(57)【要約】【課題】従来の液晶装置では、焼き付きを効果的に軽減することが困難である。【解決手段】対向する第１基板及び第２基板の間に挟持された液晶と、第１基板及び液晶の間に介在する第１電極と、液晶を駆動するための電界を第１電極との間に発生させる第２電極と、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間ＳＦに分割し、サブフィールド期間ＳＦごとに液晶のオン状態及びオフ状態を選択する駆動回路と、を有し、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い第１駆動電圧と、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い第２駆動電圧とが互いに同じ値に設定され、駆動回路は、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間とを互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置。【選択図】図１８
2010085955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、
前記液晶を駆動するための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、
１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第１電極と前記第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、
前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、
前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、
前記駆動電圧は、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧と、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧と、
を含み、
前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されており、
前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、
前記液晶を駆動するための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、
１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第１電極と前記第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、
前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、
前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、
前記駆動電圧は、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧と、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧と、
を含み、
前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されており、
前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
を互いに同じ数にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、
前記液晶を駆動するための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、
１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第１電極と前記第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、
前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、
前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、
前記駆動電圧は、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧と、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧と、
を含み、
前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されており、
前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、
前記液晶を駆動するための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、
１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第１電極と前記第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、
前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、
前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、
前記駆動電圧は、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧と、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧と、
を含み、
前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されており、
前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
を互いに異なる数にすることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、
を互いに異なる長さにすることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶装置。
【請求項８】
ｎ（ｎは４以上の整数）本の走査線と、
前記走査線に交差する信号線と、
前記信号線及び前記走査線の交差に対応して設定された画素と、
前記画素に対応して設けられており、前記走査線を介して供給された選択信号に基づいて、前記信号線と前記第１電極との間を電気的につなぐスイッチング素子と、
前記サブフィールド期間において、前記走査線ごとに前記選択信号を、相互にタイミングをずらして供給する走査線駆動回路と、
前記走査線に前記選択信号が供給されるたびに、前記選択信号が供給される前記走査線に対応する前記画素に対するデータ信号を、前記信号線に供給する信号線駆動回路と、
を有しており、
前記走査線駆動回路は、前記走査線に前記選択信号を供給するときに、ｉ（ｉは１以上ｎ以下の整数）番目の前記走査線に前記選択信号を供給した後に、ｉ＋ｋ（ｋは３以上且つｎ−１以下の整数）番目（ｉ＋ｋがｎを超える場合にはｉ＋ｋ−ｎ）の前記走査線に前記選択信号を供給してから、ｉ＋１（ｉ＋１がｎを超える場合にはｉ＋１−ｎ）を新たなｉに設定し、
前記信号線駆動回路は、前記信号線に、前記第１駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、前記第２駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、を交互に供給する、
ことを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、
前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
１フレーム期間の少なくとも一部を、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、
前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とを、互いに同じ値に設定し、
前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、
を互いに同じ時間にする、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１０】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、
前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
１フレーム期間の少なくとも一部を、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、
前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とを、互いに異なる値に設定し、
前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、
を互いに同じ時間にする、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
を互いに同じ数にすることを特徴とする請求項９又は１０に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項１２】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、
前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
１フレーム期間の少なくとも一部を、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、
前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とを、互いに同じ値に設定し、
前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、
を互いに異なる時間にする、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１３】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、
前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、
１フレーム期間の少なくとも一部を、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、
前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、
前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とを、互いに異なる値に設定し、
前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、
を互いに異なる時間にする、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、
を互いに異なる数にすることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項１５】
前記１フレーム期間内において、
前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、
前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、
を互いに異なる長さにすることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記液晶装置は、
ｎ（ｎは４以上の整数）本の走査線と、
前記走査線に交差する信号線と、
前記信号線及び前記走査線の交差に対応して設定された画素と、
前記画素に対応して設けられており、前記走査線を介して供給された選択信号に基づいて、前記信号線と前記第１電極との間を電気的につなぐスイッチング素子と、
前記サブフィールド期間ごとに、前記ｎ本の走査線にｎ本を循環して前記選択信号を供給する走査線駆動回路と、
前記走査線に前記選択信号が供給されるたびに、前記選択信号が供給される前記走査線に対応する前記画素に対するデータ信号を、前記信号線に供給する信号線駆動回路と、を有しており、
前記選択信号の供給が前記ｎ本の走査線を一順する前に、次の前記サブフィールド期間を開始させながら、前記信号線に、前記第１駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、前記第２駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、を交互に供給させることを特徴とする請求項１５に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項１７】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶装置の駆動方法として、サブフィールド駆動が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１４８４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
サブフィールド駆動では、１フィールド（１フレーム）期間が、複数のサブフィールド期間に分割される。つまり、１フレームが、複数のサブフィールドに分割される。液晶のオン状態及びオフ状態は、サブフィールドごとに制御される。これにより、液晶装置での階調表示が実現され得る。
【０００５】
ところで、上記特許文献１には、１フレームごとにデータ書き込み極性を反転させることが記載されている。これにより、液晶に作用する電界の向きを、１フレームごとに反転させることができる。この結果、液晶装置における焼き付きと呼ばれる現象を軽減することができる。
【０００６】
しかしながら、液晶が、フレームごとに毎回オン状態になるとは限らない。あるフレームで液晶がオン状態になったとしても、その次のフレームでは液晶に駆動電圧が印加されずオン状態にならない場合が発生し得る。このような場合が続くと、１フレームごとに電界の向きを反転させたとしても、液晶には、同じ向きの電界ばかりが作用することになる。
つまり、従来の液晶装置では、焼き付きを効果的に軽減することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００８】
［適用例１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、前記液晶を駆動するための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第１電極と前記第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、前記駆動電圧は、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧と、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧と、を含み、前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されており、前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
【０００９】
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１電極と、第２電極と、駆動回路と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。第１電極は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２電極は、液晶を駆動するための電界を第１電極との間に発生させる。
駆動回路は、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第１電極と第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第１駆動電圧と、第２駆動電圧と、を含んでいる。第１駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。第２駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。
この液晶装置では、第１駆動電圧の絶対値と、第２駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されている。駆動回路は、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
【００１０】
この液晶装置では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
これにより、この液晶装置では、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００１１】
［適用例２］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、前記液晶を駆動するための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第１電極と前記第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、前記駆動電圧は、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧と、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧と、を含み、前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されており、前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
【００１２】
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１電極と、第２電極と、駆動回路と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。第１電極は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２電極は、液晶を駆動するための電界を第１電極との間に発生させる。
駆動回路は、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第１電極と第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第１駆動電圧と、第２駆動電圧と、を含んでいる。第１駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。第２駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。
