(57)【要約】【課題】光による加熱成膜法により均一な膜厚分布を有し、かつ良質な膜を成膜し、高信頼性な発光装置を生産性よく作製できる技術を提供することを課題の一とする。【解決手段】光による加熱成膜法において、成膜する材料層（有機化合物材料を含む層）が設けられる成膜用基板の光吸収部表面を凹凸を有する粗面（梨子地形状）とする。光による加熱により溶融した有機化合物材料は粗面上にあるために凝集せず、被成膜用基板に均一な膜厚で成膜することができる。【選択図】図１
2010121207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸を有する光吸収部と、前記凹凸を有する光吸収部上に有機化合物材料を含む層とを含み、
前記有機化合物材料を含む層は前記凹凸を反映して形成されることを特徴とする成膜用基板。
【請求項２】
凹凸を有する光吸収部と、前記凹凸を有する光吸収部上に有機化合物材料を含む層とを含み、
前記光吸収部は光吸収膜と透光性膜との積層構造であり、前記透光性膜表面に凹凸を有し、
前記有機化合物材料を含む層は前記凹凸を反映して形成されることを特徴とする成膜用基板。
【請求項３】
凹凸を有する光吸収部と、前記凹凸を有する光吸収部上に有機化合物材料を含む層とを含み、
前記光吸収部は透光性膜と光吸収膜との積層構造であり、前記透光性膜表面に凹凸を有し、前記光吸収膜表面は前記透光性膜表面の凹凸を反映し、
前記有機化合物材料を含む層は前記凹凸を反映して形成されることを特徴とする成膜用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記凹凸は梨子地形状であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記凹凸は複数の柱状の凸部により構成されることを特徴とする成膜用基板。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記凹凸は複数の錐状の凸部により構成されることを特徴とする成膜用基板。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記凹凸はストライプ構造であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記凹凸の高さの差は５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項９】
凹凸を有する光吸収部と、前記凹凸を有する光吸収部上に有機化合物材料を含む層とを含み、
前記有機化合物材料を含む層は前記凹凸を反映して形成される成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板とを向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記透光性基板を通過させて、光を前記光吸収部に照射して前記光を照射された前記光吸収部上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板上に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料は、前記凹凸の凹部に流動することを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、前記光吸収部は凹凸を有する透光性膜と光吸収膜との積層構造であり、
前記光は、前記凹凸を有する透光性膜を透過して前記光吸収部に照射することを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて、
前記光を照射された前記光吸収部上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の第１の電極層上に成膜して発光層を形成し、
前記発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記光を照射された前記光吸収部上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の前記第１の電極層上に成膜して複数の画素の発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
成膜用基板、成膜方法、及び発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセンス（以下、ＥＬとも記す）素子を備える発光装置には、フルカラー表示を行うため、カラー発光するカラー発光素子を用いる。カラー発光素子を形成するには、各色の発光材料を微細なパターンに電極上に形成する必要がある。
【０００３】
一般的に発光材料は、蒸着法によって成膜されるが、蒸着法は、材料利用効率が低いことや基板サイズが限られるなどの問題点を有しており、低コストで高生産性が要求される工業化には不向きである。
【０００４】
上記問題を解決する技術として、発光材料をレーザーやフラッシュランプからの光を用いて有機ドナー層を有するドナー基板より、素子作成用基板に転写し発光層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３０８９７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記のような転写法においては、素子作成用基板に成膜される発光層の膜厚分布の不均一、膜質の不良などの問題があった。この問題は発光装置の信頼性や歩留まりの低下を招く。従って、さらに均一で良質な膜が成膜できる成膜方法が望まれている。
【０００７】
上記問題を鑑みて、光による加熱成膜法により膜厚分布が均一で、かつ良質な膜を成膜することを課題の一とする。
【０００８】
効率よく光のエネルギーを材料に供給し、照射エネルギーを低減することを課題の一とする。
【０００９】
高信頼性な発光装置を生産性よく作製できる技術を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
透光性基板上に光吸収部及び有機化合物材料を含む層が形成された成膜用基板に光を照射し、透光性基板を透過させて、光吸収部に光を照射することによって有機化合物材料を含む層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。有機化合物材料を含む層に含まれる材料の加熱手段として光照射工程を用いる。
【００１１】
光による加熱成膜法で成膜する場合、材料が昇華して系内の圧力が高くなる。そのため、材料の気化温度が融点より高くなり有機化合物材料を含む層に含まれる材料は液化し、吸収層上において局所的に凝集してしまうために、成膜される薄膜の膜厚分布が不均一となる。
【００１２】
そこで、光による加熱成膜法において、成膜する材料層（有機化合物材料を含む層）が設けられる成膜用基板の光吸収部表面を凹凸を有する粗面（梨子地形状）とする。光による加熱により溶融した有機化合物材料は粗面上にあるために凝集せず、被成膜基板に均一な膜厚で成膜することができる。
【００１３】
光吸収部は表面に凸部が設けられており、表面に凹凸を有している。このような凹凸形状を梨子地形状ともいう。光吸収部は単層構造でも積層構造であってもよい。
【００１４】
光吸収部が積層構造を有する場合、第１の基板側から光吸収膜と凸部を有する膜とを積層してもよいし、第１の基板側から凸部を有する膜と光吸収膜とを積層してもよい。
【００１５】
光吸収部において上層に形成される膜が凹凸を有するように加工されてもよいし、下層に形成される膜が凹凸を有し、結果上層に形成される膜表面にも下層の膜の凹凸が反映されるように加工されてもよい。
【００１６】
光吸収部が積層構造を有する場合、少なくとも一層が光を吸収し、熱を供給する光吸収膜であればよい。光吸収膜以外の膜は、光吸収膜より下層に設けられる場合は光透過性を有し、光吸収膜より上層に設けられる場合は熱を遮断しない高い熱伝導率を有する膜を用いる。
【００１７】
よって、光吸収膜以外の膜は、光吸収膜より下層に設けられる場合は熱伝導率が低い膜であってもよく（熱伝導率が低い膜が好ましい）、光吸収膜より上層に設けられる場合は光透過性を有さない膜であってもよい。
【００１８】
凸部は光吸収部表面に凹凸を形成できれば特に形状は限定されず、柱状、錐状、格子状などを用いればよい。また、凹凸は連続的なストライプ構造や、不連続的なドット構造などを用いることができる。光吸収部の凹凸の差（凸部の高さ）は、５０ｎｍ以上２μｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以上２μｍ以下とすればよい。本明細書において、該凹凸の差の好ましい範囲は成膜用基板最表面に材料層まで形成した際材料層表面に形成される凹凸の差にあてはまるものとする。
【００１９】
光吸収部を成膜パターンを反映して選択的に形成すれば、被成膜基板に該パターンで薄膜を形成することができる。
【００２０】
また、光吸収部に光が照射されないように、透光性基板と光吸収部との間に反射層を選択的に形成してもよい。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【００２１】
さらに、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けてもよい。断熱層を、光に対する透過率は６０％以上とし、かつ熱伝導率が反射層及び光吸収部に用いる材料の熱伝導率よりも小さい材料を用いて形成することが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。
【００２２】
成膜用基板の一形態は、凹凸を有する光吸収部と、凹凸を有する光吸収部上に有機化合物材料を含む層とを含み、有機化合物材料を含む層は凹凸を反映して形成される。
【００２３】
成膜用基板の他の一形態は、凹凸を有する光吸収部と、凹凸を有する光吸収部上に有機化合物材料を含む層とを含み、光吸収部は光吸収膜と透光性膜との積層構造であり、透光性膜表面に凹凸を有し、有機化合物材料を含む層は凹凸を反映して形成される。
【００２４】
成膜用基板の他の一形態は、凹凸を有する光吸収部と、凹凸を有する光吸収部上に有機化合物材料を含む層とを含み、光吸収部は透光性膜と光吸収膜との積層構造であり、透光性膜表面に凹凸を有し、光吸収膜表面は透光性膜表面の凹凸を反映し、有機化合物材料を含む層は凹凸を反映して形成される。
【００２５】
成膜方法の一形態は、凹凸を有する光吸収部と、凹凸を有する光吸収部上に有機化合物材料を含む層とを含み、有機化合物材料を含む層は凹凸を反映して形成される成膜用基板を用い、成膜用基板の有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板とを向き合うように、成膜用基板と被成膜基板とを配置し、透光性基板を通過させて、光を光吸収部に照射して光を照射された光吸収部上の有機化合物材料を含む層に含まれる材料を被成膜基板上に成膜する。
