(57)【要約】【課題】  電気接点の貴金属めっき膜やその下地として用いられるＮｉめっき膜は、緻密で耐食性に優れることが要求されるが、めっき表面に析出する光沢剤量が多いと接触性能またはめっき膜の密着性が低下することが問題となっていた。【解決手段】  電気接点のＡｕやＡｇの貴金属めっき膜や、これらの下地膜として用いられるＮｉめっき膜において、めっき膜に含まれる光沢剤量を膜内部に比べて膜表面で少なくする。これにより、めっき膜内部はめっき膜を構成する結晶粒の粒子径が小さい緻密な膜めっき膜でありながら、表面は接触性能またはめっき密着性に優れためっき膜が得られる。例えば、陽極を傾斜、または湾曲させて形状を変え、基板との距離を変化させることにより、基板表面の電流密度を制御し、めっき内で光沢剤量が異なるめっき膜が製造される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｕまたはＡｇでめっき形成された貴金属膜を有する電気接点において、
前記貴金属膜に含まれる光沢剤量が、前記貴金属膜の膜内部に比べて膜表面で少なくなっており、前記貴金属膜を構成する結晶粒の粒子径が、前記膜表面に比べて前記膜内部で小さくなっていることを特徴とする電気接点。
【請求項２】
めっき形成されたＮｉ膜と、前記Ｎｉ膜の表面にＡｕまたはＡｇでめっき形成された貴金属膜とを有する電気接点において、
前記Ｎｉ膜に含まれる光沢剤量が、前記Ｎｉ膜の膜内部に比べて膜表面で少なくなっており、前記Ｎｉ膜を構成する結晶粒の粒子径が、前記膜表面に比べて前記膜内部で小さくなっていることを特徴とする電気接点。
【請求項３】
ＡｕまたはＡｇの貴金属膜を有する電気接点の製造方法において、
光沢剤が添加されためっき槽内で前記貴金属膜を電解めっき法にてめっき形成するとき、前記貴金属膜の膜内部をめっき形成する際の電流密度に比べて膜表面をめっき形成する際の電流密度を小さくして、前記貴金属膜に含まれる光沢剤量を、前記膜内部に比べて膜表面で少なくすることを特徴とする電気接点の製造方法。
【請求項４】
Ｎｉ膜とＡｕまたはＡｇの貴金属膜とが積層めっきされた電気接点の製造方法において、
光沢剤が添加されためっき槽内で前記Ｎｉ膜を電解めっき法にてめっき形成するとき、前記Ｎｉ膜の膜内部をめっき形成する際の電流密度に比べて膜表面をめっき形成する際の電流密度を小さくして、前記Ｎｉ膜に含まれる光沢剤量を、前記膜内部に比べて膜表面で少なくする工程、
前記Ｎｉ膜の表面に、前記貴金属膜をめっき形成する工程、
を有することを特徴とする電気接点の製造方法。
【請求項５】
前記めっき槽に設けられた陽極と、陰極である基板表面に設けられた前記電気接点の形成領域との間の距離を変えて、前記電流密度を変化させる請求項３又は４に記載の電気接点の製造方法。
【請求項６】
前記めっき槽に設けられた陽極と、陰極である基板表面に設けられた前記電気接点の形成領域との間に開孔を有するマスク板を配置し、開孔径を変化させて、前記電流密度を変化させる請求項３又は４に記載の電気接点の製造方法。
【請求項７】
前記めっき槽に複数の陽極を配置し、各陽極に個別に電流密度を調整可能に整流器を接続し、陰極である基板表面に設けられた前記電気接点の形成領域に対向する前記陽極を変化させて、前記電流密度を変化させる請求項３又は４に記載の電気接点の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチ、コネクタ等の表面に貴金属膜がめっきされた電気接点及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、めっきなどの表面処理では形成される膜の均一性が求められており、これはスイッチやコネクタ等の電気接点に用いられるＡｕ（金）またはＡｇ（銀）などの貴金属めっき、およびこれらのめっきの下地であるＮｉ（ニッケル）めっきでも同じであった。
【０００３】
例えば、下記特許文献１では、電極の形状を変えて電流密度を均一化し、めっき膜中の合金組成および被膜特性を均一にしている。また、下記特許文献２では、電極を分割して独立に制御して電流密度のばらつきを抑えて、めっき付着量の均一化を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−１８８７９９号公報
