(57)【要約】【課題】鉛フリーはんだを用いた実装構造体において、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験によってはんだ接合部分にクラックが発生するのを防止する。【解決手段】配線基板２に電子部品５がはんだ４を用いて表面実装されている。はんだは、Ｂｉを０．１重量％以上５重量％以下、Ｉｎを３重量％より多く９重量％未満含み、残部がＳｎ、Ａｇ及び不可避的不純物からなるＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだである。配線基板の線膨張係数は全方向において１３ｐｐｍ／Ｋ以下である。【選択図】図１
2010206006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板に電子部品をＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだを用いて表面実装してなる実装構造体であって、
前記Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだは、Ｂｉを０．１重量％以上５重量％以下、Ｉｎを３重量％より多く９重量％未満含み、残部がＳｎ、Ａｇ及び不可避的不純物からなり、
前記配線基板の線膨張係数は、全方向において１３ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
前記Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだは、Ａｇを０．１重量％以上５重量％以下含むことを特徴とする請求項１に記載の実装構造体。
【請求項３】
前記配線基板はＦＲ５グレードの配線基板であり、前記配線基板のガラス転移温度が１５０℃以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の実装構造体。
【請求項４】
前記配線基板の表面に、スクリーン印刷法によるソルダーレジストが形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の実装構造体。
【請求項５】
前記電子部品のサイズが５７５０以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の実装構造体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の実装構造体を備えたモータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に電子部品がはんだを用いて表面実装されてなる実装構造体に関する。また、本発明は、この実装構造体を備えたモータに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に電子部品が表面実装された実装構造体において、電子部品自身の耐熱性は向上しているが、はんだを含む実装構造体全体の耐熱性、特に繰り返し印加されるヒートショックに対する耐久性はまだ十分とは言えない。例えばスロットバルブや吸気バルブ等のバルブを駆動するためのモータのように、自動車の高機能化にともない自動車のエンジンルーム内やその周辺で使用できる、実装構造体を含むモータの実現が望まれている。このためには、エンジンルーム内での使用を想定した熱衝撃試験、即ち−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行っても実装構造体のはんだ接合部分にクラックが生じないことが必要である。また、環境負荷を軽減するために鉛フリーはんだが用いられることも必要である。
【０００３】
特許文献１には、機械的特性に優れ、基板実装に使用可能なＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、はんだに熱ストレスによるクラックが発生するのを防止するために、電子部品の電極がはんだを介して接続されるランドと、基板に形成された配線パターンとを狭幅の配線で接続することが記載されている。
【０００５】
特許文献３には、Ｓｎ−Ｃｕ系やＳｎ−Ａｇ系の鉛フリーはんだを用いた実装構造体が記載されている。基板として、熱伝導性に優れたメタルコア基板や耐熱性に優れたセラミック基板を用いることができると記載されている。
【特許文献１】特開平８−２０６８７４号公報
【特許文献２】特開２００８−７２０６５号公報
【特許文献３】特開２００１−３５８４４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１には、常温での機械的特性の向上に関してのみ記載されており、どのような熱環境下において使用可能であるかに関しては記載されていない。実際、自動車のエンジン付近での使用を想定した−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行うと、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだの組成や配線基板の特性によっては、はんだの電子部品との接合部分にクラックが生じてしまうという問題がある。
