(57)【要約】【課題】複数の圧電デバイスをマルチ状に形成した後に単体の圧電デバイス毎の個片にする場合に、欠けやクラックを起点とした劈開の発生を抑制する。【解決手段】圧電基板に対してイオン注入を行うことで剥離層を形成し、圧電基板の剥離層側に支持基板３０Ｂを接合する。この複合体に対して加熱処理を行うことで、支持基板３０Ｂにより支持された圧電薄膜１０が形成される。支持基板３０Ｂにより支持される圧電薄膜１０は、圧電デバイス単体をマルチ状に形成できる形状からなる。支持基板３０Ｂによって支持された圧電薄膜１０は、ドライエッチングにより切断用溝５０を形成することで、圧電デバイス単体毎の領域に区分けられる（Ｓ１０６）。その後、圧電デバイスとして機能するための構成要素が形成され、ブレード５００を用いて切断用溝５０に沿って支持基板３０Ｂを切断することで、最終的に各圧電デバイスの個片に分割される（Ｓ１１１）。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単体の圧電デバイスを複数同時に形成可能な面積からなる圧電薄膜を支持体で支持した状態で、前記圧電デバイスを形成する各製造工程を介した後、前記圧電薄膜を前記単体の圧電デバイス単位に分割する圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電デバイス単位に分割する工程は、
前記圧電薄膜に対してエッチングで切断用溝を形成する工程と、
該切断用溝に沿って前記支持体を切断する工程と、からなる圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記エッチングはドライエッチングである、請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記支持体を切断する工程は、
前記切断用溝の幅よりも狭い幅のブレードによる切断もしくは前記切断用溝の幅よりも狭いビーム幅からなるレーザによる切断を用いる、請求項１または請求項２に記載の圧デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記切断用溝を形成する工程は、
前記圧電デバイス単位を形成する圧電薄膜の外周面に、所定角度以下からなる角部が形成されないように前記切断用溝を形成する、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記圧電薄膜を形成する工程は、
所定厚みの圧電基板に対して、水素もしくはヘリウムをイオン注入して剥離層を形成する工程と、
該剥離層が形成された圧電基板を加熱することで、該剥離層を基点として前記圧電基板から前記圧電薄膜を剥離する工程と、
を有する請求項１〜請求項４のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
所定の回路電極パターンが主面に形成された圧電薄膜を支持体で支持してなる圧電デバイスであって、
前記圧電薄膜は、外周面が前記支持体の外周面により形成される領域よりも内側に配置されるように形成されている圧電デバイス。
【請求項７】
前記圧電薄膜の外周面は、所定角度以下からなる角部がない形状に形成されている、請求項６に記載の圧電デバイス。
【請求項８】
前記圧電薄膜の外周面の表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下である、請求項６または請求項７に記載の圧電デバイス。
【請求項９】
前記圧電薄膜は、
所定厚みの圧電基板に対して、水素もしくはヘリウムをイオン注入して剥離層を形成し、該剥離層が形成された圧電基板を加熱することで、該剥離層を基点として前記圧電基板から剥離して得られる、請求項６〜請求項８のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項１０】
前記圧電薄膜は、リチウムを材料に含む結晶構造体である、請求項６〜請求項９のいずれかに記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、結晶性材料を用いた薄膜の圧電単結晶デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、圧電性を有する単結晶材料を用いた圧電デバイスが各種製造および使用されている。その中で、圧電デバイスとしてＳＡＷやＦ−ＢＡＲやラム波デバイス等があるが、さらに高周波化に対応する等の理由により、圧電体を薄膜化してなる薄膜型圧電デバイスが多く開発されている。そして、このような薄膜型圧電デバイスを形成するための圧電薄膜の製造方法は、例えば、特許文献１に示すように各種考案されている。
