(57)【要約】【課題】周波数が精緻に調整されて、且つ、製造歩留りを向上させることが可能な弾性表面波素子、弾性表面波素子用ウェハ、その弾性表面波素子を用いた弾性表面波デバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】ＳＡＷウェハ１Ａ上に設けられた複数のＳＡＷ共振子１のＩＤＴ電極１０のうち、複数の一次側電極指１１からなる交差指電極は、接続配線１５ａを介して一方の反射器１３Ｂに接続され、その反射器１３Ｂから引き出された接続配線１５が、ＳＡＷ共振子１の短辺側の二辺のうちの一辺側に隣接するＳＡＷ共振子１の反射器１３Ａに接続されている。また、ＩＤＴ電極１０のうち、複数の二次側電極指１２からなる交差指電極は、接続配線１５ｂを介して他方の反射器１３Ａに接続され、その反射器１３Ａから引き出された接続配線１５が、ＳＡＷ共振子１の短辺側の二辺のうちの他方の辺側に隣接するＳＡＷ共振子１の反射器１３Ｂに接続されている。【選択図】図４
2010068074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視で矩形状の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有する弾性表面波素子であって、
前記ＩＤＴ電極から引き出された該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の接続配線が、前記弾性表面波素子の長辺側の端面にかからないように前記弾性表面波素子の短辺方向に形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
平面視で矩形状の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有する弾性表面波素子が複数形成された弾性表面波素子用ウェハであって、
前記ＩＤＴ電極に接続された該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の通電端子が設けられ、
前記ＩＤＴ電極と前記通電端子とを接続する接続配線が、前記弾性表面波素子の長辺側の端面となる部分にかからないように前記弾性表面波素子の短辺方向に引き回されて形成されていることを特徴とする弾性表面波素子用ウェハ。
【請求項３】
パッケージ内に弾性表面波素子が接合されて気密に封止された弾性表面波デバイスであって、
前記弾性表面波素子が、平面視で矩形状の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有し、前記ＩＤＴ電極から引き出された該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の接続配線が、前記弾性表面波素子の長辺側の端面にかからないように前記弾性表面波素子の短辺方向に形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
平面視で矩形状の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有し、前記ＩＤＴ電極から引き出された該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の接続配線が、弾性表面波素子の長辺側の端面にかからないように前記弾性表面波素子の短辺方向に形成された前記弾性表面波素子が、パッケージ内に接合されて気密に封止された弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記圧電基板上にフォトリソグラフィ法を用いて前記ＩＤＴ電極を形成するＩＤＴ電極形成工程と、
周波数調整する前の前記弾性表面波素子の周波数を測定する初期周波数測定工程と、
前記初期周波数測定工程で測定された初期周波数測定値と、目標とする周波数規格値との差を補正し得る膜厚の陽極酸化膜を形成することにより、前記弾性表面波素子毎の周波数を調整する周波数調整工程と、
前記周波数調整工程の後で、前記弾性表面波素子毎の周波数を測定する調整後周波数測定工程と、
弾性表面波素子用ウェハから個片の前記弾性表面波素子を切り出す個片化工程と、
前記弾性表面波素子を保持して前記パッケージの接合位置に押圧するコレットを用いて、前記弾性表面波素子を接着剤を介して前記パッケージ内に位置決めして接合するダイアタッチ工程と、を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子、弾性表面波素子用ウェハ、弾性表面波デバイス、および弾性表面波デバイスの製造方法に関し、特に、弾性表面波デバイスの製造歩留りを向上させることが可能な弾性表面波素子、およびその弾性表面波素子用ウェハ、あるいはその弾性表面波素子を用いた弾性表面波デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高周波デバイスの分野では、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極により圧電体表面に弾性表面波を励振させたり、弾性表面波を検出したりするように構成された弾性表面波素子が様々な電子機器に用いられている。