(57)【要約】【課題】  低温にて接着フィルム等の硬化がフルキュアまで進行する半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】接着シートと基材層を備える接着部材であって、前記接着シートが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物からなる半導体用接着部材。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着フィルムと基材層を備える接着部材であって、前記接着フィルムが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物からなることを特徴とする半導体用接着部材。
【請求項２】
熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する接着剤組成物であって、前記熱硬化性樹脂が、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜１００万でありガラス転移温度が−５０℃〜５０℃である高分子量成分、（Ｂ）重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フェノール樹脂を、質量比で、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝１５〜４０：５〜１５：３５〜５５の割合で含む半導体用接着剤組成物。
【請求項３】
前記フィラーの配合割合が、前記熱硬化性樹脂１００質量部に対して３０〜１００質量部であり、平均粒径の異なる２種類以上のフィラーを含む請求項２に記載の半導体用接着剤組成物。
【請求項４】
硬化前の８０℃における溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下である、請求項２または３に記載の半導体用接着剤組成物。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載の半導体用接着剤組成物をフィルム状に成形してなる接着フィルムを備える、半導体用接着フィルム。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体用接着フィルムと、粘着フィルムとからなる積層体。
【請求項７】
請求項６に記載の積層体を、半導体用接着フィルム側の面から半導体ウエハに貼り付けて積層体付き半導体ウエハを得る貼り付け工程と、
前記積層体付き半導体ウエハを、前記接着フィルムと粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウエハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着フィルムに対する粘着力を低下させた後、前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着フィルムとともにピックアップし、接着フィルム付き半導体素子を得るピックアップ工程と、
前記接着フィルム付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着フィルムを介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の発達に伴い電子部品の搭載密度が高くなり、マルチチップスタックドパッケージ（以下ＭＣＰと略する）と呼ばれるような、半導体チップを積層していく半導体パッケージ等の新しい形式の実装方法が採用され始め、使用される半導体ウエハの厚みもさらなる薄膜化が進んでいる。
【０００３】
従来の半導体搭載基板に用いられる接着部材としては、液状接着剤あるいはフィルム状接着剤（以下、「接着フィルム」ともいう）が使用されるのが一般的であるが、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきており、近年、微細加工が容易である接着フィルムが多く使われている。
【０００４】
この接着フィルムは、個片貼付け方式あるいはウエハ裏面貼付け方式において使用されている。前者の個片貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後、その個片を支持部材に接着し、上記接着フィルム付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程等を経ることによって半導体装置が得られることとなる。
【０００５】
しかし、上記個片貼付け方式の接着フィルムを用いるためには、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペースト等の液状接着剤を使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題がある。
【０００６】
一方、後者のウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウエハの裏面に接着フィルムを貼付け、さらに接着フィルムの他方の面に半導体ウエハを固定するための粘着フィルムを貼り合わせ、その後上記ウエハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着フィルム付き半導体素子を粘着フィルムより剥離しそれを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンド等の工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。このウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムは、接着フィルム付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加する等の装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着フィルムを用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００７】
このウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムと共に用いられる粘着フィルムは、感圧型粘着フィルムと紫外線硬化型粘着フィルムに大別される。
【０００８】
