(57)【要約】【課題】レジスト分解能が十分でない場合でも、パターン角の形状を変化させることで、マスタークロックには影響を与えず、角部に相当する信号出力を確保することができるモールド構造体の製造方法等の提供。【解決手段】原盤の凹凸パターン側を、被加工基板の一方の表面に形成された電子線レジストからなるインプリントレジスト層に押し付け、凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写する転写工程を含み、凹凸パターンにおける１ビットの面積Ｓｂｉｔと、１ビットの４つの角部に前記電子線レジストが到達していない欠け部の面積Ｓｃｈｉｐとの比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合には、原盤における１ビットの角部の形状を変化させるモールド構造体の製造方法である。ただし、Ｓｃｈｉｐは４×ｒ２×(１／ｔａｎθ−０．５π＋θ)、２ｒは電子線レジストの分解能、２θは１ビットの角部の角度を表す。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸パターンが形成された原盤の凹凸パターン側を、被加工基板の一方の表面に形成された電子線レジストからなるレジスト層に押し付け、前記凹凸パターンを前記レジスト層に転写する転写工程を少なくとも含むモールド構造体の製造方法であって、
前記凹凸パターンにおける１ビットの面積Ｓｂｉｔと、該１ビットの４つの角部に前記電子線レジストが到達していない欠け部の面積Ｓｃｈｉｐとの比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合には、前記原盤における１ビットの角部の形状を変化させることを特徴とするモールド構造体の製造方法。
ただし、前記Ｓｃｈｉｐは４×ｒ２×(１／ｔａｎθ−０．５π＋θ)を意味し、２ｒは電子線レジストの分解能を表し、２θは１ビットの角部の角度を表す。
【請求項２】
角部の形状変化が、角部の面積を増加させる変化である請求項１に記載のモールド構造体の製造方法。
【請求項３】
請求項１から２のいずれかに記載のモールド構造体の製造方法により製造されたことを特徴とするモールド構造体。
【請求項４】
モールド構造体が、磁気転写用マスター、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかである請求項３に記載のモールド構造体。
【請求項５】
請求項３から４のいずれかに記載のモールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に押圧し、該モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項６】
初期磁化後の磁気記録媒体と、請求項３から４のいずれかに記載のモールド構造体とを重ね合わせて密着させた状態で、磁界を印加し、磁気情報を磁気記録媒体の磁性層に磁気転写する磁気転写工程を少なくとも含むことを特徴とする磁気転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンサイズに対してレジスト分解能が十分でない場合でも、パターン角部の形状を変化させて対応できるモールド構造体及びその製造方法、並びにそれを用いたインプリント方法及び磁気転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、サーボの高記録密度化に伴い、１ビットサイズに対して電子線（ＥＢ）レジストの分解能が不足する懸念がある。相対的に分解能が十分でないレジストを使用してサーボパターンを描画すると、パターン角部が精度良く描画されず丸まってしまうパターン形状不良が生じる。このようなパターン形状不良は、転写信号の欠けを誘発し、アドレスエラーや位置決め精度の低下を引き起こすおそれがある。このため、例えばＥＢレジストで等方的にパターンを太くして信号の欠けを抑制しているが、マスタークロックのズレなどの問題が生じるおそれがある。
【０００３】
また、例えば特許文献１では、１トラックを分割描画することで、矩形状に近く描画し記録損失を低減して、転写精度を高めることが提案されている。しかし、この提案では、パターンの形状修正がビット全体で均一に行われており、本発明のように１ビットの角部のみの局所的な変化を行うものについては開示も示唆もされていない。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−９１８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、パターンサイズに対してレジスト分解能が十分でない場合でも、パターン角部の形状を変化させることで、マスタークロックには影響を与えず、角部に相当する信号出力を確保することができるモールド構造体及びモールド構造体の製造方法、並びにモールド構造体を用いたインプリント方法及び磁気転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  表面に凹凸パターンが形成された原盤の凹凸パターン側を、被加工基板の一方の表面に形成された電子線レジストからなるレジスト層に押し付け、前記凹凸パターンを前記レジスト層に転写する転写工程を少なくとも含むモールド構造体の製造方法であって、
