(57)【要約】【課題】ウェハ全面において、ベストフォーカス位置を高精度に検出して、所望のパターンを適切に露光転写することができる露光方法を提供する。【解決手段】ウェハ外周部のショットの場合は焦点補正処理が可能な位置までショットを移動してから、隣り合う露光領域と重なる部分をレチクルブラインドで遮光し、レチクルブラインド開口領域のみを露光する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上を分割露光する方法を含む半導体装置の製造方法であって、
前ショット露光終了後に次ショットの領域内の全焦点検出位置がウェハ上にあるかどうかを判断する工程と、
前記全焦点検出位置のうち少なくとも１つの焦点検出位置がウェハ上にない場合に、前記次ショット内の前記全焦点検出位置での焦点補正処理が可能な位置までショットを移動する工程と、
移動したショットにて焦点ずれ検出および焦点補正処理を行う工程と、
隣り合う露光領域と重なる領域をレチクルブラインドにて遮光する工程と、
前記レチクルブラインドに囲まれた開口領域を介して第１の小露光領域を露光する工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の小露光領域に形成される半導体装置の数を最大とすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ウェハ上を分割露光する方法を含む半導体装置の製造方法であって、
前ショット露光終了後に次ショットの領域内の全焦点検出位置がウェハ上にあるかどうかを判断する工程と、
前記全焦点検出位置のうち少なくとも１つの焦点検出位置がウェハ上にない場合に、前記次ショット内の前記全焦点検出位置での焦点補正処理が可能な第１の位置までショットを移動する工程と、
移動した前記第１の位置のショットにて焦点ずれ検出および焦点補正処理を行う工程と、
隣り合う露光領域と重なる領域をレチクルブラインドにて遮光する工程と、
前記レチクルブラインドに囲まれた開口領域を介して第１の小露光領域を露光する工程と、
次いで、前記第１の位置のショットをウェハ外周に内接して第２の位置までショットを移動する工程と、
移動した前記第２の位置のショットにて焦点ずれ検出および焦点補正処理を行う工程と、
前記隣り合う露光領域と重なる領域と前記第１の小露光領域をレチクルブラインドにて遮光する工程と、
前記隣り合う露光領域と重なる領域と前記第１の小露光領域を遮光したレチクルブラインドに囲まれた開口領域を介して第２の小露光領域を露光する工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の小露光領域および前記第２の小露光領域に形成される半導体装置の数を最大とすることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の小露光領域および前記第２の小露光領域に形成される半導体装置の数を、ウェハ外周の無効となる領域を除いて、最大とすることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウェハ外周の無効となる領域は前記ウェハ外周のエッジから３ｍｍの領域である請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記レチクルブラインドは液晶シャッターであることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する、特に、半導体装置の露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子、ＣＣＤ等の撮像素子、プラズマディスプレイ素子、薄膜磁気ヘッド等の電子デバイス（以下、半導体装置と総称する）を製造する際のフォトリソグラフィー工程においては、投影光学系を有する投影露光装置により、フォトマスクまたはレチクル（以下、レチクルと総称する）のパターンを、表面にフォトレジスト等の感光剤が塗布されたウェハまたはガラスプレート等の基板上に転写する。その投影露光装置としては、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパー）や、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャナー）等が用いられている。
【０００３】
投影露光装置により基板上にパターンを転写する際には、投影光学系のデフォーカスに起因する露光不良の発生を抑制するために、基板上の露光領域（照明光が照射される領域）を投影光学系の最良結像面の焦点深度の範囲内に配置する必要がある。そのためには、投影光学系のベストフォーカス位置を精度良く計測するとともに、そのベストフォーカス位置に基板上の露光領域が配置されるように基板の位置を制御しなければならない。近年の露光パターンの微細化に伴い、このフォーカス合わせの精度に対する要求が高いものになっている。
