(57)【要約】【課題】光学素子の波面収差を好適に維持できる光学素子位置調整装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】光学素子位置調整装置は、ミラー３３，３５を保持し、且つ鏡筒２９に対してミラー３３，３５を６自由度方向に移動させるべく駆動する駆動部を有するミラー保持装置と、第６ミラー３５のＺ軸方向における位置を計測するための第６軸方向計測器６１Ｆと、第４ミラー３３のＹ軸方向における位置を計測するための鏡筒半径計測器６２及び間隔計測器６３と、各計測器６１Ｆ，６２，６３からの計測結果に基づきミラー保持装置を制御する制御装置とを備えている。【選択図】図５
2010056187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鏡筒に保持される光学素子の位置を調整する光学素子位置調整装置であって、
前記光学素子を保持し、且つ前記鏡筒に対して該光学素子を移動させるべく駆動する駆動部を有する光学素子保持装置と、
前記鏡筒の膨張及び伸縮のうち少なくとも一方に伴って変位する前記光学素子の位置を計測する計測装置と、
該計測装置による計測結果に基づき前記光学素子保持装置を制御する制御装置と、
を備えた光学素子位置調整装置。
【請求項２】
前記鏡筒は、基準部位を有し、前記計測装置は、前記基準部位を基準として、前記鏡筒の膨張及び伸縮のうち少なくとも一方を計測する第１計測器と、該第１計測器の計測結果に基づき前記光学素子の位置を算出する第１算出器とを備え、前記制御装置は、前記第１算出器による算出結果に基づき前記光学素子保持装置を制御する請求項１に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項３】
前記光学素子の光軸は、前記鏡筒の中心軸に対して所定間隔離れており、
前記計測装置は、前記鏡筒の中心軸に対する前記光学素子の位置を計測する請求項１又は請求項２に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項４】
前記鏡筒は、円筒部分を有すると共に、前記光学素子には、予め設定された所定位置が設けられており、
前記計測装置は、前記円筒部分の径の変化量を検出する第１検出器と、前記円筒部分の側壁と前記光学素子の前記所定位置との間隔の変化量を計測する第２計測器と、前記第１検出器による検出結果及び前記第２計測器による計測結果に基づき前記光学素子の位置を算出する第２算出器とを備え、
前記制御装置は、前記第２算出器による算出結果に基づき前記光学素子保持装置を制御する請求項３に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項５】
前記第１計測器は、発光部を有する干渉計と、前記発光部からの計測光を前記干渉計側に反射するミラー部とを備え、前記発光部からの計測光と前記ミラー部からの反射光とに基づき前記光学素子の位置を算出するようになっており、
前記干渉計は、前記基準部位側及び前記光学素子側のうち何れか一方に配置されると共に、前記ミラー部は、前記基準部位側及び前記光学素子側のうち何れか他方に配置されている請求項２に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項６】
前記干渉計は、前記基準部位側に配置されると共に、前記ミラー部は、前記光学素子の一部を加工して形成されている請求項５に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項７】
前記第２計測器は、発光部を有する干渉計と、前記発光部からの計測光を前記干渉計側に反射するミラー部とを備え、前記発光部からの計測光と前記ミラー部からの反射光とに基づき前記光学素子の位置を算出するようになっており、
前記干渉計は、前記鏡筒の前記円筒部分の側壁側及び前記光学素子の前記所定位置側のうち何れか一方に配置されると共に、前記ミラー部は、前記円筒部分の側壁側及び前記光学素子の前記所定位置側のうち何れか他方に配置されている請求項４に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項８】
前記干渉計は、前記鏡筒の前記円筒部分の側壁側に配置されると共に、前記ミラー部は、前記光学素子の前記所定位置を加工して形成されている請求項７に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項９】
前記鏡筒よりも熱膨張係数の低い棒状部材をさらに備え、
該棒状部材は、その一端が前記鏡筒の基準部位及び前記光学素子のうち何れか一方に近接した位置に位置し、且つ、その他端が前記基準部位及び前記光学素子のうち何れか他方に近接した位置に位置するように配置されており、
前記第１計測器は、前記棒状部材において予め設定された設定位置を基準として、前記鏡筒の膨張及び伸縮のうち少なくとも一方を計測し、前記第１算出器は、前記第１計測器の計測結果に基づき前記光学素子の位置を算出する請求項２に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項１０】
前記鏡筒よりも熱膨張率の低い棒状の棒状部材をさらに備え、
該棒状部材は、前記鏡筒の円筒部分の側壁から該円筒部分の径方向に沿った方向に延びるように配置されており、
前記第２計測器は、前記円筒部分の側壁を基準とした前記光学素子の前記所定位置の前記棒状部材の延設方向に対する変化量を計測する請求項４に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項１１】
前記計測装置は、前記鏡筒の膨張に関する情報を計測する第３計測器と、該第３計測器による計測結果に基づき前記光学素子の位置を推定する推定器とを有する請求項１に記載の光学素子位置調整装置。
【請求項１２】
円筒部分を有する鏡筒と、
請求項１〜請求項１１のうち何れか一項に記載の光学素子位置調整装置と、
該光学素子位置調整装置の前記光学素子保持装置を介して前記鏡筒に支持される光学素子と、を備えた光学系。
【請求項１３】
前記光学素子を複数有すると共に、該各光学素子は、前記光学素子位置調整装置にそれぞれ保持されており、
前記計測装置は、前記各光学素子の位置をそれぞれ計測する請求項１２に記載の光学系。
【請求項１４】
所定のパターンが形成されたマスクに放射ビームを導く照明光学系と、
前記マスクを介した放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射する投影光学系と、を備え、