前記凹凸パターンにおける１ビットの面積Ｓｂｉｔと、該１ビットの４つの角部に前記電子線レジストが到達していない欠け部の面積Ｓｃｈｉｐとの比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合には、前記原盤における１ビットの角部の形状を変化させることを特徴とするモールド構造体の製造方法である。
ただし、前記Ｓｃｈｉｐは４×ｒ２×(１／ｔａｎθ−０．５π＋θ)を意味し、２ｒは電子線レジストの分解能を表し、２θは１ビットの角部の角度を表す。
＜２＞  角部の形状変化が、角部の面積を増加させる変化である前記＜１＞に記載のモールド構造体の製造方法である。
＜３＞  前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のモールド構造体の製造方法により製造されたことを特徴とするモールド構造体である。
＜４＞  モールド構造体が、磁気転写用マスター、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかである前記＜３＞に記載のモールド構造体である。
＜５＞  前記＜３＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に押圧し、該モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜６＞  前記＜５＞に記載のインプリント方法を用いて、磁気記録媒体を製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜７＞  前記＜６＞に記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
＜８＞  初期磁化後の磁気記録媒体と、前記＜３＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体とを重ね合わせて密着させた状態で、磁界を印加し、磁気情報を磁気記録媒体の磁性層に磁気転写する磁気転写工程を少なくとも含むことを特徴とする磁気転写方法である。
＜９＞  前記＜８＞に記載の磁気転写方法を用いて磁気転写されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、パターンサイズに対してレジスト分解能が十分でない場合でも、パターン角部の形状を変化させることで、マスタークロックには影響を与えず、角部に相当する信号出力を確保することができるモールド構造体及びモールド構造体の製造方法、並びにモールド構造体を用いたインプリント方法及び磁気転写方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（モールド構造体及びモールド構造体の製造方法）
本発明のモールド構造体の製造方法は、転写工程を少なくとも含み、硬化工程、パターン形成工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
本発明のモールド構造体は、本発明の前記モールド構造体の製造方法により製造される。
前記モールド構造体としては、磁気転写用マスター、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかであることが好ましい。
以下、本発明のモールド構造体の製造方法の説明を通じて、本発明のモールド構造体の詳細についても明らかにする。
【０００９】
＜転写工程＞
前記転写工程は、表面に凹凸パターンが形成された原盤の凹凸パターン側を、被加工基板の一方の表面に形成された電子線レジストからなるレジスト層に押し付け、前記凹凸パターンを前記レジスト層に転写する工程である。
【００１０】
本発明においては、図１に示すように、平行四辺形のビットの一つの角部について、前記凹凸パターンにおける１ビットの面積Ｓｂｉｔと、該１ビットの４つの角部における前記電子線レジストが到達していない欠け部の面積Ｓｃｈｉｐとの比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合には、前記原盤の１ビットの角部の形状を変化させる。これにより、パターンサイズに対してレジスト分解能が十分でない場合でも、パターン角部の形状を変化させることで角部に相当する信号出力を確保することができ、エラーレートが改善する。
ただし、前記Ｓｃｈｉｐは４×ｒ２×(１／ｔａｎθ−０．５π＋θ)を意味し、２ｒは電子線レジストの分解能を表し、２θは１ビットの角部の角度を表す。
前記欠け部の面積Ｓｃｈｉｐが凹凸パターンの１ビットの面積Ｓｂｉｔに対し２％を超えると、このようなモールド構造体を使用して作製した磁気記録媒体の信号再生時に読み取りエラーが発生し、エラーレートが高くなる。
