(57)【要約】【課題】高周波特性に影響することのないように半導体装置を押さえて位置決めを行い、高周波特性を測定する際の測定精度を向上することができる高周波特性評価治具を提供する。【解決手段】高周波基板３０を載せる治具台座１２と、高周波基板３０に配置される第１ブロックユニット３３と、半導体装置１００のリード１０２を高周波基板３０の伝送線路２１，２２に接触させる際に半導体装置のパッケージ１０１をはめ込んで高周波基板３０の表面に平行な面内方向に位置合わせする位置決め穴部６０を有するパッケージガイド３２と、パッケージガイド３２上にて第１ブロックユニット３３とともにパッケージガイド３２を挟み込んで治具台座１２に固定する第２ブロックユニット３１と、第１ブロックユニット３３の開口部から高周波基板の表面に平行な面内方向に対して垂直方向に進入してパッケージ１０１を押すパッケージ押さえ部材１５０を備える。【選択図】図５
2010117219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送線路を有する高周波基板を搭載する治具台座と、
前記高周波基板上に配置される金属製の第１ブロックユニットと、
前記第１ブロックユニット上に配置されて、前記半導体装置のパッケージをはめ込んで前記高周波基板の表面に平行な面内方向に位置合わせして前記半導体装置のリードを前記高周波基板の前記伝送線路に接触させる位置決め穴部を有するパッケージガイドと、
前記パッケージガイド上に配置されて、前記第１ブロックユニットとともに前記パッケージガイドを挟み込んで前記治具台座に対して固定する金属製の第２ブロックユニットと、
前記第２ブロックユニットが形成している開口部から、前記高周波基板の表面に平行な前記面内方向に対して垂直方向に進入して前記半導体装置の前記パッケージを前記高周波基板側に押すパッケージ押さえ部材と、
を備えることを特徴とする高周波特性評価治具。
【請求項２】
前記第１ブロックユニットは、前記位置決め穴部の一方の側に配置される一方の第１ブロックと、前記位置決め穴部の他方の側に配置される他方の第１ブロックとを有し、
前記第２ブロックユニットは、前記一方の第１ブロックに対応して配置される一方の第２ブロックと、前記他方の第１ブロックに対応して配置される他方の第１ブロックとを有することを特徴とする請求項１に記載の高周波特性評価治具。
【請求項３】
前記治具台座は、前記第１ブロックユニットと前記パッケージガイドおよび前記第２ブロックユニットを、前記垂直方向に沿って位置決めする位置合わせピンを有し、
前記第１ブロックユニットと前記パッケージガイドおよび前記第２ブロックユニットは、前記治具台座に対して着脱可能に固定されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波特性評価治具。
【請求項４】
前記治具台座のフランジに取り付けられた同軸の高周波コネクタと、
前記高周波コネクタの中心導体を前記高周波基板の前記伝送線路に電気的に接続する同軸―線路変換部と、を有し、
前記フランジには、前記高周波コネクタの前記中心導体を通す開口部が形成されており、
前記開口部は、第１貫通穴と、前記第１貫通穴に連続して形成され前記第１貫通穴よりも小径の第２貫通穴とから形成され、前記第１貫通穴内には前記中心導体を保持する絶縁体が配置され、前記第２貫通穴内は空気層となっていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１つの項に記載の高周波特性評価治具。
【請求項５】
リードに半導体素子を電気的に接続して封止樹脂で封止して半導体装置を作成する半導体装置の作成工程と、
治具台座に配置された伝送線路を有する高周波基板上に金属製の第１ブロックユニットを配置し、前記半導体装置のパッケージをはめ込んで前記高周波基板の表面に平行な面内方向に位置合わせして前記半導体装置のリードを前記高周波基板の前記伝送線路に接触させる位置決め穴部を有するパッケージガイドを前記第１ブロックユニット上に配置して、金属製の第２ブロックユニットを前記パッケージガイド上に配置して前記第１ブロックユニットとともに前記パッケージガイドを挟み込んで前記治具台座に対して固定し、前記第２ブロックユニットが形成している開口部から、パッケージ押さえ部材を前記高周波基板の表面に平行な前記面内方向に対して垂直方向に進入して前記半導体装置の前記パッケージを前記高周波基板側に押して、前記半導体装置の高周波特性を測定する半導体装置の測定工程と、
前記半導体装置の測定した高周波特性の結果を評価する半導体装置の評価工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波特性評価治具および半導体装置の製造方法に関し、特に例えば低雑音用トランジスタのような半導体装置の高周波特性を広帯域にわたって評価する高周波特性評価治具および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の一例である樹脂モールドパッケージの電子部品、例えば低雑音用のトランジスタについて高周波特性を評価する場合には、図１３に示す評価系の高周波特性評価治具２００が用いられている。
【０００３】
例えばＳｉ系トランジスタやＳｉＧｅ系トランジスタの高周波特性を評価する場合には、単体のトランジスタには整合回路が接続されていないので発振し易い。このため、単体のトランジスタは、高周波特性評価治具を用いて高周波特性を評価するようにしている。しかも、広い帯域の各種のトランジスタは、１つの高周波特性評価治具を用いて高周波特性を評価できるようにすることが、コストダウンと作業効率の点から望ましい。
【０００４】
図１３に示す高周波特性評価治具２００は、トランジスタ２１０のパッケージを載せる治具台座２０１と、２つの５０オーム伝送線路２０２と、２つの高周波コネクタ２０３で構成されている。トランジスタ２１０は、治具台座２０１上の高周波基板に載せるようになっている。２つの高周波コネクタ２０３は、それぞれバイアスＴに接続されており、一方のバイアスＴは測定器の高周波入力側に接続され、他方のバイアスＴは測定器の高周波出力側に接続されている。
【０００５】
