(57)【要約】【課題】ラジカルの攻撃によるシール部材の劣化を防止すると同時に、かつ電磁波（マイクロ波）の漏洩を防止することができるゲートバルブ装置を提供する。【解決手段】第１弁座３６と第２弁座３８とを有し、開口部２８が形成された弁箱２６と、開口部２８を閉塞したときに、第１弁座３６に接触して開口部２８をシールするシール部材４６を有する弁体３０と、を備えたゲートバルブ装置１０であって、弁体３０に、当該弁体３０が開口部２８を閉塞したときに、第２弁座３８に接触して撓み変形し、開口部２８とシール部材４６との間の空間を遮断する遮蔽部材５８を設け、常温環境下及び高温環境下において、弁体３０が開口部を閉塞している状態で遮蔽部材５８が撓み変形しており、遮蔽部材５８と第２弁座３８との接触状態を維持することを特徴とする。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１弁座と第２弁座とを有し、開口部が形成された弁箱と、
前記開口部を閉塞する弁体と、
前記弁体に装着され、当該弁体が前記開口部を閉塞したときに、前記第１弁座に接触して前記開口部をシールするシール部材と、
前記弁体に装着され、当該弁体が前記開口部を閉塞したときに、前記第２弁座に接触して前記開口部と前記シール部材との間の空間を遮断する遮蔽部材と、
を備えたゲートバルブ装置であって、
前記遮蔽部材は、金属製の薄板にフッ素系樹脂が被覆されていることを特徴とするゲートバルブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被処理体に対して所定の処理を行う処理チャンバに用いられるゲートバルブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体製造装置等の処理チャンバ内では、成膜、エッチング、洗浄等の各処理のために、プラズマによって化合物を分解する方法が多用されている。そして、プラズマによって化合物を分解すると、ラジカル（遊離基。不対電子を持った原子）が生成する。ラジカルは、熱エネルギを持ち、非常に反応性が高く、真空チャンバの壁面に数回衝突しても、その熱エネルギを失う傾向がなく、パッキン等のシール部材の重合状態を分解させ、シール部材を劣化させる。
【０００３】
ここで、従来のゲートバルブ装置の一例として、弁体の同一面上に複数のシール部材を備えたものが知られている（下記特許文献１参照）。シール部材は、外側に位置するシールリングと、内側に位置する補助リングと、で構成されており、弁体が閉塞するときに、弁座からシールリングに作用する押圧力を補助リングが調整する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２２８０４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のゲートバルブ装置は、フッ素樹脂製の補助リングは弾性や柔軟性がないため、弁座面へ当接して荷重が加わると、補助リングが磨耗してパーティクルが発生する問題が生じていた。また、補助リングが摩耗すると、補助リングの本来の機能を発揮することができなくなるため、シールリングの一部が開口部内部に露出することになる。それにより、露出したシールリングの一部がラジカルにより攻撃されて劣化する。
【０００６】
そこで、本発明は、上記事情を考慮し、ラジカルの攻撃によるシール部材の劣化を防止すると同時に、かつ電磁波（マイクロ波）の漏洩を防止することができるゲートバルブ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願第１発明は、第１弁座と第２弁座とを有し、開口部が形成された弁箱と、前記開口部を閉塞する弁体と、前記弁体に装着され、当該弁体が前記開口部を閉塞したときに、前記第１弁座に接触して前記開口部をシールするシール部材と、前記弁体に装着され、当該弁体が前記開口部を閉塞したときに、前記第２弁座に接触して前記開口部と前記シール部材との間の空間を遮断する遮蔽部材と、を備えたゲートバルブ装置であって、前記遮蔽部材は、金属製の薄板にフッ素系樹脂が被覆されていることを特徴とする。
【０００８】
