(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率が高く、寿命が長い有機電界発光素子を製造するための芳香族アミン誘導体の提供とそれを用いた有機電界発光素子の提供。【解決手段】下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。2010222268.tif 000030（式（１）中、Ａは炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、核炭素数６〜３０のアリール基で置換されたベンゼン環で、Ｂは芳香族環または縮合多環芳香族環を表し；ｎは１または２を表し、ｍは１または２を表し、ｎ＋ｍ＝３である。）および式（１）で表される芳香族アミン誘導体を有機電界発光素子材料として使用。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
【化１】
2010222268.tif 000027
〔式（１）中、
Ａは、下記一般式（２）を表し；
Ｂは、下記一般式（３）を表し；
ｎは１または２を表し、ｍは１または２を表し、ｎ＋ｍ＝３であり；
ｎが２の場合、それぞれのＡは同じであっても異なっていてもよく、ｍが２の場合、それぞれのＢは同じであっても異なっていてもよく；
ｍが２の場合、Ｂ同士が結合して環を形成することはない〕
【化２】
2010222268.tif 000028
〔式（２）中、
Ｒ１〜Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、核炭素数６〜３０のアリール基を表し、
Ａｒ１およびＡｒ２は互いに同じであっても異なっていてもよく、アリール基で置換されたアリール基、あるいはベンゼン環を１環または２環有する縮合多環芳香族基を表す〕
【化３】
2010222268.tif 000029
〔式（３）中、Ａｒ３は、芳香族環、もしくはベンゼン環数１〜３の縮合芳香族環を表す〕
【請求項２】
ｎが１であり、かつｍが２である、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項３】
一般式（２）において、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が水素原子である、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項４】
一対の電極間に、請求項１〜３のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を少なくとも一種含む層を少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を含む層が正孔注入輸送層である請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
陰極と陽極間に、少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機電界発光素子において、
該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有し、該有機薄膜層の少なくとも一層が燐光発光材料を含有する有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族アミン誘導体、及びそれらを用いた有機電界発光素子に関する。より具体的には、有機電界発光素子の発光効率を向上させるとともに、寿命を延ばすことができる芳香族アミン誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アミン化合物は各種色素の製造中間体、あるいは各種の機能材料（例えば、電子写真感光体の電荷輸送材料）に使用されてきた。最近では、発光材料に有機材料を用いた有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子）の正孔注入輸送材料として有用であると報告されている（例えば、非特許文献１を参照）。
【０００３】
有機電界発光素子は蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持した構造を有し、該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子（エキシントン）を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の直流の低電圧で発光が可能であり、また蛍光性有機化合物の種類を選択することにより、種々の色（例えば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このような特徴を有する有機電界発光素子は種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、一般に、有機電界発光素子は、安定性、耐久性に乏しいなどの欠点を有している。
【０００４】
有機電界発光素子の蛍光性有機化合物を含む薄膜への正孔の注入輸送を効率よく行う目的で、正孔注入輸送材料として、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３”-メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを用いることが提案されている（非特許文献２を参照）。
【０００５】
発光効率の改良には有機電界発光素子を構成する材料（例えば、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料）すべてがバランスよく機能している状態で最高の値が得られる。しかしながら、これまでに開発された材料およびその組み合わせでは、依然として発光効率および発光寿命の改良が望まれており、さらなる新規な材料の創出が望まれている。
【０００６】
また、有機電界発光素子を高温下で駆動させた場合、発光寿命の短時間化等の悪影響を受ける。これを防ぐためには、正孔輸送材料の分子量を増大させ、耐熱性を高める分子設計がなされている。ところが、分子量が大きい材料は、昇華精製や、蒸着時に分解を生じ、有機電界発光素子の寿命をさらに悪化させるという問題もある。
【０００７】
正孔輸送材料に関する様々な分子設計としては、例えば、スターバースト型のアミン化合物があり、有機電界発光素子に有用であることが提案されている（特許文献１〜３を参照）。また、駆動電圧を低減する目的でターフェニル基を有するモノアミン化合物に関する報告もある（特許文献４を参照）。しかしながら、これらのアミンを使用した有機電界発光素子の駆動電圧は、１００ｃｄ／ｍ２で４．８Ｖ程度とさらなる改良が望まれていた。
【０００８】
また、カルバゾールを有するモノアミン誘導体も提案されている（特許文献５〜７を参照）。しかしながら、これらの化合物を使用した有機電界発光素子もまだ、発光効率や寿命の向上や、駆動電圧の低電圧化が望まれており、特に高温下で長い寿命を示す正孔輸送材料の開発が望まれている。さらには、芳香族基が分岐状態で結合しているアミン化合物が提案されている（特許文献８を参照）。しかしながら、これらの化合物を用いた有機電界発光素子も、いまだ高温下での寿命に関して改良が望まれている。
【０００９】
以上のように、有機電界発光素子の高効率や長寿命を実現するための正孔輸送材料の報告はあるものの、有機電界発光素子により優れた性能を付与する素子材料の開発が強く望まれている。
【００１０】
また、近年注目されている発光効率の飛躍的な向上が可能な燐光発光を用いた有機電界発光素子においても、高効率化と長寿命化が同様に望まれており、有機電界発光素子に優れた性能を付与する素子材料の開発が強く望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−０２２０５２号公報
【特許文献２】特開平１０−２８４２５２号公報
【特許文献３】特開平０７−０５３９５５号公報
【特許文献４】国際公開第２００８／０１５９６３号パンフレット
【特許文献５】国際公開第２００７／０６９６０７号パンフレット
【特許文献６】特開平１１−１４４８７３号公報
【特許文献７】特開２００７−２８４４３１号公報
【特許文献８】特開２００６−３５２０８８号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Appl.Phys.lett.,51,913（1987）
【非特許文献２】Jpn.J.Appl.Phys.,27，L269(1988)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、発光効率が高く、寿命が長い有機電界発光素子、及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、一般式（１）で表される特定の構造を有する新規な芳香族アミン誘導体を、有機電界発光素子用材料として用いると、前記課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち本発明の第一は、一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。
【化１】
2010222268.tif 000002
【００１６】
式（１）において、Ａは下記一般式（２）を表し、Ｂは下記一般式（３）を表す。ｎは１または２を表し、ｍは１または２を表し、ｎ＋ｍ＝３の条件を満たす。ｎが２の場合、それぞれのＡは同じであっても異なっていてもよく、ｍが２の場合、それぞれのＢは同じであっても異なっていてもよい。ただし、ｍが２の場合、Ｂ同士が結合して環を形成することはない。
【化２】
2010222268.tif 000003
【００１７】
式（２）において、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、核炭素数６〜３０のアリール基を表す。Ａｒ１およびＡｒ２は同じであっても異なっていてもよく、アリール基で置換されたアリール基あるいはベンゼン環を１環または２環有する縮合多環芳香族基を表す。
【化３】
2010222268.tif 000004
【００１８】
式（３）においてＡｒ３は、芳香族環、もしくはベンゼン環数１〜３の縮合多環芳香族環を表す。
【００１９】
本発明の第二は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機電界発光素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の一成分として含有する有機電界発光素子を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機電界発光素子は、発光効率が高く、寿命が長い。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図２】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図３】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図４】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図５Ａ】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図５Ｂ】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図５Ｃ】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図６】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図７】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図８】有機発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の芳香族アミン誘導体は、一般式（１）で表されることを特徴とする。
【化４】
2010222268.tif 000005
【００２３】
式（１）におけるＡは、下記一般式（２）で表される置換基であり；式（１）におけるＢは、下記一般式（３）で表される置換基である。ｎは１または２を表し、ｍは１または２を表し、ｎ＋ｍ＝３である。つまり、置換基Ａと置換基Ｂの合計置換数は３である。好ましくは、ｎ＝１であり、かつｍ＝２である。ｎ＝２の場合、それぞれのＡは同じであっても異なっていてもよい。ｍ＝２の場合、それぞれのＢは同じであっても異なっていてもよい。ただし、ｍが２の場合、Ｂ同士が結合して環を形成することはない。
【化５】
2010222268.tif 000006
【００２４】
式（２）におけるＲ１〜Ｒ３はそれぞれ独立して、水素原子；炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基；炭素数１〜２０のアルコキシ基；核炭素数６〜３０のアリール基を表す。
【００２５】
式（２）におけるＡｒ１およびＡｒ２は、互いに同じであっても異なっていてもよく、アリール基で置換されたアリール基、あるいはベンゼン環を１環または２環有する縮合多環芳香族基を表す。
【００２６】
式（２）におけるＲ１〜Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、核炭素数６〜３０のアリール基を表すが；好ましくは、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜１２の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、核炭素数６〜２０のアリール基を表し；より好ましくは、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基を表し；さらに好ましくは、水素原子を表す。
【００２７】
一般式（２）におけるＲ１〜Ｒ３が示す炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、ｎ-ヘキシル基、ｎ-ヘプチル基、ｎ-オクチル基、１-メチルペンチル基、４-メチル-２-ペンチル基、２-エチルブチル基、ｎ-ヘプチル基、１-メチルヘキシル基、ｎ-オクチル基、１-メチルヘプチル基、２-エチルヘキシル基、２-プロピルペンチル基、ｎ-ノニル基、２,２-ジメチルヘプチル基、２,６-ジメチル-４-ヘプチル基、３,５,５-トリメチルヘキシル基、ｎ-デシル基、ｎ-ウンデシル基、ｎ-ドデシル、ｎ-エイコシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、４-メチルシクロヘキシル基、１-アダマンチル基、２-アダマンチル基、１-ノルボルニル基、２-ノルボルニル基、ビシクロオクタ[2.2.2]オクチル基等が挙げられる。好ましい例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が含まれる。
【００２８】
一般式（２）におけるＲ１〜Ｒ３が示す直鎖、分岐または環状の炭素数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-プロポキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ｎ-ペントキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ-オクチルオキシ基、ｎ-デシルオキシ基、ｎ-ウンデシルオキシ基、ｎ-ドデシルオキシ基等が挙げられる。好ましい例には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が含まれる。
【００２９】
一般式（２）におけるＲ１〜Ｒ３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の第１の具体例としては、フェニル基、１-ナフチル基、２-ナフチル基、１-アントリル基、２-アントリル基、９-アントリル基、１-フェナントリル基、２-フェナントリル基、３-フェナントリル基、４-フェナントリル基、９-フェナントリル基、１-ピレニル基、２-ピレニル基、３-フルオランテニル基、ベンゾ[k]フルオランテニル基などの、無置換のアリール基が挙げられる。
【００３０】
一般式（２）におけるＲ１〜Ｒ３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の第２の具体例としては、４-メチルフェニル基、３-メチルフェニル基、２-メチルフェニル基、４-エチルフェニル基、３-エチルフェニル基、２-エチルフェニル基、４-ｎ-プロピルフェニル基、４-イソプロピルフェニル基、２-イソプロピルフェニル基、４-ｎ-ブチルフェニル基、４-イソブチルフェニル基、４-sec-ブチルフェニル基、２-sec-ブチルフェニル基、４-tert-ブチルフェニル基、３-t-ブチルフェニル基、２-t-ブチルフェニル基、４-ｎ-ペンチルフェニル基、４-イソペンチルフェニル基、４-tert-ペンチルフェニル基、４-ｎ-ヘキシルフェニル基、４-ｎ-ヘプチルフェニル基、４-ｎ-オクチルフェニル基、４-（２'-エチルヘキシル）フェニル基、４-tert-オクチルフェニル基、４-シクロペンチルフェニル基、４-シクロヘキシルフェニル基、４-（４'-メチルシクロヘキシル）フェニル基、３-シクロヘキシルフェニル基、２-シクロヘキシルフェニル基、４-エチル-１-ナフチル基、６-ｎ-ブチル-２-ナフチル基、２,３-ジメチルフェニル基、２,４-ジメチルフェニル基、２,５-ジメチルフェニル基、３,４-ジメチルフェニル基、３,５-ジメチルフェニル基、２,６-ジメチルフェニル基、２,３,５-トリメチルフェニル基、３,４,５-トリメチルフェニル基、２,４-ジエチルフェニル基、２,３,６-トリメチルフェニル基、２,４,６-トリメチルフェニル基、２,６-ジエチルフェニル基、２,６-ジイソプロピルフェニル基、２,６-ジイソブチルフェニル基、２,４-ジ-tert-ブチルフェニル基、２,５-ジ-tert-ブチルフェニル基、３,５-ジ-tert-ブチルフェニル基、２,４-ジネオペンチルフェニル基、２,２,３,５,６-テトラメチルフェニル基、ｐ-（２-フェニルプロピル）フェニル基、３-メチル-２-ナフチル基、４-メチル-１-ナフチル基などの、アルキル基を有するアリール基が挙げられる。
