(57)【要約】【課題】エピタキシャル成長に関するウェーハの評価を適切に行うことのできる技術を提供する。【解決手段】ウェーハ評価方法において、ウェーハの形状を測定する測定ステップと、エピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状を特定する反り付加形状特定ステップと、ウェーハの上面に対して、エピタキシャル成長を行った場合の第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、ウェーハの下面に対して、エピタキシャル成長を行った場合のウェーハである第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うか評価する評価ステップとを有するようにする。【選択図】図３
2010238807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル成長を行う対象のウェーハについて評価するウェーハ評価方法であって、
前記ウェーハの形状を測定する測定ステップと、
前記ウェーハに対して行うエピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長により前記ウェーハに付加される反り付加形状を推定する反り付加形状推定ステップと、
前記ウェーハの形状と、前記反り付加形状とに基づいて、前記ウェーハの一方の主平面に対して、前記エピタキシャル成長を行った場合のウェーハの形状である第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、
前記ウェーハの形状と、前記反り付加形状とに基づいて、前記ウェーハの他方の主平面に対して、前記エピタキシャル成長を行った場合のウェーハの形状である第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、
前記第１推定形状及び前記第２推定形状に基づいて、前記ウェーハに対してエピタキシャル成長を行うか否か評価する第１評価、又は前記ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うか評価する第２評価の少なくとも一方を行う評価ステップと
を有するウェーハ評価方法。
【請求項２】
前記評価ステップにおいて、
前記第１推定形状のＷａｒｐと、前記第２推定形状のＷａｒｐとを算出し、Ｗａｒｐの小さい方の形状が得られた主平面を、エピタキシャル成長を行う主平面として決定する
請求項１に記載のウェーハ評価方法。
【請求項３】
前記評価ステップにおいて、
製造するエピタキシャルウェーハに要求される形状に関する基準値に基づいて、前記ウェーハに対してエピタキシャル成長の実行を行うか否かを決定する
請求項１又は請求項２に記載のウェーハ評価方法。
【請求項４】
前記基準値は、製造するエピタキシャルウェーハに要求されるＷａｒｐであり、
前記評価ステップにおいて、
前記第１推定形状のＷａｒｐと、前記第２推定形状のＷａｒｐとを算出し、双方が要求される前記Ｗａｒｐよりも小さい値の場合には、ウェーハの両面をエピタキシャル成長が可能な主平面として決定する
請求項３に記載のウェーハ評価方法。
【請求項５】
前記基準値は、製造するエピタキシャルウェーハに要求されるＷａｒｐであり、
前記評価ステップにおいて、
前記第１推定形状のＷａｒｐと、前記第２推定形状のＷａｒｐとを算出し、双方が要求される前記Ｗａｒｐよりも大きい値の場合には、前記ウェーハを、エピタキシャル成長を行う対象から除外するものと決定する
請求項３又は請求項４に記載のウェーハ評価方法。
【請求項６】
インゴットからワイヤーソーによってスライスされたウェーハを対象に評価する
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のウェーハ評価方法。
【請求項７】
同一のインゴットをスライスすることにより得られたウェーハについて、所定枚数毎に１枚のウェーハを対象に評価する
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のウェーハ評価方法。
【請求項８】
ウェーハに対してエピタキシャル成長を行ってエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、
前記ウェーハの形状を測定する測定ステップと、
前記ウェーハに対して行うエピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長により前記ウェーハに付加される反り付加形状を推定する反り付加形状推定ステップと、
前記ウェーハの形状と、前記反り付加形状とに基づいて、前記ウェーハの一方の主平面に対して、前記エピタキシャル成長を行った場合のウェーハの形状である第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、
