(57)【要約】【課題】画素間の混色を防止できるディスプレイ装置を提供する。【解決手段】ディスプレイ装置は、複数の薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスター上に形成されている保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記薄膜トランジスターと電気的に接続されている複数の画素電極と、隣接した前記画素電極の間を区画し、メイン溝部分と、サブ溝部分と、前記メイン溝部分および前記サブ溝部分から分離された前記隔壁層の最上表面に形成された陥没部と、を含む隔壁層と、前記露出領域の少なくとも一部に形成されている発光層と、前記発光層上に形成されている共通電極とを含む。【選択図】図６
2010238675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の薄膜トランジスターと、
前記薄膜トランジスター上に形成されている保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記薄膜トランジスターと電気的に接続されている複数の画素電極と、
隣接した画素電極の間を区画し、まわりの少なくとも一部には段差が形成されている隔壁層と、
前記画素電極上でかつ前記段差の上部に形成されている発光層と、
を含むことを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
前記段差は前記隔壁層のいずれか１つのまわりに形成され、
前記段差を間にして隣接した前記画素電極上には同一の色を発光する前記発光層が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
複数の薄膜トランジスターと、
前記薄膜トランジスター上に形成されている保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記薄膜トランジスターと電気的に接続されている複数の画素電極と、
隣接した前記画素電極の間を区画し、メイン溝部分と、サブ溝部分と、前記メイン溝部分および前記サブ溝部分から分離された前記隔壁層の最上表面に形成された陥没部と、を含む隔壁層と、
前記画素電極上に形成されている発光層と、
を含むことを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項４】
前記陥没部に隣接した前記画素電極上には互いに異なる色を発光する前記発光層が形成されていることを特徴とする、請求項３に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイ装置およびその製造方法に係わり、より詳しくは、画素電極の間に形成されている隔壁層を含むディスプレイ装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
平板ディスプレイ装置（flat panel display）のうち、低電圧駆動、軽量薄形、広視野角、そして高速応答などの長所によって、最近、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）が脚光を浴びている。ＯＬＥＤは、駆動方式によって受動型（passive matrix）と能動型（active matrix）とに分けることができる。このうちの受動型は、製造過程が簡単であるが、ディスプレイの面積と解像度が増加するほど消費電力が急激に増加する問題がある。したがって、受動型は主に小型ディスプレイに応用されている。反面、能動型は、製造過程が複雑であるが、大画面と高解像度を実現できる長所がある。
【０００３】
能動型ＯＬＥＤは、薄膜トランジスターが各画素領域ごとに接続されて、各画素領域別に発光層の発光を制御する。各画素領域には画素電極が位置しており、各画素電極は独立した駆動のために隣接した画素電極と電気的に分離されている。また、画素領域の間には画素領域よりさらに高い隔壁が形成されており、この隔壁は画素電極の間の短絡を防止し各画素領域を分離する役割を果たす。 一般に隔壁は 画素電極の周りに沿って画素電極を長方形に設けられる。
【０００４】
隔壁を間にして画素電極上にインクジェット方式で噴射されるインクは流体の表面張力によって球形を維持しようとする性質がある。このような性質のため、直角または鋭角を有する隔壁の長方形角部分ではインクがうまく滴下されない。インクが均一に塗布されないことによってピクセルの不良が発生し、画素電極とカソード電極とが互いに短絡されて映像信号がうまく伝達されないという問題点が発生する。
【０００５】