【０００４】
投影光学系のベストフォーカス位置の計測方法の一つとして、レチクル上に形成された計測マーク、例えばラインアンドスペースマークを照明光により照明し、空間像計測装置を用いて、投影光学系によって形成された計測マークの空間像（投影像）を計測し、この計測結果に基づいてベストフォーカス位置を算出する方法がある。
【０００５】
ところで、空間像計測装置を用いたフォーカスの計測およびフォーカスの補正は、ウェハ内部はショット内５箇所での焦点補正処理が可能だが、ウェハ外周部のはみ出る露光領域（ショット）は５箇所に満たないため情報が少ない。計算の結果、ショット内のフォーカスレンジや傾きデータなどが不足した、精度が低い情報がステージ駆動装置へフィードバックされる。
【０００６】
その結果、大口径のＮＡをもつ焦点が浅い縮小投影露光装置において、微細なパターンを転写投影すると、デフォーカスが発生して、レチクルに忠実なパターンの転写が困難となる。
【０００７】
このため、前回計測時のベストフォーカス位置を中心として、上述したベストフォーカス位置の計測を行ってもベストフォーカス位置を検出できないことがある。このような場合には、通常の計測時のステップピッチの２倍（例えば０．３μｍ）程度の比較的大きな間隔で、投影光学系の光軸方向に計測用パターンをステップしながら前述と同様の１５ステップの空間像計測を行い、大きな計測レンジ（通常の２倍の計測レンジ）をカバーすることで、ベストフォーカス位置を大まかに探索する計測（「ラフ計測」とも呼ばれる）を行った後に、得られたそのベストフォーカス位置を中心に、前述した通常の計測（「ファイン計測」と呼ぶ）を行うことで、ベストフォーカス位置を精度良く検出することがなされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１０８３０５号公報
【特許文献２】特開２００２−１９５９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した従来のベストフォーカス位置の計測を行ってもベストフォーカス位置を検出できないことがある。それは、ウェハ外周部のはみ出る露光領域（ショット）は、ウェハステージのウェハ吸着により、ウェハ中心部に比べて像面が不均一になるためである。また前工程の絶縁膜や金属膜が裏面に生成されることで、ウェハ外周はウェハ中心部に比べてウェハの平坦度が異なるためと考えられる。
【００１０】
このような問題に対応するために、全ての露光領域（ショット）を狭くして、像面の影響を小さくする方法があるが、ショット数が増加するため、投影露光系のスループット低下をまねいてしまう。また、ウェハ外周部を露光領域としない方法があるが、ウェハ収率が低下してしまい、コストアップの問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、ベストフォーカス位置を高精度に検出することにより、所望のパターンを適切に露光転写することのできる露光方法を含む半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法においては、以下のような手段を用いた。
【００１３】
まず、ウェハ上を分割露光する方法を含む半導体装置の製造方法であって、前ショット露光終了後に次ショットの全焦点検出位置がウェハ上での有無を判断する工程と、前記全焦点検出位置のうち少なくとも１つの焦点検出位置がウェハ上にない場合に、前記次ショット内の前記全焦点検出位置での焦点補正処理が可能な位置までショットを移動する工程と、移動したショットにて焦点ずれおよび焦点補正処理を行う工程と、隣り合う露光領域と重なる領域をレチクルブラインドにて遮光する工程と、前記レチクルブラインドに囲まれた開口領域を介して第１の小露光領域を露光する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【００１４】
そして、前記第１の小露光領域に形成される半導体装置の数が最大となるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【００１５】
又、ウェハ上を分割露光する方法を含む半導体装置の製造方法であって、前ショット露光終了後に次ショットの全焦点検出位置がウェハ上での有無を判断する工程と、前記全焦点検出位置のうち少なくとも１つの焦点検出位置がウェハ上にない場合に、前記次ショット内の前記全焦点検出位置の焦点補正処理が可能な第１の位置までショットを移動する工程と、移動した前記第１の位置のショットにて焦点ずれ検出および焦点補正処理を行う工程と、隣り合う露光領域と重なる領域をレチクルブラインドにて遮光する工程と、前記レチクルブラインドに囲まれた開口領域を介して第１の小露光領域を露光する工程と、次いで、前記第１の位置のショットをウェハ外周に内接して第２の位置までショットを移動する工程と、移動した前記第２の位置のショットにて焦点ずれ検出および焦点補正処理を行う工程と、前記隣り合う露光領域と重なる領域と前記第１の小露光領域をレチクルブラインドにて遮光する工程と、前記隣り合う露光領域と重なる領域と前記第１の小露光領域を遮光したレチクルブラインドに囲まれた開口領域を介して第２の小露光領域を露光する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【００１６】
