(57)【要約】【課題】よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、
基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、
前記下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、
まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行うことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記下地層は、Ｒｕ又はその合金を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記下地層の成膜において、最も低いガス圧を２Ｐａ以下に設定し、最も高いガス圧を４Ｐａ以上に設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記下地層は、２Ｐａ以下のガス圧にて成膜する膜厚と、４Ｐａ以上のガス圧にて成膜する膜厚とを略同じ膜厚とすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記磁気記録層は、コバルト（Ｃｏ）を主体とする結晶粒子と、酸化物を主体とする粒界部を有するグラニュラー構造の強磁性層を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記磁気記録層上に炭素系保護層を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気ディスク装置に搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤ（ハードディスクドライブ）の面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚当り２５０Ｇバイトを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような所要に応えるためには１平方インチ当り４００Ｇビットを超える情報記録密度を実現することが求められる。ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するためには、情報信号の記録を担う磁気記録層を構成する磁性結晶粒子を微細化すると共に、その層厚を低減していく必要があった。ところが、従来より商業化されている面内磁気記録方式（長手磁気記録方式、水平磁気記録方式とも呼称される）の磁気ディスクの場合、磁性結晶粒子の微細化が進展した結果、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、熱揺らぎ現象が発生するようになり、磁気ディスクの高記録密度化への阻害要因となっていた。
【０００３】
この阻害要因を解決するために、近年、垂直磁気記録方式用の磁気ディスクが提案されている。垂直磁気記録方式の場合では、面内磁気記録方式の場合とは異なり、磁気記録層の磁化容易軸は基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。例えば、特開２００２−９２８６５号公報（特許文献１）では、基板上に軟磁性層、下地層、Ｃｏ系垂直磁気記録層、保護層等をこの順で形成してなる垂直磁気記録媒体に関する技術が開示されている。また、米国特許第6468670号明細書（特許文献２）には、粒子性の記録層に交換結合した人口格子膜連続層（交換結合層）を付着させた構造からなる垂直磁気記録媒体が開示されている。
【０００４】
そして、現在では、垂直磁気記録媒体での更なる高記録密度化が求められている。
垂直磁気記録媒体は、大きく分けて、硬質磁性材料からなる磁気記録層、軟磁性材料からなる軟磁性（裏打ち）層、これら磁気記録層と軟磁性層の間に存在する非磁性材料からなる中間層等を構成要素として備えている。現状ではいずれの層も多層構造をとっている。
【０００５】
このうち、中間層は、磁気記録層の下部に位置しており、磁気記録層の結晶配向性及びグラニュラー構造における分離性を制御する部分である。云わば、磁気記録層の土台とも言える非常に重要な部分である。したがって、これまでに構造、材料、成膜プロセス等において精力的に研究開発が進められた結果、中間層は、下方のシード層と上方の下地層に分かれ、さらに下地層は、同じ材料を使用しながら低ガス圧プロセスにて成膜される下部下地層と高ガス圧にて成膜される上部下地層との積層構造をとるようになった。特に、高ガス圧で成膜される上部下地層は、グラニュラー磁気記録層の直下に位置するため、磁気特性を制御する上で非常に重要な部分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−９２８６５号公報
【特許文献２】米国特許第６４６８６７０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、本発明者が研究を進めるうち、従来の低ガス圧プロセスにて成膜される下部下地層と高ガス圧にて成膜される上部下地層との単なる積層構造では、より高記録密度の磁気記録媒体向けには所望の特性が得られないことが判明した。
