(57)【要約】【課題】低コストでキックバック発生時の電圧上昇を抑えつつも、電源の電圧が所定値以下の場合のブレーキを回避できるモータ駆動回路を提供する。【解決手段】モータ駆動回路は、入力電圧を発生する電源から分岐して接続される第１及び第２電源ラインと、Ｈブリッジ回路と、Ｈブリッジ回路をスイッチング制御する制御手段と、を含んで構成され、前記制御手段は、前記電源の電圧が所定値以下の場合、前記Ｈブリッジ回路の回生経路が生じないように制御する。【選択図】図１
2010206860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧を発生する電源から分岐して接続される第１及び第２電源ラインと、
直列接続される第１ソーストランジスタ及び第１シンクトランジスタと、直列接続される第２ソーストランジスタ及び第２シンクトランジスタと、前記第１及び第２ソーストランジスタ及び前記第１及び第２シンクトランジスタの夫々に設けられる第１〜第４回生ダイオードとを有し、前記第１ソーストランジスタ及び前記第２ソーストランジスタの入力電極に前記第１電源ラインが接続され、前記第１ソーストランジスタ及び前記第２ソーストランジスタの出力電極にモータコイルが接続されるＨブリッジ回路と、
前記第２電源ラインと接続され、前記第１ソーストランジスタ及び前記第２シンクトランジスタと前記第２ソーストランジスタ及び前記第１シンクトランジスタとを相補的にスイッチングする制御手段と、を含んで構成され、
前記制御手段は、前記第２電源ラインの電圧に応じた電圧が所定電圧よりも小さい場合、前記第１電源ラインの電位にかかわらず前記第１及び第２ソーストランジスタがオンしないように制御すること、を特徴とするモータ駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載のモータ駆動回路であって、
一端が前記第１ソーストランジスタの入力電極と接続され、他端が前記第１ソーストランジスタの制御電極と接続される第１抵抗と、
前記第２電源ラインの電圧に応じた電圧が所定電圧よりも小さい場合、実質的に前記第１抵抗に電流が流れないようにすることにより、前記第１抵抗に生じる電位差が前記第１ソーストランジスタの閾値電圧よりも小さくなるように抑制する回生停止手段と、を含んで構成されること、を特徴とするモータ駆動回路。
【請求項３】
請求項２に記載のモータ駆動回路であって、
前記回生停止手段は、
一方の入力端子に前記第２電源ラインの電圧が抵抗分割されて入力され、他方の入力端子に前記所定電圧が入力されるコンパレータと、
前記コンパレータの出力が制御電極に入力され、前記第１抵抗に流れる電流を制御する制御トランジスタと、を含んで構成されること、を特徴とするモータ駆動回路。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のモータ駆動回路であって、
前記電源と前記第１電源ラインとは、第１ダイオードを介して接続され、
前記電源と前記第２電源ラインとは、第２ダイオードを介して接続されること、を特徴とするモータ駆動回路。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のモータ駆動回路であって、
前記第１〜４回生ダイオードは、寄生ダイオードであること、を特徴とするモータ駆動回路。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のモータ駆動回路であって、
前記前記所定電位とは、前記電源がオフになったときにおける前記第２電源ラインの電位に相当すること、を特徴とするモータ駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モータ駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｈブリッジ回路でモータを駆動する場合、キックバック発生時の電圧上昇によるＭＯＳＦＥＴの破壊を防ぐ必要がある。
【０００３】
例えば、特許文献１では、ツェナーダイオードを用いてキックバック発生時の電圧上昇を抑制することが行われている。しかし、この方法では、モータのサイズが大きくなるほどツェナーダイオードのサイズも大きくする必要があり、コストの増大を招くこととなる。
【０００４】
これに対し、特許文献２では、低コストでキックバックの発生時の電圧上昇を抑えてＭＯＳＦＥＴの破壊を防止する発明が開示されている。
【０００５】