【００３１】
一般式（２）におけるＲ１〜Ｒ３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の第３の具体例としては、４-メトキシフェニル基、３-メトキシフェニル基、２-メトキシフェニル基、４-エトキシフェニル基、２-エトキシフェニル基、３-ｎ-プロポキシフェニル基、４-イソプロポキシフェニル基、２-イソプロポキシフェニル基、４-ｎ-ブトキシフェニル基、４-イソブトキシフェニル基、２-イソブトキシフェニル基、２-sec-ブトキシフェニル基、４-ｎ-ペンチルオキシフェニル基、４-イソペンチルオキシフェニル基、２-イソペンチルオキシフェニル基、２-ネオペンチルオキシフェニル基、４-ｎ-ヘキシルオキシフェニル基、２-（２'-エチルブチル）オキシフェニル基、４-ｎ-オクチルオキシフェニル基、４-シクロヘキシルオキシフェニル基、２-シクロヘキシルオキシフェニル基、２-メトキシ-１-ナフチル基、４-メトキシ-１-ナフチル基、４-ｎ-ブトキシ-１-ナフチル基、５-エトキシ-１-ナフチル基、６-エトキシ-２-ナフチル基、６-ｎ-ブトキシ-２-ナフチル基、７-メトキシ-２-ナフチル基、７-ｎ-ブトキシ-２-ナフチル基、２,３-ジメトキシフェニル基、２,４-ジメトキシフェニル基、２,５-ジメトキシフェニル基、２,６-ジメトキシフェニル基、３,４-ジメトキシフェニル基、３,５-ジメトキシフェニル基、３,５-ジエトキシフェニル基、３,５-ジ-ｎ-ブトキシフェニル基、２-メトキシ-４-メチルフェニル基、２-メトキシ-５-メチルフェニル基、２-メチル-４-メトキシフェニル基、３-メチル-４−メトキシフェニル基、３-メチル-５-メトキシフェニル基、３-エチル-５-メトキシフェニル基、２-メトキシ-４-エトキシフェニル基、２-メトキシ-６-エトキシフェニル基、３,４,５-トリメトキシフェニル基などの、アルコキシ基を有するアリール基が挙げられる。
【００３２】
一般式（２）におけるＲ１〜Ｒ３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の第４の具体例としては、４-フルオロフェニル基、３-フルオロフェニル基、２-フルオロフェニル基、２,３-ジフルオロフェニル基、２,４-ジフルオロフェニル基、２,５-ジフルオロフェニル基、２,６-ジフルオロフェニル基、３,４-ジフルオロフェニル基、３,５-ジフルオロフェニル基、３,４,５-トリフルオロフェニル基、２-フルオロ-４-メチルフェニル基、２-フルオロ-５-メチルフェニル基、３-フルオロ-２-メチルフェニル基、３-フルオロ-４-メチルフェニル基、４-フルオロ-２-メチルフェニル基、５-フルオロ-２-メチルフェニル基、２-クロロ-４-メチルフェニル基、２-クロロ-５-メチルフェニル基、２-クロロ-６-メチルフェニル基、３-クロロ-２-メチルフェニル基、４-クロロ-２-メチルフェニル基、４-クロロ-３-メチルフェニル基、２-クロロ-４,６-ジメチルフェニル基、２-フルオロ-４-メトキシフェニル基、２-フルオロ-６-メトキシフェニル基、３-フルオロ-４-エトキシフェニル基、４-トリフルオロメチルフェニル基、３-トリフルオロメチルフェニル基、２-トリフルオロメチルフェニル基、３,５-ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、４-トリフルオロメチルオキシフェニル基などの、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはハロアルキルオキシ基を有するアリール基が挙げられる。
【００３３】
一般式（２）におけるＡｒ１およびＡｒ２は、アリール基で置換されたアリール基、あるいはベンゼン環を１環または２環有する縮合多環芳香族基を表す。Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
【００３４】
一般式（２）におけるＡｒ１およびＡｒ２が示す「アリール基で置換されたアリール基」は、好ましくは「核炭素数６〜３０のアリール基が、核炭素数６〜３０のアリール基に単置換または複数置換した基」であり；より好ましくは「核炭素数６〜１８のアリール基が、核炭素数６〜１８のアリール基に単置換または複数置換した基」である。Ａｒ１およびＡｒ２の総炭素数は、好ましくは１２〜２６であり、より好ましくは１２〜２０である。
【００３５】
核炭素数６〜３０のアリール基の具体例として、Ｒ１〜Ｒ３が示す核炭素数６〜３０のアリール基の具体例が挙げられる。
【００３６】
一般式（２）におけるＡｒ１およびＡｒ２が示す「アリール基で置換されたアリール基」の第１の具体例としては、例えば、以下に示す基を挙げることができる。すなわち、４-フェニルフェニル基、３-フェニルフェニル基、２-フェニルフェニル基、４-（１'-ナフチル）フェニル基、４-（２'-ナフチル）フェニル基、４-（９'-フェナントリル）フェニル基、３-（１'-ナフチル）フェニル基、３-（２'-ナフチル）フェニル基、３-（９'-フェナントリル）フェニル基、２-（１'-ナフチル）フェニル基、２-（２'-ナフチル）フェニル基、２-（９'-フェナントリル）フェニル基、７-フェニル-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-２-イル基、４-（９',９'-ジメチル-９'Ｈ-フルオレン-２'-イル）フェニル基、４-（２'-ナフチル）ナフタレン-１-イル基などの、１つのアリール基で置換されたアリール基（２つのアリール基が連結している基）が挙げられる。
【００３７】
一般式（２）におけるＡｒ１およびＡｒ２が示す「アリール基で置換されたアリール基」の第２の具体例としては、例えば、４-（３'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、４-（２'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、５-（３'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、６-（２'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、６-（３'-フェニルフェニル）ナフタレン-２-イル基、６-（２'-フェニルフェニル）ナフタレン-２-イル基、４-〔３'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、４-（１'-ナフチル）ナフタレン-１-イル基、４-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、４-（４'-フェニルナフタレン-１-イル）フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、４-（４'-フェニルナフタレン-１'-イル）ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、５-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、４-（５'-フェニルナフタレン）フェニル基、５-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、５-（４'-フェニルナフタレン-１'-イル）ナフタレン-１-イル基、４-〔５'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、４-〔４'-（９”-フェナントリル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（９”-フェナントリル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（２”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（９”-フェナントレン）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕ナフタレン-１-イル基、６-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-２-イル基、４-（６'-フェニルナフタレン-２'-イル）フェニル基、４-〔４'-（２”-ナフチル）フェニル〕フェニル基、６-（６'-フェニルナフタレン-２'-イル）ナフタレン-２-イル基、６-〔４'-（２”-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-２-イル基などの、アリール基を有するアリール基で置換されたアリール基（３つ以上のアリール基が連結している基）等を挙げることができる。
【００３８】
一般式（２）におけるＡｒ１およびＡｒ２が示す「ベンゼン環を１環または２環有する縮合多環芳香族基」とは、二つ以上の芳香族環が縮合した基である。その具体例としては、１-ナフチル基、２-ナフチル基、２-フルオレニル基、４-フルオレニル基等を挙げることができる。Ａｒ１およびＡｒ２が、ベンゼン環を３環以上有する縮合多環芳香族基である芳香族アミン化合物を有機電界発光素子材料として使用する有機電界発光素子の場合、発光効率が低下することがある。
【００３９】
Ａｒ１およびＡｒ２が示す「アリール基で置換されたアリール基」は、「縮合多環芳香族基で置換されたアリール基」をも含む。この場合、置換基として存在する縮合多環芳香族基は「ベンゼン環を３環以上有する縮合多環芳香族基」であっても発光効率を低下させる傾向は認められないが；一方、（縮合多環芳香族基で置換された）アリール基は、ベンゼン環、またはベンゼン環を１環または２環有する縮合多環芳香族基であることが好ましい。
【００４０】
一般式（１）で表される置換基Ａの好ましい具体例としては例えば、下記のような構造がある。
【００４１】
【化６】
2010222268.tif 000007
【００４２】
一般式（１）の置換基Ｂは以下の一般式（３）で表される。
【化７】
2010222268.tif 000008
【００４３】
式（３）におけるＡｒ３は、芳香族環もしくはベンゼン環数１〜３の縮合芳香族環であり：好ましくは、２つ以上の芳香環が単結合により連結した芳香環、またはベンゼン環数１〜３の縮合芳香族環を表し；より好ましくは、３つ以上の芳香環が単結合により結合した芳香環、またはベンゼン環数１または２の縮合芳香族環を表す。
【００４４】
Ａｒ３の総炭素数は、好ましくは１２〜３０であり、より好ましくは１６〜２６である。
【００４５】
Ａｒ３が芳香族環基である場合、Ａｒ３は、核炭素数６〜１６の芳香族環が２環以上結合（連結）した芳香族環基であることが好ましく；核炭素数６〜１６の芳香族環が３環以上結合（連結）した芳香族環基であることがより好ましく；核炭素数６〜１０の芳香族環が２環以上結合（連結）した芳香族環基であることがさらに好ましい。
【００４６】
一般式（３）の具体例としては、下記の群よりなる基を挙げることができる。尚、下記の一般式（３）の具体例は、更に置換基を有していてもよい。
【００４７】
（３）−１群：４-（４'-フェニルフェニル）フェニル基、４-（３'-フェニルフェニル）フェニル基、４-（２'-フェニルフェニル）フェニル基、３-（４'-フェニルフェニル）フェニル基、３-（３'-フェニルフェニル）フェニル基、３-（２'-フェニルフェニル）フェニル基、２-（４'-フェニルフェニル）フェニル基、２-（３'-フェニルフェニル）フェニル基、２-（２'-フェニルフェニル）フェニル基
【００４８】
（３）−２群：４-〔４'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、
３-〔４'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔２'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔２'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔２'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、
２-〔４'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔４'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔４'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔３'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔３'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔３'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔２'-（４”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔２'-（３”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基、２-〔２'-（２”-フェニルフェニル）フェニル〕フェニル基
【００４９】
（３）−３群：４-（４'-メチルフェニル）フェニル基、４-（４'-エチルフェニル）フェニル基、４-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル基、４-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル基、４-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル基、４-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル基、４-〔４'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔３'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基、
４-〔２'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、４-〔２'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基、
３-〔４'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基、
３-〔３'-（４'-メチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-エチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-iso-プロピルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-tert-ブチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-シクロペンチルフェニル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（４'-シクロヘキシルフェニル）フェニル〕フェニル基
【００５０】
（３）−４群：２-フェニル-９,９-ジメチル-９Ｈフルオレン-７-イル基、４-（９',９'-ジメチル-９Ｈフルオレン-２-イル）フェニル基、１１,１１,１２,１２-テトラメチル-１１,１２ジヒドロインデノ［２,１-ａ］フルオレン-２-イル基、６,６,１２,１２-テトラヒドロ-６,１２-ジヒドロインデノ［１,２-ｂ］フルオレン-４-イル基、９-フェニル-７,７-ジメチル-７Ｈ-ベンゾ［ｃ］フルオレン-５-イル基、５-フェニル-７,７-ジメチル-７Ｈ-ベンゾ［ｃ］フルオレン-９-イル基、４-（７',７'-ジメチル-７'Ｈ-ベンゾ［ｃ］フルオレン-５'-イル）フェニル基、
４-（７',７'-ジメチル-７'Ｈ-ベンゾ［ｃ］フルオレン-９'-イル）フェニル基、７-（４'-フェニルフェニル）-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-７イル基、
４-〔４'-（９”,９”-ジメチル-９”Ｈ-フルオレン-２”-イル）フェニル〕フェニル基、７-（９',９'-ジメチル-９'Ｈ-フルオレン-２'-イル）-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-２-イル基、７-（３'-フェニルフェニル）-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-７-イル基、７-（２'-フェニルフェニル）-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-７-イル基、４-〔３'-（９”,９”-ジメチル-９”Ｈ-フルオレン-２”-イル）フェニル〕フェニル基、３-〔４'-（９”,９”-ジメチル-９”Ｈ-フルオレン-２”-イル）フェニル〕フェニル基、３-〔３'-（９”,９”-ジメチル-９”Ｈ-フルオレン-２”-イル）フェニル〕フェニル基
