(57)【要約】【課題】本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関し、輝度が高く表示品質の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】対向配置された一対の基板と、一対の基板間に封止された垂直配向型の液晶と、一方の基板上に形成された画素電極１６を有する副画素Ａと、一方の基板上に形成された画素電極１７を有する副画素Ｂとをそれぞれ備えた複数の画素領域と、画素電極１６、１７の間に形成されたスリット４４と、画素電極１６、１７のスリット４４側の端部に形成された凸部６４を備え、液晶の特異点を制御する特異点制御部とを有するように構成する。【選択図】図２
2010117737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された垂直配向型の液晶と、
一方の前記基板上に形成された第１の画素電極を有する第１の副画素と、前記一方の基板上に形成された第２の画素電極を有する第２の副画素とをそれぞれ備えた複数の画素領域と、
前記第１及び第２の画素電極の間に形成されたスリットと、
前記第１及び／又は第２の画素電極の前記スリット側の端部に形成された凸部及び／又は凹部を備え、前記液晶の特異点を制御する特異点制御部と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記第２の副画素の前記液晶に印加される電圧は、前記第１の副画素の前記液晶に印加される電圧より大きさが小さいこと
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置において、
前記凸部は、前記第２の画素電極の前記スリット側の端部に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の液晶表示装置において、
前記一方の基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された複数のドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極と、前記第１の画素電極に電気的に接続されたソース電極とを備え、前記画素領域毎に配置されたトランジスタと、
前記ソース電極に電気的に接続され、絶縁膜を介して前記第２の画素電極の少なくとも一部に対向して配置された制御容量電極を備え、前記ソース電極と前記第２の画素電極とを容量結合する制御容量部とをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の液晶表示装置において、
前記一方の基板上であって前記第１の画素電極の前記ドレインバスラインに対向する端部近傍に配置され、当該端部近傍を遮光する遮光板をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
他方の前記基板上に形成された共通電極と、
前記一方の基板上に形成されて前記スリットに重なって延び、前記共通電極とほぼ同電位に維持される補助電極とをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記補助電極は、前記凸部に対応する領域で前記凸部の突出方向と同方向に突出する突出部を有すること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された垂直配向型の液晶と、
一方の前記基板上に形成された第１及び第２の画素電極をそれぞれ備えた複数の画素領域と、
前記第１及び第２の画素電極の間に形成されたスリットと、
他方の前記基板上に形成された共通電極と、
前記一方の基板上に形成されて前記スリットに重なって延び、前記共通電極とほぼ同電位に維持される補助電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８記載の液晶表示装置において、
前記一方の基板上に形成され、前記共通電極とほぼ同電位に維持される蓄積容量バスラインをさらに有し、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインに電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９記載の液晶表示装置において、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインと同層に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の液晶表示装置において、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインから分岐していること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、従来の液晶表示装置の概略の断面構成を示している。図１３に示すように、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や画素電極が画素毎に形成されたＴＦＴ基板１０２と、カラーフィルタ（ＣＦ）や共通電極が形成された対向基板１０４とを有している。両基板１０２、１０４は、外周部に塗布されたシール材１５２を介して貼り合わされている。ＴＦＴ基板１０２には、ドライバＩＣの実装に用いられる実装用端子１６０が設けられている。両基板１０２、１０４間には液晶１０６が封止されている。両基板１０２、１０４間のセルギャップは、例えば球状スペーサ１４６により維持されている。また、両基板１０２、１０４を挟んだ外側には、偏光板１８７、１８６が配置されている。
【０００３】
図１４は、従来のＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置の１画素の構成を示している。図１４に示すように、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１０２上に形成された複数のゲートバスライン１１２と、ゲートバスライン１１２に絶縁膜を介して交差する複数のドレインバスライン１１４とを有している。ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１２０が形成されている。ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４により画定された画素領域には、画素電極１１６が形成されている。画素領域を横切って、ゲートバスライン１１２に並列して延びる蓄積容量バスライン１１８が形成されている。蓄積容量バスライン１１８上には、絶縁膜を介して蓄積容量電極１１９が画素毎に形成されている。画素電極１１６には、偏光板１８６、１８７の偏光軸に対して斜めに延びる線状のスリット（電極の抜き）１４４が形成されている。対向基板１０４側には、スリット１４４に並列して延びる線状突起１４２が形成されている。スリット１４４及び線状突起１４２は、液晶１０６を配向規制する配向規制用構造物として機能する。
