(57)【要約】【課題】成膜された発電層が大気中に曝露されることを原因とする性能低下の問題を解決した集積型光発電素子及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】基板１０と基板１０上に絶縁材料により間隔を設けて形成された絶縁部１５と絶縁部１５により絶縁分離されるように形成された裏面電極層１１と、化合物半導体を用いて形成され隣接する他のセルと分割溝１６によって分割された発電層１２と透明電極層１３とを少なくとも備え、透明電極層１３の表面の一部と当該透明電極層１３及び発電層１２の片側の端部とをそれぞれ覆い、且つ隣接する他のセルの裏面電極層１１と当該透明電極層１３とを電気的に接続する導電部１４を備える集積型光発電素子Ｉ０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の基板上に設けられた複数のセルを有する集積型光発電素子であって、
前記セルは、
基板と、
前記基板上に絶縁材料により間隔を設けて形成された絶縁部と、
前記基板上に前記絶縁部により絶縁分離されるように形成された裏面電極層と、
形成された前記裏面電極層上に化合物半導体を用いて形成され、隣接する他のセルと分割溝によって分割された発電層と、
前記発電層上にそれぞれ形成された透明電極層と、を少なくとも備え、
前記透明電極層の表面の一部と当該透明電極層及び前記発電層の片側の端部とをそれぞれ覆い、且つ隣接する他のセルの前記裏面電極層と当該透明電極層とを電気的に接続する導電部を備える
ことを特徴とする集積型光発電素子。
【請求項２】
前記発電層の化合物半導体は、カルコパイライト構造を有するＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系半導体であることを特徴とする請求項１に記載の集積型光発電素子。
【請求項３】
複数のセルを有する集積型光発電素子の製造方法であって、
基板上に間隔を設けて絶縁性材料を含む絶縁性ペーストを塗布し当該絶縁性材料からなる複数の絶縁部を形成する第１のペースト塗布工程と、
前記複数の絶縁部が形成された前記基板上に当該絶縁部により絶縁分離されるように複数の裏面電極層を成膜する裏面電極層成膜工程と、
成膜された前記裏面電極層上に発電層を成膜する発電層成膜工程と、
成膜された前記発電層上に透明電極層を成膜する透明電極層成膜工程と、
成膜された前記発電層と前記透明電極層との一部を除去し電気的に分割すると共に前記裏面電極層の一部を露出させるパターニング工程と、
分割された前記透明電極層の表面の一部に導電性材料を含む導電性ペーストを塗布し、当該透明電極層の端部及び分割された前記発電層の端部を覆い、且つ隣接する他のセルの露出した前記裏面電極層の一部と当該透明電極層とを電気的に接続する導電部を形成する第２のペースト塗布工程と、
を有することを特徴とする集積型光発電素子の製造方法。
【請求項４】
前記裏面電極層と前記発電層と前記透明電極層とをスパッタリングにより成膜することを特徴とする請求項３に記載の集積型光発電素子の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁性ペーストは、ガラスペースト又はセラミックペーストであることを特徴とする請求項３又は４に記載の集積型光発電素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積型光発電素子等に関し、より詳しくは、化合物半導体を用いる集積型光発電素子等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＩＳ系等の化合物半導体が用いられる薄膜太陽電池を太陽電池モジュールとして所定の電圧を得る場合、基板、裏面電極層、光吸収層、透明電極層の順序で積層した薄膜を個々の単位セルに分割し、これを複数個直列に接続した集積型光発電素子を形成している。このような集積型光発電素子の製法としては、例えば、特許文献１に、裏面電極層を分割するパターニングＰ１と、光吸収層又はこれとバッファー層を分割するパターニングＰ２と、窓層乃至光吸収を分割するパターニングＰ３とからなり、Ｐ２及びＰ３は、各構成薄膜層を金属針で機械的に除去して溝を形成する際、光吸収層形成工程で裏面電極層の表面に副次的にカルコゲン元素との反応で生成した極薄膜層を固体潤滑剤として用いる製造方法が記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９１１６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、例えばＣＩＳ薄膜系太陽電池は、通常、以下の手順により製造される。
図３は、従来のＣＩＳ薄膜系太陽電池の製造工程を説明する図である。初めに、絶縁性の基板１上にパターニングにより短冊状の裏面電極層２を形成した後（図３（ａ））、スパッタリング法等により発電層３を形成し（図３（ｂ））、続いて、メカニカルパターン法により発電層３の一部をストライプ状に除去し（図３（ｃ））、その後、透明電極層４を形成し（図３（ｄ））、最後に、透明電極層４を短冊状に分割する（図３（ｅ））。
【０００５】
