(57)【要約】【課題】発明の目的は、Ｓｉ−Ｏ結合とＳｉ−Ｃ結合とを含み、且つ、経時的な現像性能の変化を抑制した現像剤担持体を備え、高品質な電子写真画像を安定して形成することのできる電子写真画像形成装置の提供にある。【解決手段】本発明に係る電子写真画像形成装置は、感光体と現像ローラとの間にバイアス電圧を印加し、静電潜像をトナーで現像する電子写真画像形成装置であって、該現像ローラは、所定の膜厚を有する表面層を具備し、該表面層は、ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含有する酸化ケイ素膜からなり、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、Ｈの存在元素数の合計が全元素に対して９０％以上であり、存在比（Ｏ／Ｓｉ）が０．６５以上１．９５以下であり、該表面層の表面における存在比（Ｃ／Ｓｉ）が０．０５以上０．７０以下であり、且つ、所定の静電容量を有することを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体と、表面に現像剤を担持し該感光体に形成される静電潜像の現像領域に該現像剤を搬送する現像ローラとを有し、
該感光体と該現像ローラとの間に、交流電圧を含むバイアス電圧を印加し、該感光体に形成される静電潜像をトナーで現像する電子写真画像形成装置において、
該現像ローラは、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の膜厚を有する表面層を具備し、該表面層は、
ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含有する酸化ケイ素膜からなり、
高周波グロー放電発光表面分析法により測定したＳｉ、Ｏ、Ｃ、Ｈの存在元素数の合計が全元素に対して９０％以上であり、
ケイ素原子と化学結合を形成している酸素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｏ／Ｓｉ）が０．６５以上１．９５以下であり、
該表面層の表面における、ケイ素原子と化学結合している炭素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｃ／Ｓｉ）が０．０５以上０．７０以下であり、且つ、
０．１０ｐＦ以上１０．０ｐＦ以下の静電容量を有していることを特徴とする電子写真画像形成装置。
【請求項２】
前記表面層の表面における、（Ｃ／Ｓｉ）が、０．０５以上０．３０以下である請求項１に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項３】
前記表面層の層厚が３００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項４】
前記現像ローラと感光体との表面間の最近接距離が５０〜４００μｍであり、かつ前記現像ローラと前記感光体との間の最大電界強度が５．０×１０6Ｖ／ｍ〜１．０×１０7Ｖ／ｍである請求項１乃至３の何れかに記載の電子写真画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子写真方式を用いたプリンタにおいては、その内部には現像装置が設置されており、画像は、帯電、潜像形成、現像、転写、転写残のクリーニング、定着のプロセスを経て形成される。現像装置は、電子写真感光体を備えており、かつクリーニング部、帯電部、潜像形成部、現像部及び転写部からなる。この現像装置で形成された感光体上の画像は転写部で記録材に転写される。続いて、画像が転写された記録材は、定着部に搬送されて加熱・加圧され、定着された記録画像として排出される。また、カラー画像の形成可能なプリンタとして、前記現像装置を複数個備え、複数色の画像を重ね合わせてカラー画像として排出されるカラープリンタが知られている。
【０００３】
電子写真法における現像方式は主として一成分現像方式と二成分現像方式に分けられる。従来、これらのフルカラー画像を出力するには、二成分系現像剤が用いられてきた。しかし近年では、電子写真装置の軽量・小型化等を目的として、一成分現像方式を用いた現像装置を使用する場合も多くなってきている。
【０００４】
一成分現像方式には、トナー中に磁性体を含有しない非磁性トナーと磁性体を含有する磁性トナーを用いる場合があるが、フルカラー画像に用いる場合には色再現性の点から磁性体を含まない非磁性一成分現像剤が用いられることが多い。
【０００５】
一成分現像方式を用いた現像装置として、ジャンピング現像方式の現像装置が知られている。ジャンピング現像方式は、表面に薄層のトナー層が形成された現像剤担持体と感光ドラムとを当該トナー層の厚さ以上の間隙をもって対向させ、現像剤担持体と感光ドラムとの間に交流電圧成分を有するバイアス電圧を印加してそれらの間に電界を形成する。そして、トナーを現像剤担持体から感光ドラムに移行させて現像を行うものである。
従って、このような現像方式に用いる現像剤担持体の表面層の静電容量を制御することは、現像性能のより一層の向上を図るうえで重要である。具体的には、表面層の静電容量を小さくして時定数τを低下させることによって現像剤担持体の電気応答性を向上させることができる。
一方、当該表面層は、現像剤量規制ブレードや現像剤供給ローラと常時当接する現像剤担持体の摩耗を抑制するという役割を担っている。そのため、表面層には優れた機械的強度が求められている。そして、特許文献１は、機械的強度に優れた表面層としてＳｉＯ2薄膜の使用を提案している。
【０００６】
【特許文献１】特開平０２−３２３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らが上記特許文献１の発明を検討したところ、ＳｉＯ2薄膜からなる表面層は、比誘電率が高いため、上記した理由から必ずしもジャンピング現像方式に適した現像剤担持体とは言えないとの認識を得た。また、ＳｉＯ2薄膜は、成膜条件によっては、強い内部応力を内包し、それに起因するひび割れが生じることがあった。
【０００８】
本発明者らは、これまでの検討で、Ｓｉ−Ｏ及びＳｉ−Ｃの化学結合を有する酸化ケイ素膜は、ＳｉＯ2膜と比較して低い比誘電率を有し、高い機械的強度を有し、且つ、良好な可撓性を有することからひび割れが生じにくいという特性を示すことを見出している。そこで、このような酸化ケイ素膜からなる表面層を備えた現像剤担持体のジャンピング現像方式への適用を試みた。その結果、初期性能は良好であるものの、電子写真画像の形成を繰り返したときの現像性能の低下が新たな課題として見出された。そして、この課題は、当該酸化ケイ素膜中のＳｉ−Ｃ結合が、感光体と現像剤担持体との間で生じる放電によりＳｉ−Ｏ結合に変化し、表面層の比誘電率が経時的に上昇していることに起因しているとの知見を得た。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、Ｓｉ−Ｏ結合とＳｉ−Ｃ結合とを含み、且つ、経時的な現像性能の変化を抑制した現像剤担持体を備え、高品質な電子写真画像を安定して形成することのできる電子写真画像形成装置の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち、本発明は、
感光体と、表面に現像剤を担持し該感光体に形成される静電潜像の現像領域に該現像剤を搬送する現像ローラとを有し、
該感光体と該現像ローラとの間に、交流電圧を含むバイアス電圧を印加し、該感光体に形成される静電潜像をトナーで現像する電子写真画像形成装置において、
該現像ローラは、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の膜厚を有する表面層を具備し、該表面層は、
ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含有する酸化ケイ素膜からなり、
高周波グロー放電発光表面分析法により測定したＳｉ、Ｏ、Ｃ、Ｈの存在元素数の合計が全元素に対して９０％以上であり、
ケイ素原子と化学結合を形成している酸素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｏ／Ｓｉ）が０．６５以上１．９５以下であり、
該表面層の表面における、ケイ素原子と化学結合している炭素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｃ／Ｓｉ）が０．０５以上０．７０以下であり、且つ、
０．１０ｐＦ以上１０．０ｐＦ以下の静電容量を有していることを特徴とする電子写真画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、表面層が高耐久性と高い密着性を達成でき、かつ、トナーの離型性に優れているために、フィルミングの発生を抑制することが可能な電子写真画像形成装置を提供することが出来る。
【００１２】
また、静電容量を低く抑えた現像ローラを有するために、電気応答性に優れ、良質な画像が得られる電子写真画像形成装置を提供することが出来る。
【００１３】
さらには、耐コロナ性に優れているため、長時間の使用においても画像特性に優れた電子写真画像形成装置を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の形態を説明するが、本発明はこれによって限定されるものではない。
【００１５】
本発明に係る電子写真画像形成装置は、感光体と、表面に現像剤を担持し該感光体に形成される静電潜像の現像領域に該現像剤を搬送する現像ローラとを有する。そして、該感光体と該現像ローラとの間に、交流電圧を含むバイアス電圧を印加し、該感光体に形成される静電潜像をトナーで現像するものである。
【００１６】
本発明における現像ローラの構成例を説明する断面図を図１及び図２に示す。
【００１７】
本発明の現像ローラは、図１のように、金属の如き導電性材料で形成される軸芯体１１と、該軸芯体１１の外周面に表面層１３とを有する構成とすることができる。または、図２のように、金属の如き導電性材料で形成される軸芯体１１と、該軸芯体１１の外周面上に弾性層１２と、該弾性層１２の外周面に表面層１３を有する構成とすることができる。
【００１８】
（軸芯体）
前記軸芯体は、円柱状または中空円筒状であってもよく、金属以外の導電性材料で形成されたものでもよい。
【００１９】
現像ローラは、一般的に、電気的なバイアスを印加又は接地されて使用される。そこで、軸芯体は、支持部材であると共に、導電材として少なくともその表面が導電性を有することが必要である。軸芯体の材料としては、弾性層又は表面層に所定の電圧を印加するに十分な導電性を有するものであれば特に限定されない。例えば、Ａｌ、Ｃｕ合金、ＳＵＳの如き金属又は合金、あるいは、Ｃｒ又はＮｉメッキを施した鉄や合成樹脂等を挙げることができる。電子写真画像形成装置に利用される現像ローラでは、軸芯体は、通常、外径Φ４ｍｍからΦ１０ｍｍの範囲とするのが適当である。
【００２０】
（弾性層）
上述のように、本発明に係る現像ローラは、弾性層を有する構成とすることができる。
