(57)【要約】      （修正有）【課題】液浸露光において、露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供する。【解決手段】露光方法は、基材Ｗ上に感光層Ｒｇを形成する工程ＳＡ２と、感光層Ｒｇが形成した後に撥液性の保護層Ｔｃを形成する工程ＳＡ５と、感光層Ｒｇのエッジと保護層Ｔｃのエッジとを揃える工程ＳＡ３，ＳＡ６と、液体ＬＱを介して感光層Ｒｇを露光する工程ＳＡ８とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、感光性の第１層を形成する第１工程と、
前記第１層上に、撥液性の第２層を形成する第２工程と、
前記第１層のエッジと前記第２層のエッジとを揃える第３工程と、
液体を介して、前記第１層に露光光を照射する第４工程と、を含む露光方法。
【請求項２】
前記第３工程において、前記第1層の一部および前記第２層の一部の少なくとも一方を溶剤により除去し、前記第１層のエッジと前記第２層のエッジとを揃える請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第２工程において、前記第１層のエッジを覆うように、前記第２層が形成される請求項１または請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記第２工程において、前記第１層のエッジの少なくとも一部が露出するように、前記第２層が形成される請求項1または請求項２に記載の露光方法。
【請求項５】
さらに、前記基材の表面にヘキサメチルジシラザンを含む第３層を形成する第５工程を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記第４工程において、前記第３層の少なくとも一部が露出している請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光方法を用いて前記第１層を露光することと、露光された前記第１層を現像することと、を含むデバイス製造方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスを製造する技術の一つとして、フォトリソグラフィ技術が知られている。フォトリソグラフィ技術は、例えば半導体ウエハ等の基板上に感光層を形成する処理、その基板上の感光層を露光する処理、及び露光された基板を現像する処理等を含む。基板上の感光層を露光する技術として、例えば下記特許文献１に開示されているような、液体を介して基板上の感光層を露光する液浸露光技術が知られている。
【特許文献１】国際公開第９９/４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
露光される基板は、例えば半導体ウエハ等の基材とその基材上に形成される感光層及び保護層等の材料層とを含む。材料層に欠陥が生じた場合、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、材料層の欠陥等に起因する露光不良の発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、基材上に、感光性の第１層を形成する第１工程と、第１層上に、撥液性の第２層が前記第１層を覆うように形成する第２工程と、第１層のエッジと第２層のエッジとを揃える第３工程と、第２層を介して第１層に露光光を照射する第４工程と、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第２の態様に従えば、上記第１の態様のデバイス方法を用いて第２層を露光することと、第２層を現像することとを含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、ＸＹ平面におけるＺ方向の位置は限定されない。また、ＹＺ平面におけるＸ方向の位置は、限定されない。また、ＺＹ平面におけるＸ方向の位置は、限定されない。
【０００８】
〈第１実施形態〉
第１実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る基板Ｐの露光方法の一例を示すフローチャート、図２は、基板（基材Ｗ）の概略図、図３は、図１のステップＳＡ１〜ＳＡ８を実行するデバイス製造システムＳＹＳの一例、図４は、本実施形態に係る基板の一例の周縁近傍の拡大図である。
【０００９】
基板は、デバイス（デバイスパターン）を形成するために所定の処理が実行される基板である。基板は、半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成される少なくとも一つの材料層とを含む。基板の表面は、上面、側面、及び下面を含み、基材Ｗの表面（上面、側面、及び下面を含む）の少なくとも一部に形成された材料層のうち、最も表層の表面（露出面）は、基板の表面に含まれる。本実施形態においては、基板Ｐが、シリコンウエハのような半導体ウエハ等の円形の基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成される感光層Ｒｇとを含む場合を例にして説明する。
