(57)【要約】【課題】信頼性を充分に確保した圧電デバイスとその製造方法を提供する。【解決手段】圧電デバイス１は、励振電極を形成した圧電振動素子２を、前記圧電振動素子搭載パッド３に搭載し、前記貫通電極４を通じて前記外部端子５と電気的に接続している。前記圧電振動素子を収納する前記圧電デバイスパッケージ６内に前記圧電振動素子２を搭載した後、前記圧電デバイスパッケージ６上部に蓋７を接合して圧電デバイスパッケージ内部８を気密封止している。圧電デバイスパッケージ６の下面部には有機絶縁膜１１が形成されている。さらに有機絶縁膜１１の下には防水性絶縁膜１２が形成されており、有機絶縁膜１１に水分が吸着しないような構造になっている。防水性絶縁膜１２は、例えばフッ素樹脂を用いて形成することができる。また、防水性、絶縁性を有するフィルム状部材を貼付して形成することも可能である。【選択図】図１
2010068358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、圧電振動素子と、当該圧電振動素子を収容するためのキャビティーを有するパッケージと、当該パッケージのキャビティー上方を覆うようにして接合される蓋部材とからなる圧電デバイスであって、
前記パッケージのキャビティー底面と対向する外部底面には、有機絶縁膜が形成されると共に、当該有機絶縁膜上に防水性絶縁部材が積層されてなることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記防水性絶縁部材はフッ素樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記防水性絶縁部材はフィルム材からなることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
圧電振動素子をパッケージ内に収納して成る圧電デバイスの製造方法であって、
少なくとも、平板基板に前記圧電振動素子を収納するためのキャビティーを形成する工程と、
前記平板基板のキャビティー形成面との対向面に絶縁膜を形成する工程と、
前記キャビティーの底面部の一部に貫通孔を形成する工程と、
前記平板基板のキャビティー形成面と前記貫通孔内面に絶縁膜を形成する工程と、
前記キャビティー形成面と前記貫通孔内面に形成された前記絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、
前記貫通孔に導電性部材を充填して貫通電極を形成する工程と、
前記金属膜の内、圧電振動素子搭載パッドと、該圧電振動素子搭載パッドと前記貫通電極とを接続する接続配線部となる部位以外の不要な金属膜を除去して前記圧電振動素子搭載パッドと前記接続配線部を形成する工程と、
前記平板基板のキャビティー形成面との対向面の前記絶縁膜上に有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜上に防水性絶縁部材を形成する工程と、
前記有機絶縁膜と前記防水性絶縁膜の一部に前記圧電振動素子搭載パッドと前記接続配線部と前記貫通電極に繋がる外部端子を形成する工程と、
を有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯用通信機器や電子機器などに数多く組み込まれている圧電デバイスとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴って前記圧電デバイスの小型化も急速に進められてきている。中でも、表面実装にも対応した圧電デバイスの開発が行われてきており、その実現のために圧電振動片と前記実装基板との電気的接続のために、前記圧電デバイスに貫通電極を形成する事が知られている。（例えば、特許文献１、２参照。）
【０００３】
前記貫通電極を用いた圧電デバイスパッケージの中にはパッケージ母体としてシリコン基板を用いたものが挙げられる。以下に従来のシリコン基板を用いた圧電デバイスの製造方法および全体構造について説明する。
【０００４】
