(57)【要約】【課題】保管時等における変形を防止して、実装不良を低減することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。【解決手段】基材微粒子の表面に、低融点金属層が形成されている導電性微粒子であって、上記低融点金属層は、ＸＲＤ測定を行った場合に、第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有する錫を含有する導電性微粒子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材微粒子の表面に、低融点金属層が形成されている導電性微粒子であって、
前記低融点金属層は、ＸＲＤ測定を行った場合に、第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有する錫を含有する
ことを特徴とする導電性微粒子。
【請求項２】
低融点金属層は、錫又は錫と他の金属との合金からなることを特徴とする請求項１記載の導電性微粒子。
【請求項３】
基材微粒子は、樹脂微粒子であることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性微粒子。
【請求項４】
基材微粒子は、銅微粒子であることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性微粒子。
【請求項５】
基材微粒子は、更に、基材微粒子と低融点金属層との間に導電層を有することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の導電性微粒子。
【請求項６】
請求項１、２、３、４又は５記載の導電性微粒子がバインダー樹脂に分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。
【請求項７】
請求項１、２、３、４或いは５記載の導電性微粒子、又は、請求項６記載の異方性導電材料を用いてなることを特徴とする接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保管時等における変形を防止して、実装不良を低減することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子回路基板において、ＩＣやＬＳＩは、電極をプリント基板にハンダ付けすることによって接続されていた。しかし、ハンダ付けでは、プリント基板と、ＩＣやＬＳＩとを効率的に接続することはできなかった。また、ハンダ付けでは、ＩＣやＬＳＩの実装密度を向上させることが困難であった。
これを解決するためにハンダを球状にした、いわゆる「ハンダボール」でＩＣやＬＳＩを基板に接続するＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）が開発された。この技術によれば、チップ又は基板上に実装されたハンダボールを高温で溶融し基板とチップとを接続することで高生産性、高接続信頼性を両立した電子回路を構成することができる。
【０００３】
しかし、近年、基板の多層化が進み、多層基板は使用環境の影響を受けやすいことから、基板に歪みや伸縮が発生し、基板間の接続部に断線が発生するという問題があった。
【０００４】
このような問題に対し、特許文献１には、樹脂微粒子の表面に、導電性の高い金属が含まれる金属層が形成され、さらに、金属層の表面に、錫等の金属からなる低融点金属層（ハンダ層）が形成された導電性微粒子が開示されている。このような導電性微粒子を用いれば、柔軟な樹脂微粒子が導電性微粒子に加わる応力を緩和でき、かつ、最表面に低融点金属層を形成することにより、電極間を容易に導電接続することができる。
【０００５】
しかしながら、導電性微粒子の表面に形成された低融点金属層は、硬度が低く、延性が高い金属で構成されているため、保管時における導電性微粒子同士の擦れ合いや、実装時における機器との接触によって、低融点金属層が変形し、導電性微粒子の真球度が低下することがあった。これにより、実装工程においてボールマウンタの吸着に不具合が発生し、結果的に実装不良が発生してしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２２０６９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、保管時等における変形を防止して、実装不良を低減することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基材微粒子の表面に、低融点金属層が形成されている導電性微粒子であって、上記低融点金属層は、ＸＲＤ測定を行った場合に、第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有する錫を含有する導電性微粒子である。
以下に本発明を詳述する。
【０００９】
本発明の導電性微粒子は、基材微粒子の表面に、低融点金属層が形成されている導電性微粒子であって、上記低融点金属層は、ＸＲＤ測定を行った場合に、第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有する錫を含有する。
【００１０】
上記基材微粒子は特に限定されず、例えば、樹脂微粒子、無機微粒子、有機無機ハイブリッド微粒子、金属微粒子等が挙げられる。上記基材微粒子としては、特に樹脂微粒子が好ましい。
【００１１】
