(57)【要約】【課題】各半導体発光素子列における明るさのバラツキを抑制する。【解決手段】回路基板１１上に、給電端子１２と給電端子１３とが形成され、両給電端子１２，１３間において、少なくとも１以上の半導体発光素子Ｄｎｍが実装された８つの配線路Ｈ１〜Ｈ８が並列に接続されると共に、各配線路Ｈ１〜Ｈ８が配線パターンＰ１〜Ｐ８で構成されている。  各配線路Ｈ１〜Ｈ８に抵抗素子Ｒｎが直列に実装され、第１および第２の給電端子１２，１３間に所定の電流が供給された際、配線路Ｈｎ毎に半導体発光素子Ｄｎｍの内部抵抗値と抵抗素子Ｒｎの抵抗値との合算値である総抵抗値ＳＲｎが、複数の配線路Ｈ１〜Ｈ８において互いに同等となるように、各抵抗素子Ｒｎの抵抗値が調整されている。【選択図】図３
2010103357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に、第１の給電端子と第２の給電端子とが形成され、
両給電端子間において、少なくとも１以上の半導体発光素子が実装された配線路が複数並列接続されていると共に、
前記各配線路が配線パターンで構成された半導体発光モジュールであって、
前記各配線路に抵抗素子が直列に実装され、
前記第１および第２の給電端子間に所定の電流が供給された際、
前記配線路毎に前記半導体発光素子の内部抵抗値と前記抵抗素子の抵抗値との合算値である総抵抗値が、前記複数の配線路において互いに同等となるように、前記各抵抗素子の抵抗値が設定されている
ことを特徴とする半導体発光モジュール。
【請求項２】
前記各配線路に実装された前記抵抗素子のうち少なくとも１つの抵抗素子の抵抗値が、残りの抵抗素子の抵抗値とは異なる値である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光モジュール。
【請求項３】
前記抵抗素子が、レーザ加工により抵抗値を設定するレーザトリミング抵抗体である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光モジュール。
【請求項４】
前記抵抗素子が、抵抗値が固定された固定抵抗体であって、その抵抗値が、前記配線路毎の前記半導体発光素子の内部抵抗値の大きさに基づいて選択されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光モジュール。
【請求項５】
前記抵抗素子は、抵抗値が可変調整できる可変抵抗体である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光モジュール。
【請求項６】
前記各配線パターンは、所定箇所で切断され、
当該切断された各所定箇所に、第１のランドおよび第２のランドが形成されていて、
これら第１および第２のランド間が、導通部材によって接続されている
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体発光モジュール。
【請求項７】
前記第１および第２の給電端子間に前記所定の電流が供給された際、
前記各半導体発光素子の内部抵抗値が、前記複数の半導体発光素子における内部抵抗値の平均値に対して±２０％以内の範囲である
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光モジュール。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体発光モジュールと、
前記半導体発光モジュールにおける前記第１および第２の給電端子間に、前記所定の電流を供給し、当該半導体発光モジュールを点灯制御する点灯回路とを備える照明装置。
【請求項９】
前記点灯回路が、前記半導体発光モジュールの調光レベルを調節する調光手段を有し、
この調光手段が、前記半導体発光モジュールへの直流電流の供給のオンオフを切り替える切替部と、この切替部を制御して、当該オンオフによりデューティ比を変化させる制御部とを有している
ことを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
（ａ）回路基板上に、第１の給電端子と第２の給電端子とを形成して、両給電端子間を複数並列に接続される配線路を配線パターンで形成し、各配線パターンに、少なくとも１以上の半導体発光素子と、抵抗素子とを直列に実装する第１の工程と、
（ｂ）前記第１および第２の給電端子に、電圧値を測定するための一対の測定プローブを当接し、前記配線パターン毎に、前記配線パターンの所定箇所に設けられた第１のランドおよび第２のランド間を一時的に導通させて当該配線パターンに所定の電流を供給し、当該配線パターンの前記半導体発光素子の内部抵抗値と前記抵抗素子の抵抗値との合算値である総抵抗値をそれぞれ測定する第２の工程と、
（ｃ）前記第２の工程で求めた前記各配線パターンにおける前記総抵抗値が、前記複数の配線パターンにおいて互いに同等となるように、当該各配線パターンの前記抵抗素子の抵抗値を調整する第３の工程と、
（ｄ）前記第１および第２のランド間を導通部材により接続する第４の工程とを有している
ことを特徴とする半導体発光モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記抵抗素子が、レーザ加工により抵抗値を設定するレーザトリミング抵抗体であり、
前記第３の工程において、前記各レーザトリミング抵抗体をレーザ加工して、当該各レーザトリミング抵抗体の抵抗値を調整する
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記レーザ加工において、前記第１および第２の給電端子に、電圧値を測定するための一対の測定プローブを当接し、前記配線パターン毎に、前記第１のランドおよび第２のランド間を一時的に導通させて当該配線パターンに前記所定の電流を供給した状態で、前記レーザトリミング抵抗体をレーザ加工して、当該レーザトリミング抵抗体の抵抗値を調整するとともに、
前記第１および第２の給電端子間の電圧値を測定し、測定した電圧値を前記レーザ加工の作業にフィードバックする
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記第３の工程において、前記第２の工程で測定された前記各配線パターンにおける前記総抵抗値の中で最も大きい前記配線パターンの前記総抵抗値と、残りの前記配線パターンの前記総抵抗値との差分値を、当該配線パターンの前記抵抗素子の抵抗値として、前記各抵抗素子の抵抗値を調整する
ことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の半導体発光モジュールの製造方法。
【請求項１４】
（ａ）回路基板上に、第１の給電端子と第２の給電端子とを形成して、両給電端子間を複数並列に接続される配線路を配線パターンで形成し、各配線パターンに、少なくとも１以上の半導体発光素子を実装する第１の工程と、
（ｂ）前記第１および第２の給電端子に、電圧値を測定するための一対の測定プローブを当接し、前記配線パターン毎に、前記配線パターンの所定箇所に設けられた第１のランドおよび第２のランド間を一時的に導通させて当該配線パターンに所定の電流を供給し、当該配線パターンの前記半導体発光素子の内部抵抗値をそれぞれ測定する第２の工程と、
（ｃ）前記第２の工程で求めた前記各配線パターンの前記半導体発光素子の内部抵抗値と、当該各配線パターンに直列に実装する抵抗素子の抵抗値との合算値である総抵抗値が、前記複数の配線パターンにおいて互いに同等となるように、前記各抵抗素子の抵抗値を決定する第３の工程と、
（ｄ）前記第３の工程で決定された抵抗値を有する各抵抗素子を、対応する前記配線パターンにおける前記第１および第２のランド間に接続する第４の工程とを有している
ことを特徴とする半導体発光モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記第４の工程において、前記第３の工程で決定された抵抗値に基づいて各抵抗素子を選択し、
選択された抵抗値を有する前記各抵抗素子を、対応する前記配線パターンにおける前記第１および第２のランド間に接続する
ことを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光モジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記第３の工程において、前記第２の工程で測定された前記配線パターン毎の前記半導体発光素子の内部抵抗値の中で最も大きい前記配線パターンの前記半導体発光素子の内部抵抗値と、残りの前記配線パターンの前記半導体発光素子の内部抵抗値との差分値に、所定の抵抗値を加えて当該配線パターンの前記抵抗素子の抵抗値として決定する
ことを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体発光モジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記抵抗素子が、レーザ加工により抵抗値を設定するレーザトリミング抵抗体であり、
前記第４の工程において、前記第３の工程で決定された抵抗値に基づき前記各レーザトリミング抵抗体をレーザ加工して、当該各レーザトリミング抵抗体の抵抗値を調整し、
調整された抵抗値を有する前記各レーザトリミング抵抗体を、対応する前記配線パターンにおける前記第１および第２のランド間に接続する
ことを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光モジュール、それを用いた照明装置、および半導体発光モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子等の半導体発光素子を実装する半導体発光モジュールは、ＬＥＤ素子単体の光出力が小さいために、複数のＬＥＤ素子を備えている。これらのＬＥＤ素子は、通常、同一仕様のものが使用されると共に、例えば、複数のＬＥＤ素子を直列に接続したＬＥＤ素子列を複数用いて並列接続している。このような半導体発光モジュールを単一の定電流回路で点灯させた場合、各ＬＥＤ素子列におけるＬＥＤ素子の内部抵抗の合計値（総抵抗値）が、互いに等しければ、当該各ＬＥＤ素子列に同量の電流を流すことができるので、当該各ＬＥＤ素子列間での明るさのバラツキを小さくすることができる。
【０００３】
しかしながら、製造プロセス中での同一基板上に成長させたＬＥＤ素子でも、実際には、所定電流での順電圧値Ｖｆが異なる。このため、ＬＥＤ素子列毎の総抵抗値が異なり、当該各ＬＥＤ素子列に流れる電流に差が生じてしまう。そこで、従来、ＬＥＤ素子の定格電流における順電圧値Ｖｆのバラツキを小さくするために、当該順電圧値Ｖｆをチェックして選別したＬＥＤ素子が、半導体発光モジュールに用いられている。また一方では、ＬＥＤ素子列毎に、当該ＬＥＤ素子列に流れる電流を一定にするための定電流回路を備えた半導体発光モジュールが提案されている。かかる定電流回路を備えた半導体モジュールでは、定電流回路が各ＬＥＤ素子列に流れる電流を制御することにより、各ＬＥＤ素子列におけるＬＥＤ素子の順電圧値Ｖｆに関わらず、当該各ＬＥＤ素子列に一定の電流を流すことができる（例えば特許文献１等）。
【特許文献１】特開２００４−２０７６５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の定格電流における順電圧値Ｖｆで選別したＬＥＤ素子を用いた半導体発光モジュールでは、各ＬＥＤ素子の順電圧値Ｖｆのバラツキを小さくすることはできるが、その順電圧値Ｖｆを等しくすることは困難であり、そのために、各ＬＥＤ素子列における総抵抗値が異なり、当該各ＬＥＤ素子列間に明るさのバラツキが生じるという問題を有していた。また、上記従来の定電流回路を備えた半導体モジュールでは、ＬＥＤ素子列毎に、定電流回路を設けるため、その装置が大掛かりとなり、半導体モジュール自体の故障率の上昇に繋がる問題があった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、半導体モジュールにおいて、簡単な構成で各半導体発光素子列における明るさのバラツキを抑制することができる半導体発光モジュール、それを用いた照明装置、および半導体発光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体発光モジュールは、回路基板上に、第１の給電端子と第２の給電端子とが形成され、両給電端子間において、少なくとも１以上の半導体発光素子が実装された配線路が複数並列接続されていると共に、前記各配線路が配線パターンで構成された半導体発光モジュールであって、前記各配線路に抵抗素子が直列に実装され、前記第１および第２の給電端子間に所定の電流が供給された際、前記配線路毎に前記半導体発光素子の内部抵抗値と前記抵抗素子の抵抗値との合算値である総抵抗値が、前記複数の配線路において互いに同等となるように、前記各抵抗素子の抵抗値が設定されていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明に係る照明装置は、前記半導体発光モジュールと、前記半導体発光モジュールにおける前記第１および第２の給電端子間に、前記所定の電流を供給し、当該半導体発光モジュールを点灯制御する点灯回路とを備えることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体発光モジュールの製造方法は、
