(57)【要約】【課題】基板表面に凹凸がある場合でも、基板を損傷することなく１０μｍ以下の微細なパターンを容易に修正することが可能なパターン修正方法を提供する。【解決手段】このパターン修正方法では、配線２のオープン欠陥部２ａに応じた形状の貫通孔３ａをフィルム３に形成し、貫通孔３ａを覆うようにして修正ペースト４を供給し、フィルム３の裏面と基板１とを隙間を開けて対峙させ、フィルム３の表面に気体を噴射して貫通孔３ａを基板１に接触させ、貫通孔２ａを介して修正ペースト４をオープン欠陥部２ａに塗布し、気体の噴射を停止してフィルム３を基板１から剥離させる。したがって、基板１の表面に凹凸がある場合でも、基板１を局部的に強く押圧することなく修正ペースト４を塗布できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
前記欠陥部に応じた形状の貫通孔をフィルムに形成する第１のステップと、
前記フィルムの表面の少なくとも前記貫通孔を含む範囲に修正液を供給する第２のステップと、
前記欠陥部と前記貫通孔を位置合わせした状態で前記フィルムの裏面と前記基板とを隙間を開けて対峙させる第３のステップと、
前記フィルムの表面の少なくとも前記貫通孔を含む範囲に気体を噴射して前記フィルムの裏面側の前記貫通孔の開口部を前記基板に接触させ、前記貫通孔を介して前記修正液を前記欠陥部に塗布する第４のステップと、
前記気体の噴射を停止して前記フィルムを前記基板から剥離させる第５のステップとを含むことを特徴とする、パターン修正方法。
【請求項２】
前記第４のステップの前記気体の圧力と噴射時間は予め設定されていることを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正方法。
【請求項３】
前記第３のステップでは、前記フィルムは、少なくとも前記基板に対峙する範囲で一定の張力を与えられて前記基板と略平行に配置されることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正方法。
【請求項４】
前記第４のステップでは、前記気体を噴射し、前記フィルムを変形させて前記貫通孔の開口部を前記基板に接触させ、
前記第５のステップでは、前記気体の噴射を停止し、前記フィルムの復元力によって前記フィルムを前記基板から剥離させることを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項５】
前記第４のステップでは、前記貫通孔に向けて前記フィルムに対して略垂直に前記気体を噴射することを特徴とする、請求項１から請求項４までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項６】
前記第３のステップでは、前記隙間は、前記気体の噴射によって前記フィルムが下方に変形する量よりも小さく設定される、請求項１から請求項５までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項７】
前記フィルムの表面の前記貫通孔を含む範囲に前記修正液が塗布された状態で、前記基板上で位置を変えながら前記第３〜第５のステップを繰り返し、同じ貫通孔を使用して前記修正液を複数回塗布することを特徴とする、請求項１から請求項６までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項８】
前記第１のステップでは、１または２以上の前記貫通孔を形成し、複数の前記貫通孔を形成する場合には、前記複数の貫通孔で閉じた領域を作らないようにすることを特徴とする、請求項１から請求項７までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項９】
前記基板上には隣接する複数の前記欠陥部が存在し、
前記第１のステップでは、前記複数の欠陥部に合わせて複数の前記貫通孔を前記フィルムに形成し、
前記第２のステップでは、前記フィルムの表面の前記複数の貫通孔を含む範囲に前記修正液を供給し、
前記第３のステップでは、前記複数の欠陥部と前記複数の貫通孔のそれぞれを位置合わせした状態で前記フィルムの裏面と前記基板とを隙間を設けて対峙させ、
前記第４のステップでは、前記フィルムの表面の前記複数の貫通孔を含む範囲に気体を噴射して前記フィルムの裏面側の各貫通孔の開口部を前記基板に接触させ、各貫通孔を介して前記修正液を対応する欠陥部に塗布することを特徴とする、請求項１から請求項８までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項１０】
前記第１のステップでは、前記貫通孔の位置を確認するための目印を前記フィルムの表面に形成することを特徴とする、請求項１から請求項９までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項１１】
前記第１のステップでは、前記フィルムの上面にレーザ光を照射して前記貫通孔を形成し、前記貫通孔を含む範囲に弱いパワーのレーザ光を照射してゴミを除去した後、前記フィルムを反転させて前記フィルムの下面を前記フィルムの表面とすることを特徴とする、請求項１から請求項１０に記載のパターン修正方法。
【請求項１２】
前記第１のステップでは、前記修正液を保持するための溝を前記フィルムの表面に形成し、
前記第２のステップでは、前記修正液を前記溝内にも供給することを特徴とする、請求項１から請求項１１までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項１３】
前記気体は、前記修正液の溶媒の蒸気を含むことを特徴とする、請求項１から請求項１２までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項１４】
前記第４のステップでは、前記修正液の溶媒の蒸気を含む気体と、前記修正液の溶媒の蒸気を含まない気体とのうちのいずれか一方の気体を選択的に噴射することを特徴とする、請求項１から請求項１２までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項１５】
さらに、前記フィルムの裏面の少なくとも前記貫通孔を含む範囲に前記修正液の溶媒の蒸気を供給し、前記第２のステップで供給された前記修正液の乾燥を抑制する第６のステップを含むことを特徴とする、請求項１から請求項１４までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項１６】
