(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ素子がどのような発光階調で発光しても、発光輝度にバラツキを生じさせない。【解決手段】有機ＥＬ装置は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する有機ＥＬ素子と、ゲートが第１ノードに電気的に接続されるとともに該ゲート及びソースが電気的に接続され、ドレイン・ソース間に流れる電流を前記駆動電流として出力する駆動トランジスタを備える。そして、制御手段は、第１に、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間の電圧を、当該駆動トランジスタの移動度に応じた補償後電圧（Ｖｔｈ＋Ｖａ）とするため、前記第１ノードに第１データ電位（Ｖｄａｔａ）を供給するとともに当該駆動トランジスタに電流を供給し、その後第２に、前記第１ノードに前記第１データ電位に応じて定められた第２データ電位（Ｖｄａｔａ＋Ｖｏｆｆｓｅｔ）を供給する。【選択図】図３
2010170018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、
ゲートが第１ノードに電気的に接続され、ドレイン・ソース間に流れる電流を前記駆動電流として出力する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間の電圧を、当該駆動トランジスタの移動度に応じた補償後電圧とするため、前記第１ノードに第１データ電位を供給するとともに当該駆動トランジスタに電流を供給し、その後、前記第１ノードに前記第１データ電位に応じて定められた第２データ電位を供給する制御手段と、
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
一端が前記駆動トランジスタのドレインに、他端が電源電位の供給線に、それぞれ電気的に接続され、両者間の導通及び非導通状態の切替えを行う発光制御スイッチング素子、を更に備え、
前記制御手段は、
前記第１ノードに前記第２データ電位が供給される際に、
前記発光制御スイッチング素子をＯＦＦ状態とする、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
２つの電極のそれぞれが前記駆動トランジスタのゲート及びソースに電気的に接続され、前記補償後電圧を保持する容量素子と、
前記第１ノードと前記第１及び第２データ電位の供給線との間の導通及び非導通状態の切替えを行う第１スイッチング素子と、
前記第１ノードと所定の固定電位の供給線との間の導通及び非導通状態の切替えを行う第２スイッチング素子と、
前記駆動トランジスタのソースと所定の固定電位の供給線との間の導通及び非導通状態の切替えを行う第３スイッチング素子と、
を更に備える、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子は複数存在し、
前記駆動トランジスタはそれら複数の発光素子の各々に対応して複数存在し、
前記第２データ電位は、前記第１データ電位に加えて、
前記駆動トランジスタの各々の移動度のバラツキの程度にも応じて、定められる、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１データの相違に応じた前記第２データ電位を予め記憶するデータテーブル、を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子を備えた発光装置の駆動方法であって、
前記駆動電流を出力する駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を、当該駆動トランジスタの移動度に応じた補償後電圧とするため、そのゲートに接続された第１ノードに第１データ電位を供給するとともに、当該駆動トランジスタに電流を供給する第１工程と、
この第１工程の後、前記第１ノードに前記第１データ電位に応じて定められた第２データ電位を供給する第２工程と、
を含む、
ことを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項８】
前記発光装置は、一端が前記駆動トランジスタのドレインに、他端が電源電位の供給線に、それぞれ電気的に接続され、両者間の導通及び非導通状態の切替えを行う発光制御スイッチング素子、を更に備え、
前記第２工程は、
前記発光制御スイッチング素子をＯＦＦ状態にする工程を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置の駆動方法。
【請求項９】
前記発光素子は複数存在し、
前記駆動トランジスタはそれら複数の発光素子の各々に対応して複数存在し、
前記第２データ電位は、前記第１データ電位に加えて、
前記駆動トランジスタの各々の移動度のバラツキの程度にも応じて、定められる、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の発光装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（electro luminescent）素子等を含む発光装置及びその駆動方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これに起因して、当該有機薄膜ないしは有機ＥＬ素子は発光する。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１乃至３に開示されているようなものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１０３１１号公報
【特許文献２】特開２００８−１９１２９６号公報
【特許文献３】特開２００８−２５６９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような有機ＥＬ素子は、適当な構成をもつ駆動回路によって駆動される。駆動回路としては、例えば、駆動トランジスタのゲート電位に応じてそのソース・ドレイン間に流れる電流を有機ＥＬ素子に供給するものがある。この場合、そのゲート電位の調整を通じて、有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等が可能になる。
もっとも、このような駆動回路には様々な解決すべき課題がある。例えば、その１つに、前記駆動トランジスタの移動度、あるいは閾値電圧等の各種特性のバラツキがある。前述した画像表示装置は通常、多数の有機ＥＬ素子、及びそれら各々に付随する前記駆動トランジスタを含む駆動回路を備えるが、製造プロセス上の各種パラメータのバラツキ等が要因となって、これら複数の駆動トランジスタの各々の特性がばらつけば、各有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等にもバラツキが生じることになり、その結果、表示画像の品質向上の障害となる。
【０００５】
