(57)【要約】【課題】半導体素子と電子部品実装用基板との接続部分の信頼性を高めることができる電子部品の実装構造及び電子部品実装用基板の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子７０の表面に形成された棒状の電極端子７１を、多層配線基板部１１ｂの表面に形成された壺状の開口部を有する接続端子１７に挿入し、接続端子１７内のはんだペースト１６で、電極端子７１と接続端子１７とをリフローはんだ付けで接合する。電極端子７１は、半導体素子７０と多層配線基板部１１ｂの熱膨張率の差に応じた位置ずれにより変形する。接続端子１７の入口部分（開口部１４ａ）は内部（開口部１３ａ）よりも狭いので、電極端子７１の先端部が接続端子１７の入口部分に引っ掛かり、電極端子７１と接続端子１７との接続が維持される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、
前記電子部品の表面から棒状に伸びて形成された第１の電極端子と、
電子部品実装用基板と、
前記電子部品実装用基板の表面に形成され、入口部分が内部よりも狭い開口部を有し該開口部で前記第１の電極端子を受け入れる第２の電極端子と、
前記開口部内に導入され、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続する導電材料と、
を備えたことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
前記第１の電極端子の直径をＡ、前記開口部の入口部分の直径をＢ、前記開口部の内部の直径をＣとしたときに、Ａ＜Ｂ＜Ｃの関係を有することを特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装構造。
【請求項３】
電子部品と、
前記電子部品の表面に球状に形成された第１の電極端子と、
電子部品実装用基板と、
前記電子部品実装用基板の表面に形成され、入口部分が内部よりも狭い開口部を有し該開口部で前記第１の電極端子を受け入れる第２の電極端子と、
前記開口部内に導入され、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続する導電材料と、
を備えたことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記第１の電極端子の直径をＡ、前記開口部の入口部分の直径をＢ、前記開口部の内部の直径をＣとしたときに、Ｂ＜Ａ≦Ｃの関係を有することを特徴とする請求項３に記載の電子部品の実装構造。
【請求項５】
前記配線基板は柔軟性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする請求項３又は４に記載の電子部品の実装構造。
【請求項６】
表面に接続パッドが形成されたベース基板の上に第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の樹脂層の上に第２の樹脂層を形成する工程と、
前記第１及び第２の樹脂層に前記接続パッドに到達する孔を形成する工程と、
前記孔を介して前記第１及び第２の樹脂層をエッチングして、入口部分が内部よりも狭い開口部を形成する工程と、
前記開口部の壁面に導体膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする電子部品実装用基板の製造方法。
【請求項７】
更に、前記開口部内に導電材料を導入することを特徴とする請求項６に記載の電子部品実装用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品（半導体素子又は半導体装置）と電子部品実装用基板（パッケージ基板又は回路基板）との熱膨張率の差に起因する接続不良を回避可能な電子部品の実装構造及び電子部品実装用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の多機能化及び高性能化の進展に伴い、半導体素子（半導体チップ）の入出力端子の数が増加している。このような、多数の接続端子を有する半導体素子をパッケージ基板（多層配線基板）に実装する方法として、フリップチップ実装がある。フリップチップ実装では、半導体素子の表面に格子状に配置された電極の上に、はんだボール等のバンプを設け、このバンプをパッケージ基板の表面に形成された接続端子にリフローして接続する。この場合、半導体素子の電極とパッケージ基板の端子との間に若干の位置ずれがあっても、溶融したはんだの表面張力を利用して両者を接続することができる。
