(57)【要約】      （修正有）【課題】接続信頼性の高いパッドを備えるプリント配線板を提案する。【解決手段】パッド６１が、配線５８よりも厚みが２〜１０μｍの厚い。さらに、パッド６１上に半田バンプ７６が形成され、導体回路５８上に半田バンプに比べ相対的に薄い半田被膜が形成されている。ＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１の半田バンプ７６との接続を取る際に、半田間のブリッジを生じることなく、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続信頼性を高めることができる。【選択図】図４
2010206192.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面とは反対側の第２面を有する絶縁板を準備することと、
前記絶縁板の第１面に金属膜を形成することと、
前記金属膜上に、めっきレジストを形成することと、
前記めっきレジストから露出する金属膜上にめっき膜を形成することと、
前記めっき膜の一部をエッチングレジストで覆うことと、
前記エッチングレジストから露出している前記めっき膜をエッチングにより薄くすることと、
前記エッチングレジストを除去することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記めっきレジストを除去することにより露出する前記金属膜を除去することでパッドと該パッドより厚みが薄い導体回路とからなる配線を形成することと、
前記絶縁板の第１面と前記配線上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記パッドと前記パッドに繋がっている導体回路の一部を露出する開口を前記ソルダーレジスト層に形成することと、
前記開口により露出している前記パッド及び導体回路の一部に半田膜を形成することと、
リフローすることにより、前記パッド上に半田を凝集させることで前記パッド上に半田バンプを形成すること、とからなるプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッドは前記金属膜と前記金属膜上の前記めっき膜とからなる。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッドを構成している前記めっき膜は前記エッチングレジストを除去することで露出するめっき膜である。
【請求項４】
請求項２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記導体回路は前記金属膜と前記金属膜上の前記めっき膜とからなり、前記導体回路を構成しているめっき膜の厚みは前記パッドを構成しているめっき膜の厚みより薄い。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、前記導体回路は前記金属膜とからなる。
【請求項６】
請求項４に記載のプリント配線板の製造方法において、前記導体回路を構成しているめっき膜の厚みは前記薄くすることにより薄い。
【請求項７】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッドの厚みは、前記導体回路の厚みより２〜１０ｕｍ厚い。
【請求項８】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッドの幅と前記導体回路の幅は略同一である。
【請求項９】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッド上の半田バンプの厚みは、前記導体回路上の半田バンプの厚みよりも厚い。
【請求項１０】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッド上の半田バンプの厚みと、前記導体回路上の半田バンプの厚みの比は１.１〜１５である。
【請求項１１】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記開口から露出する前記パッド及び導体回路の表面に、Ni，Pd，Pt，Pb，Ag，Sn，Znから選ばれる少なくとも１つの金属層を形成することを有する。
【請求項１２】
第１面と該第１面とは反対側の第２面を有する絶縁板を準備することと、
前記絶縁板の第１面に金属膜を形成することと、
前記金属膜の一部を第１のめっきレジストで覆うことと、
前記第１のめっきレジストから露出する前記金属膜上に第１のめっき膜を形成することと、
前記第１のめっき膜の一部を第２のめっきレジストで覆うことと、
前記第２のめっきレジストから露出している前記第１のめっき膜上に第２のめっき膜を形成することと、
前記第１及び第２のめっきレジストを除去することと、
前記第１と第２のめっき膜から露出している前記金属膜を除去することでパッドと該パッドより厚みが薄い導体回路とからなる配線を形成することと、
前記絶縁板の第１面と前記配線上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記パッドと前記パッドに繋がっている導体回路の一部を露出する開口を前記ソルダーレジスト層に形成することと、
前記開口により露出している前記パッド及び導体回路の一部に半田膜を形成することと、
リフローすることにより、前記パッド上に半田を凝集させることで前記パッド上に半田バンプを形成すること、とからなるプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッドの厚みは、前記導体回路よりも２〜１０ｕｍ厚い。
【請求項１４】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッドの幅と前記導体回路の幅は略同一である。
