(57)【要約】【課題】複数の素子を基板に接着するための接着フィルムとして用いられたときに、穴開け等の加工に伴って発生する異物の影響を抑制できるとともに、加熱による変形が抑制された両面接着フィルムを提供すること。【解決手段】支持フィルム１０と、支持フィルム１０の両面にそれぞれ積層された２つの接着剤層２１，２２と、２つの接着剤層２１，２２それぞれの支持フィルム１０とは反対側の面に積層されたカバーフィルム３１，３２とを備える両面接着フィルム。当該両面接着フィルムは半導体素子及び／又はＭＥＭＳ素子を基板に接着するために用いられる。【選択図】図１
2010077378.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルムと、
該支持フィルムの両面にそれぞれ積層された接着剤層と、
それぞれの該接着剤層の前記支持フィルムとは反対側の面に積層されたカバーフィルムと、を備え、
半導体素子及び／又はＭＥＭＳ素子を基板に接着するために用いられる両面接着フィルム。
【請求項２】
両面接着フィルムを穴開け加工する工程と、穴開け加工された両面接着フィルムからカバーフィルムを除去する工程とを含む方法により、半導体素子及び／又はＭＥＭＳ素子を基板に接着するために用いられる、請求項１に記載の両面接着フィルム。
【請求項３】
穴開け加工された両面接着フィルムから、穴開け加工により生じた異物とともにカバーフィルムを除去する、請求項２に記載の両面接着フィルム。
【請求項４】
前記支持フィルムが１００ｐｐｍ以下の線膨張係数を有し、硬化後の前記接着剤層が１００℃未満のガラス転移温度を有する、請求項１〜３のいずれ一項に記載の両面接着フィルム。
【請求項５】
前記支持フィルムが、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルケトン、ポリエチレンナフタレート及び液晶ポリマーからなる群から選ばれるポリマーのフィルムである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の両面接着フィルム。
【請求項６】
それぞれの前記接着剤層が互いに同じ組成を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の両面接着フィルム。
【請求項７】
それぞれの前記接着剤層が、１００℃以下のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、フィラーとを含有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の両面接着フィルム。
【請求項８】
基板と、該基板に搭載された、半導体素子及びＭＥＭＳ素子から選ばれる複数の素子と、前記基板と前記素子との間に介在する接着層と、を備え、前記接着層が、カバーフィルムが除去された請求項１〜７のいずれか一項に記載の両面接着フィルムから形成されている、電子部品モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面接着フィルム及びこれを用いた半導体パッケージ、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）モジュール等の電子部品モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージは高集積化・多様化してきており、特許文献１、２等に示されるように、１つのパッケージ内に同じ又は異なる半導体素子を２個以上搭載する場合が増えてきている。例えば、ＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）のように、同一面上に搭載された２種類以上の半導体素子を有するパッケージにおいては、より高密度に搭載するために素子間の距離を可能な限り近づける必要がある。また、２個以上の半導体素子を重ねて積層する場合、接着フィルムの厚みを一定に保つ必要がある。
【０００３】
一方、センサー素子やＭＥＭＳ素子の基板への搭載においては、素子の搭載位置の精度が重要である場合がある。また、センサー素子やＭＥＭＳ素子等の２個以上の素子を基板に搭載する場合においては、隣り合う素子間の距離や搭載高さの違いを高い精度で制御することが重要である。
【０００４】
例えば、２個以上のイメージセンサー素子を基板の同一面上に搭載する場合には、隣り合う素子間の距離及び素子の搭載高さのばらつきを最小限に抑える必要がある。そのため、素子の基板への搭載を高い位置精度で行う必要であるだけでなく、その後の加熱工程おいても搭載高さや素子間の位置関係が変化しないことが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０７０５５号公報
【特許文献２】特開２００７−２７７５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、基板の同一面上に複数の素子を従来の接着フィルムを用いて接着すると、加熱に伴う接着フィルムの変形に起因して、素子間の距離や素子の搭載高さが変化してしまうという問題があった。接着フィルムは、硬化、ワイヤボンディング、封止等のために基板又は素子に貼り付けられた状態で加熱される。従来の接着フィルムは、加熱されたときに、熱膨張、熱収縮、硬化収縮、揮発成分や吸湿水分の揮発による膨張などの変形を生じやすいという問題を有していた。特に、複数の素子が高密度に配置されるモジュールの製造においては、素子間の距離及び素子の搭載高さをより高い精度で制御することが求められるため、接着フィルムの変形を抑制することが非常に重要であることがわかった。
【０００７】
さらには、複数の素子を基板に接着するために用いられる接着フィルムは、使用前に穴開け加工などによってその形状を加工することが必要とされる場合が多く、そのような加工によって発生するバリ等の異物が存在すると、接着強度の低下や素子の剥離の原因となり得ることから、異物の影響を抑制することも求められていた。
【０００８】
