(57)【要約】      （修正有）【課題】基材フィルムが接着樹脂層から容易に引き剥がせる、ウエハ加工用テープを提供する。【解決手段】片側に離型層を有する基材フィルムＢＴａと、前記基材フィルムの他方の面の上に粘着剤層ＢＴｂと接着剤層２２とを有してなる３層一体型の積層型のウエハ加工用テープであって、接着剤層を突起電極１０ａを有するウェハ１０に貼着する。離型層を設けることによって、ロール状に形成した接着フィルムを引き出す際、基材フィルムの裏面に接着剤が転写してしまうことがない。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
片側に離型層を有する基材フィルムと、前記基材フィルムの他方の面の上に、粘着剤層と、接着剤層とを有してなる、３層一体型の積層型のウエハ加工用テープ。
【請求項２】
片側に離型層を有する基材フィルムと、前記基材フィルムの他方の面の上に粘着剤層を保持したフィルムと、キャリアフィルム上に接着剤層を保持したフィルムとを、粘着剤層と接着剤層が重なり合う様に貼り合わせ、積層テープのキャリアテープを排除する、または、基材フィルム上に粘着剤層を保持したフィルム上に、接着剤層を塗布してなる３層一体型の積層型のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
半導体ウエハの加工用テープであって、加工用テープ（積層テープ）の接着剤層側をウエハ主面から突出した回路電極を埋め込むように貼り付けた工程、前記加工用テープ（積層テープ）を貼り付けたウエハの裏面を研磨し、薄化させる工程に使用される、請求項１または２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項４】
半導体ウエハの加工用テープであって、加工用テープ（積層テープ）の接着剤層側をウエハ主面から突出した回路電極を埋め込むように貼り付けた工程と、前記加工用テープ（積層テープ）を貼り付けたウエハの裏面を研磨し、薄化させる工程に使用され、ウエハと接着剤の接着強度（強度Ａ）、粘着剤と接着剤との接着強度（強度Ｂ）、基材フィルムと粘着剤との接着強度（強度Ｃ）との間に、（強度Ａ）＞（強度Ｃ）＞（強度Ｂ）の関係が成立することを特徴とする、請求項１または２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項５】
半導体ウエハの加工用テープであって、加工用テープ（積層テープ）の接着剤層側をウエハ主面から突出した回路電極を埋め込むように貼り付けた工程、前記加工用テープ（積層テープ）を貼り付けたウエハの裏面を研磨し、薄化させる工程、前記研磨工程で得られた前記ウエハ加工用テープと前記半導体ウエハとの積層体を、前記加工用テープ側からダイシングするダイシング工程に使用される、請求項１〜４いずれかに記載のウエハ加工用テープ。
【請求項６】
半導体ウエハの加工用テープであって、前記加工用テープ側をダイシングテープに付着させて、その積層体を前記半導体ウエハの裏面側からダイシングする工程に使用される、請求項１〜５いずれかに記載のウエハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ加工用テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような分野の技術として、下記特許文献１に記載の半導体装置製造方法が知られている。この文献に記載された製造方法では、基材フィルム上に粘着材層と接着剤層を有してなるウエハ加工用テープが準備される。そして、この加工用テープが半導体ウエハの凸型電極が形成された面に貼合された状態で、半導体ウエハのバックグラインド工程、前記半導体ウェハを個片化するダイシング工程が行われる。このダイシング工程で得られた半導体チップは、ピックアップ時に接着材層がチップへ残るため、ピックアップに続いてフリップチップ実装が可能となる。
【特許文献１】特開２００６−４９４８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体ウエハ加工用テープはロール状にて提供されるため、基材フィルムの裏面に接着剤層が接することとなる。しかしながらロール状になった加工用テープから、テープを引き出す際、基材フィルムの裏面に接着剤層が付着し、うまく引き剥がせないといった問題がある。
また、基材フィルムの裏面と接着剤層が付着しない様に、接着剤層の表面に、キャリアフィルム（カバーフィルム）を有する事もあるが、その場合、使用時にキャリアフィルムを剥がす工程が加わる事による工数の増加、また、その際に出る廃棄物（キャリアフィルム）が増加するといった問題が生じる。さらには、加工用テープはロール状で提供されるため、３層から４層になることによって、提供される長さが短尺化されてしまうといった課題がある。
【０００４】