また、画素電極の間の隔壁上に互いに異なる色のインクが滴下されて混合されると、画素間の混色が発生する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、画素間の混色を防止できるディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的のために、本発明は、複数の薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスター上に形成されている保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記薄膜トランジスターと電気的に接続されている複数の画素電極と、隣接した前記画素電極の間を区画し、メイン溝部分と、サブ溝部分と、前記メイン溝部分および前記サブ溝部分から分離された前記隔壁層の最上表面に形成された陥没部と、を含む隔壁層と、前記露出領域の少なくとも一部に形成されている発光層と、前記発光層上に形成されている共通電極とを含む。
ここで、前記段差は前記隔壁層のいずれか１つのまわりに形成され、前記段差を間にして隣接した前記画素電極上には同一の色を発光する前記発光層が形成されるようにしてもよい。
【０００８】
また、前記の目的のために、本発明は、複数の薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスター上に形成されている保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記薄膜トランジスターと電気的に接続されている複数の画素電極と、隣接した前記画素電極の間を区画し、メイン溝部分と、サブ溝部分と、前記メイン溝部分および前記サブ溝部分から分離された前記隔壁層の最上表面に形成された陥没部と、を含む隔壁層と、前記画素電極上に形成されている発光層と、を含む。
【０００９】
ここで、前記陥没部に隣接した前記画素電極上には互いに異なる色を発光する前記発光層が形成されるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、画素間の混色が防止されるディスプレイ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の概略図である。
【図２】図１のII-II線による断面図である。
【図３】図１のIII-III線による断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態によるディスプレイ装置の画素領域を示す図面である。
【図５】本発明の第３実施形態によるディスプレイ装置の画素領域を示す図面である。
【図６】本発明の第４実施形態によるディスプレイ装置の概略図である。
【図７】図６のVII-VII線による断面図である。
【図８ａ】本発明の第４実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を説明するための図面である。
【図８ｂ】本発明の第４実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を説明するための図面である。
【図８ｃ】本発明の第４実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を説明するための図面である。
【図８ｄ】本発明の第４実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を説明するための図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して本発明について説明する。
【００１３】
いろいろな実施形態において同一の構成要素に対しては同一の参照番号を付与し、同一の構成要素については第１実施形態で代表的に説明し、他の実施形態では省略する。
【００１４】
第１実施形態を図１〜図３を参照して説明する。
【００１５】
図１は本発明の第１実施形態によるディスプレイ装置の概略図であり、図２は図１のII-II線による断面図、図３は図１のIII-III線による断面図を示す。
【００１６】
図示したように、ディスプレイ装置１は基板素材１０に形成された複数の薄膜トランジスター２０、薄膜トランジスター２０を覆っている保護膜２８、保護膜２８上に形成され薄膜トランジスター２０と接触孔２７を通じて電気的に接続されている画素電極３０、画素電極３０の間で画素電極３０を区画する隔壁層４０、隔壁層４０の間の露出された部分に形成されている発光層５０および発光層５０上に形成されているカソード電極６０を含む。
【００１７】
第１実施形態では非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスター２０を例示したが、ポリシリコンを用いる薄膜トランジスターを使用することができるのは勿論である。薄膜トランジスター２０を詳しく説明すると次の通りである。
【００１８】
ガラス、石英、セラミックまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含んで作られた基板素材１０上にゲート電極２１が形成されている。
【００１９】
基板素材１０とゲート電極２１の上にはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート電極２１が位置するゲート絶縁膜２２上には非晶質シリコンからなる半導体層２３と、ｎ型不純物が高濃度ドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコンからなる抵抗性接触層２４とが順に形成されている。ここで、抵抗性接触層２４はゲート電極２１を中心に両側に分離されている。
