(57)【要約】【課題】転写技術を利用した薄膜装置の製造工程、およびその製造後に、誘導によって生じる帯電を防止することが可能な薄膜装置、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板１２０上に薄膜素子（被転写層１１０）を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子１３０を、導電性を有する第二転写基板１２０と接続する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写元基板上に第１剥離層を形成する工程と、
前記第１剥離層上に薄膜素子の回路形成領域を含む被転写層を形成する工程と、
前記被転写層を第２剥離層を介して第１転写基板に接合する工程と、
前記転写元基板を前記被転写層から剥離する工程と、
第２転写基板を前記被転写層に接合する工程と
前記第２転写基板に接合された前記被転写層から前記第１転写基板を剥離する工程と、を備えることを特徴とする薄膜装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２転写基板が接合面に導電部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項３】
前記導電部の抵抗率が１０10Ωｃｍ以下である、請求項２に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２転写基板を前記被転写層に接合する工程において、前記第２転写基板の面を前記面の垂直方向から見たときに前記導電部の領域は前記薄膜素子の回路形成領域を内部に含むことを特徴とする請求項２または３に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２転写基板を前記被転写層に接合する工程において、導電性を有する接着剤を塗布して、前記第２転写基板と前記被転写層を接合することを特徴とする請求項１に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電性を有する接着剤の抵抗率が１０10Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２転写基板を前記被転写層に接合する工程において、前記第２転写基板の面を前記面の垂直方向から見たときに前記導電性を有する接着剤の塗布領域は前記薄膜素子の回路形成領域を内部に含むことを特徴とする請求項５または６に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項８】
前記薄膜素子は、半導体膜を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項９】
基板と、前記基板の上に形成された導電領域と、
前記導電領域の上に形成された薄膜半導体装置と、を備えた薄膜装置であって、
前記導電領域が前記薄膜半導体装置の形成領域を含んでいることを特徴とする薄膜装置。
【請求項１０】
前記基板と前記薄膜半導体装置の間に、導電性接着剤が挿入されていることを特徴とする請求項９に記載の薄膜装置。
【請求項１１】
前記基板の面を前記面の垂直方向から見たときに前記導電性接着剤が挿入されている領域は前記薄膜半導体装置の形成領域を含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の薄膜装置を含むことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明のいくつかの態様は、薄膜装置、薄膜装置の基板間転写技術を使用した薄膜装置の製造方法、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界発光（エレクトロルミネッセンス：ＥＬ）表示装置のような半導体応用装置等をはじめとする電気光学装置では、変形や落下による壊れ防止、柔軟性、軽量化等の理由などにより下地基板にプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。しかし、一般的に、プラスチック基板は、半導体装置製造で必要とされる高温プロセスに対する耐熱性が低いため、プラスチック基板上に通常の半導体製造プロセスによって半導体装置を形成することが困難である。
【０００３】
従来、プラスチック基板上に半導体装置を形成するための技術として、薄膜半導体装置を耐熱性の転写元基板上に形成した後、該基板から薄膜半導体装置が形成されている素子形成層（被転写層）を剥離し、これを第２転写基板であるプラスチック基板に貼り付けることによって半導体応用装置を製造する転写技術があった。これらの転写技術は、例えば、特許文献１に詳細に説明されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１３５０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記転写技術では、製造工程において電荷が剥離層の層内または界面等に留まることがあった。また、製造工程において電荷を完全に除去できた場合でも、帯電した第２転写基板上に被転写層を転写した場合や、転写後の薄膜装置を帯電した物体の上に置いた場合などは、誘導により薄膜素子が帯電する場合がある。半導体膜を含む薄膜素子が帯電すると、閾値電圧の変動やゲート絶縁膜の破壊などにより素子の性能が著しく悪化し、前記薄膜素子を含む回路が動作しない場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一つを解決するように、以下の適用例または形態として実現されうる。
