(57)【要約】【課題】基板に対し非定常状態も含めて加熱処理条件に不均一性が発生することを緩和し、加熱処理条件が基板内で不均一となることによる不具合を防止して加熱処理することが可能となる。【解決手段】本発明の基板加熱処理方法においては、ホットプレート２の加熱面２ａ上に突出し基板１を保持する基板保持有効位置と基板より離れた基板保持無効位置との間を移動可能な複数個のプロキシミティピン３を備え、一部のプロキシミティピン３を基板保持有効位置に配置し基板保持に有効な有効プロキシミティピンとし、基板１を加熱面２ａ上に所定の間隔をあけて保持することにより加熱処理し、加熱処理中において有効プロキシミティピンの少なくとも一部を移動して有効プロキシミティピンと無効プロキシミティピンを順次入れ替えるものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホットプレートの加熱面上に突出し前記加熱面上に基板を保持する基板保持有効位置と該基板より離れた基板保持無効位置との間を移動可能な複数個のプロキシミティピンを備え、前記複数個のプロキシミティピン内における一部のプロキシミティピンを前記基板保持有効位置に配置し基板保持に有効な有効プロキシミティピンとし、前記有効プロキシミティピンにより前記基板を前記加熱面上に該加熱面と所定の間隔をあけて保持することにより加熱処理し、該加熱処理中において、前記有効プロキシミティピンの少なくとも一部を前記基板保持無効位置に移動し基板保持に無効な無効プロキシミティピンに変更する工程と、前記複数個のプロキシミティピン内における前記基板保持無効位置に配置される無効プロキシミティピンの少なくとも一部を前記基板保持有効位置に移動し基板保持に有効な有効プロキシミティピンに変更する工程を、交互に或いは同時に連続して行い、順次、前記有効プロキシミティピンと前記無効プロキシミティピンを入れ替えることを特徴とする基板加熱処理方法。
【請求項２】
複数個のプロキシミティピンは、基板保持有効位置に配置される場合において、該複数個のプロキシミティピンにおける３個以上のプロキシミティピンが直線上に並ぶことなく、ずらして配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板加熱処理方法。
【請求項３】
加熱処理中において、複数個のプロキシミティピンに対して、基板を相対的に水平方向に移動させることを特徴とする請求項１或いは請求項２に記載の基板加熱処理方法。
【請求項４】
加熱処理中において、有効プロキシミティピン上に基板を保持したままで、無効プロキシミティピンに対して、有効プロキシミティピン及び基板を相対的に水平方向に移動させることを特徴とする請求項１或いは請求項２に記載の基板加熱処理方法。
【請求項５】
無効プロキシミティピンの少なくとも一部を有効プロキシミティピンに変更する工程において、前記変更する無効プロキシミティピンがランダムに選定されることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の基板加熱処理方法。
【請求項６】
無効プロキシミティピンの一部を有効プロキシミティピンに変更する工程において、前記変更する無効プロキシミティピンが、当該基板の加熱処理中において有効プロキシミティピンより無効プロキシミティピンに変更されたものを除く無効プロキシミティピンより選定されることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れかに記載の基板加熱処理方法。
【請求項７】
基板が加熱面上に該加熱面と所定の間隔をあけて保持される様に、有効プロキシミティピンと無効プロキシミティピンを入れ替える際において、絶えず有効プロキシミティピンが基板に対して分散して配置される様に、有効プロキシミティピンへ変更する無効プロキシミティピンが選定されることを特徴とする請求項１〜請求項６の何れかに記載の基板加熱処理方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項７の何れかに記載の基板加熱処理方法を製造工程に用いたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
製造工程が液晶表示装置の製造工程における配向膜の乾燥処理工程であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
基板を加熱する加熱面を備えたホットプレートと、前記ホットプレートの加熱面上に突出し前記加熱面上に前記基板を保持する基板保持有効位置と該基板より離れた基板保持無効位置との間を移動可能な複数個のプロキシミティピンと、前記複数個のプロキシミティピンが取り付けられ、前記基板保持有効位置と前記基板保持無効位置の間を移動させる移動機構と、前記移動機構により前記複数個のプロキシミティピンを動作させ、前記基板保持有効位置に配置され基板保持に有効な有効プロキシミティピンの少なくとも一部を前記基板保持無効位置に移動し基板保持に無効な無効プロキシミティピンに変更する工程と、前記複数個のプロキシミティピン内における前記基板保持無効位置に配置される無効プロキシミティピンの少なくとも一部を前記基板保持有効位置に移動し基板保持に有効な有効プロキシミティピンに変更する工程を、交互に或いは同時に連続して行い、順次、前記有効プロキシミティピンと前記無効プロキシミティピンを入れ替える動作をさせる制御を行うプロキシミティピン動作制御部と、を備え、順次入れ替えられる前記有効プロキシミティピンにより前記基板を前記加熱面上に該加熱面と所定の間隔をあけて保持することにより加熱処理することを特徴とする基板加熱処理装置。
【請求項１１】
複数個のプロキシミティピンは、基板保持有効位置に配置される場合において、該複数個のプロキシミティピンにおける３個以上のプロキシミティピンが直線上に並ぶことなく、ずらして配置されることを特徴とする請求項１０に記載の基板加熱処理装置。
【請求項１２】
加熱処理中において、複数個のプロキシミティピンに対して、基板を相対的に水平方向に移動させ基板位置を変える基板位置移動機構を備えたことを特徴とする請求項１０或いは請求項１１に記載の基板加熱処理装置。
【請求項１３】
加熱処理中において、有効プロキシミティピン上に基板を保持したままで、無効プロキシミティピンに対して、該基板を相対的に水平方向に移動させ基板位置を変える基板位置移動機構を複数個のプロキシミティピンに備えたことを特徴とする請求項１０或いは請求項１１に記載の基板加熱処理装置。
【請求項１４】
所定の温度に保持され、内部に収容される基板を加熱する加熱処理領域と、前記加熱処理領域内において、基板を搬送するローラと、前記ローラの面上に突出し、前記ローラの面上におけるランダムな位置に取り付けられる複数個のプロキシミティピンよりなり、前記ローラが回転されることにより、前記複数個のプロキシミティピンにおける、基板に向かう位置に配置され基板保持に有効な有効プロキシミティピンと、基板より離れた位置にあり基板保持に無効な無効プロキシミティピンを順次入れ替える動作を行う基板搬送機構を備え、順次入れ替えられる前記有効プロキシミティピンにより前記基板を保持しながら前記加熱処理領域内において搬送することにより前記基板を加熱処理することを特徴とする基板加熱処理装置。
【請求項１５】
複数個のプロキシミティピンが取り付けられたローラが複数あり、それら複数のローラ間に配置されるホットプレートを備えたことを特徴とする請求項１４に記載の基板加熱処理装置。
【請求項１６】
ローラ内にヒータを備え、ホットプレートと同じ温度に温度制御されることを特徴とする請求項１５に記載の基板加熱処理装置。
【請求項１７】