【０００３】
特許文献１は、いわゆるスマートカット法と呼ばれる方法である。スマートカット法では、圧電材料として、例えば、ＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3の基板（以下、特にこれらの材質からなる圧電基板をＬＮ基板およびＬＴ基板と称する。）を用いる。スマートカット法では、次に示す製造工程により、圧電デバイスを製造する。
【０００４】
（１）圧電基板に所定条件でイオン注入を行うことで、圧電基板の表面からの圧電薄膜を形成したい深さの位置にイオン注入層を形成する。（２）圧電基板のイオン注入層側に支持体を設置する。（３）イオン注入層が形成された圧電基板と支持体の複合体を加熱する。このような加熱処理を行うことで、当該イオン注入層が剥離面となって、支持体に支持された圧電薄膜が圧電基板から剥離される。（４）その後、圧電薄膜に対して各種のパターン電極を形成する。これらの製造工程では、生産性を向上させるために、通常、複数の単体圧電デバイスを同時にマルチ状に形成できる面積の圧電基板を用いている。このため、各圧電デバイスとしての構造を形成した後に、ブレードを用いたダイシング等を行って、それぞれ単体の圧電デバイスに分割する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００２−５３４８８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述の圧電薄膜を形成する場合には上述のＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3をスマートカットする方法もあるが、ＰＺＴのように成膜して所定厚み圧電薄膜を形成する方法もある。この場合も各圧電デバイスに分割する際にはダイシング等を用いるが、ＰＺＴ等では、ダイシングに小さなクラックが発生しても、劈開性が小さいために圧電薄膜が破壊されるようなことはない。けれども、ＰＺＴ等の成膜により圧電薄膜を形成する方法は、圧電特性や製造上の他の問題により、ＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3をスマートカットする方法よりも劣る点も多い。このため、上述のようなＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3をスマートカットしてなる圧電薄膜を用いて圧電デバイスを製造することが有効となる。
【０００７】
しかしながら、スマートカットを利用したＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3からなる０．１μｍ〜１０μｍ程度の単結晶圧電薄膜は、イオン注入時に結晶が歪み、内部応力が残ってしまう。特に、ＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3のようにＬｉを含む単結晶は、ＨやＨｅのような注入イオンの運動エネルギーにより結晶内にサイト移動が生じ、単結晶内に大きな内部応力が残った状態となる。このため、微少な欠けやクラックがあっても、当該欠けやクラックを起点に圧電薄膜が容易に割れてしまう。すなわち、ＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3をスマートカットしてなる単結晶圧電薄膜は、劈開性が大きい。
【０００８】
このため、上述のようなダイシングを行う際に欠けやクラックが発生してしまうと、例え数十ｎｍ程度のクラック等であっても、劈開性の大きさにより、圧電薄膜が破壊されてしまう可能性が非常に高い。特に、Ｌｉを用いたＬｉＮＯ3，ＬｉＴａＯ3の単結晶では、破壊の可能性がより一層高い。
【０００９】
なお、単体の圧電デバイスの個片に分割する際にレーザを用いる方法もあるが、レーザを用いた場合には切断面の表面粗さが粗くなるのでクラックが発生しやすく、破壊もされやすい。そして、このような圧電薄膜の破壊により、圧電デバイスとしての破壊や特性劣化が発生し、ひいては圧電デバイスの製造歩留まりを低下させてしまう。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、複数の圧電デバイスをマルチ状に形成した後に単体の圧電デバイス毎の個片にする場合に、欠けやクラックの発生を抑制できる圧電デバイスの製造方法を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、単体の圧電デバイスを複数同時に形成可能な面積からなる圧電薄膜を支持体で支持した状態で圧電デバイスを形成する各製造工程を介した後、支持体で支持された圧電薄膜を単体の圧電デバイス単位に分割する圧電デバイスの製造方法に関するものである。この圧電デバイスの製造方法では、圧電デバイス単位に分割する工程に、圧電薄膜に対してエッチングで切断用溝を形成する工程と、切断用溝に沿って支持体を切断する工程と、を備える。
