(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の厚さによらず保護対象部材を損傷させずに適確に基板を分断する方法を提供する。【解決手段】レーザ光Ｄによって両基板用基材１１０、１２０の分断予定位置ＣCF、ＣTFTに改質領域１６０を形成し、エッチングによって改質領域１６０が形成された部分に溝部を形成する。そのため、両基板用基材１１０、１２０に照射するレーザ光Ｄのエネルギーを低減できる。それゆえ、レーザ光Ｄによって両基板用基材１１０、１２０に改質領域１６０を形成する際に、ＣＦ基板用基材１１０を透過したレーザ光Ｄが外部端子２３等の両基板用基材１１０、１２０間の各種部品に損傷を与えることを防止できる。したがって、液晶パネルを製造する際に、厚さが薄い液晶パネルを対象としても、外部端子２３等を損傷させずに適確に貼り合わせ基材１２を分断することが可能となる。【選択図】図３
2010126398.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明材質の一対の基板を互いに対向させて貼り合わせた後に、張り合わせた前記一対の基板の各々を分断して表示パネルを製造する表示パネルの製造方法であって、
保護対象部材を間に挟み込んで一対の基板を貼り合わせる第１の工程と、
張り合わせた前記一対の基板の各々の分断予定位置にレーザ光を照射して、前記一対の基板の各々の前記分断予定位置に多光子吸収による改質領域を形成する第２の工程と、
前記改質領域を形成した前記一対の基板の表面をエッチング液でエッチングすることで、前記一対の基板の各々を薄型化し且つ前記一対の基板の各々のうちの前記改質領域が形成された部分に溝部を形成する第３の工程と、を有し、
前記第１の工程では、前記一対の基板を張り合わせる際に、前記一対の基板間のうちの前記分断予定位置と対向する位置に、前記エッチング液に対して耐性を有するエッチング耐性部材を挟み込むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程では、前記一対の基板のうちの一方の基板の前記分断予定位置と他方の基板との間に前記保護対象部材が存在する場合には、当該一方の基板と当該保護対象部材との間のうちの当該分断予定位置と対向する位置に、前記エッチング耐性部材を挟み込むことを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第３の行程の終了後に、前記溝部の底面のうちに前記エッチング液でエッチングされずに残っている部分が存在する場合には、前記一対の基板に外力を加えて、当該エッチングされずに残っている部分を前記溝部に沿って分断する第４の工程を有することを特徴とする請求項１または２記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明材質の基板を分断して表示パネルを製造する表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の技術としては、例えば、切削工具によってガラス表面にスクライブ溝を形成した後、ケミカル処理を行うことで、スクライブ溝の加工時に発生するクラックを除去するガラスの切断分離方法がある（特許文献１参照）。
また、例えば、レーザ光の照射によって透明な基板内部に改質領域を複数形成した後、応力を加えることで基板を分断し、並びにエッチングにより面取りを行うことで抗折強度を向上させる基板の分断方法がある（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−３０７３３７号公報
【特許文献２】特開２００５−１８４０３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１に係る、切削工具で形成したスクライブ溝をもとに基板の分断を行う技術では、ガラスの厚さが１００μｍ以下と薄ければ、切削工具の刃押し圧力の制御が困難となり、均一なスクライブ溝を形成できない。それゆえ、厚さが薄いガラスを対象とした分断に適用し難く、例えば、薄型表示パネル用の製造に不向きである。
また、特許文献２に係る、レーザ光の照射で形成した改質領域を起点として基板の分断を行う技術では、容易に分断できる改質領域を形成するためには、高エネルギーのレーザ光を照射しなければならない。しかしながら、高エネルギーのレーザ光を照射すれば、基板の保護されるべき部分（例えば、液晶表示パネルの製造に用いられるＴＦＴ(Thin Film Transistor)基板が有する外部端子）が損傷する可能性がある。
