(57)【要約】【課題】小型化・低背化が容易で、製造コスト低減が可能な音響的トランスデューサユニットを提供する。【解決手段】（ａ）凹部３４を有する第１部材３０と、（ｂ）一対の主面を有する平板状の第２部材２０と、（ｃ）第１部材３０に結合され凹部３４を第２部材２０が覆うように形成されたハウジングと、（ｄ）ハウジングの内部空間３８に収納される音響的トランスデューサであるマイク素子２と、（ｅ）内部空間３８とハウジングの外部空間とを連通する音響経路１６とを備える。第１部材３０は、インサートモールド法により、樹脂の本体３２に、導電性を有する電磁シールド部材４０と、マイク素子２と外部回路とを電気的に接続する端子部材５０とが埋め込まれている。第２部材２０は、電磁シールド層２６が電磁シールド部材４０と電気的に接続される。【選択図】図２
2010068446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する第１部材と、
一対の主面を有する板状の第２部材と、
前記第１部材に結合され前記凹部を前記第２部材が覆うように形成されたハウジングと、
前記ハウジングの内部空間に収納される音響的トランスデューサと、
前記内部空間と前記ハウジングの外部空間を連通する音響経路と、
を備え、
前記第１部材は、
前記凹部を形成する本体と、
前記本体の内部に配置され導電性を有する電磁シールド部材と、
前記本体の前記内部空間に延在し前記音響的トランスデューサと電気的に接続される内部端子部と、前記内部空間の前記外部空間に延在する外部端子部と、前記内部端子部と前記外部端子部とを接続する接続部とを含む端子部材と、
を有し、
前記第２部材は導電性を有し、前記電磁シールド部材と電気的に接続されることを特徴とする、音響的トランスデューサユニット。
【請求項２】
前記内部端子部は前記凹部の底面に沿って延在し、
前記音響的トランスデューサは、前記音響的トランスデューサの接続端子が前記内部端子部に対向するように、フェースダウンで配置されることを特徴とする、請求項１に記載の音響的トランスデューサユニット。
【請求項３】
前記第２部材は、
前記第２部材の前記一対の主面のうち前記第１部材から遠い側の一方主面に、前記外部空間に連通する第１の開口が形成され、
前記第２部材の前記一対の主面のうち前記第１部材に近い側の他方主面に、前記内部空間に連通する第２の開口が形成され、
前記第２部材の内部に、前記第１の開口と前記第２の開口との間を連通する音響経路が形成され、
前記第１の開口と前記第２の開口とは、前記第２部材の前記一対の主面の法線方向から透視すると互いに離れていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の音響的トランスデューサユニット。
【請求項４】
前記第１部材は、
前記第１部材の前記第２部材との結合面以外の外面に、前記外部空間に連通する第１の開口が形成され、
前記第１部材の前記第２部材との結合面に第２の開口が形成され、
前記第１部材の内部に、前記第１の開口と前記第２の開口との間を連通する第１の音響経路が形成され、
前記第２部材は、
前記第２部材の前記第１部材との結合面に、前記第２の開口に対向して第３の開口が形成され、
前記第２部材の前記一対の主面のうち前記第１部材に近い側の主面に、前記内部空間に連通する第４の開口が形成され、
前記第２部材の内部に、前記第３の開口と前記第４の開口との間を連通する第２の音響経路が形成されたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の音響的トランスデューサユニット。
【請求項５】
前記内部端子部は前記凹部の底面から突出し、前記内部端子部の部分は弾性を有し、該部分は前記第２部材側に弾性的に付勢され、前記音響的トランスデューサを該部分と前記第２部材とで圧接して支持することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
【請求項６】
複数の貫通孔が形成されたメッシュ領域を有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
【請求項７】
前記メッシュ領域は前記音響経路を横断するように配置され、前記メッシュ領域はメッシュ部材を備えたことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
【請求項８】
前記メッシュ領域は前記音響経路によって形成されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の音響的トランスデューサユニット。
【請求項９】
前記本体が、樹脂によって形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の音響的トラスデューサユニット。