【００２０】
抵抗接触層２４およびゲート絶縁膜２２の上にはソース電極２５とドレイン電極２６が形成されている。ソース電極２５とドレイン電極２６はゲート電極２１を中心に分離されている。
【００２１】
ソース電極２５とドレイン電極２６およびこれらが覆っていない半導体層２３の上部には保護膜２８が形成されている。保護膜２８はシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）および／または有機膜で構成ことができる。保護膜２８にはドレイン電極２６を露出させる接触孔２７が形成されている。
【００２２】
保護膜２８の上部には画素電極３０がほぼ長方形状に形成されている。画素電極３０は陽極（ａｎｏｄｅ）とも呼ばれ、発光層５０に正孔を供給する。画素電極３０はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質から構成されている。
【００２３】
隣接した画素電極３０の間には、画素電極３０の間を区画し、画素電極３０を露出するメイン露出領域４０Ａ１とメイン露出領域４０Ａ１から突出して拡張されているサブ露出領域４０Ｂ１とを有する隔壁層４０が形成されている。隔壁層４０は画素電極３０の間の短絡を防止し、メイン露出領域４０Ａ１とサブ露出領域４０Ｂ１とからなる画素領域を定義する役割を果たす。薄膜トランジスター２０と画素電極３０が薄膜トランジスター２０と電気的に接続されるようにする接触孔２７上の画素電極３０は隔壁層４０で覆われている。
【００２４】
隔壁層４０は、画素電極３０の周りと重なるようにほぼ長方形の形状を有するメイン露出領域４０Ａ１と、メイン露出領域４０Ａ１の角部分から突出して拡張されており、ほぼ円形の形状を有するサブ露出領域４０Ｂ１とを有する。また、隔壁層４０は画素電極３０の周りと重なっておらず、少なくともいずれか一部分で画素電極３０と離間するように形成することができる。隔壁層４０と画素電極３０との間に一定の間隔を形成することによって、メイン露出領域４０Ａ１の角部分で発生するおそれがある画素電極４０とカソード電極６０との間の短絡を防止することができる。
【００２５】
従来は隔壁層４０が長方形状に設けられて直角または鋭角の角部を構成していたことから、隔壁層４０の角部分には発光物質５０、５１がうまく形成されないという問題点があった。
【００２６】
しかし、本実施形態のように隔壁層４０の角部分にサブ露出領域４０Ｂ１を形成することによって、発光物質５０、５１がサブ露出領域４０Ｂ１の内側に十分に拡散することができる。したがって、長方形状の画素電極３０の角部分の上にも発光物質５０、５１が完全に形成され均一な発光が行われる。
【００２７】
サブ露出領域４０Ｂ１は直線および曲線のうちの少なくともいずれか１つを有する平面形状を含んで形成することができ、本実施形態では円形状を有する。したがって、サブ露出領域４０Ｂ１の形状は円形だけでなく隔壁層４０の角部分から突出して拡張された形状であれば長方形、台形のような多角形または楕円形も可能であり、上述した多様な形状の組み合わせで構成することも可能である。サブ露出領域４０Ｂ１の面積は隔壁層４０が画素電極３０と重なった程度、工程上の空間マージンなどによって可変的であるが、ほぼメイン露出領域４０Ａ１の５〜１５％程度であるのが好ましい。サブ露出領域４０Ｂ１では部分的に隔壁層４０が画素電極３０と離間して形成されるため、保護膜２８に露出されている部分が存在する。露出された保護膜２８上には正孔注入層５１および発光層５０が形成されており、画素電極３０が形成されていない部分は発光が行われない非発光領域になる。もし、サブ露出領域４０Ｂ１に発光物質が十分に満たされず発光層５０が均一に形成されなくても、メイン露出領域４０Ａ１とサブ露出領域４０Ｂ１の境界部分にある画素電極３０上には、発光物質５０、５１が十分に拡散されるので正常な発光が行われる。また、保護膜２８が露出された部分に発光物質５０、５１がうまく形成されなくても、画素電極３０が形成されていないためカソード電極６０と短絡される問題は発生しない。
【００２８】
図２および図３に示されているように、メイン露出領域４０Ａ１が形成されている部分は従来の隔壁層と同一である。つまり、隔壁層４０のまわりは画素電極３０と重なるように形成されており、薄膜トランジスター２０と画素電極３０を接続する接触孔２７は隔壁層４０で覆われている。前述のように、画素電極３０と隔壁層４０は所定の間隔で離間されるように形成することもできる。隔壁層４０の間のメイン露出領域４０Ａ１には正孔注入層５１および発光層５０が形成されている。
【００２９】
反面、サブ露出領域４０Ｂ１が形成された部分は、前述のように、保護膜２８が露出された非発光領域が存在する。非発光領域上にも正孔注入層５１および発光層５０が形成されており、サブ露出領域４０Ｂ１に拡散された発光物質５０、５１によって画素電極３０とカソード電極６０とが短絡する不良を解消できる。
