(57)【要約】【課題】実装基板上で半導体チップが封止されたパッケージ内の電気信号を容易に観測できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１０は、実装基板１１上で半導体チップ１２を封止するモールド部材１３を備える。半導体チップ１２上には、第１のボンディングパッド１４が形成されている。第１のボンディングパッド１４には、モールド部材１３に全体が封止された正規のボンディングワイヤ１５の一端１５ａと、ダミーボンディングワイヤ１７の一端１７ａとが共通に接続されている。ダミーボンディングワイヤ１７の他端１７ｂが、モールド部材１３の表面に露出している。【選択図】図１
2010206007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板上で半導体チップを封止するモールド部材を備える半導体装置であって、
前記半導体チップ上に形成された第１のボンディングパッドを有し、該第１のボンディングパッドには、前記モールド部材に全体が封止された正規のボンディングワイヤの一端と、ダミーボンディングワイヤの一端とが共通に接続されており、前記ダミーボンディングワイヤの他端が、前記モールド部材の表面に露出している半導体装置。
【請求項２】
ダミーボンディングパッド、及び、該ダミーボンディングパッドに一端が接続された別のダミーボンディングワイヤを更に備え、前記別のダミーボンディングワイヤの他端が、前記ダミーボンディングワイヤの他端と対を構成して前記モールド部材の表面に露出している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミーボンディングパッドが前記半導体チップ又は前記実装基板上に形成されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の前記第１のボンディングパッド、及び、対応する数の前記ダミーボンディングパッドがそれぞれ列状に配列されており、前記ダミーボンディングパッドは、前記第１のボンディングパッドの列に関して交互に逆方向に配置されている、請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記正規のボンディングワイヤの他端が接続される第２のボンディングパッドを有し、該第２のボンディングパッドには、別のダミーボンディングワイヤの一端が前記正規のボンディングワイヤの他端と共通に接続されており、前記別のダミーボンディングワイヤの他端が、前記ダミーボンディングワイヤの他端と対を構成して前記モールド部材の表面に露出している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のボンディングパッドが、前記実装基板上に搭載された別の半導体チップ上に形成されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記モールド部材がモールド樹脂の研磨により形成された表面を有する、請求項１〜６の何れか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記モールド部材がモールド樹脂の溶融により形成された表面を有し、前記ダミーボンディングワイヤと前記別のダミーボンディングワイヤとが、前記モールド部材の表面から離隔するワイヤで一体的に接続されている、請求項１〜６の何れか一に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一に記載の半導体装置を製造する方法であって、
前記ダミーボンディングワイヤの前記半導体チップの表面からの最大高さが前記正規のボンディングワイヤの前記半導体チップの表面からの最大高さよりも高くなるように、ボンディングを行う工程を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、更に詳しくは、実装基板上で半導体チップが樹脂等により封止されている半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の技術の発展に伴い、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージに例示される多端子を接続可能な半導体パッケージが実用化されている。半導体パッケージは、実装基板上に複数の半導体チップを実装し、モールド樹脂等を充填して封止することで、内部構造を保護している（例えば、特許文献１）。
【０００３】
