(57)【要約】【課題】フレキシブルな薄膜コンデンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る薄膜コンデンサ１は、誘電体セラミックスからなる誘電体層２と、誘電体層２の両面に隙間無く形成され、誘電体層２を介して対向している２つの導体層３ａ，３ｂを有する。【選択図】図１
2010098109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結体からなる誘電体層と、
前記誘電体層の両面を隙間無く被覆する焼結体からなる導体層と、
を有する薄膜コンデンサ。
【請求項２】
前記誘電体層の厚さは、５μｍ以下であり、
前記誘電体層の厚さに対する前記導体層の厚さの比の値が２以上５０以下である、
請求項１記載の薄膜コンデンサ。
【請求項３】
前記誘電体層は、誘電体セラミック粉末、およびバインダを含むセラミックグリーンシートが焼成されたものであり、
前記導体層は、導体粉末、誘電体セラミック粉末、およびバインダを含む導体グリーンシートが焼成されたものである、
請求項１又は２に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項４】
誘電体セラミック粉末およびバインダを含むセラミックグリーンシートと、導体粉末およびバインダを含む導体グリーンシートとを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートの両面に、それぞれ前記導体グリーンシートを圧着させて積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成して、誘電体層、および前記誘電体層の両面を隙間無く被覆する導体層を形成する工程と、
を有する薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記導体グリーンシートとして、導体粉末、バインダ、および誘電体セラミック粉末を含む導体グリーンシートを形成する、
請求項４記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記導体グリーンシートとして、前記導体粉末の比表面積に対する前記誘電体セラミック粉末の比表面積の比の値が１０以上４０以下であり、かつ、前記導体粉末の重量に対する前記誘電体セラミック粉末の重量が３重量％以上３０重量％以下であるものを形成する、
請求項５記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記導体グリーンシートに含まれる前記誘電体セラミック粉末は、ＭｇＯ、およびＢａＯのうち少なくともいずれか一方を含む第１副成分、ＳｉＯ2を主成分とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ2ＯおよびＢ2Ｏ3から選ばれる少なくとも１種を含んでなる複合酸化物である第２副成分、ならびに、Ｒ（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕ、およびＨｏから選ばれる少なくとも１種の元素）の酸化物を含む第３副成分をさらに含有する、
請求項５記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、薄型化が要求されており、電子機器に用いられるＩＣやコンデンサなどの電子部品が実装された回路基板にもさらなる薄型化が熱望されている。特に、例えば非接触ＩＣカードなどの電子部品内蔵カードやタグの厚さは、既に１ｍｍ以下と非常に薄くなってきており、それに内蔵される電子部品に対して数百μｍ以下の厚さが要求されている。
【０００３】
このような状況下、電子部品の薄型化に対応すべく、これまでのところ、薄くても剛性の高い低背型コンデンサの開発が広く行なわれてきた。しかしながら、電子部品のさらなる薄型化が進めば、機械強度（構造強度）の低下は本質的に避け難く、一定の剛性を維持するには限界がある。そこで、今後は、剛性を高めるのではなく、外部からの衝撃や曲げ応力が印加されても、それらを吸収又は緩和することができるようなフレキシブルな電子部品の開発へと移行する可能性があり、薄膜コンデンサについても、かかる外部からの曲げや撓みに強いフレキシブルな製品の実現が求められる。
【０００４】
