(57)【要約】【課題】集積型半導体レーザ装置が小型化された場合にも、容易にワイヤボンディングを行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、緑色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子１０に対してＢ方向に隣接して並ぶように形成された青色半導体レーザ素子２０と、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０に対して接合される赤色半導体レーザ素子５０と、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０の赤色半導体レーザ素子５０が配置される側とは反対側の表面上に形成され、緑色半導体レーザ素子１０と青色半導体レーザ素子２０とに共通のｎ側電極３３と、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０がｎ側電極３３を介して接合される台座９０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子に対して隣接して並ぶように形成された第２半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子に対して接合される第３半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子の前記第３半導体レーザ素子が配置される側とは反対側の表面上に形成され、前記第１半導体レーザ素子と前記第２半導体レーザ素子とに共通の第１電極と、
前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子が前記第１電極を介して接合される基台とを備える、半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子は、共通の半導体基板または半導体層の表面上に形成されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第３半導体レーザ素子の前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子に対して接合される側の表面上に形成されるとともに側方に突出する突出部を有する第２電極と、
前記第２電極に接続される第１ワイヤとをさらに備え、
前記第３半導体レーザ素子は、前記第１半導体レーザ素子と前記第２半導体レーザ素子との間の略中央に配置されており、
前記第１ワイヤは、前記第２電極の突出部において前記第２電極に接続されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１電極とは反対側の前記第１半導体レーザ素子の表面上に形成された第３電極と、
前記第１電極とは反対側の前記第２半導体レーザ素子の表面上に形成された第４電極と、
前記第１半導体レーザ素子と前記第２半導体レーザ素子とが並ぶ第１方向に沿って配置された第１端子および第２端子と、
前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置された第３端子と、
前記第１端子と前記第３電極とを接続する第２ワイヤと、
前記第２端子と前記第４電極とを接続する第３ワイヤとをさらに備え、
前記第３電極は、前記第４電極および前記第２電極よりも前記第１端子に近い位置に配置されるとともに、前記第４電極は、前記第３電極および前記第２電極よりも前記第２端子に近い位置に配置され、
前記第２電極は、前記第１ワイヤによって前記第３端子に接続されるとともに、前記第２電極の少なくとも一部の領域が前記第１方向において前記第３電極と前記第４電極との間に位置するように配置されている、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第３半導体レーザ素子の前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子に対して接合される側の表面上に形成されるとともに側方に突出する突出部を有する第２電極と、
前記第１電極とは反対側の前記第１半導体レーザ素子の表面上に形成された第３電極と、
前記第１電極とは反対側の前記第２半導体レーザ素子の表面上に形成された第４電極と、
前記第１半導体レーザ素子と前記第２半導体レーザ素子とが並ぶ第１方向に沿って配置された第１端子および第２端子と、
前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置された第３端子と、
前記第２電極の前記突出部において前記第２端子と前記第２電極とを接続する第４ワイヤと、
前記第１端子と前記第３電極とを接続する第５ワイヤと、
前記第３端子と前記第４電極とを接続する第６ワイヤとをさらに備え、
前記第３電極は、前記第４電極および前記第２電極よりも前記第１端子に近い位置に配置されるとともに、前記第２電極は、前記第３電極および前記第４電極よりも前記第２端子に近い位置に配置され、
前記第４電極の少なくとも一部の領域が前記第１方向において前記第３電極と前記第２電極との間に位置するように配置されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第１半導体レーザ素子と前記第２半導体レーザ素子との間には、凹部が形成されており、
前記第３半導体レーザ素子は、前記凹部の底部に接合されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、複数の半導体レーザ素子を集積化した半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＤ（コンパクトディスク）／ＣＤ−Ｒ（コンパクトディスク−レコーダブル）ドライブには、光源として波長が約７８０ｎｍ近傍の赤外光を出射する赤外半導体レーザ素子が用いられてきた。また、ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）ドライブには、光源として波長が約６５０ｎｍ近傍の赤色光を出射する赤色半導体レーザ素子が用いられてきた。
【０００３】
一方、近年では、波長が約４０５ｎｍ近傍の青紫色光を用いて記録および再生が可能なＤＶＤの開発が進められている。このようなＤＶＤの記録および再生のために、波長４０５ｎｍ近傍の青紫色光を出射する青紫色半導体レーザ素子を用いた次世代ＤＶＤドライブの開発も同時に進められている。このＤＶＤドライブにおいては、従来のＣＤ／ＣＤ−ＲおよびＤＶＤに対する互換性が必要とされる。
【０００４】
この場合、ＤＶＤドライブに赤外光、赤色光および青紫色光をそれぞれ出射する複数の光ディスク用ピックアップ装置を個別に設ける方法や、１つの光ディスク用ピックアップ装置内に赤外半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子を個別に設ける方法などにより、従来のＣＤ、ＤＶＤおよび記録および再生が可能なＤＶＤに対する互換性が実現される。しかしながら、これらの方法では部品点数の増加を招くため、光ディスク用ピックアップ装置の小型化、構成の簡単化および低価格化が困難となる不都合があった。
【０００５】
このような部品点数の増加を抑制するために、従来では、赤外半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子とが、共にＧａＡｓ系の基板上に形成されることにより１チップに集積化された半導体レーザ素子として実用化されている。また、１チップ化することにより、各色の半導体レーザ素子の発光点位置が精度よく形成される。
【０００６】
これに対し、青紫色半導体レーザ素子はＧａＡｓ基板上に形成されないため、青紫色半導体レーザ素子を赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子とともに１チップに集積化するのは非常に困難であった。また、各色の半導体レーザ素子が出射するレーザ光に対するロスや収差を低減するために、それぞれの発光点位置を極力近接させることが要求されていた。
【０００７】
そこで、従来では、青紫色半導体レーザ素子上に、赤色半導体レーザ素子と赤外半導体レーザ素子とを接合して集積化した半導体レーザ装置が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００８】
