(57)【要約】【課題】マスクをマスクホルダから取り外す前と、マスクをマスクホルダに新たに装着した後とで、マスクのたわみ量を一定にして、焼付け誤差を低減する。【解決手段】マスクホルダ２０に保持されたマスク２のたわみ量を検出する検出手段１１を設ける。マスク２をマスクホルダ２０から取り外す前に、検出手段１１によりマスク２のたわみ量を検出する。マスク２をマスクホルダ２０に装着した後に、検出手段１１によりマスク２のたわみ量を検出する。主制御装置６０は、検出結果に基づき、圧力調節手段２６により負圧室２２の圧力を調節して、マスクホルダ２０に新たに装着されたマスク２のたわみ量を、マスクホルダ２０から取り外す前のマスク２のたわみ量と同じにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するチャックと、
マスクを保持するマスクホルダと、
前記チャックを移動するステージと、
前記マスクホルダに保持されたマスクの上方に設けられた負圧室と、
前記負圧室の圧力を調節する圧力調節手段とを備え、
前記負圧室に負圧を掛けてマスクのたわみを抑制しながら、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置であって、  
前記マスクホルダに保持されたマスクのたわみ量を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に基づき、前記圧力調節手段を制御して、前記マスクホルダに新たに装着されたマスクのたわみ量を、前記マスクホルダから取り外す前のマスクのたわみ量と同じにする制御手段とを備えたことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記チャックに設けられたレーザー変位計であることを特徴とする請求項１に記載のプロキシミティ露光装置。
【請求項３】
基板を支持するチャックと、
マスクを保持するマスクホルダと、
チャックを移動するステージと、
マスクホルダに保持されたマスクの上方に設けられた負圧室と、
負圧室の圧力を調節する圧力調節手段とを備え、
負圧室に負圧を掛けてマスクのたわみを抑制しながら、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置のマスク保持方法であって、
マスクホルダに保持されたマスクのたわみ量を検出する検出手段を設け、
マスクをマスクホルダから取り外す前に、検出手段によりマスクのたわみ量を検出し、
マスクをマスクホルダに装着した後に、検出手段によりマスクのたわみ量を検出し、
検出結果に基づき、圧力調節手段により負圧室の圧力を調節して、マスクホルダに新たに装着されたマスクのたわみ量を、マスクホルダから取り外す前のマスクのたわみ量と同じにすることを特徴とするプロキシミティ露光装置のマスク保持方法。
【請求項４】
レーザー変位計をチャックに設け、
ステージによりチャックを移動して、チャックに設けたレーザー変位計によりマスクのたわみ量を検出することを特徴とする請求項３に記載のプロキシミティ露光装置のマスク保持方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【請求項６】
請求項３又は請求項４に記載のプロキシミティ露光装置のマスク保持方法を用いてマスクを保持して、基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行うプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスク保持方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に、マスクの上方に負圧室を設け、負圧室に負圧を掛けてマスクのたわみを抑制するプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスク保持方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。
【０００３】
プロキシミティ露光装置は、基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダとを備え、マスクホルダに保持されたマスクとチャックに支持された基板とを極めて接近させて露光を行う。プロキシミティ露光装置では、基板を水平に支持して露光を行うのが一般的であり、マスクは、マスクホルダにより周辺部を真空吸着されて、基板の上方に基板と向き合わせて保持される。そのため、マスクには、重力によってたわみが発生する。特に、表示用パネルの大画面化に伴い基板が大型化する程、マスクも大型化して重力によるたわみが大きくなる。マスクにたわみが発生すると、基板へのパターンの焼付けが均一に行われない。
【０００４】