しかし、上述したような集積型構造の太陽電池モジュールの製造工程では、裏面電極層と発電層と透明電極層とを、別々のパターニング工程により形成する必要がある。このため、成膜された発電層等の表面が大気中に曝露されることによる界面の酸化や埃の付着等が生じ、太陽電池の性能を低下させるという問題がある。また、メカニカルパターニング工程は長時間を要し、製造コストを増大させる。
【０００６】
本発明の目的は、成膜された発電層が大気中に曝露されることを原因とする性能低下の問題を解決した集積型光発電素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かくして本発明によれば、共通の基板上に設けられた複数のセルを有する集積型光発電素子であって、セルは、基板と、基板上に絶縁材料により間隔を設けて形成された絶縁部と、基板上に絶縁部により絶縁分離されるように形成された裏面電極層と、形成された裏面電極層上に化合物半導体を用いて形成され、隣接する他のセルと分割溝によって分割された発電層と、発電層上にそれぞれ形成された透明電極層と、を少なくとも備え、透明電極層の表面の一部と透明電極層及び発電層の片側の端部とをそれぞれ覆い、且つ隣接する他のセルの裏面電極層と透明電極層とを電気的に接続する導電部を備えることを特徴とする集積型光発電素子が提供される。
【０００８】
ここで、本発明が適用される集積型光発電素子において、発電層の化合物半導体は、カルコパイライト構造を有するＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系半導体であることが好ましい。
【０００９】
次に、本発明によれば、複数のセルを有する集積型光発電素子の製造方法であって、基板上に間隔を設けて絶縁性材料を含む絶縁性ペーストを塗布し絶縁性材料からなる複数の絶縁部を形成する第１のペースト塗布工程と、複数の絶縁部が形成された基板上に絶縁部により絶縁分離されるように複数の裏面電極層を成膜する裏面電極層成膜工程と、成膜された裏面電極層上に発電層を成膜する発電層成膜工程と、成膜された発電層上に透明電極層を成膜する透明電極層成膜工程と、成膜された発電層と透明電極層との一部を除去し電気的に分割すると共に裏面電極層の一部を露出させるパターニング工程と、分割された透明電極層の表面の一部に導電性材料を含む導電性ペーストを塗布し、透明電極層の端部及び分割された発電層の端部を覆い、且つ隣接する他のセルの露出した裏面電極層の一部と透明電極層とを電気的に接続する導電部を形成する第２のペースト塗布工程と、を有することを特徴とする集積型光発電素子の製造方法が提供される。
【００１０】
ここで、本発明が適用される集積型光発電素子の製造方法において、裏面電極層と発電層と透明電極層とをスパッタリングにより成膜することが好ましい。
また、絶縁性ペーストは、ガラスペースト又はセラミックペーストであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、メカニカルパターニング工程により生じる性能低下の問題を解決した集積型光発電素子が得られる。
本発明によれば、化合物半導体を含む発電層が大気に暴露される機会が低減することにより、太陽電池の性能低下が防止される。
本発明によれば、メカニカルスクライブ工程を削減することにより量産性の低下を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。
【００１３】
図１は、本実施の形態が適用される集積型光発電素子の一例を説明する図である。
図１に示すように、集積型光発電素子Ｉ０は、共通の基板１０と基板１０上に形成された複数の単位セル素子（セル）（Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄ，・・・）を有する。これらの単位セル素子は分割溝１６により所定の間隔を隔て分離されている。
【００１４】
次に、複数の単位セル素子（Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄ，・・・）は、それぞれ、基板１０上に絶縁材料により間隔を設けて形成された複数の絶縁部１５と、複数の絶縁部１５により絶縁分離されるように形成された裏面電極層１１と、形成されたそれぞれの裏面電極層１１上に化合物半導体を用いて形成され、隣接する他のセルと分割溝１６によって分割された発電層１２と、発電層１２上にそれぞれ形成された透明電極層１３と、を備えている。
【００１５】
さらに、図１に示すように、各単位セル素子（Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄ，・・・）における透明電極層１３の表面の一部と透明電極層１３及び発電層１２の片側の端部とをそれぞれ覆い、且つ隣接する他のセルの裏面電極層１１と当該透明電極層１３とを電気的に接続する導電部１４を有している。本実施の形態では、導電部１４の一部は、後述するパターニング工程により透明電極層１３及び発電層１２の一部を除去して設けられた第２の分割溝１７を充填し、隣接する単位セル素子の裏面電極層１１と透明電極層１３とを電気的に接続している。
尚、本実施の形態では、各絶縁部１５の上に、後述する成膜操作により成膜された裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３を構成する材料からなる薄膜積層体が形成されている。図１に示すように、透明電極層１３の表面の一部を覆う導電部１４は、絶縁部１５の上に形成された前記薄膜積層体を覆いつつ、裏面電極層１１と透明電極層１３とを電気的に接続している。