基板加熱処理が乾燥処理工程に用いられる加熱処理であることを特徴とする請求項１０〜請求項１６の何れかに記載の基板加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板加熱処理方法、該基板加熱処理方法を用いた表示装置の製造方法、及び基板加熱処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板を所定温度に保持し加熱処理或いは乾燥処理する加熱処理装置としてヒータ及び均熱板を持つホットプレート上で保持する方式が従来から一般的に用いられている。この様なホットプレート上で保持する方式の加熱処理装置においては、ホットプレート上で基板を保持する機構として、従来、基板をホットプレートに真空吸着などにより密着して保持する真空吸着方式が用いられる場合も多かった。然しながら、この様に基板とステージを密着させると、基板上の塗布物の基板付着やステージ上に持ち込まれた異物の基板付着が発生すること、処理後に基板を剥離する際に静電気が発生することなどの問題が発生する。そこで、これら問題点を解決すべく、基板をホットプレートに対し密着させることなく数百ミクロンの距離をおいて接近させて保持し加熱処理する、いわゆる、プロキシミティ方式の加熱処理装置が近年使用されている。このプロキシミティ方式の加熱処理装置では、プロキシミティピンを複数個ホットプレート上に設置し、基板をホットプレートの表面から概ね１ｍｍ以下に接近した状態で保持されるよう構成し、ホットプレートからの輻射熱を利用して基板を均一に加熱するものである。
【０００３】
然しながら、この様なプロキシミティ方式の加熱処理装置を用いた場合、ホットプレートと基板温度が均一になる前の非定常状態においてプロキシミティピンと基板の接触部分で温度に僅かながらも不均一性を生じる。この様な基板温度の不均一性については、処理温度に対して鈍感な処理においては問題とならないが、表示装置の製造工程における基板処理などにおいては、僅かな処理条件の不均一性であっても、表示領域内における表示ムラとして視認されてしまうことから、不良品を発生してしまう。特に、液晶表示装置の製造工程における配向膜形成工程の溶媒の乾燥処理工程においては、液晶の配向に直接影響する配向膜のプレチルト角度が、配向膜の乾き方、即ち乾燥時の温度履歴により決定されることから、面内における僅かな乾燥時の温度の不均一性が表示ムラを引き起こしてしまう。
【０００４】
そこで、ホットプレート、基板温度、プロキシミティピンの温度が異なる状態となる時間を短縮する為に、プロキシミティピンの熱容量を出来るだけ小さくし、この様な表示ムラを低減しようとする方法が特許文献１に開示されている。また、特許文献２においては、プロキシミティピンを用いたプロキシミティ方式ではないが、加熱処理時において、基板の裏面に接触して基板をホットプレートより距離を置いて近接して保持しながら搬送する複数の搬送コロについて、接触部の熱容量を小さくすると共に、其々のコロが基板の搬送方向に沿って重複して配置されない様にし、基板の各位置に対するコロの接触を最小限の一回のみに抑えてコロ接触による表示ムラの影響を低減しようとする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２１８００３号公報（第２−７頁、第２−６図）
【特許文献２】特開２００４−２９９８５０号公報（第５−７頁、第２−４図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
然しながら、特許文献１の方法を用いたとしても、ホットプレートと基板温度が瞬時に均一とはならず、プロキシミティピンを伝わる熱伝導速度と輻射による熱伝導速度の違いにより、やはり、プロキシミティピン近傍における基板温度は基板全体の温度と異なってしまい、温度履歴の不均一性を防ぐことが出来ない。また、特許文献２の方法については、基板の各位置に対するコロ接触回数を一回のみに抑えることができることから、ムラの発生を緩和する効果はある。然しながら、個々のコロについて絶えず搬送方向に平行な一直線上で基板と接触することとなり、加熱処理条件の不均一性を生ずるコロ接触部分が基板上に一直線上に並ぶことになる。人の目には規則的なムラについては視認され易いことから、この直線上に並ぶコロ接触部分が表示ムラとして視認されてしまう。
【０００７】
本発明は、以上説明のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、非定常状態も含めて加熱処理条件に不均一性が発生することを緩和し、加熱処理条件が基板内で不均一となることによる不具合の発生を避けることのできる基板加熱処理方法、該基板加熱処理方法を用いた表示装置の製造方法、及び基板加熱処理装置を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板加熱処理方法においては、ホットプレートの加熱面上に突出し基板を保持する基板保持有効位置と基板より離れた基板保持無効位置との間を移動可能な複数個のプロキシミティピンを備え、これら複数個のプロキシミティピン内における一部のプロキシミティピンを基板保持有効位置に配置し基板保持に有効な有効プロキシミティピンとし、この有効プロキシミティピンにより基板を加熱面上に該加熱面と所定の間隔をあけて保持することにより加熱処理し、加熱処理中において有効プロキシミティピンの少なくとも一部を移動し基板保持に無効な無効プロキシミティピンに変更する工程と、無効プロキシミティピンの少なくとも一部を移動し有効プロキシミティピンに変更する工程を、交互に或いは同時に連続して行い、順次、前記有効プロキシミティピンと前記無効プロキシミティピンを入れ替えるものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の基板加熱処理方法を用いることによって、基板に対する加熱処理条件に非定常状態も含めて不均一性が発生することを緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１における加熱処理装置の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１の加熱処理装置におけるプロキピンの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１の加熱処理装置におけるプロキピンの説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１における加熱処理装置の動作説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１における加熱処理装置の動作説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１における加熱処理装置の動作説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１の変形例における加熱処理装置の動作説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２における加熱処理装置の説明図である。
【図９】本発明の実施の形態２における加熱処理装置の動作説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における加熱処理装置の動作説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態３における加熱処理装置の説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態３における加熱処理装置の動作説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態４における加熱処理装置の説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態５における液晶表示装置の説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態５の液晶表示装置の製造方法における組み立て工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
