(57)【要約】【課題】高い出力を示す光電変換装置、及び、高い出力を示す光電変換装置を安定して生産する方法を提供する。【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、光電変換層３と、裏面電極層４とが順次積層され、透明電極層２のヘイズ率の平均値がｘ１以上ｘ２以下であり、ヘイズ率の標準偏差がｙ以下であることを特徴とする光電変換装置１００。透明電極層２を形成する工程が、透明電極層２を製膜する工程と、透明電極層２のヘイズ率を計測する工程と、計測されたヘイズ率から平均値及び標準偏差を算出する工程と、算出されたヘイズ率の平均値及び標準偏差をそれぞれ、予め設定された設定範囲と照合する工程と、ヘイズ率の平均値及び標準偏差の少なくとも一方が、設定範囲を満たさない場合に、透明電極層２の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程とを含むことを特徴とする光電変換装置１００の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも、透明電極層と、光電変換層と、裏面電極層とが順次積層された光電変換装置であって、
複数の前記光電変換装置の平均出力に対する各々の前記光電変換装置の出力が所定の範囲内となるように、前記透明電極層の前記基板面内でのヘイズ率の標準偏差がｙ以下に設定されたことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記ｙが５％であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記ｙが２．５％であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記透明電極層の前記基板面内でのヘイズ率の平均値が、１６％以上１８％以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
少なくとも、基板上に透明電極層を形成する工程と、該透明電極層上に光電変換層を形成する工程と、該光電変換層上に裏面電極層を形成する工程とを備える光電変換装置の製造方法であって、
前記透明電極層を形成する工程が、
透明電極層を製膜する工程と、
該透明電極層の任意の複数点におけるヘイズ率を計測する工程と、
該計測された任意の複数点におけるヘイズ率から、ヘイズ率の平均値及びヘイズ率の標準偏差を算出する工程と、
該算出されたヘイズ率の平均値及びヘイズ率の標準偏差をそれぞれ、予め設定されたヘイズ率の平均値の設定範囲、及び、ヘイズ率の標準偏差の設定範囲と照合する工程と、
前記ヘイズ率の平均値及び前記ヘイズ率の標準偏差の少なくとも一方が、前記ヘイズ率の平均値の設定範囲、または、前記ヘイズ率の標準偏差の設定範囲を満たさない場合に、前記透明電極層の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程とを含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記透明電極層を製膜する工程の前に、下地層を製膜する工程を更に含み、
前記ヘイズ率の平均値及び前記ヘイズ率の標準偏差の少なくとも一方が、前記ヘイズ率の平均値の設定範囲、または、前記ヘイズ率の標準偏差の設定範囲を満たさない場合に、前記透明電極層の製膜及び前記下地層のうち少なくとも一方について、製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記ヘイズ率の平均値及び前記ヘイズ率の標準偏差が、基板中央部のヘイズ率の平均値及び基板中央部のヘイズ率の標準偏差、及び、基板端部のヘイズ率の平均値及び基板端部のヘイズ率の標準偏差のうち、少なくとも一方であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
少なくとも、基板上に透明電極層を形成する工程と、該透明電極層上に光電変換層を形成する工程と、該光電変換層上に裏面電極層を形成する工程とを備える光電変換装置の製造方法であって、
前記透明電極層を形成する工程が、
前記透明電極層を製膜する工程と、
該製膜された透明電極層の任意の複数点において、前記透明電極層上の粒子数を計測する工程と、
該計測された粒子数から、粒総数を算出する工程と、
該算出された粒総数と、予め設定された粒総数の設定範囲と照合する工程と、
前記粒総数が、前記粒総数の設定範囲を満たさない場合に、前記透明電極層の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記透明電極層を製膜する工程の前に、下地層を製膜する工程を更に含み、
前記粒総数が、前記粒総数の設定範囲を満たさない場合に、前記透明電極層の製膜及び前記下地層の製膜のうち少なくとも一方について、製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
粒径が０．５μｍ以上の粒子数を計測することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池に用いる透明電極層に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光のエネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池としては、ｐ型シリコン系半導体（ｐ層）、ｉ型シリコン系半導体（ｉ層）及びｎ型シリコン系半導体（ｎ層）の薄膜をプラズマＣＶＤ法等で製膜して形成した光電変換層を備えた薄膜シリコン系太陽電池が知られている。
【０００３】
薄膜シリコン系太陽電池では、光閉じ込め効果により光電変換効率を向上させるために、透光性基板上に形成した入射光側の透明電極層の表面に凹凸形状が付与される。透明電極層表面の平滑性は、例えば特許文献１乃至特許文献３のように、ヘイズ率で評価される。
【０００４】
特許文献１には、波長４００〜８００ｎｍでの分光ヘイズ率が１０〜９５％であり、分光ヘイズ率の最大値と最小値との差が５０％以下であり、基体前面でのＣ光源ヘイズ率が３０〜９０％であり、Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差が２０％以下である透明導電性酸化物膜付き基体が開示されている。
特許文献２には、透光性絶縁基板の透明電極層側の界面に、二乗平均平方根粗さが５〜５０ｎｍである微細な表面凹凸を形成することによって、透光性絶縁基板と透明電極層との積層体とした場合のＣ光源ヘイズ率が２０％以上となることが開示されている。
特許文献３には、第１電極(透明電極層)のアモルファスシリコン層側の表面構造が、微細な凹部及び凸部を有するテクスチャ構造とされ、凸部の周囲を取り囲む、凹部を結ぶ無端の線で囲まれた領域において、波長６００〜１０００ｎｍで測定した分光ヘイズ率が所定範囲内（例えば、波長８００ｎｍで測定した分光ヘイズ率が２〜１６％）にある光電変換装置が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４７４９０号公報
