(57)【要約】【課題】発光素子の上方の発光観察面において、中央部の発光強度がその他の部分の発光強度よりも大きい場合に、色むらを十分に低減することが可能な発光装置を提供する。【解決手段】この表面実装型ＬＥＤ１０（発光装置）は、ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１から出射された光の波長を変換する蛍光体層１９と、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部６とを備える。【選択図】図１
2010056337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子から出射された光の波長を変換する波長変換部と、
前記発光素子の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部とを備える、発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は、支持基板と、発光層を有し、前記支持基板に接合される半導体発光素子層とを含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の厚みが、他の部分における前記光拡散部の厚みと比べて大きい、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記光拡散部は、光拡散剤を含み、
前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の光拡散剤の含有率が、他の部分における前記光拡散部の光拡散剤の含有率に比べて大きい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記光拡散部は、粒子状の光拡散剤を含み、
前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の粒子状の光拡散剤の平均粒径が、他の部分における前記光拡散部の粒子状の光拡散剤の平均粒径に比べて大きい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子の上方中央部における前記光拡散部の反射率が、他の部分における前記光拡散部の粒子状の光拡散剤の反射率に比べて大きい、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関し、特に、発光素子と波長変換部と光拡散部とを備えた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、小型であり、低消費電力および長寿命などの特徴を有し、かつ、可視光を含む赤外光から紫外光までの波長領域で発光可能であることから、従来の小型電球（豆電球やナツメ球など）の代替品や液晶ディスプレイのバックライトとして既に実用化されている。さらに、ＬＥＤの発光の高効率化や製造時の低コスト化により、白熱灯や蛍光灯に代わる一般照明用の光源としての利用が期待されている。
【０００３】
一般照明用に使用される白色ＬＥＤは、青色ＬＥＤまたは紫外ＬＥＤと蛍光体とを組み合わせた場合に、ＬＥＤから出射された光の一部が蛍光体を励起させて赤色や緑色に発光させることにより、ＬＥＤ自体の発色光と蛍光体の発色光とが混合されて白色光を発するように構成されている。
【０００４】
ここで、ＬＥＤチップから出射される光には指向性があるため、白色ＬＥＤの発光観察面は、見る角度によって色調が大きく変化する。このため、一般照明用に応用される白色ＬＥＤには、色むらが発生しやすいという不都合がある。
【０００５】
そこで、従来、色むらを低減させるために、発光素子と波長変換部と光拡散部とを備えた発光装置が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００６】
上記特許文献１には、ＬＥＤチップ（発光素子）と、ＬＥＤチップを覆うように形成された蛍光体樹脂層（波長変換部）と、蛍光体樹脂層の少なくとも上面の一部を覆う光拡散層（光拡散部）とを備えたＬＥＤ照明光源（発光装置）が開示されている。この特許文献１では、蛍光体樹脂層中を透過するＬＥＤチップの中央部と周辺部（角部）との局所的な光路長の差に起因する色温度（Ｋ）の分布（色むら）を是正するように光拡散層の厚みが調整されている。すなわち、周辺部（角部）では、中央部よりも光路長が長くなることから、黄色みがかった白色光になる一方、中央部では、光路長が短くなることから、白色を呈することを考慮して、光拡散層の厚みを、蛍光体樹脂層の上面の中央部よりも蛍光体樹脂層の上面の周辺部（角部）で大きくなるように構成している。これにより、上面の周辺部（角部）を透過する黄色みがかった白色光は、光拡散層において上面の中央部を透過する光よりもより拡散されるので、発光観察面において、中央部の領域と周辺部（角部）の領域とで白色光の白さの度合の差が小さくなる。それにより、光路長の差に起因する色むらが生じるのを抑制することが可能なように構成されている。
【０００７】
【特許文献１】特許第３９８３７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１に開示されたＬＥＤ照明光源では、蛍光体樹脂層中を透過するＬＥＤチップの光路長の差に起因する色温度分布の低減のみを考慮しているため、色むらの発生をある程度抑制することが可能である一方、ＬＥＤチップ自体の各面から出射される光の発光強度の分布については考慮されていないと考えられる。このため、特に高出力化されたＬＥＤチップを用いる場合には、ＬＥＤチップ（発光素子）の各面から出射される光の発光強度の分布差がより顕著となるため、発光観察面において、色むらを十分に低減することができないという問題点がある。たとえば、ＬＥＤチップの上面において、中央部の発光強度がその他の部分よりも大きい場合には、上記特許文献１の構成では、色むらを十分に低減することができないと考えられる。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、発光素子の上方の発光観察面において、中央部の発光強度がその他の部分の発光強度よりも大きい場合に、色むらを十分に低減することが可能な発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【００１０】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による発光装置は、発光素子と、発光素子から出射された光の波長を変換する波長変換部と、発光素子の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部とを備える。
【００１１】
