(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハ吸着面又は静電吸着装置載置面にキズがつくことを防止し、また、発塵を抑え、耐摩耗性に優れた長寿命の静電吸着装置を提供する。【解決手段】半導体ウエハ、ガラス基板等の被吸着物を吸着するための静電吸着装置１において、支持基板２の一面に形成された静電吸着用電極３ａ、３ｂを覆って被吸着物を吸着する吸着面をなす絶縁層５が形成される。絶縁層５は、動摩擦係数が０．３以下であり、更に、絶縁層５の表面に多数の微小凹みが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ、ガラス基板等の被吸着物を吸着するための静電吸着装置において、支持基板の一面に形成された静電吸着用電極を覆って上記被吸着物を吸着する吸着面をなす絶縁層が形成され、該絶縁層は、動摩擦係数が０．３以下であり、更に、絶縁層の表面に多数の微小凹みが形成されていることを特徴とする静電吸着装置。
【請求項２】
前記静電吸着装置の微小凹みを含む表面の表面粗さＲａが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下であり、かつ被吸着物と接する最表面部分の表面粗さＲａが０．０４μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の静電吸着装置。
【請求項３】
前記絶縁層のビッカース硬度Ｈｖが５０以上１０００以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の静電吸着装置。
【請求項４】
前記絶縁層が熱分解窒化硼素であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静電吸着装置。
【請求項５】
前記絶縁層が熱分解窒化硼素であり、更に炭素、珪素、アルミニウム、イットリウム、チタンのうち少なくとも１種類の元素が０．０１質量％以上２０質量％以下含まれることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の静電吸着装置。
【請求項６】
前記静電吸着装置に加熱ヒーターを埋設し、６００℃以上の高温までウエハを吸着加熱できるようにしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の静電吸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスや液晶パネルの製造工程、検査工程等に使用される静電吸着機能を有する静電吸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの製造工程における半導体ウエハの加熱には、金属線を巻いたヒーターが使用されていた。しかし、このヒーターを使用した場合には、半導体ウエハヘの金属汚染の問題があったため、近年、セラミックス薄膜を発熱層として使用したセラミックス一体型ウエハ加熱装置の使用が提案されている（例えば、特許文献１：特開平４−１２４０７６号公報参照）。
中でも分子線エピタキシーやＣＶＤ、スパッタリング等におけるウエハの加熱方法としては、基体内からのアウトガスが無く、高純度、耐熱衝撃性に優れた熱分解窒化硼素（ＰＢＮ）と熱分解黒鉛（ＰＧ）の複合セラミックヒーターを用いることが有効とされており（特許文献２：特開昭６３−２４１９２１号公報参照）、このようなヒーターであると従来のタンタルワイヤーヒーターに比べて装着が容易で、熱変形、断線、ショート等のトラブルを起さないので使い易く、しかも面上ヒーターであるため比較的均熱が得られ易いという利点もある。
この半導体ウエハの加熱にあたっては、ヒーター上に半導体ウエハを固定するために減圧雰囲気では静電吸着装置が使用されており、プロセスの高温化に伴ってその材質は樹脂からセラミックスに移行している（特許文献３，４：特開昭５２−６７３５３号公報、特開昭５９−１２４１４０号公報参照）。
【０００３】