【０００７】
本発明において、「薄膜素子」というときは、被転写層に含まれる、個々の、抵抗配線など、およびそれらにより構成された電気回路をいい、「薄膜装置」というときは、薄膜素子、および、その上に薄膜素子を転写された基板を含む、集合体をいう。また、「回路形成領域」とは、基板主面に対して垂直方向から見たときに、被転写層の中で、薄膜素子を含む電気回路が形成されている領域をいう。
【０００８】
［適用例１］薄膜装置の製造方法は、転写元基板上に第１剥離層を形成する工程と、前記第１剥離層上に薄膜素子の回路形成領域を含む被転写層を形成する工程と、前記被転写層を第２剥離層を介して第１転写基板に接合する工程と、前記転写元基板を前記被転写層から剥離する工程と、第２転写基板を前記被転写層に接合する工程と、前記第２転写基板に接合された前記被転写層から前記第１転写基板を剥離する工程と、を備える。
【０００９】
上記構成によれば、プラスチックなどの軽量で柔軟性を持つ基板の上に半導体装置を形成することが可能である。
【００１０】
［適用例２］好ましくは、前記第２転写基板が接合面に導電部を備える。
【００１１】
上記構成によれば、転写元基板を剥離する工程や第２転写基板を接合する工程において、物理的な剥離や接触による薄膜素子や薄膜装置の帯電を速やかに取り除くことができる。
【００１２】
［適用例３］より好ましくは、前記導電部の抵抗率が１０10Ωｃｍ以下である。
【００１３】
上記構成によれば、例えば、薄膜装置が帯電していた場合には速やかに放電させることができる。また、強い電場中に置かれた場合でも、電場を遮断することができるため、薄膜装置の回路は安定して動作させることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の薄膜装置の製造方法は、前記第２転写基板を前記被転写層に接合する工程において、前記第２転写基板の面を前記面の垂直方向から見たときに前記導電部の領域は前記薄膜素子の回路形成領域を内部に含む。
【００１５】
上記構成によれば、例えば、薄膜装置が強い電場中に置かれた場合でも、導電部によって電場を遮断することができるため、薄膜装置の回路は安定して動作させることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に記載の薄膜装置の製造方法は、前記第２転写基板を前記被転写層に接合する工程において、導電性を有する接着剤を塗布して、前記第２転写基板と前記被転写層を接合する。
【００１７】
上記構成によれば、例えば、薄膜装置が強い電場中に置かれた場合でも、導電性を有する接着剤によって電場を遮断することができるため、薄膜装置の回路は安定して動作させることができる。
【００１８】
［適用例６］前記導電性を有する接着剤の抵抗率が１０10Ωｃｍ以下である。
【００１９】
上記構成によれば、薄膜装置が帯電していた場合には速やかに放電させることができる。また、強い電場中に置かれた場合でも、電場を遮断することができるため、薄膜装置の回路は安定して動作させることができる。
【００２０】
［適用例７］前記第２転写基板を前記被転写層に接合する工程において、前記第２転写基板の面を前記面の垂直方向から見たときに前記導電性を有する接着剤の塗布領域は前記薄膜素子の回路形成領域を内部に含む。
【００２１】
上記構成によれば、例えば、薄膜装置が強い電場中に置かれた場合でも、導電部によって電場を遮断することができるため、薄膜装置の回路は安定して動作させることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に記載の前記薄膜素子は、半導体膜を含むことを特徴とする。
【００２３】
上記構成によれば、半導体を用いた薄膜素子の回路を安定して動作させることができる。
【００２４】
［適用例９］薄膜装置は、基板と、前記基板の上に形成された導電領域と、前記導電領域の上に形成された薄膜半導体装置と、を備えた薄膜装置であって、前記導電領域が前記薄膜半導体装置の形成領域を含んでいる。
【００２５】
上記構成によれば、例えば、半導体膜を含む薄膜装置が強い電場中に置かれた場合でも、導電部によって電場を遮断することができるため、薄膜装置の回路は安定して動作させることができる。
【００２６】
［適用例１０］前記第２転写基板と前記薄膜半導体装置の間に、導電性接着剤が挿入されている。
【００２７】
上記構成によれば、例えば、半導体膜を含む薄膜装置が強い電場中に置かれた場合でも、導電部によって電場を遮断することができるため、薄膜装置の回路は安定して動作させることができる。
【００２８】
