(57)【要約】【課題】反射角度を有効に改善し、チップ内部の熱消耗を減らし、好ましい出光効率と３Ｄの光学的特性を具えたＬＥＤのカッティング方法とその製品を提供する。【解決手段】Ａでは、ＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、Ｂでは、液体物を作動してカッターとチップ間との間に流動して音波反射層の媒体とし、Ｃでは、動力の電源を入れて駆動し、電歪伸縮材料、或いは電圧セラミック材料が体積を膨張し、圧縮する上下に位置を移動するピストン運動を行い、Ｄでは、一端に電鋳を具えたダイヤモンド、cBNか、或いはSiCの微粒子のカッターで微粒子が連続してＬＥＤチップ間に打ち込み比較的小さい接触面積で大きな衝撃を生み出してカッティングする上述の四つの工程からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａでは、ＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、
Ｂでは、液体物を作動してカッターとチップ間との間に流動して音波反射層の媒体とし、
Ｃでは、動力の電源を入れて駆動し、電歪伸縮材料、或いは電圧セラミック材料が体積を膨張し、圧縮する上下に位置を移動するピストン運動を行い、
Ｄでは、一端に電鋳を具えたダイヤモンド、cBNか、或いはSiCの微粒子のカッターで微粒子が連続してＬＥＤチップ間に打ち込み比較的小さい接触面積で大きな衝撃を生み出してカッティングする上述の四つの工程からなることを特徴とするＬＥＤのカッティング方法。
【請求項２】
前記Ｃにおける磁歪伸縮材料か、或いは電圧セラミック材料が、電気エネルギーを機械エネルギーに転換し、体積の膨張、圧縮を行う上下に位置を移動するピストン運動を実施し、ＬＥＤのカッティングにおける動力源となることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤのカッティング方法。
【請求項３】
前記Ｄにおけるカッターが、チタン、鋼、アルミ、銅、或いはその他合金から形成したカッターで、一端面の前方端縁部の電鋳にダイヤモンド、或いはcBNか、或いはSiCなど超硬質な微粒子を付帯し、ＬＥＤ或いはＬＥＤエピタキシー基板をカッティングすることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤカッティング方法。
【請求項４】
前記断面が平行なカッターが、平面上に連続した凹凸状の柱体を形成し、該凹凸の柱状が三角形、円弧状、矩形のどれかを呈し、断面が平行な柱状なことを特徴とする請求項１、或いは３に記載のＬＥＤカッティング方法。
【請求項５】
前記カッティングするカッターが、先端が尖り、鋭利な角度が０度より大きくＬＥＤチップ材料の臨界角度で、二つの両側の断面が非平行なカッターで、カッティングした断面が非平行なＬＥＤチップのカッターを具えることを特徴とする請求項１、或いは３に記載のカッティング器具。
【請求項６】
前記ＬＥＤをカッティングするカッターの刃が、内側にへこんだ弧状か、或いは外側に凸出した弧状で鋭利な先端を具えてなることを特徴とする請求項１、或いは３に記載のＬＥＤのカッティング方法。
【請求項７】
前記断面が非平行で鋭利な先端を具えたＬＥＤをカッティングするカッターが、鋭利な平面上に連続して凸凹した柱状を形成し、該凸凹の柱状が、三角、円弧状、矩形、或いは円錐状のどれかである断面が非平行な柱状のＬＥＤをカッティングする器具であることを特徴とする請求項１、或いは３に記載のＬＥＤのカッティング方法。
【請求項８】
前記カッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッター上に付着して微粒子の粒径と等しく粗い表面で、カッターの表面と互いに補い合う形状のＬＥＤの粒子の製品を形成することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤのカッティング方法。
【請求項９】
前記カッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッターの刃の表面上の粒子の粒径の形状と同様な粗さで二つの断面が互いに平行に対向することを特徴とする請求項１、或いは８に記載のＬＥＤのカッティング方法。
【請求項１０】
前記カッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッターの刃の表面の粒径の形状と同様に粗く、且つ対応する二つのカッティング面が互いに平行して連続した凸凹の柱状を具えてなるＬＥＤの粒子であることを特徴とする請求項１、或いは８に記載のＬＥＤのカッティング方法。
【請求項１１】
前記カッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、鋭利な先端のカッターの刃の表面の粒子の粒径と同様に粗く、対応する二つの断面が非平行であることを特徴とする請求項１、或いは８に記載のＬＥＤのカッティング方法。
【請求項１２】
前記カッティングしたＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッターの刃の表面の粒子の粒径と同様に粗く、断面が非平行の断面で内側に凹設するか、或いは外側に凸出した弧状に形成されることを特徴とする請求項１、或いは８に記載のＬＥＤのカッティング方法。