前記照明光学系及び投影光学系のうち少なくとも一方は、請求項１２又は請求項１３に記載の光学系で構成される露光装置。
【請求項１５】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項１４に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の位置調整を行う光学素子位置調整装置、該光学素子位置調整装置を備える光学系、該光学系を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、パターンを感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に形成する露光装置が用いられる。こうした露光装置に搭載される投影光学系は、鏡筒と、該鏡筒内に収容される複数の光学素子（反射ミラーなど）とを備え、該各光学素子は、鏡筒に対して光学素子を移動させることが可能な光学素子保持装置を介して鏡筒にそれぞれ支持されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
そして、上記露光装置では、各光学素子保持装置を駆動させて各光学素子の位置をそれぞれ調整することにより、投影光学系の波面収差が調整される。こうして投影光学系の波面収差が適切に調整された状態で露光処理を実行することにより、投影光学系の像面側に配置される基板には、適切な大きさ及び形状のパターンが形成されるようになっていた。
【特許文献１】特開２００７−２０１３４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、投影光学系を構成する各光学素子は、それぞれに入射する露光光の一部を吸収して発熱してしまう。特にＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光として用いる露光装置では、露光光が入射する光学素子の発熱量が比較的多い。そして、各光学素子で発熱した熱は、光学素子を保持する光学素子保持装置を介して鏡筒に伝わったり、光学素子からの輻射熱によって鏡筒に伝わったりする。すると、こうした熱が鏡筒全体に伝わることにより、鏡筒が熱膨張、即ち相似的に拡大してしまう。そのため、投影光学系を構成する各光学素子同士の位置関係が僅かに変化したり、鏡筒の中心軸からずれた位置に配置される光学素子が僅かに偏心したりし、投影光学系の波面収差が露光処理中に僅かに変化してしまうおそれがあった。
【０００５】
露光処理中に発生した投影光学系の波面収差の僅かなずれを調整するために、波面収差を定期的に計測し、該計測結果に基づき各光学素子の位置や形状を調整する方法が考えられる。しかしながら、投影光学系の波面収差を計測するためには、露光処理を一時中断させる必要があり、リソグラフィ工程の効率が低下する問題があった。
【０００６】
また、鏡筒をステンレスなどよりも熱膨張率の低い材料（例えば低熱膨張ガラス）で形成する方法も考えられる。しかしながら、この場合、鏡筒の剛性や重量の観点から考えると実用的ではなかった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学素子の波面収差を好適に維持できる光学素子位置調整装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１１に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の光学素子位置調整装置は、鏡筒（１８，２９）に保持される光学素子（１９，２１，２２，２４，２５，３０，３１，３２，３３，３４，３５）の位置を調整する光学素子位置調整装置であって、前記光学素子（１９，２１，２２，２４，２５，３０，３１，３２，３３，３４，３５）を保持し、且つ前記鏡筒（１８，２９）に対して該光学素子（１９，２１，２２，２４，２５，３０，３１，３２，３３，３４，３５）を複数の自由度方向に移動させるべく駆動する駆動部（４６）を有する光学素子保持装置（４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ，４３Ｅ，４３Ｆ）と、前記鏡筒（１８，１９）の膨張及び伸縮のうち少なくとも一方に伴って変位する前記光学素子（１９，２１，２２，２４，２５，３０，３１，３２，３３，３４，３５）の位置を計測する計測装置（６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ，６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６２，６３．９２）と、該計測装置（６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ，６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６２，６３．９２）による計測結果に基づき前記光学素子保持装置（４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ，４３Ｅ，４３Ｆ）を制御する制御装置（６６）と、を備えたことを要旨とする。
【０００９】
上記構成によれば、鏡筒が膨張したり伸縮したりした場合、光学素子の位置を計測し、該計測結果に基づき光学素子の位置が調整される。そのため、光学素子の波面収差を好適に維持できる。
【００１０】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、光学素子の波面収差を好適に維持できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した第１の実施形態について図１〜図６に基づき説明する。
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ１２（図１では二点鎖線で示す。）内に設置されている。この露光装置１１は、露光光源１３と、照明光学系１４と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを保持するレチクルステージ１５と、投影光学系１６と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを保持するウエハステージ１７とを備えている。なお、本実施形態の露光光源１３としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該露光光源１３は、波長が５〜２０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）となるＥＵＶ光を射出する。
