(57)【要約】【課題】  トレンチ側面の平坦性を向上させつつ、トレンチ底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を抑制できるＳｉＣ膜の加工方法およびその加工方法が用いられる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  エピタキシャル層３の表面３１に、アモルファス構造を有する酸化シリコンからなるエッチングマスク１６を形成する。そして、エッチングマスク１６の開口１９から露出するエピタキシャル層３の表面３１に、ＨＢｒを含むエッチングガスを供給する。これにより、エピタキシャル層３にゲートトレンチ６を形成する。【選択図】図２Ｆ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ膜の表面に、アモルファス構造または多結晶構造を有する材料からなるエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクが形成されたＳｉＣ膜の表面に、ＨＢｒを含むエッチングガスを供給することにより、前記ＳｉＣ膜にトレンチを形成する工程とを備える、ＳｉＣ膜の加工方法。
【請求項２】
前記エッチングガスが、ＳＦ６およびＯ２を含み、
前記エッチングガスのガス流量比が、ＳＦ６：Ｏ２：ＨＢｒ＝１：１：６である、請求項１に記載のＳｉＣ膜の加工方法。
【請求項３】
トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法であって、
ＳｉＣからなる半導体層の表面に、アモルファス構造または多結晶構造を有する材料からなるエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクが形成された前記半導体層の表面に、ＨＢｒを含むエッチングガスを供給することにより、前記半導体層にゲートトレンチを形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ膜の加工方法およびその加工方法が用いられる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パワーデバイスの微細化およびオン抵抗の低減のための構造として、トレンチゲート構造が知られている。そして、パワーＭＯＳＦＥＴでは、トレンチゲート構造を採用したものが主流になりつつある。
また、近年では、高耐圧、低オン抵抗を実現する次世代のパワーデバイス材料として、ＳｉＣ（シリコンカーバイト：炭化ケイ素）の使用が検討されている。
【０００３】
ＳｉＣを半導体層の材料として用い、トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置では、半導体層に、その表面から掘り下がったゲートトレンチが形成されている。ゲートトレンチは、ドライエッチングにより形成される。ドライエッチング工程では、半導体層上に開口を有するメタルマスク（たとえば、Ａｌ、Ｎｉなど）が形成され、このメタルマスクを介して、ＳＦ６およびＯ２からなるエッチングガスが半導体層に供給される。
【０００４】
ゲートトレンチの内面には、ゲート絶縁膜がその全域を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜の内側には、ゲートトレンチを埋め尽くすゲート電極が埋設されている。
そして、ゲートトレンチが形成された半導体層に、Ｎ型のドレイン領域、Ｐ型のボディ領域およびＮ型のソース領域が形成されることにより、トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴが構成されている。ドレイン領域には、ドレイン電極が電気的に接続されている。一方、ソース領域には、ソース電極が電気的に接続されている。
【０００５】
ソース電極が接地され、ドレイン電極に適当な大きさの正電圧が印加されつつ、ゲート電極の電位（ゲート電圧）が制御されると、ゲート電極からの電界によりボディ領域におけるゲート絶縁膜との界面近傍にチャネルが形成される。これにより、ソース電極とドレイン電極との間に電流が流れる。
【特許文献１】特開２００８−１０９１４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＳｉＣからなる半導体層のエッチングには、上記したように、ＳｉＣとの選択比を大きく確保できるメタルマスクが一般的に用いられる。
しかし、メタルマスクは、それをパターニングしたときに、パターニングにより形成される開口の内面が荒れる。そのため、メタルマスクを用いたエッチングにより形成されるトレンチでは、その側面の平坦性が低い。トレンチの側面の平坦性が低いと、ゲートトレンチの側面とゲート絶縁膜との密着性が低く、ゲート絶縁膜に電界が集中して絶縁破壊するおそれがある。
