(57)【要約】【課題】さらなる液晶表示装置の基板の反りの抑制を図ることが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】この液晶表示装置１００は、表示部１において、液晶層２２を挟んで互いに対向するように配置されたガラス基板６およびガラス基板１８と、ガラス基板６上に各々の画素２毎に設けられるとともに、平面的に見てスリットまたは開口部を有しないように形成された画素電極１４と、画素電極１４上に有機膜からなる有機層間膜１５を介して形成され、複数のスリット１６ａを有する共通電極１６とを備える。【選択図】図４
2010085811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む表示部と、
前記表示部において、液晶を挟んで互いに対向するように配置された第１基板および第２基板と、
前記第１基板または前記第２基板のうち一方の基板上に各々の前記画素毎に設けられるとともに、平面的に見てスリットまたは開口部を有しないように形成された画素電極と、
前記画素電極上に有機膜からなる有機層間膜を介して形成され、複数のスリットを有する共通電極とを備える、液晶表示装置。
【請求項２】
前記共通電極と前記画素電極との間に形成された前記有機層間膜は、単一層からなる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記共通電極上を覆うように形成されるとともに、有機膜からなる配向膜をさらに備え、
前記有機膜からなる配向膜は、前記共通電極のスリットを介して前記有機層間膜と接触するように形成されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１基板または前記第２基板のうち一方の基板上に形成される薄膜トランジスタをさらに備え、
前記薄膜トランジスタ上には、有機膜を介さずに無機膜を介して、前記画素電極が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタを覆う前記無機膜は、前記薄膜トランジスタの外形形状を反映した表面形状に形成され、
前記無機膜を覆う前記画素電極の前記薄膜トランジスタに対応する部分も、前記薄膜トランジスタの外形形状を反映した形状に形成され、
前記画素電極を覆う前記有機層間膜の表面は、前記各々の画素の表示領域において平坦面状に形成されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記無機膜は、シリコン窒化膜からなる、請求項４または５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記共通電極と前記画素電極との間に形成された前記有機層間膜は、アクリル系の樹脂からなる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記共通電極と前記画素電極との間に形成された前記有機層間膜は、感光性の膜からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板または前記第２基板のうち一方の基板上に形成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されるソース線とをさらに備え、
前記共通電極の複数のスリットは、平面的に見て、前記ソース線の延びる方向に対して所定の角度傾斜した斜め方向に延びるように形成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記共通電極の複数のスリットは、平面的に見て、Ｖ字形状に形成されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板または前記第２基板のうち一方の基板上に形成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されるソース線とをさらに備え、
前記共通電極の複数のスリットは、平面的に見て、前記ソース線の延びる方向に対して略直交する方向に延びるように形成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１基板または前記第２基板のうち一方の基板上に形成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されるソース線とをさらに備え、
前記共通電極の複数のスリットは、平面的に見て、前記ソース線の延びる方向に対して略平行な方向に延びるように形成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記有機層間膜は、平面的に見て、前記複数の画素を含む表示部に形成され、かつ、前記表示部の外縁部よりもさらに外側の領域にも形成されている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記画素電極は、平面的に見て、前記共通電極の前記スリットの部分および前記スリット以外の部分とオーバーラップするように配置されている、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、一対の基板のうち一方の基板上に画素電極および共通電極が形成されている横電界方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板のうち一方の基板上に画素電極および共通電極が形成されている横電界方式（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＦＦＳ）方式）の液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示された液晶表示装置では、基板上にはＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成され、ＴＦＴ上および基板上にはＳｉＮ膜からなるゲート絶縁膜が形成されている。このゲート絶縁膜上には、ＳｉＮ膜からなる層間絶縁膜および有機層からなる層間絶縁膜を介して、画素電極が形成されている。また、画素電極上には、ＳｉＮ膜からなる絶縁膜（無機膜）を介して、スリットを有する共通電極が形成されている。
