(57)【要約】【課題】半導体集積回路の集積度の向上を図ること。【解決手段】設計支援装置８００は、レイアウトデータに含まれる配線の中から、対象配線と隣接配線の組み合わせを配線検出部８０１により検出し、対象配線上の対象ビアと、隣接配線上の近傍ビアとの組み合わせをビア検出部８０２により検出する。つぎに、検出した対象ビアと近傍ビアとのビア間距離を算出部８０３により算出し、置換部８０４により対象ビアと近傍ビアの少なくともいずれか一方のビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する。そして、置換した近傍ビアの位置が算出したビア間距離となる位置を探索部８０５により探索し、変換部８０６により、探索した位置に近傍ビアの位置を変換し、レイアウトデータを保持するデータベースに保存する。そして、保存されたデータを出力部８０７により出力する。【選択図】図８
2010117963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レイアウトデータを記憶するデータベースにアクセス可能なコンピュータが、
前記レイアウトデータに含まれている配線の中から選ばれた対象配線と、前記対象配線に並列かつ同一層である隣接配線との配線組み合わせを検出する配線検出工程と、
前記対象配線上に配置されている矩形形状のビアの中から選ばれた対象ビアと、当該対象ビアと同一層であり前記隣接配線上に配置されている近傍ビアとのビア組み合わせを検出するビア検出工程と、
前記ビア検出工程によって検出されたビア組み合わせを構成する前記対象ビアと前記近傍ビアとのビア間距離を算出する算出工程と、
前記対象ビアと前記近傍ビアのうち少なくともいずれか一方のビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行する置換工程と、
前記置換処理を実行後の対象ビアから前記算出工程によって算出されたビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索する探索工程と、
前記置換処理を実行後の近傍ビアの位置を、前記探索工程によって探索された位置に変換し、前記データベースに記憶する変換工程と、
前記変換工程によって変換されたレイアウトデータを出力する出力工程と、
を実行することを特徴とする設計支援方法。
【請求項２】
前記置換工程は、
前記対象ビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行し、
前記探索工程は、
前記置換処理を実行後の対象ビアから前記ビア間距離以下となる前記近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする請求項１に記載の設計支援方法。
【請求項３】
前記置換工程は、
前記近傍ビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行し、
前記探索工程は、
前記対象ビアから前記ビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする請求項１に記載の設計支援方法。
【請求項４】
前記置換工程は、
前記対象ビアの形状と前記近傍ビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行し、
前記探索工程は、
前記置換処理実行の実行後の対象ビアから前記ビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする請求項１に記載の設計支援方法。
【請求項５】
前記探索工程は、
前記置換処理を実行後の対象ビアから設計基準以上、前記ビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする請求項１に記載の設計支援方法。
【請求項６】
前記配線検出工程は、
前記隣接配線と、前記隣接配線と前記近傍ビアを介して接続される接続先配線との組み合わせを検出し、
前記変換工程は、
前記探索工程により探索された位置に基づいて前記接続先配線の位置を変換することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の設計支援方法。
【請求項７】
前記ビア検出工程は、
前記近傍ビアと、前記当該近傍ビアから前記隣接配線上の所定距離内に配置されている前記近傍ビアと同一層の隣接ビアとの組み合わせを検出し、
前記置換工程は、
前記近傍ビアの形状を、前記隣接ビアに対向する辺以外の形状が当該ビアの露光パターンである形状に置換する置換処理を実行し、
前記探索工程は、
前記対象ビアから前記ビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする請求項１に記載の設計支援方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体集積回路の電源配線および配線を実行するための設計支援方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体集積回路のレイアウト設計において、電源配線や配線をおこなう際に、集積度を向上させるため配置配線方法が知られている。たとえば、半導体集積回路を構成する部品間の距離を短くするレイアウトコンパクションとよばれる処理が開示されている（たとえば、下記特許文献１を参照。）。
【０００３】
また、レイアウトデータを構成する部品形状と製造後の当該部品形状とに生じるずれを防ぐ方法が知られている。たとえば、製造後の実際の形状を基にして設計基準を定めてレイアウト検証をおこなう処理が開示されている（たとえば、下記特許文献２を参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２２４５３号公報
【特許文献２】特開平５−１２０３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、レイアウトコンパクションでは、部品間の距離のみに着目しているため、部品の形状によって半導体集積回路の面積が変化するという問題点がある。また、製造後の形状を基にして設計基準を定めてレイアウト検証をおこなう処理では、設計基準が増加することにより自動配置配線ツールの処理が増加する。そのため、処理時間がかかるという問題点がある。また、人手によるレイアウト設計の場合、設計基準が増加することにより設計時間が増加する。また、設計基準違反が増加する可能性があり、検証時間が増加するという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、製造工程で生じる現象を想定した設計により、半導体集積回路の集積度を向上することができる設計支援方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、この設計支援方法は、レイアウトデータに含まれている配線の中から選ばれた対象配線と、対象配線に並列かつ同一層である隣接配線との配線組み合わせを検出し、対象配線上に配置されている矩形形状のビアの中から選ばれた対象ビアと、当該対象ビアと同一層であり隣接配線上に配置されている近傍ビアとのビア組み合わせを検出するビア検出手段、ビア検出手段によって検出されたビア組み合わせを構成する対象ビアと近傍ビアとのビア間距離を算出する算出手段、対象ビアと近傍ビアのうち少なくともいずれか一方のビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行し、置換処理実行後の対象ビアから算出されたビア間距離以下となる置換処理実行後の近傍ビアの隣接配線と接続できる位置を探索し、置換処理実行後の近傍ビアの位置を、探索された位置に変換し、データベースに記憶し、変換されたレイアウトデータを出力する機能を備えることを要件とする。
【０００８】
この設計支援方法によれば、ビアの形状が露光パターンの形状に変換されることにより、変換前のビア間距離を維持したまま、ビア同士が近接する方向に自動再配置することができる。
【発明の効果】
【０００９】