この発明の一の局面による発光装置では、上記のように、発光素子の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部を備えることによって、発光素子の上面から出射される光の発光強度が、他の面から出射される光の発光強度に比べて大きい場合に、発光素子の上面からの出射光は、発光素子の上方中央部における光拡散部において周辺部よりも盛んに拡散されるので、発光素子の上方の発光観察面において、発光強度差に起因する色むらを十分に低減することができる。
【００１２】
上記一の局面による発光装置において、好ましくは、発光素子は、支持基板と、発光層を有し、支持基板に接合される半導体発光素子層とを含む。このように構成すれば、支持基板に融着層を介して半導体発光素子層が形成される構造では、光が半導体発光素子層の下面などにおいて反射されることにより、発光素子の上面からの発光強度は、発光素子の側面からの発光強度に比べて大きくなるので、光拡散部により、発光素子の上方中央部において、発光素子から発せられた光はより拡散される。これにより、発光素子の上面の発光強度の大きい光をより拡散することができるので、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布をより低減することができる。その結果、色むらをより十分に低減することができる。
【００１３】
上記一の局面による発光装置において、好ましくは、発光素子の上方中央部における光拡散部の厚みが、他の部分における光拡散部の厚みと比べて大きい。このように構成すれば、光拡散部の厚みを変化させることによって、発光素子の発光強度の分布に応じて、光拡散部において、発光素子の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成することができる。これにより、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができるので、色むらの低減を容易に行うことができる。
【００１４】
上記一の局面による発光装置において、好ましくは、光拡散部は、光拡散剤を含み、発光素子の上方中央部における光拡散部の光拡散剤の含有率が、他の部分における光拡散部の光拡散剤の含有率に比べて大きい。このように構成すれば、光拡散部に含有される光拡散剤の含有率を変化させることによって、発光素子の発光強度の分布に応じて、光拡散部において、発光素子の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成することができる。これにより、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができるので、色むらの低減を容易に行うことができる。
【００１５】
上記一の局面による発光装置において、好ましくは、光拡散部は、粒子状の光拡散剤を含み、発光素子の上方中央部における光拡散部の粒子状の光拡散剤の平均粒径が、他の部分における光拡散部の粒子状の光拡散剤の平均粒径に比べて大きい。このように構成すれば、光拡散部に含まれる粒子状の光拡散剤の平均粒径を変化させることによって、発光素子の発光強度の分布に応じて、光拡散部において、発光素子の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成することができる。これにより、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができるので、色むらの低減を容易に行うことができる。
【００１６】
上記一の局面による発光装置において、好ましくは、発光素子の上方中央部における光拡散部の反射率が、他の部分における光拡散部の反射率に比べて大きい。このように構成すれば、光拡散部の反射率を変化させることによって、発光素子の発光強度の分布に応じて、光拡散部において、発光素子の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成することができる。これにより、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができるので、色むらの低減を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。図２〜図４は、それぞれ、図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した平面図および断面図である。まず、図１〜図４を参照して、第１実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０の構造について説明する。なお、この第１実施形態では、発光装置の一例である表面実装型ＬＥＤに本発明を適用した場合について説明する。
【００１９】
本発明の第１実施形態によるチップ型の白色光の表面実装型ＬＥＤ１０では、図１に示すように、発光波長ピークが約４２０ｎｍ〜約４８０ｎｍの青色光を出射するＬＥＤチップ１が、Ａｇペーストからなる接着層２によって支持基体３の電極３ａの上面上に固定されている。また、ＬＥＤチップ１の後述するｎ側電極１８は、支持基体３の電極層３ｂの上面上に金属製のワイヤ４を介して電気的に接続されている。また、ＬＥＤチップ１、支持基体３およびワイヤ４は、透光性を有するシリコン樹脂からなる樹脂層５によって覆われている。なお、ＬＥＤチップ１は、本発明の「発光素子」の一例である。
【００２０】
ここで、第１実施形態では、樹脂層５の上面上には、樹脂層５の上面を覆うように光拡散部６が形成されている。具体的には、樹脂層５の上面上には、第１光拡散層６ａが形成されている。また、図１および図２に示すように、第１光拡散層６ａの上面中央部領域上には、第２光拡散層６ｂが形成されている。また、図１に示すように、第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂは、同一の組成からなり、略同じ厚み（約１０μｍ以上約１００μｍ以下）を有する。これにより、表面実装型ＬＥＤ１０の上面中央部における光拡散部６の厚みは、表面実装型ＬＥＤ１０の上面中央部以外の光拡散部６の厚みよりも約２倍の厚みを有するように構成されている。また、図２に示すように、第２光拡散層６ｂは、上方（矢印Ａ１方向側）から見て、略円形状を有している。
【００２１】
また、図１および図２に示すように、ＬＥＤチップ１は、光拡散部６の矢印Ｂ方向の中央部の下方（図１の矢印Ａ２方向側）に位置するように配置されている。また、第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂは、シリコン樹脂などの透光性樹脂に粒子状の光拡散剤６ｃを分散させて形成されている。また、光拡散剤６ｃは、粒子状のＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＢａＳＯ４、ＴｉＯ２、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＺｒなどからなり、数ｎｍ以上約１μｍ以下の大きさの平均粒径を有する。また、第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂにおいて、光拡散剤６ｃは、透光性樹脂に対して約１体積％以上約５体積％以下の割合で含有されている。