図３は前記圧電デバイスの全体構造を示す断面図である。前記圧電デバイス４１は、励振電極（不図示）を形成した圧電振動素子４２を、圧電振動素子搭載パッド４３に搭載し、貫通電極４４を通じて前記外部端子４５と電気的に接続している。前記圧電振動素子４２を収納する前記圧電デバイスパッケージ４６内に前記圧電振動素子４２を搭載した後、前記圧電デバイスパッケージ４６上部に蓋４７を接合して圧電デバイスパッケージ内部４８を気密封止している。
【０００５】
前記貫通電極４４は、前記圧電デバイスパッケージ４６に貫通孔４９を形成し、当該貫通孔４９内面に絶縁膜５０を形成して絶縁処理をした上、その内面に導電性部材５３を充填して形成されるものである。ここで、前記圧電振動素子搭載パッド４３と導電性部材５３は、同一部材で一体的に形成できる。
【０００６】
また、前記外部端子４５と前記圧電デバイスパッケージ４６との電気的接続を防ぐために、両者の間に絶縁膜５１および有機絶縁膜５２が形成されている。前記有機絶縁膜５２を形成する目的は、前記圧電デバイスパッケージ４６のパッケージ静電容量を低減させるためである。
【０００７】
図４−１、図４−２は従来技術による圧電デバイスの製造方法を説明する図で、（ａ）〜（ｉ）は、各工程におけるパッケージ形成の状態を示す断面図である。以下、図４−１、図４−２を参照して従来技術の圧電デバイスの製造方法を説明する。
【０００８】
（ａ）は前記圧電振動素子を収容するキャビティー（凹部）を形成する工程である。
６１は基板であり、基板材料は例えばシリコンである。前記キャビティー６２の形成にはフォトリソグラフィー手法、エッチング手法を用いる。不図示ではあるが、前記基板６１の表面にレジストをスピンコート法やスプレーコート法等で塗布した後、フォトマスクを前記基板６１に被せて紫外線露光を行い、現像液によって不要な部分を取り除いてパターンを形成後、エッチングプロセスによって、基板表面が露出した部分をエッチングし、その後、前記レジストをアセトンなどの有機溶剤等を用いて剥離し、キャビティー６２を形成する。本工程で使用するフォトレジストは、ポジ型・ネガ型両者とも同様に形成可能である。
【０００９】
（ｂ）は前記基板６１の裏面に絶縁膜６３を形成する工程である。この絶縁膜は例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であり、スパッタリング法やＣＶＤ法もしくはスピンコート法等によって形成される。
【００１０】
（ｃ）は前記キャビティー６２内に搭載する圧電振動素子と外部端子とを接続するための貫通電極用の貫通孔６４を形成する工程を示す図である。前記キャビティー６２の形成と同様にフォトリソグラフィーによってパターンを形成した後、所定位置をドライおよびウェットエッチングによって前記絶縁膜６３までテーパー状にエッチングを行い貫通孔６４を形成する。ここで前記貫通孔６４の断面形状は、前記絶縁膜６３までエッチングを行えばテーパー形状でなくとも、例えば垂直形状でもよい。
【００１１】
（ｄ）は、前記基板６１の表面、前記キャビティー６２および前記貫通孔６４の内面に絶縁膜６５を形成する工程を示す図であり、後の工程で前記キャビティー底面の一部や前記貫通孔６４内に電解メッキをする際に、前記基板６１と電気的絶縁を取るために形成される。前記絶縁膜６５は、スパッタリング法やＣＶＤ法によって成膜されたものであり、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。
【００１２】
続いて、前記貫通孔６４内に導電性部材を充填する工程を実施する。導電性部材として種々のものが選択可能であるが、小径の孔内を充填させるには電解メッキが適している。（ｅ）は前記絶縁膜６５上に共通電極膜６６を形成する工程を示す図である。共通電極膜６６の形成は、貫通孔６４内に電解メッキを行うための前処理であり、まず前記基板６１上の前記絶縁膜６５上にスパッタリング法や真空蒸着法によって形成する。前記共通電極膜６６の材料は、例えば金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。
