(57)【要約】【課題】光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くし、所望の線幅等を有するマスクパターンをフォトレジストに転写することを可能とするためのマスクパターンの補正方法を基本的に適用した露光方法を提供する。【解決手段】複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータの補正に基づき作製された露光用マスクを使用して、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写する露光方法であって、前記設計パターンデータの補正には、マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける工程が含まれる。【選択図】  図１
2010117729.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写する露光方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写する露光方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする露光方法。
【請求項３】
複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写し、該フォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写し、該フォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
孤立部分を有するパターンである孤立パターン回路、及び、孤立パターンの孤立部分と平行に延び、終端部を有する隣接パターン回路が形成された半導体装置であって、
孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分が隣接パターン回路に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
孤立部分を有するパターンである孤立パターン回路、及び、孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターン回路が形成された半導体装置であって、
孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分が隣接パターン回路に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写し、該フォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングすることによって製造された半導体装置であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写し、該フォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングすることによって製造された半導体装置であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの補正方法、露光用マスク、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造過程におけるフォトリソグラフィ工程に用いられる露光用マスクは、露光光に対して透明なガラス基板等の基板上にパターニングされた遮光用薄層若しくは半遮光用薄層が設けられた構造を有する。そして、半導体装置の製造においては、露光用マスクに形成されたマスクパターンを、例えば半導体基板上に形成されたフォトレジストに転写する。尚、以下、露光用マスクに形成されたパターンをマスクパターンと呼び、複数の設計パターンがデータ化されたものを設計パターンデータと呼び、電子線描画用パターンデータを描画用パターンデータと呼び、レジストに形成されたパターンをレジストパターンと呼ぶ場合がある。例えば露光用マスクを作製するための設計パターンデータは、例えば、設計パターンが多角形で表現されたＧＤＳＩＩ／Ｓｔｒｅａｍとも呼ばれるストリームフォーマット、あるいは又、矩形と台形のみで表現された描画フォーマット、ＯＡＳＩＳと呼ばれるフォーマットにて構成されている。
【０００３】
ところで、露光用マスクに露光光を照射することによって例えば半導体基板上に形成されたフォトレジストにマスクパターンを転写する際、光近接効果が生じ、フォトレジストに形成されたパターンの形状が設計パターンの形状と相違するといった問題が生じる。即ち、半導体装置の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程において、露光光の波長程度の大きさを有するマスクパターンをフォトレジストに転写する場合、露光光の干渉現象が顕著となり、フォトレジストに形成されたパターンの寸法と設計パターンの寸法との間に差異が生じる光近接効果が問題となっている。光近接効果は、孤立パターン（例えば、孤立ライン）の線幅減少や孤立パターン（例えば、孤立ライン）終端部の縮み等の現象として現れ、ゲート線幅制御性の劣化や合わせマージンの減少をもたらす。その結果、トランジスタ特性のばらつきが増大し、最終的にはチップ生産歩留りが低下し、半導体装置の生産効率に対して著しい悪影響を与える。この問題は、露光光の波長短縮と共により顕著になっており、微細なデザインルールに対応するため、光強度シミュレーションベースを用いた高度な自動光近接効果補正（Optical Proximity Effect Correction;ＯＰＣ）システムが開発されている。
【０００４】
光近接効果補正を行うことにより、露光用マスクに露光光を照射することによって例えば半導体基板上に形成されたフォトレジストにマスクパターンを転写する際、ベストフォーカス時には所望の線幅等を得ることが可能となる。しかしながら、デフォーカス時、必要なコントラストが得られず、所望の線幅等を得ることができなくなる結果、配線の線幅減少が生じ、断線や接続不良といったオープンエラー等の問題が生じる場合がある。
【０００５】
このような問題の発生を回避するための方法が、例えば、特開２００１−１００３９０あるいは特開２００２−１３１８８２に開示されている。
【０００６】
ここで、特開２００１−１００３９０に開示された露光用マスクのパターン補正方法は、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程で用いられる露光用マスクにおいて、マスクパターンの中で高精度な寸法制御が要求される第１のパターンに対して、その第１のパターンがウェーハ転写後に所望の寸法となるように寸法補正を行う第１の工程と、第１のパターン以外の、マスクパターンの中で高精度な寸法制御が要求されない第２のパターンに対して、その第２のパターンがウェーハ転写後に所望の寸法となるように寸法補正を行う第２の工程と、第１のパターンに対してのみ、選択的に補助パターンを設ける第３の工程を備えている。
【０００７】
また、特開２００２−１３１８８２には、光学的に孤立しないようにパターン線幅を広げるマスクパターン補正方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１００３９０
【特許文献２】特開２００２−１３１８８２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特開２００１−１００３９０に開示された露光用マスクのパターン補正方法を適用した場合であっても、補助パターンの作成や配置に必要とされる最小間隔、最小ライン長等の最小寸法ルールが存在するが故に、補助パターンを配置できない場合が存在する。また、特開２００２−１３１８８２に開示されたマスクパターン補正方法を適用した場合であっても、最小線幅、最小間隔を確保できず、光学的に孤立しないようにパターン線幅を広げることが困難な場合がある。
【００１０】
従って、本発明の目的は、光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くし、所望の線幅等を有するマスクパターンを半導体基板上に形成されたフォトレジストに転写することを可能とするためのマスクパターンの補正方法、係るマスクパターンの補正方法を基本的に適用した、露光用マスク、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係るマスクパターンの補正方法は、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの補正方法であって、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設けることを特徴とする。
【００１２】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る露光用マスクは、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクであって、
光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを含むマスクパターンが形成されており、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る露光用マスクは、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクであって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００１４】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る露光用マスクの作製方法は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングする工程から成る露光用マスクの作製方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００１５】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る露光用マスクを作製するための電子線描画方法は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づき基体上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行う電子線描画方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００１６】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る露光方法は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写する露光方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００１７】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写し、該フォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第１の態様に係るマスクパターンの補正方法、本発明の第１の態様に係る露光用マスク、本発明の第３の態様に係る露光用マスク、本発明の第１の態様に係る露光用マスクの作製方法、本発明の第１の態様に係る露光用マスクを作製するための電子線描画方法、本発明の第１の態様に係る露光方法、あるいは、本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法（以下、これらを総称して、本発明の第１の態様と呼ぶ場合がある）において、孤立パターンの孤立部分は、所定の幅Ｗ0以下の幅、及び、所定の長さＬ0以下の長さを有し、孤立パターンの孤立部分の縁部から距離Ｓの領域には、隣接パターンが存在しないことが好ましい。
【００１９】
また、本発明の第１の態様において、隣接パターンに設けられた延長部分と、該隣接パターンに隣接する隣接パターンとの間に所定のスペースが確保できない場合、該所定のスペースが確保されるように該延長部分の長さを短縮する構成とすることが好ましい。
【００２０】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様において、
孤立パターンは、孤立部分、並びに、孤立部分の両端から延在する第１延在部分及び第２延在部分を備え、
孤立パターンの孤立部分、第１延在部分及び第２延在部分は、直線状であり、
