(57)【要約】【課題】パッド部に形成される反射電極による腐蝕等の問題を改善する。【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成されて第１パッド部を含む第１信号線と、前記第１信号線と交差して第２パッド部を含む第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線とに電気的に接続する第１薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタと電気的に接続する第２薄膜トランジスタと、前記第２薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に形成される発光部材と、前記第１パッド部及び第２パッド部の上に形成されるコンタクト補助部材と、前記コンタクト補助部材の周縁を取り囲む保護隔壁と、を有する有機発光表示装置及びその製造方法に関する。【選択図】      図３
2010003668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成されて第１パッド部を含む第１信号線と、前記第１信号線と交差して第２パッド部を含む第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線とに電気的に接続する第１薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタと電気的に接続する第２薄膜トランジスタと、前記第２薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に形成される発光部材と、前記第１パッド部及び第２パッド部の上に形成されるコンタクト補助部材と、前記コンタクト補助部材の周縁を取り囲む保護隔壁と、を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１パッド部と前記コンタクト補助部材との間に形成されるパッド補助部材をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記パッド補助部材は、前記第２信号線と同一物質で形成されることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記画素電極上に形成される隔壁をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記隔壁と前記保護隔壁とは同一物質で形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記隔壁の厚さは、前記保護隔壁の厚さよりも厚く形成することを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記保護隔壁は、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂を含む有機絶縁物質であることを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記保護隔壁は、酸化シリコン又は酸化チタンを含む無機物質であることを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記画素電極と前記コンタクト補助部材とは同一物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記コンタクト補助部材は、下部透明電極、前記下部透明電極上に形成される反射電極、及び前記反射電極上に形成される上部透明電極を含むことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記反射電極は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）及びプラチナ（Ｐｔ）のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
基板上に第１パッド部を含む第１信号線を形成し、前記第１信号線と交差して第２パッド部を含む第２信号線を形成し、前記第１信号線及び第２信号線と電気的に接続する薄膜トランジスタを形成し、前記第１パッド部及び第２パッド部の上にコンタクト補助部材を形成し、前記薄膜トランジスタの上に画素電極を形成し、前記画素電極上に発光部材を形成し、前記コンタクト補助部材の周縁を取り囲むように保護隔壁を形成し、前記発光部材の上に共通電極を形成することを含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記保護隔壁を形成することは、前記画素電極上に隔壁を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記保護隔壁を形成することは、スリットマスクを用いて前記隔壁の厚さより薄く形成することを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記コンタクト補助部材は、下部透明電極層、反射電極層、上部透明電極層を順次に積層した後、同時にフォトエッチングして形成することを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記コンタクト補助部材と前記画素電極とは、同時に形成することを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、モニタやテレビ等の軽量化及び薄型化が要求されており、このような要求を充足する表示装置の１つとして、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ  ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。
【０００３】
有機発光表示装置は、二つの電極とその間に位置する発光層を含み、１つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出して発光する。
【０００４】
有機発光表示装置は、自発光型であるため、別の光源が不要であり、消費電力の面で有利であるとともに、応答速度、視野角及びコントラスト比の面でも向上している。
【０００５】
しかし、有機発光表示装置の発光層は全方向に発光するため、特定方向に対する発光効率を向上させるための研究が行われており、その一つとして、二つの電極のうち一部の電極に反射電極を備える有機発光表示装置の研究が行われている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機発光表示装置の発光効率を向上させるため、一部の電極に反射電極を形成する場合、工程の単純化を図るために外部駆動回路に接続する部分であるパッド部にも同一の反射電極を形成することがある。このとき、パッド部に形成される反射電極が外部に露出し、腐蝕等の問題が発生することがある。
【０００７】
