(57)【要約】【課題】低電圧化を可能とした半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】ｐ側コンタクト層１８は、ｐ側電極２１側の面に、凹部３１および凸部３２を有する凹凸構造３０を有し、表面積が増加している。ｐ側電極２１は、凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側コンタクト層１８に接触しており、ｐ側コンタクト層１８との接触面積が増加するので、低電圧駆動が可能となる。また、ｐ側コンタクト層１８は、材料または組成の異なる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの積層構造を有する。第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂの間には、両者の歪差によるピエゾ電界効果により、ホールが蓄積されたキャリア蓄積層が形成される。このキャリア蓄積層において、ｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８とのショットキー障壁のない理想的なオーミック接触が可能となる。【選択図】図１
2010206071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面側に、第１導電型クラッド層、活性層および第２導電型クラッド層を含むと共に最上層にコンタクト層を有し、前記コンタクト層および前記第２導電型クラッド層に突条部が形成された半導体積層構造と、
前記コンタクト層上に設けられた電極と
を備え、
前記コンタクト層は前記電極側の面に凹凸構造を有しており、
前記電極は、前記凹凸構造の上面、側面および底面で前記コンタクト層に接触している
半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記コンタクト層は、歪差をもつ複数の層の積層構造を有し、前記凹凸構造は、前記複数の層のうち２以上の層をまたぐ高さを有している
請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記コンタクト層はピエゾ電界効果を有する
請求項２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記凹凸構造は、前記突条部の長さ方向と同じ方向に、前記突条部の幅よりも狭い幅で設けられたストライプ状の凹部および凸部を有する
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記凹凸構造は、前記突条部の長さ方向に交差する方向に設けられたストライプ状の凹部および凸部を有する
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記凹凸構造は、複数の島状の凹部および前記凹部以外の凸部を有する
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記半導体積層構造は、ＩＩＩ族元素のうちの少なくともガリウム（Ｇａ）とＶ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成され、前記コンタクト層は、ＢＡｌＩｎＧａＮ系のＧａを含んだ２元以上の組成により構成されている
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記半導体積層構造は、ＩＩ族元素のうちの少なくとも亜鉛（Ｚｎ）とＩＶ族元素のうちの少なくとも酸素（Ｏ）とを含むＩＩ−ＩＶ族酸化物半導体により構成され、前記ｐ側コンタクト層は、ＢｅＣｄＺｎＭｇＯ系のＺｎを含んだ２元以上の組成により構成されている
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にリッジ型半導体レーザに好適な半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、活性層の電流注入領域に対応してｐ側コンタクト層およびｐ型クラッド層に帯状の突条部（リッジ）を形成することにより電流狭窄するリッジ型半導体レーザが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３０００１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のリッジ型半導体レーザでは、低電圧化の実現には突条部の幅（ストライプ幅）の増加、クラッド層厚の薄膜化、またはクラッド層の低抵抗化が必要となる。しかしながら、突条部の幅の増加はキンクレベルの低下を招き、クラッド層厚の薄膜化は光ロスの増加の原因となってしまっていた。また、クラッド層の低抵抗化は、特に窒化物半導体の場合、ｐ型キャリアの高濃度化が難しいために困難であった。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、低電圧化が可能な半導体レーザ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による半導体レーザ素子は、基板と、基板の一面側に、第１導電型クラッド層、活性層および第２導電型クラッド層を含むと共に最上層にコンタクト層を有し、コンタクト層および第２導電型クラッド層に突条部が形成された半導体積層構造と、コンタクト層上に設けられた電極とを備え、コンタクト層は電極側の面に凹凸構造を有しており、電極は、凹凸構造の上面、側面および底面でコンタクト層に接触しているものである。
