(57)【要約】【課題】背面受光イメージセンサにおいて、基板の背面を安定的かつ効率的に取り除くことができ、製造コストを大いに低減することのできる背面受光イメージセンサの製造方法を提供する。【解決手段】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、前記第１基板の前面に素子分離領域を形成してピクセル領域を定義する段階と、前記ピクセル領域に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記配線が形成された第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、
前記第１基板の前面に素子分離領域を形成してピクセル領域を定義する段階と、
前記ピクセル領域に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、
前記第１基板の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、
第２基板を前記配線が形成された第１基板の前面とボンディングする段階と、
前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、
前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項２】
第１基板の前面に素子分離領域を形成してピクセル領域を定義する段階と、
前記第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、
前記ピクセル領域に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、
前記第１基板の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、
第２基板を前記配線が形成された第１基板の前面とボンディングする段階と、
前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、
前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項３】
第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、
前記第１基板の前面に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、
前記第１基板の前面の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、
第２基板を前記第１基板の前面とボンディングする段階と、
前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、
前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項４】
第１基板の前面にイオン注入層を形成する段階と、
前記イオン注入層が形成された第１基板の前面に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、
前記第１基板の前面の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、
第２基板を前記第１基板の前面とボンディングする段階と、
前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、を含むことを特徴とする背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項５】
第１基板の前面に光感知部を形成する段階と、
前記光感知部が形成された第１基板の前面にイオン注入層を形成する段階と、
前記第１基板の前面に読み取り回路を形成する段階と、
前記第１基板の前面の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、
第２基板を前記第１基板の前面とボンディングする段階と、
前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、を含むことを特徴とする背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項６】
前記イオン注入層を形成する段階は、水素イオン注入又はヘリウムイオン注入を通じて、イオン注入層を形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項７】
前記イオン注入層を形成する段階は、前記第１基板の前面を通じてイオン注入を行うことで、イオン注入層を形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項８】
前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階は、前記イオン注入層に熱処理を通じて、前記第１基板の下側を取り除くことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項９】
前記第１基板の下側を取り除く段階の後に、前記第１基板の背面上にカラーフィルターを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項１０】
前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階の後に、パッドを開口する段階を更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項１１】
