(57)【要約】【課題】既存の検知センサを利用し、かつ、スループットを低下させることなく、基板割れ検知率を向上できる基板処理装置を提供する。【解決手段】ロードロックチャンバ部２００から基板を取出す場合、位置Ｃにあり基板が搭載されていないフィンガー３２２は位置Ｂへ移動され、第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。第３検知センサ３による判断がＯＦＦであれば、フィンガー３２２は位置Ａに移動され、ロードロックチャンバ部２００上の基板が搭載された後、位置Ｂへの移動が開始される。位置Ａから位置Ｂへ移動する際、位置Ｅを通過するタイミングで、第２検知センサ２によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。第２検知センサ２による判断がＯＮであれば、フィンガー３２２は位置Ｂに移動され、再び第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断され、この判断がＯＮであれば、正常に終了する。【選択図】図１
2010206139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の室と、
この第１の室と連接される第２の室と、
複数の基板が保持される基板支持部を備え、少なくとも前記第１の室から第２の室へ基板を移載する移載手段と、
前記移載手段の基板支持部に支持された基板を、初期位置と基板載置位置以外の予め設定された位置で検知する基板検知手段と、
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１では、ラインセンサを少なくとも２つ設けて基板端部の位置を算出するという簡単な構成で、基板もしくはラインセンサを移動させなくとも瞬時に基板位置を算出することができ、基板位置の補正量を速やかに算出できる半導体製造装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−９３８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の技術では、基板の割れ方によっては正しく判断できない場合があるなど、検知が十分でなかった。
【０００５】
本発明は、既存の検知センサを利用し、かつ、スループットを低下させることなく、基板割れ検知率を向上できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、第１の室と、この第１の室と連接される第２の室と、複数の基板が保持される基板支持部を備え、少なくとも前記第１の室から第２の室へ基板を移載する移載手段と、前記移載手段の基板支持部に支持された基板を、初期位置と基板載置位置以外の予め設定された位置で検知する基板検知手段と、を有する。これにより、確実に基板割れ又は基板位置ずれの検知が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態が適用される基板処理装置を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態が適用される基板処理装置を示す側面図である。
【図３】本発明の一実施形態が適用される基板処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態が適用される基板処理装置における基板検知センサの配置説明図である。
【図５】本発明の一実施形態が適用される基板処理装置のロードロックチャンバ部の動作のシーケンスである。
【図６】本発明の一実施形態が適用される基板処理装置のロードロックチャンバ部の動作のシーケンスである。
【図７】本発明の一実施形態が適用される基板処理装置のプロセスチャンバ部の動作のシーケンスである。
【図８】本発明の一実施形態が適用される基板処理装置のプロセスチャンバ部の動作のシーケンスである。
【図９】本発明の他の実施形態が適用される基板処理装置における基板検知センサの配置説明図である。
【図１０】本発明の他の実施形態が適用される基板処理装置のロードロックチャンバ部の動作のシーケンスである。
【図１１】本発明の他の実施形態が適用される基板処理装置のロードロックチャンバ部の動作のシーケンスである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
次に本発明の基板処理装置における好ましい実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明の好ましい実施形態においては、半導体装置として用いられるアッシャ装置により、半導体装置の製造方法が実現される。
図１は、本発明の好ましい実施形態のアッシャ装置１０を説明するための概略横断図であり、図２は、本発明の好ましい実施形態のアッシャ装置１０を説明するための概略縦断面である。