そこで、本発明は、複数の素子を基板に接着するための接着フィルムとして用いられたときに、穴開け等の加工に伴って発生する異物の影響を抑制できるとともに、加熱による変形が抑制された両面接着フィルムを提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、支持フィルムと、該支持フィルムの両面にそれぞれ積層された接着剤層と、それぞれの該接着剤層の支持フィルムとは反対側の面に積層されたカバーフィルムと、を備える両面接着フィルムに関する。本発明に係る両面接着フィルムは、半導体素子及び／又はＭＥＭＳ素子を基板に接着するために用いられる。
【００１０】
本発明に係る両面接着フィルムは、両面接着フィルムを穴開け加工する工程と、穴開け加工された両面接着フィルムからカバーフィルムを除去する工程とを含む方法により、半導体素子及び／又はＭＥＭＳ素子を基板に接着するために用いられる場合に特に有用である。この場合、穴開け加工された両面接着フィルムから、穴開け加工により生じた異物とともにカバーフィルムを除去することが好ましい。
【００１１】
上記のような穴開け加工の工程を含む方法で素子を接着する場合に、本発明に係る両面接着フィルムを用いることによって、穴開け加工に伴って発生するバリ等の異物に起因する接着強度低下、信頼性低下などの不具合が十分に抑制される。例えば、穴開け加工に伴って発生する異物を一方の被着体に圧着する前にカバーフィルムを剥がして異物を除き、さらに他方の被着体を加熱圧着する前にもう一方のカバーフィルムを剥がして異物を除くことにより、異物に起因する不具合を防止することができる。
【００１２】
支持フィルムは１００ｐｐｍ以下の線膨張係数を有することが好ましい。加熱時の特性変化の少ない支持フィルムを用いることにより、素子を基板に搭載した後の接着フィルムの硬化工程、ワイヤボンディング工程及び封止工程等における加熱に伴う接着フィルムそのものの収縮及び膨張を更に効果的に抑制することができる。半導体素子やＭＥＭＳ素子を構成する材料であるシリコン（Ｓｉ）の線膨張係数は数ｐｐｍであり、一般的な基板、例えばガラスエポキシ基板、ＢＴ基板等の線膨張係数が数十ｐｐｍである。一方、従来の接着フィルムの線膨張係数は一般に数百ｐｐｍであり、基板と素子との線膨張係数の差、又は基板及び素子と接着フィルムとの線膨張係数の差により生じる反りを低減することが難しい。反りが発生すると、素子間の距離や素子の搭載高さが変化してしまう可能性がある。支持フィルムの線膨張係数を１００ｐｐｍ以下とすることで、効果的に反りを低減できる。
【００１３】
硬化後の接着剤層は１００℃未満のガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。接着剤層のガラス転移温度が低いと、接着フィルムを被着体に圧着する際の温度をより低くすることができる。例えば、一方の被着体（素子又は基板）に接着フィルムを圧着した後、さらに他方の被着体（基板又は素子）を圧着する方法により素子を基板に搭載する場合、接着フィルムを一方の被着体に圧着する際に、一般に接着フィルムをその硬化後のＴｇ以上の温度に加熱しながら十分な圧力を加える必要がある。接着フィルムの被着体とは反対側の面は圧着用の治具と接触するため、加熱温度が高いと治具と接触する接着フィルムが変形して、その表面に微細な凹凸が形成されてしまう。接着フィルムの表面に微細な凹凸が形成されると、そこに他方の被着体を高精度で接着することが困難になるだけでなく、接着強度が低下する可能性もある。硬化後の接着剤層のＴｇが１００℃未満であることで、このような問題の発生を防止することができる。
【００１４】
支持フィルムは、好ましくは、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルケトン、ポリエチレンナフタレート及び液晶ポリマーからなる群から選ばれるポリマーのフィルムである。
【００１５】
それぞれの上記接着剤層は互いに同じ組成を有することが好ましい。また、それぞれの上記接着剤層は、１００℃以下のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、フィラーとを含有することが好ましい。
【００１６】
別の側面において、本発明は基板と、該基板に搭載された、半導体素子及びＭＥＭＳ素子から選ばれる複数の素子と、基板と素子との間に介在する接着層と、を備える電子部品モジュールに関する。本発明に係る電子部品モジュールの接着層は、カバーフィルムが除去された上記本発明に係る両面接着フィルムから形成されている。
【００１７】
本発明に係る電子部品モジュールは、高い信頼性を達成することができ、また、高い生産性で製造されることが可能である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る両面接着フィルムは、複数の素子を基板に接着するための接着フィルムとして用いられたときに、穴開け等の加工に伴って発生する異物の影響を抑制できるとともに、加熱による変形が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】両面接着フィルムの一実施形態を示す断面図である。
【図２】電子部品モジュールの一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２１】
図１は、両面接着フィルムの一実施形態を示す断面図である。図１に示す両面接着フィルム１は、支持フィルム１０と、支持フィルム１０の両面にそれぞれ積層された２つの接着剤層２１，２２と、２つの接着剤層２１，２２それぞれの支持フィルム１０とは反対側の面に積層されたカバーフィルム３１，３２とを備える５層構成の積層体である。
【００２２】
本実施形態に係る両面接着フィルムは、例えば、両面接着フィルム１を穴開け加工する工程と、穴開け加工された両面接着フィルム１から一方のカバーフィルム３１を除去し、一方の接着剤層２１を一方の被着体（基板）に熱圧着する工程と、穴開け加工された両面接着フィルム１から他方のカバーフィルム３２を除去し、他方の接着剤層２２を他方の被着体（半導体素子及び／又はＭＥＭＳ素子）に熱圧着する工程とを含む方法により、半導体素子及び／又はＭＥＭＳ素子を基板に接着するために用いられる。一方のカバーフィルム３１を除去して一方の被着体を両面接着フィルム１に熱圧着した後、他方のカバーフィルム３２を除去して他方の被着体を両面接着フィルム１に熱圧着してもよいし、両方のカバーフィルム３１，３２を除去し、両被着体を両面接着フィルムに同時に熱圧着してもよい。
