(57)【要約】【課題】浮いた部分を有する電子部品中の圧電体膜を効率よく形成することができる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】圧電体２０の平坦な表面２０ａからイオンを注入して、圧電体２０内において表面２０ａから所定の深さの領域にイオン注入層２２を形成する。圧電体２０の表面２０ａの一部の上に犠牲層３０を形成した後、圧電体２０の表面２０ａ及び犠牲層３０に絶縁体３４を形成して圧電構造体１０ｓを形成する。圧電体２０を加熱して圧電体２０をイオン注入層２２で分離して、圧電体２０から分離された圧電体膜２４と絶縁体３４とが接合された圧電体膜構造体１０ｔを形成する。圧電体膜構造体１０ｔの圧電体膜２４のイオン注入層２２に沿って形成された分割面２４ａのうち少なくとも犠牲層３０に対向する部分に電極を含む素子パターン１６を形成した後、圧電体膜構造体１０ｔから犠牲層３０を除去する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な表面を有する圧電体を用意する、第１の工程と、
前記圧電体の前記表面からイオンを注入して、前記圧電体内において前記表面から所定の深さの領域にイオン注入層を形成する、第２の工程と、
前記圧電体の前記表面の一部の上に犠牲層を形成する、第３の工程と、
前記圧電体の前記表面及び前記犠牲層に絶縁体を形成して圧電構造体を形成する、第４の工程と、
前記圧電体を加熱して前記圧電体を前記イオン注入層で分離して、前記圧電体から分離された前記圧電体の前記表面と前記イオン注入層との間の圧電体膜と前記絶縁体とが結合された圧電体膜構造体を形成する、第５の工程と、
前記圧電体膜構造体の前記圧電体膜の前記イオン注入層に沿って形成された分割面のうち少なくとも前記犠牲層に対向する部分に電極を形成する、第６の工程と、
前記圧電体膜構造体から前記犠牲層を除去する、第７の工程と、
を備えたことを特徴とする、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第４の工程において、
前記圧電体の前記表面及び前記犠牲層の上に、前記圧電体とは反対側に前記圧電体の前記表面よりも粗い表面を有する接着層を形成した後、前記接着層の前記圧電体の前記表面よりも粗い前記表面に前記絶縁体を形成することにより、前記圧電体の前記表面及び前記犠牲層に前記接着層を介して前記絶縁体が形成され前記圧電構造体を形成することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記接着層がスパッタリング又はＣＶＤにより形成されることを特徴とする、請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記接着層は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、金属酸化膜及び金属窒化膜から選択された少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項２又は３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記第４の工程において、前記圧電体の前記表面及び前記犠牲層の上に、前記接着層を形成した後に、前記接着層の前記圧電体とは反対側の表面を粗面処理して、前記接着層の前記圧電体の前記表面よりも粗い前記表面を形成することを特徴とする、請求項２乃至４いずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁体が溶射法により形成されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
溶射法により形成された前記絶縁体の粒界及び空孔を充填する工程をさらに有することを特徴とする、請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁体がＣＶＤにより形成されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁体がスピン塗布により形成されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁体が、ＳＯＧをスピン塗布することにより形成されることを特徴とする、請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
支持部材と、
互いに平行な一対の主面を有し、前記支持部材に支持されていない第１部分と前記支持部材に支持された第２部分とを含む圧電体膜と、