また最近では、これらのセラミックス一体型ウエハ加熱装置と静電吸着装置を合体した静電吸着装置が提案されており、例えば、静電吸着装置の絶縁層にアルミナを用いたもの（非特許文献１：ニューセラミックス（７）、ｐ４９〜５３、１９９４参照）、更にクリーニングガスの耐性を上げるために窒化アルミニウムを絶縁層に用いたものも開発されてきている。
この静電吸着装置において、上記非特許文献１に記載されているように、静電吸着力はこの絶縁層の体積抵抗率が低くなれば強くなるが、低過ぎるとリーク電流によるデバイスの破損が生じるため、静電吸着装置の絶縁層の体積抵抗値は１０8〜１０18Ωｃｍ、好ましくは１０9〜１０13Ωｃｍであることが望ましい。
【０００４】
静電吸着装置の電圧が印加される電極の形状によって静電チャックは３種類に分類される。単一の内部電極をもつ単極型では被吸着物を接地する必要があり、それに対して一対の内部電極をもつ双極型や、一対の電極が櫛形に形成されている櫛形電極型では２つの電極各々に正負の電圧が印加されることから被吸着物であるウエハを接地する必要がなく、半導体用では後者のタイプが多く使われている。
【０００５】
近年、分子線エピタキシーやＣＶＤ、スパッタリング装置でセラミックス製の静電吸着装置が搭載されるようになってきたが、半導体デバイスの製造工程のなかには５００℃を超えるような高温での使用要求も増えてきている。シリコンウエハ等の被吸着物が静電吸着装置に吸着されると、加熱されて熱膨張する。その際に被吸着物吸着面と静電吸着装置載置面が強く擦れるという現象が起きる。
【０００６】
シリコンウエハのビッカース硬度Ｈｖはおよそ１１００程度であるのに対し、セラミックス絶縁体層の材質となるアルミナ、窒化アルミニウムのビッカース硬度Ｈｖは、それぞれ１５００、１４００である。このようなシリコンウエハよりも硬いアルミナ、窒化アルミニウムなどを絶縁体層に用いた静電吸着装置では、シリコンウエハを加熱・冷却する際にウエハ表面が絶縁体層によって削られてしまい、パーティクルを発生させ、更にウエハ吸着面にキズを発生させるという問題がある。
【０００７】
そこで、高温域で吸着しても被吸着物の吸着面にキズがつきにくい静電吸着装置が望まれていた。この課題を解決すべく、表面粗さがＲａ≦０．０５μｍ、Ｒｍａｘ≦０．６μｍであり、かつ前記絶縁体層の表面のビッカース硬度Ｈｖが１０００以下であることを特徴とする静電吸着機能を有する加熱装置が開発された（特許文献５：特開２００５−７２０６６号公報）。
しかし、被吸着物の吸着面にキズがつきにくくなったが、表面粗さがＲａ≦０．０５μｍと平滑なために密着性が向上し、パーティクル数が逆に増えてしまうという問題が発生した。
【０００８】
【特許文献１】特開平４−１２４０７６号公報
【特許文献２】特開昭６３−２４１９２１号公報
【特許文献３】特開昭５２−６７３５３号公報
【特許文献４】特開昭５９−１２４１４０号公報
【特許文献５】特開２００５−７２０６６号公報
【非特許文献１】ニューセラミックス（７）、ｐ４９〜５３、１９９４、
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、半導体ウエハやガラス基板等を静電吸着する際に、被加熱物の吸着面側にキズがつくことを防止し、また、発塵を抑え、耐摩耗性に優れた長寿命の静電吸着装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、半導体ウエハやガラス基板等の被吸着物を吸着するための静電吸着装置において、静電吸着用電極を覆うように形成され、被吸着物を吸着する絶縁層の動摩擦係数を０．３以下とし、表面に微小凹みを設けることにより、シリコンウエハ等の被吸着物を静電吸着装置載置面に静電吸着させて加熱・冷却を行う際に、ウエハ吸着面が静電吸着装置載置面の絶縁層と被吸着物との熱膨張による摩擦によりパーティクルが発生しにくいことを知見した。また、微小凹みを含む表面粗さＲａを０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下とし、加えて被吸着物と接する最表面部分の表面粗さＲａを０．０４μｍ以下とすることにより、格段にパーティクルの発生を抑えることができること、更に、ビッカース硬度Ｈｖを５０以上１０００以下とすることにより、シリコンウエハ等の被吸着物を静電吸着装置載置面に静電吸着させて加熱・冷却を行う際に、ウエハ吸着面が静電吸着装置載置面の絶縁層と被吸着物との熱膨張による摩擦によりキズが発生するという問題を回避し得ることを知見し、本発明を完成させた。