【０００４】
図１５は、配向規制用構造物について説明する断面図である。図１５では、基板１０２に線状突起１４３が形成され、基板１０４に線状突起１４２が形成された構成を示している。図１５（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０２側の線状突起１４３は、例えば画素電極１１６の上層に形成された配向膜１５０上に形成されている。対向基板１０４側の線状突起１４２は、例えば共通電極１４１の上層に形成された配向膜１５１上に形成されている。電圧無印加時の液晶分子１０８は、基板面にほぼ垂直に配向している。画素電極１１６と共通電極１４１との間に電圧を印加すると、図１５（ｂ）に示すように、液晶分子１０８は傾斜する。線状突起１４２、１４３を境界として液晶分子１０８の傾斜する方向が異なり、隣り合う線状突起１４２、１４３間の領域の液晶分子１０８は同一の方向に傾斜する。図１４に示したように配向規制用構造物を配置することにより、液晶分子１０８は１画素内で直交４方向に傾斜する。このような配向分割技術によって、液晶分子１０８が一方向にのみ傾斜する液晶表示装置に生じる視野角の偏りが解消され、視角特性が大幅に改善する。なお、図１５（ａ）、（ｂ）に示す構成では、配向規制用構造物として線状突起１４２、１４３が基板１０２、１０４の双方に形成されているが、基板１０２、１０４のうち一方のみに線状突起が形成される場合もある。また、線状突起１４２、１４３に代えて基板１０２、１０４の双方にスリットが形成される場合もあるし、図１６に示すように基板１０２、１０４の一方のみにスリット１４５が形成される場合もある。
【０００５】
図１７は、ＴＦＴ基板１０２側にスリット１４４が形成され、対向基板１０４側に線状突起１４２が形成された一般的なＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素の構成を示している
。図１８は図１７のＸ−Ｘ線で切断した液晶表示装置の断面構成を示し、図１９は図１７のＹ−Ｙ線で切断したＴＦＴ基板１０２の断面構成を示している。図１７乃至図１９に示すように、画素電極１１６はスリット１４４によりいくつかの領域に分けられているが、１画素内の画素電極１１６の各領域は電気的に接続され、同電位に維持される。画素電極１１６はコンタクトホール１２３を介してＴＦＴ１２０のソース電極１２２に接続され、またコンタクトホール１２６を介して蓄積容量電極１１９に電気的に接続されている。ＴＦＴ１２０のドレイン電極１２１は、ドレインバスライン１１４に電気的に接続されている。スリット１４４及び線状突起１４２が形成されていることによって、画素領域は液晶分子１０８の配向方位の互いに異なる４つの配向領域α〜δに分割される。
【０００６】
図２０は、各配向領域α〜δでの液晶分子１０８の配向方位と１画素内での各配向領域α〜δの面積比率とを模式的に示している。図２０に示すように、液晶分子１０８の配向方位が互いに異なる各配向領域α〜δの面積は、１画素内でほぼ等しくなっている。したがって、この液晶表示装置の視角特性は表示画面の方位角に対し大きい依存性を有さず、いずれの方位からでも良好な表示が得られる。
【０００７】
図２１は、図１７乃至図１９に示した構成に対し、スリット１４４と線状突起１４２の配置を入れ替えた液晶表示装置の１画素の構成を示している。図２２は、図２１のＺ−Ｚ線で切断した液晶表示装置の断面構成を示している。図２１及び図２２に示す液晶表示装置においても配向領域α〜δの面積は１画素内でほぼ等しくなっている。したがって、図１７乃至図１９に示した液晶表示装置と同様に、いずれの方位からでも良好な表示が得られる。
【０００８】
図２３は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードの液晶表示装置の印加電圧に対する透過率特性（Ｔ−Ｖ特性）を示すグラフである。横軸は液晶層に対する印加電圧（Ｖ）を表し、縦軸は光の透過率を表している。線Ｌは表示画面に対し垂直な方向（以下、「正面方向」という）でのＴ−Ｖ特性を示し、線Ｍは表示画面に対して方位角９０°、極角６０°の方向（以下、「斜め方向」という）でのＴ−Ｖ特性を示している。ここで、方位角は、表示画面の右方向を基準として反時計回りに計った角度とする。また極角は、表示画面の中心に立てた垂線となす角度とする。
【０００９】
図２３に示すように、円Ｎで囲んだ領域近傍において、透過率（輝度）変化に歪みが生じている。例えば、印加電圧が約２．５Ｖの比較的低階調においては斜め方向の透過率が正面方向の透過率より高くなっているが、印加電圧が約３．８Ｖの比較的高階調においては斜め方向の透過率が正面方向の透過率より低くなっている。この結果、斜め方向から見た場合には実効駆動電圧範囲での輝度差が小さくなってしまう。この現象は色の変化に最も顕著に現れる。
【００１０】
図２４は表示画面に表示した画像の見え方の変化を示している。図２４（ａ）は正面方向から見た画像を示し、図２４（ｂ）は斜め方向から見た画像を示している。図２４（ａ）、（ｂ）に示すように、表示画面を斜め方向から見ると、正面方向から見たときと比較して画像の色が白っぽく変化してしまう。
【００１１】
図２５は、赤みがかった画像における赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）３原色の階調ヒストグラムを示している。図２５（ａ）はＲの階調ヒストグラムを示し、図２５（ｂ）はＧの階調ヒストグラムを示し、図２５（ｃ）はＢの階調ヒストグラムを示している。図２５（ａ）〜（ｃ）の横軸は階調（０〜２５５の２５６階調）を表し、縦軸は存在率（％）を表している。図２５（ａ）〜（ｃ）に示すように、この画像では比較的高階調のＲと比較的低階調のＧ及びＢとが高い存在率で存在している。このような画像をＶＡモードの液晶表示装置の表示画面に表示させて斜め方向から見ると、高階調のＲが相対的に暗めに変化
し、低階調のＧ及びＢが相対的に明るめに変化する。これにより３原色の輝度差が小さくなるため、斜め方向から見ると画面全体の色が白っぽくなり、色の再現性が低下してしまうという問題が生じる。
【００１２】
上記の問題を解決するために、以下に示すような技術が提案されている。すなわち、１画素を複数の副画素に分け、互いに分離された画素電極を副画素毎に設ける。各画素電極は電気的に容量結合の関係にある。例えば、副画素Ａの画素電極はＴＦＴのソース電極に直接接続され、副画素Ｂの画素電極は所定の制御容量Ｃｃを介してソース電極に接続される。画素毎に設けられたＴＦＴがオン状態になると、容量比に従って電位が分割されるため、各副画素の画素電極には互いに異なる電圧が印加される。したがって、液晶層には副画素毎に異なる電圧が印加される。このように、液晶層に印加される電圧が異なる複数の副画素が１画素内に存在すると、図２３に示したようなＴ−Ｖ特性の歪みが複数の副画素で分散される。このため、斜め方向から見たときに画像が白っぽくなる現象を抑制でき、視角特性が改善される。以下、上記の手法を容量結合ＨＴ（ハーフトーン・グレースケール）法とよぶ。