前記ウェーハの形状と、前記反り付加形状とに基づいて、前記ウェーハの他方の主平面に対して、前記エピタキシャル成長を行った場合のウェーハの形状である第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、
前記第１推定形状及び前記第２推定形状に基づいて、前記ウェーハに対するエピタキシャル成長に関する所定の評価を行う評価ステップと
前記評価ステップの評価結果に基づいて、ウェーハに対するエピタキシャル成長を行うエピタキシャル成長制御ステップと
を有するエピタキシャルウェーハ製造方法。
【請求項９】
前記評価ステップでは、
前記第１推定形状及び前記第２推定形状に基づいて、前記ウェーハのいずれの主平面にエピタキシャル成長させるかを評価し、
前記エピタキシャル成長制御ステップでは、
前記評価ステップによって決定された主平面に対してエピタキシャル成長を行う
請求項８に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル成長を行う対象のウェーハについて評価するウェーハ評価方法及びウェーハに対してエピタキシャル成長を行ってエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハにおいては、反りが発生している場合があり、この反りが、エピタキシャル成長を行なって製造されたエピタキシャルウェーハの品質に種々の影響を及ぼすことが知られている。
【０００３】
このため、ウェーハの反りの状態を測定することが行なわれている。
【０００４】
ウェーハの反りの状態を測定する場合には、例えば、一般的には、平坦度測定器（反り測定器）が用いられる。平坦度測定器においては、例えば、レーザー変位計、静電容量式変位計、光干渉変位計等によって、ウェーハ全面の変位を測定することにより、ウェーハの３次元形状を取得する。次いで、当該ウェーハにおける所定の基準面（例えば、最小二乗平面、３点基準平面等）を算出し、当該基準面からの変位量を求めることで、ウェーハの反り量を求めている。
【０００５】
例えば、ウェーハの反り方向については、例えば、図１に示すように基準面からウェーハ中心までの変位を示すＢｏｗを算出して、Ｂｏｗの符号によって示すようにしている。
【０００６】
ここで、ウェーハにエピタキシャル成長を行う場合には、エピタキシャル成長により形成されるエピタキシャル層と、ウェーハとの格子定数が違うと、ウェーハに対して反りが付加されることが知られている。
【０００７】
このため、エピタキシャルウェーハにおける反りを低減するために、ウェーハの凹凸を識別して、ウェーハよりも格子定数が大きいエピタキシャル層については、凹型の反り形状を有する主平面上に形成し、ウェーハよりも格子定数が小さいエピタキシャル層については、凸型の反り形状を有する主平面上に形成することが行われている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平６−１１２１２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ウェーハの反り形状は、凸状であるか、凹状であるかがはっきりとしている図１に示すような単純な形状となっていない場合がある。例えば、近年のウェーハの大径化に伴って、インゴットからウェーハをワイヤーソーにより切断することが行われるようになっているが、このようにして得られたウェーハの反り形状は、例えば、図２に示すように、複雑な反り形状となる場合がある。ここで、図２Ａは、ウェーハの３次元形状を示し、図２Ｂは、ウェーハを主平面の中心を通る或る平面で切断した場合の断面図を示している。
【００１０】
このように複雑な反り形状のウェーハにおいて、Ｂｏｗによって凹凸を判定すると、Ｂｏｗで凸状と判定された場合であっても、ウェーハ全体では、凹状とみた方が好ましい場合も考えられる。このため、Ｂｏｗによってウェーハの凹凸を判定し、特許文献１に示す技術を適用した場合においては、必ずしも反りの少ないエピタキシャルウェーハが得られるとは限らない。
【００１１】
このため、ウェーハのＢｏｗによる凹凸判定のみでは、エピタキシャル成長に関するウェーハの評価を適切に行えない問題がある。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、エピタキシャル成長に関するウェーハの評価を適切に行うことのできる技術を提供することにある。また、他の目的は、適切な品質のエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的達成のため、本発明の第１の観点に係るウェーハ評価方法は、エピタキシャル成長を行う対象のウェーハについて評価するウェーハ評価方法であって、ウェーハの形状を測定する測定ステップと、ウェーハに対して行うエピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状を決定する反り付加形状決定ステップと、ウェーハの形状と、反り付加形状とに基づいて、ウェーハの一方の主平面に対して、エピタキシャル成長を行った場合に推定されるエピタキシャルウェーハの形状である第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、ウェーハの形状と、反り付加形状とに基づいて、ウェーハの他方の主平面に対して、エピタキシャル成長を行った場合に推定されるエピタキシャルウェーハの形状である第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハに対してエピタキシャル成長を行うか否か評価する第１評価、又はウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うかを評価する第２評価の少なくとも一方を行う評価ステップとを有する。