隣接パターンは、第１隣接パターン及び第２隣接パターンから成り、
第１終端部を有する第１隣接パターンは、孤立パターンの第１延在部分と平行に延び、
第１終端部と対向する第２終端部を有する第２隣接パターンは、孤立パターンの第２延在部分と平行に延び、
第１終端部と第２終端部との間の距離をΔＬ12、所定のスペース長をＣとし、第１隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-1、第２隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-2としたとき、
ΔＬ12＝ΔＬEX-1＋ΔＬEX-2＋Ｃ    （１）
を満足する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ａの構成」と呼ぶ。
【００２１】
この第１Ａの構成にあっては、
第１隣接パターンは、孤立パターンの第１延在部分と平行に延びる直線状の形状を有し、
第２隣接パターンは、孤立パターンの第２延在部分と平行に延びる直線状の形状を有する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ａ−１の構成」と呼ぶ。
【００２２】
あるいは又、この第１Ａの構成にあっては、
第１隣接パターンは、孤立パターンの第１延在部分と平行に延びる直線状の形状を有し、
第２隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第２隣接パターンを構成し、第２終端部を有する第１の辺は、孤立パターンの第２延在部分と平行に直線状に延び、
第２隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンの第２延在部分が延びる方向と直角方向であって孤立パターンの第２延在部分から離れる方向に、第１の辺における第２終端部から延びている構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ａ−２の構成」と呼ぶ。
【００２３】
あるいは又、この第１Ａの構成にあっては、
第１隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第１隣接パターンを構成し、第１終端部を有する第１の辺は、孤立パターンの第１延在部分と平行に直線状に延び、
第１隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンの第１延在部分が延びる方向と直角方向であって孤立パターンの第１延在部分から離れる方向に、第１の辺における第１終端部から延び、
第２隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第２隣接パターンを構成し、第２終端部を有する第１の辺は、孤立パターンの第２延在部分と平行に直線状に延び、
第２隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンの第２延在部分が延びる方向と直角方向であって孤立パターンの第２延在部分から離れる方向に、第１の辺における第２終端部から延びている構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ａ−３の構成」と呼ぶ。
【００２４】
あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様において、
直線状の孤立パターンは、両端が終端部で終わっている孤立部分から成り、
隣接パターンは、第１隣接パターン及び第２隣接パターンから成り、
第１終端部を有する第１隣接パターンは、孤立パターンと平行に延び、
第１終端部と対向する第２終端部を有する第２隣接パターンは、孤立パターンと平行に延び、
第１終端部と第２終端部との間の距離をΔＬ12、所定のスペース長をＣとし、第１隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-1、第２隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-2としたとき、
ΔＬ12＝ΔＬEX-1＋ΔＬEX-2＋Ｃ    （１）
を満足する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｂの構成」と呼ぶ。
【００２５】
この第１Ｂの構成にあっては、
第１隣接パターンは、孤立パターンと平行に延びる直線状の形状を有し、
第２隣接パターンは、孤立パターンと平行に延びる直線状の形状を有する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｂ−１の構成」と呼ぶ。
【００２６】
あるいは又、この第１Ｂの構成にあっては、
第１隣接パターンは、孤立パターンと平行に延びる直線状の形状を有し、
第２隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第２隣接パターンを構成し、第２終端部を有する第１の辺は、孤立パターンと平行に直線状に延び、
第２隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンが延びる方向と直角方向であって孤立パターンから離れる方向に、第１の辺における第２終端部から延びている構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｂ−２の構成」と呼ぶ。
【００２７】
あるいは又、この第１Ｂの構成にあっては、
第１隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第１隣接パターンを構成し、第１終端部を有する第１の辺は、孤立パターンと平行に直線状に延び、
第１隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンが延びる方向と直角方向であって孤立パターンから離れる方向に、第１の辺における第１終端部から延び、
第２隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第２隣接パターンを構成し、第２終端部を有する第１の辺は、孤立パターンと平行に直線状に延び、
第２隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンが延びる方向と直角方向であって孤立パターンから離れる方向に、第１の辺における第２終端部から延びている構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｂ−３の構成」と呼ぶ。
【００２８】
あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様において、
孤立パターンは、一端が終端部である孤立部分、並びに、孤立部分の他端から延在する延在部分を備え、
孤立パターンの孤立部分及び延在部分は、直線状であり、
終端部を有する隣接パターンは、孤立パターンの延在部分と平行に延び、
孤立パターンの終端部から基準線までの長さから、隣接パターンの終端部から基準線までの長さを減じた値をΔＬとしたとき、隣接パターンに設けられた延長部分の長さΔＬEXは、
ΔＬEX＝ΔＬ±α    （２）
（但し、αは、０以上であって最小加工寸法以下の値）を満足する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｃの構成」と呼ぶ。
【００２９】
この第１Ｃの構成にあっては、隣接パターンは、孤立パターンの延在部分と平行に延びる直線状の形状を有する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｃ−１の構成」と呼ぶ。
【００３０】
あるいは又、この第１Ｃの構成にあっては、
隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
隣接パターンを構成し、終端部を有する第１の辺は、孤立パターンの延在部分と平行に直線状に延び、
隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンの延在部分が延びる方向と直角方向であって孤立パターンの延在部分から離れる方向に、第１の辺における終端部から延びている構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｃ−２の構成」と呼ぶ。
【００３１】
あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様において、
孤立パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
孤立パターンを構成し、直線状に延び、終端部を有する第１の辺は、一端が終端部である孤立部分、及び、孤立部分の他端から延在する延在部分から構成され、
孤立パターンを構成する第２の辺は、第１の辺が延びる方向と直角方向に、孤立パターンを構成する第１の辺における終端部から延び、
孤立パターンを構成する第２の辺と対向する終端部を有する隣接パターンは、孤立パターンを構成する第１の辺における延在部分と平行に延び、
孤立パターンを構成する第２の辺の縁部から、隣接パターンの終端部までの距離をΔＬ、所定のスペース長をＣとしたとき、隣接パターンに設けられた延長部分の長さΔＬEXは、
ΔＬEX＝ΔＬ−Ｃ±α    （３）
（但し、αは、０以上であって最小加工寸法以下の値）を満足する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｄの構成」と呼ぶ。
【００３２】
この第１Ｄの構成にあっては、隣接パターンは、孤立パターンを構成する第１の辺における延在部分と平行に延びる直線状の形状を有する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｄ−１の構成」と呼ぶ。
【００３３】
あるいは又、この第１Ｄの構成にあっては、
隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
隣接パターンを構成し、終端部を有する第１の辺は、孤立パターンを構成する第１の辺における延在部分と平行に直線状に延び、
隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンを構成する第２の辺が延びる方向と平行な方向であって孤立パターンを構成する第１の辺から離れる方向に、隣接パターンを構成する第１の辺における終端部から延びている構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第１Ｄ−２の構成」と呼ぶ。
【００３４】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係るマスクパターンの補正方法は、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの補正方法であって、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設けることを特徴とする。
【００３５】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る露光用マスクは、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクであって、
光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを含むマスクパターンが形成されており、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分が設けられていることを特徴とする。
【００３６】
