(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線等を電気抵抗値の少ない素材で形成することによって、高品位な画像表示を可能としつつ、光リーク電流の発生を抑制する。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、相交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、該交差に設けられた画素電極（９）と、（i）一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域（１ａ´）を有する半導体膜と、（ii）ゲート電極（３ａ）とを含むトランジスタ（３０）と、ゲート電極上に配置された遮光部（１１ｂ）と、画素電極の下層側に形成された下部容量電極（７２）とを備える。第１及び第２絶縁膜には、遮光部とゲート電極とを接続する第１部分と、他の方向に沿って延在し、半導体膜の脇で遮光部と走査線とを電気的に接続する第２部分とを有するコンタクトホール（８０１）が形成され、画素電極及び下部容量電極は、保持容量（７０）を形成している。【選択図】図５
2010117399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上の表示領域で互いに交差するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
（i）前記走査線より第１絶縁膜を介して上層側に配置されており、前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域を有する半導体膜と、（ii）該半導体膜より上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て、前記チャネル領域に重なるように配置されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、
前記ゲート電極より第２絶縁膜を介して上層側に配置されると共に、前記ゲート電極に電気的に接続された導電性の遮光部と、
前記画素電極より容量絶縁膜を介して下層側に形成された下部容量電極と、
前記第１及び第２絶縁膜に、前記遮光部及び前記ゲート電極間を電気的に接続する第１部分、並びに該第１部分から前記一の方向に交わる他の方向に沿って延在し、前記半導体膜の脇で前記遮光部及び前記走査線間を電気的に接続する第２部分を有するコンタクトホールと
を備え、
前記画素電極及び前記下部容量電極は、前記容量絶縁膜を挟持する一対の容量電極として保持容量を形成していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記遮光部は、遮光性を有する導電材料により形成されており、前記走査線を第１の走査線とし、該第１の走査線に対して前記他の方向に沿って並走する前記第１の走査線に対して冗長的な第２の走査線として形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極及び前記下部容量電極は共に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含んでなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記半導体膜は、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域、並びに前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域を更に備え、
前記遮光部は、前記基板上で平面的に見て、前記チャネル領域及び前記第２の接合領域に少なくとも部分的に重なるように形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光部は、アルミニウムを含んでなることを特徴とする請求項１から４いずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記ドレイン領域及び前記画素電極間を電気的に接続する中継層を更に備え、
前記データ線及び前記中継層は、同一膜で形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記走査線は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体層よりも広く形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て前記薄膜トランジスタのうち少なくとも前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域を包囲する額縁の形状を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備えることにより、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。ここで、アクティブマトリクス駆動では、走査線に走査信号を供給することで前記ＴＦＴの動作を制御すると共に、ＴＦＴがＯＮ（オン）駆動されるタイミングでデータ線に画像信号を供給することによって、画像表示が実現される。このような電気光学装置では、高精細化の要請に伴って、より高品位な画像表示を実現するために、走査信号の伝達速度の高速化、及び走査信号の波形の複雑化が進んでいる。このような走査信号に対応すべく、ＴＦＴの各種構造に各種の工夫が施されている。
【０００３】
例えば、特許文献１乃至３では、走査線を電気抵抗値の小さいアルミニウムで形成することにより、走査線の電気抵抗値を減らし、走査信号へのノイズの混入の防止を図ると共に、走査信号の伝達速度を向上させる技術が開示されている。
