(57)【要約】【課題】  ウエーハ上に均一厚みの保護膜を形成することが可能な保護膜形成方法を提供することである。【解決手段】  表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの表面に保護膜を形成する方法であって、ウエーハの表面に所定量の紫外線硬化型樹脂を供給する紫外線硬化型樹脂供給工程と、該紫外線硬化型樹脂が供給されたウエーハの表面を、紫外線に対して透過性を有する押圧部材で押圧して該紫外線硬化型樹脂を広げ延ばして平坦化する平坦化工程と、該平坦化工程を実施した後、該押圧部材で該紫外線硬化型樹脂の上からウエーハの表面を押圧した状態で、該押圧部材を介して該紫外線硬化型樹脂に紫外線を照射して該紫外線硬化型樹脂を硬化させて保護膜とする硬化工程と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図６
2010192616.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの表面に保護膜を形成する方法であって、
ウエーハの表面に所定量の紫外線硬化型樹脂を供給する紫外線硬化型樹脂供給工程と、
該紫外線硬化型樹脂が供給されたウエーハの表面を、紫外線に対して透過性を有する押圧部材で押圧して該紫外線硬化型樹脂を広げ延ばして平坦化する平坦化工程と、
該平坦化工程を実施した後、該押圧部材で該紫外線硬化型樹脂の上からウエーハの表面を押圧した状態で、該押圧部材を介して該紫外線硬化型樹脂に紫外線を照射して該紫外線硬化型樹脂を硬化させて保護膜とする硬化工程と、
を具備したことを特徴とする保護膜の形成方法。
【請求項２】
前記押圧部材は該分割予定ラインに対応して格子状に形成された複数の凸部を有しており、
前記平坦化工程では、該押圧部材の前記凸部のおのおのが複数の前記分割予定ラインにそれぞれ合致するように前記紫外線硬化型樹脂が供給された該ウエーハの上面を押圧し、その後、前記硬化工程を実施することで、該分割予定ラインによって区画される複数の領域のみに保護膜を形成する請求項１記載の保護膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法により形成された保護膜を利用したウエーハの加工方法であって、
前記紫外線硬化型樹脂は温水剥離性を有しており、
ウエーハ上に前記保護膜を形成した後、ウエーハに対して吸収性を有するレーザビームを該ウエーハに照射してレーザ加工を施すレーザ加工工程と、
該レーザ加工工程を実施した後、温水を用いて該紫外線硬化型樹脂を除去する保護膜除去工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の方法により形成された保護膜を利用したウエーハの加工方法であって、
ウエーハ上に前記保護膜を形成した後、フッ素系安定ガスをプラズマ化してウエーハの加工面に供給して該分割予定ラインに対応する領域の所定深さの溝を形成するプラズマ加工工程と、
該プラズマ加工を実施した後、温水を用いて該紫外線硬化型樹脂を除去する保護膜除去工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハの加工面に保護膜を形成する方法、及び該保護膜を利用したウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや光デバイスの製造方法においては、複数のＩＣやＬＳＩ等のデバイスが表面に形成されたウエーハを個々のデバイスへと分割することで、各デバイスが製造される。ウエーハ上にはストリートと呼ばれる複数の分割予定ラインが格子状に形成され、分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されている。
【０００３】
ウエーハの分割には、ダイヤモンドやＣＢＮ等の超砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ３０μｍ程度にした切刃を有する切削ブレードでウエーハを切削するダイサーと呼ばれる切削装置が広く使用されている。
【０００４】
近年、切削除去する領域をより少なくして１ウエーハ当たりのデバイス取り量を増やすために、例えば特開２００４−３２２１６８号公報に記載されたようなレーザ加工装置がウエーハの分割に用いられている。
【０００５】
ところが、ウエーハの加工面にレーザビームを照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが飛散し、ウエーハの加工面に付着する。デブリがウエーハの加工面に付着するとデバイスの品質を著しく低下させる。
【０００６】
そこで、特開２００４−３２２１６８号公報では、レーザ加工を行う前にウエーハの加工面に液状樹脂を塗布して保護膜を形成し、その後ウエーハにレーザ加工を施す技術が開示されている。
【０００７】
一方、近年の電子機器の軽薄短小化に伴って各デバイスの薄化、小型化が求められている。薄化されたウエーハを切削装置で切削するとウエーハが割れ易く、薄いウエーハを切削装置で切削するのは非常に難しい。
【０００８】
この問題を解決する方法として、特開２００６−１２０８３４号公報には、デバイスに対応する領域に保護膜を形成し、分割予定ラインに対応する領域をプラズマエッチングした後、裏面を研削して薄化することでウエーハをそれぞれのデバイスへと分割する方法が開示されている。
