(57)【要約】【課題】デバイスウエーハ、特には撮像素子デバイスウエーハの特性悪化による歩留りを大幅に向上させることが可能なＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを提供する。また、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度をＤＬＴＳ法によって評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法であって、前記ＤＬＴＳ法による評価において、温度を変化させながら静電容量の変化を測定して、該静電容量の変化がピークを示すピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物による深い準位の濃度を評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度をＤＬＴＳ法によって評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法であって、
前記ＤＬＴＳ法による評価において、温度を変化させながら静電容量の変化を測定して、該静電容量の変化がピークを示すピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物による深い準位の濃度を評価することを特徴とするＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法。
【請求項２】
前記ピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物をＴｉとすることを特徴とする請求項１に記載のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法。
【請求項３】
前記Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハを撮像素子用のものとすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法。
【請求項４】
少なくとも、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法により、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度を評価する工程と、該ＤＬＴＳ法による評価結果に基づいてウエーハを選別する工程と、を含み、
前記ウエーハの選別工程において、前記ウエーハの評価工程での前記１７０Ｋにおける金属不純物による深い準位の濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３以下のウエーハを良品として選別することを特徴とするＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。
【請求項５】
Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハであって、
ＤＬＴＳ法により前記Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度を評価した場合に、静電容量の変化がピークを示すピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物による深い準位の濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３以下であることを特徴とするＮ型シリコンエピタキシャルウエーハ。
【請求項６】
前記ピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物がＴｉであることを特徴とする請求項５に記載のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハ。
【請求項７】
前記Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハが撮像素子用のものであることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度をＤＬＴＳ法によって評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハおよびその評価方法ならびに製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエーハ中に存在する金属不純物は、再結合中心の深い準位をつくり、特に金属不純物がウエーハ表面あるいは表面近傍に存在するとデバイスに悪影響を及ぼすと考えられている。
【０００３】
シリコンウエーハの品質評価法として、マイクロ波ＰＣＤ（Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  Ｄｅｃａｙ）法、ＤＬＴＳ（Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ  Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）法、ＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  −  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）化学分析法が用いられてきた。
【０００４】
マイクロ波ＰＣＤ法では、プローブとしてマイクロ波をシリコンウエーハに照射してシリコンウエーハ中にキャリアを発生させたときのキャリアの減衰率からＷＬＴ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｉｆｅ  Ｔｉｍｅ）を指標として金属不純物を評価する。
ＤＬＴＳ法では、シリコンウエーハを小片にした後、この小片の表面および裏面に電極を作製してショットキー接合またはｐ／ｎ接合を形成、電極間に逆方向バイアス電圧を印加して、空乏層中の金属不純物を評価する。
