(57)【要約】【課題】半導体ウェーハの切断に先ダイシングを適用するにあたって、ダイシングフィルムの貼付工程における半導体チップの配列ずれを抑制する。【解決手段】半導体ウェーハ１の第１の面１ａ側から溝を形成する。半導体ウェーハ１の第１の面１ａに保護シート６を貼付した後、半導体ウェーハ１の第２の面１ｂを研削して複数のチップ領域を個片化する。高弾性率の樹脂フィルムからなる支持フィルム１１上にダイシングフィルム１２と接着剤フィルム１３とを順に積層した積層フィルム１４を、半導体ウェーハ１の第２の面１ｂに貼付する。接着剤フィルム１３を切断する。【選択図】図１７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップ領域が設けられた第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有する半導体ウェーハに、前記第１の面側から前記複数のチップ領域に沿って溝を形成する工程と；
前記半導体ウェーハの前記第１の面に保護シートを貼付した後、前記半導体ウェーハの前記第２の面を研削し、前記保護シートで前記半導体ウェーハの形状を維持しつつ、前記複数のチップ領域を個片化する工程と；
高弾性率の樹脂フィルムからなる支持フィルム上にダイシングフィルムと接着剤フィルムとを順に積層した積層フィルムを、前記保護シートに保持された前記半導体ウェーハの前記第２の面に貼付する工程と；
前記半導体ウェーハから前記保護シートを剥離した後、前記チップ領域に沿って前記接着剤フィルムを前記半導体ウェーハの前記第１の面側から切断する工程と；
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記支持フィルムは１０００ＭＰａ以上３０００ＭＰａ以下の範囲の弾性率と２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲の厚さを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記支持フィルムはポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルムフィルム、またはポリエチレンナフタレートフィルムからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤フィルムにレーザ光を照射して切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法において、
前記溝を形成する第１のブレードより刃厚が薄い第２のブレードを用いて、前記接着剤フィルムを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（半導体チップ）の製造工程は、半導体ウェーハの表面側に半導体回路や配線層等を形成する工程と、半導体ウェーハをチップ形状に応じて切断（個片化）する工程とに大別される。近年、半導体装置の高性能化、高集積化、小型・薄型化等に伴って、半導体ウェーハは薄厚化される傾向にある。このような半導体ウェーハを加工するにあたって、ウェーハの薄厚化とチップの個片化とを兼ねる加工工程として、先ダイシングと呼ばれる工程が適用されている（特許文献１，２参照）。
【０００３】
先ダイシング工程においては、まず半導体ウェーハに半導体回路等が形成された表面側からウェーハ厚より浅く、チップ完成厚より深い溝を形成する。次に、半導体ウェーハの表面側に保護シートを貼付した後、半導体ウェーハを裏面側から研削する。半導体ウェーハの裏面研削は、表面側から形成された溝に達するように実施される。半導体ウェーハの裏面研削によって、半導体ウェーハは各チップに個片化される。この段階において、半導体チップは保護シートで保持されており、全体的にはウェーハ形状が維持されている。
【０００４】
次に、保護シートで全体形状が維持されている半導体ウェーハの裏面に、ダイアタッチフィルムのような接着剤フィルムを貼りつける。接着剤フィルムは半導体ウェーハと同等の形状を有しており、半導体ウェーハの裏面に貼付された後に各チップ形状に応じて切断（個片化）される。このため、接着剤フィルムはダイシングフィルムとの積層フィルムとして貼付される。接着剤フィルムは保護シートを剥離した後に、半導体チップ間のダイシング領域に沿ってレーザ光を表面側から照射することにより切断される。