前記パッドを開口する段階は、前記第１基板の背面側でパッド開口工程を行うことを特徴とする請求項１０に記載の背面受光イメージセンサの製造方法。
【請求項１２】
第２基板を前記第１基板の前面とボンディングする段階の前に、前記第２基板の上に絶縁層を形成し、前記第１基板の前面と接触させてボンディングすることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の背面受光イメージセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、背面受光イメージセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
イメージセンサは、光学的映像を電気的信号に変換させる半導体素子である。イメージセンサは、ＣＣＤイメージセンサーとＣＭＯＳイメージセンサに分けることができる。
【０００３】
従来の技術では、基板にフォトダイオードをイオン注入方式で形成させる。ところが、チップサイズの増加なしにピクセル数を増加させる目的で、フォトダイオードのサイズがますます減少することにより、受光部面積が縮小する結果、結像性能(Image Quality)が劣化する。
【０００４】
また、受光部面積が縮小した分ほどには積層高さが減少せず、エアリーディスクと呼ばれる光の回折現象により、受光部に入射されるフォトンの数も減少する。
【０００５】
これを解決するための代案の一つとして、ウエハの背面を通じて光を受け入れて、受光部の上部の段差を最小化し、メタルルーティング(Metal Routing)による光の干渉現象を無くす試み(背面受光イメージセンサ)が成されている。
【０００６】
従来技術による背面受光イメージセンサーは、基板の前面に受光素子と配線工程を行い、その後、基板の背面を一定の一厚さに取り除く研磨工程を行う。これは、基板の背面を適正な厚さに研磨して、外部モジュールと光学レンズとの間隔を合わせるためである。
【０００７】
ところが、従来技術による背面受光イメージセンサーは、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)ウエハを、受光素子と回路部が形成されるドナーウエハ(Donor Wafer)として使って、ハンドルウエハとボンディングされる。以後、ドナーウエハに対して背面薄膜化(Backside Thinning)工程を行う。
【０００８】
従来技術によるドナーウエハの背面薄膜化工程は、下記のとおりである。
【０００９】
まず、ドナーウエハの背面研磨工程を行い、ＢＯＸ(Buried Oxide)の上部を基準にして数十μｍを残す。以後、エッチバック(Etch-Back)を行って背面薄膜化工程を完了する。
【００１０】
ところが、従来技術によれば、高価なＳＯＩウエハをドナーウエハとして使わなければならないので、製造工程の費用が非常に高くなるという問題がある。
【００１１】
また、従来技術によれば、ドナーウエハの背面研磨工程を行う場合、ウエハエッジの薄膜化(Wafer Edge Thinning)が発生する。これによって、後続のエッチバック工程の時、ウエハエッジ部のチップは、不良が発生することがあるので経済性が大きく落ちる問題がある。
【００１２】
また、従来技術によれば、ウエハのセンター部も、数十μｍに至る厚さのエッチバック工程の中プラズマダメージにさらされて、イメージセンサの性能の劣化可能性が増加する問題がある。
【００１３】
一方、従来技術によれば、フォトダイオードを非晶質シリコンで蒸着したり、読み取り回路はシリコン基板に形成させて、フォトダイオードは他のウエハに形成させて、その後、ウエハ対ウエハの直接接合(Wafer-to-Wafer Bonding)して、フォトダイオードが読み取り回路の上部に形成されるイメージセンサ(以下「３Ｄイメージセンサ」と称する)が提案されている。フォトダイオードと読み取り回路は配線を通じて繋がる。
【００１４】
ところが、３Ｄイメージセンサの従来技術によれば、読み取り回路が形成されたウエハ対フォトダイオードが形成されたウエハボンディングが必然的に行われるが、この時、ボンディングの問題によって、読み取り回路とフォトダイオードの電気的連結がうまく成されないという問題点がある。例えば、従来技術によれば、読み取り回路上に配線を形成して、前記配線とフォトダイオードが接触するようにウエハ対ウエハの直接接合を行うが、配線とフォトダイオードの接触がうまく成されないだけでなく、ひいては、配線とフォトダイオードのオーミックコンタクトが難しいという問題がある。また、従来技術によれば、フォトダイオードと電気的に繋がれるための配線がショットする問題があり、このようなショットを防止するための研究が成されているが、複雑な工程が必要となる問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、背面受光イメージセンサにおいて、基板の背面を安定的かつ効率的に取り除くことができる背面受光イメージセンサの製造方法を提供することを課題とする。
【００１６】
また、本発明は、製造コストを大いに低減することのできる背面受光イメージセンサの製造方法を提供することを課題とする。
【００１７】