前記の特許文献１乃至３は、このような問題に対処する技術を開示する。すなわち、特許文献１は「閾電圧」「移動度」に着目し（特許文献１の〔０００４〕）、特許文献２は、「最適な移動度補正時間が短い場合」を主に念頭におき、この時間を延長化することによって、入力信号電圧の書込パルスのパルス幅がばらつくことによる「補正時間のばらつきを相対的に小さくし、輝度ばらつきを抑える」技術の提供を目指す（以上「」内は、特許文献２の〔００１７〕〔００１８〕）。
また、特許文献３は、「映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖｓｉｇに依存する」移動度補正処理を最適化する技術の提供を目的とする（特許文献３の〔００１５〕〜〔００１７〕）。
【０００６】
これら各文献によれば、前述した移動度のバラツキに関して一定の効果がもたらされる。しかしながら、そのような移動度補償（上記各文献では「補正」）が行われたとしても、なお残る課題がある。例えば、いわば、移動度補償の階調依存性とでもいうべき問題である。すなわち、移動度補償を一定の期間、一定の手順で行ったとしても、その移動度補償動作によって、有機ＥＬ素子がある特定の階調において発光する場合においては、発光輝度のバラツキを効果的に抑制することが可能であるものの、他の階調において発光する場合には、そうはならない場合がある。
また、移動度補償動作は、有機ＥＬ素子に供給する電流量に制約を設けることと考えることも可能であるから、所望の発光輝度の実現、特に、より高い発光輝度の実現に困難を生じさせるおそれもある。
【０００７】
前記の各文献は、より具体的には以下のような技術を開示する。すなわち、特許文献１は、閾値電圧の補正を行うことに加えて（特許文献１の〔請求項１〕参照）、駆動トランジスタのゲートに、「適切」な時間、「駆動用トランジスタの移動度に対する補正を信号電位に加える」ことによって、移動度のバラツキに対処する技術を開示する（特許文献１の〔請求項２〕）。また、特許文献２は、「入力信号電圧の電圧値を段階的に高く」することで、その「段階」の初めの方において駆動トランジスタにいわば「プリチャージ」を行い、もって当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を低め、「最適な移動度補正時間を長く」する技術を開示する（特許文献２の〔請求項１〕〔００２１〕）。
これらによれば、たしかに、前述した特許文献１及び２が着目する課題の解決が可能になると思われるが、前述した移動度補償の階調依存性や発光輝度の制約などといった問題に効果的に対処可能なわけではない。
【０００８】
さらに、特許文献３は、「映像信号に依存した値であって、映像信号よりも低い値である」、「補正電圧」を、駆動トランジスタのゲートに印加することによって、「映像信号Ｖｓｉｇの高低が移動度補正処理に与える影響」を少なくする技術を開示する（特許文献３の〔請求項１〕〔００３５〕）。
この特許文献３では、「映像信号に依存した」、「補正電圧」を用いるという点で（例えば特許文献３の〔００９８〕以下参照）、前記の移動度補償の階調依存性という問題に若干の関連性があるとはいえる。しかし、この特許文献３では、その「補正電圧」の印加がいわば映像信号の書込期間内の時間を利用して行われ、また、その際、電源電位及び有機ＥＬ素子間の導通状態を司る発光制御トランジスタ（特許文献３では「ＴＥＬ_Ｃ」）がＯＮ状態となることが前提となっている（例えば特許文献３の〔図３〕、〔図６〕（Ｃ）、〔００７７〕以下等参照。なお、〔請求項１〕中の「…電圧を電流供給部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加する…移動度補正処理」という文言も参照）。このような技術は、移動度補償の際に達成されるべき駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧の値をどうするか、言い換えると、いわば“移動度補正処理”という枠の中で、その実効性を如何に上げることができるか、という点にもっぱら関心があるといえる。したがって、この特許文献３の技術によっても、前述した移動度補償“後”の各問題が必ずしも好適に解決されるわけではない。
【０００９】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な発光装置及びその駆動方法、並びに、電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の発光装置、その駆動方法、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、発光装置、その駆動方法、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る発光装置は、上述した課題を解決するため、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、ゲートが第１ノードに電気的に接続され、ドレイン・ソース間に流れる電流を前記駆動電流として出力する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間の電圧を、当該駆動トランジスタの移動度に応じた補償後電圧とするため、前記第１ノードに第１データ電位を供給するとともに当該駆動トランジスタに電流を供給し、その後、前記第１ノードに前記第１データ電位に応じて定められた第２データ電位を供給する制御手段と、を備える。
【００１１】
本発明によれば、第１ノード、即ち駆動トランジスタのゲートへの第１データ電位の供給、及び、当該駆動トランジスタへの電流供給、によって、いわゆる移動度補償が行われる。仮に、移動度の異なる駆動トランジスタが２つあるとすれば、それぞれのゲート・ソース間電圧はそれに応じた異なった補償後電圧に一致することになるが、その結果、これら２つの駆動トランジスタに流れるドレイン・ソース間電流のバラツキは抑制されることになる。ただし、このような効果が得られるのは、発光素子がある特定の発光階調（あるいは、より一般的には、ある範囲内の発光階調）で発光する場合、即ち、駆動トランジスタのゲートに所定の電位が供給される場合に限られるのが一般的である。これを逆に言うと、それ以外の発光階調ないしは電位では、前記移動度補償による効果を実効的に享受することができないことを意味する。
これを前提に、本発明においては、前記移動度補償が行われた後に、第１ノードに第２データ電位が供給される。これにより、前記ゲート・ソース間電圧の値は変動するが、この場合における第２データ電位は「第１データ電位に応じて定められ」ているから、前述した、移動度補償による効果を享受することができない発光階調、ないしは電位に対する好適な手当てが行われ得ることになる。すなわち、そのような移動度補償効果を享受不能な「電位」を前記第１データ電位と考えれば、第２データ電位は、例えば、“かかる「電位」に応じた、前記移動度補償効果を享受できない程度”に基づいて定められ得ることになるから、これによって、前記ドレイン・ソース間電流のバラツキを抑制することが可能となるのである。
