(57)【要約】【課題】  絶縁層と配線層との密着性を確保でき、かつ、高周波信号伝送及び微細配線形成に好適な多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  本多層配線基板の製造方法は、第１配線層、絶縁層、及び多孔質薄膜を順次積層形成する第１工程と、前記多孔質薄膜及び前記絶縁層に前記第１配線層を露出する開口部を形成する第２工程と、前記開口部内に露出する前記第１配線層上の残渣を除去するとともに、前記多孔質薄膜をマスクとして、前記絶縁層の前記多孔質薄膜が形成されている面にナノメートルオーダーの多数の凹凸を形成する第３工程と、前記多孔質薄膜を除去する第４工程と、前記絶縁層の前記ナノメートルオーダーの多数の凹凸が形成されている面に第２配線層を形成する第５工程と、を有することを要件とする。【選択図】  図１６
2010192864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層、絶縁層、及び多孔質薄膜を順次積層形成する第１工程と、
前記多孔質薄膜及び前記絶縁層に前記第１配線層を露出する開口部を形成する第２工程と、
前記開口部内に露出する前記第１配線層上の残渣を除去するとともに、前記多孔質薄膜をマスクとして、前記絶縁層の前記多孔質薄膜が形成されている面にナノメートルオーダーの多数の凹凸を形成する第３工程と、
前記多孔質薄膜を除去する第４工程と、
前記絶縁層の前記ナノメートルオーダーの多数の凹凸が形成されている面に第２配線層を形成する第５工程と、を有する多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程において、前記ナノメートルオーダーの多数の凹凸は、前記多孔質薄膜の有する多数の微細孔を介して、前記絶縁層の前記多孔質薄膜が形成されている面をエッチングすることにより形成される請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程において、前記多孔質薄膜は、前記絶縁層の一方の面にＣＶＤ法を用いて金属微粒子又は金属酸化物微粒子を成膜することにより形成される請求項１又は２記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記多孔質薄膜の有する多数の微細孔の孔径は、前記ＣＶＤ法において結晶析出温度、圧力、及び基板間距離の成膜条件を調節することにより、ナノメートルオーダーに制御される請求項３記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程において、前記開口部は、前記多孔質薄膜及び前記絶縁層にレーザ光を照射することにより形成される請求項１乃至４の何れか一項記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１配線層と前記多孔質薄膜とは同一の金属材料から形成されており、
前記第４工程は、前記開口部内に露出する前記第１配線層の表面をエッチングするソフトエッチング工程であり、
前記多孔質薄膜は、前記ソフトエッチング工程により除去される請求項１乃至５の何れか一項記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記同一の金属材料は、Ｃｕである請求項６記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第５工程において、前記第２配線層は、前記絶縁層の前記ナノメートルオーダーの多数の凹凸が形成されている面に無電解めっき法により形成され、前記ソフトエッチング工程は、前記無電解めっき法の一工程である請求項６又は７記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法に係り、特に絶縁層に開口部を形成する工程を有する多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁層に形成されたビアホール（開口部）を介して複数の配線層が電気的に接続された多層配線基板が知られている。図１は、従来の多層配線基板を部分的に例示する断面図である。図１を参照するに、従来の多層配線基板１００は、第１配線層１１０と、第２配線層１２０と、第１絶縁層１３０と、第２絶縁層１４０とを有する。
【０００３】
図１に示す多層配線基板１００において、第１配線層１１０は、第１絶縁層１３０上に形成されている。第２絶縁層１４０は、第１配線層１１０を覆うように第１絶縁層１３０上に形成されている。第２配線層１２０は、第２絶縁層１４０上に形成されている。第２配線層１２０は、第１層１２０ａと第２層１２０ｂとから構成されている。第１配線層１１０と第２配線層１２０とは、第２絶縁層１４０に形成されたビアホール１４０ｘを介して電気的に接続されている。なお、第２絶縁層１４０の一方の面１４０ａは粗化されマイクロメートルオーダーの凹凸が形成されている。
【０００４】
図２〜図４は、従来の多層配線基板の製造工程を例示する図である。図２〜図４において、図１に示す多層配線基板１００と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図２〜図４を参照しながら、従来の多層配線基板１００の製造方法について説明する。
【０００５】
始めに、図２に示す工程では、周知の方法により、第１絶縁層１３０上に第１配線層１１０を形成し、更に、第１配線層１１０を覆うように第１絶縁層１３０上に第２絶縁層１４０を形成する。この時点では、第２絶縁層１４０の一方の面１４０ａは平坦である。
【０００６】
次いで、図３に示す工程では、第２絶縁層１４０にレーザ光を照射し、第２絶縁層１４０に第１配線層１１０を露出するビアホール１４０ｘを形成する。この工程で、ビアホール１４０ｘ内に露出する第１配線層１１０上に、樹脂残渣１４０ｂ（スミア）が発生する場合がある。
【０００７】
次いで、図４に示す工程では、図３に示す樹脂残渣１４０ｂを除去する（所謂デスミア処理）。樹脂残渣１４０ｂは、例えば過マンガン酸塩を含有した溶液(過マンガン酸処理）、或いはプラズマ処理等で酸化分解することにより除去することができる。樹脂残渣１４０ｂを除去する際に、第２絶縁層１４０の一方の面１４０ａが粗化されマイクロメートルオーダーの凹凸が形成される。
【０００８】
次いで、周知の方法により、第２絶縁層１４０上に、第１層１２０ａと第２層１２０ｂとから構成されている第２配線層１２０を形成する。第１層１２０ａは、例えばビアホール１４０ｘ内に露出する第１配線層１１０の表面をソフトエッチングする工程を含む無電解めっき法により形成することができる。第２層１２０ｂは、例えば第１層１２０ａを給電層とする電解めっき法により形成することができる。第１配線層１１０と第２配線層１２０とは、第２絶縁層１４０に形成されたビアホール１４０ｘを介して電気的に接続される。これにより、図１に示す多層配線基板１００が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１６８４９８号公報
【特許文献２】特開２００４−２３５２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、第２絶縁層１４０の一方の面１４０ａが粗化されマイクロメートルオーダーの凹凸が形成されると、アンカー効果により第２絶縁層１４０と第２配線層１２０を構成する第１層１２０ａとの密着性が向上するという効果が得られる一方、以下のような問題も生じる。
【００１１】