【特許文献２】特開昭６３−２９３２００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＡｕまたはＡｇなどの貴金属めっき、またはＮｉ下地めっきでは、めっき浴に光沢剤を添加する。従来では、上記のようにめっき膜を均一に形成しており、前記添加剤もめっき膜全体にほぼ均一に含まれていた。
【０００６】
ところで、光沢剤がめっき膜全体に多く含まれ、めっき膜表面に析出する前記光沢剤の量が多いと、接触性能が低下する、あるいはその上に形成されるめっき層との密着性が悪くなるという問題があった。
【０００７】
そこで、例えば、めっき膜を多層めっきで形成し、このとき各めっき膜の表面に多量の光沢剤が析出するのを防ぐために各めっき膜をめっき形成するたびに表面活性化処理を行う方法もあったが、かかる方法では製造工程が複雑化し且つ製造コストも高くなり生産性が悪かった。
【０００８】
一方、めっき膜中に含まれる前記光沢剤がめっき膜全体に少ないと、めっき膜の結晶粒径が全体的に大きくなり、緻密なめっき膜が得られず耐食性が低下する問題が発生した。
【０００９】
そこで本発明は上記従来の問題を解決するものであり、特に、緻密なめっき膜でありながら、めっき表面の接触性能または密着性に優れた電気接点およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、ＡｕまたはＡｇでめっき形成された貴金属膜を有する電気接点において、
前記貴金属膜に含まれる光沢剤量が、前記貴金属膜の膜内部に比べて膜表面で少なくなっており、前記貴金属膜を構成する結晶粒の粒子径が、前記膜表面に比べて前記膜内部で小さくなっていることを特徴とするものである。
これにより、緻密で耐食性に優れ且つ接触性能に優れた電気接点を得ることができる。
【００１１】
または本発明は、めっき形成されたＮｉ膜と、前記Ｎｉ膜の表面にＡｕまたはＡｇでめっき形成された貴金属膜とを有する電気接点において、
前記Ｎｉ膜に含まれる光沢剤量が、前記Ｎｉ膜の膜内部に比べて膜表面で少なくなっており、前記Ｎｉ膜を構成する結晶粒の粒子径が、前記膜表面に比べて前記膜内部で小さくなっていることを特徴とするものである。
【００１２】
これにより、緻密で耐食性に優れ且つＮｉ膜と貴金属膜間の密着性に優れた電気接点を得ることができる。
【００１３】
また、本発明は、ＡｕまたはＡｇの貴金属膜を有する電気接点の製造方法において、
光沢剤が添加されためっき槽内で前記貴金属膜を電解めっき法にてめっき形成するとき、前記貴金属膜の膜内部をめっき形成する際の電流密度に比べて膜表面をめっき形成する際の電流密度を小さくして、前記貴金属膜に含まれる光沢剤量を、前記膜内部に比べて膜表面で少なくすることを特徴とするものである。
【００１４】
あるいは、本発明は、Ｎｉ膜とＡｕまたはＡｇの貴金属膜とが積層めっきされた電気接点の製造方法において、
光沢剤が添加されためっき槽内で前記Ｎｉ膜を電解めっき法にてめっき形成するとき、前記Ｎｉ膜の膜内部をめっき形成する際の電流密度に比べて膜表面をめっき形成する際の電流密度を小さくして、前記Ｎｉ膜に含まれる光沢剤量を、前記膜内部に比べて膜表面で少なくする工程、
前記Ｎｉ膜の表面に、前記貴金属膜をめっき形成する工程、
を有することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明では電流密度を変化させることで、適切且つ簡単に、めっき膜の内部と表面に析出する光沢剤量を異ならせることができる。上記のように電流密度を調整することで、めっき膜の膜表面に析出する光沢剤量を、膜内部に比べて少なくできる。しかも、前記膜内部での光沢剤量を多くできるため、膜内部での結晶粒の粒径を膜表面に比べて小さくでき緻密化できる。
【００１６】
本発明では、前記めっき槽に設けられた陽極と、陰極である基板表面に設けられた前記電気接点の形成領域との間の距離を変えて、前記電流密度を変化させることが好ましい。
【００１７】