本発明を適用した実施の形態１の加熱処理装置１００の構成について図１を用いて説明する。ここで、図１は実施の形態１の加熱処理装置１００の全体を示す説明図であり、図１（ａ）、図１（ｂ）は、其々、断面図と平面図で示している。図１（ａ）は図１（ｂ）中に示される断面線Ｐ−Ｑにおける断面にあたり、図１（ｂ）は図１（ａ）における上面側からの平面図にあたる。なお、図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。また、図中、既出の図において説明したものと同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。以下の図においても同様とする。
【００１２】
図１に示される様に、この加熱処理装置１００は基板１に加熱処理を行うホットプレート２、ホットプレート２において所定の温度に保持され実質的に熱を放射する加熱面２ａ、加熱面２ａ上に基板１を保持する複数個のプロキシミティピン３を備えている（以下プロキピンと呼ぶ。）。更に、これら複数個のプロキピン３については、図２のプロキピン３近傍の拡大図に示す様に、図２（ａ）の加熱面２ａより上に突出し基板１を保持する基板保持有効位置と図２（ｂ）の基板保持有効位置より下降し基板１より離れた基板保持無効位置をとることができる。つまり、これら基板保持有効位置と基板保持無効位置間を移動可能である可動式である。更に、図示は省略するが、加熱処理装置１００には、これらプロキピン３を基板保持有効位置と基板保持無効位置間を移動させる移動機構が取り付けられている。ここで、図２（ａ）に示す様に基板保持有効位置にあり基板１を保持することのできるプロキピン３を有効プロキピンと呼び、図２（ｂ）に示す様に基板保持無効位置にあり基板１より離れて待機されるプロキピン３を無効プロキピンと呼ぶ。更に、加熱処理装置１００には、図示は省略するが、前記の移動機構により複数個のプロキピン３を動作させ、基板保持有効位置に配置され基板保持に有効な有効プロキピンの少なくとも一部を基板保持無効位置に移動し基板保持に無効な無効プロキピンに変更する工程と、複数個のプロキピン３内における基板保持無効位置に配置される無効プロキピンの少なくとも一部を基板保持有効位置に移動し基板保持に有効な有効プロキピンに変更する工程を、交互に或いは同時に連続して行い、順次、前記有効プロキピンと無効プロキピンを入れ替える動作をさせる制御を行うプロキピン動作制御部が備えられている。なお、ホットプレート２には、図示は省略するが、ヒータなどの加熱体よりなる加熱機構と温度調節機構を備えており、加熱面２ａを均一な所定の温度に保持する。加熱機構としてはヒータを用いなくとも温度調整された気体や液体を加熱面２ａの裏面側に吹き付けたり加熱面２ａの近傍において循環させたりしても良い。
【００１３】
また、本実施の形態１の加熱処理装置１００では、複数個のプロキピン３はＡグループとＢグループの２つのグループに分類されており、其々、図中ではＡグループに属するプロキピン３をプロキピン３ａ、Ｂグループに属するプロキピン３をプロキピン３ｂの様に区別して示している。これらＡグループ及びＢグループに属するプロキピン３ａ及びプロキピン３ｂは、上記説明の基板保持有効位置と基板保持無効位置間の移動動作においては、グループ毎に連動し、まとまって動作する。例えば、図１（ａ）ではＡグループに属するプロキピン３ａは全て基板保持有効位置に配置されて基板１を保持しており、Ｂグループに属するプロキピン３ｂは全て基板保持無効位置に配置されて待機状態にある。
【００１４】
また、其々のプロキピン３は図１（ｂ）に示す様に規則性の無いランダムな配置が望ましいが、少なくとも３点が直線状に並ばない配置とするだけでも良い。また、ＡグループとＢグループに属するプロキピン３ａ、プロキピン３ｂは、基板１とホットプレート２の加熱面２ａとの距離を所定の間隔に適性に保持できる様にバランスよく分散して配置されることが望ましい。なお、ここで説明したプロキピン３のホットプレート２上の水平配置については、其々のプロキピン３が基板保持有効位置に配置される場合における水平配置を意味するものとする。また、プロキピン３の位置としてはホットプレート２上におけるプロキピン３自体の概ねの水平位置により適性配置しても良いが、厳格に適性化するには、基板１と実質的に接触する接触点で判断し適性配置すれば良い。また、接触部が一定範囲の領域を占め、点とみなすことができない場合には、領域の重心位置で判断すれば良い。
【００１５】
更に、図１（ｂ）にも示される様に、ホットプレート２のプロキピン３ｂの近傍には十字形状の溝からなるＸＹスリット４が形成されている。このＸＹスリット４について、図３のプロキピン３ｂ近傍の拡大図を用い詳細に説明を行う。ここで、図３（ａ）はプロキピン３ｂ近傍の平面拡大図であり、図３（ｂ）はホットプレート２のプロキピン３ｂ近傍の断面拡大図を示すものである。図３（ａ）に示される様にプロキピン３ｂの近傍には、十字形状の溝からなるＸＹスリット４が形成されており、このＸＹスリット４はプロキピン３ｂがホットプレート２の上面に対し平行な方向、即ち水平方向（例えば図中に示す直交するＸＹ二方向）に移動可能な様に形成されたものである。更に、図示は省略するがプロキピン３ｂにはこのＸＹスリット４に沿ってプロキピン３ｂを水平方向（例えば直交するＸＹ二方向）に移動動作させる動作機構を備えており、このＸＹスリット４と併せてプロキピン３ｂを水平移動させる水平方向の基板位置移動機構を構成している。また、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す様に、ＸＹスリット４内の点線で示す位置（図３（ａ）においては十字形状の中央、図３（ｂ）においては左右方向の中央）を定位置とし、定位置より図３（ａ）に示す＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ、−Ｙの計４方向にプロキピン３ｂは移動可能である（図中では、プロキピン３ｂが定位置より矢印で示す＋Ｘの方向に移動する場合を例として示している。）。
【００１６】
なお、本実施の形態１に用いられるプロキピン３としては、一般的なもので構わないが、プロキピン３における基板１との接触部については、基板１に対し接触による傷やクラックなどのダメージを与えない点から、接触面が曲面により構成された樹脂材などが好ましい。樹脂材としてはベスペルなどの絶縁性の樹脂材を用いても良いが、帯電防止効果の点からは、カーボンなどを含有したフッ素樹脂やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）など導電性を持たせた樹脂材などが好ましい。また、熱容量についても比較的小さな材料が好ましい。
【００１７】
続いて、基板１の加熱処理時における加熱処理装置１００の動作について図４〜図６を用い説明する。先ず、図４は加熱処理時における基板１、ホットプレート２、及びプロキピン３（プロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂ）の配置関係を示している。また、図において、図２を用い説明した基板保持有効位置にあるプロキピン３である有効プロキピンを黒塗りで示している。図４（ａ）においては、Ａグループに分類されるプロキピン３ａが基板保持有効位置にある有効プロキピンに対応し、図４（ｂ）においては、Ｂグループに分類されるプロキピン３ｂが基板保持有効位置にある有効プロキピンに対応することを示している。加熱処理時においては、このプロキピン３ａとプロキピン３ｂが交互に切り替わり有効プロキピンとして基板１を保持する。このプロキピン３ａとプロキピン３ｂが切り替わる動作について、図５及び図６の断面図を用いて詳細に説明する。
【００１８】
