(57)【要約】【課題】シリコンウェーハの少なくとも表層のボイド欠陥を消滅させるシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハに対して、ランプ式急速加熱炉を用い、非酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で４５秒間の第１熱処理を施す。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の内壁酸化膜が除去される。その後、連続してランプ炉内でウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒熱処理し、ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程を施す。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の消滅速度が促進し、このボイド欠陥が消滅される。更に第３熱処理工程として窒素含有ガス雰囲気下にて１１５０℃で１０秒熱処理し、その後５０℃／秒の冷却速度で降温することで基板表層近傍に空孔を大量に注入することでゲッタリング能力も高まる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により成長したシリコン単結晶から得られたシリコンウェーハを、急熱急冷が可能な急速加熱炉を用い、非酸化性ガスの雰囲気下あるいは還元性ガス雰囲気下、１０５０℃以上でシリコンの融点未満の温度範囲内で１秒〜６０秒熱処理し、前記シリコンウェーハの少なくとも表層のボイド欠陥の内壁酸化膜を除去する第１熱処理工程と、
該第１熱処理工程後、前記急速加熱炉を用い、前記シリコンウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、９００℃〜１３５０℃で１秒〜６０秒熱処理することにより、前記ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程とを備えたシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記第２熱処理工程と同一の前記急速加熱炉を使用してこの第２熱処理に連続し、窒素を含むガスの雰囲気下、１０５０℃〜１３５０℃の温度で１秒〜３０秒熱処理することで、前記シリコンウェーハの表面から該シリコンウェーハの内部に空孔を注入する第３熱処理工程を行う請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記第２熱処理工程後、前記シリコンウェーハの表面酸化膜を完全または部分的に除去し、次に前記ランプ式急速加熱炉を用い、窒素を含むガスの雰囲気下、１０５０℃〜１３５０℃の温度で１秒〜３０秒熱処理することで、前記シリコンウェーハの表面から該シリコンウェーハの内部に空孔を注入する第３熱処理工程を行う請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記第３熱処理工程では、前記シリコンウェーハの熱処理温度が１０５０℃〜１３５０℃、熱処理後の降温速度が１０℃／秒以上である請求項２または請求項３に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記シリコンウェーハの表面を仕上げ研磨する請求項２〜請求項４のうち、何れか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はシリコンウェーハの製造方法、詳しくはシリコンウェーハの表面ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）およびウェーハ表層（ウェーハ表面から数μｍの深さまで）のＣＯＰ源となるＧｒｏｗｎ‐ｉｎ欠陥を効果的に消滅可能で、かつ金属不純物のゲッタリングも可能なシリコンウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハへのデバイス形成において、熱処理による成膜工程やドライ洗浄など相当数のプロセスを繰り返して最終デバイス製品となる。このようなプロセスでは、シリコンウェーハ中に様々な金属不純物を取り込んでしまい、デバイス特性の劣化につながることは周知である。
