無電解めっきにより付与するべき金属と同種の金属又は金属化合物、あるいは無電解めっきにより付与するべき金属よりもイオン化傾向の高い金属又は金属化合物を、酸化皮膜の一方の表面に付与する方法が好ましい。付与方法としては、金属又は金属化合物を蒸着、スパッタリング、あるいは直接塗布する方法が挙げられるが、特に限定されない。
上記のようにめっき核を付与したのち、無電解めっき処理により電極膜を形成する。処理方法は温度、時間により電極層の厚さを制御できる観点から、浸漬法が好ましい。
無電解めっき液の種類としては、従来公知のものを使用することができるが、濃度は、１〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１００〜２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。
また、形成される電極膜の通電性を高める観点から、金めっき液、銅めっき液、銀めっき液等、貴金属を有するめっき液が好ましく、経時による電極の安定性すなわち、酸化による劣化を防ぐ観点から、金めっき液がより好ましい。
【０１０７】
また、形成する電極膜の厚さとしては、０．０５μｍ〜１００μｍが好ましく、０．１μｍ〜５０μｍがより好ましく、０．２μｍ〜２０μｍが特に好ましい。この範囲より厚さが薄いと、電極膜としての導電性が不十分となる可能性があり、この範囲より厚いと、その形成に時間を要してしまう可能性がある。
また、無電解めっきの処理温度、処理時間としては、形成しうる電極の厚さに依存するが、０℃〜９０℃、１分〜１０時間が好ましく、５℃〜７５℃、１０分〜７時間がより好ましく、１０℃〜６０℃、３０分〜５時間が特に好ましい。
【０１０８】
＜金属の充填工程＞
上記金属充填工程は、上記電極膜形成処理の後に、形成された電極膜を用いた電解めっき処理により、上記酸化皮膜のマイクロポア貫通孔の内部に導電性部材である金属を充填して上記した本発明の微細構造体を得る工程である。
ここで、充填する金属は、機械的強度の高い金属が好ましくＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ-Ｗ、などが好ましい。中でもＮｉ、Ｎｉ-Ｗが強度が高く、被覆の付着性の点で特に好ましい。
【０１０９】
本発明の製造方法においては、金属の充填方法として、電解めっき処理を用いる。
本発明の製造方法では、酸化皮膜の一方の表面に形成した空隙のない電極膜を用いて電解めっき処理を行うため、該酸化皮膜に存在するマイクロポア貫通孔に対して高い充填率で金属を充填することができる。
【０１１０】
ここで、着色などに用いられる従来公知の電解めっき処理では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行ってもめっきが成長しないためと考えられる。
【０１１１】
そのため、本発明の製造方法においては、電解めっき処理により金属を充填する際に、パルス電解または定電位電解の際に休止時間をもうけることが好ましい。休止時間は、１０秒以上必要で、３０〜６０秒あるのが好ましい。
また、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
更に、電解電圧は、通常２０Ｖ以下であって望ましくは１０Ｖ以下であるが、使用する電解液における目的金属の析出電位を予め測定し、その電位＋１Ｖ以内で定電位電解を行うことが好ましい。なお、定電位電解を行う際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Solartron社、BAS社、北斗電工社、IVIUM社等のポテンショスタット装置を用いることができる。
【０１１２】
めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１００〜２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０〜２０ｇ／Ｌであるのが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっき処理を行なうのが望ましい。
【０１１３】
なお、電解めっき処理の際、めっき液をマイクロポア貫通孔内により充填させやすくするため、マイクロポア貫通孔の内表面を予め親水化処理しておくことが好ましい。この場合、シリケート処理と称されるＳｉ元素をマイクロポア貫通孔の内表面に付与しておく方法が好適に例示される。
