(57)【要約】【課題】本発明は、偏光素子が形成された液晶表示装置の光透過率をさらに向上させるために、偏光素子および画素電極層での光の損失を低減することを可能にする。【解決手段】一対の基板（ＴＦＴ基板１２、ＣＦ基板１４）の間に液晶層１３を備え、前記一対の基板の一方の基板（例えばＴＦＴ基板１２）は、絶縁膜を間にして形成されたゲート配線層２０およびデータ配線層３０と、前記データ配線層３０と同一層にある画素電極層（画素電極パターンＰＸ）と、前記画素電極層と同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で複数の金属線４１を平行に配置した偏光素子４０と、前記複数の金属線４１の隣接する金属線４１（４１Ａ、４１Ｂ）同士を前記金属線４１の配設方向と交差する方向に電気的に接続するブリッジ４２を有する。【選択図】図１
2010117474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の間に液晶層を備え、
前記一対の基板の一方の基板は、
絶縁膜を間にして形成されたゲート配線層およびデータ配線層と、
前記データ配線層と同一層にある画素電極層と、
前記画素電極層と同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で複数の金属線を平行に配置した偏光素子と、
前記複数の金属線の隣接する金属線同士を前記金属線の配設方向と交差する方向に電気的に接続するブリッジを有する
液晶表示装置。
【請求項２】
誘電体膜を介して前記ゲート配線層と同一層の第１電極と前記データ配線層と同一層の第２電極で形成された容量部を有し、
前記第２電極は前記偏光素子と前記ブリッジで形成された前記画素電極層が兼ねている
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記ゲート配線層の配線、前記データ配線層の配線および前記画素電極層が形成されていない領域に対向する前記ゲート配線層に別の偏光素子を有する
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記別の偏光素子は、
入射光の波長の半分以下の周期で平行に配置した金属線からなり、
前記金属線は、前記金属線の配設方向と交差する方向に切れ目を有する
請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
一対の基板の間に液晶層を備え、
前記一対の基板の一方の基板は、
絶縁膜を間にして形成されたゲート配線層およびデータ配線層と、
前記データ配線層と同一層にある画素電極層と、
前記画素電極層と同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で複数の第１金属線を平行に配置した第１偏光素子と、
前記複数の第１金属線の隣接する第１金属線同士を前記第１金属線の配設方向と交差する方向に電気的に接続する第１ブリッジと、
誘電体膜を介して前記ゲート配線層と同一層の第１電極と前記データ配線層と同一層の第２電極で形成された容量部と、
前記第１電極と同層で形成されていて、入射光の波長の半分以下の周期で複数の第２金属線を平行に配置した第２偏光素子と、
前記複数の第２金属線の隣接する第２金属線同士を前記第２金属線の配設方向と交差する方向に電気的に接続する第２ブリッジを有し、
前記第２電極は前記画素電極層が兼ねている
液晶表示装置。
【請求項６】
前記ゲート配線層の配線、前記データ配線層の配線および前記画素電極層が形成されていない領域に対向する前記ゲート配線層に第３偏光素子を有する
請求項５記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第３偏光素子は、
入射光の波長の半分以下の周期で平行に配置した金属線からなり、
前記金属線は、前記金属線の配設方向と交差する方向に切れ目を有する
請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項８】
絶縁膜を間にして形成されたゲート配線層およびデータ配線層と、
前記データ配線層と同一層にある画素電極層と、
前記画素電極層と同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で複数の金属線を平行に配置した偏光素子と、
前記複数の金属線の隣接する金属線同士を前記金属線の配設方向と交差する方向に電気的に接続するブリッジを有する
基板。
【請求項９】
絶縁膜を間にして形成されたゲート配線層およびデータ配線層と、
前記データ配線層と同一層にある画素電極層と、
前記画素電極層と同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で複数の第１金属線を平行に配置した第１偏光素子と、
前記複数の第１金属線の隣接する第１金属線同士を前記第１金属線の配設方向と交差する方向に電気的に接続する第１ブリッジと、
誘電体膜を介して前記ゲート配線層と同一層の第１電極と前記データ配線層と同一層の第２電極で形成された容量部と、
前記第１電極と同層で形成されていて、入射光の波長の半分以下の周期で複数の第２金属線を平行に配置した第２偏光素子と、
前記複数の第２金属線の隣接する第２金属線同士を前記第２金属線の配設方向と交差する方向に電気的に接続する第２ブリッジを有し、
前記第２電極は前記画素電極層で兼ねられている
基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の構成部品である液晶パネルは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板（背面基板）とＣＦ（カラーフィルタ）基板とを張り合わせ、両者の間に液晶層を設けたものである。
従来の液晶表示装置または投射型の表示装置では、液晶パネルのほかに、偏光板を別に設ける必要がある。偏光板は、多層で構成され、入射光を偏光させる高分子偏光物質の両側に、ＴＡＣ（tri-acetyl-cellulose）よりなる支持体を有し、接着層によりＣＦ基板またはＴＦＴ基板に貼り合わせられて用いられている。
偏光板の張り合わせ工程は、異物の混入などにより、あまり歩留まりが良くない。通常は、剥離、再生して、再張り付けを行ったりしている。しかし、偏光板自体のコストばかりでなく、その再生コストも少なくなく、昨今の液晶パネルの低価格競争化を鑑みると、その影響は大きくなっている。
【０００３】
一方、バックライトから放射される光の利用効率は、現在大変低い値になっており、改善が求められている。利用効率低下の要因としては、バックライトのランダムな偏光を直線偏光にそろえるために偏光板が必要であるが、これにより光がおよそ半分以下に低下していることがあげられる。
【０００４】