【００５１】
（３）−５群：４-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、４-（４'-フェニルナフタレン-１-イル）フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、４-（４'-フェニルナフタレン-１'-イル）ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、５-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-１-イル基、４-（５'-フェニルナフタレン）フェニル基、５-〔４'-（１”-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、５-（４'-フェニルナフタレン-１'-イル）ナフタレン-１-イル基、４-〔５'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、４-〔４'-（９”-フェナントリル）フェニル〕フェニル基、４-〔４'-（９”-フェナントリル）フェニル〕ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（２”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕ナフタレン-１-イル基、４-〔４'-（９”-フェナントレン）ナフタレン-１'-イル〕フェニル基、４-〔４'-（１”-ナフチル）ナフタレン-１'-イル〕ナフタレン-１-イル基、６-（４'-フェニルフェニル）ナフタレン-２-イル基、４-（６'-フェニルナフタレン-２'-イル）フェニル基、
４-〔４'-（２”-ナフチル）フェニル〕フェニル基、６-（６'-フェニルナフタレン-２'-イル）ナフタレン-２-イル基、６-〔４'-（２”-ナフチル）フェニル〕ナフタレン-２-イル基
【００５２】
（３）−６群：１-ナフチル基、９-フェナントリル基、４-フェニルフェニル基、２-アントラセニル基、テトラフェン-９-イル基
【００５３】
一般式（３）は、好ましくは上記（３）−１群、（３）−２群、（３）−４群、（３）−５群および（３）−６群を挙げることができ；より好ましくは（３）−１群、（３）−２群および（３）−５群を挙げることができる。
【００５４】
一般式（１）におけるｍが２の場合の、２つの置換基Ｂの組み合わせは、好ましくは、「（３）−１群と（３）−１群」、「（３）−１群と（３）−２群」、「（３）−１群と（３）−３群」、「（３）−１群と（３）−４群」、「（３）−１群と（３）−５群」、「（３）−１群と（３）−６群」、「（３）−２群と（３）−２群」、「（３）−２群と（３）−３群」、「（３）−２群と（３）−４群」、「（３）−２群と（３）−５群」、「（３）−２群と（３）−６群」、「（３）−４群と（３）−４群」、「（３）−４群と（３）−５群」、「（３）−５群と（３）−５群」の組み合わせであり；より好ましくは、「（３）−１群と（３）−１群」、「（３）−１群と（３）−２群」、「（３）−１群と（３）−５群」、「（３）−２群と（３）−２群」、「（３）−２群と（３）−５群」、「（３）−５群と（３）−５群」の組み合わせである。
【００５５】
本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体の具体例としては、以下の化合物を挙げることができる。
【００５６】
【化８】
2010222268.tif 000009
【００５７】
【化９】
2010222268.tif 000010
【００５８】
【化１０】
2010222268.tif 000011
【００５９】
【化１１】
2010222268.tif 000012
【００６０】
【化１２】
2010222268.tif 000013
【００６１】
本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体は、それ自体公知の方法により製造することができる。例えば、一般式（１）においてｎが１であり、ｍが２である芳香族アミン誘導体は、以下に示す方法により製造することができる。すなわち、一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般式（ＩＩ）で表される芳香族アミン化合物とを、１：１の当量比で反応させることにより、一般式（１）においてｎが１であり、ｍが２である一般式（１ａ）で表される芳香族アミン誘導体を製造することができる。
【化１３】
2010222268.tif 000014
【００６２】
一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｒ２およびＲ３、Ａｒ１およびＡｒ２は、一般式（２）と同様に定義され、Ｌ１はハロゲン原子を表す。一般式（ＩＩ）におけるＢおよびＢ’は一般式（１）のＢと同様に定義される。
【００６３】
また、本発明の一般式（１）におけるｎが１であり、ｍが２である芳香族アミン誘導体は、一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族アミン化合物とを、１：１の当量比で反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表される化合物を製造し；その後、一般式（Ｖ）で表される芳香族ハロゲン化合物と反応させることにより、一般式（１ａ）で表される芳香族アミン誘導体を製造することができる。
【００６４】
【化１４】
2010222268.tif 000015
【００６５】
一般式（Ｉ）および（ＩＶ）におけるＲ１、Ｒ２およびＲ３、Ａｒ１およびＡｒ２は、一般式（２）と同様に定義される。一般式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）におけるＢは、一般式（１）のＢと同様に定義される。一般式（Ｖ）におけるＬ２は、ハロゲン原子を表す。一般式（Ｖ）におけるＢ’は、Ｂと同様に定義される。ＢとＢ’は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
【００６６】
本発明の一般式（１）におけるｎが２であり、ｍが１である芳香族アミン誘導体は、以下の方法により製造することができる。すなわち、一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般式（ＶＩ）で表される芳香族アミン化合物を、２：１の当量比で反応させることにより、一般式（１）におけるｎが２であり、ｍが１である一般式（１ｂ）で表される芳香族アミン誘導体を製造することができる。
【００６７】
【化１５】
2010222268.tif 000016
【００６８】
一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｒ２およびＲ３、Ａｒ１およびＡｒ２は、一般式（２）と同様に定義される。Ｌ１はハロゲン原子を表す。一般式（ＶＩ）において、Ｂは一般式（１）のＢと同様に定義される。
【００６９】
また、一般式（１）において、ｎが２であり、ｍが１である芳香族アミン誘導体は、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物と、一般式（ＶＩＩＩ）で表される芳香族ハロゲン化合物を反応させる方法によっても製造することができる。
【化１６】
2010222268.tif 000017
【００７０】
一般式（ＶＩＩ）におけるＲ１、Ｒ２およびＲ３、Ａｒ１およびＡｒ２は、一般式（２）と同様に定義される。Ｒ１’、Ｒ２’およびＲ３’、Ａｒ１’およびＡｒ２’は、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３、Ａｒ１およびＡｒ２と同様に定義される。Ｒ１とＲ１’、Ｒ２とＲ２’、Ｒ３とＲ３’、Ａｒ１とＡｒ１’、Ａｒ２とＡｒ２’は、それぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。一般式（ＶＩＩＩ）におけるＬ３は、ハロゲン原子を表し、Ｂは一般式（１）のＢと同様に定義される。
【００７１】
一般式（Ｉ）で表される化合物と一般式（ＩＩ）で表される芳香族アミン化合物との反応；一般式（Ｉ）で表される化合物と一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族アミン化合物との反応；一般式（ＩＶ）で表される化合物と一般式（Ｖ）で表される芳香族ハロゲン化合物との反応；一般式（Ｉ）で表される化合物と一般式（ＶＩ）で表される芳香族アミン化合物との反応；一般式（ＶＩＩ）で表される化合物と一般式（ＶＩＩＩ）で表される芳香族ハロゲン化合物との反応は、例えば、ａ）パラジウム触媒〔例えば、酢酸パラジウム／トリt-ブチルホスフィン、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム／ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム／ジ（t-ブチル）-２-ビフェニルホスフィン〕、および塩基（例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、t-ブトキシナトリウム、t-ブトキシカリウム）の存在下に反応させる方法、もしくは、ｂ）銅触媒（例えば、銅粉、塩化銅、臭化銅）および塩基（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム）の存在下に反応させる方法により実施することができる。
【００７２】
有機電界発光素子
次に、本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極（陽極と陰極）間に、少なくとも発光層を含む機能層を挟持する。機能層には、発光層に使用する化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入成分を含有する正孔注入輸送層および／または電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層などの電荷注入輸送層が含まれていてもよい。機能層に含まれる層のうちの少なくとも一層に、一般式（１）で表される化合物の少なくとも一種が含まれる。
【００７３】
発光層に含まれる化合物の正孔注入機能や正孔輸送機能が良好な場合には、発光層自体が正孔注入輸送層としての機能を発揮する。また、発光層に含まれる化合物の電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層自体が電子注入輸送層としの機能を発揮する。したがって、発光層に正孔注入輸送層および電子注入輸送層としての機能を付与して、「一層型」の素子構成とすることもできる。
【００７４】
一方、発光層に含まれる化合物の正孔注入機能や正孔輸送機能が充分でない場合には、発光層の陽極側に正孔注入輸送層を設けた「二層型」の素子構成とすることができ；発光層に含まれる化合物の電子注入機能や電子輸送機能が充分でない場合には、発光層の陰極側に電子注入輸送層を設けた「二層型」の素子構成とすることができる。さらに、発光層を、正孔注入輸送層と電子注入輸送層で挟み込んだ「三層型」の素子構成とすることもできる。
【００７５】
また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよい。例えば、正孔注入輸送層および電子注入輸送層のそれぞれは、注入機能を有する層と輸送機能を有する層とに分けてもよい。
【００７６】
本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）で表される化合物は、電荷注入輸送層（正孔注入輸送層および電子注入輸送層の一方または両方）、および／または発光層に含まれていることが好ましく、発光層に含まれていることがより好ましい。本発明の有機電界発光素子の機能層に含まれる一般式（１）で表される化合物は、一種単独であってもよく、複数種であってもよい。
【００７７】
より具体的に、本発明の有機発光素子の構造の例が図１〜図８に示されるが、特にこれらに限定されるわけではない。
【００７８】
図１には、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−１）が；図２には、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−２）が；図３には、基板１／陽極２／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−３）が；図４には、基板１／陽極２／発光層４／陰極型６と、電源７を含む素子（ＥＬ−４）が示される。
【００７９】
図５Ａには、基板１／陽極２／正孔注入層３’／正孔輸送層３”／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ａ）が示される。
【００８０】
一方、図５Ｂには、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／正孔阻止層（電子輸送層）５’／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ｂ）が示される。
【００８１】
さらに、図５Ｃには、基板１／陽極２／正孔注入層３’／正孔輸送層３”／発光層４／正孔阻止層（電子輸送層）５’／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ｃ）が示される。
【００８２】
また、図６〜図８には、ＥＬ−４に類似する素子が示される。つまり、図６には、正孔注入輸送成分３ａと、発光成分４ａと、電子注入成分５ａとを混合させた発光層を一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−６）が；図７には、正孔注入輸送成分３ａと、発光成分４ａとを混合させた発光層を、一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−７）が；図８には、発光層として発光成分４ａと、電子注入輸送成分５ａを混合させた発光層を、一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−８）が示される。
【００８３】
本発明の有機電界発光素子の好ましい素子構成は、（ＥＬ−１）型素子、（ＥＬ−２）型素子、（ＥＬ−３）型素子、（ＥＬ−５Ａ）型素子、（ＥＬ−５Ｂ）型素子、（ＥＬ−５Ｃ）型素子、（ＥＬ−６）型素子または（ＥＬ−７）型素子であり；より好ましい素子構成は、（ＥＬ−１）型素子、（ＥＬ−２）型素子、（ＥＬ−５Ａ）型素子、（ＥＬ−５Ｂ）型素子、（ＥＬ−５Ｃ）型素子または（ＥＬ−７）型素子である。
【００８４】
もちろん、本発明の有機電界発光素子の素子構成は、これらに限定されるものではない。それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層をそれぞれ、複数設けてもよい。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、発光成分と正孔注入輸送成分の混合層を設けてもよく、電子注入輸送層と発光層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けてもよい。
【００８５】
以下、本発明の有機電界発光素子の構成要素のそれぞれについて詳細に説明する。例として図１に示す（ＥＬ−１）型素子を参照する。（ＥＬ−１）型素子において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。
【００８６】
本発明の有機電界発光素子は、基板１に支持されていることが好ましい。基板は透明または半透明であることが好ましく、その材質は特に限定されない。基板の材質の例には、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどのガラス；およびポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレンなどの透明性高分子が含まれる。また基板は、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートであってもよい。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
【００８７】
陽極２の電極材料は、仕事関数の比較的大きい金属、合金または導電性化合物であることが好ましい。陽極の電極材料の例には、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド：Indium Tin Oxide）、ポリチオフェン、ポリピロールなどが含まれる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極材料を、蒸着法、スパッタリング法などの方法により、基板の上に成膜して形成することができる。
【００８８】
陽極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。陽極のシート電気抵抗は、数百Ω／□以下であることが好ましく、５〜５０Ω／□程度であることがより好ましい。陽極の厚みは、その電極材料の材質にもよるが、一般に約５〜１０００ｎｍ、より好ましくは約１０〜５００ｎｍに設定する。
【００８９】
正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
【００９０】
本発明の電界発光素子の正孔注入輸送層は、一般式（１）で表される化合物、および他の正孔注入輸送機能を有する化合物のいずれか一方または両方を含有する。正孔注入輸送層に含まれる正孔注入輸送機能を有する化合物は、１種単独でもよく、または複数種でもよい。