【請求項１５】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッド上の半田バンプの厚みは、前記導体回路上の半田バンプの厚みよりも厚い。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプリント配線板の製造方法において、前記パッド上の半田バンプの厚みと前記導体回路上の半田バンプの厚みの比は１.１〜１５である。
【請求項１７】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記開口から露出する前記パッド及び導体回路の表面に、Ni，Pd，Pt，Pb，Ag，Sn，Znから選ばれる少なくとも１つの金属層を形成することを有する。
【請求項１８】
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する絶縁板と、
前記絶縁板の第１面に形成されていて、電子部位品を搭載するためのパッドと該パッドと繋がっている導体回路とからなる配線と、
前記パッドと前記パッドと繋がっている導体回路の一部に形成されている半田バンプと、からなるプリント配線板において、
前記パッドの厚みは前記導体回路の厚みより厚く、前記パッド上の半田バンプの厚みは前記導体回路上の半田バンプの厚みより厚い。
【請求項１９】
請求項１８に記載のプリント配線板において、前記パッドの幅は、前記導体回路の幅は略同一である。
【請求項２０】
請求項１８に記載のプリント配線板において、前記パッドの厚みは、前記導体回路の厚みより２〜１０μｍ厚い。
【請求項２１】
請求項１８に記載のプリント配線板において、前記パッド上の半田バンプと前記導体回路上の半田バンプの厚みとの比は１.１〜１５である。
【請求項２２】
請求項１８に記載のプリント配線板において、さらに、前記絶縁板の第１面と前記配線上に形成されているソルダーレジスト層を有し、前記パッドの厚みは、前記ソルダーレジストより薄く、前記導体回路より厚い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップなどの電子部品を搭載するプリント配線板に関し、特に、フリップチップ接続を行うためのパッドを備えるプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化にともない、プリント配線板に搭載されるＩＣチップの高集積化、狭ピッチ化が求められている。ＩＣチップをプリント配線板に搭載する際に、ＩＣチップに設けられた金スタッドバンプをプリント配線板の接続用パッド上に形成された半田バンプへ接続させる方法（フリップチップ接続）が採用されることがある。
【０００３】
特許文献１には、導体回路の一部としてフリップチップ接続用のパッドを備えたプリント配線板の製造方法として、導体回路上のフリップチップ接続用パッドの形成予定位置をエッチングマスクで覆い、エッチングマスクで覆われていない露出部分をハーフエッチングして厚さを減少させ、ハーフエッチングされた部分よりも厚いパッドを露出させることを開示している。また、引例文献１では、パッドが導体回路に対して相対的に厚く形成することにより、パッド上に半田を集中させる必要がなく、パッドの厚みと導体回路の厚みとの差の分だけパッド上の半田を盛り上げることができることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−００５１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、パッド上に半田を集中させることなく半田バンプを形成しているため、目的とする半田バンプの厚みを形成すると、導体回路上の半田が近接するソルダーレジストの厚みを超えてしまい、半田間でブリッジが生じる恐れがある。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、接続信頼性の高いパッドを備えファインピッチに配線可能なプリント配線板を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本願発明のプリント配線板の製造方法は、
第１面と該第１面とは反対側の第２面を有する絶縁板を準備することと、前記絶縁板の第１面に金属膜を形成することと、前記金属膜上に、めっきレジストを形成することと、前記めっきレジストから露出する金属膜上にめっき膜を形成することと、前記めっき膜の一部をエッチングレジストで覆うことと、前記エッチングレジストから露出している前記めっき膜をエッチングにより薄くすることと、前記エッチングレジストを除去することと、前記めっきレジストを除去することと、前記めっきレジストを除去することにより露出する前記金属膜を除去することでパッドと該パッドより厚みが薄い導体回路とからなる配線を形成することと、前記絶縁板の第１面と前記配線上にソルダーレジスト層を形成することと、前記パッドと前記パッドに繋がっている導体回路の一部を露出する開口を前記ソルダーレジスト層に形成することと、前記開口により露出している前記パッド及び導体回路の一部に半田膜を形成することと、リフローすることにより、前記パッド上に半田を凝集させることで前記パッド上に半田バンプを形成すること、とからなる。
上記目的を達成するため、本願発明のプリント配線板の製造方法は、
第１面と該第１面とは反対側の第２面を有する絶縁板を準備することと、前記絶縁板の第１面に金属膜を形成することと、前記金属膜の一部を第１のめっきレジストで覆うことと、前記第１のめっきレジストから露出する前記金属膜上に第１のめっき膜を形成することと、前記第１のめっき膜の一部を第２のめっきレジストで覆うことと、前記第２のめっきレジストから露出している前記第１のめっき膜上に第２のめっき膜を形成することと、前記第１及び第２のめっきレジストを除去することと、前記第１と第２のめっき膜から露出している前記金属膜を除去することでパッドと該パッドより厚みが薄い導体回路とからなる配線を形成することと、前記絶縁板の第１面と前記配線上にソルダーレジスト層を形成することと、前記パッドと前記パッドに繋がっている導体回路の一部を露出する開口を前記ソルダーレジスト層に形成することと、前記開口により露出している前記パッド及び導体回路の一部に半田膜を形成することと、リフローすることにより、前記パッド上に半田を凝集させることで前記パッド上に半田バンプを形成すること、とからなる。