一方、半導体ウエハのバックグラインド処理にあたって、ウエハ全面に均等に荷重をかけることが必要であり、ウエハ加工用テープにはエアボイド等の咬み込み無く、ウエハに貼り付けられることが要求される。しかしながら、凸型電極が形成された半導体ウエハにエアボイド無く貼り付けるためには、加熱してテープの粘性を下げた状態で加圧ローラ等の機械的加圧または空気圧力による加圧によって凸型電極周囲にもエアボイドの咬み込みが発生しないように貼り付けることが必要である。しかしながら、粘着剤層と接着剤層が形成されたウエハ加工用テープを加熱、加圧する際、粘着材層と接着剤層の成分拡散が発生し、融着が発生する。このため、バックグラインド処理後に基材フィルム及び粘着材層を接着剤層から引き剥がすことが困難となってしまう課題がある。さらに、引き剥がせた場合でも、粘着材成分の接着剤中への成分移行によって接着剤としての特性が妨げられるという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記問題を解決し、基材フィルムが接着樹脂層から容易に引き剥がせる、ウエハ加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明での半導体ウェハの加工用テープは、突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、片側に離型層を有する基材フィルムの他方の面の上に、粘着剤層、接着剤層を有してなることを特徴とする。
本発明は、以下に関する。
（１）片側に離型層を有する基材フィルムと、前記基材フィルムの他方の面の上に、粘着剤層と、接着剤層とを有してなる、３層一体型の積層型のウエハ加工用テープ。
（２）片側に離型層を有する基材フィルムと、前記基材フィルムの他方の面の上に粘着剤層を保持したフィルムと、キャリアフィルム上に接着剤層を保持したフィルムとを、粘着剤層と接着剤層が重なり合う様に貼り合わせ、積層テープのキャリアテープを排除する、または、基材フィルム上に粘着剤層を保持したフィルム上に、接着剤層を塗布してなる３層一体型の積層型のウエハ加工用テープ。
（３）半導体ウエハの加工用テープであって、加工用テープ（積層テープ）の接着剤層側をウエハ主面から突出した回路電極を埋め込むように貼り付けた工程、前記加工用テープ（積層テープ）を貼り付けたウエハの裏面を研磨し、薄化させる工程に使用される、前記のウエハ加工用テープ。
（４）半導体ウエハの加工用テープであって、加工用テープ（積層テープ）の接着剤層側をウエハ主面から突出した回路電極を埋め込むように貼り付けた工程と、前記加工用テープ（積層テープ）を貼り付けたウエハの裏面を研磨し、薄化させる工程に使用され、ウエハと接着剤の接着強度（強度Ａ）、粘着剤と接着剤との接着強度（強度Ｂ）、基材フィルムと粘着剤との接着強度（強度Ｃ）との間に、（強度Ａ）＞（強度Ｃ）＞（強度Ｂ）の関係が成立することを特徴とする、前記のウエハ加工用テープ。
（５）半導体ウエハの加工用テープであって、加工用テープ（積層テープ）の接着剤層側をウエハ主面から突出した回路電極を埋め込むように貼り付けた工程、前記加工用テープ（積層テープ）を貼り付けたウエハの裏面を研磨し、薄化させる工程、前記研磨工程で得られた前記ウエハ加工用テープと前記半導体ウエハとの積層体を、前記加工用テープ側からダイシングするダイシング工程に使用される、前記のウエハ加工用テープ。
（６）半導体ウエハの加工用テープであって、前記加工用テープ側をダイシングテープに付着させて、その積層体を前記半導体ウエハの裏面側からダイシングする工程に使用される、前記のウエハ加工用テープ。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ロール状で提供された加工用テープを引き出す際に、基材フィルムの裏面に接着剤が付着せず、容易に引き出すことができる。また、基材フィルムの裏面への接着剤付着防止のための、キャリアフィルム（カバーフィルム）を有していない為、キャリアフィルムを剥がす工程を削減でき、また、その際に出る廃棄物（キャリアフィルム）を削減、さらには、キャリアフィルム（カバーフィルム）を有していないため、加工用テープは４層から３層になることにより、ロール状での提供の際、より長尺化が可能となる。
さらに、バックグラインド後のバックグラインドテープ引き剥がしが容易であると共に、ダイシング時に発生する研磨屑により半導体ウエハや接着剤層が汚染することを抑制でき、さらには、バックグラインドテープ側をダイシングテープに付着させて、半導体ウエハの裏面側からダイシングを行う事で、ダイシング後のピックアップにおいて、バックグラインドテープとダイシングテープとを、半導体チップから一緒に除去することができ、工程の簡略化を図ることができる、ウエハ加工用テープである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る半導体ウエハのバックグラインド方法、半導体ウエハのダイシング方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
