(57)【要約】【課題】アンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置１でのプラズマ処理時と同じ圧力条件下で、チャンバ２の内部に向けて凸状の撓みを発生させる。誘電体窓３の撓みを維持させながら、チャンバ２の外側に向かう面を平坦に研磨する。そのため、プラズマ処理時に、誘電体窓３の撓みが発生した場合であっても、アンテナ４に接する面は平坦とすることができ、誘電体窓３とアンテナ４の密着性を向上させることができ、異常放電を防止することができる。また、アンテナ４と冷却ジャケット７の密着性を保つことで冷却効率を維持し、温度影響が少なく、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を用いてプラズマを処理容器内に発生させ、被処理対象物にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の、前記マイクロ波を伝播し、前記処理容器を密閉する誘電体窓の製造方法であって、
前記処理容器に前記プラズマを封止する際と実質的に同じ支持位置で前記誘電体窓を支持する支持ステップと、
前記誘電体窓の前記処理容器の内側の面にかかる圧力を、該処理容器の外側の面にかかる圧力に比べて低くなるように圧力差を発生させる差圧ステップと、
前記差圧ステップで前記圧力差を発生させた状態で、前記誘電体窓の、前記処理容器の外側に向かう面を平滑にする曲面形成ステップと、
を備えることを特徴とする誘電体窓の製造方法。
【請求項２】
マイクロ波を用いてプラズマを処理容器内に発生させ、被処理対象物にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の、前記マイクロ波を伝播し、前記処理容器内に前記プラズマを封止する誘電体窓であって、
前記誘電体窓は、その面に加わる圧力に差がない状態において、前記処理容器の外側に向かう面が凸状の曲面であり、
前記処理容器の内側の面にかかる圧力を、該処理容器の外側の面にかかる圧力に比べて低くしたときに、前記誘電体窓は前記処理容器の内部に向かって凸状に撓み、前記処理容器の外側に向かう面が平滑な表面となる
ことを特徴とする誘電体窓。
【請求項３】
前記凸状の曲面は、点対称の形状であることを特徴とする請求項２に記載の誘電体窓。
【請求項４】
プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導波部と、
前記導波部から給電された前記マイクロ波を放射するスロットを有するスロット板と、
前記導波部と前記スロット板の間に配置され、前記マイクロ波の波長を圧縮して前記アンテナに導く遅波板と、
前記アンテナから放射された前記マイクロ波を前記プラズマを生成する空間に透過する請求項２または３に記載の誘電体窓と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記スロット板は、その面方向に変形可能に支持されることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路や液晶、太陽電池など多くの半導体デバイスの製造にプラズマ技術が広く用いられている。プラズマ技術は半導体製造過程の薄膜の堆積やエッチング工程などで利用されているが、より高性能かつ高機能な製品のために、例えば超微細加工技術など高度なプラズマ処理が求められる。特に、比較的圧力が低い高真空状態でも安定して高密度なプラズマを生成することができるマイクロ波プラズマ処理装置が使用されることが多い。
【０００３】
マイクロ波プラズマ源を用いたプラズマ処理装置は、マイクロ波放電により気体を電離させプラズマを発生させる。マイクロ波は導波管を介してアンテナのスロット部分から給電され、誘電体窓を透過してプラズマ処理室内へ放射される。このときプラズマ処理装置は、誘電体窓等が比較的高温になりやすく、安定してプラズマを発生させるために、温度制御が必要となる。誘電体窓は、マイクロ波を透過する誘電体材料で形成されたもので、プラズマ処理時にガスを供給することができる機能を備えていてもよい。
【０００４】