【００１２】
この製造方法では、支持体に支持された圧電薄膜から各圧電デバイスを分割する際に、まずエッチングを利用して圧電薄膜に切断用溝を形成するので、圧電薄膜のクラックやチッピングの発生が抑制される。そして、切断用溝に沿ってダイシング等の物理的な切断を行うことで、支持体が容易に且つ高速に切断される。
【００１３】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法ではドライエッチングを用いる。
この製造方法では、ドライエッチングを行うことで異方性エッチングが可能となり、切断用溝を一定の幅で比較的正確に形成することができる。
【００１４】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、支持体を切断する工程に、切断用溝の幅よりも狭い幅のブレードによる切断もしくは切断用溝の幅よりも狭いビーム幅からなるレーザによる切断を用いる。
【００１５】
この製造方法では、切断に際して、圧電薄膜に接触しないので、圧電薄膜に影響を与えることなく、容易且つ高速に支持体を切断することができる。
【００１６】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、切断用溝を形成する工程は、圧電デバイス単位を形成する圧電薄膜の外周面に、所定角度以下からなる角部が形成されないように切断用溝を形成する。
【００１７】
この製造方法では、圧電薄膜の外周面に所定角度以下（例えば鋭角）の角部が形成されていないので、この角部への応力集中が緩和され、より効果的に圧電薄膜の破損を抑制することができる。
【００１８】
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、圧電薄膜を形成する工程は、所定厚みの圧電基板に対して、水素もしくはヘリウムをイオン注入して剥離層を形成する工程と、該剥離層が形成された圧電基板を加熱することで、該剥離層を基点として圧電基板から圧電薄膜を剥離する工程と、有する。
【００１９】
水素イオンもしくはヘリウムイオンを圧電基板に注入して圧電薄膜を剥離形成する所謂スマートカット法で形成した圧電薄膜は特に劈開性が高い。したがって、この製造方法では、当該スマートカット法を用いて形成した圧電薄膜に対して非常に有効となり、当該スマートカット法で形成した圧電薄膜を用いた場合であっても、劈開の起点となる上述のクラックやチッピングの発生を効果的に抑制することができる。
【００２０】
また、この発明は、所定の回路電極パターンが主面に形成された圧電薄膜を支持体で支持してなる圧電デバイスに関するものである。そして、圧電薄膜は、外周面が支持体の外周面により形成される領域よりも内側に配置されるように形成されている。
【００２１】
この構成では、圧電薄膜の外周面が、支持体の外周面により形成される領域内となることで、側面方向に他の物体が当たっても、直接圧電薄膜の外周面には接触しない。これにより、他の物体との当たることによる圧電薄膜の欠け等の破損の発生を抑制することができる。
【００２２】
また、この発明の圧電デバイスでは、圧電薄膜の外周面は、所定角度以下からなる角部がない形状に形成されている。
【００２３】
この構成では、角部が存在しないことで、上述のように当該角部への応力集中が緩和されるので、圧電薄膜の破損を、より一層抑制することができる。
【００２４】
また、この発明の圧電デバイスでは、圧電薄膜の外周面の表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下である。
この構成では、圧電薄膜の外周面の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下であることにより、当該外周面が劈開の起点にならず、高い劈開性を有する圧電薄膜であっても、割れや欠け等の破損を抑制することができる。
【００２５】
