(57)【要約】【課題】配線基板のキャパシタや配線の交差部に生じた層間短絡を修正することが可能な表示装置の製造方法、および配線基板のキャパシタの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】配線基板１のキャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３を修正する。層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射する。短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３を除去し、開口部を形成する。短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３を除去するようにすれば、安定した確実な修正が可能となる。層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせる。【選択図】図１０
2010185928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜を順に有する配線基板を形成する工程と、
前記上層の導電膜と前記下層の導電膜とが短絡している層間短絡を修正する工程と、
前記配線基板に表示素子を形成する工程と
を含み、
前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡を含む短絡包含領域に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光を照射し、前記短絡包含領域内の前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜を除去する
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記層間短絡を修正する工程において、前記短絡包含領域内の前記上層の導電膜、前記絶縁膜および前記下層の導電膜を除去する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡の大きさに応じてレーザ光の照射方法を異ならせる
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡の大きさが閾値以下であるか前記閾値よりも大きいかを判別し、前記層間短絡の大きさが前記閾値以下の場合は前記短絡包含領域にレーザ光を照射し、前記層間短絡の大きさが前記閾値よりも大きい場合は前記層間短絡の周囲を囲む枠領域にレーザ光を照射する
請求項３記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線基板は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたトランジスタと、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたキャパシタと、前記表示素子とを有する画素駆動回路を備え、
前記層間短絡を修正する工程において、前記キャパシタに生じている層間短絡を修正する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記配線基板は、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の一方により構成された走査配線と、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の他方により構成された信号配線とを有し、
前記層間短絡を修正する工程において、前記走査配線と前記信号配線との交差部に生じている層間短絡を修正する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記表示素子は有機発光素子であり、
前記配線基板は、前記下層の導電膜または前記上層の導電膜により構成された電源電位供給配線を有し、
前記層間短絡を修正する工程において、前記電源電位供給配線と前記走査配線または前記信号配線との交差部に生じている層間短絡を修正する
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記レーザ光の１パルスあたりのエネルギー密度が０．０３Ｊ／ｃｍ2 以上０．５Ｊ／ｃｍ2 以下である
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記レーザ光を静止させて照射する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザ光を走査させて照射する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
基体上に下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜を順に有する配線基板と、前記配線基板に形成された表示素子とを備え、
前記配線基板は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたトランジスタと、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたキャパシタと、前記表示素子とを有する画素駆動回路を備え、
前記キャパシタは、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
表示装置。
【請求項１２】
前記配線基板は、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の一方により構成された走査配線と、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の他方により構成された信号配線とを有し、
前記走査配線と前記信号配線との交差部は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
請求項１１記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示素子は有機発光素子であり、
前記配線基板は、前記下層の導電膜または前記上層の導電膜により構成された電源電位供給配線を有し、
前記電源電位供給配線と前記走査配線または前記信号配線との交差部は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
前記キャパシタは、
前記上層の導電膜と前記下層の導電膜とが短絡している層間短絡と、
前記層間短絡の周囲を囲むと共に、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された溝と
を有する請求項１１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置または液晶表示装置等に好適な表示装置の製造方法および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＦＰＤ（Flat Panel Display）の製造において、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板の歩留り向上が大きな課題となっている。例えば有機ＥＬ表示装置用ＴＦＴ基板では、信号配線や走査配線の他に複数の電位供給配線が存在するため、画素内の配線密度が増加し、画素構造が非常に複雑になっており、欠陥の発生確率が非常に高い。一方、液晶表示装置用ＴＦＴ基板においても、プラズマ表示装置に匹敵するレベルを想定した表示装置の大型化や画素の高精細化が進められており、これに伴ってパネルあたりの欠陥数が増加し、歩留りの大幅な低下が問題となっている。
【０００３】
特に発生確率の高い欠陥の種類として、層間短絡（層間ショート）が挙げられる。層間短絡は、上層の導電膜と下層の導電膜とが交差または重複する位置で、絶縁膜の欠陥や非絶縁性異物の混入によって上下の導電膜が電気的に連結してしまうものである。このような層間短絡は、例えば、配線の交差部、または電荷を保持するキャパシタに生じるが、特に有機ＥＬ表示装置の場合にはキャパシタでの発生確率が高い。その原因として、有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置との駆動方式の違いにより、キャパシタの面積が液晶表示装置と比較して著しく大きくなっていることが挙げられる。キャパシタで層間短絡が発生すると、一部の画素が発光しなくなる、または一部の画素が周囲の画素に比べて格段に明るく発光してしまうなど、画像表示性能が著しく損なわれてしまう。
