(57)【要約】      （修正有）【課題】少なくとも、表面に半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏面が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とから成る半導体装置において、前記アイランドとパッケージ体との間に剥離が発生することを低減する手段を提供する。【解決手段】アイランド２における上面２ａのうち半導体素子１より外側の部分に、当該部分における板厚をアイランド本来の板厚より薄くするように一段低くした段付き部６を設ける。【選択図】図２
2010192930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、表面に半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏面が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とから成る半導体装置において、
前記アイランドにおける表面のうち前記半導体素子より外側の部分に、一段低くした段付き部を設けるか、或いは、凹所を設けたことを特徴とするアイランド露出型半導体装置。
【請求項２】
少なくとも、表面に半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏面が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とから成る半導体装置において、
前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の部分に、表面から裏面への貫通孔を穿設したことを特徴とするアイランド露出型半導体装置。
【請求項３】
少なくとも、表面に半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏面が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とから成る半導体装置において、
前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の部分に、前記パッケージ体の内部への突出片を設けたことを特徴とするアイランド露出型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の部分を合成樹脂にてパッケージして成るパッケージ型半導体装置のうち、前記半導体素子を搭載した金属板製のアイランドを、前記パッケージ体の下面に露出することによって放熱効果を高めて成る半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、この種のアイランド露出型半導体装置は、従来から良く知られ、且つ、図１に示すように、半導体素子１を搭載した金属板製のアイランド２と、前記半導体素子１に対して金属線３によるワイヤボンディング等にて電気的に接続した複数本の金属板製のリード端子４とから成り、前記半導体素子１の部分を、熱硬化性合成樹脂によるパッケージ体５にて、前記アイランド２の下面が当該パッケージ体５の下面に露出し、且つ、各リード端子が当該パッケージ体５から突出するように密封するという構成にしている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、この従来におけるアイランド露出型半導体装置は、金属製のアイランドと、これに包み込むように密着する合成樹脂製とパッケージ体との間には、その間における熱膨張差等のための剥離が発生し易く、この剥離の箇所から水分等が前記半導体素子に向かって侵入するおそれが大きいという問題があった。
【０００４】
本発明は、この問題を解消することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この技術的課題を達成するため請求項１は、
「少なくとも、表面に半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏面が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とから成る半導体装置において、
前記アイランドにおける表面のうち前記半導体素子より外側の部分に、一段低くした段付き部を設けるか、或いは、凹所を設ける。」
という構成にした。
【０００６】
また、請求項２は、
「少なくとも、表面に半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏面が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とから成る半導体装置において、
前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の部分に、表面から裏面への貫通孔を穿設する。」
という構成にした。
【０００７】
更にまた、請求項３は、
「少なくとも、表面に半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏面が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とから成る半導体装置において、
前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の部分に、前記パッケージ体の内部への突出片を設ける。」
という構成にした。
【発明の効果】
【０００８】
このように、アイランドにおける表面のうち前記半導体素子より外側の部分に、一段低くした段付き部を設けるか、或いは、凹所を設けることにより、アイランドとパッケージ体との密着面積が増大するから、アイランドのパッケージ体との密着強度をアップできる。
【０００９】
