(57)【要約】【課題】本発明は、外光反射を抑制して、視認性を向上させた有機発光表示装置およびタッチパネルを含んでも、全体的な厚さをスリム化した有機発光表示装置を提供すること。【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、基板部材と、上記基板部材上に形成された画素電極と上記画素電極上に形成された有機発光層と上記有機発光層上に形成された半透過共通電極を含む有機発光素子と、上記半透過共通電極上に形成された封止薄膜と、上記封止薄膜上に形成されて半透過金属膜で形成された第１タッチ導電膜と上記第１タッチ導電膜上に形成されたガラス基板と上記ガラス基板上に形成された第２タッチ導電膜を含むタッチパネルを含む。【選択図】図２
2010056073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部材と、
前記基板部材上に形成された画素電極と前記画素電極上に形成された有機発光層と前記有機発光層上に形成された半透過共通電極を含む有機発光素子と、
前記半透過共通電極上に形成された封止薄膜と、
前記封止薄膜上に形成されて半透過金属膜で形成された第１タッチ導電膜と前記第１タッチ導電膜上に形成されたガラス基板と前記ガラス基板上に形成された第２タッチ導電膜を含むタッチパネルと、を含むことを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記半透過共通電極の反射率が５０％未満であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記封止薄膜は平均屈折率が１．６以上であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記封止薄膜は４００Å〜１３００Å範囲内の厚さを有することを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記封止薄膜は複数の有機膜と無機膜が交互に積層形成されたことを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１タッチ導電膜は、５０Å〜１５０Å範囲内の厚さを有することを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１タッチ導電膜は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、およびアルミニウム（Ａｌ）のうちいずれか一つの金属を含むことを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記封止薄膜は前記半透過共通電極および前記第１タッチ導電膜と両面で各々密着されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記タッチパネルは静電容量方式であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記半透過共通電極はマグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）のうち一つ以上を含む真空蒸着物質で形成されたことを特徴とする、請求項１〜９のうちのいずれか一つに記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記半透過共通電極はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、およびアルミニウム（Ａｌ）のうち一つ以上の金属膜で形成されたことを特徴とする、請求項１〜９のうちのいずれか一つに記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置に関し、より詳しくはタッチパネルを含む有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、正孔注入電極と、有機発光層、および電子注入電極を有する複数の有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を含む。有機発光層内部で電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生されるエネルギーによって発光が行われ、これを用いて有機発光表示装置は画像を表示する。
【０００３】
従って、有機発光表示装置は自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を要しないため、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度および高い反応速度などの高品位特性を有するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。また、最近ではタッチパネルが装着された有機発光表示装置が多く使用されている。
【０００４】
一般に有機発光表示装置が有する正孔注入電極および電子注入電極のうち一つ以上の電極とその他に様々な金属配線は外部から流入する光を反射する。従って、有機発光表示装置を明るい所で使用すると、外光反射によって黒い色の表現およびコントラストが不良となる問題があった。
【０００５】
このような問題を解決するため、偏光板および位相遅延板を配置して、外光反射を抑制する構成がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、偏光板および位相遅延板を配置して外光反射を抑制すると、有機発光層で発生された光も偏光板および位相遅延板を経て外部に放出される時、多くの部分が共に損失になる問題がある。
【０００７】
また、有機発光表示装置がタッチパネル、偏光板、および位相遅延板などを含むので、全体的な厚さが過度に厚くなる問題も生じる。
【０００８】
本発明の第１の目的は、外光反射を抑制して、視認性を向上させた有機発光表示装置を提供することである。
【０００９】