【０００７】
また、特許文献２に記載の手法を用いても、はんだの組成を適切に選定しないと、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験における熱衝撃に耐えることは困難である。
【０００８】
更に、特許文献３に記載されたＳｎ−Ｃｕ系の濡れの悪いはんだやＳｎ−Ａｇ系の強度の低いはんだを用いた場合、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験においてはんだに印加される応力を緩和することができず、はんだ接合部分にクラックが発生するのを防止することは困難である。また、メタルコア基板やセラミック基板は非常に高価である。
【０００９】
本発明は、上記の従来の問題を解決し、鉛フリーはんだを用いて、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行ってもはんだ接合部分にクラックが発生することがない、配線基板に電子部品が表面実装された実装構造体を提供することを目的とする。また、本発明は、このような実装構造体を備えたモータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実装構造体は、配線基板に電子部品をＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだを用いて表面実装してなる実装構造体であって、前記Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだは、Ｂｉを０．１重量％以上５重量％以下、Ｉｎを３重量％より多く９重量％未満含み、残部がＳｎ、Ａｇ及び不可避的不純物からなり、前記配線基板の線膨張係数は、全方向において１３ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする。
【００１１】
本発明のモータは、上記の本発明の実装構造体を備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験によってはんだ接合部分にクラックが発生することがない、耐熱衝撃性に優れた実装構造体を提供することができる。また、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだは、鉛フリーであるので環境負荷が少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
上記の本発明の実装構造体において、前記Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだは、Ａｇを０．１重量％以上５重量％以下含むことが好ましい。Ａｇの含有量がこれより少ないと、はんだの融点が上昇し、また、はんだの濡れ性及び流れ性が低下する。Ａｇの含有量がこれより多いと、やはりはんだの融点が上昇し、また、はんだがコスト高となる。
【００１４】
前記配線基板はＦＲ５グレードの配線基板であることが好ましい。ＦＲ５グレードの配線基板は耐熱性を有するガラスエポキシ基板である。配線基板がＦＲ５グレードの配線基板であることにより、全方向における線膨張係数が１３ｐｐｍ／Ｋ以下という条件を満足する配線基板を安価に入手することができる。
【００１５】
前記配線基板のガラス転移温度が１５０℃以上であることが好ましい。これにより、高温環境下で配線基板に生じる変形やソリが少なくなるので、はんだにクラックが発生する可能性を低減できる。
【００１６】
前記配線基板の表面に、スクリーン印刷法によるソルダーレジストが形成されていることが好ましい。これにより、ソルダーレジストの厚みが必要以上に厚くなるのを防止できる。従って、温度変化時に配線基板に生じる変形やソリが少なくなるので、はんだにクラックが発生する可能性を低減できる。
【００１７】
前記電子部品のサイズが５７５０以下であることが好ましい。このように小型の電子部品を用いることにより、温度変化時の配線基板と電子部品との線膨張の差が小さくなるので、はんだにクラックが発生する可能性を低減できる。
【００１８】
以下、本発明の好適な実施形態及び実施例を図面を参照して説明する。但し、本発明は以下に示す実施形態及び実施例に限定されず、適宜変更することができることは言うまでもない。
【００１９】
図１は、本発明の実装構造体１の一例の概略構成を示した断面図である。配線基板２上に所定パターンで形成された配線３上に、はんだ４を用いて電子部品５が表面実装されている。なお、図１では、後述するソルダーレジストは省略している。
【００２０】
［はんだについて］
はんだ４について説明する。
【００２１】
はんだ４は、Ｂｉを０．１重量％以上５重量％以下、Ｉｎを３重量％より多く９重量％未満含み、残部がＳｎ、Ａｇ及び不可避的不純物からなるＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだである。このＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだは環境に優しい鉛フリー組成である。