すなわち、第２絶縁層１４０の一方の面１４０ａに形成されたマイクロメートルオーダーの凹凸は、表皮効果により高周波信号（例えば数十ＧＨｚオーダーの信号）に信号遅延を生じさせるため、電気信号の高周波化（高周波信号伝送）に対して不利に作用するという問題があった。又、第２絶縁層１４０の一方の面１４０ａに形成されたマイクロメートルオーダーの凹凸は、配線が微細化されるに従って配線の幅と近接してくるため、配線の微細化に対しても不利に作用し、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＜１０μｍ／１０μｍの微細配線形成が困難であるという問題があった。
【００１２】
これらの問題を解決するために、図４に示す工程よりも前に、第２絶縁層１４０の一方の面１４０ａに保護層を形成し、その後、樹脂残渣１４０ｂを除去し、更に、保護層を除去する方法が考えられる。しかし、このような方法は高周波信号伝送や微細配線形成には好適であるが、第２絶縁層１４０の一方の面１４０ａが全く粗化されないためアンカー効果が生じず、第２絶縁層１４０と第２配線層１２０を構成する第１層１２０ａとの密着性を確保することができないという問題が発生する。
【００１３】
上記の点に鑑みて、絶縁層と配線層との密着性を確保でき、かつ、高周波信号伝送及び微細配線形成に好適な多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本多層配線基板の製造方法は、第１配線層、絶縁層、及び多孔質薄膜を順次積層形成する第１工程と、前記多孔質薄膜及び前記絶縁層に前記第１配線層を露出する開口部を形成する第２工程と、前記開口部内に露出する前記第１配線層上の残渣を除去するとともに、前記多孔質薄膜をマスクとして、前記絶縁層の前記多孔質薄膜が形成されている面にナノメートルオーダーの多数の凹凸を形成する第３工程と、前記多孔質薄膜を除去する第４工程と、前記絶縁層の前記ナノメートルオーダーの多数の凹凸が形成されている面に第２配線層を形成する第５工程と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１５】
開示の技術によれば、絶縁層と配線層との密着性を確保でき、かつ、高周波信号伝送及び微細配線形成に好適な多層配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来の多層配線基板を部分的に例示する断面図である。
【図２】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】従来の多層配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】第１の実施の形態に係る多層配線基板を例示する断面図である。
【図６】図５のＡ部を拡大して例示する断面図である。
【図７】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図８】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図９】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図１０】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図１２】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図１３】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。
【図１４】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。
【図１５】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。
【図１６】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１０）である。
【図１７】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１１）である。
【図１８】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１２）である。
【図１９】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１３）である。
【図２０】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１４）である。
【図２１】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１５）である。
【図２２】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１６）である。
【図２３】第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１７）である。
【図２４】第２の実施の形態に係る多層配線基板を例示する断面図である。
【図２５】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図２６】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図２７】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図２８】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図２９】第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図３０】多孔質薄膜形成前の絶縁層の表面形状の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図３１】絶縁層上に形成した多孔質薄膜の表面形状の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図３２】多孔質薄膜除去後の絶縁層の表面形状の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図３３】従来のプラズマ処理後の絶縁層の表面形状の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図３４】多孔質薄膜形成前の絶縁層の表面形状の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図３５】絶縁層上に形成した多孔質薄膜の表面形状の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図３６】多孔質薄膜除去後の絶縁層の表面形状の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図３７】従来のプラズマ処理後の絶縁層の表面形状の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。
【００１８】
〈第１の実施の形態〉
第１の実施の形態では、本発明をコア基板を備えていない多層配線基板に適用する例を示す。
【００１９】
［第１の実施の形態に係る多層配線基板の構造］
始めに、第１の実施の形態に係る多層配線基板の構造について説明する。図５は、第１の実施の形態に係る多層配線基板を例示する断面図である。図５を参照するに、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０は、第１配線層１１と、第２配線層１２と、第３配線層１３と、第４配線層１４と、第１絶縁層１５と、第２絶縁層１６と、第３絶縁層１７と、ソルダーレジスト層１８とを有するビルドアップ配線層を備えた多層配線基板である。