【００２１】
弾性層は、原料主成分としてゴム又は樹脂を用いた成型体である。つまり、弾性層の材料（以下、弾性層材料）は、主成分としてゴム又は樹脂を含む。
【００２２】
主成分となり得るゴムは、種々のゴムを用いることができる。具体的には、以下のものが例として挙げられる。
【００２３】
エチレン−プロピレン−ジエン共重合ゴム（ＥＰＤＭ）、アクリルニトリル−ブタジエンゴム（ＮＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、天然ゴム（ＮＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、フッ素ゴム、シリコーンゴム、エピクロロヒドリンゴム、ブタジエンゴム（ＢＲ）、ＮＢＲの水素化物、多硫化ゴム、ウレタンゴム。
【００２４】
また、主成分となり得る樹脂は、主に熱可塑性樹脂である。具体的には、以下のものが例として挙げられる。
【００２５】
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）の如きポリエチレン系樹脂；ポリプロピレン系樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン系樹脂；ＡＢＳ樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートの如きポリエステル樹脂；フッ素樹脂；ポリアミド６、ポリアミド６６、ＭＸＤ６の如きポリアミド樹脂。
【００２６】
そして、これらゴム及び樹脂は、単独であるいは２種以上を混合して用いることができる。
【００２７】
さらに、本発明の現像ローラでは、弾性層自体に要求される機能に必要な、導電剤や非導電性充填剤のような成分を弾性層材料に適宜配合できる。また、ゴム又は樹脂成型体とする際に利用される各種添加剤成分、例えば、架橋剤、触媒又は分散促進剤等を弾性層材料に適宜配合できる。
【００２８】
導電剤としては、イオン導電機構によるイオン導電性物質と、電子導電機構による導電付与剤があり、どちらか一方、あるいは併用することも可能である。
【００２９】
電子導電機構による導電剤としては、以下のものが例として挙げられる。
【００３０】
カーボンブラック、グラファイトの如き炭素系物質；アルミニウム、銀、金、錫−鉛合金、銅―ニッケル合金の如き金属あるいは合金；酸化亜鉛、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化アンチモン、酸化インジウム又は酸化銀の如き粒子に表面処理を行った導電性金属酸化物；各種フィラーに銅、ニッケル又は銀で導電性表面処理を施した物質。
【００３１】
また、イオン導電機構による導電付与剤としては、以下のものが例として挙げられる。
【００３２】
ＬｉＣＦ3ＳＯ3、ＮａＣｌＯ4、ＬａＣｌＯ4、ＬｉＡｓＦ6、ＬｉＢＦ4、ＮａＳＣＮ、ＫＳＣＮ、ＮａＣｌの如き周期律表第１族金属の塩；ＮＨ4Ｃｌ、（ＮＨ4）2ＳＯ4、ＮＨ4ＮＯ3の如きアンモニウム塩；Ｃａ（ＣｌＯ4）2、Ｂａ（ＣｌＯ4）2の如き周期律表第２族金属の塩；これらの塩と１，４−ブタンジオール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコールの如き多価アルコールやそれらの誘導体との錯体；これらの塩とエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノエチルエーテルの如きモノオールとの錯体；第４級アンモニウム塩の如き陽イオン性界面活性剤；脂肪族スルホン酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル塩の如き陰イオン性界面活性剤；ベタインの如き両性界面活性剤。
【００３３】
これら導電剤は、単独で又は２種類以上を混合して使用することができる。
【００３４】
これらの導電剤のうち、カーボンブラック系の導電剤は、比較的安価かつ容易に入手でき、また、主成分のゴム又は樹脂材料の種類に依らず、良好な導電性を付与できるため、好適である。弾性層材料中に微粉末状の導電剤を分散させる手段としては、従来から利用される手段、例えば、ロールニーダー、バンバリーミキサー、又は２軸押し出し機等を適宜選択して利用すればよい。
【００３５】
充填剤及び増量剤としては、以下のものが例として挙げられる。
【００３６】
シリカ、石英微粉末、ケイソウ土、酸化亜鉛、塩基性炭酸マグネシウム、活性炭酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、二酸化チタン、タルク、雲母粉末、硫酸アルミニウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、ガラス繊維、有機補強剤、有機充填剤。
【００３７】
これらの充填剤は表面を有機珪素化合物で処理して疎水化してもよい。
【００３８】
酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤等の如き高分子化合物に対して使用される公知のものを適宜選択して使用できる。
【００３９】
加工助剤としては、公知の材料が使用可能である。具体的には、ステアリン酸、オレイン酸の如き脂肪酸、脂肪酸の金属塩やエステルが例として挙げられる。
【００４０】
例えば、弾性層をシリコーンゴムを主成分として作製する場合は、液状シリコーンゴムを主剤として用い、ポリオルガノハイドロジェンシロキサンを架橋成分とし、白金系触媒を用いて、ゴム成分相互の架橋を図ることができる。
【００４１】
弾性層の成形は、従来から知られている押出成形法や射出成形法によって可能であり、特に限定されるものではない。本発明に記載された特徴を有すれば特に限定されず、例えば弾性層を２層以上の構成とすることもできる。
【００４２】
（表面層）
表面層１３は、下記（１）〜（６）の各要件を満たしている。
（１）ケイ素原子と化学結合を有している炭素原子を含有する酸化ケイ素膜からなる。
（２）高周波グロー放電発光表面分析法により測定したＳｉ、Ｏ、Ｃ、Ｈの存在元素数の合計は、全元素に対して９０％以上である。
（３）ケイ素原子と化学結合している存在比（Ｏ／Ｓｉ）は、０．６５以上１．９５以下である。
（４）表面における、ケイ素原子と化学結合している炭素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｃ／Ｓｉ）は、０．０５以上０．７０以下である。
（５）０．１０ｐＦ以上１０．０ｐＦ以下の静電容量を有している。
（６）膜厚が５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。
【００４３】
以下、各要件について順次説明する。
【００４４】
（１）表面層１３は、ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含む酸化ケイ素膜からなることを前提とする。これにより、表面層１３は、機械的強度に優れ、十分な可撓性を備え、且つ、ジャンピング現像に好適に用い得る静電容量を有し得る。
【００４５】
（２）［全元素数に対する存在元素数］
表面層１３を構成する酸化ケイ素膜は、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨの存在比が、全元素に対して９０．００％以上である。
【００４６】
なお、表面層中に含まれるＳｉ、Ｏ、Ｃ及びＨの存在元素数は以下の測定装置を用いて求めることができる。
【００４７】
軽元素を含む全元素の存在比については、グロー放電発光分析装置「ＧＤ−ＰＲＯＦＩＬＥＲ２型ＧＤ−ＯＥＳ」（商品名、堀場製作所社製）を用いて測定を行う。
【００４８】
具体的には以下のような測定条件により、測定を行うことができる。
測定モード：パルススパッタ
アノード径（分析面積）：直径φ４ｍｍ
放電電力：３５Ｗ
Ａｒガス圧：６００Ｐａ
【００４９】
（３）、（４）［（Ｏ／Ｓｉ）、（Ｃ／Ｓｉ）］
表面層１３を構成する酸化ケイ素膜中のケイ素原子と化学結合している酸素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｏ／Ｓｉ）は、表面層１３の全厚さ方向に亘り、０．６５以上１．９５以下である。
【００５０】
（Ｏ／Ｓｉ）が上記数値範囲内にあることにより、酸化ケイ素膜は、表面層１３に実用上十分な耐磨耗性と可撓性との担持させるに必要十分な量のシロキサン結合を有することとなるためである。（Ｏ／Ｓｉ）が、０．６５未満である場合、表面層１３が十分な耐磨耗性を有さず、また、表面がタック（粘着）性になりやすく、現像ローラとして使用する際、トナーへの離型性が低下し、フィルミングが発生しやすくなることがある。一方、（Ｏ／Ｓｉ）が、1.９５を超えた場合、酸化ケイ素膜自体が硬くなり、ヒビ割れが生じやすくなる。
【００５１】
また、本発明における表面層の表面は、ケイ素原子と化学結合を形成している炭素原子の、ケイ素原子に対する存在比（Ｃ／Ｓｉ）が０．０５以上０．７０以下である。また、０．０５以上０．３０以下であることが好ましい。
【００５２】
表面層１３の表面における存在比（Ｃ／Ｓｉ）が０．７０より大きいと、長時間使用時に現像ローラの電気抵抗値が大きく変動し、使用開始時と現像装置寿命末期時とで画像濃度が大きく異なることがある。これは、ジャンピング現像方式において、現像ローラと電子写真感光体との間に生じる放電現象により、結合エネルギーの小さいＳｉ−Ｃ結合が容易に切断され、他の元素（主に水素、酸素）が再結合し、組成が変化することに起因していると考えられる。Ｃ／Ｓｉが０．０５より小さいと、膜が硬質化し、トナー規制部材の如き圧接部材との圧接により表面層にヒビ割れが発生し易くなる。また、弾性層上に表面層を形成した場合には、弾性層に含まれる低分子量物質の染み出しが発生し、圧接部材を汚染する原因となる。この低分子量物質の染み出しが圧接部材を汚染し、汚染部位にトナーが付着してしまうフィルミング、さらにこのフィルミングにより非印字部へのトナーの付着（かぶり）や印字部での濃度ムラが発生しやすくなる。
【００５３】
［化学結合状態及び存在比］
また、酸素原子及び炭素原子のケイ素原子に対する存在比とケイ素原子の化学結合状態については以下の測定装置を用いて求めた。
【００５４】
Ｘ線光電子分光装置「Ｑｕａｎｔｕｍ２０００」（商品名、アルバック・ファイ株式会社製）は、Ｘ線光電子分光法により軽元素を除く全元素の原子比を測定することが可能である。そこで、Ｘ線源をＡｌＫαとして、現像ローラの表面層の表面におけるケイ素の２ｐ軌道、酸素及び炭素の１ｓ軌道の結合エネルギーに起因するピークを測定する。それぞれのピークから各原子の化学結合状態および存在比（Ｏ／Ｓｉ）及び（Ｃ／Ｓｉ）を求める。
【００５５】
なお、ここでケイ素および炭素のピークより求めた化学結合状態においては、炭素の化学結合状態はケイ素との結合のみしか確認されなかった。
【００５６】
また、酸素については、今回の膜自体が酸化ケイ素として形成されているため酸素はケイ素と結合している状態で存在しております。
【００５７】