【０００９】
特開２００６−１２０８３４号公報では、デバイスに対応する領域に保護膜を形成する方法として次のような方法を開示している。即ち、まずウエーハ全面にレジスト膜を被覆した後、分割予定ラインに対応する領域へ紫外線やＸ線を照射して分割予定ラインに対応する領域を露光し、且つ現像することで、分割予定ラインに対応する領域のレジスト膜を除去している。
【００１０】
上記二つの公開公報に開示された保護膜は共にスピンコート法を用いて形成されている。このスピンコート法では、スピンナテーブルに保持されたウエーハの加工面に液状樹脂を供給し、スピンナテーブルを回転することにより遠心力によって液状樹脂をウエーハの外周に向けて移動させ、ウエーハ表面の全面に保護膜を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−３２２１６８号公報
【特許文献２】特開２００６−１２０８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところが、デバイスが形成されたウエーハの表面にはデバイスに形成された電極等によって段差があるため、スピンコート法ではウエーハ表面に均一厚みの保護膜を形成することが難しいという問題がある。
【００１３】
一方、プラズマエッチングによってウエーハを分割する際には、分割予定ラインに対応する領域には保護膜が形成されていないことが必須である。また、レーザ加工によってウエーハを加工する際にも保護膜はレーザビームの妨げとなることから、分割予定ラインに対応する領域にも保護膜が形成されていないことが望ましい。
【００１４】
しかし、スピンコート法で保護膜を形成する場合には、ウエーハの一部領域へ選択的に保護膜を形成することは困難である。そのため、保護膜形成後に分割予定ラインに対応する領域の保護膜を除去する必要があり、製造工程が煩雑化するという問題がある。
【００１５】
更に、スピンコート法で保護膜を形成する場合には、供給した液状樹脂の９０％以上が飛散して廃棄されてしまうので、非常に不経済であるという問題もある。
【００１６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの一部領域に均一厚みの保護膜を形成する保護膜形成方法及び該保護膜を利用したウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１記載の発明によると、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの表面に保護膜を形成する方法であって、ウエーハの表面に所定量の紫外線硬化型樹脂を供給する紫外線硬化型樹脂供給工程と、該紫外線硬化型樹脂が供給されたウエーハの表面を、紫外線に対して透過性を有する押圧部材で押圧して該紫外線硬化型樹脂を広げ延ばして平坦化する平坦化工程と、該平坦化工程を実施した後、該押圧部材で該紫外線硬化型樹脂の上からウエーハの表面を押圧した状態で、該押圧部材を介して該紫外線硬化型樹脂に紫外線を照射して該紫外線硬化型樹脂を硬化させて保護膜とする硬化工程と、を具備したことを特徴とする保護膜の形成方法が提供される。
【００１８】
請求項２記載の発明によると、請求項１記載の発明において、前記押圧部材は該分割予定ラインに対応して格子状に形成された複数の凸部を有しており、前記平坦化工程では、該押圧部材の前記凸部の各々が複数の前記分割予定ラインにそれぞれ合致するように前記紫外線硬化型樹脂が供給された該ウエーハの上面を押圧し、その後、前記硬化工程を実施することで、該分割予定ラインによって区画される複数の領域のみに保護膜を形成する保護膜の形成方法が提供される。
【００１９】
請求項３記載の発明によると、請求項１又は２に記載の方法により形成された保護膜を利用したウエーハの加工方法であって、前記紫外線硬化型樹脂は温水剥離性を有しており、ウエーハ上に前記保護膜を形成した後、ウエーハに対して吸収性を有するレーザビームを該ウエーハに照射してレーザ加工を施すレーザ加工工程と、該レーザ加工工程を実施した後、温水を用いて該紫外線硬化型樹脂を除去する保護膜除去工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００２０】
請求項４記載の発明によると、請求項１又は２記載の方法により形成された保護膜を利用したウエーハの加工方法であって、ウエーハ上に前記保護膜を形成した後、フッ素系安定ガスをプラズマ化してウエーハの加工面に供給して該分割予定ラインに対応する領域に所定深さの溝を形成するプラズマ加工工程と、該プラズマ加工工程を実施した後、温水を用いて該紫外線硬化型樹脂を除去する保護膜除去工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１記載の保護膜形成方法によると、ウエーハ表面上の段差に影響されずに、ウエーハ表面上に均一厚みの保護膜を形成することができる。ウエーハ表面にはデバイスに形成された電極等によって凹凸があるため、押圧部材に比べてウエーハの表面積が大きい。従って、硬化工程が実施された後の紫外線硬化型樹脂は、押圧部材には残存することなくウエーハ表面にのみ残存して保護膜を形成する。