本発明の第２の目的は、タッチパネルを含みながらも、全体的な厚さをスリム化した有機発光表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板部材と、上記基板部材上に形成された画素電極と上記画素電極上に形成された有機発光層と上記有機発光層上に形成された半透過共通電極を含む有機発光素子と、上記半透過共通電極上に形成された封止薄膜と、上記封止薄膜上に形成されて半透過金属膜で形成された第１タッチ導電膜と、上記第１タッチ導電膜上に形成されたガラス基板と、上記ガラス基板上に形成された第２タッチ導電膜を含むタッチパネルと、を含む、有機発光表示装置が提供される。
【００１１】
上記半透過共通電極の反射率は５０％未満が望ましい。
【００１２】
上記封止薄膜の平均屈折率は１．６以上であることが望ましい。
【００１３】
上記封止薄膜の全厚さは４００Å〜１３００Å範囲内が望ましい。
【００１４】
上記封止薄膜は複数の有機膜と無機膜を交互に積層して形成できる。
【００１５】
上記第１タッチ導電膜の厚さは５０Å〜１５０Å範囲内が望ましい。
【００１６】
上記第１タッチ導電膜はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、およびアルミニウム（Ａｌ）のうちいずれか一つの金属を含むことができる。
上記封止薄膜は上記半透過共通電極および上記第１タッチ導電膜と両面で各々密着できる。
【００１７】
上記タッチパネルは静電容量方式を採用してもよい。
【００１８】
上記有機発光表示装置において、上記半透過共通電極はマグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）のうち一つ以上を含む真空蒸着物質で形成できる。
【００１９】
また、上記有機発光表示装置において、上記半透過共通電極はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、およびアルミニウム（Ａｌ）のうち一つ以上の金属膜で形成できる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように本発明によれば、有機発光表示装置は外光反射を抑制して向上した視認性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図３】図２の点線円を拡大して示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２３】
また、図面に示した各部構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したため、本発明が必ずしも図示されたものに限られない。
【００２４】
本発明を明確に説明するために説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同じ参照符号を付けた。
【００２５】
また、図面から様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同じ図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分「上」または「上に」あるという時、これは他の部分「真上に」ある場合だけでなく、その間にまた他の部分がある場合も含む。逆にある部分が他の部分の「真上に」あるという時には間に他の部分がないことを意味する。
【００２６】
また、様々な実施形態において、同じ構成を有する構成要素については同じ符号を使って、代表的に第１実施形態を説明し、その他の実施形態では第１実施形態と異なった構成についてだけ説明する。
【００２７】
また、添付図は、一つの画素に二つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備えた２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明がこれに限定されるものではない。従って、有機発光表示装置は一つの画素に三つ以上の薄膜トランジスターと二つ以上の蓄電素子が備えられて、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成できる。
【００２８】
ここで、画素は画像を表示する最小単位を意味し、有機発光表示装置は複数の画素を通して画像を表示する。
【００２９】
以下、図１〜図３を参照して本発明の第１実施形態を説明する。
【００３０】
図１に示したように、有機発光表示装置１００は一つの画素にスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。また、有機発光表示装置１００は一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、ゲートライン１５１と絶縁交差されるデータライン１７１および共通電源ライン１７２をさらに含む。ここで、一つの画素はゲートライン１５１、データライン１７１および共通電源ライン１７２を境界として定義できる。
【００３１】
また、有機発光表示装置１００は封止薄膜８００（図２に図示）とタッチパネル９０（図２に図示）をさらに含む。
【００３２】
有機発光素子７０は画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された半透過共通電極７３０（図２に図示）とを含む。ここで、画素電極７１０は正孔注入電極の正（＋）極であり、半透過共通電極７３０は電子注入電極の負（−）極となる。しかし、本発明が必ずしもこれに限定されるのではなく、有機発光表示装置１００の駆動方法により画素電極７１０が負極となり、半透過共通電極７３０が正極となってもよい。画素電極７１０および半透過共通電極７３０から各々正孔と電子が有機発光層７２０内部に注入される。注入された正孔と電子が結合された励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する。
【００３３】
スイッチング薄膜トランジスター１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３およびスイッチングドレーン電極１７４を含み、駆動薄膜トランジスター２０は駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６および駆動ドレーン電極１７７を含む。
