(57)【要約】【課題】高速光通信器等に使用される増幅回路に関し、特に増幅回路を光変調器のドライバとして使用する場合でも、出力段の増幅器を正常に動作させ、変調器に対応した出力レベルのドライブ信号を供給できる増幅回路を提供するものである。【解決手段】第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部を前記第１の増幅器のバイアスに抵抗を介して帰還する増幅回路であって、上記第２の増幅器の帰還する一部ないし全部の出力と上記抵抗との間に所定レベルの入力信号が入力するトランジスタを接続した構成であり、前記トランジスタへの所定レベルの入力信号は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを保持させる信号である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部を前記第１の増幅器のバイアスに抵抗を介して帰還する増幅回路において、
前記第２の増幅器の帰還する一部ないし全部の出力と前記抵抗との間に所定レベルの入力信号を入力するトランジスタを接続したことを特徴とする増幅回路。
【請求項２】
前記トランジスタへの所定レベルの入力信号は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを一定に保持する信号であることを特徴とする請求項２記載の増幅回路。
【請求項３】
ソース接地の第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部をソースフォロワのトランジスタを介して前記第１の増幅器のバイアスに帰還する増幅回路において、
前記ソースフォロワトランジスタのソースと前記第１の増幅器のバイアスとの間に所定レベルの入力信号が入力するトランジスタを接続したことを特徴とする増幅回路。
【請求項４】
前記トランジスタへの所定レベルの入力信号は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを一定に保持する信号であることを特徴とする請求項３記載の増幅回路。
【請求項５】
前記トランジスタのソースと前記第１の増幅器のバイアスとの間に、抵抗が接続されていることを特徴とする請求項３、又は４記載の増幅回路。
【請求項６】
エミッタ接地の第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部を前記第１の増幅器のバイアスに抵抗を介して帰還する増幅回路において、
前記第２の増幅器の帰還する一部ないし全部の出力と前記抵抗との間に所定レベルの入力信号を入力するトランジスタを接続したことを特徴とする増幅回路。
【請求項７】
前記トランジスタへの所定レベルの入力信号は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを一定に保持する信号であることを特徴とする請求６記載の増幅回路。
【請求項８】
エミッタ接地の第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部をエミッタフォロワのトランジスタを介して前記第１の増幅器のバイアスに帰還する増幅回路において、
前記エミッタフォロワトランジスタのエミッタと前記第１の増幅器のバイアスとの間に所定レベルの入力信号が入力するトランジスタを接続したことを特徴とする増幅回路。
【請求項９】
前記トランジスタへの所定レベルの入力信号は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを一定に保持する信号であることを特徴とする請求項８記載の増幅回路。
【請求項１０】
前記トランジスタのエミッタと前記第１の増幅器のバイアスとの間に、抵抗が接続されていることを特徴とする請求項８、又は９記載の増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高速光通信装置等に使用される増幅回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネット等によるブロードバンドネットワークの普及により、通信量は増加の一途を辿り、これに伴い大容量フォトニックネットワークの構築が求められている。今日、通信速度が1０Gbpsベースのネットワークが主流であるが、更なる通信量の増加に対応するため、４０Gbpsベースの通信速度に対応できる光変調器を含む送信機や受信機の開発が必須であり、これを実現するため、例えばＬＮ（ニオブ酸リチウム(LiNbO3)）光変調器等を駆動する高速、大振幅出力が可能な増幅回路が必要となる。
