(57)【要約】【課題】  基板ステージを傾けて露光する際に、Ｘ像高間の像性能における線幅差、コントラスト差あるいは像のシフト量差の不均一性を抑え、焦点深度を拡大する露光装置を提供する。【解決手段】  光源からの光を原版の被照射面または基板の被照射面に導く照明光学装置と、前記基板を保持して移動する基板ステージと、を有するスキャン型の露光装置において、前記基板ステージは光軸に対して走査方向を傾けることが可能に設けられ、前記照明光学装置は、前記被照射面を所定の光強度分布で照明する光強度分布形成手段と、前記光強度分布形成手段から射出される前記光を集光する集光光学系と、透過率分布を有する少なくとも２枚のフィルターを対向させて設け、少なくとも１枚の前記フィルターを回転させて、前記被照射面上で前記所定の光強度分布を補正する光強度分布補正手段と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を原版の被照射面または基板の被照射面に導く照明光学装置と、
前記基板を保持して移動する基板ステージと、を有するスキャン型の露光装置において、
前記基板ステージは光軸に対して走査方向を傾けることが可能に設けられ、
前記照明光学装置は、前記被照射面を所定の光強度分布で照明する光強度分布形成手段と、
前記光強度分布形成手段から射出される前記光を集光する集光光学系と、
透過率分布を有する少なくとも２枚のフィルターを対向させて設け、少なくとも１枚の前記フィルターを回転させて、前記被照射面上で前記所定の光強度分布を補正する光強度分布補正手段と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記２枚のフィルターを互いに反対方向に同じ角度を回転させることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記フィルターは、前記所定方向に前記透過率分布を有し、前記所定方向に垂直な方向には一定の透過率を有することを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記フィルターの前記透過率分布は、中心より前記所定方向に単調に減少、又は単調に増加する分布であることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記フィルターは、前記原版の前記被照射面の共役面、または前記基板の前記被照射面の共役面に配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
前記被照射面における前記光強度分布を計測する計測手段と、
前記計測された前記光強度分布に応じて前記光強度分布の補正量を計算する演算部と、
前記計算された前記補正量に応じて前記フィルターを回転させる駆動部と、を有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原版のパターンを基板に露光する露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハやガラスプレートなどの基板に微細な回路パターンを描画する工程では、フォトリソグラフィー技術は欠くことができない技術となっている。
【０００３】
このリソグラフィー工程では、所定のパターンが予めパターニングされた原版であるレチクルを照明し、投影光学系を通してその像を基板上に転写する。ここでは原版として「レチクル」という言葉を用いたが、一般的に投影光学系が縮小光学系である場合に「レチクル」、等倍光学系である場合に原版として「マスク」という言葉が用いられる。本発明は投影光学系の倍率によって限定されるものではないが、簡単化するため以下では原版として「レチクル」という言葉を用いる。
【０００４】
露光装置は、主にステップ型露光装置とスキャン型露光装置の２種類に分けることができる。ステップ型露光装置はスキャン型露光装置に比べて、構造が比較的簡単でコストが抑えられるという利点がある。しかし、広い領域を露光するためには投影光学系の露光フィールドを大きくとる必要があり、収差補正の観点からは不利である。
【０００５】
スキャン型露光装置では、レチクルと基板を同期して走査しながら露光が行われる。走査することによって投影光学系の露光フィールドよりも大きな領域を露光することができるため、投影光学系の露光フィールドを小さくすることが可能である。従って、投影光学系の収差補正の観点でスキャン型露光装置はステップ型露光装置よりも優れている。