また、上記目的を達成するため本願発明のプリント配線板は、
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する絶縁板と、前記絶縁板の第１面に形成されていて、電子部位品を搭載するためのパッドと該パッドと繋がっている導体回路とからなる配線と、
前記パッドと前記パッドと繋がっている導体回路の一部に形成されている半田バンプと、からなるプリント配線板において、前記パッドの厚みは前記導体回路の厚みより厚く、前記パッド上の半田バンプの厚みは前記導体回路上の半田バンプの厚みより厚い。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明のプリント配線板及びその製造方法では、パッドが導体回路よりも厚みが厚く、更にパッド上に形成される半田バンプは、導体回路上に形成される半田被膜よりも厚く形成される。このため、少ない半田量でも充分な半田バンプを形成することができる。また、導体回路上の半田がソルダーレジスト層を超えてブリッジすることはない。さらに、ＩＣチップ等の電子部品を実装する際に、ＩＣチップのバンプを半田バンプに対して加圧し易くなるので、電子部品とパッドとの接続信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の多層プリント配線板の断面図及び上面図である。
【図２】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図４】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図５】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図６】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図７】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図８】第１実施形態に係る多層プリント配線板の改変例を示す上面図及び断面図である。
【図９】第２実施形態に係る多層プリント配線板の改変例を示す上面図及び断面図である。
【図１０】本発明のプリント配線板の改変例を示す平面図である。
【図１１】第３実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１２】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１３】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１４】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１５】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１６】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１７】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１８】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１９】第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図２０】第１実施形態に係る多層プリント配線板にＩＣチップを載置した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[実施形態]
[第１実施形態]
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）を参照して、本発明のプリント配線板の構成について説明する。
図１（Ａ）は、多層プリント配線板１０の断面図を示している。多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面に導体回路３４が形成されている。コア基板３０の表面と裏面とはスルーホール３６を介して接続されている。スルーホール３６は、スルーホールランドを構成する蓋めっき層３６ａ、３６ｄと、側壁導体層３６ｂとから成り、側壁導体層３６ｂの内部には樹脂充填剤３７が充填されている。蓋めっき層（スルーホールランド）３６ａ、３６ｄの上にフィルドビア６０及び導体回路５８の形成された樹脂絶縁層５０と、フィルドビア１６０及び導体回路１５８の形成された樹脂絶縁層１５０とが配設されている。上面側の導体回路１５８の所定位置にはパッド１６１が形成されている。パッド１６１の上には半田バンプ７６が配置されている。樹脂絶縁層１５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成されており、上面側の該ソルダーレジスト層７０の開口部７１を介して導体回路１５８の一部とパッド１６１が露出され、下面側の開口部７１にバンプ７８が形成されている。
【００１１】
図１（Ｂ）は、多層プリント配線板１０の一部を拡大して示した上面図を示し、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）に示したＡ−Ａ’断面を示している。パッド１６１の厚みは、導体回路１５８よりも厚く形成されており、２〜１０μｍ程度厚く形成されることが好ましい。パッド１６１上には、断面が山型或いは半楕円形状の半田バンプ７６が形成されている。ソルダーレジスト７０から露出する導体回路１５８上には半田膜７６βが形成されている。パッド１６１上の半田バンプ７６の厚みは、導体回路１５８上の半田膜７６βの１．１〜１５倍厚く形成されることが好ましい。なお、本願発明におけるパッド上の半田バンプの厚みは、パッド１６１の上面から半田バンプ７６の最大の厚みであり、導体回路上の半田膜の厚みは、導体回路１５８の上面から半田膜７６β
