(57)【要約】【課題】配線基板の生産歩留りおよび生産性を向上する配線基板製造装置を提供する。【解決手段】本発明に係る配線基板製造装置１における欠損検出部１１０は、絶縁膜における欠損を検出する。続いて、欠損数算出部１２０は、検出した絶縁膜における欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する。そして、修正指示部１３０は、算出した欠損の数が０より多く、かつ、所定の閾値Ｔｈ１未満である場合に、交差部における欠損を修正すべきであると判断する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第一の配線パターンと第二の配線パターンとが形成されており、かつ、当該第一の配線パターンと当該第二の配線パターンとが交差する交差部には、当該第一の配線パターンと当該第二の配線パターンとを絶縁するように絶縁膜が形成されている配線基板を製造する配線基板製造装置であって、
上記第一の配線パターン上に絶縁膜を形成した基板を撮像した撮像画像データに基づいて、形成した上記絶縁膜における欠損を検出する欠損検出手段と、
検出した上記欠損の位置の情報および上記第二の配線パターンの形成される位置の情報に基づいて、検出した上記欠損のうち、上記交差部における欠損の数を算出する欠損数算出手段と、
上記交差部における欠損の数が、０より多く、かつ、第一の閾値未満である場合に、上記交差部における欠損の修正を指示する修正指示手段と、
を備えていることを特徴とする配線基板製造装置。
【請求項２】
上記配線基板は、ＴＦＴアレイ基板であり、
上記欠損数算出手段は、上記交差部における欠損の数を算出すると共に、上記ＴＦＴアレイ基板における各画素において、上記欠損の検出された上記交差部を有する画素の連続する数を算出し、
上記修正指示手段は、上記交差部における欠損数が０より多く、かつ、第一の閾値未満であると同時に、上記欠損の検出された上記交差部を有する画素の連続する数が第二の閾値未満である場合に、上記交差部における欠損の修正を指示することを特徴とする請求項１に記載の配線基板製造装置。
【請求項３】
上記欠損検出手段は、上記撮像画像データにおける輝度が所定の範囲内となる領域に対応する上記基板上の領域を、当該基板における上記絶縁膜の欠損として検出することを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板製造装置。
【請求項４】
上記配線基板上にインクを吐出するインクジェットヘッドをさらに備えており、
上記インクジェットヘッドは、上記修正指示手段からの指示に基づいて、上記欠損を有する上記交差部に、絶縁材料を含むインクを吐出することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の配線基板製造装置。
【請求項５】
上記絶縁材料は、スピンオングラス材料であることを特徴とする請求項４に記載の配線基板製造装置。
【請求項６】
基板上に第一の配線パターンと第二の配線パターンとが形成されており、かつ、当該第一の配線パターンと当該第二の配線パターンとが交差する交差部には、当該第一の配線パターンと当該第二の配線パターンとを絶縁するように絶縁膜が形成されている配線基板を製造する配線基板製造装置における絶縁膜の欠損修正判定方法であって、
上記第一の配線パターン上に絶縁膜を形成した基板を撮像した撮像画像データに基づいて、形成した上記絶縁膜における欠損を検出する欠損検出工程と、
検出した上記欠損の位置の情報および上記第二の配線パターンの形成される位置の情報に基づいて、上記交差部における欠損の数を算出する欠損数算出工程と、
上記交差部における欠損の数が、０より多く、かつ、第一の閾値未満である場合に、上記交差部における欠損の修正を指示する修正指示工程と、
を含むことを特徴とする欠損修正判定方法。
【請求項７】
請求項１から５の何れか１項に記載の配線基板製造装置が備えているコンピュータを動作させるプログラムであって、上記コンピュータを上記の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを記録しているコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル等に用いられる配線基板の製造装置、および、当該配線基板における絶縁膜の欠損を修正するか否かを判定する欠損修正判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネル等に用いる配線基板として、絶縁膜を介在させて導体配線が上下２層に形成された配線基板が広く普及している。このような配線基板の製造方法について、以下に説明する。
【０００３】
まず始めに、ガラス基板等の絶縁性を有する絶縁基板全面に、スパッタリング技術を用いて、金属導体層を形成する。次に、フォトリソグラフィー技術およびＣＦ４系ガスによるドライエッチング技術を用いて、金属導体層をパターニングすることにより、第一の導体配線パターンをパターニングする。次に、第一の導体配線パターンが形成された基板全面にケミカルベイパーデポジション技術を用いて、ＳｉＮ等の絶縁膜を成膜する。このとき、必要に応じて、フォトリソグラフィー技術および塩素系ガスによるドライエッチング技術を用いて、引き出し端子部形成部および導体配線層間接続ビア（コンタクトホール）等の絶縁膜開口部を形成する。このとき、第一の導体配線パターンと第二の導体配線パターンとの交差部における絶縁膜は確保しておく。最後に、第一の導体配線パターンと同様の手段により、第二の導体配線パターンをパターニングする。これによって、絶縁膜を介して、上下２層に形成されている導体配線パターンを有する配線基板を製造することができる。
【０００４】
しかし、上記のように製造した配線基板には、絶縁膜の欠損による生産性の低下の問題が存在する。これは、上記配線基板の製造方法における各々の工程において、ダストの付着等を原因とする成膜不良またはパターニング不良の発生に起因している。
【０００５】
特に、配線基板が液晶パネル等に用いられるＴＦＴアレイ基板の場合には、ケミカルベイパーデポジション技術を用いた絶縁膜形成工程、より詳細にはボトムゲート型のＴＦＴアレイ基板のゲート配線パターニング後のゲート絶縁膜形成工程において絶縁膜成膜不良が多く発生する。
【０００６】
ボトムゲート型ＴＦＴアレイ基板のゲート絶縁膜における成膜不良（特に、補助容量配線を含む下層配線上の絶縁膜に欠損がある場合）は、絶縁膜を介して形成されるゲート配線（下層配線）とソース配線（上層配線）との配線間、ならびに、ゲート配線（下層配線）および補助容量配線（下層配線）とドレイン配線（上層配線）との配線間における電流リーク、または、ゲート配線（下層配線）とソース配線（上層配線）とが交差する配線クロス部における配線短絡の原因となる。
【０００７】
これによって、ＴＦＴ液晶パネルにおける光学特性劣化、およびゲート／ソース短絡により画素が直線状に制御不能となる線欠陥不良が発生する。これは、液晶パネルにとって致命的な欠陥である。このため、現状のゲート絶縁膜成膜技術では、絶縁膜成膜不良により、ＴＦＴアレイ基板の生産性が低下してしまうという問題がある。
【０００８】
このような問題を解決するための方法として、例えば、特許文献１または２に記載の技術がある。特許文献１には、配線クロス部における絶縁膜の欠損発生頻度を低減させるために、基板全域を覆うようにゲート絶縁膜を成膜した後に、上記配線クロス部のみに低誘電率の絶縁材料をインクジェット工法を用いて滴下して塗布し、もう一つの絶縁膜を形成する技術が開示されている。
【０００９】
また、特許文献２には、液晶パネルのカラーフィルター基板の製造方法において、カラーフィルター画素の欠陥を検出する外観検査装置と、欠陥がある場合に欠陥を修正する欠陥修正装置とを備えるカラーフィルター欠陥修正を行う一貫ラインが開示されている。具体的には、特許文献２の記載の技術では、外観検査装置がカラーフィルタ基板に白欠陥または黒欠陥があると判断した場合に、欠陥修正装置が該欠陥に欠陥を除去するレーザーを照射するか、インクを塗布して着色する。