上記樹脂微粒子は特に限定されず、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリアルキレンテレフタレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等で構成される樹脂微粒子が挙げられる。
上記ポリオレフィン樹脂は特に限定されず、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。上記アクリル樹脂は特に限定されず、例えば、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリメチルアクリレート樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００１２】
上記樹脂微粒子を作製する方法は特に限定されず、例えば、重合法による方法、高分子保護剤を用いる方法、界面活性剤を用いる方法等が挙げられる。
上記重合法は特に限定されず、乳化重合、懸濁重合、シード重合、分散重合、分散シード重合等の重合法が挙げられる。
【００１３】
上記無機微粒子は特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ等の金属酸化物で構成される微粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド微粒子は特に限定されず、例えば、オルガノシロキサン骨格の中にアクリルポリマーを含有するハイブリッド微粒子が挙げられる。
上記金属微粒子は特に限定されず、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、金、銀等の金属からなる微粒子が挙げられる。なかでも、銅微粒子が好ましい。上記銅微粒子は、実質的に銅金属のみで形成された銅微粒子であってもよく、銅金属を含有する銅微粒子であってもよい。なお、上記基材微粒子が銅微粒子である場合は、後述する導電層を形成しなくてもよい。
【００１４】
上記基材微粒子が樹脂微粒子である場合、上記樹脂微粒子の１０％Ｋ値の好ましい下限は１０００ＭＰａ、好ましい上限は１５０００ＭＰａである。上記１０％Ｋ値が１０００ＭＰａ未満であると、樹脂微粒子を圧縮変形させると、樹脂微粒子が破壊されることがある。上記１０％Ｋ値が１５０００ＭＰａを超えると、導電性微粒子が電極を傷つけることがある。上記１０％Ｋ値のより好ましい下限は２０００ＭＰａ、より好ましい上限は１００００ＭＰａである。
【００１５】
なお、上記１０％Ｋ値は、微小圧縮試験器（例えば、島津製作所社製「ＰＣＴ−２００」）を用い、樹脂微粒子を直径５０μｍのダイアモンド製円柱の平滑圧子端面で、圧縮速度２．６ｍＮ／秒、最大試験荷重１０ｇの条件下で圧縮した場合の圧縮変位（ｍｍ）を測定し、下記式により求めることができる。
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：樹脂微粒子の１０％圧縮変形における荷重値（Ｎ）
Ｓ：樹脂微粒子の１０％圧縮変形における圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：樹脂微粒子の半径（ｍｍ）
【００１６】
上記基材微粒子の平均粒子径は特に限定されないが、好ましい下限は１μｍ、好ましい上限は２０００μｍである。上記基材微粒子の平均粒子径が１μｍ未満であると、基材微粒子が凝集しやすく、凝集した基材微粒子の表面に低融点金属層を形成した導電性微粒子を用いると、隣接する電極間を短絡させることがある。上記基材微粒子の平均粒子径が２０００μｍを超えると、回路基板等の電極間の接続に適した範囲を超えることがある。上記基材微粒子の平均粒子径のより好ましい下限は３μｍ、より好ましい上限は１０００μｍである。
なお、上記基材微粒子の平均粒子径は、光学顕微鏡又は電子顕微鏡を用いて無作為に選んだ５０個の基材微粒子の粒子径を測定し、測定した粒子径を算術平均することにより求めることができる。
【００１７】
上記基材微粒子の平均粒子径の変動係数は特に限定されないが、１０％以下であることが好ましい。上記変動係数が１０％を超えると、導電性微粒子の接続信頼性が低下することがある。なお、上記変動係数とは、粒子径分布から得られる標準偏差を平均粒子径で除して得られる値を百分率（％）で示した数値である。
【００１８】
上記基材微粒子の形状は、対向する電極の間隔を維持できる形状であれば特に限定されないが、真球形状であることが好ましい。また、上記基材微粒子の表面は平滑であってもよいし、突起を有していてもよい。
【００１９】
上記低融点金属層は、ＸＲＤ測定を行った場合に、第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有する錫を含有する。
本発明において、「ＸＲＤ測定」とは、Ｘ線回折（Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定による結晶の解析法のことをいう。具体的には、被測定結晶にＸ線を入射し、各結晶方位でのブラッグ（Ｂｒａｇｇ）反射の強度を測定する。これにより、該結晶中に存在する結晶方位の種類、及び、その強度比から各結晶方位の存在比率を求めるものである。
また、「第一優先配向」とは、該ＸＲＤ測定にて２θを３０〜９０°の範囲内とした場合における最もピーク強度の大きい結晶方位のことをいう。そして、「強度比」とは、第一優先配向と規定された結晶方位のピーク強度を１００％とした場合の強度比のことをいう。なお、「第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位」の数には、第一優先配向自体も含めるものとする。
