(57)【要約】【課題】  従来よりも製造コストを低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置５０の製造方法は、シート５５の上面に形成された凹部５６に導電性材料６１を充填し、当該導電性材料６１を硬化させて外部接続端子５４を形成する外部接続端子形成工程と、前記シート５５に半導体素子５１を接着し、前記半導体素子５１と前記外部接続端子５４とをボンディングワイヤ５２で接続するワイヤボンディング工程と、前記半導体素子５１と前記ボンディングワイヤ５２とを樹脂封止する樹脂封止工程と、前記シート５５を剥離して前記外部接続端子５４を露出させるシート剥離工程とを有することを特徴とする。【選択図】  図１６
2010056441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートの上面に形成された凹部に導電性材料を充填し、当該導電性材料を硬化させて外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、
前記シートに半導体素子を接着し、前記半導体素子と前記外部接続端子とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、
前記半導体素子と前記ボンディングワイヤとを樹脂封止する樹脂封止工程と、
前記シートを剥離して前記外部接続端子を露出させるシート剥離工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記外部接続端子形成工程において、第１の導電性材料を凹部に充填後、前記第１の導電材料と異なる材料を含む第２の導電材料を前記第１の導電性材料上に設けて、前記第１の導電性材料及び前記第２の導電材料を硬化させて、前記第１の導電材料からなる外部接続端子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
シートの上面に形成された凹部に導電性材料を充填する導電材料充填工程と、
前記シートに半導体素子を接着し、前記半導体素子の電極部の一部を前記導電材料内に浸す半導体素子接続工程と、
前記導電性材料を硬化させて外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、
前記半導体素子と前記電極のうち前記導電材料に接していない箇所とを樹脂封止する樹脂封止工程と、
前記シートを剥離して前記外部接続端子を露出させるシート剥離工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記導電性材料の前記凹部への充填の前に、前記シートの上面であって前記凹部を除く箇所に剥離剤を塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シートは、多層構造を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より具体的には、半導体素子が樹脂封止されてなる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化・高密度化・高機能化に伴い、電子部品の小型化・薄型化が要求されている。そこで、小型化により実装面積を低減させた高密度実装に優れたパッケージとして、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等の表面実装型パッケージが提案されている。
【０００３】
図１及び図２に、かかるＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す。
【０００４】
まず、配線基板（支持基板、インターポーザ）１を用意する（図１（ａ））。
【０００５】
配線基板１は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材とし、周知の方法により銅（Ｃｕ）等からなる配線部２が内部に多層状に形成されている。なお、図１（ａ）では配線層２の図示を単純化している。
【０００６】
また、配線基板１の一方の主面には、銅（Ｃｕ）等からなり、配線部２に接続された導電層が、フォトマスクを用いた露光処理及びメッキ処理等により、選択的に配設されている。当該導電層は、配線基板１と半導体素子５（図１（ｂ）参照）とを接続するボンディングワイヤ６（図１（ｃ）参照）が接続される領域（即ち、電極端子部３）を除いて図示を省略するソルダーレジスト層により選択的に被覆されている。
【０００７】
次に、上述の構造を有する配線基板１の上に、ダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤４を介して、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）５を接着固定する（図１（ｂ））。
【０００８】
半導体素子５は、シリコン（Ｓｉ）半導体基板を用い、周知の半導体製造プロセスをもって形成され、上面にはボンディングワイヤ６（図１（ｃ）参照）が接続される外部接続端子（図示を省略）が設けられている。
【０００９】
次に、配線基板１の電極端子部３と半導体素子５の外部接続端子（図示を省略）とを、例えば金（Ａｕ）等から成るボンディングワイヤ６によって接続する（図１（ｃ））。
【００１０】
しかる後、半導体素子５及びボンディングワイヤ６を、エポキシ系樹脂等の封止樹脂７により封止する（図１（ｄ））。
【００１１】
次いで、配線基板１の他方の主面に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（バンプ）８を形成する（図２（ｅ））。
【００１２】
次に、配線基板１の両端部及びその近傍と、当該箇所上に位置する封止樹脂７を、ダイシングする（図２（ｆ））。即ち、図２（ｆ）において点線Ａで示す箇所において、配線基板１と封止樹脂７とを切断する。
【００１３】
このようにして、図２（ｇ）に示すＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置１０が形成される。
【００１４】
ところで、別の表面実装型パッケージの一態様として、ＢＣＣ（Ｂｕｍｐ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ）パッケージ構造を有する半導体装置が提案されている。
【００１５】
図３及び図４に、当該ＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す。なお、図３及び図４において、図１及び図２に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【００１６】
まず、例えば銅（Ｃｕ）等からなるリードフレーム１１を用意する（図３（ａ））。
【００１７】
次に、当該リードフレーム１１にエッチングを施し、凹部１２を形成する（図３（ｂ））。
【００１８】
次いで、電解メッキを施し、４層からなるメッキ部１３を凹部１２の内面に形成する（図３（ｃ））。メッキ部１３は、例えば、下層から順に、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）からなる。
【００１９】
次いで、リードフレーム１１上であって、凹部１２が形成されていない箇所に、ダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤４を介して、半導体素子５を接着固定する（図３（ｄ））。
【００２０】
次に、リードフレーム１１の凹部１２に形成されたメッキ部１３と半導体素子５の外部接続端子（図示を省略）とを、例えば金（Ａｕ）等から成るボンディングワイヤ６によって接続する（図３（ｅ））。