特許文献１には、プラズマ条件に応じて天板（誘電体窓）内に最適な共振領域を形成し、高い圧力から低い圧力にわたって安定したプラズマの発生が可能なプラズマ処理装置が記載されている。特許文献１の技術では、天板の下面側にリング状の突条を設けて径方向の厚さをテーパ状に連続的に変化させることにより、プラズマのどの条件においてもどこかで共振させることができ、１種類の天板を用意するだけで種々の厚さの天板を用意したのと同様の効果を奏することが可能になる。
【特許文献１】特開２００５−１００９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１においては、天板（誘電体窓）の形状を変化させ、天板内のマイクロ波の伝播を適当に保っている。しかし、天板に導入されるまでの間のマイクロ波の伝播の制御については、特に考慮されていない。
【０００６】
プラズマ処理装置の、上部開口に配置される誘電体窓（天板）は、減圧雰囲気のプロセス条件下になると外部との圧力差により誘電体窓が変位することがあり、アンテナと誘電体窓との間に間隙が生じ、マイクロ波の導入にばらつきが生じることがあった。また、この間隙により、熱伝導率が変化して、誘電体窓付近の冷却効率が変化し、温度の不均一による誘電体窓内の電磁界分布が変化するなどの不具合が発生する。
【０００７】
マイクロ波は、同軸導波管から遅波板下面にあるスロット板、遅波板上面にある導電性の冷却ジャケットの下面等を伝送路として伝播する。この場合、遅波板と伝送路間（遅波板とスロット板、遅波板と冷却ジャケット等）の間隙が大きくなると、マイクロ波の伝播により電位差が生じて異常放電が発生することがあった。
【０００８】
また、遅波板及び誘電体窓は誘電体で形成され、スロット板は金属で形成されているので、温度の上昇とともに各部材に熱膨張差が生じる。たとえば、遅波板及び誘電体窓がアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）により形成され、アンテナが銅（Ｃｕ）により形成されている場合、スロット板は誘電体窓や遅波板より大きく熱膨張する。
【０００９】
天井部に設けられた誘電体窓（天板）と遅波板とに挟まれる形でスロット板が載置される。スロット板が、その外周にてねじ等によって冷却ジャケットに固定されていると、広がりながら膨張することができず、昇温前はフラットな状態であっても、温度上昇とともに遅波板と誘電体窓との間を押し広げながら変形する。その結果、スロット位置が変動し、マイクロ波の伝播を乱していた。また、スロット板と遅波板、スロット板と誘電体窓、冷却ジャケットと遅波板の間等に空隙が生じ、電界強度の高い部位にて異常放電を引き起こす場合があった。
【００１０】
さらに、これらの空隙により各部材間の接触が不均一になるため、冷却ジャケットを用いて温調する際の熱伝導度にばらつきが生じ、プロセス中、各部材の界面の温度分布を適切にコントロールすることが困難になっていた。
【００１１】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、プロセス中のアンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る誘電体窓の製造方法は、
マイクロ波を用いてプラズマを処理容器内に発生させ、被処理対象物にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の、前記マイクロ波を伝播し、前記処理容器を密閉する誘電体窓の製造方法であって、
前記処理容器に前記プラズマを封止する際と実質的に同じ支持位置で前記誘電体窓を支持する支持ステップと、
前記誘電体窓の前記処理容器の内側の面にかかる圧力を、該処理容器の外側の面にかかる圧力に比べて低くなるように圧力差を発生させる差圧ステップと、
前記差圧ステップで前記圧力差を発生させた状態で、前記誘電体窓の、前記処理容器の外側に向かう面を平滑にする曲面形成ステップと、
を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２の観点に係る誘電体窓は、
マイクロ波を用いてプラズマを処理容器内に発生させ、被処理対象物にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の、前記マイクロ波を伝播し、前記処理容器内に前記プラズマを封止する誘電体窓であって、