【００２３】
両面接着フィルムの穴開け加工には、例えば、機械による穴開け、レーザー又はプラズマによる穴開けがある。穴開け加工によって、支持フィルム１０及び接着剤層２１，２２とともにカバーフィルム３１，３２を貫通する貫通孔が形成される。
【００２４】
支持フィルム１０は、加熱による特性変化の少ない材料から形成されることが好ましい。これにより、素子を基板に搭載した後の接着フィルムの硬化工程、ワイヤボンディング工程、封止工程等における加熱による両面接着フィルムそのものの加熱収縮及び膨張をより効果的に抑制することができる。
【００２５】
係る観点から、支持フィルム１０のＴｇは１００℃以上が好ましく、１５０℃以上がより好ましく、２００℃以上がさらに好ましい。支持フィルム１０の線膨張係数は、１００ｐｐｍ以下が好ましく、７０ｐｐｍ以下がより好ましく、５０ｐｐｍ以下がさらに好ましい。
【００２６】
上記のような特性を達成するため、支持フィルム１０は、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルケトン、ポリエチレンナフタレート及び液晶ポリマーからなる群から選ばれるポリマーのフィルムであることが好ましい。
【００２７】
カバーフィルム３１，３２としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン及びポリプロピレンからなる群から選ばれるポリマーのフィルムが用いられる。
【００２８】
接着剤層２１，２２の硬化後のＴｇが低いと、熱圧着時の温度を低くして、接着フィルムに熱が過剰に加わることを回避して、接着フィルムの変形をより顕著に抑制することができる。具体的には、硬化後の接着剤層２１，２２のＴｇは１００℃未満が好ましく、９０℃未満がより好ましく、８０℃未満がさらに好ましい。
【００２９】
接着剤層２１，２２は、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及びフィラーをそれぞれ含有する。２つの接着剤層２１，２２の組成は互いに同一でも異なっていてもよいが、変形防止や反り防止の観点からは同一であることが好ましい。
【００３０】
熱可塑性樹脂のＴｇは好ましくは１００℃未満、より好ましくは９０℃未満、さらに好ましくは８０℃未満である。Ｔｇが低い熱可塑性樹脂を用いることにより、低いＴｇを有する接着剤層を容易に形成することができる。また、熱可塑性樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートからなる群から選ばれる少なくとも１種であってもよい。
【００３１】
熱硬化性樹脂は、３次元網目構造を形成し得る化合物である。熱硬化性樹脂は、通常、硬化剤及び／又は硬化促進剤の作用によって３次元網目構造を形成して硬化する。熱硬化性樹脂を用いることにより、高温での剪断接着力が高くなる傾向がある。ただし、熱硬化性樹脂を用いると高温でのピール接着力は逆に低下する可能性があるため、使用目的に応じて、熱硬化性樹脂の使用の有無を適宜選択するのがよい。
【００３２】
熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、好ましくは１〜１００質量部、より好ましくは１〜５０質量部である。熱硬化性樹脂の量が１００質量部を超えるとフィルム形成性が低下する傾向がある。
【００３３】
熱硬化性樹脂は、好ましくは、エポキシ樹脂及び２個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物から選ばれる。
【００３４】
エポキシ樹脂は、１分子中に１個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に制限はない。エポキシ樹脂としては、例えば、アルキルモノグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、アルキルフェノールモノグリシジルエーテル、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−（３−グリシドキシプロピル）-１，１，３，３，３−ペンタメチルジシロキサン、アルキルモノグリシジルエステル、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂［ＡＥＲ−Ｘ８５０１（旭化成エポキシ（株）、商品名）、Ｒ−３０１（三井化学（株）、商品名）、ＹＬ−９８０（ジャパンエポキシレジン（株）、商品名）］、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂［ＹＤＦ−１７０（東都化成（株）、商品名）］、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂［Ｒ−１７１０（三井化学（株）、商品名）］、フェノールノボラック型エポキシ樹脂［Ｎ−７３０Ｓ（大日本インキ化学工業（株）、商品名）、Ｑｕａｔｒｅｘ−２０１０（ダウ・ケミカル社、商品名）］、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂［ＹＤＣＮ−７０２Ｓ（東都化成（株）、商品名）、ＥＯＣＮ−１００（日本化薬（株）、商品名）］、多官能エポキシ樹脂［ＥＰＰＮ−５０１（日本化薬（株）、商品名）、ＴＡＣＴＩＸ−７４２（ダウ・ケミカル社、商品名）、ＶＧ−３０１０（三井化学（株）、商品名）、１０３２Ｓ（ジャパンエポキシレジン（株）、商品名）］、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂［ＨＰ−４０３２（大日本インキ化学工業（株）、商品名）］、ジシクロ型エポキシ樹脂［ＥＰ−４０８８Ｓ（旭電化工業（株）、商品名）、ＸＤ−１０００−Ｌ（日本化薬（株）、商品名）］、脂環式エポキシ樹脂［ＥＨＰＥ−３１５０、ＣＥＬ−３０００（ダイセル化学工業（株）、商品名）、ＤＭＥ−１００（新日本理化（株）、商品名）、ＥＸ−２１６Ｌ（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、脂肪族エポキシ樹脂［Ｗ−１００（新日本理化（株）、商品名）、ＹＨ−３００（東都化成（株）、商品名）］、エポキシ化ポリブタジエン［ＰＢ−３６００（ダイセル化学工業（株）、商品名）、Ｅ−１０００−３．