Ｓｉ元素をマイクロポア貫通孔の内表面に付与する方法は特に限定されないが、例えば、アルカリ金属ケイ酸塩が溶解している水溶液に直接浸せきして処理する方法が一般的である。アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液は、ケイ酸塩の成分である酸化ケイ素ＳｉＯ2とアルカリ金属酸化物Ｍ2Ｏの比率（一般に〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕のモル比で表す。）と濃度によって保護膜厚の調節が可能である。
ここで、Ｍとしては、特にナトリウム、カリウムが好適に用いられる。
また、モル比は、〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕が０．１〜５．０が好ましく、０．５〜３．０がより好ましい。
更に、ＳｉＯ2の含有量は、０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１０質量％がより好ましい。
【０１１４】
上記金属充填工程の後、酸化皮膜表面から電極膜を除去することで、内壁にカーボン、金属等の被覆層を介して金属が充填された陽極酸化皮膜が得られる。本発明の製造方法では、該酸化皮膜に存在するマイクロポア貫通孔に対して高い充填率で金属を充填することができ、マイクロポア貫通孔に対する金属の充填率が８０％以上の微細構造体を得ることができる。
上記酸化皮膜表面から電極膜を除去する方法としては、以下に述べる表面平滑化処理を行うことが好ましい。
【０１１５】
[（５−２）樹脂の充填工程］
単量体を充填して細孔内で重合し、樹脂を充填する工程を説明する。
本発明方法においては、実質的にすべての細孔が単量体で充填されていてもよいし、細孔のあるものが充填され、他のものが充填されていなくてもよいし、個々の細孔が部分的に、例えば細孔の容積の３分の１ないし、３分の２が充填されていてもよい。
【０１１６】
本発明方法において使用することができる単量体の例として、ビニル単量体、例えばアクリル酸メチル、メタアクリル酸メチルのようなアクリル系単量体、例えばスチレンのようなビニル芳香族化合物を挙げることができる。
開環重合する単量体、例えばε−カプロラクタムを用いることもできる。
【０１１７】
単量体の充填は、公知のいかなる方法を用いて行ってもよく、例えば単量体および重合開始剤の混合物を減圧雰囲気下でアルミニウム陽極酸化皮膜上に滴下して、アルミニウム陽極酸化皮膜の微細孔に単量体を浸透させ、さらにアルミニウム陽極酸化皮膜上に実質的な厚さ、例えば０．０５ミクロン以上の厚さの単量体の層を形成させることによって行うことができる。
充填方法は、陽極酸化皮膜の陽極酸化皮膜のフィルターメンブレン構造体に樹脂を充填する公知技術を適宜利用できる。
充填する方法としては、減圧下または加圧下でおこなう事が好ましい。
【０１１８】
本発明方法で使用する単量体は公知の方法で重合することができる。
本発明方法で使用するビニル単量体は、公知の開始剤、例えば過酸化ベンゾイルのような有機過酸化物、アゾビスイソブチロニトリルのようなアゾ化合物を用いて重合してもよく、また、紫外線のような放射線を照射してもよい。
【０１１９】
重合は、減圧下、大気圧下、加圧下のいずれにおいて行ってもよく、重合を促進するために加熱してもよい。樹脂を充填する際には、真空ポンプでできるだけ低速で徐徐に減圧しながら充填する事で細部まで樹脂薬液が浸透するので、好ましい。
本発明方法においては、単量体をその場で重合させた後、重合体を溶解除去することなく、アルミニウムおよびアルミニウム陽極酸化皮膜を溶解除去する。
【０１２０】
充填後硬化されまたは重合された樹脂としては、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化樹脂や光硬化性樹脂を適宜利用できる。光硬化性樹脂は、（メタ）アクリレート、反応性希釈剤、光重合開始剤を主成分として構成されるが必要に応じて少量の有機溶剤、シランカップリング剤等の密着性付与剤、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール等の重合禁止剤など添加剤を加えても良い。
硬化性樹脂組成物において、（メタ）アクリレート材料としては、分子鎖末端にアクリレート基かメタクリレート基が形成されているものであれば使用することができる。特に、これら(メタ)アクリレート材のなかでも、分子鎖中にベンゼン環を有するものがドライエッチング耐性にすぐれ好ましい。特に、(メタ)アクリレート材としては、エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートが好ましく、更には構造中のエトキシ基のユニット数が４から１７であるものが低粘度であり特に好ましい。これら(メタ)アクリレート材は単独で適用することも複数の(メタ)アクリレートを組み合せて適用することも可能である。また、上記モノマー以外にもこれらモノマーが複数重合した(メタ)アクリレートオリゴマーを適用することも可能である。