【請求項１０】
前記端子部材が、金属によって形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の音響的トラスデューサユニット。
【請求項１１】
前記電磁シールド部材が、金属によって形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の音響的トラスデューサユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響的トランスデューサユニットに関し、詳しくは、マイクやスピーカーなどの音響的トランスデューサ素子がハウジングに収納された音響的トランスデューサユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば図１７の断面図に示すように、基板１１４上にマイク等の素子１１２を搭載し、基板１１４上に結合した蓋部材１２０で素子１１２を覆う音響的トランスデューサユニット１１０の構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】米国特許第６７８１２３１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このように基板上に素子を配置し、蓋部材で覆う構成をもとに、素子の周囲に電磁シールドを形成する場合、例えば図１６の断面図に示す比較例の構成が考えられる。すなわち、内部に電磁シール用の導電層３０ｙを有する多層基板３０ｘにマイク素子２を搭載し、ワイヤー３でボンディングする。そして、メッキ等で電磁シール用の導電層２０ｙが形成された蓋部材２０ｘを多層基板３０ｘに結合し、蓋部材２０ｘでマイク素子２を覆う。多層基板３０ｘの内部には、ハウジングの外部とマイク素子２との間を連通する音響経路８０を形成する。
【０００４】
しかし、図１６のように構成すると、以下の問題点がある。
【０００５】
第１に、素子がフェースアップ構造で搭載されるため、ワイヤー配線スペースが必要であり、小型・低背化できない。また、不要な容積が大きいため、音響的な最適設計ができない。
【０００６】
第２に、電磁シールド機能を多層基板と蓋部材とに持たせているため、多層基板の構造が複雑になり、また、蓋部材に導電性を持たせるためのメッキ等の処理が必要になるなど、コストアップ要因がある。
【０００７】
第３に、音響経路を多層基板に形成しているため、多層基板の製造方法が複雑で難易度が高く、基板のコストアップ要因になっている。また、基板の製造過程で音響経路に接着剤がはみ出したり、音響経路が変形したりすると、性能のばらつきの要因になるため、製造に手間がかかり、コストアップの要因となる。
【０００８】
本発明は、かかる実情に鑑み、小型化・低背化が容易で、製造コスト低減が可能な音響的トランスデューサユニットを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した音響的トランスデューサユニットを提供する。
【００１０】
音響的トランスデューサユニットは、（ａ）凹部を有する第１部材と、（ｂ）一対の主面を有する板状の第２部材と、（ｃ）前記第１部材に結合され前記凹部を前記第２部材が覆うように形成されたハウジングと、（ｄ）前記ハウジングの部空間に収納される音響的トランスデューサと、（ｅ）前記内部空間と前記ハウジングの外部空間を連通する音響経路とを備える。前記第１部材は、（ｉ）前記凹部を形成する本体と、（ii）前記本体の内部に配置され導電性を有する電磁シールド部材と、（iii）前記本体の前記内部空間に延在し前記音響的トランスデューサと電気的に接続される内部端子部と、前記内部空間の前記外部空間に延在する外部端子部と、前記内部端子部と前記外部端子部とを接続する接続部とを含む端子部材とを有する。前記第２部材は導電性を有し、前記電磁シールド部材と電気的に接続される。
【００１１】
上記構成によれば、音響的トランスデューサが収納される内部空間をできるだけ小さくして、容易に音響的トランスデューサユニットを小型化・低背化することができる。また、本体に電磁シールド部材と端子部材とが埋め込まれた第１部材は、例えばインサートモールド法で作製することにより、複雑な構造の多層基板を用いる場合よりも製造コストを低減することができる。
【００１２】
好ましくは、前記内部端子部は前記凹部の底面に沿って延在する。前記音響的トランスデューサは、前記音響的トランスデューサの接続端子が前記内部端子部に対向するように、フェースダウンで配置される。
【００１３】
上記構成によれば、第１部材の端子部材の内部端子部が第１部材の凹部の側面に沿って延在する場合と比べ、音響的トランスデューサを容易に配置することができ、また、第１部材の端子部材の内部端子部との電気的接続の信頼性が高い。
【００１４】
