(57)【要約】【課題】より精密にキャビテーションの破裂エネルギーを制御して、ＵＳダメージの少ない清浄な磁気ディスク用ガラス基板を得ることができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、磁気ディスク用ガラス基板を超音波洗浄する洗浄工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記洗浄工程の前に前記磁気ディスク用ガラス基板上に残存する異物の大きさを測定する異物測定工程を備え、前記洗浄工程において、前記異物の大きさに応じて前記超音波洗浄で用いる超音波の音圧及び周波数を調整することを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスク用ガラス基板を超音波洗浄する洗浄工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記洗浄工程の前に前記磁気ディスク用ガラス基板上に残存する異物の大きさを測定する異物測定工程を備え、前記洗浄工程において、前記異物の大きさに応じて前記超音波洗浄で用いる超音波の音圧及び周波数を調整することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄工程の直前の工程が前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記洗浄工程の直前の工程が前記磁気ディスク用ガラス基板を化学強化する化学強化工程であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄工程の直前の工程から前記洗浄工程までの時間が１時間以内であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
除去対象となる前記異物の大きさが主に１．０μｍ以下であるときに、超音波の周波数を８０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚとし、超音波の音圧を１．５ｍＶ〜２．５ｍＶとすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
除去対象となる前記異物の大きさが主に１．０μｍを超える大きさであるときに、超音波の周波数を４０ｋＨｚ〜８０ｋＨｚとし、超音波の音圧を１．０ｍＶ〜２．０ｍＶとすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」という）等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ディスク用のガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ装置）に搭載される磁気記録媒体として磁気ディスクがある。磁気ディスクは、アルミニウム−マグネシウム合金などで構成された金属板上にＮｉＰ膜を被着した基板、ガラス基板、セラミックス基板上に磁性層や保護層を積層したりして作製される。従来では、磁気ディスク用の基板としてアルミニウム合金基板が広く用いられていたが、近年の磁気ディスクの小型化、薄板化、高密度記録化に伴って、アルミニウム合金基板に比べて表面の平坦度や薄板での強度に優れたガラス基板が用いられるようになってきている。
【０００３】
このような磁気ディスク用ガラス基板は、形状加工工程及び第１ラッピング工程（第１研削工程）；端部形状加工工程（穴部を形成するコアリング工程、端部（外周端部及び内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング工程（面取り面形成工程））；端面研磨工程（外周端部及び内周端部）；第２ラッピング工程（第２研削工程）；主表面研磨工程（第１及び第２研磨工程）；化学強化工程などの工程を経て製造される。
【０００４】
上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板には、基板上に形成する磁性膜の膜はがれなどが起こらないように汚れがない高清浄度な表面であることが要求されている。このため、磁気ディスク用ガラス基板の洗浄においては、超音波洗浄が用いられている（特許文献１）。この超音波洗浄においては、磁気ディスク用ガラス基板を洗浄液に浸漬し、この洗浄液に超音波振動を与える。このとき、洗浄液中の水分子などの粒子が高速に振動して、水が急速に気化して気泡が発生し、この気泡が急激に凝縮して消滅することが繰り返され、局所的に高温高圧の状態になる。これをキャビテーション（空洞現象）といい、この現象により汚染物が分解され、洗浄液中に容易に分散するようになるので、洗浄を効果的に行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−３１３９４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような超音波洗浄においては、キャビテーションの大きさや破裂の際のエネルギーが洗浄力に影響を及ぼす。すなわち、キャビテーションの破裂エネルギーが大きければ大きいほど洗浄力が大きくなる。しかしながら、キャビテーションの破裂エネルギーを大きくし過ぎると、破裂エネルギーによる磁気ディスク用ガラス基板の損傷（超音波ダメージ（ＵＳダメージ））が発生してしまう。