(57)【要約】      （修正有）【課題】薄型化しながらも物理的強度特性に優れたＩＣチップを提供することにあり、これにより、ＩＣチップをアンテナシートに実装し、インレットを形成した際に、ＩＣチップ部分を樹脂封止等しなくとも破損を防止するだけの強度を有すると共に、ＩＣ媒体表面の平滑性に優れる信頼性の高いＩＣ媒体を提供することにある。【解決手段】集積回路及び接続端子が形成されたシリコンウエハ２の片面に接着層３を介して補強板４を貼り合わせた積層体を、シリコンウエハ部分２と補強板部分４でダイシング工程を分け、厚み又は／及び砥粒の材料の異なるダイシングブレード６，７を用いてダイシングすることにより、ＩＣチップ１に個片化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が形成されたシリコンウエハの片面に接着層を介して補強板を貼り合わせた積層体を形成する工程と、
該積層体を、ダイシングブレードを用いてダイシングしＩＣチップに個片化する工程と、を有し、
該積層体をダイシングする工程が、該シリコンウエハをダイシングする工程と、該補強板をダイシングする工程とに分かれ、
該積層体をダイシングする工程と該シリコンウエハをダイシングする工程とで、少なくともブレード幅又は材質が異なるダイシングブレードを用いることを特徴とするＩＣチップの製造方法。
【請求項２】
前記シリコンウエハをダイシングする工程において、少なくとも一部又は全部の接着層も合わせてダイシングすることを特徴とする請求項１に記載のＩＣチップの製造方法。
【請求項３】
前記補強板をダイシングする工程に用いるダイシングブレードは、前記シリコンウエハをダイシングする工程に用いるダイシングブレードより、ブレード幅が狭いことを特徴とする請求項１又は２に記載のＩＣチップの製造方法。
【請求項４】
前記補強板のダイシング予定位置に、予め切込部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＩＣチップの製造方法。
【請求項５】
前記切込を、エッチングにより形成することを特徴とする請求項４に記載のＩＣチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣカード、ＩＣタグ等の様々なＩＣ媒体に用いられるＩＣチップに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、個人を認識するＩＤカードとして、磁気あるいは光学的読み取りを行う方法が社員証、キャッシュカード、クレジットカード等において広く用いられてきた。しかしながら、技術の大衆化によってデータの改ざんや偽造カードが出回るようになり、実際に偽造カードによって被害を受ける人が増加するなど、個人情報の秘匿に関しては社会問題化している。このため、近年はＩＣチップを内蔵したＩＣ媒体が情報容量の大きさや暗号化データを載せられるといった高セキュリティの点から個人データを管理するものとして注目を集めている。
【０００３】
特に非接触通信型のＩＣ媒体は、手間が要らず携帯状態で外部の読み書き装置との情報交換が可能であり、様々な分野で使用されるようになってきている。これは、外部の読み書き装置からの電磁波によって、アンテナコイルに励起された誘導起電力でＩＣチップを駆動するものであり、バッテリー電源をカード内部に持つ必要が無く、例えば、携帯状態で使用できるなどのアクティビティに優れている為である。
【０００４】
このような非接触ＩＣ媒体は、従来、図４で示すように、アンテナシートへＩＣチップをフリップチップ実装し、その後両面を樹脂で封止して、補強板の貼りあわせを行っている。