(57)【要約】      （修正有）【課題】寿命が長く、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得られる有機ＥＬ素子及びそれを実現するスチルベン誘導体の提供。【解決手段】一般式（１）で表されるスチルベン誘導体。2010030973.tif 000047［Ａｒ１〜Ａｒ５は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基、Ａｒ６、Ａｒ７は置換若しくは無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基、Ｒ１、Ｒ２は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である。］【選択図】図１
2010030973.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体。
【化１】
2010030973.tif 000045
［式（１）中、Ａｒ１〜Ａｒ５は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、Ａｒ６及びＡｒ７は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、Ｒ１及びＲ２は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。］
【請求項２】
一般式（１）において、Ａｒ１〜Ａｒ７が、それぞれフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ピレニル基、フルオレニル基、ジベンゾチオフェニル基及びジベンゾフラニル基からなる群から選ばれる基である請求項１に記載のスチルベン誘導体。
【請求項３】
一般式（１）において、Ａｒ３〜Ａｒ５の中の少なくとも１つが、さらにアミノ基で置換されている請求項１又は２に記載のスチルベン誘導体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のスチルベン誘導体に由来する構造を繰り返し単位の少なくとも一部として有する高分子化合物。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のスチルベン誘導体又は請求項４に記載の高分子化合物からなる発光材料。
【請求項６】
前記スチルベン誘導体又は高分子化合物がドーパント材料である請求項５に記載の発光材料。
【請求項７】
陽極と陰極と、
前記陽極及び陰極の間に挟持されている１以上の有機薄膜層とを有し、
前記有機薄膜層の少なくとも一層が請求項１〜３のいずれか１項に記載のスチルベン誘導体又は請求項４に記載の高分子化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記スチルベン誘導体又は高分子化合物を含有する層が、さらにホスト材料を含有する請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記ホスト材料が、アントラセン化合物、ビスアントラセン化合物、ピレン化合物、フルオレン化合物、トリアリールアミン化合物、フルオランテン化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２】
2010030973.tif 000046
［式（２）中、Ａｒ１０は芳香環又は複素芳香環から誘導される３価の基であり、Ａｒ１１〜Ａｒ１３は、それぞれ、１又は２以上の置換基で置換されていてもよい、核炭素数６〜５０のアリール基であり、かつＡｒ１１〜Ａｒ１３及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも１つは核炭素数１０〜２０の縮環アリール構造又は核炭素数６〜２０の縮環ヘテロアリール構造を有する。］
【請求項１０】
前記スチルベン誘導体又は高分子化合物を含有する層が、さらに、りん光性ドーパント及び蛍光性ドーパントからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する請求項７〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記りん光性ドーパントが、金属錯体である請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
請求項５又は６に記載の発光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液を用いて作製した有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスチルベン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、寿命が長く、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現するスチルベン誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
【０００３】
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率、長寿命が要求されている。例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献１）。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度１６５ｍＡ／ｃｍ２において、１６５０ｃｄ／ｍ２の輝度しか得られておらず、効率は１ｃｄ／Ａであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献２）。しかしながら、この技術においても、効率は１〜３ｃｄ／Ａ程度で低く、実用化のための改良が求められていた。一方、有機発光材料として、ジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミン等を添加したものを用いた長寿命の有機ＥＬ素子が提案されている（特許文献３）。しかしながら、この素子は、寿命が十分ではなく、さらなる改良が求められていた。
【０００４】
また、モノ若しくはビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（特許文献４）。しかしながら、これらの技術においては、スチリル化合物の共役構造により発光スペクトルが長波長化して色純度を悪化させていた。
さらに、特許文献５には非対称スチリル化合物を用いた青色発光素子が開示されている。
しかしながら、この素子は、発光効率に優れるものの、寿命が十分でなく、さらなる改良が求められていた。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３７８２号公報
【特許文献２】特開平８−１２６００号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ９４／００６１５７号公報
【特許文献４】特開２００１−２８４０５０号公報
【特許文献５】国際公開ＷＯ０６／４９８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、寿命が長く、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得られる有機ＥＬ素子及びそれを実現するスチルベン誘導体並びに有機ＥＬ材料含有溶液を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記の好ましい性質を有するスチルベン誘導体及びそれを用いた有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、特定構造のスチルベン誘導体を利用することにより寿命が長く、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得るという目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
【０００８】
本発明によれば、以下のスチルベン誘導体及び有機ＥＬ素子等が提供される。
１．下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体。
【化３】
2010030973.tif 000003
［式（１）中、Ａｒ１〜Ａｒ５は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、Ａｒ６及びＡｒ７は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、Ｒ１及びＲ２は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。］
２．一般式（１）において、Ａｒ１〜Ａｒ７が、それぞれフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ピレニル基、フルオレニル基、ジベンゾチオフェニル基及びジベンゾフラニル基からなる群から選ばれる基である上記１に記載のスチルベン誘導体。
３．一般式（１）において、Ａｒ３〜Ａｒ５の中の少なくとも１つが、さらにアミノ基で置換されている上記１又は２に記載のスチルベン誘導体。
４．上記１〜３のいずれかに記載のスチルベン誘導体に由来する構造を繰り返し単位の少なくとも一部として有する高分子化合物。
５．上記１〜３のいずれかに記載のスチルベン誘導体又は上記４に記載の高分子化合物からなる発光材料。
６．前記スチルベン誘導体又は高分子化合物がドーパント材料である上記５に記載の発光材料。
７．陽極と陰極と、
前記陽極及び陰極の間に挟持されている１以上の有機薄膜層とを有し、
前記有機薄膜層の少なくとも一層が上記１〜３のいずれかに記載のスチルベン誘導体又は上記４に記載の高分子化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
８．前記スチルベン誘導体又は高分子化合物を含有する層が、さらにホスト材料を含有する上記７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
９．前記ホスト材料が、アントラセン化合物、ビスアントラセン化合物、ピレン化合物、フルオレン化合物、トリアリールアミン化合物、フルオランテン化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種である上記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化４】
2010030973.tif 000004