本願第１発明によれば、弁体が第１弁座及び第２弁座に着座して開口部を閉塞したときに、シール部材が第１弁座に接触し、遮蔽部材が第２弁座に接触して撓み変形する。これにより、遮蔽部材により弁箱の開口部とシール部材との間の空間が遮断される。このため、弁箱の外部から開口部を通って進入したラジカルが遮蔽部材により遮断されるため、シール部材に到達することができなくなり、シール部材に対するラジカルの攻撃を防止できる。この結果、ラジカルの攻撃によるシール部材の劣化を防止できる。
【０００９】
特に、遮蔽部材が撓み変形しながら第２弁座に接触することにより、弁体に作用する押圧力の誤差や、弁体（シール部材や遮蔽部材も含む）及び弁箱などの寸法の誤差が生じた場合でも、その誤差を吸収することができる。この結果、遮蔽部材と第２弁座との接触状態が確実になるため、シール部材の劣化を防止できる。
【００１０】
さらに、常温環境下及び高温環境下において、弁体が開口部を閉塞している状態で、遮蔽部材の撓み変形が生じている。これにより、高温環境下でゲートバルブ装置を使用する場合に、シール部材の熱膨張により弁体が移動した場合でも、遮蔽部材と第２弁座とが離間することがなく、両者が接触している状態を維持できる。この結果、高温環境下においても、遮蔽部材によりラジカルを遮断でき、ラジカルの攻撃からシール部材を保護することができる。
【００１１】
なお、本明細書において、「常温環境下」とは、５℃以上３５℃以下の範囲を示すものであり、特に、２０℃以上３０℃以下の温度を想定している。また、「高温環境下」とは、１５０℃以上２５０℃以下の範囲を示すものであり、特に、１８０℃以上２２０℃以下の温度を想定している。
【００１２】
そして、遮蔽部材は金属製の薄板にフッ素系樹脂が被覆されているため、遮蔽部材がラジカルから攻撃を受けた場合でも劣化することを防止できる。
【００１３】
また、弁箱及び遮蔽部材は、導電性部材で構成されているため、導電性を有することになる。このため、遮蔽部材が弁箱の弁座に接触すると、導電性の部材同士が電気的に接続された状態になる。この結果、処理チャンバ内で発生した電磁波が処理チャンバから外部へ漏洩することを防止できる。
【００１４】
さらに、この遮蔽部材は熱伝導性に優れるため、弁箱から弁体へ熱が伝導され、弁箱と弁体との温度差を小さくする事ができる。この結果、反応性生物が弁体へ付着しやすくなることを防止でき、弁体開閉時の摩擦や振動により、付着した反応性生物が剥離飛散し、パーティクルの発生原因を抑制できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ラジカルの攻撃によるシール部材の劣化を防止すると同時に、かつ電磁波（マイクロ波）の漏洩を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るゲートバルブ装置の取り付け状態を示す拡大断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るゲートバルブ装置の要部を示す部分拡大図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るゲートバルブ装置の弁体の正面図である。
【図４】ＯＰＥＮ状態における本発明の一実施形態に係るゲートバルブ装置の弁体の位置を示す断面図である。
【図５】図４の状態から９０度回転した状態（開口部に対向した状態）における本発明の一実施形態に係るゲートバルブ装置の弁体の位置を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るゲートバルブ装置の弁体により開口部を閉塞した状態の弁体の位置を示す断面図である。
【図７】（Ａ）は、常温環境下においてゲートバルブ装置の弁体が弁箱の弁座に着座して開口部を閉塞した状態の部分的な断面図であり、（Ｂ）は、高温環境下においてゲートバルブ装置の弁体が弁箱の弁座に着座して開口部を閉塞した状態の部分的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、本発明の一実施形態に係るゲートバルブ装置について、図面を参照して説明する。
【００１８】
図１乃至図４に示すように、処理チャンバ１２を区画する側壁１６には、半導体ウエーハを通過させて搬出入させる細長い処理チャンバ側開口部１８が形成され、また、処理チャンバ１２と連通可能な搬送室１４を区画する側壁２０にも搬送室側開口部２４が形成されている。そして、ゲートバルブ装置１０は、例えば、アルミニウム、鉄、銅などの良導電性の材質（伝導性）よりなる略直方体状の弁箱２６を有している。
【００１９】