上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る露光用マスクは、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクであって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００３７】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る露光用マスクの作製方法は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングする工程から成る露光用マスクの作製方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００３８】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る露光用マスクを作製するための電子線描画方法は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づき基体上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行う電子線描画方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００３９】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る露光方法は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写する露光方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００４０】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写し、該フォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００４１】
本発明の第２の態様に係るマスクパターンの補正方法、本発明の第２の態様に係る露光用マスク、本発明の第４の態様に係る露光用マスク、本発明の第２の態様に係る露光用マスクの作製方法、本発明の第２の態様に係る露光用マスクを作製するための電子線描画方法、本発明の第２の態様に係る露光方法、あるいは、本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法（以下、これらを総称して、本発明の第２の態様と呼ぶ場合がある）において、孤立パターンの孤立部分は、所定の幅Ｗ0以下の幅、及び、所定の長さＬ0以下の長さを有し、孤立パターンの孤立部分の縁部から距離Ｓの領域には、隣接パターンが存在しないことが好ましい。
【００４２】
以上に説明した好ましい形態を含む本発明の第２の態様において、
孤立パターンは、孤立部分、並びに、孤立部分の両端から延在する第１延在部分及び第２延在部分を備え、
孤立パターンの孤立部分、第１延在部分及び第２延在部分は、直線状であり、
隣接パターンは、第１隣接パターン及び第２隣接パターンから成り、
直線状の第１隣接パターンは、孤立パターンの第１延在部分に対して隣接して直角の方向に延び、第１終端部、及び、第１終端部から延在する第１終端縁部分を有し、
直線状の第２隣接パターンは、孤立パターンの第２延在部分に対して隣接して直角の方向に延び、第２終端部、及び、第２終端部から延在し、第１終端縁部分と対向する第２終端縁部分を有し、
第１終端縁部分と第２終端縁部分との間の距離をΔＬ12、所定のスペース長をＣとし、第１隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-1、第２隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-2としたとき、
ΔＬ12＝ΔＬEX-1＋ΔＬEX-2＋Ｃ    （１）
を満足する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第２Ａの構成」と呼ぶ。
【００４３】
あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む本発明の第２の態様において、
孤立パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
孤立パターンを構成し、直線状に延び、終端部を有する第１の辺は、一端が終端部である孤立部分、及び、孤立部分の他端から延在する延在部分から構成され、
孤立パターンを構成する第２の辺は、第１の辺が延びる方向と直角方向に、孤立パターンを構成する第１の辺における終端部から延び、
直線状の隣接パターンは、孤立パターンを構成する第１の辺に対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有し、
孤立パターンを構成する第２の辺の縁部と隣接パターンにおける終端縁部分との間の距離をΔＬ、所定のスペース長をＣとしたとき、隣接パターンに設けられた延長部分の長さΔＬEXは、
ΔＬEX＝ΔＬ−Ｃ±α    （３）
（但し、αは、０以上であって最小加工寸法以下の値）を満足する構成とすることができる。尚、便宜上、この構成を「第２Ｂの構成」と呼ぶ。
【００４４】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る半導体装置は、孤立部分を有するパターンである孤立パターン回路、及び、孤立パターンの孤立部分と平行に延び、終端部を有する隣接パターン回路が形成された半導体装置であって、
孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分が隣接パターン回路に設けられていることを特徴とする。
【００４５】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る半導体装置は、孤立部分を有するパターンである孤立パターン回路、及び、孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターン回路が形成された半導体装置であって、
孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分が隣接パターン回路に設けられていることを特徴とする。
【００４６】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る半導体装置は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写し、該フォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングすることによって製造された半導体装置であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００４７】
上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る半導体装置は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、該電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用し、該露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写し、該フォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングすることによって製造された半導体装置であって、
前記設計パターンデータの補正には、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
工程が含まれることを特徴とする。
【００４８】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様においては、マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出するが、係る孤立パターンの抽出は、周知の汎用の図形演算プログラムを用いて、光学的シミュレーション結果若しくはルールベース（図形演算）を用いることで、あるいは、光学的シミュレーション結果若しくはルールベース（図形演算）に基づき、自動的に、即ち、人手を介すること無く、行うことができる。
【００４９】
孤立部分が所定の長さＬ0を超える長さを有する孤立パターンに関しては、例えば、特開２００１−１００３９０あるいは特開２００２−１３１８８２に開示された技術を適用すればよい。
【００５０】
露光用マスクは、例えば、露光光に対して透明なソーダライムガラス、低膨張ガラス、合成石英ガラスといったガラス基板に、金属あるいは金属酸化物から成る遮光用薄層あるいは半遮光用薄層（これらの薄層は単層であってもよいし多層であってもよい）が形成されて成る。本発明の第１の態様あるいは第２の態様において、露光用マスクとして、遮光用薄層から成るマスクパターンが形成された通常の露光用マスク、位相シフトマスク、半遮光用薄層から成るマスクパターンが形成されたハーフトーン方式位相シフトマスクを例示することができる。尚、露光用マスクは、電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスク（即ち、マスタマスク）と同一のものであってもよいし、マスタマスクからコピーされたワーキングマスクであってもよい。
【００５１】
本発明の半導体装置における孤立パターン回路、隣接パターン回路を構成する材料として、不純物がドーピングされた多結晶シリコン；アルミニウム系合金、タングステン、銅、銀等の金属：タングステンシリサイドやチタンシリサイド等の金属化合物；不純物がドーピングされた多結晶シリコン層とタングステンシリサイドやチタンシリサイド等の金属化合物層の積層構造、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層とタングステンシリサイドやチタンシリサイド等の金属化合物層と絶縁膜の積層構造を例示することができる。
【００５２】
電子線描画方法における基体として、露光光に対して透明なソーダライムガラス、低膨張ガラス、合成石英ガラスといったガラス基板に、金属あるいは金属酸化物から成る遮光用薄層あるいは半遮光用薄層（これらの薄層は単層であってもよいし多層であってもよい）が形成されたマスクブランクスを例示することができる。
【００５３】
あるいは又、電子線描画方法、露光方法、あるいは、半導体装置若しくはその製造方法における基体として、半導体基板、半絶縁性基板や絶縁性基板、若しくはこれらの基板上に形成された被処理層を例示することができる。被処理層としては、具体的には、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層；アルミニウム系合金、タングステン、銅、銀等の金属層：タングステンシリサイドやチタンシリサイド等の金属化合物層；不純物がドーピングされた多結晶シリコン層とタングステンシリサイドやチタンシリサイド等の金属化合物層の積層構造、不純物がドーピングされた多結晶シリコン層とタングステンシリサイドやチタンシリサイド等の金属化合物層と絶縁膜の積層構造；絶縁層を例示することができる。ここで、絶縁膜や絶縁層として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＮＳＧ、ＳＯＧ、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide、低温ＣＶＤ−ＳｉＯ2）、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の公知の絶縁材料、あるいはこれらの絶縁材料を積層したもの挙げることができる。
【００５４】
近接効果の補正のために、あるいは、光近接効果の補正のために、あるいは、近接効果及び光近接効果の補正のための設計パターンデータの補正を、別途、行ってもよい。
【００５５】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様の実行に適したパターンデータ補正装置（配置・配線ツールを含む）は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正するためのパターンデータ補正装置であって、
（ａ）設計パターンデータを入力するための入力手段、
（ｂ）補正手段、及び、
（ｃ）補正後の設計パターンデータを出力するための出力手段、
から構成され、
補正手段は、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける、
ことを特徴とし、あるいは又、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分を設ける、
ことを特徴とする。
【００５６】
このパターンデータ補正装置は、設計パターンデータを作成する装置、あるいは又、電子線描画装置に組み込まれていてもよいし、これらの装置とは独立した装置としてもよい。
【００５７】