【００９１】
一般式（１）で表される化合物以外の正孔注入輸送機能を有する化合物の例には、フタロシアニン誘導体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ-Ｎ-ビニルカルバゾールなどが含まれる。トリアリールアミン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体がより好ましい。
【００９２】
一般式（１）で表される化合物以外の正孔注入輸送機能を有する化合物のうち、トリアリールアミン誘導体の例には、例えば、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（４''-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３''-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３''-メトキシフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（１''-ナフチル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、３,３'-ジメチル-４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３''-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、１,１-ビス〔４'-［Ｎ,Ｎ-ジ（４''-メチルフェニル）アミノ］フェニル〕シクロヘキサン、９,１０-ビス〔Ｎ-（４'-メチルフェニル）-Ｎ-（４''-ｎ-ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３,８-ビス（Ｎ,Ｎ-ジフェニルアミノ）-６-フェニルフェナントリジン、４-メチル-Ｎ,Ｎ-ビス〔４'',４'''-ビス［Ｎ',Ｎ'-ジ（４-メチルフェニル）アミノ］ビフェニル-４-イル〕アニリン、Ｎ,Ｎ'-ビス〔４-（ジフェニルアミノ）フェニル〕-Ｎ,Ｎ'-ジフェニル-１,３-ジアミノベンゼン、Ｎ,Ｎ'-ビス〔４-（ジフェニルアミノ）フェニル〕-Ｎ,Ｎ'-ジフェニル-１,４-ジアミノベンゼン、５,５''-ビス〔４-（ビス［４-メチルフェニル］アミノ〕フェニル-２,２':５',２''-ターチオフェン、１,３,５-トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４,４',４''-トリス（Ｎ-カルバゾリイル）トリフェニルアミン、４,４',４''-トリス〔Ｎ,Ｎ-ビス（４'''-tert-ブチルビフェニル-４''''-イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１,３,５-トリス〔Ｎ-（４'-ジフェニルアミノ〕ベンゼンなどが含まれる。
【００９３】
一般式（１）で表される化合物と、他の正孔注入機能を有する化合物とを併用する場合、正孔注入輸送層中に占める一般式（１）で表される化合物の含有量は、好ましくは、０．１重量％以上、より好ましくは、０．５〜９９．９重量％、さらに好ましくは３〜９７重量％である。
【００９４】
発光層４は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発光層は、一般式（１）で表される化合物および他の発光機能を有する化合物の一方または両方を含有することが好ましい。本発明の有機電界発光素子の発光層に、一般式（１）で表される化合物が含有されていることがより好ましい。発光層には、発光機能を有する化合物の１種または２種以上が含まれる。
【００９５】
一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物には、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカサイクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、９,１０-ジフェニルアントラセン、９,１０-ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１,４-ビス（９'-エチニルアントセニル）ベンゼン、４,４'-ビス（９''-エチニルアントラセニル）ビフェニル、ジベンゾ［f,f］ジインデノ［1,2,3-cd：1',2',3'-lm］ペリレン誘導体〕、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体〔例えば、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０-ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム、２-（２'-ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４-ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、３-ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、５-ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５-ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、１,１,４,４-テトラフェニル-１,３-ブタジエン、４,４'-ビス（２,２-ジフェニルビニル）ビフェニル、４,４'-ビス［（１,１,２-トリフェニル）エテニル］ビフェニル〕、クマリン誘導体（例えば、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００）、ピラン誘導体（例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２）、アントラセン誘導体〔例えば、９,１０-ビス（２'-ナフチル）アントラセン誘導体、９,１０-ビス（１',１''-ビス-３'-ビフェニル）アントラセン誘導体〕、オキサゾン誘導体（例えば、ナイルレッド）、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ-Ｎ-ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などが含まれる。
トリアリールアミン誘導体の例には、前述の正孔注入輸送機能を有する化合物として例示したトリアリールアミン誘導体が含まれる。
【００９６】
一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物は、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体およびスチルベン誘導体が好ましく、多環芳香族化合物、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体であることがより好ましい。
【００９７】
発光層に、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物の両方が含有される場合、発光層中に占める一般式（１）で表される化合物の割合は、６０〜９９．９９９重量％であることが好ましい。
【００９８】
また、本発明の有機電界発光素子の発光層には、一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物として、燐光（三重項発光）性発光材料が含まれることが好ましい。発光層に含まれる燐光発光材料は、１種類でも複数種類でもよい。
【００９９】
燐光発光材料は、例えば、下記一般式（ａ−１）または一般式（ａ−２）で表される化合物を挙げることができるが、特に限定されるものではない。
【０１００】
【化１７】
2010222268.tif 000018
【０１０１】
一般式（ａ−１）におけるＡ１は、５員または６員の含窒素複素環を形成するための原子群を表し；Ａ２は、５員または６員の環状構造を形成するための原子群を表す。Ｍ１は、ｍｄ価の金属原子を表し；ＬｇおよびＬｇ’は、Ｍ１に配位可能な原子を表し、ＬｇおよびＬｇ’の間の点線は結合を形成していてもよく、それぞれ分離していても良いことを表す。ｎｄは、１〜ｍｄの整数を表す。
【０１０２】
一般式（ａ−２）におけるＶ１〜Ｖ８は、水素原子、あるいはアルキル基またはアリール基を表し；Ｙ１〜Ｙ４は、Ｃ−Ｖ９（ここでＶ９は、水素原子または、アルキル基、あるいは、アリール基から選ばれる置換基を表す）、あるいは窒素原子を表す。Ｍ２は、金属原子を表す。
【０１０３】
一般式（ａ−１）におけるＭ１の例には、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金などが含まれる。
【０１０４】
一般式（ａ−１）におけるＡ１は、置換基を有していてもよい含窒素複素環基を形成する原子群を表す。形成される含窒素複素環基の例には、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジン基、トリアジン基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリン基、およびフェナントリレン基などが含まれる。
【０１０５】
一般式（ａ−１）におけるＡ２は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を形成する原子群を表す。形成される芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基の例には、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、およびイソキノリル基などが含まれる。
【０１０６】
一般式（ａ−１）におけるＡ１およびＡ２が有していてもよい置換基の例には、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基；ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基などが含まれる。
【０１０７】
一般式（ａ−１）および一般式（ａ−２）で表される燐光発光材料の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。
【化１８】
2010222268.tif 000019
【０１０８】
一般式（１）で表される化合物および／または一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物をホスト化合物として発光層を形成する場合、ホスト化合物に対する燐光発光材料の含有量は、０．００１から４０重量％であることが好ましく、０．０１〜３０重量％であることがより好ましく、０．１〜２０重量％であることがさらに好ましい。
【０１０９】
発光層に含まれる一般式（１）以外の発光機能を有する化合物の量は、一般式（１）で表される化合物に対して、通常は０．００１〜４０重量％であり、０．０５〜３０重量％であることが好ましく、０．１〜２０重量％であることがより好ましい。
【０１１０】
本発明の有機電界発光素子における電子注入輸送層は、発光層の陰極側に直接接触して配置されてもよく；また発光層の陰極側に電子輸送層（正孔阻止層）を介して配置されてもよい。
【０１１１】
正孔阻止層は、発光層に注入された正孔を発光層中に効率よく蓄積することを目的として、電子との再結合確立を向上させて、発光の高効率化を達成する。正孔阻止層に含まれる成分の例には、フェアントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、ビス（２-メチルキノリノラト）（４-フェニルフェノラート）アルミニウムなどが含まれる。
【０１１２】
電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注入を容易にする機能および／または注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する。
【０１１３】
電子注入輸送層５は、一般式（１）で表される化合物、および他の電子注入輸送機能を有する化合物の一方または両方を含む。また電子注入輸送層５には、電子注入機能を有する化合物の１種または２種以上が含まれている。
【０１１４】
一般式（１）で表される化合物以外の電子注入輸送機能を有する化合物の例には、有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、フェナントロリン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体などが含まれる。
【０１１５】
有機金属錯体の例には、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、ビス（１０-ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム等の有機ベリリウム錯体、５-ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５-ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩等が含まれる。
【０１１６】
電子注入輸送層５には、有機アルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、またはベンゾトリアゾール誘導体が含まれることが好ましいが、特に限定されない。
【０１１７】
有機アルミニウム錯体としては、置換または未置換の８-キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体であることが好ましい。置換または未置換の８-キノリラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の例には、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物が含まれる。
【０１１８】
（Ｑ）３−Ａｌ  ・・・（ａ）
（式（ａ）において、Ｑは置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表す）
（Ｑ）２−Ａｌ−Ｏ−Ｌ’  ・・・（ｂ）
（式（ｂ）において、Ｑは置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表し、
Ｏ−Ｌ’はフェノラート配位子を表し、Ｌ’はフェニル基を有する炭素数６〜２４の炭化水素基を表す）
（Ｑ）２−Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）２  ・・・（ｃ）
（式（ｃ）において、Ｑは置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表す）
【０１１９】
置換または未置換の８-キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の具体例には、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（５-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（３,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４,５-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４,６-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（４-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（４-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,３-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,６-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,４-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,５-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,５-ジ-tert-ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,６-ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,６-トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,６-トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,５,６-テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（１-ナフトラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-ナフトラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（２-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（４-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３,５-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３,５-ジ-tert-ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-４-エチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-４-エチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-４-メトキシ-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-４-メトキシ-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-５-シアノ-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-５-シアノ-８-キノリノラート）ア���ミニウム、ビス（２-メチル-５-トリフルオロメチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-５-トリフルオロメチル-８-キノリノラート）アルミニウムなどが含まれる。
