(57)【要約】      （修正有）【課題】渦電流の発生を抑えつつ、電磁波ノイズ等のシールド効果（磁気シールド効果）を高めることができる磁性複合体及びその製造方法、ならびにその磁性複合体を備えるシールド構造体を提供する。【解決手段】磁性複合体としてのシールド部材１０は、絶縁体であり且つマトリックス材料となる樹脂１２中に、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体１０ａの微粉体が混合されたものである。このシールド部材１０においては、アモルファス金属磁性体１０ａが、パーコレーション閾値未満の体積分率で樹脂１２中に複数含まれている。アモルファス金属磁性体１０ａの種類としては、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス金属であれば、特に制限されない。【選択図】図１
2010238688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体が、パーコレーション閾値未満の体積分率で絶縁体中に複数含まれてなり、
前記アモルファス金属磁性体のアスペクト比が、２〜５であり、
前記絶縁体が、固体又は液状体のものである、
磁性複合体。
【請求項２】
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体が、パーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含まれてなる、
磁性複合体。
【請求項３】
前記アモルファス金属磁性体のアスペクト比が２〜５である、
請求項２記載の磁性複合体。
【請求項４】
前記絶縁体が固体又は液状体のものである、
請求項２記載の磁性複合体。
【請求項５】
前記絶縁体が透光性を有する、
請求項２記載の磁性複合体。
【請求項６】
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含む金属を溶融し、
前記溶融した金属をノズルからパルス状に噴出させ、
前記噴出された金属を冷却してアモルファス金属磁性体を形成し、
前記アモルファス金属磁性体を、パーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含有せしめること、
により製造された磁性複合体。
【請求項７】
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含む金属を溶融し、
前記溶融した金属をノズルからパルス状に噴出させ、
前記噴出された金属を冷却してアモルファス金属磁性体を形成し、
前記アモルファス金属磁性体を、パーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含有せしめること、
を含む磁性複合体の製造方法。
【請求項８】
前記噴出された金属に向かって、冷媒をノズルからパルス状に噴出させる、
請求項７記載の磁性複合体の製造方法。
【請求項９】
前記アモルファス金属磁性体として、アスペクト比が２〜５のものを形成する、
請求項７記載の磁性複合体の製造方法。
【請求項１０】
電子デバイスと、
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体が、パーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含まれてなる磁性複合体と、
を有するシールド構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、磁性複合体及びその製造方法並びにシールド構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの動作周波数はますます高周波化しており、そのような電子デバイスから放射される電磁ノイズ、或いは、電子デバイスの伝送路上の信号ノイズを、如何に効果的にシールド（遮蔽、遮断）又は抑制するかが重大な課題となっている。そのためのノイズ抑制手段として、金属シートや、磁性粉を含む樹脂組成物からなるシート（例えば、下記特許文献１参照）を電磁ノイズや信号ノイズのシールドとして用いることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２０９６８６号公報
【特許文献２】特開平７−２０４７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、かかるノイズ抑制手段として金属シートを用いた場合、周囲磁界の変化によって渦電流が生じ、これにより加熱され易いという難点があり、場合によっては、電子デバイスに熱的な影響を及ぼしたり、冷却手段が必要になったりする可能性がある。また、磁性粉含有シートを用いる場合には、電磁ノイズ等のシールド効果を高めるために、磁性粉の体積分率（磁性粉含有シートにおける含有率）を極力増大させる必要があり、そうすると、磁性粒子同士が接触して繋がった（連結した）パーコレーションパスが多く形成され、その結果、金属板と同様に渦電流が生じ得る。
【０００５】
