(57)【要約】【課題】リーク電流の大きさに基づいた集積回路の電源遮断の制御をする電源遮断制御回路および電源遮断制御方法を提供する。【解決手段】集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路を含むモデル回路部と、前記モデル回路で生じたリーク電流によって充電される出力電圧と予め設定された基準電圧とを比較する電圧比較回路部と、前記比較結果から前記出力電圧が前記基準電圧に達するまでの到達時間を計測し、該計測結果から前記リーク電流の大きさを判定する判定回路部と、前記判定されたリーク電流の大きさに基づいて、前記集積回路の電源遮断を制御する電源遮断制御回路部と、を備える、電源遮断制御回路。【選択図】図２
2010056756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御対象となる集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路を含むモデル回路部と、
前記モデル回路で生じたリーク電流によって充電される出力電圧と予め設定された基準電圧とを比較する電圧比較回路部と、
前記比較結果から前記出力電圧が前記基準電圧に達するまでの到達時間を計測し、該計測結果から前記リーク電流の大きさを判定する判定回路部と、
前記判定されたリーク電流の大きさに基づいて、前記集積回路の電源遮断を制御する電源遮断制御回路部と、
を備える、電源遮断制御回路。
【請求項２】
さらに、前記基準電圧を生成する基準電圧生成回路部を備える、請求項１に記載の電源遮断制御回路。
【請求項３】
前記モデル回路部は、第１しきい値電圧の第１トランジスタを含む前記モデル回路と、前記第１しきい値電圧より高い第２しきい値電圧の第２トランジスタと、を備えるＭＴＣＭＯＳ回路からなり、
前記出力電圧は、前記モデル回路と前記第２トランジスタとを接続した間の電圧である、請求項１に記載の電源遮断制御回路。
【請求項４】
前記電圧比較回路部は、カレントミラー型センスアンプ回路を含む、請求項１に記載の電源遮断制御回路。
【請求項５】
前記判定回路部は、前記リーク電流の大きさを判定する前に前記出力電圧を放電させる、請求項１に記載の電源遮断制御回路。
【請求項６】
集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路で生じたリーク電流によって出力電圧を充電し、
前記充電された出力電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、
前記比較結果から前記出力電圧が前記基準電圧に達するまでの到達時間を計測し、該計測結果から前記リーク電流の大きさを判定し、
前記判定されたリーク電流の大きさに基づいて、前記集積回路の電源遮断を制御する、
電源遮断制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源遮断制御回路および電源遮断制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）は、半導体素子などの素子を多数含んで構成されるものであって、近年、半導体素子の微細加工技術の進歩により、データ処理の高速化、高機能化が実現されてきた。しかしながら、その一方、半導体素子の微細化が進むにつれて、半導体素子から生じるリーク電流は指数関数的に増大し、集積回路の消費電力も増大してしまうといった問題が生じている。
【０００３】
そこで、集積回路の消費電力を低減するために、リーク電流をいかに抑制するかが重要な課題となっている。
【０００４】
従来のリーク電流を抑制する方法として、集積回路の動作が不要なときに、集積回路内での電源遮断をすることによって、無駄なリーク電流の発生を抑制する方法が知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この従来のリーク電流を抑制する方法、すなわち集積回路の電源遮断方法は、集積回路の動作が不要なときに、半導体素子で生じるリーク電流の大きさに関わらずに電源を遮断するものであって、リーク電流の大きさによっては、逆に、集積回路の消費電力が増大してしまうという問題点があった。すなわち、従来の集積回路の電源遮断方法によれば、リーク電流が大きくて、リーク電流を抑制することにより低減できる消費電力量が、電源遮断動作および電源復帰動作に必要な消費電力量（電力オーバヘッド）を上回る場合は効果的であるが、反対に、リーク電流が小さくて、リーク電流を抑制することにより低減できる消費電力量が、前記電力オーバヘッドを下回る場合は集積回路の消費電力が増大してしまう。
