(57)【要約】【課題】サイドイレーズが抑制された磁気記録媒体および情報記憶装置を提供する。【解決手段】磁気記録媒体において、基板２１と、基板に、非磁性体２７によって離隔され規則的に配列した、それぞれに情報が磁気的に記録される複数の記録ドット２４とを備え、複数の記録ドット２４のそれぞれが、基板に対し垂直に磁化する第１の磁性層２４１と、基板に対し平行に磁化する第１の磁性層よりも磁気異方性の小さい材料で形成された第２の磁性層２４３とを有する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に、非磁性体によって離隔され規則的に配列した、それぞれに情報が磁気的に記録される複数の記録ドットとを備え、
前記複数の記録ドットのそれぞれが、前記基板に対し垂直に磁化する第１の磁性層と、
前記基板に対し平行に磁化する前記第１の磁性層よりも磁気異方性の小さい材料で形成された第２の磁性層とを有するものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１の磁性層が、前記基板と前記第２の磁性層との間に積層されたものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記情報記録媒体が円板状であり、
前記複数の記録ドットのそれぞれが、前記情報記録媒体における径方向での長さが周方向での長さより長いものであることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第１の磁性層が、ＦｅＰｔ合金、ＣｏＰｔ合金、ＦｅＰｔＮｉ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＰｄ合金、交互に積層されたＣｏ層とＰｄ層とを有するＣｏＰｄ多層膜、および交互に積層されたＦｅ層とＰｔ層とを有するＦｅＰｔ多層膜のうちから選択された１種以上で形成されたものであることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第２の磁性層が、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｄ合金、交互に積層されたＣｏ層とＰｔ層とを有するＣｏＰｔ多層膜、および交互に積層されたＣｏ層とＰｄ層とを有するＣｏＰｄ多層膜のうちから選択された１種以上で形成されたものであることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記基板と、前記第１の磁性層の間に軟磁性層を更に備えることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対して情報記録を実行するヘッドとを備え、
前記磁気記録媒体が、
基板と、
前記基板上に、非磁性体によって離隔され規則的に配列した、それぞれに情報が磁気的に記録される複数の記録ドットとを備え、
前記複数の記録ドットのそれぞれが、前記基板に対し垂直に磁化する第１の磁性層と、
前記基板に対し平行に磁化する前記第１の磁性層よりも磁気異方性の小さい材料で形成された第２の磁性層とを有するものであることを特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、磁気記録媒体および情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データの高速アクセス及び高速転送が可能な大容量記憶装置として、情報記憶装置の主流になっている。このＨＤＤについては、これまでも高い年率で面記録密度が高まっており、現在でもさらなる記録密度向上が求められている。
【０００３】
ＨＤＤの記録密度を向上させるためには、トラック幅の縮小や記録ビット長の短縮が必要であるが、記録ビット長の短縮を進めると、記録ビットを長期間保存する性能が低下する熱揺らぎ現象が発生する。また、トラック幅を縮小させると、隣接するトラック同士で、いわゆる干渉が生じ易くなる。この干渉には、記録時における磁気ヘッドからの漏れ磁束によって、磁気記録情報が、目的のトラックに隣接する隣のトラックにも書かれてしまう、サイドイレーズと称する現象が含まれる。これらの現象は、いずれも再生信号のＳ／Ｎ比の低下を招き、エラーレートの劣化を引き起こす要因となる。
