(57)【要約】【課題】圧力の変動を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】所定面上を少なくとも一方向に沿って移動可能な移動体と、移動体の移動により生じた圧力変動を小さくするように加圧空気を噴射する圧力調整装置と、を備える露光装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定面上を少なくとも一方向に沿って移動可能な移動体と、
前記移動体の移動により生じた圧力変動を小さくするように加圧空気を噴射する圧力調整装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記圧力調整装置は、前記移動体の移動方向に関する後方に生じた減圧空間に対して前記加圧空気を噴射する請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記圧力調整装置は、前記移動体の移動に同期して前記加圧空気の噴射を行う請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記圧力調整装置は、電磁弁の開閉動作に基づいて前記加圧空気を間欠噴射する請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記移動体の移動空間を設定する構造部材を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記移動空間内の温度を測定する温度センサーを備える請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記圧力調整装置は、前記温度センサーの測定結果に基づき、前記移動空間の温度に調整した前記加圧空気を噴射する請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記移動空間内の圧力を測定する圧力センサーを有し、前記圧力センサーの測定結果に基づいて前記噴射口から前記加圧空気を噴射するタイミングを制御する請求項５〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
予め設定した所定データに基づいて、前記加圧空気を噴射するタイミングが制御される請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
測定光を用いて前記移動体の位置に関する情報を得る位置センサーを有し、前記圧力調整装置は前記測定光における光路の少なくとも一部を含まない領域に前記加圧空気を噴射する請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記圧力調整装置は、前記加圧空気を噴射するための噴射口を複数有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記複数の噴射口は、少なくとも前記移動体の移動方向に沿って配置される請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
所定面上を一方向に沿って移動可能な移動体を有する露光装置の圧力調整方法において、
前記移動体の移動により圧力変動が生じた所定空間に対して加圧空気を噴射して前記圧力変動を小さくする露光装置の圧力調整方法。
【請求項１４】
前記移動体の移動方向に関する後方に生じた減圧空間に対して前記加圧空気を噴射する請求項１３に記載の露光装置の圧力調整方法。
【請求項１５】
前記移動体の移動と同期させて前記加圧空気を噴射する請求項１３又は１４に記載の露光装置の圧力調整方法。
【請求項１６】
電磁弁の開閉動作に基づいて前記加圧空気を間欠噴射する請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の露光装置の圧力調整方法。
【請求項１７】
前記移動体が移動する移動空間の温度を測定し、該測定結果に基づき前記加圧空気を前記移動空間と同じ温度に調整した状態で噴射する請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の露光装置の圧力調整方法。
【請求項１８】
前記移動体が移動する移動空間の圧力を測定し、該測定結果に基づき前記加圧空気の噴射のタイミングを調整する請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の露光装置の圧力調整方法。
【請求項１９】
予め設定した所定データに基づいて、前記加圧空気の噴射のタイミングを調整する請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の露光装置の圧力調整方法。
【請求項２０】
前記移動体の位置を測定するための測定光における光路の少なくとも一部を含まない領域に対して前記加圧空気を噴射する請求項１３〜１９のいずれか一項に記載の露光装置の圧力調整方法。
【請求項２１】
前記所定領域に対して複数方向から前記加圧空気を噴射する請求項１３〜２０のいずれか一項に記載の露光装置の圧力調整方法。
【請求項２２】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光装置の圧力調整方法、及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、下記特許文献に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも１つを含む）が制御された空間内で移動する移動体（例えば、基板を保持する基板ステージ）を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６４５２２９２号明細書
【特許文献２】米国特許第６７６２８２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記空間は所定環境に設定するために適宜密閉（必ずしも完全密閉する必要はなく、所定の環境が維持されうる程度でもよい）された状態に設定されるが、この空間内で移動体が移動すると、移動体の移動（進行）方向の前後で前記空間の圧力が変動（進行前側では空間内の気体が圧縮されて圧力が高くなり、進行後側では逆に膨張して圧力が低くなる）してしまう可能性がある。