【０００４】
このような欠陥の発生を抑えるため、異物の低減など製造工程の管理が図られているが、欠陥の発生を完全に回避することは難しい。そのため、従来より、ＴＦＴ基板の製造では欠陥の修正工程（リペア工程）が必須となっている。例えば特許文献１および特許文献２では、層間短絡をレーザ照射により修正する手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−７７１９８号公報
【特許文献２】特開平１１−２８２０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、上下の配線のいずれかをレーザ照射により切断したのち、バイパス線を形成するようにしており、工程が複雑になってしまっていた。また、特許文献２では、上下の配線のいずれかをレーザ照射により切断したのち、予め設けてある冗長配線につなぎなおすようにしているが、もともと配線密度の高い有機ＥＬ表示装置の配線基板では、冗長配線のスペースの確保が難しいという問題があった。
【０００７】
更に、特許文献１および特許文献２は、いずれも配線の交差部における欠陥修正に関するものであり、キャパシタに発生した欠陥を修正する方法は従来開発されていなかった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、配線基板のキャパシタや配線の交差部に生じた層間短絡を修正することが可能な表示装置の製造方法、および配線基板のキャパシタの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による表示装置の製造方法は、基体上に下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜を順に有する配線基板を形成する工程と、上層の導電膜と下層の導電膜とが短絡している層間短絡を修正する工程と、配線基板に表示素子を形成する工程とを含み、層間短絡を修正する工程において、層間短絡を含む短絡包含領域に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光を照射し、短絡包含領域内の下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜のうち少なくとも上層の導電膜を除去するようにしたものである。
【００１０】
本発明による表示装置は、基体上に下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜を順に有する配線基板と、配線基板に形成された表示素子とを備え、配線基板は、下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜により構成されたトランジスタと、下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜により構成されたキャパシタと、表示素子とを有する画素駆動回路を備え、キャパシタは、下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜のうち少なくとも上層の導電膜が除去された開口部を有するものである。
【００１１】
本発明による表示装置では、配線基板のキャパシタの開口部において、下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜のうち少なくとも上層の導電膜が除去されており、製造工程で生じた層間短絡が確実に修正されている。よって、キャパシタの層間短絡に起因して、一部の画素が発光しなくなる、または一部の画素が周囲の画素に比べて格段に明るく発光するなどの表示不良が抑えられる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表示装置の製造方法によれば、層間短絡を修正する工程において、層間短絡を含む短絡包含領域に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光を照射し、短絡包含領域内の下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜のうち少なくとも上層の導電膜を除去するようにしたので、配線基板のキャパシタや配線の交差部に生じた層間短絡を修正することが可能となる。
【００１３】
本発明の表示装置によれば、配線基板のキャパシタが、下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜のうち少なくとも上層の導電膜が除去された開口部を有しているので、キャパシタの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図３】図２に示したキャパシタの構成を表す断面図である。
【図４】図２に示したキャパシタの他の構成を表す断面図である。
【図５】図２に示した画素駆動回路の等価回路を表す図である。
【図６】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す平面図および断面図である。
【図８】図７に示した層間短絡の修正を行う修正装置の構成を表す図である。
【図９】図８に示した局所修正部を底面から見た構成を表す平面図である。
【図１０】図７に続く工程を表す平面図である。
【図１１】上層導電膜（上層電極）の主要な構成材料であるアルミニウム（Ａｌ）について、パルス幅と熱拡散長との関係を表した図である。
【図１２】図１０に続く工程を表す平面図である。
【図１３】図１２に続く工程を表す平面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図１６】図１５に示したキャパシタの構成を表す断面図である。
【図１７】図１５に示したキャパシタの他の構成を表す断面図である。
【図１８】図１５に示した表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１９】図１８に示した工程を説明するための図である。
【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図２１】図２０に示した交差部の構成を表す断面図である。
【図２２】図２０に示した交差部の他の構成を表す断面図である。
【図２３】図１９に示した表示装置の製造方法を工程順に説明するための平面図および断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を説明するための図である。
【図２５】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置の画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図２６】図２５に示した交差部の構成を表す断面図である。
【図２７】図２５に示した交差部の他の構成を表す断面図である。
【図２８】図２５に示した表示装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図２９】本発明の実施例の結果を表す写真である。
【図３０】本発明の実施例の結果を表す写真である。
【図３１】本発明の実施例の結果を表す図である。
【図３２】上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図３３】上記各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図３４】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図３５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図３６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図３７】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（キャパシタ；短絡包含領域にレーザ照射する例）
２．第２の実施の形態（キャパシタ；層間短絡の大きさを判別し、層間短絡の周囲を囲む枠領域にレーザ照射する例）
３．第３の実施の形態（配線の交差部；短絡包含領域にレーザ照射する例）