［式（２）中、Ａｒ１０は芳香環又は複素芳香環から誘導される３価の基であり、Ａｒ１１〜Ａｒ１３は、それぞれ、１又は２以上の置換基で置換されていてもよい、核炭素数６〜５０のアリール基であり、かつＡｒ１１〜Ａｒ１３及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも１つは核炭素数１０〜２０の縮環アリール構造又は核炭素数６〜２０の縮環ヘテロアリール構造を有する。］
１０．前記スチルベン誘導体又は高分子化合物を含有する層が、さらに、りん光性ドーパント及び蛍光性ドーパントからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する上記７〜９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．前記りん光性ドーパントが、金属錯体である上記１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．上記５又は６に記載の発光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
１３．上記１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液を用いて作製した有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のスチルベン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、低い印加電圧で実用上十分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のスチルベン誘導体は、下記一般式（１）で表される化合物である。また、本発明の高分子化合物は、一般式（１）で表されるアントラセン誘導体の構造を繰り返し単位の少なくとも一部として有する。
【化５】
2010030973.tif 000005
【００１１】
式（１）中、Ａｒ１〜Ａｒ５は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。若しくはＡｒ６及びＡｒ７は、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。Ｒ１及びＲ２は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、好ましくは水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基である。
【００１２】
Ａｒ１〜Ａｒ７、Ｒ１及びＲ２の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、インデニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、アセナフチレニル基、ビフェニル基、クリセニル基、ピレニル基、トリフェニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基が挙げられ、ナフチル基、フェナントリル基、クリセニル基、ピレニル基、トリフェニル基、フルオレニル基、テルフェニル基が挙げられる。具体的には、フェニル基、６−インデニル基、７−インデニル基、１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、５−ナフタセニル基、３−アセナフチレニル基、４−アセナフチレニル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、６−クリセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基、１−フルオランテニル基、２−フルオランテニル基、３−フルオランテニル基、７−フルオランテニル基、８−フルオランテニル基、１−ペリレニル基、２−ペリレニル基、３−ペリレニル基が挙げられる。
好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、２−フェナントリル基、２−フルオレニル基である。
【００１３】
Ａｒ１〜Ａｒ７、Ｒ１及びＲ２の芳香族炭化水素基は、好ましくは核炭素数が６〜６０であり、より好ましくは核炭素数が６〜３０である。
【００１４】
Ａｒ１〜Ａｒ７、Ｒ１及びＲ２の芳香族複素環基の例としては、置換若しくは無置換のピロリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、インドリル基、フリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、キノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。具体的には、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ベンゾチオフェニル基、２−ベンゾチオフェニル基、３−ベンゾチオフェニル基、４−ベンゾチオフェニル基、５−ベンゾチオフェニル基、６−ベンゾチオフェニル基、７−ベンゾチオフェニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、等が挙げられる。
好ましくは、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基等が挙げられる。
【００１５】
Ａｒ１〜Ａｒ７、Ｒ１及びＲ２の芳香族複素環基は、核炭素数が５〜１８であることが好ましい。
【００１６】
Ａｒ１〜Ａｒ７、Ｒ１及びＲ２の前記芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数２〜６０の芳香族複素環基等が挙げられる。
【００１７】
Ｒ１、Ｒ２、Ａｒ６及びＡｒ７のアルキル基としては、炭素数１〜５０のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００１８】
Ｒ１、Ｒ２、Ａｒ６及びＡｒ７の前記アルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、炭素数２〜６０の芳香族複素環基等が挙げられる。
【００１９】
式（１）のＡｒ１〜Ａｒ７、Ｒ１及びＲ２が、置換された芳香族炭化水素基又は置換された芳香族複素環基である場合、並びにＲ１、Ｒ２、Ａｒ６及びＡｒ７が、置換されたアルキル基である場合の置換基の具体例としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルニル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜６０、より好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えばフェニル、フルオレニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、クリセニル、ピレニル、トリフェニレニル、フルオランテニル等が挙げられる。）、置換又は無置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１２、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル等が挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、置換又は無置換のスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。）、置換又は無置換のスルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。）、置換又は無置換のカルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。）、置換又は無置換のスルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、置換又は無置換のスルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。）、置換又は無置換のウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。）、置換又は無置換のリン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含むものであり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。）等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また置換基が２つ以上ある場合は、同一でも異なっていてもよい。また、可能な場合には、Ａｒ１〜Ａｒ７及びＲ１、Ｒ２が互いに連結して環を形成していてもよい。例えば、Ａｒ１とＡｒ３〜Ａｒ５が互いに連結して環を形成した例、Ａｒ２、Ａｒ６とＡｒ７が互いに連結して環を形成した例、及びＡｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２が互いに連結して環を形成した場合の例を下記に示す。
【００２０】
Ａｒ１、Ａｒ３〜Ａｒ５が互いに連結して環を形成する場合の例
【化６】
2010030973.tif 000006
【００２１】
Ａｒ２、Ａｒ６とＡｒ７が互いに連結して環を形成する場合の例
【化７】
2010030973.tif 000007
【００２２】
Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２が互いに連結して環を形成する場合の例
【化８】
2010030973.tif 000008
【００２３】
好適な置換基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、トリメチルシリル、トリフェニルシリルが挙げられる。
【００２４】
以下に、Ａｒ１〜Ａｒ７、Ｒ１及びＲ２の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基及び置換若しくは無置換の芳香族複素環基の具体例を示す。
【化９】
2010030973.tif 000009
【００２５】
Ｒ１、Ｒ２、Ａｒ６及びＡｒ７の置換若しくは無置換のアルキル基の具体例としては、メチル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基が挙げられる。
【００２６】
本発明においては、前記式（１）中、Ａｒ３〜Ａｒ５のうちの少なくとも１つが、さらにアミノ基で置換されていることが好ましい。
アミノ基としては、特に限定はされないが、以下のものが好ましい。
【化１０】
2010030973.tif 000010
【００２７】
上記式中、Ｒは、アルキル基又はアリール基を示す。また、上記式中、窒素原子に結合しているフェニル基部分は、以下のアリール基と置き換えることができる。
【００２８】
【化１１】
2010030973.tif 000011
【００２９】
以下に、本発明のスチルベン誘導体の具体例を示す。