【０００５】
接着剤フィルムと積層するダイシングフィルムは弾性を有していることから、個片化後の半導体チップを接着剤フィルムとダイシングフィルムとの積層フィルムに転写するにあたって、全体形状としてウェーハ形状が維持されている半導体チップの配列にずれが生じやすい。半導体チップの配列ずれが大きくなりすぎたり、またその影響で半導体チップ間の隙間が狭くなると、レーザ加工で接着剤フィルムを切断することが困難になる。半導体チップに配列ずれが生じている場合、半導体チップの位置を確認してレーザ光の照射位置を制御しているが、配列ずれが大きいとレーザ光の制御量が増大して製造工数が増加したり、また場合によっては接着剤フィルムの切断精度の低下等を招いてしまう。
【０００６】
特許文献１には、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリブチレンテレフタレートフィルム等からなる剛性基材と、剛性基材の一方の面に設けられた振動緩和層と、剛性基材の他方の面に設けられた粘着層とを有する粘着シートが記載されている。この粘着シートは半導体ウェーハの先ダイシング工程に用いられるものであるが、具体的な使用用途は半導体ウェーハを裏面研削する際の表面保護シートであり、接着剤フィルムをダイシングフィルムと積層した積層フィルムについては考慮されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３４３９９７号公報
【特許文献２】特開２００７−１８０２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、半導体ウェーハの切断に先ダイシング工程を適用するにあたって、接着剤フィルムとダイシングフィルムとの積層フィルムの貼付工程における半導体チップの配列ずれを抑制することによって、接着剤フィルムの切断工程の低コスト化や高精度化等を実現した半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様に係る半導体装置の製造方法は、複数のチップ領域が設けられた第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有する半導体ウェーハに、前記第１の面側から前記複数のチップ領域に沿って溝を形成する工程と；前記半導体ウェーハの前記第１の面に保護シートを貼付した後、前記半導体ウェーハの前記第２の面を研削し、前記保護シートで前記半導体ウェーハの形状を維持しつつ、前記複数のチップ領域を個片化する工程と；高弾性率の樹脂フィルムからなる支持フィルム上にダイシングフィルムと接着剤フィルムとを順に積層した積層フィルムを、前記保護シートに保持された前記半導体ウェーハの前記第２の面に貼付する工程と；前記半導体ウェーハから前記保護シートを剥離した後、前記チップ領域に沿って前記接着剤フィルムを前記半導体ウェーハの前記第１の面側から切断する工程と；を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、先ダイシングを適用した半導体ウェーハの第２の面（裏面）に、接着剤フィルムとダイシングフィルムとを有する積層フィルムを貼付する際の半導体チップの配列ずれを抑制することができる。従って、接着剤フィルムの切断工程の低コスト化や高精度化等を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態における半導体ウェーハのハーフダイシング工程を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態における保護シートの貼付工程を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態におけるウェーハ裏面の研削工程を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施形態におけるウェーハ裏面の研磨工程を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施形態における支持フィルムとダイシングフィルムと接着剤フィルムとを有する積層フィルムのウェーハ裏面への貼付工程を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施形態における保護シートの剥離工程を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施形態における接着剤フィルムのブレードによる切断工程を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施形態における半導体チップの実装工程を示す斜視図である。