以下、図２を参照して、特許文献２に係るモータ駆動回路について具体的に説明する。モータ駆動回路は、Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ１１，１２、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ１３，１４、電源ライン２１，２２、接地ライン２３、ダイオード２４，２５、コンデンサ２６，２７、電流源３１，３２、ＮＰＮ型のトランジスタ４１〜４８、ＰＮＰ型のトランジスタ５１，５２、駆動回路６０、及びコネクタ７０を含んで構成されている。そして、ＭＯＳＦＥＴ１１〜１４には寄生ダイオード１１ｄ〜１４ｄがそれぞれ設けられており、ＭＯＳＦＥＴ１１，１２のゲートはそれぞれ抵抗３３，３４を介して電源ライン２２に接続されている。ここで、電源ライン２１，２２は、電圧ＶＡを発生する電源８０から分岐されたものであり、コネクタ７０を介して電源８０の正側と接続されている。また、接地ライン２３は、コネクタ７０を介して電源８０の負側と接続されている。
【０００６】
このような構成において、ＭＯＳＦＥＴ１１，１４がオン、ＭＯＳＦＥＴ１２，１３がオフの状態では、電源ライン２１からＭＯＳＦＥＴ１１、モータコイル１０、ＭＯＳＦＥＴ１４の向きに電流が流れてモータが回転する。そして、適宜のタイミングでＭＯＳＦＥＴ１１及びＭＯＳＦＥＴ１４がオフになったとする。このとき、モータコイル１０は、エネルギーが蓄積されており電流を流し続けようとする。そのため、寄生ダイオード１３ｄ、モータコイル１０、寄生ダイオード１２ｄを通って電流が流れることとなる。つまり、キックバックが発生する。そうすると、キックバックにより生じた電流は、ダイオード２４があるため電源８０に回生することはできず、コンデンサ２６に流れ込むこととなる。これにより、電源ライン２１の電圧Ｖｍは上昇していくこととなる。そして、電源ライン２１の電圧Ｖｍが上昇して、ＭＯＳＦＥＴ１１，１２のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧を超えると、ＭＯＳＦＥＴ１１，１２がオンする。そのため、モータコイル１０から出力される電流は、ＭＯＳＦＥＴ１２，１１を流れてモータコイル１０に戻る。つまり、モータコイル１０に蓄積されたエネルギーは、モータコイル１０、ＭＯＳＦＥＴ１２，１１により構成されるループで消費される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２６９８８５号公報
【特許文献２】特開２００７−２５９６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、特許文献２に係るモータ駆動回路では、特許文献１に開示されたツェナーダイオードを用いずにキックバックの発生時の電圧上昇を抑えてＭＯＳＦＥＴの破壊を防止できる。
【０００９】
しかし、特許文献２に係るモータ駆動回路では、電源８０の電圧が所定値より低下したとき（電源８０がオフとなっているときも含む。）であっても、上記のモータコイル１０、ＭＯＳＦＥＴ１２，１１により構成されるループが形成されることがある。例えば、モータが回転している際に電源８０がオフになっても、モータは、慣性にしたがいしばらく回転を継続する。そうすると、モータコイル１０に磁束が通過することによる誘起電圧が生じる。この場合、電源ライン２１の電圧は誘起電圧に応じて上昇するため、ＭＯＳＦＥＴ１１，１２のソースの電位が上昇する。一方、ＭＯＳＦＥＴ１１，１２のゲートの電位は、電源８０がオフであれば電源ライン２２の電位に準じて、実質的にゼロに等しくなる。したがって、電源８０がオフであるにもかかわらずＭＯＳＦＥＴ１１，１２がオンしてしまう。この場合、モータコイル１０には、モータの回転方向とは逆方向の力がブレーキ力として生じてしまう。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、低コストでキックバック発生時の電圧上昇を抑えつつも、電源電圧が所定値より低下したときに上記ループの形成を回避してブレーキ力の発生を防ぐことにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明のモータ駆動回路は、入力電圧を発生する電源から分岐して接続される第１及び第２電源ラインと、直列接続される第１ソーストランジスタ及び第１シンクトランジスタと、直列接続される第２ソーストランジスタ及び第２シンクトランジスタと、前記第１及び第２ソーストランジスタ及び前記第１及び第２シンクトランジスタの夫々に設けられる第１〜第４回生ダイオードとを有し、前記第１ソーストランジスタ及び前記第２ソーストランジスタの入力電極に前記第１電源ラインが接続され、前記第１ソーストランジスタ及び前記第２ソーストランジスタの出力電極にモータコイルが接続されるＨブリッジ回路と、前記第２電源ラインと接続され、前記第１ソーストランジスタ及び前記第２シンクトランジスタと前記第２ソーストランジスタ及び前記第１シンクトランジスタとを相補的にスイッチングする制御手段と、を含んで構成され、前記制御手段は、前記第２電源ラインの電圧に応じた電圧が所定電圧よりも小さい場合、前記第１電源ラインの電位にかかわらず前記第１及び第２ソーストランジスタがオンしないように制御すること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