前記２ｒを電子線レジストの分解能とすることで、レジストの物性の影響を受けることなく、比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕を規定することができる。
【００１１】
前記角部の形状変化としては、角部の面積を増加させる変化であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば図３に示すように図２の長方形の４角に四角形を付与して角部の面積を増加させた態様、図４に示すように図２の長方形の４角に丸を付与して角部の面積を増加させた態様、などが好適に挙げられる。
【００１２】
具体的には、前記比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合において、前記原盤の１ビットの角部の形状を変化させる方法としては、例えば図５に示すように、１ビットを半径方向に８分割、周方向に８分割して考える。即ち６４分割の１つを１ｐとして、パターン部分を１、非パターン部分を０とする。すると、周方向の１ビットは“１１１１１１１１”となる。次に、角の形状を変化させる場合には半径方向の描画中心をビットエッジに合わせた状態で、周方向に０．５ｐ分位相を前にずらし、“１０００００００１”の９ｐを描画する方法、などが挙げられる。
【００１３】
ここで、例えば図６に示すようにマスター表面のサーボパターンの１ビットにおいて、電子線レジストの分解能が低い場合には、パターン角部の先までレジストが到達できず、描画後のパターンの角部が丸まってしまう（欠け部が生じてしまう）。
【００１４】
前記欠け部の面積Ｓｃｈｉｐは、以下のようにして求めることができる。
なお、ビット角度により面積は変化するため、理解を助けるため鋭角（２θ）の角を考える。また、レジスト径を２ｒとする。
まず、図７中の太線で囲まれた四角の面積を考える。これはｒ、θで形成される図８中の太線で囲まれた直角三角形の面積Ｓの２個分に相当する。この直角三角形の斜辺をａとすると、下記式のとおりとなる。
ｒ＝ａ×ｓｉｎθ  →  ａ＝ｒ／ｓｉｎθ
また、底辺をｂとすると、下記式のとおりとなる。
ｂ＝ａ×ｃｏｓθ  →  ｂ＝ｒ×ｃｏｓθ／ｓｉｎθ＝ｒ／ｔａｎθ
そして、直角三角形の面積の公式より面積Ｓは、Ｓ＝０．５×ｒ２／ｔａｎθで表すことができる。つまり、最初の四角の面積は２Ｓｔｒｉ＝ｒ２／ｔａｎとなる。
次に、図９中の太線で囲まれた部分の面積Ｓｃｉｒは、ｒ２×（π−２θ）／２で表されるので、１角の欠け部の面積Ｓｃｈｉｐ（１／４）は下記式のとおりである。
２Ｓｔｒｉ−Ｓｃｉｒ＝ｒ２／ｔａｎθ−ｒ２×(π−２θ)／２＝ｒ２×(１／ｔａｎθ−０．５×π＋θ)
１ビットあたりの欠け部は４角にあるため、欠け部の面積Ｓｃｈｉｐは下記式で表される。
Ｓｃｈｉｐ＝４×ｒ２×（１／ｔａｎθ−０．５×π＋θ)
【００１５】
＜硬化工程＞
前記硬化工程は、前記転写工程で凹凸パターンが転写されたレジスト層を硬化させる工程である。
−光照射による硬化−
レジスト層を形成するインプリントレジスト組成物が、光硬化性樹脂を含む場合、紫外線などの電子線を照射して、該レジスト層を硬化させることができる。
ここで用いる光硬化性樹脂としては、ラジカル重合タイプとカチオン重合タイプがあるが、要求されるパターン形状精度や硬化速度に対し適宜選択することができる。
【００１６】
―加熱による硬化―
レジスト層を形成するインプリントレジスト組成物が、熱可塑性樹脂を含む場合には、転写時に前記レジスト組成物のガラス転移点（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、前記レジスト組成物のガラス転移点よりも低下することによりレジスト層が硬化することとなる。
【００１７】
＜パターン形成工程＞
前記パターン形成工程は、硬化工程において硬化したレジスト層をマスクにして前記被加工基板の一方の表面のエッチングを行い、前記被加工基板の一方の表面上に凹凸形状のパターンを形成する工程である。
【００１８】
前記エッチングとしては、加工基板に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、等が挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
【００１９】
＜モールド構造体＞
前記モールド構造体の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。
前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、低融点フッ素樹脂などが挙げられる。
【００２０】
ここで、図１１は、モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分斜視図である。
図１１のモールド構造体１は、円板状をなす基板２の一の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある）に、複数の凸部３ａ及び凹部３ｂが同心円状に形成されてなる。この場合、凸部３ａと、複数の凸部３ａ間に形成された凹部３ｂとを総称して凹凸部３とする。