【００２２】
また、第１実施形態では、図３に示すように、ＬＥＤチップ１は、いわゆる基板貼り替え型の発光ダイオードである。すなわち、ＧａＮやサファイアなどからなる後述する成長用基板２０（図５参照）上に形成された半導体発光素子層を、支持基板１１に貼り替えることによって形成されている。また、支持基板１１は、熱伝導性が良好な材料からなるとともに、支持基板１１の熱膨張係数は、成長用基板２０の熱膨張係数に近い値を有するように構成されている。これにより、ＬＥＤチップ１の放熱を速やかに行うことが可能である。また、支持基板１１を成長用基板２０よりも電気抵抗が小さい材料にすることによって、ＬＥＤチップ１の動作電圧を抑えることが可能である。
【００２３】
また、ＬＥＤチップ１は、支持基板１１の上面上に、融着層１２を介して、Ａｇの薄膜からなる反射層１３、ｐ側電極１４、ＧａＮ、ＡｌＧａＮまたはＩｎＧａＮなどからなるｐ型クラッド層１５、発光層１６およびｎ型クラッド層１７がこの順に形成されている。また、ＬＥＤチップ１では、発光層１６から下方（矢印Ａ２方向）に出射される光が、融着層１２と反射層１３とにより反射されて支持基板１１に略到達しなくなるように構成されている。また、ｐ側電極１４は、反射層１３、融着層１２および支持基板１１を介して、基板３の電極層３ａと電気的に接続されている。
【００２４】
また、融着層１２は、半田や導電性ペーストなどの材料からなる層を用いることが可能である。半田としては、ＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ、ＩｎＳｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＢｉ、ＳｎＡｇＣｕＢｉ、ＳｎＡｇＢｉＩｎ、ＳｎＺｎ、ＳｎＣｕ、ＳｎＢｉおよびＳｎＺｎＢｉなどからなる半田を用いることが可能である。
【００２５】
また、図３および図４に示すように、ｎ型クラッド層１７の上面上の角部近傍には、ｎ側電極１８が形成されている。また、図１および図２に示すように、ｎ側電極１８には、ワイヤ４の一方端がワイヤボンディングされている。また、ｐ側電極１４、ｐ型クラッド層１５、発光層１６、ｎ型クラッド層１７およびｎ側電極１８によって半導体発光素子層が形成されている。
【００２６】
また、図３および図４に示すように、ｎ型クラッド層１７の上面上には、ｎ側電極１８を取り囲むように蛍光体層１９が形成されている。この蛍光体層１９には、透明な樹脂に黄色に発色する蛍光体が所定の濃度を有して混入されている。また、蛍光体は、発光層１６からの光を吸収して、黄色に対応する波長を出射するように構成されている。ここで、蛍光体層１９をｎ型クラッド層１７の上面に直接配置することによって、ＬＥＤチップ１の出射光の広がりを考慮する必要がないので、表面実装型ＬＥＤ１０の色むらのばらつきを低減することが可能である。なお、蛍光体層１９は、本発明の「波長変換部」の一例である。
【００２７】
また、ＬＥＤチップ１は、矢印Ｂ方向（平面方向）に約２００μｍ以上約１０００μｍ以下の範囲の長さを有するとともに、矢印Ａ１方向および矢印Ａ２方向（高さ方向）に約１００μｍ以上約３００μｍ以下の範囲の厚みを有するように形成されている。これにより、ＬＥＤチップ１は、上面の平面積に比べて側面の面積が小さい。また、ＬＥＤチップ１の下部（矢印Ａ２方向の部分）には、反射層１３および接合層１２が形成されているので、発光層１６からの出射光が支持基板１１に到達しにくくなるように構成されている。したがって、ＬＥＤチップ１の出射光は、ＬＥＤチップ１の上面（蛍光体層１９）側からこの面に垂直な方向（矢印Ａ１方向）に出射する指向性を有している。この結果、ＬＥＤチップ１の上面（矢印Ａ１方向側の面）からの光の発光強度は、ＬＥＤチップ１の側面（矢印Ｂ方向の両側面）からの光の発光強度と比べて大きくなるように構成されている。
【００２８】
表面実装型ＬＥＤ１０は、上記の構成によって、図１に示すように、支持基板１１から、発光層１６と、蛍光体層１９と、光拡散部６とが順に積層するように構成されている。これにより、ＬＥＤチップ１から矢印Ａ１方向に出射された青色光が、まず蛍光体層１９に入射して蛍光体を黄色に発光させるように構成されている。この結果、ＬＥＤチップ１の青色光と蛍光体層１９の黄色光とが混合されて白色光となった状態で樹脂層５を透過し、第１光拡散層６ａに矢印Ａ１方向に入射するように構成されている。そして、第１光拡散層６ａにおいて拡散された光のうち、第１光拡散層６ａの中央部を透過した入射光は、第２光拡散層６ｂに入射するように構成されている。その後、第２光拡散層６ｂにおいてさらに拡散された光は、表面実装型ＬＥＤ１０の上面から外部に出射されるように構成されている。一方、第１光拡散層６ａの中央部以外（周辺部）を透過した白色光は、第２光拡散層６ｂにおいて拡散されることなく、表面実装型ＬＥＤ１０の上面から外部に出射されるように構成されている。
【００２９】
また、第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂにおいて矢印Ａ２方向に拡散された光は、樹脂層５を透過して再度蛍光体層１９に入射するように構成されている。これにより、蛍光体層１９に再度入射した光は、蛍光体を黄色に発光させて再度矢印Ａ１方向に出射されるように構成されている。これにより、ＬＥＤチップ１の出射光のうち上方中央部に多く存在する青色光が、再度蛍光体層に入射されて蛍光体を黄色に発光させることによって、表面実装型ＬＥＤ１０の発光効率を向上させることが可能である。なお、本明細書において「白色」とは、「人間の目に白色に見える」という意味である。
【００３０】
図５〜図８は、図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの製造プロセスを説明するための図である。次に、図１、図３および図５〜図８を参照して、第１実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０の製造プロセスについて説明する。
【００３１】
まず、図５に示すように、ＧａＮやサファイアなどからなる成長用基板２０の上面上に、剥離層２１を形成する。この剥離層２１は、半導体層（ｎ型クラッド層１７、発光層１６およびｐ型クラッド層１５）などと比較して除去されやすい層や、機械的に分離されやすい層からなる。除去されやすい層としては、たとえば、半導体層と比較して融点や沸点が低い材料、半導体層と比較して分解しやすい材料、半導体層と比較して溶解しやすい材料、および、半導体層と比較して反応しやすい材料などからなる。そして、ＭＯＣＶＤ法により、剥離層２１の上面上に、ｎ型クラッド層１７、発光層１６およびｐ型クラッド層１５をこの順に形成する。その後、真空蒸着法を用いて、ｐ型クラッド層１５上にｐ側電極１４を形成するとともに、ｐ側電極１４上に反射層１３を形成する。