【化１２】
2010030973.tif 000012
【００３０】
【化１３】
2010030973.tif 000013
【００３１】
【化１４】
2010030973.tif 000014
【００３２】
【化１５】
2010030973.tif 000015
【００３３】
【化１６】
2010030973.tif 000016
【００３４】
本発明のスチルベン誘導体は、例えば、下記のような一般的なリチオ化反応、鈴木カップリング反応、アミノ化反応で合成することができる。
【化１７】
2010030973.tif 000017
【００３５】
また、本発明の高分子化合物は、通常高分子合成で用いられる方法（重縮合反応、カップリング反応、ラジカル反応、リビング重合等）のいずれかを用いて合成されるもので、素子を作成する上で不都合がない限り、構造等に特別な制限は必要ないが、ガラス転移点を有する重合度以上の分子量であることが好ましい。また、スチルベン誘導体の比率は、その特性を発現する限りにおいて特に制限はないが、通常は、ホスト材料としての特性を発現するために５０〜９９．９９重量％の範囲の比率であることが好ましい。
【００３６】
本発明のスチルベン誘導体又は高分子化合物は、有機ＥＬ素子の発光材料として使用できる。好ましくはドーパント材料として使用する。
【００３７】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極及び陰極と、陽極及び陰極の間に挟持されている、発光層を含む１以上の有機薄膜層とを有し、有機薄膜層の少なくとも一層が、本発明のスチルベン誘導体又は高分子化合物を含有する。
本発明の有機ＥＬ素子においては、前記発光層が前記スチルベン誘導体又は高分子化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、前記発光層中に本発明のスチルベン誘導体又は高分子化合物中にスチルベン誘導体部分構造が０．００１〜５０重量％含有されていることが好ましく、０．００５〜１０重量％含有されていることがさらに好ましく、０．０１〜５重量％含有されていることが最も好ましい。
【００３８】
本発明のスチルベン誘導体又は高分子化合物を含有する層は、さらに、りん光性ドーパント及び蛍光性ドーパントの少なくとも１種を含有することができる。このようなドーパントを含むことにより、りん光発光層、蛍光発光層及びりん光と蛍光両方を有するハイブリッド発光層として機能することができる。
蛍光性ドーパントとしては、アリールアミン化合物、スチリルアミン化合物及びフルオランテン化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。りん光性ドーパントとしては、金属錯体が好ましい。これらの具体例は後述する発光層の説明において記載する。
【００３９】
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な構成として、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
等を挙げることができるが、これらに限定されない。これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられる。
【００４０】
図１に上記（８）の有機ＥＬ素子の構成を示す。この有機ＥＬ素子は、陰極１０及び陽極２０と、その間に挟持されている、正孔注入層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６からなる。正孔注入層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６が、複数の有機薄膜層に相当する。これら有機薄膜層３０，３２，３４，３６の少なくとも一層が、上記のスチルベン誘導体又は高分子化合物を含有する。
【００４１】
以下、有機ＥＬ素子の各部材について説明する。
有機ＥＬ素子は、通常基板上に作製し、基板は有機ＥＬ素子を支持する。平滑な基板を用いるのが好ましい。この基板を通して光を取り出すときは、基板は透光性であり、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましい。
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板等が好適に用いられる。ガラス板としては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等の板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂等の板が挙げられる。
【００４２】
陽極は、正孔を、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層に注入し、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯ）、ＩＴＯと酸化セリウムの混合物（ＩＴＣＯ）、ＩＺＯと酸化セリウムの混合物（ＩＺＣＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムの混合物（ＩＣＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの混合物（ＡＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極はこれらの電極物質から蒸着法やスパッタリング法等で形成できる。
発光層からの発光を陽極側から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍである。
【００４３】
発光層は、以下の機能を有する。
（ｉ）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
（ｉｉ）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（ｉｉｉ）発光機能；電子と正孔を再結合させ、これを発光につなげる機能
【００４４】
発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物を沈着して形成した膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物を固体化して形成した膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
【００４５】
発光層に使用できる、本発明の発光材料以外の発光材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及びこれらの誘導体や蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
本発明の有機ＥＬ素子において、発光層に使用できるホスト材料の具体例としては、例えば、下記（２ａ）〜（２ｆ）で表される化合物が挙げられる。
本発明のスチルベン誘導体を有機ＥＬ素子の発光材料として用いる場合、前記発光層が前記スチルベン誘導体を少なくとも１種と下記一般式（２ａ）〜（２ｆ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含むことが好ましい。
【００４７】
下記式（２ａ）又は（２ａ’）で表されるアントラセン誘導体。
一般式（２ａ）
【化１８】
2010030973.tif 000018
【００４８】
式（２ａ）において、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ、置換若しくは無置換の炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は１又は２以上の置換基で置換されていてもよい。前記芳香族環の置換基は、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜５０、アルキル部分は炭素数１〜５）、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基（アルコキシ部分は炭素数１〜５０）、置換若しくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれ、Ｒ１１〜Ｒ１８の具体例として下記に記載する基から選択される。前記芳香族環が２以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。Ａｒ１１とＡｒ１２は、異なることが好ましい。また、Ａｒ１１とＡｒ１２の少なくとも一方は、置換若しくは無置換の炭素数１０〜３０の縮合環基を有する置換基であることが好ましく、置換若しくは無置換のナフチル基を有する置換基であることがより好ましい。
【００４９】
Ａｒ１１及びＡｒ１２の置換若しくは無置換の炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基等が挙げられる。好ましくは、置換若しくは無置換の核炭素数１０〜１４の芳香族環から誘導される基であり、特に１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基が好ましい。
【００５０】
Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜５０、アルキル部分は炭素数１〜５０）、置換若しくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基（アルキル部分は炭素数１〜５０）、置換若しくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる。
【００５１】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基等が挙げられる。
【００５２】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００５３】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００５４】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換基の置換若しくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
【００５５】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基は−ＯＹで表される基であり、Ｙは、前記Ｒ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基から選択される。
【００５６】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換基の置換若しくは無置換のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜５０、アルキル部分は炭素数１〜５０）としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