さらに、前記欠陥部に塗布された前記修正液を焼成する第７のステップを含むことを特徴とする、請求項１から請求項１５までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項１７】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
フィルムを供給するフィルム供給手段と、
前記欠陥部に応じた形状の貫通孔を前記フィルムに形成する貫通孔形成手段と、
前記フィルムの表面の少なくとも前記貫通孔を含む範囲に修正液を供給する修正液供給手段と、
前記フィルムの裏面と前記基板とを隙間を開けて対峙させ、前記フィルムと前記基板の相対位置を調整する位置調整手段と、
前記フィルムの表面の少なくとも前記貫通孔を含む範囲に気体を噴射して前記フィルムの裏面側の前記貫通孔の開口部を前記基板に接触させ、前記貫通孔を介して前記修正液を前記欠陥部に塗布する気体噴射手段とを備えることを特徴とする、パターン修正装置。
【請求項１８】
前記気体は、前記修正液の溶媒の蒸気を含むことを特徴とする、請求項１７に記載のパターン修正装置。
【請求項１９】
さらに、前記修正液の溶媒の蒸気を含む気体と、前記修正液の溶媒の蒸気を含まない気体とのうちのいずれか一方の気体を選択する選択手段を備え、
前記気体噴射手段は、前記選択手段によって選択された気体を噴射することを特徴とする、請求項１７または請求項１８に記載のパターン修正装置。
【請求項２０】
さらに、前記フィルムの裏面の少なくとも前記貫通孔を含む範囲に前記修正液の溶媒の蒸気を供給し、前記修正液供給手段によって供給された前記修正液の乾燥を抑制する溶媒蒸気供給手段を備えることを特徴とする、請求項１７から請求項１９までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【請求項２１】
さらに、前記欠陥部に塗布された前記修正液を焼成する焼成手段を備えることを特徴とする、請求項１７から請求項２０までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正方法およびパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する配線のオープン欠陥部（断線欠陥部）を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された配線や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には配線が形成されている。この配線が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペースト（修正液）をオープン欠陥部に塗布し、配線の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して配線を修正する方法がある（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとして修正インク（修正液）を塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある（たとえば、特許文献２〜４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２９２４４２号公報
【特許文献２】特開平４−３６９６０４号公報
【特許文献３】特開平１１−１２５８９５号公報
【特許文献４】特開２００５−９５９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、塗布針を用いてオープン欠陥部を修正する方法では、塗布針先端の平坦面に付着した修正ペーストをオープン欠陥部に転写するので、修正ペーストの塗布径は塗布針先端の平坦面の直径で決まる。したがって、１０μｍ前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。
【０００７】
また、塗布針先端の平坦面は微小であるので、塗布針を含む可動部が軽量であっても面圧は高くなる。たとえば、塗布針を含む可動部の重量が１０ｇ程度と軽量であっても、塗布針先端の平坦面の直径が５０μｍであれば、その面圧は約５ｋｇ／ｍｍ２となる。そのため、欠陥部の近傍に微小な突起が存在する場合は、突起が押し潰されたり、局部的に面圧が高くなることも想定される。また、突起が邪魔して、欠陥部に修正ペーストを塗布できないことも考えられる。
【０００８】
また、フィルムをマスクとして使用する修正方法では、１０μｍ以下の微小な欠陥部を修正することが可能である。しかし、この修正方法では、フィルムと欠陥部をレーザ光で略同時に除去するので、大きなレーザパワーが必要となり、欠陥部の周辺にダメージを与える。あるいは、欠陥部に付着（密着）したフィルムにレーザアブレーションにより貫通孔を形成するため、そのときに発生するゴミがフィルムと基板の隙間に侵入し、欠陥部近傍を汚染することも想定される。さらに、フィルムと基板が付着あるいは密着した状態で、修正ペーストを貫通孔に塗布すると、フィルムと基板との隙間に毛細管現象で修正ペーストが吸い込まれて広がり、基板を汚染することも考えられる。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、基板表面に凹凸がある場合でも、基板を損傷することなく１０μｍ以下の微細なパターンを容易に修正することが可能なパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、欠陥部に応じた形状の貫通孔をフィルムに形成する第１のステップと、フィルムの表面の少なくとも貫通孔を含む範囲に修正液を供給する第２のステップと、欠陥部と貫通孔を位置合わせした状態でフィルムの裏面と基板とを隙間を開けて対峙させる第３のステップと、フィルムの表面の少なくとも貫通孔を含む範囲に気体を噴射してフィルムの裏面側の貫通孔の開口部を基板に接触させ、貫通孔を介して修正液を欠陥部に塗布する第４のステップと、気体の噴射を停止してフィルムを基板から剥離させる第５のステップとを含むことを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、第４のステップの気体の圧力と噴射時間は予め設定されている。
また好ましくは、第３のステップでは、フィルムは、少なくとも基板に対峙する範囲で一定の張力を与えられて基板と略平行に配置される。
【００１２】
また好ましくは、第４のステップでは、気体を噴射し、フィルムを変形させて貫通孔の開口部を基板に接触させ、第５のステップでは、気体の噴射を停止し、フィルムの復元力によってフィルムを基板から剥離させる。