【０００９】
（第１実施形態）
まず、図１に示されるような半導体ウエハ１０を用意する。半導体ウエハ１０は、半導体プロセスにより回路が形成された回路面（主面）Ｓ１と、回路面Ｓ１の反対側の面である裏面Ｓ２を有している。そして、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１には、回路面Ｓ１から突出する突出電極１０ａが複数形成されている。なお、このときの半導体ウエハ１０の厚さは、バックグラインド前の状態であり、通常約５５０μｍ〜７５０μｍである。
【００１０】
更に、フィルム状の接着剤層２２、粘着剤層ＢＴｂ、基材フィルムＢＴａがこの順に有してなるウエハ加工テープＦ１を準備する。この積層フィルムの作成は、例えば、キャリアフィルム上に配置した接着剤フィルムと、基材フィルム上に配置した粘着剤フィルムとを、接着剤層と粘着剤層とが重なり合うように貼り付け、その後キャリアフィルムを剥離して作成する方法と、基材フィルム上に配置した粘着剤層の上に、接着剤層を塗布することで作成する方法がある。また、粘着材層と接着剤層を貼り付ける場合は、例えばラミネートロールを用いて行うことができる。
【００１１】
そして、接着剤層２２側を回路面Ｓ１に向けた状態で、ウエハ加工テープＦ１を半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１に貼り付ける。このウエハ加工テープＦ１の半導体ウエハ１０への貼付けは、例えばラミネートロールを用いて行うことができる。
【００１２】
このとき、基材フィルムＢＴａが所定の圧力で加圧されることで、突出電極１０ａ同士の間を埋めるように接着剤層２２が充填される。これにより、図２に示すように、回路面Ｓ１上には突出電極１０ａが埋め込まれた構造が形成される。上記のような接着剤層１３は、一般に、「ＮＣＦ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）」等と呼ばれる場合がある。
【００１３】
続いて、図３に示されるように、ウエハ加工テープの基材フィルムＢＴａ側から圧力を加えつつ、半導体ウエハ１０を裏面Ｓ２側から裏面研磨装置（バックグラインダ）１２によって研磨し、半導体ウエハ１０の厚みを薄くする。具体的には、半導体ウエハ１０の厚みが５０μｍ〜５５０μｍ程度となるように、半導体ウエハ１０の研磨を行う（研磨工程）。ここでは、上記ウエハ加工テープＦ１が半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１側に貼付けられているので、均一に圧力を加えることができる。その結果、研磨により半導体ウエハ１０の裏面Ｓ２を平坦化できる。また、基材フィルムＢＴａと粘着フィルムＢＴｂにより、バックグラインド時の半導体ウエハ１０の破損を抑制することができる。このようにして、薄化された半導体ウエハ１０とその回路面Ｓ１に貼り付けられたウエハ加工テープのＦ１の積層体Ｒ１が製作される。
【００１４】
続いて、図４に示されるように、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１側にウエハ加工テープＦ１が貼付けられたままの状態で、この積層体Ｒ１の裏面Ｓ２側及びダイシングフレームの下縁にダイシングテープ１６を貼付ける。ここで、ダイシングフレーム１４ａは、円環状の金属製部材であり、半導体ウエハ１０のダイシング時に半導体ウエハ１０の固定治具として用いられる。ダイシングフレーム１４ａは、その内径が半導体ウエハ１０の外形よりも大きくなっており、半導体ウエハ１０を囲むようにダイシングテープ１６上に配置される。また、ダイシングテープ１６は、基材フィルム１６ａと、基材フィルム１６ａの表面に形成された粘着層１６ｂとを有している。
【００１５】
なお、図示はしていないが、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１にはダイシングブレードＤＢ（後述する）によるダイシング位置を位置決めするための位置決めパターンが形成されているので、ウエハ加工テープＦ１は、上記位置決めパターンが視認できる程度の透過率（例えば、ウエハ加工テープＦ１全体としての可視光透過率が２０％以上）を有するものであると好ましい。
【００１６】
続いて、図５に示すように、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１が上方を向いた状態で、ダイシングブレードＤＢによって、半導体ウエハ１０をウエハ加工テープＦ１と共に、ウエハ加工テープＦ１側からダイシングし（いわゆる、フェイスアップダイシング）、複数の半導体チップ２４とする（ダイシング工程）。このとき、半導体チップ２４の大きさが０．５ｍｍ×０．５ｍｍ程度となるようにする。ここでは、フェイスアップダイシングを採用することにより、上記の位置決めパターンを利用して、ダイシング位置の位置決めを比較的容易に行うことができる。