図１及び２に示されるように、アッシャ装置１０は、ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）１００と、ロードロックチャンバ部２００と、トランスファーチャンバ部３００と、アッシング処理がなされる処理室として用いられるプロセスチャンバ部４００とを備えている。
【０００９】
ＥＦＥＭ１００は、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）１１０、１２０及びそれぞれのＦＯＵＰからロードロックチャンバ部２００へ基板としてのウエハ６００を搬送する第１の搬送部である大気搬送ロボット１３０を備える。ＦＯＵＰ１１０、１２０には２５枚のウエハが搭載され、大気搬送ロボット１３０のアーム部１３２がＦＯＵＰから５枚ずつウエハ６００を抜き出す。
【００１０】
ロードロックチャンバ部２００は、ロードロックチャンバ２５０、２６０と、ＦＯＵＰから搬送されたウエハ６００をロードロックチャンバ２５０、２６０内でそれぞれ保持するバッファユニット２１０、２２０を備えている。バッファユニット２１０、２２０は、ボート２１２、２２２と、その下部のインデックスアセンブリ２１４、２２４とを備えている。ボート２１２（２２２）と、その下部のインデックスアセンブリ２１４（２２４）は、θ軸２１６（２２６）により同時に回転する。
【００１１】
トランスファーチャンバ部３００は、搬送室として用いられるトランスファーモジュール３１０を備えており、先述のロードロックチャンバ２５０、２６０は、ゲートバルブ３１２、３１４を介して、トランスファーモジュール３１０に取り付けられている。トランスファーモジュール３１０には、第２の搬送部として用いられる真空アームロボットユニット３２０が設けられている。
【００１２】
プロセスチャンバ部４００は、処理室として用いられるプラズマ処理ユニット４１０、４２０と、その上部に設けられたプラズマ発生室４３０、４４０とを備えている。プラズマ処理ユニット４１０、４２０は、ゲートバルブ３１６、３１８を介してトランスファーモジュール３１０に取り付けられている。
【００１３】
プラズマ処理ユニット４１０、４２０は、ウエハ６００を載置するサセプタテーブル４１２、４２２を備えている。サセプタテーブルサセプタテーブル４１２、４２２をそれぞれ貫通してリフターピン４１４、４２４が設けられている。リフターピン４１４、４２４は、Ｚ軸４１６、４２６方向にそれぞれ上下する。
【００１４】
プラズマ発生室４３０、４４０は、反応容器４３２、４４２をそれぞれ備え、反応容器４３２、４４２の外部には、高周波コイル４３４、４４４が設けられている。高周波コイル４３４、４４４に高周波電力を印加して、ガス導入口４３６、４４６から導入されたアッシング処理用の反応ガスをプラズマ化し、そのプラズマを利用してサセプタテーブル４１２、４２２上に載置されたウエハ６００上のレジストをアッシング（プラズマ処理）する。
【００１５】
次に、アッシャ装置１０の動作について説明する。
以上のように構成されたアッシャ装置１０においては、ＦＯＵＰ１１０、１２０からロードロックチャンバ２５０（２６０）へとウエハ６００が搬送される。この際、まず、図２に示されるように、大気搬送ロボット１３０が、ＦＯＵＰ１１０、１２０のポッドにツイーザを格納し、５枚の６００をツイーザ上へ載置する。このとき、取出すウエハ６００の高さ方向の位置に合わせて、大気搬送ロボット１３０のツイーザ及びアームを上下させる。
ウエハ６００をツイーザへ載置した後、大気搬送ロボット１３０がθ軸１３４方向へ回転し、バッファユニット２１０（２２０）のボート２１２（２２２）にウエハ６００を載置する。このとき、ボート２１２（２２２）のＺ軸２３０方向の動作により、ボート２１２（２２２）は、大気搬送ロボット１３０から２５枚のウエハ６００を受け取る。２５枚のウエハ６００を受け取った後、ボート２１２（２２２）の最下層にあるウエハ６００がトランスファーチャンバ部３００の高さ位置に合うように、ボート２１２（２２２）をＺ軸２３０方向に動作させる。
【００１６】
ロードロックチャンバ２５０（２６０）においては、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内のバッファユニット２１０（２２０）によって保持されているウエハ６００を、真空アームロボットユニット３２０のフィンガー３２２に搭載する。θ軸３２４方向で真空アームロボットユニット３２０を回転し、さらにＹ軸３２６方向にフィンガー３２２を延伸し、プラズマ処理ユニット４１０（４２０）内のサセプタテーブル４１２（４２２）上に移載する。
【００１７】
ここで、ウエハ６００を、フィンガー３２２からサセプタテーブル４１２（４２２）へ移載する工程を説明する。
【００１８】
真空アームロボットユニット３２０のフィンガー３２２とリフターピン４１４（４２４）との協働により、ウエハ６００をサセプタテーブル４１２（４２２）上に移載する。また、逆の動作により、処理が終了したウエハ６００をサセプタテーブル４１２（４２２）から、真空アームロボットユニット３２０によって、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内のバッファユニット２１０（２２０）にウエハ６００を移載する。
