(57)【要約】【課題】配線基板と半導体素子との接続信頼性を高く実装した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、プリント配線板１１と、導体ポスト５１０と、を備える。プリント配線板１１は、絶縁基板１０１と、導体パターン１１１、１１２と、スルーホール１０１ａと、を有する。導体ポスト５１０は、スルーホール１０１ａの外径よりも大きな外径を有する鍔部５１３と、鍔部５１３の第１面から突出した頭部５１１と、鍔部５１３の第２面から突出した脚部５１２と、を有する。脚部５１２には、電子部品が接続される。頭部５１１は、鍔部５１３の第１面がプリント配線板１１の下面に接触するまで挿入され、スルーホール１０１ａの内壁で電気的に接続している。【選択図】図３
2010041053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と前記上面とは反対側の下面とを有する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記上面及び前記下面に形成された導体回路と、前記絶縁基板を貫通し、前記上面の前記導体回路と前記下面の前記導体回路とを電気的に接続するスルーホールと、を有する配線基板と、
第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記スルーホールの外径よりも大きな外径を有する鍔部と、前記鍔部の前記第１面から突出した頭部と、前記鍔部の前記第２面から突出した脚部と、を有する導体ポストと、
少なくとも一方の面に電極を有し、前記導体ポストの前記脚部と接続される電子部品と、
から構成される半導体装置であって、
前記導体ポストは、前記鍔部の前記第１面が前記配線基板の前記下面に接触するまで前記頭部が挿入され、前記頭部は前記スルーホールの内壁で電気的に接続している、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上面と前記上面とは反対側の下面とを有する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記上面及び前記下面に形成された導体回路と、前記絶縁基板を貫通し、前記上面の前記導体回路と前記下面の前記導体回路とを電気的に接続するスルーホールと、を有する配線基板と、
第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記スルーホールの外径よりも大きな外径を有する鍔部と、前記鍔部の前記第１面から突出した頭部と、前記鍔部の前記第２面から突出した脚部と、を有する導体ポストと、
少なくとも一方の面に電極を有し、前記導体ポストの前記脚部と接続される電子部品と、
から構成される半導体装置であって、
前記導体ポストは、前記鍔部の前記第２面が前記配線基板の前記上面に接触するまで前記脚部が挿入され、前記脚部は前記スルーホールの内壁で電気的に接続している、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記導体ポストの前記頭部の端面及び前記脚部の端面は、略同一平面に位置している、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導体ポストの前記頭部は、前記配線基板の前記上面から突出している、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導体ポストの前記脚部は、前記配線基板の前記下面から突出している、
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線基板は、さらに内部が空洞の貫通孔が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁基板の少なくとも一方の面には、電気的な動作とは無関係のダミーの導体回路が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記導体ポストの前記頭部には、電子部品又は放熱器が設置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記導体ポストと前記電子部品の電極とは、半田接合及び金属接合の少なくとも一つにより接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記配線基板と前記電子部品との間には、前記電子部品を覆うモールド樹脂が充填されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記配線基板に形成される導体回路の厚みは、１００〜２５０μｍである、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記電子部品の電極表面には、粗面が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記導体ポストの少なくとも一部には、溝が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記導体ポストの前記頭部及び前記脚部の長さは、前記配線基板の厚みよりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１５】
上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記上面と前記下面とを電気的に導通するスルーホールと、を有する配線基板を準備する配線基板製造工程と、
第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記スルーホールの外径よりも大きな外径を有する鍔部と、前記鍔部の前記第１面から突出した頭部と、前記鍔部の前記第２面から突出した脚部と、を有する導体ポストを準備する導体ポスト準備工程と、
前記導体ポストを前記配線基板の前記上面又は前記下面に向かって挿入する導体ポスト接続工程と、
前記導体ポストの前記頭部又は前記脚部に電子部品を接続する電子部品接続工程と、
を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記導体ポスト接続工程は、前記導体ポストの前記鍔部の前記第１面又は前記第２面が前記配線基板に接触するまで、前記スルーホールに前記導体ポストを挿入する工程を備える、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に自動車電装や情報機器・電気機器などで用いられるスイッチング素子、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）素子等のパワー系半導体素子などを配線板に搭載した半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ（ＩＣチップ）などの電子部品を実装する配線板には、電気的な接続及び絶縁、さらには部品の支持などを、繰り返し動作や繰り返しの温度変動に耐えて安定に保つことが要求される。特に、例えばパワー系半導体素子（例えばパワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等）などにより大電力を扱うパワー系回路では、放熱性と共に、繰り返し熱サイクルに対する耐久性が、半導体装置の特性として重要になる。また、パワー系回路では、装置の小型化に伴って発生するノイズを低減し、ノイズによる誤動作を防止することも求められている。
【０００３】
例えば特許文献１には、パワー系回路、特にスイッチング電源装置の、放熱性を改善する技術が開示されている。この文献に記載される装置においては、プリント配線板及び絶縁基板が対向対置され、それら基板間が、絶縁樹脂により封止されている。プリント配線板は、貫通孔（スルーホール）を有し、その基板上（絶縁基板とは反対側の面）には導体パターンが形成されている。一方、絶縁基板の上面（プリント配線板側の面）には、導体パターンが形成され、その導体パターン上には、パワー系半導体素子や導体ポスト（柱状の導体）などが配置されている。また、絶縁基板の下面には、金属ベース板（放熱器に相当）が設けられている。こうして、絶縁基板上の導体ポストがプリント配線板の貫通孔に挿入され、導電性接着剤を介して、プリント配線板上の導体パターンと導体ポストとが電気的に接続されている。この装置では、絶縁基板の下面（半導体素子側）に金属ベース板を設けることで、放熱性を高めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２８４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記装置では、プリント配線板上の導体パターンと導体ポストとが、導電性接着剤を介して、電気的に接続されており、導電性接着剤と導体ポストとの熱膨張係数の違いにより、温度や湿度などの変化に伴い、例えば導体ポストが剥離したり、導電性接着剤にクラックが発生したりすることなどが懸念される。このため、導体ポストの、長期的な電気的接続の信頼性が低い。また、これら導体パターンと導体ポストとの接続は、異種材料同士、すなわち樹脂（接着剤）と金属との接合であるため、接続抵抗が高く、熱伝導度が小さい。