【０１２１】
光硬化性樹脂組成物に用いられる反応性希釈剤としては、以下のものを適用することができる。Ｎ−ビニルピロリドン、アクリロイルモルフォリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミドなどが挙げられる。また、トリプロピレンジオール（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジメタクリレートなどの低粘度の（メタ）アクリレートモノマーを使用することもできる。これらは単独または組み合わせて用いることができる。これらの中でも特にＮ−ビニルピロリドンは粘度も低く反応性希釈剤として好ましい。(メタ)アクリレートに対する反応性希釈剤の比率は低粘度化を考慮し、高い重量比であることが好ましい。
光硬化性樹脂組成物に用いられる光重合開始剤としては、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、ベンゾフェノン、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-メチル-1[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モリフォリノプロパン-1-オン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタノン-1、ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4-トリメチル-ペンチルフォスフィンオキサイド、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド、ビス(η5-2,4-シクロペンタジエン-1-イル)-ビス(2,6-ジフルオロ-3-(1H-ピロール-1-イル)-フェニル)チタニウムなどが挙げられる。これら光重合開始剤は単独で適用することも可能であるが、2種以上を組み合わせて使用することもできる。このほか公知の光重合促進剤および増感剤等と組み合わせて適用することもできる。本発明の光重合開始剤の配合比は重量％で0.1〜5.0％であることが好ましい。
本発明に係る光硬化性樹脂組成物は、フッ素系界面活性剤を含むものであっても良い。フッ素系界面活性剤としては、パーフロロアルキル含有オリゴマーおよび溶媒で溶解したパーフロロアルキル含有オリゴマー溶液を用いることができる。また、フッ素系界面活性剤としては、パーフロロアルキル鎖に炭化水素鎖が結合したものを用いることもできる。このほか、フッ素系界面活性剤としては、パーフロロアルキル鎖にエトキシ鎖やメトキシ鎖が結合した構造のものを用いることもできる。さらに、フッ素系界面活性剤としては、これらパーフロロアルキル鎖にシロキサンが結合した構造のものを用いることもできる。フッ素系界面活性剤としては、市販のフッ素系界面活性剤をもちいることもできる。添加量としては全体の０．０１質量％から１質量％にて適用することが可能である。
【０１２２】
樹脂の充填は、陽極酸化皮膜の細孔構造がサブμｍと微細なため、熱重合のように、硬化後、体積変化が少ない熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂の場合には、充填後、メーカー推奨条件で、硬化させる。
また、半導体用のＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  Ｐａｓｔ）剤の市販品として、例えば、ナガセケムテックス（株）製  商品名：T693/UFRシリーズ、信越化学（株）製  商品名：ボンディング剤  型番：ＬＭＣ-22を使用してもよい。
【０１２３】
［（６）表面平滑処理工程］
＜オーバーフロー側研磨＞
また、表面平滑処理には機械的研磨処理を用いてもよい。この場合、ＣＭＰ処理と機械的研磨処理を併用してもよいし、機械的研磨処理のみを実施してもよい。表面平滑処理として機械的研磨処理を施す場合、例えば、表面平滑処理する対象を平坦性の高い金属板あるいはセラミック板等の試料台にワックスあるいは接着剤で貼り付けた状態で、回転台に貼り付けたサンドペーパー、あるいは研磨剤を塗布した研磨布を用いて荷重を加えて研磨する方法が好適に用いられる。
