(57)【要約】【課題】総磁化量を増大させることができると共に、再生信号位置の変動量を低減することができる磁気記録媒体及びその製造方法の提供。【解決手段】本発明の磁気記録媒体は、記記録トラックが形成されたデータトラック領域と、サーボパターンが形成されたサーボパターン領域とを含み、前記サーボパターンを構成する凸部が、磁性粒子と、前記磁性粒子間に形成された粒界とからなり、前記凸部の端部が前記粒界に沿って形成されていることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録トラックが形成されたデータトラック領域と、サーボパターンが形成されたサーボパターン領域とを含み、
前記サーボパターンを構成する凸部が、磁性粒子と、前記磁性粒子間に形成された粒界とからなり、
前記凸部の端部が前記粒界に沿って形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
記録トラックの端部が粒界に沿って形成されている請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
磁性粒子が、主に、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒからなり、粒界が、主に、Ｓｉ及びＯからなる請求項１から２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
１平方インチあたり１テラビット以上の高密度磁気記録媒体である請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法であって、
磁性粒子と、前記磁性粒子間に形成された粒界とからなる磁気記録層を、前記粒界に沿ってエッチングするエッチング工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
エッチング工程において、塩素、三塩化ホウ素及び酸素の混合ガスを用いる請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速性やコストに優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が従来より用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。
【０００３】
そこで、クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）と呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
ディスクリートトラックメディアは、データトラック領域において、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものであり、また、サーボパターン領域において、トラックアドレス（アドレスパターン）、バーストパターン等のサーボパターンが形成されたものである（例えば、非特許文献１の図７）。
【０００４】
個々のトラックの磁気的な分離を実現し、サーボパターン領域にサーボパターンを形成する加工技術としては、イオンビームエッチング、ＮＨ３（アンモニア）ガス等の含窒素ガスが添加されたＣＯ（一酸化炭素）ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチング等のドライエッチングの手法が主に利用し得る（例えば、特許文献２参照）。
前記ドライエッチングの手法を用いて形成された記録トラック端部や凸部（サーボビット）端部は、テーパ形状の側面が形成されたりして（例えば、非特許文献２のＦｉｇ．６）、所望の加工形状と、実際の加工形状との間に、一定のずれが生じるという問題があった。斯かる問題を解決するため、磁性体をアルゴンなどを用いて直線的に切断して、記録トラック端部や凸部（サーボビット）端部を形成する方法が提案されている。
【０００５】
しかしながら、磁性体を直線的に切断して記録トラック端部や凸部（サーボビット）端部を形成すると、例えば、図１に示すように、記録トラック端部や凸部（サーボビット）端部における磁性粒子の一部が切断されてしまう。また、磁性粒子のキュリー温度が約１，０００℃であることから、磁性粒子の一部が切断されても、室温では磁性粒子を構成する原子間のカップリングは強いままで、一部が切断された磁性粒子は、磁化を有している。さらに、一部が切断された磁性粒子は、静磁気エネルギーを極小にするために、一部が切断されていない磁性粒子と反対方向の磁化を有すると、安定に存在する。以上より、一部が切断された磁性粒子は、一部が切断されていない磁性粒子と反対方向の磁化を有していると考えられる。
【０００６】
低密度磁気記録媒体においては、凸部（サーボビット）が大きく、凸部（サーボビット）の１ビット中に含まれる磁性粒子の数が多いため、一部が切断された磁性粒子が存在していても、その影響は少なく、問題とならないこともある。ところが、磁気記録媒体の記録密度は、年々上昇している。ここで、下記表１に示すように、記録密度の増加、即ち、凸部（サーボビット）の大きさの減少度合に対して、凸部（サーボビット）における磁性粒子の粒子サイズ（粒径）の減少度合は小さい。よって、図３に示すように、記録密度の上昇に伴い、１ビット中に含まれる磁性粒子の数が減少し、一部が切断された磁性粒子が存在の影響が大きくなる。
【０００７】
【表１】
2010238327.tif 000002
【０００８】