【０００７】
この半導体レーザ素子では、コンタクト層の電極側の面に凹凸構造が形成されているので、コンタクト層の表面積が増加している。また、電極は、凹凸構造の上面、側面および底面でコンタクト層に接触しているので、電極とコンタクト層との接触面積が増加している。よって、低電圧駆動が可能となる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体レーザ素子によれば、コンタクト層の電極側の面に凹凸構造を形成し、電極を、凹凸構造の上面、側面および底面でコンタクト層に接触させるようにしたので、低電圧化を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ素子の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した半導体レーザ素子の全体構成を表す斜視図である。
【図３】図１に示した半導体レーザ素子の変形例を表す断面図である。
【図４】図３に示した半導体レーザ素子の全体構成の一例を表す斜視図である。
【図５】図３に示した半導体レーザ素子の全体構成の他の例を表す斜視図である。
【図６】凹凸構造を有しない場合の第１ｐ側コンタクト層および第２ｐ側コンタクト層における縦方向のバンド構造を表す図である。
【図７】図５において第２ｐ側コンタクト層のキャリア濃度を高めた場合における縦方向のバンド構造を表す図である。
【図８】凹凸構造が第１ｐ側コンタクト層および第２ｐ側コンタクト層をまたぐ高さを有し、凹凸構造の側面でｐ側電極とｐ側コンタクト層とが接触する場合における縦方向のバンド構造を表す図である。
【図９】図１に示した半導体レーザ素子の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を表す断面図である。
【図１３】図１に示した半導体レーザ素子の他の変形例を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１および図２は、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ素子の構成を表したものである。この半導体レーザ素子は、例えば、パーソナルコンピュータや家庭用ゲーム機などのＢＤ記録および再生用レーザとして用いられる発振波長約５００ｎｍ以下、例えば４００ｎｍ前後の青・青紫半導体レーザ素子であり、例えば、ＧａＮよりなる基板１１の一面側に、ｎ型クラッド層１２，ｎ側ガイド層１３，活性層１４，ｐ側ガイド層１５，電子障壁層１６，ｐ型クラッド層１７およびｐ側コンタクト層１８がこの順に積層された構成を有している。ｐ側コンタクト層１８およびｐ型クラッド層１７には、電流狭窄をするため帯状の突条部１９が形成されており、突条部１９に対応する活性層１４の領域が発光領域となっている。突条部１９の両側には、ＳｉＯ2 およびＳｉに代表される材料系を用いた積層構造または単層構造の埋め込み層２０が形成されている。ｐ側コンタクト層１８の上にはｐ側電極２１が形成されている一方、基板１１の裏面には、ｎ側電極２２が形成されている。なお、ｐ側コンタクト層は、本発明における「コンタクト層」の一具体例に対応し、ｐ側電極２１は、本発明における「電極」の一具体例に対応する。
【００１２】
基板１１は、例えば、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層１２は、例えば、積層方向における厚さ（以下、単に厚さという。）が２．５μｍ〜２．６μｍであり、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）を添加したｎ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。
【００１３】
ｎ側ガイド層１３は、例えば、厚さが０．２１μｍであり、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）を添加したｎ型ＧａＮあるいはｎ型ＩｎＧａＮ混晶、またはアンドープＧａＮあるいはアンドープＩｎＧａＮ混晶により構成されている。活性層１４は、例えば、厚さが０．０５６μｍであり、組成の異なるＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（但し、ｘ≧０）混晶によりそれぞれ形成された井戸層と障壁層との多重量子井戸構造を有している。ｐ側ガイド層１５は、例えば、厚さが０．１９μｍであり、ＧａＮまたはＩｎＧａＮ混晶により構成されている。
【００１４】
電子障壁層１６は、例えば、厚さが０．０２μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。ｐ型クラッド層１７は、例えば、厚さが０．３８μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＡｌＧａＮ混晶層と、ｐ型あるいはアンドープＧａＮ層との超格子構造を有している。
【００１５】
ｐ側コンタクト層１８は、ｐ側電極２１側の面に凹凸構造３０を有している。ｐ側電極２１は、凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側コンタクト層１８に接触している。これにより、この半導体レーザ素子では、低電圧化を可能とすることができるようになっている。
【００１６】