例えば、特許文献１にはその対策が示されており、ＤＢＥＦという商品名で実際に使用されている。このＤＢＥＦでは、一方向の光の反射率はおよそ９０％程度、直交する偏光方向の光はおよそ８５％程度の透過率を有している。それでも反射率、透過率共に完全ではないので、液晶パネルとＤＢＥＦとの間には完全な直線偏光を得るための偏光板が必要であった。そのため、ＤＢＥＦで偏光方向をそろえられた入射光も、その偏光板を通過することで２０％〜２５％程度は吸収されると考えられ、照明光の利用効率低下を引き起こしていた。
【０００５】
これに対して、ワイヤーグリッド偏光子とよばれる偏光素子が知られている。ワイヤーグリッド偏光子は、金属線に平行に振動する電界ベクトルを持つような偏光を反射し、金属線に直交に振動する電界ベクトルを持つ偏光を透過することにより、直線偏光を得るものであり、偏光効率に優れ、透過率が高く、視野角が広い平板偏光子である。
【０００６】
ワイヤーグリッド偏光子の金属線の材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）が用いられ、各金属線の高さは例えば１４０ｎｍ程度である。また、各金属線の幅は格子周期（格子周期は入射光の波長の半分以下でなければならない。）の半分であると仮定する場合、格子周期が短くなるほど偏光効率が向上する。例えば、青（４５０ｎｍ）、緑（５５０ｎｍ）、赤（６５０ｎｍ）の波長で偏光消滅率が１００００以上になるためには格子周期が１２０ｎｍ以下でなければならない。ここで、金属線の幅は例えば６０ｎｍである。
【０００７】
ワイヤーグリッド偏光子の製造方法としては、液晶パネルとは別部材として作製し、転写または貼り付ける方法（例えば、特許文献２参照。）、または、ナノインプリントリソグラフィおよびドライエッチングを用いる方法（例えば、特許文献３参照。）などがとられている。
【０００８】
このようなワイヤーグリッド偏光子は、ＴＦＴ基板側に配置されて反射型偏光板として利用されており（例えば、特許文献４参照。）、反射された偏光成分を有効に再活用することによりバックライトの光の利用効率向上が図られている。
【０００９】
また、光透過性を有する透明電極からなる画素電極層であっても、数％程度ではあるが、光の透過損失は生じている。
【００１０】
【特許文献１】特表平９−５０６９８４号公報
【特許文献２】特開２００６−２０１５４０号公報
【特許文献３】特開２００６−１０６７５８号公報
【特許文献４】特開２００３−００５１７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
解決しようとする問題点は、偏光素子が形成された液晶表示装置において、光透過性を有する透明電極からなる画素電極層であっても、光の損失は生じているという点である。
【００１２】
本発明は、偏光素子が形成された液晶表示装置において、光透過性を有する透明電極からなる画素電極層であっても、光の損失は生じていることに着目し、光透過率をさらに向上させるために、偏光素子および画素電極層での光の損失を低減することを可能にする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の液晶表示装置（第１液晶表示装置）は、一対の基板の間に液晶層を備え、前記一対の基板の一方の基板は、絶縁膜を間にして形成されたゲート配線層およびデータ配線層と、前記データ配線層と同一層にある画素電極層と、前記画素電極層と同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で複数の金属線を平行に配置した偏光素子と、前記複数の金属線の隣接する金属線同士を前記金属線の配設方向と交差する方向に電気的に接続するブリッジを有する。
【００１４】
上記第１液晶表示装置では、偏光素子の複数の金属線の隣接する金属線同士が金属線の配設方向と交差する方向にブリッジで電気的に接続されていることから、複数の金属線は互いに電気的に接続されている。このため、偏光素子を画素電極層として用いることが可能になる。すなわち、画素電極層と偏光素子とが共通化されるので、偏光素子と画素電極層を別途に作製する必要がなくなり、従来の透明電極で形成していた画素電極層は形成する必要がなくなる。
【００１５】
本発明の液晶表示装置（第２液晶表示装置）は、一対の基板の間に液晶層を備え、前記一対の基板の一方の基板は、絶縁膜を間にして形成されたゲート配線層およびデータ配線層と、前記データ配線層と同一層にある画素電極層と、前記画素電極層と同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で複数の第１金属線を平行に配置した第１偏光素子と、前記複数の第１金属線の隣接する第１金属線同士を前記第１金属線の配設方向と交差する方向に接続する第１ブリッジと、誘電体膜を介して前記ゲート配線層と同一層の第１電極と前記データ配線層と同一層の第２電極で形成された容量部と、前記第１電極と同層で形成されていて、入射光の波長の半分以下の周期で複数の第２金属線を平行に配置した第２偏光素子と、前記複数の第２金属線の隣接する第２金属線同士を前記第２金属線の配設方向と交差する方向に接続する第２ブリッジを有し、前記第２電極は前記画素電極層が兼ねている。
【００１６】
上記第２液晶表示装置では、第１偏光素子の複数の第１金属線の隣接する第１金属線同士が第１金属線の配設方向と交差する方向に第１ブリッジで電気的に接続されていることから、複数の第１金属線は互いに電気的に接続されている。このため、第１偏光素子を画素電極層として用いることが可能になる。すなわち、画素電極層と第１偏光素子とが共通化されるので、第１偏光素子と画素電極層を別途に作製する必要がなくなり、従来の透明電極で形成していた画素電極層は形成する必要がなくなる。
また、第２偏光素子の複数の第２金属線の隣接する第２金属線同士が第２金属線の配設方向と交差する方向に第２ブリッジで電気的に接続されていることから、複数の第２金属線は互いに電気的に接続されている。このため、第２偏光素子を第１電極として用いることが可能になる。すなわち、第１電極は光透過性を有する第２偏光素子で形成される。
さらに、第２電極は第１偏光素子で形成される画素電極層が兼ねていりことから、容量部が形成される領域は、光透過性を有するようになる。
【００１７】
本発明の基板（第１基板）は、絶縁膜を間にして形成されたゲート配線層およびデータ配線層と、前記データ配線層と同一層にある画素電極層と、前記画素電極層と同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で複数の金属線を平行に配置した偏光素子と、前記複数の金属線の隣接する金属線同士を前記金属線の配設方向と交差する方向に接続するブリッジを有する。
【００１８】
本発明の第１基板では、偏光素子の複数の金属線の隣接する金属線同士が金属線の配設方向と交差する方向にブリッジで電気的に接続されていることから、複数の金属線は互いに電気的に接続されている。このため、偏光素子を画素電極層として用いることが可能になる。すなわち、画素電極層と偏光素子とが共通化されるので、偏光素子と画素電極層を別途に作製する必要がなくなり、従来の透明電極で形成していた画素電極層は形成する必要がなくなる。
【００１９】