４．第４の実施の形態（配線の交差部；層間欠陥の周囲を囲む枠領域にレーザ照射する例）
５．実施例
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラー表示装置などとして用いられるものであり、例えば、配線基板１に、表示素子として、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有している。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、配線基板１の中央の表示領域１１０内にマトリクス状に配置されている。
【００１７】
配線基板１は、基体１上の表示領域１１０内に画素駆動回路１１１、表示領域１１０の周辺に映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１２および走査線駆動回路１１３をそれぞれ形成したものである。
【００１８】
図２は、画素駆動回路１１１の平面構成の一例を表したものである。画素駆動回路１１１は、ガラス等よりなる基体１１上に、下層導電膜１２０、絶縁膜１３１（図２には図示せず、図３参照。）および上層導電膜１４０を順に有している。なお、本明細書では、図２その他の平面図において、下層導電膜１２０と上層導電膜１４０との識別を容易にするために、下層導電膜１２０には左上がりの斜線、上層導電膜１４０には右上がりの斜線をそれぞれ付している。
【００１９】
下層導電膜１２０には、走査配線１２１およびそれに接続された配線、すなわち、キャパシタ（保持容量）ＣＳの下層電極１２２、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２のゲートとなる配線などが含まれる。下層導電膜１２０は、例えば、厚みが約１００ｎｍであり、モリブデン（Ｍｏ）により構成されている。絶縁膜１３１は、例えば、厚みが約３００ｎｍであり、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）により構成されている。
【００２０】
上層導電膜１４０には、信号配線１４１、電源電位供給配線１４２およびそれらに接続された配線、すなわち、キャパシタＣＳの上層電極１４３、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインとなる配線などが含まれる。上層導電膜１４０は、例えば、厚み５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層と、厚み９００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層と、厚み５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層との積層膜により構成されており、この積層膜の合計厚みは例えば約１０００ｎｍである。
【００２１】
下層導電膜１２０、絶縁膜１３１および上層導電膜１４０の上には、必要に応じて、絶縁膜１３２（図２には図示せず、図３参照。）が形成されていてもよい。絶縁膜１３２は、例えば、厚みが約３００ｎｍであり、窒化シリコン（ＳｉＮ）により構成されている。
【００２２】
図３は、キャパシタＣＳの断面構成の一例を表したものである。キャパシタＣＳは、開口部１６１を有しており、この開口部１６１においては上層電極１４３、絶縁膜１３１および下層電極１２２が除去されている。これにより、この表示装置では、キャパシタＣＳの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能となっている。
【００２３】
なお、開口部１６１は、製造工程においてキャパシタＣＳに発生した層間短絡を修正した際のリペア痕として残っているものであり、必ずしもすべての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの画素駆動回路１１１のキャパシタＣＳに形成される必要があるというものではない。
【００２４】
図４は、キャパシタＣＳの断面構成の他の例を表したものである。開口部１６１は、上層電極１４３、絶縁膜１３１および下層電極１２２のうち上層電極１４３のみが除去されていてもよい。この場合には、絶縁膜１３１および下層電極１２２内に、層間短絡の原因となった導電性の異物１６２が残存していてもよい。
【００２５】
開口部１６１においては、図４に示したように上層電極１４３のみが除去されているよりも、図３に示したように上層電極１４３、絶縁膜１３１および下層電極１２２が除去されているほうが好ましい。安定した確実な修正が可能となるからである。すなわち、図４に示したように下層電極１２２が完全に除去されていない場合、下層電極１２２を構成する導電材料が絶縁膜１３０中に拡散するなどして、上層電極１４３との短絡を発生させる可能性がある。
【００２６】
図５は、図２に示した画素駆動回路１１１の等価回路を表したものである。この画素駆動回路１１１は、後述する第１電極１３の下層に形成され、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、駆動トランジスタＴｒ２を介して電源電位供給配線１４２に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。
【００２７】
書き込みトランジスタＴｒ１のゲートは走査配線１２１に接続されている。書き込みトランジスタＴｒ１のソースおよびドレインの一方は信号配線１４１に接続され、他方はキャパシタＣＳの上層電極１３３に接続されていると共に接続孔１５１を介して駆動トランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。キャパシタＣＳの下層電極１２２は、接続孔１５２を介して電源電位供給配線１４２に接続されている。駆動トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインの一方は電源電位供給配線１４２に接続され、他方は有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の後述する第１電極１３に連結されている。
【００２８】
走査配線１２１は主として行方向に設けられ、信号配線１４１および電源電位供給配線１４２は、主として列方向（走査配線１２１とは直交する方向）に設けられている。各信号配線１４１と各走査配線１２１との交差点が一つの画素、すなわち有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つに対応している。各信号配線１４１は、信号線駆動回路１１２に接続され、この信号線駆動回路１１２から信号配線１４１を介して書き込みトランジスタＴｒ１のソース電極に画像信号ＤＳが供給されるようになっている。各走査配線１２１は走査線駆動回路１１３に接続され、この走査線駆動回路１１３から走査配線１２１を介して書き込みトランジスタＴｒ１のゲート電極に走査信号ＳＳが順次供給されるようになっている。
【００２９】
図６は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば短冊状（長方形）の平面形状を有し、発光色ごとに長手方向に列をなすように配置されている。なお、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００３０】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基体１１の側から、上述した画素駆動回路１１１の駆動トランジスタＴｒ２、平坦化層１２、陽極としての第１電極１３、絶縁膜１４、後述する発光層を含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。
【００３１】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板３１には、必要に応じてカラーフィルタ３１およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００３２】
駆動トランジスタＴｒ２は、平坦化層１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。平坦化層１２は、画素駆動回路１１１などが形成された配線基板１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機材料が挙げられる。
【００３３】