【図９】本発明の実施形態における半導体ウェーハのハーフダイシング工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施形態における保護シートの貼付工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施形態におけるウェーハ裏面の研削および研磨工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施形態における支持フィルムとダイシングフィルムと接着剤フィルムとを有する積層フィルムのウェーハ裏面への貼付工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施形態における保護シートの剥離工程を示す斜視図である。
【図１４】本発明の実施形態における接着剤フィルムのレーザ光による切断工程を示す断面図である。
【図１５】ダイシングフィルムと接着剤フィルムとの２層構造の積層フィルムを半導体ウェーハの裏面に貼付する状態を示す断面図である。
【図１６】図１５に示す２層構造の積層フィルムを半導体ウェーハの裏面に貼付した後の半導体チップの状態を示す平面図である。
【図１７】本発明の実施形態による積層フィルムを半導体ウェーハの裏面に貼付する状態を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施形態による積層フィルムを半導体ウェーハの裏面に貼付した後の半導体チップの状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の実施形態について説明する。図１ないし図７は本発明の実施形態による半導体装置の製造工程を示す図であって、先ダイシングを適用した半導体ウェーハの切断工程を含む半導体装置の製造工程を模式的に示す斜視図である。図８は個片化した半導体チップの実装工程を示す図である。図９ないし図１４は図１ないし図７に示す半導体装置の製造工程に対応する断面図である。これらの図を参照して、本発明の実施形態による半導体装置の製造工程について説明する。
【００１３】
図１および図９に示すように、表面側に半導体回路等が形成された半導体ウェーハ１を用意する。半導体ウェーハ１は複数のチップ領域２が設けられた第１の面（表面）１ａとそれとは反対側の第２の面（裏面）１ｂとを有している。チップ領域２には半導体回路や配線層を含む半導体素子部が形成されている。複数のチップ領域２間にはダイシング領域３が設けられており、このダイシング領域３に沿って半導体ウェーハ１を切断することによって、複数のチップ領域２をそれぞれ個片化して半導体チップを作製する。
【００１４】
半導体ウェーハ１を切断するにあたって、まず図１および図９に示すように、半導体ウェーハ１に第１の面１ａ側からダイシング領域３に沿って溝４を形成する。半導体ウェーハ１の溝４は、例えばダイシング領域３の幅に応じた刃厚を有するブレード５を用いて形成される。溝４の深さは半導体ウェーハ１の厚さより浅く、かつ半導体チップの完成時の厚さより深く設定される。溝４はエッチング等で形成してもよい。このような深さの溝４を半導体ウェーハ１に形成することによって、複数のチップ領域２はそれぞれ半導体チップの完成厚さに応じた状態に区分される。
【００１５】
次いで、図２および図１０に示すように、溝４を形成した半導体ウェーハ１の第１の面（表面）１ａに保護シート６を貼付する。保護シート６は後工程で半導体ウェーハ１の第２の面（裏面）１ｂを研削する際に、チップ領域２に設けられた半導体素子部を保護すると共に、第２の面１ｂの研削工程でチップ領域２を個片化した後の半導体ウェーハ１の形状を維持するものである。保護シート６としては、例えば粘着層を有するポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートのような樹脂シートが用いられる。
【００１６】
