(57)【要約】【課題】応力の発生を抑制することができるプリント配線板を提供する。【解決手段】プリント配線板１１は、絶縁材料から形成される絶縁層２８を備える。絶縁層２８の表面には導電性配線層２９が形成される。導電性配線層２９は、導体４２、および、導体４２に埋め込まれて、導体４２よりも小さい熱膨張率を有するフィラー４４を有する。こうしたプリント配線板では、フィラー４４は導体４２よりも小さい熱膨張率を有する。その結果、例えば導体単体で形成される導電性配線層に比べて導電性配線層２９の熱膨張率は低く抑えられる。その結果、プリント配線板１１内で応力の発生は抑制される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料から形成される絶縁層と、
前記絶縁層の表面に形成されて、導体、および、前記導体内に分散して配置されて、前記導体よりも小さい熱膨張率を有するフィラーを有する導電性配線層とを備えることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記フィラーは炭素系材料の導電体から形成されることを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線板において、前記フィラーは前記絶縁層の表面に沿って配向する繊維から形成されることを特徴とするプリント配線板。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記フィラーは無機材料の誘電体から形成されることを特徴とするプリント配線板。
【請求項５】
請求項４に記載のプリント配線板において、前記フィラーは前記絶縁層の表面に沿って配向する繊維から形成されることを特徴とするプリント配線板。
【請求項６】
導体と、
前記導体に含まれ、前記導体の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有するフィラーとを備えることを特徴とする導電材料。
【請求項７】
請求項６に記載の導電材料において、前記フィラーは炭素系材料の導電体から形成されることを特徴とする導電材料。
【請求項８】
請求項７に記載の導電材料において、前記フィラーは繊維から形成されることを特徴とする導電材料。
【請求項９】
請求項６に記載の導電材料において、前記フィラーは無機材料の誘電体から形成されることを特徴とする導電材料。
【請求項１０】
請求項９に記載の導電材料において、前記フィラーは繊維から形成されることを特徴とする導電材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と、絶縁層の表面に形成される導電性配線層とを備えるプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板は例えば炭素繊維を含むコア基板を備える。コア基板では単体で形状を維持する剛性が確保される。コア基板の表面や裏面にはビルドアップ層が積層形成される。ビルドアップ層は、順番に積み重ねられる絶縁層および導電性配線層を備える。絶縁層は樹脂材料からなる。
【特許文献１】特開平９−１５３６６６号公報
【特許文献２】特開２００５−１７４８２８号公報
【特許文献３】特開２００１−１６７６３３号公報
【特許文献４】特開２００２−２９９８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ビルドアップ層の導電性配線層の熱膨張率はコア基板の熱膨張率と大きく異なる。その結果、例えば導電性配線層と絶縁層との間の界面に著しく大きな応力が発生する。こうした応力に基づき導電性配線層や絶縁層にクラックが生じる。クラックの発生に基づき導電性配線層は断線してしまう。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、応力の発生を抑制することができるプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、プリント配線板は、絶縁材料から形成される絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成されて、導体、および、前記導体内に分散して配置されて、前記導体よりも小さい熱膨張率を有するフィラーを有する導電性配線層とを備えることを特徴とする。
【０００６】