【００２２】
Ｂｉは、はんだの融点の低下及び機械的強度の向上に寄与する。但し、Ｂｉの含有量が上記の数値範囲を越える（特に１０重量％以上）と、フィレットリフティング（またはリフトオフ）現象と呼ばれるはんだの偏析等によるはんだ欠陥が発生する場合がある。
【００２３】
Ｉｎも、はんだの融点の低下及び機械的強度の向上に寄与する。但し、Ｉｎの含有量が上記の数値範囲を越えると、はんだの融点が下がりすぎて実装構造体を高温環境で使用することができなくなる場合がある。また、はんだのコストの上昇を招く。
【００２４】
Ａｇは、はんだの融点の低下と、はんだの濡れ性及び流れ性の向上に寄与する。Ａｇが３．５重量％のところに共晶点があり、Ａｇの含有量がこれよりはるかに多くなるとはんだの融点が上昇する。また、Ａｇの含有量が多くなると、はんだのコストが上昇する。従って、Ａｇの含有量は、０．１〜５重量％であることが好ましい。
【００２５】
本発明の実施例を示す。配線基板２として、線膨張係数がタテ方向１１ｐｐｍ／Ｋ、ヨコ方向１３ｐｐｍ／Ｋ、ガラス転移温度が１８０℃、表面にスクリーン印刷法によりソルダーレジスト膜が形成された、ＦＲ５グレードのガラスエポキシ基板を使用した。電子部品５として、サイズ５７５０のコンデンサを使用した。Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだ４として、Ａｇを３．５重量％、Ｂｉを０．６重量％、Ｉｎを６重量％含み、残部がＳｎ及び不可避的不純物であるＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだ（以下、「Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．６Ｂｉ−６Ｉｎ」と表示する）を使用した。銅箔による所定パターンの配線３が形成された上記配線基板２にＳｎ−３．５Ａｇ−０．６Ｂｉ−６Ｉｎはんだを含むクリームはんだを印刷し、クリームはんだ上に上記の電子部品５を搭載し、リフローして電子部品５を表面実装して実装構造体１を得た。この実装構造体１に対して、−４０℃で３０分保持、次いで１５０℃で３０分保持を１サイクルとし、これを１０００回繰り返すヒートショックサイクル試験（「−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験」）を行った。図２Ａは、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行った後に切断した上記実施例に係る実装構造体１のはんだ接合部周辺の状態を模式的に表した断面図である。図２Ａにおいて、図１と同じ構成要素には同一の符号を付している。
【００２６】
従来例として、はんだとして、Ａｇを３．０重量％、Ｃｕを０．５重量％含み、残部がＳｎ及び不可避的不純物であるＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ（以下、「Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ」と表示する）を使用する以外は、上記の実施例と同様にして実装構造体を得た。この実装構造体に対して、上記の実施例と同様の−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行った。図２Ｂは、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行った後に切断した上記従来例に係る実装構造体のはんだ接合部周辺の状態を模式的に表した断面図である。図２Ｂにおいて、図１と同じ構成要素には同一の符号を付している。
【００２７】
図２Ｂに示す従来例では、はんだ２の電子部品１との接合部分近傍にクラック６が形成されていた。これに対して、図２Ａに示す本発明の実施例では、はんだ２にクラックは認められなかった。このように、本発明の実装構造体は耐熱衝撃性に優れていた。
【００２８】
表１に、環境面に配慮した代表的な４種類の鉛フリーはんだの物性を比較して示す。表１中、「Ｓｎ−１６．７５Ｉｎ」は、Ｉｎを１６．７５重量％含み、残部がＳｎ及び不可避的不純物であるＳｎ−Ｉｎ系はんだを示し、「Ｓｎ−３．９Ａｇ−０．６Ｃｕ−３Ｓｂ」は、Ａｇを３．９重量％、Ｃｕを０．６重量％、Ｓｂを３重量％含み、残部がＳｎ及び不可避的不純物であるＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系はんだを示す。
【００２９】
【表１】
2010206006.tif 000003
【００３０】
表２に、表１に示した各はんだを用いた実装構造体の耐熱衝撃性の評価結果を示す。評価は以下のようにして行った。はんだが異なる以外は上記実施例と同様にして実装構造体を作成し、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行い、切断して実装構造体のはんだ接合部分のクラックの有無を調べた。クラックが発生しなかった場合を「○」（良好）、クラックが発生した場合を「×」（不良）と判定した。実装する電子部品として、サイズが異なるコンデンサ及び抵抗を用いた。
【００３１】
