(57)【要約】【課題】ＤＬＣ膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。【解決手段】第１シャフト２の雄スプライン部４の表面（第１シャフト２の基材２Ａの表面）は、被膜１４によって被覆されている。被膜１４は、第１シャフト２の基材２Ａの表面を被覆するＤＬＣ膜１５と、基材２ＡとＤＬＣ膜１５との間に介在する中間層１６とを備えている。中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面の少なくとも一部がＤＬＣ膜によって被覆された摺動部材であって、
前記基材と前記ＤＬＣ膜との間に中間層が介在しており、
前記中間層が、前記基材側から順に、第１Ｃｒ層、ＣｒＮ層および第２Ｃｒ層を積層した積層構造を有している、摺動部材。
【請求項２】
前記ＤＬＣ膜には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている、請求項１記載の摺動部材。
【請求項３】
前記ＤＬＣ膜が、Ｓｉ傾斜層を積層した積層構造を有している、請求項１または２記載の摺動部材。
【請求項４】
前記摺動部材が、プロペラシャフトのスプライン部である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の摺動部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、摺動部材に関する。摺動部材には、たとえば、プロペラシャフト（駆動軸）のスプライン部、軸受の保持器および内外輪の軌道面、ならびに摩擦クラッチのクラッチプレートなどの部材が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
車両には、エンジンからの動力をデファレンシャルギア（差動装置）へと伝達するためのプロペラシャフト（駆動軸）が搭載されている。このプロペラシャフトは、２本のシャフトが軸方向に伸縮可能に連結して構成されている。具体的には、各シャフトの連結部分には、軸方向に沿う複数のキーからなる雄スプライン部および複数のキー溝からなる雌スプライン部がそれぞれ形成されている。これらスプライン部同士が互いに摺動可能に嵌合することにより、一方シャフトの回転駆動力が他方シャフトに伝達されるとともに、プロペラシャフト全体として伸縮させることが可能である。スプライン部には、グリースなどの潤滑剤が充填されている。潤滑剤切れが生じると、スプライン部の摺動の際にスティックスリップ（引っ掛かり）が発生し、異音が生じるおそれがある。
【０００３】
潤滑剤切れが生じた場合であっても、かかる異音の発生を抑制できるように、各シャフトのスプライン部を、耐摩耗性（高硬度性）および低摩擦性を有するＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜で被覆する構成が知られている（たとえば特許文献１参照）。
しかしながら、ＤＬＣ膜は非常に高い内部応力を有しているので、基材の表面上にＤＬＣ膜を直接形成すると、基材（とくに金属基材）に対するＤＬＣ膜の密着性が低く、ＤＬＣ膜に剥離や割れが生じ易くなるおそれがある。
【０００４】
そこで、従来から、基材とＤＬＣ膜との間にＴｉ層などの中間層を介在させて、基材に対するＤＬＣ膜の密着性を向上させて、高寿命化を図ることが知られている（たとえば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２２８８２号公報
【特許文献２】特開２００２−２３５７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の中間層は単一膜によって構成されており、そのため、基材に対するＤＬＣ膜の密着性は不十分であった。このため、中間層を多層化させて、基材に対するＤＬＣ膜の密着性をより一層高めることが求められている。
そこで、この発明の目的は、基材へのＤＬＣ膜の密着性をより一層向上させることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基材（２Ａ）の表面の少なくとも一部がＤＬＣ（「Diamond Like Carbon」）膜（１５）によって被覆された摺動部材（２）であって、前記基材と前記ＤＬＣ膜との間に中間層（１６）が介在しており、前記中間層が、前記基材側から順に、第１Ｃｒ層（１７）、ＣｒＮ層（１８）および第２Ｃｒ層（１９）を積層した積層構造を有している、摺動部材である。