なお、前記凸部３ａの配列方向における断面形状は、矩形に限られず、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
本発明において、前記凸部３ａの「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、凸部３ａの配列方向（凸部３ａが列設されている方向）における断面（形状）を指す。
また、基板２の厚みは、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
＜モールド構造体の製造方法＞
ここで、図１２及び図１３は、モールド構造体の製造方法の一例を示す工程図であり、図１２は原盤作製工程を示し、図１３はモールド作製工程を示す。
図１２（ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板（Ｓｉ基板）３０を用意し、この原板３０の上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジスト層３２を形成し（図１２（ｂ）参照）、ベーキング処理（プレベーク）を行う。
【００２２】
次いで、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板３０をセットし、原板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト層３２の略全面に所定のパターン３３、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に描画露光（電子線描画）する（図１２（ｃ）参照）。
【００２３】
次いで、図１２（ｄ）に示されるように、レジスト層３２を現像処理し、露光（描画）部分を除去して、残ったレジスト層３２による所望厚さの被覆層を形成する。この被覆層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。なお、原板３０上に塗布されるレジストはポジ型、ネガ型のどちらでも使用可能であるが、ポジ型とネガ型では、露光（描画）パターンが反転することになる。この現像処理の後には、レジスト層３２と原板３０との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００２４】
次いで、図１２（ｅ）に示されるように、レジスト層３２の開口部３４より原板３０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）が好ましく採用できる。
【００２５】
次いで、図１３（ｆ）に示されるように、レジスト層３２を除去する。レジスト層３２の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法が採用できる。以上のアッシング工程により、所望の凹凸状パターンの反転型が形成された原盤３６が作製される。
ここで、原盤３６を純水で洗浄し、乾燥する。
【００２６】
次いで、図１３（ｇ）に示されるように、原盤３６の表面に均一厚さに導電層３８を形成する。この導電層３８の形成方法としては、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。このように、導電膜の層（符号３８）を１層形成すれば、次工程（電鋳工程）の金属の電着が均一に行えるという効果が得られる。導電層３８としては、Ｎｉを主成分とする膜であることが好ましい。このようなＮｉを主成分とする膜は、形成が容易であり、かつ硬質であるため、導電膜として好ましい。この導電層３８の厚みとしては、特に制限はないが、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度が一般的に採用できる。
なお、導電膜形成においては最終品質（磁気記録媒体の品質）に影響を与えない範囲で剥離を補助する下地層（剥離層、無機・有機を問わない）を基板と導電膜の界面に付与してもよい。
【００２７】
次いで、図１３（ｈ）に示されるように、原盤３６の表面に、電鋳により所望の厚さの金属（ここでは、Ｎｉ）による金属盤４０を積層する（反転板形成工程）。この工程は、電鋳装置の電解液中に原盤３６を浸し、原盤３６を陽極とし、陰極との間に通電することにより行われるが、このときの電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、積層された金属盤４０に歪みのない最適条件で実施されることが求められる。
そして、上記のようにして金属盤４０の積層された原盤３６が電鋳装置の電解液から取り出され、剥離槽（不図示）内の純水に浸される。
【００２８】
次いで、剥離槽内において、金属盤４０を原盤３６から剥離し（剥離工程）、図１３（ｉ）に示すような、原盤３６から反転した凹凸状パターンを有する複製金属盤４２を得る。
