(57)【要約】【課題】モールドを樹脂体に強く押し付けなくとも回折格子のパターン欠陥を低減できる回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】この回折格子の形成方法は、回折格子を形成するための凹凸パターン１２を有するモールド１０を準備する工程と、真空状態においてモールド１０の凹凸パターン１２を樹脂体２２に接触させ、当該接触を維持しながら真空状態を解除する工程と、凹凸パターン１２と樹脂体２２との上記接触を維持しながら樹脂体２２を硬化させることによって、硬化した樹脂体２２に回折格子のためのパターン２４を形成する工程とを含む。モールド１０の凹凸パターン１２に含まれる凹部１３ａ，１３ｂは、該凹凸パターン１２を含むモールド１０の面内において閉じたパターンを構成している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回折格子を形成するための凹凸パターンを有するモールドを準備する工程と、
真空状態において前記モールドの前記凹凸パターンを樹脂体に接触させ、当該接触を維持しながら前記真空状態を解除する工程と、
前記凹凸パターンと前記樹脂体との上記接触を維持しながら前記樹脂体を硬化させることによって、硬化した樹脂体に前記回折格子のためのパターンを形成する工程と
を含み、
前記モールドの前記凹凸パターンに含まれる凹部が、該凹凸パターンを含む前記モールドの面内において閉じたパターンを構成していることを特徴とする、回折格子の形成方法。
【請求項２】
前記樹脂体が紫外線硬化性樹脂からなることを特徴とする、請求項１に記載の回折格子の形成方法。
【請求項３】
前記樹脂体の硬化前における粘度が１．０ミリパスカル秒以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の回折格子の形成方法。
【請求項４】
前記真空状態を解除する際に、前記モールド及び前記樹脂体の周囲を大気圧とすることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回折格子の形成方法。
【請求項５】
前記モールドの前記凹凸パターンが、所定方向を長手方向とし該所定方向と交差する方向に並んだ複数の第１の凸部と、該複数の第１の凸部を囲む第２の凸部とを含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回折格子の形成方法。
【請求項６】
活性層を含む半導体基板上に樹脂体を形成する工程と、
回折格子を形成するための凹凸パターンを有するモールドを準備する工程と、
真空状態において前記モールドの前記凹凸パターンを前記樹脂体に接触させ、当該接触を維持しながら前記真空状態を解除する工程と、
前記凹凸パターンと前記樹脂体との上記接触を維持しながら前記樹脂体を硬化させることによって、硬化した樹脂体に前記回折格子のためのパターンを形成する工程と、
前記回折格子のためのパターンを用いて前記半導体基板をエッチングすることにより、前記回折格子を形成する工程と
を含み、
前記モールドの前記凹凸パターンに含まれる凹部が、該凹凸パターンを含む前記モールドの面内において閉じたパターンを構成していることを特徴とする、分布帰還型半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、所定のパターンを有するモールドを樹脂体に押し付けるナノインプリント法によって、当該樹脂体に回折格子のためのパターンを形成する方法が知られている（例えば非特許文献１を参照）。
【非特許文献１】Stephen Y. Chou et al., “Nanoimprint lithography”, The Journal ofVacuum Science and Technology B, 14(6), Nov/Dec 1996, pp.4129-4133
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ナノインプリント法においてモールドを樹脂体に押し付ける際、モールドのパターンに含まれる凹部の幅と深さとの比（アスペクト比）が比較的大きいと、モールドの凹部を樹脂体によって十分に充たす為には高い圧力でモールドを押圧する必要がある。しかし、モールドを樹脂体に強く押し付けると、モールドの劣化が早まる、高圧装置が必要となる、基材に損傷を生じるといった問題が生じる。また、モールドのパターン密度に偏りがあると、樹脂体が凹部に入り込む度合いにばらつきが生じ、回折格子のパターンに欠陥が発生する要因となる。
【０００４】