【００２０】
上記錫は、上述のように規定される第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有する。上記強度比が３０％以上である結晶方位を６以上有するということは、上記錫の配向が多いことを意味する。このような錫を含有することで、低融点金属層の硬度が増し、延性が低下することから、保管時における導電性微粒子同士の擦れ合いや、実装時における機器との接触によって、低融点金属層が変形することを防止することができ、その結果、ボールマウンタの吸着不良等の実装工程での不具合を低減することができる。
上記強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位が６未満であると、上記低融点金属層の硬度が低く、延性が高くなるため、実装不良を招く。本発明では、上記強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有することがより好ましく、１０以下有することが好ましい。
【００２１】
上記低融点金属層は、上記錫以外の元素を含有してもよい。また、上記錫と他の金属との合金としてもよい。上記合金は特に限定されず、例えば、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、形成される低融点金属層の融点を低下させることができることから、錫−銀合金が好適である。
【００２２】
更に、上記低融点金属層と電極との接合強度を向上させるために、上記低融点金属層に、ニッケル、アンチモン、アルミニウム、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、ガリウム、コバルト、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム、インジウム等の金属を含有させてもよい。なかでも、上記低融点金属層と電極との接合強度を向上させる効果に優れていることから、上記低融点金属微粒子にニッケル、アンチモン、アルミニウムを含有させることが好適である。
上記低融点金属層に含有される金属の合計に占める上記金属の含有量は特に限定されないが、好ましい下限は０．０００１重量％、好ましい上限は２重量％である。上記金属の含有量が０．０００１重量％未満であると、上記低融点金属層と電極との接合強度が充分に得られないことがある。上記金属の含有量が２重量％を超えると導電性微粒子の融点が変わることがある。
【００２３】
上記低融点金属層における上記錫の含有量は、４０重量％以上であることが好ましい。上記含有量が４０重量％未満であると、本発明の効果が充分に得られず、実装不良を招くことがある。なお、上記低融点金属層における錫の含有量とは、低融点金属層に含有される元素の合計に占める錫の割合を意味し、上記低融点金属層の錫含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定することができる。
【００２４】
上記低融点金属層の厚さは特に限定されないが、好ましい下限は０．１μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記低融点金属層の厚さが０．１μｍ未満であると、リフローして溶融させても充分に電極に接合できないことがあり、上記低融点金属層の厚さが２００μｍを超えると、上記低融点金属層を形成する際に凝集が生じやすく、凝集した導電性微粒子は隣接電極間の短絡を引き起こすことがある。上記低融点金属層の厚さのより好ましい下限は０．２μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。
なお、上記低融点金属層の厚さは、無作為に選んだ１０個の導電性微粒子の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して測定し、測定値を算術平均した厚さである。
【００２５】
上記低融点金属層は、上記基材微粒子の表面に直接形成されていてもよい。また、上記低融点金属層は、上記低融点金属層と上記基材微粒子との間に、更に、導電層（下地金属層）が形成されていてもよい。
上記導電層を形成する金属は特に限定されず、例えば、金、銀、銅、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム等が挙げられる。なかでも、導電性に優れることから、上記導電層を形成する金属は、金、銅又はニッケルであることが好ましい。
【００２６】
上記基材微粒子の表面に、上記導電層を形成させる方法は特に限定されず、例えば、無電解メッキ法、電解メッキ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンスパッタリング法等が挙げられる。
【００２７】
上記導電層の厚さは特に限定されないが、好ましい下限は０．１μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記導電層の厚さが０．１μｍ未満であると、導電性が充分に得られないことがある。上記導電層の厚さが１００μｍを超えると、導電性微粒子の柔軟性が低下することがある。上記導電層の厚さのより好ましい下限は０．２μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。