【０１２０】
陰極６の電極材料は、比較的仕事関数の小さい金属、合金または導電性化合物であることが好ましい。陰極の電極材料の例には、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、リチウムフルオライド、安息香酸リチウム、酢酸リチウム等の有機酸のリチウム塩、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄などが含まれる。これらの電極材料を１種単独で使用してもよく、また複数種を併用してもよい。陰極は、これらの電極材料を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法により電子注入輸送層の上に成膜することにより形成することができる。
【０１２１】
陰極は、一層構造であってもよく、多層構造であってもよい。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／□以下とするのが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極材料にもよるが、通常は５〜１０００ｎｍであり、１０〜５００ｎｍであることが好ましい。
【０１２２】
本発明の有機電界発光素子からの発光を高率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は、透明ないし半透明であることが好ましい。一般に、発光光の透過率が７０％以上となるように、陽極または陰極の材料、厚みを設定することが好ましい。
【０１２３】
また、本発明の有機電界発光素子の正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層のうちの少なくとも一層に、一重項酸素クエンチャーを含有していてもよい。一重項酸素クエンチャーが含有されている層は、好ましくは発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは正孔注入輸送層である。正孔注入輸送層中に、一重項酸素クエンチャーを均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層または発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させてもよい。
【０１２４】
一重項酸素クエンチャーの例には、ルブレン、ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなど含まれ、好ましくはルブレンであるが、特に限定されるものではない。一重項酸素クエンチャーの含有量は、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは０．０５〜３０重量％、より好ましくは０．１〜２０重量％である。
【０１２５】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層は、任意の方法で形成すればよく、特に限定されない。形成方法の例には、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、デイップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロジェット法、インクジェット法）などが含まれる。
【０１２６】
真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する場合には、通常、１０−３Ｐａ程度以下の真空下で、ボート温度（蒸着源温度）を約５０〜５００℃として、基板温度を約−５０〜３００℃として、蒸着速度を約０．００５〜５０ｎｍ／secとして実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の層は、真空下で、連続して形成されることが好ましい。連続形成することにより、諸特性に優れた有機電界発光素子を製造することが可能となる。真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、蒸着することが好ましい。
【０１２７】
溶液塗布法により各層を形成する場合、各層を形成する成分、および必要に応じてバインダー樹脂を、溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒は、有機溶媒であっても、水であってもよい。有機溶媒の例には、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１-メチルナフタレン等の炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチル等のエステル系溶媒；メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソール等のエーテル系溶媒；Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ-ジメチルアセトアミド、１-メチル-２-ピロリドン、１,３-ジメチル-２-イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒が含まれる。溶媒は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
【０１２８】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層の成分を溶媒に分散させるには、例えば、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、アトライター、ホモジナイザーなどを使用して微粒子状に分散する方法を使用することができる。
【０１２９】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成するための塗布液に含まれるバインダー樹脂の例には、ポリ-Ｎ-ビニルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルホン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などの高分子化合物を挙げることができる。バインダー樹脂は単独で使用してもよく、また、複数併用してもよい。
【０１３０】
塗布液の固体成分濃度は特に限定されず、所望の厚みを得るために適した濃度範囲に設定する。通常は０．１〜５０重量％、好ましくは１〜３０重量％である。
バインダー樹脂を使用する場合、塗布液におけるその含有量は特に限定されない。正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する成分の合計に対するバインダー樹脂の含有率は、通常は５〜９９．９重量％であり、好ましくは１０〜９９重量％である。
【０１３１】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
【０１３２】
本発明の有機電界発光素子は、酸素や水分等との接触を防止する目的で、保護層（封止層）を有していてもよいし、また不活性物質中（例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカーボン油）に封入されて保護されてもよい。保護層の材料は、有機高分子材料であっても、無機材料であってもよい。有機高分子材料の例には、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイドなどが含まれる。光硬化性樹脂であってもよい。無機材料の例には、ダイアモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物が含まれる。
【０１３３】
保護層に使用する材料は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。保護層は一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
【０１３４】
また、本発明の有機電界発光素子の電極に、保護膜として金属酸化物膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、または金属フッ化膜を設けてもよい。本発明の有機電界発光素子の陽極の表面に、界面層（中間層）を設けてもよい。界面層の材質の例には、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体などが含まれる。さらに、電極（例えば、陽極）は、その表面を、酸、アンモニア／過酸化水素、あるいはプラズマで処理されていてもよい。
【０１３５】
本発明の有機電界発光素子は、通常、直流駆動型の素子として使用することができるが、交流駆動型の素子としても使用することができる。本発明の有機電界発光素子は、セグメント型、単純マトリック駆動型等のパッシブ駆動型であってもよく、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）型、ＭＩＭ（メタル−インスレーター−メタル）型等のアクティブ駆動型であってもよい。駆動電圧は通常、２〜３０Ｖである。
【０１３６】
本発明の有機電界発光素子は、パネル型光源（例えば、時計、液晶パネル等のバックライト）、照明装置（平面照明、特殊照明等）、各種の発光素子（例えば、ＬＥＤ等の発光素子の代替）、各種の表示素子〔例えば、情報表示素子（パソコンモニター、携帯電話・携帯端末用表示素子）〕、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。
【実施例】
【０１３７】
以下、本発明を合成例及び実施例に基づいてさらに詳細に説明する。本発明の範囲は、これによって限定して解釈されない。
【０１３８】
製造した中間体１〜１３の構造式は下記の通りである。
【化１９】
2010222268.tif 000020
【０１３９】
合成例１（中間体１の製造）
３,５-ジブロモクロロベンゼン２４．０ｇ（９０ｍｍｏｌ）、４-ビフェニルボロン酸３７．４ｇ（１８９ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム３８．２ｇ、トルエン３６０ｇ、水１８０ｇよりなる混合物に、アルゴン気流下、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．２ｇを添加し、８０℃に加熱して、８時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温に冷却し、有機層を分液し、有機層からトルエンを減圧下に留去し、残渣をメチルセロソルブから再結晶して、３３．０ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１と同定した。
【０１４０】
合成例２（中間体２の製造）
合成例１において、４-ビフェニルボロン酸３７．４ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、３-ビフェニルボロン酸３７．４ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１に記載の操作に従い、３１．８ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により中間体２と同定した。
【０１４１】
合成例３（中間体３の製造）
合成例１において、４-ビフェニルボロン酸３７．４ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、１-ナフタレンボロン酸３２．５ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１に記載の操作に従い、２５．９ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により中間体３と同定した。
【０１４２】
合成例４（中間体４の製造）
合成例１において、４-ビフェニルボロン酸３７．４ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、２-ナフタレンボロン酸３７．４ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１に記載の操作に従い、３２．１ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により中間体４と同定した。
【０１４３】
合成例５（中間体５の製造）
合成例１において、４-ビフェニルボロン酸３７．４ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-２-ボロン酸４５．０ｇ（１８９ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１に記載の操作に従い、３７．９ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により中間体５と同定した。
【０１４４】
合成例６（中間体６の製造）
４-（４'-ヨードフェニル）ブロモベンゼン３５．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）、トルエン３００ｍＬおよび２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１５０ｍＬよりなる混合物に、アルゴン気流下、テトラキス（トリフェニルフォスフィン)パラジウム２．３１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱攪拌した。反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去し、有機層からトルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶２９．４gを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体６と同定した。
【０１４５】
合成例７（中間体７の製造）
合成例６において、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、９-フェナントレンボロン酸２３．３ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例６に記載の操作に従い、白色結晶３２．３ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体７と同定した。
【０１４６】
合成例８（中間体８の製造）
合成例６において、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-ビフェニルボロン酸２０．８ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例６に記載の操作に従い、白色結晶２８．９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体８と同定した。
【０１４７】
合成例９（中間体９の製造）
合成例６において、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-２-ボロン酸２５．０ｇを使用した以外は、合成例６に記載の操作に従い、白色結晶３３．１ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体９と同定した。
【０１４８】
合成例１０（中間体１０の製造）
合成例６において、１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、３-ビフェニルボロン酸２０．８ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例６に記載の操作に従い、白色結晶２８．９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１０と同定した。
【０１４９】
合成例１１（中間体１１の製造）