［適用例１１］前記導電性接着剤が挿入されている領域は、前記面の垂直方向から見たときに前記薄膜半導体装置の形成領域を含む。
【００２９】
上記構成によれば、例えば、薄膜装置が強い電場中に置かれた場合でも、導電性接着剤によって電場を遮断することができるため、薄膜装置の回路は安定して動作させることができる。
【００３０】
［適用例１２］電気光学装置は、上記いずれかの適用例に記載の薄膜装置を含む。
【００３１】
上記構成によれば、薄膜装置が帯電した場合、あるいは、強い外部電場がある環境に薄膜装置が置かれた場合でも、安定して動作する電気光学装置を得ることができる。
【００３２】
ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光する、あるいは外部からの光の入力状態を変化させて出力する電気光学装置を備えた装置一般をいい、例えば電気光学装置として、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の他、液晶表示装置、電気泳動装置、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出装置を備えたものをも含む。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】(ａ）〜（ｄ）は、実施形態１における薄膜装置の製造工程断面図。
【図２】（ｅ）〜（ｆ）実施形態１における薄膜装置の製造工程断面図。
【図３】実施形態１における薄膜装置の模式断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、実施形態２における薄膜装置の製造工程断面図。
【図５】（ｅ）〜（ｆ）は、実施形態２における薄膜装置の製造工程断面図。
【図６】実施形態２における薄膜装置の模式断面図。
【図７】実施形態３の電気光学装置の回路図。
【図８】実施形態４の電子機器を示す概略図。
【図９】実施形態１における薄膜装置の概略を示す平面図。
【図１０】実施形態２における薄膜装置の概略を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
次に図面を参照しながら、本発明の最良の実施の形態を説明する。以下の各実施形態は本発明の単なる例示に過ぎず、本発明の範囲を制限するものではない。各本実施形態は、薄膜素子として薄膜トランジスターを製造する場合に関する。
【００３５】
（実施形態１）
実施形態１は薄膜素子の帯電を防止・除去できる薄膜装置の製造方法に関する。以下、図１(ａ）〜（ｄ）、図２（ｅ）〜（ｆ）及び図３を参照して、本実施形態１における薄膜装置の製造方法を説明する。これらの図は、製造工程断面図の模式図である。本実施形態１の製造工程としては以下の各工程を備える。
１）転写元基板１００上に、所定のエネルギー付与によって剥離する第１剥離層１０２を形成する工程（図１（ａ））
２）第１剥離層１０２上に薄膜素子Ｔを含む被転写層１１０を形成する工程（図１（ｂ））
３）被転写層１１０を第２剥離層１１４を介して第１転写基板１１６に接合する工程（図１（ｃ））
４）第１剥離層１０２にレーザー光を照射して第１剥離層１０２と被転写層１１０との間の界面に剥離を生じさせる、又は第１剥離層１０２の層内剥離を生じさせることにより転写元基板１００を被転写層１１０から剥離する工程（図１（ｄ））
５）剥離された転写元基板１００に代えて導電部１２１を備えた第２転写基板１２０を被転写層１１０に接合する工程（図２（ｅ））
６）第１転写基板１１６を分離する工程（図２（ｆ））
【００３６】
＜１：第１剥離層形成工程＞
図１（ａ）に示すように、転写元基板１００上に第１剥離層１０２を介して被転写層１１０の最下層である下地層１０４が形成される。
【００３７】
転写元基板１００としては、薄膜トランジスターを製造するための高温プロセスに十分耐えられる基板、例えば、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が利用可能である。転写元基板１００には、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−１０Ｇ等の耐熱性ガラス等を使用可能である。転写元基板１００の厚みは、最終製品に用いられるものではないため大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍであることがより好ましい。転写元基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると、転写元基板の透過率が低い場合に照射光の減衰を招く。ただし、転写元基板の照射光の透過率が高い場合には、上記上限値を越えてその厚みを厚くすることができる。
【００３８】