このような磁気ディスク用ガラス基板の損傷は、これを用いて得られた磁気ディスクのデータ読み書きエラーの原因となる。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、より精密にキャビテーションの破裂エネルギーを制御して、ＵＳダメージの少ない清浄な磁気ディスク用ガラス基板を得ることができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、磁気ディスク用ガラス基板を超音波洗浄する洗浄工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記洗浄工程の前に前記磁気ディスク用ガラス基板上に残存する異物の大きさを測定する異物測定工程を備え、前記洗浄工程において、前記異物の大きさに応じて前記超音波洗浄で用いる超音波の音圧及び周波数を調整することを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、磁気ディスク用ガラス基板にＵＳダメージを与えない音圧で、しかも洗浄力の高い周波数で洗浄を行うことができるので、より精密にキャビテーションの破裂エネルギーを制御して、ＵＳダメージの少ない清浄な磁気ディスク用ガラス基板を得ることができる。
【００１０】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、前記洗浄工程の直前の工程が前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程であることが好ましい。
【００１１】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、前記洗浄工程の直前の工程が前記磁気ディスク用ガラス基板を化学強化する化学強化工程であることが好ましい。
【００１２】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、前記洗浄工程の直前の工程から前記洗浄工程までの時間が１時間以内であることが好ましい。
【００１３】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、除去対象となる前記異物の大きさが主に１．０μｍ以下であるときに、超音波の周波数を８０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚとし、超音波の音圧を１．５ｍＶ〜２．５ｍＶとすることが好ましい。
【００１４】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、除去対象となる前記異物の大きさが主に１．０μｍを超える大きさであるときに、超音波の周波数を４０ｋＨｚ〜８０ｋＨｚとし、超音波の音圧を１．０ｍＶ〜２．０ｍＶとすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、磁気ディスク用ガラス基板を超音波洗浄する洗浄工程を含み、前記洗浄工程の前に前記磁気ディスク用ガラス基板上に残存する異物の大きさを測定する異物測定工程を備え、前記洗浄工程において、前記異物の大きさに応じて前記超音波洗浄で用いる超音波の音圧及び周波数を調整するので、より精密にキャビテーションの破裂エネルギーを制御して、ＵＳダメージの少ない清浄な磁気ディスク用ガラス基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】異物残存率と時間との間の関係を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造において用いられる超音波洗浄装置を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
現在、磁気ディスク用ガラス基板に対する超音波洗浄においては、通常、超音波の周波数は２８ｋＨｚ〜４０ｋＨｚ程度である。２８ｋＨｚ〜４０ｋＨ程度の超音波を用いた場合は、強いキャビテーションが発生する。しかしながら、超音波の周波数が８０ｋＨｚ〜にした場合、キャビテーションが発生し得る液中音圧の下限が大きくなり、キャビテーションが起こりにくくなることが知られている。これは、超音波の周波数が高くになるにしたがって液共振が発生しにくくなるためであると考えられる。また、超音波の周波数が高くなると、超音波による水分子などの粒子の振動の加速度が周波数の二乗に比例して増加するので、前記粒子の振動に基づく強い洗浄力を得ることができる。
【００１８】
このように、通常使用されている超音波の周波数よりも高い周波数を用いると、強い洗浄力が得られるが、磁気ディスク用ガラス基板へのダメージも大きくなると考えられる。また、超音波の周波数が高くなるにつれて、弱いキャビテーションを回数多く発生させる効果（時間的効果）と波長を短くして洗浄ムラを抑制する効果（空間的効果）を有することから、洗浄効果を及ぼす異物のサイズが微小になることは知られているが、実際には各周波数が効果を及ぼす異物サイズは特定されていない。
【００１９】