【００２０】
多層配線基板１０において、第１配線層１１は、最下層に形成されている。第１配線層１１は、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成されている。第１配線層１１を構成する第１層１１ａの一部は第１絶縁層１５から露出しており、半導体チップ等と接続される電極パッドとして機能する。第１層１１ａとしては、例えばＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した導電層を用いることができる。第２層１１ｂとしては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第１配線層１１の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。
【００２１】
第１絶縁層１５は、第１配線層１１を覆うように形成されている。第２配線層１２は、第１絶縁層１５上に形成されている。第２配線層１２は、第１層１２ａ及び第２層１２ｂから構成されている。更に、第２配線層１２を覆うように第２絶縁層１６が形成され、第２絶縁層１６上には第３配線層１３が形成されている。第３配線層１３は、第１層１３ａ及び第２層１３ｂから構成されている。更に、第３配線層１３を覆うように第３絶縁層１７が形成され、第３絶縁層１７上には第４配線層１４が形成されている。第４配線層１４は、第１層１４ａ及び第２層１４ｂから構成されている。
【００２２】
第２配線層１２、第３配線層１３、及び第４配線層１４としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第２配線層１２、第３配線層１３、及び第４配線層１４の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。
【００２３】
第１絶縁層１５、第２絶縁層１６、及び第３絶縁層１７の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第１絶縁層１５、第２絶縁層１６、及び第３絶縁層１７は、例えばシリカ等のフィラー（図示せず）を含有している。第１絶縁層１５、第２絶縁層１６、及び第３絶縁層１７の厚さは、例えば２０〜３５μｍとすることができる。
【００２４】
第１配線層１１と第２配線層１２とは、第１絶縁層１５に形成された開口部である第１ビアホール１５ｘを介して電気的に接続されている。又、第２配線層１２と第３配線層１３とは、第２絶縁層１６に形成された開口部である第２ビアホール１６ｘを介して電気的に接続されている。又、第３配線層１３と第４配線層１４とは、第３絶縁層１７に形成された開口部である第３ビアホール１７ｘを介して電気的に接続されている。
【００２５】
ソルダーレジスト層１８は、第４配線層１４を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１８は、開口部１８ｘを有する。ソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘ内に露出した第４配線層１４は、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。ソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘ内に露出した第４配線層１４に、Ａｕめっき等が施されていても構わない。
【００２６】
図６は、図５のＡ部を拡大して例示する断面図である。図６において、１９はフィラーを示している。図６を参照するに、第１絶縁層１５の一方の面１５ａには、ナノメートルオーダーの凹凸１５ｂが形成されている。第１絶縁層１５の一方の面１５ａが粗化されナノメートルオーダーの凹凸１５ｂが形成されることによりアンカー効果が生じ、第１絶縁層１５と第２配線層１２を構成する第１層１２ａとの密着性を向上させることができる。
【００２７】
なお、第２絶縁層１６の一方の面１６ａ及び第３絶縁層１７の一方の面１７ａについても、第１絶縁層１５の一方の面１５ａと同様に粗化されナノメートルオーダーの凹凸が形成されており、配線層との密着性を向上させる効果を奏する。以上が、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０の構造である。
【００２８】
［第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法］
続いて、第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について説明する。図７〜図２３は、第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図である。図７〜図２３において、図５に示す多層配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図７〜図２３を参照しながら、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０の製造方法について説明する。
【００２９】
始めに、図７に示す工程では、支持体２１を用意する。本実施形態では支持体２１として銅箔を用いる。銅箔の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。次いで、図８に示す工程では、支持体２１の一方の面２１ａに、レジスト膜２２を形成する。レジスト膜２２としては、例えばドライフィルム等を用いることができる。
【００３０】
次いで、図９に示す工程では、レジスト膜２２に対してパターニング処理を行い、第１配線層１１の形成位置に対応する部分に開口部２２ｘを形成する。なお、ドライフィルム状のレジスト膜２２に対して予め開口部２２ｘを形成しておき、開口部２２ｘが形成されたレジスト膜２２を支持体２１の一方の面２１ａに配設してもよい。
【００３１】
次いで、図１０に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の一方の面２１ａに第１配線層１１を形成する。第１配線層１１は、レジスト膜２２に形成された開口部２２ｘ内に形成されており、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成されている。
【００３２】
第１層１１ａは、例えばＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した構造を有する。よって、第１配線層１１を形成するには、先ずＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜を順にめっきすることにより第１層１１ａを形成し、続いて、第１層１１ａ上にＣｕ等からなる第２層１１ｂをめっきにより形成する。次いで、図１１に示す工程では、図１０に示すレジスト膜２２を除去する。
【００３３】
次いで、図１２に示す工程では、支持体２１の一方の面２１ａに第１配線層１１を被覆する第１絶縁層１５を形成する。第１絶縁層１５の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第１絶縁層１５は、例えばシリカ等のフィラー（図示せず）を含有している。フィラーとしては、シリカ以外に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カルシウム、ゼオライト等の無機化合物、又は、有機化合物等を用いることができる。