【００２６】
上記成膜用基板及び成膜方法を用いて、被成膜基板上に設けられた第１の電極層上に発光層を形成し、発光層上に第２の電極層を形成して発光素子を有する発光装置を作製することができる。また、発光層を形成する場合、被成膜領域を一画素ごとに対応させてもよいし、被成膜領域を複数の画素を含むように対応させ複数の画素の発光層を一度に作製してもよい。
【００２７】
蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。
【００２８】
光吸収部に光を照射する工程は減圧下で行うことが好ましい。減圧下で光を照射し、被成膜基板に材料を成膜する工程を行うと、成膜される膜へのゴミ等の汚染物の影響を軽減することができる。
【００２９】
広範囲を処理することも可能なため、大面積基板であっても生産性よく被成膜基板に薄膜を形成することができる。よって、高信頼性な発光装置及び電子機器を安価で作製することができる。
【発明の効果】
【００３０】
蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に膜厚分布が均一で、かつ膜質の良好な薄膜を形成することができる。
【００３１】
光による加熱成膜法により膜厚分布が均一で、かつ良質な膜を成膜することができる。
【００３２】
効率よく光のエネルギーを材料に供給し、照射エネルギーを低減することができる。
【００３３】
このような成膜用基板及び成膜方法を用いて発光素子を形成し、高信頼性の発光装置を作製することができる。また、大面積の被成膜基板に薄膜を形成することができるため、大型の発光装置及び電子機器を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】成膜用基板の一例の断面図である。
【図２】成膜用基板の一例の平面図である。
【図３】成膜方法を示した図である。
【図４】成膜用基板の一例の断面図である。
【図５】成膜用基板の一例の断面図である。
【図６】成膜用基板の一例の断面図である。
【図７】成膜用基板の一例の断面図である。
【図８】発光装置を示した平面図及び断面図である。
【図９】発光装置の作製工程を示した断面図である。
【図１０】発光素子の構成を示した断面図である。
【図１１】発光表示モジュールを示した断面図である。
【図１２】発光表示モジュールを示した平面図及び断面図である。
【図１３】電子機器を示した図である。
【図１４】電子機器を示した図である。
【図１５】実施例の成膜用基板のＳＴＥＭ写真である。
【図１６】実施例及び比較例の成膜用基板を用いて形成した薄膜の膜厚分布を説明するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下に、実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、被成膜基板に均一な膜厚分布を有する良質の薄膜を形成することを目的とした成膜用基板及び成膜方法の一例について図１乃至図５を用いて説明する。
【００３７】
図１（Ａ）に成膜用基板の一例を示す。第１の基板１０１ａ上に選択的に光吸収部１０４ａが形成されている。第１の基板１０１ａと光吸収部１０４ａとの間に下地膜となる絶縁膜を形成してもよい。
【００３８】
光吸収部１０４ａは表面に凸部１５０ａが設けられており、表面に凹凸を有している。このような凹凸形状を梨子地形状ともいう。図１（Ａ）は、光吸収部１０４ａは単層構造であり、光吸収部１０４ａ表面に凸部１５０ａが形成される構成である。本明細書において、成膜用基板を構成する材料の吸収、透過、遮断性は、照射される光に対しての性質である。
【００３９】
図１（Ｂ）は、光吸収部が積層構造を有する例であり、第１の基板１０１ｂ上に光吸収膜１５１ａと凸部１５０ｂを有する膜１５１ｂの積層構造からなる光吸収部１０４ｂが形成されている。凸部１５０ｂを有する膜１５１ｂは光吸収膜１５１ａから供給される熱を遮断する材料でなければよく、光吸収性でも光透過性でもよい。
【００４０】
図１（Ｂ）は光吸収部１０４ｂにおいて上層に形成される膜が凹凸を有するように加工された例を示したが、図１（Ｃ）は、下層に形成される膜が凹凸を有し、結果上層に形成される膜表面にも下層の膜の凹凸が反映される例である。図１（Ｃ）は、第１の基板１０１ｃ上に凸部１５０ｃを有する光吸収部１０４ｃが設けられ、光吸収部１０４ｃは凹凸を有する膜１５２ａと、凹凸を有する膜１５２ａ上に形成された光吸収膜１５２ｂとで構成されている。光吸収膜１５２ｂは、下層の凹凸を有する膜１５２ａの形状を反映し、表面に凹凸を有する。
【００４１】
光吸収部が積層構造を有する場合、少なくとも一層が光を吸収し、熱を供給する光吸収膜であればよい。光吸収膜以外の膜は、光吸収膜より下層に設けられる場合は光透過性を有し、光吸収膜より上層に設けられる場合は熱を遮断しない高い熱伝導率を有する膜を用いる。
【００４２】
光吸収膜は被成膜基板において薄膜形成領域を連続して覆う膜である必要があるが、光吸収部を構成する他の膜は不連続な膜であってもよい。例えば、凹凸を形成するために、柱状や錐状の凸部を並べて形成し、その上、又は下に光吸収膜を形成してもよい。光吸収膜を複数積層する場合は、複数の光吸収膜で被成膜基板における薄膜形成領域を連続して覆う構成としてもよい。
【００４３】
凸部の形状例を図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す。図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は凸部を有する光吸収部においてある一面で分断した断面図である。図４（Ａ）は柱状の凸部１５３ａを複数有する光吸収部１６０ａであり、図４（Ｂ）は上方に向かってテーパーを有する台形の凸部１５３ｂを複数有する光吸収部１６０ｂである。凸部は錐形であってもよく、図４（Ｃ）は錐形の凸部１５３ｃを間隔を有して複数有する光吸収部１６０ｃであり、図４（Ｄ）は錐形の凸部１５３ｄを底面が接するように隣接して複数有する光吸収部１６０ｄである。図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）では同じ形状の凸部を複数設ける例を示したが、形状の異なる凸部を複数設けて光吸収部表面に凹凸を形成してもよい。
【００４４】
なお、図４は光吸収部をある面で分断した２次元的な断面図であり、３次元的にみると、光吸収部における凹凸は、図２（Ｂ）のような連続的なストライプ構造であっても、図２（Ａ）のような不連続的なドット構造であってもよい。
【００４５】
なお、図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）のように凸部の間に間隔を有して設ける場合、その間隔（凸部の繰り返し周期の距離）は３００ｎｍ以上２μｍ以下程度とすればよい。
【００４６】
図２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に成膜用基板の平面図を示す。図１（Ａ）は図２（Ａ）の線Ｚ１−Ｚ２の断面図に相当する。
【００４７】
図２（Ａ）において、第１の基板１０１ａ上に設けられた光吸収部１０４ａ表面には突起状の凸部１５０ａが複数並んで形成されている。
【００４８】
凹凸を構成する凸部は、突起状の他、長方体でもよく、格子状でもよい。図２（Ｂ）（Ｃ）において、点線のハッチ領域が凸部領域を示している。図２（Ｂ）は、第１の基板１０１ｄ上に設けられた光吸収部１０４ｄ表面には、ストライプ状の凹部を形成する凸部１５０ｄが形成されている。図２（Ｃ）は、第１の基板１０１ｅ上に設けられた光吸収部１０４ｅ表面には、格子状の凸部１５０ｅが形成されている。
【００４９】
光吸収部表面に設けられる凹凸は、光吸収部上に形成される材料層である有機化合物材料を含む層が光照射による加熱で溶融した際に、複数の微細な凹部に流動するため、光吸収部表面において材料が局所的に凝集することを防止する効果がある。
【００５０】
凹凸を有する光吸収部上に設けられた有機化合物材料を含む層が溶融する例を図５及び図６を用いて説明する。図５及び図６において（Ａ１）（Ｂ１）が光照射前であり、（Ａ２）（Ｂ２）が光照射後の成膜用基板を示している。
【００５１】
図５（Ａ１）において、光吸収部１６１ａは平坦な光吸収膜１５６ａと柱状の凸部１５５ａを有する膜１５６ｂより構成されており、その凹凸上に有機化合物材料を含む層１６２ａが形成されている。光１７５ａの照射により光吸収部１６１ａは有機化合物材料を含む層１６２ａに熱を供給して有機化合物材料を含む層１６２ａを溶融し、溶融した有機化合物材料１６３ａは図５（Ａ２）に示すように光吸収部１６１ａの凹部に流動する。
【００５２】
同様に、図５（Ｂ１）において、光吸収部１６１ｂは平坦な光吸収膜１５７ａと台形の断面を有する凸部１５５ｂを有する膜１５７ｂより構成されており、その凹凸上に有機化合物材料を含む層１６２ｂが形成されている。光１７５ｂの照射により光吸収部１６１ｂは有機化合物材料を含む層１６２ｂに熱を供給して有機化合物材料を含む層１６２ｂを溶融し、溶融した有機化合物材料１６３ｂは図５（Ｂ２）に示すように光吸収部１６１ｂの凹部に流動する。
【００５３】
図６（Ａ１）において、錐状の凸部１５５ｃを有する光吸収部１６１ｃは凸部を有する膜１５８ａと光吸収膜１５８ｂにより構成されており、その凹凸上に有機化合物材料を含む層１６２ｃが形成されている。光１７５ｃの照射により光吸収部１６１ｃは有機化合物材料を含む層１６２ｃに熱を供給して有機化合物材料を含む層１６２ｃを溶融し、溶融した有機化合物材料１６３ｃは図６（Ａ２）に示すように光吸収部１６１ｃの凹部に流動する。
【００５４】
同様に、図６（Ｂ１）において、錐状の凸部１５５ｄを有する光吸収部１６１ｄは凸部を有する膜１５９ａと光吸収膜１５９ｂにより構成されており、その凹凸上に有機化合物材料を含む層１６２ｄが形成されている。光１７５ｄの照射により光吸収部１６１ｄは有機化合物材料を含む層１６２ｄに熱を供給して有機化合物材料を含む層１６２ｄを溶融し、溶融した有機化合物材料１６３ｄは図６（Ｂ２）に示すように光吸収部１６１ｄの凹部に流動する。
【００５５】
図６の光吸収部１６１ｃ、１６１ｄのように凸部を有する膜上に光吸収膜を積層する構成であると、凸部を有する膜が光１７５ｃ、１７５ｄに対して反射防止膜として機能するので、光から熱の変換効率を高めることができる。よって、より低い光照射エネルギーとすることが可能となる。
【００５６】
図１（Ａ）の成膜用基板を用いた成膜方法を図３を用いて説明する。図３（Ａ）の成膜用基板は図１（Ａ）に相当する成膜用基板である。
【００５７】
成膜用基板に形成される光吸収部１０４ａに第１の基板１０１ａ側より光を照射して、被成膜基板に膜を成膜する。従って、用いる光に対して、第１の基板１０１ａ〜１０１ｃは透光性を、光吸収部１０４ａ〜１０４ｅは光吸収性をそれぞれ有する必要がある。よって、照射される光の波長により、第１の基板１０１ａ〜１０１ｃ、光吸収部１０４ａ〜１０４ｅに好適な材料の種類が変化するため、適宜材料を選択する必要がある。