【００１３】
図２６は、容量結合ＨＴ法を用いた従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素の構成を示している。図２６に示すように、画素領域は、副画素Ａと副画素Ｂとを有している。副画素ＡのＴＦＴ基板１０２上には画素電極１１６が形成され、副画素ＢのＴＦＴ基板１０２上には画素電極１１６から分離された画素電極１１７が形成されている。画素電極１１６は、コンタクトホール１２４を介して蓄積容量電極１１９及びＴＦＴ１２０のソース電極１２２に電気的に接続されている。一方、画素電極１１７は電気的にフローティング状態になっている。ソース電極１２２は、制御容量電極１２５を介して蓄積容量電極１１９に電気的に接続されている。画素電極１１７は、保護膜（絶縁膜）を介して制御容量電極１２５に重なる領域を有し、当該領域に形成される制御容量Ｃｃを介した容量結合によりソース電極１２２に間接的に接続されている。
【００１４】
画素電極１１６、１１７の間には、画素領域端部に対して斜めに延びるスリット１４４が形成されている。スリット１４４は、画素電極１１６、１１７を互いに分離するとともに、液晶１０６の配向を規制する配向規制用構造物としても機能する。
【００１５】
液晶層を介しＴＦＴ基板１０２に対向して配置された対向基板１０４は、共通電極１４１（図２６では図示せず）を有している。副画素Ａの画素電極１１６と共通電極１４１との間には液晶容量Ｃｌｃ１が形成され、副画素Ｂの画素電極１１７と共通電極１４１との間には液晶容量Ｃｌｃ２が形成される。共通電極１４１上には、スリット１４４に並列して延び、配向規制用構造物として機能する線状突起１４２が形成されている。ＴＦＴ基板１０２側の制御容量電極１２５は、基板面に垂直に見て線状突起１４２に重なって配置されている。また対向基板１０４上には、画素領域端部を遮光する遮光膜（ＢＭ）１４５が形成されている。
【００１６】
ＴＦＴ１２０がオン状態になって画素電極１１６に電圧が印加され、副画素Ａの液晶層に電圧Ｖｐｘ１が印加されるとする。このとき、液晶容量Ｃｌｃ２と制御容量Ｃｃとの容量比に従って電位が分割されるため、副画素Ｂの画素電極１１７には画素電極１１６とは異なる電圧が印加される。副画素Ｂの液晶層に印加される電圧Ｖｐｘ２は、
Ｖｐｘ２＝（Ｃｃ／（Ｃｌｃ２＋Ｃｃ））×Ｖｐｘ１
となる。ここで、０＜（Ｃｃ／（Ｃｌｃ２＋Ｃｃ））＜１であるため、Ｖｐｘ１＝Ｖｐｘ２＝０以外では｜Ｖｐｘ２｜＜｜Ｖｐｘ１｜となる。このように、図２６に示した画素構造を有する液晶表示装置では、副画素Ａの液晶層に印加される電圧Ｖｐｘ１と、副画素Ｂの液晶層に印加される電圧Ｖｐｘ２とを１画素内で互いに異ならせることができるため、視角特性が改善される。
【００１７】
図２７は、スリット１４４近傍の画素電極１１６、１１７の構成を示している。図２８は、当該画素に白を表示させたときの図２７と同一領域の表示状態を示している。図２８では、偏光板１８６、１８７の偏光軸１８６ａ、１８７ａの例を併せて示している。図２９は、図２８の円Ｐ内の領域の液晶分子１０８の配向を模式的に示している。図２７乃至図２９に示すように、電圧が印加された液晶分子１０８ａは、スリット１４４（及び線状突起１４２）を境界として、スリット１４４の延びる方向に対して垂直で互いに逆方向にそれぞれ傾斜する。ところが、スリット１４４上の領域の液晶分子１０８ｂ、１０８ｃはスリット１４４の延びる方向に平行に傾斜するが、当該方向のいずれ側に向かって傾斜するかは規制されない。スリット１４４上の領域には、図２９の下方に向かって傾斜する液晶分子１０８ｂと上方に向かって傾斜する液晶分子１０８ｃとが存在するため、液晶配向の結節点（特異点）１６２ａ、１６２ｂが形成される。特異点１６２ａ、１６２ｂはスリット１４４上のランダムな位置に形成され、形成位置を制御するのは困難である。また特異点１６２ａ、１６２ｂは、時間の経過とともに移動する場合もある。特異点１６２ａ、１６２ｂの形成位置の空間的及び時間的な固定が困難であるため、黒を表示した後、中間調表示を経て白を表示した状態と、黒を表示した直後に白を表示した状態との間で特異点１６２ａ、１６２ｂの形成位置が異なる場合がある。すなわち、同じ白表示であっても異なる印加電圧履歴を経たために特異点１６２ａ、１６２ｂの位置が異なり、画面を見る方向によって表示が異なってしまう。また、指押し等により表示画面に局所的な圧力が加えられて液晶の配向が乱れてしまうと、配向状態が元に戻らない場合もある。このように従来の液晶表示装置は、良好な表示品質が得られないという問題を有している。
【００１８】
ところで、ドレインバスライン１１４と画素電極１１６、１１７との間には、所定の電気容量が形成される。ドレインバスライン１１４と画素電極１１６、１１７との間の層に膜厚の厚いオーバーコート層を形成しない構成では特に、ドレインバスライン１１４と画素電極１１６、１１７との基板面内での距離の違いにより、形成される電気容量の値が変化し易い。このため、例えば分割露光を行ったときのショットむら等によりドレインバスライン１１４や画素電極１１６、１１７に相対的なパターニングずれが生じると、作製された液晶表示装置には分割露光領域毎に表示特性が異なる表示むらが視認されてしまう。したがって、画素電極１１６、１１７の端部をドレインバスライン１１４からできるだけ離し、パターニングずれが生じても表示特性の差異が視認され難くする必要がある。しかしながら、画素電極１１６、１１７の端部をドレインバスライン１１４から離すと、画素電極１１６、１１７の形成領域が狭くなるため、画素の開口率が低下し、輝度が低下してしまうという問題が生じる。
【００１９】
また、ＴＦＴ基板１０２と対向基板１０４とを貼り合わせる際には所定の貼合せずれが生じ得るため、対向基板側に形成されるＢＭ１４５の開口領域は、ＴＦＴ基板１０２側に形成される画素電極１１６、１１７の形成領域よりも狭くする必要がある。したがって、画素の開口率や輝度がさらに低下してしまうという問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開平２−１２号公報
【特許文献２】米国特許第４８４０４６０号明細書
【特許文献３】特許第３０７６９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明の目的は、輝度が高く表示品質の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封止された垂直配向型
の液晶と、一方の前記基板上に形成された第１の画素電極を有する第１の副画素と、前記一方の基板上に形成された第２の画素電極を有する第２の副画素とをそれぞれ備えた複数の画素領域と、前記第１及び第２の画素電極の間に形成されたスリットと、前記第１又は第２の画素電極の前記スリット側の端部に形成された凸部又は凹部を備え、前記液晶の特異点を制御する特異点制御部とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、輝度が高く表示品質の良好な液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置のスリット４４近傍の構成を示す図である。
