(57)【要約】【課題】エネルギービームの照射による結晶化処理を、迅速かつ容易に行うことを可能にする【解決手段】薄膜トランジスタが形成される基板上における当該薄膜トランジスタの形成領域に対してエネルギービームを照射して当該基板の結晶化処理を行うビーム照射部５と、前記基板上の特定領域に形成される薄膜トランジスタについてのレイアウトデータを取得するデータ取得部４ｂと、前記データ取得部４ｂが取得したレイアウトデータに基づき前記特定領域を含む前記基板上の全領域について前記ビーム照射部５によるエネルギービームの照射領域を特定する領域データを生成するデータ生成部４ｃと、を備えて半導体装置の製造装置を構成する。【選択図】図１
2010056268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタが形成される基板上における当該薄膜トランジスタの形成領域に対してエネルギービームを照射して当該基板の結晶化処理を行うビーム照射部と、
前記基板上の特定領域に形成される薄膜トランジスタについてのレイアウトデータを取得するデータ取得部と、
前記データ取得部が取得したレイアウトデータに基づき前記特定領域を含む前記基板上の全領域について前記ビーム照射部によるエネルギービームの照射領域を特定する領域データを生成するデータ生成部と
を備える半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記データ生成部が生成した領域データによって特定される領域外に配置される薄膜トランジスタの存在有無を検査する位置ずれ検査部
を備える請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記データ生成部が生成した領域データを前記ビーム照射部に転送して、当該領域データによって特定される領域へのエネルギービームの照射を前記ビーム照射部に行わせるデータ転送制御部
を備える請求項１または２記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
基板上の特定領域に形成される薄膜トランジスタについてのレイアウトデータを取得するデータ取得工程と、
前記データ取得工程で取得したレイアウトデータに基づき、前記特定領域を含む前記基板上の全領域について、当該基板にエネルギービームを照射して結晶化処理を行う際の当該エネルギービームの照射領域を特定する領域データを生成するデータ生成工程と、
前記データ生成工程で生成した領域データによって特定される領域に対してエネルギービームを照射して結晶化処理を行うビーム照射工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
画像表示領域と、
前記画像表示領域に周囲に配された周辺領域と、
前記画像表示領域に配置されたセル内薄膜トランジスタと、
前記セル内薄膜トランジスタの配置位置についてのレイアウトデータに基づいて設定された結晶化処理用エネルギービーム照射領域内に属するように前記周辺領域に配置されたセル外薄膜トランジスタと
を備える画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタを有して構成される半導体装置の製造装置および製造方法並びに画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等といったフラットパネル型の画像表示装置においては、複数画素のアクティブマトリックス表示を行うためのスイッチング素子として、薄膜トランジスタ（thin film transistor）が用いられている。
このようなフラットパネル型の画像表示装置では、その輝度が薄膜トランジスタの電流量によって決定される。つまり、薄膜トランジスタの特性ムラがあると、それが輝度ムラとなって認識されてしまい、不都合を生じてしまうことになる。したがって、画像表示装置で用いる薄膜トランジスタについては、良好なトランジスタ特性が望まれる。
ただし、薄膜トランジスタのチャネル領域を多結晶シリコン（poly-Si）で構成する場合には、チャネル領域内に存在する結晶粒の大きさが不均一なため、トランジスタ特性がばらつきやすい。トランジスタ特性のばらつきを抑制するためには、結晶粒の大きさが不均一にならない程度まで、多結晶シリコンを微結晶化することが考えられる。このことから、画像表示装置の製造過程では、薄膜トランジスタのチャネル部半導体層のアニールプロセスにおいて、レーザ光のようなエネルギービームを照射するレーザアニールを行って、活性領域の結晶化を行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２８１４２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フラットパネル型の画像表示装置は、基板平面上に、画像表示領域と、その周囲に配された周辺領域と、を備えて構成されている。そして、画像表示領域と周辺領域とのそれぞれに、薄膜トランジスタが配置されている。すなわち、薄膜トランジスタは、画像表示領域のみならず、周辺領域においても、当該周辺領域に形成される周辺回路の構成部品として、複数のものが配置される。