【特許文献１】特開２００７−１７１３１４号公報（公開日：２００７年  ７月  ５日）
【特許文献２】特開２００３−３１５２２７号公報（公開日：２００３年１１月  ６日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載の技術を用いたとしても依然として以下のような問題が生じる。
【００１１】
まず、絶縁膜の欠損発生頻度を低減させる特許文献１に記載の技術では、配線クロス部に２種類の絶縁膜を形成するため、ＴＦＴアレイ基板の配線クロス部における膜厚が全ての画素において局所的に厚くなる。また、２種類の絶縁膜を形成する方法のうちの１つのがインクジェット工法であるため、特に第６世代以降の大型マザー基板において、絶縁材料の塗布位置制御および形成する絶縁膜の膜厚制御が困難になる。このため、ＴＦＴアレイ基板の各画素間における絶縁膜の膜厚が不均一となりやすい。
【００１２】
したがって、このような製造方法により製造されたＴＦＴアレイ基板を用いた液晶パネルでは、膜厚が不均一な絶縁膜を原因とした光学特性の劣化が生じやすいという問題がある。
【００１３】
また、特許文献２に記載の技術では、欠損が生じているか否かは判別することができるが、修正すべき欠損であるか否かの判別までは行うことができない。すなわち、特許文献２に記載のカラーフィルターの欠陥修正一貫ラインの概念をＴＦＴアレイ基板製造ラインのゲート絶縁膜の欠損の修正に応用した場合、検出した欠損の全てを修正対象として絶縁膜の欠損を修正することとなるため効率が悪いという問題がある。
【００１４】
具体的には、特許文献２に記載の技術では、液晶パネルの機能低下に影響しない欠損、換言すればＴＦＴアレイ基板に関して機能的には欠陥とはならない絶縁膜の欠損も修正してしまう。また、既にパターニングされたゲート配線および絶縁膜とそれぞれの設計パターンとの差異を検出するパターン検査装置等を用いて異常パターンを検出するため、絶縁膜の欠損以外の付着異物やパターニング不良等を異常パターンとして検出してしまい、絶縁膜の欠損以外の異常パターンに対しても、絶縁膜材料を塗布してしまうというおそれがある。
【００１５】
このように、特許文献２におけるカラーフィルター基板の修正一貫ラインにおいては、検出した異常パターンについて修正が有効か否かを判断する工程、また有効と判断した欠陥を修正することにより生産性を逆に低減させることがないかを判断する工程は開示されてない。すなわち、ＴＦＴアレイ基板の製造ラインに適用したとしても、ＴＦＴアレイ基板の生産性を低減させてしまうおそれがある。
【００１６】
本発明は上記の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、配線基板の生産歩留りおよび生産性を向上することを実現する配線基板製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る配線基板製造装置は、上記課題を解決するために、基板上に第一の配線パターンと第二の配線パターンとが形成されており、かつ、当該第一の配線パターンと当該第二の配線パターンとが交差する交差部には、当該第一の配線パターンと当該第二の配線パターンとを絶縁するように絶縁膜が形成されている配線基板を製造する配線基板製造装置であって、上記第一の配線パターン上に絶縁膜を形成した基板を撮像した撮像画像データに基づいて、形成した上記絶縁膜における欠損を検出する欠損検出手段と、検出した上記欠損の位置の情報および上記第二の配線パターンの形成される位置の情報に基づいて、検出した上記欠損のうち、上記交差部における欠損の数を算出する欠損数算出手段と、上記交差部における欠損の数が、０より多く、かつ、第一の閾値未満である場合に、上記交差部における欠損の修正を指示する修正指示手段と、を備えていることを特徴としている。
【００１８】
本発明に係る配線基板製造装置では、欠損検出手段が、絶縁膜における欠損を検出し、欠損数算出手段が検出した絶縁膜における欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する。そして、補正指示手段が、交差部における欠損の数が０より多く、かつ、所定の閾値未満である場合に、交差部における欠損を修正すべきであると判断する。
【００１９】
このように、本発明に係る配線基板製造装置では、製造した配線基板において、致命的な欠陥となる交差部における絶縁膜の欠損が所定の閾値よりも少ない場合にのみ、絶縁膜の欠損の修正を実行する。すなわち、本発明に係る配線基板製造装置では、絶縁膜に欠損が生じている配線基板のうち、生産歩留まりおよび生産性の低下の要因となり得る基板については、欠損を修正しない。
【００２０】
したがって、本発明に係る配線基板製造装置では、配線基板の生産歩留まりおよび生産性を向上することできるという効果を奏する。
【００２１】
本発明に係る配線基板製造装置では、さらに、上記配線基板は、ＴＦＴアレイ基板であり、上記欠損数算出手段は、上記交差部における欠損の数を算出すると共に、上記ＴＦＴアレイ基板における各画素において、上記欠損の検出された上記交差部を有する画素の連続する数を算出し、上記修正指示手段は、上記交差部における欠損数が０より多く、かつ、第一の閾値未満であると同時に、上記欠損の検出された上記交差部を有する画素の連続する数が第二の閾値未満である場合に、上記交差部における欠損の修正を指示することが好ましい。
【００２２】
上記の構成によれば、修正指示手段は、ＴＦＴアレイ基板における各画素において、交差部における検出された欠損の数および欠損の生じている画素の連続する数に基づいて、絶縁膜における欠損の修正要否を判断する。すなわち、ＴＦＴアレイ基板であっても、生産歩留まりおよび生産性の低下の要因となり得る基板については、絶縁膜における欠損を修正しない。
【００２３】
これによって、ＴＦＴアレイ基板においても効率的な絶縁膜の修正を行うことができ、ＴＦＴアレイ基板の生産歩留まりおよび生産性を向上することできるという効果を奏する。
【００２４】
本発明に係る配線基板製造装置では、さらに、上記欠損検出手段は、上記撮像画像データにおける輝度が所定の範囲内となる領域に対応する上記基板上における領域を、当該基板における上記絶縁膜の欠損として検出することが好ましい。
【００２５】
上記の構成によれば、欠損検出手段が、絶縁膜の欠損のみを選択的に検出することができる。これによって、絶縁膜の欠損以外の異常パターン（例えば、異物の付着および第一の配線パターンにおけるパターニングの異常）が、絶縁膜の欠損として検出されることを防止することができる。
【００２６】
そのため、配線基板を用いた製品において致命的な欠陥にならない絶縁膜の欠損を修正することに起因する配線基板の生産歩留まりおよび生産性の低下を抑制し、配線基板の生産歩留まりおよび生産性をより一層向上することができるという効果を奏する。
【００２７】
また、交差部における絶縁膜の欠損以外の異常パターンを修正することを防ぐことができるため、欠損を修正した配線基板を用いた液晶パネルにおける光学特性の低下を抑制することができるという効果も併せて奏する。
【００２８】
本発明に係る配線基板製造装置では、さらに、上記配線基板上にインクを吐出するインクジェットヘッドをさらに備えており、上記インクジェットヘッドは、上記修正指示手段からの指示に基づいて、上記欠損を有する上記交差部に、絶縁材料を含むインクを吐出することが好ましい。
【００２９】
上記の構成によれば、インクジェットヘッドは、修正指示手段からの指示に基づいて、欠損を有する交差部に絶縁材料を含むインクを吐出するため、効率的に絶縁膜の欠損を修正することができるという効果を奏する。
【００３０】
本発明に係る配線基板製造装置では、さらに、上記絶縁材料は、スピンオングラス材料であることが好ましい。
【００３１】
スピンオングラス材料は、シリカ等の無機成分が多いため、樹脂等の有機系絶縁材と比較して優れた絶縁特性を示す。そのため、絶縁材料を薄く塗布した場合であっても十分な絶縁性を確保することができる。これにより、インクの流出または画素における欠損の修正に起因する局所的な膜厚の増加を防止することができる。
【００３２】
したがって、局所的な膜厚の増加が原因で生じる液晶パネルの視認特性の劣化を軽減することができるという効果を奏する。