【００３４】
第１絶縁層１５は、例えば支持体２１の一方の面２１ａにエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。
【００３５】
次いで、図１３に示す工程では、第１絶縁層１５の一方の面１５ａに多孔質薄膜２３を形成する。多孔質薄膜２３の材料としては、金属微粒子や金属酸化物微粒子を用いることができる。金属微粒子又は金属酸化物微粒子の粒径は、数十ｎｍ程度であることが好ましい。金属微粒子としては、例えばＣｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｍｇ等の微粒子を用いることができる。金属酸化物微粒子としては、例えばＺｎＯ、ＭｎＯ２等の微粒子を用いることができる。多孔質薄膜２３の厚さＴ１は、例えば５０〜１００ｎｍとすることができる。
【００３６】
図１３のＢ部を拡大した図１４に示すように、多孔質薄膜２３は、第１絶縁層１５の一方の面１５ａを露出する多数の微細孔２３ｘを有する薄膜である。ここで、微細孔とは平均孔径がナノメートルオーダーの孔を指すものとする。微細孔２３ｘを有する多孔質薄膜２３は、例えばＣＶＤ法により形成することができる。微細孔２３ｘの平均孔径は、例えばＣＶＤ法において結晶析出温度、圧力、及び基板間距離等の成膜条件を調節することにより、ナノメートルオーダーに制御することができる。ただし、多孔質薄膜２３の形成方法はＣＶＤ法に限定されることはなく、ＣＶＤ法に代えて、スパッタ法、スピンコート法、スプレー法等を用いても構わない。
【００３７】
次いで、図１５に示す工程では、所定のマスク（図示せず）を介して多孔質薄膜２３及び第１絶縁層１５にレーザ光を照射し、多孔質薄膜２３及び第１絶縁層１５に第１配線層１１を露出する第１ビアホール１５ｘを形成する。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ等を用いることができる。この工程で、第１ビアホール１５ｘ内に露出する第１配線層１１上に、樹脂残渣１５ｃ（スミア）が発生する場合がある。
【００３８】
なお、第１絶縁層１５の一方の面１５ａは多孔質薄膜２３に覆われているが、多孔質薄膜２３の厚さＴ１は極めて薄い（例えば５０〜１００ｎｍ）ため、レーザ加工に影響を及ぼすことはない。すなわち、レーザ光は最初に多孔質薄膜２３に照射され多孔質薄膜２３に開口部を形成し、引き続きレーザ光は多孔質薄膜２３に形成された開口部を介して第１絶縁層１５に照射され第１絶縁層１５に開口部を形成する。このようにして、多孔質薄膜２３及び第１絶縁層１５に第１配線層１１を露出する第１ビアホール１５ｘが形成される。
【００３９】
次いで、図１６に示す工程では、図１５に示す樹脂残渣１５ｃを除去する（所謂デスミア処理）。樹脂残渣１５ｃを除去することにより、第１配線層１１と、後述する工程で第１配線層１１上に形成される第２配線層１２との接続信頼性を向上させることができる。樹脂残渣１５ｃは、例えば過マンガン酸塩を含有した溶液(過マンガン酸処理）、或いはプラズマ処理等で酸化分解することにより除去することができる。第１絶縁層１５の一方の面１５ａは多孔質薄膜２３に覆われているため、従来のように、樹脂残渣１５ｃを除去する際に第１絶縁層１５の一方の面１５ａにマイクロメートルオーダーの凹凸が形成されることはない。
【００４０】
図１６のＣ部を拡大した図１７に示すように、多孔質薄膜２３は多数の微細孔２３ｘを有するため、所謂デスミア処理の際に、微細孔２３ｘからわずかに過マンガン酸液又はプラズマが第１絶縁層１５の一方の面１５ａに到達し、第１絶縁層１５の一方の面１５ａにはナノメートルオーダーの凹凸１５ｂが形成される。このように、ナノメートルオーダーの凹凸１５ｂは、多孔質薄膜２３の有する多数の微細孔２３ｘを介して（多孔質薄膜２３をマスクとして）形成されるため、特別なマスク等を準備する必要はない。
【００４１】
なお、ナノメートルオーダーの凹凸１５ｂは、前述のように、例えば過マンガン酸塩を含有した溶液(過マンガン酸処理）、或いはプラズマ処理等により形成することができるが、プラズマ処理等の異方性エッチングにより形成することがより好ましい。異方性エッチングを用いれば微細孔２３ｘの径に対応した凹凸が形成されるが、過マンガン酸塩を含有した溶液等の液体を用いると微細孔２３ｘの径よりも大きな凹凸が形成される場合があり、凹凸の大きさの制御が困難だからである。
【００４２】
なお、前述のように、従来においても、絶縁層上に保護層を形成してから樹脂残渣を除去し、その後、保護層を除去する技術が知られている。しかしながら、従来における保護層の目的は、絶縁層の一方の面を完全に被覆し保護することである。従って、従来における保護層は、絶縁層の一方の面を完全に被覆するに十分な厚み（例えばマイクロメートルオーダー）を有する。又、従来における保護層は、絶縁層の一方の面を部分的に露出する多数の微細孔を有さない。このように、本実施の形態における多孔質薄膜２３は、従来における保護層とは目的や機能が全く異なるものである。
【００４３】
次いで、図１８に示す工程では、ソフトエッチングを行う。ここで、ソフトエッチングとは、第１ビアホール１５ｘ内に露出する第１配線層１１を構成する第２層１１ｂの表面を数μｍ程度均一にエッチングすることである。ソフトエッチング工程は、後述する無電解めっき法の一工程である。ソフトエッチングを行うことにより、第１ビアホール１５ｘ内に露出する第１配線層１１を構成する第２層１１ｂの表面酸化物等が除去され、表面が活性化される。
【００４４】
例えば、第１配線層１１を構成する第２層１１ｂの材料としてＣｕを用い、多孔質薄膜２３の材料としてもＣｕを用いた場合には、ソフトエッチングを行うことにより、第２層１１ｂの表面を数μｍ程度均一にエッチングするのと同時に多孔質薄膜２３は除去される。多孔質薄膜２３の厚さＴ１は極めて薄い（例えば５０〜１００ｎｍ）ためである。なお、多孔質薄膜２３の材料として、第１配線層１１を構成する第２層１１ｂの材料と異なる材料を用いた場合には、ソフトエッチングとは別に多孔質薄膜２３を除去する工程を設ける必要がある。
【００４５】
次いで、図１９に示す工程では、第１絶縁層１５の一方の面１５ａ（第１ビアホール１５ｘの側壁部分も含む）及び第１ビアホール１５ｘ内に露出する第１配線層１１を構成する第２層１１ｂ上に、第２配線層１２を構成する第１層１２ａを形成する。第１層１２ａは、無電解めっき法又はスパッタ法により形成することができる。第１層１２ａの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。第１層１２ａの厚さは、例えば１μｍとすることができる。なお、第１絶縁層１５の一方の面１５ａが粗化されナノメートルオーダーの凹凸１５ｂが形成されているためアンカー効果が生じ、第１絶縁層１５と第２配線層１２を構成する第１層１２ａとの密着性が向上する。
【００４６】
次いで、図２０に示す工程では、第２配線層１２を構成する第１層１２ａ上に、第２配線層１２を構成する第２層１２ｂを形成する。具体的には、始めに第２配線層１２を構成する第１層１２ａ上に、第２層１２ｂに対応する開口部を備えたレジスト膜（図示せず）を形成する。次いで第１層１２ａを給電層に利用した電解めっき法により、レジスト膜の開口部に第２層１２ｂを形成する。続いてレジスト膜を除去する。
【００４７】
次いで、図２１に示す工程では、第２層１２ｂをマスクにして、第２層１２ｂに覆われていない部分の第１層１２ａをエッチングにより除去することにより、第１層１２ａ及び第２層１２ｂから構成される第２配線層１２が完成する。
