(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。【解決手段】プラズマ処理装置は、アウターチャンバ１１とインナーチャンバ１２からなるチャンバ４を備える。インナーチャンバ１２は薄肉円筒状の放熱部１２ａと、この放熱部１２ａの上端側に一体に形成された温調部１２ｂを備える。温調部１２ｂにはシーズヒータ３１が取り付けられている。アウターチャンバ１１の排気口１１ｃと対向して、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａに排気貫通孔１２ｃが設けられている。インナーチャンバ１２の温調部１２ｂには排気貫通孔１２ｃの上方に相当する部位に熱電対３５が取り付けられている。この熱電対３５の検出する温度に基づいて、シーズヒータ３１の発熱量が制御される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な処理室が内部に形成され、この処理室内にプラズマ処理される基板を載置する基板載置部が収容されたアウターチャンバと、
前記アウターチャンバの側壁の内面に沿って配置された筒状の放熱部と、この放熱部の少なくとも前記基板載置部よりも上方で前記放熱部に一体に設けられ、かつ加熱装置が取り付けられた温調部とを有し、前記アウターチャンバに対して着脱可能なインナーチャンバと、
前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生源と、
を備えることを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記インナーチャンバの前記放熱部は下端及び上端が開口した薄肉筒体状であり、
前記インナーチャンバの前記温調部は前記放熱部の上端側から外向きに突出する環状であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記処理室を前記アウターチャンバの外側の大気に対して密閉するシール機構をさらに備え、
前記加熱装置は、前記シール機構よりも大気側で前記インナーチャンバの前記温調部に取り付けられていることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記アウターチャンバの前記側壁に真空排気装置に接続された排気口が形成され、
前記インナーチャンバの前記放熱部に前記排気口と対向して排気貫通孔が形成され、
前記インナーチャンバの前記温調部の前記排気貫通孔と対応する位置に取り付けられた温度センサをさらに備えることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記インナーチャンバは熱伝導性金属材料からなることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置では、チャンバ内壁へ付着した反応生成物の剥離によるパーティクルの発生や、チャンバによって形成される処理室内の雰囲気の安定化のために、加熱装置を設けてチャンバ内壁を温調することが知られている。加熱装置によってチャンバ内壁を適切な温度で安定させることで、チャンバ内壁への反応生成物の付着量低減とチャンバ内壁に付着した反応生成物の剥離の抑制が期待でき、処理室内の温度も安定する。例えば、特許文献１及び２に、この種の加熱装置を備えるプラズマ処理装置が開示されている。
【０００３】
しかし、特許文献１及び２に開示されたものを含め、従来知られているチャンバ内壁を温調するための機構は、構造が複雑で保守管理が容易でない。例えば、特許文献１に開示されたプラズマ処理装置は、加熱装置としてチャンバ内壁に配置したフィルムヒータを採用している。また、特許文献２には加熱装置としてチャンバ内壁に沿って巻回配置したヒータを採用したプラズマ処理装置が開示されている。プラズマ処理中に真空となるチャンバ内壁にヒータを配置した場合、ヒータの真空環境からの保護と真空配線が必要となる点で構造が複雑である。また、この場合、チャンバ内壁に付着した反応生成の除去等を行う際に、ヒータ、配線、真空保護のための構造等が作業の妨げとなる。特許文献２には加熱装置としてチャンバ外壁に沿って巻回配置したヒータを採用したプラズマ処理装置も開示されている。この場合、チャンバ内壁の温度を高精度で制御することは容易でない。
【０００４】
【特許文献１】特開平４−３７０９２８号公報