この場合、ＩＣチップの厚さが約２００μｍ、補強板の厚さが１枚約３０μｍで、総厚が約４５０μｍのＩＣインレットが採用されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−８４７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＩＣチップ部分が厚くなることから、衝撃や曲げ等に対してこの部分が追従できずに、カードの衝撃、曲げ等に対する物理的強度特性に劣り、カードが点圧、衝撃、曲げ等のストレスを受けるとＩＣチップが破壊される危惧があり、信頼性に問題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、薄型化しながらも物理的強度特性に優れたＩＣチップを提供することにあり、これにより、ＩＣチップをアンテナシートに実装し、インレットを形成した際に、ＩＣチップ部分を樹脂封止等しなくとも破損を防止するだけの強度を有すると共に、ＩＣ媒体表面の平滑性に優れる信頼性の高いＩＣ媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明は、集積回路が形成されたシリコンウエハの片面に接着層を介して補強板を貼り合わせた積層体を形成する工程と、該積層体を、ダイシングブレードを用いてダイシングしＩＣチップに個片化する工程と、を有し、該積層体をダイシングする工程が、該シリコンウエハをダイシングする工程と、該補強板をダイシングする工程とに分かれ、該２つの工程で少なくとも厚み又は材質のいずれか一方が異なるダイシングブレードを用いることを特徴とするＩＣチップの製造方法としたものである。
【０００９】
また本発明は、前記シリコンウエハをダイシングする工程において、少なくとも一部又は全部の接着層も合わせてダイシングすることを特徴とする前記ＩＣチップの製造方法としたものである。
【００１０】
また本発明は、前記補強板をダイシングする工程に用いるダイシングブレードは、前記シリコンウエハ及び少なくとも一部の前記接着層をダイシングする工程に用いるダイシングブレードより、ブレード幅が狭いことを特徴とする前記ＩＣチップの製造方法としたものである。
【００１１】
また本発明は、前記補強板のダイシング予定位置に、予め切込部を設ける工程を含むことを特徴とする前記ＩＣチップの製造方法としたものである。
【００１２】
また本発明は、前記切込を、エッチングにより形成することを特徴とする前記ＩＣチップの製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、以上説明したような構成であるから、以下に示す如き効果がある。
【００１４】
即ち、本発明におけるＩＣチップの製造方法は、集積回路が形成されたシリコンウエハの片面に接着層を介して補強板を貼り合わせた積層体を、シリコンウエハ部分と補強板部分で工程を分け、異なるダイシングブレードを用いてダイシングして、ＩＣチップに個片化する故、ダイシングブレードを長寿命化させることが可能となる。また、こうして得られたＩＣチップは、アンテナシートに実装する際に、ＩＣチップ部分を樹脂封止して補強板を積層する必要がなく、ひいてはＩＣチップ部分の薄型化に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明におけるＩＣチップの製造方法の実施形態例を説明する図である。
【図２】本発明におけるＩＣチップの製造方法の別の実施形態例を説明する図である。
【図３】本発明におけるＩＣチップを実装したインレットの実施形態例を説明する図である。
【図４】従来技術におけるインレットを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明におけるＩＣチップの製造方法の実施形態例を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
本発明においてＩＣチップは、Ｓｉウエハ、接着層（ＤＡＦ）、補強板（ＳＵＳ）を積層してなる積層体をダイシングすることによりＩＣチップに個片化して製造される。図１は、本発明におけるＩＣチップの製造方法の実施形態を説明する図である。
【００１８】
まず、集積回路及び接続端子が形成されたシリコンウエハを研削する。シリコンウエハの厚さについては、特に限定しないが、４５μｍ〜１００μｍが好ましく、求める薄さ、強度等により適宜調整する。
【００１９】
詳しく説明すると、集積回路並びに接続端子（図示せず）が形成されたＳｉウエハを研磨し、所定の厚み（例えば８０μｍ）に加工し、研磨後に、研磨時にダメージを受けた加工変質層を除去する。このため、例えば、超微細な砥粒を持つ乾式砥石ホイールによる機械的な研磨であるポリッシュ処理等を施す。この処理により、研削によって発生したストレスをリリースすることが可能になり、Ｓｉウエハの反り低減やＩＣチップに加工した場合の強度を高めることができる。このポリッシュ処理では２〜３μｍのＳｉを除去する。
