(57)【要約】【課題】異なる機種にも対応可能で、針の上停止位置及び下停止位置を一つのセンサで検出すること。【解決手段】ミシン主軸（２）に固定され、回転するプーリ（３）と、プーリに固定され、光を反射する反射部材（４２，９）と、ミシンフレーム（Ｆ）に固定され、反射部材に向けて光を照射すると共に、反射部材からの反射光の光量を検出可能なファイバセンサ（４１）と、ファイバセンサが検出した反射光の光量を電圧に変換する電子回路と、を有するミシン（１）において、反射部材は、軸心から外周までの直線距離が全ての外周位置で異なるように形成され、反射部材は、ファイバセンサにより照射された光を受光する受光位置において、ファイバセンサに向けて反射する反射光の光量が回転角度によって変化し、その変化に伴って電子回路から出力される電圧が変化する。【選択図】図１
2010063516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミシン主軸に固定され、回転するプーリと、
前記プーリに固定され、光を反射する反射部材と、
ミシンフレームに固定され、前記反射部材に向けて光を照射すると共に、前記反射部材からの反射光の光量を検出可能なファイバセンサと、
前記ファイバセンサが検出した反射光の光量を電圧に変換する電子回路と、を有するミシンにおいて、
前記反射部材は、軸心から外周までの直線距離が全ての外周位置で異なるように形成され、
前記反射部材は、前記ファイバセンサにより照射された光を受光する受光位置において、前記ファイバセンサに向けて反射する反射光の光量が回転角度によって変化し、その変化に伴って前記電子回路から出力される電圧が変化することを特徴とするミシン。
【請求項２】
前記ファイバセンサと前記反射部材との間に配置されると共に、前記ファイバセンサの照射した光が通過可能なスリットが形成された遮光板を備えることを特徴とする請求項１に記載のミシン。
【請求項３】
前記ミシンフレーム内に固定され、前記反射部材に対向するように配置された基板を備え、
前記基板に、前記ファイバセンサと前記電子回路が装着されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のミシン。
【請求項４】
前記反射部材は、一回転する間において前記ファイバセンサに向けて反射する反射光の光量が回転角度の増加と共に増加するように形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のミシン。
【請求項５】
前記反射部材と前記プーリとの間に配置されると共に、前記ファイバセンサが照射した光を前記プーリが乱反射するのを防止する乱光防止板を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のミシン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に針の上停止位置、下停止位置を検出するシンクロナイザを有するミシンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ミシンには、ミシンモータの速度制御や、針の上位置及び下位置での停止制御を行うため、シンクロナイザが設けられている。
図７に示すように、ミシンフレーム１０１には、中心に主軸１０２が通された円形状の基板１０３が固定されている。この基板１０３には、フォトリフレクタ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃが設けられている。ミシンフレーム１０１には、基板１０３に隣接するように遮光板１０５が固定されている。遮光板１０５は、スペーサを介して基板１０３と少し間隔をあけた状態でミシンフレーム１０１に設けられている。遮光板１０５には、フォトリフレクタ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに対向する位置にスリット１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃが形成されている。
【０００３】
主軸１０２の端部には、プーリ１０６がナット１０７及び止めねじ１０８により固定されている。プーリ１０６における基板１０３，遮光板１０５と対向する面側（図７における左側の面）には、薄いフィルムにガラス粉末等を固着したビーステープ１０９がプーリ１０６と同軸上に回転するように貼り付けられている。ビーステープ１０９の上面には、遮光板１１０がプーリ１０６及びビーステープ１０９と同軸上に貼り付けられている。
図８に示すように、遮光板１１０には、スリット１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃが形成されている。ここで、ビーステープ１０９は受光した光を反射し、遮光板１１０は、受光した光がビーステープ１０９に到達するのを遮断する。ここで、スリット１１０ａは主軸１０２の回転角、スリット１１０ｂは針の上停止位置、スリット１１０ｃは針の下停止位置を指示するものである。