【０００３】
図７は高速増幅回路として使用される二段帰還型増幅回路の回路図であり、二段構造の増幅回路で構成され、二段目の増幅器の出力を一段目の増幅器のバイアスに帰還する構造である。すなわち、ｉｎ、ｉｎ（負論理）に入力した変調情報を含む電気信号は、対応する二段のトランジスタＴ１とＴ２、及びＴ３とＴ４によって増幅され、トランジスタＴ２の出力を一段目の増幅器であるトランジスタＴ１のバイアスに帰還し、またトランジスタＴ４の出力を一段目の増幅器であるトランジスタＴ３のバイアスに帰還し、高周波成分の増幅率を向上させた出力を端子（ＯＵＴ）から出力する。
【０００４】
この場合、帰還電流は抵抗Ｒ２、Ｒ３を流れ、トランジスタＴ１のバイアスに帰還し、また抵抗Ｒ５、Ｒ６を流れ、トランジスタＴ３のバイアスに帰還し、高周波成分の増幅率を向上させ、増幅帯域を拡大させる。
【０００５】
また、図８は上記図７と同じ二段帰還型増幅回路であるが、抵抗Ｒ２、Ｒ３間にソースフォロワのトランジスタＴ５が接続され、抵抗Ｒ５、Ｒ６間に同じくソースフォロワのトランジスタＴ６が接続され、帰還電流がトランジスタＴ５を介して一段目の増幅器であるトランジスタＴ１のバイアスに供給され、またトランジスタＴ６を介して一段目の増幅器であるトランジスタＴ３のバイアスに供給される。
【０００６】
尚、特許文献１は複数の電力増幅用トランジスタが縦続接続された多段構成の高周波電力増幅回路の発明であり、出力電力レベルの低い領域でも最終段より前段にある増幅用トランジスタにアイドル電流が充分流れるようにして信号の歪を小さくし、電力効率を向上させる発明を開示する。
【０００７】
また、特許文献２は、帰還容量の影響を抑制し、低コストで広帯域化を目的とする増幅回路の発明であり、特許文献３は全帰還型増幅回路とレベルシフト増幅回路を交互に接続して多段化し、例えばレベルシフト増幅回路のトランジスタ間に配設した容量成分によって高周波におけるエミッタ負帰還抵抗を抑え、高周波での利得を上昇させ、広帯域化を実現する増幅回路の発明である。
【特許文献１】特開２００４−１９３８４６号公報
【特許文献２】特開平０８−２５６０２４号公報
【特許文献３】特開平１０−２４７８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記図７及び図８に示す二段帰還型増幅回路を、例えば高速光通信器の送信側のＬＮ光変調器のドライバとして使用する場合、両図に示す電流源Ｉに流す電流量を調整して光変
調器に対応する信号レベルを得ている。すなわち、両図に示す端子（ＯＵＴ）に前述のＬＮ光変調器を接続し、このＬＮ光変調器のドライバとして上記増幅回路を使用する場合、ドライバの出力振幅は電流源Ｉを流れる電流量に依存するため、この電流量を調整することによっての出力振幅を調整し、使用する光変調器の出力レベルに対応させている。
【０００９】
しかしながら、上記増幅回路において、電流源Ｉを流れる電流量を変化させた場合、同時に図７及び図８に示すＡ、Ｂ、Ｃの各点の電位も変動する。特にＣ点の電位は二段目の増幅器であるトランジスタＴ２のゲート電位であり、Ｃ点の電位レベルが変化することによりトランジスタＴ２の動作が異常となり、その結果出力波形が大きく劣化する。尚、このことは、トランジスタＴ４側のゲート電位についても同様である。
【００１０】
そこで、本発明は二段帰還型増幅回路を、例えばＬＮ光変調器等の光変調器に使用する場合でも、出力段の増幅器を正常に動作させ、光変調器に対応した出力波形のドライブ信号を出力できる増幅回路を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１、第２の二段構造の増幅器を有し、上記第２の増幅器の出力を上記第１の増幅器のバイアスに抵抗を介して帰還する増幅回路において、前記第２の増幅器の出力と前記抵抗との間に所定レベルの入力信号を入力するトランジスタを接続する増幅回路を提供することによって達成できる。