以上のようなことから、本発明によれば、発光素子がどのような発光階調によって発光する場合であっても、移動度バラツキを原因とする発光輝度バラツキを抑制することができる。また、本発明によれば、前記第２データ電位が印加されることにより、ドレイン・ソース間電流を増加させ得ることになるので、より高い発光輝度の実現、あるいはより明るい画像の表示の実現が、より容易になる。
【００１２】
なお、本発明にいう「発光素子」の具体的な構造や材料は基本的に自由に定められ得るが、例えば、有機ＥＬ材料や無機ＥＬ材料からなる発光層を電極間に介在させた素子が本発明の発光素子として採用され得る。さらに、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子や、プラズマの放電により発光する素子など様々な発光素子を本発明に利用することができる。
【００１３】
この発明の発光装置では、一端が前記駆動トランジスタのドレインに、他端が電源電位の供給線に、それぞれ電気的に接続され、両者間の導通及び非導通状態の切替えを行う発光制御スイッチング素子、を更に備え、前記制御手段は、前記第１ノードに前記第２データ電位が供給される際に、前記発光制御スイッチング素子をＯＦＦ状態とする、ように構成してもよい。
この態様によれば、駆動トランジスタに電流供給がなされない状態（前記「ＯＦＦ状態」とは、そのような意味をもつ。）で、第２データ電位の第１ノードへの供給が行われることになる。これにより、本態様では、移動度補償が行われることによって生じ得る不都合への対処が好適に行われる（前述した発光輝度バラツキの抑制及びより高い発光輝度の実現という２つの効果は、その証左ともいえる。）。この点は、前記の特許文献３との関係において際立った相違点となる。本態様は、必ずしも移動度補償動作の枠内で、その実効性を上げることだけを目的とするのではない。
なお、本態様の観点を勘案する場合、前述した本発明の規定において、「その後、……第２データ電位を供給する制御手段」とあるところは、「その後第２に、『前記駆動トランジスタに電流を供給しないで、』……第２データ電位を供給する制御手段」と規定することも可能である。
【００１４】
本発明の発光装置では、２つの電極のそれぞれが前記駆動トランジスタのゲート及びソースに電気的に接続され、前記補償後電圧を保持する容量素子と、前記第１ノードと前記第１及び第２データ電位の供給線との間の導通及び非導通状態の切替えを行う第１スイッチング素子と、前記第１ノードと所定の固定電位の供給線との間の導通及び非導通状態の切替えを行う第２スイッチング素子と、前記駆動トランジスタのソースと所定の固定電位の供給線との間の導通及び非導通状態の切替えを行う第３スイッチング素子と、を更に備える、ように構成してもよい。
この態様によれば、例えば、第３スイッチング素子の存在により、第１ノードの電位の初期化が好適に実現されるなど、本発明に係る発光装置を好適に駆動するための、好適な駆動回路構成が提供される。なお、後述する実施形態においては、この態様をより具体化した態様の詳細について説明される。
【００１５】
本発明の発光装置では、前記発光素子は複数存在し、前記駆動トランジスタはそれら複数の発光素子の各々に対応して複数存在し、前記第２データ電位は、前記第１データ電位に加えて、前記駆動トランジスタの各々の移動度のバラツキの程度にも応じて、定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した本発明に係る効果がより実効的に奏される。
前述のように、移動度補償が行われたとしても、その効果は、ある特定の発光階調ないしは電位でしか享受できない場合があるが、これは、駆動トランジスタの移動度のバラツキに主な原因がある（この点については、後の実施形態における図４又は図７の説明等、参照）。したがって、第２データ電位が、第１データ電位の大きさに加えて、このような事情をも考慮しながら定められるのであれば、本発明に係る効果を享受するために、より好適であるのは明らかである。なお、本態様に係る効果を更に促進するためには、例えば、前記第２データ電位が、“前記第１データ電位が前記第１ノードに供給される場合における、前記駆動トランジスタの移動度のバラツキを原因とするドレイン・ソース間電流のバラツキを収束させるように”、定められてなお好適である。
【００１６】
本発明の発光装置では、前記第１データの相違に応じた前記第２データ電位を予め記憶するデータテーブル、を更に備える、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１データ電位の相違に応じた第２データ電位を記憶するデータテーブルが備えられているので、例えば、第２データ電位を、その都度の第１データ電位に基づいて直接的に算出するなどという態様に比べて、処理時間の簡易化、短縮化、あるいはそれに見合ったコスト低廉化等を実現することができる。
【００１７】
また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の発光装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の発光装置を備えてなるので、どのような発光階調での発光においても発光輝度バラツキを抑制することが可能になり、また、より高い発光輝度の実現が可能になる。
【００１８】
一方、本発明の発光装置の駆動方法は、上記課題を解決するため、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子を備えた発光装置の駆動方法であって、前記駆動電流を出力する駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を、当該駆動トランジスタの移動度に応じた補償後電圧とするため、そのゲートに接続された第１ノードに第１データ電位を供給するとともに、当該駆動トランジスタに電流を供給する第１工程と、この第１工程の後、前記第１ノードに前記第１データ電位に応じて定められた第２データ電位を供給する第２工程と、を含む。
【００１９】
本発明によれば、上述した本発明の発光装置によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏されることが明白である。
【００２０】
この発明の発光装置の駆動方法では、前記発光装置は、一端が前記駆動トランジスタのドレインに、他端が電源電位の供給線に、それぞれ電気的に接続され、両者間の導通及び非導通状態の切替えを行う発光制御スイッチング素子、を更に備え、前記第２工程は、前記発光制御スイッチング素子をＯＦＦ状態にする工程を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、上述した本発明の発光装置の各種態様のうち、「発光制御スイッチング素子」を含む態様によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏される。
【００２１】