【００１０】
また、基材Ｗは、少なくとも１回のリソグラフィ工程（露光工程）を経ていてもよいが、本実施形態においては、説明を簡単にするために、基材Ｗに最初のリソグラフィ処理を施す場合について説明する。また、本実施形態において、図２に示すように、基材Ｗ（基板）の表面は、周縁領域ＥＡを含む。周縁領域ＥＡは、基材Ｗ（基板）の上面の輪帯状（環状）の周縁領域ＥＡ１、基材Ｗ（基板）の側面ＥＡ２、及び基材Ｗの下面の輪帯状（環状）の周縁領域ＥＡ３を含む。また、以下の説明において、材料層（例えば感光層Ｒｇ）のエッジは、基材Ｗ（基板）の周縁領域ＥＡに形成されている。
【００１１】
本実施形態のデバイス製造方法は、液体ＬＱを介して基板Ｐの感光層Ｒｇを露光光ＥＬで露光する液浸露光処理を含む。図１に示すように、本実施形態は、基材Ｗの上にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）層Ｂｈを形成する工程（ステップＳＡ１）と、ＨＭＤＳ層Ｂｈを形成した後に基板上に感光層Ｒｇを形成する工程（ステップＳＡ２）と、基板上の感光層Ｒｇを一部除去する第１リンス工程（ステップＳＡ３）と、基板上の形成された感光層Ｒｇを加熱する第１ベーク工程（ステップＳＡ４）、感光層Ｒｇを形成した後に、液体ＬＱに対して撥液性の保護層Ｔｃを形成する工程（ステップＳＡ５）と、保護層Ｔｃを形成した後に、感光層Ｒｇの一部および保護層Ｔｃの一部の少なくとも一方を除去する第２リンス工程（ステップＳＡ６）と、基板上の保護層Ｔｃを加熱する第２ベーク工程（ステップＳＡ7）と、液体ＬＱを介して基板Ｐの感光層Ｒｇを露光光ＥＬで露光する液浸露光処理（ステップＳＡ８）とを含む。液浸露光された後の基板Ｐは、現像処理される。
【００１２】
図３は、上述のステップＳＡ１〜ＳＡ８を実行するデバイス製造システムＳＹＳの一例を示す模式図である。デバイス製造システムＳＹＳは、後述の露光装置ＥＸと、その露光装置ＥＸに接続され、上述のステップＳＡ１〜ＳＡ７の処理を実行するコータ・デベロッパ装置ＣＤとを含む。コータ・デベロッパ装置ＣＤは、複数の処理装置（後述の第１処理装置１ａ及び第２処理装置２ａを含む）と、液浸露光された基板Ｐを現像する処理装置とを含む。露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤ間、及びコータ・デベロッパ装置ＣＤ内の各処理装置間においては、基板Ｐは搬送装置（不図示）によって搬送される。
【００１３】
図３において、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとは、インターフェースＩＦを介して接続されており、基板Ｐは不図示の搬送装置により、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間でインターフェースＩＦを介して搬送可能である。
【００１４】
上述のステップＳＡ１〜ＳＡ７を経て形成された基板Ｐは、露光装置ＥＸへ搬入され、液浸露光される。また、液浸露光後の基板Ｐは、コータ・デベロッパ装置ＣＤに搬入され、必要に応じて、例えば、液体除去処理、加熱処理（ＰＥＢ処理）等、所定の処理を実行された後、現像処理される。現像処理によって、マスクＭのパターンに応じた基板Ｐの感光膜Ｒｇの一部分を除去した後、ポストベーク処理、エッチング処理等を含む所定の処理が実行されることにより、基板Ｐ上には、マスクＭのパターンに応じたパターン（デバイスパターン）が形成される。
【００１５】
以下、各ステップＳＡ１〜ＳＡ８について詳細に説明する。
最初に、ステップＳＡ１について説明する。
本実施形態においては、基材Ｗは、シリコンウエハを含む。すなわち、基材Ｗは、シリコン基板を含み、基材Ｗの表面は、シリコン基板の表面を含む。
【００１６】
ステップＳＡ１は、基材Ｗの表面の少なくとも一部に、ＨＭＤＳ層Ｂｈを形成する処理を含む。ＨＭＤＳ層Ｂｈは、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）である。基材Ｗと、ＨＭＤＳ層Ｂｈとの密着性は良好である。
【００１７】
本実施形態においては、図４（ａ）に示すように、ＨＭＤＳ膜Ｂｈが、基材Ｗの上面（周縁領域ＥＡ１も含む）全域、側面（周縁領域ＥＡ２）の全域、および下面の一部（周縁領域ＥＡ３を含む）のそれぞれに形成される。
【００１８】
図５は、基材Ｗ（基板）上にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成可能な第１処理装置１aの一例を示す図である。図５において、第１処理装置１aは、密閉室１ｂと、密閉室１ｂの内部に設けられ、基材Ｗ（基板）を保持する保持装置１ｃと、ガス状のＨＭＤＳを密閉室１ｂの内部に供給するガス供給装置１ｄとを備える。保持装置１ｃは、保持した基材Ｗを加熱可能である。第１処理装置１aは、保持装置１ｃで保持した基材Ｗを加熱した状態で、ガス供給装置１ｄよりガス状のＨＭＤＳを密閉室１ｂの内部に供給する。これにより、基材Ｗの表面とガス状のＨＭＤＳとが接触し、基材Ｗ上にＨＭＤＳ層Ｂｈが形成される。図５に示すように、本実施形態においては、保持装置１ｃは、基材Ｗの下面側に所定の空間が形成されるように基材Ｗを保持する。したがって、第1処理装置１aは、基材Ｗの上面、側面及び下面の一部のそれぞれにＨＭＤＳ層Ｂｈを形成可能である。