【０００７】
また、ＳｉＣからなる半導体層に、ＳＦ６およびＯ２からなるエッチングガスを供給することによりトレンチを形成すると、トレンチ底部のエッジに、底面から掘り下がる微小なサブトレンチが形成されてしまう。そのため、トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴでは、トレンチ底部のエッジに電界が集中しやすい。なお、トレンチ底部のエッジとは、トレンチ底部における、底面と側面との接続部分のことである。
【０００８】
本発明の目的は、トレンチ側面の平坦性を向上させつつ、トレンチ底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を抑制できるＳｉＣ膜の加工方法およびその加工方法が用いられる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、ＳｉＣ膜の表面に、アモルファス構造または多結晶構造を有する材料からなるエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクが形成されたＳｉＣ膜の表面に、ＨＢｒを含むエッチングガスを供給することにより、前記ＳｉＣ膜にトレンチを形成する工程とを備える、ＳｉＣ膜の加工方法である。
【００１０】
この加工方法によれば、トレンチの形成に際して、ＳｉＣ（シリコンカーバイト：炭化ケイ素）膜に、アモルファス構造または多結晶構造を有する材料からなるエッチングマスクが形成される。そして、このエッチングマスクを利用したエッチングにより、トレンチが形成される。エッチングマスクがアモルファス構造または多結晶構造を有することにより、エッチングマスクをパターニングしたときに、パターニングにより形成される開口内面の荒れを抑制することができる。そのため、ＳｉＣ膜に形成されるトレンチの側面の平坦性を向上させることができる。その結果、この加工方法を用いた半導体装置の製造方法により製造されるトレンチゲート型の半導体装置では、ゲートトレンチの側面とゲート絶縁膜との密着性を高めることができる。したがって、ゲート絶縁膜への電界集中を抑制することができる。
【００１１】
また、ＳｉＣ膜に形成されるトレンチは、ＨＢｒ（臭化水素）を含むエッチングガスが供給されることにより形成される。そのため、トレンチ底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を抑制することができる。その結果、この加工方法を用いた半導体装置の製造方法により製造されるトレンチゲート型半導体装置では、ゲートトレンチ底部のエッジへの電界集中を抑制することができる。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、前記エッチングガスが、ＳＦ６およびＯ２を含み、前記エッチングガスのガス流量比が、ＳＦ６：Ｏ２：ＨＢｒ＝１：１：６である、請求項１に記載のＳｉＣ膜の加工方法である。
この加工方法によれば、エッチングガスのガス流量比がＳＦ６（六フッ化硫黄）：Ｏ２（酸素）：ＨＢｒ＝１：１：６であるので、トレンチ側面の平坦性を一層向上させつつ、トレンチへのサブトレンチの形成を一層抑制することができる。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法であって、ＳｉＣからなる半導体層の表面に、アモルファス構造または多結晶構造を有する材料からなるエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクが形成された前記半導体層の表面に、ＨＢｒを含むエッチングガスを供給することにより、前記半導体層にゲートトレンチを形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法である。
【００１４】
この製造方法によれば、ゲート絶縁膜およびゲートトレンチ底部のエッジへの電界集中を抑制できる半導体装置を製造することができる。つまり、この製造方法によれば、耐圧に優れる半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の模式的な断面図である。
半導体装置１は、トレンチゲート型ＶＤＭＯＳＦＥＴの単位セルがマトリクス状に配置された構造を有している。なお、図１では、複数の単位セルのうちの一部が示されている。
【００１６】
半導体装置１は、半導体装置１の基体をなすＮ＋型のＳｉＣ基板２を備えている。ＳｉＣ基板２上には、ＳｉＣ基板２よりもＮ型不純物が低濃度にドーピングされたＳｉＣ（シリコンカーバイト：炭化ケイ素）からなる、Ｎ−型のエピタキシャル層３が積層されている。半導体層としてのエピタキシャル層３の基層部は、エピタキシャル成長後のままの状態が維持された、Ｎ−型のドレイン領域４をなしている。また、エピタキシャル層３には、ドレイン領域４上に、Ｐ型のボディ領域５がドレイン領域４に接して形成されている。