【請求項１３】
前記カッティングしたＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッターの刃の表面の粒子の粒径と同様に粗く、断面が非平行の柱状のＬＥＤの粒子の製品を形成することを特徴とする請求項１、或いは８に記載のＬＥＤカッティング方法。
【請求項１４】
前記カッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、鋭利な先端のカッターの刃の表面の粒子の粒径と同様に粗く、対応する二つの断面が非平行で連続して凸凹の円錐状で、断面が非平行な円錐状に形成されることを特徴とする請求項１、或いは８に記載のＬＥＤのカッティング器具。
【請求項１５】
ＡではＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、Ｂでは液体を作動してカッターとチップとの間に流動して音波反射防止媒体にし、Ｃでは動力電源を入れて磁歪伸縮、或いは電圧セラミック材料が体積膨張と圧縮で上下に位置を移動するピストン運動を形成し、Ｄａではが一端面上の電鋳にダイヤモンド、或いはcBNか、或いはSiCの微粒子のカッティング器具で、微粒子をＬＥＤチップに打ち付けてカッティングし、チップ固定座表面に最も近い厚さになったら作業を停止し、ＥではハーフカッティングのＬＥＤを熱で分裂してＬＥＤの粒子の製品を形成し、前述の五つの工程でＬＥＤをハーフカッティングすることを特徴とするＬＥＤのハーフカッティング方法。
【請求項１６】
前記カッティング方法による断面が、カッターの刃の表面に付帯した微粒子の粒径と同様に粗く、カッターの表面の形状と互いに補い合う断面で、熱で分裂させて形成した不規則な断面のＬＥＤの粒子の製品であることを特徴とする請求項１５に記載のＬＥＤのハーフカッティング方法。
【請求項１７】
ＡではＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、Ｂでは液体を作動してカッターとチップとの間に流動して音波反射防止媒体にし、Ｃでは動力電源を入れて磁歪伸縮、或いは電圧セラミック材料が体積膨張と圧縮で上下に位置を移動するピストン運動を形成し、Ｄａでは凸或いは凹状の周期的、連続した階段式のカッターで、階段状平面上に電鋳が付着しダイヤモンド、或いは一端面上の電鋳にダイヤモンド、或いSiCは、或いは非常に硬質な連続した階段状で、どの段の微粒子のカッティング器具で、微粒子をＬＥＤチップに打ち付けてカッティングし、チップ固定座表面に最も近い厚さになったら作業を停止し、ＥではハーフカッティングのＬＥＤを熱で分裂してＬＥＤの粒子の製品を形成し、前述の五つの工程でＬＥＤをハーフカッティングすることを特徴とするＬＥＤのハーフカッティング方法。
【請求項１８】
前記Ｄにおいて凸或いは凹の連続した階段状のカッターを使用し、該カッターの階段状の一段ごとの高低差がＬＥＤに対する波長の１／４λの光学的厚さの奇数倍であって、階段状の平面上の電鋳にダイヤモンド、或いはSiC、或いはcBNの超硬質な粒子が設けられ、ＬＥＤエピタキシー基板をハーフカッティングすることを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤエピタキシー基板のハーフカッティング方法。
【請求項１９】
前記カッターが、連続した凸凹の階段状を呈し、六角形の階段状、円形の階段状、或いは矩形の階段状のどれか一つでＬＥＤエピタキシー基板をハーフカッティングすることを特徴とする請求項１７、或いは１８に記載のＬＥＤハーフカッティング方法。
【請求項２０】
前記ハーフカッティングの加工工程が、AL2O3、SiC、GaN、MgAl2O4、ZnS、ZnO、GaAs、SiO2、SiのどれかひとつのＬＥＤエピタキシー基板で、基板の平面がカッターの端面の形状と互いに補うように形成され、凸、或いは凹状の周期的な連続した一以上の階段状の基板で、一階段ごとの高低差が１／４λ光学的な厚さの奇数倍数であるＬＥＤエピタキシー基板であることを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤエピタキシー基板のハーフカッティング方法。
【請求項２１】
前記ハーフカッティングするエピタキシー基板が、凸凹状の周期的な連続した階段状の円形の階段か、或いは凸凹上の周期的な連続した階段状の矩形の階段であって、窒化ガリウム、窒化インジガリウム、アルミニウム窒化ガリウムなどＬＥＤの原料のIII−VI族の一つからなるＬＥＤエピタキシー基板であることを特徴とする請求項１７、或いは２０に記載のＬＥＤエピタキシー基板のハーフカッティング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＬＥＤ、或いはＬＥＤエピタキシー基板のカッティング工具に関し、特にＬＥＤのカッティング方法とその製品に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤチップをカッティングする作業を行う場合いずれも、ワイヤーカッティング（Ｗｉｒｅ  Ｃｕｔｔｉｎｇ）か、或いは内部に円形の刃を具えたカッターか、或いは外側に円形の刃を具えたカッターでカッティングする。