図１４と図１５は、従来の高周波特性評価治具２００の形状を示している。高周波特性評価治具２００の高周波基板２２０上には、複数のタブ２０５を有している。トランジスタ２１０のモールドパッケージの角部は、これらのタブ２０５により固定することで、Ｘ軸方向とこのＸ軸方向と直交するＹ軸方向に位置決めするようになっている。
【０００６】
しかも、トランジスタ２１０の各リード２０６は、それぞれリード押さえ２０７によりＺ軸方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向に直交する）に沿って直接押されることにより、高周波基板２２０上の５０オーム伝送線路２０２に対して電気的に接触して固定される。
【０００７】
このようにトランジスタ２１０のモールドパッケージが高周波基板２２０側に固定されている状態では、トランジスタ２１０のモールドパッケージの周辺は、金属部材により囲まれておらず高周波的に開放状態になっており、高周波特性評価治具２００の５０オーム伝送線路２０２上を伝搬している高周波が空中に放射されてしまう構造になっている。  
また、図１６に示すように、高周波コネクタ２０２の中心導体２１２が、高周波特性評価治具の同軸―５０オーム伝送線路変換部２１１を介して、高周波基板２２０の５０オーム伝送線路２２５に電気的に接続されている。治具台座２５０は、部材２５１と部材２５２により構成されている。同軸―５０オーム伝送線路変換部２１１は、部材２５１に形成された貫通穴２２７を有し、貫通穴２２７内には外径２．２ｍｍのテフロン（登録商標）製の絶縁体２１３が配置されている。この絶縁体２１３は外径が０．６５ｍｍの中心導体２１２を保持している。高周波基板２２０としては板厚が厚く高価なアルミナセラミック基板を使用している。
【０００８】
また、この種の評価治具の例としては、ＩＣ（集積回路）チップの電気特性の評価を行うためのＩＣ評価治具が特許文献１に開示されている。このＩＣ評価治具は、ＩＣチップを搭載する台座と、ＩＣチップのＩＣリード線と伝送線路の先端部とを電気的接触させるための押圧部を有している。
【特許文献１】特開平１０−８２８２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、図１４と図１５に示すパッケージ２１０の固定構造では、パッケージ２１０の周辺が開放状態になっており、半導体装置の高周波特性を評価する周波数が６ＧＨｚを超えるあたりから高周波特性に対して影響が顕著になり測定精度が悪化してしまう。さらに、不要電波の発生や高周波入出力間のアイソレーションが劣化してしまい、共振現象や発振が発生する。また、トランジスタ２１０のリード２０６は、リード押さえ２０７により直接押されて高周波基板２２０上の５０オーム伝送線路２０２に対して電気的に接触するように固定されるので、特性インピーダンスが変わってしまう。
【００１０】
また、図１６に示す同軸―５０オーム伝送線路変換部２１１の構造では、これにより、絶縁体２１３の外径が２．２ｍｍとなるために、カットオフが十分確保できなくなり、不要電波が発生し、挿入損失の増加、反射特性の劣化、通過特性のリップルが発生する等の問題があった。このようなことから６ＧＨｚ以上の高周波帯域を評価するための高周波特性評価治具を作成するには、構造的な配慮をする必要がある。
【００１１】
上述したように、例えば広帯域（１００ＭＨｚ〜１２ＧＨｚ）にわたって低雑音トランジスタのような半導体装置を製造する際に高周波特性を評価する場合には、従来の高周波特性評価治具では、挿入損失の増加、反射特性の劣化、通過特性のリップルが発生し、不要電波の発生や高周波入出力間のアイソレーションが劣化してしまい、共振現象や発振が発生するおそれがあり、測定精度が確保できない。
【００１２】
また、上記特許文献１に開示されたＩＣ評価治具においては、ＩＣチップの周辺が開放状態になっており、高周波特性に対して影響が顕著になり測定精度が悪化してしまう。不要電波の発生や高周波入出力間のアイソレーションが劣化してしまい、共振現象や発振が発生する。また、コネクタが台座内の伝送線路に接続されているが、この接続構造については何ら示唆がされていない。
【００１３】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、高周波特性に影響することのないように半導体装置を押さえて位置決めを行い、高周波特性を測定する際の測定精度を向上することができる高周波特性評価治具および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の高周波特性評価治具は、伝送線路を有する高周波基板を搭載する治具台座と、前記高周波基板上に配置される金属製の第１ブロックユニットと、前記第１ブロックユニット上に配置されて、前記半導体装置のパッケージをはめ込んで前記高周波基板の表面に平行な面内方向に位置合わせして前記半導体装置のリードを前記高周波基板の前記伝送線路に接触させる位置決め穴部を有するパッケージガイドと、前記パッケージガイド上に配置されて、前記第１ブロックユニットとともに前記パッケージガイドを挟み込んで前記治具台座に対して固定する金属製の第２ブロックユニットと、前記第２ブロックユニットが形成している開口部から、前記高周波基板の表面に平行な前記面内方向に対して垂直方向に進入して前記半導体装置の前記パッケージを前記高周波基板側に押すパッケージ押さえ部材と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、リードに半導体素子を電気的に接続して封止樹脂で封止して半導体装置を作成する半導体装置の作成工程と、治具台座に配置された伝送線路を有する高周波基板上に金属製の第１ブロックユニットを配置し、前記半導体装置のパッケージをはめ込んで前記高周波基板の表面に平行な面内方向に位置合わせして前記半導体装置のリードを前記高周波基板の前記伝送線路に接触させる位置決め穴部を有するパッケージガイドを前記第１ブロックユニット上に配置して、金属製の第２ブロックユニットを前記パッケージガイド上に配置して前記第１ブロックユニットとともに前記パッケージガイドを挟み込んで前記治具台座に対して固定し、前記第２ブロックユニットが形成している開口部から、パッケージ押さえ部材を前記高周波基板の表面に平行な前記面内方向に対して垂直方向に進入して前記半導体装置の前記パッケージを前記高周波基板側に押して、前記半導体装置の高周波特性を測定する半導体装置の測定工程と、前記半導体装置の測定した高周波特性の結果を評価する半導体装置の評価工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、高周波特性に影響することのないように半導体装置を押さえて位置決めを行い、高周波特性を測定する際の測定精度を向上することができる高周波特性評価治具および半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の高周波特性評価治具の好ましい実施形態を備える評価系を示している。