【００２０】
次に、薄く仕上げたＳｉウエアの片面に接着層として、例えば、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）を用いて厚み５０〜２００μｍの補強板（ＳＵＳ）を貼り合わせる。補強板（ＳＵＳ）には、Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｎｉ、Ｃｒ等を単体もしくは複合させてなる金属が用いられる。
【００２１】
本発明におけるＩＣチップは、Ｓｉウエハに補強板と貼り合わせた後にダイシングしＩＣチップに個片化されるため、Ｓｉウエハ単独でダイシングした場合に比べて、その後の、例えばアンテナシートへの実装等の工程において、取り扱いが容易であり、ＩＣチップの破損の可能性を低下させることが可能となる。
【００２２】
ここで用いる接着層の膜厚は５〜５０μｍが望ましい。接着層の組成については特に限定しないが、低温で処理が可能なものが望ましい。また、接着層は低弾性率のものが望ましく、具体的には弾性率が７５ＭＰａ以下であると良い。これにより、接着層が柔らかく、クッション性に優れ、接着層が薄型化ＩＣチップの強度を補強する役割も果たすことが可能となる。
【００２３】
補強板の厚み及び材質は、ＩＣ媒体に加工した後の衝撃強度だけでなく、ダイシングのし易さにも大きく影響する。衝撃強度を向上させるためには、補強板の厚みを厚くし、硬度を高める必要があるが、ダイシングの際の加工性を良好にするには、この硬度を調整する必要があり、４００Ｈｖ以下が望ましい。
【００２４】
また、貼り合わせを行うときにウエハにかかる温度はより低温（〜６０℃）であることが望ましい。高温で貼り合わせを行うと、ウエハに反りが発生する場合があり、この反りがその後の処理工程で不具合を誘発させる原因になることがある。
【００２５】
貼り合わせにはラミネータを用いるが、このとき真空雰囲気で貼り合わせると、ボイドや貼りムラ等の不具合を抑えることが可能になる（大気雰囲気でも貼り合わせは可能である）。補強板の面積は、Ｓｉウエハの面積と同等若しくは若干大きくしておくと良い。これにより、Ｓｉウエハに補強板を貼り合わせる際に、若干のズレが生じても、個片化した際に全てのＩＣチップが補強板に覆われていることになり、さらに外周からの衝撃からもＳｉウエハを保護する役目も果たす。
【００２６】
そして、Ｓｉウエハに補強板を貼り合わせた積層体を、ダイシングテープ上に固定し、ダイシング装置を用いてダイシングすることによりチップ単位に個片化し、ＩＣチップとする。ダイシングは、Ｓｉウエハに設けられているスクライブラインに沿って行うことが一般的である。
【００２７】
スクライブラインとは、ＳｉウエハをＩＣチップに個片化する際に、ダイシングする場所を示す溝であり、予めＳｉウエハのメーカーによりＳｉウエハの片面に設けられている。スクライブラインの幅は、現在の技術水準においては、一般的に５０〜１２０μｍのものが存在し、問題なくＩＣチップを得る為には、このスクライブラインの幅より狭くダイシングする必要がある。ただし、本発明におけるＳｉウエハのスクライブライン幅は上記のものに限定されず、いかなる幅のスクライブラインが設けられたＳｉウエハでも使用可能である。
【００２８】
ダイシングテープは基材と糊からなるが、基材の材料としては、本発明においては特に限定しないが、一般的に、ＰＥＴ、ＰＯ、ＰＶＣ等が用いられおり、Ｓｉウエハのダイシングには、ＰＯ及びＰＶＣが好適に用いられ、環境適性等を考慮すると、ＰＯを用いるのが望ましい。ダイシングテープの厚みは、薄すぎるとダイシング中に破損してしまうため、破損しない程度の厚みが必要である。また、糊の接着性が弱いとダイシング中に積層体が微量ではあるが動いてしまい、加工不良が発生する可能性があるため、積層体が動かない程度の接着性が求められる。
【００２９】