ここで、入力手段は、設計パターンデータ等をパターンデータ補正装置に対して指定あるいは入力できる手段であれば、如何なる手段であってもよく、例えばキーボードやタッチパネルを例示することができる。あるいは又、フレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の記録媒体に記録された設計パターンデータをパターンデータ補正装置に入力する場合や、他のデータ処理装置に記録された設計パターンデータをパターンデータ補正装置に入力する場合には、入力手段は、これらの設計パターンデータを受け取りそして記憶するハードディスクや、通信回線、ＬＡＮ、ＷＡＮ等とすることもできる。更には、設計パターンデータが電気信号の形態で入力される場合には、入力手段は入力端子とすることができる。
【００５８】
出力手段は、マスクパターンの補正方法によって得られた補正が施された設計パターンデータを出力するための出力端子とすることができる。あるいは又、出力手段は、補正が施された設計パターンデータに基づき、補正された設計パターンを紙、フィルム等に記録することができるプリンタやＸＹプロッターとすることもできる。
【００５９】
補正手段によって、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るマスクパターンの補正方法が実行される。補正手段は、ＲＡＭやＲＯＭ、光記憶媒体等の記憶手段とＣＰＵから構成することができる。この記憶手段には、各種の作成プログラム、処理プログラム、マスクパターンの補正方法処理プログラムや、各種テーブル、ルールが記憶されている。また、パターンデータ補正装置には、更に、入力された設計パターンデータを記憶するための設計パターンデータ記憶手段、及び、補正後の設計パターンデータを記憶する補正後設計パターンデータ記憶手段が備えられていてもよい。これらの設計パターンデータ記憶手段、及び、補正後の設計パターンデータを記憶する記憶手段は、例えばＲＡＭ等のメモリやハードディスク等から構成することができる。尚、ＣＰＵ等から構成された光強度シミュレーション手段を更に備え、求められた設計パターンの線幅及び間隔に基づき設計パターンに対する光近接効果補正を行い、光近接効果補正後の設計パターンデータを得る構成を更に備えていてもよい。
【発明の効果】
【００６０】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様においては、あるいは又、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置にあっては、マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、隣接パターンの終端部あるいは終端縁部分から延びる延長部分を設けるので、光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くすことができる。その結果、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程のプロセスウインドを拡大することができる。即ち、リソグラフィ工程におけるフォーカス裕度等のプロセス裕度の拡大を図ることができる。従って、特に、デフォーカス時、必要なコントラストが得られず、所望の線幅等を得ることができなくなり、配線の線幅減少が生じ、断線や接続不良といったオープンエラー等が生じるといった問題の発生を確実に回避することができる。尚、マスクパターン中からの孤立パターンの抽出、隣接パターンの終端部あるいは終端縁部分から延びる延長部分の設定は、自動的に、即ち、人手を介すること無く、行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係るマスクパターンの補正方法を説明するための流れ図である。
【図２】図２の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図２の（Ｂ）は、図２の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の変形例を模式的に示す図である。
【図４】図４の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図４の（Ｂ）は、図４の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図５】図５の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図５の（Ｂ）は、図５の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の変形例を模式的に示す図である。
【図７】図７の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図７の（Ｂ）は、図７の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、図７の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の変形例を模式的に示す図である。
【図９】図９の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図９の（Ｂ）は、図９の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図１０】図１０の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図１０の（Ｂ）は、図１０の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１０の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の変形例を模式的に示す図である。
【図１２】図１２の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図１２の（Ｂ）は、図１２の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図１３】図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１２の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の変形例を模式的に示す図である。
【図１４】図１４の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図１４の（Ｂ）は、図１４の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図１５】図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１４の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の変形例を模式的に示す図である。
【図１６】図１６の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図１６の（Ｂ）は、図１６の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図１７】図１７の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図１７の（Ｂ）は、図１７の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図１８】図１８の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図１８の（Ｂ）は、図１８の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図１９】図１９の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図１９の（Ｂ）は、図１９の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図２０】図２０の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図２０の（Ｂ）は、図２０の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図２１】図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２０の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の変形例を模式的に示す図である。
【図２２】図２２の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図２２の（Ｂ）は、図２２の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図２３】図２３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２２の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の変形例を模式的に示す図である。
【図２４】図２４の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図２４の（Ｂ）は、図２４の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図２５】図２５の（Ａ）は、マスクパターンの補正方法を説明するための、孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図であり、図２５の（Ｂ）は、図２５の（Ａ）に示した隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を模式的に示す図である。
【図２６】図２６の（Ａ）及び（Ｂ）は、マスクパターンの補正方法において、隣接パターンに延長部分を設ける手順を説明するための図である。
【図２７】図２７は、図２６の（Ｂ）に引き続き、マスクパターンの補正方法において、隣接パターンに延長部分を設ける手順を説明するための図である。
【図２８】図２８の（Ａ）及び（Ｂ）は、マスクパターンの補正方法において、隣接パターンに延長部分を設ける手順を説明するための図である。
【図２９】図２９の（Ａ）及び（Ｂ）は、隣接パターンに設けられた延長部分と、この隣接パターンに隣接する隣接パターンとの間に所定のスペースが確保できない場合の処理を説明するための図である。
【図３０】図３０の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例２を説明するための、マスクブランクス等の模式的な一部断面図である。
【図３１】図３１の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例３を説明するための、半導体基板等の模式的な一部断面図である。
【図３２】図３２の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例４を説明するための、半導体基板等の模式的な一部断面図である。
【図３３】図３３は、本発明の半導体装置における孤立パターン回路及び隣接パターン回路を模式的に示す図である。
【図３４】図３４は、従来の半導体装置における孤立パターン回路及び隣接パターン回路を模式的に示す図である。
【図３５】図３５は、本発明の半導体装置における孤立パターン回路及び隣接パターン回路を模式的に示す図である。
【図３６】図３６は、本発明の半導体装置における孤立パターン回路及び隣接パターン回路を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００６３】
実施例１は、本発明の第１の態様及び第２の態様に係るマスクパターンの補正方法に関する。
【００６４】
図１に、実施例１のマスクパターンの補正方法を説明するための流れ図を示す。また、構成の番号、孤立パターン及び隣接パターンの配置、及び、隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置を示す図面の番号を、以下の表１に纏めた。
【００６５】
2010117729.tif 000003
【００６６】
実施例１のマスクパターンの補正方法は、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの補正方法である。そして、マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出する。次いで、孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、終端部から延びる延長部分を設ける。あるいは又、マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出する。次いで、孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、終端縁部分から延びる延長部分を設ける。