弾性表面波素子として、水晶やニオブ酸リチウムあるいはタンタル酸リチウムなどの圧電材料からなる圧電基板上に、ＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極の両側に配置された一対の反射器とが設けられた弾性表面波素子（弾性表面波共振子）が、例えば特許文献１に示されている。特許文献１に記載の弾性表面波素子において、ＩＤＴ電極は、アルミニウムなどからなる一方のバスバーに連結された複数の電極指と、他方のバスバーに連結された複数の電極指とが向かい合って互いに接触しないように交互に配置された構成となっている。この一方のバスバーと他方のバスバーを介してそれぞれの電極指間に交流電圧を印加することによりＩＤＴ電極が励振され、ＩＤＴ電極から発振して圧電基板に伝搬される弾性表面波を反射器で反射させてＩＤＴ電極内に弾性表面波エネルギーを閉じ込めることにより、エネルギー損失が少なくＱ値の高い共振特性を得られるようになっている。
【０００３】
弾性表面波素子の周波数特性は、ＩＤＴ電極の電極指間の間隔などによって決定されるが、弾性表面波素子を製造する際の工程ばらつきなどにより、周波数特性が目標とする周波数規格値から外れてしまう場合があり、この場合、周波数の微調整が行われる。従来、周波数の微調整の手段としてはＩＤＴ電極の質量を変えることによって行われる。例えば、燐酸溶液などによってＩＤＴ電極をエッチングして電極膜厚を減少させて質量負荷を変化させることにより共振周波数を上昇させる方法などが採られている。
また、この方法とは逆に、ＩＤＴ電極に質量を負荷して共振周波数を下降させて所望の周波数特性に微調整する方法もある。例えば、特許文献２に、アルミニウムにより形成されたＩＤＴ電極の表面を陽極酸化することにより陽極酸化膜を形成し、この陽極酸化膜の厚み（質量）を制御することによって周波数の微調整を行う方法が示されている。すなわち、ほう酸アンモニウムなどの溶液（陽極酸化液）に、弾性表面波素子と、陰極板としての例えば白金板とを浸し、弾性表面波素子のＩＤＴ電極を陽極側として電源により電圧を印加すると、ＩＤＴ電極の表面が酸化されて陽極酸化膜（アルマイト膜）が形成される。この陽極酸化膜の膜厚は印加電圧に比例するので比較的制御がし易く、上記のＩＤＴ電極をエッチングする方法に比して周波数の調整を安定して行うことができる。
【０００４】
このような弾性表面波素子を搭載した弾性表面波デバイスとして、セラミックなどからなるパッケージ内に弾性表面波素子を接合し、そのパッケージ上に金属などからなるリッド（蓋体）を接合して弾性表面波素子を気密に封止した弾性表面波デバイス（電子デバイス）が、例えば特許文献３に紹介されている。
特許文献３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法においては、パッケージの凹部の凹底部分に弾性表面波素子を位置決めして接合する際に、弾性表面波素子の両側縁部を保持してパッケージに押圧する治具として二面角錐型のコレットを用いることにより、弾性表面波素子上に形成されたＩＤＴ電極などの電極を傷付けないようにしている。
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−１０９０９号公報
【特許文献２】特開平１０−１０７５６９号公報
【特許文献３】特開２００１−２５７２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、弾性表面波素子の両側縁部を保持するコレットは、なるべく保持面積を大きくして安定して保持できるように、通常、平面視で矩形状の弾性表面波素子の長辺側の両側縁部を保持するようになっている。この弾性表面波素子の長辺側のコレットによる保持位置に、ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の接続配線が形成されている場合には、接続配線にコレットが接触することによる不具合が生じる虞がある。すなわち、コレットと接続配線との接触により接続配線が削れたり、削れ屑が脱落したりすることにより、ＩＤＴ電極などの電極や圧電基板にキズが発生したり、電気的な短絡を生じたり、あるいはパッケージ内に金属屑が落下することによる短絡や弾性表面波素子の傾きなどの搭載不良が発生する虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
〔適用例１〕本適用例にかかる弾性表面波素子は、平面視で矩形状の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有する弾性表面波素子であって、前記ＩＤＴ電極から引き出された該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の接続配線が、前記弾性表面波素子の長辺側の端面にかからないように前記弾性表面波素子の短辺方向に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、弾性表面波素子をパッケージなどの基板に接合する際に、弾性表面波素子を保持して基板に押圧する治具としてのコレットを用いた場合に起こり得る不具合を回避することができる。すなわち、陽極酸化用の接続配線が、コレットの当接部分となる弾性表面波素子の長辺側の両側縁部近傍を避けて形成されているので、コレットとの接触により接続配線が削れて脱落したりすることによるＩＤＴ電極などの電極や圧電基板のキズの発生、あるいは電気的な短絡などを防止することができる。
