(57)【要約】【課題】  ウエーハのスクラッチ検出装置及びスクラッチ検出装置を備えた研削装置を提供することである。【解決手段】  ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対してウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、ウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを含み、該チャックテーブルを少なくとも１回転する間にスクラッチを検出する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、
ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、
該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対してウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、ウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを含み、
該チャックテーブルを少なくとも１回転する間にスクラッチを検出することを特徴とする研削装置。
【請求項２】
前記スクラッチ検出手段は、前記ラインスキャンレンズを囲繞しウエーハ側に開放した枠体と、該枠体に水を供給する水供給手段とを更に含み、
該枠体とウエーハとで仕切られる空間が水で満たされていることを特徴とする請求項１記載の研削装置。
【請求項３】
前記スクラッチ検出手段は、ウエーハの半径に対応した領域に配設されたウエーハの中心から外周に行くに連れてウエーハで反射された反射光の透過強度が比例して増大する傾斜フィルタを更に含むことを特徴とする請求項１又は２記載の研削装置。
【請求項４】
前記ラインスキャンカメラに接続されたモニタを更に具備し、
該モニタ上のスクラッチを観察して前記スクラッチ判定手段におけるスクラッチの有り無しの閾値を設定可能であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の研削装置。
【請求項５】
チャックテーブルに保持されたウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出装置であって、
ウエーハに対して少なくともウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、
少なくともウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、
該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、
該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを具備し、
前記チャックテーブルを少なくとも１回転する間にスクラッチを検出することを特徴とするスクラッチ検出装置。
【請求項６】
ウエーハの半径に対応した領域に配設されたウエーハの中心から外周に行くに連れてウエーハ表面で反射した反射光の透過強度が比例して増大する傾斜フィルタを更に具備したことを特徴とする請求項５記載のスクラッチ検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハ研削面のスクラッチを検出可能なスクラッチ検出装置及び該スクラッチ検出装置を具備した研削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン（ストリート）によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石が配設された研削ホイールを回転可能に支持する研削手段と、研削領域に研削水を供給する研削水供給手段とを具備しており、ウエーハを所定の厚みに加工することができる。
【０００４】
ところで、ウエーハの厚みが１００μｍ以下、更には５０μｍ以下と薄くなると、ウエーハの裏面に生じた研削歪がデバイスの抗折強度を低下させる原因にもなり、抗折強度を向上させるためにエッチング等で歪を除去すると、今度はウエーハの内部で遊動する重金属を裏面側に保持するゲッタリング効果がなくなりデバイスの品質を著しく低下させることになる。
【０００５】
そこで、本出願人は、主に仕上げ研削用砥石として、研削歪を抑制して抗折強度を維持できるとともに、ゲッタリング効果も維持できるビトリファイドボンド砥石を特開２００６−１００７号公報で提案した。