上記特許文献１には、１つの青紫色半導体レーザ素子上に、赤色半導体レーザ素子と赤外半導体レーザ素子とを個別に接合して集積化した半導体レーザ装置が開示されている。この特許文献１に記載の半導体レーザ装置では、青紫色半導体レーザ素子の光導波路形成領域（リッジ部）を除く両側の平坦な領域上に、赤色半導体レーザ素子と赤外半導体レーザ素子とがそれぞれ絶縁層を介して接合されている。また、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子が接合される領域の絶縁層上には、青紫色半導体レーザ素子の幅方向の赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子の接合領域よりも外側に向かって延びる電極層が設けられている。これにより、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子のｐ側半導体層は、それぞれ、青紫色半導体レーザ素子の両端部近傍に延びた電極層の部分（ワイヤボンド領域）にワイヤボンディングされる金属線を介して外部端子に電気的に接続されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−３１７８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１に開示された集積型の半導体レーザ装置では、青紫色半導体レーザ素子の上面上に赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子の２つの半導体レーザ素子を接合しているため、青紫色半導体レーザ素子の上面上の赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子の２つの半導体レーザ素子の接合領域とは別に青紫色半導体レーザ素子の上面上に２つの半導体レーザ素子用のワイヤボンド領域を設ける必要がある。このような場合に、３つの半導体レーザ素子を含む半導体レーザ装置が小型化された場合には、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子のワイヤボンド領域を充分に確保できない場合があると考えられる。この場合、半導体レーザ装置に対するワイヤボンディングが行いにくくなるという問題点がある。
【００１１】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、集積型半導体レーザ装置が小型化された場合にも、容易にワイヤボンディングを行うことが可能な半導体レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【００１２】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による半導体レーザ装置は、第１半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子に対して隣接して並ぶように形成された第２半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子に対して接合される第３半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の第３半導体レーザ素子が配置される側とは反対側の表面上に形成され、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とに共通の第１電極と、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子が第１電極を介して接合される基台とを備える。
【００１３】
この発明の一の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第１半導体レーザ素子と第１半導体レーザ素子に対して隣接して並ぶように形成された第２半導体レーザ素子とに共通の第１電極を備えるとともに、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子が、第１電極を介して基台に接合されるように構成することによって、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を共通の第１電極を介して基台に接合することができるとともに、第３半導体レーザ素子を第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の第１電極とは反対側の表面上に接合することにより集積型の半導体レーザ装置を構成することができる。また、隣接して並ぶように配置された２つの第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の表面上に、１つの第３半導体レーザ素子を接合することによって、第３半導体レーザ素子のワイヤボンド領域を広げることができる。この結果、集積型半導体レーザ装置が小型化された場合にも、容易にワイヤボンディングを行うことができる。
【００１４】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子は、共通の半導体基板または半導体層の表面上に形成されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とを容易に集積化することができ、かつ、集積化された半導体レーザ素子の裏面側に共通の第１電極を容易に形成することができる。
【００１５】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第３半導体レーザ素子の第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子に対して接合される側の表面上に形成されるとともに側方に突出する突出部を有する第２電極と、第２電極に接続される第１ワイヤとをさらに備え、第３半導体レーザ素子は、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子との間の略中央に配置されており、第１ワイヤは、第２電極の突出部において第２電極に接続されている。このように構成すれば、第３半導体レーザ素子は、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子との間の略中央に配置されているので、この半導体レーザ装置を光ディスク用ピックアップ装置などの光学系に組み込んだ際、第３半導体レーザ素子を、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子とともに集光レンズの光軸に近づけて配置することができる。したがって、第３半導体レーザ素子から出射されるレーザ光が集光レンズの光軸に近づく分、レーザ光に対する集光レンズの調整範囲が広がるので、第３半導体レーザ素子から出射されるレーザ光と光学系との調整を容易に行うことができる。この結果、第３半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の利用効率を向上させることができる。また、上記のように構成すれば、第１ワイヤによって第３半導体レーザ素子の側方に突出する第２電極の突出部と半導体レーザ装置の外部とを接続することができるので、容易に、第３半導体レーザ素子を第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子との間の略中央に配置することができる。
【００１６】
上記第２電極と第１ワイヤとをさらに備える構成において、好ましくは、第１電極とは反対側の第１半導体レーザ素子の表面上に形成された第３電極と、第１電極とは反対側の第２半導体レーザ素子の表面上に形成された第４電極と、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とが並ぶ第１方向に沿って配置された第１端子および第２端子と、第１方向と交差する第２方向に沿って配置された第３端子と、第１端子と第３電極とを接続する第２ワイヤと、第２端子と第４電極とを接続する第３ワイヤとをさらに備え、第３電極は、第４電極および第２電極よりも第１端子に近い位置に配置されるとともに、第４電極は、第３電極および第２電極よりも第２端子に近い位置に配置され、第２電極は、第１ワイヤによって第３端子に接続されるとともに、第２電極の少なくとも一部の領域が第１方向において第３電極と第４電極との間に位置するように配置されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子の第３電極が第２電極および第４電極よりも第１端子の近くに位置するので、第３電極と第１端子とを第２ワイヤにより簡便かつ容易に接続することができる。また、第２半導体レーザ素子の第４電極が第２電極および第３電極よりも第２端子の近くに位置するので、第４電極と第２端子とを第３ワイヤにより簡便かつ容易に接続することができる。また、第２電極の少なくとも一部の領域が第１方向において第３電極と第４電極との間に位置するので、第２電極と第３端子とを第１ワイヤにより簡便かつ容易に接続することができる。
【００１７】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第３半導体レーザ素子の第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子に対して接合される側の表面上に形成されるとともに側方に突出する突出部を有する第２電極と、第１電極とは反対側の第１半導体レーザ素子の表面上に形成された第３電極と、第１電極とは反対側の第２半導体レーザ素子の表面上に形成された第４電極と、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とが並ぶ第１方向に沿って配置された第１端子および第２端子と、第１方向と交差する第２方向に沿って配置された第３端子と、第２電極の突出部において第２端子と第２電極とを接続する第４ワイヤと、第１端子と第３電極とを接続する第５ワイヤと、第３端子と第４電極とを接続する第６ワイヤとをさらに備え、第３電極は、第４電極および第２電極よりも第１端子に近い位置に配置されるとともに、第２電極は、第３電極および第４電極よりも第２端子に近い位置に配置され、第４電極の少なくとも一部の領域が第１方向において第３電極と第２電極との間に位置するように配置されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子の第３電極が第２電極および第４電極よりも第１端子の近くに位置するので、第３電極と第１端子とを第５ワイヤにより簡便かつ容易に接続することができる。また、第３半導体レーザ素子の第２電極が第３電極および第４電極よりも第２端子の近くに位置するので、第２電極と第２端子とを第４ワイヤにより簡便かつ容易に接続することができる。また、第４電極の少なくとも一部の領域が第１方向において第３電極と第２電極との間に位置するので、第４電極と第３端子とを第６ワイヤにより簡便かつ容易に接続することができる。