次に、図３および図１１に示すように、保護シート６を貼付した半導体ウェーハ１の第２の面（裏面）１ｂを研削する。さらに、図４に示すように、半導体ウェーハ１の第２の面（裏面）１ｂを研磨する。半導体ウェーハ１の第２の面（裏面）１ｂは、例えば図３に示すようにラッピング定盤７を用いて機械的に研削され、続いて図４に示すように研磨定盤８を用いて研磨（例えばドライポリッシング）される。さらに、半導体ウェーハ１の研削・研磨工程後に、保護シート６に紫外線等を照射して粘着層を硬化させる。
【００１７】
半導体ウェーハ１の第２の面（裏面）１ｂの研削・研磨工程は、第１の面（表面）１ａ側から形成した溝４に達するように実施される。このように、半導体ウェーハの第２の面（裏面）１ｂを研削することによって、各チップ領域２はそれぞれ個片化されて半導体チップ９が作製される。この段階においては、各半導体チップ９は保護シート６で保持されており、全体的にはウェーハ形状が維持されている。すなわち、半導体ウェーハ１の形状を保護シート６で維持しつつ、半導体チップ９をそれぞれ個片化する。個片化された半導体チップ９間には溝４の幅に相当する隙間１０が存在している。
【００１８】
次に、図５および図１２に示すように、支持フィルム１１上にダイシングフィルム１２と接着剤フィルム１３とを順に積層した積層フィルム１４を、保護シート６で全体形状が維持されている半導体ウェーハ１の第２の面（裏面）１ｂに貼付する。言い換えると、先ダイシング工程で個片化された半導体チップ９を、支持フィルム１１とダイシングフィルム１２と接着剤フィルム１３とを有する積層フィルム１４に転写する。積層フィルム１４は接着剤フィルム１３が半導体チップ９の裏面（回路形成面とは反対側の面）に接着されるように、半導体ウェーハ１の第２の面１ｂに貼付される。
【００１９】
接着剤フィルム１３は半導体チップ９を配線基板等に実装する際に接着層として機能するものであり、保護シート６を剥離した後に半導体チップ９の外形に応じて切断（個片化）される。接着剤フィルム１３には、一般的なエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を主成分とする樹脂フィルム（ダイアタッチフィルム）が用いられる。また、ダイシングフィルム（ダイシングテープ）１２には、一般的な紫外線硬化型粘着テープ（例えば、ポリエチレンやポリプロピレンのようなポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等からなる基材に紫外線硬化型の粘着層を形成したテープ）が用いられる。
【００２０】
続いて、図６および図１３に示すように、第２の面（裏面）１ｂに積層フィルム１４を貼付した半導体ウェーハ１から保護シート６を剥離する。この後、図７および図１４に示すように、半導体チップ９の外形に沿って接着剤フィルム１３を切断する。接着剤フィルム１３は、例えば図７に示すようにブレード１５を用いて切断される。あるいは、図１４に示すように、接着剤フィルム１３にレーザ光１６を照射して切断する。いずれの場合においても、半導体チップ９間の隙間（カーフ）１０の部分にブレード１５やレーザ光１６を導くことによって、接着剤フィルム１３を切断して個片化する。
【００２１】
上述したように、半導体ウェーハ１と同等の形状を有する接着剤フィルム１３を切断することによって、個片化された接着剤フィルム１３を有する半導体チップ９を作製する。すなわち、半導体チップ９はそれぞれチップ形状に対応した接着剤フィルム１３を接着層として有している。個片形状の接着剤フィルム１３を有する半導体チップ９はダイシングフィルム１２からピックアップされた後、図９に示すように、リードフレームや配線基板等の回路基材１７上に実装される。半導体チップ９を多段に積層する場合、接着剤フィルム１３を有する半導体チップ９は他の半導体チップ上に接着される。
【００２２】
ここで、支持フィルム１１を適用しなかった場合には、図１５に示すように、ダイシングフィルム１２Ａ上に接着剤フィルム１３Ａを積層した２層構造の積層フィルム１４Ａを、保護シート６Ａに保持された半導体チップ９Ａに貼付することになる。積層フィルム１４Ａは、例えばローラで加圧しながら半導体ウェーハ１Ａの一端側から順に貼り付けられる。この際、２層構造の積層フィルム１４Ａは基材が弾性を有するダイシングフィルム１２Ａとなるため、貼付工程（転写工程）の圧力がダイシングフィルム１２Ａで横方向に分散されてしまう。このため、図１６に示すように半導体チップ９の配列にずれが生じやすい。特に、積層フィルム１４Ａの貼付方向と垂直な方向のずれ量が大きくなる。