本発明の基板（第２基板）は、絶縁膜を間にして形成されていて、複数の配線をそれぞれ有するゲート配線層およびデータ配線層と、前記ゲート配線層および前記データ配線層と同一層にある画素電極層とを有し、前記データ配線層と同一層にある画素電極層は、入射光の波長の半分以下の周期で金属線を平行に配置した偏光素子と、前記金属線の配設方向と交差する方向に隣接する前記金属線同士を接続するブリッジを有する。
【００２０】
本発明の第２基板では、第１偏光素子の複数の第１金属線の隣接する第１金属線同士が第１金属線の配設方向と交差する方向に第１ブリッジで電気的に接続されていることから、複数の第１金属線は互いに電気的に接続されている。このため、第１偏光素子を画素電極層として用いることが可能になる。すなわち、画素電極層と第１偏光素子とが共通化されるので、第１偏光素子と画素電極層を別途に作製する必要がなくなり、従来の透明電極で形成していた画素電極層は形成する必要がなくなる。
また、第２偏光素子の複数の第２金属線の隣接する第２金属線同士が第２金属線の配設方向と交差する方向に第２ブリッジで電気的に接続されていることから、複数の第２金属線は互いに電気的に接続されている。このため、第２偏光素子を第１電極として用いることが可能になる。すなわち、第１電極は光透過性を有する第２偏光素子で形成される。
さらに、第２電極は第１偏光素子で形成される画素電極層が兼ねていりことから、容量部が形成される領域は、光透過性を有するようになる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の液晶表示装置は、従来の透明電極で形成していた画素電極層を形成する必要がなくなるので、少なくともその画素電極層の分だけ、光透過率を向上させることができるという利点がある。
また第２液晶表示装置では、さらに、容量部の光透過性を向上させることができるという利点がある。
【００２２】
本発明の基板は、従来の透明電極で形成していた画素電極層を形成する必要がなくなるので、少なくともその画素電極層の分だけ、光透過率を向上させることができるという利点がある。
また第２基板では、さらに、容量部の光透過性を向上させることができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
【００２４】
＜１．第１の実施の形態＞
【００２５】
［液晶表示装置の基本構成の説明］
まず、本発明に係る液晶表示装置の全体構成の一例を、図２の概略構成図によって説明する。
【００２６】
図２に示すように、液晶表示装置１（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）は、液晶テレビ、コンピュータのディスプレイ等に用いられるものであり、例えば、バックライト１１、ＴＦＴ基板１２、液晶層１３、ＣＦ基板１４および偏光板１５を順に配置したものである。
【００２７】
上記バックライト１１は、液晶表示装置１に光を照射する光源であり、例えば、ＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp ：冷陰極傾向ランプ）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）、もしくは有機発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）などを含んで構成されている。
【００２８】
上記ＴＦＴ基板１２は、ガラス基板に、後述するゲート配線層、データ配線層、画素電極層（いずれも図２には図示せず）等が形成されたものである。また、このＴＦＴ基板１２には、後述する偏光素子（図２には図示せず）が形成されている。
【００２９】
上記ＣＦ基板１４は、ガラス基板に、共通電極、カラーフィルタおよびブラックマトリクス（いずれも図示せず）等が形成されたものである。
【００３０】
上記偏光板１５は、例えば、入射光を偏光させる高分子偏光物質（図示せず）の両側に、ＴＡＣよりなる支持体（図示せず）を有しており、接着層（図示せず）によりＣＦ基板１４に貼り合わせられている。この偏光板１５と、上記ＴＦＴ基板１２側の偏光素子（図示せず）とは、その光学軸が互いに直交するように配置されている。
なお、図２には、白表示時におけるバックライト１１からの光Ｌ１および外光（例えば太陽光）Ｌ２の進行方向、および各構成要素における光Ｌ１，外光Ｌ２の偏光方向を矢印によって併せて示している。
【００３１】
［液晶表示装置の画素の等価回路の説明］
次に、上記ＴＦＴ基板１２の一つの画素Ｐ１の等価回路を図３によって説明する。中間調における視野角特性を高めるため、一つの画素Ｐ１を二つのサブ画素に分けたマルチ画素とよばれる構成を有している場合があるが、ここでは簡単にサブ画素に分けてないタイプを示している。例えば、薄膜トランジスタＴＦＴ１と、一つのサブ画素を構成する液晶素子Ｃｌｃ１と容量素子Ｃｓｔ１とを有している。
【００３２】
上記薄膜トランジスタＴＦＴ１は、画素Ａ映像信号を供給するためのスイッチング素子としての機能を有するものである。例えばＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor-Field Effect Transistor）により構成され、３つの電極、ゲート、ソースおよびドレインを有している。薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲートは、左右方向に延在するゲートバスラインＧＬ１に接続されている。このゲートバスラインＧＬ１には、図面の上下方向に延在するソースバスラインＳＬが直交している。薄膜トランジスタＴＦＴ１のソースはソースバスラインＳＬに接続され、ドレインは液晶素子Ｃｌｃ１の一端および容量素子Ｃｓｔ１の一端に接続されている。
【００３３】
上記液晶素子Ｃｌｃ１は、薄膜トランジスタＴＦＴ１を介して供給される信号電圧に応じて表示のための動作を行う表示素子としての機能を有するものである。液晶素子Ｃｌｃ１の他端は液晶を挟んで対向する基板表面に形成されたコモン電極（図示せず）となる。
【００３４】
上記容量素子Ｃｓｔ１は、両端間に電位差を発生させるものであり、具体的には電極間に電荷を蓄積させる誘電体を挟んで構成されている。容量素子Ｃｓｔ１の他端は、ゲートバスラインＧＬ１に平行（すなわち、図面左右方向。）に延在する容量素子バスラインＣＬに接続されている。
【００３５】
［液晶表示装置の要部および基板の構成の第１例］
次に、本発明の第１実施の形態に係る液晶表示装置（第１液晶表示装置）の要部、すなわち、本発明の基板（ＴＦＴ基板）の一例を、図１の平面レイアウト図によって説明する。
図１（Ａ）は画素の平面レイアウト図であり、図１（Ｂ）はゲート配線層の平面レイアウト図であり、図１（Ｃ）はデータ配線層の平面レイアウト図である。そして図１（Ａ）は、図１（Ｂ）に示したゲート配線層と、図１（Ｃ）に示したデータ配線層とを平面的に重ね合わせた状態を表している。
また、領域Ａ１はデータ配線層の画素電極層の一部を拡大したものである。
【００３６】