機械的研磨処理に用いる試料台としては、その耐久性から、例えばセラミック製冶具（ケメット・ジャパン株式会社製）を用いることができる。また、表面平滑処理する対象を試料台に貼り付ける材料としては、接合／剥離の容易性からワックスが好ましく、例えばアルコワックス（日化精工株式会社製）、アクアワックス（日化精工株式会社製）を用いることができる。また、研磨剤としては、研磨対象がアルミナであることからダイヤモンド砥粒を有するものが好ましく、例えばＤＰ−懸濁液Ｐ−６μｍ・３μｍ・１μｍ・１／４μｍ（ストルアス製）を所望により用いることができる。
【０１２４】
＜金属充填工程で過充填によって表面に溢れ出た部分を除去する工程＞
研摩は、樹脂が充填された陽極酸化皮膜を好ましくはプレートに固定し、固定した面の反対側の面をまず研摩する。次に研摩された面をプレートに固定し、他方の面を研摩する。この方法をとり、それぞれの研摩面の研磨量を２０：１〜１：２０とすることで従来反りが大きくて研摩が困難であった薄膜脆性材料を始めて反りを少なく抑えて研摩することが可能となった。それぞれ片面の研摩面の研磨量の合計は、１００μm以内が好ましく、６０μm以下がより好ましく、特には５〜６０μmが好ましい。この範囲であると両面の研摩量のバランスが良く、材料の反り、反りによる破損が少ない。
研磨量の割合は、両面のそれぞれで、２０：１〜１：２０であり、８：１〜１：８の範囲がり好ましい。この範囲であると両面の研摩量のバランスが良く、材料の反り、反りによる破損が少ない。
研磨は両面を交互に繰り返し研磨することが好ましく、３０μm以内の研磨量毎に繰り返し研磨することがより好ましい。
【０１２５】
研磨に使える手段としては、ラッピング、ポリッシング、ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）、バフ研磨、ショットブラスト、ブラシグレインなどが挙げられ、乾式または湿式の機械研摩が好ましく、薄膜脆性材料の研磨に特に好ましい方法はラッピング法である。尚、表面仕上げ方法として、ポリッシング、ＣＭＰを行うことで、更に平滑な研磨面が得られより好ましい。
ラップングとは、ラッピングマシンを用い、研磨材である砥粒を供給し、これを水で流しながら、薄膜脆性材料の片面ずつ両面を研磨する。これにより、材料の反りを除去する。
研磨剤のサイズは、研磨量の1/2以下が好ましく、研磨量の1/4以下がより好ましい。また、研磨剤は研磨精度と速度の点から粒径１０μm以下のダイヤモンド砥粒が好ましい。仕上げの研磨は、粒径１μm以下のダイヤモンド、アルミナ、SiC、SiO2等が好ましい。
【０１２６】
両面研磨された薄膜脆性材料の精度は、厚さ精度±3μm以内、Ｒａ、0.15以下、反り量20μm/mm以内が好ましい。厚さ精度は±1μm以内がより好ましく、Ｒａは0.10以下がより好ましく、反り量10μm/mm以内がより好ましい。
陽極酸化皮膜に部分的に金属を充填した材料においても同様の研摩が行え、同様の効果が得られることが確認されている。
薄膜脆性材料を貼り付けるプレ−トの表面精度は１μm以下が好ましく、貼り付けは溶剤やアルカリに可溶性のＷＡＸやＵＶＷＡＸ、ＵＶ接着剤等を用いて貼り付けるのが好ましい。
【０１２７】
表面をより平滑に仕上げるためには、ＣＭＰによる研磨を行うことが好ましい。研磨プレ−トはエッジの割れや欠けを防止するために、樹脂と金属の複合材料であることが好ましい。樹脂の中に金属粒子を混合させたプレ−トがより好ましい。充填される金属粒子は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉが好ましい。
【０１２８】
＜研磨方法の詳細＞
１）薄膜脆性材料の片面を、表面精度５μm以内のセラミック等の台にＷＡＸ、ＵＶ接着剤等を用い貼り付け固定する。貼り付けの精度は８μm以内、４μm以内がより好ましい。
２）貼り付け面と反対の面を研磨する。研磨砥粒はダイヤモンドスラリー5〜10μmが望ましい。研磨装置は、ケメットジャパン社製精密ラッピング装置が材料の割れや欠けが無く、精度良く研磨でき望ましい。研磨加重は、10〜500g/cm2が望ましく。研磨板回転速度は10〜150rpmが望ましい。研磨量は5〜100μm以内が好ましい。中間研磨として平均径2〜4μｍの砥粒を用いて研摩するのが好ましい。
３）仕上げ研磨として、粒径0.25〜3.0μmのダイヤモンドスラリー等で仕上げる。また、ＣＭＰで研磨面を仕上げても良い。これらを組み合わせて仕上げることも可能である。