一方、ステージの位置の計測には、例えば、レーザ干渉計のように測定光を空間内に通過させる装置が使用される。しかし、例えば、測定光が通過する光路が前記圧力の変動を受けると干渉計の測定値も変動して移動体（例えば、基板ステージ）の計測精度が変わってしまう。そのため、例えば、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりしてしまう可能性があった。
【０００５】
本発明の態様は、圧力変動を抑制できる露光装置、及び露光装置の圧力調整方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、所定面上を少なくとも一方向に沿って移動可能な移動体と、前記移動体の移動により生じた圧力変動を小さくするように加圧空気を噴射する圧力調整装置と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、所定面上を一方向に沿って移動可能な移動体を有する露光装置の圧力調整方法において、前記移動体の移動により圧力変動が生じた所定空間に対して加圧空気を噴射して前記圧力変動を小さくする露光装置の圧力調整方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、第１，第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、圧力の変動を抑制できる。また本発明によれば、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】露光装置の一部を示す平面図である。
【図３】基板ステージに保持された基板の一例を示す平面図である。
【図４】圧力調整装置の駆動状態の一例を説明するための模式図である。
【図５】変形例に係る露光装置の概略構成を示す図である。
【図６】変形例に係る露光装置の概略構成を示す図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ及びθＺ方向とする。
【００１２】
図１は、一実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１３】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動するための駆動システム３０と、基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための駆動システム２０と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を光学的に計測する干渉計システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材５と、露光光ＥＬが進行する空間を形成するチャンバ装置６と、基板Ｐを搬送可能な搬送装置４０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７と、制御装置７に接続され、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置７Ｍとを備えている。
【００１４】
また、露光装置ＥＸは、例えばクリーンルーム内の支持面ＦＬ上に設けられた第１コラム９、及び第１コラム９上に設けられた第２コラム１０を含むボディ８を備えている。本実施形態において、チャンバ装置６によって形成される空間には、マスクステージ１、基板ステージ２、計測ステージ３、照明系ＩＬ、投影光学系ＰＬ、及びボディ８等が配置される。
【００１５】
第１コラム９は、第１支持部材１４と、第１支持部材１４に防振装置１５を介して支持された第１定盤１６とを備えている。第２コラム１０は、第１定盤１６上に配置された第２支持部材１７と、第２支持部材１７に防振装置１８を介して支持された第２定盤１９とを備えている。
【００１６】
第１コラム９は、第１空間１１を形成する。本実施形態において、第１コラム９は、支持面ＦＬとの間で第１空間１１を形成する。第１空間１１は、実質的に閉ざされている。
なお、第１空間１１が第１コラム９と第３定盤２７（後述）で画定されてもよい。
【００１７】
第２コラム１０は、第２空間１２を形成する。本実施形態において、第２コラム１０は、第１定盤１６との間で第２空間１２を形成する。第２空間１２は、実質的に閉ざされている。
【００１８】
チャンバ装置６は、第３空間１３を形成する。本実施形態において、チャンバ装置６は、第２定盤１９との間で第３空間１３を形成する。第３空間１３は、実質的に閉ざされている。
【００１９】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、第１，第２，第３空間１１，１２，１３の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも１つ）を制御する環境制御装置２１，２２，２３を備えている。本実施形態において、環境制御装置２１〜２３のそれぞれは、気体の温度を調整可能な温度調整装置、及び気体中の異物を除去可能なフィルタユニット等を有する。環境制御装置２１〜２３のそれぞれは、第１〜第３空間１１〜１３の環境を制御するために、第１〜第３空間１１〜１３にクリーンで温度調整された気体を供給する。
【００２０】
本実施形態においては、制御装置７は、環境制御装置２１〜２３を制御して、第１〜第３空間１１〜１３のうち、第１空間１１のクリーン度が最も高く、第１空間１１に次いで第３空間１３のクリーン度が高く、第３空間１３に次いで第２空間１２のクリーン度が高くなるように、第１〜第３空間１１〜１３の環境を調整する。
【００２１】
また、本実施形態においては、制御装置７は、環境制御装置２１〜２３を制御して、第１〜第３空間１１〜１３のうち、第１空間１１の圧力が最も高く、且つ第３空間１３の圧力が第２空間１２の圧力より高くなるように、第１〜第３空間１１〜１３の環境を調整する。