以下、２０１２年頃の実用化が推定されている１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ２の磁気記録媒体についてのシミュレーション結果を示す。
図２Ａは、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（切断前）を説明する図であり、図１は、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（切断直後）を説明する図であり、図２Ｂは、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（磁化消失後）を説明する図であり、図２Ｃは、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（磁化反転後）を説明する図である。
図２Ａでは、ビットアスペクト（ｂｉｔ  ａｓｐｅｃｔ）を３．３とし、ビット長さ（ｂｉｔ  ｌｅｎｇｔｈ）と粒子ピッチ（ｇｒａｉｎ  ｐｉｔｃｈ）との比（ビット長さ／粒子ピッチ）を２とし、サーボビット（Ｓｅｒｖｏ  ｂｉｔ）とデータビット（ｄａｔａ  ｂｉｔ）との比（サーボビット／データビット）を２とし、磁性粒子の径は全て同一と仮定している。
図４Ａに一例を示すように、高密度記録媒体においては、一部が切断された粒子が磁気反転せずに磁化が消失するのみであると仮定しても（図２Ｂ）、１ビットの総磁化量が記録直後（図１）に対して約４０％減少して記録直後の約６０％となり、さらに、一部が切断された粒子が磁気反転すると（図２Ｃ）、１ビットの総磁化量が記録直後（図１）に対して約８０％減少して記録直後の約２０％となって、大きな問題となる。
さらに、図４Ｂに示すように、高密度記録媒体においては、一部が切断された粒子が磁気反転せずに磁化が消失するのみであると仮定しても（図２Ｂ）、再生信号位置の変動量が約６％となり、さらに、一部が切断された粒子が磁気反転すると（図２Ｃ）、再生信号位置の変動量が約２０％となって、大きな問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−３１０９４４号公報
【特許文献２】特開２００５−５０４６８号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】第２０回（２００６年度）独創性を拓く  先端技術大賞「超高密度用ハードディスク用磁気記録メディアの開発−ナノテクノロジーを適用したディスクリートトラックメディア−」（ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｂｕｓｉｎｅｓｓ−ｉ．ｊｐ／ｓｅｎｔａｎ／ｊｕｓｙｏｕ／２００６／ｔｄｋ．ｐｄｆ）
【非特許文献２】ＩＥＥＥ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ＯＮ  ＭＡＧＮＥＴＩＳＣＳ，  ＶＯＬ．４４，  ＮＯ．１１，  ＮＯＶＥＭＢＥＲ  ２００８  Ｐ３４４２〜３４４５“Ｗｒｉｔａｂｉｌｉｔｙ  ｉｎ  Ｄｉｓｃｒｅｔｅ  Ｔｒａｃｋ  Ｍｅｄｉａ”  Ｋｉｓｅｏｋ  Ｍｏｏｎら著
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、総磁化量を増大させることができると共に、再生信号位置の変動量を低減することができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  記録トラックが形成されたデータトラック領域と、サーボパターンが形成されたサーボパターン領域とを含み、前記サーボパターンを構成する凸部が、磁性粒子と、前記磁性粒子間に形成された粒界とからなり、前記凸部の端部が前記粒界に沿って形成されている磁気記録媒体である。
＜２＞  記録トラックの端部が粒界に沿って形成されている前記＜１＞に記載の磁気記録媒体である。
＜３＞  磁性粒子が、主に、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒからなり、粒界が、主に、Ｓｉ及びＯからなる前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気記録媒体である。
＜４＞  １平方インチあたり１テラビット以上の高密度磁気記録媒体である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気記録媒体である。
＜５＞  前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法であって、磁性粒子と、前記磁性粒子間に形成された粒界とからなる磁気記録層を、前記粒界に沿ってエッチングするエッチング工程を含む磁気記録媒体の製造方法である。
＜６＞  エッチング工程において、塩素、三塩化ホウ素及び酸素の混合ガスを用いる前記＜５＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、
総磁化量を増大させることができると共に、再生信号位置の変動量を低減することができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（切断直後）を説明する図である。
【図２Ａ】図２Ａは、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（切断前）を説明する図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（磁化消失後）を説明する図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（磁化反転後）を説明する図である。