また、前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の部分に、表面から裏面への貫通孔を穿設することにより、この貫通孔に充填される合成樹脂にてアイランドとパッケージ体とを連結できるから、アイランドとパッケージ体との密着強度をアップできる。
【００１０】
更にまた、前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の部分に、前記パンケージ体の内部への突出片を設けることにより、この突出片がパッケージ体内に埋設され、この突出片を介してアイランドとパッケージ体とを連結できるから、アイランドとパッケージ体との密着強度をアップできる。
【００１１】
従って、本発明によると、アイランドとパッケージ体との間に剥離が発生することを、大型化を招来することなく、確実に低減できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来における半導体装置を示す縦断正面図である。
【図２】本発明における第１の実施の形態による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図３】前記第１の実施の形態におけるアイランドを示す斜視図である。
【図４】本発明における第１の実施の形態の変形例による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図５】前記変形例におけるアイランドを示す斜視図である。
【図６】本発明における第１の実施の形態の別の変形例による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図７】前記別の変形例におけるアイランドを示す斜視図である。
【図８】本発明における第１の実施の形態の更に別の変形例による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図９】前記更に別の変形例におけるアイランドを示す斜視図である。
【図１０】本発明における第２の実施の形態による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図１１】前記第２の実施の形態におけるアイランドを示す斜視図である。
【図１２】本発明における第３の実施の形態による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図１３】前記第３の実施の形態におけるアイランドを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を示す。
【００１４】
図２及び図３は、第１の実施の形態を示す。
【００１５】
この第１の実施の形態は、上面２ａに半導体素子１を搭載した金属板製のアイランド２と、前記半導体素子１に対して金属線３によるワイヤボンディング等にて電気的に接続した複数本の金属板製のリード端子４と、前記半導体素子１の部分を前記アイランド２の下面が露出し且つ前記各リード端子が突出するように密封した合成樹脂製のパッケージ体５とから成る半導体装置において、前記アイランド２における上面２ａのうち前記半導体素子１より外側の部分に、当該部分における板厚さＴ１をアイランド２における本来の板厚さＴ０よりも薄くするように一段低くした段付き部６を設ける。
【００１６】
なお、符号７は、前記アイランド２に対する吊りリードを示す。
【００１７】
このように、アイランド２における上面２ａの半導体素子１より外側の部分に一段低くした段付き部６を設けると、パッケージ体５をモールド成形したとき合成樹脂が前記段付き部６まで密着することにより、アイランド２とパッケージ体５との密着面積が、このように段付き部６を設けない場合よりも増大し、アイランド２のパッケージ体５との密着強度がアップするから、この間に剥離が発生することを確実に低減できる。
【００１８】
この第１の実施の形態においては、図４及び図５に示す変形例のように、前記アイランド２における上面２ａのうち、半導体素子１より外側の部分に一段低くした段付き部６を設けることに加えて、前記半導体素子１を搭載する部分も一段低くした構成にしても良いのである。
【００１９】
このように、アイランド２における上面２ａのうち半導体素子１より外側の部分に一段低くした段付き部６を設けることを、図示したように、前記アイランド２の全周囲にわたって設けて、この段付き部６で前記半導体素子１の周囲を囲うように構成することにより、剥離防止の機能をより向上できるとともに、剥離が発生しても、半導体素子１への水分等の侵入を、前記段付き部６の部分で確実に阻止することができる利点がある。
【００２０】
なお、前記のように、アイランド２の上面２ａを部分的に一段低くした段付き部６を設けることの加工は、金属板からアイランド２と各リード端子４をホォトリソ法によるエッチング法にて形成するときにおいて、同時にホォトリソ法によるハーフエッチング（板の厚さの一部をエッチングにて除去して薄くすること）にて行うか、或いは、金属板からアイランド２と各リード端子４をホォトリソ法又はプレス打ち抜きにて形成したあとにおける別のホォトリソ法によるハーフエッチングにて行うようにすれば良い。
【００２１】
前記第１の実施の形態における別の変形例としては、前記アイランド２の上面２ａに、凹所を設けるようにしても良い。
【００２２】
すなわち、図６及び図７に示すように、アイランド２の上面２ａに、複数個のディンプル状の凹所６ａを設けたり、或いは、図８及び図９に示すように、溝状の凹所６ａ′を設けたりする。
【００２３】
このように凹所６ａ，６ａ′を設けることで、パッケージ体５をモールド成形したとき合成樹脂が前記凹所６ａ，６ａ′内に充填して密着することにより、前記の場合と同様に、アイランド２とパッケージ体５との密着面積が、この凹所６ａ，６ａ′を設けない場合よりも増大し、アイランド２のパッケージ体５との密着強度がアップするから、この間に剥離が発生することを確実に低減できる。