【００１２】
このように構成することにより、増幅回路の出力レベルが調整された場合でも、上記第２の増幅器の入力レベルに影響を与えることなく、第２の増幅器を正常に駆動させ、増幅回路から安定した所定レベルの振幅出力を行なわせる構成である。
【００１３】
また、ソース接地の第１、第２の二段構造の増幅器を有し、上記第２の増幅器の出力をソースフォロワのトランジスタを介して上記第１の増幅器のバイアスに帰還する増幅回路において、上記ソースフォロワトランジスタのソースと上記第１の増幅器のバイアスとの間に所定レベルの入力信号を入力するトランジスタを接続する増幅回路を提供することによって達成できる。
【００１４】
また、上記第１、第２の二段構造の増幅器はエミッタ接地の増幅器であってもよく、前述と同様、増幅回路の出力レベルが調整された場合でも、上記第２の増幅器の入力レベルに悪影響を与えることなく、増幅回路から安定した所定レベルの振幅出力を行なわせる構成である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、増幅回路の出力レベルが調整された場合でも、上記第２の増幅器の入力に影響を与えることなく、第２の増幅器を正常に動作させ、増幅回路から安定した出力を行ない、本発明の増幅回路に接続された、例えば光変調器に対応した振幅レベルの出力を供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（実施形態１）
図１は、本実施形態の増幅回路の回路図を示す。
【００１７】
同図において、本例の増幅回路は、トランジスタＴ１１〜Ｔ１６、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６、電流源Ｉ１及びＩ２で構成されている。ここで、トランジスタＴ１１とＴ１２、及びＴ１３とＴ１４は共に二段増幅回路を構成し、トランジスタＴ１１とＴ１２は入力端子ｉｎから入力する信号（変調信号）を増幅し、トランジスタＴ１２のドレイン（Ａ部）に発生する信号を端子（ＯＵＴ）から所定振幅の出力信号として出力し、同様にトランジスタＴ１３とＴ１４は入力端子ｉｎ（負論理）から入力する信号（変調信号）を増幅し、トランジスタＴ１４のドレイン（Ａ´部）に発生する信号を端子（ＯＵＴ）から所定振幅の出力信号として出力する。
【００１８】
この出力は、例えば不図示のＬＮ光変調器に供給され、ＬＮ光変調器はレーザ光を上記端子（ＯＵＴ）から供給された出力信号（振幅出力）に従って変調し、不図示の光ファイバーケーブル、中継器等を介して受信機に送信する。
【００１９】
また、第一段目の増幅器であるトランジスタＴ１１のドレインには抵抗Ｒ１３を介してバイアス電圧が印加され、トランジスタＴ１３のドレインには抵抗Ｒ１６を介してバイアス電圧が印加される。同様に、第二段目の増幅器であるトランジスタＴ１２のドレインには抵抗Ｒ１２を介してバイアス電圧が印加され、トランジスタＴ１４のドレインには抵抗Ｒ１５を介してバイアス電圧が印加される。また、抵抗Ｒ１１及び１４は分圧抵抗であり、抵抗Ｒ１１とＲ１２の設定値（抵抗値）に従ってＢ点の電位が決定され、抵抗Ｒ１４とＲ１５の設定値（抵抗値）に従ってＢ´点の電位が決定される。
【００２０】
また、本例では上記Ｂ点と抵抗Ｒ１３の一端（Ｄ点）との間にトランジスタＴ１５が接続されている。具体的には、抵抗Ｒ１３の一端（Ｄ点）とトランジスタＴ１５のソースが接続され、トランジスタＴ１５のドレインと前述の抵抗Ｒ１１とＲ１２の接続点（Ｂ点）が接続されている。また、トランジスタＴ１５のゲート（Ｅ点）には後述するゲート電圧が印加される。
【００２１】
同様に、抵抗Ｒ１６の一端（Ｄ´点）とトランジスタＴ１６のソースが接続され、トランジスタＴ１６のドレインと前述の抵抗Ｒ１４とＲ１５の接続点（Ｂ´点）が接続され、トランジスタＴ１６のゲート（Ｅ´点）には後述するゲート電圧が印加される。
【００２２】