このような渦電流の発生を抑止するには、磁性粉の体積分率を小さくしつつ同等の磁気シールド効果を得る方法が考えられ、そのためには、透磁率がより大きい強磁性体を用いることが想定される。このような高透磁率材料としては、例えば、上記特許文献２に記載された金属製の細線であるアモルファスワイヤが知られている。
【０００６】
しかし、このアモルファスワイヤは、特許文献２に記載されているとおり、製造上、比較的長尺のワイヤ状に形成されるので、磁性粉のように樹脂と混合して樹脂組成物とすることが困難であり、そのため、電磁ノイズ等のシールド用にシート化することが難しいという問題がある。また、樹脂組成物としてシート化する代わりに、長尺のアモルファスワイヤを連設して（敷設して）シート状に形成することも考えられるが、そうすると、金属シートの場合と同様に、周囲磁界の変化によって渦電流が発生してしまうことが予期される。
【０００７】
そこで、渦電流の発生を抑えつつ、電磁波ノイズ等のシールド効果（磁気シールド効果）を高めることができる磁性複合体及びその製造方法、ならびにその磁性複合体を備えるシールド構造体を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本開示による磁性複合体は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含む（すなわち、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系）アモルファス金属磁性体が、パーコレーション閾値未満の体積分率で絶縁体中に複数含まれてなるものである。ここで、「パーコレーション閾値」とは、アモルファス金属磁性体が特定の体積分率（濃度）で磁性複合体に含まれることにより凝集し、磁性複合体全体で連なるようなクラスターが形成されて導電性が発現されるそのときの体積分率を示す。
【０００９】
このような構成の磁性複合体においては、アモルファス金属磁性体が、パーコレーション閾値未満の体積分率で含有されており、導電経路となるパーコレーションパスの生成が抑制されるので、かかる磁性複合体を、電子デバイスからの電磁波等のシールド手段として用いても、従来の金属シートやアモルファスワイヤのシート材で生じ得る周囲磁界による渦電流の発生が十分に抑制され、シールド手段の加熱が防止される。また、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体は、高透磁率を呈するので、電磁波ノイズ等のシールド効果を増強できるとともに、そのようにシールド効果が高められるので、シールド手段の薄型化、小型化、透明化、可撓化、繊維化といったことも可能となり、これにより設置エリアの低減や汎用化が実現される。
【００１０】
また、アモルファス金属磁性体のアスペクト比が２〜５であってもよい。ここで、「アスペクト比」とは、アモルファス金属磁性体の縦横の寸法のうち、短い寸法に対する長い寸法の比の値を示し、縦横が不明瞭な場合には、短径に対する長径の比の値を示す。
【００１１】
このアスペクト比が５を超えると、アモルファス金属磁性体が過度に長尺となってしまい、従来のアモルファスワイヤの如く樹脂等の絶縁体と混合して均質な組成物を形成することが困難となり、電磁ノイズ等のシールド用にシート化することが難しくなる傾向にある。一方、このアスペクト比が２より小さいと、絶縁体中においてアモルファス金属磁性体が凝集し易くなる結果、アモルファス金属磁性体の粒子が見かけ上過度に大きくなってしまい、かえって、パーコレーションパスが形成され易くなる傾向にある。すなわち、アモルファス金属磁性体のアスペクト比が２〜５の範囲内にあれば、パーコレーション閾値を高め易くなり、その結果、アモルファス金属磁性体の含有量を増大させることができるので、電磁波ノイズ等のシールド効果が更に一層増大させることができる。
【００１２】
具体的には、絶縁体が固体又は液状体（液体を含む）のものが挙げられる。絶縁体が固体の場合、磁性複合体をシート、繊維、糸、布帛、衣料、窓材や壁材等の建材、車両、船舶、航空機等の車体等の材料として形成して使用することができ、絶縁体が液体状の場合、電磁波ノイズ等のシールドが必要な物品や部位に、磁性複合体を塗料の如く塗布することが容易となる。なお、液状のものが乾燥固化したものも固体のものに含まれる。
【００１３】
さらに、絶縁体が透光性を有していてもよい。上述の如く、本開示の磁性複合体によれば、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体の高透磁率により、その含有量を減じても、電磁波ノイズ等に対して十分なシールド効果を得ることができるので、絶縁体として透光性を有するものを用いれば、磁性複合体で例えば覆われた内部の電子デバイス等の視認性を高めることができる。
【００１４】
また、本開示による磁性複合体の製造方法は、本開示による磁性複合体を有効に製造するための方法の一つであり、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含む金属を溶融し、その溶融した金属をノズルからパルス状に噴出させ、噴出された金属を冷却してアモルファス金属磁性体を形成し、そのアモルファス金属磁性体をパーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含有せしめることを含む。
