(57)【要約】      （修正有）【課題】基板と受動部品との接合強度を向上させることができる電子部品モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１は、ＩＣ１１を有するＩＣ内蔵基板２と、ＩＣ内蔵基板２の主面４側においてＩＣ内蔵基板２に一致するよう重ねられ、ＩＣ内蔵基板２と電気的に接続されたインダクタＬと、を備えている。ＩＣ内蔵基板２の外縁部は、主面４に対し傾斜する面取り面７を有している。このＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１では、面取り７とインダクタＬとの間に充填された接着樹脂３によって、ＩＣ内蔵基板２及びインダクタＬが互いに接着されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路を有する基板と、
前記基板の一主面側において前記基板に重ねられ、前記基板と電気的に接続された受動部品と、を備え、
前記基板の外縁部の少なくとも一部は、前記基板の前記一主面に対し傾斜する傾斜面を有し、
前記傾斜面の少なくとも一部と前記受動部品との間には、前記基板及び前記受動部品を互いに接着する樹脂が充填されていることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項２】
前記傾斜面は、前記基板の前記一主面と側面とが交差する角部に設けられた面取り面であることを特徴とする請求項１記載の電子部品モジュール。
【請求項３】
前記基板の外形は、その厚さ方向から見て、前記受動部品の外形以内に含まれるように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品モジュール。
【請求項４】
前記基板は、ＩＣを前記回路として有し、
前記受動部品は、インダクタとして機能することを特徴とする請求項１〜３の何れか一向記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
前記基板は、前記一主面側に設けられた複数の電極パッドを有し、
前記受動部品は、前記基板側に凸状となるように設けられ、前記電極パッドに電気的に接続された複数の端子を有し、
前記端子のうちの一対の端子間には、前記電極パッドの厚さより厚くなるように樹脂が形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項６】
溝幅が底側に行くに従って狭まる溝部を、回路を有する基板の一主面に所定間隔で形成すると共に、前記溝部内に樹脂を塗布する第１工程と、
前記第１工程の後、前記基板の前記一主面及び前記溝部上に受動部品を実装すると共に、前記基板と前記受動部品とを電気的に接続する第２工程と、
前記第２工程の後、前記基板を前記溝部に沿って分断する第３工程と、を含むことを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品モジュール及び電子部品モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品モジュールとしては、回路を有する基板と、基板の一主面側に重ねられ基板と電気的に接続された受動部品と、を備えたものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。このような電子部品モジュールでは、基板及び受動部品を互いに接着する樹脂が、基板の一主面と受動部品との間に充填されている。
【特許文献１】特開２００４−３６３４３４号公報
【特許文献２】特開２００４−３６４１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで、近年、例えば携帯電話機等に用いられる電子部品モジュールにおいては、高集積化がとどまるところを知らず、さらなる小型化が要求されている。そして、かかる要求に伴って、その強度及び信頼性のさらなる改善が強く望まれている。よって、上述したような電子部品モジュールには、基板と受動部品との接合強度を向上させることが求められている。
【０００４】
そこで、本発明は、基板と受動部品との接合強度を向上させることができる電子部品モジュール、及び電子部品モジュールの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明に係る電子部品モジュールは、回路を有する基板と、基板の一主面側において基板に重ねられ、基板と電気的に接続された受動部品と、を備え、基板の外縁部の少なくとも一部は、基板の一主面に対し傾斜する傾斜面を有し、傾斜面の少なくとも一部と受動部品との間には、基板及び受動部品を互いに接着する樹脂が充填されていることを特徴とする。
