(57)【要約】 【課題】  外部からの不要電磁波の混入、外部への電磁波の放射を防止するとともに、高周波素子間の不要な結合を抑制したアイソレーション特性の優れた高周波基板および高周波モジュールを提供することである。【解決手段】  ＭＭＩＣ２，３同士を、積層型導波管線路である接続用導波管６で接続し、ＭＭＩＣ２，３と接続用導波管６とは、ボンディングワイヤ７，８、マイクロストリップ線路１１，１２を介して接続する。保護部材４，５は、その収容空間内に、ＭＭＩＣ２，３、ボンディングワイヤ７，８、変換部９，１０、マイクロストリップ線路１１，１２を収容する。【選択図】      図１
2010041714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層および導電体層を積層して成り、複数の高周波素子を実装するための高周波基板において、
副線路部と主線路部と変換部とを有する積層型導波管であって、
前記副線路部は、前記誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する副線路部上側主導体層及び副線路部下側主導体層と、この一対の副線路部上側及び下側主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群と、を含み、
前記主線路部は、前記副線路部に接続され、前記副線路部の誘電体層よりも厚い誘電体層と、この誘電体層を挟んで対向する主線路部上側主導体層及び主線路部下側主導体層と、この一対の主線路部上側及び下側主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群と、を含み、
前記変換部は、前記副線路部及び前記主線路部の前記上側主導体層が一体的に形成されて成る、
積層型導波管と、
前記積層型導波管に接続され、前記高周波素子同士を接続する接続用積層型導波管であって、
前記誘電体層を挟む一対の主導体層と、信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で前記主導体層間を電気的に接続するように形成された二列のビアホール導体群とを備え、前記主導体層および前記ビアホール導体群に囲まれた領域によって高周波信号を伝達し、前記一対の主導体層のうち上側主導体層は、前記変換部より下側に位置し、前記一対の主導体層のうち下側主導体層は、前記副線路部下側主導体層よりも下側に位置する、前記高周波基板に内層される接続用積層型導波管と、
前記主線路部上側主導体層に接続されて形成される上側共有線路主導体層と、前記接続用導波管線路の下側主導体層に接続される下側共有線路主導体層と、この１対の共有線路主導体層に挟まれる前記誘電体層と、厚み方向に対向する上側共有線路主導体層及び下側共有線路主導体層と、前記上側共有線路主導体層及び下側共有線路主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群とを含む共有線路部と、
前記高周波素子と、前記変換部とを接続する接続体と、
１つの高周波素子と、該高周波素子に接続される前記接続体と、該接続体に接続される前記変換部とを内部に収容する収容空間を有し、前記収容空間と外部空間との間で電磁波を遮蔽する保護部材とを備える高周波基板。
【請求項２】
前記積層型導波管または前記接続用積層型導波管は、前記一対の主導体層間に該主導体層と平行に形成され、前記二列のビアホール導体群を列ごとにそれぞれ個別に電気的に接続する、少なくとも一対の副導体層をさらに備える請求項１記載の高周波基板。
【請求項３】
前記複数の高周波素子は、高周波信号受信用の高周波素子と、高周波信号送信用の高周波素子とを含む請求項１または２記載の高周波基板。
【請求項４】
前記複数の高周波素子を実装する面とは反対の面に高周波信号の入出力ポートを備え、
前記高周波素子と前記入出力ポートとを接続する入出力用積層型導波管をさらに含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の高周波基板。
【請求項５】
前記接続体は、ボンディングワイヤとマイクロストリップ線路とを含み、前記高周波素子と、前記変換部とはワイヤボンディングにより接続される請求項１〜４のいずれか１つに記載の高周波基板。
【請求項６】
前記接続体は、金属バンプまたははんだボールを含み、前記高周波素子と、前記変換部とはフリップチップ接続される請求項１〜５のいずれか１つに記載の高周波基板。
【請求項７】
前記高周波素子を実装する側の主面に設けられたバイアス供給用パッドと、
前記高周波素子を実装する側の主面に設けられた外部接続用パッドと、
内層に設けられ、前記バイアス供給用パッドと前記外部接続用パッドとを接続するバイアス供給用配線と、をさらに備え、
前記高周波素子は、前記バイアス供給用パッドとワイヤボンディング接続またはフリップチップ接続により接続された接続パッドを有し、該接続パッドに対し、前記外部接続用パッドを介して前記高周波素子の駆動用バイアス電圧を供給可能に構成されている請求項１〜６のいずれか１つに記載の高周波基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の高周波基板に、複数の高周波素子を実装して構成される高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてマイクロ波帯およびミリ波帯で用いる高周波素子を実装するための高周波基板および高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や無線ＬＡＮに代表される無線通信技術の研究開発が盛んに行われている。無線通信の研究開発においては、光通信で代表されるＦＴＴＨ（Fiber to The Home
