(57)【要約】【課題】  本発明の特徴の１つは、検査装置において測定を行う第１の制御部と、過去の測定データ情報またはマップデータを読み出してデータ処理を行い、マップ上の欠陥位置や測定レシピなどを視覚的に伝えることのできる画面制御表示を並行して行える、第２の制御部を有することである。【解決手段】  本発明によりウエハ測定中でも過去に検査した測定結果情報の探索，ウエハ上の異物分布の状態，キャリア単位での異物個数確認等が上位ホスト側の不良解析システムを操作することなく検査装置側で容易に実現することが可能となる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を被検査物に照射し、
前記被検査物からの反射、または散乱する光を検出して被検査物上の欠陥を検査する検査装置において、
検査を行う第１の制御部と、
前記第１の制御部と切替え可能な前記検査結果の処理を行う第２の制御部と、を有することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
光を被検査物に照射し、
被検査物からの反射、または散乱する光を検出して被検査物上の欠陥を検査する検査装置において、
検査入出力制御部と、
前記検査入出力制御部と切替え可能な来歴データ制御部と、を有することを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項２の検査装置において、
前記来歴データ制御部に含まれるマップデータは前記被検査物のレシピ設定情報と、
欠陥座標、及びチップ内欠陥座標と、
散乱強度と、
欠陥画像データに関する情報とを含むことを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項１の検査装置において、
表示部を有し、
前記表示部は、
前記欠陥の検査中に、
来歴データと、欠陥のマップと、前記欠陥の個数の変化とを切替えて表示することを特徴とする検査装置。
【請求項５】
請求項４の検査装置において、
前記表示装置は、
レシピ設定情報を表示することを特徴とする検査装置。
【請求項６】
請求項４の検査装置において、
前記来歴データ制御部で記憶された欠陥データをレシピ設定内容別に表示できることを特徴とする検査装置。
【請求項７】
レーザ光を半導体ウエハに照射し、
前記半導体ウエハ上の欠陥から反射、または散乱する光を検出して前記欠陥を検査する検査装置において、
検査入出力制御部と、
前記検査入出力制御部と切替え可能な来歴データ制御部と、を有することを特徴とする検査装置。
【請求項８】
光を被検査物に照射し、被検査物からの反射または散乱する光を検出して被検査物上の欠陥を検査する検査方法において、
前記検査中に、
前記欠陥の個数の変化を用いて、
前記欠陥の発生原因を推定することを特徴とする検査方法。
【請求項９】
光を被検査物に照射し、被検査物からの反射または散乱する光を検出して被検査物上の欠陥を検査する検査方法において、
前記検査中に、
前記被検査物上での前記欠陥の分布と、
来歴データと、前記欠陥の個数の変化と、を用いて
前記欠陥の発生原因を推定することを特徴とする検査方法。
【請求項１０】
光を被検査物に照射し、
被検査物からの反射、または散乱する光を検出して被検査物上の欠陥を検査する検査装置に用いる表示装置であって、
前記表示装置は、
前記欠陥の検査中に、
来歴データと、欠陥のマップと、前記欠陥の個数の変化とを切替えて表示することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１０の検査装置において、
前記表示装置は、
レシピ設定情報を表示することを特徴とする検査装置。
【請求項１２】
光を被検査物に照射し、
被検査物からの反射、または散乱する光を検出して被検査物上の欠陥を検査する検査装置であって、
表示装置を有し、
前記表示装置は、
前記欠陥の検査中に、
来歴データと、欠陥のマップと、前記欠陥の個数の変化とを切替えて表示することを特徴とする検査装置。
【請求項１３】
請求項１２の検査装置において、
前記表示装置は、
レシピ設定情報を表示することを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は被検査物の検査装置及び検査方法に関する。
【０００２】
例えば半導体製造工程，液晶表示素子製造工程，プリント基板製造工程等で用いられる被検査物の検査装置及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