【００１９】
次に、ステップＳＡ２について説明する。ステップＳＡ２は、ＨＭＤＳ層Ｂｈが形成された基板上に感光層Ｒｇを形成する処理を含む。
【００２０】
本実施形態においては、感光層Ｒｇとして、化学増幅型レジストを用いる。また、本実施形態の感光層Ｒｇとして、露光光ＥＬが照射された部分が現像処理によって除去されるポジ型レジストを用いる。
【００２１】
本実施形態において、感光層Ｒｇと、ＨＭＤＳ層Ｂｈとの密着性は良好である。
本実施形態においては、図６に示すような、スピンコーティング法を用いて、基板（ＨＭＤＳ層Ｂｈ）上に感光層Ｒｇが形成される。第１処理装置１ａでＨＭＤＳ処理された基板は、第２処理装置２ａに搬入される。
【００２２】
図６は、第２処理装置２ａの一例を示す図である。第２処理装置２ａは、基板（基材Ｗ）上に感光層Ｒｇを形成可能であり、且つ基板の周縁領域ＥＡの感光層Ｒｇの少なくとも一部を除去可能である。第２処理装置２ａは、例えば米国特許出願公開第２００６／００６８１１０号明細書等に開示されている。図６において、第２処理装置２ａは、基板の下面を保持可能な保持部材２ｄと、保持部材２ｄを回転する回転モータ２eと、保持部材２ｄに保持された基板の上面に感光材を含む溶剤（レジスト）を供給可能な第１供給口２fを有する第１ノズル２gと、保持部材２ｄに保持された基板の周縁領域ＥＡにエッジリンス用液体（溶剤）を供給可能な第２供給口２hを有する第２ノズル２iと、保持部材２ｄの周囲に配置され、感光材の溶剤、及びエッジリンス用液体を受けるカップ２jとを備えている。カップ２jの底には、飛散した感光材を含む溶剤、及びエッジリンス用液体を集めて排出する排液口２ｋと、飛散した感光材の溶剤、及びエッジリンス用液体の微粒子が基板に再付着することを抑制するために、カップ２iの内側の気体を排出する排気口２ｌとが形成されている。
【００２３】
基板上に感光層Ｒｇを形成するとき、図６に示すように、保持部材２ｄに保持された基板の上面の中央と対向するように、第１ノズル２gの第１供給口２fが配置される。第２処理装置２ａは、回転モータ２eを駆動して、保持部材２ｄに保持された基板を回転しつつ、第１ノズル２gの供給口２fより感光材の溶剤を基板の上面（ＨＭＤＳ層Ｂｈの表面）に供給することによって、基板（ＨＭＤＳ層Ｂｈ）上に感光層Ｒｇを形成する。このとき、感光層Ｒｇのエッジは基板の周縁領域ＥＡに形成される。本実施形態においては、感光層Ｒｇは、基板の上面（周縁領域ＥＡ１も含む）、及び側面（周縁領域ＥＡ２）に形成される。すなわち、本実施形態においては、感光層Ｒｇのエッジは、基板の周縁領域ＥＡ２に形成される。
【００２４】
次に、ステップＳＡ３について説明する。ステップＳＡ３は、基板の周縁領域ＥＡに形成された感光層Ｒｇの少なくとも一部を除去するエッジリンス処理を含む。
本実施形態においては、上述の第２処理装置２ａが、エッジリンス処理を実行可能であり、保持部材２ｄに基板を保持したまま、感光層Ｒｇを形成する処理を行った後に、感光層Ｒｇの一部を除去するエッジリンス処理を実行する。
【００２５】
本実施形態においては、ステップＳＡ３のエッジリンスは、上述の第２処理装置２ａを用いて実行される。本実施形態においては、図６に示すように、基板の周縁領域ＥＡに向けてアセトン、又はシンナー等を含むエッジリンス用液体（溶剤）を吹き付けるリンス処理により、感光層Ｒｇの一部を基板から除去する。
【００２６】
エッジリンス処理を実行するとき、図６に示すように、保持部材２ｄに保持された基板の周縁領域ＥＡと対向するように、第２ノズル２iの第２供給口２iが配置される。第２処理装置２ａは、回転モータ２ｅを駆動して、保持部材２ｄに保持された基板を回転しつつ、第２ノズル２ｉの供給口２ｈよりリンス用液体を基板の周縁領域ＥＡに向けて供給することによって、基板の周縁領域ＥＡの感光層Ｒｇの一部を除去する。
【００２７】
これにより、基板の周縁領域ＥＡの所定位置に感光層Ｒｇのエッジが形成される。本実施形態においては、図４（ｂ）に示すように、基板の側面（周縁領域ＥＡ２）の一部の感光層Ｒｇが除去され、基板の上面（周縁領域ＥＡ１を含む）および側面（周縁領域ＥＡ２）の一部には感光層Ｒｇが形成される。すなわち、基板の周縁領域ＥＡ２に感光層Ｒｇのエッジが形成される。また、感光層Ｒｇがリンス処理により除去されることによって、基板の周縁領域ＥＡの少なくとも一部において、ＨＭＤＳ層Ｂｈが露出する。
【００２８】
次に、ステップＳＡ４について説明する。ステップＳＡ４は、基板上に形成された感光層Ｒｇを加熱する処理（ベーク処理）を含む。第２処理装置２ａでエンジリンス処理された基板は、ベーク処理を行う不図示の処理装置に搬入される。感光層Ｒｇが形成された基板を加熱処理することによって、例えば感光層Ｒｇ中の溶剤が蒸発し、感光層Ｒｇが固化され、感光層ＲｇとＨＭＤＳ層Ｂｈとの密着性を更に高めることができる。