【０００４】
熱揺らぎ現象を回避して短いビット長や高いトラック密度を実現する方法として、ビットパターンド型の磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。ビットパターンド型の磁気記録媒体では、記録ビットの位置が予め決められており、その決められた記録ビットの位置に磁性材料のドットが形成されドットの相互間は非磁性材料で構成される。このように磁性材料のドットが互いに分離されているとドットどうしの磁気的相互作用が小さく、上述した熱揺らぎ現象が回避される。
【０００５】
一方、サイドイレーズを抑制するため、ビットパターンド型ではない従来の磁気記録媒体の分野では、２層の記録層を有するＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）媒体が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。このＥＣＣ媒体は、磁気異方性の大きい磁性膜と磁気異方性の小さい磁性膜とが、非磁性中間膜を介して積層された構造を有しており、サイドイレーズが抑制される。
【特許文献１】特開２０００−４８３４０号公報
【特許文献２】特開２００１−１４８１１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ビットパターンド型の磁気記録媒体では、記録ビットの記録層をＥＣＣ媒体のように２層とするだけではサイドイレーズを充分に抑制することができず、サイドイレーズのさらなる抑制が求められている。
【０００７】
上記事情に鑑み、本件開示の磁気記録媒体および情報記憶装置の課題は、ビットパターンド型の磁気記録媒体におけるサイドイレーズを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本件開示の磁気記録媒体の基本形態は、
基板と、
上記基板上に、非磁性体によって離隔され規則的に配列した、それぞれに情報が磁気的に記録される複数の記録ドットとを備え、
上記複数の記録ドットのそれぞれが、上記基板に対し垂直に磁化する第１の磁性層と、
上記基板に対し平行に磁化する上記第１の磁性層よりも磁気異方性の小さい材料で形成された第２の磁性層とを有する。
【０００９】
また、本件開示の情報記憶装置の基本形態は、
磁気記録媒体と、
上記磁気記録媒体に対して情報記録を実行するヘッドとを備え、
上記磁気記録媒体が、
基板と、
上記基板上に、非磁性体によって離隔され規則的に配列した、それぞれに情報が磁気的に記録される複数の記録ドットとを備え、
上記複数の記録ドットのそれぞれが、上記基板に対し垂直に磁化する第１の磁性層と、
上記基板に対し平行に磁化する上記第１の磁性層よりも磁気異方性の小さい材料で形成された第２の磁性層とを有する。
【００１０】
これらの基本形態によれば、記録ドットの磁化を反転させるのに必要な磁界であるスイッチング磁界の、媒体に対する角度に対する特性において、磁界が媒体面に垂直に印加される場合の大きさと、垂直以外の角度における最小値との差が低減し、サイドイレーズが抑えられる。
【発明の効果】
【００１１】
以上の本件開示の磁気記録媒体および情報記憶装置の上記基本形態によれば、サイドイレーズが抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本件開示の磁気記録媒体および情報記憶装置の具体的な実施形態について説明する。
【００１３】
図１は、情報記憶装置の具体的な一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）の内部構造を示す図である。
【００１４】
