(57)【要約】【課題】光導電層及びバイアス電極を封止する封止層上に保護基板を有さない放射線検出器の製造方法において、寸法安定性の良い封止層を形成する。【解決手段】アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440で囲まれる空間に、硬化型封止材料を充填し、硬化型封止材料を硬化させて封止層444が形成される。このため、封止層444は、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440により形作られ、封止層444の厚みは、アクティブマトリックス基板450と蓋部材440の間に配置されることになるスペーサー442の厚みにより決定される。このため、厚みにばらつきの少ない寸法安定性の良い封止層444の形成が可能となる。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷収集電極が形成された基板上に光導電層を形成すると共にその光導電層上にバイアス電極を形成する第１工程と、
前記基板上に設けられると共に上面が前記バイアス電極よりも高い位置に配置されるスペーサーにより、前記光導電層の周囲を囲む第２工程と、
離型性及び柔軟性を有する蓋部材を前記スペーサー上に配置し、前記基板、前記スペーサー及び前記蓋部材で囲まれる空間を形成する第３工程と、
前記空間に硬化型封止材料を充填し、前記硬化型封止材料を硬化させて、前記光導電層及び前記バイアス電極を封止する封止層を形成する第４工程と、
前記硬化型封止材料が硬化した後に前記蓋部材を剥離する第５工程と、
を備えた放射線検出器の製造方法。
【請求項２】
前記硬化型封止材料が硬化した後に前記スペーサーを撤去する第６工程を備えた請求項１に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項３】
前記蓋部材は、前記スペーサー側に配置され離型性及び柔軟性を有する第１層と、前記第１層上に配置され前記第１層よりも撓まない第２層とで構成されている請求項１又は請求項２に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項４】
前記蓋部材及び前記スペーサーは、シリコンゴムシートからなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項５】
前記蓋部材及び前記スペーサーは、フッソ系ゴムシートからなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項６】
前記蓋部材及び前記スペーサーは、ウレタン系ゴムシートからなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
前記蓋部材及び前記スペーサーは、軟質塩ビ、ＰＰ、ＰＥ、ＰＥＴの高分子材料からなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項８】
前記硬化型封止材料は、Ｘ線透過性、絶縁性及び防湿性を有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項９】
前記硬化型封止材料は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂で構成される請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療用のＸ線撮影装置などに用いられる放射線検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器としては、特許文献１に開示されるフラットパネル型Ｘ線検出デバイスが知られている。
【０００３】
特許文献１のフラットパネル型Ｘ線検出デバイスは、アクティブ素子アレイが形成されたガラス基板上に光導電層及びバイアス電極を形成し、その周囲を光導電層以上の厚さのスペーサーによって取り囲み、そのスペーサーによって取り囲まれた領域に、光導電層及びバイアス電極を封止する封止層としての絶縁樹脂層を設け、さらにその絶縁樹脂層を上面から覆うような形で固体保護基板を備えている。
【０００４】
固体保護基板は、アクティブ素子アレイが形成されたガラス基板と線膨張係数が概ね等しいガラス材料によって形成される場合がほとんどであるが、ガラス材料はＳｉ等原子番号の大きい元素が含まれることによってＸ線の透過率を低減させ、これによってＸ線検出デバイスの変換効率を低下させるのが欠点である。
【０００５】
これに対し、特許文献２、特許文献３及び特許文献４には、固定保護基板を無くし、絶縁樹脂層が最表面となる構造としては、開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３１１１４４号公報
【特許文献２】特開２００１−１４８４７５号公報
【特許文献３】特開２００２−９２６８号公報
【特許文献４】特開２００１−１１０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記の特許文献２、特許文献３及び特許文献４においては、絶縁樹脂層が最表面となる構造の樹脂層形成方法について明確にされていない。