【００１３】
また好ましくは、第４のステップでは、貫通孔に向けてフィルムに対して略垂直に気体を噴射する。
【００１４】
また好ましくは、第３のステップでは、隙間は、気体の噴射によってフィルムが下方に変形する量よりも小さく設定される。
【００１５】
また好ましくは、フィルムの表面の貫通孔を含む範囲に修正液が塗布された状態で、基板上で位置を変えながら第３〜第５のステップを繰り返し、同じ貫通孔を使用して修正液を複数回塗布する。
【００１６】
また好ましくは、第１のステップでは、１または２以上の貫通孔を形成し、複数の貫通孔を形成する場合には、複数の貫通孔で閉じた領域を作らないようにする。
【００１７】
また好ましくは、基板上には隣接する複数の欠陥部が存在し、第１のステップでは、複数の欠陥部に合わせて複数の貫通孔をフィルムに形成し、第２のステップでは、フィルムの表面の複数の貫通孔を含む範囲に修正液を供給し、第３のステップでは、複数の欠陥部と複数の貫通孔のそれぞれを位置合わせした状態でフィルムの裏面と基板とを隙間を設けて対峙させ、第４のステップでは、フィルムの表面の複数の貫通孔を含む範囲に気体を噴射してフィルムの裏面側の各貫通孔の開口部を基板に接触させ、各貫通孔を介して修正液を対応する欠陥部に塗布する。
【００１８】
また好ましくは、第１のステップでは、貫通孔の位置を確認するための目印をフィルムの表面に形成する。
【００１９】
また好ましくは、第１のステップでは、フィルムの上面にレーザ光を照射して貫通孔を形成し、貫通孔を含む範囲に弱いパワーのレーザ光を照射してゴミを除去した後、フィルムを反転させてフィルムの下面をフィルムの表面とする。
【００２０】
また好ましくは、第１のステップでは、修正液を保持するための溝をフィルムの表面に形成し、第２のステップでは、修正液を溝内にも供給する。
【００２１】
また好ましくは、気体は、修正液の溶媒の蒸気を含む。
また好ましくは、第４のステップでは、修正液の溶媒の蒸気を含む気体と、修正液の溶媒の蒸気を含まない気体とのうちのいずれか一方の気体を選択的に噴射する。
【００２２】
また好ましくは、さらに、フィルムの裏面の少なくとも貫通孔を含む範囲に修正液の溶媒の蒸気を供給し、第２のステップで供給された修正液の乾燥を抑制する第６のステップを含む。
【００２３】
また好ましくは、さらに、欠陥部に塗布された修正液を焼成する第７のステップを含む。
【００２４】
また、この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、フィルムを供給するフィルム供給手段と、欠陥部に応じた形状の貫通孔をフィルムに形成する貫通孔形成手段と、フィルムの表面の少なくとも貫通孔を含む範囲に修正液を供給する修正液供給手段と、フィルムの裏面と基板とを隙間を開けて対峙させ、フィルムと基板の相対位置を調整する位置調整手段と、フィルムの表面の少なくとも貫通孔を含む範囲に気体を噴射してフィルムの裏面側の貫通孔の開口部を基板に接触させ、貫通孔を介して修正液を欠陥部に塗布する気体噴射手段とを備えることを特徴とする。
【００２５】
好ましくは、気体は、修正液の溶媒の蒸気を含む。
また好ましくは、さらに、修正液の溶媒の蒸気を含む気体と、修正液の溶媒の蒸気を含まない気体とのうちのいずれか一方の気体を選択する選択手段を備え、気体噴射手段は、選択手段によって選択された気体を噴射する。
【００２６】
また好ましくは、さらに、フィルムの裏面の少なくとも貫通孔を含む範囲に修正液の溶媒の蒸気を供給し、修正液供給手段によって供給された修正液の乾燥を抑制する溶媒蒸気供給手段を備える。
【００２７】
好ましくは、さらに、欠陥部に塗布された修正液を焼成する焼成手段を備える。
【発明の効果】
【００２８】
この発明に係るパターン修正方法およびパターン修正装置では、欠陥部に応じた形状の貫通孔をフィルムに形成し、フィルムの表面の少なくとも貫通孔を含む範囲に修正液を供給し、欠陥部と貫通孔を位置合わせした状態でフィルムの裏面と基板とを隙間を開けて対峙させ、フィルムの表面の少なくとも貫通孔を含む範囲に気体を噴射してフィルムの裏面側の貫通孔の開口部を基板に接触させ、貫通孔を介して修正液を欠陥部に塗布し、気体の噴射を停止してフィルムを基板から剥離させる。したがって、基板の表面に凹凸がある場合でも、基板を局部的に強く押圧することなく修正液を塗布することができ、基板を損傷することなく１０μｍ以下の微細なパターンを容易に修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明の実施の形態１によるパターン修正方法の修正対象の基板を示す図である。
【図２】図１に示したオープン欠陥部を修正するパターン修正方法を示す断面図である。
【図３】図２に示したパターン修正方法の気体噴射工程を示す断面図である。
【図４】図３に示した気体噴射工程の終了後の状態を示す断面図である。
【図５】図４に示した修正パターンを焼成する工程を示す断面図である。
【図６】図２に示したパターン修正方法の貫通孔形成工程を示す断面図である。
【図７】図２に示したパターン修正方法の修正ペースト供給工程を示す断面図である。
【図８】実施の形態１の変更例を示す図である。
【図９】実施の形態１の他の変更例を示す図である。
【図１０】図９に示した複数のオープン欠陥部を修正するための複数の貫通孔を示す図である。
【図１１】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図１２】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図１３】図１〜図１２に示したパターン修正方法を実行するパターン修正装置の構成を示す図である。
【図１４】この発明の実施の形態２によるパターン修正方法の修正対象であるＴＦＴアレイ基板の構成を示す図である。
【図１５】図１４に示したオープン欠陥部を修正するための貫通孔の形状を示す図である。
【図１６】図１５に示した貫通孔を用いて形成された修正パターンを示す図である。
【図１７】実施の形態２の変更例を示す図である。
【図１８】図１７に示した修正パターンを形成するための貫通孔の形状を示す図である。
【図１９】この発明の実施の形態３によるパターン修正方法の気体噴射工程を示す断面図である。
【図２０】実施の形態３の変更例を示す図である。
【図２１】実施の形態３の他の変更例を示す図である。
【図２２】図２１に示したパターン修正方法を実行するパターン修正装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