この設計支援方法によれば、製造工程で生じる現象を想定した設計により、半導体集積回路の集積度の向上を図ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、この設計支援方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１１】
（本実施の形態の概要）
本実施の形態では、レイアウトデータに含まれている電源配線および配線上に存在するビアの形状を製造後のビアパターンに変換することにより、２つのビアが近接するように自動配置することができる。さらに、ビアの形状変換後のビア間距離を設計基準の基準値以上、ビアの形状を変換前のビア同士のビア間距離以下とすることができる。図１−１および図１−２に、レイアウトデータに含まれている配線の例を示す。
【００１２】
図１−１は、ビア間距離が設計基準の基準値であるレイアウトデータの一例を示す説明図である。図１−１のレイアウトデータには、対象配線１０１と、対象配線１０１と並列かつ同一層である隣接配線１０２と、対象配線１０１上の対象ビア１０３と、隣接配線１０２上の近傍ビア１０４と、近傍ビア１０４を介して隣接配線１０２と接続されている接続先配線１０５が形成されている。対象ビア１０３および近傍ビア１０４の形状は、矩形形状である。
【００１３】
また、対象配線１０１と隣接配線１０２との距離である配線間距離は基準値Ｍである。基準値Ｍは後述する設計基準のテーブルに含まれている配線間距離の基準値である。ビア間距離は、対象ビア１０３の点Ｐ１から近傍ビア１０４の点Ｐ２までの距離である。図１−１においてビア間距離は基準値Ｎである。基準値Ｎは後述する設計基準のテーブルに含まれているビア間距離の基準値である。つぎに、図１−２において、ビア間距離が基準値Ｎ以上である場合の例を示す。
【００１４】
図１−２は、ビア間距離が基準値Ｎ以上であるレイアウトデータの一例を示す説明図である。図１−２において対象ビア１０３から近傍ビア１０４までのビア間距離は、基準値Ｎと比べて長い値であるＬ［μｍ］である。ビア間距離は、対象ビア１０３の点Ｐ１から近傍ビア１０４の点Ｐ３までの距離である。本実施の形態では、ビアの形状を矩形形状から露光パターンの形状に変換する。露光パターンの形状とは、製造時においてビアを露光することにより得られる露光後のビアのパターン形状である。そして、対象ビア１０３と近傍ビア１０４が近接する方向に自動再配置される。
【００１５】
また、本実施の形態では、図１−２のレイアウトパターンを一例に説明する。まず、図２−１〜図２−３にビアの形状が変換されて再配置された図を示す。
【００１６】
図２−１は、形状の変換後に再配置された近傍ビアのレイアウトデータを示す説明図である。近傍ビア２０１は、近傍ビア１０４の形状を変換したビアである。図２−１では、対象ビア１０３の点Ｐ１から近傍ビア２０１の点Ｐ４までの距離が基準値Ｎとなるように再配置されている。近傍ビア１０４の配置されていた位置（点線の四角形の位置）に比べて再配置された近傍ビア２０１の位置は対象ビア１０３の位置に近接している。つぎに、図２−２に対象ビア１０３の形状が変換され再配置された図を示す。
【００１７】
図２−２は、形状の変換後に再配置された対象ビアのレイアウトデータを示す説明図である。対象ビア２０３は、対象ビア１０３の形状が変換されたビアである。図２−２では、対象ビア２０３の点Ｐ５から近傍ビア１０４の点Ｐ６までの距離が基準値Ｎとなるように近傍ビア１０４が再配置される。再配置前の近傍ビア１０４の位置（点線の四角形の位置）に比べて再配置された近傍ビア１０４の位置は対象ビア１０３の位置に近接している。
【００１８】
図２−３は、形状の変換後に再配置された対象ビアおよび近傍ビアのレイアウトデータを示す説明図である。対象ビア２０３は、対象ビア１０３の形状が変換されたビアである。そして、近傍ビア２０１は、近傍ビア１０４の形状が変換されたビアである。図２−３では、対象ビア２０３の点Ｐ５から近傍ビア２０１の点Ｐ７までの距離が基準値Ｎとなるように近傍ビア２０１が再配置される。再配置前の近傍ビア１０４の位置（点線の四角形の位置）に比べて、再配置された近傍ビア２０１の位置は、対象ビア２０３の位置に近接している。
【００１９】
（物理情報）
図３は、レイアウトデータの物理情報の一例を示す説明図である。たとえば、物理情報の信号配線情報３００は、信号名、配線層名／ビア名、始点座標（Ｘ，Ｙ）と終点座標（Ｘ，Ｙ）が記述されている。ここで、信号名ＯＵＴ２においてＭＥＴＡＬ１とＭＥＴＡＬ２の交差している情報を例に挙げると、ＭＥＴＡＬ１が始点座標（ａ，ｂ）から終点座標（ｃ，ｂ）まで配線されている。そして、ＭＥＴＡＬ２が始点座標（ｃ，ｇ）から終点座標（ｃ，ｂ）まで配線されている。ＶＩＡ１２が、座標（ｃ，ｂ）の位置で２つの配線を接続している。なお、物理情報の信号配線情報３００は、記憶装置に記憶されている。
【００２０】
（設計基準）
図４は、設計基準のテーブルを示す説明図である。テーブル４００は、基準名および基準値を属性とするレコードを設計基準ごとに保持している。レコード４０１は、ビア間距離が基準値Ｎ［μｍ］である設計基準（以下、設計基準４０１）である。レコード４０２は、配線間距離が基準値Ｍ［μｍ］である設計基準（以下、設計基準４０２）である。レコード４０３は、冗長ビア間距離が基準値Ｖ［μｍ］である設計基準（以下、設計基準４０３）である。なお、テーブル４００は、記憶装置に記憶されている。
【００２１】
たとえば、設計基準に基づいて配置をおこなうときには、テーブル４００が参照される。また、近年では、設計基準４０１の基準値Ｎは設計基準４０２の基準値Ｍより長い。図５−１と図５−２を用いて基準値Ｎが基準値Ｍより長い例を説明する。
【００２２】
図５−１は、基準値Ｍの間隔でビアが配置された例を示す説明図である。図５−１において、対象ビア１０３と近傍ビア１０４のビア間距離は、基準値Ｍである。このように、ビア同士が基準値Ｍの間隔で対向された場合、集積度は向上する。そのため、レイアウト設計では、できる限りビア同士が近接するように配置される。つぎに、ビア同士が対向されたレイアウトデータを用いて製造された場合の例を図５−２に示す。
【００２３】
図５−２は、矩形形状のビアの露光パターンの形状を示す説明図である。露光パターンの形状とは、製造時においてビアを露光することにより得られる露光後のビアのパターン形状である。たとえば、ビアの形状が矩形である場合、図５−２では、露光後のビアのパターン形状（露光パターンの形状５０１）は、露光前の矩形形状をはみ出した円形形状となる。そのため、ビア間距離Ｄは、基準値Ｍに比べて短い。したがって、ビア間距離Ｄは、設計基準違反である。このため、基準値Ｎは、基準値Ｍより長い値に設定されている。
【００２４】
したがって、基準値Ｍにより配線を配置した場合、ビア同士は対向して配置されない。しかし、露光パターンの形状５０１は円形形状であるため、矩形形状より小さい箇所が存在する。そのため、矩形形状のビアが露光パターンの形状５０１の形状に変換されることにより、ビア同士が近接される。つぎに、図６−１および図６−２により、露光パターンの形状５０１を基に用意されたビアの形状を示す。
【００２５】
図６−１は、ビアの形状を示す説明図である。図６−１には、露光パターンの形状を基に用意されたビアの形状が示されている。本実施の形態では、矩形形状であるビアの形状をビアの形状６０１に変換する。たとえば、各ビアの層ごとにビアの形状６０１が用意される。そして、物理情報の信号配線情報３００の中から、置換されるビア名がビアの形状６０１の名前に変更されることにより、ビアの形状が変換される。
【００２６】
図６−２は、隣接ビアが存在する場合のビアの形状を示す説明図である。たとえば、後述する隣接ビアが近傍ビア１０４に存在する場合、近傍ビア１０４は、一辺以外の形状が当該ビアの露光パターンである形状に変換される。本実施の形態では、ビアの形状６０２を変換後のビアの形状の一例として説明する。
【００２７】
（設計支援装置のハードウェア構成）