【０００７】
この絶縁樹脂層には絶縁性の確保以外にも透湿度が所定以下であること、Ｘ線吸収率が所定以下の値であることが求められ、そのため、絶縁樹脂層の膜厚が所定の寸法に安定して形成されることが必要となる。また、絶縁樹脂層内に気泡やゴミが混入しないことも重要である。
【０００８】
ここで対象とするフラットパネル型Ｘ線検出デバイスは、１７インチ程度の画像領域を確保するため、デバイス自体のサイズは５０ｃｍ角程度の大きさとなり、このエリアの光導電層上に樹脂を数ｍｍの厚さで均一に形成する場合には、樹脂層形成時におけるデバイス平面性の確保や表面張力等による液面の膨らみ等が問題となる。
【０００９】
本発明は、上記事実を考慮し、光導電層及びバイアス電極を封止する封止層上に保護基板を有さない放射線検出器の製造方法において、寸法安定性の良い封止層を形成できる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に係る放射線検出器の製造方法は、電荷収集電極が形成された基板上に光導電層を形成すると共にその光導電層上にバイアス電極を形成する第１工程と、前記基板上に設けられると共に上面が前記バイアス電極よりも高い位置に配置されるスペーサーにより、前記光導電層の周囲を囲む第２工程と、離型性及び柔軟性を有する蓋部材を前記スペーサー上に配置し、前記基板、前記スペーサー及び前記蓋部材で囲まれる空間を形成する第３工程と、前記空間に硬化型封止材料を充填し、前記硬化型封止材料を硬化させて、前記光導電層及び前記バイアス電極を封止する封止層を形成する第４工程と、前記硬化型封止材料が硬化した後に前記蓋部材を剥離する第５工程と、を備えている。
【００１１】
この構成によれば、基板、スペーサー及び蓋部材で囲まれる空間に硬化型封止材料を充填し、硬化型封止材料を硬化させて封止層が形成される。
【００１２】
このため、封止層は、基板、スペーサー及び蓋部材により形作られ、封止層の厚みは、基板と蓋部材の間に配置されることになるスペーサーの厚みにより決定される。このため、厚みにばらつきの少ない寸法安定性の良い封止層の形成が可能となる。
【００１３】
また、この製造方法により製造された放射線検出器は、蓋部材が剥離されてバイアス電極上には封止層のみが配置されるので、封止層上にガラス基板等の保護基板を有する構成に比して、光導電層へ照射される放射線の減衰が低減できる。
【００１４】
本発明の請求項２に係る放射線検出器の製造方法は、請求項１の構成において、前記硬化型封止材料が硬化した後に前記スペーサーを撤去する第６工程を備えている。
【００１５】
この構成によれば、スペーサーが撤去されるので、撤去されたスペーサーを他の放射線検出器の製造時に用いることも可能となるので、放射線検出器が安価で製造できる。
【００１６】
また、この製造方法により製造された放射線検出器は、スペーサーがないので装置の小型化が図れる。
【００１７】
本発明の請求項３に係る放射線検出器の製造方法は、請求項１又は請求項２の構成において、前記蓋部材は、前記スペーサー側に配置され離型性及び柔軟性を有する第１層と、前記第１層上に配置され前記第１層よりも撓まない第２層とで構成されている。
【００１８】
この構成によれば、スペーサー側に配置される第１層が、離型性及び柔軟性を有するので、蓋部材を剥離しやすいと共に、第１層上に配置された第２層は、第１層よりも撓まないので蓋部材全体として撓みにくくなり、封止層の厚みにばらつきが発生しにくい。
【００１９】
本発明の請求項４に係る放射線検出器の製造方法は、請求項１〜３のいずれか１項の構成において、前記蓋部材及び前記スペーサーは、シリコンゴムシートからなる。
【００２０】
本発明の請求項５に係る放射線検出器の製造方法は、請求項１〜３のいずれか１項の構成において、前記蓋部材及び前記スペーサーは、フッソ系ゴムシートからなる。
【００２１】
本発明の請求項６に係る放射線検出器の製造方法は、請求項１〜３のいずれか１項の構成において、前記蓋部材及び前記スペーサーは、ウレタン系ゴムシートからなる。
【００２２】
本発明の請求項７に係る放射線検出器の製造方法は、請求項１〜３のいずれか１項の構成において、前記蓋部材及び前記スペーサーは、軟質塩ビ、ＰＰ、ＰＥ、ＰＥＴの高分子材料からなる。
【００２３】
本発明の請求項８に係る放射線検出器の製造方法は、請求項１〜７のいずれか１項の構成において、前記硬化型封止材料は、Ｘ線透過性、絶縁性及び防湿性を有する。
【００２４】
本発明の請求項９に係る放射線検出器の製造方法は、請求項１〜７のいずれか１項の構成において、前記硬化型封止材料は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂で構成される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は、上記構成としたので、寸法安定性の良い封止層を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明に係る放射線検出器の製造方法の一例を図面に基づき説明する。