）の伝送速度、１００Ｍｂｐｓ以上を達成しているものもある。しかし、現在市販されている無線通信機器の伝送速度は光通信のそれには及ばない。多くの無線通信機器では、マイクロ波が搬送波として利用されているが、マイクロ波ではデータ伝送速度が遅く、例えば、ハイビジョン映像の画質劣化を抑えた、大容量非圧縮映像データの転送には向いていない。
【０００３】
そこで、マイクロ波よりも高い周波数の電磁波、例えば２０ＧＨｚ以上の準ミリ波およびミリ波を利用する無線通信が、大容量のデータを伝送するための手段として、以前から注目され、研究開発が進められている。特に６０ＧＨｚ帯では、世界共通で、広い帯域が通信向けに割り当てられており、このような６０ＧＨｚ帯の電磁波を利用する無線通信は、現在実用化され、光ファイバ通信に代えて、事業所間通信などに用いられ、普及しつつある。また、自動車の安全運転をサポートするものとして、ミリ波帯を用いたレーダーシステムが一般の乗用車に搭載されるようにもなっている。
【０００４】
これらの通信システムで使用される高周波基板には、より広帯域化、小型、多機能、耐不要ノイズ、かつ安価であることの要求が高く、これらの要求に応えるべく、基板の多層化で対応してきた。特に小型化が可能な高誘電率材料であるセラミックスを誘電体層とする多層配線基板は、配線金属との同時焼成技術を用いることで基板の多層化を実現してきた。
【０００５】
このような高周波基板には、複数の高周波デバイスが実装され、それらが高周波デバイスと伝送線路との変換部を介して、伝送線路と接続されることにより高周波回路として動作する。高周波デバイスは、外部から到来する干渉信号の混入を防ぎ、また外部からの水蒸気、侵食性ガス等から高周波デバイスを保護するため、金属キャップや、金属メッキまたは金属メタライズを施したセラミック壁およびカバーなどの保護部材で周囲を囲んで封止される。高周波デバイス自体がパッシベーション絶縁膜で保護される場合もある。
【０００６】
従来は、高周波デバイス間を接続する伝送線路にはマイクロストリップ線路、コプレナー線路およびストリップ線路等の金属配線による平面回路が用いられており、上記のように、外部から到来する干渉信号の混入を防ぐこと、外部への電磁波の放射を防ぐことを目的とした場合、高周波デバイスだけではなく、平面回路を構成する金属配線も保護部材の収容空間内に収める必要があり、その結果、平面回路によって接続された複数の高周波デバイスを平面回路ごとまとめて封止する構造が必要となる。
【０００７】
たとえば、特許文献１には、２つの高周波デバイスは、高周波デバイスの信号入出力パッドとボンディングワイヤおよびマイクロストリップ線路で接続され、２つの高周波デバイスおよびボンディングワイヤ、マイクロストリップ線路はシールリングおよびキャップにより一つの空間内で封止される構成が開示されている。
【０００８】
また、特許文献２には、高周波素子と外部電気回路とを接続する高周波伝送線路が、一対の主導体層と導体層間を接続するバイアホール群で形成される高周波素子収納用パッケージが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平９−３６６１６号公報
【特許文献２】特開平１０−１８９８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１記載のように、複数の高周波デバイスを一つのキャップにより共通の収容空間内で封止すると、収容空間内で高周波デバイス間の信号の結合が起こることがある。送信信号と比較して受信信号の電力は小さいため、特に送信用の高周波デバイスから出力された信号が、受信用の高周波デバイスまたは受信用の高周波デバイスに接続された伝送線路に結合してしまうと受信信号にノイズが生じてしまうことになる。
【００１１】
さらに複数の高周波デバイス間をマイクロストリップ線路、コプレナー線路、ストリップ線路等の平面回路の信号線路で接続すると信号線路同士の結合により、信号にノイズが混入したり、外部からの不要電磁波が信号線路に結合して信号にノイズが混入したり、外部へ電磁波を放射することにより、他の機器に悪影響を及ぼすという問題もある。さらに小型化のためにモジュールを集積化する過程において、特に不要電磁波の抑制や遮蔽技術が課題であった。
【００１２】
特許文献２では、高周波伝送線路を、誘電体基板の内部に形成しているが、高周波素子と伝送線路との変換部は、接続プローブを介して行われており、接続プローブを中心導体とし、バイアホールを外部導体とする同軸構造となっている。
【００１３】
このような同軸構造の場合、伝送する信号が接続プローブの長さによって共振するため、反射特性において、この共振による共振周波数で極を持つことから狭帯域特性になる。また、同軸構造では、中心導体に電流密度が集中するため、伝送損失が大きくなる。
【００１４】
本発明の目的は、このような事情に鑑みてなされたものであり、外部からの不要電磁波の混入、外部への電磁波の放射を防止するとともに、高周波素子間の不要な結合を抑制したアイソレーション特性に優れ、かつ広帯域低損失接続体により高感度な高周波基板および高周波モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、誘電体層および導電体層を積層して成り、複数の高周波素子を実装するための高周波基板において、
副線路部と主線路部と変換部とを有する積層型導波管であって、