この図１に示すＨＤＤ１０のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて回転する磁気ディスク２００と、磁気ディスク２００に対して情報記録と情報再生とを行う磁気ヘッド１０３を先端に保持したヘッドジンバルアセンブリ１０４と、このヘッドジンバルアセンブリ１０４が固着されてアーム軸１０５を中心に磁気ディスク２００の表面に沿って移動するキャリッジアーム１０６とキャリッジアーム１０６を駆動するアームアクチュエータ１０７とが収納されている。ここで、磁気ディスク２００が、上述した基本形態における磁気記録媒体の一例に相当し、磁気ヘッド１０３が、その基本形態におけるヘッドの一例に相当する。
【００１５】
磁気ディスク２００は、情報を担持する磁場の印加を受けてこの情報を磁気的に記録する。磁気ディスク２００への情報の記録および磁気ディスク２００に記録された情報の再生に当たっては、アームアクチュエータ１０７によってキャリッジアーム１０６が駆動されて、磁気ヘッド１０３が、回転する磁気ディスク２００上の所望のトラックに位置決めされる。そして、この磁気ヘッド１０３は、磁気ディスク２００の回転に伴って、磁気ディスク２００の各トラックをなぞって複数の情報を順次に記録する。
【００１６】
情報の記録時には、磁気ディスク２００に近接した磁気ヘッドに電気的な記録信号が入力され、磁気ヘッド１０３により、その記録信号に応じた極性の磁界が磁気ディスク２００に印加される。そして、記録層中の磁化が、磁気ディスク２００の表面側と裏面側のうちの、その印加された磁界の極性に応じた側を向くことで情報が記録される。また、情報の再生時には、磁気ヘッド１０３によって、記録層中の磁化が発する微小磁界が検出され、情報が、その微小磁界の極性に応じた電気的な再生信号として取り出される。
【００１７】
図２は、図１に示す磁気ディスクの一部分を模式的に示す図であり、図２のパート（Ａ）は磁気ディスクの平面図であり、パート（Ｂ）は断面図である。
【００１８】
［磁気ディスク］
図２に示す磁気ディスク２００は、複数の記録ドット２４が規則的な配列で並べられた構造を有しており、記録ドット２４のそれぞれには１ビット相当の情報が磁気的に記録される。磁気ディスク２００中心の周りに周回状に並んだ記録ドット２４の列がトラックを形成している。図２のパート（Ａ）では、矢印Ｔで示す方向に並んだ記録ドット２４の列が１つのトラックを形成する。ここで、磁気ディスク２００の周方向である矢印Ｔの方向をトラック方向Ｔとし、トラック方向Ｔと交わる、磁気ディスク２００の径方向をトラック幅方向Ｗと称する。また、磁気ディスク２００の表裏面に垂直な方向を垂直方向Ｚと称する。垂直方向Ｚは、後に説明するディスク基板２１の表面に垂直な方向でもある。また、トラック方向Ｔおよびトラック幅方向Ｗを含み、磁気ディスク２００の表裏面と平行な方向を面内方向とも称する。
【００１９】
記録ドット２４の相互間は、非磁性体からなる分離帯２７となっており、この分離帯２７によって記録ドット２４どうしの磁気的相互作用が小さくなっている。ここで、非磁性体とは、磁気異方性および飽和磁化が、記録ドット２４を形成するいずれの材料の磁気異方性および飽和磁化よりも低く、情報が記録されない程度に低いことを意味する。
【００２０】
図２のパート（Ｂ）に示すように、磁気ディスク２００は、ディスク基板２１、軟磁性層２２、中間層２３、記録ドット２４、分離帯２７、保護膜２５、および潤滑層２６を有している。ディスク基板２１、軟磁性層２２、および中間層２３はこの順番で積層されており、中間層２３のさらに上に、記録ドット２４および分離帯２７が積層されている。記録ドット２４および分離帯２７の上には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）で形成された保護膜２５、および潤滑層２６がこの順番で積層されている。
【００２１】
ディスク基板２１は、非磁性材料で形成された円板状の部材である。ディスク基板２１の材料としては、ガラス製またはアルミニウム製が採用可能である。
【００２２】
軟磁性層２２は、情報記録時に磁気ヘッド１０３が印加した磁界に係る磁力線が磁気ヘッド１０３へと戻っていくときの磁路としての役割を果たす層である。軟磁性層２２の材料としては、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｂ、およびＰｔのいずれかを含んだ合金が採用可能である。また、軟磁性層２２と記録ドット２４の間に介在する中間層２３の材料としては、Ｒｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、およびＷのいずれかを含んだ合金が採用可能である。