図７は、実施の形態にかかる設計支援装置のハードウェア構成を示すブロック図である。図７において、設計支援装置は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）７０１と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ‐Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）７０２と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）７０３と、磁気ディスクドライブ７０４と、磁気ディスク７０５と、光ディスクドライブ７０６と、光ディスク７０７と、ディスプレイ７０８と、Ｉ／Ｆ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）７０９と、キーボード７１０と、マウス７１１と、スキャナ７１２と、プリンタ７１３と、を備えている。また、各構成部はバス７００によってそれぞれ接続されている。
【００２８】
ここで、ＣＰＵ７０１は、設計支援装置の全体の制御を司る。ＲＯＭ７０２は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶している。ＲＡＭ７０３は、ＣＰＵ７０１のワークエリアとして使用される。磁気ディスクドライブ７０４は、ＣＰＵ７０１の制御にしたがって磁気ディスク７０５に対するデータのリード／ライトを制御する。磁気ディスク７０５は、磁気ディスクドライブ７０４の制御で書き込まれたデータを記憶する。
【００２９】
光ディスクドライブ７０６は、ＣＰＵ７０１の制御にしたがって光ディスク７０７に対するデータのリード／ライトを制御する。光ディスク７０７は、光ディスクドライブ７０６の制御で書き込まれたデータを記憶したり、光ディスク７０７に記憶されたデータをコンピュータに読み取らせたりする。
【００３０】
ディスプレイ７０８は、カーソル、アイコンあるいはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示する。このディスプレイ７０８は、たとえば、ＣＲＴ、ＴＦＴ液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを採用することができる。
【００３１】
インターフェース（以下、「Ｉ／Ｆ」と略する。）７０９は、通信回線を通じてＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＷＡＮ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、インターネットなどのネットワーク７１４に接続され、このネットワーク７１４を介して他の装置に接続される。そして、Ｉ／Ｆ７０９は、ネットワーク７１４と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。Ｉ／Ｆ７０９には、たとえばモデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。
【００３２】
キーボード７１０は、文字、数字、各種指示などの入力のためのキーを備え、データの入力をおこなう。また、タッチパネル式の入力パッドやテンキーなどであってもよい。マウス７１１は、カーソルの移動や範囲選択、あるいはウィンドウの移動やサイズの変更などをおこなう。ポインティングデバイスとして同様に機能を備えるものであれば、トラックボールやジョイスティックなどであってもよい。
【００３３】
スキャナ７１２は、画像を光学的に読み取り、設計支援装置内に画像データを取り込む。なお、スキャナ７１２は、ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒ  Ｒｅａｄｅｒ）機能を持たせてもよい。また、プリンタ７１３は、画像データや文書データを印刷する。プリンタ７１３には、たとえば、レーザプリンタやインクジェットプリンタを採用することができる。
【００３４】
（設計支援装置の機能的構成）
図８は、設計支援装置の機能的構成を示すブロック図である。設計支援装置８００は、配線検出部８０１と、ビア検出部８０２と、算出部８０３と、置換部８０４と、探索部８０５と、変換部８０６と、出力部８０７と、を含む構成である。
【００３５】
なお、設計支援装置８００は、配線検出部８０１と、ビア検出部８０２と、算出部８０３と、置換部８０４と、探索部８０５と、変換部８０６と、出力部８０７は、具体的には、たとえば、図７に示したＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶されたプログラムをＣＰＵ７０１に実行させることにより、または、Ｉ／Ｆ７０９により、その機能を実現する。
【００３６】
配線検出部８０１は、レイアウトデータの中から対象配線１０１を決定し、対象配線１０１と、対象配線１０１と並列かつ同一層である隣接配線１０２との組み合わせを検出する。具体的には、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から配線を順次選択し、選択された配線を対象配線１０１とする。たとえば、選択された配線に、対象配線１０１であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。
【００３７】
つぎに、対象配線１０１の配線層名と座標から並列であり隣接している配線を抽出し、隣接配線１０２とする。たとえば、抽出された配線に、隣接配線１０２であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。そして、対象配線１０１と隣接配線１０２とを配線組み合わせとする。
【００３８】
たとえば、ＣＰＵ７０１が、対象配線１０１であることを示す識別情報および隣接配線１０２であることを示す識別情報が付加された配線のペアに、対象／隣接配線組み合わせを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。
【００３９】
また、配線検出部８０１は、後述するビア検出部８０２によって近傍ビア１０４を検出した後、隣接配線１０２と近傍ビア１０４を介して接続されている接続先配線１０５を検出する。そして、隣接配線１０２と、接続先配線１０５との組み合わせを検出する。
【００４０】
具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして近傍ビア１０４の情報を読み出す。つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から近傍ビア１０４の座標を検索する。そして、検索した近傍ビア１０４の座標上にあり隣接配線１０２でない配線を接続先配線１０５として検出する。たとえば、接続先配線１０５であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。
【００４１】
そして、隣接配線１０２と接続先配線１０５とを配線組み合わせとする。たとえば、隣接配線１０２であることを示す識別情報および接続先配線１０５であることを示す識別情報が付加された配線のペアに、隣接／接続先配線組み合わせを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶される。
【００４２】
つぎに、ビア検出部８０２は、配線検出部８０１によって検出された配線組み合わせの対象配線１０１上に存在するビアの中から対象ビア１０３を決定し、対象ビア１０３と、対象ビア１０３と同一層であり隣接配線上に存在する近傍ビア１０４との組み合わせを検出する。
【００４３】
具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして対象配線１０１の情報を読み出す。つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から対象配線１０１の座標を検索する。そして、対象配線１０１の座標上と重なるビアを検出する。そして、検出したビアを対象ビア１０３とする。たとえば、検出されたビアに、対象ビア１０３であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。
【００４４】
つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から隣接配線１０２の座標を検索し、隣接配線１０２と重なるビアを検出する。そして、検出したビアを近傍ビア１０４とする。たとえば、検出されたビアに、近傍ビア１０４であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。つぎに、対象ビア１０３と近傍ビア１０４をビア組み合わせとする。