【００２９】
次に、ステップＳＡ５について説明する。ステップＳＡ５は、感光層Ｒｇが形成された基板上に保護層Ｔｃを形成する処理を含む。ベーク処理された基板は、基板上に保護層Ｔｃを形成可能であり、且つ基板の周縁領域の保護層Ｔｃを除去可能な処理装置（不図示）に搬入され、感光層Ｒｇの形成と同様なスピンコーティング法を用いて、基板（感光層Ｒｇ）上に保護層Ｔｃが形成される。なお、保護層Ｔｃの形成可能であり、基板の周縁領域の保護層Ｔｃを除去可能な処理装置は、上述の第２処理装置２ａとほぼ同様の構成を有し、保護層Ｔｃを形成する液体を供給する点、および保護層Ｔｃを除去可能なエンジリンス液体を供給する点以外は、上述の第２処理装置２ａとほぼ同様の動作を行うので、詳細説明は省略する。これにより、保護層Ｔｃのエッジが基板の周縁領域ＥＡに形成されるように、保護層Ｔｃが感光層Ｒｇ上に形成される。
本実施形態においては、図４（ｃ）に示すように、保護層Ｔｃは、感光層Ｒｇが露出しないように、感光層Ｒｇ上（基板の上面（周縁領域ＥＡ１も含む）、及び側面（周縁領域ＥＡ２））に形成される。すなわち、本実施形態において、感光膜Ｒｇの全域が、保護層Ｔｃによって覆われる。また、本実施形態においては、保護層Ｔｃのエッジは基板の周縁領域ＥＡ２に形成される。
【００３０】
本実施形態において、保護層Ｔｃは、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）であり、保護層Ｔｃと液体ＬＱとの接触角は、例えば７０°以上、好ましくは９０°以上である。一例として、本実施形態においては、保護層Ｔｃとして、ＪＳＲ株式会社製「ＴＣＸ０４１」を用いる。本実施形態において、保護層Ｔｃと感光層Ｒｇとの密着性は良好である。
【００３１】
次にＳＡ６について説明する。
本実施形態においては、基板の周縁領域の保護層Ｔｃを除去可能な処理装置（不図示）により、感光層Ｒｇと同様に、エッジリンス用液体（溶剤）を吹き付けるリンス処理により、保護層Ｔｃの一部を基板から除去する。本実施形態においては、図４（ｄ）に示すように、エッジリンス処理によって基板の周縁領域ＥＡにおいて、感光層Ｒｇのエッジと、保護層Ｔｃのエッジとが揃えられるように、保護層Ｔｃが除去される。すなわち、本実施形態においては、エッジリンス処理によって基板の周縁領域ＥＡ２において、感光層Ｒｇの端面（側面）と、保護層Ｔｃの端面（側面）とが揃えられるように、保護層Ｔｃが除去される。また、本実施形態において、基板の周縁領域ＥＡにおいて、保護層Ｔｃは、基材Ｗの表面、及び感光層Ｒｇと基材Ｗとの間の層（例えば、ＨＭＤＳ層Ｂｈ）と接触しないように、保護層Ｔｃが除去される。
【００３２】
次に、ステップＳＡ７について説明する。ステップＳＡ７は、ステップＳＡ７は、基板上に形成された保護層Ｔｃを加熱する処理（ベーク処理）を含む。ステップＳＡ６でエンジリンス処理された基板は、不図示の処理装置に搬入される。保護層Ｔｃが形成された基板を加熱する処理によって、例えば保護層Ｔｃの溶剤が蒸発し、保護層Ｔｃが固化され、保護層Ｔｃと感光層Ｒｇとの密着性を更に高めることができる。したがって、これにより、基材Ｗ、ＨＭＤＳ層Ｂｈ、感光膜Ｒｇ、及び保護層Ｔｃを含む、本実施形態に係る基板Ｐが形成される。
【００３３】
次に、ステップＳＡ８について説明する。ステップＳＡ８は、基板Ｐの感光膜Ｒｇを液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光する。ステップＳＡ７のベーク処理を終えた基板Ｐは、露光装置ＥＸに搬入される。
【００３４】
図７に示すように、ステップＳＡ８においては、基板Ｐの感光膜Ｒｇが、露光光ＥＬによって露光される。本実施形態においては、基板Ｐの感光膜Ｒｇは、パターン化された露光光ＥＬによって照射される。
【００３５】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。図７は、液浸露光装置に用いる露光装置ＥＸの一例を示す図である。露光装置ＥＸは、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット、米国特許公開第２００５／０２８０７９１号明細書、国際公開第２００５／０２４５１７号パンフレット等に開示されているような、液体ＬＱを介して基板Ｐに露光光を照射して、基板Ｐの感光膜Ｒｇを露光する液浸露光装置を含む。
【００３６】
図７において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステ−ジ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステ−ジ２と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパタ−ンの像を液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパタ−ンが形成されたレチクルを含む。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００３７】