前記誘電体窓は、その面に加わる圧力に差がない状態において、前記処理容器の外側に向かう面が凸状の曲面であり、
前記処理容器の内側の面にかかる圧力を、該処理容器の外側の面にかかる圧力に比べて低くしたときに、前記誘電体窓は前記処理容器の内部に向かって凸状に撓み、前記処理容器の外側に向かう面が平滑な表面となる
ことを特徴とする。
【００１４】
好ましくは、前記凸状の曲面は、点対称の形状であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第３の観点に係るプラズマ処理装置は、
プラズマを生成するためのマイクロ波を導入する導波部と、
前記導波部から給電された前記マイクロ波を放射するスロットを有するスロット板と、
前記導波部と前記スロット板の間に配置され、前記マイクロ波の波長を圧縮して前記アンテナに導く遅波板と、
前記アンテナから放射された前記マイクロ波を前記プラズマを生成する空間に透過する本発明の第２の観点に係る誘電体窓と、
を備えることを特徴とする。
【００１６】
好ましくは、前記スロット板は、その面方向に変形可能に支持されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置によれば、プロセス中のアンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の、誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いたプラズマ処理装置について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付す。
【００１９】
以下、本発明の第１の観点に係る誘電体窓の製造方法について、および、本発明の第２の観点に係る誘電体窓について、説明する。本発明に係る誘電体窓は、片側の面に凸状の曲面を有する形状である。曲面の曲げ半径は所定の大きさであり、曲面の形状は精度の高い軸対称で、その曲面の表層は滑らかであることを特徴とする。
【００２０】
図１は本発明の第１の観点に係る誘電体窓の製造方法により製造した誘電体窓の断面図である。誘電体窓は、第１の観点に係る誘電体窓の製造方法により製造した誘電体窓であり、また、本発明の第２の観点に係る誘電体窓である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の本発明に係る誘電体窓と、従来使用している誘電体窓の一例を点線で示したものと、を重ねて示したものである。図２は、本発明の第１の観点に係る誘電体窓の製造方法の、曲面を形成する前の誘電体窓の断面図である。図３は、本発明の第１の観点に係る誘電体窓の製造方法の様子を示した断面概略図である。
【００２１】
本発明の実施の形態に係る誘電体窓３をマイクロ波プラズマ処理装置（以下、処理装置という）に設置するときに、処理装置の外側に向かう側の面を上面３ｆと表す。また、処理装置の内側に向かう側の面を下面３ｂとする。
【００２２】
誘電体窓３を処理装置に設置し、処理装置を封止する。処理装置内を排気・減圧し、プラズマ処理条件に合わせた圧力で真空状態とするとき、圧力差により、誘電体窓３は処理装置の内部に向けて、内側に凸の形状となる。例えば、プラズマ処理装置１が３００ｍｍウェハ向けの装置である場合、誘電体窓３の径は約４００ｍｍであり、凸部における最大撓み量は約０．１ｍｍである。図中では、分かりやすくするため撓みを誇張して示す。
【００２３】
図１に示すように、誘電体窓３は、片側の面は凸状の曲面で形成されている。外部からの負荷を加えない場合、上面３ｆは上に凸状の曲面で、下面３ｂは平面である。図１（ｂ）の点線で示す部分は、従来使用している誘電体窓３０の一例である。誘電体窓３０と比較すると、誘電体窓３の中央部分は最も凸となり、軸対象な形状であることが分かる。
【００２４】