【００６７】
実施例１にあっては、孤立パターンの孤立部分は、所定の幅Ｗ0以下の幅Ｗ、及び、所定の長さＬ0以下の長さＬを有し、孤立パターンの孤立部分の縁部（図面においては、「×」印を付した）から距離Ｓの領域には、隣接パターンが存在しない。実施例１においては、９０ｎｍデザインルールとし、所定の幅Ｗ0を１２０ｎｍ、所定の長さＬ0を３６０ｎｍ、距離Ｓを１２０ｎｍとした。尚、所定の幅Ｗ0、所定の長さＬ0、距離Ｓの値は、これらの値に限定するものではない。また、実施例１における所定のスペース長Ｃを１３０ｎｍとした。ここで、所定のスペース長Ｃは、最小加工寸法の約１．２倍である。但し、所定のスペース長Ｃの値はこのような値に限定するものではない。
【００６８】
実施例１におけるマスクパターンの補正方法の実行に適したパターンデータ補正装置は、複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正するためのパターンデータ補正装置（配置・配線ツールを含む）であって、
（ａ）設計パターンデータを入力するための入力手段、
（ｂ）補正手段、及び、
（ｃ）補正後の設計パターンデータを出力するための出力手段、
から構成され、
補正手段は、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設け、あるいは又、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、終端縁部分から延びる延長部分を設ける。ここで、入力手段、補正手段、出力手段は、先に説明したとおりである。
【００６９】
以下、実施例１のマスクパターンの補正方法を、図１〜図２９を参照して、より具体的に説明する。尚、マスクパターンの設計時、パターンデータ補正装置（配置・配線ツール）を用いて、実施例１のマスクパターンの補正方法を実行し、あるいは又、露光用マスクの作製時、ＯＰＣの実行と前後して、実施例１のマスクパターンの補正方法を実行する。
【００７０】
［工程−１００］
先ず、設計パターンデータとしての所定の幅Ｗ0、所定の長さＬ0、距離Ｓを、パターンデータ補正装置に入力する。更には、設計パターンデータとしての光学的シミュレーション結果若しくはルールベースに基づき得られたマスクパターンのデータを、パターンデータ補正装置に入力する。前者の入力は、例えば、パターンデータ補正装置に備えられた入力手段としてのキーボードを介して行うことができるし、後者の入力は、光学的シミュレーション結果若しくはルールベースを保存したコンピュータから、回線やＬＡＮ、ＷＡＮ等（入力手段に相当する）を通じて、パターンデータ補正装置に光学的シミュレーション結果若しくはルールベースを送出することで行うことができる。
【００７１】
［工程−１１０］
そして、補正手段によって、補正手段に備えられた記憶手段に記憶されたマスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分１１を有するパターンである孤立パターン１０を抽出する。この抽出は、周知の汎用の図形演算プログラムに基づき行うことができる。ここで、実施例１にあっては、マスクパターン中から、所定の幅Ｗ0以下の幅Ｗ、及び、所定の長さＬ0以下の長さＬを有し、マスクパターンの縁部（図面においては、「×」印を付した）から距離Ｓの領域には、隣接パターンが存在しないようなマスクパターンを、孤立パターン１０とし、このような孤立パターン１０の部分を孤立部分１１とする。より具体的には、所定の幅Ｗ0以下の幅Ｗを有するマスクパターンの縁部を抽出し、その縁部から距離Ｓ以内の部分に他のマスクパターンが存在するか否かで、この縁部を有するマスクパターンが孤立パターンであるか否かを判断する。そして、縁部から外側に距離Ｓの範囲内の部分に他のマスクパターンが存在しない場合、更に、その縁部の長さＬが所定の長さＬ0以下の長さであれば孤立パターン１０とし、この縁部を含む孤立パターン１０の部分を孤立部分１１とする。
【００７２】
［工程−１２０］
次に、補正手段によって、孤立パターン１０の孤立部分１１に隣接するマスクパターンを隣接パターンとして抽出する。具体的には、例えば、詳細は後述するが、図２の（Ａ）及び図１６の（Ａ）に例示する孤立パターン１０及び隣接パターン５０，５０Ａ，５０Ｂにあっては、孤立パターン１０の孤立部分１１の縁部から長さＬ、幅Ｗ’のパターンＡを発生させ、このパターンＡが、２つの隣接パターンと接する場合には（図２６の（Ａ）参照）、後述する「第１Ａの構成」、「第１Ｂの構成」あるいは「第２Ａの構成」を実行し、１つの隣接パターンと接する場合には（図２８の（Ａ）参照）、後述する「第１Ｃの構成」、「第１Ｄの構成」あるいは「第２Ｂの構成」を実行する。具体的には、例えば、図２の（Ａ）に示す例においては、図２６の（Ｂ）に示すように、パターンＡと接している隣接パターン５０Ａ，５０Ｂの終端部５１Ａ，５１Ｂから最小ライン幅以上の幅を有するパターンＢを発生させる。そして、パターンＢの中央部分に最小スペース長のパターンＣを作成し、パターンＣと重なっていないパターンＢの部分を延長部分５３Ａ，５３Ｂとする（図２の（Ｂ）及び図２７参照）。一方、図１６の（Ａ）に示す例においては、図２８の（Ｂ）に示すように、パターンＡと接している隣接パターン５０の終端部５１から最小ライン幅以上の幅を有するパターンＤを作成し、パターンＡと重なっているパターンＤの部分を延長部分５３とする（図１６の（Ｂ）及び図２９参照）。
【００７３】
［工程−１３０］
その後、例えば、図２９の（Ａ）に示すように、例えば、隣接パターン５０に設けられた延長部分５３と、この隣接パターン５０に隣接する隣接パターン５４との間に所定のスペース（例えば、後述する所定のスペース長Ｃ）が確保できない場合、この所定のスペースが確保されるように延長部分５３の長さを短縮する（図２９の（Ｂ）参照）。また、延長部分が矩形でないものに関しては、矩形になるように延長部分の余分な部分を除去する。尚、この場合、最小加工寸法を確保できるような形で除去する。
【００７４】
［工程−１４０］
次いで、例えば、図２０の（Ｂ）に示すように、延長部分を付加することによって新たな辺（頂点間間隔）が作成される場合、延長部分の長さΔＬEX-1，ΔＬEX-2が、
ΔＬEX-1≧（最小加工寸法），ΔＬEX-2≧（最小加工寸法）
を満足していないような延長部分は除去する。
【００７５】
［工程−１５０］
その後、孤立パターンの抽出が完了したかを調べ、孤立パターンの抽出が完了していない場合、孤立パターンの抽出が完了するまで、［工程−１１０］〜［工程−１４０］を繰り返す。一方、孤立パターンの抽出が完了したならば、マスクパターンの補正を終了する。
【００７６】
［工程−１６０］
そして、補正後の設計パターンデータから電子線描画用パターンデータを作成する。電子線描画用パターンデータの作成方法は、ラスタ走査方式あるいはベクタ走査方式といった如何なる電子線描画装置を用いるかに依存するが、公知の方法にて行うことができる。即ち、例えば、補正後の描画フォーマットの設計パターンデータを電子線描画装置にて電子線偏向用データ（電子線描画用パターンデータに相当する）に変換し、アパーチャーを変動させることで設計パターンデータと同形状の電子線照射を行う。
【００７７】
尚、設計パターンデータがストリームフォーマットである場合の描画用パターンデータの作成にあっては、例えば、設計パターンデータをビットマップ化し、次いで、係るビットマップ化されたデータに基づき本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るマスクパターンの補正方法を実行してマスクパターンの補正を行い、マスクパターンの補正がなされた設計パターンデータを得ることができる。この設計パターンデータに対して、更に、光近接効果の補正を行い、光近接効果補正がなされた設計パターンデータを得てもよい。尚、得られた設計パターンデータはストリームフォーマットであり、係るフォーマットの設計パターンデータを、例えば描画フォーマットに既知の方法で変換する。そして、補正後の描画フォーマットの設計パターンデータから描画用パターンデータを作成する。
【００７８】
孤立パターン及び隣接パターンの配置の具体例、及び、隣接パターンに延長部分を設けたときの孤立パターン及び隣接パターンの配置の具体例を、図２〜図２５に例示する。
【００７９】
図２の（Ａ）、図４の（Ａ）、図７の（Ａ）、図９の（Ａ）、図１２の（Ａ）に示す例は、「第１Ａの構成」に関する。そして、これらの例にあっては、孤立パターン１０は、孤立部分１１、並びに、孤立部分１１の両端から延在する第１延在部分１２Ａ及び第２延在部分１２Ｂを備えている。ここで、孤立パターン１０の孤立部分１１、第１延在部分１２Ａ及び第２延在部分１２Ｂは直線状である。また、隣接パターンは、第１隣接パターン５０Ａ，６０Ａ及び第２隣接パターン５０Ｂ，６０Ｂから成る。そして、第１終端部５１Ａ，６１Ａを有する第１隣接パターン５０Ａ，６０Ａは、孤立パターン１０の第１延在部分１２Ａと平行に延びている。一方、第１終端部５１Ａ，６１Ａと対向する第２終端部５１Ｂ，６１Ｂを有する第２隣接パターン５０Ｂ，６０Ｂは、孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂと平行に延びている。更には、第１終端部５１Ａ，６１Ａと第２終端部５１Ｂ，６１Ｂとの間の距離をΔＬ12、所定のスペース長をＣとし、第１隣接パターン５０Ａ，６０Ａに設けられた延長部分５３Ａ，６３Ａの長さをΔＬEX-1、第２隣接パターン５０Ｂ，６０Ｂに設けられた延長部分５３Ｂ，６３Ｂの長さをΔＬEX-2としたとき、
ΔＬ12＝ΔＬEX-1＋ΔＬEX-2＋Ｃ    （１）
を満足する。尚、ΔＬEX-1とΔＬEX-2の値は、上記の式（１）を満足する限りにおいて、本質的に任意の値とすることができる。
【００８０】
ここで、図２の（Ａ）、図４の（Ａ）に示す例は、「第１Ａ−１の構成」に関する。そして、これらの例にあっては、第１隣接パターン５０Ａは、孤立パターン１０の第１延在部分１２Ａと平行に延びる直線状の形状を有する。一方、第２隣接パターン５０Ｂは、孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂと平行に延びる直線状の形状を有する。尚、図４の（Ａ）に示す例にあっては、第２隣接パターン５０Ｂは、第２延在部分１２Ｂと連結部５６Ｂによって連結されている。
【００８１】
そして、図２の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられており、第２隣接パターン５０Ｂの第２終端部５１Ｂから延びる延長部分５３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝ΔＬEX-2である。一方、図３の（Ａ）及び図４の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられており、第２隣接パターン５０Ｂの第２終端部５１Ｂから延びる延長部分５３Ｂは設けられておらず、ΔＬEX-2＝０である。更には、図３の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられておらず、第２隣接パターン５０Ｂの第２終端部５１Ｂから延びる延長部分５３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝０である。
【００８２】
また、図７の（Ａ）、図９の（Ａ）に示す例は、「第１Ａ−２の構成」に関する。そして、これらの例にあっては、第１隣接パターン５０Ａは、孤立パターン１０の第１延在部分１２Ａと平行に延びる直線状の形状を有し、一方、第２隣接パターン６０Ｂは、第１の辺６４Ｂ及び第２の辺６５Ｂから構成された「Ｌ」字形状を有する。ここで、第２隣接パターン６０Ｂを構成し、第２終端部６１Ｂを有する第１の辺６４Ｂは、孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂと平行に直線状に延びている。また、第２隣接パターン６０Ｂを構成する第２の辺６５Ｂは、孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂが延びる方向と直角方向であって孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂから離れる方向に、第１の辺６４Ｂにおける第２終端部６１Ｂから延びている。尚、図９の（Ａ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａは、第１延在部分１２Ａと連結部５６Ａによって連結されている。
