(57)【要約】      （修正有）【課題】製造過程にて不良が発生した場合にもセンサ部品の再利用を可能で、センサ部品の接続強度の向上を図れ、しかも小型化、薄型化を図ることが可能な多層配線基板、スタック構造センサパッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】多層配線基板１１Ａは、第１面および第２面１１２を貫通する貫通穴１１３を有し、第１面および第２面のうちの少なくとも一方に、貫通穴の周縁部である内縁部ＩＥＰ側、基板自体の外周縁部である外縁部ＯＥＰ側、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子ＩＥＬ，ＯＥＬが形成され、電気的接続端子は、形成面と対向する側の面に貫通しないキャスタレーション構造を有する。【選択図】図３
2010238821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および第２面を貫通する貫通穴を有し、
上記第１面および上記第２面のうちの少なくとも一方に、上記貫通穴の周縁部である内縁部側、基板自体の外周縁部である外縁部側、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子が形成され、
上記電気的接続端子は、
形成面と対向する側の面に貫通しないキャスタレーション構造を有する
多層配線基板。
【請求項２】
上記内縁部と上記外縁部うち、少なくとも当該外縁部に上記電気的接続端子が形成されている
請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
上記内縁部と上記外縁部間の非縁部に、電気的内部接続端子が形成されている
請求項１または２記載の多層配線基板。
【請求項４】
貫通穴を有し、第１面にワイヤーボンド用のパッドを有し、第２面に上記貫通穴の周縁部である内縁部側、基板自体の外周縁部である外縁部側、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子が形成された多層配線基板と、
上記多層配線基板の上記貫通穴をまたがって当該多層配線基板の上記第１面の上記貫通穴の周縁部に固定され、上記パッドとワイヤーで電気的に接続されたイメージセンサと、
上記多層配線基板の上記第１面の上記外縁部側に上記イメージセンサを取り囲むように固定された枠体と、
上記枠体の表面に、上記イメージセンサと対向するように固定された光フィルタと、
を有するスタック構造センサパッケージ。
【請求項５】
上記多層配線基板の上記第２面側に、電子デバイスが搭載された多層基板が上記接続端子により接続されている
請求項４記載のスタック構造センサパッケージ。
【請求項６】
上記内縁部と上記外縁部うち、少なくとも当該外縁部に上記電気的接続端子が形成されている
請求項４または５記載のスタック構造センサパッケージ。
【請求項７】
上記内縁部と上記外縁部間の非縁部に、電気的内部接続端子が形成されている
請求項４から６のいずれか一に記載のスタック構造センサパッケージ。
【請求項８】
貫通穴を有し、第１面にワイヤーボンド用のパッドを有し、第２面に上記貫通穴の周縁部である内縁部側、基板自体の外周縁部である外縁部側、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子が形成された多層配線基板の上記貫通穴をまたがるように、当該多層配線基板の上記第１面の上記貫通穴の周縁部にイメージセンサを固定し、
上記多層配線基板の上記パッドと上記イメージセンサをワイヤーで電気的に接続し、
上記多層配線基板の上記第１面の上記外縁部側に上記イメージセンサを取り囲むように枠体を固定し、
上記枠体の表面に、上記イメージセンサと対向するように光フィルタを固定する
スタック構造センサパッケージの製造方法。
【請求項９】
上記多層配線基板の上記第２面側に、電子デバイスが搭載された多層基板を上記接続端子によりはんだ接続する