前者の感圧型粘着フィルムは通常、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。この粘着フィルムは、ダイシング工程における切断時にはダイシングソウの回転、あるいはレーザーの照射によって各素子が飛散しないような十分な粘着力が求められ、半導体用支持部材に接合する時には半導体素子を傷つけることなく基材層より剥離できる程度の低い粘着力が求められる。ところが、上記のような、相反する２つの性能を充分併せ持つ感圧型粘着フィルムがなかったことより、半導体素子のサイズや加工条件毎に粘着フィルムを切替える作業が行われていた。また素子のサイズや加工条件によって粘着力の制御が必要になることから粘着フィルムの在庫管理が複雑化している。さらに、近年、特にＣＰＵやメモリの大容量化が進んだ結果、半導体素子が大型化する傾向にあり、またＩＣカードあるいはメモリーカード等の製品にあっては使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、接着フィルムを剥離する際に素子が割れてしまう等の問題が生じている。
【０００９】
一方、後者の紫外線硬化型粘着フィルムはダイシング時には高粘着力を有するものの、接着フィルムを粘着フィルムより剥離する前に紫外線を照射することにより低粘着力になる。そのため、上記感圧型粘着フィルムが有する課題が改善されることより、広く採用されるに至っている。
【００１０】
しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウエハ裏面貼付け方式においては、半導体ウエハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウエハに貼付する工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼付する工程との２つの貼付工程が必要である。そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つダイシングテープ一体型接着フィルム（ダイボンドダイシングシート）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このようなダイシングテープ一体型接着フィルムは、例えば、剥離基材／接着フィルム／粘着フィルムの三層構造を有している。
【００１１】
また、このようなダイシングテープ一体型接着フィルムを、半導体素子を構成するウエハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献２参照）。かかるプリカット加工は、使用されるウエハの形状に合わせて樹脂層（接着フィルム及び粘着フィルム）を打ち抜き、ウエハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
【００１２】
プリカット加工が施されたダイシングテープ一体型接着フィルムは、例えば、剥離基材上に接着フィルムが積層され、その上にさらに粘着フィルムが、剥離基材側が粘着性を有する面となるようにして積層されている。なお、粘着フィルムは接着フィルムを覆い、且つ、接着フィルムの周囲で剥離基材に接するように積層されており、これにより、半導体ウエハのダイシングを行う際に、半導体ウエハの外周部のウエハリングに粘着フィルムを貼り付けてダイシングテープ一体型接着フィルムを固定することができるようになっている。
【００１３】
かかるプリカット加工を施す場合、上記のダイシングテープ一体型接着フィルムは一般的に、接着フィルムをウエハ形状に合わせてプリカット加工し、それと、粘着フィルムとなるダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウエハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウエハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工した接着フィルムと貼り合わせることによって作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平７−４５５５７号公報
【特許文献２】実公平６−１８３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
半導体用接着フィルムは従来、接着フィルムを半導体用ウエハに貼り合せた後、ダイシングにより半導体素子を個片化し、接着フィルム付半導体素子を支持部材上に積層し、ワイヤをボンディングした後、封止材でモールドすることにより接着フィルムを完全に硬化させる。しかしながら、パッケージの種類によってはこのモールド工程を省略したり、また基板、ウエハ等の支持部材が薄くなることにより、高温で硬化をさせるとパッケージが反ったりすることで生産性、信頼性が低下することがある。
【００１６】
本発明は上記従来技術の有する課題を鑑みてなされたものであり、低温にて接着フィルム等の硬化がフルキュアまで進行する半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は以下の通りである。
【００１８】
（１）接着フィルムと基材層を備える接着部材であって、前記接着フィルムが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物からなることを特徴とする半導体用接着部材。
【００１９】
（２）熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する接着剤組成物であって、前記熱硬化性樹脂が、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜１００万でありガラス転移温度が−５０℃〜５０℃である高分子量成分、（Ｂ）重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フェノール樹脂を、質量比で、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝１５〜４０：５〜１５：３５〜５５の割合で含む半導体用接着剤組成物。
【００２０】
（３）前記フィラーの配合割合が、前記熱硬化性樹脂１００質量部に対して３０〜１００質量部であり、平均粒径の異なる２種類以上のフィラーを含む上記（２）に記載の半導体用接着剤組成物。
【００２１】
（４）硬化前の８０℃における溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下である、上記（２）または（３）に記載の半導体用接着剤組成物。
【００２２】
（５）上記（２）〜（４）のいずれかに記載の半導体用接着剤組成物をフィルム状に成形してなる接着フィルムを備える、半導体用接着フィルム。
【００２３】
（６）上記（５）に記載の半導体用接着フィルムと、粘着フィルムとからなる積層体。
【００２４】
（７）上記（６）に記載の積層体を、半導体用接着フィルム側の面から半導体ウエハに貼り付けて積層体付き半導体ウエハを得る貼り付け工程と、