【００１９】
以上のように構成されたアッシャ装置１０では、ロードロックチャンバ２５０（２６０）へウエハ６００が搬送され、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内が真空引き（真空置換）され、ロードロックチャンバ２５０（２６０）から、トランスファーモジュール３１０を経て、ウエハ６００がプラズマ処理ユニット４１０（４２０）へと搬送され、プラズマ処理ユニット４１０（４２０）でウエハ６００からレジストの除去がなされ（除去工程）、レジストの除去がなされたウエハ６００が、トランスファーモジュール３１０を経て再びロードロックチャンバ２５０（２６０）へ搬送される。その後、ＦＯＵＰ１１０、１２０へウエハ６００が搬送される。
なお、処理済のウエハ６００がＦＯＵＰ１１０、１２０に搬送された後、ＥＦＥＭ１００にマッピングセンサを設け、ＦＯＵＰ１１０、１２０内のウエハ６００を検知するのが好ましい。このようにすれば、次の工程に搬送される直前にウエハ割れなどのチェックを行うことができる。このため、装置の信頼性が向上する。
【００２０】
図３には、プラズマ処理ユニット４１０の詳細が示されている。なお、先述のプラズマ処理ユニット４２０は、プラズマ処理ユニット４１０と同じ構成である。
プラズマ処理ユニット４１０は、半導体基板や半導体素子に乾式処理でアッシングを施す高周波無電極放電型のプラズマ処理ユニットである。プラズマ処理ユニット４１０は、図３に示すように、プラズマを生成するためのプラズマ発生室４３０、半導体基板などのウエハ６００を収容する処理室４５０、プラズマ発生室４３０（特に高周波コイル４３４）に高周波電力を供給する高周波電源４５２、及び高周波電源４５２の発振周波数を制御する周波数整合器４５４を備えている。例えば、架台としての水平なベースプレート４５６の上部に前記のプラズマ発生室４３０を配置し、ベースプレート４５６の下部に処理室４５０を配置して構成される。また、高周波コイル４３４と外側シールド４５８とで、螺旋共振器が構成される。
【００２１】
プラズマ発生室４３０は、減圧可能に構成され且つプラズマ用の反応ガスが供給され、反応容器４３２と、反応容器４３２の外周に巻回された高周波コイル４３４と、高周波コイル４３４の外周に配置され且つ電気的に接地された外側シールド４５８とから構成される。
【００２２】
反応容器４３２は、通常、高純度の石英硝子やセラミックスにて同筒状に形成された所謂チャンバである。反応容器４３２は、通常、線軸が垂直になるように配置され、トッププレート４６０及び処理室４５０によって上下端が気密に封止される。反応容器４３２の下方の処理室４５０の底面には、複数（例えば４本）の支柱４６２によって支持されるサセプタ４６４が設けられ、このサセプタ４６４には、サセプタテーブル４１２及びサセプタ４６４上のウエハを加熱する基板加熱部としてのヒータ４６６が具備される。
【００２３】
サセプタ４６４の下方に、排気板４６８が配設される。排気板４６８は、ガイドシャフト４７０を介して底板４７２に支持され、この底板４７２は処理室４５０の下面に気密に設けられる。昇降基板４７４がガイドシャフト４７０をガイドとして昇降自在に動くように設けられる。昇降基板４７４は、少なくとも３本のリフターピン４１４を支持している。リフターピン４１４は、サセプタ４６４を貫通する。そして、リフターピン４１４の頂には、ウエハ６００を支持するウエハ支持部４７６が設けられている。ウエハ支持部４７６は、サセプタ４６４の中心方向に延出している。リフターピン４１４の昇降によって、ウエハ６００をサセプタテーブル４１２に載置し、あるいはサセプタテーブル４１２から持ち上げることができる。底板４７２を経由して昇降駆動部（図示略）の昇降シャフト４７８が昇降基板４７４に連結されている。昇降駆動部が昇降シャフト４７８を昇降させることで、昇降基板４７４とリフターピン４１４を介して、ウエハ支持部４７６が昇降する。
【００２４】
サセプタ４６４と排気板４６８の間にバッフルリング４８０が設けられる。バッフルリング４８０、サセプタ４６４、排気板４６８で第一排気室４８２が形成される。円筒状のバッフルリング４８０は、通気孔が多数均一に設けられている。従って、第一排気室４８２は、処理室４５０と仕切られ、また通気孔によって、処理室４５０と連通している。
【００２５】
排気板４６８に、排気連通孔４８４が設けられる。排気連通孔４８４によって、第一排気室４８２と第二排気室４８６が連通される。第二排気室４８６には、排気管４８８が連通されており、この排気管４８８にはガス排気ユニットとしての排気装置４９０が設けられている。
【００２６】
反応容器４３２の上部のトッププレート４６０には、ガス供給ユニットから伸長され且つ所要のプラズマ用の反応ガスを供給するためのガス供給管４９２が、ガス導入口４３６に付設されている。ガス供給ユニットは、ガスの流量を制御する機能を持ち、具体的には流量制御部であるマスフローコントローラ４９４及び開閉弁４９６を有している。マスフローコントローラ４９４及び開閉弁４９６を制御することで、ガスの供給量を制御する。