【００５８】
また、第１の基板１０１ａ〜１０１ｃは熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。第１の基板１０１ａ〜１０１ｃとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。ガラス基板としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような無アルカリガラスと呼ばれる電子工業用に使われる各種ガラス基板を適用することができる。
【００５９】
光吸収部１０４ａ〜１０４ｅは、成膜の際に照射された光を吸収する層である。よって、光吸収部１０４ａ〜１０４ｅは光吸収膜を有する必要があり、光吸収膜は照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収部１０４ａ〜１０４ｅは、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。
【００６０】
光吸収部１０４ａ〜１０４ｅの光吸収膜には、種々の材料を用いることができる。例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンなどの金属窒化物、チタン、モリブデン、タングステンなどの金属、カーボンなどを用いることができる。なお、照射される光の波長に応じて、光吸収部１０４に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。また、光吸収膜は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、金属と金属窒化物の積層構造としてもよい。光吸収部を光吸収膜の積層構造とする場合、光の吸収波長の異なる材料を用いた光吸収膜で積層すると、光吸収部において光の吸収波長の領域が広がるため、光利用効率を高めることができる。
【００６１】
また光吸収部１０４ａ〜１０４ｅに含まれる光吸収膜以外の膜としては、吸収膜より下層に設けられる場合は光透過性を有し、光吸収膜より上層に設けられる場合は熱を遮断しない高い熱伝導率を有する膜を用いる。よって、光吸収膜以外の膜は、光吸収膜より下層に設けられる場合は熱伝導率が低い膜であってもよく（熱伝導率が低い膜が好ましい）、光吸収膜より上層に設けられる場合は光透過性を有さない膜であってもよい。
【００６２】
例えば、光吸収膜より上層に形成される膜としては、窒化珪素膜や窒化酸化珪素膜などを用いることができる。また、光吸収膜より下層に形成される膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜などを用いることができる。光吸収膜より上層に形成される膜としては窒化珪素膜を、光吸収膜より下層に形成される膜としては酸化珪素膜を好適に用いることができる。
【００６３】
光吸収部１０４ａ〜１０４ｅは、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。
【００６４】
光吸収部１０４ａ〜１０４ｅの膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚であることが好ましい。具体的には、１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。また、光吸収部の膜厚が薄い方がより小さいエネルギーの光で成膜することができるため、１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の膜厚であることがより好ましい。例えば、波長５３２ｎｍの光を照射した場合、光吸収部１０４の膜厚を５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚とすることにより、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収部１０４ａ〜１０４ｅの膜厚を５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。
【００６５】
光吸収部１０４ａ〜１０４ｅの凹凸の差は、５０ｎｍ以上２μｍ以下、より望ましくは５００ｎｍ以上２μｍ以下が好ましい。また、断面において凹凸の繰り返し周期が３００ｎｍ以上２μｍ以下程度とすればよい。
【００６６】
光吸収部１０４ａ〜１０４ｅは、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の成膜可能温度（材料層に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板へ成膜される温度）まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。
【００６７】
光吸収部１０４ａ〜１０４ｅ上に被成膜基板上に成膜される材料を含む有機化合物材料を含む層１０５を形成する（図３（Ｂ）参照。）。
【００６８】
有機化合物材料を含む層１０５は、被成膜基板上に成膜する材料を含んで形成される層である。そして、成膜用基板に光を照射することにより、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料が加熱され、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板上に成膜される。有機化合物材料を含む層１０５が加熱されると、有機化合物材料を含む層に含まれる材料の少なくとも一部が溶融し、気化することによって、被成膜基板上に成膜される。
【００６９】
有機化合物材料を含む層１０５は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、スプレー法、キャスト法、ディップ法、液滴吐出（噴出）法（インクジェット法）、ディスペンサ法、各種印刷法（スクリーン（孔版）印刷、オフセット（平版）印刷、凸版印刷やグラビア（凹版）印刷など所望なパターンで形成される方法）などを用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いることができる。
【００７０】
有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料としては、種々の有機化合物材料を用いることができ、さらに種々の無機化合物材料を含んでも良い。発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料を用いる。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、ＥＬ層を構成するキャリア輸送層やキャリア注入層、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。
【００７１】
また、有機化合物材料を含む層１０５は、複数の材料を含んでいてもよい。また、有機化合物材料を含む層１０５は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。
【００７２】
湿式法を用いて有機化合物材料を含む層１０５を形成する場合には、所望の材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、液状の組成物（溶液あるいは分散液）を調整すればよい。溶媒は、材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。
【００７３】
有機化合物材料を含む層１０５は、光吸収部１０４ａ表面の凸部１５０ａの形状を反映し、凹凸を有する形状で形成される。よって、有機化合物材料を含む層１０５は必ずしも連続的な薄膜である必要はなく、不連続な微細な島状に形成されていてもよい。
【００７４】
次に、第１の基板１０１ａの一方の面であって、光吸収部１０４ａ及び有機化合物材料を含む層１０５が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１０７を配置する。第２の基板１０７は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。
【００７５】
成膜用基板における有機化合物材料を含む層１０５表面と、被成膜基板における被成膜面との距離を至近距離となるように近づけて対向させることが好ましい。距離が短いと有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料が被成膜面に移動する距離も短くなるため、より被成膜面に成膜される膜のパターンぼけを防止でき精度良く成膜することができる。
【００７６】
基板の大きさや配置方法によっては、第１の基板１０１ａ上の最表面の膜と第２の基板１０７上の最表面の膜とは一部接触する場合もある。
【００７７】
第１の基板１０１ａ上に光吸収部１０４ａ及び有機化合物材料を含む層１０５が形成された成膜用基板において、より成膜される膜に高い信頼性を付与したい場合は、成膜用基板に真空中での加熱処理を行うこと好ましい。同様に、被成膜基板である第２の基板１０７も成膜前に真空中での加熱処理を行うと、成膜される膜の信頼性が向上する。特に、被成膜基板に隔壁となる絶縁層などを設ける場合、真空中での加熱処理により水などの汚染物を除去することで、より信頼性の高い膜を成膜することができ、作製する発光素子、及び発光装置の信頼性も高めることができる。
【００７８】
第１の基板１０１ａの裏面（光吸収部１０４ａ及び有機化合物材料を含む層１０５が形成されていない面）側から光源１２１より光１１０を照射する（図３（Ｃ）参照。）。このとき、第１の基板１０１ａに照射された光は、第１の基板１０１ａを透過し、光吸収部１０４ａに吸収される。そして、光吸収部１０４ａは、吸収した光から得た熱を、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料に与える。
【００７９】
このとき、図３（Ｃ）に示すように、供給された熱により、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料は溶融し、光吸収部１０４ａ表面の凹部に流動し、有機化合物材料１７０となる。光吸収部１０４ａ表面の複数の微細な凹部に流動するため、光吸収部１０４ａ表面において有機化合物材料１７０が凝集することを防止することができる。よって有機化合物材料１７０は被成膜基板の薄膜形成領域に対応して均一に存在するので、被成膜基板に均一な膜厚分布で薄膜を形成することができる。
【００８０】