請求項８記載のスタック構造センサパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサ等に適用される多層配線基板、スタック構造センサパッケージおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、イメージセンサのスタック構造のセンサパッケージが提案されている。
【０００３】
図１は、特許文献１に開示されたイメージセンサのスタック構造のセンサパッケージを示す図である。
【０００４】
図１のセンサパッケージ構造は、第１基板１の第１面上に枠型の第２基板２が接合されて、キャビティー３が形成される。
そのキャビティー３の第１基板１の第１面に集積回路４が取り付けられ、第２基板２上にイメージセンサチップ５が接合されてスタック構造のセンサパッケージが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３５３４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上述した構造の場合、製造プロセス上、第１基板１と第２基板２によりキャビティー３を形成した後に集積回路４を接合する積み上げ式の製造プロセスに限定されるため、以下の不利益がある。
【０００７】
すなわち、同一工程内での組み上げが必須なため、製造場所が限定される。
また、製造過程で不良が発生した場合、たとえばイメージセンサの封止時に不良が発生した場合はスタック構造センサパッケージを構成する全てが不良により廃棄される必要があるように、不良発生時の廃棄コストが高くなる。
【０００８】
また、上記スタック構造のセンサパッケージを第１基板１の裏面接合端子にて他の構造体と接合する場合、一般的には有機基板とはんだ接続される場合が多いが、接合箇所が下面に限られているため、接続強度の問題が懸念される。
センサとセンサの信号を処理する集積回路４がパッケージ化されていることにより、その他の機能を付加させたい場合にその付加機能を実現する部品はパッケージの外に追加で配置する必要がり、小型化と相反してしまう。
【０００９】
本発明は、製造過程にて不良が発生した場合にもセンサ部品の再利用が可能で、センサ部品の接続強度の向上を図れ、しかも小型化、薄型化を図ることが可能な多層配線基板、スタック構造センサパッケージおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点の多層配線基板は、第１面および第２面を貫通する貫通穴を有し、上記第１面および上記第２面のうちの少なくとも一方に、上記貫通穴の周縁部である内縁部側、基板自体の外周縁部である外縁部側、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子が形成され、上記電気的接続端子は、形成面と対向する側の面に貫通しないキャスタレーション構造を有する。
【００１１】
本発明の第２の観点のスタック構造センサパッケージは、貫通穴を有し、第１面にワイヤーボンド用のパッドを有し、第２面に上記貫通穴の周縁部である内縁部側、基板自体の外周縁部である外縁部側、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子が形成された多層配線基板と、上記多層配線基板の上記貫通穴をまたがって当該多層配線基板の上記第１面の上記貫通穴の周縁部に固定され、上記パッドとワイヤーで電気的に接続されたイメージセンサと、上記多層配線基板の上記第１面の上記外縁部側に上記イメージセンサを取り囲むように固定された枠体と、上記枠体の表面に、上記イメージセンサと対向するように固定された光フィルタと、を有する。
【００１２】
