(57)【要約】【課題】周波数帯域特性の異なる複数の弾性表面波素子要素を有する弾性表面波素子であって、各弾性表面波素子要素毎に周波数調整が施された弾性表面波素子、およびその製造方法を提供する。【解決手段】ＳＡＷウェハ１Ａに形成された複数のデュアルＳＡＷ共振子１において、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１は第１の接続配線１５に接続されている。第１の接続配線１５は、ＳＡＷウェハ１Ａの全てのＩＤＴ電極１１と接続されるとともに、その終端がＳＡＷウェハ１Ａの外周部分に設けられた共通端子としての第１の通電端子１９に接続されている。同様に、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１は第２の接続配線２５に接続され、この第２の接続配線２５は、ＳＡＷウェハ１Ａの外周部分の上記第１の通電端子１９とは異なる領域に設けられた共通端子としての第２の通電端子２９に接続されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に、異なる周波数帯域特性を有する複数の弾性表面波素子要素が形成されてなる弾性表面波素子であって、前記弾性表面波素子要素は弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有する前記弾性表面波素子が複数形成された弾性表面波素子用ウェハにおいて、
前記ＩＤＴ電極から引き出され該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の通電端子および該通電端子と前記ＩＤＴ電極とを接続する接続配線が、複数の前記弾性表面波素子要素毎に設けられていることを特徴とする弾性表面波素子用ウェハ。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波素子用ウェハにおいて、
前記通電端子が、複数の前記弾性表面波素子要素の数と同数の共通端子として設けられ、前記弾性表面波素子要素毎の前記ＩＤＴ電極と対応する前記通電端子とが前記接続配線により接続されていることを特徴とする弾性表面波素子用ウェハ。
【請求項３】
圧電基板上に、異なる周波数帯域特性を有する複数の弾性表面波素子要素が形成されてなる弾性表面波素子が複数形成された弾性表面波素子の製造方法において、
前記圧電基板上にフォトリソグラフィ法を用いて弾性表面波を励振するためのＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極から引き出され該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の通電端子と、該通電端子と前記ＩＤＴ電極とを接続する接続配線とを、複数の前記弾性表面波素子要素毎に形成する電極形成工程と、
周波数調整する前の前記弾性表面波素子要素毎の周波数を測定する初期周波数測定工程と、
前記初期周波数測定工程で測定された初期周波数測定値と、目標とする周波数規格値との差を補正し得る膜厚の陽極酸化膜を形成することにより、前記弾性表面波素子要素毎の周波数を調整する周波数調整工程と、
前記周波数調整工程の後で、前記弾性表面波素子要素毎の周波数を測定する調整後周波数測定工程と、
弾性表面波素子用ウェハから個片の前記弾性表面波素子を切り出す個片化工程と、を含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の弾性表面波素子の製造方法を用いて製造された弾性表面波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子、弾性表面波素子用ウェハ、および弾性表面波素子の製造方法に関し、特に、周波数帯域特性の異なる複数の弾性表面波素子要素を有する弾性表面波素子、およびその弾性表面波素子用ウェハ、あるいはその弾性表面波素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高周波デバイスの分野では、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極により圧電体表面に弾性表面波を励振させたり、弾性表面波を検出したりするように構成された弾性表面波素子が様々な電子機器に用いられている。弾性表面波素子として、水晶やニオブ酸リチウムあるいはタンタル酸リチウムなどの圧電材料からなる圧電基板上に、ＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極の両側に配置された一対の反射器とが設けられた弾性表面波素子（弾性表面波共振子）が、例えば特許文献１に示されている。特許文献１に記載の弾性表面波素子において、ＩＤＴ電極は、アルミニウムなどからなる一方のバスバーに連結された複数の電極指と、他方のバスバーに連結された複数の電極指とが向かい合って互いに接触しないように交互に配置された構成となっている。この一方のバスバーと他方のバスバーを介してそれぞれの電極指間に交流電圧を印加することによりＩＤＴ電極が励振され、ＩＤＴ電極から発振して圧電基板に伝搬される弾性表面波を反射器で反射させてＩＤＴ電極内に弾性表面波エネルギーを閉じ込めることにより、エネルギー損失が少なくＱ値の高い共振特性を得られるようになっている。