【００５７】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換の原子数６〜５０のアリールオキシ基及びアリールチオ基は、それぞれ−ＯＹ’及び−ＳＹ”と表され、Ｙ’及びＹ”は、前記Ｒ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換の原子数６〜５０のアリール基から選ばれる。
【００５８】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基（アルキル部分は炭素数１〜５０）は−ＣＯＯＺと表され、Ｚは、前記Ｒ１１〜Ｒ１８の置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基から選ばれる。
【００５９】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８の置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００６０】
式（２ａ）におけるＲ１１〜Ｒ１８のハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００６１】
前記Ｒ１１〜Ｒ１８及び／又は前記Ａｒ１１〜Ａｒ１２の芳香族環の置換基は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基等でさらに置換されていてもよい。
【００６２】
式（２ａ）で表されるアントラセン誘導体は下記式（２ａ’）に示す構造を有する化合物であることが好ましい。
【化１９】
2010030973.tif 000019
【００６３】
式（２ａ’）中、Ａｒ１１及びＡｒ１２、Ｒ１１〜Ｒ１８は、式（２ａ）で定義したとおりである。ただし、アントラセン構造の９位及び１０位の置換基Ａｒ１１とＡｒ１２は、Ｘ−Ｙ軸に対して非対称である。
【００６４】
式（２ａ’）で表されるアントラセン誘導体の具体例を下記に示す。
【化２０】
2010030973.tif 000020
【００６５】
上記の他、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる一般式（２ａ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、特開２００４−３５６０３３号公報［００４３］〜［００６３］に示されている分子中にアントラセン骨格を２個有するものや、国際公開第２００５／０６１６５６号パンフレットの２７〜２８ページに示されているアントラセン骨格を１個有する化合物等公知の各種アントラセン誘導体を挙げることができる。
【００６６】
下記式（２ｂ）で表されるピレン誘導体。
【化２１】
2010030973.tif 000021
【００６７】
式（２ｂ）において、Ａｒ１３及びＡｒ１４は、それぞれ、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基であり、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ、置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のナフタレニレン基、置換若しくは無置換のフルオレニレン基、及び、置換若しくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる基であり、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。また、Ｌ１又はＡｒ１３はピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ２又はＡｒ１４はピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
【００６８】
式（２ｂ）におけるＡｒ１３及びＡｒ１４の核炭素数６〜５０のアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、９−（１０−フェニル）アントリル基、９−（１０−ナフチル−１−イル）アントリル基、９−（１０−ナフチル−２−イル）アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基等が挙げられる。好ましくは、核炭素数６〜１６の芳香族環基であり、特にフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−（１０−フェニル）アントリル基、９−（１０−ナフチル−１−イル）アントリル基、９−（１０−ナフチル−２−イル）アントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基である。
【００６９】
また、前記アリール基は、さらに置換基で置換されていてもよく、置換基としては、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、原子数６〜４０のアリール基、原子数６〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、原子数６〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００７０】
式（２ｂ）におけるＬ１及びＬ２は、好ましくは置換若しくは無置換のフェニレン基及び置換若しくは無置換のフルオレニレン基から選ばれる。置換基は、前記アリール基の置換基として例示した基から選ばれる。
式（２ｂ）におけるｍは、好ましくは０〜１の整数である。ｎは、好ましくは１〜２の整数である。ｓは、好ましくは０〜１の整数である。ｔは、好ましくは０〜２の整数である。
【００７１】
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる一般式（２ｂ）で表されるピレン誘導体の具体例としては、国際公開第２００５／１１５９５０号パンフレット［００２０］〜［００２３］に示されている非対称ピレン誘導体を挙げることができる。この他に対称ピレン誘導体も本発明の有機ＥＬ素子用材料として利用できる。
【００７２】
下記式（２ｃ）で表されるトリアリールアミン誘導体。
【化２２】
2010030973.tif 000022
【００７３】
式（２ｃ）において、Ａｒ１５〜Ａｒ１７は、それぞれ、アントラセン構造を有する基、フェナントレン構造を有する基、及び、ピレン構造を有する基から選ばれ、Ｒ１９〜Ｒ２１は、それぞれ、水素原子又は置換基を表す。
【００７４】
式（２ｃ）におけるＡｒ１５〜Ａｒ１７は、好ましくは置換若しくは無置換のアントリルフェニル基、アントリル基、フェナントレニル基、ペリレニル基及びピレニル基から選ばれ、より好ましくはアルキル置換若しくは無置換のアントリルフェニル基、フェナントリル基及びピレニル基から選ばれ、特に好ましくはピレニル基及びフェナントリル基から選ばれる。
【００７５】
式（２ｃ）におけるＲ１９〜Ｒ２１としては、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル等が挙げられる）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ等が挙げられる）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシ等が挙げられる）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシ等が挙げられる）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル等が挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオ等が挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル等が挙げられる）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる）等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。
式（２ｃ）における置換基Ｒ１９〜Ｒ２１は、好ましくはアルキル基及びアリール基から選ばれる。
【００７６】
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる一般式（２ｃ）で表されるアミン誘導体の具体例としては、特開２００２−３２４６７８号公報［００７９］〜［００８３］に示されているアミン誘導体等の公知の各種アミン誘導体を挙げることができる。
【００７７】
下記式（２ｄ）で表されるフルオレン化合物。
【化２３】
2010030973.tif 000023
【００７８】
式中、Ｒ０５１及びＲ０５２は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリール基，置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ０５１同士、Ｒ０５２同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ０５１及びＲ０５２は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ０５３及びＲ０５４は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリール基又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ０５３同士、Ｒ０５４同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ０５３及びＲ０５４は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ０１１及びＡｒ０１２は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換若しくは無置換の縮合多環芳香族炭化水素基又はベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換若しくは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環芳香族複素環基を表わし、Ａｒ０１１及びＡｒ０１２は、同じであっても異なっていてもよい。ｎ１は、１〜１０の整数を表す。）
【００７９】
下記式（２ｅ−１）〜（２ｅ−５）で表されるフルオランテン化合物。
【化２４】
2010030973.tif 000024
【００８０】