本発明者らは、通常使用されている超音波の周波数よりも高い周波数を用いることにより、異物に対する高い洗浄効果を得るとともに、磁気ディスク用ガラス基板へのダメージを少なくする方法を検討した結果、異物のサイズと、超音波の周波数（通常使用されている超音波の周波数よりも高い周波数）と、超音波の音圧との３つの関係を調整すればよいことを見出した。
【００２０】
具体的には、１．０μｍ未満の異物、及び、１．０μｍを超える異物を複合的に存在するガラス基板表面をスピンドライあるいはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥させ、この状態で基板表面に存在する異物の詳細を確認して、その結果からサイズ、形状についてＳＥＭでの表面観察を行い、異物のサイズに応じて、高い洗浄力で異物を除去できる超音波の周波数と、磁気ディスク用ガラス基板へのダメージを完全に抑制することができる超音波の音圧（ｍＶ）とが存在することを見出した。ここで、異物のサイズとは、異物における最大の長さをいう。
【００２１】
すなわち、本発明の骨子は、磁気ディスク用ガラス基板を超音波洗浄する洗浄工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記洗浄工程の前に前記磁気ディスク用ガラス基板上に残存する異物の大きさを測定する異物測定工程を備え、前記洗浄工程において、前記異物の大きさに応じて前記超音波洗浄で用いる超音波の音圧及び周波数を調整することにより、より精密にキャビテーションの破裂エネルギーを制御して、ＵＳダメージの少ない清浄な磁気ディスク用ガラス基板を得ることである。これにより、磁気ディスク用ガラス基板へのダメージを抑制しつつ、超音波を利用した物理的作用の洗浄効果を極限まで引き出すことができるので、周波数が２８ｋＨｚ〜４０ｋＨｚである超音波を使用した超音波洗浄に比べて、高品質な磁気ディスク用ガラス基板を得ることが可能となる。
【００２２】
本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、洗浄工程の前に磁気ディスク用ガラス基板上に残存する異物の大きさを測定し、洗浄工程において、測定された異物の大きさに応じて超音波洗浄で用いる超音波の音圧及び周波数を調整する。この場合において、除去対象となる異物の大きさが主に１．０μｍ以下であるときに、超音波の周波数を８０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚ以上とし、超音波の音圧を１．５ｍＶ〜２．５ｍＶとすることが好ましく、除去対象となる前記異物の大きさが主に１．０μｍを超える大きさであるときに、超音波の周波数を４０ｋＨｚ〜８０ｋＨｚとし、超音波の音圧を１．０ｍＶ〜２．０ｍＶとすることが好ましい。
【００２３】
磁気ディスク用ガラス基板の洗浄工程において、酸洗浄、アルカリ洗浄、溶剤洗浄などの洗浄工程を通過した残存異物とガラス基板表面とは結合エネルギーが高くなる。この点について詳細に説明する。ガラス基板表面に残存するある異物を考えた場合、純粋な状態（例えば純金属）で存在することはまれである。大半は混合状態（純金属＋有機物／純金属Ａ＋純金属Ｂなど）で存在する。このような異物は、研磨や強化によってガラス基板表面に存在するわけだが、この状態なら、ガラス基板表面から離脱させることは容易である。これは、ガラス基板と異物との間の結合エネルギーが相対的に低いからである。しかしながら、ガラス基板が酸洗浄、アルカリ洗浄を通過したり、大気中で乾燥されると、金属の酸化還元反応が起因して、異物とガラス基板表面との間の界面に存在するＨ２Ｏが消費されて界面に存在する有機物などが局所的に凝縮し、単純な結合状態から複合分子による強固な結合状態にシフトする（結合エネルギー高）。
【００２４】
このように結合エネルギーが高くなった状態でガラス基板表面から異物を離脱させることは容易ではない。図１は、ガラス基板に対して研磨又は化学強化を行った後にガラス基板表面に残存した異物に対して、所定時間放置後にガラス基板を超音波洗浄したときにガラス基板表面に残存した異物の割合を示している。図１に示すように、ガラス基板に対する処理後の放置時間が長く経過すると、ガラス基板と異物との間の結合エネルギーが高くなり、除去しにくくなっている。したがって、異物とガラス基板表面との間の結合エネルギーが相対的に低い状態のときに異物を除去することが重要である。具体的には、洗浄工程の直前の工程から洗浄工程までの時間が１時間以内であることが好ましい。
【００２５】
ガラス基板の材料として好ましいガラスとしては、アルミノシリケートガラスを挙げることができる。アルミノシリケートガラスは、優れた平滑鏡面を実現することができるとともに、例えば、化学強化を行うことによって、破壊強度を高めることができる。
【００２６】
アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：６２重量％〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５重量％〜１５重量％、Ｌｉ２Ｏ：４重量％〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４重量％〜１２重量％、ＺｒＯ２：５．５重量％〜１５重量％を主成分として含有するとともに、Ｎａ２ＯとＺｒＯ２との重量比が０．５〜２．０、Ａｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との重量比が０．４〜２．５である化学強化用ガラスが好ましい。