こうしたプリント配線板では、導電性配線層の導体にはフィラーが埋め込まれる。フィラーは導体よりも小さい熱膨張率を有する。その結果、例えば導体単体で形成される導電性配線層に比べて導電性配線層の熱膨張率は低く抑えられる。その結果、プリント配線板内で応力の発生は抑制される。
【発明の効果】
【０００７】
以上のように形成することで、プリント配線板は応力の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【０００９】
図１は本発明の一実施形態に係るプリント配線板１１の断面構造を概略的に示す。このプリント配線板１１は例えばプローブカードに利用される。プローブカードはプローブ装置といった電子機器に装着される。ただし、プリント配線板１１はその他の電子機器で利用されてもよい。
【００１０】
プリント配線板１１はコア基板１２を備える。コア基板１２は単体で形状を維持する剛性を有する。コア基板１２は平板状のコア層１３を備える。コア層１３は導電層１４を備える。導電層１４には炭素繊維クロスが埋め込まれる。炭素繊維クロスの繊維はコア層１３の面内方向に延びる。したがって、導電層１４では面内方向に熱膨張が著しく規制される。炭素繊維クロスは導電性を有する。導電層１４の形成にあたって炭素繊維クロスは樹脂材料に含浸される。樹脂材料には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂が用いられる。炭素繊維クロスは炭素繊維糸の織布および不織布のいずれかから形成される。
【００１１】
コア層１３には複数の下穴用貫通孔１５が形成される。下穴用貫通孔１５はコア層１３を貫通する。下穴用貫通孔１５は例えば円柱空間を規定する。円柱空間の軸心はコア層１３の表面および裏面に直交する。下穴用貫通孔１５の働きでコア層１３の表面および裏面には円形の開口が区画される。
【００１２】
下穴用貫通孔１５内には導電性の大径ビア１６が形成される。大径ビア１６は下穴用貫通孔１５の内壁面に沿って円筒形に形成される。大径ビア１６はコア層１３の表面および裏面で環状の導電ランド１７に接続される。導電ランド１７はコア層１３の表面や裏面で広がる。大径ビア１６や導電ランド１７は例えば銅（Ｃｕ）といった導電材料から形成される。
【００１３】
下穴用貫通孔１５内で大径ビア１６の内側空間は絶縁樹脂製の下穴用充填材１８で埋められる。下穴用充填材１８は大径ビア１６の内壁面に沿って円筒状に広がる。下穴用充填材１８には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂材料が用いられる。エポキシ樹脂には例えばセラミックフィラーが埋め込まれる。
【００１４】
コア基板１２は、コア層１３の表面および裏面にそれぞれ積層される絶縁層１９、２１を備える。絶縁層１９、２１はそれぞれ裏面でコア層１３の表面および裏面に受け止められる。絶縁層１９、２１はコア層１３を挟み込む。絶縁層１９、２１は下穴用充填材１８に覆い被さる。絶縁層１９、２１は絶縁性を有する。
【００１５】
絶縁層１９、２１にはガラス繊維クロスが埋め込まれる。ガラス繊維クロスの繊維はコア層１３の表面および裏面に沿って延びる。絶縁層１９、２１の形成にあたってガラス繊維クロスは樹脂材料に含浸される。樹脂材料には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂が用いられる。ガラス繊維クロスはガラス繊維糸の織布および不織布のいずれかから形成される。
【００１６】
コア基板１２には複数の貫通孔２２が形成される。貫通孔２２はコア基板１２を貫通する。貫通孔２２は下穴用貫通孔１５内に配置される。下穴用充填材１８は貫通孔２２に突き抜けられる。ここでは、貫通孔２２は円柱空間を規定する。貫通孔２２は下穴用貫通孔１５に同軸に形成される。貫通孔２２の働きでコア基板１２の表面および裏面には円形の開口が区画される。
【００１７】
貫通孔２２内には導電性の小径ビア２３が形成される。小径ビア２３は貫通孔２２の内壁面に沿って円筒形に形成される。下穴用充填材１８の働きで大径ビア１６および小径ビア２３は相互に絶縁される。小径ビア２３は例えば銅（Ｃｕ）といった導電材料から形成される。
【００１８】
絶縁層１９、２１の表面には導電ランド２４が形成される。小径ビア２３は絶縁層１９、２１の表面で導電ランド２４に接続される。導電ランド２４は例えば銅（Ｃｕ）といった導電材料から形成される。導電ランド２４、２４同士の間で小径ビア２３の内側空間は絶縁樹脂製の充填材２５で埋められる。充填材２５は例えば円柱形に形成される。充填材２５には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂材料が用いられる。エポキシ樹脂には例えばセラミックフィラーが埋め込まれる。