本発明の第３の観点のスタック構造センサパッケージの製造方法は、貫通穴を有し、第１面にワイヤーボンド用のパッドを有し、第２面に上記貫通穴の周縁部である内縁部側、基板自体の外周縁部である外縁部側、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子が形成された多層配線基板の上記貫通穴をまたがるように、当該多層配線基板の上記第１面の上記貫通穴の周縁部にイメージセンサを固定し、上記多層配線基板の上記パッドと上記イメージセンサをワイヤーで電気的に接続し、上記多層配線基板の上記第１面の上記外縁部側に上記イメージセンサを取り囲むように枠体を固定し、上記枠体の表面に、上記イメージセンサと対向するように光フィルタを固定する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、スタック構造をもつセンサパッケージの製造過程にて不良が発生した場合にもセンサ部品の再利用が可能で、センサ部品の接続強度の向上を図れ、しかも小型化、薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】特許文献１に開示されたイメージセンサのスタック構造のセンサパッケージを示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板を適用したスタック構造センサパッケージの構造例を示す図である。
【図３】本実施形態に係る多層配線基板の第１の構成例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る多層配線基板の第２の構成例を示す図である。
【図５】本実施形態に係る多層配線基板の第３の構成例を示す図である。
【図６】本実施形態に係る多層配線基板の第４の構成例を示す図である。
【図７】本実施形態に係る多層配線基板の第５の構成例を示す図である。
【図８】本実施形態に係る多層配線基板の第６の構成例を示す図である。
【図９】本実施形態に係る多層配線基板の第７の構成例を示す図である。
【図１０】図９の多層配線基板を基準として、図６の多層配線基板および図３の多層配線基板の電極数および熱衝撃に対するはんだ強度について測定した結果を示す図である。
【図１１】図１のスタック構造センタパッケージの製造方法を説明するための図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板を適用したスタック構造センサパッケージの構造例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
【００１６】
＜１．第１の実施形態＞
図２は、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板を適用したスタック構造センサパッケージの構造例を示す図である。
【００１７】
本センサパッケージ１０は、基本的に、多層配線基板１１、イメージセンサチップ１２、セラミックスや樹脂等により形成される枠体１３、および光フィルタ１４を主構成要素としたスタック構造を有している。
【００１８】
多層配線基板１１は、イメージセンサのスタック構造センサパッケージ１０の基体となる基板で、以下に説明する特徴的な構成を有している。
【００１９】
多層配線基板１１は、中央部に、第１面（表面）１１１および第２面（裏面）１１２を貫通する貫通穴１１３が形成されている。
多層配線基板１１は、第１面１１１および第２面１１２のうちの少なくとも一方に貫通穴１１３の周縁部である内縁部ＩＥＰ側、基板自体の外周縁部である外縁部ＯＥＰが、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子（電極）が形成されている。
多層配線基板１１は、この内縁部ＩＥＰ、および外縁部ＯＥＰの少なくとも一方に形成される電気的接続端子（電極）は、以下に説明するように、形成面と対向する側の面に貫通しない（達しない）キャスタレーション（窪み）構造を有する。
この内縁部ＩＥＰ、および外縁部ＯＥＰの少なくとも一方に形成される電気的接続端子（電極）は、他の基板等との接続強度を向上させるために形成される。