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、配線基板と半導体素子との接続信頼性を高く実装した半導体装置及びその製造方法に提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る半導体装置は、上面と前記上面とは反対側の下面とを有する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記上面及び前記下面に形成された導体回路と、前記絶縁基板を貫通し、前記上面の前記導体回路と前記下面の前記導体回路とを電気的に接続するスルーホールと、を有する配線基板と、第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記スルーホールの外径よりも大きな外径を有する鍔部と、前記鍔部の前記第１面から突出した頭部と、前記鍔部の前記第２面から突出した脚部と、を有する導体ポストと、少なくとも一方の面に電極を有し、前記導体ポストの前記脚部と接続される電子部品と、から構成される半導体装置であって、前記導体ポストは、前記鍔部の前記第１面が前記配線基板の前記下面に接触するまで前記頭部が挿入され、前記頭部は前記スルーホールの内壁で電気的に接続している、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の観点に係る半導体装置は、上面と前記上面とは反対側の下面を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記上面及び前記下面に形成された導体回路と、前記絶縁基板を貫通し、前記上面の前記導体回路と前記下面の前記導体回路とを電気的に接続するスルーホールと、を有する配線基板と、第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記スルーホールの外径よりも大きな外径を有する鍔部と、前記鍔部の前記第１面から突出した頭部と、前記鍔部の前記第２面から突出した脚部と、を有する導体ポストと、少なくとも一方の面に電極を有し、前記導体ポストの前記脚部と接続される電子部品と、から構成される半導体装置であって、前記導体ポストは、前記鍔部の前記第２面が前記配線基板の前記上面に接触するまで前記脚部が挿入され、前記脚部は前記スルーホールの内壁で電気的に接続している、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明の第３の観点に係る半導体装置の製造方法は、上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記上面と前記下面とを電気的に導通するスルーホールと、を有する配線基板を準備する配線基板製造工程と、第１面と前記第1面とは反対側の第２面とを有し、前記スルーホールの外径よりも大きな外径を有する鍔部と、前記鍔部の前記第１面から突出した頭部と、前記鍔部の前記第２面から突出した脚部と、を有する導体ポストを準備する導体ポスト準備工程と、前記導体ポストを前記配線基板の前記上面又は前記下面に向かって挿入する導体ポスト接続工程と、前記導体ポストの前記頭部又は前記脚部に電子部品を接続する電子部品接続工程と、を含む、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明の半導体装置は、配線基板の両面を電気的に導通するスルーホールに導体ポストを挿入している。そのため、配線基板と導体ポストの接続信頼性が向上する。
【００１１】
また、本願発明の半導体装置は、導体ポストの鍔部が配線基板と接触するまで挿入されている。そのため、配線基板から突出する導体ポストの端面は略同一平面にあるので、電子部品との接続信頼性が向上する。
【００１２】
それ故、本願発明によれば、配線基板に導体ポストを介して信頼性高く実装された半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る半導体装置の第１実施形態について、該半導体装置の概要を示す平面図である。
【図２】図１中のＬ１−Ｌ１断面図である。
【図３】図２中の領域Ｒ１の拡大図である。
【図４Ａ】導体ポストの平面図である。
【図４Ｂ】導体ポストの側面図である。
【図５】導体ポストとスルーホール導体との接触部を拡大して示す図である。
【図６】導体ポスト先端（突出端）の端面の高さ位置を示す図である。
【図７】導体ポストと半導体チップとの接続部を示す図である。
【図８Ａ】導体ポスト後端（半導体チップとの接続端）の斜視図である。
【図８Ｂ】導体ポスト後端（半導体チップとの接続端）の平面図である。
【図８Ｃ】図８Ｂ中のＬ１−Ｌ１断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｂ中のＬ２−Ｌ２断面図である。
【図９Ａ】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図９Ｂ】同実施形態の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図９Ｃ】同実施形態の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図１０Ａ】同実施形態の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図１０Ｂ】同実施形態の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図１０Ｃ】同実施形態の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図１１Ａ】同実施形態の製造方法について、導体ポスト群をプリント配線板に立設する工程を示す断面図である。
【図１１Ｂ】同実施形態の製造方法について、導体ポスト群をプリント配線板に立設する工程を示す断面図である。
【図１２Ａ】同実施形態の製造方法について、導体ポスト群をプリント配線板に立設する工程を示す断面図である。
【図１２Ｂ】同実施形態の製造方法について、導体ポスト群をプリント配線板に立設する工程を示す断面図である。
【図１３Ａ】同実施形態の製造方法について、導体ポスト群の立設されたプリント配線板を示す断面図である。
【図１３Ｂ】同実施形態の製造方法について、プリント配線板に点状貫通孔及び線状貫通孔を形成する工程を示す断面図である。
【図１４Ａ】同実施形態の製造方法について、プリント配線板に半導体チップを実装する工程を示す断面図である。
【図１４Ｂ】同実施形態の製造方法について、絶縁樹脂を充填する工程（封止工程）を示す断面図である。
【図１５Ａ】本発明に係る半導体装置の製造方法の第２実施形態について、その概要を示す断面図である。
【図１５Ｂ】本発明に係る半導体装置の製造方法の第２実施形態について、その概要を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る半導体装置の第３実施形態について、該半導体装置の概要を示す断面図である。
【図１７】本発明に係る半導体装置の変形例について、放熱器を備える半導体装置を示す断面図である。
【図１８】放熱器の一例の断面図である。
【図１９Ａ】放熱器を製造する第１工程を説明するための図である。
【図１９Ｂ】放熱器を製造する第２工程を説明するための図である。
【図２０Ａ】放熱器を製造する第３工程を説明するための図である。
【図２０Ｂ】放熱器を製造する第４工程を説明するための図である。
【図２０Ｃ】放熱器を製造する第５工程を説明するための図である。
【図２０Ｄ】放熱器を製造する第６工程を説明するための図である。
【図２１Ａ】放熱器を製造する第７工程を説明するための図である。
【図２１Ｂ】放熱器を製造する第８工程を説明するための図である。
【図２１Ｃ】放熱器を製造する第９工程を説明するための図である。
【図２２Ａ】放熱器を製造する別の方法の第１工程を説明するための図である。
【図２２Ｂ】放熱器を製造する別の方法の第２工程を説明するための図である。
【図２２Ｃ】放熱器を製造する別の方法の第３工程を説明するための図である。
【図２２Ｄ】放熱器を製造する別の方法の第４工程を説明するための図である。
【図２３】本発明に係る半導体装置の変形例について、３つ以上のプリント配線板から構成される半導体装置を示す断面図である。
【図２４】本発明に係る半導体装置の変形例について、半導体チップの片面のみにプリント配線板が装着された半導体装置を示す断面図である。
【図２５Ａ】本発明に係る半導体装置の変形例について、ただ１つの半導体チップを備える半導体装置を示す断面図である。
【図２５Ｂ】本発明に係る半導体装置の変形例について、３つの半導体チップを備える半導体装置を示す断面図である。
【図２６】本発明に係る半導体装置の変形例について、貫通孔の隣接領域にダミー導体が露出した半導体装置を示す断面図である。
【図２７】本発明に係る半導体装置の変形例について、導体ポストと導体支柱とが電気的に接続された半導体装置を示す断面図である。
【図２８Ａ】点状貫通孔及び線状貫通孔の総面積を示す図である。
【図２８Ｂ】プリント配線板の総面積から部品搭載領域の面積を減算した残りの面積を示す図である。
【図２９】本発明に係る半導体装置の変形例について、導体ポスト先端（挿入端）が突出しない半導体装置を示す断面図である。
【図３０】第１実施形態の構成と第３実施形態の構成とを組み合わせた変形例を示す図である。
【図３１Ａ】導体ポストの変形例について、頭部よりも脚部の方が短い導体ポストを示す図である。
【図３１Ｂ】導体ポストの変形例について、頭部よりも脚部の方が長い導体ポストを示す図である。
【図３２Ａ】導体ポストの変形例について、頭部よりも脚部の方が細い導体ポストを示す図である。
【図３２Ｂ】導体ポストの変形例について、頭部よりも脚部の方が太い導体ポストを示す図である。
【図３３Ａ】導体ポストの変形例について、半導体チップとの接続面の形態の一例を示す平面図である。
【図３３Ｂ】導体ポストの変形例について、半導体チップとの接続面の形態の一例を示す平面図である。
【図３４Ａ】導体ポストの変形例について、半導体チップとの接続面の形態の一例を示す断面図である。
【図３４Ｂ】導体ポストの変形例について、半導体チップとの接続面の形態の一例を示す断面図である。
【図３４Ｃ】導体ポストの変形例について、半導体チップとの接続面の形態の一例を示す断面図である。
【図３５Ａ】導体ポストの変形例について、軸及び鍔部の形態の一例を示す平面図である。
