(57)【要約】【課題】パッケージに発光素子が搭載された発光デバイスの信頼性を向上させる。【解決手段】中央に窪みを有するガラスパッケージ２と、その窪み５の底部に設けられた貫通穴３に導電材料が充填されてなる貫通電極４と、窪み５に収納され、貫通電極４の上に実装された発光ダイオード素子６と、窪み５の内壁面と底面に形成された絶縁性の多層干渉膜７と、発光ダイオード素子を封止する封止材とから発光デバイスを構成した。【選択図】図１
2010080800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窪みが形成されたガラス基体と、
前記窪みの底部に設けられた貫通穴に、導電材料が充填された貫通電極と、
前記窪みに収納され、前記貫通電極の上に実装された発光ダイオード素子と、
前記窪みの内壁面と底面に形成された絶縁性の反射膜と、
前記発光ダイオード素子を封止するために前記窪みに供給された封止材と、を備えることを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記反射膜が多層干渉膜により形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記封止材は、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させた材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記貫通穴の断面形状は、前記ガラス基体の裏面から前記窪みの底部に向けて末広状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光デバイス。
【請求項５】
ガラス材料を、成形法によって窪みとその窪みの領域内に穴を有するガラス基体に成形する工程と、
前記ガラス基体の窪みが形成された表面に絶縁物からなる反射膜を形成する工程と、
前記ガラス基体の穴に導電材料を設けて貫通電極を形成する工程と、
前記ガラス基体の裏面を研磨して、前記貫通電極を裏面に露出させるとともに該貫通電極の露出面と前記ガラス基体の裏面とを平坦化する研磨工程と、
前記ガラス基体の窪みの底面に露出した前記貫通電極の上に発光ダイオード素子を実装する工程と、
前記窪みに封止材を供給し、前記発光ダイオード素子を封止する工程と、を含む発光デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記封止材は、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させた材料であることを特徴とする請求項５に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記反射膜が、多層干渉膜で形成されたことを特徴とする請求項５または６に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記研磨工程の後で、前記ガラス基体の裏面に金属ペーストを印刷して裏面電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子をパッケージに実装した発光デバイスの構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード素子（以下、ＬＥＤ素子という。）は、近年、発光輝度等の改善が図られて多方面に実用化されている。例えば、液晶表示装置のバックライト、信号機の発光素子、電光掲示板、その他イルミネーション用として使用されている。ＬＥＤ素子は、低電圧、低消費電力で駆動でき、発光輝度が改善されたことから室内灯や自動車照明用などにも適用されることが期待されている。
【０００３】
しかし、ＬＥＤ素子単体の発光輝度は他の発光体と比較するといまだ弱く、そのために多数のＬＥＤ素子をまとめて発光体を構成する必要がある。また、ＬＥＤ素子の発光強度を強くすると発熱量が増大する。ＬＥＤ素子が加熱されると発光効率が低下するので、効果的に放熱できる構造にする必要がある。また、蛍光灯等の他の発光体と置き換えるには製造工程を簡単にして製造コストを低下させる必要がある。
【０００４】