【０００８】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、中間層が、基材側から順に、第１Ｃｒ層、ＣｒＮ層および第２Ｃｒ層を積層した積層構造を有している。基材とＣｒＮ層との間に、基材およびＣｒＮ層との結合力が強い第１Ｃｒ層が介在しているので、ＣｒＮ層の基材への密着性が良好である。また、ＣｒＮ層とＤＬＣ膜との間に、ＣｒＮ層およびＤＬＣ膜との結合力が強い第２Ｃｒ層が介在しているので、ＤＬＣ膜のＣｒＮ層への密着性が良好である。このため、ＤＬＣ膜が基材に対し優れた密着性を有する。これにより、摺動部材の長寿命化を図ることができる。
【０００９】
また、硬度の高い（耐摩耗性の高い）ＣｒＮ層が中間層に含まれているので、中間層はほとんど変形しない。このため、ＤＬＣ膜もほとんど変形せず、相手部材と摺動するＤＬＣ膜の表面（摺動面）を平坦に保つことができる。これにより、ＤＬＣ膜の摩擦性（低摩擦性）がより一層向上する。
基材の材質には、たとえば炭素鋼（Ｓ３０ＣやＳ４５Ｃなど）が用いられていてもよい。
【００１０】
前記ＤＬＣ膜には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されていることが好ましい（請求項２）。
この構成によれば、ＤＬＣ膜にＳｉが０〜５０ｗｔ％の比率で添加されているので、ＤＬＣ膜に含まれるＳｉが、内部応力を緩和し、Ｓｉ特有の潤滑効果により、ＤＬＣ膜がより優れた摩擦性（低摩擦性）を有することとなる。
【００１１】
Ｓｉの添加量が５０ｗｔ％を超えた場合、平滑でかつ潤滑性に優れる膜を形成することができない。
また、前記ＤＬＣ膜が、Ｓｉ傾斜層を積層した積層構造を有していてもよい（請求項３）。
さらに、前記摺動部材が、プロペラシャフト（２）のスプライン部（４）であってもよい（請求項４）。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る摺動部材としての第１シャフトが組み込まれたプロペラシャフトの概略構成を示す正面図である。
【図２】図１に示す切断面線II‐IIから見た断面図である。
【図３】図２に示す雄スプライン部と雌スプライン部との嵌合状態を示す拡大断面図である。
【図４】図３に示す被膜の拡大断面図である。
【図５】被膜の作製に用いられる装置の構成を説明するための模式的な断面図である。
【図６】ロックウェル圧痕試験の結果を示す圧痕の光学顕微鏡写真の画像図である。
【図７】ＤＬＣ膜のＳｉ比率（ｗｔ％）と、ＤＬＣ膜の摩擦係数との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下には、図面を参照して、この発明の実施形態について具体的に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る摺動部材としての第１シャフト２が組み込まれたプロペラシャフト１の概略構成を示す正面図である。図１では、プロペラシャフト１を一部切り欠いて図示している。図２は、図１に示す切断面線II‐IIから見た断面図である。
プロペラシャフト（駆動軸）１は、第１シャフト２と、この第１シャフト２に軸方向に摺動可能に連結された第２シャフト３とを備えている。第１シャフト２および第２シャフトは、それぞれ、炭素鋼（Ｓ３０ＣやＳ４５Ｃなど）を用いて形成されている。第２シャフト３が第１シャフト２に対して軸方向に摺動されることにより、プロペラシャフト１を伸縮することができる。
【００１４】
第１シャフト２の一端部（第２シャフト３側の端部）の外周には、雄スプライン部４が形成されている。雄スプライン部４は、軸方向に沿って延びた多数のキー５を備えている。これらのキー５は、第１シャフト２の全周にわたって、周方向に等間隔に設けられている。第１シャフト２の他端部（第２シャフト３と反対側の端部）には、プロペラシャフト１を駆動入力軸（図示しない）または駆動出力軸（図示しない）の一方に連結するための第１ユニバーサルジョイント（自在継手）６が接続されている。