【００１９】
図１に示す評価系は、高周波特性評価治具１０と、２つのバイアスＴと、測定器１１を備える。測定器１１は、雑音発生部１１Ｂと雑音指数メータ１１Ｃを有する。
【００２０】
図１に示す高周波特性評価治具１０は、治具台座１２と、５０オーム伝送線路２１，２２と、高周波コネクタ２５，２６で構成されている。トランジスタ１００のパッケージは、治具台座１２上の高周波基板に載せるようになっている。
【００２１】
５０オーム伝送線路２１，２２は、それぞれトランジスタ１００のベース端子とコレクタ端子に電気的に接続できるようになっている。５０オーム伝送線路２１，２２は、それぞれ高周波コネクタ２５，２６に対して電気的に接続されている。高周波コネクタ２５，２６は、それぞれ一方と他方のバイアスＴに接続されており、一方のバイアスＴは測定器１１の高周波入力側の雑音発生部１１Ｂに電気的に接続され、他方のバイアスＴは測定器１１の高周波出力側の雑音指数メータ１１Ｃに電気的に接続されている。一方と他方のバイアスＴは、それぞれ高周波コネクタ２５，２６にバイアス電圧Ｖｂｅ、Ｖｃｅを供給する。
【００２２】
図２は、図１に示す高周波特性評価治具１０の構造例を示す斜視図である。図３は、図２に示す高周波特性評価治具１０から上側ブロックユニットの２つの上側ユニット３１，３１を取り外した状態を示す斜視図である。図４は、図２に示す高周波特性評価治具１０から上側ブロック３１Ｂ、３１Ｃとパッケージガイド３２と下側ブロック３３Ｂ、３３Ｃを取り外して高周波基板を露出させた状態を示す平面図である。図５は、図２に示す高周波特性評価治具１０のＸ−Ｘ線における構造を示す図である。
【００２３】
まず、図２と図３を参照すると、高周波特性評価治具１０は、治具台座１２、高周波コネクタ２５，２６、高周波基板３０、上側ブロックユニット３１、パッケージガイド３２、下側ブロックユニット３３を有している。治具台座１２は、側壁部（フランジ）３４，３５を有している。
【００２４】
図２と図３に示すように、側壁部３４，３５は、治具台座１２の基部１２ＢからＺ方向に突出してしかもＸ方向に沿って平行に形成されている。高周波コネクタ２５，２６はそれぞれ側壁部３４，３５の外側に対してネジを用いて、Ｙ方向に沿って突出するように固定されている。図２と図３におけるＸ方向とＹ方向およびＺ方向は互いに直交している。治具台座１２、上側ブロックユニット３１、下側ブロックユニット３３は、金属例えばアルミニウムにより作られている。下側ブロックユニット３３は、第１ブロックユニットに相当し、上側ブロックユニット３１は、第２ブロックユニットに相当する。
【００２５】
上側ブロックユニット３１は、一方の上側ブロック３１Ｂと他方の上側ブロック３１Ｃからなる。下側ブロックユニット３３は、一方の上側ブロック３１Ｂと他方の上側ブロック３１Ｃからなる。下側ブロックユニット３３は、一方の下側ブロック３３Ｂと他方の下側ブロック３３Ｃからなる。パッケージガイド３２は電気絶縁性を有するプラスチック、例えば比誘電率εｒ＝３．６であるデルリン材料により作られている。
【００２６】
図４に示すように、高周波基板３０が治具台座１２の基部１２Ｂの搭載面１２Ｃに搭載されている。高周波基板３０は、線状の５０オーム伝送線路２１，２２と、導体部４１，４２と、導体部４３，４４，４５，４６を有している。図５に示すように高周波基板３０の裏面には、ベタアース４７が形成されている。
【００２７】
図４に示すように、５０オーム伝送線路２１，２２はＹ方向に沿って形成されており、一方の５０オーム伝送線路２１は同軸の高周波コネクタ２５の中心導体７４に電気的に接続され、他方の５０オーム伝送線路２２は同軸の高周波コネクタ２６の中心導体７４に電気的に接続されている。導体部４１，４２，４３，４４，４５，４６には、それぞれスルーホール４１Ｈ，４２Ｈ，４３Ｈ，４４Ｈ，４５Ｈ，４６Ｈが形成されている。導体部４１，４２と、導体部４３，４４，４５，４６はそれぞれこれらのスルーホールを通じてベタアース４７に電気的に接続されている。
【００２８】
ここで、高周波特性評価治具１０により評価される半導体装置の一例である低雑音トランジスタ１００について、図４と図５を参照して説明する。
【００２９】
図４と図５に示すトランジスタ１００は、パッケージ１０１と４つのリード１０２を有している。トランジスタ１００は例えばＧａＡｓやＳｉＧｅトランジスタである。図５に示すように、例えばリード１０２には半導体素子としてのＳｉＧｅペレット１０３が配置され、このペレット１０３は各リード１０２に対してボンディングワイヤ１０４を用いて電気的に接続されている。そして、リード１０２の一部とペレット１０３とボンディングワイヤ１０４を封止樹脂により封止することで、立方体形状のパッケージ１０１が形成されている。
【００３０】
そして、図４に示すように、トランジスタ１００が所定に配置位置Ｐに配置されると、トランジスタ１００の４つのリード１０２は、導体部４５，４６と５０オーム伝送線路２１，２２に対してそれぞれ電気的に接続することができるようになっている。
【００３１】
次に、図２〜図７を参照して、上側ブロックユニット３１、パッケージガイド３２、下側ブロックユニット３３の構造を説明する。
【００３２】
図５は、上側ブロックユニット３１、パッケージガイド３２、下側ブロックユニット３３が組み立てられる途中の状態を示しており、図６は、上側ブロックユニット３１、パッケージガイド３２、下側ブロックユニット３３が組み立てられて、トランジスタ１００のパッケージ１０１がパッケージ押さえ部材１５０によりＺ方向に沿って押さえられている状態を示す図である。