【００１７】
続いて、図６に示されるように、ウエハ加工テープＦ１の表面全体に、粘着テープ２６を貼付ける。そして、図８に示すように、個片化されたウエハ加工テープＦ１中の基材フィルムＢＴａ及び粘着フィルムＢＴｂを、上記粘着テープ２６と共に接着剤層１３から剥離する。このとき、ウエハ加工テープＦ１の粘着層ＢＴｂが放射線硬化性を有するものであれば、剥離に先立って、放射線（例えば紫外線）照射により粘着層ＢＴｂの粘着力を低下させることができる。
【００１８】
その後、詳細は省略するが、紫外線等の照射によりダイシングテープ１６の粘着層１６ｂの粘着力を低下させた後、回路面Ｓ１上に絶縁性接着剤層１３が形成された半導体チップ２４を一つ一つピックアップし、半導体チップ２４を実装基板にフリップチップ実装する工程を経て、この半導体チップ２４を含む半導体デバイスを得ることができる。
【００１９】
上記の研磨工程における裏面Ｓ２の研磨にあたり、接着剤層１３、粘着剤層ＢＴｂ、基材フィルムＢＴａの順で、半導体ウエハ１０の主面Ｓ１上に設置している。ウエハ加工テープを貼り付ける際、ウェハと接着剤層の界面にエアボイドの巻き込みが発生しないよう、加熱・加圧による埋め込み行うことで、平坦な加工状態を形成すると共に、ウエハと接着剤の接着強度（強度Ａ）、粘着剤と接着剤との接着強度（強度Ｂ）、基材フィルムと粘着剤との接着強度（強度Ｃ）との間に、（強度Ａ）＞（強度Ｃ）＞（強度Ｂ）の関係が成立することにより、バックグラインドまたはダイシング工程後の基材フィルムおよび粘着剤を接着剤層と引き離す際、スムーズに引き離すことが可能となる。また、上記のダイシング工程では、積層体Ｒ１から基材フィルムＢＴａ及び、粘着剤層ＢＴｂを除去しないで、基材フィルムＢＴａ側から半導体ウエハ１０のダイシングを行う。従って、ダイシングで発生する切り屑によって、半導体ウエハ１０が汚染されることを抑制することができる。
【００２０】
なお、上記のような切り屑による汚染抑制の作用効果は得られなくなるが、図７に示すように、ダイシングテープ１６が貼付けられた積層体Ｒ１の半導体ウエハ１０から、基材フィルムＢＴａ及び、粘着剤層ＢＴｂを除去した後に、ダイシングを行ってもよい。
【００２１】
前述接着剤層２２は、例えば、キャリアフィルムや、基材フィルムＢＴａに設置した粘着剤層ＢＴｂ上に、接着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって形成される。接着剤層２２は、例えば常温において固体である。接着剤層２２は、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂は、熱により三次元的に架橋することによって硬化する。
【００２２】
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、アクリレート樹脂等が挙げられる。これらは単独又は二種以上の混合物として使用することができる。
【００２３】
接着剤層２２は、硬化反応を促進させるための硬化剤を含んでもよい。接着剤層２２は、高反応性及び保存安定性を両立させるために、潜在性の硬化剤を含むことが好ましい。
【００２４】
接着剤層２２は、熱可塑性樹脂を含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴムスチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレンブタジエン共重合体（ＳＢＲ）、アクリル酸共重合体等が挙げられる。これらは単独又は二種以上を併用して使用することができる。これらの中でも、半導体ウエハ１０への貼付性を確保するために室温付近に軟化点を有する熱可塑性樹脂が好ましく、グリシジルメタクリレートなどを原料に含むアクリル酸共重合体が好ましい。
【００２５】
接着剤層２２には、低線膨張係数化のためのフィラー（無機微粒子）を添加してもよい。このようなフィラーとしては、結晶性を有するものであっても、非結晶性を有するものであってもよい。接着剤層２２の硬化後の線膨張係数が小さいと、熱変形が抑制される。よって、半導体ウエハ１０から製造された半導体チップが配線基板に搭載された後も、突出電極１０ａと配線基板の配線との電気的な接続を維持することができるので、半導体チップと配線基板とを接続することによって製造される半導体デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００２６】
接着剤層２２は、カップリング剤等の添加剤を含んでもよい。これにより、半導体チップと配線基板との接着性を向上させることができる。
【００２７】
接着剤層２２内には、導電粒子を分散させてもよい。この場合、突出電極１０ａの高さのバラツキによる悪影響を低減することができる。また、配線基板がガラス基板等のように圧縮に対して変形し難い場合においても接続を維持することができる。さらに、接着剤層２２を異方導電性の接着剤層とすることができる。
