(57)【要約】【課題】  ＤＣ−ＤＣコンバータにおける平滑用コイルのインダクタンスを上げる。【解決手段】  本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、第１および第２の平滑用コイルを有するＤＣ−ＤＣコンバータであって、コイル配線導体を有する複数の絶縁層と、該複数の絶縁層の間に設けられたフェライト磁性体層と、フェライト磁性体層の内部に設けられた、配線導体に電気的に接続される第１のコイル導体および第２のコイル導体とを有し、第１および第２のコイル導体は、巻き方向が同じであり、平面透視したときに、巻回部分の内側領域の少なくとも一部が重なっている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の平滑用コイルを有するＤＣ−ＤＣコンバータであって、
配線導体を有する複数の絶縁層と、該複数の絶縁層の間に設けられたフェライト磁性体層と、前記フェライト磁性体層の内部に設けられた、前記配線導体に電気的に接続される第１のコイル導体および第２のコイル導体とを有し、
前記第１および第２のコイル導体は、巻き方向が同じであり、平面透視したときに、巻回部分の内側領域の少なくとも一部が重なっているＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項２】
前記第１および第２のコイル導体は、前記絶縁層と前記フェライト磁性体層との積層方向において同じ位置にあり、
前記第１および第２コイル導体の一方は、前記第１および第２コイル導体の他方を取り囲んでいる請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項３】
前記第１および第２のコイル導体は、前記絶縁層と前記フェライト磁性体層との積層方向において異なる位置にあり、
平面透視したときに、前記第１および第２コイル導体の一方は、前記第１および第２コイル導体の他方を取り囲んでいる請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項４】
前記第１および第２のコイル導体は、前記絶縁層と前記フェライト磁性体層との積層方向において同じ位置にあり、
前記第１および第２のコイル導体は、平面透視したときに、前記巻回部分全体に渡って重なっている請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項５】
前記第１および前記第２のコイル導体は、前記絶縁層と前記フェライト磁性体層との積層方向に沿った中心軸の周囲をそれぞれ周回しており、前記第１コイル導体の巻回部分および前記第２コイル導体の巻回部分は、前記中心軸に沿って交互に配列されている請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項６】
前記コイル内蔵基板に実装された、前記第１のコイル導体および前記第２のコイル導体に前記配線導体を介して電気的に接続される第１の平滑用コンデンサおよび第２の平滑用コンデンサを有する請求項１から請求項５のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機を始めとする移動体通信機器等の電子機器には、多数の電子装置が組み込まれている。このような携帯電話機等の通信機器は、近年小型化が急激に進んでおり、これに搭載される各種電子装置も小型化、薄型化が要求されている。
【０００３】
これに伴い、ＤＣ−ＤＣコンバータ等の電源も小型化・薄型化が求められ、薄型のＤＣ−ＤＣコンバータの開発が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−８４３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されたＤＣ−ＤＣコンバータでは、平滑用コイルを平面方向に２つ並べて配置しているため、２つの平滑用コイルから生じる磁束の干渉により、各平滑用コイルのインダクタンスが低下する場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によるＤＣ−ＤＣコンバータは、第１および第２の平滑用コイルを有するＤＣ−ＤＣコンバータであって、前記のコイル配線導体を有する複数の絶縁層と、該複数の絶縁層の間に設けられたフェライト磁性体層と、前記のフェライト磁性体層の内部に設けられた、前記の配線導体に電気的に接続される第１のコイル導体および第２のコイル導体とを有する。第１および第２のコイル導体は、巻き方向が同じであり、平面透視したときに、巻回部分の内側領域の少なくとも一部が重なっている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一態様によるＤＣ−ＤＣコンバータによれば、平滑用コイルのインダクタンスを高くできる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明のＤＣ−ＤＣコンバータの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１のＤＣ−ＤＣコンバータの模式的な回路図である。
