(57)【要約】【課題】最大長さが数百マイクロメートル以下の微小なダイヤモンド部品であっても良好な表面粗さを実現できるようにすること。【解決手段】角柱状、角錐状、角錐台状又は凸レンズ形状のダイヤモンドから成る突起部１２，２２，３２，４２を備え、この突起部１２，２２，３２，４２は、２００マイクロメートル以下の最大長さを有し、突起部１２，２２，３２，４２の表面粗さＲｍａｘは、０．１マイクロメートル以下であるダイヤモンド部品。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド部品の製造方法であって、
シリコン基板を用意し、前記シリコン基板上にダイヤモンド層を形成する工程と、
前記ダイヤモンド層を所定のエッチング法を用いてエッチングすることによって、最大長さが２００マイクロメートル以下のダイヤモンドから成る突起部を有するダイヤモンド構造物を、前記シリコン基板上に形成する工程と、
前記シリコン基板を除去することによって前記ダイヤモンド構造物を取得し、この取得した前記ダイヤモンド構造物を所定のジグに保持する工程と、
前記ダイヤモンド構造物を保持した前記ジグを操作することによって、前記ダイヤモンド構造物の前記突起部をダイヤモンド研磨部材によって研磨する工程と
を備え、
前記突起部を研磨する工程では、前記ダイヤモンド研磨部材に設けられた凹部の開口縁部又は内壁と前記突起部とを擦り合わせることによって、前記突起部を研磨する、ことを特徴とするダイヤモンド部品の製造方法。
【請求項２】
前記突起部を研磨する工程では、前記突起部の表面粗さＲｍａｘが０．１マイクロメートル以下となるまで前記突起部を研磨する、ことを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド部品の製造方法。
【請求項３】
前記ダイヤモンド構造物を形成する工程では、角柱状、角錐状又は角錐台状の前記突起部を有する複数のダイヤモンド構造物を前記シリコン基板上に形成し、
前記突起部を研磨する工程では、角柱状、角錐状又は角錐台状の前記突起部の稜線部の曲率が前記突起部の高さの値の１０パーセント以下となるまで前記突起部を研磨する、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のダイヤモンド部品の製造方法。
【請求項４】
角柱状、角錐状、角錐台状又は凸レンズ形状のダイヤモンドから成る突起部を備え、
前記突起部は、２００マイクロメートル以下の最大長さを有し、前記突起部の表面粗さＲｍａｘは、０．１マイクロメートル以下である、ことを特徴とするダイヤモンド部品。
【請求項５】
前記突起部が角柱状、角錐状又は角錐台状の場合、前記突起部の有する稜線部の曲率は、前記突起部の高さの値の１０パーセント以下である、ことを特徴とする請求項４に記載のダイヤモンド部品。
【請求項６】
前記突起部の形成された表面を有する基板部を備える、ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のダイヤモンド部品。
【請求項７】
前記基板部は、２００マイクロメートル以下の最大長さを有する、ことを特徴とする請求項６に記載のダイヤモンド部品。
【請求項８】
５００マイクロメートル以下の最大長さを有する、ことを特徴とする請求項４〜請求項７の何れか一項に記載のダイヤモンド部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤモンド部品の製造方法と、ダイヤモンド部品とに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドは、高硬度、酸・アルカリに対する高耐久性、良好な透光性、良好な熱伝導性等の多くの優れた特性を有している。ダイヤモンドは、上記特性を有することによって、ＡＦＭやＳＴＭ等の原子プローブの分野、ドリルやエンドミル等の分野、光学窓や光学レンズの分野等で利用されており、また、利用が期待されている。上記の各分野においては、例えば、原子プローブ、マイクロプローブ、マイクロドリル、マイクロエンドミル、マイクロレンズ及びマイクロプリズム等のような、最大長が数百マイクロメートル程度又はそれ以下の比較的小さなダイヤモンド部品が必要となる場合がある。