前記積層体付き半導体ウエハを、前記接着フィルムと粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウエハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着フィルムに対する粘着力を低下させた後、前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着フィルムとともにピックアップし、接着フィルム付き半導体素子を得るピックアップ工程と、
前記接着フィルム付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着フィルムを介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２５】
（８）前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子であることを特徴とする上記（７）記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、低温硬化であるとともに接着強度や凹凸追従性に優れ、半導体装置の接続信頼性の向上を可能とする半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、積層体及び半導体装置の製造方法及び、これらを用いて得られる半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の半導体用接着剤組成物は、熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する接着剤組成物であって、前記熱硬化性樹脂が、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜１００万でありガラス転移温度が−５０℃〜５０℃である高分子量成分、（Ｂ）重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フェノール樹脂を、質量比で、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝１５〜４０：５〜１５：３５〜５５の割合で含むことを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の半導体用接着部材は、接着フィルムと基材層を備える接着部材であって、前記接着フィルムが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物からなることを特徴とする。
【００２９】
本発明において、「フルキュア」とは、ＤＳＣ等の装置を使用し、エポキシ由来の反応熱のピークが見られなくなる状態のことを示す。詳しくは後述する。
【００３０】
本発明の半導体用接着剤組成物は、熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する接着剤組成物であって、フィラーの配合割合が、熱硬化性樹脂１００質量部に対して３０〜１００質量部であり、且つ、熱硬化性樹脂として、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜１００万でありガラス転移温度が−５０℃〜５０℃である高分子量成分、（Ｂ）重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フェノール樹脂を質量比で、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝１５〜４０：５〜１５：３５〜５５の割合で含む。
【００３１】
本発明の半導体用接着剤組成物は、熱硬化性樹脂及びフィラーを上記特定の割合で含有し、且つ、熱硬化性樹脂としての上記（Ａ）〜（Ｃ）成分を上記特定の割合で含有することにより、低溶融粘度でありながら優れた接着強度を発現することができる。このような本発明の半導体用接着剤組成物によれば、硬化前は良好な流動性により配線基板等の支持部材や半導体チップの凹凸を十分埋め込むことができ、硬化後は有機基板等の支持部材やシリコンチップ等に対して高い接着強度を発揮し得ることから、実装基板の接続信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００３２】
また、本発明の半導体用接着剤組成物によれば、低温（具体的には、１２０℃２時間）での圧着実装のみで基板等の支持部材又は半導体チップの凹凸を十分埋め込むことができる。本発明の半導体用接着剤組成物は、上記フィラーとして、平均粒径が異なる２種以上のフィラーを含むことが好ましい。この場合、低溶融粘度であるとともに硬化後には優れた接着強度が得られるという特性を十分保持することが可能となる。
【００３３】
また、本発明の半導体用接着剤組成物は、上記の効果をより確実に得る観点から、平均一次粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にある第１のフィラー、及び、平均一次粒径が０．００５〜０．０３μｍの範囲内にある第２のフィラーを含むことが好ましい。詳細は後述する。
【００３４】
また、本発明の半導体用接着剤組成物は、１２０℃２時間でフルキュアする熱重合性化合物（具体的には、エポキシ樹脂等）を更に含有することが好ましい。これにより、溶融粘度を下げることができ、なおかつ低温での硬化が可能となる。
【００３５】
なお、「１２０℃２時間でフルキュアする」とは、下記の条件でフルキュアすることであり、フルキュアの確認は、以下の様に行う。
【００３６】
まず、半導体用接着剤組成物をＰＥＴ基材（帝人デュポン（株）製のＡ５３）上に膜厚４０μｍとなるように塗工し、得られた基材付きサンプルフィルムを１２０℃で２０分間加熱乾燥し、その後、ＰＥＴ基材を引き剥がし、Ｂステージ状態のサンプルフィルムを得る。サンプルフィルムを１０ｍｇに切り出し、これを測定用試料とし、１２０℃で２時間硬化させ、ＤＳＣを使用し、エポキシ由来の反応熱のピークの有無でフルキュアか否かを判断する。
【００３７】
本発明の半導体用接着剤組成物は、硬化前の８０℃における溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。２０００Ｐａ・ｓを超える場合は、ウエハを有機基板に積層時に凹凸を十分に埋め込むことができない可能性がある。さらには、１０００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。
【００３８】
硬化前の８０℃における溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下とするには、１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物を用いればよい。