【図３５Ｂ】導体ポストの変形例について、軸及び鍔部の形態の一例を示す平面図である。
【図３５Ｃ】導体ポストの変形例について、軸及び鍔部の形態の一例を示す平面図である。
【図３６Ａ】導体ポストの変形例について、軸及び鍔部の形態の一例を示す平面図である。
【図３６Ｂ】導体ポストの変形例について、軸及び鍔部の形態の一例を示す平面図である。
【図３６Ｃ】導体ポストの変形例について、軸及び鍔部の形態の一例を示す平面図である。
【図３７Ａ】導体ポストの変形例について、周方向に分割された鍔部を示す平面図である。
【図３７Ｂ】導体ポストの変形例について、半円状片からなる鍔部を示す平面図である。
【図３８Ａ】導体ポストの変形例について、中空状の軸を示す平面図である。
【図３８Ｂ】導体ポストの変形例について、軸全体に多数の孔（軸方向の孔）を有する軸を示す平面図である。
【図３８Ｃ】導体ポストの変形例について、軸中心からずれた位置に孔（軸方向の孔）を有する軸を示す平面図である。
【図３９】導体ポストの変形例について、互いに異なる形状の頭部及び脚部を有する導体ポストを示す上面図及び側面図及び底面図である。
【図４０】導体ポストの変形例について、複数の鍔部を有する導体ポストを示す図である。
【図４１Ａ】導体ポストの変形例について、Ｌ字状の軸から構成される導体ポストを示す図である。
【図４１Ｂ】導体ポストの変形例について、二股分岐部を有する軸から構成される導体ポストを示す図である。
【図４２Ａ】本発明に係る半導体装置の製造方法の変形例について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図４２Ｂ】同変形例の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図４２Ｃ】同変形例の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図４３Ａ】同変形例の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図４３Ｂ】同変形例の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【図４３Ｃ】同変形例の製造方法について、プリント配線板を作製する工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る半導体装置及びその製造方法を具体化した実施形態について説明する。
【００１５】
［第１実施形態］
図１は、本発明に係る第１実施形態の上面図である。半導体装置１０は、複数（例えば４つ）の半導体チップ（ＩＣチップ）が、それぞれプリント配線板１１及び１２の部品搭載領域１００１〜１００４に実装されたもの、いわば半導体モジュールである。プリント配線板１１及び１２の所定の箇所（中心及びその側方）には、貫通孔６１ａ〜６３ａが形成されている。これら貫通孔６１ａ〜６３ａには、それぞれプリント配線板１１及び１２を固定するために、両基板を貫通する支柱６１〜６３が挿入されている。
【００１６】
プリント配線板１１、１２には、部品搭載領域１００１〜１００４の各々に、共通の半導体チップに装着される導体ポスト群５１〜５４が挿入されている。また、導体ポスト群５１〜５４の周囲には、点状貫通孔８１、並びにスリット（線状貫通孔）８２ａ及び８２ｂが形成されている。これら貫通孔８１、並びにスリット８２ａ及び８２ｂは、導体ポスト挿入用及び基板固定用の穴とは別に形成され、各導体ポスト群の近傍に集中的に配置されている。また、導体ポスト群間には、点状貫通孔８１又はスリット８２ｂが少なくとも１つ設けられている。また、プリント配線板１１、１２の外側（外周部）に形成されたスリット８２ａは、内側（中央部）に形成されたスリット８２ａよりも、大きく（詳しくは幅及び長さ及び面積が大きく）形成されている。こうした点状貫通孔８１、並びにスリット８２ａ及び８２ｂが形成されていることで、プリント配線板１１、１２においては、温度変化に伴う基板の伸縮や反り等が緩和される。
【００１７】
プリント配線板１１及び１２に係る導体ポスト群のうち、導体ポスト群５１、５２には、例えば図２（図１中のＬ１−Ｌ１断面図）に示すように、それぞれ両配線板に共通の半導体チップ２１、２２が搭載されている。なお、半導体チップ２１及び２２は、それぞれ例えばＩＧＢＴ素子又はパワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー半導体素子からなり、半導体チップ２１の両面（表裏）には電極２１ａが、また半導体チップ２２の両面には電極２２ａが、それぞれ設けられている。これら電極２１ａ及び２２ａとしては、例えばエミッタ電極や、コレクタ電極、又はグランド電極などが考えられる。
【００１８】
プリント配線板１１及び１２は、半導体チップ２１及び２２を挟むように対向して配置されており、それぞれ基板両面に回路を有する。そして、その回路は、導体ポスト群５１〜５４を介して、半導体チップ（半導体チップ２１及び２２など）と電気的に接続されている。また、プリント配線板１１及び１２の間の空間には、半導体チップ２１及び２２を覆う（封止する）ように、絶縁樹脂１０ａが充填されている。
【００１９】
プリント配線板１１及び１２は、基本的には同様の構造を有するため、ここでは、プリント配線板１１の構造（図３）についてのみ詳細に説明し、プリント配線板１２の構造についてはその詳細な説明を割愛する。
【００２０】
プリント配線板１１は、例えば図３（図２中の領域Ｒ１の拡大図）に示すように、絶縁基板１０１を有し、絶縁基板１０１の両面（表裏両面）には、それぞれ２層（銅箔１１２ａ及び銅めっき膜１１２ｂ、銅箔１１１ａ及び銅めっき膜１１１ｂ）からなる導体パターン（配線パターン）１１２、１１１が形成されている。なお、絶縁基板１０１としては、例えば「０．１〜１．０ｍｍ」程度の厚さのガラスクロスに、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂やエポキシ樹脂等を含浸させて硬化させた樹脂基板などを用いることができる。ただし、これに限定されることなく、その他、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等からなるセラミック基板なども、絶縁基板１０１として有効である。セラミックは、温度変化による基板の反りが起こりにくい材質であるため、セラミック基板を採用した場合には、用途等に応じて、反り防止用のスリット（スリット８２ａ及び８２ｂ）等の形成を割愛するようにしてもよい。また、プリント配線板１１上の配線の厚さ（導体パターン１１１及び１１２の膜厚）は、好ましくは「１００〜２５０μｍ」であり、より好ましくは「１３５〜２５０μｍ」である。プリント配線板１１は、表裏対称の構造を有することが好ましい。
【００２１】
また、プリント配線板１１には、表裏に貫通する円柱状のスルーホール１０１ａが形成されており、スルーホール１０１ａの内壁には、プリント配線板１１の両面の導体パターンを、相互に電気的に接続するスルーホール導体１０１ｂが形成されている。このスルーホール導体１０１ｂは、配線板表裏の銅めっき膜１１２ｂ及び１１１ｂ（導体パターン１１２及び１１１）と一続きのめっき膜によって形成されている。
【００２２】
スルーホール１０１ａには、それぞれ導体ポスト５１０（導体ピン）が挿入され、いわゆるインプラント構造を形成している。ここで、導体ポスト５１０は、図４Ａ（平面図）及び図４Ｂ（側面図）に示すように、柱状の軸に対して径方向に突出した鍔部５１３と、鍔部を境にして両側に突出する頭部５１１及び脚部５１２を有する。鍔部５１３は、いわば導体ポスト５１０の軸の外周を覆うリングとして形成されている。
【００２３】
なお、第1実施形態における頭部５１１とは、鍔部５１３の第1面（鍔部５１３の上面５１３ａ）から突出する導体ポスト５１０の一部分である。脚部５１２とは、鍔部５１３の第２面（鍔部５１３の下面５１２ｂ）から突出する導体ポストの一部分である。また、鍔部５１３の第1面とは、例えば、図２に示すように、鍔部５１３がプリント配線板と接触する面を指し、第２面とは、第１面とは反対側の面で、半導体チップ２１と対向する側の面を指す。
【００２４】
導体ポスト５１０の軸と鍔部５１３とは、図４Ａに示すように、軸方向に直交する横断面形状が、互いに同心円状の形状となっている。なお、導体ポスト５１０の軸に係る横断面形状の直径ｄ１１（頭部５１１及び脚部５１２に共通の直径）は、好ましくは「４５０〜５５０μｍ」であり、より好ましくは「５００μｍ」である。鍔部５１３に係る横断面形状の直径ｄ１２は「６５０〜７５０μｍ」であり、より好ましくは「７００μｍ」である。鍔部５１３は、導体ポスト５１０の軸の一周にわたって径方向に均等に突出しており、その均等な鍔部５１３の突出幅ｄ１３は、好ましくは「５０〜１５０μｍ」であり、より好ましくは「１００μｍ」である。頭部５１１及び脚部５１２が、同一形状を有することで、導体ポスト５１０は、鍔部５１３を境に対称的な構造（形状）となっている。頭部５１１の横断面形状とスルーホール１０１ａの横断面形状とは略相似の関係にある。頭部５１１の太さ（直径）は、スルーホール１０１ａの直径より小さくても大きくても良い。小さいとスルーホールと導体ポストとの間に後の工程で用いる半田等の金属ペーストが入り込みやすく、大きいとスルーホールと導体ポストが直接接触することができる。
【００２５】
また、鍔部５１３は、導体ポスト５１０の両端（先端５１１ａ及び後端５１２ａ）からの各距離が等しくなる中心位置に設けられている。すなわち、頭部５１１の長さｄ２１（鍔部５１３の上面５１３ａ（第１面）と先端５１１ａの端面との距離）と脚部５１２の長さｄ２２（鍔部５１３の下面５１３ｂ（第２面）と後端５１２ａの端面との距離）とが、等しくなっている。なお、これら長さｄ２１及びｄ２２は、好ましくは「０．９〜１．１ｍｍ」であり、より好ましくは「１．０ｍｍ」である。