この発明の発光装置の駆動方法では、前記発光素子は複数存在し、前記駆動トランジスタはそれら複数の発光素子の各々に対応して複数存在し、前記第２データ電位は、前記第１データ電位に加えて、前記駆動トランジスタの各々の移動度のバラツキの程度にも応じて、定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、上述した本発明の発光装置の各種態様のうち、第２データ電位が第１データ電位に加えて移動度バラツキの程度にも応じて定められる態様によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ装置を構成する単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図２の単位回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの定め方を説明するための説明図である。
【図５】移動度補償動作を実行する時間に対する、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（移動度の異なる駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕〜Ｔｄｒ〔Ｃ〕（における当該移動度）がパラメータである。）。
【図６】データ電位に対する、発光輝度バラツキの程度の変化の様子を示すグラフである。
【図７】駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧に対する、ドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（移動度の異なる駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕〜Ｔｄｒ〔Ｃ〕（における当該移動度）がパラメータである。）。
【図８】個々のデータ電位に対応する好適なオフセット電圧の設定例を示すグラフである。
【図９】移動度補償及びオフセット電圧印加の実行後における、ドレイン・ソース間電流に対する、発光輝度バラツキの変化の様子を示すグラフである（オフセット電圧書込動作がある場合とない場合との２例を示す。）。
【図１０】移動度補償及びオフセット電圧印加の実行後における、データ電位に対する、ドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである（オフセット電圧書込動作がある場合とない場合との２例を示す。）。
【図１１】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
以下では、本発明に係る実施の形態について図１及び図２を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１及び図２に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００２４】
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、電源線１１３、走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０６、並びに制御回路ＣＵである。
【００２５】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられる。それら複数の有機ＥＬ素子８はＮ行×Ｍ列のマトリクス状に配列されている（Ｎ，Ｍは自然数）。有機ＥＬ素子８の各々は、陽極としての画素電極、発光機能層及び陰極としての対向電極から構成されている。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
【００２６】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３に接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。なお、電源線１１３は、データ線６と並行するように配列されている。この電源線１１３には、高電源電位Ｖｅｌが供給される。
前記のうち走査線駆動回路１０３は、走査線３のそれぞれを順番に選択するための回路である。また、データ線駆動回路１０６は、走査線駆動回路１０３によって選択された走査線３に対応する各有機ＥＬ素子８に向けて、各データ線６を通じてデータ信号を供給するための回路である。
制御回路ＣＵは、これら走査線駆動回路１０３及びデータ線駆動回路１０６を制御して、走査線３の選択順序、あるいはデータ信号の供給タイミング等を決定する。なお、この制御回路ＣＵには、図１に示すようにデータテーブルＤＴが内蔵されている。このデータテーブルＤＴは、後述するオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔに関わるが、その点についての説明は後述する。
【００２７】
各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
単位回路Ｐは、図２に示すように、有機ＥＬ素子８を含むほか、駆動トランジスタＴｄｒ、発光制御トランジスタＴｅｌ、第１〜第３トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３、及び容量素子Ｃ１を含む。
なお、図１では便宜的に１本の配線として図示された走査線３は、図２に示すように実際には４本の配線を含む。各配線には走査線駆動回路１０３から所定の信号が供給される。より詳細には、これら各配線には、それぞれ、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]、及び発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。これら各信号の具体的な意義やこれに応じた単位回路Ｐの動作については後述する。なお、ここで使われた記号ｉは、前記マトリクス状配列の中の行番号を意味する（図１参照。１本の走査線３が４本の配線からなるので、全走査線３に含まれる配線数は結局、４Ｎ本である。）。
【００２８】
駆動トランジスタＴｄｒはｎチャネル型であり、電源線１１３から有機ＥＬ素子８の画素電極に至る経路上にある。この駆動トランジスタＴｄｒのドレイン（Ｄ）は発光制御トランジスタＴｅｌのソースに接続される。
この駆動トランジスタＴｄｒは、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との導通状態（ソース−ドレイン間の抵抗値）がゲート電位Ｖgに応じて変化することで当該ゲート電位Ｖgに応じた駆動電流Ｉelを生成する手段である。なお、ゲート電位Ｖｇは、データ線６を通じて供給されるデータ信号Ｄａｔａの大きさに応じる。
こうして、有機ＥＬ素子８は、駆動トランジスタＴｄｒの導通状態、ないしはデータ信号Ｄａｔａに応じて駆動される。
【００２９】