【００２１】
しかる後、半導体素子５及びボンディングワイヤ６を、エポキシ系樹脂等の封止樹脂７により封止する（図４（ｆ））。
【００２２】
次に、エッチング処理を施してリードフレーム１１を除去する（図４（ｇ））。そうすると、リードフレーム１１の凹部１２に形成されているメッキ部１３の表層が外部に露出する。
【００２３】
次に、ダイシング処理により、図４（ｈ）において点線Ｂで示す箇所において個片化する（図４（ｈ））。
【００２４】
このようにして、図４（ｉ）に示すＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置２０が形成される。メッキ部１３は、半導体装置２０の外部接続端子として機能する。
【００２５】
ところで、図４（ｉ）に示すＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置２０の変形例として、半導体素子５の下面の中央にパッドが設けられたＢＣＣ＋パッケージ構造を有する半導体装置が提案されている。
【００２６】
図５及び図６に、当該ＢＣＣ＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す。なお、図５及び図６において、図３及び図４に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【００２７】
まず、例えば銅（Ｃｕ）等からなるリードフレーム１１を用意する（図５（ａ））。
【００２８】
次に、当該リードフレーム１１にエッチングを施し、第１の凹部１２と、第１の凹部１２よりも幅の広い第２の凹部１５とを形成する（図５（ｂ））。第２の凹部１５には、図５（ｄ）に示す工程で半導体素子５が実装されるため、第２の凹部１５の幅は、半導体素子５の幅よりも僅かに大きく設定される。
【００２９】
次いで、電解メッキを施し、４層からなるメッキ部１３及び１３'を第１の凹部１２及び第２の凹部１５の内面に形成する（図５（ｃ））。メッキ部１３及び１３'は、例えば、下層から順に、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）からなる。
【００３０】
次いで、リードフレーム１１に形成された第２の凹部１５に、ダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤４を介して、半導体素子５を接着固定する（図５（ｄ））。
【００３１】
次に、リードフレーム１１の第１の凹部１２に形成されたメッキ部１３と半導体素子５の外部接続端子（図示を省略）とを、例えば金（Ａｕ）等から成るボンディングワイヤ６によって接続する（図５（ｅ））。
【００３２】
しかる後、半導体素子５及びボンディングワイヤ６を、エポキシ系樹脂等の封止樹脂７により封止する（図６（ｆ））。
【００３３】
次に、エッチング処理を施してリードフレーム１１を除去する（図６（ｇ））。そうすると、リードフレーム１１の第１の凹部１２及び第２の凹部１５に形成されているメッキ部１３及び１３'の表層が外部に露出する。
【００３４】
次に、ダイシング処理により、図６（ｈ）において点線Ｃで示す箇所において個片化する（図６（ｈ））。
【００３５】
このようにして、図６（ｉ）に示すＢＣＣ＋パッケージ構造を有する半導体装置２５が形成される。半導体装置２５の中央に位置するメッキ部１３'が、メッキ部１３と同様に、半導体装置２５の外部接続端子として機能する。かかる構造により、半導体素子５の放熱性及び実装強度を向上させることができる。
【００３６】
ところで、図６（ｉ）に示すＢＣＣ＋パッケージ構造を有する半導体装置２５の変形例として、半導体素子５の下方に位置するメッキ部１３'の外周部分に鍔状メッキ部が形成されたＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置が提案されている。
【００３７】
図７乃至図９に、当該ＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す。なお、図７乃至図９において、図５及び図６に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【００３８】
まず、例えば銅（Ｃｕ）等からなるリードフレーム１１を用意する（図７（ａ））。
【００３９】
次に、当該リードフレーム１１にエッチングを施し、第１の凹部１２と、第１の凹部１２よりも幅の広い第２の凹部１５とを形成する（図７（ｂ））。第２の凹部１５には、図７（ｄ）に示す工程で半導体素子５が実装されるため、第２の凹部１５の幅は、半導体素子５の幅よりも僅かに大きく設定される。また、前記エッチングにより、第２の凹部１５の開口面の外周部分と第１の凹部１２との間に、深さが第１の凹部１２及び第２の凹部１５よりも短い鍔状メッキ部形成用凹部１５ａを第２の凹部１５の開口面の外周部分から延在形成する。
【００４０】
次いで、電解メッキを施し、４層からなるメッキ部１３、メッキ部１３'及び鍔状メッキ部１３'ａを第１の凹部１２、第２の凹部１５、及び鍔状メッキ部形成用凹部１５ａの内面に形成する（図７（ｃ））。メッキ部１３、メッキ部１３'及び鍔状メッキ部１３'ａは、例えば、下層から順に、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）からなる。
【００４１】
次いで、リードフレーム１１に形成された第２の凹部１５に、ダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤４を介して、半導体素子５を接着固定する（図７（ｄ））。
【００４２】
次に、リードフレーム１１の第１の凹部１２に形成されたメッキ部１３及び第２の凹部から延在形成された鍔状メッキ部形成用凹部１５ａに形成された鍔状メッキ部１３'ａと、同一の半導体素子５の外部接続端子（図示を省略）とを、例えば金（Ａｕ）等から成るボンディングワイヤ６によって接続する（図８（ｅ））。
【００４３】
しかる後、半導体素子５及びボンディングワイヤ６を、エポキシ系樹脂等の封止樹脂７により封止する（図８（ｆ））。
【００４４】
次に、エッチング処理を施してリードフレーム１１を除去する（図８（ｇ））。そうすると、リードフレーム１１の第１の凹部１２、第２の凹部１５、及び鍔状メッキ部形成用凹部１５ａに形成されているメッキ部１３、メッキ部１３'及び鍔状メッキ部１３'ａの表層が外部に露出する。
【００４５】
次に、ダイシング処理により、図９（ｈ）において点線Ｄで示す箇所において個片化する（図９（ｈ））。
【００４６】
このようにして、図９（ｉ）に示すＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置３０が形成される。
【００４７】
このように、図９（ｉ）に示す半導体装置３０では、リードフレーム１１の第１の凹部１２に形成されたメッキ部１３及び第２の凹部１５から延在形成された鍔状メッキ部形成用凹部１５ａに形成された鍔状メッキ部１３'ａと、同一の半導体素子５の外部接続端子（図示を省略）とが、ボンディングワイヤ６によって接続されている。従って、半導体素子５は、ボンディングワイヤ６及びメッキ部１３'に接続している鍔状メッキ部１３'ａにより、メッキ部１３のみならず、半導体装置２５の中央に位置するメッキ部１３'と電気的に接続されている。即ち、図９（ｉ）に示す半導体装置３０では、半導体素子５の単一の外部接続端子に複数のボンディングワイヤ６の接続を実現している。
【００４８】
ところで、別の表面実装型パッケージの一態様として、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）パッケージ構造を有する半導体装置が提案されている。
【００４９】