【０００６】
この電子部品モジュールでは、傾斜面と受動部品との間に充填された樹脂によって、基板及び受動部品が互いに接着されているため、基板と受動部品との接合強度を向上させることが可能となる。これは、傾斜面を有しない基板と比較し、傾斜面と受動部品との間に充填された樹脂の基板への接着面積が増大するためと考えられる。
【０００７】
このとき、傾斜面は、基板の一主面と側面とが交差する角部に設けられた面取り面であることが好ましい。この場合、基板と受動部品との接合強度を向上させるという上記効果を好適に発揮しつつ、傾斜により生じる空間が樹脂で埋められているため、ひっかけ等による受動部品と基板との剥離や基板の破損を防止することができる。
【０００８】
また、基板の外形は、その厚さ方向から見て、受動部品の外形以内に含まれるように構成されていることが好ましい。この場合、電子部品モジュールが好適に小型化されることとなる。
【０００９】
また、基板は、ＩＣを回路として有し、受動部品は、インダクタとして機能することが好ましい。この場合、電子部品モジュールを一体化電源として用いることができる。このようにＩＣを内蔵した基板を用いて一体化電源とすることで、受動部品とＩＣとを繋ぐ配線を短くすることができ、電源としての効率化が可能となる。
【００１０】
また、基板は、一主面側に設けられた複数の電極パッドを有し、受動部品は、基板側に凸状となるように設けられ、電極パッドに電気的に接続された複数の端子を有し、端子のうちの一対の端子間には、電極パッドの厚さより厚くなるように樹脂が形成されていることが好ましい。この場合、電極パッドの厚さより厚くなるように形成された樹脂が凸状の一対の端子の間（谷状）と係合されることから、例えばリフローの際に、受動部品のずれを規制することができ、受動部品の精度よい実装が可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、溝幅が底側に行くに従って狭まる溝部を、回路を有する基板の一主面に所定間隔で形成すると共に、溝部内に樹脂を塗布する第１工程と、第１工程の後、基板の一主面及び溝部上に受動部品を実装すると共に、基板と受動部品とを電気的に接続する第２工程と、第２工程の後、基板を溝部に沿って分断する第３工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
この電子部品モジュールの製造方法では、第３工程にて基板を溝部に沿って分断すると、基板に形成された溝部の壁面が、基板の外縁部の上記傾斜面として形成される。そして、溝部内に塗布された樹脂が、傾斜面と受動部品との間に充填された上記樹脂として形成される。従って、本発明の製造方法による電子部品モジュールにおいては、傾斜面と受動部品との間に充填された樹脂で基板及び受動部品が互いに接着されることとなり、基板と受動部品との接合強度を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板と受動部品との接合強度を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は本発明の一実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールの断面図、図２は図１のII−II線に沿っての断面図、図３は図１のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールの上面図である。図１，２に示すように、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール（電子部品モジュール）１は、例えば携帯電話機等に組み込まれる小型の一体化電源モジュールである。
【００１６】
このＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１は、ＩＣ（回路）１１が埋め込まれたＩＣ内蔵基板（基板）２と、ＩＣ内蔵基板２に一致するよう重ねられ当該ＩＣ内蔵基板２に電気的に接続されたインダクタ（受動部品）Ｌと、を備え、これらがマザーボード１２上に接合されて構成されている。なお、マザーボード１２上にはコンデンサ（不図示）が設置されており、これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１はＤＣ−ＤＣコンバータとして動作する。
【００１７】