発光制御トランジスタＴｅｌはｐチャネル型であり、駆動トランジスタＴｄｒと電源線１１３との間にある。この発光制御トランジスタＴｅｌのゲートには、前記発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。この発光制御信号ＧEL[ｉ]がローレベルに遷移すると発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態に変化して有機ＥＬ素子８に対する駆動電流Ｉｅｌの供給が可能となる。これにより、有機ＥＬ素子８は駆動電流Ｉｅｌに応じた階調（輝度）で発光する。これに対して、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がハイレベルである場合には発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態を維持するから、駆動電流Ｉｅｌの経路が遮断されて有機ＥＬ素子８は消灯する。
なお、有機ＥＬ素子８の画素電極は、この発光制御トランジスタＴｅｌ及び前記駆動トランジスタＴｄｒを介して前述した高電源電位Ｖｅｌが供給される電源線１１３に接続され、その対向電極は低電源電位ＶＣＴが供給される電位線（不図示）に接続される。
【００３０】
容量素子Ｃ１は、２つの電極間に誘電体が介挿された素子である。その容量値は、Ｃｈ１である。この容量素子Ｃ１の一方の電極（図中上方の電極）は駆動トランジスタＴｄｒのゲートに接続される。また、容量素子Ｃ１の他方の電極（図中下方の電極）は駆動トランジスタＴｄｒのソース（Ｓ）に接続されるとともに、後述する第３トランジスタＴｒ３のソース又はドレインにも接続される。
【００３１】
第１トランジスタＴｒ１は、ノードＺ１とデータ線６との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第１トランジスタＴｒ１のゲートには前記の走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]が供給される。
第２トランジスタＴｒ２は、ノードＺ１と初期化電位ＶSTが供給される電位線との間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第２トランジスタＴｒ２のゲートには前記の第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が供給される。
第３トランジスタＴｒ３は、前述した低電源電位ＶＳＴの電位線と駆動トランジスタＴｄｒのソースとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第３トランジスタＴｒ３のゲートには第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]が供給される。
【００３２】
次に、以上のような構成をもつ有機ＥＬ装置１００の動作ないし作用について、既に参照した図１及び図２に加えて図３を参照しながら説明する。
〔ｉ〕初期化：  まず、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]と第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]がハイレベルとなることで、第２トランジスタＴｒ２と第３トランジスタＴｒ３がＯＮ状態となる。これにより、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓはそれぞれ、図３に示すように下落して、初期化電位ＶＳＴとＶＩＮＩなる。
なお、単位回路Ｐは、いま述べている〔ｉ〕初期化から、後に述べる〔ｖｉ〕駆動までの各動作を繰り返し行う。〔ｉ〕の初期化動作は、最後の〔ｖｉ〕の駆動動作（発光動作）が終わった後、即ち発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルからハイレベルに遷移した後に行われる。図３の最左方に示される、前記ソース電位Ｖｓの下落に先立つ、ゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの双方の下落は、そのような発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の遷移に対応している。
【００３３】
〔ｉｉ〕Ｖｔｈ補償：  次に、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]がローレベルに遷移し、続いて更に、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルに遷移する。これにより、第３トランジスタＴｒ３がＯＦＦ状態となり、続いて更に、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となる。このことから、ソース電位Ｖｓは初期化電位ＶＳＴの供給から開放されることになる。その結果、駆動トランジスタＴｄｒ及び高電源電位Ｖｅｌ間が導通状態となることも相まって、駆動トランジスタＴｄｒのソース電位Ｖｓは、図３に示すように上昇を開始し、そのゲート・ソース間電圧は閾値電圧Ｖｔｈに漸近する。なお、この一連の過程中、駆動トランジスタＴｄｒのゲート及びソース間は接続する容量素子Ｃ１は閾値電圧Ｖｔｈを保持する（なお、容量素子Ｃ１は、以下の各動作においても、その時々に応じた適宜の電圧を保持する。）。
以上のように、この〔ｉｉ〕における動作では、各駆動トランジスタＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈの補償が行われることになる。
【００３４】
〔ｉｉｉ〕データ書込：  次に、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]及び第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに遷移して発光制御トランジスタＴｅｌ及び第２トランジスタＴｒ２がＯＦＦ状態となる一方、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がハイレベルとなることで、第１トランジスタＴｒ１がＯＮ状態となる。この際、適当なデータ電位Ｖｄａｔａをもつデータ信号がデータ線６を通じて供給されると、それに応じてノードＺ１の電位、即ちゲート電位Ｖｇは、当該データ電位Ｖｄａｔａの足し込み分に応じた電圧だけ変動する。したがって、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧は、図３に示すようにＶｔｈ＋Ｖｄａｔａとなる。ここでＶｄａｔａ’＝Ｖｄａｔａ・（Ｃｈ２／（Ｃｈ２＋Ｃｈ１））となる。この式中、Ｃｈ２は、有機ＥＬ素子８がもつ寄生容量の容量値である。
【００３５】