【００１０】
〔適用例２〕本適用例にかかる弾性表面波素子用ウェハは、平面視で矩形状の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有する弾性表面波素子が複数形成された弾性表面波素子用ウェハであって、前記ＩＤＴ電極と接続された該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の通電端子が設けられ、前記ＩＤＴ電極と前記通電端子とを接続する接続配線が、前記弾性表面波素子の長辺側の端面となる部分にかからないように前記弾性表面波素子の短辺方向に引き回されて形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、弾性表面波素子を基板に接合する際の接続配線とコレットとの接触による不具合を防止しながら、陽極酸化膜により周波数が精緻に調整された弾性表面波素子を効率よく製造することが可能な弾性表面波素子用ウェハを提供できる。
【００１２】
〔適用例３〕本適用例にかかる弾性表面波デバイスは、パッケージ内に弾性表面波素子が接合されて気密に封止された弾性表面波デバイスであって、前記弾性表面波素子が、平面視で矩形状の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有し、前記ＩＤＴ電極から引き出された該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の接続配線が、前記弾性表面波素子の長辺側の端面にかからないように前記弾性表面波素子の短辺方向に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、コレットと接続配線との接触が回避できるので、接続配線が削れたり、脱落したりすることにより、接続配線の金属屑によるＩＤＴ電極などの電極や圧電基板のキズの発生や電極の短絡、あるいはパッケージ内に金属屑が落下することによる短絡や弾性表面波素子の傾きなどの搭載不良が防止され、高信頼性を有する弾性表面波デバイスを提供することができる。
【００１４】
〔適用例４〕本適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法は、平面視で矩形状の圧電基板上に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有し、前記ＩＤＴ電極から引き出された該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の接続配線が、弾性表面波素子の長辺側の端面にかからないように前記弾性表面波素子の短辺方向に形成された前記弾性表面波素子が、パッケージ内に接合されて気密に封止された弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記圧電基板上にフォトリソグラフィ法を用いて前記ＩＤＴ電極を形成するＩＤＴ電極形成工程と、周波数調整する前の前記弾性表面波素子の周波数を測定する初期周波数測定工程と、前記初期周波数測定工程で測定された初期周波数測定値と、目標とする周波数規格値との差を補正し得る膜厚の陽極酸化膜を形成することにより、前記弾性表面波素子毎の周波数を調整する周波数調整工程と、前記周波数調整工程の後で、前記弾性表面波素子毎の周波数を測定する調整後周波数測定工程と、弾性表面波素子用ウェハから個片の前記弾性表面波素子を切り出す個片化工程と、前記弾性表面波素子を保持して前記パッケージの接合位置に押圧するコレットを用いて、前記弾性表面波素子を接着剤を介して前記パッケージ内に位置決めして接合するダイアタッチ工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、ダイアタッチ工程において、コレットと接続配線が接触することがないので、接続配線が削れたり削れ屑が脱落したりすることによる不具合、例えば、金属屑によるＩＤＴ電極などの電極や圧電基板のキズの発生や短絡、あるいはパッケージ内に金属屑が落下することによる短絡や弾性表面波素子の傾きなどの搭載不良などを防止することができる。したがって、高歩留りにて信頼性の高い弾性表面波デバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイス、および、それに用いる弾性表面波素子としてのＳＡＷ共振子、あるいは複数のＳＡＷ共振子が形成された弾性表面波素子用ウェハとしてのＳＡＷウェハについて図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態のＳＡＷデバイスを模式的に説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。なお、図１（ａ）において、ＳＡＷデバイスの上部に接合される蓋体としてのリッドは、ＳＡＷデバイスの内部の構造を説明する便宜上図示を省略する。