【００２６】
導体ポスト５１０は、図３に示すように、例えば先端５１１ａからスルーホール１０１ａに挿入されている。この導体ポスト５１０は、鍔部５１３が、プリント配線板１１の片面（例えば下面）に当接するまで挿入されている。また、導体パターン１１１、１１２の各表面には、それぞれソルダーレジスト１１３、１１４（保護膜）が形成されている。そして、これらソルダーレジスト１１３、１１４により、プリント配線板１１の両面（上面及び下面）が、全体的に覆われ、導体ポスト５１０の先端５１１ａが、プリント配線板１１の上面においてソルダーレジスト１１４の開口部から露出している。
【００２７】
プリント配線板１１の両面には、それぞれソルダーレジスト１１３、１１４により、凹部１０１ｃ、１０１ｄが形成されている。凹部１０１ｄの内側には、半田１０１ｅが設けられている。半田１０１ｅは、頭部５１１の側面５１１ｂ、及び、導体パターン１１２（詳しくは銅めっき膜１１２ｂ）の上面に、それぞれ接触しており、導体ポスト５１０とその周囲の導体とを、電気的にも物理的にも接続している。
【００２８】
スルーホール１０１ａの内部では、頭部５１１の側面５１１ｂが、スルーホール導体１０１ｂと直に接触している。こうして、導体ポスト５１０とスルーホール導体１０１ｂとが、電気的にも物理的にも接続されている。こうした導体ポスト５１０の接続信頼性は、導体パターン１１２及び１１１とスルーホール導体１０１ｂとが一体に形成されていることにより高められている。
【００２９】
より詳しくは、図５に示すように、鍔部５１３の上面５１３ａ（プリント配線板１１の下面との当接面）と、導体ポスト頭部５１１の側面５１１ｂ（スルーホール導体１０１ｂとの接触面）とには、それぞれ多数の微小な凹凸５１３ｃ、５１１ｃが形成されている。そして、導体ポスト５１０とプリント配線板１１との隙間、詳しくは鍔部５１３の上面５１３ａとプリント配線板１１の下面との隙間及び導体ポスト頭部５１１の側面５１１ｂとスルーホール導体１０１ｂとの隙間には、それぞれ半田１０１ｅ（導電性材料）が入り込んで充填されている。こうした構造により、導体ポスト５１０の接続部分の電気抵抗（接続抵抗）が小さくなっている。
【００３０】
プリント配線板１１の下面（半導体チップ側）の凹部１０１ｃは、鍔部５１３の外形に対応した形状からなり、その凹部１０１ｃの内側に、鍔部５１３が配置されている。この凹部１０１ｃにより、容易に高い精度で、導体ポスト５１０を位置決めすることができるようになっている。
【００３１】
導体ポスト５１０の両端（先端５１１ａ及び後端５１２ａ）は、それぞれプリント配線板１１の両面（上面及び下面）から突出している。このうち、導体ポスト５１０の先端５１１ａは、プリント配線板１１の上面（鍔部５１３に当接する片面の反対面）から突出している。このように導体ポスト５１０の先端５１１ａ（スルーホールに挿入される一端）が突出していることで、高い放熱効果が得られる。詳しくは、図６に示すように、その先端５１１ａの端面が、導体パターン１１２（詳しくは銅めっき膜１１２ｂ）の上面よりも、導体ポスト５１０の軸方向に突出している。なお、その軸方向への突出量ｄ２３は、プリント配線板１１上の配線（導体パターン１１２）の厚さｄ３１以上で、且つ、脚部５１２の長さｄ２２以下の範囲Ｒ２に設定されていることが好ましい。また、導体ポスト群５１における各導体ポスト５１０の先端５１１ａの端面は、同一平面にあることが好ましい。こうすることで、複数の導体ポスト５１０間で熱特性等を均一にすることができる。
【００３２】
導体ポスト５１０、５２０の後端（スルーホール１０１ａに挿入される一端の反対端）には、図２に示すように、それぞれ半導体チップ２１、２２が搭載（詳しくはチップ表裏の電極２１ａ、２２ａに装着）されている。例えば導体ポスト５１０の後端５１２ａは、図７に示すように、半導体チップ２１表裏の電極２１ａに、半田２１ｂにより装着されている。こうした導体ポスト５１０の後端５１２ａは、導体ポスト群５１ごと、同一条件で半田付けされることが好ましい。こうすることで、その接続部分において、良好な電気的導通及び熱伝導が得られる。また、導体ポスト群５１における各導体ポスト５１０の後端５１２ａの端面は、同一平面上にあることが好ましい。ただし、後端５１２ａの端面が同一平面上になく、後端５１２ａと半導体チップ２１の電極２１ａとの間に隙間があっても、半田を充填することにより電気的な導通を図ることは可能である。なお、導体ポストと半導体チップとの接続方式は、半田接合に限られず、例えば銅−銅接合等の金属接合であってもよい。
【００３３】
ここで、導体ポスト５１０の後端５１２ａは、図８Ａ〜図８Ｄ（図８Ａ：斜視図、図８Ｂ：平面図、図８Ｃ：図８ＢのＬ１−Ｌ１断面図、図８Ｄ：図８ＢのＬ２−Ｌ２断面図）に示すように、中央部に平坦な領域５１２１を有し、周縁部に窪み５１２２を有する。なお、導体ポスト５２０の後端も、同様の構造を有する。
【００３４】
平坦な領域５１２１は、半導体チップ２１の対向面（詳しくはチップ面に平行に対向する面）となるものであり、多放射状（詳しくは十字状）の形態を有する。こうした平坦な領域５１２１により、導体ポスト５１０と半導体チップ２１との電気的な接続として、良好な接続が得られる。また、両者間の金属接続も容易になる。
【００３５】
窪み５１２２は、平坦な領域５１２１の各放射辺間に配置され、対称的な配置で複数（詳しくは４つ）形成されている。これら４つの窪み５１２２は、後端５１２ａの周方向に等間隔で配置されている。こうした窪み５１２２によりボイドの逃げ道が形成されることで、半田２１ｂ中のボイドが抜けるようになる。このため、窪み５１２２を設けることで、導体ポストの後端部分（半導体チップとの接続部分）のクラック等を低減することができる。
【００３６】
このように、プリント配線板１１、１２と半導体チップ２１、２２とは、導体ポスト５１０、５２０及びスルーホール導体（例えば図３中のスルーホール導体１０１ｂ）を通じて電気的に接続されており、両者の間の電気抵抗及び熱抵抗は極めて小さくなっている。また、導体ポスト５１０、５２０とスルーホール導体とが、金属同士（しかも同種材料同士）で接触していることにより、ヒートサイクル等に関して安定した特性が得られる。
【００３７】
また、プリント配線板１１、１２と半導体チップ２１、２２とは、通常、互いに異なる熱膨張係数を有する。このため、大きな温度変化があると、両者の間に、熱膨張量（又は熱収縮量）の差に起因した熱歪みが生じる。両者を接続する導体ポスト５１０、５２０は、こうした熱歪みを抑制する効果も奏する。すなわち、導体ポスト５１０、５２０は、自身が変形することで、熱歪みを吸収し、プリント配線板１１、１２や半導体チップ２１、２２にかかる熱応力を緩和する。特に、半導体装置１０に係る導体ポスト５１０、５２０の頭部５１１及び脚部５１２は、先の図４Ａ及び図４Ｂに示したように、鍔部５１３よりも小さな径を有する。このように、頭部５１１及び脚部５１２が棒状に細く形成されていることで、導体ポスト５１０及び５２０が変形し易くなり、熱歪みを効率的に抑制することが可能になる。
【００３８】
こうした半導体装置１０は、例えば公知のテンティング法によりプリント配線板１１及び１２を作製し、それらプリント配線板１１及び１２に、導体ポスト群５１〜５４（図１）を接続し、さらにそれら導体ポスト群５１〜５４に半導体チップを実装することにより製造することができる。なお、プリント配線板１１及び１２の作製工程は、基本的には同様であるため、ここでは、プリント配線板１１の作製工程についてのみ詳細に説明する。
【００３９】
プリント配線板１１の作製に際しては、まず、例えば図９Ａに示すように、絶縁基板１０１の両面（表裏）に、それぞれ例えば厚さ「１８μｍ」の銅箔１１２ａ、１１１ａがラミネートされた両面銅張積層板を用意し、例えば図９Ｂに示すように、例えばドリル又はレーザにより、所定の箇所に、貫通孔６１ａ〜６３ａ（図１）及びスルーホール１０１ａを形成（穿設）する。
【００４０】
続けて、例えば図９Ｃに示すように、銅めっき（無電解めっき及び電解めっき）することにより、銅箔１１１ａ、１１２ａ上にさらに銅膜を形成して、各銅膜を厚膜化し、銅膜１１１１、１１２１とする。
【００４１】
続けて、図１０Ａに示すように、それら銅膜１１１１、１１２１上に、エッチングレジスト１１１２、１１２２を形成し、所定のリソグラフィ工程（例えば前処理、ラミネート、露光、現像等）を経ることによりパターニングし、さらに所定のエッチング工程（例えばエッチング、剥膜、内層検査等）を経ることにより、図１０Ｂに示すように、銅膜１１１１、１１２１をそれぞれパターニングする。これにより、配線パターンとしての導体パターン１１１、１１２、並びに層間接続としてのスルーホール導体１０１ｂが形成される。
【００４２】
続けて、図１０Ｃに示すように、基板の表裏に、ソルダーレジスト１１４、１１３を形成（成膜及びパターニング）する。こうして、先の図３に示したようなプリント配線板１１が完成する。なお、ソフトエッチングなどにより導体パターン１１１、１１２の各表面を粗化して、例えば周知のビルドアップ法などにより、さらに必要な層数だけ配線層（導体回路）及び層間絶縁膜（層間接続を含む）を積層することで、より多層のプリント配線板を製造することも可能である。
【００４３】
続けて、上記の手順により作製したプリント配線板１１及び１２に、導体ポスト群５１〜５４（図１）を立設する。なお、導体ポスト群５１〜５４の立設工程は、基本的には同様であるため、ここでは、導体ポスト群５１、５２の立設工程についてのみ詳細に説明する。
【００４４】