前記副線路部は、前記誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する副線路部上側主導体層及び副線路部下側主導体層と、この一対の副線路部上側及び下側主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群と、を含み、
前記主線路部は、前記副線路部に接続され、前記副線路部の誘電体層よりも厚い誘電体層と、この誘電体層を挟んで対向する主線路部上側主導体層及び主線路部下側主導体層と、この一対の主線路部上側及び下側主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群と、を含み、
前記変換部は、前記副線路部及び前記主線路部の前記上側主導体層が一体的に形成されて成る、
積層型導波管と、
前記積層型導波管に接続され、前記高周波素子同士を接続する接続用積層型導波管であって、
前記誘電体層を挟む一対の主導体層と、信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で前記主導体層間を電気的に接続するように形成された二列のビアホール導体群とを備え、前記主導体層および前記ビアホール導体群に囲まれた領域によって高周波信号を伝達し、前記一対の主導体層のうち上側主導体層は、前記変換部より下側に位置し、前記一対の主導体層のうち下側主導体層は、前記副線路部下側主導体層よりも下側に位置する、前記高周波基板に内層される接続用積層型導波管と、
前記主線路部上側主導体層に接続されて形成される上側共有線路主導体層と、前記接続用導波管線路の下側主導体層に接続される下側共有線路主導体層と、この１対の共有線路主導体層に挟まれる前記誘電体層と、厚み方向に対向する上側共有線路主導体層及び下側共有線路主導体層と、前記上側共有線路主導体層及び下側共有線路主導体層を厚み方向に電気的に接続するように信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で形成された二列のビアホール導体群とを含む共有線路部と、
前記高周波素子と、前記変換部とを接続する接続体と、
１つの高周波素子と、該高周波素子に接続される前記接続体と、該接続体に接続される前記変換部とを内部に収容する収容空間を有し、前記収容空間と外部空間との間で電磁波を遮蔽する保護部材とを備えることを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、前記積層型導波管または接続用積層型導波管は、前記一対の主導体層間に該主導体層と平行に形成され、前記二列のビアホール導体群を列ごとにそれぞれ個別に電気的に接続する、少なくとも一対の副導体層をさらに備えることを特徴とする。
【００１７】
また本発明は、前記複数の高周波素子は、高周波信号受信用の高周波素子と、高周波信号送信用の高周波素子とを含むことを特徴とする。
【００１８】
また本発明は、前記複数の高周波素子を実装する面とは反対の面に高周波信号の入出力ポートを備え、
前記積層型導波管は、前記高周波素子同士を接続する接続用積層型導波管と、前記高周波素子と前記入出力ポートとを接続する入出力用積層型導波管とを含むことを特徴とする。
【００１９】
また本発明は、前記接続体は、ボンディングワイヤとマイクロストリップ線路とを含み、前記高周波素子と、前記変換部とはワイヤボンディングにより接続されることを特徴とする。
【００２０】
また本発明は、前記接続体は、金属バンプまたははんだボールを含み、前記高周波素子と、前記変換部とはフリップチップ接続されることを特徴とする。
【００２１】
また本発明は、前記高周波素子を実装する側の主面に設けられたバイアス供給用パッドと、
前記高周波素子を実装する側の主面に設けられた外部接続用パッドと、
内層に設けられ、前記バイアス供給用パッドと前記外部接続用パッドとを接続するバイアス供給用配線と、をさらに備え、
前記高周波素子は、前記バイアス供給用パッドとワイヤボンディング接続またはフリップチップ接続により接続された接続パッドを有し、該接続パッドに対し、前記外部接続用パッドを介して前記高周波素子の駆動用バイアス電圧を供給可能に構成されていることを特徴とする。
【００２２】
また本発明は、上記の高周波基板に、複数の高周波素子を実装して構成される高周波モジュールである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、高周波素子同士は、積層型導波管によって接続され、高周波素子と、前記積層型導波管とは接続体によって接続し、前記接続体は、変換部を介して前記積層型導波管に接続する。
【００２４】
保護部材は、収容空間と外部空間との間で電磁波を遮蔽し、１つの高周波素子と、該高周波素子に接続される接続体、および該接続体に接続される変換部とを、収容空間内に収容する。
【００２５】
これにより、保護部材により外部からの不要電磁波によるノイズが混入を防ぐとともに、外部への電磁波放射による他の機器への悪影響を防ぐという効果に加えて、同じ基板上に実装されている半導体素子同士のアイソレーション特性を極めて高くすることができる。
【００２６】
また本発明によれば、上記のような高周波基板を用いることで、特に送信用半導体素子と受信用半導体素子とを実装した送受信用の高周波モジュールにおいて、半導体素子同士のアイソレーション特性を高めて、高品質な送受信特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施の一形態である高周波基板１の構成を示す斜視図である。