【００２８】
接着剤層２２の厚みは、接着剤層２２が半導体チップと配線基板との間を十分に充填できる厚みであることが好ましい。通常、接着剤層２２の厚みが、突出電極１０ａの高さと配線基板の配線の高さとの和に相当する厚みであれば、半導体チップと配線基板との間を十分に充填できる。
【００２９】
前述のダイシングテープ１６は、基材フィルム１６ａと、基材フィルム１６ａの表面に形成された粘着層１６ｂとを有している。基材フィルム１６ａは、放射線透過性であることが好ましく、具体的には、通常、プラスチック、ゴムなどを用いることができる。基材フィルム１６ａは、放射線を透過する限りにおいて特に制限されるものではないが、紫外線照射によって放射線硬化性粘着剤を硬化させる場合には、光透過性の良いものを選択することができる。
【００３０】
このような基材フィルム１６ａとして選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。
【００３１】
なお、素子間隙を大きくするためには、ネッキング（基材フィルム１６ａを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルム１６ａを用いると効果的である。基材フィルム１６ａの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当である。なお、基材フィルム１６ａの粘着層１６ｂを塗布する側と反対側表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすると、ブロッキング防止、ダイシングテープ１６の放射状延伸時のダイシングテープ１６と治具との摩擦を減少することによる基材フィルム１６ａのネッキング防止などの効果があるので好ましい。
【００３２】
一方、粘着層１６ｂは、本実施形態において、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物（Ｂ）とを含むアクリル系粘着剤からなる。なお、ここで放射線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。
【００３３】
粘着層１６ｂの主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の導入量は、ヨウ素価で通常０．５〜２０、好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
【００３４】
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、「Ｔｇ」とも言う。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
【００３５】
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。
【００３６】
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
【００３７】
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
【００３８】
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総重量の５重量％以下の範囲内で可能である。
【００３９】
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００４０】
化合物（（２））において、用いられる官能基としては、化合物（（１））、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
【００４１】
化合物（（１））と化合物（（２））との反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本実施形態で規定するものを製造することができる。
【００４２】
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００４３】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本実施形態において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、半導体ウエハ１０をダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４４】
なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
【００４５】
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