本発明は、上記した問題点を鑑みてなされたものであり、モールドを樹脂体に強く押し付けなくとも回折格子のパターン欠陥を低減できる回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記した課題を解決するために、本発明による回折格子の形成方法は、回折格子を形成するための凹凸パターンを有するモールドを準備する工程と、真空状態においてモールドの凹凸パターンを樹脂体に接触させ、当該接触を維持しながら真空状態を解除する工程と、凹凸パターンと樹脂体との上記接触を維持しながら樹脂体を硬化させることによって、硬化した樹脂体に回折格子のためのパターンを形成する工程とを含み、モールドの凹凸パターンに含まれる凹部が、該凹凸パターンを含むモールドの面内において閉じたパターンを構成していることを特徴とする。
【０００６】
上に記した回折格子の形成方法においては、真空状態においてモールドの凹凸パターンを樹脂体に接触させる。このとき、モールドの凹凸パターンに含まれる凹部が、該凹凸パターンを含むモールドの面内において閉じたパターンを構成していることにより、凹部と樹脂体とによって画成される空間が気密状態となる。この状態で真空状態を解除すると、樹脂体のうち凹凸パターンと対向していない部分が気圧により押され、また、凹部との間に気密空間を画成している樹脂体の部分が当該凹部へ吸い込まれる。このような作用により、モールドを樹脂体に強く押し付けなくともモールドの凹部が樹脂体によって十分に充たされることとなる。したがって、このような樹脂体とモールドとの接触を維持しながら樹脂体を硬化させることにより、樹脂体に回折格子のためのパターンを正確に成型し、この樹脂体を用いて製造される回折格子のパターン欠陥を低減することができる。
【０００７】
また、回折格子の形成方法は、樹脂体が紫外線硬化性樹脂からなることを特徴としてもよい。紫外線硬化性樹脂は、熱可塑性樹脂といった他の樹脂と比較して粘度が低いので、樹脂体が紫外線硬化性樹脂からなることにより、モールドの凹部との間に気密空間を画成している樹脂体の部分が当該凹部へ移動し易くなる。したがって、樹脂体に回折格子のためのパターンをより正確に成型し、回折格子のパターン欠陥を更に低減することができる。
【０００８】
また、回折格子の形成方法は、樹脂体の硬化前における粘度が１．０ミリパスカル秒以下であることを特徴としてもよい。このように粘度が低い樹脂体を使用することにより、モールドの凹部との間に気密空間を画成している樹脂体の部分が当該凹部へ移動し易くなる。したがって、樹脂体に回折格子のためのパターンをより正確に成型し、回折格子のパターン欠陥を更に低減することができる。
【０００９】
また、回折格子の形成方法は、真空状態を解除する際に、モールド及び樹脂体の周囲を大気圧とすることを特徴としてもよい。これにより、樹脂体のうち凹凸パターンと対向していない部分を大気圧により容易に且つ効果的に押圧し、モールドの凹部を樹脂体によって好適に充たすことができる。
【００１０】
また、回折格子の形成方法は、モールドの凹凸パターンが、所定方向を長手方向とし該所定方向と交差する方向に並んだ複数の第１の凸部と、該複数の第１の凸部を囲む第２の凸部とを含むことを特徴としてもよい。これにより、回折格子を形成するための凹凸パターンにおいて、その凹部がモールドの面内において閉じたパターンを好適に構成することができる。
【００１１】
また、本発明による分布帰還型半導体レーザの製造方法は、活性層を含む半導体基板上に樹脂体を形成する工程と、回折格子を形成するための凹凸パターンを有するモールドを準備する工程と、真空状態においてモールドの凹凸パターンを樹脂体に接触させ、当該接触を維持しながら真空状態を解除する工程と、凹凸パターンと樹脂体との上記接触を維持しながら樹脂体を硬化させることによって、硬化した樹脂体に回折格子のためのパターンを形成する工程と、回折格子のためのパターンを用いて半導体基板をエッチングすることにより、回折格子を形成する工程とを含み、モールドの凹凸パターンに含まれる凹部が、該凹凸パターンを含むモールドの面内において閉じたパターンを構成していることを特徴とする。このような分布帰還型半導体レーザの製造方法によれば、上述した回折格子の形成方法と同様の作用により、樹脂体に回折格子のためのパターンを正確に成型し、この樹脂体を用いて製造される回折格子のパターン欠陥を低減することができる。
【００１２】
なお、上に記した回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法において、モールドの面内において凹部が閉じたパターンを構成しているとは、凹部の外縁が凸部の側面等によって完全に囲まれている（換言すれば、凹部がモールドの面方向に開放していない）状態を意味し、モールドの凹凸パターンを樹脂体に接触させた際に凹部と樹脂体とによって気密空間が構成されるようなパターンを指すものとする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法によれば、モールドを樹脂体に強く押し付けなくとも回折格子のパターン欠陥を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら本発明による回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