【０００３】
弾性表面波素子の周波数特性は、ＩＤＴ電極の電極指間の間隔などによって決定されるが、弾性表面波素子を製造する際の工程ばらつきなどにより、周波数特性が目標とする周波数規格値から外れてしまう場合があり、この場合、周波数の微調整が行われる。従来、周波数の微調整の手段としてはＩＤＴ電極の質量を変えることによって行われる。例えば、燐酸溶液などによってＩＤＴ電極をエッチングして電極膜厚を減少させて質量負荷を変化させることにより共振周波数を上昇させる方法などが採られている。
また、この方法とは逆に、ＩＤＴ電極に質量を負荷して共振周波数を下降させて所望の周波数特性に微調整する方法もある。例えば、特許文献２に、アルミニウムにより形成されたＩＤＴ電極の表面を陽極酸化することにより陽極酸化膜を形成し、この陽極酸化膜の厚み（質量）を制御することによって周波数の微調整を行う方法が示されている。すなわち、ほう酸アンモニウムなどの溶液（陽極酸化液）に、弾性表面波素子と、陰極板としての例えば白金板とを浸し、弾性表面波素子のＩＤＴ電極を陽極側として電源により電圧を印加すると、ＩＤＴ電極の表面が酸化されて陽極酸化膜（アルマイト膜）が形成される。この陽極酸化膜の膜厚は印加電圧に比例するので比較的制御がし易く、上記のＩＤＴ電極をエッチングする方法に比して周波数の調整を安定して行うことができる。
【０００４】
ところで、携帯電話などの小型通信機器に搭載される弾性表面波素子の周波数特性としては、数百ＭＨｚ以下の低周波帯域と、ＧＨｚ帯の高周波帯域とを併せ持つことが近年は求められ、また、素子の小型・薄型化、軽量化の要求が高まっている。この要求に応えるために、圧電基板上に、周波数帯域の異なる複数の弾性表面波素子要素を１チップにて形成した弾性表面波素子が提案されている。例えば、特許文献３に、周波数帯域特性の異なる二つの弾性表面波素子要素が１チップにて形成されたデュアル弾性表面波素子（デュアル弾性表面波装置）が紹介されている。
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−１０９０９号公報
【特許文献２】特開平１０−１０７５６９号公報
【特許文献３】特開２００１−３５８５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、周波数帯域特性の異なる複数の弾性表面波素子要素を１チップに備えた弾性表面波素子を製造する際に、上記特許文献２に示された陽極酸化による周波数調整を行う場合に、各弾性表面波素子要素毎の目標周波数に対して個別に周波数調整することができない。すなわち、特許文献２に示された弾性表面波素子の製造で用いられる弾性表面波素子用ウェハにおいて、ウェハ上に複数形成されたＩＤＴ電極および反射器からなる弾性表面波素子は接続配線（バスバー）により接続され、その接続配線がウェハの外周部に設けられた導体パターンに接続されている。そして、その導体パターンを通電端子として陽極酸化を行った場合には、接続配線により接続された全ての弾性表面波素子要素には略同じ陽極酸化電圧が印加されるので、弾性表面波素子要素毎に所望の周波数調整をすることが困難であるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
〔適用例１〕本適用例にかかる弾性表面波素子用ウェハは、圧電基板上に、異なる周波数帯域特性を有する複数の弾性表面波素子要素が形成されてなる弾性表面波素子であって、前記弾性表面波素子要素は弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を少なくとも有し、前記ＩＤＴ電極の表面に該ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜を有する前記弾性表面波素子が複数形成された弾性表面波素子用ウェハにおいて、前記ＩＤＴ電極から引き出され該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の通電端子および該通電端子と前記ＩＤＴ電極とを接続する接続配線が、複数の前記弾性表面波素子要素毎に設けられていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、周波数帯域特性の異なる弾性表面波素子要素毎に膜厚を制御しながら陽極酸化膜を形成することにより、それぞれ別個に周波数調整することができるので、各弾性表面波素子要素毎に周波数が精緻に調整された弾性表面波素子を提供することができる。
【００１０】
〔適用例２〕上記適用例にかかる弾性表面波素子用ウェハにおいて、前記通電端子が、複数の前記弾性表面波素子要素の数と同数の共通端子として設けられ、前記弾性表面波素子要素毎の前記ＩＤＴ電極と対応する前記通電端子とが前記接続配線により接続されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、陽極酸化膜を形成して周波数調整をする際に、弾性表面波素子要素毎の一つの共通端子である通電端子を用いて、陽極酸化膜形成による弾性表面波素子要素毎の周波数調整を効率的に行うことができる。