【００１３】
照明光学系１４は、チャンバ１２の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１では一点鎖線で示す。）を備えている。この筐体１８内には、露光光源１３から出力された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換して射出する。そして、コリメート用ミラー１９から射出された露光光ＥＬは、フライアイ光学系２０に入射する。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲの被照射面（即ち、図１における下面であって、パターン形成面）とは共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射する。
【００１４】
また、照明光学系１４には、フライアイ光学系２０から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２４が設けられている。そして、コンデンサミラー２４から射出された露光光ＥＬは、コンデンサミラー２４よりもレチクルＲ側に配置された折り返し用の反射ミラー２５により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。この折り返し用の反射ミラー２５は、後述する鏡筒２９内に収容されている。なお、照明光学系１４を構成する各ミラー１９，２１，２２，２４，２５の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。
【００１５】
レチクルステージ１５は、後述する投影光学系１６の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着する静電チャック２６と、レチクルＲをＹ軸方向（図１における左右方向）に所定ストロークで移動させる図示しないレチクルステージ駆動部とを備えている。このレチクルステージ駆動部は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθｚ方向（Ｚ軸周りの回転方向）にも移動可能に構成されている。そして、レチクルＲにおいて上記パターンが形成された被照射面で反射された露光光ＥＬは、投影光学系１６に導かれる。なお、レチクルＲの被照射面には、Ｘ軸方向に延びるような形状の円弧スリット光が照射される。
【００１６】
投影光学系１６には、開口数が例えば０．１で、反射光学素子（ミラー）のみから構成される反射光学系が使用されている。本実施形態では、投影倍率が１／４倍の投影光学系が使用されている。そして、レチクルＲによって反射された露光光ＥＬは、投影光学系１６を介してウエハＷに導かれる。なお、投影光学系１６の具体的構成などについては、後に詳述する。
【００１７】
ウエハステージ１７は、ウエハＷを静電吸着する静電チャック２８と、ウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハＷをＸ軸方向及びＺ軸方向（図１における上下方向）にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ１７には、静電チャック２８を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。そして、ウエハＷ上の一つのショット領域を露光するときには、露光光ＥＬが照明光学系１４によりレチクルＲの照明領域に照射し、レチクルＲとウエハＷとは投影光学系１６に対して該投影光学系１６の縮小倍率に応じた速度比でＹ方向に同期して移動する。その後、ウエハステージ１７を駆動させてウエハＷをステップ移動した後、ウエハＷ上の次のショット領域に対してレチクルＲのパターンが走査露光される。このステップ移動と走査露光を繰り返すことによって、ウエハＷ上の複数のショット領域にレチクルＲのパターンの像が露光される。
【００１８】
次に、本実施形態の投影光学系１６について、図１〜図３に基づき詳述する。
図１及び図２に示すように、投影光学系１６は、チャンバ１２の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２９（図１では一点鎖線で示す。）と、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー３０，３１，３２，３３，３４，３５とを備えている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー３０、第２ミラー３１、第３ミラー３２、第４ミラー３３、第５ミラー３４、第６ミラー３５の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷに導かれる。
【００１９】
各ミラー３０〜３５は、図２及び図３（ａ）（ｂ）に示すように、それぞれの反射面（図３（ａ）（ｂ）においてハッチングが付されている面）が投影光学系１６の光軸（即ち、鏡筒２９の中心軸ＡＸ）に対して所定の位置関係になるように位置調整されている。また、各ミラー３０〜３５は、露光光ＥＬを遮光しないようにそれぞれ加工されている。なお、第４ミラー３３は、その光軸３３ａが鏡筒２９の中心軸ＡＸに対して所定間隔離れた位置に配置されると共に、他のミラー３０〜３３，３５は、鏡筒２９の円筒部分内に収容されている。
【００２０】
鏡筒２９は、図２に示すように、略円筒状の分割鏡筒４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆと、図示しない支持部材を介してチャンバ１２に支持されるリング状のフランジ４１とを備え、該各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆ及びフランジ４１は、ステンレスなどの脱ガスの少ない材料にてそれぞれ形成されている。また、各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆは、各ミラー３０〜３５に個別対応しており、各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆ及びフランジ４１は、Ｚ軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。すなわち、分割鏡筒４０Ａは、フランジ４１の−Ｚ方向側（図２における下側であって、ウエハＷ側）に配置されると共に、その＋Ｚ方向側（図２における上側であって、レチクルＲ側）がワッシャ４２Ａを介してフランジ４１に固定されている。また、分割鏡筒４０Ａは、第１ミラー保持装置４３Ａを介して第１ミラー３０を支持している。