【００２２】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２３】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、第３空間１３内で移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１Ｈは、マスクＭの表面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。
【００２４】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、第３空間１３内で移動可能である。
マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１Ｈは、マスクＭの表面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。
【００２５】
マスクステージ１は、第２定盤１９のガイド面１９Ｇ上を移動可能である。ガイド面１９Ｇは、第３空間１３内に配置されている。マスクステージ１は、ガイド面１９Ｇ上において、照明領域ＩＲ（照明系ＩＬからの露光光ＥＬが照射可能な位置）に移動可能である。ガイド面１９Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。マスクステージ１は、駆動システム３０の作動により、第３空間１３内のガイド面１９Ｇ上で移動可能である。本実施形態において、駆動システム３０は、ガイド面１９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。マスクステージ１を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子１Ｍと、第２定盤１９に配置された固定子１９Ｃとを有する。本実施形態において、可動子１Ｍは、マグネットアレイを含み、固定子１９Ｃは、コイルアレイを含む。なお、可動子１Ｍがコイルアレイを含み、固定子１９Ｃがマグネットアレイを含んでもよい。本実施形態においては、マスクステージ１は、平面モータを含む駆動システム３０の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２６】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒２４に保持されている。
鏡筒２４は、フランジ２４Ｆを有する。投影光学系ＰＬは、フランジ２４Ｆを介して、第１定盤１６に支持される。なお、第１定盤１６と鏡筒２４との間に防振装置を設けることができる。
【００２７】
本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸はＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２８】
投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子２５は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面２６を有する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬ（終端光学素子２５）の射出面２６から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。
【００２９】
本実施形態において、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、少なくとも終端光学素子２５は、第１空間１１に配置されている。本実施形態において、終端光学素子２５の射出面２６から射出される露光光ＥＬの光路は、第１空間１１に配置される。すなわち、本実施形態において、第１空間１１は、投影光学系ＰＬの像面側の光路を含み、基板Ｐに入射する露光光ＥＬの光路の少なくとも一部を含む。
【００３０】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、第１空間１１内で移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２Ｈを有する。本実施形態において、基板Ｐは基板保持部２Ｈの上側（＋Ｚ側）に保持される。本実施形態において、基板保持部２Ｈは、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。
【００３１】
計測ステージ３は、計測器Ｃの少なくとも一部を搭載した状態で、第１空間１１内で移動可能である。計測器Ｃは、露光光ＥＬを計測可能である。すなわち、計測器Ｃは露光光ＥＬを受光可能である。計測ステージ３に搭載される計測器Ｃとして、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬによる空間像を計測可能な空間像計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような露光光ＥＬの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測可能な計測システムの少なくとも一部、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）の少なくとも一部、及び例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような波面収差計測システムの少なくとも一部等が挙げられる。また、計測器Ｃは、基板Ｐのアライメントマークを検出するアライメントセンサで検出される基準マークを有する基準部材も含む。なお、基準部材に、露光光ＥＬと同じ波長の検出光で検出される基準マークが設けられていてもよい。
【００３２】
基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されている。
【００３３】