安価で放熱性に優れた構成として、ガラス基板とＳｉウエハにより組み立てたＬＥＤサブマウントが知られている。図１０に示すように、貫通穴５８を有するＳｉウエハ５４とガラス基板５１を接合し、貫通穴５８に対応するガラス基板５１にＬＥＤ素子５６Ａが実装されている。ガラス基板５１には貫通電極５２が形成され、接続用電極メタライズ５３Ｂを介してＬＥＤ素子５６Ａと電気的に接続されている。さらに、貫通電極５２はガラス基板５１の背面に形成した電極メタライズ５３Ａに電気的に接続されている。貫通穴５８の側面には、ＬＥＤ素子５６Ａから発光した光を上方向に反射させるための反射面５５が形成されている。反射面５５としてメタライズや金属を用いている（例えば、特許文献１を参照）。この構成により、ＬＥＤ素子５６Ａにより生じた発熱を、貫通電極５２を介して効率よく放熱することができ、また、ガラス基板とＳｉ基板とを陽極接合により接着するので接着強度を向上させることができ、更に、ＬＥＤマウントを一括して大量に製造できるので低コスト化が可能になる、というものである。
【０００５】
また、特許文献２には、図１１に示すように、金属基体６２に発光素子６５を搭載し、その周囲に第１枠体６３と第２枠体６４を設置した発光装置６１が記載されている。金属基体６２の中央部は凸状の搭載部６２ａが形成され、凸状の上面に発光素子６５が設置される。金属基体６２の周囲の段差部には第１枠体６３が接合されている。第１枠体６３は絶縁体からなり、電極が形成されている。第１枠体６３の上面には、発光素子６５を取り囲むようにな形状の金属製の第２枠体６４が接合されている。第２枠体６４の内壁面は下部から上部に向かって末広状の形状を有し、発光素子６５から発光した光を上方向へ反射させる。この構成により、発光効率を高めるとともに、熱放熱性が向上し、発光素子６５に入力する駆動電流を増加させることができ、発光素子の光出力を増加させている。
【特許文献１】特開２００７−４２７８１号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８２４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１０に示した従来のＬＥＤサブマウントの構造では、貫通電極５２を備えるガラス基板５１と、その上に接合されるＳｉ基板５４とは別体である。そのため、ガラス基板５１とＳｉ基板５４をそれぞれ別個に加工し、その後、接合する必要がある。また、図１１に示した発光装置６１の構造は、発光素子６５を搭載した金属基体６２と、絶縁体からなる第１枠体６３と、金属からなる第２枠体６４とは別体である。そのため、３つの部材をそれぞれ別個に加工し、それぞれを接合する必要がある。即ち、異種物質間を接合する必要がある。
【０００７】
しかし、ＬＥＤ素子は発光するたびに発熱するので、熱による膨張・収縮が繰り返される。そのため、接合部の接着性や密封性が低下する、という課題があった。また、別体で加工した後にそれぞれを接着又は接合する工程を必要とするので、製造工程が増加し、製品がコスト高となる原因となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、上記課題を解決するために、発光デバイスを以下の構成とした。すなわち、窪みが形成されたガラス基体と、窪みの底部に設けられた貫通穴に、導電材料が充填されてなる貫通電極と、窪みに収納され、貫通電極の上に実装された発光ダイオード素子と、窪みの内壁面と底面に形成された絶縁性の反射膜と、発光ダイオード素子を封止するために窪みに供給された封止材を備えることとした。
【０００９】
ここで、反射膜としてコールドミラー、多層干渉膜を用いることとした。また、封止材として、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させた材料を用いることとした。
【００１０】
さらに、貫通穴の断面形状を、ガラス基体の裏面から窪みの底部に向けて末広状になるようにした。
【００１１】
また、本発明の発光デバイスの製造方法は、ガラス材料を、成形法によって窪みとその窪みの領域内に穴を有するガラス基体に成形する工程と、ガラス基体の窪みが形成された表面に絶縁物からなる反射膜を形成する工程と、ガラス基体の穴に導電材料を設けて貫通電極を形成する工程と、ガラス基体の裏面を研磨して、貫通電極を裏面に露出させるとともに該貫通電極の露出面とガラス基体の裏面とを平坦化する研磨工程と、ガラス基体の窪みの底面に露出した貫通電極の上に発光ダイオード素子を実装する工程と、窪みに封止材を供給し、発光ダイオード素子を封止する工程と、を含むこととした。
【００１２】