本発明の液晶表示装置１（第１液晶表示装置１Ａ）は、前記図２および図３によって説明した液晶表示装置１を基本構成としたものであり、ＴＦＴ基板１２に図１に示した第１基板２を用いたものである。
【００３７】
図１に示すように、ゲート配線層２０は、ゲートバスラインＧＬ１および容量素子バスラインＣＬを有している。これらゲートバスラインＧＬ１および容量素子バスラインＣＬの各ライン間は独立しており電気的に接続されていない。
また、データ配線層３０は、ソースバスラインＳＬ、およびこのソースバスラインＳＬと同一層で形成された画素電極層の画素電極パターンＰＸを有している。ソースバスラインＳＬおよび画素電極パターンＰＸの間は独立しており電気的に接続されていない。
また、上記ゲート配線層２０および上記データ配線層３０は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）よりなる絶縁膜（図示せず）を間にして積層されている。
【００３８】
画素電極パターンＰＸは、偏光素子４０で形成されている。すなわち、この偏光素子４０は画素電極パターンＰＸと同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で平行に配置した複数の金属線４１からなる。また、上記複数の金属線４１の隣接する金属線４１、例えば金属線４１Ａ、４１Ｂ同士を上記金属線４１の配設方向と交差する方向に電気的に接続するブリッジ４２を有する。
このように、複数の金属線４１は隣接する金属線４１同士がブリッジ４２によって電気的に接続されていることから、全ての金属線４１が電気的に接続されることになる。したがって、マクロ的にみれば金属線４１は面状の領域に電界を形成することが可能となり、画素電極パターンとして機能することができる。
【００３９】
上記金属線４１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）により形成され、各金属線４１の厚さは例えば１４０ｎｍ程度である。また、各金属線４１の幅は格子周期（格子周期は入射光の波長の半分以下でなければならない）の半分であると仮定する場合、格子周期が短くなるほど偏光効率が向上する。例えば、青（４５０ｎｍ）、緑（５５０ｎｍ）、赤（６５０ｎｍ）の波長で偏光消滅率が１００００以上になるためには格子周期が１２０ｎｍ以下でなければならない。ここで、金属線４１の幅は例えば６０ｎｍである。
【００４０】
上記ブリッジ４２は、金属線４１の配設方向と交差（例えば、直交）する方向に設けられている。また、ブリッジ４２は、隣接する金属線４１のブリッジ４２と同一線上を回避して設けられていることが好ましい。ブリッジ４２をランダムな位置に設けることにより、光の透過むらを抑え、また、偏光機能を損なわないようにすることができる。ブリッジ４２の数は、多すぎると輝度むらの原因となり、少なすぎるとソースバスラインＳＬの配線抵抗を十分に小さくすることができないので、適切な密度で設けられていることが望ましい。ブリッジの寸法（幅）についても、輝度への影響と電気的短絡の抑制とを考慮して上記例のように適切に設定することが望ましい。
【００４１】
例えば、上記ブリッジ４２のサイズについて一例を、図４によって説明する。
【００４２】
図４に示すように、ブリッジ４２の幅をｄ３、偏光素子４０の金属線４１の幅をｄ１とすると、ｄ３は、以下の関係式に表される範囲になっていることが望ましい。
【００４３】
０．３ｄ１≦ｄ３≦１．５ｄ１
【００４４】
通常、ｄ１＝６０ｎｍ程度である。
【００４５】
次に、ブリッジ４２の間隔をｄ４について説明する。
例えば、抵抗の観点から試算する。
偏光素子４０の金属のシート抵抗をＲ１とし、ＴＶ用液晶パネルで使用されるインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）のシート抵抗をＲ２とする。そして偏光素子４０を面に擬似化したときのシート抵抗がＩＴＯのシート抵抗と同等が望ましいと仮定し、オームの法則を用いると、下記の式となる。
【００４６】
ｄ４＝ｄ１×ｄ３／（ｄ１＋ｄ２）×Ｒ２／Ｒ１−ｄ３
【００４７】
実際には、偏光素子４０にアルミニウム（Ａｌ）を用いた場合には、Ｒ１＝０．２５Ω／□であり、ＩＴＯのシート抵抗は、Ｒ２＝３０Ω／□程度となる。
ここで、ｄ１≒ｄ２≒ｄ３とすると、およそｄ１＝６０ｎｍ、ｄ４＝３．５μｍとなる。抵抗は小さいほうが良いので、材料にＡｌを使用したときは３．５μｍ以下が望ましいことになる。
【００４８】
一方、透過率の観点から試算する。
透過率は高いので、ブリッジ４２がないときの開口率を１００％として、ブリッジ４２によりＴ％の損失を許容すると仮定すると、下記の式となる。
【００４９】
ｄ４＝１００％×ｄ３／Ｔ−ｄ３
【００５０】
ここで、Ｔ＝５％を代入すると、ｄ４＝１１４０（ｎｍ）となる。透過率の損失は小さいほうがよいので、約１．１μｍ以上が望ましいことになる。
【００５１】
したがって、偏光素子４０の金属線４１およびブリッジ４２にシート抵抗が０．２５Ω／□のアルミニウム材料を使用した場合、グリッド幅（金属線４１の幅）、グリッド間隔（金属線４１の間隔）、ブリッジ幅を６０ｎｍにしたとき、ブリッジ４２の間隔は１．１μｍから３．５μｍ程度の範囲になるようにするとよい。
【００５２】
次に、上記偏光素子４０およびブリッジ４２を、図５〜図７に示した断面図によって説明する。
【００５３】
図５に示すように、例えばガラス基板１２１上に容量素子バスラインＣＬ、ゲートバスライン（図示せず）等を有するゲート配線層２０が形成されている。
さらに上記ゲート配線層２０上には絶縁膜１２２を介して、偏光素子４０の金属線４１とブリッジ４２からなる画素電極パターンＰＸ、ソースバスラインＳＬおよび図示はしていないがＴＦＴの活性領域等を有するデータ配線層３０が形成されている。上記絶縁膜１２２は、例えば窒化シリコン膜で形成されている。上記ソースバスラインＳＬは、例えば上記絶縁膜１２２上にアモルファスシリコン層１２３を介して形成されている。なお、アモルファスシリコン層１２３は前記各平面レイアウト図には図示されていない。
また、図示はしていないが、上記ＴＦＴ上には保護膜が形成されている。
このように、ＴＦＴ基板１２（前記図３参照）に用いる第１基板２（第１基板２Ａ）は構成されている。
【００５４】
または、図６に示すように、例えばガラス基板１２１上に容量素子バスラインＣＬ、ゲートバスライン（図示せず）等を有するゲート配線層２０が形成されている。
さらに上記ゲート配線層２０上には絶縁膜１２２を介して、偏光素子４０の金属線４１とブリッジ４２からなる画素電極パターンＰＸ、ソースバスラインＳＬおよび図示はしていないがＴＦＴの活性領域等を有するデータ配線層３０が形成されている。上記絶縁膜１２２は、例えば窒化シリコン膜で形成されている。上記ソースバスラインＳＬは、例えば上記絶縁膜１２２上にアモルファスシリコン層１２３を介して形成されている。なお、アモルファスシリコン層１２３は前記各平面レイアウト図には図示されていない。
また、上記ソースバスラインＳＬ上および上記ＴＦＴ（図示せず）上には保護膜１２４が形成されている。
このように、ＴＦＴ基板１２（前記図３参照）に用いる第１基板２（第１基板２Ｂ）は構成されている。