基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、第３定盤２７のガイド面２７Ｇ上を移動可能である。ガイド面２７Ｇ（第３定盤２７）は、第１空間１１内に配置されている。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、ガイド面２７Ｇ上において、投影領域ＰＲ（投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬが照射可能な位置）に移動可能である。ガイド面２７Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。第３定盤２７は、防振装置２８を介して、支持面ＦＬに支持されている。
【００３４】
基板ステージ２及び計測ステージ３は、駆動システム２０の作動により、第１空間１１内のガイド面２７Ｇ上で移動可能である。本実施形態において、駆動システム２０は、ガイド面２７Ｇ上で基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための平面モータを含む。基板ステージ２及び計測ステージ３を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれに配置された可動子２Ｍ，３Ｍと、第３定盤２７に配置された固定子２７Ｃとを有する。本実施形態において、可動子２Ｍ，３Ｍは、コイルアレイを含み、固定子２７Ｃは、マグネットアレイを含む。なお、可動子２Ｍ，３Ｍがマグネットアレイを含み、固定子２７Ｃがコイルアレイを含んでもよい。本実施形態においては、基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、平面モータを含む駆動システム２０の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００３５】
液浸部材５は、終端光学素子２５の近傍に配置される。液浸部材５は、終端光学素子２５と、投影領域ＰＲに配置された物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。液浸空間は、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に搭載された計測器Ｃの少なくとも一つを含む。基板Ｐの露光中、液浸部材５は、終端光学素子２５と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。
【００３６】
液浸部材５は、物体と対向可能な下面２９を有し、下面２９と物体との間の空間は液体ＬＱを保持可能である。下面２９と物体との間に保持された液体ＬＱによって液浸空間が形成される。本実施形態においては、基板Ｐの露光中は、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間が形成される。基板Ｐの露光中は、液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）は、液浸部材５の下面２９と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００３７】
本実施形態において、液浸部材５は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書に開示されているような液浸部材であって、液体ＬＱを供給する供給口と、液体ＬＱを回収する回収口とを有する。制御装置７は、供給口を用いる液体供給動作と並行して、回収口を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子２５及び液浸部材５と、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向する他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間を形成可能である。
【００３８】
干渉計システム４は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を光学的に計測可能な第１干渉計ユニット４Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２（基板Ｐ）及び計測ステージ３（計測器Ｃ）の位置情報を光学的に計測可能な第２干渉計ユニット４Ｂとを有する。第１，第２干渉計ユニット４Ａ，４Ｂのそれぞれは、レーザ干渉計を複数有する。第１干渉計ユニット４Ａは、マスクステージ１に設けられた計測ミラー１Ｒに測定光Ｌ１を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を取得する。第２干渉計ユニット４Ｂは、基板ステージ２に設けられた計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に設けられた計測ミラー３Ｒのそれぞれに測定光Ｌ１を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測器Ｃ）の位置情報を取得する。
【００３９】
また、不図示であるが、例えば米国特許第５４４８３３２号明細書、米国特許第６３２７０２５号明細書等に開示されているような、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システムが配置されている。なお、フォーカス・レベリング検出システムは、基板Ｐの表面の位置情報のみならず、基板ステージ２の上面、及び計測ステージ３の上面の位置情報を検出することができる。
【００４０】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置７は、干渉計システム４の計測結果、及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、駆動システム２０，３０を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３（計測器Ｃ）の位置制御を実行する。
【００４１】
