(57)【要約】【課題】ブランキングを行う必要をなくすことでビーム電流のロスを無くし、スループットを向上する。【解決手段】描画パターンが疎である区間Ｒ２は基板周方向の移動速度Ｖsub及びビーム偏向速度Ｖbeamを速くし、密である区間Ｒ１，Ｒ３Ｖsub及びＶbeamを遅くすることで、ブランキング制御部３１によるブランキングをなくす。このとき、描画パターンを径方向に太い大きさで形成したい区間Ｒ６においては、最適速度生成器４７で描画速度Ｖexpを区間Ｒ４，Ｒ５よりも遅く設定し、Ｖexpが略一定の場合よりもＶsubを相対的に遅くすることで、太い描画を実現できる。【選択図】図２
2010192908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の表面にビームを照射して、前記物体の表面上の走査ラインに沿ってパターンを形成する形成装置であって、
前記ビームを放射する電子源と、
前記放射されたビームを、前記物体の表面に収束させる収束レンズと、
前記ビームを偏向させる設定を行う偏向設定手段と、
前記偏向設定手段における前記設定に基づいて、前記走査ラインに交差する第１方向、又は、当該第１方向と反対向きの第２方向、のいずれかへ、ブランキングさせることなく前記ビームを偏向し、前記ビームのビームスポットを前記物体の表面のいずれかの前記走査ライン上へ位置決めする偏向手段と、
前記電子ビームに対して前記物体を相対的に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする形成装置。
【請求項２】
前記物体は基板であり、前記走査ラインは前記基板上に形成されるトラックに相当する走査ラインであることを特徴とする請求項１に記載の形成装置。
【請求項３】
前記偏向手段及び前記移動手段は、前記第１方向又は第２方向に形成される前記パターンが、前記基板が複数回回転する間に前記ビームを前記表面に照射することで形成されるように動作することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム、レーザビーム、荷電ビーム等の露光ビームを用いた形成方法、形成装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームやレーザビーム等の露光ビームを用いてリソグラフィを行うビーム記録装置は、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ：Digital Versatile Disc）、Blu-ray Disc等の光ディスク、磁気記録用のハードディスクなどの大容量ディスクの原盤製造装置に広く適用されている。
【０００３】
例えば、光ディスク等を製造する際には、先ず、トラックに沿った所定の凹凸パターンを原盤に形成し、この原盤からディスクスタンパを形成する。そして、そのディスクスタンパを用いて合成樹脂などを加熱プレス加工または射出成形してパターンが原盤から転写された記録面上を金属蒸着処理した後、透光性基板などを形成する。
【０００４】
ここで、原盤へのパターンの記録はビーム記録装置によって行われる。ビーム記録装置では、原盤となる基板記録面を回転させつつ、ビームを適宜半径方向に送ることにより、螺旋状又は同心円状のトラック軌跡を基板記録面上に描くように制御する。
【０００５】
このとき、従来は、ビームのブランキングを行うことによって、その軌跡上においてビーム照射をオン／オフさせることにより、当該記録面上にピットを記録していた（非特許文献１参照）。あるいは、ビームのオン／オフ制御の代わってビームの偏向制御によってピットパターンを記録していた（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３１５６３７号公報（第３頁、図２）
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｙ．ワダ他、「電子ビーム記録装置を用いた高密度記録」、ジャパン・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス第40巻、 1653−1660頁(2001)（"High-Density Recording using an Electron Beam Recorder", Y. Wada et al. ,Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40(2001),pp.1653-1660）（第1655頁、図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、ビームのブランキングを行うことによりデータのスペース部を実現する従来技術では、ビーム電流のロスが生じるという問題があった。また、ビームの偏向制御によってピットパターンを記録する従来技術では、ビーム偏向が大きくなると焦点ずれ（デフォーカス）が生じるため、長いスペースに対してはブランキングを行う必要があった。従って、ビーム電流のロスが無く、スループットの高いビーム記録装置の実現が望まれていた。
【０００９】
本発明が解決しようとする課題には、上記した問題が一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、物体の表面にビームを照射して、前記物体の表面上の走査ラインに沿ってパターンを形成する形成装置であって、前記ビームを放射する電子源と、前記放射されたビームを、前記物体の表面に収束させる収束レンズと、前記ビームを偏向させる設定を行う偏向設定手段と、前記偏向設定手段における前記設定に基づいて、前記走査ラインに交差する第１方向、又は、当該第１方向と反対向きの第２方向、のいずれかへ、ブランキングさせることなく前記ビームを偏向し、前記ビームのビームスポットを前記物体の表面のいずれかの前記走査ライン上へ位置決めする偏向手段と、前記電子ビームに対して前記物体を相対的に移動させる移動手段と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態の記録装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】コントローラのうちビームの偏向制御及び基板の位置制御を行う部分の詳細構成の一例を示す機能ブロック図である。
【図３】θステージ及びＸステージの追従周波数帯域と、ローパスフィルタの通過周波数帯域と、記録動作を行う周波数帯域とを模式的に示した説明図である。
【図４】本発明の一実施形態の背景となる基本原理を表す、電子ビーム描画を行う場合の電子ビームの偏向量を模式的に示した説明図である。
【図５】本発明の一実施形態の記録制御の基本挙動を模式的に説明する図である。
【図６】連続する記録区間における電子ビームの偏向量及び基板のトラックを模式的に表す説明図である。
【図７】コントローラの偏向・基板速度信号生成器及び最適速度生成器により実行される制御手順を表すフローチャートである。
【図８】電子ビーム記録装置における潜像形成のための制御信号を生成して入力する記録制御信号生成装置の全体構成を表す機能ブロック図である。
【図９】潜像の多重形成を行う変形例の背景となるブランキング挙動を表す模式的説明図である。
【図１０】潜像の多重形成を行う変形例の電子ビームの偏向量及び基板のトラックを模式的に表す説明図である。
【図１１】偏向・基板速度信号生成器及び最適速度生成器により実行される制御手順を表すフローチャートである。
【図１２】４回及び２回の潜像多重形成領域が存在する変形例の電子ビームの偏向量及び基板のトラックを模式的に表す説明図である。
【図１３】径方向へ描画速度制御へ拡張した変形例の電子ビームの偏向量及び基板のトラックを模式的に表す説明図である。
【図１４】偏向・基板速度信号生成器及び上記最適速度生成器により実行される制御手順を表すフローチャートである。
【図１５】基板移動制御時の時定数が大きい変形例における電子ビームの偏向量及び基板のトラックを模式的に表す説明図である。
【図１６】転写型を用いて作製されるパターン磁気記録媒体の一例を示す平面図である。
【図１７】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１８】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１９】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２０】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２１】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２２】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２３】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２４】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２５】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２６】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２７】インプリント用転写型の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２８】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２９】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３０】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３１】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３２】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３３】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３４】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３５】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３６】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３７】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３８】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３９】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４０】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４１】パターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
図１は、本実施形態の記録装置（電子ビーム記録装置）の構成を模式的に示すブロック図である。本実施形態は、電子ビームを用い、光ディスク製造用の原盤を作製するディスクマスタリング装置に本発明を適用した場合の実施形態である。
【００１４】
図１において、電子ビーム記録装置１０は、真空チャンバ１１と、この真空チャンバ１１内に配されたターンテーブル１６と、このターンテーブル１６上に載置され表面にレジストが塗布されたディスク原盤用の基板１５と、ターンテーブル１６をディスク基板主面の垂直軸まわりに回転駆動するスピンドルモータ１７と、スピンドルモータ１７を上部に設けた送りステージ（以下適宜、Ｘステージという）１８と、真空チャンバ１１に取り付けられた電子ビームカラム２０と、コントローラ３０とを有している。
【００１５】
真空チャンバ１１は、エアーダンパなどの防振台（図示しない）を介して設置され、外部からの振動の伝達が抑制されている。また、真空チャンバ１１は、真空ポンプ（図示しない）が接続されており、これによってチャンバ内を排気することによって真空チャンバ１１の内部が所定圧力の真空雰囲気となるように設定されている。なお、真空チャンバ１１には、基板１５の表面の高さを検出するための光源３６Ａと、例えば、ポジションセンサやＣＣＤ（Charge Coupled Device）などを含む光検出器３６Ｂとが設けられている（詳細機能は後述）。
【００１６】
ターンテーブル１６は誘電体、例えば、セラミックからなり、静電チャッキング機構（図示しない）を有している。かかる静電チャッキング機構は、ターンテーブル１６（セラミック）とターンテーブル１６内に設けられ静電分極を生起させるための導体からなる電極とを備えて構成されている。当該電極には高電圧電源（図示しない）が接続され、高電圧電源から当該電極に電圧が印加されることにより基板１５を吸着保持している。
【００１７】
Ｘステージ１８は、移送（並進駆動）装置である送りモータ１９に結合され、スピンドルモータ１７及びターンテーブル１６を基板１５の主面と平行な面内の所定方向（ｘ方向）に移動可能となっており、このＸステージ１８と、上記スピンドルモータ１７及びターンテーブル１６とによってＸθステージが構成されている。
【００１８】
このとき、Ｘステージ１８上には、レーザ干渉系３５の一部である反射鏡３５Ａが配されている。レーザ干渉系３５は、図示しない光源からの測距用レーザ光による上記反射鏡３５Ａでの反射光を用いてＸステージ１８までの距離を測距し、その測距データ、すなわちＸステージ１８の送り（Ｘ方向）位置データをステージ駆動部３７に送る。
