(57)【要約】【課題】  本発明は、真空ポンプの排気効率を低下させることなく、構造体に対する真空ポンプの熱の影響を抑制することを目的とする。【解決手段】  本発明の露光装置は、構造体を収容する真空容器と、真空容器内の真空度を高めるための真空ポンプと、構造体に対して輻射により熱交換を行う輻射部材と、構造体の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の検出温度に基づいて輻射手段を制御する制御手段とを有し、輻射手段は、真空ポンプと構造体の間の輻射による熱交換を遮蔽しない位置に配置されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2010056233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体を収容する真空容器と、該真空容器内の真空度を高めるための真空ポンプと、前記構造体に対して輻射により熱交換を行う輻射部材と、前記構造体の温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段の検出温度に基づいて前記輻射手段を制御する制御手段とを有し、前記輻射手段は、前記真空ポンプと前記構造体の間の輻射による熱交換を遮蔽しない位置に配置されていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記真空ポンプはクライオポンプであって、前記輻射手段は前記クライオポンプの冷却面を遮蔽しない位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記輻射手段の輻射板は前記クライオポンプの冷却面の周囲に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記輻射手段の輻射板の重心と前記冷却面との距離は、前記冷却面の直径よりも短いことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記輻射手段の輻射板の面積は前記冷却面の面積の１０倍以下であることを特徴とする請求項３または４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記輻射手段の輻射板と前記クライオポンプの冷却面の最短距離は、前記冷却面の直径よりも短いことを特徴とする請求項３乃至５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記真空ポンプはターボ分子ポンプであって、前記ターボ分子ポンプと前記真空容器はダクトで連結されており、前記輻射手段は前記ダクトの開口部を遮蔽しない位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項８】
前記輻射手段は前記ダクトの開口部の周囲に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記輻射手段の輻射板の重心と前記開口部との距離は、前記開口部の直径より短いことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記輻射手段の輻射板の面積は前記開口部の面積の１０倍以下であることを特徴とする請求項８または９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記輻射手段の輻射板と前記開口部との最短距離は、前記開口部の直径よりも短いことを特徴とする請求項８乃至１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記真空ポンプはターボ分子ポンプであって、前記ターボ分子ポンプと前記真空容器はダクトで連結されており、前記輻射手段は前記ダクトの内部に配置されており、前記輻射手段の輻射板と前記ダクトの壁面が平行であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記構造体は光学系を保持する鏡筒であることを特徴とする請求項１乃至１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記構造体はレチクルステージであることを特徴とする請求項１乃至１２に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記構造体はウエハステージであることを特徴とする請求項１乃至１２に記載の露光装置。
【請求項１６】