係るウェーハ評価方法によると、ウェーハのそれぞれの主平面に対してエピタキシャル成長を実行した場合における推定されるエピタキシャルウェーハの形状に基づいて、ウェーハに対してエピタキシャル成長を行うか否かを適切に評価できたり、或いは、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うかを適切に評価できたりする。
【００１４】
上記ウェーハ評価方法の評価ステップにおいて、第１推定形状のＷａｒｐと、第２推定形状のＷａｒｐとを算出し、Ｗａｒｐの小さい方の形状となる主平面を、エピタキシャル成長を行う主平面として決定するようにしてもよい。係るウェーハ評価方法によると、エピタキシャル成長において、Ｗａｒｐを小さくすることのできる主平面を適切に評価することができ、当該主平面に対してエピタキシャル成長を行うことにより、Ｗａｒｐが小さいエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【００１５】
また、上記ウェーハ評価方法の評価ステップにおいて、製造するエピタキシャルウェーハに要求される形状に関する基準値に基づいて、ウェーハに対してエピタキシャル成長の実行を行うか否かを決定するようにしてもよい。係るウェーハ評価方法によると、製造されるエピタキシャルウェーハに要求される基準値を満たすか否かにより、適切にエピタキシャル成長を実行させるか否かを判定することができ、例えば、基準値を満たさないエピタキシャルウェーハを製造してしまうことを適切に防止することができ、スループットを向上することができる。
【００１６】
また、上記ウェーハ評価方法において、基準値は、製造するエピタキシャルウェーハに要求されるＷａｒｐであり、評価ステップにおいて、第１推定形状のＷａｒｐと、第２推定形状のＷａｒｐとを算出し、双方が要求されるＷａｒｐよりも小さい場合には、ウェーハの両面をエピタキシャル成長が可能な主平面として決定するようにしてもよい。係るウェーハ評価方法によると、基準となるＷａｒｐを満たすと推定される場合には、エピタキシャルウェーハの両方の主平面をエピタキシャル成長が可能な主平面として決定するので、エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、ウェーハを反転させる等する必要がないことを適切に把握できる。
【００１７】
また、上記ウェーハ評価方法において、基準値は、製造するエピタキシャルウェーハに要求されるＷａｒｐであり、評価ステップにおいて、第１推定形状のＷａｒｐと、第２推定形状のＷａｒｐとを算出し、双方が要求されるＷａｒｐよりも大きい場合には、ウェーハを、エピタキシャル成長を行う対象から除外するものと決定するようにしてもよい。係るウェーハ評価方法によると、エピタキシャル成長を実行した場合に、Ｗａｒｐが基準値を満たさないと推定される場合に、当該ウェーハをエピタキシャル成長の対象から除外することができるので、無駄なエピタキシャル成長を行う必要がなく、スループットを向上することができる。
【００１８】
また、上記ウェーハ評価方法において、インゴットからワイヤーソーによってスライスされたウェーハを対象に評価するようにしてもよい。係るウェーハ評価方法においては、ワイヤーソーによってスライスされたウェーハに対して適切に評価することができる。
【００１９】
また、上記ウェーハ評価方法において、同一のインゴットをスライスすることにより得られたウェーハについて、所定枚数毎に１枚のウェーハを対象に評価するようにしてもよい。係るウェーハ評価方法によると、比較的少ない処理により、ウェーハの評価を行うことができる。
【００２０】
また、上記目的達成のため、本発明の第２の観点に係るエピタキシャルウェーハ製造方法は、ウェーハに対してエピタキシャル成長を行ってエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、ウェーハの形状を測定する測定ステップと、ウェーハに対して行うエピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状を推定する反り付加形状推定ステップと、ウェーハの形状と、反り付加形状とに基づいて、ウェーハの一方の主平面に対して、エピタキシャル成長を行った場合に推定されるウェーハの形状である第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、ウェーハの形状と、反り付加形状とに基づいて、ウェーハの他方の主平面に対して、エピタキシャル成長を行った場合に推定されるウェーハの形状である第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハに対するエピタキシャル成長に関する所定の評価を行う評価ステップと、評価ステップの評価結果に基づいて、ウェーハに対するエピタキシャル成長を行うエピタキシャル成長制御ステップとを有する。