図３（Ｄ）に示すように、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の少なくとも一部を、第２の基板１０７上に膜１１１として成膜する。膜１１１は膜厚分布が均一な、良質な膜である。また、表面に凹凸を有する光吸収部上に形成された複数の混合有機化合物材料を含む層を用いて、光照射による成膜を行うと、有機化合物材料を含む層の混合状態を保ったまま、混合膜を被成膜基板に成膜することができる。第２の基板１０７上に所望のパターンに成形された膜１１１が形成される（図３（Ｅ）参照。）。
【００８１】
光吸収部１０４ａに光１１０を照射する工程は減圧下で行うことが好ましい。減圧下で光１１０を照射し、被成膜基板に材料を成膜する工程を行うと、成膜される膜へのゴミ等の汚染物の影響を軽減することができる。また、光吸収部１０４ａに光１１０を照射する工程は有機化合物材料を含む層１０５を加熱状態（熱を保持している状態）として行ってもよい。有機化合物材料を含む層１０５に加熱処理を行い、加熱状態にしておくと、低いパワーの光の光源を用いた光照射でも材料層に含まれる材料を被成膜基板に成膜することができる。また、加熱状態にしておくと、光の照射条件のマージンを広げることができる。光１１０を照射する工程を、有機化合物材料を含む層１０５を形成する際に行う加熱処理直後に行うと、有機化合物材料を含む層１０５は加熱状態とすることができる。また、ヒータなどの加熱手段を用いて、有機化合物材料を含む層１０５を加熱しながら光１１０を照射してもよい。
【００８２】
用いる光１１０は、光吸収部１０４ａが吸収する光であり、光源１２１など光の種類には特に限定されない。
【００８３】
光源１２１に好適に用いられる例としてはフラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）がある。フラッシュランプは短時間で強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、処理基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。また、ランプ光は一度に広範囲を処理することができるため、作製工程時間を短縮し、スループットを向上することが可能となる。
【００８４】
光１１０は、光源１２１にランプを用いたランプ光による強光、光源１２１にレーザ発振器を用いたレーザ光などを用いることができる。
【００８５】
用いる光１１０は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能である。例えば、紫外線ランプ、ブラックライト、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光（ランプ光）を用いてもよい。その場合、ランプ光源は、必要な時間点灯させて照射してもよいし、複数回照射してもよい。
【００８６】
また、光としてレーザ光を用いてもよく、レーザ発振器としては、紫外光、可視光、又は赤外光を発振することが可能なレーザ発振器を用いることができる。様々な波長のレーザ光を用いることができ、例えば、３５５、５１５、５３２、１０３０、１０６４ｎｍなどの波長のレーザ光を用いることができる。
【００８７】
レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００８８】
また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。線状または矩形状とすることにより、処理基板にレーザ光を効率よく走査することができる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）が短くなり、生産性が向上する。また、レーザスポットの形状は楕円形状でもよい。
【００８９】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−６Ｐａ以上１０−４Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。
【００９０】
本実施の形態のように光吸収部１０４ａを成膜パターンを反映して選択的に形成すれば、被成膜基板に該パターンで薄膜を形成することができる。
【００９１】
また、光吸収部１０４ａに光が照射されないように、第１の基板１０１ａと光吸収部１０４ａとの間に反射層を選択的に形成してもよい。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【００９２】
さらに、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けてもよい。
【００９３】
第１の基板上に形成された有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、有機化合物材料を含む層１０５が複数の材料を含む場合でも、有機化合物材料を含む層１０５と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板である第２の基板上に成膜することができる。従って、本実施の形態に係る成膜方法は、成膜温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。
【００９４】
本実施の形態を用いて発光装置の発光層を形成する場合、成膜する膜を一画素ごとに対応させてもよいし、成膜する膜を複数の画素を含むように対応させ複数の画素の発光層を一度に作製してもよい。例えば、三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行いストライプ配置とする場合、複数の同色の発光を示す画素を含む領域を、成膜用基板の材料層の加熱領域と対応させ、被成膜基板に複数の画素の発光層を形成することができる。
【００９５】
フルカラーディスプレイを作製する場合には、発光層を作り分ける必要があるため、本実施の形態の成膜方法を用いて発光層を形成すれば、容易に所望のパターンで発光層を作り分けることができる。また、精度良く発光層を作り分けることができる。
【００９６】
また、本実施の形態の成膜方法では、所望の材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、材料の利用効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを容易にすることができる。
【００９７】
また、本実施の形態を適用することにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、所望の領域のみに成膜することが可能であるため、微細パターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００９８】
また、本実施の形態を適用することにより、光を用いた成膜の際に選択的に所望の領域に成膜することができるので、材料の利用効率を高めることができ、精度良く、所望の形状に成膜することが容易であるため生産性向上を図ることができる。
【００９９】
蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に膜厚分布が均一で、かつ膜質の良好な薄膜を形成することができる。
【０１００】
光による加熱成膜法により膜厚分布が均一で、かつ良質な膜を成膜することができる。
【０１０１】
効率よく光のエネルギーを材料に供給し、照射エネルギーを低減することができる。
【０１０２】
このような成膜用基板及び成膜方法を用いて発光素子を形成し、高信頼性の発光装置を作製することができる。また、大面積の被成膜基板に薄膜を形成することができるため、大型の発光装置及び電子機器を作製することができる。
【０１０３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、成膜用基板の他の例を図７を用いて説明する。実施の形態１と同様な機能を有する構成の材料や作製方法は、実施の形態１と同様とすればよい。
【０１０４】
図７（Ａ）乃至（Ｃ）は、成膜用基板に光吸収部の他に、反射層や断熱層を設ける例である。
【０１０５】
光吸収部に光が照射されないように、透光性基板と光吸収部との間に反射層を選択的に形成することができる。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【０１０６】
また、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けることもできる。断熱層を、光に対する透過率は６０％以上とし、かつ熱伝導率が反射層及び光吸収部に用いる材料の熱伝導率よりも小さい材料を用いて形成することが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。なお、断熱層は熱を完全に遮断することが好ましいが、本明細書では、少なくとも光吸収部よりも熱の伝導を妨げるものも断熱層という。
【０１０７】
図７（Ａ）は、第１の基板７１１と光吸収部７１４との間に選択的に反射層７１２を設けており、光吸収部７１４上に有機化合物材料を含む層７１５が形成されている。反射層７１２上の光吸収部７１４には光は照射されないために、反射層７１２の形成領域以外の領域のパターンが被成膜基板における薄膜の成膜パターンとすることができる。光吸収部７１４は、凸部７１３ａと光吸収膜７１３ｂとで構成されており、複数隣接して設けられた凸部７１３ａによって光吸収膜７１３ｂは表面に凹凸形状を有し、光吸収部７１４表面には凹凸が形成される。
【０１０８】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）において、光吸収部７１４に含まれる光吸収膜７１３ｂを選択的に形成し、第１の基板７１１上の反射層７１２の形成領域以外に光吸収部７１４を形成する例である。
【０１０９】
図７（Ｃ）は、図７（Ａ）において、反射層７１２上に断熱層７１６を設ける例である。
【０１１０】
断熱層７１６を設けることで反射層７１２上に光吸収部７１４は形成されなくなるために熱の伝わりをより防止することができる。さらに、被成膜基板への熱の伝わりを防ぐことができる。また、この断熱層は被成膜基板と成膜用基板との距離を制御する機能もある。
【０１１１】
このように断熱層を複数設けると、より被成膜基板において薄膜を成膜しない領域へ、薄膜を成膜する領域からの熱が伝わることを防止する効果を高めることができる。よって、より被成膜基板における薄膜のパターン形状を正確に制御することができ、高精細なパターン形状の薄膜を得ることが可能となる。
【０１１２】
反射層７１２は、成膜の際、光吸収部７１４の一部分に選択的に光を照射するために、それ以外の部分に照射される光を反射するための層である。よって、反射層７１２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層７１２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。