従来、デバイスプロセスでの金属汚染をデバイス活性層から除去するため、シリコンウェーハの内部に酸素析出物を成長させ、酸素析出物により金属不純物を捕獲するイントリンシック・ゲッタリング法が提案されている（例えば特許文献１）。また、シリコンウェーハの裏面にポリシリコンを成膜させ、ポリシリコンの粒界に金属不純物を捕獲するエクストリンシック・ゲッタリング法も提案されている。一方、イントリンシック・ゲッタリング法の一例として、窒素元素を含むガス雰囲気下での熱処理において、急速降温を行うことで、空孔を凍結、その後の追加熱処理時に空孔の酸素析出促進作用を利用したゲッタリング法も知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１３４５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、これらのゲッタリング技術は単に酸素析出の増大を図るものであり、シリコンウェーハの表層近傍（デバイス活性層近傍）の完全性の観点から言えば、ボイド欠陥が存在しないシリコンウェーハが必要となる。結晶育成時に成長したボイド欠陥を含むシリコンウェーハでは、デバイス特性を劣化させるからである。しかしながら、ボイド欠陥が存在しない長尺なシリコン単結晶の育成は極めて困難である。また、製品出荷前のシリコンウェーハに対しては、テンコール社製の表面欠陥評価装置（製品番号ＳＰ−１）などを用いて表面欠陥の評価が行われている。欠陥サイズとして０．０７μｍ以上の欠陥がない（Ｆｒｅｅ）と判断されたシリコンウェーハに対しても、最新の表面欠陥評価装置などの高感度評価を行えば、０．０３μｍより小さい欠陥が検出されるものと推察される。
【０００５】
一方、デバイス作製はますます微細化され、シリコンウェーハの表層内に微細な欠陥が存在すれば、デバイス不良が発生する。したがって、シリコンウェーハとしては、少なくともウェーハ表層内はデバイス特性に影響を与えない程度の小さい欠陥のみしか存在しない状態か、完全に無欠陥な状態であることが望まれる。また、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）デバイス用のシリコンウェーハでは、デバイス後工程により、将来的にシリコンウェーハのほとんどがその裏面から研削により除去され、最終厚みが１５μｍ以下になると予想される。この場合、シリコンウェーハにはゲッタリング能力が無くなってしまう。そのため、デバイスが形成されるウェーハ表層（デバイス活性層）の近傍に、大きいゲッタリング機能を付与したシリコンウェーハが要求されている。
【０００６】
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、例えば検出限界値が０．０３μｍ程度の高感度表面欠陥評価装置によってのみ検出可能なボイド欠陥を含むシリコンウェーハに対して、急熱急冷が可能なランプ式急速加熱炉を使用し、非酸化性ガスの雰囲気下での短時間の第１熱処理後、酸化性ガス雰囲気下で短時間の第２熱処理を行えば、シリコンウェーハの少なくともウェーハ表層内のボイド欠陥を消滅可能であることを知見し、この発明を完成させた。
また、この第２熱処理に連続し、ランプ式急速加熱炉を用い、ウェーハ表面からシリコンウェーハの内部に空孔を注入可能なアンモニアガスや窒素ガスの雰囲気下で第３熱処理を行った後、シリコンウェーハを急冷することで、デバイスが形成される領域より下部に、効果的に酸素析出物を成長可能であることを見出し、この発明を完成させた。
【０００７】
この発明は、シリコンウェーハの少なくとも表層のボイド欠陥を消滅させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的としている。
また、この発明は、デバイスが形成されるウェーハ表層近傍に金属不純物を捕獲可能なゲッタリングサイトを形成させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、チョクラルスキー法により成長したシリコン単結晶から得られたシリコンウェーハを、急熱急冷が可能な急速加熱炉を用い、非酸化性ガスの雰囲気下あるいは還元性ガス雰囲気下、１０５０℃以上でシリコンの融点未満の温度範囲内で１秒〜６０秒熱処理し、前記シリコンウェーハの少なくとも表層のボイド欠陥の内壁酸化膜を除去する第１熱処理工程と、該第１熱処理工程後、前記急速加熱炉を用い、前記シリコンウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、９００℃〜１３５０℃で１秒〜６０秒熱処理することにより、前記ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程とを備えたシリコンウェーハの製造方法である。