そこで、本発明は、パッド部に形成される反射電極による腐蝕等の問題を改善することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、基板と、基板上に形成されて第１パッド部を含む第１信号線と、第１信号線と交差して第２パッド部を含む第２信号線と、第１信号線と第２信号線とに電気的に接続する第１薄膜トランジスタと、第１薄膜トランジスタと電気的に接続する第２薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極と、画素電極と対向する共通電極と、画素電極と共通電極との間に形成される発光部材と、第１パッド部及び第２パッド部の上に形成されるコンタクト補助部材と、コンタクト補助部材の周縁を取り囲む保護隔壁と、を有する。
【０００９】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、第１パッド部とコンタクト補助部材との間にパッド補助部材をさらに有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、パッド補助部材は、第２信号線と同一物質で形成されることを特徴とする。
【００１１】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、画素電極上には隔壁をさらに形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、隔壁と保護隔壁とは同一物質で形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、隔壁の厚さは、保護隔壁の厚さより厚く形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、保護隔壁は、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂を含む有機絶縁物質であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、保護隔壁は、酸化シリコン又は酸化チタンを含む無機物質であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、画素電極とコンタクト補助部材とは、同一物質で形成することを特徴とする。
【００１７】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、コンタクト補助部材は、下部透明電極、下部透明電極上に形成された反射電極、及び反射電極上に形成された上部透明電極を含むことを特徴とする。
【００１８】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、反射電極は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）及びプラチナ（Ｐｔ）のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法は、基板上に第１パッド部を含む第１信号線を形成し、第１信号線と交差し第２パッド部を含む第２信号線を形成し、第１信号線及び第２信号線と電気的に接続する薄膜トランジスタを形成し、第１パッド部及び第２パッド部の上にコンタクト補助部材を形成し、薄膜トランジスタの上に画素電極を形成し、画素電極上に発光部材を形成し、コンタクト補助部材の周縁を取り囲むように保護隔壁を形成し、さらに、発光部材の上に共通電極を形成することを含む。
【００２０】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法は、保護隔壁を形成することにおいて、画素電極上に隔壁を形成することをさらに含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法は、保護隔壁を形成することは、スリットマスクを用いて隔壁より薄く形成することを特徴とする。
【００２２】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法は、コンタクト補助部材は、下部透明電極層、反射電極層、上部透明電極層を順次に積層した後、同時にフォトエッチングして形成することを特徴とする。
【００２３】
本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法は、コンタクト補助部材と画素電極とは、同時に形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、有機発光表示装置のパッド部に保護隔壁を形成することで、パッド部の反射電極による腐蝕等の問題を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の等価回路図である。
【図２】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の配置図である。
【図３】図２の有機発光表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施例に従って製造する中間段階の断面図である。
【図５】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施例に従って製造する中間段階の断面図である。
【図６】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施例に従って製造する中間段階の断面図である。
【図７】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施例に従って製造する中間段階の断面図である。
【図８】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施例に従って製造する中間段階の断面図である。
【図９】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施例に従って製造する中間段階の断面図である。
【図１０】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施例に従って製造する中間段階の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
添付した図面を用いながら、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２７】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板等の部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２８】
まず、本発明の一実施例に係る有機発光表示装置について、図１を参照して詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の等価回路図である。
【００３０】
図１を参照すると、本実施例による有機発光表示装置は、複数の信号線（１２１、１７１、１７２）とこれらに接続するほぼ行列（ｍａｔｒｉｘ）状に配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）を含む。