【特許文献２】特開２００５−３１１２９２号公報
【特許文献３】特開２００７−２８８２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一辺が１ｍを超える大型基板を用いた薄膜シリコン系太陽電池の生産において、短冊状のセルに分断して集積するにあたり、透明電極層のヘイズ率のばらつきに起因して、各セルの発電出力のばらつきや変動が生じることで、太陽電池モジュールの発電性能のばらつきや変動が生じる。薄膜シリコン系太陽電池モジュールの性能向上と安定化を達成するためには、基板面内での透明電極層のヘイズ率のばらつきを抑制する必要がある。
【０００７】
例えば、特許文献１に記載のように、透明電極層表面形状の均一性をヘイズ率の最大値と最小値との差で評価する場合、透明電極層全体ではほぼ均一であっても大きな凹凸が存在する部分のヘイズ率が計測されると、ヘイズ率の最大値と最小値との差が大きくなり、均一性が悪いという評価になる。薄膜シリコン系太陽電池の出力は、透明電極層表面における大きな凹凸が存在する部分に影響されるのではなく、透明電極層表面の平均的な凹凸形状に影響されると考えられている。従って、ヘイズ率の最大値と最小値との差で透明電極層表面の均一性を評価する場合は、透明電極層表面の均一性と薄膜シリコン系太陽電池の出力との相関を正確に表すことができないという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、ヘイズ率の標準偏差を規定値内に抑え、ヘイズ率の平均値を高すぎない適切な値に管理することで、高い出力を示す光電変換装置を提供する。また、高い出力を示す光電変換装置を安定して生産するために、特に透明電極層製膜における監視方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の光電変換装置は、基板上に少なくとも、透明電極層と、光電変換層と、裏面電極層とが順次積層された光電変換装置であって、複数の前記光電変換装置の平均出力に対する各々の前記光電変換装置の出力が所定の範囲内となるように、前記透明電極層の前記基板面内でのヘイズ率の標準偏差がｙ以下に設定されたことを特徴とする。
【００１０】
本発明者らが、透明電極層のヘイズ率と光電変換装置の出力との相関を検討した結果、ヘイズ率の標準偏差と光電変換装置の出力との間に強い相関があることを見出した。一辺が１ｍを越える大型基板を用いた光電変換装置の場合、短冊状のセルに分断して集積するにあたり、透明電極層のヘイズ率のばらつきに起因して、各セルの発電出力のばらつきや変動が生じることで、光電変換装置の発電性能のばらつきや変動が生じる。従って、透明電極層のヘイズ率の標準偏差を小さくすることが望ましい。複数の光電変換装置の平均出力に対する各々の光電変換装置の出力が所定の範囲となるように、透明電極層の基板面内でのヘイズ率の標準偏差を設定することにより、各々の光電変換装置間のばらつきやロット間の出力のばらつきが抑制された光電変換装置とすることができる。
【００１１】
上記発明において、前記ｙが５％であることが好ましい。
【００１２】
このように、ヘイズ率の標準偏差を５％以下とすることで、各々の光電変換装置間のばらつきやロット間の出力のばらつきが抑制された光電変換装置となる。
【００１３】
上記発明において、前記ｙが２．５％であることが好ましい。
【００１４】
透明電極層の基板面内でのヘイズ率の標準偏差ｙが、２．５％以下であると、複数の光電変換装置の平均出力に対する各々の光電変換装置の出力が向上し、かつ、各々の光電変換装置間のばらつきやロット間の出力のばらつきが更に抑制された光電変換装置となる。
【００１５】
上記発明において、前記透明電極層の前記基板面内でのヘイズ率の平均値が、１６％以上１８％以下であることが好ましい。
【００１６】
ヘイズ率の平均値が上記範囲内であると、光電変換装置の出力のばらつきを確実に抑制して安定した生産をすることができる。すなわち、光の閉じ込め効果の観点からは、透明電極層のヘイズ率の平均値を高くすることが望ましいが、光電変換装置の出力を高く保ちつつ安定した生産をするには、ヘイズ率の平均値が高すぎない範囲を選定して、かつ、ヘイズ率の標準偏差を小さくすることが望ましい。
【００１７】
本発明の光電変換装置の製造方法は、少なくとも、基板上に透明電極層を形成する工程と、該透明電極層上に光電変換層を形成する工程と、該光電変換層上に裏面電極層を形成する工程とを備える光電変換装置の製造方法であって、前記透明電極層を形成する工程が、透明電極層を製膜する工程と、該透明電極層の任意の複数点におけるヘイズ率を計測する工程と、該計測された任意の複数点におけるヘイズ率から、ヘイズ率の平均値及びヘイズ率の標準偏差を算出する工程と、該算出されたヘイズ率の平均値及びヘイズ率の標準偏差をそれぞれ、予め設定されたヘイズ率の平均値の設定範囲、及び、ヘイズ率の標準偏差の設定範囲と照合する工程と、前記ヘイズ率の平均値及び前記ヘイズ率の標準偏差の少なくとも一方が、前記ヘイズ率の平均値の設定範囲、または、前記ヘイズ率の標準偏差の設定範囲を満たさない場合に、前記透明電極層の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
一辺が１ｍを超える大型基板を用いた光電変換装置の生産において、短冊状のセルに分断して集積するにあたり、透明電極層のヘイズ率のばらつきに起因して、各セルの発電出力のばらつきや変動が生じることで、モジュールの発電性能のばらつきや変動が生じる。そのため、透明電極層のヘイズ率の標準偏差を小さくすることが望ましい。このように、複数の光電変換装置の平均出力に対する各々の光電変換装置のヘイズ率の平均値と標準偏差との連続的な監視と、透明電極層の製膜環境や製膜条件の調整とを、必要時に適切に実施する。製膜環境には、例えばインジェクタ付近の付着物の清掃メンテナンスやインジェクタの位置調整が挙げられる。製膜条件には、例えば製膜室に供給される原料ガスの比率の調整が挙げられる。このように、製膜後の透明電極層のヘイズ率の標準偏差が規定範囲に入り、ヘイズ率の平均値を規定範囲に収まるように、透明電極層の製膜にヘイズ率の平均値及び標準偏差をフィードバックすれば、透明電極層のヘイズ率制御の精度が向上し、さらにヘイズ率制御が容易となる。その結果、高出力の光電変換装置を安定して生産することができる。
【００１９】
上記発明において、前記透明電極層を製膜する工程の前に、下地層を製膜する工程を更に含み、前記ヘイズ率の平均値及び前記ヘイズ率の標準偏差の少なくとも一方が、前記ヘイズ率の平均値の設定範囲、または、前記ヘイズ率の標準偏差の設定範囲を満たさない場合に、前記透明電極層の製膜及び前記下地層の製膜のうち少なくとも一方について、製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程を含んでも良い。
【００２０】
このように、透明電極層と基板との間に下地層として、アルカリバリア膜を形成する場合、さらに、複層膜からなる反射率調整層膜を形成する場合は、製膜後の透明電極層のヘイズ率の標準偏差が規定値に入り、ヘイズ率の平均値を規定範囲に収めるように、透明電極層の製膜または下地層の製膜の少なくとも一方にヘイズ率の標準偏差及び平均値をフィードバックすれば、透明電極層のヘイズ率制御の精度が更に向上する。その結果、高出力の光電変換装置を安定して生産することができる。