第１剥離層１０２は、所定のエネルギー付与によって剥離する特性を有するものである。剥離する特性とは、レーザー光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」または「界面剥離」ともいう）を生ずる性質である。すなわち、一定の強度の光を照射することにより、第１剥離層１０２を構成する材料の原子または分子における原子間または分子間の結合力が消失しまたは減少し、アブレーション(ablation)等を生じ、剥離を起こすものである。また、光の照射により、第１剥離層１０２から気体が放出され、分離に至る場合もある。第１剥離層１０２に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、第１剥離層１０２が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００３９】
このような特性を備える第１剥離層１０２に適する組成としては、例えば、アモルファス（非晶質）シリコン（ａ−Ｓｉ）を使用することができる。このアモルファスシリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることがさらに好ましい。水素が含有されていると、光の照射により水素が放出されることにより第１剥離層１０２に内圧が発生し、これが剥離を促進する。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。
【００４０】
その他、第１剥離層１０２の材料としては、酸化ケイ素若しくはケイ酸化合物や酸化チタン若しくはチタン酸化合物等の各種酸化物セラミックス、または誘電体あるいは半導体、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス、各種有機高分子材料、各種金属が利用可能である。
【００４１】
第１剥離層１０２の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがさらに好ましい。第１剥離層１０２の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生ずるからである。また第１剥離層１０２の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に第１剥離層１０２をパターニングするのに時間を要したりするからである。
【００４２】
第１剥離層１０２の形成方法は、均一な厚みで剥離層を形成可能な方法であればよく、第１剥離層１０２の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。また、第１剥離層１０２をゾルーゲル(sol-gel)法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００４３】
下地層１０４は、薄膜素子の土台となる基礎層を構成するものであり、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。
【００４４】
下地層１０４の組成は、その目的に応じて適宜選択されるが、複数層化するのがより好ましい。本実施形態のように、非晶質シリコンで構成された第１剥離層１０２と被転写層１１０との間に形成される場合には、ＳｉＯ2等の酸化珪素が挙げられる。その他、各種金属が挙げられる。下地層１０４の厚みは、その形成目的に応じて適宜決定される。通常は、１０ｎｍ〜５μｍ程度であるのが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがより好ましい。下地層１０４が薄すぎると、上記保護層等の機能を果たすことができず、下地層１０４が厚すぎると全体が厚膜化してしまうからである。下地層１０４の形成方法としては、第１剥離層１０２で説明した各種の方法が適用可能であるが、ここではＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を堆積する。なお下地層は、一層で形成する他、同一または異なる組成を有する複数の材料を用いて二層以上形成することもできる。
【００４５】
＜２：被転写層形成工程＞
図１（ｂ）に示すように、下地層１０４上に薄膜素子を形成して、被転写層１１０を完成させる。被転写層１１０は、薄膜素子が含まれる素子形成層そのものとなっている。
本実施形態では、薄膜素子として薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を含む電気回路を形成する場合を例示する。
【００４６】
図１（ｂ）には、薄膜トランジスター（薄膜素子）Ｔを含む被転写層１１０の拡大断面図が示されている。図では、薄膜トランジスターのみを図示してあるが、この他、薄膜素子としては、配線、画素電極、接続パッド、抵抗、キャパシター等の受動部品を含んでもよい。
【００４７】
薄膜トランジスターＴは、ソース１０３ｓ、ドレイン１０３ｄ、チャネル１０３ｃを含んだ半導体膜１０３、ゲート絶縁膜１０６、ゲート電極１０５、層間絶縁膜１０８、配線層１０７を備えて構成されている。この薄膜トランジスターは通常の薄膜半導体製造技術を適用して製造される。その概要を以下例示する。
【００４８】
半導体膜１０３は、公知の半導体薄膜形成技術を用いて形成される。例えば、下地層１０４上に、ＣＶＤ法によってシリコンを堆積させることにより、シリコン膜が形成される。次いで、シリコン膜を薄膜トランジスターＴのためのトランジスター領域の形状にパターニングすることにより半導体膜１０３が形成される。
【００４９】