【０００４】
また、このような液晶装置は、直視型ディスプレイのみならず、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）として用いられる電気光学装置にも多用されている。投射型表示装置の場合は特に、光源からの強い光が入射されるため、この光によってライトバルブ内のＴＦＴにおけるリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段が薄膜トランジスタを含む積層構造に取り込まれている（特許文献３乃至５を参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−３０１０５４号公報
【特許文献２】特開平５−１８８３９４号公報
【特許文献３】特開平１１−２７１７９２号公報
【特許文献４】特開２００５−４５０１７号公報
【特許文献５】特許３３０７１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の特許文献1乃至３によれば、アルミニウムで走査線を形成する場合、ＴＦＴを形成した後に走査線を形成する、若しくはアルミニウム配線後にＴＦＴを形成する必要がある。後者の場合、製造プロセスにおいてＴＦＴの半導体膜を高温処理で曝す工程を用いることができない。即ち、半導体膜を高温に曝すことができないため、ＴＦＴの特性が変質してしまうという技術的な問題点がある。また、前者、後者は共に半導体層のうち特に光リーク電流が生じやすいＬＤＤ領域について、遮光膜等の外部光に対する保護手段が何ら講じられていない。そのため、光リーク電流が発生し易く、ＴＦＴの駆動が不安定になってしまう。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、走査線等の配線を電気抵抗値の少ない素材で形成することによって、高品位な画像表示を可能としつつ、光リーク電流の発生を抑制することによって動作の安定した電気光学装置及びそのような電気光学装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の表示領域で互いに交差するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、（i）前記走査線より第１絶縁膜を介して上層側に配置されており、前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域を有する半導体膜と、（ii）該半導体膜より上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て、前記チャネル領域に重なるように配置されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、前記ゲート電極より第２絶縁膜を介して上層側に配置されると共に、前記ゲート電極に電気的に接続された導電性の遮光部と、前記画素電極より容量絶縁膜を介して下層側に形成された下部容量電極と、前記第１及び第２絶縁膜に、前記遮光部及び前記ゲート電極間を電気的に接続する第１部分、並びに該第１部分から前記一の方向に交わる他の方向に沿って延在し、前記半導体膜の脇で前記遮光部及び前記走査線間を電気的に接続する第２部分を有するコンタクトホールとを備え、前記画素電極及び前記下部容量電極は、前記容量絶縁膜を挟持する一対の容量電極として保持容量を形成している。
【０００９】
本発明の電気光学装置では、例えば、データ線から画素電極への画像信号の供給が画素毎に制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子であるトランジスタが、走査線から供給される走査信号に基づいてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。
【００１０】
トランジスタは、チャネル領域、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を有する半導体膜、及びチャネル領域に重なるゲート電極を含む。チャネル領域は、表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有する。本発明に係る「一の方向」とは、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の行方向、即ち複数のデータ線が配列される配列方向或いは複数の走査線の各々が延びる方向（即ちＸ方向）、又は例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向或いは複数のデータ線の各々が延びる方向（即ちＹ方向）を意味する。データ線側ソースドレイン領域はデータ線と互いに電気的に接続され、画素電極側ソースドレイン領域は画素電極と互いに電気的に接続される。
【００１１】
トランジスタは、走査線より上層側に配置され、第１絶縁膜により層間絶縁される。走査線は、基板上で平面的に見て半導体膜に重なるように配置されることにより、半導体膜に対して下層側から進行してくる光を遮光することが可能となる。
【００１２】
第１及び第２絶縁膜には、ゲート電極及び導電性の遮光部並びに走査線を電気的に接続するコンタクトホールが開孔される。コンタクトホールの一部は、第１部分として第２絶縁膜に開孔され、コンタクトホールの他部には第１及び第２絶縁膜に開孔される第２部分が含まれる。第１部分は、半導体膜のチャネル領域上においてゲート電極と重なるように開孔される。遮光部は、ゲート電極と、第１部分を介して電気的に接続される。第２部分は、第１部分から、表示領域における一の方向に交わる他の方向に沿って延在する。遮光部は、半導体膜の脇において走査線と第２部分を介して電気的に接続される。導電性の遮光部は、典型的には、半導体膜よりも下層側の走査線を第１の走査線とし、これに対して第２部分を介して電気的に接続されると共に一の方向に沿って延在する第２の走査線の一部として形成される。このように構成すれば、遮光部を、ゲート電極及び走査線の各々に対して、共通のコンタクトホールを介して電気的に接続することができる。即ち、このコンタクトホールは、好ましくは同一機会或いは連続の機会（即ち成膜工程を間に挟むことのなく相前後する機会）に開孔された第１及び第２部分から構成される。よって、遮光部を、ゲート電極及び走査線の各々と、別個のコンタクトホールを介して電気的に接続する構成と比較して、製造プロセスをより簡略化させることができる。