４）研磨済みの面を表面精度5μm以内のセラミック等の台にＷＡＸ、ＵＶ接着剤等を用い貼り付け固定する。貼り付けの精度は8μm以内が好ましい。
５）もう一方の面を研磨する。研磨の条件は、上記２）と同様に研磨を行う。その後３）同様の仕上げ研磨を行う。
６）上記研磨を交互に繰り返し行うと尚望ましい。その場合には、仕上げ研磨はそれぞれの研磨面の最後で行えば良い。
【０１２９】
電極形成処理で設けた電極を、上記の研磨方法で除去できる。研摩で電極を除去した場合には、溶解処理や剥離処理の前に本発明で製造する細胞培養シートのシート（図２のシート１０）となる支持体を陽極酸化皮膜内に充填された金属または樹脂の多数の充填材が林立するピラーに貼りつける必要があるので、特にシートの材質を問わない場合には電極を除去せずにそのまま、細胞培養シートのシート部分としても利用する事が好ましい。
【０１３０】
＜先端被覆処理＞
ナノピラーの先端部分の被覆の状態が不十分な場合や、被覆がなされていない場合には、研磨後先端を被覆する事が好ましい。好ましいめっき金属の種類としては、生体に悪影響を及ぼさない金属、合金、カーボンが好ましく、金、Ｔｉ、カーボンが特に好ましい。
このような先端被覆処理により形成される被覆の厚さは、１０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜８００ｎｍがより好ましく、３０ｎｍ〜５００ｎｍが特に好ましい。この範囲内であると、均一性が十分であり、生体との接触で剥離や変質が発生し難いので、好ましい。
【０１３１】
[（７）加熱処理］
必要な場合は、研磨処理、または研磨処理後に先端被覆処理を行った後の構造体を加熱し、構造体のひずみ等を除去する工程を行ってもよい。
熱処理をおこなう場合の好ましい条件として、熱処理の温度は好ましくは２０〜１５００℃、より好ましくは４００〜１２００℃、さらに好ましくは５００〜１０００℃の範囲で、数秒〜十数時間、好ましくは数分〜数時間処理することで行なうことができる。部材の実質上の融点以下が好ましく、実質上の軟化点以上が好ましい。
但し、ここで言う実質上の意味は、一般にサイズがナノオーダーの細線になると融点や軟化点が低下する現象が知られており、必ずしも汎用データブックに記載されている固体物性値とは一致せず、固有の値を示す事があり、実質的に液状になる温度を融点、機械的強度が軟化する温度を軟化点と見なす。
熱処理時の金属の表面酸化を抑制するために、熱処理を低温で行うことや、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中または、真空中で熱処理を行うことも有効である。
真空中で熱処理をおこなう場合には、真空度としては、１０〜４Pa以下が好ましく、１０〜５Pa以下がさらに好ましく、１０〜６Pa以下が特に好ましい。
１０〜１Pa程度の真空は、ロータリーポンプで手軽に得ることができる。１０〜５Pa程度の真空度は、金属製のチャンバと銅ガスケットを用い、ターボ分子ポンプ(TMP)で排気することにより達成できる。
不活性ガス中で熱処理を行なう場合には、不活性ガスとしては、特に限定されるものではないが、例えば、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ａｒ（アルゴン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）、Ｒｎ（ラドン）、Ｎ２（窒素）等を挙げることができる。中でも入手性、価格から窒素、Ａｒ、Ｈｅが好ましい。
不活性ガスを用いる場合、好ましい圧力は、大気圧から１０〜１Paが好ましい。大気圧〜１Paが特に好ましい。
【０１３２】
［（８）陽極酸化皮膜の除去］
＜溶解処理＞
溶解処理は、陽極酸化皮膜を溶解する工程である。溶解処理に用いる溶液としては、金属は溶解せずに、陽極酸化皮膜のみを除去できる水溶液が好ましい。陽極酸化皮膜はｐＨ６．５〜７．５の中性水溶液には溶解せず、ｐＨ４〜６．５の弱酸やｐＨ７．５〜１０の弱アルカリにはゆっくりと溶解する。一般に強酸、強アルカリでは溶解する。
陽極酸化皮膜を溶解する液体は酸性またはアルカリ性水溶液が好ましく、酸性の場合にはｐＨ１〜６が好ましく、ｐＨ２〜５がより好ましい。アルカリ性水溶液の場合にはｐＨ８〜１３が好ましく、ｐＨ１２〜１３がより好ましい。この範囲で適宜、温度と処理時間を設定する事で均一な溶解を行なう事ができる。好ましい温度範囲は５〜６０℃であり１５〜４５℃の範囲がより好ましい。
好ましい処理時間の範囲は１０分〜６０時間であり３０分〜１２時間の範囲がより好ましい。
金属の腐食を抑制する為、ＰＥＧなどの有機物やクロム酸などの強酸化剤など公知の腐食抑制剤を適宜添加できる。