【図４】特異点制御部の第１の変形例を示す図である。
【図５】特異点制御部の第２の変形例を示す図である。
【図６】特異点制御部の第３の変形例を示す図である。
【図７】特異点制御部の第４の変形例を示す図である。
【図８】凸部及び凹部の形状の変形例を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置のスリット４４近傍の構成を示す図である。
【図１１】スリット４４近傍の構成を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の変形例を示す図である。
【図１３】従来の液晶表示装置の概略の断面構成を示す図である。
【図１４】従来の液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図１５】配向規制用構造物について説明する図である。
【図１６】配向規制用構造物について説明する図である。
【図１７】従来の液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図１８】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１９】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２０】各配向領域α〜δでの液晶分子の配向方位と１画素内での各配向領域α〜δの面積比率とを模式的に示す図である。
【図２１】従来の液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図２２】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２３】従来のＶＡモードの液晶表示装置のＴ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図２４】表示画面に表示した画像の見え方の変化を示す図である。
【図２５】赤みがかった画像におけるＲ、Ｇ、Ｂの階調ヒストグラムを示す図である。
【図２６】容量結合ＨＴ法を用いた従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図２７】スリット近傍の画素電極の構成を示す図である。
【図２８】画素に白を表示させたときの図２７と同一領域の表示状態を示す図である。
【図２９】図２８の円Ｐ内の領域の液晶分子の配向を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置について図１乃至図８を用いて説明する。図１に示すように、液晶表示装置は、絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン及びドレインバスラインと、画素毎に形成されたＴＦＴ及び画素電極とを備えたＴＦＴ基板２を有している。また、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２に対向配置されてＣＦや共通電極が形成された対向基板４と、両基板２、４間に封止された例えば負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶（図示せず）とを備えている。ＴＦＴ基板２及び対向基板４の液晶との界面には、液晶を垂直配向させる垂直配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２６】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが接続されている。これらの駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。ＴＦＴ基板２のＴＦＴ素子形成面と反対側の面には偏光板８７が配置され、対向基板４の共通電極形成面と反対側の面には、偏光板８７とクロスニコルに配置された偏光板８６が配置されている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８８が配置されている。
【００２７】
図２は、本実施の形態による液晶表示装置として、容量結合ＨＴ法を用いたＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素の構成を示している。図２に示すように、液晶表示装置のＴＦＴ基板２は、図２中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２と、不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１２に交差して形成され、図２中上下方向に延びる複数のドレインバスライン１４とを有している。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、スイッチング素子として画素毎に形成されたＴＦＴ２０が配置されている。ＴＦＴ２０のゲート電極２３はゲートバスライン１２に電気的に接続されている。ゲート電極２３上には動作半導体層（図示せず）が形成され、動作半導体層上にはチャネル保護膜２８が形成されている。チャネル保護膜２８上には、棒状のソース電極２２と、所定の間隙を介してソース電極２２を囲むＣ字状のドレイン電極２１とが形成されている。ドレイン電極２１はドレインバスライン１４に電気的に接続されている。ソース電極２２上及びドレイン電極２１上の基板全面には、不図示の保護膜が形成されている。
【００２８】
また、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４により画定された画素領域を横切って、ゲートバスライン１２に並列して延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、絶縁膜を介して蓄積容量電極１９が画素毎に形成されている。蓄積容量電極１９は、制御容量電極２５を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。蓄積容量バスライン１８と蓄積容量電極１９との間には、蓄積容量Ｃｓが形成される。
【００２９】