また、内縁部ＩＥＰ、および外縁部ＯＥＰの少なくとも一方に形成される電気的接続端子（電極）が持つキャスタレーション構造は、接続強度の向上を図り、また、外部等から電極に加わる応力を緩和する機能を有している。
【００２０】
図２に示す多層配線基板１１では、第１面１１１の内縁部ＩＥＰと外縁部ＯＥＰ間の中央部にワイヤボンディング用のパッドＰＡＤが形成され、第２面１１２の内縁部ＩＥＰ、および外縁部ＯＥＰの少なくとも一方に電気的接続端子（電極）が形成される。
また、多層配線基板１１の第２面１１２側には内縁部ＩＥＰと外縁部ＯＥＰとの間の中央部ＣＴＰにも接続端子（内部電極）が形成される。
以下、多層配線基板１１のより具体的な構成例について、図面に関連付けて説明する。
【００２１】
［多層配線基板の第１の構成例］
図３は、本実施形態に係る多層配線基板の第１の構成例を示す図である。
図３は、多層配線基板１１の第２面（裏面）１１２側の構成例を示している。
【００２２】
図３の多層配線基板１１Ａは、全体として直方体(矩形)として形成されている。
多層配線基板１１Ａは、前述したように、中央部に、第１面（表面）１１１および第２面（裏面）１１２を貫通する貫通穴１１３が形成されている。
図３の多層配線基板１１Ａは、第２面（裏面）１１２に、貫通穴１１３の周縁部である内縁部ＩＥＰ１，ＩＥＰ２，ＩＥＰ３，ＩＥＰ４の全てに第１の電気的接続端子（以下、内周電極という）ＩＥＬが形成されている。
さらに、図３の多層配線基板１１Ａは、基板自体の外周縁部である外縁部ＯＥＰ１，ＯＥＰ２，ＰＥＰ３，ＯＥＰ４の全てに第２の電気的接続端子（以下、外周電極という）ＯＥＬが形成されている。
さらに、図３の多層配線基板１１Ａは、基板の外周縁部の４隅ＣＮＲ１，ＣＮＲ２，ＣＮＲ３，ＣＮＲ４にも、外周電極に含まれる電気的接続端子（以下、コーナ電極）ＯＣＥＬ１，ＯＣＥＬ２，ＯＣＥＬ３，ＯＣＥＬ４が形成されている。
また、図３の多層配線基板１１Ａは、内縁部ＩＥＰ１と外縁部ＯＥＰ１との間、並びに内縁部ＩＥＰ３と外縁部ＯＥＰ３との間の非縁部（内部）に第３の電気的接続端子（以下、内部電極という）ＣＴＥＬ１，ＣＴＥＬ２，ＣＴＥＬ３，ＣＴＥＬ４が形成されている。
【００２３】
なお、本実施形態で示す内周電極ＩＥＬ、外周電極ＯＥＬ、および内部電極ＣＴＥＬの形成数は、あくまでも一例であり、理解を容易にするために数個としているが、実際は、図示する電極の数に限定されず、その数は使用用途によって適宜設定される。
【００２４】
図３において、内縁部ＩＥＰ１には、内周電極ＩＥＬ１１，ＩＥＬ１２，ＩＥＬ１３，ＩＥＬ１４，ＩＥＬ１５，ＩＥＬ１６が形成されている。
内周電極ＩＥＬ１１，ＩＥＬ１２，ＩＥＬ１３，ＩＥＬ１４，ＩＥＬ１５，ＩＥＬ１６は、貫通穴１１３に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００２５】
内縁部ＩＥＰ２には、内周電極ＩＥＬ２１，ＩＥＬ２２，ＩＥＬ２３，ＩＥＬ２４，ＩＥＬ２５が形成されている。
内周電極ＩＥＬ２１，ＩＥＬ２２，ＩＥＬ２３，ＩＥＬ２４，ＩＥＬ２５は、貫通穴１１３に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００２６】
内縁部ＩＥＰ３には、内周電極ＩＥＬ３１，ＩＥＬ３２，ＩＥＬ３３，ＩＥＬ３４，ＩＥＬ３５，ＩＥＬ３６が形成されている。
内周電極ＩＥＬ３１，ＩＥＬ３２，ＩＥＬ３３，ＩＥＬ３４，ＩＥＬ３５，ＩＥＬ３６は、貫通穴１１３に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００２７】
内縁部ＩＥＰ４には、内周電極ＩＥＬ４１，ＩＥＬ４２，ＩＥＬ４３，ＩＥＬ４４，ＩＥＬ４５が形成されている。
内周電極ＩＥＬ４１，ＩＥＬ４２，ＩＥＬ４３，ＩＥＬ４４，ＩＥＬ４５は、貫通穴１１３に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００２８】
図３において、外縁部ＯＥＰ１には、外周電極ＯＥＬ１１，ＯＥＬ１２，ＯＥＬ１３，ＯＥＬ１４，ＯＥＬ１５，ＯＥＬ１６，ＯＥＬ１６，ＯＥＬ１７，ＯＥＬ１８が形成されている。