弁箱２６の一の側壁には、処理チャンバ１２内に連通する細長い開口部２８が形成されている。弁箱２６の開口部２８の近傍には、弁体３０に装着されたシール部材４６が着座する第１弁座３６と、弁体３０に装着された遮断部材５８が着座する第２弁座３８と、が形成されている。具体的には、第２弁座３８は、第１弁座３６の内側（開口部２８側）の位置であって第１弁座３６よりも処理チャンバ側開口部１８側に突出した位置に形成されている。第１弁座３６及び第２弁座３８は、平面状に形成されており、第２弁座３８と第１弁座３６との境界には側壁としての段差部４０が形成されている。なお、弁箱２６と上記処理チャンバ１２及び搬送室１４との接合面には、Ｏリング４２、４４がそれぞれ介在されて気密性を保持できるようになっている。
【００２０】
なお、第１弁座３６及び第２弁座３８は、所定の表面処理（アルマイト処理）が施されていることが好ましい。これにより、弁体３０が第１弁座３６及び第２弁座３８に着座することによる磨耗を防止することができる。なお、第１弁座３６及び第２弁座３８を研磨処理することにより対応してもよい。
【００２１】
弁箱２６内には、弁体３０とこの弁体３０を駆動する弁体駆動機構７４が設けられており、必要に応じて弁体３０が開口部２８を閉塞して気密にシールできるようになっている。なお、上記開口部２８と処理チャンバ側開口部１８とは一体的に連通されているので、上記開口部２８を開閉することにより処理チャンバ側開口部１８も開閉されることになる。
【００２２】
ここで、弁体３０には、開口部２８を閉塞したときに弁箱２６の第１弁座３６に対向する第１面３２と、第１面３２の中央部から突出するように形成され、開口部２８を閉塞したときに第２弁座３８に対向する第２面３４と、がそれぞれ形成されている。第１面３２には、シール部材４６を装着するための装着溝４８が形成されている。この装着溝４８には、弾性体であるシール部材４６が装着されている。
【００２３】
なお、シール部材４６は、フッ素ゴム（ＦＫＭ）や、パーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ）など、で構成されている。シール部材４６がフッ素ゴム（ＦＫＭ）で構成されていることにより、耐熱性及び耐油性の機能を持たせることができる。また、シール部材４６がパーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ）で構成されていることにより、耐熱性と耐薬品性の機能を持たせ、ラジカルに強い性質（耐ラジカル性）にすることができる。
【００２４】
弁体３０の第２面３４の中央部には、穴部５０が形成されている。この穴部５０には、スペーサ５２が装着されている。スペーサ５２が穴部５０に装着された状態では、スペーサ５２の先端部が第２面３４から突出した状態になっている。スペーサ５２の中央部には、ネジ６８の軸部７２（図１では図示省略、図４参照）が貫通する貫通孔５４が形成されている。また、穴部５０には、ネジ６８の軸部７２が螺合する螺合溝５６が連通して形成されている。
【００２５】
スペーサ５２の上部には、遮断部材５８が配置されている。遮断部材５８は、導電性を有する金属（例えば、アルミニウム、鉄、銅など）からなり、所定の圧力を受けることにより撓み変形する。なお、遮断部材５８は、薄い板状の部材が好ましく、薄い板状の部材が波型形状のものでもよい。遮断部材５８には、ネジ６８の軸部７２が貫通する貫通孔６０（図１では図示省略、図４参照）が形成されている。また、遮断部材５８の上面には、固定部材６２が配置されている。換言すれば、遮断部材５８は、スペーサ５２と固定部材６２とにより挟持（所謂、サンドイッチ構造）されている。固定部材６２には、ネジ６８の軸部７２が貫通する貫通孔６４（図１では図示省略、図４参照）と、貫通孔６４に連通しネジ６８のヘッド部７０（図１では図示省略、図４参照）が着座する凹部６６（図１では図示省略、図４参照）と、が形成されている。
【００２６】
なお、遮断部材５８の表面には、フッ素系樹脂が塗布又は融着されている。このように、遮断部材５８がフッ素系樹脂により表面を被覆されることにより、遮断部材５８がプラズマやラジカルの作用を受けて劣化することを防止できる。
【００２７】