【００２１】
上記発明において、前記ヘイズ率の平均値及び前記ヘイズ率の標準偏差が、基板中央部のヘイズ率の平均値及び基板中央部のヘイズ率の標準偏差、及び、基板端部のヘイズ率の平均値及び基板端部のヘイズ率の標準偏差のうち、少なくとも一方であっても良い。
【００２２】
このように、基板中央部と基板端部とに区分けし、基板中央部及び基板端部それぞれのヘイズ率を調整すれば、基板全面に渡りヘイズ率が均一な透明電極層を製膜することができる。その結果、高い出力の光電変換装置をより安定して生産できる。また、ヘイズ率及びヘイズ率の分布が変動しやすい部分のみについて、ヘイズ率の連続的な監視と製膜環境や製膜条件の調整を実施すれば、光電変換装置の出力制御が容易となり、有利である。
【００２３】
また、本発明の光電変換装置の製造方法は、少なくとも、基板上に透明電極層を形成する工程と、該透明電極層上に光電変換層を形成する工程と、該光電変換層上に裏面電極層を形成する工程とを備える光電変換装置の製造方法であって、前記透明電極層を形成する工程が、前記透明電極層を製膜する工程と、該製膜された透明電極層の任意の複数点において、前記透明電極層上の粒子数を計測する工程と、該計測された粒子数から、粒総数を算出する工程と、該算出された粒総数と、予め設定された粒総数の設定範囲と照合する工程と、前記粒総数が、前記粒総数の設定範囲を満たさない場合に、前記透明電極層の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程を含むことを特徴とする。
【００２４】
このように、透明電極層上の粒総数を連続的に監視し、粒総数の増加状況を透明電極層の製膜環境や製膜条件にフィードバックすれば、高出力の光電変換装置を安定して生産することができる。
【００２５】
上記発明において、前記透明電極層を製膜する工程の前に、下地層を製膜する工程を更に含み、前記粒総数が、前記粒総数の設定範囲を満たさない場合に、前記透明電極層の製膜及び前記下地層の製膜のうち少なくとも一方について、製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方を調整する工程を含んでも良い。
【００２６】
このように、透明電極層と基板との間に下地層、さらに、複層膜からなる反射率調整層膜を形成する場合は、製膜後の透明電極層上の総粒数の増加に対応させて、透明電極層の製膜や下地層の製膜において、製膜環境や製膜条件を調整することによって、透明電極層のヘイズ率制御の精度が更に向上する。その結果、高出力の光電変換装置を安定して生産することができる。
【００２７】
上記発明において、粒径が０．５μｍ以上の粒子数を計測すれば、総粒数と光電変換装置の性能との相関性があるため、高出力の光電変換装置の安定生産が容易となるので、好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、複数の光電変換装置の平均出力に対する各々の光電変換装置の出力が所定の範囲内となるように、前記透明電極層の前記基板面内でのヘイズ率の平均値及び標準偏差を設定することにより、高い出力の光電変換装置が得られ、各光電変換装置の出力のばらつきやロット間のばらつきが抑制される。
【００２９】
また、ヘイズ率の平均値と標準偏差の連続的な監視と、透明電極層の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方の調整とを必要時に適切に実施し、製膜後の透明電極層のヘイズ率平均値と標準偏差とを、透明電極層の製膜や下地層の製膜にフィードバックすれば、透明電極層のヘイズ率制御精度が向上するとともに、ヘイズ率制御が容易となる。その結果、高出力の光電変換装置を安定して生産することができる。
透明電極層上の粒総数を連続的に監視し、粒総数の増加を透明電極層の製膜や下地層の製膜へフィードバックすることによっても、高出力の光電変換装置を安定して生産することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１は、本発明の光電変換装置の構成を示す概略図である。光電変換装置１００は、タンデム型シリコン系太陽電池であり、基板１、透明電極層２、太陽電池光電変換層３としての第１セル層９１（非晶質シリコン系）及び第２セル層９２（結晶質シリコン系）、中間コンタクト層５、及び裏面電極層４を備える。なお、ここで、シリコン系とはシリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む総称である。また、結晶質シリコン系とは、非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコンも含まれる。
【００３１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を、太陽電池パネルを製造する工程を例に挙げて説明する。図２から図５は、本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。
【００３２】
（１）図２（ａ）：
基板１としてソーダフロートガラス基板（例えば１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：３．５ｍｍ〜４．５ｍｍ）を使用する。基板端面は熱応力や衝撃などによる破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。
【００３３】
（２）図２（ｂ）：
透明電極層２を製膜する透明電極層製膜装置は、製膜用基板を搬送しながら、基板搬送方向に対して直交する基板幅に対して均一に原料ガスを噴出するインジェクタが設けられている。インジェクタは、透明電極層製膜装置における原料ガスを噴出するスリットが形成されたチャンバとされる。例えば、１．４ｍ×１．１ｍのガラス基板においては、長辺を基板進行方向として、これに直交する短辺方向に、基板面との距離が略一定になるように原料ガス噴出部を形成した複数のインジェクタが設置される。
【００３４】
透明電極層２として、酸化スズ膜（ＳｎＯ２）を主成分とする膜厚約５００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の透明導電膜を、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜する。この際、透明電極層の表面は、適当な凹凸のあるテクスチャが形成される。インジェクタから噴出した原料ガスは、基板面付近で以下の化学式で表される熱化学反応により、酸化スズ膜を形成する。
ＳｎＣｌ４ ＋ ２ Ｈ２Ｏ → ＳｎＯ２ ＋ ４ ＨＣｌ
このとき、ＳｎＯ２膜に光透過性と導電性とを確保させるため、原料ガスにＦ含有ガス（例えば、ＨＦガス）を混在させることにより、Ｆをドーピングしながら製膜しても良い。
【００３５】