半導体膜１０３が形成されたら、それをトランジスター領域とする薄膜トランジスターを形成する。まず、ＣＶＤ法で酸化珪素等を直接堆積することによってゲート絶縁膜１０６が形成される。次いで、半導体膜１０３にチャネル１０３ｃ用のイオン注入を行う。次に、タンタルなどの金属膜を堆積するか、ＣＶＤ法によって不純物を高濃度拡散したポリシリコンを堆積し、パターニングを行うことにより、ゲート電極１０５が形成される。次に、ゲート電極１０５をマスクとして半導体膜１０３のソース１０３ｓ・ドレイン１０３ｄ領域上に高濃度不純物注入を行うことにより、自己整合的にソース１０３ｓ・ドレイン１０３ｄが形成される。次いで、不純物活性化の熱処理を行い、ＣＶＤ法等によってシリコン酸化膜を堆積することによって、層間絶縁膜１０８が形成される。層間絶縁膜１０８にソース１０３ｓ・ドレイン１０３ｄまで達するコンタクトホールが設けられる。そして、不純物を高濃度で注入したポリシリコンをＣＶＤ法で、あるいは金属膜をスパッタ法で堆積することにより、これらをパターニングして配線層１０７が形成される。
【００５０】
このようにして薄膜トランジスターＴを薄膜素子として含む被転写層（素子形成層）１１０が形成される。薄膜トランジスターの形成方法は上記に限らず、公知の薄膜半導体製造技術を適用することが可能である。
【００５１】
＜３：第１転写基板接合工程＞
まず、第１転写基板１１６上に、所定のエネルギー付与によって剥離する第２剥離層１１４が形成される。本実施形態では、第１転写基板１１６は、転写元基板１００と同様の材料を利用可能である。第２剥離層１１４の組成、形成方法、厚みについては、第１剥離層１０２と同様である。
【００５２】
次いで、図１（ｃ）に示すように、第１転写基板１１６上に形成された第２剥離層１１４と被転写層１１０とが接着層１１２を介して接合される。接着層１１２は、被転写層１１０上に、または、第２剥離層１１４上に、接着剤をスピンコートなどによって塗布することにより形成される。接着層１１２に利用される接着剤としては、例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が使用可能である。組成としては、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系、等適宜に選択される。接着層１１２の厚みは、後に取り除く場合にはなるべく薄くなるよう、接着剤の使用量を極力抑えた方が好ましい。
【００５３】
＜４：転写元基板剥離工程＞
図１（ｄ）に示すように、第１剥離層１０２にエネルギーＬを付与し第１剥離層１０２に界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板１００が被転写層１１０から剥離される。
【００５４】
エネルギーＬの付与としてはレーザー光の照射によることが好ましい。レーザー光としては、第１剥離層１０２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよいが、特にエキシマレーザーは、短波長域で高エネルギーを出力し、極めて短時間で第１剥離層１０２にアブレーションを生じさせることができるため好ましい。レーザー光のエネルギー密度は、エキシマレーザーの場合、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ2程度とするのが好ましく、特に１００〜５０００ｍＪ／ｃｍ2程度とするのがより好ましい。
【００５５】
照射時間は、１〜１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度が低いか照射時間が短いと、十分なアブレーションが生ぜず、エネルギー密度が高いか照射時間が長いと、第１剥離層１０２や下地層１０４を透過した照射光により、半導体膜１０３へ悪影響を及ぼすことがあるからである。
【００５６】
レーザー光の照射は、その強度が剥離層全体で均一となるように照射するのが好ましい。光の照射方向は、剥離層に対し垂直な方向に限らず、剥離層に対し所定角傾斜した方向であってもよい。また、剥離層の面積が照射光一回の照射面積より大きい場合には、剥離層全領域に対し、複数回に分け光を照射してもよい。また、同一箇所に複数回照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長域）の光を同一領域または異なる領域に複数回照射してもよい。
【００５７】
＜５：第２転写基板への接着工程＞
図２（ｅ）に示すように、剥離された転写元基板１００に代えて導電部１２１を備えた第２転写基板１２０が接合される。
【００５８】