【００１２】
〔適用例３〕本適用例にかかる弾性表面波素子の製造方法は、圧電基板上に、異なる周波数帯域特性を有する複数の弾性表面波素子要素が形成されてなる弾性表面波素子が複数形成された弾性表面波素子の製造方法において、前記圧電基板上にフォトリソグラフィ法を用いて弾性表面波を励振するためのＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極から引き出され該ＩＤＴ電極を陽極酸化する際の通電用の通電端子と、該通電端子と前記ＩＤＴ電極とを接続する接続配線とを、複数の前記弾性表面波素子要素毎に形成する電極形成工程と、周波数調整する前の前記弾性表面波素子要素毎の周波数を測定する初期周波数測定工程と、前記初期周波数測定工程で測定された初期周波数測定値と、目標とする周波数規格値との差を補正し得る膜厚の陽極酸化膜を形成することにより、前記弾性表面波素子要素毎の周波数を調整する周波数調整工程と、前記周波数調整工程の後で、前記弾性表面波素子要素毎の周波数を測定する調整後周波数測定工程と、弾性表面波素子用ウェハから個片の前記弾性表面波素子を切り出す個片化工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、初期周波数測定値に基づいて、周波数帯域特性の異なる弾性表面波素子要素毎の周波数規格値となるように膜厚を制御しながら陽極酸化膜を形成することにより、各弾性表面波素子要素それぞれを別個に周波数調整することができるので、周波数が精緻に調整された優れた周波数特性を有する弾性表面波素子を製造することができる。
【００１４】
〔適用例４〕本適用例にかかる弾性表面波素子は、上記適用例の弾性表面波素子の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、圧電基板上に、周波数帯域特性の異なる複数の弾性表面波素子要素を有し、各弾性表面波素子要素の周波数が精緻に調整された小型で高機能を備えた弾性表面波素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、圧電基板上に周波数帯域特性の異なる複数の弾性表面波素子要素を有する弾性表面波素子の一実施形態であるデュアルＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子、複数のデュアルＳＡＷ共振子が形成された弾性表面波素子用ウェハとしてのＳＡＷウェハ、およびデュアルＳＡＷ共振子の製造方法について図面を参照して説明する。
【００１７】
〔デュアルＳＡＷ共振子〕
まず、デュアルＳＡＷ共振子の構造について説明する。
図１は、本実施形態のデュアルＳＡＷ共振子を模式的に説明するものであり、図１（ａ）は平面図、同図（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。また、図２は、図１（ｂ）のＤ部を拡大して説明する部分拡大断面図である。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、デュアルＳＡＷ共振子１は、水晶などの圧電材料からなる矩形状の圧電基板５上に、ＩＤＴ電極１１およびそのＩＤＴ電極１１を挟んだ両側に配置された反射器１３Ａ，１３Ｂが設けられてなる第１のＳＡＷ共振子要素１０と、ＩＤＴ電極２１およびそのＩＤＴ電極２１を挟んだ両側に配置された反射器２３Ａ，２３Ｂが設けられてなる第２のＳＡＷ共振子要素２０との二つのＳＡＷ共振子要素を有している。第１のＳＡＷ共振子要素１０と第２のＳＡＷ共振子要素２０とは、それぞれ異なる周波数帯域特性を有している。
【００１９】
圧電基板５上に設けられた第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１は、バスバーに連結された複数の一次側電極指１２ａからなる櫛型の交差指電極と、バスバーに連結された複数の二次側電極指１２ｂからなる櫛型の交差指電極とが、互いに接触しないように交差させて配置されている。ＩＤＴ電極１１はアルミニウム（Ａｌ）などの金属により形成され、二つの交差指電極の一次側電極指１２ａと二次側電極指１２ｂとのそれぞれに逆相の電圧が印加されることで弾性表面波を励振できるように構成されている。
圧電基板５上のＩＤＴ電極１１を挟んだ両側には、アルミニウムなどの金属により形成された反射器１３Ａ，１３Ｂが配置されている。反射器１３Ａ，１３Ｂは、ＩＤＴ電極１１から伝搬された弾性表面波を反射させて、ＩＤＴ電極１１が形成された圧電基板５の中央部にエネルギーを封じ込める役目を果たしている。
【００２０】
同様に、圧電基板５上に設けられた第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１は、バスバーに連結された複数の一次側電極指２２ａからなる櫛型の交差指電極と、バスバーに連結された複数の二次側電極指２２ｂからなる櫛型の交差指電極とが、互いに接触しないように交差させて配置されて形成されている。また、ＩＤＴ電極２１を挟んだ両側には反射器２３Ａ，２３Ｂが配置されている。
【００２１】