【００１７】
エピタキシャル層３には、ゲートトレンチ６がその表面３１から掘り下がって形成されている。ゲートトレンチ６は、図１では図示しないが、一定の間隔を空けて複数形成され、それらが互いに平行をなして同一方向（図１の紙面に垂直な方向、以下、この方向を「ゲート幅に沿う方向」ということがある。）に延びている。ゲートトレンチ６は、断面視において、互いに対向する平面状の１対の側面６１と、１対の側面６１の下端において、これらを連設する平面状の底面６２とが一体的に形成されている。ゲートトレンチ６は、ボディ領域５を層厚方向に貫通し、その最深部（底面６２）がドレイン領域４に達している。
【００１８】
ゲートトレンチ６内には、ゲートトレンチ６の内面全域を覆うように、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜７が形成されている。
そして、ゲート絶縁膜７の内側をＮ型不純物が高濃度にドーピングされたポリシリコンで埋め尽くすことにより、ゲートトレンチ６内にゲート電極８が埋設されている。
エピタキシャル層３の表層部には、ゲートトレンチ６に対してゲート幅と直交する方向（図１における左右方向）の両側に、ソース領域９が形成されている。ソース領域９は、ドレイン領域４のＮ型不純物濃度よりも高いＮ型不純物濃度（たとえば、１０１９／ｃｍ３）を有している。ソース領域９は、ゲートトレンチ６に沿ってゲート幅に沿う方向に延び、その底部がエピタキシャル層３の表面側からボディ領域５に接している。
【００１９】
また、エピタキシャル層３には、その表面３１から、ゲート幅と直交する方向におけるソース領域９の中央部を貫通し、ボディ領域５に接続されるＰ＋型のボディコンタクト領域１０が形成されている。
すなわち、ゲートトレンチ６およびソース領域９は、ゲート幅と直交する方向に交互に設けられ、それぞれゲート幅に沿う方向に延びている。そして、ソース領域９上に、ソース領域９に沿って、ゲート幅と直交する方向に隣接するユニットセル間の境界が設定されている。ボディコンタクト領域１０は、ゲート幅と直交する方向に隣接する２つのユニットセル間に跨って少なくとも１つ以上設けられている。また、ゲート幅に沿う方向に隣接するユニットセル間の境界は、各ユニットセルに含まれるゲート電極８が一定のゲート幅を有するように設定されている。
【００２０】
エピタキシャル層３上には、ＳｉＯ２からなる層間絶縁膜１１が積層されている。層間絶縁膜１１上には、ソース配線１２が形成されている。ソース配線１２は、接地されている。そして、ソース配線１２は、層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１３を介して、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０に電気的に接続されている。
ゲート電極８には、層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール（図示せず）を介して、ゲート配線１４が電気的に接続されている。
【００２１】
ＳｉＣ基板２の裏面には、ドレイン電極１５が形成されている。
ドレイン電極１５に適当な大きさの正電圧を印加しつつ、ゲート電極８の電位を制御すると、ゲート電極８からの電界によりボディ領域５におけるゲート絶縁膜７との界面近傍にチャネルを形成することができる。したがって、ソース配線１２とドレイン電極１５との間に電流を流すことができる。
【００２２】
図２Ａ〜図２Ｋは、図１の半導体装置の製造方法を工程順に説明する模式的な断面図である。
まず、図２Ａに示すように、エピタキシャル成長法により、ＳｉＣ基板２上に、エピタキシャル層３が形成される。
次いで、Ｐ−ＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition：プラズマ化学気相成長）法、ＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）などの方法により、エピタキシャル層３上に、アモルファス構造を有するＳｉＯ２（酸化シリコン）が付着（堆積）される。ＳｉＯ２は、たとえば、０．５〜１．５μｍの厚さになるまで付着される。これにより、図２Ａに示すように、エピタキシャル層３の表面３１に、ＳｉＯ２からなるエッチングマスク１６が形成される。なお、エッチングマスク１６は、アモルファス構造または多結晶構造を有する材料、たとえば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、Ａｌ２Ｏ３（酸化ルミニウム）またはＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）などを用いて形成することもできる。