【００２４】
特に、前記溝状の凹所６ａ′を設ける場合において、この溝状の凹所６ａ′を、図示のように、半導体素子１の周囲を囲うように設けて、リングに構成することにより、剥離防止の機能をより向上できるとともに、剥離が発生しても、半導体素子１への水分等の侵入を、前記リング溝状の凹所６ａ′の部分で確実に阻止することができる利点がある。
【００２５】
なお、これら各凹所６ａ，６ａ′は、前記第１の実施の形態において述べた段付き部６と同様に、ホォトリソ法によるハーフエッチングにて形成することかできるこというまでもない。
【００２６】
次に、図１０及び図１１は、第２の実施の形態を示す。
【００２７】
この第２の実施の形態は、前記した構成の半導体装置において、そのアイランド２のうち前記半導体素子１よりも外側の部分に、その表裏両面を連通する貫通孔６ｂを、例えば、ホォトリソ法によるエッチング又はプレス打ち抜きにて穿設したものである。
【００２８】
このように、アイランド２のうち前記半導体素子１よりも外側の部分に貫通孔６ｂを穿設することで、パッケージ体５をモールド成形するとき合成樹脂が前記貫通孔６ｂ内に充填し、この貫通孔６ｂ内に充填される合成樹脂にてアイランド２とパッケージ体５とを連結できるから、この間に剥離が発生することを確実に低減できる。
【００２９】
この場合においても、前記貫通孔６ｂを、図示したように、半導体素子１の全周囲に沿って適宜ピッチの間隔で複数個穿設することにより、剥離防止の機能をより向上できる。
【００３０】
そして、図１２及び図１３は、第３の実施の形態を示す。
【００３１】
この第３の実施の形態は、前記した構成の半導体装置において、そのアイランド２のうち前記半導体素子１よりも外側の部分に、前記パッケージ体５の内部への突出片６ｃを設けたものである。
【００３２】
このように、アイランド２のうち前記半導体素子１よりも外側の部分にパッケージ体５の内部への突出片６ｃを設けることで、パッケージ体５をモールド成形するときパッケージ体５内に前記突出片６ｃが埋設される状態になって、この突出片６ｃにてアイランド２とパッケージ体５とを連結できるから、この間に剥離が発生することを確実に低減できる。
【００３３】
この場合においても、前記突出片６ｃを、図示のように、アイランド２における四隅に設ける等、半導体素子１の全周囲に沿って適宜ピッチの間隔で複数個穿設することにより、剥離防止の機能をより向上できる。なお、このように、突出片６ｃを複数個にする場合には、その一部を、吊りリード７にて兼用することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１                      半導体素子
２                      アイランド
３                      金属線
４                      リード端子
５                      パッケージ体
６                      段付き部
６ａ，６ａ′            凹所
６ｂ                    貫通孔
６ｃ                    突出片
【図１】
2010192930.tif 000003
【図２】
2010192930.tif 000004
【図３】
2010192930.tif 000005
【図４】
2010192930.tif 000006
【図５】
2010192930.tif 000007
【図６】
2010192930.tif 000008
【図７】
2010192930.tif 000009
【図８】
2010192930.tif 000010
【図９】
2010192930.tif 000011
【図１０】
2010192930.tif 000012
【図１１】
2010192930.tif 000013
【図１２】
2010192930.tif 000014
【図１３】
2010192930.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の部分を合成樹脂にてパッケージして成るパッケージ型半導体装置のうち、前記半導体素子を搭載した金属板製のアイランドを、前記パッケージ体の下面に露出することによって放熱効果を高めて成る半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、この種のアイランド露出型半導体装置は、従来から良く知られ、且つ、図１に示すように、半導体素子１を搭載した金属板製のアイランド２と、前記半導体素子１に対して金属線３によるワイヤボンディング等にて電気的に接続した複数本の金属板製のリード端子４とから成り、前記半導体素子１の部分を、熱硬化性合成樹脂によるパッケージ体５にて、前記アイランド２の下面が当該パッケージ体５の下面に露出し、且つ、各リード端子が当該パッケージ体５から突出するように密封するという構成にしている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、この従来におけるアイランド露出型半導体装置は、金属製のアイランドと、これに包み込むように密着する合成樹脂製とパッケージ体との間には、その間における熱膨張差等のための剥離が発生し易く、この剥離の箇所から水分等が前記半導体素子に向かって侵入するおそれが大きいという問題があった。
【０００４】
本発明は、この問題を解消することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この技術的課題を達成するため請求項１は、
「半導体素子と、前記半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏側が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とを有する半導体装置において、