【００２２】
請求項２記載の発明によると、押圧部材は分割予定ラインに対応して格子状に形成された複数の凸部を有しているため、分割予定ラインに対応する領域には保護膜を形成せずに、分割予定ラインによって区画される複数の領域にのみ保護膜を形成することができる。
【００２３】
請求項３及び４記載の発明によると、レーザ加工工程又はプラズマ加工工程を実施した後、温水を用いて紫外線硬化型樹脂から成る保護膜を容易に除去することができるので、ウエーハ加工方法の次工程に備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】レーザ加工装置の概略構成図である。
【図２】本発明第１実施形態の保護膜の形成方法及び該保護膜を利用したレーザ加工方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明第２実施形態の保護膜の形成方法及び該保護膜を利用したプラズマ加工方法を示すフローチャートである。
【図４】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図５】紫外線硬化型樹脂供給工程の説明図である。
【図６】平坦化工程の説明図である。
【図７】硬化工程の説明図である。
【図８】分割予定ラインに対応する領域に凸部を有する押圧部材を用いて平坦化工程を行った後のウエーハの表面側斜視図である。
【図９】レーザ加工工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明の保護膜の形成方法及びウエーハの加工方法を説明するのに先立って、ウエーハの加工方法に使用するのに適したレーザ加工装置を図１を参照して説明する。
【００２６】
レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。
【００２７】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００２８】
第２スライドブロック１０上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持された半導体ウエーハ等のワークをクランプするクランパ３０が設けられている。
【００２９】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザビーム発振手段３４を収容したケーシング３５が取り付けられている。レーザビーム発振手段３４は、後で詳細に説明するように、加工用レーザビーム発振手段とワークのエッジ検出用レーザビーム発振手段を含んでいる。
【００３０】
これらのレーザビーム発振手段から発振された加工用及びエッジ検出用レーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器（レーザヘッド）３６の対物レンズによって集光されてチャックテーブル２８に保持されているＬＥＤウエーハ等のワークに照射される。
【００３１】
ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列して加工用レーザビーム照射手段によってレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段３８が配設されている。
【００３２】
撮像手段３８は、可視光によって撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子の他に、ワークに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号は後述するコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００３３】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００３４】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。
【００３５】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００３６】
撮像手段３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射手段３４等に制御信号が出力される。
【００３７】
次に、図２乃至図９を参照して、本発明実施形態の保護膜の形成方法及び該保護膜を利用したウエーハの加工方法について説明する。図２のフローチャートは、本発明第１実施形態の保護膜の形成方法及び該保護膜を利用したウエーハの加工方法の各工程を示しており、図３に示すフローチャートは本発明第２実施形態の保護膜の形成方法及び該保護膜を利用したウエーハの加工方法の各工程を示している。
【００３８】
本発明の保護膜の形成方法は、まず図２のステップＳ１１及び図３のステップＳ２１に示すように、ウエーハの表面に所定量の紫外線硬化型樹脂を供給する紫外線硬化型樹脂供給工程を実施する。
【００３９】