従来、例えば特許文献１に記載の様に、マスクの上方に負圧室を設け、負圧室に負圧を掛けることによって、マスクのたわみを抑制する方法が行われている。負圧室は、マスクと、マスクホルダと、マスクホルダの露光光が通過する開口の上方に設けたガラス板等の透明な天板とで構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３１３８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板に塗布された感光樹脂材料（フォトレジスト）が露光光により重合反応を起こして硬化する際には、昇華物が発生する。プロキシミティ露光装置では、マスクにこの昇華物が付着するため、マスクをマスクホルダから取り外して定期的に洗浄する必要がある。また、基板上に異なるパターンを重ねて形成する際には、マスクを交換する必要がある。これらの場合に、マスクを取り外す前と、洗浄後のマスク又は別のマスクを装着した後とで、マスクのたわみ量が異なり、焼付け誤差が発生するという問題があった。そのため、従来は、新たに装着したマスクで露光した基板のパターンのトータルピッチを実際に測定し、測定結果に基づいて、負圧室の圧力を調節してマスクのたわみ量を調整していた。
【０００７】
本発明の課題は、マスクをマスクホルダから取り外す前と、マスクをマスクホルダに新たに装着した後とで、マスクのたわみ量を一定にして、焼付け誤差を低減することである。また、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のプロキシミティ露光装置は、基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダと、チャックを移動するステージと、マスクホルダに保持されたマスクの上方に設けられた負圧室と、負圧室の圧力を調節する圧力調節手段とを備え、負圧室に負圧を掛けてマスクのたわみを抑制しながら、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置であって、マスクホルダに保持されたマスクのたわみ量を検出する検出手段と、検出手段の検出結果に基づき、圧力調節手段を制御して、マスクホルダに新たに装着されたマスクのたわみ量を、マスクホルダから取り外す前のマスクのたわみ量と同じにする制御手段とを備えたものである。
【０００９】
また、本発明のプロキシミティ露光装置のマスク保持方法は、基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダと、チャックを移動するステージと、マスクホルダに保持されたマスクの上方に設けられた負圧室と、負圧室の圧力を調節する圧力調節手段とを備え、負圧室に負圧を掛けてマスクのたわみを抑制しながら、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置のマスク保持方法であって、マスクホルダに保持されたマスクのたわみ量を検出する検出手段を設け、マスクをマスクホルダから取り外す前に、検出手段によりマスクのたわみ量を検出し、マスクをマスクホルダに装着した後に、検出手段によりマスクのたわみ量を検出し、検出結果に基づき、圧力調節手段により負圧室の圧力を調節して、マスクホルダに新たに装着されたマスクのたわみ量を、マスクホルダから取り外す前のマスクのたわみ量と同じにするものである。
【００１０】
マスクホルダに保持されたマスクのたわみ量を検出する検出手段を設け、マスクをマスクホルダから取り外す前に、検出手段によりマスクのたわみ量を検出し、マスクをマスクホルダに装着した後に、検出手段によりマスクのたわみ量を検出し、検出結果に基づき、圧力調節手段により負圧室の圧力を調節して、マスクホルダに新たに装着されたマスクのたわみ量を、マスクホルダから取り外す前のマスクのたわみ量と同じにするので、マスクをマスクホルダから取り外す前と、マスクをマスクホルダに新たに装着した後とで、マスクのたわみ量が一定となり、焼付け誤差が少なくなる。
【００１１】
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置は、検出手段が、チャックに設けられたレーザー変位計であるものである。また、本発明のプロキシミティ露光装置のマスク保持方法は、レーザー変位計をチャックに設け、ステージによりチャックを移動して、チャックに設けたレーザー変位計によりマスクのたわみ量を検出するものである。チャックに設けたレーザー変位計を用いて、マスクのたわみ量が容易に検出される。
【００１２】
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置のマスク保持方法を用いてマスクを保持して、基板の露光を行うものである。マスクをマスクホルダから取り外す前と、マスクをマスクホルダに新たに装着した後とで、マスクのたわみ量が一定となり、焼付け誤差が少なくなるので、高品質な表示用パネル基板が製造される。また、従来の様に、新たに装着したマスクで露光した基板のパターンのトータルピッチを測定し、測定結果に基づいて、負圧室の圧力を調節してマスクのたわみ量を調整する必要がない。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置のマスク保持方法によれば、マスクホルダに保持されたマスクのたわみ量を検出する検出手段を設け、マスクをマスクホルダから取り外す前に、検出手段によりマスクのたわみ量を検出し、マスクをマスクホルダに装着した後に、検出手段によりマスクのたわみ量を検出し、検出結果に基づき、圧力調節手段により負圧室の圧力を調節して、マスクホルダに新たに装着されたマスクのたわみ量を、マスクホルダから取り外す前のマスクのたわみ量と同じにすることにより、マスクをマスクホルダから取り外す前と、マスクをマスクホルダに新たに装着した後とで、マスクのたわみ量を一定にして、焼付け誤差を低減することができる。