あるいは本発明では、前記めっき槽に設けられた陽極と、陰極である基板表面に設けられた前記電気接点の形成領域との間に開孔を有するマスク板を配置し、開孔径を変化させて、前記電流密度を変化させることが好ましい。
【００１８】
または本発明では、前記めっき槽に複数の陽極を配置し、各陽極に個別に電流密度を調整可能に整流器を接続し、陰極である基板表面に設けられた前記電気接点の形成領域に対向する前記陽極を変化させて、前記電流密度を変化させることが好ましい。
上記により簡単且つ適切に電流密度を変化させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の電気接点によれば、緻密で耐食性に優れ且つ接触性能またはめっき膜間の密着性に優れた電気接点を得ることができる。
【００２０】
また本発明の電気接点の製造方法によれば、電流密度の調整により、適切且つ簡単に、めっき膜の膜表面に析出する光沢剤量を、膜内部に比べて少なくできる。しかも、前記膜内部での光沢剤量を多くできるため、膜内部での結晶粒の粒径を膜表面に比べて小さくでき緻密化できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態の電気接点の部分断面図、
【図２】第２実施形態の電気接点の部分断面図、
【図３】電気接点の形成領域を備える基板の部分平面図、
【図４】めっき槽内の陽極の配置（第１の実施形態）を示す概略図、
【図５】めっき槽内の陽極の配置（第２の実施形態）を示す概略図、
【図６】マスク板を配置しためっき層内の配置（第３の実施形態）を示す概略図、
【図７】図６におけるマスク板の平面図、
【図８】めっき槽内の陽極の配置（第４の実施形態）を示す概略図、
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、第１実施形態の電気接点の部分断面図、図２は、第２実施形態の電気接点の部分断面図、である。
【００２３】
図１，図２に示す図中Ｚ方向は高さ方向（膜厚方向）を示し、下から上に向かって積層されためっき膜を示している。
【００２４】
図１に示す電気接点は、ＡｕやＡｇの貴金属膜３３を有して構成される。貴金属膜３３は膜全体が結晶状態である。
【００２５】
前記貴金属膜３３は、光沢剤量が多い膜内部３３ａと、光沢剤量が前記膜内部３３ａより少ない膜表面３３ｂとで形成される。
【００２６】
めっきに含まれる光沢剤量が多いと、結晶粒が微細化する。よって、膜内部３３ａは、結晶粒が小さい緻密なめっき膜であり、耐食性に優れる。例えば、膜内部３３ａに含まれる光沢剤量は０．０１〜１（ｍｇ／ｃｍ3）である。
【００２７】
一方、めっきに含まれる光沢剤量が少ないと、結晶粒が粗大化するが、有機物などの不純物である光沢剤が少ないため、接触抵抗が安定化する。よって、膜表面３３ｂでの接触抵抗を安定にでき、接触性能を向上させることができる。膜表面３３ｂに含まれる光沢剤量は、例えば、０．０００１〜０．０１（ｍｇ／ｃｍ3）である。
【００２８】
貴金属膜３３は、図１に示すように、光沢剤量の多い膜内部３３ａの形成範囲が、光沢剤量の少ない膜表面３３ｂに比べて大きい。このように形成すると、貴金属膜３３は緻密な膜で形成される割合が大きいため、より耐食性に優れる。ただし、光沢剤量の少ない膜表面３３ｂを形成しているので、貴金属膜３３の接触抵抗を安定にできる。例えば、膜内部３３ａの膜厚は貴金属膜３３の膜厚全体の５０〜９９％であることが好ましい。
【００２９】
また図１に示す貴金属膜３３の膜裏面も、膜表面３３ｂと同様に、光沢剤量が膜内部３３ａに比べて少なく且つ結晶粒の粒径が膜内部３３ｂに比べて大きくなるように調整されてもよい。これにより貴金属膜３３の両面を接触面として形成できる。
【００３０】
なお図１に示す貴金属膜３３に含まれる光沢剤は例えば、セレンやアンチモン等を含んでいる。
【００３１】
図２に示す実施形態の電気接点は、めっき形成されたＮｉ膜３２の表面にＡｕあるいはＡｇの貴金属膜３３がめっき形成された構成である。
【００３２】
図２に示す実施形態では、Ｎｉ膜３２は、めっきに含まれる光沢剤量が多い膜内部３２ａと、膜内部３２ａよりめっきに含まれる光沢剤量が少ない膜表面３２ｂとで形成される。