〔ｉｖ〕移動度補償：  次に、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]のハイレベルが維持されたまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルに遷移する。これにより、再び、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となることで、駆動トランジスタＴｄｒのソース電位Ｖｓが上昇を開始する。図３においては、ソース電位Ｖｓの上昇後のゲート・ソース間電圧がＶｔｈ＋Ｖａになることが表現されているが、これは、当該ソース電位Ｖｓの上昇分が、“Ｖｄａｔａ−Ｖａ”と表現可能であることを意味する。その結果、逆に、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧は小さくなることになる（下降分をαで表せば、α＝Ｖｄａｔａ−Ｖａである。）。
このようなソース電位Ｖｓの上昇、ないしはゲート・ソース間で電圧の下降の程度は、一般に、各単位回路Ｐに含まれる駆動トランジスタＴｄｒの各々が相異なる移動度特性を持つことに応じて、異なることになる。すなわち、定性的には、より大きな移動度μをもつ駆動トランジスタＴｄｒでは、ソース電位Ｖｓの上昇量は大きく、より小さな移動度μをもつ駆動トランジスタＴｄｒでは、ソース電位Ｖｓの上昇量は小さくなる。
以上のように、この〔ｉｖ〕における動作では、各駆動トランジスタＴｄｒの移動度補償が行われることになる。
【００３６】
〔ｖ〕オフセット電圧書込：  次に、走査信号ＧＥＲＴ[ｉ]のハイレベルがなお維持されたまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がハイレベルに遷移する。これにより、再び、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態となる。この際、前述したデータ電位Ｖｄａｔａに、当該データ電位Ｖｄａｔａの大きさに応じたオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔを加えた電位（即ち、Ｖｄａｔａ＋Ｖｏｆｆｓｅｔ（図３参照））もつデータ信号がデータ線６を通じて供給される。ノードＺ１の電位、即ちゲート電位Ｖｇは、それに応じて当該オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの足し込み分に応じて変動する。この際、ゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの双方が上昇しているが、図３においては、この変動によって、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧が、最終的にはＶｔｈ＋Ｖａ＋Ｖｂとなることが表現されている。Ｖｂの値は、容量素子Ｃ１及び有機ＥＬ素子８がもつ寄生容量（図３の破線参照）の影響によって定まり、具体的には、Ｖｂ＝Ｖｏｆｆｓｅｔ×（Ｃｈ２／（Ｃｈ１＋Ｃｈ２））となる。ここで、Ｃｈ２は、前記寄生容量の容量値である。
なお、ここに述べたオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの定め方、あるいはその意義・作用・効果等については、後に改めて説明する。
【００３７】
〔ｖｉ〕駆動：  走査信号ＧＥＲＴ[ｉ]がローレベルに遷移して第１トランジスタＴｒ１がＯＦＦ状態となる一方、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が三度ローレベルとなることで、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＮ状態となる。これにより、有機ＥＬ素子８には、ゲート電位Ｖｇに応じた大きさの駆動電流Ｉｅｌが駆動トランジスタＴｄｒから供給されることになり、当該有機ＥＬ素子８は発光する。
【００３８】
次に、前述したオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの詳細について、既に参照した図１乃至図３に加えて、図４以降の各図面を参照しながら説明する。
前記オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは、好適には、以下のようにして定められる。
まず、図４の左方及び特に図５に示すように、前記〔ｉｖ〕の移動度補償動作は、所定の時間Ｔ（図では、「移動度補償時間」）にわたって行われる（図３も参照）。この移動度補償時間の長さは装置全体に関わる事情を含めて種々の事情によって定められるが、一般的には、図５に示すように、移動度補償を実行する時間と駆動トランジスタＴｄｒのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係、及び、この関係と各単位回路Ｐに含まれる各駆動トランジスタＴｄｒがもつ移動度のバラツキとの関係、から、定められる。図５においては、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕からＴｄｒ〔Ｃ〕の順に従って移動度特性が悪くなる場合において、これら各駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕に係る曲線のすべてが、たまたま交差する０．５〔μｓ〕付近に、最適な移動度補償時間Ｔ（以下、「最適補償時間Ｔ」という。）が定められる様子が表現されている。なお、図５中の駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕の移動度（実線）はそれぞれ移動度のバラツキが±２０％の場合である。すなわち、１．０を基準として２０％移動度が高い特性を１．２、２０％低い特性を０．８として示している。
【００３９】
このような最適補償時間Ｔにわたった移動度補償が実行されれば、たしかに各駆動トランジスタＴｄｒの移動度バラツキによる発光輝度バラツキは抑制される。しかし、それがあてはまるのは、ある特定の発光階調について、に限られる。図６は、その事情を表現している。すなわち、図６では、最適補償時間Ｔの移動度補償が行われると、データ電位Ｖｄａｔａ＝１〔Ｖ〕のとき（即ち、このデータ電位１〔Ｖ〕に対応する駆動電流Ｉｅｌが有機ＥＬ素子８に流れる場合の発光階調で当該有機ＥＬ素子８が発光するとき）には、極めて実効的にバラツキが抑制されるのに対して、データ電位Ｖｄａｔａがそれ以外の値をとる場合はバラツキ抑制の程度は悪化することが示されている。なお、図６の縦軸の「バラツキ」は、発光輝度の最小値・最大値の比に基づいて定められている。
図４の左方においても、このような事情が表現されている。すなわち、この図においては、最適補償時間Ｔであって、データ電位がＶｄａｔａ〔Ａ〕のときには、ドレイン・ソース間電流Ｉｄｓのバラツキは効果的に抑制されるのに対して、データ電位がＶｄａｔａ〔Ｂ〕の場合の最適な移動度補償時間はデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ａ〕の場合のそれに比べて図中左の方にずれているため、最適補償時間Ｔでは前記バラツキはさほどの抑制効果が享受されないことが表されている。このような結果が得られるのは、図から明らかなように、やはり、駆動トランジスタＴｄｒの移動度がばらつくことに、主な原因があるといえる。なお、同図における「Ｔｄｒ〔Ａ〕」、「Ｔｄｒ〔Ｂ〕」、「Ｔｄｒ〔Ｃ〕」は、図５と同様、駆動トランジスタＴｄｒの別に応じた移動度の大小を表現している。