図１０乃至図１２に、当該ＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す。なお、図１０乃至図１２において、図３及び図４に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【００５０】
まず、例えば銅（Ｃｕ）等からなるリードフレーム１１を用意する（図１０（ａ））。
【００５１】
次に、当該リードフレーム１１にエッチングを施し、貫通孔３２をパターン形成する（図１０（ｂ））。
【００５２】
次いで、リードフレーム１１の下面に、図１１（ｆ）に示す工程で、封止樹脂７が貫通孔３２から漏れ出るのを防止すべく、樹脂漏れ防止テープ３３を貼り付ける（図１０（ｃ））。
【００５３】
次いで、リードフレーム１１の上面であって、貫通孔３２が形成されていない箇所に、ダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤４を介して、半導体素子５を接着固定する（図１０（ｄ））。
【００５４】
次に、リードフレーム１１において貫通孔３２が形成されていない箇所と半導体素子５の外部接続端子（図示を省略）とを、例えば金（Ａｕ）等から成るボンディングワイヤ６によって接続する（図１１（ｅ））。
【００５５】
しかる後、半導体素子５及びボンディングワイヤ６を、エポキシ系樹脂等の封止樹脂７により封止し、封止樹脂７を固化する（図１１（ｆ））。
【００５６】
次に、リードフレーム１１の下面に貼り付けられている樹脂漏れ防止テープ３３を剥がす（図１１（ｇ））。そうすると、リードフレーム１１の下面は外部に露出する。なお、この時点では、封止樹脂７は固化しているため、封止樹脂７が貫通孔３２から漏れ出ることはない。
【００５７】
次いで、露出しているリードフレーム１１の下面に、例えばパラジウム（Ｐｄ）又は錫（Ｓｎ）等からなるメッキ部３４を形成する（図１２（ｈ））。
【００５８】
次に、ダイシング処理により、図４（ｉ）において点線Ｅで示す箇所においてダイシング・ブレード等の治具を用いて封止樹脂７とリードフレーム１１及びメッキ部３４を切断し個片化する（図１２（ｉ））。
【００５９】
このようにして、図１２（ｊ）に示すＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置３５が形成される。
【００６０】
そのほか、めっき密着力の弱い金属仮基板上に、半導体パッケージの埋め込みめっき外部接続端子を形成する凹部を設け、その金属仮基板上に、フォトレジストとめっきにより半導体素子搭載のためのダイパット、配線パターンを形成すると共に、上記凹部に上記配線パターンに接続する埋め込みめっき外部接続端子を形成し、その後上記半導体素子搭載のためのダイパットに半導体素子を搭載すると共に、その半導体素子と上記配線パターンとを接続し、さらに上記金属仮基板上の上記半導体素子を樹脂により封止して上記金属仮基板上に半導体パッケージを形成し、しかる後該半導体パッケージから上記金属仮基板を剥離したことを特徴とする半導体装置が提案されている。
【００６１】
また、半導体素子と、該半導体素子を封止する樹脂パッケージと、該樹脂パッケージの実装側面に突出形成された樹脂突起と、該樹脂突起に配設された金属膜と、前記半導体素子上の電極パッドと前記金属膜とを電気的に接続する接続手段とを具備することを特徴とする半導体装置が提案されている。
【特許文献１】特開２００６−９３５７５号公報
【特許文献２】特許３００７８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００６２】
図１及び図２に示すＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置１０の製造にあっては、配線基板１の作成にあたり、多層配線状に配線部２を形成したり配線部２に接続される導電層を形成する等のために、多くの工程を要する。従って、配線基板１の作成のためのコストは高くなり、当該配線基板の表面１を用いるＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置１０の製造コストも高くなる。
【００６３】
また、図３及び図４に示すＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置２０の製造、図５及び図６に示すＢＣＣ＋パッケージ構造を有する半導体装置２５の製造、及び図７乃至図９に示すＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置３０の製造にあっては、メッキ部１３、メッキ部１３'及び鍔状メッキ部１３'ａを形成するための電解めっき工程（図３（ｃ）、図５（ｃ）及び図７（ｃ））及びリードフレーム１１を除去するためのエッチング処理（図４（ｇ）、図６（ｇ）及び図８（ｇ））等が必要となる。上記各工程にあっては専用液が必要となり、濃度又は電気的なコントロールが必要となり、半導体装置２０、２５及び３０の製造コストは高くなる。
【００６４】
また、図１０乃至図１２に示すＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置３５の製造にあっては、図１及び図２に示すＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置１０の製造、図３及び図４に示すＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置２０の製造、図５及び図６に示すＢＣＣ＋パッケージ構造を有する半導体装置２５の製造、及び図７乃至図９に示すＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置３０の製造と異なり、リードフレーム１１の下面に樹脂漏れ防止テープ３３を貼り付ける工程（図１０（ｃ））及び当該樹脂漏れ防止テープ３３を剥がす工程（図１１（ｇ））が必要となる。更に、図１２（ｉ）に示す個片分割工程においては、ダイシング・ブレード等の治具を用いて硬いリードフレーム１１が切断されるが、その際に、前記治具の摩耗が激しく、当該切断に要するコストが高くなる。即ち、半導体装置３５の製造コストは高くなる。
【００６５】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、従来よりも製造コストを低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００６６】
本発明の実施の形態の一観点によれば、シートの上面に形成された凹部に導電性材料を充填し、当該導電性材料を硬化させて外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、前記シートに半導体素子を接着し、前記半導体素子と前記外部接続端子とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、前記半導体素子と前記ボンディングワイヤとを樹脂封止する樹脂封止工程と、前記シートを剥離して前記外部接続端子を露出させるシート剥離工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００６７】
本発明の実施の形態の別の観点によれば、シートの上面に形成された凹部に導電性材料を充填する導電材料充填工程と、前記シートに半導体素子を接着し、前記半導体素子の電極部の一部を前記導電材料内に浸す半導体素子接続工程と、前記導電性材料を硬化させて外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、前記半導体素子と前記電極のうち前記導電材料に接していない箇所とを樹脂封止する樹脂封止工程と、前記シートを剥離して前記外部接続端子を露出させるシート剥離工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００６８】