【００３４】
蓄電素子８０はゲート絶縁膜１４０（図２に図示）を間において配置された第１維持電極１５８と第２維持電極１７８を含む。
【００３５】
スイッチング薄膜トランジスター１０は発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１と連結される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１と連結される。スイッチングドレーン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔配置されて、第１維持電極１５８と連結される。
【００３６】
駆動薄膜トランジスター２０は選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は第１維持電極１５８と連結される。駆動ソース電極１７６および第２維持電極１７８は各々共通電源ライン１７２と連結される。駆動ドレーン電極１７７は接触孔１８２を通して有機発光素子７０の画素電極７１０と連結される。
【００３７】
このような構造によって、スイッチング薄膜トランジスター１０はゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動され、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧と、スイッチング薄膜トランジスター１０から伝送されたデータ電圧との差に当たる電圧が蓄電素子８０に保存されて、蓄電素子８０に保存された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通して有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光される。
【００３８】
以下、図２を参照して、有機発光表示装置１００の構造について具体的に説明する。図２は駆動薄膜トランジスター２０、有機発光素子７０および蓄電素子８０を中心に有機発光表示装置１００を示しており、封止薄膜８００およびタッチパネル９０も共に示している。
【００３９】
以下、駆動薄膜トランジスター２０を用いるので、薄膜トランジスターの構造について詳しく説明する。また、スイッチング薄膜トランジスター１０は駆動薄膜トランジスターとの差だけ簡単に説明する。
【００４０】
基板部材１１０はガラス、石英、セラミック、プラスチックなどで構成された絶縁性基板で形成される。しかし、本発明がこれに限定されるのではない。従って、基板部材１１０がステンレス鋼などで構成された金属性基板で形成できる。
【００４１】
基板部材１１０上にバッファ層１２０が形成される。バッファ層１２０は不純元素の浸透を防止すると共に、表面を平坦化する役割を果たし、このような役割を遂行できる多様な物質で形成できる。例えば、バッファ層１２０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちいずれか一つが用いられる。しかし、バッファ層１２０は必ずしも必要なものではなく、基板部材１１０の種類および工程条件により省略できる。
【００４２】
バッファ層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３２は不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側でｐ＋ドーピングされて形成されたソース領域１３６およびドレーン領域１３７を含む。この時、ドーピングされるイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が用いられる。ここで、このような不純物は薄膜トランジスターの種類によって変わる。
【００４３】
本発明の第１実施形態では駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたが、これに限定されるのではない。従って、駆動薄膜トランジスター２０にＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターも全て用いることができる。
【００４４】
また、図２に示された駆動薄膜トランジスター２０は、多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図２に示されていないスイッチング薄膜トランジスター１０は多結晶薄膜トランジスターであってもよく、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターであってもよい。
【００４５】
駆動半導体層１３２上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。ゲート配線はゲートライン１５１（図１に図示）、第１維持電極１５８およびその他に配線をさらに含む。また、駆動ゲート電極１５５は駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００４６】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は駆動半導体層１３２のソース領域１３６およびドレーン領域１３７を露出させる複数の貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等で形成される。
【００４７】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６および駆動ドレーン電極１７７を含むデータ配線が形成される。データ配線はデータライン１７１（図１に図示）、共通電源ライン１７２、第２維持電極１７８およびその他に配線をさらに含む。また、駆動ソース電極１７６および駆動ドレーン電極１７７は各々貫通孔を通して駆動半導体層１３２のソース領域１３６およびドレーン領域１３７と連結される。
【００４８】