ここで、剥離後の原盤は、純水で洗浄し、乾燥して再生する。再生した原盤は導電化処理からの工程を繰り返すことで同一原盤から複数の金属盤が作製できる。
【００２９】
次いで、図１３（ｊ）に示されるように、複製金属盤４２の凹凸表面上に磁性層４８を形成する。該磁性層の材料は、例えば、ＣｏＰｔからなる。該磁性層４８の厚みは、５ｎｍ〜３２０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲がより好ましく、２０ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。該磁性層４８は、上記材料のターゲットを用いスパッタリングにより形成される。
【００３０】
その後、複製金属盤４２の内径及び外径を、所定のサイズに打抜き加工する。以上のプロセスにより、図１３（ｊ）に示すように、磁性層４８が設けられた凹凸パターンを有するモールド構造体２０が作製される。
【００３１】
モールド構造体２０の表面には、凹凸パターンが形成される。また、図示を省略しているが、モールドの上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜（保護層）や、更に、保護膜上に潤滑剤層を設けてもよい。
前記保護層として、厚さが２ｎｍ〜３０ｎｍのカーボン膜を形成し、更にその上に潤滑剤層を形成した構成が好ましい。また、磁性層４８と、保護層との密着性を強化するため、磁性層４８上にＳｉ等の密着強化層を形成し、その後に保護層を形成してもよい。
【００３２】
前記モールド構造体の製造方法により製造されたモールド構造体は、磁気転写用マスター、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかに好適に用いられる。
【００３３】
−ＤＴＭ（又はＢＰＭ）用モールド−
以上により得られたモールドをＤＴＭ（又はＢＰＭ）用モールドとして利用する場合には金属盤のパターン面に離型処理（離型剤の薄膜形成）を行い、別途準備した基板上の樹脂膜と密着させてインプリント（加熱又は紫外線（ＵＶ）照射）処理を行ってパターン形状の転写を行う。
樹脂膜の凹パターンの底部の残膜をエッチングによって取り除き、更に樹脂膜パターンをマスクとしてエッチングを行って基板を加工する。アッシング処理によって樹脂膜を取り除き、必要に応じて平坦化処理（磁性層又は非磁性層をパターン溝内に充填し、ＣＭＰなどで表面を平坦化する）を行って磁気記録媒体（ＤＴＭ又はＢＰＭ）を作製する。
【００３４】
（インプリント方法）
本発明のインプリント方法は、前記モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に押圧して該モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００３５】
ここで、図１４Ａ〜図１４Ｅは、インプリント法による磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面模式図である。
まず、図１４Ａに示すように、スピンコート法等により、表面に磁性層７２を具備した磁気記録媒体基板７１上にレジスト層７３を形成した後、このレジスト層７３に本発明のモールド構造体５０を押し付けて、凹凸形状を転写する。この際、レジスト層を形成している樹脂のガラス転移温度よりも高温に加熱処理することにより、レジスト層が軟化して容易に変形可能な状態となる。
前記磁気記録媒体基板７１は、基板上に、磁性層７２を少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の層を有してなる。前記磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔなどが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記レジスト層の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
【００３６】
すると、図１４Ｂに示すように、レジスト層７３表面に本発明のモールド（スタンパー）５０の凹凸形状が転写される。このとき、レジスト層７３凹部底にはレジスト残渣が生じている。
次に、図１４Ｃに示すように、反応性イオンエッチングを用いて、レジスト凹部底のレジスト残渣を除去し、磁性層７２を露出させる。
次に、図１４Ｄに示すように、Ａｒ等のイオンミリングを用いて、レジスト層７３の凹凸形状をマスクとし、磁性層露出部を凹部について基板垂直方向に切削する。
次に、図１４Ｅに示すように、磁性層７２凸部上のレジスト層７３を除去することにより、凹凸パターンを有するディスクリート型の磁気記録媒体７０を得る。前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油等の非磁性材料で埋めてもよい。
次に、表面を平坦化する。平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成し、最後に潤滑剤を塗布する。これにより、磁気記録媒体が作製される。