基板１と透明電極層２との間に、下地層（図示されず）を形成しても良い。この場合、下地層としてアルカリバリア膜を膜厚２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜する。このときの反応は、以下の式で表される。
ＳｉＨ４ ＋ Ｏ２ → ＳｉＯ２ ＋ ２ Ｈ２
さらに、入射光の反射率を調整することを目的として、基板とアルカリバリア膜との間に、膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の、好ましくは膜厚７ｎｍ以上１５ｎｍ以下の酸化チタン膜（ＴｉＯ２）を熱ＣＶＤ装置にて製膜しても良い。
【００３６】
透明電極層２を形成した後、基板面内６４点における透明電極層のヘイズ率を測定する。なお、測定点数は、基板の大きさ等に応じて適宜変更することができる。得られたヘイズ率から、ヘイズ率の平均値ｘ及びヘイズ率の標準偏差ｙが算出される。
【００３７】
ここで、高出力かつ出力のばらつきが抑制された太陽電池とするために、透明電極層のヘイズ率の平均値及び標準偏差の適正範囲を予め設定しておく。ヘイズ率の平均値及び標準偏差の適正範囲は、不等式（１）及び（２）で表される。
ｘ１≦ｘ≦ｘ２    ・・・（１）
ｙ≦ｙ１          ・・・（２）
算出されたヘイズ率の平均値ｘ及び標準偏差ｙはそれぞれ、不等式（１）及び（２）と照合される。ｘ１及びｘ２は、透明電極層のヘイズ率と太陽電池モジュールの出力との相関を検討して、太陽電池モジュールの出力が高くなるように適宜選定される。ｙ１は、透明電極層のヘイズ率の標準偏差と太陽電池モジュールの出力との相関を検討して、太陽電池モジュールを高歩留りで安定して量産できる値に、適宜選定される。
【００３８】
ヘイズ率の平均値ｘ及び標準偏差ｙが、不等式（１）及び（２）の両方を満たす場合、透明電極層が形成された基板は良品として後工程に搬送される。ヘイズ率の平均値ｘ及び標準偏差ｙが、不等式（１）及び（２）の少なくとも一方を満たさない場合、透明電極層が形成された基板は基準から外れたと判断されるとともに、不等式（１）及び（２）の両方を満たすように、透明電極層の製膜環境と製膜条件の少なくとも一方が調整される。下地層を形成した場合は、透明電極層の製膜及び下地層の製膜のうち少なくとも一方が調整される。なお、ヘイズ率の平均値ｘ及び標準偏差ｙが、不等式（１）及び（２）の両方を満たす場合には、製膜条件や製膜環境を調整しなくても良いし、安定製膜を継続させるために、製膜条件や製膜環境を調整しても良い。
【００３９】
透明電極層の製膜条件として、例えば、製膜室に供給される原料ガスの比率（Ｈ２Ｏ／ＳｎＣｌ４）がある。ＳｎＣｌ４の比率が大きくなるとヘイズ率が高くなり、Ｈ２Ｏの比率が大きくなるとヘイズ率が低下する。ヘイズ率の平均値及び標準偏差が不等式（１）及び（２）の両方を満たすように、原料ガスの比率を適宜変更して透明電極層の製膜条件が調整される。
具体例としては、透明電極層は、膜厚が約５００ｎｍ〜８００ｎｍと厚いことから、約５００℃の炉内を基板を搬送させながら、通常３個から４個の複数のインジェクタから原料ガスを供給して、順次製膜を行う。最初のインジェクタから、原料ガス比（Ｈ２Ｏ／ＳｎＣｌ４比）を大きくし、更にＮ２ガスで希釈することにより、酸化スズ膜の初期核の形成後の製膜速度を低く抑え、アルカリバリア膜（ＳｉＯ２）の表面にＨ２Ｏを全面に初期吸着させ、ＳｎＣｌ４が均一かつ密にＨ２Ｏと、基板全面に渡って均一にＳｎＯ２の結晶粒を成長させる。次以降のインジェクタから、Ｈ２Ｏ／ＳｎＣｌ４比を小さくし、更にＮ２ガスの希釈を少なくすることにより、製膜速度を向上させる。上記の製膜方法により、各結晶粒のお互いの成長を干渉・阻害することなく、ヘイズ率を高く均一に形成することが可能となる。但し、Ｈ２Ｏ／ＳｎＣｌ４比を小さくしすぎると、各結晶粒のお互いの成長を干渉・阻害して、ヘイズ率の不均一化と製膜分布の悪化を生じるので、Ｈ２Ｏ／ＳｎＣｌ４比やＮ２ガス希釈率の選定は重要なパラメータとなる。
【００４０】
透明電極層の製膜環境として、例えば、インジェクタ付近の清掃メンテナンスがある。インジェクタ付近に酸化スズ膜を主とする付着物が多量に付着している場合、原料ガスを含む各種ガスの気流バランスが変わるために、インジェクタ出口付近におけるインジェクタ長手方向の基板表面付近での反応状況も気流バランスに応じて変わり、ヘイズ率の標準偏差ｙが大きくなる。特に、一辺が１ｍを越える大型基板への製膜においては、局所的なヘイズ率の大小分布が生じ易いため、ヘイズ率の標準偏差ｙの値が更に大きくなる。従って、ヘイズ率の標準偏差ｙが不等式（２）を満たさない場合には、インジェクタ付近の各種ガスの通過部分に付着した酸化スズ膜を主とする付着物を、メンテナンスとして清掃除去することによって、透明電極層の製膜環境が調整されても良い。
【００４１】
下地層は、透明電極層の初期核の成長面となる。下地層が均質であっても透明電極層の初期核が小さく散在していると、透明電極層の酸化スズの結晶質粒の柱状成長が遅くなるので、透明電極層表面の凹凸が小さくなる。その結果、透明電極層のヘイズ率の標準偏差は小さくなるが、ヘイズ率が小さくなり、光閉じ込め効果が低下して太陽電池の出力が低下する。一方、透明電極層の初期核が粗大であっても下地層の分布が悪い場合や、透明電極層の初期核が密集しすぎている場合は、透明電極層の酸化スズの結晶質粒が不均質にお互いの柱状成長を阻害しながら成長するため、透明電極層表面の凹凸が粗く不均一になる。その結果、ヘイズ率が大きく、標準偏差も大きくなる。透明電極層のヘイズ率の平均値ｘ及び標準偏差ｙが、不等式（１）及び（２）の両方を満たすように、下地層の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方が調整されても良い。下地層の製膜条件は、下地層の初期核形成の起点を小さくかつ高密度に形成し、基板に対する下地層の被服率を向上させることが重要である。例えば、原料ガス（ＳｉＨ４ガス＋Ｏ２ガス）におけるＯ／Ｓｉ比を大きくして、基板表面にＯを全面的に初期吸着させることにより、ＳｉＨ４ガスを均一にかつ密にＯと反応させて、ＳｉＯ２膜を形成する。このようなガス流量条件の例として、Ｏ２ガス流量／ＳｉＨ４ガス流量の比を２０以上１００以下（この場合、Ｏ／Ｓｉ比は、４０以上２００以下）に調整する。
【００４２】
（３）図２（ｃ）：
その後、基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から照射する。加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を発電セル５の直列接続方向に対して垂直な方向へ、基板１とレーザー光を相対移動して、溝１０を形成するように幅約６ｍｍから１５ｍｍの所定幅の短冊状にレーザーエッチングする。
【００４３】
（４）図２（ｄ）：