の最大の厚みを指す。
図１（Ｃ）の別例として、図１（Ｄ）に示すように、導体回路１５８上にＮｉ，Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｔから選ばれる金属層１７２を形成してもよい。金属層を形成することで、導体回路表面の酸化を防止することができる。
【００１２】
引き続き、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図２〜図４を参照して説明する。
（１）樹脂から成る絶縁層（図２（Ａ））５０上に、銅等の金属膜５２を形成する（図２（Ｂ））。金属膜は、無電解めっき膜、無電解めっき膜＋電解めっき膜、プリプレグに金属箔をプレスする等で形成することができる。
【００１３】
（２）金属膜５２上に、パッド及び導体回路を形成するための第１のめっきレジスト５４ａを形成し（図２（Ｃ））、電解めっき液に浸漬し、金属膜５２を介して通電し、めっきレジスト非形成部に第１の電解銅めっき膜５６ａを形成する（図２（Ｄ））。
【００１４】
（３）導体回路となる第１の電解銅めっき膜５６ａ上にパッドを形成するための第２のめっきレジスト５５を形成し（図３（Ａ））、電解めっき液に浸漬し、第２のめっきレジスト５５の非形成部の第１の電解銅めっき膜５６ａ上に２〜１０μｍの厚みの第２の電解銅めっき膜５９を形成する（図３（Ｂ））。
【００１５】
（４）第１のめっきレジスト５４ａ及び第２のめっきレジスト５５を剥離し、第１の電解銅めっき膜５６ａから成る導体回路５８と、第１の電解銅めっき膜５６ａ及び第１の電解銅めっき膜５６ａ上に形成された第２の電解銅めっき膜５９から成るパッド６１とを形成する（図３（Ｃ））。そして、第１のめっきレジスト５４ａ下の金属膜５２をエッチングにより除去する（図３（Ｄ））。これにより、厚みｈ１：１５μｍの導体回路５８と、厚みｈ２：１８〜２５μｍのパッド６１を形成する。
【００１６】
（５）絶縁層５０上に、パッド６１を露出する開口部７１を設け、厚みｈ３：２５〜３５μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図３（Ｅ））。なお、図１（Ｄ）で示した酸化防止用の金属層１７２の形成は、この工程の後に形成することができる。さらに別例としては、図３（Ｂ）で示した電気銅めっき膜５９を形成した後に形成することも可能である。その場合、金属被膜は、パッドの上面にのみ形成されることになる。（図３（Ｆ））
【００１７】
（６）開口部７１から露出するパッド６１及び導体回路５８上に、３±１．５μｍの厚み（Ｗ６）に半田ペースト７６αを印刷する（図４（Ａ））。図４（Ａ）の平面図を図４（Ｂ）に示す。パッド６１及び導体回路５８の幅（Ｗ１）は２５μｍで、パッド６１の長さＬ１は１００μｍで、半田ペーストの塗布長さ（Ｌ２＝パッド長さ＋ソルダーレジストから露出する導体回路の長さ）は３００μｍである。次ぎに、２５０℃で０．５分リフローを行う。リフローで半田が溶解し、表面張力により半田は球状になろうとする。この際、より安定な球状になろうとするため導体回路５８上の半田も凝集し、凸部であるパッド６１上に断面半楕円形状の半田バンプ７６が形成され、導体回路５８上に薄い半田膜７６βが出来る（図４（Ｃ））。これにより、プリント配線板１０が完成する。ここで、半田バンプの高さＨ４は１５μｍで、導体回路５８上の半田膜７６βの厚みＨ５は１μｍで、半田バンプの長さＬ３は１００＋αμｍとなる。半田ペーストを構成する半田としては、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕなどが主成分となる金属を用いることができる。
【００１８】
引き続き、プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載について説明する。
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし（図４（Ｄ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載し、ＩＣチップ９０とプリント配線板１０との間にアンダーフィル材ＵＦを充填する。（図４（Ｅ））。なお、パッド６１の厚みは、ソルダーレジスト７０よりも低くすることが好ましい。ソルダーレジスト７０よりも厚いパッド６１を形成することも可能であるが、電子部品の実装位置が高くなるため、軽薄化という点では、保護層よりも低くする方が良い。
【００１９】
第１実施形態の製造方法に係るプリント配線板では、パッド６１が、第１の電解銅めっき膜５６ａと２〜１０μｍの第２の電解銅めっき膜５９とから成り、第１の電解銅めっき膜５６ａから成る導体回路５８よりも厚みが２〜１０μｍの厚い。さらに、パッド６１上に厚さ１５μｍの半田バンプ７６が形成されている。このため、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１の半田バンプ７６との接続を取る際に、ＩＣチップ９０がソルダーレジスト層７０へ接触せず、充分な圧力を加えることで金スタッドバンプ９１とパッド６１の半田バンプ７６との接続信頼性を高めることができる。
【００２０】
更に、パッド６１と導体回路５８の幅とが等しいため、パッド６１との絶縁距離を設けるために導体回路５８をパッド６１から離すよう引き回す必要がなく、導体回路５８をファインピッチに配置することができる。
【００２１】