ガラス基板や半導体ウエハ等の被検査物の表面に、レーザ光等の光ビームを被検査物の表面へ照射し、該表面で発生した反射光又は散乱光を検出することにより、欠陥の有無を検出可能な検査装置が知られている。
【０００４】
検査装置ではウエハ上に形成されるチップの欠陥（不良）を検出することを第一の目的として運用されている。
【０００５】
また特開平１１−６７８５３号公報（特許文献１）にはウエハマップ解析補助システムとして半導体製造過程の各段階で得られるロット情報やマップデータの記憶手段とを備えた解析システム方法が開示されている。
【０００６】
この技術は、検査装置からローカルエリアネットワーク（以下、ＬＡＮ）を介して出力された欠陥データに関して解析システム側で蓄積したデータの処理を行いマップ表示や突合せ処理などの解析を行うものである。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−６７８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載されている技術は、ＬＡＮの構築ができているシステム上でネットワークを介して、上位の独立した欠陥データ解析専用ツールを用いた解析装置である。このためネットワーク障害が発生した時、欠陥データは上位側の解析システムに測定データが転送不可となり、発塵原因の解析，各製造プロセスへの対策が行えず歩留まり低下となる。
【０００９】
また検査装置側は、半導体ＳＥＭＩ規格に準したSemiconductor Equipment Communications Standard，Generic Equipment Model（以下、オンライン通信）などの運用で装置管理されている状態では常に検査状態であり、主制御部は、測定動作に占有されてしまうため、測定中に過去の測定データの欠陥個数や欠陥の付着状態などの情報を随時、検査装置側で参照することが、困難となる課題がある。
【００１０】
本発明の目的は検査装置においても、装置状況に関係なく過去の測定データの参照が可能な機能を有することができる検査方法及び検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の特徴の１つは、検査装置において測定を行う第１の制御部と、過去の測定データ情報またはマップデータを読み出してデータ処理を行い、マップ上の欠陥位置や測定レシピなどを視覚的に伝えることのできる画面制御表示を並行して行える、第２の制御部を有することである。
【００１２】
この第２の制御部は、主制御部に干渉せずデータ処理のみを基本とする制御のみを扱うものとする。
【００１３】
第１の制御部と第２の制御部との切替えタイミングは、いつでも可能とし、コマンド制御の発行で現在のメイン画面の切替えを可能とする。
【発明の効果】
【００１４】
発明によりウエハ測定中でも過去に検査した測定結果情報の探索，ウエハ上の異物分布の状態，キャリア単位での異物個数確認等が上位ホスト側の不良解析システムを操作することなく検査装置側で容易に実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に関して添付図面を参照して説明する。
【００１６】
本発明の検査装置は半導体製造工程，液晶表示素子製造工程，プリント基板製造工程等で用いられる被検査物の検査装置及び検査方法で可能であるが、本実施形態においては、検査装置としてパターン付欠陥検査装置を一例として説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態である欠陥検査装置の全体構成図である。
【００１８】
図１において、欠陥検査装置は、制御系４００と、搬送部３５０とステージ部３００と、照明光学系１００と、少なくとも一組の検査光学系２００を備える。
【００１９】
搬送部３５０は、１個以上のロードポート３５１，２つのハンドリングアーム３５２，プリアライメント３５３を備える。ロードポート３５１にセットされたＦＯＵＰ内の指定スロットからハンドリングアーム３５２によって取り出されたウエハはプリアライメント３５３でオリフラ，ノッチ検出が行われ、ステージ部３００に搬入される。
【００２０】
尚、ハンドリングアーム３５２は２アーム方式を標準装備とし搬送時の同時交換などの処理を行うことでスループット短縮を行っている。
【００２１】
ステージ部３００は、Ｘステージ３０１，Ｙステージ３０２，Ｚステージ３０３，角度ステージ３０４，ステージコントローラ３０５を備える。ウエハ１をステージ部３００に搬入した時には、角度ステージ３０４にて角度方向のアライメントを行い、Ｚステージ３０３にてＺ方向のアライメントを行う。