【０１３３】
＜剥離処理＞
細孔長さが短い場合や、貫通していない場合には、剥離法によってピラー構造を得る事ができる。細孔径と細孔長さの比であるアスペクト比が１〜５のものは、市販の接着テープで容易に剥離できる。検体の一つのサイズは１〜１０ｍｍの角型または円形が好ましく、加工の容易性から角型が特に好ましい。サイズは２〜５ｍｍである事が取り扱い性の点でより好ましい。
電解めっきで金属を充填した場合には、電極がある場合には、電極をつけた状態で、電極にテープを貼り付け、その後、剥がす事でナノピラー構造を得る事ができる。
樹脂を充填した場合には、オーバーフローした樹脂側にテープを貼り付け、その後、剥がす事でナノピラー構造を得る事ができる。
例えば、2枚の平板に挟み樹脂を加圧充填後、光硬化させた後、剥離してもよい。
加圧充填する樹脂組成物の粘度は２０ｍＰａ・ｓ以下が好ましい。
【０１３４】
[（９）本発明の細胞培養シート]
上記の製造方法で得られる本発明の細胞培養シートは、図２（Ａ）に示すように、支持体であるシート１０上に、多数の１０〜２５０ｎｍ径の柱状部分３０(ピラーともいう)が規則的に林立し、しかも柱状部分３０の材質とその表面を異なる被覆層３で被覆した細胞培養シート２０である。柱状部分の長さは、５０ｎｍ〜３０μｍの範囲が好ましい。柱状部分のアスペクト比（長さ／直径）の好ましい範囲は、１〜１００の範囲が好ましく、３〜８０の範囲がより好ましく、５〜５０の範囲が最も好ましい。
図２（Ｂ）に示す細胞培養シート２１は、先端部が被覆層３とは別の先端部被覆６で被覆されている。
【実施例】
【０１３５】
（実施例1）
１．電解研磨処理
高純度アルミ二ウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚さ０．４ｍｍ）を、１０ｃｍ四方の面積でカットし、以下の組成の電解研磨液を用いて、電圧１０Ｖ、液温度６５℃、の条件で電解研磨処理を行った。陰極はカーボン電極とし、電源はGPO-250-30R（高砂製作所社製）を用いた。
＜電解研磨液組成＞
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）  １３２０ｍＬ
・純水    ８０ｍＬ
・硫酸    ６００ｍＬ
２．脱脂処理
上記で得られた研磨処理後のサンプルを、１．７５mol/L水酸化ナトリウム、及び０．１６mol/L硝酸ナトリウムの処理液を用いて、６０℃の条件で３０〜９０秒浸漬して脱脂処理した。
【０１３６】
３．起点形成処理
マイクロポア形成処理の電解条件を、0.1mol/Lリン酸の電解液で、電圧195Ｖ、液温3℃の条件で240分間陽極酸化処理した。さらに得られたサンプルを、０．５２mol/Lのリン酸水溶液で、40℃の条件で４２．５分浸漬して皮膜溶解を行った。この処理を4回繰り返した。
４．陽極酸化処理
マイクロポア形成処理の電解条件を、0.5mol/Lリン酸とし、電圧195Ｖ、温度３℃の条件で１０分間定電圧陽極酸化処理した。
細孔周期500ｎｍ、細孔径150ｎｍ、皮膜厚み1μｍの陽極酸化皮膜を得た。
【０１３７】
５．細孔内の被覆処理
Ａｕによる被覆処理
陽極酸化皮膜の細孔内部にＡｕを析出させる方法は、真空蒸着装置にて、真空度１０〜５Ｐａ、電流値４０Ａ、時間３０秒でＡｕを蒸着した。
【０１３８】
６．Ｎｉ充填処理
Ａｕを析出させた後、それを反応核とした無電解めっき法によりＮｉを被覆した。無電解ニッケルめっき液の組成（硫酸ニッケル３０ｇ・ｄｍ-3、ジメチルアミンボラン３.４ｇ・ｄｍ-3 、塩化アンモニウム３０ｇ・ｄｍ-3、コハク酸ナトリウム５５ｇ・ｄｍ-3、ホウ酸３０ｇ・ｄｍ-3）、めっき温度６０℃、めっき液ｐＨ６.０の条件で、めっき時間３０分で浸漬処理した。
ＳＥＭで破断面を観察したところ、細孔内部にＮｉが充填され、さらに細孔から溢れ出して厚み2μｍの層を形成していた。従って金被覆Ｎｉ充填部の柱状部分の長さは1μｍであった。柱状部分のアスペクト比は6.7であった。
【０１３９】
＜加熱処理＞
次いで、上記で得られたＮｉを充填した酸化皮膜に、温度５５０℃で１時間の大気中加熱処理を施した。
＜剥離処理＞
日東電工製  商品名：ダンプロンテープにて、表面に溢れ出たＮｉに貼り付け、はがし取ると酸化膜から剥離できた。
【０１４０】
（実施例２）
Ａｕ被覆の代わりにＣを被覆した。それ以外は実施例1と同様であった。
陽極酸化皮膜の細孔内部にＣを析出させる方法は、真空蒸着装置にてＣを蒸着した。真空度１０-５Ｐａ、電流値３０Ａ、時間１２０秒であった。
＜加熱処理＞