【００３９】
なお、硬化前の８０℃における溶融粘度は、下記のように測定する。上記のフルキュアの確認で用いたＢステージ状態のサンプルフィルムを、サイズ：径２５ｍｍ×厚み２００μｍに裁断し、これを測定用試料とし、これをズリ粘度計温度範囲：３５℃〜２００℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎの条件でせん断方向への荷重をかけて測定したときの８０℃の値を測定する。
【００４０】
また、本発明の半導体用接着フィルムは、上記本発明の半導体用接着剤組成物をフィルム状に成形してなる半導体用接着フィルムである。
【００４１】
本発明の半導体用接着部材は、半導体用接着フィルムと基材層を備える接着部材であって、前記接着フィルムが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアすることを特徴とする。
【００４２】
そして、半導体素子と、該半導体素子を搭載する支持部材と、半導体素子及び支持部材間に設けられ、半導体素子及び支持部材を接着する前記接着フィルムと、を備えた半導体装置であって、前記接着フィルムが、上記の半導体用接着剤組成物の硬化物である半導体装置を提供することが可能である。
【００４３】
先ず、本発明の半導体用接着剤組成物について説明する。
【００４４】
本発明の半導体用接着剤組成物は、熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する接着剤組成物であって、好ましくは、フィラーの配合割合が、熱硬化性樹脂１００質量部に対して３０〜１００質量部であり、且つ、熱硬化性樹脂として、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜１００万でありガラス転移温度が−５０℃〜５０℃である高分子量成分、（Ｂ）重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フェノール樹脂を質量比で、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝１５〜４０：５〜１５：３５〜５５の割合で含む。
【００４５】
上記高分子量成分（Ａ）としては、架橋性官能基としてエポキシ基、アルコール性またはフェノール性水酸基、カルボキシル基等を有する、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００４６】
本発明で用いる高分子量成分（Ａ）としては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有するモノマーを重合して得た、重量平均分子量が１０万〜１００万であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましい。更に、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エポキシ基含有アクリルゴム等を使用することができ、エポキシ基含有アクリルゴムがより好ましい。
【００４７】
エポキシ基含有アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
【００４８】
高分子量成分（Ａ）のガラス転移温度Ｔｇは−５０℃〜５０℃の範囲内であることが必要である。高分子量成分のＴｇが５０℃を超えると、半導体用接着フィルムの柔軟性が低くなりすぎ、ウエハにラミネートする際の充分な密着性が得られにくくなる傾向にある。一方、高分子量成分のＴｇが−５０℃未満であると、半導体用接着フィルムの柔軟性が高くなりすぎるため、半導体ウエハダイシング時に半導体用接着フィルムが切断し難くなり、バリの発生によりダイシング性が悪化する場合がある。
【００４９】
また、高分子量成分（Ａ）の重量平均分子量は、１０万〜１００万の範囲内であることが必要であるが、好ましくは２０万以上９０万以下、より好ましくは３０万以上８０万以下、特に好ましくは４０万以上６０万以下である。高分子量成分の重量平均分子量が１０万未満であると、接着剤樹脂組成物のフィルム成形性が悪化したり、半導体用接着フィルム（接着シート）の接着力や耐熱性の低下を引き起こしたりする場合があり、重量平均分子量が１００万を超えると未硬化の半導体用接着フィルムの流動性が低下する場合がある。
【００５０】
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を意味する。
【００５１】
また、本発明で用いる高分子量成分（Ａ）は、半導体ウエハダイシング時に半導体用接着フィルムの切断が容易になり樹脂くずが発生し難くなる点、未硬化の半導体用接着フィルムの流動性が高くなる点、並びに、接着力及び耐熱性が高くなる点から、Ｔｇが−２０℃〜４０℃であり且つ重量平均分子量が１０万〜９０万であるものが好ましく、Ｔｇが−１０℃〜４０℃であり且つ重量平均分子量が２０万〜８０万であるものがより好ましい。
【００５２】
重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂（Ｂ）としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されないが、中でも１２０℃２時間で硬化が進行するものが好ましい。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。
【００５３】
多官能であれば、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
【００５４】
本発明の半導体用接着剤組成物は、多官能エポキシ樹脂（Ｂ）として、下記一般式（１）で表わされ、重量平均分子量８００以上であるエポキシ樹脂を含有することが好ましい。
【化１】
2010222577.tif 000002
【００５５】
（式（１）中、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、又は、アリール基を示し、ｌは１〜３の整数を示し、ｍは２〜４の整数を示す。）
本発明の半導体用接着剤組成物は、重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂を成分として含有するが、硬化物の耐熱性を更に向上させる観点から、一般式（１）で表され、重量平均分子量が８００〜３０００である多官能エポキシ樹脂が含有されることが特に好ましい。
【００５６】