図４は、図１のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールにおける回路図である。図４に示すように、ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１は、一般的なチョッパー型のＤＣ−ＤＣコンバータ回路の一部である回路１０を構成する。ＩＣ１１は、その内部に制御回路ＣＵ及びスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２を含んでいる。制御回路ＣＵは、電圧入力端子Ｖｉｎから入力された入力直流電圧に対し、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２を駆動して所定の昇圧・降圧を行う。この制御回路ＣＵには、イネーブル（ｅｎａｂｌｅ）端子ＥＮが取り付けられている。インダクタＬは、電圧出力端子Ｖｏｕｔから平滑な出力直流電圧を出力する。
【００１８】
図１，２に戻り、ＩＣ内蔵基板２は、略平板状を呈している。例えば、ＩＣ内蔵基板２の寸法は、横幅（図中のＸ方向幅）１．９ｍｍ、縦幅（図中のＹ方向幅）１．５ｍｍ、厚さ（図中のＺ方向長さ）１ｍｍ以下とされている。ＩＣ内蔵基板２は、そのインダクタＬ側の主面（一主面）４側に設けられた一対の電極パッド５，５を有している。電極パッド５，５は、例えば銅により形成され、主面４のＸ方向の両端部にてＹ方向に沿って延在している。
【００１９】
また、ＩＣ内蔵基板２は、主面４と側面６とが交差する角部に設けられた面取り面７を、主面４に対し傾斜する傾斜面として有している。この面取り面７は、具体的には、主面４に連続し、外側に向かって厚さが薄くなるように傾斜している。
【００２０】
インダクタＬは、上記ＩＣ内蔵基板２と同様な平板状を呈している。ここでは、インダクタＬは、そのＺ方向視（厚さ方向視）における面積（以下、単に「面積」という）、つまり、ＩＣ内蔵基板２の主面４上への占有面積がＩＣ内蔵基板２の面積よりも僅かに大きいものとされている。例えば、インダクタＬの寸法は、横幅２．０ｍｍ、縦幅１．５ｍｍ、厚さ１ｍｍ以下とされている。
【００２１】
また、インダクタＬは、一対の端子８，８を有している。端子８，８は、電極パッド５，５にハンダ９を介して電気的に接続されるものである。この端子８，８は、ＩＣ内蔵基板２のＸ方向の両端部に設けられている。また、端子８，８は、インダクタＬのＩＣ内蔵基板２側の主面１３に対しＩＣ内蔵基板２側に凸状とされている。ハンダ９の横幅は、端子８の横幅よりも小さくされている。これにより、ハンダ９がインダクタＬの側面１４に回り込むように形成されることが防止されている。
【００２２】
このインダクタＬにあっては、ＩＣ内蔵基板２の主面４側に重ねられている。つまり、インダクタＬは、ＩＣ内蔵基板２の主面４及び面取り面７上にて、重ね合うように配置されている。これと共に、各端子８，８が各電極パッド５，５にハンダ９で電気的に接続されている。このインダクタＬの外形は、図３に示すように、Ｚ方向視においてＩＣ内蔵基板２の外形を含むように構成されている。換言すると、ＩＣ内蔵基板２の外形は、Ｚ方向視において、インダクタＬの外形よりも内側に含まれるように構成されている。
【００２３】
そして、図１に示すように、ＩＣ内蔵基板２の面取り面７とインダクタＬとの間には、ＩＣ内蔵基板２及びインダクタＬを互いに接着する接着樹脂（樹脂）３が充填されている。この接着樹脂３としては、接着性を有する種々のものが用いられる。また、ＩＣ内蔵基板２とインダクタＬとの間には、例えば絶縁性・耐熱性を有するエポキシ系樹脂からなるハンダレジスト１５が形成されている。このハンダレジスト１５は、主面７の外縁部とインダクタＬとの間に形成されたハンダレジスト１６と、端子８，８間に形成されたハンダレジスト（樹脂）１７と、を有している。
【００２４】
充填されたハンダレジスト１７（以下、「レジスト層１７」ともいう）の厚さＳは、電極パッド５の厚さよりも厚くされており、且つ、充填されたハンダレジスト１６（以下、「レジスト層１６」ともいう）の厚さよりも厚くされている。また、このレジスト層１７の寸法公差は、レジスト層１６の寸法公差に比べて厳しく設定されている。これらにより、レジスト層１７は、端子８，８が並ぶ方向であるＸ方向において端子８，８と精度よく係合される。また、ハンダレジスト１５により、ハンダ９が周囲に漏れることなく規制されることから、電極パッド５と端子８との接続ギャップが一定に保たれ、ハンダ量が一定以上に保たれる。よって、ハンダ８による接続強度を一定以上に保つことができる。
【００２５】
次に、上述したＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１の製造方法について、図５のフローチャートを参照しつつ説明する。