【００２７】
また、本発明において製造する磁気ディスク用ガラス基板をなす材料は、前述したものに限定されるわけではない。すなわち、ガラス基板の材質としては、前述したアルミノシリケートガラスの他に、例えば、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、または、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどを挙げることができる。
【００２８】
磁気ディスク用ガラス基板の製造工程は、素材加工工程及び第１ラッピング工程；端部形状工程（穴部を形成するコアリング工程、端部（外周端部及び／又は内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング工程（面取り面形成工程））；第２ラッピング工程；端面研磨工程（外周端部及び内周端部）；主表面研磨工程（第１及び第２研磨工程）；化学強化工程：洗浄工程などの工程を含む。なお、主表面研磨工程（第２研磨工程）と化学強化工程とは順序が逆であっても良い。
【００２９】
以下に、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程の各工程について説明する。
（１）素材加工工程及び第１ラッピング工程
まず、素材加工工程においては、板状ガラスの表面をラッピング（研削）加工してガラス母材とし、このガラス母材を切断してガラスディスクを切り出す。板状ガラスとしては、様々な板状ガラスを用いることができる。この板状ガラスは、例えば、溶融ガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの方法うち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。
【００３０】
第１ラッピング工程においては、板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス基材とする。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行うことができる。具体的には、板状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得ることができる。
【００３１】
（２）端部形状工程（穴部を形成するコアリング工程、端部（外周端部及び内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング工程（面取り面形成工程））
コアリング工程においては、例えば、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とする。チャンファリング工程においては、内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施す。
【００３２】
（３）第２ラッピング工程
第２ラッピング工程においては、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行う。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。
【００３３】
（４）端面研磨工程
端面研磨工程においては、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行う。このとき、研磨砥粒としては、例えば、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いることができる。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態になる。
【００３４】
（５）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施す。第１研磨工程は、前述のラッピング工程で主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とする工程である。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行う。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いることができる。
【００３５】
（６）主表面研磨工程（最終研磨工程）
次に、最終研磨工程として、第２研磨工程を施す。第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする工程である。第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行う。スラリーとしては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細なコロイダルシリカ砥粒（平均粒子径０．５μｍ以下）を用いることがきる。
【００３６】
（７）化学強化工程