例えば、特許文献１には、極小径の孔あけ用であって正角錐状の単石ダイヤモンドからなる先端部を有する錐部を備えたドリルが開示されている。最大長が数百マイクロメートル程度又はそれ以下の微細なダイヤモンド部品を作製する場合、マスクを用いたイオンエッチング法や、プラズマエッチング法又はＦＩＢ法によってダイヤモンド部品を作製することができる。また、カンチレバーのプローブをＦＩＢ法で加工するという特許文献２の例もある。しかし、実際のところＦＩＢ法で加工した先端はダイヤモンドであっても柔らかくて使うことができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１７２２号公報
【特許文献２】特開２００６−２２１９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このようにして作製された比較的小さなダイヤモンド部品の表面が十分な平坦性を有しているとは限らない。例えば、プラズマエッチング法を用いて１０マイクロメートル程度のダイヤモンド部品（最大長が１０マイクロメートル程度のダイヤモンド部品）を作製した場合、ダイヤモンド部品の表面に１マイクロメートル程度の高低差の凹凸形状が生じる。更に、加工時間の比較的短い１〜２マイクロメートル程度のダイヤモンド部品（最大長が１〜２マイクロメートル程度のダイヤモンド部品）の場合であっても、表面には０．１〜０．２マイクロメートル程度の高低差の凹凸形状が生じる。このように、比較的小さなダイヤモンド部品を作製する場合、良好な表面粗さを実現するのは困難である。そこで本発明の目的は、最大長さが数百マイクロメートル以下の微小なダイヤモンド部品であっても良好な表面粗さを実現できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のダイヤモンド部品の製造方法は、シリコン基板を用意し、前記シリコン基板上にダイヤモンド層を形成する工程と、前記ダイヤモンド層を所定のエッチング法を用いてエッチングすることによって、最大長さが２００マイクロメートル以下のダイヤモンドから成る突起部を有するダイヤモンド構造物を、前記シリコン基板上に形成する工程と、前記シリコン基板を除去することによって前記ダイヤモンド構造物を取得し、この取得した前記ダイヤモンド構造物を所定のジグに保持する工程と、前記ダイヤモンド構造物を保持した前記ジグを操作することによって、前記ダイヤモンド構造物の前記突起部をダイヤモンド研磨部材によって研磨する工程とを備え、前記突起部を研磨する工程では、前記ダイヤモンド研磨部材に設けられた凹部の開口縁部又は内壁と前記突起部とを擦り合わせることによって、前記突起部を研磨する、ことを特徴とする。
【０００６】
本発明によれば、所定のエッチング法を用いてエッチングすることによって、最大長さ２００マイクロメートル以下のダイヤモンドの突起部を有し最大長さ５００マイクロメートル以下の微小なダイヤモンド構造物を、前記シリコン基板上にまず形成しておき、この後に、突起部を取り出してジグに保持し、このジグを操作してダイヤモンド研磨部材と擦り合わせて研磨する。エッチングによって形成された突起部の表面には非ダイヤモンド成分が形成される場合があるが、ジグを用いて突起部をダイヤモンド研磨部材と擦り合わせて研磨することによって、突起部の表面から非ダイヤモンド成分が除去可能となる。従って、最大長さ２００マイクロメートル以下の微小な突起部であっても表面粗さを低減できる。
【０００７】
本発明では、前記突起部を研磨する工程において、前記突起部の表面粗さＲｍａｘが０．１マイクロメートル以下となるまで前記突起部を研磨する。従って、良好な表面粗さが実現できる。
【０００８】
本発明では、前記ダイヤモンド構造物を形成する工程において、角柱状、角錐状又は角錐台状の前記突起部を有する複数のダイヤモンド構造物を前記シリコン基板上に形成し、前記突起部を研磨する工程において、角柱状、角錐状又は角錐台状の前記突起部の稜線部の曲率が前記突起部の高さの値の１０パーセント以下となるまで前記突起部を研磨する。従って、突起部が鋭利な形状となり、本突起部を用いれば切削等の材料加工が良好に行える。
【０００９】