【００２６】
図６〜１０に示すように、本実施形態では、ＩＣ内蔵基板２にインダクタＬを複数（例えば、Ｘ方向に８０個、Ｙ方向に５４個）実装する。そして、このＩＣ内蔵基板２をインダクタＬごとに個片化されるよう分断することで、ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１を複数製造する。具体的には、以下の工程を実施する。
【００２７】
まず、図６に示すように、ＩＣ内蔵基板２の主面４の全域にハンダレジスト１５を塗布する（Ｓ１）。そして、例えばマスキング等によるパターニング処理を行い（Ｓ２）、エッチング処理を行うことで、図７に示すように、ハンダレジスト１５が塗布されない領域としてのレジスト抜き１８を形成し、ＩＣ内蔵基板２の電極パッド５を露出させる（Ｓ３）。
【００２８】
続いて、図８に示すように、ダイシング装置を用いてハーフダイシング処理を行う（Ｓ４）。具体的には、主面４と反対側の主面１９に至らないようにダイシングブレードＢを押し当てながら移動させ、ハーフスクライブラインとしての溝部２０を主面４に所定間隔で複数列形成する。そして、この溝部２０の形成と同様にして、主面１９に溝部２１を所定間隔で複数列形成する。
【００２９】
ここで、上記ハーフダイシング処理においては、溝部２０を、その溝幅が底側に行くに従って狭まるように形成する。ここでは、ダイシングブレードＢの刃先形状を利用することで、溝部２０の溝幅を底側に行くに従って狭まるよう形成している。また、隣接する溝部２０，２０の間隔は、ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１のＩＣ内蔵基板２の幅に対応するように設定している。
【００３０】
さらにまた、主面４位置での溝部２０の溝幅（溝部２０の開口部分の溝幅）を小さくすると、主面４上にインダクタＬが多く実装されるために製造効率が高まる一方、大きくすると、実装されたインダクタＬが互いに接触することが防止される。この点において好ましい溝幅として、ここでは、０．２ｍｍとされている。
【００３１】
続いて、図９に示すように、形成された溝部２０内と、ハンダレジスト１５が上記ハーフダイシング処理で除去されてなる貫通溝２７内とに、接着樹脂３を塗布する（Ｓ５）。
【００３２】
続いて、図１０に示すように、形成されたレジスト抜き１８内にハンダペースト（ハンダ）９を塗布する（Ｓ６）。このとき、電極パッド５の酸化を防止するため、電極パッド５を樹脂膜（不図示）で覆っている。なお、この電極パッド５を覆う樹脂膜は、後述のリフロー処理により消失する。ちなみに、電極パッド５の酸化を防止するために、例えば金からなる金属膜で電極パッド５を覆ってもよい。
【００３３】
続いて、図１１に示すように、ハンダペースト９とインダクタＬの端子８とを互いに接触させつつ、インダクタＬを主面４及び溝部２０上に実装する（Ｓ７）。具体的には、ハンダペースト９を介して電極パッド５と端子８とを電気的に互いに接続しながら、インダクタＬの外縁部の一部が溝部２０に入り込むように（重なり合うように）、インダクタＬをＩＣ内蔵基板２上に配置する。
【００３４】
続いて、インダクタＬが実装されたＩＣ内蔵基板２にリフロー処理（熱処理）を行う（Ｓ８）。その後、例えばダイシング装置を用い、主面１９側から溝部２０，２１に沿ってＩＣ内蔵基板２を分断する。そして、ＩＣ内蔵基板２をインダクタＬごとに分断し個片化する（Ｓ９）。
【００３５】
以上の結果、複数のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１が製造される。すなわち、溝部２０の壁面が、面取り面７として形成され、溝部２０内及びその上部に塗布された接着樹脂３が、面取り面７とインダクタＬとの間に充填された接着樹脂３として形成される。さらに、ハンダレジスト１５のうち端子８，８間に塗布されたものがハンダレジスト１７を形成し、主面４の外縁部に塗布されたものがハンダレジスト１６を形成する。
【００３６】
なお、本実施形態では、溝部２０，２１を主面４，１９の一端から他端まで連続するように設けたが、ミシン目状（破線状）に設けてもよい。また、図１２に示すように、溝部２０の底面２０ａに、溝部２０に沿って凹部２２をさらに並設してもよい。この場合、上記Ｓ９にて、容易に個片化することができる。
【００３７】
また、ＩＣ内蔵基板２を分断するための分断パターンを、ＩＣ内蔵基板２の内部に形成してもよい。この場合、個片化の際にＩＣ内蔵基板２に加わる応力を小さくすることができ、ダイシング装置等への負荷・消耗が低減されるため、製造コストを低減することが可能となる。
【００３８】