導体ポスト群５１、５２の挿入に際しては、まず、例えば図１１Ａに示すように、多数（少なくともプリント配線板１１に形成される挿入すべきスルーホール１０１ａの数と同等、好ましくはスルーホール１０１ａの数よりも多い数）の導体ポスト５０１、及びポスト立て治具５０２を用意する。多数の導体ポスト５０１は、いずれも先の図４Ａ及び図４Ｂ、並びに図５に示したような構造を有する。こうした導体ポスト５０１は、例えば鋳造又はプレス加工により作製することができる。導体ポスト側面及び鍔部上面の微小な凹凸５１１ｃ及び５１３ｃ（図５）は、例えば治具により、それらの面を叩く又は削ることで、形成することができる。なお、導体ポスト５０１の軸と鍔部とは、一体に形成しても、別々に形成して後で組み合わせるようにしてもよい。一方、ポスト立て治具５０２は、複数の貫通孔５０２ａを有し、これら貫通孔５０２ａは、それぞれスルーホール１０１ａに対応した形状（円柱状）及び数及び配置及び角度（孔の方向に相当）を持つ。貫通孔５０２ａの開口端の一方は面取り（拡径）されて、鍔部５１３の外形に対応した形状からなる凹部５０２ｂが形成されている。こうして、導体ポスト５０１を位置決め及び挿入し易くなっている。
【００４５】
続けて、貫通孔５０２ａに導体ポスト５０１を挿入すべく、例えば真空ポンプ等の真空処理装置により、貫通孔５０２ａの一端から、図１１Ａ中の矢印の方向へ（ポスト立て治具５０２の凹部５０２ｂ形成面から反対面へ）、導体ポスト５０１を吸引する。この際、ポスト立て治具５０２を振動させたり、揺動させたりして、導体ポスト５０１を貫通孔５０２ａへ誘導する。正規の状態で挿入されていない導体ポスト５０１、例えば一部だけが貫通孔５０２ａに引っかかるようにして差し込まれたものなど、があれば、例えばブラシなどを用いて、それらを排除する。そして、新たに導体ポスト５０１を用意し、再度、貫通孔５０２ａに導体ポスト５０１を挿入すべく振動・揺動、及び吸引を実行する。全ての貫通孔５０２ａに導体ポスト５０１が挿入されるまで、このような工程を繰り返す。この挿入に際しては、鍔部５１３が、ストッパとして機能する。こうして、図１１Ｂに示すように、所定の配置を有する導体ポスト群５１、５２（導体ポスト５０１）が、ポスト立て治具５０２に用意される。なお、全ての貫通孔５０２ａに導体ポスト５０１が挿入されたか否かについては、例えば真空処理装置の吸引力の変化（例えば圧力計にて測定）により検出することができる。また、導体ポスト５０１が鍔部を境に対称的な形状を有することで、先端又は後端（ひいては頭部又は脚部）を区別することなく、導体ポスト５０１を貫通孔５０２ａに挿入することができる。すなわち、この挿入工程において、導体ポスト５０１のいずれの端部が先端又は後端に該当するか、ひいては導体ポスト５０１をいずれの端部から挿入するかについては、配慮（特別の措置など）を要しない。ポスト立て治具５０２に挿入された導体ポスト５０１の一端（貫通孔５０２ａ内の端）が後端５１２ａ、その他端（貫通孔５０２ａから突出する端）が先端５１１ａ（図４Ｂ）になる。
【００４６】
続けて、例えばブラシなどを用いて、ポスト立て治具５０２に挿入されていない導体ポスト５０１を排除する。その後、図１２Ａに示すように、導体ポスト５０１を立てたポスト立て治具５０２と、先の図９Ａ〜図１０Ｃの工程により作製したプリント配線板１１とを対向して配置し、各導体ポスト５０１と、それら導体ポスト５０１を挿入すべき各スルーホール１０１ａとをそれぞれ位置合わせする。
【００４７】
続けて、ポスト立て治具５０２とプリント配線板１１とを近づけて（接近させて）、位置合わせした状態で、プリント配線板１１の各スルーホール１０１ａに、ポスト立て治具５０２の各導体ポスト（導体ポスト群５１、５２）を挿入する。この際、鍔部５１３が、プリント配線板１１の片面（例えば下面）に当接するまで、導体ポスト５１０（又は導体ポスト５２０）を挿入し、鍔部５１３を凹部１０１ｃに係合させる。すなわち、鍔部５１３は、ストッパ又は位置合わせガイドとして機能する。
【００４８】
続けて、図１２Ｂに示すように、ソルダーレジスト１１４の凹部１０１ｄの内側に、導体ポスト５１０（又は導体ポスト５２０）をプリント配線板１１に固着するための半田１０１ｅ（半田ペースト）を、公知の手法により印刷する。この半田１０１ｅの材料としては、バンプを形成する半田材料（例えば共晶半田）よりも融点の高い材料（例えばＳｎ−Ｓｂ）を用いることが好ましい。こうすることで、後に集積回路チップを搭載する場合にも、半田１０１ｅは溶解しにくくなり、導体ポスト５１０の抜け防止が図られるようになる。
【００４９】
その後、導体ポスト５１０及び５２０の挿入されたプリント配線板１１を、ポスト立て治具５０２ごと、リフロー炉に入れる。これにより、半田１０１ｅが濡れ拡がり、導体ポスト５１０、５２０とプリント配線板１１との隙間に、それぞれ半田１０１ｅが入り込み（図５参照）、導体ポスト５１０、５２０とプリント配線板１１とが固着される。その後、ポスト立て治具５０２を取り外すことで、図１３Ａに示すように、プリント配線板１１と導体ポスト５１０、５２０とが一体化した導体ポスト付きプリント配線板が得られる。
【００５０】
続けて、図１３Ｂに示すように、その導体ポスト付きプリント配線板の所定の箇所（図１参照）に、例えばドリル又はルータ加工などにより、点状貫通孔８１、並びに、切り込みとしてのスリット８２ａ（大スリット）及びスリット８２ｂ（小スリット）を形成する。
【００５１】
こうして、半導体チップ実装前のプリント配線板１１が完成する。また、プリント配線板１２についても、プリント配線板１１の場合と同様、先の図９Ａ〜図１３Ｂの工程により、導体ポスト付きプリント配線板を作製し、所定の箇所（図１参照）に点状貫通孔８１、並びにスリット８２ａ及び８２ｂを形成する。
【００５２】
続けて、図１４Ａに示すように、実装すべき電子部品としての半導体チップ２１及び２２を用意し、これら半導体チップ２１及び２２を挟んでプリント配線板１１及び１２が対向して配置されるように位置合わせする。そして、貫通孔６１ａ〜６３ａ（図１）に、支柱６１〜６３を挿入する。続けて、それら支柱６１〜６３をガイドにして、その位置関係のまま、半導体チップ２１、２２の両面（表裏）からそれぞれプリント配線板１１、１２を近づけて、半導体チップ２１、２２の電極２１ａ、２２ａと導体ポスト５１０、５２０の後端５１２ａの端面とを接触させる。その後、それら電極２１ａ、２２ａと後端５１２ａとに共通の溶融半田を接触させ、その溶融半田を固化させることにより、両者を接続（半田付け）する（図７参照）。なお、導体ポストと半導体チップとの接続方式は、半田接合に限られず、例えば銅−銅接合等の金属接合であってもよい。
【００５３】
続けて、図１４Ｂに示すように、プリント配線板１１及び１２の間に、絶縁樹脂１０ａを充填する。この際、例えば点状貫通孔８１、並びにスリット８２ａ及び８２ｂなどを通じて、絶縁樹脂１０ａを注入することができる。これにより、半導体チップ２１及び２２が、その絶縁樹脂１０ａによって覆われ、封止される。こうして、半導体装置１０が完成する。
【００５４】
［第２実施形態］
引き続き本発明の第２実施形態について説明する。ここでは、前述した第１実施形態とは異なる部分を中心に説明する。
【００５５】
この第２実施形態では、導体ポスト５１０、５２０の脚部５１２と半導体チップ２１、２２とを接続する際に、導体ポスト５１０、５２０の脚部５１２に溶融半田を付着させた後、半導体チップ２１、２２をその溶融半田に接触させ、その溶融半田を固化させることにより、導体ポスト５１０、５２０の脚部５１２と半導体チップ２１、２２とを接続するようにしている。
【００５６】
具体的には、例えば図１３Ｂの工程により半導体チップ実装前のプリント配線板１１、１２を完成させた後、それら各プリント配線板１１、１２について、図１５Ａに示すように、例えば「２００℃」程度の半田浴１０１１ｅに、導体ポスト５１０、５２０の脚部５１２の先端のみを所定の時間浸漬する。続けて、図１５Ｂに示すように、導体ポスト５１０、５２０の脚部５１２の後端５１２ａに溶融半田１０１２ｅを付着させる。そしてその後、先の図１４Ａの工程に準ずる工程により、それら半導体チップ２１、２２をプリント配線板１１、１２に近づけることで、溶融半田１０１２ｅに接触させ、その溶融半田１０１２ｅが固化するまで温度を低下させることにより、導体ポスト５１０、５２０の脚部５１２と半導体チップ２１、２２とを接続する（図７参照）。これ以降の工程は、第１実施形態と同様である。このような製造方法によれば、導体ポスト５１０、５２０と半導体チップ２１、２２との接続が、電気的にも、物理的にも、良好になる。すなわち、良好な電気的特性が得られるとともに、両者の接続が強固になる。
【００５７】
なお、半田浴１０１１ｅに代えて、金属ペーストを用いるようにしてもよい。
【００５８】
［第３実施形態］
引き続き本発明の第３実施形態について説明する。ここでは、前述した第１実施形態とは異なる部分を中心に説明する。
【００５９】
図１６は、本発明に係る第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態では、導体ポスト５１０の脚部５１２がプリント配線板１１に設けられたスルーホール１０１ａに挿入されている。つまり、図４Ｂで示す導体ポスト５１０の鍔部５１３の第２面（鍔部５１３の下面５１２ｂ）とプリント配線板１１とが接触している。
【００６０】
なお、第３実施形態における頭部５１１とは、鍔部５１３の第１面（鍔部５１３の上面５１３ａ）から突出する導体ポスト５１０の一部分である。脚部５１２とは、鍔部５１３の第２面（鍔部５１３の下面５１２ｂ）から突出する導体ポストの一部分である。また、鍔部５１３の第２面とは、例えば、図１６に示すように、鍔部５１３がプリント配線板と接触する面を指し、第１面とは、第２面とは反対側の面を指す。
【００６１】
こうした半導体装置１０では、導体ポストとスルーホール導体とが直に接続されていることで、導体ポストの剥離やクラック等が抑制され、両者の電気的な接続性として、長期にわたって高い信頼性の接続を持続するような、良好な接続が得られる。また、導体ポストが鍔部を有することで、鍔部がストッパ、ひいては位置決めのガイドとして機能する。このため、導体ポストの位置精度が高まり、導体ポスト間での位置ずれ等が低減される。
【００６２】