【０００８】
本発明者の考察によれば、その理由としては、高ガス圧プロセスにて成膜される上部下地層はそれ自体グラニュラー構造をとるが、その粒及び磁界の均一性及び分離性が不十分であるために、それが直上の磁気記録層のグラニュラー構造にも影響し、結果的に記録再生時のＳ／Ｎ（シグナル／ノイズ）比の劣化を招いてしまうものと考えられる。
【０００９】
本発明はこのような従来の事情に鑑み、より一層の高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記従来の課題を解決するべく鋭意検討した結果、現行の装置構成（チャンバー数）を変更することなく、従来の高ガス圧での上部下地層の成膜プロセスを最適化してグラニュラー構造の均一性及び分離性を改善することで、磁気記録層の磁気特性や記録再生特性をさらに改善できることを見い出し、本発明を完成するに至ったものである。すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の構成を有するものである。
【００１１】
（構成１）
垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行うことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００１２】
（構成２）
前記下地層は、Ｒｕ又はその合金を主成分とする材料からなることを特徴とする構成１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００１３】
（構成３）
前記下地層の成膜において、最も低いガス圧を２Ｐａ以下に設定し、最も高いガス圧を４Ｐａ以上に設定することを特徴とする構成１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００１４】
（構成４）
前記下地層は、２Ｐａ以下のガス圧にて成膜する膜厚と、４Ｐａ以上のガス圧にて成膜する膜厚とを略同じ膜厚とすることを特徴とする構成１乃至３のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００１５】
（構成５）
前記磁気記録層は、コバルト（Ｃｏ）を主体とする結晶粒子と、酸化物を主体とする粒界部を有するグラニュラー構造の強磁性層を含むことを特徴とする構成１乃至４のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００１６】
（構成６）
前記磁気記録層上に炭素系保護層を形成することを特徴とする構成１乃至５のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、現行の装置構成を変更することなく、従来の高ガス圧での上部下地層の成膜プロセスを最適化し、具体的には下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行うことにより、磁気記録層の直下の下地層におけるグラニュラー構造の均一性及び分離性を改善することで、磁気記録層の磁気特性や記録再生特性をさらに改善でき、より一層の高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例の垂直磁気既得媒体の層構成と成膜チャンバーとの関係を示す図である。
【図２】比較例（従来例）の垂直磁気既得媒体の層構成と成膜チャンバーとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を詳述する。
本発明は、構成１にあるように、垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行い、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行うこと特徴とするものである。
【００２０】
上記基板としては、詳しくは後述するが、ガラス基板が好ましく用いられる。
上記垂直磁気記録媒体の層構成の一実施の形態としては、具体的には、基板に近い側から、例えば密着層、軟磁性層、シード層、下地層、磁気記録層（垂直磁気記録層）、保護層、潤滑層などを積層したものである。
【００２１】
上記下地層は、垂直磁気記録層の結晶配向性（結晶配向を基板面に対して垂直方向に配向させる）、結晶粒径、及び粒界偏析を好適に制御するために用いられる。下地層の材料としては、面心立方（ｆｃｃ）構造あるいは六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する単体あるいは合金が好ましく、例えばＲｕ、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉやそれらを含む合金が挙げられるが、これらに限定はされない。本発明においては、特にＲｕまたはその合金が好ましく用いられる。Ｒｕの場合、hcp結晶構造を備えるＣｏＰｔ系垂直磁気記録層の結晶軸（c軸）を垂直方向に配向するよう制御する作用が高く好適である。なお、低ガス圧プロセスと高ガス圧プロセスによる積層構造の場合、同じ材料の組合わせはもちろん、異種材料を組合わせることもできる。