まず、本実施形態に係る製造方法の製造対象となる放射線検出器の構成について説明する。
【００２７】
本実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線撮影装置等に使用されるものであり、放射線の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を担持する放射線の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を表す画像信号を出力するものである。
【００２８】
放射線検出器としては、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用して読み取る、いわゆる光読取方式の放射線検出器と、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（TFT：thin film transistor）などの電気的スイッチをオン・オフすることにより読み取る方式（以下、TFT方式という）の放射線検出器400等がある。
【００２９】
（TFT方式の放射線検出器400の構成）
TFT方式の放射線検出器400の構成について説明する。図１は、TFT方式の放射線検出器400の全体構成を示す概略断面図である。図２は、TFT方式の放射線検出器400の要部構成を示すものであり、ガラス基板408及びそのガラス基板408上に積層された各部を示す図である。
【００３０】
本実施形態に係るTFT方式の放射線検出器400は、図１及び図２に示すように、画像情報を担持した放射線の一例としてのＸ線が入射されることにより電荷を生成する光導電層404を備えている。光導電層404としては、アモルファスSe、Bi12MO20 (M：Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12 (M：Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO、HgI2、PbI2、CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等のうち少なくとも１つを主成分とする化合物などが用いられるが、暗抵抗が高く、Ｘ線照射に対して良好な光導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非晶質（アモルファス）材料が好まれる。
【００３１】
非晶質（アモルファス）材料としては、例えば、アモルファスSe（a-Se）膜が用いられている。また、アモルファスSeにAs、Sb、Geをドープした材料が、熱安定性に優れ、光導電層404の好適な材料となる。
【００３２】
光導電層404上には、画像情報を担持した放射線が透過する第１電極の一例として、光導電層404へバイアス電圧を印加するバイアス電極401が形成されている。このバイアス電極401は、例えば、金（Au）や白金により形成されている。このバイアス電極401を透過した放射線が光導電層404に照射される。
【００３３】
光導電層404に対してバイアス電極401が設けられている側とは反対側、すなわち光導電層404下には、光導電層404が生成した電荷を収集する第２電極の一例として、複数の電荷収集電極407aが形成されている。電荷収集電極407aは、図２に示すように、それぞれ電荷蓄積容量407c及びスイッチ素子407bに接続されている。また、電荷収集電極407aは、ガラス基板408に設けられている。  また、電荷収集電極407aとスイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとからアクティブマトリックス層407が構成され、ガラス基板408とアクティブマトリックス層407とからアクティブマトリックス基板450が構成されている（図３参照）。
【００３４】
光導電層404とバイアス電極401との間には、図２に示すように、電荷選択透過性を有する電荷選択透過層402を設けるのが好ましい。電荷選択透過性とは、バイアス電極401と反対極性の電荷を透過させると共にバイアス電極401と同極性の電荷の透過を阻止する性質をいう。
【００３５】
なお、光導電層404と電荷収集電極407aとの間にも、図２に示すように、上記の電荷選択透過層402とは逆極性の下部電荷選択透過層406を設けるのが好ましい。
【００３６】
バイアス電極401が正極であるときは、電荷選択透過層402は、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する層（正孔注入阻止層）で構成され、バイアス電極401が負極である場合には、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する層（電子注入阻止層）で構成される。
【００３７】
なお、電荷選択透過層402が正孔注入阻止層である場合には、下部電荷選択透過層406に電子注入阻止層が用いられ、電荷選択透過層402が電子注入阻止層である場合には、下部電荷選択透過層406に正孔注入阻止層が用いられる。
【００３８】