式（２ｅ−１）〜（２ｅ−３）中、Ｒ４０１〜Ｒ４１４は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、又は置換若しくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基であり、さらにＲ４０１〜Ｒ４１４のうち、隣接する基及び各基の置換基は、互いに結合して、置換若しくは無置換の環を形成していてもよい。
【００８１】
【化２５】
2010030973.tif 000025
【００８２】
式（２ｅ−４）、（２ｅ−５）中、ｎ４は１〜４であり、Ｘ１〜Ｘ１６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数１〜３０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数１〜３０のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数２〜３０のアルケニル基、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数２〜３０のアルケニルオキシ基、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数２〜３０のアルケニルチオ基、置換若しくは無置換の炭素原子数７〜３０のアラルキル基、置換若しくは無置換の炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、置換若しくは無置換の炭素原子数７〜３０のアラルキルチオ基、置換若しくは無置換の炭素原子数６〜２０のアリール基（ただし、式（２ｅ−４）、（２ｅ−５）である場合はない）、置換若しくは無置換の炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の炭素原子数６〜２０のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素原子数６〜２０の複素環基、置換若しくは無置換の炭素原子数２〜３０のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、水酸基、−ＣＯＯＲ１ｅ基（基中、Ｒ１ｅは水素原子、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数２〜３０のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素原子数７〜３０のアラルキル基、又は置換若しくは無置換の炭素原子数６〜３０のアリール基を表す）、又は−ＣＯＲ２ｅ基（基中、Ｒ２ｅは水素原子、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数２〜３０のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素原子数７〜３０のアラルキル基、置換若しくは無置換の炭素原子数６〜３０のアリール基、又はアミノ基を表す）、−ＯＣＯＲ３ｅ基（基中、Ｒ３ｅは、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の直鎖、分岐若しくは環状の炭素原子数２〜３０のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素原子数７〜３０のアラルキル基、又は置換若しくは無置換の炭素原子数６〜３０のアリール基を表す）を表し、さらにＸ１〜Ｘ１６のうち、隣接する基及び各基の置換基は、互いに結合して、置換若しくは無置換の炭素環を形成していてもよい。
【００８３】
下記式（２ｆ）で表される化合物。
一般式（２ｆ）
【化２６】
2010030973.tif 000026
【００８４】
式（２ｆ）において、Ａｒ１８〜Ａｒ２０は、それぞれ、核炭素数６〜５０のアリール基を表し、前記アリール基は１又は２以上の置換基で置換されていてもよい。
Ａｒ１８〜Ａｒ２０及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも１つは核炭素数１０〜２０の縮合環アリール構造又は核炭素数６〜２０の縮合環ヘテロアリール構造を有する。Ａｒは芳香族環又は複素芳香環から誘導される３価の基を表す。
【００８５】
式（２ｆ）のＡｒ１８〜Ａｒ２０の核炭素数６〜５０のアリール基は、好ましくは核炭素数が６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１６である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオレニル基、ビフェニルイル基、ターフェニルイル基、ルブレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントレニル基、ジフェニルアントリル基等が挙げられ、これらのアリール基はさらに置換基を有していてもよい。
【００８６】
アリール基上の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル等が挙げられる）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ等が挙げられる）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシ等が挙げられる）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシ等が挙げられる）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル等が挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオ等が挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基等が挙げられる）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる）等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。
【００８７】
式（２ｆ）におけるＡｒ１８〜Ａｒ２０及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも１つが有する核炭素数１０〜２０の縮合環アリール構造としては、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ペリレン構造等が挙げられ、好ましくはナフタレン構造、アントラセン構造、ピレン構造、フェナントレン構造であり、より好ましくはフェナントレン構造、４環以上のアリール構造であり、特に好ましくはピレン構造である。
【００８８】
式（２ｆ）におけるＡｒ１８〜Ａｒ２０及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも１つが有する核炭素数６〜２０の縮合環ヘテロアリール構造としては、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造等が挙げられ、好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
【００８９】
一般式（２ｆ）におけるＡｒの芳香環から誘導される３価の基は、好ましくは炭素数６〜３０であり、より好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１６である。具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラン、フェナントレン、ピレン、トリフェニレンから誘導される３価の基等が挙げられる。
【００９０】
一般式（２ｆ）におけるＡｒの複素芳香環から誘導される３価の基は、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる原子を含み、より好ましくは窒素原子を含む。また、好ましくは炭素数２〜３０であり、より好ましくは炭素数３〜２０であり、さらに好ましくは炭素数３〜１６である。具体的には、ピリジン、ピラジン、チオピラン、キノリン、キノキサリン、トリアジンから誘導される３価の基等が挙げられる。これらの芳香環又は複素芳香環から誘導される３価の基は置換基を有していてもよい。置換基としては、置換基Ａｒ１８のアリール基上の置換基で示した基等が挙げられる。Ａｒは、好ましくはベンゼントリイル、ナフタレントリイル、アントラセントリイル、ピレントリイル、トリフェニレンから誘導される３価の基であり、より好ましくはベンゼントリイルであり、さらに好ましくは無置換（Ａｒ１８、Ａｒ１９及びＡｒ２０は置換されている）ベンゼントリイル、アルキル置換ベンゼントリイルである。
【００９１】
本発明の有機ＥＬ素子においては、所望により発光層に、本発明の発光材料の他に、りん光性ドーパント及び／又は蛍光性ドーパントを含有してもよい。また、本発明のスチルベン誘導体を含む発光層に、これらのドーパントを含む発光層を積層してもよい。
【００９２】
りん光性ドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。りん光性化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００９３】
ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格又はフェナントロリン骨格を有する化合物、又は２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの配位子は必要に応じて置換基を有してもよい。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していてもよい。
【００９４】
このような金属錯体の具体例は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられるが、これらに限定されず、要求される発光色、素子性能、使用するホスト化合物により適切な錯体を選択すればよい。
【００９５】
りん光性ドーパントの発光層における含有量には、特に制限はなく、目的に応じて適宜すればよいが、例えば、０．１〜７０重量％であり、１〜３０重量％が好ましい。りん光性化合物の含有量が０．１重量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されないおそれがあり、７０重量％を超える場合は、濃度消光と呼ばれる現象が顕著になり素子性能が低下するおそれがある。
【００９６】
蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて化合物を選択することが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物がさらに好ましい。また、アミン化合物ではない縮合多環芳香族化合物も好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。