【００３７】
前記インプリント法において、本発明の前記モールド構造体を用いることにより、正確な凹凸パターン（データ記録トラック）を高精度に形成することができる。
【００３８】
−磁気転写用マスター−
前記モールドを磁気転写用マスターディスクとして形成する場合には、前記金属盤の凹凸パターン表面に磁性層を有することが好ましい。
前記磁性層の磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＣｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）などが挙げられる。これらの中でも、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉが特に好ましい。
前記磁性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜法、メッキ法、塗布法などにより成膜することができる。
前記磁性層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜１５０ｎｍがより好ましい。
なお、前記磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。この場合、保護膜として厚みが３ｎｍ〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。また、磁性層と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けるようにしてもよい。潤滑剤はスレーブディスクとの接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
【００３９】
（磁気転写方法）
本発明の磁気転写方法は、初期磁化後の磁気記録媒体と、本発明の前記モールド構造体とを重ね合わせ密着させた状態で、磁界を印加し、磁気情報を磁気記録媒体の磁性層に磁気転写する磁気転写工程を少なくとも含み、初期磁化工程、密着工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００４０】
−初期磁化工程−
前記初期磁化工程は、垂直磁気記録媒体を、垂直方向に初期磁化させる工程である。
この初期磁化工程により、図１５に示されるように、スレーブディスク１０の磁性層１６について、ディスク面と垂直な一方向に初期磁化Ｐｉさせる。なお、この初期磁化工程は、スレーブディスク１０を磁界印加手段に対し相対的に回転させることにより行ってもよい。
【００４１】
−密着工程−
前記密着工程は、前記初期磁化工程後の垂直磁気記録媒体に対して、磁気転写用マスター担体を密着させる工程である。密着工程では、マスターディスクの突起状パターン（凹凸パターン）の形成されている面と、スレーブディスクの磁性層の形成されている面とを所定の押圧力で密着させる。
スレーブディスクには、マスターディスクに密着させる前に、グライドヘッド、研磨体等により、表面の微少突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）が必要に応じて施される。
【００４２】
なお、密着工程は、スレーブディスクの片面のみにマスターディスクを密着させる場合と、両面に磁性層が形成された転写用磁気ディスクについて、両面からマスターディスクを密着させる場合とがある。後者の場合では、両面を同時転写することができる利点がある。
【００４３】
−磁気転写工程−
前記磁気転写工程は、前記垂直磁気記録媒体と前記磁気転写用マスターとを密着させた状態で、前記初期磁化と逆方向の垂直磁界を印加し、前記垂直磁気記録媒体に磁気情報を転写する工程である。
【００４４】
磁気転写は、スレーブディスク及びマスターディスクを密着させたものを不図示の回転手段により回転させつつ、磁界印加手段によって記録用磁界を印加し、マスターディスクに記録されている突起状のパターンからなる情報をスレーブディスクの磁性層に磁気転写する。なお、この構成以外にも、磁界印加手段を回転させる機構を設け、スレーブディスク及びマスターディスクに対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００４５】
前記磁気転写工程における、スレーブディスク１０とマスターディスク８０の断面の様子を図１６に示す。図１６に示されるように、凹凸パターンを有するマスターディスク８０をスレーブディスク１０が密着させた状態で、記録用磁界Ｈｄを印加すると、磁束Ｇは、マスターディスク８０の凸領域とスレーブディスク１０が接触している領域では強く、記録用磁界Ｈｄにより、マスターディスク８０の磁性層８８の磁化向きが記録用磁界Ｈｄの方向に揃い、スレーブディスク１０の磁性層１６に磁気情報が転写される。一方、マスターディスク８０の凹領域は、記録用磁界Ｈｄの印加によって生じる磁束Ｇが凸領域に比べて弱く、スレーブディスク１０の磁性層１６の磁化向きが変わることはなく、初期磁化の状態を保ったままである。