【図３】（ａ）は、図１のコイル内蔵基板の断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層の平面透視図である。
【図４】（ａ）は、図２のＤＣ−ＤＣコンバータの第１の平滑用インダクタＬ１を流れる電流の波形図であり、（ｂ）は、第２の平滑用インダクタＬ２を流れる電流の波形図である。
【図５】（ａ）は、コイル内蔵基板の変形例を示す断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層の平面透視図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第２の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータに用いられるコイル内蔵基板の断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層の平面透視図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第３の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータに用いられるコイル内蔵基板の断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層の平面透視図である。
【図８】（ａ）は、本発明の第４の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータに用いられるコイル内蔵基板の断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層の平面透視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータを添付図面に基づいて以下に詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータの実施の形態の一例を示す断面図である。また、図２は、図１のＤＣ−ＤＣコンバータの構成を示す模式的な図である。図１，図２に示したＤＣ−ＤＣコンバータは、１入力２出力の降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータである。このような降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータでは、例えば、３．６Vの入力電圧を、０．９Vおよび１．２Vの２つの電圧に降圧して出力する。
【００１０】
図２に示すように、ＤＣ−ＤＣコンバータは、入力電圧Ｖｉｎを、コンバータ制御ＩＣによって高周波交流電圧に変換し、これを平滑コンデンサＣ１，Ｃ２および平滑コイルＬ１，Ｌ２を有する平滑回路によって平滑することにより直流電圧に変換する。
【００１１】
図１に示すように、ＤＣ−ＤＣコンバータは、コイル内蔵基板Ｈ１と、コイル内蔵基板Ｈ１の上面に実装された、平滑用コンデンサＣ１，Ｃ２として機能する容量素子１００ａ，１００ｂと、コイル内蔵基板Ｈ１の上面に実装されたコンバータ制御用ＩＣ１１０とを有する。コンバータ制御用ＩＣ１１０は、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）等からなるスイッチ、及びそのスイッチを制御する回路を含む。
【００１２】
また、コイル内蔵基板Ｈ１の下面には、電極パッド１２１〜１２３が設けられる。電極パッド１２１は、入力端子、電極パッド１２２は、第１の出力端子、電極パッド１２３は、第２の出力端子として機能する。コイル内蔵基板Ｈ１は、外部配線基板１３０に実装され、電極パッド１２１，１２２，１２３は、外部配線基板１３０に設けられた配線と電気的に接続されている。
【００１３】