【００３３】
Ｎｉ膜３２は、めっきに含まれる光沢剤量が多いと、結晶粒が微細化する。よって、膜内部３２ａは、結晶粒が小さい緻密なめっき膜であり、耐食性に優れる。例えば、膜内部３２ａに含まれる光沢剤量は０．０１〜１（ｍｇ／ｃｍ3）である。
【００３４】
一方、めっきに含まれる光沢剤量が少ないと、結晶粒が粗大化するが、有機物などの不純物である光沢剤が少ないため、光沢剤が少ない膜表面３３ｂは、その上にめっきされるＡｕやＡｇの貴金属膜３３との密着性に優れる。膜表面３２ｂに含まれる光沢剤量は、例えば、０．０００１〜０．０１（ｍｇ／ｃｍ3）である。
【００３５】
図２に示すように、Ｎｉ膜３２は光沢剤量の多い膜内部３２ａの形成範囲が、光沢剤量の少ない膜表面３２ｂに比べて大きい。このように形成すると、Ｎｉ膜３２は緻密な膜で形成される割合が大きいため、より耐食性に優れる。ただし、光沢剤量の少ない膜表面３２ｂを形成しているので、ＡｕやＡｇの貴金属膜３３との密着性に優れる。例えば、膜内部３２ａの膜厚はＮｉ膜３２の膜厚全体の５０〜９９％であることが好ましい。
【００３６】
また図１，図２に示す電気接点の、膜内部３２ａ，３３ａに含まれる光沢剤量及び結晶粒の大きさの変化は連続的、あるいは段階的である。例えば連続変化では、膜内部３２ａ，３３ａでの光沢剤量及び結晶粒の大きさがほぼ一定で、膜表面３２ｂ，３３ｂでの光沢剤量及び結晶粒の大きさが連続変化する構成、膜内部３２ａ，３３ａでの光沢剤量及び結晶粒の大きさが連続変化し、膜表面３２ｂ，３３ｂでの光沢剤量及び結晶粒の大きさがほぼ一定の構成、膜内部３２ａ，３３ａから膜表面３２ｂ，３３ｂにかけて光沢剤量及び結晶粒の大きさが連続変化する構成にできる。また段階変化の場合、膜内部３２ａ，３３ａ及び膜表面３２ｂ，３３ｂでの光沢剤量及び結晶粒の大きさをそれぞれ、ほぼ一定にする構成のほかに、例えば、膜内部３２ａ，３３ａでの光沢剤量及び結晶粒の大きさを多段階に変化させることもできる。
【００３７】
また図２に示す電気接点での貴金属膜３３は図１に示す膜表面３３ｂと同様の構成で形成されることが、Ｎｉ膜３２との密着性および接触性能をより効果的に向上させることができ好適である。ただし、貴金属膜３３の内部には、図１の膜内部３３ａと同様に、結晶粒が小さい緻密な膜を形成することで、密着性且つ接触性能とともに、貴金属膜３３の耐食性を効果的に向上させることが可能になる。
【００３８】
なお図２のＮｉ膜３２に含まれる光沢剤は、例えば、ｍ−ベンゼンスルフォン酸やブチンジオール、サッカリン等である。
【００３９】
第１および第２の実施形態の電気接点の製造方法について説明する。
まず電気接点を電解めっきする形成面を有する基板（フープ材）３５を用意する。例えば、基板３５の表面にレジスト層３６を塗布し、前記レジスト層３６に各電気接点の形成領域３６ａに抜きパターンを形成する。図３に示す斜線部分が残されるレジスト層３６の領域である。図３では電気接点の形成領域３６ａを多数配置している。図３では形成領域３６ａを円形状としているが、製造する電気接点の形状にしたがって形成領域３６ａの形状を種々変更する。
【００４０】
図１に示す貴金属膜３３及び図２に示すＮｉ膜３２を電解めっき法によりめっき形成するためのめっき浴には光沢剤が含まれる。本実施形態では、電流密度を変化させることで、図１に示す貴金属膜３３及び図２に示すＮｉ膜３２に含まれる光沢剤を膜内部と膜表面とで変化させている。
【００４１】
図１に示す電気接点の貴金属膜３３を電解めっき法にてめっき形成するとき、貴金属膜３３の膜内部３３ａをめっきする際の電流密度に比べて、膜表面３３ｂをめっき形成する際の電流密度を小さく設定する。例えば、膜内部３３ａをめっき形成する際の電流密度を１５〜１００（Ａ／ｄｍ2）とし、膜表面３３ｂをめっき形成する際の電流密度を１０（Ａ／ｄｍ2）以下に設定する。
【００４２】
これにより貴金属膜３３に含まれる光沢剤量を膜内部３３ａで多く、膜表面３３ｂで少なくできる。このように、膜内部３３ａでの光沢剤量を多くできることで、膜内部３３ａでの結晶粒の粒径を膜表面３３ｂに比べて小さくでき緻密化できる。
【００４３】