本発明のダイヤモンド部品は、角柱状、角錐状、角錐台状又は凸レンズ形状のダイヤモンドから成る突起部を備え、前記突起部は、２００マイクロメートル以下の最大長さを有し、前記突起部の表面粗さＲｍａｘは、０．１マイクロメートル以下である。従って、十分に良好な表面粗さを有し最大長さ２００マイクロメートル以下の微小な突起部を有するダイヤモンド部品が提供できる。
【００１０】
本発明では、前記突起部が角柱状、角錐状又は角錐台状の場合、前記突起部の有する稜線部の曲率は、前記突起部の高さの値の１０パーセント以下である。従って、突起部が鋭利な形状となっているので、本突起部を用いれば切削等の材料加工が良好に行える。
【００１１】
本発明では、前記突起部の形成された表面を有する基板部を備える。従って、基板部を用いれば、突起部の取り扱いが容易となる。更に、前記基板部は、２００マイクロメートル以下の最大長さを有し、本発明のダイヤモンド部品は、５００マイクロメートル以下の最大長さを有するので、基板部と突起部とを有するダイヤモンド部品の全体の大きさも微小なものとなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、最大長さが数百マイクロメートル以下の微小なダイヤモンド部品であっても良好な表面粗さが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態に係るダイヤモンド部品の外観を示す図である。
【図２】実施形態に係るダイヤモンド部品の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】実施形態に係るダイヤモンド部品の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１に、実施形態に係るダイヤモンド部品１〜ダイヤモンド部品４の外観を示す。ダイヤモンド部品１〜ダイヤモンド部品４は、何れもダイヤモンドから成り、最大長さが５００マイクロメートル以下となっている。ダイヤモンド部品１〜ダイヤモンド部品４は、ＡＭＦ（原子間力顕微鏡）やＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）等の原子プローブや、微細なドリルやエンドミル等の微細工具や、光メモリ装置等に搭載される微細光学部品等に用いられる。
【００１５】
まず、図１（Ａ）に示すダイヤモンド部品１の構成を説明する。ダイヤモンド部品１は、基板部１１と突起部１２とを備える。基板部１１は、ダイヤモンドから成る平板形状の構造物である。基板部１１は、最大長さが２００マイクロメートル以下となっている。突起部１２は、ダイヤモンドから成り、基板部１１の表面に立設している三角錐状の構造物である。なお、突起部１２は、三角錐に限らず、四角錐等、他の多角形の底面（断面）を有する角錐であってもよい。突起部１２は、最大長さが２００マイクロメートル以下となっている。突起部１２の最大長さは、１０マイクロメートル以上であり、望ましくは５マイクロメートル以上である。突起部１２の表面（（１００）面及び（１１１）面以外の面）の表面粗さＲｍａｘは、０．３マイクロメートル以下、望ましくは０．１マイクロメートル以下である。突起部１２の三つの稜線部１３の曲率は、突起部１２の高さｈ１（換言すれば、基板部１１に接合する突起部１２の底面と、この底面から最も離隔している突起部１２の部分との間の距離）の１０パーセント以下である。
【００１６】
次に、図１（Ｂ）に示すダイヤモンド部品２の構成について説明する。ダイヤモンド部品２は、基板部２１と突起部２２とを備える。基板部２１は基板部１１と同様の構成を有する。突起部２２は、ダイヤモンドから成り、基板部２１の表面に立設している三角柱状の構造物である。なお、突起部２２は、三角柱に限らず、四角柱等、他の多角形の底面（断面）を有する角柱であってもよい。突起部２２は、最大長さが２００マイクロメートル以下となっている。突起部２２の最大長さは、１０マイクロメートル以上であり、望ましくは５マイクロメートル以上である。突起部２２の表面（（１００）面及び（１１１）面以外の面）の表面粗さＲｍａｘは、０．３マイクロメートル以下、望ましくは０．１マイクロメートル以下である。突起部２２の三つの稜線部１３の曲率は、突起部２２の高さｈ２（換言すれば、基板部２１に接合する突起部２２の底面と、この底面から最も離隔している突起部２２の部分との間の距離）の１０パーセント以下である。