【００４５】
たとえば、ＣＰＵ７０１が、対象ビア１０３であることを示す識別情報および近傍ビア１０４であることを示す識別情報が付加されたビアのペアに、対象／近傍ビア組み合わせを示す識別情報を付加して、記憶装置に記憶する。
【００４６】
また、ビア検出部８０２は、近傍ビア１０４と、隣接配線１０２上にある近傍ビア１０４から所定距離以内に存在する隣接ビアとをビアの組み合わせとして検出する。
【００４７】
隣接ビアが存在する場合は、後述する置換部８０４により近傍ビア１０４の形状をビアの形状６０２に置換する。たとえば、近傍ビア１０４と同電位である隣接ビアが、近傍ビア１０４とのビア間距離が基準値Ｖである位置に配置されているとする。この場合、後述する置換部８０４により近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換されると、近傍ビア１０４と隣接ビアとのビア間距離が設計基準違反となる可能性がある。そのため、ビア検出部８０２により隣接ビアが検出される。
【００４８】
具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして近傍ビア１０４の情報と隣接配線１０２の情報を読み出す。そして、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から隣接配線１０２の座標と近傍ビア１０４の座標を探索する。つぎに、探索した隣接配線１０２上であり近傍ビア１０４から所定距離Ｑ［μｍ］以内であるビアを検出する。そして、検出したビアを隣接ビアとする。たとえば、検出されたビアに、隣接ビアであることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。
【００４９】
つぎに、近傍ビア１０４と隣接ビアをビア組み合わせとする。たとえば、近傍ビア１０４であることを示す識別情報および隣接ビアであることを示す識別情報が付加されたビアのペアに、近傍／隣接ビア組み合わせを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶される。図９−１および図９−２に隣接ビアの例を示す。
【００５０】
図９−１は、隣接ビアである冗長ビアの一例を示す説明図である。冗長ビアとは、２つの配線を接続するための複数のビアである。図９−１では、隣接配線１０２と接続先配線１０５が、近傍ビア１０４と隣接ビア９０１を介して接続されている。冗長ビア間距離は基準値Ｖである。たとえば、近傍ビア１０４が冗長ビアである場合、同じ２つの配線を接続しているビアが隣接ビア９０１である。図９−２に冗長ビアでない隣接ビア９０１の例を示す。
【００５１】
図９−２は、隣接ビアの一例を示す説明図である。たとえば、隣接ビア９０１は、近傍ビア１０４とのビア間距離が基準値Ｎとなる位置に配置されているビアである。
【００５２】
つぎに、算出部８０３は、ビア検出部８０２によって検出された対象ビア１０３から近傍ビア１０４までの距離を算出する。具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１は、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして対象ビア１０３の情報を読み出す。つぎに、物理情報の信号配線情報３００の中から対象ビア１０３の座標を探索する。そして、対象ビア１０３の点Ｐ１の座標を算出する。
【００５３】
つぎに、近傍ビア１０４の座標を探索する。そして、近傍ビア１０４の点Ｐ３の座標を算出する。さらに、算出した対象ビア１０３の点Ｐ１と近傍ビア１０４の点Ｐ３の距離を算出する。算出された結果が、対象ビア１０３から近傍ビア１０４までのビア間距離である。なお、算出されたビア間距離（以下、「算出値Ｌ」と称す。）は、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶される。
【００５４】
つぎに、置換部８０４は、対象ビア１０３と近傍ビア１０４のうち少なくともいずれか一方のビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する。この場合、置換処理の対象となるビアが、１つ目は、近傍ビア１０４のみである。２つ目は、対象ビア１０３のみである。そして３つ目は、対象ビア１０３と近傍ビア１０４である。
【００５５】
本実施の形態では、１つ目と３つ目の場合を例とする。まず、１つ目の場合の置換部８０４と、探索部８０５と、変換部８０６の処理を示す。そして、つぎに３つ目の場合の置換部８０４と、探索部８０５と、変換部８０６の処理を示す。
【００５６】
まず、１つ目の場合は、具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして近傍ビア１０４の情報を読み出す。つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から近傍ビア１０４を検索する。そして、近傍ビア１０４のビア名にビアの形状６０１のビア名を書き込む。そして、置換処理した近傍ビア１０４を近傍ビア２０１とする。たとえば、置換処理された近傍ビア１０４に、近傍ビア２０１であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。
【００５７】
なお、置換処理後のレイアウトデータは、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶される。図１０−１に近傍ビア１０４が置換された例を示す。
【００５８】
図１０−１は、近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換された例１を示す説明図である。近傍ビア２０１は、置換部８０４によって近傍ビア１０４の形状をビアの形状６０１に置換されたビアである。ビア間距離は、対象ビア１０３の点Ｐ１からビア２０１の点Ｐ８の距離である。つまり、算出値Ｌと比べて置換処理後のビア間距離が長くなり、近傍ビア２０１が対象ビア１０３に近接する方向へ再配置される。
【００５９】
また、図８に戻って、置換部８０４は、ビア検出部８０２により近傍ビア１０４と隣接ビア９０１の組み合わせが検出された場合、近傍ビア１０４の形状をビアの形状６０２に置換する。具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして近傍ビア１０４の情報を読み出す。つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から近傍ビア１０４を検索する。そして、近傍ビア１０４のビア名にビアの形状６０２のビア名を書き込む。そして、置換処理した近傍ビア１０４を近傍ビア２０１とする。たとえば、置換処理された近傍ビア１０４に、近傍ビア２０１であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。
【００６０】
なお、置換処理後のレイアウトデータは、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶される。そして、図１０−２〜図１０−５に隣接ビア９０１が存在する場合に近傍ビア１０４の形状が置換された例を示す。
【００６１】
図１０−２は、近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換された例２を示す説明図である。図１０−２では、近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換されている。置換処理後の近傍ビア２０１から冗長ビアである隣接ビア９０１までのビア間距離はＲ［μｍ］である。ビア間距離Ｒは設計基準４０３の基準値Ｖに比べて短いため、ビア間距離Ｒが設計基準違反となってしまう。そのため、隣接ビア９０１が存在する場合、近傍ビア１０４の形状はビアの形状６０２に置換される。図１０−３に近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０２に置換された例を示す。