５（日本石油化学（株）、商品名）］、エポキシ化植物油［Ｓ−３００Ｋ、Ｌ−５００（ダイセル化学工業（株）、商品名）］、アミン型エポキシ樹脂［ＥＬＭ−１００（住友化工業（株）、商品名）、ＹＨ−４３４Ｌ（東都化成（株）、商品名）、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（三菱瓦斯化学（株）、商品名）、ＧＯＴ、ＧＡＮ（日本化薬（株）、商品名）］、エチレン／プロピレングリコール変性ビスフェノール型エポキシ樹脂［ＥＰ−４０００Ｓ（旭電化工業（株）、商品名）、ＢＥＯ−６０Ｅ（新日本理化（株）、商品名）］、水素添加ビスフェノール型エポキシ樹脂［ＥＸＡ−７０１５（日本化薬（株）、商品名）、ＳＴ−５０８０（東都化成（株）、商品名）］、レゾルシン型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２０１（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、カテコール骨格を有するエポキシ樹脂［ＥＸＡ−７１２０（大日本インキ化学工業（株）、商品名）］、ネオペンチルグリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２１１（ナガセケム��ックス（株）、商品名）］、ヘキサンディネルグリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２１２（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、エチレン／プロピレングリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−８１０、８１１、８５０、８５１、８２１、８３０、８３２、８４１、８６１（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、ビフェニル型エポキシ樹脂［ＹＸ−４０００Ｈ（ジャパンエポキシレジン（株）、商品名］、下記一般式（Ｉ）
【００３５】
【化１】
2010077378.tif 000003
（式中、ａは０〜５の整数を表す。）
で表されるエポキシ樹脂［Ｅ−ＸＬ−２４、Ｅ−ＸＬ−３Ｌ（三井化学（株）、商品名）］、ウレタン変性エポキシ樹脂［ＥＰＵ−１５、ＥＰＵ−１８（旭電化工業（株）、商品名）］、ゴム変性エポキシ樹脂［ＥＰＲ−４０３２、ＥＰＲ−１３０９（旭電化工業（株）、商品名）］、キレート変性エポキシ樹脂［ＥＰ−４９−１０、ＥＰＵ−７８−１１（旭電化工業（株）、商品名）］、グリシジルエステル型エポキシ樹脂［ＹＤ−１７１、ＹＤ−１７２（東都化成（株）、商品名）、ＡＫ−６０１（日本化薬（株）、商品名）］が挙げられる。
【００３６】
これらのなかでも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。これらのエポキシ樹脂は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３７】
接着剤層２１，２２は、上記エポキシ樹脂と組み合わせて用いられる硬化剤を含有してもよい。硬化剤の例としては、フェノールノボラック樹脂［Ｈ−１（明和化成（株）、商品名）、ＶＲ−９３００（三井化学（株）、商品名）］、フェノールアラルキル樹脂［ＸＬ−２２５（三井化学（株）、商品名）］、アリル化フェノールノボラック樹脂［ＡＬ−ＶＲ−９３００（三井化学（株）、商品名）］、下記一般式（ＩＩ）
【００３８】
【化２】
2010077378.tif 000004
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ２は水素又はメチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｂは２〜４の整数を示す。）で表される特殊フェノール樹脂［ＰＰ−７００−３００（日本石油化学（株）製、商品名）］、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＡＤ、アリル化ビスフェノールＳ、多官能フェノール［ｐ−ＣＲ、ＴｒｉｓＰ−ＰＨＢＡ、ＭＴＰＣ、ＴｒｉｓＰ−ＲＳ（本州化学工業（株）、商品名）］等のフェノール化合物、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフイド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフイド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフイド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、トリスジメチルアミノメチルフェノール、ピペリジン、メンタンジアミン、ボロントリフルオライドモノエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−ウンデセン−７、６−ブチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−ノネン−５等のアミン化合物、ジシアンジアミド、二塩基酸ジヒドラジド［ＡＤＨ、ＰＤＨ、ＳＤＨ（いずれも日本ヒドラジン工業（株）製、商品名）］、エポキシ樹脂とアミン化合物の反応物からなるマイクロカプセル型硬化剤［ノバキュア（旭化成工業（株）製、商品名）］、Ｕ−ＣＡＴ３５０２Ｔ、Ｕ−ＣＡＴ３５０３Ｎ（サンアプロ（株）、商品名）等の尿素化合物、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水イタコン酸、無水コハク酸、無水ドデシルコハク酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