また、第１のめっき膜上に第２のめっき膜を形成して厚みを高めるので、エッチングレジストを被覆してエッチングを行い導体回路の厚みを薄くする製造方法と比較して、パッド及び導体回路にサイドエッチングが発生せず、パッド及び導体回路の信頼性を低下させることが無い。
【００２２】
第１実施形態の製造方法の係るプリント配線板では、パッド６１に半田バンプ７６が形成され、金スタッドバンプ９１と接続される。パッドの厚みが厚いため、金スタッドバンプ９１がパッド６１の半田バンプ７６へ押しつけられた際に高い圧力が加わるので、接続信頼性を高めることができる。
【００２３】
更に、第１実施形態の製造方法に係るプリント配線板では、金スタッドバンプ９１がパッド６１の半田バンプ７６へ押しつけられた際に、ソルダーレジスト層７０とＩＣチップ９０とが当接しても、パッド６１の厚みが厚く金スタッドバンプ９１へ加わる圧力が高いので、接続信頼性を高めることができる。
【００２４】
ソルダーレジスト層から露出する導体回路５８上に薄い半田膜７６βが被覆されるため、半田膜７６βがソルダーレジスト７０を超えて半田間でブリッジを生じることはない。
【００２５】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図５〜図７を参照して説明する。
（１）樹脂から成る絶縁層（図５（Ａ））５０上に、銅等の金属膜５２を形成する（図５（Ｂ））。金属膜は、無電解銅めっきで形成できる。ここで、めっき膜を形成する代わりに、金属箔を貼り付けることもできる。
【００２６】
（２）金属膜５２上に、パッド及び導体回路を形成するためのめっきレジスト５４ｂを形成し（図５（Ｃ））、電解めっき液に浸漬し、金属膜５２を介して通電し、めっきレジスト非形成部に厚み１８〜２５μｍの電解銅めっき膜５６ｂを形成する（図５（Ｄ））。
【００２７】
（３）パッドとなる電解銅めっき膜５６ｂ上にパッドを形成するためのエッチングレジスト５７を形成し（図６（Ａ））、エッチング液に浸漬し、エッチングレジスト５７の非形成部である導体回路となる電解銅めっき膜５６の表面を厚み２〜１０μｍエッチングする（図６（Ｂ））。
【００２８】
（４）めっきレジスト５４ｂ及びエッチングレジスト５７を剥離し、厚み２〜１０μｍエッチングされた電解銅めっき膜５６ｂから成る導体回路５８と、エッチングされない電解銅めっき膜５６ｂから成るパッド６１とを形成する（図６（Ｃ））。そして、めっきレジスト５４ｂ下の金属膜５２をエッチングにより除去する（図６（Ｄ））。これにより、厚みｈ１：１５μｍの導体回路５８と、厚みｈ２：１８〜２５μｍのパッド６１を形成する。
【００２９】
（５）絶縁層５０上に、パッド６１を露出する開口部７１を設け、厚みｈ３：２５〜３５μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図６（Ｅ））。
【００３０】
（６）開口部７１から露出するパッド６１及び導体回路５８上に、３±１．５μｍの厚み（Ｗ６）に半田ペースト７６αを印刷する（図７（Ａ））。図７（Ａ）の平面図を図７（Ｂ）に示す。パッド６１及び導体回路５８の幅（Ｗ１）は２５μｍで、パッド６１の長さＬ１は１００μｍで、半田ペーストの塗布長さ（Ｌ２＝パッド長さ＋ソルダーレジストから露出する導体回路の長さ）は３００μｍである。次ぎに、２５０℃で０．５分リフローを行う。リフローで半田が溶解し、表面張力により半田は丸くなろうとする。この際、より安定な球状になろうとするため導体回路５８上の半田も凝集し、凸部であるパッド６１上に断面半楕円形状の半田バンプ７６が形成され、導体回路５８上に薄い半田膜７６βが出来る（図７（Ｃ））。これにより、プリント配線板１０が完成する。ここで、半田バンプの高さＨ４は１５μｍで、導体回路５８上の半田膜７６βの厚みＨ５は１μｍで、半田バンプの長さＬ３は１００＋αμｍとなる。なお、半田ペースト７６αを印刷する前に、開口部７１から露出するパッド６１及び導体回路５８上に、Ｎｉ，Ｐ，Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１つの金属層を形成した後、半田膜を形成することも可能である。
【００３１】
引き続き、プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載について説明する。
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし（図７（Ｄ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載し、ＩＣチップ９０とプリント配線板１０との間にアンダーフィル材ＵＦを充填する。（図７（Ｅ））。
【００３２】
第２実施形態の製造方法に係るプリント配線板１０では、パッド６１が、２〜１０μｍ程度エッチングが施される導体回路５８よりも厚みが厚い。さらに、パッド６１上に厚さ１５μｍの半田バンプ７６が形成されている。このため、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１の半田バンプ７６との接続を取る際に、ＩＣチップ９０がソルダーレジスト層７０へ接触せず、充分な圧力を加えることで金スタッドバンプ９１とパッド６１の半田瘤７６との接続信頼性を高めることができる。
【００３３】
更に、パッド６１と導体回路５８の幅とが等しいため、パッド６１との絶縁距離を設けるために導体回路５８をパッド６１から離すよう引き回す必要がなく、導体回路５８をファインピッチに配置することができる。
【００３４】
また、エッチングの際に、パッド６１の側面、及び、導体回路５８の側面にはめっきレジスト５４ａが残っているので、パッド６１及び導体回路５８にサイドエッチングが発生しない。このため、サイドエッチングが発生する、エッチングレジストを被覆してエッチングを行い配線の厚みを薄くする製造方法と比較して、パッド及び配線の信頼性を低下させることが無い。
【００３５】