【００４６】
次に、粘着層１６ｂのもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルム１６ａと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００４７】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートＬ等を用いることができる。
【００４８】
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（登録商標、三菱化学株式会社製）等を用いることができる。本実施形態においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
【００４９】
化合物（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部とすることが好ましく、０．４〜３重量部とすることがより好ましい。その量が０．１重量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１０重量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれる傾向がある。
【００５０】
また、本実施形態において、粘着層１６ｂには、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着層１６ｂの含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４′−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４′−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５１】
光重合開始剤（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．０１〜５重量部とすることが好ましく、０．０１〜４重量部とすることがより好ましい。
【００５２】
さらに本実施形態において用いられる放射線硬化性の粘着層１６ｂには必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤および慣用成分を配合することができる。粘着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常２〜５０μｍである。
【００５３】
（第２実施形態）
この実施形態では、ダイシング工程において、図８に示すように、積層体Ｒ１のウエハ加工テープＦ１側にダイシングテープ１６を貼り付ける。そして、図９に示すように、半導体ウエハ１０の裏面Ｓ２が上方を向いた状態で、ダイシングブレードＤＢによって、裏面Ｓ２側から半導体ウエハ１０をウエハ加工テープＦ１と共にダイシングする（いわゆる、フェイスダウンダイシング）。
【００５４】
そして、図１０に示すように、ウエハ加工テープＦ１の粘着層ＢＴｂと接着剤層１３との境界を剥離させ接着剤層１３が主面Ｓ１に形成された状態の半導体チップ１２４をピックアップする。その後、ピックアップした半導体チップ１２４を実装基板にフリップチップ実装する工程を経て、この半導体チップ１２４を含む半導体デバイスを得ることができる。なお、この実施形態において、前述の第１実施形態と同一又は同等の構成については、図面に同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００５５】
上記のようなダイシング工程によれば、半導体チップ１２４のピックアップの際に、ウエハ加工テープＦ１とダイシングテープ１６とを、半導体チップ１２４から同時に除去できるので、基材フィルムＢＴａ及び粘着剤ＢＴｂを剥離する工程を省略することができる。また、フェイスダウンダイシングが行われるので、ダイシングにより発生する切り屑によって、回路面Ｓ１が汚染されることを抑制することができる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例により本発明を詳しく説明する。尚、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００５７】
（実施例１）
[粘着剤層の作製]
特開２００６−４９４８２号公報に記載されている方法にて得られた粘着剤を、裏面に離型層を有する基材フィルム上に塗布することで作製した。
【００５８】
[接着剤層の作製]