【００１８】
上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子との間には、凹部が形成されており、第３半導体レーザ素子は、凹部の底部に接合されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の発光点と、第３半導体レーザ素子の発光点との位置をより近づけることができるので、半導体レーザ装置から出射されるレーザ光と光学系との調整を容易に行うことができる。
【００１９】
なお、上記半導体レーザ装置の構成において、以下のように構成してもよい。
【００２０】
上記構成において、好ましくは、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子は、窒化物系半導体により形成されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を、赤外から紫外までの窒化物系半導体により発光可能な波長の半導体レーザとして形成することができる。たとえば、第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子を、青紫色のレーザ光または青色のレーザ光または緑色のレーザ光を出射する半導体レーザ素子として形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
（第１実施形態）
図１および図２は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した底面図である。まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。
【００２３】
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００では、図１に示すように、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０が、ＡｕＳｎ半田などの金属層からなる導電性接着層１を介して台座９０の下面上に固定されている。また、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０は、約５３０ｎｍの波長を有する緑色半導体レーザ素子１０と約４８０ｎｍの波長を有する青色半導体レーザ素子２０とからなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部３０の下面上に、約６５０ｎｍの波長を有する赤色半導体レーザ素子５０が接合されている。また、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３０を構成する緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０は、ｎ型ＧａＮ基板３１の下面上に凹部３２ａを隔てて形成されている。なお、緑色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子５０は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」、「第２半導体レーザ素子」および「第３半導体レーザ素子」の一例である。また、ｎ型ＧａＮ基板３１および台座９０は、それぞれ、本発明の「半導体基板」および「基台」の一例である。
【００２４】
ここで、第１実施形態では、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３０は、ｎ型ＧａＮ基板３１の上面上にｎ側電極３３が形成されている。ｎ側電極３３は、ｎ型ＧａＮ基板３１に近い側から約１０ｎｍの厚みを有するＡｌからなるｎ側オーミック電極層と、約２０ｎｍの厚みを有するＴｉ層、約２０μｍの厚みを有するＰｔ層および約３００ｎｍの厚みを有するＡｕ層からなるｎ側パッド電極層とから構成されている。また、ｎ側電極３３は、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３０を構成する緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０のｎ側半導体層の共通の電極として用いられている。なお、ｎ側電極３３は、本発明の「第１電極」の一例である。
【００２５】
また、第１実施形態では、図１に示すように、赤色半導体レーザ素子５０は、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３０の下面上に形成されたＳｉＯ２からなる絶縁膜３４に隔てられるとともに絶縁膜３４上に形成されたＡｕなどからなる電極層３５を介してモノリシック２波長半導体レーザ素子部３０のＢ方向の略中央に位置するように接合されている。また、電極層３５は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されている位置からＢ方向（Ｂ１方向）に延びるとともに、赤色半導体レーザ素子５０の側方にワイヤボンド領域３５ａが形成されている。なお、電極層３５およびワイヤボンド領域３５ａは、それぞれ、本発明の「第２電極」および「突出部」の一例である。
【００２６】
また、図２に示すように、緑色半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板３１の下面上に、Ｇｅドープｎ型ＧａＮ層１１ａ、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１２、ＩｎＧａＮからなる量子井戸層および障壁層が交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する活性層１３およびｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１４とが積層された構造を有している。なお、ｎ型クラッド層１２と活性層１３との間に、光ガイド層やキャリアブロック層（図示せず）などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、ｎ型クラッド層１２の活性層１３と反対側に、コンタクト層（図示せず）などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層１３とｐ型クラッド層１４との間に、光ガイド層やキャリアブロック層（図示せず）などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、ｐ型クラッド層１４の活性層１３と反対側に、コンタクト層（図示せず）などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層１３は、単層または単一量子井戸（ＳＱＷ）構造などにより構成されてもよい。
【００２７】
また、図２に示すように、ｐ型クラッド層１４は、素子のＢ方向の略中央部からＢ１方向に寄せられた領域に形成された凸部と、凸部の両側（Ｂ１方向およびＢ２方向）に延びる平坦部とを有している。このｐ型クラッド層１４の凸部によって、活性層１３の部分に光導波路を構成するためのリッジ部１５が形成されている。また、リッジ部１５は、Ｂ方向に約２μｍの幅を有するとともに、共振器方向（図２のＡ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００２８】
また、ｐ型クラッド層１４の平坦部の上面とリッジ部１５の側面とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層１６が形成されている。また、図２に示すように、ｐ型クラッド層１４および電流ブロック層１６の上面を覆うように、ｐ型クラッド層１４側からＰｄ層およびＡｕ層からなるｐ側パッド電極１７がＡ方向に延びるように形成されている。なお、リッジ部１５とｐ側パッド電極１７との間には、ｐ型クラッド層１４よりも好ましくはバンドギャップが小さいコンタクト層やオーミック電極層（図示せず）などが形成されていてもよい。なお、ｐ側パッド電極１７は、本発明の「第３電極」の一例である。
【００２９】
