(57)【要約】      （修正有）【課題】金属カルボニルを原料に用いて金属膜の成膜する場合であっても、均一な膜厚を持つ金属膜を成膜可能な成膜方法を提供する。【解決手段】可逆反応を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを原料に用いて、金属Ａの膜を被処理基板Ｗ上に成膜する成膜方法であって、化合物ＡｘＢｙを含むガス３１を被処理基板Ｗの表面に供給し、化合物ＡｘＢｙを被処理基板Ｗの表面近傍において金属Ａと官能基Ｂとに分解させるとともに、不活性ガス４１を、前記被処理基板Ｗの中央部分の成膜速度と前記被処理基板Ｗの外周部分の成膜速度とが均衡するように前記被処理基板Ｗの外周部分近傍に供給し、前記金属Ａの膜を前記被処理基板Ｗ上に成膜する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可逆反応を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを原料に用いて、前記金属Ａの膜を被処理基板上に成膜する成膜方法であって、
前記化合物ＡｘＢｙを含むガスを前記被処理基板の表面に供給し、前記化合物ＡｘＢｙを前記被処理基板の表面近傍において金属Ａと官能基Ｂとに分解させるとともに、
不活性ガスを、前記被処理基板の中央部分の成膜速度と前記被処理基板の外周部分の成膜速度とが均衡するように前記被処理基板の外周部分近傍に供給し、前記金属Ａの膜を前記被処理基板上に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記被処理基板の外周部分近傍における雰囲気中の前記官能基Ｂの分圧が、前記被処理基板の中央部分近傍における前記官能基Ｂの分圧と等しいか、或いは低くされることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記不活性ガスが、前記被処理基板の外周縁の周囲から、前記被処理基板の外周部分近傍の上方へ供給されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記不活性ガスが、前記化合物ＡｘＢｙを含むガスを供給するガス供給部の周囲から、前記被処理基板の外周部分近傍の上方へ供給されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記官能基Ｂが、カルボニル基であることを特徴とする請求項１乃至請求項４いずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記金属が、クロム、コバルト、ニッケル、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タングステン、及びレニウムのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項５に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記化合物ＡｘＢｙを含むガスが、化合物ＡｘＢｙガスとキャリアガスとしてＣＯガスとを含むことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
可逆反応を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを原料に用いて、前記金属Ａの膜を被処理基板上に成膜する成膜装置であって、
前記被処理基板が載置される載置台が配置され、前記被処理基板の表面上に成膜処理を行う処理室と、
前記化合物ＡｘＢｙを含むガスを前記被処理基板の表面に供給する原料ガス供給部と、
前記被処理基板の外周部分近傍に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記成膜処理の際に前記不活性ガスの流量を、前記被処理基板の中央部分の成膜速度と前記被処理基板の外周部分の成膜速度とが均衡するように制御する制御機構と、
を具備することを特徴とする成膜装置。
【請求項９】