【００１３】
この液晶装置では、第１駆動電圧の絶対値と、第２駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されている。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー（プッシュダウンとも呼ばれる）現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第１電極と第２電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とが互いに異なる値に設定されているので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第１電極と第２電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
【００１４】
従って、この適用例の液晶装置では、フィールドスルー現象や、第１電極と第２電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００１５】
［適用例３］上記の液晶装置であって、前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、を互いに同じ数にすることを特徴とする液晶装置。
【００１６】
この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、を互いに同じ数にすることができる。このため、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にしやすくすることができる。
【００１７】
［適用例４］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、前記液晶を駆動するための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第１電極と前記第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、前記駆動電圧は、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧と、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧と、を含み、前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されており、前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
【００１８】
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１電極と、第２電極と、駆動回路と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。第１電極は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２電極は、液晶を駆動するための電界を第１電極との間に発生させる。
駆動回路は、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第１電極と第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第１駆動電圧と、第２駆動電圧と、を含んでいる。第１駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。第２駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。
【００１９】
この液晶装置では、第１駆動電圧の絶対値と、第２駆動電圧の絶対値とは、互いに同じ値に設定されている。駆動回路は、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー（プッシュダウンとも呼ばれる）現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第１電極と第２電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができるので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第１電極と第２電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
【００２０】
従って、この適用例の液晶装置では、フィールドスルー現象や、第１電極と第２電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００２１】
［適用例５］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、前記液晶を駆動するための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、前記サブフィールド期間ごとに前記第１電極と前記第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することで、前記液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を前記サブフィールド期間ごとに択一的に選択する駆動回路と、を有し、前記オン状態は、前記駆動電圧を印加することによって選択され、前記オフ状態は、前記駆動電圧を印加しないことによって選択され、前記駆動電圧は、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧と、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧と、を含み、前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されており、前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、ことを特徴とする液晶装置。
【００２２】
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１電極と、第２電極と、駆動回路と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。第１電極は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２電極は、液晶を駆動するための電界を第１電極との間に発生させる。
駆動回路は、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割し、サブフィールド期間ごとに液晶のオン状態及びオフ状態のいずれか一方を択一的に選択する。液晶のオン状態及びオフ状態は、第１電極と第２電極との間に印加する駆動電圧を制御することによって選択される。液晶のオン状態は、駆動電圧を印加することによって選択される。液晶のオフ状態は、駆動電圧を印加しないことによって選択される。
駆動電圧は、第１駆動電圧と、第２駆動電圧と、を含んでいる。第１駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。第２駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。
【００２３】
この液晶装置では、第１駆動電圧の絶対値と、第２駆動電圧の絶対値とは、互いに異なる値に設定されている。駆動回路は、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー（プッシュダウンとも呼ばれる）現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第１電極と第２電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例では、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とが互いに異なる値に設定されているので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第１電極と第２電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができるので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第１電極と第２電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
【００２４】
従って、この適用例の液晶装置では、フィールドスルー現象や、第１電極と第２電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００２５】
［適用例６］上記の液晶装置であって、前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、を互いに異なる数にすることを特徴とする液晶装置。
【００２６】
この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、を互いに異なる数にすることができる。このため、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にしやすくすることができる。
【００２７】
［適用例７］上記の液晶装置であって、前記駆動回路は、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間とを、互いに異なる長さにすることを特徴とする液晶装置。
【００２８】
この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間とを、互いに異なる長さにすることができる。このため、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にしやすくすることができる。
【００２９】
［適用例８］上記の液晶装置であって、ｎ（ｎは４以上の整数）本の走査線と、前記走査線に交差する信号線と、前記信号線及び前記走査線の交差に対応して設定された画素と、前記画素に対応して設けられており、前記走査線を介して供給された選択信号に基づいて、前記信号線と前記第１電極との間を電気的につなぐスイッチング素子と、前記サブフィールド期間において、前記走査線ごとに前記選択信号を、相互にタイミングをずらして供給する走査線駆動回路と、前記走査線に前記選択信号が供給されるたびに、前記選択信号が供給される前記走査線に対応する前記画素に対するデータ信号を、前記信号線に供給する信号線駆動回路と、を有しており、前記走査線駆動回路は、前記走査線に前記選択信号を供給するときに、ｉ（ｉは１以上ｎ以下の整数）番目の前記走査線に前記選択信号を供給した後に、ｉ＋ｋ（ｋは３以上且つｎ−１以下の整数）番目（ｉ＋ｋがｎを超える場合にはｉ＋ｋ−ｎ）の前記走査線に前記選択信号を供給してから、ｉ＋１（ｉ＋１がｎを超える場合にはｉ＋１−ｎ）を新たなｉに設定し前記信号線駆動回路は、前記信号線に、前記第１駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、前記第２駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、を交互に供給する、ことを特徴とする液晶装置。
【００３０】
この適用例の液晶装置は、ｎ本の走査線と、信号線と、画素と、スイッチング素子と、走査線駆動回路と、信号線駆動回路と、を有している。信号線は、走査線に交差している。画素は、信号線及び走査線の交差に対応して設定されている。スイッチング素子は、画素に対応して設けられている。スイッチング素子は、走査線を介して供給された選択信号に基づいて、信号線と第１電極との間を電気的につなぐ。走査線駆動回路は、サブフィールド期間において、走査線ごとに選択信号を、相互にタイミングをずらして供給する。信号線駆動回路は、走査線に選択信号が供給されるたびに、信号線にデータ信号を供給する。データ信号は、選択信号が供給される走査線に対応する画素に対するデータ信号である。
【００３１】
走査線駆動回路は、走査線に選択信号を供給する。ｎ本の走査線に選択信号を供給するとき、走査線駆動回路は、ｉ番目の走査線に選択信号を供給した後に、ｉ＋ｋ番目の走査線に選択信号を供給してから、ｉ＋１を新たなｉに設定する。ここで、ｉは、１以上ｎ以下の整数である。ｋは、３以上且つｎ−１以下の整数である。ｉ＋ｋがｎを超える場合には、ｉ＋ｋはｉ＋ｋ−ｎに置換される。また、ｉ＋１がｎを超える場合には、ｉ＋１はｉ＋１−ｎに置換される。
信号線駆動回路は、信号線に、第１駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、第２駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、を交互に供給する。
上記の構成により、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にすることができる。
【００３２】
［適用例９］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、１フレーム期間の少なくとも一部を、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とを、互いに同じ値に設定し、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００３３】
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１電極と、第２電極と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。第１電極は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２電極は、液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を第１電極との間に発生させる。
この適用例の駆動方法では、１フレーム期間の少なくとも一部を、第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第１駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。第２駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。
そして、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とを互いに同じ値に設定し、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
【００３４】
この駆動方法では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
これにより、この駆動方法では、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００３５】
［適用例１０］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、１フレーム期間の少なくとも一部を、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とを、互いに異なる値に設定し、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００３６】
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１電極と、第２電極と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。第１電極は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２電極は、液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を第１電極との間に発生させる。
この適用例の駆動方法では、１フレーム期間の少なくとも一部を、第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第１駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。第２駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。
そして、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定し、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にする。
【００３７】
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー（プッシュダウンとも呼ばれる）現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第１電極と第２電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例の駆動方法では、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定するので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第１電極と第２電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例の駆動方法では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
【００３８】
従って、この適用例の駆動方法では、フィールドスルー現象や、第１電極と第２電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００３９】
［適用例１１］上記の液晶装置の駆動方法であって、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、を互いに同じ数にすることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００４０】
この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、を互いに同じ数にすることができる。このため、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にしやすくすることができる。
【００４１】
［適用例１２］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、１フレーム期間の少なくとも一部を、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とを、互いに同じ値に設定し、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００４２】