【０００６】
特に、リーク電流は、半導体素子、たとえば、トランジスタの温度の上昇によって指数関数的に増大するという特徴を有することにより、周辺環境や集積回路自身の発熱によってリーク電流の大きさが動的に変わってしまうため、リーク電流の大きさに応じた動的な電源遮断制御が望まれる。ただし、動作中の回路のリーク電流を直接測定することは、集積回路自体に測定用の端子を設ける必要があり、また、別途の大規模な測定回路が必要になるなど回路の複雑化、コスト増といった問題点を生じる。
【０００７】
したがって、上記問題点を解決し、リーク電流の動的な変化に対応させて電源遮断動作等に伴う電力オーバヘッドを抑制し、かつ、動作中の回路で生じるリーク電流を直接測定しない新しい電源遮断制御回路および電源遮断制御方法を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電源遮断制御装置は、集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路を含むモデル回路部と、前記モデル回路で生じたリーク電流によって充電される出力電圧と予め設定された基準電圧とを比較する電圧比較回路部と、前記比較結果から前記出力電圧が前記基準電圧に達するまでの到達時間を計測し、該計測結果から前記リーク電流の大きさを判定する判定回路部と、前記判定されたリーク電流の大きさに基づいて、前記集積回路の電源遮断を制御する電源遮断制御回路部と、を備える。
【０００９】
また、本発明の集積回路の電源遮断制御装置は、前記基準電圧を生成する基準電圧生成回路部を備えていてもよい。
【００１０】
さらに、前記モデル回路部は、第１しきい値電圧の第１トランジスタを含む前記モデル回路と、前記第１しきい値電圧より高い第２しきい値電圧の第２トランジスタと、を備えるＭＴＣＭＯＳ回路からなり、前記出力電圧は、前記モデル回路と前記第２トランジスタとを接続した間の電圧であってもよい。
【００１１】
さらに、前記電圧比較回路部は、カレントミラー型センスアンプ回路を含んでいてもよい。
【００１２】
さらに、前記判定回路部は、前記リーク電流の大きさを判定する前に前記出力電圧を放電させてもよい。
【００１３】
本発明の電源遮断制御方法は、集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路で生じたリーク電流によって出力電圧を充電し、前記充電された出力電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、前記比較結果から前記出力電圧が前記基準電圧に達するまでの到達時間を計測し、該計測結果から前記リーク電流の大きさを判定し、前記判定されたリーク電流の大きさに基づいて、前記集積回路の電源遮断を制御する。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように構成された本実施例に係る電源遮断制御装置および電源遮断制御方法によれば、例えば、集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路で生じるリーク電流の大きさを判定することによって、そのリーク電流の大きさに応じた集積回路の電源遮断の制御をし、集積回路の消費電力を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための好適な実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る集積回路１の概略構成を示す図である。
【００１７】
本実施形態の集積回路１は、図１に示すように、シリコンの基板（以下、「チップ」と称する）２上に、実回路３と、電源遮断制御回路４とを備える。
【００１８】
実回路３は、トランジスタ、抵抗器、コンデンサ、ダイオードなどの素子を集めてチップ２上に装着し、各種の機能を有した電子回路であって、本実施形態の特徴である電源遮断制御回路４とは異なり、集積回路１の本来の目的を達成するための回路である。なお、実回路３自体は、周知技術を用いて目的に応じて種々の回路構成および機能とすることができるので、その詳細な説明は省略する。
【００１９】