低コストでキックバック発生時の電圧上昇を抑えつつも、電源電圧が所定値より低下したときのブレーキを回避できるモータ駆動回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態であるモータ駆動回路の構成例を示す図である。
【図２】本発明の他の実施形態であるモータ駆動回路の構成例を示す図である。
【図３】特許文献２の実施形態であるモータ駆動回路の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について詳述する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係るモータ駆動回路の構成例を示す。モータ駆動回路は、例えばファンモータ等の単相モータを駆動する回路であり、モータコイル１１０に流れる電流を制御する。モータ駆動回路は、Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ１１３，１１４、電源ライン１２１，１２２、接地ライン１２３、ダイオード１２４，１２５、コンデンサ１２６，１２７、ＮＰＮ型のトランジスタ１４２〜１４４，１６４、ＰＮＰ型のトランジスタ１４５，１５１、駆動回路１６０、コンパレータ１９０，抵抗１６１，１６２，１３５、基準電圧源１６３、及びコネクタ１７０を含んで構成されている。
【００１６】
はじめに、本実施形態に係るモータ駆動回路の構成について詳述する。
【００１７】
ＭＯＳＦＥＴ１１１〜１１４はＨブリッジ回路を構成している。Ｈブリッジ回路について詳述すると、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２のソースが電源ライン１２１に接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴ１１３，１１４のソースが接地ライン１２３に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１３のドレイン同士が接続され、ＭＯＳＦＥＴ１１２，１１４のドレイン同士が接続されている。そして、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１３の接続点と、ＭＯＳＦＥＴ１１２，１１４の接続点との間に、モータコイル１１０が接続される。ここで、ＭＯＳＦＥＴ１１１〜１１４には、寄生ダイオード１１１ｄ〜１１４ｄが設けられている。
【００１８】
電源ライン１２１，１２２は、電圧ＶＡを発生する電源１８０から分岐されたものであり、コネクタ１７０を介して電源１８０の正側と接続されている。また、接地ライン１２３は、コネクタ１７０を介して電源１８０の負側（接地側）と接続されている。ここで、
電源ライン１２１から電源１８０の方向に電流が流れて回路が破壊されることを防止するために、電源ライン１２１にはダイオード１２４が設けられている。同様に、電源ライン１２２にも、ダイオード１２５が設けられている。また、Ｈブリッジ回路でキックバックが発生した場合に生じる電流を吸収するため、電源ライン１２１にはコンデンサ１２６が設けられている。さらに、電源ライン１２２の電圧Ｖｃｃを安定化させるため、電源ライン１２２には、コンデンサ１２７が設けられている。
【００１９】
コンパレータ１９０、抵抗１６１，１６２、及び基準電圧源１６３は、電源１８０の電位の監視回路を構成している。具体的には、監視回路は、電源１８０の電圧が所定値以下であるか否かを監視する。このコンパレータ１９０の非反転入力端子は、電源ライン１２２の電圧Ｖｃｃを抵抗１６１，１６２で抵抗分割された電圧が入力される。また、コンパレータ１９０の反転入力端子には、基準電圧源１６３により設定された電位が入力される。そして、コンパレータ１９０は、電源ライン１２２の電位Ｖｃｃが抵抗分割された電位が基準電圧源１６３の電位より大きくとＨレベルを出力し、電源ライン１２２の電位が抵抗分割された電位が基準電圧源１６３の電位より小さくなるとＬレベルを出力する。
【００２０】
トランジスタ１６４，１４５、抵抗１６５は、電源１８０の電圧が所定値以下になったときに（電源１８０がオフしたときを含む。）キックバックが発生しても、ＭＯＳＦＥＴ１１１がオンするのを抑制するための回路を構成する。トランジスタ１６４は、ベースにコンパレータ１９０の出力が入力され、エミッタは接地ライン１２３に接続され、コレクタは抵抗１６５の一端と接続される。トランジスタ１４５は、エミッタがダイオードを介してＭＯＳＦＥＴ１１１のゲート及び抵抗１３５の他端と接続され、コレクタがトランジスタ１４２，１４３のベースと接続され、ベースが抵抗１６５の他端と接続される。そして、電源１８０が所定電圧以上のときにはトランジスタ１６４，１４５はオンし、電源１８０が所定電圧以下のときにはトランジスタ１６４，１４５はオフする。