【００１１】
即ち、本発明によれば、半導体ウエハ、ガラス基板等の被吸着物を吸着するための静電吸着装置において、支持基板の一面に形成された静電吸着用電極を覆って上記被吸着物を吸着する吸着面をなす絶縁層が形成され、該絶縁層は、動摩擦係数が０．３以下であり、更に、絶縁層の表面に多数の微小凹みが形成されていることを特徴とする静電吸着装置が提供される（請求項１）。
また、前記静電吸着装置の微小凹みを含む表面の表面粗さＲａが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下であり、かつ被吸着物と接する最表面部分の表面粗さＲａが０．０４μｍ以下であることを特徴とする静電吸着装置が提供される（請求項２）。
【００１２】
このものは絶縁層表面に微小凹みを有し、動摩擦係数を０．３以下とすることで被吸着物がキズつけられずにパーティクルの発生が大幅に低減した。更に、微小凹みを含む表面粗さＲａを０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下とすることにより、絶縁膜と被吸着物との密着性が改善されてパーティクルの発生が大幅に低減した。
【００１３】
更に、上記絶縁膜で被吸着物と接する最表面部分を凹みを含まない表面粗さＲａを０．０４μｍ以下とすることにより、格段にパーティクルの発生を抑制することができた。
【００１４】
絶縁層表面の凹みを含む表面粗さＲａが０．０５μｍ未満の場合は、被吸着物と接する面積が多く、密着性が増してパーティクル数が増加してしまう。また、０．３０μｍを超えると、粗くなりすぎて逆にパーティクルが発生し易くなる。
【００１５】
また、被吸着物と接する最表面部分の平滑さもパーティクル数の増減に影響を及ぼし、最表面部分の表面粗さＲａを０．０４μｍ以下とすることにより、パーティクルの発生を抑えることができる。粗くなりすぎると逆にパーティクルが発生し易くなる。
【００１６】
本発明の静電吸着装置は、絶縁層のビッカース硬度Ｈｖが５０以上１０００以下であることが好ましい（請求項３）。
【００１７】
前記絶縁層のビッカース硬度Ｈｖが１０００を超えると、静電吸着装置の載置面にはキズはつかないが、被吸着物の吸着面にキズが多発し、これが発塵源となり半導体デバイス不良が多発してしまうおそれが生じる。最悪の場合、デバイスが後工程にて熱処理される際に、熱応力を受けてキズを起点にしてウエハが割れてしまい、製造ラインを止めてしまうような大損害を与えるおそれがある。
【００１８】
前記絶縁層のビッカース硬度Ｈｖが５０未満の場合は、被吸着物の吸着面にはキズはつかないが、逆に、静電吸着装置側の吸着面にキズが多くついてしまい、ついには絶縁層が絶縁破壊を起こしてしまい、静電吸着装置が破壊してしまうおそれがある。また、静電吸着装置側の吸着面の擦れにより消耗が激しく、短寿命になってしまうおそれがある。更に擦れる際に発生するパーティクルによって半導体デバイス、又は液晶パネルの不良が多発するという問題が発生し易くなる。
【００１９】
この静電吸着装置の絶縁層を熱分解窒化硼素とすることで、耐電圧性に優れ、絶縁層を薄くでき、強い吸着力が得られ、また、ビッカース硬度も１００程度なので、ウエハに対し擦れによるキズをつけないという優位性が与えられる（請求項４）。
【００２０】
また、更に上記絶縁層の熱分解窒化硼素に炭素、珪素、アルミニウム、イットリウム、チタンのうち少なくとも１種類の元素を０．０１〜２０質量％含ませることにより硬さを調整できる。０．０１質量％未満であるとビッカース硬度Ｈｖは５０未満となってしまい、２０質量％を超えるとビッカース硬度Ｈｖは１０００を超えてしまう（請求項５）。
【００２１】