第２転写基板１２０は最終製品に搭載される永久基板として用いられるものであり、転写元基板１００に比べ、耐熱性や耐蝕性が比較的劣るものであっても利用可能である。また、用途に応じ、剛性が低く、可撓性、弾性を有するものであってもよい。このような材料として、各種合成樹脂が挙げられる。合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱効果性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体等、その他のものが適用可能である。なお、ガラス材としては、例えば、石英ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、その他のものが使用可能である。また、導電部の材料としては、各種金属や有機導電性材料が挙げられる。金属としては、例えば、アルミニウム、ステンレス、銅等、その他多種多様の金属類や合金類が適用可能である。なお、有機導電性材料としては、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセンなど、その他多種多様なものが使用可能である。また、第２転写基板１２０そのものが上記のような導電材料からなっていても良い。その第２転写基板１２０の導電部の抵抗率は１０10Ωｃｍ以下が望ましい。また、このとき、図９に示すように、第２転写基板１２０の導電部１２１の面積は被転写層１１０の回路形成領域１１１の面積よりも大きく、第２転写基板１２０の主面に対して垂直方向から、かつ、第２転写基板１２０側から見たときに被転写層の回路形成領域１１１は第２転写基板１２０の導電部１２１により完全に覆われることが望ましい。なお、図９は、第２転写基板１２０の主面に対して垂直方向から、かつ、被転写層１１０側から見たときの平面図を表しており、この図において、第２転写基板１２０の導電部１２１は回路形成領域１１１の下にも存在する。
【００５９】
なお、第２転写基板１２０としては、単一材料からなる基板のほか、導電性材料で被覆された絶縁性基板など、複数の材料で構成される基板であっても構わない。例えば、ＩＴＯ付きガラス基板、金属膜付きガラス基板、ＩＴＯ付きＰＥＴフィルムなど、絶縁性基板の上に導電性の材料が成膜されたものであっても構わない。また、第２転写基板１２０として、その導電部１２１の表面に酸化皮膜が付着した状態であっても構わない。
【００６０】
第２転写基板１２０は接着層１２２を介して接着される。接着層１２２としては、永久接着剤であることが好ましい。永久接着剤であれば、第２転写基板１２０に半永久的に接着可能だからである。半永久的に接着可能な接着剤として、例えば、エポキシ系、アクリレート系等が利用可能である。
【００６１】
＜６：第１転写基板分離工程＞
第２転写基板１２０へ被転写層１１０が接着されたら、必要に応じて被転写層１１０から第１転写基板１１６を分離する。具体的には、第２剥離層１１４にレーザー光を照射して第２剥離層１１４に界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより第１転写基板１１６が被転写層１１０から剥離される。レーザー光のその照射態様については、第１剥離層１０２における場合と同様である。接着層１１２を除去する場合には、接着剤の性質に応じた溶剤等を用いて接着層１１２を除去し、薄膜装置とする（図２（ｆ））。
【００６２】
＜７：基板を薄膜素子の基準電位を与える電極と接続する工程＞
図３において、導電部１２１は、基板表面から裏面にまで続いている。第２転写基板１２０の導電部１２１を薄膜素子の基準電位を与える電極端子１３０と接続する。接続方法は電気的な導電が確保されてさえいればよく、問わない。例えば、その方法として、薄膜素子の基準電位を与える電極端子１３０と金属などの導電性の筐体２００を接続し、さらにその導電性の筐体２００に接続部２１０を経由して、導電部１２１に電気的に接続する。その接続部２１０には導電性の接着剤、導電性両面テープ、はんだ、金属製のネジなどを用いることができる。
【００６３】
なお、第２転写基板１２０の導電部１２１を薄膜素子の基準電位を与える電極と接続する方法は、上記のような方法に限らない。筐体を介することなく、直接接続しても構わない。
【００６４】
以上、本実施形態１の製造方法によれば、工程中に繰り返し行われる剥離、接合に伴う帯電を最終的に接合される第２転写基板を通して放電させることができるため、薄膜素子回路を安定して動作させることができる。
【００６５】
また、本実施形態１の製造方法によれば、第２転写基板の電位と薄膜素子の基準電位が等しくなるため、薄膜素子回路を安定して動作させることができる。
【００６６】
また、本実施形態１の製造方法によれば、製造後に強い電場中に薄膜装置が置かれた場合でも電界を遮蔽することができるため、薄膜素子の特性に影響を与えることを防止でき、薄膜素子回路を安定して動作させることができる。
【００６７】
（実施形態２）
実施形態２は、薄膜素子の帯電を防止・除去できる薄膜装置の製造方法に関する。以下、図４（ａ）〜（ｄ）、図５（ｅ）〜（ｆ）及び図６を参照して、本実施形態２における薄膜装置の製造方法を説明する。これらの図は、製造工程断面図の模式図である。本実施形態２の製造工程としては以下の各工程を備える。
１）転写元基板上１００に、所定のエネルギー付与によって剥離する第１剥離層１０２を形成する工程（図４（ａ））
２）第１剥離層１０２上に薄膜素子Ｔを含む被転写層１１０を形成する工程（図４（ｂ））
３）被転写層１１０を第２剥離層１１４を介して第１転写基板１１６に接合する工程（図４（ｃ））
４）第１剥離層１０２にエネルギーＬを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板１００を剥離する工程（図４（ｄ））