この第３実施形態の半導体装置も、前述した第１実施形態又は第２実施形態の製造方法に準ずる方法で製造することができる。
【００６３】
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
【００６４】
例えば図１７に示すように、導体ポスト５１０、５２０の先端５１１ａ（スルーホールに挿入される一端）に、それぞれ放熱器３１、３２を装着するようにしてもよい。こうすることで、放熱性を高めることができる。なお、放熱器３１及び３２としては、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなる板状のヒートシンク等を用いることができる。また、この図１７には、全ての先端５１１ａに放熱器を設ける例を示しているが、任意の先端５１１ａのみに設けるようにしてもよい。
【００６５】
放熱器３１、３２としては、例えば図１８に例示する放熱器３００が有効である。
【００６６】
放熱器３００は、セラミック基板３００ａと、下地層３０１及び３０２と、金属層３０３及び３０４と、を備える。これらは、例えば矩形板状の外形を有する。
【００６７】
セラミック基板３００ａの下面には、下地層３０１、金属層３０３が順に積層される。一方、セラミック基板３００ａの上面には、下地層３０２、金属層３０４が順に積層される。
【００６８】
セラミック基板３００ａは、例えば厚さ０．６３５ｍｍのＡｌＮ（窒化アルミニウム）等からなり、絶縁性を有する。セラミック基板３００ａは、上下面を絶縁するとともに、熱を高い効率で伝える。
【００６９】
下地層３０１は、第１及び第２下地層３０１ａ及び３０１ｂから構成される。また、下地層３０２は、第１及び第２下地層３０２ａ及び３０２ｂから構成される。第１下地層３０１ａ、３０２ａは、それぞれ例えば厚さ０．１μｍのチタン（Ｔｉ）からなる。また、第２下地層３０１ｂ、３０２ｂは、それぞれ例えば厚さ１．０μｍの銅（Ｃｕ）からなる。
【００７０】
金属層３０３は、第１及び第２金属層３０３ａ及び３０３ｂから構成される。また、金属層３０４は、第１及び第２金属層３０４ａ及び３０４ｂから構成される。第１金属層３０３ａ、３０４ａは、それぞれ例えば厚さ２０μｍの銅のめっき皮膜からなる。また、第２金属層３０３ｂ、３０４ｂは、それぞれ例えば厚さ８０μｍの銅のめっき皮膜からなる。下地層３０１、３０２は、それぞれ第１金属層３０３ａ、３０４ａに対応してパターニングされる。
【００７１】
第２金属層３０３ｂ、３０４ｂの四辺は、それぞれ第１金属層３０３ａ、３０４ａの辺よりも例えば０．１〜１．０ｍｍだけ短い（図１８中の寸法差ｄ１０＝０．１〜１．０ｍｍ）。すなわち、金属層３０３及び３０４の側面には、段差Ｐ１が形成される。これにより、セラミック基板３００ａ、並びに金属層３０３及び３０４の熱膨張率の差等に起因する応力が緩和され、クラック等が抑制される。
【００７２】
放熱器３００は、例えば図１９Ａ〜図２１Ｃ（それぞれ図１８に対応した断面図）に示す工程を経て製造される。
【００７３】
まず、図１９Ａに示すように、例えばＡｒプラズマ、ＤＧ４〜５ｋＷ、５〜１５分間のスパッタリングにより、セラミック基板３００ａの上面に、厚さ０．１μｍのチタンからなる第１下地層３０２ａと、厚さ１．０μｍの銅からなる第２下地層３０２ｂと、を順に形成する。これにより、下地層３０２が形成される。第１及び第２下地層３０２ａ及び３０２ｂは、それぞれベタパターンとして形成する。
【００７４】
続けて、例えば図１９Ｂに示すように、下地層３０２の上面の全面に、電解めっき皮膜３０４ｃを形成する。具体的には、例えばセラミック基板３００ａを陰極、銅板電極を陽極として、硫酸銅の溶液に浸し、電流量３Ａ／ｄｍ２、３０分間の電解銅めっきを行う。
【００７５】
続けて、例えば図２０Ａに示すように、電解めっき皮膜３０４ｃの上面の全面を覆うように、ドライフィルム３００１をラミネートする。ドライフィルム３００１は、例えばネガ型のフォトレジストである。
【００７６】
続けて、例えば図２０Ｂに示すように、回路パターンに対応した開口部３００２ａを有するマスク３００２をドライフィルム３００１の上面側に設置し、ドライフィルム３００１の上面側から露光する。これにより、ドライフィルム３００１のうち、開口部３００２ａに露出する部分に、光が照射される。
【００７７】
続けて、例えば図２０Ｃに示すように、例えば数分間の現像をして、ドライフィルム３００１の未露光部を溶かす。現像液としては、例えば炭酸ナトリウム溶液を用いる。これにより、電解めっき皮膜３０４ｃの上面には、ドライフィルムの露光部３００１ａが残る。
【００７８】
続けて、例えばエッチングにより、電解めっき皮膜３０４ｃのうち、ドライフィルムの露光部３００１ａに覆われていない部分を除去する。エッチング液としては、例えば塩化銅と塩酸との混合液を用いる。その後、基板を超音波にかけつつ、例えばアセトンによりドライフィルムの露光部３００１ａを剥離する。これにより、例えば図２０Ｄに示すように、下地層３０２、第１金属層３０４ａが、それぞれパターニングされる。第１金属層３０４ａは、下地層３０２の上面に形成される。
【００７９】
続けて、例えば図２１Ａに示すように、第１金属層３０４ａを覆うように、ドライフィルム３００３をラミネートする。ドライフィルム３００３は、例えばポジ型のフォトレジストである。
【００８０】
続けて、例えば図２１Ｂに示すように、上述と同様、露光、現像して、ドライフィルム３００３の露光部に開口部３００３ａを形成する。
【００８１】
続けて、ドライフィルム３００３の開口部３００３ａに第２金属層３０４ｂを形成する。これにより、第１金属層３０４ａの上面に第２金属層３０４ｂが形成される。具体的には、例えばセラミック基板３００ａを陰極、銅板電極を陽極として、硫酸銅の溶液に浸し、電流量３Ａ／ｄｍ２、２時間の電解銅めっきを行う。その後、基板を超音波にかけつつ、例えばアセトンによりドライフィルム３００３を剥離する。さらに、窒素雰囲気下で、３５０℃、１時間の熱処理を行う。これにより、例えば図２１Ｃに示すように、セラミック基板３００ａの上面に、両方の側面にそれぞれ段差Ｐ１を有する金属層３０４が形成される。
【００８２】
また、同様の工程を経ることで、セラミック基板３００ａの下面に、下地層３０１と、金属層３０３と、を順に積層することができる。セラミック基板３００ａの両面に、下地層３０１、３０２と金属層３０３、３０４とを形成することにより、先の図１８に示した放熱器３００が完成する。
【００８３】
上記図１９Ａ〜図２１Ｃの例では、金属膜の全面堆積後に選択的にエッチングすることで、パターニングされた第１金属層３０４ａを形成したが、これに限定されない。例えば金属膜を選択的に堆積することで、パターニングされた第１金属層３０４ａを形成してもよい。
【００８４】
この場合、例えば図１９Ａ及び図１９Ｂの工程の後、下地層３０２の上面にドライフィルム３００４をラミネートして、露光及び現像によりこれをパターニングする。これにより、例えば図２２Ａに示すように、ドライフィルム３００４の露光部に開口部３００４ａが形成される。ドライフィルム３００４は、例えばポジ型のフォトレジストである。
【００８５】
続けて、例えば図２２Ｂに示すように、ドライフィルム３００４の開口部３００４ａに第１金属層３０４ａを形成する。
【００８６】
続けて、ドライフィルム３００４及び第１金属層３０４ａの上面にドライフィルム３００５をラミネートして、露光及び現像によりこれをパターニングする。これにより、例えば図２２Ｃに示すように、ドライフィルム３００５の露光部に開口部３００５ａが形成される。ドライフィルム３００５は、例えばポジ型のフォトレジストである。
【００８７】
続けて、例えば図２２Ｄに示すように、ドライフィルム３００５の開口部３００５ａに第２金属層３０４ｂを形成する。その後、ドライフィルム３００４、３００５を剥離し、必要に応じて熱処理を行うことで、セラミック基板３００ａの上面側に、段差Ｐ１を有する金属層３０４が形成される。
【００８８】
例えば図２３に示すように、３つ以上のプリント配線板を接続するようにしてもよい。この図２３に示す半導体装置は、プリント配線板１１と同様の構造を有する３つの配線板、すなわち第１の配線板１０１１、第２の配線板１０１２、及び第３の配線板１０１３を備える。第１の配線板１０１１に係る導体ポスト５１０ａ、５２０ａと第２の配線板１０１２に係る導体ポスト５１０ｂ、５２０ｂとには、共通の半導体チップ２０１、２０２が装着されており、さらに、第２の配線板１０１２に係る導体ポスト５１０ｂ、５２０ｂと第３の配線板１０１３に係る導体ポスト５１０ｃ、５２０ｃとには、共通の半導体チップ２０３、２０４が装着されている。第１の配線板１０１１と第２の配線板１０１２とは、半導体チップ２０１、２０２を挟むように対向して配置されている。一方、第２の配線板１０１２と第３の配線板１０１３とは、半導体チップ２０３、２０４を挟むように対向して配置されている。第１の配線板１０１１と第２の配線板１０１２との間には、半導体チップ２０１、２０２をそれぞれ覆うように、絶縁樹脂１０１０ａが充填されるとともに、第２の配線板１０１２と第３の配線板１０１３との間には、半導体チップ２０３、２０４を覆うように、絶縁樹脂１０１０ｂが充填されている。こうして、３つのプリント配線板が、基板厚み方向に導体ポストを介して接続されている。なおこの場合も、ソルダーレジストから露出する任意の導体ポストの先端に、放熱器３００（図１８）を装着するようにしてもよい。
【００８９】
上記実施形態では、半導体チップの両面に、その半導体チップに接続されるプリント配線板を配置するようにしたが、これに限られず、例えば図２４に示すように、半導体チップ２１及び２２の片面のみにプリント配線板１１を設けるようにしてもよい。この場合において、放熱性を高める上では、同図２４に示すように、半導体チップ２１、２２の各電極２１ａ、２２ａに直に放熱器３３、３４を装着することが好ましい。この例では、放熱器３３、３４の電極３３ａ、３４ａと半導体チップ２１、２２の各電極２１ａ、２２ａとが、それぞれ半田３３ｂ、３４ｂにより電気的に接続されている。なお、放熱器３３、３４の接続方式は任意である。また、放熱器３３、３４としては、例えば放熱器３００（図１８）が有効である。