画素領域は、副画素Ａと副画素Ｂとを有している。副画素Ａは例えば台形状の形状を有し、画素領域の中央部左寄りに配置されている。副画素Ｂは、画素領域のうち副画素Ａの領域を除いた図２中上部、下部及び中央部右側端部に配置されている。副画素Ａ、Ｂの配置は、蓄積容量バスライン１８に対し１画素内でそれぞれほぼ線対称になっている。副画素ＡのＴＦＴ基板２上には画素電極１６が形成され、副画素ＢのＴＦＴ基板２上には画素電極１６から分離された画素電極１７が形成されている。画素電極１６、１７は、例えば共に透明導電膜からなり互いに同層に形成されている。画素電極１６は、蓄積容量電極１９上の保護膜が開口されたコンタクトホール２４を介して、蓄積容量電極１９及びＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。一方、画素電極１７は電気的にフローティング状態になっている。画素電極１７は、保護膜を介して制御容量電極２５に対向する領域を画素領域の図２中上部に有している。画素電極１７は、当該領域に形成される制御容量部の制御容量Ｃｃを介した容量結合により、ソース電極２２に間接的に接続されている。
【００３０】
画素電極１６、１７は、台形状の画素電極１６の３辺を略「く」の字状に囲むスリット４４、４７、４４によって互いに分離されている。スリット４４は画素領域端部に対し斜めに延び、スリット４７は画素領域右側端部に沿って延びている。スリット４４は、液晶の配向を規制する配向規制用構造物としても機能する。画素電極１７のスリット４４側の端部には、スリット４４上の領域での特異点の位置を制御する特異点制御部として、画素電極１７から基板面内で矩形状に突出した凸部６４が形成されている。凸部６４の先端は、所定の間隙を介して画素電極１６の端部に対向している。凸部６４は、各スリット４４の長手方向の中央部近傍に例えば１つずつ配置されている。
【００３１】
液晶層を介しＴＦＴ基板２に対向して配置された対向基板４は、表示領域のほぼ全域に形成された不図示の共通電極を有している。液晶層を介して対向する副画素Ａの画素電極１６と共通電極との間には液晶容量Ｃｌｃ１が形成され、同様に副画素Ｂの画素電極１７と共通電極との間には液晶容量Ｃｌｃ２が形成される。共通電極上には、スリット４４に並列して画素領域端部に対して斜めに延び、配向規制用構造物として機能する線状突起４２が形成されている。スリット４４及び線状突起４２は、ＴＦＴ基板２及び対向基板４を挟んで外側に配置される偏光板８６、８７の偏光軸に対して約４５°の角度をなす方向に延びている。線状突起４２は、ノボラック樹脂等のポジレジスト材料で形成されている。線状突起４２は、液晶の配向方位の異なる領域を副画素Ａ、Ｂでそれぞれほぼ等分するために、副画素Ａ、Ｂのそれぞれほぼ中央部に配置されている。また線状突起４２は、蓄積容量バスライン１８に対し１画素内でほぼ線対称に配置されている。これにより、副画素Ａ、Ｂの液晶は、１画素内で直交４方向にそれぞれほぼ均等に配向する。ソース電極２２と蓄積容量電極１９とを接続する制御容量電極２５は、基板面に垂直に見て線状突起４２に重なって配置されている。ここで、画素電極１６、１７のうち線状突起４２からの距離が比較的遠い領域では液晶の配向不良が生じ易いため、当該領域の画素電極１６、１７には線状突起４２の延びる方向にほぼ垂直に延びる微細スリット４６が形成されている。液晶は微細スリット４６の延びる方向に平行に配向するため、液晶の配向不良が抑制される。
【００３２】
また、線状突起４２と画素電極１６、１７の端部とが交差する領域近傍であって、基板面に垂直に見て線状突起４２の延びる方向と画素電極１６、１７の端部とが鈍角をなす領域には、補助突起４３が形成されている。補助突起４３は例えば線状突起４２と同層に形成され、ドレインバスライン１４にほぼ平行に延びている。補助突起４３は、画素電極１６、１７の端部近傍での電界の影響を打ち消すために設けられ、基板面に垂直に見て画素電極１６、１７の端部に重なって配置される。また対向基板４上には、画素領域端部を遮光するＢＭ４５が形成されている。
【００３３】
ＴＦＴ２０がオン状態になって画素電極１６に電圧が印加され、副画素Ａの液晶層に電圧Ｖｐｘ１が印加されるとする。このとき、液晶容量Ｃｌｃ２と制御容量Ｃｃとの容量比に従って電位が分割されるため、副画素Ｂの画素電極１７には画素電極１６とは異なる電圧が印加される。副画素Ｂの液晶層に印加される電圧Ｖｐｘ２は、
Ｖｐｘ２＝（Ｃｃ／（Ｃｌｃ２＋Ｃｃ））×Ｖｐｘ１
となる。ここで、０＜（Ｃｃ／（Ｃｌｃ２＋Ｃｃ））＜１であるため、Ｖｐｘ１＝Ｖｐｘ２＝０以外では電圧Ｖｐｘ２は電圧Ｖｐｘ１より大きさが小さくなる（｜Ｖｐｘ２｜＜｜Ｖｐｘ１｜）。このように、本実施の形態による液晶表示装置では、副画素Ａの液晶層に印加される電圧Ｖｐｘ１と、副画素Ｂの液晶層に印加される電圧Ｖｐｘ２とを１画素内で互いに異ならせることができる。これにより、Ｔ−Ｖ特性の歪みが１画素内で分散されるため、斜め方向から見たときに画像の色が白っぽくなる現象を抑制でき、視角特性が改善された広視野角の液晶表示装置が得られる。
【００３４】
また本実施の形態では、画素電極１６のドレインバスライン１４に対向する端部（図２中左側端部）近傍に、当該端部に沿って延びる遮光板５４が形成されている。遮光板５４は、当該端部近傍を遮光する機能を有している。また、遮光板５４は蓄積容量バスライン１８と同層に形成され、蓄積容量バスライン１８に電気的に接続され、例えば蓄積容量バスライン１８から分岐している。したがって遮光板５４は、蓄積容量バスライン１８及び共通電極と同電位（コモン電位）に維持される。このため、遮光板５４の形成された領域近傍の液晶層には電圧が印加されず、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置では光漏れ等の発生がより抑制される。
【００３５】
遮光板５４はＴＦＴ基板２側に形成されるため、貼合せずれ等を考慮する必要がない。したがって、遮光板５４は基板面に垂直に見てＢＭ４５よりも外側に配置できるとともに、遮光板５４の形成された領域ではＢＭ４５端部を幅ｄ１分だけ外側に配置できる。基板面に垂直に見ると、遮光板５４の形成された領域でのＢＭ４５の端部とドレインバスライン１４との間隔は、他の領域でのＢＭ４５の端部とドレインバスライン１４との間隔より狭くなっている。
【００３６】
また遮光板５４と画素電極１６とは重ねて配置できる。さらに、遮光板５４が設けられることによって、ドレインバスライン１４と画素電極１６との間に生じる電気容量の影響が抑えられるため、画素電極１６をドレインバスライン１４に近づけて配置してもクロストークによる表示不良が生じ難い。一方、容量結合によりソース電極２２に接続された画素電極１７と遮光板５４とが重なって配置されてしまうと、画素電極１７と遮光板５４との間に新たな電気容量が生じてしまうため、遮光板５４は画素電極１７のドレインバスライン１４に対向する端部近傍には形成されていない。これらの結果、画素電極１６のドレインバスライン１４に対向する端部とドレインバスライン１４との間隔は、画素電極１７のドレインバスライン１４に対向する端部とドレインバスライン１４との間隔よりも幅ｄ２分だけ狭くなっている。このように本実施の形態では、遮光板５４を設けることによって画素の開口率が向上するため、輝度の高い液晶表示装置が得られる。
【００３７】