正孔注入阻止層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、正孔ブロック材料を混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【００３９】
正孔注入阻止層に含有される正孔ブロック材料のうち少なくとも一種が、カーボンクラスター又はその誘導体から選択される少なくとも１種であることが好ましい。さらにカーボンクラスターが、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレン又はそれらの誘導体から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００４０】
なお、下部電荷選択透過層406については、無機材料を用いても良い。無機材料からなる電子注入阻止層としては、Sb2S3、ZnTe、CdTeや、Sb-Te、Sb-S、As-Se、As-S系化合物等の組成から成る無機材料を用いることができる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または2種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。
【００４１】
無機材料からなる正孔注入阻止層としては、CdS、CeO2、Ta2O5、SiO等の無機材料が好ましく用いられる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または2種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。
【００４２】
なお、Ｓｂ２Ｓ３は電子を捕獲する局在準位を多く有する性質が強いので電子注入阻止性を有するが、Ｓｂ２Ｓ３層と隣接するａ−Ｓｅ層との界面が電気的障壁になるために正孔注入阻止性の層として使われることもある。
【００４３】
また、電荷選択透過層402と光導電層404との間、及び下部電荷選択透過層406と光導電層404との間には、図２に示すように、それぞれ結晶化抑制層403、405を設けても良い。結晶化抑制層403、405としてはGeSe、GeSe２、Sb２Se３、a-As２Se３や、Se−As、Se−Ge、Se−Sb系化合物等を用いることが可能である。
【００４４】
図３は、放射線検出器400の１画素単位の構造を示す断面図であり、図４は、その平面図である。図３及び図４に示す１画素のサイズは、0.05mm×0.05mm〜0.3mm×0.3mm程度であり、放射線検出器全体としてはこの画素がマトリクス状に500×500〜6000×6000画素程度配列されている。
【００４５】
図３に示すように、アクティブマトリックス基板450は、ガラス基板408、ゲート電極411、電荷蓄積容量電極（以下、Cs電極と称する）418、ゲート絶縁膜413、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416、ソース電極410、絶縁保護膜417、層間絶縁膜420、及び電荷収集電極407aを有している。
【００４６】
また、ゲート電極411やゲート絶縁膜413、ソース電極410、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416等により薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）からなるスイッチ素子407bが構成されており、Cs電極418やゲート絶縁膜413、ドレイン電極412等により電荷蓄積容量407cが構成されている。
【００４７】
ガラス基板408は支持基板であり、ガラス基板としては、無アルカリガラス基板（例えば、コーニング社製＃1737等）が好ましい。なお、支持基板としては、ガラス基板に限られず、各種セラミック基板、樹脂基板等を用いることができる。ゲート電極411及びソース電極410は、図４に示すように、格子状に配列された電極配線であり、その交点には薄膜トランジスタからなるスイッチ素子407bが形成されている。
【００４８】
スイッチ素子407bのソース電極410は、信号線としての直線部分と、スイッチ素子407bを構成するための延長部分とを備えており、ドレイン電極412は、スイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとをつなぐように設けられている。
【００４９】
ゲート絶縁膜413はSiNxやSiOx等からなっている。ゲート絶縁膜413は、ゲート電極411及びCs電極418を覆うように設けられており、ゲート電極411上に位置する部位がスイッチ素子407bにおけるゲート絶縁膜として作用し、Cs電極418上に位置する部位は電荷蓄積容量407cにおける誘電体層として作用する。つまり、電荷蓄積容量407cは、ゲート電極411と同一層に形成されたCs電極418とドレイン電極412との重畳領域によって形成されている。なお、ゲート絶縁膜413としては、SiNxやSiOxに限らず、ゲート電極411及びCs電極418を陽極酸化した陽極酸化膜を併用することもできる。
【００５０】