先ず、図５（ａ）の様にＡグループに分類される全てのプロキピン３ａが上昇し基板保持有効位置に配置された状態で基板１が搬入されて、プロキピン３ａにより基板１が保持され、加熱処理が開始される。図４（ａ）に示す様にプロキピン３ａは基板１の面内にバランスよく分散して配置されていることから基板１は加熱面２ａ上に加熱面２ａと所定の間隔をあけて保持され、均一に加熱処理することができる。この時、Ｂグループに分類される全てのプロキピン３ｂについては、基板保持無効位置に配置され待機状態にある。更にプロキピン３ｂの水平方向の位置ついては図３を用い説明したＸＹスリット４内の定位置に配置されている。続いて、図５（ｂ）に示す様に待機状態にあった全てのプロキピン３ｂが矢印で示す方向に上昇し基板保持有効位置に配置される。この際に、プロキピン３ｂの高さをプロキピン３ａの高さと同じ高さまで上昇した時点で一時的にＡグループとＢグループの両方に属する全てのプロキピン３により同時に基板１を保持することになる。
【００１９】
更に、図５（ｃ）に示す様に、これまで有効プロキピンであったプロキピン３ａを矢印で示す方向に下降し基板保持無効位置に配置する。これにより基板１はプロキピン３ｂのみに保持されプロキピン３ｂへの有効プロキピンの切り替えが行われる。この時、図４（ｂ）に示す様にプロキピン３ｂについても、プロキピン３ａと同様に基板１の面内にバランスよく分散して配置されていることから基板１は加熱面２ａ上に加熱面２ａと所定の間隔をあけて保持され、均一に加熱処理することができる。また、このＡグループからＢグループへの有効プロキピンの切り替えは、図５（ｂ）に示す様にプロキピン３ｂの高さをプロキピン３ａの高さと同じ高さまで上昇した状態からプロキピン３ａのみを下降して切り替えても良いし、プロキピン３ａの高さよりも高くなる位置までプロキピン３ｂの上昇を継続することにより、プロキピン３ｂのみに基板１を保持する様に切り替え、その後、基板１の保持に無効となったプロキピン３ａを矢印で示す方向に下降し待機させても良い。なお、基板１において、これまでプロキピン３ａが接して保持していたピン当接部５ａについて図中に網掛けで示すが、この部分についてはプロキピン３ａが接してから離れた後の一定時間において基板１の他の部分と比較し温度履歴に若干の違いを生ずる。
【００２０】
続いて、図６（ａ）に示す様に、プロキピン３ｂは基板１を載せたままでＸＹスリット４内を図中の矢印の方向に移動することにより、基板１をプロキピン３ａに対して相対的に移動させる。これにより、図５（ｃ）においてプロキピン３ａに対して真上にあったピン当接部５ａは、プロキピン３ａが基板保持有効位置に配置される場合の位置よりも相対的に水平移動されプロキピン３ａの真上よりずれた位置に移動される。続いて、図６（ｂ）に示す様にプロキピン３ａが再度上昇し基板保持有効位置に配置されるが、プロキピン３ａはピン当接部５ａと若干ずれた位置において基板１を保持することになる。その後、図６（ｃ）に示す様にこれまで有効プロキピンであったプロキピン３ｂを矢印で示す方向に下降し基板保持無効位置に配置される。これにより、再びプロキピン３ａのみに基板１は保持されプロキピン３ａへの有効プロキピンの切り替えが行われる。なお、プロキピン３ｂは矢印で示す方向に下降した後、図３を用いて説明したＸＹスリット４内における定位置に戻り、次回の上昇まで待機される。また、これまで、プロキピン３ｂが接して保持していたピン当接部５ｂについても、図中に網掛けで示すが、この部分についても、先に説明したピン当接部５ａと同様に基板１の他の部分と比較し温度履歴に若干の違いを生ずる。然しながら、この定位置への移動により、基板１に対して、プロキピン３ｂは相対的に水平移動することにより、プロキピン３ｂの真上にあった基板１におけるピン当接部５ｂはプロキピン３ｂが基板保持有効位置に配置される場合の位置よりも相対的に移動され、プロキピン３ｂの真上よりずれた位置に移動される。従って、次回プロキピン３ｂが上昇した場合において、プロキピン３ｂはピン当接部５ｂと若干ずれた位置において基板１を保持することとなる。
【００２１】
以下、加熱処理の間にわたって、図５（ａ）〜図５（ｃ）及び図６（ａ）〜図６（ｃ）の工程が順次繰り返される。これらの動作は全てプロキピン動作制御部により制御されて行われる。また、本実施の形態１の方法においては、絶えず、プロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂが基板保持有効位置にある有効プロキピンとして機能していることから、基板１が処理中であるかを問わず絶えず図５（ａ）〜図５（ｃ）及び図６（ａ）〜図６（ｃ）の動作を続け、途中で基板１を搬入搬出しても良い。なお、図６（ａ）で説明を行ったプロキピン３ｂの移動については、図３（ａ）における＋Ｘ、＋Ｙ、−Ｘ、−Ｙの順番に行うのが基板１のホットプレート上の水平位置が大きくずれないことから望ましく、移動量については、ＸＹスリット４内の範囲でランダムに設定するか、或いは少なくとも一枚の基板１の加熱処理中において毎回異なる移動量と設定されることが、同じ位置で基板１を保持することを確実に防止できることから望ましい。
【００２２】
以上の様に本実施の形態１の加熱処理装置１００においては、可動式のプロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂにより交互に基板１を保持する構成とした。更にプロキピン３ｂに水平方向の基板位置移動機構を備えており、基板保持有効位置に配置される場合におけるプロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂに対して、基板１を相対的に水平移動させている。この様にして、プロキピン３ａとプロキピン３ｂ間で基板１を交互に保持することにより、基板１に当接するピン当接部をピン当接部５ａとピン当接部５ｂの異なる位置に切り替えている。更に、毎回、基板１を相対的に水平移動することにより、ピン当接部５ａ及びピン当接部５ｂの位置を前回の位置よりずらしている。従って、同じ位置で複数回或いは長い時間プロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂが接触し保持されることが防止できることから、非定常状態も含めて加熱処理条件に不均一性が発生することを緩和できる。その結果、加熱処理条件が基板内で不均一となることによる不具合、即ち、プロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂが接触し発生するムラについて軽減することが可能となる。また、プロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂの配置についても、３個以上のプロキピンが直線上に並ぶことなく、ずらして配置されるなど、実質的に規則性を持たないランダムな配置であることからピン当接部がムラなどとして視認されにくい。また、基板１の加熱処理中において、Ａグループに分類される全てのプロキピン３ａ或いはＢグループに分類される全てのプロキピン３ｂの何れかが有効プロキピンとして選ばれて機能し、これらプロキピン３ａとプロキピン３ｂの何れも基板に対して分散して配置されることから、基板が加熱面上に該加熱面と所定の間隔をあけて保持することができ、均一な加熱処理ができる。
【００２３】
以上説明した実施の形態１においては、プロキピン３ｂにより基板１を移動する方法を用いて説明したが、プロキピン３ａにもＸＹスリットや動作機構を備えプロキピン３ａにより基板１を移動しても良く、プロキピン３ａとプロキピン３ｂの両者により毎回移動を行っても良い。更にプロキピン３ａとプロキピン３ｂの両者により移動を行う場合、プロキピン３ａにはＸ方向のみの移動可能な直線状のＸスリットと動作機構を備え、プロキピン３ｂにはＹ方向のみの移動可能なＹスリットと動作機構を備えるなど移動方向毎に分担を分けても良い。この様にすることで、其々のプロキピン３ａとプロキピン３ｂに備えるスリットや動作機構の構成を簡単にすることも可能である。
【００２４】