、３又は４−メチル−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、３又は４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチルビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルテトラカ���ボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソビシクロ［２，２，１］ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト（７）−エン２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノ���シ）ジフェニルスルフイド二無水物、４，４’−（４，４’イソプロピリデンジフェノキシ）−ビス（フタル酸無水物）、４，４’−［デカン−１，１０ジイルビス（オキシカルボニル）］ジフタル酸無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸二無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸二無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物等の酸無水物、KT−９９０、ＣＰ−７７（旭電化工業（株）、商品名）、ＳＩ−Ｌ８５、ＳＩ−Ｌ１４５（三新化学工業（株）、商品名）等のカチオン重合触媒、ポリメルカプト化合物、ポリアミド化合物が挙げられる。これらの硬化剤を２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
【００３９】
接着剤層２１，２２は、必要に応じて、エポキシ樹脂の硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤の例としては、特に制限はないが、有機ボロン塩化合物［ＥＭＺ・Ｋ、ＴＰＰＫ（北興化学工業（株）、商品名）］、イミダゾール類［キュアゾール、２Ｐ４ＭＨＺ、Ｃ１７Ｚ、２ＰＺ−ＯＫ（四国化成（株）、商品名）］が挙げられる。
【００４０】
フィラーとしては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム又は窒化アルミニウムの粒子が挙げられる。これらのうち、半導体パッケージの構造上、接着層に対して電気伝導性が要求される場合については、金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス等の導電性のフィラーを使用するのが好ましい。また、接着層に対して電気絶縁性が要求される場合については、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム及び窒化アルミニウム等の電気絶縁性のフィラーを使用するのが好ましい。
【００４１】
フィラーの粒径は特に制限はないが、通常、平均粒径が０．００１〜５０μｍであることが好ましく、０．００５〜１０μｍであることがより好ましい。
【００４２】
フィラーの配合量は特に制限はないが、接着剤層の総質量に対して３〜７０質量％が好ましく、５〜４０質量％であることがより好ましい。この配合量が３質量％未満であると、熱時の接着強度が低下する傾向があり、７０質量％を超えると、表面の粗さが増し、接着フィルムの加熱圧着性が低下する傾向がある。
【００４３】
接着剤層２１，２２は、カップリング剤をさらに含有してもよい。カップリング剤としては特に制限はなく、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロキシエトキシ）シラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイミダゾリル）プロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、エトキシシラントリイソシアネート等のシランカップリング剤、テトラメチルチタネート、テトラエチルチタネート、テトラプロピルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラブチルチタネート、テトライソブチルチタネート、テトラ２−エチルヘキシルチタネート、テトラステアリルチタネート、テトラオクチレングリコールチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（N−アミノエチル・アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタ��ート、ポリアルキルチタネート、ポリアリールチタネート、ポリアシルチタネート、ポリホスフェートチタネート等のチタンカップリング剤等が挙げられる。
【００４４】
カップリング剤の配合量は、各接着剤層の総質量に対して０．１〜１０質量部が好ましく、０．５〜５質量部がより好ましい。この配合割合が０．１質量部未満であると、接着強度の向上効果に劣り、１０質量部を超えると、揮発分が多くなり、加熱工程での発泡が生じ易くなる傾向がある。
【００４５】
接着剤層２１，２２は、可とう化材を含有してもよい。可とう化材としては、各種の液状ゴムや熱可塑性樹脂が用いられるが、例えばポリブタジエン、マレイン化ポリブタジエン、アクリル化ポリブタジエン、メタクリル化ポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、アミノ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、ビニル末端アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸メチル、ε−カプロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。
【００４６】