前記支持部材と前記圧電体膜の前記第２部分との間に配置され、前記支持部材と前記圧電体膜の前記第２部分とに接している接着層と、
前記圧電体膜の前記第１部分の少なくとも一方の前記主面に形成された電極と、
を備え、
前記接着層は、前記支持部材に接している面の表面粗さが、前記前記圧電体膜の前記第２部分に接している面の表面粗さよりも大きくされていることを特徴とする、電子部品。
【請求項１２】
前記圧電体膜は、一対の前記主面がいずれも鏡面であることを特徴とする、請求項１１に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記電極により、前記圧電体膜を伝搬する板波が励振されることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関し、詳しくは、ラム波やＳＨ波を用いる板波デバイス、ジャイロ、ＲＦスイッチなどの振動部や可動部が、支持部材から浮いた状態で支持部材に保持された電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、板波を利用する振動部や可動部が、支持部材から浮いた状態で支持部材に保持された電子部品が製造されている。
【０００３】
例えば図５の断面図に示すラム波デバイス１１０は、支持部材である補強基板１５０に圧電基板１２０が接合され、振動部が浮いた状態で補強基板１５０に保持されている。すなわち、圧電基板１２０は、補強基板１５０に形成された凹部１５３により空間１５４を介して補強基板１５０から浮いた状態の部分に、ＩＤＴ電極１３０や反射器１４１，１４２が形成されている。
【０００４】
このラム波デバイス１１０は、図７の断面図に示す工程で製造される。すなわち、図７（ａ）に示すようにＳｉの平板からなる補強基板１５０に凹部１５３を形成した後、図７（ｂ）に示すように凹部１５３内部に犠牲層１５６を形成し、犠牲層１５６及び補強基板１５０の縁部１５１の上面を、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等を用いて平滑処理を行う。次いで、図７（ｃ）に示すように圧電基板の原料である水晶基板の厚板１２０ａを直接接合や化学的結合又は接着剤等の接合手段を用いて接合した後、図７（ｄ）に示すように厚板１２０ａを研磨して所定の厚さＨを有する圧電基板１２０を形成する。次いで、図７（ｅ）に示すように圧電基板１２０の表面にＩＤＴ電極１３０、反射器１４１，１４２等を形成した後、図７（ｆ）に示すように犠牲層１５６を除去して空間１５４を形成し、振動部が補強基板１５０から浮いた状態とする。
【０００５】
一方、単結晶薄膜を製造する方法として、単結晶基板の表面から一定の深さの領域にイオンを注入して損傷層を形成し、損傷層よりも単結晶基板の表面側を剥離させることにより単結晶薄膜を形成するイオンスライス法が知られている。このイオンスライス法によれば、損傷層の深さはイオン注入のパラメータにより可変でき、μｍのオーダーの単結晶薄板を剥離できる（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
また、圧電膜の製造方法として、図６の断面図に示すように、圧電体の粗面化された一方主面１１１ａに支持部材となる厚さ数百μｍの溶射膜１１２を形成した後、圧電体を研磨して薄くし、圧電体膜１１１と溶射膜１１２との接合体１０１を形成する技術が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００７−２５１９１０号公報
【特許文献２】特表２００２−５０３８８５号公報
【特許文献３】特開２００８−５４２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図７のように支持部材に圧電体を接合した状態で、圧電体を研磨して薄膜を形成する方法では、効率よく製造することが困難である。
【０００８】
例えば、図５に示したラム波デバイス１１０の振動部においてＲＦ周波数帯でラム波を励振させるには、ラム波の波長に応じて圧電基板１２０の厚さを数μｍとしなくてはならない。そのため、圧電基板１２０が割れやすく取扱いが困難となり、良品率が低下する問題がある。
【０００９】
また、圧電膜が薄くなると、圧電体と支持部材との接合に必要な平坦度の要求が厳しくなり、研磨／研削による平坦化には材料毎のＣＭＰスラリーの適正化など課題が多い。圧電体と絶縁体との接合に接着剤等を用いた場合、接着剤自身の弾性や経時変化などに問題がある。常温接合により圧電体と支持部材とを接合する場合、表面クリーニング装置や真空チャンバー等の高価な設備が必要であり、スループットが悪い。
【００１０】