【特許文献１】特開２００６−１００７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献１に開示されたビトリファイドボンド砥石を使用して研削したウエーハの研削面を観察すると、４０〜５０枚に１枚の割合でスクラッチの入ったウエーハが存在することがあり、かかるウエーハにおいてはスクラッチの入った部分での抗折強度が低下するという問題がある。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出可能なスクラッチ検出装置及び該スクラッチ検出装置を具備した研削装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、該スクラッチ検出手段は、ウエーハに対してウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、ウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを含み、該チャックテーブルを少なくとも１回転する間にスクラッチを検出することを特徴とする研削装置が提供される。
【０００９】
好ましくは、研削装置のスクラッチ検出手段は、ラインスキャンレンズを囲繞しウエーハ側に開放した枠体と、該枠体に水を供給する水供給手段とを更に含み、該枠体とウエーハとで仕切られる空間が水で満たされている。
【００１０】
好ましくは、研削装置のスクラッチ検出手段は、ウエーハの半径に対応した領域に配設されたウエーハの中心から外周に行くに連れてウエーハの表面で反射された反射光の透過強度が比例して増大する傾斜フィルタを更に含んでいる。
【００１１】
請求項５記載の発明によると、チャックテーブルに保持されたウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出装置であって、ウエーハに対して少なくともウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して照射する斜光照射手段と、少なくともウエーハの半径に対応した領域を結像するラインスキャンレンズと、該ラインスキャンレンズで結像された像を撮像するラインスキャンカメラと、該ラインスキャンカメラによって撮像された画像からスクラッチの有り無しを判定するスクラッチ判定手段とを具備し、前記チャックテーブルを少なくとも１回転する間にスクラッチを検出することを特徴とするスクラッチ検出装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の研削装置によると、スクラッチの方向に倣うように配設されたラインスキャンカメラを有するスクラッチ検出装置を備えているので、ウエーハの研削面からスクラッチを直ちに検出でき、スクラッチがある場合は研削を続行し、又はスクラッチ除去研削を遂行してスクラッチの無いウエーハを次工程へ搬送するようにしたので、スクラッチの無いウエーハを効率良く生産することができる。
【００１３】
また、本発明のスクラッチ検出装置によると、研削面に形成されたスクラッチを確実に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明実施形態のウエーハの研削方法及び研削装置を図面を参照して詳細に説明する。図１は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図１に示す半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１１ａに複数のストリート１３が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート１３によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００１５】
このように構成された半導体ウエーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９を備えている。また、半導体ウエーハ１１の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
【００１６】
半導体ウエーハ１１の表面１１ａには、保護テープ貼着工程により保護テープ２３が貼着される。従って、半導体ウエーハ１１の表面１１ａは保護テープ２３によって保護され、図２に示すように裏面１１ｂが露出する形態となる。