前記被処理基板の外周部分近傍における雰囲気中の前記官能基Ｂの分圧が、前記被処理基板の中央部分近傍における前記官能基Ｂの分圧と等しいか、或いは低くされることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記不活性ガス供給部が、前記載置台の外周部分に設けられていることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記不活性ガス供給部が、前記原料ガス供給部の外周部分に設けられていることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の成膜装置。
【請求項１２】
前記官能基Ｂが、カルボニル基であることを特徴とする請求項８乃至請求項１１いずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記金属が、クロム、コバルト、ニッケル、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タングステン、及びレニウムのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１２に記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記化合物ＡｘＢｙを含むガスが、化合物ＡｘＢｙガスとキャリアガスとしてＣＯガスとを含むことを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板等の被処理基板上に膜を成膜する成膜方法及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、半導体ウエハ上に絶縁膜、導電膜等の膜を成膜する。絶縁膜は、化学的気相堆積法（ＣＶＤ法）を用いて成膜されることが一般的であり、導体膜はスパッタリング法を用いて成膜されることが一般的である。
【０００３】
半導体装置は、その微細化が進み、良好なステップカバレッジを持つ膜の成膜が重要となってきている。このため、導体膜の成膜においてもＣＶＤ法が多用されるようになってきている。
【０００４】
ＣＶＤ法を用いた導体膜の成膜方法として、金属カルボニルを原料に用いた金属膜の成膜方法が知られている（特許文献１）
【特許文献１】特開２００４−１９７１６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
金属カルボニルを原料に用いた金属膜の成膜においては、金属カルボニルを安定供給するために、キャリアガスとしてＣＯガスを用いる。金属カルボニルは金属膜のプリカーサーであり、分解、例えば、熱分解する際に金属とＣＯガスとに分かれる。
【０００６】
ところが、ＣＯガスは、近時、金属カルボニルの分解反応を抑制する働きがあることが分かってきた。このため、金属カルボニルを原料に用いた成膜は、成膜速度が被処理基板の中央部分において速く、外周部分に向かうにつれて遅くなる、という傾向を示す。
【０００７】
このような傾向から、金属カルボニルを原料に用いた金属膜の成膜においては、被処理基板の中央部分から外周部分にかけて均一な膜厚を持つ金属膜をいかに成膜するかが課題となっている。
【０００８】
この発明は、金属カルボニルを原料に用いて金属膜の成膜する場合であっても、均一な膜厚を持つ金属膜を成膜可能な成膜方法、及びその成膜方法を用いた成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、この発明の第１の態様に係る成膜方法は、可逆反応を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを原料に用いて、前記金属Ａの膜を被処理基板上に成膜する成膜方法であって、前記化合物ＡｘＢｙを含むガスを前記被処理基板の表面に供給し、前記化合物ＡｘＢｙを前記被処理基板の表面近傍において金属Ａと官能基Ｂとに分解させるとともに、不活性ガスを、前記被処理基板の中央部分の成膜速度と前記被処理基板の外周部分の成膜速度とが均衡するように前記被処理基板の外周部分近傍に供給し、前記金属Ａの膜を前記被処理基板上に成膜する。
【００１０】