【００１５】
第２シャフト３は、円筒状をなしており、第１シャフト２に外嵌されている。第２シャフト３の一端部（第１シャフト２側の端部）の内周には、雌スプライン部７が形成されている。雌スプライン部７には、軸方向に沿って延びた多数のキー溝８が形成されている。これらのキー溝８は、第２シャフト３の全周にわたって、周方向に等間隔に設けられている。この多数のキー溝８が多数のキー５とそれぞれ噛み合っている。すなわち、第１シャフト２の雄スプライン部４は、第２シャフト３の雌スプライン部７と嵌合している。これにより、第１シャフト２および第２シャフト３間で、回転駆動力が互いに伝達可能である。また、第１シャフト２の雄スプライン部４と、第２シャフト３の雌スプライン部７とは互いに摺動する。第２シャフト３の他端部（第１シャフト２側と反対側の端部）には、プロペラシャフト１を駆動入力軸（図示しない）または駆動出力軸（図示しない）の他方に連結するための第２ユニバーサルジョイント（自在継手）９が接続されている。
【００１６】
第１シャフト２の雄スプライン部４と、第２シャフト３の雌スプライン部７との間には所定のクリアランスが設定されており、このクリアランスによって形成される両者の隙間に、潤滑剤としてのグリースが封入されている。このグリースには、酸化防止剤、防錆剤、腐食防止剤および対荷重添加剤のうち少なくとも１つが添加剤として添加されている。
また、第２シャフト３の一端部（第１シャフト２側の端部）には、略筒状の固定部材１０を介して、環状のシール部材１１が取り付けられている。このシール部材１１は、ゴム材料や樹脂材料を用いて形成されており、第２シャフト３内に挿入された第１シャフト２の外周面に当接することにより、第１および第２シャフト２，３間をシールしている。このシール部材１１により、雄スプライン部４および雌スプライン部７間に封入されたグリースが外部に漏出することが抑制される。また、雄スプライン部４および雌スプライン部７間に砂埃等の異物が進入することが防止される。
【００１７】
雄スプライン部４の各キー５の両側面１２Ａ（図２では、１つのキー５の両側面１２Ａにのみ符号を図示）は、動力伝達面として機能する。また、雌スプライン部７の各キー溝８は、キー５と噛み合わされた際に、側面１２Ａに対向する両側面１３Ａ（図２では、１つのキー５の両側面１３Ａにのみ符号を図示）が、動力伝達面として機能する。すなわち、プロペラシャフト１の回転時には、各キー５における一方の側面１２Ａと、各キー溝８における当該側面に対向する側面１３Ａとが互いに当接することによって、両シャフト２，３間で動力が伝達される。
【００１８】
図３は、雄スプライン部４の拡大断面図である。第１シャフト２の雄スプライン部４の表面（第１シャフト２の基材２Ａの表面）の全域は、被膜１４によって被覆されている。具体的には、各キー５の両側面（動力伝達面）１２Ａおよび頂面１２Ｂと、第１シャフト２の外周面における隣り合うキー５間の部分１２Ｃとが、連続した被膜１４によって被覆されている。
【００１９】
図４は、図３に示す被膜１４の拡大断面図である。
被膜１４は、第１シャフト２の基材２Ａの表面を被覆するＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜１５と、基材２ＡとＤＬＣ膜１５との間に介在する中間層１６とを備えている。
具体的には、雄スプライン部４における基材２Ａの表面上には、Ｃｒからなる第１Ｃｒ層１７が形成されている。第１Ｃｒ層１７の表面上には、ＣｒＮからなるＣｒＮ層１８が形成されている。ＣｒＮ層１８とＤＬＣ膜１５との間には第２Ｃｒ層１９が形成されている。これら第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９によって中間層１６が構成されている。すなわち、中間層１６が、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。
【００２０】
第１Ｃｒ層１７とＣｒＮ層１８との間、ＣｒＮ層１８と第２Ｃｒ層１９との間、第２Ｃｒ層１９とＤＬＣ膜１５との間は、それぞれ傾斜組成で構成されていてもよい。