【図３】図３は、記録密度と凸部（サーボビット）内の粒数との関係を示すグラフである。
【図４Ａ】図４Ａは、従来の磁気記録媒体のシミュレーション結果（総磁化量）を示すグラフである。
【図４Ｂ】図４Ｂは、従来の磁気記録媒体のシミュレーション結果（再生信号位置の変動量）を示すグラフである。
【図５】図５は、本発明の磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）を説明する図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その１）。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その２）。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その３）。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その４）。
【図７】図７は、本発明の磁気記録媒体のシミュレーション結果（総磁化量）を示すグラフである。
【図８】図８は、本発明の磁気記録媒体のシミュレーション結果（ＣＴ方向の再生信号位置の変動量）を示すグラフである。
【図９】図９は、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラー膜を説明するための図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その１）。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その２）。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その３）。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その４）。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その５）。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その６）。
【図１０Ｇ】図１０Ｇは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その７）。
【図１０Ｈ】図１０Ｈは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その８）。
【図１０Ｉ】図１０Ｉは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その９）。
【図１０Ｊ】図１０Ｊは、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である（その１０）。
【図１１】図１１は、ハードマスクとエッチングされる磁気記録層の結晶粒界との関係の推定図である。
【図１２】図１２は、ハードマスクとエッチングされる磁気記録層の結晶粒界との関係の推定図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（磁気記録媒体）
本発明の磁気記録媒体は、少なくとも、サーボパターン領域（サーボ部）と、データトラック領域（データ部）とを含み、さらに必要に応じて、その他の領域を含む。
【００１６】
＜サーボパターン領域＞
前記サーボパターン領域（サーボ部）は、凸部面積の異なる複数種類の凸パターンからなる。
前記サーボパターン領域（サーボ部）としては、トラッキングサーボ制御用の信号に対応するものであり、例えばプリアンブル、サーボタイミングマーク、アドレスパターン、バーストパターン、などで主に構成されている。
前記プリアンブルパターンは、アドレスパターン領域等から各種制御信号を読み取るための基準クロック信号を生成する部位である。
前記サーボタイミングマークは、アドレス、バーストパターンを読み取るためのトリガー信号である。
前記アドレスマークは、セクタ（角度）情報、トラック（半径）情報で構成されており、ディスクの絶対位置（アドレス）を示している。
前記バーストパターンは、磁気ヘッドがオントラック状態にあるとき、ヘッド走行位置を微調整し、高精度な位置決めを達成する機能を有している。
【００１７】
前記凸パターンは、複数の凸部（サーボビット）からなる。
前記凸部（サーボビット）は、図５に示すように、磁性粒子と、粒界とからなり、前記凸部（サーボビット）の端部が前記粒界に沿って形成されている。
ここで、「凸部（サーボビット）の端部が粒界に沿って形成されている」とは、凸部（サーボビット）の端部において一部が切断された磁性粒子の個数が、凸部（サーボビット）を構成する磁性粒子の総個数に対して、３０個数％以下であることを意味する。
前記凸部（サーボビット）の端部において一部が切断された磁性粒子の個数は、凸部（サーボビット）を構成する磁性粒子の総個数に対して、３０個数％以下である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０個数％以下が好ましく、１０個数％以下がより好ましく、０個数％が特に好ましい。
前記一部が切断された磁性粒子の個数が３０個数％を超えると、本願発明の効果を奏することができない。
【００１８】
前記磁性粒子の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２、ＣｏＰｔＣｒ−ＴｉＯ２、などが挙げられる。