【００３１】
信号線は、ゲート信号（又は走査信号）を伝達する複数のゲート線１２１、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１、及び駆動電圧を伝達する複数の駆動電圧線１７２を含む。複数のゲート線１２１は、ほぼ行方向に延びて互いにほぼ平行であり、複数のデータ線１７１と複数の駆動電圧線１７２とは、ほぼ列方向に延びて互いにほぼ平行である。
【００３２】
各画素（ＰＸ）は、スイッチングトランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（Ｑｓ）、駆動トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（Ｑｄ）、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（Ｃｓｔ）及び有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）（ＬＤ）を含む。
【００３３】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、制御端子、入力端子及び出力端子を有し、制御端子はゲート線１２１に接続し、入力端子はデータ線１７１に接続し、出力端子は駆動トランジスタ（Ｑｄ）に接続している。スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、ゲート線１２１に印加される走査信号に応答してデータ線１７１に印加されるデータ信号を駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達する。
【００３４】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）も同様に制御端子、入力端子及び出力端子を有し、制御端子はスイッチングトランジスタ（Ｑｓ）に接続し、入力端子は駆動電圧線１７２に接続し、出力端子は有機発光ダイオード（ＬＤ）に接続している。駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、制御端子と出力端子の間に加わる電圧に応じて異なる大きさの出力電流（ＩＬＤ）を流す。
【００３５】
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と入力端子の間に接続している。このキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）がターンオフ後もこれを維持する。
【００３６】
有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子に接続するアノード（ａｎｏｄｅ）と、共通電圧（Ｖｓｓ）に接続するカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）を有する。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力電流（ＩＬＤ）に応じて異なる強さで発光することによって画像を表示する。
【００３７】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、ｎ−チャネル電界効果トランジスタ（ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＦＥＴ）である。しかし、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）のうちの少なくとも１つは、ｐ−チャネル電界効果トランジスタであってもよい。また、トランジスタ（Ｑｓ、Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）及び有機発光ダイオード（ＬＤ）の接続は変更可能である。
【００３８】
以下、図１に示される有機発光表示装置の詳細構造について、図２及び図３を参照して詳細に説明する。
【００３９】
図２は、本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の配置図である。図３は、図２の有機発光表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【００４０】
透明なガラス又はプラスチック等からなる絶縁基板１１０の上に、第１制御電極１２４ａを有する複数のゲート線１２１が形成されている。
【００４１】
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、他の層又は外部駆動回路との接続のために広い面積の第１パッド部１２９を有し、第１制御電極１２４ａはゲート線１２１から上に延びている。
【００４２】
ゲート線１２１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金等の銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金等の銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金等のモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）等で形成される。しかし、これらは物理的性質の異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【００４３】
ゲート線１２１の側面は基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０°〜約８０°であることが好ましい。
【００４４】
ゲート線１２１の上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）又は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等からなる下部ゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００４５】
下部ゲート絶縁膜１４０の上には、第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂが形成されている。第１半導体１５４ａと第２半導体１５４ｂは、微結晶シリコン（ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）又は多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）からなる。
【００４６】
第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂの上には、各々複数対の第１オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６４ａと複数対の第２オーミックコンタクト部材１６４ｂが形成されている。オーミックコンタクト部材（１６４ａ、１６４ｂ）は島形状であり、リン（Ｐ）等のｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化アモルファスシリコン又は微結晶シリコン等の物質で形成される。