【００１３】
図４−２（ｆ）は前記貫通孔６４内および圧電振動素子搭載パッド６７を同時に電解メッキによって充填および形成し、不要な前記共通電極膜６６を除去する工程を示す図である。
不図示ではあるが、前記共通電極膜６６上に電解メッキ用レジスト膜を塗布し、フォトマスクを被せ、紫外線露光を行い、現像液によって、前記圧電振動素子搭載パッド部６７および前記貫通孔６４内および両者を結ぶ配線接続部６８に成膜されている前記電解メッキ用レジスト膜を除去し、パターンを形成する。本工程で使用するフォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であっても同様に形成可能である。その後、電解メッキを行い貫通孔６４内に導電性部材６９を充填し、前記圧電振動素子搭載パッド６７および配線接続部６８上に電解メッキ膜を堆積させる。ここで前記導電性部材は前記共通電極膜と同様に金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。
【００１４】
尚、前記圧電振動素子の振動領域の確保と、前記圧電デバイスパッケージ内部の気密性を十分にするため、再度フォトリソグラフィーによって、前記圧電振動素子搭載パッド部および貫通電極部７０のみ電解メッキが行われるようにパターン化し、両者を同時に電解メッキを行い、前記圧電振動素子搭載パッド部に電解メッキ膜が厚く形成され、前記圧電振動素子搭載パッド６７が完成する。そして同時に前記貫通孔内６４にもさらに電解メッキ膜が充分に充填されるため、前記圧電デバイスとしての気密性も向上する事になる。ここでの前記導電性部材も前記電解メッキ時と同様に金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。
【００１５】
電解メッキ後は、前記電解メッキ用レジスト膜および前記共通電極膜６６の不要部を剥離する工程となる。
【００１６】
（ｇ）は前記貫通孔６４直下の前記基板６１の裏面に形成されている絶縁膜６３と、前記基板６１の表面で前記貫通孔６４内の絶縁膜６５を開口させる工程を示す図である。この工程においてもフォトリソグラフィーとエッチングによって行われる。不図示ではあるが、前記基板６１の裏面の絶縁膜６３上にレジスト膜を塗布し、フォトマスクを被せ、紫外線露光を行い、現像液によって光の照射された部分の除去を行い、前記絶縁膜６３開口用のパターンを形成する。本工程で使用するフォトレジストはポジ型であってもネガ型であっても同様に形成可能である。その後、ウェットおよびドライエッチングによって前記基板６１の表面と裏面に形成された絶縁膜６５および絶縁膜６３を同時にエッチングし、前記導電性部材６９（貫通電極部７０）を露出させる。
【００１７】
（ｈ）は、前記キャビティー６２の対向面の絶縁膜６３上に有機絶縁膜７１を形成する工程を示す図である。前記有機絶縁膜は例えばポリイミド等であり、前記圧電デバイスパッケージ自体が持つパッケージ静電容量を小さくする事を目的としている。
【００１８】
前記圧電デバイスパッケージ自体の持つ静電容量は、前記圧電振動素子搭載パッド６７と前記シリコン基板６１の間と、前記貫通電極部７０と前記シリコン基板６１の間、および後述する外部端子と前記シリコン基板６１の間、さらに前記圧電振動素子搭載パッド６７と前記貫通電極７０を結ぶ前記配線接続部６８と前記シリコン基板６１の間の静電容量値の合成値で算出される。中でも、前記外部端子と前記シリコン基板６１との間の静電容量は、電極面積（前記外部端子）が他と比べて大きくなるため、電極間距離すなわち絶縁膜の厚さはできるだけ厚くする事が望ましい。よって厚膜形成可能な有機絶縁膜を使用している。
【００１９】