【００１９】
また、スピンドルモータ１７の回転信号も、ステージ駆動部３７に送られる。当該回転信号は、基板１５の基準回転位置を表す回転同期信号、及び基準回転位置からの所定回転角ごとのパルス信号を含んでいる。ステージ駆動部３７は、当該回転信号により基板１５の回転角、回転速度、回転周波数等を得る。
【００２０】
ステージ駆動部３７は、上記のようにして取得したＸステージ１８からの送り位置データとスピンドルモータ１７からの回転信号とに基づいて、電子ビームスポットの基板上の位置を表す位置データを生成し、コントローラ３０に供給する。コントローラ３０はこの位置データに基づきステージ駆動部３７に制御信号を出力し、ステージ駆動部３７は、そのコントローラ３０からの制御信号に基づきスピンドルモータ１７及び送りモータ１９を駆動する。すなわち、スピンドルモータ１７及びＸステージ１８の駆動量である、ターンテーブル１６（すなわち基板１５）の回転角Ｘ及びステージ１８の送り量が、ステージ駆動部３７を介し上記コントローラ３０によって制御される。
【００２１】
なお、以上はＸθ系ステージを有する場合について説明したが、ＸＹ系ステージを用い、ステージ駆動部３７が当該ＸＹ系ステージを駆動してビームスポットのＸ，Ｙ位置制御をなすように構成されていてもよい。
【００２２】
電子ビームカラム２０内には、電子ビームを射出する電子銃（エミッタ）２１、射出された電子ビームを収束する収束レンズ２２と、ブランキング電極２３、アパーチャ２４、ビーム偏向電極２５、フォーカスレンズ２７、対物レンズ２８がこの順で配置され、さらにコントローラ３０からのビーム位置補正信号に基づいて電子ビームの位置補正を行うアライメント電極を含んでいる。
【００２３】
電子銃２１は、加速高圧電源（図示しない）から供給される高電圧が印加される陰極（図示しない）により数１０ＫｅＶに加速された電子ビーム（ＥＢ）を射出する。
【００２４】
ブランキング電極２３は、コントローラ３０からの制御信号で制御されるブランキング制御部３１からの変調信号に基づいて電子ビームのオン／オフ切換（ＯＮ／ＯＦＦ）を行う。すなわち、ブランキング電極２３間に電圧を印加して通過する電子ビームを大きく偏向させることにより、電子ビームがアパーチャ２４を通過するのを阻止し、電子ビームをオフ状態とすることができる。
【００２５】
ビーム偏向電極２５は、コントローラ３０からの制御信号で制御されるビーム偏向部３３からの制御信号に基づいて電子ビームを高速で偏向制御する。この偏向制御により、基板１５に対する電子ビームスポットの位置制御を行う。
【００２６】
フォーカスレンズ２７は、コントローラ３０からの制御信号で制御されるフォーカス制御部３４からの駆動信号に基づいて駆動され、電子ビームのフォーカス制御が行われる。
【００２７】
このとき、フォーカス制御部３４には高さ検出部３６からの検出信号が入力されている。すなわち、上記光検出器３６Ｂが、光源３６Ａから射出され基板１５の表面で反射された光ビームを受光し、その受光信号を高さ検出部３６に供給する。高さ検出部３６は、その受光信号に基づいて基板１５の表面の高さを検出して検出信号を生成し、フォーカス制御部３４は当該検出信号に基づいて電子ビームのフォーカス制御を行う。
【００２８】
コントローラ３０には、記録すべき情報データ（記録データ）ＲＤが供給される。記録データＲＤは、ディスク記録に用いられる変調データ、例えばＤＶＤディスクでは８／１６変調等による変調データである。コントローラ３０は、この記録データＲＤと、上記送り位置データ及び回転位置データとに基づき、上記ブランキング制御部３１、上記ビーム偏向部３３、及び上記フォーカス制御部３４にそれぞれブランキング制御信号ＳＢ、偏向制御信号ＳＤ（後述の加算器４６からの信号及び送り駆動部３７Ｂからの信号）、及びフォーカス制御信号ＳＦを送出し、記録（露光又は描画）制御を行う。すなわち、記録データに基づいて基板１５上のレジストに電子ビームが照射され、電子ビームの照射によって露光された箇所にのみ記録ピットに対応した潜像が形成されて記録がなされる。
【００２９】
なお、図１においては、ブランキング制御部３１、ビーム偏向部３３、フォーカス制御部３４、ステージ駆動部３７に関して主たる信号線について示したが、これら各構成部はコントローラ３０に双方的に接続され、必要な信号を送受信し得るように構成されている。
【００３０】
ここで、コントローラ３０は、記録区間を所定の複数の区間に分割し、記録データＲＤの記録実行前に、所望の目的や動作態様に対応して最適な描画速度を各分割区間ごとに設定し、その描画速度に応じて各区間ごとに偏向速度及び基板速度を変化させて記録制御を行う。
【００３１】
図２は、コントローラ３０のうち、ビームの偏向制御及び基板１５の位置制御を行う部分の詳細構成の一例を示す機能ブロック図である。図２において、コントローラ３０には、ビーム偏向信号及び基板速度信号を生成する偏向・基板速度信号生成器４１と、偏向量補正器４５と、加算器４６と、最適速度生成器４７と、が設けられている。また、ステージ駆動部３７には、基板速度変換器３８と、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂと、が設けられている。
【００３２】
最適速度生成器４７は、電子ビーム記録装置１０に備えられた図示しない所定の操作手段（又はその他の外部機器）を介し入力された記録データＲＤに基づき、各描画地点（記録区間）に対応する描画速度Ｖexpを算出し、対応する信号を出力する。この描画速度Ｖexpは、各ピットを記録するときの電子ビーム（ＥＢ）の偏向速度Ｖbeamと、基板速度Ｖsubとを用いてＶexp＝Ｖsub−Ｖbeamで表され、最適速度生成器４７は、例えばレジストの感度、層厚、環境温度等のリソグラフィにおける諸条件、あるいはピットの幅、トラックピッチ等の記録条件に対応し、適切なピットの記録が行われるようにある幅をもって設定する。
【００３３】
偏向・基板速度信号生成器４１は、上記最適速度生成器４７からの描画速度（露光速度）Ｖexpと上記操作手段等からの記録データＲＤとが入力され、これらに基づき、ビーム偏向量を指定するビーム偏向信号Ｖbeamと、基板１５の動作速度を指定する基板速度信号Ｖsubを生成する。このとき、偏向・基板速度信号生成器４１は、上記Ｖsub−Ｖbeam＝Ｖexpの関係を保ちつつ、ビーム偏向角が所定の目標値となるように、ビーム偏向量Ｖbeam及び基板速度Ｖsubを制御する。このとき、当該目標値としては、例えば、ビーム偏向角がゼロ（ディスクに垂直にビームが入射する状態に対応）とする。
【００３４】
偏向・基板速度信号生成器４１は、図示しないローパスフィルタを備えている。このローパスフィルタは、基板速度信号Ｖsubの元となる信号のうちＸθステージ系の機械的追従限界に対応した所定の高域カットオフ周波数ｆc（詳細は後述）以下の成分を抽出し、これを基板速度信号Ｖsubとしてステージ駆動部３７内の上記基板速度変換器３８に供給する。なお、ローパスフィルタの代わりにバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）等を用いることもできる。基板速度変換器３８は、基板速度信号Ｖsubをθ成分及びＸ成分に分解し、それぞれ回転駆動部３７Ａ及び送り（Ｘ方向）駆動部３７Ｂに供給する。
【００３５】
回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂは、前述したようにスピンドルモータ１７及びＸステージ１８を含む上記Ｘθステージ系が機械的追従限界を有することに対応し、基板１５の基板速度信号Ｖsubのθ成分及びＸ成分のうち所定の周波数成分を用いてスピンドルモータ１７及びＸステージ１８を駆動する。この詳細を図３を用いて説明する。
【００３６】
図３は、θステージ及びＸステージの追従周波数帯域と、上記ローパスフィルタ（ＬＰＦ）の通過周波数帯域と、記録動作を行う周波数帯域とを模式的に示した説明図である。
【００３７】
図３において、θステージ及びＸステージの追従限界周波数がそれぞれｆ1，ｆ2で表され、ローパスフィルタの高域カットオフ周波数がｆcで表されており、θステージ及びＸステージの当該限界周波数以下においてはＸθステージ系は機械的に追従可能である。これに対応して、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂは、基板１５の基板速度信号Ｖsubのθ成分及びＸ成分のうち、スピンドルモータ１７及びＸステージ１８を駆動するために、限界周波数ｆ1，ｆ2以下の周波数の回転成分（θ0）及び送り成分（Ｘ0）をそれぞれ抽出する。
【００３８】
図２に戻り、上記のようにして抽出した基板１５の基板速度信号Ｖsubのθ成分及びＸ成分の限界周波数ｆ1，ｆ2以下の周波数の回転成分（θ0）及び送り成分（Ｘ0）は、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂから、スピンドルモータ１７及び送りモータ１９へ供給される。一方、上記限界周波数（ｆ1，ｆ2）を超える残留分である回転成分（θ1）及び送り成分（Ｘ1）は、回転駆動部３７Ａから偏向量補正器４５へ、あるいは、送り駆動部３７Ｂからビーム偏向部３３へとそれぞれ供給される。
【００３９】
偏向量補正器４５は、上記基板速度信号Ｖsubの回転方向の残留成分（θ1）と半径位置に応じ、偏向量を生成し、加算器４６へと出力する。
【００４０】
加算器４６は、前述した偏向・基板速度信号生成器４１から供給されたビーム偏向信号Ｖbeamと、上記偏向量補正器４５からの補正信号とを加算し、ビーム偏向部３３に供給する。
【００４１】
以上のようにして、動作帯域の狭い機械系（Ｘθステージ系）の残留エラー分は、ビーム偏向信号Ｖbeamにフィードフォワードで加算され、ビームの偏向によって補正される。また、前述のローパスフィルタ（ＬＰＦ）のカットオフ周波数（ｆc）以上の周波数はピット記録に使用される。
【００４２】
次に、上記構成及び制御に基づき、電子ビーム記録装置１０が光ディスクのピットパターンを記録（電子ビーム露光）するときの動作の一例を説明する。
【００４３】
（Ａ）本実施形態の背景となる基本原理
図４（ａ）（ｂ）は、本実施形態の背景となる基本原理を表す図であり、説明の簡略化及び明確化のために、最適速度生成器４７からの描画速度Ｖexpが一定で、かつ偏向・基板速度信号生成器４１から出力される基板速度Ｖsubとがそれぞれ一定の場合を例に取り、その条件の下で電子ビーム描画を行う場合の電子ビーム（ＥＢ）の偏向量を模式的に示した説明図である。なお、図中、理解の容易さのため、基板の移動に対して相対的に電子ビームカラム２０が移動するように図示し、また、電子ビームの偏向量を誇張して示している。
【００４４】
図４（ａ）及び図４（ｂ）において、基板速度Ｖsubで図中左方向に移動するとき、前述したように、各ピットを記録するときの電子ビーム（ＥＢ）の偏向速度Ｖbeamと基板速度Ｖsubとは、Ｖexp＝Ｖsub−Ｖbeamの関係を保つように偏向・基板速度信号生成器４１によって制御され、この例ではＶexp＝const．であることから、Ｖsub−Ｖbeam＝const．となるように偏向・基板速度信号生成器４１により制御される。また、スペース部においては電子ビームのブランキングを行わずに、ビームを次のピットの記録位置まで瞬時に先送りするよう高速偏向が行われる。
【００４５】
これらのうち、図４(ａ)は、記録データ（変調データ）のピットが密（ピットのデューティ比が大）なピットパターンを記録する場合の例について示している。ピットパターンを位置Ｐ１から位置Ｐ２まで記録を行ったとき、電子ビームカラム２０は相対位置Ａ１から相対位置Ａ２まで移動する。ピットのデューティ比が大であるため、カラム位置に対して記録位置が後方（基板１５の移動方向）にずれていき、記録位置Ｐ２においてビームの偏向量Ｖbeamは−Ｄ1、偏向角はα1となる。なお、ビームの偏向量Ｖbeam及び偏向角αは、所定の照射位置を基準として、例えばビームが基板に垂直に照射される位置を基準として定義される。
【００４６】
一方、図４(ｂ)は、記録データのピットが疎（ピットのデューティ比が小）なピットパターンを記録する場合の例について示している。この場合には、カラム位置がＡ１からＡ２まで移動したとき、カラム位置に対して記録位置が前方（基板１５の移動と反対方向）にずれていき、記録位置Ｐ２’においてビームの偏向量は＋Ｄ2、偏向角はα2となる。このような偏向量（Ｄ1，Ｄ2）が大きくなると、ビームの基板に対する偏向角（α）が大きくなり、ビームスポットの径の増大、変形などビーム収束特性が低下し、記録精度が低下する可能性がある。
【００４７】
（Ｂ）本実施形態の基本挙動
（Ｂ−１）描画速度一定の場合
図５（ａ）（ｂ）は、本実施形態の記録制御の基本挙動を模式的に説明する図である。そのうち図５（ａ）は、まず簡単な説明として、最適速度生成器４７からの描画速度Ｖexp＝Ｖexp1（一定値）である場合を例に取り、その条件の下で連続する記録区間Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３において電子ビーム描画を行う場合の電子ビーム（ＥＢ）の偏向量を模式的に示した説明図である。この図５（ａ）は、記録区間Ｒ２においてピットのデューティ比が所定値より小（ピットが疎）となる場合（当該区間におけるピット部のスペース部に対する比率が所定値以下である場合）を示している。
【００４８】
図５（ａ）において、ピットのデューティ比が相対的に大きい（＝所定範囲内）である記録区間Ｒ１においては、基板速度Ｖsub＝Ｖsub1、偏向速度Ｖbeam＝Ｖbeam1で記録がなされる。なおこのとき、前述のように速度差Ｖsub−Ｖbeam＝Ｖexp1の関係が満たされている。