【０００３】
なお、はんだボールは、半導体素子とパッケージ基板との接続だけではなく、半導体装置（パッケージ）と回路基板との接続にも使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１８６５６号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５２６２号公報
【特許文献３】特開２００３−２８９１６７号公報
【特許文献４】特開２００６−１５６６３０号公報
【特許文献５】特開２００７−２５０８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のリフロー工程では、半導体素子とパッケージ基板とをリフロー温度（２００℃〜３００℃程度）で接合した後、室温まで冷却する。ところが、シリコン等の半導体材料で構成された半導体素子と、樹脂及び銅膜等で構成されたパッケージ基板とでは熱膨張率に大きな差がある。このため、リフロー温度から室温に冷却した際に半導体素子とパッケージ基板との間で熱膨張率の差に応じた位置ずれが生じてしまう。この位置ずれが大きい場合には、バンプと接続端子との接続部分に大きな応力が加わり、クラックが発生するなどして接続部分の信頼性が低下する。
【０００６】
さらに、端子数の増加に伴ってバンプ及び接続端子の小型化やピッチの狭小化が進むと、僅かな位置ずれでも接続不良が発生する。また、リフロー温度と室温との温度差によって生じる位置ずれ量は、半導体素子のサイズが大きくなるほど増加する。このため、位置ずれ量を所定の許容値内とするために、半導体素子のサイズが制約を受けることがある。
【０００７】
そこで、電子部品と電子部品実装用基板との接続部分の信頼性を高めることができる電子部品の実装構造及び電子部品実装用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の観点によれば、電子部品と、前記電子部品の表面から棒状に伸びて形成された第１の電極端子と、電子部品実装用基板と、前記電子部品実装用基板の表面に形成され、入口部分が内部よりも狭い開口部を有し、該開口部で前記第１の電極端子を受け入れる第２の電極端子と、前記開口部内に導入され、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続する導電材料と、を備えた電子部品の実装構造が提供される。
【０００９】
第２の観点によれば、電子部品と、前記電子部品の表面に球状に形成された第１の電極端子と、電子部品実装用基板と、前記電子部品実装用基板の表面に形成され、入口部分が内部よりも狭い開口部を有し、該開口部で前記第１の電極端子を受け入れる第２の電極端子と、前記開口部内に導入され、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続する導電材料と、を備えた電子部品の実装構造が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
上記第１の観点による実装構造によれば、電子部品の表面に棒状に形成された電極端子を、電子部品実装用基板の表面に形成された第２の電極端子に挿入し、第２の電極端子内の導電材料を用いて接続する。このため、導電材料による接続を行う際の加熱又は冷却によって電子部品と電子部品実装用基板との間で熱膨張率の差に応じた位置ずれが生じても、第１の電極端子が変形して位置ずれに追随することができる。第２の電極端子の入口部分は内部よりも狭く形成されているので、第１の電極端子が変形してもその先端部は第２の電極端子の入口部分に引っ掛かる。このため、第１の電極端子と第２の電極端子との接続を保持することができる。また、第１の電極端子は棒状に形成されているので、容易に変形することができ、第１の電極端子と第２の電極端子との接続部分に加わる応力を抑制できる。したがって、第１の観点による実装構造によれば、電子部品と電子部品実装用基板との接続部分の信頼性を高めることができる。
【００１１】