[実施の形態１]
図１は、この発明の実施の形態１によるパターン修正方法の修正対象の基板１を示す図である。図１において、基板１上には微細パターンである配線２が形成され、配線２の一部にオープン欠陥部２ａが発生しているものとする。
【００３１】
図２において、このパターン形成方法では、基板１の表面に対して所定の隙間Ｇ１を開けてフィルム３が平行に配置される。フィルム３には、一定の張力が与えられる。隙間Ｇ１は、フィルム３が変形して基板１に接触可能な範囲に設定され、たとえば、１０μｍ〜２００μｍ程度である。フィルム３は、たとえば薄いポリイミドフィルムである。フィルム３の幅はマスクとして使用するのに十分な幅であればよく、たとえば、５ｍｍ〜１５ｍｍ程度である。フィルム３は、たとえば、その幅にスリットされたロール状フィルムの一部である。フィルム３の厚さは、その下が透けて見える程度のものが好ましく、たとえば１０〜２５μｍ程度である。
【００３２】
フィルム３には、オープン欠陥部２ａに形成したい修正パターンと略同じ形状の貫通孔３ａが形成されている。たとえば、貫通孔３ａの幅は配線２の幅と略同じ値に設定される。貫通孔３ａの長さは、貫通孔３ａの両端部がオープン欠陥部２ａの両端にある正常な配線２と重なるように、オープン欠陥部２ａの長さよりも長く設定される。貫通孔３ａは、レーザ照射で形成される。レーザとしては、ＹＡＧ第３高調波レーザやＹＡＧ第４高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザが用いられる。
【００３３】
フィルム３の上面の貫通孔３ａを含む微小範囲には、予め修正ペースト４が供給されている。修正ペースト４の供給は、ディスペンサや塗布針を用いて行なわれるが、修正ペースト４の粘度が低いものでよければインクジェットによる方法でも可能であり、修正ペースト４の供給方法は限定されるものではない。
【００３４】
フィルム３の上方には、フィルム３の表面に対してノズル５が略垂直に配置される。ノズル５の先端の噴射口５ａは、所定の隙間Ｇ２を開けて貫通孔３ａに対向して配置される。隙間Ｇ２は、ノズル５の先端が修正ペースト４と接触しない程度に設定され、たとえば１ｍｍ〜２ｍｍ程度である。
【００３５】
図３に示すように、ノズル５に気体を供給するための気体噴射装置６が設けられる。気体噴射装置６は、気体の圧力を調整するレギュレータ（Ｒ）７と、レギュレータ７の出口とノズル５の基端との間に接続された電磁バルブ（Ｖ）８と、電磁バルブ８の開放時間を制御するタイマ（Ｔ）９とを含む。レギュレータ７の入口には気体供給源（Ｇ）１０が接続される。気体としては、たとえば窒素ガスが用いられるが、使用する修正ペースト４の劣化がなければ圧縮空気でもよい。なお、タイマ８を設けずに、制御用コンピュータやＰＬＣ（Programmable Logic Controller)によって電磁バルブ８を制御してもよい。
【００３６】
気体の圧力と気体の噴射時間を最適に調整した後、電磁バルブ８をタイマ９で設定した時間だけ開放して、フィルム３の上方から貫通孔３ａを含む範囲にノズル５から気体を噴射する。気体の噴射により、フィルム３が変形して貫通孔３ａを含む範囲のフィルム３が基板１に接触する。気体噴射を停止すれば、図４に示すように、フィルム３の復元力により、貫通孔３ａを含む範囲のフィルム３が基板１から離れ、基板１には貫通孔３ａと略同じ形状の修正パターン４ａが形成される。気体の噴射時間は、たとえば１秒以下である。また、ノズル５の内径は、少なくとも貫通孔３ａを含む範囲でフィルム３を基板１に接触させることができるように、たとえば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度とされる。気体の圧力は、たとえば、０．１から０．３ＭＰａ程度に設定される。
【００３７】
このように、貫通孔３ａを含む範囲に気体を噴射するので、貫通孔３ａ内の修正ペースト４が気体に押されて、フィルム３の裏面側（基板１側）に押し出される。このため、修正パターン４ａの膜厚を厚くすることができる。
【００３８】
なお、貫通孔３ａの幅がフィルム３の膜厚よりも小さくなると、修正ペースト４を貫通孔３ａ内に保持する力が強くなる傾向がある。このため、単にフィルム３を基板１に接触させただけでは、貫通孔３ａ内の修正ペースト４はほとんどそのまま貫通孔３ａ内に残り、基板１に形成される修正パターン４ａの膜厚は、非常に薄くなる。たとえば、厚さが１２．５μｍのフィルム３に幅が５μｍの貫通孔３ａを形成し、粘度が１０Ｐａ・ｓの金ナノ修正ペースト４を塗布針先端に付着させてから、貫通孔３ａを含むフィルム３を基板１側に押圧してパターン形成した場合、修正パターン４ａの膜厚は０．４μｍ前後と非常に薄くなる。このため、１回の塗布および焼成では修正部の抵抗値を低くすることができず、１つの欠陥部２ａに対して複数回の塗布および修正が必要であった（特開２００８−１５３４０号公報参照）。
【００３９】
これに対して、本願発明では、噴射された気体の圧力によって貫通孔３ａ内の修正ペースト４がフィルム３の裏面側（基板１側）に押し出されるため、修正パターン４ａの膜厚を厚くすることが可能となる。上記のように、厚さが１２．５μｍのフィルム３に幅が５μｍの貫通孔３ａを形成し、粘度が１０Ｐａ・ｓの金ナノ修正ペースト４を、貫通孔３ａを含むフィルム３上に供給した後、気体噴射によりパターンを形成した場合、修正パターン４ａの膜厚は１．５μｍ前後と厚くすることができた。一例として、幅が５μｍで長さが２０μｍのオープン欠陥部２ａに幅が５μｍで長さが５０μｍの修正パターン４ａを形成して焼成すると、修正部の抵抗値は２０Ω以下になった。
【００４０】
その後、図５に示すように、焼成装置１１を用いて修正パターン４ａを焼成して硬化した修正パターン４Ａを得る。焼成装置１１として、ＹＡＧ第２連続発振レーザなどを用いる。レーザ光を修正パターン４ａに一括照射して焼成してもよいし、レーザ光を絞って修正パターン４ａ上を走査しながら焼成してもよい。
【００４１】
修正ペースト４としては、金や銀の金属ナノペーストを用いる。気体の噴射を用いてパターン形成するため、インクジェットやディスペンサによるパターン形成よりも高粘度の修正ペースト４を用いることが可能であり、たとえば、１Ｐａ・ｓ〜２０Ｐａ・ｓ程度の粘度の金ナノペーストを用いることも可能である。修正ペースト４が高粘度であれば、金属重量比も高いため、焼成後のパターン膜厚をより厚くして、低抵抗にすることが可能となる。また、高粘度の修正ペースト４を使用すれば、気体の噴射時に修正ペースト４が周りに飛散することを抑制することができ、貫通孔３ａの形状に略等しい形状の修正パターン４Ａを形成することができる。