本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレ−ザ光を用いる。
【００３８】
投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパタ−ンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５または１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。
【００３９】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面６を有する終端光学素子７を備えている。終端光学素子７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。
【００４０】
基板ステ−ジ２は、基板Ｐを保持可能な基板テ−ブル１０を有する。
基板テーブル１０は、図８に示すように、基板Ｐを保持する基板ホルダ３４を有する。基板テーブル１０の上面１０Ｆは、基板ホルダ３４の周囲に配置され、終端光学素子７の射出面６と対向可能である。基板テーブル１０の上面１０Ｆは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ホルダ３４は、基板テーブル１０に設けられた凹部に配置されている。基板ホルダ３４は、基板Ｐの上面（保護層Ｔｃ）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持可能である。基板ホルダ３４に保持された基板Ｐの上面（保護層Ｔｃ）と基板テーブル１０の上面１０Ｆとは、同一平面内に配置される（面一である）。上面１０Ｆは、例えばフッ素を含む材料で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性である。上面１０Ｆと液体ＬＱとの接触角は、例えば９０°以上である。
【００４１】
基板ホルダ３４は、図８に示すように、本実施形態において、真空チャック構造を含み、基板Ｐの下面と対向可能な上面を有する周壁（シール部材）３９と、周壁３９の内側に配置され、基板Ｐの下面を支持可能な凸部材（支持部材）４０とを備えている。基板ホルダ３４は、周壁３９で囲まれた基板Ｐの下面側の空間を負圧にすることで、基板Ｐを凸部材４０に吸着保持する。
【００４２】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成するために、液体供給装置２１と第１液体回収装置２２とを備えている。
【００４３】
本実施形態においては、射出面６と対向するように配置された基板Ｐの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、終端光学素子７の射出面６から−Ｚ方向に所定距離だけ離れた位置に基板Ｐが配置され、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。
【００４４】
露光装置ＥＸは、基板Ｐの上面（保護層Ｔｃ）と液体ＬＱとを接触させながら、基板Ｐの感光膜ＲｇにマスクＭから露光光ＥＬを、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して照射する。これにより、マスクＭのパターン像が基板Ｐ上に投影され、基板Ｐの感光膜Ｒｇが露光される。本実施形態においては、基板Ｐの液体ＬＱと接触する液体接触面が撥液性を有する保護層Ｔｃによって形成されているので、液浸領域ＬＲを基板Ｐ上に良好に形成することができる。また、撥液性を有する保護層Ｔｃによって、液体ＬＱの回収性を高めることができ、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留することを抑制できる。
【００４５】
また、基板Ｐの周縁領域の近傍の感光膜Ｒｇを露光光ＥＬで露光するとき、あるいは液浸空間ＬＳを基板Ｐの上面から基板テーブル１０の上面１０Ｆに移動するとき等においては、図８に示すように、液浸空間ＬＳが基板ホルダに保持された基板Ｐ（保護層Ｔｃ）の周縁領域ＥＡ1と、その基板Ｐの周囲に配置された基板テーブル１０の上面１０Ｆとの間のギャップＧ上に配置される。
【００４６】
本実施形態においては、基板テーブル１０の上面１０Ｆが液体ＬＱに対して撥液性であり、基板Ｐの周縁領域ＥＡ１が液体ＬＱに対して、撥液性である保護層Ｔｃによって形成されている。したがって、ギャップＧからその下方空間への液体ＬＱの浸入を抑制することができる。また、液体供給装置２１から供給された液体ＬＱが、その液体ＬＱの表面張力によりギャップＧからその下方空間に浸入しないように、ギャップＧの間隔を小さくしている。ギャップＧの間隔は、例えば、１ｍｍ以下である。ギャップＧから下方空間への液体ＬＱの浸入が抑制されているものの、ギャップＧから下方空間へ浸入する可能性がある。
【００４７】