（ａ）回路基板上に、第１の給電端子と第２の給電端子とを形成して、両給電端子間を複数並列に接続される配線路を配線パターンで形成し、各配線パターンに、少なくとも１以上の半導体発光素子と、抵抗素子とを直列に実装する第１の工程と、
（ｂ）前記第１および第２の給電端子に、電圧値を測定するための一対の測定プローブを当接し、前記配線パターン毎に、前記配線パターンの所定箇所に設けられた第１のランドおよび第２のランド間を一時的に導通させて当該配線パターンに所定の電流を供給し、当該配線パターンの前記半導体発光素子の内部抵抗値と前記抵抗素子の抵抗値との合算値である総抵抗値をそれぞれ測定する第２の工程と、
（ｃ）前記第２の工程で求めた前記各配線パターンにおける前記総抵抗値が、前記複数の配線パターンにおいて互いに同等となるように、当該各配線パターンの前記抵抗素子の抵抗値を調整する第３の工程と、
（ｄ）前記第１および第２のランド間を導通部材により接続する第４の工程とを有していることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る半導体発光モジュールの製造方法は、
（ａ）回路基板上に、第１の給電端子と第２の給電端子とを形成して、両給電端子間を複数並列に接続される配線路を配線パターンで形成し、各配線パターンに、少なくとも１以上の半導体発光素子を実装する第１の工程と、
（ｂ）前記第１および第２の給電端子に、電圧値を測定するための一対の測定プローブを当接し、前記配線パターン毎に、前記配線パターンの所定箇所に設けられた第１のランドおよび第２のランド間を一時的に導通させて当該配線パターンに所定の電流を供給し、当該配線パターンの前記半導体発光素子の内部抵抗値をそれぞれ測定する第２の工程と、
（ｃ）前記第２の工程で求めた前記各配線パターンの前記半導体発光素子の内部抵抗値と、当該各配線パターンに直列に実装する抵抗素子の抵抗値との合算値である総抵抗値が、前記複数の配線パターンにおいて互いに同等となるように、前記各抵抗素子の抵抗値を決定する第３の工程と、
（ｄ）前記第３の工程で決定された抵抗値を有する各抵抗素子を、対応する前記配線パターンにおける前記第１および第２のランド間に接続する第４の工程とを有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記構成の半導体発光モジュールは、第１および第２の給電端子間において並列に接続された各配線路に、少なくとも１以上の半導体発光素子と抵抗素子とが実装されている。これら配線路毎の半導体発光素子の内部抵抗値と抵抗素子の抵抗値との合算値である総抵抗値が、第１および第２の給電端子間に所定の電流が供給された際、複数の配線路において互いに同等となるように各抵抗素子の抵抗値が設定されているので、各配線路に同量の電流を流すことができる。すなわち、各配線路に設けた抵抗素子の抵抗値の設定という簡単な構成で、各配線路における総抵抗値を同等にして、各配線路に流れる電流を等しくすることができる。これにより、各配線路における半導体発光素子の明るさのバラツキを抑制することができる。
【００１０】
また、上記構成の半導体発光モジュールの製造方法では、配線路毎の総抵抗値または半導体発光素子の内部抵抗値を測定するので、半導体発光素子の内部抵抗値を個々に測定するのに比べて、測定作業の効率化が図れるとともに、上記半導体発光モジュールと同様の効果を得ることができる。
本発明によれば、半導体モジュールにおいて、配線路毎に設けた抵抗素子の抵抗値の設定という簡単な構成により各半導体発光素子列における明るさのバラツキを抑制することができる半導体発光モジュール、それを用いた照明装置、および半導体発光モジュールの製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
（第１の実施形態）
＜全体構成＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体発光モジュール１０を備えた照明装置１を示す分解斜視図である。図２は、図１の照明装置１の構成を示す断面図である。
【００１２】
照明装置１は、椀状のケース２と、このケース２の底部外側に突設形成されたＥ型口金３と、ケース２の開口部に取り付けられたヒートシンク部材４と、このヒートシンク部材４に搭載された半導体発光モジュール１０と、この半導体発光モジュール１０を点灯制御する点灯回路２０と、ヒートシンク部材４に取り付けられ、半導体発光モジュール１０を覆うグローブ５とを備えている。
【００１３】
ケース２は、その椀状の開口側端面から突出して形成され、ヒートシンク部材４に内嵌される環状の嵌合部２ａを有している。
ヒートシンク部材４のケース２に臨む側の下面には、円柱状の凹部４ａが形成されている。この凹部４ａの内周面に、ケース２の嵌合部２ａが内嵌固定されている。これにより、ヒートシンク部材４における凹部４ａの空間とケース２の内部空間とで、点灯回路２０を収容する収容室６が形成されている。また、凹部４ａの底部には、環状の台座部４ｂが設けられており、点灯回路２０の回路基板２１が、台座部４ｂにねじ（図示せず）で取り付けられている。
【００１４】
点灯回路２０は、回路基板２１と各種の電子部品とから構成され、Ｅ型口金３と電気的に接続されている。また、点灯回路２０は、Ｅ型口金３を通じて供給された電力を半導体発光モジュール１０に供給している。この点灯回路２０における詳細な構成および点灯制御の機能については後述する。
＜詳細構成１＞
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体発光モジュール１０について説明する。図３は、半導体発光モジュール１０の構成を示す平面図であり、図４は、半導体発光モジュール１０が備える配線パターンの構成を説明する模式図である。
【００１５】