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１電極と、第２電極と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。第１電極は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２電極は、液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を第１電極との間に発生させる。
この適用例の駆動方法では、１フレーム期間の少なくとも一部を、第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第１駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。第２駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。
そして、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とを互いに同じ値に設定し、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
【００４３】
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー（プッシュダウンとも呼ばれる）現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第１電極と第２電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例の駆動方法では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にするので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第１電極と第２電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
【００４４】
従って、この適用例の駆動方法では、フィールドスルー現象や、第１電極と第２電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００４５】
［適用例１３］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１電極と、前記液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を前記第１電極との間に発生させる第２電極と、を有する液晶装置の駆動方法であって、１フレーム期間の少なくとも一部を、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも高い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位よりも低い場合の前記第１電極と前記第２電極との間の電位差である第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割し、前記第１駆動電圧の絶対値と、前記第２駆動電圧の絶対値とを、互いに異なる値に設定し、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする時間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００４６】
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１電極と、第２電極と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。第１電極は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２電極は、液晶をオフ状態からオン状態にするための電界を第１電極との間に発生させる。
この適用例の駆動方法では、１フレーム期間の少なくとも一部を、第１駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、第２駆動電圧を割り当てるサブフィールド期間と、に分割する。第１駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも高い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。第２駆動電圧は、第２電極の電位が第１電極の電位よりも低い場合の第１電極と第２電極との間の電位差である。
そして、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定し、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にする。
【００４７】
ここで、液晶装置では、例えば、フィールドスルー（プッシュダウンとも呼ばれる）現象などが発生することがある。フィールドスルー現象は、種々の寄生容量などに起因して、駆動電圧が低下する現象である。また、液晶装置では、第１電極と第２電極との間で特性差が生じる場合がある。
この適用例の駆動方法では、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とを互いに異なる値に設定するので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第１電極と第２電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
また、この適用例の駆動方法では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にするので、フィールドスルー現象における駆動電圧の低下や、第１電極と第２電極との間の特性差などを補償しやすくすることができる。
【００４８】
従って、この適用例の駆動方法では、フィールドスルー現象や、第１電極と第２電極との間の特性差などが発生しても、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００４９】
［適用例１４］上記の液晶装置の駆動方法であって、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間の数と、を互いに異なる数にすることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００５０】
この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間の数と、を互いに異なる数にする。このため、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にしやすくすることができる。
【００５１】
［適用例１５］上記の液晶装置の駆動方法であって、前記１フレーム期間内において、前記液晶を前記第１駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、前記液晶を前記第２駆動電圧でオン状態にする前記サブフィールド期間と、を互いに異なる長さにすることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００５２】
この適用例では、１フレーム期間内において、液晶を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間とを、互いに異なる長さにする。このため、液晶を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに異なる時間にしやすくすることができる。
【００５３】
［適用例１６］上記の液晶装置の駆動方法であって、前記液晶装置は、ｎ（ｎは４以上の整数）本の走査線と、前記走査線に交差する信号線と、前記信号線及び前記走査線の交差に対応して設定された画素と、前記画素に対応して設けられており、前記走査線を介して供給された選択信号に基づいて、前記信号線と前記第１電極との間を電気的につなぐスイッチング素子と、前記サブフィールド期間ごとに、前記ｎ本の走査線にｎ本を循環して前記選択信号を供給する走査線駆動回路と、前記走査線に前記選択信号が供給されるたびに、前記選択信号が供給される前記走査線に対応する前記画素に対するデータ信号を、前記信号線に供給する信号線駆動回路と、を有しており、前記選択信号の供給が前記ｎ本の走査線を一順する前に、次の前記サブフィールド期間を開始させながら、前記信号線に、前記第１駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、前記第２駆動電圧に対応する電位の前記データ信号と、を交互に供給させることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【００５４】
この適用例の駆動方法が適用され得る液晶装置は、ｎ本の走査線と、信号線と、画素と、スイッチング素子と、走査線駆動回路と、信号線駆動回路と、を有している。信号線は、走査線に交差している。画素は、信号線及び走査線の交差に対応して設定されている。スイッチング素子は、画素に対応して設けられている。スイッチング素子は、走査線を介して供給された選択信号に基づいて、信号線と第１電極との間を電気的につなぐ。
走査線駆動回路は、サブフィールド期間ごとに、ｎ本の走査線にｎ本を循環して選択信号を供給する。
信号線駆動回路は、走査線に選択信号が供給されるたびに、信号線にデータ信号を供給する。データ信号は、選択信号が供給される走査線に対応する画素に対するデータ信号である。
【００５５】
この適用例の駆動方法では、選択信号の供給がｎ本の走査線を一順する前に、次のサブフィールド期間を開始させながら、信号線に、第１駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、第２駆動電圧に対応する電位のデータ信号と、を交互に供給させる。
この駆動方法により、液晶を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間と、液晶を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間とを、互いに異なる長さにすることができる。
【００５６】
［適用例１７］上記の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【００５７】
この適用例の電子機器は、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができる液晶装置を有している。この液晶装置では、焼き付きを効果的に軽減することができる。このため、この適用例の電子機器では、液晶装置における焼き付きを効果的に軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
実施形態について、電子機器の１つであるプロジェクタを例に、図面を参照しながら説明する。
第１実施形態におけるプロジェクタ１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクタ１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーン８などに投射することができる。
【００５９】
光学系３は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン８などに投射する。制御回路５は、画像信号に基づいて光学系３の駆動を制御する。
なお、プロジェクタ１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。
【００６０】
光学系３は、ランプ１１と、画像形成部１３と、投射レンズ部１５と、を有している。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーン８に向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
【００６１】
画像形成部１３は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部１３は、制御回路５から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部１３には、ランプ１１からの光が照射される。このため、画像形成部１３に形成された画像は、ランプ１１からの光によって投射レンズ部１５に投影される。
【００６２】
投射レンズ部１５には、ランプ１１からの光が画像形成部１３を経て入射される。投射レンズ部１５は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光１７として射出する。このため、画像形成部１３に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン８に投射され得る。
【００６３】
制御回路５は、制御部２１と、画像処理部２３と、液晶パネル駆動回路２５と、を有している。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリ部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリ部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクタ１の動作を統括制御する。メモリ部２９は、フラッシュメモリ等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
【００６４】
画像処理部２３には、画像信号が入力される。画像処理部２３は、制御部２１からの指示に基づいて、画像信号に種々の処理を施す。また、画像処理部２３は、画像信号を画像データに変換する。画像信号から変換された画像データは、液晶パネル駆動回路２５に出力される。
なお、画像処理部２３が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のＯＳＤ（オンスクリーンディスプレイ）画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル駆動回路２５は、入力された画像データに応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。
【００６５】
ここで、画像形成部１３の構成について、詳細を説明する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成パネル３３と、クロスダイクロイックプリズム３５と、を有している。
分光部３１には、ランプ１１からの光４１が入射される。分光部３１は、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。
【００６６】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光４１Ｒは、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光４１Ｇは、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光４１Ｂは、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００６７】
分光部３１は、ダイクロイックミラー４３と、ダイクロイックミラー４５と、反射ミラー４７と、反射ミラー４８と、反射ミラー４９と、を有している。光４１は、光軸５１ａに沿って分光部３１に入射する。
ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４３は、光４１のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂを反射させることができる。
【００６８】
従って、ダイクロイックミラー４３によって、光４１からＲの光４１Ｒが分離され得る。他方で、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂが混合した光５３が、ダイクロイックミラー４３によって、光４１から分離され得る。
ダイクロイックミラー４３を透過した光４１Ｒは、光軸５１ａに沿って反射ミラー４７へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４３によって反射された光５３は、光軸５１ａが光軸５１ｂに変えられてから、ダイクロイックミラー４５へ導かれる。
【００６９】
ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４５は、光５３のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー４５によって、光５３からＧの光４１ＧとＢの光４１Ｂとが分離され得る。
ダイクロイックミラー４５を透過した光４１Ｂは、光軸５１ｂに沿って反射ミラー４８へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４５によって反射された光４１Ｇは、光軸５１ｂが光軸５１ｃに変えられる。
【００７０】
反射ミラー４７は、光４１Ｒの光軸５１ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。光４１Ｒは、反射ミラー４７で反射することによって、光軸５１ａが光軸５１ｄに変えられる。
反射ミラー４８は、光４１Ｂの光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４８は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４８によって光軸５１ｂが光軸５１ｅに変えられてから、反射ミラー４９に導かれる。
反射ミラー４９は、光４１Ｂの光軸５１ｅと交差する位置に設けられている。反射ミラー４９は、光軸５１ｅの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４９で反射することによって、光軸５１ｅが光軸５１ｆに変えられる。
【００７１】
クロスダイクロイックプリズム３５は、光軸５１ｃ、光軸５１ｄ及び光軸５１ｆの交点に重なる位置に設けられている。クロスダイクロイックプリズム３５は、面３５ａと、面３５ｂと、面３５ｃと、面３５ｄと、を有している。
面３５ａは、反射ミラー４７側に向けられている。面３５ｂは、ダイクロイックミラー４５側に向けられている。面３５ｃは、反射ミラー４９側に向けられている。
【００７２】
画像形成パネル３３は、光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂごとに設けられている。つまり、プロジェクタ１は、光４１Ｒに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｇに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｂに対応する画像形成パネル３３と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル３３を光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂごとに識別する場合には、画像形成パネル３３は、画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂと表記される。