【００２１】
分割鏡筒４０Ｂは、各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆのうち最も＋Ｚ方向側に配置されると共に、第２ミラー保持装置４３Ｂを介して第２ミラー３１を支持している。また、分割鏡筒４０Ｂの＋Ｚ方向側の開口は、有底筒状の分割鏡筒４０Ｇによって閉塞されており、該分割鏡筒４０Ｇには、露光光ＥＬの通過を許容する図示しない開口が形成されている。
【００２２】
分割鏡筒４０Ｃは、フランジ４１の＋Ｚ方向側に配置されると共に、その−Ｚ方向側の部位がワッシャ４２Ｂを介してフランジ４１に固定されている。また、分割鏡筒４０Ｃは、第３ミラー保持装置４３Ｃを介して第３ミラー３２を支持している。
【００２３】
分割鏡筒４０Ｄは、Ｚ軸方向において分割鏡筒４０Ｂと分割鏡筒４０Ｃとの間に配置され、その−Ｚ方向側（図２における下側）の部位が分割鏡筒４０Ｃに固定されると共に、その＋Ｚ方向側の部位がワッシャ４２Ｃを介して分割鏡筒４０Ｂに固定されている。また、分割鏡筒４０Ｄは、その＋Ｙ方向の側面（図２では左側面）が切り欠かれている。そして、分割鏡筒４０Ｄは、第４ミラー３３の少なくとも一部が分割鏡筒４０Ｄ外に位置するように、第４ミラー保持装置４３Ｄを介して第４ミラー３３を支持している。また、分割鏡筒４０Ｄは、照明光学系１４を構成する反射ミラー２５を図示しない保持機構を介して支持している。
【００２４】
分割鏡筒４０Ｅは、各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｆのうち最も−Ｚ方向側（ウエハＷ側）に配置されると共に、第５ミラー保持装置４３Ｅを介して第５ミラー３４を支持している。また、分割鏡筒４０Ｅの−Ｚ方向側の開口は、有底筒状の分割鏡筒４０Ｈによって閉塞されており、該分割鏡筒４０Ｈには、ウエハＷ側に射出される露光光ＥＬの通過を許容する図示しない開口が形成されている。
【００２５】
分割鏡筒４０Ｆは、Ｚ軸方向において分割鏡筒４０Ａと分割鏡筒４０Ｅとの間に配置され、その−Ｚ方向側の部位がワッシャ４２Ｄを介して分割鏡筒４０Ｅに固定されると共に、その＋Ｚ方向側の部位がワッシャ４２Ｅを介して分割鏡筒４０Ａに固定されている。また、分割鏡筒４０Ｆは、第６ミラー保持装置４３Ｆを介して第６ミラー３５を支持している。
【００２６】
次に、各ミラー３０〜３５を保持するミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆのうち、第１ミラー３０用の第１ミラー保持装置４３Ａについて図４に基づき説明する。なお、他のミラー保持装置４３Ｂ〜４３Ｆは、第１ミラー保持装置４３Ａと略同等の構成を有しているため、それらの詳細な説明を省略するものとする。
【００２７】
図４に示すように、第１ミラー保持装置４３Ａは、分割鏡筒４０Ａの側壁（図４では省略）に水平状態（ＸＹ平面と水平な状態）で支持される円環状のアウタリング４５を備えている。また、第１ミラー保持装置４３Ａには、アウタリング４５上に配置されるパラレルリンク機構４６と、該パラレルリンク機構４６に支持される円環状のインナリング４７とが設けられており、該インナリング４７は、複数（本実施形態では３つ）の保持部材４８ａ，４８ｂ，４８ｃを介して第１ミラー３０を保持している。そして、パラレルリンク機構４６の駆動に伴ってインナリング４７が変位することにより、第１ミラー３０のアウタリング４５に対する位置及び姿勢のうち少なくとも一方が調整される。
【００２８】
パラレルリンク機構４６は、インナリング４７をアウタリング４５に対して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、Ｘ軸周りの回転方向（「θｘ方向」ともいう。）、Ｙ軸周りの回転方向（「θｙ方向」ともいう。）及びθｚ方向の６自由度方向に移動させるべく駆動する。すなわち、パラレルリンク機構４６は、２本のリンク４９からなるリンク対５０を複数（本実施形態では３つ）備え、該各リンク対５０は、周方向において等間隔にそれぞれ配置されている。
【００２９】
各リンク４９は、それぞれの長手方向における両端がアウタリング４５及びインナリング４７に球面対偶をなすようにそれぞれ形成されている。具体的には、各リンク４９は、第１軸部材５１と、該第１軸部材５１に接続又は連結される第２軸部材５２とをそれぞれ有している。第１軸部材５１の一端（下端）は、アウタリング４５にボールジョイント５３を介して取り付けられ、第２軸部材５２の他端（上端）は、インナリング４７に図示しないボールジョイントを介して取り付けられている。そして、第１軸部材５１及び第２軸部材５２のうち少なくとも一方には、リンク４９の長さ、即ち第１軸部材５１の一端と第２軸部材５２の他端との距離を変更可能な図示しないアクチュエータ（例えば圧電素子）が設けられ、リンク４９を伸縮可能としている。
【００３０】
ここで、投影光学系１６を構成する各ミラー３０〜３５は、入射する露光光ＥＬの一部を吸収して発熱する。このように発生した熱は、ミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆを介して鏡筒２９に伝達されたり、輻射熱として鏡筒２９に伝達されたりする。その結果、真空雰囲気に配置される鏡筒２９では、その温度上昇に起因して熱膨張やＺ軸方向への伸縮（以下、単に「伸縮」という。）が発生することがある。この場合、投影光学系１６を構成する各ミラー３０〜３５は、それぞれの位置が鏡筒２９の熱膨張や伸縮によって僅かに変化してしまう。そこで、本実施形態の露光装置１１には、投影光学系１６を構成する各ミラー３０〜３５を計測する計測装置６０（図６参照）が設けられている。
【００３１】
次に、計測装置６０について、図５（ａ）（ｂ）及び図６に基づき説明する。なお、図５（ａ）では、第６ミラー保持装置４３Ｆの図示を省略し、図５（ｂ）では、第４ミラー保持装置４３Ｄの図示を省略している。
【００３２】