次に、電流密度を変化させる具体的方法について説明する。
図４に示すめっき装置では、めっき槽５１内に配置される基板（フープ材）３５は図４の矢印方向に移動可能に支持されている。
【００４４】
図４に示すようにめっき層５１内に配置される陽極５３，５３は固定側であり、前記陽極５３，５３は前記基板３５の移動方向に対して傾斜して配置されている。
【００４５】
図４の実施形態では、前記基板３５をめっき槽５１の左側の入口からめっき浴に入れ、右側の出口から排出する。
【００４６】
陽極５３には整流器（図示せず）が接続されて電流が制御される。また基板３５の移動速度は特に制限はないが、１〜１０（ｍ／秒）の範囲が好ましい。
【００４７】
図４に示すように、陽極５３を配置することにより、基板３５を矢印方向へ移動させると、基板３５に設けられた各形成領域３６ａと陽極５３との間の距離が徐々に大きくなり、各形成領域３６ａに作用する電流密度は、前記基板３５の移動に伴って減少する。
【００４８】
ここで、図１に示す貴金属膜３３を例えばＡｇでめっき形成するときのめっき浴組成（一例）は、以下の通りである。
【００４９】
シアン化銀（ＡｇＣＮ）           １００（ｇ／Ｌ）
シアン化カリウム（ＫＣＮ）       １００（ｇ／Ｌ）
炭酸カリウム（Ｋ2ＣＯ3）            ３０（ｇ／Ｌ）
光沢剤                               ２（ｍｇ／Ｌ）
【００５０】
光沢剤は、アンチモン（Ｓｂ）を含む有機化合物が用いられる。また、他に光沢剤としてニッケル（Ｎｉ）等の無機物を好適に用いることができる。このめっき浴はＡｇ+イオンを８０（ｇ／Ｌ）含む。めっき浴は液温３５〜４０℃、ｐＨ１１〜１３の範囲となるように管理することが好ましい。また、陽極としては、銀板又は、白金めっきチタン材を用いることが好ましい。
【００５１】
あるいは図２に示すＮｉ膜３２をめっき形成するときのめっき浴組成（一例）は、以下の通りである。
【００５２】
硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4）           １８４．６（ｇ／Ｌ）
塩化ニッケル（ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ）    ３６．６（ｇ／Ｌ）
ホウ酸（Ｈ3ＢＯ3）                        ４５（ｇ／Ｌ）
光沢剤                                     ５（ｇ／Ｌ）
【００５３】
光沢剤は、ｍ−ベンゼンスルフォン酸が用いられる。また、光沢剤としては、ブチンジオール、サッカリン等などの有機光沢剤が好適に用いられる。このめっき浴はＮｉ2+イオンを７０（ｇ／Ｌ）、Ｃｌ-イオンを２０（ｇ／Ｌ）含む。めっき浴は液温４０〜５５℃、ｐＨ３．５〜４．５の範囲となるように管理することが好ましい。また、陽極としては、ニッケル板を用いることが好ましい。
【００５４】
本実施形態では、図４に示すめっき装置を用いることで、上記しためっき浴の組成を変えずとも、図１に示すＡｇ膜（貴金属膜３３）や図２のＮｉ膜３２に含まれる光沢剤量を膜内部３２ａ，３３ａで多く膜表面３２ｂ，３３ｂで少なくできる。
【００５５】
図４に示す形態では、陽極５３の傾斜角が基板３５の移動方向に対してほぼ一定になっているが、図５のように、陽極５３の傾斜角度を途中から変えることもできる。
【００５６】
図５では、基板３５の移動方向の途中から出口まで基板３５の移動方向に対する陽極５３の傾斜角度が急激に大きくなっている。
【００５７】
図５では、各形成領域３６ａにおいてめっき形成される図１の貴金属膜３３やＮｉ膜３２の膜内部３２ａ，３３ａに含まれる光沢剤量をほぼ一定にでき（あるいは増加率が非常に小さく）、膜表面３２ｂ，３３ｂで急激に少なくできる。
【００５８】
図４、図５に示す実施形態では、陽極５３は、基板３５の移動方向に対して傾斜しているので、各形成領域３６ａにめっき形成される図１の貴金属膜３３や図２のＮｉ膜３２に含まれる光沢剤量は連続的に変化しやすい。一方、陽極５３を基板３５の移動方向に対して階段状に配置することで、前記光沢剤量を段階的に変化させることができる。