図１（ｂ）に示すように、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１において、一次側電極指１２ａと二次側電極指１２ｂとの間の距離は等間隔ピッチＰにて形成され、励振される弾性表面波の波長λはλ＝２Ｐの関係になっている。また、一次側電極指１２ａおよび二次側電極指１２ｂは厚みＨにて形成されている。また、圧電基板５の厚みＴは弾性表面波の４波長（４λ）以上の厚みに設定されている。
なお、本実施形態では、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１においても、一次側電極指２２ａと二次側電極指２２ｂとの間の距離、および一次側電極指２２ａおよび二次側電極指２２ｂとの厚みが、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１の一次側電極指１２ａおよび二次側電極指１２ｂと同様の値に設定されている（図示せず）。
【００２２】
デュアルＳＡＷ共振子１において、第１のＳＡＷ共振子要素１０と第２のＳＡＷ共振子要素２０とは、それぞれのＩＤＴ電極１１，２１の電極交差幅が異なることにより、それぞれ異なる周波数帯域特性を有している。ここで、電極交差幅とは、ＩＤＴ電極１１，２１の各櫛型の交差指電極の一次側電極指１２ａ，２２ａと二次側電極指１２ｂ，２２ｂとが電極指配列方向にみて重なり合う幅寸法をいう。具体的には、図１（ａ）に示すように、第１のＳＡＷ共振子要素１０の電極交差幅がＷ１であるのに対し、第２のＳＡＷ共振子要素２０の電極交差幅が第１のＳＡＷ共振子要素１０の電極交差幅Ｗ１とは異なるＷ２とされている。本実施形態では、第１のＳＡＷ共振子要素１０の電極交差幅Ｗ１よりも第２のＳＡＷ共振子要素２０の電極交差幅Ｗ２の方が大きく設定されている。この結果、デュアルＳＡＷ共振子１全体の入力インピーダンスと出力インピーダンスとが異なった値に設定されている。すなわち、デュアルＳＡＷ共振子１の入力インピーダンスは、電極交差幅がＷ１の第１のＳＡＷ共振子要素１０の入力インピーダンスで決定されるのに対し、デュアルＳＡＷ共振子１の出力インピーダンスは、電極交差幅がＷ２の第２のＳＡＷ共振子要素２０の出力インピーダンスで決定される。
【００２３】
図２に示すように、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１を構成する一次側電極指１２ａおよび二次側電極指１２ｂの表面には、ＩＤＴ電極１１の形成用材料であるアルミニウムを陽極酸化させることにより形成された陽極酸化膜３０が形成されている。陽極酸化膜３０は、後述するように、第１のＳＡＷ共振子要素１０および第２のＳＡＷ共振子要素２０それぞれの周波数を所望の値に調整する周波数調整工程で形成された酸化膜である。
同様に、図示は省略するが、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１においても、一次側電極指２２ａと二次側電極指２２ｂの表面に陽極酸化膜３０が形成されている。
【００２４】
〔ＳＡＷウェハ〕
上記デュアルＳＡＷ共振子１は、圧電基板５のウェハに複数形成された後に個片に切り出されることにより得られる。次に、複数のデュアルＳＡＷ共振子１が形成されたＳＡＷウェハについて図面に沿って説明する。図３は、ＳＡＷウェハ１Ａを説明する平面図である。また、図４は、図３のＥ部を拡大して説明する部分平面図である。
【００２５】
図３に示すように、ＳＡＷウェハ１Ａは、デュアルＳＡＷ共振子１をバッチ処理にて効率的に製造するためのウェハであって、大判の水晶からなる圧電基板５のウェハに複数のデュアルＳＡＷ共振子１がマトリクス状に並べて形成されている。
【００２６】
ＳＡＷウェハ１Ａに形成された複数のデュアルＳＡＷ共振子１において、ＩＤＴ電極１１および反射器１３Ａ，１３Ｂが設けられてなる第１のＳＡＷ共振子要素１０のうち、少なくともＩＤＴ電極１１は第１の接続配線１５に接続されている。第１の接続配線１５は、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１の表面に陽極酸化膜３０を形成する際に用いる通電用の接続配線であって、ＳＡＷウェハ１Ａの全てのＩＤＴ電極１１と接続されるとともに、その終端がＳＡＷウェハ１Ａの外周部分に設けられた共通端子としての第１の通電端子１９に接続されている。
【００２７】
一方、複数のデュアルＳＡＷ共振子１において、ＩＤＴ電極２１および反射器２３Ａ，２３Ｂが設けられてなる第２のＳＡＷ共振子要素２０のうち、少なくともＩＤＴ電極２１は第２の接続配線２５に接続されている。第２の接続配線２５は、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１の表面に陽極酸化膜３０を形成する際に用いる通電用の接続配線であって、ＳＡＷウェハ１Ａの全てのＩＤＴ電極２１と接続されるとともに、その終端が、ＳＡＷウェハ１Ａの外周部分の上記第１の通電端子１９とは異なる領域に設けられた共通端子としての第２の通電端子２９に接続されている。
【００２８】
本実施形態では、複数のデュアルＳＡＷ共振子１が形成されたＳＡＷウェハ１Ａにおいて、第１のＳＡＷ共振子要素１０から第１の接続配線１５により接続されて引き出された第１の通電端子１９と、第２のＳＡＷ共振子要素２０から第２の接続配線２５により接続されて引き出された第２の通電端子２９とが、ＳＡＷウェハ１Ａの外周部分の反対方向にそれぞれ設けられている。