本発明においては、積層体のダイシングを複数の工程に分けて行う。ここでは、積層体のうちＳｉウエハ及び少なくとも一部又は全部の接着層をダイシングする工程と、補強板をダイシングする工程の少なくとも２工程で、少なくともブレード幅又は材質が異なるダイシングブレードを用いてダイシングを行うこととする。
【００３０】
これは、Ｓｉウエハと補強板とでは、その材質、硬度等の特性が異なるためである。１つのダイシングブレードで特性の異なる部材をダイシングすると、ブレードの特性と部材の特性との組合せにより、相性の良し悪しがある。
【００３１】
特に、補強板はダイシングしづらい故、Ｓｉウエハと同じブレードでダイシングすると、ダイシングブレードが破損し易くなりライフが短くなるといった問題や、ブレードのぶれが大きくなりブレード幅よりも実際に部材に形成される溝の幅が異常に広くなり、スクライブラインの幅が狭いウエハには対応できなくなるといった問題等が発生する。
【００３２】
ここで、Ｓｉウエハ及び接着層をダイシングした工程で、残った接着層については、補強板をダイシングする工程において、同時にダイシングすることができる。
【００３３】
ダイシングブレードとしては、ブレード基材の表面に、微細な砥粒が多数設けられたものが好適に用いられる。このダイシングブレードはその砥粒の材料によって切断特性が変化する。ただし、本発明におけるダイシングブレードは、これに限定されるものではなく、ブレード基材単体で切断能力を有するダイシングブレードを用いても良い。
【００３４】
本発明における材質が異なるダイシングブレードとは、ブレード基材単体の場合には、そのものの材質が異なっていれば良いし、また、表面に砥粒が設けられたブレードの場合には、砥粒の材質が異なっていれば良い。
【００３５】
Ｓｉウエハ及び接着層のダイシングに用いるダイシングブレードの砥粒としては、ダイヤモンドが特に好適に用いられる。補強板のダイシングに用いるダイシングブレードの砥粒としては、補強板の材料によってもその適正は異なるが、チッ化ボラゾン（ホウ素）が特に好適に用いられる。
【００３６】
また、Ｓｉウエハのダイシング工程と補強板のダイシング工程とでは、異なるブレード幅のダイシングブレードを用いることができる。これは、機械の性能、オペレート等の影響を受けることにより、ダイシングブレードのブレード幅より、実際の部材の切断幅は広くなる故である。
【００３７】
よって、Ｓｉウエハ用のダイシングブレードのブレード幅は、Ｓｉウエハのスクライブライン幅より狭いことが求められ、具体的には、１０〜１５μｍ程度狭いことが望ましい。
【００３８】
さらに、補強板のダイシングに用いるダイシングブレードは、Ｓｉウエハのダイシングに用いるダイシングブレードより、ブレード幅が狭いものを用いることが好ましく、具体的には、Ｓｉウエハのダイシングに用いるダイシングブレードのブレード幅より、５〜１０μｍ程度狭いことが望ましい。これは、まずＳｉウエハをダイシングしてできた溝に、補強板のダイシングに用いるダイシングブレードを挿入して補強板をダイシングするが、この際にダイシングブレードが、Ｓｉウエハに接触し、余計に切削することを防ぐためである。
【００３９】
なお、本発明における積層体のダイシング工程は、上述したＳｉウエハ及び接着層をダイシングする工程と、補強板をダイシングする工程との２工程に分けることに限定されるものではなく、接着層の少なくとも一部又は全部を補強板と一緒にダイシングしても良いし、Ｓｉウエハ、接着層及び補強板の各々を別々のダイシングブレードでダイシングする３工程で行っても良い。
【００４０】
図２は、本発明におけるＩＣチップの製造方法の別の実施形態を説明するための図である。
【００４１】
図２に示したＩＣチップは、補強板（ＳＵＳ）に予め切込部が設けられている以外は、図１に示したＩＣチップと同様に製造される。
【００４２】
補強板の切込部は、補強板のダイシング予定位置に形成する。ダイシング予定位置とは、即ち、Ｓｉウエハと積層した際に、Ｓｉウエハに形成されているスクライブラインに対応する位置のことである。
【００４３】
切込部を断裁予定位置に形成する為には、Ｓｉウエハ面と補強板面との両サイドにてアライメントを行う、若しくは補強板の裏側（Ｓｉウエハと接する面）に特殊なアライメント用マークを形成し、このマークとウエハのアライメントを行う、等により位置合わせが可能となる。