コイル内蔵基板Ｈ１は、２つの絶縁層１と、２つの絶縁層１の間に設けられたフェライト磁性体層２とを有する。フェライト磁性体層２の内部には、２つのコイル導体３ａ，３ｂが設けられている。また、絶縁層１の表面および内部には、配線導体６が設けられている。コイル導体３ａ，３ｂは、配線導体６に電気的に接続されている。なお、以下では、２つのコイル導体３ａ，３ｂを、第１のコイル導体３ａおよび第２のコイル導体３ｂといい、これらを特に区別する必要がないときは、単にコイル導体３という。また、配線導体６は、電極パッド１２１，１２２，１２３も含む。
【００１４】
ここで、第１のコイル導体３ａは、第１の平滑用インダクタＬ１として機能し、第２のコイル導体３ｂは、第２の平滑用インダクタＬ２として機能する。
【００１５】
図５は、コイル内蔵基板Ｈ１の構成例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層２の平面透視図である。図５（ａ）におけるフェライト磁性体層の断面図は、図５（ｂ）の一点鎖線Ａ−Ａにおける断面図と同一である。
【００１６】
第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂは、絶縁層１とフェライト磁性体層２との配列方向（積層方向）Ｚにおいて異なる位置に設けられている。また、コイル内蔵基板Ｈ１を平面透視したとき、図５（ｂ）に示すように、第２のコイル導体３ｂが、第１のコイル導体３ａを取り囲んでいる。
【００１７】
さらに、コイル内蔵基板Ｈ１では、第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂの巻き方向が同じである。これにより、コイル内蔵基板Ｈ２を動作させたとき、第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂには、同じ方向に電流が流れる。
【００１８】
ここで、コイル導体の巻き方向とは、ＤＣ−ＤＣコンバータを動作させたとき、コイル導体に電流が流れる方向をいう。なお、コイル導体３の２つの端部が上記配列方向Ｚに沿って異なる位置にあり、上記配列方向Ｚに沿って絶縁層１側にある端部を第１端部とし、フェライト磁性体層２側にある端部を第２端部とするとき、通常、コンバータ制御用ＩＣ１１０および平滑用コンデンサ１０ａ，１０ｂは、コイル内蔵基板Ｈ２の同じ面に実装されるため、コイルの巻き方向とは、第１端部から第２端部まで、および第２端部から第１端部までのいずれか１つの決められた方向にコイル導体が巻かれる方向をいう。なお、コイル導体の端部とは、フェライト磁性体層２と絶縁層１との境界部分に位置し、絶縁層１の内部の配線に電気的に接続される部分をいう。
【００１９】
この構成によれば、第１のコイル導体３ａで発生した磁束と第２のコイル導体３ｂで発生した磁束とを同一方向に干渉させることが可能になり、各コイル導体３ａ，３ｂについて、単独で用いるときよりも、より高いインダクタンスを得ることができる。
【００２０】
また、このようなコイル導体３ａ，３ｂを用いれば、コイル導体３ａ，３ｂを平面方向に並べて用いるときよりも、コイル導体３ａ，３ｂのそれぞれについて高いインダクタンスを得ることできるため、同じインダクタンスを得る場合に、コイル導体３ａ，３ｂの巻き数を減らすことができ、基板の厚みを薄くできる。
【００２１】
図４は、図２のＤＣ−ＤＣコンバータの平滑用インダクタに流れる電流を示す波形図であり、（ａ）は、第１の平滑用インダクタＬ１を流れる電流の波形を示し、（ｂ）は、第２の平滑用インダクタＬ２を流れる電流の波形を示す。
【００２２】
図２のＤＣ−ＤＣコンバータでは、出力側の負荷（ＲＬ）に流れる電流のオン・オフを繰り返すことにより、負荷に必要なエネルギーを供給する。図４において、電流波形は三角波であり、立ち上がりがオン、立ち下りがオフを示す。
【００２３】
ここで、図１に示すように、コイル内蔵基板Ｈ１において、第２のコイル導体３ｂが、第１のコイル導体３ａを取り囲んでいることから、第１のコイル導体３ａから発生した磁束と第２コイル導体３ｂから発生した磁束とが同一方向に干渉する。これは、図２において、点線で囲んで示すように、２つの平滑用インダクタＬ１，Ｌ２が干渉していることを意味する。
【００２４】
図４において、実線は、図２の平滑用インダクタＬ１，Ｌ２を流れる電流の波形を示し、点線は、２つのコイル導体が同一平面上に並んで配置されている場合の平滑用インダクタを流れる電流の波形を示している。
【００２５】
図４（ａ），（ｂ）においては、実線の電流値が点線の電流値より大きくなっている。これは、２つの平滑用インダクタＬ１，Ｌ２の磁束の干渉による。すなわち、平滑用インダクタＬ２から発生した磁力線により、平滑用インダクタＬ１に流れる電流が生じ、その分平滑用インダクタＬ１を流れる電流が増加する（Ｉ１）。また、平滑用インダクタＬ１から発生した磁力線により、インダクタＬ２に流れる電流が生じ、その分平滑用インダクタＬ２を流れる電流が増加する（Ｉ２）。