また、上記一般式（１）で表され、重量平均分子量８００以上である多官能エポキシ樹脂は、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２質量％以下で、熱重量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱質量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ，雰囲気：窒素）が５質量％未満のものが好ましく使用できる。
【００５７】
上記特性を満たす市販されているものとしては、東都化成（株）製のエポトートＹＤＦ−８１７０Ｃ等が好ましい。
【００５８】
また、本発明の半導体用接着剤組成物においては、Ｂステージ状態でのフィルムの可撓性を高める観点から、重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂（Ｂ）以外のエポキシ樹脂として、重量平均分子量５００未満のエポキシ樹脂が更に含有されることが好ましく、重量平均分子量４００以下のエポキシ樹脂が更に含有されることがより好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂といった二官能エポキシ樹脂等が好適に用いられる。
【００５９】
本発明の半導体用接着剤組成物の熱硬化性成分としてフェノール樹脂（Ｃ）を含有するが、フェノール樹脂（Ｃ）として、下記一般式（２）で表わされるフェノール樹脂を含有することが好ましい。
【化２】
2010222577.tif 000003
【００６０】
（式（２）中、Ｒ２は水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、又は、アリール基を示し、ｑは１〜３の整数を示し、繰り返し単位の数を示すｐは１〜５０の範囲の整数を示す。）
また、上記一般式（２）で表されるフェノール樹脂は、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２質量％以下で、熱重量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱質量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ，雰囲気：窒素）が５質量％未満のものが好ましく使用できる。
【００６１】
上記特性を満たす市販されているものとしては、三井化学（株）製のミレックスＸＬＣ−ＬＬ、エアウォーター（株）製のＳＫレジンＨＥ２００Ｃ−１０等が挙げられる。
【００６２】
本発明の半導体用接着剤組成物におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、エポキシ当量と水酸基当量との当量比が０．７０／０．３０〜０．３０／０．７０となるように設定するのが好ましく、０．６５／０．３５〜０．３５／０．６５となるように設定するのがより好ましく、０．６０／０．４０〜０．４０／０．６０となるように設定するのがさらに好ましく、０．６０／０．４０〜０．５０／０．５０となるように設定するのが特に好ましい。エポキシ当量と水酸基当量との当量比が上記範囲外であると、半導体用接着フィルムの硬化性が劣る、又は、未硬化の半導体用接着フィルムの粘度が高くなり流動性に劣る傾向にある。
【００６３】
本発明の半導体用接着剤組成物にはフィラーが含有されており、これにより、Ｂステージ状態における半導体用接着フィルムのダイシング性の向上、半導体用接着フィルムの取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与、接着力の向上を図ることが可能となっている。
【００６４】
本発明で用いるフィラーとしては、無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては特に制限は無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物等が使用できる。また、これらは単体あるいは２種類以上を混合して使用することもできる。
【００６５】
また、上記の無機フィラーのうち、熱伝導性向上の観点からは、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。また、ダイシング性の向上の観点からは、アルミナ、シリカを用いることが好ましい。
【００６６】
フィラーの含有割合は、半導体用接着フィルムのダイシング性が向上する点、半導体用接着フィルムの硬化後の貯蔵弾性率が１７０℃で２０〜１０００ＭＰａになりワイヤボンディング性が良好となる点から（詳細は後述する）、熱硬化性樹脂１００質量部に対して３０〜１００質量部であることが好ましく、さらには３５〜１００質量部であることが好ましい。
【００６７】
また、フィラーの含有量が大きすぎると、フィルム成形性の悪化、未硬化の半導体用接着フィルムの流動性低下、接着剤の貯蔵弾性率の過剰な上昇、接着力の低下を引き起こしやすくなるため、フィラーの含有割合は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して８０質量部以下であることがさらに好ましい。一方、フィラーの含有量が小さいと、半導体ウエハダイシング時に樹脂バリが発生しやすくなり、また接着力が低下する傾向にあるため、フィラーの含有割合は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して３５質量部以上であることが好ましい。
【００６８】
本発明の半導体用接着剤組成物は、上記フィラーとして、平均粒径が異なる２種以上のフィラーを含むことが好ましい。この場合、単一のフィラーを使用した場合に比べて、成膜前の原料混合物の粘度上昇若しくは低下を防止することが容易となり、良好な成膜性が得られやすくなるとともに、半導体用接着フィルムの硬化後には優れた接着強度を得られやすくなる。
【００６９】
また、本発明の半導体用接着剤組成物は、上記の効果をより確実に得る観点から、平均一次粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にある第１のフィラー、及び、平均一次粒径が０．００５〜０．０３μｍの範囲内にある第２のフィラーを含むことが好ましい。さらには、ビーズミル処理によりシクロヘキサノンへ第１のフィラーを分散させた分散液をアセトン中へ滴下し、これを用いて測定した第１のフィラーの分散液中の平均一次粒径が０．１〜１．０μｍであることが好ましい。また、同様にして測定した第２のフィラーの分散液の平均一次粒径が０．０５〜０．３μｍであることが好ましい。
【００７０】
平均一次粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にある第１のフィラーと平均一次粒径が０．００５〜０．０３μｍの範囲内にある第２のフィラーの比率は、１０：１〜２：１であることが好ましい。
【００７１】