【００１３】
また本発明では、電気光学装置には画素電極及び導電層を一対の容量電極として、間に容量絶縁膜が挟持された保持容量が形成されている。例えば、画素電極の下層側に形成された導電層に固定電位を電源線等から供給することにより、画像信号が供給される画素電極に接続された保持容量を形成することができる。これにより、例えば画像信号が印加される配線の配線容量、或いは他の配線との重なり合いにより生じる容量に対し、保持容量が加わることにより、本来の画像信号が保有すべき電位に変動が生じてしまうこと、即ち、画素電極に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンが生じることを抑制することができる。この結果、画素電極に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンに起因した例えばデータ線に沿った表示ムラが発生することを低減或いは防止できる。特に発明では、画像表示領域に配置された画素電極を一対の容量電極の片側として利用することによって、基板上の積層構造を複雑化を少なく抑えつつ、効率的なレイアウトで保持容量を形成することができる。
【００１４】
更に本発明では、ゲート電極上に形成した導電性の遮光膜を、コンタクトホールを介して、ＴＦＴの下層側に形成されている走査線に電気的に接続している。即ち、本発明において走査線及び遮光膜は電気的に見れば、一体としてゲート電極に走査信号を供給する役割を有している。つまり、実質的に走査線を二重に形成していることと等価である。その結果、実質的に走査線の断面積が大きくなるので、走査線が一層に設けられている場合に比べて、走査線の電気抵抗値は減少する。このように走査線の電気抵抗値が小さいと、仮に複雑な波形を有する走査信号を供給したとしても、伝達の途中でノイズが混入することで走査信号の波形が乱れてしまうことを防止することができる。また、走査信号を伝達する速度を向上させることもできる。従って、複雑で高速なＴＦＴの駆動制御が可能になるので、より高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１５】
以上説明したような本発明の電気光学装置においては、トランジスタにおける光リーク電流をより確実に低減することができ、トランジスタの誤動作やフリッカ等の表示不良を防止して、電気光学装置における表示品位を向上させることが可能となる。また、実質的に走査線を二重に形成することによって、走査信号を供給するラインの電気抵抗値を小さくし、複雑な走査信号に対応可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記遮光部は、遮光性を有する導電材料により形成されており、前記走査線を第１の走査線とし、該第１の走査線に対して前記他の方向に沿って並走する前記第１の走査線に対して冗長的な第２の走査線として形成される。
【００１７】
この態様では、第１及び第２の走査線が表示領域において他の方向に沿って二重配線されるため、走査線の電気的な抵抗を全体的に低くすることが可能となる。また、第１及び第２の走査線の一方に断線等の不具合が生じても、他方を冗長的に機能させることができるため、電気光学装置の信頼性を向上させることができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画素電極及び前記下部容量電極は共に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含んでなる。
【００１９】
この態様によれば、画素電極及び下部容量電極は共にＩＴＯから形成されている。ＩＴＯは、透明な導電性材料であるので、画素毎に配置された画素電極や、画素電極の下層側に形成される下部容量電極に用いることによって、電気光学装置の透過率を低下させることなく、良好な信号伝達を実現することができる。そのため、ＩＴＯを第１導電性材料として用いることで、透過率が高く、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００２０】
尚、ＩＴＯはアルミニウム等の金属材料に比べて比較的大きい抵抗値を有しているため、本態様においてＩＴＯによって形成される導電層は、高速動作が要求されない素子等として形成されることが好ましい。例えば、上述したように、固定電位が印加される容量電極やシールド層をＩＴＯから形成するとよい。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記半導体膜は、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域、並びに前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域を更に備え、前記遮光部は、前記基板上で平面的に見て、前記チャネル領域及び前記第２の接合領域に少なくとも部分的に重なるように形成されている。
【００２２】