ＩＣＰ−ＭＳ化学分析法では、シリコンウエーハを小片にした後、この小片をＨＦ／ＨＮＯ３溶液で溶解し溶液を回収、濃縮後にＩＣＰ−ＭＳで分析してシリコンウエーハ中の金属不純物を評価する。
【０００５】
しかし、マイクロ波ＰＣＤ法は、例えばＦｅやＭｏ等のＷＬＴを低下させる元素であれば、間接的に不純物濃度の評価が可能であるが、ＷＬＴ低下に起因しない金属不純物を評価することができない。
また、ＩＣＰ−ＭＳ化学分析法は、多元素の不純物分析は可能であるが、検出感度はマイクロ波ＰＣＤ法等、他の電気測定法に及ばない。
また、ＤＬＴＳ法は電極形成、測定に時間を要するものの、デバイス活性領域となるシリコンウエーハ表層付近の金属不純物の評価が可能である。ただし、Ｐ型シリコン（ホールトラップ）におけるバンドギャップから検出される信号に関する知見は多く得られているが（例えば特許文献１参照）、Ｎ型シリコン（電子トラップ）におけるバンドギャップから検出される信号に関する知見が少ないという問題がある。
【０００６】
また、金属不純物は一般にＷＬＴを低下させリーク不良等のデバイス特性不良を引き起こすと考えられているが、ＷＬＴ低下を伴わないデバイス特性不良の原因となる金属不純物の存在も懸念されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１６３１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のような背景のもと、本発明者らはウエーハ中の金属不純物、特にはＷＬＴの低下を伴わないデバイス特性不良の原因となる金属不純物について鋭意研究を行った。研究にあたっては、本発明者らは特にＴｉについて着目した。
Ｔｉはシリコンエピタキシャルウエーハ製造時に汚染として混入する可能性があり、例えばエピリアクターの構成部品やＯリング等からの汚染混入が考えられる。
【０００９】
本発明者が、このＴｉとＷＬＴとの関係について検討を行ったところ、ＴｉはＷＬＴ測定値に影響を与えないことがわかった。
【００１０】
次に、Ｔｉとデバイス特性不良の関係について検討を行った。その結果、まず、ＤＬＴＳ法によるＮ型シリコンエピタキシャルウエーハ評価で、Ｒａｔｅ  Ｗｉｎｄｏｗが６００ｓ−１の測定条件で温度スキャンを行ったときのＤＬＴＳスペクトルで、１７０Ｋに検出されるピークが、Ｔｉ起因と考えられる深い準位（Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ）と一致することを本発明者らは発見した。さらには、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中のＴｉ起因と考えられる深い準位の濃度（Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度）の値によって、当該シリコンエピタキシャルウエーハを使用しデバイスを作製したときのデバイス特性の悪化（リーク電流の増加）による歩留まりに差があることがわかった。
【００１１】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、デバイスウエーハ、特には撮像素子デバイスウエーハの特性悪化による歩留りを大幅に向上させることが可能なＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを提供することにある。
また、ＤＬＴＳ法に関して知見の少ないＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、および該評価方法を用いたＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度をＤＬＴＳ法によって評価するＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法であって、前記ＤＬＴＳ法による評価において、温度を変化させながら静電容量の変化を測定して、該静電容量の変化がピークを示すピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物による深い準位の濃度を評価することを特徴とするＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法を提供する（請求項１）。
【００１３】
上記のように、ＷＬＴの低下には影響がないものの、その濃度によってはデバイスを作製したときのデバイス特性を悪化させる要因となり得る金属不純物の存在が懸念されていたが、本発明者らは、ＤＬＴＳ法による評価において、温度を変化させながら静電容量の変化を測定して、該静電容量の変化がピークを示すピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物が該当することを発見した。そして、上記本発明によって、そのような金属不純物による深い準位の濃度を評価することができる。
したがってＮ型シリコンエピタキシャルウエーハにおいて、ＷＬＴの低下に影響がなく、かつデバイス特性の悪化による歩留りを改善することができる高品質のウエーハを選別することができる。
【００１４】
このとき、前記ピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物をＴｉとすることができる（請求項２）。
本発明者らが研究を行ったところ、ピーク温度が１７０ＫのときのピークがＴｉによる深い準位の濃度と一致し、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハにドープしたＴｉの量との間に相関関係があることを発見した。すなわち、ピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物がＴｉであることがわかった。
【００１５】
また、前記Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハを撮像素子用のものとすることができる（請求項３）。