【０００４】
上記の各要素を備えることにより、シンクロナイザ１００が構成されている。
主軸１０２の回転によりプーリ１０６が回転すると、フォトリフレクタ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃと、スリット１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃがそれぞれ一直線上に並んだときのみ、フォトリフレクタ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの光がスリット１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃとスリット１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃを介してビーステープ１０９に到達し、反射される。そして、その反射光は、スリット１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃとスリット１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを介してフォトリフレクタ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに到達する。
従って、フォトリフレクタ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃから得られる信号を利用することにより、主軸１０２の回転角度、針の上停止位置、針の下停止位置を検出することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】実開平２−２１０１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来のシンクロナイザの機構では、ミシンの機種によって針の上停止位置、下停止位置が異なる場合に、遮光板に形成するスリットの位置も変わるので、各機種に対応した遮光板をそれぞれ準備しなければならなかった。
また、針の上停止位置と下停止位置とを検出するために、それぞれを検出するためのフォトリフレクタを設けなければならなかった。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、異なる機種にも対応可能で、針の上停止位置及び下停止位置を一つのセンサで検出することができるミシンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、
ミシン主軸（２）に固定され、回転するプーリ（３）と、
前記プーリに固定され、光を反射する反射部材（４２，９）と、
ミシンフレーム（Ｆ）に固定され、前記反射部材に向けて光を照射すると共に、前記反射部材からの反射光の光量を検出可能なファイバセンサ（４１）と、
前記ファイバセンサが検出した反射光の光量を電圧に変換する電子回路と、を有するミシン（１）において、
前記反射部材は、軸心から外周までの直線距離が全ての外周位置で異なるように形成され、
前記反射部材は、前記ファイバセンサにより照射された光を受光する受光位置において、前記ファイバセンサに向けて反射する反射光の光量が回転角度によって変化し、その変化に伴って前記電子回路から出力される電圧が変化することを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のミシンにおいて、
前記ファイバセンサと前記反射部材との間に配置されると共に、前記ファイバセンサの照射した光が通過可能なスリットが形成された遮光板（５）を備えることを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のミシンにおいて、
前記ミシンフレーム内に固定され、前記反射部材に対向するように配置された基板（４３）を備え、
前記基板に、前記ファイバセンサと前記電子回路が装着されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載のミシンにおいて、
前記反射部材は、一回転する間において前記ファイバセンサに向けて反射する反射光の光量が回転角度の増加と共に増加するように形成されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載のミシンにおいて、