【００６２】
図１０−３は、近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０２に置換された例１を示す説明図である。図１０−３では、近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０２に置換されている。そのため、ビア間距離は基準値Ｖとなり、設計基準を遵守することができる。図１０−４に近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換された例を示す。
【００６３】
図１０−４は、近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換された例３を示す説明図である。図１０−４では、近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換されている。置換処理後の近傍ビア２０１から隣接ビア９０１までのビア間距離はＳ[μｍ]である。ビア間距離Ｓは設計基準４０１の基準値Ｎに比べて短いため、ビア間距離Ｓが設計基準違反となってしまう。そのため、隣接ビア９０１が存在する場合、近傍ビア１０４の形状はビアの形状６０２に置換される。図１０−５に近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０２に置換された例を示す。
【００６４】
図１０−５は、近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０２に置換された例２を示す説明図である。近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０２に置換されたため、ビア間距離が設計基準４０１の基準値Ｎを遵守することができる。
【００６５】
したがって、近傍ビア２０１から隣接ビア９０１までのビア間距離は、近傍ビア２０１の形状が変換されても変化しない。これにより、隣接ビア９０１を再配置する手間を省くことができる。
【００６６】
図８に戻って、探索部８０５は、対象ビア１０３から置換部８０４によって置換処理された近傍ビア２０１のビア間距離が基準値Ｎ以上、算出値Ｌ以下となる近傍ビア２０１が配置される位置を探索する。
【００６７】
具体的に、たとえば、ＣＰＵ７０１は、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして近傍ビア２０１の情報を読み出す。つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から近傍ビア２０１の座標を探索する。そして、近傍ビア２０１の座標に、隣接配線１０２上であり対象ビア１０３が配置されている方向にＡ［μｍ］（たとえば、０．１［μｍ］）を加算する。つぎに、ビア間距離を算出する。さらに、Ａを加算してビア間距離を算出する処理を繰り返す。そして、ビア間距離が算出値Ｌとなる近傍ビア２０１の位置を探索する。さらに、ビア間距離が基準値Ｎとなる近傍ビア２０１の位置を探索する。
【００６８】
なお、探索結果は、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶される。図１１−１に探索部８０５によって探索された位置を示す。
【００６９】
図１１−１は、探索部８０５によって探索された位置を示す説明図である。点Ｐ１０が、ビア間距離が算出値Ｌとなる位置である。そして、点Ｐ４が、ビア間距離が基準値Ｎとなる位置である。点Ｐ１０から点Ｐ４の位置に、近傍ビア２０１は配置される。
【００７０】
したがって、設計基準を違反することなくビアの形状が変換される前に比べてビア同士を近接する方向に近傍ビア２０１が自動再配置されることができる。これにより、近傍ビア２０１が算出値Ｌに基づいてのみ再配置される場合に比べて、ビア同士が近接する。したがって、半導体集積回路の面積を縮小することができる。また、検証により発見される設計基準違反の要因を減らすことができる。よって、レイアウト検証後に配置し直す手戻りを減らすことができる。
【００７１】
図８に戻って、変換部８０６は、近傍ビア２０１の位置を探索部８０５によって探索された位置に変換する。具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして近傍ビア２０１の情報と接続先配線１０５を読み出す。そして、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中に含まれている近傍ビア２０１を検索する。そして、近傍ビア２０１の座標を探索部８０５により探索された位置の座標に変換する。なお、変換結果は、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶される。
【００７２】
また、変換部８０６は、接続先配線１０５の位置を、変換部８０６により位置を変換された近傍ビア２０１を介して隣接配線１０２と接続される位置に変換する。具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして接続先配線１０５を読み出す。つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００に含まれている接続先配線１０５の始点座標と終点座標を探索する。そして、接続先配線１０５の始点座標を近傍ビア２０１の座標に変換する。変換前の始点座標から変換後の始点座標までのＸ座標およびＹ座標の移動量を算出する。つぎに、接続先配線１０５の終点座標に算出した移動量を足し合わせた座標を接続先配線１０５の終点座標とする。
【００７３】
そして、近傍ビア２０１と接続先配線１０５の位置が変換されたレイアウトデータをデータベースに保存する。なお、変換結果は、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶される。図１１−２および図１１−３に位置を変換された近傍ビア２０１を示す。
【００７４】
図１１−２は、位置が変換された近傍ビア２０１を示す説明図である。近傍ビア２０１の位置が、ビア間距離が算出値Ｌとなる位置に変換された。変換前の位置（四角形の点線の位置）に比べて、変換された近傍ビア２０１の位置は、対象ビア１０３に近接する位置となった。図１１−３にビア間距離が基準値Ｎとなる位置に変換された近傍ビア２０１を示す。
【００７５】
図１１−３は、ビア間距離が基準値Ｎとなる位置に変換された近傍ビア２０１を示す説明図である。近傍ビア２０１の位置が、ビア間距離が基準値Ｎとなる位置に変換された。変換前の配置位置（四角形の点線の位置）およびビア間距離が算出値Ｌとなる位置に比べて、ビア間距離が基準値Ｎとなる位置は対象ビア１０３に近接する位置となった。
【００７６】
したがって、近傍ビア１０４の形状を自動置換することにより、近傍ビア２０１の形状置換前に比べてビア同士が近接する方向に近傍ビア２０１が自動再配置された。これにより、半導体集積回路の面積を縮小することができる。そのため、低廉化を図ることができる。また、手作業で配置をする手間が省け、設計者の負担を減らすことができる。さらに、近傍ビア１０４のみ変換することにより、位置の探索の範囲が狭くなり、処理を高速化することができる。
【００７７】
さらに、接続先配線１０５が、位置変換後の近傍ビア２０１により接続される位置に自動再配置された。そのため、手作業により配線の配置をおこなう手間が省け、設計者の負担を減らすことができる。
【００７８】
また、対象ビア１０３の形状のみを自動変換した場合は、近傍ビア１０４のみを変換した場合と同様に、対象ビア２０３の形状変換前に比べてビア同士を近接する方向に自動再配置される。これにより、半導体集積回路の面積を縮小することができる。そのため、低廉化を図ることができる。また、手作業で配置をする手間が省け、設計者の負担を減らすことができる。さらに、対象ビア１０３のみ変換することにより、位置の探索の範囲が狭くなり、処理を高速化することができる。
【００７９】
図８に戻って、先に述べた置換部８０４の置換対象であるビアを対象ビア１０３と近傍ビア１０４とした３つ目の場合の、置換部８０４と、探索部８０５と、変換部８０６との処理を示す。
【００８０】