図９を参照して、特許文献１に記載の半導体パッケージについて説明する。図９（ａ）は、半導体パッケージの構成を示す。図９（ｂ）及び（ｃ）は、半導体パッケージの製造工程を示す。半導体パッケージ１００では、回路基板１０１上に複数の半導体チップ１０２が実装されている。半導体チップ１０２及び回路基板１０１の表面には、ボンディングパッド１０３，１０４がそれぞれ形成されている。双方のボンディングパッド１０３，１０４は、ＡｕやＡｌ等の細導線（以下、ボンディングワイヤ）１０５で電気的に接続されている。
【０００４】
回路基板１０１の表面に形成されたボンディングパッド１０４は、回路基板１０１の配線パターンを介して半田ボール１０６と接続されている。ボンディングパッド１０４が半田ボール１０６に接続されることで、パッケージ外部に電気的な導通を伴う引き出し構造が形成される。また、半導体チップ１０２及びボンディングワイヤ１０５は、モールド樹脂１０７で封止されている。
【０００５】
更に、回路基板１０１の表面には、他のボンディングパッド１０８が形成されている。他のボンディングパッド１０８には、モールド樹脂１０７の研磨量を検出するための検知接続用ワイヤ１０９の一端１０９ａが接続されている。検知接続用ワイヤ１０９の他端１０９ｂは、図９（ａ）に示すように、モールド樹脂１０７の表面に露出している。
【０００６】
半導体パッケージ１００を製造する工程では、図９（ｂ）に示すように、他のボンディングパッド１０８，１０８間を検知接続用ワイヤ１０９で接続した上で、モールド樹脂１０７Ａで封止する。次いで、モールド樹脂１０７Ａを研磨し、徐々にパッケージを薄く加工すると、図９（ｃ）に示すように、検知接続用ワイヤ１０９が断線する。半導体パッケージ１００の製造工程では、検知接続用ワイヤ１０９の断線に伴い電気抵抗が変化するので、抵抗変化に基づいて、パッケージの研磨量を検知する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２２３２２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ＢＧＡパッケージでは、半田ボールがパッケージ下面に格子状に配置され、半田ボールと外部のプリント基板とが半田付けされる。このため、パッケージ下面の格子内部、即ち奥まった内側の箇所に配置された半田ボールは、電気信号観測用のプローブを接触させることが困難であった。つまり、この半田ボールと電気的に接続された半導体チップの所定箇所に関して、電気信号の状態を観測することは困難であった。
【０００９】
更に、複数の半導体チップが搭載されたパッケージでは、各々の半導体チップ間を接続し、外部端子に接続されない信号配線に関しては、電気信号の状態を外部から観測できなかった。
【００１０】
特許文献１に記載の技術では、上記したように、検知接続用ワイヤ１０９の他端１０９ｂがモールド樹脂１０７の表面に露出している。しかし、検知接続用ワイヤ１０９は、あくまでパッケージを薄くすることを目的として、研磨量を検出するために用いられたワイヤであり、半導体チップ１０２の電気信号の状態を観測することを考慮していない。また、検知接続用ワイヤ１０９は、上記ボンディングワイヤ１０５のためのボンディングパッド１０４とは別の専用のボンディングパッド１０８に接続しており、製造工程も増えてしまう。
【００１１】
本発明は、実装基板上で半導体チップが封止されたパッケージ内の電気信号を容易に観測できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、実装基板上で半導体チップを封止するモールド部材を備える半導体装置であって、
前記半導体チップ上に形成された第１のボンディングパッドを有し、該第１のボンディングパッドには、前記モールド部材に全体が封止された正規のボンディングワイヤの一端と、ダミーボンディングワイヤの一端とが共通に接続されており、前記ダミーボンディングワイヤの他端が、前記モールド部材の表面に露出している半導体装置を提供する。
【００１３】
また、本発明は、上述の半導体装置を製造する方法であって、
前記ダミーボンディングワイヤの前記半導体チップの表面からの最大高さが前記正規のボンディングワイヤの前記半導体チップの表面からの最大高さよりも高くなるように、ボンディングを行う工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体装置及びその製造方法では、実装基板上で半導体チップが封止されたパッケージ内の電気信号を容易に観測できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す半導体装置を製造する際での、ワイヤボンディングの状態、及びモールド樹脂封止後の状態を示す断面図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図５】図４に示す半導体装置を製造する際での、ワイヤボンディングの状態を示す断面図。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図。