また、この発明の第２の態様に係る成膜装置は、可逆反応を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを原料に用いて、前記金属Ａの膜を被処理基板上に成膜する成膜装置であって、前記被処理基板が載置される載置台が配置され、前記被処理基板の表面上に成膜処理を行う処理室と、前記化合物ＡｘＢｙを含むガスを前記被処理基板の表面に供給する原料ガス供給部と、前記被処理基板の外周部分近傍に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、前記成膜処理の際に前記不活性ガスの流量を、前記被処理基板の中央部分の成膜速度と前記被処理基板の外周部分の成膜速度とが均衡するように制御する制御機構と、を具備する。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、金属カルボニルを原料に用いて金属膜の成膜する場合であっても、均一な膜厚を持つ金属膜を成膜可能な成膜方法、及びその成膜方法を用いた成膜装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１はこの発明の第１の実施形態に係る成膜装置の一例を概略的に示す断面図である。
【００１４】
図１に示すように、第１の実施形態に係る成膜装置は、被処理基板Ｗが載置される載置台２が配置され、被処理基板Ｗの表面上に成膜処理を行う処理室１を備えている。
【００１５】
処理室１の上部には原料ガス供給部３が設けられている。原料ガス供給部３はガス供給機構５に接続される。ガス供給機構５は、成膜される膜の原料を含むガス３１を、ガス供給管５１ａを介して原料ガス供給部３に供給する。原料ガス供給部３は、本例ではシャワーヘッドであり、ガス供給管５１ａに接続され、原料を含むガス３１が拡散される拡散空間３２と、この拡散空間３２の被処理基板Ｗと対向する面に形成された複数のガス吐出孔３３とを備えている。
【００１６】
ガス供給機構５は、原料ガス供給部５２と、キャリアガス供給部５３と、不活性ガス供給部５４とを備えている。
【００１７】
本例では、成膜される膜の原料として可逆反応“ＡｘＢｙ⇔ｘＡ＋ｙＢ”を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを用いる。このような化合物の一例は、金属Ａに官能基としてカルボニル基が化合した金属カルボニルである。本例では、金属カルボニルとして、ルテニウム（Ｒｕ）にカルボニル基が化合したルテニウム−カルボニル系化合物、具体的な分子式としてはＲｕ３（ＣＯ）１２を用いた。Ｒｕ３（ＣＯ）１２は常温で固体である。このため、本例の原料ガス供給部５２は加熱機構を有し、昇華したＲｕ３（ＣＯ）１２をキャリアガスとともに供給するバブラ５５を備えている。
【００１８】
本例では、キャリアガスとしてＣＯガスを用いる。ＣＯガスはキャリアガス供給源５６からマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５７ａ、バルブ５８ａを介してガス供給管５１ａへと送られる。これとともに、本例では、ＣＯガスは、ＭＦＣ５７ｂ、バルブ５８ｂを介してバブラ５５内に保持されたＲｕ３（ＣＯ）１２にバブリングガスとして供給される。ＣＯガスがバブリングガスとして供給されることで、Ｒｕ３（ＣＯ）１２は気化する。気化したＲｕ３（ＣＯ）１２は、バルブ５８ｃを介してガス供給管５１ａへと送られる。
【００１９】
さらに、本例では、原料を含むガス３１を希釈するための不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを用いる。Ａｒガスは不活性ガス供給源５９からマスフローコントローラ（ＭＦＣ）５７ｃ、バルブ５８ｄを介してガス供給管５１へと送られる。
【００２０】
このようにして、ガス供給管５１ａの内部では、キャリアガス（本例ではＣＯガス）、原料ガス（本例ではＲｕ３（ＣＯ）１２ガス）、及び不活性ガス（本例ではＡｒガス）が適切な流量で混合された原料を含むガス３１が生成される。
【００２１】
載置台２の外周部分には不活性ガス供給部４が設けられている。不活性ガス供給部４はガス供給機構５に接続される。ガス供給機構５は、不活性ガス４１を、その不活性ガス供給源５９からＭＦＣ５７ｄ、バルブ５８ｅを介してガス供給管５１ｂに供給する。ガス供給管５１ｂに供給された不活性ガス４１は不活性ガス供給部４に供給され、さらに、被処理基板Ｗの外周縁の周囲から、被処理基板Ｗの外周部分近傍の上方へと供給される。
【００２２】