【００３３】
本発明に係る欠損修正判定方法は、上記課題を解決するために、基板上に第一の配線パターンと第二の配線パターンとが形成されており、かつ、当該第一の配線パターンと当該第二の配線パターンとが交差する交差部には、当該第一の配線パターンと当該第二の配線パターンとを絶縁するように絶縁膜が形成されている配線基板を製造する配線基板製造装置における絶縁膜の欠損修正判定方法であって、上記第一の配線パターン上に絶縁膜を形成した基板を撮像した撮像画像データに基づいて、形成した上記絶縁膜における欠損を検出する欠損検出工程と、検出した上記欠損の位置の情報および上記第二の配線パターンの形成される位置の情報に基づいて、上記交差部における欠損の数を算出する欠損数算出工程と、上記交差部における欠損の数が、０より多く、かつ、第一の閾値未満である場合に、上記交差部における欠損の修正を指示する修正指示工程と、を含むことを特徴としている。
【００３４】
上記の構成によれば、本発明に係る配線基板製造装置と同様の作用効果を奏する。
【００３５】
なお、本発明に係る配線基板製造装置を動作させるためのプログラムであって、コンピュータを上記の各手段として駆動させることを特徴とするプログラムおよび該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体も本発明の範疇に含まれる。
【発明の効果】
【００３６】
以上説明したように、本発明に係る配線基板製造装置は、絶縁膜の欠損を検出する欠損検出手段と、検出した欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する欠損数算出手段と、交差部における欠損の数が０より多く、かつ、第１の閾値未満である場合に、交差部における欠損の修正を指示する修正指示手段と、を備えている。
【００３７】
本発明に係る配線基板製造装置では、上記の構成を備えることによって、絶縁膜に欠損が生じている配線基板のうち、生産歩留まりおよび生産性の低下の要因となり得る基板については、欠損を修正しない。そのため、本発明に係る配線基板製造装置は、配線基板の生産歩留まりおよび生産性を向上することできるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
〔実施形態１〕
本発明に係る配線基板製造装置の一実施形態について、図１〜図６を参照しつつ以下に説明する。
【００３９】
本実施形態では、本発明に係る配線基板製造装置の説明に先立って、本発明に係る配線基板製造装置において用いる配線基板およびその配線基板の製造方法について簡単に説明する。
【００４０】
本発明に係る配線基板製造装置において用いる配線基板は、絶縁基板上に下層配線（第一の配線パターン）と上層配線（第二の配線パターン）とが形成されており、かつ、下層配線と上層配線とが交差する交差部には、それぞれの配線を絶縁するように絶縁膜が形成されている。
【００４１】
このような配線基板の製造方法について、以下に簡単に説明する。なお、ここでは、配線基板としてＴＦＴアレイ基板を製造する場合を例に挙げて説明する。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板の製造工程は、ゲート配線成膜工程、ゲート配線パターニング工程、ゲート絶縁膜成膜工程、絶縁膜パターニング工程、半導体層成膜工程、半導体層パターニング工程、ソース・ドレイン配線成膜工程、ソース・ドレイン配線パターニング工程、ＴＦＴチャンネル部半導体層加工工程、保護膜形成工程、保護膜加工工程、画素電極成膜工程、画素電極パターニング工程からなる。これらの各工程は、従来公知の手法により実行すればよい。
【００４３】
ここでは、本発明の特徴点に関するゲート配線（下層配線）とソース配線（上層配線）との間に絶縁膜を形成することにより、ゲート配線とソース配線とを絶縁交差させる処理について、図２（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の一例であるＴＦＴアレイ基板の製造を示す図であり、（ａ）は製造されたＴＦＴアレイ基板を示す上面図であり、（ｂ）は絶縁基板４４上にゲート配線４６をパターニングした状態を示したＡＡ断面図であり、（ｃ）は（ｂ）にさらに絶縁膜４８をパターニングした状態を示したＡＡ断面図であり、（ｄ）は（ｃ）にさらにソース配線５０をパターニングした状態を示したＡＡ断面図である。
【００４４】
まず、図２（ｂ）に示すように、絶縁基板４４の全面に、スパッタリング装置（図示しない）を用いて、Ｔｉ膜、Ａｌ膜およびＴｉＮ膜をこの順に成膜し、ゲート配線膜を形成する。そして、形成したゲート配線膜をマスクを用いてフォトリソグラフィー処理およびエッチング処理することにより、絶縁基板４４上にゲート配線４６をパターニングする。次に、図２（ｃ）に示すように、ケミカルベイパーデポジション装置（図示しない）を用いて、ゲート配線４６を形成した基板全面にＳｉＮ膜を成膜する。そして、成膜したＳｉＮ膜をマスクを用いてフォトリソグラフィー処理およびエッチング処理することにより、絶縁膜４８をパターニングする。最後に、図２（ｄ）に示すように、スパッタリング装置（図示しない）を用いて、絶縁膜４８を形成した基板にＭｏ（モリブデン）膜、Ａｌ膜およびＭｏ膜をこの順に成膜することによりソース配線５０を形成する。そして、形成したソース配線５０を、ゲート配線４６をパターニングした処理と同様に処理することにより、すなわちマスクを用いてフォトリソグラフィー処理およびエッチング処理することにより、絶縁基板４４上にソース配線５０をパターニングする。これによって、図２（ｄ）に示すような、ゲート配線４６とソース配線５０との間に絶縁膜４８が形成されているＴＦＴアレイ基板を形成することができる。
【００４５】
しかし、上述したＴＦＴアレイ基板の製造では、絶縁膜４８に欠損が生じることがある。ＴＦＴアレイ基板における絶縁膜４８の欠損について、図３（ａ）〜（ｃ）を参照しつつ以下に説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴアレイ基板の製造工程における絶縁膜の欠損の発生を示す図であり、（ａ）は絶縁基板４４上にゲート配線４６をパターニングした状態を示した断面図であり、（ｂ）は絶縁膜４８において欠損が発生した状態を示す断面図である。（ｃ）は（ｂ）に示した絶縁膜４８の欠損が生じているＴＦＴアレイ基板にソース配線５０を形成した状態を示す図である。
【００４６】
図３（ａ）は、図２（ｂ）と同様の状態を示す図である。すなわち、絶縁基板４４上にゲート配線４６がパターニングされた状態を示す図である。図３（ａ）に示す状態の基板に絶縁膜４８を成膜する際、例えばゴミなどの異物がゲート配線４６上に付着していると、異物が付着していた箇所には絶縁膜４８が成膜されないため、図３（ｂ）に示すように、絶縁膜４８において欠損５２が生じることになる。
【００４７】
図３（ｂ）に示すような欠損５２が、ゲート配線４６とソース配線５０との交差部またはゲート配線４６をパターニングする際に、ゲート配線４６と同時に形成する補助容量配線５６（図２（ａ）参照）とソース配線５０との交差部に生じている場合には、図３（ｃ）に示すように、ゲート配線４６とソース配線５０とが直に接する短絡部５４が生じることになる。
【００４８】
そして、図３（ｃ）に示すような短絡部５４が生じているＴＦＴアレイ基板４２を用いた液晶パネルに対してデータ信号およびＴＦＴ駆動パルスなどを送信し、ＴＦＴ部６０（図２（ａ）参照）を駆動させた場合には、短絡部５４における電流リークにより、電圧低下などが引き起こされる。そのため、ＴＦＴアレイが正常に駆動しない状態が生じる。すなわち、液晶パネルとして致命的である線欠陥が引き起こされる。
【００４９】
本発明に係る配線基板製造装置は、このような配線基板における下層配線と上層配線との絶縁交差部における欠損を修正するための装置である。以下、本発明に係る配線基板製造装置について詳細に説明する。
【００５０】
（配線基板製造装置１の構成）