そこで、本発明の技術的課題は、基板の厚さによらず、保護対象部材を損傷させずに適確に基板を分断することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記技術的課題を解決するための第１の発明は、
透明材質の一対の基板を互いに対向させて貼り合わせた後に、張り合わせた前記一対の基板の各々を分断して表示パネルを製造する表示パネルの製造方法であって、保護対象部材を間に挟み込んで一対の基板を貼り合わせる第１の工程と、張り合わせた前記一対の基板の各々の分断予定位置にレーザ光を照射して、前記一対の基板の各々の前記分断予定位置に多光子吸収による改質領域を形成する第２の工程と、前記改質領域を形成した前記一対の基板の表面をエッチング液でエッチングすることで、前記一対の基板の各々を薄型化し且つ前記一対の基板の各々のうちの前記改質領域が形成された部分に溝部を形成する第３の工程と、を有し、前記第１の工程では、前記一対の基板を張り合わせる際に、前記一対の基板間のうちの前記分断予定位置と対向する位置に、前記エッチング液に対して耐性を有するエッチング耐性部材を挟み込むことを特徴とする。
【０００５】
この手法によれば、まず、レーザ光によって基板の分断予定位置に改質領域が形成される。次に、基板の表面がエッチング液でエッチングされる。ここで、改質領域は基板の他の部分よりもエッチングレートが速い。そのため、エッチングによって、改質領域は他の部分よりも深くまでエッチングされ、改質領域が形成された部分に溝部が形成される。そして、さらなるエッチングの進行により、溝部が深化されて溝部（つまり、分断予定位置上の部分）が基板を貫通する。これにより、基板が分断予定位置で分断される。
なお、溝部の深化によって基板が分断されても、溝部の底面がエッチング耐性部材で覆われることで、分断箇所から一対の基板間へエッチング液が侵入することが防止される。
【０００６】
このように、本手法では、改質領域としては、基板のエッチングレートを他の部分よりも向上できる程度のものを形成できれば十分である。このような特性の改質領域は、基板の分断の起点となる改質領域を形成する場合よりも低いエネルギーのレーザ光で形成できる。すなわち、基板に照射するレーザ光のエネルギーを低減することができる。それゆえ、レーザ光によって基板に改質領域を形成する際に、基板を透過したレーザ光が保護対象部材に損傷を与えることを防止でき、保護対象部材が損傷される事態を防止できる。
したがって、表示パネルを製造する際に、厚さが薄い基板を対象としても、保護対象部材を損傷させずに適確に基板を分断することが可能となる。
【０００７】
第２の発明は、
前記第１の工程では、前記一対の基板のうちの一方の基板の前記分断予定位置と他方の基板との間に前記保護対象部材が存在する場合には、当該一方の基板と当該保護対象部材との間のうちの当該分断予定位置と対向する位置に、前記エッチング耐性部材を挟み込むことを特徴とする。
この手法によれば、保護対象部材と対向する溝部の底面がエッチング耐性部材で覆われる。そのため、保護対象部材と対向する溝部が深化されて溝部が基板を貫通し、基板が分断されても、分断箇所から一対の基板間へエッチング液が侵入することを防止できる。
【０００８】
第３の発明は、
前記第３の行程の終了後に、前記溝部の底面のうちに前記エッチング液でエッチングされずに残っている部分が存在する場合には、前記一対の基板に外力を加えて、当該エッチングされずに残っている部分を前記溝部に沿って分断する第４の工程を有することを特徴とする。
この手法によれば、温度等の環境が変化し、エッチングによって溝部が基板を貫通しなかった場合にも、外力の付与によって、薄型化された基板を容易に分断できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（液晶パネルの構成）
まず、本実施形態の製造方法で製造する液晶パネル１について説明する。
図１は、液晶パネル１を説明する模式図である。図１（ａ）は、液晶パネル１の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中の１Ａ−１Ａ線における断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）中の１Ｂ−１Ｂ線における断面図である。