【表２】
2010206006.tif 000004
【００３２】
一般に、はんだは低融点で濡れ性が良好であり、更に高い機械的強度を有することが望まれる。
【００３３】
Ｓｎ−Ｉｎ系はんだの代表例であるＳｎ−１６．７５Ｉｎはんだは、表１に示すように低融点であるものの、引張強度が低い。従って、表２に示すように、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験における熱衝撃に耐えることができず、電子部品の種類やサイズに関わらずはんだにクラックが発生した。
【００３４】
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系はんだの代表例であるＳｎ−３．９Ａｇ−０．６Ｃｕ−３Ｓｂはんだは、表１に示すように引張強度は高いが、融点が２２０℃と高く濡れ性に劣る。この程度の融点の高さであれば、はんだを何とかリフローして電子部品を表面実装することは一応可能である。しかしながら、Ｓｎマトリックス中にＳｂが均質に固溶化するため硬くなりすぎ、表２に示すように、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行うと、サイズが４５３２以上の比較的大きな電子部品を用いた場合にはんだにクラックが発生したり電子部品自身が破損したりした。
【００３５】
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだの代表例であるＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだは、上記従来例で用いたはんだであり、表１に示したように、融点が２２０℃と高く濡れ性に劣り、しかも、引張強度も低い。従って、表２に示すように、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行うと、サイズが１００５という非常に小さな電子部品を用いた場合を除いてはんだにクラックが発生した。
【００３６】
本発明に係るＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだの一例であるＳｎ−３．５Ａｇ−０．６Ｂｉ−６Ｉｎはんだは、表１に示すように融点が２１１℃と低く濡れ性が良好で、２２０℃以下の温度でリフロー可能である。また、引張強度が高い。従って、表２に示すように、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行っても、電子部品の種類やサイズに関わらずクラックが発生することはなかった。
【００３７】
このように、本発明の組成を備えたＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだは、表１に示した他のはんだに比べて、融点と引張強度とが良好にバランスしている。従って、後述する適切な配線基板と組み合わせて実装構造体を構成することにより、例えば自動車のエンジンルーム内で使用した場合の熱衝撃にも十分に耐えることができる、耐熱衝撃性に優れた実装構造体を実現できる。
【００３８】
表３に、Ｉｎの含有量が異なる３種類のＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだを用いた実装構造体の耐熱衝撃性の評価結果を示す。評価の方法は表２の場合と同じである。実装する電子部品として、サイズが異なるコンデンサを用いた。表３中、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．６Ｂｉ−６Ｉｎはんだの評価結果は、表２の一部と重複している。
【００３９】
【表３】
2010206006.tif 000005
【００４０】
表３に示すように、Ｉｎの含有量が３重量％であるＳｎ−３．５Ａｇ−０．６Ｂｉ−３Ｉｎはんだや、Ｉｎの含有量が９重量％であるＳｎ−３．５Ａｇ−０．６Ｂｉ−９Ｉｎはんだを用いた場合には、サイズが４５３２以上の比較的大きな電子部品を用いた場合にはんだにクラックが発生した。従って、Ｉｎの含有量は３重量％より多く９重量％未満である必要がある。
【００４１】
なお、Ｂｉの含有量が上述した数値範囲を外れた場合には、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験においてはんだにクラックが発生すること、及び、Ａｇの含有量が上述した数値範囲を外れるとリフローによるはんだ付けがやや困難になる傾向があること、を実験により確認している。
【００４２】
［配線基板について］
次に、本発明の実装構造体１を構成する配線基板２について説明する。
【００４３】
図１において、配線基板２と電子部品５との間で線膨張係数に大きな差があると、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験によってはんだ４に繰り返して応力が印加されることになる。従って、はんだ４がたとえ高い引張強度を有していたとしても、はんだ４にクラックが発生してしまう可能性がある。そこで、配線基板２は、電子部品５の線膨張係数になるべく近い線膨張係数を有していることが好ましい。一般に、表面実装に用いられる電子部品５の線膨張係数は例えば７ｐｐｍ／Ｋ程度である。そこで、本発明の配線基板２の線膨張係数は、全方向において１３ｐｐｍ／Ｋ以下である。これにより、耐熱衝撃性が向上し、はんだ４にクラックが発生するのを防止することができる。