好ましい一態様において、前記第２部材は、（ａ）前記第２部材の前記一対の主面のうち前記第１部材から遠い側の一方主面に、前記外部空間に連通する第１の開口が形成され、（ｂ）前記第２部材の前記一対の主面のうち前記第１部材に近い側の他方主面に、前記内部空間に連通する第２の開口が形成され、（ｃ）前記第２部材の内部に、前記第１の開口と前記第２の開口との間を連通する音響経路が形成され、（ｄ）前記第１の開口と前記第２の開口とは、前記第２部材の前記一対の主面の法線方向から透視すると互いに離れている。
【００１５】
この場合、第２部材の第１部材から遠い方の主面に、すなわち音響的トランスデューサユニットの上面に、外部に連通する音響経路の開口を形成することができる。第１の開口と第２の開口との間を連通する音響経路は、折れ曲がるため、外部から内部空間への異物混入を防ぐことができる。
【００１６】
好ましい他の態様において、前記第１部材は、（ａ）前記第１部材の前記第２部材との結合面以外の外面に、前記外部空間に連通する第１の開口が形成され、（ｂ）前記第１部材の前記第２部材との結合面に第２の開口が形成され、（ｃ）前記第１部材の内部に、前記第１の開口と前記第２の開口との間を連通する第１の音響経路が形成される。前記第２部材は、（ｉ）前記第２部材の前記第１部材との結合面に、前記第２の開口に対向して第３の開口が形成され、（ii）前記第２部材の前記一対の主面のうち前記第１部材に近い側の主面に、前記内部空間に連通する第４の開口が形成され、（iii）前記第２部材の内部に、前記第３の開口と前記第４の開口との間を連通する第２の音響経路が形成される。
【００１７】
この場合、第１部材の第２部材と接する面以外の面に、すなわち音響的トランスデューサユニットの側面又は底面に、外部に連通する音響経路の開口を形成することができる。第１及び第２の音響経路は全体として折れ曲がるため、外部から内部空間への異物混入を防ぐことができる。
【００１８】
好ましくは、前記内部端子部は前記凹部の底面から突出し、前記内部端子部の部分は弾性を有し、該部分は前記第２部材側に弾性的に付勢され、前記音響的トランスデューサを該部分と第２部材とで圧接して支持する。
【００１９】
この場合、音響的トランスデューサの高さ、第１部材の凹部の深さ、第１部材の端子部材の内部端子部側の突出高さなどの部品寸法に多少のばらつきがあっても吸収することができる。また、音響的トランスデューサが付勢され第２部材に沿って圧接することで密閉性が向上し、音漏れによる感度特性劣化をなくすことができる。
【００２０】
好ましくは、複数の貫通孔が形成されたメッシュ領域を有する。
【００２１】
この場合、メッシュ領域により、外部空間から内部空間に異物が混入ことを防ぐことができ、音響的トランスデューサが異物の悪影響を受けないようにすることができる。
【００２２】
好ましくは、前記メッシュ領域は前記音響経路を横断するように配置され、前記メッシュ領域はメッシュ部材を備える。
【００２３】
この場合、音響経路を経て内部空間に異物が混入することを防ぐことができる。
【００２４】
好ましくは、前記メッシュ領域は前記音響経路によって形成される。
【００２５】
この場合、音響経路自身でメッシュ領域が形成され、音響経路を経て内部空間に異物が混入することを防ぐことができる。
【００２６】
好ましくは、前記本体が、樹脂によって形成される。
【００２７】
この場合、インサートモールド法により第１部材を一体に成形することができる。
【００２８】
好ましくは、前記端子部材が、金属によって形成される。
【００２９】
この場合、インサートモールド法により第１部材を一体に成形することができる。
【００３０】
好ましくは、前記電磁シールド部材が、金属によって形成される。
【００３１】
この場合、インサートモールド法により第１部材を一体に成形することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の音響的トランスデューサユニットは、小型化・低背化が容易であり、製造コスト低減が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図１５を参照しながら説明する。
【００３４】
＜実施例＞  実施例の音響的トランスデューサユニット１０について、図１〜図１４を参照しながら説明する。
【００３５】
図１は、音響的トランスデューサユニット１０の外観を示す斜視図である。図２は、音響的トランスデューサユニット１０の断面図である。図３は、音響的トランスデューサユニット１０の分解斜視図である。図４は、音響的トランスデューサユニット１０の分解断面図である。
【００３６】
図１〜図４に示すように、音響的トランスデューサユニット１０は、大略、第１部材３０と第２部材２０とにより構成されるハウジング内に、音響的トランスデューサであるマイク素子２が収納されている。マイク素子２は、例えばセンサ部と周辺回路とを含むモジュール部品である。マイク素子２の代わりに、スピーカー素子などの他の音響的トランスデューサ素子を収納してもよい。