ところで、薄型化を企図した先行技術としては、金属箔上に誘電体グリーンシート及び導体グリーンシートを積層したものを焼成することにより、薄膜コンデンサを形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、セラミックグリーンシートの両面に導体グリーンシートを積層したものを焼成し、焼成後の導体層の一部を除去するようにパターニングして薄膜コンデンサを形成する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−４９６５３号公報
【特許文献２】特開２００６−３２４６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者が上記従来の特許文献１および２に記載の薄膜コンデンサの製造技術について詳細に検討したところ、かかる製法で得られる薄膜コンデンサでは、上述したような厚さが数百μｍ以下のものとした場合、想定される外部応力などに対して十分な耐性を有する程度の可撓性を実現することができないことが判明した。
【０００６】
そのようなフレキシブルな薄膜コンデンサを実現するためには、製造過程において、焼成後の誘電体層や導体層のクラックの発生を防止することはもとより、外部から衝撃や力が印加されて撓んだ際にも、誘電体層や導体層のクラックの発生や、層間の接合剥がれを防止することが必要となるが、上記従来の製法では、以下の点で不都合がある。
【０００７】
すなわち、特許文献１に記載の薄膜コンデンサは、金属箔と誘電体グリーンシートとの熱膨張係数の差異に起因して、焼成時の収縮率差がある程度大きいため、焼成後の誘電体層に、局所的な途切れやクラックが発生するおそれがある。また、特許文献２に記載の薄膜コンデンサでは、パターニングされた導体層の下に、金属に比して可撓性の低い誘電体層が露出した構造を有するため、曲げが生じた際に誘電体層のその露出部分に局所的に力が集中して作用してしまい、その露出部分を起点としてクラックが発生するおそれが多分にある。
【０００８】
そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来に比して可撓性を十分に高めることができ、これにより、印加される応力に対する耐性を向上させることができるフレキシブルな薄膜コンデンサおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明による薄膜コンデンサは、焼結体からなる誘電体層と、誘電体層の両面を隙間無く、すなわち、誘電体層の途切れを有することなく被覆する焼結体からなる導体層とを有する。
【００１０】
上記構成では、焼結体からなる誘電体層の両面が隙間無く導体層により被覆されていることから、薄膜コンデンサに対して外部から曲げや衝撃といった応力が作用すると、薄膜コンデンサの全体が撓むこととなり、これにより、印加された応力が、薄膜コンデンサ全体で吸収または緩和され、局所的な応力集中が抑止されるので、同程度の曲げ応力などが印加された場合でも、従来の如く誘電体層の一部が露出している場合に比して、導電体層および誘電体層におけるクラックの発生や層間剥離が抑制される。
【００１１】
好ましくは、誘電体層の厚さは、５μｍ以下であり、誘電体層の厚さａに対する導体層の厚さｂの比の値ｂ／ａが２以上５０以下である。
【００１２】
誘電体層の厚さが５μｍを超えると、場合によっては誘電体層が過度に硬くなってしまい、可撓性が不都合な程度に低下してしまう傾向にある。また、誘電体層の厚さａに対する導体層の厚さｂの比の値ｂ／ａが２より小さいと、導体グリーンシートの焼成時の収縮が相対的に過度に大きくなることがあり、焼成後の導体層に途切れが発生する可能性が高まる傾向にある。さらに、この場合、コンデンサに含まれる金属層（導体層）の体積の低下により、可撓性が不都合な程度にまで低下してしまうことがあり得る。一方、誘電体層の厚さａに対する導体層ｂの厚さの比の値ｂ／ａが５０より大きいと、薄膜コンデンサ自体が硬くなりすぎることがあり、その剛性は高まるものの、上述した金属層の体積が低下してしまう場合と同様に、可撓性を十分に高めることができないことがあり得る。
【００１３】
また、好ましくは、誘電体層は、誘電体セラミック粉末、およびバインダを含むセラミックグリーンシートが焼成されたものであり、導体層は、導体粉末、誘電体セラミック粉末、およびバインダを含む導体グリーンシートが焼成されたものである。このように、導体グリーンシートに誘電体セラミック粉末を添加することにより、導体グリーンシートとセラミックグリーンシートとの焼成収縮率の差が小さくなり、焼成後の誘電体層に発生する途切れやクラックが抑制される。
【００１４】