【０００３】
上述のカッティング方法はいずれも、摩擦力か、或いは線性運動を利用して実施する。
【０００４】
摩擦力でカッティングする場合、ワイヤー（Ｗｉｒｅ）、或いはカッター（Ｃｕｔｔｅｒ）上に設けられたダイヤモンドの粒が、カッティング力を受けて容易に抜け落ちる状況が発生する。
【０００５】
よって、前述の方法は、加工効率が低く、消耗材の損失も非常に大きくなる。
【０００６】
また、摩擦でカッティングした後のカッティング面はいずれも対称で平らで、滑らかな面に形成される。
【０００７】
しかしながら、２Ｄの光学的な構造しか具えていないため、ＬＥＤ製品の出光効率や品質に影響を与える。
【０００８】
ＬＥＤの材料の多くはIII−VI族の高屈折率を具えた材料を使用する。その屈折率は約３〜３．５である。
【０００９】
Ｓｎｅｌｌの法則によれば(3-1/3+1)2=25%の反射が損失する。大部分の光はもとの位置に戻り、反射されてＬＥＤチップ内で振動し、熱を形成し、熱を消耗する。
【００１０】
即ち、１度温度が増加すると、約１．５％の光が失われるため、出光効率が好ましくない第一の原因である。
【００１１】
次に、III−VI族の高屈折率を具えた材料の臨界角が小さいため、光線の入射角が該臨界角よりも大きくなる場合、光線は第二インタフェイスに入射することができず、全て第一インタフェイスに反射される。
【００１２】
これは所謂“光全反射”であって（即ち、n1からn2に進入し、n1＞n2を満たし、全反射角がn1 Sin ic＝n2Sin90°になる）。
【００１３】
スムーズで対称な断面で、且つ臨界角が小さいため、容易に光の全反射による損失が起こり、出光効率が低減する。
【００１４】
よって、ＬＥＤの出光効率が好ましくない第二の原因になっている。
【００１５】
従来のチップは発光量の効率が完璧なレベルに達しているが、従来の技術におけるＬＥＤは出光効率において約２０％ほどのみである。
【００１６】
従来の技術は出光率の方面においていずれも、粒子の後工程の部分の改善に過ぎない。例えば、フリップチップＬＥＤ、チップをＬＥＤに粘着するか、或いはＬＥＤ有機パッケージレンズなどがある。
【００１７】
従来ヒューレットパッカード（ＨＰ）社は、ＬＥＤの粒子に対して実施する非平行な研磨加工の出光効率が最も好ましく、４５％まで高めることができた。
【００１８】
しかしながら、通常、従来の研磨加工で非平行な断面を形成すると、加工速度が遅く、材料の選択によっても差がでる。
【００１９】
AL2O3をＬＥＤのエピタキシー基板に採用すると、モース硬度が９度に達し、ダイヤモンドの硬度に近くなり、研磨加工がし難くなり、且つ加工後の表面が平らで滑らかになるだけで、光反射の欠点を非常に容易に形成する。
【００２０】
ＬＥＤ基板に対する加工は輝度の技術が高められた。中華民国の特許公告番号第５０８８４１号は、日本の商社である日亜化学公司が有するものであって、ＬＥＤエピクタシー基板の上に周期的に棒状、格子状、或いはアイランド状の孔などの保護層を最も好ましく形成することができる。
【００２１】
しかしながら、該保護層はメッキの上に異なる材質のSiO2でエッチング加工を実施するため、異なる材料により抵抗力が発生し、エッチング加工の工程における欠点が増加する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
この発明は、反射角度を有効に改善し、チップ内部の熱消耗を減らし、好ましい出光効率と３Ｄの光学的特性を具えたＬＥＤのカッティング方法とその製品を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
そこで、本発明の発明者は従来の技術に見られる欠点に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、Ａでは、ＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、
Ｂでは、液体物を作動してカッターとチップ間との間に流動して音波反射層の媒体とし、
Ｃでは、動力の電源を入れて駆動し、電歪伸縮材料、或いは電圧セラミック材料が体積を膨張し、圧縮する上下に位置を移動するピストン運動を行い、
Ｄでは、一端に電鋳を具えたダイヤモンド、cBNか、或いはSiCの微粒子のカッターで微粒子が連続してＬＥＤチップ間に打ち込み比較的小さい接触面積で大きな衝撃を生み出してカッティングする上述の四つの工程からなるＬＥＤのカッティング方法によって課題を解決できる点に着眼し、かかる知見に基づいて本考案を完成させた。
【００２４】
以下、この発明について具体的に説明する。
請求項１に記載するＬＥＤのカッティング方法は、Ａでは、ＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、
Ｂでは、液体物を作動してカッターとチップ間との間に流動して音波反射層の媒体とし、
Ｃでは、動力の電源を入れて駆動し、電歪伸縮材料、或いは電圧セラミック材料が体積を膨張し、圧縮する上下に位置を移動するピストン運動を行い、
Ｄでは、一端に電鋳を具えたダイヤモンド、cBNか、或いはSiCの微粒子のカッターで微粒子が連続してＬＥＤチップ間に打ち込み比較的小さい接触面積で大きな衝撃を生み出してカッティングする上述の四つの工程からなる。