また、水平方向の基板位置移動機構として、プロキピン３ｂにより基板１を載せたまま移動し、次に当接されるプロキピン３ａの当接部の位置をずらす方法を用いて説明したが、基板保持有効位置に配置される場合におけるプロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂに対して、基板１を相対的に水平移動させることができれば同じ効果を得ることができることから、例えばプロキピン３ｂを上昇し基板１と当接する前に予め前回の位置より水平方向に移動してから上昇させることにより前回の当接部の位置よりずらす方法を用いても良い。この場合には、基板１に対して、プロキピン側を移動することになる。また、この様な方法を採用する場合には、プロキピン３ｂのみを移動してもプロキピン３ａの当接部の位置は変わらないことからプロキピン３ａにもＸＹスリットや動作機構を備えると良い。
【００２５】
更に別の方法として、プロキピン以外の搬送手段、例えば搬送アームなどを水平方向の基板位置移動機構として用いることにより基板位置を水平移動し、プロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂに対する基板１の位置を相対的に水平移動する方法も考えられる。この変形例による加熱処理装置１０１について、図７を用い説明を行う。図７（ａ）に示す様に、この変形例の加熱処理装置１０１においては、基板位置移動機構として基板１を載せて水平移動可能な搬送アーム６を備えている。一方、基板１を搬送アーム６により移動することができることから、プロキピンを水平方向に移動させるためのＸＹスリットや動作機構については省略されている。また、この搬送アーム６については、基板１の装置内外への搬送を行う搬送アームの機能を兼ねても構わない。更に搬送アームの接触による温度ムラを防ぐ為には、基板１の周辺を保持させるものが好ましい。それ以外の点については、実施の形態１の加熱処理装置１００と同様であることから詳細な説明は省略する。続いて、この加熱処理装置１０１の動作について簡単に説明する。
【００２６】
まず、図７（ａ）の様にプロキピン３ａにより基板１をホットプレート２の加熱面２ａ上に保持し、加熱処理が開始される。続いて、図７（ｂ）の様に基板１の両側に配置される搬送アーム６が基板１の周辺部の下側に移動した後、図中の斜め網掛け矢印の方向へ上昇することにより、基板１を両側で保持しながら、少なくともプロキピン３ａより基板１が離れる位置まで移動する。これにより、基板１がプロキピン３ａから搬送アーム６へと受け渡される。但し、プロキピン３ａより搬送アーム６へ基板１を受け渡せば良いことから、搬送アーム６を基板１の周辺部の下側に移動した後、基板１を載せたままプロキピン３ａを下降させることにより、プロキピン３ａから搬送アーム６へと基板１を受け渡しても良い。続いて、搬送アーム６により基板１を保持したまま、図中網掛け矢印の方向に水平移動させることにより、プロキピン３ａに対して、基板１を移動する。この様に基板１が水平移動されることにより図７（ｃ）に示す様に、搬送アーム６により持ち上げられるまでプロキピン３ａが当接していた基板１におけるピン当接部５ａは、プロキピン３ａが再度上昇し基板保持有効位置に配置される場合の位置よりずれて配置される。また、プロキピン３ａは一旦下降し待機され、代わってプロキピン３ｂが上昇し、プロキピン３ｂが基板保持有効位置に配置する様に切り替えられる。続いて、基板１の水平移動を行った後、図中矢印の方向に搬送アーム６は下降することにより、基板保持有効位置に配置されたプロキピン３ｂ上に基板１を受け渡し、プロキピン３ａからプロキピン３ｂへ有効プロキピンの切り替えが完了する。実施の形態１においてもそうであったが、この基板１のプロキピン３ａ或いはプロキピン３ｂに対する水平移動は同じプロキピンにより再度保持するまでに一度移動しておけば、前回における接触部からずらすことができることから、逆にプロキピン３ｂからプロキピン３ａへの切り替え時においては、この搬送アーム６による移動は省略することができる。また、水平移動については、実施の形態１のプロキピン３ｂの移動と同様に、方向と移動量を毎回変更して行うと良い。
【００２７】
実施の形態２．
実施の形態１においては、基板を保持する可動式のプロキピンを２つのグループに分けて、交互に基板を保持する方法に本発明を適用した例について説明を行った。本実施の形態２においては、基板を保持する可動式のプロキピンを基板の面内に適度に分散して配置される複数のグループに分けて、其々のグループ内より一部のプロキピンを選定して基板を保持し、その選定するピンを順次変更していく方法について説明する。先ず、本発明を適用した実施の形態２の加熱処理装置１０２の構成について図８を用いて説明する。ここでは、一例として、グループＡａ〜グループＣｃまでの３行×３列に並ぶ計９つのグループに分けた場合について説明する。其々のグループに属するプロキピン３Ａａ〜プロキピン３Ｃｃについて属するグループ分けが判る様に点線で囲む様に図示している。また、各９つのグループ内に属するプロキピン３Ａａ〜プロキピン３Ｃｃについて、各グループより１個のみ選定し、その選定されたプロキピンを実施の形態１でも説明した基板保持有効位置にある有効プロキピンとしている（図中、有効プロキピンを黒塗りで示している。）。以上のプロキピンの配置とグループ分けの仕方、有効プロキピンの選び方を除き、ホットプレート２の機能は実施の形態１と大きく違わないことから、同じ記号を用い詳細な説明を省略する。
【００２８】
続いて、基板１の加熱処理時における加熱処理装置１０２の動作について図９の断面図を用いて説明する。なお、説明の為、この断面図においては、３行×３列に並ぶ計９つのグループを二次元に単純化し、同じ平面上に並ぶグループＸ１、グループＸ２、グループＹ１、グループＹ２の計４つのグループとし、其々のグループに属するプロキピンの数も３個ずつに減らして説明を行う。先ず、図９（ａ）に示す様に、其々のグループに属するプロキピン３Ｘ１、プロキピン３Ｘ２、プロキピン３Ｙ１、プロキピン３Ｙ２（以下、プロキピン３Ｘ１〜３Ｙ２と表記）より１個ずつ選定された計４個の有効プロキピンにより基板１は保持される。また、本実施の形態１においては、基板１の搬入を検出する基板センサ７を備えている。この様に基板センサ７により基板１の搬入を検出し加熱処理の開始を検知すると、プロキピン３Ｘ１〜３Ｙ２の移動機構が制御され、プロキピン３Ｘ１〜３Ｙ２の動作が開始される。動作が開始されると、先ず、図９（ｂ）に示す様に図９（ａ）において基板１を保持している有効プロキピンを除くプロキピン３Ｘ１〜３Ｙ２より任意のプロキピン３Ｘ１〜３Ｙ２が１個ずつ選定されて上昇し有効プロキピンとして補充される。続いて、図９（ｃ）に示す様に、図９（ｂ）における有効プロキピンのうち、新たに補充された有効プロキピンを除く、即ち、図９（ａ）において基板１を保持している有効プロキピンを下降して基板保持無効位置に待機する。
【００２９】
続いて、同様に、基板１を保持している有効プロキピンを除くプロキピン３Ｘ１〜３Ｙ２より任意のプロキピン３Ｘ１〜３Ｙ２を１個ずつ選定して基板１を保持している有効プロキピンを順次切り替えていく。図９による説明は単純化しているが、図８の平面図に説明の様に、各グループ内のプロキピン数が多数ある場合には、ランダムに選定するなどしても、殆ど同じプロキピンを選ばずに順次有効プロキピンを切り替えていくことが可能である。また、確実に同じプロキピンで保持することを避けるには、基板センサ７による加熱処理開始の情報を元にして、同じ基板１を処理している間には一度有効プロキピンとなったプロキピンを順次除きながら補充する有効プロキピンを選定すれば良い。この様な運用とする場合には、加熱処理時間とプロキピンの上下速度を見込んでグループあたりのプロキピン数を適切に設計しておく必要がある。また、実施の形態１で説明した様に、プロキピンに対して相対的に基板１を水平移動する処理を途中に挟むことにより、グループあたりのプロキピン数をそれ程増やすことなくプロキピンが同じ位置で基板１を保持することを確実に避けることができる。
【００３０】