図３に示すように、半導体発光モジュール１０は、主面に複数の半導体発光素子を実装する回路基板１１と、この回路基板１１上に形成された正極側の給電端子１２（第１の給電端子）と負極側の給電端子１３（第２の給電端子）と、両給電端子１２，１３に接続され、かつ当該給電端子１２，１３間に並列に配設された８つの配線パターンＰ１〜Ｐ８とを備えている。この各配線パターンＰ１〜Ｐ８は、図４に示すように、複数の配線部材で構成されている。例えば、配線パターンＰ１は、配線部材Ｐ１１〜Ｐ１９から構成されている。このうち配線部材Ｐ１８には、正極側のランドＬ１１（第１のランド）が形成され、配線部材Ｐ１９に負極側のランドＬ１２（第２のランド）が形成されている。各配線パターンＰ２〜Ｐ８においても、配線パターンＰ１と同様に、９つの配線部材で構成されている。
【００１６】
図３に戻って、配線パターンＰ１には、６つの半導体発光素子Ｄ１１〜Ｄ１６が、配線部材Ｐ１２〜Ｐ１７における隣接する配線部材間にそれぞれ跨るように搭載され、抵抗素子Ｒ１が、配線部材Ｐ１７，Ｐ１８間に跨るように搭載されている。また、配線パターンＰ１のランドＬ１１，Ｌ１２がワイヤボンディングされて、両ランドＬ１１，Ｌ１２間がワイヤＷ１で接続されている。各配線パターンＰ２〜Ｐ８においても、配線パターンＰ１と同様に、６つの半導体発光素子と、１つの抵抗素子とが搭載されている。
【００１７】
このようにして、各配線パターンＰ１〜Ｐ８で構成され、かつ、６つの半導体発光素子および抵抗素子が直列に接続された配線路Ｈ１〜Ｈ８が形成されている。
各配線パターンＰ１〜Ｐ８に搭載された半導体発光素子は、この実施形態では、青色ＬＥＤ素子（ＬＥＤチップ）が用いられている。そして、これら各青色ＬＥＤ素子を内包するように、黄色蛍光体材料を含有するシリコーン樹脂、エポキシ樹脂もしくは、フッ素樹脂の成形体からなる蛍光体１４が、回路基板１１上に成形されている。また、この蛍光体材料は、セラミックなどの焼結材料に含有させた板形状のものを青色ＬＥＤ素子上に配置する構成でもよい。
【００１８】
各配線パターンＰ１〜Ｐ８に搭載された抵抗素子は、レーザ加工によって、その抵抗値が調整できるレーザトリミング抵抗体とされている。各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８に、レーザ加工による切り込みが形成されていて、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８の抵抗値が、切り込みＣ１〜Ｃ８の長さ等その形状により調整されている。ここで、配線パターンＰ１における半導体発光素子Ｄ１１〜Ｄ１６の内部抵抗値ＲＤ１１〜ＲＤ１６と抵抗素子Ｒ１の抵抗値との合算値を総抵抗値ＳＲ１として、以下同様に、配線パターンＰ２〜Ｐ８毎の半導体発光素子の内部抵抗値と抵抗素子の抵抗値との合算値を総抵抗値ＳＲ２〜ＳＲ８とすると、各総抵抗値ＳＲ１〜ＳＲ８は、次の（１）〜（８）式で表わされる。
ＳＲ１＝ＲＤ１１＋ＲＤ１２＋ＲＤ１３＋ＲＤ１４＋ＲＤ１５＋ＲＤ１６＋Ｒ１・・・（１）
ＳＲ２＝ＲＤ２１＋ＲＤ２２＋ＲＤ２３＋ＲＤ２４＋ＲＤ２５＋ＲＤ２６＋Ｒ２・・・（２）
ＳＲ３＝ＲＤ３１＋ＲＤ３２＋ＲＤ３３＋ＲＤ３４＋ＲＤ３５＋ＲＤ３６＋Ｒ３・・・（３）
ＳＲ４＝ＲＤ４１＋ＲＤ４２＋ＲＤ４３＋ＲＤ４４＋ＲＤ４５＋ＲＤ４６＋Ｒ４・・・（４）
ＳＲ５＝ＲＤ５１＋ＲＤ５２＋ＲＤ５３＋ＲＤ５４＋ＲＤ５５＋ＲＤ５６＋Ｒ５・・・（５）
ＳＲ６＝ＲＤ６１＋ＲＤ６２＋ＲＤ６３＋ＲＤ６４＋ＲＤ６５＋ＲＤ６６＋Ｒ６・・・（６）
ＳＲ７＝ＲＤ７１＋ＲＤ７２＋ＲＤ７３＋ＲＤ７４＋ＲＤ７５＋ＲＤ７６＋Ｒ７・・・（７）
ＳＲ８＝ＲＤ８１＋ＲＤ８２＋ＲＤ８３＋ＲＤ８４＋ＲＤ８５＋ＲＤ８６＋Ｒ８・・・（８）
ここで、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８の抵抗値を、給電端子１２，１３間に所定の電流を供給した際、各総抵抗値ＳＲ１〜ＳＲ８が互いに同等となるように調整するのである。すなわち、次の（９）式で示す
ＳＲ１＝ＳＲ２＝ＳＲ３＝ＳＲ４＝ＳＲ５＝ＳＲ６＝ＳＲ７＝ＳＲ８・・・（９）
となるよう、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８が調整されているのである。
【００１９】
なお、本実施形態において、各総抵抗値ＳＲ１〜ＳＲ８が互いに「同等となる」とは、各総抵抗値ＳＲ１〜ＳＲ８が完全に一致した状態はもちろんのこと、各総抵抗値ＳＲ１〜ＳＲ８が製造誤差も含めて±４％以内の範囲にバラツク状態も含むものとする。
以上のように、本実施形態に係る半導体発光モジュール１０は、両給電端子１２，１３間に所定の電流が供給された際、各配線パターンＰ１〜Ｐ８の総抵抗値ＳＲ１〜ＳＲ８が互いに同等となるように、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８の抵抗値が調整されているので、各配線パターンＰ１〜Ｐ８に同量の電流を流すことができる。なお、本明細書において、両給電端子１２，１３間に供給する上記所定の電流を「総電流」ともいい、この所定の総電流を両給電端子１２，１３間に供給した際に、各配線パターンＰ１〜Ｐ８に流れる電流を「配線電流」ともいう。この場合、総電流が、全配線パターンＰｎに流れる配線電流の合算値となっている。
【００２０】
このように各配線パターンＰ１〜Ｐ８に設けた抵抗素子の抵抗値の調整という簡単な構成で、各配線パターンＰ１〜Ｐ８における総抵抗値を互いに同等にして、半導体発光素子の明るさのバラツキを抑制することができる。
また、本実施形態において、給電端子１２，１３間に所定の総電流を供給した際、配線パターンＰ１〜Ｐ８に搭載された各半導体発光素子の内部抵抗値が、配線パターンＰ１〜Ｐ８に搭載された全ての半導体発光素子における内部抵抗値の平均値に対して±２０％以内の範囲とされている。
【００２１】
つまり、当該各半導体発光素子の数は４８であって、これら内部抵抗値の平均値をＲＤａｖ、これら内部抵抗値のうちの最も大きい内部抵抗値をＲＤｍａｘ、最も小さい内部抵抗値をＲＤｍｉｎとすると以下の（１０）〜（１２）式を満たす。
ＲＤａｖ＝ΣＲＤｎｍ／４８      （ｎ＝１〜８、ｍ＝１〜６）      ・・・（１０）
ＲＤｍａｘ≦ＲＤａｖ×１．２                                    ・・・（１１）
ＲＤｍｉｎ≧ＲＤａｖ×０．８                                    ・・・（１２）