【００２１】
係るエピタキシャルウェーハ製造方法によると、ウェーハの両方の主平面に対してエピタキシャル成長を実行した場合における推定されるエピタキシャルウェーハの形状に基づいて、ウェーハに対してエピタキシャル成長を行うか否かを適切に評価できたり、或いは、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うかを適切に評価できたりするので、より適切なエピタキシャル成長を行うことができる。
【００２２】
また、上記エピタキシャルウェーハ製造方法の評価ステップでは、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハのいずれの主平面にエピタキシャル成長させるかを評価し、エピタキシャル成長制御ステップでは、評価ステップによって決定された主平面に対してエピタキシャル成長を行うようにしてもよい。係るエピタキシャルウェーハ製造方法によると、適切な主平面に対してエピタキシャル成長をさせることができるので、品質のよいエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】ウェーハの反りを算出する方法を説明する図である。
【図２】ウェーハの形状の一例を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るエピタキシャルウェーハ製造処理のフローチャートである。
【図４】本発明の一実施形態に係るエピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状の一例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るエピタキシャルウェーハの形状の推定を説明する図である。
【図６】ウェーハに対する評価及び実際に得られたエピタキシャルウェーハの形状を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている諸要素及びその組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２５】
本発明の一実施形態に係るウェーハ評価方法を含むエピタキシャルウェーハ製造方法について説明する。
【００２６】
図３は、本発明の一実施形態に係るエピタキシャルウェーハ製造処理のフローチャートである。
【００２７】
まず、ワイヤーソーによってシリコンの単結晶インゴットから複数のウェーハを切り出す（ステップＳ１）。
【００２８】
次いで、ウェーハ評価処理（ステップＳ２〜Ｓ６）が行われる。ウェーハ評価処理においては、まず、切り出したウェーハの中から所定枚数（例えば、１０枚）毎に、１枚のウェーハを抜き出して、当該ウェーハの形状を平坦度測定器により測定する（ステップＳ２）。
【００２９】
ここで、本実施形態では、後続のステップＳ３〜Ｓ６の処理は、ステップＳ２で得られたウェーハの形状データと、ユーザによる指示に基づいて、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備えたコンピュータが実行する。なお、ユーザ自身が各ステップを実行するようにしてもよい。
【００３０】
コンピュータのＣＰＵは、ユーザから当該ウェーハに対して行うエピタキシャル成長の成長条件を受け付け、当該成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加されることとなる反り付加形状を決定する（ステップＳ３）。ここで、反り付加形状については、成長条件と、反り付加形状との関係を示す演算式を予め用意しておき、当該演算式に基づいて反り付加形状を算出するようにしてもよく、また、成長条件に従ってエピタキシャル成長を実験的に行なって、各成長条件における反り付加形状を測定しておき、この反り付加形状のデータをデータベース化してＲＡＭ等に記憶しておき、成長条件に基づいて反り付加形状をデータベースから取得するようにしてもよい。
【００３１】
図４は、本発明の一実施形態に係るエピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状の一例を示す図である。図４Ａは、ウェーハに付加される反り付加形状の３次元形状を示し、図４Ｂは、反り付加形状の中心を通る平面で反り付加形状を切断した場合の断面図を示している。
【００３２】
反り付加形状は、例えば、図４Ａに示すように、中心の変形量が大きいドーム状の形状となっている。