【００１４】
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置のマスク保持方法によれば、レーザー変位計をチャックに設け、ステージによりチャックを移動して、チャックに設けたレーザー変位計によりマスクのたわみ量を検出することにより、マスクのたわみ量を容易に検出することができる。
【００１５】
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、マスクをマスクホルダから取り外す前と、マスクをマスクホルダに新たに装着した後とで、マスクのたわみ量を一定にして、焼付け誤差を低減することができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。また、従来の様に、新たに装着したマスクで露光した基板のパターンのトータルピッチを測定し、測定結果に基づいて、負圧室の圧力を調節してマスクのたわみ量を調整する必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図３】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。プロキシミティ露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック支持台９、チャック１０、マスクホルダ２０、負圧ガラス２１、負圧室２２、エア通路２３、圧力計２４、流量制御弁２５、圧力調節回路２６、Ｘステージ駆動回路３０、Ｙステージ駆動回路４０、θステージ駆動回路５０、及び主制御装置６０を含んで構成されている。プロキシミティ露光装置は、これらの他に、基板をチャック１０へ搬入し、また基板をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、露光光を照射する照射光学系、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
【００１８】
なお、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。
【００１９】
チャック１０は、後述するＸステージ５及びＹステージ７により、基板のロード及びアンロードを行うロード／アンロード位置と、基板の露光を行う露光位置との間を移動される。ロード／アンロード位置において、図示しない基板搬送ロボットにより、基板がチャック１０へ搬入され、また基板がチャック１０から搬出される。チャック１０への基板のロード及びチャック１０からの基板のアンロードは、チャック１０に設けた複数の突き上げピンを用いて行われる。突き上げピンは、チャック１０の内部に収納されており、チャック１０の内部から上昇して、基板をチャック１０にロードする際、基板搬送ロボットから基板を受け取り、基板をチャック１０からアンロードする際、基板搬送ロボットへ基板を受け渡す。
【００２０】
基板の露光を行う露光位置の上空には、マスク２を保持するマスクホルダ２０が設置されている。図１では、マスクホルダ２０の断面が示されており、図１に示す様に、マスクホルダ２０には、露光光が通過する開口が設けられている。マスクホルダ２０は、開口の周囲に設けられた図示しない吸着溝により、マスク２の周辺部を真空吸着して保持する。マスクホルダ２０に保持されたマスク２の上空には、図示しない照射光学系が配置されている。露光時、照射光学系からの露光光がマスク２を透過して基板へ照射されることにより、マスク２のパターンが基板の表面に転写され、基板上にパターンが形成される。
【００２１】
図１において、チャック１０は、チャック支持台９を介してθステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向（図１の図面横方向）へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向（図１の図面奥行き方向）へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台９は、θステージ８に搭載され、チャック１０を複数箇所で支持する。Ｘステージ駆動回路３０、Ｙステージ駆動回路４０、θステージ駆動回路５０は、主制御装置６０の制御により、Ｘステージ５、Ｙステージ７、θステージ８をそれぞれ駆動する。
【００２２】
