(57)【要約】【課題】残留吸着作用を低減でき、且つ長寿命の静電チャックを用いた半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置は、真空チャンバ内でウエハを保持するための静電チャックを含む。静電チャック（１０）は、基板（１２）と、ウエハが吸着されるとともに、電極を有する表面絶縁層（１４）と、表面絶縁層と基板とを接着する接着剤層（２２）とを備え、電極は該表面絶縁層に埋設してなる。ここで、表面絶縁層は１０14Ωcm以上の抵抗を有し、接着剤層は１０14Ωcm以上の抵抗を有する。或いは、表面絶縁層は１０8 Ωcm以上１０11Ωcm以下の抵抗を有し、接着剤層は１０8 Ωcm以上１０11Ωcm以下の抵抗を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバと、前記真空チャンバ内でウエハを保持するための静電チャックと、を含む半導体製造装置において、
前記静電チャックは、基板と、前記ウエハが吸着されるとともに、電極を有する表面絶縁層と、該表面絶縁層と該基板とを接着する接着剤層とを備え、該表面絶縁層は１０14Ωcm以上の抵抗を有し、該接着剤層は１０14Ωcm以上の抵抗を有し、該電極は、該表面絶縁層に埋設してなることを特徴とする静電チャックを用いた半導体製造装置。
【請求項２】
真空チャンバと、前記真空チャンバ内でウエハを保持するための静電チャックと、を含む半導体製造装置において、
前記静電チャックは、基板と、電極を有する表面絶縁層と、該表面絶縁層と該基板とを接着する接着剤層とを備え、該表面絶縁層は１０8 Ωcm以上１０11Ωcm以下の抵抗を有し、該接着剤層は１０8 Ωcm以上１０11Ωcm以下の抵抗を有し、該電極は、該表面絶縁層に埋設してなることを特徴とする静電チャックを用いた半導体製造装置。
【請求項３】
該表面絶縁層と該基板との間で該接着剤層を取り囲むシールとを更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記表面絶縁層は、セラミックを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記表面絶縁層は、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＳｉＯ2 ，およびＣａＯの内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記表面絶縁層は、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＳｉＯ2 ，ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，およびＣｒ2 Ｏ2の内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記接着剤層は、ジルコニア、マグネシア、およびアルミナの内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記基板は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記電極は、単数であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記電極は、複数であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記電極は円板状であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
前記電極は半円形状であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１３】
前記電極は櫛歯状であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１４】
前記電極に接続される導線を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１５】
前記導線は、前記基板側に配設されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体製造装置。
【請求項１６】
前記電極が埋設される前記表面絶縁層は、セラミックの第１グリーンシートと、前記電極が付された第２グリーンシートとの重ね合わせであることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１７】
前記ウエハは前記電極への電源供給の停止に基づいて前記表面絶縁層から離脱されることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１８】