可とう化材の分子量は、通常、数平均分子量が５００〜５０００００であることが好ましく、１０００〜２０００００であることがより好ましい。
【００４７】
可とう化材の配合量は、各接着剤層の総質量に対して１〜５０質量部であることが好ましく、５〜３０質量部であることがより好ましい。この配合量が１質量部未満であると可とう化効果が小さくなる傾向があり、５０質量部を超えると、粘着性が増大し、接着フィルムの取扱性、加工性が低下する傾向がある。
【００４８】
接着剤層２１，２２は、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤、臭素化合物、金属水和物等の難燃性付与剤等の添加剤を１種類以上含んでいてもよい。
【００４９】
接着剤層２１，２２の厚みは、特に制限はないが、それぞれ１〜１００μｍであることが好ましく、５〜５０μｍであることがより好ましい。接着剤層の厚みが１μｍ未満であると、その厚みを均一に保つことが難しく、また接着性も低下する傾向がある。一方、接着剤層の厚みが１００μｍを超えると、基板と素子を接着フィルムで接着する際又はその後の加熱工程における接着フィルム自体の変形が大きくなる傾向がある。
【００５０】
両面接着フィルム１は、例えば、支持フィルム１０の両面それぞれに接着剤層２１，２２を形成する工程と、それぞれの接着剤層２１，２２の支持フィルム１９とは反対側の面にカバーフィルム３１，３２を貼り合わせる工程とを含む製造方法によって得ることができる。
【００５１】
接着剤層２１，２２は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラー及び溶剤を含有する接着剤組成物を支持フィルム１０に塗布し、塗布された接着剤組成物を乾燥する方法、又は、別の基材フィルム上に形成された接着剤層を支持フィルム１０に熱転写する方法によって形成することができる。２つの接着剤層２１，２２の形成方法は同一でも異なっていてもよい。
【００５２】
図２は、電子部品モジュールの一実施形態を示す断面図である。図２に示す電子部品モジュール２は、基板４０と、基板４０に搭載された、半導体素子及びＭＥＭＳ素子から選ばれる複数の素子４５と、基板４０と素子４５との間に介在する接着層１ａとを備える。接着層１ａは、カバーフィルム３１、３２が除去された両面接着フィルム１から形成されている。言い換えると、接着層１ａは、支持フィルムと、支持フィルムの両面にそれぞれ設けられた２つの硬化した接着剤層とから構成される。
【００５３】
本発明に係る電子部品モジュールは、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変形が可能である。例えば、本発明に係る電子部品モジュールは、複数の半導体素子を備える半導体パッケージであってもよいし、ＭＥＭＳ素子を備えるＭＥＭＳモジュールであってもよいし、半導体素子及びＭＥＭＳ素子の両方を備えるモジュールであってもよい。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５５】
接着剤層形成用ワニスの作製
製造例１
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、ジアミンとして１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（０．０３ｍｏｌ）及び１，１２−ジアミノドデカン（０．０８ｍｏｌ）と、溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドン１５０ｇを入れ、６０℃で攪拌した。
【００５６】
ジアミンの溶解後、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）（０．０２ｍｏｌ）及び４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）（０．０８ｍｏｌ）を少量ずつ添加し、６０℃で３時間反応させた。
【００５７】
その後、Ｎ２ガスを吹き込みながら１７０℃に加熱し、３時間かけて系中の水を溶剤の一部とともに共沸により除去して、ポリイミド樹脂のＮＭＰ溶液を得た。
【００５８】
上記で得たポリイミド樹脂１００質量部（但しＮＭＰ溶液中の固形分として）に対し、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製、商品名ＹＤＣＮ−７０２）６質量部、４，４’−（１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチリデン）ビスフェノール（本州化学製、商品名Ｔｒｉｓ−Ｐ−ＰＡ）３質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製、商品名ＴＰＰＫ）０．５質量部及び窒化硼素フィラー（水島合金鉄製、商品名ＨＰ−Ｐ１）１０質量部を溶液に加え、良く混錬してワニスを得た。
【００５９】
製造例２
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、ジアミンとして１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（０．０７ｍｏｌ）及び４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミン（０．０３ｍｏｌ）と、ＮＭＰ１５０ｇを入れ、６０℃で攪拌した。
【００６０】
ジアミンの溶解後、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）（０．０３ｍｏｌ）及び４，４'−オキシジフタル酸二無水物（０．０７ｍｏｌ）を少量ずつ添加し、６０℃で３時間反応させた。
【００６１】
その後、Ｎ２ガスを吹き込みながら１７０℃で加熱し、３時間かけて系中の水を溶剤の一部とともに共沸により除去して、ポリイミド樹脂のＮＭＰ溶液を得た。
【００６２】