載置台２の内部にはヒーター電源２１に接続された加熱機構２２が設けられている。載置台２は被処理基板Ｗを加熱するヒータープレートを兼ねる。原料を含むガス３１は、加熱された被処理基板Ｗの表面近傍において分解される。本例では、原料を含むガス３１のうち、原料ガスであるＲｕ３（ＣＯ）１２ガスが、以下のようにＲｕとＣＯガスとに熱分解され、Ｒｕが金属固体として被処理基板Ｗの表面上に堆積される。
【００２３】
Ｒｕ３（ＣＯ）１２↑  ⇔  Ｒｕ３（ＣＯ）１２−ｘ↑＋ＸＣＯ↑
Ｒｕ３（ＣＯ）１２−ｘ↑＋Ｑ  →  ３Ｒｕ＋（１２−Ｘ）ＣＯ↑
ここで“⇔”は可逆的であることを示し、“↑”はガス状態であることを示し、“↑”が付いていないものは固体状態であることを示し、“Ｑ”は熱量が加わることを示す。
【００２４】
上記したような化学式において明らかなように、第１番目の化学式に着目すると、熱分解によりＣＯガスが可逆的に発生しており、従って、ＣＯガス濃度が上昇すると、左方向への反応の進行は促進されて右方向への反応が抑制されることになる。この結果、原料ガスであるＲｕ３（ＣＯ）１２の分解が抑制されるので、後述するようにＣＯガスの分圧（あるいは濃度）を調整することで被処理基板Ｗの全面に渡り均一な膜厚をもつ金属膜を成膜することができる。
【００２５】
処理室１には排気装置６が接続されている。排気装置６は、例えば、処理の間、処理室１内の処理空間Ｓを排気し、処理空間Ｓの圧力が適切な圧力に保たれるようにする。
【００２６】
制御機構７は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ７１と、オペレータが成膜装置を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理システムの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含むユーザーインターフェース７２と、成膜装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ７１の制御にて実現するための制御プログラムや、各種データ、および処理条件に応じて成膜装置に処理を実行させるためのプログラム、すなわちレシピが格納された記憶部７３と、を備えている。
【００２７】
レシピは記憶部７３の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。必要に応じて、任意のレシピを、ユーザーインターフェース７２からの指示等にて記憶部７３から呼び出し、プロセスコントローラ７１に実行させることで、プロセスコントローラ７１の制御下で、成膜装置での所望の処理が行われる。
【００２８】
第１の実施形態に係る成膜装置が行う成膜方法は、基本的に、可逆反応“ＡｘＢｙ⇔ｘＡ＋ｙＢ”を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを原料に用いて、金属Ａの膜を被処理基板上に成膜するものである。そして、化合物ＡｘＢｙ、即ち、原料を含むガス３１を被処理基板Ｗの表面に供給し、化合物ＡｘＢｙを被処理基板Ｗの表面近傍において金属Ａと官能基Ｂとに分解させることで、被処理基板Ｗの表面上に金属Ａの膜を堆積する。
【００２９】
官能基Ｂは、本例ではカルボニル基であり、化合物ＡｘＢｙは金属カルボニルである。金属カルボニルは成膜される膜（金属）のプリカーサーであり、分解、例えば、熱分解する際に金属とＣＯガスとに分かれる。
【００３０】
上述したように、ＣＯガス濃度が高いと金属カルボニルの分解反応を抑制する働きがあるため、金属カルボニルを原料に用いた成膜においては、成膜速度が被処理基板の中央部分において速く、外周部分に向かうにつれて遅くなる、という傾向を示す。
【００３１】
第１の実施形態では、このような傾向を利用して、被処理基板Ｗの外周部分近傍に不活性ガス４１を供給し、被処理基板Ｗの中央部分の成膜速度と、被処理基板Ｗの外周部分の成膜速度とを均衡させる。均衡させるための一例は、被処理基板Ｗの外周部分近傍における雰囲気中の官能基Ｂ、本例ではＣＯガスとなるが、ＣＯガスの分圧を被処理基板Ｗの中央部分近傍におけるＣＯガスの分圧と等しいか、或いは低くすることである。
【００３２】
このようにＣＯガスの分圧を調整することで、被処理基板Ｗの中央部分の成膜速度と、被処理基板Ｗの外周部分の成膜速度とを均衡させることが可能となり、金属カルボニルを原料に用いた金属膜の成膜であったとしても、被処理基板Ｗの中央部分から外周部分にかけて均一な膜厚を持つ金属膜を成膜することが可能となる。