さらに、研磨工程の後で、ガラス基体の裏面に金属ペーストを印刷して裏面電極を形成する工程を設けることとした。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のパッケージ構成によれば、簡単な製造方法で信頼性の高い発光デバイスを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の発光デバイスは、窪みが形成されたガラス基体と、その窪みの底部に設けられた貫通穴に導電材料が設けられた貫通電極と、窪みに収納され、貫通電極の上に実装された発光ダイオード素子と、窪みの内壁面と底面に形成された絶縁性の反射膜と、発光ダイオード素子を封止するために窪みに供給された封止材を備えている。ガラス基体はガラス材料で一体的に形成されているので接着面や接合面がない。そのため、発光ダイオード素子の発熱による膨張・収縮が繰り返されても、外部から水分や不純物が浸入し難くなり、電極材料の腐食や発光ダイオード素子の特性劣化が抑えられ、信頼性を向上させることができる。また、パッケージの基体が単体で構成されているので製造工数を減らすことができ、低コストで高信頼性の発光デバイスを提供することができる。
【００１５】
ここで、発光デバイスの発熱を抑えるために、反射膜としてはコールドミラーが適している。コールドミラーは、可視光を反射して赤外領域の光を透過する特性を持つ反射膜である。そのような反射膜として多層干渉膜を用いることができる。また、封止材は、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させた材料を用いることが適している。
【００１６】
さらに、貫通穴の断面形状を、ガラス基体の裏面から窪みの底部に向けて末広状に形成した。すなわち、穴の大きさは底面側よりも窪み側のほうが大きくなっている。これにより、貫通穴に充填された導電材料がガラス基体の裏面から抜けることを防止できる。
【００１７】
また、本発明による発光デバイスの製造方法は、ガラス材料を、成形法によって窪みとその窪みの領域内に穴を有するガラス基体に成形する工程と、ガラス基体の窪みが形成された表面に絶縁物からなる反射膜を形成する工程と、ガラス基体の穴に導電材料を設けて貫通電極を形成する工程と、ガラス基体の裏面を研磨して、貫通電極を裏面に露出させるとともに該貫通電極の露出面とガラス基体の裏面とを平坦化する研磨工程と、ガラス基体の窪みの底面に露出した貫通電極の上に発光ダイオード素子を実装する工程と、窪みに封止材を供給し、発光ダイオード素子を封止する工程を含んでいる。
【００１８】
図１は、本発明の実施例に係る発光デバイス１を説明するための模式図である。発光デバイス１の断面構成を図１（ａ）に、発光デバイス１の上面図を図１（ｂ）に模式的に示す。発光デバイス１は、ガラスパッケージ２と、ガラスパッケージ２の貫通穴３に充填した貫通電極４ａ、４ｂと、ダイボンディング材１１を介して４つの貫通電極４ａの上に配置されたＬＥＤ素子６と、ガラスパッケージ２の上面に形成した絶縁体からなる多層干渉膜７と、ＬＥＤ素子６と貫通電極４ｂを電気的に接続するワイヤー９と、窪み５に充填した封止材８と、ガラスパッケージ２の裏面に形成した裏面電極１０ａ、１０ｂを備えている。
【００１９】
ガラスパッケージ２には、中央部に窪み５が形成され、この窪み５の底部に複数の貫通穴３が形成されている。貫通穴３の断面形状は、ガラスパッケージ２の裏面から窪み５の底部に向けて末広状に形成されている。多層干渉膜７は、絶縁体から構成されており、窪み５の内壁面と底面にも形成されている。ＬＥＤ素子６には、その上面及び下面に図示しない電極が形成されている。ＬＥＤ素子６の下面電極は、ダイボンディング材１１によりガラスパッケージ２の窪み５の底部に固定されるとともに、貫通電極４ａと電気的に接続する。ＬＥＤ素子６の上面電極は、ワイヤー９を介して貫通電極４ｂと電気的に接続している。つまり、ＬＥＤ素子６は、ガラスパッケージ２の裏面に分離して形成された裏面電極１０ａと１０ｂから電力の供給を受けることができる。
【００２０】
ガラスパッケージ２は、シリコン酸化物を主体とする通常のガラス材料から作成することができる。ガラスパッケージ２に形成する窪み５や貫通穴３は、後に詳述するように、ガラス材料の成形により同時に形成することができる。そのため、従来例のように、基板や枠部を個別に加工し、接着する必要がない。即ち、本発明の基体部は、複数の異なる材料から構成されていないので、これら部材を接合する接合面が存在しない。そのため、接合面での劣化は無く、信頼性を向上させることができる。更に、製造工程数も減少したので、製造コストを低減することができる。
【００２１】