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６および駆動ドレーン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。
【００４９】
駆動薄膜トランジスター２０の構成は前述の例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知された構成で多様に変形可能である。
【００５０】
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０はその上に形成される有機発光素子７０の発光効率を上げるために段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０はドレーン電極１７７の一部を露出させる接触孔１８２を有する。
【００５１】
平坦化膜１８０はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、およびベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうち一つ以上の物質などで構成できる。
【００５２】
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成される。画素電極７１０は平坦化膜１８０の接触孔１８２を通してドレーン電極１７７と連結される。
また、平坦化膜１８０の上には画素電極７１０を露出させる開口部を有する画素定義膜１９０が形成される。つまり、画素電極７１０は画素定義膜１９０の開口部に対応するように配置される。従って、画素定義膜１９０が形成された部分は画素電極７１０が形成された部分を除いた他の部分と実質的に同一である。
【００５３】
画素定義膜１９０はポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）およびポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）等の樹脂またはシリカ系の無機物などで構成できる。
【００５４】
画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には半透過共通電極７３０が形成される。このように、画素電極７１０、有機発光層７２０、および半透過共通電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。
【００５５】
有機発光層７２０は低分子有機物または高分子有機物で構成できる。このような有機発光層７２０は正孔注入層（ｈｏｌｅ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、そして電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を含む多重膜で形成される。つまり、正孔注入層は正極の画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次に積層される。
【００５６】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００は前面発光型で形成される。従って、画素電極７１０は反射型導電性物質で形成できる。反射型物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）等が用いられる。しかし、本発明の第１実施形態はこれに限定されるのではない。従って、画素電極７１０は透明な導電膜と反射膜を含む多重層で形成でき、半透過型物質で形成されてもよい。
【００５７】
半透過共通電極７３０は５０％より小さい反射率を有する。つまり、５０％未満の反射率を有して光を半透過させる素材であれば、どんな物質でも半透過共通電極として用いることができる。なお、反射率の測定には、一般的な反射率測定機器を使用することができる。例えば、対象物に対して６０度や９０度の角度で一定の強さ及び一定量の光を照射して反射してくる光の強さ及び光量を測定することによって反射率を測定することができる。また、半透過共通電極を分離してその層を測定したり、半透過共通電極と同一に製造された単一膜を用いて反射率を測定することができる。
【００５８】
半透過共通電極７３０上には封止薄膜８００が形成される。封止薄膜８００は基板部材１１０上に形成された薄膜トランジスター２０および有機発光素子７０等を外部から密封するようにカバーして保護する。
【００５９】
また、封止薄膜８００は１．６より大きいかまたは等しい平均屈折率を有し、４００Å〜１３００Å範囲内の厚さ（ｔ１）を有する。また、封止薄膜８００は、図３に示したように、複数の有機膜８２０と無機膜８１０が交互に積層形成される。図３は図２で点線にて示した円の部分を拡大して示した図面である。例えば、有機膜８２０はポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）で形成され、無機膜は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成できる。このような構成によって、封止薄膜８００は相対的に薄い厚さ（ｔ１）を有しても安定的に有機発光素子７０等をカバーすることができる。なお、屈折率の測定には、エリプスメーター等の一般的な屈折率測定機器を使用することができ、封止薄膜を分離して測定することができる。また、薄膜の厚みの測定には、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）を用いることができる。
【００６０】
封止薄膜８００上には第１タッチ導電膜９３０、タッチガラス基板９１０、および第２タッチ導電膜９２０が順次に形成される。ここで、第１タッチ導電膜９３０、タッチガラス基板９１０、および第２タッチ導電膜９２０はタッチパネル９０を形成する。
本発明の第１実施形態におけるタッチパネル９０は静電容量方式を採用する。タッチパネル９０はタッチガラス基板９１０の両面に透明な特殊伝導性金属をコーティングして、第１タッチ導電膜９３０および第２タッチ導電膜９２０を形成して作られる。タッチパネル９０の四つの角に電圧をかけると、タッチパネル９０の表面に高周波が拡散されて指が接触する時に変化した高周波波形を制御部で分析してタッチ点を認識するようになる。