この態様によれば、更に、薄膜トランジスタは、半導体膜のチャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との間には第１の接合領域が形成され、半導体膜のチャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との間には第２の接合領域が形成される。第１及び第２の接合領域は、例えば、薄膜トランジスタがＬＤＤ構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体膜にソースドレイン領域よりも少量の不純物を打ち込んでなる領域）を意味する。
【００２３】
本態様では特に、遮光部は、基板上で平面的に見て、薄膜トランジスタに対して、ゲート電極及び半導体膜の第２の接合領域の一例である画素電極側ＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように配置される。本願発明者の研究によると、薄膜トランジスタを構成する半導体膜に光が照射されると光リーク電流が発生し、表示画像にフリッカ等が生じる原因となることが判明している。特に、半導体膜のうち画素電極側ＬＤＤ領域に光が照射されると光リーク電流が非常に発生しやすいことが判明している。そこで、本態様では、第２の接合領域に対して遮光部で覆うことにより、遮光性を強化して、光リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。
【００２４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光部は、アルミニウムを含んでなる。
【００２５】
この態様によれば、優れた電気伝導性を有する（即ち、電気抵抗値の小さい）アルミニウムを含んで、遮光部を形成することにより、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。例えば、ＴＦＴの駆動制御に必要な走査信号が複雑な波形をしていたとしても、アルミニウムで作られた電気抵抗値の小さい配線を、配線部及び第１導電層に用いることによって、走査信号を確実に、且つ、正確にゲート電極に伝達することができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記ドレイン領域及び前記画素電極間を電気的に接続する中継層を更に備え、前記データ線及び前記中継層は、同一膜で形成されている。
【００２７】
この態様では、画素電極及び半導体層のドレイン領域間は、中継層を介して電気的に接続されている。仮に、画素電極及びドレイン領域間を直接電気的に接続しようとすると、両者間に形成されている層間絶縁膜に深いコンタクトホールを空け、当該コンタクトホールを埋めるように導電層を形成する必要がある。このようにコンタクトホールの深さを深くすると、コンタクトホール内に導電層を埋めるように形成する際に、内部に欠陥等が生じやすく、導電層の導電性が低下してしまう。そのため、導電層に印加される信号電圧にノイズ等が混入しやすくなり、信号電圧の波形が変化してしまう。そこで、本態様では、中継層を介して、画素電極及びドレイン領域を接続することにより、比較的深さの浅い２つのコンタクトホールを形成することができる。欠陥等が少なく良好な導電性を有するコンタクトホールを介して、画素電極及びドレイン領域間を接続できる。その結果、画素電極に印加される画像表示信号にノイズ等が混入しにくく、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００２８】
また本態様では、更に、データ線及び中継層は同一膜で形成されている。ここで、「同一膜」とは、電気光学装置の製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。即ち、データ線は、製造工程において中継層と同一機会に成膜される膜である。尚、本発明に係る「同一膜からなる」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。即ち、データ線と中継層とは、同一機会に形成されているが、互いに分断されていてもよい。更に、データ線及び中継層は必ずしも層状の構造を有している必要はなく、例えば、データ線が半導体層のソース領域に接続するためのコンタクトホールと一体的に三次元的な構造を有していてもよい。これにより、製造工程における特定のプロセスでデータ線及び中継層を形成することができるので、製造コストの削減を図ると共に、基板上の積層構造におけるレイアウトの簡素化又は効率化を図ることができる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記走査線は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体層よりも広く形成されている。
【００３０】
この態様によれば、半導体膜の下層側に形成されている走査線は、例えば遮光性材料によって形成されることにより、下側遮光膜としての機能を有する。つまり、基板の下方側から半導体膜に向かって入射しようとする光によって、半導体膜において光リーク電流が発生することを防ぎ、ＴＦＴの誤動作によって、表示画像にフリッカ等が発生することを防止することができる。具体的には、第１ゲート電極は、導電性及び遮光性を有する非透明の金属等、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料から形成するとよい。
【００３１】
特に本態様では、第１ゲート電極を半導体膜よりも広く形成することによって、基板の下方からの光だけでなく、斜め下方から侵入しようとする光をも遮光することができる。これにより、より効果的に半導体膜に光リーク電流が発生することを防ぐことができ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て前記薄膜トランジスタのうち少なくとも前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域を包囲する額縁の形状を有する。