本実施形態の露光装置ＥＸは、基板ステージ２の移動によって第１空間１１内に生じる圧力変動を抑制するための圧力調整装置６０を備えている。圧力調整装置６０は、基板ステージ２の移動に同期して加圧空気を噴射口６１から噴射して第１空間１１内に生じた圧力変動を抑制する。すなわち、圧力調整装置６０は、基板ステージ２の移動方向に関する後方に生じる減圧空間に対して加圧空気を噴射することで第１空間１１内に生じた圧力変動を抑制する。
【００４２】
圧力調整装置６０は、加圧空気を噴射する複数の噴射口６１と、チューブ６２を介して各噴射口６１に加圧空気を送る加圧ポンプ６３と、各噴射口６１に接続されるチューブ６２内の加圧空気の流路を開閉可能とする電磁弁６４と、を含む（図４（ａ）参照）。電磁弁６４は電気的に接続された制御装置７によって、その開閉動作が制御される。すなわち、圧力調整装置６０は、電磁弁６４の開閉動作に基づいて、各噴射口６１から加圧空気を第１空間１１内に間欠噴射する。
【００４３】
また、露光装置ＥＸは、第１空間１１内の温度を測定する温度センサー５６を備えている。なお、温度センサー５６は、制御装置７と電気的に接続されている。
【００４４】
制御装置７は、温度センサー５６による測定結果（第１空間１１の温度）に基づき、不図示の温度調整装置を駆動し、第１空間１１と略同じ温度に調整した加圧空気を圧力調整装置６０の噴射口６１から噴射させる。これにより、露光装置ＥＸは、圧力調整装置６０から噴射される加圧空気によって第１空間１１内に温度変動が生じることが防止される。なお、温度センサー５６を複数設けることで加圧空気の温度調整精度を向上させることもできる。
【００４５】
また、露光装置ＥＸは、第１空間１１内の圧力を測定する圧力センサー５７を備えている。なお、圧力センサー５７が、制御装置７と電気的に接続されている。
【００４６】
制御装置７は、圧力センサー５７による測定結果（第１空間１１の圧力変動値）に基づき、噴射口６１から加圧空気を噴射するタイミング（電磁弁６４の開閉タイミング）を制御する。なお、電磁弁６４が開いて第１空間１１内に加圧空気が噴射されて、圧力変動が緩和されるまでには僅かながら遅れが生じる。さらに本実施形態では、電磁弁６４を開いて加圧空気が噴射された後、第１空間１１内の圧力変動が緩和されるまでの遅れ時間を予め実験などにより測定しておき、この遅れ時間を考慮した制御を行うようにしている。これにより、より最適なタイミングで第１空間１１内に加圧空気が噴射される。
【００４７】
図２は、第１空間１１の一部を示す平面図である。以下の説明において、投影領域ＰＲに含まれる、終端光学素子２５から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を適宜、露光位置ＥＰと称する。
【００４８】
基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、第１空間１１内のガイド面２７Ｇ上で移動可能である。基板ステージ２は、露光位置ＥＰを含むガイド面２７Ｇ上の第１領域１０１を移動可能である。計測ステージ３は、露光位置ＥＰを含むガイド面２７Ｇ上の第２領域１０２を移動可能である。制御装置７は、基板ステージ２が第１領域１０１内に存在するときに、基板ステージ２に保持された基板Ｐに露光光ＥＬを照射可能である。
【００４９】
圧力調整装置６０における噴射口６１は、基板ステージ２の移動方向（ＸＹ方向）に沿って配置されている。本実施形態では、図２に示されるように基板ステージ２が移動するＸ方向及びＹ方向の各々に沿って、互いが対向する２つの噴射口６１を１組ずつ配置している。
【００５０】
これにより、後述のように基板ステージ２がＸ方向、或いはＹ方向に移動した際に第１空間１１内に生じる圧力変動を良好に小さくすることが可能となっている。また、各噴射口６１は、第２干渉計ユニット４Ｂから照射される、或いは計測ミラー２Ｒで反射される測定光Ｌ１における光路の少なくとも一部を含まない領域に加圧空気を噴射する。
【００５１】
また、基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰを含むガイド面２７Ｇ上の第３領域１０３を移動可能である。基板交換位置ＣＰは、基板ステージ２に対して基板Ｐを搬入（ロード）する動作、及び基板ステージ２から基板Ｐを搬出（アンロード）する動作の少なくとも一方を実行可能な位置である。基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰに移動可能である。制御装置７は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰへ移動して、搬送装置４０を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２に露光前の基板Ｐをロードする動作、及び露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードする動作の少なくとも一方を実行する。
【００５２】
基板ステージ２が移動可能な第１領域１０１の少なくとも一部は、計測ステージ３が移動可能な第２領域１０２より−Ｙ側に配置される。
【００５３】
本実施形態において、基板ステージ２は、基板保持部２Ｈの周囲に配置され、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向可能な上面２Ｔを有する。基板ステージ２の上面２Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、計測ステージ３は、終端光学素子２５及び液浸部材５と対向可能な上面３Ｔを有する。計測ステージ３の上面３Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００５４】
例えば、計測器Ｃを用いる計測処理を実行するとき、制御装置７は、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３とを対向させ、終端光学素子２５と計測器Ｃとの間の光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間を形成する。制御装置７は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測器Ｃに露光光ＥＬを照射して、計測器Ｃを用いる計測処理を実行する。その計測処理の結果は、その後に実行される基板Ｐの露光処理に反映される。