【００２２】
ウエハ１のスキャン時には、Ｘステージ３０１にてＸ方向走査後にＹステージ３０２にてＹ方向に送り、Ｘステージ３０１にてＸ逆方向走査を行うというような繰り返し動作を行う。
【００２３】
照明光学系１００は、照明１１０（第１照明手段）と、照明１２０（第２照明手段）と、照明１３０（第３照明手段）の複数の照明手段を備える。共通光路の部品としては、光１０１と、ビームエキスパンダの役割を果たす凹レンズ１０２及び凸レンズ１０３と、ＮＤフィルタや波長板などの光学フィルタ群１０４と、光路を引き回すミラー１０５とを使用する。
【００２４】
また、照明系１００は、各方向照明の部品として素通しのガラス板と切換可能な光学分岐要素（またはミラー）１０６と、照明レンズ１０７と、光路を鉛直方向に落とし込む落射ミラー１０８と、照射仰角を決定する仰角切替えミラー１０９とを備える。照明レンズ１０７を通過したビームは、ウエハ上で３方向からスリット状ビームとして、チップ配列方向に向くように照明される。
【００２５】
欠陥検査の高速化を実現するために、スリット状ビームはＸステージ３０１の走査方向Ｘが短手方向、Ｙステージ３０２の走査方向Ｙが長手方向となるように照明する。すなわち、Ｙ方向の送り量を大きくすることでステージの総走査量を少なくすることが可能となる。光１０１から照射されるビーム光束の照度（パワー）は光学フィルタ群１０４のＮＤフィルタなどを用いて制御が可能である。
【００２６】
検査光学系２００は、対物レンズ２０１と、フーリエ変換面２０２（空間フィルタ制御部２０７により制御される）と、結像レンズ２０３と、変倍レンズ群２０４（レンズ駆動制御部２０８により制御される）と、ＴＤＩセンサ等の検出器２０５とを備える。検査光学系２００では、まず、スリット状照明３をウエハ１に照射して発生する反射光や散乱光を対物レンズ２０１で集光する。次に、ウエハ１の繰り返しパターンによってフーリエ変換面２０２に現れる回折光の干渉部分を空間フィルタ（図示せず）で遮光する。空間フィルタの透過光を変倍レンズ２０４で倍率調整する。
【００２７】
最終的に、結像レンズ２０３で検出器２０５に結像させる。
【００２８】
様々な形態の回路パターンが形成されたウエハにスリット状ビームを照明すると、ウエハ表面の回路パターンや異物等の欠陥から反射光や散乱光が射出する。回路パターンによって発生した反射光や散乱光は、空間フィルタで遮光され、ここを透過した光が検出器２０５に結像し光電変換される。
【００２９】
制御系４００は、駆動機構やセンサを制御する駆動制御系４０１と、画像処理系４０２と、表示系４０３と、入力系４０４とを備える。画像処理系４０２は、検出器２０５で光電変換されたデータのＡ／Ｄ変換部，データメモリ，チップ２間の信号の差をとる差分処理回路，チップ２間の差信号を一時記憶するメモリ，パターン閾値を設定する閾値算出処理部，比較回路，異物等の欠陥検出結果を記憶および出力する検査結果記憶系を備えている。
【００３０】
図２はホストコンピュータ５０５のデータ処理部の制御概略を示す構成図である。
【００３１】
マウス，キーボード，タッチパネルなどを使用して検査条件や装置操作を行う入力部５００，ＣＲＴや液晶パネルからなる検査結果やデータ処理内容を表示する表示部５０１，プリンタなどの外部媒体に表示を行う出力部５０２，検査データなどの演算を行うデータ演算処理部５０３，情報やデータを保持する記憶部５０４，これらの全体を制御するホストコンピュータ５０５から構成されている。
【００３２】
入力部５００から指示されたデータはデータ演算処理部５０３によって処理され、表示部５０１に出力され５０４でデータ保存される。
【実施例１】
【００３３】
半導体デバイスの量産化ではきわめて短期間の試作を繰り返しながら量産プロセスを確立し、品質と信頼性を含めた早期歩留まり向上が必須の課題となる。
【００３４】
図３に製造プロセス６００，上位ホスト６０１，欠陥検査装置６０２，解析装置，不良解析システム６０３，発塵原因の推定６０４，対策６０５との関係及び活用方法を示す。
【００３５】
基板上にパターン形成を行い製作していく各工程の製造プロセス６００で発生する、物理化学反応による副生成物のたい積・剥離などのプロセス起因で発生する異物等の欠陥を検出してプロセス発塵を定量的に把握し早期に適切な対策を施すことが最善とされ、量産プロセスが確立した半導体製造ラインではＬＡＮ構築によって上位ホスト６０１からのオンライン通信機能などによって欠陥検査装置６０２の運用が自動化で行われる。