【００３０】
本実施形態とは異なり、サブ露出領域４０Ｂ１に保護膜２８を露出せず、全ての領域に画素電極３０を形成することも可能である。サブ露出領域４０Ｂ１に発光物質５０、５１が十分に形成されれば、発光領域が広くなるので開口率が向上する効果がある。
【００３１】
また、本発明の他の実施形態による隔壁層４０は多重層で形成することができ、二重層で形成することができる。隔壁層４０を二重層で形成する場合、下部層は親水性の無機膜、特にＳｉＯ２からなり、上部層は疏水性の有機膜を含むことができる。有機物で構成された上部層によって、親水性の発光物質が隔壁層４０の付近に噴射されても容易に画素電極３０に移動することができ、下部層が発光物質５０、５１と同様の親水性であるため発光物質５０、５１を安定的に形成できるようにする。
【００３２】
隔壁層４０の間には正孔注入層５１および発光層５０が順に形成されている。正孔注入層５１はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）のような正孔注入物質からなっており、これら正孔注入物質を水に混合させて、懸濁液の状態でインクジェット法で形成することができる。
【００３３】
正孔注入層５１の上部に発光層５０を形成している。画素電極３２から伝達された正孔とカソード電極６０から伝達された電子は、発光層５０で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）になった後、励起子の非活性化過程で光を発生させる。発光層５０は高分子物質から構成されており、青色、赤色および黄色を発光する物質で構成されている。
【００３４】
発光層５０の上部にはカソード電極６０が位置する。カソード電極６０は発光層５０に電子を供給する。カソード電極６０はアルミニウムのような不透明な材質で構成することができる。この場合、発光層５０から発光した光は基板素材１０の方向に出射されるものであり、これをボトムエミッション（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式という。
【００３５】
図示していないが、ディスプレイ装置１は正孔注入層５１と発光層５０との間に正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）、発光層５０とカソード電極６０との間に電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）と電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）をさらに含む構成とすることができる。また、カソード電極６０の保護のための保護膜、発光層５０への水分および空気浸透を防止するための封止部材をさらに含むように構成できる。
【００３６】
図４は、本発明の第２実施形態によるディスプレイ装置の画素領域を示す図面である。図示しているように、隔壁層４０は画素電極３０と所定の間隔をおいて離間して形成される。隔壁層４０によって露出された領域で定義される画素領域は、画素電極４０の周りに沿って長方形状を有するメイン露出領域４０Ａ２と、メイン露出領域４０Ａ２から突出して拡張されている長方形状のサブ露出領域４０Ｂ２とを含む。サブ露出領域４０Ｂ２は長方形状だけでなく、他の多角形または円形と楕円形のように曲線を含む多様な平面形状に変形することができる。画素電極３０と重ならない部分は保護膜２８が露出されている。隔壁層４０の間の画素領域には発光層５０が形成されている。薄膜トランジスター２０および接触孔２７の上部は隔壁層４０で覆われているが、接触孔２７が位置している部分を除いた画素電極３０のまわりは隔壁層４０と離間している。画素電極３０と隔壁層４０が離間して形成されるため、画素電極３０の下部の保護膜２８が露出され、露出された保護膜２８上には正孔注入層５１および発光層５０が形成されている。隔壁層４０が形成されていない画素電極３０部分で発光が行われ、露出された保護膜２８部分は正孔の供給が行われないため非発光領域になる。
【００３７】
画素電極３０と隔壁層４０が離間されている非発光領域の間隔ｄ１は０．５〜３０μｍ程度である。このような間隔ｄ１は、工程マージンまたは要求される開口率などによって変更することができる。また、画素電極３０に隣接するように形成されている他の配線（図示せず）との関係を考慮して、長方形の短辺または長辺からの離間間隔ｄ１は同一ではなく相異するように構成できる。
【００３８】
画素電極３０を形成しないことによって発光を制限することができ、これによって画素電極３０のまわり部分で発生したピクセルの不良を解消することができる。もし、隔壁層４０の角部分に発光物質が十分に満たされず発光層５０が均一に形成されなくても、角部分には画素電極４０が形成されていないのでカソード電極６０と短絡されるという問題は発生しない。
【００３９】