【００４９】
次に、ピットのデューティ比が相対的に小さい（＝所定範囲外）である記録区間Ｒ２においては、基板速度及び偏向速度をそれぞれ△Ｖ（△Ｖ＞０）だけ増加させ、Ｖsub＝Ｖsub1＋△Ｖ、Ｖbeam＝Ｖbeam1＋△Ｖとする。すなわち同じ速度（△Ｖ）だけ変化させることで、ピット記録速度Ｖexp＝Ｖexp1は変化せず同じ値に維持される。つまり、Ｖsub−Ｖbeam＝Ｖexp1の関係が、記録区間Ｒ２においても保たれている。
【００５０】
そして、記録区間Ｒ３においては、記録区間Ｒ１と同様に、基板速度Ｖsub＝Ｖsub1、偏向速度Ｖbeam＝Ｖbeam1での制御がなされる。
【００５１】
なお、図５（ａ）に示した場合と反対に、記録区間Ｒ２においてピットのデューティ比が所定値より大（ピットが密）である場合、すなわち、当該区間におけるピット部のスペース部に対する比率が所定値を超える場合には、上記と反対に、当該区間Ｒ２において基板速度Ｖsub及び偏向速度Ｖbeamを同じ速度△Ｖだけ減少させ、Ｖsub＝Ｖsub1−△Ｖ、Ｖbeam＝Ｖbeam1−△Ｖとすればよい。
【００５２】
（Ｂ−２）描画速度可変の場合
一方、図５（ｂ）は、上記を応用し、最適速度生成器４７からの描画速度Ｖexpが途中で変化する（遅くなる）場合を例に取り、その条件の下で連続する記録区間Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６において電子ビーム描画を行う場合の電子ビーム（ＥＢ）の偏向量を模式的に示した説明図である。
【００５３】
図５（ｂ）において、ピットのデューティ比が相対的に大きい（＝所定範囲内）あるいは相対的に小さい（＝所定範囲外）記録区間Ｒ４，Ｒ５は、上記図５（ａ）と同様である。すなわち記録区間Ｒ４は基板速度Ｖsub＝Ｖsub1、偏向速度Ｖbeam＝Ｖbeam1で記録がなされ、記録区間Ｒ５はＶsub＝Ｖsub1＋△Ｖ、Ｖbeam＝Ｖbeam1＋△Ｖに増速して記録がなされる。これらの間は、前述したのと同様、Ｖsub−Ｖbeam＝Ｖexp1の関係が維持されている。
【００５４】
そして、記録区間Ｒ６になると、基板速度は記録区間Ｒ４と同じＶsub＝Ｖsub1に戻されるのに対し、偏向速度は記録区間Ｒ５と同じＶbeam＝Ｖbeam1＋△Ｖのまま維持されるように制御される。この場合の基板速度は、Ｖsub−Ｖbeam＝Ｖsub1−（Ｖbeam1＋△Ｖ）＜Ｖsub1−Ｖbeam1＝Ｖexp1となり、記録区間Ｒ４，Ｒ５よりも遅くなっている。この結果、図示のように、描画太さが基板１５の径方向に太くなる。
【００５５】
（Ｂ−３）具体的適用例
上記のように描画速度を遅くすることにより描画太さを遅くする具体的な適用例として、記録データのピットが疎であるが故に周辺からの後方散乱の影響が低減し、描画太さが細くなる現象を補正する場合を例にとって説明する。
【００５６】
図６（ａ）（ｂ）は、上記の補正を行うために線幅を太くする場合の一例を表しており、図６（ｂ）は、連続する記録区間Ｒ７〜Ｒ９（上記線幅を太くする記録区間Ｒ８を含む）における基板１５のトラックを模式的に表す説明図であり、図６（ａ）は、当該区間Ｒ７〜Ｒ９の図６（ｂ）中矢印ａで示すトラックにおける電子ビーム描画を行う場合の電子ビーム（ＥＢ）の偏向量を模式的に示した説明図である。
【００５７】
一般に、レジスト層に対しビームで露光を行って潜像を形成する場合、ビームがレジスト層の中に入り込んだ後にそのレジスト層の内部で一部が跳ね返り、放射状に薄く広がりながらレジスト層表面側へと戻るいわゆる後方散乱現象が生じる。この場合、微視的に見ると、ビームを照射した面積よりも実際は若干広い面積にわたって露光されている。すなわち、図６（ａ）及び図６（ｂ）において、レジスト層を備えた各トラックのうち、描画パターンの径方向分布が相対的に密である部分（記録区間Ｒ７，Ｒ９）には、密集した各描画パターンそれぞれの照射露光時における上記後方散乱が重畳して露光が促進される。このため、描画パターンの径方向分布が比較的疎である部分（記録区間Ｒ８）と比べて、実際には露光の程度に差が生じパターン径方向太さに差が生じる可能性がある。
【００５８】
これを補正するために、この例では、記録区間Ｒ８における描画速度を減少させることで描画太さを径方向に太くしたものである。すなわち、図６（ａ）及び図６（ｂ）において、記録区間Ｒ７は、基板速度Ｖsub＝Ｖsub1、偏向速度Ｖbeam＝Ｖbeam1で記録がなされ、Ｖsub−Ｖbeam＝Ｖexp1の関係が維持されている。
【００５９】
そして、記録区間Ｒ８になると、基板速度は記録区間Ｒ７と同じＶsub＝Ｖsub1に戻されるのに対し、偏向速度はＶbeam＝Ｖbeam1＋△Ｖに増速されるように制御される。この場合の描画速度は、Ｖsub−Ｖbeam＝Ｖsub1−（Ｖbeam1＋△Ｖ）＜Ｖsub1−Ｖbeam1＝Ｖexp1となり、記録区間Ｒ７よりも遅くなり、これによって矢印ａで示すトラックについては、図示のように、描画太さが基板１５の径方向に太くなる。
【００６０】
その後、記録区間Ｒ９では、上記記録区間Ｒ７と同様であり、基板速度Ｖsub＝Ｖsub1、偏向速度Ｖbeam＝Ｖbeam1で記録がなされ、前述したのと同様、Ｖsub−Ｖbeam＝Ｖexp1の関係となっている。
【００６１】
図７は、上記図６（ａ）（ｂ）で説明した動作を実行するために、コントローラ３０の上記偏向・基板速度信号生成器４１及び上記最適速度生成器４７により実行される制御手順を表すフローチャートである。
【００６２】
図７において、この例では、記録データＲＤに基づき、各描画地点（記録区間）ごとの描画速度Ｖexp、電子ビーム（ＥＢ）偏向速度Ｖbeam、基板速度Ｖsubを、記録動作開始前に予め設定するものである。まずステップＳ５において、最適速度生成器４７及び偏向・基板速度信号生成器４１で、前述したように図示しない所定の操作手段（又はその他の外部機器）より、記録データＲＤを入力する。
【００６３】
その後、ステップＳ１０に移り、最適速度生成器４７で、これから速度設定しようとする当該領域が、後方散乱の影響を低減するため線幅を太くする太描画領域（前述の例では矢印ａのトラックでは記録区間Ｒ８）ではない、通常描画領域であるかどうかを判定する。通常描画領域であればこの判定が満たされ、ステップＳ１５に移る。
【００６４】
ステップＳ１５においては、最適速度生成器４７で、描画速度を通常のＶexp1に設定し、ステップＳ２０へ移る。
【００６５】
ステップＳ２０では、偏向・基板速度信号生成器４１で、上記入力した記録データＲＤに基づき、当該記録区間の記録データ（変調データ）ＲＤのピットが相対的に密（ピットのデューティ比が所定のしきい値より大）であるかどうかを判定する。デューティ比が大きければステップＳ２５に移り、偏向・基板速度信号生成器４１で、基板速度Ｖsub及び偏向速度Ｖbeamを通常のＶsub1及びＶbeam1にそれぞれ設定する。デューティ比が小さければステップＳ３０に移り、偏向・基板速度信号生成器４１で、基板速度Ｖsub及び偏向速度Ｖbeamをそれぞれ△Ｖ（△Ｖ＞０）だけ増加させたＶsub1＋△Ｖ、Ｖbeam1＋△Ｖにそれぞれ設定する。
【００６６】
一方、前述のステップＳ１０において、最適速度生成器４７で、これから速度設定しようとする当該領域が、後方散乱の影響を低減するため線幅を太くする太描画領域（前述の例では矢印ａのトラックでは記録区間Ｒ８）であった場合、ステップＳ１０の判定が満たされず、ステップＳ４０に移る。
【００６７】
ステップＳ４０では、最適速度生成器４７で、描画速度を、通常のＶexp1より△Ｖexp（△Ｖexp＞０）だけ減少させたＶexp1−△Ｖexpに設定し、ステップＳ４５へ移る。
【００６８】
ステップＳ４５では、偏向・基板速度信号生成器４１で、基板速度Ｖsubについては通常のＶsub1に設定するとともに、偏向速度Ｖbeamについては△Ｖ（△Ｖ＞０）だけ増加させたＶbeam1＋△Ｖに設定する。
【００６９】
上記のようにしてステップＳ２５、ステップＳ３０、ステップＳ４５が終了したら、ステップＳ３５に移り、偏向・基板速度信号生成器４１又は最適速度生成器４７で、上記ステップＳ５で入力した記録データＲＤのすべてのデータについて該当する記録区間の速度設定が終了したかどうかを判定する。全データについて終了するまではこのステップＳ３５の判定が満たされず、ステップＳ１０に戻って同様の手順を繰り返す。全データについて速度設定が終了したら、このステップＳ３５の判定が満たされ、このフローを終了する。
【００７０】
なお、上記図７のフローでは、通常領域と、後方散乱の影響変化を抑えるため描画速度Ｖexpを小さくする領域と、デューティが小の領域との３種類の分類分けしか行っていないが、３種類に限定するものではない。すなわち例えば、符号を変えて後方散乱の影響変化を抑えるため描画速度Ｖexpを大きくする領域や、デューティが通常より大きい領域等へも拡張可能であり、さらにその程度により多段階、連続的に行うよう拡張することも可能である。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態における記録装置１０は、基板１５を移動させつつその基板１５上に形成されたレジスト層に記録信号に応じた露光ビームＥＢを照射することにより、レジスト層に潜像を形成する記録装置１０であって、潜像の形成における周方向描画速度Ｖexpを可変に設定する最適速度生成器４７と、基板１５に対して相対的に露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向部３３と、このビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの偏向量に基づき、基板１５の周方向移動速度Ｖsubを調整するステージ駆動部３７の回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂと、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeam、及び、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板の周方向移動速度Ｖsubを、周方向描画速度Ｖexpの変化に対応させて変化させる偏向・基板速度信号生成器４１とを有することを特徴とする。
【００７２】
本実施形態の記録装置１０においては、レジスト層が形成された基板１５が移動されつつ、そのレジスト層に記録信号に応じた露光ビームＥＢが照射され、潜像が形成される。この基板１５に対する露光ビームＥＢの照射位置はビーム偏向部３３の偏向によって移動され、そのビーム偏向量に基づき基板１５の周方向移動速度Ｖsubが回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによって調整される。そしてこのとき、偏向・基板速度信号生成器４１が、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeam及び回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の周方向移動速度Ｖsubを、最適速度生成器４７で可変に設定される潜像形成時の周方向描画速度Ｖexpに対応させて変化させる。
【００７３】
これにより、描画パターンの周方向分布が相対的に疎である部分（図５（ａ）の例では記録区間Ｒ２）は基板１５の周方向の移動速度Ｖsub及び露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に速くし、描画パターンの周方向分布が相対的に密である部分（図５（ａ）の例では記録区間Ｒ１，Ｒ３）は基板１５の周方向の移動速度Ｖsub及び露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に遅くすることで、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間（言い換えればブランキング制御部３１によるブランキング）をなくす（又は低減する）ことができる。
【００７４】
このとき、最適速度生成器４７で設定する周方向の描画速度Ｖexpが略一定である場合（＝通常描画領域、図５（ａ）の例では記録区間Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３、図５（ｂ）の例では記録区間Ｒ４，Ｒ５）では、基板移動速度Ｖsubと露光ビーム偏向速度Ｖbeamの増減の度合い（上述の例では△Ｖ）を略同一に対応させることで照射遮断時間の消失（又は低減）を図ることができる。また、描画パターンを通常描画領域よりも径方向に太い大きさで形成したい場合（＝太描画領域、図５（ｂ）の例では記録区間Ｒ６）においては、最適速度生成器４７で周方向の描画速度Ｖexpを通常描画領域Ｒ４，Ｒ５よりも遅く設定し、上記描画速度Ｖexpが略一定の場合よりも基板１５側の移動速度Ｖsubを相対的に遅くすることで、上記露光ビーム照射遮断時間の消失（又は低減）を図りつつ太い描画を実現することができる。
【００７５】
上記実施形態における記録装置１０においては、偏向・基板速度信号生成器４１は、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす又は低減するように、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeamと、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板の周方向移動速度Ｖsubとのいずれか、若しくは両方を制御することを特徴とする。
【００７６】