このままでは、有機ＥＬ素子８がある特定の階調で発光する時にしか、移動度補償の効果を享受することができない。
【００４０】
そこで、前記オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔが図４の右方に示すように定められる。
この図４の右方は、前記のデータ電位Ｖｄａｔａ〔Ｂ〕の場合における各駆動トランジスタＴｄｒに関し、当該各駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧を変えると、そのドレイン・ソース間電流がどのように変化するかを表している。この図に示すように、より大きな移動度をもつ駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕は、ゲート・ソース間電圧の上昇に伴って、相対的により急速にドレイン・ソース間電流Ｉｄｓを増大させていく。これに対して、より小さな移動度をもつ駆動トランジスタＴｄｒ〔Ｃ〕では、ドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの増大の程度は相対的に緩慢である。したがって、このような移動度の相違をもつ各駆動トランジスタＴｄｒが、図４の右方に示す空間内で描く曲線は、ゲート・ソース間電圧がある値をとる場合において、一定程度近づく、あるいは一定の領域ＸＲの範囲内に収まるように相互に接近する。なお、図７では、図４の右方と同趣旨であるが、それよりも正確・詳細な図が示されている（この図７は、図４右方が図４左方に対応するのと同様に、図５に対応する。）。
【００４１】
オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは、これら図４あるいは図７に示すような領域ＸＲの存在に配慮して定められる。
すなわち、この図の場合においては特に、好適な原オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔ’（これは、オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔを定める際の基準となる電圧を意味する。）は、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕及びＴｄｒ〔Ｂ〕に関する曲線が交わる交点に基づき定められるゲート・ソース間電圧αと、駆動トランジスタＴｄｒ〔Ｂ〕及びＴｄｒ〔Ｃ〕に関する曲線が交わる交点に基づき定められる当該電圧βとの間の範囲内で定められるとよい。このように原オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔ’が定められれば、データ電位がＶｄａｔａ〔Ｂ〕である場合にも、好適に移動度補償の効果を享受することができる。
【００４２】
なお、図４及び図７では特に、説明の便宜を図って、各駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕の描く曲線間の関係が極めて単純なものとなる場合を想定しているため、前述においては、各曲線の「交点」に基づく領域ＸＲの設定、ひいては原オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔ’の設定が、比較的簡単に可能である例について説明しているが、本発明が、かかる形態に限定されるわけではない。
実際上は、関与する駆動トランジスタＴｄｒの数は極めて多数でありえ、また、それら多数の駆動トランジスタＴｄｒの移動度特性、あるいはそのバラツキの態様も一様でない場合があり得る。さらには、関与するデータ電位Ｖｄａｔａの数も２種類以上である場合が容易に想定されるから、それら複数のデータ電位の存在の影響を考える必要もある。
したがって、図４の右方あるいは図７に示すような領域ＸＲの設定を行うにあたっては、上述した「交点」を利用するのではない図学的・幾何学的手法を採用して当該領域ＸＲを設定したり、あるいは、端的に、抑制したいドレイン・ソース間電流のバラツキ（あるいは、発光輝度のバラツキ）の抑制の程度を適当な数値でもって定め、当該数値を一義的な基準として用いながら当該領域ＸＲを設定する、などといった各種の設定手法が用いられてよい。基本的には、いかなる設定手法も本発明の範囲内にある。
なお、本発明にいう「第２データ電位は、…駆動トランジスタの各々の移動度のバラツキの程度にも応じて、定められる」という文言は、上述した領域ＸＲを利用した設定手法のほか、その他の各種の設定手法によって原オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔ’が設定される事態を包括的に包含する。
【００４３】
前記〔ｖ〕のオフセット電圧書込動作において利用されるオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは、以上に述べたように定められた原オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔ’に基づいて定められる。その際には、既に述べたように、容量素子Ｃ１及び有機ＥＬ素子８の寄生容量の存在について配慮される。
また、より重要なことは、データ電位Ｖｄａｔａの相違についての配慮である。先の図４の左方に示すように、データ電位がＶｄａｔａ〔Ａ〕及びＶｄａｔａ〔Ｂ〕とも異なったＶｄａｔａ〔Ｃ〕等々をとることとなれば、最適補償時間Ｔにおける各駆動トランジスタＴｄｒのバラツキの程度は異なることになり、同時にまた、図４の右方のかたち（この点については不図示）も異なることになる。したがって、この場合、原オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔ’それ自体の値が異なってくるから、オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔも、それに応じて定められることになる。つまり、前述の〔ｖ〕のオフセット電圧書込動作において既に述べたように、オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは、前記〔ｉｉｉ〕のデータ書込期間におけるデータ電位Ｖｄａｔａの大きさに応じるのである。
最終的に定められるオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは、以上のような各種の要因への配慮を前提とした上で、定められることになる。
【００４４】
図８は、以上のようにして定められたオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの一例を示す。この図においては、データ電位Ｖｄａｔａが１〔Ｖ〕である場合を一種の基準として（この場合、Ｖｏｆｆｆｓｅｔ＝０。図６参照）、例えばデータ電位Ｖｄａｔａ＝３〔Ｖ〕のときはオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔが０．７〔Ｖ〕程度、Ｖｄａｔａ＝６〔Ｖ〕のときはオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔが１．１５〔Ｖ〕程度、等々に設定されていることがわかる。