本発明によれば、従来よりも製造コストを低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００７０】
１．第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態は、図１３に示す半導体装置５０の製造方法である。
【００７１】
図１３に示す半導体装置５０は、半導体素子５１と一端が半導体素子５１に接続されたボンディングワイヤ５２とが封止樹脂５３により樹脂封止され、封止樹脂５３の外部に、ボンディングワイヤ５２の他端が接続されたバンプ（外部接続端子）５４が設けられた構造を有する。
【００７２】
図１３に示す半導体装置５０の製造にあっては、先ず、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂からなるシート５５を用意する（図１４（ａ））。シート５５の上面には、プレス加工、ルーター加工、又はエッチングにより凹部５６が複数形成されている。凹部５６の深さに特に制限はないが、例えば約１０μｍに設定してもよい。
【００７３】
次に、シート５５の上方から、下面にピン５７が複数突出している金型５８を下降させ、ピン５７をシート５５の凹部５６内に挿入する。この状態で、例えばパラフィン系脂肪族化合物を含む剥離剤５９をシート５５の上面に塗布する（図１４（ｂ））。
【００７４】
ここで、図１８も参照する。図１８（ｂ）は、図１８（ａ）において点線Ｘで囲んだ部分の拡大図である。図１８に示すように、金型５８のピン５７をシート５５の凹部５６内に挿入し、金型５８でシート５５をクランプした状態で、当該シートを例えばパラフィン系脂肪族化合物のガスが充満する雰囲気中に当該シート５５を放置する。これにより、剥離剤５９をシート５５の上面に容易に塗布でき付着させることができる。図１８（ｂ）に示すように、凹部５６のうち、金型５８のピン５７が位置している箇所には、パラフィン系脂肪族化合物のガスは付着しない。
【００７５】
次に、金型５８を上方へ移動させ、スキージ６０を用いて、シート５５の上面に形成された凹部５６内に導電性材料たる導電性ペースト６１を充填する（図１４（ｃ））。即ち、スキージ６０を図１４（ｃ）において矢印で示す方向に移動させて、剥離剤５９に設けた導電性ペースト６１を凹部５６内に充填する。導電性ペースト６１として例えば、Ａｇ（銀）フィラーを約９０％以上含有するエポキシ系熱硬化型ペースト等の銀（Ａｇ）系ペースト、金（Ａｕ）系ペースト、錫（Ｓｎ）を主体とする半田ペースト等を用いることができる。また、導電性ペースト６１は、錫（Ｓｎ）を主体とする半田等の粒子材料を含んでいてもよい。
【００７６】
凹部５６内に導電性ペースト６１を充填させた後に、熱処理を施して導電性ペースト６１を硬化させ、バンプ（外部接続端子）５４が形成される。図１４（ｃ）に示す工程により、例えばスパッタリング法又はメッキ法に比し、バンプ（外部接続端子）５４を容易に形成することができる。
【００７７】
しかる後、例えばダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤６２を介して、半導体素子５１をシート５５に接着固定する（図１５（ｄ））。
【００７８】
半導体素子５１は、シリコン（Ｓｉ）半導体基板を用い、周知の半導体製造プロセスをもって形成され、上面にはボンディングワイヤ５２（図１５（ｅ）参照）が接続される外部接続端子（電極パッド）が設けられている。
【００７９】
次に、半導体素子５１の前記外部接続端子と、凹部５６内に充填された導電性ペースト６１が硬化されて形成されたバンプ５４とを、ボンディングワイヤ５２により接続する（図１５（ｅ））。このときの状態を図１９に示す。図１９に示すように、半導体素子５１と、各凹部５６内に設けられたバンプ５４とが、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ５２により接続されている。
【００８０】
なお、ボンディングワイヤ５２とバンプ５４との接合性は、図１４（ｃ）に示す工程において、熱処理により導電性ペースト６１を十分硬化させることにより確保することができる。例えば、導電性ペースト６１として約３００Ｋｃｐｓの粘度と約５．８ｇ／ｃｍ３の比重を有する金（Ａｕ）ペーストを用いて、約１１μｍの厚さを有するボンディングエリアを備えたバンプ５４を形成した場合、約９ｇ以上のワイヤボンディング強度を有する。従って、十分なワイヤボンディングの接合信頼性を有する。
【００８１】
しかる後、樹脂封止装置７０を用いて、半導体素子５１とボンディングワイヤ５２とを封止樹脂５３を用いて樹脂封止する（図１６（ｆ））。
【００８２】
樹脂封止装置７０は、詳細は後述するが、シート５５を剥離する機構を有し、樹脂封止とシート５５の剥離とを一括して行うことができる。
【００８３】
樹脂封止装置７０は、上金型７１と下金型７２とを有する。上金型７１には、半導体素子５１とボンディングワイヤ５２とを収容可能なキャビティ７３が形成されている。当該キャビティ７３の縁部の近傍には、上金型７１内を貫通して移動自在に設けられたエジェクトピン７４が位置している。エジェクトピン７４がキャビティ７３内を移動することにより、樹脂封止体を上金型７１から取り出すことができる。上面にシート５５の下面が配置される下金型７２には、４本のバキュームピン７５ａ乃至７５ｄが、下金型７２内を移動自在に設けられている。
【００８４】
図１６（ｆ）に示す工程においては、シート５５が、上金型７１と下金型７２とに挟持され、下金型７２の４本のバキュームピン７５ａ乃至７５ｄによりシート５５が吸引されて、シート５５の下面は下金型７２の上面に固定されている。かかる状態で、上金型７１のキャビティ７３に、封止樹脂５３が充填される。
【００８５】
キャビティ７３内に充填された封止樹脂５３を熱硬化した後に、下金型７２を下降し、同時に、吸着した状態の４本のバキュームピン７５ａ乃至７５ｄを、この順で降下させる（図１６（ｇ））。シート５５の上面には剥離剤５９が形成されているため、シート５５が、バキュームピン７５ａ側から順番に容易に剥離される。
【００８６】
シート５５が完全に剥離された後に、上金型７１のエジェクターピン７４を上金型７１内で突き降ろす（図１７（ｈ））。その結果、封止樹脂５３により樹脂封止された半導体素子５１とボンディングワイヤ５２を上金型７１から取り出すことができ、バンプ５４が外部に露出した図１３に示す半導体装置５０が完成となる（図１７（ｉ））。
【００８７】
このように、樹脂封止装置７０は、樹脂封止する機構とシート５５を剥離する機構とを有しているため、樹脂封止とシート５５の剥離とを一括して行うことができる。
【００８８】
完成となった半導体装置５０において、バンプ５４は封止樹脂５３に密着しているため、インターポーザ等の支持体がなくてもバンプ５４を電極として用いることができる。
【００８９】
図１８（ｂ）に示すように、剥離剤５９をシート５５の上面に塗布する（図１４（ｂ））際に、シート５５の凹部５６のうち、金型５８のピン５７が位置している箇所には、パラフィン系脂肪族化合物のガスは付着しない。従って、図２０に示すように、図１３及び図１７（ｉ）に示す半導体装置５０を実装基板８０上に、実装用のペースト状接着材８１を介して接続する際に、バンプ５４とペースト状接着材８１とを確実に接続させることができる。
【００９０】
ところで、上述の例では、導電性ペースト６１を充填される箇所に凹部５６が形成されたシート５５が用意され（図１４（ａ））、図１５（ｄ）に示す工程において、シート５５の上面であって凹部５６が形成されていない箇所に、ダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤６２を介して、半導体素子５１がシート５５に接着固定される。