本発明に係る配線基板製造装置の構成について、図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明に係る配線基板製造装置１の構成を示す図である。配線基板製造装置１は、配線基板における絶縁膜の欠損を修正する装置であり、ステージ２、アライメントカメラ４、基板観察カメラ６、ガントリ８、ヘッドユニット１０、インクジェットヘッド１２、および制御部１００を備えている。これらの部材の詳細について、以下に説明する。
【００５１】
（ステージ２）
ステージ２は、配線基板４２を載置する載置台である。
【００５２】
（アライメントカメラ４および基板観察カメラ６）
アライメントカメラ４は、配線基板４２上のアライメントマーク（図示しない）の位置情報を検出するためのカメラである。基板観察カメラ６は、配線基板４２を撮像するものであり、ヘッドユニット１０の側面に取り付けられている。
【００５３】
（ガントリ８）
ガントリ８は、ヘッドユニット１０を取り付けるためのものである。ガントリ８は、図示するＹ方向全幅に移動可能である。
【００５４】
（ヘッドユニット１０、インクジェットヘッド１２）
インクジェットヘッド１２は、インクを液滴として吐出するためのものであり、その先端には、液滴を吐出する複数のノズルが設けられている。
【００５５】
また、インクジェットヘッド１２は、ヘッドユニット１０に取り付けられている。インクジェットヘッド１２の取り付けられているヘッドユニット１０は、ガントリ８上のスライダー機構を用いて、図示するＸ方向全幅に移動可能である。
【００５６】
また、上述したように、ヘッドユニット１０の取り付けられているガントリ８は、Ｙ方向全幅に移動可能であるため、ヘッドユニット１０に取り付けられている基板観察カメラ６およびインクジェットヘッド１２は、配線基板４２に対して、Ｘ方向およびＹ方向いずれに対しても相対的に移動可能となる。
【００５７】
なお、インクジェットヘッド１２のより詳細な構造については、下記に詳述するため、ここではその説明を省略する。
【００５８】
（制御部１００）
制御部１００は、欠損検出部１１０、欠損数算出部１２０、および修正指示部１３０を備えている。これらの部材の詳細については、以下に説明する。
【００５９】
（欠損検出部１１０）
欠損検出部１１０は、下層配線上に絶縁膜を形成した基板を撮像した撮像画像に基づいて、絶縁膜における欠損を検出する。欠損検出部１１０における絶縁膜における欠損の検出の詳細については、下記に詳述する。
【００６０】
（欠損数算出部１２０）
欠損数算出部１２０は、検出した絶縁膜における欠損の位置の情報と上層配線の形成される位置の情報とに基づいて、検出した絶縁膜における欠損のうち、上層配線と下層配線との交差部における欠損の数を算出する。
【００６１】
（修正指示部１３０）
修正指示部１３０は、算出した交差部における欠損の数が０より多く、かつ、閾値Ｔｈ１未満である場合に、交差部における欠損の修正をインクジェットヘッド１２に指示する。
【００６２】
（配線基板製造装置１における欠損の修正動作）
次に、配線基板製造装置１における絶縁膜の欠損を修正する修正動作について、図４を参照しつつ以下に説明する。図４は、配線基板製造装置１の絶縁膜における欠損の修正動作を示すフローチャートである。
【００６３】
まず、配線基板製造装置１が下層配線の形成されている基板に対して絶縁膜を形成した後、欠損検出部１１０が、形成した絶縁膜において欠損が生じているか否かを判定する（ステップＳ１）。欠損検出部１１０が、形成した絶縁膜において欠損が生じていると判定した場合（ステップＳ１においてＹｅｓ）、欠損数算出部１２０は、検出した絶縁膜における欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する（ステップＳ２）。一方、欠損検出部１１０が、形成した絶縁膜において欠損が生じていないと判定した場合（ステップＳ１においてＮｏ）、配線基板製造装置１は欠損の修正処理を終了する。
【００６４】
続いて、修正指示部１３０は、欠損数算出部１２０において算出した欠損の数が所定の閾値Ｔｈ１未満であるか否かを判断する（ステップＳ３）。算出した欠損の数が所定の閾値Ｔｈ１未満である場合（ステップＳ３においてＹｅｓ）、修正指示部１３０は絶縁膜における欠損の修正が有効であると判断し、インクジェットヘッド１２に絶縁膜における欠損を修正するための修正指示を送る（ステップＳ４）。
【００６５】
修正指示部１３０から絶縁膜における欠損の修正指示を受けたインクジェットヘッド１２は、修正指示部１３０からの指示に基づいて、絶縁膜に欠損の生じている交差部に絶縁材料を含むインクを吐出することによって、絶縁膜の欠損を修正する（ステップＳ６）。
【００６６】
一方、欠損数算出部１２０において算出した欠損の数が所定の閾値Ｔｈ１以上である場合（ステップＳ３においてＮｏ）、修正指示部１３０は、形成した絶縁膜における欠損の修正が有効でないと判断し、絶縁膜における欠損を修正しない（ステップＳ５）。
【００６７】
（配線基板製造装置１の利点）
以上説明したように、配線基板製造装置１では、欠損検出部１１０が絶縁膜における欠損を検出し、欠損数算出部１２０が検出した絶縁膜における欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する。そして、修正指示部１３０は、算出した欠損の数が所定の閾値Ｔｈ１未満である場合に、該欠損の修正が有効であると判断し、修正を指示する。
【００６８】
すなわち、配線基板製造装置１では、製造した配線基板において、致命的な欠陥となる交差部における絶縁膜の欠損が、所定の閾値Ｔｈ１未満である場合にのみ、絶縁膜の欠損の修正を実行する。言い換えれば、配線基板製造装置１では、絶縁膜に欠損が生じている配線基板のうち、生産歩留まりおよび生産性の低下の要因となり得る基板については、交差部における絶縁膜に欠損が生じていた場合であっても欠損を修正しない。したがって、配線基板製造装置１では、配線基板の生産歩留まりおよび生産性を向上することができる。
【００６９】
（絶縁膜における欠損の検出処理の詳細）
次に、絶縁膜における欠損の検出処理の詳細について以下に説明する。
【００７０】
まず、下層配線および絶縁膜のパターニングが完了した絶縁基板（例えば、ガラス基板）を、配線基板製造装置１のステージ２に載置する。このとき、配線基板製造装置１の操作者は、アライメントカメラ４を用いて検出した絶縁基板上のアライメントマークに基づいて、載置した絶縁基板の位置合わせを行う。
【００７１】
次に、欠損検出部１１０は、基板観察カメラ６を走査させることにより、絶縁基板の撮像画像データを取得する。続いて、欠損検出部１１０は、配線基板製造装置１においてマスク設計データとして記録されている下部配線のマスクデータおよび絶縁膜のマスクデータと、取得した撮像画像データとを比較する。すなわち、欠損検出部１１０は、撮像画像データにおける輝度値と、予め記録されているマスクデータにおける輝度値とが一致しない領域を異常パターンとして検出する。
【００７２】
このようにして検出した異常パターンには、絶縁膜の欠損に加えて、下部配線自体の異常（例えば、配線細り、断線、エッチング残りなど）、および異物の付着などが含まれている。そこで、欠損検出部１１０は、基板観察カメラ６により撮像された撮像画像データにおける輝度値、すなわち反射光の光量値（以下、単に光量値とのみ称する）に基づいて絶縁膜の欠損を検出する。光量値に基づいて絶縁膜の欠損を検出する処理の詳細について、以下に説明する。
【００７３】
欠損検出部１１０は、検出した光量値と、予め設定されている閾値Ｔｈ２、閾値Ｔｈ３、閾値Ｔｈ４とを比較する。なお、本実施形態では、便宜上、値の小さい方から順に閾値Ｔｈ２、閾値Ｔｈ３、閾値Ｔｈ４とする。
【００７４】
欠損検出部１１０は、検出した光量値が閾値Ｔｈ２以下である部分については、基板に付着した異物であると認識する。また、検出した光量値が閾値Ｔｈ２より大きく、閾値Ｔｈ３以下である部分については、絶縁膜が欠損しており、絶縁基板が露出している部分であると認識する。そして、検出した光量値が閾値Ｔｈ３より大きく、閾値Ｔｈ４以下である部分については、下層配線であると認識する。さらに、検出した光量値が閾値Ｔｈ４より大きい部分については、形成された絶縁膜であると認識する。