また、本発明は、光感知部と読み取り回路を同一基板に形成しながらも、受光部の上部の積層を最小化することで、入射光量を最大化させることと、メタルルーティングによる光の干渉及び反射現象を防止することができる背面受光イメージセンサの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、前記第１基板の前面に素子分離領域を形成してピクセル領域を定義する段階と、前記ピクセル領域に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記配線が形成された第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
また、実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面に素子分離領域を形成してピクセル領域を定義する段階と、前記第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、前記ピクセル領域に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記配線が形成された第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
また、実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、前記第１基板の前面に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の前面の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
また、実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面にイオン注入層を形成する段階と、前記イオン注入層が形成された第１基板の前面に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の前面の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、を含むことを特徴とする。
【００２２】
また、実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面に光感知部を形成する段階と、前記光感知部が形成された第１基板の前面にイオン注入層を形成する段階と、前記第１基板の前面に読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の前面の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
実施例による背面受光イメージセンサの製造方法によれば、イオン注入技術を利用して基板の背面を安定的かつ効率的に取り除くことができる。すなわち、実施例によれば、イオン注入及び劈開方法を採用することで、バックグラインディング及びエッチバックが必要なくなり、ウエハエッジ部の不良発生及びプラズマダメージなどの問題が発生しない長所がある。
【００２４】
また、実施例によれば、ドナーウエハに対するグラインディングが行われないので、光感知部と回路部の損傷を防止することができる長所がある。
【００２５】
また、実施例によれば、ドナーウエハとしてエピウエハを用いることによって、光感知部と回路部がエピウエハに同時に形成されることができる。よって、実施例によれば、エピウエハを用いることによって、ＳＯＩウエハを用いる場合より製造コストを大いに低減させることができる。
【００２６】
また、実施例によれば、ドナーウエハとしてエピウエハを用いることよって、光感知部と回路部がエピウエハに同時に形成されることができるので、フォトダイオードを回路の上側に形成する３Ｄイメージセンサでのボンディングプロセスが必要なくなり、製造が容易で、ボンディングやコンタクトのトラブル等がないという長所がある。一方、ハンドルウエハとドナーウエハのボンディングは、層間絶縁層などによる絶縁層が介在されてボンディングされるので、ボンディングに対するイシューは殆どない。
【００２７】
また、実施例によれば、受光部の上部の積層を最小化することで、入射光量を最大化させることができることと、メタルルーティングによる光の干渉及び反射現象がなくなって、イメージセンサの光特性を極大化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法の工程断面図である。
【図１Ｂ】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法の工程断面図である。
【図１Ｃ】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法の工程断面図である。
【図２】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法の工程断面図である。
【図３】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法の工程断面図である。
【図４】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法の工程断面図である。
【図５】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法の工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、実施例による背面受光イメージセンサの製造方法を添付された図面を参照して説明する。
【００３０】
以下、図１Ａないし図５を参照して、実施例による背面受光イメージセンサの製造方法を説明する。
【００３１】
図１Ａないし図１Ｃは、イオン注入層２０５を形成する例である。
【００３２】