【００９７】
スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（Ａ）で表されるものが好ましい。
【化２７】
2010030973.tif 000027
【００９８】
式中、Ａｒ１０１はｐ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベニル基、ジスチリルアリール基の対応するｐ価の基であり、Ａｒ１０２及びＡｒ１０３は、それぞれ炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ１０１、Ａｒ１０２及びＡｒ１０３は置換されていてもよい。Ａｒ１０１〜Ａｒ１０３のいずれか一つはスチリル基で置換されている。さらに好ましくはＡｒ１０２又はＡｒ１０３の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。ｐは１〜４の整数であり、好ましくは１〜２の整数である。
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００９９】
アリールアミン化合物及びアリールジアミン化合物としては、下記式（Ｂ）で表されるものが好ましい。
【化２８】
2010030973.tif 000028
【０１００】
式中、Ａｒ１１１はｑ価の置換若しくは無置換の核炭素数５〜４０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ１１２、Ａｒ１１３は、それぞれ置換若しくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑは１〜４の整数であり、好ましくは１〜２の整数である。
【０１０１】
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラニル基、ビスアントラセニル基等が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基が好ましい。
尚、ｑ価の核炭素数５〜４０の芳香族炭化水素基としては、上記アリール基（１価）の例において、さらに（ｑ−１）価の結合手を有する基が挙げられる。
【０１０２】
尚、前記アリール基及び芳香族炭化水素基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核炭素数５〜４０のアリール基、核炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【０１０３】
発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有してもよい。
発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となるおそれがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇するおそれがある。
【０１０４】
正孔注入層及び正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒以上であることが好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層の材料には、特に制限はなく、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層及び正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１０５】
正孔注入層及び正孔輸送層に、例えば、下記式で表される芳香族アミン誘導体が使用できる。
【化２９】
2010030973.tif 000029
【０１０６】
式中、Ａｒ２１１〜Ａｒ２１３、Ａｒ２２１〜Ａｒ２２３及びＡｒ２０３〜Ａｒ２０８は、それぞれ置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ａ〜ｆは、それぞれ０〜３の整数である。Ａｒ２０３とＡｒ２０４、Ａｒ２０５とＡｒ２０６、Ａｒ２０７とＡｒ２０８は、それぞれ互いに連結して飽和若しくは不飽和の環を形成してもよい。
【０１０７】
置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基が挙げられる。
【０１０８】
置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフリル基、３−ベンゾフリル基、４−ベンゾフリル基、５−ベンゾフリル基、６−ベンゾフリル基、７−ベンゾフリル基、１−イソベンゾフリル基、３−イソベンゾフリル基、４−イソベンゾフリル基、５−イソベンゾフリル基、６−イソベンゾフリル基、７−イソベンゾフリル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基が挙げられる。
【０１０９】
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層に、下記式で表される化合物が使用できる。
【化３０】
2010030973.tif 000030
Ａｒ２３１〜Ａｒ２３４は、それぞれ置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。Ｌは連結基であり、単結合、２価の置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は２価の置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ｘは０〜５の整数である。Ａｒ２３２とＡｒ２３３は互いに連結して飽和若しくは不飽和の環を形成してもよい。ここで置換若しくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、及び置換若しくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０１１０】
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層の材料の具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
【０１１１】
正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１１２】
また２個の縮合芳香族環を分子内に有する化合物、例えば４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）や、トリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を用いることが好ましい。
【０１１３】
この他に下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。
【化３１】
2010030973.tif 000031
【０１１４】
式中、Ｒ２０１〜Ｒ２０６は、それぞれ置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基のいずれかを示す。Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ２０５とＲ２０６、Ｒ２０１とＲ２０６、Ｒ２０２とＲ２０３、又はＲ２０４とＲ２０５は縮合環を形成してもよい。
【０１１５】
さらに、下記式の化合物も用いることができる。
【化３２】
2010030973.tif 000032
Ｒ２１１〜Ｒ２１６は置換基であり、好ましくは、それぞれシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。
【０１１６】
また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層及び正孔輸送層の材料として使用することができる。
正孔注入層及び正孔輸送層は上述した化合物を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層及び正孔輸送層の膜厚には特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。正孔注入層及び正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、異なる化合物からなる複数の正孔注入層及び正孔輸送層を積層したものであってもよい。
【０１１７】
有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
【０１１８】
電子注入層及び電子輸送層は、発光層への電子の注入を助け、電子を発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。また付着改善層は、特に陰極との付着が良い材料からなる電子注入層の一種である。
電子輸送層は５ｎｍ〜５μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いときには、電圧上昇を避けるために、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【０１１９】
電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウムを挙げることができる。
【０１２０】
オキサジアゾール誘導体としては、以下の式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
【化３３】
2010030973.tif 000033
【０１２１】
式中、Ａｒ３０１、Ａｒ３０２、Ａｒ３０３、Ａｒ３０５、Ａｒ３０６、及びＡｒ３０９は、それぞれ置換又は無置換のアリール基を示す。またＡｒ３０４、Ａｒ３０７、Ａｒ３０８は、それぞれ置換又は無置換のアリーレン基を示す。
【０１２２】
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基等が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレ基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
【０１２３】
上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
【化３４】
2010030973.tif 000034
上記式中、Ｍｅはメチル基、ｔ−Ｂｕはｔブチル基を示す。
【０１２４】
さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記式（Ｅ）〜（Ｊ）で表されるものも用いることができる。
一般式（Ｅ）及び（Ｆ）で表される含窒素複素環誘導体
【化３５】