合成例６において、４-（４'-ヨードフェニル）ブロモベンゼン３５．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）および１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）および９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン-２-ボロン酸２５．０ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例６に記載の操作に従い、白色結晶２７．９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１１と同定した。
【０１５０】
合成例１２（中間体１２の製造）
合成例６において、４-（４'-ヨードフェニル）ブロモベンゼン３５．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）および１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）および３-ビフェニルボロン酸２０．８ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例６に記載の操作に従い、白色結晶２５．９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１２と同定した。
【０１５１】
合成例１３（中間体１３の製造）
合成例６において、４-（４'-ヨードフェニル）ブロモベンゼン３５．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）および１-ナフタレンボロン酸１８．６ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）および９-フェナントレンボロン酸２３．３ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例６に記載の操作に従い、白色結晶２６．０ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１３と同定した。
【０１５２】
製造した中間体Ａｍ１〜Ａｍ１０の構造式は下記の通りである。
【化２０】
2010222268.tif 000021
【０１５３】
合成例１４（中間体Ａｍ１の製造）
アルゴン気流下、４-ブロモ-ｐ-ターフェニルを１５．４ｇ（５０ｍｍｏｌ）、４-アミノ-ｐ-ターフェニルを１２．２ｇ（５０ｍｍｏｌ）、ナトリウム-ｔert-ブトキシド６．５ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）２３０ｍｇ（アルドリッチ社製）、トリ-ｔert-ブチルホスフィン１１０ｍｇ及び脱水トルエン２５０ｍＬを入れ、８０℃にて８時間反応した。冷却後、水１．２Ｌを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、トルエンで再結晶し、１４．３ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ１と同定した。
【０１５４】
合成例１５（中間体Ａｍ２の製造）
合成例１４において、４-アミノ-ｐ-ターフェニル１２．２ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、９-アミノフェナントレン９．７ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１４に記載の操作に従い、１２．１ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ２と同定した。
【０１５５】
合成例１６（中間体Ａｍ３の製造）
合成例１４において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル１５．４ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、４-（１'-ナフチル）ブロモベンゼン１４．１ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用した以外は合成例１４に記載の操作に従い、１１．７ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ３と同定した。
【０１５６】
合成例１７（中間体Ａｍ４の製造）
合成例１４において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル１５．４ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、２-ヨード-９,９-ジメチル-９Ｈ-フルオレン１６．０ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用した以外は合成例１４に記載の操作に従い、１４．４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ４と同定した。
【０１５７】
合成例１８（中間体Ａｍ５の製造）
アルゴン気流下、ビス（４-ブロモフェニル）アミン３２．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）、９-フェナントレニルホウ酸４４．４ｇ（２００ｍｍｏｌ）、炭酸水素ナトリウム３４．０ｇ、テトラキス（トリフェニルオスフィン）パラジウム１．０ｇ、トルエン５００ｇおよび水２５０ｇよりなる混合物を８０℃に加熱して、７時間加熱攪拌した。その後反応混合物を室温に冷却し、精製した固体をろ別し、トルエンに加熱溶解させたのち、熱時ろ過し、ろ液を冷却し、生じた固体をろ別し、３０．５ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ５と同定した。
【０１５８】
合成例１９（中間体Ａｍ６の製造）
アルゴン気流下、ビス（４-ブロモフェニル）アミン３２．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）、３-ビフェニルボロン酸３９．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）、炭酸水素ナトリウム３４．０ｇ、テトラキス（トリフェニルオスフィン）パラジウム１．０ｇ、トルエン５００ｇおよび水２５０ｇよりなる混合物を８０℃に加熱して、１６時間加熱攪拌した。その後反応混合物を室温に冷却し、有機層を分液し、有機層からトルエンを減圧下に留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにより精製し２６．８ｇの無色の結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ６と同定した。
【０１５９】
合成例２０（中間体Ａｍ７の製造）
合成例１９において、３-ビフェニルボロン酸３９．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、２-ビフェニルボロン酸３９．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１９に記載の操作に従い、２４．７ｇの無色のガラス状固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ７と同定した。
【０１６０】
合成例２１（中間体Ａｍ８の製造）
合成例１４において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル１５．４ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、２０．８ｇ（５０ｍｍｏｌ）の中間体１を使用した以外は、合成例１４に記載の操作に従い、２２．２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ８と同定した。
【０１６１】
合成例２２（中間体Ａｍ９の製造）
合成例１４において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル１５．４ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、２０．８ｇ（５０ｍｍｏｌ）の中間体２を使用した以外は、合成例１４に記載の操作に従い、２０．８ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ９と同定した。
【０１６２】
合成例２３（中間体Ａｍ１０の製造）
合成例１４において、４-ブロモ-ｐ-ターフェニル１５．４ｇ（５０ｍｍｏｌ）を使用する代わりに、１８．２ｇ（５０ｍｍｏｌ）の中間体４を使用した以外は、合成例１４に記載の操作に従い、２０．９ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ａｍ１０と同定した。
【０１６３】
合成実施例１（化合物Ａ−１の製造）
４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１、４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１、ナトリウム-tert-ブトキシド１．３ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム５０ｍｇ、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン６０ｍｇ及びトルエン５０ｍＬよりなる混合物を、アルゴン気流下、１００℃にて１０時間加熱攪拌した。
【０１６４】
冷却後、水２００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、有機層からトルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、トルエンで再結晶し、３．４５ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：853（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８１，；Ｈ５．５５，；Ｎ１．６４
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．６，；Ｎ１．６
【０１６５】
合成実施例２（化合物Ａ−５の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１を使用する代わりに、３．６４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体３を使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、２．７０ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−５と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−５が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８０１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８５，；Ｈ５．４０，；Ｎ１．７５
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．４，；Ｎ１．８
【０１６６】
合成実施例３（化合物Ａ−１１の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１を使用する代わりに、４．９６ｇ（１０ｍｍｏｌ）中間体４を使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、３．６５ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−１１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−１１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９３３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．５７，；Ｈ５．９３，；Ｎ１．５０
分析値（％）；Ｃ９２．６，；Ｈ５．９，；Ｎ１．５
【０１６７】
合成実施例４（化合物Ａ−１４の製造）
合成実施例１において、４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．３７ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ４使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、４．１０ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−１４と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−１４が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８１７（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．５０，；Ｈ５．７９，；Ｎ１．７１
分析値（％）；Ｃ９２．５，；Ｈ５．８，；Ｎ１．７
【０１６８】
合成実施例５（化合物Ａ−１７の製造）
合成実施例１において、４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．７３ｇ（２０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ６を使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、３．２１ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−１７と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−１７が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８５３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８１，；Ｈ５．５５，；Ｎ１．６４
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．６，；Ｎ１．６
【０１６９】
合成実施例６（化合物Ａ−１８の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体２および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ６を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．２６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−１８と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−１８が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８５３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８１，；Ｈ５．５５，；Ｎ１．６４
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．６，；Ｎ１．６
【０１７０】
合成実施例７（化合物Ａ−２４の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．０８ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１２および６．２５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ９を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．４４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−２４と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−２４が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８５３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８１，；Ｈ５．５５，；Ｎ１．６４
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．６，；Ｎ１．６
【０１７１】
合成実施例８（化合物Ａ−２５の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体２および４．３７ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ４を使用した以外は、合成実施例１に記載の操作に従い、３．１０ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−２５と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−２５が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８１７（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．５０，；Ｈ５．７９，；Ｎ１．７１