【００１７】
次に、図１（Ｃ）に示すダイヤモンド部品３の構成について説明する。ダイヤモンド部品３は、基板部３１と突起部３２とを備える。基板部３１は基板部１１と同様の構成を有する。突起部３２は、ダイヤモンドから成り、基板部３１の表面に立設している三角錐台状の構造物である。なお、突起部３２は、三角錐台に限らず、四角錐台等、他の多角形の底面（断面）を有する角錐台であってもよい。突起部３２は、最大長さが２００マイクロメートル以下となっている。突起部３２の最大長さは、１０マイクロメートル以上であり、望ましくは５マイクロメートル以上である。突起部３２の表面（（１００）面及び（１１１）面以外の面）の表面粗さＲｍａｘは、０．３マイクロメートル以下、望ましくは０．１マイクロメートル以下である。突起部３２の三つの稜線部３３の曲率は、突起部３２の高さｈ３（換言すれば、基板部３１に接合する突起部３２の底面と、この底面から最も離隔している突起部３２の部分との間の距離）の１０パーセント以下である。
【００１８】
次に、図１（Ｄ）に示すダイヤモンド部品４の構成について説明する。ダイヤモンド部品４は、基板部４１と突起部４２とを備える。基板部４１は基板部１１と同様の構成を有する。突起部４２は、基板部４１の表面に設けられており、基板部４１の表面に対し突出している凸レンズ形状（半球状）のダイヤモンド構造物である。突起部４２は、最大長さが２００マイクロメートル以下となっている。突起部４２の最大長さは、１０マイクロメートル以上であり、望ましくは５マイクロメートル以上である。突起部４２の表面粗さＲｍａｘは、０．３マイクロメートル以下、望ましくは０．１マイクロメートル以下である。
【００１９】
次に、図２及び図３を参照して、実施形態に係るダイヤモンド部品１の製造方法について説明する。ステップＳ１において、シリコン基板５を用意し、多結晶のダイヤモンドをＣＶＤ法によってシリコン基板５上に形成し、表面を機械研磨して、ダイヤモンドの平坦基板（ダイヤモンド層６）を形成する（ステップＳ１、図３（Ａ））。ステップＳ１の後、ステップＳ２において、所定のエッチング法、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等を用いてダイヤモンド層６をエッチングすることによって、複数のダイヤモンド構造物１ａをシリコン基板５上に形成する（ステップＳ２、図３（Ｂ））。ダイヤモンド構造物１ａは、基板部１１ａと、基板部１１ａ上に設けられた突起部１２ａとを備える。ダイヤモンド構造物１ａは、最大長さが５００マイクロメートル以下であり、基板部１１ａ及び突起部１２ａは、それぞれ、最大長さが２００マイクロメートル以下となっている。
【００２０】
ここで、ステップＳ２の処理内容を具体的に説明する。まず、ダイヤモンド層６の表面にＡｌを蒸着し、フォトリソグラフィ技術を用いて、複数の微細な矩形のマスクパターンを形成する。このマスクパターンを用いてダイヤモンド層６の表面をエッチングし、複数の平板状の突出部をダイヤモンド層６の表面上に形成する。次に、このようにして形成した複数の平板状の突出部の各表面に酸化シリコンをスパッタ蒸着し、フォトリソグフィ技術を用いて各表面に三角形（突起部１２がｎ角錐状の場合、ｎ角形（ｎは３以上の整数））のドットパターンを形成する。このドットパターンをマスクパターンに用いてダイヤモンド層６を再度エッチングし、三角錐状（又は、ｎ角錐状）の突起部１２ａを有するダイヤモンド構造物１ａを、複数の平板状の突出部上に形成する。突起部１２ａの高さは上記各マスクパターンの大きさと厚みとによって調整されるが、１０マイクロメートル以下とすることが可能である。以上のエッチングによって、シリコン基板５上に形成されたダイヤモンド層６は、複数のダイヤモンド構造物１ａを残し、除去される。すなわち、ダイヤモンド構造物１ａを除いてシリコン基板５の表面が露出する。なお、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）によるエッチングを行ってダイヤモンド構造物１ａをシリコン基板５上に形成してもよい。
【００２１】