ところが、周辺領域における薄膜トランジスタは、レイアウトピッチ等の関係で、画像表示領域における薄膜トランジスタの配置位置に対して、斜め接続線を介して接続される位置に配置されていることが一般的である。すなわち、画像表示領域における薄膜トランジスタの配置領域と、周辺領域における薄膜トランジスタの配置領域とは、図１３に示すように、それぞれが直線状に並ぶことなく、互いにずれて配置された位置関係にある。
したがって、エネルギービームの照射による結晶化処理にあたっては、そのビーム照射のための走査軌道が、画像表示領域と周辺領域とで変位を要するものとなってしまう。このことは、ビーム照射のためのタクトタイムの増大化や、ビーム照射の走査軌道を決定するためのレシピ作成の複雑化等を招くおそれがあることを意味する。
【０００５】
つまり、従来におけるエネルギービームの照射は、薄膜トランジスタが形成される領域毎に、当該領域における薄膜トランジスタの形成位置を通るように、ビーム照射の走査軌道を決定している。そのため、エネルギービームの照射による結晶化処理を、必ずしも迅速かつ容易に行えるとは限らない。
【０００６】
そこで、本発明は、エネルギービームの照射による結晶化処理を、迅速かつ容易に行うことを可能にする半導体装置の製造装置および製造方法並びに画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体装置の製造装置で、薄膜トランジスタが形成される基板上における当該薄膜トランジスタの形成領域に対してエネルギービームを照射して当該基板の結晶化処理を行うビーム照射部と、前記基板上の特定領域に形成される薄膜トランジスタについてのレイアウトデータを取得するデータ取得部と、前記データ取得部が取得したレイアウトデータに基づき前記特定領域を含む前記基板上の全領域について前記ビーム照射部によるエネルギービームの照射領域を特定する領域データを生成するデータ生成部とを備えるものである。
【０００８】
上記構成の半導体装置の製造装置では、基板上の特定領域における薄膜トランジスタのレイアウトデータを基に、当該基板上の全領域についてのエネルギービームの領域データを生成する。したがって、特定領域とそれ以外の領域とのそれぞれのレイアウトデータを基にする場合に比べて、領域データの生成が迅速かつ容易なものとなる。しかも、特定領域とそれ以外の領域とでビーム照射の走査軌道が変位を要するのを回避し得るようになる。また、エネルギービームの照射は特定領域以外の領域に対しても行うので、領域データによって特定される領域内に属するように、特定領域以外の領域における薄膜トランジスタを配置すれば、当該薄膜トランジスタにおけるトランジスタ特性のばらつきも抑制されることになる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、領域データの生成が迅速かつ容易なものとなり、しかも領域毎にビーム照射の走査軌道が変位するのを回避することができるので、その結果としてエネルギービームの照射による結晶化処理の迅速化および容易化が図れるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面に基づき本発明に係る半導体装置の製造装置および製造方法並びに画像表示装置について説明する。
【００１１】
〔半導体装置の製造装置の概略構成〕
先ず、本発明に係る半導体装置の製造装置の概略構成を説明する。
図１は、本発明に係る半導体装置の製造装置の概略構成例を示すブロック図である。
図例の半導体装置の製造装置は、ディスプレイパネルまたはＣＲＴ（Cathode Ray Tube）からなる表示部１と、キーボードやマウス等からなる入力部２と、ＨＤＤ（Hard disk drive）等の記憶装置からなるデータ格納部３と、コンピュータ装置としての機能を有するデータ処理部４と、レーザ光のようなエネルギービームを照射してレーザアニールを行うレーザアニール装置からなるビーム照射部５と、を備えて構成されている。
【００１２】