前記磁性粒子の個数平均粒径としては、熱揺らぎが生じない範囲では、小さいほうが好ましい。
【００１９】
前記粒界としては、前記磁性粒子間に形成されている限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記粒界とは、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等が磁性粒子部分よりも多い領域を指す。
【００２０】
＜データトラック領域＞
前記データトラック領域（データ部）は、略同心円状の凸パターンからなり、データを記録する領域である。
前記凸パターンは、複数の記録トラックからなる。前記データトラック領域のクロストラック方向の記録トラック端部の磁性層の切断は、サーボパターン領域の凸部と同様に、非磁性領域で切断することが好ましい。しかしながら、この切断で直接ビットを描くわけではなく、前記データトラック領域は、クロストラック方向に磁気ヘッドで記録できる領域であり、記録トラックパターンがクロストラック方向に長いため、この記録トラック端部の影響は小さい。よって、記録トラック端部の磁性層の切断は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２１】
前記記録トラックは、磁性粒子と、前記磁性粒子間に形成された粒界とからなり、端部が前記粒界に沿って形成されていることが好ましい。
【００２２】
前記磁性粒子及び前記粒界は、前述した通りである。
【００２３】
＜記録密度＞
上述したように、記録密度が向上するにつれ、ビットサイズは小さくなるが、ビットを形成する磁性粒子サイズはそれほど小さくならない。このため、ある領域から、サーボ信号の凸部の形成の端部の影響が顕著になり、再生特性に深刻な影響を及ぼす。この臨界点は、信号処理等で変わるが、およそ、１平方インチあたり１テラビット以上である。
【００２４】
（磁気記録媒体の製造方法）
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、エッチング工程を少なくとも含み、転写工程、硬化工程、非磁性パターン部形成工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００２５】
＜転写工程＞
前記転写工程は、モールド構造体を、磁気記録媒用基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する工程である。
例えば、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英等の基板４０上に、Ｆｅ又はＦｅ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金等の磁気記録層５０を有する磁気記録媒体中間体の磁気記録層上にポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層２４を形成したレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対して、モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体上に形成された凹凸パターンをレジスト層２４に転写する。
【００２６】
＜＜モールド構造体＞＞
前記モールド構造体は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、円板状の基板と、該基板の一方の表面に複数の凸部及び凹部が配列されたことによって形成された凹凸部を有するモールド構造体、などが挙げられる。
【００２７】
前記凸部は、磁気記録媒体のサーボパターン領域（サーボ部）及びデータトラック領域（データ部）に対応して設けられている。
【００２８】
前記モールド構造体の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。
前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、低融点フッ素樹脂、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、トリアセテートセルロース（ＴＡＣ）、などが挙げられる。
【００２９】
＜硬化工程＞
前記硬化工程は、前記インプリントレジスト層に転写された凹凸パターンを硬化させ、前記モールド構造体を剥離する工程である。
【００３０】
＜＜光照射による硬化＞＞
インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト組成物が、光硬化性樹脂を含む場合、紫外線などの電子線を透明性を有するインプリント用モールド構造体１を介してインプリントレジスト層に照射し、該インプリントレジスト層が硬化することとなる。
ここで用いる光硬化性樹脂としては、ラジカル重合タイプとカチオン重合タイプがあるが、要求されるパターン形状精度や硬化速度に対し適宜選択することができる。
＜＜加熱による硬化＞＞
インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト組成物が、熱可塑性樹脂を含む場合、インプリントレジスト層にインプリント用モールド構造体１を押し当てる際に、系を前記レジスト液のガラス転移点（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、前記レジスト液のガラス転移点よりも低下することによりインプリントレジスト層が硬化することとなる。更に、必要に応じて紫外線などを照射してパターンを硬化させてもよい。