ＬＥＤ素子６からの発光を反射する反射面として、絶縁性の多層干渉膜７を形成した。多層干渉膜７は、ガラスパッケージ２の表側全面に形成している。絶縁性であるために、貫通穴３の側面や窪み５の底面に形成しても、貫通電極４ａと貫通電極４ｂが短絡することがない。そのため、窪み５の底部に堆積した多層干渉膜７を、パターニング及びエッチング工程により除去する必要がない。そのため、製造が簡単になる。また、多層干渉膜７は、金属酸化物をスパッタリングや蒸着により形成することができる。例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の金属酸化膜を使用することができる。ガラスパッケージ２はシリコン酸化物が主体であるので、ガラスパッケージ２の上に多層干渉膜としてシリコン酸化膜を形成すれば、膜の密着性を向上させることができる。また、酸化物であることから腐食し難い。そのため、信頼性の高い反射面を形成することができる。
【００２２】
貫通穴３に、Ａｇを含有する導電ペーストや、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、コバール等の金属材料を充填し、加熱固化させて貫通電極４ａ、４ｂを形成する。また、金属芯材を挿入して接着固定させてもよい。また、溶融した半田を充填して冷却固化させてもよい。貫通電極４ａ、４ｂの断面形状は、ガラスパッケージ２に形成した貫通穴３の断面形状と同じであり、ガラスパッケージ２の裏面から窪み５の底部に向けて末広状の形状を有している。そのため、貫通電極４ａ、４ｂは窪み５の底部側からガラスパッケージの裏面側には抜け難くなる。
【００２３】
ガラスパッケージ２の裏面を研磨により平坦化し、この裏面に導体膜を形成して裏面電極を形成する。導体膜は蒸着や印刷法により形成することができる。印刷法を用いれば、製造工程がより簡単になる。
【００２４】
ＬＥＤ素子６は、ダイボンディング材１１を介して貫通電極４の上部に実装される。ダイボンディング材１１は、バンプ又は導電性接着剤からなり、ＬＥＤ素子６を窪み５の底部に接着固定している。ＬＥＤ素子６の裏面には図示しない電極が形成されており、貫通電極４ａとダイボンディング材１１を介して電気的に接続される。また、ＬＥＤ素子６の表面には図示しない電極が形成されており、貫通電極４ｂとワイヤーを介して接続されている。
【００２５】
このように、ＬＥＤ素子６は、貫通電極４ａと導電性のダイボンディング材を介して裏面の裏面電極１０に接続されているので、ＬＥＤ素子６で発生した熱はダイボンディング材１１、貫通電極４ａ、及び裏面電極１０ａを介して放熱される。また、Ａｕ等からなるワイヤー９、貫通電極４ｂ及び裏面電極１０ｂを介しても放熱される。これにより、ＬＥＤ素子６の温度上昇を抑制することができる。
【００２６】
ガラスパッケージ２の窪み５には封止材８が充填され、ＬＥＤ素子６とワイヤー９を覆っている。封止材８は、外部から不純物や水分等の混入を防止して、電極材料等が腐食することを防ぐ。封止材８として、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・焼成した金属酸化物を用いることができる。例えば、シリコン酸化物、アルミニュウム酸化物、チタン酸化物、ジルコニア酸化物が例示できる。金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・焼成した酸化物はガラスに対する密着性が優れている。特に、金属アルコキシド又はポリメタロキサンから形成したシリコン酸化物を封止材８とした場合には、ガラスパッケージ２もシリコン酸化物であることから、熱膨張係数が近似し、接着性が良好となる。また、多層干渉膜７の表面の膜にシリコン酸化膜を使用すれば、密着性は更に向上する。これにより、熱膨張や収縮に対して劣化が低減でき、高信頼性の発光デバイスを得ることができる。
【００２７】
なお、図１（ｂ）に示すように、本実施例では、ダイボンディング材１１を介してＬＥＤ素子６の下部電極と接続する貫通電極４ａを４つ、ワイヤー９を介してＬＥＤ素子６の上部電極と接続する貫通電極４ｂを１つ設けている。また、それぞれの貫通電極４ａ、４ｂは形状が同じである。しかし、これに限定されず、ＬＥＤ素子６の下部に更に多数の貫通電極４ａを設けても良いし、１つの貫通電極４ａを設けても良い。また、ワイヤー９を介して接続する貫通電極４ｂの外形を、他の貫通電極４ａの外形より大きくしてもよい。また、ガラスパッケージ２の窪み５の内側に、複数のＬＥＤ素子６を設けても良い。このような構成すれば、光強度を更に強くすることができる。また、発光デバイス１の外形形状を、６角形やそれ以上の多角形に、あるいは円形にしてもよい。発光デバイス１は大判上で多数個同時に形成できるので、細密に配列できる外形形状が望ましい。