【００２２】
本発明においては、下地層の成膜工程において、従来、たとえばスパッタリング法により、１つ目のチャンバーにおいて低ガス圧プロセス、２つ目のチャンバーにおいて高ガス圧プロセスによる成膜を行い２層の下地層を形成していたプロセスを、例えば本発明の一実施の形態としては、以下のプロセスに変更した。
【００２３】
すなわち、従来と同様、下地層の成膜を２つのチャンバーを使用して行うが、まず１つ目のチャンバーにおいて、次のプロセスを行う。
ａ．成膜時のガス圧を最初に低ガス圧に設定して、プロセス時間の略前半を低ガス圧にて成膜する。
ｂ．途中で極く短時間の圧力上昇待ち時間を設け、この間にガス圧を上げて高ガス圧に設定する（この間は成膜は行われない）。
ｃ．引き続き成膜を行い、プロセス時間の略後半を高ガス圧にて成膜する。
次いで２つ目のチャンバーにおいて、成膜時のガス圧を高ガス圧に設定して成膜を行う。
【００２４】
つまり、本実施の形態においては、高ガス圧成膜プロセスの一部を低ガス圧成膜プロセスを実施する１つ目のチャンバーにて行うようにした。
本発明者の検討によると、高ガス圧成膜プロセスでの例えばＲｕ層の成膜レートを遅くすると特性が大きく改善することが判明した。他方、低ガス圧成膜プロセスでのＲｕ層については成膜レートを遅くしても特性は殆ど改善しない。通常、１つのチャンバーでの成膜時間は所定時間に決められている。このことから、１つ目のチャンバーで低ガス圧と高ガス圧の両方の成膜プロセスを実施し、２つ目のチャンバーでは高ガス圧成膜プロセスを実施することで、結果、高ガス圧での例えばＲｕ層の成膜時間を長くすることができる。言い換えれば、高ガス圧での成膜レートを下げられる。つまり、下地層の材料が同じもしくは類似（金属単体とその合金など）のものを用いて、高ガス圧成膜プロセスの一部を低ガス圧成膜プロセスを実施する１つ目のチャンバーで行うことにより、高ガス圧プロセスでの成膜レートを好適に下げることができ、特性改善を図れる。
【００２５】
本発明は、現行の装置構成を変更することなく、従来の高ガス圧での上部下地層の成膜プロセスを上述のように最適化することで、特に磁気記録層の直下の上部下地層のグラニュラー構造の均一性及び分離性を改善することができ、その結果、磁気記録層の磁気特性や記録再生特性をさらに改善することができる。
【００２６】
なお、本発明においては、上記下地層の成膜における、低ガス圧は、例えば２Ｐａ以下、さらに好ましくは１Ｐａ以下に設定し、高ガス圧は例えば４Ｐａ以上、さらに好ましくは４．５Ｐａ以上に設定することが好適である。
【００２７】
また、下地層の膜厚は、特に制約される必要はないが、垂直磁気記録層の構造制御を行うのに必要最小限の膜厚とすることが望ましく、例えば全体で５〜３０ｎｍ程度の範囲とすることが適当である。また、低ガス圧にて成膜する膜厚と高ガス圧にて成膜する膜厚とを略同じ膜厚とすることが好適である。
なお、本発明は、上記の実施の形態に制約される必要は無く、まず１つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも１回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも１回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで２つ目のチャンバーにおいて、１つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行えばよい。
【００２８】
基板上には、垂直磁気記録層の磁気回路を好適に調整するための軟磁性層を設けることが好適である。かかる軟磁性層は、第一軟磁性層と第二軟磁性層の間に非磁性のスペーサ層を介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchangecoupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成することが好適である。これにより第一軟磁性層と第二軟磁性層の磁化方向を高い精度で反並行に整列させることができ、軟磁性層から生じるノイズを低減することができる。具体的には、第一軟磁性層、第二軟磁性層の組成としては、例えばＣｏＴａＺｒ（コバルト−タンタル−ジルコニウム）またはＣｏＦｅＴａＺｒ（コバルト−鉄−タンタル−ジルコニウム）またはＣｏＦｅＴａＺｒＡｌＣｒ（コバルト−鉄−タンタル−ジルコニウム−アルミニウム−クロム）またはＣｏＦｅＮｉＴａＺｒ（コバルト−鉄−ニッケル−タンタル−ジルコニウム）とすることができる。上記スペーサ層の組成は例えばＲｕ（ルテニウム）とすることができる。
軟磁性層の膜厚は、構造及び磁気ヘッドの構造や特性によっても異なるが、全体で１５ｎｍ〜１００ｎｍであることが望ましい。なお、上下各層の膜厚については、記録再生の最適化のために多少差をつけることもあるが、概ね同じ膜厚とするのが望ましい。