構造体を収容する真空容器と、該真空容器内の真空度を高めるためのポンプと、該ポンプと前記構造体の間に配置される基準温度部材と、前記構造体および前記基準温度部材に対して輻射による熱交換を行う輻射手段と、該基準温度部材の温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段の検出温度に基づいて前記輻射手段を制御する制御手段とを有し、前記輻射手段は、前記真空ポンプと前記構造体の間の輻射による熱交換を遮蔽しない位置に配置されていることを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の露光装置を用いて露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板を露光する露光装置に関し、特に露光装置の内部を真空にする真空ポンプを備える露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際、レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ等に投影する露光装置が用いられている。
【０００３】
露光装置で転写することができる最小の寸法（解像度）は、露光に用いられる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例するため、半導体素子の微細化への要求に伴って露光に用いられる光の短波長化が進んでいる。
【０００４】
そして、１００ｎｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、波長１０ｎｍから１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ光）を用いた露光装置（ＥＵＶ露光装置）が開発されている。
【０００５】
ＥＵＶ光は、気体によって減衰しやすいと共に、炭素を含む不純物と酸素の光化学反応を誘起して光学素子に炭素化合物を付着させてしまうため、ＥＵＶ露光装置においては真空環境下で露光が行われる。
【０００６】
露光装置の内部を真空にするために真空ポンプを用いる場合、真空ポンプの発熱や吸熱により、露光装置を構成する他の要素の温度が変化してしまうため、回路パターンの転写精度が低下するおそれがある。特に投影光学系のミラーを保持する鏡筒や、位置計測手段が配置されている構造体は、ミラーのように線膨張係数が小さな材料を用いることができない。このため、わずかな温度変化によっても許容できない程度の位置ずれが生じて、回路パターンの転写精度や重ね合わせ精度を低下させてしまうおそれがある。
【０００７】
真空ポンプの発熱や吸熱による影響を抑制するために、以下の構成が提案されている。
【０００８】
特許文献１では、ミラーの近くにクライオパネル（クライオポンプ）と電界トラップパネルが配置されており、電界トラップパネルによってミラーの温度調節を行うことによってクライオパネルによる熱の影響を抑制している。
【０００９】
特許文献２では、投影光学系の内部に配置されたクライオパネルがミラーに対して与える熱的な影響を低減するために、クライオパネルを取り囲むようにシールドが配置されている。また、ミラーの温度を一定範囲内に制御するために、シールドまたはクライオパネルの温度制御を行っている。
【特許文献１】特開２００５−３５３９８６
【特許文献２】特開２００５−１０１５３７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１によれば、クライオパネルによってミラーの周囲の真空度を高くすることができるが、電界トラップパネルがクライオパネルに対向して配置されているために、クライオパネルによる吸着効率が低くなってしまう。つまり、電界トラップパネルが配置されていない場合と同程度の真空度を達成するためには、大型の真空ポンプを配置する必要が生じる。また、真空ポンプが大型化すると、鏡筒などのミラー以外の部材に対する熱的な影響が大きくなってしまう。
【００１１】
特許文献２においても、クライオパネルを取り囲むようにシールドが配置されているために、クライオパネルの吸着効率が低くなってしまうため、特許文献１と同様の課題が生じる。
【００１２】
また、ミラーの温度は、真空ポンプの温度変化だけでなく、露光によっても変化する。このため、真空ポンプの熱の影響を抑制するためにシールドの温度を変化させるとき、ミラーの温度を計測した結果に基づいてシールドの温度を制御すると、鏡筒などのミラー以外の部材に対しては、熱的な外乱となってしまうおそれがある。
【００１３】
さらに、鏡筒などのミラー以外の部材に対して、真空ポンプとシールドが異なる方向に配置されていると、鏡筒などの部材に温度分布が生じてしまい、変形するおそれがある。
【００１４】