【００１５】
この観点より、本開示による磁性複合体は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含む金属を溶融し、その溶融した金属をノズルからパルス状に噴出させ（噴射し）、噴出された金属を冷却してアモルファス金属磁性体を形成し、アモルファス金属磁性体をパーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含有せしめることにより製造されたものと表現することもできる。この場合、溶融金属をパルス状に（パルス的に）噴出させるには、一定の時間間隔で連続的に噴出させてもよいし、異なる時間間隔で断続的に噴出させてもよく、両者を組み合わせてもよい。
【００１６】
このような方法によれば、溶融したＦｅ、Ｓｉ、及びＢを含む金属がノズルからパルス状に噴出されてそれが冷却されるので、そうして得られるアモルファス金属磁性体が過度に長尺なものとならず、例えば、アスペクト比が２〜５のものが生成され易くなる。そして、かかるアモルファス金属磁性体をパーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含有せしめることにより、本開示によるシールド性に優れた磁性複合体を確実に形成することが可能となる。
【００１７】
このとき、噴出された金属に向かって、冷媒をノズルからパルス状に噴出させるようにしてもよい。換言すれば、溶融金属の噴出（噴射）と冷媒の噴出（噴射）を同時に行なう（同時性をもたせる：シンクロナイズさせる）ようにしても有用である。こうすれば、パルス状に噴出された溶融金属の一片に対して適量の冷媒を確実に供給することができるので、生産性を向上させ且つ製造コストを削減することもできる。
【００１８】
また、溶融金属をパルス状に噴出させる方式としては、例えば、吐出量及び吐出タイミング、吐出間隔等の微小制御性に優れるインクジェット方式が挙げられ、冷却方式としては、水を冷媒とする水冷方式や、冷媒又は溶融金属、或いはそれらの両方を渦上に流動拡散させるｖｏｒｔｅｘ方式等が挙げられる。
【００１９】
また、本開示によるシールド構造体は、電磁波ノイズ等の発生源、すなわち電子デバイス（電子デバイスに接続される導線：信号線や電源線といった導線を含んでもよく、その導線のみの場合も含まれる）と、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体がパーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含まれてなる磁性複合体とを有するものである。
【００２０】
より具体的には、例えば、電子デバイスとして、例えば、半導体素子等の能動電子部品、キャパシタ、ＬＣフィルター等の受動電子部品、それらが搭載された電子回路基板、電子機器や、それらの基板や機器を備える電磁調理機等の電磁波発生機器、それらが収容された物品、装置、設備、家屋、車両が挙げられ、それらと、本開示による磁性複合体が本開示によるシールド構造体に含まれる。
【００２１】
なお、本開示による磁性複合体は、その高い透磁率を利用して、モータやロータのコア部材、加速器の加速管のコア部材といった磁性コアとして用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本開示による磁性複合体の好適な一実施形態の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】本開示による磁性複合体の一例を用いた本開示によるシールド構造体の好適な一実施形態の構成を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本開示を説明するための例示であり、本開示をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本開示は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００２４】
図１は、本開示による磁性複合体の好適な一実施形態の構成を概略的に示す斜視図である（一部省略）。シールド部材１０（磁性複合体）は、マトリックス材料となる樹脂１２（絶縁体）中に、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体１０ａの微粉体が混合されたものである。このシールド部材１０においては、アモルファス金属磁性体１０ａが、パーコレーション閾値未満の体積分率で樹脂１２中に複数含まれている。
【００２５】
アモルファス金属磁性体１０ａの種類としては、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス金属であれば、特に制限されず、例えば、３元系であるＦｅ−Ｓｉ−Ｂアモルファス合金の他に、それらの金属系に、Ｐ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｓｍ、及びＴａといった元素のうち少なくともいずれか１種が含まれる４元系以上の多元系アモルファス合金であってもよく、さらに、Ｆ、Ｏ、Ｎ等の非金属元素を含んでもよく、更に他の不可避不純物が含まれていても構わない。
【００２６】