外周電極ＯＥＬ１１，ＯＥＬ１２，ＯＥＬ１３，ＯＥＬ１４，ＯＥＬ１５，ＯＥＬ１６，ＯＥＬ１７，ＯＥＬ１８は、外部に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００２９】
外縁部ＯＥＰ２には、外周電極ＯＥＬ２１，ＯＥＬ２２，ＯＥＬ２３，ＯＥＬ２４，ＯＥＬ２５が形成されている。
外周電極ＯＥＬ２１，ＯＥＬ２２，ＯＥＬ２３，ＯＥＬ２４，ＯＥＬ２５は、外部に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００３０】
外縁部ＯＥＰ３には、外周電極ＯＥＬ３１，ＯＥＬ３２，ＯＥＬ３３，ＯＥＬ３４，ＯＥＬ３５，ＯＥＬ３６，ＯＥＬ３６，ＯＥＬ３７，ＯＥＬ３８が形成されている。
外周電極ＯＥＬ３１，ＯＥＬ３２，ＯＥＬ３３，ＯＥＬ３４，ＯＥＬ３５，ＯＥＬ３６，ＯＥＬ３６，ＯＥＬ３７，ＯＥＬ３８は、外部に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００３１】
外縁部ＯＥＰ４には、外周電極ＯＥＬ４１，ＯＥＬ４２，ＯＥＬ４３，ＯＥＬ４４，ＯＥＬ４５が形成されている。
外周電極ＯＥＬ４１，ＯＥＬ４２，ＯＥＬ４３，ＯＥＬ４４，ＯＥＬ４５は、外部に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００３２】
また、コーナ電極ＯＣＥＬ１，ＯＣＥＬ２，ＯＣＥＬ３，ＯＣＥＬ４も、外部に面する側部が円弧状に一部窪んだキャスタレーション構造を有するように形成されている。
【００３３】
このように、図３の多層配線基板１１Ａは、第２面（裏面）１１２に、貫通穴１１３の周縁部である内縁部ＩＥＰ１，ＩＥＰ２，ＩＥＰ３，ＩＥＰ４の全てに内周電極ＩＥＬが形成されている。
さらに、図３の多層配線基板１１Ａは、基板自体の外周縁部である外縁部ＯＥＰ１，ＯＥＰ２，ＰＥＰ３，ＯＥＰ４の全てに外周電極ＯＥＬが形成されている。
さらに、図３の多層配線基板１１Ａは、基板の外周縁部の４隅ＣＮＲ１，ＣＮＲ２，ＣＮＲ３，ＣＮＲ４の全てにも、コーナ電極ＯＣＥＬ１，ＯＣＥＬ２，ＯＣＥＬ３，ＯＣＥＬ４が形成されている。
そして、これらの電極はキャスタレーション構造を有することから、後述するように、縁部に電極がない場合等に比較して、電極数の増大を図れ、熱衝撃に対するはんだ接続強度等が高くなっている。
また、図３の多層配線基板１０Ａは、他の多層配線基板と接合する場合に、接合部の検査を目視にて実施可能とする場合に有効な形状であり、検査性を考慮し電極配置となっている。
【００３４】
［多層配線基板の第２の構成例］
図４は、本実施形態に係る多層配線基板の第２の構成例を示す図である。
図４は、多層配線基板１１Ｂの第２面（裏面）１１２側の構成例を示している。
【００３５】
図４の多層配線基板１１Ｂが図３の多層配線基板１１Ａと基本的に異なる点は、内部電極ＣＴＥＬ１，ＣＴＥＬ２，ＣＴＥＬ３，ＣＴＥＬ４が形成されていないことにある。
なお、図４の多層配線基板１１Ｂにおいては、内縁部ＩＥＰ２には、３つの内周電極ＩＥＬ２１，ＩＥＬ２２，ＩＥＬ２３が形成されている。また、内縁部ＩＥＰ４は、内周電極ＩＥＬ４１，ＩＥＬ４２，ＩＥＬ４３が形成されている。
【００３６】
この図４の多層配線基板１１Ｂも、他の多層配線基板と接合する場合に、接合部の検査を目視にて実施可能とする場合の形状であり、検査性を考慮した電極配置となっている。
そして、多層配線基板１１Ｂは、縁部に電極がない場合等に比較して、電極数の増大を図れ、熱衝撃に対するはんだ接続強度等が高くなっている。
【００３７】
［多層配線基板の第３の構成例］
図５は、本実施形態に係る多層配線基板の第３の構成例を示す図である。
図５は、多層配線基板１１Ｃの第２面（裏面）１１２側の構成例を示している。
【００３８】
図５の多層配線基板１１Ｃが図３の多層配線基板１１Ａと基本的に異なる点は以下のとおりである。