前記有機絶縁膜は、スピンコート法などにより前記絶縁膜６３上に例えば感光性ポリイミドであればその前駆体を塗布後、プリベークを行い、露光・現像を行って前記感光性ポリイミドのパターンを形成する。パターンは前記絶縁膜６３と同様に、前記貫通電極部７０直下の部位以外に前記有機絶縁膜が残るように形成する。その後、イミド化の熱処理を行いパターン化されたポリイミド膜、すなわち有機絶縁膜７１を成膜する。尚、この場合には感光性の有機材料を例にして説明したが、非感光性の有機材料の場合においても、スピンコート法などによって前記非感光性の有機材料の前駆体の溶液を塗布および熱処理後によって有機絶縁膜を前記絶縁膜６３上に形成し、再度フォトリソグラフィーによって前記有機絶縁膜上に、レジストパターンを形成し、酸素プラズマによるアッシングによって、前記貫通電極直下の部位のみの開口を行ってもよい。
【００２０】
（ｉ）は前記有機絶縁膜７１および絶縁膜６３の開口部７２に電解メッキを行い、開口部を導電性部材で充填すると共に、外部端子７３を形成する工程を示す図である。
【００２１】
まず、不図示ではあるが、前記絶縁膜上に共通電極膜をスパッタリング法や真空蒸着法によって形成する。前記共通電極の材料は、例えば金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。その後、フォトリソグラフィーによってレジストパターンを形成し、電解メッキを行い前記レジストが成膜されていない前記開口部７２および前記外部端子部７３に電解メッキ膜を成長させ、前記導電性部材６９と電気的接続を行う。この時、前記導電性部材は前記共通電極と同様に金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。最後に共通電極膜をエッチングによって剥離を行い、外部端子部以外の電極膜を除去する。
【００２２】
その後、前記圧電デバイスパッケージ内に搭載される圧電振動素子を前記キャビティー６２内の前記圧電振動素子搭載パッド６７に搭載し、前記圧電デバイスパッケージ上部に前記キャビティー内部を気密封止するために蓋をし、その後個々の製品毎に分割して一つの圧電デバイスが完成する。
【００２３】
【特許文献１】特開２００４−２１４７８７号公報
【特許文献１】特開２００７−２６７１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
しかしながら、前述の従来技術による圧電デバイスの製造方法には、一部工程において以下のような問題点がある。
【００２５】
前記圧電デバイスパッケージにおいて、安定した圧電振動素子の励振状態を保持するためには、前記パッケージ静電容量を小さくしなくてはならないが、各絶縁膜の中で最も前記パッケージ静電容量に影響を及ぼすのは、前記外部端子と前記基板の間に発生する静電容量であり、そのために前記有機絶縁膜を厚膜に形成してパッケージ静電容量を基準値以下に抑えている。
【００２６】
しかし、前記有機絶縁膜の中でも代表的な厚膜形成も可能なポリイミドを例にすると、耐熱性・耐薬品性と優れた機械的特性・電気的絶縁性を備える反面、吸水率が他の絶縁材料と比較して非常に高い。前記圧電デバイスパッケージにおいて、外部環境に暴露される前記有機絶縁膜は外部の無数の水分を吸湿し、その結果として前記有機絶縁膜の見かけ上の比誘電率が増加し、それによって前記有機膜の静電容量値が増加してしまう。
【００２７】
よって前記圧電デバイスパッケージの中でも最も静電容量値に影響を及ぼす箇所の静電容量値が増加するため、結果として前記パッケージ静電容量も基準値を超えてしまい、結果として安定な圧電振動素子の励振状態を保持する事ができなくなってしまう。また、前記有機絶縁膜の中でも撥水性の持つ元素成分を一部含有した有機絶縁膜も報告されているが、高温多湿環境のような状況では、十分な長期信頼性が得られない。
【００２８】
また吸水によって、有機絶縁膜中にイオン性の不純物が多数存在する事となるため、前記有機絶縁膜を厚膜に形成しても、前記静電容量だけでなく誘電正接も増加してしまい、結果として前記有機絶縁膜の絶縁性能が弱まってしまう。
【００２９】
さらに吸水によって、前記有機絶縁膜が膨張し、前記絶縁膜６３および前記外部端子７３の界面の密着性にも影響を及ぼし、前記外部端子７３の剥がれや、前記有機絶縁膜自体が前記絶縁膜６３から剥離してしまう可能性を生じる。
【００３０】