また、図１に示す本例の増幅回路には、電源ＶＤＤが供給され、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、トランジスタＴ１２（及び抵抗Ｒ１４、Ｒ１５、トランジスタＴ１４）を介して流れる電流は電流源Ｉ１を流れ、抵抗Ｒ１１、トランジスタＴ１５、抵抗Ｒ１３、トランジスタＴ１１（及び抵抗Ｒ１４、トランジスタＴ１６、抵抗Ｒ１６、トランジスタＴ１３）を介して流れる電流は電流源Ｉ２を流れる。
【００２３】
以上の構成において、ｉｎ、ｉｎ（負論理）から信号が供給されると、それぞれ対応する二段の増幅器（トランジスタＴ１１とＴ１２、及びトランジスタＴ１３とＴ１４）によって当該信号が増幅され、両信号の差分出力が端子（ＯＵＴ）から前述のＬＮ光変調器に供給される。また、電流源Ｉ１は上記光変調器に対応する振幅出力を得るべく、所定の電流値に調整される。例えば、４０ｍＡ〜１６０ｍＡ間で調整される。
【００２４】
このとき、従来例の説明において述べたように、前述のＢ点、Ｂ´点の電位レベルは変動する。すなわち、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５の抵抗値は固定であり、基準となる電流値が変わるため、Ｂ点、Ｂ´点の電位レベルも変わる。しかし、本例では従来例の場合と異なり、Ｂ点とＤ点間にトランジスタＴ１５が配設されており、またＢ´点とＤ´点間にトランジスタＴ１６が配設されており、Ｂ点、Ｂ´点の電位レベルが変わった場合でも、Ｄ点及びＤ´点の電位レベルを保持する。
【００２５】
このため、トランジスタＴ１５のゲートにはゲート信号Ｅが印加され、Ｄ点の電位レベルの変化を防いでいる。同様に、トランジスタＴ１６のゲートにもゲート信号Ｅ´が印加され、Ｄ´点の電位レベルの変化を防いでいる。したがって、このように構成することに
より、Ｃ点、Ｃ´点の電位レベルが維持され、第二段目の増幅器であるトランジスタＴ１２、及びＴ１４のゲート電圧に影響を及ぼすことなく、出力段のトランジスタＴ１２、Ｔ１４を正常に駆動させ、光変調器に対応した振幅レベルの出力を光変調器に供給することができる。
【００２６】
ここで、上記トランジスタＴ１５、及びＴ１６のゲートに印加するゲート信号Ｅ、Ｅ´は、以下の計算式によって求めるＤ点、Ｄ´点の電位レベルの設定が可能な信号である。
電圧（Ｄ）＝Ｃ点の電位＋（Ｒ１３の抵抗値×（電流源Ｉ２の電流値／２））
電圧（Ｄ´）＝Ｃ´点の電位＋（Ｒ１６の抵抗値×（電流源Ｉ２の電流値／２））
したがって、上記条件を満足するゲート信号をトランジスタＴ１５とＴ１６のゲートに供給することによって、電流源Ｉ１の電流値を調整した場合でも、Ｄ点、Ｄ´点の電位レベルに影響を与えることなく、最終段の増幅器を正常に動作させ、正常なドライブ信号を光変調器に供給することができる。
【００２７】
図２は本例の増幅回路を使用した出力信号波形を示し、同図（ａ）は出力振幅を４Ｖp-pに設定した際の出力信号波形を示し、同図（ｂ）は出力振幅を２Ｖp-pに設定した際の出力信号波形を示す。本実施形態の場合、前述の電流源Ｉ１を調整し、出力振幅を４Ｖp-pから２Ｖp-pに調整した場合でも、同図（ａ）、（ｂ）に示すように出力信号波形に変化はなく、出力段のトランジスタＴ１２とＴ１４が正常に駆動し、良好な信号波形を光変調器に供給することができる。
【００２８】
尚、図３は上記本例の出力信号波形との比較を行なうため、従来回路における出力信号波形を示し、同図（ａ）の４Ｖp-pの出力振幅の出力信号波形に対し、同図（ｂ）に示す２Ｖp-pに設定された出力振幅は大きく劣化していることが分かる。
【００２９】
したがって、本実施形態で説明したように、トランジスタＴ１５及びＴ１６を介装し、トランジスタＴ１５及びＴ１６のゲートに前述の条件を満足するゲート信号を印加することによって、出力振幅を調整した場合でも、最終段の増幅器のゲート電圧に影響を与えることなく、正常なドライブ信号を光変調器に供給することができる。
【００３０】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について説明する。
図４は本例の増幅回路の回路図を示す。本実施形態の増幅回路は前述の図１に示す増幅回路に対してトランジスタＴ１７とＴ１８が接続されている点が異なり、他の回路構成は同じである。したがって、前述の実施形態１と同じ回路素子には同一番号を付して説明する。
【００３１】