【００２９】
上記したＳＡＷウェハ１Ａにおける陽極酸化用の接続配線による複数のデュアルＳＡＷ共振子１の接続について、図４を用いて具体的に説明する。
ＳＡＷウェハ１Ａ上の設けられた複数のデュアルＳＡＷ共振子１のうち、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１は、第１の接続配線１５に接続されている。詳しくは、バスバーにより連結された複数の一次側電極指１２ａからなる交差指電極は、接続配線１５ａを介して第１の接続配線１５に接続されている。また、バスバーにより連結された複数の二次側電極指１２ｂからなる交差指電極は、接続配線１５ｄを介して反射器１３Ａに接続され、その反射器１３Ａが接続配線１５ｂを介して第１の接続配線１５に接続されている。また、反射器１３Ｂは接続配線１５ｃを介して第１の接続配線１５に接続されている。
【００３０】
一方、ＳＡＷウェハ１Ａ上の設けられた複数のデュアルＳＡＷ共振子１のうち、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１は、第２の接続配線２５に接続されている。詳しくは、バスバーにより連結された複数の一次側電極指２２ａからなる交差指電極は、接続配線２５ａを介して第２の接続配線２５に接続されている。また、バスバーにより連結された複数の二次側電極指２２ｂからなる交差指電極は、接続配線２５ｄを介して反射器２３Ｂに接続され、その反射器２３Ｂが接続配線２５ｃを介して第２の接続配線２５に接続されている。また、反射器２３Ａは接続配線２５ｂを介して第２の接続配線２５に接続されている。
【００３１】
また、図４において、ＳＡＷウェハ１Ａから個片のデュアルＳＡＷ共振子１を切り出す際のダイシングライン３５を破線にて示している。本実施形態のＳＡＷウェハ１Ａでは、陽極酸化する際の通電用の各接続配線のうち、個片のデュアルＳＡＷ共振子１において電気的に独立させる部分を結ぶ接続配線が、ダイシングライン３５にそってダイシングすることにより切断されるように配置されている。すなわち、第１のＳＡＷ共振子要素１０と第１の接続配線１５とを接続する接続配線１５ａ〜１５ｄ、および、第２のＳＡＷ共振子要素２０と第２の接続配線２５とを接続する接続配線２５ａ〜２５ｄは、ＳＡＷウェハ１Ａがダイシングライン３５に沿って切断された際に、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１と反射器１３Ａ，１３Ｂ、および、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１と反射器２３Ａ，２３Ｂとのそれぞれが電気的に切り離されるようになっている（図１（ａ）を併せて参照）。
【００３２】
〔ＳＡＷ共振子の製造方法〕
次に、上記実施形態のデュアルＳＡＷ共振子１の製造方法について図５および図６を参照しながら説明する。図５は、デュアルＳＡＷ共振子１の製造方法のフローチャートである。また、図６は、陽極酸化によるデュアルＳＡＷ共振子１の周波数調整を行っている様子を模式的に示す説明図である。
【００３３】
図５において、まず、ステップＳ１に示すように、デュアルＳＡＷ共振子１を多数個同時に形成するための大判の圧電基板５のウェハを準備する。このウェハはＳＡＷウェハ１Ａの原型となるものであって、圧電基材の原石をウェハの原型の厚みに切り出した後に、圧電基板５（図１を参照）の厚みとなって、且つ、所望の表面状態になるまで研磨加工することにより形成される。
【００３４】
次に、ステップＳ２に示すように、ウェハ上にＩＤＴ電極１１，２１などのＳＡＷパターンを形成する。ＳＡＷパターン形成では、まず、圧電基板５からなるウェハ上に、蒸着法あるいはスパッタリング法などにより、ＩＤＴ電極１１，２１の形成用金属材料であるアルミニウム薄膜を積層させる。次に、アルミニウム薄膜上に、スピンコート法や浸漬法などによりフォトレジスト膜を形成した後、フォトレジスト膜にＩＤＴ電極１１，２１などのＳＡＷパターンを露光してから現像することにより、ＳＡＷパターンと略同一形状のフォトレジストパターンを形成する。そして、そのフォトレジストパターンをエッチングレジストとしてアルミニウム薄膜をエッチングすることにより、複数の一次側電極指１２ａ，２２ａおよび二次側電極指１２ｂ，２２ｂを交差させて設けてなるＩＤＴ電極１１，２１を形成する。
なお、本実施形態では、デュアルＳＡＷ共振子１を構成するＩＤＴ電極１１，２１以外のＳＡＷパターン、例えば、反射器１３Ａ，１３Ｂ，２３Ａ，２３Ｂ、陽極酸化の通電用に用いる種々の接続配線も、ＩＤＴ電極１１，２１と同じアルミニウム薄膜をパターニングすることによりＩＤＴ電極１１，２１と同時に形成する。
以上の工程を経て、ウェハ上に複数のデュアルＳＡＷ共振子１のＳＡＷパターンが形成されたＳＡＷウェハ１Ａが得られる（図３を参照）。
【００３５】
次に、ステップＳ３に示すように、ＳＡＷウェハ１Ａに形成されたデュアルＳＡＷ共振子１の初期周波数測定を行う。本実施形態の周波数測定では、図３に示すＳＡＷウェハ１Ａの第１の通電端子１９および第２の通電端子２９を用いて、第１のＳＡＷ共振子要素１０と、第２のＳＡＷ共振子要素２０との初期周波数データをそれぞれ得る。