また、図２および図３は、本実施形態のＳＡＷデバイスに搭載される弾性表面波素子としてのＳＡＷ共振子を模式的に説明するものであり、図２（ａ）は平面図、同図（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、また、図３は、図２（ｂ）のＤ部を拡大して説明する部分拡大断面図である。
【００１７】
本実施形態のＳＡＷデバイス１００は、図１に示すように、パッケージ１１０の凹部の凹底部分にＳＡＷ共振子１が接合され、パッケージ１１０上にリッド１２０が接合されることにより、ＳＡＷ共振子１がパッケージ１１０内に気密に封止されている。
【００１８】
〔ＳＡＷ共振子〕
まず、ＳＡＷデバイス１００に備わるＳＡＷ共振子１について詳細に説明する。
図２（ａ）に示すように、ＳＡＷ共振子１は、水晶などの圧電材料からなる矩形状の圧電基板５上に、励振電極としてのＩＤＴ電極１０と、反射器１３Ａ，１３Ｂと、が設けられている。ＳＡＷ共振子１の略中央に設けられたＩＤＴ電極１０は、二つの櫛型の交差指電極を有し、一方の交差指電極のバスバーに連結された複数の一次側電極指１１と、他方の交差指電極のバスバーに連結された複数の二次側電極指１２とが、向かい合って互いに接触しないように配置されて形成されている。また、複数の一次側電極指１１を連結するバスバーの一部が、後述するパッケージ１１０とのボンディングワイヤによる接続に供するボンディング端子１１ａとなっている。同様に、複数の二次側電極指１２を連結するバスバーの一部が、パッケージ１１０とのボンディングワイヤによる接続に供するボンディング端子１２ａとなっている。
ＩＤＴ電極１０は、本実施形態ではアルミニウム（Ａｌ）で形成され、ＩＤＴ電極１０の二つの交差指電極の一次側電極指１１と二次側電極指１２とのそれぞれに逆相の電圧が印加されることで弾性表面波を励振できるように構成されている。
【００１９】
反射器１３Ａ，１３Ｂは、ＩＤＴ電極１０を挟んだ両側に配置されて設けられている。そして、ＩＤＴ電極１０から伝搬された弾性表面波を反射器１３Ａ，１３Ｂで反射させて、圧電基板５の中央部にエネルギーを封じ込める役目を果たしている。なお、本実施形態では反射器１３Ａ，１３ＢもＩＤＴ電極１０と同様にアルミニウムで形成されている。
【００２０】
図２（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１０における一次側電極指１１と二次側電極指１２との間の距離は等間隔ピッチＰに設定され、励振される弾性表面波の波長λはλ＝２Ｐの関係になる。また、ＩＤＴ電極１０（一次側電極指１１，二次側電極指１２）は厚みＨにて形成されている。また、圧電基板５の厚みＴは弾性表面波の４波長（４λ）以上の厚みに設定されている。
【００２１】
図３に示すように、ＩＤＴ電極１０を構成する一次側電極指１１および二次側電極指１２の表面には、ＩＤＴ電極１０の形成用材料であるアルミニウムを陽極酸化させることにより形成された陽極酸化膜３０が形成されている。陽極酸化膜３０は、後述するように、ＩＤＴ電極１０によるＳＡＷ共振子１の周波数を所望の値に調整する周波数調整工程で形成された酸化膜である。
【００２２】
ＳＡＷ共振子１には、陽極酸化膜３０を形成して周波数調整する際の通電用の配線である接続配線１５，１５ａ，１５ｂ（図２（ａ）を参照）が形成されている。これらの接続配線１５，１５ａ，１５ｂは、後述するＳＡＷ共振子１を製造する製造工程において、陽極酸化膜形成時の通電用の接続配線として用いられ、ＳＡＷ共振子１の動作に寄与するものではない。また、これらの接続配線１５，１５ａ，１５ｂは、平面視で矩形状のＳＡＷ共振子の短辺側に配置され、少なくとも長辺側の端面近傍にかからないように配置されている。
【００２３】
〔ＳＡＷデバイス〕
次に、ＳＡＷデバイス１００の構成について詳細に説明する。
図１において、パッケージ１１０は、セラミックス絶縁材料などからなる略矩形の平板状の第１層基板１１１、略矩形フレーム状の第２層基板１１２、第３層基板１１３およびシールリング１１９が、この順に積層されて形成されている。このとき、略矩形フレーム状の第２層基板１１２と第３層基板１１３の開口部は、下方の第２層基板１１２の方が小さく形成されているので、パッケージ１１０には段差を有する凹部が形成される。また、パッケージ１１０の外底部分となる第１層基板１１１の底面には、一対の実装端子１１５が設けられている。また、パッケージ１１０の凹部の第２層基板１１２が形成する段差の棚部には、ＳＡＷ共振子１との接続に供する複数の接続端子１１６が設けられている。接続端子１１６は、第２層基板１１２および第１層基板１１１に形成された図示しない配線パターンまたはスルーホールなどの層内配線パターンにより、対応する実装端子１１５、またはパッケージ１１０に設けられた図示しないグランド端子などに接続されている。これらの接続端子１１６、実装端子１１５やグランド端子、およびそれらを接続する層内配線パターンを含む配線パターンは、一般に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などの金属配線材料をセラミックス絶縁材料上にスクリーン印刷して焼成し、その上にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）などのめっきを施すことにより形成される。