第１セル層９１として、非晶質シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層及びｎ層を、プラズマＣＶＤ装置により製膜する。ＳｉＨ４ガス及びＨ２ガスを主原料にして、減圧雰囲気：３０Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃にて、透明電極層２上に太陽光の入射する側から非晶質シリコンｐ層３１、非晶質シリコンｉ層３２、非晶質シリコンｎ層３３の順で製膜する。非晶質シリコンｐ層３１は非晶質のＢドープシリコンを主とし、膜厚１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｉ層３２は、膜厚２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｎ層３３は、非晶質シリコンに微結晶シリコンを含有するＰドープシリコンを主とし、膜厚３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｐ層３１と非晶質シリコンｉ層３２の間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
【００４４】
次に、第１セル層９１の上に、プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃、プラズマ発生周波数：４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下にて、第２セル層９２としての結晶質シリコンｐ層４１、結晶質シリコンｉ層４２、及び、結晶質シリコンｎ層４３を順次製膜する。結晶質シリコンｐ層４１はＢドープした微結晶シリコンを主とし、膜厚１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。結晶質シリコンｉ層４２は微結晶シリコンを主とし、膜厚は１．２μｍ以上３．０μｍ以下である。結晶質シリコンｎ層４３はＰドープした微結晶シリコンを主とし、膜厚２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００４５】
微結晶シリコンを主とするｉ層膜をプラズマＣＶＤ法で形成するにあたり、プラズマ放電電極と基板１の表面との距離ｄは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下にすることが好ましい。３ｍｍより小さい場合、大型基板に対応する製膜室内の各構成機器精度から距離ｄを一定に保つことが難しくなるとともに、近過ぎて放電が不安定になる恐れがある。１０ｍｍより大きい場合、十分な製膜速度（１ｎｍ／ｓ以上）を得難くなるとともに、プラズマの均一性が低下しイオン衝撃により膜質が低下する。
【００４６】
第１セル層９１と第２セル層９２の間に、接触性を改善するとともに電流整合性を取るために半反射膜となる中間コンタクト層５を設ける。中間コンタクト層５として、膜厚：２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を、ターゲット：ＧａドープＺｎＯ焼結体を用いてスパッタリング装置により製膜する。また、中間コンタクト層５を設けない場合もある。
【００４７】
（５）図２（ｅ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、光電変換層３の膜面側から照射する。パルス発振：１０ｋＨｚから２０ｋＨｚとして、加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層２のレーザーエッチングラインの約１００μｍから１５０μｍの横側を、溝１１を形成するようにレーザーエッチングする。またこのレーザーは基板１側から照射しても良く、この場合は光電変換層３の非晶質シリコン系の第１セル層で吸収されたエネルギーで発生する高い蒸気圧を利用して光電変換層３をエッチングできるので、更に安定したレーザーエッチング加工を行うことが可能となる。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め交差を考慮して選定する。
【００４８】
（６）図３（ａ）
裏面電極層４としてＡｇ膜／Ｔｉ膜を、スパッタリング装置により、減圧雰囲気、製膜温度：１５０℃から２００℃にて製膜する。本実施形態では、Ａｇ膜：１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下を、この順に積層する。あるいは、裏面電極層４を、２５ｎｍから１００ｎｍの膜厚を有するＡｇ膜と、１５ｎｍから５００ｎｍの膜厚を有するＡｌ膜との積層構造としても良い。結晶質シリコンｎ層４３と裏面電極層４との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層３と裏面電極層４との間に、スパッタリング装置により、膜厚：５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を製膜して設けても良い。
【００４９】
（７）図３（ｂ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、基板１側から照射する。レーザー光が光電変換層３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して除去される。パルス発振：１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層２のレーザーエッチングラインの２５０μｍから４００μｍの横側を、溝１２を形成するようにレーザーエッチングする。
【００５０】
（８）図３（ｃ）と図３（ａ）
発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、基板１側から照射する。レーザー光が透明電極層２と光電変換層３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して、裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２が除去される。パルス発振：１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板１の端部から５ｎｍから２０ｍｍの位置を、図３（ｃ）に示すように、Ｘ方向絶縁溝１５を形成するようにレーザーエッチングする。なお、図３（ｃ）では、光電変換層３が直列に接続された方向に切断したＸ方向断面図となっているため、本来であれば絶縁溝１５位置には裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２の膜研磨除去をした周囲膜除去領域１４がある状態（図３（ａ）参照）が表れるべきであるが、基板１の端部への加工の説明の便宜上、この位置にＹ方向断面を表して形成された絶縁溝をＸ方向絶縁溝１５として説明する。このとき、Ｙ方向絶縁溝は後工程で基板１周囲膜除去領域の膜面研磨除去処理を行うので、設ける必要がない。
【００５１】
絶縁溝１５は基板１の端より５ｎｍから１５ｍｍの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部からの太陽電池モジュール６内部への外部湿分浸入の抑制に、有効な効果を呈するので好ましい。
【００５２】
尚、以上までの工程におけるレーザー光はＹＡＧレーザーとしているが、ＹＶＯ４レーザーやファイバーレーザーなどが同様に使用できるものがある。
【００５３】