多層配線基板１１Ｃは、内縁部ＩＥＰ２、ＩＥＰ４に内周電極が形成されておらず、内縁部ＩＥＰ２と外縁部ＯＥＰ２との間、内縁部ＩＥＰ４と外縁部ＯＥＰ４との間の非縁部に内部電極ＣＴＥＬが複数（図５では５個ずつ）形成されている。
【００３９】
多層配線基板１１Ｃは、縁部に電極がない場合等に比較して、電極数の増大を図れ、熱衝撃に対するはんだ接続強度等が高くなっている。
【００４０】
［多層配線基板の第４の構成例］
図６は、本実施形態に係る多層配線基板の第４の構成例を示す図である。
図６は、多層配線基板１１Ｄの第２面（裏面）１１２側の構成例を示している。
【００４１】
図６の多層配線基板１１Ｄが図５の多層配線基板１１Ｃと基本的に異なる点は以下のとおりである。
多層配線基板１１Ｄは、内縁部ＩＥＰ１，ＩＥＰ２，ＩＥＰ３，ＩＥＰ４の全てに内周電極が形成されていない。
【００４２】
この多層配線基板１１Ｄは、他の多層配線基板と接合する場合に、貫通穴１１３を最大限に大きくでき、貫通穴１１３の内部側における実装面積を最大とする場合に有効な形状である。
多層配線基板１１Ｄも、縁部に電極がない場合等に比較して、電極数の増大を図れ、熱衝撃に対するはんだ接続強度等が高くなっている。
【００４３】
［多層配線基板の第５の構成例］
図７は、本実施形態に係る多層配線基板の第５の構成例を示す図である。
図７は、多層配線基板１１Ｅの第２面（裏面）１１２側の構成例を示している。
【００４４】
図７の多層配線基板１１Ｅが図５の多層配線基板１１Ｃと基本的に異なる点は以下のとおりである。
多層配線基板１１Ｅは、内縁部ＩＥＰ２，ＩＥＰ４に内周電極が形成されておらず、かつ外縁部ＯＥＰ１〜ＯＥＰ４の全てに外周電極が形成されておらず、非縁部全体にわたって接続用の内部電極に内部電極ＣＴＥＬが複数（図７では４２個）形成されている。
【００４５】
この多層配線基板１１Ｅは、他の多層配線基板と接合する場合に、接続用の端子数を増やす必要があり、かつその実装面積を本実施形態の多層配線基板の外形と同等にする場合に有効な形状である。
また、多層配線基板１１Ｅは、縁部に電極がない場合等に比較して、電極数の増大を図れ、熱衝撃に対するはんだ接続強度等が高くなっている。
【００４６】
［多層配線基板の第６の構成例］
図８は、本実施形態に係る多層配線基板の第６の構成例を示す図である。
図８は、多層配線基板１１Ｆの第２面（裏面）１１２側の構成例を示している。
【００４７】
図８の多層配線基板１１Ｆが図４の多層配線基板１１Ｂと基本的に異なる点は以下のとおりである。
多層配線基板１１Ｆは、外縁部ＯＥＰ１〜ＯＥＰ４の全てに外周電極が形成されておらず、非縁部全体にわたって接続用の内部電極が形成されていない。
【００４８】
多層配線基板１１Ｆは、縁部に電極がない場合等に比較して、電極数の増大を図れ、熱衝撃に対するはんだ接続強度等が高くなっている。
【００４９】
［多層配線基板の第７の構成例］
図９は、本実施形態に係る多層配線基板の第７の構成例を示す図である。
図９は、多層配線基板１１Ｇの第２面（裏面）１１２側の構成例を示している。
【００５０】
図９の多層配線基板１１Ｇが図６の多層配線基板１１Ｄと基本的に異なる点は以下のとおりである。
多層配線基板１１Ｇは、外縁部ＯＥＰ１〜ＯＥＰ４の全てに外周電極が形成されておらず、非縁部全体にわたって接続用の内部電極が複数形成されている。
【００５１】
多層配線基板１１Ｇは、他の多層配線基板と接合する場合に、その実装面積を最小にする場合に有効な形状である。
多層配線基板１１Ｇは、接続強度の点では、第１〜第６の構成例に比べて低くなるが、内部電極数の増大を図れる。
【００５２】
ここで、図９の多層配線基板１１Ｇを基準として、図６の多層配線基板１１Ｄおよび図３の多層配線基板１１Ａの電極数および熱衝撃に対するはんだ強度について考察する。
【００５３】
図１０は、図９の多層配線基板を基準として、図６の多層配線基板および図３の多層配線基板の電極数および熱衝撃に対するはんだ強度について測定した結果を示す図である。