これらのうち、データ格納部３は、レイアウトデータ格納領域３ａと、照射領域データ格納領域３ｂと、検査ルール格納領域３ｃと、を有している。
レイアウトデータ格納領域３ａは、製造対象となる半導体装置についてのレイアウトデータを格納する領域である。製造対象となる半導体装置は、薄膜トランジスタを有して構成されるもので、その一具体例として液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等といったフラットパネル型の画像表示装置が挙げられる。ただし、薄膜トランジスタを有して構成されるものであれば、これに限定されることはない。また、レイアウトデータは、半導体装置の構成部品、特に薄膜トランジスタについての平面的な位置を特定するデータであり、具体的には当該半導体装置についてのＣＡＤ（Computer Aided Design）データ挙げられる。
照射領域データ格納領域３ｂは、ビーム照射部５がビーム照射を行う際の当該ビームの照射領域を特定する領域データを格納する領域である。
検査ルール格納領域３ｃは、後述する位置ずれ検査部４ｄが位置ずれ検査を行う際に必要となる検査ルールを特定する情報を格納する領域である。
【００１３】
また、データ処理部４は、照射領域データ処理部４ａと、データ取得部４ｂと、データ生成部４ｃと、位置ずれ検査部４ｄと、データ転送制御部４ｅとしての機能を有している。
照射領域データ処理部４ａは、ビーム照射部５がビーム照射を行う際の当該ビームの照射領域を特定する領域データについての処理を行うものである。さらに詳しくは、当該領域データについての処理を行うために、データ取得部４ｂおよびデータ生成部４ｃを有して構成されたものである。
データ取得部４ｂは、少なくとも製造対象となる半導体装置を構成する基板上の特定領域に形成される薄膜トランジスタについてのレイアウトデータを、データ格納部３のレイアウトデータ格納領域３ａまたは入力部２から取得するものである。特定領域としては、例えばフラットパネル型の画像表示装置における画像表示領域が挙げられる。ただし、少なくとも特定領域についてのレイアウトデータを取得するものであればよく、当該特定領域に加えて他の領域についてもレイアウトデータの取得を行うものであっても構わない。
データ生成部４ｃは、データ取得部４ｂが取得したレイアウトデータに基づき、特定領域を含む半導体装置基板上の全領域について、ビーム照射部５がビーム照射を行う際の当該ビームの照射領域を特定する領域データを生成するものである。
位置ずれ検査部４ｄは、ビーム照射部５がビーム照射を行う領域外に配置される薄膜トランジスタの存在有無を検査するものである。この検査は、データ格納部３の検査ルール格納領域３ｃに格納されている検査ルールに従いつつ、データ生成部４ｃが生成した領域データと、半導体装置基板上の全領域における薄膜トランジスタについてのレイアウトデータとを、互いに比較することによって行うものとする。
データ転送制御部４ｅは、データ生成部４ｃが生成した領域データをビーム照射部５に転送して、当該領域データによって特定される領域へのビーム照射をビーム照射部５に行わせるものである。ビーム照射部５へのデータ転送は、当ビーム照射部５との間の有線通信または無線通信によって行えばよい。また、データ転送を行う際のデータ形式等については、ビーム照射部５の側で解釈可能なものであれば、特に限定されるものではない。
【００１４】
これらの各部４ａ〜４ｅは、データ処理部４におけるコンピュータ装置としての機能が、所定プログラムを実行することによって実現されるものとする。つまり、上述した各部４ａ〜４ｅとしての機能は、コンピュータ装置にインストールされた所定プログラムによって実現される。なお、当該所定プログラムは、コンピュータ装置へのインストールに先立ち、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものであっても、または通信回線を介して外部から配信されるものであってもよい。
【００１５】
〔半導体装置の製造方法の概要〕
次に、以上のような構成の製造装置における処理動作例、すなわち本発明に係る半導体装置の製造方法の概要を説明する。
図２は、本発明に係る半導体装置の製造方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【００１６】
上述した構成の製造装置において、処理動作を開始する際には、処理対象となる半導体装置のレイアウトデータがレイアウトデータ格納領域３ａに、また予め設定されている検査ルールを特定する情報が検査ルール格納領域３ｃに、それぞれ格納されているものとする。そして、入力部２での所定操作があると、データ取得部４ｂがデータ取得工程を実行する（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。すなわち、データ取得部４ｂは、少なくとも製造対象となる半導体装置を構成する基板上の特定領域に形成される薄膜トランジスタについてのレイアウトデータを、レイアウトデータ格納領域３ａから取得する。