また、チャネル層（ｉ層）415はスイッチ素子407bのチャネル部であり、ソース電極410とドレイン電極412とを結ぶ電流の通路である。コンタクト電極（ｎ＋層）416はソース電極410とドレイン電極412とのコンタクトを図る。
【００５１】
絶縁保護膜417は、ソース電極410及びドレイン電極412上、つまり、ガラス基板408上に、ほぼ全面（ほぼ全領域）にわたって形成されている。これにより、ドレイン電極412とソース電極410とを保護すると共に、電気的な絶縁分離を図っている。また、絶縁保護膜417は、その所定位置、つまり、ドレイン電極412においてCs電極418と対向している部分上に位置する部位に、コンタクトホール421を有している。
【００５２】
電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜からなっている。電荷収集電極407aは、コンタクトホール421を埋めるようにして形成されており、ソース電極410上及びドレイン電極412上に積層されている。電荷収集電極407aと光導電層404とは電気的に導通しており、光導電層404で発生した電荷を電荷収集電極407aで収集できるようになっている。
【００５３】
続いて、電荷収集電極407aについて詳細に説明する。本実施形態で用いる電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜によって構成されている。非晶質透明導電酸化膜材料としては、インジウムと錫との酸化物（ITO：Indium-Tin-Oxide）や、インジウムと亜鉛との酸化物（IZO：Indium-Zinc-Oxide）、インジウムとゲルマニウムとの酸化物（IGO：Indium-Germanium-Oxide）等を基本組成とするものを使用することができる。
【００５４】
また、電荷収集電極407aとしては、各種の金属膜や導電酸化膜が使用されているが、下記の理由により、ITO（Indium-Tin-Oxide）等の透明導電酸化膜が用いられることが多い。放射線検出器400において入射Ｘ線量が多い場合、不要な電荷が半導体膜中（あるいは半導体膜と隣接する層との界面付近）に捕獲されることがある。
【００５５】
このような残留電荷は、長時間メモリーされたり、時間をかけつつ移動したりするので、以降の画像検出時にＸ線検出特性が劣化したり、残像（虚像）が現れたりして問題になる。そこで、特開平９−９１５３号公報（対応米国特許第５５６３４２１号）には、光導電層404に残留電荷が発生した場合に、光導電層404の外側から光を照射することで、残留電荷を励起させて取り除く方法が開示されている。また、特開２００４−１４６７６９（対応米国特許第６９９５３７５号、および第７０３４３１２号）には光照射によって分割電極を備えた放射線検出器に発生する電界を安定化することにより、感度変動をなくした放射線検出器が開示されている。この場合、光導電層404の下側（電荷収集電極407a側）から効率よく光を照射するためには、電荷収集電極407aが照射光に対して透明である必要がある。
【００５６】
また、電荷収集電極407aの面積充填率（フィルファクター）を大きくする目的、またはスイッチ素子407bをシールドする目的、またはトップゲートとして機能させて大線量照射時のTFTの破壊を防止する目的で、スイッチ素子407bを覆うように電荷収集電極407aを形成することが望まれるが、電荷収集電極407aが不透明であると、電荷収集電極407aの形成後にスイッチ素子407bを観察することができない。
【００５７】
例えば、電荷収集電極407aを形成後、スイッチ素子407bの特性検査を行う場合、スイッチ素子407bが不透明な電荷収集電極407aで覆われていると、スイッチ素子407bの特性不良が見つかった際、その原因を解明するために光学顕微鏡等で観察することができない。従って、電荷収集電極407aの形成後もスイッチ素子407bを容易に観察することができるように、電荷収集電極407aは透明であることが望ましい。
【００５８】
層間絶縁膜420は、感光性を有するアクリル樹脂からなり、スイッチ素子407bの電気的な絶縁分離を図っている。層間絶縁膜420には、コンタクトホール421が貫通しており、電荷収集電極407aはドレイン電極412に接続されている。コンタクトホール421は、図３に示すように逆テーパ形状で形成されている。バイアス電極401とCs電極418との間には、図示しない高圧電源が接続されている。
【００５９】
また、ガラス基板408には、保護部材としてのスペーサー442が設けられている。スペーサー442は、光導電層404の周囲を囲んで形成されている。
【００６０】
スペーサー442の内周側の空間には、光導電層404及びバイアス電極401を封止する封止層444が形成されている。
【００６１】
（TFT方式の放射線検出器の動作原理）
次に、上記のTFT方式の放射線検出器400の動作原理について説明する。
光導電層404にＸ線が照射されると、光導電層404内に電荷（電子−正孔対）が発生する。バイアス電極401とCs電極418との間に電圧が印加された状態、すなわちバイアス電極401とCs電極418とを介して光導電層404に電圧が印加された状態において、光導電層404と電荷蓄積容量407cとは電気的に直列に接続された構造となっているので、光導電層404内に発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量407cに電荷が蓄積される。