【特許文献２】特許第３１１１２１１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、プラズマ処理装置において、チャンバ内壁に付着した反応生成物の剥離によるパーティクルの発生の効果的な抑制と、処理室内の雰囲気の安定化とを、保守管理が容易な簡易な構成と簡易な制御とで実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、減圧可能な処理室が内部に形成され、この処理室内にプラズマ処理される基板を載置する基板載置部が収容されたアウターチャンバと、前記アウターチャンバの側壁の内面に沿って配置された筒状の放熱部と、この放熱部の少なくとも前記基板載置部よりも上方で前記放熱部に一体に設けられ、かつ加熱装置が取り付けられた温調部とを有し、前記アウターチャンバに対して着脱可能なインナーチャンバと、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生源とを備えることを特徴とする、プラズマ処理装置を提供する。
【０００７】
加熱装置を取り付けた温調部を筒状の放熱部に一体に形成しているので、温調部からの熱伝導により放熱部を均一な温度に加熱できる。そのため、インナーチャンバの放熱部の内壁への反応生成物の付着量を低減できると共に、インナーチャンバの放熱部の内壁に付着した反応生成物の剥離を効果的に抑制できる。また、インナーチャンバの放熱部が均一な温度に加熱されることで、処理室内の温度が安定する。特に、温調部は基板載置部よりも上方に位置しているので、プラズマ処理の品質への影響が大きい処理室内の基板よりも上方の領域の温度が安定する。これらの点で、本発明のプラズマ処理装置では、チャンバ内壁に付着した反応生成物の剥離によるパーティクル発生の効果的な抑制と、処理室内の雰囲気の安定化を実現できる。
【０００８】
インナーチャンバは、筒状の放熱部に一体に設けられた温調部にのみ加熱装置を備えている。この点で、構造が簡易であり、加熱装置の制御も容易である。
【０００９】
インナーチャンバはアウターチャンバから着脱可能であり、しかも加熱装置はインナーチャンバのうち温調部にのみ設けられている。従って、インナーチャンバの放熱部の内壁に付着した反応生成物の除去や、インナーチャンバの放熱部の内壁に施された表面処理（例えばアルマイト処理）の修復等を容易に行うことができる。この点で、本発明のプラズマ処理装置は、保守管理が容易である。
【００１０】
好ましくは、前記インナーチャンバの前記放熱部は下端及び上端が開口した薄肉筒体状であり、前記インナーチャンバの前記温調部は前記放熱部の上端側から外向きに突出する環状である。
【００１１】
放熱部は温調部に対して厚さが十分小さく、放熱部と比較して熱容量が十分小さい。従って、加熱装置の発熱により放熱部の温度が速やかに上昇する。特に、プラズマ処理の開始時に、通常は室温付近である処理室内の温度を実行されるプラズマ処理の定常温度まで速やかに上昇させ安定させることができる。また、放熱部の温度上昇に必要な熱量が小さいので、加熱装置は最大発熱量が比較的小さい（容量が比較的小さい）ものを使用できる。
【００１２】
好ましくは、前記処理室を前記アウターチャンバの外側の大気に対して密閉するシール機構をさらに備え、前記加熱装置は、前記シール機構よりも大気側で前記インナーチャンバの前記温調部に取り付けられている。
【００１３】
加熱装置を温調部の大気側に取り付けることにより、処理室を開放することなく加熱装置の交換等が可能となるので、保守管理がさらに容易になる。また、大気側に取り付けたことにより加熱装置の真空保護が不要となり、加熱装置が電気式のヒータの場合でも真空配線等の必要がない。これら点で構造がより簡易になる。さらに、大気側（処理室外）に取り付けたことにより、加熱装置の存在が処理室内に発生するプラズマの特性に影響を及ぼすことがないので、処理室内雰囲気をさらに安定させることができる。
【００１４】
前記アウターチャンバの前記側壁に真空排気装置に接続された排気口が形成され、前記インナーチャンバの前記放熱部に前記排気口と対向して排気貫通孔が形成され、前記インナーチャンバの前記温調部の前記排気貫通孔と対応する位置に取り付けられた温度センサをさらに備える。
【００１５】
プラズマ処理中、真空排気装置が排気口と排気貫通孔を介して処理室内を排気する。この排気には、インナーチャンバの放熱部のうち排気貫通孔を含む部分の温度を低下させる作用がある。つまり、インナーチャンバの放熱部のうち排気貫通孔を含む部分は、真空排気装置により排気の影響を受けやすい。従って、排気貫通孔と対応する位置に配置した温度センサの検出する温度に基づいて加熱装置の加熱出力を制御することで、より高精度でインナーチャンバの放熱部の温度を制御できる。
【００１６】
好ましくは、前記インナーチャンバは熱伝導性金属材料からなる。
【００１７】