【特許文献１】特開２００８−１６５１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載の液晶表示装置にあっては、一対の基板のうち一方の基板上に画素電極および共通電極が形成されている横電界方式の液晶表示装置が構成されることにより、広視野角に適したものである一方、基板上の画素電極と共通電極との間にＳｉＮ膜などの無機膜を形成した場合、ＳｉＮ膜の張力により基板が反ってしまうことがあるため、さらなる液晶表示装置の基板の反りを抑制することが望まれている。
【０００４】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、さらなる液晶表示装置の基板の反りの抑制を図ることが可能な液晶表示装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面における液晶表示装置は、複数の画素を含む表示部と、表示部において、液晶を挟んで互いに対向するように配置された第１基板および第２基板と、第１基板または第２基板のうち一方の基板上に各々の画素毎に設けられるとともに、平面的に見てスリットまたは開口部を有しないように形成された画素電極と、画素電極上に有機膜からなる有機層間膜を介して形成され、複数のスリットを有する共通電極とを備える。
【０００６】
この一の局面による液晶表示装置では、上記のように、画素電極上に有機膜からなる有機層間膜を介して形成され、複数のスリットを有する共通電極を備える。これにより、基板上の画素電極と共通電極との間に有機膜を形成した場合は、無機膜よりも張力が小さいので基板の反りが小さくなる。その結果、液晶表示装置の基板の反りの抑制を図ることができる。また、表示部において、液晶を挟んで互いに対向するように配置された第１基板および第２基板と、第１基板または第２基板のうち一方の基板上に各々の画素毎に設けられるとともに、平面的に見てスリットまたは開口部を有しないように形成された画素電極と、画素電極上に有機膜からなる有機層間膜を介して形成され、複数のスリットを有する共通電極とを備えることによって、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置を構成することができる。これにより、画素電極および共通電極の両方の電極にスリット（開口部）が形成されている場合や、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式のように画素電極および共通電極の両方の電極が櫛歯状に形成されている場合と比べて、視野角の大きい液晶表示装置を構成することができる。
【０００７】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、共通電極と画素電極との間に形成された有機層間膜は、単一層からなる。このように構成すれば、共通電極と画素電極との間に積層膜を形成する場合と比べて、装置の構成および製造プロセスを簡略化することができる。
【０００８】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、共通電極上を覆うように形成されるとともに、有機膜からなる配向膜をさらに備え、有機膜からなる配向膜は、共通電極のスリットを介して有機層間膜と接触するように形成されている。このように構成すれば、配向膜と有機層間膜とは同じ有機膜から形成されているので、無機膜に配向膜を接触するように形成する場合に比べて、有機層間膜と配向膜との密着性を向上させることができる。
【０００９】
上記一の局面による液晶表示装置において、第１基板または第２基板のうち一方の基板上に形成される薄膜トランジスタをさらに備え、薄膜トランジスタ上には、有機膜を介さずに無機膜を介して、画素電極が形成されている。このように構成すれば、薄膜トランジスタ上に無機膜および有機膜の両方を介して画素電極が形成される構造に比べて構造および製造プロセスを簡略化することができる。
【００１０】
この場合、好ましくは、薄膜トランジスタを覆う無機膜は、薄膜トランジスタの外形形状を反映した表面形状に形成され、無機膜を覆う画素電極の薄膜トランジスタに対応する部分も、薄膜トランジスタの外形形状を反映した形状に形成され、画素電極を覆う有機層間膜の表面は、各々の画素の表示領域において平坦面状に形成されている。このように構成すれば、各々の画素の表示領域における有機層間膜の表面は平坦面状に形成されているので、有機層間膜の表面上に設けられる共通電極を平坦面状に形成することができる。
【００１１】
上記薄膜トランジスタ上に無機膜を介して画素電極が形成されている液晶表示装置において、無機膜は、シリコン窒化膜からなっていてもよい。
【００１２】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、共通電極と画素電極との間に形成された有機層間膜は、アクリル系の樹脂からなる。このように構成すれば、塗布法によって共通電極と画素電極との間に有機層間膜を容易に形成することができる。
【００１３】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、共通電極と画素電極との間に形成された有機層間膜は、感光性の膜からなる。このように構成すれば、フォトリソグラフィ技術によって共通電極と画素電極との間に有機層間膜を容易に形成することができる。