このため、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８における抵抗値のバラツキを抑制することができ、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８の抵抗値を小さくすることができる。これにより、各抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８からの発熱を抑え、半導体発光モジュール１０における光出力の低下を抑制することができる。
【００２２】
従来の、特に各配線パターンの電流を一定にする定電流回路を備えていない半導体発光モジュールでは、搭載する複数の半導体発光素子の明るさのバラツキを抑制するため、当該各半導体発光素子を選別して、所定電流における内部抵抗値のバラツキを±４％以内の範囲にしていた。これに対して、本実施形態の半導体発光モジュール１０では、搭載する複数の半導体発光素子において、所定電流における内部抵抗値のバラツキが±４％を超えても±２０％以内の範囲であればよい。このため、半導体発光モジュール１０では、上記従来の半導体発光モジュールと比べて、搭載できる半導体発光素子の仕様範囲が広がり、半導体発光素子の選別負荷およびコストの削減を図ることができる。
【００２３】
本実施形態における抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８は、例えば酸化ルテニウム系、ニッケル−クロム合金系、タンタル−クロム合金系、窒化タンタル系、珪化タンタル系などの抵抗材料で形成した薄膜状の抵抗層で構成することができる。
なお、本実施形態において、半導体発光素子を符号Ｄｎｍで示す場合がある。この符号Ｄｎｍに含まれるｎは、配線パターンＰ１〜Ｐ８における配線路番号を示す１〜８の整数であり、ｍは、当該配線パターンＰ１〜Ｐ８における並びの順序を示しており、給電端子１２側から採番した１〜６の整数である。また、抵抗素子Ｒｎ、配線パターンＰｎ、配線路Ｈｎ、ランドＬｎｍ、ワイヤＷｎなど、符号にｎまたはｍを使用した場合、その定義は上記と同様とする。
＜点灯回路１＞
図５は、点灯回路２０の構成を例示する回路図である。図５に示すように、点灯回路２０は、ダイオードブリッジからなる整流回路２２と、キャパシタ２３と、トランジスタ２４と、ＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御回路２５と、マイコン２６と、操作Ｉ／Ｆ２７と、抵抗２８とを有し、商用交流電源３１から供給される電力を半導体発光モジュール１０に供給している。
【００２４】
マイコン２６は、操作Ｉ／Ｆ２７を介してユーザから調光レベルを受けつけ、これに応じた制御信号をＰＷＭ制御回路２５に供給する。
半導体発光モジュール１０の各配線路Ｈ１〜Ｈ８に流れる電流は、ＰＷＭ制御回路２５およびトランジスタ２４により制御される。ＰＷＭ制御回路２５は、マイコン２６からの定格点灯を示す制御信号を受けた場合には、所定の配線電流が各配線路Ｈ１〜Ｈ８に流れるようにトランジスタ２４を制御する。また、ＰＷＭ制御回路２５は、マイコン２６からの調光点灯を示す制御信号を受けた場合には、調光レベルに応じたデューティ比となるようにトランジスタ２４をＰＷＭ制御する。このＰＷＭ制御により、半導体発光モジュール１０の調光レベルを調節することができる。
【００２５】
次に、このようなＰＷＭ制御による調光手段の利点について、図６（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
図６（ａ）は、説明を簡単にするために、最小限の構成を有する回路４０を示す回路図であり、図６（ｂ）は、この回路４０が備えるＬＥＤ素子の電流−電圧特性を示す特性曲線図である。
【００２６】
図６（ａ）に示す回路４０は、並列に接続された配線路４１および配線路４２と、配線路４１に実装されたＬＥＤ素子４３および抵抗体４５と、配線路４２に実装されたＬＥＤ素子４４を備えている。ＬＥＤ素子４３は、図６（ｂ）の電流−電圧特性曲線４７が示す特性を有し、ＬＥＤ素子４４は、電流−電圧特性曲線４８が示す特性を有している。抵抗体４５は、２０Ωの抵抗値に設定されている。そして、通常は、回路４０に４０ｍＡの順電流値Ｉｆが供給され、配線路４１および配線路４２のどちらにも２０ｍＡの順電流値Ｉｆが流れるように設定されている。詳しく説明すると、図６（ｂ）の電流−電圧特性曲線４７，４８が示すように、各ＬＥＤ素子４３，４４に２０ｍＡの順電流値Ｉｆを流すには、ＬＥＤ素子４３には２．８Ｖの順電圧値Ｖｆが必要であり、ＬＥＤ素子４４には３．２Ｖの順電圧値Ｖｆが必要である。このときのＬＥＤ素子４３，４４間における順電圧値Ｖｆの差が０．４Ｖであり、図６（ｂ）において、符号４９で示されている。また、２０ｍＡの順電流値Ｉｆを抵抗体４５に流した場合には、抵抗体４５における電圧降下が０．４Ｖであって、順電圧値Ｖｆの差４９と等しくなり、配線路４１に３．２Ｖの順電圧値Ｖｆが印加された状態となることが分かる。これらより、回路４０に４０ｍＡの順電流値Ｉｆを供給すれば、ＬＥＤ素子４３およびＬＥＤ素子４４のどちらにも２０ｍＡの順電流値Ｉｆが流れることになるので、各ＬＥＤ素子４３，４４の明るさを等しくすることができる。
【００２７】
ところで、この回路４０を調光点灯させたい場合がある。回路４０の調光レベルを調節するには、各ＬＥＤ素子４３，４４に供給する順電流値Ｉｆを調整する調光手段と、ＰＷＭ制御による調光手段とが考えられる。
順電流値Ｉｆを調整する調光手段の場合、例えば、各ＬＥＤ素子４３，４４に１０ｍＡの順電流値Ｉｆを流すには、ＬＥＤ素子４３には２．７Ｖの順電圧値Ｖｆが必要であり、ＬＥＤ素子４４には２．９５Ｖの順電圧値Ｖｆが必要である。１０ｍＡの順電流値Ｉｆにおける抵抗体４５の電圧降下が０．２Ｖであるので、配線路４１に必要な順電圧値Ｖｆは２．９Ｖとなり、配線路４２が必要とする２．９５Ｖとは異なる。並列に接続された各配線路４１，４２の順電圧値Ｖｆは等しくなろうとするので、配線路４１には１０ｍＡよりも大きな電流が流れ、配線路４２には１０ｍＡよりも小さな電流しか流れなくなる。
【００２８】
このように、抵抗体４５における電圧降下が、２０ｍＡの順電流値Ｉｆにおいては、電流−電圧特性曲線４７，４８における順電圧値Ｖｆの差を補完する役割を果たしているが、順電流値Ｉｆを２０ｍＡ以外に調整した場合には、当該順電圧値Ｖｆの差を補完することができない。このため、調光レベルを調節した場合には、各配線路４１，４２には異なる順電流値Ｉｆが流れるので、各ＬＥＤ素子４３，４４の明るさにバラツキが生じる。