周波数測定は、プローブピンなどのコンタクト部、ＩＤＴ電極１１，２１を励振させる発振器、周波数を測定する周波数カウンタなどからなる周波数測定手段を用いて、第１の通電端子１９または第２の通電端子２９に接触させたコンタクト部を介して発振器により各ＩＤＴ電極１１，２１を発振させ、そのときの周波数を周波数カウンタによって計測することなどにより行う。
【００３６】
次に、デュアルＳＡＷ共振子１の周波数調整を行う。周波数調整は、ステップＳ３の初期周波数測定で測定された第１のＳＡＷ共振子要素１０および第２のＳＡＷ共振子要素２０それぞれの初期周波数測定値と、第１のＳＡＷ共振子要素１０および第２のＳＡＷ共振子要素２０それぞれの周波数規格値との差に基づいて、その差を補正し得る膜厚の陽極酸化膜３０をＩＤＴ電極１１，２１それぞれの表面に形成することにより行う（図２を参照）。
このとき、ＳＡＷウェハ１Ａに形成された複数のデュアルＳＡＷ共振子１において、第１のＳＡＷ共振子要素１０と第２のＳＡＷ共振子要素２０との周波数調整は別々に行う。すなわち、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１と、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１との陽極酸化膜３０の形成は別々に行う。本実施形態では、第１のＳＡＷ共振子要素１０の周波数調整を行ってから（ステップＳ４）、次に第２のＳＡＷ共振子要素２０の周波数調整を行う（ステップＳ５）フローを説明するが、この順番は特に問わない。
【００３７】
陽極酸化膜形成によるデュアルＳＡＷ共振子１の周波数調整は、例えば図６に示すような設備を用いて実施することができる。
図６において、複数のデュアルＳＡＷ共振子１が形成されたＳＡＷウェハ１Ａは、陽極酸化を行うための陽極酸化槽５１に入れられる。陽極酸化槽５１の中には陽極酸化液が入れられている。また、陽極酸化槽５１の陽極酸化液５３の中には、ＳＡＷウェハ１Ａと共に、陰極板として例えば白金電極５６が浸されている。
【００３８】
そして、ＳＡＷウェハ１Ａを陽極側として第１の通電端子１９および第２の通電端子２９をそれぞれ陽極側クリップ５７，５８をそれぞれ介して直流またはパルスの電源５５に接続し、その電源５５の陰極側に白金電極５６を接続して、電源５５により所定の電解電圧を印加して電流を流し、アルミニウムを電解酸化することによってＩＤＴ電極１１，２１の表面に陽極酸化膜３０を形成する。
このとき、ＳＡＷウェハ１Ａの第１の通電端子１９および第２の通電端子２９と、電源５５との接続は、切り換えスイッチ５９によりそれぞれ別個に切り換え可能となっている。すなわち、図中、切り換えスイッチ５９が実線５９ａのように接続されたときは、ＳＡＷウェハ１Ａの第１の通電端子１９と電源５５とが接続され、切り換えスイッチ５９が破線５９ｂのように接続されたときは、ＳＡＷウェハ１Ａの第２の通電端子２９と電源５５とが接続される。これにより、ＳＡＷウェハ１Ａに形成された複数のデュアルＳＡＷ共振子１の第１のＳＡＷ共振子要素１０と、第２のＳＡＷ共振子要素２０との陽極酸化による周波数調整を別々に行うことができる。
【００３９】
次に、ステップＳ６に示すように、陽極酸化膜３０形成による周波数調整を行った後の各ＩＤＴ電極１１，２１それぞれの周波数を測定する調整後周波数測定を行う。なお、図示はしないが、調整後周波数が規格値の許容範囲外となったデュアルＳＡＷ共振子１は、不良品として不良マーキングをするなどの不良処置を施す。
【００４０】
次に、ステップＳ７に示すように、ＳＡＷウェハ１Ａをダイシングすることなどにより個片のデュアルＳＡＷ共振子１を得る個片化を行い、一連のデュアルＳＡＷ共振子１の製造工程を終了する。
【００４１】
上記実施形態のデュアルＳＡＷ共振子１の製造方法によれば、周波数帯域特性の異なる第１のＳＡＷ共振子要素１０と第２のＳＡＷ共振子要素２０とをそれぞれ別個に周波数調整することができるので、各ＳＡＷ共振子要素毎に周波数が精緻に調整されたデュアルＳＡＷ共振子１を提供することができる。
また、周波数調整のために形成される陽極酸化膜３０は絶縁性を有しているので絶縁膜としても機能し、ＩＤＴ電極１１とＩＤＴ電極２１との間に導電性の異物が落下することによる短絡などの電気的なトラブルを防止することができる。
【００４２】
（変形例１）
上記実施形態のデュアルＳＡＷ共振子１およびその製造方法では、第１のＳＡＷ共振子要素１０および第２のＳＡＷ共振子要素２０それぞれの一次側電極指１１ａ，２１ａおよび二次側電極指１１ｂ，２１ｂの両方共に陽極酸化して周波数調整する構成とした。これに限らず、第１のＳＡＷ共振子要素１０および第２のＳＡＷ共振子要素２０のそれぞれにおいて、一次側電極指１１ａ，２１ａまたは二次側電極指１１ｂ，２１ｂのいずれか一方のみに陽極酸化膜３０を形成する構成としてもよい。
図７は、第１のＳＡＷ共振子要素および第２のＳＡＷ共振子要素のそれぞれを構成する一次側電極指および二次側電極指のうち、いずれか一方のみに陽極酸化膜を形成することにより周波数調整が施されたデュアルＳＡＷ共振子のＳＡＷウェハ１０１Ａを説明する部分平面図である。