【０１１３】
反射層７１２に用いることができる材料としては、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、又は銀を含む合金などを用いることができる。
【０１１４】
反射層７１２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。
【０１１５】
また、反射層７１２を所望の形状に加工する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、側壁が鋭くなり、微細なパターンを形成することができる。
【０１１６】
断熱層７１６は、熱伝導率が反射層７１２および光吸収部７１４を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。また、光を、断熱層を透過させて光吸収部に照射する構成の場合には、断熱層は透光性を有する必要がある。この場合、断熱層は、熱伝導率の低い材料であると共に光透過率の高い材料を用いる必要がある。具体的には、断熱層には、光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。ただし光を透過させる必要のない場合は、断熱層は透光性を有する必要はない。
【０１１７】
断熱層７１６に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素等を用いることができる。
【０１１８】
断熱層７１６の膜厚は、光吸収部に設けられる凹凸より高くなるように調整する。材料により異なるが、１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上３μｍ以下とする。１０ｎｍ以上５μｍ以下の膜厚とすることにより、光を透過させつつ、熱が有機化合物材料を含む層に伝わるのを遮断する効果を有する。
【０１１９】
反射層７１２、断熱層７１６、及び光吸収部７１４（凸部７１３ａ、光吸収膜７１３ｂ）は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。
【０１２０】
さらに、反射層７１２と光吸収部７１４の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。
【０１２１】
図７（Ａ）乃至（Ｃ）に示す成膜用基板を用いて、実施の形態１と同様に光を照射して、被成膜基板へ所望のパターンで膜を成膜することができる。従って本実施の形態に示す成膜用基板を用いて、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【０１２２】
本実施の形態では、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。
【０１２３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。
【０１２４】
上記実施の形態を適用して、例えば、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図１０（Ａ）に示す発光素子は、基板９０１上に第１の電極９０２、発光層９１３のみで形成されたＥＬ層９０３、第２の電極９０４が順に積層して設けられている。第１の電極９０２及び第２の電極９０４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層９０３で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極９０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極９０４は陰極として機能する電極であるとする。
【０１２５】
また、図１０（Ｂ）に示す発光素子は、図１０（Ａ）のＥＬ層９０３が複数の層が積層された構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極９０２側から正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層９０３は、図１０（Ａ）に示すように少なくとも発光層９１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければよい。
【０１２６】
図１０に示す基板９０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。
【０１２７】
また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１２８】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
【０１２９】
また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。
【０１３０】
アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。
【０１３１】
なお、ＥＬ層９０３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。
【０１３２】
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４又は電子注入層９１５）は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。また、電極を実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することもできる。
【０１３３】
発光層９１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０１３４】
発光層９１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、���リス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【０１３５】
発光層９１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０１３６】
また、発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１３７】
発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
【０１３８】
発光層９１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。
【０１３９】
また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。
【０１４０】
発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、成膜用基板上の有機化合物材料を含む層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、成膜用基板上の有機化合物材料を含む層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の有機化合物材料を含む層を有する成膜用基板を用いて発光層９１３を形成することにより、発光層９１３は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層９１３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。
【０１４１】
また、図１０（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５）のそれぞれの層を形成する材料で形成された有機化合物材料を含む層を有する実施の形態１で示した成膜用基板を各層毎に用意し、各層の成膜毎に異なる成膜用基板を用いて、実施の形態１で示した方法により、基板９０１上の第１の電極９０２上にＥＬ層９０３を形成することができる。そして、ＥＬ層９０３上に第２の電極９０４を形成することにより、図１０（Ｂ）に示す発光素子を得ることができる。なお、この場合には、ＥＬ層９０３の全ての層に実施の形態１で示した方法を用いることもできるが、一部の層のみに実施の形態１で示した方法を用いても良い。
【０１４２】
湿式法で被成膜基板に膜を積層する場合、直接下層の膜上に材料を含む液状の組成物を付着させて形成するために、組成物中に含まれる溶媒によっては下層の膜が溶解してしまうため、積層できる材料が限定されてしまう。しかし、本明細書に開示する成膜方法を用いて積層を形成する場合、下層の膜に直接溶媒が付着しないため、溶媒による下層の膜への影響を考慮しなくてよい。従って、積層できる材料の選択性において自由度が広い。湿式法で直接被成膜基板に膜を形成してしまうと被成膜基板に既に成膜されている下層の膜に影響を与えない加熱条件で加熱処理を行わねばならないために、十分な膜質の向上を達成できない場合がある。
【０１４３】
例えば、正孔注入層９１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１４４】
また、正孔注入層９１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。
【０１４５】
正孔注入層９１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１４６】
正孔注入層９１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層９１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。
【０１４７】
例えば、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１４８】
正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【０１４９】
また、正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１５０】
また、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１５１】
なお、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１５２】
また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層９１１を正孔輸送層として用いてもよい。
【０１５３】
また、正孔輸送層９１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１５４】