【００５５】
または、図７に示すように、例えばガラス基板１２１上に容量素子バスラインＣＬ、ゲートバスライン（図示せず）等を有するゲート配線層２０が形成されている。
さらに上記ゲート配線層２０上には絶縁膜１２２を介して、偏光素子４０の金属線４１とブリッジ４２からなる画素電極パターンＰＸ、ソースバスラインＳＬおよび図示はしていないがＴＦＴの活性領域等を有するデータ配線層３０が形成されている。上記絶縁膜１２２は、例えば窒化シリコン膜で形成されている。上記ソースバスラインＳＬは、例えば上記絶縁膜１２２上にアモルファスシリコン層１２３を介して形成されている。なお、アモルファスシリコン層１２３は前記各平面レイアウト図には図示されていない。
また、上記データ配線層３０上を被覆する保護膜１２４が形成されている。
このように、ＴＦＴ基板１２（前記図３参照）に用いる第１基板２（第１基板２Ｃ）は構成されている。
【００５６】
なお、上記図５〜図７によって説明した上記アモルファスシリコン層１２３は、上記ソースバスラインＳＬと上記ゲートバスラインＧＬの交差部分、もしくは上記ソースバスラインＳＬと上記容量素子バスラインＣＬの交差部分には形成される構成と、形成されない構成がある。
なお、アモルファスシリコン層１２３は前記各平面レイアウト図には図示されていない。
【００５７】
また、上記液晶表示装置１（１Ａ）は、データ配線層３０を形成すると共に偏光素子４０を形成することを除いては、通常の液晶表示装置の製造方法により製造することができる。すなわち、データ配線層３０のソースバスラインＳＬとともに偏光素子４０をパターニングして形成すればよいので、ソースバスラインＳＬを形成するときに用いるマスクに偏光素子４０のマスクパターンを追加形成するだけでよい。しかも、偏光素子４０が画素電極パターンＰＸを兼ねるので、画素電極層を別途形成する必要がなくなるという利点がある。
【００５８】
また、上記液晶表示装置１（１Ａ）は、誘電体膜（図示せず）を介して上記ゲート配線層２０と同一層の第１電極２３、例えば容量素子バスラインＣＬと、上記データ配線層３０と同一層の第２電極３３、例えば画素電極パターンＰＸで形成された容量部Ｃを有する。したがって、上記第２電極３３は、上記偏光素子４０と上記ブリッジ４２で形成された上記画素電極層である画素電極パターンＰＸが兼ねている。
【００５９】
上記液晶表示装置１（１Ａ）では、外部から供給された映像信号に基づいて、ゲートドライバ（図示せず）およびデータドライバ（図示せず）から出力される各画素Ｐ１内への駆動電圧によって、各画素Ｐ１に線順次、表示駆動動作がなされる。具体的には、ゲートドライバからゲートバスラインＧＬ１を介して供給される選択信号に応じて、薄膜トランジスタＴＦＴ１のオンオフが切り替えられ、ソースバスラインＳＬと画素Ｐ１を選択的に導通するようになっている。これにより、バックライト１１からの照明光が偏光素子４０、液晶層１３および偏光板１５により変調され、表示光として出力される。
【００６０】
なお、上記実施の形態では、金属線４１の配設方向をソースバスラインＳＬに平行にしたが、金属線４１をソースバスラインＳＬに直交する方向に設けてもよい。
【００６１】
［比較例：従来の液晶表示装置の平面構成の一例の説明］
ここで、比較例として、従来の画素のゲート配線層、データ配線層、画素電極層の平面レイアウト構成を、図８によって説明する。
図８（Ａ）は画素の平面レイアウト図であり、図８（Ｂ）はゲート配線層の平面レイアウト図であり、図８（Ｃ）はデータ配線層の平面レイアウト図であり、図８（Ｃ）は画素電極層の平面レイアウト図である。そして図８（Ａ）は、図８（Ｂ）に示したゲート配線層と、図８（Ｃ）に示したデータ配線層と、図８（Ｄ）に示した画素電極層とを平面的に重ね合わせた状態を表している。
【００６２】
図８に示すように、ゲート配線層２０は、ゲートバスラインＧＬ１および容量素子バスラインＣＬを有している。これらゲートバスラインＧＬ１および容量素子バスラインＣＬの各ライン間は独立しており電気的に接続されていない。
データ配線層３０は、ソースバスラインＳＬおよびドレイン配線ＤＬを有している。ソースバスラインＳＬおよびドレイン配線ＤＬの間は独立しており電気的に接続されていない。
ゲート配線層２０およびデータ配線層２０は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）よりなる絶縁膜（図示せず）を間にして積層されている。
画素電極層６０は、透明電極からなる画素電極パターンＰＸを有している。通常、画素電極パターンＰＸはデータ配線層２０と画素電極層３０の間に存在する、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）よりなる絶縁膜（図示せず）に開けられた穴、コンタクトＣＮＴを通して、電気的に接続されている。
【００６３】
上記第１液晶表示装置１（１Ａ）では、偏光素子４０の複数の金属線４１の隣接する金属線４１同士が金属線４１の配設方向と交差する方向にブリッジ４２で電気的に接続されていることから、複数の金属線４１は互いに電気的に接続されている。このため、偏光素子４０を画素電極層の画素電極パターンＰＸとして用いることが可能になる。すなわち、画素電極パターンＰＸと偏光素子４０とが共通化されるので、偏光素子４０と画素電極パターンＰＸを別途に作製する必要がなくなり、従来の透明電極で形成していた画素電極層は形成する必要がなくなる。よって、少なくともその画素電極層の分だけ、光透過率を向上させることができるという利点がある。
【００６４】
また、データ配線層３０と同一層に形成された偏光素子４０とブリッジ４２で画素電極パターンＰＸが形成されているので、ＴＦＴ基板の製造工程において画素電極パターンＰＸを形成するためのマスク工程を削減することができる。
【００６５】
＜２．第２の実施の形態＞
［液晶表示装置の要部および基板の構成の第２例］
次に、本発明の第２実施の形態に係る液晶表示装置（第２液晶表示装置）の要部、すなわち、本発明の基板（ＴＦＴ基板）の一例を、図９の平面レイアウト図によって説明する。
図９（Ａ）は画素の平面レイアウト図であり、図９（Ｂ）はゲート配線層の平面レイアウト図であり、図９（Ｃ）はデータ配線層の平面レイアウト図である。そして図９（Ａ）は、図９（Ｂ）に示したゲート配線層と、図９（Ｃ）に示したデータ配線層とを平面的に重ね合わせた状態を表している。
また、領域Ａ１はデータ配線層の画素電極層の一部を拡大したものであり、領域Ｂ１はゲート配線層の容量素子バスラインＣＬの一部を拡大したものである。
【００６６】
本発明の液晶表示装置１（第２液晶表示装置１Ｂ）は、前記図２および図３によって説明した液晶表示装置１を基本構成としたものであり、ＴＦＴ基板１２に図１に示した第２基板３を用いたものである。
【００６７】
図１に示すように、ゲート配線層２０は、ゲートバスラインＧＬ１および容量素子バスラインＣＬを有している。これらゲートバスラインＧＬ１および容量素子バスラインＣＬの各ライン間は独立しており電気的に接続されていない。