【００７５】
このように、欠損検出部１１０は、予め記録されている理想的な光量値（下層配線および絶縁膜が不備なくパターニングされている基板における光量値）と検出した光量値とが一致しない部分を異常パターンとして検出する。そして、欠損検出部１１０は、検出した異常パターンのうち、光量値が閾値Ｔｈ２より大きく、閾値Ｔｈ３以下である部分を絶縁膜の欠損として検出する。
【００７６】
このように、欠損検出部１１０は、撮像画像データにおける反射光の光量値に基づいて、検出される異常パターンから絶縁膜の欠損による異常パターンのみを抽出することができる。
【００７７】
そのため、配線基板製造装置１は、異常パターンが検出された場合であっても、絶縁膜の欠損が検出されない場合、すなわち異物の付着および下部配線における異常のみが検出される場合には、配線基板の絶縁膜の修正処理を実行しないようにすることができる。すなわち、配線基板製造装置１では、絶縁交差部以外の欠損については修正しないようにすることができる。したがって、配線基板製造装置１では、絶縁膜の欠損を効率的に修正することができるため、配線基板の製造時におけるスループットの低下を抑制することができる。
【００７８】
なお、下層配線と上層配線との交差部以外の絶縁膜が欠損していた場合であっても、絶縁膜の欠損を修正しないのは、交差部における欠損以外は、当該配線基板を用いた製品において致命的な欠陥にならないためである。
【００７９】
また、閾値をさらに詳細に設定することにより、すなわち光量値の範囲をより細分化することにより、欠損検出部１１０は、絶縁膜の膜厚ばらつきの異常についても検出可能にすることができる。膜厚ばらつきは、膜厚のばらつきによる絶縁膜表面からの反射光の光量値と絶縁基板における反射光の光量値との差異、または膜厚のばらつきによる膜表面の傾斜に起因する反射率の差異から検出することができる。
【００８０】
なお、絶縁膜の欠損の検出には、カラー画像を用いることが好ましく、微分干渉光学系を具備した撮像カメラを用いて色目の変化を検出した画像を用いることがより好ましい。
【００８１】
（交差部における欠損数算出処理の詳細）
次に、交差部における欠損数算出処理の詳細について、以下に説明する。
【００８２】
欠損数算出部１２０は、配線基板製造装置１に予め記録されている上層配線のマスク設計データに基いて、欠損検出部１１０において検出した欠損のうち、上層配線と下層配線との交差部における欠損を検出する。また、欠損数算出部１２０は、下層配線と上層配線とが交差する交差部に欠損が生じている場合、交差部における絶縁膜の欠損の数を算出する。
【００８３】
（修正指示部１３０における修正要否の判定の詳細）
修正指示部１３０は、欠損数算出部１２０において算出した交差部における欠損の数が、０よりも多く、かつ、所定の閾値Ｔｈ１未満である場合に、検出されている交差部における欠損を修正する指示を配線基板製造装置１に対して出力する。
【００８４】
このとき、所定の閾値Ｔｈ１は、配線基板における全ての交差部における１％の値に設定されていることが好ましい。例えば、配線基板において交差部が１０００個ある場合には、閾値Ｔｈ１は「１０」となる。
【００８５】
交差部における欠損の数が、全交差部の１％以下であれば、欠損を修正したとしても配線基板の生産歩留まりの低下を許容範囲内に収めることができる。もちろん、より高品質な配線基板を製造する場合には、閾値Ｔｈ１の値をより低く設定することもできる。
【００８６】
（配線基板がＴＦＴアレイ基板である場合）
ここで、配線基板がＴＦＴアレイ基板である場合における修正指示部１３０の修正要否の判定について、以下に説明する。
【００８７】
なお、配線基板がＴＦＴアレイ基板である場合には、ゲート配線４６および補助容量線５６が下層配線となり、ソース配線５０が上層配線となる。したがって、絶縁膜４８は、ゲート配線４６とソース配線５０とが交差する交差部および補助容量線５６とソース配線５０とが交差する交差部に形成される。本実施形態において、ゲート配線４６とソース配線５０とが交差する交差部と、補助容量線５６とソース配線５０とが交差する交差部とを明確に区別しない場合には、単に「交差部」と表記する。
【００８８】
ＴＦＴアレイ基板におけるゲート配線とソース配線との交差部における絶縁膜の欠損は、インクジェット技術等を用いて、液状の絶縁材料を付着させることにより修正する。このとき、欠損を修正する交差部の近傍に配置されているトランジスタ部に絶縁材料が漏れ広がって付着することがある。絶縁材料がトランジスタ部に付着した場合、絶縁材料の付着したトランジスタ部は、正常に動作しなくなるため、当該トランジスタ部を含む画素は、点欠陥（黒点）となる。
【００８９】
しかし、交差部における絶縁膜の欠損は、ゲート配線とソース配線との短絡または電流リークを引き起こし、ＴＦＴアレイ基板とカラーフィルタ基板との間隙に液晶を介在させることにより製造されるＴＦＴ液晶パネルにおいて、画素が直線状に制御不能となる線欠陥の原因となる。したがって、ＴＦＴ液晶パネルとして致命的な欠陥である線欠陥を防止するためには、点欠陥（黒点）が生じるとしても、絶縁膜の欠損の修正を行うことが望ましい。
【００９０】
当然ながら、多数の欠損を修正する場合には、欠損の修正により生じる多数の点欠陥（黒点）により、液晶パネルにおいて光学特性の著しい劣化が引き起こされる。また、多数の点欠陥（黒点）が画素単位で連続して分布する場合も、液晶パネルの光学特性の著しい劣化を引き起こす。そのため、ＴＦＴアレイ基板においては、電気的特性および電気的絶縁特性以外にも、基板上に設けられたＴＦＴのトランジスタ特性、および液晶パネルの光学特性を考慮した修正可否判断が必要となる。
【００９１】
そこで、ＴＦＴアレイ基板における絶縁膜の欠損の修正要否判定では、欠損数算出部１２０は、配線基板の場合と同様に交差部における欠損の数に加えて、欠損の検出された画素の連続する数を算出する。そして、修正指示部１３０は、欠損の数と欠損の検出された画素の連続する数の両方から該欠損の修正が有効であるか否かを判定する。
【００９２】
このように、修正指示部１３０は、欠損の数および欠損の検出された画素の連続する数に基づいて、絶縁膜における欠損の修正の要否を判定する。すなわち、配線基板製造装置１は、欠損が一箇所に高密度に生じているＴＦＴアレイ基板のように、たとえ欠損を修正したとしても機能が回復しない可能性があるＴＦＴアレイ基板を識別し、そのようなＴＦＴアレイ基板における絶縁膜の欠損は修正しない。これによって、配線基板製造装置１は、ＴＦＴアレイ基板における効率的な修正を実行することができるため、ＴＦＴアレイ基板の生産歩留まりおよび生産性を向上することができる。
【００９３】
なお、例えば、第８世代マザーガラス基板上に８枚のＴＦＴアレイ基板（４０インチ型パネル）を製造する場合には、修正指示部１３０は、８枚のＴＦＴアレイ基板それぞれについて、絶縁膜の欠損を修正するか否かを判定する。
【００９４】
（ＴＦＴアレイ基板における修正要否の判定の詳細）
次に、配線基板としてＴＦＴアレイ基板を用いる場合における、修正指示部１３０における修正要否の判定の詳細について説明する。
【００９５】
修正指示部１３０は、欠損数算出部１２０において算出した、交差部における欠損の数が、０よりも多く、かつ、閾値Ｔｈ５未満である場合であると同時に、欠損の生じている画素が連続する数が閾値Ｔｈ６未満である場合に、欠損を修正する指示を配線基板製造装置１に対して出力する。
【００９６】
このとき、閾値Ｔｈ５は、ＴＦＴアレイ基板における全ての交差部における０．０１％の値に設定されていることが好ましい。例えば、ＴＦＴアレイ基板において交差部が１００００個ある場合には、閾値Ｔｈ５は「１」となる。また、閾値Ｔｈ６は「９」に設定されていることが好ましい。
【００９７】
このように、閾値Ｔｈ５および閾値Ｔｈ６を上記の数値範囲とすることによって、絶縁膜に欠損が生じているＴＦＴアレイ基板であっても、生産歩留まりおよび生産性の低下の要因となり得るＴＦＴアレイ基板については、欠損を修正しないようにすることができる。すなわち、液晶パネルに組み込んだ際に液晶パネルの視認特性が著しく劣ると推測されるＴＦＴアレイ基板については、絶縁膜の欠損を修正しないようにすることができる。これによって、ＴＦＴアレイ基板の製造をより一層効率的に行うことができる。