【０００６】
露光装置の光源には、波長が約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーや波長が約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーなどパルス光源が用いられることが多い。スキャン型露光装置でパルス光源を用いる場合、基板上において、パルスの不連続性に起因する走査方向の露光量のムラが発生する。
【０００７】
上述の問題を解決する従来例として特許文献１により、遮光部材を被照射面またはその共役面に対してデフォーカスして配置する方法が開示されている。以下では被照射面またはその共役面を単に「被照射面」と呼ぶ場合があるが、その場合に共役面が含まれるかどうかは当業者にとっては自明である。
【０００８】
遮光部材によって切り出された直後において、光強度分布のエッジはシャープな立ち上がりとなるが、特許文献１に開示されているように、遮光部材が被照射面からデフォーカスした位置に配置されていれば、被照射面には台形状の光強度分布が形成される。このように光強度分布が走査方向に台形状の分布であることで、継ぎ目において積算露光量が、ばらつくという不都合を回避することができる。
ところで、露光装置の解像度Ｒは、一般にＲａＹｌｅｉｇｈの式と呼ばれる以下の式で表される。
【０００９】
【数１】
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ここで、ｋ１はプロセス係数、λは露光装置の光源波長、ＮＡは投影光学系の開口数である。ＲａＹｌｅｉｇｈの式から、解像度Ｒを小さくして微細な回路パターンを描画するためには、プロセス係数ｋ１か波長λを小さくするか、投影光学系のＮＡを大きくすればよいことが分かる。このため、半導体デバイスの微細化に伴い、露光装置の光源は短波長化が進み、投影光学系のＮＡは拡大してきている。また、実際のリソグラフィー工程では基板の湾曲やプロセスによる基板の段差等の影響、フォトレジスト自体の厚さのために、ある程度の焦点深度が必要となる。焦点深度は一般的に以下の式で表される。
【００１０】
【数２】
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この式から明らかなように、焦点深度は光源の短波長化、投影光学系のＮＡの増加とともに小さくなる。微細なパターンのデバイス製造においては焦点深度の値が小さくなるため、歩留まりの悪化を招く。
【００１１】
波長や投影光学系のＮＡを変えることなく焦点深度を拡大する従来例として、非特許文献１に開示されているように、光軸に対してステージの走査方向を傾けて露光する方法がある。この従来例の方法によれば、走査露光される際に基板は多数の焦平面上で露光されることになるので、焦点深度が拡大される。
【特許文献１】特許第３３７７０５３号明細書
【特許文献２】米国特許第６４０４４９９号明細書
【特許文献３】特許第２７８７１３３号明細書
【特許文献４】特開２００６−１４０３９３号公報
【非特許文献１】Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．６１５４  ６１５４１Ｋ−１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の露光装置では、光源のパルス特性に起因する走査方向の照度ムラを避けるために、光強度分布のエッジがシャープな位置からデフォーカスした位置に被照射面が配置される構成となっていた。この場合、非特許文献１に開示されているように、光軸に対してステージの走査方向を傾けて露光すると、像がシフトする。
【００１３】
ここで、図６を参照して、像がシフトする原因を説明する。光軸方向をＺ軸、光軸に対する基板ステージの傾きがゼロの時の走査方向を、Ｙ軸、Ｙ軸とＺ軸が直交する方向をＸ軸と定義し、以下でも特に指定しない限りこの座標系を用いる。図６では台形状光強度分布の形成方法として例示的に、被照射面またはその共役面からデフォーカスした位置に遮光部材を配置する方法を示している。しかし、例えば、ロッドインテグレータの射出面を被照射面からデフォーカスした位置に配置した構成についても以下の説明は同様に適用される。図６（ａ）に示されるように、被照射面からデフォーカスした位置に遮光部材１２ａを配置することにより、被照射面には台形状の光強度分布１２ｂが形成される。光強度分布１２ｂを台形状に形成することで、パルスの不連続性に起因する走査方向の積算露光量のムラを避けることができる。