【００５４】
図１０において、接続強度は、図９の多層配線基板１１Ｇを基準（基本パターン）１としてときの、テストピースにて実測した値を比率で示している。
この場合、図６の多層配線基板１１Ｄの接続強度は、基本パターンである図９の多層配線基板１１Ｇの１．７１倍である。
図３の多層配線基板１１Ａの接続強度は、基本パターンである図９の多層配線基板１１Ｇの１．６４倍である。
【００５５】
また、電極数は、図９の多層配線基板１１Ｇの数を４０とした場合、図６の多層配線基板１１Ｄの接続強度は、基本パターンである図９の多層配線基板１１Ｇの１．４倍の５６である。
図３の多層配線基板１１Ａの接続強度は、基本パターンである図９の多層配線基板１１Ｇの１．４倍の５６である。
【００５６】
以上のように、本実施形態の多層配線基板１１，１１Ａ〜１１Ｆは、中央部に、第１面（表面）１１１および第２面（裏面）１１２を貫通する貫通穴１１３が形成されている。
多層配線基板１１は、第１面１１１および第２面１１２のうちの少なくとも一方に貫通穴１１３の周縁部である内縁部ＩＥＰ側、基板自体の外周縁部である外縁部ＯＥＰ側、および非縁部のうちの少なくとも一つに、電気的接続端子（電極）が形成されている。
多層配線基板１１は、この内縁部ＩＥＰ、および外縁部ＯＥＰの少なくとも一方に形成される電気的接続端子（電極）は、形成面と対向する側の面に貫通しない（達しない）キャスタレーション（窪み）構造を有する。
したがって、多層配線基板１１，１１Ａ〜１１Ｆは、他の基板等との接続強度を向上させることができ、また、電極数(端子数)も増大させることができる。
また、多層配線基板１１Ｇは、他の多層配線基板と接合する場合に、その実装面積を最小にすることができる。
【００５７】
このような特徴を有する多層配線基板１１，１１Ａ〜１１Ｇを用いた図１のスタック構造センタパッケージ１０は、その製造過程にて不良が発生した場合にもセンサ部品の再利用を可能で、センサ部品の接続強度の向上を図れ、小型化、薄型化を図ることが可能となる。
【００５８】
図１１（Ａ）〜（Ｄ）は、図１のスタック構造センタパッケージ１０の製造方法を説明するための図である。
ここで、図１のスタック構造センタパッケージ１０の製造方法について、図１１（Ａ）〜（Ｄ）に関連付けて説明する。
【００５９】
まず、貫通穴１１３を有し、第１面（表面）１１１にワイヤーボンド用のパッドＰＡＤ、第２面（裏面）１１２に他基板との接続用電極ＩＥＰ，ＯＥＰ，ＣＴＥＬの少なくともいずれかを含む多層配線基板１の表面にイメージセンサ１２を接着剤１５にて固定する。
【００６０】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、イメージセンサ１２と多層配線基板１１のパッドＰＡＤとをワイヤー１６にて電気的に接続する。
【００６１】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、多層配線基板１１の第１面（表面）１１１にイメージセンサ１２を取り囲むように枠体１３を接着剤１７にて固定する。
【００６２】
そして、図１１（Ｄ）に示すように、セラミックスや樹脂等により形成される枠体１３の表面に光学フィルタ１４を接着剤１８にて接着し封止する。
【００６３】
以上により、イメージセンサ部品としての、図１のスタック構造センタパッケージ１０の製造が完了する。
【００６４】
このように製造される図１のスタック構造センタパッケージ１０は、製造過程にて不良が発生した場合にもセンサ部品の再利用を可能で、センサ部品の接続強度の向上を図れ、小型化、薄型化を図ることが可能となる。
【００６５】
＜２．第２の実施形態＞
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板を適用したスタック構造センサパッケージの構造例を示す図である。
【００６６】
本第２の実施形態に係るスタック構造センサパッケージ１０Ａが第１の実施形態のセンサパッケージ１０と異なる点は、以下のとおりである。