【００１６】
図１に示すように、集積型光発電素子Ｉ０の絶縁部１５は、少なくとも裏面電極層１１を絶縁分離することが可能な程度の高さ及び幅を有している。本実施の形態では、絶縁部１５は、裏面電極層１１と発電層１２とを絶縁分離し、さらに透明電極層１３の一部に達する程度の高さを有している。
絶縁部１５の高さ及び幅は特に限定されないが、本実施の形態では、絶縁部１５の高さは、通常、１μｍ〜２０μｍ、好ましくは８μｍ〜１２μｍである。また、絶縁部１５の幅は、通常、３０μｍ〜１２０μｍ、好ましくは４０μｍ〜６０μｍである。絶縁部１５の高さ及び幅が過度に小さいと、裏面電極層１１と発電層１２が絶縁分離しない傾向がある。また、過度に大きいと、導電部１４による裏面電極層１１と透明電極層１３との電気抵抗が増加する傾向がある。
また、絶縁部１５の形状は、少なくとも裏面電極層１１を絶縁分離することが可能な程度の形状を有していれば特に限定されない。図１に示すように、本実施の形態では、絶縁部１５は断面形状が台形を有する凸形状となるように形成されている。この場合、裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３とは、基板１０上に凸形状の絶縁部１５が形成された部分で段差を生じるように分割されていると言える。
【００１７】
次に、集積型光発電素子Ｉ０の構成要素について説明する。
基板１０を構成する材料としては、例えば、ステンレス等の金属フィルム、有機フィルム、ガラス等が挙げられる。基板１０の大きさは特に限定されないが、本実施の形態では縦×横が１０ｃｍ×１０ｃｍであり、厚さは、０．５ｍｍである。
裏面電極層１１を構成する材料としては、金属が好ましく、例えば、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＰｔから選択された少なくとも１つの金属またはこれらの合金が挙げられる。裏面電極層１１は、本実施の形態では厚さ０．３μｍ程度の金属薄膜である。裏面電極層１１は、例えば、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法（化学気相成長法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によって基板１０上に成膜される。
【００１８】
発電層１２は、例えば、周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を含むカルコパイライト型化合物半導体が挙げられる。本実施の形態では、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）及びセレン（Ｓｅ）を含むカルコパイライト構造を有するＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系半導体材料により構成されることが好ましい。
ここで、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系半導体材料を採用する場合、裏面電極層１１側に、ｐ型半導体を形成しやすいＣｕとＳｅとの混合物からなるｐ型半導体形成用前駆体層を成膜し、次に、透明電極層１３側に、ｎ型半導体を形成しやすいＩｎとＳｅとの混合物からなるｎ型半導体形成用前駆体層を成膜することが好ましい。ｐ型半導体形成用前駆体層とｎ型半導体形成用前駆体層とは、相互に溶融拡散することにより、良好な結晶性を有する発電層１２が生成し、ｐｎ接合を形成させることができる。
発電層１２の厚さは、本実施の形態では、０．３μｍ〜５μｍの範囲内である。
【００１９】
透明電極層１３は、本実施の形態では、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２、ＺｎＯから選択された少なくとも１つを含む金属材料を用い、スパッタリングまたは蒸着法により成膜することが好ましい。透明電極層１３の厚さは、本実施の形態では、約０．６μｍである。
尚、発電層１２と透明電極層１３との間にバッファー層を設けることができる。バッファー層を構成する材料は特に限定されないが、例えば、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＭｇＯ等が挙げられる。発電層１２と透明電極層１３の間にバッファー層を設けることにより、発電層１２と透明電極層１３との界面で発生する欠陥を抑制することができる。
【００２０】
導電部１４を構成する材料は、裏面電極層１１と透明電極層１３とを電気的に接続することが可能な材料であれば特に限定されない。本実施の形態では、後述するように、導電部１４は透明電極層１３上に導電性ペーストを塗布することにより形成される。
ここで、導電部１４を構成するために使用する導電性ペーストとしては、通常、熱可塑性ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂をバインダとし、これに銀、銅、アルミニウム等の金属の微粉末やカーボンブラック等の導電性微粉末を添加し、種々の有機溶媒にこれらバインダ、導電性微粒子を溶解、分散させて調製されたものとして定義される。金属の微粉末としては、例えば、銅粒子、ニッケル粒子、アルミニウム粒子等の表面の一部が、例えば、銀、金等の他の金属で被覆された複合金属粉も使用される。また、中でも銀については、例えば、酸化第１銀、酸化第２銀、炭酸銀、酢酸銀、アセチルアセトン銀錯体等の粒子状銀化合物が好ましい。