【００５５】
図３は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐ上に露光対象領域であるショット領域Ｓ１〜Ｓ２１がマトリクス状に複数配置されている。本実施形態においては、基板ステージ２に保持された基板Ｐの露光中に、その基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１が順次露光される。基板ステージ２に保持された基板Ｐの露光中に、終端光学素子２５の射出面２６側の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、基板Ｐ上に液浸空間が形成される。
【００５６】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置７は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【００５７】
例えば基板Ｐ上の第１ショット領域Ｓ１を露光するために、制御装置７は、基板Ｐ（第１ショット領域Ｓ１）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間の液体ＬＱとを介して第１ショット領域Ｓ１に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１に投影され、その第１ショット領域Ｓ１は、投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬで露光される。第１ショット領域Ｓ１の露光が終了した後、制御装置７は、次の第２ショット領域Ｓ２の露光を開始するために、液浸空間を形成した状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動する動作を実行し、第２ショット領域Ｓ２を露光開始位置に移動する。そして、制御装置７は、第２ショット領域Ｓ２の露光を開始する。
【００５８】
制御装置７は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光する。
【００５９】
以下の説明において、ショット領域Ｓを露光するために、終端光学素子２５に対して基板ＰをＹ軸方向に移動することを適宜、スキャン移動、と称する。また、あるショット領域に対する露光が終了した後、次のショット領域を露光するために、投影領域ＰＲが次のショット領域の露光開始位置に配置されるように、終端光学素子２５に対して基板Ｐを移動することを適宜、ステップ移動、と称する。
【００６０】
本実施形態において、露光装置ＥＸの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報（露光制御情報）に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置ＥＸの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。
【００６１】
露光レシピは、記憶装置７Ｍに予め記憶されている。制御装置７は、露光レシピに基づいて、露光装置ＥＸの動作を制御する。
【００６２】
露光レシピは、終端光学素子２５及び液浸部材５に対する基板ステージ２（基板Ｐ）の移動条件を含む。移動条件は、終端光学素子２５及び液浸部材５に対する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置、移動方向、移動距離、速度、加速度（減速度）、及び移動軌跡の少なくとも一つを含む。
【００６３】
本実施形態においては、制御装置７は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図３中、例えば矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光する。
【００６４】
次に、露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。
基板Ｐの露光動作を開始するために、制御装置７は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰへ移動して、搬送装置４０を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２に、露光前の基板Ｐをロードする。終端光学素子２５及び液浸部材５と対向する位置には、計測ステージ３が配置され、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３との間に、液体ＬＱで液浸空間が形成されている。制御装置７は、必要に応じて、計測ステージ３を用いる計測動作を実行する。
【００６５】
制御装置７は、基板Ｐの露光動作を実行するために、終端光学素子２５及び液浸部材５と基板Ｐの表面との間に液体ＬＱで液浸空間を形成する。そして、制御装置７は、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを順次露光する動作を開始する。
【００６６】
本実施形態において、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光するとき、制御装置７は、露光レシピに基づいて、第１空間１１において、ガイド面２７Ｇ上で、図３中矢印Ｒ１で示したように、基板ステージ２をスキャン移動及びステップ移動させる。
【００６７】
上述のように、本実施形態においては、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを順次露光するときの基板ステージ２の移動条件が、露光レシピにより予め決められている。本実施形態においては、その予め決められている基板ステージ２の移動条件に基づいて、圧力調整装置６０の駆動条件が決められている。すなわち、本実施形態においては、第１空間１１内の圧力が調整されるように、露光レシピに基づいて、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを順次露光するときの圧力調整装置６０の移動条件が予め決められている。