（９）図４（ａ：太陽電池膜面側から見た図、ｂ：受光面の基板側から見た図）
後工程のＥＶＡ等を介したバックシート２４との健全な接着・シール面を確保するために、基板１周辺（周囲膜除去領域１４）の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去して周囲膜除去領域１４を形成する。基板１の端から５〜２０ｍｍで基板１の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、Ｘ方向は前述の図３（ｃ）工程で設けた絶縁溝１５よりも基板端側において、Ｙ方向は基板端側部付近の溝１０よりも基板端側において、裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。
研磨屑や砥粒は基板１を洗浄処理して除去した。
【００５４】
（１０）図５（ａ）（ｂ）
端子箱２３の取付け部分はバックシート２４に開口貫通窓を設けて集電板を取出す。この開口貫通窓部分には絶縁材を複数層で設置して外部からの湿分などの浸入を抑制する。
直列に並んだ一方端の太陽電池発電セル５と、他方端部の太陽電池発電セル５とから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱２３の部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュール６の全体を覆い、基板１からはみ出さないようにＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等による接着充填材シートを配置する。
ＥＶＡの上に、防水効果の高いバックシート２４を設置する。バックシート２４は本実施形態では防水防湿効果が高いようにＰＥＴシート／ＡＬ箔／ＰＥＴシートの３層構造よりなる。
バックシート２４までを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約１５０〜１６０℃でプレスしながら、ＥＶＡを架橋させて密着させる。
【００５５】
（１１）図５（ａ）
太陽電池モジュール６の裏側に端子箱２３を接着剤で取付ける。
（１２）図５（ｂ）
銅箔と端子箱２３の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱２３の内部を封止剤（ポッティング剤）で充填して密閉する。これで太陽電池パネル５０が完成する。
（１３）図５（ｃ）
図５（ｂ）までの工程で形成された太陽電池パネル５０について発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、ＡＭ１．５、全天日射基準太陽光（１０００Ｗ／ｍ２）のソーラシミュレータを用いて行う。
（１４）図５（ｄ）
発電検査（図５（ｃ））に前後して、外観検査をはじめ所定の性能検査を行う。
【００５６】
上記工程により製造された光電変換装置は、複数の光電変換装置の平均出力に対する各々の光電変換装置の出力が所定範囲内となるように、透明電極層の基板面内でのヘイズ率の範囲ｘとヘイズ率の標準偏差ｙが適切な値に設定される。そのため、上記工程で製造された光電変換装置は、各々の光電変換装置間のばらつきやロット間の出力のばらつきが抑制される。
【００５７】
図６に、透明電極層のヘイズ率の平均値と標準偏差との関係を表すグラフを示す。同図において、横軸はヘイズ率の平均値、縦軸はヘイズ率の標準偏差である。図７に、比較例として、透明電極層のヘイズ率の平均値と、ヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値―最小値）との関係を表すグラフを示す。同図において、横軸はヘイズ率の平均値、縦軸はヘイズ率の（最大値―最小値）である。図６及び図７における黒丸及び黒三角は、製膜処理を続けた後のインジェクタ周辺への酸化スズ膜付着量が多い条件で製膜された場合（以後、製膜条件Ａとする）を表し、白丸及び白三角は、清掃メンテナンス後のインジェクタ周辺への酸化スズ膜付着量が少ない条件で製膜された場合（以後、製膜条件Ｂとする）を表す。
【００５８】
図６に示すように、ヘイズ率平均値が大きくなるほど、ヘイズ率標準偏差が増大する傾向があった。製膜条件Ａはヘイズ率標準偏差が顕著に増大しており、製膜条件Ａと製膜条件Ｂとで、ヘイズ率標準偏差の分布は重複しなかった。すなわち、ヘイズ率の分布に対してインジェクタ周囲の付着物の影響が適正に評価された。
図７に示すように、ヘイズ率平均値が大きくなるほど、ヘイズ率の最大値と最小値との差が大きくなる傾向が見られた。しかし、製膜条件Ａと製膜条件Ｂとで、ヘイズ率の最大値と最小値との差の分布が重複した。すなわち、ヘイズ率の最大値と最小値との差では、ヘイズ率の分布に対するインジェクタ周囲の付着物の影響を適正に評価できないことが判明した。
【００５９】
図６及び図７では、透明電極層製膜時の製膜環境を変えた例を示したが、透明電極層の原料ガス比率など製膜条件を変えた場合や、下地層の製膜条件を変えた場合などでも、同様に、標準偏差で評価することにより、ヘイズ率の分布に対する製膜条件の影響を適正に評価することができた。
【００６０】
以上のように、ヘイズ率標準偏差は、製膜環境や製膜条件によって大きく異なるため、ヘイズ率の平均値と標準偏差の連続的な監視と、透明電極層または下地層の製膜環境や製膜条件の調整とを必要時に適切に実施し、製膜後の透明電極層のヘイズ率平均値と標準偏差とを規定数値範囲内に収めるように、透明電極層形成工程にフィードバックすれば、透明電極層のヘイズ率制御が容易となり、高出力の太陽電池パネルを安定して生産することが可能となる。
【００６１】
実際の調整の手順においては、例えば、ヘイズ率の標準偏差ｙが規定数値範囲内に収まるように、ヘイズ率の平均値が適切な範囲ｘとなることを確認しながら、製膜環境や製膜条件の調整を実施する。特に、製膜処理を続けた後の調整では、インジェクタ周辺への酸化スズ膜付着量が多いため、製膜環境の調整として清掃メンテナンスを優先して実施することが好ましい。
【００６２】
図８乃至図１０に、透明電極層のヘイズ率平均値がそれぞれ、２０〜２２％（図８）、１６〜１８％（図９）、１４〜１６％（図１０）であるときのヘイズ率標準偏差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を表すグラフを示す。同図において、横軸は透明電極層のヘイズ率標準偏差、縦軸は太陽電池モジュールの出力である。なお、モジュール出力は、平均値を１として規格化した。ここで、太陽電池モジュールの出力は、透明電極層の影響の他に、プラズマＣＶＤ装置で製膜する光電変換層の影響など、他装置の影響により微変動するため、各条件において連続生産している太陽電池モジュールの出力値を、略１日間毎に区切り、略１日間に生産したモジュールの平均出力を１．０として規格化したものである。
【００６３】
図９に示すように、ヘイズ率平均値が１６〜１８％では、標準偏差５％以下となった。太陽電池モジュールの出力は、平均出力に対して０．９から１．１の範囲内となり、ばらつきが小さかった。これは、ヘイズ率平均値が１６〜１８％、ヘイズ率標準偏差が５％以下に調整することにより、太陽電池モジュールの安定生産が可能であることを示している。また、ヘイズ率標準偏差が２．５％以下である場合は、出力が平均出力に対して１．０から１．１の範囲内となった。すなわち、太陽電池モジュールの出力が向上し、出力ばらつきが更に抑制された。