図９を用いて説明した動作においては、処理開始時より、先に有効プロキピンを補充した後に、それまで基板１を保持していた有効プロキピンを下降し有効プロキピンを切り替えた。この様な動作の他に、有効プロキピンの下降動作を先に行った後に有効プロキピンを補充してもよく、有効プロキピンの下降動作と補充する有効プロキピンの上昇動作を同時に行っても良い。これらの動作方法を図１０の断面図を用いて説明する。先ず、図１０（ａ）に示す様に、其々のグループに属するプロキピン３Ｘ１〜３Ｙ２より２個ずつ選定された計８個の有効プロキピンにより基板１は保持された状態で処理が開始される。続いて、図１０（ｂ）に示す様に図１０（ａ）において基板１を保持している其々のグループに属する各２個の有効プロキピンより１個ずつの計４個のプロキピンが待機されるプロキピンとして選定されて基板保持無効位置に下降し待機される。続いて、図１０（ｃ）に示す様に、図１０（ｂ）における基板保持無効位置に待機される無効プロキピンのうち、先に下降されて待機された無効プロキピンを除く、即ち、図１０（ａ）において基板保持無効位置に待機されていた無効プロキピンより有効プロキピンが選定されて上昇し有効プロキピンとして補充される。以後は、先に有効プロキピンとして補充された有効プロキピンを除く有効プロキピンが下降する工程と、基板保持無効位置に待機されていた無効プロキピンより有効プロキピンが選定されて上昇する工程が順次繰り返され、有効プロキピンと無効プロキピンの切り替えが順次進められる。なお、この図１０を用いて説明した動作方法の場合には、交換途中においても、少なくとも各グループ１個ずつの有効プロキピンにより基板１は保持されることから、図１０（ｂ）の有効プロキピンが下降し待機される工程と、図１０（ｃ）の無効プロキピンが上昇され有効プロキピンとなる工程は、同時に行われても構わない。また、待機される無効プロキピンより上昇される有効プロキピンを選定する場合においては、図９の動作方法で説明した場合と同様に各グループ内のプロキピン数が多数ある場合には、ランダムに選定するなどしても、殆ど同じプロキピンを選ばずに順次有効プロキピンを切り替えていくことが可能である。また、基板センサ７による加熱処理開始の情報を元にして、同じ基板１を処理している間には一度有効プロキピンとなったプロキピンを順次除きながら補充する有効プロキピンを選定すれば良い。
【００３１】
以上の様に本実施の形態２の加熱処理装置１０２においては、可動式のプロキピン３を基板の面内に適度に分散して配置される複数のグループに分けて、其々のグループ内より一部のプロキピン３を選定し有効プロキピンとして基板を保持し、選定する有効プロキピンを順次切り替えながら基板を保持する構成とした。これにより、絶えず基板に対し分散して配置される有効プロキピンにより基板をホットプレートの加熱面上に所定の距離で安定して保持することができ均一な加熱処理ができるとともに、異なる位置に配置するプロキピン３に有効プロキピンが順次切り替えられる。従って、同じ位置で複数回或いは長い時間プロキピン３が接触し保持されることが防止できることから、非定常状態も含めて加熱処理条件に不均一性が発生することを緩和できる。その結果、加熱処理条件が基板内で不均一となることによる不具合、即ち、プロキピン３が接触し発生するムラについて軽減することが可能となる。また、プロキピン３の配置についても、３個以上のプロキピン３が直線上に並ぶことなく、ずらして配置されるなど、実質的に規則性を持たないランダムな配置であることからピン当接部がムラなどとして視認されにくい。なお、図９による説明は単純化して行ったが、図８の平面図に説明の様に、各グループ内のプロキピン数が多数ある場合には、各グループより１個ずつ或いは２個ずつのプロキピンを有効プロキピンとして機能させるのではなく、各グループより３個以上のプロキピンを有効プロキピンとして機能させても良く、有効プロキピンの交換についても各グループにつき１個ずつ行うのではなく、複数のプロキピンを同時に切り替えても良い。
【００３２】
実施の形態３．
続いて、本発明を適用した基板周辺部を保持する固定式のプロキピンを補助的に備える加熱処理方法である実施の形態３について説明を行う。先ず、本実施の形態３の加熱処理装置１０３の構成について図１１の平面図を用いて説明する。本実施の形態３における加熱処理装置１０３においては、ホットプレート２に基板１の周辺部を保持する固定式プロキピン８が配置されている。この固定式プロキピン８は、基板１において、製品として使われて温度ムラなどの影響が問題となる領域を避けた周辺部に配置される。図中では、基板１の四隅にのみ配置しているが、基板１の面積が大きな場合には辺の中心部近傍などにも配置して良い。この固定式プロキピン８以外のプロキピン３については、実施の形態１或いは２と同様に可動式のプロキピン３が用いられており、基板保持有効位置と基板保持無効位置間を移動可能である。これら可動式のプロキピン３は、基板１内に適度に分散して多数配置されており、これらのプロキピン３より数個のプロキピン３のみを選定し、その選定されたプロキピン３を実施の形態１でも説明した基板保持有効位置にある有効プロキピンとしている（図中、有効プロキピンを黒塗りで示している。）。また、其々のプロキピン３は実施の形態１と同様に規則性の無いランダムな配置が望ましいが、少なくとも３点が直線状に並ばない配置とするだけでも良い。以上のプロキピンの配置と有効プロキピンの選び方を除き、ホットプレート２の機能は実施の形態１と大きく違わないことから、同じ記号を用い詳細な説明を省略する。
【００３３】
続いて、基板１の加熱処理時における加熱処理装置１０３の動作について図１２の断面図を用いて説明する。なお、この断面図においては、説明の為、平面内に多数配置されるプロキピンを二次元に単純化し、同じ平面上に並ぶ１０個のプロキピンに個数を減らして説明を行う。先ず、図１２（ａ）に示す様に、プロキピン３より選定された３個の有効プロキピンが基板保持有効位置に配置され、基板１の周辺に配置される固定式プロキピン８と共に基板１を保持する。その他のプロキピン３は基板保持無効位置に配置され待機されている。続いて、待機状態にあったプロキピン３より３個のプロキピン３が選定され、図１２（ｂ）に示す様に矢印で示す方向に上昇し基板保持有効位置に配置され、有効プロキピンとなる。また、同時にこれまで有効プロキピンであったプロキピン３を矢印で示す方向に下降し基板保持無効位置に配置する。これにより有効プロキピンの切り替えが行われる。続いて、図１２（ｃ）に示す様に同様の動作が行われ順次有効プロキピンの切り替えが行われる。なお、ここでは、固定式プロキピン８のみにより、基板１をある程度保持することができることから、待機状態にあったプロキピン３の上昇動作と、有効プロキピンの下降による待機動作を同時に行う場合により説明を行ったが、先に待機状態にあったプロキピン３の上昇動作を行った後に、有効プロキピンの下降による待機動作を行っても良い。また、上昇する３個のプロキピン３の選定はランダムに行っても良いし、確実に同じプロキピンで保持することを避けるには、実施の形態２でも説明したとおり、同じ基板１を処理している間には一度有効プロキピンとなったプロキピンを順次除きながら補充する有効プロキピンを選定すれば良い。また、本実施の形態１と同様にプロキピンに対して相対的に基板１を水平移動する処理を途中に挟んでも良い。なお、本実施の形態３においては、３個のプロキピン３により基板１を保持し、３個ずつプロキピン３を交換したが、保持するプロキピン３の数や交換するプロキピン３の数を基板１の面積に合わせて適宜変更しても良い。
【００３４】
以上の様に本実施の形態３の加熱処理装置１０３においては、基板周辺部を保持する固定式プロキピン８を補助的に備え、その他、可動式のプロキピン３を基板内に適度に分散して多数配置し、これらの可動式のプロキピン３より選定される一部のプロキピン３である有効プロキピンを順次切り替えながら基板を保持する構成とした。これにより、絶えず基板に対して分散して配置される有効プロキピンにより基板をホットプレートの加熱面上に所定の距離で安定して保持することができ均一な加熱処理ができるとともに、異なる位置に配置するプロキピン３に有効プロキピンが順次切り替えられる。従って、同じ位置で複数回或いは長い時間プロキピン３が接触し保持されることが防止できることから、非定常状態も含めて加熱処理条件に不均一性が発生することを緩和できる。その結果、加熱処理条件が基板内で不均一となることによる不具合、即ち、プロキピン３が接触し発生するムラについて軽減することが可能となる。また、プロキピン３の配置についても、３個以上のプロキピン３が直線上に並ぶことなく、ずらして配置されるなど、実質的に規則性を持たないランダムな配置であることからピン当接部がムラなどとして視認されにくい。更に、基板周辺部を保持する固定式プロキピン８を補助的に用いたことにより、これらの固定式プロキピン８に基板保持有効位置に配置されるプロキピン３を含めて、グループ分けなどを行わなくとも基板１内に基板１を保持可能なプロキピンが分散されて配置されることから、ホットプレートの加熱面上に所定の距離で安定して保持することができ均一な加熱処理ができる。また、可動式のプロキピン３の動作は、グループ分けなどを行うことなく、基本的には、ランダムに動作すれば良いことから、動作の制御系が比較的単純なもので良い。