【００４３】
図７において、ＳＡＷウェハ１０１Ａに形成された複数のデュアルＳＡＷ共振子は、ＩＤＴ電極１１および反射器１３Ａ，１３Ｂが設けられてなる第１のＳＡＷ共振子要素１１０と、ＩＤＴ電極２１および反射器２３Ａ，２３Ｂが設けられてなる第２のＳＡＷ共振子要素１２０とを有している。
【００４４】
第１のＳＡＷ共振子要素１１０のＩＤＴ電極１１を構成する複数の一次側電極指１２ａおよび二次側電極指１２ｂのうち、バスバーにより連結された複数の一次側電極指１２ａは、接続配線１１５ａを介して第１の接続配線１１５に接続されている。この第１の接続配線１１５は、図示はしないが、ＳＡＷウェハ１０１Ａの全てのＩＤＴ電極１１の一次側電極指１２ａと接続されるとともに、その終端がＳＡＷウェハ１０１Ａの外周部分の一端側に設けられた共通端子としての第１の通電端子に接続されている。
【００４５】
一方、ＳＡＷウェハ１０１Ａの複数のデュアルＳＡＷ共振子において、第２のＳＡＷ共振子要素１２０のＩＤＴ電極２１を構成する一次側電極指２２ａおよび二次側電極指２２ｂのうち、バスバーにより連結された複数の一次側電極指２２ａからなる交差指電極は、接続配線１２５ａを介して第２の接続配線１２５に接続されている。また、第２の接続配線１２５は、図示はしないが、ＳＡＷウェハ１０１Ａの全てのＩＤＴ電極２１の一次側電極指２２ａと接続されるとともに、その終端がＳＡＷウェハ１０１Ａの外周部分において、上記第１の通電端子が設けられた領域とは異なる他端側に設けられた共通端子としての第２の通電端子に接続されている。
【００４６】
また、ＳＡＷウェハ１０１Ａにおいて、第１の接続配線１１５および第２の接続配線１２５は、ＳＡＷウェハ１０１Ａがダイシングライン３５に沿って切断された際に、対応する第１のＳＡＷ共振子要素１１０または第２のＳＡＷ共振子要素１２０と、それぞれ電気的に切り離されるようになっている。
【００４７】
上記変形例１のＳＡＷウェハ１０１Ａのように、第１のＳＡＷ共振子要素１１０および第２のＳＡＷ共振子要素１２０それぞれのＩＤＴ電極１１，２１を構成する一対の交差指電極のうち、いずれか一方に陽極酸化膜を形成することによっても第１のＳＡＷ共振子要素１１０または第２のＳＡＷ共振子要素１２０の周波数調整を行うことが可能である。また、ＳＡＷウェハ１０１Ａの陽極酸化膜形成用の接続配線は、上記実施形態のＳＡＷウェハ１Ａに比べて複雑でなく製造が容易である。
【００４８】
（変形例２）
上記実施形態のＳＡＷウェハ１Ａでは、複数のデュアルＳＡＷ共振子１の第１のＳＡＷ共振子要素１０および第２のＳＡＷ共振子要素２０それぞれから接続配線により引き出した陽極酸化用の通電端子を、第１の通電端子１９および第２の通電端子２９にそれぞれまとめて接続する構成とした。これに限らず、単数または複数のＳＡＷ共振子要素毎に通電端子を設ける構成としてもよい。
図８は、ＳＡＷ共振子要素の第１のＳＡＷ共振子要素および第２のＳＡＷ共振子要素のそれぞれの列毎にまとめて接続する通電端子を配設したＳＡＷウェハ２０１Ａを説明する平面図である。
【００４９】
図８において、ＳＡＷウェハ２０１Ａは、大判の水晶からなる圧電基板５のウェハに、第１のＳＡＷ共振子要素１０および第２のＳＡＷ共振子要素２０とからなる複数のデュアルＳＡＷ共振子１がマトリクス状に並べて形成されている。図８においては、縦横に４つずつのデュアルＳＡＷ共振子１が形成されている。この横方向に４つ並べて形成されたデュアルＳＡＷ共振子１の四つの列毎に、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１および第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１が、陽極酸化用の通電配線である接続配線により接続され、各接続配線毎の終端部に第１の通電端子または第２の通電端子が設けられている。
【００５０】
詳細には、ＳＡＷウェハ２０１Ａの紙面上もっとも上の列の四つのデュアルＳＡＷ共振子１において、各第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１が第１の接続配線２１５ａにより接続され、その第１の接続配線２１５ａがＳＡＷウェハ２０１Ａの外周部分の一端側に設けられた第１の通電端子２１９ａに接続されている。また、各第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１が第２の接続配線２２５ａにより接続され、その第２の接続配線２２５ａがＳＡＷウェハ２０１Ａの外周部分の他端側に設けられた第２の通電端子２２９ａに接続されている。
【００５１】
同様に、ＳＡＷウェハ２０１Ａの紙面上、上から二番目の列の四つのデュアルＳＡＷ共振子１から一番下の列の四つのデュアルＳＡＷ共振子１において、各第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１が第１の接続配線２１５ｂ〜２１５ｄにより接続され、それら第１の接続配線２１５ｂ〜２１５ｄがＳＡＷウェハ２０１Ａの外周部分の一端側近傍に設けられた第１の通電端子２１９ｂ〜２１９ｄにそれぞれ接続されている。また、各第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１が第２の接続配線２２５ｂ〜２２５ｄにより接続され、ＳＡＷウェハ２０１Ａの外周部分の他端側近傍に設けられた第２の通電端子２２９ｂ〜２２９ｄに接続されている。