【００２３】
図１６にように、積層フィルム１４Ａの貼付工程（転写工程）における半導体チップ９Ａの配列ずれが大きいと、接着剤フィルム１３Ａの切断にブレードを適用することはできない。レーザ光で接着剤フィルム１３Ａを切断する場合には、図１６に示すように、半導体チップ９Ａ間のカーフ１０の位置を検出し、この検出点（図１６に丸印で示す）に応じてレーザ光を照射する（図１６に点線でレーザ光の走査ライン（レーザカットライン）を示す）ことによって、接着剤フィルム１３Ａを切断することが可能であるものの、半導体チップ９Ａの配列ずれが大きいとレーザ光の制御量が増大して製造工数が増加したり、また場合によっては接着剤フィルム１３Ａの切断精度の低下等を招いてしまう。
【００２４】
そこで、この実施形態では図１２〜図１４および図１７に示すように、高弾性率の樹脂フィルムからなる支持フィルム１１上にダイシングフィルム１２と接着剤フィルム１３とを順に積層した３層構造の積層フィルム１４を用いている。積層フィルム１４は、例えばローラで加圧しながら半導体ウェーハ１の一端側から順に貼り付けられる。この際、ダイシングフィルム１２および接着剤フィルム１３の支持フィルム１１として高弾性率の樹脂フィルムを用いることで、積層フィルム１４の貼付圧力の横方向への分散が抑えられる。従って、図１８に示すように、半導体チップ９の配列ずれを抑制することが可能となる。
【００２５】
支持フィルム１１はそれ自体の弾性率に基づいて積層フィルム１４の貼付工程における半導体チップ９の配列ずれを抑制するものである。ただし、支持フィルム１１は積層フィルム１４の貼付工程（積層フィルム１４を湾曲させて半導体ウェーハ１に押し当てながら貼付する工程）を妨げないような特性を有する必要がある。そこで、支持フィルム１１には樹脂特性としての弾性率（引張り弾性率）が１０００〜３０００ＭＰａの範囲で、かつ厚さが２５〜１００μｍの範囲の樹脂フィルムを適用することが好ましい。
【００２６】
支持フィルム１１を構成する樹脂フィルムの弾性率が１０００ＭＰａ未満であると、積層フィルム１４の貼付時における半導体チップ９の配列ずれを十分に抑制することができない。一方、支持フィルム１１を構成する樹脂フィルムの弾性率が３０００ＭＰａを超えると、積層フィルム１４の貼付自体を阻害するおそれがある。すなわち、樹脂フィルムの弾性率が高すぎると、積層フィルム１４（具体的には接着剤フィルム１３）を各半導体チップ９に十分に密着させて接着することができないおそれがある。
【００２７】
さらに、支持フィルム１１を構成する樹脂フィルムの厚さが薄すぎる場合にも、半導体チップ９の配列ずれを十分に抑制することができないおそれがある。樹脂フィルムの厚さが厚すぎる場合には、積層フィルム１４の半導体チップ９に対する貼付特性を低下させるおそれがある。このようなことから、支持フィルム１１は２５〜１００μｍの範囲の厚さを有することが好ましい。支持フィルム１１の厚さは２５〜６５μｍの範囲であることがより好ましい。支持フィルム１１の厚さは、それを構成する樹脂フィルムの弾性率と積層フィルム１４の貼付工程を考慮して、上記した厚さ範囲から適宜に設定される。
【００２８】
支持フィルム１１を構成する樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが例示される。ポリエチレンテレフタレートの弾性率は２０００ＭＰａ以上であるため、支持フィルム１１を構成する樹脂フィルムとして好適である。ＰＥＴフィルムと同等の弾性率を有する樹脂フィルムとしては、ポリプロピレンフィルム（弾性率：１５００ＭＰａ）、ポリメチルペンテンフィルムフィルム（弾性率：１５００ＭＰａ）、ポリエチレンナフタレートフィルム（弾性率：２０００ＭＰａ）が挙げられる。これらの樹脂フィルムもＰＥＴフィルムと同様に支持フィルム１１に適用することが可能である。
【００２９】
表１は、ダイシングフィルム１２Ａと接着剤フィルム１３Ａとの２層構造の積層フィルム１４Ａ（比較例）を用いた場合と、支持フィルム１１とダイシングフィルム１２と接着剤フィルム１３との３層構造の積層フィルム１４（実施例）を用いた場合のチップずれ量を示している。実施例の積層フィルム１４はＰＥＴフィルム上に比較例と同等のダイシングフィルム１２と接着剤フィルム１３とを積層したものである。表１における最小カーフ幅は１ライン当たりのカーフ１０の両エッジ間が最も狭くなる幅である。最大チップずれ量は、チップずれの測定方向にｍｍ単位で設定した測定間隔（ｍｍ）でチップずれ量を測定し、これを１ｍｍ当たりのずれ量（μｍ／ｍｍ）の換算した際の最大値である。