さらに、上記の課題を解決するため、本発明による薄膜コンデンサの製造方法は、本発明の薄膜コンデンサを有効に製造するための方法であって、誘電体セラミック粉末、およびバインダを含むセラミックグリーンシートと、導体粉末、およびバインダを含む導体グリーンシートとを形成する工程と、セラミックグリーンシートの両主面にそれぞれ導体グリーンシートを圧着させて積層体を形成する工程と、その積層体を焼成して、誘電体層、および誘電体層の両面を隙間無く被覆する導体層を形成する工程とを有する。
【００１５】
また、導体グリーンシートとして、導体粉末、バインダ、および誘電体セラミック粉末を含む導体グリーンシートを形成することが好ましい。
【００１６】
さらに、好ましくは、導体グリーンシートとして、導体粉末の比表面積に対する誘電体セラミック粉末の比表面積の比の値が１０以上４０以下であり、かつ、導体粉末の重量に対する誘電体セラミック粉末の重量が３重量％以上３０重量％以下であるものを形成する。なお、ここでの「比表面積」とは、ＢＥＴ比表面積を示す。
【００１７】
導体粉末の比表面積に対する誘電体セラミック粉末の比表面積の比表面積の比の値が１０未満の場合、導体グリーンシート内部で、導体粉末と誘電体セラミック粉末の厚さ方向の密度にばらつき（疎密変動）が生じ易い傾向にあり、その結果、焼成時に、導体グリーンシート内の収縮が十分に均一に進まず、焼成後のコンデンサにうねりやクラックが生じ易くなってしまう。一方、導体粉末の比表面積に対する誘電体セラミック粉末の比表面積の比の値が４０を超える場合、誘電体セラミック粉末同士が凝集し易くなる傾向にあり、結果的に比表面積の比の値が１０未満のときと同様に、コンデンサにうねりやクラックが生じ易くなってしまう。
【００１８】
また、導体粉末の重量に対する誘電体セラミック粉末の重量が３重量％未満であると、セラミックグリーンシートと導体グリーンシートの熱膨張係数の差異に起因して、焼成後にクラックや剥離が発生し易くなることがある。一方、導体粉末の重量に対する誘電体セラミック粉末の重量が３０重量％よりも大きい場合には、薄膜コンデンサの剛性が高まる傾向にあるものの、外部からの曲げ応力に対する十分な耐性を得難くなる傾向にある。
【００１９】
またさらに、導体グリーンシートに含まれる誘電体セラミック粉末は、ＭｇＯ、およびＢａＯのうち少なくともいずれか一方を含む第１副成分、ＳｉＯ2を主成分とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ2ＯおよびＢ2Ｏ3から選ばれる少なくとも１種を含んでなる複合酸化物である第２副成分、ならびに、Ｒ（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕ、およびＨｏから選ばれる少なくとも１種の元素）の酸化物を含む第３副成分をさらに含有することが好ましい。このように導体グリーンシートに含まれる誘電体セラミック粉末に上述した副成分を加えることにより、焼成時に誘電体セラミック粉末の粒化およびその成長が良好に抑制され、これにより、導体層の収縮率を小さく抑え易くなるので、焼成中に生起され得るうねりの発生がさらに一層抑制される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の薄膜コンデンサおよびその製造方法によれば、薄膜コンデンサにおける焼結体からなる誘電体層の両面が、焼結体からなる導体層により隙間無く被覆されることにより、曲げや衝撃といった応力が印加された場合でも、薄膜コンデンサの全体が撓んで局所的な応力集中が抑止されるので、従来に比して可撓性を十分に高めることができ、これにより、印加される応力に対する薄膜コンデンサの耐性を十分に向上させることができ、製品の信頼性を格段に高め、かつ、電子機器の更なる薄型化に資することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００２２】
図１は、本実施形態に係る薄膜コンデンサ１を示す断面図である。
本実施形態に係る薄膜コンデンサ１は、誘電体セラミックスからなる誘電体層２と、誘電体層２の両面に隙間無く形成され、誘電体層２を介して対向している２つの導体層３ａ，３ｂを有する。
【００２３】
誘電体層２は、ＢａＴｉＯ3系、ＳｒＴｉＯ3系、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3系などの誘電体セラミックスからなり、誘電体セラミック粉末とバインダとを含んでなるセラミックグリーンシートが焼成されて形成されたものである。
【００２４】