そして、前記第１の小露光領域および前記第２の小露光領域に形成される半導体装置の数が最大となるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【発明の効果】
【００１７】
上記説明した、半導体装置の製造方法を用いることにより、ウェハ全面において、ベストフォーカス位置を高精度に検出することが可能となり、所望のパターンを適切に露光転写することができる。また、より多くの半導体チップがウェハ上に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例を示した露光装置の全体構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例を示したウェハ外周部の露光領域（ショット）を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施例を示した露光方法のフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施例を示した露光方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図１〜図４に基づいて説明する。
【００２０】
図１は、露光装置１００の構成を示す図である。露光装置１００は、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置、すなわち、いわゆるステッパーである。
【００２１】
露光装置１００は、光源及び照明光学系を含む照明装置としての照明系１０、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、基板としてのウェハＷを保持してＸＹ平面内を自在に移動可能な基板ステージとしてのウェハステージＷＳＴ、及びこれらを制御する制御系等を有する。
【００２２】
照明系１０は、図示を省略しているが、光源、照度均一化光学系（コリメータレンズ、フライアイレンズ等から成る）、リレーレンズ系、照明視野絞りとしてのレチクルブラインド及びコンデンサレンズ系等を有する。
【００２３】
光源としては、ここでは、ｉ線光（波長３６５ｎｍ）又はｇ線光（波長４３６ｎｍ）を出力する高圧水銀灯の光源を用いる。
【００２４】
レチクルのブラインド（マスキングブレード）には、開口形状が可変の可動レチクルブラインド１２を用いる。ブラインドは、位置及び幅が可変の開口部を有する。図１においては、ブラインドはレチクルＲに対して投影光学系側の近傍に配置されている。ブラインドは、レチクルと同様に焦点を結ぶ範囲内に配置されており、ミクロンオーダーの駆動が可能なように、例えば、液晶シャッターを用いることができる。レチクルＲに対して投影光学系ＰＬ側の近傍に配置されている。なお、ブラインドは、焦点を結ぶ範囲内であれば、従来と同様にレチクルＲに対して照明系側の近傍に配置しても構わない。このような照明系１０によれば、光源で発生した露光光としての照明光（以下、照明光ＩＬと称する）は、シャッター（図示せず）を通過した後、照度均一化光学系により照度分布がほぼ均一な光束に変換される。照度均一化光学系から射出された照明光ＩＬは、リレーレンズ系を介して前記レチクルブラインドに達する。レチクルブラインドを通過した光束は、リレーレンズ系、コンデンサレンズ系を通過して回路パターン等が描かれたレチクルＲの照明領域ＩＡＲを均一な照度で照明する。
【００２５】
なお、可動レチクルブラインド１２は、露光の開始時及び終了時に主制御装置２０によって制御され、照明領域ＩＡＲをさらに制限することによって、不要な部分の露光が防止されるようになっている。また、本実施形態では、可動レチクルブラインド１２が、後述するウェハ外周との相対位置を検出する認識装置と、ショット内５箇所での焦点補正処理が可能な位置までの移動量を算出する計算装置、および隣り合う露光領域（ショット）との位置関係を計測の際の照明領域の設定にも用いられる。
【００２６】
レチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、例えば真空吸着（又は静電吸着）により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、ここでは、リニアモータ等を含む不図示のレチクルステージ駆動系により、後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直なＸＹ平面内で２次元的に（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＸＹ平面に直交するＺ軸回りの回転方向（θｚ方向）に）微少駆動可能であるとともに、不図示のレチクルベース上をＹ軸方向に指定された走査速度で移動可能となっている。このレチクルステージＲＳＴは、レチクルＲの全面が少なくとも投影光学系ＰＬの光軸ＡＸを横切ることができるだけのＹ軸方向の移動ストロークを有している。
【００２７】
レチクルステージＲＳＴ上には、レチクルレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計と称する）１３からのレーザビームを反射する移動鏡１５が固定されており、レチクルステージＲＳＴのＸＹ面内の位置（Ｚ軸回りの回転方向であるθｚ方向の回転を含む）はレチクル干渉計１３によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。実際には、レチクルステージＲＳＴ上には、走査露光時の走査方向（Ｙ軸方向）に直交する反射面を有する移動鏡と、非走査方向（Ｘ軸方向）に直交する反射面を有する移動鏡とが設けられる。また、レチクル干渉計１３は、Ｙ軸方向に少なくとも２軸、Ｘ軸方向に少なくとも１軸設けられる。但し、図１においては、それらの中から代表的に移動鏡１５及びレチクル干渉計１３のみを示す。
【００２８】
レチクル干渉計１３からのレチクルステージＲＳＴの位置情報は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）等から成る主制御装置２０に送られる。主制御装置２０ではレチクルステージＲＳＴの位置情報に基づいて、レチクルステージ駆動系を介してレチクルステージＲＳＴを駆動制御する。
【００２９】
投影光学系ＰＬは、レチクルステージＲＳＴの鉛直方向下方に配置された両側テレセントリックな縮小系である。投影光学系ＰＬには、照明光ＩＬの光軸ＡＸ方向に沿って所定間隔で配置された複数枚のレンズエレメントを有する屈折光学系が使用されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬの投影倍率は１／５であり、これにより、照明系１０からの照明光ＩＬによって照明されたレチクルＲ上の照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（部分倒立像）が、表面にフォトレジストが塗布されたウェハＷ上に形成される。
【００３０】
ウェハステージＷＳＴは、ステージベース１６上に配置され、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータから成る不図示のウェハステージ駆動系により、ステージペース１６上面に沿ったＸＹ２次元面内（θｚ回転を含む）で自在に駆動される。２次元リニアアクチュエータは、Ｘ駆動コイル、Ｙ駆動コイルの他、Ｚ駆動コイルをも有しており、ウェハステージＷＳＴは、Ｚ、θｘ（Ｘ軸回りの回転方向）、θｙ（Ｙ軸回りの回転方向）の３自由度方向にも微少駆動が可能な構成となっている。
【００３１】
ウェハステージＷＳＴ上には、ウエハレーザ干渉計（以下、ウエハ干渉計と称する）３１からのレーザビームを反射する移動鏡２７が固定されている。ウェハ干渉計３１により、ウェハステージＷＳＴのＺ方向を除く５自由度方向（Ｘ、Ｙ、θｚ、θｘ、及びθｚ方向）の位置が、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。また、ウェハ干渉計３１は、Ｙ軸方向及びＸ軸方向にそれぞれ設けられている。但し、図１においては、代表的に移動鏡２７及びウェハ干渉計３１のみを示す。
【００３２】
ウェハステージＷＳＴの位置情報（又は速度情報）は、主制御装置２０に送られ、主制御装置２０では前記位置情報（又は速度情報）に基づいて、不図示のウェハステージ駆動系を介してウェハステージＷＳＴのＸＹ面内の位置を制御する。
【００３３】
露光装置１００には、図１に示すように、主制御装置２０によってオンオフが制御される光源を有し、投影光学系ＰＬの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束を、光軸ＡＸに対して斜め方向より照射する照射系６０ａと、それらの結像光束のウェハＷ表面での反射光束を受光する受光系６０ｂとから成る斜入射光式の多点焦点位置検出系（フォーカスセンサ）が設けられている。主制御装置２０では、投影光学系ＰＬにフォーカス変動が生じた場合には、受光系６０ｂ内の図示しない平行平板の反射光束の光軸に対する傾きを制御することにより、投影光学系ＰＬのフォーカス変動に応じて多点焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）にオフセットを与えてそのキャリブレーションを行なうようになっている。