【００６８】
基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光するとき、上述のように、基板ステージ２は、スキャン移動する。すなわち、基板Ｐを露光するとき、基板ステージ２は、少なくともＹ軸方向に移動する。本実施形態において、基板ステージ２が第１領域１０１内で移動するとき、計測ステージ３は、基板ステージ２の＋Ｙ側に配置される。すなわち、基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光する間、計測ステージ３に搭載されている計測器Ｃが使われることなく、基板ステージ２と接触しないように、第２領域１０２内で待機している。
【００６９】
本実施形態においては、第１，第３，第５，第７，第１０，第１２，第１５，第１７，第２０ショット領域Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ７，Ｓ１０，Ｓ１２，Ｓ１５，Ｓ１７，Ｓ２０の露光が実行されるときに、基板ステージ２は、−Ｙ方向にスキャン移動し、他のショット領域Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１１，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１６，Ｓ１８，Ｓ１９，Ｓ２１の露光が実行されるとき、基板ステージ２は、＋Ｙ方向にスキャン移動する。
このように、本実施形態においては、基板ステージ２は、Ｙ軸方向に往復移動する。
【００７０】
複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光をする露光期間における、基板ステージ２の移動は、ステップ移動を含む。すなわち、その露光期間におけるＹ軸方向に関する基板ステージ２の往復移動（スキャン移動）は、Ｘ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向、以下傾斜方向と称す）へのステップ移動を交えながら行われる。
以上のようにして、全てのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に対する露光を行う。
【００７１】
最後の第２１ショット領域Ｓ２１の露光終了後、制御装置７は、露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードするために、駆動システム２０を作動して、終端光学素子２５及び液浸部材５と基板ステージ２とが対向する状態から、終端光学素子２５及び液浸部材５と計測ステージ３とが対向する状態に変化させる。これにより、計測ステージ３は、露光位置ＥＰに移動する。
【００７２】
露光位置ＥＰに計測ステージ３を移動した後、制御装置７は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰへ移動する。制御装置７は、搬送装置４０を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ２から、露光後の基板Ｐのアンロードを実行する。その後、制御装置７は、その基板ステージ２に対して、搬送装置４０を用いて、露光前の基板Ｐをロードする。以下、上述と同様の処理が繰り返される。
【００７３】
ところで、上述の露光処理時において、実質的に閉ざされた第１空間１１内を基板ステージ２が移動すると、第１空間１１の圧力が変動したり、第１空間１１の圧力分布が不均一になったりする可能性がある。そこで、本実施形態においては、制御装置７は、圧力調整装置６０の噴射口６１から加圧空気を噴射することで、第１空間１１内の圧力変動を小さくする。
【００７４】
具体的に圧力調整装置６０は、基板ステージ２の移動に同期して、基板ステージ２の移動方向に関する後方に生じた減圧空間に加圧空気を噴射する。第１空間１１内の圧力を調整するための噴射口６１からの加圧空気噴射は、少なくとも基板ステージ２の移動中に行われる。
【００７５】
図４は、圧力調整装置６０の駆動状態の一例を説明するための模式図である。図４（ａ）は、基板Ｐのあるショット領域Ｓを露光するためにＹ軸方向の一方（例えば＋Ｙ方向）へ基板ステージ２がスキャン移動した際の圧力調整装置６０の駆動状態を示し、図４（ｂ）は、基板Ｐのあるショット領域Ｓを露光するためにＹ軸方向の他方（例えば−Ｙ方向）へ基板ステージ２がスキャン移動した際の圧力調整装置６０の駆動状態を示す。
【００７６】
基板ステージ２が＋Ｙ方向に移動した場合、図４（ａ）に示すように基板ステージ２の移動方向に関する後方（−Ｙ方向）の圧力が低下し、減圧空間Ｇ１が生じる。また、基板ステージ２のスキャン移動によって、基板ステージ２と計測ステージ３との間の空間のみならず、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力が変動する可能性がある。
【００７７】
また、基板ステージ２が−Ｙ方向に移動した場合、図４（ｂ）に示すように基板ステージ２の移動方向に関する後方（＋Ｙ方向）の圧力が低下し、減圧空間Ｇ１が生じる。また、基板ステージ２のスキャン移動によって、基板ステージ２と計測ステージ３との間の空間のみならず、第１空間１１内の少なくとも一部の圧力が変動する可能性がある。
【００７８】
第１空間１１内の少なくとも一部の圧力が変動すると、例えばその第１空間１１内に配置されている部材にその圧力変動による力が加わることになる。例えば、基板Ｐの露光に関する計測処理を実行する計測装置（例えばフォーカス・レベリング検出システムの少なくとも一部）が支持されている支持部材は、その位置（姿勢）が安定な状態で維持されるよう防振装置１５によって位置制御されている場合が多い。
【００７９】
しかし、例えば、圧力変動によってこの部材の下方向から圧力変動に起因する力が作用すると非定常的な力（外乱となる）が発生してしまう。そのため、防振装置１５の制御性能が悪化する可能性がある。
