(57)【要約】【課題】金属基板と、この金属基板上に形成された平坦化層を具える可撓性の電子デバイス用基板において、その表面検査及び形成された電極パターンの検査を少ない誤差で良好に行う。【解決方法】金属基板と、前記金属基板上に形成されるとともに、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長に対して吸収性を呈する光吸収層ととを具えるようにして電子デバイス用基板を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板上に形成されるとともに、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長に対して吸収性を呈する光吸収層と、
を具えることを特徴とする、電子デバイス用基板。
【請求項２】
前記光吸収層が顔料を含有することを特徴とする、請求項１に記載の電子デバイス用基板。
【請求項３】
前記顔料は、カーボンブラック、モノアゾ系顔料、ジスアゾ系顔料及びフタロシアニン顔料から選択される少なくとも一種であることを特徴とする、請求項２に記載の電子デバイス用基板。
【請求項４】
前記光吸収層が染料を含有することを特徴とする、請求項１に記載の電子デバイス用基板。
【請求項５】
前記染料は、アニリン染料、アゾ染料、ポルフィリン系染料、シアニン系染料から選択される少なくとも一種であることを特徴とする、請求項３に記載の電子デバイス用基板。
【請求項６】
前記金属基板は金属箔であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の電子デバイス用基板。
【請求項７】
金属基板と光吸収層の間に平坦化層が形成されてなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の電子デバイス用基板。
【請求項８】
光吸収層が平坦化層として機能することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一に記載の電子デバイス用基板。
【請求項９】
前記光吸収層上に形成された絶縁層を具えることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１０】
金属基板と、
前記金属基板上に形成された平坦化層と、
前記平坦化層上に形成され、表面で３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長を反射する反射層と、
を具えることを特徴とする、電子デバイス用基板。
【請求項１１】
前記反射層上に絶縁膜が形成されてなることを特徴とする、請求項１０に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１２】
前記反射層は金属膜であることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１３】
前記金属膜の厚さが３０ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１２に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１４】
前記金属基板は金属箔であることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれか一に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一に記載の電子デバイス用基板の表面検査方法であって、
前記電子デバイス用基板の最表面に対して３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光を照射し、前記光の反射光に基づいて前記電子デバイス用基板の表面状態を検査することを特徴とする、電子デバイス用基板の表面検査方法。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれか一に記載の電子デバイス用基板上に形成された電極パターンの検査方法であって、
前記電子デバイス用基板の最表面に対して３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光を照射し、前記光の反射光に基づいて前記電子デバイス用基板上に形成された前記電極パターンの形態を検査することを特徴とする、電子デバイス用基板上の電極パターン検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ等の電子デバイスに対して好適に用いることができる電子デバイス用基板、この電子デバイス用基板の表面検査方法、及び前記電子デバイス用基板上に搭載する電子デバイスの電極パターンを検査する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの普及にともない、ディスプレイの需要は、近年、急速な伸びを示している。特に、ＣＲＴディスプレイに比べて、液晶ディスプレイは薄型で軽いというメリットを有するため、携帯型のパーソナルコンピュータやワードプロセッサなどに広く採用されている。
