(57)【要約】【課題】１ターンの長さを有するコイル導体が接続されてなるコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法において、磁気飽和が発生することを抑制する。【解決手段】１ターンの長さを有する２種類のコイル導体１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ，１８ｈ，１８ｊと、コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉとがｚ軸方向に交互に積層されている。コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉには、三方がコイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉに囲まれた高磁束密度領域が形成されている。高磁束密度領域は、磁性体材料が設けられていない空洞である低透磁率部２４ｆ，２４ｈ，２４ｊ，２４ｌである。【選択図】図２
2010192715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状の軌道が規定された長方形状の複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
前記積層体内に内蔵されているコイルと、
を備え、
前記コイルは、
前記軌道上を第１の点から所定方向に旋廻し、かつ、前記絶縁体層の長辺に沿って欠損した部分を有している第１のコイル部、及び、該所定方向の下流側における該第１のコイル部の端部と該軌道の内側の第２の点とを接続する第１の接続部を有する第１のコイル導体と、
前記第１のコイル導体と積層方向に交互に設けられている第２のコイル導体であって、前記軌道上を前記第１の点から前記所定方向の反対方向に旋廻し、かつ、前記絶縁体層の短辺に沿って欠損した部分を有している第２のコイル部、及び、該所定方向の上流側における該第２のコイル部の端部と前記第２の点とを接続する第２の接続部を有する第２のコイル導体と、
交互に積層方向に並んでいる第１のビアホール導体及び第２のビアホール導体であって、隣り合っている前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体の前記第１の点を接続する第１のビアホール導体、及び、隣り合っている前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体の前記第２の点を接続する第２のビアホール導体と、
を備え、
前記積層体において、積層方向から平面視したときに、前記短辺に平行であってかつ前記第２の点を通過する直線、前記第２の接続部、前記第２のコイル部に囲まれている高磁束密度領域であって、積層方向において、前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体が設けられている高磁束密度領域の少なくとも一部は、該高磁束密度領域以外の前記絶縁体層よりも透磁率が低い低透磁率部であること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体は、前記絶縁体層上に設けられ、
前記低透磁率部は、前記第１のコイル導体が設けられている前記各絶縁体層又は前記第２のコイル導体が設けられている前記各絶縁体層に設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記低透磁率部は、空洞であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記低透磁率部は、前記高磁束密度領域以外の前記絶縁体層よりも低い透磁率を有する低透磁率材料により構成されていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
請求項１に記載の電子部品の製造方法において、
前記絶縁体層を準備する工程と、
前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部を除去する工程と、
前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部に対して、焼成時に消失する消失材料を塗布する工程と、
前記絶縁体層に前記第１のビアホール導体及び前記第２のビアホール導体を形成する工程と、
前記絶縁体層に前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程と、
前記絶縁層を積層して前記積層体を得る工程と、
前記積層体を焼成し、前記消失材料を消失させる工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の電子部品の製造方法において、
前記絶縁体層を準備する工程と、
前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部を除去する工程と、
前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部に対して、該絶縁体層よりも低い透磁率を有する低透磁率材料を塗布する工程と、
前記絶縁体層に前記第１のビアホール導体及び前記第２のビアホール導体を形成する工程と、
前記絶縁層に前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程と、
前記絶縁層を積層して前記積層体を得る工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、積層体内にコイルが内蔵された電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層インダクタが知られている。図７は、該積層インダクタの積層体１１１の分解斜視図である。