【００３２】
そして、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用いて、半導体発光素子層が形成された成長用基板２０に剥離層２１の上面まで延びる分離溝２２を形成する。これにより、ウェハ状態の半導体発光素子層がＬＥＤチップ１（図３参照）と略同じ大きさになるように分離される。
【００３３】
次に、図６に示すように、融着層１２が形成された支持基板１１と、成長用基板２０側の反射層１３とを融着層１２を介して接合する。その後、図７に示すように、成長用基板２０を半導体層から剥離する。具体的には、成長用基板２０の下面側から剥離層２１（破線で示す）に向かってレーザ照射を行い、剥離層２１を蒸発させることによって成長用基板２０を剥離する。
【００３４】
そして、図８に示すように、真空蒸着法を用いて、ｎ型クラッド層１７の上面上の角部近傍に、ｎ側電極１８を形成する。その後、ｎ側電極１８を取り囲むように蛍光体層１９を形成する。具体的には、ｎ側電極１８の上面を蛍光体層１９が覆わないように、蛍光体を含む樹脂をディスペンサによる塗布、スクリーン印刷およびドット印刷などによりｎ型クラッド層１７の上面上に形成し、熱硬化または光硬化によって樹脂を硬化させて蛍光体層１９を形成する。その後、支持基板１１に対して素子分割を行うことにより、図３に示すようなチップ化されたＬＥＤチップ１が形成される。
【００３５】
また、第１実施形態では、図１に示すように、ＬＥＤチップ１の下面（支持基板１１）を接着層２により支持基体３に固定する。その後、ｎ側電極１８と電極層３ｂとをワイヤ４により接続する。そして、ＬＥＤチップ１を覆うように形成したシリコン樹脂を、熱硬化または光硬化によって硬化させて樹脂層５を形成する。さらに、樹脂層５の上面上に光拡散部６を形成する。具体的には、光拡散剤６ｃを含む透光性樹脂をディスペンサによる塗布、スクリーン印刷およびドット印刷などにより樹脂層５の上面上に形成する。そして、熱硬化または光硬化によって透光性樹脂を硬化させて、第１光拡散層６ａを約１０μｍ以上約１００μｍ以下の厚みになるように形成する。さらに、第１光拡散層６ａと同一の組成からなる透光性樹脂をディスペンサによる塗布、スクリーン印刷およびドット印刷などにより第１光拡散層６ａの上面中央部に形成する。そして、熱硬化または光硬化によって透光性樹脂を硬化させて、第２光拡散層６ｂを約１０μｍ以上約１００μｍ以下の厚みになるように形成する。この際、第１光拡散層６ａと第２光拡散層６ｂとを、略同じ厚み（約１０μｍ以上約１００μｍ以下）を有するように形成する。これにより、図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０が形成される。
【００３６】
図９は、図１に示した第１実施形態による発光観察面における表面実装型ＬＥＤの色温度分布を示した図である。図１０は、図１に示した第１実施形態の比較例による発光観察面における表面実装型ＬＥＤの色温度分布を示した図である。次に、図９および図１０を参照して、上記第１実施形態の効果を確認するために行った比較実験について説明する。
【００３７】
この比較実験では、まず、上記した第１実施形態の製造プロセスと同様の製造プロセスを用いて、表面実装型ＬＥＤ３０を作製した。表面実装型ＬＥＤ３０は、図１０に示すように、ＬＥＤチップ１、接着層２、支持基体３、ワイヤ４、樹脂層５および光拡散部３６を備えている。ここで、表面実装型ＬＥＤ３０には、上記第１実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０（図９参照）と異なり、第２光拡散層６ｂ（図９参照）に相当する部材が設けられていない。すなわち、光拡散部３６を略均一な厚みを有した状態で樹脂層５の上面を覆うように形成した。なお、比較例による表面実装型ＬＥＤ３０のその他の構造は、第１実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０と同様になるように作製した。ここで、発光観察面とは、表面実装型ＬＥＤ１０および３０の発光面からある程度離れた平面のことであり、具体的には、表面実装型ＬＥＤ１０および３０の光をスクリーンや壁に照射された場合における、そのスクリーンや壁を意味する。
【００３８】
図９を参照して、第１実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０の発光観察面における色温度分布は、中央部から側面部にかけてなだらかな曲線を示している。つまり、発光観察面において、表面実装型ＬＥＤ１０は、上面中央部から上面端部にかけて色温度変化が小さい。これにより、発光観察面において、色むらの十分に低減された白色光が観察された。
【００３９】
一方、図１０を参照して、比較例による表面実装型ＬＥＤ３０の発光観察面における色温度分布は、図９の第１実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０の発光観察面における色温度分布と比べて、中央部から側面部にかけて比較的急な曲線を示している。つまり、発光観察面において、表面実装型ＬＥＤ３０は、上面中央部から上面端部にかけて色温度変化が大きい。これにより、表面実装型ＬＥＤ３０の上面中央部において青色がかった白色が観察され、発光観察面において、色むらを有する白色光が観察された。
【００４０】
上記比較実験から、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光拡散部６（第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂ）の厚みが、他の部分における光拡散部６（第１光拡散層６ａ）の厚みと比べて大きいように構成された第１実施形態による表面実装型ＬＥＤ１０は、表面実装型ＬＥＤ１０の上面中央部において色むらを十分に低減することができるのが確認できた。
【００４１】
第１実施形態では、上記のように、ＬＥＤチップ１の上面からの発光強度を、ＬＥＤチップ１の側面からの発光強度に比べて大きくなるように構成するとともに、ＬＥＤチップ１の上方中央部（第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂ）における光を、他の部分（第１光拡散層６ａ）における光と比べてより拡散されるように構成することによって、ＬＥＤチップ１の上面から発せられる光は、光拡散部６において、ＬＥＤチップ１の上方中央部でより拡散されるので、ＬＥＤチップ１の上方の発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができる。また、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光拡散部６（第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂ）において拡散された光が、再度蛍光体層１９に入射して蛍光体を黄色に発光させて再度矢印Ａ１方向に出射されることによって、支持基板１１に融着層１２を介して半導体発光素子層が形成される構造では、光が半導体発光素子層の下面、融着層１２および反射層１３において反射されることにより、上面に向かう光の強度が、側面に向かう光の強度よりも強くなるので、光拡散部６により、ＬＥＤチップ１の上方中央部において、ＬＥＤチップ１から発せられた光はより拡散される。これにより、ＬＥＤチップ１の上面の発光強度の大きい光をより拡散することができるので、発光観察面において、発光強度差に起因する表面実装型ＬＥＤ１０の色温度分布をより低減することができる。その結果、表面実装型ＬＥＤ１０の色むらをより十分に低減することができる。