インナーチャンバを熱伝導性金属材料から構成して放熱部と温調部との間の熱伝導効率を高めることにより、より高精度でインナーチャンバの放熱部の温度を制御できる。ここで熱伝導性金属材料とは、高い熱伝導率を有する金属材料である。熱伝導性金属材料の例としては、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等がある。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のプラズマ処理装置では、筒状の放熱部に加熱装置を取り付けた温調部を一体に形成したインナーチャンバをアウターチャンバに対して着脱可能に設けることにより、チャンバ内壁への反応生成物の付着の効果的な抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、保守管理が容易な簡易な構成と簡易な制御で実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１実施形態）
図１から図４は本発明の実施形態に係るＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型のドライエッチング装置１を示す。ドライエッチング装置１は、その内部に基板２が搬入出される減圧可能な処理室３を構成するチャンバ（真空容器）４を備える。チャンバ４は、上部が開口したチャンバ本体５と、このチャンバ本体５の上部開口を密閉する蓋体６を備える。チャンバ本体５は、アウターチャンバ１１とこのアウターチャンバ１１に着脱可能に装着されるインナーチャンバ１２を備える。蓋体６は、チャンバ本体５の側壁上端に支持された本実施形態で円環状のスペーサ１３と、このスペーサ１３に下面側が支持されて天板として機能する円板状の誘電体板１４を備える。誘電体板１４の上面側には、マルチスパイラルコイルであるＩＣＰコイル１５が配設されている。ＩＣＰコイル１５には高周波電源１６から高周波電力が供給される。
【００２０】
処理室３の下部には、バイアス電圧が印加される下部電極としての機能及び基板２を保持する機能を有する基板載置部１８が収容されている。基板載置部１８にはバイアス用の高周波電源１７から高周波電力が供給される。また、基板載置部１８内には冷媒の循環流路が設けられており、冷媒循環装置２１から供給される温調された冷媒がこの循環流路中を循環する。さらに、基板載置部１８の上面と基板２の裏面との間の微細な隙間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス循環装置２２が設けられている。スペーサ１３にはエッチングガス流路１３ａが形成されている。図３に最も明瞭に示すように、本実施形態におけるエッチングガス供給溝１３ａはスペーサ１３の上面に穿設された平面視で円環状の溝であり、その上部開口は本実施形態ではＯ−リングであるシール部材２８によって密閉状態で閉鎖されている。スペーサ１３の１箇所にエッチングガス流路１３ａと連通する外部を連通させるガス供給口１３ｆが形成されている。このガス供給口１３ｆには、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）等を備えて所望の流量でエッチングガスを供給できるエッチングガス供給源２３が接続されている。また、スペーサ１３には、エッチングガス流路１３ａを処理室３内と連通させる斜め向きの複数のガス導入口１３ｂが周方向に間隔を隔てて設けられている。エッチングガス供給源２３から供給されるエッチングガスは、ガス供給口１３ｆからエッチングガス流路１３ａ内に供給され、ガス導入口１３ｂから処理室３内に導入される。図５に示すように、スペーサ１３は、円環部１３ｃから中央部１３ｄに向けて延びる複数の梁状部１３ｅを角度間隔にあけて放射状に設けた構造でもよい。
【００２１】
アウターチャンバ１１の側壁１１ａの上端面に形成された環状溝１１ｄ，１１ｅにシール部材２４Ａ，２４Ｂが収容されている。これらのシール部材２４Ａ，２４Ｂによってアウターチャンバ１１の側壁１１ａの上端面と後述するインナーチャンバ１２の温調部１２ｂの下面との間がシールされている。また、スペーサ１３の下面に形成された環状溝１３ｇ，１３ｈにシール部材２５Ａ，２５Ｂが収容されている。これらのシール部材２５Ａ，２５Ｂによってインナーチャンバ１２の温調部１２ｂの上面とスペーサ１３の下面との間がシールされている。さらに、スペーサ１３の上面に形成された環状溝１３ｉにシール部材２６が収容されている。このシール部材２６によってスペーサ１３の上面と誘電体板１４がシールされている。以上のシール部材２４Ａ〜２６によって、処理室３内はチャンバ４の外側の大気に対して気密状態で密閉されている。図４では環状溝１１ｄ〜１３ｉとシール部材２４Ａ〜２６の図示は省略している。
【００２２】
以下、チャンバ本体５について詳細に説明する。
【００２３】