2010030973.tif 000035
【０１２５】
式（Ｅ）及び（Ｆ）中、Ａ３１１〜Ａ３１３は、それぞれ窒素原子又は炭素原子である。
【０１２６】
Ａｒ３１１は、置換若しくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換若しくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基であり、Ａｒ３１１’は、置換若しくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基又は置換若しくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ３１２は、水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換若しくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。ただし、Ａｒ３１１及びＡｒ３１２のいずれか一方は、置換若しくは無置換の核炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換若しくは無置換の核原子数３〜６０のモノヘテロ縮合環基である。
【０１２７】
Ｌ３１１、Ｌ３１２及びＬ３１３は、それぞれ単結合、置換若しくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換若しくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換若しくは無置換のフルオレニレン基である。
【０１２８】
Ｒ４及びＲ３１１は、それぞれ水素原子、置換若しくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換若しくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎ２は０〜５の整数であり、ｎ２が２以上の場合、複数のＲ４は同一でも異なっていてもよく、また、隣接するＲ４基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
【０１２９】
一般式（Ｇ）で表される含窒素複素環誘導体
ＨＡｒ３０−Ｌ３１４−Ａｒ３２１−Ａｒ３２２    （Ｇ）
（式中、ＨＡｒ３０は、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環基であり、Ｌ３１４は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい原子数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ３２１は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ３２２は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい原子数３〜６０のヘテロアリール基である。
【０１３０】
一般式（Ｈ）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体
【化３６】
2010030973.tif 000036
【０１３１】
式（Ｈ）中、Ｘ３０１及びＹ３０１は、それぞれ炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ３０１〜Ｒ３０４は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルホニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基又はシアノ基である。これらの基は置換されていてもよい。また、Ｘ３０１、Ｙ３０１及びＲ３０１〜Ｒ３０４の隣接した基が互いに結合して、置換若しくは無置換の縮合環を形成してもよい。
【０１３２】
一般式（Ｉ）で表されるボラン誘導体
【化３７】
2010030973.tif 000037
【０１３３】
式（Ｉ）中、Ｒ３２１〜Ｒ３２８及びＺ３２２は、それぞれ水素原子、飽和若しくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ３０２、Ｙ３０２及びＺ３２１は、それぞれ飽和若しくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｚ３２１とＺ３２２は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎ２は１〜３の整数を示し、ｎ又は（３−ｎ２）が２以上の場合、Ｒ３２１〜Ｒ３２８、Ｘ３０２、Ｙ３０２、Ｚ３２２及びＺ３２１は同一でも異なってもよい。但し、ｎ２が１、Ｘ３０２、Ｙ３０２及びＲ３２２がメチル基でＲ３２８が水素原子又は置換ボリル基の化合物、及びｎ２が３でＺ３２１がメチル基の化合物を含まない。
【０１３４】
一般式（Ｊ）で表されるガリウム錯体
【化３８】
2010030973.tif 000038
式（Ｊ）中、Ｑ３０１及びＱ３０２は、それぞれ下記式（Ｋ）で示される配位子を表し、Ｌ３１５は、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、−ＯＲ５（Ｒ５は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。）又は−Ｏ−Ｇａ−Ｑ３０３（Ｑ３０４）（Ｑ３０３及びＱ３０４は、Ｑ３０１及びＱ３０２と同じである。）で示される配位子を表す。
【０１３５】
【化３９】
2010030973.tif 000039
【０１３６】
式（Ｋ）中、環Ａ３０１及びＡ３０２は、それぞれ置換基を有してもよい互いに縮合した６員アリール環構造である。
【０１３７】
この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きい。
式（Ｋ）の配位子を形成する環Ａ３０１及びＡ３０２の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換若しくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換若しくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換若しくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換若しくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換若しくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換若しくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビス（アセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等の置換若しくは無置換のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基等の芳香族複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環若しくは複素環を形成してもよい。
【０１３８】
有機ＥＬ素子の好ましい形態では、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元できる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩、希土類金属の炭酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
【０１３９】
また、具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる。仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ若しくはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【０１４０】
陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。このような層により、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。電子注入層が絶縁性薄膜であれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。
【０１４１】
絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができ好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
【０１４２】
また、電子注入層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物は、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。
【０１４３】
陰極としては、仕事関数の小さい（例えば、４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、セシウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、Ａｌ／Ｌｉ２Ｏ、Ａｌ／ＬｉＯ、Ａｌ／ＬｉＦ、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
【０１４４】
陰極はこれらの電極物質から蒸着やスパッタリング等により作製できる。
発光層からの発光を陰極側から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【０１４５】
一般に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入してもよい。
絶縁層に用いる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【０１４６】
有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により、陽極から、必要な層を順次形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
【０１４７】
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を蒸着法又はスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０−７〜１０−３Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃で適宜選択することが好ましい。