図５は本発明の第３実施形態によるディスプレイ装置の画素領域を示す図面である。図示しているように、メイン露出領域４０Ａ３は長方形状を基本とし、少なくとも一方の短辺を丸い曲線形状で構成している。なお、この短辺の曲率（丸い程度）は多様に変更することができ、特に限定するものではない。サブ露出領域４０Ｂ３はメイン露出領域４０Ａ３から突出して拡張された台形状で構成される。円形または楕円形などの丸い形状を維持しようとする流体の表面張力のため、隔壁層４０のまわり部分には発光層５０が十分に形成されないという問題点があった。これを改善するために隔壁層４０のまわり部分を丸い曲線形態に処理することによって、発光層５０が完全に画素領域に満たされるようにする。
【００４０】
画素電極３１は、全体形状がほぼ長方形に形成され、メイン露出領域４０Ａ３の曲線形状で短辺に対応する辺が同様の丸い曲線形状を構成している。このように画素電極３１を隔壁層４０と類似した丸い形状に形成すれば、開口率が向上し、画素電極３０のまわり部分での隔壁層４０の形成が容易になる効果がある。
【００４１】
画素電極３０、３１の形状、隔壁層４０によって露出されるメイン露出領域４０Ａ１、４０Ａ２、４０Ａ３およびサブ露出領域４０Ｂ１、４０Ｂ２、４０Ｂ３の形状は前述した実施形態に限定されず、各実施形態の組み合わせで構成された多様な変形が可能である。
【００４２】
以下、図６〜図８を参照して第４実施形態を説明する。図６は本発明の第４実施形態によるディスプレイ装置の概略図であり、図７は図６のVII-VII線による断面図である。
【００４３】
図示されているように、ディスプレイ装置１は、Ｘ軸方向に形成された長辺とＹ軸方向に形成された短辺を有する長方形状の画素電極３０と、角部が丸く曲線で処理された長方形状のメイン露出領域４０Ａ４とメイン露出領域４０Ａ４の短辺側に設けられ、段差が形成されているサブ露出領域４０Ｂ４を有する隔壁層４０とを含む。また、Ｙ軸方向に隣接した画素電極３０の間にある隔壁層４０には陥没部４０Ｃが形成されている。
【００４４】
メイン露出領域４０Ａ４で定義される画素領域上には発光物質５０、５１が形成され、Ｘ軸方向に隣接した画素電極３０は同一の色を発光する発光層（ＲまたはＧ）が形成され、Ｙ軸方向に隣接した画素電極３０上には異なる色を発光する発光層（Ｒ、Ｇ）が形成されている。
【００４５】
本実施形態によるサブ露出領域４０Ｂ４は、メイン露出領域４０Ａ１、４０Ａ２、４０Ａ３の角部分から突出して拡張されている前述のサブ露出領域４０Ｂ１、４０Ｂ２、４０Ｂ３とは異なり、メイン露出領域４０Ａ４の一辺から突出して拡張されている。また、サブ露出領域４０Ｂ４は画素電極３０または保護膜２８を露出させるものではなく、隔壁層４０に階段のような段差を形成することによって設けられる。
【００４６】
画素領域上にインクジェット方法を用いて発光物質５０、５１を形成する場合、発光物質５０、５１を積載しているノズルは長方形の長辺方向、即ち、Ｘ軸方向に移動しながら発光物質５０、５１を画素領域にプリンティングする。発光物質５０、５１は、ノズルが移動する方向の反対方向に押されながら滴下されるが、画素領域のまわり部分では隔壁層によって十分に発光物質５０、５１が滴下されないという問題点がある。これを改善するために本実施形態では画素領域の角部分に段差が形成されているサブ露出領域４０Ｂ４を形成することによって、サブ露出領域４０Ｂ４に滴下された発光物質５０、５１が画素電極３０上に押し出すことができるようにする。これによって、メイン露出領域４０Ａ４上には発光物質５０、５１が完全に満たされ、均一な発光層５０が形成される。このようなサブ露出領域４０Ｂ４は元来の隔壁層４０が形成される部分に設けられるものであるため開口率に影響を与えない。
【００４７】
このようなサブ露出領域４０Ｂ４はメイン露出領域４０Ａ４の短辺方向の角部だけでなく、長辺方向の角部に形成することも可能である。また、前述の第１〜第３実施形態の露出領域のまわりに段差を形成して、発光物質５０、５１がより効率的に滴下されるようにすることもできる。
【００４８】
陥没部４０Ｃは、Ｘ方向の画素ラインごとに異なる色の発光物質を滴下する場合に、隣接した画素電極３０の間で混色が発生することを防止する役割を果たす。異なる色の発光物質が、隔壁層４０上に過剰に滴下された場合に、これらが互いに混合して画素電極３０上に流れることがあるので、このような過剰発光物質を収容するために陥没部４０Ｃを形成する。図７の例では、陥没部４０Ｃの両側にある画素電極３０上にはそれぞれ赤色発光層５０ａおよび緑色発光層５０ｂが形成されている。
【００４９】
本実施形態ではＹ軸方向に隣接した画素電極３０の間に陥没部４０Ｃを形成したが、Ｙ軸方向に同一色の発光物質を滴下する場合、Ｘ軸方向に隣接した画素電極３０の間に陥没部４０Ｃを形成する。また、Ｙ軸およびＸ軸方向に隣接した各画素電極３０に互いに異なる色を発光する発光物質を滴下する場合、各画素電極３０の間の隔壁層４０に陥没部４０Ｃが形成することができるのは自明である。
【００５０】
サブ露出領域４０Ｂ４と陥没部４０Ｃは隔壁層４０を形成するために蒸着および写真エッチングする工程でスリットマスクを用いて露光される程度を異にして形成する。スリットマスクを使用せず、現像液および現像時間を調節して段差を形成することもでき、形成方法は上述のものに限定されない。
【００５１】