【００３５】
実施の形態４．
続いて、本発明を適用した回転するローラ表面に配置されたプロキピンにより基板を保持する加熱処理方法である実施の形態４について説明を行う。先ず、本実施の形態４の加熱処理装置１０４の構成について、図１３の模式図を用いて説明する。本実施の形態４における加熱処理装置１０４においては、図１３（ａ）の断面図に示す様に、ホットプレート２と、ホットプレート２の内部に基板１を搬送する搬送ローラ９が複数配置されている。また、ホットプレート２には、図示は省略するが、ヒータなどの加熱体よりなる加熱機構と温度調節機構を備えており、搬送ローラ９の内部にもヒータ１０よりなる加熱機構が備えられている。これら加熱機構及び温度調整機構により、複数配置される搬送ローラ９の表面と、これら搬送ローラ９の間に挟まれるホットプレート２の表面とは同じ所定温度に保持される。従って、図１３（ａ）に示す様にホットプレート２の表面と搬送ローラ９の表面には所定の温度に保持され実質的に熱を放射する加熱面２ａが形成される。また、図１３（ｂ）は搬送ローラ９を示す全体図であるが、搬送ローラ９の表面には搬送ローラ９の外側に向かう方向に多数のプロキピン９ａがランダムな位置に形成されている。この搬送ローラ９が回転することにより、多数のプロキピン９ａの方向が順次変わっていき、図１３（ａ）に示す様に多数のプロキピン９ａのうち、ホットプレート２の上面側に向かう側に配置される位置に来たプロキピン９ａは加熱面２ａより上に突出し基板１を保持することが可能であり、順次回転してホットプレート２の上面側より下降して基板１より離れた位置となると基板１を保持することができなくなる。この様に、実施の形態４における搬送ローラ９に形成されたプロキピン９ａは、搬送ローラ９が回転することにより、基板保持有効位置と基板保持無効位置間を移動可能である。図１３（ａ）に示す様に、このプロキピン９ａが形成された搬送ローラ９が、図中の右側に向かって複数個、並んで配置されている。また、本実施の形態４における加熱処理装置１０４においては、その他、ホットプレート２に対向して、基板１を挟む様に上面ヒータ１１が配置されており、ホットプレート２の表面と搬送ローラ９の表面は同じ所定温度に保持される。これら上面ヒータ１１、ホットプレート２、搬送ローラ９により同じ所定温度に保持される加熱処理領域により内部に収容保持される基板１は加熱される。
【００３６】
続いて、基板１の加熱処理時における加熱処理装置１０４の動作について説明する。図１３（ａ）に示す様に、基板保持有効位置に配置されるプロキピン９ａにより加熱面２ａとの所定の間隔に保持されながら基板１は、搬送ローラ９が回転することにより、順次、有効プロキピンが切り替わりながらプロキピン９ａにより図中の右方向（矢印で示す方向）に移動される。この間、ホットプレート２及び搬送ローラ９により形成される加熱面２ａ及び上面ヒータ１１により形成される加熱処理領域内において均一に加熱されながら搬送されていく。また、基板１に接触される有効プロキピンとなるプロキピン９ａは搬送ローラ９上に配置される多数のプロキピン９ａより、順次切り替わりながら加熱処理が行われ、更にこれら多数のプロキピン９ａは搬送ローラ９上にランダムに配置されることから、基板１の表面の同じ位置にプロキピン９ａが接触されることが無い。
【００３７】
以上の様に本実施の形態４の加熱処理装置１０４においては、回転動作するローラ表面にランダムに配置されたプロキピンよりなる可動式のプロキピンにより有効プロキピンを順次切り替えながら基板を保持し加熱する構成とした。これにより、比較的簡便な機構で異なる位置に配置するプロキピンに順次有効プロキピンが切り替えられる。従って、同じ位置で複数回或いは長い時間プロキピンが接触し保持されることが防止できることから、非定常状態も含めて加熱処理条件に不均一性が発生することを緩和できる。その結果、加熱処理条件が基板内で不均一となることによる不具合、即ち、プロキピンが接触し発生するムラについて軽減することが可能となる。また、ローラ表面にランダムに配置されたプロキピンが接触され、基板上に接触される位置であるピン当接部が実質的に規則性を持たないランダムな配置となることからムラなどとして視認されにくい。
【００３８】
実施の形態５．
続いて、本発明を表示装置の一つである液晶表示装置の製造方法において適用した実施の形態５の液晶表示装置の製造方法について説明する。先ず、本実施の形態５の液晶表示装置の製造方法により製造される液晶表示装置の構成について、図１４を用いて説明する。なお、ここでは一例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）方式の液晶表示装置について説明する。この液晶表示装置２００は、図に示される様にスイッチング素子基板２１０、カラーフィルタ基板２２０、及びスイッチング素子基板２１０とカラーフィルタ基板２２０との間に充填された液晶２３０から構成されている。
【００３９】
上述のスイッチング素子基板２１０はガラス基板２１１の一方の面に液晶２３０を配向させる配向膜２１２、配向膜２１２の下部に設けられ液晶２３０を駆動する電圧を印加する画素電極２１３、画素電極２１３に電圧を供給するＴＦＴなどのスイッチング素子２１４、スイッチング素子２１４を覆う絶縁膜２１５、スイッチング素子２１４に供給される信号を外部から受け入れる端子２１６、端子２１６から入力された信号を対向電極へ伝達する為のトランスファ電極２１７などを有している。また、ガラス基板２１１の他方の面には偏光板２３１を有している。一方、上述のカラーフィルタ基板２２０は、ガラス基板２２１の一方の面に液晶２３０を配向させる配向膜２２２、配向膜２２２の下部に配置され、スイッチング素子基板２１０上の画素電極２１３との間に電界を生じ液晶２３０を駆動する共通電極２２３、共通電極２２３下部に設けられるカラーフィルタ２２４及び遮光層２２５などを有している。また、ガラス基板２２１の他方の面には偏光板２３２を有している。
【００４０】
また、スイッチング素子基板２１０とカラーフィルタ基板２２０はシール材２３３及び基板間の距離を一定の距離に保持するスペーサ（図示せず）を介して貼り合わされている。スペーサとしては、基板上に散布された粒状のスペーサを用いても良いし、何れか一方の基板上に有機樹脂膜をパターニングして形成された柱状のスペーサを用いても良い。更にトランスファ電極２１７と共通電極２２３は、トランスファ材２３４により電気的に接続されており、端子２１６から入力された信号が共通電極２２３に伝達される。この他に液晶表示装置２００は駆動信号を発生する制御基板２３５、制御基板２３５を端子２１６に電気的に接続するＦＦＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｆｌａｔ Ｃａｂｌｅ）２３６、光源となるバックライトユニット（図示せず）などを備えている。
【００４１】
この液晶表示装置２００は次の様に動作する。例えば、制御基板２３５から電気信号が入力されると、画素電極２１３及び共通電極２２３に駆動電圧が加わり、駆動電圧に合わせて液晶２３０の分子の方向が変わる。そして、バックライトユニットの発する光がスイッチング素子基板２１０、液晶２３０及びカラーフィルタ基板２２０を介して外部へ透過或いは遮断されることにより、液晶表示装置２００に映像等が表示される。