【００４６】
図１７は、磁気転写に用いられる磁気転写装置について詳細に示したものである。磁気転写装置は、コア６２にコイル６３が巻きつけられた電磁石からなる磁界印加手段６０を有するものであり、このコイル６３に電流を流すことによりギャップ６４において、密着させたマスターディスク８０とスレーブディスク１０の磁性層１６に対し垂直に磁界を発生する構造になっている。発生する磁界の向きは、コイル６３に流す電流の向きによって変えることができる。従って、この磁気転写装置によって、スレーブディスク１０の初期磁化を行うことも、磁気転写を行うことも可能である。
【００４７】
この磁気転写装置により初期磁化させた後、磁気転写を行う場合には、磁界印加手段６０のコイル６３に、初期磁化したときにコイル６３に流した電流の向きと逆向きの電流を流す。これにより、初期磁化の際の磁化向きとは反対の向きに記録用磁界を発生させることができる。磁気転写は、スレーブディスク１０及びマスターディスク８０を密着させたものを回転させつつ、磁界印加手段６０によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク８０に記録されている突起状のパターンからなる情報をスレーブディスク１０の磁性層１６に磁気転写するため、不図示の回転手段が設けられている。なお、この構成以外にも、磁界印加手段６０を回転させる機構を設け、スレーブディスク１０及びマスターディスク８０に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００４８】
本実施形態では、記録用磁界Ｈｄは、本実施の形態に用いられるスレーブディスク１０の磁性層１６の保磁力Ｈｃの６０〜１３０％、好ましくは、７０〜１２０％の強度の磁界を印加することにより磁気転写を行う。
これにより、スレーブディスク１０の磁性層１６には、サーボ信号等の磁気パターンの情報が、初期磁化Ｐｉの反対向きの磁化となる記録磁化Ｐｄとして記録される（図１８参照）。
【００４９】
本発明の磁気転写方法により製造された垂直磁気記録媒体は、例えば、ハードディスク装置等の磁気記録再生装置に組み込まれて使用される。これにより、サーボ精度が高く、良好な記録再生特性の高記録密度磁気記録再生装置を得ることができる。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
ここに挙げる実施例は、パターン角部の形状を変化させるための一例にすぎず、その方法を限定するものではない。また、格子状に配置されるパターンの場合、角部の形状の変化によりパターン同士が繋がることもありえる。
【００５１】
（実施例１）
−モールド構造体の作製−
表面に凹凸パターンが形成された原盤の凹凸パターン側を、被加工基板の一方の表面に形成された電子線レジストからなるレジスト層に押し付け、前記凹凸パターンを前記レジスト層に転写する際において、
前記凹凸パターンにおける１ビットの面積Ｓｂｉｔと、該１ビットの４つの角部に前記電子線レジストが到達していない欠け部の面積Ｓｃｈｉｐとの比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合には、前記原盤における１ビットの角部の形状を変化させてモールド構造体を作製した。
具体的には、下記表１に示すように、比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕を０．４％〜８．０％まで変化させると共に、１ビットパターンの角部形状を図２、図３、及び図４に示すように変化させて、各モールド構造体を作製した。
ただし、前記Ｓｃｈｉｐは４×ｒ２×(１／ｔａｎθ−０．５π＋θ)を意味し、２ｒは電子線レジストの分解能を表し、２θは１ビットの角部の角度を表す。
【００５２】
−電子線（ＥＢ）レジストの分解能の測定−
用いた電子線レジストの分解能２ｒを、図１０に示す以下のようにして求めたところ、２ｒ＝５０ｎｍであった。
（１）ポジＥＢレジストをＳｉウエハに１００ｎｍ厚さになるようスピンコートした。
（２）ポイントビーム型ＥＢ装置を用い、直線を１００μｍ２以上の領域に描画した。
（３）線幅（＝分解能＝２ｒ）を変える場合は、電流値一定（数ｎＡ）で走査速度を変化させ（１０〜３００ｍｍ／ｓ）描画を行った。走査速度を上げると線幅は小さくなり、走査速度を下げると線幅は大きくなる。
（４）パターン描画領域の中心の１０本について現像後の線幅をＣＤ−ＳＥＭで測長し、その線幅の平均値をＥＢレジストの分解能とした。
【００５３】
作製した各モールド構造体を用いて作製した各磁気記録媒体について、以下のようにして、アドレスエラーレートを測定した。結果を表１に示す。
【００５４】
＜アドレスエラーレートの測定方法＞
各磁気記録媒体について、２００ＭＨｚ以上の周波数成分を除去した再生波形１０，０００周分を、スピンスタンドを用いてＧＭＲヘッドで取得し、デコードプログラムを使用して解析した。これにより求められた全フレーム数に対するアドレスエラーの数よりアドレスエラーレートを算出した。