【００２４】
パッケージ１１０の凹部の凹底部分である第１層基板１１１上には、熱硬化型あるいは紫外線硬化型の接着剤としてのダイアタッチ剤９５によりＳＡＷ共振子１が接着・固定されている。ＳＡＷ共振子１のＩＤＴ電極１０の複数の一次側電極指１１を連結するバスバーの一部であるボンディング端子１１ａと、複数の二次側電極指１２を連結するバスバーの一部であるボンディング端子１２ａとから、パッケージ１１０の対応する接続端子１１６とは、ボンディングワイヤ９８によりそれぞれ接続されている。
なお、ボンディングワイヤ９８の材質は、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの周知のボンディングワイヤを用いることができる。例えば、低ループにてボンディングすることが可能なアルミニウムワイヤによるウェッジボンディングによれば、ＳＡＷデバイス１００の低背化に有利となるので好ましい。
【００２５】
パッケージ１１０の上側には、例えば金属製のリッド１２０が、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金などをフレーム状に型抜きして形成されたシールリング１１９を介してシーム溶接され、パッケージ１１０内部に接合されたＳＡＷ共振子１が気密に封止されている。
【００２６】
〔ＳＡＷウェハ〕
次に、複数のＳＡＷ共振子１が形成されたＳＡＷウェハについて図面に沿って説明する。ＳＡＷ共振子１は、半導体製造プロセスを用いて圧電基板５のウェハ（ＳＡＷウェハ）上に複数形成された後に、ダイシングして個片に切り出すことにより効率よく製造される。図４は、ＳＡＷウェハ１Ａを説明する平面図である。また、図５は、図４のＳＡＷウェハ１ＡのＥ部を拡大して説明する部分平面図である。
【００２７】
図４に示すように、ＳＡＷウェハ１Ａは、バッチ処理により複数のＳＡＷ共振子１を効率的に製造するためのウェハであって、大判の水晶からなる圧電基板５のウェハに複数のＳＡＷ共振子１がマトリクス状に並べて形成されている。
【００２８】
ＳＡＷウェハ１Ａに形成された複数のＳＡＷ共振子１において、ＩＤＴ電極１０および反射器１３Ａ，１３Ｂが設けられてなるＳＡＷ共振子１のうち、少なくともＩＤＴ電極１０からは接続配線１５が引き出されている。接続配線１５は、ＳＡＷ共振子１のＩＤＴ電極１０の表面に陽極酸化膜３０を形成する際に用いる通電用の接続配線であって、ＳＡＷウェハ１Ａの全てのＩＤＴ電極１０と接続されるとともに、その終端がＳＡＷウェハ１Ａの外周部分に設けられた共通端子である通電端子１９に接続されている。なお、本実施形態のＳＡＷウェハ１Ａでは、ＩＤＴ電極１０とともに反射器１３Ａ，１３Ｂも、接続配線１５を介して通電端子１９に接続されている。
【００２９】
ＳＡＷウェハ１Ａにおける複数のＳＡＷ共振子１の接続配線１５による接続について、図５を用いて具体的に説明する。
図５に示すように、ＳＡＷウェハ１Ａ上に設けられた複数のＳＡＷ共振子１のＩＤＴ電極１０は、平面視で矩形状のＳＡＷ共振子１の短辺側方向に隣接するＳＡＷ共振子１のＩＤＴ電極１０に接続配線１５を介して接続されている。
詳細には、ＩＤＴ電極１０のうち、バスバーにより連結された複数の一次側電極指１１からなる交差指電極が、そのバスバーの一部であるボンディング端子１１ａからＳＡＷ共振子１の短辺側方向の両側に向けてそれぞれ引き出された接続配線１５により、隣接するＳＡＷ共振子１のボンディング端子１１ａに接続されている。これにより、隣接するＳＡＷ共振子１同士の複数の一次側電極指１１からなる交差指電極同士が電気的に接続される。また、この接続配線１５には、ＳＡＷ共振子１の２つの反射器１３Ａ，１３Ｂのうちの一方の反射器１３Ｂが接続配線１５ａを介して接続されている。
また、ＩＤＴ電極１０のうち、バスバーにより連結された複数の二次側電極指１２からなる交差指電極は、そのバスバーの一部であるボンディング端子１２ａからＳＡＷ共振子１の短辺側方向の両側に向けてそれぞれ引き出された接続配線１５により、隣接するＳＡＷ共振子１のボンディング端子１２ａに接続されている。これにより、隣接するＳＡＷ共振子１同士の複数の二次側電極指１２からなる交差指電極同士が電気的に接続される。また、この接続配線１５には、ＳＡＷ共振子１の２つの反射器１３Ａ，１３Ｂのうちの他方の反射器１３Ａが接続配線１５ｂを介して接続されている。  
【００３０】
すなわち、ＳＡＷウェハ１Ａにおいて、ＳＡＷ共振子１の短辺側に隣接するＳＡＷ共振子１同士が接続配線１５により接続され、その接続配線１５が、ＳＡＷウェハ１Ａの外周部分に設けられた通電端子１９に接続されている。これにより、ＳＡＷウェハ１Ａの各ＳＡＷ共振子１には、通電端子１９から陽極酸化の電圧を印加できるようになっている（図４を参照）。
【００３１】
