(57)【要約】【課題】ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＣＺ法により格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨し、前記ウェーハに対して非酸化性雰囲気において熱処理を施す。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法（ＣＺ法）により格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットを形成する工程と、
前記シリコンインゴットにリンをドープする工程と、
前記シリコンインゴットからウェーハを切り出す工程と、
前記ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成する工程と、
前記ウェーハの他方の主面を鏡面研磨する工程と、
前記ウェーハに対して非酸化性雰囲気において熱処理を施す工程と、を備えたことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記リンは中性子照射によってドープすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記熱処理は、アルゴン雰囲気又は水素雰囲気において１１００〜１２５０℃の温度で行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
リンがドープされており、
非酸化性雰囲気での熱処理後の表面と熱処理後に７μｍ研磨した後の表面においても、光散乱法で検出される０．０９μｍ以上の光散乱体の個数が０．１個／ｃｍ２以下であり、
一方の主面にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするシリコンウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シリコンウェーハ及びその製造方法に関する。特に限定されないが、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴともいう。）の基板として好適に用いられるチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法ともいう。）により形成されてなるシリコンウェーハ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）は、ＭＯＳＦＥＴに正孔注入用ＰＮ接合が付加された構造からなり、高抵抗のｎ−型シリコン層の表面側にゲート及びエミッタが形成され、裏面側にＰＮ接合を介してコレクタが形成されている。
【０００３】
ＩＧＢＴは、コレクタ−エミッタ間の電流を、シリコン酸化膜を介したゲートに印加する電圧で制御する素子である。ゲート及びエミッタとコレクタとの間に位置するｎ−型シリコンウェーハに対してコレクタ側から正孔が注入されることにより、オン抵抗を下げることができ、また大電流を流した場合でも破壊されにくいという特徴を備えている。
【０００４】
上述のように、ＩＧＢＴは酸化膜を介したゲートで電流の制御を行うので、ゲート酸化膜には欠陥がないことが望まれる。また、電流は、素子表面のエミッタと裏面のコレクタの間を流れるので、ウェーハ内部の欠陥はＩＧＢＴの特性を大きく左右する。このため、従来のＩＧＢＴ用基板には、エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層や、ＦＺ法により形成されたシリコンウェーハが用いられてきた。
【０００５】
しかし、高耐圧ＩＧＢＴを構成するｎ−型シリコン層には、１００μｍ前後の厚みが必要となり、エピタキシャル層でこの厚みを実現するためには、エピタキシャル成長工程に長時間を要するため、製造コストが大幅に増加するという問題がある。
【０００６】
また、ＦＺ法により形成されたシリコンウェーハは、製造工程において混入する不純物量が少なく、ＣＺ法と比べて比較的欠陥の少ないウェーハが得られる一方、ＦＺ法ではウェーハの大口径化が難しく、ウェーハの大量生産に適さないという問題がある。
【０００７】
一方、ＣＺ法により形成されたシリコンウェーハには、０．１〜０．３μｍ程度の微少空洞からなる欠陥が存在し、この欠陥がウェーハ表面に露出するとピットになって現れる。これらの欠陥は一般的にＣＯＰ（Crystal Originated Particle）と呼ばれているが、このＣＯＰが存在するウェーハを、そのままＩＧＢＴ用に用いることは不可能であった。