【００３３】
この態様によれば、外部からの侵入光に対して光リーク電流が発生しやすいチャネル領域及び画素電極側ソースドレイン領域を少なくとも囲うようにコンタクトホールを設けるように、当該コンタクトホールを、遮光性を有する導電性材料で埋めることで、基板の外側から半導体層の当該部分に対して斜めに侵入しようとする光を効果的に遮光することができる。その結果、光リーク電流の発生をより効果的に行うことが可能となり、電気光学装置の高品位化に、より一層貢献することができる。
【００３４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００３６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下図面を参照しながら、本発明の電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００３８】
＜液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３９】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、ＳＯＳ基板等の透明基板である。対向基板２０も好ましくはＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。尚、本発明に係る「表示領域」の一例が、画像表示領域１０ａに相当する。
【００４０】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００４１】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４２】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４３】
対向基板２０の４つのコーナー部に対して、両基板間において上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４４】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜（図２中、図示省略）が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中、遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上（図２中、対向電極２１より下側）には配向膜が形成されている（図２中、図示省略）。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４５】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４６】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４７】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４８】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４９】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５０】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００５１】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、相隣接する複数の画素部の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する各図についても同様である。図４及び図５では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【００５２】
図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。尚、図４中には、任意の一画素に着目して、かかる画素における画素電極９ａの構成を概略的に図示してある。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿って、データ線６ａ及び走査線１１が設けられている。即ち、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。尚、走査線１１は、下側遮光膜を兼ねる第１の走査線１１ａと、第１の走査線１１ａの上層側に形成された第２の走査線１１ｂとを含み、Ｘ方向に沿って二重に配線されている。また、走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。このように、第１の走査線１１ａ及び第２の走査線１１ｂが二重配線されているため、走査線１１の電気的な抵抗を、一層で形成された走査線に比べて、全体的に低くすることができる。更に、後述するように、走査線１１を伝導性に優れたアルミニウムを含むように形成することによって、より一層電気抵抗値を小さく抑えることができる。その結果、走査信号の波形を乱すことなく、且つ、高速に伝達することができる。従って、複雑で高速なＴＦＴの駆動制御が可能になるので、より高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。また、このように走査線を二重に形成することにより、第１の走査線１１ａ及び第２の走査線１１ｂの一方に断線等の不具合が生じても、他方を冗長的に機能させることができるため、液晶装置の信頼性を向上させることができる。
【００５３】
本実施形態では特に、走査線１１、データ線６ａ及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線１１、データ線６ａ及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。