上記で得たポリイミド樹脂１００質量部（但しＮＭＰ溶液中の固形分として）に対し、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製、商品名ＹＤＣＮ−７０２）６質量部、４，４’−（１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチリデン）ビスフェノール（本州化学製、商品名Ｔｒｉｓ−Ｐ−ＰＡ）２質量部、及びテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製、商品名ＴＰＰＫ）０．５質量部と、全固形分の質量に対して１２質量％の窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）と、全固形分の質量に対して２質量％のアエロジル（シリカ）フィラー（日本アエロジル製、商品名Ｒ９７２）とを溶液に加え、良く混錬してワニスを得た。
【００６３】
製造例３
攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた四つ口フラスコに、窒素雰囲気下、オルソクレゾール／ノボラック型エポキシ樹脂（１３．２質量％、東都化成製、商品名ＹＤＣＮ７０３）、キシレン変性フェノール樹脂（１１．１質量％、三井化学製、商品名ＸＬＣ−ＬＬ）、微細シリカフィラ（７．８質量％、日本アエロジル製、商品名Ｒ９７２Ｖ）、メルカプトン系カップリング剤（０．４質量％、日本ユニカー製、商品名Ａ１８９）、ウレイドシラン系カップリング剤（０．８質量％、日本ユニカー製、商品名Ａ−１１６０）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（０．０２５質量％、四国化学製、商品名２ＰＺ−ＣＮ）及びエポキシ含有アクリルゴム（６６．６質量％、帝国化学産業製、商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３）を加え、よく混錬してワニスを得た。
【００６４】
製造例４
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２５８．３ｇ（０．６３ｍｏｌ）及び１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン１０．４ｇ（０．０４２ｍｏｌ）を入れ、ＮＭＰ１４５０ｇに溶解した。
【００６５】
さらに、この溶液を０℃に冷却し、無水トリメリット酸クロライド１８０．４ｇ（０．８５７ｍｏｌ）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリメチルアミン１３０ｇを添加した。室温で２時間攪拌を続けたあと、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完了させた。
【００６６】
得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を析出させた。これを乾燥してからＮＭＰに溶解し、ＮＭＰ溶液をメタノール中に投入して、再度重合体を析出させた。析出した重合体を減圧乾燥して、ポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング（株）製、商品名ＳＨ６０４０）６ｇをＮＭＰに溶解して、芳香族ポリエーテルアミドイミドのワニスを得た。
【００６７】
接着剤層のガラス転移温度
製造例１〜４で得たワニスを剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で３０分、続いて１５０℃で３０分加熱し、その後、室温（２５℃）でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥して、厚さ２５μｍの接着剤層を得た。
【００６８】
得られた接着剤層を１８０℃で１時間の加熱により硬化させ、そこから４×２０ｍｍの大きさの試料を切り出した。この試料について、セイコー電子製のＴＭＡ１２０を用いて、Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ、昇温スピード：５℃／ｍｉｎ、試料測定長さ：１０ｍｍの条件で試料の変位量を測定して、変位量と温度の関係を示す曲線を得た。得られた曲線からガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。その結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
2010077378.tif 000005
【００７０】
実施例１
厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製のユーピレックスＳＧＡ、線膨張係数：３０ｐｐｍ）を準備し、これを「支持フィルム１」として使用した。支持フィルム１の片面に製造例１のワニスを塗布し、８０℃で３０分、続いて１５０℃で３０分加熱して支持フィルム１の片面に厚さ２５μｍの第一の接着剤層を形成させた。
【００７１】
次いで、支持フィルム１の第一の接着剤層とは反対側の面に、製造例２のワニスを塗布し、８０℃で３０分、続いて１５０℃で３０分加熱して、厚さ２５μｍの第二の接着剤層を形成させた。
【００７２】
さらに、その両側にポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム製、商品名ＧＥ−５０）を１４０℃／０．２ＭＰａ、１．０ｍ／ｍｉｎでラミネートした。こうして両面接着フィルムの両側にポリエチレンテレフタレートフィルムがカバーフィルムとして積層された５層構成の両面接着フィルムを得た。
【００７３】
実施例２
第一の接着剤層及び第二の接着剤層の両方を製造例１のワニスを用いて形成したこと以外は実施例１と同様の工程を経て、５層構成の両面接着フィルムを得た。
【００７４】
実施例３
第一の接着剤層及び第二の接着剤層を製造例３のワニスを用いて形成したこと以外は実施例１と同様の工程を経て、５層構成の両面接着フィルムを得た。
【００７５】
実施例４
支持フィルム１に代えて、厚さ５０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム製）を「支持フィルム２」として使用したこと以外は実施例１と同様の工程を経て、５層構成の両面接着フィルムを得た。
【００７６】
実施例５