【図２】図１の切断面線ＩＩ−ＩＩで切断したときの断面図である。
【図３】変換部１０の構成を説明するための図である。
【図４】変換部１３を含む接続構造を誘電体層ごとに展開した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１は、本発明の実施の一形態である高周波基板１の構成を示す斜視図である。なお、基板の内部およびキャップの内部の構造がわかるように、内層配線、ＭＭＩＣ、ボンディングワイヤなどを実線で示した。図２は、図１の切断面線ＩＩ−ＩＩで切断したときの断面図である。
【００２９】
高周波基板１の表面には、受信用ＭＭＩＣ２、送信用ＭＭＩＣ３が実装されて高周波モジュールを構成しており、受信用ＭＭＩＣ２、送信用ＭＭＩＣ３をそれぞれ保護するための保護部材４，５が、保護部材４，５と基板表面とで構成される収容空間内に受信用ＭＭＩＣ２、送信用ＭＭＩＣ３を収容するように設けられている。
【００３０】
高周波基板１の、受信用ＭＭＩＣ２、送信用ＭＭＩＣ３が実装されている面とは反対の面において、高周波基板１は、アンテナ基板１００に積層される。
【００３１】
受信用ＭＭＩＣ２と送信用ＭＭＩＣ３とは、これらを接続する積層型導波管線路（以下、接続用導波管という）によって電気的に接続される。
【００３２】
積層型導波管線路は、誘電体層が２つの導体層とこれらを電気的に接続するビアホール導体群とで囲まれるように構成され、高周波信号を伝送させるための線路のうち、誘電体（導波管）に高周波信号を伝送させるものである。
【００３３】
接続用導波管６と受信用ＭＭＩＣ２とは、ボンディングワイヤ７および変換部９を介して接続される。受信用ＭＭＩＣ２の図示しない接続パッドにボンディングワイヤ７の一方端が接続され、ボンディングワイヤ７の他方端が変換部９に接続される。変換部９は、接続用導波管６に一方端部６ａで接続される。
【００３４】
積層型導波管線路および表面配線から積層型導波管線路への変換部の詳細については、後述する。
【００３５】
ボンディングワイヤ７と変換部９とは、直接的に接続してもよいし、本実施形態のように、マイクロストリップ線路１１を介して接続してもよい。また、マイクロストリップ線路１１には、インピーダンス整合用のスタブ１１ａを設けることが好ましい。
【００３６】
接続用導波管６と送信用ＭＭＩＣ３との接続も同様に、ボンディングワイヤ８および変換部１０を介して行われる。
【００３７】
送信用ＭＭＩＣ３の図示しない接続パッドにボンディングワイヤ８の一方端が接続され、ボンディングワイヤ８の他方端が変換部１０に接続される。変換部１０は、接続用導波管６に他方端部６ｂで接続される。
【００３８】
ボンディングワイヤ８と変換部１０とは、直接的に接続してもよいし、マイクロストリップ線路１２を介して接続してもよく、マイクロストリップ線路１２には、インピーダンス整合用のスタブ１２ａを設けることが好ましい。
【００３９】
接続用導波管６は、その略中央部分において、基板の裏面に設けられた送信ポートに接続する積層型導波管１３（以下では、送信用導波管という）とスロット１４を介して接続している。送信用導波管１３は、送信ポート１３ａを有し、アンテナ基板１００の送信用導波管１０１の一方端と接続される。送信用導波管１０１は、アンテナ基板１００を厚み方向に貫通する貫通孔による中空導波管で実現される。送信用導波管１０１の他方端は、アンテナ基板１００の裏面に解放される開口部であり、この開口がスロットアンテナとして開口寸法に応じた周波数の高周波を放射する。
【００４０】
したがって、送信用ＭＭＩＣ３から出力されて接続用導波管６を伝送した高周波信号は、その一部がスロット１４を介して送信用導波管１３を伝送し送信ポート１３ａに至る。送信ポート１３ａから出力された高周波信号は、アンテナ基板１００の送信用導波管１０１を伝送し、送信用導波管１０１のスロットアンテナから放射される。
【００４１】
また、送信用ＭＭＩＣ３から出力されて接続用導波管６を伝送した高周波信号の一部は、送信用導波管１３を伝送し、一部は、一方端部６ａを介して受信用ＭＭＩＣ２へと伝送される。
【００４２】
受信用ＭＭＩＣ２は、接続用導波管６と接続するとともに、受信した高周波信号を伝送する積層型導波管（以下では、受信用導波管という）１５にも接続される。
【００４３】
受信用ＭＭＩＣ２と受信用導波管１５との接続は、接続用導波管６との接続と同様に、ボンディングワイヤ１６および変換部１７を介して接続される。
【００４４】
受信用ＭＭＩＣ２の図示しない接続パッドにボンディングワイヤ１６の一方端が接続され、ボンディングワイヤ１６の他方端が変換部１７に接続される。変換部１７は、受信用導波管１５に一方端部１５ａで接続される。
【００４５】
ボンディングワイヤ１６と変換部１７とは、直接的に接続してもよいし、マイクロストリップ線路１８を介して接続してもよい。また、マイクロストリップ線路１８には、インピーダンス整合用のスタブ１８ａを設けることが好ましい。
【００４６】
受信用導波管１５は、受信ポート１５ｃを有し、アンテナ基板１００の受信用導波管１０２の一方端と接続される。受信用導波管１０２は、中空導波管で実現され、受信用導波管１０２の他方端は、アンテナ基板１００の裏面に解放される開口部である。この開口がスロットアンテナとして開口寸法に応じた周波数の高周波信号を受信する。
【００４７】
したがって、受信用導波管１０２のスロットアンテナで受信した高周波信号は、アンテナ基板１００の受信用導波管１０２を伝送し、受信ポート１５ｃを介して受信用導波管１５を伝送する。受信用導波管１５を伝送した高周波信号は、変換部１７およびボンディングワイヤ１６を経て受信用ＭＭＩＣ２に入力される。