基材２ＡとＣｒＮ層１８との間に、基材２ＡおよびＣｒＮ層１８との結合力が強い第１Ｃｒ層１７が介在しているので、ＣｒＮ層１８の基材２Ａへの密着性が良好である。また、ＣｒＮ層１８とＤＬＣ膜１５との間に、ＣｒＮ層１８およびＤＬＣ膜１５との結合力が強い第２Ｃｒ層１９が介在しているので、ＤＬＣ膜１５のＣｒＮ層１８への密着性が良好である。さらに、第２Ｃｒ層１９とＤＬＣ膜１５との間に、Ｓｉ傾斜層が形成されていてもよい。このため、ＤＬＣ膜１５が基材２Ａに対し優れた密着性を有する。これにより、第１シャフト２（雄スプライン部４）の長寿命化を図ることができる。
【００２１】
また、ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。すなわち、ＤＬＣ膜１５は、ＤＬＣが１００〜５０ｗｔ％、Ｓｉが０〜５０ｗｔ％の割合で構成されている。ＤＬＣ自身は良好な潤滑特性を示すが、さらにＳｉを添加することで、ＤＬＣ膜１５はより良好な摩擦性（低摩擦性）を有する。
ＤＬＣ膜１５の厚みは、たとえば１．０〜１０．０μｍである。また、中間層１６の厚みは、たとえば０．５〜２．０μｍ程度である。また、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９の膜厚比は、たとえば１：４：１程度である。
【００２２】
ＤＬＣ膜１５のヌープ硬さＨＫは、１０００以上であり、摩擦係数は０．２以下である。
さらに、硬度の高い（耐摩耗性の高い）ＣｒＮ層１８が中間層１６に含まれているので、中間層１６はほとんど変形しない。このため、ＤＬＣ膜１５もほとんど変形せず、相手部材としての第２シャフト３（雌スプライン部７）と摺動するＤＬＣ膜１５の表面（摺動面）を平坦に保つことができる。これにより、ＤＬＣ膜１５の摩擦性（低摩擦性）がより一層向上する。被膜１４は、複合型プラズマ成膜装置２０によって作製される。
【００２３】
図５は、被膜１４の作製に用いられる装置２０の構成を説明するための模式的な断面図である。
この装置２０は、基材２Ａの表面に、プラズマＣＶＤ法（Plasma Chemistry Deposition）により被膜（薄膜）１４を堆積させるためのバッチ式の装置（ＰＩＧ式プラズマＣＶＤ装置）である。
【００２４】
処理チャンバ２１内には、処理対象となる第１シャフト２（基材２Ａ）をほぼ鉛直姿勢に支持して、その第１シャフト２をその中心軸線まわりに回転させるための複数（図５では２つ）の回転支持部２４と、これら回転支持部２４を保持して、基材２Ａおよび回転支持部２４を、ほぼ鉛直方向に延びる所定の回転軸線Ｃまわりに回転させる回転機構２５と、処理チャンバ２１内に原料ガスとしての炭酸水素系ガス（たとえば、アセチレン（Ｃ２Ｈ２））、シリコン原料ガス（たとえば、テトラメチルシラン（Ｓｉ(ＣＨ３）４）。以下、「ＴＭＳ」という。）および窒素ガス（Ｎ２）などを導入するための原料ガス導入管２６とが収容されている。
【００２５】
原料ガス導入管２６は、両端が閉塞された長尺のものであり、回転支持部２４の側方（径方向外方）にほぼ鉛直方向に延びている。原料ガス導入管２６の回転支持部２４に対向する部分には、多数の吐出孔３２が形成されている。これらの吐出孔３２は、原料ガス導入管２６の内外を貫通する貫通孔であり、原料ガス導入管２６の長手方向に沿って配列されている。
【００２６】
また、処理チャンバ２１内における回転支持部２４の側方（径方向外方）には、スパッタリング用ターゲットとしてのＣｒ材料３３が配置されている。このＣｒ材料３３にはスパッタリング用電源３４が接続されており、Ｃｒ材料３３はスパッタリング用電源３４により電圧が印加されるようになっている。
処理チャンバ２１には、処理チャンバ２１内の雰囲気を排気するための排気ダクト３５が接続されている。この排気ダクト３５は、工場内の排気設備に接続されている。この工場内の排気設備は常時稼動しており、排気ダクト３５からの排気も常時行われている。
【００２７】
カソード３７は、たとえばモリブデンを用いて形成されており、陰極の直下領域を取り囲む環状をなしている。カソード３７にはカソード用電源４０が接続されており、カソード３７はカソード用電源４０によって印加されるようになっている。
処理チャンバ２１の周囲には、処理チャンバ２１を取り囲む補助電磁コイル４２が配置されている。補助電磁コイル４２には、補助コイル磁界発生用電源（図示しない）が接続されている。