また、青色半導体レーザ素子２０は、緑色半導体レーザ素子１０からＢ２方向に所定の間隔を隔てた位置のｎ型ＧａＮ基板３１の下面上に、Ｇｅドープｎ型ＧａＮ層１１ｂ、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層２２、ＩｎＧａＮからなる量子井戸層および障壁層が交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層２３およびｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層２４とが積層された構造を有している。なお、ｎ型クラッド層２２と活性層２３との間に、光ガイド層やキャリアブロック層（図示せず）などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、ｎ型クラッド層２２の活性層２３と反対側に、コンタクト層（図示せず）などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層２３とｐ型クラッド層２４との間に、光ガイド層やキャリアブロック層（図示せず）などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、ｐ型クラッド層２４の活性層２３と反対側に、コンタクト層（図示せず）などの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層２３は、単層またはＳＱＷ構造などにより構成されてもよい。
【００３０】
また、図２に示すように、ｐ型クラッド層２４は、素子のＢ方向の略中央部からＢ２方向に寄せられた領域に形成された凸部と、凸部の両側（Ｂ１方向およびＢ２方向）に延びる平坦部とを有している。このｐ型クラッド層２４の凸部によって、活性層２３の部分に光導波路を構成するためのリッジ部２５が形成されている。また、リッジ部２５は、Ｂ方向に約２μｍの幅を有するとともに、共振器方向（図３のＡ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００３１】
また、ｐ型クラッド層２４の平坦部の上面とリッジ部２５の側面とを覆うように電流ブロック層２６が形成されている。なお、電流ブロック層２６と緑色半導体レーザ素子１０の電流ブロック層１６とは凹部３２ａの底部において連続するように形成されている。また、図１に示すように、ｐ型クラッド層２４および電流ブロック層２６の上面を覆うように、ｐ型クラッド層２４側からＰｄ層およびＡｕ層からなるｐ側パッド電極２７がＡ方向に延びるように形成されている。なお、リッジ部２５とｐ側パッド電極２７との間には、ｐ型クラッド層２４よりも好ましくはバンドギャップが小さいコンタクト層やオーミック電極層（図示せず）などが形成されていてもよい。なお、ｐ側パッド電極２７は、本発明の「第４電極」の一例である。
【００３２】
また、図２に示すように、絶縁膜３４は、緑色半導体レーザ素子１０のｐ側パッド電極１７の一部の領域上（図２では下面側）から青色半導体レーザ素子２０のｐ側パッド電極２７の一部の領域上までをＢ２方向に覆うとともに、凹部３２ａの部分（電流ブロック層１６（２６）を含む）を埋めるように形成されている。また、絶縁膜３４の平坦な下面を覆うように前述の電極層３５が形成されている。
【００３３】
また、図２に示すように、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０を構成する赤色半導体レーザ素子５０は、約５μｍの厚みを有するＳｉドープＧａＡｓからなるｎ型コンタクト層５１上に、ＳｉドープＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層５２と、ＡｌＧａＩｎＰ障壁層およびＧａＩｎＰ井戸層が交互に積層されたＭＱＷ活性層５３、および、ＺｎドープＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層５４とが形成されている。また、ｐ型クラッド層５４の凸部の上面上には、ＺｎドープＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層５５が形成されている。また、ｐ型クラッド層５４の凸部とｐ型コンタクト層５５とによって、光導波路を構成するためのリッジ部５６が形成されている。また、ｐ型コンタクト層５５上には、ｐ側オーミック電極５７が形成されている。
【００３４】
また、ｎ型コンタクト層５１、ｎ型クラッド層５２、ＭＱＷ活性層５３、リッジ部５６およびｐ側オーミック電極５７の側面上には、約２５０ｎｍの厚みを有するＳｉＯ２からなる絶縁膜６０が形成されている。また、絶縁膜６０の側面の所定領域およびｐ側オーミック電極５７の上面上には、ｐ側パッド電極６１が形成されている。また、ｐ側パッド電極６１上には、約１００ｎｍの厚みを有するＳｉＯ２からなる絶縁膜６２が形成されている。この絶縁膜６２は、導電性接着層２とｐ側オーミック電極５７との反応を抑制する機能を有している。このようにして、赤色半導体レーザ素子５０が構成されるとともに、赤色半導体レーザ素子５０とモノリシック２波長半導体レーザ素子部３０とが、ＡｕＳｎ半田などの金属層からなる導電性接着層２を介して接合されている。
【００３５】
また、ｎ型コンタクト層５１の裏面（下面）上には、ｎ型コンタクト層５１側から順にｎ側オーミック電極６３およびｎ側パッド電極６４が形成されている。
【００３６】
また、図１および図３に示すように、半導体レーザ装置１００は、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０を載置する台座９０と、台座９０と電気的に絶縁されるとともに底部１０５ａを貫通する３つのリード端子１０１、１０２および１０３と、台座９０および底部１０５ａに電気的に導通するリード端子１０４（図１参照）とが設けられたステム１０５とを備えている。なお、リード端子１０１、１０２および１０３は、それぞれ、本発明の「第１端子」、「第２端子」および「第３端子」の一例である。また、リード端子１０１および１０２は、緑色半導体レーザ素子１０と青色半導体レーザ素子２０とが並ぶＢ方向に沿ってステム１０５に配置されているとともに、リード端子１０３および１０４（図１参照）は、Ｂ方向と略直交するＣ方向に沿ってステム１０５に配置されている。
【００３７】
また、第１実施形態では、図３に示すように、緑色半導体レーザ素子１０は、ｐ側パッド電極１７にワイヤボンディングされた金属線９１を介して緑色半導体レーザ素子１０近傍に配置されたリード端子１０１に接続されている。また、青色半導体レーザ素子２０は、ｐ側パッド電極２７にワイヤボンディングされた金属線９２を介して青色半導体レーザ素子２０近傍に配置されたリード端子１０２に接続されている。また、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３０のｎ側電極３３（図２参照）は、導電性接着層１を介して台座９０に電気的に接続されている。また、赤色半導体レーザ素子５０は、電極層３５のワイヤボンド領域３５ａにワイヤボンディングされた金属線９３を介して赤色半導体レーザ素子５０近傍に配置されたリード端子１０３に接続されている。また、赤色半導体レーザ素子５０は、ｎ側パッド電極６４にワイヤボンディングされた金属線９４を介して台座９０に接続されている。これにより、半導体レーザ装置１００は、各半導体レーザ素子のｐ側電極が、互いに絶縁されたリード端子（１０１、１０２および１０３）側に接続されるとともに、ｎ側電極が共通の端子（リード端子１０４（図１参照））に接続される状態（カソードコモン）に構成されている。なお、金属線９１、９２および９３は、それぞれ、本発明の「第２ワイヤ」、「第３ワイヤ」および「第１ワイヤ」の一例である。これにより、各半導体レーザ素子のｐ側電極（ｐ側パッド電極１７、２７および電極層３５）は、各々が近接するリード端子１０１、１０２および１０３にそれぞれ接続されているので、半導体レーザ装置１００では、金属線９１、９２および９３の長さが最小限になるように構成されている。
【００３８】
また、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０を構成する緑色半導体レーザ素子１０、青色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子５０には、図３に示すように、共振器方向（Ａ方向）の両端部に、光出射面１０ａ、２０ａおよび５０ａと、光反射面１０ｂ、２０ｂおよび５０ｂとがそれぞれ形成されている。また、各半導体レーザ素子の光出射面１０ａ、２０ａおよび５０ａには、低反射率の誘電体多層膜（図示せず）が形成されているとともに、光反射面１０ｂ、２０ｂおよび５０ｂには、高反射率の誘電体多層膜（図示せず）が形成されている。ここで、誘電体多層膜としては、ＧａＮ，ＡｌＮ、ＢＮ，Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＡｌＯＮおよびＭｇＦ２や、これらの混成比の異なる材料であるＴｉ３Ｏ５やＮｂ２Ｏ３などからなる多層膜を用いることができる。
【００３９】
図４〜図６は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。次に、図１〜図６を参照して、第１実施形態による半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００４０】