画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂは、相互に同じ仕様の画像形成パネル３３が採用され得る。
【００７３】
画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａと反射ミラー４７との間において、光軸５１ｄに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａに対向している。
画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂとダイクロイックミラー４５との間において、光軸５１ｃに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂに対向している。
画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃと反射ミラー４９との間において、光軸５１ｆに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃに対向している。
【００７４】
ここで、画像形成パネル３３は、透過型の液晶パネルをライトバルブとして有している。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル３３では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル３３を透過した光で画像を形成することができる。
【００７５】
画像形成パネル３３を透過した光は、クロスダイクロイックプリズム３５に導かれる。
画像形成パネル３３Ｒを透過した光４１Ｒは、面３５ａからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｇを透過した光４１Ｇは、面３５ｂからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｂを透過した光４１Ｂは、面３５ｃからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
このため、面３５ａには、Ｒの画像が投影され、面３５ｂには、Ｇの画像が投影され、面３５ｃには、Ｂの画像が投影され得る。
【００７６】
クロスダイクロイックプリズム３５に入射した光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂは、クロスダイクロイックプリズム３５によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム３５によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム３５によって合成された光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂは、画像光５５としてクロスダイクロイックプリズム３５の面３５ｄから射出される。
【００７７】
面３５ｄから射出された画像光５５は、投射レンズ部１５へ導かれてから、投射レンズ部１５に入射する。投射レンズ部１５に入射した画像光５５は、投射光１７（図１）としてスクリーン８などに投射される。
【００７８】
ここで、画像形成パネル３３の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル３３は、図３に示すように、液晶パネル６１と、位相差板６２と、位相差板６３と、偏光板６４ａと、偏光板６４ｂと、を有している。
ここで、画像形成パネル３３には、複数の画素６５が設定されている。複数の画素６５は、領域６７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。
図３では、構成をわかりやすく示すため、画素６５が誇張され、且つ画素６５の個数が減じられている。
なお、Ｘ方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。Ｙ方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。
【００７９】
プロジェクタ１では、画像形成パネル３３は、偏光板６４ｂ側の面６９が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム３５側に向けられている。画像形成パネル３３では、面６９側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６９は、表示面６９と表記される。
領域６７は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６７は、表示領域６７と表記される。
【００８０】
液晶パネル６１は、図３中のＡ−Ａ線における断面図である図４に示すように、素子基板７１と、対向基板７３と、液晶７５と、シール材７７と、を有している。
素子基板７１には、表示面６９側すなわち液晶７５側に、複数の画素６５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６９側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル３３における表示面６９とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。
【００８１】
液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３の間に挟持されており、液晶パネル６１の周縁よりも内側で表示領域６７を囲むシール材７７によって、素子基板７１及び対向基板７３の間に封止されている。本実施形態では、液晶７５の駆動方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の駆動方式が採用されている。
【００８２】
位相差板６２は、素子基板７１よりも底面７９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル３３では、位相差板６２及び位相差板６３は、それぞれ、入射された光に対して１／４波長の位相差を付与する。
【００８３】
偏光板６４ａは、素子基板７１の底面７９側に設けられている。偏光板６４ｂは、位相差板６３の表示面６９側に設けられている。偏光板６４ａ及び偏光板６４ｂは、それぞれ、透過軸に沿った偏光軸を有する直線偏光を透過させることができる。
また、液晶パネル６１は、液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とを示すブロック図である図５に示すように、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、をも有している。液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とは、それぞれ、液晶装置８５の構成要素の１つである。
【００８４】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、図６に示すように、１つの画素列８７を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、１つの画素行８８を構成している。
【００８５】
ここで、液晶パネル６１の素子基板７１及び対向基板７３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板７１は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図７に示すように、第１基板９１と、素子層９２とを有している。
第１基板９１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた第１面９３ａと、底面７９側に向けられた第２面９３ｂとを有している。
【００８６】
素子層９２は、第１基板９１の第１面９３ａに設けられている。素子層９２には、絶縁膜９５と、絶縁膜９７と、絶縁膜９９と、配向膜１０１とが含まれている。また、素子層９２には、図５に示すように、画素６５ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１０３と、画素電極１０５と、容量素子１０７と、が含まれている。
【００８７】
絶縁膜９５は、図７に示すように、第１基板９１の第１面９３ａに設けられている。絶縁膜９７は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。絶縁膜９９は、絶縁膜９７の表示面６９側に設けられている。画素電極１０５は、絶縁膜９９の表示面６９側に設けられている。配向膜１０１は、画素電極１０５の表示面６９側に設けられている。
なお、絶縁膜９５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９５の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００８８】
ＴＦＴ素子１０３と、画素電極１０５とは、それぞれ、各画素６５に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子１０３は、拡大図である図８に示すように、半導体層１０９と、ゲート電極１１１と、を有している。半導体層１０９は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。半導体層１０９は、ゲート絶縁膜１１３によって表示面６９側から覆われている。
【００８９】
半導体層１０９としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層１０９として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１１３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１１３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００９０】
ゲート電極１１１は、ゲート絶縁膜１１３を挟んで半導体層１０９に対向する位置に設けられている。
ゲート電極１１１の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１１１の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１１１として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
【００９１】
本実施形態では、半導体層１０９は、チャネル領域１０９ａと、ソース領域１０９ｂと、ドレイン領域１０９ｃと、を有している。
チャネル領域１０９ａは、平面視でゲート電極１１１に重なっている。ソース領域１０９ｂ及びドレイン領域１０９ｃは、それぞれ、平面視でチャネル領域１０９ａの外側に設けられている。チャネル領域１０９ａは、ソース領域１０９ｂとドレイン領域１０９ｃとの間に設けられている。
なお、半導体層１０９としては、チャネル領域１０９ａとソース領域１０９ｂとの間や、チャネル領域１０９ａとドレイン領域１０９ｃとの間に、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けた構成も採用され得る。
【００９２】
上記の構成を有するＴＦＴ素子１０３は、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９７の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜９７及びゲート絶縁膜１１３には、コンタクトホール１１５ａと、コンタクトホール１１５ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１１５ａは、ソース領域１０９ｂに及んでいる。コンタクトホール１１５ｂは、ドレイン領域１０９ｃに及んでいる。コンタクトホール１１５ａ内には、ソース電極１１７が設けられている。コンタクトホール１１５ｂ内には、ドレイン電極１１９が設けられている。
【００９３】
絶縁膜９７の表示面６９側には、図７に示すように、信号線Ｓが設けられている。信号線Ｓは、平面視でソース電極１１７に重なる位置に設けられている。信号線Ｓとソース電極１１７とは、互いに電気的につながっている。信号線Ｓは、ソース電極１１７を介して半導体層１０９のソース領域１０９ｂ（図８）に電気的につながっている。信号線Ｓは、図７に示すように、絶縁膜９９によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９９の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００９４】
ここで、図８に示すコンタクトホール１１５ｂは、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。ドレイン電極１１９は、図７に示すように、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。画素電極１０５とドレイン電極１１９とは、互いに電気的につながっている。画素電極１０５は、ドレイン電極１１９を介して半導体層１０９のドレイン領域１０９ｃ（図８）に電気的につながっている。
画素電極１０５としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極１０５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
【００９５】
画素電極１０５は、図７に示すように、配向膜１０１によって表示面６９側から覆われている。
配向膜１０１の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１０１の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜１０１には、表示面６９側に配向処理が施されている。
【００９６】
対向基板７３は、第２基板１２１と、対向層１２２とを有している。第２基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた外向面１２１ａと、底面７９側に向けられた対向面１２１ｂとを有している。
対向層１２２は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。対向層１２２には、絶縁膜１２３と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
絶縁膜１２３は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００９７】
対向電極１２５は、絶縁膜１２３の底面７９側に設けられている。対向電極１２５の材料としては、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極１２５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
対向電極１２５は、マトリクスＭを構成する複数の画素６５（図３）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１２５は、マトリクスＭを構成する複数の画素６５に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素６５の領域は、図７に示すように、１つの画素電極１０５と、対向電極１２５とが重なり合う領域であると定義され得る。
【００９８】
配向膜１２７は、対向電極１２５の底面７９側に設けられている。対向電極１２５は、配向膜１２７によって底面７９側から覆われている。配向膜１２７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１２７の材料として、ポリイミドが採用されている。配向膜１２７には、底面７９側に配向処理が施されている。
【００９９】
ここで、Ｙ方向に並ぶ複数のソース電極１１７は、図９に示すように、信号線Ｓを介して、画素列８７（図５）単位で相互に電気的につながっている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１１１は、図９に示すように、走査線Ｔを介して、画素行８８（図５）単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合う信号線Ｓ同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Ｔは、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合う走査線Ｔ同士の間には、隙間が設けられている。
【０１００】
本実施形態では、Ｘ方向に沿って延在する容量線Ｃが設けられている。容量線Ｃは、走査線Ｔに対応して、すなわち画素行８８（図５）ごとに設けられている。
本実施形態では、容量線Ｃは、図７に示す絶縁膜９５の表示面６９側に設けられており、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。容量線Ｃの材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、ゲート電極１１１（走査線Ｔ）と、容量線Ｃとは、図９に示すように、Ｙ方向に隙間をあけた状態で並んでいる。
【０１０１】
画素６５は、複数の信号線Ｓと、複数の走査線Ｔとの各交差に対応して設定されている。
画素電極１０５は、図１０に示すように、互いに隣り合う信号線Ｓと、互いに隣り合う走査線Ｔとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極１０５は、周縁部が信号線Ｓ及び走査線Ｔに重なっている。また、画素電極１０５は、容量線Ｃに重なっている。
これにより、液晶パネル６１では、容量線Ｃと画素電極１０５との間に、図５に示す容量素子１０７が形成される。
なお、図７に示すＴＦＴ素子１０３の断面は、図１０中のＨ−Ｈ線における断面に相当している。
【０１０２】
本実施形態では、液晶パネル６１は、図５に示すように、ｎ本（ｎは、１以上の整数）の走査線Ｔと、ｍ本（ｍは、１以上の整数）の信号線Ｓとを有している。なお、以下においてｎ本の走査線Ｔが個々に識別される場合に、走査線Ｔ（ｉ）という表記が用いられる。ｉは、１以上且つｎ以下の整数である。また、ｍ本の信号線Ｓが個々に識別される場合に、信号線Ｓ（ｊ）という表記が用いられる。ｊは、１以上且つｍ以下の整数である。
【０１０３】
素子基板７１及び対向基板７３の間に介在する液晶７５は、図７に示すように、配向膜１０１と配向膜１２７との間に介在している。
本実施形態では、図４に示すシール材７７は、図７に示す第１基板９１の第１面９３ａと、第２基板１２１の対向面１２１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板９１及び第２基板１２１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜１０１及び配向膜１２７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。