【００２９】
また、基板と軟磁性層との間には、密着層を形成することも好ましい。密着層を形成することにより、基板と軟磁性層との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層の剥離を防止することができる。密着層の材料としては、例えばＴｉ含有材料を用いることができる。
【００３０】
また、シード層は、下地層の配向ならびに結晶性を制御するために用いられる。全層を連続成膜する場合には特に必要のない場合もあるが、軟磁性層と下地層の相性如何によっては結晶成長性が劣化することがあるため、シード層を用いることにより、下地層の結晶成長性の劣化を防止することができる。シード層の膜厚は、下地層の結晶成長の制御を行うのに必要最小限の膜厚とすることが望ましい。厚すぎる場合には、信号の書き込み能力を低下させてしまう原因となる。
【００３１】
また、上記基板用ガラスとしては、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダタイムガラス等が挙げられるが、中でもアルミノシリケートガラスが好適である。また、アモルファスガラス、結晶化ガラスを用いることができる。なお、化学強化したガラスを用いると、剛性が高く好ましい。本発明において、基板主表面の表面粗さはRmaxで１０ｎｍ以下、Raで０．３ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
また、上記垂直磁気記録層は、コバルト（Ｃｏ）を主体とする結晶粒子と、酸化物またはSi,Ti,Cr,CoまたはSi,Ti,Cr,Co酸化物を主体とする粒界部を有するグラニュラー構造の強磁性層を含むことが好適である。
具体的に上記強磁性層を構成するＣｏ系磁性材料としては、非磁性物質である酸化ケイ素や酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有するＣｏＣｒＰｔ（コバルト−クロム−白金）からなる硬磁性体のターゲットを用いて、ｈｃｐ結晶構造を成型する材料が望ましい。また、この強磁性層の膜厚は、例えば２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
また、補助記録層は、交換結合制御層を介して垂直磁気記録層の上部に設けることによって、磁気記録層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて高熱耐性を付け加えることができる。補助記録層の組成は、例えばＣｏＣｒＰｔＢとすることができる。
【００３４】
また、前記垂直磁気記録層と前記補助記録層との間に、交換結合制御層を有することが好適である。交換結合制御層を設けることにより、前記垂直磁気記録層と前記補助記録層との間の交換結合の強さを好適に制御して記録再生特性を最適化することができる。交換結合制御層としては、例えば、Ｒｕなどが好適に用いられる。
【００３５】
上記強磁性層を含む垂直磁気記録層の形成方法としては、スパッタリング法で成膜することが好ましい。特にDCマグネトロンスパッタリング法で形成すると均一な成膜が可能となるので好ましい。
【００３６】
また、前記垂直磁気記録層の上に、保護層を設けることが好適である。保護層を設けることにより、磁気記録媒体上を浮上飛行する磁気ヘッドから磁気ディスク表面を保護することができる。保護層の材料としては、たとえば炭素系保護層が好適である。また、保護層の膜厚は３〜７ｎｍ程度が好適である。
【００３７】
また、前記保護層上に、更に潤滑層を設けることも好ましい。潤滑層を設けることにより、磁気ヘッドと磁気ディスク間の磨耗を抑止でき、磁気ディスクの耐久性を向上させることができる。潤滑層の材料としては、たとえばＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）系化合物が好ましい。潤滑層は、例えばディップコート法で形成することができる。
【実施例】
【００３８】
以下実施例、比較例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ガラス基板を得た。ディスク直径は６５ｍｍである。このガラス基板の主表面の表面粗さをAFM（原子間力顕微鏡）で測定したところ、Rmaxが２．１８ｎｍ、Raが０．１８ｎｍという平滑な表面形状であった。なお、Rmax及びRaは、日本工業規格（JIS）に従う。
【００３９】
次に、枚葉式静止対向スパッタ装置を用いて、上記ガラス基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、順次、密着層、軟磁性層、シード層、下地第一層、下地第二層、垂直磁気記録層、交換結合制御層、補助記録層、保護層の各成膜を行った。これら各層と成膜チャンバーとの関係を図１に示した。なお、１層分の成膜時間を３．７秒とした。
【００４０】
以下の各材料の記述における数値は組成を示すものとする。
まず、密着層として、１０ｎｍのCr-50Ti層を成膜した。