電子輸送層９１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１５５】
また、電子注入層９１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極９０４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。
【０１５６】
なお、ＥＬ層９０３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。
【０１５７】
ＥＬ層９０３で得られた発光は、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極９０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２を通って基板９０１側から取り出される。また、第２の電極９０４のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極９０４を通って基板９０１と逆側から取り出される。第１の電極９０２および第２の電極９０４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２および第２の電極９０４を通って、基板９０１側および基板９０１と逆側の両方から取り出される。
【０１５８】
なお、図１０では、陽極として機能する第１の電極９０２を基板９０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極９０４を基板９０１側に設けてもよい。
【０１５９】
また、ＥＬ層９０３の形成方法としては、実施の形態１で示した成膜方法を用いればよく、他の成膜方法と組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。
【０１６０】
本実施の形態に係る発光素子は、ＥＬ層の形成が可能であり、それにより、高精度な膜が効率よく形成される為、発光素子の特性向上のみならず、歩留まり向上やコストダウンを図ることができる。
【０１６１】
本実施の形態は、上記の実施の形態１又は実施の形態２と適宜組み合わせることができる。
【０１６２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本明細書に開示する成膜用基板及び成膜方法を用いて作製されたパッシブマトリクス型の発光装置について図８及び図９を用いて説明する。
【０１６３】
本実施の形態では、パッシブマトリクスの発光装置において、発光素子間を分離する隔壁（絶縁層）を設ける例を示す。２層の隔壁を有する発光装置の例を図８（Ａ）乃至（Ｃ）及び図９（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。
【０１６４】
図８（Ａ）は発光装置の平面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）における線Ｙ３−Ｚ３の断面図、図８（Ｃ）は図８（Ａ）における線Ｖ３−Ｘ３の断面図である。しかし、図８（Ａ）は隔壁７８２を形成した工程までの平面図であり、ＥＬ層及び第２の電極層は省略している。
【０１６５】
図８（Ａ）の発光装置は、素子基板７５９上に第１の方向に延びた発光素子に用いる電極層である第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に選択的に形成されたＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃと、第１の方向と垂直な第２の方向に延びた発光素子に用いる電極層である第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃとを有している（図８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）参照。）。
【０１６６】
図８において、データ線（信号線）として機能する第１の電極層７５１ｂと、走査線（ソース線）として機能する第２の電極層７５３ｂとはＥＬ層７５２ｂを間に挟持して交差しており、発光素子７５０を形成している。
【０１６７】
図８（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に、画素領域に開口部を有して隔壁７８０が選択的に形成されている。図８（Ｂ）に示すように、隔壁７８０は、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃの端部を覆うようにテーパーを有する形状で形成されている。
【０１６８】
隔壁７８０上に選択的に隔壁７８２を形成する。隔壁７８２は隔壁７８２上に形成するＥＬ層及び第２の電極層を非連続に分断する機能を有する。隔壁７８２の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁７８２の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（隔壁７８０の面方向と同様の方向を向き、隔壁７８０と接する辺）の方が上辺（隔壁７８０の面方向と同様の方向を向き、隔壁７８０と接しない辺）よりも短い。隔壁７８２はいわゆる逆テーパー形状であるために、自己整合的にＥＬ層７５２ｂは、隔壁７８２によって分断され、第１の電極層７５１ｂ上に選択的に形成することができる。従ってエッチングにより形状を加工しなくても、隣接する発光素子間は分断されており発光素子間のショートなどの電気的不良を防止することができる。
【０１６９】
本明細書に開示する成膜方法を用いた図８（Ｂ）に示す本実施の形態の発光装置の作製方法を図９（Ａ）乃至（Ｄ）を用いて説明する。
【０１７０】
図９（Ａ）は実施の形態２で示した図７（Ｃ）の成膜用基板と同様な構造である。
【０１７１】
成膜用基板において第１の基板７１１上に選択的に反射層７１２が形成され、反射層７１２上に断熱層７１６が形成されている。反射層７１２と重畳しない領域に光吸収部７１４が形成されている。成膜用基板の最上層には有機化合物材料を含む層７１５が形成されている。光吸収部７１４は、凸部７１３ａと光吸収膜７１３ｂとで構成されており、複数隣接して設けられた凸部７１３ａによって光吸収膜７１３ｂは表面に凹凸形状を有し、光吸収部７１４表面には凹凸が形成される。
【０１７２】
被成膜基板である素子基板７５９には、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ、及び隔壁７８０が形成されており、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ及び隔壁７８０と、有機化合物材料を含む層７１５とが向き合うように、素子基板７５９と第１の基板７１１とを配置する（図９（Ｂ）参照。）。図９（Ｂ）のように、隔壁７８０と断熱層７１６を形成し、成膜用基板と被成膜基板とを接して設けると、各被成膜領域をごとに他の画素領域と遮断することができる。よって、光照射により有機化合物材料を含む層より蒸発した材料が、他の画素領域へ付着することを抑制することができる。
【０１７３】
第１の基板７１１の裏面（有機化合物材料を含む層７１５の形成面と反対の面）側から光源７２１より光７２０を照射する。このとき、第１の基板７１１に照射された光は、第１の基板７１１を透過し、光吸収部７１４の光吸収膜７１３ｂに吸収される。そして、光吸収部７１４は、吸収した光から得た熱を、有機化合物材料を含む層７１５に含まれる材料に与える。
【０１７４】
このとき、図９（Ｂ）に示すように、供給された熱により、有機化合物材料を含む層７１５に含まれる材料は溶融し、光吸収部７１４表面の凹部に流動し、有機化合物材料７１７となる。光吸収部７１４表面の複数の微細な凹部に流動するため、光吸収部７１４表面において有機化合物材料７１７が凝集することを防止することができる。よって有機化合物材料７１７は被成膜基板の薄膜形成領域に対応して均一に存在するので、被成膜基板に均一な膜厚分布で薄膜を形成することができる。
【０１７５】
図９（Ｃ）に示すように、有機化合物材料を含む層７１５に含まれる材料の少なくとも一部を、素子基板７５９へＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃとして成膜する。ＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃは膜厚分布が均一な、良質な膜である。また、表面に凹凸を有する光吸収部上に形成された複数の混合有機化合物材料を含む層を用いて、光照射による成膜を行うと、有機化合物材料を含む層の混合状態を保ったまま、混合膜を被成膜基板に成膜することができる。
【０１７６】
上記工程によって、素子基板７５９上に設けられた第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上にそれぞれ、選択的にＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃを形成することができる（図９（Ｄ）参照。）。
【０１７７】
図９（Ｄ）のＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃ上に第２の電極層７５３ｂを形成し、充填層７８１を形成し、封止基板７５８を用いて封止して図８（Ｂ）の発光装置を完成させることができる。
【０１７８】
封止基板７５８としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなる、プラスチック基板の他、高温では可塑化されてプラスチックと同じような成型加工ができ、常温ではゴムのような弾性体の性質を示す高分子材料エラストマー等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０１７９】
隔壁７８０、隔壁７８２としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、その他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾールなどの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。作製法としては、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法などの気相成長法やスパッタリング法を用いることができる。また、液滴吐出法や、印刷法を用いることもできる。塗布法で得られる膜なども用いることができる。
【０１８０】
次に、図８に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図１１に示す。
【０１８１】