化学強化工程においては、前述のラッピング工程及び研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施す。化学強化に用いる化学強化液としては、例えば、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）の混合溶液などを用いることができる。化学強化においては、化学強化液を３００℃〜４００℃に加熱し、洗浄済みのガラス基板を２００℃〜３００℃に予熱し、化学強化溶液中に３時間〜４時間浸漬することによって行う。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行うことが好ましい。
【００３７】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中の相対的にイオン半径の大きなナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。
【００３８】
（８）異物測定工程
磁気ディスク用ガラス基板を化学強化する化学強化工程直前、あるいは、化学強化後に第２研磨を行う場合には、磁気ディスク用ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程直前に、磁気ディスク用ガラス基板上に残存する異物の大きさを測定する。そして、この異物の大きさの分布を求め、最も高い割合で含まれる異物サイズに応じて、洗浄工程における超音波の音圧及び周波数を調整する。なお、異物の大きさや分布を測定する装置としては、ＳＥＭ（電子顕微鏡）などを用いることができる。
【００３９】
（９）洗浄工程
洗浄工程においては、図２に示すような超音波洗浄装置を用いて、磁気ディスク用ガラス基板Ｄを超音波洗浄する。図２に示す超音波洗浄装置は、洗浄液２を収容する洗浄槽１と、洗浄液中に浸漬しており、洗浄液中にキャビテーションを発生させる超音波振動子３と、洗浄液中の超音波の周波数を検出する周波数検出器４と、複数の磁気ディスク用ガラス基板Ｄを支持するキャリア５と、超音波振動子３の周波数や音圧を制御する制御部６とから主に構成されている。制御部６において、異物測定工程で測定された異物の大きさに応じた周波数及び音圧に設定する。これにより、前記周波数及び前記音圧で超音波洗浄が行われる。
【００４０】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
（実施例１）
まず、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラス素材（ブランクス）を得た。この時点でブランクスの直径は６６ｍｍであった。次に、このブランクスの両主表面を第１ラッピング加工した後、円筒状のコアドリルを用いて、このガラス基板の中心部に穴部を形成して円環状のガラス基板に加工（コアリング）した。そして端部（外周端部及び内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング加工（面取り面形成工程））を施して、直径２．５インチのガラス基板とした。その後、このガラス基板に第２ラッピング加工を行った。
【００４１】
次いで、ガラス基板の外周端部について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。そして、鏡面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。
【００４２】
次いで、主表面研磨工程として、ガラス基板の両主表面に対して第１研磨工程を施した。第１研磨工程においては、研磨装置として、両面研磨機を使用した。この研磨装置における研磨パッドとしては、ウレタンパッドを用いた。また、研磨剤としては、セリウム研磨剤を用いた。また、研磨条件としては、加工面圧を１３０ｇ／ｃｍ２とし、加工回転数を２２ｒｐｍとした。これにより、ガラス基板の主表面の表面粗さＲａは約１．０ｎｍとなった。
【００４３】
次いで、ガラス基板の両主表面について、主表面を鏡面状に仕上げる第２研磨工程を施した。第２研磨工程においては、研磨装置として、両面研磨機を使用した。この研磨装置における研磨パッドとしては、軟質スウェードパッド（アスカーＣ硬度：５４、圧縮変形量：４７６μｍ、密度：０．５３ｇ／ｃｍ３）を用いた。また、研磨剤としては、平均粒径２０ｎｍのコロイダルシリカ研磨剤を用いた。また、研磨条件としては、加工面圧を６０ｇ／ｃｍ２とし、加工回転数を２０ｒｐｍとした。
【００４４】
この第２研磨工程を終えたガラス基板を、アルカリ溶液に浸漬して、超音波を印加して洗浄し、アルカリ洗浄液を用いてスクラブ洗浄を行い、極微量に希釈した希硫酸及び前記アルカリ洗浄液で洗浄を行った後に、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気乾燥を行った。
【００４５】
次いで、上述した最終研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を３８０°Ｃに加熱し、その中に洗浄済みのガラス基板を約４時間浸漬することによって行った。そして、この化学強化を終えたガラス基板に対して、酸洗浄、アルカリ洗浄、及び純水洗浄を順次行った。
【００４６】