【００５４】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、例えばＷＳｉ等の高融点金属もしくはその合金等により、例えば２００ｎｍの膜厚で第１の走査線１１ａが設けられている。第１の走査線１１ａは、図４に示すようにＸ方向に沿って延びる部分と共に、該部分からＴＦＴ３０の半導体層と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。
【００５５】
第１の走査線１１ａは、図４に示すように、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対向する領域を含むように、好ましくは形成される。よって、第１の走査線１１ａによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を殆ど或いは完全に遮光できる。即ち、第１の走査線１１ａは、走査信号を供給する配線として機能すると共に戻り光に対するＴＦＴ３０の下側遮光膜として機能することが可能である。
【００５６】
図５に示すように、第１の走査線１１ａ及び第２層のＴＦＴ３０間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁膜１２は、本発明に係る「第１絶縁膜」の一例である。下地絶縁膜１２は、第１の走査線１１ａからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００５７】
下地絶縁膜１２上には、半導体膜１ａ及びゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられており、更に上層側には第２の走査線１１ｂが設けられている。
【００５８】
まず、ＴＦＴ３０の構成について説明する。図４又は図５に示すように、半導体膜１ａは、例えば膜厚が５５ｎｍのポリシリコンから形成され、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、本発明に係る「第１の接合領域」の一例であり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、本発明に係る「第２の接合領域」の一例である。
【００５９】
データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体膜１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに流れるオフ電流を低減できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６０】
ゲート電極３ａは、半導体膜１ａより上層側に平面的に見てチャネル領域１ａ’に重なるように配置され、半導体膜１ａとゲート絶縁膜２によって絶縁されている。ゲート電極３ａは、例えば膜厚が５０ｎｍとして形成される。
【００６１】
ゲート電極３ａ上には、本発明に係る「遮光部」の一例である第２の走査線１１ｂが設けられている。第２の走査線１１ｂは、優れた導電性を有する遮光性の金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）を夫々膜厚が６０ｎｍとして積層することにより形成される。第２の走査線１１ｂは、図４に示すように、平面的に見てチャネル領域１ａ’上にゲート電極３ａと重なってＹ方向に沿って延在する部分と、該部分から第１の走査線１１ａに並走してＸ方向に延在する部分とを有している。第２の走査線１１ｂにおいて、平面的に見て、Ｙ方向に沿って延在する部分は、ゲート電極３ａ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃと少なくとも部分的に重なるように形成される。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０の上側から入射する光に対して、半導体層３０ａのうち光リーク電流が発生しやすい画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを効果的に遮光することができる。
【００６２】
図５において、層間絶縁膜４１は、下層側の絶縁膜４１ａと、上層側の絶縁膜４１ｂとから構成される。層間絶縁膜４１のうち、下層側の絶縁膜４１ａは、本発明に係る「第２絶縁膜」の一例に相当し、膜厚が例えば３００ｎｍ程度として形成される。図５において、コンタクトホール８０１は、平面的に見てゲート電極３ａに重なり、下層側の絶縁膜４１ａに開孔される第１部分８０１ａと、該第１部分８０１ａから図４に示すＸ方向に沿って半導体膜１ａの脇に延設され、下層側の絶縁膜４１ａを貫通して下地絶縁膜１２にまで開孔される第２部分８０１ｂとを有する。
【００６３】
図４又は図５に示すように、第２の走査線１１ｂにおいて、ゲート電極３ａと少なくとも部分的に重なる一部が第３接続部分１１１ａとして第１部分８０１ａ内にまで連続的に形成され、ゲート電極３ａに電気的に接続されている。また、第２の走査線１１ｂにおいて、第３接続部分１１１ａから連続的に第４接続部分１１１ｂが第２部分８０１ｂ内にまで連続的に形成され、第２部分８０１ｂ内で第１の走査線１１ａと電気的に接続される。また、層間絶縁膜４１のうち、上層側の絶縁膜４１ｂは、膜厚が例えば３００ｎｍ程度として形成される。尚、下層側及び上層側の絶縁膜４１ａ及び４１ｂには、画素電極側ソースドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するための中継層を形成するためのコンタクトホール８３が開孔されると共に、データ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８１が開孔されている。