【００３７】
第１部材３０は凹部３４を有する。第２部材２０は、第１部材３０の凹部３４を覆うように、第１部材３０に結合される。マイク素子２は、第１部材３０の凹部３４と第２部材２０とにより形成された内部空間３８に収納され、第１部材３０の凹部３４の底面３５に搭載される。
【００３８】
第１部材３０は、例えばインサートモールド法により、樹脂の本体３２と、金属の電磁シールド部材４０及び端子部材５０とが一体に成形されている。すなわち、図３（ｃ）及び図４（ｃ）に示すように、第１部材３０は、凹部３４が形成された樹脂の本体３２の内部に、導電性を有する電磁シールド部材４０が配置されている。また、端子部材５０が本体３２を貫通して内部空間３８とハウジングの外側の外部空間との間に延在する。
【００３９】
電磁シールド部材４０は、略矩形の底面部４４と、底面部４４の各辺４３に沿って直角に折り曲げられた側面部４２とを有する。電磁シールド部材４０には、端子部材５０と干渉しないように、開口４６が形成されている。
【００４０】
端子部材５０は、ハウジングの内側の内部空間３８に延在する内部端子部５２と、ハウジングの外側の外部空間に延在する外部端子部５６と、内部端子部５２と外部端子部５６とを接続する接続部５４とを有する。
【００４１】
図２に示すように、内部端子部５２は、マイク素子２の接続端子６と接続される。接続方法としては、Ａｕバンプ、半田バンプ、導電ペースト、ナノペーストなどを用いることができる。
【００４２】
外部端子部５６は、音響的トランスデューサユニット１０が不図示の外部回路に実装される際に、不図示の外部回路に電気的に接続される。
【００４３】
端子部材５０は、可塑性を有するシート材を曲げて形成されており、本体３２の凹部３４の底面３５から突出している部分が弾性を有する。
【００４４】
好ましくは、マイク素子２の高さ、凹部３４の深さ、端子部材５０の内部端子部５２側の突出高さなどの部品寸法のばらつきがあっても、マイク素子２の接続端子６が端子部材５０の内部端子部５２に接続されたときにマイク素子２の上面２ａが第１部材３０の本体３２の上面３３よりも突出するように構成する。
【００４５】
このように構成すると、図２に示すように、第１部材３０の本体３２の上面３３に第１部材２０が結合されたときに、本体３２の凹部３４の底面３５から突出している端子部材５０の内部端子部５２側の部分の弾性変形によって、マイク素子２が第１部材２０側に弾力的に付勢され、マイク素子２の上面２ａが第１部材２０の下面２１に沿って圧接する。これによって、密閉性が向上し、音漏れによる感度特性劣化をなくすことができる。
また、部品寸法のばらつきを吸収することができる。
【００４６】
第２部材２０は、図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、上から順に、第１シート層２２、第２シート層２４、電磁シールド層２６が積層されている。第１シート層２２には、貫通孔２２ａと有底溝２２ｂとが形成されている。有底溝２２ｂは、第２シート層２４に対向する下面側に形成され、有底溝２２ｂの一端は貫通孔２２ａに連通する。第２シート層２４には、第１シート層２２の有底溝２２ｂの他端に連通するように、貫通孔２４ａが形成されている。電磁シールド層２６は、メッキや金属箔により形成され、第２シート層２４の貫通孔２４ａに連通する貫通孔２６ａが形成されている。
【００４７】
図２に示すように、第１シート層２２の貫通孔２２ａにより音響的トランスデュ−サユニット１０の上面１１ａに形成される開口１２と、電磁シールド層２６の貫通孔２６ａにより第２部材２０の下面２１に形成される開口２３との間は連通しており、断面が略Ｓ字状に湾曲した音響経路１６が形成される。
【００４８】
電磁シールド層２６に一つの貫通孔２６ａを形成する代わりに、貫通孔２６ａの部分に複数の貫通孔を形成してもよい。この場合、複数の貫通孔によるメッシュ構造により、外部からの内部空間３８への異物混入を防ぐことができる。
【００４９】
なお、電磁シールド層２６とは別に、複数の貫通孔が形成されたメッシュ領域を含むメッシュ部材を備え、外部空間と内部空間との間を連通する音響経路をメッシュ領域が横断するように、第２部材の内部もしくは上面又は下面にメッシュ部材を配置しても、異物混入を防ぐことができる。この場合、音響経路を折り曲げなくても、異物混入を防ぐことができる。
【００５０】
例えば、第２部材に音響経路として真っ直ぐの貫通孔を形成し、この貫通孔に、メッシュ部材としてスポンジ状の部材を詰め込むようにしてもよい。あるいは、メッシュ部材として、複数の貫通孔が形成された金属シートや網目状の部材を、第２部材の内部もしくは上面又は下面に配置してもよい。
【００５１】