置換部８０４は、対象ビア１０３と近傍ビア１０４の形状を、露光パターンの形状であるビアの形状６０１に置換する。まず、対象ビア１０３の形状をビアの形状６０１に置換する処理について示す。
【００８１】
具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１は、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして対象ビア１０３の情報を読み出す。つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から対象ビア１０３を検索する。続いて、対象ビア１０３のビア名にビアの形状６０１のビア名を書き込む。そして、置換処理した近傍ビア１０４を近傍ビア２０１とする。たとえば、置換処理された近傍ビア１０４に、近傍ビア２０１であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。
【００８２】
つぎに、近傍ビア１０４の形状をビアの形状６０１に置換する処理について示す。具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１は、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から近傍ビア１０４を検索する。続いて、近傍ビア１０４のビア名にビアの形状６０１のビア名を書き込む。そして、置換処理した近傍ビア１０４を近傍ビア２０１とする。たとえば、置換処理された近傍ビア１０４に、近傍ビア２０１であることを示す識別情報を付加して記憶装置に記憶する。図１２−１に対象ビア１０３と近傍ビア１０４の形状が置換された例を示す。
【００８３】
図１２−１は、置換部８０４によって形状が置換された対象ビアと近傍ビアを示す説明図である。対象ビア２０３は、置換部８０４によって対象ビア１０３の形状がビアの形状６０１に置換処理されたビアである。また、近傍ビア２０１は、置換部８０４によって近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換処理されたビアである。ビア間距離は、対象ビア２０３の点Ｐ５から近傍ビア２０１の点Ｐ１１の距離である。つまり、算出値Ｌと比べてビア間距離が長くなり、ビア同士が近接する方向に配置される。
【００８４】
図８に戻って、探索部８０５は、置換処理された対象ビア２０３から置換処理された近傍ビア２０１のビア間距離が基準値Ｎ以上、算出値Ｌ以下となる位置を探索する。
【００８５】
具体的に、たとえば、ＣＰＵ７０１は、記憶装置にアクセスして、識別情報を基にして近傍ビア２０１の情報を読み出す。つぎに、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中から近傍ビア２０１の座標を探索する。そして、隣接配線１０２上であり、対象ビア２０３が配置されている方向にＢ［μｍ］（たとえば、０．１［μｍ］）を足す。つぎに、ビア間距離を算出する。さらに、Ｂを加算してビア間距離を算出する処理を繰り返す。そして、ビア間距離が算出部８０３によって算出された算出値Ｌとなる近傍ビア２０１の位置を探索する。さらに、ビア間距離が基準値Ｎとなる近傍ビア２０１の位置を探索する。
【００８６】
なお、探索結果は、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶される。図１２−２に探索部８０５によって探索された位置を示す。
【００８７】
図１２−２は、探索部８０５によって探索された位置を示す説明図である。点Ｐ９が、ビア間距離が算出部８０３によって算出された算出値Ｌとなる位置である。そして、点Ｐ７が、ビア間距離が基準値Ｎとなる位置である。点Ｐ９から点Ｐ７の間の位置に、近傍ビア２０１は配置される。
【００８８】
したがって、設計基準を違反することなくビア形状の変換前に比べてビア同士を近接する方向に近傍ビア２０１が自動再配置される。これにより、近傍ビア２０１が、算出部８０３により算出されたビア間距離に基づいてのみ再配置される場合に比べて、ビア同士が近接し、半導体集積回路の面積を縮小することができる。また、検証により発見される設計基準違反の要因を減らすことができる。よって、レイアウト検証後に配置し直す手戻りを減らすことができる。
【００８９】
図８に戻って、変換部８０６は、近傍ビア２０１の位置を探索部８０５によって探索された位置に変換する。そして、接続先配線１０５の位置を、近傍ビア２０１を介して隣接配線１０２と接続される位置に変換する。具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、記憶装置にアクセスして、物理情報の信号配線情報３００の中に含まれている近傍ビア２０１の座標を、探索された位置の座標に変換する。そして、接続先配線１０５の始点座標を近傍ビア２０１の座標に変換する。変換前の始点座標から変換後の始点座標までのＸ座標およびＹ座標の移動量を算出する。つぎに、接続先配線１０５の終点座標に算出した移動量を足し合わせた座標を接続先配線１０５の終点座標とする。
【００９０】
そして、近傍ビア２０１と接続先配線１０５の位置が変換されたレイアウトデータをデータベースに保存する。なお、変換結果は、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶される。図１２−３および図１２−４に位置を変換された近傍ビア２０１を示す。
【００９１】
図１２−３は、位置が変換された近傍ビア２０１を示す説明図である。近傍ビア２０１の位置が、ビア間距離が算出値Ｌとなる位置に変換された。変換前の配置位置（四角形の点線の位置）に比べて、変換された位置は、対象ビア２０３に近接する位置となった。図１２−４にビア間距離が基準値Ｎとなる位置に変換された近傍ビア２０１を示す。
【００９２】
図１２−４は、ビア間距離が基準値Ｎとなる位置に変換された近傍ビア２０１を示す説明図である。近傍ビア２０１の位置が、ビア間距離が基準値Ｎとなる位置に変換された。変換前の配置位置（四角形の点線の位置）とビア間距離が算出値Ｌとなる位置に比べて、変換された位置は、対象ビア２０３に近接する位置となった。
【００９３】
また、対象ビア１０３と近傍ビア１０４の形状が自動変換されることにより、対象ビア２０３と近傍ビア２０１の形状変換前に比べてビア同士が近接する方向に自動再配置された。対象ビア１０３と近傍ビア１０４の形状が変換されることにより、片方のビアのみが変換される場合に比べてビア同士が近接する。したがって、半導体集積回路の面積を縮小することができる。そのため、低廉化を図ることができる。また、手作業で配置をする手間が省け、設計者の負担を減らすことができる。
【００９４】
図８に戻って、出力部８０７は、変換部８０６によって保存された結果を出力する機能を有する。具体的には、たとえば、ＣＰＵ７０１が、保存されたレイアウトデータを出力する。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ７０８への表示、プリンタ７１３への印刷出力、Ｉ／Ｆ７０９による外部装置への送信がある。また、ＲＯＭ７０２、ＲＡＭ７０３、磁気ディスク７０５、光ディスク７０７などの記憶装置に記憶することとしてもよい。
【００９５】
（設計支援装置８００の設計支援処理手順）
つぎに、本実施の形態にかかる設計支援装置８００の設計支援処理手順について説明する。図１３は、本実施の形態にかかる設計支援装置の設計支援処理手順を示すフローチャートである。図１３において、まず、レイアウトデータを記憶するデータベースにアクセスし、ビア検出処理（ステップＳ１３０１）をおこなう。つぎに、ビア置換・再配置処理（ステップＳ１３０２）をおこなう。これにより、一連の処理を終了する。
【００９６】
つぎに、上述したビア検出処理（ステップＳ１３０１）について説明する。図１４は、ビア検出処理を示すフローチャートである。まず、配線検出処理をしていない配線はあるか否かを判断する（ステップＳ１４０１）。配線検出処理をしていない配線はあると判断された場合（ステップＳ１４０１：Ｙｅｓ）、配線検出部８０１により、対象配線１０１と隣接配線１０２との組み合わせを検出（ステップＳ１４０２）し、ビア検出処理をしていない対象配線上のビアはあるか否かを判断（ステップＳ１４０３）する。