【００３３】
図７は、上側ブロックユニット３１と下側ブロックユニット３３の形状例を示す斜視図であり、図８は、パッケージガイド３２の形状例を示しており、図８（Ａ）はパッケージガイド３２の平面図、図８（Ｂ）はパッケージガイド３２の側面図であり、さらに図８（Ｃ）は図８（Ａ）に示すパッケージガイド３２の中央部分Ｍの位置決め穴部６０にトランジスタ１００のパッケージ１０１がはめ込んで位置決めして配置されている例を示す平面図である。
【００３４】
まず、図７を参照して、上側ブロックユニット３１と下側ブロックユニット３３の形状例を説明する。
【００３５】
図７に示す上側ブロックユニット３１の上側ブロック３１Ｂ、３１Ｃは、板状の部材であり、２つのねじ穴３１Ｄと１つの位置合わせピン穴３１Ｇを有している。上側ブロック３１の下側には、図８に示すパッケージガイド３２を嵌め込んで保持するための溝部分３１Ｔが、Ｘ方向に形成されている。
【００３６】
図７に示す下側ブロックユニット３３の下側ブロック３３Ｂ、３３Ｃは、上側ブロック３１よりは薄い板状の部材であり、２つのねじ穴３３Ｄと１つの位置合わせピン穴３３Ｇを有している。２つのねじ穴３３Ｄと１つの位置合わせピン穴３３Ｇは、２つのねじ穴３１Ｄと１つの位置合わせピン穴３１Ｇに対してそれぞれ対応した位置に形成されている。上側ブロック３１Ｂ、３１ＣのＹ方向の長さＣ１と下側ブロック３３Ｂ、３３ＣのＹ方向の長さＣ１は同じであり、上側ブロック３１Ｂ、３１ＣのＸ方向の長さＣ２と下側ブロック３３Ｂ、３３ＣのＸ方向の長さＣ２は同じである。
【００３７】
次に、図８を参照して、パッケージガイド３２の形状例を説明する。
【００３８】
図８に示すパッケージガイド３２は、第１部分５１と第２部分５２と中央部分Ｍを有している。第１部分５１と第２部分５２の間に中央部分Ｍが形成されている。第１部分５１には、ねじを通すための２つのガイド溝５１Ｄと、１つの位置合わせピンのガイド溝５１Ｇが形成されている。同様にして、第２部分５２には、ねじを通すための２つのガイド溝５２Ｄと、１つの位置合わせピンのガイド溝５２Ｇが形成されている。２つのガイド溝５１Ｄと１つの位置合わせピンのガイド溝５１Ｇは、図７に示すねじ穴３１Ｄ、３３Ｄと位置合わせピン穴３１Ｇに対応した位置に形成されている。２つのガイド溝５２Ｄと、１つの位置合わせピンのガイド溝５２Ｇは、図７に示すねじ穴３３Ｄ、３３Ｄと位置合わせピン穴３３Ｇに対応した位置に形成されている。パッケージガイド３２の中央部分Ｍの上面は、第１部分５１と第２部分５２の上面から下がった位置に形成されている。
【００３９】
図８に示すパッケージガイド３２の中央部分Ｍには、トランジスタ１００のパッケージ１０１を嵌め込んで位置決めするための位置決め穴部６０が形成されている。位置決め穴部６０は、パッケージ１０１を嵌め込む矩形の本体穴６１と、この本体穴６１から延長して形成されているリード１０２を嵌め込むための６つのリード用の穴６２を有している。図８の例では、４つのリード１０２が対応する４つの穴６２にはめ込まれるが、パッケージ１０１とは異なるパッケージである場合には、例えば６つの穴６２に対してリードがはめ込めるようになっている。
【００４０】
次に、図５と図６を参照すると、高周波基板３０が治具台座１２の基部１２Ｂ上に搭載されており、治具台座１２の基部１２Ｂの上に、上側ブロック３１、パッケージガイド３２、下側ブロック３３が組み立てられることにより、トランジスタ１００のパッケージ１０１を位置決めして保持することができる。この高周波基板３０は、図４に示すように左右の隔壁部３４，３５の間に配置される長方形状の基板である。
【００４１】
まず、図４と図５に示すように、治具台座１２の基部１２Ｂの穴１２Ｈと高周波基板３０のスルーホール４２Ｈには、予め２本の位置合わせピン７０がＺ方向に向けて取り付けられている。高周波基板３０の上には、図７に示す２枚の下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃが開口寸法Ｗ２だけ離して配置されるが、この際には、各位置合わせピン７０が下側ブロック３３の位置合わせピン穴３３Ｇに通っている。
【００４２】
次に、図５に示すように下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃの上には、パッケージガイド３２が配置される。この際には、一方の位置合わせピン７０がパッケージガイド３２の第１部分５１のガイド溝５１Ｇを通っており、他方の位置合わせピン７０がパッケージガイド３２の第２部分５２のガイド溝５２Ｇを通る。これにより、パッケージガイド３２と２枚の下側ブロック３３，３３とが、治具台座１２の基部１２Ｂに対して相対的にＸ方向とＹ方向に関して位置決めされる。そして、パッケージガイド３２の中央部分Ｍは、下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃの間に位置決めされる。
【００４３】
さらに、図５に示すように２枚の上側ブロック３１Ｂ，３１Ｃが、パッケージガイド３２の第１部分５１と第２部分５２の上にそれぞれ配置される。この際には、一方の位置合わせピン７０が一方の上側ブロック３１の位置合わせピン穴３１Ｇを通り、他方の位置合わせピン７０が他方の上側ブロック３１の位置合わせピン穴３１Ｇを通る。２枚の上側ブロック３１Ｂ，３１Ｃとパッケージガイド３２と２枚の下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃとが、治具台座１２の基部１２Ｂに対して相対的にＸ方向とＹ方向に関して位置決めされる。
【００４４】
その後、図４と図５に示すように、４本のねじ７５が、上側ブロック３１Ｂ、３１Ｃのねじ穴３１Ｄと、パッケージガイド３２のガイド溝５１Ｄ、５２Ｄと、下側ブロック３３Ｂ、３３Ｃのねじ穴３３Ｄを通して、治具台座１２の基部１２Ｂのめねじ１２Ｍにねじ込むことにより、図６に示すように、上側ブロック３１Ｂ、３１Ｃと下側ブロック３３Ｂ、３３Ｃの組み立てユニットは、パッケージガイド３２を挟み込んだ状態で、治具台座１２上の高周波基板３０に対してＸ方向、Ｙ方向、そしてＺ方向に関して位置決めすることができる。