【００４２】
また、第１実施形態では、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光拡散部６（第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂ）の厚みを、他の部分における光拡散部６（第１光拡散層６ａ）の厚みと比べて、２倍の厚みになるように構成することによって、ＬＥＤチップ１の発光強度の分布に応じて、光拡散部６において、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成することができる。これにより、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができるので、表面実装型ＬＥＤ１０の色むらの低減を容易に行うことができる。
【００４３】
（第１実施形態の変形例）
図１１および図１２は、本発明の第１実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。図１１および図１２を参照して、第１実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤ４０では、上記第１実施形態と異なり、光拡散部４６が金属薄膜からなる場合について説明する。
【００４４】
第１実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤ４０では、図１１および図１２に示すように、樹脂層５の上面上には、樹脂層５の上面を覆うように光拡散部４６が形成されている。具体的には、図１１に示すように、樹脂層５の上面上には、第１光拡散層４６ａが形成されている。また、第１光拡散層４６ａの上面中央部領域上には、第２光拡散層４６ｂが形成されている。これにより、表面実装型ＬＥＤ４０の上面中央部における光拡散部４６の厚みは、表面実装型ＬＥＤ４０の上面中央部以外の光拡散部４６の厚みと比べて、大きくなるように構成されている。
【００４５】
また、第１実施形態の変形例では、第１光拡散層４６ａおよび第２光拡散層４６ｂは、金属薄膜からなる。具体的には、第１光拡散層４６ａおよび第２光拡散層４６ｂは、略同じ厚み（約３ｎｍ）を有し、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＺｒなどからなる。また、第１光拡散層４６ａおよび第２光拡散層４６ｂは、十分小さい厚みを有していることにより、図１１に示すような連続的に形成された膜状になっている場合と、図１２に示すような複数の島状に分布して形成されている場合とがある。この島状の場合においても、光拡散部４６においてＬＥＤチップ１の出射光を拡散することが可能である。
【００４６】
第１実施形態の変形例では、上記のように、表面実装型ＬＥＤ４０の上面中央部における金属薄膜の光拡散部４６（第１光拡散層４６ａおよび第２光拡散層４６ｂ）の厚みを、表面実装型ＬＥＤ４０の上面中央部以外の金属薄膜の光拡散部４６（第１光拡散層４６ａ）の厚みと比べて大きくなるように構成することによって、第１実施形態と同様に、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができるので、表面実装型ＬＥＤ４０の色むらの低減を容易に行うことができる。
【００４７】
（第２実施形態）
図１３は、本発明の第２実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。図１４は、図１３の第２実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した平面図である。図１３および図１４を参照して、第２実施形態による表面実装型ＬＥＤ５０では、上記第１実施形態と異なり、光拡散部５６を１層からなるように構成するとともに、光拡散部５６の中央部における粒子状の光拡散剤６ｃの含有率と、他の部分における粒子状の光拡散剤６ｃの含有率とを異ならせる場合について説明する。
【００４８】
第２実施形態による表面実装型ＬＥＤ５０では、図１３に示すように、樹脂層５の上面上に、光拡散部５６が形成されている。具体的には、図１３および図１４に示すように、樹脂層５（図１３参照）の上面中央部には、円形状を有する第１光拡散部５６ａが形成されているとともに、樹脂層５の上面で、かつ、第１光拡散部５６ａの外周面を囲むように第２光拡散部５６ｂが形成されている。また、図１３に示すように、第１光拡散部５６ａおよび第２光拡散部５６ｂは、略同じ厚み（約１０μｍ以上約１００μｍ以下）を有する。
【００４９】
ここで、第２実施形態では、第１光拡散部５６ａには、粒子状の光拡散剤６ｃが透光性樹脂に対して約５体積％以上約１０体積％以下の割合で含有されている。また、第２光拡散部５６ｂには、粒子状の光拡散剤６ｃが透光性樹脂に対して約１体積％以上約５体積％未満の割合で含有されている。つまり、第１光拡散部５６ａが位置するＬＥＤチップ１の上方中央部における光拡散剤６ｃの含有率は、第１光拡散部５６ａの周囲に位置する第２光拡散部５６ｂにおける光拡散剤６ｃの含有率に比べて大きくなるように構成されている。なお、第２実施形態による表面実装型ＬＥＤ５０のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００５０】
次に、図１３および図１４を参照して、第２実施形態による表面実装型ＬＥＤ５０の製造プロセスについて説明する。
【００５１】
まず、上記第１実施形態と同様の製造プロセスにより、青色光を発光するＬＥＤチップ１を形成するとともに、ＬＥＤチップ１の下面（支持基板１１）を接着層２により支持基体３に固定する。その後、ｎ側電極１８と電極層３ｂとをワイヤ４により接続する。そして、ＬＥＤチップ１を覆うように樹脂層５を形成する。
【００５２】