凹凸構造３０は、例えば図１および図２に示したように、突条部１９の長さ方向と同じ方向に、突条部１９の幅よりも狭い間隔で設けられたストライプ状の凹部３１および凸部３２を有している。例えば、突条部１９の幅が約１μｍ〜２μｍであれば、凹部３１および凸部３２を２〜３周期設けることが可能である。凹部３１および凸部３２の幅、間隔および位置は特に限定されないが、その方向は＜１−１００＞であることが望ましい。なお、ここで＜１−１００＞というのは、本来化１に示したように数字の上にオーバーラインを引いて表すものであるが、ここでは便宜上、数字の前に“−”を付けて表す。
【００１７】
【化１】
2010206071.tif 000003
【００１８】
また、凹凸構造３０は、図３および図４に示したように、突条部１９の長さ方向に交差（直交）する方向に設けられたストライプ状の凹部３１および凸部３２を有していてもよい。あるいは、凹凸構造３０は、図３および図５に示したように、複数の島状の凹部３１を有し、これらの凹部３１以外の領域が凸部３２とされていてもよい。このようにすれば、より多くの凹部３１および凸部３２を設けることができ、更に低電圧化が可能である。
【００１９】
ｐ側コンタクト層１８は、例えば、ＢＡｌＩｎＧａＮ系のＧａを含んだ２元以上の組成により構成されている。また、ｐ側コンタクト層１８は、複数の層（例えば、二層）の積層構造を有している。これら複数の層は、例えば、組成の異なるＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（但し、ｘ≧０）混晶、またはｐ型クラッド層１７よりもアルミニウム（Ａｌ）組成比の低いＡｌＧａＮ混晶により構成されることにより歪差をもっている。
【００２０】
具体的には、ｐ側コンタクト層１８は、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したＩｎ0.05`0.10 Ｇａ0.95`0.90 Ｎ混晶よりなる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したＩｎ0.20Ｇａ0.80Ｎ混晶よりなる第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとがｐ型クラッド層１７側からこの順に積層されたものである。
【００２１】
あるいは、ｐ側コンタクト層１８は、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したＧａＮよりなる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したＩｎ0.20Ｇａ0.80Ｎ混晶よりなる第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとがｐ型クラッド層１７側からこの順に積層された構成とすることも可能である。
【００２２】
更に、ｐ側コンタクト層１８は、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が添加されると共にｐ型クラッド層１７よりもアルミニウム組成比の低いＡｌＧａＮ混晶よりなる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したＩｎ0.20Ｇａ0.80Ｎ混晶またはＧａＮよりなる第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとがｐ型クラッド層１７側からこの順に積層された構成を有していてもよい。
【００２３】
ｐ側コンタクト層１８の厚さは、例えば、第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの合計で０．１０μｍである。
【００２４】
凹凸構造３０は、ｐ側コンタクト層１８の第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂをまたぐ高さを有していることが好ましい。このような高さの凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８とが接触することにより、接触抵抗を低減し、低抵抗化を可能とすることができるからである。
【００２５】
図６は、凹凸構造を有しない場合の第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂにおける縦方向のバンド構造を表したものである。ｐ側コンタクト層１８は、第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの歪差によるピエゾ電界効果を有している。そのため、第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの間には、ホールｈが蓄積されたキャリア蓄積層１８Ｃが形成され、フェルミレベルＥｆは価電子帯に縮退する。しかし、ｐ側電極２１（金属）と第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの間にはショットキー障壁が存在し、空乏層が広がる。
【００２６】
このようなショットキー障壁を有する材料系においては、図７に示したように、第２ｐ側コンタクト層１８Ｂのキャリア濃度を高めることにより、空乏層幅を狭めて、トンネル電流ｔによりオーミック接触を得ることが考えられる。しかしながら、窒化物半導体においては、アクセプタの活性化エネルギーが高く、第２ｐ側コンタクト層１８Ｂのホールｈの高濃度化は本質的に困難である。また、窒化物半導体は真空準位から価電子帯までのエネルギー差が大きく、オーミック接触を取るには、ｐ側電極２１の材料として大きな仕事関数をもつ金属が選ばれるが、十分とはいえない。