【００４８】
保護部材４，５を設ける目的は、外部からの不要電磁波が信号線路に結合して信号にノイズが混入することを防ぐとともに、外部へ電磁波を放射することにより、他の機器に悪影響を及ぼすことを防止するものである。保護部材４，５は、アルミニウムなどの金属からなる金属筐体によって形成するのが好ましい。保護部材４，５を金属筐体とすることによって、電磁波の遮蔽性が高く、放熱性がよくなる。また、金属筐体に限らず、樹脂筐体やセラミックス筐体の内面に金属めっきや金属メタライズを施したものでもよい。
【００４９】
本発明の高周波基板１は、ＭＭＩＣなどの高周波半導体デバイス同士の接続、および送受信用のアンテナ基板との接続において、積層型導波管線路および積層型導波管線路への変換部を用いている。これにより、基板表面に露出し、保護部材によって保護するべき箇所は、ＭＭＩＣ２，３、ボンディングワイヤ７，８，１６、変換部９，１０，１７、マイクロストリップ線路１１，１２，１８のみである。ＭＭＩＣ２，３同士の接続は、上記のように、基板に内層される積層型導波管線路である接続用導波管６によって成されるので、従来のような、ＭＭＩＣ２，３同士を接続する露出した平面線路が不要となっている。
【００５０】
また、本実施形態では、ＭＭＩＣと積層型導波管への変換部とは、ボンディングワイヤとマイクロストリップ線路を介して接続しているが、ボンディングワイヤやマイクロストリップ線路とは接続に必須の構成ではなく、たとえば、ＭＭＩＣの接続パッドから直接変換部にワイヤボンディングを施してもよい。また、ＭＭＩＣと変換部との接続をワイヤボンディングではなく、金属バンプやはんだボールなどによるフリップチップ接続であってもよい。
【００５１】
このように、保護部材４，５は、半導体デバイスと変換部、およびこれらを接続する接続体とをその収容空間内に収めるようにすれば十分に保護機能を実現することができる。そして、これらを収容するための収容空間は、面積が、高周波基板１表面のうち、１つの半導体デバイスと、この１つの半導体デバイスに接続する変換部と、これらを接続するための接続体がと設けられた領域であり、高さが、保護部材の高さとなるような空間である。
【００５２】
このような本実施形態によれば、従来のように、半導体デバイス同士を接続する平面線路が無いので、保護部材は、１つの収容空間内に２以上の半導体デバイスを収容する必要がなく、１つの収容空間につき、１つの半導体デバイスを収容することができる。
【００５３】
たとえば、本実施形態では、１つの保護部材４によって形成される収容空間内に、１つの受信用ＭＭＩＣ２と、変換部９，１７とを収容している。また、１つの保護部材５によって形成される収容空間には、送信用ＭＭＩＣ３と、変換部１０とを収容している。
【００５４】
保護部材の収容空間内に、１つの半導体デバイスのみを収容できることから、保護部材の収容空間内における半導体デバイス間の信号の結合を防止することができる。本実施形態のように、受信用ＭＭＩＣ２と送信用ＭＭＩＣ３とが実装される送受信用の高周波基板では、特に送信用ＭＭＩＣ３から出力された信号による受信用ＭＭＩＣ２への影響が大きいので、これらの高周波デバイスを個別の保護部材により、異なる収容空間に収容することで、アイソレーション性の極めて高い高周波基板を実現することができる。
【００５５】
さらに、保護部材の大きさ、すなわち保護部材の収容空間の体積を従来に比べて大幅に小さくすることができる。これにより、高周波デバイスから放射された電磁波の収容空間内における不要な共振の発生を防止することができる。
【００５６】
保護部材の収容空間内で生じる共振は、矩形共振器による共振と同様に考えることができる。不要な共振の発生を防止するためには、収容空間内部には１／４誘電体導波管共振器の共振モード（ＴＥ１０１モード）と類似したモードが発生するため、そのモードの最低次のモードの共振周波数を動作周波数範囲外に設定する。
【００５７】
ＴＥ１０１モードに類似したモードの最低次のモードの共振周波数は式（１）で与えられる。
【００５８】
【数１】
2010041714.tif 000003
【００５９】
ここで、ｆは共振周波数（ＧＨｚ）を示し、ａは矩形共振器の長手方向の寸法（ｍｍ）を示し、ｃは矩形共振器の高さ方向の寸法（ｍｍ）を示し、εｒは、共振器内の誘電体の比誘電率を示す。
【００６０】
式（１）からわかるように、長手方向のサイズａおよび高さ方向のサイズｃが小さければ小さいほど共振周波数は高くなる。
【００６１】
矩形共振器のサイズは、すなわち保護部材の収容空間の大きさと同じと考えられるので、保護部材の収容空間が小さくすることで、共振周波数を、使用動作周波数の最大周波数よりも高い周波数側に設定することもできる。
【００６２】
保護部材４，５を小さくするために、変換部９，１０は、全てを収容空間内に収める必要はなく、変換部９，１０上に接触するように保護部材４，５を設けることも可能である。
【００６３】
これにより、保護部材４，５の収容空間を小さくするとともに、変換部９，１０と保護部材４，５との間での熱移動を容易にし、ＭＭＩＣ２，３の冷却効率を向上させることができる。ＭＭＩＣ２，３で発生した熱は、実装される基板の誘電体層への移動、ボンディングワイヤを介した伝送線路への移動、空気中への放散により冷却される。ボンディングワイヤを介した伝送線路への移動において、変換部９，１０が保護部材４，５と接触することで、保護部材４，５への熱移動が生じ、保護部材４，５から空気中へ熱が放散される。
【００６４】