次に、図１３に示すように、樹脂層５の上面上に光拡散部５６を形成する。具体的には、粒子状の光拡散剤６ｃが約１体積％以上約５体積％未満の割合で含有されている透光性樹脂を、ディスペンサによる塗布、スクリーン印刷およびドット印刷などにより樹脂層５の上面周辺部（第１光拡散部５６ａの周囲）に形成する。そして、熱硬化または光硬化によって透光性樹脂を硬化させて、第２光拡散部５６ｂを約１０μｍ以上約１００μｍ以下の厚みになるように形成する。さらに、粒子状の光拡散剤６ｃが約５体積％以上約１０体積％以下の割合で含有されている透光性樹脂を、ディスペンサによる塗布、スクリーン印刷およびドット印刷などにより樹脂層５の上面中央部に形成する。そして、熱硬化または光硬化によって透光性樹脂を硬化させて、第１光拡散部５６ａを約１０μｍ以上約１００μｍ以下の厚みになるように形成する。また、第１光拡散部５６ａおよび第２光拡散部５６ｂを、略同じ厚み（約１０μｍ以上約１００μｍ以下）を有するように形成する。これにより、図１３および図１４に示した第２実施形態による表面実装型ＬＥＤ５０が形成される。
【００５３】
第２実施形態では、上記のように、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光拡散部５６（第１光拡散部５６ａ）の粒子状の光拡散剤６ｃの含有率を、他の部分における光拡散部５６（第２光拡散部５６ｂ）の粒子状の光拡散剤６ｃの含有率に比べて大きくすることによって、ＬＥＤチップ１の発光強度の分布に応じて、光拡散部５６において、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光を、他の部分における光と比べてより拡散するように構成することができるので、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができる。これにより、表面実装型ＬＥＤ５０の色むらの低減を容易に行うことができる。また、第１実施形態のように、光拡散部６において第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂを重ねる場合と比べて、ＬＥＤチップ１の発光強度の分布に応じて、光拡散剤６ｃの含有率を細かく調整できるので、光拡散部６における光拡散度合を精度よく調整することができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５４】
（第３実施形態）
図１５は、本発明の第３実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。図１５を参照して、第３実施形態による表面実装型ＬＥＤ６０では、上記第２実施形態と異なり、光拡散部６６の中央部における粒子状の光拡散剤６６ｃの平均粒径と、他の部分における粒子状の光拡散剤６６ｄの平均粒径とを異ならせる場合について説明する。
【００５５】
第３実施形態による表面実装型ＬＥＤ６０では、図１５に示すように、樹脂層５の上面上に、光拡散部６６が形成されている。具体的には、樹脂層５の上面中央部には、上記第２実施形態（図１４参照）と同様の円形状を有する第１光拡散部６６ａが形成されているとともに、樹脂層５の上面で、かつ、第１光拡散部６６ａの外周面を囲むように第２光拡散部６６ｂが形成されている。
【００５６】
ここで、第３実施形態では、第１光拡散部６６ａの粒子状の光拡散剤６６ｃは、約０．１μｍ以上約１μｍ以下の平均粒径を有する。一方、第２光拡散部６６ｂの粒子状の光拡散剤６６ｄは、数ｎｍ以上約０．１μｍ未満の平均粒径を有する。つまり、第１光拡散部６６ａが位置するＬＥＤチップ１の上方中央部における光拡散剤６６ｃの平均粒径は、第１光拡散部６６ａの周囲に位置する第２光拡散部６６ｂにおける光拡散剤６６ｄの平均粒径に比べて大きくなるように構成されている。また、第１光拡散部６６ａおよび第２光拡散部６６ｂには、それぞれ、光拡散剤６６ｃおよび６６ｄが透光性樹脂に対して約１体積％以上約１０体積％以下の割合で含有されている。
【００５７】
なお、第３実施形態による表面実装型ＬＥＤ６０のその他の構造および製造プロセスは、上記第２実施形態と同様である。
【００５８】
第３実施形態では、上記のように、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光拡散部６６（第１光拡散部６６ａ）の粒子状の光拡散剤６６ｃの平均粒径を、他の部分における光拡散部６６（第２光拡散部６６ｂ）の粒子状の光拡散剤６６ｄの平均粒径に比べて大きくすることによって、ＬＥＤチップ１の発光強度の分布に応じて、光拡散部６６において、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光を、他の部分における光と比べてより拡散するように構成することができるので、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができる。これにより、表面実装型ＬＥＤ６０の色むらの低減を容易に行うことができる。また、第１実施形態のように、光拡散部６において第１光拡散層６ａおよび第２光拡散層６ｂを重ねる場合と比べて、ＬＥＤチップ１の発光強度の分布に応じて、光拡散剤６６ｃおよび６６ｄの平均粒径を細かく調整できるので、光拡散部６６における光拡散度合を精度よく調整することができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００５９】
（第３実施形態の変形例）
図１６は、本発明の第３実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。図１６を参照して、第３実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤ７０では、上記第３実施形態と異なり、ＬＥＤチップ７１に蛍光体層が設けられておらず、光拡散部６６の上面上に、蛍光体層７７が形成されている場合について説明する。
【００６０】
ここで、第３実施形態の変形例では、図１６に示すように、表面実装型ＬＥＤ７０のＬＥＤチップ７１に蛍光体層が設けられていない。すなわち、ＬＥＤチップ７１のｎ型クラッド層１７は露出している。また、光拡散部６６の上面上に、蛍光体層７７が形成されている。これにより、表面実装型ＬＥＤ７０は、支持基板１１から、発光層１６と、光拡散部６６と、蛍光体層７７とが順に積層するように構成されている。なお、第３実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤ７０のその他の構造は、上記第３実施形態と同様である。なお、ＬＥＤチップ７１は、本発明の「発光素子」の一例であり、蛍光体層７７は、本発明の「波長変換部」の一例である。
【００６１】
次に、図１６を参照して、第３実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤ７０の製造プロセスについて説明する。
【００６２】
まず、上記第１実施形態と同様の製造プロセスにより、青色光を発光するＬＥＤチップ７１のｎ側電極１８までを形成する。そして、素子分割を行うことにより、チップ化されたＬＥＤチップ７１（図１６参照）が形成される。その後、図１６に示すように、ＬＥＤチップ７１の下面（支持基板１１）を接着層２により支持基体３に固定する。その後、ｎ側電極１８と電極層３ｂとをワイヤ４により接続する。そして、ＬＥＤチップ７１を覆うように樹脂層５を形成する。