【００２５】
請求項２に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１におけるＣにおける磁歪伸縮材料か、或いは電圧セラミック材料が、電気エネルギーを機械エネルギーに転換し、体積の膨張、圧縮を行う上下に位置を移動するピストン運動を実施し、ＬＥＤのカッティングにおける動力源となる。
【００２６】
請求項３に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１におけるＤにおけるカッターが、チタン、鋼、アルミ、銅、或いはその他合金から形成したカッターで、一端面の前方端縁部の電鋳にダイヤモンド、或いはcBNか、或いはSiCなど超硬質な微粒子を付帯し、ＬＥＤ或いはＬＥＤエピタキシー基板をカッティングする。
【００２７】
請求項４に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１、或いは３における断面が平行なカッターが、平面上に連続した凹凸状の柱体を形成し、該凹凸の柱状が三角形、円弧状、矩形のどれかを呈し、断面が平行な柱状である。
【００２８】
請求項５に記載するカッティング器具は、請求項１、或いは３におけるカッティングするカッターが、先端が尖り、鋭利な角度が０度より大きくＬＥＤチップ材料の臨界角度で、二つの両側の断面が非平行なカッターで、カッティングした断面が非平行なＬＥＤチップのカッターを具える。
【００２９】
請求項６に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１、或いは３におけるＬＥＤをカッティングするカッターの刃が、内側にへこんだ弧状か、或いは外側に凸出した弧状で鋭利な先端を具えてなる。
【００３０】
請求項７に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１、或いは３における断面が非平行で鋭利な先端を具えたＬＥＤをカッティングするカッターが、鋭利な平面上に連続して凸凹した柱状を形成し、該凸凹の柱状が、三角、円弧状、矩形、或いは円錐状のどれかである断面が非平行な柱状のＬＥＤをカッティングする器具である。      
【００３１】
請求項８に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１におけるカッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッター上に付着して微粒子の粒径と等しく粗い表面で、カッターの表面と互いに補い合う形状のＬＥＤの粒子の製品を形成する。
【００３２】
請求項９に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１、或いは８におけるカッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッターの刃の表面上の粒子の粒径の形状と同様な粗さで二つの断面が互いに平行に対向する。
【００３３】
請求項１０に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１、或いは８におけるカッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッターの刃の表面の粒径の形状と同様に粗く、且つ対応する二つのカッティング面が互いに平行して連続した凸凹の柱状を具えてなるＬＥＤの粒子である。
【００３４】
請求項１１に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１、或いは８におけるカッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、鋭利な先端のカッターの刃の表面の粒子の粒径と同様に粗く、対応する二つの断面が非平行である。
【００３５】
請求項１２に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１、或いは８におけるカッティングしたＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッターの刃の表面の粒子の粒径と同様に粗く、断面が非平行の断面で内側に凹設するか、或いは外側に凸出した弧状に形成される。
【００３６】
請求項１３に記載するＬＥＤのカッティング方法は、請求項１、或いは８におけるカッティングしたＬＥＤの粒子の製品の断面が、カッターの刃の表面の粒子の粒径と同様に粗く、断面が非平行の柱状のＬＥＤの粒子の製品を形成する。
【００３７】
請求項１４に記載するＬＥＤのカッティング器具は、請求項１、或いは８におけるカッティングして形成したＬＥＤの粒子の製品の断面が、鋭利な先端のカッターの刃の表面の粒子の粒径と同様に粗く、対応する二つの断面が非平行で連続して凸凹の円錐状で、断面が非平行な円錐状に形成される。
【００３８】