図１に示すように、液晶パネル１は、互いに対向させて配置したＣＦ(Color Filter)基板１０およびＴＦＴ(Thin Film Transitor)基板２０と、両基板１０、２０間に配置した液晶９０と、液晶９０を両基板１０、２０間に封入する液晶シール３０とを含む。
【００１０】
ＣＦ基板１０は、ＣＦ等を下地基板の一方の主面上に有する。主面とは、ＣＦ基板１０やＴＦＴ基板２０等の板状の部材の面面と裏面との総称である。
ＴＦＴ基板２０は、液晶９０の配向状態を制御するための外部端子２３や当該外部端子の電位を制御するためのスイッチング素子等を下地基板の一方の主面上に有する。
ＴＦＴ基板２０の主面は、図１（ａ）に示すように、平面視でＣＦ基板１０よりも広く、ＣＦ基板１０に重なる部分２１とＣＦ基板１０に重ならない部分２２とを有する。ＣＦ基板１０に重ならない部分２２には外部端子２３が配置される。
液晶シール３０は、ＣＦ基板１０の周縁に沿って延在している。
【００１１】
（液晶パネルの製造工程）
次に、液晶パネル１の製造工程について説明する。
液晶パネル１の製造工程は、以下の第１〜第４の工程からなっている。
（第１の工程）
第１の工程では、複数の液晶パネル１が繋がった貼り合わせ基材１２を製造する。
図２は、第１の工程を説明する模式図である。図２（ａ）は、貼り合わせ基材１２の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）中の２Ａ−２Ａ線における断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）中の２Ｂ−２Ｂ線における断面図である。
具体的には、図２に示すように、第１の工程では、まず、ＣＦ基板用基材１１０を製造する。ＣＦ基板用基材１１０とは、複数のＣＦ基板１０がマトリクス状に繋がった大型の基板である。ＣＦ基板用基材１１０の厚さは、ＣＦ基板１０よりも厚くする。
【００１２】
また同様に、ＴＦＴ基板用基材１２０を製造する。ＴＦＴ基板用基材１２０とは、複数のＴＦＴ基板２０がマトリクス状に繋がった大型の基板である。ＴＦＴ基板用基材１２０の厚さは、ＴＦＴ基板２０よりも厚くする。両基板用基材１１０、１２０としては、例えば、石英やホウケイ酸ガラス等の透明材料からなるものを利用できる。
さらに、互いに隣接するＣＦ基板１０間の境界およびＣＦ基板用基材１１０の周縁を、ＣＦ基板用基材１１０の分断予定位置ＣCFとする。また同様に、互いに隣接するＴＦＴ基板２０間の境界およびＴＦＴ基板用基材１２０の周縁を、ＴＦＴ基板用基材１２０の分断予定位置ＣTFTとする。これにより、液晶パネル１の完成時に両基板１０、２０の端面が揃う箇所に対応する位置では、両基板用基材１１０、１２０の分断予定位置ＣCF、ＣTFTが互いに対向して形成される。また、ＴＦＴ基板２０の２つの部分２１、２２の境界に対応する位置では、ＣＦ基板用基材１１０にのみ分断予定位置ＣCFが形成される。
【００１３】
より具体的には、ＣＦ基板用基材１１０にはＣＦ基板１０がマトリクス状に配列されているので、ＣＦ基板用基材１１０に形成する各分断予定位置ＣCF同士を連続させＣＦ基板用基材１１０全体において分断予定位置ＣCFを格子状に形成する。また、ＴＦＴ基板用基材１２０に形成する分断予定位置ＣTFTについても同様に格子状に形成する。
次に、ＣＦ基板用基材１１０の内側主面１１０Ｓ１上に、ＣＦ基板用基材１１０に含まれる複数のＣＦ基板１０の各々の周縁に沿うように液晶シール３０を形成する。ここで、ＣＦ基板用基材１１０の内側主面１１０Ｓ１とは、両基板用基材１１０、１２０を張り合わせた際に、ＴＦＴ基板用基材１２０と対向する主面である。
具体的には、液状またはペースト状の液晶シール３０の材料を前記複数のＣＦ基板１０の各々の周縁に沿うように印刷法やディスペンス法で塗布する。液晶シール３０の材料としては、硬化する際に接着性を発揮する材料を利用できる。
【００１４】
なお、本実施形態では、ＣＦ基板用基材１１０に液晶シール３０を形成する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、ＴＦＴ基板用基材１２０や、両基板用基材１１０、１２０に液晶シール３０を形成する手法を用いることもできる。
次に、ＣＦ基板用基材１１０の内側主面１１０Ｓ１上のうちの、複数の液晶シール３０の各々によって囲まれる領域に液晶９０を滴下する。
次に、ＣＦ基板用基材１１０の内側主面１１０Ｓ１上のうちの、ＣＦ基板用基材１１０の分断予定位置ＣCFに対向した位置に耐エッチングシール２００を形成する。