アウターチャンバ１１は、側壁１１ａと底壁１１ｂを有する上端のみが開口した円筒状である。アウターチャンバ１１は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金からなる。また、アウターチャンバ１１の側壁１１ａには底壁１１ｂに近い位置に排気口１１ｃが設けられており、この排気口１１ｃには真空ポンプ等を備える真空排気装置２７が接続されている。また、アウターチャンバ１１には基板２の搬入出のためのゲート（図示せず）が設けられている。
【００２４】
インナーチャンバ１２は、両端開口の比較的長尺な薄肉円筒体状の放熱部１２ａと、放熱部１２ａの上端側から径方向外向きに突出する扁平な厚肉円環体状の温調部１２ｂを備える。図４を参照すると、インナーチャンバ１２の高さＨ１は１５０〜３００ｍｍ程度、放熱部１２ａの肉厚Ｔ１（図３も併せて参照）が３〜６ｍｍ程度であり、温調部１２ｂは肉厚Ｔ２（図３も併せて参照）が１８〜２５ｍｍ程度で高さＨ２（図３も併せて参照）が２０〜４０ｍｍ程度である。例えば、インナーチャンバ１２の高さＨ１を１５２ｍｍ、放熱部１２ａの肉厚Ｔ１を３．６ｍｍ、温調部１２ｂの肉厚Ｔ２を１９ｍｍ、温調部１２ｂの高さＨ２を２２ｍｍに設定される。放熱部１２ａの肉厚Ｔ１は薄すぎると温度むらが生じるため、前述した３〜６ｍｍ程度の適度な肉厚が必要である（例示した３．６ｍｍが好ましい。）。
【００２５】
放熱部１２ａは、温調部１２ｂを含む上端がアウターチャンバ１１の側壁１１ａの上端よりも上方に位置し、下端がアウターチャンバ１１の底壁１１ｂに対して僅かに隙間を隔てて対向している。また、放熱部１２ａはアウターチャンバ１１の側壁１１ａに対して僅かな隙間を隔てて実質的に平行に延びており、放熱部１２ａの外周面とアウターチャンバ１１の側壁１１ａの内周面との間には薄肉円筒状の空間が形成されている。
【００２６】
放熱部１２ａには厚み方向に貫通する排気貫通孔１２ｃが形成されている。この排気貫通孔１２ｃは前述したアウターチャンバ１１の側壁１１ａに形成された排気口１１ｃと対向するように設けられている。処理室３内のガスは排気貫通孔１２ｃと排気口１１ｃを介して真空排気装置２７によって排気される。また、放熱部１２ａには前述したアウターチャンバ１１のゲート（図示せず）と対向する位置に基板２の通過を許容するための開口（図示せず）が形成されている。
【００２７】
温調部１２ｂは放熱部１２ａと一体に設けられている。温調部１２ｂの下面がアウターチャンバ１１の側壁１１ａの上端に載置され、それによってインナーチャンバ１２がアウターチャンバ１１に対して着脱可能に支持されている。また、温調部１２ｂの上面には蓋体６（具体的にはスペーサ１３の下面）が載置されている。
【００２８】
図３に最も明瞭に示すように、温調部１２ｂの外周面には収容溝１２ｄが形成されており、この収容溝１２ｄには加熱装置の一例であるシーズヒータ３１が収容されている。このシーズヒータ３１は電源回路３２からの給電によって発熱する。収容溝１２ｄの開口はシーズヒータ３３を収容溝１２ｄ内に保持する断熱材３３で閉鎖され、断熱材３３の外側には円環帯状のカバー３４が配置されている。断熱材３３とカバー３４の間には断熱のための円環帯状の空気層３９が設けられている。
【００２９】
図２に示すように、収容溝１２ｄ及びシーズヒータ３１は温調部１２ｂの外周面全周に設けられているのではなく、収容溝１２ｄの両端間には隙間がある。温調部１２ｂのこの隙間の部分に、温度センサの一例である熱電対３５が取り付けられている。温調部１２ｂの温度を要求される精度で検出できる場合は、熱電対以外の温度センサを使用してもよい。図４に最も明瞭に示すように、熱電対３５は排気貫通孔１２ｃと対応する位置に配置されている。具体的には、温調部１２ｂのうち排気貫通孔１２ｃから鉛直方向上向きに延びる仮想線Ｌが通る付近の部位に熱電対３５が配置されている（図４参照）。
【００３０】
インナーチャンバ１２は高い熱伝導率を有する金属材料（熱伝導性金属材料）の一例であるアルミニウムやアルミニウム合金から構成されている。インナーチャンバ１２は少なくとも放熱部１２ａの内周面に陽極酸化処理が施されている。
【００３１】
図１に示すコントローラ３６は、高周波電源１６，１７、エッチングガス供給源２３、冷媒循環装置２１、伝熱ガス循環装置２２、真空排気装置２７、電源回路３２等を含む装置全体の動作を制御する。
【００３２】
次に、本実施形態のドライエッチング装置１の動作を説明する。まず、処理室３内は、が真空排気装置２７によって所定の真空度に排気される。また、エッチングガス供給源２３から供給されるキャリアガスがガス導入口１３ｂを介して処理室３内に導入される。その後、高周波電源１６からＩＣＰコイル１５に高周波電力が投入され、エッチングガスが解離してチャンバ３にプラズマが発生し、維持される。プラズマにより生成されるラジカルとイオンの働きにより、基板２の表面がエッチングされる。