図４に示すように、固定部材６２の貫通孔６４には、ネジ６８が挿入される。ネジ６８は、良導電性である金属で構成されており、ヘッド部７０と、軸部７２と、を有している。ネジ６８が固定部材６２の貫通孔６４に挿入して螺合溝５６と螺合した状態では、ネジ６８のヘッド部７０が固定部材６２の凹部６６に着座して、軸部７２が固定部材６２の貫通孔６４を貫通した状態になる。また、ネジ６８の軸部７２は、遮断部材５８の貫通孔６０とスペーサ５２の貫通孔５４を通って、螺合溝５６に螺合している。このようにして、遮断部材５８は、弁体３０のシール部材４６よりも弁体中心側（内側）に位置する部位に、強固に取り付けられている。
【００２８】
ここで、遮断部材５８が弁体３０に取り付けられた状態では、遮断部材５８の上面は、固定部材６２の下面と接触しており、遮断部材５８の下面は、第２面３４と所定の距離だけ離間している。すなわち、常温環境下において弁体３０が開口部２８を閉塞したときに、遮断部材５８は第１弁座３６から圧力を受けて第２面３４側に撓み変形するが、このときの遮断部材５８の撓み変形を干渉せず、かつ撓み変形量を吸収することができるように、遮断部材５８と弁体３０の第２面３４との間は所定の距離だけ離れた状態になっている。
【００２９】
なお、スペーサ５２及び固定部材６２は、遮断部材５８と同様に、良伝導性となる金属（例えば、アルミニウム、鉄、銅など）で構成されている。
【００３０】
シール部材４６は、弁箱２６の第１弁座３６に対して所定の圧力で押圧した状態で接触することにより、この反作用として第１弁座３６から受ける反作用力（シール反力）により弾性変形（圧縮変形）する。このため、シール部材４６によって開口部２８を気密にシールすることができる。
【００３１】
また、同時に、遮断部材５８は、弁箱２６の第２弁座３８に対して所定の圧力で押圧した状態で接触することにより、この反作用として第２弁座３８から受ける反作用力（シール反力）により撓み変形（弾性変形）する。
【００３２】
図１に示すように、弁体３０の長手方向両端部近傍には、弁体３０を弁箱２６に対して回動させ又は径方向に移動させるための弁体駆動機構７４が取り付けられている。ここで、弁体３０を駆動させる弁体駆動機構７４の構成について説明する。
【００３３】
図１及び図２に示すように、弁体駆動機構７４は、弁体３０の長手方向両端部に取り付けられた支持部７６を備えている。この支持部７６は、中空状に形成されている。支持部７６は、弁箱２６の軸受部９０により回動可能となるように支持されている。また、支持部７６の内側には、軸受部を介して偏心シャフト７８が回動可能となるように配置されている。この偏心シャフト７８は、シャフト本体部７８Ａと、シャフト本体部７８Ａの中心（軸心）から所定の距離だけ離れた部位に中心が位置する偏心軸部７８Ｂと、で構成されている。この偏心軸部７８Ｂの外周には、すべり軸受けを介してローラ８０が配置されており、径方向に延びる支持片８２が取り付けられている。すなわち、この支持片８２には、ローラ８０が挿入される挿入部８４が形成されており、このローラ８０を介して偏心軸部７８Ｂが回動可能に接続された構成となっている。上記した支持片８２の径方向外側端部は、弁体３０と接続されている。なお、支持片８２と弁体３０とは、ビスやネジなどの固着具により接続されている。また、支持部７６には、支持片８２の外周を囲むと共に、弁体３０が径方向外側に移動する際に伸び、弁体３０が径方向内側に移動する際に縮むベローズ８６が取り付けられている。
【００３４】
さらに、弁箱２６には、駆動モータ８８が取り付けられている。この駆動モータ８８は、正方向及び逆方向に回転するモータ回転軸８８Ａを備えている。このモータ回転軸８８Ａは偏心シャフト７８のシャフト本体部７８Ａに接続されており、モータ回転軸８８Ａの回転により偏心シャフト７８を一方向又は逆方向に回動することができるようになっている。
【００３５】
次に、本実施形態のゲートバルブ装置１０の作用について説明する。図１及び図４に示すように、本実施形態の作用では、常温環境下（例えば、２５℃）において、弁体３０が開口部２８と９０度対向する面にある弁箱２６の側壁９２と対向する位置にある状態（ＯＰＥＮ状態）を基準に説明する。
【００３６】
図１及び図４に示すように、弁体３０が側壁９２と対向する位置にある状態（ＯＰＥＮ状態）では、偏心シャフト７８の偏心軸部７８Ｂは、回動中心を基準として側壁９２側と反対側（径方向内側）に位置している。
【００３７】
次に、図５に示すように、駆動モータ８８が駆動されると、支持部７６が偏心シャフト７８とともに略９０度回動し、弁体３０は、開口部２８に対向する位置に移動する。