【００９１】
しかしながら、本発明はかかる態様に限定されず、図２１に示す例を用いてもよい。
【００９２】
即ち、図２１（ａ）に示すように、上面に、プレス加工、ルーター加工、又はエッチングにより、複数の凹部５６と、凹部５６の形成箇所以外の箇所に接着剤受容用凹部９０とが形成されたシート５５を用意する。接着剤受容用凹部９０の形成箇所は、シート５５における半導体素子５１の搭載箇所に対応し、接着剤受容用凹部９０の幅は半導体素子５１の幅よりも僅かに大きく設定されている。そして、スキージ６０を用いて、シート５５の上面に形成された凹部５６と接着剤受容用凹部９０の内部に導電性ペースト６１を充填する。
【００９３】
凹部５６内に充填された導電性ペースト６１は、熱処理を施されることにより硬化し、バンプ（外部接続端子）５４となる。一方、接着剤受容用凹部９０内に充填された導電性ペースト６１は、半導体素子５１をシート５５に接着固定するためのダイボンディング材（接着剤）として機能する。
【００９４】
即ち、本例では、一度のスキージングにより、バンプ（外部接続端子）５４を構成する導電性ペーストと、半導体素子５１をシート５５に接着固定するための接着剤とを設けることができる。
【００９５】
次に、図２１（ｂ）に示すように、接着剤受容用凹部９０内に充填された導電性ペースト６１上に、半導体素子５１を接着固定し、以後は、図１５（ｅ）乃至図１７（ｉ）に示す工程と同じ工程が施される。
【００９６】
また、図１４（ｃ）に示す工程では、シート５５の上面に形成された凹部５６内に１種類の導電性ペースト６１が充填されているが、図２２に示す例のように、複数種類の導電性材料を設けてもよい。なお、図２２では、１つの凹部５６の形成箇所を拡大して示している。
【００９７】
図２２（ａ）に示すように、スキージ６０を用いて、シート５５の上面に形成された凹部５６内に、硬化収縮率が約１％乃至約１０％である第１の導電性材料たる導電性ペースト６１ａを充填する。
【００９８】
次に、図２２（ｂ）に示すように、導電性ペースト６１ａ上に、導電性ペースト６１ａ形成箇所に対応する箇所が開口しているマスク８５とスキージ８０とを用いて、導電性ペースト６１ａとは異なる材料を含む第２の導電性材料たる導電性ペースト８６を形成する。
【００９９】
しかる後、マスク８５を取り除いて熱処理を施すと、導電性ペースト６１ａは硬化し、バンプ（外部接続端子）５４ａが形成される。そして、図２２（ｃ）に示すように、バンプ５４ａを構成する導電性ペースト６１ａは硬化収縮するため、凹部５６の底部とバンプ５４ａとの間に隙間が形成され、バンプ５４ａをシート５５から容易に剥離することができる。なお、凹部５６内に充填する導電性材料として、導電性ペーストではなく、例えば錫（Ｓｎ）を主体とする半田粒子等の粒子材料を用い、導電性ペースト６１ａとして例えば銀（Ａｇ）系ペーストを用いてもよい。この場合、高温で半田粒子を溶融させることにより体積が収縮し、容易に図２２（ｃ）に示すバンプ５４ａを形成することができる。
【０１００】
また、図２３に示すように、導電性ペースト８６を複数層積層させてもよい。即ち、図２３（ａ）に示すように、図２２（ｂ）示す状態において、マスク８７を被せ、スキージ８０を用いて導電性ペースト８６上に、導電性ペースト８６と同じ材料をスキージングし、当該導電性ペーストよりも幅が短いポスト８６'を形成し、熱処理により硬化させる。以後は、図１５（ｄ）乃至図１７（ｈ）に示す工程と同じ工程が施すと、図２３（ｂ）に示す半導体装置９０が形成される。
【０１０１】
本例によれば、熱硬化した導電性ペースト８６及びポスト８６'は封止樹脂５３に埋め込まれるため、アンカー硬化によりバンプ５４ａと封止樹脂５３との密着強度を向上させることができる。
【０１０２】
ところで、実装基板との確実な電気的接続を図るべく、シート５５に形成された凹部５６の底部にスタッドバンプを設けてもよい。かかる態様を図２４に示す。なお、図２４では、１つの凹部５６の形成箇所を拡大して示している。
【０１０３】
図２４に示す例では、先ず、シート５５の上面に形成された凹部５６の底部に、例えば金（Ａｕ）等からなるスタッドバンプ９５を形成する（図２４（ａ））。次いで、スキージ６０を用いて、凹部５６内に導電性ペースト６１を充填して、スタッドバンプ９５を導電性ペースト６１内に埋め込ませ（図２４（ｂ））、熱処理を施して導電性ペースト６１を硬化させて、バンプ５４を形成する。
【０１０４】
しかる後、図１５（ｅ）乃至図１７（ｈ）に示す工程と同じ工程を施し、スタッドバンプ９５と半導体素子５１の外部接続端子とを、ボンディングワイヤ５２により接続し、半導体素子５１とボンディングワイヤ５２とを封止樹脂５３を用いて樹脂封止しシート５５を剥離すると、図２４（ｃ）に示す半導体装置１００が完成となる。
【０１０５】
当該半導体装置１００において、スタッドバンプ９５の底面はバンプ５４から露出している。従って、半導体装置１００と実装基板８０とを、実装用のペースト状接着材８１を介して確実に接続させることができる。
【０１０６】
なお、図２４に示す例において、シート５５の上面に形成された凹部５６の底部に、例えば金（Ａｕ）等からなるスタッドバンプ９５を形成した後に、凹部５６内に導電性ペースト６１を設けることなく、スタッドバンプ９５と半導体素子５１の外部接続端子とを、ボンディングワイヤ５２により接続し、次いで、半導体素子５１とボンディングワイヤ５２とを封止樹脂５３を用いて樹脂封止し、凹部５６内に当該封止樹脂５３を充填してシート５５を剥離すると、図２５に示す半導体装置１１０が完成となる。
【０１０７】
半導体装置１１０においても、スタッドバンプ９５の底面はバンプ５４から露出しているため、半導体装置１１０と実装基板８０とを、実装用のペースト状接着材８１を介して確実に接続させることができる。
【０１０８】
２．第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態の説明において参照する図面において、既に参照した図面に示される箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１０９】
本発明の第２の実施の形態は、図２６に示す半導体装置１５０の製造方法である。図２６（ｂ）は、図２６（ａ）において点線Ｙで囲んだ部分の拡大図である。
【０１１０】
図２６に示す半導体装置１５０は、半導体素子５１の回路形成面が下を向くように半導体素子５１が設けられている。半導体素子５１の図示を省略する外部接続端子（電極パッド）上には、バンプ５４（外部接続端子）に接続されたスタッドバンプ１５１が形成されている。そして、半導体素子５１とスタッドバンプ１５１の一部とが封止樹脂５３により樹脂封止されている。スタッドバンプ１５１のうち、封止樹脂５３により樹脂封止されていない箇所はバンプ５４に被覆されている。
【０１１１】
図２６に示す半導体装置１５０の製造にあっては、図１４（ａ）乃至図１４（ｃ）に示す工程と同じ工程が行われる。即ち、先ず、上面にプレス加工、ルーター加工、又はエッチングにより凹部５６が複数形成されたシート５５を用意する（図２７（ａ））。次に、シート５５の上方から、下面にピン５７が複数突出している金型５８を下降させ、ピン５７をシート５５の凹部５６内に挿入し、この状態で、剥離剤５９をシート５５の上面に塗布する（図２７（ｂ））。凹部５６のうち金型５８のピン５７が位置している箇所を除き、シート５５の上面に剥離剤５９が塗布される。次に、金型５８を上方へ移動させ、スキージ６０を用いて、シート５５の上面に形成された凹部５６内に導電性ペースト６１を充填する（図２７（ｃ））。