【００３６】
欠陥検査装置側６０２では上位ホスト６０１からのオンライン機能により随時ウエハの検査が実行される。
【００３７】
上位ホストから次の検査指示があると、検査が終了したキャリアの検査結果画面はクリアされ、次のキャリア検査が実行される。
【００３８】
一方、欠陥検査装置６０２で測定したデータはＬＡＮを介して解析装置、不良解析システム６０３に蓄積され解析される。解析装置，不良解析システム６０３側では蓄積されたデータを元に時系列推移，工程間推移，マップデータ，突合せ処理などの解析処理を行い発塵原因の推定６０４を行い、対策６０５後に各工程の製造プロセス６００にフィードバックされる。
【００３９】
歩留まり向上を行うためには欠陥検査装置でのプロセス起因の不良欠陥の検出及び不良解析システムでの不具合原因の特定，各プロセス製造への対策フィードバックが必要になる。
【００４０】
図４は本発明が適用される前の欠陥検査装置ソフト制御部を示すブロック図である。
【００４１】
旧検査入出力制御部７００はキーボードやマウス又はタッチパネルなどからの検査入力情報を制御し、検査動作制御部７０２から得られた測定データ結果情報をＣＲＴやフラットパネルディスプレイなどに表示命令を行うソフト制御部である。
【００４２】
また検査動作制御部７０２の検査動作が終了後は制限付で過去のデータ一覧表示が行える。
【００４３】
検査動作制御部７０２は旧検査入出力制御部７００から支持されたコマンドを基に検出系，光学系，ステージ系，レーザ系の各モータ動作の制御又は処理を行うシステムである。
【００４４】
また搬送動作制御部７０３にも命令コマンドを送信して搬送動作を制御可能である。
【００４５】
搬送動作制御部７０３は２つのハンドリングアームをもち検査動作制御部７０２からの命令に対してウエハロード，プリアアライメント，ウエハチェンジ，ウエハアンロードの命令を行うソフト制御部である。
【００４６】
図５は本発明が適用される欠陥検査装置ソフト制御部を示すブロック図である。
【００４７】
来歴データ制御部７０４は検査動作制御部７０２と検査入出力制御部７０１によって得られた来歴データ（過去の測定データ結果情報）をＣＲＴやフラットパネルディスプレイなどに表示命令を行うソフト制御部である。
【００４８】
前記来歴データ制御部７０４は欠陥のマップデータを扱うが、このマップデータには例えば前記被検査物のレシピ設定情報と、欠陥座標，チップ内欠陥座標と、散乱強度と、欠陥画像データに関する情報等が含まれる。
【００４９】
従来、来歴データ制御部７０４の一部機能は旧検査入出力制御部７００に含まれ１つの制御部として稼動していたが、この方式だと常に検査動作制御部７０２に依存しているので来歴データ制御部７０４と検査入出力制御部７０１の同時実行は行えない。
【００５０】
来歴データ制御部７０４は検査動作制御部７０２との関連性は非常に低く、検査入出力制御部７０１は検査動作制御部７０２との関連性は非常に高い。
【００５１】
よって１つの制御部を２つに分離制御することにより、検査動作中での来歴データ表示を可能とした。
【００５２】
図６に本発明が適用される前の検査動作制御部７０２，旧検査入出力制御部７００の動作フローを示す。
【００５３】
オペレータ操作又はオンライン通信より支持されたレシピ情報は旧検査入力制御部７００によりレシピ設定画面８０６に入力され、検査スタート８００が開始する。旧検査入出力制御部７００側は検査動作制御部７０２からの正常返信コマンドを受診することによって検査中画面８０７に切り替わる。ハンドリングアームによりウエハロード８０１が開始されステージ上にウエハがローディングされる。
【００５４】
ウエハの平行だしのためのアライメント８０２が開始され、スキャン動作の検査開始８０３，検査終了８０４となる。この時点で旧検査入出力制御部７００側は検査結果画面８０８に切り替わり、ウエハはアンロード８０５処理を経て元のＦＯＵＰに戻される。
【００５５】
検査動作制御部７０２の制御動作が終了すれば、旧検査入出力制御部７００側では次のアクションに以降でき、来歴データ一覧制御部８１０や欠陥付着状態表示８１１を実行することが可能である。
【００５６】
図７に本発明が適用される検査動作制御部７０２，検査入出力制御部７０１，来歴データ制御部７０４の動作フローを示す。
【００５７】
検査動作制御部７０２と検査入出力制御部７０１は測定動作を行い、来歴データ制御部７０４は検査動作制御部７０２に依存しないので来歴切替え８０９を選択することで、来歴データ一覧表示８１０が表示される。