【００３８】
図６に示すように、図５に示す略９０度の位置から駆動モータ８８のモータ回転軸８８Ａが正方向にさらに回転されると、偏心シャフト７８は駆動モータ８８の回転駆動力を受けることになるため、偏心シャフト７８のみが回動する。偏心シャフト７８が図５に示す９０度の位置から１８０度だけ回転すると、偏心シャフト７８の偏心軸部７８Ｂは、その偏心量×２倍の距離（偏心軸部７８Ｂの直径寸法に相当）だけ開口部２８側に移動する。これにより、弁体３０の第１面３２が開口部２８近傍の第１弁座３６に着座し、弁体３０の第２面３４が開口部２８近傍の第２弁座３８に着座して、開口部２８が閉塞される（ＣＬＯＳＥ時状態）。
【００３９】
ここで、図７（Ａ）に示すように、弁体３０の第１面３２が開口部２８近傍の第１弁座３６に着座し、弁体３０の第２面３４が開口部２８近傍の第２弁座３８に着座して、開口部２８が閉塞された状態では、弁体３０の各面３２、３４から各弁座３６、３８に対して所定の圧力が作用している。このため、第１面３２に設けられたシール部材４６は、第１弁座３６からの反作用力を受けて弾性変形（圧縮変形）する。また同時に、遮断部材５８の外側端部には、第２弁座３８から反作用力を受ける。このため、遮断部材５８には、いわゆる両端支持梁において中央部から開口部２８側に向けて圧力を作用させ、両端部には第２弁座３８から反作用力を受ける力学状態が成立する。このため、遮断部材５８の端部は、第２面３４側に撓み変形（曲げ変形）し、第２面３４側に近づくように変形する。このとき、遮断部材５８は、撓み変形しつつも、遮断部材５８の端部と第２弁座３８とが確実に接触した状態になっている。
【００４０】
一方、図７（Ｂ）に示すように、高温環境下（例えば、２００℃）において、シール部材４６は、熱膨張により体積が増大しているため、第１弁座３６から作用するシール反力が大きくなり、弾性変形量が大きくなる。このため、弁体３０は、径方向内側（弁箱２６の内側）に向かって僅かに移動する。このとき、遮断部材５８は、弁体３０と共に径方向内側に向かって移動する。これにより、遮断部材５８の撓み変形が解消する方向へ向かうが、わずかに歪み変形を残しているため、遮断部材５８の端部と第２弁座３８との接触状態が維持される。このようにして、高温環境下（例えば、２００℃）においても、シール部材４６が第１弁座３６と接触し、遮断部材５８が第２弁座３８と接触した状態になる。
【００４１】
次に、弁体３０が開口部２８に着座して開口部２８が閉塞された状態から開口部２８を開放する場合には、駆動モータ８８のモータ回転軸８８Ａを逆方向に回転させて偏心シャフト７８を逆方向に回転させる。偏心シャフト７８を逆方向に１８０度回転させると、偏心シャフト７８の偏心軸部７８Ｂは、その偏心量×２倍の距離（偏心軸部７８Ｂの直径寸法に相当）だけ開口部２８側と反対側（径方向内側）に移動して、図５に示す９０度の位置に戻る。これにより、開口部２８は開放される。
【００４２】
図５に示す９０度の位置から駆動モータ８８のモータ回転軸８８Ａをさらに逆方向にさらに回転させると、偏心シャフト７８は支持部７６とともに所定の方向に回動する。そして、支持部７６は、偏心シャフト７８とともに９０度だけ回動して、図４に示す位置に戻る。これにより、弁体３０は、側壁９２と対向する位置に移動する。
【００４３】
次に、本発明の一実施形態のゲートバルブ装置１０の作用及び効果について説明する。
【００４４】
図７（Ａ）に示すように、常温環境下（例えば、２５℃）では、弁体３０のシール部材４６が弁箱２６の第１弁座３６に対して所定の圧力を作用させ、遮断部材５８が第２弁座３８に対して所定の圧力を作用させる形で接触する。そして、遮断部材５８は、第２弁座３８からの反作用力を受けて撓み変形し、遮断部材５８と第２弁座３８とは確実に接触した状態になっている。このため、処理チャンバ１２で発生したラジカルが開口部２８から弁箱２６の内部に進入しようとした場合でも、遮断部材５８により行く手を遮られるため、遮断部材５８から弁箱２６内部への進入が阻止される。このように、シール部材４６と開口部２８との間の空間が遮断部材５８により完全に遮断され、シール部材４６と開口部２８との連通状態が阻止されるため、遮断部材５８よりも弁箱２６の内部側に配置されているシール部材４６にラジカルが到達せず、シール部材４６に対するラジカルの攻撃を阻止することができる。この結果、シール部材４６がラジカルからの攻撃を受けて劣化することを未然に防止できる。