【００６２】
電荷蓄積容量407cに蓄積された電荷は、ゲート電極411への入力信号によってスイッチ素子407bをオン状態にすることによりソース電極410を介して外部に取り出すことが可能となる。そして、ゲート電極411とソース電極410とからなる電極配線、スイッチ素子407b及び電荷蓄積容量407cは、すべてマトリクス状に設けられているため、ゲート電極411に入力する信号を順次走査し、ソース電極410からの信号をソース電極410毎に検知することにより、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。
【００６３】
（TFT方式の放射線検出器400の製造方法）
次に、TFT方式の放射線検出器400の製造方法を説明する。
【００６４】
まず、図５に示すように、電荷収集電極407a等が形成されたアクティブマトリックス基板450上に光導電層404を形成すると共にその光導電層404上にバイアス電極401を形成する。
【００６５】
次に、図６に示すように、アクティブマトリックス基板450上に設けられると共に上面がバイアス電極401よりも高い位置に配置されるスペーサー442により、光導電層404の周囲を囲む。
【００６６】
本実施形態では、スペーサー442は、光導電層404及びバイアス電極401をあわせた厚さよりも厚く形成されており、光導電層404が形成されたアクティブマトリックス基板450の同一面上にスペーサー442が形成されることにより、スペーサー442の上面がバイアス電極401よりも高い位置に配置される。
【００６７】
たとえば、光導電層404及びバイアス電極401をあわせた厚さを、１ｍｍとすると、スペーサー442の厚さは、１ｍｍ＋αとなる。このαは、例えば、１〜１０ｍｍである。本実施形態では、スペーサー442の厚さを、４ｍｍとする。
【００６８】
なお、スペーサー442には、後述の蓋部材440と同じ材料やガラスを用いることができる。
【００６９】
次に、図７に示すように、離型性及び柔軟性を有する板状の蓋部材440をスペーサー442上に配置し、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440で囲まれる空間を形成する。この空間は周囲が閉じられた閉空間となっている。
【００７０】
次に、図８に示すように、蓋部材440に筒状の管460を貫通させて、硬化型封止材料を充填するための経路を形成する。このとき、閉空間は、管460部分で開放されることになる。そして、この管460を通じて、硬化型封止材料を充填し、硬化型封止材料を硬化させて、光導電層404及びバイアス電極401を封止する封止層444を形成する。
【００７１】
硬化型封止材料には、Ｘ線透過性、絶縁性及び防湿性を有する材料が選択される。具体的には、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などの常温硬化性樹脂が用いられる。
【００７２】
次に、図９に示すように、硬化型封止材料が硬化した後に蓋部材440を剥離する。蓋部材440は、一端部から他端部に向けて徐々に剥離される。
【００７３】
なお、図１０に示すように、硬化型封止材料が硬化した後にスペーサー442を撤去してもよい。
【００７４】
また、スペーサー442の形状は種々の形状とすることが可能であり、例えば、図１１に示すように、断面Ｌ字状に形成したスペーサー442を用いても良い。
【００７５】
ここで、蓋部材440について説明する。
【００７６】
蓋部材440が硬化型封止材料及びスペーサー442から剥離できるためには、蓋部材440が硬化型封止材料及びスペーサー442に対して離型性を有することが求められる。
【００７７】
また、蓋部材440の全体を一度に剥離する場合には強力で剥離する必要があるため、蓋部材440や放射線検出器400の構成部材の劣化や破損につながる。このため、蓋部材440は、一端部から他端部に向けて徐々に剥離する必要があり、このためには、蓋部材440は、剥離する際に一端部が浮き上がるように撓む程度の柔軟性を有する必要がある。
【００７８】
具体的には、蓋部材440は、シリコンゴムシート、フッソ系ゴムシート、ウレタン系ゴムシート及び軟質塩ビ、ＰＰ、ＰＥ、ＰＥＴの高分子材料などから構成することができる。
【００７９】
なお、上記の柔軟性は、材料のみならず、蓋部材440の厚みにより変化するものであるため、蓋部材440は、柔軟性を考慮した上で厚さが決定される。
【００８０】
また、蓋部材440は、図１２（Ａ）に示すように、単一の層で形成された構成であってもよく、図１２（Ｂ）に示すように、複数の層で形成されていても良い。なお、図１２（Ｂ）には、２層で形成された構成を示している。
【００８１】
蓋部材440を単一の層で形成した場合には、その層自身が、離型性及び柔軟性を有する構成であってもよく、また、その層が柔軟性を有し、その層の表面に離型剤を塗布する構成であってもよい。