【００５８】
検査入出力制御部７０１と来歴データ制御部７０４との切替えは来歴切替え８０９及び検査切替え８１３で行い検査動作制御部７０２の８００〜８０５のどのタイミングでも可能となる。
【００５９】
来歴切替え８０９を選択した場合、来歴データ制御部７０４の制御部画面が最上部に表示され、今まで最上部に表示されていた検査入出力制御部７０１の画面表示は裏側に配置される。
【００６０】
検査切替え８１３や来歴切替え８０９を行うことで表示部５０１は片方の制御部画面が最上部に表示されるが、欠陥検査装置構成にもう一つの表示部５０１（ＣＲＴや液晶パネル）を追加することにより、第一の表示部側では検査入力制御部７０１の画面を表示し、第二の表示部側では来歴データ制御部７０４の画面を同時に表示することが可能である。
【００６１】
欠陥検査装置から出力される測定データ構成は、測定条件のインデックス情報部と測定データ座標などの測定データ部に分けて保存されるが、互いのデータは関連付けられている。
【００６２】
インデックス情報部には、検査開始日時，検査終了日時，品種名，工程名，ロット名，スロット，ウエハＮＯ，異物輝度個数（Ｓ，Ｍ，Ｌ，ＴＯＴＡＬ），上位転送記録（ＯＫ，ＮＧ，ＮＯ），測定データ座標ファイル名が設定されている。
【００６３】
測定データ部にはマトリックス情報，検査チップ，チップサイズ，欠陥座標，異物輝度が設定される。
【００６４】
欠陥検査装置から出力される測定データは最大３０００件までハードディスクに保存可能とし、それ以上のデータ保存に関しては古いデータから削除を行い追加保存される。
【００６５】
来歴データ一覧表示は図８に示すように１ウエハあたり、検査開始日時，検査終了日時，品種名，工程名，ロット名，スロット，ウエハＮＯ，異物輝度個数（Ｓ，Ｍ，Ｌ，ＴＯＴＡＬ），上位転送記録（ＯＫ，ＮＧ，ＮＯ）の来歴データの一覧表示９００から構成される。
【００６６】
ここで上位転送記録とは、不良解析システム側への転送が正常に行われた場合はＯＫ、転送しようとしたがＬＡＮの不具合により送信できなかった場合はＮＧ、不良解析システム側への転送を無しで検査した場合はＮＯの３種類に分類される。
【００６７】
また膨大な測定データから任意のデータが簡単に選択可能なように各キーワードによる検索機能９０１を追加する。これにより目的としたデータ検索を迅速に行うことができる。例えば、品種ファイルによる検索，工程ファイルによる検索，ロットＮｏによる検索，スロットＮｏによる検索，検査日時指定による検索，上位転送結果による検索である。
【００６８】
検索機能で絞られた測定データから任意のデータを選択しマップ表示ボタン９０２実行をすることで図９に示すようなウエハマップの欠陥付着状態表示画面９１０を行う。
【００６９】
欠陥付着状態表示画面９１０は、レシピ情報の表示機能９１２，検出した欠陥の各サイズの付着状態表示機能９１１，検出欠陥の位置情報を行う異物リスト表示９１４，各欠陥からの散乱光の分布状態を示したヒスト表示機能９１３で構成されている。
【００７０】
検査情報の表示機能９１２
検査時の品種ファイル名，工程ファイル名，ロットＮｏ，スロット，測定時間，レーザパワー，検査速度，検査倍率，照明方向，照明角度，しきい値係数，空間フィルタの有／無などの情報を表示することができる。
【００７１】
ヒスト表示機能９１３
標準粒子付（以下、ＰＳＬ）ウエハの測定の場合、レーザ照射によってＰＳＬからの散乱光の輝度はほぼ一定となるので、検出された散乱光の強さを度数分布表にすることで、欠陥検査装置の感度性能やレーザ劣化の判定基準などの用途にも使用可能である。
【００７２】
また、ヒスト表示機能と欠陥付着状態表示機能はリンクされており、ヒスト表示機能側の輝度範囲を指定することで、指定範囲のみの欠陥が異物付着マップに表示することができる。
【００７３】
欠陥リスト一覧９１４
リスト一覧では検出された欠陥データの検出座標（Ｘｗ，Ｙｗ），欠陥サイズ（Ｓ，Ｍ，Ｌ），欠陥輝度（０から２５５），マトリックス位置（Ｘｍ，Ｙｍ），ウエハ内座標（Ｘｃ，Ｙｃ）などが表示可能である。
【００７４】
画面領域にすべての情報を記載できない場合には、スクロールバーによる移動で参照可能としている。検出された異物に対して一定方向での座標ソートを行い表示しているのも特徴のひとつである。
【００７５】
欠陥レビュー画面９１５
また、ウエハ上の実異物の形状を見たいときには、あらかじめ自動欠陥画像保存機能を設定しておく。検査終了後に検出した任意の欠陥座標にＸＹステージが自動的に移動し欠陥画像をハードディスクに保存する。
【００７６】