【００２３】
次いで、図２Ｂに示すように、エッチングマスク１６の表面にフォトレジスト１７が塗布される。
続いて、フォトレジスト１７がパターニングされることにより、図２Ｃに示すように、エッチングマスク１６の、ゲートトレンチ６を形成すべき部分と対向する部分を露出させる開口１８がフォトレジスト１７に形成される。
【００２４】
次いで、フォトレジスト１７上から、Ｃ４Ｆ８（四フッ化炭素）を含む混合ガスからなるエッチングガスが供給される。上記エッチングガスの供給により、図２Ｄに示すように、エッチングマスク１６に、エピタキシャル層３の表面３１を露出させる開口１９が形成される（パターニング）。
開口１９の形成後、図２Ｅに示すように、フォトレジスト１７が除去される。
【００２５】
そして、エピタキシャル層３の形成されたＳｉＣ基板２が、ドライエッチング装置に搬送される。ドライエッチング装置としては、たとえば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）装置、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance：電子サイクロトロン共鳴）装置、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）装置などが使用され、好ましくは、ＩＣＰ装置が使用される。
【００２６】
ＩＣＰ装置が使用される場合には、高周波電界により誘導結合型プラズマが発生されてエッチングが行なわれる。
誘導結合型プラズマを発生させるためのコイルには、たとえば、５００〜８００Ｗのアンテナ電力（ＩＣＰ電力）が一定に供給される。
また、ＳｉＣ基板２が配置されるウエハステージには、誘導結合型プラズマとＳｉＣ基板２との間に電位差を形成するための、３０〜５０Ｗのバイアス電力が一定に供給される。
【００２７】
また、装置内には、ＳＦ６（六フッ化硫黄）、Ｏ２（酸素）およびＨＢｒ（臭化水素）を含むエッチングガス（混合ガス）が供給される。エッチングガスの供給圧力は、たとえば、５〜３０ｍＴｏｒｒであり、好ましくは、１０〜２０ｍＴｏｒｒである。また、エッチングガスのガス成分の流量比は、たとえば、ＳＦ６：Ｏ２：ＨＢｒ＝１：１：６（具体的な流量として、ＳＦ６：Ｏ２：ＨＢｒ＝２５：２５：１５０（単位は全てｓｃｃｍ））であることが最も好ましく、ＳＦ６：Ｏ２：ＨＢｒ＝１：１：４（具体的な流量として、ＳＦ６：Ｏ２：ＨＢｒ＝２５：２５：１００（単位は全てｓｃｃｍ））であってもよい。ガス成分の流量比が上記した流量であると、ゲートトレンチ６底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を一層抑制することができる。なお、ゲートトレンチ６底部のエッジとは、ゲートトレンチ６の底部における、底面６２と側面６１との接続部分のことである。
【００２８】
そして、アンテナ電力およびバイアス電力が供給されるとともに、各ガス成分が一定流量で、たとえば、６００〜３０００ｓ供給される。これにより、開口１９を介してエピタキシャル層３の表面３１に対してエッチングガスが入射される。これにより、図２Ｆに示すように、エピタキシャル層３が、開口１９から露出する部分からエッチングされて、底面６２および側面６１を有するゲートトレンチ６が形成される。
【００２９】
ゲートトレンチ６の形成後、エッチングマスク１６が除去される。
次いで、熱酸化処理により、図２Ｇに示すように、ゲートトレンチ６の内面およびエピタキシャル層３の表面３１に酸化膜２０が形成される。
次いで、ＣＶＤ法により、図２Ｇに示すように、エピタキシャル層３上に、ゲート電極の材料としてのポリシリコンの堆積層２１が形成される。ゲートトレンチ６は、堆積層２１により埋め尽くされ、エピタキシャル層３は、酸化膜２０を介して堆積層２１により覆われる。
【００３０】
その後、エッチバックにより、堆積層２１のゲートトレンチ６外に存在する部分が除去される。堆積層２１は、図２Ｇに示すように、そのエッチバック面が、エピタキシャル層３の表面３１に対して面一になるまでエッチバックされる。これにより、ゲートトレンチ６内に残存する堆積層２１が、ゲート電極８として形成される。
次いで、イオン注入法により、Ｐ型不純物（たとえば、ホウ素イオン）が、酸化膜２０の表面からエピタキシャル層３の内部に向けて注入される。そして、Ｐ型不純物を拡散させるための熱処理が行なわれることにより、図２Ｉに示すように、ゲートトレンチ６の側方に、ゲートトレンチ６の上端から底部に至るボディ領域５が形成される。また、ゲートトレンチ６の底部からＳｉＣ基板２に至るエピタキシャル層３の基層部には、ボディ領域５と分離され、エピタキシャル成長後のままの状態を維持するドレイン領域４が形成される。
【００３１】