【００９８】
また、閾値Ｔｈ５および閾値Ｔｈ６を上記の数値範囲とすることによって、ＴＦＴアレイ基板を用いた液晶パネルにおける線欠陥を防止するために絶縁膜を修正する過程において点欠陥が生じたとしても、修正されたＴＦＴアレイ基板のパネルを液晶パネルとしたときの視認特性を実用上十分なレベルに維持することができる。すなわち、液晶パネルの視認特性が著しく低下することを防止することができ、絶縁膜における欠損を修正したＴＦＴアレイ基板を備えた液晶パネルが不良品となることを防止することができる。
【００９９】
もちろん、より高品質なＴＦＴアレイ基板を製造する場合には、閾値Ｔｈ５の値をより低く、また閾値Ｔｈ６の値をより小さく設定することもできる。すなわち、上記の数値はあくまでも一例であり、製造するＴＦＴアレイ基板に応じて閾値Ｔｈ５および閾値Ｔｈ６の値は適宜変更することができる。
【０１００】
（絶縁膜の欠損の修正処理）
次に、絶縁膜の欠損を修正する修正処理について図５（ａ）〜（ｄ）を参照しつつ以下に説明する。なお、本項では、配線基板が、ＴＦＴアレイ基板である場合を例に挙げて説明する。図５（ａ）〜（ｄ）は、ＴＦＴアレイ基板の製造工程における絶縁膜４８の欠損５２を修正する処理を示す図であり、図５（ａ）は絶縁膜４８において欠損が生じたＴＦＴアレイ基板の上面図であり、（ｂ）は絶縁膜４８の欠損５２が発生した状態を示すＢＢ断面図であり、（ｃ）は（ｂ）に示した絶縁膜４８の欠損５２に対して絶縁材料インク６２を塗布した状態を示すＢＢ断面図であり、（ｄ）は（ｃ）において絶縁膜４８の欠損５２を修正した後に、ソース配線５０を形成した状態を示すＢＢ断面図である。
【０１０１】
図５（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板４２の絶縁膜４８には２つの欠損（欠損部５２ａおよび欠損部５２ｂ）が生じている。欠損部５２ａは、ゲート配線４６とソース配線５０との交差部上の絶縁膜４８に生じている欠損であり、欠損部５２ｂは、ゲート配線４６とソース配線５０との交差部以外における絶縁膜４８の欠損である。
【０１０２】
すなわち、欠損部５２ａは、ゲート配線４６とソース配線５０とが絶縁膜４８を介して絶縁交差する部分を含んでいる。したがって、欠損を修正することなくソース配線５０をパターニングした場合には、図３（ｃ）に示すように、ゲート配線４６とソース配線５０との短絡が発生し、液晶パネルにおける致命的な線欠陥が生じることになる。一方、欠損部５２ｂは、交差部を含んでいない。これは、欠損検出部１１０において絶縁膜４８の欠損として検出されるものであるが、ＴＦＴ機能および液晶パネルとしたときに不具合を生じさせる類の欠損ではないため、修正が不要であると判定される絶縁膜の欠損に分類される。
【０１０３】
修正指示部１３０が欠損の修正が有効であると判定した場合、修正指示部１３０は配線基板製造装置１に対して、欠損の修正を指示する指示信号を出力する。配線基板製造装置１は、指示信号を受けると、インクジェットヘッド１２を駆動させて欠損を修正する。なお、このとき、修正指示部１３０は、修正する欠損の座標位置および修正に用いる絶縁材料の量などの情報についても配線基板製造装置１に対して出力するようにすることが好ましい。
【０１０４】
図５（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド１２は、欠損５２にシェアモード型のインクジェットヘッド１２に充填された絶縁材料インク６２を塗布することにより、欠損５２を修正する。このようにして、配線基板製造装置１は、ゲート配線４６とソース配線５０との交差部における絶縁膜４８の欠損を修正する。
【０１０５】
これによって、配線基板製造装置１は、図５（ｄ）に示すように、焼成することにより硬化させた絶縁材料インク６２上にソース配線５０をパターニングすることができるため、ゲート配線４６とソース配線５０との交差部において絶縁性を確保することができる。したがって、液晶パネルにおいて致命的な欠陥となる線欠陥を防止することができる。
【０１０６】
また、図５（ａ）においてはドレイン線５８方向に絶縁膜の欠損５２ａ領域が広がっているが、ゲート配線４６とソース配線５０との交差部のみを局所的に修正することにより、修正に要する絶縁材料インク６２の量を低減することができると共に、修正に要する工程数を低減することもできる。また、隣接画素におけるＴＦＴ部６０に絶縁材料インク６２が塗れ広がることにより、隣接画像におけるＴＦＴ部６０の性能が劣化してしまうことも防止することができる。
【０１０７】
なお、上述した修正方法では、ＴＦＴアレイ基板の全画素について絶縁材料を付着させていない。そのため、全画素の配線交差部に、インクジェット技術を用いて絶縁材料を付着させた液晶パネルと比較して、液晶パネル全体の光学特性や視認特性を好適に維持することができる。
【０１０８】
（配線基板製造装置１の変形例）
上述した配線基板製造装置１では、欠損の修正要否の判定と欠損の修正とを同一の装置において実行しているが、これに限定されるものではない。すなわち、欠損の修正要否と実際の欠損の修正とを別体の装置において行うようにしてもよい。言い換えれば、配線基板製造装置１は、欠損修正要否ユニット（例えば、パターン検査装置）と、欠損修正ユニット（例えば、配線基板製造装置）とを備えた配線基板製造システムとして構成されていてもよい。
【０１０９】
基板製造システムについて、より具体的に説明すると、まず、欠損修正要否ユニットが、予め異常パターンの検出、異常パターンの画像情報および位置情報を取得する。続いて、欠損修正要否ユニットが、後工程のマスク設計データを参照して一連の絶縁膜修正可否判断を行い、その後、欠損修正要否ユニットは、絶縁膜修正が有効なパネルを含むガラス基板のみを選択して欠損修正ユニットに搬送する。すなわち、欠損修正ユニットは、上述した絶縁膜修正工程に特化したユニットである。
【０１１０】
これにより、比較的時間を費やすパターン検査および絶縁膜修正可否判断を複数の装置で平行して行うことができるため、配線基板の製造スループットをより一層向上することができる。
【０１１１】
（絶縁材料インクの詳細）
次に、配線基板製造装置１において欠損の修正に用いる絶縁材料インクの詳細について、以下に説明する。絶縁材料インクとしては、例えば、ＳＯＧ材料インクを用いることができる。
【０１１２】
ＳＯＧ材料インクとしては、シリカ微粒子およびオルガノシリケートの加水分解物等のシリコン骨格を持つ有機成分を分散させた液体であることが好ましい。ＳＯＧ材料含有インクとしては、例えば、ＣＥＲＡＭＡＴＥ-ＣＩＰおよびＣＥＲＡＭＡＴＥ-ＬＮＴ（いずれも触媒化成工業株式会社製）、並びにＯＣＤ  ＴＹＰＥ-１２（東京応化工業株式会社製）などを用いることができる。
【０１１３】
ＳＯＧ材料含有インクは、焼成されると有機成分の炭化水素成分が分解するため、シリコン骨格を有する、ガラス化した絶縁材料となる。すなわち、ＳＯＧ材料含有インクは、シリカ等の無機成分が多いため、樹脂等の有機系絶縁材と比較して優れた絶縁特性を示す。なお、焼成したＳＯＧ材料含有インクにおいてわずかに残る有機成分も、絶縁性を有している。
【０１１４】
次に、ＳＯＧ材料インクの電気絶縁特性について、より詳細に説明する。表１は、ＳＯＧ材料インクとアクリル系樹脂インクとの電気絶縁特性を比較した表である。
【０１１５】
ＳＯＧ材料インクとアクリル系樹脂インクとの電気絶縁特性を説明するのに先立って、表１に示すＳＯＧ材料インクの電気絶縁特性の評価の算出方法について説明する。
【０１１６】
まず、２μｍ幅配線を形成したガラス基板上の配線上にＳＯＧ材料インクをインクジェットヘッドを用いて塗布する。続いて、ＳＯＧ材料インクを焼成した後に、ＳＯＧ材料インクが所望の膜厚となるようにガラス基板に塗布する。続いて、ガラス基板における絶縁膜形成部において、上層配線が交差するように２μｍ幅配線をさらに形成する。このときに、上下層配線間に様々なＤＣ電圧を印加した場合の絶縁膜の破壊の有無、および絶縁計ＳＭ−１５Ｅ（東亜電波工業株式会社製）による２μｍ角の配線交差部におけるリーク電流量の評価を行う。表１には、絶縁計ＳＭ−１５Ｅにおいて計測された値を表記している。