さらに、本実施形態において、ギャップＧの下方空間において基板Ｐの感光層Ｒｇがほとんど露出しないように、保護層Ｔｃのエッジと、感光層Ｒｇとのエッジが揃えられている。したがって、感光層Ｒｇが、液体ＬＱに対する撥液性があまり高くない材料で形成されている場合であっても、ギャップＧから浸入した液体ＬＱがさらにその下方空間へ浸入することを抑制している。
【００４８】
また、基板Ｐの保護層Ｔｃ及び感光層Ｒｇの下側には、撥液性のＨＭＤＳ層Ｂｈが露出しているので、ギャップＧから浸入した液体ＬＱがさらにその下方空間へ浸入を抑制することができる。
【００４９】
一方、本実施形態においては、基板Ｐの周縁領域ＥＡ２において、保護層ＴｃがＨＭＤＳ層Ｂｈと接触しないように、保護層Ｔｃのエッジと、感光層Ｒｇとのエッジが揃えられており、保護層Ｔｃの剥離が抑制されている。例えば、保護層ＴｃがＨＭＤＳ層Ｂｈと接触するように形成されている場合、保護層ＴｃとＨＭＤＳ層Ｂｈとの密着性が悪いと、保護層Ｔｃのエッジ部分で保護層ＴｃがＨＭＤＳ層から剥離し、剥離した保護層Ｔｃが異物となり、露光装置（例えば、終端光学素子７）を汚染する可能性が高くなる。また、その異物が、その後に露光装置ＥＸに搬入される清浄な基板Ｐと接触し、汚染が拡大する可能性もある。また、その異物が終端光学素子７に付着した状態で露光した場合、基板Ｐ上に形成されるパターンに欠陥が生じる可能性がある。
【００５０】
本実施形態においては、保護層Ｔｃのエッジと感光層Ｒｇのエッジとが揃えられていることによって、保護層ＴｃがＨＤＭＳ層Ｂｈと接触していないので、保護層Ｔｃの一部が剥離することを抑制することができる。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、液浸露光処理される基板Ｐの周縁領域ＥＡにおいて、感光膜Ｒｇのエッジおよび保護層Ｔｃのエッジが揃っているので、基板Ｐの周縁領域ＥＡを液浸露光する際、保護層Ｔｃの剥離を抑制することができる。したがって、材料層の欠陥等に起因する露光不良の発生を抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００５２】
また、基板Ｐを搬送する搬送装置の搬送アームと基板Ｐの周縁領域ＥＡとが接触すると、その基板Ｐの周縁領域ＥＡに形成されている保護膜Ｔｃの一部が基板Ｐから剥離する可能性がある。また、基板Ｐの支持部（例えば、基板ホルダ３４）と基板Ｐの周縁領域ＥＡとが接触した場合にも、その基板Ｐの周縁領域ＥＡに形成されている感光層Ｒｇの一部が基板Ｐから剥離する可能性がある。これらの場合においても、感光層Ｒｇと保護層Ｔｃの密着性が良く、感光層Ｒｇのエッジと保護層Ｔｃのエッジが揃えられているので、保護層Ｔｃの剥離を抑制することができる。
【００５３】
なお、上述の第１実施形態のステップＳＡ６において、感光層Ｒｇおよび保護層Ｔｃの両方を除去できるエンジリンス液体を使って、感光層Ｒｇおよび保護層Ｔｃの両方を同時に除去することによって、感光膜Ｒｇのエッジと保護層Ｔｃのエッジとを揃えてもよい。
【００５４】
<第２実施形態>
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態の露光方法においても、図１のフローチャートに示す、ステップＳＡ１〜ＳＡ８を含む。
【００５５】
第２実施形態の特徴的な部分は、図９に示すように、ステップＳＡ５において、感光層Ｒｇのエッジの少なくとも一部が露出するように保護層Ｔｃを形成する点にある。すなわち、本実施形態においては、基板の側面（周縁領域ＥＡ２）において、感光層Ｒｇが露出するように保護膜Ｔｃが形成される。
【００５６】
また、本実施形態においては、第２リンス工程（ステップＳＡ６）において、基板の側面（周縁領域ＥＡ２）において、感光層Ｒｇの少なくとも一部を除去することによって、図４（ｄ）に示すように、感光層Ｒｇのエッジと保護層Ｔｃのエッジとを揃える。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態においても、感光層Ｒｇのエッジと保護層Ｔｃのエッジとを揃えることによって、保護層Ｔｃの剥離を抑制することができる。したがって、材料層の欠陥等に起因する露光不良の発生を抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【００５８】
なお、上述の第２実施形態のステップＳＡ６において、感光層Ｒｇおよび保護層Ｔｃの両方を除去できるエンジリンス液体を使って、感光層Ｒｇおよび保護層Ｔｃの両方を同時に除去することによって、感光膜Ｒｇのエッジと保護層Ｔｃのエッジとを揃えてもよい。
【００５９】
なお、上述の第１及び第２実施形態においては、ＨＭＤＳ層Ｂｈ上に感光層Ｒｇを形成しているが、ＨＭＤＳ層と感光層Ｒｇとの間に少なくとも一つの材料層が形成されていてもよい。例えば、ＨＭＤＳ層と感光層Ｒｇとの間に反射防止層を形成してもよい。
【００６０】