【００１９】
コア基板１２の表面および裏面にはそれぞれビルドアップ層２６、２７が形成される。ビルドアップ層２６、２７は、単体で形状を維持する剛性をコア基板１２に依存する。ビルドアップ層２６、２７はそれぞれ裏面でコア基板１２の表面および裏面に受け止められる。ビルドアップ層２６、２７はコア基板１２を挟み込む。ビルドアップ層２６、２７は複数の絶縁層２８および導電性配線層２９の積層体から形成される。絶縁層２８および導電性配線層２９は交互に積層される。導電性配線層２９の厚みは例えば３０μｍ〜６０μｍの範囲に設定される。
【００２０】
異なる層の導電性配線層２９同士はビア３１で電気的に接続される。ビア３１の形成にあたって導電性配線層２９同士の間で絶縁層２８には貫通孔が形成される。貫通孔は導電材料で埋められる。絶縁層２８は例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂から形成される。導電性配線層２９は後述の導電材料から形成される。導電材料の詳細は後述される。ビア３１は例えば銅（Ｃｕ）といった導電材料から形成される。
【００２１】
ビルドアップ層２６、２７の表面には導電パッド３２が露出する。導電パッド３２は例えば銅（Ｃｕ）といった導電材料から形成される。ビルドアップ層２６、２７の表面で導電パッド３２以外の領域にはオーバーコート層３３が積層される。オーバーコート層３３には例えば樹脂材料が用いられる。
【００２２】
プリント配線板１１の表面で露出する導電パッド３２はプリント配線板１１の裏面で露出する任意の導電パッド３２に電気的に接続される。プリント配線板１１がプローブ装置に装着されると、プリント配線板１１の裏面で導電パッド３２は例えばプローブ装置の電極端子に接続される。プリント配線板１１の表面に例えば半導体ウェハが搭載されると、プリント配線板１１の表面で導電パッド３２は例えば半導体ウェハのバンプ電極を受け止める。導電パッド３２はバンプ電極に接続される。こうして例えば温度サイクル試験に基づき半導体ウェハの検査が実施される。
【００２３】
図２は導電性配線層２９の断面構造を示す。導電性配線層２９は導電材料４１から形成される。導電材料４１は導体４２を備える。導体４２は、銅（Ｃｕ）、銅合金、銀（Ａｇ）、銀合金、金（Ａｕ）、金合金、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金といった高い電気伝導率の導電材料や、ニッケル（Ｎｉ）およびニクロム（Ｎｒ）といった低い抵抗率の導電材料から形成される。ここでは、導体４２には銅が用いられる。導体４２は無数の銅結晶４３の集合体から形成される。
【００２４】
導体４２内には導電体のフィラー４４が埋め込まれる。フィラー４４は導体４２内で分散して配置される。フィラー４４は銅結晶４３同士の界面４５に沿って配置される。フィラー４４は導体４２の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する。フィラー４４には、例えば炭素繊維やカーボンナノチューブといった炭素系材料が用いられる。ここでは、フィラー４４には例えば円柱状の炭素繊維が用いられる。フィラー４４を構成する元素は導体４２を構成する元素と化学的に結合する。フィラー４４は絶縁層２８の表面に平行にプリント配線板１１の面内方向に配向する。その結果、導電性配線層２９では面内方向に熱膨張が著しく規制される。
【００２５】
ここで、フィラー４４の平均直径は例えば０．３μｍ〜３．０μｍの範囲に設定されることが望ましい。平均直径が０．３μｍ未満に設定されると、後述の導電性配線層２９の形成にあたって、溶融した導体４２中でフィラー４４の分散の均一性が悪化すると考えられる。平均直径が３．０μｍより大きく設定されると、導電性配線層２９の表面の平坦性が悪化すると考えられる。同時に、前述と同様に、溶融した導体４２中でフィラー４４の分散の均一性が悪化すると考えられる。
【００２６】