このようにして得られた磁気ディスク用ガラス基板について、ＳＥＭで異物の大きさ及び分布を測定したところ、大きさが主に０．１μｍ〜０．７μｍであった。このため、超音波の周波数を８０ｋＨｚとし、その音圧を１．５ｍＶ〜２．５ｍＶとした。このような条件で、図２に示す超音波洗浄装置を用いて超音波洗浄を行った。また、化学強化工程から洗浄工程までの基板放置時間は１時間以内であった。そして、バッチ毎に磁気ディスク用ガラス基板の主表面を、光学式欠陥検査装置を用いて検査したところ、いずれのバッチもＵＳダメージは１個以下であった。また、ＳＥＭで異物を観察したところ、異物はほどんど除去されていた。
【００４７】
（実施例２）
化学強化工程と第２研磨工程の順序を逆にすること以外実施例１と同様にして磁気ディスク用ガラス基板を製造した。第２研磨工程まで完了した磁気ディスク用ガラス基板について、ＳＥＭで異物の大きさ及び分布を測定したところ、大きさが主に０．１μｍ〜０．５μｍであった。このため、超音波の周波数を１２０ｋＨｚとし、その音圧を１．５ｍＶ〜２．５ｍＶとした。このような条件で、図２に示す超音波洗浄装置を用いて超音波洗浄を行った。また、第２研磨工程から洗浄工程までの基板放置時間は１時間以内であった。そして、バッチ毎に磁気ディスク用ガラス基板の主表面を、光学式欠陥検査装置を用いて検査したところ、いずれのバッチもＵＳダメージは１個以下であった。また、ＳＥＭで異物を観察したところ、異物はほどんど除去されていた。
【００４８】
（実施例３）
実施例１と同様にして化学強化を終えたガラス基板に対して、ＲＯ水、純水にて洗浄を行い、ＩＰＡ乾燥又はスピンドライ乾燥を行った磁気ディスク用ガラス基板について、ＳＥＭで異物の大きさ及び分布を測定したところ、大きさが主に１．０μｍ〜３．０μｍであった。このため、超音波の周波数を４０ＫＨｚとし、音圧を１．０ｍＶ〜２．０ｍＶとした。このような条件で、図２に示す超音波洗浄装置を用いて超音波洗浄を行った。また、化学強化工程から洗浄工程までの基板放置時間は１時間以内であった。そして、バッチ毎に磁気ディスク用ガラス基板の主表面を、光学式欠陥検査装置を用いて検査したところ、いずれのバッチもＵＳダメージは１個以下であった。また、ＳＥＭで異物を観察したところ、異物はほどんど除去されていた。
【００４９】
（比較例１）
実施例１と同様にして化学強化工程まで行って磁気ディスク用ガラス基板を得た。洗浄工程において、この磁気ディスク用ガラス基板に、図２に示す超音波洗浄装置を用いて、周波数１６０ｋＨｚの超音波で音圧を１．５ｍＶ〜２．５ｍＶとして超音波洗浄を行った。そして、バッチ毎に磁気ディスク用ガラス基板の主表面を、光学式欠陥検査装置を用いて検査したところ、あるバッチにおいて、凹欠陥の割合が大きい基板の調査を行うと、ＵＳダメージが数個と多かった。また、ＳＥＭで異物を観察したところ、異物はほどんど除去されていた。これは、超音波の周波数が高いために磁気ディスク用ガラス基板を損傷したためであると考えられる。
【００５０】
（比較例２）
実施例１と同様にして化学強化工程まで行って磁気ディスク用ガラス基板を得た。洗浄工程において、この磁気ディスク用ガラス基板に、図２に示す超音波洗浄装置を用いて、周波数２０ｋＨｚの超音波で音圧を１．５ｍＶ〜２．５ｍＶとして超音波洗浄を行った。また、化学強化工程から洗浄工程までの基板放置時間は１時間以内であった。そして、バッチ毎に磁気ディスク用ガラス基板の主表面を、光学式欠陥検査装置を用いて検査したところ、いずれのバッチもＵＳダメージは１個以下であった。しかしながら、ＳＥＭで異物を観察したところ、異物の残存率が高かった。これは、超音波の周波数が低いために、異物に対する洗浄力が弱いためであると考えられる。
【００５１】
（比較例３）
実施例１と同様にして化学強化工程まで行って磁気ディスク用ガラス基板を得た。洗浄工程において、この磁気ディスク用ガラス基板に、図２に示す超音波洗浄装置を用いて、周波数８０ｋＨｚ、音圧３．０ｍＶ〜４．０ｍＶの超音波で超音波洗浄を行った。そして、バッチ毎に磁気ディスク用ガラス基板の主表面を、光学式欠陥検査装置を用いて検査したところ、あるバッチにおいて、凹欠陥の割合が大きい基板の調査を行うと、ＵＳダメージが数個と多かった。また、ＳＥＭで異物を観察したところ、異物はほどんど除去されていた。これは、超音波の音圧が高いために磁気ディスク用ガラス基板を損傷したためであると考えられる。
【００５２】
（比較例４）
実施例１と同様にして化学強化工程まで行って磁気ディスク用ガラス基板を得た。洗浄工程において、この磁気ディスク用ガラス基板に、図２に示す超音波洗浄装置を用いて、周波数８０ｋＨｚ、音圧０．５ｍＶ〜１．０ｍＶの超音波で超音波洗浄を行った。そして、バッチ毎に磁気ディスク用ガラス基板の主表面を、光学式欠陥検査装置を用いて検査したところ、いずれのバッチもＵＳダメージは１個以下であった。しかしながら、ＳＥＭで異物を観察したところ、異物の残存率が高かった。これは、超音波の音圧が低いために、異物に対する洗浄力が弱いためであると考えられる。
【００５３】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態における材質、個数、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１  洗浄槽
２  洗浄液
３  超音波振動子
４  周波数検出器
５  キャリア
６  制御部
Ｄ  磁気ディスク用ガラス基板
【図１】
2010238298.tif 000002
【図２】
2010238298.tif 000003