【００４８】
次いで、図２２に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、支持体２１の一方の面２１ａに第１配線層１１〜第４配線層１４及び第１絶縁層１５〜第３絶縁層１７を積層する。第３配線層１３（第１層１３ａ及び第２層１３ｂ）並びに第４配線層１４（第１層１４ａ及び第２層１４ｂ）としては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。第２絶縁層１６及び第３絶縁層１７の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。
【００４９】
このようにして、支持体２１の一方の面２１ａに所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、４層のビルドアップ配線層（第１配線層１１〜第４配線層１４）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００５０】
次いで、図２３に示す工程では、第３絶縁層１７の一方の面１７ａに、第４配線層１４を構成する第２層１４ｂを露出する開口部１８ｘを有するソルダーレジスト層１８を形成する。ソルダーレジスト層１８としては、例えば、エポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物を用いることができる。具体的には、第３絶縁層１７の一方の面１７ａに、第４配線層１４を被覆するソルダーレジスト層１８を形成する。そして、ソルダーレジスト層１８を露光、現像することで開口部１８ｘを形成する。これにより、第４配線層１４を構成する第２層１４ｂは、ソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘ内に露出する。ソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘ内に露出した第２層１４ｂは、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。ソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘ内に露出した第２層１４ｂに、Ａｕめっき等を施しても構わない。
【００５１】
次いで、図２３に示す支持体２１を除去することで、図５に示す第１の実施の形態に係る多層配線基板１０が製造される。支持体２１の除去は、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウエットエッチングにより行うことができる。この際、第１配線層１１は、最表面にＡｕ膜等から構成される第１層１１ａが形成されているため、第１層１１ａに対し、Ｃｕから構成されている支持体２１を選択的にエッチングして除去することができる。これにより、第１層１１ａは第１絶縁層１５から露出され、半導体チップ等と接続される電極パッドとして機能する。以上が、第１の実施の形態に係る多層配線基板１０の製造方法である。
【００５２】
第１の実施の形態によれば、第１配線層、絶縁層、及び多孔質薄膜（絶縁層の一方の面を露出する多数の微細孔を有する薄膜）をこの順番で積層し、多孔質薄膜及び絶縁層に第１配線層を露出するビアホールを形成する。そして、ビアホール内に露出する第１配線層上の樹脂残渣を除去するとともに、多孔質薄膜をマスクとして絶縁層の一方の面（第２配線層が形成される面）にナノメートルオーダーの凹凸を形成する。その結果、絶縁層の一方の面には従来のようなマイクロメートルオーダーの凹凸は形成されないため、高周波信号伝送及び微細配線形成を妨げることがない。又、絶縁層の一方の面にはナノメートルオーダーの凹凸が形成されるため、絶縁層と第２配線層との密着性を確保することができる。
【００５３】
又、第１配線層と多孔質薄膜に例えばＣｕ等の同一材料を用いた場合には、従来より無電解めっき工程の一工程として行われているソフトエッチングにより多孔質薄膜を除去できるため、新たに特別な工程を設ける必要がない。
【００５４】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、本発明をコア基板を備えている多層配線基板に適用する例を示す。
【００５５】
［第２の実施の形態に係る多層配線基板の構造］
始めに、第２の実施の形態に係る多層配線基板の構造について説明する。図２４は、第２の実施の形態に係る多層配線基板を例示する断面図である。図２４を参照するに、第２の実施の形態に係る多層配線基板３０は、コア基板３９と、第１配線層３１と、第２配線層３２と、第３配線層３３と、第４配線層４１、第５配線層４２と、第６配線層４３と、第１絶縁層３５と、第２絶縁層３６と、第３絶縁層４５と、第４絶縁層４６と、第１ソルダーレジスト層３８と、第２ソルダーレジスト層４８とを有するビルドアップ配線層を備えた多層配線基板である。
【００５６】
多層配線基板３０において、中心部には貫通電極３４を有するコア基板３９が設けられている。コア基板３９としては、例えばガラスクロスに樹脂を含浸させた基板等を用いることができる。コア基板３９の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。貫通電極３４は、コア基板３９の一方の面３９ａから他方の面３９ｂに貫通するビアホールに、例えばＣｕ層等を含む導電層を充填したものである。
【００５７】
第１配線層３１は、コア基板３９の一方の面３９ａ側に形成されている。第１配線層３１は、貫通電極３４と電気的に接続されている。第１配線層３１としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００５８】
第１絶縁層３５は、第１配線層３１を覆うように形成されている。第２配線層３２は、第１絶縁層３５上に形成されている。第２配線層３２は、第１層３２ａ及び第２層３２ｂから構成されている。更に、第２配線層３２を覆うように第２絶縁層３６が形成され、第２絶縁層３６上には第３配線層３３が形成されている。第３配線層３３は、第１層３３ａ及び第２層３３ｂから構成されている。
【００５９】
第２配線層３２及び第３配線層３３としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第２配線層３２及び第３配線層３３の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。
【００６０】
第１絶縁層３５及び第２絶縁層３６の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第１絶縁層３５及び第２絶縁層３６は、例えばシリカ等のフィラー（図示せず）を含有している。第１絶縁層３５及び第２絶縁層３６の厚さは、例えば２０〜３５μｍとすることができる。
【００６１】
第１配線層３１と第２配線層３２とは、第１絶縁層３５に形成された第１ビアホール３５ｘを介して電気的に接続されている。又、第２配線層３２と第３配線層３３とは、第２絶縁層３６に形成された第２ビアホール３６ｘを介して電気的に接続されている。
【００６２】
第１ソルダーレジスト層３８は、第３配線層３３を覆うように形成されている。第１ソルダーレジスト層３８は、開口部３８ｘを有する。第１ソルダーレジスト層３８の開口部３８ｘ内に露出した第３配線層３３は、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。第１ソルダーレジスト層３８の開口部３８ｘ内に露出した第３配線層３３に、Ａｕめっき等が施されていても構わない。