本実施形態の増幅回路は、トランジスタＴ１１〜Ｔ１８、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６、電流源Ｉ１及びＩ２で構成されている。ここで、トランジスタＴ１１とＴ１２、及びＴ１３とＴ１４の構成は前述の実施形態と同様であり、共に二段増幅回路を構成し、トランジスタＴ１１とＴ１２は入力端子ｉｎから入力する信号を増幅し、トランジスタＴ１３とＴ１４は入力端子ｉｎ（負論理）から入力する信号を増幅し、端子（ＯＵＴ）から所定の振幅出力を、不図示のＬＮ光変調器に供給する。
【００３２】
また、第一段目の増幅器であるトランジスタＴ１１のドレインには抵抗Ｒ１３を介してバイアス電圧が印加され、トランジスタＴ１３のドレインには抵抗Ｒ１６を介してバイアス電圧が印加されている。
【００３３】
本実施形態では、抵抗Ｒ１１とＲ１２の接続点の電位がゲート電圧として印加されるソースフォロワトランジスタＴ１７が設けられ、このトランジスタＴ１７を駆動して第一段目の増幅器であるトランジスタＴ１１にバイアス電圧を付与する。同様に、抵抗Ｒ１４とＲ１５の接続点の電位がゲート電圧として印加されるソースフォロワのトランジスタＴ１８が設けられ、このトランジスタＴ１８を駆動して第一段目の増幅器であるトランジスタＴ１３にバイアス電圧を付与する。
【００３４】
本実施形態において、要部であるトランジスタＴ１５は、上記トランジスタＴ１７のソースにドレインが接続され、前述の抵抗Ｒ１３にソースが接続されている。また、要部であるトランジスタＴ１６は、上記トランジスタＴ１８のソースにドレインが接続され、前述の抵抗Ｒ１６にソースが接続されている。さらに、上記トランジスタＴ１５とＴ１６のゲートには前述と同様、所定のゲート信号Ｅ、Ｅ´が印加される。
【００３５】
上記構成において、前述と同様ｉｎ、ｉｎ（負論理）から信号が供給されると、それぞれ対応する二段の増幅器（トランジスタＴ１１とＴ１２、又はトランジスタＴ１３とＴ１４）によって、入力した信号は増幅され、両信号の差分出力が端子（ＯＵＴ）から不図示の光変調器に出力される。また、電流源Ｉ１は上記光変調器に対応する振幅出力を得るべく、所定の電流値に調整される。
【００３６】
このとき、前述と同様、同図に示すＢ点、Ｂ´点の電位レベルは変動する。すなわち、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５の抵抗値は固定であり、流れる電流値が変わるため、Ｂ点、Ｂ´点の電位レベルが変動する。しかし、本例の回路においても、Ｂ点とＤ点間にトランジスタＴ１５が配設されており、またＢ´点とＤ´点間にトランジスタＴ１６が配設されており、Ｄ点及びＤ´点の電位レベルは影響を受けない。
【００３７】
すなわち、トランジスタＴ１５のゲートにはゲート信号Ｅが印加され、Ｄ点の電位レベルが変動することを抑え、同様にトランジスタＴ１６のゲートにはゲート信号Ｅ´が印加され、Ｄ´点の電位レベルが変動することを抑えている。したがって、このように構成することにより、Ｃ点、Ｃ´点の電位レベルは保持され、第二段目の増幅器であるトランジスタＴ１２、Ｔ１４が正常な駆動を行い、所定振幅のドライブ信号を光変調器に供給することができる。
【００３８】
本例の場合も上記トランジスタＴ１５及びＴ１６のゲートに印加するゲート信号Ｅ、Ｅ´は、前述の計算式によって求めるＤ点、Ｄ´点の電位レベルの設定を可能にする信号である。
【００３９】
したがって、上記条件を満足するゲート電圧を印加することによって、電流源Ｉ１の電流値を調整した場合でも、最終段の増幅器のゲート電圧に影響を与えることなく、正常なドライブ信号を光変調器に供給することができる。
【００４０】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３について説明する。
図５は本例の増幅回路の回路図を示す。本例の増幅回路は前述の実施形態１の増幅回路と基本的に同じ構成であり、トランジスタが電界効果トランジスタからバイポーラトランジスタに代わった点が異なる。したがって、トランジスタを除いて、前述の実施形態１と同じ回路素子には同一番号を付して説明する。
【００４１】