本発明はＮ型シリコンエピタキシャルウエーハが用いられる撮像素子の製造用のものの評価に特に有効である。
【００１６】
そして、少なくとも、本発明のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法により、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度を評価する工程と、該ＤＬＴＳ法による評価結果に基づいてウエーハを選別する工程と、を含み、前記ウエーハの選別工程において、前記ウエーハの評価工程での前記１７０Ｋにおける金属不純物による深い準位の濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３以下のウエーハを良品として選別することができる（請求項４）。
【００１７】
このように、本発明の製造方法によって、１７０Ｋにおける金属不純物による深い準位の濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３以下のウエーハを良品として選別することにより、ＷＬＴの低下に影響がなく、かつデバイス特性の悪化による歩留りの低下を改善することが可能なＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを製造することができる。すなわちＤＬＴＳ法によるウエーハの品質管理によりデバイス不良率の少ない製品の製造、出荷が可能となる。
【００１８】
また、本発明は、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハであって、ＤＬＴＳ法により前記Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度を評価した場合に、静電容量の変化がピークを示すピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物による深い準位の濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３以下であることを特徴とするＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを提供する（請求項５）。
【００１９】
このような本発明のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハであれば、ＷＬＴの低下に影響がなく、かつデバイス特性の悪化による歩留りの低下を改善することができる高品質のものとなる。
【００２０】
このとき、前記ピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物がＴｉとすることができる（請求項６）。
上記のように、ピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物がＴｉであることを本発明者らは発見している。
【００２１】
また、前記Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハが撮像素子用のものとすることができる（請求項７）。
本発明は撮像素子用のものに対して、その素子製造歩留りの改善に特に有効である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハ、およびその評価方法、製造方法であれば、ＷＬＴの低下には影響がないものの、その濃度によってはデバイスを作製したときのデバイス特性を悪化させる要因となり得る金属不純物による深い準位の濃度を評価することができる。これにより、ＷＬＴの低下もなく、かつデバイス特性の悪化により歩留りが低下することのない高品質のウエーハを選別して製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下では、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
従来より、シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物を評価する方法としてＤＬＴＳ法が知られている。しかしながら、Ｎ型シリコンにおけるバンドギャップから検出される信号に関する知見が少ないという問題がある。
また、ＷＬＴの低下を引き起こさずにデバイス特性を悪化させる金属不純物の存在が懸念されている。
【００２４】
本発明者らは、このような問題を解決するため、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハに関し、上記ＷＬＴの低下を引き起こさずにデバイス特性を悪化させる金属不純物について鋭意研究を行った。マイクロ波ＰＣＤ法はＷＬＴの低下に起因しない金属不純物を評価することができないため、ＤＬＴＳ法に着目し、上記金属不純物とＤＬＴＳ法により検出される信号（すなわち、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度）との関係、さらにはデバイス特性の不良の引き起こし、デバイス歩留りとの関係を確立するための調査を行った。
【００２５】
以下では、上記金属不純物について本発明者が行った調査について述べる。
最初に、本発明者らは、ＷＬＴの低下を引き起こさずにデバイス特性を悪化させる金属不純物について調査を行った。
Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉをそれぞれ１Ｅ１０ｃｍ−３、１Ｅ１１ｃｍ−３、１Ｅ１２ｃｍ−３ドープした結晶から、それぞれの濃度水準サンプルウェーハを作製し、ドープ濃度とＷＬＴとの関係を調査した。その結果は表１のようになる。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
表１に示すように、Ｆｅ、Ｍｏは濃度の増加に伴い、ＷＬＴ値の低下が見られるが、ＴｉはＷＬＴ値の低下が見られない。
【００２８】
この結果、ＦｅやＭｏ等とは異なり、Ｔｉの場合はＷＬＴの測定値に影響が見られないことがわかった。