【０１４８】
次に、正孔注入層上に発光層を設ける。発光層の形成も、真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。
【０１４９】
次に、発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は蒸着法、スパッタリングにより形成できる。下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
【０１５０】
有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。本発明のスチルベン誘導体又は高分子化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、又は本発明のスチルベン誘導体若しくは高分子化合物を溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
【０１５１】
一般に塗布方式と言われる方法、即ち、有機ＥＬ材料含有溶液を使用して有機ＥＬ素子の各層を形成する方法の場合、使用する溶媒はその目的に応じて、有機ＥＬ材料に対して良溶媒を使用し、均一溶液を調製し使用することも可能であるし、貧溶媒を用いたり、良溶媒と貧溶媒の混合溶媒を用いて分散液を調製し使用することも可能である。
【０１５２】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液は、上述した本発明のスチルベン誘導体又は高分子化合物を含むものである。
使用する溶媒としては、一般的に入手可能なものであれば制限はなく、プロセス適合性に合わせて、粘度や溶解性により選択すればよい。
例えば、良溶媒であることが多いものとしては芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒等が挙げられ、貧溶媒であることが多いものとしては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒、又は炭素数４以上のアルキルベンゼン誘導体等が挙げられる。
【０１５３】
良溶媒であることが多いものの具体例としては、芳香族系溶媒であるトルエン、キシレン、メシチレン；ハロゲン系溶媒であるクロルベンゼン；エーテル系溶媒であるジフェニルエーテル等が挙げられる。
貧溶媒であることが多いものの具体例としては、アルコール系溶媒である、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐アルコールやベンジルアルコール誘導体、ヒドロキアルキルベンゼン誘導体が挙げられる。アルキルベンゼン誘導体としては、直鎖又は分岐のブチルベンゼン、ドデシルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン等が挙げられる。
【０１５４】
溶媒の使用量は、スチルベン誘導体又は高分子化合物の量や種類、有機薄膜層の厚さ等を考慮して適宜調製することができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、上述した本発明の有機ＥＬ材料含有溶液を用いて、有機薄膜層の少なくとも１層を作製したものでもよい。
【実施例】
【０１５５】
以下、実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。
合成実施例１
スチルベン誘導体（Ｄ−１）の合成
【化４０】
2010030973.tif 000040
【０１５６】
（１）３００ｍＬ三つ口フラスコに、１，４−ジヨードベンゼン１６．５ｇ（５０ｍｍｏｌ）を入れ容器内をアルゴン置換した。次いで脱水トルエン５０ｍＬ、脱水エーテル５０ｍＬを入れて攪拌しながら、ドライアイス／メタノールバスにて、−７８℃まで冷却した。その後、ｎ−ブチルリチウムの１．６Ｍヘキサン溶液２０．６ｍＬ（５５ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。−２０℃で１時間攪拌した後に再び−７８℃まで冷却した。次いで、トリフェニルシリルクロライド１６．２ｇ／脱水トルエン１００ｍＬ溶液を２０分かけて滴下し、そのまま１時間攪拌、反応させた。その後、室温まで昇温し２時間攪拌した。一晩放置後、トルエン／イオン交換水で抽出し、カラムクロマトグラフィーで精製して中間体１を１５．１ｇ（収率６５．４％）得た。
【０１５７】
（２）５００ｍＬのナスフラスコに、中間体１を９．２５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−２−（４−クロロフェニル）ビニルボロン酸３．６５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．７ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム６．３６ｇ（２Ｍ水溶液３０ｍＬ）、及びトルエンを入れ、アルゴン気流下、還流にて８時間反応させた。
冷却後、反応溶液を濾過し、得られた固体をイオン交換水、メタノールで洗浄した。得られた粗生成物を熱トルエンに溶解させ、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、８．５６ｇ（１８．１ｍｍｏｌ、収率９０．５％）の黄白色の固体を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、中間体２と同定した。
【０１５８】
（３）１リットルの三口フラスコに、中間体２を７．１０ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン２．６７ｇ（１５．８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．０７ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキサイド１．７３ｇ（１８．０ｍｍｏｌ）、及びトルエン５０ｍＬを入れ、攪拌子で攪拌しながらトリｔ−ブチルフォスフィン０．１ｍｏｌ／Ｌのトルエン溶液１２ｍＬ（１．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、容器内を窒素雰囲気にして８時間反応させた。
冷却後、反応溶液を濾過し、得られた固体をイオン交換水、メタノールで洗浄した。得られた粗生成物を熱トルエンに溶解させ、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた固体を２回再結晶（トルエン）し、得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄して減圧乾燥したところ、２．３ｇ（３．８ｍｍｏｌ、収率２５％）の黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、上記構造式で示されるスチルベン誘導体（Ｄ−１）と同定した。
【０１５９】
合成実施例２〜１５
スチルベン誘導体（Ｄ−２）〜（Ｄ−５）の合成
使用する試薬を、各目的化合物に合わせて変更した以外は合成実施例１と同様に反応を行い、下記構造式で示されるスチルベン誘導体（Ｄ−２）〜（Ｄ−５）を合成した。
【化４１】
2010030973.tif 000041
【０１６０】
実施例１
スチルベン誘導体（Ｄ−１）をドーパントとして用いた有機ＥＬ素子の作製及び性能評価
（１）有機ＥＬ素子の作製
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍサイズのガラス基板上に、膜厚１２０ｎｍのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。この透明電極は、陽極として働く。続いて、このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、Ｎ’，Ｎ”−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ’，Ｎ”−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミンを、６０ｎｍの厚さに蒸着した後、その上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジンを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次いで、ホスト材料であるアントラセン誘導体（２ａ’−５５）（構造式は表１の次に記載する）と、ドーピング材料であるスチルベン誘導体（Ｄ−１）とを、質量比４０：２で同時蒸着し、厚さ４０ｎｍの発光層を形成した。
この発光層上に、電子注入層として、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウムを２０ｎｍの厚さに蒸着した。
次に、弗化リチウムを１ｎｍの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを１５０ｎｍの厚さに蒸着し、有機ＥＬ素子を作製した。尚、このアルミニウム／弗化リチウムは陰極として働く。
【０１６１】
（２）有機ＥＬ素子の性能評価
上記のようにして得られた有機ＥＬ素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における駆動時の素子性能（発光輝度）、及び初期輝度１００ｃｄ／ｃｍ２での半減寿命を測定した結果を第１表に示す。
【０１６２】
実施例２〜１５、及び比較例１〜３
ドーパント材料とホスト材料を下記表１に示す化合物に変更した以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製し、素子性能評価を行った。結果を表１に示す。
【０１６３】
【表１】
2010030973.tif 000042
【０１６４】
表１中に記載のホスト材料は下記のものを表す。
【化４２】
2010030973.tif 000043
【０１６５】
表１中の比較例で用いたドーパントは、下記のものを表す。
【化４３】
2010030973.tif 000044
【０１６６】
表１の結果から、本発明のスチルベン誘導体をドーパントとして用いた発光層を有する有機ＥＬ素子は、発光輝度が高く、半減寿命も長いことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１６７】
本発明のスチルベン誘導体は、有機ＥＬ素子の発光材料として有用である。
本発明によれば、発光輝度が高く、半減寿命が長い、青色発光する優れた有機ＥＬ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態の概略断面図である。
【符号の説明】
【０１６９】
１０  陽極
２０  陰極
３０  正孔注入層
３２  正孔輸送層
３４  発光層
３６  電子注入層
【図１】
2010030973.tif 000048