本発明は、かかる実情に鑑み、浮いた部分を有する電子部品中の圧電体膜を効率よく形成することができる電子部品の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品の製造方法を提供する。
【００１２】
電子部品の製造方法は、（ｉ）平坦な表面を有する圧電体を用意する、第１の工程と、（ii）前記圧電体の前記表面からイオンを注入して、前記圧電体内において前記表面から所定の深さの領域にイオン注入層を形成する、第２の工程と、（iii）前記圧電体の前記表面の一部の上に犠牲層を形成する、第３の工程と、（iｖ）前記圧電体の前記表面及び前記犠牲層に絶縁体を形成して圧電構造体を形成する、第４の工程と、（ｖ）前記圧電体を加熱して前記圧電体を前記イオン注入層で分離して、前記圧電体から分離された前記圧電体の前記表面と前記イオン注入層との間の圧電体膜と前記絶縁体とが結合された圧電体膜構造体を形成する、第５の工程と、（ｖi）前記圧電体膜構造体の前記圧電体膜の前記イオン注入層に沿って形成された分割面のうち少なくとも前記犠牲層に対向する部分に電極を形成する、第６の工程と、（ｖii）前記圧電体膜構造体から前記犠牲層を除去する、第７の工程とを備える。
【００１３】
上記方法により、圧電体膜構造体の表面に極めて薄い圧電体膜を形成することができる。例えば単結晶の圧電体を用いて、圧電体の極薄単結晶膜を有する圧電体膜構造体を製造することができる。
【００１４】
上記方法によれば、圧電体膜が剥離された後の圧電体は、圧電体膜構造体の製造に再び利用することができる。１枚の圧電体から多量の圧電体膜構造体を製造することができ、支持部材に接合された圧電体を研磨して圧電膜を形成する場合に比べ、圧電体材料を廃棄する量が減るので、効率よく圧電体膜を形成することができる。
【００１５】
また、圧電体膜の厚みは、イオン注入するときのエネルギーで決まり、圧電体に支持部材を接合して圧電体を研磨する場合のように接合面のうねりによって圧電体膜の厚みが左右されることがないため、極薄でも均一な圧電体膜を形成することができる。
【００１６】
また、例えば圧電体として圧電単結晶基板を用い、圧電単結晶基板の平坦な表面上に犠牲層等を形成すると、弾性波デバイス等を製造するための通常の前工程が使用できる。
【００１７】
また、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどの堆積法では製造のばらつきが大きく、均一な膜質の圧電体膜を得ることが困難であるが、例えば単結晶の圧電体から剥離した圧電体膜を用いると、圧電体膜を堆積法で形成する場合よりも良好なデバイス特性の電子部品を容易に製造することができる。
【００１８】
また、支持部材の凹部に犠牲層を形成して圧電体を接合する場合には、圧電体を接合する前に犠牲層や支持部材の縁部の平坦化工程が必要となるが、本発明の上記方法においては、圧電体の表面に犠牲層を形成した後に絶縁体を形成するため、平坦化工程が不要となる。
【００１９】
また、圧電体の表面に絶縁体を形成した後に圧電体から圧電体膜を剥離するため、圧電体に支持部材を接合した状態で圧電体を研磨する場合と比べると、圧電体（圧電体膜）と絶縁体との間の界面に力が作用する時間が短く、圧電体膜と絶縁体との密着性、信頼性が確保できる。
【００２０】
また、直接接合によって圧電体を接合する場合に必要な高価でスループットの低い接合装置が、不要である。
【００２１】
好ましくは、前記第４の工程において、前記圧電体の前記表面及び前記犠牲層の上に、前記圧電体とは反対側に前記圧電体の前記表面よりも粗い表面を有する接着層を形成した後、前記接着層の前記圧電体の前記表面よりも粗い前記表面に前記絶縁体を形成することにより、前記圧電体の前記表面及び前記犠牲層に前記接着層を介して前記絶縁体が形成され前記圧電構造体を形成する。
【００２２】
この場合、接着層を形成することにより、圧電体と絶縁体との間の接着強度を高くできる。
【００２３】
なお、接着層の圧電体とは反対側の表面は、接着層が形成されたときに、すでに圧電体の表面よりも粗い表面であっても、接着層が形成された後、絶縁体が形成されるまでの間に、圧電体の表面よりも粗い表面にされてもよい。
【００２４】
好ましくは、前記接着層がスパッタリング又はＣＶＤ（chemical vapor deposition；化学的気相成長法）により形成される。
【００２５】
この場合、接着層の形成が容易である。
【００２６】
好ましくは、前記接着層は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、金属酸化膜及び金属窒化膜から選択された少なくとも１種からなる。
【００２７】
この場合、接着層の形成が容易である。
【００２８】