図１１において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１８２】
ここで、図８における第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃが、図１１のデータ線１１０２に相当し、図８における第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃが、図１１の走査線１１０３に相当し、図８におけるＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃが図１１のＥＬ層１１０４に相当する。データ線１１０２と走査線１１０３の間にはＥＬ層１１０４が挟まれており、領域１１０５で示される交差部が画素１つ分（図８では発光素子７５０で示される）となる。
【０１８３】
なお、走査線１１０３は配線端で接続配線１１０８と電気的に接続され、接続配線１１０８が入力端子１１０７を介してＦＰＣ１１０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１１０６を介してＦＰＣ１１０９ａに接続される。
【０１８４】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１８５】
なお、図１１では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、特に限定されず、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０１８６】
また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、単結晶シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【０１８７】
なお、パッシブマトリクスの発光装置において、隔壁は必ずしも設けなくてもよい。この場合でも第１の電極層と第２の電極層との間に設けられるＥＬ層を本明細書に開示する成膜方法を用いて、均一な膜厚で選択的に形成することができる。
【０１８８】
材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。本実施の形態のように、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高信頼性な発光装置を作製することができる。
【０１８９】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至３と適宜組み合わせることができる。
【０１９０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本明細書に開示する成膜用基板及び成膜方法を用いて作製されたアクティブマトリクス型の発光装置について図１２を用いて説明する。
【０１９１】
図１２（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
【０１９２】
なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１９３】
次に、断面構造について図１２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
【０１９４】
なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型トランジスタ６２３とｐチャネル型トランジスタ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するトランジスタは、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１９５】
また、画素部６０２はスイッチング用トランジスタ６１１と、電流制御用トランジスタ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁層６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。第１の電極６１３は層間絶縁層である絶縁層６１９上に形成されている。
【０１９６】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁層６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁層６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁層６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁層６１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１９７】
なお、トランジスタの構造は、特に限定されない。トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域のトランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１９８】
トランジスタは、トップゲート型（例えば順スタガ型、コプラナ型）、ボトムゲート型（例えば、逆コプラナ型）、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても適用できる。
【０１９９】
また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されない。半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、また単結晶半導体などを用いることができる。
【０２００】
非晶質半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。また、このような薄膜プロセスに換えて、絶縁表面に単結晶半導体層を設けたＳＯＩ基板を用いても良い。ＳＯＩ基板は、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）法や、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法を用いて形成することができる。ＳＩＭＯＸ法は、単結晶シリコン基板に酸素イオンを注入し、所定の深さに酸素含有層を形成した後、熱処理を行い、表面から一定の深さで埋込絶縁層を形成し、埋込絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成する方法である。また、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法は、酸化された単結晶シリコン基板に水素イオン注入を行い、所望の深さに相当する所に水素含有層を形成し、他の支持基板（表面に貼り合わせ用の酸化シリコン膜を有する単結晶シリコン基板など）と貼り合わせる、加熱処理を行うことにより水素含有層にて単結晶シリコン基板を分断し、支持基板上に酸化シリコン膜と単結晶シリコン層との積層を形成する方法である。
【０２０１】
第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層６１６は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。
【０２０２】
シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。
【０２０３】
なお、シール材６０５には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。具体的にはエポキシ系樹脂を用いることができる。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０２０４】
また、発光素子上にパッシベーション膜（保護膜）として絶縁層を設けてもよい。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。又はシロキサン樹脂を用いてもよい。
【０２０５】
充填材の代わりに、窒素雰囲気下で封止することによって、窒素等を封入してもよい。充填材を通して光を発光装置外に取り出す場合、充填材も透光性を有する必要がある。充填材は、例えば可視光硬化、紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。充填材は、液状の状態で滴下し、発光装置内に充填することもできる。充填材として、乾燥剤などの吸湿性を含む物質を用いる、または充填材中に吸湿物質を添加すると、さらなる吸湿効果が得られ、素子の劣化を防ぐことができる。
【０２０６】
また、位相差板や偏光板を用いて、外部から入射する光の反射光を遮断するようにしてもよい。隔壁となる絶縁層を着色しブラックマトリクスとして用いてもよい。この隔壁は液滴吐出法により形成することができ、ポリイミドなどの樹脂材料に、カーボンブラック等を混合させてもよく、その積層でもよい。液滴吐出法によって、異なった材料を同領域に複数回吐出し、隔壁を形成してもよい。位相差板としてはλ／４板、λ／２板を用い、光を制御できるように設計すればよい。構成としては、順に素子基板、発光素子、封止基板（封止材）、位相差板（λ／４、λ／２）、偏光板となり、発光素子から放射された光は、これらを通過し偏光板側より外部に放射される。この位相差板や偏光板は光が放射される側に設置すればよく、両面放射される両面放射型の発光装置であれば両方に設置することもできる。また、偏光板の外側に反射防止膜を有していても良い。これにより、より高繊細で精密な画像を表示することができる。
【０２０７】
本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、これに限定されず、周辺駆動回路としてＩＣチップを前述したＣＯＧ方式やＴＡＢ方式によって実装したものでもよい。また、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。
【０２０８】
また、発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【０２０９】
発光層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルターを設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素領域の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。フィルターを設けることで、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素領域（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。