以上のように、本発明の高周波基板１は、保護部材４，５により外部からの不要電磁波によるノイズが混入を防ぐとともに、外部への電磁波放射による他の機器への悪影響を防ぐという従来の効果に加えて、同じ基板上に実装されている半導体デバイス同士のアイソレーション性を極めて高くすることができるという効果を発揮する。
【００６５】
また、上記のような高周波基板１を用いることで、特に送信用ＭＭＩＣと受信用ＭＭＩＣとを実装した送受信用の高周波モジュールにおいて、ＭＭＩＣ同士のアイソレーション特性を高めて、高品質な送受信特性を実現することができる。
【００６６】
ここで、積層型導波管線路およびその変換部について説明する。本発明では、積層型導波管路を用いてＭＭＩＣ２，３同士を接続することにより、半導体デバイス同士の接続配線に対しても、外部からのノイズ混入を防ぐとともに、外部への電磁波放射による他の機器への悪影響を防ぎ、さらに半導体デバイス同士のアイソレーション性を極めて高くすることができる。
【００６７】
以下、高周波基板１に設けられる複数の変換部のうち、変換部１０について説明するが、他の変換部９，１７も同様に構成することができる。
【００６８】
図３は、変換部１０の構成を説明するための図である。図３（ａ）は、変換部１０の平面図であり、図３（ｂ）は、マイクロストリップ線路１２と接続用導波管６との接続部分の断面図である。
【００６９】
高周波基板１は、複数の誘電体層が積層され、これらの誘電体層間に導体層が設けられ内層配線が形成される。たとえば、本実施形態では、複数の誘電体層３１，３２，３３，３４が、高周波基板１のＭＭＩＣが実装された表面側からこの順に積層され、誘電体層のうち、基板表面を含む誘電体層３１上に形成されるマイクロストリップ線路１２と、上側の複数の誘電体層（本実施形態では誘電体層３１，３２）を含んで形成され、マイクロストリップ線路１２と変換部１０を介して接続する第１の積層型導波管副線路部２１と、上側の誘電体層の一部（本実施形態では誘電体層３２，３３）を含んで形成され、第１の積層型導波管副線路部２１と接続する第２の積層型導波管副線路部２２と、下側の複数の誘電体層（本実施形態では誘電体層３２，３３，３４）を含んで形成され、第２の積層型導波管副線路部２２と接続する積層型導波管主線路部２３とが形成される。
【００７０】
マイクロストリップ線路１２は、誘電体層３１を厚み方向に挟んで対向するストリップ導体１２ｂとグランド（接地）導体１２ｃとで構成されている。
【００７１】
マイクロストリップ線路１２と接続用導波管６との接続部分を構成し、高周波基板１の表面に設けられる変換部１０は、第１の積層型導波管副線路部２１、第２の積層型導波管副線路部２２、積層型導波管主線路部２３のそれぞれの主導体層のうち、高周波基板１の表面に設けられる上側主導体層２１１，２２１，２３１で構成され、これら上側主導体層２１１，２２１，２３１が一体的に形成されたものである。
【００７２】
変換部１０の信号伝送方向に対する幅方向寸法Ｗは、主導体層の幅方向寸法と同一であり、伝送信号の周波数などによって適宜設定すればよく、また、幅寸法は伝送させる高周波信号の遮断周波数を考慮して設定される。たとえば、伝送信号の周波数が７６．５ＧＨｚのときはＷ＝１．１５ｍｍであり、遮断周波数は約４３ＧＨｚで設定される。
【００７３】
また、下側主導体層２１２，２２２，２３２の信号伝送方向端部は、伝送信号の波長λの１／４ずつ信号伝送方向にずれて設けられる。変換部１０の信号伝送方向に平行な長さ方向寸法Ｌは、平面視したときに下側主導体層２１２，２２２，２３２を覆うように３λ／４に設定される。たとえば、伝送信号の周波数が７０〜８５ＧＨｚのときはＬ＝０．９ｍｍである。
【００７４】
なお、変換部１０の上記幅方向寸法Ｗおよび長さ方向寸法Ｌは、変換部として最小限必要な寸法であって、変換部１０は、幅方向寸法が両側に大きくなるように形成されてもよく、長さ方向寸法がストリップ導体１２ａとの接続部分とは反対側に向かって延びるように形成されてもよい。
【００７５】
積層型導波管線路は、上記のような一対の導体層（上側主導体層および下側主導体層）とともにビアホール導体群４１，４２を含んで構成される。
【００７６】
ビアホール導体群４１，４２は、積層型導波管を伝送する伝送信号の遮断波長以下の間隔で信号伝送方向に沿って配列し、積層型導波管線路における電気的な側壁を形成し、この側壁と一対の導体層によって導波管が構成される。
【００７７】
側壁形成用のビアホール導体群４１，４２において、隣り合うビアホール導体の間隔が伝送する信号の遮断波長よりも大きいと、この積層型導波管線路に給電された電磁波はビアホール導体とビアホール導体との隙間から漏れてしまい、側壁と一対の主導体層によって形成される疑似的な導波管に沿って伝播しなくなってしまう。これに対し、側壁形成用ビアホール導体群４１、４２において、隣り合うビアホール導体の間隔が遮断波長以下であると、電磁波はビアホール導体とビアホール導体との隙間から漏れることなく反射しながら積層型導波管線路の信号伝送方向に伝播される。
【００７８】
なお、側壁形成用ビアホール導体群４１，４２を構成するビアホール導体は、隣り合うビアホール導体の間隔が、一定間隔に設けられることが好ましいが、少なくとも伝送する信号の遮断波長以下の間隔であれば良く、その範囲内で適宜設定することができる。
【００７９】
また、積層型導波管線路２を形成する２列の側壁形成用ビアホール導体群４１，４２の外側にさらに側壁形成用ビアホール導体群を設けて、側壁形成用ビアホール導体群による疑似的な側壁を、伝送方向に対する幅方向に２重、３重に形成することにより、電磁波の漏れをより効果的に防止することができる。