＜回折格子の形成方法＞
図１及び図２は、実施形態に係る回折格子の形成方法の各工程を模式的に示す図である。図１（ａ）は本実施形態の方法において使用されるモールド１０を示す底面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩ−Ｉ線に沿ったモールド１０の側断面図である。また、図２（ａ）〜図２（ｄ）は、モールド１０を使用するナノインプリント法によって回折格子のためのパターンを形成する工程を示している。
【００１６】
（モールド準備工程）
まず、図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、モールド１０を準備する。モールド１０は、例えば平板状であり、所定パターンを有するＳＯＧ（Spin On Glass）膜を石英基板上に接着したものや、或いは石英基板の表面に所定パターンをエッチングにより形成したもの等、様々な材料により構成されることができる。
【００１７】
モールド１０は、回折格子を形成するための凹凸パターン１２を有する。凹凸パターン１２は、例えば図１（ｂ）に示されるように、複数の凸部１２ａ（第１の凸部）と、該複数の凸部１２ａを囲むように配設された凸部１２ｂ（第２の凸部）とを含むように形成される。複数の凸部１２ａは、所定方向を長手方向として互いに平行となるよう延設されており、また、該所定方向と交差する（本実施形態では直交する）方向に並んで形成されている。そして、隣り合う凸部１２ａ同士の隙間は、凹部１３ａとなっている。複数の凸部１２ａ、凹部１３ａそれぞれの幅は、このモールド１０を用いて製造される回折格子に必要な幅および間隔に基づいて定められる。一例としては、複数の凸部１２ａの幅Ｗａが１２０［ｎｍ］、凹部１３ａの幅Ｗｂが１２０［ｎｍ］であり、凹部１３ａのアスペクト比（Ｈｂ／Ｗｂ、Ｈｂは凹部１３ａの深さ）は例えば３である。
【００１８】
また、凸部１２ｂは、複数の凸部１２ａを囲んでおり、複数の凸部１２ａの長手方向に沿って延びる部分と、複数の凸部１２ａの並び方向に沿って延びる部分とを有する矩形の枠状を呈している。凸部１２ｂは、複数の凸部１２ａとの間に凹部１３ｂを形成しており、この凹部１３ｂは、前述した凹部１３ａと一体となって、凹凸パターン１２を含むモールド１０の面内において閉じたパターンを構成している。すなわち、凹部１３ｂの外縁が凸部１２ｂの側面によって完全に囲まれており、凹部１３ｂがモールド１０の面方向に開放していない。
【００１９】
（モールド接触工程）
次に、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、モールド１０の凹凸パターン１２を、半導体基板等の基板２０上に形成された樹脂体２２に接触させる。このとき、モールド１０および基板２０をチャンバ内に設置し、該チャンバ内部を真空状態とする。ここで、モールド１０の樹脂体２２側（凹凸パターン１２が形成されている側）の面とは反対側の面を外力で押圧してもよいが、その際、モールド１０と基板２０とが接触しない程度に、モールド１０と基板２０との距離を制御することが好ましい。
【００２０】
このとき、モールド１０の凹凸パターン１２に含まれる凹部１３ａ，１３ｂが、該凹凸パターン１２を含むモールド１０の面内において閉じたパターンを構成していることにより、凹部１３ａ，１３ｂと樹脂体２２とによって画成される空間Ａが気密状態となる。
【００２１】
樹脂体２２としては、紫外線硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などを用いることができるが、特に紫外線硬化性樹脂が好適である。樹脂体２２は比較的低粘度（例えば１．０ミリパスカル秒以下）であることが好ましく、紫外線硬化性樹脂はこのような粘度に対する要請に好適に合致するからである。なお、樹脂体２２が例えば水と同程度の粘度（≒０．９ミリパスカル秒）を有する場合、凹凸パターン１２を樹脂体２２に押し付ける際の押し付け圧力は０．１メガパスカル以下でよい。
【００２２】