【００３４】
なお、本実施形態の多点焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）と同様の多点焦点位置検出系（フォーカス センサ）の詳細な構成は、例えば特開平６−２８３４０３号公報に開示されている。
【００３５】
主制御装置２０では、走査露光時等に、受光系６０ｂからの焦点ずれ信号（デフォーカス信号）、例えばＳカーブ信号に基づいて焦点ずれが０となるように、不図示のウェハステージ駆動系を介してウェハステージＷＳＴのＺ軸方向への移動、及び２次元点に傾斜（すなわち、θｘ，θｙ方向の回転）を制御する、すなわち多点焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）を用いてウェハステージＷＳＴの移動を制御することにより、照明光ＩＬの照射領域（照明領域ＩＡＲと結像関係）内で投影光学系ＰＬの結像面とウェハＷの表面とを実質的に合致させるオートフォーカス （自動焦点合わせ）及びオートレベリング（自動傾斜補正）を実行する。
【００３６】
次に、本発明の第１の実施例について図２を利用して説明する。
【００３７】
図２は、本発明の実施例を示したウェハ外周部の露光領域（ショット）である。
【００３８】
露光装置１００の１回の露光領域は２０ｍｍ×２０ｍｍ程度であるので、一枚のウェハは数十回の露光を経て露光工程が終了するが、複数の露光領域のうち、開始点とする露光領域はショット内５箇所による焦点補正が可能な位置が選択される。図２に示すショットＦでは５箇所の焦点検出位置がショット内に含まれており、焦点補正処理が可能でショット全体で適切なパターン形成ができる。ショットＦのような露光領域を開始点とし、次に隣り合わせの露光領域にて露光処理を行う。
【００３９】
しかしながら、露光領域がウェハ外周部になると露光領域全体がウェハ面内に位置せず、ウェハ外周部よりはみ出る場合もある。例えば、図２に示すショットＡの位置では５箇所の焦点検出位置のうち、右上、右下、左上、中央の４箇所がウェハ面内には無く、左下の１箇所のみで焦点検出がなされる。この場合はショットＡ全体の焦点ずれの情報が無くショットＡ全体を適切にオートフォーカスやオートレベリングすることはできない。
【００４０】
そこで、次の露光領域をショットＡにするのではなく、ショット全体がウェハ面内に含まれるショットＣの位置に移動する。ショットＣの位置で５箇所の焦点検出を行い、その情報に基づきショットＣのオートフォーカスやオートレベリングを行う。次いで、隣り合う露光領域と重なる部分をレチクルブラインドにより遮光し、第１の小露光領域ｇのみを露光する。このとき第１の小露光領域ｇは面積が最大になるようにショットＣの位置が決定されるのは言うまでもない。このようにすることでウェハ上への半導体チップの面付け効率は向上する。すなわち、より多くの半導体装置（半導体チップ）がウェハ上に形成されることになる。
【００４１】
次に、第２の実施例について図２のショットＢを用いて説明する。
【００４２】
ショットＢもショットＡ同様、ショット内の４箇所で焦点の検出が不可能であり、ショットＢ全体を適切にオートフォーカスやオートレベリングすることはできない。そこで、次の露光領域をショットＢにするのではなく、ショット全体がウェハ面内に含まれるショットＤの位置に移動する。ショットＤの位置で５箇所の焦点検出を行い、その情報に基づきショットＤのオートフォーカスやオートレベリングを行う。次いで、隣り合う露光領域をレチクルブラインドにより遮光し、第１の小露光領域ｈのみを露光する。こうすることで、隣り合う露光領域の２重露光を回避することができる。そして、次にショット全体がウェハ面内に含まれるショットＥの位置に移動する。
【００４３】
ショットＥの位置で５箇所の焦点検出を行い、その情報に基づいてショットＥのオートフォーカスやオートレベリングを行う。次いで、隣り合う露光領域と重なる領域及び第１の小露光領域ｈを遮光するようにレチクルブラインドを配置して第２の小露光領域ｉのみを露光する。ここで、第１の小露光領域ｈおよび第２の小露光領域ｉを合わせた領域に形成された半導体装置（半導体チップ）の数が最大となるようにショットＤおよびショットＥの位置が決定される。
【００４４】
以上説明したように、本発明の露光方法を用いれば、ウェハ全面において、ベストフォーカス位置を高精度に検出することが可能となり、所望のパターンを適切に露光転写することができる。また、より多くの半導体チップがウェハ上に形成されることになる。なお、ウェハ外周は半導体装置がウェハエッジにあたり正常に形成されない場合がある。この領域を無効として予め設定しておき、例えばウェハ外周のエッジから３ｍｍの領域を除外して半導体装置（半導体チップ）の数を最大としてもよい。露光装置のパラメータであるウェハ半径およびエッジの除外幅を決めて、小露光領域としないアルゴリズムによって設定される。