【００８０】
図４を参照して誘電体層毎に具体的に説明する。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、誘電体層３１，３２，３３，３４を層ごとに展開し、高周波基板１の一表面側から見た平面図である。図４（ｅ）は、誘電体層３４を他表面側から見た平面図である。
【００８１】
図４（ａ）に示すように、誘電体層３１の表面には、ストリップ導体１２と、これに接続される上側主導体層２１１，２２１，２３１（変換部１３）が形成される。変換部１３を主導体層とする積層型導波管から接続用導波管６へと接続する構造においては、両者の積層型導波管に共有される共有線路部を介して接続される。共有線路部の上側主導体層５１は、一端が上側主導体層２３１の端部に接続して形成される。また、誘電体層３１の内部には、２列の側壁形成用ビアホール導体群４１、４２が形成される。
【００８２】
さらに、共有線路部の他端に近接する部位と接続用導波管６の端部とは上から見て重なっていて、図４（ａ）には、この共有線路部の上側主導体層５１の他端に近接する部位と接続用導波管６の上側主導体層６１の端部とを電気的に接続する５本のビアホール導体からなる境界壁形成用ビアホール導体群４３が、信号伝送方向とは垂直な方向に伝送信号の遮断波長以下の間隔で誘電体層３１内部に配列され、この境界からの高周波信号の漏れを防止する。なお、境界壁形成用ビアホール導体群４３における両端の２本のビアホール導体は、側壁形成用ビアホール導体群４１，４２と共有される。
【００８３】
図４（ｂ）に示すように、誘電体層３２の表面には、マイクロストリップ線路１２を構成するグランド導体１２ｃ、副導体層５３、接続用導波管６を構成する上側主導体層６１が一体的に形成される。また、誘電体層３２の内部には、２列の側壁形成用ビアホール導体群４１，４２が形成される。この側壁形成用ビアホール導体群４１，４２は、それぞれ８本のビアホール導体で構成されている。
【００８４】
図４（ｃ）に示すように、誘電体層３３の表面には、下側主導体層２２２、副導体層５４、接続用導波管６を構成する副導体層５５が電気的に接続されて一体的に形成されている。また、誘電体層３３の内部には、２列の側壁形成用ビアホール導体群４１，４２が形成される。この側壁形成用ビアホール導体群４１、４２は、それぞれ８本ずつのビアホール導体で構成されている。
【００８５】
図４（ｄ）に示すように、誘電体層３４の表面には、下側主導体層２３２、接続用導波管６を構成する副導体層５６が形成される。また、誘電体層３４の内部には、２列の側壁形成用ビアホール導体群４１，４２が形成される。誘電体層３４の内部に形成された側壁形成用ビアホール導体群４１、４２は、それぞれ５本のビアホール導体で構成されている。
【００８６】
さらに、変換部１３を備える積層型導波管の端部と共有線路部の一端に近接する部位とは上から見て重なっていて、下側主導体層２３２端部と共有線路部の下側主導体層５２とを電気的に接続するビアホール導体からなる境界壁形成用ビアホール導体群が、信号伝送方向とは垂直な方向に信号の遮断波長以下の間隔で配列され、この境界からの高周波信号の漏れを防止するように境界壁を形成している。なお、このビアホール導体群の配列における両端の２本のビアホール導体は、側壁形成用ビアホール導体群４１，４２と共有している。
【００８７】
図４（ｅ）に示すように、誘電体層３４の裏面には、接続用導波管６を構成する下側主導体層６２が形成される。なお、図４（ｅ）には示していないが、共有線路部を構成する下側主導体層５２の一端に近接する部位には、図４（ｄ）に示す境界壁形成用ビアホール導体群４３が接続されている。また、接続用導波管６を構成する下側主導体層６２には、図４（ｄ）に示す側壁形成用ビアホール導体群４１、４２が接続されている。
【００８８】
積層型導波管を構成する誘電体層が複数層からなる場合は、誘電体層間に主導体層と平行に副導体層を設けることが好ましい。副導体層は、同じ列に属し、同じ誘電体層を貫通する各ビアホール導体群を、列ごとにそれぞれ個別に電気的に接続し、ビアホール導体群の配列方向に延びる帯状の導体層である。
【００８９】
このような副導体層は、図４における導体層５３，５４，５５が、これに相当し、ビアホール導体群と副導体層とによって、格子状に形成された側壁が得られ、様々な方向の電磁波漏れを遮蔽することができる。また、副導体層は、ビアホール導体の大きなランドとしても機能し、積層ずれによって生じるビアホール導体の厚み方向の接続不良を抑制することができる。ビアホール導体の厚み方向の接続不良が生じると、接続不良部分で電磁波の漏れが発生しやすくなり、伝送損失が大きくなってしまうが、副導体層を設けることでこれを防止することができる。
【００９０】
さらに、複数のＭＭＩＣを互いに接続するような場合、接続用導波管６の構造が直線構造だけではなく、本実施形態のように、湾曲構造の線路部分を設ける場合がある。高周波信号の伝搬においては湾曲構造で放射が起こるが、副導体層を設けることで、電磁遮蔽の役目を担うため、湾曲構造での放射を抑え低損失な伝送線路を実現することができる。
【００９１】
本発明では、このような高周波基板１に内層される積層型導波管を用いて、接続用導波管６による半導体デバイス同士の接続、送信用導波管１３による送信用アンテナとの接続、受信用導波管１５による受信用アンテナとの接続を実現している。
【００９２】