本発明は、真空ポンプの排気効率を低下させることなく、真空容器内の構造体に対する真空ポンプの熱の影響を抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一例としての露光装置は、構造体を収容する真空容器と、該真空容器内の真空度を高めるための真空ポンプと、前記構造体に対して輻射により熱交換を行う輻射部材と、前記構造体の温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段の検出温度に基づいて前記輻射手段を制御する制御手段とを有し、前記輻射手段は、前記真空ポンプと前記構造体の間の輻射による熱交換を遮蔽しない位置に配置されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の一例としての露光装置は、構造体を収容する真空容器と、該真空容器内の真空度を高めるためのポンプと、該ポンプと前記構造体の間に配置される基準温度部材と、前記構造体および前記基準温度部材に対して輻射による熱交換を行う輻射手段と、該基準温度部材の温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段の検出温度に基づいて前記輻射手段を制御する制御手段とを有し、前記輻射手段は、前記真空ポンプと前記構造体の間の輻射による熱交換を遮蔽しない位置に配置されていることを特徴とする。
【００１７】
例えば、輻射手段をクライオパネルの周囲、ターボ分子ポンプのダクト開口部の周囲またはダクト内に配置すれば、真空ポンプの排気効率をほとんど低下させることがない。また、構造体を基準とすれば、真空ポンプと輻射手段がほぼ同一の方向に配置されることになるため、真空ポンプと輻射手段による構造体への熱の影響を相殺することができ、構造体の温度分布を非常に小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、真空ポンプの排気効率を低下させることなく、構造体に対する真空ポンプの熱の影響を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の露光装置とデバイス製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は、実施例１の露光装置の概略構成図である。本実施例の露光装置はＥＵＶ光を発する光源１２を備えている。露光装置の内部は真空チャンバー（真空容器）１によって密閉されており、ターボ分子ポンプ（真空ポンプ）５により、真空チャンバー内部が真空状態にされる。光源１２から照射されるＥＵＶ光Ｌは、レチクルステージ２に保持されているレチクル９、投影光学系を構成する光学素子１５で反射され、ウエハステージ３に置かれているウエハ４に照射される。これにより、レチクル９の回路パターンがウエハ４へ投影される。
【００２１】
真空チャンバー１は、照明光学系空間２６と、レチクルステージ空間２７と、ウエハステージ空間２８と、投影光学系空間７とに分けられており、それぞれの空間を適切な真空度に保つために、各空間に対してターボ分子ポンプ５が設けられている。
【００２２】
ターボ分子ポンプ５が稼動している間はターボ分子ポンプ５の羽根の温度が高温であるため、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２を通じて真空チャンバー１内に輻射エネルギーが放出されている。
【００２３】
特に、投影光学系空間７には、ミラー１５を保持する鏡筒１６が収容されており、温度がわずかに変化しただけでも鏡筒１６が伸縮してしまい、ミラー１５の位置がずれてしまう。例えば、鏡筒１６の材料として低熱膨張合金を用いた場合、線膨張係数は約０．５〜１．０×１０−６／℃程度であるため、鏡筒全体が０．０１℃だけ変化した場合であっても数ｎｍ以上も鏡筒が伸縮してしまう。特に、鏡筒１６の伸縮はパターンの重ね合わせ精度に大きな影響を及ぼすため問題となる。
【００２４】
本発明の実施例１の要部拡大図を示した図２と図３を用いて、鏡筒１６の温度変化を抑制するための具体的な構成を説明する。ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１はダクト２２でつながれており、ダクト２２の真空チャンバー１側の開口部の周囲には輻射部材（輻射手段）１０が配置されている。
【００２５】
また、ダクト２２の真空チャンバー１側の開口部と輻射部材１０に対向する位置には、ミラー１５およびミラー保持部材１７を備える鏡筒１６が配置されている。鏡筒１６には、鏡筒１６の温度を測定するための温度センサ（温度検出手段）１３が取り付けられており、温度センサ１３は温度コントローラ１１に接続されている。そして、温度コントローラ１１は温度センサ１３の検出温度を一定に保つように輻射部材１０の温度を制御している。
【００２６】
輻射部材１０は、ターボ分子ポンプ５と、構造体に対応する鏡筒１６の間の輻射による熱交換をほとんど遮蔽しない位置に配置されている。したがって、輻射部材１０は、鏡筒１６付近の気体がターボ分子ポンプ５に移動するときの障害にならない位置に配置されているため、ターボ分子ポンプ５の排気効率をほとんど低下させることがない。
【００２７】
具体的には、輻射部材１０は、ターボ分子ポンプ５と鏡筒１６の間のコンダクタンスの低下が１５％以下であるように配置されるのが良い。さらに好ましくは、コンダクタンスの低下が１０％以下であるように配置される。