本発明は、上記問題点に鑑み、信頼性を充分に確保した圧電デバイスとその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
前記目的を達成するため、本発明の圧電デバイスの製造方法は、少なくとも、圧電振動素子と、当該圧電振動素子を収容するためのキャビティーを有するパッケージと、当該パッケージのキャビティー上方を覆うようにして接合される蓋部材とからなる圧電デバイスであって、前記パッケージのキャビティー底面と対向する外部底面には、有機絶縁膜が形成されると共に、当該有機絶縁膜上に防水性絶縁部材が積層されてなることを特徴とする。前記防水性絶縁部材はフッ素樹脂にて構成するのが望ましい。また、前記防水性絶縁部材はフィルム材で構成することも可能である。
【００３２】
圧電振動素子をパッケージ内に収納して成る圧電デバイスの製造方法であって、少なくとも、平板基板に前記圧電振動素子を収納するためのキャビティーを形成する工程と、前記平板基板のキャビティー形成面との対向面に絶縁膜を形成する工程と、前記キャビティーの底面部の一部に貫通孔を形成する工程と、前記平板基板のキャビティー形成面と前記貫通孔内面に絶縁膜を形成する工程と、前記キャビティー形成面と前記貫通孔内面に形成された前記絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、前記貫通孔に導電性部材を充填して貫通電極を形成する工程と、前記金属膜の内、圧電振動素子搭載パッドと、該圧電振動素子搭載パッドと前記貫通電極とを接続する接続配線部となる部位以外の不要な金属膜を除去して前記圧電振動素子搭載パッドと前記接続配線部を形成する工程と、前記平板基板のキャビティー形成面との対向面の前記絶縁膜上に有機絶縁膜を形成する工程と、前記有機絶縁膜上に防水性絶縁部材を形成する工程と、前記有機絶縁膜と前記防水性絶縁膜の一部に前記圧電振動素子搭載パッドと前記接続配線部と前記貫通電極に繋がる外部端子を形成する工程と、を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、前記有機絶縁膜上に防水性絶縁膜をコーティングするため、前記防水性絶縁膜が持つ撥水性によって前記有機絶縁膜に水分が吸着しなくなり、それによってパッケージ静電容量の増加が抑制でき、安定した圧電振動素子の励振状態を保持する事が可能となる。
【００３４】
また、前記有機絶縁膜上に前記防水性絶縁膜をコーティングする事によって、前記有機絶縁膜内に水分吸着によるイオン性不純物の増加を抑制でき、それによって絶縁膜を流れる漏れ電流も減少させ、前記圧電デバイスパッケージ自体の電気的絶縁性能の低下を防ぐ事ができる。
【００３５】
さらに前記防水性絶縁膜のコーティングによって、吸水による前記有機絶縁膜の膨張を防ぎ、それによる前記有機絶縁膜上の前記外部端子の剥がれや、前記有機絶縁膜自体の剥がれも防ぐ事が可能となる。
【００３６】
さらに前記有機絶縁膜上に前記防水性絶縁膜をコーティングする事によって、各絶縁膜の中で最も前記パッケージ静電容量に影響を及ぼす前記外部端子と前記シリコン基板間の絶縁膜厚が厚くなり、前記パッケージ静電容量をさらに小さくする事ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
図１は、本実施例に係る圧電デバイスの全体構造を示す断面図である。図のように前記圧電デバイス１は、励振電極（不図示）を形成した圧電振動素子２を、前記圧電振動素子搭載パッド３に搭載し、前記貫通電極４を通じて前記外部端子５と電気的に接続している。前記圧電振動素子を収納する前記圧電デバイスパッケージ６内に前記圧電振動素子２を搭載した後、前記圧電デバイスパッケージ６上部に蓋７を接合して圧電デバイスパッケージ内部８を気密封止している。
【００３８】
前記貫通電極４は、前記圧電デバイスパッケージ６に貫通孔９を形成し、当該貫通孔内面に絶縁膜１３を形成して絶縁処理をした上、その内面に導電性部材を充填して形成されるものである。ここで、圧電振動素子搭載パッド３と前記導電性部材は、同一部材で一体的に形成できる。