【００４５】
その後、トランジスタ１００が、パッケージガイド３２の位置決め穴部６０に、図８（Ｃ）に示すようにはめ込んで位置決めされ、図４に示すようにトランジスタ１００が所定に配置位置Ｐに配置されると、トランジスタ１００の４つのリード１０２は、導体部４５，４６と５０オーム伝送線路２１，２２に対してそれぞれ電気的に接続することができるようになっている。
【００４６】
次に、図９を参照して、図１に示す高周波コネクタ２５，２６と、５０オーム伝送線路２１，２２とを接続して変換する同軸―５０オーム伝送線路変換部７９の好ましい構造例を説明する。同軸―５０オーム伝送線路変換部７９は、高周波コネクタ２５（２６）の中心導体７４の中心位置決めをして、高周波コネクタ２５（２６）と５０オーム伝送線路２１（２２）にそれぞれ電気的に接続する。この中心導体７４の直径は例えば０．６５ｍｍである。
【００４７】
治具台座１２の上には、高周波基板３０がねじ３０Ｎにより固定されており、高周波基板３０の厚みは例えば０．４ｍｍである。高周波基板３０の裏面にはベタパターン４７が形成されている。このベタパターン４７は例えば３５μｍ厚の銅はくである。治具台座１２の側壁部３４，３５には、それぞれ第１貫通穴７１と第２貫通穴７２が連続して形成されている。
【００４８】
本発明の実施形態では、図９に示す第１貫通穴７１の軸方向の長さＫ１は例えば０．９ｍｍであり、第２貫通穴７２の軸方向の長さＫ２は例えば１．６ｍｍである。第２貫通穴７２の内径は第１貫通穴７１の内径に比べて小さく設定されており、例えば第１貫通穴７１の内径は２．２ｍｍであり、第２貫通穴７２の内径は１．５ｍｍである。第１貫通穴７１内には絶縁材であるテフロン（登録商標）の絶縁体７３が配置されているが、第２貫通穴７２内は絶縁体７３に連続して絶縁体としての空気層になっている。外径寸法が２．２ｍｍのテフロン（登録商標）の絶縁体７３はインピーダンスが５０オームとなっている。この絶縁体７３が中心導体７４を保持している。
【００４９】
これに対して図１６に示す従来例では、高周波コネクタ２０２が、高周波特性評価治具の同軸―５０オーム伝送線路変換部２１１に対して、外径が０．６５ｍｍの中心導体２１２と、外径が２．２ｍｍのテフロン（登録商標）製の絶縁体２１３を用いて接続され、これにより高周波特性評価治具の内部の高周波基板２２０と外部の高周波コネクタ２０２を接続している。高周波基板２２０としては板厚が０．６３５ｍｍと厚く高価なアルミナセラミック基板を使用している。しかも、図１６に示すように治具台座２５０は、部材２５１と部材２５２により構成されている。
【００５０】
本発明の実施形態では、図９に示すように、同軸―５０オーム伝送線路変換部７９は、テフロン（登録商標）の絶縁体７３が充填された第１貫通穴７１と、空気層の第２貫通穴７２と、の２段階に形成しており、高周波基板３０の厚みＦＤを、従来の図１６で示す高価なアルミナの高周波基板２２０の厚みに比べて小さくしている。高周波基板３０としては、高周波特性を向上させるために損失が少なく安価で板厚の薄いテフロン（登録商標）基板を採用しており、治具台座１２の基部１２Ｂに対してネジ３０Ｎにより固定されている。入出力の同軸―５０オーム伝送線路変換部７９の間隔、すなわち側壁部（フランジ）３４，３５の間隔は、最短（１２ｍｍ）に設定されている。
【００５１】
これにより、図９に示す同軸接地導体部ａ１から高周波基板設置部ｂ１までの高周波電流経路が、図１６の従来例で示す同軸接地導体部ａから高周波基板設置部ｂまでの高周波電流経路に比べて短くなり、第２貫通穴７２の内径（空気絶縁部の外導体径）が１．５ｍｍと小さいので、カットオフにより不要電波の発生を抑えられ、高周波の低反射、低損失、測定精度の向上が実現できる。図９に示す治具台座１２の基部１２Ｂは、複数の部材を組み合わせたものではなく一体物である。このため、従来のように２部材で構成する場合に比べて、電気的接続抵抗を小さくできる。
【００５２】
次に、図３に示すパッケージガイド３２の横幅Ｗ１と、図２と図３に示す上側ブロック３１Ｂ，３１Ｃと下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃからなる金属ブロック組み立て体の開口寸法Ｗ２について説明する。
【００５３】
図３に示すパッケージガイド３２のＹ方向に沿った横幅Ｗ１は、比誘電率εｒ＝３．６であるデルリン材料を媒体として高周波を伝送した時の高周波信号の波長の１／２波長（ただし、１２ＧＨｚの場合に波長短縮後）の０，８倍した寸法よりも狭い値、例えば４ｍｍに設定されていることが望ましい。図３に示すパッケージガイド３２のＹ方向に沿った横幅Ｗ１は、高周波コネクタ２５，２６の間においてＹ方向に配置されている５０オーム伝送線路２１，２２に沿った幅である。このパッケージガイド３２は誘電体の比誘電率が３．６であるので、誘電体共振器として働いてしまうことから、パッケージガイド３２のＹ方向に沿った横幅Ｗ１は、上記のように例えば４ｍｍ以下としている。
【００５４】
さらに、図２と図３に示す上側ブロック３１，３１と下側ブロック３３，３３からなる金属ブロック組み立て体のＸ方向に沿った開口寸法Ｗ２は、高周波を伝送した時の高周波信号の波長の１／２波長（ただし、１２ＧＨｚの場合に波長短縮後）の０，８倍した寸法よりも狭い値、例えば４ｍｍに設定されていることが望ましい。すなわち、側ブロック３１，３１と下側ブロック３３，３３からなる金属ブロック組み立て体で囲われた５０オーム伝送線路２１，２２が、４ｍｍ間隔で開口されている。なお、高周波が誘電体であるパッケージガイド３２を通過する際には、高周波の波長が短くなるが、この際の高周波基板上の波長短縮率は、１／（εｒ）１／２で表すことができる。
【００５５】
このように、パッケージガイド３２のＹ方向に沿った横幅Ｗ１と上側ブロック３１，３１と下側ブロック３３，３３からなる金属ブロック組み立て体のＸ方向に沿った開口寸法Ｗ２を設定する構造を採用することにより、高周波基板３０の上に配置したトランジスタ１００から高周波の不要電波が空中を飛んで５０オーム伝送線路２１，２２に伝送してしまうことを防げる。このため、トランジスタ１００から空中を飛んだ高周波の不要電波がとトランジスタ１００内を通る高周波の電波が共振するのを防止でき、不要電波のカットオフ（遮断）、入出力のアイソレーションを確保して共振現象を回避し、高周波の伝送特性のリップルとうねりを抑制することができる。