【００１４】
このとき、光強度分布１２ｂが台形の斜辺部分１２ｃ，１２ｄの領域を照射する光の角度分布は、図６（ａ）に示されるように、その一部がスリット１２ｅで遮光される。このため、光の角度分布の概略形状は、光強度分布１２ｂが台形の平坦部分である中心部分１２ｆの領域を照射する光とは異なる。また、図６（ａ）に示される光強度分布１２ｂが台形の上側斜辺部分１２ｃの領域と、下側斜辺部分１２ｄの領域では、光の角度分布は鏡像関係にある。なお、被照射面およびその共役面上の光の角度分布は一般に「有効光源」と呼ばれることがある。従って、本出願においても今後「光の角度分布」という言葉の代わりに「有効光源」という言葉を用いる場合がある。
【００１５】
光軸に対して基板ステージの走査方向を傾けない通常の露光方法では、台形の光強度分布１２ｂの上側と下側で鏡像関係にある有効光源が走査することで足し合わされる。このため、全体としての有効光源は、光強度分布１２ｂが台形分布の平坦部分である中心部分１２ｆの領域を照射する有効光源とほぼ同じであり、像のシフトは生じない。
【００１６】
これに対して、光軸に対して基板ステージの走査方向を傾けた場合に、像ズレが生じる理由について図６（ｂ）を用いて説明する。図６（ｂ）ではＺ軸方向に対して、上側でデフォーカスがマイナス、下側でデフォーカスがプラスとなるように基板ステージ、つまり、基板２０ａを傾けた場合について示す。図６（ａ）に示されるように被照射面のある一点を照射する光の全体的な方向を表す重心光線１２ｇは、上側の台形斜辺部１２ｃで上向き、下側の台形斜辺部１２ｄで下向きの方向となる。
【００１７】
図６（ｂ）の上側の領域では、この重心光線１２ｇと基板２０ａの交点は、デフォーカスがマイナスであるために、基板ステージの傾きがない場合と比べてＹ軸のマイナス方向にずれる。同様に図６（ｂ）の下側の領域では、デフォーカスがプラスであるために、基板ステージの傾きがない場合と比べてＹ軸のマイナス方向にずれる。このように図６に示される光強度分布１２ｂが台形の上側斜辺部分１２ｃと下側斜辺部分１２ｄの領域で、重心光線１２ｇと基板２０ａの交点が、共にＹ軸のマイナス方向にずれるために、像のシフトが発生する。
【００１８】
また、光軸に対して基板ステージの走査方向を傾けて露光する際に、被照射面における台形状光強度分布１２ｂの走査方向への長さに違いがあると、基板２０ａ上で露光に用いられる焦平面距離範囲に違いが出ることになり線幅やコントラスト等に違いが出てしまう。さらに、光軸に対して基板ステージの走査方向を傾けて露光する際に、被照射面における台形状光強度分布１２ｂの走査方向への長さや光強度分布１２ｂ自体に違いがあると像のシフト距離に違いが出る。
【００１９】
以下、簡単化するために基板ステージの走査方向の位置をＹ像高、基板ステージの走査方向と直交する位置をＸ像高、各Ｘ像高においてＹ像高方向に積算した光強度を積算露光量、Ｘ像高の中心部分を軸上、Ｘ像高方向の端の部分を軸外と表現する。露光装置においては、積算露光量の不均一性がＸ像高間にあるとＸ像高間で線幅の不均一性等の原因となる。この積算露光量を補正する手段については、従来、特許文献２、特許文献３あるいは特許文献４に示される手段が知られている。しかし、これらの従来方法ではＹ像高の光強度分布形状をＸ像高間で同形状に保つことやＹ方向に１回の回転対称な形状に保ちつつも積算露光量をＸ像高間で連続に調整することが困難である。
そこで、本発明は、基板ステージを傾けて露光する際に、Ｘ像高間の像性能における線幅差、コントラスト差あるいは像のシフト量差の不均一性を抑え、焦点深度を拡大する露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記課題を解決する本発明の露光装置は、光源からの光を原版の被照射面または基板の被照射面に導く照明光学装置と、前記基板を保持して移動する基板ステージと、を有するスキャン型の露光装置において、前記基板ステージは光軸に対して走査方向を傾けることが可能に設けられ、前記照明光学装置は、前記被照射面を所定の光強度分布で照明する光強度分布形成手段