更に、本発明の半導体用接着剤組成物は、上記の効果をより確実に得る観点から、平均一次粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にあり且つ９９％以上の粒子が粒径０．１〜１．０μｍの範囲内に分布する第１のフィラー、及び、平均一次粒径が０．００５〜０．０３μｍの範囲内にあり且つ９９％以上の粒子が粒径０．００５〜０．１μｍの範囲内に分布する第２のフィラーを含むことが好ましい。
【００７２】
本発明の半導体用接着剤組成物における上記熱重合性化合物の含有割合は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して３〜１０質量部であることが好ましい。含有割合が高すぎると未硬化半導体用接着フィルムのべたつきが高くなる傾向がある。
【００７３】
熱重合性成分を含む場合、更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、これら硬化促進剤はマイクロカプセル型潜在性硬化剤を用いても良い。これら潜在性硬化剤は例えば旭化成エポキシ（株）製の商品名：ノバキュアＨＸ−３９４１等があげられる。
【００７４】
この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００７５】
また、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００７６】
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、半導体用接着剤組成物全量を基準として０．０１〜１０質量％とするのが好ましい。
【００７７】
更に、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤等が挙げられる。
【００７８】
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、半導体用接着剤組成物全量を基準として０．１〜１０質量％が好ましい。
【００７９】
また、本発明の半導体用接着剤組成物は、有機基板（例えば、銅張り積層板「Ｅ−６９７ＦＧ」（日立化成工業（株）製、４００μｍ厚）に回路形成し、「ＡＵＳ３０８」（太陽インキ（株）製）で被覆したもの）に対する硬化後の接着強度（ダイシェア強度）が、３．０ＭＰａ以上であることがより好ましい。
【００８０】
本発明の半導体用接着部材は、例えば、以下の方法により作製することができる。先ず、上述の本発明の半導体用接着剤組成物を構成する各成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製し、このワニスの層を基材層上に形成させ、加熱により乾燥することにより半導体用接着部材を得ることができる。また、ワニス層の乾燥後に基材層を除去して、接着フィルムのみから構成される半導体用接着フィルムとしてもよい。上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
【００８１】
基材層としては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。
【００８２】
上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。
【００８３】
接着フィルムの厚みは、基板の配線回路の凹凸を充填するため、１０〜２５０μｍであることが好ましい。この厚みが１０μｍよりも薄いと、凹凸の充填性が十分得られ難くなる他、応力緩和効果や接着性が低下する傾向があり、２５０μｍよりも厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる傾向にある。更に、接着フィルムの厚みは、十分な接着性が得られるとともに半導体装置を薄型化できる点から、２０〜１００μｍがより好ましく、２０〜４０μｍが更に好ましい。
【００８４】
ダイシング性が優れる点から、接着フィルムの硬化前（Ｂステージ状態）の３５℃における貯蔵弾性率は２００〜６０００ＭＰａであることが好ましい。更に、この貯蔵弾性率は、ダイシング性に優れ、かつ半導体ウエハとの密着性が優れる点で、２００〜３０００ＭＰａであることがより好ましい。
【００８５】
また、良好なワイヤボンディング性を得る観点から、接着フィルムの硬化後（Ｃステージ状態）の１７０℃における貯蔵弾性率は、２０〜１０００ＭＰａであることが好ましい。
【００８６】
貯蔵弾性率の測定は、以下のようにして行う。
【００８７】
フルキュアの確認で作製したＢステージ状態のサンプルフィルムを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度３５℃及び１７０℃の値を測定する。
【００８８】
本発明の半導体用接着剤組成物及び半導体用接着フィルムは、それ自体で用いても構わないが、他の一実施態様として、本発明の半導体用接着剤組成物からなる接着フィルムを従来公知のダイシングテープ（粘着フィルム）上に設けてなるダイシング・ダイボンディング一体型接着シート（以下、「積層体」ともいう）として用いることもできる。この場合、半導体ウエハへのラミネート工程が一回で済むことから、作業を更に効率化することが可能となる。
【００８９】
本実施形態で使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、これらのプラスチックフィルムには、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。
【００９０】
ダイシングテープは粘着性を有することが好ましく、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いてもよいし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けてもよい。この粘着剤層は、液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
【００９１】
半導体用接着フィルムを半導体装置の製造に用いる場合、接着フィルムは、ダイシング時には半導体素子が飛散しない粘着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから容易に剥離できることが好ましい。例えば、接着フィルムの粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着フィルムのタック強度を調節することが好ましい。その方法としては、接着フィルムの室温（２５℃）におけるフローを上昇させると粘着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、一方、フローを低下させれば粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。具体的には、フローを上昇させるには、例えば、接着剤組成物中の可塑剤の含有量の増加、粘着付与剤含有量の増加等の方法がある。逆にフローを低下させるには、前記化合物の含有量を減らせばよい。