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、まず、ランプ式急速加熱炉を用い、シリコンウェーハ（ＣＺウェーハ）に対して、非酸化性ガスの雰囲気下、１０５０℃以上でシリコンの融点未満の範囲内の温度で１秒〜６０秒間の第１熱処理を行う。この第１熱処理により、シリコンウェーハの少なくとも表層の酸素が外方拡散して酸素の未飽和領域が形成される。これに伴い、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の溶解した内壁酸化膜が外方拡散して除去されるとともに、ボイド欠陥も縮小する。
次に、酸化性ガス雰囲気下で、９００℃〜１３５０℃、１秒〜６０秒加熱する第２熱処理を行うことで、第１熱処理により内壁酸化膜が除去されたボイド欠陥に、ウェーハ表面に成長した酸化膜界面から過剰の格子間シリコンを注入する。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の消滅速度が促進し、このボイド欠陥が消滅する。その結果、少なくともウェーハ表層の完全性（無欠陥性）を高めることができる。この発明は、例えば検出限界値が０．０３μｍ程度の最新の表面欠陥評価装置によってのみ検出可能なボイド欠陥を含むシリコンウェーハを対象としたとき、その効果が顕著となる。
【００１０】
チョクラルスキー法は、ルツボ内に結晶用シリコン原料を投入し、ルツボ内の投入物をヒータにより溶解して溶融液とする。次いで、引き上げ軸の下端に装着された種結晶を溶融液に浸漬し、ルツボおよび引き上げ軸を回転させつつ、引き上げ軸を軸方向に引き上げ、種結晶の下方にシリコン単結晶を成長させる方法である。その他、石英ルツボの周りに超電導磁石が配設された磁場印加方式チョクラルスキー引き上げ法（ＭＣＺ法）を採用してもよい。
シリコン単結晶の形状としては、例えばネック部（絞り部）、増径部（上向きコーン部）、直胴部、減径部（下向きコーン部）を有するものを採用することができる。また、ネック部がほとんどないもの、減径部が存在しないものでもよい。
シリコンウェーハの直径は任意である。例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍなどである。
急速加熱炉（ＲＴＰ：Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｓｅｓｓｉｎｇ）とは、赤外線ランプや高周波加熱方式や抵抗加熱方式あるいはレーザーにより急速加熱（１〜２００℃／秒、最高温度１４００℃）、急速冷却（１〜１００℃／秒）が可能な加熱炉である。
非酸化性ガスとしては、還元性ガス（水素ガスなど）の他、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガスなどの不活性ガスを採用することができる。また、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスでもよい。
【００１１】
第１熱処理工程でのシリコンウェーハの加熱温度が１０５０℃未満では、ウェーハ内での酸素の外方拡散が遅く、ＣＯＰの内壁酸化膜の溶解時間が長くなる。また、シリコンの融点（約１４２０℃）以上では、耐熱性を向上させる必要があるため非常に高価な装置となることや、シリコンの変形などが生じる。第１熱処理工程でのシリコンウェーハの好ましい加熱温度は、１１００℃〜１２５０℃である。この範囲であれば、シリコンウェーハの生産性の低下を抑制し、かつスリップと呼ばれる結晶欠陥を抑制することができる。
第１熱処理工程でのシリコンウェーハの加熱時間が１秒未満では、ウェーハ表層近傍の酸素外方拡散が十分でないため、ＣＯＰ内壁酸化膜が完全には溶解しない。また、６０秒を超えれば、シリコンウェーハの生産性が低下する。第１熱処理工程でのシリコンウェーハの好ましい加熱時間は、５秒〜６０秒である。この範囲であれば、コスト高になりにくく、しかもスリップも発生しにくい。
【００１２】
第１熱処理工程でのシリコンウェーハの急熱速度は、特に限定する必要はないが５℃／秒以上とする。５℃／秒未満では、目標温度に到達するまでの時間が長くなり過ぎて、シリコンウェーハの生産性が低下する。急冷速度に関しても同様である。
【００１３】
シリコンウェーハの少なくとも表層とは、シリコンウェーハの表層だけでなく、シリコンウェーハの表層からその厚さ方向の中間部までを含む。さらに、シリコンウェーハの厚さ方向の全域でもよい。