平面視で前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の表面に、前記アイランドの表面より低くした段付き部、又はパッケージ体から露出しない高さの突部を有し、
前記アイランドは、その裏面が前記パッケージ体から露出することに加えて，当該アイランドに対して屈曲部の無い吊りリードを一体に有する。」
という構成にした。
そして、請求項２は、請求項１に記載の発明において、記半導体装置が複数本の金属板製リード端子を有するものであり、請求項３は、請求項１又は２のいずれかの発明において、前記半導体装置と前記リード端子とが、ワイヤボンディングで電気的に接続されている構成である。
また、請求項４では、請求項１〜３のいずれかの発明において、前記アイランドの表面のうち前記半導体素子が搭載された部分が、前記アイランドの表面のうち前記半導体素子が搭載されていない部分よりも一段低い構成にしている。
請求項１〜４のいずれかの発明において、他の前記段付き部の構成として、請求項５は複数個のディンプル状の凹所からなるものであり、また、請求項６では溝状の凹所からなる構成である。
請求項７は、請求項１〜６のいずれかの発明において、前記溝状の凹所が、前記半導体素子の周囲を囲うように、リング状に形成されているものであり、請求項８では、この溝状の凹所が、前記半導体素子の周囲を切れ目無く囲むように形成されているものである。
【０００６】
また、請求項９は、前記請求項１〜８のいずれかの発明において、
「前記アイランドが、前記半導体素子よりも外側の部分に、前記アイランドの表裏両面を連通する貫通孔を有するものであり、さらに、請求項１０では、この貫通孔が半導体素子の全周囲に沿って形成されている。」という構成とした。
そして、他に前記貫通孔の構成として、請求項１１は、請求項９又は１０のいずれかの発明において、前記貫通孔が複数個形成されているものであり、請求項１２では、請求項９〜１１のいずれかの発明において、前記アイランドの角において、連続して２辺にまたがるように屈曲して形成されているという構成にした。
さらに、請求項１３は、請求項１２の発明において、前記貫通孔が前記アイランドの全ての角に形成されているものであり、請求項１４では、請求項９〜１３のいずれかの発明において、この貫通孔が、８箇所形成されているという構成にした。
また、請求項１５では、請求項９〜１４のいずれかの発明において、前記貫通孔が、前記吊りリードと前記アイランドとの接続する辺に形成されており、請求項１６では、請求項１５の発明において、直線状に形成されている構成にした。
【０００７】
更にまた、請求項１７は、請求項１〜１６のいずれかの発明において、
「前記突部が、前記アイランドの隅部に形成されている。」
という構成にした。
そして、他の突部の構成として、請求項１８は、請求項１〜１７のいずれかの発明に
おいて、前記突部が４箇所形成されているものであり、請求項１９では、請求項１〜１８のいずれかの発明において、前記突部と前記アイランドとが成す角度が鈍角であるという構成である。
また、請求項２０は、前記請求項１〜１９のいずれかの発明において、前記突部の高さが、前記半導体素子の最も高い位置よりも低い構成であり、また、請求項２１は、請求項２の発明において、前記突部の高さが、前記金属線の最も高い位置よりも低い高さの構成にした。
【発明の効果】
【０００８】
このように、アイランドにおける表面のうち前記半導体素子より外側の部分に、一段低くした段付き部を設けるか、或いは、凹所を設けることにより、アイランドとパッケージ体との密着面積が増大するから、アイランドのパッケージ体との密着強度をアップできる。
【０００９】
また、前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の部分に、表面から裏面への貫通孔を穿設することにより、この貫通孔に充填される合成樹脂にてアイランドとパッケージ体とを連結できるから、アイランドとパッケージ体との密着強度をアップできる。
【００１０】
更にまた、前記アイランドのうち前記半導体素子より外側の部分に、前記パッケージ体の内部への突出片を設けることにより、この突出片がパッケージ体内に埋設され、この突出片を介してアイランドとパッケージ体とを連結できるから、アイランドとパッケージ体との密着強度をアップできる。
【００１１】
従って、本発明によると、アイランドとパッケージ体との間に剥離が発生することを、大型化を招来することなく、確実に低減できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来における半導体装置を示す縦断正面図である。
【図２】本発明における第１の実施の形態による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図３】前記第１の実施の形態におけるアイランドを示す斜視図である。
【図４】本発明における第１の実施の形態の変形例による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図５】前記変形例におけるアイランドを示す斜視図である。
【図６】本発明における第１の実施の形態の別の変形例による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図７】前記別の変形例におけるアイランドを示す斜視図である。
【図８】本発明における第１の実施の形態の更に別の変形例による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図９】前記更に別の変形例におけるアイランドを示す斜視図である。
【図１０】本発明における第２の実施の形態による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図１１】前記第２の実施の形態におけるアイランドを示す斜視図である。