具体的には、液状またはペースト状のエッチング耐性材料を、図１（ａ）に示すように、平面視でＣＦ基板用基材１１０の分割予定位置ＣCFに沿うように印刷法やディスペンス法で塗布する。エッチング耐性材料とは、エッチング液に対して耐性を有する材料（つまり、エッチングされ難い材料）である。例えば、エッチング液がフッ酸溶液である場合にはエポキシ樹脂や塩化ビニル等の樹脂を利用できる。また、エッチング液への耐性に加え、レーザ光Ｄを透過させない遮光性も有する材料を用いてもよい。
【００１５】
なお、本実施形態では、液状またはペースト状のエッチング耐性材料を塗布する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、エッチング耐性部材で構成されたテープ状部材をＣＦ基板用基材１１０の内側主面１１０Ｓ１に貼り付けてもよい。
次に、一対の基板用基材１１０、１２０を互いに対向させて張り合わせる。
具体的には、ＣＦ基板用基材１１０の内側主面１１０Ｓ１とＴＦＴ基板用基材１２０の内側主面１２０Ｓ１とを対向させて液晶シール３０および耐エッチングシール２００を挟んで重ね合わせる。ＴＦＴ基板用基材１２０の内側主面１２０Ｓ１とは、ＴＦＴ基板用基材１２０に含まれる複数のＴＦＴ基板２０の外部端子２３やスイッチング素子等を有する主面である。そして、液晶シール３０を、ＣＦ基板用基材１１０の内側主面１１０Ｓ１とＴＦＴ基板用基材１２０の内側主面１２０Ｓ１とに密着させて硬化させる。
【００１６】
これにより、両基板用基材１１０、１２０間のうちの、分断予定位置ＣCF、ＣTFTと対向する位置に耐エッチングシール２００を挟み込む。また、ＣＦ基板用基材１１０の分断予定位置ＣCFとＴＦＴ基板用基材１２０との間に外部端子２３が存在する箇所においては、ＣＦ基板用基材１１０と外部端子２３との間のうちの分断予定位置ＣCFと対向する位置に耐エッチングシール２００を挟み込む。そして、ＣＦ基板用基材１１０の内側主面１１０Ｓ１上であって、後述する第３の行程でＣＦ基板用基材１１０に形成する予定の溝部１６１の底面に対向する位置に、当該底面を覆うように耐エッチングシール２００を密着させる。同様に、ＴＦＴ基板用基材１２０の内側主面１２０Ｓ１上であって、後述する第３の行程でＴＦＴ基板用基材１２０に形成する予定の溝部１６１の底面に対向する位置に、当該底面を覆うように耐エッチングシール２００を密着させる。
【００１７】
（第２の工程）
第２の工程では、両基板用基材１１０、１２０の内部に改質領域を形成する。
図３は、第２の工程を説明する模式図である。図３（ａ）は、貼り合わせ基材１２の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）中の３Ａ−３Ａ線における断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）中の３Ｂ−３Ｂ線における断面図である。
具体的には、図３に示すように、第２の工程では、まず、外側主面１１０Ｓ２側からＣＦ基板用基材１１０の分断予定位置ＣCFにレーザ光Ｄを照射する。ＣＦ基板用基材１１０の外側主面１１０Ｓ２とは、内側主面１１０Ｓ１と反対側の主面である。そして、照射したレーザ光Ｄを、ＣＦ基板用基材１１０の内部のうちの分断予定位置ＣCFに集光する。これにより、レーザ光Ｄの集光箇所、つまり、ＣＦ基板用基材１１０の内部のうちの分断予定位置ＣCFに、多光子吸収による改質領域１６０を形成する。
【００１８】
ここで、レーザ光Ｄとしては、５μＪ等の比較的エネルギーの低いレーザ光Ｄを用いる。これにより、ＣＦ基板用基材１１０を透過したレーザ光Ｄが外部端子２３等の両基板用基材１１０、１２０の間の各種部品に損傷を与えることを防止できる。
その際、レーザ光Ｄの集光点は、改質領域１６０の内側主面１１０Ｓ２側端部が内側主面１１０Ｓ２にかかり、外側主面１Ｓ２側端部が内側主面１１０Ｓ１と外側主面１Ｓ２との間に位置するように設定する。これにより、ＣＦ基板用基材１１０を透過し、両基板用基材１１０、１２０の間の各種部品に当たるレーザ光Ｄのエネルギーを低減できる。
【００１９】
そして、ＣＦ基板用基材１１０の分断予定位置ＣCFに沿って所定のピッチずらしながら、分断予定位置ＣCFへのレーザ光Ｄの照射を同様に繰り返す。これにより、ＣＦ基板用基材１１０の分断予定位置ＣCFに、多光子吸収による改質領域１６０を形成する。