誘電体窓３の製造は、ここでは主に、誘電体窓３の曲面形成について説明する。予め、両面がほぼ平面で必要な厚さに形成された誘電体材料からなる誘電体板３１を用意しておく。図２に示すように、誘電体板３１は、誘電体窓３を用いる処理装置に適切な大きさであればよく、従来使用している誘電体窓３０の形状とほぼ同形状とし、上面３ｆとなる部分のみ、少なくとも０．１ｍｍの高さの余裕を持たせておけばよい。誘電体板３１は、圧縮して成形する方法や、円柱型に成形したものから誘電体板３１を切り出す方法などがあり、誘電体板３１の成形方法については任意に選択が可能である。
【００２５】
処理装置に誘電体窓３を備えたときに、処理装置と誘電体窓３の下面３ｂが接触する部分がある。処理装置内にプラズマを封止するため、密閉する構造となっており、接触する部分は、誘電体窓３の周縁部に沿うように環状の支点となる。
【００２６】
冶具２０は、冶具本体２１と、Ｏリング２２と、真空ポンプ２３を備える。冶具本体２１は上部が開口した筺体であり、誘電体窓３などで封止したときに、冶具本体２１を密閉できる造りとする。そうして、真空ポンプ２３で排気・減圧することで、冶具本体２１を、プラズマ処理条件に合わせた圧力まで減圧することができる。Ｏリング２２は、処理装置の環状の支点と同じ大きさで、冶具本体２１に設けられる。このとき、Ｏリング２２の中心と、誘電体板３１の中心が一致するようにする。冶具２０の形状は特に問わず、処理容器の上部の、誘電体窓３を支持する部分を模倣してもよい。
【００２７】
誘電体板３１を冶具本体２１に設置し、真空ポンプ２３で真空状態にする。図３（ａ）のように、誘電体板３１は、Ｏリング２２で支持されて囲まれた部分に負荷を受け、冶具本体２１の内部に向かって凸状に撓んでいく。冶具本体２１の圧力がプラズマ発生のための好適条件に合わせた圧力、例えば１０ｍＰａ〜数１０Ｐａ程度になったときに、真空ポンプ２３で減圧するのを止め、誘電体板３１の撓みのある状態を維持しておく。
【００２８】
図３（ｂ）のように、誘電体板３１の処理装置の外側に向かう面を、平坦となるように、高さをそろえながら、表面を削り研ぎ磨いていく。高さを揃えるために、中央部分はほとんど研磨で削り取られることがなく、また、同心円上に径が大きくなるにつれて削り取られる量が増していく。このとき、誘電体板３１の研磨する面と反対側の面の撓み量が変化しないようにしておく。
【００２９】
誘電体板３１の表面の研磨が終わると、誘電体窓３として、製品が仕上がる。冶具本体２１の内部の圧力を外部と同じに上げ、冶具２０から誘電体窓３を取り出す。圧力がかからなくなった誘電体窓３は、それまで有していた撓みがなくなり、下面３ｂは図２（ａ）に示す下面の状態、すなわち平面に戻る。また、撓みの状態では平坦であった上面３ｆは、中央部分はほとんど削られず、周縁部分に向かうにつれて削られているため、図１に示すように、中央部分が凸状の曲面となる。
【００３０】
本発明に係る誘電体窓の製造方法によれば、誘電体板３１は、処理装置の外側に向かう面の、その中央部分がほとんど研磨されることなく、同心円上に同じ量だけ研磨され、径が大きくなるにつれて研磨量が増えていく。そのため誘電体窓３は、片側に凸状の曲面を形成し、その表面は滑らかな曲面となる。また、処理装置で実際に使用する際は、処理装置を真空状態とするため誘電体窓３に撓みが発生する。しかし、その撓みが発生した状態において、処理装置の外側に向かう面が平坦となるように加工しているので、上面３ｆと下面３ｂとの圧力差がない状態では、上面３ｆは凸状の曲面を形成しているが、実際の使用時においては、平滑性を有する。
【００３１】
以下、本発明の第３の観点に係るプラズマ処理装置について説明する。図４は、本発明の第３の観点に係るプラズマ処理装置の概略断面図である。図５は、図４の部分拡大図であり、特に、誘電体窓とアンテナの関係の様子を示す。
【００３２】
プラズマ処理装置１は、チャンバ（プラズマ処理容器）２、誘電体窓（誘電体窓）３、アンテナ４、導波管５、マイクロ波源６、冷却ジャケット７、基板保持台８、真空ポンプ９、高周波電源１０、ガス通路１１、温度センサ１２、支持部材１３を備える。アンテナ４はロット板４ａ、誘電体からなる遅波板４ｂとを備える。導波管５は外側導体５ａと内側導体５ｂからなる同軸導波管である。
【００３３】
プラズマ処理装置１のチャンバ２は誘電体窓３により塞がれる。誘電体窓３は、チャンバ２の開口部を封止するように設置される。誘電体窓３の上面３ｆは、チャンバ２の外側に向かって凸状の曲面を形成している。