【００５５】
【表１】
2010080027.tif 000003
表１の結果から、比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２．０％以上であっても、１ビット角部の形状を図３及び図４のように変化させることにより、エラーレートの上昇を防止できることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明のモールド構造体の製造方法により製造されたモールド構造体は、例えば磁気転写用マスター、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、欠け部の面積Ｓｃｈｉｐを説明するための図である。
【図２】図２は、凹凸パターンにおける１ビットの角部を変化させていない状態を示す図である。
【図３】図３は、凹凸パターンにおける１ビットの角部を四角に変化させた状態を示す図である。
【図４】図４は、凹凸パターンにおける１ビットの角部を丸に変化させた状態を示す図である。
【図５】図５は、本発明の原理を説明するための図である。
【図６】図６は、欠け部の面積Ｓｃｈｉｐを求めるための説明図である。
【図７】図７は、欠け部の面積Ｓｃｈｉｐを求めるための説明図である。
【図８】図８は、欠け部の面積Ｓｃｈｉｐを求めるための説明図である。
【図９】図９は、１ビットの角部の形状を変化させる方法を説明するための説明図である。
【図１０】図１０は、電子線レジスト分解能の測定を説明するための説明図である。
【図１１】図１１は、モールド構造体の一例を示す部分斜視図である。
【図１２】図１２は、モールド構造体の製造方法における原盤作製工程を示す工程図である。である。
【図１３】図１３は、モールド構造体の製造方法におけるモールド作製工程を示す工程図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、磁気記録媒体の製造方法における、基板上にレジスト層を形成する工程を示す断面模式図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、磁気記録媒体の製造方法における、モールド構造体による転写工程を示す断面模式図である。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、磁気記録媒体の製造方法における、反応性イオンエッチング工程を示す断面模式図である。
【図１４Ｄ】図１４Ｄは、磁気記録媒体の製造方法における、磁性層の切削工程を示す断面模式図である。
【図１４Ｅ】図１４Ｅは、磁気記録媒体の製造方法における、磁性層上のレジスト層を除去して凹凸パターンを有する磁気記録媒体を作製する工程を示す断面模式図である。
【図１５】図１５は、初期磁化工程後の磁性層（記録層）の磁化方向を示した説明図である。
【図１６】図１６は、磁気転写工程を示す説明図である。
【図１７】図１７は、磁気転写工程に用いる磁気印加装置の概略構成図である。
【図１８】図１８は、磁気転写工程後の磁性層（記録層）の磁化方向を示した説明図である。
【符号の説明】
【００５８】
１      モールド構造体
２      基板
２ａ    一の表面
３ａ    凸部
３ｂ    凹部
１０      スレーブディスク
３０      原板
３２      レジスト層
３３      パターン
３４      開口部
３６      原盤
３８      導電層
４０      金属盤
４２      複製金属盤
４８      磁性層
６０      磁界印加手段
８０      マスターディスク
【図１】
2010080027.tif 000004
【図２】
2010080027.tif 000005
【図３】
2010080027.tif 000006
【図４】
2010080027.tif 000007
【図７】
2010080027.tif 000008
【図８】
2010080027.tif 000009
【図９】
2010080027.tif 000010
【図１２】
2010080027.tif 000011
【図１７】
2010080027.tif 000012
【図５】
2010080027.tif 000013
【図６】
2010080027.tif 000014
【図１０】
2010080027.tif 000015
【図１１】
2010080027.tif 000016
【図１３】
2010080027.tif 000017
【図１４Ａ】
2010080027.tif 000018
【図１４Ｂ】
2010080027.tif 000019
【図１４Ｃ】
2010080027.tif 000020
【図１４Ｄ】
2010080027.tif 000021
【図１４Ｅ】
2010080027.tif 000022
【図１５】
2010080027.tif 000023
【図１６】
2010080027.tif 000024
【図１８】
2010080027.tif 000025