第１実施形態による半導体レーザ装置１００の製造プロセスでは、まず、図４に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いてｎ型ＧａＮ基板３１の上面上に、青色半導体レーザ素子２０となるＧｅドープｎ型ＧａＮ層１１ａ、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型クラッド層１４を順次形成する。その後、Ｇｅドープｎ型ＧａＮ層１１ａ、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型クラッド層１４の一部をエッチングしてｎ型ＧａＮ基板３１の一部を露出させて、その露出した部分の一部に、凹部３２ａおよび３２ｂとなる領域を残して、緑色半導体レーザ素子１０となるＧｅドープｎ型ＧａＮ層１１ｂ、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型クラッド層１４を順次形成する。その後、リッジ部１５および２５の側部とｐ型クラッド層１４および２４の上面とを覆うように電流ブロック層１６（２６）を形成する。また、この電流ブロック層１６（２６）は、凹部３２ａの側面および底部を覆うように形成される。その後、ｐ側パッド電極１７および２７をそれぞれ形成する。このようにして、底部がｎ型ＧａＮ基板３１に達する凹部３２ａおよび３２ｂによりＢ方向に所定の間隔で隔てられた緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０を作製する。
【００４１】
その後、緑色半導体レーザ素子１０のｐ側パッド電極１７上の一部の領域から凹部３２ａを経て青色半導体レーザ素子２０のｐ側パッド電極２７上の一部の領域までを覆うととともに上面が平坦面を有するように絶縁膜３４を形成する。その後、絶縁膜３４上に、電極層３５を形成する。また、電極層３５上の所定領域にＡ方向に延びるように導電性接着層２を形成する。このようにして、ｎ側電極３３を除くモノリシック２波長半導体レーザ素子部３０が形成されたウェハが作製される。
【００４２】
また、図５に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板７１の上面上に、ｎ型コンタクト層５１、ｎ型クラッド層５２、ＭＱＷ活性層５３、ｐ型クラッド層５４、ｐ型コンタクト層５５を順次形成する。その後、ｐ型コンタクト層５５からｎ型ＧａＡｓ基板７１が露出するようにエッチングした後、リッジ部５６、ｐ側オーミック電極５７、電流ブロック層を兼ねる絶縁膜６０、ｐ側パッド電極６１および絶縁膜６２を形成することにより、複数の赤色半導体レーザ素子５０がＢ方向に所定の間隔を隔てて形成されたウェハを作製する。
【００４３】
その後、図６に示すように、モノリシック２波長半導体レーザ素子部３０が形成されたウェハと、赤色半導体レーザ素子５０が形成されたウェハとを、電極層３５とｐ側パッド電極６１とを対向させながら導電性接着層２を用いて接合する。その後、図６に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板７１を除去し、真空蒸着法を用いて、ｎ型コンタクト層５１の上面上に、ｎ側オーミック電極６３とｎ側パッド電極６４とをそれぞれ形成する。その後、ｎ型ＧａＮ基板３１が所定の厚みを有するようにｎ型ＧａＮ基板３１の下面を研磨した後、真空蒸着法を用いて、ｎ型ＧａＮ基板３１の下面上にｎ側電極３３を形成する。これにより、ウェハ状のＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０が形成される。その後、Ｂ方向に劈開（バー状劈開）するとともに破線８００の位置でＡ方向に素子分割（チップ化）を行うことにより、半導体レーザ装置１００を構成する個々のＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０（図１参照）が形成される。
【００４４】
その後、セラミック製のコレット（図示せず）を用いて、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０を導電性接着層１を介して台座９０に対して押圧することにより、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０を台座９０に固定する。
【００４５】
また、図２に示すように、緑色半導体レーザ素子１０のｐ側パッド電極１７とリード端子１０１とを金属線９１により接続する。また、青色半導体レーザ素子２０のｐ側パッド電極２７とリード端子１０２とを金属線９２により接続する。また、赤色半導体レーザ素子５０に接続された電極層３５のワイヤボンド領域３５ａとリード端子１０３とを金属線９３により接続するとともに、ｎ側パッド電極６４と台座９０とを金属線９４により接続する。このようにして、第１実施形態による半導体レーザ装置１００（図１参照）が形成される。
【００４６】
第１実施形態では、上記のように、半導体レーザ装置１００は、緑色半導体レーザ素子１０と緑色半導体レーザ素子１０に対してＢ２方向に隣接して並ぶように形成された青色半導体レーザ素子２０とに共通のｎ側電極３３を備えるとともに、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０が、ｎ側電極３３を介して台座９０に接合されている。これにより、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０を共通のｎ側電極３３を介して台座９０に接合することができるとともに、１つの赤色半導体レーザ素子５０を緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０のｎ側電極３３とは反対側（Ｃ２方向側）の表面上に接合することにより集積型の半導体レーザ装置１００を構成することができる。また、隣接して並ぶように配置された２つの緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０の表面上に、１つの赤色半導体レーザ素子５０を接合することによって、赤色半導体レーザ素子５０の電極層３５（ワイヤボンド領域３５ａ）の平面積を広げることができる。この結果、半導体レーザ装置１００が小型化された場合にも、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０に対して、容易にワイヤボンディングを行うことができる。
【００４７】
また、第１実施形態では、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０を、共通のｎ型ＧａＮ基板３１の表面上に形成することによって、緑色半導体レーザ素子１０と青色半導体レーザ素子２０とを容易に集積化することができ、かつ、集積化されたモノリシック２波長半導体レーザ素子部３０の裏面上（ｎ型ＧａＮ基板３１側）に共通のｎ側電極３３を容易に形成することができる。
【００４８】
また、第１実施形態では、赤色半導体レーザ素子５０を、緑色半導体レーザ素子１０と青色半導体レーザ素子２０との間の略中央に配置するとともに、金属線９３を、ワイヤボンド領域３５ａにおいて電極層３５に接続するように構成している。これにより、赤色半導体レーザ素子５０は、緑色半導体レーザ素子１０と青色半導体レーザ素子２０との間の略中央に配置されているので、この半導体レーザ装置１００を光ディスク用ピックアップ装置などの光学系に組み込んだ際、赤色半導体レーザ素子５０を、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０とともに集光レンズの光軸に近づけて配置することができる。したがって、赤色半導体レーザ素子５０から出射されるレーザ光が集光レンズの光軸に近づく分、レーザ光に対する集光レンズの調整範囲が広がるので、赤色半導体レーザ素子５０から出射されるレーザ光と光学系との調整を容易に行うことができる。この結果、赤色半導体レーザ素子５０から出射されるレーザ光の利用効率を向上させることができる。また、金属線９３によって赤色半導体レーザ素子５０の側方（Ｂ１方向）に突出する電極層３５とリード端子１０３とを接続することができるので、容易に、赤色半導体レーザ素子５０を緑色半導体レーザ素子１０と青色半導体レーザ素子２０との間の略中央に配置することができる。
【００４９】
また、第１実施形態では、ｐ側パッド電極１７をｐ側パッド電極２７および電極層３５よりもリード端子１０１に近く配置するとともに、ｐ側パッド電極２７をｐ側パッド電極１７および電極層３５よりもリード端子１０２に近く配置し、かつ、電極層３５を金属線９３によってリード端子１０３に接続するとともに、電極層３５のワイヤボンド領域３５ａをＢ方向におけるｐ側パッド電極１７とｐ側パッド電極２７との間に配置している。これにより、緑色半導体レーザ素子１０のｐ側パッド電極１７が電極層３５およびｐ側パッド電極２７よりもリード端子１０１の近くに位置するので、ｐ側パッド電極１７とリード端子１０１とを金属線９１により簡便かつ容易に接続することができる。また、青色半導体レーザ素子２０のｐ側パッド電極２７が電極層３５およびｐ側パッド電極１７よりもリード端子１０２の近くに位置するので、ｐ側パッド電極２７とリード端子１０２とを金属線９２により簡便かつ容易に接続することができる。また、電極層３５のワイヤボンド領域３５ａがＢ方向におけるｐ側パッド電極１７とｐ側パッド電極２７との間に位置するので、電極層３５とリード端子１０３とを金属線９３により簡便かつ容易に接続することができる。
【００５０】