続いて、モールド１０の凹凸パターン１２と樹脂体２２との接触を維持しながら、チャンバ内部の真空状態を解除し、大気圧まで開放する。すると、図２（ｃ）に示すように、樹脂体２２のうち凹凸パターン１２と対向していない部分２２ａが気圧により押され、また、凹部１３ａ，１３ｂとの間に気密空間Ａを画成していた樹脂体２２の部分２２ｂが当該凹部１３ａ，１３ｂへ吸い込まれる。こうして、モールド１０の凹部１３ａ，１３ｂが樹脂体２２によって充たされ、モールド１０の凹凸パターン１２の形状が樹脂体２２に転写される。
【００２３】
（硬化工程）
次に、凹凸パターン１２と樹脂体２２との上記接触を維持しながら樹脂体２２を硬化させる。これにより、硬化した樹脂体２２に回折格子のためのパターンが形成される。樹脂体２２が紫外線硬化性樹脂からなる場合には、樹脂体２２に紫外線を照射し（光式ナノインプリント）、また樹脂体２２が熱可塑性樹脂からなる場合には、樹脂体２２を加熱する（熱式ナノインプリント）。熱可塑性樹脂の場合は、温度をガラス転移点以上に上げて軟化させておいて、型を押し付け、その状態で温度を下げて硬化させる。
【００２４】
光式ナノインプリント法において、紫外線をモールド１０側から樹脂体２２に照射する場合、モールド１０は紫外線に対して透明であることが更に好ましい。また、紫外線を基板２０側から樹脂体２２に照射する場合、基板２０は紫外線に対して透明であることが更に好ましい。そのような基板２０の材料としては例えば石英が挙げられる。
【００２５】
熱式ナノインプリント法では、樹脂体２２は、熱可塑性樹脂（例えばポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ））、熱硬化性樹脂（例えばポリウレタン（ＰＵＲ））等からなることが好ましい。
【００２６】
（離型工程）
次に、図２（ｄ）に示されるように、硬化した樹脂体２２からモールド１０を剥離する。以上の工程を経ることによって、周期的に配列された複数の凸部及び凹部を含む回折格子のためのパターン２４を形成することができる。このパターン２４の形状は、モールド１０の凹凸パターン１２の形状に対応している。なお、硬化した樹脂体２２を全面ドライエッチングしてもよい。この場合、パターン２４の凹部の底面に基板２０が露出してもよい。さらに、基板２０の露出した部分を、例えばプラズマや酸などを用いてエッチングし、基板２０に回折格子パターンを転写してもよい。
【００２７】
このように基板側に回折格子を転写する方法は、ＤＦＢレーザの作製方法として好適である。つまり、基板側に回折格子を転写形成し、これを埋めるようにさらに結晶を再成長させ、上部のコンタクト層までを形成する。回折格子を光学材料（例えばＰＭＭＡ）で形成し、それをそのまま残すという方法は、例えばＤＢＲレーザ（具体的には、活性層直上ではなく、活性層脇に回折格子を形成するような構造のＤＢＲレーザ）等に適用可能である。また、光式ナノインプリントは、熱式と比べて圧力が小さいので、結晶へのダメージを小さくできる。さらに、クラッド層をもう１層挟んで、その上にインプリントした方が好ましい。これにより、活性層（例えば多重量子井戸層で形成された活性層）への物理的ダメージの発生の可能性を低減できる。
【００２８】
本実施形態に係る回折格子の形成方法においては、上述したように、真空状態においてモールド１０の凹凸パターン１２を樹脂体２２に接触させ、この状態で真空状態を解除する。これにより、樹脂体２２のうち凹凸パターン１２と対向していない部分２２ａが気圧により押され、また、凹凸パターン１２の凹部１３ａ，１３ｂへ樹脂体２２が吸い込まれる。このような作用により、モールド１０を樹脂体２２に強く押し付けなくともモールド１０の凹部１３ａ，１３ｂが樹脂体２２によって十分に充たされることとなる。したがって、このような樹脂体２２とモールド１０との接触を維持しながら樹脂体２２を硬化させることにより、樹脂体２２に回折格子のためのパターン２４を正確に成型し、この樹脂体２２を用いて製造される回折格子のパターン欠陥を低減することができる。特に、モールド１０の凹部１３ａ，１３ｂが狭く深い（すなわちアスペクト比が大きい）場合、従来の方法ではモールドの凹部に樹脂体が充填されにくいが、本実施形態の方法によれば、そのような場合であっても凹部１３ａ，１３ｂを樹脂体２２によって十分に充たすことができる。
【００２９】
また、前述したように、樹脂体２２は紫外線硬化性樹脂からなることが好ましい。紫外線硬化性樹脂は、熱可塑性樹脂といった他の樹脂と比較して粘度が低いので、樹脂体２２が紫外線硬化性樹脂からなることにより、モールド１０の凹部１３ａ，１３ｂとの間に気密空間Ａを画成している樹脂体２２の部分が当該凹部１３ａ，１３ｂへ移動し易くなる。したがって、樹脂体２２に回折格子のためのパターン２４をより正確に成型し、回折格子のパターン欠陥を更に低減することができる。
【００３０】