前記反射部材と前記プーリとの間に配置されると共に、前記ファイバセンサが照射した光を前記プーリが乱反射するのを防止する乱光防止板（８）を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、ファイバセンサを用いることにより、従来のフォトリフレクタと違って受光の有無だけでなく、反射光の光量も検出することができるようになる。また、反射部材は、ファイバセンサにより照射された光を受光する受光位置において、ファイバセンサに向けて反射する反射光の光量が回転角度によって変化し、その変化に伴って電子回路から出力される電圧も変化するため、受光した反射光の光量から出力される電圧と反射部材の回転角度との対応関係がわかる。このとき、反射部材は、軸心から外周までの直線距離が全ての外周位置で異なるため、一つの回転角度に対し一つの出力電圧が一義的に決まる。
従って、針の上停止位置となるときの電子回路からの出力電圧、下停止位置となるときの電子回路からの出力電圧を予め設定しておけば、その時の出力電圧に対応する反射部材の回転角度、すなわち、主軸の回転角度で主軸を停止させることで針の上停止、下停止の制御を実現することができる。
このような検出機構を採用することで、主軸を停止させる出力電圧を任意に変更すれば、異なる機種にも対応可能となる。また、一つの回転角度に対し一つの出力電圧が一義的に決まるので、二つの異なる出力電圧を任意に変更することにより、針の上停止位置、下停止位置を自由に変更でき、しかも、一つのファイバセンサで検出することが可能となる。
よって、異なる機種のミシンにも対応可能で、針の上停止位置及び下停止位置を一つのセンサで検出することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、遮光板はファイバセンサと反射部材との間に設けられているので、ファイバセンサからの光は遮光板のスリットを経て反射部材で反射され、その反射光も遮光板のスリットを経てファイバセンサで受光される。
これにより、ファイバセンサからの照射光、反射部材からの反射光によって検出される光量が乱されることがない。
よって、光の乱反射による検出誤差を抑え、針の上停止位置、下停止位置の検出精度を高めることができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明によれば、基板にファイバセンサと電子回路を設けることにより、基板と反射部材との間にできる空間、又は基板とミシンフレームとの間にできる空間を利用してファイバセンサと電子回路を設けることができるので、スペースを有効利用することができ、省スペース化を図ることができる。
【００１５】
請求項４に記載の発明によれば、プーリの回転により反射部材も回転するが、この回転角度の増加に伴い、ファイバセンサが検出する反射部材からの反射光の光量も増加する。
これにより、反射光の光量がゼロとなる位置を基準とした場合、反射部材が一回転するまでに検出される光量が減少することはないので、検出光量と針の上停止位置、下停止位置の関連づけが容易になる。
また、検出される光量が減少するのは、反射部材がちょうど一回転したときであるため、そのときは主軸も一回転していることになり、主軸の回転速度の検出に利用することができる。
【００１６】
請求項５に記載の発明によれば、ファイバセンサから反射部材に向けて照射された光のうち、反射部材に当たらなかった光は乱光防止板により反射が防止される。
これにより、ファイバセンサから照射された光がプーリに当たってファイバセンサに向けて反射することが無くなり、検出誤差を抑え、針の上停止位置、下停止位置の検出精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明に係るミシンの最良の実施形態について詳細に説明する。
［第１の実施形態］
＜ミシンの構成＞
ミシン１は、機枠となるミシンフレームＦと、回転によって針を上下動させる主軸２と、ミシンフレームＦの基端側において主軸２に固定され、主軸２と共に当該主軸２と同軸回りに回転するプーリ３と、針の上停止位置、下停止位置を検出するシンクロナイザ４と、を備えている。
主軸２は、ミシンフレームＦの長手方向に沿って設けられ、ミシンモータに連結され、ミシンモータの駆動と共に軸回りに回転する。主軸２には、リンク機構を介して針を保持する針棒が連結され、主軸２の回転により針が上下動する。主軸２は、ミシンフレームＦの基端側に少し突出するように設けられている。
プーリ３は、ミシンフレームＦの基端側に突出した主軸２にナット３１及び止めねじ３２により固定されている。
【００１８】
＜シンクロナイザの構成＞
シンクロナイザ４は、針の上停止位置、下停止位置を検出するものである。
シンクロナイザ４は、ミシンフレームＦに固定されたファイバセンサ４１と、プーリ３に同軸上に固定され、ファイバセンサ４１から照射された光を反射する反射部材４２と、ミシンフレームＦ内に固定され、反射部材に対向するように配置された基板４３とを備えている。基板４３には、ファイバセンサ４１と、このファイバセンサ４１に電気的に接続された電子回路（図示略）とが装着されている。