【００３３】
エッチング処理中、コントローラ３６は、熱電対３５で検出された温度に基づいて電源回路３２を制御することでシーズヒータ３１の発熱量を制御する。シーズヒータ３１の発生した熱は熱伝導によってインナーチャンバ１２の温調部１２ｂから放熱部１２ａに伝わり処理室３内に放熱される。コントローラ３６は処理室３内がエッチング処理の定常温度で維持されるように、シーズヒータ３１の発熱量を制御する。例えば、Poly-Si及びSiの基板２のエッチングの場合には８０℃程度、Al系材料やSiCの基板２のエッチングの場合には１２０℃程度に処理室３内に温度が維持される。
【００３４】
インナーチャンバ１２は薄肉円筒体状の放熱部１２ａにシーズヒータ３１を取り付けた温調部１２ｂを一体に形成した構造であるので、温調部１２ｂからの熱伝導により放熱部１２ａを均一な温度に加熱できる。そのため、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａの内壁への反応生成物の付着量を低減できると共に、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａの内壁に付着した反応生成物の剥離を効果的に抑制できる。また、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａが均一な温度に加熱されることで、処理室３内の温度は定常温度で安定する。特に、温調部１２ｂは基板載置部１８よりも上方に位置しているので、エッチングの品質への影響が大きい処理室３内の基板２よりも上方の領域の温度が安定する。これらの点で、本実施形態のドライエッチング装置１では、チャンバ内壁に付着した反応生成物の剥離によるパーティクル発生の効果的な抑制と、処理室内の雰囲気の安定化を比較的簡易な制御で実現できる。また、インナーチャンバ１２を熱伝導性金属材料であるアルミニウム又はアルミニウム合金から構成して放熱部１２ａと温調部１２ｂとの間の熱伝導効率を高めているので、より高精度でインナーチャンバ１２の放熱部１２ａの温度を制御できる。
【００３５】
ドライエッチング中、真空排気装置２７が排気口１１ｃと排気貫通孔１２ｃを介して処理室３内を排気する。この排気には、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａのうち排気貫通孔１２ｃを含む部分の温度を低下させる作用がある。つまり、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａのうち排気貫通孔１２ｃを含む部分は、真空排気装置２７の排気による温度低下が生じやすい。しかし、前述のように排気貫通孔１２ｃと対応する位置に配置した熱電対３５の検出する温度に基づいてシーズヒータ３１の発熱量を制御するので、排気に起因する放熱部１２ａの温度低下が速やかに検出されてシーズヒータ３１の発熱量が増加する。従って、排気口１１ｃと排気貫通孔１２ｃを介した排気の影響を排除して、高精度でインナーチャンバ１２の放熱部１２ａの所望の温度に制御できる。
【００３６】
インナーチャンバ１２の放熱部１２ａは温調部１２ｂに対して厚さが十分小さく、放熱部１２ａと比較して熱容量が十分小さい。従って、シーズヒータ３１の発熱により放熱部１２ａの温度が速やかに上昇する。特に、エッチングの開始時に、通常は室温（３０℃）付近である処理室内の温度を実行されるプラズマ処理の定常温度（例えば８０℃程度〜１２０℃程度）まで速やかに上昇させ安定させることができる。また、放熱部１２ａの温度上昇に必要な熱量が小さいので、シーズヒータ３１は最大発熱量が比較的小さい（容量が比較的小さい）ものを使用できる。
【００３７】
本実施形態のドライエッチング装置１は、特に以下の点で構造が簡易で保守管理が容易である。
【００３８】
インナーチャンバ１２は、薄肉円筒体状の放熱部１２ａに一体に設けられた温調部１２ｂにのみ加熱装置としてのシーズヒータ３１を備えている点で、構造が簡易である。シーズヒータ３１はシール部材２４Ａ〜２６でシールされている処理室３よりも大気側に取り付けられているので、シーズヒータ３１の真空保護は不要で、シーズヒータ３１への給電のために真空配線も必要ない。これらの点で、本実施形態のドライエッチング装置１は構造が簡易である。
【００３９】