【００９０】
上記実施形態では、１つの半導体チップに複数の導体ポストを接続する場合について言及したが、これに限られず、半導体チップに接続する導体ポストの数は任意である。ただし、半導体チップがパワー系モジュールである場合には、その半導体チップに複数の導体ポストを接続することにより、放熱性を高めることが重要になる。
【００９１】
電子部品の種類は任意である。例えばパワー半導体素子以外の電子部品であってもよい。こうした電子部品としては、例えばＩＣ回路等の能動部品のほか、例えば抵抗、コンデンサ（キャパシタ）、コイル等の受動部品など、任意の電子部品を用いることができる。
【００９２】
電子部品の数も任意であり、例えば図２５Ａに示すように、１つ（半導体チップ２１）であっても、あるいは図２５Ｂに示すように、３つ（半導体チップ２０１、２０３、２０４）であってもよい。上記実施形態では、対称構造になるようにしたが、図２５Ｂに示すように、非対称の構造としてもよい。また、電子部品の数に応じて、放熱器の数を決めるようにしてもよい。すなわち、図２５Ｂに示される例のように、１つの電子部品につき、所定の数（例えば１つ）の放熱器を設けるようにしてもよい。
【００９３】
例えば図２６に示すように、プリント配線板１１の上面（鍔部５１３の当接面の反対面）に、導体ポスト５１０、５２０に電気的に（ひいては熱的に）接続されるダミー導体（導体パターン）８３ａを形成して、所定の部位においてソルダーレジスト１１４から露出させるようにしてもよい。この図２６の例では、通常の動作には無関係なダミー導体８３ａが、導体パターン１１２の一部として形成され、スリット８２ｂの隣接領域８３に露出している。こうすることで、放熱性を高めることができる。なお、ダミー導体８３ａは、スリット８２ｂの隣接領域８３以外の部位に露出させてもよい。例えば点状貫通孔８１又はスリット８２ａの隣接領域、その他、プリント配線板１１の上面における任意の部位で、ダミー導体８３ａを露出させるようにしてもよい。
【００９４】
また、通常の動作には無関係なダミー導体（ベタパターン）を、プリント配線板１１の片面又は両面に、先の点状貫通孔８１やスリット８２ａと同様のレイアウト（例えば図１）で配置すれば、基板の反りを緩和することができる。
【００９５】
例えば図２７に示すように、導体ポスト５１０、５２０と支柱６１〜６３とを、電気的に接続するようにしてもよい。こうすることで、放熱性を高めることができる。
【００９６】
プリント配線板において、点状貫通孔及び線状貫通孔の総面積（例えば図２８Ａ中の斜線領域の総面積）は、プリント配線板の総面積から部品搭載領域１００１〜１００４の面積（電子部品の設置面積）を減算した残りの面積（例えば図２８Ｂ中の斜線領域の面積）の５％以上を占めることが好ましい。すなわち、例えばプリント配線板の総面積が「１００（単位は任意）」、同一面積の部品搭載領域１００１〜１００４の１つの面積が「１０」であれば、図２８Ｂ中の斜線領域の面積の５％は「（１００−４×１０）×０．０５＝３」であり、点状貫通孔及び線状貫通孔の総面積は「３」以上であることが好ましい。
【００９７】
導体ポスト５１０の先端５１１ａ（スルーホールに挿入される一端）の端面が、導体パターン１１２（銅めっき膜１１２ｂ）の上面から突出していることは必須の構成ではなく、用途等に応じて、例えば図２９に示すように、突出させないようにしてもよい。
【００９８】
図３０に示すように、導体ポスト５１０の鍔部５１３の位置を第１実施形態と第３実施形態を組み合わせたものでもよい。
【００９９】
導体ポスト５１０は、先の図４Ａ及び図４Ｂ、並びに図８Ａ〜図８Ｄに示したものには限られず、柱状の軸に対して径方向に突出した鍔部を有するものであれば、任意の形状にしてよい。
【０１００】
例えば頭部５１１及び脚部５１２の一方を、他方よりも長くしてもよい。例えば図３１Ａに示すように、頭部５１１の長さｄ２１よりも脚部５１２の長さｄ２２を小さくしてもよい。あるいは、図３１Ｂに示すように、頭部５１１の長さｄ２１よりも脚部５１２の長さｄ２２を大きくしてもよい。
【０１０１】
また、例えば頭部５１１及び脚部５１２の一方を、他方よりも太くしてもよい。例えば図３２Ａに示すように、頭部５１１の太さ（横断面形状の直径ｄ１１１）よりも脚部５１２の太さ（横断面形状の直径ｄ１１２）を小さくしてもよい。あるいは、図３２Ｂに示すように、頭部５１１の太さ（横断面形状の直径ｄ１１１）よりも脚部５１２の太さ（横断面形状の直径ｄ１１２）を大きくしてもよい。なお、いずれの場合も、頭部５１１及び脚部５１２に係る横断面形状の直径ｄ１１１及びｄ１１２は、それぞれ鍔部５１３に係る横断面形状の直径ｄ１２よりも小さい。
【０１０２】
また、導体ポスト５１０の後端５１２ａ（半導体チップとの接続面）の形態も、適宜変更することができる。例えば図３３Ａ又は図３３Ｂに示すように、先の図８Ｂに示した断面に対応する断面として、より放射数の多い多放射状形態を有する断面を採用するようにしてもよい。すなわち、この図３３Ａの例のように、平坦な領域５１２１として星形の領域を有する断面、あるいは図３３Ｂの例のように、平坦な領域５１２１として軸中心から放射状に延びる多数（無数）の線状領域を有する断面を採用するようにしてもよい。この場合も、窪み５１２２が、平坦な領域５１２１の各放射辺間に配置され、周方向に等間隔で配置されていることが好ましい。こうした窪み５１２２を設けることで、導体ポストの後端部分（半導体チップとの接続部分）のクラック等を低減することができる。
【０１０３】
また、例えば先の図８Ｃに示した断面に対応する断面として、図３４Ａに示すような断面を採用するようにしてもよい。すなわち、この図３４Ａの例のように、半導体チップ２１及び２２との接続面を広げるべく、導体ポスト５１０の後端５１２ａに、軸に対して径方向に突出した傘部５１２３を形成するようにしてもよい。あるいは、図３４Ｂに示すように、窪み５１２２を、より内側に（軸の中心に近づけて）形成するようにしてもよい。こうした窪み５１２２は、ボイドやクラック等を低減する上で有効である。しかしながら、窪み５１２２は必須の構成要素ではなく、例えば図３４Ｃに示すように、必要がなければ、窪みの形成を割愛することができる。
【０１０４】
導体ポスト５１０の軸の形状は、円柱状に限られず任意であり、例えば多角柱状であってもよい。より具体的には、例えば図３５Ａ〜図３５Ｃに、先の図４Ａに対応する断面図（横断面図）を示すように、導体ポスト５１０の軸（頭部５１１又は脚部５１２）は、三角柱状、四角柱状、又は六角柱状の軸であってもよい。この場合も、同図３５Ａ〜図３５Ｃに示すように、軸の横断面形状と鍔部５１３の横断面形状とが、互いに同心円状の形状となっていることが好ましい。ただし、このことは必須ではなく、例えば図３６Ａ〜図３６Ｃに示すように、同心円状ではない軸及び鍔部５１３を有する導体ポスト５１０であってもよい。
【０１０５】
導体ポスト５１０の鍔部５１３も、軸に対して径方向に突出していれば任意の形状とすることができる。例えば図３７Ａに横断面を示すように、鍔部５１３は、周方向に分割された複数の扇状片からなるものであってもよい。この場合は、複数の扇状片は、等間隔で、軸に対して対称に配置されていることが好ましい。ただし、用途等に応じて、軸に対して非対称の鍔部５１３としてもよい。具体的には、例えば図３７Ｂに示すように、１つの半円状片からなる鍔部５１３であってもよい。また、この１つの半円状片を周方向に分割して、複数の扇状片にしてもよい。
【０１０６】
導体ポスト５１０の軸は、中空状の軸であってもよい。例えば図３８Ａに示すように、導体ポスト５１０の軸（頭部５１１又は脚部５１２）の中心に、軸方向に延びる孔５１１１（例えば貫通孔）を形成するようにしてもよい。あるいは図３８Ｂに示すように、こうした孔５１１１を、軸全体に多数（ポーラス状に）形成するようにしてもよい。こうした孔５１１１を形成することで、導体ポスト５１０の軽量化等を図ることができる。また、重心の偏りを緩和すべく、鍔部５１３の形態（配置）に応じて、孔５１１１の配置を決めるようにしてもよい。例えば図３８Ｃに示すように、孔５１１１を、軸の中心から鍔部５１３側にずらして配置するようにしてもよい。
【０１０７】
また、導体ポスト５１０の頭部５１１と導体ポスト５１０の脚部５１２とを、互いに異なる形状（特に横断面形状）にしてもよい。例えば図３９（上面図、側面図、底面図）に示すように、頭部５１１の横断面を八角形状にし、また脚部５１２の横断面を円形状にしてもよい。
【０１０８】
鍔部５１３当接面及び導体ポスト５１０側面の凹凸（図５）は、必須の構成ではなく、用途等に応じて割愛してもよい。また、導体ポスト５１０とスルーホール導体１０１ｂとをしまり嵌めにして、導体ポスト５１０とスルーホール導体１０１ｂとを面接触させるようにしてもよい。
【０１０９】
鍔部の数は任意であり、例えば図４０に示すように、複数（この例では３つ）の鍔部５１３１〜５１３３を有する導体ポストを用いることもできる。
【０１１０】
導体ポストの軸は、屈曲部を有するものであってもよい。例えば図４１Ａに示すように、Ｌ字状の軸から構成される導体ポスト５１０１であってもよい。また、導体ポストの軸は、二股又は三つ股以上の分岐部を有するものであってもよい。例えば図４１Ｂに示すように、二股分岐部を有する軸から構成される導体ポスト５１０２であってもよい。
【０１１１】
上記実施形態では、同一形状・同一材料の複数の導体ポストにより導体ポスト群を構成するようにしたが、異なる形状又は異なる材料の複数の導体ポストにより導体ポスト群を構成するようにしてもよい。
【０１１２】
上記実施形態では、両面プリント配線板１１及び１２について言及したが、コア表裏の一方のみに導体（配線層）を有する片面プリント配線板にも、本発明は上記実施形態と同様の形態にて適用可能である。