また、反応容器４３２には、反応ガスをこの反応容器４３２の内壁に沿って流れるようにするための略円板形で、石英からなるバッフル板４９８が設けられている。
なお、流量制御部及び排気装置４９０によって供給量、排気量を調整することにより、処理室４５０の圧力が調整される。
【００２７】
高周波コイル４３４は、所定の波長の定在波を形成するため、一定波長モードで共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。すなわち、高周波コイル４３４の電気的長さは、高周波電源４５２から供給される電力の所定周波数における１波長の整数倍（１倍、２倍、・・・）又は半波長もしくは１／４波長に相当する長さに設定される。例えば、１波長の長さは、１３．５６ＭＨｚの場合約２２メートル、２７．１２ＭＨｚの場合約１１メートル、５４．２４ＭＨｚの場合約５．５メートルになる。高周波コイル４３４は、絶縁性材料にて平板状に形成され且つベースプレート４５６の上端面に鉛直に立設された複数のサポートによって支持される。
【００２８】
高周波コイル４３４の両端は電気的に接地されるが、高周波コイル４３４の少なくとも一端は、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に当該高周波コイル４３４の電気的長さを微調整するため、可動タップ５０２を介して接地される。図３中の符号５０４は他方の固定グランドを示す。更に、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に高周波コイル４３４のインピーダンスを微調整するため、高周波コイル４３４の接地された両端の間には、可動タップ５０２によって給電部が構成される。
【００２９】
すなわち、高周波コイル４３４の両端は電気的に接地されたグランド部を両端に備え且つ高周波電源４５２から電力供給される給電部を各グランド部の間に備え、しかも、少なくとも一方のグランド部は、位置調整可能な可変式グランド部とされ、そして、給電部は、位置調整可能な可変式給電部とされる。高周波コイル４３４が可変式グランド部及び可変式給電部を備えている場合には、後述するように、プラズマ発生室４３０の共振周波数及び負荷インピーダンスを調整するにあたり、より一層簡便に調整することができる。
【００３０】
外側シールド４５８は、高周波コイル４３４の外側への電磁波の漏れを遮蔽するとともに、共振回路を構成するのに必要な容量成分を高周波コイル４３４との間に形成するために設けられる。外側シールド４５８は、一般的には、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの導電性材料を使用して円筒状に形成される。外側シールド４５８は、高周波コイル４３４の外周から、例えば５〜１５０ｍｍ程度隔てて配置される。
【００３１】
高周波電源４５２の出力側にはＲＦセンサ５０６が設置され、進行波、反射波等をモニタしている。ＲＦセンサ５０６によってモニタされた反射波電力は、周波数整合器５０８に入力される。周波数整合器５０８は、反射波が最小となるように周波数を制御する。
【００３２】
コントローラ５１０は、単に高周波電源４５２のみを制御するものではなく、アッシャ装置１０全体の制御を行っている。コントローラ５１０には、表示部であるディスプレイ５１２が接続されている。ディスプレイ５１２は、例えば、ＲＦセンサ５０６による反射波のモニタ結果等、アッシャ装置１０に設けられた各種検出部で検出されたデータ等を表示する。
【００３３】
次に、載置工程を説明する。ウエハ６００を搭載したフィンガー３２２が、処理室４５０に進入する。リフターピン４１４が上昇する。フィンガー３２２は、上昇されたリフターピン４１４にウエハ６００を載置する。
【００３４】
搬送工程にて、室温に保持されたウエハ６００を載置した後、アッシングガスを、ガス供給管４９２からプラズマ発生室４３０に供給する。アッシングガスは酸素、水素、水、アンモニア、四フッ化炭素（ＣＦ４）等がある。ガス供給後高周波電源４５２が、高周波コイル４３４に電力を供給する。
【００３５】
高周波コイル４３４内部に励起される誘導磁界によって自由電子を加速し、ガス分子と衝突させることでガス分子を励起してプラズマを生成する。このようにして、プラズマ化されたアッシングガスにより、アッシング処理を行う。
【００３６】
上述した前記プラズマ処理ユニット４１０、ウエハ６００を搬送する大気搬送ロボット１３０や真空アームロボットユニット３２０などの搬送ユニット、前記プラズマ処理ユニット４１０に処理ガス等を供給するガス供給ユニット、前記プラズマ処理ユニット４１０内を排気するガス排気ユニット、前記ウエハ６００を加熱するヒータ４６６は、それぞれコントローラ５１０によって制御されている。
【００３７】