【０１１７】
【表１】
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【０１１８】
表１に示すように、アクリル系樹脂インクをゲート配線４６とソース配線５０との絶縁交差部に１μｍ膜厚で塗布した場合は、２５Ｖ印加でアクリル樹脂の絶縁膜は破壊される。ゲート配線４６とソース配線５０との間に印加される最大電圧差は５０Ｖ以上になる場合もあるため、２μｍ膜厚以下でのアクリル樹脂等の有機系絶縁膜を用いる絶縁膜の修正は実用上困難である。
【０１１９】
一方、ＳＯＧ材料インクの焼成硬化物の電気絶縁特性は、アクリル系樹脂インクと比較して、非常に優れている。すなわち、１μｍ膜厚であっても２０Ｖ以上の耐電圧を有している。また、１００Ｖ電圧印加時のゲート配線４６とソース配線５０との絶縁膜の交差部におけるリーク電流量においても１×１０-１４Ａ以下である。このため、電流リークによるＴＦＴ駆動パルスの電圧降下を招くことはない。
【０１２０】
したがって、無機系絶縁膜に特性が近いＳＯＧ材料インクを用いて絶縁膜修正を行うことにより、０．６〜１．５μｍ以下の薄い膜厚であっても、ゲート配線４６とソース配線５０との絶縁膜の交差部において確実に絶縁膜の修正を行える。さらに、ＳＯＧ材料インクを薄く塗布しても絶縁性を確保できるという特性と、微小インク滴を塗布できるインクジェット技術とを利用することによって、ゲート配線４６とソース配線５０との絶縁交差部においてＳＯＧ材料インクを薄く小さな領域に局所的に塗布することができる。これにより、ＳＯＧ材料インク塗布による、基板上における配線交差部へのインク濡れ拡がりを抑制することができる。したがって、隣接する正常なＴＦＴ部６０へのインクの流出を防止できる。また、絶縁膜修正画素における局所的な膜厚増加による、液晶層の膜厚ムラを原因とする液晶パネルの視認特性劣化の軽減が実現できる。
【０１２１】
本実施例ではゲート配線４６とソース配線５０との絶縁交差部を主に絶縁膜修正対象箇所として説明したが、場合によっては補助容量線５６とソース配線５０およびドレイン配線５８とゲート配線４６といった絶縁確保が必要な配線同士の絶縁交差部を絶縁膜修正対象とすることもできる。
【０１２２】
（インクジェットヘッド１２の構造の詳細）
次に、インクジェットヘッド１２の構造の詳細について、図６を参照しつつ以下に説明する。図６は、インクジェットヘッド１２の断面を模式的に示す断面図である。
【０１２３】
インクジェットヘッド１２は、圧電材料の剪断変形を利用することによりインクを吐出する。インクジェットヘッド１２は、図６に示すように、ベース部材１８、カバー部材２４、およびノズル板２８を備えている。
【０１２４】
カバー部材２４には、貫通孔が形成されており、形成されている貫通孔は、インク供給口２０および共通インク室２２として利用される。ベース部材１８には、複数の溝が形成されており、上記複数の溝は、圧電材料からなる隔壁（インク室チャンネル壁１４）により共通インク室２２から隔てられている。これによって、ベース部材１８には、インク室チャンネル１６が形成されている。
【０１２５】
インク室チャンネル壁１４には、圧電材料の分極方向と直交する方向に電界を印加するための電極３０が設けられており、ノズル板２８には、ノズル２６が形成されている。
【０１２６】
また、インク室チャンネル１６の内壁には、電極３０およびその他の構成部材とインクとの接触を避けるため、保護膜（図示しない）が形成されている。
【０１２７】
インクチャンネル１６の後端部３２は、溝加工時に使用されるダイシングブレードの直径に対応するようなＲ形状に加工されており、さらに外部との通電のための電極引き出し部としての平坦部電極３４が形成されている。平坦部電極３４は、インクジェットヘッドの駆動用ＩＣ３６の電極３８とＡｌワイヤ４０を介して電気的に接続されている。なお、平坦部電極３４と電極３８とは、ワイヤーボンディング技術によって接続されていることが好ましい。
【０１２８】
インクジェットヘッド１２におけるインク室チャンネル壁１４は、通電することにより「く」の字に剪断変形する。これによって、インク室チャンネル１６の体積が変動する。インクジェットヘッド１２は、インク室チャンネル１６の体積変動により生じる圧力波を用いて、インク室チャンネル１６内のインク圧力を制御し、インクの吐出を行う。
【０１２９】
（配線基板）
本発明に係る配線基板製造装置１に用いることができる配線基板は、ＴＦＴアレイ基板およびガラスエポキシプリント配線基板などの配線回路基板に限定されるものではなく、２層以上の導電体層が層間絶縁膜を介して積層された配線を含む基板であれば、ＴＦＴアレイ基板およびプリント配線基板以外の基板であっても適用可能である。また、本発明に係る配線基板製造装置１に用いることができる配線基板は、有機ＥＬ用基板、ＰＤＰ用基板としても好適に用いることができる。
【０１３０】
（プログラムおよび記録媒体）
配線基板製造装置１に含まれる制御部１００は、ハードウェアロジックによって構成すればよい。または、次のように、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）を用いてソフトウェアによって実現してもよい。
【０１３１】
すなわち、制御部１００は、各機能を実現するプログラムの命令を実行するＣＰＵ、このプログラムを格納したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、上記プログラムを実行可能な形式に展開するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、および、上記プログラムおよび各種データを格納するメモリ等の記憶装置（記録媒体）を備えている。この構成により、本発明の目的は、所定の記録媒体によっても、達成できる。
【０１３２】
この記録媒体は、上述した機能を実現するソフトウェアである制御部１００のプログラムのプログラムコード（実行形式プログラム、中間コードプログラム、ソースプログラム）をコンピュータで読み取り可能に記録していればよい。制御部１００に、この記録媒体を供給する。これにより、コンピュータとしての制御部１００（またはＣＰＵやＭＰＵ）が、供給された記録媒体に記録されているプログラムコードを読み出し、実行すればよい。
【０１３３】
プログラムコードを制御部１００に供給する記録媒体は、特定の構造または種類のものに限定されない。すなわちこの記録媒体は、たとえば、磁気テープやカセットテープ等のテープ系、フロッピー（登録商標）ディスク／ハードディスク等の磁気ディスクやＣＤ−ＲＯＭ／ＭＯ／ＭＤ／ＤＶＤ／ＣＤ−Ｒ等の光ディスクを含むディスク系、ＩＣカード（メモリカードを含む）／光カード等のカード系、あるいはマスクＲＯＭ／ＥＰＲＯＭ／ＥＥＰＲＯＭ／フラッシュＲＯＭ等の半導体メモリ系などとすることができる。
【０１３４】
また、制御部１００を通信ネットワークと接続可能に構成しても、本発明の目的を達成できる。この場合、上記のプログラムコードを、通信ネットワークを介してコンテンツ再生装置１に供給する。この通信ネットワークは制御部１００にプログラムコードを供給できるものであればよく、特定の種類または形態に限定されない。たとえばインターネット、イントラネット、エキストラネット、ＬＡＮ、ＩＳＤＮ、ＶＡＮ、ＣＡＴＶ通信網、仮想専用網（Ｖｉｒｔｕａｌ  Ｐｒｉｖａｔｅ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、電話回線網、移動体通信網、衛星通信網等であればよい。
【０１３５】
この通信ネットワークを構成する伝送媒体も、プログラムコードを伝送可能な任意の媒体であればよく、特定の構成または種類のものに限定されない。たとえばＩＥＥＥ１３９４、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）、電力線搬送、ケーブルＴＶ回線、電話線、ＡＤＳＬ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ  Ｌｉｎｅ）回線等の有線でも、ＩｒＤＡやリモコンのような赤外線、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、８０２．１１無線、ＨＤＲ、携帯電話網、衛星回線、地上波デジタル網等の無線でも利用可能である。なお本発明は、上記プログラムコードが電子的な伝送で具現化された、搬送波に埋め込まれたコンピュータデータ信号の形態でも実現され得る。