【図１２】本発明における第３の実施の形態による半導体装置を示す縦断正面図である。
【図１３】前記第３の実施の形態におけるアイランドを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を示す。
【００１４】
図２及び図３は、第１の実施の形態を示す。
【００１５】
この第１の実施の形態は、上面２ａに半導体素子１を搭載した金属板製のアイランド２と、前記半導体素子１に対して金属線３によるワイヤボンディング等にて電気的に接続した複数本の金属板製のリード端子４と、前記半導体素子１の部分を前記アイランド２の下面が露出し且つ前記各リード端子が突出するように密封した合成樹脂製のパッケージ体５とから成る半導体装置において、前記アイランド２における上面２ａのうち前記半導体素子１より外側の部分に、当該部分における板厚さＴ１をアイランド２における本来の板厚さＴ０よりも薄くするように一段低くした段付き部６を設ける。
【００１６】
なお、符号７は、前記アイランド２に対する吊りリードを示し、この吊りリード７は、前記アイランド２に、当該アイランドに対して屈曲部の無いようにして一体に設けられている。
【００１７】
このように、アイランド２における上面２ａの半導体素子１より外側の部分に一段低くした段付き部６を設けると、パッケージ体５をモールド成形したとき合成樹脂が前記段付き部６まで密着することにより、アイランド２とパッケージ体５との密着面積が、このように段付き部６を設けない場合よりも増大し、アイランド２のパッケージ体５との密着強度がアップするから、この間に剥離が発生することを確実に低減できる。
【００１８】
この第１の実施の形態においては、図４及び図５に示す変形例のように、前記アイランド２における上面２ａのうち、半導体素子１より外側の部分に一段低くした段付き部６を設けることに加えて、前記半導体素子１を搭載する部分も一段低くした構成にしても良いのである。
【００１９】
このように、アイランド２における上面２ａのうち半導体素子１より外側の部分に一段低くした段付き部６を設けることを、図示したように、前記アイランド２の全周囲にわたって設けて、この段付き部６で前記半導体素子１の周囲を囲うように構成することにより、剥離防止の機能をより向上できるとともに、剥離が発生しても、半導体素子１への水分等の侵入を、前記段付き部６の部分で確実に阻止することができる利点がある。
【００２０】
なお、前記のように、アイランド２の上面２ａを部分的に一段低くした段付き部６を設けることの加工は、金属板からアイランド２と各リード端子４をホォトリソ法によるエッチング法にて形成するときにおいて、同時にホォトリソ法によるハーフエッチング（板の厚さの一部をエッチングにて除去して薄くすること）にて行うか、或いは、金属板からアイランド２と各リード端子４をホォトリソ法又はプレス打ち抜きにて形成したあとにおける別のホォトリソ法によるハーフエッチングにて行うようにすれば良い。
【００２１】
前記第１の実施の形態における別の変形例としては、前記アイランド２の上面２ａに、凹所を設けるようにしても良い。
【００２２】
すなわち、図６及び図７に示すように、アイランド２の上面２ａに、複数個のディンプル状の凹所６ａを設けたり、或いは、図８及び図９に示すように、溝状の凹所６ａ′を設けたりする。
【００２３】
このように凹所６ａ，６ａ′を設けることで、パッケージ体５をモールド成形したとき合成樹脂が前記凹所６ａ，６ａ′内に充填して密着することにより、前記の場合と同様に、アイランド２とパッケージ体５との密着面積が、この凹所６ａ，６ａ′を設けない場合よりも増大し、アイランド２のパッケージ体５との密着強度がアップするから、この間に剥離が発生することを確実に低減できる。
【００２４】
特に、前記溝状の凹所６ａ′を設ける場合において、この溝状の凹所６ａ′を、図示のように、半導体素子１の周囲を囲うように設けて、リングに構成することにより、剥離防止の機能をより向上できるとともに、剥離が発生しても、半導体素子１への水分等の侵入を、前記リング溝状の凹所６ａ′の部分で確実に阻止することができる利点がある。
【００２５】
なお、これら各凹所６ａ，６ａ′は、前記第１の実施の形態において述べた段付き部６と同様に、ホォトリソ法によるハーフエッチングにて形成することかできるこというまでもない。
【００２６】
次に、図１０及び図１１は、第２の実施の形態を示す。
【００２７】
この第２の実施の形態は、前記した構成の半導体装置において、そのアイランド２のうち前記半導体素子１よりも外側の部分に、その表裏両面を連通する貫通孔６ｂを、例えば、ホォトリソ法によるエッチング又はプレス打ち抜きにて穿設したものである。
【００２８】
このように、アイランド２のうち前記半導体素子１よりも外側の部分に貫通孔６ｂを穿設することで、パッケージ体５をモールド成形するとき合成樹脂が前記貫通孔６ｂ内に充填し、この貫通孔６ｂ内に充填される合成樹脂にてアイランド２とパッケージ体５とを連結できるから、この間に剥離が発生することを確実に低減できる。
【００２９】
この場合においても、前記貫通孔６ｂを、図示したように、半導体素子１の全周囲に沿って適宜ピッチの間隔で複数個穿設することにより、剥離防止の機能をより向上できる。  
【００３０】
そして、図１２及び図１３は、第３の実施の形態を示す。
【００３１】
この第３の実施の形態は、前記した構成の半導体装置において、そのアイランド２のうち前記半導体素子１よりも外側の部分に、前記パッケージ体５の内部への突出片６ｃを設けたものである。
【００３２】
このように、アイランド２のうち前記半導体素子１よりも外側の部分にパッケージ体５の内部への突出片６ｃを設けることで、パッケージ体５をモールド成形するときパッケージ体５内に前記突出片６ｃが埋設される状態になって、この突出片６ｃにてアイランド２とパッケージ体５とを連結できるから、この間に剥離が発生することを確実に低減できる。
【００３３】