図４は、アッシャ装置１０の基板検知センサ及びその周辺構造であり、基板（ウエハ６００）が搬送される際に取り得る位置の一部について、６つの位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦを示す。このアッシャ装置１０には、ロードロックチャンバ部２００の基板の有無を検知する第１検知センサ１、ロードロックチャンバ部２００内における基板格納時の基板の飛び出しを検知する第２検知センサ２、トランスファーチャンバ部３００内におけるロードロックチャンバ部２００側で基板の有無を検知する第３検知センサ３、トランスファーチャンバ部３００内におけるプロセスチャンバ部４００側で基板の有無を検知する第４検知センサ４及びトランスファーチャンバ部３００におけるプロセスチャンバ部４００側の基板格納時の基板の飛び出しを検知する第５検知センサ５、が設けられている。
これらのセンサによって、例えば、基板が存在するときはＯＮ、基板が存在しないときはＯＦＦとして判断する。
なお、本願発明において、図４中、フィンガー３２２が位置Ｂ、位置Ｃにある場合を初期位置とする。つまり、フィンガー３２２が位置Ｂ、位置Ｃにあるときは、このフィンガー３２２は収縮した状態にある。また、初期位置はロードロックチャンバ部２００やプロセスチャンバ部４００内のウエハ６００を搬送する際に待機しておく位置としてもよい。
【００３８】
また、図５及び６はそれぞれ、アッシャ装置１０におけるロードロックチャンバ部２００での基板取出し及び格納に際するシーケンスを示す。図７及び図８はそれぞれ、プロセスチャンバ部４００での基板取出し及び格納に際するシーケンスを示す。
【００３９】
アッシャ装置１０のロードロックチャンバ部２００における、基板の取出し及び格納の際のシーケンスについて説明する。
ロードロックチャンバ部２００から基板を取出す場合、位置Ｃにあり基板が搭載されていないフィンガー３２２（図１及び２参照）は位置Ｂへ移動され、第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第３検知センサ３による判断がＯＮであれば、アラームが表示され、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＦＦであれば、フィンガー３２２は位置Ａに移動され、ロードロックチャンバ部２００上の基板が搭載された後、位置Ｂへの移動が開始される。位置Ａから位置Ｂへ移動する際、位置Ｅを通過するタイミングで、第２検知センサ２によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第２検知センサ２による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＮであれば、フィンガー３２２は位置Ｂに移動され、再び第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
ここでの第３検知センサ３による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止し、ＯＮであれば、正常に終了する。
【００４０】
ロードロックチャンバ部２００へ基板を格納する場合、位置Ｃにあり基板が搭載されているフィンガー３２２は位置Ｂへ移動され、第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第３検知センサ３による判断がＯＦＦであれば、アラームが表示され、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＮであれば、フィンガー３２２の位置Ａへの移動が開始される。位置Ｂから位置Ａへ移動する際、位置Ｅを通過するタイミングで、第２検知センサ２によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第２検知センサ２による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＮであれば、フィンガー３２２は位置Ａに移動され、基板をロードロックチャンバ部２００へ移載する。その後、フィンガー３２２は位置Ｂに移動され、再び第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
ここでの第３検知センサ３による判断がＯＮであれば、異常があるとして搬送動作を停止し、ＯＦＦであれば、正常に終了する。
【００４１】
次に、アッシャ装置１０のプロセスチャンバ部４００における、基板の取出し及び格納の際のシーケンスについて説明する。
プロセスチャンバ部４００から基板を取出す場合、位置Ｂにあり基板が搭載されていないフィンガー３２２は位置Ｃへ移動され、第４検知センサ４によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第４検知センサ４による判断がＯＮであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＦＦであれば、フィンガー３２２は位置Ｄに移動され、プロセスチャンバ部４００上の基板が搭載された後、位置Ｃへの移動が開始される。位置Ｄから位置Ｃへ移動する際、位置Ｆを通過するタイミングで、第５検知センサ５によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第５検知センサ５による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＮであれば、フィンガー３２２は位置Ｃに移動され、再び第４検知センサ４によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