【００３４】
チャンバ２内を、真空ポンプ９で減圧するとき、チャンバ２の開口部を密閉するように覆う誘電体窓３は、チャンバ２の外部と内部の圧力差により、チャンバ２に向かう力を受ける。例えば、プラズマ発生のための好適条件に合わせて、チャンバ２内を１０ｍＰａ〜数１０Ｐａ程度の真空状態とし、チャンバ２の外側を大気圧とすると、約１０５Ｐａの圧力差が生じる。
【００３５】
誘電体窓３の周縁部分はチャンバ２の支持部材１３に支持され固定されているが、支持部材１３に囲われた部分の下面３ｂは、チャンバ２の内部に引っ張られる向きに力を受けて撓む。平坦であった下面３ｂは変形し、見かけ上、チャンバ２の内部に向けて凸状の曲面となる。同時に、凸状の曲面の形状であった上面３ｆは、見かけ上、平坦となる。
【００３６】
アンテナ４には、導波管５が接続されている。スロット板４ａは内側導体５ｂに結合される。遅波板４ｂは、冷却ジャケット７とスロット板４ａとの間にありマイクロ波の波長を圧縮する。遅波板４ｂは例えばＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３などの誘電体材料から構成される。
【００３７】
スロット板４ａは遅波板４ｂの下方に隣接して配置され、多数のスロットが同心円状に、かつ互いに直交するように形成されている。マイクロ波はスロットの長さ方向に垂直に広がりながら誘電体窓３を伝播し、誘電体窓３直下にプラズマを発生させる。
【００３８】
誘電体窓３の上にアンテナ４は設置され、アンテナ４の上に冷却ジャケット７が設けられている。プラズマを生成するときに発生する熱により、誘電体窓３およびアンテナ４などに熱が蓄積されて高温となる。冷却ジャケット７の冷却流路７ａの内部に、所定の温度の熱媒体を流すことで、誘電体窓３やアンテナ４などに蓄積される熱を奪い、冷却することができる。また、アンテナ４付近に備えた温度センサ１２で温度を制御することで、誘電体窓３付近の温度を一定に保つことができる。
【００３９】
プラズマ処理装置１で被処理基板Ｗにプラズマ処理を行う方法について説明する。プラズマ処理装置１のチャンバ２を、真空ポンプ９で排気および減圧しておく。マイクロ波源６から導波管５を通してマイクロ波を供給する。マイクロ波は冷却ジャケット７の下面とスロット板４ａとの間を径方向に伝播し、スロット板４ａのスロットより放射され、マイクロ波は誘電体窓３を透過し、チャンバ２内に放射される。
【００４０】
アルゴン（Ａｒ）またはキセノン（Ｘｅ）等のプラズマ励起用のガスがチャンバ２内に供給され、マイクロ波によって励起され、プラズマを生成する。図示しない下段ガス供給手段等により、成膜用のガスをチャンバ内へ供給することにより、基板保持台８に設置した被処理基板Ｗに絶縁膜などの成膜、いわゆるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のプラズマ処理を施すことができる。被処理基板Ｗを搬入しプラズマ処理後に搬出するという一連の流れを繰り返し、所定枚数の基板に対して所定の基板処理を行う。
【００４１】
本発明による誘電体窓３は、プロセス中には上面３ｆが平坦となるので、誘電体窓３とアンテナ４とを密着させて配置することができる。これにより、プロセス中の処理容器２の内部と外部との圧力差により誘電体窓３が変位することにより起こる、マイクロ波伝播の不均一性を改善することができる。
【００４２】
さらに、冷却ジャケット７により誘電体窓３やアンテナ４などの冷却を行っているが、多かれ少なかれ、プラズマの発生する熱により温度変化は生じる。そして、温度変化の影響を受け、各々の構成部材の材料に合わせた膨張率で、誘電体窓３やアンテナ４などは熱膨張が起こる。誘電体窓３の上面３ｆは平坦の場合、誘電体窓３とアンテナ４は密着性を維持したまま膨張することができ、間隙が生じないので、異常放電の発生を防止できる。
【００４３】
図５に示すように、誘電体窓３の上方にあって、スロット板４ａの周縁部を固定せずに支持するコネクタ１４を備えていてもよい。スロット板４ａは、熱膨張が起こるとき、各々の部材のある上下方向だけでなく、その面方向にも膨張し、変形する。スロット板４ａの周縁部を固定している場合は、面方向の膨張が吸収されず、上下方向の歪みなどとなって現れる。しかしコネクタ１４は、面方向は自由に変形可能となるようにスロット板４ａを支持するので、面方向の膨張が発生しても、スロット板４ａと誘電体窓３などの密着性に影響を与えずにすむ。