Ｘステージ５のＸ方向への移動及びＹステージ７のＹ方向への移動により、チャック１０は、ロード／アンロード位置と露光位置との間を移動される。ロード／アンロード位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動、Ｙステージ７のＹ方向への移動、及びθステージ８のθ方向への回転により、チャック１０に搭載された基板のプリアライメントが行われる。露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動及びＹステージ７のＹ方向への移動により、チャック１０に搭載された基板のＸＹ方向へのステップ移動が行われる。そして、Ｘステージ５のＸ方向への移動、Ｙステージ７のＹ方向への移動、及びθステージ８のθ方向への回転により、基板の位置決めが行われる。また、図示しないＺ−チルト機構によりマスクホルダ２０をＺ方向（図１の図面上下方向）へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板とのギャップ合わせが行われる。
【００２３】
なお、本実施の形態では、マスクホルダ２０をＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板とのギャップ合わせを行っているが、チャック支持台９にＺ−チルト機構を設けて、チャック１０をＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板とのギャップ合わせを行ってもよい。
【００２４】
マスクホルダ２０の露光光が通過する開口の上方には、負圧ガラス２１が設置されており、マスク２の上方には、マスク２と、マスクホルダ２０と、負圧ガラス２１とによって、負圧室２２が構成されている。マスクホルダ２０には、負圧室２２内の空気を吸引するためのエア通路２３が設けられており、エア通路２３は、圧力計２４及び流量制御弁２５を介して、真空設備へ接続されている。主制御装置６０は、負圧室２２の圧力の値を指定して、圧力調節回路２６へ負圧室２２の圧力の調節を指示する。圧力調節回路２６は、圧力計２４の検出結果を入力し、圧力計２４の検出結果が指定された値となる様に、流量制御弁２５を動作させて負圧室２２の圧力を調節する。負圧室２２に負圧を掛けることによって、マスク２に重力の方向と反対方向へ浮上する力が掛かり、マスク２のたわみが抑制される。
【００２５】
チャック１０の側面には、レーザー変位計１１が設けられている。レーザー変位計１１は、レーザー光をマスク２へ照射し、マスク２の下面で反射されたレーザー光を受光して、マスク２の下面の高さを測定する。Ｘステージ５及びＹステージ７によりチャック１０を移動して、レーザー変位計１１により、マスク２の縁及びマスク２の中央でマスク２の下面の高さを測定することにより、マスク２のたわみ量を検出することができる。あるいは、マスク２の縁でのマスク２の下面の高さが既に分かっている場合、Ｘステージ５及びＹステージ７によりチャック１０を移動して、レーザー変位計１１により、マスク２の中央でマスク２の下面の高さを測定することにより、マスク２のたわみ量を検出することができる。チャック１０に設けたレーザー変位計１１を用いて、マスク２のたわみ量が容易に検出される。
【００２６】
以下、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置のマスク保持方法について説明する。マスク２を洗浄する場合、またはマスク２を交換する場合、マスク２を取り外す前に、主制御装置６０は、Ｘステージ駆動回路３０及びＹステージ駆動回路４０を制御して、チャック１０に設けられたレーザー変位計１１を、マスク２の縁の下方及びマスク２の中央の下方へ移動する。レーザー変位計１１は、マスク２の縁及びマスク２の中央でマスク２の下面の高さを測定して、マスク２のたわみ量を検出する。あるいは、マスク２の縁でのマスク２の下面の高さが既に分かっている場合、主制御装置６０は、Ｘステージ駆動回路３０及びＹステージ駆動回路４０を制御して、チャック１０に設けられたレーザー変位計１１を、マスク２の中央の下方へ移動する。レーザー変位計１１は、マスク２の中央でマスク２の下面の高さを測定して、マスク２のたわみ量を検出する。主制御装置６０は、検出結果を内蔵するメモリに記憶する。
【００２７】
マスク２を取り外す際、主制御装置６０は、圧力調節回路２６を制御して、負圧室２２に掛けられた負圧を解除する。そして、マスクホルダ２０がマスク２の真空吸着を解除して、マスク２の取り外しが行われる。洗浄後のマスク２又は別のマスク２を装着した後、マスクホルダ２０は、新たに装着されたマスク２の周辺部を真空吸着して保持する。
【００２８】
主制御装置６０は、マスク２の厚さ毎に、予め測定した負圧室２２の圧力の変化によるマスク２のたわみ量の変化を示すデータを、内蔵するメモリに記憶している。洗浄後のマスク２又は別のマスク２を装着した後、主制御装置６０は、負圧室２２の圧力の値を決定する。このとき、主制御装置６０は、新たに装着されたマスク２の厚さの情報を入力し、新たに装着されたマスク２の厚さが取り外されたマスク２の厚さと同じである場合は、負圧室２２の圧力の値を、マスク２を取り外す前の値と同じ値に決定する。また、新たに装着されたマスク２の厚さが取り外されたマスク２の厚さと異なる場合は、マスクホルダ２０から取り外す前のマスク２のたわみ量と、新たに装着されたマスク２の厚さにおける上記データとに基づいて、負圧室２２の圧力の値を決定する。そして、主制御装置６０は、負圧室２２の圧力の値を指定して、圧力調節回路２６へ負圧室２２の圧力の調節を指示する。圧力調節回路２６は、圧力計２４の検出結果を入力し、圧力計２４の検出結果が指定された値となる様に、流量制御弁２５を動作させて負圧室２２の圧力を調節する。