【０００８】
そこで、特許文献１に記載されているように、ＣＺ法により得られたウェーハを熱処理してＣＯＰを少なくするウェーハの製造方法が開発されている。
【０００９】
また、特許文献２に記載されているように、酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のウェーハに酸化性雰囲気で熱処理を行ってウェーハ内部のＣＯＰを消滅させ、熱処理後の表面近傍に残留するＣＯＰを研磨によって除去する製造方法が開発されている。
【００１０】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００４／０７３０５７パンフレット
【特許文献２】特開２００６−３４４８２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ＣＺ法は、大口径ウェーハの製造が容易であり直径３００ｍｍのウェーハも量産されており、ＬＳＩ用基板には適している。しかし、ＣＺ法によるウェーハは次の理由でＩＧＢＴ用基板には用いられていなかった。
【００１２】
第一に、ＧＯＩ（Gate Oxide Integrity）歩留まりが悪いという問題がある。すなわち、ＣＺ法によるウェーハでは単結晶育成時に過剰な空孔が凝集して０．１〜０．３μｍ程度のボイド欠陥であるＣＯＰが生じる。このＣＯＰが表面に露出してできたピットまたは表面近傍に存在するＣＯＰが、熱酸化によって酸化膜に取り込まれると、ＧＯＩ特性を劣化させることになる。
【００１３】
第二に、酸素ドナーによって抵抗率が低下するという問題がある。ＣＺ法によりシリコンには１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３オーダ（フーリエ変換赤外分光光度法ＡＳＴＭ Ｆ−１２１）の過剰な酸素が含まれており、４５０℃程度の低温熱処理を受けると酸素ドナーが発生して基板の抵抗率が下がり、コレクタ・エミッタ間の耐圧が低下することになる。
【００１４】
第三に、酸素析出物が発生するという問題がある。先にも述べたように、通常、ＣＺ法によるシリコンには１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３オーダの酸素が含まれている。このため、デバイスプロセスの熱処理過程において、ウェーハ中の過剰な酸素がＳｉＯ2となって析出し、コレクタ・エミッタ間のリークを引き起こすことになる。
【００１５】
第四に、抵抗率の均一性が悪いという問題がある。ＣＺ法によるシリコンの抵抗率は、多結晶シリコンに添加するドーパント量によって制御できるが、ＩＧＢＴ用基板に使われるリンは偏析係数が小さいために単結晶インゴットの長さ方向で濃度が大きく変化する。そのため、一本の単結晶シリコンインゴットの中で仕様に合った抵抗率のウェーハが作れる範囲が狭い。
【００１６】
上記特許文献１で開示された技術によれば、ＧＯＩ特性を劣化させる因子であるＣＯＰを消滅することができ、ＩＧＢＴ用シリコンウェーハの製造技術として適用可能な技術ではある。しかしながら、ＣＯＰ消滅を可能とする酸素濃度であっても、その濃度が高い場合には、上述したような酸素ドナー発生によるコレクタ・エミッタ間の耐圧低下や過剰な酸素析出物を形成することによるコレクタ・エミッタ間のリークなどの問題を引き起こすこととなる。
【００１７】
また上記特許文献２で開示された技術によれば、ＧＯＩ特性を劣化させる因子であるＣＯＰを消滅することができ、酸素ドナーによるコレクタ・エミッタ間の耐圧低下や酸素析出物によるコレクタ・エミッタ間のリークを回避でき、ＩＧＢＴ用シリコンウェーハの製造技術として適用可能な技術ではある。しかしながら、この方法では単結晶から切り出したウェーハに加工歪み除去のためのエッチングまで施した後の、比較的清浄度の低い状態で高温の熱処理を施さなければならないので、熱処理による汚染の可能性が高い。これを防ぐためには、エッチング後にウェーハ製造工程で最高レベルの清浄度の高い洗浄を行わなければならない。このような清浄度の高い洗浄は、通常のシリコンウェーハの製造では、鏡面研磨後に最終段階の洗浄として実施されている。ウェーハ製造工程の中で比較的清浄度の低いエッチング上がりのウェーハに、清浄度の高い洗浄を行うには、専用の洗浄設備を導入する必要があった。
【００１８】