【００１４】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１基板または第２基板のうち一方の基板上に形成される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続されるソース線とをさらに備え、共通電極の複数のスリットは、平面的に見て、ソース線の延びる方向に対して所定の角度傾斜した斜め方向に延びるように形成されている。このように構成すれば、液晶の配向方向が１方向のシングルドメインの液晶表示装置を構成することができる。
【００１５】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、共通電極の複数のスリットは、平面的に見て、Ｖ字形状に形成されている。このように構成すれば、液晶の配向方向が２方向のマルチドメインタイプの液晶表示装置を構成することができるので、視野角を大きくすることができる。
【００１６】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１基板または第２基板のうち一方の基板上に形成される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続されるソース線とをさらに備え、共通電極の複数のスリットは、平面的に見て、ソース線の延びる方向に対して略直交する方向に延びるように形成されている。このように構成しても、液晶の配向方向が１方向のシングルドメインの液晶表示装置を構成することができる。
【００１７】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１基板または第２基板のうち一方の基板上に形成される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続されるソース線とをさらに備え、共通電極の複数のスリットは、平面的に見て、ソース線の延びる方向に対して略平行な方向に延びるように形成されている。このように構成しても、液晶の配向方向が１方向のシングルドメインの液晶表示装置を構成することができる。
【００１８】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、有機層間膜は、平面的に見て、複数の画素を含む表示部に形成され、かつ、表示部の外縁部よりもさらに外側の領域にも形成されている。このように構成すれば、有機層間膜を表示部に形成する際に、有機層間膜が表示部の形成領域に対して多少ずれたとしても、有機層間膜が表示部の形成領域の外縁部よりも外側の領域にも形成されているので、表示部の形成領域に有機層間膜を確実に形成することができる。
【００１９】
上記一の局面による液晶表示装置において、好ましくは、画素電極は、平面的に見て、共通電極のスリットの部分およびスリット以外の部分とオーバーラップするように配置されている。このように構成すれば、同一平面上に位置する画素電極と共通電極との間で横電界を発生させるＩＰＳ方式とは異なり、上下に位置する画素電極と共通電極との間で横電界を発生させるＦＦＳ方式の液晶表示装置を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。図２は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置（表示部）の画素電極の形状を説明するための図である。図３は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置（表示部）の共通電極の形状を説明するための図である。図４は、本発明の第１実施形態による画素の断面図である。図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。
【００２２】
第１実施形態による液晶表示装置１００では、図１に示すように、表示部１は、マトリクス状に配置される複数の画素２から構成されている。また、図２に示すように、複数の画素２は、ゲート線３とソース線４とが交差する位置にそれぞれ設けられている。複数の画素２は、全て同じ矩形状を有する。なお、画素２は、後述する上下に位置する画素電極１４と共通電極１６との間で横電界を発生させるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式によって駆動されるように構成されている。そして、複数の画素２には、それぞれ、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）５が設けられている。
【００２３】
画素２の断面構造としては、図４に示すように、ガラス基板６上に、ゲート電極７が設けられている。なお、ガラス基板６は、本発明の「第１基板」の一例である。図２に示すように、ゲート電極７は、平面的に見て、ゲート線３から矢印Ｙ方向（ソース線４が延びる方向）側に突出するとともに、矢印Ｙ方向側に延びるように矩形状に形成されている。図４に示すように、ゲート電極７上とガラス基板６上とには、ＳｉＮ膜またはＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁膜８ａを含む絶縁膜８が形成されている。ゲート絶縁膜８ａを介してゲート電極７と平面的に見て重なるように下層のａ−Ｓｉ層と、上層のｎ型の導電性を有するｎ＋Ｓｉ層との２層構造からなる半導体層９が形成されている。
【００２４】
半導体層９上には、ゲート電極７および半導体層９と平面的に見て重なるとともに、半導体層９にソース電極１０およびドレイン電極１１が形成されている。また、平面的に見て、ソース電極１０とドレイン電極１１とに挟まれる半導体層９の領域は、上層のｎ＋Ｓｉ層が除去されて下層のａ−Ｓｉ層によりチャネル領域９ａが形成される。