図４に示すように、ウエーハＷは例えば半導体ウエーハから構成されており、ウエーハＷの表面においては第１のストリート（分割予定ライン）Ｓ１と第２のストリート（分割予定ライン）Ｓ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された複数の領域にそれぞれデバイス（半導体チップ）Ｄが形成されている。ウエーハＷは、その表面に複数のデバイスＤが形成されたデバイス領域６２と、デバイス領域６２を囲繞する外周余剰領域６４とを有している。
【００４０】
上述した紫外線硬化型樹脂供給工程では、図５に示すようにウエーハＷを保持テーブル６６上に保持し、樹脂供給ノズル６８から液状の紫外線硬化型樹脂７０をウエーハＷ上に所定量供給する。
【００４１】
紫外線硬化型樹脂７０は、例えば７０〜８０℃の温水により剥離する性質を有していることが必要であり、例えば東洋アドテックス社製の商品名「ＴＥＭＰＬＯＣ（テンプロック）」を使用することができる。温水剥離性を有する他の紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系樹脂を挙げることができる。
【００４２】
ウエーハＷ上に紫外線硬化型樹脂７０を所定量供給した後は、図２のステップＳ１２及び図３のステップＳ２２に示すように、樹脂を平坦化する平坦化工程を実施する。図２に示す第１実施形態のステップＳ１２の平坦化工程は、図６（Ａ）に示すように、紫外線に対して透過性を有する押圧部材７４でウエーハＷ上に供給された紫外線硬化型樹脂７０を押圧して、紫外線硬化型樹脂を広げ延ばして平坦化して紫外線硬化型樹脂膜（保護膜）７２を形成する。押圧部材７４は、例えばガラス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等から形成されている。
【００４３】
図３に示す第２実施形態のステップＳ２２の平坦化工程は、図６（Ｂ）に示すように、紫外線に対して透過性を有し、ウエーハＷの分割予定ライン（ストリート）Ｓ１，Ｓ２に対応する領域に格子状の凸部７８を有する押圧部材７６を使用する。
【００４４】
即ち、押圧部材７６の凸部７８とウエーハＷの分割予定ラインＳ１，Ｓ２とが合致するように押圧部材７６でウエーハＷの表面を押圧して、紫外線硬化型樹脂７０を広げ延ばして平坦化すると共に分割予定ラインＳ１，Ｓ２上の紫外線硬化型樹脂を排除して紫外線硬化型樹脂膜（保護膜）７２ａを形成する。本実施形態の押圧部材７６も、例えばガラス、ＰＥＴ等から形成されている。
【００４５】
平坦化工程を実施した後は、図２のステップＳ１３及び図３のステップＳ２３に示す紫外線硬化型樹脂膜７２，７２ａを硬化させる硬化工程を実施する。図２に示す第１実施形態の硬化工程は、図７（Ａ）に示すように押圧部材７４で紫外線硬化型樹脂膜７２を介してウエーハＷの表面を押圧した状態で、紫外線照射源８０から押圧部材７４を介して紫外線硬化型樹脂膜７２へ紫外線を照射して、紫外線硬化型樹脂膜７２を硬化させる。
【００４６】
図３に示す第２実施形態の硬化工程も第１実施形態と同様であり、図７（Ｂ）に示すように押圧部材７６で紫外線硬化型樹脂膜７２ａを介してウエーハＷの表面を押圧した状態で、紫外線照射源８０から押圧部材７６を介して紫外線硬化型樹脂膜７２ａへ紫外線を照射して、紫外線硬化型樹脂膜７２ａを硬化させる。
【００４７】
図７（Ａ）に示す第１実施形態の硬化工程及び図７（Ｂ）に示す第２実施形態の硬化工程とも、紫外線硬化型樹脂膜７２，７２ａを硬化させてから、押圧部材７４，７６を紫外線硬化型樹脂膜７２，７２ａから離す際、押圧部材７４，７６に樹脂が残らないよう、押圧部材７４，７６をフッ素系樹脂（例えば、ＰＴＦＦ／ポリテトラフルオロエチレン）でコーティングするのが好ましい。
【００４８】
図２に示す第１実施形態のステップＳ１１〜ステップＳ１３は真空環境下で行うのが好ましく、同様に図３に示す第２実施形態のステップＳ２１〜ステップＳ２３も真空環境下で実施するのが好ましい。
【００４９】
押圧部材７４，７６をフッ素系樹脂でコーティングしない場合においても、ウエーハ表面にはデバイスＤに形成された電極等によって凹凸があるため、押圧部材７４，７６に比べてウエーハＷの表面積は一般的に大きくなっている。従って硬化工程が実施された後の紫外線硬化型樹脂は押圧部材７４，７６には残存することなく、ウエーハ表面にのみ残存し、保護膜７２，７２ａを形成する。
【００５０】
図７（Ｂ）に示す第２実施形態の硬化工程を実施後には、図８に示すようにウエーハＷの表面には分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応した格子状の溝８２を有する保護膜７２ａが形成される。
【００５１】
溝８２からは押圧部材７６の凸部７８により紫外線硬化型樹脂７０が排除されているので、溝８２内には保護膜７２ａが形成されていないか、或いは形成されていても極薄く形成されているのみである。
【００５２】
硬化工程が終了すると、図２に示す第１実施形態では、ステップＳ１４のレーザ加工工程を実施する。このレーザ加工工程は、図９（Ａ）に示すように、図１に示すレーザ加工装置２のレーザヘッド３６からウエーハＷに対して吸収性を有するレーザビームをウエーハＷに照射してレーザ加工を施すことにより実施する。
【００５３】