図５（ａ）に示すように、計測装置６０は、フランジ４１（具体的には、フランジ４１の−Ｚ方向側の面（図５（ａ）では下面））を基準とした第６ミラー３５のＺ軸方向における位置を計測するための第６軸方向計測器６１Ｆを備えている。この第６軸方向計測器６１Ｆは、フランジ４１の−Ｚ軸方向側に支持部材Ａを介して支持される第１干渉計６４と、第６ミラー３５において露光光ＥＬが照射されない部分（本実施形態では、＋Ｚ方向側の面）に形成された第１反射ミラー部６５とを有しており、該第１反射ミラー部６５は、第６ミラー３５の一部を加工（研磨など）して形成されている。第１干渉計６４は、計測光を出力可能な第１発光部６４ａ（例えばレーザ光源）と、図示しない第１撮像素子（例えばＣＣＤ）と、第１発光部６４ａからの計測光を第１撮像素子及び第１反射ミラー部６５に分岐させる図示しない分岐光学系とを有している。第１反射ミラー部６５にて反射された反射光は、分岐光学系を介して第１撮像素子に導かれて第１発光部６４ａからの計測光と干渉する。そして、第１撮像素子は、第１発光部６４ａからの計測光と第１反射ミラー部６５からの反射光との干渉に基づく干渉縞を観察し、該観察結果に応じた電気信号を後述する制御装置６６（図５にて破線で示す。）に出力する。なお、第６軸方向計測器６１Ｆは、計測に使用される計測光や反射光が露光光ＥＬと干渉しないように配置されている。
【００３３】
本実施形態の計測装置６０は、図６に示すように、第６ミラー３５用の第６軸方向計測器６１Ｆだけではなく、第１ミラー３０用の第１軸方向計測器６１Ａ、第２ミラー３１用の第２軸方向計測器６１Ｂ、第３ミラー３２用の第３軸方向計測器６１Ｃ、第４ミラー３３用の第４軸方向計測器６１Ｄ及び第５ミラー３４用の第５軸方向計測器６１Ｅを備えている。これら各軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｅは、第６軸方向計測器６１Ｆと略同等の構成であるため、それらの詳細な説明を省略するものとする。
【００３４】
また、計測装置６０には、図５（ｂ）に示すように、鏡筒２９の半径を計測するための鏡筒半径計測器６２と、鏡筒２９の側壁と第４ミラー３３の所定位置（本実施形態では、後述する第３反射ミラー７０が設けられる部位）との間隔を計測するための間隔計測器６３とが設けられている。鏡筒半径計測器６２は、鏡筒２９の側壁に設けられる第２干渉計６７と、鏡筒２９の側壁において中心軸ＡＸを挟んで第２干渉計６７の反対側であって且つ第２干渉計６７とＺ軸方向における同一位置に配置される第２反射ミラー６８とを有している。第２干渉計６７は、計測光を第２反射ミラー６８に向けて出力可能な第２発光部６７ａ（例えばレーザ光源）と、図示しない第２撮像素子（例えばＣＣＤ）と、第２発光部６７ａからの計測光を第２撮像素子及び第２反射ミラー６８に分岐させる図示しない分岐光学系とを有している。第２反射ミラー６８にて反射された反射光は、分岐光学系を介して第２撮像素子に導かれて第２発光部６７ａからの計測光と干渉する。そして、第２撮像素子は、第２発光部６７ａからの計測光と第２反射ミラー部６８からの反射光との干渉に基づく干渉縞を観察し、該観察結果に応じた電気信号を制御装置６６に出力する。なお、鏡筒半径計測器６２は、計測に使用される計測光や反射光が露光光ＥＬと干渉しないように配置されている。
【００３５】
間隔計測器６３は、鏡筒２９の側壁のうち周方向において第４ミラー３３と対応する位置に配置される第３干渉計６９と、第４ミラー３３の所定位置（露光光ＥＬが照射されない位置）に配置される第３反射ミラー７０とを有している。第３干渉計６９は、計測光を第３反射ミラー７０に向けて出力可能な第３発光部６９ａ（例えばレーザ光源）と、図示しない第３撮像素子（例えばＣＣＤ）と、第３発光部６９ａからの計測光を第３撮像素子及び第３反射ミラー７０に分岐させる図示しない分岐光学系とを有している。第３反射ミラー７０にて反射された反射光は、分岐光学系を介して第３撮像素子に導かれて第３発光部６９ａからの計測光と干渉する。そして、第３撮像素子は、第３発光部６９ａからの計測光と第３反射ミラー部７０からの反射光との干渉に基づく干渉縞を観察し、該観察結果に応じた電気信号を制御装置６６に出力する。なお、間隔計測器６３は、計測に使用される計測光や反射光が露光光ＥＬと干渉しないように配置されている。
【００３６】
次に、制御装置６６について、図６に基づき説明する。
図６に示すように、制御装置６６は、各ミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆのパラレルリンク機構４６を個別に制御するミラー制御部７１と、フランジ４１を基準とした各ミラー３０〜３５のＺ軸方向における位置を個別に算出する軸方向算出部７２と、中心軸ＡＸに対する第４ミラー３３の位置を算出する径方向算出部７３とを有している。これらミラー制御部７１及び各算出部７２，７３は、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭなどからそれぞれ構築されている。軸方向算出部７２は、軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｆからの電気信号に基づきフランジ４１を基準としたミラー３０〜３５のＺ軸方向における位置、即ちフランジ４１を基準としたミラー３０〜３５の距離Ｒ１をミラー３０〜３５毎に算出し、該算出結果をミラー制御部７１に出力する。
【００３７】
径方向算出部７３は、鏡筒半径計測器６２からの電気信号に基づき、鏡筒２９の直径を算出し、該算出結果を用いて鏡筒２９の半径、即ち中心軸ＡＸから鏡筒２９の側壁までの距離Ｒ２を算出する。また、径方向算出部７３は、間隔計測器６３からの電気信号に基づき、鏡筒２９の側壁と第４ミラー３３の所定位置との間隔Ｒ３を算出する。そして、径方向算出部７３は、鏡筒２９の半径、及び鏡筒２９の側壁と第４ミラー３３の所定位置との間隔を加算し、該加算結果（＝Ｒ２＋Ｒ３）に基づき中心軸ＡＸと第４ミラー３３の所定位置との間隔、即ち第４ミラー３３の中心軸ＡＸに対する位置を求め、該算出結果をミラー制御部７１に出力する。
【００３８】
このように各ミラー３０〜３５の位置に関する情報が入力された場合、ミラー制御部７１は、該入力情報に基づき各ミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆのパラレルリンク機構４６を駆動させる。したがって、本実施形態では、各ミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆ、計測装置６０及び制御装置６６により、鏡筒２９に保持される各ミラー３０〜３５の位置を個別に調整する光学素子位置調整装置が構成される。
【００３９】
こうした光学素子位置調整装置は、各ミラー３０〜３５の位置を調整させる場合、以下に示すように駆動する。