【００１７】
以下、このように構成された半導体ウエーハ１１の裏面１１ｂを所定厚さに研削する研削装置２を、図３を参照して説明する。研削装置２のハウジング４は、水平ハウジング部分６と、垂直ハウジング部分８から構成される。
【００１８】
垂直ハウジング部分８には上下方向に伸びる１対のガイドレール１２，１４が固定されている。この一対のガイドレール１２，１４に沿って研削手段（研削ユニット）１６が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット１６は支持部２０を介して一対のガイドレール１２，１４に沿って上下方向に移動する移動基台１８に取り付けられている。
【００１９】
研削ユニット１６は、支持部２０に取り付けられたスピンドルハウジング２２と、スピンドルハウジング２２中に回転可能に収容されたスピンドル２４と、スピンドル２４を回転駆動するサーボモータ２６を含んでいる。
【００２０】
図６に最も良く示されるように、スピンドル２４の先端部にはマウンター２８が固定されており、このマウンター２８には研削ホイール３０がねじ止めされている。例えば、研削ホイール３０はホイール基台３２の自由端部に粒径０．３〜１．０μｍのダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固めた複数の研削砥石３４が固着されて構成されている。よって、研削面は鏡面となる。
【００２１】
研削手段（研削ユニット）１６にはホース３６を介して研削水が供給される。好ましくは、研削水としては純水が使用される。図６に示すように、ホース３６から供給された研削水が、スピンドル２４に形成された研削水供給穴３８、マウンター２８に形成された空間４０及び研削ホイール３０のホイール基台３２に形成された複数の研削水供給ノズル４２を介して研削砥石３４及びチャックテーブル５４に保持されたウエーハ１１に供給される。
【００２２】
図３を再び参照すると、研削装置２は、研削ユニット１６を一対の案内レール１２，１４に沿って上下方向に移動する研削ユニット送り機構４４を備えている。研削ユニット送り機構４４は、ボールねじ４６と、ボールねじ４６の一端部に固定されたパルスモータ４８から構成される。パルスモータ４８をパルス駆動すると、ボールねじ４６が回転し、移動基台１８の内部に固定されたボールねじ４６のナットを介して移動基台１８が上下方向に移動される。
【００２３】
水平ハウジング部分６の凹部１０には、チャックテーブルユニット５０が配設されている。チャックテーブルユニット５０は、図４に示すように、支持基台５２と、支持基台５２に回転自在に配設されたチャックテーブル５４を含んでいる。チャックテーブルユニット５０は更に、チャックテーブル５４を挿通する穴を有したカバー５６を備えている。
【００２４】
チャックテーブルユニット５０は、チャックテーブル移動機構５８により研削装置２の前後方向に移動される。チャックテーブル移動機構５８は、ボールねじ６０と、ボールねじ６０のねじ軸６２の一端に連結されたパルスモータ６４から構成される。
【００２５】
パルスモータ６４をパルス駆動すると、ボールねじ６０のねじ軸６２が回転し、このねじ軸６２に螺合したナットを有する支持基台５２が研削装置２の前後方向に移動する。よって、チャックテーブル５４もパルスモータ６４の回転方向に応じて、前後方向に移動する。
【００２６】
図３に示されているように、図４に示した一対のガイドレール６６，６８及びチャックテーブル移動機構５８は蛇腹７０，７２により覆われている。すなわち、蛇腹７０の前端部は凹部１０を画成する前壁に固定され、後端部がカバー５６の前端面に固定されている。また、蛇腹７２の後端は垂直ハウジング部分８に固定され、その前端はカバー５６の後端面に固定されている。
【００２７】
ハウジング４の水平ハウジング部分６には、第１のウエーハカセット７４と、第２のウエーハカセット７６と、ウエーハ搬送手段７８と、ウエーハ仮載置手段８０と、ウエーハ搬入手段８２と、ウエーハ搬出手段８４と、洗浄手段８６が配設されている。更に、ハウジング４の前方にはオペレータが研削条件等を入力する操作手段８８及びモニター８９が設けられている。
【００２８】
また、水平ハウジング部分６の概略中央部には、チャックテーブル５４を洗浄する洗浄水噴射ノズル９０が設けられている。この洗浄水噴射ノズル９０は、チャックテーブルユニット５４がウエーハ搬入・搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル５４に保持された研削加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する。