欠陥レビュー画面では、図１０に示すように、このハードディスクに保存した欠陥画像とマップ上の異物座標を関係付けて表示する。
【００７７】
自動欠陥画像保存機能には閾値別の欠陥個数の指定（Ｓ，Ｍ，Ｌ）やマトリックス上の任意チップでの指定個数を設定でき効率的な画像取得が行える。
【００７８】
キャリア単位測定結果画面９２０
来歴データ一覧表示の任意データ選択後、ロット表示９０３実行により図１１に示すようなキャリア単位での欠陥個数表示を行う。
【００７９】
キャリア単位で欠陥個数を表示することで作業者は欠陥の時間的な変化を知ることができる。
【００８０】
キャリア単位測定結果画面ではレシピ情報の表示機能９２２，検出した欠陥のレベル個数別のヒストグラム表示機能９２３，サムネイルファイル形式でマップ表示された簡易欠陥付着状態表示９２１で構成されている。
【００８１】
レシピ情報の表示機能９２２
検査時の品種ファイル名，工程ファイル名，ロットＮｏ，検査指定したスロットを示す。
【００８２】
ヒストグラム表示機能９２３
キャリア単位での検出した欠陥個数をヒストグラム表示で示す。検査スロットに対応したヒストグラムを選択することにより欠陥付着状態表示画面９１０に移行することができる。
【００８３】
簡易欠陥付着状態表示９２１
通常、マップデータ画像表示はバイナリデータファイルからデータを読み込み毎回描画処理を行うためＣＰＵ負担が大きい。本発明では主制御部も同時に実行中であるため、測定データの再表示一覧にはこの画像データの呼び出し表示可能とする。これにより制御部２本を並列に行ってもＣＰＵ負担を軽減できる。
【００８４】
製造工程において、発塵状態が変われば、欠陥付着状態表示画面９１０，キャリア単位測定結果画面９２０において欠陥の個数の変化を確認することができる。レシピ情報を表示することで検査条件を確認することもできる。このように、例えば来歴データ一覧表示，欠陥付着状態表示画面９１０，キャリア単位測定結果画面９２０等を切替えて表示することで製造工程等における欠陥の発生状況の変化を検査中に確認し、発塵原因を検査装置側でも推定することができる。
【００８５】
本発明は実施の形態に限定されず、パターン付きウエハ欠陥検査装置だけでなく、パターン無しウエハ表面検査装置にも適用可能である。例えば、ステージ部３００は回転移動と直進移動とを行うような構成であっても良いし、検出器２０５はＴＤＩの他に光電子増倍管（ＰＭＴ）等であっても良いし、空間フィルタは無くても良い。
【００８６】
さらに、半導体製造装置及び半導体製造装置の如何に関わらず適用することも可能であり、例えばＣＤ−ＳＥＭ等の測長装置，露光装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明が適用される検査装置の全体構成図である。
【図２】本発明が適用される検査装置のデータ処理部の構成図である。
【図３】本発明が適用される検査装置の運用図である。
【図４】本発明が適用される前の検査装置ソフト制御部ブロック図である。
【図５】本発明が適用される検査装置ソフト制御部ブロック図である。
【図６】本発明が適用される前の検査装置ソフト制御部フロー図である。
【図７】本発明が適用される検査装置ソフト制御部フロー図である。
【図８】本発明が適用される検査装置の測定データ一覧表示である。
【図９】本発明が適用される検査装置のウエハ単位異物付着結果表示である。
【図１０】本発明が適用される検査装置のウエハ単位異物付着結果表示である。（欠陥レビュー画面）
【図１１】本発明が適用される検査装置のキャリア単位測定結果表示である。
【符号の説明】
【００８８】
７０１  検査入出力制御部
７０４  来歴データ制御部
９００  １ウエハあたりの来歴データ一覧表示
９１０  欠陥付着状態表示画面
９２０  キャリア単位測定結果画面
【図１】
2010085145.tif 000003
【図２】
2010085145.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010085145.tif 000006
【図５】
2010085145.tif 000007
【図６】
2010085145.tif 000008
【図７】
2010085145.tif 000009
【図８】
2010085145.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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