また、上記グロー放電発光分析装置とＸ線光電子分光装置は表面層をＡｒプラズマにより表面層をスパッタリングしながら測定が行えるため、所望の深さでの測定が可能である。
【００５８】
（５）［静電容量］
表面層の静電容量は、０．１０ｐＦ以上１０．０ｐＦ以下である。静電容量が１０．０ｐＦより大きくなると、トナー追従性が低下したことによる画像ムラの現象が発生しやすい。これは、表面層の静電容量が大きくなると現像ローラの時定数が大きくなるために、現像ローラと感光体の間に直流電圧と交流電圧とを重畳した現像バイアスの応答性が低減するためと考えられる。
【００５９】
この現象については、現像ローラに５０Ｖの直流電圧を印加した際の電流値変化について図３に示した。本問題を解決するための手段としては、表面層の比誘電率を下げることにより、膜厚が同じであっても表面層の静電容量を下げることが可能である。表面層の比誘電率は、表面層中におけるケイ素原子と化学結合を有する炭素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｃ／Ｓｉ）により調整することが可能である。すなわち、（Ｃ／Ｓｉ）の値を大きくすることによって表面層の比誘電率を低下させることができる。ところで、表面層の（Ｃ／Ｓｉ）の値が、全厚さに渡って０．０５以上０．７０以下であるような酸化ケイ素膜の比誘電率は概略２．５〜３．５程度と、比較的大きな値となる。そのため、表面層の静電容量を０．１０ｐＦ以上１０．０ｐＦとすることは困難である。そこで、表面層の表面の（Ｃ／Ｓｉ）の値を０．０５以上０．７０以下としつつ、表面層の静電容量を０．１０ｐＦ以上１０．０ｐＦ以下とするために、表面層の深さ方向に（Ｃ／Ｓｉ）の値が大きくなるように傾斜させることが好ましい。即ち、酸化ケイ素膜を、現像ローラの長期電気安定性及び表面層の静電容量を鑑みて、上層側（表面側）は電気的に安定になるよう、炭素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｃ／Ｓｉ）を低くする。その一方で、下層側は炭素原子のケイ素原子に対する存在比（Ｃ／Ｓｉ）を高くする。このようにして、酸化ケイ素膜の静電容量を上記の範囲内とすることが好ましい。
【００６０】
酸化ケイ素膜中の（Ｃ／Ｓｉ）を表面から厚さ方向に増加させて静電容量を調整するには例えば以下の方法が挙げられる。即ち、酸化ケイ素膜をプラズマＣＶＤ法により製膜する場合には、チャンバー内に導入するヘキサメチルジシロキサンと酸素ガスとの混合ガス中の酸素ガスの割合を成膜初期には低く調整しておき、その後に混合ガス中の酸素ガスの割合を高める方法である。
そして、酸化ケイ素膜中における（Ｃ／Ｓｉ）の傾斜の程度は、酸化ケイ素膜の厚さに応じて、当該酸化ケイ素膜の静電容量が０．１０ｐＦ以上１０．０ｐＦ以下となるように適宜調整すればよい。また、トルエンガスを適宜導入することによっても（Ｃ／Ｓｉ）の値を調整することができる。
【００６１】
尚、後述する実施例では、表面層の静電容量は、図４に示す構成の測定装置に現像ローラを装着し、現像ローラを回転させず金属ローラに接触させて測定を行い、周方向に９０°ずつを金属ローラに接触させ４点測定した。なお、印加電圧３Ｖ、測定周波数０．１Ｈｚ以上１ＭＨｚ以下の条件で４点の平均値を本発明における表面層の静電容量とした。
【００６２】
なお、図４中、１は現像ローラであり、４０２は円筒電極（金属ローラ）であり、４０３は誘電率測定システム（英国ソーラトロン社製１２９６型誘電率測定インターフェース、１２６０型インピダンスアナライザーを併用）である。
（６）［層厚］
表面層の層厚は、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。また、表面層の層厚は３００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。表面層の層厚が５０ｎｍより薄いと、現像ローラの使用時の削れに対して有効な厚さとすることができない。層厚が５０００ｎｍ超では、製造にかなりの時間を要し、製造中に弾性層が昇温し、弾性層が熱可塑性樹脂の如き融点の低い材料では成形時の形状を維持できない場合がある。そのため、現像ローラとして使用した際、得られた画像には濃度ムラが発生しやすくなる。
【００６３】
なお、表面層の層厚は、薄膜測定装置「Ｆ２０−ＥＸＲ」（商品名、ＦＩＬＭＥＴＲＩＣＳ社製）を用いて、現像ローラの長手方向を端部より等間隔に３箇所、かつ周方向に等間隔に３箇所の合計９箇所を測定し、得られた値の平均値である。なお、測定時における炭素を含有する酸化ケイ素膜の屈折率を１．４２と設定し、測定を行った。
【００６４】
また、本発明に係る表面層は、上述した各元素以外にも他の元素を含有してもよく、中でも膜の安定性から窒素および／またはフッ素を含有することがより好ましい。
【００６５】
表面層を形成する方法としては、例えば、以下のものが挙げられる。
【００６６】
ディップコート、スプレーコート、ロールコート、リングコートの如き湿式コート法；真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングの物理的気相成長（ＰＶＤ）法；プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤの如き化学的気相成長（ＣＶＤ）法。
【００６７】
中でも、特に、弾性層と表面層（酸化ケイ素膜）との密着性が高く処理時間の短縮及び低処理温度、装置の簡便性、得られる表面層の均一性を考慮すると、プラズマＣＶＤ法がより好ましい。
【００６８】
以下に、プラズマＣＶＤ法による表面層の形成方法の１例を示す。
【００６９】
なお、図５は、このプラズマＣＶＤ法による表面層を形成する装置の模式図である。
【００７０】
本装置は、真空チャンバ４１、平行に置かれた平板電極４２、原料ガスボンベ及び原料液体タンク４３、原料供給手段４４、チャンバ内のガス排気手段４５、高周波を供給する高周波供給電源４６及び弾性ローラ４８を回転するモータ４７により構成されている。
【００７１】
図３に示した装置を用いて、以下のような手順により、炭素を含有する酸化ケイ素膜を有する現像ローラを製造することができる。
【００７２】
手順（１）平板電極４２の間に軸芯体または軸芯体上に弾性層が形成された弾性ローラ４８を設置し、得られる炭素を含有する酸化ケイ素膜が均一となるように、モータ４７を駆動させて周方向に回転させる。
【００７３】
手順（２）排気手段により、真空チャンバ４１内を１Ｐａ以下にする。
【００７４】
手順（３）原料ガス導入口より原料ガスを導入し、平板電極４２に高周波供給電源４６により高周波電力を供給し、プラズマを発生させ、成膜を行う。
【００７５】
手順（４）所定時間経過した後、原料ガス及び高周波電力供給を停止し、真空チャンバ４１内に空気又は窒素を大気圧まで導入（リーク）し、軸芯体または弾性ローラ４８を取り出す。
【００７６】
以上のような手順により炭素を含有する酸化ケイ素膜を有する現像ローラを製造することが可能である。なお、プラズマＣＶＤ処理される軸芯体または弾性ローラ４８は、均一なプラズマ雰囲気下に置けるのであれば多数本を同時に処理してもよい。
【００７７】
ここで、原料ガスとして、通常、ガス状の或いはガス状化した有機珪素化合物を、必要により炭化水素化合物とともに、不活性ガス、酸化性ガスの如き気体の共存下或いは不存在下に導入する。
【００７８】
なお、有機ケイ素化合物としては、以下のものが挙げられる。
【００７９】
１、１、３、３−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン。
【００８０】
これらのうち、取扱い上の安全面から、１、１、３、３−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、テトラメチルシランが好ましい。
【００８１】
シラン源としては、有機ケイ素化合物に限定されるものではなく、シラン、アミノシラン、シラザンも用いることができる。
【００８２】
なお、有機ケイ素化合物等がガス状であればそのまま使用し、常温で液体であれば加熱し気化させて不活性ガスにより搬送して、あるいは、不活性ガスにてバブリングして搬送して用いる。さらに常温で固体のものでは、加熱して気化させ、不活性ガスにより搬送して用いる。また、原料物質を減圧状態において、気化を促進させても良い。
【００８３】
なお、上記原料ガスとともに、又は原料ガスに加えて、真空チャンバ内へ、窒素含有ガス（Ｎ2Ｏ、Ｎ2、アンモニア）あるいは、酸素含有ガス（酸素、ＣＯ2、ＣＯ）を導入することも可能である。また、上記で使用できる不活性ガスとして、ヘリウム、アルゴンの如きガスが挙げられる。
【００８４】
表面層におけるＳｉ、Ｏ、Ｃ及びＨの存在比率のコントロールは、導入する原料ガスの配合比、導入時の流量、供給する高周波電力により行うことが可能である。
【００８５】
また、湿式法により表面層を製造するには、無機高分子前駆体溶液と水酸基を有する高分子溶液の混合物を、弾性層上に均一に塗布した後、加熱あるいは紫外線照射の如き硬化手段を適用することができる。
【００８６】
ここで、表面層の原料混合物を弾性層上に塗布する前に、軸芯体または弾性層表面に、該混合物が上手く塗布できるように、紫外線照射や電子線照射、あるいはプラズマ処理の如き活性化処理を施しても良い。
【００８７】
本発明の現像ローラは、複写機、ファクシミリ、プリンタの如き画像形成装置に現像ローラとして、また、プロセスカートリッジタイプの画像形成装置においてはプロセスカートリッジの現像ローラとして有用である。
【００８８】
本発明の現像ローラを搭載した現像装置の一例を図６に模式図と示した。この図６により以下説明する。
【００８９】
図６において、公知のプロセスにより形成された静電潜像を担持する静電潜像担持体としての電子写真感光体２は、矢印Ｂ方向に回転される。トナー容器であるホッパー３中には非磁性一成分トナー４を撹拌するための撹拌翼５が設けられている。
【００９０】
現像ローラ１にトナー４を供給し、かつ現像後の現像ローラ１の表面に存在するトナー４を剥ぎ取るためのトナー供給・剥ぎ取り部材６が現像ローラ１に当接している。トナー供給・剥ぎ取り部材である供給・剥ぎ取りローラ６が現像ローラ１と同じ方向（矢印Ｃ方向）に回転することにより、トナー供給・剥ぎ取りローラ６の表面は現像ローラ１の表面とカウンター方向に移動することになる。これにより、ホッパー３から供給された非磁性トナーを有する一成分非磁性トナーが現像ローラ１に供給される。
【００９１】
現像ローラ１上に形成される非磁性一成分トナー４の薄層の厚みは、現像部における現像ローラ１と感光体２との間の現像領域Ｄにおける最近接距離よりも更に薄いことが好ましい。現像ローラ１には、これに担持された非磁性トナーを有する一成分非磁性トナー４を飛翔させるために、現像バイアス電源７により現像バイアス電圧が印加される。本発明においては、現像画像の濃度を高めるため或いは階調性を向上するために、現像ローラ１に交番バイアス電圧を印加して、現像部に向きが交互に反転する振動電界を形成している。この場合、上記画像部の電位と背景部の電位間の値を有する直流電圧成分が重畳された交番バイアス電圧を現像ローラ１に印加することが好ましい。