この静電吸着装置は、加熱ヒーターを埋設することにより、６００℃を超える温度までウエハを加熱できるので、半導体デバイス製造における高温プロセスに対応可能となる（請求項６）。
【００２２】
なお、本発明の静電吸着装置の絶縁層は、化学気相蒸着法で形成するのがよい。このように、絶縁層を化学気相蒸着法で形成すれば、高純度、緻密質で、寸法精度に優れたものを作ることができ、耐熱性、化学的安定性に優れ、絶縁不良や剥離が極めて少なく、低発塵の静電吸着装置とすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、ウエハ吸着面又は静電吸着装置載置面にキズがつくことを防止し、また、発塵を抑え、耐摩耗性に優れた長寿命の静電吸着装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の静電吸着装置は、半導体ウエハやガラス基板等の被吸着物を吸着する吸着面を特定の絶縁層にて形成するものである。この場合、静電吸着装置としては、一例として、図１に示したような本発明の静電吸着機能を有するウエハの加熱装置を挙げることができるが、これに限定されるものではない。
【００２５】
図１の静電吸着装置について更に詳述すると、１はこの静電吸着装置の静電吸着機能を有する加熱装置支持基材、２は支持基板、３ａ，３ｂは双極型静電吸着用電極、４は発熱層、５は絶縁層を示す。
【００２６】
かかる静電吸着装置は、例えば、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体からなる支持基板、該基板の一方の面に接合された熱分解グラファイトからなる発熱層、その上に設けられた熱分解窒化硼素からなる絶縁層、該基板の他方の面に接合された熱分解グラファイトからなる静電吸着用電極、その上に設けられた炭素、珪素、アルミニウム、イットリウム、チタンのいずれか１種類以上の元素を含んだ熱分解窒化硼素からなる絶縁層から構成されたものとされる。
【００２７】
支持基板は、耐熱性があって絶縁性があればよく、例えば、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合物を公知の方法で焼結させて得たものとすればよい。例えば、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合割合は、窒化アルミニウムが多すぎると線膨張係数が大きすぎるという問題があり、少なすぎると線膨張係数が小さすぎる問題があるので、質量比で１：０．０５〜１の範囲とすればよい（特開平８−２２７９３３号公報）。また、特許第３６４７０６４号公報のようなカーボンの周りに熱分解窒化硼素、酸化珪素、窒化アルミニウム、アルミナ及び窒化珪素から選択された材料を含む絶縁層が接合されたものでもよい。
【００２８】
発熱層及び静電吸着用電極の熱分解グラファイトは、例えばメタンガスを２２００℃、５Ｔｏｒｒという条件下で熱分解することによって得られたものとすればよい。厚さは薄すぎると強度不足の問題があり、厚すぎると剥離の問題があるので、１０〜３００μｍとすればよい。
【００２９】
本発明において、絶縁層は、動摩擦係数が０．３以下、好ましくは０．０１〜０．０２５、更に好ましくは０．０１〜０．０２であり、表面に多数の微小凹みを有するように形成される。この場合、このような微小凹みは、絶縁層をサンドブラスト処理することにより形成することができ、またサンドブラスト処理後、必要により形成されたサンドブラスト面の微小凹みをなくさないようにラッピング研摩することにより、上記動摩擦係数を有する絶縁層を形成することができる。また、サンドブラスト処理に用いる砥粒の種類、粒度、サンドブラスト処理条件等を選定し、更にはラッピング研摩条件等を選定することにより、微小凹みを含む表面粗さＲａを０．０５〜０．３０μｍ、より好ましくは０．０５〜０．２５μｍ、更には０．０５〜０．２０μｍに形成することが好ましい。
また、サンドブラストの代わりに固定砥粒と遊離砥粒で表面を研摩することでも同様な微小凹みを形成することができる。
【００３０】