【００４４】
表４に、配線基板２として、ＦＲ４グレードの配線基板（線膨張係数はタテ方向１５ｐｐｍ／Ｋ、ヨコ方向１７ｐｐｍ／Ｋ、ガラス転移温度は１４０℃）を用いた実装構造体、及び、上記実施例で用いたものと同じＦＲ５グレードの配線基板を用いた実装構造体に対して、耐熱衝撃性の評価を行った結果を示す。評価の方法は表２の場合と同じである。実装する電子部品として、サイズが異なるコンデンサを用いた。表４中、ＦＲ５グレードの配線基板を用いた場合の評価結果は、表２の一部と重複している。
【００４５】
【表４】
2010206006.tif 000006
【００４６】
表４より、線膨張係数がいずれの方向においても１３ｐｐｍ／Ｋを越えるＦＲ４グレードの配線基板を用いた場合には、はんだの組成に関わらず、はんだにクラックが発生した。これは、配線基板２と電子部品５との線膨張係数の差が大きいために、はんだ４がたとえ高い引張強度を有していても熱衝撃によって発生する応力に耐えることができないことを示している。
【００４７】
線膨張係数に関する上述した条件を満足する配線基板としては、例えばセラミック基板が知られている。しかしながら、セラミック基板は非常に高価であり実用性に欠ける。従って、配線基板２としては、安価で市場に容易に入手可能である点で、ガラスエポキシ基板が好ましい。
【００４８】
配線基板２は、ＦＲ５グレードの配線基板であることが好ましい。ＦＲ５グレードの配線基板は耐熱性を有するガラスエポキシ基板であり、上記の線膨張係数に関する条件を満足するものが多く、且つ、安価である。
【００４９】
また、配線基板２のガラス転移温度（Ｔｇ）は１５０℃以上であることが好ましい。自動車のエンジンルーム内での使用を考慮した場合、環境温度の上限はほぼ１５０℃であり、自動車のエンジンルーム内で使用される電子部品に要求される耐熱温度は１５０℃に設定されることが多い。配線基板２のガラス転移温度が１５０℃より低いと、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験で課される高温環境下で配線基板２に生じる変形やソリが大きくなり、はんだ４に過大な応力が作用してクラックが発生する可能性がある。ＦＲ５グレードの配線基板の多くのガラス転移温度は１５０℃以上である。
【００５０】
一般に、配線が形成された配線基板の表面には、ソルダーレジストが形成されることが多い。ソルダーレジストは、はんだ付けが必要な配線の部分のみを露出させ、はんだ付けが不要な領域にはんだが付かないようにするために形成される。また、配線基板を防湿するための防湿コート膜としての機能を期待して形成される場合もある。このようなソルダーレジストは、例えば熱硬化性エポキシ樹脂を主成分とし必要に応じてアクリル樹脂などが添加された樹脂組成物からなる。本発明では、配線基板２にソルダーレジストを形成する場合には、当該ソルダーレジストはスクリーン印刷法により形成されることが好ましい。この理由を図３Ａ、図３Ｂを用いて説明する。
【００５１】
図３Ａは、配線基板２上にスクリーン印刷法により形成されたソルダーレジスト７を概念的に示した断面図である。例えば、配線基板２の表面に厚さ１０５μｍの銅箔からなる配線３を形成した場合、スクリーン印刷法によれば配線３より薄い厚さ９０μｍのソルダーレジスト７を形成することができる。
【００５２】
ソルダーレジストの形成方法としてはカーテンコート法が公知である。図３Ｂは、配線基板２上にカーテンコート法により形成されたソルダーレジスト７を概念的に示した断面図である。カーテンコート法では、スクリーン印刷法に比べて、ソルダーレジスト７の膜厚は厚くなってしまう。例えば、配線基板２の表面に厚さ１０５μｍの銅箔からなる配線３を形成した場合、カーテンコート法によれば配線３よりも厚いソルダーレジスト７が形成されてしまう。
【００５３】
配線基板２に電子部品を表面実装する場合には、これに先立って配線３が露出するようにソルダーレジスト７の表層の一部が除去される。ソルダーレジスト７の表層の一部を除去した後に配線３が形成されていない領域に残存するソルダーレジスト７の厚みも、ソルダーレジスト７がスクリーン印刷法で形成された場合（図３Ａ）よりもカーテンコート法で形成された場合（図３Ｂ）の方が、厚くなる傾向がある。
【００５４】
ソルダーレジスト７の線膨張係数は、その組成にもよるが例えば１３０ｐｐｍ／Ｋ程度であり、配線基板２の線膨張係数との差が大きい。従って、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験のような急激な温度変化に晒されると、ソルダーレジスト７と配線基板２との線膨張の差により配線基板２に変形やソリが生じ、はんだ４に過大な応力が作用してクラックが発生する可能性がある。ソルダーレジスト７の厚みが薄いほど、温度変化による配線基板２の変形やソリは少なくなる。従って、より薄いソルダーレジスト７を形成することができるスクリーン印刷法によりソルダーレジスト７が形成されていると、はんだ４に生じるクラックを更に低減し、実装構造体の耐熱衝撃性を更に向上させることができる。