次に、本実施の形態による液晶表示装置のスリット４４上の領域での液晶の配向について説明する。図３（ａ）は、画素のスリット４４近傍の構成を示している（図３（ａ）では凸部６４が２つ形成されている）。図３（ｂ）は、当該画素に白を表示させたときの図３（ａ）と同一領域の表示状態を示している。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、特異点制御部として画素電極１７から突出する凸部６４が形成された領域近傍では、画素電極１６、１７上の液晶分子８はスリット４４から外側に向かう方向に傾斜し、スリット４４上の液晶分子８は凸部６４に向かう方向に傾斜する。これにより、凸部６４が形成された領域には、それぞれ特異点６２ｂ（ｓ＝−１）が強固に形成される。特異点６２ｂの位置は
、例えば異なる印加電圧履歴を経ても変化することはなく、時間の経過とともに移動することもない。２つの特異点６２ｂの間には、特異点６２ａ（ｓ＝＋１）が形成される。特異点６２ａの位置は、例えば異なる印加電圧履歴を経た場合に変化することがあるが、位置の変化する範囲が２つの凸部６４間に限定されるため、表示品質が大きく低下することはない。隣接する特異点６２ａ、６２ｂ間は、画素電極１６、１７のスリット４４側の端部にそれぞれ沿って延びる２本の暗線で繋がっている。
【００３８】
図４（ａ）は、特異点制御部の第１の変形例を示している。図４（ｂ）は、当該画素に白を表示させたときの図４（ａ）と同一領域の表示状態を示している。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例の特異点制御部は、副画素Ａの画素電極１６のスリット４４側の端部に形成された凸部６５を有している。本変形例によっても、凸部６５が形成された領域に特異点６２ｂが強固に形成され、特異点６２ｂの間には特異点６２ａが形成される。
【００３９】
図５（ａ）は、特異点制御部の第２の変形例を示している。図５（ｂ）は、当該画素に白を表示させたときの図５（ａ）と同一領域の表示状態を示している。図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例の特異点制御部は、画素電極１７のスリット４４側の端部に形成された凸部６４と、画素電極１６のスリット４４側の端部に形成された凸部６５とを有している。凸部６４と凸部６５は互いの先端部が所定の間隙を介して対向するように配置されている。本変形例によっても、凸部６４、６５の形成された領域に特異点６２ｂが強固に形成され、特異点６２ｂの間には特異点６２ａが形成される。
【００４０】
図６（ａ）は、特異点制御部の第３の変形例を示している。図６（ｂ）は、当該画素に白を表示させたときの図６（ａ）と同一領域の表示状態を示している。図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例の特異点制御部は、画素電極１７のスリット４４側の端部が基板面内で矩形状に切り込まれた凹部６６と、画素電極１６のスリット４４側の端部が同様に切り込まれた凹部６７とを有している。凹部６６、６７は互いに対向する位置に配置されている。本変形例では、凹部６６、６７が形成された領域近傍では、画素電極１６、１７上の液晶分子８はスリット４４から外側に向かう方向に傾斜し、スリット４４上の液晶分子８はスリット４４の延びる方向に平行であって凹部６６、６７から外側に向かう方向に傾斜する。これにより凹部６６、６７の形成された領域には、特異点６２ａ（ｓ＝＋１）が強固に形成される。特異点６２ａの位置は、例えば異なる印加電圧履歴を経ても変化することはなく、時間の経過とともに移動することもない。特異点６２ａの間には特異点６２ｂ（ｓ＝−１）が形成される。特異点６２ｂの位置は、例えば異なる印加電圧履歴を経た場合に変化することがあるが、位置の変化する範囲が２つの特異点６２ａの間に限定されるため、表示品質が大きく低下することはない。
【００４１】
図７（ａ）は、特異点制御部の第４の変形例を示している。図７（ｂ）は、当該画素に白を表示させたときの図７（ａ）と同一領域の表示状態を示している。図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例の特異点制御部は、画素電極１７のスリット４４側の端部に形成された凸部６４と、画素電極１６のスリット４４側の端部に形成された凹部６７とを有している。凸部６４と凹部６７は互いに対向する位置に配置されている。本変形例では、凸部６４、凹部６７の形成された領域近傍では、画素電極１６、１７上の液晶分子８はスリット４４から外側に向かう方向に傾斜し、スリット４４上の液晶分子８は凸部６４から外側に向かう方向に傾斜する。これにより凸部６４、凹部６７の形成された領域には、特異点６２ｂが強固に形成される。特異点６２ｂの間には特異点６２ａが形成される。
【００４２】
図３乃至図７を比較すると、図３に示したように副画素Ｂの画素電極１７に凸部６４を形成した構成が、特異点の安定性や電圧印加時の光透過率の高さにおいて比較的優れている。すなわち、副画素毎に液晶層に印加される電圧が異なる場合、凸部は、液晶層に印加
される電圧の大きさが小さい方の副画素の画素電極に形成するのが望ましい。
【００４３】
図３乃至図７に示したように特異点制御部を形成することによって、特異点６２ｂ（又は６２ａ）が強固に形成され、特異点６２ｂ（又は６２ａ）間には特異点６２ａ（又は６２ｂ）が形成される。これにより、特異点６２ａ、６２ｂの形成位置を空間的及び時間的にほぼ固定できるため、異なる印加電圧履歴を経ても特異点６２ａ、６２ｂの位置が異なってしまうことがなく、画面を見る方向によって表示が異なることがない。また、特異点６２ｂ（又は６２ａ）が強固に形成されるため、指押し等により表示画面に局所的な圧力が加えられて液晶の配向が乱れても、配向状態が元に戻り易くなっている。したがって、本実施の形態によれば、表示特性の良好な液晶表示装置が得られる。
【００４４】
なお、凸部６４、６５及び凹部６６、６７の形状は、図３乃至図７に示したような矩形に限られない。図８は、凸部６４、６５及び凹部６６、６７の形状の変形例を示している。図８（ａ）に示す例では凸部６４及び／又は６５が三角形状の形状を有し、図８（ｂ）に示す例では凹部６６及び／又は６７が三角形状の形状を有している。図８（ｃ）に示す例では凸部６４及び／又は６５が階段状の形状を有し、図８（ｄ）に示す例では凹部６６及び／又は６７が階段状の形状を有している。図８（ｅ）に示す例では凸部６４及び／又は６５が半円状の形状を有し、図８（ｆ）に示す例では凹部６６及び／又は６７が半円状の形状を有している。凸部６４、６５及び凹部６６、６７は、これら以外にも様々な形状で形成できる。
【００４５】
また、図５乃至図７に示した変形例では、画素電極１７に形成された凸部６４又は凹部６６と画素電極１６に形成された凸部６５又は凹部６７とが、互いに対向する位置に設けられている。しかしながら本実施の形態では、凸部６４又は凹部６６と凸部６５又は凹部６７との位置を互いにずらして配置する等の変形も可能である。凸部６４、６５及び凹部６６、６７の位置や組合せは、図３乃至図７に示した例に限定されず、種々の変形が可能であることは言うまでもない。例えば、図５に示した凸部６４、６５と図６に示した凹部６６、６７とを交互に配置することにより、特異点６２ａ（ｓ＝＋１）、６２ｂ（ｓ＝−１）の双方の形成位置を固定するようにしてもよい。