そこで、本発明者らはこのＴｉについて、ＤＬＴＳ法によるＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度との関係、デバイス歩留りとの関係についてさらに調査を進めた。
【００２９】
ここでまず、ＤＬＴＳ法について説明する。
ＤＬＴＳ法は、上記のように、ショットキー接合あるいはｐ／ｎ接合に逆バイアス電圧を印加し、接合部に生じる空乏層を広げ、周期的なパルスの導入で変化する空乏層の静電容量変化（ΔＣ）を測定し、そのΔＣの温度依存性から深い準位に関する情報を得るものである。
【００３０】
Ｎ型ショットキー接合の場合、逆バイアス状態にある接合に、バイアス電圧が０Ｖとなる様なパルスを印加すると、空乏層が狭くなり、電子が深い準位にトラップされる。
再び逆バイアスに戻すと直ぐには元の状態に戻らず深い準位にトラップされた電子が熱解離により徐々に伝導帯に戻るが、この際に過渡的な静電容量の変化（ΔＣ）が生じる。例えばパルス印加後の適当な２つの時刻のそれぞれのΔＣの値の差を温度を変えて測定することにより、ある温度に極値を持つスペクトルが得られる。
この極値のことをピーク温度という。
【００３１】
本測定ではＴｉは１７０Ｋ付近にピークを持つスペクトルが得られる。なお、Ｒａｔｅ  Ｗｉｎｄｏｗは６００ｓ−１とした。このＲａｔｅ  Ｗｉｎｄｏｗとは、ピーク温度のときのキャリアの熱解離速度のことであり、不純物の準位の位置によっても異なる。
【００３２】
ＤＬＴＳでは深い準位にトラップされているキャリアの準位とキャリア濃度を測定することにより不純物濃度への換算を行っている。しかし、その値はあくまで深い準位（Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ）にトラップされているキャリアの濃度であり、ウェーハバルク中の総不純物量（絶対量）とは区別しなければならない。
【００３３】
より具体的には、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハのＤＬＴＳ法による不純物の測定では、測定試料の表面および裏面に電極を作製し、ショットキー接合を形成、電極間に−５Ｖの逆方向バイアス電圧となるパルスを印加して空乏層幅を広げ、接合容量の過渡変化をスペクトロスコピックに測定温度帯域を変化させながら測定し、温度測定帯域は室温の２９７Ｋから５０Ｋまでとしている。また測定深さは表面から概ね５μｍ程度と考えられている。
【００３４】
ＤＬＴＳ法での金属不純物によるピーク温度の検出では、Ｐ型シリコンでは５７Ｋ付近にＦｅ−Ｂペアのピークが、１９０Ｋ付近ではＭｏのピークが観察されることが知られている。また、Ｎ型シリコンでは１６０Ｋおよび１９０Ｋ付近にＭｏピークが観察されることが知られている（特許文献１参照）。しかしながら、特許文献１には、Ｔｉに関する知見は見られない。
【００３５】
本発明者らは、調査を行うにあたり、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハ中のＴｉをＤＬＴＳ法で測定するための方法として、Ｔｉをドープした試料を作製し、そのＮ型シリコンエピタキシャルウエーハについてＤＬＴＳ法による測定を行った。
測定条件は、パルス高さが−５Ｖ、パルス幅が２０μＳ、パルス周期が４．１ｍＳ、Ｒａｔｅ  Ｗｉｎｄｏｗが６００ｓ−１である。
【００３６】
上記測定の結果について、図１に、Ｔｉのドープ量が５Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のときの、測定温度とＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度の関係を示す。図１に示すように、１７０ＫにＴｉ起因と考えられる約８Ｅ１２ｃｍ−３のピークを検出した。
【００３７】
ここで、本発明者らは、この１７０Ｋでピーク温度となる金属不純物がＴｉであることを検証するため、Ｔｉのドープ量を変えた試料と１７０Ｋで検出されたＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度との関係を調査した。具体的には、Ｔｉのドープ量が５Ｅ１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、１Ｅ１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、１Ｅ１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、１Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、５Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の場合について測定した。
【００３８】
上記測定の結果、それぞれ、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度は７Ｅ９ｃｍ−３、１．１Ｅ１０ｃｍ−３、１．１Ｅ１１ｃｍ−３、１．６Ｅ１２ｃｍ−３、８Ｅ１２ｃｍ−３だった。
このときのＴｉドープ量とＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度との関係を図２に示す。図２に示すように、Ｔｉのドープ量と１７０Ｋにおいて検出されたＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度との間に相関関係があることがわかる。すなわち、ＤＬＴＳ法により１７０Ｋでピーク温度を示す金属不純物がＴｉであることを本発明者らは確認することができた。
【００３９】
次に、本発明者らは、ＴｉがドープされたＮ型シリコンエピタキシャルウエーハに関し、ＤＬＴＳ法による測定で、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度がどのような値のときに、該ウエーハを用いてデバイスを製造した場合にデバイスの歩留りが低下するかについて調査した。ここでは、撮像素子デバイス品について調べた。