【図７】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、図７に示す半導体装置を製造する際での、ワイヤボンディングの状態、及びモールド樹脂封止後の状態を示す断面図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体パッケージ及びその製造方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の半導体装置は、最小基本構成として、実装基板上で半導体チップを封止するモールド部材を備える。半導体チップ上には、第１のボンディングパッドが形成されている。第１のボンディングパッドには、モールド部材に全体が封止された正規のボンディングワイヤの一端と、ダミーボンディングワイヤの一端とが共通に接続されている。ダミーボンディングワイヤの他端が、モールド部材の表面に露出している。
【００１７】
上記半導体装置では、正規のボンディングワイヤの全体がモールド部材に封止された状態で、ダミーボンディングワイヤは、一端が半導体チップ上に形成された第１のボンディングパッドに接続され、他端がモールド部材の表面に露出している。このため、ダミーボンディングワイヤの他端に電気信号観測用のプローブ等を接触させることで、モールド部材に封止された半導体チップの電気信号を容易に観測できる。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法は、最小基本構成として、ダミーボンディングワイヤの半導体チップの表面からの最大高さが、正規のボンディングワイヤの半導体チップの表面からの最大高さよりも高くなるように、ボンディングを行う工程を有する。
【００１９】
上記半導体装置の製造方法では、ダミーボンディングワイヤ及び正規のボンディングワイヤの全体をモールド部材で封止した後で、モールド部材を上面から研磨した際に、ダミーボンディングワイヤが、正規のボンディングワイヤよりも先にモールド部材の表面に露出することになる。このため、正規のボンディングワイヤの全体が封止された状態で、ダミーボンディングワイヤの一部を外部に露出させることができる。
【００２０】
以下、図面を参照し、本発明の例示的な実施の形態について詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。半導体装置１０は、いわゆるＢＧＡパッケージ構造を有し、サブストレート基板（実装基板）１１と、ウェハチップ（半導体チップ）１２と、サブストレート基板１１上でウェハチップ１２を封止するモールド樹脂１３とを備える。ウェハチップ１２は、下面がサブストレート基板１１上に接着され、表面には第１のボンディングパッド１４が形成されている。
【００２１】
第１のボンディングパッド１４には、モールド樹脂１３に全体が封止された正規のボンディングワイヤ１５の一端１５ａが接続されている。正規のボンディングワイヤ１５は、他端１５ｂがサブストレート基板１１上に形成されたボンディングパッド１６に接続されている。正規のボンディングワイヤ１５は、例えば、ウェハチップ１２上の信号の入出力を行うための信号接続用のワイヤであって、通常の電気信号が伝達される。これらのボンディングパッド１４，１６とボンディングワイヤ１５との接続は、ワイヤボンダと呼ばれる製造設備を用いる。このワイヤボンダでは、ワイヤの太さ等の条件に応じて、ワイヤを所望の経路に掃引制御できる。なお、正規のボンディングワイヤ１５は、電源或いはグランド等を接続するためにも用いられる。
【００２２】
第１のボンディングパッド１４には、正規のボンディングワイヤ１５の一端１５ａと共通に、ダミーボンディングワイヤ１７の一端１７ａが接続されている。ダミーボンディングワイヤ１７の他端１７ｂは、図示のように、モールド樹脂１３の表面に露出している。ダミーボンディングワイヤ１７は、正規のボンディングワイヤ１５と異なり、サブストレート基板１１との間で電気信号を伝達するためのワイヤではない。ダミーボンディングワイヤ１７は、第１のボンディングパッド１４と電気的に接続され、ウェハチップ１２の電気信号を外部に引き出すためのワイヤである。つまり、半導体装置１０では、モールド樹脂１３の表面から露出したダミーボンディングワイヤ１７の他端１７ｂに、例えば、電気信号観測用のプローブを接触させることで、モールド樹脂１３に封止されたウェハチップ１２の電気信号を容易に観測できる。
【００２３】