なお、インプリントレジスト組成物が、熱硬化性樹脂を含む場合、室温あるいは加熱して流動性を示す状態でインプリントレジスト層にインプリント用モールド構造体１を押し当てて凹凸パターンを転写した後、樹脂の硬化温度まで加熱することにより、インプリントレジスト層が硬化することとなる。
【００３１】
＜エッチング工程＞
前記エッチング工程は、磁性粒子と、前記磁性粒子間に形成された粒界とからなる磁気記録層を、前記粒界に沿ってエッチングする工程である。このように、前記磁気記録層が粒界に沿ってエッチングされることにより、インプリントレジスト層に転写された凹凸パターンに基づいて、端部における磁性粒子の一部が切断されていない磁性パターン部としての凸部（サーボビット）が前記磁気記録層に形成される。
例えば、図６Ｃに示すように、凹凸部のパターンが転写されたレジスト層２４をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト層２４に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁気記録層５０に形成する。
前記ドライエッチングとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、などが挙げられる。
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）でのプロセスガスとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、塩素、三塩化ホウ素及び酸素の混合ガス、などが好ましい。
【００３２】
＜非磁性パターン部形成工程＞
前記非磁性パターン部形成工程は、前記磁気記録層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む工程である。
例えば、図６Ｄに示すように、形成された凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１００を作製することができる。
前記非磁性材料としては、例えばＳｉＯ２、カーボン、アルミナ、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー、円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、ダイヤモンドカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等が好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
【００３３】
（シミュレーション評価）
以下、２０１２年頃の実用化が推定されている１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ２の磁気記録媒体についてのシミュレーション結果を示す。
図２Ａは、磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（切断前）を説明する図であり、図２Ｃは、従来の磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）（磁化反転後）を説明する図であり、図５は、本発明の磁気記録媒体に形成されたサーボパターンにおける凸部（サーボビット）を説明する図である。
図２Ａでは、ビットアスペクト（ｂｉｔ  ａｓｐｅｃｔ）を３．３とし、ビット長さ（ｂｉｔ  ｌｅｎｇｔｈ）と粒子ピッチ（ｇｒａｉｎ  ｐｉｔｃｈ）との比（ビット長さ／粒子ピッチ）を２とし、サーボビット（Ｓｅｒｖｏ  ｂｉｔ）とデータビット（ｄａｔａ  ｂｉｔ）との比（サーボビット／データビット）を２とし、磁性粒子の径は全て同一と仮定している。
図７に示すように、粒界で切断され、磁性粒子の一部が切断されていないサーボパターン（図５）における１ビットの総磁化量（本発明）は、磁性粒子の一部が切断されて磁気反転したサーボパターン（図２Ｃ）における１ビットの総磁化量（従来）の約５倍である。
また、図８に示すように、粒界で切断され、磁性粒子の一部が切断されていないサーボパターン（図５）における再生信号位置の変動量（本発明）は、磁性粒子の一部が切断されて磁気反転したサーボパターン（図２Ｃ）における再生信号位置の変動量（従来）の約１／３倍である。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００３５】
＜磁気記録媒体中間体の作製＞
２．５インチのガラス基板上に、以下のようにして、軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層をこの順に製膜した。軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層は、スパッタリング法で製膜した。
まず、軟磁性層材料としてＣｏＺｒＮｂを厚みが１００ｎｍとなるように積層した。具体的には、ガラス基板をＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを圧力が０．６Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，５００Ｗで軟磁性層を製膜した。
次に、第１非磁性配向層としてＰｔを厚みが５ｎｍとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された軟磁性層をＰｔターゲットと対向設置し、Ａｒガスを圧力が０．５Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電して、第１非磁性配向層を製膜した。