導体層３ａ，３ｂは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｕなどの金属を主成分とし、導体粉末と誘電体セラミック粉末とバインダとを含んでなる導体グリーンシートが焼成されて形成されたものである。
【００２５】
次に、上記の本実施形態に係る薄膜コンデンサ１の製造方法について、図２〜図５を参照して説明する。
【００２６】
（１）セラミックグリーンシートの作製工程
ＢａＴｉＯ3系を主成分とする誘電体セラミック粉末と、バインダと、溶剤とを混合し、セラミックスラリーを得る。セラミックスラリーには、必要に応じて可塑剤、分散剤、消泡剤、添加材などを加えてもよい。誘電体セラミック粉末のＢＥＴ比表面積値（ＢＥＴ値）は３．６ｍ2／ｇとした。バインダは、ポリビニルブチラール系が好ましいが、エチルセルロース系、アクリロニトリル系でも構わない。
次に、図２に示すように、ＰＥＴフィルム２０上において、セラミックスラリーをドクターブレード法でシート状に成形してセラミックグリーンシート２１を得る。乾燥後のセラミックグリーンシート２１の厚みは３μｍとし、焼成後の最終的な誘電体層の厚みは２μｍであった。
【００２７】
（２）導体グリーンシートの作製工程
一方、導体粉末（Ｎｉ粉末）と、ＢａＴｉＯ3系を主成分とする誘電体セラミック粉末と、バインダと、溶剤とを混合し、導体スラリーを得る。また、導体スラリーには必要に応じて可塑剤、分散剤、消泡剤、などを加えてもよい。副成分は、誘電体セラミック粉末１００モルに対して、第１副成分（ＭｇＯ）を２モル、第２副成分を３モル、第３副成分（Ｙ2Ｏ3）を４モルとした。誘電体セラミック粉末量は、導体粉末に対して１０重量％とした。バインダは、ポリビニルブチラール系が好ましいが、エチルセルロース系、アクリロニトリル系でも構わない。導体粉末のＢＥＴ値は３．６ｍ2／ｇ、誘電体セラミック粉末のＢＥＴ値を５４ｍ2／ｇ（導体粉末と誘電体セラミック粉末のＢＥＴ比表面積値の比は１：１５）とした。
次に、図３に示すように、ＰＥＴフィルム３０上において、導体スラリーをドクターブレード法でシート状に成形して導体グリーンシート３１，３２を得る。乾燥後の導体グリーンシートの厚みは１５μｍであり、焼成後の導体層の厚みは１０μｍ（誘電体層と導体層の厚み比１：５）であった。
【００２８】
本実施形態のように、導体スラリーに加える誘電体セラミック粉末には、ＭｇＯ、およびＢａＯのうち少なくともいずれか一方を含む第１副成分、ＳｉＯ2を主成分とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ2ＯおよびＢ2Ｏ3から選ばれる少なくとも１種を含んでなる複合酸化物である第２副成分、ならびに、Ｒ（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕ、およびＨｏから選ばれる少なくとも１種の元素）の酸化物を含む第３副成分から成る添加材を混合することが好ましい。副成分量は、誘電体セラミック粉末１００モルに対して、第１副成分は０．１〜３モル、第２副成分２〜１２モル、第３副成分は０．１〜１０モル（Ｒ単独での比率）が好ましい。コート粉であれば、さらに好ましい。誘電体セラミック粉末に添加材を加えることで、焼成時に誘電体セラミック粉末の粒成長が抑制され、導体の収縮率を小さくすることができ、焼成中に発生するうねりを抑える効果がある。
【００２９】
また、誘電体セラミック粉末量は導体粉末に対して３重量％以上３０重量％以下が好ましい。誘電体セラミック粉末量が不足している場合、セラミックグリーンシートと導体グリーンシートの熱膨張差が大きく、焼成体にクラックや剥離が発生する。一方、過剰な場合では、導体層中に含まれるセラミック成分が多くなるため、曲げに対して弱くなる。
【００３０】
さらに、焼成後の誘電体層に対する導体層の厚さの比の値は２以上５０以下が好ましい。２未満であると、導体グリーンシートの収縮が大きくなり、焼成時に導体層に途切れが発生する。また、コンデンサに含まれる金属層の体積が小さくなるため、曲げに対して弱くなる。一方で、５０より大きいと金属層の体積が大きく、曲がりにくくなる。その結果、コンデンサを実装した基板が曲がっても、コンデンサが曲がらず、接合部が剥れてしまう。
【００３１】
導体グリーンシートにおいて、導体粉末の比表面積に対する誘電体セラミック粉末の比表面積の比の値（ＢＥＴ比）は５以上５０以下がよく、好ましくは、１０以上４０以下である。ＢＥＴ比が小さいすぎる場合、導体グリーンシート内部で、導体粉末と誘電体セラミック粉末の厚み方向密度に分布が生じる。その結果、焼成時に、導体グリーンシート内の収縮が均一に進まず、焼成後のコンデンサにうねりやクラックが生じる。一方、ＢＥＴ比が大きい場合、誘電体セラミック粉末同士が凝集してしまい、結果的にＢＥＴ比が小さい場合と同様に、コンデンサにうねりやクラックが生じる。また、誘電体セラミック粉末量、ＢＥＴ比が上記の範囲内であると、導体粉末の粒成長を抑制し、導体層の粒子径が小さくなり、コンデンサの強度が向上する効果もある。