【００４２】
このパターン修正方法では、気体を噴射してフィルム３を基板１に接触させるので、均一な圧力でフィルム３を押すことができる。このため、基板１の表面に凹凸がある場合でも、それに倣ってフィルム３を接触させることができ、フィルム３と基板１の隙間に修正ペースト４がはみ出るのを抑制することができる。また、基板１の表面に突起部がある場合でも、その突起部に集中荷重が加わることも無いので、基板１が変形したり、損傷することもない。
【００４３】
また、パターン修正後でも図４に示すように、貫通孔３ａを覆うように供給された修正ペースト４の液量は塗布前と余り変わらないので、同じ孔３ａを用いてパターン修正を複数回行なうことも可能である。この場合、貫通孔３ａの形成時間や修正ペースト４の供給時間が短縮され、パターン修正のタクトタイムを短縮することができる。
【００４４】
なお、同じ貫通孔３ａを用いて複数回塗布していくと、貫通孔３ａ上の修正ペースト４が減って、基板１上に形成される修正パターン４ａの幅が細くなったり、修正パターン４ａの膜厚が薄くなるので、定期的に貫通孔３ａ上に修正ペースト４を補充するか、修正パターン４ａの形状を見て修正ペースト４を適時補充するようにしてもよい。
【００４５】
また、同じ貫通孔３ａを用いてパターン修正を複数回行なう場合、使用時間が長くなり、修正ペースト４が乾燥してパターン修正が不安定になる場合が想定されるので、高沸点溶媒を含む修正ペースト４を用いて、乾燥を防止するとよい。
【００４６】
また、既にパターン修正した位置に近接して繰り返しパターン形成する場合、フィルム３の裏面に既存の修正パターン４ａが付着して既存の修正パターン４ａが潰れたり、フィルム３の裏面を汚染する場合が想定されるため、このような場合には、既存の修正パターン４ａを焼成しておくことが望ましい。
【００４７】
図６は、フィルム３に貫通孔３ａを開ける工程を示す断面図である。図６において、フィルム３は、２つの固定ローラ１２，１３によって一定の張力も持って略水平に配置され、その両側にはフィルム供給リール１４と巻き取りリール１５が配置される。２つの固定ローラ１２，１３で支持されたフィルム３の上方に観察光学系１６が位置決めされる。観察光学系１６の下端に対物レンズ１７が設けられ、観察光学系１６の上にレーザ１８が設けられている。
【００４８】
レーザ１８から出射されたレーザ光は、観察光学系１６および対物レンズ１７によって収光されてフィルム３に照射され、レーザスポットの形状の貫通孔３ａがフィルム３に開けられる。レーザスポットの形状は、たとえばレーザ１８に内蔵される可変スリット（図示せず）により決定される。レーザ１８としては、ＹＡＧ第３高調波レーザやＹＡＧ第４高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。
【００４９】
フィルム３に貫通孔３ａを開ける工程は、基板１から離れた位置、あるいは、基板１にレーザ光が当たらないように、フィルム３単体で行なわれる。たとえば、フィルム３は、基板１の上方から外れた位置で、左右の固定ローラ１２，１３により水平に支持されて加工される。仮に基板１の上方で貫通孔３ａを開ける場合には、基板１に直接レーザ光が照射されず、また、レーザアブレーションにより発生するゴミが基板１上に落下しないように遮蔽板１９をフィルム３の下方に配置してもよい。
【００５０】
貫通孔３ａの形成が終了した時点では、フィルム３の表面には、レーザアブレーションの際に発生したゴミが飛散している。ゴミを除去するため、貫通孔３ａを中心として、その周りの広い範囲に低パワーのレーザ光を照射する工程を入れてもよい。このとき、ＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、低パワーのレーザ光を照射すれば、ゴミのみを除去することも可能である。この場合、レーザ１８としては、貫通孔３ａを開けるためのレーザ光と、ゴミを除去するためのレーザ光の２種類のレーザ光のうちのいずれかのレーザ光を選択的に出射できるものを使用するとよい。
【００５１】
図７は、フィルム３に形成された貫通孔３ａを含む微小範囲に修正ペースト４を供給する工程を示す図である。修正ペースト４を供給する方法はどのような方法でもよいが、ここでは一例として塗布針２０を用いて供給する方法について説明する。なお、基板１と貫通孔３ａのＸＹ方向の位置は、予め修正したい位置に調整されているものとする。
【００５２】
先端を平坦化した塗布針２０の先端部に修正ペースト４を付着させ、貫通孔３ａの上方から塗布針２０を下降させてその先端をフィルム３に接触させ、貫通孔３ａを含む微小範囲に修正ペースト４を供給する。このとき、塗布針２０がフィルム３に接触したときの荷重でフィルム３が下方に撓んで貫通孔３ａと基板１とが接触しないように、２つの固定ローラ１２，１３で支持されたフィルム３と基板１との隙間Ｇ３は、フィルム３の変形量よりも大きく設定される。
【００５３】
以下、この実施の形態１の種々の変更例について説明する。図６および図７で示したフィルム３の支持方法では、フィルム３の裏面が基板１と対峙するため、気体の噴射時にはフィルム３の裏面側の貫通孔３ａの縁が基板１に接触する。フィルム３の裏面側の貫通孔３ａの縁にはバリなどが発生していて、修正パターン４ａの側面形状が乱れることも考えられる。
【００５４】
そこで、図８（ａ）（ｂ）の変更例では、貫通孔３ａの縁のバリの影響を無くすことが可能なフィルム配置方法が示される。このフィルム配置方法では、２つの固定ローラ２１，２２が左右に配置され、それらの間の上方に固定ローラ２３が配置される。フィルム３は、図中の左斜め上から供給され、固定ローラ２３の下を通って右方向に供給され、固定ローラ２２によって左方向に折り返され、固定ローラ２１の下を通って図中の左斜め上方向に巻き取られる。したがって、フィルム３は、左右に折り返して上下に平行に張り渡された状態にされる。この状態で、固定ローラ２２，２３の間のフィルム３の表面にレーザ光を照射して貫通孔３ａを形成する。このとき、レーザアブレーションにより発生するゴミが基板１上に落下しないように、フィルム３よりも幅の広い遮蔽板１９を上下のフィルム３の間に配置してもよい。
【００５５】
なお、図８（ａ）では、フィルム３が上下に張り渡されていて、上方のフィルム３に貫通孔３ａを開ける際には、その下方にフィルム３が存在するので、下方のフィルム３が遮蔽板１９として使用可能な場合には、遮蔽板１９は省略可能である。
【００５６】