このアモルファス金属磁性体１０ａを製造する手順としては、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを適宜の組成（化学量論比：ストイキオメトリ）で含む母合金を溶融する。次に、この溶融金属温度に耐える温度特性を有する微細ノズルから、その溶融している状態の金属を、例えば、ピエゾ素子等の圧電素子を用いたインクジェット方式で、冷媒中にパルス状に噴出させ、冷却固化することにより、所定の柱状、板状、又は針状等の所定のアスペクト比を有するアモルファス金属磁性体１０ａを得る。
【００２７】
こうして得られたアモルファス金属磁性体１０ａの微粉末を、未硬化状態の樹脂１２（ポリマー）又は重合性モノマーと混合・混練し、その後、樹脂１２を硬化又はモノマーを重合して硬化させて樹脂１２とし、シールド部材１０を得る。
【００２８】
ここで、樹脂１２の種類としては、特に制限されず、例えば、種々の熱可塑組成樹脂又は熱硬化性樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネートエステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ＋活性エステル硬化樹脂、硬化性ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂又はベンゾオキサジン樹脂の単体、又は、これらの樹脂に、適宜の無機酸化物や繊維などのフィラーを含むものを例示できる。
【００２９】
このような構成のシールド部材１０によれば、アモルファス金属磁性体１０ａが、パーコレーション閾値未満の体積分率となるように樹脂１２と混合され、シールド部材１０中に含有されてなるので、導電経路となるパーコレーションパスの生成が抑制される。よって、このシールド部材１０を、電子デバイスからの電磁波等のシールド手段として用いても、従来の金属シートやアモルファスワイヤのシート材で生じ得る周囲（周辺）磁界による渦電流の発生を十分に抑制でき、これにより、シールド部材１０の加熱を抑止することができる。したがって、電子デバイスへの熱的影響を防止することができ、冷却手段も要しない。
【００３０】
また、シールド部材１０が、高透磁率を有するＦｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体１０ａを含むので、電磁波ノイズ等のシールド効果を増強できるとともに、そのようにシールド効果が高められるので、シールド部材１０の薄型化、小型化、透明化、可撓化、繊維化といったことも可能となり、これにより設置エリアの低減や汎用化が実現される。さらに、樹脂１２に上述したようなフィラーを添加しなくても、アモルファス金属磁性体１０ａ自体がフィラーとして機能するので、可撓性を有しつつ（阻害せず）、シールド部材１０の機械的強度を高めることができる。
【００３１】
さらに、アモルファス金属磁性体１２のアスペクト比が２〜５であると、以下のような傾向を呈する。すなわち、このアスペクト比が５以下であれば、アモルファス金属磁性体１０ａが過度に長尺となることが防止され、樹脂１２と均質な組成物を形成し易くなり、図示におけるシールド部材１０のようにシート化することが平易となる傾向にある。一方、このアスペクト比が２以上であれば、樹脂１２中においてアモルファス金属磁性体１０ａが凝集し易くなってしまうことを抑止でき、その結果、アモルファス金属磁性体１０ａの粒子が見かけ上過度に大きくなること、及び、それに起因してパーコレーションパスが形成され易くなってしなうことを防止できる傾向にある。
【００３２】
このように、アモルファス金属磁性体１０ａのアスペクト比が２〜５の範囲内にあれば、パーコレーション閾値を高め易くなり、これにより、アモルファス金属磁性体１０ａのシールド部材１０における含有量を増大させることができるので、電磁波ノイズ等のシールド効果を一層向上させることができる。
【００３３】
図２は、本開示による磁性複合体の一例を用いた本開示によるシールド構造体の好適な一実施形態の構成を示す模式断面図である。シールド付きプリント配線板１００（シールド構造体）は、プリント基板１上に、半導体装置２（半導体パッケージ、半導体チップ）及びその他の電子部品３が搭載され、それらを接続する配線回路４等が形成されたものである。また、それらの半導体装置２、電子部品３、配線回路４等の上部を覆うようにシールド部材１０が設置されている。
【００３４】
このような構成を有するシールド付きプリント配線板１００によれば、上述したように電磁波ノイズ等のシールド特性に優れるシールド部材１０によって、半導体装置２、電子部品３、配線回路４等から発生する電磁波ノイズ（伝導ノイズ、放射ノイズ）を十分に遮断して抑制することができ、外部機器への影響を十分に低く抑えることができるとともに、シールド部材１０に渦電流が生じることがないので、その加熱に起因する半導体装置２、電子部品３、配線回路４等への熱的影響を防止することができる。また、逆に、シールド部材１０によって、シールド付きプリント配線板１００の外部からその内部へ入射する外部ノイズ（電磁波）を遮断することもできるので、かかる外部ノイズに起因して半導体装置２、電子部品３、配線回路４等が誤動作するといった悪影響を抑止することもできる。