次いで、酸化膜２０上に、ソース領域９を形成すべき部分と対向する部分に開口を有するマスク（図示せず）が形成される。そして、そのマスクの開口を介して、エピタキシャル層３の表層部に、Ｎ型不純物（たとえば、ヒ素イオン）のイオンが注入される。このイオン注入後、マスクは除去される。
さらに、酸化膜２０上に、ボディコンタクト領域１０を形成すべき部分と対向する部分に開口を有するマスク（図示せず）が形成される。そして、そのマスクの開口を介して、エピタキシャル層３の表層部に、Ｐ型不純物（たとえば、ホウ素イオン）のイオンが注入される。このイオン注入後、マスクは除去される。
【００３２】
その後、アニール処理が行なわれる。このアニール処理により、エピタキシャル層３の表層部に注入されたＮ型不純物およびＰ型不純物のイオンが活性化され、図２Ｉに示すように、エピタキシャル層３の表層部に、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０が形成される。
以上の工程を経た後、酸化膜２０のゲートトレンチ６外に存在する部分が除去され、ゲートトレンチ６の内面上のみに酸化膜２０が残されることにより、図２Ｊに示すように、ゲート絶縁膜７が得られる。
【００３３】
その後、ＣＶＤ法により、エピタキシャル層３上に層間絶縁膜１１が積層される。そして、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、図２Ｊに示すように、層間絶縁膜１１にコンタクトホール１３が形成される。
次いで、スパッタ法により、エピタキシャル層３上に、導電材料が成膜される。導電材料は、コンタクトホール１３を埋め尽くし、層間絶縁膜１１上に薄膜を形成するように付着（堆積）される。そして、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、層間絶縁膜１１上の導電材料がパターニングされる。これにより、図２Ｋに示すように、ソース配線１２が形成される。また、ゲート電極８と電気的に接続されるゲート配線１４が形成される。さらに、ＳｉＣ基板２の裏面にドレイン電極１５が形成される。
【００３４】
以上の工程を経て、図１に示す半導体装置１が得られる。
上記の製造方法によれば、ゲートトレンチ６の形成に際して、エピタキシャル層３に、アモルファス構造を有するＳｉＯ２からなるエッチングマスク１６が形成される。そして、このエッチングマスク１６を利用したエッチングにより、ゲートトレンチ６が形成される。エッチングマスク１６がアモルファス構造を有することにより、エッチングマスク１６をパターニングしたときに、パターニングにより形成される開口１９の内面の荒れを抑制することができる。そのため、開口１９を介してエッチングガスが入射されることにより形成されるゲートトレンチ６の側面の平坦性を向上させることができる。その結果、ゲートトレンチ６の側面とゲート絶縁膜７との密着性を高めることができるので、ゲート絶縁膜７への電界集中を抑制することができる。
【００３５】
また、ＳｉＣからなるエピタキシャル層３に形成されるゲートトレンチ６は、ＳＦ６、Ｏ２およびＨＢｒを含むエッチングガス（混合ガス）が供給されることにより形成される。そのため、ゲートトレンチ６底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を抑制することができる。その結果、ゲートトレンチ６底部のエッジへの電界集中を抑制することができる。
【００３６】
以上のように、上記の製造方法によれば、ゲート絶縁膜７およびゲートトレンチ６底部のエッジへの電界集中を抑制できる半導体装置を製造することができる。つまり、上記の製造方法によれば、耐圧に優れる半導体装置を製造することができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、半導体装置１の各半導体部分の導電型を反転した構成が採用されてもよい。すなわち、半導体装置１において、Ｐ型の部分がＮ型であり、Ｎ型の部分がＰ型であってもよい。
【００３７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明を実施例および比較例に基づいて説明するが、この発明は下記の実施例によって限定されるものではない。
実施例１〜２および比較例１〜２
ウエハ状のＳｉＣ基板（Ｃｒｅｅ社製）に、下記表１に示すエッチングマスクを形成した。次いで、ＩＣＰ装置（ＵＬＶＡＣ社製  ＮＥ５５０）のウエハステージに、上記により得られたＳｉＣ基板を配置した。そして、表１に示すエッチング条件でＳｉＣ基板にトレンチを形成した。
【００３９】
【表１】
2010003988.tif 000003
【００４０】
１）走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）による撮影