ここでの第４検知センサ４による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止し、ＯＮであれば、正常に終了する。
【００４２】
プロセスチャンバ部４００へ基板を格納する場合、位置Ｂにあり基板が搭載されているフィンガー３２２は位置Ｃへ移動され、第４検知センサ４によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第４検知センサ４による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＮであれば、フィンガー３２２の位置Ｄへの移動が開始される。位置Ｃから位置Ｄへ移動する際、位置Ｆを通過するタイミングで、第５検知センサ５によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第５検知センサ５による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＮであれば、フィンガー３２２は位置Ｄに移動され、基板をプロセスチャンバ部４００へ移載する。その後、フィンガー３２２は位置Ｃに移動され、再び第４検知センサ４によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
ここでの第４検知センサ４による判断がＯＮであれば、異常があるとして搬送動作を停止し、ＯＦＦであれば、正常に終了する。
【００４３】
図９は、他の実施形態に用いられる基板検知センサ及びその周辺構造を示す。この実施形態では、上述した第１乃至第５の検知センサ１、２、３、４及び５の他に、ロードロックチャンバ部２００のトランスファーチャンバ部３００側での基板の水平方向へのずれを検知する第６検知センサ６が備えられている。
また、図１０及び１１はそれぞれ、この実施形態におけるロードロックチャンバ部２００での基板取出し及び格納に際するシーケンスを示す。
【００４４】
この実施形態のロードロックチャンバ部２００における、基板の取出し及び格納の際のシーケンスについて説明する。
ロードロックチャンバ部２００から基板を取出す場合、位置Ｃにあり基板が搭載されているフィンガー３２２は位置Ｂへ移動され、第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第３検知センサ３による判断がＯＮであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＦＦであれば、フィンガー３２２は位置Ｅへ移動され、第２検知センサ２によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第２検知センサ２による判断がＯＮであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＦＦであれば、第６検知センサ６によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第６検知センサ６による判断がＯＮであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＦＦであれば、フィンガー３２２は位置Ａに移動され、基板をロードロックチャンバ部２００へ移載する。その後、フィンガー３２２は位置Ｂに移動され、再び第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
ここでの第３検知センサ３による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止し、ＯＮであれば、正常に終了する。
【００４５】
ロードロックチャンバ部２００へ基板を格納する場合、位置Ｃにあり基板が搭載されているフィンガー３２２は位置Ｂへ移動され、第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第３検知センサ３による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＮであれば、フィンガー３２２は位置Ｅへ移動され、第２検知センサ２によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第２検知センサ２による判断がＯＦＦであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＮであれば、第６検知センサ６によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