【００６３】
第４配線層４１は、コア基板３９の他方の面３９ｂ側に形成されている。第４配線層４１は、貫通電極３４と電気的に接続されている。第４配線層４１としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００６４】
第３絶縁層４５は、第４配線層４１を覆うように形成されている。第５配線層４２は、第３絶縁層４５上に形成されている。第５配線層４２は、第１層４２ａ及び第２層４２ｂから構成されている。更に、第５配線層４２を覆うように第４絶縁層４６が形成され、第４絶縁層４６上には第６配線層４３が形成されている。第６配線層４３は、第１層４３ａ及び第２層４３ｂから構成されている。
【００６５】
第５配線層４２及び第６配線層４３としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。第５配線層４２及び第６配線層４３の厚さは、例えば１０〜３０μｍとすることができる。
【００６６】
第３絶縁層４５及び第４絶縁層４６の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第３絶縁層４５及び第４絶縁層４６は、例えばシリカ等のフィラー（図示せず）を含有している。第３絶縁層４５及び第４絶縁層４６の厚さは、例えば２０〜３５μｍとすることができる。
【００６７】
第４配線層４１と第５配線層４２とは、第３絶縁層４５に形成された第３ビアホール４５ｘを介して電気的に接続されている。又、第５配線層４２と第６配線層４３とは、第４絶縁層４６に形成された第４ビアホール４６ｘを介して電気的に接続されている。
【００６８】
第２ソルダーレジスト層４８は、第６配線層４３を覆うように形成されている。第２ソルダーレジスト層４８は、開口部４８ｘを有する。第２ソルダーレジスト層４８の開口部４８ｘ内に露出した第６配線層４３は、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。第２ソルダーレジスト層４８の開口部４８ｘ内に露出した第６配線層４３に、Ａｕめっき等が施されていても構わない。
【００６９】
第１絶縁層３５の一方の面３５ａ、第２絶縁層３６の一方の面３６ａ、第３絶縁層４５の一方の面４５ａ、及び第４絶縁層４６の一方の面４６ａには、図６に示す凹凸１５ｂと同様に、ナノメートルオーダーの凹凸が形成されている。第１絶縁層３５の一方の面３５ａが粗化されナノメートルオーダーの凹凸が形成されることによりアンカー効果が生じ、第１絶縁層３５と第２配線層３２を構成する第１層３２ａとの密着性を向上させることができる。第２絶縁層３６と第３配線層３３を構成する第１層３３ａ、第３絶縁層４５と第５配線層４２を構成する第１層４２ａ、及び第４絶縁層４６と第６配線層４３を構成する第１層４３ａとの密着性についても同様である。以上が、第２の実施の形態に係る多層配線基板３０の構造である。
【００７０】
［第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法］
続いて、第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について説明する。図２５〜図２９は、第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を例示する図である。図２５〜図２９において、図２４に示す多層配線基板３０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図２５〜図２９を参照しながら、第２の実施の形態に係る多層配線基板３０の製造方法について説明する。
【００７１】
始めに、図２５に示す工程では、第１配線層３１、第４配線層４１、貫通電極３４が設けられたコア基板３９を用意する。コア基板３９としては、例えばガラスクロスに樹脂を含浸させた基板等を用いることができる。コア基板３９の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。貫通電極３４は、コア基板３９の一方の面３９ａから他方の面３９ｂに貫通するビアホールに、例えばＣｕ層等を含む導電層を充填したものである。第１配線層３１は、貫通電極３４を介して第４配線層４１と電気的に接続されている。第１配線層３１及び第４配線層４１としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００７２】
次いで、図２６に示す工程では、コア基板３９の一方の面３９ａに第１配線層３１を被覆する第１絶縁層３５を形成する。又、コア基板３９の他方の面３９ｂに第４配線層４１を被覆する第３絶縁層４５を形成する。更に、第１絶縁層３５の一方の面３５ａ及び第３絶縁層４５の一方の面４５ａに多孔質薄膜２３を形成する。
【００７３】
第１絶縁層３５及び第３絶縁層４５の材料としては、例えば有機材料であるエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁樹脂を用いることができる。第１絶縁層３５及び第３絶縁層４５は、例えばシリカ等のフィラー（図示せず）を含有している。フィラーとしては、シリカ以外に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸カルシウム、ゼオライト等の無機化合物、又は、有機化合物等を用いることができる。
【００７４】
第１絶縁層３５及び第３絶縁層４５は、例えばコア基板３９の一方の面３９ａ及び他方の面３９ｂにエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。多孔質薄膜２３及びその形成方法については第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００７５】
次いで、図２７に示す工程では、所定のマスク（図示せず）を介して多孔質薄膜２３及び第１絶縁層３５にレーザ光を照射し、多孔質薄膜２３及び第１絶縁層３５に第１配線層３１を露出する第１ビアホール３５ｘを形成する。又、所定のマスク（図示せず）を介して多孔質薄膜２３及び第３絶縁層４５にレーザ光を照射し、多孔質薄膜２３及び第３絶縁層４５に第４配線層４１を露出する第３ビアホール４５ｘを形成する。レーザとしては、例えばＣＯ２レーザ等を用いることができる。
【００７６】
この工程で、第１ビアホール３５ｘ内に露出する第１配線層３１上及び第３ビアホール４５ｘ内に露出する第４配線層４１上に、樹脂残渣３５ｃ及び樹脂残渣４５ｃ（スミア）が発生する場合がある。なお、第１絶縁層３５の一方の面３５ａ及び第３絶縁層４５の一方の面４５ａは多孔質薄膜２３に覆われているが、多孔質薄膜２３の厚さＴ１は極めて薄い（例えば５０〜１００ｎｍ）ため、レーザ加工に影響を及ぼすことはない。
【００７７】
次いで、図２８に示す工程では、図２７に示す樹脂残渣３５ｃ及び樹脂残渣４５ｃを除去する（所謂デスミア処理）。樹脂残渣３５ｃを除去することにより、第１配線層３１と、後述する工程で第１配線層３１上に形成される第２配線層３２との接続信頼性を向上させることができる。又、樹脂残渣４５ｃを除去することにより、第４配線層４１と、後述する工程で第４配線層４１上に形成される第５配線層４２との接続信頼性を向上させることができる。
【００７８】
樹脂残渣３５ｃ及び樹脂残渣４５ｃは、例えば過マンガン酸塩を含有した溶液(過マンガン酸処理）、或いはプラズマ処理等で酸化分解することにより除去することができる。第１絶縁層３５の一方の面３５ａ及び第３絶縁層４５の一方の面４５ａは多孔質薄膜２３に覆われているため、従来のように、樹脂残渣３５ｃ及び樹脂残渣４５ｃを除去する際に第１絶縁層３５の一方の面３５ａ及び第３絶縁層４５の一方の面４５ａにマイクロメートルオーダーの凹凸が形成されることはない。