【００３９】
また、前記圧電振動素子搭載パッド３と電気的に接続されている前記外部端子５は、前記圧電デバイスパッケージの母体であるシリコンとの電気的接続を防ぐために絶縁処理を行わなくてはならない。そのために、前記外部端子と前記圧電デバイスパッケージの間に、絶縁膜１０および有機絶縁膜１１が形成されている。
【００４０】
さらに有機絶縁膜の持つ吸湿性による前記圧電デバイスパッケージが持つ静電容量の増加を抑制するために、前記有機絶縁膜１１の下に防水性絶縁膜１２が形成されており、有機絶縁膜に水分が吸着しないような構造になっている。防水性絶縁膜１２は、例えばフッ素樹脂を用いて形成することができる。また、防水性、絶縁性を有するフィルム状部材を貼付して形成することも可能である。
【００４１】
以下、本発明の圧電デバイスの製造方法について、図面に基づいて詳細に説明する。図２−１、図２−２は、本発明の圧電デバイスの製造方法を説明する図で、（ａ）〜（ｊ）は各工程における圧電デバイスのパッケージ形成状態を示す断面図である。
【実施例１】
【００４２】
図２−１（ａ）は、シリコン基板２１の表面の所定位置に配列されるキャビティー２２（凹部）を形成する工程である。不図示ではあるが、前記シリコン基板２１の表面にレジストをスピンコート法やスプレーコート法等で塗布した後、フォトマスクを前記シリコン基板２１の上部に被せて紫外線露光を行い、現像液によって不要な部分を取り除いてパターンを形成後、エッチングプロセスによってシリコン基板面が露出した部分をエッチングし、その後前記レジストをアセトンなどの有機溶剤等を用いて剥離し、キャビティー２２が形成される。尚、本工程で使用するフォトレジストは、ポジ型でもネガ型でも同様に形成可能である。
【００４３】
（ｂ）は前記基板２１の裏面に絶縁膜２３を形成する工程である。この絶縁膜は例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であり、スパッタリング法やＣＶＤ法もしくはスピンコート法等によって形成される。
【００４４】
（ｃ）は前記キャビティー２２内に搭載する圧電振動素子と外部端子とを電気的に接続をするための貫通孔２４を形成する工程を示す図である。前記キャビティー２２形成同様にフォトリソグラフィーによって、前記貫通孔２４以外の部分にレジストを残すようにパターン化し、前記絶縁膜２３までドライおよびウェットエッチングを行い、貫通孔２４をテーパー状に形成する。テーパー状に形成する目的は、後に形成される前記圧電振動素子搭載パッド部２７と、前記貫通孔２４から前記圧電振動素子搭載パッド部２７までの電気的接続の際に、金属膜が短絡しないように形成するためであり、例えば後の工程での電解メッキにて厚膜に導電性部材を形成するなどを行って、電気的短絡が生じないのであれば垂直形状でもよい。
【００４５】
（ｄ）は前記基板２１の表面に絶縁膜２５を形成する工程を示す図であり、後の工程で前記貫通孔２４内を導電性部材で充填する際に、前記基板２１と電気的絶縁を取るために形成される。前記絶縁膜２５は、スパッタリング法やＣＶＤ法によって成膜されたものであり、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。
【００４６】
続いて、前記貫通孔２４内に導電性部材を充填する工程を実施する。導電性部材として種々のものが選択可能であるが、小径の孔内を充填させるには電解メッキが適している。（ｅ）は前記絶縁膜上に共通電極膜２６を形成する工程を示す図である。共通電極膜２６の形成は、貫通孔２４内に電解メッキを行うための前処理であり、まず前記基板２１上の前記絶縁膜２５上にスパッタリング法や真空蒸着法によって形成する。前記共通電極膜２６の材料は、例えば金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。
【００４７】
図２−２（ｆ）は、前記貫通孔２４内および前記圧電振動素子搭載パッド２７、配線接続部２８を同時に電解メッキによって充填および形成し、不要な前記共通電極膜２６を除去する工程を示す図である。