【００９７】
ビア検出処理をしていない対象配線上のビアはあると判断された場合（ステップＳ１４０３：Ｙｅｓ）、ビア検出部８０２により、対象ビア１０３と近傍ビア１０４との組み合わせを検出（ステップＳ１４０４）し、算出部８０３により、ビア間距離を算出（ステップＳ１４０５）する。そして、ビアの組み合わせと算出結果を記憶装置に保存（ステップＳ１４０６）し、ステップＳ１４０３に戻る。
【００９８】
一方、ビア検出処理をしていない対象配線上のビアはないと判断された場合（ステップＳ１４０３：Ｎｏ）、ステップＳ１４０１に戻る。また、配線検出処理をしていない配線はないと判断された場合（ステップＳ１４０１：Ｎｏ）、ステップＳ１３０２へ移行する。
【００９９】
つぎに、上述したビア置換・再配置処理（ステップＳ１３０２）について説明する。図１５は、ビア置換・再配置処理を示すフローチャートである。まず、ビア置換・再配置処理をしていないビア組み合わせはあるか否かを判断（ステップＳ１５０１）する。
【０１００】
ビア置換・再配置処理をしていないビア組み合わせはあると判断された場合（ステップＳ１５０１：Ｙｅｓ）、置換部８０４により、ビアの形状を置換（ステップＳ１５０２）する。つぎに、隣接配線上に隣接ビア９０１があるか否かを判断（ステップＳ１５０３）する。隣接配線上に隣接ビア９０１があると判断された場合（ステップＳ１５０３：Ｙｅｓ）、ビアの形状をビアの形状６０２に置換（ステップＳ１５０４）する。また、隣接配線上に隣接ビア９０１がないと判断された場合（ステップＳ１５０３：Ｎｏ）、ステップＳ１５０５に移行する。
【０１０１】
つぎに、探索部８０５により、近傍ビア２０１の配置位置を探索（ステップＳ１５０５）し、変換部８０６により、近傍ビア２０１の配置位置を変換（ステップＳ１５０６）する。そして、レイアウトデータを記憶装置に保存（ステップＳ１５０７）し、ステップＳ１５０１に戻る。
【０１０２】
一方、ビア置換・再配置処理をしていないビア組み合わせはないと判断された場合（ステップＳ１５０１：Ｎｏ）、出力部８０７により、結果を出力（ステップＳ１５０８）し、一連の処理を終了する。
【０１０３】
以上説明したように、本実施の形態によれば、レイアウトデータに含まれている電源配線および配線上に存在するビアの形状を製造後のビアパターンに変換させることにより、２つのビアが近接するように自動配置することができる。さらに、ビアの形状を変換後のビア間距離を設計基準以上、ビアの形状を変換前のビア同士のビア間距離以下とすることができる。
【０１０４】
したがって、ビアの形状が自動変換されることにより、変換前に比べてビア同士が近接する方向に自動再配置される。
【０１０５】
この設計支援方法によれば、製造工程で生じる現象を想定した設計により、半導体集積回路の集積度の向上を図ることができるという効果を奏する。
【０１０６】
なお、本実施の形態で説明した設計支援方法は、予め用意されたプログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することにより実現することができる。このプログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、ＤＶＤ等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。またこのプログラムは、インターネット等のネットワークを介して配布することが可能な媒体であってもよい。
【０１０７】
上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【０１０８】
（付記１）レイアウトデータを記憶するデータベースにアクセス可能なコンピュータが、
前記レイアウトデータに含まれている配線の中から選ばれた対象配線と、前記対象配線に並列かつ同一層である隣接配線との配線組み合わせを検出する配線検出工程と、
前記対象配線上に配置されている矩形形状のビアの中から選ばれた対象ビアと、当該対象ビアと同一層であり前記隣接配線上に配置されている近傍ビアとのビア組み合わせを検出するビア検出工程と、
前記ビア検出工程によって検出されたビア組み合わせを構成する前記対象ビアと前記近傍ビアとのビア間距離を算出する算出工程と、
前記対象ビアと前記近傍ビアのうち少なくともいずれか一方のビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行する置換工程と、
前記置換処理を実行後の対象ビアから前記算出工程によって算出されたビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索する探索工程と、
前記置換処理を実行後の近傍ビアの位置を、前記探索工程によって探索された位置に変換し、前記データベースに記憶する変換工程と、
前記変換工程によって変換されたレイアウトデータを出力する出力工程と、
を実行することを特徴とする設計支援方法。
【０１０９】
（付記２）前記置換工程は、
前記対象ビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行し、
前記探索工程は、
前記置換処理を実行後の対象ビアから前記ビア間距離以下となる前記近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。
【０１１０】
（付記３）前記置換工程は、
前記近傍ビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行し、
前記探索工程は、
前記対象ビアから前記ビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。
【０１１１】
（付記４）前記置換工程は、
前記対象ビアの形状と前記近傍ビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行し、
前記探索工程は、
前記置換処理実行の実行後の対象ビアから前記ビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。
【０１１２】
（付記５）前記探索工程は、
前記置換処理を実行後の対象ビアから設計基準以上、前記ビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。
【０１１３】
（付記６）前記配線検出工程は、
前記隣接配線と、前記隣接配線と前記近傍ビアを介して接続される接続先配線との組み合わせを検出し、
前記変換工程は、
前記探索工程により探索された位置に基づいて前記接続先配線の位置を変換することを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載の設計支援方法。
【０１１４】
（付記７）前記ビア検出工程は、
前記近傍ビアと、前記当該近傍ビアから前記隣接配線上の所定距離内に配置されている前記近傍ビアと同一層の隣接ビアとの組み合わせを検出し、
前記置換工程は、
前記近傍ビアの形状を、前記隣接ビアに対向する辺以外の形状が当該ビアの露光パターンである形状に置換する置換処理を実行し、
前記探索工程は、
前記対象ビアから前記ビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索することを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。
【０１１５】
（付記８）レイアウトデータを記憶するデータベースにアクセス可能なコンピュータを、
前記レイアウトデータに含まれている配線の中から選ばれた対象配線と、前記対象配線に並列かつ同一層である隣接配線との配線組み合わせを検出する配線検出手段、
前記対象配線上に配置されている矩形形状のビアの中から選ばれた対象ビアと、当該対象ビアと同一層であり前記隣接配線上に配置されている近傍ビアとのビア組み合わせを検出するビア検出手段、
前記ビア検出手段によって検出されたビア組み合わせを構成する前記対象ビアと前記近傍ビアとのビア間距離を算出する算出手段、
前記対象ビアと前記近傍ビアのうち少なくともいずれか一方のビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行する置換手段、