【００６４】
図８のヘイズ率平均値が２０〜２２％では、ヘイズ率平均値１６〜１８％の場合と比較すると、同じ製膜条件でも標準偏差が大きく透明電極層のばらつきがあった。このため、太陽電池モジュールの出力が平均出力に対して０．６から１．０５の範囲内となり、出力が低くばらつきが大きかった。すなわち、太陽電池モジュールの安定生産が出来ない状況である。
図１０に示したヘイズ率平均値が１４〜１６％の場合では、ヘイズ率標準偏差が２％前後と小さかった。しかし、透明電極層の凹凸形状による光閉じ込め効果が十分ではないため、標準偏差が小さくても、ヘイズ率平均値が１６〜１８％の場合のように、太陽電池モジュールの出力が向上しないものがあり、出力が平均出力に対して０．９程度のものが多く存在した。
【００６５】
上記の結果から、光の閉じ込め効果の観点からは、透明電極層のヘイズ率を高くすることが望ましいが、太陽電池モジュールの出力を高く保ちながら安定して生産するには、ヘイズ率が高すぎない範囲を選定して、更に、ヘイズ率の標準偏差を小さくすることが望ましいことが示された。本実施例においては、ヘイズ率平均値が１６〜１８％となるように、透明電極層の製膜の少なくとも製膜環境と製膜条件のいずれかを調整することで、ヘイズ率標準偏差が５％以下に調整することができ、太陽電池モジュールの出力を高く安定に生産することが可能になる。
【００６６】
比較例として、図１１乃至図１３に、透明電極層のヘイズ率平均値がそれぞれ、２０〜２２％（図１１）、１６〜１８％（図１２）、１４〜１６％（図１３）であるときのヘイズ率の最大値と最小値との差（最大値−最小値）とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を表すグラフを示す。同図において、横軸は最大値−最小値、縦軸は太陽電池モジュールの出力である。なお、モジュール出力は、平均値を１として規格化した。このモジュール平均値の規格化は、図８乃至図１０と同様である。
図１１乃至図１３では、特に製膜環境の変化（製膜条件Ａと製膜条件Ｂ）に対して、最大値−最小値と出力との間には、強い相関関係は見られなかった。
【００６７】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態の光電変換装置の製造方法は、透明電極層２の形成工程において、透明電極層上の粒子数が計測される。総粒子数が規定数値範囲内に収めるように、透明電極層上の総粒数が透明電極層の製膜にフィードバックされて、透明電極層の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方が調整される。下地層を形成する場合は、透明電極層および下地層の少なくとも一方について、透明電極層の製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方が調整される。
【００６８】
下地層は、透明電極層の初期核の成長面となるので下地層の初期核形成の起点を小さくかつ高密度に形成し、基板に対する下地層の被服率を向上させることが重要である。このために、例えば、原料ガス（ＳｉＨ４ガス＋Ｏ２ガス）におけるＯ／Ｓｉ比を大きくして、基板表面にＯが全面的に初期吸着させて、ＳｉＨ４ガスを均一にかつ密にＯと反応させる。
下地層の分布が悪いときや、透明電極層の原料ガス中のＨ２Ｏ／ＳｎＣｌ４の比率が小さくヘイズ率が増大する製膜条件では、酸化スズ（ＳｎＯ２）が形成される反応が積極的に行われることから、製膜装置内のインジェクタ付近での原料ガスの気流のわずかな乱れが影響して、気相中で主として酸化スズ（ＳｎＯ２）による粒子が発生しやすい。また、下地層の分布や透明電極層の原料ガスの比率によって、透明電極層のヘイズ率標準偏差が変化する。
【００６９】
第２実施形態では、透明電極層２を形成した後、基板面内４２点において、ＣＣＤカメラにより各観察領域（０．６ｍｍ×０．８ｍｍ）内の粒子数を計測する。基板面内４２点で各観察領域内の粒子数を合計が粒総数ｚとされる。ここで、各粒子径のうち、観測が容易でヘイズ率への相関が見られた粒径０．５μｍ以上の粒子数を計測すると、太陽電池の生産制御が容易となるので好ましい。
【００７０】
高出力の太陽電池とするための、透明電極層上の粒総数の適正範囲を予め設定しておく。粒総数の適正範囲は、不等式（３）で表される。
ｚ≦ｚ１        ・・・（３）
算出された粒総数ｚは、不等式（３）と照合される。粒総数ｚが不等式（３）を満たす場合、透明電極層が形成された基板は良品として後工程に搬送される。粒総数ｚが不等式（３）を満たさない場合、透明電極層が形成された基板は基準から外れたと判断されるとともに、不等式（３）の両方を満たすように、透明電極層製膜環境及び製膜条件のいずれか一方が調整される。下地層を形成した場合は、透明電極層及び下地層の少なくとも一方について、製膜条件及び製膜環境のうち少なくとも一方が調整される。透明電極層の製膜及び下地層の製膜の調整は、第１実施形態と同様にして行う。なお、ヘイズ率の平均値ｘ及び標準偏差ｙが、不等式（３）を満たす場合には、製膜条件や製膜環境を調整しなくても良いし、安定製膜を継続させるために、製膜条件や製膜環境を調整しても良い。
【００７１】
図１４に、粒総数とヘイズ率標準偏差との関係を表すグラフを示す。同図において、横軸は粒総数、縦軸はヘイズ率標準偏差である。粒総数の増加に伴い、ヘイズ率標準偏差がほぼ比例的に増加する。図１４に示した実施例では、粒総数が１３００以下のときにヘイズ率標準偏差５％以下を達成できた。
このように、粒総数と透明電極層のヘイズ率との間に強い相関があるため、連続生産において、透明電極層上の粒総数を連続的に監視し、粒総数が規定のｚ１を越えないように、適切に透明電極層や下地層の製膜を調整すれば、高出力の太陽電池モジュールを安定して生産することが可能となる。
【００７２】
なお、第１実施形態のヘイズ率平均値及び標準偏差による透明電極層の連続的な監視と、第２実施形態の粒総数による透明電極層の連続的な監視とを、併せて実施しても良い。ただし、ヘイズ率による監視結果と粒総数による監視結果が異なる場合は、ヘイズ率による監視結果を優先した方が、太陽電池モジュール出力の制御精度が向上するので好ましい。
【００７３】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態の光電変換装置の製造方法は、透明電極層２の形成工程において、基板中央部と基板端部それぞれのヘイズ率平均値及び標準偏差を連続的に監視する。
【００７４】