【０１０４】
液晶７５は、図７に示すように、Ｌ１なる厚みに設定されている。液晶７５は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶７５は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶７５のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１との積）の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に１／２波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。
【０１０５】
液晶パネル６１では、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電圧を印加すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。液晶パネル６１では、ＴＦＴ素子１０３がオフ状態からオン状態に変化すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。この電界によって液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることができる。
本実施形態では、液晶７５に電界が作用すると、液晶７５がオン状態になる。他方で、液晶７５に作用する電界が解除されると、液晶７５がオフ状態になる。
プロジェクタ１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子１０３のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。
【０１０６】
図７に示す配向膜１０１及び配向膜１２７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜１０１及び配向膜１２７によって、液晶７５の初期的な配向状態が規制される。
図１１（ａ）は、液晶７５がオフ状態のときの画像形成パネル３３における偏光状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、液晶７５がオン状態のときの画像形成パネル３３における偏光状態を示す図である。
【０１０７】
画像形成パネル３３では、偏光板６４ａの透過軸１４１と、偏光板６４ｂの透過軸１４２とは、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、互いに直交している。
なお、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が偏光板６４ａの透過軸１４１の方向を示し、Ｙ'方向が偏光板６４ｂの透過軸１４２の方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【０１０８】
位相差板６２の遅相軸６２ａは、平面視でＸ'方向に対して、時計方向に４５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、偏光板６４ａを透過した直線偏光１４３は、位相差板６２によって１／４波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光１４４として液晶７５に入射される。
【０１０９】
液晶７５に入射された円偏光１４４は、液晶７５がオフ状態のときに、図１１（ａ）に示すように、偏光状態が維持されたまま（位相差が付与されずに）円偏光１４４として位相差板６３に向けて射出される。
ここで、位相差板６３の遅相軸６３ａは、平面視でＸ'方向に対して、時計方向に４５度の傾きを有する方向に設定されている。
【０１１０】
このため、位相差板６３に入射された円偏光１４４は、位相差板６３によって１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４５として偏光板６４ｂに向けて射出される。
偏光板６４ｂに向けて射出された直線偏光１４５は、偏光軸が偏光板６４ｂの透過軸１４２に対して直交しているため、偏光板６４ｂによって吸収される。
【０１１１】
他方で、液晶７５がオン状態のときに、液晶７５に入射された円偏光１４４は、図１１（ｂ）に示すように、１／２波長の位相差が与えられ、平面視で時計方向に回転する（円偏光１４４とは逆回転の）円偏光１４７として位相差板６３に向けて射出される。
位相差板６３に入射された円偏光１４７は、位相差板６３によって１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４９として偏光板６４ｂに向けて射出される。
偏光板６４ｂに向けて射出された直線偏光１４９は、偏光軸が偏光板６４ｂの透過軸１４２に沿っているため、偏光板６４ｂを透過する。
【０１１２】
このように、画像形成パネル３３では、液晶７５のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、画像の形成が制御される。
本実施形態では、液晶７５がオフ状態のときに画像形成パネル３３からの光の射出が遮断される所謂ノーマリブラック（初期的に“黒表示”の状態）の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリブラックに限定されず、所謂ノーマリホワイト（初期的に“白表示”の状態）も採用され得る。
【０１１３】
ここで、図５に示す液晶装置８５の駆動方法について説明する。
液晶パネル駆動回路２５は、図５に示すように、コントローラ１６１と、メモリ部１６３と、を有している。
コントローラ１６１には、図１に示す画像処理部２３を介して、垂直同期信号ＶＳＹＮＣと、水平同期信号ＨＳＹＮＣと、クロック信号ＤＣＬＫと、画像データＤＡＴＡと、が供給される。
【０１１４】
メモリ部１６３には、１フレーム分の画像データＤＡＴＡが一時的に格納される。コントローラ１６１は、メモリ部１６３に格納された１フレーム分の画像データＤＡＴＡから、画素行８８単位の画像データｄａｔａを読み出す。コントローラ１６１は、読み出した画像データｄａｔａをシリアルデータとして信号線駆動回路８３に出力する。信号線駆動回路８３には、クロック信号ＣＬＸ、イネーブル信号ＥＮＢＸ及び極性反転信号ＦＲも、コントローラ１６１から入力される。
また、コントローラ１６１は、スタートパルスＤＹと、クロック信号ＣＬＹと、を走査線駆動回路８１に出力する。
【０１１５】
ここで、本実施形態では、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割するサブフィールド駆動が採用されている。サブフィールド駆動では、サブフィールド期間ごとに液晶７５のオン状態及びオフ状態を制御することができる。
本実施形態では、１フレーム期間が、図１２に示すように、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２に分割される。本実施形態では、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２は、相互に同じ長さに設定される。
【０１１６】
なお、以下においては、サブフィールド期間ＳＦ１〜サブフィールド期間ＳＦ３２という表記と、サブフィールド期間ＳＦという表記とが併用される。
垂直同期信号ＶＳＹＮＣは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスＤＹは、サブフィールド期間ＳＦの開始を規定する信号であり、垂直同期信号ＶＳＹＮＣを基準としてコントローラ１６１（図５）によって生成される。
【０１１７】
走査線駆動回路８１は、図１３に示すように、シフトレジスタ１６５を有している。スタートパルスＤＹ及びクロック信号ＣＬＹは、シフトレジスタ１６５に入力される。
シフトレジスタ１６５からは、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）が出力される。選択信号ｇ（１）は、図５に示すように、走査線Ｔ（１）に供給される。選択信号ｇ（２）が走査線Ｔ（２）に供給され、選択信号ｇ（ｎ）が走査線Ｔ（ｎ）に供給される。
【０１１８】
選択信号ｇ（ｉ）は、図１４に示すように、クロック信号ＣＬＹの半周期のパルス幅を有している。
選択信号ｇ（１）は、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの２番目の変化点に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。ここで、変化点とは、パルス信号がＬｏレベルからＨｉレベルに変化する時点と、パルス信号がＨｉレベルからＬｏレベルに変化する時点とを示す。
Ｈｉレベルに立ち上がった選択信号ｇ（１）は、図１３に示すシフトレジスタ１６５によって、クロック信号ＣＬＹの変化点ごとに選択信号ｇ（２），ｇ（３），…，ｇ（ｎ）の順にシフトされていく。
【０１１９】
選択信号ｇ（１）がＨｉレベルに立ち上がってから、選択信号ｇ（ｎ）がＬｏレベルに立ち下がるまでの期間が、１垂直期間に相当している。本実施形態では、１垂直期間は、サブフィールド期間ＳＦよりも短い長さに設定されている。
なお、本実施形態では、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの１番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
【０１２０】
イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期は、選択信号ｇ（ｉ）のパルス幅と同等に設定されている。イネーブル信号ＥＮＢＸは、ＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がった後に、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）の各立ち上がりに基づいて、順次にＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がっていく。従って、イネーブル信号ＥＮＢＸは、１つのサブフィールド期間ＳＦ内で、ｎ＋１個の立ち上がりパルスを有している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期が１水平期間に相当している。
【０１２１】
信号線駆動回路８３は、図１５に示すように、シフトレジスタ１７１と、第１ラッチ回路１７３と、第２ラッチ回路１７５と、レベルシフタ１７７と、を有している。
シフトレジスタ１７１には、イネーブル信号ＥＮＢＸと、クロック信号ＣＬＸとが入力される。
第１ラッチ回路１７３には、シフトレジスタ１７１からの出力信号（ラッチ信号ＬＴ（１）〜ラッチ信号ＬＴ（ｍ））と、画像データｄａｔａとが入力される。
第２ラッチ回路１７５には、第１ラッチ回路１７３からの出力信号と、イネーブル信号ＥＮＢＸとが入力される。
【０１２２】
レベルシフタ１７７には、第２ラッチ回路１７５からの出力信号と、極性反転信号ＦＲとが入力される。
レベルシフタ１７７からは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）が出力される。データ信号ｄ（１）は、図５に示すように、信号線Ｓ（１）に供給される。データ信号ｄ（２）が信号線Ｓ（２）に供給され、データ信号ｄ（ｍ）が信号線Ｓ（ｍ）に供給される。
【０１２３】
シフトレジスタ１７１は、イネーブル信号ＥＮＢＸを、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにシフトさせながら、ラッチ信号ＬＴ（１），ＬＴ（２），ＬＴ（３），…，ＬＴ（ｍ）として順次に出力していく。
第１ラッチ回路１７３は、２値信号である画像データｄａｔａを、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）の立ち下がりに基づいて順次にラッチしていく。
【０１２４】
第２ラッチ回路１７５は、第１ラッチ回路１７３でラッチされた画像データｄａｔａのそれぞれを、イネーブル信号ＥＮＢＸにもとづいて一斉にラッチする。第２ラッチ回路１７５でラッチされた各画像データｄａｔａは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）として、レベルシフタ１７７を介して、信号線Ｓ（１）〜信号線Ｓ（ｍ）に一斉に供給される。
【０１２５】
レベルシフタ１７７は、極性反転信号ＦＲのレベルに応じて、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）に対応する電位を選択する。
ここで、液晶装置８５では、液晶７５をオン状態にするための電圧として、第１駆動電圧と第２駆動電圧とが設定されている。第１駆動電圧及び第２駆動電圧は、それぞれ、画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
【０１２６】
第１駆動電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも高い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
第２駆動電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも低い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
本実施形態では、対向電極１２５は、第１駆動電圧と第２駆動電圧とで同じ電位に設定される。また、本実施形態では、第１駆動電圧の絶対値と第２駆動電圧の絶対値とが、互いに同じ値に設定される。
【０１２７】
レベルシフタ１７７は、極性反転信号ＦＲがＨｉレベルのときに、第１駆動電圧に対応する電位を、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位として選択する。レベルシフタ１７７は、極性反転信号ＦＲがＬｏレベルのときに、第２駆動電圧に対応する電位を、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位として選択する。
【０１２８】
極性反転信号ＦＲには、図１６に示すように、１フレーム期間内にＨｉレベルの期間とＬｏレベルの期間とが設定されている。
本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、１フレーム期間の開始に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。Ｈｉレベルに立ち上がった極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ１６の終了時点までＨｉレベルの状態が維持される。
【０１２９】
また、本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ１６の終了に基づいてＨｉレベルからＬｏレベルに立ち下がる。Ｌｏレベルに立ち下がった極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ３２の終了時点までＬｏレベルの状態が維持される。
つまり、本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、１フレーム期間の前半においてＨｉレベルに維持され、１フレーム期間の後半においてＬｏレベルに維持される。
【０１３０】
ラッチ信号ＬＴ（ｊ）は、図１７に示すように、クロック信号ＣＬＸの半周期のパルス幅を有している。
ラッチ信号ＬＴ（１）は、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がってからクロック信号ＣＬＸの３番目の変化点に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
Ｈｉレベルに立ち上がったラッチ信号ＬＴ（１）は、図１５に示すシフトレジスタ１７１によって、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにラッチ信号ＬＴ（２），ＬＴ（３），…，ＬＴ（ｍ）の順にシフトしながら出力されていく。
【０１３１】
このとき、図１５に示す第１ラッチ回路１７３は、ラッチ信号ＬＴ（１）の立ち下がりに基づいて、信号線Ｓ（１）に対応する画像データｄａｔａ（１）をラッチする。同様に、第１ラッチ回路１７３は、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）の立ち下がりに基づいて、信号線Ｓ（ｊ）に対応する画像データｄａｔａ（ｊ）をラッチする。
【０１３２】
第１ラッチ回路１７３から画像データｄａｔａ（ｊ）の出力を受ける第２ラッチ回路１７５は、次のイネーブル信号ＥＮＢＸの立ち下がりに基づいて、画像データｄａｔａ（ｊ）をレベルシフタ１７７に一斉に出力する。レベルシフタ１７７に出力された画像データｄａｔａ（ｊ）は、極性反転信号ＦＲのレベルに応じた電位のデータ信号ｄ（ｊ）として、信号線Ｓ（ｊ）に一斉に供給される。
【０１３３】
上述した画像データｄａｔａ（ｊ）のラッチ動作と、データ信号ｄ（ｊ）の出力動作とは、１つのサブフィールド期間ＳＦにおいて、走査線Ｔ（ｉ）の本数分だけ（本実施形態ではｎ回）繰り返される。これにより、１つのサブフィールド期間ＳＦにおける画像の形成が完了する。これらの動作をサブフィールド期間ＳＦ１からサブフィールド期間ＳＦ３２まで繰り返すことによって、１フレーム分の画像の形成が行われ得る。
本実施形態では、１フレーム期間において、サブフィールド期間ＳＦごとに液晶７５の駆動を選択的に制御することによって、１フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。
【０１３４】
本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５をオン状態にする期間、すなわち画素電極１０５と対向電極１２５との間に駆動電圧を印加する期間が、図１８に示すように、第１駆動電圧による第１駆動期間１８１ａと、第２駆動電圧による第２駆動期間１８１ｂとに配分される。図１８では、１フレーム期間が３２個のサブフィールド期間ＳＦに区画されている。液晶７５をオン状態にしない、すなわち画素電極１０５と対向電極１２５との間に駆動電圧を印加しないサブフィールド期間ＳＦには、ハッチングが施されている。液晶７５をオン状態にするサブフィールド期間ＳＦには、ハッチングが施されていない。
なお、図１８では、１フレーム期間内の６個のサブフィールド期間ＳＦにおいて液晶７５をオン状態にする例が示されている。
【０１３５】
図１８に示す例では、液晶７５をオン状態にする６個のサブフィールド期間ＳＦのうちの３個のサブフィールド期間ＳＦが、第１駆動期間１８１ａに割り当てられている。６個のサブフィールド期間ＳＦのうちの残りの３個のサブフィールド期間ＳＦが、第２駆動期間１８１ｂに割り当てられている。