【００１４】
第２熱処理工程でのシリコンウェーハの加熱温度が９００℃未満では、シリコンウェーハの表面に酸化膜を効率よく成長させることができず、ボイド欠陥に効率よく格子間シリコンを注入することができないこと、さらには内壁酸化膜が溶解したボイド欠陥内に再度内壁酸化膜が成長することもあり得る。また、１３５０℃を超えれば、スリップの発生頻度が高くなる。第２熱処理工程でのシリコンウェーハの好ましい加熱温度は、１０００℃〜１２５０℃である。この範囲であれば、シリコンウェーハの生産性の低下を防止し、かつスリップの発生を抑制することができる。
第２熱処理工程でのシリコンウェーハの加熱時間が１秒未満では、シリコンウェーハの表面酸化膜の成長が十分でなく、内壁酸化膜の溶解したＣＯＰに注入される格子間シリコンの量が不足する。また、６０秒を超えれば、シリコンウェーハの生産性が低下する。第２熱処理工程でのシリコンウェーハの好ましい加熱時間は、２秒〜６０秒である。この範囲であれば、シリコンウェーハの生産性低下を抑制するこができ、かつスリップの発生も抑制することができる。
【００１５】
第２熱処理工程でのシリコンウェーハの急熱速度は特に限定しないが、５℃／秒以上とする。５℃／秒未満では、目標温度に到達するまでの時間が長くなり過ぎて、シリコンウェーハの生産性が低下する。急冷速度に関しても同様である。
酸化性ガスとしては、酸素ガスなどを採用することができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、前記第２熱処理工程と同一の前記急速加熱炉を使用してこの第２熱処理に連続し、窒素を含むガスの雰囲気下、１０５０℃〜１３５０℃の温度で１秒〜３０秒熱処理することで、前記シリコンウェーハの表面から該シリコンウェーハの内部に空孔を注入する第３熱処理工程を行う請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法である。
【００１７】
請求項２に記載の発明によれば、シリコンウェーハの表面からシリコンウェーハの内部に空孔を高濃度に注入することになり、その後の熱処理で酸素析出物を効率よく成長（注入）させることができる。第３熱処理後に酸素析出物を効率よく成長させるには、シリコンウェーハの初期の酸素濃度は５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ｏｌｄ  ＡＳＴＭ）以上とした方がよい。
【００１８】
窒素を含むガスとしては、例えば窒素ガス、アンモニアガスなどを採用することができる。
第３熱処理工程でのシリコンウェーハの加熱温度が１０５０℃未満では、空孔濃度を十分に高めることができず、酸素析出物が形成できない。また、１３５０℃を超えれば、シリコンウェーハのスリップ発生が顕在化する。シリコンウェーハの好ましい加熱温度は、１１５０℃〜１２５０℃である。この範囲であれば、スリップの発生も抑制することができる。
第３熱処理工程でのシリコンウェーハの加熱時間が１秒未満では、空孔の拡散が十分でなく、シリコンウェーハの内部まで空孔を拡散できない。また、３０秒を超えれば、シリコンウェーハの生産性が低下する。シリコンウェーハの好ましい加熱時間は、５秒〜２０秒である。この範囲であれば、ウェーハ内に十分に空孔を拡散でき、かつシリコンウェーハの生産性の低下を生じさせない。
【００１９】
第３熱処理工程でのシリコンウェーハの急冷速度は１０℃／秒以上である。１０℃／秒未満では、ウェーハ内に空孔を凍結することができない。シリコンウェーハの好ましい急冷熱速度は、２５〜１００℃／秒である。この範囲であれば、市販の急速加熱炉により対応することができる。
第３熱処理工程でのシリコンウェーハの急熱速度は５℃／秒以上とする。５℃／秒未満では、生産性低下という不都合が生じる。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、前記第２熱処理工程後、前記シリコンウェーハの表面酸化膜を完全または部分的に除去し、次に前記ランプ式急速加熱炉を用い、窒素を含むガスの雰囲気下、１０５０℃〜１３５０℃の温度で１秒〜３０秒熱処理することで、前記シリコンウェーハの表面から該シリコンウェーハの内部に空孔を注入する第３熱処理工程を行う請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法である。
【００２１】