【０００３】
積層体１１１は、磁性体層１１２ａ〜１１２ｌ、内部導体１１４ａ〜１１４ｆ及びビアホール導体Ｂ１〜Ｂ５により構成されている。磁性体層１１２ａ〜１１２ｌは、積層方向の上側から下側へとこの順に並ぶように配置されている絶縁層である。
【０００４】
内部導体１１４ａは、磁性体層１１２ｄ上に設けられ、一端が積層体１１１の右側の側面に引き出されている。内部導体１１４ｂ〜１１４ｅはそれぞれ、磁性体層１１２ｅ〜１１２ｈ上において１ターンの長さで周回している。内部導体１１４ｂ，１１４ｄは、同じ形状を有している。また、内部導体１１４ｃ，１１４ｅは、同じ形状を有している。すなわち、２種類の形状の内部導体１１４ｂ，１１４ｄと内部導体１１４ｃ，１１４ｅとが交互に並んでいる。また、内部導体１１４ｆは、磁性体層１１２ｉ上に設けられ、一端が積層体１１１の左側の側面に引き出されている。
【０００５】
また、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ５は、積層方向に隣り合う内部導体１１４ａ〜１１４ｆを接続している。これにより、積層体１１１内において螺旋状に旋廻するコイルＬが構成されている。図７に示す積層インダクタでは、例えば、磁性体層１１２ｈと磁性体層１１２ｉとの間に、内部導体１１４が設けられた磁性体層１１２を挿入することにより、１ターン単位でコイルＬのターン数を調整することができる。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の積層インダクタは、以下に説明するように、比較的小さな直流電流がコイルＬに流れただけで、磁気飽和が発生し、インダクタンス値が急激に低下してしまうという問題を有する。図７の内部導体１１４ｃにおいて、磁性体層１１２ｆの長辺に沿って延在する配線部分を、配線部１１４ｃ−１，１１４ｃ−２と定義する。
【０００７】
より詳細には、図７に示すように、積層インダクタでは、内部導体１１４ｂ〜１１４ｅは、その一端において接続部１１６ｂ〜１１６ｅを有している。該接続部１１６ｂ〜１１６ｅは、内部導体１１４ｂ〜１１４ｅにより囲まれた長方形状の領域内に引き出されており、ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４と接続されている。これにより、１ターンの長さを有する内部導体１１４ｂ〜１１４ｅが、ビアホール導体Ｂ２〜Ｂ４により接続可能となっている。一例を示すが、このような内部導体１１４ｃ（内部導体１１４ｅも内部導体１１４ｃと同じ構成であるが、ここでは説明を省略する）では、配線部１１４ｃ−１には、電流ｉ１が左側に向かって流れ、配線部１１４ｃ−２には、電流ｉ２が右側に向かって流れる。また、接続部１１６ｃには、電流ｉ３が左側に向かって流れる。よって、配線部１１４ｃ−１と配線部１１４ｃ−２とに挟まれた領域では、電流ｉ１，ｉ２により積層方向の上側に向かって磁束が発生する。また、配線部１１４ｃ−２と接続部１１６ｃとに挟まれた領域（図７の斜線部分）では、電流ｉ２，ｉ３により積層方向の上側に向かって磁束が発生する。
【０００８】
ここで、接続部１１６ｃと配線部１１４ｃ−２との距離は、図７に示すように、配線部１１４ｃ−１と配線部１１４ｃ−２との距離よりも小さい。更に、電流ｉ１〜ｉ３の大きさは等しい。直線電流による磁束密度の大きさは、電流からの距離に反比例し、電流の大きさに比例する。そのため、配線部１１４ｃ−２と接続部１１６ｃとに挟まれた領域における磁束密度は、配線部１１４ｃ−１と配線部１１４ｃ−２とに挟まれた領域における磁束密度よりも大きくなる。その結果、積層インダクタにおいて、配線部１１４ｃ−２と接続部１１６ｃとに挟まれた領域では、配線部１１４ｃ−１と配線部１１４ｃ−２とに挟まれた領域よりも、磁気飽和が発生しやすくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−４４０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明の目的は、１ターンの長さを有するコイル導体が接続されてなるコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法において、磁気飽和が発生することを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一形態に係る電子部品は、環状の軌道が規定された長方形状の複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記積層体内に内蔵されているコイルと、を備え、前記コイルは、前記軌道上を第１の点から所定方向に旋廻し、かつ、前記絶縁体層の長辺に沿って欠損した部分を有している第１のコイル部、及び、該所定方向の下流側における該第１のコイル部の端部と該軌道の内側の第２の点とを接続する第１の接続部を有する第１のコイル導体と、前記第１のコイル導体と積層方向に交互に設けられている第２のコイル導体であって、前記軌道上を前記第１の点から前記所定方向の反対方向に旋廻し、かつ、前記絶縁体層の短辺に沿って欠損した部分を有している第２のコイル部、及び、該所定方向の上流側における該第２のコイル部の端部と前記第２の点とを接続する第２の接続部を有する第２のコイル導体と、交互に積層方向に並んでいる第１のビアホール導体及び第２のビアホール導体であって、隣り合っている前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体の前記第１の点を接続する第１のビアホール導体、及び、隣り合っている前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体の前記第２の点を接続する第２のビアホール導体と、を備え、前記積層体において、積層方向から平面視したときに、前記短辺に平行であってかつ前記第２の点を通過する直線、前記第２の接続部、前記第２のコイル部に囲まれている高磁束密度領域であって、積層方向において、前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体が設けられている高磁束密度領域の少なくとも一部は、該高磁束密度領域以外の前記絶縁体層よりも透磁率が低い低透磁率部であること、を特徴とする。