あるいは、複数の音響経路自身でメッシュ領域を形成してもよい。この場合、別部材を用いることなく、メッシュ領域を形成することができる。
【００５２】
第１部材３０と第２部材２０とは、導電性接着材を用いて結合され、第１部材３０の上面３３に露出している電磁シールド部材４０の上縁４５と、第２部材２０の下面２１に形成された電磁シールド層２６とが電気的に接続される。
【００５３】
以上に説明したように、音響的トランスデューサユニット１０は、ハウジング内部において、マイク素子２がフェースダウンで接続されているので、ワイヤー配線スペースが不要であり、小型・低背化できる。また、内部空間３８におけるマイク素子２の上下など周囲の容積を自由に決めることができるので、不要な容積をなくして、音響的な最適設計を行うことができる。
【００５４】
第１部材３０についてインサートモールド法で作製することで、メッキなどの電極形成処理が不要になる。第２部材２０については、電極形成済みの板材や金属箔貼り合せ板材などの利用が可能になり、安価な構成が可能になる。
【００５５】
また、第２部材２０が平板形状であるため、板材の穴あけ加工、溝加工、接着で音響経路の形成が可能になり、多層基板に経路を形成するような複雑な工法が不要になる。また、形状精度が高い音響経路の形成が容易である。
【００５６】
次に、音響的トランスデューサユニット１０の製造方法について、図５〜図１４を参照しながら説明する。
【００５７】
まず、第１部材３０と第２部材２０とを作製する。
【００５８】
第２部材２０については、図５（ａ）の断面図に示すように、貫通孔２２ａと有底溝２２ｂとが形成された第１シート層２２を作製する。第１シート層２２は、板材の穴あけ加工、溝加工により一括して作製しても、鎖線で示すように第１シート層２２を上部２２ｓと下部２２ｔとに分割し、それぞれの板材に貫通孔を加工した後に接着することにより作製してもよい。
【００５９】
また、図５（ｂ）の断面図に示すように、第２シート層２４の片面に電磁シールド層２６をメッキ等により形成した後、第２シート層２４及び電磁シールド層２６に貫通孔２４ａ，２６ａを形成することにより、積層体２８を作製する。
【００６０】
そして、図５（ａ）に示した第１シート層２２と、図５（ｂ）に示した積層体２８とを接合する。
【００６１】
第１部材３０については、まず、金属箔を用いて、電磁シールド部材４０用のシート部材４０ｓと、端子部材５０用のシート部材５０ｓとを形成する。
【００６２】
電磁シールド部材４０用のシート部材４０ｓは、図６〜図８に示す工程により形成する。
【００６３】
すなわち、図６（ａ）の平面図に示すように、金属箔の打ち抜き加工等により、電磁シールド部材４０の底面部４４及び側面部４２となる部分が支持部４９を介して枠部４１に接続されたシート部材４０ｓを形成する。電磁シールド部材４０の底面部４４及び側面部４２となる部分には、開口４６が形成されている。このとき、図６（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した要部断面図である図６（ｂ）に示すように、電磁シールド部材４０の底面部４４となる部分と、側面部４２となる部分とは、同一平面内にある。
【００６４】
次いで、図７（ａ）の平面図と、図７（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した要部断面図である図７（ｂ）と、図８の要部斜視図とに示すように、電磁シールド部材４０の側面部４２となる部分を、電磁シールド部材４０の底面部４４の各辺４３となる部分に沿って直角に折り曲げる。
【００６５】
一方、端子部材５０用のシート部材５０ｓについては、図９及び図１０に示す工程により形成する。
【００６６】
すなわち、図９（ａ）の平面図に示すように、金属箔の打ち抜き加工等により、３つの端子部材５０となる部分５９の基端側がそれぞれ枠部５１に接続されたシート部材５０ｓを形成する。このとき、図９（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した要部断面図である図９（ｂ）に示すように、端子部材５０となる部分５９は、すべて同一平面内にある。
【００６７】
次いで、図１０（ａ）の平面図と、図１０（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した要部断面図である図１０（ｂ）とに示すように、端子部材５０となる部分５９の先端５９ａ側を折り曲げる。すなわち、端子部材５０の外部端子部５６となる部分に対して直角に接続部５４となる部分を折り曲げるとともに、内部端子部５２となる部分を接続部５４となる部分に対して直角に折り曲げる。
【００６８】
次に、作製した電磁シールド部材４０用のシート部材４０ｓと、端子部材５０用のシート部材５０ｓとを用いて、インサートモールド加工を行う。