【００６３】
次に、樹脂層５の上面上に光拡散部６６を形成する。この際、第２光拡散部６６ｂを形成した後に、第１光拡散部６６ａを形成する。その後、光拡散部６６の上面上に蛍光体層７７を形成する。具体的には、蛍光体を含む樹脂をディスペンサによる塗布、スクリーン印刷およびドット印刷などにより光拡散部６６の上面上に形成し、熱硬化または光硬化によって樹脂を硬化させて蛍光体層７７を形成する。これにより、図１６に示した第３実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤ７０が形成される。
【００６４】
なお、第３実施形態の変形例のその他の効果は、上記第３実施形態と同様である。
【００６５】
（第４実施形態）
図１７は、本発明の第４実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。図１７を参照して、第４実施形態による表面実装型ＬＥＤ８０では、上記第２実施形態と異なり、光拡散部８６の中央部における粒子状の光拡散剤８６ｃのＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率と、他の部分における粒子状の光拡散剤８６ｄのＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率とを異ならせる場合について説明する。
【００６６】
第４実施形態による表面実装型ＬＥＤ８０では、図１７に示すように、樹脂層５の上面上に、光拡散部８６が形成されている。具体的には、樹脂層５の上面中央部には、上記第２実施形態（図１４参照）と同様の円形状を有する第１光拡散部８６ａが形成されているとともに、樹脂層５の上面で、かつ、第１光拡散部８６ａの外周面を囲むように第２光拡散部８６ｂが形成されている。
【００６７】
ここで、第４実施形態では、第１光拡散部８６ａの粒子状の光拡散剤８６ｃは、粒子状のＡｌおよびＡｇなどからなり、ＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率が、約９０％以上約９５％以下であるように構成されている。一方、第２光拡散部８６ｂの粒子状の光拡散剤８６ｄは、粒子状のＲｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＺｒなどからなり、ＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率が、約８５％以上約９０％未満であるように構成されている。つまり、第１光拡散部８６ａが位置するＬＥＤチップ１の上方中央部における粒子状の光拡散剤８６ｃのＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率は、第１光拡散部８６ａの周囲に位置する第２光拡散部８６ｂにおける粒子状の光拡散剤８６ｄのＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率に比べて大きくなるように構成されている。また、第１光拡散部８６ａの粒子状の光拡散剤８６ｃのＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率を、約９０％以上約９５％以下であるように構成するとともに、第２光拡散部８６ｂの粒子状の光拡散剤８６ｄのＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率を、約８５％以上約９０％未満であるように構成することによって、光拡散部８６の高い反射率により、光拡散部８６で吸収される光が減少するので、効果的に蛍光体部１９での光の波長を変換することが可能であるとともに、表面実装型ＬＥＤ８０の発光効率を大きくすることが可能である。
【００６８】
また、第１光拡散部８６ａおよび第２光拡散部８６ｂには、それぞれ、光拡散剤８６ｃおよび８６ｄが透光性樹脂に対して約１体積％以上約１０体積％以下の割合で含有されている。また、第１光拡散部８６ａの光拡散剤８６ｃおよび第２光拡散部８６ｂの光拡散剤８６ｄは、それぞれ、数ｎｍ以上約１０ｎｍ以下の平均粒径を有するように構成されている。
【００６９】
なお、第４実施形態による表面実装型ＬＥＤ８０のその他の構造および製造プロセスは、上記第２実施形態と同様である。
【００７０】
第４実施形態では、上記のように、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光拡散部８６（第１光拡散部８６ａ）の粒子状の光拡散剤８６ｃのＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率を、他の部分における光拡散部８６（第２光拡散部８６ｂ）の粒子状の光拡散剤８６ｄのＬＥＤチップ１から出射された光に対する反射率に比べて大きくすることによって、ＬＥＤチップ１の発光強度の分布に応じて、光拡散部８６において、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光を、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成することができる。これにより、発光観察面において、発光強度差に起因する色温度分布を低減することができるので、表面実装型ＬＥＤ８０の色むらを十分に低減することができる。なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００７１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００７２】
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、発光装置としてチップ型の表面実装型ＬＥＤに本発明を適用した例を示したが、本発明はこれに限らず、発光装置の形状は限定されない。たとえば図１８に示す変形例のように、発光装置として砲弾型のＬＥＤランプ９０に本発明を適用してもよい。具体的には、砲弾型のＬＥＤランプ９０においては、ＬＥＤチップ９１が、半田など（図示せず）によって金属製のリードフレーム９２の凹部底面に固定されている。また、リードフレーム９２には、リード９３の一方の端部が取り付けられている。また、リードフレーム９２の凹部には、蛍光体部９４が充填されている。また、リードフレーム９２の近傍には、リード９５が設けられている。また、リードフレーム９２、リード９３、蛍光体部９４およびリード９５は、それぞれ、樹脂層９６によって覆われている。また、蛍光体部９４の上面上には、中央部の厚みが他の部分の厚みに比べて大きい光拡散部９７が設けられている。ここで、拡散部９７は、中央部における粒子状の光拡散剤の含有率が、他の部分における粒子状の光拡散剤の含有率と比べて大きくなるように構成してもよい。また、拡散部９７は、中央部における粒子状の光拡散剤の平均粒径が、他の部分における粒子状の光拡散剤の平均粒径と比べて大きくなるように構成してもよい。また、拡散部９７は、中央部における粒子状の光拡散剤の反射率が、他の部分における粒子状の光拡散剤の反射率と比べて大きくなるように構成してもよい。なお、ＬＥＤチップ９１は、本発明の「発光素子」の一例であり、蛍光体部９４は、本発明の「波長変換部」の一例である。