【００４７】
オーミックコンタクト部材（１６４ａ、１６４ｂ）及び下部ゲート絶縁膜１４０の上には、複数のデータ線１７１、複数の駆動電圧線１７２及び複数の第１及び第２出力電極（１７５ａ、１７５ｂ）を有する複数のデータ導電体が形成されている。
【００４８】
データ線１７１は、データ信号を伝達し主に縦方向に延びて、ゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、第１制御電極１２４ａに向かって伸びる複数の第１入力電極１７３ａと、他の層又は外部駆動回路との接続のために広い面積を有する第２パッド部１７９を含む。
【００４９】
駆動電圧線１７２は、駆動電圧を伝達し主に縦方向に延びて、ゲート線１２１と交差する。各駆動電圧線１７２は複数の第２入力電極１７３ｂを含む。
【００５０】
第１及び第２出力電極（１７５ａ、１７５ｂ）は互いに分離されており、データ線１７１及び駆動電圧線１７２とも分離されている。第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａは、第１半導体１５４ａを中心に対向し、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂは第２半導体１５４ｂを中心に対向する。
【００５１】
データ導電体（１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂ）は、アルミニウム、銅及び銀等の低抵抗金属やこれらの合金、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウム等の高融点金属やこれらの合金からなることが好ましく、高融点金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【００５２】
ゲート線１２１と同様に、データ導電体（１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂ）もまた、その側面が基板１１０面に対して約３０°〜約８０°の傾斜角で傾斜することが好ましい。
【００５３】
データ導電体（１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂ）、半導体（１５４ａ、１５４ｂ）の露出した部分、及び下部ゲート絶縁膜１４０の上には、窒化シリコン又は酸化シリコン等からなる上部ゲート絶縁膜１８０が形成されている。
【００５４】
上部ゲート絶縁膜１８０には第１出力電極１７５ａ、第２出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）（１８５ａ、１８５ｂ）が形成されている。
【００５５】
上部ゲート絶縁膜１８０の上には、第２制御電極１２４ｂが形成されている。
【００５６】
第２制御電極１２４ｂは、第２半導体１５４ｂとオーバーラップし、維持電極１２７を含む。維持電極１２７は、駆動電圧線１７２とオーバーラップする。第２制御電極１２４ｂはコンタクトホール１８５ａを介して第１出力電極１７５ａに接続している。
【００５７】
第２制御電極１２４ｂは、ゲート線１２１と同じ材料で形成される。
【００５８】
第２制御電極１２４ｂの側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０°〜約８０°であることが好ましい。
【００５９】
第２制御電極１２４ｂ、及び上部ゲート絶縁膜１８０の上には、複数のコンタクトホール（１８１、１８２）を有する複数の保護部材１９３が形成されている。これらは、酸化シリコン又は窒化シリコン等からなり、データ導電体（１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂ）及び第２パッド部１７９を保護する保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）の役割を果たす。
【００６０】
保護部材１９３は第２制御電極１２４ｂを覆っている。保護部材１９３が第２制御電極１２４ｂの上に形成されることで、耐薬品性の弱い導電体からなる第２制御電極１２４ｂが、後続工程においてエッチング液等の化学液によって損傷することを防止することができる。
【００６１】
保護部材１９３の上にはコンタクトホール２０１ａを有する層間絶縁膜２０１が形成されている。層間絶縁膜２０１は、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）が形成される領域を平坦化させることのできる程度の厚さに形成され、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｎ）及びアクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）等からなる群より選択される１つの物質を含んでもよい。
【００６２】
層間絶縁膜２０１及び保護部材１９３の上には、画素電極１９１及び複数のコンタクト補助部材（８１、８２）が形成されている。
【００６３】
画素電極１９１及び複数のコンタクト補助部材（８１、８２）は、下部画素電極１９１ａ、反射電極１９１ｂ及び上部画素電極１９１ｃからなる３層構造であってもよい。この場合、下部画素電極１９１ａの一部は、コンタクトホール２０１ａを介して第２出力電極１７５ｂに接続し、コンタクトホール２０１ａの内部には、下部画素電極１９１ａ、反射電極１９１ｂ及び上部画素電極１９１ｃ各々の一部を含んでもよい。
【００６４】
下部画素電極１９１ａは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）のような透明な金属物質を用いて５０〜２００Åの厚さに形成する。下部画素電極１９１ａは、後続工程により形成される反射電極１９１ｂと保護部材１９３との界面特性、即ち、接着性を向上させるように形成される。
【００６５】
反射電極１９１ｂは反射度８０％の銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラチナ（Ｐｔ）等で形成してもよく、好ましくは銀（Ａｇ）を用いる。反射電極は１０００〜３０００Åの厚さに形成する。この場合、反射電極１９１ｂは、光反射の役割をして、輝度及び光効率を増加させる効果を奏する。
【００６６】
反射電極１９１ｂの上には上部画素電極１９１ｃが形成されている。上部画素電極１９１ｃはＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質を用いて５０〜２００Åの厚さに形成してもよい。
【００６７】
コンタクト補助部材（８１、８２）は、それぞれコンタクトホール（１８１、１８２）を介して、ゲート線１２１の第１パッド部１２９及びデータ線１７１の第２パッド部１７９に接続する。コンタクト補助部材（８１、８２）は、第１パッド部１２９及び第２パッド部１７９と外部駆動回路との接着性を補完し、これらを保護する。