【００１７】
レイアウトデータを取得すると、その後は、データ生成部４ｃがデータ生成工程を実行する（Ｓ１０２）。すなわち、データ生成部４ｃは、データ取得部４ｂが取得したレイアウトデータに基づき、特定領域を含む半導体装置基板上の全領域について、ビーム照射部５がビーム照射を行う際の当該ビームの照射領域を特定する領域データを生成する。そして、生成した領域データを照射領域データ格納領域３ｂ内に格納しておく。
【００１８】
領域データを生成すると、その後は、位置ずれ検査部４ｄが位置ずれ検査工程を実行する（Ｓ１０３）。すなわち、位置ずれ検査部４ｄは、検査ルール格納領域３ｃに格納されている検査ルールに従いつつ、データ生成部４ｃで生成され照射領域データ格納領域３ｂ内に格納されている領域データと、レイアウトデータ格納領域３ａ内に格納されている半導体装置基板上の全領域における薄膜トランジスタについてのレイアウトデータとを、互いに比較する。そして、領域データによって特定されるビーム照射領域外に配置される薄膜トランジスタの存在有無を判断する。
【００１９】
この判断の結果、ビーム照射領域外に薄膜トランジスタが存在していれば、位置ずれ検査部４ｄは、当該薄膜トランジスタについては位置ずれが生じていると認識し（Ｓ１０４）、その旨のアラーム出力を表示部１に行わせる（Ｓ１０５）。アラーム出力としては、位置ずれが生じている旨のコメントの表示出力や、位置ずれが生じている薄膜トランジスタの基板上の位置を視認可能にする表示出力等が挙げられる。
【００２０】
一方、ビーム照射領域外に存在するものがなく、薄膜トランジスタについての位置ずれが生じていない場合には（Ｓ１０４）、データ転送制御部４ｅがデータ転送工程を実行する（Ｓ１０６）。すなわち、半導体装置基板上の全領域における全ての薄膜トランジスタが、データ生成部４ｃで生成された領域データによって特定されるビーム照射領域内に属することになるので、データ転送制御部４ｅは、その領域データをビーム照射部５へ転送する。
【００２１】
そして、転送されてきた領域データを受け取ると、その後は、所定のタイミングで、ビーム照射部５がビーム照射工程を実行開始する（Ｓ１０７）。すなわち、ビーム照射部５は、転送されてきた領域データによって特定される半導体装置基板上の領域に対して、エネルギービームの一例であるレーザ光を照射して、当該基板の結晶化処理を行う。このときのビーム照射等については、公知技術を利用して行えばよいため、ここではその詳細な説明を省略する。なお、ビーム照射工程を実行開始する所定タイミングとしては、ビーム照射部５に処理対象となる基板がセットされた後、所定トリガ（例えば、所定操作や所定信号）があった時点が挙げられる。
【００２２】
〔半導体装置の製造方法の具体例〕
ここで、上述した一連の手順について、具体例を挙げてさらに詳しく説明する。
ここでは、薄膜トランジスタを有して構成されるフラットパネル型の画像表示装置が製造対象となる場合を例に挙げる。
【００２３】
〔画像表示装置についての説明〕
先ず、フラットパネル型の画像表示装置について簡単に説明する。
図３〜５は、フラットパネル型の画像表示装置の構成例を示す説明図である。
【００２４】
図３に示すように、フラットパネル型の画像表示装置は、画像表示領域１１と、その周囲に配された周辺領域１２と、を備えて構成されている。
画像表示領域１１には、画像表示を行うための複数画素がマトリックス状に配されている。そして、各画素には、アクティブマトリックス表示を行うためのスイッチング素子として、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と略す。）が配置されている。
また、周辺領域１２には、画像表示領域１１における各画素を動作させるための周辺回路部１３、外部からの電源供給や信号供給等を受けるための接続パッド１４、これらの間を導通させる配線１５等が形成されている。これらのうち、周辺回路部１３にも、画像表示領域１１と同様に、ＴＦＴが配置されている。
【００２５】