また、データ配線層３０は、ソースバスラインＳＬ、およびこのソースバスラインＳＬと同一層で形成された画素電極層の画素電極パターンＰＸを有している。ソースバスラインＳＬおよび画素電極パターンＰＸの間は独立しており電気的に接続されていない。
また、上記ゲート配線層２０および上記データ配線層３０は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）よりなる絶縁膜（図示せず）を間にして積層されている。
【００６８】
画素電極パターンＰＸは、第１偏光素子４４で形成されている。すなわち、この第１偏光素子４４は画素電極パターンＰＸと同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で平行に配置した複数の第１金属線４５からなる。また、上記複数の第１金属線４５の隣接する第１金属線４５、例えば第１金属線４５Ａ、４５Ｂ同士を上記第１金属線４５の配設方向と交差する方向に電気的に接続する第１ブリッジ４６を有する。
このように、複数の第１金属線４５は隣接する第１金属線４５同士が第１ブリッジ４６によって電気的に接続されていることから、全ての第１金属線４５が電気的に接続されることになる。したがって、マクロ的にみれば第１金属線４５は面状の領域に電界を形成することが可能となり、画素電極パターンＰＸとして機能することができる。
【００６９】
また、上記液晶表示装置１（１Ｂ）は、誘電体膜（図示せず）を介して上記ゲート配線層２０と同一層の第１電極２３、例えば容量素子バスラインＣＬと、上記データ配線層３０と同一層の第２電極３３、例えば画素電極パターンＰＸで形成された容量部Ｃを有する。
したがって、上記第２電極３３は、上記第１偏光素子４４と上記第１ブリッジ４６で形成された上記画素電極層である画素電極パターンＰＸが兼ねている。
【００７０】
上記容量素子バスラインＣＬは、第２偏光素子４８で形成されている。すなわち、この第２偏光素子４８は容量素子バスラインＣＬと同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で平行に配置した複数の第２金属線４９からなる。また、上記複数の第２金属線４９の隣接する第２金属線４９、例えば第２金属線４９Ａ、４９Ｂ同士を上記第２金属線４９の配設方向と交差する方向に電気的に接続する第２ブリッジ５０を有する。
このように、複数の第２金属線４９は隣接する第２金属線４９同士が第２ブリッジ５０によって電気的に接続されていることから、全ての第２金属線４９が電気的に接続されることになる。したがって、マクロ的にみれば第２金属線４９は面状の領域に電界を形成することが可能となり、容量素子バスラインＣＬとして機能することができる。
【００７１】
上記第１、第２金属線４５、４９は、例えばアルミニウム（Ａｌ）により形成され、各第１、第２金属線４５、４９の厚さは例えば１４０ｎｍ程度である。また、各第１、第２金属線４５、４９の幅は格子周期（格子周期は入射光の波長の半分以下でなければならない）の半分であると仮定する場合、格子周期が短くなるほど偏光効率が向上する。例えば、青（４５０ｎｍ）、緑（５５０ｎｍ）、赤（６５０ｎｍ）の波長で偏光消滅率が１００００以上になるためには格子周期が１２０ｎｍ以下でなければならない。ここで、第１、第２金属線４５、４９の幅は例えば６０ｎｍである。
【００７２】
上記第１ブリッジ４６は、第１金属線４５の配設方向と交差（例えば、直交）する方向に設けられている。また、第１ブリッジ４６は、隣接する第１金属線４５の第１ブリッジ４６と同一線上を回避して設けられていることが好ましい。第１ブリッジ４６をランダムな位置に設けることにより、透過むらを抑え、また、偏光機能を損なわないようにすることができるからである。第１ブリッジ４６の数は、多すぎると輝度むらの原因となり、少なすぎるとソースバスラインＳＬの配線抵抗を十分に小さくすることができないので、適切な密度で設けられていることが望ましい。第１ブリッジ４６の寸法（幅）についても、輝度への影響と電気的短絡の抑制とを考慮して適切に設定することが望ましい。
また、上記第２ブリッジ５０は、第２金属線４９の配設方向と交差（例えば、直交）する方向に設けられている。また、第２ブリッジ５０は、隣接する第２金属線４９の第２ブリッジ５０と同一線上を回避して設けられていることが好ましい。第２ブリッジ５０をランダムな位置に設けることにより、透過むらを抑え、また、偏光機能を損なわないようにすることができるからである。第２ブリッジ５０の数は、多すぎると輝度むらの原因となり、少なすぎると容量素子バスラインＣＬの配線抵抗を十分に小さくすることができないので、適切な密度で設けられていることが望ましい。第２ブリッジ５０の寸法（幅）についても、輝度への影響と電気的短絡の抑制とを考慮して適切に設定することが望ましい。
【００７３】
例えば、上記第１、第２ブリッジ４５、５０のサイズについて一例を、前記図４によって説明したブリッジ４２と同様に設定される。
【００７４】
次に、上記第１、第２偏光素子４４、４８および第１、第２ブリッジ４６、５０を、図１０〜図１２に示した断面図によって説明する。
【００７５】
図１０に示すように、例えばガラス基板１２１上に、第２偏光素子４８の第２金属線４９と第２ブリッジ５０からなる容量素子バスラインＣＬ、ゲートバスライン（図示せず）等を有するゲート配線層２０が形成されている。
さらに上記ゲート配線層２０上には絶縁膜１２２を介して、第１偏光素子４４の第１金属線４５と第１ブリッジ４６からなる画素電極パターンＰＸ、ソースバスラインＳＬおよび図示はしていないがＴＦＴの活性領域等を有するデータ配線層３０が形成されている。上記絶縁膜１２２は、例えば窒化シリコン膜で形成されている。上記ソースバスラインＳＬは、例えば上記絶縁膜１２２上にアモルファスシリコン層１２３を介して形成されている。なお、アモルファスシリコン層１２３は前記各平面レイアウト図には図示されていない。
また、図示はしていないが、上記ＴＦＴ上には保護膜が形成されている。
このように、ＴＦＴ基板１２（前記図３参照）に用いる第２基板３（第２基板３Ａ）は構成されている。
【００７６】
または、図１１に示すように、例えばガラス基板１２１上に、第２偏光素子４８の第２金属線４９と第２ブリッジ５０からなる容量素子バスラインＣＬ、ゲートバスライン（図示せず）等を有するゲート配線層２０が形成されている。
さらに上記ゲート配線層２０上には絶縁膜１２２を介して、第１偏光素子４４の第１金属線４５と第１ブリッジ４６からなる画素電極パターンＰＸ、ソースバスラインＳＬおよび図示はしていないがＴＦＴの活性領域等を有するデータ配線層３０が形成されている。上記絶縁膜１２２は、例えば窒化シリコン膜で形成されている。上記ソースバスラインＳＬは、例えば上記絶縁膜１２２上にアモルファスシリコン層１２３を介して形成されている。なお、アモルファスシリコン層１２３は前記各平面レイアウト図には図示されていない。
また、上記ソースバスラインＳＬ上および上記ＴＦＴ（図示せず）上には保護膜１２４が形成されている。
このように、ＴＦＴ基板１２（前記図３参照）に用いる第２基板３（第２基板３Ｂ）は構成されている。