請求項１５に記載するＬＥＤのハーフカッティング方法は、ＡではＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、Ｂでは液体を作動してカッターとチップとの間に流動して音波反射防止媒体にし、Ｃでは動力電源を入れて磁歪伸縮、或いは電圧セラミック材料が体積膨張と圧縮で上下に位置を移動するピストン運動を形成し、Ｄａではが一端面上の電鋳にダイヤモンド、或いはcBNか、或いはSiCの微粒子のカッティング器具で、微粒子をＬＥＤチップに打ち付けてカッティングし、チップ固定座表面に最も近い厚さになったら作業を停止し、ＥではハーフカッティングのＬＥＤを熱で分裂してＬＥＤの粒子の製品を形成し、前述の五つの工程でＬＥＤをハーフカッティングする。
【００３９】
請求項１６に記載するＬＥＤのハーフカッティング方法は、請求項１５におけるカッティング方法による断面が、カッターの刃の表面に付帯した微粒子の粒径と同様に粗く、カッターの表面の形状と互いに補い合う断面で、熱で分裂させて形成した不規則な断面のＬＥＤの粒子の製品である。
【００４０】
請求項１７に記載するＬＥＤのハーフカッティング方法は、ＡではＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、Ｂでは液体を作動してカッターとチップとの間に流動して音波反射防止媒体にし、Ｃでは動力電源を入れて磁歪伸縮、或いは電圧セラミック材料が体積膨張と圧縮で上下に位置を移動するピストン運動を形成し、Ｄａでは凸或いは凹状の周期的、連続した階段式のカッターで、階段状平面上に電鋳が付着しダイヤモンド、或いは一端面上の電鋳にダイヤモンド、或いSiCは、或いは非常に硬質な連続した階段状で、どの段の微粒子のカッティング器具で、微粒子をＬＥＤチップに打ち付けてカッティングし、チップ固定座表面に最も近い厚さになったら作業を停止し、ＥではハーフカッティングのＬＥＤを熱で分裂してＬＥＤの粒子の製品を形成し、前述の五つの工程でＬＥＤをハーフカッティングする。
【００４１】
請求項１８に記載するＬＥＤエピタキシー基板のハーフカッティング方法は、請求項１７におけるＤにおいて凸或いは凹の連続した階段状のカッターを使用し、該カッターの階段状の一段ごとの高低差がＬＥＤに対する波長の１／４λの光学的厚さの奇数倍であって、階段状の平面上の電鋳にダイヤモンド、或いはSiC、或いはcBNの超硬質な粒子が設けられ、ＬＥＤエピタキシー基板をハーフカッティングする。
【００４２】
請求項１９に記載するＬＥＤのハーフカッティング方法は、請求項１７、１８におけるカッターが、連続した凸凹の階段状を呈し、六角形の階段状、円形の階段状、或いは矩形の階段状のどれか一つでＬＥＤエピタキシー基板をハーフカッティングする。
【００４３】
請求項２０に記載するＬＥＤエピタキシー基板のハーフカッティング方法は、請求項１７におけるハーフカッティングの加工工程が、AL2O3、SiC、GaN、MgAl2O4、ZnS、ZnO、GaAs、SiO2、SiのどれかひとつのＬＥＤエピタキシー基板で、基板の平面がカッターの端面の形状と互いに補うように形成され、凸、或いは凹状の周期的な連続した一以上の階段状の基板で、一階段ごとの高低差が１／４λ光学的な厚さの奇数倍数であるＬＥＤエピタキシー基板である。
【００４４】
請求項２１に記載するＬＥＤエピタキシー基板のハーフカッティング方法は、請求項１７、或いは２０におけるハーフカッティングするエピタキシー基板が、凸凹状の周期的な連続した階段状の円形の階段か、或いは凸凹上の周期的な連続した階段状の矩形の階段であって、窒化ガリウム、窒化インジガリウム、アルミニウム窒化ガリウムなどＬＥＤの原料のIII−VI族の一つからなるＬＥＤエピタキシー基板である。
【発明の効果】
【００４５】
この発明のＬＥＤのカッティング方法は、加工工程においてチップ固定座を保護し、好ましい照射効率を具えているという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
この発明は反射角度を有効に改善し、チップ内部の熱消耗を減らし、好ましい出光効率と３Ｄの光学的特性を具えたＬＥＤのカッティング方法とその製品であって、Ａでは、ＬＥＤチップをチップ固定座に固定し、
Ｂでは、液体物を作動してカッターとチップ間との間に流動して音波反射層の媒体とし、
Ｃでは、動力の電源を入れて駆動し、電歪伸縮材料、或いは電圧セラミック材料が体積を膨張し、圧縮する上下に位置を移動するピストン運動を行い、
Ｄでは、一端に電鋳を具えたダイヤモンド、cBNか、或いはSiCの微粒子のカッターで微粒子が連続してＬＥＤチップ間に打ち込み比較的小さい接触面積で大きな衝撃を生み出してカッティングする上述の四つの工程からなる。
かかるＬＥＤのカッティング方法とその製品の特徴を詳述するために具体的な実施例を挙げ、図示を参照にして以下に説明する。
【実施例】
【００４７】
この発明のＬＥＤのカッティング方法は、電力を駆動して磁歪伸縮、或いは電圧セラミック材料が体積の膨張、或いは圧縮（即ち電気エネルギーを機械エネルギーに転換する）する上下にピストン運動をする作用力を形成し、ＬＥＤチップをカッティング、ありはＬＥＤエピタキシー基板をカッティングする動力になる。
【００４８】
一端に電鋳を具えたダイヤモンド、cBNか、或いはSiCの微粒子造形には適宜な形状のカッターが加工用のカッターとして使用される。
【００４９】
音波反射防止は液体媒介を使用し、カッターとチップとの間に音波反射防止層を形成する。
【００５０】
チップ固定座は、ＬＥＤチップ、或いはＬＥＤエピタキシー基板の固定座などの設備であって、図１に記載するステップに従ってＬＥＤのカッティング方法とその製品を完成する。