第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。また、第１電極１３は、反射層としての機能も兼ねており、例えば、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ）あるいはタングステン（Ｗ）などの金属または合金により構成されている。絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものであり、例えば、ポリイミドにより構成されている。
【００３４】
有機層１５は、例えば、正孔輸送層，発光層および電子輸送層が第１電極１３の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層は発光層への正孔注入効率を高めるためのものである。発光層は電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものである。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられ、有機発光素子１０Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、２，５−ビス−［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン−１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）が挙げられ、有機発光素子１０Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機発光素子１０Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）が挙げられ、有機発光素子１０Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 が挙げられる。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機発光素子１０Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃ６；Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものが挙げられ、有機発光素子１０Ｇの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 が挙げられる。
【００３５】
第２電極１６は、半透過性電極により構成されており、発光層で発生した光は第２電極１６の側から取り出されるようになっている。第２電極１６は、例えば、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。
【００３６】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００３７】
（配線基板を形成する工程）
まず、上述した材料よりなる基体１１を用意し、この基体１１上に、モリブデン膜を約１００ｎｍの厚みで形成し、フォトリソグラフィにより所定の形状に成形する。これにより、走査配線１２１およびそれに接続された配線、すなわち、キャパシタＣＳの下層電極１２２、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２のゲートとなる配線などを含む下層導電膜１２０を形成する。このとき、下層電極１２２に導電性の異物１６２が付着してしまう可能性がある。
【００３８】
次いで、下層導電膜１２０の上に、上述した厚みおよび材料よりなる絶縁膜１３１を形成する。このとき、異物１６２は、絶縁膜１３１で被覆されず、一部が絶縁膜１３１から露出している可能性がある。
【００３９】
続いて、絶縁膜１３１の上に、チタン（Ｔｉ）層と、アルミニウム（Ａｌ）層と、チタン（Ｔｉ）層との積層膜を、約１０００ｎｍの合計厚みで形成し、フォトリソグラフィにより所定の形状に成形する。これにより、図７に示したように、信号配線１４１、電源電位供給配線１４２およびそれらに接続された配線、すなわち、キャパシタＣＳの上層電極１４３、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインとなる配線などを含む上層導電膜１４０を形成する。これにより、基体１１上に画素駆動回路１１１を有する配線基板１が形成される。なお、信号線駆動回路１１２および走査線駆動回路１１３についても、画素駆動回路１１１と同一工程により形成することができる。
【００４０】
（層間短絡を修正する工程）
このとき、図７に示したように、キャパシタＣＳでは、下層電極１２２と上層電極１４３とが異物１６２を介して短絡した層間短絡１６３が発生している可能性がある。そのため、例えば電気検査により層間短絡１６３の有無を確認したのち、光学検査により位置、大きさなどを抽出する。電気検査は、例えば、アレイテスタ（電気式ガラス基板検査装置）を用いた電荷検出法により行うことができる。電荷検出法は、実動作とほぼ同じ方法で全画素に電荷を書き込み、所定時間経過後に書き込んだ電荷を読み出し、その変化から画素の良・不良を判定する方法である。光学検査では、例えばパターン検査により、層間短絡１６３の位置および大きさを調べる。パターン検査は、画素駆動回路１１１を顕微鏡で拡大し、その画像をＣＣＤ（Charge Coupled Device ；電荷結合素子）カメラ等で取り込み、画像処理により異常を検出する方法であり、各画素の隣接画素との差分を評価し有意差がある場合に不良と判定するものである。なお、層間短絡１６３の原因としては、上述したような導電性の異物１６２に起因したフォトリソグラフィ工程の不良のほか、絶縁膜１３１の欠陥などもありうる。
【００４１】
そののち、修正装置（リペア装置）を用いて層間短絡１６３を修正する。図８は、修正装置８００の構成を表したものである。この修正装置８００は、例えば、層間短絡１６３を観察するための光学系８１０と、光学系８１０および配線基板１を相対的に移動させる移動機構８２０と、層間短絡１６３を修正するための修正機構８３０とを備えている。光学系８１０は、例えば対物レンズ８１１を含んでいる。移動機構８２０は、例えばＸ−Ｙステージにより構成されている。
【００４２】
修正機構８３０は、例えば、移動機構８２０上の配線基板１と対物レンズ８１１との間に設けられた局所修正部８３１を有している。局所修正部８３１は、対物レンズ８１１の下方に窓８３１Ａおよびレーザ照射室８３１Ｂを有しており、この窓８３１Ａから層間短絡１６３を観察し、あるいはレーザ光ＬＢを照射して修正工程を行うことができるようになっている。
【００４３】
修正機構８３０は、また、レーザ加工のためのパルスレーザ光源８３２と、レーザＣＶＤ法のためのＣＷ（Continuous Wave ）レーザ光源８３３と、局所排気系８３５と、圧縮ガス供給系８３６と、圧縮ガス排気系８３７と、パージガス供給系８３８とを有している。
【００４４】
パルスレーザ光源８３２は、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを発生可能なものである。局所排気系８３５は、レーザ照射室８３１Ｂを局所的に排気し、レーザ加工により除去された配線材料などを除去するものである。圧縮ガス供給系８３５は、アルゴン（Ａｒ）または窒素（Ｎ2 ）などの不活性気体よりなる圧縮ガスＧ１を用いて、局所修正部８３１を浮上させるものである。圧縮ガス排気系８３６は、圧縮ガスＧ１を排気することにより、局所修正部８３１と配線基板１との間にバネ定数の極めて大きなバネを形成し、局所修正部８３１の浮上量Ｄの変動を抑えて浮上の剛性を高めるものである。パージガス供給系８３７は、レーザ加工により除去された配線材料などが窓８３１Ａに付着することを抑えるため、アルゴン（Ａｒ）ガスなどのパージガスＧ２を窓８３１Ａに吹きつけるものである。なお、修正機構８３０は、必要に応じて、レーザＣＶＤ法のためのガスを供給する成膜材料供給系、または金属粒子塗布法のための塗布液供給系（いずれも図示せず）を有していてもよい。
【００４５】
局所修正部８３１の底面には、図９に示したように、例えば窒素（Ｎ2 ）などの圧縮ガスＧ１を吹き出すための多孔質アルミニウムよりなる通気部８３１Ｃと、レーザ光ＬＢの照射位置付近へ流入する圧縮ガスＧ１を排気するための圧縮ガス吸引口８３１Ｄとが同心環状に設けられている。通気部８３１Ｃは、圧縮ガスＧ１により局所修正部８３１を配線基板１に対して浮上させるものである。圧縮ガス吸引口８３１Ｄは、圧縮ガスＧ１を吸引し、圧縮ガス排気系８３７により排気させるためのものである。