【００１２】
本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、前記絶縁体層を準備する工程と、前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部を除去する工程と、前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部に対して、焼成時に消失する消失材料を塗布する工程と、前記絶縁体層に前記第１のビアホール導体及び前記第２のビアホール導体を形成する工程と、前記絶縁体層に前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程と、前記絶縁層を積層して前記積層体を得る工程と、前記積層体を焼成し、前記消失材料を消失させる工程と、を備えていること、を特徴とする。
【００１３】
また、本発明のその他の形態に係る電子部品の製造方法は、前記絶縁体層を準備する工程と、前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部を除去する工程と、前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部に対して、該絶縁体層よりも低い透磁率を有する低透磁率材料を塗布する工程と、前記絶縁体層に前記第１のビアホール導体及び前記第２のビアホール導体を形成する工程と、前記絶縁層に前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体を形成する工程と、前記絶縁層を積層して前記積層体を得る工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、１ターンの長さを有するコイル導体が接続されてなるコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法において、磁気飽和が発生することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
【図２】図１の電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】磁性体層をｚ軸方向の正方向側から平面視した図である。
【図４】積層体をｚ軸方向の正方向側から透視した図である。
【図５】図４のＧ−Ｇ'における電子部品の断面構造図である。
【図６】図４のＨ−Ｈ'における積層体の断面構造図である。
【図７】特許文献１に記載の積層インダクタの積層体の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
【００１７】
（電子部品の構成）
図１は、電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。
【００１８】
電子部品１０は、図１に示すように、直方体状の積層体１２と、ｘ軸方向の両端に位置する積層体１２の側面（表面）に形成された２つの外部電極１４ａ，１４ｂとを備えている。
【００１９】
積層体１２は、図２に示すように、磁性体層１６ａ〜１６ｑがｚ軸方向の正方向側からこの順に積層されて構成されており、螺旋状のコイルＬを内蔵している。磁性体層１６ａ〜１６ｑは、磁性を有するフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライト等）からなる長方形状の絶縁層である。以下では、個別の磁性体層１６ａ〜１６ｑを指す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略する。
【００２０】
コイルＬは、コイル導体１８ａ〜１８ｋ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ１０を含んでいる。コイル導体１８ａ〜１８ｋは、例えばＡｇを主成分とする導電性材料からなる。以下では、個別のコイル導体１８ａ〜１８ｋを指す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略する。
【００２１】
コイル導体１８ａ〜１８ｋはそれぞれ、磁性体層１６ｄ〜１６ｎのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。コイル導体１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ，１８ｈ，１８ｊは、同じ形状を有し、コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉは、同じ形状を有している。そして、コイル導体１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ，１８ｈ，１８ｊと、コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉとは、ｚ軸方向に交互に並ぶように設けられている。以下に、図３を参照しながら、コイル導体１８ｂ〜１８ｊについてより詳細に説明する。図３（ａ）は、磁性体層１６ｅ，１６ｇ，１６ｉ，１６ｋ，１６ｍをｚ軸方向の正方向側から平面視した図であり、図３（ｂ）は、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌをｚ軸方向の正方向側から平面視した図である。図３において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸の座標の正負を決めるために、ｚ軸が磁性体層１６の中心を通過しているものと仮定して、ｘ軸及びｙ軸の正方向側及び負方向側を定義する。