【００２１】
トランジスタ１４２，１４３、抵抗１３５は、ＭＯＳＦＥＴ１１１を制御する制御回路を構成している。抵抗１３５は、一端がＭＯＳＦＥＴ１１１のソースと接続され、他端がＭＯＳＦＥＴ１１１のゲートと接続される。トランジスタ１４２，１４３のエミッタは接地ライン１２３と接続され、トランジスタ１４２，１４３は電流ミラー接続されている。トランジスタ１４３のコレクタは、ＭＯＳＦＥＴ１１１のゲート及び抵抗１３５の他端と接続されている。そして、トランジスタ１４２のコレクタ及びトランジスタ１４２，１４３のベースには、制御回路１６０から電流Ｉｎが入力される。
【００２２】
トランジスタ１４４，１５１は、ＭＯＳＦＥＴ１１３のオンオフを制御する制御回路を構成している。トランジスタ１４４，１５１はエミッタ同士が接続されトランジスタ１４４のコレクタが電源ライン１２２と接続され、トランジスタ１５１のコレクタが接地ライン１２３と接続されている。トランジスタ１４４のベースには、駆動回路１６０から出力される電圧Ｖｎ１が印加され、トランジスタ１５１のベースには、駆動回路１６０から出力される電圧Ｖｎ２が印加されている。そして、トランジスタ１４４，１５１の接続点と、ＭＯＳＦＥＴ１１３のゲートとが接続されている。
【００２３】
なお、実際には、ＭＯＳＦＥＴ１１２，１１４の制御回路が、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１３の制御回路と同様に設けられるが、その構成に実質的な差異はないため、ＭＯＳＦＥＴ１１２，１１４の制御回路については図面及びその説明を省略する。
【００２４】
駆動回路１６０は、電流Ｉｎ、電圧Ｖｐ１，Ｖｐ２によりＭＯＳＦＥＴ１１１，１１３のオンオフを行い、モータの駆動を制御する。
【００２５】
次に、本実施形態に係るモータ駆動回路の動作について詳述する。
【００２６】
はじめに、電源１８０の電圧が所定値以上である場合（例えば、通常動作モードの場合）について説明する。
【００２７】
電源１８０がオンしており、その電圧が所定値以上である場合、コンパレータ１９０では、非反転入力端子に入力される電圧が反転入力端子に入力される電圧よりも大きくなる。そうすると、コンパレータ１９０はＨレベルを出力するため、トランジスタ１６４はオンする。
【００２８】
この状態において、制御回路１６０から電流Ｉｎが出力されるとともに、Ｌレベルの電圧Ｖｎ１，２が出力されたとする。そうすると、電流Ｉｎはトランジスタ１４２に流れ込み、電流ミラー接続されているトランジスタ１４３にもミラー比に応じた電流が流れる。これにより、抵抗１３５にも電流が流れ、電源ライン１２１の電圧Ｖｍを降下させた電圧がＭＯＳＦＥＴ１１１のゲートに印加されることにより、ＭＯＳＦＥＴ１１１がオンする。一方、トランジスタ１４４はオフし、トランジスタ１５１はオンするため、ＭＯＳＦＥＴ１１３がオフする。また、所定の信号によって、ＭＯＳＦＥＴ１１２がオフし、トランジスタ１１４がオンしたとする。そうすると、電源ライン１２１からＭＯＳＦＥＴ１１１、モータコイル１１０、ＭＯＳＦＥＴ１１４の向きに電流が流れ、モータがある方向に回転する。
【００２９】
そして、適宜のタイミングで、制御回路１６０から電流Ｉｎの出力がなくなるとともに、ＬレベルのＶｎ１，２が出力されたとする。そうすると、抵抗１３５に電流が流れなくなり、ＭＯＳＦＥＴ１１１はオフする。一方、トランジスタ１４４はオフし、トランジスタ１５１はオンするため、ＭＯＳＦＥＴ１１３もオフする。また、所定の信号によって、ＭＯＳＦＥＴ１１２，１１４もオフしたとする。この場合、モータコイル１１０にはエネルギーが蓄積されており、電流を流し続けようとする。そのため、寄生ダイオード１１３ｄ、モータコイル１１０、及び寄生ダイオード１１２ｄを通って電流が流れる。つまり、キックバックが発生する。キックバックにより生じた電流は、ダイオード１２４があるため電源１８０に回生することはできず、コンデンサ１２６に流れ込むこととなる。これにより、電源ライン１２１の電圧Ｖｍは上昇していく。そして、電源ライン１２１の電圧Ｖｍが上昇すると、トランジスタ１４５がオンしていることにより抵抗１３５に電流が流れて、ＭＯＳＦＥＴ１１１のゲート・ソース間に電位差が生じる。そして、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧を超えると、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２が自動的にオンの状態になる。そのため、モータコイル１１０から出力される電流は、ＭＯＳＦＥＴ１１２、１１１を流れてモータコイル１１０に戻る。つまり、モータコイル１１０に蓄積されたエネルギーは、モータコイル１１０、ＭＯＳＦＥＴ１１２，１１１により構成されるＨブリッジ回路の電源側のループで消費される。そして、モータコイル１１０に蓄積されたエネルギーが消費され、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧より小さくなると、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２は自動的にオフとなる。