また、貫通孔３ａの形成が終了した時点では、フィルム３の表面には、レーザアブレーションの際に発生したゴミが飛散している。ゴミを除去するため、貫通孔３ａを中心として、その周りの広い範囲に低パワーのレーザ光を照射してもよい。このとき、ＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、低パワーのレーザ光を貫通孔３ａを中心とする広い範囲に照射すれば、ゴミのみを除去することも可能であり、新たにゴミが発生することを防止することができる。レーザ１８としては、貫通孔３ａを開けるためのレーザ光と、ゴミを除去するためのレーザ光の２種類のレーザ光のうちのいずれかのレーザ光を選択的に出射できるものを使用するとよい。
【００５７】
次に、図８（ｂ）に示すように、フィルム３を図中Ｒ方向（時計針回転方向）に巻き取り、フィルム３の表面（レーザ照射面）が下を向くようにフィルム３を反転させる。このようにすれば、フィルム３の裏面側の貫通孔３ａの縁が上を向き、フィルム３の表面を基板１に対峙させることができる。したがって、貫通孔３ａの縁のバリの影響を無くすことが可能となり、修正パターン４ａの端面を均一にすることができる。
【００５８】
また、異物が基板１上に付着した状態、あるいは露光マスクにゴミが付着した状態で、レジストの露光、現像処理、エッチングを行なうと、図９に示すように、複数（図では２本）の配線２が近接して断線する場合がある。このように複数のオープン欠陥部２ａが隣接して存在する場合、図１〜図５で示した方法で１つずつ修正することも可能であるが、複数のオープン欠陥部２ａを一度に修正することも可能である。
【００５９】
すなわち図１０に示すように、それぞれ複数のオープン欠陥部２ａに応じた形状の複数の貫通孔３ａをフィルム３に形成する。全ての貫通孔３ａを覆うように修正ペースト４を供給した後、図２〜図５で示した工程を実施すれば、一度の気体噴射で近接する複数のオープン欠陥部２ａに対して修正ペースト４を塗布することが可能となり、修正の作業効率が向上する。
【００６０】
なお、複数の貫通孔３ａは、それらで閉じた領域を作らないように形成される。このようにすれば、フィルム３に大きな穴が開くこともなく、微細な複数の修正パターン４ａを形成することができる。
【００６１】
また、貫通孔３ａと基板１との相対的な位置合わせは、それぞれの位置座標を用いて行なうことが可能であるが、同じ貫通孔３ａを用いて繰り返しパターン形成する場合、貫通孔３ａが修正ペースト４で覆われているため、貫通孔３ａを直接観察できない場合もある。そこで、図１１の変更例では、貫通孔３ａの位置を確認するための目印がフィルム３に形成される。すなわち、貫通孔３ａの近傍であって、修正ペースト４で覆われない位置にレーザ光を照射して複数（図では４つ）の溝３ｂを形成し、複数の溝３ｂを孔３ａの位置確認用の目印とする。複数の溝３ｂの延長線の交差点が貫通孔３ａの中心点になるようにするとよい。溝３ｂは、貫通孔３ａをレーザアブレーションで形成する際に一緒に形成してもよい。
【００６２】
また、図１２の変更例では、フィルム３の貫通孔３ａを含む範囲に修正ペースト４を保持するための溝３ｃが形成される。溝３ｃはフィルム３を貫通しない深さで形成され、貫通孔３ａを含む範囲に供給された修正ペースト４を保持する。この溝３ｃによって、保持できる修正ペースト４の量を多くするとともに、気体噴射時の修正ペースト４の飛散を抑制する。この変更例は、多くの修正ペースト４を供給し、同じ貫通孔３ａを用いて繰り返し修正する場合に効果的である。
【００６３】
また、貫通孔３ａの形状を変える場合や、貫通孔３ａが詰まった場合には、フィルム３を巻き取って新たな貫通孔３ａを形成し、上述の方法でパターン修正を行なう。
【００６４】
また、図１３は、図１〜図１２に示したパターン修正方法を実行するパターン修正装置の構成を示す図である。図１３において、パターン修正装置は、定盤３０上に搭載されたガントリ型のＸＹステージ３１を備える。ＸＹステージ３１は、図中の左右方向に移動するＸ軸ステージ３１ａと、紙面に対して垂直方向に移動可能な門型形状のＹ軸ステージ３１ｂとを含む。Ｘ軸ステージ３１ａには、上下方向に移動可能なＺ軸ステージ３２が設けられる。Ｚ軸ステージ３２には、レーザ１８、観察光学系１６、対物レンズ１７、焼成装置１１、およびＸＹＺステージ３３が固定されている。
【００６５】
ＸＹＺステージ３３は、独立して移動可能な２つのＸ軸を備えていて、それぞれに塗布ユニット３４と、気体噴射用のノズル５が搭載されている。塗布ユニット３４は、塗布針２０と容器３５を備え、容器３５には修正ペースト４が注入される。容器３５の底には、塗布針２０が貫通可能な孔３５ａが開けられている。待機時は、塗布針２０の先端部は容器３５内の修正ペースト４に浸漬されている。塗布時は、塗布針２０の先端が孔３５ａを貫通して容器３５の下に突出する。これにより、塗布針２０の先端に修正ペースト４が付着する。
【００６６】
また、定盤３０上には、チャック３６が設けられている。チャック３６上には基板１が載せられて、チャック固定される。Ｘ軸ステージ３１ａにはＸＹＺステージ３７が設けられている。ＸＹＺステージ３７は、フィルム供給ユニット３８をＸＹＺ方向に移動させる。フィルム供給ユニット３８は、図示しない直動軸受を案内として上方に退避するように構成されている。このため、フィルム供給ユニット３８が基板１に接触したとしても、基板１に衝撃が発生することがない。
【００６７】
塗布ユニット３４は、ＸＹＺステージ３３とともに制御され、フィルム３の貫通孔３ａを含む範囲に修正ペースト４を供給する。ＸＹＺステージ３７は、フィルム供給ユニット３８を移動させて対物レンズ１７の直下にフィルム３を配置する。また、ＸＹＺステージ３７は、フィルム３に貫通孔３ａが形成されると、貫通孔３ａと基板１との位置合わせを行なって欠陥修正位置を調整するとともに、フィルム３と基板１との隙間調整にも使用される。
【００６８】
[実施の形態２]
図１４（ａ）は、この発明の実施の形態２によるパターン修正方法の修正対象であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基板４１の要部を示す平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ線断面図である。図１４（ａ）（ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板４１はガラス基板４２を備える。ガラス基板４２の表面に、図中の左右方向に延在するゲート線４３が形成されるとともに、ゲート線４３の所定位置に図中の下方向に突出するゲート電極４３ａが形成される。ゲート線４３およびゲート電極４３ａの表面はゲート絶縁膜４４で被覆され、ゲート絶縁膜４４およびガラス基板４２の表面はゲート絶縁膜４５で被覆される。