更に、かかるラッピング研摩により、被吸着物と接する最表面部分の表面粗さＲａを０．０４μｍ以下、より好ましくは０．００５〜０．０４μｍ、更には０．０１〜０．０４μｍとすることが好ましい。なお、図２は、絶縁層全体の表面粗さ（Ｒａ）１と、被吸着物（ウエハ）と接する最表面部分の表面粗さ（Ｒａ）２を示す説明図である。
【００３１】
本発明の絶縁層は、ビッカース硬度Ｈｖが５０〜１０００、より好ましくは５０〜８００、更には５０〜５００であることが好ましい。この場合、珪素のビッカース硬度Ｈｖが１１００であり、このため絶縁層を珪素より柔らかいビッカース硬度Ｈｖ１０００以下の熱分解窒化硼素、あるいは炭素、珪素、アルミニウム、イットリウム、チタンのいずれか１種類以上の元素を０．０１〜２０質量％含んだ熱分解窒化硼素にて形成することが好ましいものであるが、これは静電吸着用電極の上に化学気相蒸着法で形成すればよく、これによればこの絶縁層の厚さを容易に調整することができる。この絶縁層の厚さは薄すぎると強度不足の問題があり、厚すぎると静電吸着力の低下の問題があるので、２０〜３００μｍとすることが好ましい。
【００３２】
例えば、炭素と珪素を含む熱分解窒化硼素絶縁層は、例えば基材を真空中にセットして例えば２，０００℃に加熱し、三塩化硼素とアンモニアとメタンと四塩化珪素を容量比８：１：１：１の混合気体として導入し、５Ｔｏｒｒという条件下で熱分解することによって得られる。厚さは薄すぎると絶縁破壊の問題があり、厚すぎると静電吸着力の低下の問題があるので、５０〜３００μｍとすればよい。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、本発明で摩擦摩耗試験は新東科学（株）の加重変動型摩擦摩耗試験機ＨＨＳ２０００、表面粗さ測定はキーエンス超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５５０、ビッカース硬度Ｈｖ測定機は明石製作所ＨＶ−１１４を使用した。
動摩擦係数測定で用いた圧子はアルミナ鏡面体で、摺動速度は２ｍｍ／ｓｅｃ、加重は１８０〜２００ｇとして測定を行い、その平均の値を本発明での動摩擦係数とした。
【００３４】
［実施例１、比較例１］
直径２００ｍｍ、厚さ１０ｍｍのカーボン基材の全面をアンモニアと三塩化硼素を混合比（容量比）８：１で２，０００℃にて反応させて熱分解窒化硼素を堆積させて、０．５ｍｍ厚でコーティングした円板状支持基材を作製した。
次いで、この上でメタンガスを２，２００℃、５Ｔｏｒｒの条件下で熱分解して、この円板状支持基材上に厚さ１００μｍの熱分解グラファイト層を形成し、表面の熱分解グラファイト層より電極パターンを、また裏面の熱分解グラファイト層よりヒーターパターンを加工して、それぞれ静電吸着用電極と発熱層とした。
更に、この両面にアンモニアと三塩化硼素の混合比（容量比）を１：１として圧力５Ｔｏｒｒで反応させて、反応温度を１，９００℃として、厚さ２００μｍの熱分解窒化硼素絶縁層を設け、静電吸着装置を作製した。この条件で作製された膜のビッカース硬度Ｈｖは１００であった。その表面にサンドブラストにて微小凹みを設けて、更に微小凹みを残しながらウエハと接する最表面をラッピング研摩して、微小凹みを含む表面を有する動摩擦係数が０．０５〜０．５、凹みを含む表面の表面粗さＲａが０．０１〜０．５０μｍ、更にウエハと接する最表面の表面粗さＲａが０．０１〜０．１μｍである特性を有する種々の静電吸着装置と、一方、比較として全く微小凹みの無い表面仕上げをした動摩擦係数が０．１で、表面粗さＲａが０．０１μｍの静電吸着装置を作製した。
【００３５】
このように作製した静電吸着装置を６００℃まで加熱して、そこにウエハを搬送して静電吸着装置の上に載せ、載せてから１０秒後に静電吸着用電極に±３００Ｖの電圧を印加してウエハを静電吸着してウエハを加熱した。３分後に印加電圧をＯＦＦにし、リフトピンを上げることによってウエハを脱離させた。十分に冷却した後に、そのウエハの吸着面のキズ、付着したパーティクルの数をウエハ欠陥検査レビュー装置ＭＡＧＩＣＳ  Ｍ３５０にて測定した。