【００２６】
このように、２つの平滑用インダクタＬ１，Ｌ２の磁束を干渉させることにより、各平滑用インダクタＬ１，Ｌ２のインダクタンスを高くすることができる。これにより、平滑用インダクタＬ１，Ｌ２に流れる電流のオンおよびオフに必要なエネルギーをお互いに補完することができ、ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて使用するエネルギー量を抑えることが可能になる。
【００２７】
また、第１のコイル導体３ａ及び第２のコイル導体３ｂは、絶縁層１とフェライト磁性体層２との配列方向Ｚにおいて異なる位置に設けられているため、第１のコイル導体３ａおよび第２のコイル導体３ｂの一方が磁気飽和を起こしても他方がその影響を受けにくい。
【００２８】
この場合の第１のコイル導体３ａと第２のコイル導体３ｂとの間隔は、第１のコイル導体３ａで発生した磁束と第２のコイル導体３ｂで発生した磁束を強く干渉させることから、できるだけ小さくすることが好ましい。しかし、第１のコイル導体３ａと第２のコイル導体３ｂとの間の電気的絶縁性を確保する必要があることから、その間隔は、１０μｍ程度以上であることが好ましい。
【００２９】
絶縁層１は、その表面や内部に形成される配線導体６、フェライト磁性体層２、および第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂとともに、８００〜１０００℃の温度で同時焼成された絶縁体粉末の焼結体から成るものである。内部に形成される配線導体６のインダクタンスが高くなることを抑制するという観点からは、非磁性フェライトやガラスセラミックス等の非磁性絶縁体から成るものが好ましい。絶縁層１は、絶縁体粉末および有機バインダを主成分とする絶縁層用グリーンシートを製作し、この絶縁層用グリーンシートを必要な配線展開ができるだけの枚数積層した後、８００〜１０００℃の温度で焼成することにより作製される。
【００３０】
絶縁層１が非磁性フェライトから成る場合は、Ｚｎ系フェライト若しくはＣｕ系フェライトを用いればよい。中でも、Ｘ−Ｆｅ２Ｏ４（ＸはＣｕ，Ｚｎ）として示される正スピネル構造の固溶体であるＣｕ−Ｚｎ系フェライトが好適である。
【００３１】
絶縁層１がガラスセラミックスから成る場合は、絶縁体粉末は上記のようなガラスの粉末とフィラー粉末との混合物の焼結体から成り、フィラー粉末としては、例えばＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル，ムライト，コージェライト）等のセラミック粉末が挙げられる。
【００３２】
フェライト磁性体層２は、第１のコイル導体３ａ及び第２のコイル導体３ｂの上下面を覆うようにして設けられている。フェライト磁性体層２は、磁束を安定させるという観点からは同一の組成であることが望ましく、その場合は主成分の組成を、焼結体としてＦｅ２Ｏ３を６３〜７３質量％、ＣｕＯを５〜１０質量％、ＮｉＯを５〜１２質量％、ＺｎＯを１０〜２３質量％とすると、１０００℃以下の低温で焼結密度５．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度焼成が可能であり、かつ、高周波帯域で十分に高い透磁率を得ることができるので好ましい。
【００３３】
フェライト磁性体層２の形成は、まずフェライト粉末に適当な有機バインダ，可塑剤，有機溶剤等を混合してスラリーを得て、これからドクターブレード法、圧延法、若しくはカレンダーロール法等によってフェライトグリーンシートを製作する。次に、このフェライトグリーンシートを所定の第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂを覆うものとして絶縁層用グリーンシートと平面透視で同じ大きさの同形状にカットし、これらのフェライトグリーンシートの間に、第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂとなる導体パターンを形成する。
【００３４】
フェライト磁性体層２となるフェライトグリーンシートを形成するのに用いるフェライト粉末は、仮焼済みのフェライト粉末であり、平均粒径が０．１μｍ〜０．９μｍの範囲で均一であり、球形状に近い粒が望ましい。これは、平均粒径が０．１μｍより大きいと、フェライトグリーンシートの製作においてフェライト粉末の均一な分散が容易であり、平均粒径が０．９μｍより小さいとフェライトの焼結温度が高くなりにくいためである。また、粒径が均一で球状に近いことにより、均一な焼結状態を得ることができる。例えばフェライト粉末の粒径が均一で球状に近い場合は、部分的に結晶粒の成長が低下することを抑制でき、焼結後に得られるフェライト磁性体層２の透磁率が安定しやすい。