三次元架橋性樹脂としてエポキシ樹脂ＮＣ７０００（日本化薬株式会社製、商品名）１５重量部、三次元架橋性樹脂と反応する硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂ＸＬＣ−ＬＬ（三井化学株式会社製、商品名）１５重量部、分子量１００万以下、Ｔｇ４０℃以下、かつ三次元架橋製樹脂と反応可能な官能基を側鎖に少なくとも１カ所含む共重合性樹脂としてエポキシ基含有アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名、重量平均分子量３０万）２０重量部、マイクロカプセル型硬化剤としてＨＸ−３９４１ＨＰ（旭化成株式会社製、商品名）５０重量部及びシランカップリング剤ＳＨ６０４０（東レ・ダウコーニングシリコーン製、商品名）を用い、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解し、接着層用樹脂組成物のワニスを得た。一方、ワニスを計量した後、粉砕し、大粒径を除去するための５μｍの分級処理を行った平均粒径１μｍのコージェライト粒子（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２、比重２．４、線膨張係数１．５×１０−６／℃、屈折率１．５７）１００重量部を混ぜ、撹拌して分散した後、表面に離形処理が施された支持フィルム（ＰＥＴフィルム）上にロールコータを用いて塗布した後、７０℃のオーブンで１０分間乾燥させて、セパレータ上に厚み５０μｍの接着剤層を得た。
【００５９】
[ウエハ加工用テープの作製]
粘着剤層と接着剤層とをラミネータを通して貼り合わせ、接着剤層側の支持フィルムを引き剥がし、ロール状に巻き取ることで、半導体ウェハ加工用接着フィルムを得た。
【００６０】
（実施例２、３）
実施例１と同様に表１の組成にて半導体ウエハ加工用接着フィルムを得た。
【００６１】
（比較例１、２）
[粘着剤層の作製]
特開２００６−４９４８２号公報に記載されている方法にて得られた粘着剤を、裏面に離型層を有さない基材フィルム上に塗布することで作製した。
【００６２】
[接着剤層の作製]
実施例１，３と同様な組成にて接着剤層を作製した。
【００６３】
[ウエハ加工用テープの作製]
実施例１，３と同様な方法にて半導体ウェハ加工用接着フィルムを得た。
【００６４】
【表１】
2010056407.tif 000003
【００６５】
実施例に示すとおり、基材フィルムの裏面に離型処理層を設けた場合は、ロール状に形成した後に、半導体ウェハ加工用接着フィルムを引き出す際、何れの場合も、基材フィルムと接着剤層との離型性は良好であった。一方で、比較例に示すとおり、基材フィルムの裏面に離型層を設けない場合は、ロール状から半導体加工用接着フィルムを引き出す際、基材フィルムの裏面に接着剤が転写してしまう。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明における半導体ウェハ加工用フィルム状接着剤は、バックグラインド工程前にウェハに貼付、バックグラインドを行い、ダイシング前に基材フィルムを引き剥がしてもウェハ表面から接着剤が剥がれることが無いため、ダイシング後に接着剤付きの半導体チップを得ることができ、フリップチップ接続に利用することが出来るため、チップ接続用フィルムの基板貼付工程を削減することが出来、半導体装置組立の工程短縮に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る第１実施形態のバックグラインド方法及びダイシング方法が適用される半導体ウエハ及びウエハ加工テープを示す断面図である。
【図２】図１の半導体ウエハの回路面上にウエハ加工テープが形成された状態を示す断面図である。
【図３】図２の半導体ウエハの裏面側を研磨する工程を示す図である。
【図４】図３で作製された積層体をダイシングフレームにセットした状態を示す断面図である。
【図５】図４の積層体のダイシング工程を示す断面図である。
【図６】図５でダイシングされた積層体から基材フィルム及び粘着剤層を除去する工程を示す断面図である。
【図７】半導体ウエハのダイシング工程の他の例を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態において、積層体をダイシングフレームにセットした状態を示す断面図である。
【図９】図８の積層体をダイシングした状態を示す断面図である。
【図１０】ダイシングされた半導体チップをピックアップする工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０…半導体ウエハ、１０ａ…突出電極、１３…接着剤層、２２…接着剤層、ＢＴａ…基材フィルム、ＢＴｂ…粘着剤層、Ｓ１…主面、Ｓ２…裏面、１４ａ…ダイシングフレーム、１６…ダイシングテープ、１６ａ…基材フィルム、１６ｂ…粘着層、２４…半導体チップ、２６…粘着テープ、１２４…半導体チップ、１２…裏面研磨装置（バックグラインダ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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