【００７７】
または、図１２に示すように、例えばガラス基板１２１上に、第２偏光素子４８の第２金属線４９と第２ブリッジ５０からなる容量素子バスラインＣＬ、ゲートバスライン（図示せず）等を有するゲート配線層２０が形成されている。
さらに上記ゲート配線層２０上には絶縁膜１２２を介して、第１偏光素子４４の第１金属線４５と第１ブリッジ４６からなる画素電極パターンＰＸ、ソースバスラインＳＬおよび図示はしていないがＴＦＴの活性領域等を有するデータ配線層３０が形成されている。上記絶縁膜１２２は、例えば窒化シリコン膜で形成されている。上記ソースバスラインＳＬは、例えば上記絶縁膜１２２上にアモルファスシリコン層１２３を介して形成されている。なお、アモルファスシリコン層１２３は前記各平面レイアウト図には図示されていない。
また、上記データ配線層３０上を被覆する保護膜１２４が形成されている。
このように、ＴＦＴ基板１２（前記図３参照）に用いる第２基板３（第２基板３Ｃ）は構成されている。
【００７８】
なお、上記図１０〜図１２によって説明した上記アモルファスシリコン層１２３は、上記ソースバスラインＳＬと上記ゲートバスラインＧＬの交差部分、もしくは上記ソースバスラインＳＬと上記容量素子バスラインＣＬの交差部分には形成される構成と、形成されない構成がある。
なお、アモルファスシリコン層１２３は前記各平面レイアウト図には図示されていない。またアモルファスシリコン層１２３は形成されなくてもよい。
【００７９】
また、上記第２液晶表示装置１Ｂは、データ配線層３０を形成すると共に偏光素子４０を形成することを除いては、通常の液晶表示装置の製造方法により製造することができる。すなわち、データ配線層３０のソースバスラインＳＬとともに偏光素子４０をパターニングして形成すればよいので、ソースバスラインＳＬを形成するときに用いるマスクに偏光素子４０のマスクパターンを追加形成するだけでよい。しかも、偏光素子４０が画素電極パターンＰＸを兼ねるので、画素電極層を別途形成する必要がなくなるという利点がある。
【００８０】
また、上記第２液晶表示装置１Ｂは、誘電体膜（図示せず）を介して上記ゲート配線層２０と同一層の第１電極２３、例えば容量素子バスラインＣＬと、上記データ配線層３０と同一層の第２電極３３、例えば画素電極パターンＰＸで形成された容量部Ｃを有する。したがって、上記第２電極３３は、上記第１偏光素子４４と上記第１ブリッジ４６で形成された上記画素電極層である画素電極パターンＰＸが兼ねている。
【００８１】
上記第２液晶表示装置１Ｂでは、外部から供給された映像信号に基づいて、ゲートドライバ（図示せず）およびデータドライバ（図示せず）から出力される各画素Ｐ１内への駆動電圧によって、各画素Ｐ１に線順次、表示駆動動作がなされる。具体的には、ゲートドライバからゲートバスラインＧＬ１を介して供給される選択信号に応じて、薄膜トランジスタＴＦＴ１のオンオフが切り替えられ、ソースバスラインＳＬと画素Ｐ１を選択的に導通するようになっている。これにより、バックライト１１からの照明光が第１偏光素子４４、第２偏光素子４８、液晶層１３および偏光板１５により変調され、表示光として出力される。
【００８２】
なお、上記実施の形態では、第１、第２金属線４５、４９の配設方向をソースバスラインＳＬに平行にしたが、第１、第２金属線４５、４９をソースバスラインＳＬに直交する方向に設けてもよい。
【００８３】
上記第２液晶表示装置１Ｂでは、第１偏光素子４４の複数の第１金属線４５の隣接する第１金属線４５同士が第１金属線４５の配設方向と交差する方向に第１ブリッジ４６で電気的に接続されていることから、複数の第１金属線４５は互いに電気的に接続されている。このため、第１偏光素子４４を画素電極層の画素電極パターンＰＸとして用いることが可能になる。すなわち、画素電極パターンＰＸと第１偏光素子４４とが共通化されるので、第１偏光素子４４と画素電極パターンＰＸを別途に作製する必要がなくなり、従来の透明電極で形成していた画素電極層は形成する必要がなくなる。よって、少なくともその画素電極層の分だけ、光透過率を向上させることができるという利点がある。
さらに、容量部Ｃの第１電極２３である容量素子バスラインＣＬが第２ブリッジ５０を含む第２偏光素子４８で形成されている。また、第１電極２３に対して誘電体膜（図示せず）を挟んで形成される第２電極３３は、上記第１偏光素子４４と上記第１ブリッジ４６で形成された上記画素電極層である画素電極パターンＰＸが兼ねている。よって、容量部Ｃにおいて、バックライトからの光を透過することができるので、透過率を向上させることができる。
【００８４】
また、データ配線層３０と同一層に形成された第１偏光素子４４と第１ブリッジ４６で画素電極パターンＰＸが形成されているので、ＴＦＴ基板の製造工程において画素電極パターンＰＸを形成するためのマスク工程を削減することができる。
【００８５】
上記第２液晶表示装置１Ｂは、データ配線層３０を形成すると共に第１ブリッジ４６を含む第１偏光素子４４を形成すること、およびゲート配線層２０を形成すると共に第２ブリッジ５０を含む第２偏光素子４８を形成することを除いては、通常の液晶表示装置の製造方法により製造することができる。
【００８６】
＜３．第３の実施の形態＞
［液晶表示装置の構成の第３例］
次に、本発明の第３実施の形態に係る液晶表示装置（第３液晶表示装置）の要部の一例を、図１３の平面レイアウト図によって説明する。
図１３（Ａ）は画素の平面レイアウト図であり、図１３（Ｂ）はゲート配線層の平面レイアウト図であり、図１３（Ｃ）はデータ配線層の平面レイアウト図であり、図１３（Ｄ）は隙間領域に形成される第３偏光素子の平面レイアウト図である。そして図１３（Ａ）は、図１３（Ｂ）に示したゲート配線層と、図１３（Ｃ）に示したデータ配線層と、図１３（Ｄ）に示した第３偏光素子とを平面的に重ね合わせた状態を表している。
また、領域Ａ１はデータ配線層の画素電極層の一部を拡大したものであり、領域Ｂ１はゲート配線層の容量素子バスラインＣＬの一部を拡大したものであり、領域Ｄ１は第３偏光素子の一部を拡大したものである。
【００８７】
本発明の液晶表示装置１（第３液晶表示装置１Ｃ）は、前記図２および図３によって説明した液晶表示装置１を基本構成としたものであり、ＴＦＴ基板１２に図１３に示した第３基板４を用いたものである。
【００８８】
図１３に示すように、ゲート配線層２０は、ゲートバスラインＧＬ１および容量素子バスラインＣＬを有している。これらゲートバスラインＧＬ１および容量素子バスラインＣＬの各ライン間は独立しており電気的に接続されていない。
また、データ配線層３０は、ソースバスラインＳＬ、およびこのソースバスラインＳＬと同一層で形成された画素電極層の画素電極パターンＰＸを有している。ソースバスラインＳＬおよび画素電極パターンＰＸの間は独立しており電気的に接続されていない。
また、上記ゲート配線層２０および上記データ配線層３０は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）よりなる絶縁膜（図示せず）を間にして積層されている。