【００２３】
記録ドット２４のそれぞれは、磁気異方性が相対的に大きいハード層２４１と、ハード層２４１よりも磁気異方性が小さいソフト層２４３の２層の記録層を有しており、より詳細には、ハード層２４１、交換結合力制御層２４２、およびソフト層２４３がこの順番で積層された構造を有している。
【００２４】
ハード層２４１は、磁性材料で形成されており、磁気ヘッド１０３が印加する磁界によって垂直方向に磁化する。ソフト層２４３も磁性材料で形成されているが、ソフト層２４３は、ハード層２４１の磁気異方性よりも小さい磁気異方性を有する材料で形成されている。またソフト層２４３は、磁化容易軸が面内方向に向くよう形成されており、面内方向に磁化される。
【００２５】
ハード層２４１の材料としては、遷移金属元素を含む合金または多層膜が採用可能であるが、例えばＦｅＰｔ合金、ＣｏＰｔ合金、ＦｅＰｔＮｉ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＰｄ合金、交互に積層されたＣｏ層とＰｄ層とを有するＣｏＰｄ多層膜、および交互に積層されたＦｅ層とＰｔ層とを有するＦｅＰｔ多層膜が好ましい。また、ソフト層２４３の材料としても遷移金属元素を含む合金または金属多層膜が採用可能であるが、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｄ合金、交互に積層されたＣｏ層とＰｔ層とを有するＣｏＰｔ多層膜、および交互に積層されたＣｏ層とＰｄ層とを有するＣｏＰｄ多層膜が好ましい。上述した合金または多層膜といった材料をハード層２４１およびソフト層２４３に用いることにより、ハード層２４１よりも磁気異方性が小さく面内方向に磁化されるソフト層を容易に形成することができる。なお、ソフト層２４３とハード層２４１に同一種類の材料を選択する場合、組成配分によって磁気異方性を調整することができる。例えば、ソフト層２４３とハード層２４１にＣｏＰｔ合金を用いた場合、ソフト層２４３におけるＰｔの比率をハード層２４１よりも高めることによって、磁気異方性を相対的に低くすることができる。
【００２６】
交換結合力制御層２４２は、ハード層２４１とソフト層２４３との間に介在する層である。交換結合力制御層２４２の材料としては、ＣｒＭｏ合金、Ｃｒ、Ｒｕ、およびＴａのいずれかを用いることが好ましい。これらの材料を用いることによって、磁気ディスク２００の製造時に、交換結合力制御層２４２の上に形成されるソフト層２４３の結晶方向を揃え、磁化容易軸をディスク基板２１に対し略平行に揃いやすくすることができる。また、ソフト層２４３は、層の厚さすなわち垂直方向の寸法が、各記録ドット２４におけるトラック幅方向Ｗでの長さ、およびトラック方向Ｔでの長さのいずれよりも薄いものであることが好ましい。層の厚さが、トラック幅方向Ｗでの長さ、およびトラック方向Ｔでの長さのいずれよりも薄いことによって、ソフト層２４３の磁化容易軸を、ディスク基板２１に対し略平行に揃いやすくなる。
【００２７】
また、記録ドット２４のそれぞれは、トラック幅方向Ｗでの長さがトラック方向Ｔでの長さよりも長いことが好ましい。トラック幅方向Ｗでの長さがトラック方向Ｔでの長さよりも長いことによって、特に、記録対象の記録ドットに隣接するトラックの記録ドットに対するサイドイレーズが抑えられる。
【００２８】
軟磁性層２２の膜厚は１５ｎｍ以上が好ましい。また、中間層２３の膜厚は１ｎｍ以上３ｎｍ以下が好ましい。また、ハード層２４１とソフト層２４３とを合わせた膜厚は３ｎｍ以上が好ましく、このうち、ハード層２４１の膜厚が２ｎｍ以上であり、ソフト層２４３の膜厚が１ｎｍ以上であることが好ましい。ただし、ソフト層２４３の膜厚は、上述したように記録ドット２４のトラック幅方向Ｗでの長さ、およびトラック方向Ｔでの長さのいずれよりも薄いことがより好ましい。また、交換結合力制御層２４２の膜厚は０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