【００２８】
次に、図２〜図９を用いて、本発明の発光デバイス１の製造方法の実施例を説明する。図２（ａ）に、ガラス材料を金型プレスにより成形する様子を模式的に示す。図２（ｂ）は、金型プレスにより形成されたガラスパッケージ２の断面模式図である。図２（ａ）に示すように、成形金型１７の表面には凹凸が形成されている。ガラス材料１５を軟化点以上まで加熱して定盤１６に設置する。次に、成形金型１７を降下させてガラス材料１５を押圧する。これにより、ガラス材料１５には成形金型１７の凹凸形状が転写される。冷却後、成形金型１７を上昇させ、凹凸が転写されたガラス材料１５を定盤１６から取りはずす。図２（ｂ）に示すように、取り外されたガラス材料１５には、窪み５と、その窪み５の底部には貫通穴３用の穴２０が形成されており、これがガラスパッケージ２となる。
【００２９】
成形金型１７の凹凸にはテーパーが付いている。そのため、凸部１８の先端は細くなっており、凹部１９は底部が狭くなる。このテーパーにより、ガラス材料１５に対する成形金型１７の離型性が向上する。また、成形金型１７の凸部１８が転写されたガラスパッケージ２の穴２０は、底部から上部に向けて末広形状となる。従って、後に貫通電極４を充填したときに、貫通電極４が抜け難くなる、という利点も付与される。また、凹部１９のテーパー面は、ＬＥＤ素子６から発光した光を反射する反射面として利用する。
【００３０】
なお、本実施例では、ガラスパッケージ２の成形時には、貫通電極４を形成するための穴２０を貫通させていない。後に貫通電極４を形成するために、穴２０に導電ペーストを充填するが、この導電ペーストが裏面側に漏洩しないようにするためである。しかし、貫通電極４の材料や性質によっては漏洩の問題が生じない。この場合は、ガラス材料１５の成形の際に、又は、ガラス材料１５の成形の後であって貫通電極４の形成の前に、穴２０を貫通させても良い。
【００３１】
次に、ガラスパッケージ２の上面に絶縁体からなる多層干渉膜７を形成する。図３に、その断面状態を模式的に示す。多層干渉膜７は、スパッタリング法や蒸着法により金属酸化物やフッ化物からなる絶縁材料を堆積して形成する。金属酸化物として、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3等を使用し、数層から数十層積層して多層干渉膜７とすることができる。多層干渉膜７は絶縁体であるために、窪み５の底部に堆積した多層干渉膜７を除去する必要がない。そのために、多層干渉膜７をパターニングする工程を必要としない。
【００３２】
次に、図３で示した穴２０にディスペンサー等によりＡｇ等の金属を含有する導電ペーストを充填する。導電ペーストを充填した後で加熱し、固化させて、貫通電極４とする。図４に、ガラスパッケージ２の穴２０に貫通電極４を形成した状態を示す。また、導電ペーストに代えて、金属芯材を挿入して接着固定してもよい。
【００３３】
次に、ガラスパッケージ２の裏面を研磨して、貫通電極４を裏面に露出させる。ガラスパッケージ２を平坦な表面の研磨定盤又は研磨パッドに載置し、ガラスパッケージ２を研磨定盤又は研磨パッドに押圧しながら相対的に移動して研磨する。これにより、貫通電極４の露出部とガラスパッケージ２の裏面１２を平坦化することができる。図５にこの状態を模式的に示す。
【００３４】
次に、ガラスパッケージ２の裏面に貫通電極４ａに接続する裏面電極１０ａと、貫通電極４ｂに接続する裏面電極１０ｂを形成する。図６に、この状態を模式的に示す。ガラスパッケージ２の裏面に、Ａｇ等の導電材料が混入されたインキをスクリーン印刷法により印刷する。次に、加熱焼成を行って固化する。印刷により裏面電極１０を形成すれば、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を必要としないので、製造コストを低減させることがきる。また、ガラスパッケージ２の裏面は平坦なので、発光デバイス１を他の基板へ容易に実装することができる。
【００３５】
図７は、貫通電極４の上にＬＥＤ素子６を実装した状態を表す断面模式図である。ＬＥＤ素子６の裏面には電極が形成されている。ＬＥＤ素子６を、ダイボンディング材１１を介して貫通電極４の上に載置する。ＬＥＤ素子６を加熱しながら押圧してガラスパッケージ２及び貫通電極４に接着する。ダイボンディング材１１は、半田バンプや金バンプを使用することができる。また、ダイボンディング材１１として、導電性接着剤を使用することができる。
【００３６】
図８は、ＬＥＤ素子６の上面に形成した電極と貫通電極４との間をワイヤー９により接続した状態を表す断面模式図である。ワイヤーは金線を使用することができる。