また、前述したように、樹脂体２２の硬化前における粘度は１．０ミリパスカル秒以下であることが好ましい。このように樹脂体２２として粘度が低いものを使用することにより、上記と同様に、樹脂体２２の部分が凹部１３ａ，１３ｂへ移動し易くなる。したがって、樹脂体２２に回折格子のためのパターン２４をより正確に成型し、回折格子のパターン欠陥を更に低減することができる。
【００３１】
また、本実施形態のように、真空状態を解除する際、モールド１０及び樹脂体２２の周囲を大気圧とするとよい。これにより、樹脂体２２のうち凹凸パターン１２と対向していない部分２２ａを大気圧により容易に且つ効果的に押圧し、モールド１０の凹部１３ａ，１３ｂを樹脂体２２によって好適に充たすことができる。但し、真空状態を解除する際の気圧については、大気圧より低くても、或いは高くても良い。例えば、樹脂体２２として熱可塑性樹脂を使用する場合、熱可塑性樹脂は粘度が比較的高いので、大気圧よりも更に高圧とすることが好ましい。
【００３２】
また、本実施形態のように、モールド１０の凹凸パターン１２は、所定方向を長手方向とし該所定方向と交差する方向に並んだ複数の凸部１２ａと、該複数の凸部１２ａを囲む凸部１２ｂとを含むことが好ましい。これにより、回折格子を形成するための凹凸パターン１２において、その凹部１３ａ，１３ｂがモールド１０の面内において閉じたパターンを好適に構成することができる。なお、本実施形態ではモールド１０に凸部１２ａ，１２ｂを形成することにより生じる凹部１３ａ，１３ｂを利用しているが、モールド１０の表面に溝を形成することによって凹凸パターンの凹部を形成してもよい。その場合においても、凹部の平面形状を図１（ａ）に示した凹部１３ａ，１３ｂの平面形状と同様にすることが好ましい。
【００３３】
（変形例）
図３は、本実施形態において使用されるモールドの他の例を示す側断面図である。図３に示すモールド１１は、図１に示したモールド１０と同様に平板状を呈しており、回折格子を形成するための凹凸パターン１４を有している。この凹凸パターン１４においては、そのパターン密度が、モールド内での位置に応じて異なっている。具体的には、複数の凸部１４ａの幅が、モールド１１内の或る領域では大きく、別の領域では小さくなっている。複数の凹部１４ｂの幅についても、モールド１１内の或る領域では大きく、別の領域では小さくなっている。すなわち、モールド１１内の所定の領域毎に凹部１４ｂのアスペクト比が異なっている。
【００３４】
このように、凹凸パターン１４におけるパターン密度がモールド内での位置に応じて異なる場合、パターン密度が疎である部分（樹脂が多量に必要な部分）に完全に樹脂を充填させるため、従来の方法ではモールド押し付け圧力を高くし、また押し付け後の保持時間を長くすることにより、パターン密度が比較的密な部分から樹脂が流動することを促す必要があり、流動が不十分な場合はパターン欠陥となっていた。上記実施形態の方法によれば、凹部１４ｂの内外の気圧差が駆動力となって樹脂体２２が流動するので、パターン密度が疎である部分にも樹脂が流動しやすい。したがって、モールド押し付け圧力を高くしなくても、凹凸パターン１４の凹部１４ｂが充填されやすく、パターン欠陥の発生を抑えることができる。
【００３５】
＜分布帰還型半導体レーザの製造方法＞
図４は、実施形態に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法の各工程を模式的に示す図である。図５は、上記製造方法により製造される分布帰還型半導体レーザを一部破断して示す斜視図である。
【００３６】
（樹脂体形成工程）
まず、図４（ａ）に示すように、基板２０ａ上に、第１クラッド層３０、第１光閉じ込め層３２、活性層３４、第２光閉じ込め層３６、回折格子層３８及び樹脂体２２をこの順に形成する。基板２０ａは、例えばｎ型ＩｎＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体からなる。第１クラッド層３０は、例えばｎ型ＩｎＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体からなる。第１光閉じ込め層３２は、例えばｎ型ＧａＩｎＡｓＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体からなる。活性層３４は、例えばＧａＩｎＡｓＰからなる多重量子井戸構造を有する。第２光閉じ込め層３６は、例えばｐ型ＧａＩｎＡｓＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体からなる。回折格子層３８は、例えばｐ型ＧａＩｎＡｓＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体からなる。なお、第１光閉じ込め層３２及び第２光閉じ込め層３６を形成しなくてもよい。基板２０ａ、第１クラッド層３０、第１光閉じ込め層３２、活性層３４、第２光閉じ込め層３６、及び回折格子層３８によって基板２０が構成される。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、上述した回折格子の形成方法を用いて、硬化した樹脂体２２に回折格子のためのパターン２４を形成する。そして、樹脂体２２の全面をエッチングし、樹脂体２２の凹部の底面にあたる部分を完全に除去して、基板２０の一部を露出させる。その後、残った樹脂体２２をマスクとして回折格子層３８をエッチングすることにより、回折格子層３８に回折格子を形成し、樹脂体２２を除去する。