【００４４】
さらに、スロット板４ａの形状は、誘電体窓３と押し合うような形で、平坦の状態を維持している。また、冷却ジャケット７と遅波板４ｂは、プラズマを生成する前、すなわち処理容器を減圧する前より、密着している。そのため、誘電体窓３と冷却ジャケット７の間に置かれたアンテナ４（スロット板４ａや遅波板４ｂ）は、誘電体窓３とアンテナ４の間だけでなく、アンテナ４と冷却ジャケット７との間においても、密着性を維持することができる。
【００４５】
誘電体窓３とアンテナ４、および、アンテナ４と冷却ジャケット７は、それぞれが間隙を生ずることなく密着しているので、誘電体窓３やアンテナ４に蓄積される熱を、冷却ジャケット７を介して処理容器の外に向けて放射し、効率よく冷却することができる。誘電体窓３は、本発明に係る誘電体窓の製造方法で製造した場合の方が、曲面に研磨して凸状に仕上げた場合よりも、使用時における誘電体窓３のアンテナ４側の面は平滑性を有する。さらに表面粗さが小さくなるように研磨することによって、アンテナ４との熱伝導接触抵抗を小さくできる。そのため、冷却ジャケット７による誘電体窓３の冷却効率を維持することができるので、誘電体窓３は温度変化の影響を受けにくくなり、プラズマの生成条件に影響を与えずに済み、安定してプラズマを形成できる。
【００４６】
また、本発明による誘電体窓の製造方法は、曲面に研磨して凸状に仕上げた場合よりも加工が容易であり、コストを低減させることができる。
【００４７】
さらに、本発明では、３００ｍｍウェハ向けの装置について実施例を述べたが、ウェハサイズは３００ｍｍより大きくても適用可能である。被処理基板の大口径化に伴い装置も大型化すると、誘電体窓の撓み量も大きくなるので、本発明を適用した場合、非常に効果的である。
【００４８】
本発明により、アンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止するだけでなく、誘電体窓などの冷却効率を維持することができる。プラズマの生成に影響を与えやすい温度変化をできるだけ小さくし、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる。
【００４９】
本実施の形態で説明した誘電体窓の製造方法において、誘電体窓を研磨する前の状態（誘電体板）までの製造方法や、表面を研磨する方法、また、誘電体窓を研磨するときに用いる冶具などは一例であり、これらに限定されるものではない。さらに、プラズマ処理装置の構造、被処理体の基板なども、上述に説明した例に限らず、任意に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の観点に係る誘電体窓の製造方法により製造した誘電体窓の断面図である。第１の観点に係る誘電体窓の製造方法により製造した誘電体窓は、第２の観点に係る誘電体窓にも該当する。
【図２】本発明の第１の観点に係る誘電体窓の製造方法の、曲面を形成する前の誘電体窓の断面図である。
【図３】本発明の第１の観点に係る誘電体窓の製造方法の様子を示した概略断面図である。
【図４】本発明の第３の観点に係るプラズマ処理装置の概略断面図である。
【図５】図４の部分拡大図であり、特に、誘電体窓とアンテナの関係の様子を示す。
【符号の説明】
【００５１】
１    プラズマ処理装置
２    チャンバ（プラズマ処理容器）
３    誘電体窓（天板）
４    アンテナ
４ａ  スロット板
４ｂ  遅波板
５    導波管
７    冷却ジャケット
９、２３    真空ポンプ
１３    支持部材
２０    冶具
２２    Ｏリング
３１    誘電体板
【図１】
2010041014.tif 000003
【図２】
2010041014.tif 000004
【図３】
2010041014.tif 000005
【図４】
2010041014.tif 000006
【図５】
2010041014.tif 000007