【００３３】
図２は、被処理基板上に成膜された膜の膜厚比（該当位置における膜厚／センターの膜厚との比）を示す図である。図２中の点線は、ＣＯガスの分圧を調整しない例（不活性ガスを供給しない）であり、実線は、ＣＯガスの分圧を調整した例（ウエハの外周部分近傍に不活性ガスを供給する）である。
【００３４】
成膜条件は、温度２１５℃、圧力１００ｍＴ、キャリアガスとしてＣＯガスを１００ｓｃｃｍ、成膜時間６０ｓｅｃとし、原料ガスにＲｕ３（ＣＯ）１２ガスを用い、ウエハ上にＲｕ膜を成膜した。不活性ガスにはＡｒガスを用いた。
【００３５】
図２に示すように、ＣＯガスの分圧を調整しない場合（不活性ガス：０ｓｃｃｍ）には、ウエハの中央部分（センター）付近の膜厚よりも、ウエハの外周部分に向かって膜厚が薄くなる傾向があることが分かる。
【００３６】
対して、ＣＯガスの分圧を調整した場合（不活性ガス：９８ｓｃｃｍ）には、ＣＯガスの分圧を調整しない場合に比較して、ウエハの外周部分の膜厚が厚くなる傾向が見いだされた。ウエハの外周部分近傍に不活性ガスを供給してＣＯガスの分圧を調整する、ということは、ウエハの外周部分近傍において、雰囲気中のＣＯガスの濃度を局所的に減少させる、ということである。
【００３７】
このようにウエハの外周部分近傍において、雰囲気中のＣＯガスの濃度を局所的に減少させることで、ウエハの外周部分への金属膜、本例ではルテニウム膜の堆積を促進できる。
【００３８】
従って、ウエハの外周部分近傍における雰囲気中のＣＯガスの濃度を、ウエハの中央部分の成膜速度と、ウエハの外周部分の成膜速度とが均衡するように減少させれば、ウエハＷの中央部分から外周部分にかけて均一な膜厚を持つルテニウム膜を成膜できる。
【００３９】
このようなウエハの外周部分近傍における雰囲気中のＣＯガスの濃度の調節は、制御機構７を用いて、例えば、ＭＦＣ５７ｄにおける不活性ガスの流量を調節することで実現することができる。
【００４０】
以上、第１の実施形態によれば、金属カルボニルを原料に用いて金属膜の成膜する場合であっても、均一な膜厚を持つ金属膜を成膜可能な成膜方法、及びその成膜方法を用いた成膜装置を提供できる。
【００４１】
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、不活性ガス供給部４の具体的な例である。
【００４２】
図３Ａは不活性ガス供給部４の具体的な第１の例を示す断面図、図３Ｂは図３Ａの拡大図である。
【００４３】
図３Ａに示すように、ヒータープレートを兼ねる載置台２の外側には、載置台２の外縁を囲む外周部材２３が設けられている。外周部材２３には、これを貫通して上下動するピン部材２４が設けられ、ピン部材２４の先端には、被処理基板Ｗと外周部材２３との間をカバーする、リング状のカバーリング２５が設けられている。
【００４４】
不活性ガス供給部４は、例えば、載置台２と外周部材２３との間に生じたクリアランス２６を利用して得ることができる。クリアランス２６に不活性ガス４１を流せば、一部の不活性ガス４１は矢印Ａに示すようにカバーリング２５の外側にも流れるが、残りは矢印Ｂに示すように被処理基板Ｗの外周部分から、被処理基板Ｗの外周部分近傍の上方へと流すことができる。
【００４５】
このように、不活性ガス供給部４は、例えば、載置台２と外周部材２３との間に生じたクリアランス２６を利用することで、簡易に得ることができる。
【００４６】
図４Ａは不活性ガス供給部４の具体的な第２の例を示す断面図、図４Ｂは図４Ａの拡大図である。
【００４７】
図３Ａ及び図３Ｂに示した第１の例においては、カバーリング２５は、被処理基板Ｗと外周部材２３との間をカバーした。
【００４８】
第２の例においては、カバーリング２５を用いて被処理基板Ｗの外周部分を、さらにカバーするようにした。
【００４９】
カバーリング２５を用いて被処理基板Ｗの外周部分をカバーすると、カバーされた部分への膜の堆積が抑制され、いわゆるベベル部への成膜の無い被処理基板Ｗを得ることができる。
【００５０】
被処理基板Ｗのベベル部に、堆積された膜を付けるか付けないかは、ユーザーが任意に選定すれば良い。
【００５１】