ここで、ディスク基板２１は、上述した基本形態における基板の一例に相当する。ハード層２４１は、上述した基本形態における第１の磁性層の一例に相当し、ソフト層２４３は、上述した基本形態における第２の磁性層の一例に相当する。
【００３０】
図３は、図２に示す磁気ディスクの製造方法を示す図である。
【００３１】
図３に示す製造方法では、まず、製膜工程（Ａ）で、ガラスのディスク基板２１上に軟磁性層２２、中間層２３、ハード層２４１、交換結合力制御層２４２、ソフト層２４３、および保護膜２５をこの順番で形成する。各層の成膜は、真空中でスパッタリングにより行うことができる。
【００３２】
次に、イオン注入工程（Ｂ）で、上部から記録ドット２４となる部分を除いた部分にイオンを照射する。イオンとしては、酸素イオンまたは窒素イオンが好ましい。イオンの照射は、図示しないレジストを保護膜２５上に塗布・現像し、記録ドットとなる部分にレジストを残した状態で行うことによって、選択的な照射が行われる。イオンが注入された部分は飽和磁化が減少し、これによって、記録ドット間に磁気的な溝である分離帯２７が形成されると同時に、分離帯２７によって離間した記録ドット２４が形成される。分離帯２７の飽和磁化は記録ドット２４におけるハード層２４１およびソフト層２４３の双方の飽和磁化よりも十分に低いため、情報が記録ドット２４のみに記録され、分離帯２７には記録されない。
【００３３】
最後に、潤滑層形成工程（Ｃ）で、保護膜２５上に潤滑剤を塗布することによって潤滑層２６が形成され、完成状態（Ｄ）に示すように、磁気ディスク２００が完成する。
【００３４】
磁気ディスク２００では、ソフト層２４３が、ハード層２４１に対しディスク基板２１とは反対側に設けられている。すなわち、ハード層２４１がソフト層２４３とディスク基板２１との間に配置されている。この場合には、磁気ディスク２００の製造において、交換結合力制御層２４２によって、ソフト層２４３の磁化方向を容易に面内方向に合わせることができる。
【００３５】
［特性］
図２に示す磁気ディスク２００における記録ドット２４に与える磁界の向きと、記録ドット２４の磁化が反転する磁界の大きさの関係をシミュレーションした。
【００３６】
また、磁気ディスク２００とは別に、垂直方向に磁化されるソフト層を有する参考例の磁気ディスクについてもシミュレーションした。
【００３７】
図４は参考例の磁気ディスクの一部分を模式的に示す図であり、図４のパート（Ａ）は磁気ディスクの平面図であり、パート（Ｂ）は断面図である。図４に示す参考例の磁気ディスク５００は、ソフト層５４３の磁化容易軸が垂直方向Ｚを向くように形成され、ソフト層が垂直方向Ｚに磁化される点が、図２に示す磁気ディスク２００と異なり、残りの点は図２に示す磁気ディスク２００と同じである。
【００３８】
なお、シミュレーションでは、ハード層の膜厚を６ｎｍとし、ソフト層の膜厚を３ｎｍとした。また、記録ドット２４のトラック方向Ｔの長さと、トラック幅方向Ｗの長さの比を１：３とした。また、シミュレーションでは、ソフト層の磁気異方性を表す磁気異方性定数（以降、単に磁気異方性と称する。）Ｋｕが４×１０５ｅｒｇ／ｃｃの場合と、２×１０５ｅｒｇ／ｃｃの場合について特性を求めた。
【００３９】
図５は、図２に示す磁気ディスクにおけるスイッチング磁界の特性を示すグラフであり、図６は参考例の磁気ディスクにおけるスイッチング磁界の特性を示すグラフである。
【００４０】
グラフ横軸の印加磁界角度は、図７に示すように、記録ドット２４に印加される磁界Ｈの印加方向が垂直方向Ｚとなす角θを表しており、０が基板に対し垂直を意味し、９０が基板に対し平行を意味する。ＨＤＤ１０内の磁気ディスク２００では、記録対象となる記録ドット２４に、磁気ヘッド１０３の略直下で磁気ヘッド１０３から略垂直方向Ｚの磁界、すなわち印加磁界角度θが略０°の磁界が印加されることとなる。また、隣接する記録ドットには、垂直方向Ｚに対し記録対象ドットからの距離に応じた角度θで磁界が印加されることとなる。グラフの縦軸は、記録ドットの磁化が反転するのに要する磁界の大きさであるスイッチング磁界を表している。スイッチング磁界が小さいほど、記録ドットの磁化が反転しやすいことを意味する。なお、グラフでは、スイッチング磁界Ｈｓが、磁気異方性Ｋｕを飽和磁化Ｍｓで除した商である定数Ｈｋによって標本化された値Ｈｓ／Ｈｋとして表されている。