ところで、画像表示領域１１では、複数画素がマトリックス状に配されているのに伴い、図４（ａ）に示すように、電源制御線２１、走査線２２および信号線２３といった配線が、各画素に対応して、縦横に配されている。このうち、電源制御線２１および走査線２２は、第二金属層によって形成される。第二金属層としては、主に、低抵抗金属であるアルミニウム（Ａｌ）が用いられる。また、信号線２３は、電源制御線２１および走査線２２と交差するが、その交差箇所が第一金属層に打ち変えられている。第一金属層は、形成後の高温の熱プロセスに耐える必要があるために、高融点金属であるモリブデン（Ｍｏ）が用いられる。ただし、モリブデンはシート抵抗が高いために、信号線２３として用いると、配線遅延が起きてしまう。このことから、電源制御線２１または走査線２２との交差箇所では、配線遅延を緩和するために、クラッド構造２４が採用されている。クラッド構造２４とは、図４（ｂ）に示すように、アルミ合金（ＡｌＮｄ等）のような低抵抗金属２４ａを、Ｍｏのような高融点金属２４ｂで包含する積層構造のことをいう。
しかしながら、このようなクラッド構造２４の部分は、レーザ光のようなエネルギービームを照射するレーザアニールを行って活性領域の結晶化を行うことを必要としない。クラッド構造２４の部分にビーム照射を行うと、Ｍｏに包含されるＡｌＮｄが熱ヒロックを起こしてしまい、クラッド配線の破壊を招いてしまうからである。
【００２６】
したがって、画像表示装置の構成基板上には、図５に示すように、ＴＦＴ２５が配置されレーザ光のビーム照射を必要とする領域Ａと、クラッド構造２４が配置されレーザ光のビーム照射が不要な領域Ｂとが、規則的に混在することになる。つまり、レーザ光のビーム照射にあたっては、基板上の全面ではなく、一部領域に対して選択的に、当該ビーム照射を行わなければならない。
しかも、その場合であっても、レーザ光のビーム照射を必要とする領域Ａについては、ビーム照射を行う際の走査軌道が、直線状になることが望ましい。さらに詳しくは、画像表示領域１１と周辺領域１２とでビーム照射の走査軌道が変位を要することがなく、当該走査軌道が直線状に並ぶようになり、かつ、ビーム照射を必要とする領域Ａと不要な領域Ｂとが一定ピッチで交互に繰り返されるように配置されていることが望ましい。
【００２７】
〔データ生成工程の説明〕
続いて、以上のようなフラットパネル型の画像表示装置に対する場合を例に挙げ、データ生成工程（図２のＳ１０２）における領域データの生成手順を具体的に説明する。
図６〜図８は、領域データの生成手順の一具体例を示す説明図である。
【００２８】
データ生成工程では、製造対象となる画像表示装置についてのレイアウトデータを取得したら、先ず、図６（a）に示すように、当該画像表示装置を構成する一つの画素領域部分３１に着目して、その画素領域部分３１に配置されているＴＦＴ３２を検索する。そして、その画素領域部分３１内に存在するＴＦＴ３２の配置位置を特定する形状データ３３を、別レイヤのデータとして抽出し、これをダミー画素データとする。
ダミー画素データを生成したら、その後は、図６（ｂ）に示すように、当該ダミー画素データを構成する各形状データ３３について、Ｙ座標の最大値ｕｙおよび最小値ｌｙを取得する。そして、取得した最大値ｕｙおよび最小値ｌｙに対して所定の包含ルールにより定められているマージン値＊１を加えたものをビーム照射幅とし、この幅でビーム照射幅の図形データ３４を作成する。
【００２９】
一つの画素領域部分３１についてビーム照射幅の図形データ３４を作成したら、その後は、画像表示装置の全領域に対するビーム照射の領域データを生成する。
そのために、先ず、画像表示装置を構成する各画素領域の配置情報を取得する。ただし、図７（ａ）に示すように、各画素領域がアレイ状に配置されている場合には、所定の一列（ロウライン）分３５にのみ、着目すればよい。全画素領域を対象とすると、処理時間が掛かるからである。
所定の一列分３５に着目したら、その後は、図７（ｂ）に示すように、当該一列分３５における各画素領域部分３１について、当該画素領域部分３１のビーム照射幅の図形データ３４を、新たなテンポラリセルにダミーショットデータとして展開する。このとき、図形データ３４をそのままの大きさで展開すると一画素分の図形となってしまうので、Ｘ座標値を画像表示装置の外形の値に変更する。すなわち、ビーム照射幅の図形データ３４を、他の領域にも延ばす。これにより、画像表示装置の全幅に及ぶショットデータ（ビーム照射の図形データ）３６が得られることになる。
ただし、画像表示装置の構成によっては、ショット領域外であるショットの繋ぎ部分にもＴＦＴ３２が配置される。その場合に、画素領域部分３１についてのみショットデータ３６を展開したのでは、照射エリア図形が欠落してしまうおそれがある。このことから、ショットデータ３６の展開後は、Ｙ方向に足りない分を補うべく、図７（ｃ）に示すように、エリア図形３７の追加を行う。すなわち、ショットデータ３６を構成する図形データと同一のビーム照射幅および同一の配置ピッチの図形データを、当該ショットデータ３６の図中上下領域のそれぞれに追加する。