【００６９】
すなわち、図１１（ａ）の平面図と、図１１（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した要部断面図である図１１（ｂ）とに示すように、端子部材５０用のシート部材５０ｓの上に、電磁シールド部材４０用のシート部材４０ｓを、所定の間隔を設けて重ねる。
【００７０】
そして、図１２（ａ）の平面図と、図１２（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した要部断面図である図１２（ｂ）とに示すように、端子部材５０用のシート部材５０ｓと電磁シールド部材４０用のシート部材４０ｓとを金型に入れる。鎖線は、金型により形成される空間を示している。
【００７１】
そして、図１３（ａ）の平面図と、図１３（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した要部断面図である図１３（ｂ）とに示すように、金型により形成される空間に、本体３２になる樹脂を注入する。
【００７２】
そして、図１４（ａ）の平面図と、図１４（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断した要部断面図である図１４（ｂ）とに示すように、シート部材４０ｓ，５０ｓ及び樹脂を切断して不要部分を取り除き、第１部材３０となる部分を分離する。
【００７３】
第１部材３０と第２部材２０とを作製したら、組み立てを行う。
【００７４】
すなわち、第１部材３０の凹部３４にマイク素子２を搭載する。このとき、凹部３４の側面３６とマイク素子２との間の隙間の大きさを適宜に選択することにより、凹部３４の側面３６に沿ってマイク素子２を精度よく位置決めすることができる。
【００７５】
マイク素子２を搭載した後、第１部材３０の上面３３に導電性接着材を用いて第１部材２０を接着する。これによって、音響的トランスデューサユニット１０が完成する。
【００７６】
あるいは、第２部材２０の下面２１にマイク素子２を固定して第２部材２０とマイク素子２とを一体化した結合体を形成した後、結合体のマイク素子２を第１部材３０の凹部３４に挿入し、第１部材３０と第２部材２０とを結合してもよい。
【００７７】
以上のようにインサートモールド法により作製された第１部材３０を用いると、多層基板を用いた場合よりも、音響的トランスデューサユニット１０の製造コストを低減することができる。
【００７８】
＜変形例＞  変形例の音響的トランスデューサユニット１０ａ〜１０ｃについて、図１５を参照しながら説明する。変形例の音響的トランスデューサユニット１０ａ〜１０ｃは、実施例の音響的トランスデューサユニット１０とは、音響経路１６ａ，１７ａ；１６ｂ，１７ｂ；１６ｃ，１７ｃの構成が異なる。
【００７９】
すなわち、図１５（ａ）の断面図に示す音響的トランスデューサユニット１０ａは、音響的トランスデューサユニット１０ａの底面１１ｂに開口１２ａが形成されている。この開口１２ａとマイク素子２側の開口２３との間は、第１部材３０ａに形成された貫通孔である第１の音響経路１７ａと、第２部材２０ａに形成された貫通孔である第２の音響経路１６ａとを介して、連通している。
【００８０】
図１５（ｂ）の断面図に示す音響的トランスデューサユニット１０ｂは、音響的トランスデューサユニット１０ｂの側面１３に開口１２ｂが形成されている。この開口１２ｂとマイク素子２側の開口２３との間は、第１部材３０ｂに形成された貫通孔である第１の音響経路１７ｂと、第２部材２０ｂに形成された貫通孔である第２の音響経路１６ｂとを介して、連通している。
【００８１】
図１５（ｃ）の断面図に示す音響的トランスデューサユニット１０ｃは、音響的トランスデューサユニット１０ｃの側面１３に複数の開口１２ｃが形成されている。それぞれの開口１２ｃとマイク素子２側の開口２３との間は、第１部材３０ｃに形成された貫通孔である第１の音響経路１７ｃと、第２部材２０ｃに形成された貫通孔である第２の音響経路１６ｃとを介して、連通している。第１及び第２の音響経路１７ｃ，１６ｃは、分岐している。
【００８２】
図１５（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の第１部材３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、実施例と同様にインサートモールド法により作製することができ、それによって形状精度の高い第１の音響経路１７ａ，１７ｂ，１７ｃを形成することができる。図１５（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の第２部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、実施例と同様に、板材の穴あけ加工、溝加工、接着などにより、形状精度の高い音響経路を容易に形成することができる。