【００２２】
ここで、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、磁性体層１６には、長方形状をなす環状の軌道Ｒが規定されている。そして、磁性体層１６上の軌道Ｒの一角（ｘ軸方向の負方向側であってかつｙ軸方向の正方向側の角）には、点Ａが規定されている。また、点Ａの近傍であって軌道Ｒの内側には、点Ｂが規定されている。
【００２３】
コイル導体１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ，１８ｈ，１８ｊはそれぞれ、図３（ａ）に示すように、１ターンの長さを有しており、コイル部２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊ及び接続部２２ｂ，２２ｄ，２２ｆ，２２ｈ，２２ｊを有している。コイル部２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊは、図３（ａ）に示すように、軌道Ｒ上を点Ａから矢印Ｄの方向（反時計回り方向）に旋廻し、かつ、磁性体層１６ｅ，１６ｇ，１６ｉ，１６ｋ，１６ｍの長辺に沿って欠損した部分（以下、欠損部と称す）Ｆ１を有している。欠損部Ｆ１は、軌道Ｒのｘ軸方向の負方向側及びｙ軸方向の正方向側の角からｘ軸方向に延在している。また、接続部２２ｂ，２２ｄ，２２ｆ，２２ｈ，２２ｊは、矢印Ｄの方向の下流側におけるコイル部２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊの端部と点Ｂとを接続している。
【００２４】
コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉは、図３（ｂ）に示すように、コイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉ及び接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉを有している。コイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉは、図３（ｂ）に示すように、軌道Ｒ上を点Ａから矢印Ｅの方向（時計回り方向）に旋廻し、かつ、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌの短辺に沿って欠損した欠損部Ｆ２を有している。欠損部Ｆ２は、軌道Ｒのｘ軸方向の負方向側及びｙ軸方向の正方向側の角からｙ軸方向に延在している。また、接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉは、矢印Ｅの方向の下流側におけるコイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉの端部と点Ｂとを接続している。
【００２５】
コイル導体１８ａは、図２に示すように、一端が積層体１２のｘ軸方向の正方向側の側面に引き出されていると共に、他端が点Ｂに位置している形状を有している。これにより、コイル導体１８ａの一端は、外部電極１４ａと接続されている。
【００２６】
コイル導体１８ｋは、図２に示すように、一端が積層体１２のｘ軸方向の負方向側の側面に引き出されていると共に、他端が点Ａに位置している形状を有している。これにより、コイル導体１８ｋの一端は、外部電極１４ｂと接続されている。
【００２７】
ビアホール導体ｂ１は、磁性体層１６ｄをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ａとコイル導体１８ｂとの点Ｂを繋いでいる。ビアホール導体ｂ２は、磁性体層１６ｅをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｂとコイル導体１８ｃとの点Ａを繋いでいる。ビアホール導体ｂ３は、磁性体層１６ｆをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｃとコイル導体１８ｄとの点Ｂを繋いでいる。ビアホール導体ｂ４は、磁性体層１６ｇをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｄとコイル導体１８ｅとの点Ａを繋いでいる。ビアホール導体ｂ５は、磁性体層１６ｈをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｅとコイル導体１８ｆとの点Ｂを繋いでいる。ビアホール導体ｂ６は、磁性体層１６ｉをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｆとコイル導体１８ｇとの点Ａを繋いでいる。ビアホール導体ｂ７は、磁性体層１６ｊをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｇとコイル導体１８ｈとの点Ｂを繋いでいる。ビアホール導体ｂ８は、磁性体層１６ｋをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｈとコイル導体１８ｉとの点Ａを繋いでいる。ビアホール導体ｂ９は、磁性体層１６ｌをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｉとコイル導体１８ｊとの点Ｂを繋いでいる。ビアホール導体ｂ１０は、磁性体層１６ｍをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１８ｊとコイル導体１８ｋとの点Ａを繋いでいる。