また、第１実施形態では、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０を窒化物系半導体により形成することによって、緑色半導体レーザ素子１０および青色半導体レーザ素子２０を、それぞれ、緑色のレーザ光および青色のレーザ光を出射する半導体レーザ素子として形成することができる。
【００５１】
（第２実施形態）
図７および図８は、それぞれ、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図および底面図である。図７および図８を参照して、この第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、赤色半導体レーザ素子５０をモノリシック２波長半導体レーザ素子部２３０上の一方側に寄せて接合することにより、モノリシック２波長半導体レーザ素子部２３０の一方のレーザ（緑色半導体レーザ素子１０）と赤色半導体レーザ素子５０との間の略中央に、モノリシック２波長半導体レーザ素子部２３０の他方のレーザ（青色半導体レーザ素子２２０）を配置したＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部２８０を構成する場合について説明する。
【００５２】
本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００では、図７に示すように、緑色半導体レーザ素子１０と青色半導体レーザ素子２２０とからなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部２３０上に、赤色半導体レーザ素子５０を導電性接着層２を介して接合している。また、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部２８０は、導電性接着層３を介してＡｌＮなどの導電性の材料からなる基台１０６に電気的に接続されるとともに、基台１０６が導電性接着層（図示せず）を介して台座９０（図８参照）の下面上に固定されている。なお、青色半導体レーザ素子２２０は、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００５３】
ここで、第２実施形態では、赤色半導体レーザ素子５０は、モノリシック２波長半導体レーザ素子部２３０の略中央部から一方側（Ｂ２方向側）に寄せられるとともに、この位置における青色半導体レーザ素子２２０の下面上に絶縁膜３４ａおよび電極層３５を介して接合されている。また、青色半導体レーザ素子２２０のリッジ部２２５は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されていない領域にＡ方向に延びるように形成されている。また、青色半導体レーザ素子２２０は、共振器方向（Ａ方向）の両端部に、光出射面２２０ａと光反射面２２０ｂとが形成されている。
【００５４】
また、第２実施形態では、図７に示すように、緑色半導体レーザ素子１０は、ｐ側パッド電極１７にワイヤボンディングされた金属線２２１を介して緑色半導体レーザ素子１０近傍に配置されたリード端子１０１（図８参照）に接続されるとともに、青色半導体レーザ素子２２０は、ｐ側パッド電極２７のうちの絶縁膜３４ａに覆われていないワイヤボンド領域２７ａにワイヤボンディングされた金属線２２２を介してリード端子１０３（図８参照）に接続されている。また、モノリシック２波長半導体レーザ素子部２３０のｎ側電極３３（図７参照）が、導電性接着層３を介して基台１０６に電気的に接続されている。また、赤色半導体レーザ素子５０は、電極層３５のワイヤボンド領域３５ａにワイヤボンディングされた金属線２２３を介して赤色半導体レーザ素子５０近傍に配置されたリード端子１０２（図８参照）に接続されるとともに、ｎ側パッド電極６４にワイヤボンディングされた金属線２２４を介して台座９０に接続されている。なお、金属線２２１、２２２および２２３は、それぞれ、本発明の「第５ワイヤ」、「第６ワイヤ」および「第４ワイヤ」の一例である。これにより、図８に示すように、各半導体レーザ素子のｐ側電極（ｐ側パッド電極１７、２７および電極層３５）は、各々が近接するリード端子１０１、１０３および１０２にそれぞれ接続されているので、半導体レーザ装置２００では、金属線２２１、２２２および２２３の長さが最小限になるように構成されている。
【００５５】
なお、第２実施形態による半導体レーザ装置２００のその他の構造および製造プロセスは、上記第１実施形態と同様である。
【００５６】
第２実施形態では、上記のように、ｐ側パッド電極１７をｐ側パッド電極２７および電極層３５よりもリード端子１０１に近く配置するとともに、電極層３５をｐ側パッド電極１７およびｐ側パッド電極２７よりもリード端子１０２に近く配置し、かつ、ｐ側パッド電極２７のワイヤボンド領域２７ａをＢ方向におけるｐ側パッド電極１７とｐ側パッド電極２７との間に配置している。これにより、緑色半導体レーザ素子１０のｐ側パッド電極１７がｐ側パッド電極２７およびｐ側パッド電極２７よりもリード端子１０１の近くに位置するので、ｐ側パッド電極１７とリード端子１０１とを金属線２２１により簡便かつ容易に接続することができる。また、赤色半導体レーザ素子５０の電極層３５がｐ側パッド電極１７およびｐ側パッド電極２７よりもリード端子１０２の近くに位置するので、ｐ側パッド電極２７とリード端子１０２とを金属線２２３により簡便かつ容易に接続することができる。また、ｐ側パッド電極２７のワイヤボンド領域２７ａがＢ方向にけるｐ側パッド電極１７とｐ側パッド電極２７との間に位置するので、ｐ側パッド電極２７とリード端子１０３とを金属線２２２により簡便かつ容易に接続することができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５７】
（第３実施形態）
図９〜図１１は、それぞれ、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した底面図および断面図である。図９〜図１１を参照して、この第３実施形態では、上記第２実施形態と異なり、青色半導体レーザ素子２２０および赤色半導体レーザ素子５０のｐ側電極が、共に、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部３９０の一方側に集約して配置される場合について説明する。なお、図１０は、図９の１０００−１０００線に沿った断面を示している。また、図１１は、図９の１１００−１１００線に沿った断面を示している。
【００５８】
本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置３００では、図１０に示すように、モノリシック２波長半導体レーザ素子部２３０上に、赤色半導体レーザ素子５０を導電性接着層２を介して接合したＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部３９０が、導電性接着層３を介して基台１０６に電気的に接続されている。また、基台１０６が、導電性接着層（図示せず）を介して台座９０の下面上に固定されている。
【００５９】
ここで、第３実施形態では、図９および図１０に示すように、緑色半導体レーザ素子１０は、ｐ側パッド電極１７にワイヤボンディングされた金属線３２１を介してリード端子１０１に接続されている。また、青色半導体レーザ素子２２０のｐ側パッド電極２７は、Ｂ２方向の端部近傍の出射面側（Ａ１方向）に、絶縁膜３４から露出するようにワイヤボンド領域２７ａが形成されるとともに、青色半導体レーザ素子２２０は、ワイヤボンド領域２７ａにワイヤボンディングされた金属線３２２を介してリード端子１０２（図９参照）に接続されている。また、赤色半導体レーザ素子５０は、図９および図１１に示すように、電極層３５のＢ２方向の端部近傍にワイヤボンド領域３５ａが形成されているとともに、ワイヤボンド領域３５ａにワイヤボンディングされた金属線３２３を介してリード端子１０３（図９参照）に接続されている。また、ワイヤボンド領域２７ａとワイヤボンド領域３５ａとは、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部３９０のＢ２方向の端部近傍において、所定の距離を隔ててＡ方向に略直線状に並ぶように形成されている。なお、金属線３２１、３２２および３２３は、それぞれ、本発明の「第２ワイヤ」、「第３ワイヤ」および「第１ワイヤ」の一例である。
【００６０】
なお、第３実施形態による半導体レーザ装置３００のその他の構造および製造プロセスは、上記第２実施形態と同様である。
【００６１】
第３実施形態では、上記のように、青色半導体レーザ素子２２０のｐ側パッド電極２７（ワイヤボンド領域２７ａ）および赤色半導体レーザ素子５０の電極層３５（ワイヤボンド領域３５ａ）を、共に、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部３９０の一方側（Ｂ２方向側）の端部においてＡ方向に所定の距離を隔てて略直線状に並ぶように形成している。これにより、ワイヤボンド領域をＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部３９０の幅方向の所定の位置に集約して配置することができるので、その分、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部３９０の幅をより小さくすることができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６２】