【００８３】
＜まとめ＞  以上に説明したように、インサートモールド等により電磁シールド部材４０と端子部材５０とが埋め込まれた第１部材３０の本体３２の凹部３４にマイク素子２を収納し、第２部材２０で蓋をする音響的トランスデューサユニット１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、小型化・低背化が容易で、製造コスト低減が可能である。
【００８４】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【００８５】
例えば、音響的トランスデューサユニットの上面や底面に、内部空間に連通する複数の開口を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】音響的トランスデューサユニットの斜視図である。（実施例）
【図２】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（実施例）
【図３】音響的トランスデューサユニットの分解斜視図である。（実施例）
【図４】音響的トランスデューサユニットの分解断面図である。（実施例）
【図５】蓋部材の分解断面図である。（実施例）
【図６】製造工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）要部断面図である。（実施例）
【図７】製造工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）要部断面図である。（実施例）
【図８】製造工程を示す要部斜視図である。（実施例）
【図９】製造工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）要部断面図である。（実施例）
【図１０】製造工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）要部断面図である。（実施例）
【図１１】製造工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）要部断面図である。（実施例）
【図１２】製造工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）要部断面図である。（実施例）
【図１３】製造工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）要部断面図である。（実施例）
【図１４】製造工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）要部断面図である。（実施例）
【図１５】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（変形例）
【図１６】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（比較例）
【図１７】音響的トランスデューサユニットの断面図である。（従来例）
【符号の説明】
【００８７】
２  マイク素子（音響的トランスデューサ）
２ａ  上面
２ｂ  底面
６  接続端子
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ  音響的トランスデューサユニット
１１ａ  上面
１１ｂ  下面
１２  開口
１４  開口
１６  音響経路
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ  第２の音響経路
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ  第１の音響経路
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ  第２部材
２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ  音響経路
２２  第１シート層
２４  第２シート層
２６  電磁シールド層
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ  第１部材
３２  本体
３４  凹部
３５  底面
３６  側面
３８  内部空間
４０  電磁シールド部材
４２  底面部
４４  側面部
４６  開口
５０  端子部材
５２  内部端子部
５４  接続部
５６  外部端子部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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