また、図５において、ＳＡＷウェハ１Ａから個片のＳＡＷ共振子１を切り出す際のダイシングライン３５を破線にて示している。本実施形態のＳＡＷウェハ１Ａでは、陽極酸化する際の通電用の各接続配線のうち、個片のＳＡＷ共振子１において電気的に独立させる部分を結ぶ接続配線が、ダイシングライン３５に沿ってダイシングすることにより切断されるように配置されている。すなわち、ＩＤＴ電極１０のうち、複数の一次側電極指１１からなる交差指電極と接続された接続配線１５と一方の反射器１３Ｂとを接続する接続配線１５ａと、複数の二次側電極指１２からなる交差指電極と接続された接続配線１５と他方の反射器１３Ａとを接続する接続配線１５ｂとが、ＳＡＷウェハ１Ａがダイシングライン３５に沿って切断される際に対応する各接続配線１５から切り離される。従って、ダイシング後の個片のＳＡＷ共振子１において、ＩＤＴ電極１０と、反射器１３Ａ，１３Ｂとのそれぞれは電気的に切り離されるようになっている（図２（ａ）を併せて参照）。
【００３２】
次に、上記実施形態のＳＡＷ共振子１およびＳＡＷデバイス１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６は、ＳＡＷ共振子１の製造方法のフローチャートである。また、図７は、陽極酸化によるＳＡＷ共振子１の周波数調整を行っている様子を模式的に示す説明図である。また、図８は、ＳＡＷ共振子１が搭載されたＳＡＷデバイス１００の製造方法のフローチャートである。また、図９は、ＳＡＷデバイス１００の製造方法のダイアタッチ工程において、コレット６０によりＳＡＷ共振子１をピックアップしている様子を説明するものであり、（ａ）は正面からみた図、（ｂ）は側面からみた図、（ｃ）はコレットの接触位置を説明するＳＡＷ共振子１の平面図である。
【００３３】
〔ＳＡＷ共振子の製造方法〕
まず、ＳＡＷ共振子１の製造方法について説明する。
図６において、まず、ステップＳ１に示すように、ＳＡＷ共振子１を多数個同時に形成するための大判の圧電基板５のウェハを準備する。このウェハはＳＡＷウェハ１Ａの原型となるものであって、圧電基材の原石を所定の厚みに切り出した後に、圧電基板５（図２を参照）の厚みとなって、且つ、所望の表面状態になるまで研磨加工することにより形成する。
【００３４】
次に、ステップＳ２に示すように、ウェハ上にＩＤＴ電極１０や反射器１３Ａ，１３ＢなどのＳＡＷパターンを形成する。ＳＡＷパターン形成では、まず、圧電基板５からなるウェハ上に、蒸着法あるいはスパッタリング法などにより、ＩＤＴ電極１０の形成用金属材料であるアルミニウム薄膜を積層させる。次に、アルミニウム薄膜上に、スピンコート法や浸漬法などによりフォトレジスト膜を形成した後、フォトレジスト膜にＩＤＴ電極０や反射器１３Ａ，１３ＢなどのＳＡＷパターンを露光してから現像することにより、ＳＡＷパターンと略同一形状のフォトレジストパターンを形成する。そして、そのフォトレジストパターンをエッチングレジストとしてアルミニウム薄膜をエッチングすることにより、複数の一次側電極指１１および二次側電極指１２からなる各交差指電極を交差させて設けてなるＩＤＴ電極１０や、反射器１３Ａ，１３Ｂを形成する。
以上の工程を経て、ウェハ上に複数のＳＡＷ共振子１のＳＡＷパターンが形成されたＳＡＷウェハ１Ａが得られる（図４を参照）。
【００３５】
次に、ステップＳ３に示すように、ＳＡＷウェハ１Ａに形成されたＳＡＷ共振子１の初期周波数測定を行う。本実施形態の周波数測定では、図４に示すＳＡＷウェハ１Ａの通電端子１９を用いて、各ＳＡＷ共振子１の初期周波数データを得る。
周波数測定は、プローブピンなどのコンタクト部、ＩＤＴ電極１０を励振させる発振器、周波数を測定する周波数カウンタなどからなる周波数測定手段を用いて、通電端子１９に接触させたコンタクト部を介して発振器によりＩＤＴ電極１０を発振させ、そのときの周波数を周波数カウンタによって計測することなどにより行う。
【００３６】
次に、ステップＳ４に示すように、ＳＡＷ共振子１の周波数調整を行う。周波数調整は、ステップＳ３の初期周波数測定で測定されたＳＡＷ共振子１の初期周波数測定値と、ＳＡＷ共振子１の目標とする周波数規格値との差に基づいて、その差を補正し得る膜厚の陽極酸化膜３０をＩＤＴ電極１０および反射器１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの表面に形成することにより行う（図３を参照）。
【００３７】
陽極酸化膜３０形成によるＳＡＷ共振子１の周波数調整は、例えば図７に示すような設備を用いて実施することができる。図７において、複数のＳＡＷ共振子１が形成されたＳＡＷウェハ１Ａは、陽極酸化を行うための陽極酸化槽５１に入れられる。陽極酸化槽５１の中には陽極酸化液が入れられている。また、陽極酸化槽５１の陽極酸化液５３の中には、ＳＡＷウェハ１Ａと共に、陰極板として例えば白金電極５６が浸されている。
【００３８】
そして、ＳＡＷウェハ１Ａを陽極側として通電端子１９を陽極側クリップ５７，５８をそれぞれ介して直流またはパルスの電源５５に接続し、その電源５５の陰極側に白金電極５６を接続して、電源５５により所定の電解電圧を印加して電流を流し、アルミニウムを電解酸化することによってＩＤＴ電極１０および反射器１３Ａ，１３Ｂの表面に陽極酸化膜３０を形成する。
【００３９】
次に、ステップＳ５に示すように、陽極酸化膜３０形成による周波数調整を行った後の各ＳＡＷ共振子１の周波数を測定する調整後周波数測定を行う。なお、図示はしないが、調整後周波数が規格値の許容範囲外となったＳＡＷ共振子１は、不良品として不良マーキングをするなどの不良処置を施す。