カバーリング２５を用いて、被処理基板Ｗの外周部分をカバーした場合でも、カバーリング２５と被処理基板との間にはクリアランス２７がある。不活性ガス４１は、このクリアランス２７を介して被処理基板Ｗの外周部分から、被処理基板Ｗの外周部分近傍の上方へと流すことができる。
【００５２】
よって、カバーリング２５を用いて被処理基板Ｗの外周部分をカバーした場合でも、不活性供給部４は、例えば、載置台２と外周部材２３との間に生じたクリアランス２６、及びカバーリング２５と被処理基板との間に生じたクリアランス２７を利用することで、簡易に得ることができる。
【００５３】
（第３の実施形態）
図５はこの発明の第３の実施形態に係る成膜装置の一例を概略的に示す断面図である。
【００５４】
図５に示すように、第３の実施形態に係る成膜装置が、第１の実施形態に成膜装置と異なるところは、不活性ガス供給部４を、載置台２の外周部分ではなく、原料ガス供給部３の外周部分に設けたことである。これ以外は、第１の実施形態に係る成膜装置であるので、同一の部分については同一の参照符号を付して、その説明は省略する。
【００５５】
このように、不活性ガス供給部４を原料ガス供給部３の外周部分に設け、不活性ガス４１が、原料ガス供給部３の周囲から、被処理基板Ｗの外周部分近傍の上方へ供給するようにしても、例えば、被処理基板Ｗの外周部分近傍における雰囲気中の官能基Ｂ、例えば、ＣＯガスの分圧を被処理基板Ｗの中央部分近傍における分圧と等しいか、或いは低くすることができ、被処理基板Ｗの中央部分の成膜速度と、被処理基板Ｗの外周部分の成膜速度とを均衡させることができる。
【００５６】
よって、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５７】
以上、この発明をいくつかの実施形態に基づき説明したが、この発明は上記実施形態に限られるものではない。
【００５８】
例えば、上記実施形態においては、成膜される膜の原料としてルテニウム−カルボニル系化合物、例えば、Ｒｕ３（ＣＯ）１２を用い、Ｒｕ膜の成膜を例に説明したが、この発明はＲｕ膜の成膜に限られるものではなく、ルテニウム−カルボニル系化合物以外の金属カルボニルを原料に用いた金属膜の成膜にも適用できる。
【００５９】
具体的な例としては、例えば、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｒｈ４（ＣＯ）１２、Ｗ（ＣＯ）６、及びＲｅ２（ＣＯ）１０を原料に用いたクロム（Ｃｒ）膜、コバルト（Ｃｏ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、ロジウム（Ｒｈ）膜、タングステン（Ｗ）膜、及びレニウム（Ｒｅ）膜の成膜にも適用できる。
【００６０】
また、不活性ガスとしてアルゴンガスを用いたが、不活性ガスとしてはアルゴンガスに限られるものではなく、窒素ガスや、アルゴン以外の希ガスを用いることも可能である。
【００６１】
その他、この発明は、発明の主旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であるし、上記いくつかの実施形態を組み合わせての実施も可能である。特に、第２の実施形態において説明した不活性ガス供給部４の例においては、第１の例と第２の例とを組み合わせ、不活性ガス供給部４を、載置台２の外周部分と、原料ガス供給部３の外周部分との双方に設けることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】この発明の第２の実施形態に係る成膜装置の一例を概略的に示す断面図
【図２】被処理基板の該当位置における膜厚とセンターの膜厚との関係を示す図
【図３】図３Ａは不活性ガス供給部４の具体的な第１の例を示す断面図、図３Ｂは図３Ａの拡大図
【図４】図４Ａは不活性ガス供給部４の具体的な第２の例を示す断面図、図４Ｂは図４Ａの拡大図
【図５】この発明の第３の実施形態に係る成膜装置の一例を概略的に示す断面図
【符号の説明】
【００６３】
１…処理室、２…載置台、３…原料ガス供給部、４…不活性ガス供給部、５…ガス供給機構、６…排気装置、７…制御機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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