【００４１】
参考例の磁気ディスクでは、図６に示すように、ソフト層の磁気異方性Ｋｕが４×１０５ｅｒｇ／ｃｃの場合、印加磁界角度０°におけるスイッチング磁界が約０．２３であり、印加磁界角度３０°におけるスイッチング磁界の最小値が約０．１８である。角度０°におけるスイッチング磁界と最小値との差は約０．０５である。しかし、磁気異方性Ｋｕが２×１０６ｅｒｇ／ｃｃの場合、スイッチング磁界が約０．３７であり、印加磁界角度３０°におけるスイッチング磁界の最小値が約０．２６であり、差が約０．１１となっている。
【００４２】
一方、図２に示す磁気ディスクでは、図５に示すように、ソフト層の磁気異方性Ｋｕが４×１０５ｅｒｇ／ｃｃの場合、印加磁界角度０°におけるスイッチング磁界が約０．２３であり、印加磁界角度３０°におけるスイッチング磁界の最小値が約０．１８である。角度０°におけるスイッチング磁界と最小値との差は約０．０５である。この差は、磁気異方性Ｋｕが２×１０６ｅｒｇ／ｃｃの場合も略同程度に維持されている。
【００４３】
図２に示す磁気ディスク２００は、参考例の磁気ディスクに比べ、ソフト層の磁気異方性Ｋｕが２×１０６ｅｒｇ／ｃｃの場合でも、角度０°におけるスイッチング磁界と最小値との差が小さく抑えられている。本実施形態の磁気ディスクによれば、磁気ヘッド直下の近傍に位置する対象の記録ドットに記録する場合、隣接する記録ドットに記録がされてしまうサイドイレーズが抑えられる。
【００４４】
なお、具体的な各実施形態に対する上記説明では、「課題を解決するための手段」で説明した基本形態における第１の磁性層および第２の磁性層の一例としてハード層およびこのハード層の上に形成されたソフト層のそれぞれが示されているが、この第１の磁性層および第２の磁性層は、第２の磁性層の上に第１の磁性層が配置されたものであってもよい。
【００４５】
また、具体的な各実施形態に対する上記説明では、「課題を解決するための手段」で説明した基本形態における第１の磁性層および第２の磁性層の一例として、トラック方向Ｔおよびトラック幅方向Ｗの長さが共通のハード層およびソフト層が示されているが、この第１の磁性層および第２の磁性層は、基板から離れた上位層の長さが下位の層の長さより小さいピラミッド状であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】情報記憶装置の具体的な一実施形態であるＨＤＤの内部構造を示す図である。
【図２】図１に示す磁気ディスクの一部分を模式的に示す図である。
【図３】図２に示す磁気ディスクの製造方法を示す図である。
【図４】参考例の磁気ディスクの一部分を模式的に示す図である。
【図５】図２に示す磁気ディスクにおけるスイッチング磁界の特性を示すグラフである。
【図６】参考例の磁気ディスクにおけるスイッチング磁界の特性を示すグラフである。
【図７】印加磁界角度を説明する図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０    ハードディスク装置（情報記憶装置）
１０３    磁気ヘッド
２００    磁気ディスク（磁気記録媒体）
２１    ディスク基板（基板）
２２    軟磁性層
２３    中間層
２４    記録ドット
２４１    ハード層（第１の磁性層）
２４２    交換結合力制御層
２４３    ソフト層（第２の磁性層）
２７    分離帯（非磁性体）
【図１】
2010097634.tif 000003
【図２】
2010097634.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010097634.tif 000006
【図５】
2010097634.tif 000007
【図６】
2010097634.tif 000008
【図７】
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