インナーチャンバ１２はアウターチャンバ１１から着脱可能である。また、シーズヒータ３１はインナーチャンバ１２のうち温調部１２ｂにのみ設けられており、反応生成物が付着する放熱部１２ａの内壁にはヒータ等が存在しない。さらにまた、シーズヒータ３１はシール部材２４Ａ，２４Ｂ，２５Ａ，２５Ｂでシールされている処理室３よりも大気側に取り付けられている。従って、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａの内壁に付着した反応生成物の除去や、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａの内壁に施された表面処理（例えばアルマイト処理）の修復等の保守管理を容易に行うことができる。
【００４０】
（第２実施形態）
図６から図８に示す本発明の第２実施形態では温調された流体（液体及び気体のいずれでもよい）によって、インナーチャンバ１２の温調部１２ｂを加熱する。図７に最も明瞭に示すようにインナーチャンバ１２の温調部１２ｂには流路１２ｅが形成されている。本実施形態における流路１２ｅは温調部１２の上面に穿設された平面視でＣ字状の溝である。流路１２ｅの上部開口は、薄肉円環板状の金属製の蓋部材４１を温調部１２の上面に溶接等によって固定することで密閉されている。この流路１２ｅの両端はポート１２ｆ，１２ｇを介して温調された流体を循環させる流体循環装置３７に接続されている。また、前述のように平面視でＣ字状である流路１２ｅの両端間には隙間があり、温調部１２ｂのこの隙間の部分に温度センサの一例である熱電対３５が取り付けられている。流路１２ｅ内を循環する流体の発生する熱で温調部１２ｂの温度が上昇し、温調部１２ｂで発生した熱が熱伝導により放熱部１２ａに伝わる。流体循環装置３７が温調部１２ｂ内を循環させる流体の温度を制御することで、放熱部１２ａの温度が制御される。
【００４１】
第２実施形態のその他の構成及び作用は第１実施形態と同様であるので、同一の要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
図９及び図１０は、温調部１２ｂを加熱するための加熱装置に関する代案を示す。図９に示す代案では、温調部１２ｂの上面に形成された収容溝１２ｄにシーズヒータ３１が収容されている。図１０に示す代案では、温調部１２ｂの上面に扁平な円環状のセラミックヒータ３８が取り付けられている。
【００４３】
ＩＣＰ型のドライエッチング処理装置を例に本発明を説明したが、平行平板型のＲＩＥ（リアクティブイオン）型のドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ用プラズマ処理装置等の他のプラズマ処理装置にも本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るドライエッチング装置の模式的な断面図。
【図２】図１の線II−IIでのインナーチャンバの断面図。
【図３】図１の部分拡大図。
【図４】本発明の第１実施形態に係るドライエッチング装置の模式的な分解斜視図。
【図５】スペーサの他の例を示す斜視図。
【図６】本発明の第２実施形態に係るドライエッチング装置の模式的な断面図。
【図７】図６の線VII−VIIでのインナーチャンバの断面図。
【図８】図６の部分拡大図。
【図９】第１の代案を示す部分拡大図。
【図１０】第２の代案を示す部分拡大図。
【符号の説明】
【００４５】
１  ドライエッチング装置
２  基板
３  処理室
４  チャンバ
５  チャンバ本体
６  蓋体
１１  アウターチャンバ
１１ａ  側壁
１１ｂ  底壁
１１ｃ  排気口
１１ｄ，１１ｅ  環状溝
１２  インナーチャンバ
１２ａ  放熱部
１２ｂ  温調部
１２ｃ  排気貫通孔
１２ｄ  収容溝
１２ｅ  流路
１２ｆ，１２ｇ  ポート
１３  スペーサ
１３ａ  エッチングガス流路
１３ｂ  ガス導入口
１３ｃ  円環部
１３ｄ  中央部
１３ｅ  梁状部
１３ｆ  ガス供給口
１３ｇ，１３ｈ，１３ｉ  環状溝
１４  誘電体板
１５  ＩＣＰコイル
１６，１７  高周波電源
１８  基板載置部
２１  冷媒循環装置
２２  伝熱ガス循環装置
２３  エッチングガス供給源
２４Ａ，２４Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ，２６，２８  シール部材
２７  真空排気装置
３１  シーズヒータ（加熱装置）
３２  電源回路
３３  断熱材
３４  カバー
３５  熱電対
３６  コントローラ
３７  流体循環装置
３８  セラミックヒータ
３９  空気層
４１  蓋部材
Ｈ１  インナーチャンバの高さ
Ｈ２  温調部の高さ
Ｔ１  放熱部の肉厚
Ｔ２  温調部の肉厚
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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