【００６１】
第１タッチ導電膜９３０はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、およびアルミニウム（Ａｌ）のうちいずれか一つの金属を含む。また、第１タッチ導電膜９３０は５０Å〜１５０Å範囲内の厚さ（ｔ２）を有する。
【００６２】
このような構成で、封止薄膜８００の両面は半透過共通電極７３０および第１タッチ導電膜９３０に挟まれて各々密着される。つまり、封止薄膜８００と半透過共通電極７３０および第１タッチ導電膜９３０の間には空気との界面が生じない。従って、半透過共通電極７３０、封止薄膜８００、および第１タッチ導電膜９３０は外光反射を抑制する役割を共に行う。具体的には、半透過共通電極７３０、封止薄膜８００、および第１タッチ導電膜９３０によって外光反射が抑制される動作原理を説明すると下記のようになる。
【００６３】
まず、外部の光がタッチパネル９０を経て一部は第１タッチ導電膜９３０で反射されて再び外部へ向かい、他の部分は流入し、封止薄膜８００を経て半透過共通電極７３０に向かう。半透過共通電極７３０は、前述したように、５０％未満の反射率を有するため、流入した光の一部を再び第１タッチ導電膜９３０に反射させる。再び第１タッチ導電膜９３０に向かった光の一部は第１タッチ導電膜９３０を通過して外部に放出され、残りはまた再び反射されて半透過共通電極７３０に向かう。このように、外部から流入した光が封止薄膜８００を間において半透過共通電極７３０と第１タッチ導電膜９３０の間で反射を繰り返しながら相殺干渉が起きて消滅する。この時、封止薄膜８００が１．６より大きいまたは等しい屈折率を有して、４００Å〜１３００Å範囲内の厚さ（ｔ１）を有する。従って、反射による光の相殺干渉がより効果的に起こるようになる。また、導電膜の厚みの測定には、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）を用いることができる。
【００６４】
具体的に、反射による光が相殺干渉されて消滅する原理を考えると、まず、反射光の相殺干渉条件から下記の式１を導出することができる。
【００６５】
[数１]
ｄ＝λ／４ｎｄｃｏｓθ  ・・・（式１）
ここで、ｄは反射される二面の間の距離である。つまり、封止薄膜の厚さとなる。ｎは封止薄膜の屈折率であり、θは光の入射角である。λは反射される光の波長である。
【００６６】
このような公式に緑色を中心とする可視光の波長を適用する。そして、光の入射角は３０度〜４５度を適用する。その他に有機発光表示装置で起る外光反射を抑制するための適切な数値を適用すると、封止薄膜は４００Å〜１３００Å範囲内の厚さ（ｔ１）を有するのが望ましい。
【００６７】
また、第１タッチ導電膜９３０が有する前述した厚さ（ｔ２）は効果的に光を半透過させられるように設定された。
【００６８】
このような動作原理によって、半透過共通電極７３０、封止薄膜８００、および第１タッチ導電膜９３０を密着配置して、外光反射を抑制することができる。
【００６９】
このような構成によって、有機発光表示装置１００は外光反射を抑制して向上された視認性を有することができる。
【００７０】
また、封止薄膜８００が相対的に薄い厚さ（ｔ１）で形成され、外光反射を抑制するために従来使用された偏光板および位相遅延板のような構成を省略することができる。従って、有機発光表示装置１００はタッチパネル９０を含んでも、全体的な厚さをスリム化することができる。
【００７１】
以下、本発明による第２実施形態について説明する。
【００７２】
本発明の第２実施形態において、半透過共通電極７３０はマグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）のうち一つ以上を含む真空蒸着物質で形成できる。さらに効果的に外光反射を抑制することができる。
【００７３】
以下、本発明による第３実施形態について説明する。
【００７４】
本発明の第３実施形態において、半透過共通電極７３０はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、およびアルミニウム（Ａｌ）のうち一つ以上の金属膜で形成される。つまり、半透過共通電極７３０は一つの金属膜で形成でき、複数の金属膜が積層された構造で形成できる。これによって、さらに効果的に外光反射を抑制することができる。特に上記の金属によれば、厚みによって半透過性を安定に調整することができる。
【００７５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７６】
１０        スイッチング薄膜トランジスター
２０        駆動薄膜トランジスター
７０        有機発光素子
８０        蓄電素子
９０        タッチパネル
１００      有機発光表示装置
１１０      基板部材
１２０      バッファ層
１３１      スイッチング半導体層
１３２      駆動半導体層
１３５      チャンネル領域
１３７      ドレーン領域
１４０      ゲート絶縁膜
１５１      ゲートライン
１５２      スイッチングゲート電極
１５５      駆動ゲート電極
１５８、１７８      維持電極
１６０      層間絶縁膜
１７１      データライン
１７２      共通電源ライン
１７３      スイッチングソース電極
１７４      スイッチングドレーン電極
１７６      駆動ソース電極
１７７      駆動ドレーン電極
１８２      接触孔
７１０      画素電極
７２０      有機発光層
７３０      半透過共通電極
８００      封止薄膜
８１０      積層形封止薄膜の要素無機膜
８２０      積層形封止薄膜の要素有機膜
【図１】
2010056073.tif 000003
【図２】
2010056073.tif 000004
【図３】
2010056073.tif 000005