つまり、本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５をオン状態にする期間が、第１駆動期間１８１ａと第２駆動期間１８１ｂとに等分される。本実施形態では、図５に示すコントローラ１６１が、液晶７５を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦの数と、液晶７５を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦの数と、を同等に配分する。これにより、１フレーム期間内において、液晶７５を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶７５を第２駆動電圧でオン状態にする時間と、を互いに同じ時間にすることができる。
【０１３６】
ところで、第１駆動電圧は、前述したように、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも高い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。また、第２駆動電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも低い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
このため、画素電極１０５と対向電極１２５との間に発生する電界には、第１駆動電圧によって発生する第１電界と、第２駆動電圧によって発生する第２電界とがある。そして、第１電界と第２電界とは、電界の向きが互いに反対の向きになる。これにより、液晶７５の誘電分極現象を、打ち消しやすくすることができる。
【０１３７】
上述したように、本実施形態では、１フレーム期間が、第１駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦと、第２駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦとに等分されている。そして、１フレーム期間内において、液晶７５をオン状態にする期間が第１駆動期間１８１ａと第２駆動期間１８１ｂとに等分される。
【０１３８】
つまり、表示の階調レベルによらず、１フレーム期間内において、第１駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦの全期間に対する第１駆動期間１８１ａの割合と、第２駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦの全期間に対する第２駆動期間１８１ｂの割合とは、互いに等しい。
【０１３９】
このため、１フレーム期間内において、第１電界の強さに第１駆動期間１８１ａを乗じた値と、第２電界の強さに第２駆動期間１８１ｂを乗じた値と、を表示の階調レベルによらず同等に保つことができる。
これにより、液晶７５の誘電分極現象を、１フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。つまり、本実施形態では、液晶７５の焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、液晶７５の焼き付きを効果的に軽減することができる。
なお、本実施形態において、画素電極１０５が第１電極に対応し、対向電極１２５が第２電極に対応している。
【０１４０】
本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦと、液晶７５を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦとを、同じ分布となる例を示したが、これに限定するものではない。１フレーム期間内において、液晶７５を第１駆動電圧でオン状態にする時間と、液晶７５を第２駆動電圧でオン状態にする時間とが、互いに同じ時間となれば良く、オン状態となるサブフィールド期間の分布は、第１駆動電圧と第２駆動電圧とで異なっていても良い。例えば、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２のうち、サブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ４を第１駆動電圧でオン状態とし、サブフィールド期間ＳＦ２０〜ＳＦ２１ならびにサブフィールド期間ＳＦ３０〜ＳＦ３１を第２駆動電圧でオン状態としても良い。
【０１４１】
これにより、液晶７５の誘電分極現象を、１フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。つまり、本実施形態では、液晶７５の焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、液晶７５の焼き付きを効果的に軽減することができる。また、限られたサブフィールド期間ＳＦを用いて、より多くの階調レベルを表現することが可能となる。
【０１４２】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態におけるプロジェクタ１０は、図１９に示すように、光学系３が画像形成部２０を有している。第２実施形態におけるプロジェクタ１０は、第１実施形態におけるプロジェクタ１の画像形成部１３が画像形成部２０に替えられていることを除いては、プロジェクタ１と同様の構成を有している。
従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１４３】
画像形成部２０は、主要構成を示す図である図２０に示すように、分光部２０１と、画像形成装置２０３と、画像形成装置２０４と、画像形成装置２０５と、クロスダイクロイックプリズム３５と、を有している。
【０１４４】
分光部２０１は、クロスダイクロイックミラー２０７と、反射ミラー２０８と、反射ミラー２０９と、ダイクロイックミラー２１１と、を有している。光４１は、クロスダイクロイックミラー２０７に照射される。
クロスダイクロイックミラー２０７は、分離ミラー部２０７ａと、分離ミラー部２０７ｂと、を有している。分離ミラー部２０７ａと、分離ミラー部２０７ｂとは、互いに交差している。分離ミラー部２０７ａは、光４１の入射方向に対して傾斜している。分離ミラー部２０７ｂも、光４１の入射方向に対して傾斜している。
【０１４５】
このため、光４１は、分離ミラー部２０７ａ及び分離ミラー部２０７ｂの双方に対して斜めに照射される。
分離ミラー部２０７ａは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを反射させることができる。他方で、分離ミラー部２０７ｂは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを反射させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを透過させることができる。
【０１４６】
従って、クロスダイクロイックミラー２０７によって、光４１からＢの光４１Ｂが分離され得る。他方で、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇが混合した光２１３が、光４１から分離され得る。
光４１Ｂの光軸２１４ａと、光２１３の光軸２１４ｂとは、それぞれ、光４１の入射方向とは交差する。また、光４１Ｂが進行する向きと、光２１３が進行する向きとは、互いに異なる向きになる。本実施形態では、光４１Ｂが進行する向きと、光２１３が進行する向きとは、互いに反対の向きになっている。
【０１４７】
反射ミラー２０８は、光４１Ｂの光軸２１４ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー２０８は、光軸２１４ａの方向に対して傾斜している。
また、反射ミラー２０９は、光２１３の光軸２１４ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー２０９は、光軸２１４ｂの方向に対して傾斜している。光２１３は、反射ミラー２０９によって光軸２１４ｂが光軸２１４ｃに変えられてから、ダイクロイックミラー２１１に導かれる。
【０１４８】
ダイクロイックミラー２１１は、光２１３の光軸２１４ｃと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー２１１は、光軸２１４ｃの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー２１１は、光２１３のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー２１１によって、光２１３からＲの光４１Ｒと、Ｇの光４１Ｇとが分離され得る。
【０１４９】
光４１Ｒは、光軸２１４ｄに沿って画像形成装置２０３に導かれる。光４１Ｇは、光軸２１４ｅに沿って画像形成装置２０４に導かれる。また、光４１Ｂは、反射ミラー２０８によって光軸２１４ａが光軸２１４ｆに変えられてから、画像形成装置２０５に導かれる。
【０１５０】
画像形成装置２０３、画像形成装置２０４及び画像形成装置２０５は、それぞれ、画像形成パネル２１７を有している。
また、画像形成装置２０３は、偏光ビームスプリッタ２１９Ｒを有している。画像形成装置２０４は、偏光ビームスプリッタ２１９Ｇを有している。画像形成装置２０５は、偏光ビームスプリッタ２１９Ｂを有している。
【０１５１】
画像形成パネル２１７は、光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂごとに設けられている。つまり、プロジェクタ１０は、光４１Ｒに対応する画像形成パネル２１７と、光４１Ｇに対応する画像形成パネル２１７と、光４１Ｂに対応する画像形成パネル２１７と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル２１７を光４１Ｒ，４１Ｇ及び４１Ｂごとに識別する場合には、画像形成パネル２１７は、画像形成パネル２１７Ｒ、画像形成パネル２１７Ｇ及び画像形成パネル２１７Ｂと表記される。
画像形成パネル２１７Ｒ、画像形成パネル２１７Ｇ及び画像形成パネル２１７Ｂは、相互に同じ仕様の画像形成パネル２１７が採用され得る。
【０１５２】
画像形成パネル２１７Ｒは、クロスダイクロイックプリズム３５の面３５ａに対向している。画像形成パネル２１７Ｇは、面３５ｂに対向している。画像形成パネル２１７Ｂは、面３５ｃに対向している。
偏光ビームスプリッタ２１９Ｒは、画像形成パネル２１７Ｒと、クロスダイクロイックプリズム３５との間に介在している。偏光ビームスプリッタ２１９Ｇは、画像形成パネル２１７Ｇと、クロスダイクロイックプリズム３５との間に介在している。偏光ビームスプリッタ２１９Ｂは、画像形成パネル２１７Ｂと、クロスダイクロイックプリズム３５との間に介在している。
【０１５３】
偏光ビームスプリッタ２１９Ｒは、光４１Ｒの光軸２１４ｄと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ２１９Ｒは、光軸２１４ｄの方向に対して傾斜しており、光４１Ｒを受ける面が画像形成パネル２１７側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ２１９Ｇは、光４１Ｇの光軸２１４ｅと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ２１９Ｇは、光軸２１４ｅの方向に対して傾斜しており、光４１Ｇを受ける面が画像形成パネル２１７側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ２１９Ｂは、光４１Ｂの光軸２１４ｆと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ２１９Ｂは、光軸２１４ｆの方向に対して傾斜しており、光４１Ｂを受ける面が画像形成パネル２１７側に向けられている。
【０１５４】
偏光ビームスプリッタ２１９Ｒは、光４１ＲのうちのＳ偏光４１Ｒｓを反射させ、光４１ＲのうちのＰ偏光４１Ｒｐを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ２１９Ｇは、光４１ＧのうちのＳ偏光４１Ｇｓを反射させ、光４１ＧのうちのＰ偏光４１Ｇｐを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ２１９Ｂは、光４１ＢのうちのＳ偏光４１Ｂｓを反射させ、光４１ＢのうちのＰ偏光４１Ｂｐを透過させることができる。
【０１５５】
ここで、各画像形成パネル２１７は、反射型の液晶パネルを有している。
各液晶パネルは、複数の画素６５に入射された光の偏光状態を、画素６５ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
本実施形態では、各画像形成パネル２１７は、図２０に示すように、入射されたＳ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ，４１Ｂｓを、画素６５ごとに選択的にＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐとして反射させることができる。
【０１５６】
画像形成パネル２１７Ｒから射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光ビームスプリッタ２１９Ｒを透過することができる。他方で、画像形成パネル２１７Ｒで偏光状態が維持されたまま、画像形成パネル２１７Ｒから射出されたＳ偏光４１Ｒｓは、偏光ビームスプリッタ２１９Ｒで反射する。このため、画像形成装置２０３では、画像形成パネル２１７Ｒから射出されたＰ偏光４１ＲｐでＲの画像を形成することができる。
同様に、画像形成装置２０４では、画像形成パネル２１７Ｇから射出されたＰ偏光４１ＧｐでＧの画像を形成することができる。画像形成装置２０５では、画像形成パネル２１７Ｂから射出されたＰ偏光４１ＢｐでＢの画像を形成することができる。
【０１５７】
画像形成パネル２１７Ｒから射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光ビームスプリッタ２１９Ｒを透過してから、クロスダイクロイックプリズム３５に導かれる。
画像形成パネル２１７Ｇから射出されたＰ偏光４１Ｇｐは、偏光ビームスプリッタ２１９Ｇを透過してから、クロスダイクロイックプリズム３５に導かれる。
画像形成パネル２１７Ｂから射出されたＰ偏光４１Ｂｐは、偏光ビームスプリッタ２１９Ｂを透過してから、クロスダイクロイックプリズム３５に導かれる。
【０１５８】
Ｐ偏光４１Ｒｐは、クロスダイクロイックプリズム３５の面３５ａからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。Ｐ偏光４１Ｇｐは、面３５ｂからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。Ｐ偏光４１Ｂｐは、面３５ｃからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
このため、面３５ａには、Ｒの画像が投影され、面３５ｂには、Ｇの画像が投影され、面３５ｃには、Ｂの画像が投影され得る。
【０１５９】
クロスダイクロイックプリズム３５に入射したＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、クロスダイクロイックプリズム３５によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム３５によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム３５によって合成されたＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、画像光５５としてクロスダイクロイックプリズム３５の面３５ｄから射出される。
【０１６０】
ここで、画像形成パネル２１７の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル２１７は、図２１に示すように、液晶パネル２２０と、位相差板２２１と、を有している。
なお、プロジェクタ１０では、画像形成パネル２１７は、表示面６９が、図２０に示すクロスダイクロイックプリズム３５側に向けられている。
【０１６１】
液晶パネル２２０は、図２１中のＤ−Ｄ線における断面図である図２２に示すように、素子基板２２３を有している。なお、液晶パネル２２０は、第１実施形態における液晶パネル６１の素子基板７１（図４）が素子基板２２３に替えられていることを除いては、液晶パネル６１と同様の構成を有している。
位相差板２２１は、対向基板７３よりも表示面６９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル２１７では、位相差板２２１は、入射された光に対して１／２波長の位相差を付与する。
【０１６２】
素子基板２２３は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図２３に示すように、画素電極２２５を有している。
素子基板２２３は、第１実施形態における素子基板７１の画素電極１０５（図７）が画素電極２２５に替えられていることを除いては、素子基板７１と同様の構成を有している。
本実施形態では、画素電極２２５として、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極２２５の材料として、アルミニウムが採用されている。
なお、液晶パネル２２０は、第１実施形態と同様に、図２４に示すように、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、をも有している。
【０１６３】
本実施形態では、液晶７５は、図２３に示すように、Ｌ２なる厚みに設定されている。本実施形態では、入射した光に１／４波長の位相差を付与する厚みＬ２が液晶７５に設定されている。
プロジェクタ１０では、図２０に示す画像形成部２０に光４１を照射した状態で、各液晶パネル２２０における液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子１０３のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。
【０１６４】
図２５（ａ）は、液晶７５がオフ状態のときの画像形成装置２０３における偏光状態を示す図であり、図２５（ｂ）は、液晶７５がオン状態のときの画像形成装置２０３における偏光状態を示す図である。
【０１６５】
画像形成装置２０３では、偏光ビームスプリッタ２１９Ｒの透過軸２３１は、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示すように、Ｓ偏光４１Ｒｓの偏光軸に対して直交している。
なお、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）において、Ｘ''方向及びＹ''方向は、Ｘ''方向がＰ偏光４１Ｒｐの偏光軸の方向を示し、Ｙ''方向がＳ偏光４１Ｒｓの偏光軸の方向を示している。Ｘ''方向及びＹ''方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【０１６６】
位相差板２２１の遅相軸２２１ａは、平面視でＸ''方向に対して、反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差板２２１に入射されたＳ偏光４１Ｒｓは、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光２３３として液晶７５に入射される。なお、直線偏光２３３の偏光軸は、Ｘ''方向に対して、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有している。
【０１６７】