発明が解決しようとする課題は、ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨し、前記ウェーハに対して非酸化性雰囲気において熱処理を施すことを特徴とする。
【００２０】
また、この発明に係るシリコンウェーハは、酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、リンがドープされており、非酸化性雰囲気での熱処理後の表面と熱処理後に７μｍ研磨した後の表面においても、光散乱法で検出される０．０９μｍ以上の光散乱体の個数が０．１個／ｃｍ２以下であり、一方の主面にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
上記発明によれば、ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、発明の実施形態であるＩＧＢＴ用シリコンウェーハの製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本実施形態のシリコンウェーハの製造方法を示す工程図である。
【００２３】
本例のシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法により格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（ＡＳＴＭ Ｆ−１２１）であるシリコンインゴットを形成する。次に、該シリコンインゴットに中性子照射によってリンをドープしてからウェーハを切り出す。そして、ウェーハの一方の主面にゲッタリング層であるポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨する。最後に、非酸化性雰囲気で熱処理を施す。
【００２４】
以下、各工程について詳細に説明する。
【００２５】
《インゴットの製造》
格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットは、ＣＺ法により製造することができる。
【００２６】
ＣＺ法によるシリコンインゴットの製造は次の工程で行われる。まず、引き上げ装置の石英製坩堝に多結晶シリコン塊を投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とする。次にシリコン融液に種結晶を浸漬させ、次に種結晶及び石英製坩堝を回転させながら種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に単結晶を成長させる。
【００２７】
この場合の製造条件としては、単結晶の成長速度をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／ｍｍ）としたときの比Ｖ／Ｇを０．２２〜０．２７程度に制御するという条件を例示することができる。また、他の条件としては、石英製坩堝の回転数を０．０５〜０．５ｒｐｍとし、アルゴン雰囲気の圧力を３０Ｔｏｒｒとし、更に磁場強度を３５００Ｇａｕｓｓという条件を例示することができる。
【００２８】
シリコンインゴットの格子間酸素濃度を７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることで、ＩＧＢＴ製造工程での酸素ドナー発生を防止することができる。格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を越えるとＩＧＢＴ製造工程で酸素ドナーが生じ、ＩＧＢＴの特性を変えてしまうので好ましくない。
【００２９】
《リンドープ》
次に、製造されたシリコンインゴットに対して中性子線を照射する。この中性子線照射によって、シリコン原子の一部をリンに変換させ、これによりシリコンインゴットにリンを均一にドープさせて抵抗率が均一なインゴットが得られる。
【００３０】
ｎ型の単結晶シリコンでは、引き上げ時にシリコン融液にリンを添加する方式でリンをドープさせると、引き上げ方向に沿ってインゴットの抵抗率が変化してしまう。この抵抗率の変化はＩＧＢＴの特性の変化を招く。このため本例では、インゴット全体のドーパント濃度を均一にできる中性子照射法を採用する。
【００３１】
中性子線の照射条件は、例えば、３．０×１０１２個/ｃｍ２/ｓの中性子線束である位置において、結晶回転約２ｒｐｍで約８０時間の照射とすることができる。こうして中性子線が照射されたシリコンインゴットは、抵抗率が４８Ω・ｃｍ〜５２Ω・ｃｍ程度になる。
【００３２】
《スライス・ゲッタリング層の形成・鏡面研磨等》