また、この発明の圧電デバイスでは、圧電薄膜は、所定厚みの圧電基板に対して、水素もしくはヘリウムをイオンドーピングして剥離層を形成し、該剥離層が形成された圧電基板を加熱することで、該剥離層を基点として圧電基板から剥離して得られる。
【００２６】
この構成では、上述のようなスマートカット法による圧電薄膜を用いた圧電デバイスが形成される。そして、このような高い劈開性を有する圧電デバイスであっても、上述のように破損を抑制することができる。
【００２７】
また、この発明の圧電デバイスでは、圧電薄膜は、リチウムを材料に含む結晶構造体である。
この構成のように、リチウム（Ｌｉ）のような軽い元素を用いる単結晶の場合では、上述の欠けや割れが発生しやすいが、当該構成であっても、上述のような欠けや割れを効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００２８】
この発明によれば、単体の圧電デバイスをマルチ状に形成した圧電薄膜から、各単体の圧電デバイスの個片を切り出す場合に、欠けやクラックの発生を効果的に抑制することができるので、これを起点とした圧電単結晶の劈開による割れを抑制できる。これにより、圧電デバイスの特性を劣化させることも、歩留まりを低下させることも抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態の薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図３】図１に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【図４】図１に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電性単結晶材料を用いた圧電デバイスとしてＦ−ＢＡＲ用の圧電デバイスを例に説明する。
【００３１】
図１は、本実施形態の薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
図２〜図４は、図１に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
【００３２】
所定厚みからなる圧電単結晶基板１を用意し、図２（Ａ）に示すように、裏面１２側から水素イオンを注入することで、イオン注入層１００を形成する（図１：Ｓ１０１）。この際、圧電単結晶基板１としては、圧電デバイス単体が複数配列されたマルチ状態の基板を用いる。そして、例えば圧電単結晶基板１にＬＴ基板を用いれば、加速エネルギー１５０ＫｅＶで１．０×１０17ａｔｏｍ／ｃｍ2のドーズ量により水素イオン注入を行うことにより、裏面１２から深さ約１μｍの位置に水素イオン層が形成されて、イオン注入層１００が形成される。なお、圧電単結晶基板１には、ＬＴ基板以外に、ＬＮ基板やＬＢＯ（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）基板やランガサイト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）基板を用いてもよく、それぞれの基板に応じた条件でイオン注入を行う。
【００３３】
次に、図２（Ｂ）に示すように、圧電単結晶基板１の裏面１２にＡｌ（アルミニウム）等を用いて所定厚みからなる下部電極２０を形成する。さらに、当該下部電極２０が形成された裏面１２上に接合層３０Ａを形成する（図１：Ｓ１０２）。ここで、接合層３０Ａとしては例えばＳｉＯ2膜を用い、その表面をＣＭＰ処理等により研磨して平坦化する。
【００３４】
ここで、支持基板３０Ｂを用意しておく、支持基板３０Ｂは、母体基板３０１Ｂ上に支持層３０２Ｂを形成してなる。母体基板３０１Ｂには、圧電単結晶基板１と同じ圧電性材料を用いるとよいが、後述する加熱剥離工程を減圧雰囲気下で実行する等の加熱工程条件の調整することで、圧電単結晶基板１と熱膨張係数が異なるＳｉやガラスを用いてもよい。今回の説明ではＳｉを用いた場合を示す。Ｓｉからなる母体基板３０１Ｂ表面には、ＳｉＯ2からなる支持層３０２Ｂを形成する。さらに、この支持層３０２Ｂに対してエッチング等を行うことで、後述する上面電極等が形成される領域に対応する部分に凹部を形成する。そして、当該凹部に犠牲層材料を成膜して犠牲層４０Ａを形成し、支持層３０２Ｂの表面をＣＭＰ等により平坦化する。
【００３５】
このように形成された支持基板３０Ｂに対して、図２（Ｃ）に示すように、支持層３０１Ａを接合層３０Ａの表面に清浄化接合技術等を用いて直接接合することで、圧電単結晶基板１と支持基板３０Ｂとを接合する（図１：Ｓ１０３）。