なお、上記導電層の厚さは、無作為に選んだ１０個の導電性微粒子の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して測定し、これらを算術平均した厚さである。
【００２８】
本発明の導電性微粒子の製造方法は、上述のような錫が得られる方法であれば特に限定されないが、例えば、基材微粒子に、錫を含有する低融点金属微粒子を接触させ、せん断圧縮によって低融点金属微粒子を溶融させることにより、基材微粒子に低融点金属層を形成する工程を有する方法により製造することができる。
【００２９】
具体的には、例えば、シータコンポーザ（徳寿工作所社製）を用いる方法等が挙げられる。上記シータコンポーザは、楕円形のキャビティを備えるベッセルと、キャビティ内でこのベッセルと同一軸上において別個に回転されるローターとを備えており、混合に際しては、ベッセルとローターとを逆回転させることにより、キャビティの短径とローターの長径とが一致する付近の間隙内で、せん断圧縮力を作用することができる。このせん断圧縮によって低融点金属微粒子を溶融軟化させ、低融点金属微粒子を基材微粒子に付着させることを繰り返すことにより、基材微粒子の表面に低融点金属層が形成された導電性微粒子を製造することができる。
【００３０】
上記低融点金属層を形成するときに用いる低融点金属微粒子の平均粒子径は特に限定されないが、好ましい下限は０．１μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記低融点金属微粒子の平均粒子径が０．１μｍ未満であると、低融点金属微粒子が凝集しやすくなるため、低融点金属層を形成することが困難となることがある。上記低融点金属微粒子の平均粒子径が１００μｍを超えると、せん断圧縮時に溶融しきらず、低融点金属層を形成することが困難となるときがある。なお、上記低融点金属微粒子の平均粒子径は、光学顕微鏡又は電子顕微鏡を用いて無作為に選んだ５０個の低融点金属微粒子の粒子径を測定し、測定した粒子径を算術平均することにより求めることができる。
また、上記低融点金属微粒子の平均粒子径は、上記基材微粒子の平均粒子径の１／１０以下であることが好ましい。上記低融点金属微粒子の平均粒子径が、上記基材微粒子の平均粒子径の１／１０を超えると、せん断圧縮時に上記低融点金属微粒子を上記基材微粒子に付着、皮膜化させることができないことがある。
【００３１】
このような製造方法で得られた低融点金属層は、ＸＲＤ測定を行った場合に、第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有する錫を含有するものとなる。従って、得られる導電性微粒子は、低融点金属層の硬度が増し、延性が低下することから、保管時における導電性微粒子同士の擦れ合いや、実装時における機器との接触によって、低融点金属層が変形することを防止することができ、その結果、ボールマウンタの吸着不良等の実装工程における不具合を低減することができる。
また、上記製造方法は、粒子径が２００μｍ以下のような粒子径の小さい基材微粒子にも好適に低融点金属層を形成することができる。また、低融点金属微粒子の選定によって、所望の組成を有する低融点金属層を形成することができる。更に、めっき液の調製や電析工程等の煩雑な工程を行う必要がなく、簡便な方法で安価に導電性微粒子を製造することができる。
【００３２】
本発明の導電性微粒子をバインダー樹脂に分散させることにより異方性導電材料を製造することができる。このような異方性導電材料もまた、本発明の１つである。
【００３３】
本発明の異方性導電材料として、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電接着剤、異方性導電フィルム、異方性導電シート等が挙げられる。
【００３４】
上記バインダー樹脂は特に限定されないが、絶縁性の樹脂が用いられ、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体、エラストマー等が挙げられる。
上記ビニル樹脂は特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂は特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
上記硬化性樹脂は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂、湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は硬化剤と併用してもよい。
上記熱可塑性ブロック共重合体は特に限定されないが、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。
上記エラストマーは特に限定されないが、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、アクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
これらの樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００３５】