【００４２】
なお、この液晶表示装置２００は一例であり他の構成でも良い。液晶表示装置２００の動作モードはＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、強誘電性液晶モードなどでも良く、駆動方法は単純マトリックスやアクティブマトリックスなどでも良く、画素電極に反射電極や透過電極、更に両者を備えた、反射型、透過型及び半透過型などの何れでも良い。更にカラーフィルタ基板２２０に設けた共通電極２２３をスイッチング素子基板２１０側に設置して、画素電極２１３との間に横方向に液晶２３０に対して電界をかける横電界方式を用いた液晶表示装置でも良い。
【００４３】
次に、本実施の形態５における液晶表示装置の製造方法について説明する。液晶表示装置用基板であるスイッチング素子基板２１０及びカラーフィルタ基板２２０の製造方法については一般的な方法を用いるため、簡単に説明する。スイッチング素子基板２１０は、ガラス基板２１１の一方の面に、成膜、フォトリソグラフィー法によるパターンニング、エッチングなどのパターン形成工程を繰り返し用いてスイッチング素子２１４や画素電極２１３、端子２１６、トランスファ電極２１７を形成することにより製造される。また、カラーフィルタ基板２２０は、同様に、ガラス基板２２１の一方の面にカラーフィルタ２２４や共通電極２２３を形成することにより製造される。
【００４４】
続いて、本実施の形態５において特徴的な組み立て工程について図１５に示すフローチャートにしたがって説明する。まず、基板洗浄工程において、画素電極２１３が形成されているスイッチング素子基板２１０を洗浄する（Ｓ１）。次に、配向膜形成工程において、スイッチング素子基板２１０の一方の面に配向膜２１２を形成する（Ｓ２）。本実施の形態５においては、この配向膜２１２形成工程は、例えば、印刷法により有機膜からなる配向膜２１２を塗布する。有機膜材料としては、ＪＳＲ社製の配向膜ＡＬ３０４６を用いた。続いて、実施の形態１において説明したランダムに配置された可動式のプロキピンを備えた加熱処理装置を配向膜２１２の乾燥処理工程に用いた。処理温度は９０℃に設定し、配向膜２１２中の溶媒を乾燥した。続いて、２３０℃のオーブンを用い本焼成した。その後、ラビング工程において配向膜２１２にラビング処理を行い配向膜２１２を配向させる（Ｓ３）。また、共通電極２２３が形成されているカラーフィルタ基板２２０についても、スイッチング素子基板２１０に対して行ったＳ１からＳ３と同様に洗浄、配向膜２２２の形成、及びラビング処理を行う。この場合においても、配向膜２２２の形成工程において、実施の形態１で説明を行ったランダムに配置された可動式のプロキピンを備えた加熱処理装置を用いた配向膜乾燥処理工程を行う。
【００４５】
続いて、シールパターンを形成するシール材塗布工程において、シール印刷を用いスイッチング素子基板２１０或いはカラーフィルタ基板２２０の一方の面にシール材２３３の塗布処理を行う（Ｓ４）。また、シール材２３３には、例えばエポキシ系接着剤などの熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂を用いた。次に、トランスファ材塗布工程において、スイッチング素子基板２１０或いはカラーフィルタ基板２２０の一方の面にトランスファ材２３４の塗布処理を行う（Ｓ５）。そして、スペーサ散布工程において、スイッチング素子基板２１０或いはカラーフィルタ基板２２０の一方の面にスペーサを散布する（Ｓ６）。この工程は、例えば、湿式法や乾式法によりスペーサを分散させることにより行われる。なお、スペーサとして有機樹脂膜をパターニングして形成された柱状のスペーサを用いる場合には、スイッチング素子基板２１０とカラーフィルタ基板２２０の何れかの上に組み立て工程前に形成しておくことが望ましく、その場合においては、このスペーサ散布工程は省略可能である。
【００４６】
その後、貼り合わせ工程において、スイッチング素子基板２１０とカラーフィルタ基板２２０を貼り合わせる（Ｓ７）。続いて、シール材硬化工程において、スイッチング素子基板２１０とカラーフィルタ基板２２０を貼り合わせた状態でシール材２３３を完全に硬化させる（Ｓ８）。この工程は、例えばシール材２３３の材質に合わせて熱を加えることや、紫外線処理を行うことにより行われる。次に、セル分断工程において、貼り合わせた基板を多数の個別セルに分解する（Ｓ９）。そして、液晶注入工程において、個々のセルに対して液晶注入口から液晶を注入する（Ｓ１０）。この工程は、例えば、液晶２３０を液晶注入口から真空注入により充填することにより行われる。液晶２３０としては、Ｍｅｒｃｋ社製の液晶ＺＮＬ−４７９２を用いた。更に、封止工程において、液晶注入口を封止する（Ｓ１１）。この工程は、例えば、光硬化型樹脂で封じ、光を照射することにより行われる。
【００４７】
以上のＳ７〜Ｓ１１の貼り合わせから液晶封止までの工程については、通常の注入口からの液晶注入方法を一例として説明した。しかし、別の液晶注入方法として、注入口の無いシール材２３３の形状とし、液晶２３０をスイッチング素子基板２１０或いはカラーフィルタ基板２２０の上に液滴状態で滴下して形成し、この滴下した液晶２３０を挟む様にスイッチング素子基板２１０とカラーフィルタ基板２２０を貼り合わせた後にシール材２３３を硬化させる方法、所謂、液晶滴下法（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）を用いてもかまわない。
【００４８】
最後に、偏光板貼り付け工程において、セルに偏光板２３１、２３２を貼り付け（Ｓ１２）、制御基板実装工程において、制御基板２３５を実装する（Ｓ１３）ことによって、液晶表示装置２００が完成する。
【００４９】
以上説明した実施の形態５の液晶表示装置の製造方法では、製造途中における配向膜乾燥処理工程において、実施の形態１で説明を行ったランダムに配置された可動式のプロキピンを備えた加熱処理装置を用いた配向膜乾燥処理を行うことによって、プロキピンの接触により発生する配向膜の溶媒乾燥ムラの発生を軽減し、溶媒乾燥ムラを起因とするムラが表示不良として視認されにくい良質な画像の液晶表示装置が得られた。更に、これまでムラの発生により不良品となっていた製品について表示不良として認識されなくなり良品として出荷可能となる為、不良品の代替品を再度作りなおす本来不要な処理の削減や、処理効率の向上を実現できることから処理時間の削減によるエネルギー消費の削減につながる。
【００５０】
また、本実施の形態５においては、実施の形態１の加熱処理装置を液晶表示装置の製造方法に用いた場合について説明した。然しながら実施の形態１の加熱処理装置に代えて、実施の形態１の変形例、実施の形態２〜４、及びその変形例において説明した加熱処理装置を用いた場合においても本実施の形態５と同様の効果を得ることができる。
【００５１】
また、本実施の形態５においては、本発明を表示装置の一つである液晶表示装置の製造における配向膜の乾燥処理工程において、特に効果が顕著であることから、配向膜の乾燥処理工程における加熱処理に用いた場合を一例として説明を行ったが、本発明の加熱処理装置においては、処理工程における温度ムラによる影響の大きな表示装置の製造工程における加熱処理を行う、その他、様々な工程に用いることができ、実施の形態５で説明した製造工程と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１  基板、２  ホットプレート、２ａ  加熱面、
３,３ａ,３ｂ,３Ａａ〜３Ｃｃ,９ａ  プロキピン、
４  ＸＹスリット、６  搬送ロボット、９  搬送ローラ、１０  ヒータ、
１００,１０１,１０２,１０３,１０４  加熱処理装置、
２００ 液晶表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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