電源遮断制御回路４は、実回路３の電源遮断するための制御回路であって、たとえば、実回路３内に配置される電源供給経路のスイッチのオン／オフを制御することにより、各素子に電力を供給するための電源遮断を制御する。このような電源遮断制御回路４は、実回路３に電源遮断する指令信号を送信する電源遮断制御回路部５と、前記指令信号を送信するか否かをリーク電流の大きさに基づいて判定するリーク電流判定回路部６とを備える。なお、本実施形態の電源遮断制御回路４は、特に、リーク電流判定回路部６を備える点で、従来の電源遮断制御回路とは異なる。
【００２０】
電源遮断制御回路部５は、定期的に、リーク電流判定回路部６に対して、後述するリーク電流の大きさを判定させ、その判定結果を要求する信号を送ることで、リーク電流判定回路部６から前記判定結果を取得する。そして、電源遮断制御回路部５は、前記取得した判定結果に基づいて、リーク電流が基準値より大きい場合に、所望のタイミングで実回路３に電源遮断する指令信号を送信する。なお、基準値とは、リーク電流を抑制することにより低減できる消費電力量が電源遮断動作および電源復帰動作に必要な消費電力量を上回るときのリーク電流値である。また、所望のタイミングとは、たとえば、実回路３がスタンバイ状態のときの定期的なタイミングである。
【００２１】
リーク電流判定回路部６は、電源遮断制御回路部５からの判定結果を要求する信号を受け取り、リーク電流の大きさを判定するものである。リーク電流判定回路部６は、図２に示すように、モデル回路部６１、基準電圧生成回路部６２、電圧比較回路部６３、および判定回路部６４を備える。
【００２２】
モデル回路部６１は、実回路３の基本回路をモデル化したモデル回路を含むものであって、該モデル回路は、同チップ２内に配置される実回路３とは異なり、リーク電流を発生させるための専用回路である。上述したように、リーク電流は、温度に依存するという特徴を有する。そこで、本実施形態では、実回路３と実回路３の基本回路をモデル化したモデル回路とを同一チップ２上に設けることによって、両回路の温度環境を近似させ、これにより、実回路３内で生じるリーク電流と、モデル回路で生じるリーク電流との特性も近似するように構成している。したがって、モデル回路で生じたリーク電流の大きさを定期的に判定することで、実回路３のリーク電流を推定することができ、実回路３の電源遮断を動的に制御することができるとともに、実回路３においてリーク電流を直接測定する必要をなくすことができる。
【００２３】
また、モデル回路部６１は、図２に示すように、しきい値電圧の異なるトランジスタを備えるＭＴＣＭＯＳ回路からなる。ＭＴＣＭＯＳ回路は、第１しきい値電圧を有するトランジスタを含んでモデル回路を構成し、このモデル回路とグランド線との間に第１しきい値電圧より高い第２しきい値電圧を有するトランジスタＭ１を挿入する構造を備える。ここで、モデル回路は、実回路３を構成する基本となる論理回路、たとえば、ＮＡＮＤ回路である。
【００２４】
上記のように構成されるモデル回路部６１は、トランジスタＭ１がターンオフであるとき、モデル回路で生じたリーク電流によってモデル回路とグランド線との間に電荷が蓄積され、その結果、出力電圧ＶGNDが充電される。そして、モデル回路部６１は、充電された出力電圧ＶGNDを電圧比較回路部６３に供給する。また、モデル回路部６１は、判定回路部６４からトランジスタＭ１をターンオンするためのターンオン信号を受け取ることによって、電荷は放電され、前記出力電圧ＶGNDが０Ｖになり、初期化される。
【００２５】
基準電圧生成回路部６２は、予め設定された基準電圧Ｖrefを生成する回路であって、生成した基準電圧Ｖrefを電圧比較回路部６３に供給する。なお、基準電圧生成回路部６２は、電源とグランド線との間に可変抵抗を配置し、該可変抵抗によって、所望の基準電圧を生成することができる。
【００２６】
電圧比較回路部６３は、モデル回路で生じたリーク電流によって充電される出力電圧ＶGNDと予め設定された基準電圧Ｖrefとを比較する電圧比較回路６３１を含む。電圧比較回路６３１は、両電圧を比較し、その比較した結果を出力することができるカレントミラー型センスアンプ回路である。カレントミラー型センスアンプはスタティック回路であって読み出しが非破壊であるため、電圧の比較を連続して行うのに適している。なお、カレントミラー型センスアンプ回路自体の構成および動作は、従来のものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００２７】