請求項３に記載の発明によれば、シリコンウェーハに対して、第２熱処理してから第３熱処理する前までの間に、急速加熱炉を用いて、第２熱処理時に発生したシリコンウェーハの表面酸化膜を完全あるいは部分的に除去する。これにより、第３熱処理時にシリコン表面から空孔を注入しやすくできる。
【００２２】
部分的に残す表面酸化膜（シリコン酸化膜）の厚さは、５０Å以下である。５０Åを超えれば、空孔が入りにくい現象が生じる。
表面酸化膜の除去方法としては、例えば、ＨＦ洗浄を採用することができる。
【００２３】
請求項４に記載の発明は、前記第３熱処理工程では、前記シリコンウェーハの熱処理温度が１０５０℃〜１３５０℃、熱処理後の降温速度が１０℃／秒以上である請求項２または請求項３に記載のシリコンウェーハの製造方法である。
【００２４】
請求項４に記載の発明によれば、第３熱処理工程でのシリコンウェーハの熱処理温度が１０５０℃〜１３５０℃で、熱処理後の降温速度を１０℃／秒以上としたので、シリコンウェーハの表面からウェーハ内部に、空孔となる酸素析出物を成長させた直後、急速降温により、空孔を凍結することができる。これにより、その後の追加熱処理時に空孔の酸素析出促進作用を利用し、金属不純物を捕獲することができる。
【００２５】
第３熱処理工程でのシリコンウェーハの加熱温度が１０５０℃未満では、空孔注入量が十分でない。また、１３５０℃を超えれば、スリップ発生の問題が生じる。シリコンウェーハの好ましい加熱温度は１１５０℃〜１２５０℃である。この範囲であれば、スリップ抑制や市販の熱処理炉が適用できるというさらに好適な効果が得られる。
第３熱処理工程でのシリコンウェーハの急冷速度は１０℃／秒以上である。１０℃／秒未満では、酸素析出物の形成に必要な空孔濃度を十分に凍結することができない。第３熱処理工程でのシリコンウェーハの好ましい急冷速度は２５〜７５℃／秒である。
【００２６】
請求項５に記載の発明は、前記シリコンウェーハの表面を仕上げ研磨する請求項２〜請求項４のうち、何れか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法である。
【００２７】
請求項５に記載の発明によれば、ウェーハ表面は窒素のウェーハ内部への拡散により表面が荒れる。そこで、第３熱処理工程後、ウェーハ表面を研磨することで、その荒れを解消することができる。
【発明の効果】
【００２８】
請求項１に記載の発明によれば、シリコンウェーハに対して、急速加熱炉を用い、非酸化性ガスの雰囲気下、１０５０℃以上でシリコンの融点未満の範囲内の温度で１〜６０秒間の第１熱処理を施す。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の内壁酸化膜が除去される。その後、ランプ式急速加熱炉を用い、シリコンウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、９００℃〜１３５０℃で１秒〜６０秒熱処理し、ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程を施す。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の消滅速度が促進し、このボイド欠陥が消滅され、少なくともウェーハ表層の完全性を高めることができる。
【００２９】
請求項２に記載の発明によれば、第２熱処理工程で使用したものと同一の急速加熱炉を用い、シリコンウェーハに対して、窒素ガスの雰囲気下、１０５０℃〜１３５０℃で１秒〜３０秒熱処理する第３熱処理を行う。これにより、シリコンウェーハの表面からシリコンウェーハの内部に空孔を注入することができる。
【００３０】
請求項３に記載の発明によれば、第２熱処理後から第３熱処理前までの間に、第２熱処理時に発生したシリコンウェーハの完全あるいは部分的に表面酸化膜を除去する。これにより、空孔注入を得やすくすることができる。
【００３１】
請求項４に記載の発明によれば、第３熱処理工程でのシリコンウェーハの熱処理温度が１０５０℃〜１３５０℃で、熱処理後の降温速度を１０℃／秒以上としたので、
シリコン表面から内部に空孔注入した後に、空孔を効率よく凍結することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００３３】
次に、この発明の実施例１に係るシリコンウェーハの製造方法を詳しく説明する。