すなわち、スタック構造センサパッケージ１０Ａは、多層配線基板１１の第２面（裏面）１１２側に、電子デバイス、たとえば集積回路２１、抵抗等の電子部品２２が搭載された有機多層基板２０を前述した接続端子（電極）によりはんだ２４で接続されている。
【００６７】
スタック構造センサパッケージ１０Ａは、上述したように、図１のイメージセンサ部品が製造された後、以下の製造工程を経て形成される。
多層配線基板１１と別の有機多層基板２０上に、集積回路２１および電子部品を搭載し、それらを覆うように上記イメージセンサ部品１０を被せ、同時にはんだ接合することによりスタック構造をもつセンサパッケージ１０Ａとする。
【００６８】
以上、第１および第２の実施形態に係るスタック構造センサパッケージ１０，１０Ａについて説明した。
上記説明で、図２〜図８は、電極配置の形状例であり、電極数、電極間ピッチ、電極サイズは用途に応じて変更するものとする。
また、多層配線基板１１および貫通穴１１３の形状も用途に応じて変更するものとする。
多層配線基板１１は、有機基板、無機基板どちらでも可とする。
多層配線基板１１の電極めっきは、銅パターン、金めっき処理、防錆処理でもよい。
また、本実施形態の半導体装置の下に実装する部品は能動部品、受動部品は問わない。
【００６９】
以上説明したように、本実施形態によれば、センサ部品に貫通穴１１３を有する多層配線基板１１を用いる。
これにより、別工程にてセンサパッケージの動作に必要な電子部品・集積回路とパッケージする際に、センサ部品下にそれらの電子部品・集積回路を配置することが可能となる。
また、さらにそれらの部品とともにセンサ部品も同時にはんだ接合することを可能とすることでスタック構造センサパッケージを形成する製造方法を取ることにより、以下の効果を得ることが可能となる。
【００７０】
貫通穴１１３を有する多層配線基板１１を用いることで、基板下面はもちろん、基板外周および貫通穴内周にも接続用端子を設けることができる。かつ、端子をキャスタレーション構造とすることではんだ接合する場合にフィレットを形成できることで有機多層基盤とセンサパッケージ(センサ部品)の接合強度を向上できる。
貫通穴１１３を有する多層配線基板１１を有するセンサパッケージを部品として扱うことにより、一般の実装設備にてスタック構造のセンサパッケージの製造ができるため、製造場所を選ぶ必要がなく製造プロセスに汎用性を持たせることが可能である。
貫通穴１１３を有する多層配線基板１１が実装されたセンサパッケージを部品として扱うことにより、センサ下に配置する電子部品・集積回路とともにはんだ接合することが可能である。このため、スタック構造センサパッケージを簡単なプロセスで製造することが可能である。
貫通穴１１３を有する多層配線基板１１を実装したセンサパッケージ下に配置する部品ははんだ接合が可能であることから、集積回路に限らず多種の部品を用いることができるため自由度が増し、スタック構造センサパッケージの性能を向上させることができる。
貫通穴１１３を有する多層配線基板１１を実装したセンサパッケージは、その下に配置される電子部品・集積回路と別工程で製造される。このため、センサ部品の製造過程において不良が発生した場合、廃棄コストはセンサ部品のみが対象となるため、不良発生時の廃棄コストを削減することができる。
また、センサパッケージ製造過程にて不良が発生した場合は、センサ部品は再利用することで、廃棄コストを抑えることが可能である。
【符号の説明】
【００７１】
１０，１０Ａ・・・センサパッケージ、１１，１１Ａ〜１１Ｇ・・・多層配線基板、１１３・・・貫通穴、１２・・・イメージセンサチップ、１３・・・枠体、１４・・・光フィルタ、２０・・・有機多層基板、２１・・・集積回路、２２・・・電子部品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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