次に、シリコンインゴットからウェーハを切り出し、必要に応じてラッピングやエッチング等を行った後に、ウェーハの一方の主面にゲッタリング層として、サンドブラスト法などによって歪み層を形成するか、これに代えてポリシリコン膜を形成する。次いで、ウェーハの他方の主面を鏡面研磨したのち、洗浄を行って汚染物質を除去する。
【００３３】
《非酸化性雰囲気の熱処理》
次に、ウェーハを非酸化性雰囲気で熱処理する。非酸化性雰囲気としては、アルゴンまたは水素が好ましい。アルゴン雰囲気または水素雰囲気でウェーハを熱処理すれば、ウェーハ表面近傍のＣＯＰが消滅する。また、熱処理温度が低ければＣＯＰが消滅するのに時間を要するので生産性が悪くなり、熱処理温度が高ければスリップ転位が発生し易くなるので、アニール温度は、１１００〜１２５０℃の範囲が好ましい。
【００３４】
《実施形態による効果》
上記のシリコンウェーハの製造方法によれば、格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のシリコンインゴットを用いることで、ＩＧＢＴ製造工程での酸素析出物（ＢＭＤ）の生成によるコレクタ・エミッタ間のリーク及び酸素ドナー形成によるコレクタ・エミッタ間の耐圧低下を防止できる。
【００３５】
また、ウェーハに対して非酸化性雰囲気で熱処理を行うことにより、ウェーハ表面近傍（ＩＧＢＴのゲート領域）のＣＯＰを消滅させることができ、ＧＯＩ歩留まりが向上する。
【００３６】
また、シリコンインゴットに中性子を照射することによりシリコン原子の一部をリンに変換させ、これによりシリコンインゴットにリンを均一にドープさせることが可能となり、抵抗率が均一なウェーハが得られる。
【００３７】
また、鏡面研磨後に清浄度の高い洗浄を施してから、高温の熱処理を施すので、熱処理による汚染を防ぐことが可能となり、エッチング上がりのウェーハに、清浄度の高い洗浄を行うために専用の洗浄設備を導入する必要もない。
【００３８】
こうして得られたシリコンウェーハは、ＩＧＢＴのゲート領域にＣＯＰが殆ど存在せず、しかもウェーハ面内及び同じインゴットから切り出されたウェーハ間での抵抗率のばらつきが小さくなる。また、ＩＧＢＴ製造工程でのＢＭＤ生成や抵抗率変化が殆ど起きない。これにより、本例のウェーハを絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）用基板として好適に用いることが可能になる。
【００３９】
また、一方の主面にゲッタリング層としてのポリシリコン層または歪み層が形成されているので、ＩＧＢＴ製造工程における重金属汚染を除去することができる。
【実施例】
【００４０】
《実施例１，２および比較例１，２に共通条件》
まず、ＣＺ法により、実施例１，２および比較例１，２のように種々の格子間酸素濃度を有するシリコンインゴットを製造した。
【００４１】
具体的には、多結晶シリコン塊を石英製坩堝に投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とした。次に、シリコン融液に種結晶を浸漬させ、次に種結晶及び石英製坩堝を回転させながら種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に単結晶を成長させた。  なお、単結晶の成長速度をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／分）としたときの比Ｖ／Ｇを０．２７程度に設定した。
【００４２】
このようにして、単結晶からなるシリコンインゴットを製造した。
【００４３】
シリコンインゴットにおける格子間酸素濃度は、石英製坩堝の回転数及びアルゴン雰囲気の圧力を調整することにより制御した。石英製坩堝の回転数を低くすることにより酸素濃度が低減され、またアルゴン雰囲気の圧力を低くすることによっても酸素濃度が低減される。また、ＭＣＺ法（磁場印加）を採用することで、低酸素濃度のシリコンインゴットの製造がより簡便となり有効である。このようにして、格子間酸素濃度が３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の直径２００ｍｍのシリコンインゴットを製造した。
【００４４】
次に、上述のシリコンインゴットに対して中性子線を照射してリンをドープした。中性子線は、線束３．０×１０１２個／ｃｍ２／sで８０時間照射した（抵抗率約５０Ω・cm）。
【００４５】