【００４６】
この修正装置８００では、例えば、次のようにして層間短絡１６３の修正を行うことができる。
【００４７】
まず、修正を行う前に、局所修正部８３１を予め例えば１００μｍ程度浮上させておくことが好ましい。配線基板１に反りやうねりが生じている場合にも、局所修正部８３１が配線基板１に接触して損傷を与えることを抑制することができるからである。局所修正部８３１を浮上させるには、例えば、圧縮ガス供給系８３６から圧縮ガスＧ１としてアルゴン（Ａｒ）または窒素（Ｎ2 ）を供給し、この圧縮ガスＧ１を通気部８３１Ｃを介して移動機構８２０に向けて吹き出させる。
【００４８】
また、パージガス供給機構８３８により、窓８３１Ａに、パージガスＧ２として例えば２００ｃｃｍの窒素ガスを吹き付けておくことが好ましい。
【００４９】
次いで、移動機構８２０を水平方向に移動させ、配線基板１を局所排気部８３１と移動機構８２０との間に挿入する。続いて、圧縮ガス排気系８３７により排気を開始すると共に、弁８３７Ａにより圧縮ガスＧ１の圧力または流量を制御し、局所修正部８３１の浮上量Ｄを例えば２０μｍとする。
【００５０】
そののち、図１０に示したように、層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、つまり層間短絡１６３を覆うように、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射する。図１１は、上層導電膜１４０（上層電極１４３）の主要な構成材料であるアルミニウム（Ａｌ）について、パルス幅と熱拡散長との関係を表したものである。熱拡散長は、熱拡散長［μｍ］＝２√熱拡散率［ｍ2 ／ｓｅｃ］×パルス幅［ｓｅｃ］で表される。アルミニウムの熱拡散率は９．９８×１０-4ｍ2 ／ｓｅｃとしている。上層導電膜１４０（上層電極１４３）と下層導電膜１２０（下層電極１２２）とを短絡させないためには、熱拡散長を０．１μｍ以下にすることが望ましい。そのためには、図１１から分かるように、レーザ光ＬＢのパルス幅を１０ピコ秒以下にすればよい。
【００５１】
レーザ光ＬＢの１パルスあたりのエネルギー密度は０．０３Ｊ／ｃｍ2 以上０．５Ｊ／ｃｍ2 以下とすることが好ましい。なぜならば、０．０３Ｊ／ｃｍ2 未満では、エネルギー密度が材料の加工閾値を下回るので、加工ができないからである。また、０．５Ｊ／ｃｍ2 よりも大きいエネルギー密度では、材料が溶融しやすくなり、下層電極１２２と上層電極１４３とが短絡してしまうおそれがあるからである。
【００５２】
具体的には、レーザ光ＬＢを、例えば、波長４００ｎｍ、繰り返し５００Ｈｚ、パルス幅３ピコ秒、照射ビーム形状１０μｍ角に調整し、配線基板１の表面でのエネルギー密度を０．２Ｊ／ｃｍ2 に設定し、静止の状態で４０００パルス出力し、約８秒間照射する。なお、レーザ光ＬＢはアパーチャ（図示せず）により整形し、光学系８１０の対物レンズ８１１を用いて、対物レンズ倍率５０倍、作動距離１５ｍｍで観察しながら照射する。
【００５３】
これにより、図２および図３に示したように、短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３が除去されて層間短絡１６３が修正され、開口部１６１が形成される。また、図４に示したように、短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち上層電極１４３を除去することも可能である。その場合、レーザ光ＬＢを、例えば、波長４００ｎｍ、繰り返し５００Ｈｚ、パルス幅３ピコ秒、照射ビーム形状１０μｍ角に調整し、配線基板１の表面でのエネルギー密度を０．０３Ｊ／ｃｍ2 に設定し、静止の状態で４０００パルス出力し、約８秒間照射する。
【００５４】
（配線基板１に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程）
このようにして配線基板１の短絡欠陥１６３を修正したのち、図１２（Ａ）に示したように、配線基板１の全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化層１２を形成し、露光および現像により所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成し、焼成する。
【００５５】
平坦化層１２を形成したのち、図１２（Ｂ）に示したように、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１３を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。
【００５６】
第１電極１３を形成したのち、図１３（Ａ）に示したように、平坦化層１２の全面に感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、絶縁膜１４を形成する。
【００５７】
絶縁膜１４を形成したのち、図１３（Ｂ）および図１４（Ａ）に示したように、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層よりなる有機層１５と、第２電極１６とを順に形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００５８】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、図１４（Ｂ）に示したように、例えば蒸着法またはＣＶＤ法により、上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。
【００５９】
また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板３０の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成し、カラーフィルタ３１を形成する。
【００６０】
そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３０を貼り合わせる。以上により、図１ないし図６に示した表示装置が完成する。
【００６１】
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１１３から書き込みトランジスタＴｒ１のゲート電極を介して走査信号ＳＳが供給されると共に、信号線駆動回路１１２から画像信号ＤＳが書き込みトランジスタＴｒ１を介して保持容量ＣＳに保持される。すなわち、この保持容量ＣＳに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ２がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流が注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタ３１および封止用基板３０を透過して取り出される。
【００６２】
このように本実施の形態の表示装置の製造方法では、層間短絡１６３を修正する工程において、層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射し、短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３を除去するようにしたので、配線基板１のキャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３を修正することが可能となる。
【００６３】
特に、短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３を除去するようにしたので、安定した確実な修正が可能となる。
【００６４】
本実施の形態の表示装置によれば、配線基板１のキャパシタＣＳが、下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３が除去された開口部１６１を有しているので、キャパシタＣＳの層間短絡１６３に起因する表示不良を抑えることが可能となる。
【００６５】
（第２の実施の形態）
図１５は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置における画素駆動回路１１１の平面構成の一例を表したものである。この表示装置は、キャパシタＣＳに溝１６５が設けられていることを除いては、上記第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００６６】