【００９２】
交流電圧の波形としては、正弦波、矩形波、三角波等適宜使用可能である。また、直流電源を周期的にオン／オフすることによって形成されたパルス波であっても良い。このように交流電圧の波形としては周期的にその電圧値が変化するようなバイアスが使用できる。
【００９３】
現像装置の現像部における現像ローラ１と感光体２との表面間の最近接距離は５０〜４００μｍであることが好ましく、更に好ましくは１２０μｍ〜１８０μｍであることが良い。最近接距離とは、現像剤ローラの表面に形成している表面層と感光体との距離が、概略最小値となる距離のことである。最近接距離が５０μｍ未満の場合には、現像バイアスのリークによる白抜け画像が発生しやすくなる傾向がある。また、最近接距離が４００μｍを超える場合には、感光体上の潜像に対するトナーの追従性が低下する傾向があるために、解像性の低下、画像濃度の低下等の画質低下を招く場合がある。したがって、最近接距離をこの範囲内に制御することにより、現像バイアスのリークを抑制し、感光体上の潜像に対するトナーの追従性を向上させ、高画質を得ることができる。
【００９４】
更に、本発明に用いられる現像装置は、現像ローラと感光体間の最大電界強度が５．０×１０6Ｖ／ｍ〜１．０×１０7Ｖ／ｍに制御されていることが特徴である。最大電界強度が５．０×１０6Ｖ／ｍ未満である場合には、トナーの往復運動が低下し、飛散・カブリが発生しやすくなる。更に、現像力が小さいために画像濃度の低い画像となり易い。また、最大電界強度が１．０×１０7Ｖ／ｍを超える場合には、現像力が大き過ぎることによるカブリの増大や現像バイアスのリークによる白抜け等の画像欠陥を生じ易くなる。
【００９５】
トナー供給・剥ぎ取り部材６としては、樹脂、ゴム、スポンジ等の弾性ローラ部材が好ましい。剥ぎ取り部材としては、弾性ローラに代えてベルト部材又はブラシ部材を用いることもできる。感光体２に現像移行されなかったトナーをトナー供給・剥ぎ取り部材６により、一旦現像ローラ表面から剥ぎ取ることにより、現像ローラ上における不動のトナーの発生を阻止し、トナーの帯電を均一化する。
【００９６】
トナー供給・剥ぎ取り部材として弾性ローラからなる供給・剥ぎ取りローラ６を、現像ローラ１に対してカウンター方向（矢印Ｃ方向）に回転させる場合には、ローラ６の周速は、現像剤担持体５の周速１００％に対して、２０〜１２０％が好ましい。特には、３０〜１００％が好ましい。
【００９７】
供給・剥ぎ取りローラ６の表面における回転方向が現像ローラの表面の回転方向と同（順）方向の場合は、トナー供給量の点から供給ローラの周速は、現像ローラ周速に対して１００％〜３００％が好ましく、１０１％〜２００％であることがより好ましい。供給・剥ぎ取りローラ６の表面における回転方向は、現像剤担持体の表面における回転方向とカウンター方向に回転することが、剥ぎ取り性及び供給性の点でより好ましい。
【００９８】
現像ローラ１に対するトナー供給・剥ぎ取り部材６の侵入量は、０．５ｍｍ〜２．５ｍｍであることが、トナーの供給及び剥ぎ取り性の点で好ましい。トナー供給・剥ぎ取り部材９の侵入量が０．５ｍｍ未満の場合には、剥ぎ取り不足によりゴーストが発生し易くなる傾向がある。また、侵入量が２．５ｍｍを超える場合には、トナーにダメージを与える場合があり、トナー劣化により融着やカブリの原因となり易い傾向がある。
【００９９】
図６の現像装置では、現像ローラ１上の非磁性一成分トナー４の層厚を規制する部材として、ウレタンゴム、シリコーンゴム等のゴム弾性を有する材料、或いはリン青銅、ステンレス銅の如き金属弾性を有する材料のトナー規制ブレード８を使用している。
【０１００】
トナー規制ブレード８を現像ローラ１の回転方向と逆の姿勢で該現像ローラ１に圧接させることにより、現像ローラ１上に更に薄いトナー層を形成することができる。このトナー規制ブレード８としては、特に安定した規制力とトナーへの安定した（負）帯電付与性のために、安定した加圧力の得られるリン青銅板表面にポリアミドエラストマー（ＰＡＥ）を貼り付けた構造のものを用いることが好ましい。ポリアミドエラストマー（ＰＡＥ）としては、例えばポリアミドとポリエーテルの共重合体が挙げられる。
【０１０１】
現像ローラ１に対するトナー規制ブレード８の当接圧力は、線圧５ｇ／ｃｍ〜５０ｇ／ｃｍであることが、トナーの規制を安定化させ、トナー層厚を好適に調整することができる点で好ましい。
【０１０２】
トナー規制ブレード８の当接圧力が線圧５ｇ／ｃｍ未満の場合には、トナーの規制が弱くなる傾向があり、カブリやトナーもれの原因となる場合がある。また、線圧５０ｇ／ｃｍを超える場合には、トナーへのダメージが大きくなる傾向があり、トナー劣化や現像ローラ及びブレードへの融着の原因となる場合がある。
【０１０３】
なお、現像方式として、上記に説明したようないわゆるジャンピング現像方式に限定されるわけではなく、接触現像方式の場合の電子写真画像形成装置に適用することも可能である。
【０１０４】
次に本発明の現像ローラを搭載したカラー電子写真画像形成装置の一例を図７に模式図と示した。この図７により以下説明する。
【０１０５】
図７の模式図に示すカラー電子写真画像形成装置は、イエローＹ、マゼンダＭ、シアンＣ及びブラックＢＫの色トナー毎に設けられた現像装置１０（１０ａ〜１０ｄ）をタンデム形式で有している。該現像装置１０は、仕様は各色トナー特性に応じて少し差異があるものの、基本的構成において同じである。現像装置１０には、矢印方向に回転する潜像担持体としての感光体２が設けられている。その周囲には、感光体２を一様に帯電するための帯電部材９、一様に帯電した感光体２にレーザー光１０を照射して静電潜像を形成する露光手段、静電潜像を形成した感光体２にトナーを供給し静電潜像を現像するホッパー３が設けられている。更に、感光体２上のトナー像を、給紙ローラ２２により供給され搬送ベルト２３によって搬送される紙の如き記録媒体（転写材）２４の裏面からバイアス電源２５を印加して記録媒体２４上に転写する転写ローラ２６を有する転写部材が設けられている。搬送ベルト２３は、駆動ローラ２７、従動ローラ２８及びテンションローラ２９に懸架され、各画像形成部で形成されたトナー像を記録媒体２４上に順次重畳して転写するように、画像形成部と同期して移動して記録媒体２４を搬送するよう制御されている。なお、記録媒体２４は、搬送ベルト２３にさしかかる直前に設けられた吸着ローラ３０の働きにより、搬送ベルト２３に静電的に吸着されて、搬送されるようになっている。
【０１０６】
本発明の電子写真画像形成装置においては、感光体２と現像ローラ１は接触または近接して配置されており、それらは感光体２と現像ローラ１の接触もしくは近接箇所において同方向に回転している。
【０１０７】
更に、カラー電子写真画像形成装置には、記録媒体２４上に重畳転写したトナー像を加熱などにより定着する定着装置３１と、画像形成された記録媒体を装置外に排紙する搬送装置（図示せず）とが設けられている。なお、記録媒体２４は剥離装置３２の働きにより搬送ベルト２３から剥がされて定着装置３１に送られるようになっている。
【０１０８】
一方、現像装置１０には感光体２上に転写されずに残存する転写残トナーを除去するクリーニングブレード３３を有するクリーニング部材と、感光体から掻き取られたトナーを収納する廃トナー容器３４とが設けられている。クリーニングされた感光体２は画像形成可能となって待機するようになっている。
【０１０９】
なお、現像装置１０は、着脱式のプロセスカートリッジとすることも可能である。
【実施例】
【０１１０】
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれによって限定されるものではない。
【０１１１】
また、使用した試薬は、下記する他、特に明記しない限り、純度９９．５％以上のものである。
【０１１２】
１）弾性層用ゴム原料
・液状シリコーンゴム：両末端ビニル基のジメチルポリシロキサン（ビニル基含有量０．１５質量％）と両末端Ｓｉ−Ｈ基のジメチルシロキサン−メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（Ｓｉ原子に結合するＨ含有量０．３０％）を使用した。なお、硬化触媒として塩化白金酸とジビニルテトラメチルジシロキサンとの錯体（０．５質量％）を使用した。
・オレフィン系エラストマー「サントプレーン８２１１−２５」（商品名、ＡＥＳジャパン株式会社製）
・オレフィン系エラストマー「サントプレーン８２１１−４５」（商品名、ＡＥＳジャパン株式会社製）
・ＬＤＰＥ「ノバテックＬＤ  ＬＪ９０２」（商品名、日本ポリエチレン株式会社製）
・ＬＤＰＥ「ノバテックＬＤ  ＬＪ８０２」（商品名、日本ポリエチレン株式会社製）
・ＥＶＡ「エバフレックス  ＥＶ４５ＬＸ」（商品名、三井・デュポンポリケミカル株式会社製）
【０１１３】
２）弾性層用その他成分
・石英粉末「Ｍｉｎ−ＵＳｉｌ」（商品名、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ  Ｇｌａｓｓ  Ｓａｎｄ社製）
・カーボンブラック「デンカブラック」（商品名、電気化学工業株式会社製、粉状品）
・ＭＴカーボンブラック「サーマックスフローフォームＮ９９０」（商品名、ＣＡＮＣＡＢ社製）
【０１１４】
製造例１（弾性ローラ１の製造）
両末端ビニル基のジメチルポリシロキサン（ビニル基含有量０．１５質量％）１００質量部に、充填剤として石英粉末「Ｍｉｎ−ＵＳｉｌ」（商品名）７質量部及びカーボンブラック「デンカブラック」（商品名）１０質量部を配合した。この配合物をプラネタリーミキサーを用いて混合脱泡し、液状シリコーンゴムのベース材料とした。このベース材料に、硬化触媒として塩化白金酸とジビニルテトラメチルジシロキサンとの錯体を０．５質量部配合し、Ａ液とした。また、前記ベース材料に、両末端Ｓｉ−Ｈ基のジメチルシロキサン−メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（Ｓｉ原子に結合するＨ含有量０．３０％）を１．５質量部配合し、Ｂ液とした。
【０１１５】
一方、円筒形金型の中心部に、表面をプライマー処理した直径６ｍｍ、長さ２５０ｍｍのＳＵＭ材製円柱状軸芯体を配置したものを用意した。この金型に、上記Ａ液及びＢ液をスタティックミキサーにより質量比１：１で混合したものを注入し、温度１３０℃で２０分間、加熱硬化し、脱型を行った。さらに、温度２００℃で４時間加熱して、長さ２４０ｍｍ、厚み３ｍｍの弾性層を有する弾性ローラ１を得た。
【０１１６】
製造例２（弾性ローラ２の製造）
下記の材料を、直径φ３０ｍｍ、Ｌ／Ｄ３２の２軸押出機にてペレット化して樹脂組成物を得た。
・ポリオレフィン系エラストマー「サントプレーン８２１１−２５」（商品名）：１００質量部；
・ＭＴカーボンブラック「サーマックスフローフォームＮ９９０」（商品名）：４０質量部。
この樹脂組成物を、クロスヘッド押出成形して、軸芯体（製造例１で使用したものと同じ）上に樹脂層を形成した。この樹脂層の端部を切断し、さらに樹脂層部分を回転砥石で研磨して、厚み３ｍｍの弾性層を有する弾性ローラ２を得た。