【００３８】
次に、図５に示されるように、回折格子を形成した回折格子層３８上に第２クラッド層３９を形成する。第２クラッド層３９は、回折格子層３８の材料とは異なる材料からなり、例えばｐ型ＩｎＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体からなる。その後、回折格子層３８、第２クラッド層３９、第２光閉じ込め層３６、活性層３４、第１光閉じ込め層３２、及び第１クラッド層３０をウェットエッチングすることにより半導体メサを形成する。さらに、その半導体メサを埋め込む半導体層４０を形成した後、半導体層４０及び第２クラッド層３９上に第３クラッド層４２を形成する。半導体層４０は、例えばＦｅがドープされたＩｎＰ等の半絶縁性III−Ｖ族化合物半導体からなる。半導体層４０は、ｎ型ＩｎＰ層及びｐ型ＩｎＰ層からなる積層構造を有してもよい。第３クラッド層４２は、例えばｐ型ＩｎＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体からなる。なお、第３クラッド層４２を形成しなくてもよい。その後、第３クラッド層４２上に、コンタクト層４４及び電極４６をこの順に形成する。コンタクト層４４は、例えばｐ型ＧａＩｎＡｓ等のIII−Ｖ族化合物半導体からなる。電極４６は、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる積層構造を有する。また、基板２０の裏面上に電極４８を形成する。電極４８は、例えばＡｕＧｅＮｉ合金からなる。
【００３９】
上記工程を経ることによって、分布帰還型半導体レーザ５０を製造することができる。本実施形態の分布帰還型半導体レーザの製造方法によれば、上述した回折格子の形成方法と同様に、樹脂体２２に回折格子のためのパターン２４を正確に成型し、この樹脂体２２を用いて製造される回折格子層３８のパターン欠陥を低減することができる。
【００４０】
本発明による回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法は、上記した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、本発明におけるモールドの凹凸パターンは、図１（ａ）に示した平面形状に限られるものではなく、モールドの面内において凹部が閉じたパターンを構成している形状であれば、様々な平面形状を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】回折格子の形成方法の各工程を模式的に示す図である。（ａ）本実施形態の方法において使用されるモールド１０を示す底面図である。（ｂ）（ａ）のＩ−Ｉ線に沿ったモールド１０の側断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）モールド１０を使用するナノインプリント法によって回折格子のためのパターンを形成する工程を示している。
【図３】本実施形態において使用されるモールドの他の例を示す側断面図である。
【図４】実施形態に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法の各工程を模式的に示す図である。
【図５】図４に示した製造方法により製造される分布帰還型半導体レーザを一部破断して示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０，１１…モールド、１２，１４…凹凸パターン、１２ａ，１２ｂ，１４ａ…凸部、１３ａ，１３ｂ，１４ｂ…凹部、２０，２０ａ…基板、２２…樹脂体、２４…回折格子のためのパターン、Ａ…気密空間。
【図１】
2010080763.tif 000003
【図２】
2010080763.tif 000004
【図３】
2010080763.tif 000005
【図４】
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【図５】
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