【００８９】
上記ゲート配線層２０には、上記ゲート配線層２０の配線、例えばゲートバスラインＧＬ１や容量素子バスラインＣＬ、また上記データ配線層３０の配線、例えばソースバスラインＳＬや画素電極パターンＰＸが形成されていない領域に対向する上記ゲート配線層２０に第３偏光素子５２を有する。
上記第３偏光素子５２は、入射光の波長の半分以下の周期で平行に配置した第３金属線５３からなり、この第３金属線５３は、第３金属線５３の配設方向と交差する方向に切れ目５４を有する。
【００９０】
上記切れ目５４は、隣接する第３金属線５３の切れ目５４と同一線上を回避して設けられていることが好ましい。切れ目５４をランダムな位置に設けることにより、透過むらを抑え、また、偏光機能を損なわないようにすることができる。また切れ目５４の数は、多すぎると輝度むらの原因となり、少なすぎると電気的短絡を十分に抑制することができないので、適切な密度で設けられていることが望ましい。切れ目５４の寸法（幅）についても、輝度への影響と電気的短絡の抑制とを考慮して適切に設定することが望ましい。
【００９１】
上記画素電極パターンＰＸは、第１偏光素子４４で形成されている。すなわち、この第１偏光素子４４は画素電極パターンＰＸと同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で平行に配置した複数の第１金属線４５からなる。また、上記複数の第１金属線４５の隣接する第１金属線４５、例えば第１金属線４５Ａ、４５Ｂ同士を上記第１金属線４５の配設方向と交差する方向に電気的に接続する第１ブリッジ４６を有する。
このように、複数の第１金属線４５は隣接する第１金属線４５同士が第１ブリッジ４６によって電気的に接続されていることから、全ての第１金属線４５が電気的に接続されることになる。したがって、マクロ的にみれば第１金属線４５は面状の領域に電界を形成することが可能となり、画素電極パターンＰＸとして機能することができる。
【００９２】
また、上記第３液晶表示装置１Ｃは、誘電体膜（図示せず）を介して上記ゲート配線層２０と同一層の第１電極２３、例えば容量素子バスラインＣＬと、上記データ配線層３０と同一層の第２電極３３、例えば画素電極パターンＰＸで形成された容量部Ｃを有する。
したがって、上記第２電極３３は、上記第１偏光素子４４と上記第１ブリッジ４６で形成された上記画素電極層である画素電極パターンＰＸが兼ねている。
【００９３】
上記容量素子バスラインＣＬは、第２偏光素子４８で形成されている。すなわち、この第２偏光素子４８は容量素子バスラインＣＬと同層にあり、入射光の波長の半分以下の周期で平行に配置した複数の第２金属線４９からなる。また、上記複数の第２金属線４９の隣接する第２金属線４９、例えば第２金属線４９Ａ、４９Ｂ同士を上記第２金属線４９の配設方向と交差する方向に電気的に接続する第２ブリッジ５０を有する。
このように、複数の第２金属線４９は隣接する第２金属線４９同士が第２ブリッジ５０によって電気的に接続されていることから、全ての第２金属線４９が電気的に接続されることになる。したがって、マクロ的にみれば第２金属線４９は面状の領域に電界を形成することが可能となり、容量素子バスラインＣＬとして機能することができる。
【００９４】
したがって、上記第３液晶表示装置１Ｃは、前記第２液晶表示装置１Ｂに上記第３偏光素子５２を、ゲートバスラインＧＬ、容量素子バスラインＣＬと同一層でゲート配線層２０に形成したものである。
【００９５】
上記第３液晶表示装置１Ｃでは、上記第３偏光素子５２の第３金属線５３に、第３金属線５３の配設方向と交差する方向に切れ目５４が設けられているので、ゲート配線層２０のゲートバスラインＧＬ１と第３金属線５３との電気的接続が切断ないし阻止される。
また、ゲート配線層２０の容量素子バスラインＣＬと第３金属線５３とが製造工程で付着した導電性異物などを介して短絡した場合にも、切れ目５４によりゲートバスバスラインＧＬ１と第３金属線５３との電気的接続が切断ないし阻止される。
【００９６】
このように、上記第３液晶表示装置１Ｃでは、上記第３偏光素子５２を設けることで、ゲート配線層２０とデータ配線層３０および画素電極層の画素電極パターンＰＸの隙間に、偏光されない光の漏れがなくなる。また、当然のことながら、第３液晶表示装置１Ｃも上記第２液晶表示装置１Ｂの作用効果と同様な作用効果得られる。
また、前記第１液晶表示装置１Ａにも同様に上記第３偏光素子５２を設けることができる。
【００９７】
上記第１〜第３液晶表示装置１Ａ〜１Ｃの実施の形態では、ボトムゲート構造なので、画素電極層の画素電極パターンＰＸをデータ配線層３０と同一層に形成したが、トップゲート構造の場合は、ゲート配線層２０の配線が形成されていないスペースにゲート配線層２０と同一層に形成することもできる。
【００９８】
上記第１〜第３液晶表示装置１Ａ〜１Ｃを実施の形態の一例として、本発明の液晶表示装置１を説明したが、液晶表示装置１は種々の変形が可能である。例えば、上記各実施の形態では、各画素が分割されない例について説明したが、各画素が２つ以上のサブ画素に分割されるようにした液晶表示装置にも適用可能である。
また、上記各実施の形態では、各画素の等価回路および構造について具体的に説明したが、他の等価回路または他の画素形状を有する液晶表示装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１実施の形態に係る液晶表示装置の要部（本発明の第１基板）の一例を示した平面レイアウト図である。
【図２】本発明に係る液晶表示装置の全体構成の一例を示した概略構成図である。
【図３】ＴＦＴ基板の一つの画素を示した等価回路である。
【図４】ブリッジのサイズを示した平面レイアウト図である。
【図５】偏光素子およびブリッジの一例を示した一断面図である。
【図６】偏光素子およびブリッジの一例を示した一断面図である。
【図７】偏光素子およびブリッジの一例を示した一断面図である。
【図８】従来の液晶表示装置を比較例として示した平面レイアウト図である。
【図９】本発明の第２実施の形態に係る液晶表示装置の要部（本発明の第２基板）の一例を示した平面レイアウト図である。
【図１０】偏光素子およびブリッジの一例を示した一断面図である。
【図１１】偏光素子およびブリッジの一例を示した一断面図である。
【図１２】偏光素子およびブリッジの一例を示した一断面図である。
【図１３】本発明の第３実施の形態に係る液晶表示装置の要部の一例を示した平面レイアウト図である。
【符号の説明】
【０１００】
１…液晶表示装置、２…第１基板、３…第２基板、１Ａ…第１液晶表示装置、１３…液晶層、２０…ゲート配線層、３０…データ配線層、４０…偏光素子、４１…金属線、４２…ブリッジ、４４…第１偏光素子、４５…第１金属線、４６…第１ブリッジ、４８…第２偏光素子、４９…第２金属線、５０…第２ブリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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