実施例１〜２および比較例１〜２により形成されたトレンチに対し、走査型電子顕微鏡を用いて電子線を走査した。電子線走査によって検出された情報を画像処理してＳＥＭ画像を得た。得られたＳＥＭ画像を図３〜図６Ｂに示す。なお、図３〜図６Ａは、トレンチの断面を表すＳＥＭ画像である。また、図６Ｂは、トレンチを斜め上方から見たときのＳＥＭ画像である。
２）トレンチ側面の平坦性
上記により形成されたトレンチについて、トレンチ側面の平坦性を確認した。
【００４１】
比較例２では、ＳｉＣ基板にＡｌからなるエッチングマスク（メタルマスク）を形成し、これを利用したエッチングによりトレンチを形成した。そのため、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、トレンチ側面にたくさんの凹凸が生じ、側面が荒れていることが確認された。
これに対し、実施例１〜２および比較例１では、いずれもＳｉＯ２からなるエッチングマスクを形成し、これを利用したエッチングによりトレンチを形成した。そのため、図３〜図５に示すように、いずれのトレンチ側面も平坦化されていることが確認された。
３）サブトレンチの有無
比較例１〜２では、ＳＦ６およびＯ２のみからなるエッチングガスによりトレンチを形成した。そのため、図５、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、トレンチ底部のエッジにサブトレンチが形成されていることが確認された。
【００４２】
これに対し、実施例１〜２では、ＳＦ６、Ｏ２およびＨＢｒを含むエッチングガスによりトレンチを形成した。そのため、図３および図４に示すように、トレンチ底面が平坦になっており、エッジにサブトレンチが形成されていないことが確認された。
４）結論
上記２）および３）により、実施例１〜２では、トレンチ側面を平坦にしつつ、トレンチ底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を防止できることが確認された。一方、比較例１〜２では、少なくともトレンチ側面が荒れるか、トレンチ底部のエッジにサブトレンチが形成されることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の模式的な断面図である。
【図２Ａ】図１の半導体装置の製造方法を説明する模式的な断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｅの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｆの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｇの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｉ】図２Ｈの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｊ】図２Ｉの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｋ】図２Ｊの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図３】実施例１により形成されたトレンチのＳＥＭ画像である。
【図４】実施例２により形成されたトレンチのＳＥＭ画像である。
【図５】比較例１により形成されたトレンチのＳＥＭ画像である。
【図６Ａ】比較例２により形成されたトレンチの断面を表すＳＥＭ画像である。
【図６Ｂ】比較例２により形成されたトレンチを斜め上方から見たＳＥＭ画像である。
【符号の説明】
【００４４】
１    半導体装置
３    エピタキシャル層（ＳｉＣ膜）
６    ゲートトレンチ
１６  エッチングマスク
３１  表面（ＳｉＣ膜の表面）
【図１】
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【図２Ａ】
2010003988.tif 000005
【図２Ｂ】
2010003988.tif 000006
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
2010003988.tif 000009
【図２Ｆ】
2010003988.tif 000010
【図２Ｇ】
2010003988.tif 000011
【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図２Ｊ】
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【図２Ｋ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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