【００５２】
上記変形例２のＳＡＷウェハ２０１Ａによれば、複数のデュアルＳＡＷ共振子１の横方向の各列毎の第１のＳＡＷ共振子要素１０または第２のＳＡＷ共振子要素２０の陽極酸化膜形成による周波数調整を、それぞれ独立させて行うことができる。したがって、各ＳＡＷ共振子要素毎により精緻に周波数が調整された高精度のデュアルＳＡＷ共振子１を提供することができる。
【００５３】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態およびその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００５４】
例えば、上記変形例２のＳＡＷウェハ２０１Ａでは、マトリクス状に配置されて形成された複数のデュアルＳＡＷ共振子１の各列毎の第１のＳＡＷ共振子要素１０または第２のＳＡＷ共振子要素２０毎に、第１の接続配線２１５ａ〜２１５ｄまたは第２の接続配線２２５ａ〜２２５ｄを介して、第１の通電端子２１９ａ〜２１９ｄまたは第２の通電端子２２９ａ〜２２９ｄに接続する構成とした。陽極酸化用の通電端子との接続方法はこれに限らず、例えば、各デュアルＳＡＷ共振子１毎に第１のＳＡＷ共振子要素１０および第２のＳＡＷ共振子要素２０のそれぞれから第１の接続配線または第２の接続配線を引き出して、各々個別に陽極酸化膜形成による周波数調整を行うようにすることも可能である。
【００５５】
また、上記実施形態または変形例で説明した圧電基板５には水晶を用いたが、これに限定されない。水晶以外に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウム、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの薄膜圧電材料を積層させて構成された圧電基板を用いることもできる。
【００５６】
また、上記実施形態および変形例では、ＩＤＴ電極１１，２１および反射器１３Ａ，１３Ｂ，２３Ａ，２３Ｂあるいは各接続配線の形成用金属材料としてアルミニウムを用いた。これに限らず、陽極酸化膜を形成することができる金属材料であればよく、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料を用いることもできる。
【００５７】
また、上記実施形態では、周波数帯域特性の異なる複数の弾性表面波素子要素を有する弾性表面波素子の一例としてデュアルＳＡＷ共振子１およびその製造方法について詳細に説明した。これに限定されず、周波数帯域特性の異なる三つ以上の弾性表面波素子要素（ＳＡＷ共振子要素）を有する複合ＳＡＷ共振子であってもよく、また、ＳＡＷ共振子の他のＳＡＷデバイス、例えばＳＡＷフィルタ、あるいはセンサやコンボルバなどのＳＡＷ遅延素子などの、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されてなる他の弾性表面波素子であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】（ａ）は、弾性表面波素子としてのデュアルＳＡＷ共振子の一実施形態を模式的に説明する平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図。
【図２】図１（ｂ）のＤ部を拡大して説明する部分拡大断面図。
【図３】弾性表面波素子用ウェハとしてのＳＡＷウェハを説明する平面図。
【図４】図３のＥ部を拡大して説明する部分平面図。
【図５】デュアルＳＡＷ共振子の製造方法のフローチャート。
【図６】デュアルＳＡＷ共振子の周波数調整を行っている様子を模式的に示す説明図。
【図７】ＳＡＷウェハの変形例１を説明する部分平面図。
【図８】ＳＡＷウェハの変形例２を説明する平面図。
【符号の説明】
【００５９】
１…弾性表面波素子としてのデュアルＳＡＷ共振子、１Ａ，１０１Ａ，２０１Ａ…弾性表面波素子用ウェハとしてのＳＡＷウェハ、５…圧電基板、１０，１１０…第１のＳＡＷ共振子要素、１１，２１…ＩＤＴ電極、１１ａ，１２ａ，２１ａ，２２ａ…一次側電極指、１１ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂ…二次側電極指、１３Ａ，１３Ｂ，２３Ａ，２３Ｂ…反射器、１５，１１５，２１５ａ〜２１５ｄ…第１の接続配線、１５ａ〜１５ｄ，２５ａ〜２５ｄ，１１５ａ，１２５ａ…接続配線、１９，２１９ａ〜２１９ｄ…第１の通電端子、２０，１２０…第２のＳＡＷ共振子要素、２５，１２５，２２５ａ〜２２５ｄ…第２の接続配線、２９，２２９ａ〜２２９ｄ…第２の通電端子、３０…陽極酸化膜、３５…ダイシングライン、５１…陽極酸化槽、５３…陽極酸化液、５５…電源、５６…白金電極、５７，５８…陽極側クリップ、５９…切り換えスイッチ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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