ステップＳ２の後、ステップＳ３において、シリコン基板５を除去することによって、個々のダイヤモンド構造物１ａを分離させて取得する。具体的には、シリコン基板５をフッ硝酸溶液によって溶かし、このシリコン基板５を溶かしたフッ硝酸溶液をフィルタを用いて濾すことによって、フッ硝酸溶液中に分散している個々のダイヤモンド構造物１ａを取得する。そして、この取得したダイヤモンド構造物１ａを例えばカンチレバー等の所定のジグに保持させる（ステップＳ３、図３（Ｃ））。
【００２２】
ステップＳ３の後、ステップＳ４において、ダイヤモンド構造物１ａを保持したカンチレバーを操作することによって、ダイヤモンド構造物１ａの突起部１２ａを、予め用意したダイヤモンド研磨部材７によって研磨する（ステップＳ４、図３（Ｄ））。図３（Ｄ）は、図３（Ｃ）のＩ−Ｉ線に沿ってとられたダイヤモンド研磨部材７を示す断面図である。ステップＳ４において、ダイヤモンド研磨部材７に予め設けられた凹部８の開口縁部８ａ又は内壁８ｂに突起部１２ａを当接させて擦り合わせることによって、表面粗さＲｍａｘが０．３マイクロメートル以下、望ましくは０．１マイクロメートル以下となり、突起部１２ａの稜線部（図１に示す稜線部１３に対応）の曲率が突起部１２ａの高さの値の１０パーセント以下となるまで突起部１２ａを研磨する。ダイヤモンド構造物１ａは、ステップＳ４の研磨によって、基板部１１及び突起部１２を備えたダイヤモンド部品１となる。凹部８は、図３（Ｃ）に示すように、ダイヤモンド研磨部材７の表面７ａに設けられた矩形状の溝であり、表面７ａの縁から表面７ａの内側に延びている。凹部８の溝の深さ（表面７ａからの深さ）は２０マイクロメートル程度であり、幅（表面７ａの縁から内側に延びる向きに垂直な方向の幅）は５０マイクロメートル程度である。
【００２３】
上記製造方法によって、２０マイクロメートル以下の高さの三角柱状の突起部を有するダイヤモンド構造物１ａを作製し、ステップＳ４において、この突起部を、１００往復以上の擦り合わせを行って研磨することによって、研磨前において１マイクロメートル程度の表面粗さＲｍａｘが、ステップＳ４の研磨後において０．５マイクロメートル程度の表面粗さＲｍａｘに向上できたことが確認された。また、ステップＳ２におけるエッチングの後、突起部１２ａの表面に非ダイヤモンド成分が形成されるが、上記のようにして作製したダイヤモンド部品１の備える突起部１２の表面の非ダイヤモンド成分の厚み（５オングストローム程度）が、ステップＳ２におけるエッチング後の突起部１２ａの表面の非ダイヤモンド成分の厚み（３０オングストローム程度）に比較して小さいことが確認された。また、ダイヤモンド部品２をプリズムとして用いた場合、良好な光透過率の実現が確認された（所定レーザ光を用いて光透過率を測定した結果、研磨の前後で、１０パーセント程度の光透過率が７０パーセント程度の光透過率に向上できたことが確認された）。
【００２４】
なお、上記の製造方法は、ダイヤモンド部品１に限らず、他の角錐体を突起部に有する（ｎ角錐状の突起部）ダイヤモンド部品であっても同様である。これに対し、図１に示すダイヤモンド部品２のように突起部が角柱状の場合、ステップＳ２の処理内容は、上記のダイヤモンド部品１の場合と異なり、また、図１に示すダイヤモンド部品４のように、突起部が凸レンズ形状の場合、ステップＳ２〜ステップＳ４の処理内容は、上記のダイヤモンド部品１の場合と異なる。
【００２５】
まず、ダイヤモンド部品２の場合における、ステップＳ２のエッチング処理について説明する。ステップＳ１の後、ダイヤモンド層６の表面にＡｌを蒸着し、フォトリソグラフィ技術を用いて、複数の微細な矩形のマスクパターンを形成する。このマスクパターンを用いてダイヤモンド層６の表面をエッチングし、複数の平板状の突出部をダイヤモンド層６の表面上に形成する。次に、このようにして形成した複数の平板状の突出部の各表面に再度Ａｌを蒸着し、フォトリソグフィ技術を用いて各表面上に三角形（直角二等辺三角形）のドットパターンを形成する。このドットパターンをマスクパターンに用いてダイヤモンド層６を再度エッチングし、三角柱状の突起部を有するダイヤモンド構造物を、複数の平板状の突出部上に形成する。突起部の高さは上記各マスクパターンの大きさと厚みとによって調整されるが、２０マイクロメートル程度とすることが可能である。以上のエッチングによって、シリコン基板５上のダイヤモンド層６は、複数のダイヤモンド構造物１ａを残し、除去される。すなわち、ダイヤモンド構造物を除いてシリコン基板５の表面が露出する。なお、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）によるエッチングを行ってダイヤモンド構造物をシリコン基板５上に形成してもよい。