【００７３】
また、上記第１〜第４実施形態では、ＬＥＤチップを基板貼り替え型の発光ダイオードからなる例について示したが、本発明はこれに限らず、ＬＥＤチップは基板貼り替え型の発光ダイオードでなくてもよい。
【００７４】
また、上記第１〜第４実施形態では、光拡散部を中央部とその他の部分との２つに分割して、ＬＥＤチップからの出射光が透過する際の光拡散作用を異ならせるように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、光拡散部を３つ以上に分割して、各々のＬＥＤチップからの出射光が透過する際の光拡散作用を異ならせるように構成してもよい。たとえば、第１実施形態において、第２拡散層の上面上にさらに第３拡散層を形成してもよい。
【００７５】
また、上記第１〜第４実施形態では、青色光を発光するＬＥＤチップを用いて白色光を得る表面実装型ＬＥＤの例を示したが、本発明はこれに限らず、紫外光または近紫外光を発光するＬＥＤチップを用いて、白色光を出射する表面実装型ＬＥＤを構成してもよい。また、表面実装型ＬＥＤの光は白色に限られず、その他の色の光でもよい。その際、ＬＥＤチップや蛍光体などは適宜選択される。
【００７６】
また、上記第１〜第４実施形態では、ＬＥＤチップにＡｇの薄膜からなる反射層を設けた例について示したが、本発明はこれに限らず、ＬＥＤチップにＡｇ以外の材料からなる反射層を設けてもよいし、反射層を設けなくてもよい。
【００７７】
また、上記第２〜第４実施形態では、光拡散部を、透光性樹脂に粒子状の光拡散剤を分散させたものからなるように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、第１実施形態の変形例のように、光拡散部を金属薄膜からなるように構成してもよい。つまり、金属薄膜からなる光拡散部を１層からなるように構成するとともに、金属薄膜からなる光拡散部の中央部が、その他の部分（中央部の周囲）に比べて光をより多く拡散するように構成してもよい。
【００７８】
また、上記第１、第２および第４実施形態では、ＬＥＤチップのｎ型クラッド層の上面上に蛍光体層を設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、第３実施形態の変形例のように、ＬＥＤチップのｎ型クラッド層の上面上に蛍光体層を設けずに、光拡散部の上面上に、蛍光体層を形成してもよい。
【００７９】
また、上記第１〜第４実施形態では、それぞれ、光拡散部の厚み、光拡散剤の含有率、光拡散剤の平均粒径、光拡散部の反射率のうちのいずれか１つのみを異ならせることによって、光拡散部におけるＬＥＤチップの上方中央部における光を、他の部分における光と比べてより拡散するように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、光拡散部の厚み、光拡散剤の含有率、光拡散剤の平均粒径、光拡散部の反射率のうちの複数を異ならせることによって、光拡散部におけるＬＥＤチップの上方中央部における光を、他の部分における光と比べてより拡散するように構成してもよい。
【００８０】
また、上記第１〜第４実施形態では、シリコン樹脂を用いて蛍光体層を形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、発光装置の使用温度範囲において劣化が生じない樹脂であれば、シリコン樹脂以外の他の樹脂を用いてもよい。なお、樹脂部材の屈折率は、一般的には約１．４〜約１．６であるが、発光装置の使用環境や使用目的に応じて、より高屈折率または低屈折率を有する樹脂部材を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した平面図である。
【図３】図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤのＬＥＤチップの構造を示した断面図である。
【図４】図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤのＬＥＤチップの構造を示した平面図である。
【図５】図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】図１に示した第１実施形態による表面実装型ＬＥＤの発光観察面における色温度分布を示した図である。
【図１０】図１に示した第１実施形態の比較例による表面実装型ＬＥＤの発光観察面における色温度分布を示した図である。
【図１１】本発明の第１実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。
【図１４】図１３の第２実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した平面図である。
【図１５】本発明の第３実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態の変形例による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。
【図１７】本発明の第４実施形態による表面実装型ＬＥＤの構造を示した断面図である。
【図１８】本発明の変形例によるＬＥＤランプの構造を示した断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１、７１、９１  ＬＥＤチップ（発光素子）
６、４６、５６、６６、８６、９７  光拡散部
６ｃ、６６ｃ、６６ｄ、８６ｃ、８６ｄ  光拡散剤
１０、４０、５０、６０、７０、８０  表面実装型ＬＥＤ（発光装置）
１１  支持基板
１６  発光層
１９、７７  蛍光体層（波長変換部）
９０  ＬＥＤランプ（発光装置）
９４  蛍光体部（波長変換部）
【図１】
2010056337.tif 000003
【図２】
2010056337.tif 000004
【図３】
2010056337.tif 000005
【図４】
2010056337.tif 000006
【図５】
2010056337.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010056337.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2010056337.tif 000019
【図１８】
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