【００４５】
次に、図３および図４を用いて本発明の露光方法を説明する。
【００４６】
図３は、図２のショットＡに関する露光方法を説明するフローチャートである。
【００４７】
まず、前ショットの露光が終了したら、次のショットＡのウェハとの相対位置を確認し、５箇所の焦点検出位置がウェハ上に有るか否かを確認する。ここで、これをショットＡ全体がウェハ上に有るか否かを確認する事と考えても良い。５箇所の焦点検出位置がウェハ上に存在すれば、５箇所から得られた焦点ずれ情報を基に補正を行い露光すれば良いが、もし、ショットの一部がウェハ上から脱落するのであれば、ショット内５箇所での焦点補正処理が可能な位置である図２でいうショットＣまでショットの移動を行う。次いで、ショット内５箇所での焦点補正処理（オートフォーカス、オートレベリング）を行う。次いで、隣り合う露光領域と重なる領域をレチクルブラインドで遮光する。そして、レチクルブラインドに囲まれた開口領域を介して第１の小露光領域ｇのみを露光する。この場合、第１の小露光領域ｇに形成される半導体装置（半導体チップ）数が最大となるようなレイアウトが望ましい。
【００４８】
以上によりショットＡの位置における露光が完結し、次のショットで同様の処理が繰り返される。
【００４９】
図４は、図２のショットＢに関する露光方法を説明するフローチャートである。
【００５０】
まず、前ショットの露光が終了したら、次のショットＢのウェハとの相対位置を確認し、５箇所の焦点検出位置がウェハ上に有るか否かを確認する。ここで、これをショットＢ全体がウェハ上に有るか否かを確認する事と考えても良い。５箇所の焦点検出位置がウェハ上に存在すれば、５箇所から得られた焦点ずれ情報を基に補正を行い露光すれば良いが、もし、ショットの一部がウェハ上から脱落するのであれば、ショット内５箇所での焦点補正処理が可能な位置である図２でいうショットＤまでショットの移動を行う。次いで、ショット内５箇所での焦点補正処理（オートフォーカス、オートレベリング）を行う。次いで、隣り合う露光領域と重なる領域をレチクルブラインドで遮光する。そして、レチクルブラインドに囲まれた開口領域を介して第１の小露光領域ｈのみを露光する。
【００５１】
次に、1箇所の焦点検出位置がウェハ外周に内接するように、またはショットの端部がウェハ上に存在するようにショットＤを図２のショットＥの位置まで移動する。そして、ショット内５箇所での焦点ずれの検出を行い、焦点補正処理（オートフォーカス、オートレベリング）を行う。次いで、隣り合う露光領域と重なる領域および第１の小露光領域ｈをレチクルブラインドで遮光し、そして、レチクルブラインドで囲まれた開口領域を介して第２の小露光領域ｉのみを露光する。この場合、第１の小露光領域ｈおよび第２の小露光領域ｉに形成される半導体装置（半導体チップ）数が最大となるようなレイアウトが望ましい。
【００５２】
以上の方法によりショットＢの位置における露光が完結し、次のショットにて同様の処理が繰り返される。
【００５３】
以上、説明したように、本発明の製造方法を用いれば、ウェハ全面において、ベストフォーカス位置を高精度に検出することが可能となり、所望のパターンを適切に露光転写することができる。また、より多くの半導体チップがウェハ上に形成することができる。
【００５４】
本発明は、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置に限らず、ステップ・アンド・スキャン方式、又はプロキシミティ方式の露光装置（Ｘ線露光装置等）を始めとする各種方式の露光装置にも全く同様に適用が可能である。また、露光装置で用いる露光用照明光（エネルギビーム）は紫外光に限られるものではなく、Ｘ線（ＥＵＶ光を含む）、電子線やイオンビーム等の荷電粒子線等でも良い。また、ＤＮＡチップ、マスク又はレチクル等の製造用に用いられる露光装置でも良い。
【符号の説明】
【００５５】
１００  露光装置
１０    照明系
１２    可動レチクルブラインド（マスキングブレード）
１３、３１  レーザ干渉計
１５、２７  移動鏡
１６    ステージベース
２０    主制御装置
６０ａ、６０ｂ  多点焦点位置検出系
ＩＬ    照明光
ＡＸ    光軸
ＰＬ    投影光学系
ＩＡ，ＩＡＲ    照明領域
Ｒ      レチクル
Ｗ      ウェハ
ＲＳＴ  レチクルステージ
ＷＳＴ  ウェハステージ
Ａ、Ｂ、Ｆ  ショット(露光領域)
Ｃ、Ｄ、Ｅ  移動後のショット
ｇ、ｈ  第１の小露光領域
ｉ      第２の小露光領域
【図１】
2010206175.tif 000003
【図２】
2010206175.tif 000004
【図３】
2010206175.tif 000005
【図４】
2010206175.tif 000006