【００２８】
また、温度センサ１３は、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の熱の影響をほぼ等しく受ける位置に配置されている。ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の熱の影響がほぼ同じになる位置の温度を一定に保つことによって、ターボ分子ポンプ５が投影光学系空間７に放出する熱量と、輻射部材１０が投影光学系空間７から吸収する熱量をほぼ等しくすることができる。つまり、ターボ分子ポンプ５が鏡筒１６に与える熱の影響を輻射部材１０によって相殺することができる。なお、本実施例においては、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２の中心軸上に温度センサ１３が配置されている。
【００２９】
さらに、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の影響を強く受ける位置に温度センサ１３を配置するのが良い。これにより、温度センサ１３の感度を高くすることができるためである。
【００３０】
なお、温度センサ１３が設置される位置の温度が他の発熱部材（センサや回路基板）による影響を受ける場合には、発熱部材の影響による温度上昇分だけ基準温度よりも高い温度で一定になるように制御すればよい。
【００３１】
図２の一部をさらに拡大した図３を用いて、本実施例の輻射部材１０の具体的な構成を説明する。
【００３２】
輻射部材１０は、輻射板２１、ペルチェ素子２０、冷却ジャケット１９から構成されている。
【００３３】
輻射板２１の鏡筒１６側の面は輻射率が０．６以上であり、熱伝導率の高い材料で構成されている。これにより、真空ポンプ５や鏡筒１６の温度変化に対する応答性を高くすることができる。輻射板２１は、例えば、アルミナ、炭化ケイ素などのセラミクスによって構成される。また、熱伝導率が高い金属材料の表面に輻射率を高める加工を行ってもよい。輻射率を高める加工としては、セラミクスの蒸着や、溶射、ガラスの蒸着などが挙げられる。
【００３４】
輻射板２１の鏡筒１６側とは反対側の面については、輻射率を０．２以下にすることによって、輻射板２１から真空チャンバー１へ直接的に熱が伝わることを抑制することができる。
【００３５】
ペルチェ素子２０の裏面には、ペルチェ素子２０の発熱、吸熱を回収するための冷却ジャケット１９が配置されており、冷却ジャケットにはチラー１８から一定の温度に制御された冷媒が供給されることによって、ペルチェ素子の裏面が一定の温度に保たれている。
【００３６】
図４は、本実施例の輻射部材１０の好ましい配置を説明する図である。
【００３７】
輻射部材１０はターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１を繋ぐダクト２２の真空チャンバー１側の開口部の周囲に配置されており、より具体的には、以下の条件の少なくとも１つを満足するように配置されている。
（ａ１）輻射部材１０の輻射板２１の重心とダクト２２の開口部との最短距離が、開口部の直径よりも短いこと。ただし、１つの真空ポンプ（ターボ分子ポンプ５）に対して複数の輻射板２１が配置される場合は、複数の輻射板２１に基づいて輻射板の重心を求めるものとする。
（ｂ１）輻射部材１０の輻射板２１の面積はダクト２２の開口部の面積の１０倍以下であること。
（ｃ１）輻射部材１０の輻射板２１とダクト２２の開口部の最短距離が開口部の直径よりも短いこと。
【００３８】
上記の条件を満足する位置に輻射部材１０を配置することにより、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２の真空チャンバー１側の開口部と、輻射部材１０が、鏡筒１６を基準として、ほぼ同じ方向に配置されることになる。したがって、鏡筒１６の各位置において、ターボ分子ポンプ５から吸収する熱量と、輻射部材１０へ放出する熱量をほぼ等しくすることができるため、鏡筒１６の温度分布を非常に小さくすることができる。
【実施例２】
【００３９】
図５は本発明の実施例２の要部概略図である。実施例１と同様の構成については説明を省略する。
【００４０】
本実施例は、真空ポンプとしてクライオポンプ８を用いている点において実施例１とは相違している。クライオポンプ８は、ウエハ４に塗布されたレジストへＥＵＶ光が照射されて発生した炭素化合物を７０Ｋ程度の冷却面２５に吸着して、投影光学系空間７の炭素化合物の濃度を低下させるために配置されている。
【００４１】
クライオポンプ８は７０Ｋ程度の冷却面２５を利用するため、鏡筒１６等に対する熱的な影響を抑制する必要がある。
【００４２】