次に、第２非磁性配向層としてＲｕを厚みが１０ｎｍとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された第１非磁性配向層をＲｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを圧力が０．５Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電して、第２非磁性配向層を製膜した。
次に、磁気記録層としてＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラー膜（図９）を厚みが１５ｎｍとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された第２非磁性配向層をＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２ターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを圧力が１．５Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電し、磁気記録層を製膜した。
磁気記録層を形成した後、基板上に形成された磁気記録層をＣターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを圧力が０．５Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電し、厚み２．５ｎｍの保護層を製膜した。以上により、磁気記録媒体中間体を作製した。得られた磁気記録媒体中間体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）であった。
【００３６】
＜モールド構造体の準備＞
ナノインプリント法でディスクリートトラックメディア用のパターンを転写するために、厚さ０．５２５ｍｍの石英基板上に高さ８０ｎｍの凹凸パターンが形成されたモールド構造体を準備した。このモールド構造体はデータ部とサーボ部からなり、データ部にはトラックピッチが１５０ｎｍ（凸幅：４０ｎｍ、凹幅：１１０ｎｍ）、サーボ部には最内周でのサーボ基本ビット長が９０ｎｍ、総セクタ数が２４０で、プリアンブル（４５ｂｉｔ）／サーボマーク（１０ｂｉｔ）／セクターコード（８ｂｉｔ）／シリンダーコード（３２ｂｉｔ）／位相バースト（１６ｂｉｔ）からなる凹凸パターンが形成されたものを用いた。  モールド構造体の凹凸面にはウェット法により剥離剤層を形成した。剥離剤層材料としては、Ｆ１３−ＯＴＣＳ（Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ−１，１，２，２−ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ＯｃｔｙｌＴｒｉＣｈｌｏｒｏＳｉｌａｎｅ）（Ｇｅｌｅｓｔ社製）を用い、アサヒクリンＡＫ２２５（旭硝子株式会社製）溶媒で０．１質量％の剥離層液を調製した。この剥離層液を用い、Ｄｉｐ法により１ｍｍ／ｓｅｃ．の引き上げ速度により、厚み５．２５ｎｍの剥離層を石英モールド上に形成した。剥離層を形成したモールド構造体は９０℃、８０％ＲＨの環境下に５時間暴露し、モールド構造体表面に剥離層材料を化学的に吸着させた（化学結合処理）。
【００３７】
（実施例１）
＜ナノインプリント法によるレジストパターン形成＞
作製した磁気記録媒体中間体１０（下地層（軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層）が形成された基板１１、磁気記録層１２、及び保護層としてのＣ層１３）に対して、ハードマスク層としてＳｉＯ２層１４を高周波スパッタリング装置を用いて１０ｎｍ製膜した後、光硬化性アクリル系インプリントレジスト液（東洋合成工業株式会社製：ＰＡＫ−０１）を７０ｎｍの厚みとなるようにスピンコート法により塗布し、レジスト層１５を形成した。
得られたレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対し、石英からなるモールド構造体を対向させて配置し、磁気記録媒体中間体を１ＭＰａの圧力で５秒間加圧してパターン転写した後、２５ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光を１０秒間照射してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と磁気記録媒体中間体１０を剥離して、磁気記録媒体中間体１０上のレジスト層１５に凹凸パターンを形成した（図１０Ａ）。
【００３８】
＜ディスクリート型垂直磁気記録媒体の作製＞