【００２９】
チャックテーブルユニット５０は、チャックテーブル移動機構５８のパルスモータ６４をパルス駆動することにより、図３に示した装置奥側の研削領域と、ウエーハ搬入手段８２からウエーハを受け取りウエーハ搬出手段８４にウエーハを受け渡す手前側のウエーハ搬入・搬出領域との間で移動される。
【００３０】
ウエーハ搬入・搬出領域（ウエーハ着脱領域）の上方にはスクラッチ検出装置９４が配設されている。代替案として、図４に示すようにスクラッチ検出装置９４を研削領域の上方に配設するようにしても良い。
【００３１】
図４に最もよく示されるように、スクラッチ検出装置９４は光学系を収容した枠体９６と、枠体９６を支持する支持部材９８と、支持部材９８の基端部が固定された回転円筒１００と、水平部分ハウジング６の上面に固定された固定円筒１０２とを含んでおり、スクラッチ検出装置９４の枠体９６は図３及び図４に示された検出位置と、時計周り方向に概略９０度回転された退避位置との間で回転可能なようにハウジング４の水平部分６に取り付けられている。
【００３２】
図８に示すように、スクラッチ検出装置９４の枠体９６は、チャックテーブル５４に対して概略垂直方向に伸長する垂直枠体部分９６ａと、チャックテーブル５４に対して傾斜した傾斜枠体部分９６ｂを含んでいる。
【００３３】
垂直枠体部分９６ａと傾斜枠体部分９６ｂとの間にはガラス板１０４が配設されており、垂直枠体部分９６ａの下端部近傍にはガラス板１０６が配設されている。これらのガラス板１０４，１０６と、垂直ハウジング部分９６ａの先端部及び傾斜ハウジング部分９６ｂの先端部とで水充填室１０８が画成されている。
【００３４】
１１０は水供給口であり、水供給口１１０は管路を介して図示しない水源に接続されている。ハウジング９６の先端とウエーハ１１との間の間隔は約０．５〜１ｍｍに維持するのが好ましい。
【００３５】
図７に示されるように、枠体９６の垂直枠体部分９６ａはチャックテーブル５４に保持されたウエーハ１１の半径方向に伸長しており、少なくともウエーハ１１の半径に対応した領域をカバーするようなサイズを有している。傾斜枠体部分９６ｂもウエーハ１１の半径方向について同様なサイズを有している。１１ｃはウエーハ１１の中心である。
【００３６】
図８を再び参照すると、傾斜枠体部分９６ｂには、ウエーハ１１に対してウエーハの半径に対応した領域に光を傾斜して一様に照射する斜光照射ユニット１１２が取り付けられている。斜光照射ユニット１１２は、例えばハロゲンランプ等の点光源と、点光源からの光をラインビームに変換する光学素子とから構成される。或いは、斜光照射ユニット１１２を多数個のＬＥＤから構成するようにしても良い。
【００３７】
ガラス板１０６上には傾斜フィルタ１１４が配設されている。傾斜フィルタ１１４はウエーハ１１の中心から外周に至る領域をカバーするように配設され、ウエーハ１１の中心から外周に行くに連れてウエーハ１１で反射された反射光の透過強度が比例して増大するような特性を有している。これは、ウエーハ１１の外周ほど周速度が速いため反射光量が中心に比べて少なくなるので、これを傾斜フィルタ１１４で一様な光量に補正するためである。
【００３８】
傾斜フィルタ１１４の上方にはウエーハ１１の半径に対応した領域を結像可能な従来公知のラインスキャンレンズ１１６が設けられている。ラインスキャンレンズ１１６はウエーハ１１の中心と外周との間の中間部分に配置されるように垂直枠体部分９６ａに取り付けられている。
【００３９】
１１８は多数の画素（例えば１０２４個の画素）がウエーハ１１の半径方向に一列に配列されたラインスキャンＣＣＤカメラであり、ラインスキャンレンズ１１６で結像された像を撮像する。ラインスキャンＣＣＤカメラ１１８の画素の配列方向はスクラッチが形成される方向に倣っており、ウエーハ１１の半径方向に一列に配列されている。
【００４０】
このように構成された研削装置２の研削作業について以下に説明する。第１のウエーハカセット７４中に収容されるウエーハは、保護テープが表面側（回路が形成されている側の面）に装着された半導体ウエーハであり、従ってウエーハは裏面が上側に位置する状態で第１のカセット７４中に収容されている。このように複数の半導体ウエーハを収容した第１のウエーハカセット７４は、ハウジング４の所定のカセットを搬入領域に載置される。
【００４１】