このようにして、画像表示装置の全領域に対するビーム照射の領域データを生成するのである。
【００３０】
ところで、画像表示装置は、その製造過程において、図８（ａ）に示すように、一つの基板から複数のものを得る、いわゆる多面取りが行われる場合がある。このような多面取りに対応する場合には、ビーム照射のための領域データについても、当該多面取りに対応するものを生成する。そのためには、一つの画像表示装置の形成領域についてのビーム照射の領域データについて、上述した場合と全く同様に、図８（ｂ）に示すようなＸ方向への図形延長と、図８（ｃ）に示すようなＹ方向への図形追加とを行う。これにより、図８（ｄ）に示すように、多面取りを行う場合における基板上の全領域に対するビーム照射の領域データ３８が生成されることになる。
【００３１】
以上のような手順で生成された領域データ３８は、一つの画素領域部分３１におけるＴＦＴ３２の配置位置に基づいて特定されたビーム照射幅の図形データ３４を、基板上の全領域に対応するように延ばして得られたものである。したがって、当該領域データ３８は、ビーム照射を行う際の走査軌道が、Ｘ方向に向けて直線状に延び、かつ、Ｙ方向において一定ピッチで交互に繰り返されるものとなる。
【００３２】
〔位置ずれ検査工程の説明〕
続いて、以上のようなビーム照射の領域データに基づいて行う位置ずれ検査工程（図２のＳ１０３〜Ｓ１０５）について、具体的に説明する。
図９〜図１１は、位置ずれ検査の一具体例を示す説明図である。
【００３３】
位置ずれ検査工程では、先ず、レイアウトデータ格納領域３ａ内に格納されているレイアウトデータを取り出し、そのレイアウトデータ上に、データ生成工程で生成した領域データを重ねて配置する。そして、取り出したレイアウトデータ中におけるＴＦＴの配置位置が領域データによって特定されるビーム照射領域内に属しているか否か、すなわち当該領域データによって特定されるビーム照射領域外に配置されるＴＦＴの存在有無を判断する。
【００３４】
ただし、このときの判断は、検査ルール格納領域３ｃに格納されている検査ルールに従いつつ行うものとする。つまり、当該検査ルールが定める所定の包含ルールを満足した状態（具体的には、所定マージン値を確保した状態。）で、ＴＦＴがビーム照射領域内に属しているか否かを判断する。
【００３５】
また、このときの判断対象となるＴＦＴの形状領域は、当該ＴＦＴの配置向きによって異なる。例えば、図９（a）または図１０（a）に示すように、ゲート電極４１、半導体層（μC-Si）４２、チャネル保護膜４３、ソース電極４４およびドレイン電極４５から構成されるＴＦＴを例に挙げて考える。
このような構成のＴＦＴについて、図９に示すように、そのチャネル長方向（図９（a）中における矢印Ａ参照。）が、ビーム照射の走査軌道が延びる方向（図９（ｂ）中における矢印Ｂ参照。）に対して直交するように配されている場合、当該ＴＦＴについての判断対象は、チャネル保護膜４３の形成幅（図９（a）中における破線参照。）によって特定される領域となる。
一方、図１０に示すように、ＴＦＴのチャネル長方向（図１０（a）中における矢印Ａ参照。）が、ビーム照射の走査軌道が延びる方向（図１０（ｂ）中における矢印Ｂ参照。）に対して平行となるように配されている場合、当該ＴＦＴについての判断対象は、半導体層４２の形成幅（図１０（a）中における破線参照。）によって特定される領域となる。
【００３６】
以上のような判断の結果、ビーム照射領域外に配置されるＴＦＴの存在する場合（検査ルールが定める包含ルールを満足しないＴＦＴの存在する場合を含む。）には、当該ＴＦＴについて位置ずれが生じていると認識する。このような位置ずれは、ビーム照射の領域データが画像表示領域１１におけるＴＦＴ配置に基づいて生成されているため、特に周辺領域１２に配置されるＴＦＴについて起こり得る。
【００３７】
そして、位置ずれを認識したＴＦＴについては、図１１に示すように、例えば当該ＴＦＴの表示色を相違させるといったように、通常時とは異なる状態で当該ＴＦＴを視認可能にする表示出力等を行う（図中におけるエラー箇所参照。）。これにより、例えば入力部２での表示内容を見た操作者は、入力部２を操作しつつ、当該ＴＦＴの配置位置をビーム照射領域内に属するように移動修正する、といった対応策を講じ得るようになる。
【００３８】
〔ビーム照射工程の説明〕
位置ずれ検査工程での判断の結果、ＴＦＴについての位置ずれが生じていない場合には、次いで、データ転送工程を実行して、データ生成工程で生成した領域データをビーム照射部５へ転送する。その後、所定のタイミングで、領域データを受け取ったビーム照射部５が、ビーム照射工程を実行開始する。