（第４実施形態）
図１２〜図１４は、それぞれ、本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した底面図および断面図である。図１２〜図１４を参照して、この第４実施形態では、上記第１実施形態と異なり、赤色半導体レーザ素子５０のｎ側パッド電極４６５の一部がモノリシック２波長半導体レーザ素子部４３０のｎ型ＧａＮ基板３１まで延びてｎ型ＧａＮ基板３１に電気的に接続される場合について説明する。なお、図１３は、図１２の２０００−２０００線に沿った断面を示している。また、図１４は、図１２の２１００−２１００線に沿った断面を示している。
【００６３】
本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置４００では、図１３に示すように、モノリシック２波長半導体レーザ素子部４３０上に、赤色半導体レーザ素子５０を導電性接着層２を介して接合したＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部４８０が、導電性接着層３を介して基台１０６に電気的に接続されている。また、基台１０６が、導電性接着層（図示せず）を介して台座９０（図１２参照）の下面上に固定されている。
【００６４】
ここで、第４実施形態では、図１２に示すように、赤色半導体レーザ素子５０は、モノリシック２波長半導体レーザ素子部４３０の下面上に形成されたＳｉＯ２からなる絶縁膜３４に隔てられるとともに絶縁膜３４上に形成された電極層３５を介してモノリシック２波長半導体レーザ素子部４３０のＢ方向の略中央に位置するように接合されている。また、図１２および図１４に示すように、電極層３５は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されている位置からＢ１方向に凸状に突出するように延びるとともに、赤色半導体レーザ素子５０の側方にワイヤボンド領域３５ａが形成されている。これにより、赤色半導体レーザ素子５０は、ワイヤボンド領域３５ａにワイヤボンディングされた金属線４２３を介してリード端子１０３（図１２参照）に接続されている。なお、金属線４２３は、本発明の「第１ワイヤ」の一例である。
【００６５】
また、青色半導体レーザ素子４２０のｐ側パッド電極２７は、光導波路（リッジ部４２５）上をＡ方向に延びるように覆うとともに、Ｂ２方向に凸状に突出するように延びるように形成されている。さらに、ｐ側パッド電極２７には、Ｂ２方向の端部近傍の出射面側（Ａ１方向）に、絶縁膜３４から露出するようにワイヤボンド領域２７ａが形成されている。そして、青色半導体レーザ素子４２０は、ワイヤボンド領域２７ａにワイヤボンディングされた金属線９２を介してリード端子１０２に接続されている。また、緑色半導体レーザ素子１０のｐ側パッド電極１７は、Ｂ１方向の端部近傍の出射面側（Ａ１方向）に、絶縁膜３４から露出するようにワイヤボンド領域１７ａが形成されてるとともに、緑色半導体レーザ素子１０は、ワイヤボンド領域１７ａにワイヤボンディングされた金属線９１を介してリード端子１０１に接続されている。
【００６６】
また、第４実施形態では、図１３に示すように、赤色半導体レーザ素子５０は、Ｂ方向の両側の外側面をＡ方向（紙面に垂直な方向）に延びる絶縁膜４６４により覆われるとともに、ｎ側パッド電極４６５が赤色半導体レーザ素子５０の下面上から絶縁膜４６４に沿って赤色半導体レーザ素子５０を覆うように形成されている。また、図１４に示すように、絶縁膜３４は、青色半導体レーザ素子４２０のＢ２方向の側端面とｎ型ＧａＮ基板３１のＢ２方向の端部近傍の下面上を覆うように形成されている。また、ｎ側パッド電極４６５は、赤色半導体レーザ素子５０のＢ２方向の側方から絶縁膜３４に沿ってｎ型ＧａＮ基板３１のＢ２方向の端部の下面上まで延びるように形成されている。これにより、ｎ側パッド電極４６５は、ｎ型ＧａＮ基板３１と電気的に接続されている。また、ｎ側パッド電極４６５は、平面的に見て、図１２に示すように、赤色半導体レーザ素子５０からＢ２方向に凸状に突出するように延びている。なお、青色半導体レーザ素子４２０は、本発明の「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００６７】
また、青色半導体レーザ素子４２０は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されていない領域に共振器方向（Ａ方向）に延びるリッジ部４２５（図１３参照）が形成されているとともに、共振器方向の両端部に、光出射面４２０ａと光反射面４２０ｂとが形成されている。なお、第４実施形態による半導体レーザ装置４００のその他の構造および製造プロセスは、上記第１実施形態と同様である。
【００６８】
第４実施形態では、上記のように、赤色半導体レーザ素子５０のｎ側パッド電極４６５を赤色半導体レーザ素子５０のＢ２方向の側方から絶縁膜３４に沿ってｎ型ＧａＮ基板３１のＢ２方向の端部の下面上まで延びるように形成することによって、赤色半導体レーザ素子５０のｎ側半導体層と基台１０６とを接続する金属線を設ける必要がないので、金属線の本数を削減することができる。なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６９】
（第５実施形態）
図１５および図１６は、それぞれ、本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図および底面図である。図２、図１５および図１６を参照して、この第５実施形態では、上記第１実施形態と異なり、緑色半導体レーザ素子５１０と青色半導体レーザ素子５２０との間にｎ型ＧａＮ基板３１まで達するように形成された凹部５３２ａの下面上に赤色半導体レーザ素子５０を接合することによりＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部５８０を構成する場合について説明する。なお、緑色半導体レーザ素子５１０および青色半導体レーザ素子５２０は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」および「第２半導体レーザ素子」の一例である。
【００７０】
本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置５００では、図１５に示すように、緑色半導体レーザ素子５１０と青色半導体レーザ素子５２０とからなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部５３０に、赤色半導体レーザ素子５０を導電性接着層２を介して接合している。なお、図１５では、便宜上、赤色半導体レーザ素子５０を構成する半導体層などの符号を省略しているが、赤色半導体レーザ素子５０の詳細な構造は、図２と同様である。
【００７１】
ここで、第５実施形態では、図１５に示すように、モノリシック２波長半導体レーザ素子部５３０は、緑色半導体レーザ素子５１０と青色半導体レーザ素子５２０との間に底部がｎ型ＧａＮ基板３１の内部まで達するとともにＡ方向（紙面に垂直な方向）に沿って延びる凹部５３２ａが形成されている。また、凹部５３２ａの表面およびＢ方向の両側の半導体層の側面を連続的に覆うように電流ブロック層５１６が形成されている。
【００７２】
また、凹部５３２ａの底部上の電流ブロック層５１６の部分からモノリシック２波長半導体レーザ素子部５３０のＢ方向の両端部近傍に向かって電流ブロック層５１６、ｐ側パッド電極１７および２７の一部を覆うようにＳｉＯ２からなる絶縁膜５３４が形成されている。また、赤色半導体レーザ素子５０は、絶縁膜５３４に隔てられるとともに絶縁膜５３４上に形成された電極層５３５を介してモノリシック２波長半導体レーザ素子部５３０のＢ方向の略中央に位置するように接合されている。また、電極層５３５は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されている位置からＢ１方向に絶縁膜５３４に沿って延びるとともに、緑色半導体レーザ素子５１０の下面上にワイヤボンド領域５３５ａが形成されている。なお、電極層５３５およびワイヤボンド領域５３５ａは、それぞれ、本発明の「第２電極」および「突出部」の一例である。
【００７３】
また、図１６に示すように、緑色半導体レーザ素子５１０は、共振器方向（Ａ方向）の両端部に、光出射面５１０ａと光反射面５１０ｂとが形成されるとともに、青色半導体レーザ素子５２０は、共振器方向（Ａ方向）の両端部に、光出射面５２０ａと光反射面５２０ｂとが形成されている。なお、第５実施形態による半導体レーザ装置５００のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００７４】
図１７は、図１５に示した第５実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。次に、図１５および図１７を参照して、第５実施形態による半導体レーザ装置５００の製造プロセスについて説明する。
【００７５】