【００３６】
次に、図２（Ｄ）に示すように、支持基板３０Ｂが接合された圧電単結晶基板１を加熱し、イオン注入層１００を剥離層とした剥離を行う（図１：Ｓ１０４）。これにより、支持基板３０Ｂに支持された圧電薄膜１０が形成される。
【００３７】
次に、圧電薄膜１０の剥離面（表面）１３をＣＭＰ等により鏡面仕上げにした後、図２（Ｅ）に示すように、圧電薄膜１０の剥離面に対してドライエッチング用のマスク５００を設置する（図１：Ｓ１０５）。この際、マスク５００には、図４（Ｂ）、（Ｃ）に示すような圧電デバイス毎の外溝部５１が形成されるように、開口パターン５０１が設けられている。
【００３８】
次に、マスク５００が設置された圧電薄膜１０の剥離面１３に対してドライエッチングを行う。ここで、ウェットエッチング等を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが望ましく、ドライエッチングとしては、ＮＬＤ−ＲＩＥ，ＩＣＰ−ＲＩＥ，ＳＷＰ−ＲＩＥ等のプラズマエッチング法を用いる。これにより、図２（Ｆ）に示すように、圧電薄膜１０が所定幅で部分的に削られてなる切断用溝５０が形成される（図１：Ｓ１０６）。このようなエッチング法によって圧電薄膜１０を削除することで、従来のブレードを用いたダイシング法を行った場合のように、圧電薄膜１０の切断用溝５０によって形成される外周面に対して、微少なクラックやチッピングの発生を抑制することができる。そして、このようなクラックやチッピングの発生を抑制することで、本実施形態のように、Ｌｉを含む圧電単結晶を材料としたり、スマートカット法を用いたりして形成される劈開性の高い圧電薄膜１０であっても、割れや欠けの発生を効果的に抑制することができる。また、従来のブレードやレーザを用いた場合のように外周面の表面粗さが粗くなく、表面粗さＲａを１００ｎｍ以下にすることが可能になるので、当該外周面が劈開の起点にならない。これにより、上述のように高い劈開性を有する圧電薄膜１０であっても、欠けや割れを効果的に抑制することができる。また、ドライエッチングを行うことで、異方性エッチングが可能となり、圧電薄膜１０の削除する厚みに殆ど影響されることなく、切断用溝５０を一定幅で形成することができる。これにより、圧電デバイス単体を形成する圧電薄膜１０の寸法を精度良く形成することができる。
【００３９】
次に、マスク５００を取り除き、図３（Ａ）に示すように、圧電薄膜１０の表面１３上に、Ｆ−ＢＡＲ用デバイスの励振電極となる上面電極６０や、配線電極６２（図３には図示せず、図４（Ｃ）参照）およびバンプパッド６１等の上面電極パターンを形成する（図１：Ｓ１０７）。
次に、図３（Ｂ）に示すように、上面電極パターンが形成された圧電薄膜１０の表面にレジスト膜７０を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、犠牲層４０Ａを除去するためのエッチング窓７１をレジスト膜７０に形成する（図１：Ｓ１０８）。
【００４０】
次に、エッチング窓７１にエッチング液もしくはエッチングガスを導入することで、図３（Ｃ）に示すように、犠牲層４０Ａを除去する。これにより、単体の薄膜型圧電デバイスの下部電極２０および上面電極６０が形成される領域に対応する犠牲層４０Ａが形成された空間は、空隙部８０となる（図１：Ｓ１０９）。そして、このような犠牲層４０Ａの除去を行った後、図３（Ｃ）に示すようにレジスト膜７０の除去を行う。
【００４１】
次に、図３（Ｄ）に示すように、バンプパッド６１上にバンプ９０を形成する（図１：Ｓ１１０）。
【００４２】
次に、図４（Ａ）に示すように、ブレード５００を用いて、切断用溝５０に沿って支持基板３０Ｂを切断（ダイシング）する。この際、ブレード５００の刃幅は切断用溝５０の幅よりも狭く設定されている。さらに、ブレード５００が切断中に圧電薄膜１０へ接触しないよう、支持基板３０Ｂに対するブレード５００の当接位置を設定して、ブレード５００で支持基板３０Ｂを切断する。この処理により、支持基板３０Ｂに支持された圧電薄膜１０にマルチ状に形成されていた複数の圧電デバイスが、図４（Ｂ），（Ｃ）に示すように、各圧電デバイス単体の個片に分割される（図１：Ｓ１１１）。この際、ブレード５００により支持基板３０Ｂを切断することで、圧電薄膜１０よりも厚い支持基板３０Ｂをドライエッチングで切断するよりも高速に切断することができる。これは、ドライエッチングで圧電薄膜を予め開口しているため、容易な条件設定で切断することができるためであり、圧電薄膜と支持基板を同時にブレードで切断する場合よりも、トータルタクトとして高速にできるからである。また、ブレード５００の刃幅を切断用溝５０の幅よりも狭くすることで、この切断時にブレード５００が圧電薄膜１０の外周面に接触しない。これにより、支持基板３０Ｂの切断時における、圧電薄膜１０のクラックやチッピングの発生を、より効果的に抑制することができる。