まず、図１Ａのように、第１基板１００の前面にイオン注入層１０５を形成することができる。前記第１基板１００は、エピウエハであることがあるが、これに限定されるのではない。実施例は、前記イオン注入層１０５を基準にして第１基板の下側１００aと、第１基板の上側１００bに区別することができる。
【００３３】
実施例による背面受光イメージセンサの製造方法では、ドナーウエハ１００としてエピウエハを用いることができるが、よって、実施例によれば、エピウエハを用いることで、ＳＯＩウエハを用いる場合より製造コストを大いに低減させることができる。
【００３４】
また、実施例によれば、ドナーウエハとしてエピウエハを用いることよって、光感知部と回路部がエピウエハに同時に形成されるので、フォトダイオードを回路の上側に形成する３Ｄイメージセンサにおいてボンディングプロセスが必要なくなり、製造が容易になり、ボンディングやコンタクトのトラブル等がないという長所がある。
【００３５】
前記イオン注入層１０５は、前記第１基板１００の前面に対するイオン注入を通じて行われることができる。前記第１基板１００の背面は数百μｍに至るので、前面を通じてイオン注入することが好ましい。
【００３６】
すなわち、第１基板１００の厚さがイオン注入の深みに比べて非常に厚いので、前記第１基板１００の背面からはイオン注入が行い難い。従って、実施例のように、配線１４０形成工程、または第２基板２００とのボンディングの前に、予めイオン注入層１０５を形成することで、ボンディング後第１基板の下側１００aを容易に取り除くことができる。
【００３７】
実施例で、前記イオン注入層１０５形成工程は、水素(H)またはヘリウム(He)などのイオンを注入してイオン注入層を形成することができるが、これに限定されない。
【００３８】
また、実施例は、図１Ｂのように、第１基板１００の前面に素子分離領域１１０を形成した後、イオン注入層１０５を形成することができる。例えば、第１基板１００の前面に素子分離領域１１０を形成し、ピクセル領域を定義して、前記素子分離領域１１０はSTIなどで形成することができ、以後、イオン注入層１０５を形成することができる。
【００３９】
実施例は、グラインディングによって基板の背面を取り除くのではなく、予め形成されたイオン注入層１０５を利用して、基板の背面を容易にかつ安定的に取り除くことで、背面受光イメージセンサの製造収率を大いに上昇させることができる。
【００４０】
また、実施例によれば、エピウエハを用いた工程中に、劈開レイヤーであるイオン注入層１０５を予め形成するために、水素或いはヘリウムなどのイオン注入工程を行って、ドナーウエハである第１基板１００に対する工程の完了後に、ハンドルウエハである第２基板２００とボンディングさせる。ボンディング後に下側が除去された後、残存するドナーウエハである第１基板１００は薄い状態であるため、カラーフィルター工程などを円滑に行うために、ハンドルウエハである第２基板２００が必要である。
【００４１】
以後、ドナーウエハである第１基板１００に対して、背面薄膜化工程のために劈開を行うことができる。
【００４２】
実施例によれば、イオン注入及び劈開方法を採用することで、バックグラインディング及びエッチバックが必要なくなり、ウエハエッジ部の不良発生及びプラズマダメージなどの従来技術の問題が発生しない長所がある。
【００４３】
また、実施例によれば、ドナーウエハに対するグラインディングが行われないので、ドナーウエハに物理的のストレスが加わらないので、光感知部と回路である読み取り回路の損傷を防止することができる長所がある。
【００４４】
また、実施例は、図１Ｃのように、前記ピクセル領域に光感知部１２０を形成した後、イオン注入層１０５を形成することができる。前記光感知部１２０は、フォトダイオードでもよいが、これに限定されるのではない。前記光感知部１２０は、P型の第１基板１００にN型のイオン注入領域１２０を形成して、第１基板１００のN型イオン注入領域１２０の上にPo領域(未図示)を形成することにより得ることができるが、これに限定されるのではない。前記Po領域によって余剰電子などを防止することができる。また、実施例によれば、PNP接合を形成してチャージダンピング(Charge Dumping)効果を得ることができる。
【００４５】
次いで、図２のように、前記光感知部１２０が形成された第１基板１００の上に、回路部である読み取り回路１３０を形成する。前記読み取り回路１３０は、トランスファトランジスタ、リセットトランジスタ、ドライブトランジスタ、セレクトトランジスタなどを含むことができるが、これに限定されるのではない。
【００４６】
実施例によれば、ドナーウエハである第１基板１００としてエピウエハを用いることができる、光感知部１２０と読み取り回路１３０が第１基板１００に同時に形成されることができるので、光感知部を回路の上側に形成する３Ｄイメージセンサでのボンディングプロセスが必要なくなり、製造が容易で、ボンディングやコンタクトのトラブル等がないという長所がある。一方、ハンドルウエハとドナーウエハのボンディングは、層間絶縁層などによる絶縁層が介在されてボンディングされるので、ボンディングに対するイシューは殆どない。
【００４７】
また、実施例によれば、受光部の上部の積層を最小化することで、入射光量を最大化させることができることと、メタルルーティングによる光の干渉及び反射現象がなくなって、イメージセンサの光特性を極大化させることができる。
【００４８】
以後、前記第１基板１００上に層間絶縁層１６０を形成して、前記層間絶縁層１６０に配線１４０を形成する。前記配線１４０は、第１メタルM１などを含むことができる。
【００４９】