【００２１】
このような導電性ペーストとしては、市販されている従来公知のものを使用することができる。本実施の形態では、例えば、ドータイトＦＡ−４０８（藤倉化成株式会社製）を使用している。
【００２２】
絶縁部１５を構成する材料は、少なくとも裏面電極層１１を絶縁分離することが可能な材料であれば特に限定されない。本実施の形態では、後述するように、絶縁部１５は基板１０上に絶縁性ペーストを塗布することにより形成される。
ここで絶縁性ペーストとしては、例えば、ガラス粉末と紫外線硬化樹脂等の有機バインダと溶剤を加えてなるガラスペースト；セラミック粉末と有機バインダと溶剤を加えてなるセラミックペースト等が挙げられる。
【００２３】
ガラスペーストにおけるガラス粉末としては、例えば、ＳｉＯ２−ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−アルカリ金属酸化物系、さらにはこれらの系にアルカリ金属酸化物、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｐｂ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等を配合した組成物が挙げられる。さらに、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、及びＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等が所定の組成比で混合されたビスマス系無鉛ガラス等が挙げられる。
セラミックペーストにおけるセラミック粉末としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、フォルステライト、コージェライト、ムライト、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３等が挙げられる。さらに、少なくともＳｉＯ２及びＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ等のアルカリ土類金属酸化物を含有する金属酸化物による混合物からなる１，１００℃以下で焼成されるセラミック材料等が挙げられる。
有機バインダとしては、例えば、少なくとも１個の不飽和結合を有するオリゴマー又はポリマーが挙げられる。具体的には、例えば、ポリエステルアクリレート、ポリエステルメタクリレート、エポキシアクリレート、エポキシメタクリレート等が挙げられる。
有機溶剤としては、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ブチルセルソルブ、３−メトキシブチルアセテート等が挙げられる。
【００２４】
このような絶縁性ペーストとしては、市販されている従来公知のものを使用することができる。本実施の形態では、例えば、無鉛ガラスペーストＬＹ３２（日本山村硝子株式会社製）を使用している。
【００２５】
次に、集積型光発電素子の製造方法について説明する。
図２は、集積型光発電素子Ｉ０の製造方法の実施形態を説明する図である。図１と同じ構成については同じ符号を用い、その説明を省略する。
先ず、図２（ａ）に示すように、前述した材料からなる基板１０を用意する。次に、図２（ｂ）に示すように、基板１０上に所定の間隔を設けて絶縁性ペーストを塗布し、複数の絶縁部１５を形成する（第１のペースト塗布工程）。
絶縁性ペーストを塗布する方法は特に限定されないが、本実施の形態ではスクリーン印刷法を採用している。基板１０上に塗布された絶縁性ペーストを硬化させる条件は特に限定されないが、本実施の形態では、５００℃、１０分間である。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、複数の絶縁部１５が形成された基板１０上に絶縁部１５により絶縁分離されるように複数の裏面電極層１１を成膜し（裏面電極層成膜工程）、成膜された裏面電極層１１上に発電層１２を成膜し（発電層成膜工程）、成膜された発電層１２上に透明電極層１３を成膜する（透明電極層成膜工程）。本実施の形態では、裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３とは、スパッタリングにより基板１０上に連続的に一貫成膜される。
尚、図２（ｃ）に示すように、本実施の形態では、各絶縁部１５の上に成膜操作により成膜された裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３を構成する材料からなる薄膜積層体が形成されている。
【００２７】