【００６４】
層間絶縁膜４１より上層側には、画素電極９ａ、及び誘電体膜７５を介して画素電極９ａに対向する下部容量電極７１を有する蓄積容量７０が形成される。ここで、画素電極９ａ及び下部容量電極７１は共に、ＩＴＯから形成されている。ＩＴＯは、透明な導電性材料であるので、画像表示領域１０ａに配置される画素電極９ａや下部容量電極７１に用いたとしても、液晶装置の透過率を低下させることはない。但し、ＩＴＯはアルミニウム等の金属材料に比べて比較的大きい抵抗値を有しているため、本態様のように、高速動作が要求されない下部容量電極７１等に用いられることが好ましい。
【００６５】
誘電体膜７５は、例えばＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜、プラズマＣＶＤ等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００６６】
図５において、画素電極９ａは、層間絶縁膜４２を貫通して形成されたコンタクトホール８４を介して、下層側にある中継層７に電気的に接続されている。コンタクトホール８４は層間絶縁膜４２を貫通して、中継層７の表面に達するように開孔され、コンタクトホール８１は、層間絶縁膜４２及び４１、更にはゲート絶縁膜２を貫通して開孔され、半導体膜１ａの表面に達している。
【００６７】
図５において、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、半導体膜１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄと電気的に接続されている。また、中継層９３は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。尚、例えばデータ線６ａ及び中継層９３は夫々、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚が３５０ｎｍのＡｌ膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜を積層してなる４層構造を有する。
【００６８】
ここに、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体膜１ａに部分的に重なる領域において、Ｙ方向に沿ってデータ線６ａが配線されている。よって、半導体膜１ａにおける、これらの各領域に対して上層側から進行する光を、データ線６ａによって遮光することが可能となる。従って、上方からの侵入光に対して、半導体層３０ａの遮光性を向上させることができる。
【００６９】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７０】
次に、本実施形態において特徴的なＴＦＴ３０の半導体膜１ａに対する遮光構造について、図６から図８を参照してより詳細に説明する。ここに図６は、画素部の積層構造における第１層から第３層までに着目して、その配置関係を示す平面図である。図７は、図６におけるＢ０−Ｂ０’線の断面部分の構成を示す断面図であり、図８は、図６におけるＢ１−Ｂ１’線の断面部分の構成を示す断面図である。
【００７１】
図５を参照して説明したように、層間絶縁膜４１のうち下層側の絶縁膜４１ａ及び下地絶縁膜１２には、第１部分８０１ａ及び第２部分８０１ｂを有するコンタクトホール８０１が開孔されている。図５及び図６に示すように、コンタクトホール８０１の第１部分８０１ａは、平面的に見て、ゲート電極３ａに重なる。
【００７２】
図６において、コンタクトホール８０１の第２部分８０１ｂは、平面的に見て、第１部分８０１ａからＸ方向に沿って半導体膜１ａの脇に延設され、更には第１部分領域１１０ｄに対して半導体膜１ａに沿って延在している。第２部分８０１ｂにおいて、第１部分領域１１０ｄに対して半導体膜１ａに沿って延在する部分が、第１延在部分８１１として形成されている。第１部分領域１１０ｄには、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、更には画素電極側ソースドレイン領域１ｅの第１接続部分１ｅｃが含まれる。
【００７３】
尚、コンタクトホール８０１の第２部分８０１ｂは第１部分領域１１０ｄの全てに沿って設けられなくとも良く、少なくとも画素電極側ＬＤＤ領域1ｃに沿って設けるか、もしくは前記画素電極側ＬＤＤ領域1ｃ、画素電極側ソースドレイン領域１ｅの第１接続部分１ｅｃの一部に沿った箇所に設けて、第１延在部分８１１をＹ方向に沿って短くしてもよい。また、コンタクトホール８０１の第２部分８０１ｂにおいて、第１延在部分８１１は、半導体膜１ａの両脇のうち一方から他方へ、半導体膜１ａの周囲に部分的且つ連続的に形成することで、半導体膜１ａの第１部分領域１１０ｄに対して、その両脇の一方から他方へ連続的に第１延在部分８１１が当該領域を囲うように形成してもよい。
【００７４】
図６及び図７において、第２の走査線１１ｂにおいて、第３接続部分１１１ａが第１部分８０１ａ内にまで連続的に形成され、ゲート電極３ａと電気的に接続されている。また、第２の走査線１１ｂにおいて、第４接続部分１１１ｂは、図６から図８に示すように、第３接続部分１１１ａと連続的に、第２部分８０１ｂの第１延在部分８１１内にまで連続的に形成され、第１の走査線１１ａと電気的に接続される。従って、第２部分８０１ｂでは、半導体膜１ａの両脇において、チャネル領域１ａ’の少なくとも一部から、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅの第１接続部分１ｅｃを含む領域において、半導体膜１ａの側面に向かって進行してくる光を少なくとも部分的に遮光することができる。
【００７５】