【００８３】
そして、図７の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられており、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝ΔＬEX-2である。一方、図８の（Ａ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられており、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂは設けられておらず、ΔＬEX-2＝０である。更には、図８の（Ｂ）及び図９の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられておらず、第２隣接パターン５０Ｂ，６０Ｂの第２終端部５１Ｂ，６１Ｂから延びる延長部分５３Ｂ，６３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝０である。
【００８４】
更には、図１２の（Ａ）に示す例は、「第１Ａ−３の構成」に関する。そして、この例にあっては、第１隣接パターン６０Ａは、第１の辺６４Ａ及び第２の辺６５Ａから構成された「Ｌ」字形状を有する。そして、第１隣接パターン６０Ａを構成し、第１終端部６１Ａを有する第１の辺６４Ａは、孤立パターン１０の第１延在部分１２Ａと平行に直線状に延びている。また、第１隣接パターン６０Ａを構成する第２の辺６４Ａは、孤立パターン１０の第１延在部分１２Ａが延びる方向と直角方向であって孤立パターン１０の第１延在部分１２Ａから離れる方向に、第１の辺６４Ａにおける第１終端部６１Ａから延びている。一方、第２隣接パターン６０Ｂは、第１の辺６４Ｂ及び第２の辺６５Ｂから構成された「Ｌ」字形状を有する。そして、第２隣接パターン６０Ｂを構成し、第２終端部６１Ｂを有する第１の辺６４Ｂは、孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂと平行に直線状に延びている。また、第２隣接パターン６０Ｂを構成する第２の辺６５Ｂは、孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂが延びる方向と直角方向であって孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂから離れる方向に、第１の辺６４Ｂにおける第２終端部６１Ｂから延びている。
【００８５】
そして、図１２の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン６０Ａの第１終端部６１Ａから延びる延長部分６３Ａが設けられており、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝ΔＬEX-2である。一方、図１３の（Ａ）に示す例にあっては、第１隣接パターン６０Ａの第１終端部６１Ａから延びる延長部分６３Ａが設けられており、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂは設けられておらず、ΔＬEX-2＝０である。更には、図１３の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン６０Ａの第１終端部６１Ａから延びる延長部分６３Ａが設けられておらず、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝０である。
【００８６】
一方、図５の（Ａ）、図１０の（Ａ）、図１４の（Ａ）に示す例は、「第１Ｂの構成」に関する。そして、これらの例にあっては、直線状の孤立パターン２０は、両端が終端部２３Ａ，２３Ｂで終わっている孤立部分２１から成る。一方、隣接パターンは、第１隣接パターン５０Ａ，６０Ａ及び第２隣接パターン５０Ｂ，６０Ｂから成る。そして、第１終端部５１Ａ，６１Ａを有する第１隣接パターン５０Ａ，６０Ａは、孤立パターン２０と平行に延びる。また、第１終端部５１Ａ，６１Ａと対向する第２終端部５１Ｂ，６１Ｂを有する第２隣接パターン５０Ｂ，６０Ｂは、孤立パターン２０と平行に延びる。そして、第１終端部５１Ａ，６１Ａと第２終端部５１Ｂ，６１Ｂとの間の距離をΔＬ12、所定のスペース長をＣとし、第１隣接パターン５０Ａ，６０Ａに設けられた延長部分５３Ａ，６３Ａの長さをΔＬEX-1、第２隣接パターン５０Ｂ，６０Ｂに設けられた延長部分５３Ｂ，６３Ｂの長さをΔＬEX-2としたとき、
ΔＬ12＝ΔＬEX-1＋ΔＬEX-2＋Ｃ    （１）
を満足する。尚、ΔＬEX-1とΔＬEX-2の値は、上記の式（１）を満足する限りにおいて、本質的に任意の値とすることができる。
【００８７】
図５の（Ａ）に示す例は、「第１Ｂ−１の構成」に関する。そして、この例にあっては、第１隣接パターン５０Ａは、孤立パターン２０と平行に延びる直線状の形状を有する。一方、第２隣接パターン５０Ｂは、孤立パターン２０と平行に延びる直線状の形状を有する。
【００８８】
そして、図５の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられており、第２隣接パターン５０Ｂの第２終端部５１Ｂから延びる延長部分５３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝ΔＬEX-2である。一方、図６の（Ａ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられており、第２隣接パターン５０Ｂの第２終端部５１Ｂから延びる延長部分５３Ｂは設けられておらず、ΔＬEX-2＝０である。更には、図６の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられておらず、第２隣接パターン５０Ｂの第２終端部５１Ｂから延びる延長部分５３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝０である。
【００８９】
また、図１０の（Ａ）に示す例は、「第１Ｂ−２の構成」に関する。そして、この例にあっては、第１隣接パターン５０Ａは、孤立パターン２０と平行に延びる直線状の形状を有している。一方、第２隣接パターン６０Ｂは、第１の辺６４Ｂ及び第２の辺６５Ｂから構成された「Ｌ」字形状を有する。ここで、第２隣接パターン６０Ｂを構成し、第２終端部６１Ｂを有する第１の辺６４Ｂは、孤立パターン２０と平行に直線状に延びている。また、第２隣接パターン６０Ｂを構成する第２の辺６５Ｂは、孤立パターン２０が延びる方向と直角方向であって孤立パターン２０から離れる方向に、第１の辺６４Ｂにおける第２終端部６１Ｂから延びている。
【００９０】
そして、図１０の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられており、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝ΔＬEX-2である。一方、図１１の（Ａ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられており、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂは設けられておらず、ΔＬEX-2＝０である。更には、図１１の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン５０Ａの第１終端部５１Ａから延びる延長部分５３Ａが設けられておらず、第２隣接パターン５０Ｂ，６０Ｂの第２終端部５１Ｂ，６１Ｂから延びる延長部分５３Ｂ，６３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝０である。
【００９１】
更には、図１４の（Ａ）に示す例は、「第１Ｂ−３の構成」に関する。そして、この例にあっては、第１隣接パターン６０Ａは、第１の辺６４Ａ及び第２の辺６５Ａから構成された「Ｌ」字形状を有している。そして、第１隣接パターン６０Ａを構成し、第１終端部６１Ａを有する第１の辺６４Ａは、孤立パターン２０と平行に直線状に延びている。一方、第１隣接パターン６０Ａを構成する第２の辺６５Ａは、孤立パターン２０が延びる方向と直角方向であって孤立パターン２０から離れる方向に、第１の辺６４Ａにおける第１終端部６１Ａから延びている。また、第２隣接パターン６０Ｂは、第１の辺６４Ｂ及び第２の辺６５Ｂから構成された「Ｌ」字形状を有している。そして、第２隣接パターン６０Ｂを構成し、第２終端部６１Ｂを有する第１の辺６４Ｂは、孤立パターン２０と平行に直線状に延びている。一方、第２隣接パターン６０Ｂを構成する第２の辺６５Ｂは、孤立パターン２０が延びる方向と直角方向であって孤立パターン２０から離れる方向に、第１の辺６４Ｂにおける第２終端部６１Ｂから延びている。
【００９２】
そして、図１４の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン６０Ａの第１終端部６１Ａから延びる延長部分６３Ａが設けられており、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝ΔＬEX-2である。一方、図１５の（Ａ）に示す例にあっては、第１隣接パターン６０Ａの第１終端部６１Ａから延びる延長部分６３Ａが設けられており、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂは設けられておらず、ΔＬEX-2＝０である。更には、図１５の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン６０Ａの第１終端部６１Ａから延びる延長部分６３Ａが設けられておらず、第２隣接パターン６０Ｂの第２終端部６１Ｂから延びる延長部分６３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝０である。
【００９３】
また、図１６の（Ａ）、図１７の（Ａ）に示す例は、「第１Ｃの構成」に関する。そして、これらの例にあっては、孤立パターン１０は、一端が終端部１３である孤立部分１１、並びに、孤立部分１１の他端から延在する延在部分１２を備え、孤立パターン１０の孤立部分１１及び延在部分１２は、直線状である。一方、終端部５１を有する隣接パターン５０は、孤立パターン１０の延在部分１２と平行に延びている。そして、孤立パターン１０の終端部１３から基準線（図示せず）までの長さから、隣接パターン５０の終端部５１から基準線（図示せず）までの長さを減じた値をΔＬとしたとき、隣接パターン５０に設けられた延長部分５３の長さΔＬEXは、
ΔＬEX＝ΔＬ±α    （２）
である。ここで、αの値を「０」とすることが望ましいが、αの値が最小加工寸法程度であっても、その補正効果を有する。
【００９４】
図１６の（Ａ）に示す例は、「第１Ｃ−１の構成」に関する。そして、この例にあっては、隣接パターン５０は、孤立パターン１０の延在部分１２と平行に延びる直線状の形状を有する。そして、図１６の（Ｂ）に示す例にあっては、隣接パターン５０の終端部５１から延びる延長部分５３が設けられている。また、図１７の（Ａ）に示す例は、「第１Ｃ−２の構成」に関する。そして、この例にあっては、隣接パターン６０は、第１の辺６４及び第２の辺６５から構成された「Ｌ」字形状を有する。そして、隣接パターン６０を構成し、終端部６１を有する第１の辺６４は、孤立パターン１０の延在部分１２と平行に直線状に延びている。一方、隣接パターン６０を構成する第２の辺６５は、孤立パターン１０の延在部分１２が延びる方向と直角方向であって孤立パターン１０の延在部分１２から離れる方向に、第１の辺６４における終端部６１から延びている。そして、図１７の（Ｂ）に示す例にあっては、隣接パターン６０の終端部６１から延びる延長部分６３が設けられている。
【００９５】
また、図１８の（Ａ）、図１９の（Ａ）に示す例は、「第１Ｄの構成」に関する。そして、これらの例にあっては、孤立パターン３０は、第１の辺３４及び第２の辺３５から構成された「Ｌ」字形状を有している。そして、孤立パターン３０を構成し、直線状に延び、終端部３３を有する第１の辺３４は、一端が終端部３３である孤立部分３１、及び、孤立部分３１の他端から延在する延在部分３２から構成されている。一方、孤立パターン３０を構成する第２の辺３５は、第１の辺３４が延びる方向と直角方向に、孤立パターン３０を構成する第１の辺３４における終端部３３から延びている。また、孤立パターン３０を構成する第２の辺３５と対向する終端部５１を有する隣接パターン５０は、孤立パターン３０を構成する第１の辺３４における延在部分３２と平行に延びている。ここで、孤立パターン３０を構成する第２の辺３５の縁部３６から、隣接パターン５０の終端部５１までの距離をΔＬ、所定のスペース長をＣとしたとき、隣接パターン５０に設けられた延長部分５３の長さΔＬEXは、