【００８２】
また、複数層で形成する場合には、スペーサー442側に配置され離型性及び柔軟性を有する第１層440Ａと、第１層440Ａ上に配置され第１層440Ａよりも撓まない第２層440Ｂとで構成されている蓋部材440を用いても良い。
【００８３】
すなわち、第１層440Ａには、蓋部材440を剥離するための機能を持たせ、第２層440Ｂには、蓋部材440の平面性を維持させる機能を持たせることで、機能の分担を行うようにしてもよい。なお、蓋部材440の平面性を維持させるのは、蓋部材440とバイアス電極401（光導電層404）との間の距離分布がばらつかないようにし、その蓋部材440とバイアス電極401（光導電層404）との間に形成される封止層444の厚みのばらつきを抑制するためである。
【００８４】
蓋部材440が複数の層で構成される場合には、第２層440Ｂは、図１３及び図１４（Ａ）に示すように、複数に分割される構成であってもよい。
【００８５】
剥離される際の剥離開始側Ｓから剥離終了側Ｅに沿った剥離方向（図１３及び図１４（Ａ）におけるＡ方向）に交差する方向に隙間（溝）443が形成されている。これにより、図１４（Ｂ）に示すように、蓋部材440を剥離する際に蓋部材440が湾曲しやすくなる。
【００８６】
また、複数の層で構成される蓋部材440は、各層が接合されていてもよく、接合されていない構成であってもよい。
【００８７】
各層が接合される場合には、蓋部材440は、図１５に示すように、一度に剥離される。
【００８８】
各層が接合されていない場合には、蓋部材440は、図１６に示すように、まず、第２層440Ｂが剥離され、次に、第１層440Ａが剥離されるようにすることができる。なお、この場合でも、蓋部材440は、図１５に示すように、一度に剥離してもよい。
【００８９】
（本実施形態の作用）
次に、上記の実施形態について作用を説明する。
【００９０】
本実施形態に係る放射線検出器400の製造方法によれば、上述のように、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440で囲まれる空間に、硬化型封止材料を充填し、硬化型封止材料を硬化させて封止層444が形成される。
【００９１】
このため、封止層444は、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440により形作られ、封止層444の厚みは、アクティブマトリックス基板450と蓋部材440の間に配置されることになるスペーサー442の厚みにより決定される。このため、厚みにばらつきの少ない寸法安定性の良い封止層444の形成が可能となる。
【００９２】
また、蓋部材440で閉空間を形成するので、硬化型封止材料に気泡やゴミが混入しにくくなる。
【００９３】
さらに、硬化型封止材料が硬化する前の液状態においては、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440によって、その移動が規制されるので、装置全体が傾いた場合や、硬化型封止材料の表面張力等による液面の膨らみが発生した場合においても、厚みにばらつきの少ない寸法安定性の良い封止層444の形成が可能となる。
【００９４】
また、蓋部材440は剥離されるので、剥離した蓋部材440を他の放射線検出器の製造時に用いることも可能となるので、放射線検出器が安価で製造できる。
【００９５】
また、この製造方法により製造された放射線検出器400は、蓋部材440が剥離されてバイアス電極401上には封止層444のみが配置されるので、封止層444上にガラス基板等の保護基板を有する構成に比して、光導電層404へ照射される放射線の減衰が低減できる。
【００９６】
以下に、実施例に係る蓋部材440と、比較例に係る蓋部材440により上記の放射線検出器400を製造した際の評価結果を説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００９７】
このとき製造した放射線検出器400においては、スペーサー442に蓋部材440と同じシリコンゴムシートを用い、硬化型封止材料にエポキシ樹脂を用いた。
【００９８】
（実施例１）
蓋部材440は、単一の層で形成され（図１２（Ａ）参照）、５ｍｍ厚のシリコンゴムシートで構成される。
【００９９】
（実施例２）
蓋部材440は、２層で形成され（図１２（Ｂ）参照）、第１層440Ａは、３ｍｍ厚のシリコンゴムシートで構成され、第２層440Ｂは、２ｍｍ厚のアクリル板で構成される。
【０１００】
（実施例３）
蓋部材440は、第２層440Ｂが分割された２層で形成され（図１３及び図１４（Ａ）参照）、第１層440Ａは、３ｍｍ厚のシリコンゴムシートで構成され、第２層440Ｂは、分割された３ｍｍ厚のガラス板で構成される。
【０１０１】
（実施例４）
実施例３の構成の蓋部材440において、第２層440Ｂの表面にＰＰ200μｍを接合して構成される。
【０１０２】
（比較例）
蓋部材440は、単一の層で形成され（図１２（Ａ）参照）、０．７ｍｍ厚のガラス板で構成される。
【０１０３】