そこで、本実施例ではクライオポンプ８の冷却面２５の周囲に輻射部材１０を配置している。輻射部材１０はクライオポンプ８の冷却面２５と構造体である鏡筒１６の間の輻射による熱交換をほとんど遮蔽しない位置に配置されている。したがって、輻射部材１０は、鏡筒１６付近の気体がクライオポンプ８の冷却面２５に移動するときの障害にならない位置に配置されているため、クライオポンプ２５の排気効率（吸着効率）をほとんど低下させることがない。
【００４３】
具体的には、輻射部材１０は、鏡筒１６とクライオポンプ８の冷却面２５間の輻射部材１０によるコンダクタンスの低下が１５％以下であるように配置されるのが良い。さらに好ましくは、コンダクタンスの低下が１０％以下であるように配置される。
【００４４】
また、温度センサ１３は、クライオポンプ８の冷却面２５と輻射部材１０の熱の影響をほぼ等しく受ける位置に配置されている。冷却面２５と輻射部材１０の熱の影響がほぼ同じになる位置の温度を一定に保つことによって、冷却面２５が投影光学系空間７から吸収する熱量と、輻射部材１０が投影光学系空間７へ放出する熱量をほぼ等しくすることができる。つまり、冷却面２５が鏡筒１６から吸収する熱の影響を輻射部材１０によって相殺することができる。なお、本実施例においては、クライオポンプ８の冷却面の中心軸上に温度センサ１３が配置されている。
【００４５】
さらに、冷却面２５と輻射部材１０の影響を強く受ける位置に温度センサ１３を配置するのが良い。これにより、温度センサ１３の感度を高くすることができるためである。
【００４６】
なお、温度センサ１３が設置される位置の温度が他の発熱部材（センサや回路基板）による影響を受ける場合には、発熱部材の影響による温度上昇分だけ基準温度よりも高い温度で一定になるように制御すればよい。
【００４７】
輻射部材１０はクライオポンプ８の冷却面２５の周囲に配置されており、より具体的には、以下の条件の少なくとも１つを満足するように配置されている。
（ａ２）輻射部材１０の輻射板２１の重心とクライオポンプ８の冷却面２５との最短距離が、冷却面２５の直径よりも短いこと。ただし、１つのクライオポンプ８の冷却面２５に対して、複数の輻射板２１が配置される場合は、複数の輻射板２１に基づいて輻射板の重心を求めるものとする。
（ｂ２）輻射部材１０の輻射板２１の面積はクライオポンプ８の冷却面２５の面積の１０倍以下であること。
（ｃ２）輻射部材１０の輻射板２１と冷却面２５の最短距離が冷却面２５の直径よりも短いこと。
【００４８】
上記の条件を満足する位置に輻射部材１０を配置することにより、クライオポンプ８の冷却面２５と、輻射部材１０が、鏡筒１６を基準としてほぼ同じ方向に配置されることになる。したがって、鏡筒１６の各位置において、クライオポンプ８の冷却面２５へ放出する熱量と、輻射部材１０から吸収する熱量をほぼ等しくすることができるため、鏡筒１６の温度分布を非常に小さくすることができる。
【実施例３】
【００４９】
図６は本発明の実施例３の要部概略図である。実施例１と同様の構成については説明を省略する。
【００５０】
本実施例は、温度センサ１３が基準温度部材１４に取り付けられている点において、実施例１とは相違している。
【００５１】
本実施例の基準温度部材１４は、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２の開口部と鏡筒１６との間であって、ダクト２２の中心軸上に配置されている。しかしながら、基準温度部材１４は、ダクト２２の開口部に対して十分に小さいため、ターボ分子ポンプ５の排気効率をほとんど低下させることがない。
【００５２】
基準温度部材１４は、輻射率が高い部材により構成されるか、表面の輻射率が高くなるように加工されており、輻射率が０．６以上である。また、基準温度部材１４を保持する部材に対して大きな熱抵抗を介して保持されている。これにより、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の温度変化に対する基準温度部材１４の感度を高くすることができるため、温度センサ１３を基準温度部材１４に取り付けることによって、高い精度で温度を検出することができる。
【００５３】
なお、温度センサ１３および基準温度部材１４は、実施例１と同様に、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の熱の影響をほぼ等しく受ける位置に配置されることが望ましく、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の影響を強く受ける位置に配置するのが更に好ましい。
【００５４】
なお、本実施例の基準温度部材１４は、実施例２のように真空ポンプとしてクライオポンプ８採用した場合にも同様に適用することができる。
【実施例４】
【００５５】
図７は本発明の実施例４の要部概略図である。実施例１と同様の構成については説明を省略する。
【００５６】
本実施例は、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１を連結するダクト２２の内部に輻射部材１０が配置されている点において、実施例１とは相違している。