【０１１７】
製造例３（弾性ローラ３の製造）
ポリオレフィン系エラストマー「サントプレーン８２１１−２５」（商品名）に代えて、オレフィン系エラストマー「サントプレーン８２１１−４５」（商品名）を用いる他は製造例２と同様にして弾性ローラ３を得た。
【０１１８】
製造例４（弾性ローラ４の製造）
ポリオレフィン系エラストマー「サントプレーン８２１１−２５」（商品名）に代えて、ＬＤＰＥ「ノバテックＬＤ  ＬＪ９０２」（商品名）を用いる他は製造例２と同様にして弾性ローラ４を得た。
【０１１９】
製造例５（弾性ローラ５の製造）
ポリオレフィン系エラストマー「サントプレーン８２１１−２５」（商品名）に代えて、ＬＤＰＥ「ノバテックＬＤ  ＬＪ８０２」（商品名）を用いる他は製造例２と同様にして弾性ローラ５を得た。
【０１２０】
製造例６（弾性ローラ６の製造）
ポリオレフィン系エラストマー「サントプレーン８２１１−２５」（商品名）１００質量部に代えて、ＥＶＡ「エバフレックス  ＥＶ４５ＬＸ」（商品名）を用いる他は製造例２と同様にして弾性ローラ６を得た。
【０１２１】
実施例１
外径１２ｍｍφに研削加工したアルミニウム製基体を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素３０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１３Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置したアルミニウム製基体４８を１０ｒｐｍで回転させて、５５０秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気８ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５３Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、７０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置したアルミニウム製基体を１０ｒｐｍで回転させて、１５０秒間処理した。
【０１２２】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１２３】
得られた現像ローラの表面層の層厚を、薄膜測定装置「Ｆ２０−ＥＸＲ」（商品名）を用いて測定したところ、層厚は１５０８ｎｍであった。なお、測定は現像ローラの長手方向等分された３箇所、かつ周方向等分された３箇所の合計９箇所で行い、得られた値の平均値を層厚とした。なお、測定時における炭素を含有する酸化ケイ素被膜の屈折率を１．４２と設定し、測定を行った。
【０１２４】
次に現像ローラの表面層を高周波グロー放電発光表面分析装置により、全元素に対するＳｉ、Ｏ、Ｃ、Ｈの存在元素数の合計を求めたところ９４．７％であった。また、Ｘ線光電子分光装置により求めた表面層の表面における（Ｏ／Ｓｉ）は１．４８、（Ｃ／Ｓｉ）は０．１５であった。また、表面層の表面から１３５８ｎｍの深さにおける（Ｏ／Ｓｉ）は０．８０、（Ｃ／Ｓｉ）は１．２０であった。
【０１２５】
現像ローラの表面層の静電容量を誘電率測定システム（英国ソーラトロン社製１２９６型誘電率測定インターフェース、１２６０型インピダンスアナライザーを併用）により測定したところ、５．１５であった。
【０１２６】
実施例２
製造例１の弾性ローラ１に、実施例１と同様の条件で処理を行った。
【０１２７】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１２８】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１２９】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から１３５８ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１３０】
実施例３
製造例１の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素３０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１３Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２００秒間処理した。その後、ヘキサメチルシロキサン蒸気３ｓｃｃｍを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が３Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２００秒間処理した。
【０１３１】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１３２】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１３３】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から６８１ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１３４】
実施例４
製造例２の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が７Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２５０秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気３ｓｃｃｍを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が３Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２００秒間処理した。
【０１３５】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１３６】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１３７】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から２８５ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１３８】
実施例５
製造例２の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素３０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１３Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、９００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気５ｓｃｃｍ及びトルエン蒸気５ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２００秒間処理した。
【０１３９】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１４０】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１４１】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から１６３５ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１４２】
実施例６
製造例３の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素５０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１５Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、１０００秒間処理した。その後、ヘキサメチルシロキサン蒸気３０ｓｃｃｍ及び酸素４００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が７５Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、４００秒間処理した。
【０１４３】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１４４】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１４５】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から２５５０ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１４６】
実施例７
製造例３の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が７Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、５００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気３０ｓｃｃｍ及び酸素４００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が７５Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、９００秒間処理した。
【０１４７】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１４８】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１４９】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から４５００ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１５０】
実施例８
製造例４の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気３０ｓｃｃｍを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が６Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、７５０秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気５ｓｃｃｍ及びトルエン蒸気５ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、５００秒間処理した。