分析値（％）；Ｃ９２．５，；Ｈ５．８，；Ｎ１．７
【０１７２】
合成実施例９（化合物Ａ−２７の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．６４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体４および４．４７ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ３を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．３５ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−２７と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−２７が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：７７５（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８７，；Ｈ５．３３，；Ｎ１．８１
分析値（％）；Ｃ９２．９，；Ｈ５．３，；Ｎ１．８
【０１７３】
合成実施例１０（化合物Ａ−２８の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１を使用する代わりに、３．６４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体４を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、２．６４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−２８と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−２８が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８０１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８５，；Ｈ５．４０，；Ｎ１．７５
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．４，；Ｎ１．８
【０１７４】
合成実施例１１（化合物Ａ−２９の製造）
合成実施例１において、４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．４７ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ３を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、４．２２ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−２９と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−２９が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８２７（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８３，；Ｈ５．４８，；Ｎ１．６９
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．５，；Ｎ１．７
【０１７５】
合成実施例１２（化合物Ａ−３１の製造）
合成実施例１において、４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ７を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．２０ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−３１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−３１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８５３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８１，；Ｈ５．５５，；Ｎ１．６４
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．６，；Ｎ１．６
【０１７６】
合成実施例１３（化合物Ａ−３５の製造）
合成実施例１において、４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．２１ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ２を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．０５ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−３５と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−３５が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８０１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８５，；Ｈ５．４０，；Ｎ１．７５
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．４，；Ｎ１．８
【０１７７】
合成実施例１４（化合物Ａ−４０の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．８４ｇ（１０ｍｍｏｌ）中間体１０および６．２５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ８を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．４５ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−４０と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−４０が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９２９（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．９７，；Ｈ５．５３，；Ｎ１．５１
分析値（％）；Ｃ９３．０，；Ｈ５．５，；Ｎ１．５
【０１７８】
合成実施例１５（化合物Ａ−４５の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１を使用する代わりに、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体２を用いた以外は合成実施例１に記載の操作に従い、２．８９ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−４５と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−４５が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８５３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８１，；Ｈ５．５５，；Ｎ１．６４
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．６，；Ｎ１．６
【０１７９】
合成実施例１６（化合物Ａ−５１の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体２および５．２１ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ５を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．３４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−５１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−５１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９０１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．２０，；Ｈ５．２５，；Ｎ１．５５
分析値（％）；Ｃ９３．２，；Ｈ５．３，；Ｎ１．５
【０１８０】
合成実施例１７（化合物Ａ−５４の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．８４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体８および６．２５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ９使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、２．８６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−５４と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−５４が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９２９（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．９７，；Ｈ５．５３，；Ｎ１．５１
分析値（％）；Ｃ９３．０，；Ｈ５．５，；Ｎ１．５
【０１８１】
合成実施例１８（化合物Ａ−６０の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．５８ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体６および６．２５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ８を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、４．３３ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−６０と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−６０が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９０３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．９９，；Ｈ５．４６，；Ｎ１．５５
分析値（％）；Ｃ９３．０，；Ｈ５．５，；Ｎ１．５
【０１８２】
合成実施例１９（化合物Ａ−６５の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．８４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体８および６．２５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ８を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．６７ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−６５と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−６５が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９２９（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．９７，；Ｈ５．５３，；Ｎ１．５１
分析値（％）；Ｃ９３．０，；Ｈ５．５，；Ｎ１．５
【０１８３】
合成実施例２０（化合物Ａ−７２の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．５８ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体６および５．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１０を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．５４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−７２と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−７２が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８５１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．０３，；Ｈ５．３２，；Ｎ１．６４
分析値（％）；Ｃ９３．０，；Ｈ５．３，；Ｎ１．７
【０１８４】
合成実施例２１（化合物Ａ−７５の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．０８ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体７および５．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１０を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．６３ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−７５と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−７５が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９０１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．２０，；Ｈ５．２５，；Ｎ１．５５
分析値（％）；Ｃ９３．２，；Ｈ５．３，；Ｎ３．５
【０１８５】
合成実施例２２（化合物Ａ−７８の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、４．２４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体９および５．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１０を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．４１ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−７８と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−７８が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９１７（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８８，；Ｈ５．６０，；Ｎ１．５３
分析値（％）；Ｃ９２．９，；Ｈ５．６，；Ｎ１．５
【０１８６】
合成実施例２３（化合物Ａ−８１の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．４８ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１１および５．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１０を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．２３ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−８１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−８１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８４１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．７１，；Ｈ５．６３，；Ｎ１．６６
分析値（％）；Ｃ９２．７，；Ｈ５．６，；Ｎ１．７
【０１８７】
合成実施例２４（化合物Ａ−８８の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．８４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体８および５．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１０を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．７５ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−８８と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−８８が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８７７（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．０１，；Ｈ５．３９，；Ｎ１．６０