図１６は、キャパシタＣＳの断面構成の一例を表したものである。キャパシタＣＳには、層間短絡１６３がそのまま残されており、溝１６５は層間短絡１６３の周囲を囲んでいる。溝１６５においては上層電極１４３、絶縁膜１３１および下層電極１２２が除去されている。これにより、この表示装置では、第１の実施の形態と同様に、キャパシタＣＳの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能となっている。
【００６７】
なお、溝１６５は、開口部１６１と同様に、製造工程においてキャパシタＣＳに発生した層間短絡を修正した際のリペア痕として残っているものであり、必ずしもすべての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの画素駆動回路１１１のキャパシタＣＳに形成される必要があるというものではない。
【００６８】
図１７は、キャパシタＣＳの断面構成の他の例を表したものである。溝１６５は、開口部１６１と同様に、上層電極１４３、絶縁膜１３１および下層電極１２２のうち上層電極１４３のみが除去されていてもよい。この場合には、絶縁膜１３１および下層電極１２２内に、層間短絡の原因となった導電性の異物１６２が残存していてもよい。
【００６９】
溝１６５においては、図１７に示したように上層電極１４３のみが除去されているよりも、図１５に示したように上層電極１４３、絶縁膜１３１および下層電極１２２が除去されているほうが好ましい。安定した確実な修正が可能となるからである。
【００７０】
溝１６５と開口部１６１とは、同一の配線基板１ないし同一の表示装置において併用されていてもよい。その場合、以下の製造方法において説明するように、溝１６５と開口部１６１とは、層間短絡１６３の大きさによって使い分けられていることが好ましい。
【００７１】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００７２】
（配線基板を形成する工程）
まず、第１の実施の形態と同様にして、図７に示した工程により、基体１１上に、下層導電膜１２０、絶縁膜１３１および上層導電膜１４０を形成し、配線基板１を形成する。
【００７３】
（層間短絡を修正する工程）
次いで、第１の実施の形態と同様にして、例えば電気検査により層間短絡１６３の有無を確認したのち、光学検査により位置、大きさなどを抽出する（ステップＳ１０１）。
【００７４】
続いて、図８および図９に示した修正装置（リペア装置）を用いて層間短絡１６３を修正する。その際、層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせることが好ましい。層間短絡１６３の大きさにかかわらず確実に修正することが可能となるからである。
【００７５】
具体的には、図１８に示したように、層間短絡１６３の大きさについてある閾値（例えば、２０μｍ角）を設定し、層間短絡１６３の大きさがその閾値以下であるか閾値よりも大きいかを判別する。層間短絡１６３の大きさが閾値以下（２０μｍ角以下）の場合は、短絡包含領域１６４にレーザ光ＬＢを照射する（ステップＳ１０２）ことが好ましい。加工面積を最小限にすることが可能となると共に、レーザ光ＬＢを静止して照射することによりプロセス時間を短縮が可能だからである。この場合の修正方法は、第１の実施の形態と同様である。
【００７６】
一方、層間短絡１６３の大きさが閾値よりも大きい（２０μｍ角より大きい）場合は、図１９に示したように、層間短絡１６３の周囲を囲む枠領域１６６にレーザ光ＬＢを照射する（ステップＳ１０３）ことが好ましい。層間短絡１６３が大きい場合、レーザ光ＬＢのビーム形状をを整形するためのスリットサイズが対応できない可能性があるからである。もしくは、スリットサイズが対応していたとしても、照射面内のレーザエネルギー分布が悪化し、修正の信頼性が低下するからである。
【００７７】
この場合、レーザ光ＬＢを、例えば、波長４００ｎｍ、繰り返し５００Ｈｚ、パルス幅３ピコ秒、照射ビーム形状８μｍ角に調整し、配線基板１の表面でのエネルギー密度を０．２Ｊ／ｃｍ2 に設定し、スキャン方式にてパルスレーザ光ＬＢをスキャン速度５μｍ／ｓｅｃで、６スキャン照射する。
【００７８】
これにより、図１５および図１６に示したように、枠領域１６６内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３が除去されて層間短絡１６３がキャパシタＣＳから分離され、溝１６５が形成される。
【００７９】
また、図１７に示したように、枠領域１６６内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち上層電極１４３を除去することも可能である。その際、レーザ光ＬＢを、例えば、波長４００ｎｍ、繰り返し５００Ｈｚ、パルス幅３ピコ秒、照射ビーム形状８μｍ角に調整し、配線基板１の表面でのエネルギー密度を０．０３Ｊ／ｃｍ2 に設定し、スキャン方式にてパルスレーザ光ＬＢをスキャン速度５μｍ／ｓｅｃで、６スキャン照射する。このようにしても、層間短絡１６３を修正し、溝１６５を形成することができる。
【００８０】
（配線基板１に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程）
このようにして配線基板１の短絡欠陥１６３を修正したのち、第１の実施の形態と同様にして、図１２ないし図１４に示した工程により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成し、表示装置を形成することができる。
【００８１】
この表示装置の作用は、第１の実施の形態と同様である。
【００８２】
このように本実施の形態の表示装置の製造方法では、層間短絡１６３を修正する工程において、層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせるようにしたので、配線基板１のキャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３を、その大きさにかかわらず確実に修正することが可能となる。
【００８３】
特に、層間短絡１６３の大きさが閾値以下の場合は、短絡包含領域１６４にレーザ光ＬＢを照射するようにしたので、加工面積を最小限にすることが可能となると共に、レーザ光ＬＢを静止して照射することによりプロセス時間を短縮が可能となる。
【００８４】
また、層間短絡１６３の大きさが閾値よりも大きい場合は、層間短絡１６３の周囲を囲む枠領域１６６にレーザ光ＬＢを照射するようにしたので、層間短絡１６３が大きい場合であっても修正の信頼性低下を抑えることが可能となる。
【００８５】
更に、枠領域１６６内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３を除去するようにしたので、安定した確実な修正が可能となる。
【００８６】
本実施の形態の表示装置によれば、配線基板１のキャパシタＣＳが、下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３が除去された溝１６５を有しているので、キャパシタＣＳの層間短絡１６３に起因する表示不良を抑えることが可能となる。
【００８７】
（第３の実施の形態）
図２０は、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置における画素駆動回路１１１の平面構成の一例を表したものである。この表示装置は、開口部１６１が、走査配線１２１と信号配線１４１との交差部ＩＳに設けられていることを除いては、上記第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００８８】
図２１は、交差部ＩＳの断面構成の一例を表したものである。開口部１６１においては信号配線１４１、絶縁膜１３１および走査配線１２１が除去されている。これにより、この表示装置では、交差部ＩＳの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能となっている。
【００８９】
なお、開口部１６１は、第１の実施の形態と同様に、製造工程において交差部ＩＳに発生した層間短絡を修正した際のリペア痕として残っているものであり、必ずしもすべての交差部ＩＳに形成される必要があるというものではない。
【００９０】