【００２８】
以上のように、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１０は、点Ａに位置しているもの（ビアホール導体ｂ２，ｂ４，ｂ６，ｂ８，ｂ１０）と、点Ｂに位置しているもの（ビアホール導体ｂ１，ｂ３，ｂ５，ｂ７，ｂ９）とがｚ軸方向に交互に並んでいる。以上のようなコイル導体１８ａ〜１８ｋ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ１０により、螺旋状のコイルＬが構成されている。
【００２９】
ところで、電子部品１０は、コイルＬにおいて、磁気飽和が発生することを抑制するための構造を有している。以下にかかる構造について図面を参照しながら説明する。図４は、積層体１２をｚ軸方向の正方向側から透視した図である。図５は、図４のＧ−Ｇ'における電子部品１０の断面構造図である。図６は、図４のＨ−Ｈ'における積層体１２の断面構造図である。
【００３０】
電子部品１０では、１ターンのコイル導体１８がビアホール導体により接続されている。そのため、コイル導体１８の両端が軌道Ｒ上に位置していると、コイル導体１８同士をビアホール導体により接続することができない。そこで、図３（ｂ）に示すように、コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉには、ｘ軸方向に延在する接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉが設けられている。これにより、コイル導体１８の一端が、軌道Ｒの内部に位置するようになっている。
【００３１】
接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉが設けられると、図４に示すように、接続部２２及びコイル部２０により囲まれた四角形の領域Ｊが形成される。そして、接続部２２を挟んでｙ軸方向の負方向側には、コイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉの一部及び接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉにより三方が囲まれた領域（高磁束密度領域）Ｉが形成されてしまう。このような領域Ｉでは、コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉのｙ軸方向の負方向側に位置し、かつ、ｘ軸方向に延在している配線部と、接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉとが近接してしまう。その結果、領域Ｉにおいて、磁束密度が高くなり、磁気飽和が発生しやすくなってしまう。
【００３２】
そこで、電子部品１０では、図３（ｂ）に示す領域Ｉにおける透磁率を、該領域Ｉ以外の領域における透磁率よりも低くしている。より詳細には、積層体１２において、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、短辺に平行であってかつ点Ｂを通過する直線Ｃ、接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉ及びコイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉに囲まれている領域Ｉ（図３（ｂ）及び図４参照）であって、ｚ軸方向において、コイル導体１８ｂ〜１８ｊが設けられている領域Ｉ（図５及び図６参照）の少なくとも一部は、領域Ｉ以外の磁性体層１６よりも透磁率が低い低透磁率部２４ｆ，２４ｈ，２４ｊ，２４ｌである。ここで、電子部品１０において、領域Ｉは、図３ないし図６に示すように、直方体状の領域である。本実施形態に係る電子部品１０では、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌの領域Ｉのそれぞれに、磁性体材料が設けられていない空洞である低透磁率部２４ｆ，２４ｈ，２４ｊ，２４ｌが設けられている。なお、図３（ａ）及び図４に示す領域Ｊにおいて、コイル部２０の一部と接続部２２とが近接しているが、ｘｙ平面上でのこれらの電流方向は同じである。そのため、領域Ｊにて発生する磁束は相殺され、磁気飽和の影響は小さい。
【００３３】
（効果）
電子部品１０によれば、以下に説明するように、１ターンの長さを有するコイル導体１８ｂ〜１８ｊからなるコイルＬにおいて磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。より詳細には、コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉは、図３（ｂ）に示すように、コイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉ及び接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉを有している。コイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉは、図３（ｂ）に示すように、軌道Ｒ上を点Ａから矢印Ｅの方向（時計回り方向）に旋廻し、かつ、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌの短辺に沿って欠損した欠損部Ｆ２を有している。また、接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉは、矢印Ｅの方向の下流側におけるコイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉの端部と点Ｂとを接続している。