好ましくは、前記第４の工程において、前記圧電体の前記表面及び前記犠牲層の上に、前記接着層を形成した後に、前記接着層の前記圧電体とは反対側の表面を粗面処理して、前記接着層の前記圧電体の前記表面よりも粗い前記表面を形成する。
【００２９】
この場合、接着層の表面の粗面処理によって、圧電体膜と絶縁体との接合強度を高めることができる。
【００３０】
好ましくは、前記絶縁体が溶射法により形成される。
【００３１】
この場合、圧電体に接合される絶縁体を、容易に形成することができる。
【００３２】
好ましくは、溶射法により形成された前記絶縁体の粒界及び空孔を充填する工程をさらに有する。
【００３３】
この場合、溶射法により形成された絶縁体の粒界及び空孔を充填することで、溶射法により形成された絶縁体の剛性を高めることができる。
【００３４】
好ましくは、前記絶縁体がＣＶＤにより形成される。
【００３５】
この場合、圧電体に接合される絶縁体を、容易に形成することができる。
【００３６】
好ましくは、前記絶縁体がスピン塗布により形成される。
【００３７】
この場合、圧電体に接合される絶縁体を、容易に形成することができる。
【００３８】
好ましくは、前記絶縁体が、ＳＯＧをスピン塗布することにより形成される。
【００３９】
この場合、ＳＯＧ（スピンオンガラス）を用いて、絶縁体を容易に形成することができる。
【００４０】
また、本発明は、以下のように構成した電子部品を提供する。
【００４１】
電子部品は、（ａ）支持部材と、（ｂ）互いに平行な一対の主面を有し、前記支持部材に支持されていない第１部分と前記支持部材に支持された第２部分とを含む圧電体膜と、（ｃ）前記支持部材と前記圧電体膜の前記第２部分との間に配置され、前記支持部材と前記圧電体膜の前記第２部分とに接している接着層と、（ｄ）前記圧電体膜の前記第１部分の少なくとも一方の前記主面に形成された電極とを備える。前記接着層は、前記支持部材に接している面の表面粗さが、前記前記圧電体膜の前記第２部分に接している面の表面粗さよりも大きくされている。
【００４２】
上記構成によれば、接着層の支持部材に接着された面の表面粗さを大きくすることで、圧電体膜と支持部材との間の接着強度が大きくできるので、機械的強度の高い、電気的特性のすぐれた電子部品が得られる。
【００４３】
好ましくは、前記圧電体膜は、一対の前記主面がいずれも鏡面である。
【００４４】
この場合、電極によって励振された弾性波が乱反射することなく伝搬されるので、損失を小さくできる。
【００４５】
好ましくは、前記電極により、前記圧電体膜を伝搬する板波が励振される。
【００４６】
この場合、板波デバイスを形成することができる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によれば、浮いた部分を有する電子部品中の圧電体膜を効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図４を参照しながら説明する。図１は、電子部品１０の断面図である。図２〜図４は、電子部品１０の製造工程を示す断面図である。
【００４９】
図１に模式的に示すように、電子部品１０は、絶縁体の支持部材３４の上に、接着層３２を介して、圧電体膜２４が保持されている。支持部材３４には空隙１３が形成されている。
【００５０】
圧電体膜２４は、空隙１３の上に浮いた状態となっており、支持部材３４に支持されていない第１部分２４ｔと、接着層３２を介して支持部材３４に支持されている第２部分２４ｓとを有する。圧電体膜２４の第１部分２４ｔには、ＩＤＴ電極を含む電極構造１６が形成されている。圧電体膜２４の第１部分２４ｔ及び第２部分２４ｓには、電極構造１６のＩＤＴ電極に接続された配線電極１８が形成されている。
【００５１】
電子部品１０は、例えばラム波やＳＨ波等の板波を用いる板波デバイスである。
【００５２】
図１では詳しく図示していないが、圧電体膜２４の第２部分２４ｔに形成された電極構造１６は、一対のＩＤＴ電極と、反射器とを含む。
【００５３】
ＩＤＴ電極は、一対の櫛歯電極からなる。一対の櫛歯電極は、それぞれ、所定の間隔で互いに平行に配置された複数の電極指を有し、電極指の一端がバスバーで接続され、櫛歯状に形成されている。一対の櫛歯電極は、それぞれのバスバーが互いに反対側に配置され、電極指が交互に配置されている。ＩＤＴ電極で励振された板波は、電極指の配列方向、すなわち各電極指の延在方向に対して直角方向に伝搬する。
【００５４】
反射器は、ＩＤＴ電極の板波進行方向両側に配置されている。反射器は、板波進行方向に沿って所定の間隔で互いに平行に配置された複数の電極指を有し、電極指の両端が格子状に接続されている。反射器の電極指は、板波進行方向に対して直角方向に延在している。
【００５５】
次に、電子部品１０が板波デバイスである場合の製造方法について、図２〜図４を参照しながら説明する。