プリント配線板１１の面内方向にフィラー４４は平均直径の１０倍以上の長さを有することが望ましい。ここでは、平均長さは例えば３μｍ〜５０μｍの範囲に設定される。平均長さが１０倍未満に設定されると、フィラー４４に十分な強度が確保されないと考えられる。平均長さが長すぎると、導体４２中でフィラー４４の分散の均一性が悪化すると考えられる。同時に、導電性配線層２９の輪郭から外側にフィラー４４の突き出しが想定される。こうした突き出しに基づきフィラー４４は隣接する導電性配線層２９に接触することが考えられる。このとき、フィラー４４に沿って移動する傾向を有する銅イオンのマイグレーションに基づき短絡が引き起こされることが考えられる。したがって、フィラー４４の平均長さは５０μｍ以下程度に設定されることが望ましい。
【００２７】
以上のようなプリント配線板１１では、導電性配線層２９は導電材料４１から形成される。導電材料４１の導体４２にはフィラー４４が埋め込まれる。フィラー４４は導体４２よりも小さい熱膨張率を有する。その結果、例えば銅単体で形成される従来の導電性配線層に比べて導電性配線層２９の熱膨張率は低く抑えられる。こうして例えばビルドアップ層２６、２７の熱膨張率はコア基板１２の熱膨張率に合わせ込まれる。プリント配線板１１内で応力の発生は抑制される。ビルドアップ層２６、２７内でクラックの発生は回避される。導電性配線層２９の断線は回避される。
【００２８】
しかも、前述のように、導電層１４内では炭素繊維クロスの繊維はコア層１３の面内方向に延びる。したがって、導電層１４では面内方向に熱膨張が著しく規制される。同様に、導電性配線層２９ではフィラー４４すなわち炭素繊維は絶縁層２８の表面に平行にプリント配線板１１の面内方向に延びる。その結果、導電性配線層２９では面内方向に熱膨張が著しく規制される。したがって、プリント配線板１１の面内方向に熱膨張は確実に規制される。プリント配線板１１内で応力の発生は著しく回避される。導電性配線層２９の断線は確実に回避される。
【００２９】
加えて、フィラー４４は導電性を有することから、導体４２中にフィラー４４が埋め込まれても導電性配線層２９で直流電気抵抗の上昇は回避される。さらにまた、フィラー４４は炭素繊維から形成される。炭素繊維は導体４２すなわち銅よりも軽い。その結果、フィラー４４の埋め込みに基づき導電性配線層２９は軽量化される。同時に、フィラー４４に基づき導電性配線層２９で高コストの銅の使用量はこれまでに比べて低減される。その結果、本発明は導電性配線層２９すなわちプリント配線板１１の低コスト化に貢献することができる。
【００３０】
次に、プリント配線板１１の製造方法を説明する。まず、コア基板１２が用意される。図３に示されるように、コア基板１２の表面にはプリプレグ５１および銅箔５２が重ね合わせられる。プリプレグ５１は例えばエポキシ樹脂といった樹脂材料から形成される。プリプレグ５１の表面には銅箔５２が張り合わせられる。プリプレグ５１には加熱処理が施される。加熱処理に基づきプリプレグ５１はコア基板１２の形状に倣う。その結果、プリプレグ５１の形状はコア基板１２の表面の凹凸を吸収する。プリプレグ５１ではエポキシ樹脂は完全に硬化する。こうしてプリプレグ５１は裏面でコア基板１２の表面に張り付けられる。
【００３１】
張り付けに先立って銅箔５２は形成される。形成にあたって、溶融した導体４２すなわち銅に所定量のフィラー４４が投入される。導体４２に対して例えば５体積％の量でフィラー４４が投入される。フィラー４４には炭素繊維が用いられる。フィラー４４は導体４２内で撹拌される。導体４２内でフィラー４４は分散する。分散にあたって各フィラー４４の表面には樹脂被膜が形成される。樹脂被膜には高い熱分解性を有する例えばアクリル系の樹脂材料が用いられる。銅は銅の融点よりも低い温度下で圧延される。こうして銅の板片が形成される。その後、室温程度の環境下で板片はさらに圧延される。こうして銅箔５２が形成される。圧延に基づき銅箔５２では銅箔５２の表面に平行にフィラー４４は配向する。なお、フィラー４４は例えばガスアトマイズ法に基づき導体４２内に分散してもよい。
【００３２】
図４に示されるように、銅箔５２の表面には所定のパターンでフォトレジスト５３が形成される。フォトレジスト５３は銅箔５２の表面で空隙５４を象る。フォトレジスト５３に基づき銅箔５２にはエッチング処理が施される。その結果、図５に示されるように、空隙５４内で銅箔５２は除去される。こうしてプリプレグ５１の表面に導電性配線層２９が形成される。プリプレグ５１の表面からフォトレジスト５３が除去される。フォトレジスト５３の除去後、図６に示されるように、プリプレグ５１には所定の位置に貫通孔５５が形成される。形成にあたって例えばレーザが用いられる。貫通孔５５内でコア基板１２の導電ランド２４が露出する。