ファイバセンサ４１は、反射部材４２に向けて光を照射すると共に反射部材４２からの反射光を受光し、その光量を検出することができる。
電子回路は、基板４３の表面又は裏面に実装されている。電子回路は、複数の電子部品から構成されるセンサーアンプであり、ファイバセンサ４１が検出した反射光の光量を電圧に変換し、その電圧をミシンの制御装置６（図５参照）に出力する。
基板４３は、ミシンフレームＦの基端部にスペーサ１０を介してねじ１１により固定されている。基板４３は、円形状に形成され、その中心には、主軸２が回転自在となるように挿通されている。
ファイバセンサ４１は、反射部材４２からの反射光の有無だけでなく、受光した反射光の光量を検出可能であり、基板４３のプーリ３側の表面に一つだけ設けられている。ファイバセンサ４１で検出された反射光の光量は、電子回路に信号として送信され、電子回路において電圧に変換される。例えば、反射光の光量が増加すれば、電子回路からの出力電圧も増加させることができる。
【００１９】
ミシンフレームＦにおける基板４３のプーリ３側には、遮光板５が設けられている。遮光板５は、ファイバセンサ４１と反射部材４２との間に配置され、スペーサ１３を介してねじ１１によりミシンフレーム１に固定されている。遮光板５は、円形状で基板４３とほぼ同じ大きさに形成されており、その中心には、主軸２が回転自在となるように挿通されている。遮光板５には、ファイバセンサ４１と対向する位置にファイバセンサ４１が照射した光を通過させるスリット５１が形成されている。すなわち、遮光板５は、ファイバセンサ４１から照射される光はスリット５１を通過したものだけが反射部材４２に到達し、反射部材４２で反射された光は、遮光板５のスリット５１を通過したものだけがファイバセンサ４１で受光される。このように、遮光板５は、反射部材４２からの反射光のみを検出できるように他の部分で反射された乱反射光がファイバセンサ４１に到達しないようにすることができる。
【００２０】
反射部材４２は、プーリ３の遮光板５に対向する側の面（図１におけるプーリ３の左側の面）に貼り付けられている。
図２は、反射部材４２を図１におけるＤ方向（紙面の左側、すなわちミシンフレームＦ側）から見たときの図である。図２に示すように、反射部材４２は、板状に形成され、プーリ３に嵌め込まれる取付穴４２ａが形成されている。この取付穴４２ａには主軸２も挿通されている。これにより、反射部材４２は、主軸２の回転と共にプーリ３が軸回りに回転すると、プーリ３と同じように軸回りに回転する。
【００２１】
図２に示すように、反射部材４２は、取付穴４２ａの中心から外周までの直線距離が全ての外周位置で異なるように形成されている。
具体的には、反射部材４２は、取付穴４２ａの中心から外周までの直線距離が最も短い位置（図２のＡ点）と取付穴４２ａの中心から外周までの直線距離が最も長い位置（図２のＢ点）とが同一直線上にあるように形成されている。そして、Ａ点から外周を辿ってＢ点に向かうにつれて、取付穴４２ａの中心から外周までの直線距離が徐々に増加するように形成されている。逆に言えば、Ｂ点から外周を辿ってＡ点に向かうにつれて、取付穴４２ａの中心から外周までの直線距離が徐々に減少するように形成されている。
【００２２】
従って、反射部材４２は、一回転する間においてファイバセンサ４１に向けて反射する反射光の光量が回転角度の増加と共に増加又は減少させることができる。ここで、回転角度の増加に伴う反射光の光量の増減は、反射部材４２の回転方向によって定まる。すなわち、図２において、反射部材４２を時計回りに回転させていくと、反射光の光量が回転角度の増加と共に増加し、逆に、反射部材４２を反時計回りに回転させていくと、反射光の光量が回転角度の増加と共に減少する。ここで、図２において、反射部材４２が時計回りに回転する場合とは、ミシンが布の正送りを行う場合であり、反射部材４２が反時計回りに回転する場合とは、ミシンが布の逆送りを行う場合である。
よって、反射部材４２は、ファイバセンサ４１により照射された光を受光する受光位置において、ファイバセンサ４１に向けて反射する反射光の光量が反射部材４２の回転角度によって変化する。
その結果、基板４３上の電子回路から出力される電圧値も反射部材４２の回転角度によって変えることができるため、出力される電圧値により反射部材４２の回転角度、言い換えると、プーリ３の回転角度を知ることができる。これによって、上停止位置及び下停止位置も含めた針の位置を知ることができる。
【００２３】
ファイバセンサ４１と反射部材４２の位置関係について説明すると、ファイバセンサ４１の照射領域Ｒに反射部材４２のＡ点が来た場合（Ａ点及びＢ点を通る直線を境界として左側の隣接位置に照射する場合）には、ファイバセンサ４１への反射光は全くない。一方、ファイバセンサ４１の照射領域Ｒに反射部材４２のＢ点が来た場合（Ａ点及びＢ点を通る直線を境界として右側の隣接位置に照射する場合）には、反射部材４２の反射光は全てファイバセンサ４１に導かれる。