【００３３】
次いで、ＣＰＵは、図５Ａ（１）に示すウェーハの一方の主平面（例えば、上側の面（Ａ面という））に対して、図５Ａ（２）に示す反り付加形状を付加することにより、図５Ａ（３）に示す当該主平面にエピタキシャル成長をさせた場合に推定されるウェーハ（エピタキシャルウェーハ）の形状である推定エピタキシャルウェーハ形状（第１推定形状）を算出する（ステップＳ４）。本実施形態では、ウェーハの形状のＡ面側に対して、反り付加形状を加算することにより、推定エピタキシャルウェーハ形状を算出することができる。
【００３４】
ここで、ウェーハは、平坦度の厳しい規格で製造されており、ウェーハの厚みムラは、反り形状に比較して無視できるほど小さいので、ウェーハの厚みは一様であると考えることができる。このためウェーハの形状に反り付加形状を単純に加算するだけで十分な精度でエピタキシャルウェーハの形状を推定することができる。
【００３５】
次に、ＣＰＵは、図５Ｂ（１）に示すウェーハの他方の主平面（例えば、下側の面（Ｂ面という））に対して、図５Ｂ（２）に示す反り付加形状を付加することにより、図５Ｂ（３）に示す当該主平面にエピタキシャル成長をさせた場合に推定されるウェーハ（エピタキシャルウェーハ）の形状である推定エピタキシャルウェーハ形状（第２推定形状）を算出する（ステップＳ５）。本実施形態では、ウェーハの形状のＢ面側に対して、反り付加形状を加算することにより、推定エピタキシャルウェーハ形状を算出することができる。
【００３６】
次いで、ＣＰＵは、Ａ面にエピタキシャル成長を行った場合の推定エピタキシャルウェーハ形状と、Ｂ面にエピタキシャル成長を行なった場合の推定エピタキシャルウェーハ形状とに基づいて、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うか評価する（ステップＳ６）。本実施形態では、それぞれの推定エピタキシャルウェーハ形状におけるＷａｒｐを算出し、Ｗａｒｐの低い形状となる場合のエピタキシャル成長を行うと仮定した主平面を、実際にエピタキシャル成長を行う主平面として決定する。
【００３７】
次いで、ウェーハに対して、面取り工程および、研磨等のウェーハ平坦化工程を実行し（ステップＳ７）、ステップＳ６においてウェーハの決定された主平面に対して、エピタキシャル成長装置において、所定のエピタキシャル成長を行うことにより、エピタキシャルウェーハを製造する（ステップＳ８）。
【００３８】
次に、上記したウェーハ評価方法による効果について具体的な例を挙げて説明する。ここで、同一のウェーハに対して、Ａ面にエピタキシャル成長を行なったエピタキシャルウェーハと、Ｂ面にエピタキシャル成長を行なったエピタキシャルウェーハとを得ることが困難である。そこで、同一のインゴットからワイヤーソーにより切り出された複数のウェーハの中から、形状及び反り量が非常によく似た２つのウェーハ（サンプルウェーハ１、サンプルウェーハ２）を選択し、これらサンプルウェーハを用いて処理を行うこととした。
【００３９】
図６は、ウェーハに対する評価及び実際に得られたエピタキシャルウェーハの形状を説明する図である。図６Ａは、サンプルウェーハ１のＡ面に対して、実際にエピタキシャル成長をさせて得られたエピタキシャルウェーハ形状を示し、図６Ｂは、サンプルウェーハ２のＢ面に対して、実際にエピタキシャル成長をさせて得られたエピタキシャルウェーハ形状を示し、図６Ｃは、サンプルウェーハ１に関する各種値を示し、図６Ｄは、サンプルウェーハ２に関する各種値を示している。
【００４０】
サンプルウェーハ１、サンプルウェーハ２について平坦度測定器により測定すると、図６Ｃ、図６Ｄに示すように、それぞれのＷａｒｐは、１１．３７１μｍ、１１．６３６μｍであり、それぞれのＢｏｗは、０．３７１μｍ、０．４５１μｍであり、両サンプルウェーハは、形状及び反り量が非常に似ていることがわかる。
【００４１】
このサンプルウェーハ１に対して、ステップＳ２〜ステップＳ６の処理を実行すると、ステップＳ６においては、サンプルウェーハ１のＡ面にエピタキシャル成長を実行した場合に得られると推定されるエピタキシャルウェーハのＷａｒｐが１７．２３９μｍであり、サンプルウェーハ１のＢ面にエピタキシャル成長を実行した場合に得られると推定されるエピタキシャルウェーハのＷａｒｐが２３．０２μｍであると算出される。この結果、ステップＳ６では、サンプルウェーハ１においては、Ｗａｒｐが小さくなるＡ面へのエピタキシャル成長を実行させる、すなわち、エピタキシャル成長をＡ面に実行させると評価されることとなる。
【００４２】
また、サンプルウェーハ２に対して、ステップＳ２〜ステップＳ６の処理を実行すると、ステップＳ６においては、サンプルウェーハ２のＡ面にエピタキシャル成長を実行した場合に得られると推定されるエピタキシャルウェーハのＷａｒｐが１７．３９５μｍであり、サンプルウェーハ２のＢ面にエピタキシャル成長を実行した場合に得られると推定されるエピタキシャルウェーハのＷａｒｐが２３．０９μｍであると算出される。この結果、ステップＳ６では、サンプルウェーハ２においては、Ｗａｒｐが小さくなるＡ面へのエピタキシャル成長を実行させる、すなわち、エピタキシャル成長をＡ面に実行させると評価されることとなる。