前記置換処理を実行後の対象ビアから前記算出手段によって算出されたビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索する探索手段、
前記置換処理を実行後の近傍ビアの位置を、前記探索手段によって探索された位置に変換し、前記データベースに記憶する変換手段、
前記変換手段によって変換されたレイアウトデータを出力する出力手段、として機能させることを特徴とする設計支援プログラム。
【０１１６】
（付記９）前記レイアウトデータに含まれている配線の中から選ばれた対象配線と、前記対象配線に並列かつ同一層である隣接配線との配線組み合わせを検出する配線検出手段と、
前記対象配線上に配置されている矩形形状のビアの中から選ばれた対象ビアと、当該対象ビアと同一層であり前記隣接配線上に配置されている近傍ビアとのビア組み合わせを検出するビア検出手段と、
前記ビア検出手段によって検出されたビア組み合わせを構成する前記対象ビアと前記近傍ビアとのビア間距離を算出する算出手段と、
前記対象ビアと前記近傍ビアのうち少なくともいずれか一方のビアの形状を、当該ビアの露光パターンの形状に置換する置換処理を実行する置換手段と、
前記置換処理を実行後の対象ビアから前記算出手段によって算出されたビア間距離以下となる前記置換処理を実行後の近傍ビアの前記隣接配線と接続できる位置を探索する探索手段と、
前記置換処理を実行後の近傍ビアの位置を、前記探索手段によって探索された位置に変換し、前記データベースに記憶する変換手段、
前記変換手段によって変換されたレイアウトデータを出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする設計支援装置。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１−１】ビア間距離が設計基準の基準値であるレイアウトデータの一例を示す説明図である。
【図１−２】ビア間距離が基準値Ｎ以上であるレイアウトデータの一例を示す説明図である。
【図２−１】形状の変換後に再配置された近傍ビアのレイアウトデータを示す説明図である。
【図２−２】形状の変換後に再配置された対象ビアのレイアウトデータを示す説明図である。
【図２−３】形状の変換後に再配置された対象ビアおよび近傍ビアのレイアウトデータを示す説明図である。
【図３】レイアウトデータの物理情報の一例を示す説明図である。
【図４】設計基準のテーブルを示す説明図である。
【図５−１】基準値Ｍの間隔でビアが配置された例を示す説明図である。
【図５−２】矩形形状のビアの露光パターンの形状を示す説明図である。
【図６−１】ビアの形状を示す説明図である。
【図６−２】隣接ビアが存在する場合のビアの形状を示す説明図である。
【図７】実施の形態にかかる設計支援装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
【図８】設計支援装置の機能的構成を示すブロック図である。
【図９−１】隣接ビアである冗長ビアの一例を示す説明図である。
【図９−２】隣接ビアの一例を示す説明図である。
【図１０−１】近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換された例１を示す説明図である。
【図１０−２】近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換された例２を示す説明図である。
【図１０−３】近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０２に置換された例１を示す説明図である。
【図１０−４】近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０１に置換された例３を示す説明図である。
【図１０−５】近傍ビア１０４の形状がビアの形状６０２に置換された例２を示す説明図である。
【図１１−１】探索部８０５によって探索された位置を示す説明図である。
【図１１−２】位置が変換された近傍ビア２０１を示す説明図である。
【図１１−３】ビア間距離が基準値Ｎとなる位置に変換された近傍ビア２０１を示す説明図である。
【図１２−１】置換部８０４によって形状が置換された対象ビアと近傍ビアを示す説明図である。
【図１２−２】探索部８０５によって探索された位置を示す説明図である。
【図１２−３】位置が変換された近傍ビア２０１を示す説明図である。
【図１２−４】ビア間距離が基準値Ｎとなる位置に変換された近傍ビア２０１を示す説明図である。
【図１３】本実施の形態にかかる設計支援装置の設計支援処理手順を示すフローチャートである。
【図１４】ビア検出処理を示すフローチャートである。
【図１５】ビア置換・再配置処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１８】
１０１  対象配線
１０２  隣接配線
１０３，２０３  対象ビア
１０４，２０１  近傍ビア
１０５  接続先配線
４０１  設計基準
５０１  露光パターンの形状
６０１，６０２  ビアの形状
８０１  配線検出部
８０２  ビア検出部
８０３  算出部
８０４  置換部
８０５  探索部
８０６  変換部
８０７  出力部
【図１−１】
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【図１−２】
2010117963.tif 000004
【図２−１】
2010117963.tif 000005
【図２−２】
2010117963.tif 000006
【図２−３】
2010117963.tif 000007
【図３】
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【図４】
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【図５−１】
2010117963.tif 000010
【図５−２】
2010117963.tif 000011
【図６−１】
2010117963.tif 000012
【図６−２】
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【図７】
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【図８】
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【図９−１】
2010117963.tif 000016
【図９−２】
2010117963.tif 000017
【図１０−１】
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【図１０−２】
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【図１０−３】
2010117963.tif 000020
【図１０−４】
2010117963.tif 000021
【図１０−５】
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【図１１−１】
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【図１１−２】
2010117963.tif 000024
【図１１−３】
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【図１２−１】
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【図１２−２】
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【図１２−３】
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【図１２−４】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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