図２２は、交差部ＩＳの断面構成の他の例を表したものである。開口部は、第１の実施の形態と同様に、信号配線１４１、絶縁膜１３１および走査配線１２１のうち信号配線１４１のみが除去されていてもよい。この場合には、絶縁膜１３１および走査配線１２１内に、層間短絡の原因となった導電性の異物１６２が残存していてもよい。
【００９１】
開口部１６１においては、図２２に示したように信号配線１４１のみが除去されているよりも、図２１に示したように信号配線１４１、絶縁膜１３１および走査配線１２１が除去されているほうが好ましい。安定した確実な修正が可能となるからである。
【００９２】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００９３】
（配線基板を形成する工程）
まず、第１の実施の形態と同様にして、図７に示した工程により、基体１１上に、下層導電膜１２０、絶縁膜１３１および上層導電膜１４０を形成し、配線基板１を形成する。
【００９４】
（層間短絡を修正する工程）
このとき、図２３に示したように、交差部ＩＳでは、走査配線１２１と信号配線１４１とが異物１６２を介して短絡した層間短絡１６３が発生している可能性がある。そのため、例えば電気検査により層間短絡１６３の有無を確認したのち、光学検査により位置、大きさなどを抽出する。
【００９５】
次いで、図８および図９に示した修正装置（リペア装置）を用いて、図２４に示したように、短絡包含領域１６４にレーザ光ＬＢを照射し、層間短絡１６３を修正する。
【００９６】
（配線基板１に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程）
配線基板１の短絡欠陥１６３を修正したのち、第１の実施の形態と同様にして、図１２ないし図１４に示した工程により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成し、表示装置を形成することができる。
【００９７】
この表示装置の作用は、第１の実施の形態と同様である。
【００９８】
このように本実施の形態の表示装置の製造方法では、層間短絡１６３を修正する工程において、層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射し、短絡包含領域１６４内の走査配線１２１、絶縁膜１３１および信号配線１４１のうち少なくとも信号配線１４１を除去するようにしたので、配線基板１の交差部ＩＳに生じた層間短絡１６３を修正することが可能となる。
【００９９】
特に、短絡包含領域１６４内の走査配線１２１、絶縁膜１３１および信号配線１４１を除去するようにしたので、安定した確実な修正が可能となる。
【０１００】
本実施の形態の表示装置によれば、配線基板１の交差部ＩＳが、走査配線１２１、絶縁膜１３１および信号配線１４１のうち少なくとも信号配線１４１が除去された開口部１６１を有しているので、交差部ＩＳの層間短絡１６３に起因する表示不良を抑えることが可能となる。
【０１０１】
なお、本実施の形態は、走査配線１２１と電源電位供給配線１４２との交差部ＩＳにも適用可能である。
【０１０２】
（第４の実施の形態）
図２５は、本発明の第４の実施の形態に係る表示装置における画素駆動回路１１１の平面構成の一例を表したものである。この表示装置は、溝１６５が、走査配線１２１と信号配線１４１との交差部ＩＳに設けられていることを除いては、上記第２の実施の形態と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【０１０３】
図２６は、交差部ＩＳの断面構成の一例を表したものである。交差部ＩＳには、層間短絡１６３がそのまま残されており、溝１６５は層間短絡１６３の周囲を囲んでいる。溝１６５においては信号配線１４１、絶縁膜１３１および走査配線１２１が除去されている。これにより、この表示装置では、第３の実施の形態と同様に、交差部ＩＳの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能となっている。
【０１０４】
なお、溝１６５は、開口部１６１と同様に、製造工程において交差部ＩＳに発生した層間短絡を修正した際のリペア痕として残っているものであり、必ずしもすべての交差部ＩＳに形成される必要があるというものではない。
【０１０５】
図２７は、交差部ＩＳの断面構成の他の例を表したものである。溝１６５は、開口部１６１と同様に、信号配線１４１、絶縁膜１３１および走査配線１２１のうち信号配線１４１のみが除去されていてもよい。この場合には、絶縁膜１３１および走査配線１２１内に、層間短絡の原因となった導電性の異物１６２が残存していてもよい。
【０１０６】
溝１６５においては、図２７に示したように信号配線１４１のみが除去されているよりも、図２６に示したように信号配線１４１、絶縁膜１３１および走査配線１２１が除去されているほうが好ましい。安定した確実な修正が可能となるからである。
【０１０７】
溝１６５と開口部１６１とは、同一の配線基板１ないし同一の表示装置において併用されていてもよい。その場合、以下の製造方法において説明するように、溝１６５と開口部１６１とは、層間短絡１６３の大きさによって使い分けられていることが好ましい。
【０１０８】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【０１０９】
（配線基板を形成する工程）
まず、第１の実施の形態と同様にして、図７に示した工程により、基体１１上に、下層導電膜１２０、絶縁膜１３１および上層導電膜１４０を形成し、配線基板１を形成する。
【０１１０】
（層間短絡を修正する工程）
次いで、第２の実施の形態と同様にして、図１８に示した工程により、例えば電気検査により図２３に示したような交差部ＩＳの層間短絡１６３の有無を確認したのち、光学検査により位置、大きさなどを抽出する（ステップＳ１０１）。
【０１１１】
続いて、図８および図９に示した修正装置（リペア装置）を用いて層間短絡１６３を修正する。その際、第２の実施の形態と同様に、層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせることが好ましい。層間短絡１６３の大きさにかかわらず確実に修正することが可能となるからである。
【０１１２】
具体的には、第２の実施の形態と同様にして、図１８に示した工程により、層間短絡１６３の大きさについてある閾値（例えば、２０μｍ角）を設定し、層間短絡１６３の大きさがその閾値以下であるか閾値よりも大きいかを判別する。層間短絡１６３の大きさが閾値以下（２０μｍ角以下）の場合は、短絡包含領域１６４にレーザ光ＬＢを照射する（ステップＳ１０２）ことが好ましい。この場合の修正方法は、第１および第３の実施の形態と同様である。
【０１１３】
一方、層間短絡１６３の大きさが閾値よりも大きい（２０μｍ角より大きい）場合は、図２８に示したように、層間短絡１６３の周囲を囲む枠領域１６６にレーザ光ＬＢを照射する（ステップＳ１０３）ことが好ましい。層間短絡１６３が大きい場合、レーザ光ＬＢのビーム形状をを整形するためのスリットサイズが対応できない可能性があるからである。もしくは、スリットサイズが対応していたとしても、照射面内のレーザエネルギー分布が悪化し、修正の信頼性が低下するからである。この場合の修正方法は、第２の実施の形態と同様である。
【０１１４】
（配線基板１に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程）
このようにして配線基板１の短絡欠陥１６３を修正したのち、第１の実施の形態と同様にして、図１２ないし図１４に示した工程により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成し、表示装置を形成することができる。
【０１１５】
この表示装置の作用は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１６】
このように本実施の形態の表示装置の製造方法では、層間短絡１６３を修正する工程において、層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせるようにしたので、配線基板１の交差部ＩＳに生じた層間短絡１６３を、その大きさにかかわらず確実に修正することが可能となる。
【０１１７】
特に、層間短絡１６３の大きさが閾値以下の場合は、短絡包含領域１６４にレーザ光ＬＢを照射するようにしたので、加工面積を最小限にすることが可能となると共に、レーザ光ＬＢを静止して照射することによりプロセス時間を短縮が可能となる。
【０１１８】