【００７９】
多孔質薄膜２３は多数の微細孔２３ｘを有するため、所謂デスミア処理の際に、微細孔２３ｘからわずかに過マンガン酸液又はプラズマが第１絶縁層３５の一方の面３５ａ及び第３絶縁層４５の一方の面４５ａに到達し、第１絶縁層３５の一方の面３５ａ及び第３絶縁層４５の一方の面４５ａには図１７に示す凹凸１５ｂと同様に、ナノメートルオーダーの凹凸が形成される。このように、ナノメートルオーダーの凹凸は、多孔質薄膜２３の有する多数の微細孔２３ｘを介して（多孔質薄膜２３をマスクとして）形成されるため、特別なマスク等を準備する必要はない。
【００８０】
なお、ナノメートルオーダーの凹凸は、前述のように、例えば過マンガン酸塩を含有した溶液(過マンガン酸処理）、或いはプラズマ処理等により形成することができるが、プラズマ処理等の異方性エッチングにより形成することがより好ましい。異方性エッチングを用いれば微細孔２３ｘの径に対応した凹凸が形成されるが、過マンガン酸塩を含有した溶液等の液体を用いると微細孔２３ｘの径よりも大きな凹凸が形成される場合があり、凹凸の大きさの制御が困難だからである。
【００８１】
次いで、図２９に示す工程では、ソフトエッチングを行う。ここで、ソフトエッチングとは、第１ビアホール３５ｘ内に露出する第１配線層３１を構成する第２層３１ｂの表面、及び第３ビアホール４５ｘ内に露出する第４配線層４１を構成する第２層４１ｂの表面を数μｍ程度均一にエッチングすることである。ソフトエッチング工程は、後述する無電解めっき法の一工程である。ソフトエッチングを行うことにより、第１ビアホール３５ｘ内に露出する第１配線層３１を構成する第２層１１ｂ、及び第３ビアホール４５ｘ内に露出する第４配線層４１を構成する第２層４１ｂの表面酸化物等が除去され、表面が活性化される。
【００８２】
例えば、第１配線層３１を構成する第２層３１ｂ及び第４配線層４１を構成する第２層４１ｂの材料としてＣｕを用い、多孔質薄膜２３の材料としてもＣｕを用いた場合には、ソフトエッチングを行うことにより、第２層３１ｂ及び第２層４１ｂの表面を数μｍ程度均一にエッチングするのと同時に多孔質薄膜２３は除去される。多孔質薄膜２３の厚さＴ１は極めて薄い（例えば５０〜１００ｎｍ）ためである。なお、多孔質薄膜２３の材料として、第１配線層３１を構成する第２層３１ｂ及び第４配線層４１を構成する第２層４１ｂの材料と異なる材料を用いた場合には、ソフトエッチングとは別に多孔質薄膜２３を除去する工程を設ける必要がある。
【００８３】
次いで、第１の実施の形態の図１９〜図２３と同様な工程により、図２４に示す第２の実施の形態に係る多層配線基板３０が製造される。以上が、第２の実施の形態に係る多層配線基板３０の製造方法である。
【００８４】
第２の実施の形態によれば、コア基板の一方の面及び他方の面に第１の実施の形態と同様の方法で配線層及び絶縁層を積層形成することにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００８５】
〈実施例〉
実施例では、実際に絶縁層上にＣＶＤ法で多孔質薄膜を形成し、その後プラズマ処理（ＲＩＥ）及びソフトエッチングした例を示す。
【００８６】
ＣＶＤ法における粒径は、原料の供給量・基板と原料間の距離（基板間距離）、基板温度、圧力等で制御できる。それぞれの制御範囲を以下に述べる。原料の供給量の範囲は、１ｇ／ｍ２〜１０ｇ／ｍ２が好ましい。基板間距離は、１０〜５０ｍｍが好ましい。基板温度は、１２０℃以上が好ましい。圧力は、１００Ｐａ以下程度が好ましい。なお、原料の加熱は１５０℃以上とし、原料の昇温速度は１℃／ｍｉｎ〜４℃／ｍｉｎ程度とすることが好ましい。
【００８７】
プラズマ処理は、プロセスガスに酸素を用い、ガス圧は数１０Ｐａ程度、ＲＦ電圧は２００〜４００ｅＶ、処理時間は３０〜１２０秒程度とすることが好ましい。
【００８８】
上記に挙げた条件で、エポキシ系の樹脂からなる絶縁層上にＣＶＤ法でＣｕからなる多孔質薄膜を形成し、その後プラズマ処理（ＲＩＥ）及びソフトエッチングした。そして、それぞれの場合の表面形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で確認した。
【００８９】
図３０は、多孔質薄膜形成前の絶縁層の表面形状の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。なお、縦方向及び横方向は１目盛り当たり１μｍであり、高さ方向は１目盛り当たり８００ｎｍである。図３０に示すように、絶縁層の表面には凹凸が確認されるが、これは故意に形成したものではなく元々から存在するものである。
【００９０】
図３１は、絶縁層上に形成した多孔質薄膜の表面形状の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。なお、縦方向及び横方向は１目盛り当たり１μｍであり、高さ方向は１目盛り当たり８００ｎｍである。図３１に示すように、多孔質薄膜の表面には図３０と同様の凹凸が確認できる。これは、絶縁層上に形成した多孔質薄膜の厚さが、極めて薄い（例えば５０〜１００ｎｍ）からである。なお、図３１に示す多孔質薄膜には微細孔が形成されているはずであるが、倍率の関係上確認することはできない。
【００９１】
図３２は、多孔質薄膜除去後の絶縁層の表面形状の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。なお、縦方向及び横方向は１目盛り当たり１μｍであり、高さ方向も１目盛り当たり１μｍである。図３２は、図３１に示す多孔質薄膜が形成された絶縁層をプラズマ処理し、更にソフトエッチングにより多孔質薄膜を除去した後の絶縁層の表面形状を示している。図３３は、従来のプラズマ処理後の絶縁層の表面形状の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。なお、縦方向及び横方向は１目盛り当たり１μｍであり、高さ方向は１目盛り当たり１．２μｍである。図３３は、図３２と比較するために示したものであり、従来のように多孔質薄膜が形成されていない絶縁層をプラズマ処理し、更にソフトエッチングを行った後の絶縁層の表面形状を示している。
【００９２】
図３３に示すように、従来のように絶縁層の表面が多孔質薄膜に覆われていない場合には絶縁層の表面にマイクロメートルオーダーの凹凸が形成されるが、図３２に示すように、絶縁層の表面が多孔質薄膜に覆われている場合には、従来のように、絶縁層の表面にマイクロメートルオーダーの凹凸が形成されないことが確認できた。なお、図３２に示す絶縁層の表面にはナノメートルオーダーの凹凸が形成されているはずであるが、倍率の関係上確認することはできない。
【００９３】
続いて、実際に絶縁層上にＣＶＤ法で多孔質薄膜を形成し、その後プラズマ処理（ＲＩＥ）及びソフトエッチングした他のサンプルの例を示す。上記のサンプルでは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真を用いて表面形状の確認を行ったが、ここでは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて表面形状の確認を行った。
【００９４】
上記に挙げた条件（ただし、ＣＶＤ法で多孔質薄膜を形成する際の原料の供給量を５ｇ／ｍ２とした）で、エポキシ系の樹脂からなる絶縁層上にＣＶＤ法でＣｕからなる多孔質薄膜を形成し、その後プラズマ処理（ＲＩＥ）及びソフトエッチングした。そして、それぞれの場合の表面形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で確認した。