【００６８】
画素電極１９１及び保護部材１９３の上には隔壁（ｐａｒｔｉｔｉｏｎ）３６１及び保護隔壁（３６２、３６３）が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９１の周縁を堤（ｂａｎｋ）のように取り囲んで開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）３６５を形成する。保護隔壁（３６２、３６３）はコンタクト補助部材（８１、８２）の周縁を囲んでいる。このような保護隔壁（３６２、３６３）はコンタクト補助部材（８１、８２）が外部に露出したときに発生する腐蝕問題及び黄変現象を防止する役割を果たす。
【００６９】
保護隔壁（３６２、３６３）の厚さを、隔壁３６１の厚さより薄く形成することで、コンタクト補助部材（８１、８２）と外部装置との接着性を改善することができる。
【００７０】
隔壁３６１及び保護隔壁（３６２、３６３）は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性及び耐溶媒性を有する有機絶縁物又は酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の無機絶縁物で形成され、２層以上であってもよい。また隔壁３６１は、黒色顔料を含む感光材で形成され、この場合、隔壁３６１は遮光部材としての役割を果たし、その形成工程は単純なものとなる。隔壁３６１が形成する画素電極１９１上の開口部３６５には、有機発光部材３７０が形成されている。
【００７１】
有機発光部材３７０は、光を放出する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）以外に、発光層の発光効率を向上させるための付帯層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）を含む多層構造を有してもよい。
【００７２】
発光層は赤色、緑色、青色の三原色等、基本色のうちのいずれか１つの光を固有に発する有機物質又は有機物質と無機物質との混合物で形成し、ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン（（ｐｏｌｙ）ｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフェニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）誘導体、又はこれらの高分子材料にペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系色素、クマリン（ｃｕｍａｒｉｎｅ）系色素、ローダミン（ｒｏｄｅｒｍｉｎｅ）系色素、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（９，１０−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、ナイルレッド（Ｎｉｌｅｒｅｄ）、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）等をドーピングした化合物が含まれる。有機発光表示装置は、発光層から放出される基本色の色光の空間的な作用により所望の画像を表示する。
【００７３】
付帯層には電子と正孔のバランスを取るための電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）と、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）等があり、この中から選択された１つ又は二つ以上の層を有することができる。正孔輸送層及び正孔注入層は、画素電極１９１と発光層の中間程度の仕事関数を有する材料で形成され、電子輸送層と電子注入層は、共通電極２７０と発光層の中間程度の仕事関数を有する材料で形成される。例えば、正孔輸送層又は正孔注入層としては、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物（ｐｏｌｙ−（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ：ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）等を使用してもよい。
【００７４】
有機発光部材３７０の上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は基板の全面に形成されており、画素電極１９１と対をなして有機発光部材３７０に電流を流す。
【００７５】
このような有機発光表示装置において、ゲート線１２１に接続する第１制御電極１２４ａ、データ線１７１に接続する第１入力電極１７３ａ及び第１出力電極１７５ａは、第１半導体１５４ａとともにスイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ＴＦＴ）（Ｑｓ）を構成し、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャネルは、第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａとの間の第１半導体１５４ａに形成される。第１出力電極１７５ａに接続する第２制御電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に接続する第２入力電極１７３ｂ、及び画素電極１９１に接続する第２出力電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂとともに駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ  ＴＦＴ）（Ｑｄ）を構成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂとの間の第２半導体１５４ｂに形成される。
【００７６】
本実施例では、スイッチング薄膜トランジスタ１つと駆動薄膜トランジスタ１つのみを示したが、この他に少なくとも１つの薄膜トランジスタ及びこれを駆動するための複数の配線をさらに有することにより、長時間駆動しても有機発光ダイオード（ＬＤ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）が劣化することを防止、かつ補填し、有機発光表示装置の寿命が短くなることを防止することができる。
【００７７】
画素電極１９１、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は、有機発光ダイオード（ＬＤ）を構成し、画素電極１９１がアノード（ａｎｏｄｅ）、共通電極２７０がカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）となるか、逆に画素電極１９１がカソード、共通電極２７０がアノードとなる。また互いにオーバーラップする維持電極１２７と駆動電圧線１７２は、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（Ｃｓｔ）を構成する。