第６検知センサ６による判断がＯＮであれば、異常があるとして搬送動作を停止する。ＯＦＦであれば、フィンガー３２２は位置Ａに移動され、基板をロードロックチャンバ部２００へ移載する。その後、フィンガー３２２は位置Ｂに移動され、再び第３検知センサ３によりＯＮ／ＯＦＦが判断される。
ここでの第３検知センサ３による判断がＯＮであれば、異常があるとして搬送動作を停止し、ＯＦＦであれば、正常に終了する。
【００４６】
真空アームロボットユニット３２０のフィンガー３２２の伸縮動作に合わせて直線上で基板検知することにより、確実に基板割れ又は基板位置ずれの検知が可能となる。また、基板検知センサの配置は、上述した実施形態に限られるものではない。
【００４７】
本発明の基板処理装置は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置にも適用できる。成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。また、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置等にも適用できる。
【００４８】
本発明には、次のような実施形態が含まれる。
（１）基板に処理を施す少なくとも一つの処理室と、基板を支持する基板支持部を備える移載手段を備え、前記処置室と連接される搬送室と、複数の基板が保持される基板保持手段を備え、前記搬送室に連接される予備室と、前記予備室と前記処理室との間の搬送を搬送手段により制御させるための制御手段と、前記搬送中の基板を検知する基板検知手段とを設けた基板処理装置であって、前記基板検知手段は、前記移載手段の基板支持部に支持された基板を、初期位置と基板載置位置以外の予め設定された位置で検知するよう構成されることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記基板検知手段は、前記移載手段の基板支持部を収縮した位置及び伸長した位置とで検知することを特徴とする（１）記載の基板処理装置。
（３）前記移載手段の初期位置又は前記基板支持部が収縮している位置を検知する基板検知手段は、複数の処理室又は複数の予備室それぞれに付き一つであることを特徴とする（１）又は（２）の基板処理装置。
（４）基板載置位置以外の予め設定された位置又は前記基板支持部を伸長した位置に、前記移載手段の基板支持部に支持された基板の横ずれを検知する横ずれ基板検知手段を設けたことを特徴とする（１）の基板処理装置。
（５）前記移載手段は、基板載置位置以外の予め設定された位置又は前記基板支持部が伸長している位置で、一時停止することを特徴とする（４）の基板処理装置。
（６）基板に処理を施す少なくとも一つの処理室と、基板を支持する基板支持部を備える移載手段を備え、前記処置室と連接される搬送室と、複数の基板が保持される基板保持手段を備え、前記搬送室に連接される予備室と、前記予備室と前記処理室との間の搬送を搬送手段により制御させるための制御手段と、前記搬送中の基板を検知する基板検知手段とを設けた基板処理装置であって、前記基板検知手段は、前記移載手段の基板支持部に支持された基板を、初期位置と基板載置位置以外の予め設定された位置で検知する基板処理方法。
【００４９】
（７）基板に処理を施す少なくとも一つの処理室と、この処理室へ基板を搬送する第１の移載手段を備え、前記処理室と連接される第１の搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第２の移載手段を備えた第２の搬送室と、前記第１の搬送室と前記第２の搬送室を連結する雰囲気可変（減圧可能）な予備室と、複数の基板が収納された基板収納手段を載置する載置手段と、前記載置手段と前記処理室間の基板の搬送を前記第１の搬送手段や前記第２の移載手段により制御させるための制御手段と、前記第１の搬送室内を搬送される基板を検知する第１の検知手段と、前記載置手段に備えられた第２の基板検知手段とを設けた基板処理装置であって、前記第１の基板検知手段は、前記第１の移載手段の基板支持部に支持された基板を初期位置と基板載置位置以外の予め設定された位置で検知するよう構成されることを特徴とする基板処理装置。
（８）前記載置手段に前記基板収納手段が載置されると、前記第２の基板検知手段により検知されることを特徴とする（７）の基板処理装置。
（９）前記基板収納手段に収納された基板が処理され、処理済みの全ての基板が格納された後、前記第２の基板検知手段により検知されることを特徴とする（７）又は（８）の基板処理装置。
【符号の説明】
【００５０】
１０    アッシャ装置
１３０    大気搬送ロボット
１３２    アーム部
２００    ロードロックチャンバ部
２５０    ロードロックチャンバ
３００    トランスファーチャンバ部
３１０    トランスファーモジュール
４００    プロセスチャンバ部
４１０    プラズマ処理ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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