この場合においても、前記突出片６ｃを、図示のように、アイランド２における四隅に設ける等、半導体素子１の全周囲に沿って適宜ピッチの間隔で複数個穿設することにより、剥離防止の機能をより向上できる。なお、このように、突出片６ｃを複数個にする場合には、その一部を、吊りリード７にて兼用することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１                      半導体素子
２                      アイランド
３                      金属線
４                      リード端子
５                      パッケージ体
６                      段付き部
６ａ，６ａ′            凹所
６ｂ                    貫通孔
６ｃ                    突出片
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、前記半導体素子を搭載した金属板製のアイランドと、前記アイランドの裏側が露出するように前記半導体素子を密封した合成樹脂製のパッケージ体とを有する半導体装置において、
平面視で前記アイランドの前記半導体素子より外側の表面に、前記アイランドの表面より低くした段付き部、又はパッケージ体から露出しない高さの突部を有し、
前記アイランドの裏面が前記パッケージ体から露出することに加えて，当該アイランドに対して屈曲部の無い吊りリードを一体に有することを特徴とするアイランド露出型半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置が複数本の金属板製リード端子を有することを特徴とする請求項１に記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置と前記リード端子とが、ワイヤボンディングで電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項４】
前記アイランドの表面のうち前記半導体素子が搭載された部分が、前記アイランドの表面のうち前記半導体素子が搭載されていない部分よりも一段低いことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項５】
前記段付き部が、複数個のディンプル状の凹所からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項６】
前記段付き部が、溝状の凹所からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項７】
前記溝状の凹所が、前記半導体素子の周囲を囲うように、リング状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項８】
前記溝状の凹所が、前記半導体素子の周囲を切れ目無く囲むように形成されていることを特徴とする請求項７に記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項９】
前記アイランドが、前記半導体素子よりも外側の部分に、前記アイランドの表裏両面を連通する貫通孔を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１０】
前記貫通孔が半導体素子の全周囲に沿って形成されていることを特徴とする請求項９に記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１１】
前記貫通孔が複数個形成されていることを特徴とする請求項９又は１０のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１２】
前記貫通孔が、前記アイランドの角において、連続して２辺にまたがるように屈曲して形成されていることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１３】
前記貫通孔が、前記アイランドの全ての角に形成されていることを特徴とする請求項１２に記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１４】
前記貫通孔が、８箇所形成されていることを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１５】
前記貫通孔が、前記吊りリードと前記アイランドとの接続する辺に形成されていることを特徴とする請求項９〜１４のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１６】
前記貫通孔が、直線状に形成されていることを特徴とする請求項１５に記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１７】
前記突部が、前記アイランドの隅部に形成されていることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１８】
前記突部が、４箇所形成されていることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項１９】
前記突部と前記アイランドとが成す角度が鈍角であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項２０】
前記突部の高さが、前記半導体素子の最も高い位置よりも低いことを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載のアイランド露出型半導体装置。
【請求項２１】
前記突部の高さが、前記金属線の最も高い位置よりも低い高さであることを特徴とする請求項２に記載のアイランド露出型半導体装置。