【００５９】
なお、図４、図５では、いずれも２つの陽極５３，５３を備え、前記陽極５３，５３の間に陰極である基板３５を介在させているが、これにより基板３５の両面に電気接点をめっき形成できる。当然、陽極５３を一つとし、基板３５の片面にのみ電気接点をめっき形成することもできる。以下、図６、図８の実施形態においても同様である。
【００６０】
次に、図６に示す実施形態では、陽極５３は基板３５に対して平行に配置されているが、陰極である基板３５と陽極５３との間に複数の開孔５５を有するマスク板５４を配置している。このマスク板５４は、例えば、図７の平面図に示されるように、開孔径の異なる複数の開孔５５が基板３５の移動方向に沿って並んで設けられている。
【００６１】
図６に示されるように、各開孔５５の開孔径が基板３５の移動方向における入口側から出口側に向かって順次小さくなるように形成されたマスク板５４を用い、前記基板３５を矢印方向に移動させると、基板３５表面に形成された電気接点の各形成領域３６ａに対する電流密度が前記基板３５の移動に伴って徐々に小さくなるので、各形成領域３６ａにめっき形成される図１に示す貴金属膜３３や図２に示すＮｉ膜３２の膜内部３２ａ，３３ａでの光沢剤量を多く、膜表面３２ｂ，３３ｂでの光沢剤量を少なく調整できる。
【００６２】
図８に示す実施形態では、陽極５３は基板３５の移動方向に沿って複数に分割された分割陽極５３ａ〜５３ｆにされている。分割陽極５３ａ〜５３ｆは、それぞれ整流器５６ａ〜５６ｆに接続されて電流が制御され、各分割陽極５３ａ〜５３ｆにおいて、個別に電流密度を調整可能となっている。
【００６３】
図８に示すように陰極側である基板３５を矢印方向に移動させると、各接点電極の形成領域３６ａに対向する分割陽極５３ａ〜５３ｆが次々と変わる。このため、基板３５の移動に伴って、各形成領域３６ａに作用する電流密度を変化させることができる。本実施形態では、基板３５の移動方向に向けて、次々に対向する陽極との電流密度が小さくなるように調整することで、各形成領域３６ａにめっき形成される図１に示す貴金属膜３３や図２に示すＮｉ膜３２の膜内部３２ａ，３３ａでの光沢剤量を多く膜表面３２ｂ，３３ｂでの光沢剤量を少なくできる。
【００６４】
図２に示す電気接点の製造方法では、Ｎｉ膜３２を電解めっき法にてめっき形成した後、別のめっき槽に移動させて、Ｎｉ膜３２の表面に貴金属膜３３を電解めっき法によりめっき形成する。このとき、貴金属膜３３を図１に示す膜表面３３ｂと同様の構成でめっき形成することが、Ｎｉ膜３２との密着性および接触性能をより効果的に向上させることができ好適である。よって、貴金属膜３３をめっき形成するめっき槽では、例えば基板と陽極との間の距離を離すことで、電流密度を小さくして、貴金属膜３３に含まれる光沢剤量を減らすことが好ましい。ただし、図２における貴金属膜３３の内部には、図１の膜内部３３ａと同様に、光沢剤量を増やして結晶粒が小さい緻密な膜を形成すべく、電流密度を膜内部のめっきの際に大きくすることで、密着性および接触性能とともに、貴金属膜３３の耐食性を効果的に向上させることが可能になる。
【００６５】
図１に示す貴金属膜３３や図２に示すＮｉ膜３２をバッチ式めっきによって製造することもできる。かかる場合、例えば、図１に示す貴金属膜３３の膜内部３３ａと膜表面３３ｂのそれぞれをめっき形成する各めっき槽を用意し、各めっき槽のめっき浴組成を同じにする。そして、例えば図４に示す構成を利用して、膜内部３３ａに対するめっき槽での基板と陽極間の距離を、膜表面３３ｂに対するめっき槽での基板と陽極間の距離よりも小さく設定する。
【符号の説明】
【００６６】
３２  Ｎｉ膜
３３  貴金属膜
３２ａ、３３ａ  膜内部
３２ｂ、３３ｂ  膜表面
５１  めっき槽
５３  陽極
５３ａ〜５３ｂ  分割陽極
５４  マスク板
５５  開孔
５６ａ〜５６ｆ  整流器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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