ΔＬEX＝ΔＬ−Ｃ±α    （３）
である。ここで、αの値を「０」とすることが望ましいが、αの値が最小加工寸法程度であっても、その補正効果を有する。
【００９６】
図１８の（Ａ）に示す例は、「第１Ｄ−１の構成」に関する。そして、この例にあっては、隣接パターン５０は、孤立パターン３０を構成する第１の辺３４における延在部分３２と平行に延びる直線状の形状を有する。そして、図１８の（Ｂ）に示す例にあっては、隣接パターン５０の終端部５１から延びる延長部分５３が設けられている。また、図１９の（Ａ）に示す例は、「第１Ｄ−２の構成」に関する。そして、この例にあっては、隣接パターン６０は、第１の辺６４及び第２の辺６５から構成された「Ｌ」字形状を有している。そして、隣接パターン６０を構成し、終端部６１を有する第１の辺６４は、孤立パターン３０を構成する第１の辺３４における延在部分３２と平行に直線状に延びている。一方、隣接パターン６０を構成する第２の辺６５は、孤立パターン３０を構成する第２の辺３５が延びる方向と平行な方向であって孤立パターン３０を構成する第１の辺３４から離れる方向に、隣接パターン６０を構成する第１の辺６４における終端部６１から延びている。そして、図１９の（Ｂ）に示す例にあっては、隣接パターン６０の終端部６１から延びる延長部分６３が設けられている。
【００９７】
図２０の（Ａ）及び図２２の（Ａ）に示す例は、「第２Ａの構成」に関する。そして、図２０の（Ａ）に示す例にあっては、孤立パターン１０は、孤立部分１１、並びに、孤立部分１１の両端から延在する第１延在部分１２Ａ及び第２延在部分１２Ｂを備え、孤立パターン１０の孤立部分１１、第１延在部分１２Ａ及び第２延在部分１２Ｂは直線状である。一方、隣接パターンは、第１隣接パターン８０Ａ及び第２隣接パターン８０Ｂから成る。そして、直線状の第１隣接パターン８０Ａは、孤立パターン１０の第１延在部分１２Ａに対して隣接して直角の方向に延び、第１終端部８１Ａ、及び、第１終端部８１Ａから延在する第１終端縁部分８２Ａを有する。一方、直線状の第２隣接パターン８０Ｂは、孤立パターン１０の第２延在部分１２Ｂに対して隣接して直角の方向に延び、第２終端部８１Ｂ、及び、第２終端部８１Ｂから延在し、第１終端縁部分８２Ａと対向する第２終端縁部分８２Ｂを有する。
【００９８】
また、図２２の（Ａ）に示す例にあっては、直線状の孤立パターン２０は、両端が終端部２３Ａ，２３Ｂで終わっている孤立部分２１から成る。一方、隣接パターンは、第１隣接パターン８０Ａ及び第２隣接パターン８０Ｂから成る。そして、直線状の第１隣接パターン８０Ａは、孤立パターン１０に対して隣接して直角の方向に延び、第１終端部８１Ａ、及び、第１終端部８１Ａから延在する第１終端縁部分８２Ａを有する。一方、直線状の第２隣接パターン８０Ｂは、孤立パターン１０に対して隣接して直角の方向に延び、第２終端部８１Ｂ、及び、第２終端部８１Ｂから延在し、第１終端縁部分８２Ａと対向する第２終端縁部分８２Ｂを有する。
【００９９】
そして、これらのいずれの場合にあっても、第１終端縁部分８２Ａと第２終端縁部分８２Ｂとの間の距離をΔＬ12、所定のスペース長をＣとし、第１隣接パターン８０Ａに設けられた延長部分８３Ａの長さをΔＬEX-1、第２隣接パターン８０Ｂに設けられた延長部分８３Ｂの長さをΔＬEX-2としたとき、
ΔＬ12＝ΔＬEX-1＋ΔＬEX-2＋Ｃ    （１）
を満足する。尚、ΔＬEX-1とΔＬEX-2の値は、上記の式（１）を満足する限りにおいて、本質的に任意の値とすることができる。
【０１００】
ここで、図２０の（Ｂ）及び図２２の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン８０Ａの第１終端縁部分８２Ａから延びる延長部分８３Ａが設けられており、第２隣接パターン８０Ｂの第２終端縁部分８２Ｂから延びる延長部分８３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝ΔＬEX-2である。一方、図２１の（Ａ）及び図２３の（Ａ）に示す例にあっては、第１隣接パターン８０Ａの第１終端縁部分８２Ａから延びる延長部分８３Ａが設けられており、第２隣接パターン８０Ｂの第２終端縁部分８２Ｂから延びる延長部分８３Ｂは設けられておらず、ΔＬEX-2＝０である。更には、図２１の（Ｂ）及び図２３の（Ｂ）に示す例にあっては、第１隣接パターン８０Ａの第１終端縁部分８２Ａから延びる延長部分８３Ａが設けられておらず、第２隣接パターン８０Ｂの第２終端縁部分８２Ｂから延びる延長部分８３Ｂが設けられており、ΔＬEX-1＝０である。
【０１０１】
図２４の（Ａ）及び図２５の（Ａ）に示す例は、「第２Ｂの構成」に関する。そして、図２４の（Ａ）に示す例にあっては、孤立パターン３０は、第１の辺３４及び第２の辺３５から構成された「Ｌ」字形状を有する。そして、孤立パターン３０を構成し、直線状に延び、終端部３３を有する第１の辺３４は、一端が終端部３３である孤立部分３１、及び、孤立部分３１の他端から延在する延在部分３２から構成されている。一方、孤立パターン３０を構成する第２の辺３５は、第１の辺３４が延びる方向と直角方向に、孤立パターン３０を構成する第１の辺３４における終端部３３から延びている。また、直線状の隣接パターン８０は、孤立パターン３０を構成する第１の辺３４に対して隣接して直角の方向に延び、終端部８１、及び、終端部８１から延在する終端縁部分８２を有する。
【０１０２】
図２５の（Ａ）に示す例にあっては、孤立パターン３０は、第１の辺３４及び第２の辺３５から構成された「Ｌ」字形状を有する。そして、孤立パターン３０を構成し、直線状に延び、終端部３３を有する第１の辺３４は、両端が終端部３３及び端部３７で終わっている孤立部分３１から構成されている。一方、孤立パターン３０を構成する第２の辺３５は、第１の辺３４が延びる方向と直角方向に、孤立パターン３０を構成する第１の辺３４における終端部３３から延びている。また、直線状の隣接パターン８０は、孤立パターン３０を構成する第１の辺３４に対して隣接して直角の方向に延び、終端部８１、及び、終端部８１から延在する終端縁部分８２を有する。
【０１０３】
そして、これらのいずれの場合にあっても、孤立パターン３０を構成する第２の辺３５の縁部３６と隣接パターン８０における終端縁部分８２との間の距離をΔＬ、所定のスペース長をＣとしたとき、隣接パターン８０に設けられた延長部分８３の長さΔＬEXは、
ΔＬEX＝ΔＬ−Ｃ±α    （３）
である。ここで、αの値を「０」とすることが望ましいが、αの値が最小加工寸法程度であっても、その補正効果を有する。
【０１０４】
図２〜図２５に示した隣接パターンの終端部の近傍には、屡々、図示しないコンタクトホールやビヤホールや設けられており、あるいは、設けられる。
【０１０５】
一般に、図２〜図２５に示した孤立パターンにあっては、係る孤立パターンに図示しないコンタクトホールやビヤホールや設けられており、あるいは、設けられる場合、孤立パターンに線幅減少が生じると、断線や接続不良といったオープンエラー等が生じてしまう。実施例１にあっては、特に、デフォーカス時、必要なコントラストが得られない場合であっても、オープンエラー等の発生を確実に防止することができる。
【実施例２】
【０１０６】
実施例２は、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る電子線描画方法、並びに、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る露光用マスク、及び、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る露光用マスクの作製方法に関する。
【０１０７】
即ち、実施例２における電子線描画方法に関しては、例えば半導体装置を製造するための複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づき基体上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行う。実施例２における基体はマスクブランクスである。そして、露光用マスク及びその作製方法に関しては、その後、電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングする。尚、設計パターンデータの補正は、実施例１にて説明した本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るマスクパターンの補正方法に基づき行う。
【０１０８】
あるいは又、実施例２における露光用マスクは、半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクであって、
光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを含むマスクパターンが形成されており、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分が設けられており、
あるいは又、
孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分が設けられている。
【０１０９】
実施例２においては、具体的には、図３０の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すように、基体として、露光光に対して透明なガラス基板１１０の表面に金属から成る遮光用薄層１１１を形成したマスクブランクスを用いたが、このような構成のマスクブランクスに限定するものではない。そして、遮光用薄層１１１の上に、例えばポジ型の電子線レジスト１１２を塗布し、実施例１と同様の方法にて作成された電子線描画用パターンデータに基づき、電子線レジスト１１２に対して電子線描画を行う。この状態を図３０の（Ｂ）に示すが、斜線を付した電子線レジスト１１２の部分は電子ビームにて描画された部分である。
【０１１０】
次いで、電子線レジスト１１２を現像した後（図３０の（Ｃ）参照）、パターニングされた電子線レジスト１１２をエッチング用マスクとして、マスクブランクス、より具体的には遮光用薄層１１１をエッチングする。こうして、図３０の（Ｄ）に示す構造を有する露光用マスク（マスタマスク）を作製することができる。
【実施例３】
【０１１１】
実施例３も本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る電子線描画方法に関し、より詳しくは、半導体基板等の基体上に形成された電子線レジストへ電子ビームを直接描画する電子線描画方法に関する。実施例３においては、図３１の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すように、基体は、半導体基板１２０の上方に形成されたアルミニウム系合金から成る金属層１２２から構成されているが、このような構造に限定するものではない。尚、参照番号１２１は半導体基板１２０上に形成された層間絶縁層である。そして、実施例３における電子線描画方法に関しては、例えば半導体装置を製造するための複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づき基体である金属層１２２上に形成された電子線レジスト１２３に対して電子線描画を行う。この状態を図３１の（Ｂ）に示すが、斜線を付した電子線レジスト１２３の部分は電子ビームにて描画された部分である。尚、設計パターンデータの補正は、実施例１にて説明した本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るマスクパターンの補正方法に基づき行う。
【０１１２】
次いで、電子線レジスト１２３を現像した後（図３１の（Ｃ）参照）、パターニングされた電子線レジスト１２３をエッチング用マスクとして、基体、より具体的には金属層１２２をエッチングする。こうして、図３１の（Ｄ）に示す構造を作製することができる。
【実施例４】
【０１１３】