照射遮断時間をなくす（又は低減する）ことにより、ビーム電流のロスが無く、スループットの高いビーム記録装置を確実に実現することができる。
【００７７】
上記実施形態における記録装置１０においては、最適速度生成器４７は、通常描画領域Ｒ１〜Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５における周方向の描画速度Ｖexpを略一定に設定し、偏向・基板速度信号生成器４１は、通常描画領域のうち、描画パターンの周方向分布が所定条件よりも（本実施形態では「相対的に」と表現している）疎である疎領域Ｒ２，Ｒ５においては、描画パターンの周方向分布が上記所定条件よりも（本実施形態では「相対的に」と表現している）密である密領域Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４に比べて、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の周方向の移動速度Ｖsubを相対的に速くし、かつ、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に速くするように変化させることを特徴とする。
【００７８】
描画速度Ｖexpを略一定という条件では、基板１５の周方向移動速度Ｖsubや露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeamを仮に略一定とした場合、描画パターンの周方向分布が相対的に疎である領域については、どうしても描画パターンのデータのスペース部で照射遮断（ブランキング）する必要が生じ、ビーム電流のロスが生じる。本実施形態の記録装置１０においては、描画パターンの周方向分布が相対的に疎である領域Ｒ２，Ｒ５においては、密である領域Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４よりも、基板１５の周方向の移動速度Ｖsubを相対的に速くしかつ露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に速くすることで、描画速度Ｖexpを略一定に保持しつつ、ブランキング制御部３１によるブランキングをなくす（又は低減する）ことができる。
【００７９】
上記実施形態における記録装置１０においては、最適速度生成器４７は、基板１５上のレジスト層のうち、描画パターンを他の描画領域Ｒ４，Ｒ５（通常描画領域）に比べてより径方向に太く形成すべき太描画領域Ｒ６における周方向の描画速度Ｖexpを、他の描画領域Ｒ４，Ｒ５における周方向の描画速度Ｖexpより遅く設定することを特徴とする。
【００８０】
太描画領域Ｒ６においては、周方向描画速度Ｖexpを相対的に遅く設定することにより、単位面積当たりに照射されるエネルギが大きくなり、径方向により太い大きさの描画を行うことができる。
【００８１】
上記実施形態における記録装置１０においては、最適速度生成器４７は、基板１５上のレジスト層のうち、描画パターンの径方向分布が上記所定条件よりも密である密領域（図６（ａ）（ｂ）の例では記録区間Ｒ７，Ｒ９）における周方向の描画速度Ｖexpを相対的に速く設定し、基板１５上のレジスト層のうち、描画パターンの径方向分布がその所定条件よりも疎である疎領域（図６（ａ）（ｂ）の例では記録区間Ｒ８）における周方向の描画速度Ｖexpを相対的に遅く設定することを特徴とする。
【００８２】
パターン径方向分布が相対的に疎である領域Ｒ８について、最適速度生成器４７が、太描画領域として周方向の描画速度Ｖexpを相対的に遅く設定することにより、当該領域の描画において単位面積当たりに照射されるエネルギが大きくなり、径方向により太い大きさの描画を行って他の部分Ｒ７，Ｒ９と（実効的な）径方向太さを揃えることができる。
【００８３】
なお、本実施形態による電子ビーム記録装置１０の構成のうち、制御回路３０、及び、ステージ駆動部３７のうち基板速度変換器３８の部分を、図８に示すように、電子ビーム記録装置に接続されて、当該電子ビーム記録装置における潜像形成のための制御信号を生成して入力する記録制御信号生成装置（いわゆるフォーマッタ）１００として構成してもよい。
【００８４】
この場合の記録信号生成装置１００は、レジスト層が上部に形成された基板１５に対し、相対的に露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向部３３と、このビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの偏向量に基づき、基板の周方向移動速度Ｖsubを調整する回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂと、この回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂで調整された周方向移動速度Ｖsubで基板１５を移動させつつ、ビーム偏向部３３で照射位置が移動される露光ビームＥＢをレジスト層に照射することにより、レジスト層に潜像を形成する記録装置に対し、潜像形成のための制御信号を生成する記録制御信号生成装置１００であって、記録信号ＲＤに応じて、ビーム偏向部３３が、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす又は低減するように露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeamを制御するための基準となる、潜像の形成における周方向描画速度Ｖexpを可変に設定する最適速度生成器４７と、記録信号ＲＤに応じて、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeam、及び、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の周方向移動速度Ｖsubを、周方向描画速度Ｖexpの変化に対応させて変化させるような、ビーム偏向部３３及び回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂへの制御信号を生成する偏向・基板速度設定器４１とを有することを特徴とする。
【００８５】
記録制御信号生成装置１００は、偏向・基板速度設定器４１と最適速度生成器４７とを備えており、偏向・基板速度設定器４１が、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの偏向速度Ｖbeam及び回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の移動速度Ｖsubを、最適速度生成器４７で可変に設定される潜像形成時の描画速度Ｖexpに対応させて変化させる。これにより、描画パターンの周方向分布が相対的に疎である部分Ｒ２は基板１５の周方向の移動速度Ｖsub及び露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に速くし、描画パターンの周方向分布が相対的に密である部分Ｒ１，Ｒ３は基板１５の周方向の移動速度Ｖsub及び露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に遅くすることで、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす（又は低減する）ことができる。
【００８６】
このとき、最適速度生成器４７で設定する周方向の描画速度Ｖexpが略一定である場合（＝通常描画領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３あるいはＲ４，Ｒ５）では、偏向・基板速度設定器４１が上記基板移動速度Ｖsubと露光ビーム偏向速度Ｖbeamの増減の度合い△Ｖを略同一に対応させることで上記照射遮断時間の消失（又は低減）を図ることができる。また、描画パターンを通常描画領域よりも径方向に太い大きさで形成したい場合（＝太描画領域Ｒ６）においては、記録制御信号生成装置１００の最適速度生成器４７で周方向の描画速度Ｖexpを通常描画領域Ｒ４，Ｒ５よりも遅く設定し、偏向・基板速度設定器４１によって上記描画速度Ｖexpが略一定の場合よりも基板１５側の移動速度Ｖsubを相対的に遅くすることで、上記露光ビーム照射遮断時間の消失（又は低減）を図りつつ太い描画を実現することができる。
【００８７】
上記記録制御信号生成装置１００においては、最適速度生成器４７は、通常描画領域Ｒ１〜Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５における周方向の描画速度Ｖexpを略一定に設定し、偏向・基板速度設定器４１は、通常描画領域のうち、描画パターンの周方向分布が上記所定条件よりも疎である疎領域Ｒ２，Ｒ５においては、描画パターンの周方向分布が上記所定条件よりも密である密領域Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４に比べて、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の周方向の移動速度Ｖsubを相対的に速くし、かつ、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に速くするように変化させることを特徴とする。
【００８８】
描画速度Ｖexpを略一定という条件では、基板１５の周方向移動速度Ｖsubや露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeamを仮に略一定とした場合、描画パターンの周方向分布が相対的に疎である領域については、どうしても描画パターンのデータのスペース部で照射遮断（ブランキング）する必要が生じ、ビーム電流のロスが生じる。記録制御信号生成装置１００においては、偏向・基板速度設定器４１が、描画パターンの周方向分布が相対的に疎である領域Ｒ２，Ｒ５においては、密である領域Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４よりも、基板１５の周方向の移動速度Ｖsubを相対的に速くしかつ露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に速くすることで、描画速度Ｖexpを略一定に保持しつつ、ブランキングをなくす（又は低減する）ことができる。
【００８９】
上記記録制御信号生成装置１００においては、最適速度生成器４７は、基板１５上のレジスト層のうち、描画パターンを他の描画領域Ｒ４，Ｒ５（通常描画領域）に比べてより径方向に太く形成すべき太描画領域Ｒ６における周方向の描画速度Ｖexpを、他の描画領域Ｒ４，Ｒ５における周方向の描画速度Ｖexpより遅く設定することを特徴とする。
【００９０】
太描画領域Ｒ６においては、周方向描画速度Ｖexpを相対的に遅く設定することにより、単位面積当たりに照射されるエネルギが大きくなり、径方向により太い大きさの描画を行うことができる。
【００９１】
上記記録信号生成装置１００においては、最適速度生成器４７は、基板１５上のレジスト層のうち、描画パターンの径方向分布が所定条件よりも密（本実施形態では「相対的に密」と表現している）である密領域Ｒ７，Ｒ９における周方向の描画速度Ｖexpを相対的に速く設定し、基板１５上のレジスト層のうち、描画パターンの径方向分布がその所定条件よりも（本実施形態では「相対的に疎」と表現している）疎である疎領域Ｒ８における周方向の描画速度Ｖexpを相対的に遅く設定することを特徴とする。
【００９２】
パターン径方向分布が相対的に疎である領域Ｒ８について、最適速度生成器４７が、太描画領域として周方向の描画速度Ｖexpを相対的に遅く設定することにより、当該領域の描画において単位面積当たりに照射されるエネルギが大きくなり、径方向により太い大きさの描画を行って他の部分Ｒ７，Ｒ９と（実効的な）径方向太さを揃えることができる。
【００９３】
なお、上記実施形態は、上記に限られず、種々の変形が可能である。以下、そのような変形例を順を追って説明する。
【００９４】
（１）潜像の多重形成（重ね書き）を行う場合
基板１５において、描画パターンの径方向分布が相対的に疎である領域については、それ以外の描画パターン分布が密である領域に比べて描画パターンの径方向分布数が少ないこととなる。例えば図９のトラックｂに示すように、疎である領域のうち描画パターンが分布しないトラックがある場合、そのままでは当該箇所においてブランキング制御部３１によりブランキングを行う必要が生じる可能性がある。特に、描画パターンのないスペースが長くなると、前述の図５（ａ）に示した基板１５の移動速度Ｖsubを増加させる（→Ｖsub＋△Ｖ）とともに電子ビームＥＢの径方向偏向速度Ｖbeamをこれに対応して増加させる（→Ｖbeam＋△Ｖ）手法でも、電子ビームＥＢの偏向限界を超える（振り切れてしまう）ためカバーしきれず、ブランキングをせざるを得なくなり、ブランキングを行わない通常のトラックｃとブランキングを行うトラックｂとが交互に繰り返されることとなって、ビーム電流の無駄ができてしまう。重ね描きをすることを前提として、当該重ね書き部分である区間Ｒ１０，Ｒ１２の描画時において、描画速度Ｖexpをｎ倍（この例ではｎ＝２→２×Ｖexp）とする。
【００９５】
図１１は、上記図１０で説明した動作を実行するために、コントローラ３０の上記偏向・基板速度信号生成器４１及び上記最適速度生成器４７により実行される制御手順を表すフローチャートである。前述の図７と同等の手順には同一の符号を付している。
【００９６】