【０１１２】
しかる後、図２８（ｄ）に示すように、半導体素子５１の回路形成面が下を向くように、例えばダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤６２を介して、半導体素子５１をシート５５に接着固定する。なお、図２８（ｄ）−２は、図２８（ｄ）−１において点線Ｙで囲んだ部分の拡大図である。
【０１１３】
半導体素子５１の回路形成面における図示を省略する外部接続端子（電極パッド）上には、例えば金（Ａｕ）からなるスタッドバンプ１５１が電極部として予め形成されており、スタッドバンプ１５１が部分的に、凹部５６内に充填された導電性ペースト６１に浸されるように、且つ、スタッドバンプ１５１の先端が凹部５６の底面に到達しないように、半導体素子５１はシート５５上に設けられる。しかる後、熱処理を施して導電性ペースト６１を硬化させ、バンプ（外部接続端子）５４を形成すると共に、半導体素子５１に設けられたスタッドバンプ１５１とバンプ５４とを接続させる。
【０１１４】
次に、図１６（ｆ）乃至図１７（ｈ）に示す工程と同じ工程が行われ、樹脂封止装置７０を用いて、半導体素子５１と、スタッドバンプ１５１のうちバンプ５４に被覆されていな箇所とが封止樹脂５３により樹脂封止されると共に、シート５５が剥離される。
【０１１５】
即ち、シート５５が、上金型７１と下金型７２とに挟持され、下金型７２の４本のバキュームピン７５ａ乃至７５ｄによりシート５５が吸引されて、シート５５の下面は下金型７２の上面に固定されている。かかる状態で、上金型７１のキャビティ７３に、封止樹脂５３が充填される（図２９（ｅ））。
【０１１６】
キャビティ７３内に充填された封止樹脂５３を熱硬化した後に、下金型７２を下降し、同時に、吸着した状態の４本のバキュームピン７５ａ乃至７５ｄを、この順で降下させる（図２９（ｆ））。シート５５の上面には剥離剤５９が形成されているため、シート５５が、バキュームピン７５ａ側から順番に容易に剥離される。
【０１１７】
シート５５が完全に剥離された後に、上金型７１のエジェクターピン７４を上金型７１内で突き降ろす（図３０（ｇ））。その結果、封止樹脂５３により樹脂封止された半導体素子５１を上金型７１から取り出すことができ、バンプ５４が外部に露出した図２６に示す半導体装置５０が完成となる（図３０（ｈ））。
【０１１８】
本例により製造された半導体装置５０は、スタッドバンプ１５１を介して半導体素子５１とバンプ５４とが接続されているため、図１３に示す半導体装置５０に比し、より容易に、両者の電気的接続を確保することができる。
【０１１９】
３．第３の実施の形態
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態の説明において参照する図面において、既に参照した図面に示される箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１２０】
本発明の第１及び第２の実施の形態では、単層のシート５５が用いられているが、多層構造を形成するシートを用いてもよい。
【０１２１】
図３１（ａ）に示すように、上面に、プレス加工、ルーター加工、又はエッチングにより凹部５６が複数形成された第１のシート５５ａを、凹部５６が形成されていない第２のシート５５ｂ上に重ねる。第１のシート５５ａ及び第２のシート５５ｂの位置合わせは、例えば両者を枠状の治具内に重ねて設けて行うことができる。なお、第２のシート５５ｂの構成材料は、第１のシート５５ａと同じであっても異なってもよい。
【０１２２】
次に、図１４（ｂ）乃至図１７（ｈ）に示す工程と同じ工程を施す。即ち、剥離剤５９（図１４（ｂ）参照）を第１のシート５５ａの上面に塗布し、凹部５６内に導電性ペースト６１（図１４（ｃ）参照）を充填し、半導体素子５１を第１のシート５５ａに接着固定して、半導体素子５１の前記外部接続端子と、凹部５６内に充填された導電性ペースト６１が硬化されて形成されたバンプ（外部接続端子）２０５とを、ボンディングワイヤ５２（図１５（ｅ）参照）により接続する。しかる後、樹脂封止装置７０（図１６（ｆ）参照）を用いて、半導体素子５１とボンディングワイヤ５２とを封止樹脂５３を用いて樹脂封止すると共に、第１のシート５５ａ及び第２のシート５５ｂを剥離する。
【０１２３】
そうすると、図３１（ｂ）に示す、半導体素子５１と一端が半導体素子５１に接続されたボンディングワイヤ５２とが封止樹脂５３により樹脂封止され、封止樹脂５３の外部に、ボンディングワイヤ５２の他端が接続されたバンプ２０５が設けられた構造を有する半導体装置２００を形成することができる。
【０１２４】
また、上述の態様において、第１のシート５５ａ及び第２のシート５５ｂの双方を剥離するのではなく、第２のシート５５ｂのみを剥離することにより、図３１（ｃ）に示す構造を有する半導体装置２１０を形成することができる。即ち、図３１（ｂ）に示す構造において、封止樹脂体５３の下面において、バンプ２０５の形成箇所以外の箇所に、バンプ２０５の厚さと同じ厚さを有する第１のシート５５ａが設けられてなる半導体装置２１０が形成される。
【０１２５】
このように、単層のシート５５（図１４（ａ）参照）の代わりに、多層構造を形成するシートを用いることにより、封止樹脂体５３の下面よりも下側の構造に自由度を持たせることができる。
【０１２６】
以上説明した本発明の実施の形態によれば、従来よりも製造コストを低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【０１２７】
即ち、本発明の実施の形態によれば、上面に、プレス加工、ルーター加工、又はエッチングにより凹部が複数形成されたシートを用意し、前記上面のうち凹部を除く箇所に剥離剤を塗布し、凹部内に導電性ペーストを充填し硬化させ、シートの上面に設けた半導体素子を樹脂封止した後に当該シートを剥離するだけで、半導体装置のバンプ（外部接続端子）を容易に形成することができる。
【０１２８】
つまり、本発明の実施の形態では、ＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法において要される配線基板１（図１参照）を用いることがない。また、ＢＣＣパッケージ構造、ＢＣＣ＋パッケージ構造、及びＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造方法において必要とされる専用液を用いた電解めっき工程（図３（ｃ）等）及びエッチング処理（図４（ｇ）等）も必要としない。更に、ＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置３５の製造方法において要されるリードフレーム１１の下面に樹脂漏れ防止テープ３３を貼り付ける工程（図１０（ｃ））、当該樹脂漏れ防止テープ３３を剥がす工程（図１１（ｇ））、ダイシング・ブレード等の治具を用いて硬いリードフレーム１１が切断する工程（図１２（ｉ））が不要となる。
【０１２９】
よって、ＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法、ＢＣＣパッケージ構造、ＢＣＣ＋パッケージ構造、及びＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造方法、及びＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法よりも製造コストを低く抑えることができる。特に、本発明の実施の形態の製造方法におけるコストは、ＢＣＣパッケージ構造、ＢＣＣ＋パッケージ構造、及びＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造方法、及びＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法におけるコストの約８０％以下に抑えることができる。