また、上述の第１及び第２実施形態においては、図４（ｄ）に示すように、感光層Ｒｇのエッジ（端面）と、保護層Ｔｃのエッジ（端面）とがほぼ面一になるように、感光層Ｒｇのエッジと、保護層Ｔｃのエッジとを揃えているが、面一でなくてもよい。例えば、本実施形態においては、図１０に示すように、感光層Ｒｇのエッジと、保護層Ｔｃのエッジとを揃えた場合にも、保護層Ｔｃのエッジ部分は感光層Ｒｇの下の層（例えばＨＭＤＳ層Ｂｈ）、あるいは基材Ｗと接触していないので、基板Ｐの周縁領域ＥＡにおいて、保護層Ｔｃの一部が剥離することを抑制できる。
【００６１】
なお、本実施形態においては、基板上にスピンコーティング法を用いて感光層Ｒｇ、及び保護層Ｔｃを形成しているが、感光層Ｒｇ及び保護層Ｔｃの少なくとも一方の形成に、他のコーティング法を用いてもよい。例えば、スキャン法等の形成方法を適時用いてもよい。
【００６２】
なお、上述の実施形態においては、第２処理装置２ａが、感光層Ｒｇを形成する処理と、感光層Ｒｇの一部を除去する処理とを実行可能であるが、感光層Ｒｇを形成する装置が感光層Ｒｇの一部を除去する装置と異なっていてもよい。
例えば、塗布装置で感光層Ｒｇを形成した後、塗布装置の保持部材から基板をアンロードして、エッジリンス装置の保持部材にロードし、感光層Ｒｇの一部を除去する処理を実行しても構わない。同様に、保護層Ｔｃを形成する装置が保護層Ｔｃの一部を除去する装置と異なっていてもよい。
【００６３】
なお、上述の実施形態においては、基板（基材Ｗ）上に材料層（例えば感光層Ｒｇ）を形成する工程の後にエッジリンス処理を行ったが、少なくとも一部を同時（並行して）に行ってもよい。例えば、第１ノズル２ｇより感光材の溶剤を基板の上面に供給するのと同時（並行して）に、第２ノズル２ｊよりリンス用液体を基板の周縁領域ＥＡに向けて供給してもよい。
【００６４】
なお、上述の実施形態においては、説明を簡単にするために、基材Ｗがシリコン基板であり、そのシリコン基板上にＨＭＤＳ層Ｂｈを形成する場合を例にして説明したが、基材Ｗの表面（下地）がＳｉＯ2等の酸化膜の場合もある。また、基材Ｗの表面（下地）が、前のプロセスまでに形成されたＳｉＯ2等の酸化膜、ＳｉＯ2及びＳｉＮｘ等の絶縁膜、Ｃｕ及びＡｌ−Ｓｉ等の金属・導体膜、アモルファスＳｉ等の半導体膜、シラン化合物の少なくとも１つの表面である場合もある。また、シラン化合物は、ヘキサエチルジシラザン，トリクロロメチルシラン，ジクロロジメチルシランもしくはその混合物が挙げられるが、これに限定されることはない。
【００６５】
また、上述の実施形態において、ＨＭＤＳ層Ｂｈを形成しなくてもよい。また、ＨＭＤＳ層Ｂｈの替わりにＨＭＤＳとは異なる撥液性の材料層を形成してもよい。
【００６６】
また、上述の実施形態において、エッジリンス処理は、基材Ｐの上面側から基板Ｐの周縁領域ＥＡにアセトン、シンナーなどの溶剤を吹き付けるリンス処理と、基板Ｐの裏面側から基板Ｐの周縁領域ＥＡに向けてシンナーなどの溶剤を吹き付けるリンス処理（所謂バックリンス処理）と、を含む。ただし、基板の上面の周縁領域ＥＡ１のリンス処理が必要ない場合、あるいは基板の上面のリンスすべき周縁領域ＥＡ１の幅が非常に小さい場合には、基板の裏面側から基板の周縁領域ＥＡに向けて溶剤を吹き付けるバックリンス処理を行うだけでもよい。
【００６７】
また、本実施形態において、基板の周縁領域ＥＡに形成されるエッジの位置は、適宜調整することができる。例えば、リンス処理において基板の回転速度を調整することで、エッジの位置を適宜調整できる。したがって、上述の本実施形態においては、基板の側面の周縁領域ＥＡ２において、感光層Ｒｇのエッジと保護層Ｔｃのエッジとを揃えたが、基板の上面の周縁領域ＥＡ１、もしくは、下面の周縁領域ＥＡ３でも構わない。また、本実施形態においては、基板の周縁領域ＥＡにエッジを形成したが、基板の周縁領域以外の基板の上面に形成することも可能である。
【００６８】
なお、本実施形態において、基板Ｐを保持する基板ホルダ３４の周囲には、撥液性の上面１０Ｆが設けられていたが、上面１０Ｆの少なくとも一部を脱着可能な板部材としてもよい。
【００６９】
なお、本実施形態では、感光材として照射された部分が現像処理によって除去されるポジ型レジストを用いたが、照射された部分が現像処理によって残るネガ型レジストを用いてもよい。
【００７０】
なお、基材Ｗとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００７１】
本実施形態において、基板テーブル１０の上面１０Ｆは、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、上面１０Ｆは、撥液性材料の膜を含む。撥液性材料としては、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、テフロン（登録商標）等が挙げられる。なお、基板テーブル１０の上面１０Ｆは、すくなくとも上面１０Ｆの一部が撥液表面を有していればよい。本実施形態において、液体ＬＱに対する上面１０Ｆの接触角は、例えば９０°以上である。
【００７２】
なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する材料層（例えば、保護層）に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエ−テル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエ−テル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダ−油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【００７３】
なお、上述の実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子７の射出側（像面側）の光路を液体ＬＱで満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子７の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。
【００７４】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００７５】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００７６】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００７７】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００７８】
更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。計測ステージが終端光学素子の射出面及び液浸部材の下面と対向する位置に配置されることによって、終端光学素子及び液浸部材は、計測ステージとの間で液浸空間を形成することができる。
【００７９】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００８０】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【００８１】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００８２】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
【００８３】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００８４】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。ステップ２０４は、上述の実施形態で説明したステップＳＡ１〜ステップＳＡ８等を含む。
【００８６】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】基材（基板）の概略図である。
【図３】第１実施形態に係るデバイス製造システムの一例を示す模式図である。
【図４】第１実施形態に係る基板の一例の周縁近傍の拡大図である。
【図５】第１処理装置の一例を示す図である。
【図６】第２処理装置の一例を示す図である。
【図７】露光装置の一例を示す図である。
【図８】露光装置の一部を拡大した図である。
【図９】第２実施形態のＳＡ６における基板の一例の周縁近傍の拡大図である。
【図１０】ＳＡ８において液浸露光される基板の一例の周縁近傍の拡大図である。
【図１１】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８８】
１…マスクステ−ジ、２…基板ステ−ジ、６…射出面、７…終端光学素子、１０…基板テ−ブル、１０Ｆ…上面、３４…基板ホルダ、３９…周壁、４０…凸部材、１a…第１処理装置，１ｂ…密閉室、１ｃ…保持装置、１ｄ…ガス供給装置、２ａ…第２処理装置、２ｄ…保持部材、２e…回転モータ、２f…第１供給口、２g…第１ノズル、２ｈ…第２供給口、２i…第２ノズル、２j…カップ、２ｋ…排液口、２ｌ…排気口、ＡＸ…光軸、Ｂｈ…ＨＭＤＳ層、ＣＤ…コータデベロッパ装置、ＥＡ…周縁領域、ＥＡ１…周縁領域、ＥＡ２…周縁領域、ＥＡ３…周縁領域、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＦ…インターフェース、ＩＬ…照明系、ＩＲ…照明領域、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、Ｒｇ…感光層、Ｔｃ…保護層、Ｗ…基材、
【図１】
2010056365.tif 000003
【図２】
2010056365.tif 000004
【図３】
2010056365.tif 000005
【図４】
2010056365.tif 000006
【図５】
2010056365.tif 000007
【図６】
2010056365.tif 000008
【図７】
2010056365.tif 000009
【図８】
2010056365.tif 000010
【図９】
2010056365.tif 000011
【図１０】
2010056365.tif 000012
【図１１】
2010056365.tif 000013