【００６９】
ゲート絶縁膜４５の表面に、複数の画素電極４６が行列状に形成される。図中の上下方向に隣接する２つの画素電極４６の間の領域にゲート線４３が配置されている。ゲート電極４３ａの上方にゲート絶縁膜４４，４５を介して半導体膜４７が形成される。図中の左右方向に隣接する２つの画素電極４６の間の領域に図中の上下方向に延在するドレイン線（シグナル線）４８が形成されるとともに、ドレイン線４８の所定位置に図中の左方向に突出するドレイン電極４８ａが形成される。このドレイン電極４８ａの端部は、半導体膜４７の一方端部の表面まで延びている。また、半導体膜４７の他方端部の表面から画素電極４６の一端部の表面にかけてソース電極４９が形成される。
【００７０】
このようにして、ゲート電極４３ａとドレイン電極４８ａとソース電極４９と半導体膜４７とを含むＴＦＴ５０が形成される。全体が保護膜５１および配向膜（図示せず）で被覆されて、ＴＦＴアレイ基板４１が完成する。ＴＦＴアレイ基板４１と液晶とカラーフィルタとで液晶パネルが構成される。
【００７１】
ここで図１４（ａ）に示すように、ドレイン線４８にオープン欠陥部４８ｂが存在するものとする。保護膜５１まで形成した後にオープン欠陥部４８ｂを修正する場合、保護膜５１の一部をレーザ加工により除去してオープン欠陥部４８ｂを露出させ、修正ペースト４を塗布し、焼成してドレイン線４８の導通を確保した後で、修正個所の上に保護膜５１を再形成する必要がある。そのため、修正の手間を簡略化できるように、保護膜５１を形成する前の工程でオープン欠陥部４８ｂの修正を行なう方が好ましい。たとえば、ドレイン線４８の形成が終了した時点では保護膜５１は無く、この時点でオープン欠陥部４８ｂを修正する。
【００７２】
このように、直線形（Ｉ形）のオープン欠陥部４８ｂを修正する場合には、図１５に示すように、フィルム３に直線形の貫通孔３ａが形成され、貫通孔３ａを含む領域に修正ペースト４（２点鎖線の領域）が供給される。図２〜図５で示した方法でオープン欠陥部４８ｂに修正ペースト４を塗布し、焼成して修正パターン４Ａを得る。修正パターン４Ａは、図１６に示すように、オープン欠陥部４８ｂの両端に存在する２本の正常なドレイン線４８の表面に重なるように直線形に形成される。ドレイン線４８の幅Ｄｗは微細化する傾向にあり、最近では５μｍ以下のものが製作されている。修正パターン４Ａは画素電極４６の領域にはみ出すことなく、ドレイン線４８の配線幅Ｄｗと略同じ程度に形成されるが、はみ出しが大きい場合には、はみ出し部をレーザ１８を用いて除去する処理を追加してもよい。
【００７３】
また、図１７に示すように、オープン欠陥部４８ｂを迂回するコの字形の修正パターン４Ａを形成してもよい。この場合は図１８に示すように、３つの直線形の貫通孔３ａを組み合わせてコの字形の貫通孔を形成し、全ての貫通孔３ａが覆われるように修正ペースト４が供給される。コの字形の貫通孔を形成した場合であっても、図２から図５に示した工程で一括して塗布することが可能である。迂回させて画素電極４６と修正パターン４Ａが短絡する場合には、画素電極４６の一部をレーザカットして切欠部４６ａを形成するとよい。
【００７４】
この実施の形態２でも、実施の形態１と同じ効果を得ることができる。
[実施の形態３]
同じ貫通孔３ａを用いて複数のオープン欠陥部２ａを修正する場合、時間の経過とともにフィルム３上の修正ペースト４が乾燥し、オープン欠陥部２ａに塗布した修正パターン４ａが途切れたり、形状が先細りになったり、あるいは貫通孔３ａが詰まることも想定される。この実施の形態３では、この問題の解決が図られる。
【００７５】
図１９は、この発明の実施の形態３によるパターン修正方法の気体噴射工程を示す断面図であって、図３と対比される図である。このパターン修正方法では、気体噴出装置６内に溶媒蒸気発生部６０が追加される。溶媒蒸気発生部６０は、容器６１と配管６２を含む。配管６２の一方端は電磁バルブ８の出口に接続され、その他方端は容器６１の側壁の上端部を貫通し、容器６１の底側に折り曲げられている。また、容器６１の側壁の上端部に出口６１ａが設けられ、容器６１の出口６１ａは配管を介してノズル５の基端に接続されている。
【００７６】
容器６１内には修正ペースト４の溶媒６３が注入されており、容器６１内には溶媒６３の蒸気が充満している。修正ペースト４の溶媒６３とは、修正ペースト４に含まれる溶媒（たとえば、修正ペースト４に含まれる金属微粒子を分散する溶剤）、または修正ペースト４を希釈することが可能な溶媒である。たとえば、修正ペースト４の希釈剤がテルピネオールである場合は、溶媒６３としてテルピネオールが容器６１内に注入される。
【００７７】
なお、溶媒６３が注入された容器６１が欠陥修正に伴って移動する場合、溶媒６３の液面が揺れてノズル５側に溶媒６３が流れる場合が想定される。溶媒６３がノズル５側に流れるのを防止するため、容器６１の内側から出口６１ａを覆うように容器６１内にフィルタ６４を設けてもよいし、溶媒６３をゲル状にしてよいし、溶媒６３を吸収させたシート６５を容器６１内に入れてもよい。さらに、容器６１をヒータ（図示なし）で加熱して溶媒６３の蒸気量を増やすことも可能である。
【００７８】
実施の形態１と同様にして、オープン欠陥部２ａの上方にフィルム３の貫通孔３ａを位置決めし、貫通孔３ａを覆うように修正ペースト４をフィルム３上に供給した後、電磁バルブ８をタイマ９で設定した時間だけ開放する。これにより、容器６１内で気体と溶媒６３の蒸気が混合され、フィルム３の上方から貫通孔３ａを含む範囲にノズル５から溶媒６３の蒸気を含む気体が噴射される。
【００７９】
気体の噴射により、フィルム３が変形して貫通孔３ａを含む範囲のフィルム３が基板１に接触する。気体噴射を停止すれば、図４で示したように、フィルム３の復元力により、貫通孔３ａを含む範囲のフィルム３が基板１から離れ、基板１には貫通孔３ａと略同じ形状の修正パターン４ａが形成される。
【００８０】
この実施の形態３では、修正ペースト４の溶媒６３の蒸気を含む気体を噴射するので、フィルム３上の修正ペースト４に適量の溶媒６３を供給して修正ペースト４の乾燥を防止することができる。したがって、同じ貫通孔３ａを用いて複数のオープン欠陥部２ａを修正する場合でも、フィルム３上の修正ペースト４が乾燥して、修正パターン４ａが途切れたり、形状が先細りになったり、あるいは貫通孔３ａが詰まるのを防止することができる。
【００８１】