図１１において、図７と同様、この例では、記録データＲＤに基づき、各描画地点（記録区間）ごとの描画速度Ｖexp、電子ビーム（ＥＢ）偏向速度Ｖbeam、基板速度Ｖsubを、記録動作開始前に予め設定するものである。なお、後述するフラグＦＮ及びフラグＦＳは、このフローの開始前に予め初期値０にされている。
【００９７】
まずステップＳ５において、最適速度生成器４７及び偏向・基板速度信号生成器４１で、前述したように図示しない所定の操作手段（又はその他の外部機器）より、記録データＲＤを入力する。
【００９８】
その後、ステップＳ７において、最適速度生成器４７で、これから速度設定をしようとする当該記録区間が描画データのないスペースであるかどうか（又はデューティが所定の値より小さいかどうかでもよい）を表すフラグＦＳが１であるかどうかを判定する。最初はフラグＦＳ＝０に初期化されているからこの判定が満たされず、ステップＳ９に移る。
【００９９】
ステップＳ９では、最適速度生成器４７で、上記ステップＳ５で入力した記録データＲＤに基づき、当該記録区間の径方向に隣接する記録区間が描画データのないスペースであるかどうかを判定する。例えば図１０に示すトラックｃ′の記録区間Ｒ１０，Ｒ１２のように径方向にスペースが隣接していればこの判定が満たされ、ステップＳ１１で多重照射（多重潜像形成）を表すフラグＦＮ＝１にしてステップＳ１５へ移る。ステップＳ９において径方向にスペースが隣接していなければ（トラックｃ′の記録区間Ｒ１１，Ｒ１３等）ステップＳ９の判定が満たされず、直接ステップＳ１５へ移る。
【０１００】
ステップＳ１５〜ステップＳ３０は上記図７と同様であり、ステップＳ１５において最適速度生成器４７で描画速度を通常のＶexp1に設定した後、ステップＳ２０において、偏向・基板速度信号生成器４１で、記録データ（変調データ）ＲＤのピットのデューティ比が所定のしきい値より大であるかどうかを判定する。デューティ比が大きければステップＳ２５において偏向・基板速度信号生成器４１で、基板速度Ｖsub及び偏向速度Ｖbeamを通常のＶsub1及びＶbeam1に設定し、デューティ比が小さければステップＳ３０においてＶsub1＋△Ｖ、Ｖbeam1＋△Ｖにそれぞれ設定する。
【０１０１】
ステップＳ２５又はステップＳ３０が終了したら、ステップＳ３１に移り、偏向・基板速度信号生成器４１又は最適速度生成器４７で上記フラグＦＮ＝１であるかどうかを判定する。当該記録空間が径方向にスペースが隣接している（又は当該記録区間がスペースである、後述）場合には上記ステップＳ１１（又は後述のステップＳ１４）でＦＮ＝１となっていることから判定が満たされ、ステップＳ３２へ移る。
【０１０２】
ステップＳ３２では、偏向・基板速度信号生成器４１で、上記ステップＳ２５又はステップＳ３０で設定した電子ビームＥＢの偏向速度Ｖbeam又は基板１５の移動速度Ｖsubを、前述した多重形成の回数であるｎ（図示しない手順で偏向・基板速度信号生成器４１で記録データＲＤより算出）倍する。これによって、これら偏向速度Ｖbeamと基板１５の移動速度Ｖsubとの差で決定される描画速度Ｖexpも結果的にｎ倍されることとなる。そしてフラグＦＮ＝０に戻した後、ステップＳ３３へ移る。なお、ステップＳ３１において上記ステップＳ９の判定が満たされておらずフラグＦＮ＝０のままである場合にはステップＳ３１の判定が満たされず、そのままステップＳ３３へ移る。
【０１０３】
ステップＳ３３では、偏向・基板速度信号生成器４１又は最適速度生成器４７で、上記ステップＳ５で入力した記録データＲＤに基づき、当該記録区間の周方向に隣接する次の記録区間が描画データのないスペースであるかどうかを判定する。例えば図１０に示すトラックｂ′の記録区間Ｒ１１，Ｒ１３のように次がスペースであればこの判定が満たされ、ステップＳ３４でスペースを表すフラグＦＳ＝１にしてステップＳ３５へ移る。ステップＳ３３において次がスペースでなければ（トラックｃ′やトラックｂ′の記録区間Ｒ１０，Ｒ１２等）ステップＳ３３の判定が満たされず、直接ステップＳ３５へ移る。
【０１０４】
ステップＳ３５では、偏向・基板速度信号生成器４１又は最適速度生成器４７で、上記ステップＳ５で入力した記録データＲＤのすべてのデータについて該当する記録区間の速度設定が終了したかどうかを判定する。全データについて速度設定が終了したら、このステップＳ３５の判定が満たされ、このフローを終了する。全データについて終了するまではこのステップＳ３５の判定が満たされず、ステップＳ７に戻って同様の手順を繰り返す。
【０１０５】
このようにしてステップＳ７に戻ったとき上記ステップＳ３４で（上記トラックｂ′の記録区間Ｒ１１，Ｒ１３のように）次の記録区間がスペースであってフラグＦＳ＝１にされていた場合、ステップＳ７の判定が満たされ、ステップＳ１３に移る。
【０１０６】
ステップＳ１３では、偏向・基板速度信号生成器４１で、上記ステップＳ５で入力した記録データＲＤに基づき、当該記録区間の径方向に隣接する記録区間に対し描画を行うように（＝トラック飛び越しを行うように）設定する。この場合の例としては、図１０に示すトラックｂ′の記録区間Ｒ１０，Ｒ１２のような場合、トラックｂ′ではなく径方向に隣接するトラックｃ′において描画を行うように（ビーム偏向の）設定を行う。その後、ステップＳ１１と同様のステップＳ１４で多重照射（多重潜像形成）を表すフラグＦＮ＝１にして上記ステップＳ１５へ移る。ステップＳ１５以降は前述と同様である。
【０１０７】
本変形例における記録装置１９においては、偏向・基板速度信号生成器４１は、基板１５のジスト層のうち、描画パターンの径方向分布が相対的に疎である領域（この例では記録区間Ｒ１０，Ｒ１２）の少なくとも一部については、その一部に対して同一の描画パターンを複数回（この例ではｎ回）に分けて潜像形成を行うようにビーム偏向部３３を制御し、最適速度生成器４７は、その同一の描画パターンを複数回に分けて潜在形成を行う一部（領域Ｒ１０，Ｒ１２）については、潜像形成を行う回数ｎに応じて、周方向描画速度Ｖexpを設定することを特徴とする。
【０１０８】
疎である領域Ｒ１０，Ｒ１２のうち描画パターンが分布するトラックｃ′については多重潜像形成を行う部分として、描画パターンが分布しないトラックｂ′に露光ビームＥＢがさしかかったときには、その都度描画パターンが分布するトラックｃ′へと径方向に露光ビームＥＢを偏向させることでｎ回の潜像形成を行い、この部分が終了したらもとのトラックｂ′に戻って描画を続行するようにする。このようにブランキングを行うべき箇所にさしかかったら径方向に離れた他のトラックに移って潜像形成を行うようにすることで、ブランキング制御部３１によるブランキングを行わないようにすることができ、これによりスループットを改善できる。また当該多重潜像形成を行う箇所Ｒ１０，Ｒ１２については、その多重形成を前提として周方向描画速度Ｖexpを相対的に速めに設定することができる。この結果、さらに効率のよい作業を行うことができる。
【０１０９】
なおこの場合も、前述と同様、図８に示すような記録制御信号生成装置（フォーマッタ）１００として構成することもできる。この場合の記録制御信号生成装置１００は、偏向・偏向・基板速度信号生成器４１は、基板１５上のレジスト層のうち、描画パターンの径方向分布が相対的に疎である領域Ｒ１０，Ｒ１２の少なくとも一部については、その一部に対して同一の描画パターンを複数回に分けて潜像形成を行うようにビーム偏向部３３を制御し、最適速度生成器４７は、その同一の描画パターンを複数回に分けて潜在形成を行う一部（領域Ｒ１０，Ｒ１２）については、潜像形成を行う回数ｎに応じて、周方向への描画速度Ｖexpを設定することを特徴とする。
【０１１０】
偏向・基板速度信号生成器４１が、疎である領域Ｒ１０，Ｒ１２のうち描画パターンが分布するトラックｃ′については多重潜像形成を行う部分として、描画パターンが分布しないトラックｂ′に露光ビームＥＢがさしかかったときには、その都度描画パターンが分布するトラックｃ′へと径方向に露光ビームＥＢに偏向させることでｎ回の潜像形成を行い、この部分が終了したらもとのトラックｂ′に戻って描画を続行するようにする。このようにブランキングを行うべき箇所にさしかかったら径方向に離れた他のトラックに移って潜像形成を行うようにすることで、ブランキングを行わないようにすることができ、これによりスループットを改善できる。また当該多重潜像形成を行う箇所Ｒ１０，Ｒ１２については、その多重形成を前提として最適速度生成器４７で周方向描画速度Ｖexpを相対的に速めに設定することができる。この結果、さらに効率のよい作業を行うことができる。
【０１１１】
なお、図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）は上記をさらに応用して多重形成の回数ｎ＝４の領域とｎ＝２の領域とが存在する場合を示している。図１２（ａ）はこの変形例におけるトラックの描画パターンを模式的に表す上面図であり、図１２（ｂ）はその図中Ａ部の抽出拡大図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）の挙動を側面から見た図である。
【０１１２】
これら図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、この例ではｎ回の多重潜像形成を行う領域として、ｎ＝４の記録区間Ｒ２０，Ｒ２７と、ｎ＝２の記録区間Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３とがある。記録区間Ｒ２０，Ｒ２７では、通常の１回の潜像形成で所望の線幅が得られる描画速度Ｖexp＝Ｖexp3であり、この場合４回の多重形成を行うことからこれを４倍した描画速度、すなわちＶexp＝４×Ｖexp3に最適速度生成器４７で設定する。記録区間Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３では、通常の１回の潜像形成で所望の線幅が得られる描画速度Ｖexp＝Ｖexp2であり、この場合２回の多重形成を行うことからこれを２倍した描画速度、すなわちＶexp＝２×Ｖexp2に最適速度生成器４７で設定する。また、記録区間Ｒ２４，Ｒ２５，Ｒ２６については、通常の１回の潜像形成を行う領域として、描画速度Ｖexp＝Ｖexp1に最適速度生成器４７で設定する。これら各区間ごとの描画速度Ｖexp1，Ｖexp2，Ｖexp3は、互いに等しく設定してもよいが、前述したように、例えばレジストの感度、層厚、環境温度等のリソグラフィにおける諸条件、あるいはピットの幅、トラックピッチ等の記録条件に対応し、適切なピットの記録が行われるように、互いに異なる値に最適速度生成器４７で設定してもよい。
【０１１３】
なお、先に述べたように、基板１５には回転による所定大きさの慣性力が作用しているため、上記描画速度Ｖexpの変化に伴う基板１５の周方向移動速度Ｖsubの増減を行うように制御がなされた場合もそれに対する追従に限界があり、必ずしもすばやく増減できない（＝機械的応答遅れ）場合がある。この場合には、上記追従できない部分についてはビーム偏向部３３で電子ビームＥＢを偏向させてカバーすることで、最適速度生成器４７で設定した描画速度Ｖexpの増減切り替えを精度よく行い、ドーズずれの発生を防止するようにすればよい。
【０１１４】
（２）径方向速度制御への拡張
以上は、最適速度生成器４７で周方向への描画速度Ｖexpを設定した場合であったが、これを径方向への描画速度の制御へ拡張することも考えられる。
【０１１５】
図１３（ａ）（ｂ）は、このような変形例の一例を表しており、図１３（ｂ）は、径方向に連続する記録区間Ｒ３０〜Ｒ３２を含む基板１５のトラックを模式的に表す説明図であり、図１３（ａ）は、当該区間Ｒ３０〜Ｒ３２の電子ビーム描画時の電子ビーム（ＥＢ）の偏向量等を模式的に示した説明図である。
【０１１６】
図１３（ａ）（ｂ）に示すように、略円環状のトラックの径方向分布を一様とせず径方向に分布を持たせたい場合、トラックの径方向分布を疎とする場合（この例では記録区間Ｒ３１）には基板１５の径方向移動速度Ｕsub及び径方向描画速度Ｕexpを相対的に速くし、トラックの径方向分布を密とする場合（この例では記録区間Ｒ３０，Ｒ３２）には基板１５の径方向移動速度Ｕsub及び径方向描画速度Ｕexpを相対的に遅くしなければならない。したがって、トラックの径方向分布が密である部分から疎である部分に移行する場合（この例では記録区間Ｒ３１ａｂ）、逆に密である部分へ戻る場合（この例では記録区間Ｒ３２ａｂ）には、それぞれ基板１５の径方向移動速度Ｕsubの増大及び減少が生じることとなる。
【０１１７】
しかしながら、前述したように、基板１５には回転による所定大きさの慣性力が作用しているため、上記疎密に応じて径方向移動速度Ｕsubの増減を行うように制御がなされた場合もそれに対する追従に限界があり、必ずしもすばやく増減できない（＝機械的応答遅れ）場合がある。このため、そのままでは、トラックが比較的小さい間隔をもって密な態様で均一に存在する部分と、トラックが比較的大きい間隔をもって疎な態様で均一に存在する部分と、それらの間においてトラックが不均一な間隔（次第に広がりながら又は次第に狭まりながら）で存在する部分とが生じることとなる。
【０１１８】
そこで本変形例では、上記追従できない部分（記録区間Ｒ３１ａ，Ｒ３２ａ）についてはビーム偏向部３３で電子ビームＥＢを偏向させて（偏向量Ｘ，偏向速度Ｕbeam）カバーすることで、最適速度生成器４７で設定した径方向描画速度Ｕexpの増減切り替えを精度よく明確に行うことができる。
【０１１９】
図１４は、上記図１３（ａ）（ｂ）で説明した動作を実行するために、コントローラ３０の上記偏向・基板速度信号生成器４１及び上記最適速度生成器４７により実行される制御手順を表すフローチャートである。
【０１２０】