【０１１３】
上記実施形態では、プリント配線板１１及び１２の作製方法の一例として、テンティング法について言及したが、これに限られず、例えば図４２Ａ〜図４３Ｃに示すように、セミアディティブ（ＳＡＰ）法により、プリント配線板１１及び１２を作製することもできる。具体的には、この例では、図４２Ａ及び図４２Ｂに示すように、図９Ａ及び図９Ｂと同様の工程を経て、銅箔１１１ａ、１１２ａを有する両面銅張積層板に、貫通孔６１ａ〜６３ａ（図１）及びスルーホール１０１ａを形成（穿設）する。続けて、例えば図４２Ｃに示すように、結果物を無電解めっきすることにより、銅箔１１１ａ、１１２ａ上にさらに銅膜を形成して、各銅膜を厚膜化し、銅膜１１１１ａ、１１２１ａとする。
【０１１４】
続けて、例えば図４３Ａに示すように、それら銅膜１１１１ａ、１１２１ａ上に、めっきレジスト１１１２ａ、１１２２ａを形成し、続けて図４３Ｂに示すように、銅１１１３ａ、１１２３ａを電解めっきする。そして、めっきレジスト１１１２ａ、１１２２ａを剥離することにより、図４３Ｃに示すように、配線パターンとしての導体パターン１１１、１１２、並びに層間接続としてのスルーホール導体１０１ｂが形成される。その後、結果物の表裏に、ソルダーレジスト１１４、１１３を形成（成膜及びパターニング）することで、先の図３に示したようなプリント配線板が完成する。こうした方法であれば、より厚い（例えば厚さ「１５０μｍ」の）導体パターン１１１、１１２を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明の半導体装置は、自動車電装や情報機器・電気機器に適している。
【符号の説明】
【０１１６】
１０  半導体装置
１０ａ  絶縁樹脂
１１、１２  プリント配線板
２１、２２、２０１〜２０４  半導体チップ（電子部品）
３１〜３４  放熱器
５１〜５４、５１ａ〜５１ｃ  導体ポスト群
６１〜６３  支柱
６１ａ〜６３ａ  貫通孔
８１、８１ａ、８１ｂ  点状貫通孔
８２ａ〜８２ｄ  スリット（線状貫通孔）
８３ａ  ダミー導体（導体パターン）
１０１  絶縁基板
１０１ａ  スルーホール
１０１ｂ  スルーホール導体
１０１ｃ、１０１ｄ  凹部
１０１ｅ  半田
１１１、１１２  導体パターン（配線パターン）
１１１ａ、１１２ａ  銅箔
１１１ｂ、１１２ｂ  銅めっき膜
１１３、１１４  ソルダーレジスト
２０１〜２０４  半導体チップ
３００  放熱器
３００ａ  セラミック基板（絶縁基板）
３０１、３０２  下地層
３０３、３０４  金属層（導体層）
５０１、５１０、５１０ａ〜５１０ｃ  導体ポスト
５０２  ポスト立て治具
５０２ａ  貫通孔
５１１  頭部
５１１ａ  先端（スルーホールに挿入される一端）
５１２  脚部
５１２ａ  後端（スルーホールに挿入される一端の反対端）
５１３、５１３１〜５１３３  鍔部
５１１ｃ、５１３ｃ  凹凸
５２０、５２０ａ〜５２０ｃ  導体ポスト
１０１０ａ、１０１０ｂ  絶縁樹脂
１０１１  第１の配線板
１０１１ｅ  半田浴
１０１２  第２の配線板
１０１２ｅ  溶融半田
１０１３  第３の配線板
５１０１、５１０２  導体ポスト
【図１】
2010041053.tif 000003
【図２】
2010041053.tif 000004
【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
2010041053.tif 000008
【図６】
2010041053.tif 000009
【図７】
2010041053.tif 000010
【図８Ａ】
2010041053.tif 000011
【図８Ｂ】
2010041053.tif 000012
【図８Ｃ】
2010041053.tif 000013
【図８Ｄ】
2010041053.tif 000014
【図９Ａ】
2010041053.tif 000015
【図９Ｂ】
2010041053.tif 000016
【図９Ｃ】
2010041053.tif 000017
【図１０Ａ】
2010041053.tif 000018
【図１０Ｂ】
2010041053.tif 000019
【図１０Ｃ】
2010041053.tif 000020
【図１１Ａ】
2010041053.tif 000021
【図１１Ｂ】
2010041053.tif 000022
【図１２Ａ】
2010041053.tif 000023
【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
2010041053.tif 000027
【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
2010041053.tif 000029
【図１５Ｂ】
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【図１６】
2010041053.tif 000031
【図１７】
2010041053.tif 000032
【図１８】
2010041053.tif 000033
【図１９Ａ】
2010041053.tif 000034
【図１９Ｂ】
2010041053.tif 000035
【図２０Ａ】
2010041053.tif 000036
【図２０Ｂ】
2010041053.tif 000037
【図２０Ｃ】
2010041053.tif 000038
【図２０Ｄ】
2010041053.tif 000039
【図２１Ａ】
2010041053.tif 000040
【図２１Ｂ】
2010041053.tif 000041
【図２１Ｃ】
2010041053.tif 000042
【図２２Ａ】
2010041053.tif 000043
【図２２Ｂ】
2010041053.tif 000044
【図２２Ｃ】
2010041053.tif 000045
【図２２Ｄ】
2010041053.tif 000046
【図２３】
2010041053.tif 000047
【図２４】
2010041053.tif 000048
【図２５Ａ】
2010041053.tif 000049
【図２５Ｂ】
2010041053.tif 000050
【図２６】
2010041053.tif 000051
【図２７】
2010041053.tif 000052
【図２８Ａ】
2010041053.tif 000053
【図２８Ｂ】
2010041053.tif 000054
【図２９】
2010041053.tif 000055
【図３０】
2010041053.tif 000056
【図３１Ａ】
2010041053.tif 000057
【図３１Ｂ】
2010041053.tif 000058
【図３２Ａ】
2010041053.tif 000059
【図３２Ｂ】
2010041053.tif 000060
【図３３Ａ】
2010041053.tif 000061
【図３３Ｂ】
2010041053.tif 000062
【図３４Ａ】
2010041053.tif 000063
【図３４Ｂ】
2010041053.tif 000064
【図３４Ｃ】
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【図３５Ａ】
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【図３５Ｂ】
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【図３５Ｃ】
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【図３６Ａ】
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【図３６Ｂ】
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【図３６Ｃ】
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【図３７Ａ】
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【図３７Ｂ】
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【図３８Ａ】
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【図３８Ｂ】
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【図３８Ｃ】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１Ａ】
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【図４１Ｂ】
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【図４２Ａ】
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【図４２Ｂ】
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【図４２Ｃ】
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【図４３Ａ】
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【図４３Ｂ】
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【図４３Ｃ】
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