【０２１０】
材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。本実施の形態のように、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高信頼性な発光装置を作製することができる。
【０２１１】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至４と適宜組み合わせることができる。
【０２１２】
（実施の形態６）
本明細書に開示する成膜用基板、成膜方法、及び発光装置の作製方法を適用して、様々な表示機能を有する発光装置を作製することができる。即ち、それら表示機能を有する発光装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本明細書に開示する成膜用基板、成膜方法、及び発光装置の作製方法を適用できる。
【０２１３】
その様な電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニタ、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ））等が挙げられる。また、パチンコ機、スロットマシン、ピンボール機、大型ゲーム機など発光装置を有するあらゆる遊技機に適用することができる。その具体例について、図１３及び図１４を参照して説明する。
【０２１４】
本明細書に開示する発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態１に示す成膜方法を用いるため、大型の表示部又は照明部を有する高信頼性の電子機器を安価で提供することができる。
【０２１５】
図１３（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、本明細書に開示する発光装置を適用することができる。その結果、高信頼性の携帯情報端末機器を安価で提供することができる。
【０２１６】
図１３（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１は本明細書に開示する発光装置を適用することができる。その結果、高信頼性のデジタルビデオカメラを安価で提供することができる。
【０２１７】
図１３（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。携帯電話機としては、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよく、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。表示部９１０２は、本明細書に開示する発光装置を適用することができる。その結果、高信頼性の携帯電話機を安価で提供することができる。
【０２１８】
図１３（Ｄ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２は、本明細書に開示する発光装置を適用することができる。その結果、高信頼性の携帯型のコンピュータを安価で提供することができる。
【０２１９】
本明細書に開示する発光装置は、小型の電気スタンドや室内の大型な照明装置として用いることもできる。図１３（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部９５０１、傘９５０２、可変アーム９５０３、支柱９５０４、台９５０５、電源９５０６を含む。本明細書に開示する発光装置を照明部９５０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。大型な照明器具も安価で提供することができる。
【０２２０】
さらに、本明細書に開示する発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることもできる。本明細書に開示する発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本明細書に開示する発光装置は薄型であるため、液晶表示装置の薄型化も可能となる。
【０２２１】
図１３（Ｆ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２は、本明細書に開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯型のテレビジョン装置を安価で提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本明細書に開示する発光装置を適用することができる。
【０２２２】
図１４（Ａ）は大型の表示部を有するテレビジョン装置である。本明細書に開示する発光装置により主画面２００３が形成され、その他付属設備としてスピーカー部２００９、操作スイッチなどが備えられている。このように、テレビジョン装置を完成させることができる。
【０２２３】
図１４（Ａ）に示すように、筐体２００１に発光素子を利用した表示用パネル２００２が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもできる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作機２００６により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部２００７が設けられていても良い。
【０２２４】
また、テレビジョン装置にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。
【０２２５】
図１４（Ｂ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であり、筐体２０１０、表示部２０１１、操作部であるリモコン装置２０１２、スピーカー部２０１３等を含む。本明細書に開示する発光装置は、表示部２０１１の作製に適用される。大型でかつ高信頼性なテレビジョン装置を安価で提供することができる。また図１４（Ｂ）のテレビジョン装置は、壁かけ型となっており、設置するスペースを広く必要としない。
【０２２６】
勿論、本明細書に開示する発光装置は鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。
【０２２７】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至５と適宜組み合わせることができる。
【実施例１】
【０２２８】
光吸収部表面を凹凸を有する粗面とした成膜用基板を用いて薄膜を成膜し、その薄膜の評価を行った。本実施例として作製した成膜用基板及び被成膜用基板に形成された薄膜の膜厚分布の結果を示す。
【０２２９】
図１５に、実施例の成膜用基板を、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  ｂｅａｍ）により端面を切り出し、走査透過型電子顕微鏡（日立製作所製「ＨＤ−２３００」：ＳＴＥＭ）で加速電圧を２００ｋＶとし、断面観察を行い、１５０００倍で観察した写真図を示す。
【０２３０】
ガラス基板８０上に下地膜８１としてスパッタ法により酸化珪素膜（膜厚３００ｎｍ）が設けられ、下地膜８１上に選択的に反射層８２としてスパッタ法によりアルミニウム膜（３００ｎｍ）が設けられている。下地膜８１及び反射層８２上に光吸収膜８３としてスパッタ法によりチタン膜（膜厚２００ｎｍ）が設けられ、光吸収膜８３上に凸部８４が複数形成され、凹凸を有する光吸収部を構成している。凸部８４はＣＶＤ法により酸化窒化珪素膜（膜厚１０００ｎｍ）を形成し、エッチングにより凸部形状に加工して形成した。なお、図１５に示す断面写真において、凸部８４の幅は７００ｎｍ、隣接する凸部８４同士の中央部からの距離は１．５μｍである。凸部８４上には材料層として有機化合物材料を含む層８５を共蒸着法によって膜厚５０ｎｍ形成した。
【０２３１】
有機化合物材料を含む層８５に用いた９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、９，１０−ジフェニル−２−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミノ］アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）の構造式を化１に示す。なお、ＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜中の２ＰＣＡＰＡは６ｗｔ％とした。
【０２３２】
【化１】
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【０２３３】
一方、比較例として上記実施例より凸部８４を形成せず、概略平坦な光吸収膜８３上に有機化合物材料を含む層８５を形成し、成膜用基板を作製した。比較例の他の構成は実施例と同様に形成したので詳細な説明は省略する。
【０２３４】
実施例及び比較例の成膜用基板にそれぞれ光照射を行い、被成膜用基板に薄膜（ＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜）を形成した。光照射条件は、光源として波長５３２ｎｍのレーザ発振器を用い、出力パワーは１０Ｗ、照射時間は０．２ｍｓｅｃ、成膜用基板が配置されたステージの移動速度は５００ｍｍ／ｓｅｃとした。
【０２３５】
図１６に被成膜用基板に形成された実施例及び比較例の薄膜の膜厚分布の結果を示す。図１６において、実施例の結果は実線で、比較例の結果は点線で示しており、横軸は得られたＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜において中央部を０とした時の距離（グラフ作成の便宜上図面右方向を正、左方向を負として示すが実際には絶対値である）、縦軸が膜厚を示している。比較例の薄膜の方が端部において膜厚の変化が緩慢でありグラフがなだらかに変化しているのに対し、実施例の薄膜は端部における膜厚の変化がより急峻であり、いわゆるパターンぼけによる形状不良が改善されていることがわかる。
【０２３６】
従って、本実施例の成膜用基板及び成膜方法においては、光による加熱により溶融した有機化合物材料は凹凸形状を有する粗面上にあるために凝集せず、被成膜基板により正確なパターン形状で膜厚の均一な薄膜を成膜できることが確認できた。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１６】
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【図１５】
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