不図示ではあるが、前記共通電極膜２６上に電解メッキ用レジスト膜を塗布し、フォトマスクを被せ、紫外線露光を行い、現像液によって光の照射された部分の除去を行い、前記圧電振動素子搭載パッド部２７および前記貫通孔２４内および両者を結ぶ配線接続部２８に成膜されている前記電解メッキ用レジスト膜を除去し、パターンを形成する。本工程で使用するフォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であっても同様に形成可能である。その後、電解メッキを行い貫通孔２４内に導電性部材２９を充填および前記圧電振動素子搭載パッド２７および接続配線部２８上に電解メッキ膜を堆積させる。ここで前記導電性部材２９は前記共通電極膜２６と同様に金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。
【００４８】
尚、前記圧電振動素子の振動領域の確保と、前記圧電デバイスパッケージ内部の気密性を十分にするため、再度フォトリソグラフィーによって、前記圧電振動素子搭載パッド部２７および貫通電極部３０のみ電解メッキが行われるようにパターン化し、両者を同時に電解メッキを行う事で、前記キャビティー底面と比べて段差の付いた前記圧電振動素子搭載パッド２７が形成され、前記貫通孔内２４にはさらに電解メッキ膜が成長し、これによって圧電デバイスパッケージとしての気密性が保たれる。ここで前記導電性部材２９は前記電解メッキ時と同様に金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。
【００４９】
電解メッキ後は、前記電解メッキ用レジスト膜および前記共通電極膜２６の不要部を剥離する工程となる。
【００５０】
（ｇ）は、前記貫通孔２４直下の前記基板２１の裏面に形成されている絶縁膜２３と、前記基板２１の表面で前記貫通孔２４内の絶縁膜２５を開口させる工程を示す図である。この工程においてもフォトリソグラフィーとエッチングによって行われる。不図示ではあるが、前記基板２１の裏面の前記絶縁膜２３上にレジスト膜を塗布し、フォトマスクを被せ、紫外線露光を行い、現像液によって光の照射された部分の除去を行い、前記絶縁膜２３開口用のパターンを形成する。本工程で使用するフォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であっても同様に形成可能である。その後、ウェットおよびドライエッチングによって前記基板２１の表面と裏面に形成された絶縁膜２５および絶縁膜２３を同時にエッチングし、導電性部材２９（貫通電極部３０）を露出させる。
【００５１】
（ｈ）は、前記キャビティー２２面の対向面の絶縁膜２３上に有機絶縁膜３１を形成する工程を示す図である。前記有機絶縁膜３１は例えばポリイミド等であり、前記圧電デバイスパッケージ自体が持つパッケージ静電容量を小さくする目的を持っている。
【００５２】
前述でも示したように、安定な励振状態の確保のための前記圧電デバイスパッケージの静電容量を低減するために、前記有機絶縁膜は厚膜に形成することが望ましい。
【００５３】
前記有機絶縁膜３１は、スピンコート法などにより前記絶縁膜２３上に感光性ポリイミド等の前駆体を塗布後、プリベークを行い、露光・現像を行って前記感光性ポリイミドのパターンを形成する。その後、イミド化の熱処理を行いパターン化された前記有機絶縁膜３１を形成する。前記有機絶縁膜３１のパターン化によって、前記貫通電極部３０の直下以外に膜が形成されている事になる。前記貫通電極部３０の直下は開口部３２である。
尚、この場合には感光性の有機材料を用いたが、非感光性の有機材料の場合においても、前記非感光性の有機絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィーによって前記貫通電極部３０の直下以外にレジスト膜を形成し、酸素プラズマによるアッシングによって開口してもよい。
【００５４】