【００４３】
ここで、Ｂｏｗに基づいて特許文献１の技術を利用して、いずれの主平面がエピタキシャル成長に適しているかを評価すると、サンプルウェーハ１及びサンプルウェーハ２のいずれもがＢｏｗがプラスであるので、エピタキシャル成長に適している面は、ステップＳ６において評価されたＡ面ではなく、Ｂ面であると評価されることとなる。
【００４４】
ここで、ステップ６における評価が適切であるかを判断するために、サンプルウェーハ１に対しては、図６Ａに示すように、評価に従ってＡ面にエピタキシャル成長を行ってエピタキシャルウェーハを製造し、サンプルウェーハ２に対しては、図６Ｂに示すように、Ｂ面にエピタキシャル成長を行ってエピタキシャルウェーハを製造させた。なお、図６Ｂ（２）に示すエピタキシャルウェーハ形状は、サンプルウェーハ２を上下反転させて、反転によって上側となった面（すなわち、Ｂ面）にエピタキシャル成長をさせて得られたエピタキシャルウェーハの形状を示している。
【００４５】
サンプルウェーハ１のＡ面にエピタキシャル成長をさせることにより製造されたエピタキシャルウェーハは、図６Ｃに示すように、Ｗａｒｐが１８．１７６μｍとなり、サンプルウェーハ２のＢ面にエピタキシャル成長をさせることにより製造されたエピタキシャルウェーハは、図６Ｄに示すように、Ｗａｒｐが２４．１６５μｍとなる。
【００４６】
ここで、サンプルウェーハ１及びサンプルウェーハ２は、非常に似ているウェーハであるので、エピタキシャル成長によって得られたエピタキシャルウェーハは、同一のウェーハのＡ面に対してエピタキシャル成長をさせた場合と、Ｂ面に対してエピタキシャル成長をさせた場合と同視できる。
【００４７】
したがって、使用したサンプルウェーハについては、Ａ面にエピタキシャル成長をさせた場合のほうが、Ｂ面にエピタキシャル成長をさせた場合に比して、Ｗａｒｐを小さくできることがわかる。このことは、ステップＳ６でのエピタキシャル成長を行う面をＡ面とするとの評価結果が正しいことを意味している。
【００４８】
このように、本実施形態によると、ウェーハのいずれの主平面にエピタキシャル成長を行うのがよいかを適切に評価することができる。また、エピタキシャル成長を行う主平面を適切に評価できるので、高品質なエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【００４９】
以上、本発明を実施形態に基づいて説明したが、本発明は上述した実施の形態に限られず、他の様々な態様に適用可能である。
【００５０】
例えば、上記実施形態では、Ｗａｒｐに基づいて、ウェーハのいずれの主平面にエピタキシャル成長を実行するかを評価するようにしていたが、本発明はこれに限られず、例えば、上記評価とともに、又は上記評価に代えて、ウェーハのそれぞれの主平面にエピタキシャル成長を実行した場合に推定されるエピタキシャルウェーハにおけるそれぞれのＷａｒｐを求め、双方のＷａｒｐが、製造されるエピタキシャルウェーハに要求されるＷａｒｐ以下である場合には、いずれの主平面にエピタキシャル成長をさせてもよいと評価するようにしてもよい。この場合には、エピタキシャルウェーハを反転する処理を行うことなく、エピタキシャル成長を行うことができ、エピタキシャルウェーハの製造におけるスループットを向上することができる。
【００５１】
また、例えば、ウェーハのそれぞれの主平面にエピタキシャル成長を実行した場合に推定されるエピタキシャルウェーハにおけるそれぞれのＷａｒｐを求め、双方のＷａｒｐが、製造されるエピタキシャルウェーハに要求されるＷａｒｐを超える場合には、当該ウェーハをエピタキシャル成長の対象から外すように評価してもよい。このようにすると、規格Ｗａｒｐを満たさないと推定されるウェーハに対して、面取り工程および、研磨等のウェーハ平坦化工程を行わないで済むとともに、実際にエピタキシャル成長を行なわないで済むので、エピタキシャルウェーハの製造におけるスループットを向上することができる。なお、上記実施形態では、ステップＳ６の後に、ウェーハの面取り工程および、ウェーハ平坦化工程を行うようにしていたが、本発明はこれに限られず、ステップＳ１の後に、ウェーハの面取り工程および、ウェーハ平坦化工程を行うようにしてもよい。
【００５２】
また、Ｗａｒｐに基づいてウェーハを評価するようにしていたが、本発明はこれに限られず、例えば、エピタキシャルウェーハにおける極小範囲での基板の高さの変動（ナノトポグラフィー）に基づいて評価するようにしてもよく、要は、エピタキシャルウェーハの形状に関する値に基づいて評価するようにすればよい。
【図１】
2010238807.tif 000003
【図２】
2010238807.tif 000004
【図３】
2010238807.tif 000005
【図４】
2010238807.tif 000006
【図５】
2010238807.tif 000007
【図６】
2010238807.tif 000008