【００２８】
補助電磁コイル４２を流れる電流の向きおよび大きさに応じて、処理チャンバ２１内における磁場が調節され、処理チャンバ２１内に発生するプラズマの形状が調整される。プラズマの形状の調整により、第１シャフト２に対する成膜領域が制御される。
次に、被膜１４の作製方法について説明する。
処理対象の第１シャフト２（基材２Ａ）は、処理チャンバ２１内に搬入されて、ほぼ鉛直姿勢に保持された状態で回転支持部２４に支持される。第１シャフト２が回転支持部２４に支持されると、回転機構２５の回転が開始される。
【００２９】
第１シャフト２の回転開始後、スパッタリング用電源３４がオンされて、スパッタ用ターゲットとしてのＣｒ材料３３に電圧が印加される。これにより、Ｃｒ材料３３がイオン化して、処理チャンバ２１中に浮遊する。そして、Ｃｒ膜が第１シャフト２（基材２Ａ）の表面上に堆積するようになる。これにより、基材２Ａの表面上に第１Ｃｒ層１７が形成される。
【００３０】
スパッタリング用電源３４のオンから予め定める処理時間が経過すると、窒素ガスバルブが開かれて、原料ガス導入管２６の吐出孔３２から、回転支持部２４に支持された基材２Ａの表面に向けて、窒素ガスが吐出される。このため、処理チャンバ２１内に窒素ガス雰囲気が充満する。処理チャンバ２１内を浮遊するＣｒイオンが窒素ガスと反応してＣｒＮが生成されて、第１Ｃｒ層１７の表面上にＣｒＮ膜が堆積される。これにより、第１Ｃｒ層１７の表面上にＣｒＮ層１８が形成される。
【００３１】
窒素ガスバルブの開成から予め定める処理時間が経過すると、窒素ガスバルブが開じられて、原料ガス導入管２６の吐出孔３２からの窒素ガスの吐出が停止される。そして、処理チャンバ２１内にＣｒのイオンが浮遊しているので、Ｃｒ膜がＣｒＮ層１８の表面上に堆積する。これにより、ＣｒＮ層１８の表面上に第２Ｃｒ層１９が形成される。
窒素ガスバルブの閉塞から予め定める処理時間が経過すると、スパッタリング用電源３４がオフされる。これにより、Ｃｒ材料３３への印加が停止される。
【００３２】
次いで、原料ガス導入管２６の吐出孔３２から、回転支持部２４に支持された基材２Ａの表面に向けて、アセチレンおよびＴＭＳが吐出されて、処理チャンバ２１内にアセチレンおよびＴＭＳの雰囲気が充満する。また、電源、陰極用電源、カソード電源４０および補助コイル磁界発生用電源がオンされる。
処理チャンバ２１内にプラズマが放射されることにより、処理チャンバ２１内のアセチレンおよびＴＭＳがプラズマ状態になり、処理チャンバ２１内をＣイオン、ＨイオンおよびＳｉイオンが浮遊するようになる。そして、ＤＬＣ膜１５が基材２Ａの表面上に堆積するようになる。これにより、基材２Ａの表面にＤＬＣ膜１５が形成される。
【００３３】
電源、陰極用電源、カソード電源４０および補助コイル磁界発生用電源のオンから、予め定める処理時間（たとえば、６０分間）が経過すると、電源、陰極用電源、カソード電源４０および補助コイル磁界発生用電源がオフされる。また、原料ガス導入管２６の吐出孔３２からのアセチレンガスおよびＴＭＳの吐出が停止される。さらにまた、回転機構２５の回転が停止される。
【００３４】
これにより、ＤＬＣ膜１５および中間層１６を含む被膜１４が、第１シャフト２の基材２Ａの表面上に形成される。
なお、一連の処理中は、回転機構２５によって各基材２Ａが回転軸線Ｃまわりに回転されるので、第１シャフト２における周方向にむらなく、各膜（第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８、第２Ｃｒ層１９およびＤＬＣ膜１５）を堆積させることができる。
【００３５】
なお、この実施形態では、第１シャフト２の被膜１４が形成されるべき部分のみを露出させておき、他の部分をアルミ箔などのマスクで覆えば、マスクで覆われた部分には、被膜１４は形成されない。
次に、実施例および比較例について説明する。
実施例および比較例では、基板（炭素鋼により形成）の表面に、図５に示すＣＶＤ装置を用いて被膜１４を形成した。被膜１４は、基板の表面を覆うＤＬＣ膜１５と、基板の表面とＤＬＣ膜１５との間に介在された中間層１６とを含む。ＤＬＣ膜１５の厚みは、３〜５μｍであり、中間層１６の厚みは０．５〜１．５μｍである。