以上、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１では、面取り面７とインダクタＬとの間に充填された接着樹脂３によって、ＩＣ内蔵基板２及びインダクタＬが互いに接着されている。そのため、ＩＣ内蔵基板２とインダクタＬとの接合強度を向上させ、その信頼性を向上することが可能となる。これは、面取り面７とインダクタＬとの間に充填された接着樹脂３にあっては、面取り面７（傾斜面）を有しない基板に比べ、ＩＣ内蔵基板２への接着面積が増大するためである。さらに、電極パッド５やハンダ９がハンダレジスト１５及び接着樹脂３により２重に覆われるため、外部雰囲気に曝されることが充分に防止され電極の耐食性という点でも優位である。
【００３９】
また、面取り面７が設けられていることにより、ＩＣ内蔵基板２の角部にひっかける等してＩＣ内蔵基板２を破損してしまうのを防止することができる。また、傾斜により生じる空間が接着樹脂３で埋められていることからも、ひっかける等によるＩＣ内蔵基板２とインダクタＬとの剥離を防止することができる。従って、ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１では、その信頼性を一層向上させることができる。
【００４０】
また、本実施形態では、上述したように、ＩＣ内蔵基板２の外形が、その厚さ方向から見て、インダクタＬの外形内に含まれるように構成されている。この場合、ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１の面積は、ＩＣ内蔵基板２の面積に因らずにインダクタＬの面積で画定される。つまり、ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１の面積を実質的に最小化することができ、好適に小型化することができる。なお、ＩＣ内蔵基板２の外形は、その厚さ方向から見て、インダクタＬの外形内に完全に含まれるように構成されなくても、インダクタＬの一対の端子８，８間の幅方向のみ含まれるように構成してもよい。
【００４１】
また、本実施形態では、上述したように、電極パッド５の厚さより厚いレジスト層１７が、端子８，８間に形成され端子８，８と精度よく係合されている。これにより、例えば上記リフロー処理（上記Ｓ８）の際に、インダクタＬのずれを規制することができる。すなわち、レジスト層１７は、インダクタＬをＩＣ内蔵基板２に精度よく据え置くための台座レジスト（台座樹脂）であるといえる。
【００４２】
また、本実施形態のようにＩＣ内蔵基板２の外縁部を接合すると、ＩＣ内蔵基板２の反りを好適に抑制することができる。さらに、本実施形態では、インダクタＬを実装する前にダイシング処理を行うことから、リフロー処理の際におけるＩＣ内蔵基板２の反りを好適に抑制することができる。よって、ＩＣ１１が内蔵されたＩＣ内蔵基板２の場合、ＩＣ１１保護のために反りの抑制が強く要求されることに鑑みると、本実施形態は特に有効なものといえる。
【００４３】
さらに、本実施形態の製造方法では、上述したように、形成した溝部２０が、ＩＣ内蔵基板２の分断するためだけでなく、面取り面７を形成するためのものとして機能される。よって、ＩＣ内蔵基板２とインダクタＬとの接合強度を向上させるＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール１を、好適に製造することが可能となる。
【００４４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、電極パッド５及び端子８が一対設けられているが、３つ設けられていても（いわゆる、３端子型でも）よく、複数設けられていればよい。
【００４５】
また、上記実施形態では、電極パッド５と端子８とをハンダ９で接続したが、例えば超音波溶接等で接続してもよい。また、上記実施形態では、容易に個片化すべく、上記Ｓ４にてＩＣ内蔵基板２の主面１９に溝部２１を形成したが、場合によっては、この溝部２１は形成しなくともよい。
【００４６】
また、上記実施形態では、面取り面７の全域とインダクタＬとの間に接着樹脂３が充填されているが、図１３（ａ）（ｂ）に示すように、面取り面７の一部とインダクタＬとの間に接着樹脂３が充填されていてもよい。また、上記実施形態のように面取り面７を傾斜面とする他に、図１３（ｃ）に示すように、主面４に対し傾斜する側面６を傾斜面してもよい。これらにおいては、面取り面７と主面４との交差部、及び側面６と主面４との交差部の何れもが、インダクタＬの端部（厚さ方向視の外縁）よりも内側に位置している。
【００４７】