本発明の異方性導電材料は、本発明の導電性微粒子、及び、上記バインダー樹脂の他に、本発明の課題達成を阻害しない範囲で、例えば、増量剤、可塑剤、粘接着性向上剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、着色剤、難燃剤、有機溶媒等を含有してもよい。
【００３６】
本発明の異方性導電材料の製造方法は特に限定されず、例えば、上記バインダー樹脂に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に混合して分散させ、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電接着剤等を製造する方法が挙げられる。また、上記バインダー樹脂に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に分散させるか、又は、加熱溶解させて、離型紙や離型フィルム等の離型材の離型処理面に所定のフィルム厚さとなるように塗工し、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電シート等を製造する方法も挙げられる。
また、上記バインダー樹脂と、本発明の導電性微粒子とを混合することなく、別々に用いて異方性導電材料としてもよい。
【００３７】
本発明の導電性微粒子又は本発明の異方性導電材料を用いてなる接続構造体もまた、本発明の１つである。
【００３８】
本発明の接続構造体は、一対の回路基板間に、本発明の導電性微粒子又は本発明の異方性導電材料を充填することにより、一対の回路基板間を接続させた導電接続構造体である。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、保管時等における変形を防止して、実装不良を低減することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施例で得られた導電性微粒子のＸＲＤ測定結果を示すチャートである。
【図２】比較例で得られた導電性微粒子のＸＲＤ測定結果を示すチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００４２】
（実施例１）
テトラメチロールメタンテトラアクリレートとジビニルベンゼンとの共重合体からなる樹脂微粒子（平均粒子径２４０μｍ）の表面に、電気めっきにより厚さ１０μｍの銅層を形成し、基材微粒子を得た。
次いで、得られた基材微粒子と、錫９６．５銀３．５合金微粒子（粒子径分布５〜１５μｍ）とをシータコンポーザ（徳寿工作所社製）に投入して、混合した。これにより、錫９６．５銀３．５微粒子を基材微粒子に付着、皮膜化させて、基材微粒子の表面に厚さ２５μｍの錫９６．５銀３．５合金層を形成し、導電性微粒子を得た。光学顕微鏡又は電子顕微鏡を用いて無作為に選んだ５０個の導電性微粒子の真球度を測定し、測定した真球度を算術平均することにより測定した真球度は９９．４％であった。なお、上記真球度は、光学顕微鏡又は電子顕微鏡を用いて撮影した投影写真について、導電性微粒子に接する外接円の面積と、内接円の面積とを求め、下記式から算出した。
真球度＝｛１−（（外接円の面積−内接円の面積）／外接円の面積）｝×１００
また、シータコンポーザを用いて混合する際には、回転容器（ベッセル）を３５ｒｐｍ、回転翼（ローター）を２５００ｒｐｍで逆回転させ、せん断圧縮力が作用するようにした。混合時間は３００分間とした。
【００４３】
（比較例１）
テトラメチロールメタンテトラアクリレートとジビニルベンゼンとの共重合体からなる樹脂微粒子（平均粒子径２４０μｍ）の表面に、電気めっきにより厚さ１０μｍの銅層を形成し、基材微粒子を得た。
次いで、得られた基材微粒子の表面に電気めっきにより厚さ２５μｍの錫９６．５銀３．５合金層を形成し、導電性微粒子を得た。なお、真球度は９９．５％であった。
【００４４】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた導電性微粒子について以下の評価を行った。結果を表１に示した。
【００４５】
（１）ＸＲＤ測定
得られた導電性微粒子について、Ｘ線回折装置（ＲＩＮＴ１０００、リガク社製）を用いて、ＸＲＤ測定を行い、各結晶方位おける第一優先配向のピーク強度に対する強度比を測定した。結果を表１に示した。表１には強度の高いピーク８つについて記載した。
なお、実施例で得られた導電性微粒子のＸＲＤ測定結果を図１に、比較例で得られた導電性微粒子のＸＲＤ測定結果を図２に示す。図１及び図２に示すように、実施例及び比較例では、Ｓｎ（１０１）が第一優先配向となっている。
【００４６】
（２）接触による変形
得られた導電性微粒子と水とを容器内に入れて混合し、超音波を印加することによって導電性微粒子同士の接触を促進させた（加速試験）。次いで、超音波印加後の導電性微粒子の真球度を求めた。
【００４７】
（３）ボールマウンタ搭載不良
「（２）接触による変形」試験を行った後の導電性微粒子を、ボールマウンタを用いて基板上の電極部分に搭載させ、その際に発生した導電性微粒子の搭載不良の割合を求めた。
【００４８】
【表１】
2010238615.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によれば、保管時等における変形を防止して、実装不良を低減することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供することができる。
【図１】
2010238615.tif 000003
【図２】
2010238615.tif 000004