そして、カセット搬入領域に載置された第１のウエーハカセット７４に収容されていた研削加工前の半導体ウエーハが全て搬出されると、空のウエーハカセット７４に変えて複数個の半導体ウエーハを収容した新しい第１のウエーハカセット７４が手動でカセット搬入領域に載置される。
【００４２】
一方、ハウジング４の所定のカセット搬出領域に載置された第２のウエーハカセット７６に所定枚数の研削加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第２のウエーハカセット７６は手動で搬出されて、新しい空の第２のウエーハカセット７６がカセット搬出領域に載置される。
【００４３】
第１のウエーハカセット７４に収容された半導体ウエーハは、ウエーハ搬送手段７８の上下動作及び進退動作により搬送され、ウエーハ仮載置手段８０に載置される。ウエーハ仮載置手段８０に載置されたウエーハは、ここで中心合わせが行われた後にウエーハ搬入手段８２の旋回動作によって、ウエーハ搬入・搬出領域に位置せしめられているチャックテーブルユニット５０のチャックテーブル５４に載置され、チャックテーブル５４によって吸引保持される。
【００４４】
このようにチャックテーブル５４がウエーハを吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構５８を作動して、チャックテーブルユニット５４を移動して装置後方の研削領域に位置づける。
【００４５】
チャックテーブルユニット５０が研削領域に位置づけられると、チャックテーブル５４に保持されたウエーハの中心が研削ホイール３０の外周円を僅かに超えた位置に位置づけられる。
【００４６】
次に、チャックテーブル５４を例えば１００〜３００ｒｐｍ程度で回転し、サーボモータ２６を駆動して研削ホイール３０を４０００〜７０００ｒｐｍで回転するとともに、研削ユニット送り機構４４のパルスモータ４８を正転駆動して研削ユニット１６を下降させる。
【００４７】
そして、図６に示すように、研削ホイール３０の研削砥石３４をチャックテーブル５４上のウエーハ１１の裏面（被研削面）に所定の荷重で押圧することにより、ウエーハ１１の裏面が研削される。このようにして所定時間研削することにより、ウエーハ１１が所定の厚さに研削される。
【００４８】
研削が終了すると、チャックテーブル移動機構５８を駆動してチャックテーブル５４を装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に位置付ける。チャックテーブル５４がウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたならば、洗浄水噴射ノズル９０から洗浄水を噴射して、チャックテーブル５４に保持されている研削加工されたウエーハ１１の被研削面（裏面）を洗浄する。
【００４９】
このようにウエーハ１１の被研削面（裏面）を洗浄した後、チャックテーブル５４を回転しながら斜光照射ユニット１１２を駆動してスクラッチ検出装置９４で被研削面のスクラッチを検出する。
【００５０】
本実施形態のスクラッチ検出装置９４でウエーハ１１に形成されたスクラッチの検出を行うには、まず、水源から水供給口１１０を介して水充填室１０８に水を供給し、水充填室１０８を水で充満する。ウエーハ１１と枠体９６の先端との間には僅かな隙間があるため、この隙間から流れ出た水を常に補給するために水源から常に一定量の水を水充填室１０８に供給する。
【００５１】
ウエーハ１１の研削は研削水を供給しながら実施されるため、研削を実行するとウエーハ１１の研削面は汚染されるが、本実施形態では常に水充填室１０８内に水を満たしながらスクラッチの検出を行うため、水充填室１０８に充填された水はあまり汚染されていない綺麗な水である。
【００５２】
斜光照射ユニット１１２からウエーハ１１に対してウエーハの半径に対応した領域に一様に光が照射されると、ウエーハ１１の研削面は鏡面となっているため、殆どの反射光は鏡面加工されたウエーハ１１により正反射されてラインスキャンレンズ１１６に入らないが、スクラッチで散乱した散乱光はガラス板１０６、傾斜フィルタ１１４を介してラインスキャンレンズ１１６に入射し、ラインスキャンレンズ１１６によりウエーハ１１の半径に対応した領域が結像される。
【００５３】
ラインスキャンレンズ１１６で結像された像はラインスキャンＣＣＤカメラ１１８で撮像される。ラインスキャンＣＣＤカメラ１１８の出力はスクラッチ判定部１２０及びモニタ８９に入力される。スクラッチ判定部１２０に入力される信号は、ラインスキャンＣＣＤカメラ１１８の出力を適当に画像処理した信号である。
【００５４】