【００２９】
一方、ＰＷＭ制御による調光手段の場合、電流の供給がオンのときには、各配線路４１，４２のどちらにも２０ｍＡの順電流値Ｉｆが流れるように制御し、電流の供給がオフのときには、各配線路４１，４２のどちらにも電流が流れないように制御し、このオンオフのデューティ比によって調光することができる。したがって、調光レベルを調節した場合であっても、各配線路４１，４２に異なる順電流値Ｉｆが流れることがなく、各ＬＥＤ素子４３，４４の明るさにバラツキが生じるのを抑制することができる。これが、ＰＷＭ制御による調光手段の利点である。
＜製造方法１＞
次に、上記構成の半導体発光モジュール１０の製造方法について説明する。
【００３０】
図７は、本実施形態に係る半導体発光モジュール１０の製造工程を示すフロー図であり、図８は、図７の製造工程の要部を説明する説明図である。
半導体発光モジュール１０の製造方法は、各配線パターンＰｎに、ランドＬｎ１，Ｌｎ２を形成し、かつ半導体発光素子Ｄｎｍと、抵抗素子Ｒｎとを実装する第１の工程ＳＫ１１と、配線パターンＰｎ毎の総抵抗値ＳＲｎを測定する第２の工程ＳＫ１２と、測定された総抵抗値ＳＲｎに基づき抵抗素子Ｒｎの抵抗値を調整する第３の工程ＳＫ１３と、ランドＬｎ１，Ｌｎ２間を導通部材で接続する第４の工程ＳＫ１４とを有している。
【００３１】
第１〜第４の工程ＳＫ１１〜１４についてさらに詳しく説明する。
（１）まず、第１の工程ＳＫ１１において、回路基板１１上に、正極側および負極側の給電端子１２，１３とを形成し、両給電端子１２，１３間を並列に接続される８つの配線路Ｈ１〜Ｈ８を配線パターンＰ１〜Ｐ８で形成する。このとき、各配線パターンＰ１〜Ｐ８に、配線部材Ｐｎ８に正極側のランドＬｎ１と、配線部材Ｐｎ９に負極側のランドＬｎ２とを形成し、図４に示す各配線パターンＰ１〜Ｐ８を作製する（Ｓ５１）。
【００３２】
各配線パターンＰ１〜Ｐ８に、６つの半導体発光素子Ｄｎ１〜Ｄｎ６を、配線部材Ｐｎ１〜Ｐｎ７における隣接する配線部材間にそれぞれ跨るように搭載するとともに、レーザトリミング抵抗体からなる抵抗素子Ｒｎを配線部材Ｐｎ７，Ｐｎ８間に跨るように搭載する（Ｓ５２）。このようにして、図８（ａ）に示す中間部材１０ａが作製される。この中間部材１０ａにおける抵抗素子Ｒｎは、レーザ加工をする前の状態とされている。
【００３３】
（２）次に、第２の工程ＳＫ１２に入り、図８（ａ）に示すように、両給電端子１２，１３に電圧計３２の一対の測定プローブ３３，３４を当接する。そして、配線パターンＰ１〜Ｐ８のうち１つの配線パターンＰｎを選択し、選択した配線パターンＰｎのランドＬｎ１，Ｌｎ２間を、導通部材で構成される接続器具３６を介して一時的に導通状態にする。なお、図８（ａ）では、配線パターンＰ８が選択された状態が示されている。この接続器具３６は、一対の端子と、この一対の端子間を接続する配線とを有し、各端子をランドＬｎ１，Ｌｎ２にそれぞれ当接させて当該ランドＬｎ１，Ｌｎ２間を導通状態にすることができる。このようにして、当該選択された配線パターンＰｎの一対のランドＬｎ１，Ｌｎ２間のみを導通させ、他の配線パターンの一対のランド間は絶縁させたままの状態とする。そして、当該選択された配線パターンＰｎに所定の配線電流が流れるように、両給電端子１２，１３間に電流を供給する（Ｓ５３）。
【００３４】
その後、両給電端子１２，１３間の電圧値を測定して、測定された電圧値と所定の配線電流の電流値から、当該選択された配線パターンＰｎにおける半導体発光素子Ｄｎ１〜Ｄｎ６の内部抵抗値と抵抗素子Ｒｎの抵抗値との合算値である総抵抗値ＳＲｎを算出する（Ｓ５４）。
さらに、残りの配線パターンから次の配線パターンＰｎを順次選択して、上記ステップＳ５３およびＳ５４の作業を繰り返し行うことにより、配線パターンＰ１〜Ｐ８における総抵抗値ＳＲ１〜ＳＲ８をそれぞれ算出する。
【００３５】
（３）第３の工程ＳＫ１３に入り、算出された各総抵抗値ＳＲｎの中で最も大きい配線パターンの総抵抗値と、残りの配線パターンの総抵抗値との差分値を、当該配線パターンＰｎの抵抗素子Ｒｎの抵抗値として決定する（Ｓ５５）。
次に、各抵抗素子Ｒｎをレーザ加工して、その抵抗値を調整する作業に入る。このレーザ加工では、配線パターンＰ１〜Ｐ８のうち１つの配線パターンＰｎを選択し、選択した配線パターンＰｎのランドＬｎ１，Ｌｎ２間を、再度、接続器具３６を介して一時的に導通させて、当該選択された配線パターンＰｎに所定の配線電流が流れるように、両給電端子１２，１３間に電流を供給する（Ｓ５６）。そして、図８（ｂ）に示すようにレーザトリミング装置のレーザ加工ヘッド３５を当該選択された配線パターンＰｎの抵抗素子Ｒｎ上に配置して、抵抗素子Ｒｎの一部をレーザ光線で切除する（Ｓ５７）。このようにして、当該選択された配線パターンＰｎの抵抗素子Ｒｎに切り込みＣｎが形成されて、抵抗素子Ｒｎの抵抗値が上記Ｓ５５で決定された抵抗値に調整される。
【００３６】
このレーザ加工の作業においては、両給電端子１２，１３間の電圧値を測定し、測定した電圧値を、ステップＳ５７のレーザ光線で抵抗素子Ｒｎを切除する作業にフィードバックする（Ｓ５８）。このように電圧値を測定することにより、抵抗素子Ｒｎの抵抗値の変化を常にチェックすることができるので、当該抵抗素子Ｒｎの抵抗値の調整精度を向上させることができる。
【００３７】
さらに、残りの配線パターンから次の配線パターンＰｎを順次選択して、上記ステップＳ５６〜Ｓ５８の作業を繰り返し行うことにより、配線パターンＰ１〜Ｐ８における抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８の抵抗値をそれぞれ調整する。
なお、図８（ｂ）では、抵抗素子Ｒｎに直線状の、いわゆる直線カットの切り込みＣｎが示されているが、抵抗値の調整精度をより高めることができるＬカットの切り込みＣｎを抵抗素子Ｒｎに形成することもできる。
【００３８】
（４）そして、第４の工程ＳＫ１４において、ランドＬｎ１，Ｌｎ２間を、ワイヤＷｎによってワイヤボンディングして接続する（Ｓ５９）。この場合、ランドＬｎ１，Ｌｎ２間を、それぞれ２本以上のワイヤＷｎで接続する構成としてもよい。そうすることで、接続の信頼性を高めることができる。また、ランドＬｎ１，Ｌｎ２間を半田付けすることもできる。
【００３９】
最後に、蛍光体１４を、半導体発光素子Ｄｎｍを内包するように回路基板１１上に成形することにより、図３に示す半導体発光モジュール１０が完成する。