第２の観点の実装構造によれば、電子部品の表面に球状に形成された第１の電極端子（はんだボール）を、電子部品実装用基板側に形成された第２の電極端子に挿入し、第２の電極端子内の導電材料を用いて接続を行う。第２の電極端子は入口部分が内部よりも狭く形成されている。このため、第２の電極端子の入口部分が第１の電極端子に引っ掛かることで、第１の電極端子を第２の電極端子内に保持することができる。また、第１の電極端子と第２の電極端子とは機械的に接触しているだけなので、容易に電子部品を電子部品実装用基板に脱着することができる。さらに、第２の電極内には導電材料が導入されており、この導電材料によって第１の電極端子と第２の電極端子とを広い接触面積で接続することができので、安定した接続状態が得られる。
【００１２】
なお、第２の観点の実装構造では、必要に応じて、加熱処理（リフロー）を行って第１の電極端子と第２の電極端子とをはんだ付けしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る実装構造を示す図であり、図１（ａ）はパッケージ基板と半導体素子とを接続するリフロー工程における断面図を示し、図１（ｂ）はその後室温まで冷却したときの断面図を示す。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る実装構造に用いるパッケージ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る実装構造における電極端子の変形の過程を示す模式図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は第２実施形態に係る実装構造を示す図であり、図４（ａ）は半導体素子とパッケージ基板とを接続する前の構造を示す断面図であり、図４（ｂ）は半導体素子とパッケージ基板とを接続した構造を示す断面図である。
【図５】図５は、図４（ｂ）の端子部分を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１５】
（第１実施形態）
図１（ａ）、（ｂ）は第１実施形態に係る実装構造を示す図であり、図１（ａ）はパッケージ基板（電子部品実装用基板）と半導体素子（電子部品）とを接続するリフロー工程における断面図を示し、図１（ｂ）はその後室温まで冷却したときの断面図を示している。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、半導体素子７０は例えば一辺が５５ｍｍ程度の正方形の薄板状に形成されており、半導体素子７０の下面側には入出力用の接続パッド７０ａが所定のピッチ（例えば、１ｍｍ程度）で配置されている。この接続パッド７０ａの下には、半導体素子７０に対して垂直な方向に伸びる細長い棒状の電極端子７１が形成されている。
【００１７】
電極端子７１の直径は、例えば０．１ｍｍ程度、長さは例えば１．０ｍｍ程度である。この電極端子７１は、例えば、電気伝導度に優れるとともに柔軟性を有し、はんだとの接合性も良好な銅又は銅合金により形成されており、応力が加えられると容易に変形する。
【００１８】
パッケージ基板（電子部品実装用基板）１０は、多層配線基板部（ベース基板）１１ａと、多層配線基板部１１ａの表面（半導体素子７０が実装される面）に形成された接続端子部１１ｂとを有する。多層配線基板部１１ａの表面には半導体素子７０と接続するための接続パッド１２が形成されており、裏面には回路基板と接続するための接続パッド（図示せず）が形成されている。これらの表面側の接続パッド１２と裏面側の接続パッドとは、多層配線基板部１１ａ内に形成された多層配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。
【００１９】
接続端子部１１ｂは、多層配線基板部１１ａ上の第１の樹脂層１３と、第１の樹脂層１３上の第２の樹脂層１４とにより形成されており、これらの第１及び第２の樹脂層１３，１４の開口部を用いて形成された接続端子１７を有している。
【００２０】
すなわち、第１の樹脂層１３には、開口部１３ａが設けられており、第２の樹脂層１４には開口部１４ａが設けられている。開口部１３ａ及び開口部１４ａはいずれも、電極パッド１２の上に配置され、相互につながっている。但し、開口部１４ａの直径Ｂは、開口部１３ａの直径Ｃよりも小さく、開口部１４ａの側壁は開口部１３ａの側壁よりも開口部１３ａの中心側に位置している。
【００２１】
開口部１４ａの直径Ｂは、半導体素子７０の電極端子７１が通るように、電極端子７１の直径Ａよりも大きく形成されている。すなわち、電極端子７１の直径Ａと開口部１４ａの直径Ｂと開口部１３ａの直径Ｃとの関係は、Ａ＜Ｂ＜Ｃとなっている。本実施形態では、電極端子７１の直径Ａは前述のように０．１ｍｍ程度であり、開口部１３ａの直径Ｃは例えば０．５ｍｍ程度であり、開口部１４ａの直径Ｂは例えば０．２５ｍｍ程度である。