【００２７】
図８は、凹凸構造３０が第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂをまたぐ高さを有し、凹凸構造３０の側面でｐ側電極２１（金属）とｐ側コンタクト層１８とが接触する場合における縦方向のバンド構造を表したものである。この場合、凹凸構造３０の側面において、フェルミレベルＥｆの縮退した高いホール濃度をもつキャリア蓄積層１８Ｃでｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８とが接触することになる。よって、キャリア蓄積層１８Ｃにおいてはショットキー障壁のない理想的なオーミック接触の実現が可能となる。実際的にはｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８との界面の欠陥によりショットキー障壁が形成されるが、キャリア蓄積層１８Ｃに高濃度にキャリアが存在することにより、空乏層幅は十分に狭くなると共にトンネル電流を流しやすくなり、接触抵抗が低減される。
【００２８】
図１および図２に示したｐ側電極２１は、例えば、ｐ側コンタクト層１８の側からパラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）が順次積層された構造を有しており、ｐ側コンタクト層１８と電気的に接続されている。ｎ側電極２２は、例えば、チタン（Ｔｉ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）が順次積層された構造を有しており、基板１１を介してｎ型クラッド層１２と電気的に接続されている。ここで、ｐ側電極２１およびｎ側電極２２の材料は、上述した金属材料の組み合わせのみならず、その他の金属材料による組み合わせでもよい。
【００２９】
なお、この半導体レーザ素子では、例えば突条部１９の長さ方向において対向する一対の側面が共振器端面（主出射側端面１０Ｆおよび後方端面１０Ｒ）となっており、この一対の共振器端面（主出射側端面１０Ｆおよび後方端面１０Ｒ）に図示しない一対の反射鏡膜がそれぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜のうち一方の反射鏡膜の反射率は低くなるように、他方の反射鏡膜の反射率は高くなるようにそれぞれ調整されている。これにより、活性層１４において発生した光は一対の反射鏡膜の間を往復して増幅され、一方の反射鏡膜からレーザビームとして出射するようになっている。
【００３０】
この半導体レーザは、例えば、次のようにして製造することができる。
【００３１】
まず、例えば、図９に示したように、ＧａＮよりなる基板１１を用意し、この基板１１の表面に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により、上述した材料よりなるｎ型クラッド層１２，ｎ側ガイド層１３，活性層１４，ｐ側ガイド層１５，電子障壁層１６，ｐ型クラッド層１７，第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂを成長させる。
【００３２】
次いで、同じく図９に示したように、第２ｐ側コンタクト層１８Ｂ上にレジストよりなるマスク４１を形成する。
【００３３】
続いて、図１０に示したように、このマスク４１を利用して例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching；反応性イオンエッチング）法により第２ｐ側コンタクト層１８Ｂおよび第１ｐ側コンタクト層１８Ａの一部を選択的にエッチングして凹部３１を形成する。これにより、ｐ側コンタクト層１８に、凹部３１および凸部３２を交互に配置した凹凸構造３０を形成する。その際、ＲＩＥのエッチングモードの選び方により、凹凸構造３０の側面の斜面の角度は任意に形成することができる。
【００３４】
そののち、図１１に示したように、アセトンを用いてマスク４１を剥離する。
【００３５】
マスク４１を剥離したのち、突条部１９上に図示しないマスクを形成し、このマスクを利用して例えばＲＩＥ法によりｐ側コンタクト層１８およびｐ型クラッド層１７の一部を選択的にエッチングする。これにより、図１２に示したように、ｐ型クラッド層１７の上部およびｐ側コンタクト層１８を細い帯状の突条部１９とする。その際、ＲＩＥののち、ＨＦ，ＨＣｌまたは王水等の酸系の溶液を用いて、ドライエッチングされた表面の表面処理（表面クリーニング）を行うことが望ましい。
【００３６】
続いて、ｐ型クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１７の上に、上述した材料よりなる埋め込み層２０を形成し、この埋め込み層２０に、ｐ側コンタクト層１８に対応して開口部を設け、ｐ側電極２１を形成する。更に、基板１１の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして基板１１の厚さを例えば１００μｍ程度としたのち、基板１１の裏面にｎ側電極２２を形成する。そののち、基板１１を所定の大きさに整え、対向する一対の共振器端面１０Ｆ，１０Ｒに図示しない反射鏡膜を形成する。以上により、図１に示した半導体レーザ素子が完成する。