したがって、これらの接続に必要な伝送線路は、全て基板内に設けられ、外部からのノイズ混入を防ぐとともに、外部への電磁波放射による他の機器への悪影響を防ぐことができる。さらに、基板の内部においては、積層型導波管同士での結合が生じることはないので、伝送線路同士の結合によるクロストークノイズの混入なども発生しない。特に送信用ＭＭＩＣ３から出力された信号による受信用ＭＭＩＣ２への影響が大きいので、積層型導波管を用いることで、アイソレーション性の極めて高い高周波基板を実現することができる。
【００９３】
さらに、同じ積層型導波管を用いる構成のうち、従来のような変換部に同軸構造を用いる場合は、課題の欄でも述べたように、伝送信号が接続プローブの長さによって共振するため、反射特性において、この共振による共振周波数で極を持つ特性になる。また、同軸構造では、中心導体に電流密度が集中するため、伝送損失が大きくなり、多層基板内での積層型導波管の伝送モードであるＴＥ１０モードへの変換構造が必要となり、この変換構造を設ける分の厚みが基板に必要になる。
【００９４】
これに対して、本発明の変換部は、共振が生じるような構造を持たないため、信号伝送特性における周波数応答がよく、たとえば、周波数が１０ＧＨｚ以上において、−１５ｄＢ以上の反射特性を実現できる。また、電流密度の集中も生じないので、伝送損失を小さく抑えることができ、同軸構造を用いた構成に対して基板の厚みを薄くでき、小型、安価を実現することができ、さらに低損失、広帯域な構造であるため高感度な高周波モジュールが実現できる。
【００９５】
ＭＭＩＣ２，３への駆動用のバイアス電圧は、以下のようにして供給する。
【００９６】
ＭＭＩＣの接続パッドと、基板表面に設けられたバイアス供給用パッドとをワイヤボンディング接続またはフリップチップ接続により接続し、バイアス供給用パッドと、基板表面に設けられた外部接続用パッドとを、基板に内層されるバイアス供給用配線で接続する。外部接続用パッドにバイアス電圧供給源を接続することで、ＭＭＩＣに対して駆動用のバイアス電圧を供給することができる。
【００９７】
本実施形態では、受信用ＭＭＩＣ２の接続パッドと、基板表面に設けられたバイアス供給用パッド５０とをボンディングワイヤ５１により接続し、バイアス供給用パッド５０と、基板表面に設けられた外部接続用パッド５２とを、基板に内層されるバイアス供給用配線５３で接続する。また、送信用ＭＭＩＣ３の接続パッドと、基板表面に設けられたバイアス供給用パッド６０とをボンディングワイヤ６１により接続し、バイアス供給用パッド６０と、基板表面に設けられた外部接続用パッド６２とを、基板に内層されるバイアス供給用配線６３で接続する。
【００９８】
上記のような構成を有する高周波基板の誘電体層としては、高周波信号の伝送を妨げることがない特性を有するものであればとりわけ限定するものではないが、伝送線路を形成する際の精度および製造の容易性の点からセラミックスからなることが望ましい。
【００９９】
たとえば、ガラスセラミックス、アルミナ質セラミックスや窒化アルミニウム質セラミックス等のセラミック原料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して泥漿状になすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用してシート状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらセラミックグリーンシートの各々に適当な打ち抜き加工を施すとともに、導体ペーストをビアホールへ充填し、配線パターン、ベタパターンを印刷したものを積層し、ガラスセラミックスの場合は８５０〜１０００℃、アルミナ質セラミックスの場合は１５００〜１７００℃、窒化アルミニウム質セラミックスの場合は１６００〜１９００℃の温度で焼成することによって製作される。
【０１００】
また、ストリップ導体、グランド導体および一対の導体層などの金属導体層としては、たとえば誘電体層がアルミナ質セラミックスからなる場合には、タングステン・モリブデンなどの金属粉末に適当なアルミナ・シリカ・マグネシア等の酸化物や有機溶剤・溶媒等を添加混合した導体ペーストを厚膜印刷法によりセラミックグリーンシート上に印刷し、しかる後、約１６００℃の高温で同時焼成し、厚み１０〜１５μｍ以上となるようにして形成する。なお、金属粉末としては、ガラスセラミックスの場合は銅・金・銀が、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスの場合はタングステン・モリブデンが好適である。また、主導体層の厚みは一般的に５〜５０μｍ程度とされる。
【０１０１】
配線基板の誘電体層としては、上記のようなセラミックスからなることが好ましいが、伝送信号の周波数や製造コストなどの観点から、樹脂材料を用いることもできる。誘電体層として使用可能な樹脂材料としては、たとえば、ＰＴＥＴ、液晶ポリマー、ＦＲ４、フッ素樹脂、フッ素ガラス樹脂などが挙げられる。この場合の金属導体としては、たとえば銅箔の貼り付け、銅めっき膜をエッチングなどによりパターン形成したものを使用することができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１  高周波基板
２  受信用ＭＭＩＣ
３  送信用ＭＭＩＣ
４，５  保護部材
６  接続用導波管
７，８  ボンディングワイヤ
９，１０  変換部
１３  送信用導波管
１５  受信用導波管
【図１】
2010041714.tif 000004
【図２】
2010041714.tif 000005
【図３】
2010041714.tif 000006
【図４】
2010041714.tif 000007