【００４３】
また、上述の製造方法を用いることで、個別化された圧電デバイスを他のモジュール等に実装する場合に、ピックアップツールにより支持基板３０Ｂを掴むようにすることができる。これにより、ピックアップツールを圧電薄膜に直接接触させることなく、実装を行うことができる。この結果、従来の方法では他のモジュールへの実装時に生じる可能性のあった破壊を防止することができる。
【００４４】
なお、本実施形態では、ブレード５００による支持基板３０Ｂのダイシングを行う例を示したが、レーザ光による切断を用いてもよい。この場合は、レーザ光の照射幅が切断用溝５０の幅よりも小さくなるようにすれがよい。
【００４５】
以上のように、本実施形態の製造方法を用いることにより、劈開性の高い圧電薄膜にクラックやチッピングが発生することを抑制し、製造時における圧電デバイスの破壊を抑制できるとともに、高い歩留まりで圧電デバイスを製造することができる。特に、ＬＮ基板やＬＴ基板のようにＬｉを用いる圧電薄膜は劈開性が高いため、本実施形態の製造方法が有効に作用する。また、スマートカット法を用いた圧電薄膜という観点でも、劈開性が高くなるが、本実施形態の製造方法が有効に作用し、製造時の圧電デバイスの破壊を抑制し、高い歩留まりで生産することができる。
【００４６】
そして、上述のような製造方法を用いることで、図４（Ｂ），（Ｃ）に示すように、圧電薄膜１０の面積が支持基板３０Ｂの面積よりも狭く、支持基板３０Ｂの外周面によって囲まれる領域内に、圧電薄膜１０の外周面が存在する構造の圧電デバイスを製造することができる。具体的には、この圧電デバイスは、支持基板３０Ｂの外周面から切断用溝５０によって形成される外溝５１を介した内側に圧電薄膜１０の外周面が位置する構造を備える。このような構造とすることで、側面方向から他の物体（例えば、他の圧電デバイスや電子部品）が接触しても、支持基板３０Ｂに接触するのみで、圧電薄膜１０には接触しない。これにより、劈開性が高い圧電薄膜１０を用いていても、他の物体の接触による圧電薄膜１０の欠けや割れを防止でき、圧電デバイスの破壊を防止することができる。
【００４７】
なお、上述の製造方法による圧電デバイスは、平面視した状態で圧電薄膜１０が長方形となっている。すなわち、圧電薄膜１０に四つの９０度からなる角部が存在する。しかしながら、切断用溝の形成時に当該角部が形成されないようなエッチングを行うことで、図４（Ｄ）に示すように、角部に面取り５３を形成することができる。この際、面取り５３は、９０度からなる角部をＣ面取りしたものであり、角が存在するものの９０度よりも大幅に広い角度となるとともに、角部の個数が増加する。これにより、角部への応力集中が緩和され、圧電薄膜の破壊をより効果的に抑制することができる。そして、図４（Ｄ）ではＣ面取りする例を示したが、もちろん角部を無くして曲面状に形成してもよい。このような構造では、より一層応力集中の緩和効果が得られ、圧電薄膜の破壊を効果的に抑制することができる。
【００４８】
また、上述の製造方法では、ダイシングのための外溝部５１と、犠牲層をエッチングするためのエッチング窓７１とを、個別の工程で設ける例を示したが、一つの工程で外溝部５１とエッチング窓７１とを設けるようにしても良い。これにより、外溝部５１を形成するための工程を省け、製造工程数を低減することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１−圧電単結晶基板、１０−圧電薄膜、１２−圧電単結晶基板１の裏面、１３−圧電薄膜の表面、２０−下部電極、３０Ａ−接合層、３０Ｂ−支持基板、３０１Ｂ−母体基板、３０２Ｂ−支持層、４０Ａ−犠牲層、５０−切断用溝、５１−外溝、５３−面取り、６０−上面電極、６１−バンプパッド、６２−配線電極、７０−レジスト膜、７１−エッチング窓、８０−空隙部、９０−バンプ、９１−スルーホール電極、１００−イオン注入層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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