図１４において、この例では、記録データＲＤに基づき、各描画地点（記録区間）ごとの描画速度Ｕexp、電子ビーム（ＥＢ）偏向速度Ｕbeam、基板速度Ｕsubを、記録動作開始前に予め設定するものである。まずステップＳ１０５において、前述のステップＳ５と同様、最適速度生成器４７及び偏向・基板速度信号生成器４１で、前述したように図示しない所定の操作手段（又はその他の外部機器）より、記録データＲＤを入力する。
【０１２１】
その後、ステップＳ１１０に移り、最適速度生成器４７で、これから速度設定しようとする当該領域が、例えば略円環状トラックの径方向分布が相対的に疎である領域（前述の例では記録区間Ｒ３１）ではない、通常描画領域（前述の例では記録区間Ｒ３０，Ｒ３２）であるかどうかを判定する。通常描画領域であればこの判定が満たされ、ステップＳ１１５に移る。
【０１２２】
ステップＳ１１５においては、最適速度生成器４７で、描画速度を通常のＵexp1に設定し、ステップＳ１２５へ移る。
【０１２３】
ステップＳ１２５では、偏向・基板速度信号生成器４１で、基板速度Ｕsub及び偏向速度Ｕbeamを通常のＵsub1及びＵbeam1にそれぞれ設定する。
【０１２４】
一方、前述のステップＳ１１０において、最適速度生成器４７で、これから速度設定しようとする当該領域が、例えば略円環状トラックの径方向分布が相対的に疎である領域（前述の例では記録区間Ｒ３１）であった場合、ステップＳ１１０の判定が満たされず、ステップＳ１４０に移る。
【０１２５】
ステップＳ１４０では、最適速度生成器４７で、描画速度を通常のＵexp1より△Ｕexp（△Ｕexp＞０）だけ増加させたＵexp1＋△Ｕexpに設定し、ステップＳ１４５へ移る。  
【０１２６】
ステップＳ１４５では、偏向・基板速度信号生成器４１で、偏向速度Ｕbeamについては通常のＵbeam1に設定するとともに、基板速度Ｕsubについては△Ｕ（△Ｕ＞０）だけ増加させたＵsub1＋△Ｕに設定する。
【０１２７】
その後、ステップＳ１５０に移り、偏向・基板速度信号生成器４１で、これから速度設定しようとする当該領域が、上記トラックの径方向分布が相対的に疎である領域（前述の例では記録区間Ｒ３１）から通常描画領域（前述の例では記録区間Ｒ３０，Ｒ３２）へ移行するときに上記追従限界に基づく機械的応答遅れが生じている追従遷移領域であるかどうかを判定する。追従遷移領域であればこの判定が満たされ、ステップＳ１５５に移る。
【０１２８】
ステップＳ１５５においては、最適速度生成器４７で、上記ステップＳ１４５で設定された偏向速度Ｕbeamに対し上記機械的応答遅れをカバーするための所定の補正を行う。
【０１２９】
上記のようにしてステップＳ１２５、ステップＳ１５０、ステップＳ１５５が終了したら、ステップＳ１３５に移り、偏向・基板速度信号生成器４１又は最適速度生成器４７で、上記ステップＳ１０５で入力した記録データＲＤのすべてのデータについて該当する記録区間の速度設定が終了したかどうかを判定する。全データについて終了するまではこのステップＳ１３５の判定が満たされず、ステップＳ１１０に戻って同様の手順を繰り返す。全データについて速度設定が終了したら、このステップＳ１３５の判定が満たされ、このフローを終了する。
【０１３０】
なお、上記図１４のフローでは、通常領域と、略円環状トラックの径方向分布が相対的に疎であるため描画速度Ｕexpを大きくする領域との２種類の分類分けしか行っていないが、２種類に限定するものではない。すなわち例えば、符号を変えて略円環状トラックの径方向分布が相対的に密な領域へも拡張可能であり、さらにその程度により多段階、連続的に行うよう拡張することも可能である。
【０１３１】
本変形例における記録装置１０においては、基板１５を移動させつつその基板１５上に形成されたレジスト層に記録信号に応じた露光ビームＥＢを照射することにより、レジスト層に潜像を形成する記録装置１０であって、潜像の形成における径方向描画速度Ｕexpを可変に設定する最適速度生成器４７と、基板１５に対して相対的に露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向部３３と、このビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの偏向量に基づき、基板１５の径方向移動速度を調整する回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂと、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの径方向偏向速度Ｕbeam、及び、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の径方向移動速度Ｕsubを、径方向描画速度Ｕexpの変化に対応させて変化させる偏向・基板速度信号生成器４１とを有することを特徴とする。
【０１３２】
これにより、例えば略円環状トラックの径方向分布が相対的に疎である部分（上記の例では記録区間Ｒ３１）は径方向の描画速度Ｕexpを相対的に速く設定するとともに基板１５の径方向の移動速度Ｕsubを相対的に速くし、略円環状トラックの径方向分布が相対的に密である部分（上記の例では記録区間Ｒ３０，Ｒ３２）は径方向の描画速度Ｕexpを相対的に遅く設定するとともに基板１５の径方向の移動速度Ｕsubを相対的に遅くすることで、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす（又は低減する）ことが可能となる。
【０１３３】
上記変形例における記録装置１０においては、偏向・基板速度信号生成器４１は、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす又は低減するように、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの径方向偏向速度Ｕbeamと、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板の径方向移動速度Ｕsubとのいずれか、若しくは両方を制御することを特徴とする。
【０１３４】
照射遮断時間をなくす（又は低減する）ことにより、ビーム電流のロスが無く、スループットの高いビーム記録装置を確実に実現することができる。
【０１３５】
上記変形例における記録装置１０においては、最適速度生成器４７は、基板１５上のレジスト層のうち、潜像形成を行う略円環状トラックの径方向分布が上記所定条件よりも（本実施形態では「相対的に」と表現している）疎である疎領域Ｒ３１においては、略円環状トラックの径方向分布が上記所定条件よりも密である密領域Ｒ３０，Ｒ３２に比べて、径方向の描画速度Ｕexpを相対的に速く設定し、偏向・基板速度信号生成器４１は、略円環状トラックの径方向分布が上記所定条件よりも疎である疎領域Ｒ３１においては、略円環状トラックの径方向分布が上記所定条件よりも密である密領域Ｒ３０，Ｒ３２に比べて、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の径方向の移動速度Ｕsubを相対的に速くするように変化させることを特徴とする。
【０１３６】
潜像形成を行う略円環状トラックの径方向分布を一様とせず、径方向に分布を持たせたい場合に、基板１５の径方向移動速度Ｕsub及び径方向描画速度Ｕexpを相対的に速くすることでトラックの径方向分布を疎とすることができ、基板１５の径方向移動速度Ｕsub及び径方向描画速度Ｕexpを相対的に遅くすることでトラックの径方向分布を密とすることができる。
【０１３７】
上記変形例における記録装置１０においては、偏向・基板速度信号生成器４１は、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の径方向の移動速度Ｕsubが変化するときに、当該移動速度Ｕsubの変化に対する機械的応答遅れに対応して、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの径方向偏向速度Ｕbeamを変化させることを特徴とする。
【０１３８】
追従できない部分（追従遷移領域）Ｒ３１ａｂ，Ｒ３２ａｂについてはビーム偏向部３３によるビーム径方向偏向速度Ｕbeamを変化させ、追従不足な分をビームＥＢを追従方向に偏向させることでカバーすることにより、トラックの不均一間隔部分をなくし、トラック配置間隔を均一化（密で均一、疎で均一の２種類）することができる。
【０１３９】
なおこの場合も、前述と同様、図８に示すような記録制御信号生成装置（フォーマッタ）１００として構成することもできる。この場合の記録制御信号生成装置１００は、レジスト層が上部に形成された基板１５に対し、相対的に露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向部３３と、このビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの偏向量に基づき、基板１５の径方向移動速度Ｕsubを調整する回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂと、この回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂで調整された径方向移動速度Ｕsubで基板１５を移動させつつ、ビーム偏向部３３で照射位置が移動される露光ビームＥＢをレジスト層に照射することにより、レジスト層に潜像を形成する記録装置に対し、潜像形成のための制御信号を生成する記録制御信号生成装置１００であって、記録信号ＲＤに応じて、ビーム偏向部３３が、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす又は低減するように露光ビームＥＢの径方向偏向速度Ｕbeamを制御するための基準となる、潜像の形成における方向描画速度Ｕexpを可変に設定する最適速度生成器４７と、記録信号ＲＤに応じて、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの径方向偏向速度Ｕbeam、及び、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の径方向移動速度Ｕsubを、径方向描画速度Ｕexpの変化に対応させて変化させるような、ビーム偏向部３３及び回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂへの制御信号を生成する偏向・基板速度信号生成器４１とを有することを特徴とする。
【０１４０】
これにより、例えば略円環状トラックの径方向分布が相対的に疎である部分Ｒ３１は、記録制御信号生成装置１００の最適速度生成器４７で径方向の描画速度Ｕexpを相対的に速く設定するとともに偏向・基板速度信号生成器４１で基板１５の径方向の移動速度Ｕsubを相対的に速くし、略円環状トラックの径方向分布が相対的に密である部分Ｒ３０，Ｒ３２は記録制御信号生成装置１００の最適速度生成器４７で径方向の描画速度Ｕexpを相対的に遅く設定するとともに偏向・基板速度信号生成器４１で基板１５の径方向の移動速度Ｕsubを相対的に遅くすることで、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす（又は低減する）ことができる。
【０１４１】
上記記録制御信号生成装置１００においては、最適速度生成器４７は、基板１５上のレジスト層のうち、潜像形成を行う略円環状トラックの径方向分布が上記所定条件よりも疎である疎領域Ｒ３１においては、略円環状トラックの径方向分布が上記所定条件よりも密である密領域Ｒ３０，Ｒ３２に比べて、径方向の描画速度Ｕexpを相対的に速く設定し、偏向・基板速度信号生成器４１は、略円環状トラックの径方向分布が上記所定条件よりも疎である疎領域Ｒ３１においては、略円環状トラックの径方向分布が上記所定条件よりも密である密領域Ｒ３０，Ｒ３２に比べて、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の径方向の移動速度Ｕsubを相対的に速くするように変化させることを特徴とする。
【０１４２】
潜像形成を行う略円環状トラックの径方向分布を一様とせず、径方向に分布を持たせたい場合には、偏向・基板速度信号生成器４１及び最適速度生成器４７でそれぞれ基板１５の径方向移動速度Ｕsub及び径方向描画速度Ｕexpを相対的に速くすることでトラックの径方向分布を疎とすることができ、逆に基板１５の径方向移動速度Ｕsub及び径方向描画速度Ｕexpを相対的に遅くすることでトラックの径方向分布を密とすることができる。
【０１４３】
上記記録制御信号生成装置１００においては、偏向・基板速度信号生成器４１は、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の径方向の移動速度Ｕsubが変化するときに、当該移動速度Ｕsubの変化に対する機械的応答遅れに対応して、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの径方向偏向速度Ｕbeamを変化させることを特徴とする。
【０１４４】
追従できない部分Ｒ３１ａｂ，Ｒ３２ａｂについては偏向・基板速度信号生成器４１がビーム偏向部３３によるビーム径方向偏向速度Ｕbeamを変化させ、追従不足な分をビームＥＢを追従方向に偏向させることでカバーする。これにより、トラックの不均一間隔部分をなくし、トラック配置間隔を均一化（密で均一、疎で均一等）することができる。
【０１４５】
なお、上記は、前述した基板１５の機械的応答遅れの時定数が比較的小さい（比較的短時間で追従完了する）場合を例にとって説明したが、これに限られず、時定数が比較的大きい場合についても適用可能である。
【０１４６】