【０００３】
現在、一般に普及している液晶ディスプレイは、その駆動方式の違いに基づいて、個々の画素をトランジスタで駆動するアクティブマトリックスタイプのものと、縦横に配列した細長い電極群によって個々の画素を駆動するパッシブマトリックスタイプのものとに分けられる。前者は多数のトランジスタ素子を配列したアクティブマトリックス基板を用いて構成され、後者は多数の細長い電極群を配列したパッシブマトリックス基板を用いて構成される。いずれの場合も、表示画面とほぼ同じサイズの基板上に、微細なトランジスタ素子や電極を、個々の画素レベルの解像度で配置しなければならない。
【０００４】
このように、液晶ディスプレイを構成する基板上には、多数のトランジスタ素子や電極を高い寸法精度をもって形成する必要がある。したがって、トランジスタ素子や電極を形成するための基板面には、高度な平坦性が要求される。平坦性が低く、表面が粗い基板を用いると、その上に形成したトランジスタ素子や電極の位置精度が低下し、個々の画素ごとの動作特性にばらつきが生じるようになり、ディスプレイ全体として表示むらが生じることになる。また、断線等の不良も生じやすくなる。
【０００５】
かかる観点より、液晶ディスプレイ用の基板としては、ガラス基板やシリコン基板が一般的に利用されている。ガラス基板は、表面粗さが非常に小さく（平均表面粗さの最大値Ｒmax が５０ｎｍ以下）、高度な平坦性を有しており、しかも絶縁性が十分であるため、液晶ディスプレイ用の基板として非常に適した素材である。
【０００６】
一方、アクティブマトリックス基板の場合、基板上にシリコンを主体とする半導体素子が多数形成されることになるが、ガラスの熱膨脹率はシリコンの熱膨脹率とほぼ同程度であるため、半導体製造プロセスを行う上でも、ガラス基板は理想的な基板である。但し、シリコン基板は、熱膨脹率などの面では理想的な材料であるが、不透明であるため、透過型のディスプレイには利用することはできず、用途は反射型のディスプレイに限定される。
【０００７】
しかしながら、上述のようなガラス基板やシリコン基板は脆弱であるため、落下時の衝撃や使用中に大きな曲げ応力等が負荷されると破損してしまい、このため、前記基板を含む液晶ディスプレイの破損を生ぜしめてしまう場合がある。このような事情に鑑み、近年は、上述したガラス基板等に代えて、可撓性を有する金属基板が使用されるようになってきている（特許文献１）。
【０００８】
一方、上述のように可撓性を有する金属基板の表面は粗く、さらに電気的導電性を呈するので、前記金属基板を使用する場合は、その表面粗さをなくし、表面に電気的絶縁性を付与する必要がある。かかる観点から、上記特許文献１では、前記金属基板の表面に平坦化層を形成するとともに、前記平坦化層が電気的絶縁性を有しない場合は、前記平坦化層上に絶縁層を形成して、前記表面粗さと前記電気的絶縁性とを担保するようにしている。
【特許文献１】特開平１０−２９３２９３号
【０００９】
上述のように金属基板上に平坦化層及び絶縁層を形成してなる液晶ディスプレイ等の電子デバイス用基板を用いた場合においては、その基板上において前記電子デバイスを駆動させるための電極パターンが形成されることになるが、その際に前記基板表面における異物や傷の有無を調べる必要があるとともに、前記電極パターンのパターン形状及び大きさ等の形態を調べる必要がある。
【００１０】
上述した検査においては、電子デバイスの大きさがミクロンオーダであることから、白色光やハロゲンランプ（ｅ線、ｇ線）等の光が用いられる。具体的には、前記光を電子デバイス用基板の最表面に照射し、その際に得られる反射光に基づいて画像処理を行う。
【００１１】
この際、前記基板の最表面に異物等が存在すると、前記反射光の一部は前記異物等の存在によって乱反射される。また、前記基板上に形成した電極パターンのエッジ部等において欠陥がある場合においても、かかる部分で前記反射光の一部が乱反射される。したがって、このような乱反射が前記反射光に基づく画像に乱れを生ぜしめることになり、前記画像を解析することによって、前記基板の最表面に存在する異物の有無及び電極パターンの形態を特定することができるようになる。
【００１２】
しかしながら、上述したような検査方法において、上述したような異物が存在しない場合や、電極パターンのエッジ部に欠陥が存在しないような場合においても、反射光の一部が乱反射され、上述した画像に基づく解析において、前記異物あるいは前記欠陥が存在すると判断される場合が度々生じる結果となっていた。すなわち、上述のような可撓性の電子デバイス用基板の表面検査及び形成された電極パターンの検査等における誤差が多大となってしまうという問題が生じていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、金属基板と、この金属基板上に形成された平坦化層を具える可撓性の電子デバイス用基板において、その表面検査及び形成された電極パターンの検査を少ない誤差で良好に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成すべく、本発明は、