【００２２】
開口部１３ａ、１４ａの内壁及び開口部１３ａの底部の接続パッド１２は導体膜１５で覆われている。この導体膜１５は、接続パッド１２を介して多層配線基板部１１ａの内部の配線パターンと電気的に接続されている。導体膜１５は、例えば、厚さが１５μｍ程度の銅又は銅合金の膜とすることができる。接続端子１７は、接続パッド１２と導体膜１５とからなり、入口部が狭く内部が広い壺状の形状を有している。
【００２３】
接続端子１７の内部には、はんだペースト（導電材料）１６が導入されている。はんだペースト１６は、所定の温度（例えば２００〜３００℃程度）で熱処理（リフロー）することで、電極端子７１と接続端子１７とを物理的及び電気的に接続する。なお、接続端子１７内のはんだペースト１６の量は、電極端子７１を挿入した際に接続端子１７からあふれ出ない程度とする。
【００２４】
図２（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の実装構造に用いるパッケージ基板１０の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２５】
最初に、図２（ａ）に示す構造を得るまでの工程について説明する。まず、ビルドアップ法などの公知の方法により配線層と絶縁層とが交互に積層されてなる多層配線基板部１１ａを作製する。また、多層配線基板部１１ａの表面及び裏面に所定のパターンの接続パッド１２等を形成する。その後、図２（ａ）に示すように、多層配線基板部１１ａ及び接続パッド１２の上に第１の樹脂層１３及び第２の樹脂層１４を順に形成する。
【００２６】
第１の樹脂層１３は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂シートを多層配線基板部１１ａの表面に貼りつけて形成する。ここでは、第１の樹脂層１３として、厚さが２００μｍ程度の接着シート（京セラケミカル製ＴＦＡ−８６０ＦＢ）を用いるものとする。
【００２７】
第２の樹脂層１４は、第１の樹脂層１３よりも、後述するエッチング剤に対するエッチング速度が遅い材料からなる。ここでは、第２の樹脂層１４として、厚さが５０μｍ程度のポリイミド樹脂フィルムを用いるものとする。なお、ポリイミド樹脂の中でも、過マンガン酸カリウムのアルカリ水溶液に対するエッチングレートが特に低い宇部興産製のユーピレックス（登録商標）を用いると好適である。第１の樹脂層１３として前述したＴＦＡ−８６０ＦＢを使用する場合は、粘着性を有するため接着剤などを用いずに第２の樹脂層１４を貼り付けることができる。
【００２８】
さらに、第２の樹脂層１４の上にレジスト層１８を形成する。レジスト層１８には、例えば、第２の樹脂層１４と同様の材料からなる樹脂シートを用いることができる。その後、熱処理を行って第１の樹脂層１３を熱硬化させる。
【００２９】
次に、例えば炭酸ガスレーザを用いて、接続パッド１２の上の部分の第１の樹脂層１３、第２の樹脂層１４及びレジスト層１８に、接続パッド１２に到達する孔１９を形成する。孔１９の直径は、例えば０．２ｍｍ程度とする。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、過マンガン酸カリウムのアルカリ水溶液を用いたエッチング（デスミア）処理を行い、孔１９の形成の際に生じた加工屑（スミア）を除去する。このとき、第１の樹脂層１３は第２の樹脂層１４よりも過マンガン酸カリウムのアルカリ水溶液に対するエッチングレートが大きいため、第１の樹脂層１３に第２の樹脂層１４の開口部１４ａよりも直径の大きな開口部１３ａが形成される。エッチング条件を適宜調整することにより開口部１３ａ、１４ａの直径を制御することができる。ここでは、開口部１４ａの直径が０．２５ｍｍ、開口部１３ａの直径が０．５ｍｍであるとする。このようにして、接続パッド１２の上に、入口部分（開口部１４ａ）が内部（開口部１３ａ）よりも狭い開口部が形成される。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、無電解銅めっき及び電解銅めっきを順次行って、厚さが１５μｍ程度の銅膜からなる導体膜１５を開口部１３ａ、１４ａ内及びレジスト層１８の表面に形成する。続いて、レジスト層１８を第２の樹脂層１４から剥離して除去する。このようにして、パッケージ基板１０の表面に壺状の接続端子１７が形成される。