【００２５】
また、図２に示すように、薄膜トランジスタ５のソース電極１０は、ソース線４に電気的に接続されている。また、ドレイン電極１１は、コンタクト部１２を介して、後述する画素電極１４と電気的に接続されている。
【００２６】
図４に示すように、ソース電極１０、ドレイン電極１１および絶縁膜８を覆うように、ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）からなる層間絶縁膜１３が形成されている。なお、層間絶縁膜１３は、本発明の「無機膜」の一例である。また、第１実施形態では、層間絶縁膜１３は、薄膜トランジスタ５の山形の外形形状を反映した山形の表面形状に形成されている。層間絶縁膜１３には、コンタクトホール１３ａが形成されている。このＳｉＮ膜からなる層間絶縁膜１３の表面上には、画素電極１４が形成されている。
【００２７】
また、第１実施形態では、画素電極１４は、図２に示すように、表示部１の画素２毎に設けられるとともに、平面的に見てスリットまたは開口部を有しないように各々の画素２の略全領域に形成されている。図４に示すように、この画素電極１４の薄膜トランジスタ５に対応する部分も、薄膜トランジスタ５の山形の外形形状を反映した形状に形成されている。なお、画素電極１４の一部は、コンタクトホール１３ａを介して、コンタクト部１２において、ドレイン電極１１と電気的に接続されている。
【００２８】
また、第１実施形態では、画素電極１４の表面上には、感光性のアクリル系の樹脂からなる単一層の有機層間膜１５が形成されている。この有機層間膜１５の表面は、各々の画素２の表示領域において、平坦面状に形成されている。具体的には、有機層間膜１５の矢印Ｚ１方向側の表面は、平坦面状に形成されている。これに対して、有機層間膜１５の矢印Ｚ２方向側の表面は、薄膜トランジスタ５の山形の外形形状を反映した表面形状に形成されている。また、有機層間膜１５は、図１に示すように、平面的に見て、複数の画素２を含む表示部１に形成され、かつ、表示部１の外縁部１ａよりもさらに外側の領域にも形成されている。また、図４に示すように、有機層間膜１５の表面上には、共通電極１６が形成されている。このように、画素電極１４および共通電極１６は、薄膜トランジスタ５が形成されるガラス基板６側に配置されている。
【００２９】
また、第１実施形態では、図３に示すように、共通電極１６には、複数のスリット１６ａ（開口部）が形成されている。この共通電極１６の複数のスリット１６ａは、平面的に見て、ソース線４の延びる方向（Ｙ方向）に対して略平行な方向に延びるように形成されている。このスリット１６ａは、Ｘ方向に沿って所定の間隔を隔てて複数設けられている。また、図４に示すように、共通電極１６のスリット１６ａの部分およびスリット１６ａ以外の部分は、画素電極１４とオーバーラップするように配置されている。
【００３０】
また、第１実施形態では、共通電極１６の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜１７が形成されている。この有機膜からなる配向膜１７は、共通電極１６の表面上を覆うように形成されるとともに、共通電極１６のスリット１６ａを介して、有機膜からなる有機層間膜１５と接触するように形成されている。
【００３１】
図４に示すように、ガラス基板６と対向するように、ガラス基板１８が設けられている。なお、ガラス基板１８は、本発明の「第２基板」の一例である。このガラス基板１８の表面上には、ブラックマトリクス１９が形成されている。ガラス基板１８およびブラックマトリクス１９の表面上には、保護膜としてのオーバーコート２０が形成されている。オーバーコート２０の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜２１が形成されている。配向膜１７と配向膜２１との間には、液晶層２２が封入されている。
【００３２】
第１実施形態では、上記のように、画素電極１４上に有機膜からなる有機層間膜１５を介して形成され、複数のスリット１６ａを有する共通電極１６を備える。これにより、ガラス基板６上の画素電極１４と共通電極１６との間に有機層間膜１５を形成した場合は、無機膜よりも張力が小さいのでガラス基板６の反りが小さくなる。その結果、液晶表示装置１００の基板の反りの抑制を図ることができる。また、ガラス基板６上に画素電極１４と、有機膜からなる有機層間膜１５と、共通電極１６とを備えることによって、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置１００を構成することができる。これにより、画素電極１４および共通電極１６の両方の電極にスリット１６ａ（開口部）が形成されている場合や、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式のように画素電極１４および共通電極１６の両方の電極が櫛歯状に形成されている場合と比べて、視野角の大きい液晶表示装置１００を構成することができる。
【００３３】
また、第１実施形態では、上記のように、共通電極１６と画素電極１４との間に形成された有機層間膜１５が、単一層からなることによって、共通電極１６と画素電極１４との間に積層膜を形成する場合と比べて、装置の構成および製造プロセスを簡略化することができる。
【００３４】
また、第１実施形態では、上記のように、有機膜からなる配向膜１７を、共通電極１６のスリット１６ａを介して有機層間膜１５と接触するように形成することによって、配向膜１７と有機層間膜１５とは有機膜から形成されているので、無機膜に配向膜１７を接触するように形成する場合に比べて、有機層間膜１５と配向膜１７との密着性を向上させることができる。
【００３５】