すなわち、照射した光量に対する受光した反射光の光量の割合が、反射部材４２の一回転の間で０％から１００％まで変化する。
例えば、図３に示すように、反射部材４２が１８０°回転した場合には、ファイバセンサ４１が照射した光量に対する受光した反射光の光量の割合が５０％になる。
【００２４】
図４は、反射部材４２を図２に示す状態から反射部材４２の回転角度（主軸２の回転角度）と電子回路により出力される出力電圧との関係をグラフに示したものである。なお、図４は、反射部材４２を時計回りに回転させて、反射光の光量が回転角度の増加と共に増加するようにしたときの図である。
図４に示すように、反射部材４２の回転角度が０°のときは、ファイバセンサ４１の照射領域Ｒに反射部材４２がないため、ファイバセンサ４１で受光する反射光はなく、ファイバセンサ４１から出力される電圧は０である。反射部材４２を回転させていくと、ファイバセンサ４１の照射領域Ｒに反射部材４２が徐々に進入してくるため、ファイバセンサ４１が受光する反射光の光量も徐々に増加する。そして、反射部材４２の回転角度が３５９°のときは、ファイバセンサ４１の照射領域Ｒの全域に反射部材４２が存在するようになり、ファイバセンサ４１から照射される光の全てが反射され、ファイバセンサ４１により受光される。このとき、基板４３から出力される電圧が最大となる。以降、一回転ごとに出力電圧が同様に変化する。
【００２５】
図５（ａ）に示すように、シンクロナイザ４は、制御装置６に電気的に接続されている。そのため、シンクロナイザ４に備えられる電子回路は、ファイバセンサ４１により検出された光量をその光量に応じた電圧値に変換し、その電圧値が、電子回路から制御装置６に出力される。
制御装置６は、公知のＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、ＥＥＰＲＯＭ６４を備えている。制御装置６には、シンクロナイザ４以外にも、ミシンモータ７が接続されている。
図５（ｂ）に示すように、ＥＥＰＲＯＭ６４には、針を上位置で停止させるときの主軸２の回転角度に対応する電子回路から受信した出力電圧値と、針を下位置で停止させるときの主軸２の回転角度に対応する電子回路から受信した出力電圧値とがそれぞれ記憶されている。
制御装置６は、電子回路から受信した出力電圧がＥＥＰＲＯＭ６４に記憶された上停止位置又は下停止位置に対応する電圧に一致したと判断した場合には、制御装置６は、ミシンモータ７の駆動を停止させて主軸２の回転を停止させる。主軸２の回転が停止することにより、針も停止させることができる。
【００２６】
＜作用効果＞
このように、上記構成のシンクロナイザ４を備えるミシン１によれば、ファイバセンサ４１を用いることにより、従来のフォトリフレクタと違って受光の有無だけでなく、反射光の光量も検出することができるようになる。また、反射部材４２は、ファイバセンサ４１により照射された光を受光する受光位置において、ファイバセンサ４１に向けて反射する反射光の光量が回転角度によって変化し、その変化に伴って電子回路から出力される電圧も変化するため、受光した反射光の光量から出力される電圧と反射部材４２の回転角度との対応関係がわかる。このとき、反射部材４２は、軸心から外周までの直線距離が全ての外周位置で異なるため、一つの回転角度に対し一つの出力電圧が一義的に決まる。
従って、針の上停止位置となるときの電子回路からの出力電圧、下停止位置となるときの電子回路からの出力電圧を予め設定しておけば、その時の出力電圧に対応する反射部材４２の回転角度、すなわち、主軸２の回転角度で主軸２を停止させることで針の上停止、下停止の制御を実現することができる。
このような検出機構を採用することで、主軸２を停止させる出力電圧を任意に変更すれば、異なる機種にも対応可能となる。また、一つの回転角度に対し一つの出力電圧が一義的に決まるので、二つの異なる出力電圧を任意に変更することにより、針の上停止位置、下停止位置を自由に変更でき、しかも、一つのファイバセンサ４１で検出することが可能となる。
よって、異なる機種のミシンにも対応可能で、針の上停止位置及び下停止位置を一つのセンサで検出することができる。
【００２７】
また、遮光板５はファイバセンサ４１と反射部材４２との間に設けられているので、ファイバセンサ４１からの光は遮光板５のスリット５１を経て反射部材４２で反射され、その反射光も遮光板５のスリット５１を経てファイバセンサ４１で受光される。
これにより、ファイバセンサ４１からの照射光、反射部材４２からの反射光によって検出される光量が乱されることがない。
よって、光の乱反射による検出誤差を抑え、針の上停止位置、下停止位置の検出精度を高めることができる。
【００２８】