【００３２】
次に、図２（ｄ）に示すように、例えばディスペンサーを用いて接続端子１７の内部にはんだペースト１６を導入する。以上の工程により本実施形態の実装構造に用いるパッケージ基板１０が完成する。
【００３３】
なお、ディスペンサーで接続端子１７内にはんだペーストを導入する代わりに、はんだペーストをレジスト層１８の上に塗布し、このはんだペーストをスキージ等でならして接続端子１７内に導入してもよい。
【００３４】
本実施形態では、半導体素子７０とパッケージ基板１０とを以下のようにして接続する。
【００３５】
先ず、半導体素子７０及びパッケージ基板１０をはんだ（はんだペースト１６）の溶融温度以上の温度（例えば２００〜３００℃程度）に加熱する。続いて、図１（ａ）に示すように、半導体素子７０及びパッケージ基板１０を電極端子７１が接続端子１７の入口部分（開口部１４ａ）の上方となるように位置決めする。
【００３６】
次に、半導体素子７０をパッケージ基板１０側に接近させ、電極端子７１を接続端子１７内に挿入する。これにより、電極端子７１の先端部が接続端子１７内のはんだ（溶融したはんだペースト１６）に接触する。
【００３７】
次に、半導体素子７０及びパッケージ基板１０を室温まで冷却して接続端子１７内のはんだを凝固させ、電極端子７１と接続端子１７とをはんだ付けする。このリフロー温度から室温までの冷却の際に、半導体素子７０とパッケージ基板との間に熱膨張率の差に応じて、例えば、図１（ｂ）に示すように、接続パッド１２と接続パッド７０ａとの間に半導体素子７０の表面に平行な方向の位置ずれが生じる。この位置ずれにより、電極端子７１に半導体素子７０の表面に平行な方向の力が作用する。
【００３８】
図３は、このときの電極端子７１の変形の過程を示す模式図である。図３に示すように、リフロー温度から室温までの温度の変化に伴って、半導体素子７０とパッケージ基板１０との位置ずれ量がｄ１→ｄ２→ｄ３と増加し、電極端子７１も位置ずれ量に応じて変形する。この場合に、電極端子７１は直径が０．１ｍｍと細い銅又は銅合金により形成されているため、小さい力で容易に変形する。また、接続端子１７は、入口部分が狭く形成されているので、電極端子７１の先端部分が接続端子１７の入口部分に引っ掛かって接続端子７１と接続端子１７との接続が保持される。このようにして熱膨張率の差に起因する接続不良が回避できる。
【００３９】
なお、上述の例ではリフロー温度のときに半導体素子７０の接続パッド７０ａとパッケージ基板１０の接続パッド１２との位置ずれがなくなる場合について説明したが、室温のときに接続パッド７０ａと接続パッド１２との位置ずれがなくなるようにしてもよい。この場合には、リフロー温度に加熱する前に半導体素子７０の電極端子７１をパッケージ基板１０の接続端子１７内に挿入しておく。この場合も熱膨張率の差に応じた位置ずれが生じるが、位置ずれに応じて電極端子７１が変形することで、信頼性の高い接続を行うことができる。
【００４０】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態の実装構造について説明する。図４（ａ）、（ｂ）は第２実施形態に係る実装構造を示す図であり、図４（ａ）はパッケージ基板と半導体素子との接続前の構造を示す断面図であり、図４（ｂ）は半導体素子とパッケージ基板とを接続した構造を示す断面図である。図５は、図４（ｂ）の端子部分を拡大して示す断面図である。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、半導体素子（電子部品）７０の下面には所定のピッチで入出力用の接続パッド７０ａが形成されており、この接続パッド７０ａの下には球状の電極端子（はんだボール）７２が形成されている。電極端子７２の直径Ａは、例えば０．５ｍｍ程度である。
【００４２】
パッケージ基板（電子部品実装用基板）２０は、フレキシブル基板部（ベース基板）２１ａと接続端子部２１ｂとを備えている。フレキシブル基板部２１ａは、柔軟性を有するベースフィルム（図示せず）とベースフィルムの表面に形成された接続パッド２２及び所定のパターンの配線とを有している。
【００４３】