分析値（％）；Ｃ９３．０，；Ｈ５．４，；Ｎ１．６
【０１８８】
合成実施例２５（化合物Ａ−９０の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．３２ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１３および６．２５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ９を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．６８ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−９０と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−９０が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８７７（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．０１，；Ｈ５．３９，；Ｎ１．６０
分析値（％）；Ｃ９３．０，；Ｈ５．４，；Ｎ１．６
【０１８９】
合成実施例２６（化合物Ａ−９１の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．６４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体４および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ７を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．１８ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−９１と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−９１が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８０１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８５，；Ｈ５．４０，；Ｎ１．７５
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．４，；Ｎ１．８
【０１９０】
合成実施例２７（化合物Ａ−９５の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．０８ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１２および６．２５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ９を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、３．４６ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ａ−９５と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ａ−９５が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：８５３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９２．８１，；Ｈ５．５５，；Ｎ１．６４
分析値（％）；Ｃ９２．８，；Ｈ５．６，；Ｎ１．６
【０１９１】
合成実施例２８（化合物Ｂ−３の製造）
７．６４ｇ（２１ｍｍｏｌ）の中間体３、４-アミノ-ｐ-ターフェニル２．７５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ナトリウム-tert-ブトキシド２．４９ｇ、酢酸パラジウム５０ｍｇ、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン１８０ｍｇ、キシレン７０ｍｌよりなる混合物をアルゴン気流下、１３０℃で１８時間加熱攪拌した。その後、反応混合物をメタノールに排出し、得られた個体をろ別した。さらに、キシレンに加熱溶解して、セライトろ過した後、冷却後に析出した結晶をろ別して、３．０８ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−３と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−３が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９０１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．２０，；Ｈ５．２５，；Ｎ１．５５
分析値（％）；Ｃ９３．２，；Ｈ５．２，；Ｎ１．６
【０１９２】
合成実施例２９（化合物Ｂ−１２の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．６４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体４および６．２５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ９を使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、２．９８ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−１２と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−１２が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９５３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．１４，；Ｈ５．３９，；Ｎ１．４７
分析値（％）；Ｃ９３．１，；Ｈ５．４，；Ｎ１．５
【０１９３】
合成実施例３０（化合物Ｂ−１４の製造）
合成実施例１において、４．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体１および４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、３．６４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体３および５．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１０使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、２．６９ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−１４と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−１４が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９０１（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．２０，；Ｈ５．２５，；Ｎ１．５５
分析値（％）；Ｃ９３．２，；Ｈ５．２，；Ｎ１．６
【０１９４】
合成実施例３１（化合物Ｂ−２３の製造）
合成実施例１において、４．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１を使用する代わりに、５．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）の中間体Ａｍ１０使用した以外は合成実施例１に記載の操作に従い、２．７４ｇの淡黄色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｂ−２３と同定した。さらに、この化合物を真空下（２×１０−４Ｐａ）で昇華精製したところ、１回の昇華精製で、ＨＰＬＣ分析において不純物ピークが確認されない高純度な化合物Ｂ−２３が得られた。
ＦＤ−ＭＳ：９５３（Ｍ＋）
元素分析：計算値（％）；Ｃ９３．１４，；Ｈ５．３９，；Ｎ１．４７
分析値（％）；Ｃ９３．１，；Ｈ５．４，；Ｎ１．５
【０１９５】
実施例１（有機電界発光素子の製造）
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、イソプロピルアルコールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスにより乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を２×１０−５Ｐａに減圧した。
【０１９６】
先ず、ＩＴＯ透明電極上に、Ｎ',Ｎ”-ビス［４-（Ｎ,Ｎ-ジフェニルアミノ）フェニル］-Ｎ',Ｎ”-ジフェニル-１,１'-ビフェニル-４,４'-ジアミンを０．３ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、第１の正孔注入輸送層を形成した。
【０１９７】
次に、第１の正孔注入輸送層上に例示化合物Ａ−１を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで１５ｎｍの厚さに蒸着し、第２の正孔注入輸送層を形成した。
【０１９８】
その後、４-〔１０'-（２”-ナフチル）アントラセン-９'-イル〕ジベンゾ［ｂ，ｄ］フランと、下記に示すドーパント化合物（ＢＤ−１）を、異なる蒸着源から蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃと蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃで、４０ｎｍの厚みに共蒸着して発光層を形成した。
【化２１】
2010222268.tif 000022
【０１９９】
次に、トリス（８-キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで１５ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。さらに、その上に、フッ化リチウムを、蒸着速度０．０２ｎｍ／ｓｅｃで０．５ｎｍの厚みに蒸着し；最後にアルミニウムを、蒸着速度２．０ｎｍ／ｓｅｃで１００ｎｍの厚さに蒸着して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
【０２００】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、電流密度４０ｍＡ／ｃｍ２の発光効率をトプコン社製ＢＭ−７輝度計を用いて測定した。有機電界発光素子からは青色の発光が観察された。さらに、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ２、５０℃、定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。
【０２０１】
実施例２〜１１（有機電界発光素子の製造）
実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ａ−１の代わりに、例示化合物Ａ−１１（実施例２）、Ａ−１７（実施例３）、Ａ−２８（実施例４）、Ａ−２９（実施例５）、Ａ−３５（実施例６）、Ａ−７２（実施例７）、Ａ−９０（実施例８）、Ｂ−３（実施例９）、Ｂ−１２（実施例１０）およびＢ−１４（実施例１１）を用いた以外は、実施例１に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。作成した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、電流密度４０ｍＡ／ｃｍ２での発光効率および駆動電圧を測定した。さらに、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ２、５０℃、定電流駆動での半減期を測定した。結果を表１に示す。
【０２０２】
比較例１〜４（有機電界発光素子の製造）
実施例１において、正孔輸送材料として例示化合物Ａ−１の代わりに比較化合物１〜比較化合物４を用いた以外は、実施例１に記載の操作に従い有機電界発光素子を作製した。得られた有機電界発光素子について、実施例１と同様に、発光効率および駆動電圧を測定し、さらに、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ２、５０℃、定電流駆動での半減期を測定した結果を表１に示す。
【０２０３】
【化２２】
2010222268.tif 000023
【０２０４】
【表１】
2010222268.tif 000024
【０２０５】
表１に示されるように、本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送材料とする有機電界発光素子は、発光効率が高く、かつ高温での駆動においても寿命が長い。さらに、比較例１および４の有機電界発光素子と比較して、低電圧で駆動可能であることが判る。
【０２０６】
実施例１２
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、イソプロパノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスにより乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を１×１０−５Ｐａに減圧した。
【０２０７】
先ず、ＩＴＯ透明電極上にビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（１-ナフチル）〕-４,４'-ジアミノ-１,１'-ビフェニルを、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０２０８】
次に、例示化合物Ａ−４０を蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
【０２０９】
下式で表されるＣＢＰと、下式で表される燐光発光材料であるトリス（フェニルピリジル）イリジウム錯体〔以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と略記する〕をそれぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１６ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を設けた。
【化２３】
2010222268.tif 000025
【０２１０】
さらに、４,７-ジフェニル-１,１０-フェナントロリン（以下、ＢＰｈｅｎと略記する）を蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、で前記発光層の上に蒸着して膜厚１５ｎｍの正孔阻止層（電子輸送層）を設けた。
【化２４】
2010222268.tif 000026
【０２１１】
さらにトリス（８-キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔阻止層の上に蒸着して厚さ２０ｎｍの電子輸送層を設けた。なお蒸着時の基板温度は室温であった。
【０２１２】
引き続き、リチウムフルオライドを蒸着速度０．０２ｎｍ／ｓｅｃで０．５ｎｍの厚さに蒸着した。最後に陰極としてアルミニウムを蒸着速度２．０ｎｍ／ｓｅｃで１００ｎｍの厚さに蒸着して有機電界発光素子を作製した。蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
【０２１３】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は５．８Ｖであり、輝度２５００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は９４０時間であった。
【産業上の利用可能性】
【０２１４】
本発明の芳香族アミン誘導体は、発光効率が高く、高温での駆動においても寿命が長い有機電界発光素子を実現できる。
【符号の説明】
【０２１５】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入輸送層
３’  正孔注入層
３”  正孔輸送層
３ａ  正孔注入輸送成分
４  発光層
４ａ  発光成分
５  電子注入輸送層
５’  正孔阻止層（電子輸送層）
５ａ  電子注入輸送成分
６  陰極
７  電源
【図１】
2010222268.tif 000031
【図２】
2010222268.tif 000032
【図３】
2010222268.tif 000033
【図４】
2010222268.tif 000034
【図５Ａ】
2010222268.tif 000035
【図５Ｂ】
2010222268.tif 000036
【図５Ｃ】
2010222268.tif 000037
【図６】
2010222268.tif 000038
【図７】
2010222268.tif 000039
【図８】
2010222268.tif 000040