と、前記光強度分布形成手段から射出される前記光を集光する集光光学系と、透過率分布を有する少なくとも２枚のフィルターを対向させて設け、少なくとも１枚の前記フィルターを回転させて、前記被照射面上で前記所定の光強度分布を補正する光強度分布補正手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板ステージを傾けて露光する際に、Ｘ像高間の像性能における線幅差、コントラスト差あるいは像のシフト量差の不均一性を抑え、焦点深度を拡大する露光装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図１から図５を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の実施形態１のスキャン型の露光装置の概略構成図である。
照明光学装置３０は、光源１からの光１ａをレチクル１８（原版）の被照射面または基板２０ａの被照射面に導く装置である。光源１は、例えば、波長が約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーや約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーから成るが、レーザーの種類、波長、個数は限定されない。引き回し光学系２は光源１からの光１ａを回折光学素子３に導く光学系である。回折光学素子３は複数のスロットを有するターレットに搭載されており、アクチュエーター４によって、任意の素子を光軸１ｂ上に移動する。
【００２３】
回折光学素子３の射出光３ａは、コンデンサーレンズ５によって集光され、回折パターン面６に回折パターンを形成する。アクチュエーター４により光軸１ｂ上に位置する回折光学素子を交換すれば、回折パターンの形状を変えることができる。回折パターン面６に形成された回折パターンは、プリズム７ａ，７ｂ、ズームレンズ８によって輪帯率やσ値などのパラメータが調整された後、ミラー９に光束６ａとして入射する。ミラー９は入射光束６ａに対して有限の傾きを有している。
【００２４】
照明光学装置３０は、さらに、光強度分布形成手段１０と、コンデンサーレンズ１１（集光光学系）と、フィルター１４ａ，１４ｂ（光強度分布補正手段）とを有する。光強度分布形成手段１０は、所定の光強度分布で照明し、コンデンサーレンズ１１は、光強度分布形成手段１０から射出される光を集光する光学系である。透過率分布を有する２枚のフィルター１４ａ，１４ｂを対向させて設け、少なくとも１枚のフィルター１４ａまたは１４ｂを回転させて、被照射面上で所定の光強度分布を補正する手段である。
実施態様１においては、２枚のフィルター１４ａ，１４ｂを有するが、少なくとも２枚のフィルター１４ａ，１４ｂを有すればよく、さらに、１枚以上フィルターを有する場合もある。
【００２５】
ミラー９によって反射した光束９ａは被照射面を所定の光強度分布で照明する光強度分布形成手段１０に入射する。光強度分布形成手段１０は、所定の回折分布が得られるように計算機で設計したパターンを基板上に描画したＣＧＨ（Computer Generated Hologram）と呼ばれる回折光学素子から構成されている。
【００２６】
プリズム７ａ，７ｂはズーミングすることが可能であり、プリズム７ａとプリズム７ｂとの距離が十分に小さい場合、プリズム７ａとプリズム７ｂとは一体化した一枚の平行ガラス平板とみなすことができる。このとき、回折パターン面６に形成された回折パターンは、ほぼ相似形状を保ちながらズームレンズ８の拡大縮小によりσ値が調整され、ハエの目の入射面に結像される。プリズム７ａとプリズム７ｂとの位置を離すことによって、回折パターン面６に形成された回折パターンは、輪帯率や開口角も調整される。
【００２７】
光強度分布形成手段１０の射出光束１０ａはコンデンサーレンズ１１で集光されて、遮光部材１３が位置する平面は所定の光強度分布で照明される。遮光部材１３はレチクル１８の照明範囲を特定するために配置され、レチクル１８および基板ステージ２０に保持される基板２０ａと共に同期して走査される。遮光部材１２は被照射面からデフォーカスされた位置に配置され、遮光部材１３が位置する被照射面には台形状の光強度分布が形成される。光強度分布を台形状にすることで、パルスの不連続性に起因する走査方向の積算露光量のムラを避けることができる。遮光部材１２は走査方向にその開口１２ａの大きさを変えることにより、台形光強度分布の形状を変化させることができ、これによりＸ方向の像高毎の積算露光量差を避けることができる。