金属基板と、
前記金属基板上に形成されるとともに、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長に対して吸収性を呈する光吸収層と、
を具えることを特徴とする、電子デバイス用基板可撓性を呈する金属基板と、
（第１の電子デバイス用基板）に関する。
【００１５】
また、本発明は、
金属基板と、
前記金属基板上に形成された平坦化層と、
前記平坦化層上に形成され、表面で３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長を反射する反射層と、
を具えることを特徴とする、電子デバイス用基板（第２の電子デバイス用基板）に関する。
【００１６】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を実施した。その結果、電子デバイス用基板の最表面の異物検査あるいはその上に形成された電極パターンの検査に際して照射する光が、前記基板を構成する平坦化層を透過して前記基板を構成する金属基板の表面にまで達し、前記金属基板の粗い表面で反射されることが原因であることを見出した。
【００１７】
すなわち、前記電子デバイス用基板の最表面に存在する異物検査や、その上に形成する電極パターンの検査においては、照射した光が前記最表面でのみ反射されれば、反射光の一部の乱反射光は前記異物や前記電極パターンのエッジ部の欠陥に起因するものであるので、前記反射光による画像を解析することによって、前記異物や前記欠陥を同定することができる。
【００１８】
しかしながら、上述のように、前記光が前記金属基板の表面にまで達してしまうと、前記異物や前記欠陥に起因した乱反射光に加え、前記金属基板の表面でも乱反射光が生成されるようになってしまう。したがって、反射光に基づいて画像を得た場合においては、前記画像中に、前記異物や前記欠陥に伴う本来的な欠陥の他に、前記金属基板の表面で生成された前記乱反射光に基づいて、本来存在しないはずの異物や欠陥が存在するものとして判断されてしまうことになる。結果として、このような現象が検査における誤差の要因になっていることを見出した。
【００１９】
したがって、本発明者らは、上述した原因の究明に基づいて、検査に使用する光が上記電子デバイス用基板を構成する平坦化層を透過して金属基板の表面に達し、前記金属基板の前記表面での乱反射を抑制すべく鋭意検討を行った。
【００２０】
その結果、上述したように、電子デバイス用基板において、金属基板上に３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長に対して吸収性を呈する光吸収層を設けることによって、前記光が前記光吸収層によって吸収され、前記光が前記金属基板の前記表面に到達しないようにし、本発明の第１の電子デバイス用基板を想到するに至った。
【００２１】
また、金属基板上に平坦化層を形成するとともに、表面で３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長を反射する反射層を形成し、前記光が前記反射層で反射され、前記金属基板の前記表面に到達しないようにし、本発明の第２の電子デバイス用基板を想到するに至った。
【００２２】
上記第１の電子デバイス用基板及び第２の電子デバイス用基板によれば、電子デバイス用基板の最表面における異物等の有無を調べる表面検査、あるいは前記最表面上に形成する電極パターンの形態を調べる電極パターン検査において、下方に位置する金属基板からの乱反射の影響を抑制することができるので、前記異物等の有無、及び前記電極パターンの形態を高精度に検査することができる。
【００２３】
なお、上記第２の電子デバイス用基板では、検査に使用する光が前記反射層の表面で反射されることになるが、前記反射層は前記平坦化層上に形成され、その表面は極めて平坦（例えば、平均表面粗さの最大値Ｒmax が５０ｎｍ以下）であるので、前記表面での乱反射はほとんど生じない。したがって、前記検査に対して誤差を生ぜしめるような悪影響を与えることはない。
【００２４】
なお、上述した電子デバイス用基板を用いることによって、前記電子デバイス用基板の最表面に対して３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光を照射し、前記光の反射光に基づいて前記電子デバイス用基板の表面状態を検査することを特徴とする、本発明の電子デバイス用基板の表面検査方法を高精度に実現することができる。
【００２５】
また、前記電子デバイス用基板の最表面に対して３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光を照射し、前記光の反射光に基づいて前記電子デバイス用基板上に形成された前記電極パターンの形態を検査することを特徴とする、本発明の電子デバイス用基板上の電極パターン検査方法を高精度に実現することができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、本発明によれば、金属基板と、この金属基板上に形成された平坦化層を具える可撓性の電子デバイス用基板において、その表面検査及び形成された電極パターンの検査を少ない誤差で良好に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の特徴及びその他の利点について、発明を実施するための最良の形態に基づいて説明する。