【００８０】
これに対し、本実施形態の露光装置ＥＸは、図４（ａ）、（ｂ）に示すように対応する噴射口６１から減圧空間Ｇ１に加圧空気を噴射する。ここで、対応する噴射口６１とは減圧空間Ｇ１に対して最も近接した噴射口６１を意味する。このように噴射口６１から減圧空間Ｇ１に加圧空気を噴射することで、露光装置ＥＸは第１空間１１に生じている圧力変動を小さくすることができる。本実施形態では、噴射口６１から第１空間１１と略同じ温度に調整した加圧空気を噴射している。これにより、加圧空気の噴射によって第１空間１１内に温度変動が生じることを防止できる。
【００８１】
また、露光装置ＥＸは、圧力センサー５７による測定結果に基づき、噴射口６１から最適なタイミングで加圧空気を噴射する。よって、第１空間１１に生じている圧力変動を短時間で小さくすることができる。
【００８２】
また、露光装置ＥＸは、第２干渉計ユニット４Ｂから照射される、或いは計測ミラー２Ｒで反射される測定光Ｌ１における光路の少なくとも一部を含まない領域に加圧空気を噴射するので、加圧空気が測定光Ｌ１の光路中に噴射されることで第２干渉計ユニット４Ｂの計測精度が低下することを防止できる。
【００８３】
また、露光装置ＥＸは、露光中のステップ移動により、ステージ基板２がＸ軸方向に移動する。この場合においても、基板ステージ２の移動方向に関する後方の圧力が低下し、減圧空間が生じる。露光装置ＥＸは、同様に、圧力調整装置６０における対応する噴射口６１から減圧空間Ｇ１に加圧空気を噴射する。これにより、露光装置ＥＸは、ステージ基板２の移動によって第１空間１１内に生じる圧力変動を抑え、圧力変動に起因する露光不良が生じることで不良デバイスが生成されるのを防止できる。
【００８４】
なお、上述の実施形態においては、基板ステージ２が移動するＸ方向及びＹ方向の各々に沿って、互いが対向する２つの噴射口６１を１組ずつ配置する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。マトリクス状に複数配置される各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１においては、基板ステージ２が移動した際に減圧空間Ｇ１が生じる位置が僅かに異なる。
このような場合、図５に示すように、Ｘ方向及びＹ方向の各々に沿って、互いが対向する２つの噴射口６１を複数組（例えば、６組）ずつ配置することができる。この構成によれば、ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の各々に応じて微妙に異なる位置に生じる減圧空間Ｇ１に対して、最適な位置に配置される噴射口６１から確実に加圧空気を噴射することができる。
【００８５】
また、上述の実施形態においては、圧力調整装置６０として加圧空気を噴射する場合を説明したが、圧力調整装置６９として、図６に示されるような加圧空気を噴射する噴射機構に加え、第１空間１１内を排気する排気機構を備えたものを用いることができる。圧力調整装置６９は、基板ステージ２の移動方向に関する後方に生じた減圧空間Ｇ１に加圧空気を噴射するとともに、基板ステージ２の移動方向に関する前方に生じた昇圧空間Ｇ２を排気して減圧する。これにより、圧力調整装置６９は、第１空間１１内において相対的に圧力が高まっている昇圧空間Ｇ２の圧力を低下させるとともに、第１空間１１内において相対的に圧力が低くなっている減圧空間Ｇ１の圧力を上昇させることができる。よって、圧力調整装置６９は、第１空間１１内に生じた圧力変動を確実に小さくすることができ、上述の実施形態と同様、第１空間１１内に生じる圧力変動を抑え、圧力変動に起因する露光不良が生じることで不良デバイスが生成されるのを防止できる。
【００８６】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子２５の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子２５の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系を採用することもできる。
【００８７】
なお、上述の各実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【００８８】
また、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００８９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００９０】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９１】
また、上述の各実施形態は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置に適用できる。基板ステージは、３つ以上配置することができる。
【００９２】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９３】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００９４】
また、上述の各実施形態の要件は、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも適用できる。
【００９５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００９６】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【００９７】
２…基板ステージ、４…干渉計システム、８…ボディ、１１…第１空間、５６…温度センサー、５７…圧力センサー、６０，６９…圧力調整装置、６１…噴射口、６４…電磁弁、ＥＬ…露光光、ＥＰ…露光位置、ＥＸ…露光装置、Ｐ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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