【実施例１】
【００５１】
動力源１４は、電力で駆動する磁歪伸縮材料Cr(20)Al(3)Feの合金である。
【００５２】
音波防止媒体は、純水１３を使用する。
【００５３】
カッターユニットは図２に開示するカッター２１、２２、２３、２４である。
【００５４】
被加工物はＬＥＤチップ１１は、チップ固定座上に設けられ、以下の図１に従って工程を実施する。
【００５５】
実施例はこの発明に使用しているが、この発明に限られるものではない。
【００５６】
ＡではＬＥＤチップ１１をチップ固定座１２上に準備用に固定して設ける。
【００５７】
Ｂでは音波防止媒体の純水１３が作動して上方から下方に流動し、カッター１５を介してチップ固定座１２上に流動し、カッターとチップ間の音波防止媒体が冷却、塵除去としても利用することができる。
【００５８】
Ｃでは磁歪伸縮材料Cr(20)Al(3)Feの合金の動力源１４を作動して上下に位置を動かすピストン運動の衝撃力を形成する。
【００５９】
Ｄではカッターの表面に超微粒子を連続してＬＥＤチップに打ちつけ、発光ダイオードチップ１５をカッティングする。カッティングが完成したら、動力源１４と、音波防止媒介の純水１３の電源を閉じる。
【００６０】
即ち、カッティングが完成したＬＥＤチップを取り出してＱＣをとして等級を選別して粒子を形成する。
【００６１】
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの四つの工程を通してＬＥＤのカッティング方法を構成する。
【００６２】
前述の方法でカッティングした後の製品は粒子断面が粗いことが特徴の一つである。カッター表面の形状と互いに補い合う断面の形状のＬＥＤの粒子製品はその第二の特徴である。
【００６３】
例えば、カッター２１は断面が粗く平行なＬＥＤ粒子４１を形成する。カッター２２は断面が粗くて非平行なＬＥＤ粒子４２を形成する。カッター２３は、断面が粗くて非平行なＬＥＤ粒子４４を形成する。カッター２４は断面が粗くて非平行なＬＥＤ粒子４３（図６参照）を形成する。
【００６４】
この発明は、最も好ましい断面が粗くて、非平行なＬＥＤチップであって、全反射を大幅に克服し、反射光がもとの位置に反射されて粒子内に戻ることを克服することができ、好ましい断面の粗くて平行なＬＥＤ粒子の製品を形成する。
【実施例２】
【００６５】
図１に開示するように、動力源１４は、電力で駆動するＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）電圧材料である。
【００６６】
音波防止媒体は水にアルコール（氷結を防ぐため）を加えたものを使用する。
【００６７】
カッターは、図４に示すカッター２８、２９、３０を使用する。
【００６８】
被加工物はＬＥＤチップ１１とし、チップ固定座上に設ける。
【００６９】
作業工程は上述の第一の実施例のカッティング方法でＬＥＤ粒子の製品を製造する。
【００７０】
Ａでは、ＬＥＤチップ１１をチップ固定座１２上に固定して設けて準備する。
【００７１】
Ｂでは、音波防止媒体の純水１３を作動すると、上方から下方に流動し、カッター１５を介してチップ固定座１２上に流れるため、カッターとチップとの間の音波防止媒体兼冷却液、塵除去材料として使用することができる。
【００７２】
Ｃでは、電力でＰＺＴ電圧材料の動力源１４を駆動すると、上下に一度移動するピストン運動の衝撃力を発生する。
【００７３】
Ｄでは、カッターの表面上の超微粒子を連続してＬＥＤチップに打ち込みＬＥＤチップ１５をカッティングする。カッティングが完了したら、動力源１４と音波防止媒体の純水１３の電源を閉じる。カッティングしたＬＥＤ粒子を取り出してＱＣの選別を通して等級に分けて粒子を製品となる。
【００７４】
前述のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの四つの工程を通してこの発明のＬＥＤのカッティング方法を実施する。カッティング後の製品の粒子の断面は粗いことが第一の特徴である。
【００７５】
カッターの表面の凹凸の形状と互いに補い合う断面の形状を具えたＬＥＤの粒子が第二の特徴である。
【００７６】
カッター２８は、断面が粗く、非平行な矩形の柱状のＬＥＤの粒子４９を製造し、カッター２９は、断面が粗く、非平行な三角の円錐状のＬＥＤの粒子４８を製造し、カッター３０は断面が粗く、非平行な弧形の柱状のＬＥＤの粒子５０を製造（図８参照）する。
【実施例３】
【００７７】
図１に開示する実施形態のステップと同様に、作業工程は上述の実施例のカッティング方法と同じステップでＬＥＤの粒子関連製品を製造する。
【００７８】
カッターは図３に開示するカッター２５、２６、２７を使用する。
【００７９】
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ四つの工程を実施してＬＥＤをカッティングする。
【００８０】
カッティング後の製品の粒子のカッティング面は平行で粗いことが第一の特徴で、カッターの表面の凸凹の形状が互いに補い合う断面を具えたＬＥＤの粒子関連製品が第二の特徴である。
【００８１】
カッター２５が形成する断面は、粗く平行な三角の柱状のＬＥＤの粒子４６で、カッター２６が形成する断面は粗く、平行な弧形の柱状のＬＥＤの粒子４５で、カッター２７が形成する断面は粗く、平らな矩形の柱状のＬＥＤの粒子４７（図７参照）である。