次いで、上記で得られたＮｉを充填した酸化皮膜に、１０-１Ｐａの真空中で温度５５０℃で１時間の加熱処理を施した。
【０１４１】
（実施例３）
実施例1のＮｉ充填に代わって、ＰＭＭＡ樹脂を充填した。
＜樹脂充填の方法＞
モノマーを減圧下で充填し、加熱硬化させた。５重量％の過酸化ベンゾイルを含有するメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）を、真空下で上記アルミニウム陽極酸化皮膜上に滴下してＭＭＡをアルミニウム陽極酸化皮膜の微細孔に充填するとともにＭＭＡでアルミニウム陽極酸化皮膜を被覆した。続いてＭＭＡをアルミニウム陽極酸化皮膜とともに、４０℃で４８時間加熱して重合し、アルミニウム陽極酸化皮膜上にポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を生成した。加熱処理は行わなかった。実施例1と同様に剥離した。
【０１４２】
（実施例４）
実施例2のＮｉ充填に代わって、ＰＭＭＡ樹脂を充填した。
＜樹脂充填の方法＞
モノマーを減圧下で充填し、加熱硬化させた。５重量％の過酸化ベンゾイルを含有するメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）を、真空下で上記アルミニウム陽極酸化皮膜上に滴下してＭＭＡをアルミニウム陽極酸化皮膜の微細孔に充填するとともにＭＭＡでアルミニウム陽極酸化皮膜を被覆した。続いてＭＭＡをアルミニウム陽極酸化皮膜とともに、４０℃で４８時間加熱して重合し、アルミニウム陽極酸化皮膜上にポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を生成した。加熱処理は行わなかった。実施例２と同様に剥離した。
【０１４３】
（実施例５）
１．電解研磨処理、２．脱脂処理、３．起点形成処理、４．陽極酸化処理を、実施例1と同じ条件で行いその後の処理を以下の条件とした。
５．定電流処理
上記得られたサンプルを、０．５mol/Lリン酸の電解液で、電流密度２００A/m2、液温３℃の条件で７２０分、電流はカレントトランス及び電圧計を用いて、導線部に流れる電流を測定し、１２０Ａ/m2（±１０Ａ/m2）に制御した。
アルミニウム基板表面にマイクロポアが直管状で且つハニカム状に配列された陽極酸化皮膜を形成した。厚さは７０μｍで細孔周期５１０ｎｍ、細孔径２００ｎｍあった。
６．Ａｌ除去処理
得られた陽極酸化処理後のサンプルを、２０質量％塩酸、および、０．１ｍｏｌ／Ｌ塩化第二銅の混合水溶液を用いて、１０℃、２０分間浸漬させることにより、アルミニウム基板を溶解して除去し、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜からなる微細構造体を作製した。
7．貫通処理
ｐＨ緩衝作用のあるＫＣｌに得られたメンブレンを１０分間浸漬させ、細孔内部に十分浸透させた。その後、バリア層側のみを０．１Ｎ-ＫＯＨに３０℃５０分浸漬させ、バリア層を溶解除去した。
陽極酸化皮膜中の細孔の直径はほぼ２００ｎｍであった。
【０１４４】
８．カーボンによる内壁の被覆処理
内径２ｃｍの石英反応管内のガラス繊維集合体上に置き、石英管ごと炉中に設置し、ヒーターにより温度を８００℃とした。次に前述の反応管にプロピレン濃度２．５体積％となるように窒素と混合したガスを、２００ｍｌ／ｍｉｎ（ＳＴＰ）で６時間の気相炭化を行った。
表面に析出した、余分のカーボンは、薄刃ナイフにて両面除去した。
９．Ｎｉ充填の方法（金属充填  電解めっき処理）
＜電極膜形成処理＞
次いで、上記カーボン被覆処理後の酸化皮膜の一方の表面に電極膜を形成する処理を施した。
すなわち、０．７ｇ／Ｌ塩化金酸水溶液を、一方の表面に塗布し、１４０℃／１分で乾燥させ、更に５００℃／１時間で焼成処理し、金のめっき核を作成した。
その後、無電解めっき液としてプレシャスファブＡＣＧ２０００基本液／還元液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株）製）を用いて、５０℃／１時間浸漬処理し、空隙のない電極膜を形成した。
【０１４５】
＜金属充填処理＞
次いで、上記電極膜を形成した面にニッケル電極を密着させ、該ニッケル電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。電気めっき液を硫酸ニッケル３００ｇ／Ｌを用い、６０℃に保った状態で電解液として使用し、定電圧電解を実施することにより、酸化皮膜の貫通孔にニッケルを充填した。