さて、露光装置１１によるウエハＷへの露光処理の前には、各ミラー３０〜３５の位置調整が完了すると、各ミラー３０〜３５の位置が初期位置としてミラー制御部７１の図示しないメモリにそれぞれ記憶され、各ミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆのパラレルリンク機構４６が停止される。この状態で露光処理が行われると、各ミラー３０〜３５は、入射した露光光ＥＬの一部を吸収してそれぞれ発熱する。すると、各ミラー３０〜３５で発熱した熱は、鏡筒２９に伝達され、結果として、鏡筒２９が僅かに熱膨張する。すると、ミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆを介して鏡筒２９に支持されるミラー３０〜３５の位置が、鏡筒２９の膨張具合に応じてそれぞれ僅かに変位する。このように僅かにでも変位したミラー３０〜３５が存在する場合、投影光学系１６の光学特性、即ち波面収差が変わってしまうおそれがある。
【００４０】
そこで、本実施形態では、露光処理中、すなわち、レチクルＲのパターンの像をウエハＷに走査露光を行っている間、各ミラー３０〜３５の位置が定期的にそれぞれ計測される。具体的には、フランジ４１を基準とした各ミラー３０〜３５のＺ軸方向における位置は、軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｆによる計測結果に基づき軸方向算出部７２によって算出されると共に、第４ミラー３３の中心軸ＡＸに対する位置は、鏡筒半径計測器６２及び間隔計測器６３による各計測結果に基づき径方向算出部７３によって算出される。すると、露光処理開始前のミラー３０〜３５の初期位置と、新たに算出されたミラー３０〜３５の位置とがミラー３０〜３５毎に比較される。そして、初期位置から変位したミラー（例えば第４ミラー３３）が存在する場合には、該第４ミラー３３を保持する第４ミラー保持装置４３Ｄが駆動し、第４ミラー３３の位置は、該第４ミラー３３の初期位置に戻される。その結果、投影光学系１６の波面収差が好適に維持され、ウエハＷでのディストーションの発生が抑制される。
【００４１】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）露光処理中では、投影光学系１６を構成する各ミラー３０〜３５の位置が計測され、鏡筒２９の膨張や伸縮に応じたミラー３０〜３５の僅かな変位が計測された場合には、該変位を補正すべくミラー３０〜３５の位置が調整される。そのため、各ミラー３０〜３５の波面収差を好適に維持できる。したがって、鏡筒２９の熱膨張や伸縮に起因したウエハＷでのディストーションの発生を抑制できる。
【００４２】
（２）また、各ミラー３０〜３５の位置調整は、露光処理中に実行可能である。そのため、露光処理を一時中断してミラー３０〜３５の位置調整を行う従来の場合に比して、リソグラフィ工程全体の効率の低下を抑制できる。
【００４３】
（３）鏡筒２９のフランジ４１は、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷに対して移動不能な状態とされている。そして、本実施形態では、各軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｆを用いてフランジ４１に対する各ミラー３０〜３５のＺ軸方向における位置を計測することにより、鏡筒２９のＺ軸方向における変形量が計測される。このようにミラー３０〜３５毎にＺ軸方向における位置が計測されるため、Ｚ軸方向におけるミラー３０〜３５の位置を高精度に調整できる。また、各ミラー３０〜３５のＺ軸方向における位置調整を行うことにより、投影光学系１６の光学特性を良好に維持できる。
【００４４】
（４）光軸３３ａが鏡筒２９の中心軸ＡＸに対して所定間隔だけ離間するように配置された第４ミラー３３に関しては、鏡筒半径計測器６２及び間隔計測器６３の各計測結果に基づき中心軸ＡＸに対する位置が計測される。すなわち、Ｚ軸方向と直交する方向への第４ミラー３３の変位、即ち偏心が発生した場合であっても、該変位を良好に調整できる。
【００４５】
（５）また、本実施形態の各計測器６１Ａ〜６１Ｆ，６２，６３は、鏡筒２９内に収容されている。そのため、鏡筒２９の外形を変更することなく各計測器６１Ａ〜６１Ｆ，６２，６３を鏡筒２９に設置できる。また、各計測器６１Ａ〜６１Ｆ，６２，６３がミラー３０〜３５の設置雰囲気と同一環境に設置されるため、各ミラー３０〜３５の位置の計測精度の向上に貢献できる。
【００４６】
（６）さらに、Ｚ軸方向における第６ミラー３５の位置を計測するための第１反射ミラー部は、第６ミラー３５の一部を加工して形成されている。そのため、第６ミラー３５のＺ軸方向における位置を直接計測できる分、その計測精度をさらに向上させることができる。
【００４７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図７に従って説明する。なお、第２の実施形態は、軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｆ及び間隔計測器６３の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００４８】
本実施形態の第６軸方向計測器６１Ｆは、図７（ａ）に示すように、Ｚ軸方向に延びる第１棒状部材８０を備え、第１棒状部材８０は、フランジ４１や各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｈよりも熱膨張率の低い材料（例えば、低膨張ガラス）から形成されている。また、第１棒状部材８０は、その＋Ｚ方向の端部（図７（ａ）では上端部）が支持部材Ｂを介してフランジ４１の−Ｚ方向側に固定されると共に、その−Ｚ方向の端部（図７（ａ）では下端）が第６ミラー３５よりも−Ｚ方向側に位置するように配置されている。さらに、第１棒状部材８０には、Ｚ軸方向に沿って等間隔に配置される多数の光学的なスリット（図示略）が形成されている。
【００４９】
また、第６ミラー３５には、略「コ」字状の保持部材８１が設けられており、該保持部材８１は、その＋Ｙ方向側部位（図７（ａ）では右側部位）が第１棒状部材８０の＋Ｙ方向側に位置すると共に、その−Ｙ方向側部位（図７（ａ）では左側部位）が第１棒状部材８０の−Ｙ方向側に位置するように配置されている。また、保持部材８１の＋Ｙ方向側部位には、第１棒状部材８０に向けて計測光を発光する第１発光部８２が設けられると共に、保持部材８１の−Ｙ方向側部位には、第１棒状部材８０のスリットを介した第１発光部８２からの計測光を受光する第１受光部８３とが設けられている。そして、第１受光部８３からは、受光した光の態様に応じた電気信号が制御装置６６に出力され、該制御装置６６（具体的には、軸方向算出部７２）は、入力結果に基づき第６ミラー３５のＺ軸方向における位置を算出する。すなわち、本実施形態の第６軸方向計測器６１Ｆは、第１棒状部材８０、第１発光部８２及び第１受光部８３により構成されるリニアエンコーダである。