【０１５１】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１５２】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１５３】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から１５００ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１５４】
実施例９
製造例４の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気３０ｓｃｃｍを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が６Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、６００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入しを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５７Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、５００秒間処理した。
【０１５５】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１５６】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１５７】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から２７００ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１５８】
実施例１０
製造例５の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素５０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１５Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、３００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気３ｓｃｃｍを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が３Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、３００秒間処理した。
【０１５９】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１６０】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１６１】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から３１５ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１６２】
実施例１１
製造例５の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素５０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１５Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、５００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気３０ｓｃｃｍ及び酸素４００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が７５Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、１００秒間処理した。
【０１６３】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１６４】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１６５】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から１２００ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１６６】
実施例１２
外径１２ｍｍφに研削加工したアルミニウム製基体を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素３０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１３Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置したアルミニウム製基体を１０ｒｐｍで回転させて、２２５秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気８ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５３Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、７０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、７５秒間処理した。
【０１６７】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１６８】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１６９】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から５９６ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１７０】
実施例１３
製造例２の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素３０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１３Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、４００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気１０ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５５Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、７０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、１００秒間処理した。
【０１７１】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１７２】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１７３】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から６３０ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１７４】
実施例１４
製造例６の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素５０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１５Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、３０秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気５ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスをを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５４Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２０秒間処理した。
【０１７５】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１７６】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１７７】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から４７ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１７８】
実施例１５
製造例６の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気３０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が６Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、７０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、１２０秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気５ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５４Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、１００秒間処理した。
【０１７９】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１８０】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１８１】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から２６１ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１８２】
実施例１６
