(57)【要約】      （修正有）【課題】ＩＩＩ族―Ｖ族元素を原料に、複雑な形状でも容易に、且つ、精度よく成形でき、真密度に近い焼結体を得る製造法を提供する。【解決手段】珪素や窒化アルミニウム粉末の射出成形であって、原料粉末に、２０％、２０％、２２％、３２％、６％の容量のバインダー５種とＹ（イットリュウム）やＣａ（カルシウム）を結合剤に５％の容量を加えて加圧混練する。また、グリーン体を真空焼結炉で脱脂工程を行いつつ、焼結工程を行う。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素や窒化アルミニウム粉末を射出成形法におけるバインダーの混練法
【請求項２】
請求項１での珪素や窒化アルミニウムペレットにおける射出成形法
【請求項３】
請求項２でのグリーン体の真空焼結炉での脱脂焼結プログラム（ＯＮＥ−ＳＴＥＰ法）作成法
【請求項４】
請求項３でのシルバー体のｐ型、ｎ型の太陽電池製作方法
【請求項５】
屋根瓦用バックシートの製作法
【請求項６】
半導体用放熱基板（ＡｌＮ）、超高周波表面弾性波素子（ＡｌＮ  単結晶、膜）などの機能性特徴とする材料。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】この発明は、ＩＩ―ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を簡素化できる射出成形法に関する技術である。
【背景技術】
【０００２】従来、半導体の材料として最も多く使われているのがシリコンです。従来の集積回路用の保護膜としてＳｉ３Ｎ４が主流である。【０００３】上述した技術の場合、おもにプレス成形での基板が主流で、焼結後の基板本体の密度に難があり、真密度９５％以上を求めるには問題があった。
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】本発明は、請求項６での半導体用放熱基板での複雑な形状でも容易に、且つ、精度よく、真密度に近い値を得ることができるようにすることを主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】そのための手段は、射出成形して（複雑形状）、真空焼結炉で脱脂工程を行いつつ、焼結工程を行うことにある。
【０００６】上述の射出成形を行うために、バインダー５種を２０％、２０％、２２％、３２％、６％の容量とＹ（イットリュウム）やＣａ（カルシウム）を結合剤に５％の容量を加圧混練するにある。
【０００７】上述の有機アルミニウム法は反応活性の大きい表面積を増大して燃焼性を向上させる。また、酸素含有量の増大と微粉化に伴う充填率の向上にある。
【０００８】高熱伝導性という観点から見た不純物では、ＡｌＮに拡散固溶しやすい原子、たとえば、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｏなど有害で、一方Ａｌ３＋イオン半径の大きいＹ，Ｃａなどは熱伝導率を低下させず有効である。
【０００９】成形性（充填性、均質性）は粉体の粒径、粒度分布、成形用添加剤（バインダー）により支配される。
【発明の効果】
【００１０】以上の発明は、珪素や窒化アルミニウム素材の持つ特性から、複雑な形状となっても射出成形が可能となり、焼結処理後に別途、追加工も不要であるため、コストもかからず、精度よく半導体用基板を製造することができる。
【００１１】上述した珪素やＡｌＮ粉末の射出成形方法は、精度・密度を確保することができ、しかも、Ｓｉ２Ｏ３、ＡｌＮ粉末に他元素を添加することによる単結晶・多結晶等の新素材・新商品の開発が可能となる。
【００１２】本発明は、プラスチックスの成形法を基礎に開発されたもので、比較的に小型で複雑形状を持つ高品質高精度部品の生産自動化や大量生産を可能とする。
【００１３】均一な混合物・混練物を得ることが容易である。
【００１４】混合物・混練物が良好な流動性を持ち金型中に均一に充填される。
【００１５】混合物・混練物が容易に固化し、且つ固化時や金型からの取り出しに不均一や欠陥を生じない。
【００１６】バインダーの除去が容易であり除去プロセスで時（脱脂工程）に欠陥を生じなく、そのまま真空焼結を行うことで、初期設備投資が少なく済む。（商標登録済み）
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】発明の一実施の形態を、以下図面を用いて説明する。
図１は、ＡｌＮの平面図・側面図・断面図を示し、
図２は、フローチャートを示す。
図３は、ＯＮＥ−ＳＴＥＰ脱脂・工程・時間等のプログラムを示す。
【符号の説明】
１  浅瓦ＪＩＳ規格
２  バックシート
３  太陽電池セル
【図１】
2010030263.tif 000002
【図２】
2010030263.tif 000003
【図３】
2010030263.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】この発明は、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を簡素化できる射出成形法に関する技術である。
【背景技術】
【０００２】従来、半導体の材料として最も多く使われているのがシリコンです。従来の集積回路用の保護膜としてＳｉ３Ｎ４が主流である。【０００３】上述した技術の場合、おもにプレス成形での基板が主流で、焼結後の基板本体の密度に難があり、真密度９５％以上を求めるには問題があった。
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】本発明は、請求項６での半導体用放熱基板での複雑な形状でも容易に、
且つ、精度よく、真密度に近い値を得ることができるようにすることを主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】そのための手段は、射出成形して（複雑形状）、真空焼結炉で脱脂工程を行いつつ、焼結工程を行うことにある。
【０００６】上述の射出成形を行うために、バインダー５種を２０％、２０％、２２％、３２％、６％の容量とＹ（イットリュウム）やＣａ（カルシウム）を結合剤に５％の容量を加圧混練するにある。
【０００７】上述の有機アルミニウム法は反応活性の大きい表面積を増大して燃焼性を向上させる。また、酸素含有量の増大と微粉化に伴う充填率の向上にある。
【０００８】高熱伝導性という観点から見た不純物では、ＡｌＮに拡散固溶しやすい原子、たとえば、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｏなど有害で、一方Ａｌ３＋イオン半径の大きいＹ，Ｃａなどは熱伝導率を低下させず有効である。
【０００９】成形性（充填性、均質性）は粉体の粒径、粒度分布、成形用添加剤（バインダー）により支配される。
【発明の効果】
【００１０】以上の発明は、珪素や窒化アルミニウム素材の持つ特性から、複雑な形状となっても射出成形が可能となり、焼結処理後に別途、追加工も不要であるため、コストもかからず、精度よく半導体用基板を製造することができる。
【００１１】上述した珪素やＡｌＮ粉末の射出成形方法は、精度・密度を確保することができ、しかも、Ｓｉ２Ｏ３、ＡｌＮ粉末に他元素を添加することによる単結晶・多結晶等の新素材・新商品の開発が可能となる。
【００１２】本発明は、プラスチックスの成形法を基礎に開発されたもので、比較的に小型で複雑形状を持つ高品質高精度部品の生産自動化や大量生産を可能とする。
【００１３】均一な混合物・混練物を得ることが容易である。
【００１４】混合物・混練物が良好な流動性を持ち金型中に均一に充填される。
【００１５】混合物・混練物が容易に固化し、且つ固化時や金型からの取り出しに不均一や欠陥を生じない。
【００１６】バインダーの除去が容易であり除去プロセスで時（脱脂工程）に欠陥を生じなく、そのまま真空焼結を行うことで、初期設備投資が少なく済む。（商標登録済み）
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】発明の一実施の形態を、以下図面を用いて説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】は、ＡｌＮの平面図・側面図・断面図を示し、
【図２】は、フローチャートを示す。
【図３】は、ＯＮＥ−ＳＴＥＰ脱脂・工程・時間等のプログラムを示す。
【符号の説明】
【００１９】１  浅瓦ＪＩＳ規格
２  バックシート
３  太陽電池セル