【００５０】
なお、第６軸方向計測器６１Ｆ以外の他の軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｅは、第６軸方向計測器６１Ｆと略同等の構成を有するリニアエンコーダであるため、それらの記載を省略するものとする。
【００５１】
間隔計測器６３は、図７（ｂ）に示すように、中心軸ＡＸと第４ミラー３３の光軸３３ａとを結ぶ直線と略平行な方向（即ち、Ｙ軸方向）に延びる第２棒状部材８５を備え、第２棒状部材８５は、第１棒状部材８０と同様に、フランジ４１や各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｈよりも熱膨張率の低い材料から形成されている。また、第２棒状部材８５は、その−Ｙ方向端部（図７（ｂ）では左端）が鏡筒２９の側壁に固定されると共に、その＋Ｙ方向端部（図７（ｂ）では右端）が第４ミラー３３の光軸３３ａよりも＋Ｙ方向側に位置するように配置されている。さらに、第２棒状部材８５には、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置される多数の光学的なスリット（図示略）が形成されている。
【００５２】
また、第４ミラー３３には、略「コ」字状の保持部材８６が設けられており、該保持部材８６は、その＋Ｘ方向側部位（図７（ｂ）では下側部位）が第２棒状部材８５の＋Ｘ方向側に位置すると共に、その−Ｘ方向側部位（図７（ｂ）では上側部位）が第２棒状部材８５の−Ｘ方向側に位置するように配置されている。また、保持部材８６の＋Ｘ方向側部位には、第２棒状部材８５に向けて計測光を発光する第２発光部８７が設けられると共に、保持部材８６の−Ｘ方向側部位には、第２棒状部材８５のスリットを介した第２発光部８７からの計測光を受光する第２受光部８８とが設けられている。そして、第２受光部８８からは、受光した光の態様に応じた電気信号が制御装置６６に出力され、該制御装置６６（具体的には、軸方向算出部７２）は、入力結果に基づき鏡筒２９の側壁と第４ミラー３３との間隔を算出する。すなわち、本実施形態の間隔計測器６３は、第２棒状部材８５、第２発光部８７及び第２受光部８８により構成されるリニアエンコーダである。
【００５３】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）〜（４）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（７）リニアエンコーダで用いられるスリットは、フランジ４１や各分割鏡筒４０Ａ〜４０Ｈよりも熱膨張率の低い材料から形成される棒状部材８０，８５に直接形成されている。そのため、棒状部材８０，８５とは別に多数のスリットが形成されるフィルム部材を使用する場合に比して、位置計測の基準が変形しにくい分、各ミラー３０〜３５の位置を正確に計測できる。
【００５４】
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・第２の実施形態において、第１棒状部材８０は、リニアエンコーダに利用されるスリットを有しないものであってもよい。この場合、第６軸方向計測器６１Ｆは、図８に示すように、第１棒状部材８０の−Ｚ方向側端部８０ａに配置される反射ミラー９０と、第６ミラー３５に取付けられる第１発光部６４ａを有する第１干渉計６４とを備えた構成であってもよい。このように構成すると、第６ミラー３５のＺ軸方向における位置は、第１棒状部材８０の−Ｚ方向側端部８０ａを基準に計測される。
【００５５】
また、第６軸方向計測器６１Ｆは、第１棒状部材８０の−Ｚ方向側端部８０ａに第１干渉計６４を配置すると共に、第６ミラー３５に反射ミラー９０とを取付ける構成であってもよい。
【００５６】
さらに、第６軸方向計測器６１Ｆ以外の他の軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｅについても同様な構成であってもよい。
・第２の実施形態において、第６軸方向計測器６１Ｆは、リニアエンコーダではなく、静電容量センサを用いた計測器であってもよい。すなわち、第１棒状部材８０の−Ｚ方向側端部８０ａに静電容量センサを設け、静電容量センサからの検出信号に基づき第１棒状部材８０の−Ｚ方向側端部８０ａを基準とした第６ミラー３５のＺ軸方向における位置、即ち−Ｚ方向側端部８０ａと第６ミラー３５との間隔が計測される。この計測された−Ｚ方向側端部８０ａと第６ミラー３５との間隔と第１棒状部材８０の長さとに基づき、フランジ４１を基準とした第６ミラー３５のＺ軸方向における位置が算出される。
【００５７】
また、間隔計測器６３についても、静電容量センサを用いた計測器であってもよい。
・第２の実施形態において、各棒状部材８０，８５の延設方向に沿って所定間隔毎に形成される多数のスリットを有するフィルム部材を、棒状部材８０，８５に取着させてもよい。この場合、フィルム部材の変形（熱膨張など）を抑制するために、該フィルム部材の温度調整を行う機構を設けることが望ましい。
【００５８】
・第１の実施形態において、軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｆは、フランジ４１に反射ミラー部を設け、ミラー３０〜３５側に第１干渉計６４を備えた構成であってもよい。
・また、軸方向計測器６１Ａ〜６１Ｆにおいて、ミラー３０〜３５側のミラー部は、該ミラー３０〜３５の一部を加工するのではなく、ミラー３０〜３５とは別途設けられた反射ミラーであってもよい。
【００５９】
・各実施形態において、鏡筒半径計測器６２は、鏡筒２９外に配置され、且つＺ軸方向と直交する方向（例えば、Ｘ軸方向やＹ軸方向）に延びる棒状部材と、鏡筒２９の側壁において棒状部材の延設方向における一端部を基準とした棒状部材の延設方向における他端部の位置を計測可能な計測装置とを備えた構成であってもよい。例えば、計測装置は、リニアエンコーダであってもよい。この場合、棒状部材に多数のスリットを形成してもよいし、棒状部材に多数のスリットが形成されたフィルム部材を取付けてもよい。
【００６０】
・第１の実施形態において、間隔計測器６３は、鏡筒２９の側壁のうち周方向において第４ミラー３３と対応する位置に第３反射ミラー７０が配置されると共に、第４ミラー３３の所定位置に第３干渉計６９が配置される構成であってもよい。この際、第３反射ミラー７０は、鏡筒２９の側壁の一部に加工を施すことにより形成されたミラー部であってもよい。
【００６１】