なお、上記製造方法では、蛍光体１４を、上記第１〜第４の工程ＳＫ１１〜１４の後に回路基板１１上に成形する構成を示したが、蛍光体１４を、上記第１〜第４の工程ＳＫ１１〜１４のいずれかの工程において回路基板１１上に成形する構成としてもよい。
【００４０】
また、第３の工程ＳＫ１３と第４の工程ＳＫ１４との工程を、例えば、選択した配線パターンＰｎに、第３の工程ＳＫ１３のステップＳ５７，５８の作業を実施し、その後に続けて当該選択した配線パターンＰｎに第４の工程ＳＫ１４のステップＳ５９の作業を実施する構成とすることもできる。
以上の構成の製造方法によれば、配線パターンＰｎ毎の総抵抗値ＳＲｎを測定して抵抗素子Ｒｎの抵抗値を調整するので、半導体発光素子Ｄｎｍの内部抵抗値を個々に測定するのに比べて、測定作業の効率化が図れる。また、レーザ加工により抵抗素子Ｒｎの抵抗値を調整するので、その抵抗値の調整精度をより高めることができ、配線パターンＰｎの総抵抗値ＳＲｎが互いに同等となる抵抗素子Ｒｎの抵抗値の調整が容易にできるようになる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態である半導体発光モジュール１１０、およびその製造方法について、図９〜図１１を参照して説明する。
【００４１】
この半導体発光モジュール１１０は、上記第１の実施形態の半導体発光モジュール１０とは、各配線パターンに設けられた両ランド間を抵抗素子で接続する点が異なっている。なお、図３に示す半導体発光モジュール１０と同じ構成要素については、簡単のため、同じ符号で示し、その説明を省略する。
＜詳細構成２＞
図９は、半導体発光モジュール１１０の構成を示す平面図である。
【００４２】
半導体発光モジュール１１０は、給電端子１２，１３間を並列に配設された８つの配線パターンＱ１〜Ｑ８を備えている。配線パターンＱ１は、配線部材Ｑ１１〜Ｑ１８から構成されており、配線部材Ｑ１７に正極側のランドＫ１１（第１のランド）が形成され、配線部材Ｑ１８に負極側のランドＫ１２（第２のランド）が形成されている。他の各配線パターンＱ２〜Ｑ８においても、配線パターンＱ１と同様に、８つの配線部材で構成されている。
【００４３】
また、配線パターンＱ１には、６つの半導体発光素子Ｄ１１〜Ｄ１６が、配線部材Ｑ１２〜Ｑ１７における隣接する配線部材間にそれぞれ跨るように搭載され、抵抗素子Ｒ１が、ランドＫ１１，Ｋ１２間に跨るように搭載されている。各配線パターンＱ２〜Ｑ８においても、配線パターンＱ１と同様に、６つの半導体発光素子と、抵抗素子とが搭載されている。
【００４４】
このようにして、各配線パターンＱ１〜Ｑ８で構成され、かつ、６つの半導体発光素子および抵抗素子が直列に接続された配線路Ｊ１〜Ｊ８が形成されている。
上記構成の半導体発光モジュール１１０は、半導体発光モジュール１０と比べて、製品としての機能面に異なる点は無く、製造方法に異なる点を有している。
上記第１の実施形態の製造方法は、半導体発光モジュール１０に抵抗素子を搭載してから、その抵抗値を調整している。これに対して、第２の実施形態の製造方法では、予め抵抗値が調整された抵抗素子を半導体発光モジュール１１０に搭載することとしている。
【００４５】
以下に、この第２の実施形態の製造方法について説明する。なお、上記第１の実施形態の製造方法と同じ構成要素については、その説明を簡略する。
＜製造方法２＞
図１０は、第２の実施形態に係る半導体発光モジュール１１０の製造工程を示すフロー図であり、図１１は、図１０の製造工程の要部を説明する説明図である。
【００４６】
半導体発光モジュール１１０の製造方法は、各配線パターンＱｎに、ランドＫｎ１，Ｋｎ２を形成し、かつ半導体発光素子Ｄｎｍを実装する第１の工程ＳＫ２１と、配線パターンＱｎ毎の半導体発光素子Ｄｎ１〜Ｄｎ６の内部抵抗値計ＮＲｎを測定する第２の工程ＳＫ２２と、測定された内部抵抗値計ＮＲｎに基づき抵抗素子Ｒｎの抵抗値を決定する第３の工程ＳＫ２３と、ランドＫｎ１，Ｋｎ２間に抵抗素子Ｒｎを接続する第４の工程ＳＫ２４とを有している。
【００４７】
第１〜第４の工程ＳＫ２１〜２４についてさらに詳しく説明する。
（１）まず、第１の工程ＳＫ２１において、回路基板１１上の両給電端子１２，１３間を並列に接続される８つの配線路Ｊ１〜Ｊ８を配線パターンＱ１〜Ｑ８で形成する。このとき、各配線パターンＱ１〜Ｑ８に、配線部材Ｑｎ７に正極側のランドＫｎ１と、配線部材Ｑｎ８に負極側のランドＫｎ２とを形成し、図９に示す各配線パターンＱ１〜Ｑ８を作製する（Ｓ６１）。
【００４８】
各配線パターンＱ１〜Ｑ８に、６つの半導体発光素子Ｄｎ１〜Ｄｎ６を、配線部材Ｑｎ１〜Ｑｎ７における隣接する配線部材間にそれぞれ跨るように搭載する（Ｓ６２）。このようにして、図１１（ａ）に示す中間部材１１０ａが作製される。
（２）次に、第２の工程ＳＫ２２に入り、図１１（ａ）に示すように、両給電端子１２，１３に電圧計３２の一対の測定プローブ３３，３４を当接する。そして、配線パターンＱ１〜Ｑ８のうち１つの配線パターンＱｎを選択し、選択した配線パターンＱｎのランドＫｎ１，Ｋｎ２間を、導通部材で構成される接続器具３６を介して一時的に導通状態にする。なお、図１１（ａ）では、配線パターンＱ８が選択された状態が示されている。そして、当該配線パターンＱｎに所定の配線電流が流れるように、両給電端子１２，１３間に電流を供給する（Ｓ６３）。
【００４９】
その後、両給電端子１２，１３間の電圧値を測定して、測定された電圧値と所定の配線電流の電流値から、当該選択された配線パターンＱｎにおける半導体発光素子Ｄｎ１〜Ｄｎ６の内部抵抗値計ＮＲｎを算出する（Ｓ６４）。
さらに、残りの配線パターンから次の配線パターンＱｎを順次選択して、上記ステップＳ６３およびＳ６４の作業を繰り返し行うことにより、配線パターンＱ１〜Ｑ８における内部抵抗値計ＮＲ１〜ＮＲ８をそれぞれ算出する。
【００５０】
（３）第３の工程ＳＫ２３に入り、算出された各内部抵抗値計ＮＲｎの中で最も大きい配線パターンの内部抵抗値計と、残りの配線パターンの内部抵抗値計との差分値に、所定の抵抗値を加えて当該配線パターンＱｎの抵抗素子Ｒｎの抵抗値として決定する（Ｓ６５）。次に、各抵抗素子Ｒｎをレーザ加工して、その抵抗値を調整して、この決定された抵抗値に設定する（Ｓ６６）。この場合、各抵抗素子Ｒｎのレーザ加工は、図示しないレーザトリミング装置を用いて行う。
【００５１】
（４）そして、第４の工程ＳＫ２４において、レーザ加工によって調整された抵抗値を有する抵抗素子Ｒｎを、図１１（ｂ）に示すように、半導体発光モジュール１１０のランドＫｎ１，Ｋｎ２間に跨るように搭載する（Ｓ６７）。