【００７８】
以下、図２及び図３に示される有機発光表示装置を製造する方法について、図４〜図９を参照して詳細に説明する。
【００７９】
図４〜図９は、図２及び図３の有機発光表示装置を本発明の一実施例に従って製造する中間段階の断面図である。
【００８０】
図４に示すように、基板１１０上にアルミニウム合金からなる第１制御電極１２４ａ及びパッド部１２９を含む複数のゲート線１２１を形成する。
【００８１】
次に、ゲート絶縁層を化学気相成長方法（ＰＥＣＶＤ等）で成膜した後、フォトエッチングして、複数のゲート線１２１のパッド部１２９を露出させる下部ゲート絶縁膜１４０を形成する。
【００８２】
次に、真性アモルファスシリコン層、及び不純物アモルファスシリコン層を化学気相成長方法（ＰＥＣＶＤ等）で連続して積層する。次に、不純物アモルファスシリコン層及び真性アモルファスシリコン層をフォトエッチングして、複数の第１及び第２オーミックコンタクト部材（１６４ａ、１６４ｂ）、複数の第１及び第２半導体（１５４ａ、１５４ｂ）を形成する。ここで、複数の第１及び第２オーミックコンタクト部材（１６４ａ、１６４ｂ）、複数の第１及び第２半導体（１５４ａ、１５４ｂ）をＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）又はＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）のような結晶化方法で結晶化してもよい。
【００８３】
次に、アルミニウム合金からなる第１入力電極１７３ａと第２パッド部１７９を含む複数のデータ線１７１、第２入力電極１７３ｂを含む駆動電圧線１７２及び複数の第１及び第２出力電極（１７５ａ、１７５ｂ）を含むデータ導電体を形成する。このとき、第１パッド部１２９上に、データ導電体と同一な物質でパッド補助部材１７８を形成してもよい。パッド補助部材１７８は、第１パッド部１２９と後の工程において形成されるコンタクト補助部材８１とを、電気的に接続させる役割を果たす。
【００８４】
次に、図５に示すように、基板全面に化学気相成長方法で上部ゲート絶縁層を積層してフォトエッチングして、複数のコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）を有する上部ゲート絶縁膜１８０を形成する。
【００８５】
次に、図６に示すように、アルミニウム合金からなる導電層を積層してフォトエッチングして、維持電極１２７を含む第２制御電極１２４ｂを形成する。
【００８６】
次に、図７に示すように、上部ゲート絶縁膜１８０及び第２制御電極１２４ｂの上に、複数のコンタクトホール（１８１、１８２）を有する保護部材１９３を、フォトエッチングして形成する。
【００８７】
次に、図８に示すように、保護部材１９３の上に複数のコンタクトホール２０１ａを有する層間絶縁膜２０１を形成する。
【００８８】
次に、図９に示すように、層間絶縁膜２０１及び第２パッド部１７９の上にＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯを連続的に蒸着した後、フォトエッチングして、複数の画素電極１９１及び複数のコンタクト補助部材（８１、８２）を形成する。
【００８９】
次に、図１０に示すように、複数の画素電極１９１、層間絶縁膜２０１及び複数のコンタクト補助部材（８１、８２）の上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像して、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１と複数の保護隔壁（３６２、３６３）を形成する。このとき、スリットマスク（Ｓｌｉｔ  Ｍａｓｋ）を用いて、隔壁３６１より段差の低い複数の保護隔壁（３６２、３６３）を形成してもよい。
【００９０】
次に、図３に示すように、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を有する発光部材３７０を形成する。発光部材３７０は、インクジェット印刷等の溶液プロセス（ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ）又は蒸着方法(ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ)により形成してもよく、特にインクジェットヘッド（図示せず）を移動させて開口部３６５に溶液を滴下するインクジェット印刷方法を利用する場合には、各層を形成した後、乾燥工程が後に続く。次いで、隔壁３６１及び発光部材３７０の上に共通電極２７０を形成する。
【００９１】
このように、本実施例におけるスイッチング薄膜トランジスタは、ボトムゲート構造に形成し、駆動薄膜トランジスタはトップゲート構造に形成する。しかし、これに限定されるものではなく、スイッチング薄膜トランジスタをトップゲート構造に形成し、駆動薄膜トランジスタをボトムゲート構造に形成してもよい。いずれの場合も、スイッチング薄膜トランジスタと駆動薄膜トランジスタが異なる構造に形成される場合であっても、共通層を統合して、マスク数を減らすことによって工程を単純化することができる。
【００９２】
また、本実施例では、発光部材３７０の光が、共通電極２７０が形成される方向に発光されるトップエミッション（Ｔｏｐ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造に形成したが、これに限定されるものではなく、共通電極２７０と画素電極１９１の位置を変更して、ボトムエミッション（Ｂｏｔｔｏｍ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造に形成し、発光部材３７０の光をトップエミッション（Ｔｏｐ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）と反対方向に発光させてもよい。
【００９３】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【符号の説明】
【００９４】
１１０    絶縁基板
１２１    ゲート線
１７１    データ線
１７２    駆動電圧線
１２９    第１パッド部
１７９    第２パッド部
８１、８２    コンタクト補助部材
３６２、３６３    保護隔壁
１９１    画素電極
３６１    隔壁
【図１】
2010003668.tif 000003
【図２】
2010003668.tif 000004
【図３】
2010003668.tif 000005
【図４】
2010003668.tif 000006
【図５】
2010003668.tif 000007
【図６】
2010003668.tif 000008
【図７】
2010003668.tif 000009
【図８】
2010003668.tif 000010
【図９】
2010003668.tif 000011
【図１０】
2010003668.tif 000012