液晶７５に入射された直線偏光２３３は、液晶７５がオフ状態のときに、図２５（ａ）に示すように、偏光状態が維持されたまま（位相差が付与されずに）直線偏光２３３として画素電極２２５に向けて射出される。
画素電極２２５に向けて射出された直線偏光２３３は、偏光状態が維持されたまま画素電極２２５で反射され、液晶７５に入射される。
【０１６８】
画素電極２２５から液晶７５に入射された直線偏光２３３は、偏光状態が維持されたまま位相差板２２１に入射される。位相差板２２１に入射された直線偏光２３３は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ''方向に沿った偏光軸を有するＳ偏光４１Ｒｓとして偏光ビームスプリッタ２１９Ｒに向けて射出される。偏光ビームスプリッタ２１９Ｒに向けて射出されたＳ偏光４１Ｒｓは、偏光ビームスプリッタ２１９Ｒで反射するため、偏光ビームスプリッタ２１９Ｒを透過できない。
【０１６９】
他方で、液晶７５がオン状態のときに、液晶７５に入射された直線偏光２３３は、図２５（ｂ）に示すように、１／４波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光２３５として画素電極２２５に向けて射出される。
円偏光２３５は、画素電極２２５で反射され、平面視で時計方向に回転する（円偏光２３５とは逆回転の）円偏光２３７として液晶７５に入射される。
【０１７０】
液晶７５に入射された円偏光２３７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ''方向に対して反時計方向に１３５度の傾きを有する偏光軸を有する直線偏光２３９として位相差板２２１に入射される。
位相差板２２１に入射された直線偏光２３９は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ''方向に沿った偏光軸を有するＰ偏光４１Ｒｐとして偏光ビームスプリッタ２１９Ｒに向けて射出される。
偏光ビームスプリッタ２１９Ｒに向けて射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光軸が偏光ビームスプリッタ２１９Ｒの透過軸２３１の方向に沿っているため、偏光ビームスプリッタ２１９Ｒを透過する。
【０１７１】
このように、画像形成装置２０３では、液晶７５のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、Ｒの画像の形成が制御される。
なお、画像形成装置２０４及び画像形成装置２０５のそれぞれにおいても、偏光状態は画像形成装置２０３と同様である。このため、画像形成装置２０４及び画像形成装置２０５のそれぞれにおける画像の形成方法については、詳細な説明を省略する。
画像形成装置２０４及び画像形成装置２０５のそれぞれにおいても、液晶７５のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、Ｇの画像の形成及びＢの画像の形成のそれぞれが制御され得る。
【０１７２】
第２実施形態における液晶装置８５の駆動方法は、第１実施形態における駆動方法と同様である。このため、第２実施形態における駆動方法の詳細については、説明を省略する。
上述した構成により、第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実施形態では、画素電極２２５が第１電極に対応し、対向電極１２５が第２電極に対応している。
【０１７３】
なお、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに同じ値に設定したが、駆動電圧の設定はこれに限定されない。駆動電圧としては、第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに異なる値に設定することも採用され得る。
第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに同じ値に設定しても、液晶７５中に電荷の偏りが発生することがある。このようなときに、第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに異なる値に設定することが有効である。
第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに異なる値に設定する方法としては、液晶７５中の電荷の偏りに応じて設定する方法が採用され得る。
【０１７４】
液晶７５中の電荷の偏りは、液晶パネル６１や液晶パネル２２０の設計の際に見積もられる計算値や、実験的に確認される実測値などの種々の値が採用され得る。そして、第１駆動電圧と第２駆動電圧との設定方法としては、液晶７５中の電荷の偏りに応じて、すなわちこの偏りを低く抑えるように、それぞれの値を設定する方法が採用され得る。この場合も、表示の階調レベルによらず、１フレーム期間内において、第１駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦの全期間に対する第１駆動期間１８１ａの割合と、第２駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦの全期間に対する第２駆動期間１８１ｂの割合とが、互いに等しく設定される。
これにより、液晶７５中に電荷の偏りが発生する場合であっても、１フレーム期間内において、液晶７５の誘電分極現象を、１フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれにおいて、液晶７５の焼き付きを一層効果的に軽減することができる。
【０１７５】
ところで、液晶７５中に電荷の偏りが発生する要因としては、例えば、フィールドスルー（プッシュダウンとも呼ばれる）現象などが挙げられる。この現象は、ＴＦＴ素子１０３がオン状態からオフ状態に変化したときに、画素電極１０５や画素電極２２５の電位が低下する現象である。
また、液晶７５中に電荷の偏りが発生する他の要因としては、例えば、画素電極１０５と対向電極１２５との間の特性差や、画素電極２２５と対向電極１２５との間の特性差が考えられる。これらの電極の特性としては、例えば、仕事関数が挙げられる。
画素電極１０５と対向電極１２５との間や、画素電極２２５と対向電極１２５との間に仕事関数の差があると、液晶７５中に電荷の偏りが発生することがある。
【０１７６】
第２実施形態では、画素電極２２５の材料と、対向電極１２５の材料とが、互いに異なる材料であるので、これらの電極間に特性差が発生しやすいことが考えられる。一般的に、ＩＴＯは、アルミニウムよりも仕事関数が大きい。このため、第２実施形態では、第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに同じ値に設定した場合、第２駆動電圧を印加した場合の方が第１駆動電圧を印加した場合よりも電荷が注入されやすいと考えられる。
このため、第２実施形態では、液晶７５の焼き付きを効果的に軽減する観点から、第１駆動電圧の値を第２駆動電圧の値よりも大きい値に設定することが好ましいと考えられる。これにより、画素電極２２５及び対向電極１２５のそれぞれからの電荷授受を同等にしやすくすることができ、液晶７５中の電荷の偏りを解消しやすくすることができる。
【０１７７】
なお、第１電界の強さと第２電界の強さとの間に差が発生する場合において、液晶７５の焼き付きを軽減する方法としては、第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに異なる値に設定する方法（第１の方法）に限定されない。液晶７５の焼き付きを軽減する方法としては、第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに等しい値として、第１駆動期間１８１ａと第２駆動期間１８１ｂとを互いに異なる長さに設定する方法（第２の方法）も採用され得る。
【０１７８】
さらに、第１駆動電圧と第２駆動電圧とを互いに異なる値に設定し、且つ第１駆動期間１８１ａと第２駆動期間１８１ｂとを互いに異なる長さに設定する方法（第３の方法）も採用され得る。
第２の方法や第３の方法では、サブフィールド期間ＳＦの各長さが、互いに等しい長さに設定された場合には、第１駆動期間１８１ａのサブフィールド期間ＳＦの個数と、第２駆動期間１８１ｂのサブフィールド期間ＳＦの個数とを、互いに異なる個数に設定すればよい。
また、第２の方法や第３の方法は、極性反転信号ＦＲがＨｉレベルである期間とＬｏレベルである期間とで、サブフィールド期間ＳＦの長さを異なる長さに設定することによっても実現され得る。第１実施形態及び第２実施形態では、サブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ１６の各長さと、サブフィールド期間ＳＦ１７〜ＳＦ３２の各長さとを、互いに異なる長さに設定すればよい。
【０１７９】
サブフィールド期間ＳＦの各長さが、互いに等しい場合であっても、異なる場合であっても、表示の階調レベルによらず、１フレーム期間内において、第１駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦの全期間に対する第１駆動期間１８１ａの割合と、第２駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦの全期間に対する第２駆動期間１８１ｂの割合とが、互いに等しく設定される。このため、１フレーム期間内において、第１電界の強さに第１駆動期間１８１ａを乗じた値と、第２電界の強さに第２駆動期間１８１ｂを乗じた値と、を表示の階調レベルによらず同等に保つことができる。
これにより、液晶７５中に電荷の偏りが発生する場合であっても、１フレーム期間内において、液晶７５の誘電分極現象を、１フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれにおいて、液晶７５の焼き付きを一層効果的に軽減することができる。
【０１８０】
ところで、液晶７５は誘電体である。また、液晶パネル６１及び液晶パネル２２０は、それぞれ、容量素子１０７を有している。このため、液晶７５を挟んで互いに対向する電極間には、電界が保持される。従って、第１電界の強さと第２電界の強さとの間に差が発生する場合に液晶７５の焼き付きを軽減する方法としては、液晶７５を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦと、液晶７５を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦと、を互いに異なる長さにする方法（第４の方法）も採用され得る。
【０１８１】
ここで、第４の方法が適用され得るプロジェクタ１及びプロジェクタ１０のそれぞれを第３実施形態として以下に説明する。
第３実施形態におけるプロジェクタ１及びプロジェクタ１０は、それぞれ、図２６に示す液晶装置２５０を有している。第３実施形態におけるプロジェクタ１及びプロジェクタ１０は、それぞれ、液晶装置８５が液晶装置２５０に替えられていることを除いては、第１実施形態のプロジェクタ１及び第２実施形態のプロジェクタ１０と同様の構成を有している。
以下の第３実施形態では、第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれと同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【０１８２】
液晶装置２５０は、液晶パネル駆動回路２５１を有している。液晶装置２５０は、液晶装置８５の液晶パネル駆動回路２５（図５及び図２４）が、液晶パネル駆動回路２５１に替えられていることを除いては、液晶装置８５と同様の構成を有している。
液晶パネル駆動回路２５１は、コントローラ２５３を有している。液晶パネル駆動回路２５１は、液晶パネル駆動回路２５のコントローラ１６１（図５及び図２４）が、コントローラ２５３に替えられていることを除いては、液晶パネル駆動回路２５と同様の構成を有している。
【０１８３】
コントローラ２５３は、スタートパルスＤＹと、クロック信号ＣＬＹと、イネーブル信号ＥＮＢ１と、イネーブル信号ＥＮＢ２と、を走査線駆動回路８１に出力する。
本実施形態では、走査線駆動回路８１は、図２７に示すように、シフトレジスタ２５５と、ｎ個のＡＮＤ回路ＡＬ（１）〜ＡＬ（ｎ）と、を有している。
なお、本実施形態では、ｎは、４以上の偶数が適用される。
シフトレジスタ２５５は、ｎ段の単位回路Ｕｃ（１）〜Ｕｃ（ｎ）を有している。各段の単位回路Ｕｃ（ｉ）は、各走査線Ｔ（ｉ）に対応している。各ＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）も、各走査線Ｔ（ｉ）に対応している。従って、各段の単位回路Ｕｃ（ｉ）と各ＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）とは、互いに対応している。
【０１８４】
各段の単位回路Ｕｃ（ｉ）からのシフト信号Ｓｒ（ｉ）は、対応する各ＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）に入力される。
イネーブル信号ＥＮＢ１は、ｎ個のＡＮＤ回路ＡＬ（１）〜ＡＬ（ｎ）のうちで奇数番目のＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）に入力される。奇数番目のＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）は、シフト信号Ｓｒ（ｉ）とイネーブル信号ＥＮＢ１との論理積信号を、選択信号ｇ（ｉ）として各走査線Ｔ（ｉ）に出力する。
イネーブル信号ＥＮＢ２は、ｎ個のＡＮＤ回路ＡＬ（１）〜ＡＬ（ｎ）のうちで偶数番目のＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）に入力される。偶数番目のＡＮＤ回路ＡＬ（ｉ）は、シフト信号Ｓｒ（ｉ）とイネーブル信号ＥＮＢ２との論理積信号を、選択信号ｇ（ｉ）として各走査線Ｔ（ｉ）に出力する。
【０１８５】
ここで、本実施形態では、１フレーム期間内におけるサブフィールド期間ＳＦの個数は、偶数個に設定される。そして、奇数番目のサブフィールド期間ＳＦと、偶数番目のサブフィールド期間ＳＦとは、図２８に示すように、互いに異なる長さに設定されている。サブフィールド期間ＳＦｏとサブフィールド期間ＳＦｅとは、いずれが長くても短くてもよい。
なお、以下において、複数のサブフィールド期間ＳＦのうちで奇数番目と偶数番目とを識別する場合に、奇数番目のサブフィールド期間ＳＦがサブフィールド期間ＳＦｏと表記され、偶数番目のサブフィールド期間ＳＦがサブフィールド期間ＳＦｅと表記される。
また、スタートパルスＤＹにおいて、サブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するパルスがスタートパルスＤＹｏと表記され、サブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するパルスがスタートパルスＤＹｅと表記される。
【０１８６】
本実施形態では、スタートパルスＤＹｏ及びスタートパルスＤＹｅは、図２９に示すように、それぞれ、パルス幅がクロック信号ＣＬＹの１周期の長さ（Ｈ）に設定されている。クロック信号ＣＬＹは、デューティ比５０％に設定されている。スタートパルスＤＹｏ及びスタートパルスＤＹｅは、それぞれ、クロック信号ＣＬＹの立ち上がりに基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。本実施形態では、スタートパルスＤＹｏ及びスタートパルスＤＹｅは、それぞれ、クロック信号ＣＬＹの立ち上がりに同期して立ち上がる。
また、極性反転信号ＦＲは、クロック信号ＣＬＹの立ち上がりに基づいてＬｏからＨｉレベルに立ち上がり、クロック信号ＣＬＹの立ち下がりに基づいてＨｉからＬｏレベルに立ち上がる。
【０１８７】
サブフィールド期間ＳＦｏは、ｋ×Ｈの長さに設定されている。ここで、ｋは、３以上且つｎ−１以下の奇数である。つまり、サブフィールド期間ＳＦｏでは、クロック信号ＣＬＹのＨｉレベルの期間がｋ回だけ出現する。
サブフィールド期間ＳＦｅは、（ｎ−ｋ）×Ｈの長さに設定されている。サブフィールド期間ＳＦｅでは、クロック信号ＣＬＹのＨｉレベルの期間が（ｎ−ｋ）回だけ出現する。
このため、サブフィールド期間ＳＦｏとサブフィールド期間ＳＦｅとを加算した長さは、ｎ×Ｈの長さになる。つまり、サブフィールド期間ＳＦｏとサブフィールド期間ＳＦｅとを加算した期間では、クロック信号ＣＬＹのＨｉレベルの期間がｎ回だけ出現する。
【０１８８】
イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２は、それぞれ、２Ｈの周期（クロック信号ＣＬＹの２倍の周期）を有している。イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２は、それぞれ、Ｈ／２よりも狭い幅のパルスを有している。
イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２には、それぞれ、Ｈ／２の間隔で連続して発生する２つのパルスが、２Ｈの間隔ごとに出現する。Ｈ／２の間隔で連続して発生する２つのパルスは、クロック信号ＣＬＹがＬｏからＨｉレベルに立ち上がるタイミングを挟んでいる。
イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２は、電気的に１８０度の位相差を有している。
【０１８９】
液晶装置２５０が起動してから最初のスタートパルスＤＹが出力されると、このスタートパルスＤＹは、シフト信号Ｓｒ（ｉ）としてシフト信号Ｓｒ（１）からシフト信号Ｓｒ（ｎ）まで、クロック信号ＣＬＹの周期（Ｈ）ごとに順次に出力される。シフト信号Ｓｒ（ｉ）は、スタートパルスＤＹが出力されるたびにシフト信号Ｓｒ（１）からシフト信号Ｓｒ（ｎ）まで順次に出力される。このため、シフト信号Ｓｒ（ｉ）は、ｎ段の単位回路Ｕｃ（１）〜Ｕｃ（ｎ）から循環的に出力される。
【０１９０】
本実施形態では、サブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するスタートパルスＤＹｏがシフト信号Ｓｒ（ｉ）として最終段の単位回路Ｕｃ（ｎ）から出力される前に、サブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するスタートパルスＤＹｅが出力される。本実施形態では、サブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するスタートパルスＤＹｏがｋ段目の単位回路Ｕｃ（ｋ）からシフト信号Ｓｒ（ｋ）として出力されるときに、サブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するスタートパルスＤＹｅが出力される。つまり、シフト信号Ｓｒ（ｋ）の出力とサブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するスタートパルスＤＹｅの出力とが、時間的に重なっている。
【０１９１】
また、サブフィールド期間ＳＦｅの開始を規定するスタートパルスＤＹｅがｎ−ｋ段目の単位回路Ｕｃ（ｎ−ｋ）からシフト信号Ｓｒ（ｎ−ｋ）として出力されるときに、サブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するスタートパルスＤＹｏが出力される。つまり、シフト信号Ｓｒ（ｎ−ｋ）の出力とサブフィールド期間ＳＦｏの開始を規定するスタートパルスＤＹｏの出力とが、時間的に重なっている。