また、第１実施形態では、上記のように、薄膜トランジスタ５上に、有機膜を介さずに層間絶縁膜１３を介して、画素電極１４を形成することによって、薄膜トランジスタ５上に無機膜および有機膜の両方を介して画素電極１４が形成される構造に比べて構造および製造プロセスを簡略化することができる。
【００３６】
また、第１実施形態では、上記のように、画素電極１４を覆う有機層間膜１５の表面を、各々の画素２の表示領域において平坦面状に形成することによって、有機層間膜１５の表面上に設けられる共通電極１６を平坦面状に形成することができる。
【００３７】
また、第１実施形態では、上記のように、共通電極１６と画素電極１４との間に形成された有機層間膜１５を、アクリル系の樹脂にすることによって、塗布法により共通電極１６と画素電極１４との間に有機層間膜１５を容易に形成することができる。
【００３８】
また、第１実施形態では、上記のように、共通電極１６と画素電極１４との間に形成された有機層間膜１５を、感光性の膜にすることによって、フォトリソグラフィ技術により共通電極１６と画素電極１４との間に有機層間膜１５を容易に形成することができる。
【００３９】
また、第１実施形態では、上記のように、共通電極１６の複数のスリット１６ａを、平面的に見て、ソース線４の延びる方向に対して略平行な方向（Ｙ方向）に延びるように形成することによって、液晶層２２の配向方向が１方向のシングルドメインの液晶表示装置１００を構成することができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、上記のように、有機層間膜１５を、平面的に見て、複数の画素２を含む表示部１に形成し、かつ、表示部１の外縁部１ａよりもさらに外側の領域にも形成することによって、有機層間膜１５を表示部１に形成する際に、有機層間膜１５が表示部１の形成領域に対して多少ずれたとしても、有機層間膜１５が表示部１の形成領域の外縁部１ａよりも外側の領域にも形成されているので、表示部１の形成領域に有機層間膜１５を確実に形成することができる。
【００４１】
また、第１実施形態では、上記のように、画素電極１４を、平面的に見て、共通電極１６のスリット１６ａの部分およびスリット１６ａ以外の部分とオーバーラップするように配置することによって、同一平面上に位置する画素電極１４と共通電極１６との間で横電界を発生させるＩＰＳ方式とは異なり、上下に位置する画素電極１４と共通電極１６との間で横電界を発生させるＦＦＳ方式の液晶表示装置１００を構成することができる。
【００４２】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。図５を参照して、この第２実施形態による液晶表示装置１００では、上記第１実施形態とは異なる方向に、共通電極１６１のスリット１６１ａが形成された場合について説明する。
【００４３】
第２実施形態による液晶表示装置１００では、図５に示すように、共通電極１６１の複数のスリット１６１ａは、平面的に見て、ソース線４の延びる方向（Ｙ方向）に対して略直交する方向（Ｘ方向）に延びるように形成されている。このスリット１６１ａは、Ｙ方向に沿って複数設けられている。また、共通電極１６１のスリット１６１ａの部分およびスリット１６１ａ以外の部分は、画素電極１４とオーバーラップするように配置されている。
【００４４】
なお、第２実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態の構成と同様である。
【００４５】
第２実施形態では、上記のように、共通電極１６１の複数のスリット１６１ａを、平面的に見て、ソース線４の延びる方向に対して略直交する方向（Ｘ方向）に延びるように形成することによって、液晶層２２の液晶の配向方向が１方向のシングルドメインの液晶表示装置１００を構成することができる。
【００４６】
また、第２実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態の効果と同様である。
【００４７】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。図６を参照して、この第３実施形態による液晶表示装置１００では、上記第１実施形態とは異なる方向に、共通電極１６２のスリット１６２ａが形成された場合について説明する。
【００４８】
第３実施形態による液晶表示装置１００では、図６に示すように、共通電極１６２の複数のスリット１６２ａは、平面的に見て、ソース線４の延びる方向（Ｙ方向）に対して所定の角度α（約４５度）傾斜した斜め方向（Ａ方向）に延びるように形成されている。このスリット１６２ａは、Ｂ方向に沿って複数設けられている。また、共通電極１６２のスリット１６２ａの部分およびスリット１６２ａ以外の部分は、画素電極１４とオーバーラップするように配置されている。
【００４９】
なお、第３実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態の構成と同様である。
【００５０】
第３実施形態では、上記のように、共通電極１６２の複数のスリット１６２ａを、平面的に見て、ソース線４の延びる方向に対して所定の角度α（４５度）傾斜した斜め方向（Ａ方向）に延びるように形成することによって、液晶層２２の液晶の配向方向が１方向のシングルドメインの液晶表示装置１００を構成することができる。
【００５１】
また、第３実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態の効果と同様である。
【００５２】
（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。図７を参照して、この第４実施形態による液晶表示装置１００では、上記第１実施形態とは異なる方向に、共通電極１６３のスリット１６３ａが形成された場合について説明する。