実施例４は、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る露光方法、並びに、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置、及び、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法に関する。即ち、露光方法に関しては、例えば複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータを補正し、得られた補正後の設計パターンデータから作成された電子線描画用パターンデータに基づきマスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行う。その後、この電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスクを使用する。そして、この露光用マスクに露光光を照射し、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写する。半導体装置及びその製造方法に関しては、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写した後、このフォトレジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いて基体をエッチングする。尚、設計パターンデータの補正は、実施例１にて説明した本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るマスクパターンの補正方法に基づき行う。
【０１１４】
あるいは又、実施例４における半導体装置は、孤立部分を有するパターンである孤立パターン回路、及び、孤立パターンの孤立部分と平行に延び、終端部を有する隣接パターン回路が形成された半導体装置であって、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分が隣接パターン回路に設けられている。あるいは又、孤立部分を有するパターンである孤立パターン回路、及び、孤立パターンに対して隣接して直角の方向に延び、終端部、及び、終端部から延在する終端縁部分を有する直線状の隣接パターン回路が形成された半導体装置であって、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端縁部分から延びる延長部分が隣接パターン回路に設けられている。
【０１１５】
実施例４においては、具体的には、図３２の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すように、基体は、半導体基板１３０の上方に形成されたアルミニウム系合金から成る金属層１３２から構成されているが、これに限定するものではない。尚、参照番号１３１は半導体基板１３０上に形成された層間絶縁層である。そして、金属層１３２の上に、例えばポジ型のフォトレジスト１３３を塗布する。尚、実施例１と同様の方法にて作成された電子線描画用パターンデータに基づき、マスクブランクス上に形成された電子線レジストに対して電子線描画を行った後、電子線レジストを現像して得られたエッチング用マスクを用いてマスクブランクスをエッチングすることで作製された露光用マスク１３４を使用する。そして、露光用マスク１３４に露光光を照射し、露光用マスク１３４に形成されたマスクパターンを基体である金属層１３２上に形成されたフォトレジスト１３３に転写する。この状態を図３２の（Ｂ）に示すが、斜線を付したフォトレジスト１３３の部分がパターン転写部分である。
【０１１６】
次いで、フォトレジスト１３３を現像した後、パターニングされたフォトレジスト１３３をエッチング用マスクとして、基体、より具体的には金属層１３２をエッチングする。こうして、図３２の（Ｃ）に示す構造を有する半導体装置を製造することができる。
【０１１７】
図２〜図２５に例示した隣接パターンの終端部の近傍には、屡々、図示しないコンタクトホールやビヤホールが設けられており、あるいは、設けられる。従って、このような隣接パターンの終端部をフォトレジストに転写し、係るフォトレジストをエッチング用マスクとして基体をエッチングすることで得られた隣接パターン回路にあっては、マスクパターンにおける隣接パターンに延長部分が設けられていない場合（即ち、従来の技術にあっては）、図３４に模式的に示すように、コンタクトホールやビヤホールの縁部と隣接パターン回路の終端部との間の距離ＬＬ2と、所定の幅Ｗ0との関係は、例えば、以下の表２のとおりである。尚、図３３〜図３６にあっては、孤立パターン回路及び隣接パターン回路に斜線を付した。また、便宜上、コンタクトホールやビヤホールを、模式的に四角印で表現し、隣接パターン回路の終端部を矩形で表現したが、実際のコンタクトホールやビヤホール、隣接パターン回路の終端部は円あるいは円弧の外形形状を有している。
【０１１８】
そして、実施例４にあっては、例えば、図２の（Ｂ）に示したように、マスクパターンにおける隣接パターン５０Ａ，５０Ｂに延長部分５３Ａ，５３Ｂが設けられているので、図３３に模式的に示すように、コンタクトホールやビヤホールの縁部と隣接パターン回路の終端部との間の距離ＬＬ1と、所定の幅Ｗ0との関係は、例えば、以下の表２のとおりとなる。言い換えれば、所定の幅Ｗ0に対して、
ＬＬ1＝Ｋ・Ｗ0
としたとき、Ｋの値は、１以上、好ましくは２以上を満足することが望ましく、このような条件を満足すれば、マスクパターンにおける隣接パターンに延長部分が設けられていると云える。あるいは又、言い換えれば、コンタクトホールやビヤホールの縁部と隣接パターン回路の終端部との間の距離ＬＬ0と、デザインルールとの関係が、表３に示す関係を満足すれば、マスクパターンにおける隣接パターンに延長部分が設けられていると云える。
【０１１９】
2010117729.tif 000004
【０１２０】
2010117729.tif 000005
【０１２１】
ここで、図３の（Ａ）に示した隣接パターン５０Ａ、図３の（Ｂ）に示した隣接パターン５０Ｂ図４の（Ｂ）に示した隣接パターン５０Ａ、図６の（Ａ）に示した隣接パターン５０Ａ、図６の（Ｂ）に示した隣接パターン５０Ｂ、図８の（Ａ）に示した隣接パターン５０Ａ、図１１の（Ａ）に示した隣接パターン５０Ａに基づき得られた半導体装置における隣接パターン回路にあっては、コンタクトホールやビヤホールの縁部と隣接パターン回路の終端部との間の距離ＬＬがＬＬ0以上、あるいは、ＬＬ1以上を満足していれば、マスクパターンにおける隣接パターンに延長部分が設けられていると云える。一方、図５の（Ｂ）に示した隣接パターン５０Ａ，５０Ｂ、図７の（Ｂ）に示した隣接パターン５０Ａ、図１０の（Ｂ）に示した隣接パターン５０Ａ、に基づき得られた半導体装置における隣接パターン回路にあっては、コンタクトホールやビヤホールの縁部と隣接パターン回路の終端部との間の距離ＬＬがＬＬ0以上、あるいは、ＬＬ1以上を満足していれば、マスクパターンにおける隣接パターンに延長部分が設けられていると云える。
【０１２２】
また、実施例４にあっては、例えば、図１６の（Ｂ）に示したように、マスクパターンにおける隣接パターン５０に延長部分５３が設けられているので、図３５に模式的に示すように、コンタクトホールやビヤホールの縁部と隣接パターン回路の終端部との間の距離ＬＬ1と、所定の幅Ｗ0との関係は、例えば、表２と同様となる。言い換えれば、所定の幅Ｗ0に対して、ＬＬ1＝Ｋ・Ｗ0としたとき、Ｋの値は上述の値を満足することが望ましく、このような条件を満足すれば、マスクパターンにおける隣接パターンに延長部分が設けられていると云える。あるいは又、言い換えれば、コンタクトホールやビヤホールの縁部と隣接パターン回路の終端部との間の距離ＬＬ0と、デザインルールとの関係が、表３に示した関係を満足すれば、マスクパターンにおける隣接パターンに延長部分が設けられていると云える。図１８の（Ｂ）に示した場合も同様である。
【０１２３】
更には、例えば、図２０の（Ｂ）に示したように、マスクパターンにおける隣接パターン８０Ａ，８０Ｂに延長部分８３Ａ，８３Ｂが設けられている場合、そもそも、このような延長部分８３Ａ，８３Ｂに相当する部分は、従来の半導体装置における隣接パターン回路に存在しないものであるが故に、本発明の第２の態様を実行していると云える。尚、このような本発明の半導体装置における孤立パターン回路及び隣接パターン回路を模式的に図３６に示す。
【０１２４】
ここで、図７の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ｂ、図８の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ｂ、図９の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ｂ、図１０の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ｂ、図１１の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ｂ、図１２の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ａ，６０Ｂ、図１３の（Ａ）に示した隣接パターン６０Ａ、図１３の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ｂ、図１４の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ａ，６０Ｂ、図１５の（Ａ）に示した隣接パターン６０Ａ、図１５の（Ｂ）に示した隣接パターン６０Ｂ、図１７の（Ｂ）に示した隣接パターン６０、図１９の（Ｂ）に示した隣接パターン６０に基づき得られた半導体装置における隣接パターン回路にあっては、そもそも、このような延長部分６３，６３Ａ，６３Ｂに相当する部分は、従来の半導体装置における隣接パターン回路に存在しないものであるが故に、本発明の第１の態様を実行していると云える。更には、図２１の（Ａ）に示した隣接パターン８０Ａ、図２１の（Ｂ）に示した隣接パターン８０Ｂ、図２２の（Ｂ）に示した隣接パターン８０Ａ，８０Ｂ、図２３の（Ａ）に示した隣接パターン８０Ａ、図２３の（Ｂ）に示した隣接パターン８０Ｂ、図２４の（Ｂ）に示した隣接パターン８０、図２５の（Ｂ）に示した隣接パターン８０に基づき得られた半導体装置における隣接パターン回路にあっては、そもそも、このような延長部分８３，８３Ａ，８３Ｂに相当する部分は、従来の半導体装置における隣接パターン回路に存在しないものであるが故に、本発明の第２の態様を実行していると云える。
【０１２５】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて使用した材料や各種条件は例示であり、適宜変更することができる。また、実施例１にて説明した本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係るマスクパターンの補正方法の各工程も変更することが可能である。場合によっては、設計パターンデータを補正しながら、係る補正された設計パターンデータから直ちに電子線描画用パターンデータを作成し、この電子線描画用パターンデータに基づき電子線描画を行ってもよい。
【符号の説明】
【０１２６】
１０，２０，３０・・・孤立パターン、１１，２１，３１・・・孤立部分、１２，１２Ａ，１２Ｂ，３２・・・延在部分、１２Ａ・・・第１延在部分、１２Ｂ・・・第２延在部分、１３，２３Ａ，２３Ｂ・・・終端部、３６・・・縁部、３７・・・端部、５０，５０Ａ，５０Ｂ，６０，６０Ａ，６０Ｂ，８０，８０Ａ，８０Ｂ・・・隣接パターン、５０Ａ，６０Ａ，８０Ａ・・・第１隣接パターン、５０Ｂ，６０Ｂ，８０Ｂ・・・第２隣接パターン、３３，５１，５１Ａ，５１Ｂ，６１，６１Ａ，６１Ｂ，８１，８１Ａ，８１Ｂ・・・終端部、５１Ａ，６１Ａ，８１Ａ・・・第１終端部、５１Ｂ，６１Ｂ，８１Ｂ・・・第２終端部、３３，５３，５３Ａ，５３Ｂ，６３，６３Ａ，６３Ｂ，８３，８３Ａ，８３Ｂ・・・延長部分、５４・・・隣接パターン、５６Ａ，５６Ｂ・・・連結部、３４，６４，６４Ａ，６４Ｂ・・・第１の辺、３５，６５，６５Ａ，６５Ｂ・・・第２の辺、８２，８２Ａ，８２Ｂ・・・終端縁部分、８２Ａ・・・第１終端縁部分、８２Ｂ・・・第２終端縁部分、１１０・・・ガラス基板、１１１・・・遮光用薄層、１１２・・・電子線レジスト、１２０，１３０・・・半導体基板、１２１，１３１・・・層間絶縁層、１２２，１３２・・・金属層、１２３・・・電子線レジスト、１３３・・・フォトレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2010117729.tif 000019
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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