また同様に、外側主面１２０Ｓ２側からＴＦＴ基板用基材１２０の分断予定位置ＣTFTにレーザ光Ｄを照射する。外側主面１２０Ｓ２とは、内側主面１２０Ｓ１と反対側の主面である。そして、照射したレーザ光Ｄを、ＴＦＴ基板用基材１２０の内部に集光する。これにより、レーザ光Ｄの集光箇所、つまり、ＴＦＴ基板用基材１２０の内部のうちの分断予定位置ＣTFT上に、多光子吸収による改質領域１６０を形成する。
そして、ＴＦＴ基板用基材１２０の分断予定位置ＣTFTに沿って所定のピッチずらしながら、分断予定位置ＣTFTへのレーザ光Ｄの照射を同様に繰り返す。これにより、ＴＦ基板用基材１２０の分断予定位置ＣTFTに、多光子吸収による改質領域１６０を形成する。
【００２０】
（第３の工程）
第３の工程では、貼り合わせ基材１２の表面をエッチング液でエッチングする。
図４は、第３の工程を説明する模式図である。図４（ａ）は、貼り合わせ基材１２の平面図であり、図４（ｂ）は図１（ａ）中の４Ａ−４Ａ線における断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）中の４Ｂ−４Ｂ線における断面図である。
具体的には、図４に示すように、第３の工程では、まず、貼り合わせ基材１２をエッチング液Ｅへ浸漬する。エッチング液Ｅとしては、フッ酸溶液HF５vol％を利用できる。そして、両基板用基材１１０、１２０の下地ガラス基板をエッチング液Ｅでエッチングする。これにより、両基板用基材１１０、１２０が外側主面１１０Ｓ２、１２０Ｓ２側から徐々にエッチングされ、貼り合わせ基材１２が全体的に薄くなる。
【００２１】
ここで、改質領域１６０は両基板用基材１１０、１２０のうちの他の部分よりもエッチングレートが速い。そのため、エッチング液Ｅによって、改質領域１６０は他の部分より深くまでエッチングされ、両基板用基材１１０、１２０のうちの改質領域１６０が形成された部分に、つまり、分断予定位置ＣCF、ＣTFTに溝部１６１が形成される。そして、さらなるエッチングの進行により、溝部１６１が深化されて溝部１６１が両基板用基材１１０、１２０（つまり、分断予定位置ＣCF、ＣTFT上の部分）を貫通する。これにより、両基板用基材１１０、１２０が分断予定位置ＣCF、ＣTFTで分断される。
なお、溝部１６１の深化によって両基板用基材１１０、１２０が分断されても、溝部１６１の底面が耐エッチングシール２００で覆われているため、分断箇所から両基板用基材１１０、１２０間へエッチング液が侵入することを防止できる。
【００２２】
さらに、耐エッチングシール２００の接着力により、分断された両基板用基材１１０、１２０の小片が互いに固着され、小片が散乱することを防止できる。
そして、第３の行程の終了後、つまり、張り合わせ基材１２のエッチングの終了後に、溝部１６１の底面のうちにエッチングされずに残っている部分が存在するか否かを確認する。エッチングされずに残っている部分があることが確認された場合には、両基板用基材１１０、１２０に外力を加えて、当該エッチングされずに残っている部分を溝部１６１に沿って分断する。両基板用基材１１０、１２０に加える外力としては、曲げ応力や剪断応力、熱応力を利用できる。それゆえ、例えば、温度等の環境が変化し、エッチングによって溝部１６１が両基板用基材１１０、１２０を貫通しなかった場合にも、外力の付与によって、薄型化された張り合わせ基板１２を容易に分断できる。
【００２３】
（第４の工程）
第４の工程では、貼り合わせ基材１２から耐エッチングシール２００を除去する。
具体的には、図５は、第４の工程を説明する模式図である。図５（ａ）は、貼り合わせ基材１２の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）中の６Ａ−６Ａ線における断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）中の６Ｂ−６Ｂ線における断面図である。
図５に示すように、第４の工程では、まず、ＣＦ基板用基材１１０から、図５（ａ）に示すように、平面視で外部端子２３に対向する部分１１１を除去する。
具体的には、外側主面１２０Ｓ２側から、真空吸着によって前記対向する部分１１１を引っ張る。これにより、対向する部分１１１を耐エッチングシール２００から剥がす。
【００２４】
なお、外部端子２３に対向する部分１１１と耐エッチングシール２００との接着力が強い場合には、エポキシ剥離剤やレジスト剥離剤等、耐エッチングシール２００に応じた剥離剤を用いて部分１１１と耐エッチングシール２００との接着力を弱める。
次に、両基板用基材１１０、１２０から、ピンセット等によって耐エッチングシール２００を引っ張る。そして、耐エッチングシール２００を両基板用基材１１０、１２０から剥がす。これにより、複数の液晶パネル１が完成する。