透明電極層製膜装置のインジェクタの位置として、基板面に対する基板とインジェクタの距離が不均一になる場合や、製膜時の基板搬送方向に対してインジェクタの噴出し位置が直交せずに傾斜する場合、基板面内での原料ガスの濃度分布が生じるため、基板中央部と基板端部とでヘイズ率が異なり、ヘイズ率の均一性が悪化する。連続生産において、基板中央部と基板端部とに区分けし、基板中央部及び基板端部それぞれのヘイズ率が調整されることにより、基板全面に渡りヘイズ率が均一な透明電極層を製膜することができるので、高い出力の光電変換装置をより安定して生産できる。また、特にヘイズ率分布が変動しやすい部分のみのヘイズ率の連続的な監視と、製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方の調整とを実施すれば、制御が容易となり有利である。第３実施形態において、製膜環境の調整として、第１実施形態で記載したインジェクタ付近の付着物の清掃メンテナンスに加えて、インジェクタの位置の調整も、有効な手段である。
【００７５】
実施例として、インライン式ＣＶＤ装置を用いて透明電極層を製膜した。インライン式ＣＶＤ装置で透明電極層を製膜した際、基板搬送方向に垂直な辺を基板短辺とし、基板搬送方向に平行な辺を基板長辺とした。透明電極層製膜後の基板面内８点×８点（計６４点）のヘイズ率を測定した。基板短辺端部８点×２点×２辺、基板長辺端部８点×２点×２辺、基板中央部４点×４点のそれぞれについて、ヘイズ率平均値及びヘイズ率標準偏差を算出した。
【００７６】
図１５に、基板中央部、基板短辺端部、及び基板長辺端部における透明電極層ヘイズ率の標準偏差の分布を示す。同図において、横軸はヘイズ率標準偏差、縦軸は頻度である。図１５から、ヘイズ率標準偏差の均一性は、基板中央部が最も良く、基板長辺端部が悪いことが分かる。従って、本実施例においては、基板長辺端部の監視が重要である。
【００７７】
図１６に、長辺端部での透明電極層ヘイズ率標準偏差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を示す。同図において、横軸は長辺端部のヘイズ率標準偏差、縦軸はモジュール出力（規格値）である。基板全面でのヘイズ率の平均値が１６〜１８％の場合、長辺端部のヘイズ率標準偏差は５％以下となった。また、出力が平均出力に対して０．９から１．１の範囲内となり、出力のばらつきが抑えられた。特に長辺端部のヘイズ率標準偏差が２．５％以下のとき、高出力の太陽電池モジュールが得られる傾向があった。一方、基板全面のヘイズ率の平均値が２０〜２２％の場合、長辺端部のヘイズ率標準偏差は４．５〜９％程度と大きく、出力がばらついた。また、基板全面のヘイズ率の平均値が１４〜１６％の場合、長辺端部のヘイズ率の標準偏差は小さくなるが、光閉じ込め効果が不十分であるため、太陽電池モジュールの出力が小さいものが発生した。
【００７８】
このように、上記実施例の場合はヘイズ率分布が変動しやすい長辺端部のみのヘイズ率標準偏差を連続的に監視して、製膜環境及び製膜条件の少なくとも一方の調整を実施し、高出力の太陽電池を安定して製造することができる。
【００７９】
上記実施の形態では太陽電池として、タンデム型太陽電池について説明したが、本発明は、この例に限定されるものではない。例えば、アモルファスシリコン太陽電池、微結晶シリコンをはじめとする結晶質シリコン太陽電池、シリコンゲルマニウム太陽電池、また、トリプル型太陽電池などの他の種類の薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】第１実施形態の光電変換装置の製造方法により製造される光電変換装置の構成を表す概略図である。
【図２】第１実施形態の光電変換装置の製造方法を用いて太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。
【図３】第１実施形態の光電変換装置の製造方法を用いて太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。
【図４】第１実施形態の光電変換装置の製造方法を用いて太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。
【図５】第１実施形態の光電変換装置の製造方法を用いて太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。
【図６】透明電極層のヘイズ率の平均値と標準偏差との関係を表すグラフである。
【図７】透明電極層のヘイズ率の平均値と、ヘイズ率の最大値と最小値との差との関係を表すグラフである。
【図８】透明電極層のヘイズ率平均値が２０〜２２％であるときのヘイズ率標準偏差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を表すグラフである。
【図９】透明電極層のヘイズ率平均値が１６〜１８％であるときのヘイズ率標準偏差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を表すグラフである。
【図１０】透明電極層のヘイズ率平均値が１４〜１６％であるときのヘイズ率標準偏差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を表すグラフである。
【図１１】透明電極層のヘイズ率平均値が２０〜２２％であるときの、ヘイズ率の最大値と最小値との差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を表すグラフである。
【図１２】透明電極層のヘイズ率平均値が１６〜１８％であるときの、ヘイズ率の最大値と最小値との差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を表すグラフである。
【図１３】透明電極層のヘイズ率平均値が１４〜１６％であるときの、ヘイズ率の最大値と最小値との差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を表すグラフである。
【図１４】ヘイズ率平均値が１６〜１８％のときの粒総数とヘイズ率標準偏差との関係を表すグラフである。
【図１５】基板中央部、基板短辺端部、及び基板長辺端部における透明電極層ヘイズ率の標準偏差の分布を示すグラフである。
【図１６】長辺端部での透明電極層ヘイズ率標準偏差とタンデム型太陽電池モジュールの出力との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８１】
１  基板
２  透明電極層
３  光電変換層
４  裏面電極層
５  中間コンタクト層
６  太陽電池モジュール
３１  非晶質シリコンｐ層
３２  非晶質シリコンｉ層
３３  非晶質シリコンｎ層
４１  結晶質シリコンｐ層
４２  結晶質シリコンｉ層
４３  結晶質シリコンｎ層
９１  第１セル層
９２  第２セル層
１００  光電変換装置
【図１】
2010056238.tif 000003
【図２】
2010056238.tif 000004
【図３】
2010056238.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010056238.tif 000009
【図８】
2010056238.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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