【００５６】
また、図３に示す入出力の同軸―５０オーム伝送線路変換部７９のＹ方向に沿った間隔Ｗ３は、１２ｍｍに設定されていることが望ましい。５０オーム伝送線路２１，２２はできる限り短い方が良いが、このような間隔Ｗ３は各種の半導体装置のパッケージにも対応することができる最小の寸法である。
【００５７】
次に、上述した高周波特性評価治具１０を用いて特性評価対象であるトランジスタ１００の高周波特性評価について説明する。
【００５８】
まず、図４に示すように、高周波基板３０が治具台座１２の基部１２Ｂの搭載面１２Ｃに搭載される。この高周波基板３０の５０オーム伝送線路２１，２２はＹ方向に平行に配置されており、５０オーム伝送線路２１，２２は対応する高周波コネクタ２５，２６に対してそれぞれ同軸―５０オーム伝送線路変換部７９の中心導体７４を介して電気的に接続される。
【００５９】
次に、図３と図５に示すように、高周波基板３０の上に２枚の下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃが、開口寸法Ｗ２をおいて配置されるが、この際には、図５に示すように各位置合わせピン７０が下側ブロック３３の位置合わせピン穴３３Ｇに通っている。これにより、２枚の下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃは位置合わせピン７０と位置合わせピン穴３３Ｇを用いて開口寸法Ｗ２をおいて確実に位置決めできる。
【００６０】
図５に示すように下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃの上には、パッケージガイド３２が配置される。この際には、一方の位置合わせピン７０がパッケージガイド３２の第１部分５１のガイド溝５１Ｇを通っており、他方の位置合わせピン７０がパッケージガイド３２の第２部分５２のガイド溝５２Ｇを通る。これにより、パッケージガイド３２と２枚の下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃとが相対的に確実に位置決めされる。そして、パッケージガイド３２の中央部分Ｍは、下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃの開口寸法Ｗ２で示す開口部内にはめ込まれるようにして位置決めされる。
【００６１】
さらに、図５に示すように２枚の上側ブロック３１Ｂ，３１Ｃが、パッケージガイド３２の第１部分５１と第２部分５２の上にそれぞれ配置される。この際には、一方の位置合わせピン７０が一方の上側ブロック３１Ｂの位置合わせピン穴３１Ｇを通り、他方の位置合わせピン７０が他方の上側ブロック３１Ｃの位置合わせピン穴３１Ｇを通る。これにより、２枚の上側ブロック３１Ｂ，３１Ｃとパッケージガイド３２と２枚の下側ブロック３３Ｂ，３３Ｃとが相対的に確実に位置決めされる。
【００６２】
その後、４本のねじ７５が、上側ブロック３１Ｂ、３１Ｃのねじ穴３１Ｄと、パッケージガイド３２のガイド溝５２Ｄと、下側ブロック３３Ｂ、３３Ｃのねじ穴３３Ｄを通って、治具台座１２の基部１２Ｂのめねじ１２Ｍにねじ込まれることにより、図６に示すように、上側ブロックユニット３１、パッケージガイド３２、下側ブロックユニット３３の組み立てユニット８０は、パッケージガイド３２を治具台座１２上の高周波基板３０に対してＸ方向、Ｙ方向、そしてＺ方向に関して位置決めすることができる。
【００６３】
その後、トランジスタ１００のパッケージ１０１は、パッケージガイド３２の位置決め穴部６０に、図８（Ｃ）に示すように落とし込んではめ込ことで位置決めされるので、パッケージガイド３２は高周波基板３０に対して平行になるように、Ｘ方向とＹ方向により形成される面内に位置決めできる。この際には、トランジスタ１００のパッケージ１０１自体は、例えば５０オーム伝送線路２１，２２から０．３ｍｍ浮かせた状態で位置決め穴部６０内に位置決めされている。
【００６４】
パッケージガイド３２は上側ブックユニット３１と下側ブロックユニット３３の間に挟まれた状態で、高周波基板３０に対して平行になるように保持されている。トランジスタ１００が、パッケージガイド３２の位置決め穴部６０に、図８（Ｃ）に示すようにはめ込んで位置決めされて、図４に示すようにトランジスタ１００が所定に配置位置Ｐに配置される。そして、トランジスタ１００のパッケージガイド３２は、パッケージ押さえ部材１５０によりＺ方向に沿って押さえることができるので、トランジスタ１００の４つのリード１０２は、導体部４５，４６と５０オーム伝送線路２１，２２に対してそれぞれ電気的に接続することができる。
【００６５】
このように、トランジスタ１００のパッケージ１０１をパッケージ押さえ部材１５０によりＺ方向に沿って押さえることができるので、従来のように押さえ部材がリードを直接押さえていた場合に比べて、高周波インピーダンスが変わらないメリットがある。しかも、パッケージ１０１の上面は、パッケージ押さえ部材１５０により一定圧力で押さえることができ、トランジスタ１００のリード１０２は対応する５０オーム伝送線路２１，２２に対して電気的に確実に接触させることができ、高周波特性に影響を与えない。これにより、パッケージ押さえ部材１５０がリード１０２に直接接触することがなくなり、高周波特性への影響を最小限にすることができ、例えば帯域幅が１００ＭＨｚ〜１２ＧＨｚにおいて測定精度が向上する。
【００６６】
上側ブロックユニット３１と、パッケージガイド３２と、下側ブロックユニット３３と、高周波基板３０は、２本の位置合わせピン７０，７０を基準として治具台座１２対して相互に確実に簡単に位置合わせができる。これにより、パッケージガイド３２を上側ブロックユニット３１と下側ブロックユニット３３の間に挟み込み、しかも上側ブロックユニット３１と下側ブロックユニット３３は、５０オーム伝送線路２１，２２を、一定の開口寸法Ｗ２で開口した以外は、外部から囲い込むことができる。
【００６７】