【００３５】
メタライズ配線層から成るコイル導体３は、フェライト磁性体層２に上下面を覆われるように埋設されており、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の金属粉末に、適当な有機バインダおよび溶剤を混練して作製した導体ペーストを、スクリーン印刷法若しくはグラビア印刷法等によりフェライトグリーンシートの表面に塗布し、セラミックグリーンシートおよびフェライトグリーンシートと同時焼成されて形成される。
【００３６】
また、第１のコイル導体３ａおよび第２のコイル導体３ｂの間隔が１００μｍ以下であることが好ましい。１００μｍ以下であると、洩れ磁束を十分低減することができる。コイル用導体パターン間に生じる洩れ磁束を抑えることで、より大きな磁界が形成され、大きなインダクタンスを発生させることができる。
【００３７】
なお、絶縁層３に設けられる配線導体６のうち、例えば、半導体チップのバンプ等と接続される搭載用電極６ｂ、および外部配線基板１３０の配線導体等が接続される電極パッド１２１，１２２，１２３は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の金属粉末に、適当な有機バインダおよび溶剤を混練して作製した導体ペーストを、スクリーン印刷法若しくはグラビア印刷法等により絶縁層用グリーンシートの表面に塗布しておくことによって、絶縁層１の上面および下面の少なくとも一方に形成することができる。
【００３８】
また、搭載用電極６ｂは、半田等による半導体チップやチップ部品，外部電気回路の配線導体との接合を強固なものにするために、その表面にニッケル層および金層をメッキ法により順次被着するとよい。
【００３９】
また、絶縁層３に設けられる配線導体６のうち、例えば、絶縁層１の内部に設けられる配線層６ａは、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の金属粉末に適当な有機バインダおよび溶剤を混練して作製した導体ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等により絶縁層用グリーンシートの表面に印刷して形成される。
【００４０】
また、貫通導体６ｃは、絶縁層用グリーンシート又はフェライト磁性体層２となるフェライトグリーンシートにパンチング加工若しくはレーザ加工等により貫通孔を形成し、この貫通孔にＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の金属粉末に適当な有機バインダおよび溶剤を混練して作製した導体ペーストを、印刷若しくはプレス充填等の埋め込み手段によって充填することにより形成できる。
【００４１】
なお、上述の説明では、第２コイル導体３ｂが、第１コイル導体３ａを取り囲んでいるため、第１のコイル導体３ａから発生した磁束と第２コイル導体３ｂから発生した磁束とを、同一方向に強く干渉させることができるが、図５のように、第１のコイル導体３ａの巻回部分の内側領域Ｓ１および第２のコイル導体３ａの巻回部分内側領域の一部同士が重なっている場合にも、磁束を干渉させることができるため、各平滑用コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンスを高くできる。ここで、コイル導体３の巻回部分の内側領域とは、コイル内蔵基板Ｈ１を平面透視したとき、すなわちコイル導体３を平面透視したときに、最も内側を周回する部分によって囲まれる領域をいう。
【００４２】
また、図１〜図４に示した例では、２つのコイル導体を用いたが、３以上のコイル導体を用いた場合でも、巻回部分の内側領域（以下、単に「内側領域」ともいう。）の面積が大きい第２のコイル導体３ｂが、内側領域の面積が小さい第１のコイル導体３ａを取り囲むように、複数のコイル導体を配置すれば、同様の効果が得られる。
【００４３】
また、コイル内蔵基板を平面透視したときに、第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂが、巻回部分全体に渡って重なっていてもよい。図６（ａ）はこの場合のコイル内蔵基板の断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層の平面透視図である。なお、図６（ａ）におけるフェライト磁性体層の断面図は、図６（ｂ）の一点鎖線Ｃ−Ｃにおける断面図と同一である。