即ち、レーザ加工装置２のチャックテーブル２８をＸ方向に移動しながら、レーザヘッド３６からウエーハＷの分割予定ラインＳ１又はＳ２に沿ってレーザビームを照射して、分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って溝を形成する。或いは、ウエーハＷを分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿ってフルカットする。
【００５４】
レーザ加工条件は例えば以下の通りである。
【００５５】
光源：ＹＶＯ４レーザ又はＹＡＧレーザ
波長：３５５ｎｍ
出力：２．０Ｗ
繰り返し周波数：２００ｋＨｚ
パルス幅：３００ｎｓ
集光スポット径：φ１０μｍ
加工送り速度：６００ｍｍ／ｓ
このレーザ加工工程では、分割予定ラインＳ１，Ｓ２上に保護膜７２が形成されていても、レーザヘッド３６から照射されるレーザビームにより保護膜７２を除去し（カットし）、ウエーハＷをフルカットするか或いはウエーハＷに分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿った溝を形成することができる。
【００５６】
図９（Ｂ）はウエーハＷ上に図８に示すような保護膜７２ａが形成されている際のレーザ加工工程を示している。この実施形態では、分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って保護膜７２ａが形成されていないので、レーザヘッド３６から照射されたレーザビームによりウエーハＷに直接加工を施すことができる。
【００５７】
図２のステップＳ１４に示すレーザ加工工程では、ウエーハＷ上に保護膜７２，７２ａが形成されているので、レーザビームが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが飛散し、ウエーハＷの加工面に付着しても、ウエーハＷ上に保護膜７２，７２ａが形成されているので、デバイスの品質を低下させることがない。
【００５８】
図２のステップＳ１４に示すレーザ加工工程で、レーザビームによりウエーハＷをフルカットせずに分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿った溝を形成するようにした場合には、保護膜７２，７２ａを除去した後のウエーハＷをダイシングテープを介してフレームで支持し、このフレームを例えば特開２００２−３３４８５２号に開示されているようなテープ拡張装置に装着して、ダイシングテープを半径方向に拡張してウエーハＷに外力を加え、ウエーハＷをレーザ加工溝に沿って破断し、個々のデバイスＤに分割する。
【００５９】
図３に示す第２実施形態では、ステップＳ２３の硬化工程が終了した後、ステップＳ２４のプラズマ加工工程を実施する。好ましくは、ウエーハＷをプラズマ加工する実施形態では、ステップＳ２３の硬化工程の前に、ステップＳ２２の平坦化工程終了後、分割予定ラインＳ１，Ｓ２上に僅かに残っている樹脂をアッシングにより除去する。このアッシングは、不要となった紫外線硬化型樹脂をプラズマ等で反応させて気相中で分解して除去するものである。
【００６０】
ステップＳ２４のプラズマ加工工程は、例えば特許文献２に開示されているようなプラズマエッチング装置を使用して、フッ素系安定ガスをプラズマ化してウエーハＷの表面に供給して、分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応する領域をエッチングして所定深さの溝を形成するものである。
【００６１】
ステップＳ２４のプラズマ加工工程では、プラズマエッチングにより分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って貫通溝を形成するフルカットを行うか、或いは溝が貫通しないハーフカットを行うようにする。ハーフカットの場合には、その後ウエーハＷの裏面を研削して、加工溝を裏面に表出させてウエーハＷを個々のデバイスに分割する。
【００６２】
図２のステップＳ１４のレーザ加工工程が終了すると、ステップＳ１５で保護膜除去工程を実施する。即ち、保護膜７２，７２ａが温水剥離性の紫外線硬化型樹脂から形成されているため、保護膜７２，７２ａの形成されたウエーハＷを７０〜８０℃の温水中に浸漬して、保護膜７２，７２ａをウエーハＷから剥離する。
【００６３】
同様に、図３に示す第２実施形態でも、ステップＳ２４のプラズマ加工工程終了後、ステップＳ２５に進んで保護膜７２ａを有するウエーハＷを７０〜８０℃程度の温水中に浸漬して、保護膜７２ａをウエーハＷから剥離する。
【符号の説明】
【００６４】
２    レーザ加工装置
３８    レーザヘッド（集光器）
Ｗ    ウエーハ
Ｓ１，Ｓ２    ストリート（分割予定ライン）
６６    保持テーブル
７０    紫外線硬化型樹脂
７２，７２ａ    保護膜
７４，７６    押圧部材
７８    凸部
８０    紫外線照射源
【図１】
2010192616.tif 000003
【図２】
2010192616.tif 000004
【図３】
2010192616.tif 000005
【図４】
2010192616.tif 000006
【図５】
2010192616.tif 000007
【図６】
2010192616.tif 000008
【図７】
2010192616.tif 000009
【図８】
2010192616.tif 000010
【図９】
2010192616.tif 000011