凹凸が転写されたインプリントレジストパターン間底部のレジスト残渣をＩＰＣプラズマエッチング装置にて酸素プラズマで除去し（図１０Ｂ）、次に、レジストパターン間のＳｉＯ２層１４およびＣ層１３をＣＨＦ３およびＡｒガスを用いてエッチング（図１０Ｃ）した後、再び酸素プラズマにさらしてパターン上部のレジスト層１５を除去した（図１０Ｄ）。次に、塩素と三塩化ホウ素と酸素ガスを用いて、ＳｉＯ２層１４＋Ｃ層１３のパターンをマスクとしてＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラー膜（磁気記録層１２）をエッチング（図１０Ｅ）した後、ＣＦ４ガスを用いてマスクとして用いたＣ層１３上のＳｉＯ２層１４パターンを除去して（図１０Ｆ）、インプリント用モールド構造体上に形成された凹凸部のパターン形状に基づく凹凸形状を磁気記録層１２に形成し、凹部に非磁性材料１６（ＳｉＯ２をＣＶＤ方式で形成）を埋め込み（図１０Ｇ）、表面を平坦化（ＣＭＰ処理）した（図１０Ｈ）。その後、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層１７をＣＶＤ方式で形成し（図１０Ｉ）、さらに、ディップ法で潤滑剤層１８を形成して（図１０Ｊ）、磁気記録媒体を得た。以上により、実施例１のディスクリート型垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３９】
＜凸部（サーボビット）端部及び記録トラック端部のエッチング状態の評価＞
ディスクリート型垂直磁気記録媒体の凸部（サーボビット）端部及び記録トラック端部を平面ＴＥＭで観察した結果、凸部（サーボビット）端部近傍に存在する主元素がＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒの結晶（以後、ＣｏＰｔＣｒ結晶と言う）の粒径は、凸部（サーボビット）内部（非エッチング部）のＣｏＰｔＣｒ結晶粒の粒径とほぼ同等で、この結晶粒間に偏析している主元素がＳｉ、Ｏの部分（以後ＳｉＯ２相と言う）に沿ってエッチングされており、また、記録トラック端部近傍に存在するＣｏＰｔＣｒ結晶粒径は、トラック内部（非エッチング部）のＣｏＰｔＣｒ結晶粒の粒径とほぼ同等で、この結晶粒間に偏析しているＳｉＯ２相に沿ってエッチングされていた。実施例１における磁気記録層のエッチングでは、ＣｏＰｔＣｒ結晶が塩素と反応して等方的にエッチングされるため、ハードマスク端部直下のＣｏＰｔＣｒ結晶粒では、エッチングが横方向にも進行し、ＣｏＰｔＣｒ結晶粒間に偏析しているＳｉＯ２相に突き当たったところでストップしているためと考えられる。実施例１におけるハードマスクとエッチングされる磁気記録層の結晶粒界との関係の推定図を図１１に示す。
【００４０】
（実施例２）
＜ナノインプリント法によるレジストパターン形成＞
作製した磁気記録媒体中間体に対して、ハードマスク層としてＴａ層を高周波スパッタリング装置を用いて１０ｎｍ製膜した後、光硬化性アクリル系インプリントレジスト液（東洋合成工業株式会社製：ＰＡＫ−０１）を７０ｎｍの厚みとなるようにスピンコート法により塗布し、レジスト層を形成した。
得られたレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対し、石英からなるモールド構造体を対向させて配置し、磁気記録媒体中間体を１ＭＰａの圧力で５秒間加圧してパターン転写した後、２５ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光を１０秒間照射してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と磁気記録媒体中間体を剥離して、磁気記録媒体中間体上のレジスト層に凹凸パターンを形成した。
【００４１】
＜ディスクリート型垂直磁気記録媒体の作製＞
凹凸が転写されたインプリントレジストパターン間底部のレジスト残渣をＩＰＣプラズマエッチング装置にて酸素プラズマで除去し、次に、レジストパターン間のＴａおよびＣをＣＦ４およびＡｒガスを用いてエッチングした後、再び酸素プラズマにさらしてパターン上部のレジストを除去した。次に、塩素と三塩化ホウ素と酸素ガスを用いてＳｉＯ２＋Ｃ層のパターンをマスクとしてＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラー膜をエッチングした後、ＣＦ４ガスを用いてマスクとして用いたＣ層上のＴａパターンを除去して、インプリント用モールド構造体上に形成された凹凸部のパターン形状に基づく凹凸形状を磁気記録層に形成し、凹部に非磁性材料（ＳｉＯ２をＣＶＤ方式で形成）を埋め込み、表面を平坦化（ＣＭＰ処理）した。その後、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層をＣＶＤ方式で形成し、さらにディップ法で潤滑剤層を形成して磁気記録媒体を得た。以上により、実施例２のディスクリート型垂直磁気記録媒体を作製した。
【００４２】
＜凸部（サーボビット）端部及び記録トラック端部のエッチング状態の評価＞
ディスクリート型垂直磁気記録媒体の凸部（サーボビット）端部及び記録トラック端部を平面ＴＥＭで観察した結果、凸部（サーボビット）端部近傍に存在するＣｏＰｔＣｒ結晶粒径は、凸部（サーボビット）内部（非エッチング部）のＣｏＰｔＣｒ結晶粒の粒径とほぼ同等で、ＣｏＰｔＣｒ結晶粒間に偏析しているＳｉＯ２相に沿ってエッチングされており、また、記録トラック端部近傍に存在するＣｏＰｔＣｒ結晶粒径は、トラック内部（非エッチング部）のＣｏＰｔＣｒ結晶粒の粒径とほぼ同等で、ＣｏＰｔＣｒ結晶粒間に偏析しているＳｉＯ２相に沿ってエッチングされていた。実施例２における磁気記録層のエッチングでは、ＣｏＰｔＣｒ結晶が塩素と反応して等方的にエッチングされるため、ハードマスク端部直下のＣｏＰｔＣｒ結晶粒では、エッチングが横方向にも進行し、ＣｏＰｔＣｒ結晶粒間に偏析しているＳｉＯ２相に突き当たったところでストップしているためと考えられる。実施例２におけるハードマスクとエッチングされる磁気記録層の結晶粒界との関係の推定図を図１１に示す。
【００４３】
（比較例１）
＜ナノインプリント法によるレジストパターン形成＞