【００３０】
【表１】
2010206044.tif 000003
【００３１】
表１から明らかなように、積層テープ１４の貼付方向におけるチップずれ量は実施例および比較例であまり差がないものの、積層テープ１４の貼付方向に対して垂直な方向のチップずれ量は比較例に比べて実施例の方が明らかに低減されている。すなわち、高弾性率の樹脂フィルムからなる支持フィルム１１上にダイシングフィルム１２と接着剤フィルム１３とを順に積層した積層フィルム１４を用いることによって、積層フィルム１４の貼付時における半導体チップ９の配列ずれを抑制することが可能となる。
【００３２】
このように、高弾性率の樹脂フィルムからなる支持フィルム１１上にダイシングフィルム１２と接着剤フィルム１３とを順に積層した積層フィルム１４を用いることによって、積層フィルム１４の貼付時における半導体チップ９の配列ずれを抑制することができる。従って、図１４に示したように、レーザ光１６で接着剤フィルム１３を容易に切断することが可能となる。また、支持フィルム１１の弾性率や厚さに基づいて半導体チップ９の配列ずれをさらに抑制することによって、図７に示したようにブレード１５を用いて接着剤フィルム１３を切断することが可能となる。
【００３３】
レーザ光１６で接着剤フィルム１３を切断するにあたって、半導体チップ９の配列ずれを小さくすることによって、レーザ光１６のアライメント量を低減することができる。従って、レーザ光１６による接着剤フィルム１３の切断工数の削減、接着剤フィルム１３の切断精度の向上等を図ることが可能となる。さらに、半導体チップ９の配列ずれをより一層小さくすることで、カーフ１０内にブレード１５を通すことができる。これによって、接着剤フィルム１３の切断にブレード１５を適用することが可能となる。
【００３４】
高弾性率の樹脂フィルムからなる支持フィルム１１は、積層フィルム１４の貼付時における半導体チップ９の配列ずれの抑制に対しては良好に機能するものの、後工程としての半導体チップ９のピックアップ工程を妨げるおそれがある。すなわち、ピックアップ工程ではダイシングフィルム１２を下側から突き上げて半導体チップ９のピックアップ性を高めているが、高弾性率の樹脂フィルム（支持フィルム１１）が存在しているとダイシングフィルム１２の突き上げが不十分になるおそれがある。このため、支持フィルム１１はピックアップ工程の前にダイシングフィルム１２から剥離しておくことが好ましい。
【００３５】
上述したように、この実施形態の半導体装置の製造工程によれば、積層フィルム１４の貼付時における半導体チップ９の配列ずれを抑制しているため、接着剤フィルム１３の切断工数を削減することができると共に、接着剤フィルム１３の切断精度を向上させることが可能となる。従って、先ダイシングを適用した半導体ウェーハ１の切断工程を含む半導体装置の製造工程の低コスト化や高精度化等を実現することができ、さらに後工程の半導体チップ９の実装工程の信頼性等も向上させることが可能となる。
【００３６】
本発明の半導体装置の製造方法は上記実施形態に限定されるものではなく、先ダイシングを適用した半導体ウェーハの切断工程を含む各種の半導体装置の製造工程に適用可能である。半導体装置の具体的な製造工程は本発明の基本構成を満足するものであれば種々に変形が可能である。さらに、実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００３７】
１…半導体ウェーハ、２…チップ領域、３…ダイシング領域、４…溝、５…ブレード、６…保護シート、９…半導体チップ、１０…隙間（カーフ）、１１…支持フィルム、１２…ダイシングフィルム（ダイシングテープ）、１３…接着剤フィルム、１４…積層フィルム、１５……ブレード、１６…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2010206044.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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