・第１の実施形態において、間隔計測器６３の第３反射ミラー７０は、第４ミラー３３の一部に加工（研磨など）を施すことにより形成されたミラー部であってもよい。
・また、間隔計測器６３は、投影光学系１６を構成する全てのミラー３０〜３５にそれぞれ設けてもよい。すなわち、鏡筒２９の円筒部分内に収容されるミラー（例えば第１ミラー３０）の中心軸ＡＸに対する位置を計測する場合には、鏡筒２９の円筒部分の半径を計測すると共に、鏡筒２９の側壁から第１ミラー３０の所定位置までの間隔を計測する。そして、鏡筒の半径から上記間隔を減算することにより、第１ミラー３０の中心軸ＡＸに対する位置が計測される。
【００６２】
・各実施形態において、各ミラー３０〜３５のうち一のミラー（例えば第１ミラー３０）の位置を計測すると共に、一のミラーを基準とした他のミラーの位置を計測するようにしてもよい。このように構成しても、各ミラー３０〜３５のフランジ４１を基準としたＺ軸方向の位置をそれぞれ間接的に算出できる。
【００６３】
・各実施形態において、光学素子位置調整装置は、図９に示すように、鏡筒２９の熱膨張や伸張に基づく該鏡筒２９のひずみを計測するひずみ計測装置９２（即ち、ひずみゲージ）を備えた構成であってもよい。この場合、制御装置６６は、ひずみ計測装置９２による計測結果（即ち、鏡筒２９のひずみ具合）に基づき、ミラー３０〜３５の位置を推定し、該推定結果に基づきミラー３０〜３５の位置を調整させる。
【００６４】
・各実施形態において、ミラー保持装置４３Ａ〜４３Ｆは、ミラー３０〜３５を複数（例えば３）の自由度方向に移動させることが可能な構成であれば、任意の装置（例えば、磁力の調整によってミラー３０〜３５を移動させる装置）であってもよい。
【００６５】
・各実施形態において、光学素子位置調整装置は、投影光学系１６を構成する各ミラー３０〜３５のうち少なくとも１つのミラーの位置を調整可能な構成であってもよい。
・各実施形態において、照明光学系１４にも、該照明光学系１４を構成するミラー１９，２１，２２，２４，２５の位置を、筐体１８や鏡筒２９の熱膨張や伸縮に応じて調整する光学素子位置調整装置を設けてもよい。  ・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【００６６】
・各実施形態の露光装置１１は、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のステッパに適用することができる。
【００６７】
・各実施形態において、ＥＵＶ光を出力可能な露光光源１３として、放電型プラズマ光源を用いてもよい。
・各実施形態において、露光装置１１は、ＥＢ（Electron Beam ）を露光光ＥＬとして用いる露光装置であってもよい。
【００６８】
・各実施形態において、露光光源１３は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を出力可能な光源であってもよい。また、露光光源１３は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
【００６９】
また、こうした光源を露光光源１３として用いる場合、各光学系１４，１６は、透過型の光学素子（レンズなど）を有する。そのため、本実施形態の光学素子位置調整装置を、透過型の光学素子の位置を調整するための光学素子位置調整装置に具体化してもよい。
【００７０】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１０は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００７１】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００７２】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７３】
図１１は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７４】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】第１の実施形態における露光装置を示す概略構成図。
【図２】投影光学系の鏡筒内を示す概略側面図。
【図３】（ａ）は投影光学系を構成するミラーの配置を示す概略斜視図、（ｂ）は該投影光学系を構成するミラーを（ａ）とは異なる方向からみた概略斜視図。
【図４】第１ミラー保持装置を示す概略斜視図。
【図５】（ａ）は第１の実施形態の第６軸方向計測器を示す模式図、（ｂ）は第１の実施形態の鏡筒半径計測器及び間隔計測器を示す模式図。
【図６】光学素子位置調整装置の電気的構成を示すブロック図。
【図７】（ａ）は第２の実施形態の第６軸方向計測器を示す模式図、（ｂ）は第２の実施形態の間隔計測器を示す模式図。
【図８】別の実施形態の第６軸方向計測器を示す模式図。
【図９】他の別の実施形態の計測装置を示す模式図。
【図１０】デバイスの製造例のフローチャート。
【図１１】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【符号の説明】
【００７６】
１１…露光装置、１４…照明光学系、１６…投影光学系、１８…鏡筒としての筐体、１９，２１，２２，２４，２５，３０〜３５…光学素子としてのミラー、２９…鏡筒、３３ａ…光軸、４１…基準部位としてのフランジ、４３Ａ〜４３Ｆ…光学素子位置調整装置、光学素子保持装置としてのミラー保持装置、６１Ａ〜６１Ｆ…光学素子位置調整装置、計測装置、第１計測器としての軸方向計測器、６２…光学素子位置調整装置、計測装置、第１検出器としての鏡筒半径計測器、６３…光学素子位置調整装置、計測装置、第２計測器としての間隔計測器、６４…第１干渉計、６４ａ…第１発光部、６５…第１反射ミラー部、６６…光学素子位置調整装置、推定器としての制御装置、６９…第３干渉計、６９ａ…第３発光部、７０…第３反射ミラー、７２…第１算出器としての軸方向算出器、７３…第２算出器としての径方向算出器、８０…第１棒状部材、８０ａ…設定位置としての−Ｚ方向型端部、８５…第２棒状部材、９２…光学素子位置調整装置、計測装置、第３計測器としてのひずみ計測装置、ＡＸ…中心軸、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｒ…マスクとしてのレチクル、Ｗ…基板としてのウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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