最後に、蛍光体１４を、半導体発光素子Ｄｎｍを内包するように回路基板１１上に成形すれば、図９に示す半導体発光モジュール１１０が完成する。
【００５２】
上記構成の製造方法によれば、抵抗値を調整した抵抗素子Ｑｎを半導体発光モジュール１１０に搭載するので、レーザ加工における抵抗値の調整作業によって半導体発光モジュール１１０が破損するようなことがない。第１または第２の実施形態の製造方法のいずれの製造方法を選択するかは、製造環境および製造する半導体発光モジュールの仕様によって決定すればよい。
【００５３】
以上、本発明に係る半導体発光モジュール、それを用いた照明装置、および半導体発光モジュールの製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。
例えば、以下のような変形例が考えられる。
＜変形例＞
（１）上記実施形態では、抵抗素子Ｒｎが、レーザ加工により抵抗値を調整できるレーザトリミング抵抗体からなる構成を示したが、抵抗素子Ｒｎに、抵抗値が固定された固定抵抗体または抵抗値が可変調整できる可変抵抗体を用いた構成としてもよい。配線パターンＰｎの総抵抗値ＳＲｎが互いに同等となる限り、抵抗素子Ｒｎにおける抵抗材を適宜選択することができる。もっともこの場合には、上記実施形態の製造方法におけるレーザ加工による抵抗値の調整作業がなくなる。このため、固定抵抗体であれば、Ｓ５５およびＳ６５で決定した抵抗値の固定抵抗体を選択する作業となり、可変抵抗体であれば、Ｓ５５およびＳ６５で決定した抵抗値に、可変抵抗体の抵抗値を合わせる作業となる。
（２）上記実施形態では、抵抗素子Ｒｎが、レーザトリミング抵抗体からなり、その表面に薄膜状の抵抗層を有する構成を示したが、所定の厚みを有する、例えば板状の抵抗体の構成であってもよい。レーザ加工により抵抗値を調整できる限り、レーザトリミング抵抗体におけるその形状および材質を適宜選択することができる。
（３）上記各実施形態では、半導体発光素子Ｄｎｍが青色ＬＥＤ素子であって、ＬＥＤチップからなる構成を示したが、半導体発光素子Ｄｎｍが、表面実装型ＬＥＤまたは砲弾型ＬＥＤ素子からなる構成であってもよい。
（４）上記各実施形態では、半導体発光モジュール１０，１１０が、それぞれ８つの配線パターンＰｎ，Ｑｎと、各配線パターンＰｎ，Ｑｎに実装された６つの半導体発光素子Ｄｎ１〜Ｄｎ８を備える構成を示したが、半導体発光モジュールの仕様に応じて、配線パターンＰｎ，Ｑｎの数、および各配線パターンＰｎ，Ｑｎにおける半導体発光素子Ｄｎｍの数は適宜選択することができる。また、各配線パターンＰｎ間または各配線パターンＱｎ間において、半導体発光素子Ｄｎｍの数が異なる構成であってもよい。
（５）上記各実施形態では、各配線パターンＰｎ，Ｑｎに、当該各配線パターンＰｎ，Ｑｎの負極側の給電端子１３側寄りとなる配線部材に、一対のランドが設けられた構成を示したが、一対のランドが、正極側の給電端子１２側寄りの位置に設けられた構成であってもよい。
【００５４】
また、各配線パターンＰｎ，Ｑｎに一対のランドが設けられない構成としてもよい。もっともこの場合には、その製造方法において、例えば半導体発光素子Ｄｎ１〜Ｄｎ６の所定の電流における内部抵抗値を個別に測定して、その内部抵抗値計ＮＲｎを算出し、各抵抗素子Ｒｎの抵抗値を調整することになる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、照明装置等に広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体発光モジュールを備えた照明装置を示す分解斜視図である。
【図２】図１の照明装置１の構成を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体発光モジュールの構成を示す平面図である。
【図４】配線パターンの構成を説明する模式図である。
【図５】半導体発光モジュールを点灯制御する点灯回路の構成を例示する回路図である。
【図６】ＰＷＭ制御による調光手段の利点を説明するための、（ａ）は、ＬＥＤ素子を備える回路図であり、（ｂ）は、ＬＥＤ素子の電流−電圧特性曲線図である。
【図７】第１の実施形態に係る半導体発光モジュールの製造工程を示すフロー図である。
【図８】図７の製造工程の要部を説明する説明図である。
【図９】第２の実施形態に係る半導体発光モジュールの構成を示す平面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る半導体発光モジュールの製造工程を示すフロー図である。
【図１１】図１０の製造工程の要部を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１    照明装置
１０，１１０  半導体発光モジュール
１０ａ，１００ａ  中間部材
１１，１１１    回路基板
１２    給電端子（第１の給電端子）
１３    給電端子（第２の給電端子）
１４    蛍光体
２０    点灯回路
２１    回路基板
２２    整流回路
２３    キャパシタ
２４    トランジスタ
２５    ＰＷＭ制御回路
２５    制御回路
２６    マイコン
２７    操作Ｉ／Ｆ
２８    抵抗
３１    商用交流電源
３２    電圧計
３３，３４  測定プローブ
３５    レーザ加工ヘッド
３６    接続器具
４１，４２  電流−電圧特性曲線
Ｄ    半導体発光素子
Ｈ，Ｊ    配線路
Ｌ，Ｋ    ランド
Ｒ    抵抗素子
ＲＤ    半導体発光素子の内部抵抗値
Ｐ，Ｑ    配線パターン
ＮＲ    内部抵抗値計
ＳＲ    総抵抗値
ＳＫ１１〜ＳＫ１４，ＳＫ２１〜ＳＫ２４    工程
Ｓ５１〜Ｓ５９，Ｓ６１〜Ｓ６７  ステップ
【図１】
2010103357.tif 000003
【図２】
2010103357.tif 000004
【図３】
2010103357.tif 000005
【図４】
2010103357.tif 000006
【図５】
2010103357.tif 000007
【図６】
2010103357.tif 000008
【図７】
2010103357.tif 000009
【図８】
2010103357.tif 000010
【図９】
2010103357.tif 000011
【図１０】
2010103357.tif 000012
【図１１】
2010103357.tif 000013