一方、実施例は、ロジック領域にパッド配線１５０を形成することができる。前記パッド配線１５０は、第１メタルM１、第２メタルM２、第３メタルM３などを含むことができるが、これに限定されるのではない。この時、前記パッドを第１メタルM１と同レベルに形成することができる。これによって、第２基板２００とのボンディング後に、第１基板１００の背面でパッド開口工程を容易に行うことができる。これは、第１基板１００の背面からパッドまでの深みが浅いからである。
【００５０】
次いで、図３のように、第２基板２００を前記配線１４０が形成された第１基板１００の前面とボンディングすることができる。例えば、ハンドルウエハである第２基板２００を前記第１基板１００の配線１４０側と対応するようにボンディングすることができる。
【００５１】
実施例は、前記第１基板１００とボンディングされる第２基板２００の対面に絶縁層２１０を形成することで、前記第１基板１００とのボンディング力を増大させることができる。前記絶縁層２１０は、酸化膜、窒化膜などであることがあるが、これに限定されるのではない。前記絶縁層２１０が、第１基板１００の前面である層間絶縁層１６０と接触してボンディングが行われることで、第１基板１００と第２基板２００のボンディング力を大いに増大させることができる。
【００５２】
次いで、図３のように、ボンディングされた第１基板１００より、図４のように、前記イオン注入層１０５を基準にして前記第１基板の下側１００aを取り除く。例えば、前記イオン注入層１０５に熱処理を行って、水素イオンを気孔化(Bubble)させて、前記第１基板の下側１００aをブレードなどでカッティングして取り除いて、第１基板の上側１００bを残存させることができる。以後、前記カッティングされた第１基板１００の面に対して、平坦化工程を行うことができる。
【００５３】
一方、劈開技術を応用した従来の３Dイメージセンサ関連の特許では、光感知部と読み取り回路をそれぞれ別途のウエハに形成して、ボンディング及び配線工程を行う発明が主類であり、従来技術では、劈開レイヤーの形成のための水素或いはヘリウムイオン注入工程は、ボンディング直前に行う。
【００５４】
ところが、３Ｄイメージセンサの従来技術によれば、読み取り回路とフォトダイオードの電気的な連結がうまく成されない問題点があり、更に、フォトダイオードと電気的に繋がれるための配線にショットが発生する問題があった。
【００５５】
反面、実施例によれば、ドナーウエハである第１基板１００としてエピウエハを用いることができ、光感知部１２０と読み取り回路１３０が第１基板１００に同時に形成されることができるので、光感知部を回路の上側に形成する３Ｄイメージセンサでの光感知部が形成された基板と、回路が形成された基板との間のボンディングプロセスが必要なくなり、製造が容易で、ボンディングやコンタクトのトラブル等がないという長所がある。
【００５６】
一方、３Ｄイメージセンサの従来技術で、ボンディング直前に水素或いはヘリウムイオン注入工程が可能であることは、光感知部で生成された電子が電子回路部に伝達されて電圧に変換されるので、光感知部にはフォトダイオードのみを形成させれば良いので、メタル及び層間絶縁層を形成する必要がないからである。
【００５７】
しかし、実施例では、同一ウエハである第１基板１００に、光感知部１２０と読み取り回路１３０を同時に形成させる。これによって、実施例によれば、同一の第１基板１００に、光感知部１２０と読み取り回路１３０を同時に形成させることで、配線１４０及び層間絶縁層１６０の形成などの後工程が必須である。
【００５８】
従って、実施例のプロセススキームを用いる場合、従来技術のようにボンディング直前に水素或いはヘリウムなどを利用したイオン注入工程を行うことは不可能であり、実施例のように、ドナーウエハである第１基板１００のエピウエハの上部に配線１４０及び層間絶縁層１６０を形成させる前に、水素或いはヘリウムイオン注入工程を行うことで、イオン注入層１０５を形成させることができる。
【００５９】
次いで、図５のように、前記第１基板１００の背面の前記光感知部１２０上に、カラーフィルター１７０を形成することができる。一方、前記光感知部１２０がレッド、グリーン、ブルーの垂直積層型のフォトダイオードである場合には、カラーフィルターを形成しないこともある。
【００６０】
以後、前記カラーフィルター１７０上に、マイクロレンズ１８０を形成することができる。
【００６１】
以後、前記パッドを開口する工程を行うことができる。実施例は、前記第１基板１００の背面側でパッド開口工程を行うことができる。実施例は、第１メタルM１の同レベルにパッドが形成されているので、第１基板１００の背面側からパッドを容易に開口することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１００：第１基板
１００ａ：第１基板の下側
１００ｂ：第１基板の上側
１０５：イオン注入層
１１０：素子分離領域
１２０：光感知部
１３０：読み取り回路
１４０：配線
１５０：パッド配線
１６０：層間絶縁層
１７０：カラーフィルター
１８０：マイクロレンズ
２００：第２基板
２１０：絶縁層
M１：第１メタル
M２：第２メタル
M３：第３メタル
【図１Ａ】
2010041026.tif 000003
【図１Ｂ】
2010041026.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
2010041026.tif 000007
【図４】
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【図５】
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