また、層間短絡１６３の大きさが閾値よりも大きい場合は、層間短絡１６３の周囲を囲む枠領域１６６にレーザ光ＬＢを照射するようにしたので、層間短絡１６３が大きい場合であっても修正の信頼性低下を抑えることが可能となる。
【０１１９】
更に、枠領域１６６内の走査配線１２１、絶縁膜１３１および信号配線１４１を除去するようにしたので、安定した確実な修正が可能となる。
【０１２０】
本実施の形態の表示装置によれば、配線基板１の交差部ＩＳが、走査配線１２１、絶縁膜１３１および信号配線１４１のうち少なくとも信号配線１４１が除去された溝１６５を有しているので、交差部ＩＳの層間短絡１６３に起因する表示不良を抑えることが可能となる。
【０１２１】
なお、本実施の形態は、走査配線１２１と電源電位供給配線１４２との交差部ＩＳにも適用可能である。
【実施例】
【０１２２】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【０１２３】
（実施例１）
上記第１の実施の形態と同様にして配線基板１を作製した。得られた配線基板１について、キャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３の大きさを調べたところ、直径５μｍであった。
【０１２４】
この層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、つまり層間短絡１６３を覆うように、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射した。その際、レーザ光ＬＢを、波長４００ｎｍ、繰り返し５００Ｈｚ、パルス幅３ピコ秒、照射ビーム形状１０μｍ角に調整し、配線基板１の表面でのエネルギー密度を０．２Ｊ／ｃｍ2 に設定し、静止の状態で４０００パルス出力し、約８秒間照射した。なお、レーザ光ＬＢはアパーチャ（図示せず）により整形し、光学系８１０の対物レンズ８１１を用いて、対物レンズ倍率５０倍、作動距離１５ｍｍで観察しながら照射した。
【０１２５】
これにより、短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３が除去されて層間短絡１６３が修正され、開口部１６１が形成された。
【０１２６】
図２９（Ａ）および図２９（Ｂ）に、開口部１６１の反射写真および透過写真をそれぞれ示す。図２９（Ｂ）から分かるように、開口部１６１では光が透過しており、下層電極１２２が除去されていることが確認された。
【０１２７】
図３０（Ａ）および図３０（Ｂ）に、開口部１６１の上面および断面のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）写真をそれぞれ示す。図３０（Ｂ）から分かるように、開口部１６１では、上層電極１４３のＴｉ層、Ａｌ層およびＴｉ層の積層膜、絶縁膜１３１、下層電極１２２のＭｏ層が除去されていることが確認された。
【０１２８】
また、修正後のキャパシタＣＳの下層電極１２２と上層電極１４３との間に、０Ｖ〜２００Ｖの電圧を印加したときのリーク電流値を調べた。その結果を図３１に示す。図３１から分かるように、印加電圧を２００Ｖとしても絶縁破壊は起きておらず、信頼性の高い修正がなされていることが確認された。
【０１２９】
（比較例１）
比較例１として、パルス幅が１０ピコ秒よりも大きなレーザ光を用いたことを除いては、実施例１と同様にして層間短絡を修正した。その際、レーザ光ＬＢを、波長５３２ｎｍ、繰り返し１０Ｈｚ、パルス幅１０ナノ秒、照射ビーム形状８μｍ角に調整し、配線基板の表面でのエネルギー密度を２．０Ｊ／ｃｍ2 に設定し、静止の状態で５パルス出力し、照射した。
【０１３０】
修正後の比較例１のキャパシタについても、実施例１と同様にしてリーク電流値を調べたところ、測定限界の電流値である１０ｍＡを示し、短絡したままであり、層間短絡を修正することはできなかった。
【０１３１】
すなわち、層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射するようにすれば、配線基板１のキャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３を修正することが可能となることが分かった。
【０１３２】
（実施例２）
短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３を除去するようにしたことを除いては、実施例１と同様にして層間短絡１６３を修正した。その際、レーザ光ＬＢを、波長４００ｎｍ、繰り返し５００Ｈｚ、パルス幅３ピコ秒、照射ビーム形状１０μｍ角に調整し、配線基板１の表面でのエネルギー密度を０．０３Ｊ／ｃｍ2 に設定し、静止の状態で４０００パルス出力し、約８秒間照射した。
【０１３３】
修正後の実施例２のキャパシタについても、実施例１と同様にしてリーク電流値を調べたところ、印加電圧１５０Ｖ〜２００Ｖにおいて絶縁破壊が発生した。
【０１３４】
特に、短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３を除去するようにしたので、安定した確実な修正が可能となる。
【０１３５】
すなわち、短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３を除去するようにすれば、安定した確実な修正が可能となることが分かった。
【０１３６】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１３７】
（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図３２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１３８】
（適用例１）
図３３は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１３９】
（適用例２）
図３４は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１４０】
（適用例３）
図３５は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１４１】
（適用例４）
図３６は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１４２】
（適用例５）
図３７は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１４３】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、電源電位供給配線１４２を上層導電膜１４０に形成するようにしたが、下層導電膜１２０に形成することも可能である。
【０１４４】
また、例えば、上記実施の形態では、本発明の表示装置の製造方法を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを用いた有機発光表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、液晶表示装置など他の平面表示装置に広く適用することができる。
【０１４５】
また、例えば、上記実施の形態では、修正装置８００の構成を具体的に挙げて説明したが、修正装置８００の構成は上記実施の形態に限られない。例えば、上記実施の形態では、移動機構８２０により、配線基板１を光学系８１０に対して移動させる場合について説明したが、光学系８１０を配線基板１に対して移動させるようにしてもよく、あるいは両方を移動させるようにしてもよい。
【０１４６】
加えて、例えば、上記実施の形態では、局所修正部８３１を圧縮ガスＧ１を用いて浮上させる場合について説明したが、浮上方式は圧縮ガスＧ１による静圧浮上方式に限定されない。また、局所修正部８３１は、例えば支柱等に固定されていてもよい。
【符号の説明】
【０１４７】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基体、１１０…表示領域、１２０…下層導電膜、１２１…走査配線、１２２…下層電極、１３１，１３２…絶縁膜、１４０…上層導電膜、１４１…信号配線、１４２…電源電位供給配線、１４３…上層電極、１６１…開口部、１６２…異物、１６３…層間短絡、１６４…短絡包含領域、１６５…溝、１６６…枠領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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