【００５７】
本実施例の輻射部材１０の輻射板２１は、ダクト２２の壁面に対して平行に配置されているため、ターボ分子ポンプ５の排気効率はほとんど低下しない。
【００５８】
また、輻射部材１０をダクト２２の内部に配置することによって、ダクト２２の開口部でターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の熱的な影響を相殺されているため、鏡筒１６に対するターボ分子ポンプ５の熱的な影響を抑制することができる。
【００５９】
輻射部材１０をダクト２２の内部に配置することにより、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２の真空チャンバー１側の開口部と、輻射部材１０が、鏡筒１６を基準として、同じ方向に配置されることになる。したがって、鏡筒１６の各位置において、ターボ分子ポンプ５から吸収する熱量と、輻射部材１０へ放出する熱量をほぼ等しくすることができるため、鏡筒１６の温度分布を非常に小さくすることができる。
【００６０】
なお、輻射部材をダクト２２の内部に配置した本実施例は、温度センサ１３が基準温度部材１４に取り付けられている実施例３にも同様に適用することができる。
【実施例５】
【００６１】
図８は本発明の実施例５の要部概略図である。
【００６２】
本実施例では、ウエハステージ空間２８の真空度を高めるためにターボ分子ポンプ５を用いている。ターボ分子ポンプ５の熱の影響を抑制するために、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２の真空チャンバー１側の開口部の周囲に輻射部材１０を配置している。
【００６３】
また、ダクト２２の真空チャンバー１側の開口部と輻射部材１０に対向する位置には、ウエハ４が載置されるウエハステージ３が配置されている。ウエハステージ３には、ウエハステージ３の温度を測定するための温度センサ１３が取り付けられており、温度センサ１３は温度コントローラ１１に接続されている。そして、温度コントローラ１１は温度センサ１３の計測温度を一定に保つように輻射部材１０の温度を制御している。
【００６４】
輻射部材１０は、ターボ分子ポンプ５と、構造体に対応するウエハステージ３の間の輻射による熱交換をほとんど遮蔽しない位置に配置されている。
【００６５】
したがって、輻射部材１０は、ウエハステージ３付近の気体がターボ分子ポンプ５に移動するときの障害にならない位置に配置されているため、ターボ分子ポンプ５の排気効率をほとんど低下させることがない。
【００６６】
具体的には、輻射部材１０は、ターボ分子ポンプ５とウエハステージ３の間のコンダクタンスの低下が１５％以下であるように配置されるのが良い。さらに好ましくは、コンダクタンスの低下が１０％以下であるように配置される。
【００６７】
また、温度センサ１３は、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の熱の影響をほぼ等しく受ける位置に配置されている。ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の熱の影響がほぼ同じになる位置の温度を一定に保つことによって、ターボ分子ポンプ５がウエハステージ空間２８に放出する熱量と、輻射部材１０がウエハステージ空間２８から吸収する熱量をほぼ等しくすることができる。つまり、ターボ分子ポンプ５がウエハステージ３に与える熱の影響を輻射部材１０によって相殺することができる。なお、本実施例においては、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２の中心軸上に温度センサ１３が配置されている。
【００６８】
さらに、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の影響を強く受ける位置に温度センサ１３を配置するのが良い。これにより、温度センサ１３の感度を高くすることができるためである。
【００６９】
なお、温度センサ１３が設置される位置の温度が他の発熱部材（センサや回路基板）による影響を受ける場合には、発熱部材の影響による温度上昇分だけ基準温度よりも高い温度で一定になるように制御すればよい。
【００７０】
輻射部材１０の具体的な構成は実施例１と同様であって、輻射部材１０を実施例１の（ａ１）（ｂ１）（ｃ１）を満足するように配置することによって、ウエハステージ３の温度分布を非常に小さくすることができる。
【００７１】
また、ウエハステージ空間２８に関する本実施例についても、実施例２，３，４と同様の構成を適用することができる。
【実施例６】
【００７２】
図９は本発明の実施例６の要部概略図である。
【００７３】