接続端子部２１ｂは、フレキシブル基板部２１ａ上の第１の樹脂層１３と、第１の樹脂層１３上の第２の樹脂層１４とにより形成されている。そして、第１の樹脂層１３には、開口部１３ａが設けられており、第２の樹脂層１４には開口部１４ａが設けられている。開口部１３ａ及び開口部１４ａはいずれも、接続パッド２２の上に配置され、相互につながっている。ただし開口部１４ａの直径Ｂは、開口部１３ａの直径Ｃよりも小さく、開口部１４ａの側壁は開口部１３ａの側壁よりも開口部１３ａの中心側に位置している。
【００４４】
本実施形態では、開口部１３ａの直径Ｃは、電極端子７２の直径Ａと同等又はそれより大きく形成されている。また、開口部１４ａの直径Ｂは、電極端子７２の直径Ａよりも小さく形成されている。すなわち、電極端子７２の直径Ａと開口部１４ａの直径Ｂと開口部１３ａの直径Ｃとの関係は、Ｂ＜Ａ≦Ｃとなっている。前述したように電極端子７２の直径Ａは０．５ｍｍ程度である。ここでは、開口部１４ａの直径Ｂを０．２５ｍｍ程度、開口部１３ｃの直径Ｃを０．５ｍｍ程度とする。
【００４５】
開口部１３ａ、１４ａの内壁及び開口部１３ａの底部の接続パッド１２は、厚さが１５μｍ程度の銅又は銅合金からなる導体膜１５で覆われている。接続端子２７は、接続パッド１２と導体膜１５とからなり、入口部分が狭く内部が広い壺状の形状を有している。
【００４６】
接続端子２７の内部にはある程度の流動性を有する導電材料２６が導入されている。導電材料２６としては、銀粉、銀ペースト及びはんだペースト等を用いることができる。なお、導電材料２６の導入量は、電極端子７２と接続端子２７内に挿入した時に、接続端子２７から導電材料２６があふれ出ない程度とする。
【００４７】
第２実施形態のパッケージ基板２０のフレキシブル基板部２１ａ及び接続パッド２２は、成膜工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等を使用する公知の手法で製造できる。また、パッケージ基板２０の接続端子部２１ｂは、第１実施形態のパッケージ基板１０の製造方法（図２参照）で説明したのと同様の手順で製造することができる。
【００４８】
図４（ｂ）及び図５に示すように、半導体素子７０のパッケージ基板２０への実装は、半導体素子７０の電極端子７２を接続端子１７内に押し込むことで行う。
【００４９】
開口部１４ａは、電極端子７２を押し込む際に変形して直径が広がることで、電極端子７２を通すことができる。また、電極端子７２が開口部１３ａ内に装着された状態では、開口部１４ａが電極端子７２の表面に沿って変形して、直径が小さくなる。これにより、電極端子７２を接続端子２７内に保持することができる。
【００５０】
電極端子７２は、接続端子２７内の導体膜１５と接触するとともに、接続端子２７内に導入された導電材料２６と接触する。導電材料２６は流動性を有するため、電極端子７２と接続端子２７との隙間を埋めて、広い面積で電極端子７２と導体膜１５と接触し、電極端子７２と接続端子２７とを安定に接続する。
【００５１】
本実施形態の実装構造では、半導体素子７０とパッケージ基板２０とは機械的に接触しているだけであり、動作確認試験を行って不具合が発見された場合、半導体素子７０を容易に取り外し、新たな半導体素子７０と交換することができる。フレキシブル基板部２１ａは、柔軟性を有するので、半導体素子７０の取外し作業及び装着作業を容易に行うことができる。
【００５２】
なお、必要に応じて、半導体素子７０及びパッケージ基板２０をリフローして電極端子（はんだボール）７２によるはんだ付けを行ってもよい。
【００５３】
上記第１及び第２実施形態では、いずれも半導体素子（半導体チップ）とパッケージ基板との接続を例に説明したが、上記第１及び第２実施形態に開示した技術を、半導体素子とパッケージ基板とからなる半導体装置（電子部品）と回路基板（電子部品実装用基板）との接続に使用してもよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００５４】
１０、２０…パッケージ基板、１１ａ…多層配線基板部、１１ｂ、２１ｂ…接続端子部、１２、２２、７０ａ…接続パッド、１３…第１の樹脂層、１３ａ、１４ａ…開口部、１４…第２の樹脂層、１５…導体膜、１６…はんだペースト、１７、２７…接続端子、１８…レジスト層、１９…孔、２１ａ…フレキシブル基板部、２６…導電材料、７０…半導体素子、７１、７２…電極端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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