図８ａ〜図８ｄは本発明の第４実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を説明するための図面である。
【００５２】
まず、図８ａのように、基板素材１０上に薄膜トランジスター２０を形成する。薄膜トランジスター２０はチャンネル部が非晶質シリコンで形成されており、公知の方法で製造することができる。薄膜トランジスター２０の形成後、薄膜トランジスター２０上に保護膜２８を形成する。保護膜２８がシリコン窒化物である場合、化学気相蒸着法を用いることができる。その後、保護膜２８を写真エッチングしてドレイン電極２６を露出させる接触孔２７を形成する。接触孔２７を形成した後、接触孔２７を通じてドレイン電極２６と接続されている画素電極３０を形成する。画素電極３０は、ＩＴＯをスパッタリング方式で蒸着した後、パターニングして形成することができる。画素電極３０は発光層に正孔を提供するのでアノード（ａｎｏｄｅ）電極とも言う。
【００５３】
その後、図８ｂのように、隣接した画素電極３０の間に隔壁層４０を形成する。隔壁層４０は有機物質からなり、有機物質の蒸着および写真エッチングによって形成される。サブ露出領域４０Ｂ４と陥没部４０Ｃは有機物質を蒸着した後にスリットマスクを利用して写真エッチングする。つまり、露光する程度を部分的に調節することによって、現像される有機物質の厚さが異なるように構成する。このように形成された隔壁層４０によって、画素電極３０が露出したメイン露出領域４０Ａ４とサブ露出領域４０Ｂ４が形成される。また、隔壁層４０は、薄膜トランジスター２０と接触孔２７の上部に位置して形成されており、上部に行くほど断面積が小さくなるように形成されている。
【００５４】
その後、図８ｃのように、隔壁層４０が覆っていない画素電極３０上に正孔注入層５１を形成し、Ｘ軸方向に沿って赤色（Ｒ）の発光層５０ａを形成する。正孔注入層５１および発光層５０ａは、図示されているように、ノズル７０を利用して流体を滴下させるインクジェット方式で形成される。正孔注入物質および赤色発光インクを積載したノズル７０は、基板素材１０上をＸ軸方向に移動しながら所定の位置に正孔注入物質および発光インクをプリンティングする。滴下された正孔注入物質および発光インクはノズル７０が移動する方向の反対方向に押されながら画素領域を満たす。サブ露出領域４０Ｂ４に滴下された正孔注入物質および発光インクは、メイン露出領域４０Ａ４に移動して、均一な発光層５０ａが形成される。隔壁層４０上に滴下された赤色発光インクは陥没部４０Ｃに収容される。図示していないが、ディスプレイ装置１はノズル７０の移動および流体の滴下を制御する制御部をさらに含む。
【００５５】
次に、図８ｄのように、Ｙ軸方向に沿って緑色（Ｇ）の発光層５０ｂを形成する。図示してはいないが、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）の次に青色（Ｂ）の発光インクを滴下し、互いに異なる発光インクが滴下される画素電極３０の間には陥没部４０Ｃが形成されている。陥没部４０Ｃに赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）の発光インクが滴下されて混合されても発光する画素領域には影響を与えない。
【００５６】
正孔注入層５１および発光層５０はインクをそれぞれ溶媒に溶解させてノズルコーティング（ｎｏｚｚｌｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）またはスピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）法を利用して形成することもできる。
【００５７】
その後、発光層５０上にカソード電極６０を形成すると、図７のようなディスプレイ装置１が完成する。
【００５８】
本発明のいくつかの実施形態を図示して説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から外れずに、隔壁層の形状を変形させて均一な発光層を形成する本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められる。
【符号の説明】
【００５９】
１      ディスプレイ装置
１０      基板素材
２０      薄膜トランジスター
２１      ゲート電極
２２      ゲート絶縁膜
２３      半導体層
２４      抵抗性接触層
２５      ソース電極
２６      ドレイン電極
２７      接触孔
２８      保護膜
３０      画素電極
４０      隔壁層
４０Ａ１、４０Ａ２、４０Ａ３、４０Ａ４      メイン露出領域
４０Ｂ１、４０Ｂ２、４０Ｂ３、４０Ｂ４      サブ露出領域
５０      発光層
５１      正孔注入層
６０      カソード電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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