【００５６】
まず、図２（ａ）に示すように、平坦な表面２０ａを有する圧電体２０を用意し、圧電体２０の表面２０ａからイオンを注入して、表面２０ａから所定の深さの領域に、破線で示すイオン注入層２２を形成する。イオン注入層２２は、圧電体２０の結晶構造に欠陥が形成された部分である。イオン注入層２２の深さは、イオン注入の条件によって変えることができる。
【００５７】
製造例では、圧電体２０として、ウェハ厚が５００μｍ、表面粗さＲａが０．３０ｎｍのＬｉＴａＯ３ウェハを用意した。イオン注入の条件は、イオン種＝Ｈ＋、注入エネルギー＝１５０ＫｅＶ、ドーズ量＝１Ｅ１７ｃｍ−２とした。この条件では、後述するように、イオン注入層２２の深さは１μｍとなる。圧電体２０には、ＬｉＮｂＯ３等を用いてもよい。
【００５８】
次いで、図２（ｂ）に示すように、圧電体２０の表面２０ａの一部に犠牲層３０を形成する。犠牲層３０は、板波が伝搬する領域よりも広い面積となるように形成する。
【００５９】
製造例では、蒸着によりＣｕ膜を、又はスピン塗布によりレジスト膜を、１０μｍの厚さでウェハ表面２０ａの全面に形成した後、フォトリングラフィー法を用いて、１５０μｍ×３００μｍのサイズの犠牲層３０を複数個所に形成した。ＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＺｎＯで犠牲層を形成してもよい。
【００６０】
次いで、図２（ｃ）に示すように、圧電体２０の表面２０ａ及び犠牲層３０の上に接着層３２を形成する。
【００６１】
例えば、接着層３２として、厚さ１０μｍのＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５を形成する。
【００６２】
次いで、図３（ｄ）に示すように、接着層３２の表面３２ａの粗面処理を行う。このとき、接着層３２は、圧電体２０の表面２０ａに形成された部分の表面も、犠牲層３０上に形成された部分の表面も粗す。例えば、表面粗さＲａが５ｎｍ以上となるように、粗面処理を行う。
【００６３】
次いで、図３（ｅ）に示すように、粗面処理された接着層３２の表面３２ａの上に、絶縁体の支持部材３４が形成された圧電構造体１０ｓを形成する。支持部材３４は、スパッタリング、ＣＶＤ、溶射などによって形成する。成膜レートを考慮すると、溶射を用いて支持部材３４を形成することが好ましい。
【００６４】
例えば、支持部材３４として、厚さ１５０μｍとなるように、Ａｌ２Ｏ５の溶射膜を形成する。
【００６５】
溶射膜がポーラスである場合には、その剛性（ヤング率）が相対的に小さいので、溶射膜に充填材料を充填させ、その剛性を高めるようにしてもよい。例えば、溶射膜の上に、感光性塗布ガラス材料であるＳＯＧ（スピンオンガラス）や樹脂などをスピン塗布して、
溶射膜の粒界及び空孔に含浸させて硬化する。これにより、溶射膜の剛性を高めることができるとともに、溶射膜に洗浄液などの不要物が侵入することを防止できる。
【００６６】
次いで、図３（ｆ）に示すように、圧電構造体１０ｓを、圧電体２０に形成されたイオン注入層２２で分離し、圧電体２０から圧電体膜２４を剥離する。このとき、圧電体膜２４は、接着層３２及び犠牲層３０を介して支持部材３４に結合された状態のままとなる。
【００６７】
例えば、厚さ５００μｍの圧電体２０を加熱することにより、接着層３２及び犠牲層３０に結合された厚さ１μｍの圧電体膜２４が剥離され、圧電体膜２４を含む圧電体膜構造体１０ｔと、厚さ４９９μｍの圧電体とに分離される。
【００６８】
圧電体膜２４が剥離された後の圧電体は、圧電体膜構造体の製造に再び利用することができる。１枚の圧電体から多量の圧電体膜構造体を製造することができ、支持部材に接合された圧電体を研磨して圧電膜を形成する場合に比べ、圧電体材料を廃棄する量が減るので、圧電体膜を効率よく形成することができる。
【００６９】
次いで、図３（ｇ）に示すように、圧電体膜２４の上にＩＤＴ電極や反射器を含む電極構造１６と、電極構造１６のＩＤＴ電極に接続される配線電極１８とを形成する。
【００７０】
例えば、イオン注入層２２で剥離された圧電体膜２４の分割面２４ａを、ＣＭＰにより表面粗さＲａが１ｎｍ以下になるように研磨した後、リフトオフ法を用いて圧電体膜２４の分割面２４ａに、板波共振子電極を含む電極構造１６と配線電極１８を形成する。このとき、ウェハには、０．８ｍｍ×０．６ｍｍのサイズの板波素子が格子状に配列される。圧電体膜２４の一対の主面がいずれも鏡面であり、電極によって励振された弾性波が乱反射することなく伝搬されるので、損失を小さくできる。
【００７１】