【００３２】
（３）積層グリーンシートの作製工程
図４に示すように、セラミックグリーンシート２１および導体グリーンシート３１，３２の乾燥体をＰＥＴフィルム２０，３０からそれぞれ剥離して、導体グリーンシート３１、セラミックグリーンシート２１、導体グリーンシート３２の順に重ねて積層シートを形成し、当該積層シートを５０ｍｍ角に切断し、切断した積層体に対して７０℃、１ｔ、１分間の圧着を行った。
ここで、ドクターブレードで成形したセラミックグリーンシートは低粘度のセラミックペーストをスクリーン印刷し、乾燥させて形成しても構わない。セラミックグリーンシート上に積層した導体グリーンシートについても、スクリーン印刷により形成しても構わない。
【００３３】
（４）焼成工程
次に、図５に示すように、上述した積層シートをセラミックセッター４０上に載せた状態で、１２００℃で２時間焼成した。セラミックセッター４０は、平滑なものであっても、ハニカム状のものであってもよい。
【００３４】
最後に焼成体を切断することにより、所望の大きさ、例えば、１５ｍｍ角の薄膜コンデンサを得た。なお、導体層が最外部になると不都合が生じるときは、導体層の外側にポリイミド等の樹脂やセラミック絶縁層を設けてもよい。
【００３５】
（Ａ）評価試験１
誘電体層２と導体層３ａ，３ｂの厚みの比を変えて作製した薄膜コンデンサについて、導体層の途切れの有無を顕微鏡で確認し、さらに３点曲げ試験を行なった。表１にその結果を示す。試験数はｎ＝１０で行った。表１において、１つでも導体層途切れが発生した場合は×、発生しない場合は◎とした。また、曲げ試験後に、１つでもクラックの発生、接合部の剥がれが発生した場合は×、発生しない場合は◎とした。３点曲げ試験では、サンプルを曲げ試験用ガラスエポキシ基板に貼り付け、曲率半径が１００ｍｍになるまで曲げて、試験中に電気特性評価（ＩＲ変化率）の評価をした。クラックの発生は、２０倍の顕微鏡にて確認した。
【００３６】
【表１】
2010098109.tif 000003
【００３７】
表１に示すように、誘電体層の厚さに対する導体層の厚さの比の値が２以上であれば、焼成後の導体層途切れが発生せず、曲げが生じた場合であっても、クラックの発生や接合剥がれの発生が抑制できることがわかる。反対に、誘電体層の厚さに対する導体層の厚さの比の値が５０を超えると、導体層途切れは発生しないが、曲げが生じると接合剥がれが生じてしまい、可撓性がなくなることがわかる。
【００３８】
（Ｂ）評価試験２
導体グリーンシートの作製において、導体粉末の比表面積に対する誘電体セラミック粉末の比表面積の比の値（ＢＥＴ値の比）、および導体粉末の重量に対する誘電体セラミック粉末の重量（誘電体セラミック粉末量）を変えて薄膜コンデンサを作製し、作製した薄膜コンデンサについて、うねりの評価、焼成後のクラックの有無の観察、および曲げ試験を行なった。誘電体セラミック粉末としてＢａＴｉＯ3系のみを用いた場合の評価結果を表２に示し、誘電体セラミック粉末としてＢａＴｉＯ3系の主成分に加えて実施形態で挙げた第１乃至第３副成分を加えた場合の評価結果を表３に示す。
【００３９】
うねりの評価は、表面粗さ計を用いて、コンデンサ表面のＲｍａｘ（μｍ）で評価した。表２、３において、２００μｍ以上で×、１０１〜１９９μｍで○、１００μｍ以下で◎とした。
焼成後のクラックの有無は、焼成体の表面、断面を顕微鏡で確認し、クラックがある場合は×、クラックがない場合は◎とした。
曲げ試験では、サンプルを曲げ試験用ガラスエポキシ基板に貼り付け、曲率半径が１００ｍｍになるまで曲げて、試験中に電気特性評価（ＩＲ変化率）の評価をした。試験数はｎ＝１０で行った。表２、３において、ｌｏｇＩＲで１．０以上変化したサンプルが１つでも発生した場合を×とし、０．６〜０．９である場合は○、０．５以下の場合を◎とした。また、曲げ試験後に２０倍の顕微鏡にてクラックの発生を確認した。１つでもクラックが発生した場合を×、発生しない場合を◎とした。
【００４０】
【表２】
2010098109.tif 000004
【００４１】
【表３】
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【００４２】