【０１９２】
このため、本実施形態では、サブフィールド期間ＳＦｏにおいて、シフト信号Ｓｒ（ｉ）とシフト信号Ｓｒ（ｎ−ｋ＋ｉ）とが時間的に重複して出力される。また、サブフィールド期間ＳＦｅにおいて、シフト信号Ｓｒ（ｉ）とシフト信号Ｓｒ（ｉ＋ｋ）とが時間的に重複して力される。
このとき、奇数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）と偶数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）とが時間的に重複する。奇数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）同士が時間的に重なることが避けられている。同様に、偶数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）同士が時間的に重なることも避けられている。
【０１９３】
ここで、イネーブル信号ＥＮＢ１及びイネーブル信号ＥＮＢ２は、互いに１８０度の位相差を有している。このため、奇数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）と偶数番目のシフト信号Ｓｒ（ｉ）とが時間的に重複していても、ｎ個の選択信号ｇ（ｉ）は、図３０に示すように、時間的に重なることがない。
サブフィールド期間ＳＦｏでは、選択信号ｇ（ｎ−ｋ）の次に選択信号ｇ（ｎ）が出力され、選択信号ｇ（ｎ）の次に選択信号ｇ（ｎ−ｋ＋１）が出力され、選択信号ｇ（ｎ−ｋ＋１）の次に選択信号ｇ（１）が出力される。そして、選択信号ｇ（ｎ−１）の次に選択信号ｇ（ｎ−ｋ−１）が出力されると、サブフィールド期間ＳＦｏが終了する。
【０１９４】
他方で、サブフィールド期間ＳＦｅでは、選択信号ｇ（ｎ）の次に選択信号ｇ（ｋ）が出力され、選択信号ｇ（ｋ）の次に選択信号ｇ（１）が出力され、選択信号ｇ（１）の次に選択信号ｇ（１＋ｋ）が出力される。そして、選択信号ｇ（ｎ−ｋ−１）の次に選択信号ｇ（ｎ−１）が出力されると、サブフィールド期間ＳＦｅが終了する。
つまり、本実施形態では、走査線駆動回路８１は、選択信号ｇ（ｉ）の次に選択信号ｇ（ｉ＋ｋ）を出力してから、選択信号ｇ（ｉ＋１）を出力する。ただし、ｉ＋ｋがｎを超える場合には、ｉ＋ｋは、ｉ＋ｋ−ｎに置換される。
【０１９５】
上記の構成によれば、１つの選択信号ｇ（ｉ）において、パルスの発生間隔を交互に異ならせることができる。本実施形態では、１つの選択信号ｇ（ｉ）に、（ｋ−０．５）×Ｈの間隔で発生するパルスＰ１と、（ｎ−ｋ＋０．５）×Ｈの間隔で発生するパルスＰ２とが交互に出現する。本実施形態では、パルスＰ１が極性反転信号ＦＲのＨｉレベルの期間に対応し、パルスＰ２が極性反転信号ＦＲのＬｏレベルの期間に対応している。
これらの結果、ｎ行の各画素行８８では、画素電極１０５（２２５）と対向電極１２５との間に、（ｋ−０．５）×Ｈの期間において第２電界が保持され、（ｎ−ｋ＋０．５）×Ｈの期間において第１電界が保持され得る。
これにより、各画素６５において、液晶７５を第１駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦと、液晶７５を第２駆動電圧でオン状態にするサブフィールド期間ＳＦと、を互いに異なる長さにすることができる。この結果、第１電界を印加するサブフィールド期間ＳＦｅの個数が第２電界を印加するサブフィールド期間ＳＦｏの個数と同じであっても、第１電界が保持される期間と、第２電界が保持される期間とを互いに異なる長さにすることができる。
【０１９６】
所望の階調レベルを表示するために、第１電界を印加するサブフィールド期間ＳＦｅの個数を第２電界を印加するサブフィールド期間ＳＦｏの個数と等しく設定することで、表示の階調レベルによらず、１フレーム期間内において、第１駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦの全期間に対する第１駆動期間１８１ａの割合と、第２駆動電圧が割り当てられるサブフィールド期間ＳＦの全期間に対する第２駆動期間１８１ｂの割合とを、互いに等しくすることができる。
【０１９７】
第１電界が保持される期間と第２電界が保持される期間との設定方法としては、液晶７５中の電荷の偏りに応じて、それぞれの値を設定する方法が採用され得る。すなわち、第１電界が保持される期間と第２電界が保持される期間とは、液晶７５中の電荷の偏りを低く抑える値であることが好ましい。
これにより、液晶７５中に電荷の偏りが発生する場合であっても、１フレーム期間内において、液晶７５の誘電分極現象を、１フレーム期間内で打ち消しやすくすることができる。この結果、液晶７５中に電荷の偏りが発生する場合であっても、液晶７５の焼き付きを効果的に軽減することができる。
【０１９８】
第１〜第３実施形態では、それぞれ、液晶装置８５や液晶装置２５０をプロジェクタ１やプロジェクタ１０に適用した例を説明したが、液晶装置８５や液晶装置２５０の適用はプロジェクタ１やプロジェクタ１０に限定されない。液晶装置８５や液晶装置２５０は、例えば、ディスプレイなどの表示装置にも適用され得る。
液晶パネル６１及び液晶パネル２２０のうちで液晶パネル６１が採用されている液晶装置８５や液晶装置２５０を表示装置に適用した例を、第４実施形態として説明する。
以下の第４実施形態では、重複した説明を避けるため、第１〜第３実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【０１９９】
表示装置３００は、図３１に示すように、表示パネル３１０と、制御部３２０と、照明装置３３０と、を有している。
表示パネル３１０は、液晶パネル６１と、位相差板６２と、位相差板６３と、偏光板６４ａと、偏光板６４ｂと、を有している。表示パネル３１０は、第１実施形態における画像形成パネル３３（図３）と同様の構成を有している。
制御部３２０は、液晶パネル駆動回路２５又は液晶パネル駆動回路２５１を有している。
照明装置３３０は、導光板３３１と、光源３３３と、を有している。
【０２００】
液晶パネル６１は、図３１中のＥ−Ｅ線における断面図である図３２に示すように、対向基板３０１を有している。第４実施形態における液晶パネル６１は、第１実施形態における液晶パネル６１の対向基板７３（図４）が、対向基板３０１に替えられていることを除いては、第１実施形態における液晶パネル６１と同様の構成を有している。
導光板３３１は、表示パネル３１０の底面７９側に設けられており、偏光板６４ａに対向する光射出面３３２ａを有している。
光源３３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、導光板３３１の側面３３２ｂに対向した状態で設けられている。
【０２０１】
光源３３３からの光は、導光板３３１の側面３３２ｂに入射される。導光板３３１に入射された光は、導光板３３１の中で反射しながら光射出面３３２ａから射出される。光射出面３３２ａから射出された光は、偏光板６４ａを介して液晶パネル６１に入射される。なお、導光板３３１には、必要に応じて、光射出面３３２ａに拡散板が設けられ、底面３３２ｃに反射板が設けられる。
【０２０２】
表示装置３００は、底面７９を介して液晶パネル６１の複数の画素６５に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、表示パネル３１０を透過した光で画像を形成することができる。
なお、表示装置３００の構成としては、偏光板６４ｂよりも表示面６９側や、偏光板６４ｂと位相差板６３との間、位相差板６３と対向基板３０１との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶７５を表示面６９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶７５の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【０２０３】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【０２０４】
表示装置３００に設定されている複数の画素６５は、それぞれ、表示面６９から射出する光の色が、図３３に示すように、Ｒ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素６５は、Ｒの光を射出する画素６５Ｒと、Ｇの光を射出する画素６５Ｇと、Ｂの光を射出する画素６５Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素６５という表記と、画素６５Ｒ、６５Ｇｇ及び６５Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【０２０５】
また、表示装置３００では、１つの画素列８７内の各画素６５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素６５ＲがＹ方向に配列した画素列８７Ｒと、複数の画素６５ＧがＹ方向に配列した画素列８７Ｇと、複数の画素６５ＢがＹ方向に配列した画素列８７Ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列８７Ｒ、画素列８７Ｇ及び画素列８７Ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列８７という表記と、画素列８７Ｒ、画素列８７Ｇ及び画素列８７Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【０２０６】
ここで、対向基板３０１の構成について説明する。
対向基板３０１は、図３３中のＦ−Ｆ線における断面図である図３４に示すように、対向層３０２を有している。対向層３０２は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。
対向層３０２には、カラーフィルタ３０５と、オーバーコート層３０６と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
カラーフィルタ３０５は、各画素６５に対応して設けられている。カラーフィルタ３０５は、第２基板１２１の対向面１２１ｂ側に設けられており、各画素６５の領域を底面７９側から覆っている。
【０２０７】
ここで、カラーフィルタ３０５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ３０５は、画素６５Ｒ、画素６５Ｇ及び画素６５Ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素６５Ｒに対応するカラーフィルタ３０５は、Ｒの光を透過させることができる。画素６５Ｇに対応するカラーフィルタ３０５はＧの光を透過させ、画素６５Ｂに対応するカラーフィルタ３０５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ３０５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ３０５Ｒ、３０５Ｇ及び３０５Ｂという表記が用いられる。
【０２０８】
オーバーコート層３０６は、カラーフィルタ３０５の底面７９側に設けられている。オーバーコート層３０６は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、カラーフィルタ３０５を底面７９側から覆っている。
なお、対向基板３０１の構成としては、カラーフィルタ３０５をＲ、Ｇ及びＢごとに区画する遮光膜を設けた構成も採用され得る。この場合、遮光膜は、対向面１２１ｂに設けられる。この構成により、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができる。遮光膜の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
【０２０９】
上記の構成により、第４実施形態では、第１実施形態及び第３実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
【０２１０】
液晶パネル２２０が採用されている液晶装置８５や液晶装置２５０を表示装置に適用した例を、第５実施形態として説明する。
以下の第５実施形態では、重複した説明を避けるため、第１〜第４実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【０２１１】
表示装置４００は、図３５に示すように、表示パネル４１０と、制御部３２０と、を有している。
表示パネル４１０は、液晶パネル２２０と、位相差板２２１と、偏光板６４ｂと、を有している。
表示装置４００では、表示面６９を介して液晶７５に入射された外光を、画素電極２２５で表示面６９側に反射させて、その反射光を表示面６９側に射出することによって、反射表示が行われ得る。なお、外光とは、表示装置４００の表示面６９から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。
【０２１２】
液晶パネル２２０は、図３５中のＪ−Ｊ線における断面図である図３６に示すように、対向基板３０１を有している。第５実施形態での液晶パネル２２０は、第２実施形態での液晶パネル２２０の対向基板７３（図２２）が対向基板３０１に替えられていることを除いては、第２実施形態における液晶パネル２２０と同様の構成を有している。
【０２１３】
なお、表示装置４００においても、偏光板６４ｂよりも表示面６９側や、偏光板６４ｂと位相差板２２１との間、位相差板２２１と対向基板３０１との間に、光学補償フィルムを設けた構成が採用され得る。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【０２１４】
上記の構成により、第５実施形態では、第２実施形態及び第３実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
【０２１５】
なお、第１〜第５実施形態では、それぞれ、液晶７５の駆動方式としてＶＡ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶７５の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型等の種々の方式も採用され得る。
【０２１６】
上述した表示装置３００や表示装置４００は、例えば、図３７に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置３００又は表示装置４００が適用されているので、表示部５１０における液晶７５の焼き付きを効果的に軽減することができる。
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０２１７】
【図１】第１実施形態におけるプロジェクタの主要構成を示すブロック図。
【図２】第１実施形態におけるプロジェクタの画像形成部の主要構成を示す図。
【図３】第１実施形態におけるプロジェクタの画像形成パネルを示す斜視図。
【図４】図３中のＡ−Ａ線における断面図。
【図５】第１実施形態での液晶パネル駆動回路と液晶パネルとを示すブロック図。
【図６】本実施形態での画像形成パネルにおける複数の画素の一部を示す平面図。
【図７】第１実施形態での液晶パネルの図６中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図８】図７中のＴＦＴ素子の拡大図。
【図９】本実施形態での半導体層、信号線及び走査線の配置を説明する平面図。
【図１０】本実施形態での画素電極の配置を説明する平面図。
【図１１】第１実施形態での画像形成パネルにおける偏光状態を説明する図。
【図１２】第１実施形態でのサブフィールド期間を説明するタイミングチャート。
【図１３】第１実施形態での走査線駆動回路を説明するブロック図。
【図１４】第１実施形態での選択信号を説明するタイミングチャート。
【図１５】本実施形態での信号線駆動回路を説明するブロック図。
【図１６】第１実施形態での極性反転信号を説明するタイミングチャート。
【図１７】第１実施形態でのラッチ信号を説明するタイミングチャート。
【図１８】第１実施形態での第１駆動期間と第２駆動期間とを説明するタイミングチャート。
【図１９】第２実施形態におけるプロジェクタの主要構成を示すブロック図。
【図２０】第２実施形態におけるプロジェクタの画像形成部の主要構成を示す図。
【図２１】第２実施形態におけるプロジェクタの画像形成パネルを示す斜視図。
【図２２】図２１中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図２３】第２実施形態での液晶パネルの図６中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図２４】第２実施形態での液晶パネル駆動回路と液晶パネルとを示すブロック図。
【図２５】第２実施形態での画像形成装置における偏光状態を説明する図。
【図２６】第３実施形態での液晶装置の主要構成を示すブロック図。
【図２７】第３実施形態での走査線駆動回路を説明するブロック図。
【図２８】第３実施形態でのサブフィールド期間を説明するタイミングチャート。
【図２９】第３実施形態でのシフト信号を説明するタイミングチャート。
【図３０】第３実施形態での選択信号を説明するタイミングチャート。
【図３１】第４実施形態における表示装置の主要構成を示す斜視図。
【図３２】図３１中のＥ−Ｅ線における断面図。
【図３３】第４実施形態での表示装置における複数の画素の一部を示す平面図。
【図３４】第４実施形態での液晶パネルの図３３中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図３５】第５実施形態における表示装置の主要構成を示す斜視図。
【図３６】図３５中のＪ−Ｊ線における断面図。
【図３７】第４実施形態及び第５実施形態のそれぞれにおける表示装置が適用された電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【０２１８】
１，１０…プロジェクタ、５…制御回路、１３…画像形成部、２０…画像形成部、２１…制御部、２５…液晶パネル駆動回路、３３…画像形成パネル、６１…液晶パネル、６５…画素、６７…表示領域、６９…表示面、７１…素子基板、７３…対向基板、７５…液晶、７９…底面、８１…走査線駆動回路、８３…信号線駆動回路、８５…液晶装置、９１…第１基板、１０３…ＴＦＴ素子、１０５…画素電極、１０７…容量素子、１２１…第２基板、１２５…対向電極、１６１…コントローラ、１６３…メモリ部、１６５…シフトレジスタ、１７１…シフトレジスタ、１７３…第１ラッチ回路、１７５…第２ラッチ回路、１７７…レベルシフタ、１８１ａ…第１駆動期間、１８１ｂ…第２駆動期間、２０３，２０４，２０５…画像形成装置、２１７…画像形成パネル、２２０…液晶パネル、２２３…素子基板、２２５…画素電極、２５０…液晶装置、２５１…液晶パネル駆動回路、２５３…コントローラ、２５５…シフトレジスタ、３００，４００…表示装置、３０１…対向基板、５００…電子機器、ｄ（１）〜ｄ（ｍ）…データ信号、Ｓｒ（１）〜Ｓｒ（ｎ）…シフト信号、ｇ（１）〜ｇ（ｎ）…選択信号、Ｓ（１）〜Ｓ（ｍ）…信号線、Ｔ（１）〜Ｔ（ｎ）…走査線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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