実施例１〜４においては、蓋部材440が硬化型封止材料及びスペーサー442から良好に剥離でき、封止層444上にガラス基板等の保護基板を有さない放射線検出器400を得ることができた。実施例２〜４の方が、実施例１に比して、封止層444の厚みにばらつきが少なかった。
【０１０４】
それに対して、比較例では、実施例１〜４において蓋部材440を剥離可能な力により、蓋部材440を剥離した場合では、ガラス板で構成された蓋部材440が剥離できず、封止層444上にガラス基板等の保護基板を有する放射線検出器しか得ることができなかった。これは、ガラス板が柔軟性と離型性を有さないためと考えられる。
【０１０５】
なお、本実施形態に係る製造方法は、TFT方式の放射線検出器400を製造する製造方法であったが、光読取方式の放射線検出器においても、上記の製造方法が適用可能である。本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】図１は、TFT方式の放射線検出器の全体構成を示す概略断面図である。
【図２】図２は、TFT方式の放射線検出器の要部を示す概略構成図である。
【図３】図３は、TFT方式の放射線検出器の１画素単位の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、TFT方式の放射線検出器の１画素単位の構造を示す平面図である。
【図５】図５は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法の第１工程を示す概略斜視図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法の第２工程を示す概略斜視図である。
【図７】図７は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法の第３工程を示す概略斜視図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法の第４工程を示す概略斜視図である。
【図９】図９は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法の第５工程を示す概略斜視図である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法の第６工程を示す概略斜視図である。
【図１１】図１１は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法におけるスペーサーの形状を替えた変形例を示す概略断面図である。
【図１２】図１２は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法における蓋部材の構成を示す概略断面図であり、（Ａ）は蓋部材を１層で形成した場合、（Ｂ）は蓋部材を第１層及び第２層の２層で形成した場合を示す。
【図１３】図１３は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法における蓋部材を、第２層を分割した２層で形成した場合を示す概略斜視図である。
【図１４】図１４（Ａ）は、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法における蓋部材を、第２層を分割した２層で形成した場合を示す概略断面図であり、図１４（Ｂ）は、この蓋部材を剥離する様子を示した概略断面図である。
【図１５】図１５は、蓋部材を第１層及び第２層の２層で形成した場合において、第１層及び第２層を一体に剥離する様子を示した概略断面図である。
【図１６】図１６は、蓋部材を第１層及び第２層の２層で形成した場合において、第１層及び第２層を別々に剥離する様子を示した概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
400    放射線検出器
401    バイアス電極
404    光導電層
407a   電荷収集電極
440    蓋部材
440Ａ  第１層
440Ｂ  第２層
442    スペーサー
444    封止層
450    アクティブマトリックス基板（基板）
【図１】
2010056431.tif 000003
【図２】
2010056431.tif 000004
【図３】
2010056431.tif 000005
【図４】
2010056431.tif 000006
【図５】
2010056431.tif 000007
【図６】
2010056431.tif 000008
【図７】
2010056431.tif 000009
【図８】
2010056431.tif 000010
【図９】
2010056431.tif 000011
【図１０】
2010056431.tif 000012
【図１１】
2010056431.tif 000013
【図１２】
2010056431.tif 000014
【図１３】
2010056431.tif 000015
【図１４】
2010056431.tif 000016
【図１５】
2010056431.tif 000017
【図１６】
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