【００３０】
その後、制御回路１６０から電流Ｉｎの出力がなくなるとともに、ＨレベルのＶｎ１，２が出力されたとする。そうすると、ＭＯＳＦＥＴ１１１はオフする一方、トランジスタ１４４はオンしてトランジスタ１５１はオフするためＭＯＳＦＥＴ１１３はオンする。また、所定の信号によって、ＭＯＳＦＥＴ１１２がオンしてＭＯＳＦＥＴ１１４がオフしたとする。この場合、電源ライン１２１からＭＯＳＦＥＴ１１２、モータコイル１１０、ＭＯＳＦＥＴ１１３の向きに電流が流れる。
【００３１】
そして、再度、適宜のタイミングで、制御回路１６０から電流Ｉｎの出力がなくなるとともに、ＬレベルのＶｎ１，２が出力されたとする。そうすると、抵抗１３５に電流が流れなくなり、ＭＯＳＦＥＴ１１１はオフする。一方、トランジスタ１４４はオフし、トランジスタ１５１はオンするため、ＭＯＳＦＥＴ１１３もオフする。また、所定の信号によって、ＭＯＳＦＥＴ１１２，１１４もオフしたとする。この場合、モータコイル１１０にはエネルギーが蓄積されており、電流を流し続けようとする。そのため、寄生ダイオード１１４ｄ、モータコイル１１０、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１の寄生ダイオード１１１ｄを通って電流が流れることとなる。つまり、この場合にも、キックバックが発生する。キックバックにより生じた電流は、ダイオード１２４があるため電源１８０に回生することができず、コンデンサ１２６に流れ込み、電源ライン１２１の電圧Ｖｍが上昇していく。そして、電源ライン１２１の電圧Ｖｍが上昇すると、トランジスタ１４５がオンしているため、ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間に電位差が生じる。そして、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧を越えると、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２が自動的にオンの状態になる。そのため、モータコイル１１０から出力される電流は、ＭＯＳＦＥＴ１１１、ＭＯＳＦＥＴ１１２を流れてモータコイル１１０に戻る。つまり、この場合にも、モータコイル１１０に蓄積されたエネルギーは、Ｈブリッジ回路の電源側のループで消費されることとなる。そして、モータコイル１１０に蓄積されたエネルギーが消費され、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２のゲート・ソース間の電圧が閾値電圧より小さくなると、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２は自動的にオフとなる。
【００３２】
以上、本実施形態に係るモータ駆動回路では、電源１８０の電圧が所定値以上のときにキックバックが発生しても、キックバックの発生による電源ライン１２１の電圧Ｖｍの上昇は、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２の閾値電圧と同レベルに抑えられる。
【００３３】
次に、電源１８０の電圧が所定値以下である場合（例えば、電源ＯＦＦ時や待機モードである場合）について説明する。
【００３４】
電源１８０の電圧が所定値以下である場合、電源ライン１２２の電位Ｖｃｃが下がるため、コンパレータ１９０では、非反転入力端子に入力される電圧が反転入力端子に入力される電圧よりも小さくなる。そうすると、コンパレータ１９０はＬレベルを出力するため、トランジスタ１６４はオフする。
【００３５】
この状態において、例えば、電源１８０の電圧が所定値以下になったにもかかわらず、慣性に従いモータが回転を継続すると、モータコイル１１０に磁束が通過することによる誘起電圧が生じる。この場合、従来技術に係るモータドライバと同様に、電源ライン１２１の電圧は誘起電圧に応じて上昇するため、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２のソースの電位が上昇する。しかし、本実施形態に係るモータドライバでは、電源１８０の電圧が所定値以下になったときには、トランジスタ１４５がオフになっている。そうすると、抵抗１３５に電流が流れず、ＭＯＳＦＥＴ１１１のゲート・ソース間の電位差は実質的に生じない。同様に、ＭＯＳＦＥＴ１１２のゲート・ソース間の電位差も実質的に生じない。つまり、電源１８０の電圧が所定値以下のときには、キックバックが発生しても、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２がオンすることはないため、モータコイル１１０にブレーキ力は生じない。