【００４０】
次に、ステップＳ６に示すように、ＳＡＷウェハ１Ａをダイシングライン３５（図５を参照）に沿ってダイシングすることなどにより個片のＳＡＷ共振子１を得る個片化を行い、一連のＳＡＷ共振子１の製造工程を終了する。
【００４１】
〔ＳＡＷデバイスの製造方法〕
次に、上記のように製造されたＳＡＷ共振子１を用いたＳＡＷデバイス１００の製造方法について説明する。なお、以下のＳＡＷデバイス１００の製造方法の説明において、ＳＡＷデバイス１００各部の構成については図１を参照されたい。
【００４２】
図８に示すステップＳ１１において、パッケージ１１０にＳＡＷ共振子１を実装する工程では、まず、パッケージ１１０の凹部の凹底部分である第１層基板１１１上のＳＡＷ共振子１接合領域に、熱硬化型または紫外線硬化型の接着剤からなるダイアタッチ剤９５をディスペンサなどにより所定量塗布する。
【００４３】
次に、ステップＳ１２に示すように、上記ステップＳ１１でパッケージ１１０の凹部の凹底部分に塗布されたダイアタッチ剤９５により、ＳＡＷ共振子１を位置決めして仮固定するダイアタッチを行う。このダイアタッチ工程では、ＳＡＷ共振子１をピックアップしてパッケージ１１０のダイアタッチ位置に位置決めして押圧する押え治具として、例えば、図９（ａ），（ｂ）に示すようなコレット６０が用いられる。
【００４４】
図９に示すコレット６０は、その下端部に、稜線６２を頂部とする山形のテーパ面６１を有している。そして、そのテーパ面６１によってＳＡＷ共振子１の対向する両端縁部分を保持しながら、テーパ面６１の稜線６２近傍に設けられた図示しない真空孔から真空吸引することによってＳＡＷ共振子１をピックアップする。また、ピックアップしたＳＡＷ共振子１をパッケージ１１０のダイアタッチ位置に位置決めし、テーパ面６１によりＳＡＷ共振子１をダイアタッチ位置に押圧して仮固定させる。
ここで、コレット６０のテーパ面６１に当接させるＳＡＷ共振子１の両端縁とは、通常、テーパ面６１への当接部分を大きくして安定的に保持できるように、平面視で矩形状のＳＡＷ共振子１の長手方向の二辺側を指し、図９（ｃ）に当接部分６５として図示する。このように、コレット６０の有するテーパ面６１によってＳＡＷ共振子１の両端縁（当接部分６５）のみを保持、あるいは押圧することにより、ＳＡＷ共振子１の表面に形成されたＩＤＴ電極１０や反射器１３Ａ，１３Ｂを傷付けずに済むようにしている。
【００４５】
しかも、ＳＡＷ共振子１には、周波数調整用のために陽極酸化膜３０を形成する際の通電用の配線である接続配線１５，１５ａ，１５ｂが、平面視で矩形状のＳＡＷ共振子１の短辺側に配置され、少なくとも長辺側の端面近傍にかからないように設けられている。これにより、コレット６０と接続配線１５，１５ａ，１５ｂとの接触も回避できるため、接続配線１５，１５ａ，１５ｂが削れたり、脱落したりすることによる不具合を防止することができる。すなわち、接続配線１５，１５ａ，１５ｂの金属屑によるＩＤＴ電極１０などの電極や圧電基板５のキズの発生、あるいはパッケージ１１０内に金属屑が落下することによる短絡やＳＡＷ共振子１の傾きなどの搭載不良などを防止することができる。
【００４６】
次に、ステップＳ１３に示すように、ダイアタッチ剤９５の硬化方法に従って加熱または紫外線を照射することによりダイアタッチ剤９５を硬化させ、ＳＡＷ共振子１をパッケージ１１０の凹部の凹底部分に接着・固化させる。
【００４７】
次に、ステップＳ１４に示すように、ＳＡＷ共振子１とパッケージ１１０とをワイヤボンディングにより接続する。詳細には、図１に示すように、ＳＡＷ共振子１のボンディング端子１１ａおよびボンディング端子１２ａと、パッケージ１１０の対応する接続端子１１６とをボンディングワイヤ９８により接続する。
【００４８】
次に、ステップＳ１５に示すように、パッケージ１１０上にリッドを接合することによりＳＡＷ共振子１をパッケージ１１０内に封止する。本実施形態では、パッケージ１１０の上側に、例えば金属製のリッド１２０を、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金などからなるシールリング１１９を介してシーム溶接することにより、パッケージ１１０内部に接合されたＳＡＷ共振子１を気密に封止する。
以上述べた工程により、ＳＡＷデバイス１００の一連の製造工程を終了する。
【００４９】
次に、上記実施形態のＳＡＷ共振子１、ＳＡＷウェハ１Ａ、ＳＡＷ共振子１を備えたＳＡＷデバイス１００、およびそれらの製造方法の効果を記載する。
上記実施形態では、ＳＡＷ共振子１の製造において、陽極酸化膜３０による周波数調整工程で用いるＳＡＷウェハ１Ａの通電用の接続配線１５，１５ａ，１５ｂを、平面視で矩形状のＳＡＷ共振子１の短辺側に配置し、少なくとも長辺側にかからないように配置した。すなわち、ＳＡＷデバイス１００を製造するときのＳＡＷ共振子１のダイアタッチ工程で、ＳＡＷ共振子１をピックアップおよび押圧を行う治具としてのコレット６０との当接面となるＳＡＷ共振子１の長手方向の両端縁（当接部分６５）には、陽極酸化用の接続配線１５，１５ａ，１５ｂがかからないように配置した。
【００５０】