【００３４】
前記のようなコイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉでは、図３（ｂ）に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉの一部及び接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉによって三方が囲まれた領域Ｉが形成されるようになる。このような領域Ｉでは、コイル部２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉの一部及び接続部２２ｃ，２２ｅ，２２ｇ，２２ｉが近接しているので、これらを流れる電流ｉの対面方向の距離が小さくなり、かつ、ｘｙ平面での電流方向が逆向きである。その結果、領域Ｉでは、磁束密度が高くなりやすく、磁気飽和が発生しやすい。
【００３５】
そこで、電子部品１０では、図３ないし図６に示すように、領域Ｉの少なくとも一部の透磁率が、その他の領域の磁性体層１６の透磁率よりも低くなるように構成されている。具体的には、領域Ｉ内の一部に空洞である低透磁率部２４が設けられている。そのため、領域Ｉ内において、磁束密度が高くなりすぎて、磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。その結果、コイルＬのインダクタンス値が急激に低下することが抑制されるようになる。
【００３６】
また、低透磁率部２４は、領域Ｉの一部に設けられている。具体的には、低透磁率部２４は、磁性体層１６ｅ〜１６ｍの全てに設けられているのではなく、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌにのみ設けられている。そのため、電子部品１０では、低透磁率部２４が全ての磁性体層１６に設けられている場合に比べて、低透磁率部２４によるコイルＬの初期インダクタンス値が大きく低下することが抑制される。なお、初期インダクタンス値とは、コイルＬに微小な電流を流したときにおけるインダクタンス値である。更に、初期インダクタンス値の低下をより抑制するために、低透磁率部２４は、ｚ軸方向から平面視したときに、領域Ｉの全面に設けられているのではなく、領域Ｉの一部に設けられていてもよい。なお、初期インダクタンス値の低下を問題としない場合には、全ての磁性体層１６に低透磁率部２４が設けられていてもよい。
【００３７】
また、図２に示すように、低透磁率部２４は、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌに設けられている。ここで、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌに設けられているコイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉ及びビアホール導体ｂ３，ｂ５，ｂ７，ｂ９は、同じ構造を有している。そのため、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌ、コイル導体１８ｃ，１８ｅ，１８ｇ，１８ｉ及びビアホール導体ｂ３，ｂ５，ｂ７，ｂ９は、全く同じ構造を有するようになり、同じ工程で作製することが可能となる。その結果、電子部品１０の製造コストが低減される。なお、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌの代わりに、磁性体層１６ｅ，１６ｇ，１６ｉ，１６ｋ，１６ｍに低透磁率部２４が設けられてもよい。
【００３８】
なお、低透磁率部２４は、空洞であるとしたが、例えば、磁性体層１６の透磁率よりも低い透磁率を有する低透磁率材料により構成されていてもよい。このような低透磁率材料としては、例えば、非磁性体材料や、磁性体層１６の材料よりもＮｉの含有率が低いＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが挙げられる。低透磁率部２４が空洞ではなく非磁性体材料又は磁性体材料で構成されることにより、磁性体層１６間の密着度が向上する。その結果、電子部品１０においてデラミネーション（層間剥離）が発生することが抑制されるようになる。
【００３９】
なお、コイル導体１８は、長方形状の軌道Ｒ上に設けられている。しかしながら、軌道Ｒの形状はこれに限らない。例えば、楕円形状等であってもよい。また、接続部２２は、直線ではなく曲線であってもよい。
【００４０】
なお、低透磁率部２４は、ｚ軸方向から平面視したときに、領域Ｉからはみ出していてもよい。例えば、低透磁率部２４は、コイル部１６と接続部２２とがｘ軸方向に平行に延在した状態で対向している領域内に設けられていてもよい。すなわち、低透磁率部２４は、直線Ｃからｘ軸方向の正方向側に僅かにはみ出していてもよい。
【００４１】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
【００４２】
まず、磁性体層１６となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００４３】
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、磁性体層１６となるべきセラミックグリーンシートを作製する。
【００４４】
次に、磁性体層１６ｄ〜１６ｍとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１０を形成する。具体的には、磁性体層１６ｄ〜１６ｍとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００４５】