まず、急熱急冷が可能な赤外線ランプを光源としたランプ式急速加熱炉を用い、シリコンウェーハを、アルゴンガスの雰囲気下で、１２００℃（昇温速度約２５℃／秒）で４５秒間熱処理する（第１熱処理工程）。これにより、シリコンウェーハの表面から数μｍの深さでウェーハ内の酸素が外方拡散し、この外方拡散部分に酸素の未飽和領域が形成される。これに伴い、ウェーハ表面から数μｍの深さに存在するボイド欠陥では、加熱時に溶解した内壁酸化膜が外方拡散して除去される。
【００３４】
次いで、酸素ガス雰囲気下で、ランプ式急速加熱炉により、１１５０℃、３０秒加熱する（第２熱処理）。これにより、第１熱処理により内壁酸化膜が除去されたボイド欠陥に、ウェーハ表面からの熱平衡濃度以上の濃度で格子間シリコンを注入する。その結果、シリコンウェーハの表面から数μｍの深さに存在するボイド欠陥が消滅する。
それから、第２熱処理後のシリコンウェーハをＨＦ洗浄し、続いてシリコンウェーハの表面を０．５〜１μｍ研磨し、最終的にＳＣ−１洗浄を施す。得られたシリコンウェーハの表面欠陥（ＬＰＤ）の個数を表面欠陥評価装置により測定する。その結果、パーティクルを除くＬＰＤは殆ど消滅させることができた。これにより、少なくともウェーハ表層の完全性を高めることができた。
【００３５】
また、シリコンウェーハの表面酸化膜を除去後、ランプ式急速加熱炉を用い、アンモニアガス雰囲気下、１１５０℃の温度で１０秒熱処理してもよい（第３熱処理）。この場合には、シリコンウェーハの表面からウェーハの内部に、空孔を注入することができる。
【００３６】
次に、実施例１のシリコンウェーハの製造方法と従来法との比較試験を実際に行い、シリコンウェーハを製造したときのウェーハ表層の完全性と、ウェーハ表層近傍のゲッタリング能力との違いを報告する。
【００３７】
［使用材料］
（１）シリコンウェーハ（試験体）；
テンコール社製の表面欠陥評価装置（製品番号ＳＰ−２）による評価で、ウェーハ外周部にリング状のＬＰＤが発生したＣＺウェーハを使用した。
【００３８】
［評価方法］
（１）ウェーハ表層のボイド欠陥の評価方法；
ａ）ＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｆｅｃｔ）の評価方法
対象となるシリコンウェーハは、テンコール社製の表面欠陥評価装置（製品番号ＳＰ−２）によりウェーハ表面上に存在する０．０３μｍ以上のＬＰＤの消滅有無を評価する。
ｂ）ウェーハ表層領域のボイド欠陥の評価方法
ウェーハ表面近傍のボイド欠陥を測定するため、簡易的なデバイス熱シミュレーションを行う。得られたウェーハ表面酸化膜をＨＦで剥離した後にＳＣ−１洗浄とＨＦ洗浄を実施する。その後、ＲＩＥ評価装置によりウェーハ表面から３μｍ選択エッチングを行い溶け残りボイド密度を測定する。
（２）ゲッタリング機能の評価方法；
ｃ）ＢＭＤ（Ｂｕｌｋ  Ｍｉｃｒｏ  Ｄｅｆｅｃｔ）の評価方法
対象となるシリコンウェーハを８００℃で４時間熱処理を行った後、引き続き１０００℃、１６時間の熱処理を行う。各シリコンウェーハを、劈開後、Ｗｒｉｇｈｔエッチング溶液により選択エッチングを行い、シリコンウェーハ断面の酸素析出物密度を光学顕微鏡を用いて測定する。
【００３９】
［比較例１〜１０、試験例１〜９］
まず、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶の直胴部に、外周研削、ブロック切断、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、研磨を順次施し、直径３００ｍｍ、初期酸素濃度９．０×１０１８／ｃｍ３、比抵抗１０Ω・ｃｍの同一ロットのシリコンウェーハを準備した。その中から、テンコール社製の表面欠陥評価装置（製品番号ＳＰ−２）によりウェーハ外周部にリング状のＬＰＤが発生しているシリコンウェーハを２００枚抜き出した（外周部リング状のＬＰＤの実態がボイド欠陥）。
【００４０】
次に、これらのシリコンウェーハをランプアニール炉に挿入し、所定ガスの雰囲気下、所定温度、所定時間で熱処理、所定速度で降温した（第１、２，３熱処理）。
その結果を、表１にそれぞれ示す。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
表１から明らかなように、試験例１〜９では、第１熱処理と第２熱処理と、必要により第３熱処理とをそれぞれ短時間施すことで、比較例１〜１０に比べて、シリコンウェーハのＬＰＤおよびＢＭＤをそれぞれ低減することができることが判明した。シリコンウェーハの表層近傍に、金属不純物の捕獲に十分な量のゲッタリングサイトを成長させることができることが判明した。