上記第１実施形態及び第２実施形態において説明したプリント配線板では、矩形形状の複数のパッド６１を、ソルダーレジスト層７０に設けた開口７１により露出させているが、図１０（Ａ）のように、略円形形状のパッド６１を設けてもよく、図１０（Ｂ）のように、パッドのみを格子状に形成し、凸部のソルダーレジストから露出させてもよい。
【００３６】
さらに、第１実施形態の変更例として、次のような方法も可能である。図８（Ａ）は、プリント配線板１０上に第２のめっきレジスト５５が形成された上面図であり、図８（Ｂ）と図８（Ｃ）は、それぞれ、図８（Ａ）で示したＢ１−Ｂ１とＡ１−Ａ１の断面図である。第２のめっきレジスト５５が、第１の電解銅めっき膜の幅よりも狭く形成されている。この場合、その後に形成されるパッド６１は、図８（Ｄ）に示すように、導体回路５８よりも縦方向、横方向ともに狭く形成されることになる。そして、半田ペーストを印刷し、リフローを行うことで、パッド６１上に半田バンプ７６を形成する（図８（Ｅ））。この改変例では、導体回路に対して面積の狭いパッド６１上に半田バンプ７６を形成するため、半田バンプ７６の高さを第１実施形態と比較して高くできる利点がある。
【００３７】
また、第２実施形態の変更例として、次のような方法も可能である。
図９（Ａ）は、第１の電解銅めっき膜上にエッチングレジスト５７が形成された上面図であり、図９（Ｂ）と図９（Ｃ）は、それぞれ、図９（Ａ）で示したＢ２−Ｂ２とＡ２−Ａ２の断面図である。エッチングレジスト５７が、第１の電解銅めっき膜の幅よりも狭く形成されている。この場合、その後に形成されるパッド６１は、図９（Ｄ）に示すように、導体回路５８よりも縦方向、横方向ともに狭く形成されることになる。そして、半田ペーストを印刷し、リフローを行うことで、パッド６１上に半田バンプ７６を形成する（図９（Ｅ））。この改変例では、導体回路に対して面積の狭いパッド６１上に半田バンプ７６を形成するため、半田バンプ７６の高さを第２実施形態と比較して高くできる利点がある。
【００３８】
[第３実施形態]
本発明の第３実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図１１を参照して説明する。
第１実施形態の（１）〜（４）工程、又は、第２実施形態の（１）〜（４）工程で、絶縁層５０上に配線５８と配線よりも２〜１０μｍ厚みの厚いパッド６１と１５μｍの高さの半田バンプ７６とを形成する（図１１（Ａ））。そして、絶縁層５０上に、樹脂フィルム中に金属等の導電性粒子を含有する異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film)９８を載置し、プリント配線板１０を完成する（図１１（Ｂ））。
【００３９】
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０バンプ９２を位置決めし（図１１（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、バンプ９２とパッド６１とをＡＣＦ９８を介して接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載する（図１１（Ｄ））。
【００４０】
第３実施形態のプリント配線板１０では、パッド６１が配線５８よりも厚みが厚く、更に半田バンプ７６が形成されているため、ＡＣＦ（異方導電性フィルム）９８を介して、配線５８を短絡させることなく、パッド６１のみバンプ９２へ接続を取ることができる。
【００４１】
[実施例]
[第１実施例]
先ず、本発明の第１実施例に係るビルドアップ多層プリント配線板１０の構成について、図１２〜図２０を参照して説明する。図１９は、該多層プリント配線板１０の断面図を、図２０は、図１９に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を取り付け、ドータボード９４へ載置した状態を示している。図１９に示すように、多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面に導体回路３４が形成されている。コア基板３０の表面と裏面とはスルーホール３６を介して接続されている。スルーホール３６は、スルーホールランドを構成する蓋めっき層３６ａ、３６ｄと、側壁導体層３６ｂとから成り、側壁導体層３６ｂの内部には樹脂充填剤３７が充填されている。蓋めっき層（スルーホールランド）３６ａ、３６ｄの上にフィルドビア６０及び導体回路５８の形成された樹脂絶縁層５０と、フィルドビア１６０及び導体回路１５８の形成された樹脂絶縁層１５０とが配設されている。上面側の導体回路１５８の所定位置にはパッド１６１が形成され、該パッド１６１上に半田バンプ７６が配置されている。樹脂絶縁層１５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成されており、上面側の該ソルダーレジスト層７０の開口部７１を介してパッド１６１が露出され、下面側の開口部７１にバンプ７８が形成されている。
【００４２】
図２０中に示すように、多層プリント配線板１０の上面側のパッド１６１の半田バンプ７６には、ＩＣチップ９０のバンプ９２へ金スタッドバンプ９１を介して接続される。一方、下側のハンダバンプ７８は、ドータボード９４のランド９６へ接続されている。
【００４３】
引き続き、図２０を参照して上述した多層プリント配線板１０の製造方法について図１２〜図１９を参照して説明する。
（１）厚さ０．２〜０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に５〜２５０μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図１２（Ａ））。まず、この銅張積層板をドリル削孔して通孔１６を穿設し（図１２（Ｂ））、無電解めっき処理および電解めっき処理（後述するめっき液と条件（工程（１３）、（１５））参照）を施し、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂを形成した（図１２（Ｃ））。通孔１６の開口径は、ドリルの選択により０．１〜０．２５ｍｍΦで形成し、そのピッチは０．１５〜０．５７５ｍｍとした。