【００３３】
プリプレグ５１の表面には所定のパターンでフォトレジスト５６が形成される。フォトレジスト５６はプリプレグ５１の表面で空隙５７を象る。空隙５７内に貫通孔５５は配置される。プリプレグ５１の表面にはめっき処理が実施される。その後、プリプレグ５１の表面からフォトレジスト５６は除去される。その結果、図７に示されるように、貫通孔５５内にはビア３１が形成される。プリプレグ５１は絶縁層２８を構成する。その後、絶縁層２８および導電性配線層２９の形成が繰り返される。こうして規定の積層数の絶縁層２８および導電性配線層２９が形成される。最上層の絶縁層２８には前述の導電パッド３２やオーバーコート層３３が形成される。こうしてプリント配線板１１は製造される。
【００３４】
発明者は本発明の効果を検証した。検証にあたって具体例に係る銅箔５２および比較例に係る銅箔が製造された。具体例では導体４２中にフィラー４４すなわち炭素繊維が埋め込まれた。炭素繊維は銅箔５２の表面に平行に延びる。フィラー４４は、導体４２およびフィラー４４の総体積に対して５体積％の割合で含まれる。比較例では銅箔は導体４２すなわち銅単体により形成される。このとき、具体例および比較例で面内方向に熱膨張率が計測された。その結果、具体例では面内方向に５〜７ｐｐｍ／℃の熱膨張率が計測された。比較例では面内方向に１７ｐｐｍ／℃の熱膨張率が計測された。比較例に比べて具体例では熱膨張率は著しく低減されることが確認された。
【００３５】
図８に示されるように、導電性配線層２９では導電材料４１にフィラー４４ａが埋め込まれてもよい。このフィラー４４ａには、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、ムライト（Ａｌ６Ｏ１３Ｓｉ２）、窒化ホウ素（ＢＮ）といった無機材料の誘電体が用いられる。フィラー４４ａは銅結晶４３同士の界面４５に沿って配置される。フィラー４４ａは導体４２の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する。フィラー４４ａは例えば円柱形状の繊維すなわちウィスカから形成される。フィラー４４ａは絶縁層２８の表面に平行にプリント配線板１１の面内方向に配向する。その結果、導電性配線層２９では面内方向に熱膨張が著しく規制される。導電性配線層２９は前述と同様の方法で形成される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００３６】
こうしたプリント配線板１１では導電材料４１にフィラー４４ａが埋め込まれる。フィラー４４ａは導体４２よりも小さい熱膨張率を有する。その結果、例えば銅単体で形成される従来の導電性配線層に比べて導電性配線層２９の熱膨張率は低く抑えられる。しかも、フィラー４４ａは絶縁層２８の表面に平行にプリント配線板１１の面内方向に延びる。その結果、導電性配線層２９では面内方向に熱膨張が著しく規制される。プリント配線板１１の面内方向に熱膨張は確実に規制される。プリント配線板１１内で応力の発生は著しく回避される。導電性配線層２９の断線は確実に回避される。
【００３７】
加えて、フィラー４４ａは誘電体から形成されることから、導体４２中にフィラー４４ａが埋め込まれても導電性配線層２９で高周波電気抵抗の上昇は回避される。フィラー４４ａに基づき導体４２では表面積が増大する。いわゆる表皮効果にも拘わらず、導電性配線層２９では電流の流路は十分に確保される。さらにまた、無機材料の誘電体は導体４２すなわち銅よりも軽い。フィラー４４ａに基づき導電性配線層２９は軽量化される。同時に、導電性配線層２９で銅の使用量は低減される。導電性配線層２９すなわちプリント配線板１１の低コスト化が実現される。
【００３８】
発明者は本発明の効果を検証した。検証にあたって具体例に係る銅箔５２および比較例に係る銅箔が製造された。具体例では導体４２中にフィラー４４ａすなわちアルミナウィスカが埋め込まれた。フィラー４４ａは銅箔５２の表面に平行に延びる。フィラー４４ａは、導体４２およびフィラー４４ａの総体積に対して５体積％の割合で含まれた。比較例では銅箔は導体４２すなわち銅のみから形成された。このとき、具体例および比較例で面内方向に熱膨張率が計測された。その結果、具体例では面内方向に１４ｐｐｍ／℃の熱膨張率が計測された。比較例では面内方向に１７ｐｐｍ／℃の熱膨張率が計測された。比較例に比べて具体例では熱膨張率は低減されることが確認された。