【００９２】
前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂のいわゆる希釈剤等が挙げられる。
【００９３】
ダイシングテープ上に接着フィルムを設ける方法としては、印刷のほか、予め作製した接着フィルムをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネートする方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネートによって接着フィルムを設ける方法が好ましい。
【００９４】
ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着フィルムの膜厚や半導体用接着フィルムの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で６０〜１５０μｍが好ましく、７０〜１３０μｍがより好ましい。
【００９５】
本発明は、半導体装置の製造方法にも関わる。詳しくは、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の積層体を、半導体用接着フィルム側の面から半導体ウエハに貼り付けて積層体付き半導体ウエハを得る貼り付け工程と、
前記積層体付き半導体ウエハを、前記接着フィルムと粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウエハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着フィルムに対する粘着力を低下させた後、前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着フィルムとともにピックアップし、接着フィルム付き半導体素子を得るピックアップ工程と、
前記接着フィルム付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着フィルムを介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする。
【００９６】
また、本発明の半導体装置の製造方法においては、被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子であることが好ましい。
【実施例】
【００９７】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９８】
（実施例１）
まず、重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂（Ｂ）としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ−７０３、東都化成（株）製、エポキシ当量：２２０）６０質量部、及び、（Ｂ）以外のエポキシ樹脂として、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃ、東都化成（株）製、重量平均分子量：３４０）１６０質量部、フェノール樹脂（Ｃ）として低吸水性フェノール樹脂（商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、三井化学（株）製）２６０質量部に、シリカフィラー（商品名：ＳＣ２０５０、（株）アドマテックス製）２６０質量部、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合した。
【００９９】
次に、このワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＮＵＣ  Ａ−１８９、日本ユニカー（株）製）０．５質量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＣＵ  Ａ−１１６０、日本ユニカー（株）製）４質量部を加えた。このワニスに、高分子量成分（Ａ）としてエポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、帝国化学産業（株）製、重量平均分子量：８０万）１１０質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ、四国化成工業（株）製）１．５質量部を加えて撹拌混合し、半導体用接着剤組成物ワニス１を調整した。
【０１００】
（実施例２）
実施例１の硬化促進剤に、キュアゾール２ＰＺ−ＣＮに代え、潜在性硬化剤（商品名：ノバキュアＨＸ−３９４１、旭化成エポキシ（株）製）を用いた以外は実施例１と同様の操作で半導体用接着剤組成物ワニス２を調整した。
【０１０１】
（比較例１）
実施例１の、高分子量成分（Ａ）としてのエポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、帝国化学産業（株）製、重量平均分子量：８０万）を５００質量部添加した以外は実施例１と同様の操作で半導体用接着剤組成物ワニス３を調整した。
【０１０２】
（比較例２）
重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂（Ｂ）としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ−７０３、東都化成（株）製、エポキシ当量：２２０）１２０質量部、及び、（Ｂ）以外のエポキシ樹脂として、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＦ−８１７０Ｃ、東都化成（株）製、重量平均分子量：３４０）２１００質量部、フェノール樹脂（Ｃ）としてフェノール樹脂（商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、ＤＩＣ（株）製）１５０質量部に、シリカフィラー（商品名：ＳＣ２０５０、（株）アドマテックス製）５００質量部シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合した。
【０１０３】