また、電圧比較回路部６３は、カレントミラー型センスアンプ回路の出力が最大でもＶDDまでしか上がらず、かつ、供給される出力電圧ＶGNDの上昇速度が遅い場合、カレントミラー型センスアンプ回路の出力信号の立ち上がりも緩やかになるため、前記出力信号を判定回路部６４で使いやすくするためのバッファ回路６３２を設けることができる。バッファ回路６３２を設けることによって、前記出力信号を受け取る判定回路部６４がその出力信号を正確に検知することができる。さらに、電圧比較回路部６３は、出力電圧ＶGNDと基準電圧Ｖrefとを比較しない時に、カレントミラー型センスアンプ回路６３１とバッファ回路６３２との間に、カレントミラー型センスアンプ回路の出力信号をＶDDに固定するホルダー回路６３３を設けることもできる。ホルダー回路６３３を設けることによって、カレントミラー型センスアンプ回路６３１のＮＭＯＳをオフしたときに生じ得る貫通電流による後段の回路への影響を抑制することができる。なお、バッファ回路６３２またはホルダー回路６３３は、適宜省略してもよい。
【００２８】
上記のように構成される電圧比較回路部６３は、判定回路部６４からイネーブル（ＥＮ）信号（０→１）を受け取ることで、出力電圧ＶGNDと基準電圧Ｖrefとの比較を開始し、その比較された結果を出力信号として判定回路部６４に送る。また、電圧比較回路部６３は、判定回路部６４からイネーブル（ＥＮ）信号（１→０）を受け取ることで、両電圧の比較を終了し、かつ、ホルダー回路６３３によって出力信号ＶDDを判定回路部６４に送る。ここで、電圧比較回路部６３の出力信号について言及すれば、出力信号は、たとえば、次のように変化する。出力信号は、ＥＮ信号（０→１）を受け取る前は、ホルダー回路６３３によりＶDDであって、ＥＮ信号（０→１）を受け取ると、出力電圧ＶGNDより基準電圧Ｖrefの方が高い場合は出力信号が０Ｖであり、出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefまで達するとＶDDとなる。
【００２９】
判定回路部６４は、電圧比較回路部６３から出力信号を受け取り、該出力信号から出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefに達するまでの到達時間を計測し、該計測結果から前記リーク電流の大きさを判定するものである。判定回路部６４は、出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefに達するまでの到達時間を計測するための計測器を備える。また、判定回路部６４は、電源遮断制御回路部５から判定結果を要求する信号を受け取り、上述したように、ターンオン信号を出力して、モデル回路部６１を初期化し、また、電圧比較回路部６３の電圧比較を開始するための各信号を送信する。計測器は、たとえば、クロックカウンタであって、判定回路部６４は、このクロックカウンタを用いて、電圧比較回路部６３から受け取る出力信号の大きさが変わるまで（０Ｖ→ＶDD）の、クロック数で到達時間を計測することができる。
【００３０】
ここで、出力信号から出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefに達するまでの到達時間について説明すると、到達時間は、リーク電流の大きさによって大きく変動する。すなわち、出力電圧ＶGNDは、モデル回路から生じたリーク電流により電荷が蓄積されることによって、その電圧が上昇するので、到達時間は、図３に示すように、リーク電流が大きいときはリーク電流が小さいときに比べて短くなる。なお、図４に、本実施形態の集積回路１のリーク電流判定回路６の動作をシミュレーションした場合（基準電圧Ｖrefを０．３５Ｖとした）における、リーク電流と到達時間との関係の一例を示す図である。図４に示すように、リーク電流の大きさと到達時間との間には相関関係があるので、判定回路部６４は、前記到達時間を計測することで、リーク電流の大きさを判定することが可能となる。なお、このリーク電流の大きさと到達時間との関係を、判定回路部６４に予めルックアップテーブルとして記憶させておくことができ、判定回路部６４が、この記憶されたルックアップテーブルに基づいて到達時間からリーク電流の大きさを判定することができる。
【００３１】
以下、図５に示すフローチャートを参照して、電源遮断制御回路４における電源遮断制御方法を説明する。
【００３２】
まず、電源遮断制御回路４は、リーク電流の大きさを判定する前にモデル回路６１の初期化設定を行う（ステップＳ１００）。初期化設定は、たとえば、電源遮断制御回路部５から判定回路部６４に対して、リーク電流の大きさを判定させ、その判定結果を要求する信号が定期的に送られることによって実行される。
【００３３】