ここで、本実施の形態において、発電層１２は、裏面電極層１１上にＩＢ族元素、ＩＩＩＢ族元素、ＶＩＢ族元素を含む化合物半導体からなる複数の半導体層を積層し、この複数の半導体層を熱処理により相互に溶融拡散することにより形成することが好ましい。即ち、本実施の形態では、化合物半導体としてＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系半導体材料を採用し、裏面電極層１１側にｐ型半導体を形成しやすいＣｕとＳｅとの混合物からなるｐ型半導体形成用前駆体層を成膜し、次に、透明電極層１３側にｎ型半導体を形成しやすいＩｎとＳｅとの混合物からなるｎ型半導体形成用前駆体層を成膜し、その後、これらの複数の半導体層を熱処理により相互に溶融拡散させ、良好な結晶性を有する半導体からなる発電層１２を形成することができる。
このような複数の半導体層を熱処理により相互に溶融拡散させる操作は、裏面電極層１１上に複数の半導体層を積層した後に行っても良く、また、透明電極層１３を成膜した後に行っても良い。本実施の形態では、透明電極層１３を成膜した後に複数の半導体層を熱処理により相互に溶融拡散させ、良好な結晶性を有する半導体からなる発電層１２を形成している。
【００２８】
続いて、図２（ｄ）に示すように、連続的に成膜された発電層１２と透明電極層１３の一部をパターニングにより除去し、発電層１２と透明電極層１３とを複数の分割溝１６によって分割すると共に、裏面電極層１１の一部を露出させる（パターニング工程）。
本実施の形態では、パターニング工程は、例えば、金属刃、カッターナイフ、金属針又はニードル等を用いて発電層１２と透明電極層１３との一部を短冊状に切り分けるメカニカルスクライブ法を採用している。
尚、本実施の形態では、図２（ｄ）に示すように、分割溝１６の横側に分割溝１６と平行になるように第２の分割溝１７を設けている。
【００２９】
次に、図２（ｅ）に示すように、前述したパターニング工程により分割された透明電極層１３の表面の一部に導電性材料を含む導電性ペーストを塗布し、透明電極層１３の端部及び分割された発電層１２の端部を覆い、且つ前述したパターニング工程により露出した隣接する他のセルの裏面電極層１１の一部と当該透明電極層１３とを電気的に接続する導電部１４を形成し（第２のペースト塗布工程）、導電性ペーストを硬化させることにより、直列に接続された複数の単位セル素子（Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄ，・・・）からなる集積型光発電素子Ｉ０を得る。
導電性ペーストを塗布する方法は特に限定されないが、本実施の形態ではスクリーン印刷法を採用している。透明電極層１３の表面の一部に塗布された導電性ペーストを硬化させる条件は特に限定されないが、本実施の形態では、１５０℃、１０分間である。
【００３０】
ここで、透明電極層１３の表面の一部に塗布される導電性ペーストは、前述したパターニング工程により分割溝１６と共に形成された第２の分割溝１７を充填し、且つ隣接する単位セル素子の裏面電極層１１に達する程度の粘度を有することが必要である。尚、第２の分割溝１７を設けることにより、透明電極層１３の表面の一部に塗布された導電性ペーストが必要以上に流れることを抑制し、流れ出た導電性ペーストと隣接する単位セル素子とが接触することを防ぐことができる。
【００３１】
上述したように、本実施の形態が適用される集積型光発電素子Ｉ０の製造方法は、従来から行われているＣＩＳ薄膜系太陽電池の製造工程と比べ、メカニカルスクライブ工程を経ることなく、裏面電極層１１と発電層１２と透明電極層１３とが連続的に一貫成膜できるので、化合物半導体を含む発電層等が大気に暴露される機会が低減し、太陽電池の性能低下が防止される。また、通常、長時間を要するメカニカルスクライブ工程を削減することにより量産性の低下を防ぐことができる。さらに、メカニカルスクライブ後に生じる切削された端面からの劣化が抑制される。
【００３２】
尚、以上の説明は、本発明の実施の形態を説明するための一例に過ぎず、本発明は本実施の形態に限定されるものではない。
本発明は複数の元素から構成される半導体層と、これを挟む２つの電極層を備える光発電素子や、このような構造を有する光発電素子の製造方法に応用することができる。例えば、Ｃｄ−Ｔｅ系に代表されるＩＩＩ−Ｖ族半導体、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系に代表されるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族半導体、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓ系化合物に代表されるＩ−ＩＩ−ＩＶ−ＶＩ族半導体、ＩＩ−ＩＶ−Ｖ族半導体、Ｓｉ−Ｇｅ系等の２種類以上の元素からなるＩＶ族半導体に適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本実施の形態が適用される集積型光発電素子の一例を説明する図である。
【図２】集積型光発電素子の製造方法の実施形態を説明する図である。
【図３】従来のＣＩＳ薄膜系太陽電池の製造工程を説明する図である。
【００３４】
１，１０…基板、２，１１…裏面電極層、３，１２…発電層、４，１３…透明電極層、１４…導電部、１５…絶縁部、１６…分割溝、１７…第２の分割溝、Ｉ０…集積型光発電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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