【００３７】
図９は、ガラスパッケージ２の窪み５に封止材８を充填した状態を表す断面模式図である。封止材８は、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させたシリコン酸化物である。具体的には、ガラスパッケージ２の窪み５に、ディスペンサー等を用いて金属アルコキシドの溶液を充填する。金属アルコキシドの溶液として、例えば、ｎＳｉ（ＯＣＨ3）4、４ｎＨ2Ｏ、触媒（ＮＨ4ＯＨ）、亀裂防止剤（ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド）の混合液を使用することができる。これを室温〜約６０℃において加水分解及び重合を行って、ポリメタロキサンのゾルを形成する。更に、室温〜６０℃において重合してシリコン酸化物の湿潤ゲルを形成し、温度約１００℃又は１００℃以上において乾燥、焼成を行い、シリコン酸化物を形成する。或いは、ガラスパッケージ２の窪み５にポリメタロキサンを充填して、上記と同様に重合及び焼成してシリコン酸化物を形成してもよい。
【００３８】
金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成したポリメタロキサンを重合・焼成させて得られたシリコン酸化物は、ガラスパッケージ２や金属酸化物からなる多層干渉膜７との間の接着性が良好であり、また、熱膨張率も近いので、高信頼性の発光デバイスを得ることができる。
【００３９】
なお、上記実施例においては、発光デバイス１を１個形成する例として説明したが、大きなガラス基体を用いて発光デバイスを多数個同時に形成し、最後にスクライブ又はダイシングにより分離することができる。また、上記実施例における工程は、（１）ガラス材料の成形→（２）反射膜の形成→（３）貫通電極の形成→（４）裏面の平坦化→（５）裏面電極の形成→（６）ＬＥＤ素子の実装→（７）封止材の形成の順であるが、この工程順に限定されない。例えば、（３）貫通電極の形成の後に、（６）ＬＥＤ素子の実装→（７）封止材の形成→（４）裏面の平坦化→（５）裏面電極の形成の順であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の発光デバイスを説明するための模式図である。
【図２】本発明の発光デバイスの製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の発光デバイスの製造方法を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の発光デバイスの製造方法を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の発光デバイスの製造方法を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の発光デバイスの製造方法を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の発光デバイスの製造方法を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の発光デバイスの製造方法を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の発光デバイスの製造方法を模式的に示す断面図である。
【図１０】従来公知の発光デバイスの断面模式図である。
【図１１】従来公知の他の発光デバイスの断面模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  発光デバイス
２  ガラスパッケージ
３  貫通穴
４  貫通電極
５  窪み
６  ＬＥＤ素子
７  多層干渉膜
８  封止材
９  ワイヤー
１０  裏面電極
１１  ダイボンディング材
【図１】
2010080800.tif 000003
【図２】
2010080800.tif 000004
【図３】
2010080800.tif 000005
【図４】
2010080800.tif 000006
【図５】
2010080800.tif 000007
【図６】
2010080800.tif 000008
【図７】
2010080800.tif 000009
【図８】
2010080800.tif 000010
【図９】
2010080800.tif 000011
【図１０】
2010080800.tif 000012
【図１１】
2010080800.tif 000013