次に、軟磁性層として、非磁性層を挟んで反強磁性交換結合する２層の軟磁性層の積層膜を成膜した。すなわち、最初に１層目の軟磁性層として、２５ｎｍの (30Fe-70Co)-3Ta5Zr層を成膜し、次に非磁性層として、０．７ｎｍのRu層を成膜し、さらに２層目の軟磁性層として、１層目の軟磁性層と同じ、(30Fe-70Co)-3Ta5Zr層を２５ｎｍ成膜した。
【００４１】
次に、上記軟磁性層上に、シード層として、５ｎｍのNi-7W層を成膜した。
【００４２】
次に，下地層として２層のRu層を成膜した。すなわち、下地第一層として、Arガス圧０．７ＰａにてＲｕを１２ｎｍ成膜し、下地第二層として、Arガス圧４．５ＰａにてＲｕを１２ｎｍ成膜した。この下地層の成膜プロセスを詳しく説明すると、下地第一層及び第二層（の一部）成膜用のＲｕターゲットの取り付けられたチャンバー（図１の成膜チャンバー４）において、まずArガス圧を０．７Ｐａに調整して、Ｒｕを０．８秒かけて１２ｎｍ成膜し（下地第一層）、次いで０．４秒成膜を止めてArガス圧を４．５Ｐａに上昇させた後、再びＲｕを２．０秒かけて６ｎｍ成膜した（下地第二層）。次の下地第二層成膜用のＲｕターゲットの取り付けられたチャンバー（図１の成膜チャンバー５）においては、Arガス圧を４．５Ｐａに固定して、Ｒｕを３．２秒かけて６ｎｍ成膜した（下地第二層）。
【００４３】
次に、下地層の上に、磁気記録層を成膜した。まず、垂直磁気記録層として、１０ｎｍの90(Co-10Cr-16Pt)-5SiO2-5TiO2を成膜した。次に、交換結合制御層として、０．３ｎｍのRu層を成膜し、更にその上に補助記録層として、７ｎｍのCo-15Cr-15Pt-5Bを成膜した。
【００４４】
そして次に、上記磁気記録層の上に、水素化ダイヤモンドライクカーボンからなる炭素系保護層を形成した。炭素系保護層の膜厚は５ｎｍとした。
そして、スパッタ装置から取り出し、この後、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）からなる潤滑層をディップコート法により形成した。潤滑層の膜厚は１ｎｍとした。
以上の製造工程により、実施例１の垂直磁気記録媒体が得られた。
【００４５】
（実施例２〜４）
実施例１における下地層の成膜工程において、下地第二層成膜用の成膜チャンバー５のターゲット材料を、Ru-O(O:2000wtppm)（実施例２）、Ru-1.0SiO2（実施例３）、Ru-1.0TiO2（実施例４）としたこと以外は、実施例１と同様にして下地層を成膜し、実施例２〜４の垂直磁気記録媒体を得た。
【００４６】
（比較例１）
下地層の成膜工程において、成膜チャンバー４（図２）において、Arガス圧を０．７Ｐａに固定して、Ｒｕを１２ｎｍ成膜し（下地第一層）、次の成膜チャンバー５（図２）においては、Arガス圧を４．５Ｐａに固定して、Ｒｕを１２ｎｍ成膜した（下地第二層）。この下地層の成膜工程以外は、実施例１と同様にして、比較例１の垂直磁気記録媒体を得た。なお、比較例１の垂直磁気記録媒体の層構成と成膜チャンバーとの関係を図２に示した。
【００４７】
（比較例２〜４）
比較例１における下地層の成膜工程において、下地第二層成膜用の成膜チャンバー５のターゲット材料を、Ru-O(O:2000wtppm)（比較例２）、Ru-1.0SiO2（比較例３）、Ru-1.0TiO2（比較例４）としたこと以外は、比較例１と同様にして下地層を成膜し、比較例２〜４の垂直磁気記録媒体を得た。
【００４８】
（評価）
上記実施例、比較例の垂直磁気記録媒体を用いて、以下の評価を行った。
すなわち、上記実施例１〜４、比較例１〜４の各垂直磁気記録媒体に対し、磁気特性、記録再生特性の評価を行った。静磁気特性の評価は、Kerr効果測定器を用いて、保磁力（Hc）、逆磁区核形成磁界（−Hn）、および飽和磁界（Hs）を測定した。また、記録再生特性の評価は、SPT/TMRヘッドを備えたスピンスタンドテスターを用いて、線記録密度１５００kFCI（Kilo Flux Change per inch）にて、MWW（トラック幅）、およびエラーレートを測定した。
得られた結果を纏めて下記表１に示した。
【００４９】
【表１】
2010238273.tif 000003
【００５０】
表１の結果から、実施例１〜４の垂直磁気記録媒体は、いずれも比較例に比べて良好な静磁気特性を備えていることが分かる。また、いずれも狭いトラック幅MWWを維持しつつ良好なエラーレート（−（マイナス）６乗台）が得られており、良好な静磁気特性とともに良好な記録再生特性を備えており、より一層の高記録密度化に対応可能な特性が得られることが確認できた。
【００５１】
一方、比較例１〜４（従来例）の垂直磁気記録媒体に関しては、いずれも静磁気特性が実施例よりも劣っており、またいずれもエラーレートが悪く（−（マイナス）５乗台）、実施例と比べると静磁気特性、記録再生特性がともに劣っており、より高記録密度の磁気記録媒体向けの所望の特性が得られないことが分かる。
【図１】
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【図２】
2010238273.tif 000005