スクラッチ判定部１２０では、ウエーハ１１で反射された散乱光はバックグラウンド電圧１２２として検出される。スクラッチが検出されると、斜光照射ユニット１１２から出射された光はより大きく散乱されてラインスキャンレンズ１１６に入力される。
【００５５】
よって、スクラッチ判定部１２０では、スパイク電圧１２６として検出される。１２４はスクラッチ有り無しを判定するための所定の閾値であり、閾値より電圧値が大きい場合にはスクラッチ有りと判定し、小さい場合にはスクラッチ無しと判定する。
【００５６】
スクラッチ判定部１２０では、ブロック１２８で閾値を越えたか否かが判定され、否定判定の場合には、即ちスクラッチ無しと判定された場合には、ブロック１３０に示すウエーハ洗浄工程を遂行する。即ち、チャックテーブル５４に保持されているウエーハの吸引保持が解除されてから、ウエーハはウエーハ搬出手段８４により洗浄手段８６に搬送される。
【００５７】
洗浄手段８６に搬送されたウエーハは、ここで洗浄されるとともにスピン乾燥される。次いで、ウエーハがウエーハ搬送手段７８により第２のウエーハカセット７６の所定位置に収納される。
【００５８】
ブロック１２８で閾値を越えたと判定された場合には、ブロック１３２に進んでラインスキャンＣＣＤカメラ１１８の画素が３０以上連続しているか否かが判定される。即ち、この判定ブロック１３２では、所定以上の長さをスクラッチと判定している。ブロック１３２が否定判定の場合にはスクラッチ無しと判定されたことになり、ブロック１３０のウエーハ洗浄工程を遂行する。
【００５９】
一方、判定ブロック１３２が肯定判定の場合には、スクラッチ有りと判定されたことになり、ブロック１３４のスクラッチ除去研削工程を実施する。即ち、チャックテーブル移動機構５８を駆動してチャックテーブル５４を再度研削領域に位置付け、研削ホイール３０による約１μｍ研削を実施する。
【００６０】
一方、ラインスキャンＣＣＤカメラ１１８で撮像されたスクラッチ１３６はモニタ８９上に表示され、研削装置２のオペレータはモニタ８９上のスクラッチ３６を観察してスクラッチ判定部１２０の閾値１２２を好ましい値に設定する。
【００６１】
本実施形態のスクラッチ検出装置９４では、チャックテーブル５４を３０〜１００ｒｐｍで回転しながらスクラッチの検出を実施する。好ましくは、チャックテーブル５４を少なくとも一回転する間にスクラッチの検出を完了する。
【００６２】
上述した実施形態によると、スクラッチの方向に倣うようにラインスキャンＣＣＤカメラ１１８を配設したスクラッチ検出装置９４を設けたので、ウエーハの研削面からスクラッチを直ちに検出でき、スクラッチが有る場合は研削を続行し、又はスクラッチ除去研削を遂行してスクラッチのないウエーハを次工程に搬送するようにしたので、スクラッチのないウエーハを効率良く生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図２】保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。
【図３】本発明実施形態に係る研削装置の外観斜視図である。
【図４】チャックテーブルユニット及びチャックテーブル送り機構の斜視図である。
【図５】下側から見た研削ホイールの斜視図である。
【図６】研削ホイールの縦断面図である。
【図７】ウエーハに対するスクラッチ検出装置の枠体の配置関係を説明する図である。
【図８】本発明実施形態に係るスクラッチ検出装置の枠体の縦断面図及びスクラッチ判定部のブロック図である。
【符号の説明】
【００６４】
２    研削装置
１１    半導体ウエーハ
１６    研削手段（研削ユニット）
２４    スピンドル
２６    サーボボータ
３０    研削ホイール
３４    研削砥石
５４    チャックテーブル
９４    スクラッチ検出装置
９６    枠体
１１２    斜光照射ユニット
１１４    傾斜フィルタ
１１６    ラインスキャンレンズ
１１８    ラインスキャンＣＣＤカメラ
１２０    スクラッチ判定部
１３６    スクラッチ
【図１】
2010030007.tif 000003
【図２】
2010030007.tif 000004
【図３】
2010030007.tif 000005
【図４】
2010030007.tif 000006
【図５】
2010030007.tif 000007
【図６】
2010030007.tif 000008
【図７】
2010030007.tif 000009
【図８】
2010030007.tif 000010