【００２８】
（第１の電子デバイス用基板）
図１は、第１の電子デバイス用基板の一例における概略構成を示す断面図であり、図２及び図３は、電子デバイス用基板への光の入射及び反射の状態を概念的に示す図である。
【００２９】
図１に示すように、本態様における電子デバイス用基板１０は、金属基板１１上において順次所定の顔料を含む平坦化層１２及び絶縁層１３が形成されている。なお、絶縁層１３は、電子デバイス用基板１０の最表面の電気的絶縁性を担保するために形成されているものであるので、平坦化層１２が十分高い絶縁性を有している場合は、適宜省略することができる。
【００３０】
金属基板１１は、目的に応じて任意の金属材料から構成することができるが、例えば、インバー材（インバール材、アンバー材、Ｆｅ−Ｎｉ合金）やコバール材（Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金）から構成することが好ましい。これらの金属材料はシリコン等と同等の熱膨張率（１０−６／℃のオーダ）を有するため、図１に示す電子デバイス用基板１０の絶縁層１３上に、トランジスタ素子等の種々のシリコンからなる半導体デバイスを搭載した場合において、後の製造プロセスにおける加熱処理あるいは使用環境中の温度上昇に伴う前記半導体デバイスと金属基板１１、すなわち電子デバイス用基板１０との熱膨張率を近接させることができるようになる。
【００３１】
したがって、上述したような製造プロセス及び使用環境中の前記半導体デバイスの破損を防止することができるようになる。
【００３２】
但し、ステンレスや、銅、アルミニウムなどの汎用の材料から構成することもできる。
【００３３】
また、金属基板１１は電子デバイス用基板１０に対して可撓性を付与すべく、所定の厚さ、例えば数十ミクロンからミリメートルのオーダに設定する。具体的には、金属基板１１を構成する金属材料の種類を考慮して決定される。
【００３４】
なお、上述したような厚さの金属基板１１は、入手の容易さ及び製造の容易さ等を考慮し、金属箔とすることが好ましい。
【００３５】
平坦化層１２は、例えばＳＯＧ（Spin On Glass）や耐熱性の樹脂等から構成することができる。これらの材料は、金属基板１１上において、液状のコーティングガラスあるいは溶融状態の樹脂をスピンコート法によって形成することができ、形成された層の表面の平坦性を確保した状態で、層形成を簡易に行うことができる。
【００３６】
なお、前記樹脂は、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリノルボルネン系樹脂、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、又は熱可塑性ポリイミド等の耐熱性熱可塑性樹脂の他、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ビスマレイミドートリアジン樹脂、ベンジシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ブタジエン樹脂、シリコーン樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、ポリウレタン樹脂等の耐熱性熱硬化性樹脂を挙げることができる。
【００３７】
平坦化層１２の厚さは、金属基板１１の表面粗さを相殺できるように設定する必要がある。なお、金属基板１１の表面粗さに最大値Ｒmaxは、数μｍのオーダであるので、平坦化層１２も前述のオーダの厚さに形成する。
【００３８】
本態様において、平坦化層１２は３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長に対して吸収性を呈する光吸収層としても機能するものである。このような光吸収性を付与するには、上述のように、平坦化層１２の母材を樹脂から構成するような場合、例えば、カーボンブラック、モノアゾ系顔料、ジスアゾ系顔料及びフタロシアニン顔料から選択される少なくとも一種である顔料や、アニリン染料、アゾ染料、ポルフィリン系染料、シアニン系染料から選択される少なくとも一種である染料を含有させることによって実現することができる。
【００３９】
但し、平坦化層１２に対して光吸収層として機能させるに際しては、当然に樹脂及び顔料、染料の組み合わせ以外の材料を用いてもよい。
【００４０】
なお、前記顔料又は染料の含有量は、その種類や平坦化層１２の厚さ等によって異なるが、カーボンブラック等のように黒色の顔料の場合はより少なくすることができるし、炭酸カルシウム等のように白色の顔料の場合は比較的多くする必要がある。
【００４１】
また、前記顔料又は染料は、平坦化層１２の母材となる液状のコーティングガラス等に予め含有させておくことによって、スピンコート法による塗布過程を経、平坦化層１２中に含有できるようになる。