また、基板４３にファイバセンサ４１と電子回路を設けることにより、基板４３と反射部材４２との間にできる空間、又は基板４３とミシンフレームＦとの間にできる空間を利用してファイバセンサ４１と電子回路を設けることができるので、スペースを有効利用することができ、省スペース化を図ることができる。
【００２９】
また、布の正送りをする場合、すなわち、図２において、プーリ３が時計回りに回転することにより反射部材４２も回転するが、この回転角度の増加に伴い、ファイバセンサ４１が検出する反射部材４２からの反射光の光量も増加する。
これにより、反射光の光量がゼロとなる位置を基準とした場合、反射部材４２が一回転するまでに検出される光量が減少することはないので、検出光量と針の上停止位置、下停止位置の関連づけが容易になる。
また、検出される光量が減少するのは、反射部材４２がちょうど一回転したときであるため、そのときは主軸２も一回転していることになり、主軸２の回転速度の検出に利用することができる。
【００３０】
［第２の実施形態］
なお、本発明は上記実施形態に限られるものではない。第２の実施形態としては、例えば、図６に示すように、ファイバセンサ４１が照射した光をプーリ３が乱反射するのを防止する乱光防止板８をプーリ３と反射部材９との間に設けてもよい。
なお、図２と同様、図６は、反射部材９を図１におけるＤ方向（紙面の左側、すなわちミシンフレームＦ側）から見たときの図である。
乱光防止板８は、円形状に形成された板材であり、その中心には、プーリ３に嵌め込まれる取付穴８１が形成されている。この取付穴８１には、主軸２も挿通されている。乱光防止板８の表面は、光の反射を防ぐような材料又は加工がなされている。
【００３１】
反射部材９は、乱光防止板８に貼り付けられており、主軸２の回転と共にプーリ３、乱光防止板８と共に軸回りに回転する。反射部材９は、その回転中心Ｃから外周までの直線距離が全ての外周位置で異なるように形成されている。
具体的には、反射部材９は、回転中心Ｃから外周までの直線距離が最も短い位置（図６のＧ点）と回転中心Ｃから外周までの直線距離が最も長い位置（図６のＨ点）とが同一直線上にあるように形成されている。そして、Ｇ点から外周を辿ってＨ点に向かうにつれて、回転中心Ｃから外周までの直線距離が徐々に増加するように形成されている。逆に言えば、Ｈ点から外周を辿ってＧ点に向かうにつれて、回転中心Ｃから外周までの直線距離が徐々に減少するように形成されている。
【００３２】
従って、反射部材９は、一回転する間においてファイバセンサ４１に向けて反射する反射光の光量が回転角度の増加と共に増加又は減少させることができる。ここで、回転角度の増加に伴う反射光の光量の増減は、反射部材９の回転方向によって定まる。すなわち、図６において、反射部材９を時計回りに回転させていくと、反射光の光量が回転角度の増加と共に増加し、逆に、反射部材９を反時計回りに回転させていくと、反射光の光量が回転角度の増加と共に減少する。
よって、反射部材９は、ファイバセンサ４１により照射された光を受光する受光位置において、ファイバセンサ４１に向けて反射する反射光の光量が反射部材９の回転角度によって変化する。
【００３３】
このような構成とすることにより、ファイバセンサ４１から反射部材９に向けて照射された光のうち、反射部材９に当たらなかった光は乱光防止板８により反射が防止される。
これにより、ファイバセンサ４１から照射された光がプーリ３に当たってファイバセンサ４１に向けて反射することが無くなり、検出誤差を抑え、針の上停止位置、下停止位置の検出精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】ミシンのシンクロナイザ周囲の断面図。
【図２】主軸の回転角度が０°のときの反射部材の状態を示す図。
【図３】主軸の回転角度が１８０°のときの反射部材の状態を示す図。
【図４】主軸の回転角度とファイバセンサからの出力電圧との関係を示すグラフ。
【図５】制御装置まわりの構成を示すブロック図。
【図６】第２の実施形態における反射部材の正面図。
【図７】従来技術におけるミシンのシンクロナイザ周囲の断面図。
【図８】従来技術における遮光板の正面図。
【符号の説明】
【００３５】
１  ミシン
２  主軸
３  プーリ
４  シンクロナイザ
５  遮光板
８  乱光防止板
９  反射部材
４１  ファイバセンサ
４２  反射部材
４３  基板
５１  スリット
Ｆ  ミシンフレーム
【図１】
2010063516.tif 000003
【図２】
2010063516.tif 000004
【図３】
2010063516.tif 000005
【図４】
2010063516.tif 000006
【図５】
2010063516.tif 000007
【図６】
2010063516.tif 000008
【図７】
2010063516.tif 000009
【図８】
2010063516.tif 000010