サブストレート基板１１には、ダミーボンディングパッド１８が形成されている。ダミーボンディングパッド１８には、別のダミーボンディングワイヤ１９の一端１９ａが接続されている。別のダミーボンディングワイヤ１９の他端１９ｂは、図示のように、上記ダミーボンディングワイヤ１７の他端１７ｂと対を構成して、モールド樹脂１３の表面に露出している。
【００２４】
また、サブストレート基板１１の下面には、リフロー等で半田ボール２０が形成されている。サブストレート基板１１では、上面に形成された導体の配線パターンと下面の半田ボール２０とが、内部に形成されたビアホールを介して接続されている。
【００２５】
次に、図２を参照して、上記半導体装置１０の製造方法について説明する。図２（ａ）は、ワイヤボンディングを示す断面図であり、また、図２（ｂ）は、モールド樹脂１３で封止後の状態を示す断面図である。まず、サブストレート基板１１上に、ウェハチップ１２を接着して実装する。次に、図２（ａ）に示すワイヤボンディング工程でワイヤボンダを制御して、ウェハチップ１２上の第１のボンディングパッド１４と、サブストレート基板１１上に形成されたボンディングパッド１６とを正規のボンディングワイヤ１５で接続する。続いて、ウェハチップ１２上の第１のボンディングパッド１４と、サブストレート基板１１上に形成されたダミーボンディングパッド１８とをダミーボンディングワイヤ２１で接続する。
【００２６】
ワイヤボンディング工程では、ダミーボンディングワイヤ２１でのウェハチップ１２の表面からの最大高さ（掃引経路高さ）Ａが、正規のボンディングワイヤ１５でのウェハチップ１２の表面からの最大高さ（掃引経路高さ）Ｂよりも高くなるように、ワイヤボンダを制御しボンディングを行う。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、ウェハチップ１２、正規のボンディングワイヤ１５及びダミーボンディングワイヤ２１を含めてモールド樹脂１３Ａで封止する。続いて、モールド樹脂１３Ａの上面からグラインダ等を用いて研磨を行う。更に、モールド樹脂１３Ａの表面が、ウェハチップ１２の表面からの高さが掃引経路高さＢより高く、掃引経路高さＡよりも低くなるまで、研磨を続ける。その結果、図１に示すように、ダミーボンディングワイヤ２１が切断される。つまり、ダミーボンディングワイヤ１７の他端１７ｂと、別のダミーボンディングワイヤ１９の他端１９ｂとが、互いに対を構成してモールド樹脂１３の表面に露出する構成が得られる。
【００２８】
最後に、サブストレート基板１１の下面に、リフロー等で半田ボール２０を形成し、或いは接続することで、図１に示す上記ＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置１０が製造される。
【００２９】
本実施形態では、ウェハチップ１２がモールド樹脂１３で封止された状態であっても、ダミーボンディングワイヤ１７の他端１７ｂが、モールド樹脂１３の表面から露出しているので、電気的観測用のプローブを接触させることで、ウェハチップ１２での信号の状態を外部で容易に観測できる。一般に、ＢＧＡパッケージ構造で端子数の制約等により、外部端子である半田ボール２０に信号線を引き出せない場合や、プローブを接触させることが困難な箇所に半田ボール２０が位置している場合がある。このような場合であっても、本実施形態では、ダミーボンディングワイヤ１７の他端１７ｂを外部に露出させることで、製品の開発時や不具合の調査時で信号動作の観測を容易に行うことができる。
【００３０】
また、正規のボンディングワイヤ１５及びダミーボンディングワイヤ１７の一端１５ａ，１７ａが、ウェハチップ１２の第１のボンディングパッド１４に共通に接続されているので、サブストレート基板１１上には、ダミーボンディングパッド１８を追加するだけで、他端１７ｂがモールド樹脂１３の表面に露出したダミーボンディングワイヤ１７を形成できる。このため、半導体装置１０は、既存の製造設備、工法を適用して容易に製造可能である。
【００３１】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。半導体装置１０Ａでは、モールド樹脂１３を研磨する代わりに、薬剤により溶融することで、ダミーボンディングワイヤ２１の一部を外部に露出させた点で、上記半導体装置１０と異なる。
【００３２】
半導体装置１０Ａでは、モールド樹脂１３の溶融により形成された表面を有しており、グラインダ等を用いた研磨と異なり、ワイヤが断線することがない。従って、半導体装置１０Ａでは、図示のように、ダミーボンディングワイヤ１７と別のダミーボンディングワイヤ１９とがモールド樹脂１３の表面から離隔するワイヤで一体的に接続された構造が得られる。双方が一体となったダミーボンディングワイヤ２１の一部が、パッケージ外部に輪状で露出している。
【００３３】