作製した磁気記録媒体中間体に対して、ハードマスク層としてＳｉＯ２層を高周波スパッタリング装置を用いて１０ｎｍ製膜した後、光硬化性アクリル系インプリントレジスト液（東洋合成工業株式会社製：ＰＡＫ−０１）を７０ｎｍの厚みとなるようにスピンコート法により塗布し、レジスト層を形成した。
得られたレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対し、石英からなるモールド構造体を対向させて配置し、磁気記録媒体中間体を１ＭＰａの圧力で５秒間加圧してパターン転写した後、２５ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光を１０秒間照射してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と磁気記録媒体中間体を剥離して、磁気記録媒体中間体上のレジスト層に凹凸パターンを形成した。
【００４４】
＜ディスクリート型垂直磁気記録媒体の作製＞
凹凸が転写されたインプリントレジストパターン底部のレジスト残渣をＩＰＣプラズマエッチング装置にて酸素プラズマで除去し、次に、レジストパターン間のＳｉＯ２およびＣをＣＨＦ３およびＡｒガスを用いてエッチングした後、再び酸素プラズマにさらしてパターン上部のレジストを除去した。次に、アルゴンイオンミリング法（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｅｎｅｒｇｙ社製イオンガン、プロセス圧力＝０．０５Ｐａ、投入電力＝２００Ｗ）によりＳｉＯ２＋Ｃ層のパターンをマスクとしてＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２グラニュラー膜をエッチングした後、ＣＦ４ガスを用いてマスクとして用いたＣ層上のＳｉＯ２パターンを除去してインプリント用モールド構造体上に形成された凹凸部のパターン形状に基づく凹凸形状を磁気記録層に形成し、凹部に非磁性材料（ＳｉＯ２をＣＶＤ方式で形成）を埋め込み、表面を平坦化（ＣＭＰ処理）した。その後、ＤＬＣからなる保護層をＣＶＤ方式で形成し、さらにディップ法で潤滑剤層を形成して磁気記録媒体を得た。以上により、比較例１のディスクリート型垂直磁気記録媒体を作製した。
【００４５】
＜凸部（サーボビット）端部及び記録トラック端部のエッチング状態の評価＞
ディスクリート型垂直磁気記録媒体の凸部（サーボビット）端部及び記録トラック端部は直線的にエッチングされており、凸部（サーボビット）端部におけるＣｏＰｔＣｒ結晶粒の粒径は、凸部（サーボビット）内部のＣｏＰｔＣｒ結晶粒の粒径より小さくなっており、記録トラック端部におけるＣｏＰｔＣｒ結晶粒の粒径は、記録トラック内部のＣｏＰｔＣｒ結晶粒の粒径より小さくなっていた。比較例１における磁気記録層のエッチングはＡｒイオンによる物理的な衝突によって行なわれ入射方向に異方性を持って進行するため、ハードマスク端部でＣｏＰｔＣｒ合金もＳｉＯ２相も同様にエッチングされたためと考えられる。比較例１におけるハードマスクとエッチングされる磁気記録層の結晶粒界との関係の推定図を図１２に示す。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明の磁気記録媒体は、総磁化量を増大させることができると共に、再生信号位置の変動量を低減することができるので、ディスクリートトラックメディア、などに好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１      モールド構造体
１０    磁気記録媒体中間体
１１    基板
１２    磁気記録層
１３    Ｃ層
１４    ＳｉＯ２層
１５    レジスト層
１６    非磁性材料
１７    保護層
１８    潤滑剤層
２４    レジスト層
４０    基板
５０    磁気記録層
７０    非磁性材料
１００  磁気記録媒体
【図１】
2010238327.tif 000003
【図２Ａ】
2010238327.tif 000004
【図２Ｂ】
2010238327.tif 000005
【図２Ｃ】
2010238327.tif 000006
【図３】
2010238327.tif 000007
【図４Ａ】
2010238327.tif 000008
【図４Ｂ】
2010238327.tif 000009
【図５】
2010238327.tif 000010
【図６Ａ】
2010238327.tif 000011
【図６Ｂ】
2010238327.tif 000012
【図６Ｃ】
2010238327.tif 000013
【図６Ｄ】
2010238327.tif 000014
【図７】
2010238327.tif 000015
【図８】
2010238327.tif 000016
【図９】
2010238327.tif 000017
【図１０Ａ】
2010238327.tif 000018
【図１０Ｂ】
2010238327.tif 000019
【図１０Ｃ】
2010238327.tif 000020
【図１０Ｄ】
2010238327.tif 000021
【図１０Ｅ】
2010238327.tif 000022
【図１０Ｆ】
2010238327.tif 000023
【図１０Ｇ】
2010238327.tif 000024
【図１０Ｈ】
2010238327.tif 000025
【図１０Ｉ】
2010238327.tif 000026
【図１０Ｊ】
2010238327.tif 000027
【図１１】
2010238327.tif 000028
【図１２】
2010238327.tif 000029