ここで、定電圧電解は、山本鍍金社製のめっき装置を用い、北斗電工社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後、皮膜側の電位を−２Ｖに設定して行った。また、定電圧電解処理をおこなった。具体的には、電解の総処理時間が15分になるように、１回の電解時間が5分の電解処理を、各電解処理の間に４０秒の休止時間を設けて3回施した。
貫通孔にニッケルを充填した後の酸化皮膜の断面をＦＥ−ＳＥＭで観察すると、酸化皮膜の電極側の一部に充填された形になっていた。
細孔周期５１０ｎｍ、Ｎｉ充填長さ７０μｍ、細孔径２００ｎｍの細孔内部に金属を充填した酸化皮膜を得た。なお、酸化皮膜の表面から厚み５μｍ程度のＮｉのオーバーフロー部分が層状に形成されていた。
【０１４６】
＜表面平滑化処理＞
上記の貫通孔にニッケルが充填された酸化皮膜（膜厚７０μｍ）の、電極が形成されていない方の面に、下記条件での機械研摩処理を施し、上記のＮｉのオーバーフロー部分を除去するとともに、酸化皮膜の表面から厚み１０μｍ研摩した。なお、対する電極側は研磨しないで残した。表面平滑化処理後の酸化皮膜の膜厚は６０μｍであった。
＜研磨条件＞
試料の片面を、表面に凹凸加工した厚さ40ｍｍ  φ150ｍｍ  の円筒形のセラミック（ジルコニア）製の固定用部材にWAX接着剤（日化精工製  アルコワックス）を用い貼り付け固定した。貼り付け面と反対の面を研磨した。
研磨装置は、ケメットジャパン社製精密ラッピング装置（ＭＧＲ−３１１ＭＦ）。研磨加重は、200g/cm2であった。
＜粗研摩＞
平均粒径1μmのダイヤモンドスラリーを供給し、バフ研摩上で研摩した。目標の厚みに近づくまで研摩した。研摩量9μｍ研磨板回転速度は100rpmであった。
＜仕上げ研摩＞
バフを交換し、研磨剤として粒子径0.25μmのダイヤモンドスラリーを使用し、鏡面状態になるまで研摩を継続した。研摩量1μｍ以下であった。研摩板回転速度は５０rpm。
研摩残渣を除去する為、溶解液として、５％りん酸水溶液を選択し残渣物を溶解した。温度４０℃、処理時間：3分浸漬した。
＜先端部分の被覆＞
前記研摩した側を真空蒸着法でＡｕの蒸着をおこないＡｕ蒸着した。真空度１０-５Ｐａ、電流値４０Ａ、時間３０秒、基板加熱温度１８０℃の設定条件で真空蒸着した。前記研摩処理によって研摩され、表面に露出したNiにAuが付着した。
【０１４７】
＜溶解処理＞
溶解液として、KOH水溶液を選択し陽極酸化皮膜を溶解した。濃度０．１N（ＰＥＧ３０ｗｔ％添加）、温度４０℃、処理時間：３０分浸漬で行った。
【０１４８】
（実施例６）
＜先端部分の被覆＞
ただしＡｕ被覆に代わって、真空蒸着法でＣの蒸着をおこなった以外は、実施例５と同様に、細胞培養シートを製造した。真空蒸着は、真空度１０-5Ｐａ、電流値３０Ａ、時間１２０秒で行った。
（比較例１）
内壁被覆層および先端被覆を行わなかった以外は、実施例５と同様に細胞培養シートを作成した。
【０１４９】
＜細胞の培養＞
実施例１〜６、および比較例１で製造した細胞培養シートを用いて以下の細胞培養を行った。
(a)使用細胞
ＢＡＥ（ウシ大動脈血管内皮細胞）
(b)使用培地
Eagle最小培地：  10%牛胎児血清
ピラーを血清に浸漬し、血清を実施例１〜６および比較例１で製造した細胞培養シートに付着させた。
(c)細胞の播種
予め培養しておいた細胞をトリプシン処理で回収し、細胞濃度を40000cell/mlに調製した。セル及びシャーレ内の培地を捨てた後、この細胞液を細胞数7000cell/cm 2となるように実施例、比較例で製造した細胞培養シート内に播種し培地を添加した。
(d)培養
CO 2インキュベーターを用いて３７℃で３日間培養した。
【０１５０】
(e)培養中の細胞の生育状態を光学顕微鏡で観察し、支持体（基材）、ピラーとの癒着、細胞の発育の状態を以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
＜評価基準＞
基材との癒着    ○：癒着が見られない。      △：やや癒着している。
×：癒着している。
細胞の発育      ○：発育している。          △：やや発育している。
×：発育していない。
【０１５１】
【表１】
2010187585.tif 000002
【符号の説明】
【０１５２】
１  アルミニウム
２  陽極酸化皮膜
３  被覆層
４  金属
５  樹脂
６  先端部被覆
１０  シート（支持体）
２０、２１  細胞培養シート
３０  柱状部分 (ピラーともいう）
【図１】
2010187585.tif 000003
【図２】
2010187585.tif 000004