これにより、ＳＡＷデバイス１００の製造におけるダイアタッチ工程において、コレット６０と接続配線１５，１５ａ，１５ｂとが接触して、接続配線１５，１５ａ，１５ｂが削れたり、削れ屑が脱落したりすることによる不具合、例えば、金属屑によるＩＤＴ電極１０などの電極や圧電基板５のキズの発生や短絡、あるいはパッケージ１１０内に金属屑が落下することによる短絡やＳＡＷ共振子１の傾きなどの搭載不良などを防止することができる。
【００５１】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００５２】
例えば、上記実施形態では、ＩＤＴ電極１０および反射器１３Ａ，１３Ｂともに陽極酸化膜３０を形成する構成とした。これに限らず、ＩＤＴ電極１０のみに接続配線１５を接続して陽極酸化膜３０を形成する構成としても、ＳＡＷ共振子１の周波数調整を行うことは可能である。
また、上記実施形態では、ＩＤＴ電極１０の複数の一次側電極指１１が連結されてなる交差指電極と、複数の二次側電極指１２が連結されてなる交差指電極との両方を陽極酸化させて陽極酸化膜３０を形成した。これに限らず、いずれか一方の交差指電極のみに接続配線１５を接続して陽極酸化膜３０を形成する構成としても、ＳＡＷ共振子１の周波数調整をすることは可能であり、また、ＩＤＴ電極１０の導電性異物の落下による短絡を防止することができる。
【００５３】
また、上記実施形態で説明した圧電基板５には水晶を用いたが、これに限定されない。水晶以外に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウム、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの薄膜圧電材料を積層させて構成された圧電基板を用いることもできる。
【００５４】
また、上記実施形態では、ＩＤＴ電極１０および反射器１３Ａ，１３Ｂあるいは各接続配線１５，１５ａ，１５ｂなどの電極形成用の金属材料としてアルミニウムを用いた。これに限らず、陽極酸化膜を形成することができる金属材料であればよく、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料を用いることもできる。
【００５５】
また、上記実施形態では、弾性表面波素子の一例として、ＳＡＷ共振子およびその製造方法について詳細に説明した。これに限定されず、ＳＡＷ共振子の他のＳＡＷ素子、例えばＳＡＷフィルタ、あるいはセンサやコンボルバなどのＳＡＷ遅延素子などの、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されてなる他の弾性表面波素子、あるいはその製造方であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）は、弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷデバイスを模式的に説明する平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図。
【図２】（ａ）は、弾性表面波素子としてのＳＡＷ共振子を模式的に説明する平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図。
【図３】ＳＡＷ共振子の図２（ｂ）のＤ部を拡大して説明する部分拡大断面図。
【図４】弾性表面波素子用ウェハとしてのＳＡＷウェハを説明する平面図。
【図５】ＳＡＷウェハの図４のＥ部を拡大して説明する部分平面図。
【図６】ＳＡＷ共振子の製造方法のフローチャート。
【図７】陽極酸化によるＳＡＷ共振子の周波数調整を行っている様子を模式的に示す説明図。
【図８】ＳＡＷデバイスの製造方法のフローチャート。
【図９】（ａ）は、ＳＡＷデバイスの製造方法においてコレットによりＳＡＷ共振子をピックアップしている様子を正面からみた図、（ｂ）は、側面からみた図、（ｃ）は、コレットの接触位置を説明するＳＡＷ共振子の平面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…弾性表面波素子としてのＳＡＷ共振子、１Ａ…弾性表面波素子用ウェハとしてのＳＡＷウェハ、５…圧電基板、１０…ＩＤＴ電極、１１…一次側電極指、１１ａ…ボンディング端子、１２…二次側電極指、１２ａ…ボンディング端子、１３Ａ，１３Ｂ…反射器、１５，１５ａ，１５ｂ…接続配線、１９…通電端子、３０…陽極酸化膜、３５…ダイシングライン、５１…陽極酸化槽、５３…陽極酸化液、５５…電源、５６…白金電極、５７，５８…陽極側クリップ、６０…コレット、６１…テーパ面、６２…稜線、６５…当接部分、９５…接着剤としてのダイアタッチ剤、９８…ボンディングワイヤ、１００…弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷデバイス、１１０…パッケージ、１１１…第１層基板、１１２…第２層基板、１１３…第３層基板、１１５，１１６…接続端子、１１９…シールリング、１２０…リッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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