このように図６に示すようにトランジスタ１００が、組み立てユニット８０により高周波基板３０の配置位置Ｐに配置されると、図１に示す一方と他方のバイアスＴがそれぞれ高周波コネクタ２５，２６と５０オーム伝送線路２１，２２を通じてトランジスタ１００に対して測定器１１から高周波信号を与えてトランジスタ１００の高周波特性を、良好な作業性で評価することができる。広い帯域（例えば１００ＭＨｚ〜１２ＧＨｚ）の各種の低雑音のトランジスタの高周波特性が、１つの高周波特性評価治具１０を用いて評価できる。
【００６８】
従来では、リードを有するトランジスタの高周波特性を評価する場合に、周波数が高くなるに従ってリードを押さえるクランプの影響が大きく、測定誤差が増大して、高周波コネクタ−５０オーム伝送線路変換部の反射が大きくなることで、挿入損失が増大し、測定精度が低下する。さらにトランジスタは異常共振現象により広帯域にわたって良好な高周波特性が確保できなくなる。
【００６９】
ここで、図１０は、図１に示す評価系の高周波特性評価治具１０における反射損失Ｓ１１と挿入損失Ｓ２１を示している。図１１と図１２は、本発明の実施例と従来例における高周波特性の比較を示している。
【００７０】
図１１は、本発明の実施例における反射損失Ｓ１１−１と従来例における反射損失Ｓ１１−２を示しているグラフであり、図１２は、本発明の実施例における挿入損失Ｓ２１−１と従来例における挿入損失Ｓ２１−２を示しているグラフである。
【００７１】
図１１に示すように、本発明の実施例における反射損失Ｓ１１−１と従来例における反射損失Ｓ１１−２を比較すると、本発明の実施例における反射損失Ｓ１１−１が広い帯域にわたって減少していることが分かる。本発明の実施例では、反射損失は−２０ｄＢと低反射損失である。
【００７２】
また、図１２に示すように、本発明の実施例における挿入損失Ｓ２１−１と従来例における挿入損失Ｓ２１−２を比較すると、本発明の実施例における挿入損失Ｓ１１−１が広い帯域にわたって改善されていることが分かる。本発明の実施例では、挿入損失は−０．３８ｄＢと低挿入損失であった。
【００７３】
次に、本発明の半導体装置の製造方法の好ましい実施例を説明する。
【００７４】
まず、半導体装置の作成工程では、図５に示す半導体装置としてのトランジスタ１００を作成する。リード１０２には例えばＳｉＧｅペレット１０３が配置され、このペレット１０３は各リード１０２に対してボンディングワイヤ１０４を用いて電気的に接続される。そして、リード１０２の一部とペレット１０３とボンディングワイヤ１０４が封止樹脂により封止されることで、直方体形状のパッケージ１０１が形成される。
【００７５】
次の半導体装置の測定工程では、上述したように作成されたトランジスタ１００が、図１に示す評価系の高周波特性評価治具１０の治具台座１２の高周波基板３０の上において配置位置Ｐに位置決めされる。高周波特性評価治具１０の下側ブロックユニット３３とパッケージガイド３２と上側ブロックユニット３１は、治具台座１２の高周波基板３０の上で予め組み立てられて組み立てユニット８０を構成する。
【００７６】
図５と図６に示すようにトランジスタ１００は、パッケージガイド３２の位置決め穴部６０にはめ込まれることでＸ方向とＹ方向に関して位置決めされる。しかも、図６に示すようにトランジスタ１００のパッケージガイド１０１は、パッケージ押さえ部材１５０により押さえられてＺ方向に関して位置決めされる。そして、５０オーム伝送線路２１，２２に通す高周波信号の周波数を決めてこの高周波信号は、高周波コネクタ２５，２６と５０オーム伝送線路２１，２２に通してトランジスタ１００に供給される。
【００７７】
次に、半導体装置の評価工程では、例えば図１１に示す反射損失と図１２に示す挿入損失を測定して、半導体装置の高周波特性の結果を評価する。半導体装置の一例であるトランジスタ１００は、作成後に測定した高周波特性の結果を評価することができる。
【００７８】
なお、トランジスタ１００の評価が終わって次の半導体装置を作成後に評価する場合には、トランジスタ１００のパッケージ１０１からパッケージ押さえ部材１５０を離して、トランジスタ１００をパッケージガイド３２の位置決め穴部６０から取り外して、新たな半導体装置をパッケージガイド３２の位置決め穴部６０にはめ込めば良い。なお、半導体装置は、例えば地上波デジタルテレビ、高感度無線ＬＡＮ、携帯電話、無線回路等に用いられる低雑音増幅器である。
【００７９】
本発明の高周波特性評価治具は、伝送線路を有する高周波基板を搭載する治具台座と、高周波基板上に配置される金属製の第１ブロックユニットと、第１ブロックユニット上に配置されて、半導体装置のパッケージをはめ込んで高周波基板の表面に平行な面内方向に位置合わせして半導体装置のリードを高周波基板の伝送線路に接触させる位置決め穴部を有するパッケージガイドと、パッケージガイド上に配置されて、第１ブロックユニットとともにパッケージガイドを挟み込んで治具台座に対して固定する金属製の第２ブロックユニットと、第２ブロックユニットが形成している開口部から、高周波基板の表面に平行な面内方向に対して垂直方向に進入して半導体装置のパッケージを高周波基板側に押すパッケージ押さえ部材と、を備えることを特徴とする。これにより、第１ブロックユニットと第２ブロックユニットが、位置決め穴部に位置決めされた半導体装置のパッケージの周囲を囲むことができる。このため、半導体装置のパッケージの周辺が閉鎖状態になっており、半導体装置の高周波特性を評価する周波数が６ＧＨｚを超えるあたりからでも高周波特性に対する影響が減り測定精度が悪化しない。さらに、不要電波の発生を抑え、高周波入出力間のアイソレーションが得られるので、共振現象や発振を防げる。半導体装置のリードは、直接押されずにパッケージが押された状態で、リードが高周波基板上の伝送線路に対して電気的に接触するように固定されるので、特性インピーダンスが変わることを防げる。従って、高周波特性に影響することのないように半導体装置を押さえて位置決めを行い、高周波特性を測定する際の測定精度を向上することができる