まず、図１７に示すように、ｎ型ＧａＮ基板３１の上面上に青色半導体レーザ素子５２０を構成する半導体層を順次形成する。その後、青色半導体レーザ素子５２０を構成する半導体層の一部をエッチングしてｎ型ＧａＮ基板３１の一部を露出させて、その露出した部分の一部に、底部がｎ型ＧａＮ基板３１まで達するとともにＡ方向に延びる凹部５３２ａおよび５３２ｂとなる領域を残して、緑色半導体レーザ素子５１０となる半導体層を順次形成する。この際、凹部５３２ａのＢ方向の幅は、接合される赤色半導体レーザ素子５０の幅よりも大きく形成される。
【００７６】
その後、リッジ部１５および２５の側部とｐ型クラッド層１４および２４の上面とを覆うように電流ブロック層１６、２６および５１６を形成する。また、電流ブロック層５１６は、凹部５３２ａの側面および底部を覆うように形成される。その後、ｐ側パッド電極１７および２７をそれぞれ形成する。このようにして、凹部５３２ａおよび５３２ｂによりＢ方向に所定の間隔で隔てられた緑色半導体レーザ素子５１０および青色半導体レーザ素子５２０を作製する。
【００７７】
その後、真空蒸着法を用いて、凹部５３２ａの底部から緑色半導体レーザ素子５１０を構成する半導体層の側面を経てｐ側パッド電極１７の一部の領域までを覆うととともに上面が平坦面を有するように絶縁膜５３４を形成する。その後、絶縁膜５３４上に、電極層５３５を形成する。このようにして、ｎ側電極３３を除くモノリシック２波長半導体レーザ素子部５３０が形成されたウェハが作製される。
【００７８】
その後、赤色半導体レーザ素子５０が形成されたウェハと、モノリシック２波長半導体レーザ素子部５３０（図１７参照）が形成されたウェハとを、電極層５３５とｐ側パッド電極６１とを対向させながら導電性接着層２を用いて接合する。その後、上記第１実施形態と同様の製造プロセスにより、ウェハ状のＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部５８０が形成される。その後、Ｂ方向に劈開（バー状劈開）するとともにＡ方向に素子分割（チップ化）を行うことにより、半導体レーザ装置５００を構成する個々のＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部５８０（図１５参照）が形成される。
【００７９】
第５実施形態では、上記のように、緑色半導体レーザ素子５１０と青色半導体レーザ素子５２０との間に凹部５３２ａを形成するとともに、赤色半導体レーザ素子５０を、凹部５３２ａの底部に接合している。これにより、緑色半導体レーザ素子５１０および青色半導体レーザ素子５２０の発光点と、赤色半導体レーザ素子５０の発光点との位置をＣ方向により近づけることができるので、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部５８０から出射されるレーザ光と光学系との調整を容易に行うことができる。なお、第５実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００８０】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８１】
たとえば、上記第１実施形態では、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０を導電性接着層１を介して台座９０に直接固定した例について示したが、本発明はこれに限らず、上記第２〜第５実施形態と同様に、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部８０を導電性接着層２を介して基台１０６に接合するとともに、基台１０６を導電性接着層を介して台座９０に固定してもよい。
【００８２】
また、上記第２〜第５実施形態では、ＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部が接合される基台１０６を、ＡｌＮからなる基板により構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、基台１０６を、ＦｅやＣｕなどからなる熱伝導率の良好な導電材料を用いて構成してもよい。
【００８３】
また、上記第１〜第５実施形態では、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を共に共通のｎ型ＧａＮ基板３１上に形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を共に共通のｎ型ＧａＮ層などの半導体層上に形成してもよい。
【００８４】
また、上記第１〜第５実施形態では、２つの半導体レーザ素子（１０および２０）からなるモノリシック２波長半導体レーザ素子部（３０）に対して、１つの赤色半導体レーザ素子５０を接合することによりＲＧＢ３波長半導体レーザ素子部（８０）を構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、同一の成長用基板上に２つ以外の複数の半導体レーザ素子からなる多波長レーザ素子部を形成するとともに、互いに異なる波長のレーザ光を出射する２つ以上の半導体レーザ素子を多波長レーザ素子部に接合することによって、集積型半導体レーザ装置を形成してもよい。
【００８５】
また、上記第１〜第５実施形態では、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子をそれぞれ本発明の第１半導体レーザ素子および第２半導体レーザ素子の一例として構成したが、本発明はこれに限らず、青色半導体レーザ素子を本発明の第１半導体レーザ素子とするとともに、緑色半導体レーザ素子を本発明の第２半導体レーザ素子として構成してもよい。
【００８６】
また、上記第１〜第５実施形態では、平坦な活性層上に、リッジ部を有する上部クラッド層を形成し、誘電体のブロック層をリッジ部の側面に形成したリッジ導波型半導体レーザを形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体のブロック層を有するリッジ導波型半導体レーザや、埋め込みヘテロ構造（ＢＨ）の半導体レーザや、平坦な上部クラッド層上にストライプ状の開口部を有する電流ブロック層を形成した利得導波型の半導体レーザを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図３】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した底面図である。
【図４】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図５】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図６】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図８】図７に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した底面図である。
【図９】本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した底面図である。
【図１０】図９に示した第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１１】図９に示した第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した底面図である。
【図１３】図１２に示した第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１４】図１２に示した第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１５】本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した正面図である。
【図１６】図１５に示した第５実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した底面図である。
【図１７】図１５に示した第５実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【符号の説明】
【００８８】
１０、４１０  緑色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
１７  ｐ側パッド電極（第３電極）
２０、２２０、３２０、４２０  青色半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
２７  ｐ側パッド電極（第４電極）
３１  ｎ型ＧａＮ基板（半導体基板）
３３  ｎ側電極（第１電極）
３５、４３５  電極層（第２電極）
３５ａ、４３５ａ  ワイヤボンド領域（突出部）
５０  赤色半導体レーザ素子（第３半導体レーザ素子）
９０  台座（基台）
９１、３２１  金属線（第２ワイヤ）
９２、３２２  金属線（第３ワイヤ）
９３、３２３、４２３  金属線（第１ワイヤ）
１０１  リード端子（第１端子）
１０２  リード端子（第２端子）
１０３  リード端子（第３端子）
２２１  金属線（第５ワイヤ）
２２２  金属線（第６ワイヤ）
２２３  金属線（第４ワイヤ）
５３２ａ  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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