５）剥離された転写元基板１００に代えて第２転写基板１２５を導電性を有する接着剤１２７を用いて接合する工程（図５（ｅ））
６）第１転写基板１１６を分離する工程（図５（ｆ））
７）第２転写基板１２５を薄膜素子Ｔの基準電位を与える電極１３０と接続する工程（図６）。
【００６８】
上記工程のうち、５）第２転写基板を導電性を有する接着剤を用いて接合する工程以外はほぼ前記実施形態１と同様であるため、説明を大幅に省略し、相違点を中心に説明する。図４（ｄ）に示す転写元基板を剥離する工程までは、上記実施形態１と同様にして処理する。
【００６９】
図５（ｅ）に示すように、第１剥離層１０２にエネルギーＬを付与して界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板を剥離した後、剥離された転写元基板１００に代えて第２転写基板１２５が導電性を有する接着剤１２７を介して接合される。また、このとき、図１０に示すように、導電性を有する接着剤１２７が塗布される面積は被転写層１１０の回路形成領域１１１の面積よりも大きいことが望ましい。さらには、図１０に示すように、第２転写基板１２５の主面に対して垂直方向から、かつ、第２転写基板１２５側から見たときに被転写層１１０の回路形成領域１１１は導電性を有する接着剤１２７が塗布される領域により完全に覆われることが望ましい。なお、図１０は、第２転写基板１２５の主面に対して垂直方向から、かつ、被転写層１１０側から見たときの平面図を表しており、この図において、導電性を有する接着剤１２７は回路形成領域１１１の下にも塗布されてある。
【００７０】
第２転写基板１２５は最終製品に搭載される永久基板として用いられるものであり、転写元基板１００に比べ、耐熱性や耐蝕性が比較的劣るものであっても利用可能である。また、用途に応じ、剛性が低く、可撓性、弾性を有するものであってもよい。このような材料として、各種合成樹脂が挙げられる。合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱効果性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体等、その他のものが適用可能である。なお、ガラス材としては、例えば、石英ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、その他のものが使用可能である。また、各種金属や有機導電性材料を用いることもできる。金属としては、例えば、アルミニウム、ステンレス、銅等、その他多種多様の金属類や合金類が適用可能である。なお、有機導電性材料としては、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセンなど、その他多種多様なものが使用可能である。
【００７１】
なお、第２転写基板１２５としては、単一材料からなる基板の他に、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えば、カラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成する部材を用いてもよい。
【００７２】
第２転写基板１２５は導電性を有する接着剤１２７を介して接着される。導電性を有する接着剤１２７としては、抵抗率が１０10Ωｃｍ以下であることが好ましい。導電性を有する接着剤として、例えば、銀ペースト、銅ペースト、半田ペースト等の導電性ペーストやポリオレフィン、フッ素系ポリマー、熱可塑性エラストマーものシリコーンゴムなどの材質を原料とした樹脂製の導電性接着剤などが利用可能である。
【００７３】
導電性接着剤１２７は第２転写基板１２５上に被転写層１１０の大きさよりも広い面積にわたって塗布する方が好ましい。後の工程において電気的に接続しやすくするためである。
その後の工程（図５（ｆ））については、実施形態１における図２（ｆ）の工程と全く同様である。
【００７４】
次に図６に示すように、導電性を有する接着剤１２７を薄膜素子Ｔの基準電位を与える電極と接続する。接続方法は電気的な導電が確保されてさえいればよく、問わない。例えば、その方法として、薄膜素子Ｔの基準電位を与える電極と金属などの導電性の筐体２００を接続し、さらにその導電性の筐体２００に導電性を有する接着剤１２７を電気的に接続する。その接続部２２０には導電性の接着剤、導電性両面テープ、はんだ、金属製のネジなどを用いることができる。
【００７５】
なお、導電性を有する接着剤１２７を薄膜素子Ｔの基準電位を与える電極と接続する方法は、上記のような方法に限らない。筐体２００を介することなく、直接接続しても構わない。また、図６では導電性接着剤１２７は第２転写基板１２５の上面にのみ塗布されているが、上下両面や、側面も含めた全面に塗布されても構わない。
【００７６】
以上、本実施形態２の製造方法によれば、工程中に繰り返し行われる剥離、接合に伴う帯電を最終的に接合される第２転写基板１２５を通して放電させることができるため、薄膜素子回路を安定して動作させることができる。
【００７７】