【００２９】
続いて、主制御装置６０は、Ｘステージ駆動回路３０及びＹステージ駆動回路４０を制御して、チャック１０に設けられたレーザー変位計１１を、マスク２の縁の下方及びマスク２の中央の下方へ移動する。レーザー変位計１１は、マスク２の縁及びマスク２の中央でマスク２の下面の高さを測定して、新たに装着されたマスク２のたわみ量を検出する。あるいは、新たに装着されたマスク２の厚さの情報から、マスク２の縁でのマスク２の下面の高さが既に分かっている場合、主制御装置６０は、Ｘステージ駆動回路３０及びＹステージ駆動回路４０を制御して、チャック１０に設けられたレーザー変位計１１を、マスク２の中央の下方へ移動する。レーザー変位計１１は、マスク２の中央でマスク２の下面の高さを測定して、新たに装着されたマスク２のたわみ量を検出する。
【００３０】
主制御装置６０は、新たに装着されたマスク２のたわみ量の検出結果と、新たに装着されたマスク２の厚さにおける上記データとに基づき、決定した負圧室２２の圧力の値を補正する。そして、主制御装置６０は、補正した負圧室２２の圧力の値を指定して、圧力調節回路２６へ負圧室２２の圧力の調節を指示する。圧力調節回路２６は、圧力計２４の検出結果を入力し、圧力計２４の検出結果が指定された値となる様に、流量制御弁２５を動作させて負圧室２２の圧力を調節する。主制御装置６０及び圧力調節回路２６は、マスクホルダ２０に新たに装着されたマスク２のたわみ量とマスクホルダ２０から取り外す前のマスク２のたわみ量との差が、予め定めた許容値以下になるまで、これらの動作を繰り返す。
【００３１】
以上説明した実施の形態によれば、マスクホルダ２０に保持されたマスク２のたわみ量を検出するレーザー変位計１１を設け、マスク２をマスクホルダ２０から取り外す前に、レーザー変位計１１によりマスク２のたわみ量を検出し、マスク２をマスクホルダ２０に装着した後に、レーザー変位計１１によりマスク２のたわみ量を検出し、検出結果に基づき、圧力調節回路２６により負圧室２２の圧力を調節して、マスクホルダ２０に新たに装着されたマスク２のたわみ量を、マスクホルダ２０から取り外す前のマスク２のたわみ量と同じにすることにより、マスク２をマスクホルダ２０から取り外す前と、マスク２をマスクホルダ２０に新たに装着した後とで、マスク２のたわみ量を一定にして、焼付け誤差を低減することができる。
【００３２】
さらに、レーザー変位計１１をチャック１０に設け、Ｘステージ５及びＹステージ７によりチャック１０を移動して、チャック１０に設けたレーザー変位計１１によりマスク２のたわみ量を検出することにより、マスク２のたわみ量を容易に検出することができる。
【００３３】
本発明のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、本発明のプロキシミティ露光装置のマスク保持方法を用いてマスクを保持して、基板の露光を行うことにより、マスクをマスクホルダから取り外す前と、マスクをマスクホルダに新たに装着した後とで、マスクのたわみ量を一定にして、焼付け誤差を低減することができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。また、従来の様に、新たに装着したマスクで露光した基板のパターンのトータルピッチを測定し、測定結果に基づいて、負圧室の圧力を調節してマスクのたわみ量を調整する必要がなくなる。
【００３４】
例えば、図２は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等により感光樹脂材料（フォトレジスト）を塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００３５】
また、図３は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。
【００３６】
図２に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図３に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップ２０２）の露光処理において、本発明のプロキシミティ露光装置又は本発明のプロキシミティ露光装置のマスク保持方法を適用することができる。
【符号の説明】
【００３７】
２  マスク
３  ベース
４  Ｘガイド
５  Ｘステージ
６  Ｙガイド
７  Ｙステージ
８  θステージ
９  チャック支持台
１０  チャック
１１  レーザー変位計
２０  マスクホルダ
２１  負圧ガラス
２２  負圧室
２３  エア通路
２４  圧力計
２５  流量制御弁
２６  圧力調節回路
３０  Ｘステージ駆動回路
４０  Ｙステージ駆動回路
５０  θステージ駆動回路
６０  主制御装置
【図１】
2010185899.tif 000003
【図２】
2010185899.tif 000004
【図３】
2010185899.tif 000005