【００４２】
絶縁層１３は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の酸化物あるいは窒化物から構成することができる。なお、絶縁層１３は、スパッタリング法やＣＶＤ法などの汎用の成膜方法によって形成することができる。また、絶縁層１３は、数百ｎｍから数μｍのオーダの厚さに形成する。
【００４３】
上述のようにして電子デバイス用基板１０の最表面、すなわち絶縁層１３の表面に光を入射させ、前記表面に存在する異物や傷等の有無を検査する場合、あるいは前記表面上に形成した図示しない電極パターンの形状及び大きさを検査する場合においては、図２に示すように、入射した前記光は絶縁層１３の表面で反射されるとともに、絶縁層１３を透過した光は平坦化層１２中の顔料によって吸収されるようになる。したがって、絶縁層１３を透過した光は、金属基板１１の表面に達することがないので、前記表面での反射は生じない。
【００４４】
したがって、得られた反射光に基づいて画像を得、前記画像を解析することによって、前記異物や前記欠陥を検査したり、前記電極パターンのエッジ部の欠陥を検査したりする場合に、金属基板１１からの乱反射の影響を受けることがないので、前記異物や前記欠陥等を検査する際の誤差を抑制することができる。
【００４５】
なお、図１に示す電子デバイス用基板１０は、金属基板１１を用いることによって可撓性を有するので、落下時の衝撃や使用中に大きな曲げ応力等が負荷された場合においても、破損することがないという本来的な機能をも奏する。
【００４６】
一方、図３に示すように、平坦化層１２中に顔料を含まない場合は、絶縁層１３を透過した光は平坦化層１２中を透過して金属基板１１の表面に達するようになる。したがって、前記異物や前記欠陥を検査したり、前記電極パターンのエッジ部の欠陥を検査したりする場合に、金属基板１１からの乱反射の影響を受け、前記異物や前記欠陥等を検査する際の誤差が増大してしまう。
【００４７】
なお、上述した検査に使用する光の波長は、例えば３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲である。これは、汎用の白色光やハロゲンランプ（ｅ線、ｇ線）の波長範囲を考慮したものである。
【００４８】
図４に示すように、平坦化層１２と別に平坦化層１２上に別途光吸収層１４を設けるようにすることもできる。すなわち、金属基板１１と光吸収層１４との間に平坦化層１２を位置させるようにすることもできる。この場合、平坦化層１２自体は上述した樹脂から構成し、光吸収層１４は、上述した樹脂と顔料、染料との組み合わせから構成することができる。
【００４９】
（第２の電子デバイス用基板）
図５は、第２の電子デバイス用基板の一例における概略構成を示す断面図であり、図６は、電子デバイス用基板への光の入射及び反射の状態を概念的に示す図である。
【００５０】
図５に示すように、本態様における電子デバイス用基板２０は、金属基板２１上において順次平坦化層２２、反射層２４及び絶縁層２３が形成されている。なお、反射層２４は、表面で３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光において少なくともその一部の波長を反射する機能を有することが要求される。したがって、かかる要件を満足すれば、反射層２４を構成する材料は特に限定されるものではないが、前記波長範囲で高い反射率を呈することから、好ましくは金属膜から構成する。この場合、金属膜の厚さは３０ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００５１】
なお、反射層２４を金属膜から構成した場合、電子デバイス用基板２０の最表面に形成する電極パターンや半導体素子との電気的絶縁性を担保すべく、絶縁層２３は必須の構成要素である。
【００５２】
金属基板２１は、金属基板１１と同様に、目的に応じて任意の金属材料から構成することができ、例えば、インバー材（インバール材、アンバー材、Ｆｅ−Ｎｉ合金）やコバール材（Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金）の他、ステンレスや、銅、アルミニウムなどの汎用の材料から構成することもできる。なお、金属基板２１に要求される機能及び効果は、金属基板１１と同じである。
【００５３】
平坦化層２２は、例えばＳＯＧ（Spin On Glass）や耐熱性の樹脂等から、スピンコート法によって形成することができる。前記樹脂は、電子デバイス用基板１０と同様の耐熱性熱可塑性樹脂、あるいは耐熱性熱硬化性樹脂から構成することができる。また、平坦化層２２の厚さは、金属基板２１の表面粗さを相殺できるように数μｍのオーダの厚さに形成する。
【００５４】
なお、本態様においては、平坦化層２２中に顔料又は染料を含有させることは要求されないが、顔料又は染料を含有させることを必ずしも排除するものではない。このような顔料としては、電子デバイス用基板１０において説明したような汎用のものを用いることができる。
【００５５】