【００３９】
その他、本発明は、例えばサーバコンピュータ装置に組み込まれるバックボードやシステムボード、パッケージ基板といったその他のプリント配線板に適用されることができる。また、フィラー４４、４４ａは織布や不織布から形成されてもよい。その他、フィラー４４、４４ａは、プリント配線板１１内で導電性配線層２９以外の導電材料に含まれてもよい。
【００４０】
（付記１）  絶縁材料から形成される絶縁層と、
前記絶縁層の表面に形成されて、導体、および、前記導体内に分散して配置されて、前記導体よりも小さい熱膨張率を有するフィラーを有する導電性配線層とを備えることを特徴とするプリント配線板。
【００４１】
（付記２）  付記１に記載のプリント配線板において、前記フィラーは炭素系材料の導電体から形成されることを特徴とするプリント配線板。
【００４２】
（付記３）  付記２に記載のプリント配線板において、前記フィラーは前記絶縁層の表面に沿って配向する繊維から形成されることを特徴とするプリント配線板。
【００４３】
（付記４）  付記１に記載のプリント配線板において、前記フィラーは無機材料の誘電体から形成されることを特徴とするプリント配線板。
【００４４】
（付記５）  付記４に記載のプリント配線板において、前記フィラーは前記絶縁層の表面に沿って配向する繊維から形成されることを特徴とするプリント配線板。
【００４５】
（付記６）  導体と、
前記導体に含まれ、前記導体の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有するフィラーとを備えることを特徴とする導電材料。
【００４６】
（付記７）  付記６に記載の導電材料において、前記フィラーは炭素系材料の導電体から形成されることを特徴とする導電材料。
【００４７】
（付記８）  付記７に記載の導電材料において、前記フィラーは繊維から形成されることを特徴とする導電材料。
【００４８】
（付記９）  付記８に記載の導電材料において、前記フィラーは前記導体の圧延に基づき圧延方向に配向することを特徴とする導電材料。
【００４９】
（付記１０）  付記９に記載の導電材料において、ガスアトマイズ法に基づき導体内にフィラーが分散することを特徴とする導電材料。
【００５０】
（付記１１）  付記６に記載の導電材料において、前記フィラーは無機材料の誘電体から形成されることを特徴とする導電材料。
【００５１】
（付記１２）  付記１１に記載の導電材料において、前記フィラーは繊維から形成されることを特徴とする導電材料。
【００５２】
（付記１３）  付記１２に記載の導電材料において、前記フィラーは前記導体の圧延に基づき圧延方向に配向することを特徴とする導電材料。
【００５３】
（付記１４）  付記１３に記載の導電材料において、ガスアトマイズ法に基づき前記導体内にフィラーが分散することを特徴とする導電材料。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線板の断面構造を概略的に示す断面図である。
【図２】一具体例に係る導電性配線層の拡大部分断面図である。
【図３】コア基板の表面にプリプレグおよび銅箔を張り付ける工程を概略的に示す図である。
【図４】銅箔の表面にフォトレジストを形成する工程を概略的に示す図である。
【図５】フォトレジストに基づき銅箔にエッチング処理を実施する工程を概略的に示す図である。
【図６】プリプレグに貫通孔を形成する工程を概略的に示す図である。
【図７】めっき処理に基づきビアを形成する工程を概略的に示す図である。
【図８】他の具体例に係る導電性配線層の拡大部分断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１１  プリント配線板、２８  絶縁層、２９  導電性配線層、４１  導電材料、４２  導体、４４、４４ａ  フィラー。
【図１】
2010056482.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010056482.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010056482.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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