この図によれば、一般的に、〔ｉｉｉ〕のデータ書込動作におけるデータ電位Ｖｄａｔａが、所定値以上である場合には、〔ｖ〕のオフセット電圧書込動作時におけるデータ信号の電位は、当該データ電位Ｖｄａｔａよりも大きい値（即ち、Ｖｄａｔａ＋Ｖｏｆｆｓｅｔ＞Ｖｄａｔａ）とされると好ましく、あるいは、所定値を下回る場合には、当該データ信号の電位は、当該データ電位Ｖｄａｔａよりも小さい値（即ち、Ｖｄａｔａ＋Ｖｏｆｆｓｅｔ＜Ｖｄａｔａ）とされると好ましい、ということが導かれる。ここでいう「所定値」とは、図８の場合は言うまでもなく、“１〔Ｖ〕”を意味するが、本発明はもちろんこれに限定されるわけではない。より一般的にいえば、この「所定値」は、前述した最適補償時間Ｔと関連性をもつ（あるいは、前記〔ｉｖ〕の移動度補償動作において確保された（あるいは、現に実行された）移動度補償時間の長さが予め定められている場合を仮に前提におくと、当該長さによって、移動度補償の効果が最大にもたらされる発光階調が定まるが、前記「所定値」は、当該の発光階調と関連性をもつ、ともいえる。）
【００４５】
前述したデータテーブルＤＴ（図１参照）には、このようにして最終的に定められた、（一般に複数種類の）Ｖｏｆｆｓｅｔが、前記データ電位Ｖｄａｔａの相違に応じて記憶される。制御回路ＣＵは、前記〔ｖ〕のオフセット電圧書込動作を実行するにあたって、その直前に実行された〔ｉｉｉ〕データ書込動作において適用されたデータ電位Ｖｄａｔａの値を参照し、これに対応するオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔを当該データテーブルＤＴから引用して、オフセット電圧書込動作を実行する。
【００４６】
以上に述べたような有機ＥＬ装置１００ないし単位回路Ｐによれば、次のような効果が奏される。
（１）  本実施形態の単位回路Ｐによれば、移動度補償動作の後、データ電位Ｖｄａｔａの相違に応じて定められたオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔが、駆動トランジスタＴｄｒのゲート・ソース間電圧に印加されるようになっているので、有機ＥＬ素子８の発光階調にかかわらず、移動度バラツキを原因とする発光輝度バラツキの程度を抑制することが可能になる。図９は、どの程度のバラツキ抑制が可能かを示すが、この図から明らかなように、オフセット電圧書込動作がある場合は、それがない場合に比べて、著しくバラツキの程度を抑制することが可能であることがわかる。
【００４７】
（２）  本実施形態の単位回路Ｐによれば、より高い発光輝度の実現が可能になる。移動度補償を実行すると、例えば図５において示唆されるように、各駆動トランジスタＴｄｒ〔Ａ〕乃至Ｔｄｒ〔Ｃ〕のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓは減少してしまう（図５では、本来、１．０×１０−４〔Ａ〕程度の電流が流れるはずのところ、最適補償時間Ｔの移動度補償動作によって、１．０×１０−５〔Ａ〕程度の電流しか流れないことになる。）。したがって、より高い発光輝度の実現、あるいはより明るい画像の表示が困難になるおそれがある。
しかるに、本実施形態においては、このような移動度補償動作を実行した後に、オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔが印加されることになるから、一定程度の電流量のいわば回復が可能になる。すなわち、図４右方及び図７の縦軸に着目すれば明らかなように、オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの印加によって、有機ＥＬ素子８に流れる電流量は増加（即ち発光輝度は増加）するのである。図１０は、図９を前提とした場合に、どの程度の電流増大効果（即ち発光輝度増大効果）が得られることになるかを示すが、この図から明らかなように、オフセット電圧書込動作がある場合は、それがない場合に比べて、著しくドレイン・ソース間電流Ｉｄｓを増加することが可能であることがわかる。
【００４８】
（３）  本実施形態の単位回路Ｐによれば、前記〔ｖ〕のオフセット電圧書込動作は、発光制御トランジスタＴｅｌがＯＦＦ状態とされた上で行われるようになっている、すなわち、〔ｉｖ〕の移動度補償動作と〔ｖ〕のオフセット電圧書込動作とは、いわば各々独立して行われるかのようになっている。言い換えると、本実施形態におけるオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔの印加は、必ずしも移動度補償動作の実効性を確保するという目的をもって行われるのではなく、むしろ、移動度補償動作によって生じ得る不都合な点を解消しようとする目的をもって行われるものとなっている（前記（１）（２）の２つの効果は、その証左ともいえる。）。この点は特に、前記特許文献３との関係でみた場合、本実施形態における構成、作用及び効果のいずれの点においても際立った相違点をもつことを意味する。
【００４９】
＜応用＞
次に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器について説明する。
図１１は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１２に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
図１３に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００５０】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図１１から図１３に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００５１】
１００……有機ＥＬ装置、７……素子基板、８……有機ＥＬ素子、３……走査線、６……データ線、１１３……電源線、１０３……走査線駆動回路、１０６……データ線駆動回路、ＣＵ……制御回路、ＤＴ……データテーブル、Ｐ……単位回路、Ｔｄｒ……駆動トランジスタ、Ｔｅｌ……発光制御トランジスタ、Ｔｒ１……第１トランジスタ、Ｔｒ２……第２トランジスタ、Ｃ１……容量素子、ＧＩＮＩ１……第１補償制御信号、ＧＩＮＩ２……第２補償制御信号、ＧＷＲＴ……走査信号、ＧＥＬ……発光制御信号、Ｖｅｌ……高電源電位、ＶＣＴ……低電源電位、ＶＳＴ……初期化電位、Ｖｄａｔａ……データ電位、Ｖｏｆｆｓｅｔ……オフセット電圧、Ｔ……最適補償時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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