次いで、図４（ｈ）に示すように、例えばフォトリソグラフィー法によりマスクパターン３６を形成する。マスクパターン３６は、電極構造１６及び配線電極１８を覆う。また、マスクパターン３６には、犠牲層３０の上に後述する圧電体膜２４の貫通孔２６を形成するための貫通孔３８を形成する。
【００７２】
次いで、図４（ｉ）に示すように、マスクパターン３６を介して圧電体膜２４のエッチングを行い、圧電体膜２４に貫通孔２６を形成する。
【００７３】
次いで、図４（ｊ）に示すように、マスクパターン３６及び圧電体膜２４の貫通孔３８，２６を介して、犠牲層３０を除去する。
【００７４】
例えば、犠牲層３０がＳｉＯ２からなる場合には、フッ素系ガスを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行う。犠牲層３０がＣｕの場合には、過硫酸アンモニウムを用いてエッチングを行う。また、犠牲層３０がレジストの場合には、Ｎ−メチルピロリドンの混合液を用いてエッチングを行う。
【００７５】
次いで、図４（ｋ）に示すように、マスクパターン３６を除去した後、ウェハを個々の電子部品に分割する。
【００７６】
以上の工程によって、図１に示した電子部品１０を複数個同時に製造することができる。
【００７７】
例えば、圧電体２０として、ＬｉＴａＯ３、Ｚ板（９０°Ｙカット）の圧電単結晶基板を用い、ＩＤＴ電極及び反射器を含む電極構造１６として圧電体膜上に厚さ１０ｎｍのＴｉ膜を形成し、このＴｉ膜の上に厚さ２５０ｎｍのＡｌ膜を形成した後、フォトリソグラフィー法により板波共振子電極を形成した。板波共振子電極における電極指のピッチで定まる板波の波長λが７μｍ、反射器における電極指のピッチで定まる板波の波長λが７μｍとしたことによって、共振周波数２ＧＨｚの共振子が得られた。
【００７８】
上記のように、圧電体として圧電単結晶基板を用い、圧電単結晶基板の平坦な表面上に犠牲層等を形成するので、通常の前工程が使用できる。
【００７９】
また、圧電体膜を、スパッタリングやＣＶＤ法などで材料を堆積して形成する堆積法ではなく、単結晶の圧電体から剥離することにより形成する。そのため、圧電体膜を堆積法で形成する場合よりも良好なデバイス特性の電子部品を製造することができる。
【００８０】
また、支持部材の凹部に犠牲層を形成した後に圧電体を接合する場合には、圧電体を接合する前に犠牲層や支持部材の縁部の平坦化工程が必要となるが、本発明の上記方法においては、圧電体の表面に犠牲層を形成した後に絶縁体を形成するため、平坦化工程が不要となる。
【００８１】
また、圧電体の表面に接着層を介して絶縁体を形成した後に圧電体から圧電体膜を剥離するため、圧電体に支持部材を接合した状態で圧電体を研磨する場合と比べると、圧電体（圧電体膜）と絶縁体との間の接着層との界面に力が作用する時間が短く、圧電体膜と絶縁体との密着性、信頼性が確保できる。
【００８２】
また、直接接合によって圧電体を接合する場合に必要な高価でスループットの低い接合装置が、不要である。
【００８３】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【００８４】
例えば、支持部材に貫通孔を設けて犠牲層を除去するようにしてもよい。また、圧電体膜の支持部材側の主面にＩＤＴ電極などの素子パターンや配線パターンの一部を形成してもよい。
【００８５】
本発明は、ラム波やＳＨ波等の板波を用いる板波デバイスに限らず、ジャイロ、ＲＦスイッチなどの振動部、可動部が絶縁体の支持部材から浮いた状態で絶縁体の支持部材に保持された電子部品に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】電子部品の断面図である。（実施例）
【図２】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例）
【図３】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例）
【図４】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例）
【図５】電子部品の断面図である。（従来例１）
【図６】電子部品の断面図である。（従来例２）
【図７】電子部品の製造工程を示す断面図である。（従来例１）
【符号の説明】
【００８７】
１０  電子部品
１０ｓ  圧電構造体
１０ｔ  圧電体膜構造体
２０  圧電体
２０ａ  表面
２２  イオン注入層
２４  圧電体膜
２４ｓ  第２部分
２４ｔ  第１部分
３０  犠牲層
３２  接着層
３４  支持部材（絶縁体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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