【００３５】
なお、上述したとおり、本開示は上記の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、シールド部材１０は、絶縁体が樹脂１２に制限されず、ゴム材、他の無機絶縁材料であってもよい。また、シールド部材１０は、固体以外に液状体のものでもよく、さらに、シートに限定されず、繊維、糸、それらを織ったり編んだりしたもの、布帛、衣料（人体を電磁波ノイズから保護する用途等）、窓材や壁材等の建材、車両、船舶、航空機等の車体等の材料として形成してもよく、液状体の場合、電磁波ノイズ等のシールドが必要な物品や部位に、磁性複合体を塗料の如く塗布してもよい。またさらに、アモルファス金属磁性体１０ａの母合金が溶融したものを噴出する手法としては、インクジェット方式に限定されず、さらにまた、溶融金属に向かって、冷媒をノズルからパルス状に噴出させるようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
以上説明した通り、本開示の磁性複合体及びその製造方法並びにシールド構造体によれば、磁性複合体を電子デバイスのシールド手段として用いたときに、渦電流の発生を抑えつつ、電磁波ノイズ等のシールド効果（磁気シールド効果）を格段に高めることができるので、電子工学、電気工学、光通信、無線通信、有線通信等の分野で使用される電子デバイス、装置、機器、システム、設備等に広く且つ有効に利用することができる。また、本開示の磁性複合体及びその製造方法は、磁性材料全般、また、電磁波ノイズのシールドが必要な産業分野全般にも広く且つ有効に利用することが可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１  プリント基板
２  半導体装置（電子デバイス）
３  電子部品（電子デバイス）
４  配線回路（電子デバイス）
１０  シールド部材（磁性複合体）
１０ａ  アモルファス金属磁性体
１２  樹脂（絶縁体）
１００  シールド付きプリント配線板（シールド構造体）
【図１】
2010238688.tif 000003
【図２】
2010238688.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体が、パーコレーション閾値未満の体積分率で絶縁体中に複数含まれてなり、
前記アモルファス金属磁性体のアスペクト比が、２以上５未満であり、
前記絶縁体が、固体又は液状体のものである、
磁性複合体。
【請求項２】
前記絶縁体が固体又は液状体のものである、
請求項１記載の磁性複合体。
【請求項３】
前記絶縁体が透光性を有する、
請求項２記載の磁性複合体。
【請求項４】
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含む金属を溶融し、
前記溶融した金属をノズルからパルス状に噴出させ、
前記噴出された金属に向かって、冷媒をノズルからパルス状に噴出させることにより、前記噴出された金属を冷却してアモルファス金属磁性体を形成し、
前記アモルファス金属磁性体を、パーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含有せしめ、
前記アモルファス金属磁性体として、アスペクト比が２以上５未満のものを形成すること、
により製造された磁性複合体。
【請求項５】
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含む金属を溶融し、
前記溶融した金属をノズルからパルス状に噴出させ、
前記噴出された金属に向かって、冷媒をノズルからパルス状に噴出させることにより、前記噴出された金属を冷却してアモルファス金属磁性体を形成し、
前記アモルファス金属磁性体を、パーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含有せしめ、
前記アモルファス金属磁性体として、アスペクト比が２以上５未満のものを形成すること、
を含む磁性複合体の製造方法。
【請求項６】
電子デバイスと、
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含むアモルファス金属磁性体が、パーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含まれてなり、かつ、前記アモルファス金属磁性体のアスペクト比が、２以上５未満である磁性複合体と、
を有するシールド構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月20日(2010.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢを含む金属を溶融し、
前記溶融した金属をノズルからパルス状に噴出させ、
前記噴出された金属に向かって、冷媒をノズルからパルス状に噴出させることにより、前記噴出された金属を冷却してアモルファス金属磁性体を形成し、
前記アモルファス金属磁性体を、パーコレーション閾値以下の体積分率で絶縁体中に複数含有せしめ、
前記アモルファス金属磁性体として、アスペクト比が２以上５未満のものを形成すること、
を含む磁性複合体の製造方法。