（ｉ）は、前記有機絶縁膜３１上に防水性絶縁膜３３を形成する工程である。不図示ではあるが、スピンコート法やスプレーコート法、ディップコート法によって前記防水性絶縁膜の前駆体の溶液を塗布し、プリベークを行った後に、露光および現像を行い、前記有機絶縁膜上にのみ前記防水性絶縁膜のパターンを形成する。その後熱処理を行って防水性絶縁膜を硬化させる。防水性絶縁膜３３の材料は、例えばフッ素樹脂である。
【００５５】
また、前記防水性絶縁膜は、溶液状のものを塗布して膜を形成する方法を例に挙げて説明したが、例えば防水性且つ絶縁性のフィルム状のものを用いても形成可能である。例えば、ラミネーターにて加熱しながら、前記有機絶縁膜３１上に前記防水性絶縁フィルムを貼付してもよい。
【００５６】
（ｊ）は前記有機絶縁膜３１・前記防水性絶縁膜３３および絶縁膜２３の開口部３２に電解メッキを行い、前記開口部３２を導電性部材で充填すると共に、外部端子３４を形成する工程を示す図である。
【００５７】
まず、不図示ではあるが、前記絶縁膜上に共通電極膜をスパッタリング法や真空蒸着法によって形成する。前記共通電極膜の材料は、例えば金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。その後、フォトリソグラフィーによってレジストパターンを形成し、電解メッキを行い前記レジストが成膜されていない前記開口部３２および前記外部端子部３４に電解メッキ膜を成長させ、前記導電性部材２９と電気的接続を行う。この時、前記導電性部材２９は前記共通電極と同様に金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）である。最後に共通電極膜をエッチングによって剥離し、前記外部端子部３４以外の電極膜を除去する。
【００５８】
その後、前記圧電デバイスパッケージ内に搭載される圧電振動素子を前記キャビティー２２内に搭載し、前記圧電デバイスパッケージ上部に前記キャビティー内部を気密封止するために蓋をし、その後個々の製品毎に分割して一つの圧電デバイスが完成する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明に係る一実施例の圧電デバイスを示す断面図。
【図２−１】本発明に係る一実施例の圧電デバイスの製造工程を示す図。
【図２−２】本発明に係る一実施例の圧電デバイスの製造工程を示す図。
【図３】従来の圧電デバイスを示す断面図。
【図４−１】従来の圧電デバイスの製造工程を示す図。
【図４−２】従来の圧電デバイスの製造工程を示す図。
【符号の説明】
【００６０】
１  圧電デバイス
２  圧電振動素子
３  圧電振動素子搭載パッド
４  貫通電極
５  外部端子
６  圧電デバイスパッケージ
７  蓋
８  圧電デバイスパッケージ内部
９  貫通孔
１０  絶縁膜
１１  有機絶縁膜
１２  防水性絶縁膜
１３  絶縁膜
２１  シリコン基板
２２  キャビティー
２３  絶縁膜
２４  貫通孔
２５  絶縁膜
２６  共通電極膜
２７  圧電振動素子搭載パッド
２８  配線接続部
２９  導電性部材
３０  貫通電極部
３１  有機絶縁膜
３２  開口部
３３  防水性絶縁膜
３４  外部端子
４１  圧電デバイス
４２  圧電振動素子
４３  圧電振動素子搭載パッド
４４  貫通電極
４５  外部端子
４６  圧電デバイスパッケージ
４７  蓋
４８  圧電デバイスパッケージ内部
４９  貫通孔
５０  絶縁膜
５１  絶縁膜
５２  有機絶縁膜
５３  導電性部材
６１  基板
６２  キャビティー
６３  絶縁膜
６４  貫通孔
６５  絶縁膜
６６  共通電極膜
６７  圧電振動素子搭載パッド
６８  配線接続部
６９  導電性部材
７０  貫通電極部
７１  有機絶縁膜
７２  開口部
７３  外部端子
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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