【００２５】
（本実施形態の効果）
このように、本実施形態によれば、レーザ光Ｄによって両基板用基材１１０、１２０の分断予定位置ＣCF、ＣTFTに改質領域１６０を形成した後、両基板用基材１１０、１２０の表面をエッチング液でエッチングする。そして、エッチングによって改質領域１６０の部分、つまり、分断予定位置ＣCF、ＣTFTに溝部１６１が形成され、さらなるエッチングの進行により、溝部１６１が深化されて溝部１６１が両基板用基材１１０、１２０が貫通される。これにより、両基板用基材１１０、１２０が分断予定位置で分断される。
【００２６】
この手法によれば、改質領域１６０としては、両基板用基材１１０、１２０のエッチングレートを他の部分よりも向上できる程度のものを形成できれば十分である。このような特性の改質領域１６０は、両基板用基材１１０、１２０の分断の起点となる改質領域を形成する場合よりも低いエネルギーのレーザ光Ｄで形成できる。すなわち、両基板用基材１１０、１２０に照射するレーザ光Ｄのエネルギーを低減することができる。それゆえ、レーザ光Ｄによって両基板用基材１１０、１２０に改質領域１６０を形成する際に、両基板用基材１１０、１２０を透過したレーザ光Ｄが、外部端子２３やスイッチング素子等の両基板用基材１１０、１２０間の各種部品（つまり、保護対象部材）に損傷を与えることを防止でき、保護対象部材が損傷される事態を防止できる。したがって、液晶パネル１を製造する際に、厚さが薄い基板用基材１１０、１２０を対象としても、保護対象部材を損傷させずに適確に基板用基材１１０、１２０を分断することが可能となる。
【００２７】
また、本実施形態によれば、エッチングの進行によって溝部１６１が深化される。それゆえ、溝部１６１形成の起点となる改質領域１６０としては、両基板用基材１１０、１２０を改質領域を起点として分断する場合よりも浅いものを形成できれば十分である。このような改質領域１６０は、レーザ光Ｄを両基板用基材１１０、１２０の外側主面１１０Ｓ２、１２０Ｓ２の近傍に集光することで形成できる。そのため、両基板用基材１１０、１２０に改質領域１６０の形成時に、両基板用基材１１０、１２０の透過によってレーザ光Ｄを拡散でき、ＣＦ基板用基材１１０を透過したレーザ光Ｄが保護対象部材に損傷を与えることを防止でき、保護対象部材が損傷される事態をより適切に防止できる。
さらに、本実施形態では、エッチングの進行によって溝部１６１の深化に加え、溝部１６１の開口部が拡大される。それゆえ、改質領域１６０の形成によって改質領域１６０周辺の部分に発生したマイクロクラックを除去できる。そのため、エッチングを行わない場合よりも完成した表示パネル１の抗折強度を向上することができる。
【００２８】
また、本実施形態では、エッチングによって溝部１６１の深化と両基板用基材１１０、１２０の薄化とが同時に行われる。それゆえ、溝部１６１の深化のために別途の工程を設けずに済む。そのため、液晶パネル１の生産性を向上することができる。
ここで、図２のＣＦ基板用基材１１０およびＴＦＴ基板用基材１２０が特許請求の範囲に記載の一対の基板を構成する。同様に、図１の液晶パネル１が表示パネルを構成する。また、図２の耐エッチングシール２００がエッチング耐性部材を構成する。
なお、本実施形態では、本発明を液晶パネル１の製造に用いる例を示したが、他の表示パネルの製造に採用することもできる。例えば、ＥＬ(Electro Luminescence)式表示パネルや電気泳動式表示パネル等の製造に用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】液晶パネル１を説明する模式図である。
【図２】第１の工程を説明する模式図である。
【図３】第２の工程を説明する模式図である。
【図４】第３の工程を説明する模式図である。
【図５】第４の工程を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００３０】
１は液晶パネル、１０はＣＦ基板、２０はＴＦＴ基板、２３は外部端子、３０は液晶シール、９０は液晶、１１０はＣＦ基板用基材、１２０はＴＦＴ基板用基材、１６０は改質領域、１６１は溝部、２００は耐エッチングシール
【図１】
2010126398.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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