支持フィルム１に代えて、厚さ５０μｍのポリエチレンフィルム（タマポリ製、商品名ＮＦ−１５、線膨張係数：１６０ｐｐｍ）を「支持フィルム３」として使用したこと以外は実施例１と同様の工程を経て、５層構成の両面接着フィルムを得た。
【００７７】
実施例６
支持フィルム１に代えて、厚さ５０μｍのポリプロピレンフィルム（東レ製、トレファン、線膨張係数：１１５ｐｐｍ）を「支持フィルム４」として使用したこと以外は実施例１と同様の工程を経て、５層構成の両面接着フィルムを得た。
【００７８】
実施例７
第一の接着剤層及び第二の接着剤層を製造例４のワニスを用いて形成したこと以外は実施例１と同様の工程を経て、５層構成の両面接着フィルムを得た。
【００７９】
比較例１
両面にカバーフィルムをラミネートしなかったこと以外は実施例１と同様の工程を経て、３層構成の両面接着フィルムを作製した。
【００８０】
比較例２
両面にカバーフィルムをラミネートしなかったこと以外は実施例２と同様の工程を経て、３層構成の両面接着フィルムを作製した。
【００８１】
比較例３
両面にカバーフィルムをラミネートしなかったこと以外は実施例３と同様の工程を経て、３層構成の両面接着フィルムを作製した。
【００８２】
比較例４
両面にカバーフィルムをラミネートしなかったこと以外は実施例４と同様の工程を経て、３層構成の両面接着フィルムを作製した。
【００８３】
比較例５
製造例１のワニスを剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で３０分、続いて１５０℃で３０分加熱し、その後、室温（２５℃）でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥して、厚さ１００μｍの接着剤層を形成させた。さらに、その両側に、ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム製、商品名ＧＥ−５０）を１４０℃／０．２ＭＰａ、１．０ｍ／ｍｉｎでラミネートした。こうして単層の接着剤層の両側にポリエチレンテレフタレートフィルムをカバーフィルムとして積層した３層構成の両面接着フィルムを得た。
【００８４】
支持フィルムの線膨張係数
実施例及び比較例で用いた各支持フィルムから、４×２０ｍｍの大きさの試料を切り出した。この試料について、セイコー電子製のＴＭＡ１２０を用いて、Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ、昇温スピード：５℃／ｍｉｎ、試料測定長さ：１０ｍｍの条件で試料の変位量を測定して線膨張係数を得た。各支持フィルムの線膨張係数を表２に示す。
【００８５】
【表２】
2010077378.tif 000006
【００８６】
両面接着フィルムの評価
１．外観異物
各実施例及び比較例で得た両面接着フィルムから１００ｍｍ×１００ｍｍの試料を切り出し、ポンチ又はカッターナイフを使用して、試料の１０箇所に０．５〜１０ｍｍの穴を開けた。
【００８７】
その後、カバーフィルムがある場合はこれを剥がしてから、両面接着フィルムの外観をオリンパス社製金属顕微鏡及び画像解析装置を用いて観察し、フィルム上又は加工点における５００μｍ以上のヒゲ、バリ等の異物の有無を確認した。
【００８８】
２．熱収縮率
各実施例及び比較例で得た両面接着フィルムから、カバーフィルムがある場合はこれを剥がしてから、８０ｍｍ×８０ｍｍサイズの試験片を切り出した。切り出された試験片の各辺中央にそれぞれ評点を打ち、相対する評点間の長さを０．００１ｍｍ単位まで測定した。
【００８９】
次に、１８０℃に保持された炉中に自由収縮が可能な状態で試験片を１時間加熱した。加熱後の試験片の加熱前と同じ評点間の長さを０．００１ｍｍ単位まで測定した。加熱前後での評点間の長さの差の加熱前の評点間の長さに対する割合を熱収縮率（％）とした。
【００９０】
３．チップ反り
各実施例及び比較例で得た両面接着フィルムから、カバーフィルムがある場合はこれを剥がしてから、１２ｍｍ×１２ｍｍサイズの試験片に正確に切り出した。切り出した試験片を４２Ａのリードフレーム上に置いた。
【００９１】
次に、厚さ１００μｍのシリコンウェハを１０ｍｍ×１０ｍｍサイズに切り出した。熱圧着試験機（日化設備エンジニアリング（株）製）を用いて、下記に示す条件でシリコンチップをリードフレーム上に加熱圧着した。加熱圧着時に生じたシリコンチップ反りを、非接触式粗さ測定機（キーエンス製）を用いて測定した。
熱盤の温度：第二の接着剤層の硬化後のガラス転移温度＋８０℃（例えば、第二の接着剤層を製造例２のワニスを用いて形成した両面接着フィルムの場合、熱盤の温度は５２℃＋６０℃＝１１２℃に設定した。）
シリコンチップの圧着条件：１０Ｎ×１０ｓｅｃ
【００９２】
【表３】
2010077378.tif 000007
表３に、両面接着フィルムの構成と評価結果を示す。表中、第一の接着剤層及び第二の接着剤層の番号１、２、３及び４は、それぞれ、製造例１、２、３及び４のワニスを用いて形成されたものであることを示す。
【００９３】
各実施例の両面背着フィルムでは、穴開け加工に起因する異物の存在は認められず、異物がカバーフィルムととのに除去されていることが確認された。加えて、実施例の両面接着フィルムは低い熱収縮率も達成されており、加熱にともなう変形の抑制が可能なものであった。特に、１００ｐｐｍ以下の線膨張係数を有する支持フィルムを用いた実施例１〜４、７は、０．３未満の低い線膨張係数を達成した。また、硬化後の接着剤層のＴｇが１００℃未満である実施例１〜６は、チップ反り抑制の点でも優れた特性を発揮した。
【００９４】
一方、カバーフィルムを用いなかった比較例１〜４の両面接着フィルムにおいては、穴開け加工にともなう異物の存在が認められた。また、支持フィルムを用いなかった比較例５は、熱収縮率が大きく、加熱による変形を生じ易いものであった。
【符号の説明】
【００９５】
１…両面接着フィルム、１ａ…接着層、２…電子部品モジュール、１０…支持フィルム、２１，２２…接着剤層、３１，３２…カバーフィルム、４０…基板、４５…素子。
【図１】
2010077378.tif 000008
【図２】
2010077378.tif 000009