すなわち、Ｔｉのドープ量を変えた試料を用意し、該試料についてＤＬＴＳ法による測定を行ってＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度の値を得るとともに、同様の試料を用いて撮像素子デバイス品を製造してその歩留りを調べた。
具体的には、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度が７Ｅ９ｃｍ−３、１Ｅ１０ｃｍ−３、５Ｅ１０ｃｍ−３、１Ｅ１１ｃｍ−３、１Ｅ１２ｃｍ−３のときの歩留りを調べた。
【００４０】
なお、このとき、各試料について、ＣＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）処理によるマイクロ波ＰＣＤ法を用い、ＷＬＴの測定も行った。
【００４１】
以上の測定結果について表２にまとめた。
表２に示すように、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３以下のとき（７Ｅ９ｃｍ−３、１Ｅ１０ｃｍ−３）、製造した撮像素子デバイスの歩留りは概ね１００％であった。
一方、これに対して、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３より大きいとき（５Ｅ１０ｃｍ−３、１Ｅ１１ｃｍ−３、１Ｅ１２ｃｍ−３）、それぞれ、５６％、３２％、１０％程度と、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度が大きくなるにつれてデバイス歩留りは著しく小さくなっていくことがわかる。
このように、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３のときを境にしてデバイス歩留りに大きな差が生じていくことを本発明者らは見出した。
【００４２】
なお、ＷＬＴについてはいずれも１０００μＳ以上であり、各試料間で差は見られなかった。
【００４３】
【表２】
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【００４４】
以上の調査結果より、本発明者らはＮ型シリコンエピタキシャルウエーハのＤＬＴＳ測定において、ピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物による深い準位の濃度（Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度）の値は重要であり、デバイスの歩留りに大きな影響を与えること、具体的にはＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度を１Ｅ１０ｃｍ−３以下のものを選別して用いることで歩留まりの優れたデバイスを作製することが可能になること、さらにはピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物がＴｉであることを見出した。
【００４５】
そして、本発明者らは、ＤＬＴＳ法を用いたＮ型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法であり、Ｒａｔｅ  Ｗｉｎｄｏｗを６００ｓ−１とし、ピーク温度が１７０Ｋとなる金属不純物によるＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度を評価する本発明を完成させた。
【００４６】
本発明においては、ＤＬＴＳ法における測定条件（Ｒａｔｅ  Ｗｉｎｄｏｗの値や１７０Ｋのピーク温度における金属不純物によるＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度を評価すること）に特徴があるのであり、その他のＤＬＴＳ法の具体的な手順、測定条件等は、従来法と同様のものとすることができる。
なお、本発明においてＲａｔｅ  Ｗｉｎｄｏｗの値を６００ｓ−１と設定するのは、Ｔｉの準位において、スペクトルのピーク位置が１７０Ｋに出現するための条件である。
【００４７】
さらには、少なくとも、このような本発明の評価方法によってウエーハ中の上記金属不純物によるＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度を評価する工程を行い、次に、このＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３以下のウエーハを良品として選別する選別工程を行うことによってウエーハを製造すれば（すなわち、本発明のＮ型シリコンエピタキシャルウエーハとなる）、ＷＬＴの低下に影響がなく、かつデバイス特性の悪化（リーク電流の増加）により歩留まりが低下することのないＮ型シリコンエピタキシャルウエーハを提供することができる。
【００４８】
したがって、このような本発明の評価方法で、Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度が１Ｅ１０ｃｍ−３以下とされたものを選別して、これを撮像素子用として用いれば、撮像素子を歩留り良く製造することができる
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】Ｔｉのドープ量が５Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のときの、測定温度とＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度の関係を示すグラフである。
【図２】Ｔｉのドープ量と１７０ＫにおけるＤｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ濃度との関係を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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