【００３７】
この半導体レーザでは、ｎ側電極２２とｐ側電極２１との間に所定の電圧が印加されると、活性層１４に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射鏡膜により反射され、その間を往復してレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。ここでは、ｐ側コンタクト層１８のｐ側電極２１側の面に凹凸構造３０が形成されているので、ｐ側コンタクト層１８の表面積が増加している。また、ｐ側電極２１は、凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側コンタクト層１８に接触しているので、ｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８との接触面積が増加している。よって、低電圧駆動が可能となる。
【００３８】
また、凹凸構造３０が第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂをまたぐ高さを有しているので、凹凸構造３０の側面において、図８に示したように、フェルミレベルＥｆの縮退した高いホール濃度をもつキャリア蓄積層１８Ｃでｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８とが接触する。よって、接触抵抗が低減される。
【００３９】
このように本実施の形態では、ｐ側コンタクト層１８のｐ側電極２１側の面に凹凸構造３０を形成し、ｐ側電極２１を、凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側コンタクト層１８に接触させるようにしたので、低電圧化を可能とすることができる。
【００４０】
また、凹凸構造３０を、第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂをまたぐ高さを有するようにしたので、凹凸構造３０によって接触抵抗の低減と低電圧化との両方を実現することが可能となる。
【００４１】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、ｐ側コンタクト層１８が、第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂの２層構造を有する場合について説明したが、ｐ側コンタクト層１８は、３以上の層の積層構造を有していてもよい。その場合、凹凸構造３０は、その３以上の層のうち２以上の層をまたぐ高さを有していることが好ましい。
【００４２】
また、上記実施の形態では、ｐ側コンタクト層１８が、歪差をもつ複数の層の積層構造を有している場合について説明したが、ｐ側コンタクト層１８は、図１３に示したように、例えば、厚さが０．１０μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＧａＮよりなる単層でもよい。この場合にも、凹凸構造３０を設けることによりｐ側コンタクト層１８の表面積を増大させ、低電圧化を可能とすることができる。
【００４３】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚さ、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚さとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、ｎ型クラッド層１２ないしｐ側コンタクト層１８をＭＯＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法等を用いてもよい。
【００４４】
加えて、例えば、上記実施の形態では、半導体レーザ素子の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００４５】
更にまた、本発明は、上記実施の形態で説明したようなＩＩＩ族元素のうちの少なくともガリウム（Ｇａ）とＶ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成された青・青紫半導体レーザに限らず、より高出力のものや、他の発振波長または他の材料系のものにも適用可能である。例えば、ＩＩ族元素のうちの少なくとも亜鉛（Ｚｎ）とＩＶ族元素のうちの少なくとも酸素（Ｏ）とを含むＩＩ−ＩＶ族酸化物半導体は、窒化物半導体と同様に、キャリアの高濃度化が本質的に困難なワイドバンドギャップ半導体である。そのため、このような酸化物半導体に本発明を適用すれば、上記実施の形態で説明した窒化物半導体レーザの場合と同様の優れた効果を得ることができる。この場合、ｐ側コンタクト層は、例えば、ＢｅＣｄＺｎＭｇＯ系のＺｎを含んだ２元以上の組成により構成される。
【符号の説明】
【００４６】
１１…基板、１２…ｎ型クラッド層、１３…ｎ側ガイド層、１４…活性層、１５…ｐ側ガイド層、１６…電子障壁層、１７…ｐ型クラッド層、１８…ｐ側コンタクト層、１８Ａ…第１ｐ側コンタクト層、１８Ｂ…第２ｐ側コンタクト層、１９…突条部、２０…埋め込み層、２１…ｐ側電極、２２…ｎ側電極、３０…凹凸構造、３１…凹部、３２…凸部      
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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