次いで、判定回路部６４は、モデル回路部６１内のトランジスタＭ１をターンオンするためのターンオン信号を送る（ステップＳ１０１）。また、判定回路部６４は、ターンオン信号を送るとともに、判定回路部６４内に有するクロックカウンタをリセットする。
【００３４】
モデル回路部６１は、トランジスタＭ１が判定回路部６４からターンオン信号を受け取る（ステップＳ１０２）。モデル回路部６１は、トランジスタＭ１がターンオンされることによって、モデル回路で生じたリーク電流により蓄積された電荷を放電し、電圧比較回路部６３に出力する出力電圧ＶGNDが０Ｖに初期化される。リーク電流の大きさを判定する前に、モデル回路部６１が前記出力電圧を一旦放電させることで、出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefに達するまでの到達時間を正確に計測することができる。
【００３５】
次いで、判定回路部６４は、所定期間経過後、トランジスタＭ１へのターンオン信号の供給をストップする（Ｓ１０３）。モデル回路部６１は、トランジスタＭ１がターンオフされることにより、モデル回路で生じたリーク電流によってモデル回路とトランジスタとの間に電荷の蓄積が始まり、出力電圧ＶGNDが充電される。なお、前記所定期間は、たとえば、蓄積された電荷が十分放電される期間とすることができる。
【００３６】
次いで、判定回路部６４は、電圧比較回路部６３にイネーブル（ＥＮ）信号を送る（ステップＳ１０４）。また、判定回路部６４は、ＥＮ信号を送るとともに、判定回路部６４内に有するクロックカウンタを始動させる。
【００３７】
電圧比較回路部６３は、電圧比較回路部６２内の電圧比較回路６３１およびホルダー回路６３３がＥＮ信号を受け取ることにより、モデル回路部６１からの出力電圧ＶGNDと、基準電圧生成回路部６２からの基準電圧Ｖrefとの電圧比較を開始し、その比較した結果である出力信号を判定回路部６４に送る（ステップＳ１０５）。
【００３８】
次いで、判定回路部６４は、電圧比較回路部６３から比較結果としての前記出力信号を受け取り、前記出力信号に基づいて出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefまで達しているか否かを判断する（ステップＳ１０６）。
【００３９】
判定回路部６４は、出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefに達するまで、この状態を維持する（ステップＳ１０７：Ｎｏ）。判定回路部６４は、出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefに達した場合（ステップＳ１０７：Ｙｅｓ）、出力電圧ＶGNDが基準電圧Ｖrefに達したまでの到達時間をクロックカウンタによって計測する（ステップＳ１０８）。
【００４０】
判定回路部６４は、計測した到達時間からリーク電流の大きさを判定し、その判定結果を電源遮断制御回路部５に送る（ステップＳ１０９）。上述したように、モデル回路および実回路３それぞれで生じるリーク電流の特性は互いに近似する。したがって、判定回路部６４がリーク電流の大きさを判定した結果は、実回路３で生じるリーク電流の大きさの推定結果となる。
【００４１】
電源遮断制御回路部５は、取得した判定結果に基づいて実回路３に対して電源遮断を制御する（ステップＳ１１０）。すなわち、電源遮断制御回路部５は、リーク電流が大きいとの判定結果を取得した場合、実回路３での電源遮断を実行し、一方、リーク電流が小さいとの判定結果を取得した場合、実回路３での電源遮断の実行を行わないよう制御する。
【００４２】
以上のように、本実施形態のおよび電源遮断制御方法によれば、集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路で生じるリーク電流の大きさを判定することによって、実回路３におけるリーク電流の大きさを推定し、その推定したリーク電流の大きさに基づいて集積回路の電源遮断の制御を行っているので、電力オーバヘッドを抑制することができ、集積回路の消費電力を低減することができる。
【００４３】
また、基準電圧を生成する基準電圧生成回路部を同一チップ内に設けることで、配線など外部的要因などによる減衰を防ぐことができる。
【００４４】
さらに、モデル回路部６１としてＭＴＣＭＯＳ回路を採用することで、モデル回路のリーク電流により充電されるモデル回路とトランジスタＭ１との間の電圧に基づいてリーク電流の大きさを判定することができる。