また、本実施形態２の製造方法によれば、第２転写基板１２５の電位と薄膜素子Ｔの基準電位が等しくなるため、薄膜素子回路を安定して動作させることができる。
【００７８】
また、本実施形態２の製造方法によれば、製造後に強い電場中に薄膜装置が置かれた場合でも電界を遮蔽することができるため、薄膜素子Ｔの特性に影響を与えることを防止でき、薄膜素子回路を安定に動作させることができる。
【００７９】
（実施形態３）
＜電気光学装置＞
実施形態３は、前述の薄膜装置を備える電気光学装置の例示に関する。図７に、上記薄膜装置を利用した電気光学装置１の回路図を示す。
【００８０】
図７に示すように、本電気光学装置１は、各画素Ｇが、上記薄膜トランジスターＴ、それらに電気的に接続された液晶ＬＣ、コンデンサーＣを備えて構成され、それらが行方向に配線される走査線Ｖｓｃａｎ、列方向に配線されるデータ線Ｖｄａｔａでマトリックス状に接続されて構成されている。走査ドライバー２からは走査線Ｖｓｃａｎに行選択信号が供給されるようになっている。データドライバー３からは、データ線Ｖｄａｔａにデータ信号が供給されるようになっている。電気光学装置１は、走査線Ｖｓｃａｎが選択された状態のときに、データ線Ｖｄａｔａからの信号が画素Ｇに書き込まれるようになっている。
【００８１】
当該電気光学装置１は、上記製造方法により、形成されたものである。
【００８２】
すなわち、被転写層１１０として、走査ドライバー２とデータドライバー３、並びにこれらのドライバーからマトリックス状に、走査線Ｖｓｃａｎ、データ線Ｖｄａｔａが形成され、これら配線で囲まれる画素Ｇの各々には、薄膜トランジスターＴとコンデンサーＣが形成される。
【００８３】
一方、第２転写基板１２０としてはステンレス基板が用いられる。
【００８４】
この第２転写基板１２０に被転写層１１０を転写し、必要に応じて、液晶封入工程などを経て、第２転写基板１２０に設けられ第２転写基板１２０全体の電位を制御できる端子と、薄膜素子回路の基準電位を与える端子とを電気的に接続させることにより、電気光学装置１を完成させることができる。
【００８５】
本実施形態３によれば、強い電場中に薄膜装置が置かれた場合でも、電界を第２転写基板１２０または導電性接着剤１２７により遮蔽することができるため、薄膜素子回路を安定して動作させることができ、回路動作の安定した薄膜トランジスターを備える電気光学装置を提供可能である。
【００８６】
（実施形態４）
＜電気光学装置を備えた電子機器＞
実施形態４は、前述の電気光学装置を備える電子機器の例示に関する。
【００８７】
図８に、図７に示すような電気光学装置１を備えた電子機器の例を示す。図８は、テレビジョン装置３００に適用した例であり、当該電子機器は、本実施形態に係る電気光学装置１を含んで構成されている。
【００８８】
なお、上記電気光学装置や電子機器の構造は単なる例示であり、本発明の薄膜装置の製造方法によって転写され製造された薄膜素子を用いるものに広く適用することが可能である。
【００８９】
本発明の薄膜装置の製造方法は、上記した実施形態に限定されることなく種々に変更して利用することが可能である。
【００９０】
また、電気光学装置としては、液晶表示装置のみならず、ＥＬ表示装置、電気泳動装置、電子放出装置等、表示に係る素子の形態に限定されず、種々に応用することが可能である。
【００９１】
また、電子機器としては、上記構成に限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレー、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダー、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、ＩＣカード、宣伝公告用ディスプレー等に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００９２】
Ｃ  コンデンサー、Ｇ  画素、Ｌ  エネルギー（レーザー光）、ＬＣ  液晶、Ｔ  薄膜素子としての薄膜トランジスター、１  電気光学装置、２  走査ドライバー、３  データドライバー、１００  転写元基板、１０２  第１剥離層、１０３  半導体膜、１０３ｃ  チャネル、１０３ｓ  ソース、１０３ｄ  ドレイン、１０４  下地層、１０５  ゲート電極、１０６  ゲート絶縁膜、１０７配線層、１０８  層間絶縁膜、１１０  被転写層（素子形成層）、１１１  被転写層回路形成領域、１１２  接着層、１１４  第２剥離層、１１６  第１転写基板、１２０，１２５  第２転写基板、１２１  導電部、１２２  接着剤層、１２７  導電性接着剤層、１３０  薄膜素子回路の基準電位を与える端子、２００  筐体、２１０  導電性コンタクト部、２２０  導電性コンタクト部、３００  テレビジョン装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010206049.tif 000009
【図８】
2010206049.tif 000010
【図９】
2010206049.tif 000011
【図１０】
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