【００３９】
図１２は、ビーム照射を行う際の走査軌道の一具体例を示す説明図である。
ビーム照射工程では、データ生成工程で生成した領域データを解釈し、その解釈結果に基づいてビーム照射を行う。したがって、当該ビーム照射の際の走査軌道は、図例のように、基板上の全領域について、すなわち画像表示領域１１についても周辺領域１２における周辺回路部１３についても、Ｘ方向に向けて直線状に延び、かつ、Ｙ方向において一定ピッチで交互に繰り返されるものとなる。
【００４０】
以上に説明したように、本実施形態における半導体装置の製造装置および製造方法並びに画像表示装置では、基板上の特定領域（例えば、画像表示装置における画像表示領域１１。）におけるＴＦＴのレイアウトデータを基に、当該基板上の全領域についてのビーム照射の領域データを生成する。したがって、特定領域とそれ以外の周辺領域とのそれぞれのレイアウトデータを基にする場合に比べて、領域データの生成が迅速かつ容易なものとなる。しかも、特定領域と周辺領域とで、ビーム照射の走査軌道が変位を要するのを回避し得るようになる。また、ビーム照射は特定領域以外の周辺領域に対しても行うので、領域データによって特定される領域内に属するように、当該周辺領域におけるＴＦＴを配置すれば、当該ＴＦＴにおけるトランジスタ特性のばらつきも抑制されることになる。
これらのことから、本実施形態における半導体装置の製造装置および製造方法並びに画像表示装置によれば、領域データの生成が迅速かつ容易なものとなり、しかも領域毎にビーム照射の走査軌道が変位するのを回避することができるので、その結果としてエネルギービームの照射による結晶化処理の迅速化および容易化が図れるようになる。
【００４１】
また、本実施形態で説明したように、領域データによって特定される領域外に配置される薄膜トランジスタの存在有無を検査すれば、周辺領域におけるＴＦＴについても、ビーム照射領域から外れて配置されるものが存在してしまうのを容易かつ的確に回避し得るようになる。したがって、位置ずれ検査を経ることで、製造される半導体装置や画像表示装置の信頼性向上が図れるようになる。
【００４２】
さらに、本実施形態で説明したように、生成した領域データを転送して、当該領域データによって特定される領域へのビーム照射をビーム照射部５に行わせるようにすれば、当該ビーム照射部５を動作させるための正確なレシピを容易に作成できることになる。これにより、当該ビーム照射部５によるビーム照射のためのタクトタイム軽減も期待できるようになる。
【００４３】
なお、上述した実施形態では、本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造装置の概略構成例を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図３】フラットパネル型の画像表示装置の構成例を示す説明図（その１）である。
【図４】フラットパネル型の画像表示装置の構成例を示す説明図（その２）である。
【図５】フラットパネル型の画像表示装置の構成例を示す説明図（その３）である。
【図６】本発明に係る領域データの生成手順の一具体例を示す説明図（その１）である。
【図７】本発明に係る領域データの生成手順の一具体例を示す説明図（その２）である。
【図８】本発明に係る領域データの生成手順の一具体例を示す説明図（その３）である。
【図９】本発明に係る位置ずれ検査の一具体例を示す説明図（その１）である。
【図１０】本発明に係る位置ずれ検査の一具体例を示す説明図（その２）である。
【図１１】本発明に係る位置ずれ検査の一具体例を示す説明図（その３）である。
【図１２】本発明によりビーム照射を行う際の走査軌道の一具体例を示す説明図である。
【図１３】従来技術によりビーム照射を行う際の走査軌道の一具体例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
３…データ格納部、３ａ…レイアウトデータ格納領域、３ｂ…照射領域データ格納領域、３ｃ…検査ルール格納領域、４…データ処理部、４ａ…照射領域データ処理部、４ｂ…データ取得部、４ｃ…データ生成部、４ｄ…位置ずれ検査部、４ｅ…データ転送制御部、５…ビーム照射部、１１…画像表示領域、１２…周辺領域、１３…周辺回路部、２５，３２…ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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