本実施例では、レチクルステージ空間２７の真空度を高めるためにターボ分子ポンプ５を用いている。ターボ分子ポンプ５の熱の影響を抑制するために、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２の真空チャンバー１側の開口部の周囲に輻射部材１０を配置している。
【００７４】
また、ダクト２２の真空チャンバー１側の開口部と輻射部材１０に対向する位置には、レチクル９が載置されるレチクルステージ２が配置されている。レチクルステージ２には、レチクルステージ２の温度を測定するための温度センサ１３が取り付けられており、温度センサ１３は温度コントローラ１１に接続されている。そして、温度コントローラ１１は温度センサ１３の計測温度を一定に保つように輻射部材１０の温度を制御している。
【００７５】
輻射部材１０は、ターボ分子ポンプ５と、構造体に対応するレチクルステージ２の間の輻射による熱交換をほとんど遮蔽しない位置に配置されている。
【００７６】
したがって、輻射部材１０は、レチクルステージ２付近の気体がターボ分子ポンプ５に移動するときの障害にならない位置に配置されているため、ターボ分子ポンプ５の排気効率をほとんど低下させることがない。
【００７７】
具体的には、輻射部材１０は、ターボ分子ポンプ５とレチクルステージ２の間のコンダクタンスの低下が１５％以下であるように配置されるのが良い。さらに好ましくは、コンダクタンスの低下が１０％以下であるように配置される。
【００７８】
また、温度センサ１３は、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の熱の影響をほぼ等しく受ける位置に配置されている。ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の熱の影響がほぼ同じになる位置の温度を一定に保つことによって、ターボ分子ポンプ５がレチクルステージ空間２７に放出する熱量と、輻射部材１０がレチクルステージ空間２７から吸収する熱量をほぼ等しくすることができる。つまり、ターボ分子ポンプ５がレチクルステージ２に与える熱の影響を輻射部材１０によって相殺することができる。なお、本実施例においては、ターボ分子ポンプ５と真空チャンバー１をつなぐダクト２２の中心軸上に温度センサ１３が配置されている。
【００７９】
さらに、ターボ分子ポンプ５と輻射部材１０の影響を強く受ける位置に温度センサ１３を配置するのが良い。これにより、温度センサ１３の感度を高くすることができるためである。
【００８０】
なお、温度センサ１３が設置される位置の温度が他の発熱部材（センサや回路基板）による影響を受ける場合には、発熱部材の影響による温度上昇分だけ基準温度よりも高い温度で一定になるように制御すればよい。
【００８１】
輻射部材１０の具体的な構成は実施例１と同様であって、輻射部材１０を実施例１の（ａ１）（ｂ１）（ｃ１）を満足するように配置することによって、レチクルステージ２の温度分布を非常に小さくすることができる。
【００８２】
また、レチクルステージ空間２７に関する本実施例についても、実施例２，３，４と同様の構成を適用することができる。
【００８３】
以上、本発明の露光装置の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことは言うまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【００８４】
そして、デバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して感光剤を塗布した基板（ウエハ、ガラスプレート等）を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施例１の露光装置の概略構成図
【図２】本発明の実施例１の要部概略図
【図３】本発明の実施例１の要部概略図
【図４】本発明の実施例１の輻射部材の配置に関する説明図
【図５】本発明の実施例２の要部概略図
【図６】本発明の実施例３の要部概略図
【図７】本発明の実施例４の要部概略図
【図８】本発明の実施例５の要部概略図
【図９】本発明の実施例６の要部概略図
【符号の説明】
【００８６】
１  真空チャンバー
２  レチクルステージ
３  ウエハステージ
４  ウエハ（基板）
５  ターボ分子ポンプ
７  投影光学系空間
８  クライオポンプ
９  レチクル
１０  輻射部材
１１  温度制御器
１２  光源
１３  温度センサ
１４  基準温度部材
１５  ミラー
１６  鏡筒
１７  ミラー保持部材
１８  チラー
１９  冷却ジャケット
２０  ペルチェ素子
２１  輻射板
２２  ダクト
２３  配管
２５  冷却面
２６  照明光学系空間
２７  レチクルステージ空間
２８  ウエハステージ空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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