図２０は、実施の形態３の変更例を示すブロック図であって、図１９と対比される図である。図２０において、この変更例では、気体噴射装置６内に電磁バルブ（Ｖ）６６，６７およびセレクタ（Ｓ）６８が追加される。電磁バルブ６６の入口は容器６１の出口６１ａに接続され、電磁バルブ６６の出口は配管を介してノズル５の基端に接続される。電磁バルブ６７の入口はレギュレータ７の出口と電磁バルブ８との間の配管に接続され、電磁バルブ６７の出口は電磁バルブ６６の出口とノズル５の基端との間の配管に接続される。
【００８２】
タイマ９の出力信号は、セレクタ６８に与えられる。セレクタ６８は、選択信号φＳによって制御される。選択信号φＳは、修正ペースト４の溶媒６３の蒸気を含む気体を噴射する場合は「Ｈ」レベルにされ、修正ペースト４の溶媒６３の蒸気を含まない気体を噴射する場合は「Ｌ」レベルにされる。セレクタ６８は、選択信号φＳが「Ｈ」レベルである場合は、タイマ９の出力信号を電磁バルブ８，６６に与え、選択信号φＳが「Ｌ」レベルである場合は、タイマ９の出力信号を電磁バルブ６７に与える。
【００８３】
選択信号φＳが「Ｈ」レベルである場合は、タイマ９の出力信号に応答して電磁バルブ８，６６が所定時間だけ開放される。これにより、気体供給源１０からレギュレータ７、電磁バルブ８、溶媒蒸気発生部６０、電磁バルブ６６、およびノズル５の経路で気体が流れ、修正ペースト４の溶媒６３の蒸気を含む気体がノズル５から噴射される。
【００８４】
また、選択信号φＳが「Ｌ」レベルである場合は、タイマ９の出力信号に応答して電磁バルブ６７が所定時間だけ開放される。これにより、気体供給源１０からレギュレータ７、電磁バルブ６７、およびノズル５の経路で気体が流れ、修正ペースト４の溶媒６３の蒸気を含まない気体がノズル５から噴射される。
【００８５】
この変更例では、修正ペースト４の溶媒６３の蒸気を含む気体と、修正ペースト４の溶媒６３の蒸気を含まない気体とのうちのいずれか一方の気体を選択的に噴射できるので、修正ペースト４に吸収される溶媒６３の量を制御することができ、修正ペースト４に過剰に溶媒６３が吸収されることを防止することができる。たとえば、同じ貫通孔３ａを用いて複数のオープン欠陥部２ａを修正する場合、基本的には溶媒６３の蒸気を含まない気体を噴射して各オープン欠陥部２ａを修正し、所定数のオープン欠陥部２ａを修正する毎、あるいは所定時間が経過する毎に溶媒６３の蒸気を含む気体を噴射してオープン欠陥部２ａを修正するとよい。
【００８６】
図２１は、この実施の形態３の変更例を示す断面図である。図２１において、この変更例では、同じ貫通孔３ａを用いて複数のオープン欠陥部２ａを修正する場合、１つのオープン欠陥部２ａに修正ペースト４を塗布してから次のオープン欠陥部２ａに修正ペースト４を塗布するまでの待機時に、フィルム３の貫通孔３ａの下側の開口部に近接して溶媒蒸気発生部７０が配置される。
【００８７】
溶媒蒸気発生部７０は、フィルム３の裏面に近接される上端部が開口した容器７１内に、修正ペースト４の溶媒６３を注入したものである。溶媒６３が容器７１からこぼれるのを防止するため、溶媒６３をゲル状にしてもよいし、溶媒６３を吸収させたシート７２を容器７１内に入れてもよい。
【００８８】
高沸点の溶媒６３を用いる場合は、容器７１が開口したままの状態でも溶媒６３がすぐに蒸発して無くなることはないが、揮発性の高い溶媒６３（たとえばトルエン）を用いる場合は、容器７１の開口部を極力小さくするか、開閉自在の蓋（図示せず）を設けることが好ましい。
【００８９】
この変更例では、待機時に、溶媒６３の蒸気を貫通孔３ａ内の修正ペースト４に供給するので、同じ貫通孔３ａを用いて複数のオープン欠陥部２ａを修正する場合でも、修正ペースト４の乾燥を防止することができ、修正品位を落とすことなく修正することができる。なお、容器７１をヒータ（図示せず）で加熱して溶媒６３の蒸気量を制御してもよい。
【００９０】
図２２は、この変更例を実行するパターン修正装置の構成を示す図であって、図１３と対比される図である。図２２において、このパターン修正装置では、気体噴射装置６がＺ軸ステージ３２に搭載され、溶媒蒸気発生部７０がＸＹＺステージ３７の所定位置に固定される。ＸＹＺステージ３７は、フィルム供給ユニット３８をＸＹＺ方向に移動させる。ＸＹＺステージ３７は、塗布時は、フィルム供給ユニット３８を移動させてフィルム３の貫通孔３ａをオープン欠陥部２ａの上方に配置し、待機時は、フィルム供給ユニット３８を移動させて貫通孔３ａを溶媒蒸気発生部７０の上に配置する。他の構成および動作は、図１３のパターン修正装置と同じであるので、その説明は繰り返さない。
【００９１】
今まで説明してきたパターン修正方法およびパターン修正装置によれば、基板表面に凹凸がある場合でも、基板を損傷することなく基板表面のパターンに発生したオープン欠陥部を容易に修正することができる。したがって、液晶パネルのＴＦＴアレイ基板４１の配線のオープン欠陥部の修正の他、種々のフラットパネルディスプレイの基板の欠陥部の修正を行なうことができる。
【００９２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００９３】
１  基板、２  配線、２ａ  オープン欠陥部、３  フィルム、３ａ  貫通孔、３ｂ，３ｃ  溝、４  修正ペースト、４ａ，４Ａ  修正パターン、５  ノズル、５ａ  噴射口、６  気体噴射装置、７  レギュレータ、８，６６，６７  電磁バルブ、９  タイマ、１０  気体供給源、１１  焼成装置、１２，１３，２０〜２２  固定ローラ、１４  フィルム供給リール、１５  巻き取りリール、１６  観察光学系、１７  対物レンズ、１８  レーザ、１９  遮蔽板、２０  塗布針、３０  定盤、３１  ＸＹステージ、３１ａ  Ｘ軸ステージ、３１ｂ  Ｙ軸ステージ、３２  Ｚ軸ステージ、３３，３７  ＸＹＺステージ、３４  塗布ユニット、３５  容器、３５ａ  孔、３６  チャック、３８  フィルム供給ユニット、４１  ＴＦＴアレイ基板、４２  ガラス基板、４３  ゲート線、４３ａ  ゲート電極、４４，４５  ゲート絶縁膜、４６  画素電極、４７  半導体膜、４８  ドレイン線、４８ａ  ドレイン電極、４８ｂ  オープン欠陥部、４９  ソース電極、５０  ＴＦＴ、５１  保護膜、６０，７０  溶媒蒸気発生部、６１，７１  容器、６２  配管、６３  溶媒、６４  フィルタ、６５，７２  シート、６８  セレクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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