次に、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌとなるべきセラミックグリーンシートの領域Ｉを、レーザビームを照射して除去する。これにより、低透磁率部２４ｆ，２４ｈ，２４ｊ，２４ｌが設けられる部分には、孔が形成されるようになる。なお、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌとなるべきセラミックグリーンシートの領域Ｉを除去する工程と、ビアホールを形成する工程とは同時に行われてもよい。
【００４６】
次に、積層体１２の焼成時において消失する消失材料を、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌとなるべきセラミックグリーンシートの領域Ｉに対して塗布する。すなわち、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌとなるべきセラミックグリーンシートに形成された孔に対して、消失部材を埋め込む。該消失材料としては、例えば、カーボンペーストや樹脂ペーストが挙げられる。
【００４７】
次に、磁性体層１６ｄ〜１６ｎとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体１８ａ〜１８ｋを形成する。なお、コイル導体１８ａ〜１８ｋを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
【００４８】
次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、磁性体層１６ｑとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。磁性体層１６ｐとなるべきセラミックグリーンシートのキャリアフィルムを剥がして、磁性体層１６ｑとなるべきセラミックグリーンシート上に磁性体層１６ｐとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、磁性体層１６ｐとなるべきセラミックグリーンシートを磁性体層１６ｑに対して圧着する。圧着条件は、１００トン〜１２０トンの圧力及び３秒間から３０秒間程度の時間である。また、キャリアフィルムの排出方法は、吸引による排出及びチャックによるつかみ排出である。この後、磁性体層１６ｏ，１６ｎ，１６ｍ，１６ｌ，１６ｋ，１６ｊ，１６ｉ，１６ｈ，１６ｇ，１６ｆ，１６ｅ，１６ｄ，１６ｃ，１６ｂ，１６ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。これにより、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。
【００４９】
次に、マザー積層体をギロチンカットにより所定寸法の積層体１２にカットする。これにより未焼成の積層体１２が得られる。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８００℃〜９００℃で２．５時間の条件で行う。この際、磁性体層１６ｆ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｌに設けられた消失部材が、加熱により消失し、空洞である低透磁率部２４ｆ、２４ｈ，２４ｊ，２４ｌが形成される。
【００５０】
以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、積層体１２の表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき銀電極が形成される。銀電極の焼き付けは、８００℃で６０分間行われる。
【００５１】
最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。
【００５２】
前記電子部品１０の製造方法によれば、孔を有した状態で磁性体層１６が積層されるのではなく、孔に消失部材が充填された状態で磁性体層１６が積層される。そのため、磁性体層１６の積層時において、磁性体層１６間に空気が入り込むことが抑制される。その結果、焼成後に積層体１２おいてデラミネーション（層間剥離）が発生することが抑制される。
【００５３】
なお、電子部品１０は、逐次圧着法により作製されるものとしたが、逐次圧着法以外の方法（例えば、印刷工法）によって作製されてもよい。
【００５４】
また、電子部品１０の製造方法において、低透磁率部２４が低透磁率材料からなる場合には、消失部材のペーストを塗布する代わりに、磁性体層１６となるべきセラミックグリーンシートの材料よりも低い透磁率を有する低透磁率材料のペーストが塗布される。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、１ターンの長さを有するコイル導体が接続されてなるコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法において、磁気飽和が発生することを抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【００５６】
Ｆ１，Ｆ２  欠損部
Ｉ  領域
Ｌ コイル
Ｒ 軌道
ｂ１〜ｂ１０  ビアホール導体
１０  電子部品
１２  積層体
１４ａ，１４ｂ  外部電極
１６ａ〜１６ｑ  磁性体層
１８ａ〜１８ｋ  コイル導体
２０ｂ〜２０ｊ  コイル部
２２ｂ〜２２ｊ  接続部
２４ｆ，２４ｈ，２４ｊ，２４ｌ  低透磁率部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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