その結果、表面に微小凹みを有し、動摩擦係数が０．３以下、微小凹みを含む表面の表面粗さＲａが０．０５〜０．３０μｍのものは、ウエハ吸着面及び静電吸着装置の載置面にはキズ、凹みは肉眼ではほとんど確認されず、０．２μｍ以上のパーティクル総数はいずれも８インチウエハあたり１０，０００個以下と良好であった。動摩擦係数が０．３を超え、微小凹みを含む表面の表面粗さＲａが０．０５〜０．３０μｍのものは、静電吸着装置の載置面にキズが確認され、０．２μｍ以上のパーティクル総数はいずれも８インチウエハあたり２０，０００個と増加してしまった。
一方、表面に凹みを無くして仕上げたものでは、静電吸着装置の載置面にはキズが確認され、パーティクル総数も５０，０００個と更に増加してしまった。
【００３６】
［実施例２］
実施例１と同様に熱分解窒化硼素絶縁層を設けた静電吸着装置を作製し、その表面にサンドブラストにて微小凹みを設けて、更に微小凹みを残しながらウエハと接する最表面のみをラッピング研摩して、微小凹みを含む表面の表面粗さＲａを０．０５〜０．３０μｍとし、かつウエハと接する最表面の表面粗さＲａを０．０１〜０．０４μｍに仕上げて、被吸着物を吸着する絶縁層の動摩擦係数が０．３以下の特性を有する種々の静電吸着装置を作製した。
【００３７】
実施例１と同様にパーティクル測定を行ったところ、表面に微小凹みを有し、微小凹みを含む表面の表面粗さＲａが０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下で、かつ被吸着物と接する最表面の表面粗さＲａを０．０４μｍ以下としたものはウエハ吸着面及び静電吸着装置の載置面にはキズ、凹みは肉眼ではほとんど確認されず、０．２μｍ以上のパーティクル総数はいずれも８インチウエハあたり１０，０００個以下と良好であった。
【００３８】
［実施例３］
実施例１と同様に支持基材、静電吸着用電極と発熱層を設け、この両面にアンモニアと三塩化硼素とメタンと四塩化珪素の混合比（容量比）を８：１：１：１として圧力５Ｔｏｒｒで反応させて、反応温度を１，６００℃、１，７００℃、１，８００℃、１，９００℃、２，０００℃と条件を変えて、厚さ２００μｍの炭素と珪素を含有した熱分解窒化硼素絶縁層を設け、静電吸着装置を作製した。この条件で作製された膜には炭素０．０１〜５質量％、珪素０．０１〜１５質量％が含有され、ビッカース硬度Ｈｖは５０〜１０００の範囲であった。その表面に微小凹みを設けて、実施例２と同様に微小凹みを含む表面の表面粗さＲａを０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下に、ウエハと接する最表面の表面粗さＲａを０．０４μｍ以下に仕上げて、被吸着物を吸着する絶縁層の動摩擦係数が０．３以下の特性を有する種々の静電吸着装置を作製した。
その結果、ビッカース硬度Ｈｖが５０以上１０００以下であるものは、ウエハ吸着面及び静電吸着装置の載置面にはキズ、凹みは肉眼ではほとんど確認されず、０．２μｍ以上のパーティクル総数はいずれも８インチウエハあたり１０，０００個以下と良好であった。
【００３９】
ビッカース硬度Ｈｖが５０以上１０００以下の膜は炭素を０．１〜２０質量％、珪素を０．１〜２０質量％含有していた。また、炭素、珪素の他にアルミニウム、イットリウム、チタンのうち少なくとも１種類の元素が熱分解窒化硼素に含ませることにより同様の結果が得られた。
【００４０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る静電吸着装置の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の絶縁層における微小凹みを含む表面の表面粗さと被吸着物と接する最表面部分の表面粗さを説明する顕微鏡写真（Ａ）と、微小凹みを含む表面の表面粗さを示すチャート（Ｂ）及び被吸着物と接する最表面部分の表面粗さを示すチャート（Ｃ）である。
【符号の説明】
【００４２】
１  静電吸着機能を有する加熱装置支持基材
２  支持基板
３ａ，３ｂ  双極型静電吸着用電極
４  発熱層
５  絶縁層
【図１】
2010097961.tif 000003
【図２】
2010097961.tif 000004