図５において、本例の増幅回路は、トランジスタＴ２１〜Ｔ２６、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６、電流源Ｉ１及びＩ２で構成され、トランジスタＴ２１とＴ２２、及びＴ２３とＴ２４は共に二段増幅回路を構成し、トランジスタＴ２１とＴ２２は入力端子ｉｎから入力する信号を増幅し、トランジスタＴ２２のコレクタ（Ａ部）に発生する信号を端子（ＯＵＴ）から所定振幅の出力信号として出力し、同様にトランジスタＴ２３とＴ２４は入力端子ｉｎ（負論理）から入力する信号を増幅し、トランジスタＴ２４のコレクタ（Ａ´部）に発生する信号を端子（ＯＵＴ）から所定振幅の出力信号として出力する。
【００４２】
また、第一段目の増幅器であるトランジスタＴ２１のコレクタには抵抗Ｒ１３を介してバイアス電圧が印加され、トランジスタＴ２３のコレクタには抵抗Ｒ１６を介してバイアス電圧が印加される。同様に、第二段目の増幅器であるトランジスタＴ２２のコレクタには抵抗Ｒ２２を介してバイアス電圧が印加され、トランジスタＴ２４のコレクタには抵抗Ｒ１５を介してバイアス電圧が印加される。また、抵抗Ｒ１１及び１４は分圧抵抗であり、抵抗Ｒ１１とＲ１２の設定値（抵抗値）に従ってＢ点の電位が決定され、抵抗Ｒ１４とＲ１５の設定値（抵抗値）に従ってＢ´点の電位が決定される。
【００４３】
また、本例でも上記Ｂ点と抵抗Ｒ１３の一端（Ｄ点）との間にトランジスタＴ２５が接続され、具体的には抵抗Ｒ１３の一端（Ｄ点）とトランジスタＴ２５のエミッタが接続され、トランジスタＴ２５のコレクタと前述の抵抗Ｒ１１とＲ１２の接続点（Ｂ点）が接続されている。また、トランジスタＴ２５のベースにはベース電圧が印加される。
【００４４】
同様に、抵抗Ｒ１６の一端（Ｄ´点）とトランジスタＴ２６のエミッタが接続され、トランジスタＴ２６のコレクタと前述の抵抗Ｒ１４とＲ１５の接続点（Ｂ´点）が接続され、トランジスタＴ２６のベースにはベース電圧が印加される。
【００４５】
以上の構成において、ｉｎ、ｉｎ（負論理）から信号が供給されると、前述と同様それぞれ対応する二段の増幅器（トランジスタＴ２１とＴ２２、及びトランジスタＴ２３とＴ２４）によって当該信号が増幅され、両信号の差分出力が端子（ＯＵＴ）から前述のＬＮ光変調器に供給される。また、電流源Ｉ１は上記光変調器に対応する振幅出力を得るべく、所定の電流値に調整される。
【００４６】
このとき、本例では従来例の場合と異なり、Ｂ点とＤ点間にトランジスタＴ２５が配設されており、またＢ´点とＤ´点間にトランジスタＴ２６が配設されており、Ｂ点、Ｂ´点の電位レベルが変わった場合でも、Ｄ点及びＤ´点の電位レベルを保持する。
【００４７】
このため、トランジスタＴ２５のベースにはベース電圧Ｅが印加され、Ｄ点の電位レベルの変化を防ぐ。同様に、トランジスタＴ２６のベースにもベース電圧Ｅ´が印加され、Ｄ´点の電位レベルの変化を防ぐ。
【００４８】
したがって、このように構成することにより、Ｃ点、Ｃ´点の電位レベルが維持され、第二段目の増幅器であるトランジスタＴ２２、及びＴ２４のベース電圧に影響を及ぼすことなく、出力段のトランジスタＴ２２、Ｔ２４を正常に駆動させ、光変調器に対応した振幅レベルの出力を光変調器に供給することができる。
【００４９】
また、本例の場合も上記トランジスタＴ２５及びＴ２６のベースに印加するベース電圧Ｅ、Ｅ´は、前述の計算式によって求めるＤ点、Ｄ´点の電位レベルの設定を可能にする信号である。
【００５０】
一方、図６は本実施形態の増幅回路の変形例を示すものであり、図５に示す増幅回路に対してトランジスタＴ２７とＴ２８が接続されている点が異なり、他の回路構成は同じである。また、このトランジスタＴ２７とＴ２８もバイポーラトランジスタで構成されている。
【００５１】
このように構成することによっても、前述の計算式の条件を満足するベース電圧を印加することによって、電流源Ｉ１の電流値を調整した場合でも、最終段の増幅器のベース電
圧に影響を与えることなく、正常なドライブ信号を光変調器に供給することができる。
【００５２】
（付記１）
第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部を前記第１の増幅器のバイアスに抵抗を介して帰還する増幅回路において、