よって、図７において、半導体膜１ａの両脇において、同図中、例えば矢印Ｐ２で示される方向から、チャネル領域１ａ’の側面に向かって進行してくる光を、第２部分８０１ｂにおいて少なくとも部分的に遮光することが可能となる。更に、図８において、半導体膜１ａの両脇において、例えば矢印Ｐ２で示される方向に沿い、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの側面に向かって進行してくる光を、第１延在部分８１１において少なくとも部分的に遮光することが可能となる。
【００７６】
また、図６から図８において、第１の走査線１ａは、既に説明したように、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対して、図７から図８中に示すように、例えば矢印Ｐ１で示される方向に沿って、下層側から進行してくる光を遮光することができる。
【００７７】
更に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、チャネル領域１ａ´及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに重なるように第２の走査線１１ｂが形成されているので、図７及び図８においてＰ０で示すように、上方から侵入しようとする光を遮光することも可能である。
【００７８】
従って、本実施形態では、図７において、半導体膜１ａのチャネル領域１ａ’に対して、下層側、上層側及び側面側から進行してくる光を低減できる。また、図８において、データ線側ＬＤＤ領域１ｂよりも相対的に光リーク電流の生じ易い傾向にある画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに向かって、下層側、上層側及び側面側から進行してくる光を低減できる。特に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅを第１接続部分１ｅｃの周囲まで、第１延在部分８１１によって囲うようにすることで、第１接続部分１ｅｃの側から、その側面に向かって進行してくる光を低減して、かかる光が画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに照射されるのをより確実に防止することができる。尚、第１延在部分８１１は、第１接続部分１ｅｃの周囲の全部又は一部を囲うように形成されてもよいし、第１接続部分１ｅｃの側面に向かって進行してくる光を低減するために必要な部分だけに留めるように形成されてもよい。言い換えれば、第１延在部分８１１は、少なくとも第１接続部分１ｅｃの側面の全部又は一部に沿うように形成された部分を有していればよく、半導体膜１ａの両脇のうち一方から他方へ、第１接続部分１ｅｃを囲うように部分的且つ連続的に形成されていないように構成してもよい。
【００７９】
よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性をより向上させることができ、ＴＦＴ３０における光リーク電流をより確実に低減することが可能となる。これにより、トランジスタの誤動作やフリッカ等の表示不良を防止して、液晶装置における表示品位を向上させることが可能となる。
【００８０】
更に、本実施形態では、第２の走査線１１ｂにおいて、第３接続部分１１１ａ及び第４接続部分１１１ｂを、ゲート電極３ａ及び第１の走査線１１ａの各々に対して、共通のコンタクトホール８０１を介して電気的に接続することができる。よって、第３接続部分１１１ａ及び第４接続部分１１１ｂを夫々、ゲート電極３ａ及び第１の走査線１１ａの各々と、別個のコンタクトホールを介して電気的に接続する構成と比較して、製造プロセスをより簡略化させることができる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【００８１】
図９に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００８２】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００８３】
尚、図９を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８４】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）等にも適用可能である。
【００８５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の概略的な平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線断面図である。
【図６】画素部の積層構造における第１層から第３層までに着目して、その配置関係を示す平面図である。
【図７】図６におけるＢ０−Ｂ０’線の断面部分の構成を示す断面図である。
【図８】図６におけるＢ１−Ｂ１’線の断面部分の構成を示す断面図である。
【図９】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１ａ…半導体膜、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、１ｅｃ…第１接続部分、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…第１の走査線、１１ｂ…第２の走査線、１２…下地絶縁膜、１１０ｄ…第１部分領域、４１ａ…層間絶縁膜４１の下層側の絶縁膜、８０１…コンタクトホール、８０１ａ…第１部分、８０１ｂ…第２部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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