次に、このワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＮＵＣ  Ａ−１８９、日本ユニカー（株）製）１．５質量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＣＵ  Ａ−１１６０、日本ユニカー（株）製）３質量部を加えた。このワニスに、高分子量成分（Ａ）としてエポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、帝国化学産業（株）製、重量平均分子量：８０万）１５０質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ、四国化成工業（株）製）０．５質量部を加えて撹拌混合し、半導体用接着剤組成物ワニス４を調整した。
【０１０４】
（比較例３）
重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂（Ｂ）としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ−７０３、東都化成（株）製、エポキシ当量：２２０）６０質量部、及び、フェノール樹脂（Ｃ）として低吸水性フェノール樹脂（商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、三井化学（株）製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量部に、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合し、第１のワニスを調製した。
【０１０５】
次に、この第１のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＮＵＣ  Ａ−１８９、日本ユニカー（株）製）１．５質量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＣＵ  Ａ−１１６０、日本ユニカー（株）製）３質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー（商品名：Ｒ９７２Ｖ、日本アエロジル（株）製）３２質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第２のワニスを調製した。次に、この第２のワニスに、高分子量成分（Ａ）としてエポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、帝国化学産業（株）製、重量平均分子量：３４０）２００質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ、四国化成工業（株）製）０．５質量部を加えて撹拌混合し、接着フィルム形成用ワニスを調整した。本ワニスを半導体用接着剤組成物ワニス５とする。
【０１０６】
各種の測定は以下の通り行った。結果を表１に示した。
【０１０７】
＜半導体用接着フィルムの作製＞
アプリケータ自動塗工機（テスター産業（株）製）を用いて、基材層としてのＰＥＴ基材（帝人デュポン（株）製  Ａ５３）上に、調製した実施例１〜２及び比較例１〜３の半導体用接着剤組成物ワニス１〜５をそれぞれ塗布し、ギャップを調整したアプリケータで塗工した。得られた半導体用接着フィルムを、オーブン中１２０℃／２０ｍｉｎの条件で加熱乾燥した。その後、ＰＥＴ基材を引き剥がすことで、膜厚４０μｍのＢステージ状態の半導体用接着フィルム１〜５を得た。
【０１０８】
＜埋め込み率＞
半導体ウエハに上記で得られたＢステージ状態の半導体用接着フィルムをラミネートし、ダイシング装置上に固定して、１０ｍｍ／ｓｅｃの速度で５ｍｍ×５ｍｍにダイシングした後に、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量２００ｍＪとなるように紫外線照射し、得られたチップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ５、０．２ｍｍｔ）に１２０℃−０．１ＭＰａ−５ｓｅｃの条件でダイボンディングし、ＳＡＴ（日立建機(株)製）にて埋め込まれた割合を面積比から算出した。
【０１０９】
＜ダイシェア強度＞
上記＜埋め込み率＞の条件にて得られたチップを４２アロイのリードフレーム上１２０℃−０．１ＭＰａ−５ｓｅｃの条件で圧着し、１２０℃１時間、１７０℃１時間の熱処理を加えた。この試験片を２５０℃の熱板上で２０ｓｅｃ保持した後、速度：５０μｍ／秒、高さ：５０μｍの測定条件でチップと有機基板との熱時接着力を「Ｓｅｒｉｅｓ４０００」（製品名、Ｄａｇｅ社製）により測定した。
【０１１０】
＜フルキュアの確認（反応率）＞
＜半導体用接着フィルムの作製＞で得られたＢステージ状態の半導体用接着フィルムを１２０℃にて２時間硬化して得たサンプルフィルムをそれぞれ１０ｍｇ切り出し、ＤＳＣによりエポキシ樹脂の発熱量を測定した。このとき、硬化させていないフィルムの発熱量を１００とした時の発熱量の減少率から反応率を算出した。１００％は発熱量が１Ｊ／ｇ以下の状態を示す。
【０１１１】
＜ピール強度＞
＜半導体用接着フィルムの作製＞で得られたＢステージ状態の半導体用接着フィルムを半導体ウエハにラミネートし、さらに２５ｍｍ×５０ｍｍに裁断したサンプルの、Ｔ字ピール強度を測定した。また、このサンプルに照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で照射量２００ｍＪとなるように紫外線照射し、照射後の速度３００ｍｍ／ｓｅｃにてＴ字ピール強度を測定した。
【０１１２】
＜貯蔵弾性率＞
＜半導体用接着フィルムの作製＞で得られたＢステージ状態の半導体用接着フィルムを４ｍｍ×３０ｍｍのサイズに裁断したものを測定用試料とし、この試料を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−５０℃から３００℃まで測定したときの温度３５℃及び１７０℃の値を測定した。
【０１１３】
＜溶融粘度＞
＜半導体用接着フィルムの作製＞で得られたＢステージ状態の半導体用接着フィルムをサンプルサイズ；径２５ｍｍ×厚み２００μｍに裁断したものを測定用試料とし、これをズリ粘度計温度範囲：３５℃〜２００℃，昇温速度：５℃／ｍｉｎの条件で測定したときの８０℃の値を測定した。
【表１】
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【０１１４】
表１に示したように、実施例１、２の半導体用接着フィルムの反応率は１００％であり、１２０℃、２時間で硬化した（フルキュア）ことがわかる。また、比較例と比べ、実施例１，２は、埋め込み率、ダイシェア強度、ピール強度が優れていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明によれば、低温硬化であるとともに接着強度や凹凸追従性に優れ、半導体装置の接続信頼性の向上を可能とする半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法及び、これらを用いて得られる半導体装置を提供することができる。