【００５５】
［電子部品について］
次に、電子部品５について説明する。
【００５６】
本発明の実装構造体に使用される電子部品５は、特に制限はなく、配線基板２にはんだ４を用いて表面実装することができればよい。
【００５７】
熱衝撃によってはんだ４にクラックが生じる原因の一つは、配線基板２と電子部品５との線膨張の差であることから、電子部品５のサイズは小さい方が好ましい。また、電子部品５のサイズが小さいほど、これを含む実装構造体を小型化することができる。これらの観点から、電子部品５のサイズは５７５０以下であることが好ましい。一般に、近年、小型高出力の実装構造体が求められており、例えばモータの制御回路においては４５３２もしくは５７５０のサイズの電子部品が用いられることが多い。
【００５８】
本発明では、５７５０よりも大きなサイズ（例えば７５６３サイズ）の電子部品も使用可能である。但し、電子部品５のサイズが大きくなるほど、熱衝撃に伴う電子部品５と配線基板２との線膨張差が大きくなるので、はんだ４にクラックが発生する可能性が高まる。このような場合には、必要に応じて例えば盛りはんだ等ではんだ４を適宜補強することが好ましい。
【００５９】
電子部品５の種類に関しては、上記の説明ではコンデンサ及び抵抗を例示したが、本発明はこれに限定されず、これら以外の電子部品を用いることができる。
【００６０】
［モータについて］
本発明の実装構造体を搭載したモータ１０の一例を図４を用いて説明する。
【００６１】
図４に示すモータは、ロータ１１の周囲にステータ１５が配された、インナーロータ型のブラシレスＤＣモータである。ロータ１１を貫通するシャフト１３が一対の軸受け１４によって回転自在に支持されている。ロータ１１はマグネット１２を保持している。ステータ１５のコアに巻回されたコイル１６に給電しロータ１１の回転を制御するための実装構造体１ａ，１ｂがモータ１０のケース１８内に収納されている。実装構造体１ａ，１ｂは、配線基板２ａ，２ｂ上に電子部品５ａ，５ｂ，５ｃが表面実装されたものである。
【００６２】
実装構造体１ａ，１ｂとして、上述した本発明の実装構造体を用いることができる。本発明の実装構造体は耐熱衝撃性に優れるので、モータ１０を例えば自動車のエンジンルーム内に配置しても、実装構造体１ａ，１ｂのはんだ接合部分にクラックが生じることはない。
【００６３】
図４に示したモータ１０は一例に過ぎず、本発明の実装構造体を備えたモータはこれに限定されない。例えば、アウターローター型のブラシレスＤＣモータであってもよく、あるいは、ブラシレスＤＣモータ以外のモータであってもよい。また、実装構造体は、モータのケース内に収納されている必要はなく、ケースの外に配置されていてもよい。
【００６４】
本発明の実装構造体は、モータ以外の用途に適用することももちろん可能である。例えば、各種制御装置、カーナビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話やＰＤＡなどの各種携帯情報端末などに内蔵される実装構造体であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明の利用分野は特に制限はないが、激しい温度変化に晒される環境で用いられる実装構造体として特に好ましく利用することができる。例えば、自動車（特にそのエンジンルーム内）、各種工場、発電設備などで利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】図１は、本発明の実装構造体の一例の概略構成を示した断面図である。
【図２】図２Ａは、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行った後に切断した本発明の実施例に係る実装構造体のはんだ接合部周辺を模式的に表した断面図である。図２Ｂは、−４０〜１５０℃のヒートショック×１０００サイクル試験を行った後に切断した従来の実装構造体のはんだ接合部周辺を模式的に表した断面図である。
【図３】図３Ａは、配線基板上にスクリーン印刷法により形成されたソルダーレジストを概念的に示した断面図である。図３Ｂは、配線基板上にカーテンコート法により形成されたソルダーレジストを概念的に示した断面図である。
【図４】図４は、本発明の実装構造体を備えたモータの一例の概略構成を示した断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１，１ａ，１ｂ  実装構造体
２，２ａ，２ｂ  配線基板
３  配線
４  はんだ
５，５ａ，５ｂ，５ｃ  電子部品
６  クラック
７  ソルダーレジスト
１０  モータ
１１  ロータ
１２  マグネット
１３  シャフト
１４  軸受け
１５  ステータ
１６  コイル
１８  ケース
【図１】
2010206006.tif 000007
【図２】
2010206006.tif 000008
【図３】
2010206006.tif 000009
【図４】
2010206006.tif 000010