前記半導体製造装置は、ＣＶＤ装置又はエッチング装置であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣＶＤやエッチング等の半導体製造装置、特に、半導体の製造におけるウエハその他の処理、運搬において使用される静電チャックを用いた半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤやエッチング等の半導体の製造行程においては、ウエハが真空チャンバ内で静電チャックにより保持され、種々の処理が行われる。チップのパターンの細分化によって、微細なゴミが問題視されるようになり、メカニカルなチャックによる発塵や処理時のゴミが問題になっている。このような観点から静電チャックの採用率が増えてきている。
【０００３】
静電チャックは、基板と、電極を有する表面絶縁層（誘電体）とを備え、ウエハを静電チャックに吸着保持させるときに、ウエハは表面絶縁層の上に載置される。ウエハは、ウエハと電極との間に作用するクーロン力によって表面絶縁層に保持される。このような静電チャックは例えば特許文献１（特開平７−１８４３８号公報）に開示されている。
【０００４】
静電チャックの表面絶縁層は接着剤により基板に接着される。例えば、表面絶縁層はセラミックで作られ、基板はアルミニウムで作られ、表面絶縁層を基板に接着するためにシリコン接着剤が使用される。半導体の製造行程においては、ウエハはＣＶＤやエッチングのために高温の処理室内で処理されることがあり、静電チャックはウエハとともに高温にさらされる。シリコン接着剤は表面絶縁層と基板の熱膨張差を吸収するためには有効な接着剤である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１８４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
静電チャックは、通電することにより吸着作用が生じ、通電を停止することにより吸着作用がなくなる。通電を停止したら、直ちに吸着作用がなくなってウエハを静電チャックから取り出すことができることが望ましい。
【０００７】
しかし、表面絶縁層及び接着剤層に電荷が蓄積されていると、通電を停止しても、残留吸着作用が生じることがある。残留吸着作用は、表面絶縁層及び接着剤層の体積固有抵抗の値によって大きくなったり、小さくなったりする。残留吸着作用が大きいと、ウエハを静電チャックから簡単に取り出すことができなくなる。そこで、ウエハを裏面からピンによって突き上げて、強制的にウエハを離脱させることがある。しかし、この場合には、ウエハの割れや、跳ねや、放電等が発生し、歩留りが低下する問題点がある。
【０００８】
また、ウエハの裏面からガスを吹き出してウエハを離脱させたり、離脱時に処理とは別に再度短時間プラズマを起こし、残留電荷の除去を行ったりする試みがある。しかし、これらの方法では、スループットの低下を招く。
【０００９】
さらに、シリコン接着剤によって表面絶縁層を基板に接着する構成においては、例えばエッチング処理（特に等方性エッチング）において、シリコン接着剤がエッチングされてしまい、寿命が短くなるとともに、絶縁破壊を引き起こす原因になることがある。このため、静電チャック全体をセラミックで作る等の試みがなされているが、この方式では熱伝導性が極端に悪く、価格も高くなるという問題点があった。
【００１０】
本発明の目的は、残留吸着作用を低減でき、且つ長寿命の静電チャックを用いた半導体製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を達成するために、本発明によれば、真空チャンバと、前記真空チャンバ内でウエハを保持するための静電チャックと、を含む半導体製造装置において、前記静電チャックは、基板と、前記ウエハが吸着されるとともに、電極を有する表面絶縁層と、該表面絶縁層と該基板とを接着する接着剤層とを備え、該表面絶縁層は１０14Ωcm以上の抵抗を有し、該接着剤層は１０14Ωcm以上の抵抗を有し、該電極は、該表面絶縁層に埋設してなることを特徴とする半導体製造装置が提供される。この場合において、前記表面絶縁層は、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＳｉＯ2 ，およびＣａＯの内の少なくとも１つを含むことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明によれば、真空チャンバと、前記真空チャンバ内でウエハを保持するための静電チャックと、を含む半導体製造装置において、前記静電チャックは、基板と、電極を有する表面絶縁層と、該表面絶縁層と該基板とを接着する接着剤層とを備え、該表面絶縁層は１０8 Ωcm以上１０11Ωcm以下の抵抗を有し、該接着剤層は１０8 Ωcm以上１０11Ωcm以下の抵抗を有、該電極は、該表面絶縁層に埋設してなることを特徴とする半導体製造装置が提供される。この場合において、前記表面絶縁層は、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＳｉＯ2 ，ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，およびＣｒ2 Ｏ2の内の少なくとも１つを含むことを特徴とする。
【００１３】
このように本発明によれば、接着剤層は表面絶縁層と同等の抵抗をもつようにする。これによって、表面絶縁層と接着剤層とが、残留吸着作用を低減又は生じさせないような体積固有抵抗をもつように設定され、よって残留吸着作用を低減又は解消することができる。また、セラミック系接着剤は熱伝導性のよいものを選ぶのが好ましい。