【００３６】
また、電源１８０がオフしたときには、コンパレータ１９０がオフするため、トランジスタ１６４がオフする。その結果、電源１８０の電圧が所定値以下である場合と同様に、電源１８０がオフしているときにキックバックが発生しても、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２がオンすることはないため、モータコイル１１０にブレーキ力は生じない。
【００３７】
以上、本発明の実施形態に係るモータ駆動回路ついて詳述した。本実施形態に係るモータドライバでは、電源１８０の電圧が所定値以上の場合には、キックバックが発生しても、電源ライン１２１の電位Ｖｍの上昇を抑えることができるため、大きいサイズのツェナーダイオード等を用いることなく、キックバック発生による素子破壊を回避できる。また、電源１８０の電圧が所定値以上の場合には、モータコイル１１０に誘起電圧が生じても、ＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２がオンせず、ブレーキ力の発生を回避できる。
【００３８】
なお、上記実施形態は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。
【００３９】
例えば、本実施形態においてはＨブリッジ回路を用いて単相ファンモータのモータコイルに流れる電流を制御することとしたが、適用されるモータはファンモータに限られず、また、単相にも限られない。
【００４０】
また、本実施形態においてはＨブリッジ回路におけるソーストランジスタをＰチャネルＭＯＳＦＥＴとしたが、ソーストランジスタをＰＮＰ型トランジスタとすることも可能である。つまり、Ｈブリッジ回路におけるソーストランジスタは、電源ライン１２１側の電極及び制御電極の電圧差に応じてオンオフするトランジスタであれば良い。なお、ソーストランジスタをＰＮＰ型トランジスタとする場合、回生用のダイオードをＰＮＰ型トランジスタと並列に設ければ良い。
【００４１】
また、本実施形態においてはＨブリッジ回路におけるシンクトランジスタをＮチャネルＭＯＳＦＥＴとしたが、これに限られるものではなく、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとすることもできるし、バイポーラトランジスタとすることもできる。例えば、シンクトランジスタをＮＰＮ型トランジスタとすることも可能である。なお、シンクトランジスタをバイポーラトランジスタとする場合、回生用のダイオードをバイポーラトランジスタと並列に設ければ良い。
【００４２】
また、本実施形態においては、電源ライン１２２は同一の電源１８０から分岐されたものであることとしたが、これに限られるものではなく、電源ライン１２１と電源ライン１２２とが別の電源に接続されることとしてもよい。電源ライン１２１と電源ライ１ン２２とが別の電源に接続される場合、電源ライン１２２の電圧は、ＭＯＳＦＥＴ１１１からＭＯＳＦＥＴ１１４に電流が流れている場合にＭＯＳＦＥＴ１１２がオフとなる電圧であれば良い。例えば、電圧ＶＡを発生する２つの電源の一方に電源ライン１２１が接続され、他方に電源ライン１２２が接続されることとすることができる。
【００４３】
また、本実施形態では、コンパレータ１９０、抵抗１６１，１６２、基準電圧源１６３を用いて、電源１８０の電位を監視することとした。しかし、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、図２の示すように電圧Ｖｃｃを抵抗１６１，１６２により抵抗分割した電圧をトランジスタ１６４のベースに直接入力してもよい。ただし、この場合には、図１に示す実施形態と比べると抵抗１６１，１６２の温度特性の影響が大きくなることに留意すべきである。
【符号の説明】
【００４４】
１１０          モータコイル
１２１，１２２  電源ライン
１２３          接地ライン
１８０          電源
１６０          制御回路
１９０          コンパレータ
１６３          基準電圧源
【図１】
2010206860.tif 000003
【図２】
2010206860.tif 000004
【図３】
2010206860.tif 000005