本発明の高周波特性評価治具では、第１ブロックユニットは、位置決め穴部の一方の側に配置される一方の第１ブロックと、位置決め穴部の他方の側に配置される他方の第１ブロックとを有し、第２ブロックユニットは、一方の第１ブロックに対応して配置される一方の第２ブロックと、他方の第１ブロックに対応して配置される他方の第１ブロックとを有することを特徴とする。これにより、第１ブロックユニットの一方と他方の第１ブロックと、第２ブロックユニットの一方と他方の第２ブロックが、位置決め穴部に位置決めされた半導体装置のパッケージを容易に囲むことができる。
【００８０】
本発明の高周波特性評価治具では、治具台座は、第１ブロックユニットとパッケージガイドおよび第２ブロックユニットを、垂直方向に沿って位置決めする位置合わせピンを有し、第１ブロックユニットとパッケージガイドおよび第２ブロックユニットは、治具台座に対して着脱可能に固定されていることを特徴とする。これにより、第１ブロックユニットとパッケージガイドおよび第２ブロックユニットは、治具台座に対して確実に位置決めして固定することができ、必要に応じて治具台座から外すこともできる。
【００８１】
本発明の高周波特性評価治具では、治具台座のフランジに取り付けられた同軸の高周波コネクタと、高周波コネクタの中心導体を高周波基板の伝送線路に電気的に接続する同軸―線路変換部と、を有し、フランジには、高周波コネクタの中心導体を通す開口部が形成されており、開口部は、第１貫通穴と、第１貫通穴に連続して形成され第１貫通穴よりも小径の第２貫通穴とから形成され、第１貫通穴内には中心導体を保持する絶縁体が配置され、第２貫通穴内は空気層となっていることを特徴とする。これにより、高周波基板の板厚みを薄くすれば、同軸接地導体部から高周波基板接地部までの高周波電流経路が短くない、第２貫通穴内は空気層の径は第１貫通穴内の絶縁体の径に比べて小さいので、不要電波の発生を抑えることができる。
【００８２】
本発明の半導体装置の製造方法は、リードに半導体素子を電気的に接続して封止樹脂で封止して半導体装置を作成する半導体装置の作成工程と、治具台座に配置された伝送線路を有する高周波基板上に金属製の第１ブロックユニットを配置し、半導体装置のパッケージをはめ込んで高周波基板の表面に平行な面内方向に位置合わせして半導体装置のリードを高周波基板の伝送線路に接触させる位置決め穴部を有するパッケージガイドを第１ブロックユニット上に配置して、金属製の第２ブロックユニットをパッケージガイド上に配置して第１ブロックユニットとともにパッケージガイドを挟み込んで治具台座に対して固定し、第２ブロックユニットが形成している開口部から、パッケージ押さえ部材を高周波基板の表面に平行な面内方向に対して垂直方向に進入して半導体装置のパッケージを高周波基板側に押して、半導体装置の高周波特性を測定する半導体装置の測定工程と、半導体装置の測定した高周波特性の結果を評価する半導体装置の評価工程と、を含むことを特徴とする。これにより、半導体装置のパッケージの周辺が閉鎖状態になっており、半導体装置の高周波特性を評価する周波数が６ＧＨｚを超えるあたりからでも高周波特性に対する影響が減り測定精度が悪化しない。さらに、不要電波の発生を抑え、高周波入出力間のアイソレーションが得られるので、共振現象や発振を防げる。半導体装置のリードは、直接押されずにパッケージが押された状態で、リードが高周波基板上の伝送線路に対して電気的に接触するように固定されるので、特性インピーダンスが変わることを防げる高周波特性に影響することのないように半導体装置を押さえて位置決めを行い、高周波特性を測定する際の測定精度を向上しながら評価することができる。
【００８３】
なお、本発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
【００８４】
また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の高周波特性評価治具の好ましい実施形態を備える評価系を示す図である。
【図２】図１に示す高周波特性評価治具の構造例を示す斜視図である。
【図３】図２に示す高周波特性評価治具から上側ブロックを取り外した状態を示す斜視図である。
【図４】図２に示す高周波特性評価治具から上側ブロックとパッケージガイドと下側ブロックを取り外して高周波基板を露出させた状態を示す平面図である。
【図５】図２に示す高周波特性評価治具のＸ−Ｘ線における構造であり、上側ブロック、パッケージガイド、下側ブロックが組み立てられる途中の状態を示す図である。
【図６】上側ブロック、パッケージガイド、下側ブロックが組み立てられて、トランジスタのパッケージがパッケージ押さえ部材により押さえられている状態を示す図である。
【図７】上側ブロックと下側ブロックの形状例を示す斜視図である。
【図８】パッケージガイドの形状例を示す図である。
【図９】本発明の実施形態の周波特性評価治具における高周波コネクタと同軸−５０オーム線路変換部を示す図である。
【図１０】図１に示す評価系の高周波特性評価治具における反射損失Ｓ１１と挿入損失Ｓ２１を示す図である。
【図１１】本発明の実施例における反射損失Ｓ１１−１と従来例における反射損失Ｓ１１−２を示しているグラフである。
【図１２】本発明の実施例における挿入損失Ｓ２１−１と従来例における挿入損失Ｓ２１−２を示しているグラフである。
【図１３】従来の高周波特性評価治具を含む評価系を示す図である。
【図１４】従来の高周波特性評価治具を示す斜視図である。
【図１５】従来の高周波基板とトランジスタを示す斜視図である。
【図１６】従来の高周波特性評価治具における高周波コネクタと同軸−５０オーム線路変換部を示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０…高周波特性評価治具、１１…測定器、１２…治具台座、２１，２２…５０オーム伝送線路、２５，２６…高周波コネクタ、３０…高周波基板、３１…上側ブロックユニット（第２ブロックユニット）、３２…パッケージユニット、３３…下側ブロックユニット（第１ブロックユニット）、６０…位置決め穴部、７０…位置決め用ピン、７９…同軸−５０オーム伝送線路変換部、１００…トランジスタ（半導体装置の一例）、１０１…パッケージ、１０２…リード、１５０…パッケージ押さえ部材、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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