【００２８】
透過率分布を有するフィルター１４ａ，１４ｂは、レチクル１８の被照射面の共役面付近に配置され、互いに反対方向に同じ角度を回転させ、この角度を変化させ、Ｘ像高間の積算光露光量差を連続的に補正する。ここで、図５に示される本発明の実施態様２においては、フィルター１４ａ，１４ｂは、基板２０ａの被照射面の共役面に配置される点が図１の実施態様１と異なる。
【００２９】
光束１５ａに対して有限の傾きを有するミラー１６で反射した光１６ａはコリメータレンズ１７を介してレチクル１８を照明する。レチクル１８のパターンは投影光学系１９によって基板ステージ２０に保持され移動される基板２０ａに転写される。基板ステージ２０は、光軸に対して走査方向を傾けることが可能に設けられる。基板ステージ２０を傾けて露光することによって、焦点深度を拡大する。センサ２１（計測手段）は光量を検知し、基板ステージ２０の走査方向の積算露光量や基板ステージ２０上に照射される光量の強度分布を測定する。
【００３０】
図２、図３、図４を参照して、本発明の実施形態１のフィルター１４ａ，１４ｂを説明する。
実施形態１では、２枚組みフィルター１４ａ，１４ｂを、光軸中心として互いに反対方向に回転させ、各Ｘ像高間においてＹ像高方向の光強度分布形状を保ったまま積算露光量を連続的に調整する。フィルター１４ａ，１４ｂは、所定方向に透過率分布を有し、所定方向に垂直な方向には一定の透過率を有する。さらに、フィルター１４ａ，１４ｂは、中心からの距離を関数として、透過率分布は、中心より所定方向に単調に減少、又は単調に増加する分布を有する。   
【００３１】
図２（ａ）は、回転角度０°状態のフィルター１４ａ一枚の透過率分布及び各Ｘ像高における積算露光量変化量、軸上軸外のＹ像高方向の光強度分布を示す。回転角度０°の状態においてはＸ像高間の積算露光量とＹ像高方向の光強度分布の軸上軸外差はない。
図２（ｂ）は、回転角度３０°状態のフィルター１４ａ一枚の透過率分布及び各Ｘ像高における積算露光量変化量、軸上軸外のＹ像高方向の光強度分布を示す。回転角度３０°の状態においてはＸ像高間の積算露光量を変化させている。またＹ像高方向の光強度分布の軸上、軸外の差も出ている。
【００３２】
図３（ａ）は回転角度-３０°状態のフィルター１４ａ一枚の透過率分布及び各Ｘ像高における積算露光量変化量、軸上軸外のＹ像高方向の光強度分布を示している。回転角度３０°の状態においてはＸ像高間の積算露光量を変化させている。またＹ像高方向の光強度分布の軸上、軸外の差も出ている。
図３（ｂ）は、図２（ａ）及び（ｂ）の２枚のフィルター１４ａ，１４ｂによって得られるフィルター合計の透過率分布及び各Ｘ像高における積算露光量変化量、軸上、軸外のＹ像高方向の光強度分布を示す。各Ｘ像高にわたって積算露光量を変化させながらもＹ像高方向の光強度分布を維持している。
図２（ｂ）、図３（ｂ）ではフィルター１４ａの回転角度を３０°としたが、任意の角度に回転することにより、Ｘ像高間の積算露光量をＹ像高の光強度分布を同じに維持したまま連続的に変化することができる。
【００３３】
図４（ａ）（ｂ）は２枚組みのフィルター１４ａ，１４ｂを２組（Ａ）（Ｂ）有する実施形態１の変形例を示している。  
２組（Ａ）（Ｂ）以上のフィルター１４ａ，１４ｂを使用することでＸ像高方向の積算露光量の調整を２次〜高次まで行うことができる。図４（ｂ）は１組（Ａ）のフィルター１４ａ，１４ｂによる積算露光量変化（実線）と、他の１組（Ｂ）のフィルター１４ａ，１４ｂによる積算露光量変化（点線）及び２組（Ａ）（Ｂ）合計の４次の積算露光量変化を示している。
図２（ａ）のように１枚のフィルター１４ａを使用してＸ像高方向の積算露光量を調整した場合、光軸に対して基板ステージ２０の走査方向を傾けて露光する際に被照射面における台形状光強度分布の走査方向への光強度分布に違いが生じ、Ｘ像高間で像の線幅差やシフト距離に違いが出てしまう。
【００３４】
図３（ｂ）の２枚のフィルター１４ａ，１４ｂを使用してＸ像高方向の積算露光量を調整した場合、光軸に対して基板ステージ２０の走査方向を傾けて露光する際においても被照射面における台形状光強度分布の走査方向への光強度分布に違いが生じず、Ｘ像高間で像の線幅差やシフト距離に違いが出ない。