【０１３０】
また、本発明の実施の形態において用いられるシートは、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂からなる。従って、再利用が可能であるため、繰り返し使用することにより、使い捨てに因る無駄又は廃棄にかかるコストを削減することができる。当該シートの材料費は、ＢＣＣパッケージ構造、ＢＣＣ＋パッケージ構造、及びＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造方法、及びＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法において用いられるリードフレームの材料費の約１０％以下に抑えることができる。
【０１３１】
更に、本発明の実施の形態においては、樹脂封止工程（図１６（ｆ）、図２９（ｅ））が設けられている。従って、封止樹脂の硬化収縮力に因り、シート５５の凹部５６に設けられた導電性ペースト６１と、ボンディングワイヤ５２（図１６（ｆ）又はスタッドバンプ１５１（図２９（ｅ））との接続を確実ならしめることができ、電気的及び機械的信頼性を確保することができる。
【０１３２】
ところで、本発明の発明者は、図３２に示す方法を用いて、本発明の実施の形態に係る製造方法により製造された半導体装置を実装基板に実装したときの、当該実装の信頼性につき、以下を確認している。
【０１３３】
図３２（ａ）に示すように、実装基板８０の上面に設けられた電極端子１８５に実装用の導電性を有するペースト状接着材８１を設け、ボンディングツール１８０に吸着保持された半導体装置５０を実装基板８０の上面に対向させ、ボンディングツール１８０を矢印で示す方向に下降する。
【０１３４】
そして、図３２（ｂ）に示すように、半導体装置５０を実装基板８０に搭載し、バンプ８４をペースト状接着材８１を介して実装基板８０の電極端子１８５に接合する。ボンディングツール１８０で半導体装置５０を加圧しながら、アンダーフィル材塗布ノズル１９０から、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等からなる熱硬化性接着剤等のアンダーフィル材１９５を半導体素子５１と実装基板８０の主面との間に充填し、更に硬化させて半導体装置５０を実装基板８０に固着する。
【０１３５】
本発明の発明者は、このようにして半導体装置５０が実装基板８０に固着された構造に対し、約−２５℃乃至１２５℃の温度サイクル試験を行ったところ、約１０００ｃｙｃ以上の十分な実装信頼性が確保できることを確認した。
【０１３６】
また、本発明の発明者は、約４２％が錫（Ｓｎ）で約５８％がビスマス（Ｂｉ）である導電性ペースト６１を、温度約１６０℃で約１０分間熱処理を施してバンプ５４を形成して半導体装置５０を形成し、実装用の導電性を有するペースト状接着材８１として前記導電性ペースト６１と同一の組成を有する材料を用いて半導体装置５０を実装基板８０に搭載し、温度約１６０℃で約１０分間熱処理を施してペースト状接着材８１を硬化させた場合の、バンプ５４とペースト状接着材８１との接合界面の断面を走査型電子顕微鏡ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いた観察を実施した。
【０１３７】
その結果、バンプ５４とペースト状接着材８１との接合界面において、結晶状態に歪みは無く、当該界面の接合状態は良好であり、実装用の導電性を有するペースト状接着材８１として前記導電性ペースト６１と同一の組成を有する材料を用いることで、バンプ５４とペースト状接着材８１との接合性及び濡れ性に問題が発生していないことを確認した。
【０１３８】
なお、図３２においては、図１３に示す半導体装置５０を示しているが、本発明の発明者は、図２６に示す半導体装置１５０を実装基板８０に実装した態様においても、上記を確認している。
【０１３９】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０１４０】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
シートの上面に形成された凹部に導電性材料を充填し、当該導電性材料を硬化させて外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、
前記シートに半導体素子を接着し、前記半導体素子と前記外部接続端子とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、
前記半導体素子と前記ボンディングワイヤとを樹脂封止する樹脂封止工程と、
前記シートを剥離して前記外部接続端子を露出させるシート剥離工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
付記１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シートの上面であって、前記半導体素子が搭載される箇所には接着剤受容用凹部が形成されており、
前記導電性材料は前記凹部および接着剤受容用凹部に充填され、
前記接着剤受容用凹部に充填された前記導電性材料を介して前記半導体素子が前記シートに接着されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記３）
付記１又は２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記外部接続端子形成工程において、第１の導電性材料を凹部に充填後、前記第１の導電材料と異なる材料を含む第２の導電材料を前記第１の導電性材料上に設けて、前記第１の導電性材料及び前記第２の導電材料を硬化させて、前記第１の導電材料からなる外部接続端子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記４）
付記３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２の導電材料が硬化して形成されたポスト部を、前記樹脂封止工程において、前記半導体素子と前記ボンディングワイヤと共に樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記１又は２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記凹部の底部にはスタッドバンプが設けられており、
前記外部接続端子形成工程において、前記凹部に前記導電性材料を充填することにより前記スタッドバンプを前記導電性材料に埋め込み、
前記ワイヤボンディング工程において、前記外部接続端子内に位置する前記スタッドバンプと前記半導体素子とを前記ボンディングワイヤで接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記６）
シートの上面に形成された凹部に導電性材料を充填する導電材料充填工程と、
前記シートに半導体素子を接着し、前記半導体素子の電極部の一部を前記導電材料内に浸す半導体素子接続工程と、
前記導電性材料を硬化させて外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、
前記半導体素子と前記電極のうち前記導電材料に接していない箇所とを樹脂封止する樹脂封止工程と、
前記シートを剥離して前記外部接続端子を露出させるシート剥離工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記７）