【００３６】
実施例の中間層１６は、図４に示すように、基板側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９の膜厚比は、１：４：１である。
比較例は、中間層１６として、厚み１μｍのＴｉ膜（単体膜）を用いた。
この実施例の被膜１４が形成された基板（炭素鋼基板）および比較例の被膜が形成された基板に対し、それぞれロックウェル圧痕試験を行った。具体的には、被膜１４で被覆された基板にダイヤモンド圧子（先端の曲率半径０．２ｍｍ、円すい角１２０°のダイヤモンドにて形成）を１４７１Ｎの力で押し付けて、被膜１４に圧痕を形成した。なお、圧痕は直径５００〜６００μｍ程度の円形の窪みである。この圧痕の周縁部における被膜１４の剥離の程度を、光学顕微鏡を用いて観察し、密着力評価を行った。
【００３７】
図６は、ロックウェル圧痕試験の結果を示す圧痕の光学顕微鏡写真の画像図である。図６（ａ）は比較例における圧痕を示し、図６（ｂ）は実施例における圧痕を示している。図６（ｂ）では、圧痕の周縁部における被膜１４の剥離がほとんど見られないのに対し、図６（ａ）では圧痕の周縁部に、大きな被膜の剥離や大きな割れが見られる。このことから、実施例において、ＤＬＣ膜１５の基材２Ａへの密着性が良好であることが理解できる。
【００３８】
図７は、ＤＬＣ膜１５のＳｉ濃度（ｗｔ％）と、ＤＬＣ膜１５の摩擦係数との関係を示すグラフである。
図７から、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている場合に、良好な摩擦性（低摩擦性）を発揮することができることが理解される。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
【００３９】
前述の実施形態では、ＤＬＣ膜１５にＳｉが添加された構成を例に挙げて説明したが、Ｓｉに加えて、ＣｒまたはＴｉが添加されていてもよい。また、ＤＬＣ膜１５にＳｉに代えて、ＣｒまたはＴｉが添加されていてもよい。さらに、ＤＬＣ膜１５にＳｉなどの有機金属が添加されておらず、ＤＬＣ膜１５がＤＬＣだけで構成されていてもよい。
さらに、ＤＬＣ膜１５および中間層１６が共通の処理チャンバ２１内で形成されるとして説明したが、ＤＬＣ膜１５と中間層１６とが、互いに異なる別の処理チャンバ内で形成されてもよい。
【００４０】
前述の実施形態では、被膜１４を雄スプライン部４の表面を被覆するものとして説明したが、被膜１４は、雄スプライン部４の表面でなく、雌スプライン部７の表面を被覆していてもよい。また、雄スプライン部４および雌スプライン部７の双方の表面が、被膜１４によって被覆されていてもよい。雌スプライン部７の表面に被膜１４が配置される場合、被膜１４は雌スプライン部７の表面の全域、すなわち、各キー溝８の両側面１３Ａ（動力伝達面）および底面１３Ｂと、第２シャフト３の内周面における隣り合うキー溝８間の部分１３Ｃとが、連続する被膜１４によって被覆される。
【００４１】
また、被膜１４は、キー５の側面１２Ａやキー溝の側面１３Ａ（すなわち、動力伝達面）だけに部分的に設けることも可能ではあるが、マスキング等の工程が増加するため生産性が低下すること、部分的に形成した被膜１４が、そのエッジ部から剥離し易いことを考慮すると、雄スプライン部４および／または雌スプライン部７の全域に被覆させることが好ましい。
【００４２】
また、前述の説明では、被膜１４をプロペラシャフト（駆動軸）の雄スプライン部４および／または雌スプライン部７の表面に配置する場合を例に挙げて説明したが、被膜１４は、ステアリング装置のウォームの歯面、軸受の内外輪の軌道面または保持器、および摩擦クラッチのクラッチプレートの表面に配置することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００４３】
２…第１シャフト（摺動部材）、２Ａ…基材、１５…ＤＬＣ膜、１６…中間層、１７…第１Ｃｒ層、１８…ＣｒＮ層、１９…第２Ｃｒ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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