【００２６】
更に、ダイヤモンド部品２の場合にステップＳ４において用いられるダイヤモンド研磨部材７の凹部８の形状（大きさ）は、ダイヤモンド部品１の場合に用いられるものと異なる。ダイヤモンド部品２の場合、ステップＳ４で用いられる凹部８の溝の深さ（表面７ａからの深さ）は３０マイクロメートル程度であり、凹幅（表面７ａの縁から内側に延びる向きに垂直な方向の幅）は１００マイクロメートル程度である。
【００２７】
次に、ダイヤモンド部品４の場合における、ステップＳ２〜ステップＳ４の処理について説明する。ダイヤモンド部品４の場合、ステップＳ２では、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）や３次元マスクを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等を用いてダイヤモンド層６をエッチングすることによって、ダイヤモンド部品４に対応する複数のダイヤモンド構造物をシリコン基板５上に形成する。ステップＳ３では、個々のダイヤモンド構造物をダイヤモンド部品１の場合と同様にして取得した後、この取得したダイヤモンド構造物を、例えば回転軸を含むマニピュレーションシステムに搭載する。そして、ダイヤモンド部品４の場合、ステップＳ４では、ダイヤモンド構造物を搭載したマニピュレーションシステムを操作することによって、ダイヤモンド構造物の突起部（凸レンズ形状を有する）を、予め用意されたダイヤモンド研磨部材７を用いて研磨する。具体的に説明すると、ダイヤモンド研磨部材７には、突起部４２の表面の形状と同様又は類似の形状（半球状）の内壁を有する凹部（窪み）（不図示）が予め設けられており、ステップＳ３において取得したダイヤモンド構造物の凸レンズ形状の突起部の表面を、このダイヤモンド研磨部材７の凹部（窪み）の内壁に当接させて擦り合わせることによって、表面粗さＲｍａｘが０．１マイクロメートル以下となるまで突起部１２ａを研磨する。ダイヤモンド構造物は、ステップＳ４の研磨によって、基板部４１及び突起部４２を備えたダイヤモンド部品４となる。
【００２８】
なお、ダイヤモンド構造物１ａを固定した状態で（例えば、シリコン基板５の除去前に、ダイヤモンド構造物１ａの形成されたシリコン基板５を固定した状態で）ダイヤモンド研磨部材７をダイヤモンド構造物１ａの突起部１２ａに当接して動かすことによって突起部１２ａを研磨しても、上記製造方法（図２及び図３に示す製造方法）の場合と同様の形状、大きさを有し同程度の表面粗さＲｍａｘを有する突起部を形成できることが確認された。また、ダイヤモンド層６の多結晶ダイヤモンドの透明性を変えて上記製造方法（図２及び図３に示す製造方法）を用いてダイヤモンド部品１等を製造したが、製造結果が多結晶ダイヤモンドの透明性に依存しないことが確認された。また、ダイヤモンド層６を、シリコン基板５上のヘテロエピタキシャル基板として形成した場合や、シリコン基板５に替えてＩｒ基板やＰｔ基板を用いてこれら基板上のヘテロエピタキシャル基板として形成した場合であっても、上記製造方法（図２及び図３に示す製造方法）を用いて製造したダイヤモンド部品１等と同様の形状、大きさを有し同程度の表面粗さＲｍａｘを有する突起部を形成できることが確認された。
【００２９】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００３０】
１，２，３，４…ダイヤモンド部品、１ａ…ダイヤモンド構造物、１１，１１ａ，２１，３１，４１…基板部、１２，１２ａ，２２，３２，４２…突起部、１３，２３，３３…稜線部、５…シリコン基板、６…ダイヤモンド層、７…ダイヤモンド研磨部材、８…凹部、８ａ…開口縁部、８ｂ…内壁、７ａ…表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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