【実施例４】
【００８２】
図１に開示するように、作業工程を実施する。動力源１４は電力で駆動するLiNbO3の電圧材料とする。
【００８３】
音波防止媒体は水中にアルコール（氷結防止）を加えたものを使用し、カッターは図３に開示するカッター２１、２２、２９とし、被加工物であるＬＥＤチップ１１は、チップ固定座上に設ける。
【００８４】
作業工程は上述の通りカッティングしてＬＥＤの粒子関連製品を製造する場合と同様で、Ａ、Ｂ、Ｃの三つの工程を通し、Ｄａの工程ではＬＥＤをカッティングする場合に実施し、チップ固定座の表面を傷つけないように実行し、近い厚さになったら、ハーフカッティング作業１５ａを直ぐに停止する。
【００８５】
ＥでカッティングしたＬＥＤチップを取り出し、高温の気温傾度で加熱してチップが熱振動で分裂１７ａし、粒子の製品が製造される。
【００８６】
実施のステップは、
Ａでは、ＬＥＤチップ１１をチップ固定座１２上に固定して設ける。
【００８７】
Ｂでは、音波防止媒体のアルコール精製水１３を作動して上方から下方へ流動させる、カッター１５とチップ固定座１２上にもアルコール精製水１３が流動して、カッターとチップ間の音波防止媒体兼冷却液と塵除去材料として使用できる。
【００８８】
Ｃでは、電力でLiNbO3電圧材料の動力源１４を駆動し、上下に位置を移動するピストン運動の衝撃力を発生する。
【００８９】
Ｄａでは、カッターの表面の超微粒子を連続してＬＥＤチップに打ち付けてＬＥＤチップ１５をカッティングする。チップ固定座の表面を傷つけないように実施し、最も近い厚さになったら直ぐに加工作業を停止する。カッティングしたら動力源１４と、音波防止媒体１３の電源を閉じる。
【００９０】
Ｅでは、ハーフカッティングのＬＥＤチップ１１を取り出し、高温の気温傾度加熱炉で加熱し、チップが熱振動で分裂１７ａさせて粒子の製品になり、ＱＣで等級を選別して製品とする。
【００９１】
前述のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄａ、Ｅの五つの工程を実施する。
【００９２】
この発明のＬＥＤのハーフカッティング方法はカッティング後の製品のチップの断面が粗いことが特徴の一つで、カッター表面の形状と互いに補い合う断面の形状のＬＥＤチップが第二の特徴で、バリが残るＬＥＤチップが第三の特徴である。
【００９３】
カッター２１が形成する断面は粗く、平行なＬＥＤ粒子５１で、カッター２２が形成する断面は粗く、非平行なＬＥＤ粒子５２で、カッター２９が形成する断面は粗く、円錐状の非平行なＬＥＤ粒子５３（図９参照）である。
【００９４】
最も好ましい断面は粗く、非平行なＬＥＤ粒子で、全反射の問題を改善し、反射光がもとの位置に反射されてチ粒子内部に戻ることを改善することができる。
【００９５】
次に好ましい断面は、粗い柱状で平行なＬＥＤ粒子である。
【実施例５】
【００９６】
図１のように工程を実施し、設備の動力源１４は、電力でＰＺＴ電圧材料を駆動し、音波防止媒体は純水を使用し、カッターは図５に開示するカッター３１、３２、３３、３４を使用し、電鋳に超硬質粒子のダイヤモンドを付着し、被加工物のAL2O3がＬＥＤエピタキシー基板とする。
【００９７】
作業工程は、上述のようにカッティングしてＬＥＤ粒子を製造する方法と同様で、AL2O3エピタキシー基板材料１１をエピタキシー基板固定座１２上に固定して設ける。
【００９８】
上述の方法に従ってハーフカッティングの加工作業を実施し、最後の段階で基板の水平面が相対波長１／４λで、光学的な厚さが奇数倍数に達したら、加工を終了する。
【００９９】
カッティングしたAL2O3エピタキシー基板を取り出し、フッ素化合物か、或いはフッ素酸で化学的にポリッシュした後、洗浄してＬＥＤエピタキシー基板を形成する。
【０１００】
その工程は、ＡではＬＥＤエピタキシー基板１１のAL2O3をエピタキシー基板固定座１２上に固定して設ける。
【０１０１】
Ｂでは、音波防止媒体の純水１３を作動して上方から下方に流動してカッター３１、３２、３３、３４まで流動してAL2O3エピタキシー基板とエピタキシー基板固定座１２上に滴るようにする。
【０１０２】
Ｃでは、電力を入れてＰＺＴ電圧材料を駆動して動力源１４とし、上下に位置を移動するピストン運動の衝撃力を発生する。
【０１０３】
Ｄａでは、ＬＥＤエピタキシー基板AL2O3をカッティングする時、エピタキシー基板AL2O3の表面を傷つけないように最も近い段階の１／４λで、光学的厚さが奇数倍数になったら、カッティング加工を停止する。
【０１０４】
Ｆでは、ＬＥＤエピタキシー基板を取り出して、フッ素化合物か、或いはフッ素酸で化学的にポリッシュ１７ｂした後、洗浄してＬＥＤエピタキシー基板を形成する。
【０１０５】
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄａ、Ｆという五つの工程を通してＬＥＤエピタキシー基板のハーフカッティングを実施する。
【０１０６】
カッティングした後のエピタキシー基板の表面には本体の表面積より小さい、一段以上の外側に凸出するか、或いは内側に凹設した連続した周期的な階段状のＬＥＤエピタキシー基板を形成する。
【０１０７】