図１５（ａ）（ｂ）は、このような時定数が大きい場合の変形例を表しており、図１５（ｂ）は、径方向に連続する記録区間Ｒ３３〜Ｒ３５を含む基板１５のトラックを模式的に表す説明図であり、図１３（ａ）は、当該区間Ｒ３３〜Ｒ３５の電子ビーム描画時の電子ビーム（ＥＢ）の偏向量等を模式的に示した説明図である。
【０１４７】
図１５（ａ）（ｂ）において、トラックの径方向分布が密である部分（この例では記録区間Ｒ３３）から疎である部分（この例では記録区間Ｒ３４）に移行する場合、逆に密である部分（この例では記録区間Ｒ３５）へ戻る場合には、それぞれ基板１５の径方向移動速度Ｕsubの増大及び減少が生じる。
【０１４８】
この場合、疎密に応じて径方向移動速度Ｕsubの増減を行うように制御がなされた場合の追従の時定数が大きいため、基板１５の移動速度Ｕsubの変化に対する機械的応答遅れが大きく（この例では結局追従完了とともに逆方向への制御が始まるため、記録区間３４のほぼ全部が追従遷移領域３４ａ，３４ｂとなる。記録区間Ｒ３３，Ｒ３５の領域Ｒ３３ｂ，Ｒ３５ａについても同様）、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの径方向偏向速度Ｕbeamを大きく変化させることが必要である。すなわち、追従できない部分（追従遷移領域）Ｒ３３ｂ，Ｒ３４ａ，Ｒ３４ｂ，Ｒ３５ａにおいて、ビーム偏向部３３によるビーム径方向偏向速度Ｕbeamを大きく変化させ、ビームＥＢを追従方向に偏向させることで、カバーすることができる。
【０１４９】
なお、以上は、Ｘθステージ系を用いたビーム記録装置を例にとって説明したが、これに限らず、ＸＹステージ系を備えたビーム記録装置についても適用が可能である。
【０１５０】
また、以上は電子ビームを用いたビーム記録装置について説明したが、偏向装置を備えたレーザビーム記録装置、あるいは他の荷電粒子ビーム記録装置についても適用が可能である。
【０１５１】
上記実施形態における記録装置１０は、基板１５を移動させつつその基板１５上に形成されたレジスト層に記録信号に応じた露光ビームＥＢを照射することにより、レジスト層に潜像を形成する記録装置１０であって、潜像の形成における周方向描画速度Ｖexpを可変に設定する最適速度生成器４７と、基板１５に対して相対的に露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向部３３と、このビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの偏向量に基づき、基板１５の周方向移動速度Ｖsubを調整する回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂと、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeam、及び、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板の周方向移動速度Ｖsubを、周方向描画速度Ｖexpの変化に対応させて変化させる偏向・基板速度信号生成器４１とを有する。
【０１５２】
これにより、描画パターンの周方向分布が相対的に疎である記録区間Ｒ２は基板１５の周方向の移動速度Ｖsub及び露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に速くし、描画パターンの周方向分布が相対的に密である記録区間Ｒ１，Ｒ３は基板１５の周方向の移動速度Ｖsub及び露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に遅くすることで、露光ビームＥＢに対するブランキング制御部３１によるブランキング）をなくす（又は低減する）ことができる。
【０１５３】
上記実施形態における記録信号生成装置１００は、レジスト層が上部に形成された基板１５に対し、相対的に露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向部３３と、このビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの偏向量に基づき、基板の周方向移動速度Ｖsubを調整する回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂと、この回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂで調整された周方向移動速度Ｖsubで基板１５を移動させつつ、ビーム偏向部３３で照射位置が移動される露光ビームＥＢをレジスト層に照射することにより、レジスト層に潜像を形成する記録装置に対し、潜像形成のための制御信号を生成する記録制御信号生成装置１００であって、記録信号ＲＤに応じて、ビーム偏向部３３が、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす又は低減するように露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeamを制御するための基準となる、潜像の形成における周方向描画速度Ｖexpを可変に設定する最適速度生成器４７と、記録信号ＲＤに応じて、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの周方向偏向速度Ｖbeam、及び、回転駆動部３７Ａ及び送り駆動部３７Ｂによる基板１５の周方向移動速度Ｖsubを、周方向描画速度Ｖexpの変化に対応させて変化させるような、ビーム偏向部３３、回転駆動部及び送り駆動部３７Ａ，３７Ｂへの制御信号を生成する偏向・基板速度信号生成器４１とを有する。
【０１５４】
記録制御信号生成装置１００は、偏向・基板速度信号生成器４１と最適速度生成器４７とを備えており、偏向・基板速度信号生成器４１が、ビーム偏向部３３による露光ビームＥＢの偏向速度Ｖbeam及び回転駆動部・送り駆動部３７Ａ，３７Ｂによる基板１５の移動速度Ｖsubを、最適速度生成器４７で可変に設定される潜像形成時の描画速度Ｖexpに対応させて変化させる。これにより、描画パターンの周方向分布が相対的に疎である部分Ｒ２は基板１５の周方向の移動速度Ｖsub及び露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に速くし、描画パターンの周方向分布が相対的に密である部分Ｒ１，Ｒ３は基板１５の周方向の移動速度Ｖsub及び露光ビームＥＢの周方向への偏向速度Ｖbeamを相対的に遅くすることで、露光ビームＥＢのレジスト層への照射遮断時間をなくす（又は低減する）ことができる。
【０１５５】
以上のように、光ディスクの描画パターンを形成した原盤を作成する電子ビーム記録装置１０、記録制御信号生成装置１００について説明したが、上記実施形態は、記録される磁性体を空間的に分離したいわゆるディスクリートトラック媒体やパターン記録媒体を製造する際にも適用することができる。
【０１５６】
すなわち、以下の説明では、上記電子ビーム記録装置１０を用いた、ディスクリートトラック媒体の溝形状や、パターン記録媒体のドット形状を作成する際におけるパターン描画方法について説明する。
【０１５７】
上記電子ビーム記録装置１０は、レジストが塗布された基板（上記基板１５に相当）に、その基板を水平方向に移動させる機構（上記Ｘステージ１８などに相当）と基板を回転させる回転ステージ（上記ターンテーブル１６に相当）とを有し、レジストに電子線の露光ビームを照射して描画するＸ−θ型の電子ビーム記録装置である。
【０１５８】
この電子ビーム記録装置１０を用いて、ステージを回転すると同時に半径方向に移動させながら、一定の間隔で描画を行ってドットパターンを形成する。その際に、回転中に電子ビームを偏向せずに、スパイラル状にドット列を設けることも可能であるが、特開２００２−３６７２４１号公報に開示されているように、１回転毎にレジストに同心円を描くように電子線の偏向量を鋸歯状に次第に変化させて露光することによって、同心円状のドット列を描画することも可能となる。なお、データ用ドットパターン以外にも、アドレスの抽出やトラック位置制御用にサーボパターンを設けた領域を作製しても構わない。
【０１５９】
通常、パターン磁気記録媒体は、ハードディスク又はパターン化されたハードディスクとしてのパターンドメディアと呼ばれている。図１６に示すようにこのパターン磁気記録媒体８０は、サーボパターン部８１とパターン化されたデータトラック部８２に分けることができる。なお、図示の例では、データトラック部８２のドットパターンが外周部と内周部のみにしか表されていないが、デフォルメかつ省略されたものであって、実際にはディスクの有効半径全体に渡って存在する。また、サーボパターン部８１も図示した以外にも存在する。
【０１６０】
スイングアームヘッド８３は、磁気記録媒体８０の径方向に揺動可能に構成され、磁気記録媒体８０の磁気記録領域に記録されたデータを読み出したり、あるいは書き込むものである。
【０１６１】
データトラック部８２は、同心円状に並んだドット列の記録媒体パターンが形成されている。サーボパターン部８１には、アドレス情報やトラック検出情報を示す方形のパターン、クロックタイミングを抽出するトラックを横切る径方向に延びたライン状のパターン等が形成されている。ここでは、サーボパターン部８１は、現行のハードディスク記録媒体と同様な形態としているが、パターンドメディア用に最適化された新たなフォーマットのサーボパターンを採用して、現行のハードディスク媒体とは異なるパターン形状、形態を採用してもよい。
【０１６２】
これらサーボパターン部８１及びデータトラック部８２を電子ビーム記録装置１０によってパターンを形成するためには、それぞれの領域において異なる描画パターン密度での描画が必要となる。ここで従来のブランキングを用いたパターン形成を行う場合は、サーボパターン部８１とデータトラック部８２とでは、周方向の単位長さ（時間）あたりにブランキングしている長さ（時間）はそれぞれ異なっている。例えばサーボパターン部８１では、周方向に４０％、データトラック部８２では６０％ブランキングしている場合、サーボパターン部８１は周方向に相対的に密、データトラック部８２は周方向に相対的に疎となる。従って、上述した（Ｂ）本実施形態の基本挙動における（Ｂ−１）描画速度一定の場合（図５（ａ）参照）における要領や、（Ｂ−２）描画速度可変の場合（図５（ｂ）参照）における要領でパターン形成が可能となる。
【０１６３】
さらに前述した変形例の適用を否定するものではない。さらに制御信号部内のトラックアドレスを示す領域、トラックサーボ信号を得る領域、記録再生クロックを抽出する領域などの細部領域に対して、それぞれ、その粗密に応じた記録制御を行うことを否定するものではない。
【０１６４】
次にパターン記録媒体の作成に用いるインプリントの転写型（モールド）の製造方法について説明する。
【０１６５】
１．インプリントの転写型（いわゆるモールド）の製造方法
この製造方法は、レジストマスクを用いて、一旦、インプリント用転写型（モールド）を製造し、このインプリント用転写型を用いて転写を行うことによってパターン記録媒体を製造する方法の前半を構成するものである。このインプリント方式を用いたパターン記録媒体の製造方法は、磁気記録媒体用のベース基板上に成膜した記録膜層（記録材料）を直接エッチングする方法に比べて、媒体ごとに描画、露光が必要なくなる分、量産効率が高くなり量産工程に用いることができる。
【０１６６】
＜インプリント用転写型の製造方法＞
本応用例では、インプリント用転写型の製造方法の具体例について説明する。なお、本応用例では、電子ビーム記録装置１０によりインプリント用転写型を製造し、このインプリント用転写型により磁気記録媒体の一例としてパターン磁気記録媒体を製造するための実施例である。
【０１６７】
図１７〜図２２は、本応用例によるインプリント転写型を製造する工程の一例を示す断面図を表している。
【０１６８】
まず最初に、適切なサイズのガラス若しくはシリコン（Ｓｉ）ウェハなどを基板７１として用意する。次に図１７に示すように、この基板７１上には、パイオニアターニングに必要なレジスト材料をスピンコートなどで成膜する。本応用例では、電子ビーム記録装置１０により電子ビームの露光を行うため、電子ビームレジスト膜７２を形成する。次に必要に応じて電子ビームレジスト膜７２がプリベークなどされる。
【０１６９】
次に上記実施形態における電子ビーム記録装置１０が、図１８に示すように電子ビームにより露光することで描画し、その電子ビームレジスト膜７２に潜像７２ａを形成（潜像形成）する。次に必要に応じて、このような露光後にベーク（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を行う。この電子ビームレジスト膜７２を現像すると、この電子ビームレジスト膜７２には、図１９に示すような溝部７２ｂが形成される。その後、必要に応じて、この電子ビームレジスト膜７２はポストベークが行われる。
【０１７０】
次に、この電子ビームレジスト膜７２及び基板７１の表面には、図示しないスパッタリング装置などによって、図２０に示すように初期導電膜としてニッケルなどがスパッタリングされ、ニッケル合金薄膜７３が形成される。
【０１７１】
次に、このニッケル合金薄膜７３の表面には、図２１に示すようにこのニッケル合金薄膜７３を電極として用いて電鋳（電気メッキ）を施すことにより、ニッケル層７４（転写型基材）を形成する。そしてニッケル層７４を基板７１から除去することで、図２２に示すようにニッケルなどのマスタースタンパ７４Ａ（インプリント転写型：モールド）が得られる。このとき必要に応じてマスタースタンパ７４Ａの表面が洗浄などされる。
【０１７２】