【００１４】
該表面絶縁層と該基板との間で該接着剤層を取り囲むシールとを更に有することを特徴とする。前記表面絶縁層は、セラミックを含むことを特徴とする。前記接着剤層は、ジルコニア、マグネシア、およびアルミナの内の少なくとも１つを含むことを特徴とする。
【００１５】
前記基板は、アルミニウムを含むことを特徴とする。前記電極は、単数であることを特徴とする。或いは、前記電極は、複数であることを特徴とする。前記電極は円板状であることを特徴とする。或いは、前記電極は半円形状であることを特徴とする。或いは、前記電極は櫛歯状であることを特徴とする。
【００１６】
前記電極に接続される導線を有することを特徴とする。この場合において、前記導線は、前記基板側に配設されることを特徴とする。前記電極が埋設される前記表面絶縁層は、セラミックの第１グリーンシートと、前記電極が付された第２グリーンシートとの重ね合わせであることを特徴とする。
【００１７】
前記ウエハは前記電極への電源供給の停止に基づいて前記表面絶縁層から離脱されることを特徴とする。前記半導体製造装置は、ＣＶＤ装置又はエッチング装置であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、残留吸着作用を低減でき、且つ長寿命の静電チャックを用いた半導体製造装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図６】高抵抗型の表面絶縁層を使用した場合の静電チャックを示す図である。
【図７】低抵抗型の表面絶縁層を使用した場合の静電チャックを示す図である。
【図８】表面絶縁層を形成するセラミックの温度と抵抗の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は本発明の第１実施例の静電チャック１０を示す図である。静電チャック１０は、アルミニウムの基板１２と、円板状のセラミックの表面絶縁層１４とからなる。この表面絶縁層１４は平坦な円板状の電極１６ａ，１６ｂを有する。各電極１６ａ，１６ｂは例えば半円形状、あるいは櫛歯状に形成されることができる。電極１６ａ，１６ｂは例えば蒸着により表面絶縁層１４の表面に設けられ、導線１８，２０により電源に接続される。ウエハＷは表面絶縁層１４にのせられ、クーロン力により静電チャック１０に保持される。
【００２１】
表面絶縁層１４は接着剤層２２により基板１２に接着されている。接着剤層２２は表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤（例えばジルコニア、マグネシア、アルミナベースのもの）からなる。例えば、表面絶縁層１４が体積固有抵抗が１０14Ωcm以上の高抵抗型のセラミックからなる場合には、接着剤層２２も体積固有抵抗が１０14Ωcm以上の表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつようにする。また、表面絶縁層１４が体積固有抵抗が１０8 Ωcmから１０11Ωcmの範囲にある低抵抗型のセラミックからなる場合には、接着剤層２２も体積固有抵抗が１０8 Ωcmから１０11Ωcmの範囲にある表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつようにする。
【００２２】
図２は本発明の第２実施例の静電チャック１０を示す図である。静電チャック１０は、アルミニウムの基板１２と、円板状のセラミックの表面絶縁層１４とからなる。この表面絶縁層１４は電極１６ａ，１６ｂを有し、電極１６ａ，１６ｂは表面絶縁層１４の内部に埋設されている。例えば、２枚のセラミックのグリーンシートを準備し、一方のグリーンシートに電極１６ａ，１６ｂを蒸着しておき、２枚のグリーンシートを重ねて焼成すれば、この構成の表面絶縁層１４を得ることができる。電極１６ａ，１６ｂは導線１８，２０により電源に接続される。この場合にも、表面絶縁層１４は接着剤層２２により基板１２に接着され、接着剤層２２は表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤からなる。
【００２３】
図３は本発明の第３実施例の静電チャック１０を示す図である。静電チャック１０は、アルミニウムの基板１２と、円板状のセラミックの表面絶縁層１４とからなる。この表面絶縁層１４は平坦な１つの円板状の電極１６を有し、電極１６が図１と同様に表面絶縁層１４の表面に蒸着されている。電極１６は導線１８により電源に接続される。この場合にも、表面絶縁層１４は接着剤層２２により基板１２に接着され、接着剤層２２は表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤からなる。
【００２４】
図４は本発明の第４実施例の静電チャック１０を示す図である。静電チャック１０は、アルミニウムの基板１２と、円板状のセラミックの表面絶縁層１４とからなる。この表面絶縁層１４は平坦な１つの円板状の電極１６を有し、電極１６が図２と同様に表面絶縁層１４の内部に埋設されている。電極１６は導線１８により電源に接続される。この場合にも、表面絶縁層１４は接着剤層２２により基板１２に接着され、接着剤層２２は表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤からなる。
【００２５】
図５は本発明の第５実施例の静電チャック１０を示す図である。静電チャック１０は、アルミニウムの基板１２と、円板状のセラミックの表面絶縁層１４とからなる。この表面絶縁層１４は平坦な１つの円板状の電極１６あるいは２つの電極１６ａ，１６ｂを有する。電極１６，１６ａ，１６ｂは導線により電源に接続される。
【００２６】
この場合にも、表面絶縁層１４は接着剤層２２により基板１２に接着され、接着剤層２２は表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤からなる。また、サイドシール２４が表面絶縁層１４と基板１２との間で接着剤層２２を取り囲むように設けられる。サイドシール２４は、この静電チャック１０に保持されたウエハをエッチングする際にエッチングされない材料で形成されている。
【００２７】
図６は上記各実施例において、表面絶縁層１４が体積固有抵抗が１０14Ωcm以上の高抵抗型のセラミック（例えばＡｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＳｉＯ2 ，ＣａＯを含むもの）からなる場合を示す図である。接着剤層２２も体積固有抵抗が１０14Ωcm以上の表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつようにする。
【００２８】
この場合には、表面絶縁層１４及び接着剤層２２の抵抗が非常に高いために、微小な電流も流れず、表面絶縁層１４及び接着剤層２２に電荷が蓄積されない。従って、電極１６，１６ａ，１６ｂへの通電を停止したときに、残留吸着作用は生じず、通電停止と同時に静電チャック１０の吸着力はなくなってウエハを取り出すことができる。
【００２９】
図７は上記各実施例において、表面絶縁層１４が体積固有抵抗が１０8 Ωcmから１０11Ωcmの範囲にある低抵抗型のセラミック（例えばＡｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＳｉＯ2 ，ＣａＯ，ＴｉＯ2 ，Ｃｒ2 Ｏ2 を含むもの）からなる場合を示す図である。接着剤層２２も体積固有抵抗が１０8 Ωcmから１０11Ωcmの範囲にある表面絶縁層１４と同等の抵抗をもつようにする。
【００３０】
この場合には、表面絶縁層１４及び接着剤層２２の抵抗が比較的に低いために、微小な電流が流れ、表面絶縁層１４及び接着剤層２２に電荷が蓄積される。蓄積された電荷は吸着界面でジョンソンラーベック力として作用し、クーロン力と合わせて、強力な吸着力を及ぼす。そして、通電を停止したときには、表面絶縁層１４及び接着剤層２２の体積固有抵抗が１０8 Ωcmから１０11Ωcmの範囲にあると、微小な電流は比較的に流れやすいので、蓄積されていた電荷が容易に抜けていき、残留吸着作用はほとんどない。
【００３１】
表面絶縁層１４及び接着剤層２２、またはそれらの一方の体積固有抵抗が１０11Ωcmから１０14Ωcmの範囲にあると、微小な電流は流れることができて、残留電荷が蓄積され、そして、通電を停止したときには、蓄積されていた電荷が抜けにくく、残留吸着作用が生じる。
【００３２】
図８は、温度と体積固有抵抗との関係を示す図である。線Ｘは表面絶縁層１４に使用されるセラミックの性質の一例を示す図である。表面絶縁層１４に使用されるセラミックは、温度が高くなると体積固有抵抗が低下する性質がある。従って、使用目的に応じてセラミックの種類を選択する必要がある。体積固有抵抗が１０14Ωcm以上で、微小電流が流れない、高抵抗型のセラミックは、低温領域で使用するのに適している。体積固有抵抗が１０8 Ωcmから１０11Ωcmの範囲にある、電荷の抜けがいい、低高抵抗型のセラミックは、高温領域で使用するのに適している。体積固有抵抗が１０8 Ωcmから１０11Ωcmの範囲にある場合には、電荷が残留しやすく、残留吸着作用があるので、ウエハを静電チャックから取り出す場合には、補助の離脱手段を使用する必要がある。
【００３３】
以上は本発明を半導体製造用の静電チャックを例として説明したが、本発明は半導体製造用の静電チャックに限定されるものではない。吸着するものとしてはウエハに限定されるものでもない。例えば、ウエハに限らず、その他の物品を搬送する搬送手段や、加熱、冷却装置等に設けた静電チャックとしてもよい。
【００３４】
以上添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
以上のように、本発明によれば、残留吸着作用を低減でき、且つ長寿命の静電チャックを製造することができる。半導体の製造装置等において利用することができる。
【符号の説明】
【００３６】
１０    静電チャック
１２    基板
１４    表面絶縁層
１６，１６ａ，１６ｂ    電極
２２    接着剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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