【００９５】
図３４は、多孔質薄膜形成前の絶縁層の表面形状の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。なお、図右下の１１個並んだ点において、隣接する点の間隔が０．１μｍである。図３４に示すように、絶縁層の表面には凹凸が確認されるが、これは故意に形成したものではなく元々から存在するものである。
【００９６】
図３５は、絶縁層上に形成した多孔質薄膜の表面形状の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。なお、図右下の１１個並んだ点において、隣接する点の間隔が０．１μｍである。図３５と図３４とを比較すると、図３５では、多数の微細孔を有する薄膜（多孔質薄膜）が形成されていることが確認できる。
【００９７】
図３６は、多孔質薄膜除去後の絶縁層の表面形状の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。なお、図右下の１１個並んだ点において、隣接する点の間隔が０．１μｍである。図３６は、図３５に示す多孔質薄膜が形成された絶縁層をプラズマ処理し、更にソフトエッチングにより多孔質薄膜を除去した後の絶縁層の表面形状を示している。図３７は、従来のプラズマ処理後の絶縁層の表面形状の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。なお、図右下の１１個並んだ点において、隣接する点の間隔が０．１μｍである。図３７は、図３６と比較するために示したものであり、従来のように多孔質薄膜が形成されていない絶縁層をプラズマ処理し、更にソフトエッチングを行った後の絶縁層の表面形状を示している。
【００９８】
図３７に示すように、従来のように絶縁層の表面が多孔質薄膜に覆われていない場合には絶縁層の表面にマイクロメートルオーダーの凹凸が形成されるため、図３４に示すプラズマ処理前の絶縁層の表面の形状は維持されていない。一方、図３６に示すように、絶縁層の表面が多孔質薄膜に覆われている場合には、従来のように絶縁層の表面にマイクロメートルオーダーの凹凸が形成されず、図３４に示すプラズマ処理前の絶縁層の表面の形状がある程度維持されつつ、ナノメートルオーダーの凹凸が形成されている。図３６に示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を拡大して測定したところ、７５ｎｍ程度の凹凸（ナノメートルオーダーの凹凸）が形成されていることが確認された。
【００９９】
続いて、図３４に例示した表面形状、図３６に例示した表面形状、及び図３７に例示した表面形状について、表面粗度Ｒａ及びＲｚ、並びに密着強度の評価を行った。表面粗度Ｒａ及びＲｚは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて評価した。なお、表面粗度ＲａとはＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に記載された方法に準じて測定した算術平均粗さ、表面粗度ＲｚとはＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に記載された方法に準じて測定した十点平均粗さである。
【０１００】
又、密着強度は、絶縁層上に厚さ３５μｍの配線層（Ｃｕ膜）を配線幅１ｃｍの短冊状に形成し、９０°ピール法を用いて評価した。なお、９０°ピール法とは、引っ張り試験機を用いて配線層（Ｃｕ膜）を絶縁層から剥がし、その時の強度を測定する方法であり、剥がす時に絶縁層と配線層（Ｃｕ膜）の角度を９０°にするものである。
【０１０１】
【表１】
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【０１０２】
表１に評価結果を示す。表１において、「未処理」は、多孔質薄膜形成前の絶縁層を示している（図３４に例示した表面形状）。「本発明」は、多孔質薄膜が形成された絶縁層をプラズマ処理し、更にソフトエッチングにより多孔質薄膜を除去した後の絶縁層を示している（図３６に例示した表面形状）。「従来」は、多孔質薄膜が形成されていない絶縁層をプラズマ処理し、更にソフトエッチングを行った後の絶縁層を示している（図３７に例示した表面形状）。
【０１０３】
表１に示す「本発明」と「従来」とを比較すると、「本発明」の表面粗度Ｒａ及びＲｚは「従来」の表面粗度Ｒａ及びＲｚの６割程度に抑えられているが、「本発明」の密着強度は「従来」の密着強度と同等である。すなわち、絶縁層の表面を必要以上に粗さずに、従来と同等の密着強度が得られることが確認できた。
【０１０４】
又、表１において、「未処理」の密着強度は、測定不能であった。測定器の測定範囲は１００［ｇｆ／ｃｍ］以上であるため、「未処理」の密着強度は１００［ｇｆ／ｃｍ］未満であり、「未処理」の密着強度は不十分であるといえる。なお、表１に示す「本発明」と「未処理」とを比較すると、表面粗度Ｒａ及びＲｚがほぼ同等となっているが、これは絶縁層そのものが有する凹凸を測定しているため（ナノメートルオーダーの凹凸は測定されていない）と考えられる。「未処理」の密着強度と「本発明」の密着強度が大きく異なり、「本発明」の密着強度が「従来」の密着強度と同等であることを考慮すれば、実際には、「本発明」の絶縁層の表面にはナノメートルオーダーの凹凸が形成されていると考えられる。
【０１０５】
このように、本実施例によって、本発明に係る絶縁層の表面にはナノメートルオーダーの凹凸が形成され、本発明に係る絶縁層と配線層との間には従来と同等の密着強度が得られることが確認された。
【０１０６】
以上、好ましい実施の形態及び実施例について詳説したが、上述した実施の形態及び実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１０，３０  多層配線基板
１１，３１  第１配線層
１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，３２ａ，３３ａ，４２ａ，４３ａ  第１層
１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂ，３１ｂ，３３ｂ，４２ｂ，４３ｂ  第２層
１２，３２  第２配線層
１３，３３  第３配線層
１４，４１  第４配線層
１５，３５  第１絶縁層
１５ａ，１６ａ，１７ａ，２１ａ，３５ａ，３６ａ，４５ａ，４６ａ，３９ａ  一方の面
１５ｂ  凹凸
１５ｃ，３５ｃ，４５ｃ  樹脂残渣
１５ｘ，３５ｘ  第１ビアホール
１６，３６  第２絶縁層
１６ｘ，３６ｘ  第２ビアホール
１７，４５  第３絶縁層
１７ｘ，４５ｘ  第３ビアホール
１８  ソルダーレジスト層
１８ｘ，２２ｘ，３８ｘ，４８ｘ  開口部
１９  フィラー
２１  支持体
２２  レジスト膜
２３  多孔質薄膜
２３ｘ  微細孔
３４  貫通電極
３８  第１ソルダーレジスト層
３９  コア基板
３９ｂ  他方の面
４２  第５配線層
４３  第６配線層
４６  第４絶縁層
４６ｘ  第４ビアホール
４８  第２ソルダーレジスト層
Ｔ１  厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010192864.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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