【００５３】
第４実施形態による液晶表示装置１００では、図７に示すように、共通電極１６３の複数のスリット１６３ａは、平面的に見て、Ｖ字形状に形成されている。このＶ字形状のスリット１６３ａは、Ｙ方向に沿って複数設けられている。また、共通電極１６３のスリット１６３ａの部分およびスリット１６３ａ以外の部分は、画素電極１４とオーバーラップするように配置されている。
【００５４】
なお、第４実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態の構成と同様である。
【００５５】
第４実施形態では、上記のように、共通電極１６３の複数のスリット１６３ａを、平面的に見て、Ｖ字形状に形成することによって、液晶層２２の配向方向が２方向のマルチドメインの液晶表示装置１００を構成することができるので、視野角を大きくすることができる。
【００５６】
また、第４実施形態のその他の効果は、上記した第１実施形態の効果と同様である。
【００５７】
（第５実施形態）
図８は、本発明の第５実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。図８を参照して、この第５実施形態による液晶表示装置１００では、上記第１実施形態とは異なる方向に、共通電極１６４のスリット１６４ａが形成された場合について説明する。
【００５８】
第５実施形態による液晶表示装置１００では、図８に示すように、共通電極１６４には、平面的に見て、Ｖ字形状のスリット１６４ａと、Ｃ方向に沿って延びるように形成されたスリット１６４ｂと、Ｄ方向に沿って延びるように形成されたスリット１６４ｃとが形成されている。具体的には、Ｖ字形状のスリット１６４ａは、各々の画素２毎に１つ設けられ、スリット１６４ｂおよび１６４ｃは、それぞれ、複数設けられている。また、共通電極１６４のそれぞれのスリット１６４ａ〜１６４ｃの部分およびスリット１６４ａ〜１６４ｃ以外の部分は、画素電極１４とオーバーラップするように配置されている。
【００５９】
なお、第５実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態の構成と同様である。
【００６０】
また、第５実施形態の効果は、上記した第１実施形態の効果と同様である。
【００６１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６２】
たとえば、上記第１〜第５実施形態では、有機層間膜１５をアクリル系の樹脂により形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、有機層間膜１５をアクリル系の樹脂以外の部材により形成してもよい。
【００６３】
また、上記第１〜第５実施形態では、共通電極と画素電極との間に単一層の有機層間膜を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、共通電極と画素電極との間に２層以上の積層の有機層間膜を形成してもよい。
【００６４】
また、上記第１〜第５実施形態では、ガラス基板６側に画素電極および共通電極を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、ガラス基板１８側に画素電極および共通電極を形成してもよい。
【００６５】
また、上記第１〜第５実施形態では、共通電極のスリットの配置の一例を示したが、本発明はこれに限らず、上記第１〜第５実施形態に示したそれぞれのスリットの配置を組み合わせてもよい。
【００６６】
また、上記第１〜第５実施形態では、無機膜（ＳｉＮ膜）上に画素電極を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、無機膜（ＳｉＮ膜）と画素電極との間にも、平坦な上面を有する有機層間膜を形成してもよい。
【００６７】
また、上記第３実施形態では、共通電極の複数のスリットが、平面的に見て、Ｙ方向に対して４５度に傾斜して形成されている例を示したが、本発明はこれに限らず、Ｙ方向に対して傾斜していれば４５度に限られない。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置（表示部）の画素電極の形状を説明するための図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置（表示部）の共通電極の形状を説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施形態による画素の断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。
【図７】本発明の第４実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。
【図８】本発明の第５実施形態による液晶表示装置（表示部）の平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１ａ  外縁部      ２  画素      ４  ソース線      ５  薄膜トランジスタ      ６  ガラス基板（第１基板）      １３  層間絶縁膜（無機膜）      １４  画素電極      １５  有機層間膜      １６、１６１〜１６４  共通電極      １６ａ、１６１ａ、１６２ａ、１６３ａ、１６４ａ〜１６４ｃ  スリット      １７、２１  配向膜      １８  ガラス基板（第２基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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