【００４４】
この構成によれば、第１のコイル導体３ａから発生した磁束と第２コイル導体３ｂから発生した磁束とが完全に若しくはほぼ一致し、両磁束を同一方向にさらに強く干渉させることができる。よって、平滑用インダクタＬ１，Ｌ２のインダクタンスもより高くできる。
【００４５】
次に、第２〜第３の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータについて説明する。なお、これらの実施の形態において、第１の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータと異なる点は、コイル内蔵基板の構成のみであるため、ＤＣ−ＤＣコンバータのその他の構成については、図示および説明を省略する。
【００４６】
（第２の実施の形態）
図７は、本発明の第２の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータのコイル内蔵基板の構成例を示す図であり、（ａ）はコイル内蔵基板の断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層の平面透視図である。なお、図７（ａ）におけるフェライト磁性体層の断面図は、図７（ｂ）の一点鎖線Ｄ−Ｄにおける断面図と同一である。また、図５−図６のコイル内蔵基板Ｈ２−Ｈ３と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４７】
本実施によるコイル内蔵基板Ｈ４が、第１の実施の形態によるコイル内蔵基板Ｈ２と異なる点は、第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂが、絶縁層１とフェライト磁性体層２との配列方向Ｚに沿った中心軸を有し、コイル導体３ａの巻回部分とコイル導体３ｂの巻回部分とがその中心軸に沿って交互に配列されている点である。
【００４８】
このような構成では、第１のコイル導体３ａの巻回部分と第２のコイル導体３ｂの巻回部分とが隣り合っていることから、第１のコイル導体３ａ及び第２のコイル導体３ｂの距離を近づけることができるため、第１のコイル導体３ａから発生した磁束と第２コイル導体３ｂから発生した磁束とを、同一方向に、図６のコイル内蔵基板Ｈ３よりも強く干渉させることができる。
【００４９】
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータのコイル内蔵基板の構成例を示す図であり、（ａ）はコイル内蔵基板の断面図、（ｂ）は、フェライト磁性体層の平面透視図である。なお、図８（ａ）におけるフェライト磁性体層の断面図は、図８（ｂ）の一点鎖線Ｅ−Ｅにおける断面図と同一である。また、図５−図７のコイル内蔵基板Ｈ２−Ｈ４と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００５０】
本実施によるコイル内蔵基板Ｈ５が、実施の形態１によるコイル内蔵基板Ｈ１と異なる点は、コイル導体３ａ，３ｂが、絶縁層１とフェライト磁性体層２との配列方向Ｚにおいて同じ位置にあり、内側領域の面積が大きいコイル導体３ｂは、内側領域の面積が小さいコイル導体３ａを取り囲むように設けられている点である。
【００５１】
本実施の形態によるコイル内蔵基板Ｈ５によれば、第１のコイル導体３ａから発生した磁束と第２コイル導体３ｂから発生した磁束とを、同一方向に、強く干渉させることができる。
【００５２】
また、コイル内蔵基板Ｈ５では、第１のコイル導体３ａと第２のコイル導体３ｂを同一層内に形成しているため、第１および第２のコイル導体３ａ，３ｂを密に巻くことが可能になり、より高いインダクタンスを得ることができる。さらに、第１のコイル導体３ａと第２のコイル導体３ｂを同一層内に形成しているため、コイル内蔵セラミック基板を薄型化することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・絶縁層
２・・・フェライト磁性体層
３ａ・・・第１のコイル導体
３ｂ・・・第２のコイル導体
６・・・配線導体
７・・・内部配線層
１００ａ，１００ｂ・・・平滑用コンデンサ
１１０・・・コンバータ制御用ＩＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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