モールド樹脂１３としては、エポキシ系の樹脂が一般的に用いられる。このようなモールド樹脂１３を溶融するためには、硝酸系の薬剤を塗布すればよい。半導体装置１０Ａでは、薬剤を塗布することで、モールド樹脂１３を溶融し、モールド樹脂１３の表面を、半導体チップ１２の表面からの高さが掃引経路高さＢより高く、掃引経路高さＡよりも低くする。その結果、ダミーボンディングワイヤ２１の一部を残した状態で、モールド樹脂１３のみが溶融し除去される。つまり、ダミーボンディングワイヤ２１の一部が、パッケージ外部に輪状で露出する構造が得られる。
【００３４】
本実施形態では、モールド樹脂１３を溶融することで、ダミーボンディングワイヤ２１の一部を外部に輪状で露出させるので、信号を観測するための観測用のプローブ等を容易に接続できる。
【００３５】
（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。半導体装置１０Ｂでは、ダミーボンディングパッド２２をウェハチップ１２上に形成した点で、上記半導体装置１０と異なる。ウェハチップ１２上に形成されたダミーボンディングパッド２２は、ウェハチップ１２とは電気的に非導通である。
【００３６】
ダミーボンディングパッド２２には、別のダミーボンディングワイヤ２３の一端２３ａが接続されている。別のダミーボンディングワイヤ２３の他端２３ｂは、ダミーボンディングワイヤ２４の他端２４ｂと対を構成して、モールド樹脂１３の表面に露出している。また、ダミーボンディングワイヤ２４の一端２４ａは、図示のように、ウェハチップ１２上の第１のボンディングパッド１４に接続されている。
【００３７】
次に、図５を参照して、半導体装置１０Ｂの製造工程を説明する。なお、上記半導体装置１０の製造工程と重複する箇所は、説明を適宜省略している。ここでは、ダミーボンディングパッド２２をウェハチップ１２上に形成する。次いで、第１のボンディングパッド１４と、サブストレート基板１１上のボンディングパッド１６との間を正規のボンディングワイヤ１５で接続する。
【００３８】
さらに、ウェハチップ１２上の第１のボンディングパッド１４とダミーボンディングパッド２２との間を、ダミーボンディングワイヤ２５で接続する。このとき、図２（ａ）に示すように、ダミーボンディングワイヤ２５でのウェハチップ１２の表面からの掃引経路高さＡが、正規のボンディングワイヤ１５でのウェハチップ１２の表面からの掃引経路高さＢよりも高くなるように、ワイヤボンダを制御しボンディングを行う。
【００３９】
続いて、ダミーボンディングワイヤ２５も含めてモールド樹脂１３で封止した後に、モールド樹脂１３の上面を研磨する。最後に、サブストレート基板１１の下面に、リフロー等で半田ボール２０を形成する。このようにして、図４に示す半導体装置１０Ｂが製造される。
【００４０】
本実施形態では、ウェハチップ１２上に形成されたボンディングパッド１４及びダミーボンディングパッド２２の間をダミーボンディングワイヤ２５で接続し、研磨により、ダミーボンディングワイヤ２４の他端２４ｂを、モールド樹脂１３の表面に露出している。このため、半導体装置１０Ｂでは、ダミーボンディングワイヤ２４の他端２４ｂをプローブに接続することで、上記半導体装置１０と同様に、外部から信号を容易に観測できる。
【００４１】
（第４の実施形態）
図６は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。ここでは、ウェハチップ１２の表面を上方から見た状態を示しており、図中、点線でダミーボンディングワイヤ２１，２５を示し、また、網模様でダミーボンディングパッド１８，２２を示している。
【００４２】
半導体装置１０Ｃでは、複数の第１のボンディングパッド１４、及び、対応する数のダミーボンディングパッド１８，２２がそれぞれ列状に配列されている点で、上記各半導体装置１０〜１０Ｂと異なる。ダミーボンディングパッド１８，２２は、第１のボンディングパッド１４の列に関して交互に逆方向に配置されている。つまり、ダミーボンディングパッド１８，２２が、サブストレート基板１１上とウェハチップ１２上に交互に配置されている。従って、半導体装置１０Ｃでは、図示のように、ウェハチップ１２上のダミーボンディングパッド２２に接続するダミーボンディングワイヤ２５と、サブストレート基板１１上のダミーボンディングパッド１８に接続するダミーボンディングワイヤ２１とが、交互に配置されている。
【００４３】
本実施形態では、研磨工程を経て、例えば図１及び図４に示すように、ダミーボンディングワイヤ１７，２４の他端１７ｂ，２４ｂをモールド樹脂１３の表面から露出させた状態となる。このため、図６に示す隣接するダミーボンディングワイヤの他端（導体露出点）間の距離を大きくできるので、ウェハチップ１２での複数の第１のボンディングパッド１４に導通したそれぞれの導体露出点に、プローブ等を接触し易い。従って、複数の第１のボンディングパッド１４が列状に配列された状態で、外部から信号を容易に観測できる。