実施形態１においては２枚のフィルター１４ａ，１４ｂを遮光部材１３付近に配置したが、被照射面と共役面であれば同様の効果が得られる。また、１枚ずつ離した場所に配置することも可能である。
【００３５】
図２、図３、図４により２枚のフィルター１４ａ，１４ｂを反対方向に回転させることにより、Ｘ像高間のＹ方向の光強度分布を同一に保ちつつ、積算露光量を調整する。
以上の補正方法によりＸ像高間で積算露光量を一定に保つことができるので、遮光部材１２による積算露光量の調整は必要とせず、その開口１２ａの形状を矩形とすることができる。遮光部材１２の開口１２ａを矩形とすることで、基板ステージ２０を傾けて露光する際にＸ像高間の像性能の線幅やコントラスト、像シフトの差の発生を減少することができる。
【００３６】
積算露光量のＸ像高間差を減少させたい場合、センサ２１による被照射面上におけるＸ像高間の積算露光量の計測結果より、フィルター１４ａ，１４ｂの回転量を決定し補正することが可能である。回転後、再びセンサ２１によりＸ像高間の積算露光量を測定し規格外であれば再び回転量を補正し、所定内に積算露光量を追い込むことができる。センサ２１（計測手段）は、被照射面における光強度分布を計測し、演算部２２は、計測された光強度分布に応じて光強度分布の補正量を計算する手段である。駆動部２３は、計算された補正量に応じてフィルター１４ａ，１４ｂを回転させる手段である。
【００３７】
本発明の実施形態によれば、基板ステージを傾けることによって焦点深度の拡大をさせながらも、Ｙ像高方向の光強度分布を対称な形状に保ち、積算露光量の不均一性をＸ像高間で補正し、Ｘ像高間の像性能の線幅差やコントラスト差や像のシフト量差の発生を抑える。
【００３８】
［デバイス製造方法の実施形態］
次に、前述の露光装置を利用したデバイス（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子等）の製造方法を説明する。デバイスは、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布された基板（ウェハ、ガラス基板等）を露光する工程と、その基板（感光剤）を現像する工程と、他の周知の工程とを経ることにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本デバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態１の露光装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態１のフィルターによるＸ像高間の積算露光量調整の説明図である。
【図３】本発明の実施形態１のフィルターによるＸ像高間の積算露光量調整の説明図である。
【図４】本発明の実施形態１のフィルターによるＸ像高間の積算露光量調整の説明図である。
【図５】本発明の実施形態２の露光装置の概略構成図である。
【図６】従来の露光装置で光軸に対して基板ステージを傾けた場合に像シフトが発生する理由の説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
１: 光源                      ２: 引き回し光学系
３: 回折光学素子              ４: アクチュエーター
５: コンデンサーレンズ        ６: フーリエ変換面
７: プリズム                  ８: ズームレンズ
９: ミラー                    １０: 光強度分布形成手段
１１: コンデンサーレンズ      １２、１３: 遮光部材
１４： フィルター             １５: コンデンサーレンズ
１６: ミラー                  １７: コリメータレンズ
１８: レチクル                １９: 投影光学系
２０: 基板ステージ            ２０ａ：基板
２１：センサ                   ２２：演算部
２３：駆動部                   ３０：照明光学装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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