【００４４】
（２）スルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂ及び表面に粗化面３６αを形成する（図１２（Ｄ））。
【００４５】
（３）次に、平均粒径１０μｍの銅粒子を含む充填剤３７（タツタ電線製の非導電性穴埋め銅ペースト、商品名：ＤＤペースト）を、スルーホール３６へスクリーン印刷によって充填し、乾燥、硬化させる（図１３（Ａ））。これは、スルーホール部分に開口を設けたマスクを載置した基板上に、印刷法にて塗布することによりスルーホールに充填させ、充填後、乾燥、硬化させる。
【００４６】
引き続き、そして、スルーホール３６からはみ出した充填剤３７を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行い、基板３０の表面を平坦化する（図１３（Ｂ）参照）。このようにして、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂと樹脂充填剤３７とが粗化層３６αを介して強固に密着した基板３０を得る。
【００４７】
（４）前記（３）で平坦化した基板３０表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与し、無電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜２３を形成する（図１３（Ｃ）参照）。
【００４８】
（５）ついで、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜２４を形成し、導体回路３４となる部分の厚付け、およびスルーホール３６に充填された充填剤３７を覆う蓋めっき層（スルーホールランド）となる部分を形成する（図１３（Ｄ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                １８０  ｇ／ｌ
硫酸銅                ８０  ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）
１  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／ｄｍ２
時間                      ３０分
温度                      室温
【００４９】
（６）導体回路および蓋めっき層となる部分を形成した基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張り付け、パターンを有するマスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのエッチングレジスト２５を形成する（図１３（Ｅ）参照）。
【００５０】
（７）そして、エッチングレジスト２５を形成してない部分のめっき膜２３，２４と銅箔３２を、塩化第２銅を主成分とするエッチング液にて溶解除去し、さらに、エッチングレジスト２５を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した導体回路３４、および、充填剤３７を覆う蓋めっき層３６ａ、３６ｄを形成する（図１４（Ａ）参照）。所謂テンティング法である。
【００５１】
（８）次に、導体回路３４および充填剤２７を覆う蓋めっき層３６ａ、３６ｄの表面にメック社製のマイクロエッチング剤（ＣＺシリーズ）を使用して粗化層（凹凸層）３４βを形成した（図１４（Ｂ））。
【００５２】
（９）基板の両面に、基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）５０γを基板上に載置し、圧力０．４５ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより樹脂絶縁層５０を形成した（図１４（Ｃ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４７ＭＰａ、温度８５℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で４０分間熱硬化させた。
【００５３】
（１０）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅３〜３０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０〜５．０ｍｍ、１〜３ショットの条件で樹脂絶縁層５０にバイアホール用開口５１を形成した（図１４（Ｄ））。ここで、樹脂絶縁層５０には、バイアホールの底の直径がφ６０μｍになるように、上記レーザ条件を調整した。この結果、蓋めっき層３６ａ，３６ｄ上に形成されたバイアホールの底径はΦ６０μｍとなった。
【００５４】
（１１）フィルドビア用開口５１を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、フィルドビア用開口５１の内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成した（図１５（Ａ））。
【００５５】
（１２）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、樹脂絶縁層の表面およびフィルドビア用開口の内壁面に触媒核を付着させた。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【００５６】