その後、シリコンインゴットをスライスしてウェーハを切り出した。切り出されたウェーハには、ラッピング、エッチング、鏡面研磨、洗浄等の表面処理を施した。このウェーハ表面の光散乱体密度を測定したところ、約２個／ｃｍ２であった。鏡面研磨したウェーハで検出される光散乱体の大部分はＣＯＰであることが一般的に知られているので、上記測定結果は、ウェーハ表面に約２個／ｃｍ２のＣＯＰが存在していると解釈して良い。なお、光散乱体密度の測定は、ＫＬＡテンコール社のＳＰ１で０．０９μm以上の光散乱体をカウントすることによって行った。
【００４６】
《実施例１》
上記ウェーハに表面近傍のＣＯＰを消すために、熱処理雰囲気を１００％アルゴンとし、保持温度を１２００℃、保持時間を１時間とする熱処理を行った。このようにして、種々の格子間酸素濃度を有する直径２００ｍｍのシリコンウェーハを得た。
【００４７】
各ウェーハについて、熱処理後のシリコンウェーハの表面と、７μｍの深さを再研磨した表面との光散乱体密度を測定した。光散乱体密度は、酸素濃度と再研磨の有無によらず、約０．０５〜０．０７個／ｃｍ２であった。
【００４８】
次に、ゲート酸化膜厚２５ｎｍ、電極面積８ｍｍ２、判定電界強度１１ＭＶ／ｃｍでＧＯＩ歩留まりを評価したところ、９５％以上であった。
【００４９】
次に、酸素析出物（ＢＭＤ）の評価を赤外トモグラフ法で行った。赤外トモグラフではＣＯＰもＢＭＤも光散乱体として検出され、識別が困難なので、ＢＭＤの評価は次のように行った。すなわち、表面近傍ＣＯＰ消滅熱処理の前の光散乱体密度をＡ（＝ＣＯＰ密度）とし、表面近傍ＣＯＰ消滅熱処理後にＩＧＢＴ製造プロセスを模擬した熱処理（最高温度１１５０℃、最低温度４５０℃）を施した後の光散乱体密度Ｂ（＝ＣＯＰ密度＋ＢＭＤ密度）として、Ｂ／Ａが１を超えた場合に酸素析出が起きた（ＢＭＤが発生した）と判断した。その結果、酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えると酸素析出が起きることが判明した。
【００５０】
次に、ＩＧＢＴ製造プロセスを模擬した熱処理（最高温度１１５０℃、最低温度４５０℃）による抵抗率変化を四探針法で測定した。その結果、酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えると抵抗率が５％を越えることが判明した。
【００５１】
ここで、ＩＧＢＴ用ウェーハの抵抗率規格、抵抗率のウェーハ面内分布、ウェーハロット間ばらつき等を考慮すると、酸素ドナーによる抵抗率変化は５％以下に抑えなければならない。したがって、酸素析出と抵抗率変化の観点から、酸素濃度の上限は７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
【００５２】
《実施例２》
熱処理雰囲気を１００％アルゴン雰囲気に代えて１００％水素雰囲気にしたこと以外は上記実施例１と同じ条件で、ウェーハ表面近傍のＣＯＰを消すための熱処理を行った。そして実施例１と同様の評価を行った。
【００５３】
各ウェーハについて、熱処理後のシリコンウェーハの表面と、７μｍの深さを再研磨した表面との光散乱体密度を測定したところ、酸素濃度と再研磨の有無によらず、約０．０５〜０．０７個／ｃｍ２であった。
【００５４】
また、ＧＯＩ歩留まりは９５％以上であった。
【００５５】
酸素析出物（ＢＭＤ）については、酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えると酸素析出が起きることが判明した。
【００５６】
四探針法による抵抗率変化は、酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えると抵抗率が５％を越えることが判明した。したがって、酸素析出と抵抗率変化の観点から、酸素濃度の上限は７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
【００５７】
《比較例１》
熱処理雰囲気を１００％アルゴン雰囲気や１００％水素雰囲気に代えて酸素雰囲気にしたこと以外は上記実施例１と同じ条件で、ウェーハ表面近傍のＣＯＰを消すための熱処理を行い、実施例１と同様の評価を行った。
【００５８】
その結果、ウェーハ表面近傍のＣＯＰが消えず（１．８〜２．０個／ｃｍ２）、またＧＯＩ歩留まりが低い（１５〜２３％）ことが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法を示す工程図である。
【図１】
2010056316.tif 000003