製造例１の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気５０ｓｃｃｍを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１３Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、７０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、９００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気３ｓｃｃｍを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が３Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、３００秒間処理した。
【０１８３】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、最表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１８４】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１８５】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から１４４０ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１８６】
実施例１７
製造例２の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素３０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１３Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、３００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気５ｓｃｃｍ及びトルエン蒸気５ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、１００秒間処理した。
【０１８７】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１８８】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１８９】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から５７０ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１９０】
実施例１８
製造例３の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が７Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２５０秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気３０ｓｃｃｍ及び酸素４００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が７５Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２５０秒間処理した。
【０１９１】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、最表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０１９２】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０１９３】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から１３５０ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０１９４】
比較例１
下記の材料を混合した混合液にＭＥＫ（メチルエチルケトン）を加えサンドミルで１時間分散した。
・ポリウレタンポリオールプレポリマー（商品名：タケラックＴＥ５０６０、三井武田ケミカル社製）：１００質量部、
・イソシアネート（商品名：コロネート２５２１、日本ポリウレタン株式会社製）：６３質量部、
・カーボンブラック（商品名：ＭＡ１００、三菱化学社製）：２０質量部、
・ウレタン粒子（商品名：Ｃ４００、根上工業社製）：２０質量部。
【０１９５】
分散後、さらにＭＥＫを加え固形分２０質量％〜３０質量％の範囲で調整したものを表面層の原料液とした。この表面層の原料液中に、製造例１の弾性ローラを浸漬して、外表面を均一にコーティングした後、引上げて自然乾燥させた。次いで、１４０℃にて６０分間加熱処理することで、コーティングされた表面層の原料の硬化を行ない、表面層が形成された現像ローラを得た。
【０１９６】
得られた現像ローラの表面層の層厚は、表面層を含む現像ローラの断面試料を採取し、デジタルマイクロスコープ「ＶＨ―８０００」（商品名、株式会社キーエンス製）にて観察した。得られた現像ローラの層厚は１３μｍであった。
【０１９７】
また、現像ローラの表面層の静電容量を実施例１と同様に測定したところ、２５．０であった。
【０１９８】
比較例２
製造例１の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気５ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が５５Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、３３００秒間処理した。
【０１９９】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０２００】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０２０１】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から４４５５ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０２０２】
比較例３
製造例１の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素５０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１５Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、６００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気３ｓｃｃｍを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が３Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、６００秒間処理した。
【０２０３】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０２０４】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０２０５】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から５８５ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０２０６】
比較例４
製造例１の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気３０ｓｃｃｍを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が９Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、１２０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気１０ｓｃｃｍおよび酸素４００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が７２Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２００秒間処理した。
【０２０７】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０２０８】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０２０９】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から１０２０ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０２１０】
比較例５
外径１２ｍｍφに研削加工したアルミニウム製基体にパーヒドロポリシラザン溶液（商品名：アクアミカＮＰ１１０−５；ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）をディップ法により塗工した。その後、１昼夜風乾して、表面層が形成された現像ローラを得た。
【０２１１】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０２１２】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から１８００ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０２１３】
比較例６
製造例６の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素５０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が１５Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、３０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、３５秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気５ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５４Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、１５秒間処理した。
【０２１４】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０２１５】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０２１６】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から４４ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０２１７】
比較例７