図９に開示するように、その特徴は、カッター３１で形成した表面の形状は互いに補い合う形態５２のＬＥＤエピタキシー基板になり、カッター３３で形成した表面は互いに補い合う形態５１のＬＥＤエピタキシー基板になり、カッター３４で形成した表面は互いに補い合う形態５３のＬＥＤエピタキシー基板になる（図１０参照）。
【０１０８】
この発明のＬＥＤエピタキシー基板のハーフカッティング方法は、ＬＥＤエピタキシー基板の表面に基本体の平面の面積よりも小さい一段階以上の多角形の外側に凸出するか、内側に凹設する連続した周期的な階段状のＬＥＤエピタキシー基板を特徴とする。
【０１０９】
該階段は、六角形、円形、矩形、多辺形などのどれか一つとする。
【０１１０】
図９に開示するように、ＬＥＤエピタキシー基板表面上に複数の小さい周期的で連続した外側に凸出、内側に凹設した階段状を形成し、使用時に異なる厚さの端縁部を具えているため、光線の反射、或いは透光の時間差が形成される。
【０１１１】
光線のリード、或いは落ちた後の状況が光の重なりを助け、全体的な輝度を高める。
【０１１２】
最も好ましい形態は、二個以上の高低階段で、次は一以上の高低階段である。
【０１１３】
以上は、この発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】この発明のＬＥＤのカッティング方法を示したブロック図である。
【図２】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品における平行と非平行なカッティング用具を示した斜視図である。
【図３】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品における柱状の平行なカッティング用具を示した斜視図である。
【図４】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品における柱状の非平行なカッティング用具を示した斜視図である。
【図５】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品における凸凹の階段状カッティング用具を示した斜視図である。
【図６】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品におけるＬＥＤのカッティング面が粗い粒子の製品を示した斜視図である。
【図７】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品におけるＬＥＤのカッティング面が連続した柱状の粗い粒子の製品を示した斜視図である。
【図８】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品におけるＬＥＤの非平行なカッティング面が連続した粗い粒子の製品を示した斜視図である。
【図９】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品におけるハーフカッティング方法で形成されたＬＥＤの粒子を示した斜視図である。
【図１０】この発明のＬＥＤのカッティング方法とその製品で形成された連続した周期性の凸凹の階段状ＬＥＤエピキタシー基板の斜視図である。
【符号の説明】
【０１１５】
１１                    ＬＥＤチップ
１２                    チップ固定座
１３                    アルコール精製水
１４                    動力源
１５                    カッター
１５ａ                  ハーフカッティング作業
１６                    ＬＥＤの製品
１６ａ                  ＬＥＤの製品
１７ａ                  分裂
１７ｂ                  ポリッシュ
１８                    ＬＥＤのエピキタシー基板
２１、２２、２３、２４、２９  カッター
２５、２６、２７                カッター
２８、２９、３０                カッター
３１、３２、３３、３４  カッター
４１、４２、４３、４４  ＬＥＤ粒子
４５、４６、４７                ＬＥＤの粒子
４８、４９、５０                ＬＥＤの粒子
５１、５２、５３                ＬＥＤ粒子
５４                    連続して内側に凹設した六角形の階段状のエピキタシー基板
５５                    連続して外側に凸設した六角形の階段状のエピキタシー基板
５６                    連続して内側に凹設した円形の階段状のエピキタシー基板
５７                                   連続して外側に凸設した円形の階段状のエピキタシー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010056549.tif 000009
【図８】
2010056549.tif 000010
【図９】
2010056549.tif 000011
【図１０】
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