【００４５】
特に、遮断部材５８の表面は、フッ素系樹脂により被覆（コーティング）されているため、プラズマやラジカルの作用を受けて腐食することを防止できる。また、弁箱２６の第１弁座３６及び第２弁座３８は、所定の表面処理（アルマイト処理）が施されているため、弁体３０が第１弁座３６及び第２弁座３８に着座することによる磨耗を防止することができる。
【００４６】
さらに、シール部材４６をフッ素ゴム(ＦＫＭ)やパーフルオロエラストマ(ＦＦＫＭ)で構成することにより、より高いラジカル耐性を持たせ、長寿命化を実現できる。
【００４７】
また、遮断部材５８、弁箱２６、スペーサ５２及び固定部材６２は、良伝導性となる金属（例えば、アルミニウム、鉄、銅など）で構成されていると、遮断部材５８が弁箱２６の第２弁座３８に接触すると、導電性の部材同士が電気的に接続された状態（良好な電気的接続）になる。このため、ウエーハ処理中に処理チャンバ内で発生した電磁波（マイクロ波）が処理チャンバから外部へ漏洩することを防止できる。さらに、遮断部材５８が良伝導性となる金属（例えば、アルミニウム、鉄、銅など）で構成されていると、熱伝導性にも優れるため、弁箱２６から弁体３０へ熱が伝導され、弁箱２６と弁体３０との温度差を小さくすることができる。この結果、反応性生物が弁体３０へ付着しやすくなることを防止でき、弁体開閉時の摩擦や振動により、付着した反応性生物が剥離飛散し、パーティクルの発生原因を抑制できる。
【００４８】
一方、図７（Ｂ）に示すように、高温環境下（例えば、２００℃）では、上述したように、第１弁座３６からシール部材４６に対する反力が大きくなり、弁体３０が弁箱２６の内部側に向かって僅かに移動する。この環境下では、遮断部材５８の撓み変形が解消する方向に向かう。しかしながら、遮断部材５８の端部と第２弁座３８とは依然として接触状態が維持されているため、プラズマやラジカルからシール部材４６に対する攻撃を阻止することができる。また同時に、遮断部材５８と弁箱２６とは、電気的に接続された状態が維持されているため、電磁波が処理チャンバから外部へ漏洩することを防止できる。
【００４９】
このように、常温環境下（例えば、２５℃）においても、高温環境下（例えば、２００℃）においても、遮蔽部材５８を撓み変形させておくことができる。これにより、高温環境下でゲートバルブ装置１０を使用する場合に、シール部材４６の熱膨張により弁体３０が弁箱２６内部側に移動した場合でも、遮断部材５８と第２弁座３８とが離間することがなく、両者が接触している状態を維持できる。この結果、高温環境下においても、遮断部材５８によりラジカルを遮断することができ、ラジカルの攻撃からシール部材４６を保護することができる。また、遮断部材５８と弁箱２６との電気的接続状態を維持することができるため、電磁波の漏洩を防止できる。
【００５０】
以上のように、本実施形態のゲートバルブ装置１０によれば、ラジカルの攻撃が原因となるシール部材４６の劣化を防止できる。これにより、シール部材４６のメンテナンス頻度や交換頻度を少なくすることができる。この結果、ゲートバルブ装置１０のメンテナンスに割く時間を大幅に短縮でき、ゲートバルブ装置１０の使用効率を高めることができる。
【００５１】
また、電磁波の漏洩を防止できるため、処理チャンバ１２の出力幅を広げることができる。これにより、処理チャンバ１２内部において製膜処理を効率的に行うことができ、処理効率及び歩留まりを向上させることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０    ゲートバルブ装置
２６    弁箱
２８    開口部
３０    弁体
３６    第１弁座
３８    第２弁座
４６    シール部材
５８    遮断部材
【図１】
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【図２】
2010236661.tif 000004
【図３】
2010236661.tif 000005
【図４】
2010236661.tif 000006
【図５】
2010236661.tif 000007
【図６】
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【図７】
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