前記第２の増幅器の帰還する一部ないし全部の出力と前記抵抗との間に所定レベルの入力信号が入力するトランジスタを接続したことを特徴とする増幅回路。
（付記２）
前記トランジスタへの所定レベルの入力信号入力は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを一定に保持する信号であることを特徴とする付記２記載の増幅回路。
（付記３）
ソース接地の第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部をソースフォロワのトランジスタを介して前記第１の増幅器のバイアスに帰還する増幅回路において、
前記ソースフォロワトランジスタのソースと前記第１の増幅器のバイアスとの間に所定レベルの入力信号が入力するトランジスタを接続したことを特徴とする増幅回路。
（付記４）
前記トランジスタへの所定レベルの入力信号は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを一定に保持する信号であることを特徴とする付記３記載の増幅回路。
（付記５）
前記トランジスタのソースと前記第１の増幅器のバイアスとの間に、抵抗が接続されていることを特徴とする付記３、又は４記載の増幅回路。
（付記６）
エミッタ接地の第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部を前記第１の増幅器のバイアスに抵抗を介して帰還する増幅回路において、
前記第２の増幅器の帰還する一部ないし全部の出力と前記抵抗との間に所定レベルの入力信号を入力するトランジスタを接続したことを特徴とする増幅回路。
（付記７）
前記トランジスタへの所定レベルの入力信号入力は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを一定に保持する信号であることを特徴とする付記６記載の増幅回路。
（付記８）
エミッタ接地の第１、第２の二段構造の増幅器を有し、該第２の増幅器の出力の一部ないし全部をエミッタフォロワのトランジスタを介して前記第１の増幅器のバイアスに帰還する増幅回路において、
前記エミッタフォロワトランジスタのエミッタと前記第１の増幅器のバイアスとの間に所定レベルの入力信号が入力するトランジスタを接続したことを特徴とする増幅回路。
（付記９）
前記トランジスタへの所定レベルの入力信号入力は、前記第２の増幅器への入力信号の入力レベルを一定に保持する信号であることを特徴とする付記８記載の増幅回路。
（付記１０）
前記トランジスタのエミッタと前記第１の増幅器のバイアスとの間に、抵抗が接続されていることを特徴とする付記８、又は９記載の増幅回路。
（付記１１）
前記トランジスタとして、電界効果トランジスタを使用したことを特徴とする付記１、又は２記載の増幅回路。
（付記１２）
前記トランジスタとして、バイポーラトランジスタを使用したことを特徴とする付記１、又は２記載の増幅回路。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】実施形態１の増幅回路の回路図である。
【図２】実施形態１の増幅回路を使用した出力信号波形を示し、（ａ）は出力振幅を４Ｖp-pに設定した際の出力信号波形を示し、（ｂ）は出力振幅を２Ｖp-pに設定した際の出力信号波形を示す。
【図３】従来回路における出力信号波形を示し、（ａ）の４Ｖp-pの出力振幅の出力信号波形を示し、（ｂ）は２Ｖp-pに設定された出力振幅の出力信号波形を示す。
【図４】実施形態２の増幅回路の回路図である。
【図５】実施形態３の増幅回路の回路図である。
【図６】実施形態３の変形例の増幅回路の回路図である。
【図７】従来例の増幅回路の回路図である。
【図８】従来例の増幅回路の回路図である。
【符号の説明】
【００５４】
Ｔ１１〜１６、Ｔ２１〜２８      トランジスタ
Ｒ１１〜Ｒ１６      抵抗
Ｉ１、Ｉ２      電流源
【図１】
2010056918.tif 000003
【図２】
2010056918.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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