【００４６】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置について図９乃至図１２を用いて説明する。図９は本実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示し、図１０は本実施の形態による液晶表示装置のスリット４４近傍の構成を示している。図９及び図１０に示すように、本実施の形態は第１の実施の形態と比較すると、スリット４４、４７に重なってスリット４４、４７の延びる方向とほぼ同方向に延びる補助電極６８が形成されている点に特徴を有している。補助電極６８は、蓄積容量バスライン１８と同層に形成され、蓄積容量バスライン１８に電気的に接続され、例えば蓄積容量バスライン１８から分岐している。また補助電極６８は、画素電極１６のドレインバスライン１４に対向する端部に形成された遮光板５４にも接続されている。容量結合によりソース電極２２に接続された画素電極１７と補助電極６８とが重なって配置されてしまうと、画素電極１７と補助電極６８との間に新たな電気容量が生じてしまうため、補助電極６８は画素電極１７に重ならないように形成されている。
【００４７】
補助電極６８は、蓄積容量バスライン１８及び共通電極と同電位（コモン電位）に維持される。このため、副画素Ａ、Ｂの液晶層にそれぞれ所定の電圧が印加されても補助電極６８が形成された領域近傍の液晶層には電圧が印加されないので、当該領域の液晶分子８は基板面にほぼ垂直な配向を維持する。補助電極６８をスリット４４、４７に重ねて形成することによって、スリット４４、４７上の液晶分子８が傾斜しないため特異点が形成されることがない。したがって、特異点の位置が固定されないことに起因する表示品質の低
下がそもそも生じないため、表示品質の良好な液晶表示装置が得られる。
【００４８】
画素電極１６、１７間のスリット４４や補助電極６８は、フォトリソグラフィ法を用いて形成される。パターニングずれ等により、スリット４４と補助電極６８との間に相対的な位置ずれが生じてしまうと、補助電極６８がスリット４４の中心部からずれてしまうことがあり得る。その場合、副画素Ａ、Ｂの液晶層に電圧が印加された際にスリット４４、４７上の液晶分子８が傾斜するため、特異点が形成されてしまう。このため本実施の形態では、特異点が形成された場合であってもその特異点を固定できるように、副画素Ｂの画素電極１７のスリット４４側の端部に凸部６４が設けられている。これにより、スリット４４と補助電極６８との間に相対的な位置ずれが生じても表示品質の良好な液晶表示装置が得られるので、液晶表示装置の製造歩留まりが向上する。
【００４９】
ただし凸部６４を設けた構成では、例えばスリット４４と補助電極６８との間に図１１に示すような位置ずれが生じると、凸部６４の先端部と画素電極１６との間に補助電極６８の存在しない領域Ｃが形成される。領域Ｃでは補助電極６８が存在せず、かつ画素電極１６、１７間の間隔が比較的狭いため、指押し等により表示画面が局所的に加圧されると、副画素Ａ、Ｂでの液晶の配向が繋がって配向不良が生じてしまうという問題が生じ得る。
【００５０】
図１２は、上記の問題を解決する補助電極６８の変形例を示している。図１２に示すように、補助電極６８は、画素電極１７の凸部６４に対応する領域で凸部６４の突出方向と同方向に突出する突出部６９を有している。突出部６９は、例えば凸部６４より幅太に形成される。突出部６９が設けられることにより、スリット４４と補助電極６８との間に図１１に示したような位置ずれが生じても、凸部６４の先端部と画素電極１６との間に補助電極６８の存在しない領域は形成されない。したがって、液晶の配向不良が生じ難く、表示品質の良好な液晶表示装置が得られる。なお、図５に示したように互いに対向する凸部６４、６５が形成される場合には、突出部６９は補助電極６８の両側に形成される。
【００５１】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００５２】
また上記実施の形態では、画素領域が２つの副画素を備える液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、画素領域が３つ又はそれ以上の副画素を備える液晶表示装置にも適用できる。
【００５３】
さらに上記実施の形態では、液晶層に印加される電圧が副画素毎に異なる容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、スリットにより分けられた１画素内の複数の副画素で液晶層に印加される電圧が互いにほぼ等しい一般的なＭＶＡ方式の液晶表示装置にも適用できる。
【００５４】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された垂直配向型の液晶と、
一方の前記基板上に形成された第１の画素電極を有する第１の副画素と、前記一方の基板上に形成された第２の画素電極を有する第２の副画素とをそれぞれ備えた複数の画素領域と、
前記第１及び第２の画素電極の間に形成されたスリットと、
前記第１及び／又は第２の画素電極の前記スリット側の端部に形成された凸部及び／又
は凹部を備え、前記液晶の特異点を制御する特異点制御部と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記第２の副画素の前記液晶に印加される電圧は、前記第１の副画素の前記液晶に印加される電圧より大きさが小さいこと
を特徴とする液晶表示装置。
（付記３）
付記２記載の液晶表示装置において、
前記凸部は、前記第２の画素電極の前記スリット側の端部に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記４）
付記２又は３に記載の液晶表示装置において、
前記一方の基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された複数のドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極と、前記第１の画素電極に電気的に接続されたソース電極とを備え、前記画素領域毎に配置されたトランジスタと、
前記ソース電極に電気的に接続され、絶縁膜を介して前記第２の画素電極の少なくとも一部に対向して配置された制御容量電極を備え、前記ソース電極と前記第２の画素電極とを容量結合する制御容量部とをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記５）
付記４記載の液晶表示装置において、
前記一方の基板上であって前記第１の画素電極の前記ドレインバスラインに対向する端部近傍に配置され、当該端部近傍を遮光する遮光板をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
他方の前記基板上に形成された共通電極と、