【００４５】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、以上の実施形態にされるべきものではなく、特許請求の範囲に表現された思想および範囲を逸脱することなく、種々の変形、追加、および省略が当業者によって可能である。
【００４６】
たとえば、本実施形態において、モデル回路としてＮＡＮＤ回路を用いたが、これに限られず、モデル回路で生じるリーク電流を測定できる回路であればよく、たとえば、インバータ回路やＮＯＲ回路または複数の論理回路を組み合わせた回路であってもよい。
【００４７】
また、本実施形態において、基準電圧生成回路部６２をリーク電流判定回路６内に設けたが、この場合に限られず、リーク電流判定回路６外から基準電圧Ｖrefを電圧比較回路６３部に供給してもよい。
【００４８】
さらに、本実施形態において、モデル回路部は、しきい値電圧の異なるトランジスタを備えるＭＴＣＭＯＳ回路を用いたが、これに限られず、たとえば、集積回路の基本回路をモデル化した論理回路のみからなってもよい。
【００４９】
さらに、本実施形態において、電圧比較回路部は、カレントミラー型センスアンプ回路を用いたが、これに限られず、２つの電圧を比較した結果を出力できる回路であれば本発明に応用できることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本実施形態に係る集積回路１の概略構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係る集積回路１の電源遮断制御回路４の構成を示す図である。
【図３】本実施形態に係る集積回路１のリーク電流の大きさに応じた出力電圧の上昇速度を表す図である。
【図４】本実施形態に係る集積回路１のリーク電流判定回路６の動作をシミュレーションした場合において、リーク電流と到達時間との関係の一例を示す図である。
【図５】本実施形態に係る電源遮断制御回路４の処理内容を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５１】
１  集積回路、
２  チップ、
３  実回路、
４  電源遮断制御回路、
５  電源遮断制御回路部、
６  リーク電流判定回路部、
６１  モデル回路部、
６２  基準電圧生成回路部、
６３  電圧比較回路部、
６４  判定回路部。
【図１】
2010056756.tif 000003
【図２】
2010056756.tif 000004
【図３】
2010056756.tif 000005
【図４】
2010056756.tif 000006
【図５】
2010056756.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御対象となる集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路を含むモデル回路部と、
前記モデル回路で生じたリーク電流によって充電される出力電圧と予め設定された基準電圧とを比較する電圧比較回路部と、
前記比較結果から前記出力電圧が前記基準電圧に達するまでの到達時間を計測し、該計測結果から前記リーク電流の大きさを判定する判定回路部と、
前記判定されたリーク電流の大きさに基づいて、前記集積回路の動作が不要なときに電源遮断を制御する電源遮断制御回路部と、
を備える、電源遮断制御回路。
【請求項２】
さらに、前記基準電圧を生成する基準電圧生成回路部を備える、請求項１に記載の電源遮断制御回路。
【請求項３】
前記モデル回路部は、第１しきい値電圧の第１トランジスタを含む前記モデル回路と、前記第１しきい値電圧より高い第２しきい値電圧の第２トランジスタと、を備えるＭＴＣＭＯＳ回路からなり、
前記出力電圧は、前記モデル回路と前記第２トランジスタとを接続した間の電圧である、請求項１に記載の電源遮断制御回路。
【請求項４】
前記電圧比較回路部は、カレントミラー型センスアンプ回路を含む、請求項１に記載の電源遮断制御回路。
【請求項５】
前記判定回路部は、前記リーク電流の大きさを判定する前に前記出力電圧を放電させる、請求項１に記載の電源遮断制御回路。
【請求項６】
集積回路の基本回路をモデル化したモデル回路で生じたリーク電流によって出力電圧を充電し、
前記充電された出力電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、
前記比較結果から前記出力電圧が前記基準電圧に達するまでの到達時間を計測し、該計測結果から前記リーク電流の大きさを判定し、
前記判定されたリーク電流の大きさに基づいて、前記集積回路の動作が不要なときに電源遮断を制御する、
電源遮断制御方法。