表２に示すように、導体粉末の重量に対する誘電体セラミック粉末の重量が３重量％以上３０重量％以下の場合に、焼成後のクラックおよび曲げによるクラックの発生が抑制できていることがわかる。導体粉末の重量に対する誘電体セラミック粉末の重量が３重量％未満と少ない場合には、焼成後にクラックが発生している。反対に、導体粉末の重量に対する誘電体セラミック粉末の重量が３０重量％を超えると、曲げに対して弱くなりクラックが発生することがわかる。
【００４３】
また、表２に示すように、導体粉末の比表面積に対する誘電体セラミック粉末の比表面積の比の値（ＢＥＴ値の比）が５以上５０以下の場合に、焼成後のクラックの発生が抑制できていることがわかる。ＢＥＴ値の比が、１０以上４０以下の場合には、さらに、焼成によるうねりの発生も抑制できており、曲げが発生してもコンデンサの特性が維持できていることがわかる。
【００４４】
さらに、表３に示すように、第１乃至第３副成分を添加することにより、焼成中に発生するうねりが抑制できていることがわかる。これは、このような副成分を添加することにより、焼成時に誘電体セラミック粉末の粒成長が抑制され、導体の収縮率を小さくすることができるからである。
【００４５】
（Ｃ）評価試験３
導体スラリー中の誘電体セラミック粉末に含まれる、第３副成分である酸化物の金属成分ＲとしてＹからＤｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｈｏに変えて、コンデンサを作製し、同様の試験を行った。その結果を表４に示す。表４の各評価項目および評価の仕方については、表２、３で説明したものと同様である。
【００４６】
【表４】
2010098109.tif 000006
【００４７】
表４からわかるように、第３副成分である酸化物の金属成分ＲとしてＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｈｏのいずれを用いても、焼成中に発生するうねりが抑制されることがわかる。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態に係る薄膜コンデンサによれば、誘電体層の厚さに対する導体層の厚さの比の値を２以上５０以下とすることにより、導体層の途切れを抑えて、曲げが生じた場合においてもクラックの発生し難い薄膜コンデンサを作製できる。また、柔軟性を備え、実装基板の変形に追従可能な薄膜コンデンサを作製できる。
【００４９】
さらに、導体粉末の比表面積に対する誘電体セラミック粉末の比表面積の比の値が１０以上４０以下であり、かつ、導体粉末の重量に対する誘電体セラミック粉末の重量が３重量％以上３０重量％以下である導体グリーンシートを用いることにより、導体グリーンシート内部の導体粉末と誘電体セラミック粉末の厚み方向の密度分布がなくなり、導体グリーンシートを均一に収縮させることができ、焼成による、うねりやクラックが発生しないコンデンサを作製できる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、セラミック電子部品、およびマルチチップモジュール、移動体通信端末用の回路モジュールなどに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施形態に係る薄膜コンデンサを示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造工程を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造工程を示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造工程を示す断面図である。
【図５】本実施形態に係る薄膜コンデンサの製造工程を示す断面図である。
【図６】曲げ試験を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…薄膜コンデンサ、２…誘電体層、３ａ，３ｂ…導体層、２０…ＰＥＴフィルム、２１…セラミックグリーンシート、３０…ＰＥＴフィルム、３１，３２…導体グリーンシート、４０…セラミックセッター。
【図１】
2010098109.tif 000007
【図２】
2010098109.tif 000008
【図３】
2010098109.tif 000009
【図４】
2010098109.tif 000010
【図５】
2010098109.tif 000011
【図６】
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