付記１乃至６いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記導電性材料の前記凹部への充填はスキージングにより行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
付記１乃至７いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記導電性材料は、ペースト材料又は粒子材料であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記９）
付記１乃至８いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記導電性材料の前記凹部への充填の前に、前記シートの上面であって前記凹部を除く箇所に剥離剤を塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１０）
付記９記載の半導体装置の製造方法であって、
前記凹部を前記金型でクランプして、前記シートの上面であって前記凹部を除く箇所に剥離剤を塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１１）
付記１乃至１０いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シートの剥離は、前記樹脂封止工程において用いられる樹脂封止装置に設けられた剥離機構により行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１２）
付記１乃至１１いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シートは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む材料から構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１３）
付記１乃至１２いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シートは、多層構造を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４１】
【図１】ＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２】ＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図３】ＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図４】ＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図５】ＢＣＣ＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図６】ＢＣＣ＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図７】ＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図８】ＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図９】ＢＣＣ＋＋パッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図１０】ＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図１１】ＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図１２】ＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の製造方法により形成された半導体装置を示す図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態の製造方法の工程図（その１）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の製造方法の工程図（その２）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態の製造方法の工程図（その３）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態の製造方法の工程図（その４）である。
【図１８】剥離剤をシートに塗布する工程を説明するための図である。
【図１９】図１５（ｅ）に示す工程後の状態を示す図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態の製造方法により形成された半導体装置を実装基板に実装した状態を示す図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態の製造方法の変形例（その１）を説明するための図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態の製造方法の変形例（その２）を説明するための第１の図である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態の製造方法の変形例（その２）を説明するための第２の図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態の製造方法の変形例（その３）を説明するための第１の図である。
【図２５】本発明の第１の実施の形態の製造方法の変形例（その３）を説明するための第２の図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態の製造方法により形成された半導体装置を示す図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態の製造方法の工程図（その１）である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態の製造方法の工程図（その２）である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態の製造方法の工程図（その３）である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態の製造方法の工程図（その４）である。
【図３１】本発明の第３の実施の形態の製造方法を説明するための図である。
【図３２】本発明の実施の形態により製造された半導体装置の実装基板への実装方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１４２】
５０、１００、１１０、１５０、２００、２１０        半導体装置
５１            半導体素子
５２            ボンディングワイヤ
５３            封止樹脂
５４            バンプ
５５            シート
５６            凹部
５８、７１、７２        金型
５９            剥離剤
６０            スキージー
６１、８６      導電性ペースト
７０            樹脂封止装置
８６'          ポスト部
９０            接着剤受容用凹部
９５、１５１            スタッドバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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