【００４４】
（第５の実施形態）
図７は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。半導体装置１０Ｄでは、１つのＢＧＡパッケージ内に複数のウェハチップ１２，１２Ａを搭載し、ウェハチップ１２，１２Ａ間が正規のボンディングワイヤ２６で接続されている点で、上記半導体装置１０と異なる。半導体装置１０Ｄでは、サブストレート基板１１上に２つのウェハチップ１２，１２Ａが並んで配置されている。
【００４５】
ウェハチップ１２に形成された第１のボンディングパッド１４には、正規のボンディングワイヤ２６の一端２６ａと、ダミーボンディングワイヤ２７の一端２７ａとが共通に接続されている。また、ウェハチップ１２Ａに形成された第２のボンディングパッド２８には、正規のボンディングワイヤ２６の他端２６ｂと、別のダミーボンディングワイヤ２９の一端２９ａとが共通に接続されている。さらに、ダミーボンディングワイヤ２７の他端２７ｂと、別のダミーボンディングワイヤ２９の他端２９ｂとが対を構成して、モールド樹脂１３の表面から露出している。
【００４６】
次に、図８を参照して、半導体装置１０Ｄの製造工程について説明する。まず、サブストレート基板１１上に２つのウェハチップ１２，１２Ａを並んで配置する。次に、ウェハチップ１２上に形成した第１のボンディングパッド１４とウェハチップ１２Ａ上に形成した第２のボンディングパッド２８との間を、正規のボンディングワイヤ２６に加えて、ダミーボンディングワイヤ３０で接続する。このとき、図８（ａ）に示すように、ダミーボンディングワイヤ３０でのウェハチップ１２，１２Ａの表面からの掃引経路高さが、正規のボンディングワイヤ２６でのウェハチップ１２，１２Ａの表面からの掃引経路高さよりも高くなるように、ワイヤボンダを制御しボンディングを行う。
【００４７】
続いて、図８（ｂ）に示すように、ダミーボンディングワイヤ３０も含めてモールド樹脂１３Ｂで封止した後に、モールド樹脂１３Ｂの上面を研磨する。最後に、サブストレート基板１１の下面に、リフロー等で半田ボール２０を形成する。このようにして、図７に示す半導体装置１０Ｄが製造される。
【００４８】
本実施形態では、ウェハチップ１２の第１のボンディングパッド１４、及びウェハチップ１２Ａの第２のボンディングパッド２８にそれぞれ導通したダミーボンディングワイヤ２７，２９の他端２７ｂ，２９ｂを外部に露出している。従って、サブストレート基板１１上に複数のウェハチップ１２，１２Ａが実装されたＢＧＡパッケージで、各ウェハチップ１２，１２Ａ間のみ接続され、外部に接続されないような信号線の信号であっても、プローブ等を用いて外部から電気信号を観測できる。
【００４９】
上記各実施形態では、多端子を有する半導体パッケージとしてＢＧＡパッケージを例示し、装置開発時での動作確認や不具合時の調査等のために、ウェハチップでの電気信号の状態を外部で観測することを説明したが、これに限定されない。即ち、半導体装置を外部基板上に半田接続する際に、外部に露出したダミーボンディングワイヤの端部と、外部基板上での導通すべき箇所との導通状態を確認してもよい。このようにすれば、半田接続の検査を行うことができる。
【００５０】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明の半導体装置及びその製造方法は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５１】
１０，１０Ａ〜１０Ｄ：半導体装置
１１：サブストレート基板
１２：ウェハチップ
１３：モールド樹脂
１４：第１のボンディングパッド
１５：ボンディングワイヤ
１６：ボンディングパッド
１７：ダミーボンディングワイヤ
１７ａ：ダミーボンディングワイヤの一端
１７ｂ：ダミーボンディングワイヤの他端
１８：ダミーボンディングパッド
１９：別のダミーボンディングワイヤ
１９ａ：別のダミーボンディングワイヤの一端
１９ｂ：別のダミーボンディングワイヤの他端
２０：半田ボール
【図１】
2010206007.tif 000003
【図２】
2010206007.tif 000004
【図３】
2010206007.tif 000005
【図４】
2010206007.tif 000006
【図５】
2010206007.tif 000007
【図６】
2010206007.tif 000008
【図７】
2010206007.tif 000009
【図８】
2010206007.tif 000010
【図９】
2010206007.tif 000011