なお、反射層２４は、例えば金属基板２１と同じインバー材（インバール材、アンバー材、Ｆｅ−Ｎｉ合金）やコバール材（Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金）、ステンレス、銅、アルミニウムの他、金、銀等から構成することができる。インバー材やコバール材を使用する理由は、金属基板２１の場合と同様であって、電子デバイス用基板２０の絶縁層２３上に、トランジスタ素子等の種々のシリコンからなる半導体デバイスを搭載した場合において、後の製造プロセスにおける加熱処理あるいは使用環境中の温度上昇に伴う前記半導体デバイスと電子デバイス用基板２０との熱膨張率を近接させ、製造プロセス及び使用環境中の前記半導体デバイスの破損を防止するためである。
【００５６】
絶縁層２３は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の酸化物あるいは窒化物から、スパッタリング法やＣＶＤ法などの汎用の成膜方法によって、数百ｎｍから数μｍのオーダの厚さに形成することができる。
【００５７】
上述のようにして電子デバイス用基板２０の最表面、すなわち絶縁層２３の表面に光を入射させ、前記表面に存在する異物や傷等の有無を検査する場合、あるいは前記表面上に形成した図示しない電極パターンの形状及び大きさを検査する場合においては、図６に示すように、入射した前記光は絶縁層２３の表面で反射されるとともに、絶縁層２３を透過した光は反射層２４の表面で反射されるようになる。したがって、絶縁層２３を透過した光は、金属基板２１の表面に達することがないので、前記表面での反射は生じない。
【００５８】
したがって、得られた反射光に基づいて画像を得、前記画像を解析することによって、前記異物や前記欠陥を検査したり、前記電極パターンのエッジ部の欠陥を検査したりする場合に、金属基板２１からの乱反射の影響を受けることがないので、前記異物や前記欠陥等を検査する際の誤差を抑制することができる。
【００５９】
なお、反射層２４は平坦化層２３上に形成され、その表面は極めて平坦（例えば、平均表面粗さの最大値Ｒmax が５０ｎｍ以下）であるので、前記表面での乱反射はほとんど生じない。したがって、前記検査に対して誤差を生ぜしめるような悪影響を与えることはない。
【００６０】
また、図５に示す電子デバイス用基板２０は、金属基板２１を用いることによって可撓性を有するので、落下時の衝撃や使用中に大きな曲げ応力等が負荷された場合においても、破損することがないという本来的な機能をも奏する。
【００６１】
一方、反射層２４を有しない場合は、図３に示すように、絶縁層１３を透過した光は平坦化層１２中を透過して金属基板１１の表面に達するようになる。したがって、前記異物や前記欠陥を検査したり、前記電極パターンのエッジ部の欠陥を検査したりする場合に、金属基板１１からの乱反射の影響を受け、前記異物や前記欠陥等を検査する際の誤差が増大してしまう。
【実施例】
【００６２】
厚さ０．２ｍｍのＳＵＳ４２０基板を金属基板として用意し、この上に、東京応化株式会社製のコーティングガラス「商品名：Ｔ−７」を約５００ｎｍの厚みになるようにスピンコート法で塗布した。続いて、このコーティングガラスの塗布層を乾燥させた後、４５０°Ｃ、３０分間という条件で焼成工程を行い、平坦化層を形成した。この平坦化層の上に、ＣＶＤ法で窒化シリコンを７００ｎｍの膜厚で堆積させて絶縁層を形成した。こうして構成した三層構造の可撓性基板の上に電極パターンを形成し、前記電極パターンに対してハロゲンランプを照射し、得られた反射光を画像解析することによって、前記電極パターンの形態検査を実施した。なお、上記平坦化層中には、カーボンブラックを含有させた。
【００６３】
その結果、得られた画像には、上記金属基板からの乱反射によるノイズ等の影響は見られず、前記画像より前記電極パターンを良好な状態で観察（検査）できることを確認した。
【００６４】
なお、カーボンブラックに代えて、炭酸カルシウム、二酸化チタン等を用いた場合も同様の結果が得られた。
【００６５】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】第１の電子デバイス用基板の一例における概略構成を示す断面図である。
【図２】第１の電子デバイス用基板への光の入射及び反射の状態を概念的に示す図である。
【図３】同じく、従来の電子デバイス用基板への光の入射及び反射の状態を概念的に示す図である。
【図４】図１に示す第１の電子デバイス用基板の変形例を示す断面図である。
【図５】第２の電子デバイス用基板の一例における概略構成を示す断面図である。
【図６】第２の電子デバイス用基板への光の入射及び反射の状態を概念的に示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０，２０  電子デバイス用基板
１１，２１  金属基板
１２，２２  平坦化層
１３，２３  絶縁層
１４  光吸収層
２４  反射層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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