【００４４】
切込部の深さは、補強板の厚さ全体の６〜８割程度にすれば良いが、補強板とＳｉウエハとの貼り合わせに支障をきたさない程度、つまり、補強板が自重で折れ曲がらない程度であれば、これに限定されるものではない。
【００４５】
切込部の形成方法としては、エッチングにより形成することが望ましい。エッチングとは、切込部を形成する部分以外にマスクを設けた状態で、補強板を溶剤と反応させることにより形成する手法である。溶剤としては、補強板を溶解させる性質を持つ溶液が用いられ、塩化第二鉄液等が使用可能である。また、エッチングにおいて切込部の深さを制御するためには、温度等を調節することにより、エッチングレートを比較的遅くすることにより制御が容易となる。
【００４６】
エッチングが、切込部を全面に一度で加工可能なため、生産効率が良く、深さの制御も容易であることから、切込部の形成に適した手法である。ただし、切込部の形成方法は、エッチングに限定されるものではなく、レーザを当てることにより若しくは別途ブレードを用いて切削することにより形成しても良い。
【００４７】
このように、補強板に切込部を形成してからダイシングを行うと、ダイシングしづらい補強板のダイシング工程における時間が短縮され、ダイシングブレードの長寿命化が可能である。また、補強板のダイシング部分がダイシングテープに接触しないため、ダイシング時に補強板のバリが発生しないこともメリットである。さらに、ダイシング後にＩＣチップをピックアップする際にも、補強板のバリが存在しないため作業性が向上する。
【００４８】
図３は、本発明におけるＩＣチップをアンテナシートに実装してなるインレットの実施形態例を示す図である。アンテナシートとは、非接触通信用のアンテナが、コイル若しくはエッチング等によりフィルム上に設けられた部材のことである。
【００４９】
ＩＣチップのアンテナシートの実装は、絶縁性樹脂フィルム（ＮＣＦ）又は異方性導電性樹脂フィルム（ＡＣＦ）等の樹脂組成物を介して貼り合わせても良いし、超音波実装し、隙間をアンダーフィルで充填させても良く、その他公知の実装方法により行って良く、本発明においてはこの実装方法については特に限定しない。
【００５０】
また、図示しないが、電気的安定性を高める為に、ＩＣチップ部分の厚みに影響を及ぼさない範囲で、ＩＣチップの側面を樹脂等により封止しても良い。
【００５１】
図３（ａ）に示した如く、図１及び図２を用いて説明した本発明におけるＩＣチップの製造方法を用いて得られたＩＣチップは、上述した如くＳｉウエハが薄型化されており、更に補強板が既に積層されている故、アンテナシートに実装してインレットを形成する際に、樹脂封止した上に補強板を積層する必要がなく、インレットのＩＣチップ部分の厚みを抑えることが可能となる。
【００５２】
図３（ａ）に示した実装形態の場合には、Ｓｉウエハより、補強板を厚くすることが望ましく、本発明の構造とすることにより、全体としては薄型化を実現しながらも、補強板の厚みは従来よりも厚くすることが可能である故、ＩＣチップ部分の強度を向上させることが可能となる。
【００５３】
また、ＩＣチップ部分に更なる強度が求められる場合には、図３（ｂ）に示した如く、アンテナシートのＩＣチップ積層部分の裏側に、接着層を介して補強板を積層しても良い。この場合であっても、従来のＩＣチップ部分の表裏を樹脂封止して補強板を積層したインレットと比較して、ＩＣチップ部分を薄くすることが可能である。
【００５４】
図３（ｂ）に示した実装形態の場合には、表裏いずれかの補強板を、Ｓｉウエハより厚くすることが望ましく、これにより、全体としては薄型化を実現しながらも、ＩＣチップ部分の強度を向上させることが可能となる。
【符号の説明】
【００５５】
１・・・ＩＣチップ
２・・・シリコンウエハ
３・・・接着層
４・・・補強板
５・・・ダイシングテープ
６、７・・・ダイシングブレード
８・・・切込部
９・・・アンテナシート
１０・・・封止樹脂
【図１】
2010238910.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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