また、上記実施形態では、図面上、面取り面７とインダクタＬとの間に接着樹脂３が充填されているが、この接着樹脂３は、面取り面７からＩＣ内蔵基板２の主面４上に渡って一部はみ出していてもよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、インダクタＬの面積をＩＣ内蔵基板２の面積よりも大きいものとしたが、ＩＣ内蔵基板２の面積をインダクタＬの面積よりも大きいものとしてもよい（例えば図１３（ｂ），（ｃ）参照）。さらに、インダクタＬの面積とＩＣ内蔵基板２の面積とを互いに等しくし、インダクタＬをＩＣ内蔵基板２に完全一致するよう重ねてもよい。
【００４９】
なお、上記実施形態中、受動部品としてインダクタＬを例に説明したが、受動部品としては、例えば、インダクタとキャパシタが複合されたフィルタや、ＳＡＷデバイス（フィルタ）、キャパシタ、抵抗、抵抗内蔵キャパシタ、バリスタ、サーミスタ、アンテナ、アイソレータ、サーキュレータ等の様々な素子を適用してもよい。さらに、本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール以外の機器についても適用可能である。
【００５０】
ちなみに、上記実施形態では、ＩＣ内蔵基板２の主面４にハンダレジスト１５を塗布した後、ハーフダイシング処理を行って溝部２０を形成したが、溝部２０を形成した後、主面４にハンダレジスト１５を塗布してもよい。この場合、ハンダレジスト１５を所定部にパターニングした後、樹脂３が溝部２０内に塗布される。さらに、溝部２０内のハンダレジスト１５上に樹脂３と同じ接着用樹脂を塗布してもよい。この接着用樹脂を形成することにより、基板及び受動部品を互いに接着する樹脂を構成することとなり、さらに、電子部品モジュールの強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールを示す断面図である。
【図２】図１のII−II線に沿っての断面図である。
【図３】図１のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールを示す上面図である。
【図４】図１のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールにおける回路図である。
【図５】図１のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】（ａ）は図１のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールの製造方法を説明する図、（ｂ）は（ａ）のVI−VI線に沿っての断面図である。
【図７】（ａ）は図６の続きを示す図、（ｂ）は（ａ）のVII−VII線に沿っての断面図である。
【図８】（ａ）は図７の続きを示す図、（ｂ）は（ａ）のVIII−VIII線に沿っての断面図である。
【図９】（ａ）は図８の続きを示す図、（ｂ）は（ａ）のIX−IX線に沿っての断面図である。
【図１０】（ａ）は図９の続きを示す図、（ｂ）は（ａ）のX−X線に沿っての断面図である。
【図１１】（ａ）は図１０の続きを示す図、（ｂ）は（ａ）のXI−XI線に沿っての断面図である。
【図１２】（ａ）は図１のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールの製造方法における他の例を説明する図、（ｂ）は（ａ）のXII−XII線に沿っての断面図である。
【図１３】図１のＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュールの他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…ＤＣ−ＤＣコンバータ用モジュール（電子部品モジュール）、２…ＩＣ内蔵基板（基板）、３…接着樹脂（樹脂）、４…主面（一主面）、５…電極パッド、６…側面、７…面取り面（傾斜面）、８…端子、１１…ＩＣ（回路）、１７…ハンダレジスト（樹脂）、２０…溝部、Ｌ…インダクタ（受動部品）。
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１２】
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【図１】
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【図２】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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