（１３）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、触媒を付与した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成し、バイアホール用開口５１の内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に無電解銅めっき膜５２が形成された基板を得た（図１５（Ｂ））。
〔無電解めっき条件〕
３４度の液温度で４５分
【００５７】
（１４）無電解銅めっき膜５２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１１０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を設けた（図１５（Ｃ））。
【００５８】
（１５）ついで、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し電解めっき膜５６を形成した（図１６（Ａ））。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
レベリング剤                  ５０    ｍｇ／ｌ
光沢剤                        ５０    ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ７０  分
温度                        ２２±２  ℃
【００５９】
（１６）さらに、めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の導体回路５８及びフィルドビア６０とした（図１６（Ｂ））。
【００６０】
（１７）ついで、上記（４）と同様の処理を行い、導体回路５８及びフィルドビア６０の表面に粗化面５８αを形成した。上層の導体回路５８の厚みは１５μｍの厚みであった（図１６（Ｃ））。ただし、上層の導体回路の厚みは、５〜２５μｍの間で形成してもよい。
【００６１】
（１８）上記（９）〜（１５）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の樹脂絶縁層１５０上に、めっきレジスト１５４の非形成部に、無電解めっき膜１５２及び電解めっき膜１５６から成る導体回路１５８及びフィルドビア１６０を形成する（図１６（Ｄ））。
【００６２】
（１９）配線パターンとなる銅めっき膜１５６上にパッドを形成するための第２のめっきレジスト１５５を形成する（図１７（Ａ））。
【００６３】
（２０）電解めっき液に浸漬し、第２のめっきレジスト５５に非形成部の銅めっき膜１５６上に２〜１０μｍの厚みの電解銅めっき膜１５９を形成する（図１７（Ｂ））。
【００６４】
（２１）めっきレジスト１５４及び第２のめっきレジスト１５５を剥離し、銅めっき膜１５６から成る配線１５８に形成された銅めっき膜１５９から成るパッド１６１を形成する。そして、めっきレジスト１５４下の金属膜１５２をエッチングにより剥離する（図１７（Ｃ））。
【００６５】
（２２）次に、多層配線基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物７０を２５〜３５μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した（図１８（Ａ））。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０〜３０μｍのソルダーレジストパターン層を形成した。
【００６６】
（２３）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、上面側にレジスト膜を形成し、下面側のソルダーレジスト開口部７１にニッケルめっき層７２及び金めっき層７４を形成する。ここでは、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ０．５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図１８（Ｂ））。ニッケル−金層以外にも、スズ、貴金属層（金、銀、パラジウム、白金、鉛、亜鉛など）の単層を形成してもよい。
【００６７】
（２４）この後、上面側のソルダーレジスト層の開口７１に、厚さ３＋１．５μｍでＳｎ／Ａｇ半田ペースト７６αを印刷し、下面側のソルダーレジスト層の開口７１にスズ−アンチモンを含有するはんだペースト７７を印刷する（図１８（Ｃ））。
【００６８】
（２５）２００℃でリフローすることにより、上面側のパッド１６１上に半田バンプ７６を形成し、下面側の開口７１に半田バンプ７８を形成し、多層プリント配線板を製造した（図１９）。
【００６９】
引き続き、多層プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載及びドータボードへの取り付けについて説明する。
多層プリント配線板１０のパッド１６１に対向させるように、多層プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド１６１の半田バンプ７６との接続を取り、ＩＣチップ９０を多層プリント配線板１０に搭載する。そして、半田バンプ７８を介して多層プリント配線板１０をドータボード９４へ取り付ける（図２０）。
【符号の説明】
【００７０】
１０  プリント配線板、多層プリント配線板
３０  基板
３６  スルーホール
５０  樹脂絶縁層
５２  めっき膜
５４  めっきレジスト
５６  電解めっき膜
５８  導体回路
６０  フィルドビア
６１  パッド
７０  ソルダーレジスト層
７１  開口
７６  半田バンプ
７８  半田バンプ
１５２  めっき膜
１５４  めっきレジスト
１５６  めっき膜
１５８  導体回路
１６０  フィルドビア
１６１  パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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