製造例２の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気２０ｓｃｃｍ及び酸素３０ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が９Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、６００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気３ｓｃｃｍを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が３Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、６００秒間処理した。
【０２１８】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０２１９】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０２２０】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から３４２ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０２２１】
比較例８
製造例３の弾性ローラ１を図５に示したプラズマＣＶＤ装置内に設置した後、真空ポンプを用いて真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧にした。その後、原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン蒸気１０ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内に導入し、真空チャンバ内の圧力が５５Ｐａになるように調整した。圧力が一定になった後、高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、７０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、３０００秒間処理した。その後、ヘキサメチルジシロキサン蒸気５ｓｃｃｍ及び酸素３００ｓｃｃｍの混合ガスを真空チャンバ内へ導入し、真空チャンバ内の圧力が５４Ｐａになるように調整した。高周波電源より、周波数１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの電力を平板電極に供給し、電極間にプラズマを発生させた。真空チャンバ内に設置した弾性ローラ１を１０ｒｐｍで回転させて、２７００秒間処理した。
【０２２２】
処理終了後電力供給を停止し、真空チャンバ内に残留している原料ガスを排気し、空気を真空チャンバ内に大気圧になるまで導入した。その後、表面層が形成された現像ローラを取り出した。
【０２２３】
得られた現像ローラの表面層の各種物性について実施例１と同様にして測定した。
【０２２４】
なお、表面層の深部の（Ｏ／Ｓｉ）と（Ｃ／Ｓｉ）については、表面から４５４５ｎｍの深さにおける値である。測定結果を表１に示す。
【０２２５】
＜実施例１〜１８及び比較例１〜８に係る現像ローラの評価＞
上記実施例１〜１８及び比較例１〜８に係る現像ローラを、電子写真式レーザープリンタ（商品名：ＬＢＰ−５０００、キヤノン株式会社製）用のカートリッジに現像ローラとして組み込んだ。このカートリッジを用い、温度２０℃、湿度５０％ＲＨの環境下で静電潜像をトナーで現像することにより画像出力した。その後、得られた画像を、評価項目（かぶり、濃度ムラ、文字品位、濃度安定性）について評価した。
【０２２６】
また、下記評価画像出力後の現像ローラの表面を観察し、評価項目（表面層のひび割れ、表面層上のフィルミングの有無、及び表面層の耐久性）について評価した。なお、ここで用いたレーザープリンタ「ＬＢＰ−５０００」は、Ａ４縦出力用のマシンであり、記録メディアの出力スピード８ｐｐｍのものである。また、画像評価には、ブラックＢＫトナーを用いて初期ベタ黒画像及び「特殊ソフト・ファームウエア搭載ポータブル分光濃度計５０４」（商品名、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製）測定による濃度０．７のハーフトーン画像を出力したものを使用した。さらに、１％印字による連続画像形成を行い、３０００枚後にベタ黒画像及びベタ白画像を出力したものを用いた。
【０２２７】
（かぶり）
３０００枚後のベタ白画像を、フォトボルト反射濃度計「ＴＣ−６ＤＳ／Ａ」（商品名、東京電色株式会社製）で反射濃度を測定し、非印字部分との差をかぶり（％）とし、下記基準で評価した。
Ａ：１．５％未満。
Ｂ：１．５％以上３．０％未満。
Ｃ：３．０％以上。
【０２２８】
（印字部の濃度ムラ）
初期ベタ黒画像及びハーフトーン画像について、濃度ムラを目視により観察し、下記基準で評価した。なお、濃度ムラはハーフトーン画像で最も見やすく、ベタ黒画像では比較的見やすい。
Ａ：いずれの画像でも肉眼では確認されない。
Ｂ：ハーフトーン画像上で濃度ムラが見られるが、ベタ黒画像上では濃度ムラが見られない。
Ｃ：いずれの画像でも濃度ムラが見られる。
【０２２９】
（文字品位）
初期時に４ポイントの「電」文字画像を出力し、文字のカスレや飛び散りを目視評価し、下記基準にて画質を評価した。
Ａ：倍率が１０倍のルーペで見ても飛び散りのない鮮明な画像である。
Ｂ：若干飛び散りが見られるものの実用上問題ない。
Ｃ：飛び散り以外に文字のカスレが目立つ。
【０２３０】
（濃度安定性）
初期及び３０００枚後のベタ黒画像の濃度を「特殊ソフト・ファームウエア搭載ポータブル分光濃度計５０４」（商品名、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製）を用いて測定し、下記の基準で評価を行った。
Ａ：それぞれの濃度差が０．１未満である。
Ｂ：それぞれの濃度差が０．１以上０．２未満である。
Ｃ：それぞれの濃度差が０．２以上である。
【０２３１】
（表面層のヒビ割れ）
初期ベタ黒画像及びハーフトーン画像について、表面層のヒビ割れに起因するスジの発生を目視により確認し、以下の基準で判断した。
Ａ：スジの発生がない。
Ｂ：スジが見られるものの、画像上でひび割れに起因するスジの発生が無い。
Ｃ：スジが見られ、画像としてもひび割れに起因するスジの発生がある。
【０２３２】
（表面層の耐久性）
全画像評価用画像の出力終了後、現像ローラの表面をデジタルマイクロスコープ「ＶＨ―８０００」（商品名、株式会社キーエンス製）にて観察し、表面層の剥離及び削れが見られるか否かを確認し、以下の基準で判断した。
Ａ：表面層の剥離及び削れがない。
Ｂ：表面層の剥離及び削れが若干見られるが、軽微である。
Ｃ：表面層の剥離及び削れが明らかにある。
【０２３３】
（現像ローラ表面のトナー融着−フィルミング）
全画像評価用画像の出力終了後に、現像ローラの表面を観察し、現像ローラ表面へのトナーの融着、所謂フィルミングの発生状況と、最終の評価画像を観察から、フィルミングを以下の基準で評価した。
Ａ：現像ローラ上にフィルミングなし。
Ｂ：画像には問題がなく、現像ローラ上に軽微にフィルミングが発生している。
Ｃ：現像ローラ上へのトナー付着の影響が画像にやや発生している。
【０２３４】
また、実施例及び比較例で得られた現像ローラについて、さらに、以下の特性試験を行った。
【０２３５】
（現像ローラ染み出し性の試験）
現像ローラがトナー規制部材と圧接していることで生じる弾性体からの低分子量物質の染み出し性は下記のようにして試験した。
【０２３６】
現像ローラをプロセスカートリッジに組み込み、トナー規制部材と圧接させたまま温度４０℃、湿度９５％ＲＨの環境下で３０日間放置した。その後、放置後のプロセスカートリッジをレーザープリンタに組み込み、ベタ黒画像及びハーフトーン画像を出力した。その１枚目を目視により、及び染み出し性（弾性体からの染み出し物が感光体へ付着することによる画像への不具合の発生の有無）について下記の評価をした。
Ａ：染み出し物に基づく画像の不具合はない。
Ｂ：染み出し物に基づく画像の不具合は見られるものの、画像上問題がない。
Ｃ：染み出し物に基づく画像の不具合が観察される。
【０２３７】
各現像ローラの分析評価結果を表１に、特性評価結果を表２にまとめて示した。
【０２３８】
【表１】
2010097049.tif 000002
【０２３９】
【表２】
2010097049.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【０２４０】
【図１】現像ローラの１例の断面図である。
【図２】現像ローラの１例の断面図である。
【図３】現像ローラに電圧を印加した際の時間に対する電流値変化を示した図である。
【図４】表面層の静電容量を測定方法を説明する概略図である。
【図５】プラズマＣＶＤ装置の一例を示す模式図である。
【図６】本発明の現像装置の一実施形態を示す模式図である。
【図７】本発明の電子写真画像形成装置の一実施形態を示す模式図である。。
【符号の説明】
【０２４１】
１        現像ローラ
２        感光体
３        ホッパー
４        トナー
５        攪拌翼
６        トナー供給・剥ぎ取り部材
７        現像バイアス電源
８        トナー規制ブレード
９        帯電部材
１０      現像装置
１０ａ〜１０ｄ現像装置（各色用）
１１      軸芯体
１２      弾性層
１３      表面層
１４      表面層
２１      レーザー光
２２      給紙ローラ
２３      搬送ベルト
２４      記録媒体
２５      バイアス電源
２６      転写ローラ
２７      駆動ローラ
２８      従動ローラ
２９      テンションローラ
３０      吸着ローラ
３１      定着装置
３２      剥離装置
３３      クリーニングブレード
３４      廃トナー容器
４１      真空チャンバ
４２      平板電極
４３      原料ガスボンベ及び原料液体タンク
４４      原料供給手段
４５      排気手段
４６      高周波供給手段
４７      モータ
４８      軸芯体または軸心体上に弾性層が形成された弾性ローラ
４０２    円筒電極（金属ローラ）
４０３    誘電率測定システム
【図１】
2010097049.tif 000004
【図２】
2010097049.tif 000005
【図３】
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【図４】
2010097049.tif 000007
【図５】
2010097049.tif 000008
【図６】
2010097049.tif 000009
【図７】
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