【０１３６】
以上、本発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲において種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１３７】
（付記事項）
なお、絶縁基板としては、ガラス基板以外にも、セラミック基板およびガラスエポキシ基板等を利用できる。また、導体配線パターンの形成に利用できる技術としては、スパッタリング技術以外にも、金属粒子含有インクの印刷技術、銅箔を接着して形成する技術、およびめっき技術等を利用することができる。さらに、絶縁膜の形成に利用することができる技術としては、ケミカルベイパーデポジション技術以外にも、絶縁材料の蒸着技術、絶縁材料インクの印刷技術、および絶縁材料シートを貼り付けて形成する技術等も利用することができる。
【０１３８】
また、本発明に係る配線基板製造方法は、以下のように表記することもできる。
【０１３９】
１．絶縁基板上に第一の配線パターンを形成する工程と、該第一の配線パターン上の少なくとも一部に絶縁膜パターンを形成する工程と、第二の配線パターンを形成する工程とによりなる配線基板の製造方法において、前記絶縁膜パターンを形成する工程の後に異常パターンを検出および撮像画像情報を得る工程と、該異常パターンの撮像画像情報をもとに異常パターンを分類する工程と、該分類された異常パターンのうち絶縁膜の欠損を抽出する工程と、該絶縁膜欠損の撮像画像情報と第二の配線パターン情報をもとに配線基板上の該絶縁膜欠損の位置によって該絶縁膜欠損を分類して該絶縁膜欠損の修正が有効か否かを判断する工程と、単位配線基板内の修正が有効な該絶縁膜欠損の数に応じて配線基板単位で修正可否を判断する工程と、修正可となった該配線基板の該絶縁膜の欠損部に絶縁材料を付与して該絶縁膜欠損を修正する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【０１４０】
２．前記該絶縁膜欠損の撮像画像情報と第二の配線パターン情報をもとに配線基板上の該絶縁膜欠損の位置によって該絶縁膜欠損を分類して該絶縁膜欠損の修正が有効か否かを判断する工程は、該絶縁膜欠損の撮像画像情報に含まれる該第一の配線パターン情報に該第二の配線パターン情報を位置合せして前記第一の配線パターンの導体層と前記第二の配線パターンの導体層が前記絶縁膜パターンの絶縁層を層間に介して交差する箇所を特定する工程と、特定された第一の配線パターン導体層と第二の配線パターン導体層が絶縁膜を層間に介して交差する箇所の少なくとも一部を含む位置に絶縁膜欠損がある場合を修正が有効と判断する工程と、を含むことを特徴とする１記載の配線基板の製造方法。
【０１４１】
３．単位配線基板内の修正が有効な該絶縁膜欠損の数に応じて配線基板単位で修正可否を判断する工程は、修正が有効な絶縁膜欠損の数が単位配線基板内の第一の配線パターンの導体層と前記第二の配線パターンの導体層が絶縁膜パターンの絶縁層を層間に介して交差する全箇所の１％以上である場合を配線基板単位で修正不可と判断することを特徴とする１記載の配線基板の製造方法。
【０１４２】
４．前記単位配線基板内の修正が有効な該絶縁膜欠損の数に応じて配線基板単位で修正可否を判断する工程は、対象配線基板がＴＦＴアレイ基板４２である場合は、単位配線基板内の修正が有効な絶縁膜欠損の数に加えて、修正が有効な絶縁膜欠損部の単位配線基板内の分布に応じて配線基板単位で修正可否を判断する工程であることを特徴とする１記載の配線基板の製造方法。
【０１４３】
５．４記載の単位配線基板内の修正が有効な絶縁膜欠損の数と修正が有効な絶縁膜欠損部の単位配線基板内の分布に応じて配線基板単位で修正可否を判断する工程は、単位ＴＦＴアレイパネル基板の画素単位で修正が有効な絶縁膜欠損の数をカウントして全画素の０．０１％以上である場合をＴＦＴアレイパネル単位で修正不可と判断する工程と、単位ＴＦＴアレイパネル基板の画素単位で９画素以上が連結して修正が有効な絶縁膜欠損が分布する場合をＴＦＴアレイパネル単位で修正不可と判断する工程と、を含むことを特徴とする１および４記載の配線基板の製造方法。
【０１４４】
６．１記載の修正可となった該配線基板の該絶縁膜の欠損部に絶縁材料を付与して該絶縁膜欠損を修正する工程は、インクジェットヘッドを用いてＳＯＧ（スピンオングラス）材料インクを配線基板上に付着させることを特徴とする配線基板の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明の配線基板製造装置は、配線基板製造一般に対して広く適用することができ、ＴＦＴアレイ基板の製造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】本発明に係る配線基板製造装置の構成を示す図である。
【図２】配線基板の一例であるＴＦＴアレイ基板の製造を説明する図であり、（ａ）は製造されたＴＦＴアレイ基板を示す上面図であり、（ｂ）は絶縁基板上にゲート配線をパターニングした状態を示したＡＡ断面図であり、（ｃ）は（ｂ）にさらに絶縁膜をパターニングした状態を示したＡＡ断面図であり、（ｄ）は（ｃ）にさらにソース配線をパターニングした状態を示したＡＡ断面図である。
【図３】ＴＦＴアレイ基板の製造工程における絶縁膜の欠損の発生を示す図であり、（ａ）は絶縁基板上にゲート配線をパターニングした状態を示した断面図であり、（ｂ）は絶縁膜において欠損が発生した状態を示す断面図であり、（ｃ）は（ｂ）に示した絶縁膜の欠損が発生したＴＦＴアレイ基板にソース配線を形成した状態を示す図である。
【図４】本発明に係る配線基板製造装置における絶縁膜の欠損を修正する動作を示すフローチャートである。
【図５】ＴＦＴアレイ基板の製造工程における絶縁膜の欠損を修正する処理を示す図であり、（ａ）は絶縁膜において欠損が生じたＴＦＴアレイ基板の上面図であり、（ｂ）は絶縁膜の欠損が発生した状態を示すＢＢ断面図であり、（ｃ）は（ｂ）に示した絶縁膜の欠損に対して絶縁材料インクを塗布した状態を示すＢＢ断面図であり、（ｄ）は（ｃ）において絶縁膜の欠損を修正した後に、ソース配線を形成した状態を示すＢＢ断面図である。
【図６】本発明の実施形態を示すものであり、インクジェットヘッドの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１                配線基板製造装置
４                アライメントカメラ
６                基板観察カメラ
８                ガントリ
１０              ヘッドユニット
１２              インクジェットヘッド
４２              配線基板、ＴＦＴアレイ基板
４４              絶縁基板
４６              ゲート配線（第一の配線パターン）
４８              絶縁膜
５０              ソース配線（第二の配線パターン）
５２ａ、５２ｂ    欠損部
５４              短絡部
５６              補助容量線（第一の配線パターン）
５８              ドレイン配線（第二の配線パターン）
６０              ＴＦＴ部
６２              絶縁材料インク
１１０            欠損検出部
１２０            欠損数算出部
１３０            修正指示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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