前記一方の基板上に形成されて前記スリットに重なって延び、前記共通電極とほぼ同電位に維持される補助電極とをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記７）
付記６記載の液晶表示装置において、
前記補助電極は、前記凸部に対応する領域で前記凸部の突出方向と同方向に突出する突出部を有すること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記８）
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された垂直配向型の液晶と、
一方の前記基板上に形成された第１及び第２の画素電極をそれぞれ備えた複数の画素領域と、
前記第１及び第２の画素電極の間に形成されたスリットと、
他方の前記基板上に形成された共通電極と、
前記一方の基板上に形成されて前記スリットに重なって延び、前記共通電極とほぼ同電位に維持される補助電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記９）
付記８記載の液晶表示装置において、
前記一方の基板上に形成され、前記共通電極とほぼ同電位に維持される蓄積容量バスラインをさらに有し、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインに電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１０）
付記９記載の液晶表示装置において、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインと同層に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１１）
付記１０記載の液晶表示装置において、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインから分岐していること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１２）
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された垂直配向型の液晶と、
一方の前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された複数のドレインバスラインと、
前記一方の基板上に形成された第１及び第２の画素電極をそれぞれ備え、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインの交差部毎に配置された複数の画素領域と、
前記第１及び第２の画素電極の間に形成され、前記第１及び第２の画素電極を分離するスリットと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極と、前記第１の画素電極に電気的に接続されたソース電極とを備え、前記画素領域毎に配置されたトランジスタと、
前記ソース電極に電気的に接続され、絶縁膜を介して前記第２の画素電極の少なくとも一部に対向して配置された制御容量電極を備え、前記ソース電極と前記第２の画素電極とを容量結合する制御容量部と、
前記一方の基板上であって前記第１の画素電極の前記ドレインバスラインに対向する端部近傍に配置され、当該端部近傍の光を遮光する遮光板と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記１３）
付記１２記載の液晶表示装置において、
他方の前記基板上に形成された共通電極をさらに有し、
前記遮光板は、前記共通電極とほぼ同電位に維持されること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１４）
付記１３記載の液晶表示装置において、
前記ゲートバスラインに並列して配置され、前記共通電極とほぼ同電位に維持される蓄積容量バスラインをさらに有し、
前記遮光板は、前記蓄積容量バスラインに電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１５）
付記１４記載の液晶表示装置において、
前記遮光板は、前記蓄積容量バスラインと同層に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１６）
付記１５記載の液晶表示装置において、
前記遮光板は、前記蓄積容量バスラインから分岐していること
を特徴とする液晶表示装置。
【符号の説明】
【００５５】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
８  液晶分子
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１６、１７  画素電極
１８  蓄積容量バスライン
１９  蓄積容量電極
２０  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２２  ソース電極
２３  ゲート電極
２４  コンタクトホール
２８  チャネル保護膜
２５  制御容量電極
４２  線状突起
４３  補助突起
４４、４７  スリット
４６  微細スリット
５４  遮光板
６２ａ、６２ｂ  特異点
６４、６５  凸部
６６、６７  凹部
６８  補助電極
６９  突出部
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６、８７  偏光板
８８  バックライトユニット
【図１】
2010117737.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図２４】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された垂直配向型の液晶と、
一方の前記基板上に形成された第１及び第２の画素電極をそれぞれ備えた複数の画素領域と、
前記第１及び第２の画素電極の間に形成されたスリットと、
他方の前記基板上に形成された共通電極と、
前記一方の基板上に形成されて前記スリットに重なって延び、前記共通電極とほぼ同電位に維持される補助電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記一方の基板上に形成され、前記共通電極とほぼ同電位に維持される蓄積容量バスラインをさらに有し、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインに電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置において、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインと同層に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置において、
前記補助電極は、前記蓄積容量バスラインから分岐していること
を特徴とする液晶表示装置。