上記実施形態の応用例における転写型７４Ａ（マスタースタンパ）の製造方法は、基板１５（１７）を移動させつつその基板１５上のレジスト層に電子ビームＥＢの描画によって形成すべき潜像の形成における描画速度Ｖexp，Ｕexpを可変に設定する描画速度設定ステップと、上記基板１５に対して相対的に上記露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向ステップと、上記基板１５の移動速度Ｖsub，Ｕsubを調整する基板速度調整ステップと、上記露光ビームＥＢの偏向速度Ｖbeam，Ｕbeam、及び、上記基板１５の移動速度Ｖsub，Ｕsubを、上記描画速度Ｖexp，Ｕexpの変化に対応させて変化させる制御ステップと、上記レジスト層７２に潜像７２ａを形成する潜像形成ステップと、前記潜像を転写し、凹凸形状を有する転写型７４Ａを形成する転写型形成ステップとを有する。
【０１７３】
また、上記実施形態の応用例における転写型７４Ａ（マスタースタンパ）は、基板１５を移動させつつその基板１５上のレジスト層７２に電子ビームＥＢの描画によって形成すべき潜像７２ａの形成における描画速度Ｖexp，Ｕexpを可変に設定する描画速度設定ステップと、上記露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向ステップと、上記基板１５の移動速度を調整する基板速度調整ステップと、上記露光ビームＥＢの偏向速度Ｖbeam，Ｕbeam、及び、上記基板１５の移動速度Ｖsub，Ｕsubを、上記描画速度Ｖexp，Ｕexpの変化に対応させて変化させる制御ステップと、上記レジスト層７２に潜像７２ａを形成する潜像形成ステップと、上記潜像７２ａを転写し、凹凸形状７２ｂを有する転写型７４Ａを形成する転写型形成ステップとを有する転写型の製造方法により製造されている。
【０１７４】
＜インプリント用転写型の別の製造方法＞
図２３〜図２７は、本応用例の別の形態によるインプリント転写型を製造する工程の一例を示す断面図を表している。なお、これら図２３〜図２７は、それぞれ上述した図２０〜図２２の代わりの製造工程を表している。
【０１７５】
図１９に示すように電子ビームレジスト膜７２に溝部７２ｂが形成されると、図２３に示すように基板７１（基板材料）は、図１９に示すように電子ビームレジスト膜７２により構成されるレジストパターンをマスクとして、エッチングされる。次に残った電子ビームレジスト膜７２は、酸素プラズマアッシングなどにより除去され、図２４に示すように基板７１が露出する。
【０１７６】
次にこの露出した基板７１の表面には、図示しないスパッタリング装置などによって、図２５に示すように初期導電膜としてニッケルなどがスパッタリングされ、ニッケル合金薄膜７３が形成される。次に、このニッケル合金薄膜７３の表面には、図２６に示すようにこのニッケル合金薄膜７３を電極として用いて電鋳（電気メッキ）を施すことにより、ニッケル層７４を形成する。そしてニッケル層７４を基板７１から除去することで、図２７に示すようにニッケルなどのマスタースタンパ７４Ａ（インプリント転写型：モールド）が得られる。このとき必要に応じてマスタースタンパ７４Ａの表面が洗浄などされる。
【０１７７】
ところで、本実施形態におけるインプリント転写型及びインプリント転写物は、例えば密度が５００Ｇｂｐｓｉ（Gbit／inch2）以上、特に１〜１０Ｔｂｐｓｉ程度の非常に高い面記録密度に相当する超微細パターンにおいて効果的である。具体的には、約２５ｎｍのピット間隔のパターンの転写型を用いることで、その転写物から記録密度がおよそ１Ｔｂｐｓｉの高密度パターン記録媒体を作製することが可能となる。
【０１７８】
これを実現するためには、上記応用例の転写型の製造方法における、凹凸部が形成されたマスクの製造方法には、高精細パターンが形成可能な電子ビーム記録装置１０などを用いることが望ましい。
【０１７９】
＜パターン磁気記録媒体の作成＞
次にインプリント装置を用いてパターン磁気記録媒体を製造する実施例について説明する。
【０１８０】
図２８〜図３１は、それぞれパターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。
【０１８１】
パターン磁気記録媒体を作製する工程は、大別して転写物形成工程、インプリント工程、エッチング工程、非磁性材料充填工程、保護膜（潤滑膜）形成工程からなり、これらの工程が順次行われる。
【０１８２】
まず、この転写物形成工程では、特殊加工化学強化ガラス、Ｓｉウエハ、アルミニウム板、他の材料からなる磁気記録媒体用のベース基板（後述する基板１１６に相当）を準備する。
【０１８３】
次に図２８に示すように基板１１６上には、スパッタリング等で記録膜層１０１を成膜する。なお、垂直磁気記録媒体を製造しようとする場合には、この記録膜層１０１が軟磁性下地層、中間層及び強磁性記録層等の積層構造体になる。
【０１８４】
さらにこの記録膜層１０１上には、図２８に示すようにスパッタリング等でＴａやＴｉ等のメタルマスク層１０２を形成し、転写基板３を作製する。さらに、このメタルマスク層１０２上には、スピンコート法等で、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）といった熱可塑性樹脂のレジストを転写材料２０２として成膜する。
【０１８５】
次にインプリント工程では、図２９に示すように上記転写型７４Ａを、凹凸面が転写材料２０２に向き合うように図示しないインプリント装置にセットする。すなわち、転写型７４Ａは、図示しないモールド保持機構により支持されてセットされる。
【０１８６】
図示しないインプリント装置においては、必要に応じて作業用チャンバー（図示せず）内を減圧する。その後、このインプリント装置においては、必要に応じて転写材料２０２が流動性を持つまで加熱した後、押圧する。ここで、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）のガラス転移点が１００℃前後であるので、このインプリント装置は、ガラス転移温度以上の１２０〜２００℃（例えば１６０℃程度）まで加熱して流動性を持たせた後、１〜１００００ｋＰａ（例えば１０００ｋＰａ程度）の押圧力で、転写型７４Ａを転写基板３に押圧する。その際、転写材料２０２から塗布時の溶媒の残りや樹脂に含まれていた水分等の脱ガスが発生するため、この作業用チャンバーの内部は、達成真空度が数百Ｐａ以下（例えば１０Ｐａ程度）の真空状態にすることが望ましい。
【０１８７】
次に、この作業用チャンバーの内部の雰囲気を元に戻し、転写型７４Ａを剥がすことにより、図３０に示すように転写型７４Ａの凹凸パターンが転写材料２０２に転写された転写物２１７が製造される。以上のようにしてインプリント工程が終了する。
【０１８８】
次にエッチング工程では、図３１に示すようにエッチングマスクとして不要な転写材料２０２をＯ２ガス等を用いたソフトアッシング等で取り除く。続いて図３２に示すようにメタルマスク層１０２が、転写材料２０２をエッチングマスクとしてＣＨＦ３ガス等を用いてエッチング加工される。
【０１８９】
次に図３３に示すように、残存する転写材料２０２がウエットプロセス又はＯ２ガスを用いたドライアッシングによって除去される。そして、図３４に示すように記録膜層１０１が、メタルマスク層１０２をエッチングマスクとしてＡｒガス等を用いてドライエッチングでエッチング加工される。次に残存するメタルマスク層１０２が、図３５に示すようにウエットプロセス又はドライエッチングによって除去される。
【０１９０】
次に非磁性材料充填工程では、図３６に示すように記録されない材料（磁気記録媒体の場合はＳｉＯ２等の非磁性材料１０４）が、スパッタリングや塗布工程等でパターンの溝部分に充填される。
【０１９１】
次に図３７に示すように、非磁性材料１０４の表面がエッチバックやケミカルポリッシュ等で研磨されて平坦化される。これによって記録材料が非記録性材料１０４によって分離された構造とすることができる。
【０１９２】
次に保護膜（潤滑膜）形成工程では、図３８に示すように、例えば記録膜層１０１の保護膜１０５や潤滑膜１０６を塗布方式やディッピング方式によって表面に形成することで、パターン記録媒体が完成する。さらにこのパターン記録媒体が、ハードディスクドライブ筐体に組み込んで、このハードディスクドライブ筐体にこのパターン記録媒体を内蔵するパターンドメディアを構成することができる。以上の工程を経てパターン磁気記録媒体を作製することができる。
【０１９３】
上記実施形態の応用例における磁気ディスク（パターン磁気記録媒体）は、基板１５を移動させつつその基板１５上のレジスト層に電子ビームＥＢの描画によって形成すべき潜像の形成における描画速度Ｖexp，Ｕexpを可変に設定する描画速度設定ステップと、上記露光ビームＥＢの照射位置を移動させるビーム偏向ステップと、上記基板１５の移動速度Ｖsub，Ｕsubを調整する基板速度調整ステップと、上記露光ビームＥＢの偏向速度Ｖbeam，Ｕbeam、及び、上記基板１５の移動速度Ｖsub，Ｕsubを、上記描画速度Ｖexp，Ｕexpの変化に対応させて変化させる制御ステップと、上記レジスト層７２に潜像７２ａを形成する潜像形成ステップと、上記潜像７２ａを転写し、凹凸形状７２ｂを有する転写型７４Ａを形成する転写型形成ステップと、前記転写材料２０２に前記転写型７４Ａを押し当てて、磁気記録媒体用のベース基板１１６上に前記凹凸形状を転写する転写ステップと、前記転写型７４Ａを剥がして前記凹凸形状を有する転写物を形成する転写物形成ステップとを有することを特徴とする磁気ディスクの製造方法により製造されたものである。
【０１９４】
２．直接描画によるパターン磁気媒体の製造方法
このパターン磁気記録媒体は、前述のパターン作製方法によって描画、露光された潜像を作り、現像することによって形成されたレジストマスクを用いて直接記録材料をエッチングすることによって作成することもできる。
【０１９５】
図３９〜図４１は、それぞれパターン磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図である。なおこれら図３９〜図４１は、上述した転写物形成工程の一部（上述した図２８〜図３０などに相当）を構成するものである。
【０１９６】
まず転写物形成工程では、上述の転写物形成工程と同様に、図３９に示すように、特殊加工化学強化ガラス、Ｓｉウエハ、アルミニウム板、他の材料からなる磁気記録媒体用のベースとなる基板１１６に、スパッタリング等で記録膜層１０１を成膜する。
【０１９７】
さらにこの記録膜層１０１上には、スパッタリング等でＴａやＴｉ等のメタルマスク層１０２が形成され、転写基板３が形成される。さらに、このメタルマスク層１０２上には、電子ビームレジスト膜７２が、スピンコート法等で、パターニングに必要なレジスト材料として成膜される。この電子ビームレジスト膜７２は、必要に応じてプリベークなどが行われる。
【０１９８】
次に電子ビーム記録装置１０が、この電子ビームレジスト膜７２に対して描画を行う。ここで、この電子ビーム記録装置１０がこの電子ビームレジスト膜７２に描画するのは、図１６に示すデータトラック部８２において磁性体を形成すべきパターンに対応した所定のパターンである。図４０に示すように所定のパターンが形成された電子ビームレジスト膜７２は、必要に応じて露光後にベーク（Post Exposure Bake：ＰＥＢ）を行う。
【０１９９】
次に図４１に示すように電子ビームレジスト膜７２が、現像によりパターン形成が行われる。なお、このようなパターンが形成された電子ビームレジスト膜７２は、必要に応じてポストベークが行われる。これ以降の工程は、図３１及び図３２に示す転写材料２０２を電子ビームレジスト膜７２に置き換えて、図３１〜図３８に示すエッチング工程、非磁性材料充填工程及び保護膜（潤滑膜）形成工程と同様である。
【符号の説明】
【０２００】
１０  電子ビーム記録装置（記録装置）
１５  基板
３３  ビーム偏向部
３７  ステージ駆動部
３７Ａ  回転駆動部
３７Ｂ  送り駆動部
４１  偏向・基板速度信号生成器
４７  最適速度生成器
１００  記録制御信号生成装置
ＥＢ  電子ビーム（露光ビーム）
【図１】
2010192908.tif 000003
【図２】
2010192908.tif 000004
【図３】
2010192908.tif 000005
【図４】
2010192908.tif 000006
【図５】
2010192908.tif 000007
【図６】
2010192908.tif 000008
【図７】
2010192908.tif 000009
【図８】
2010192908.tif 000010
【図９】
2010192908.tif 000011
【図１０】
2010192908.tif 000012
【図１１】
2010192908.tif 000013
【図１２】
2010192908.tif 000014
【図１３】
2010192908.tif 000015
【図１４】
2010192908.tif 000016
【図１５】
2010192908.tif 000017
【図１６】
2010192908.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
2010192908.tif 000030
【図２９】
2010192908.tif 000031
【図３０】
2010192908.tif 000032
【図３１】
2010192908.tif 000033
【図３２】
2010192908.tif 000034
【図３３】
2010192908.tif 000035
【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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