(57)【要約】【課題】タイリングすることにより大面積のトランジスタアレイを形成することが可能であり、タイリングした際の接続部位を平らにすることができ、かつ隣接して配置されたトランジスタアレイと、簡易な方法で確実に接続することができるタイリング用トランジスタアレイ、およびこれがタイリングされてなるトランジスタアレイを提供することを主目的とする。【解決手段】絶縁性材料からなり、端部に複数の貫通孔が形成された絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタおよび配線と、上記絶縁性基板の上記薄膜トランジスタおよび配線が形成された面とは反対側の面上であって、絶縁性基板の端部に形成された連結用電極とを有し、上記連結用電極と上記配線とが上記絶縁性基板に形成された貫通孔を通して通電するように接続されていることを特徴とする、タイリング用トランジスタアレイを提供することにより、上記課題を解決するものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性材料からなり、複数の貫通孔が形成された絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタおよび配線と、
前記絶縁性基板の前記薄膜トランジスタおよび配線が形成された面とは反対側の面上に形成された連結用電極とを有し、
前記連結用電極と前記配線とが前記絶縁性基板に形成された貫通孔を通して通電するように接続されていることを特徴とする、タイリング用トランジスタアレイ。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタが、有機トランジスタであることを特徴とする、請求項１に記載のタイリング用トランジスタアレイ。
【請求項３】
複数のタイリング用トランジスタアレイがタイリングされてなるトランジスタアレイであって、
前記タイリング用トランジスタアレイが請求項１または請求項２に記載のタイリング用トランジスタアレイであり、かつ隣接する前記タイリング用トランジスタアレイが、前記連結用電極を介して互いに通電するように連結されていることを特徴とする、トランジスタアレイ。
【請求項４】
支持基板と、前記支持基板上に形成され、導電性材料からなる連結用パッドとを有するタイリング用基板が用いられ、
隣接する前記タイリング用トランジスタアレイの前記連結用電極が、前記連結用パットに通電するように接続されていることを特徴とする、請求項３に記載のトランジスタアレイ。
【請求項５】
前記タイリング用トランジスタアレイの前記連結用電極と、前記連結用パットとが、異方性導電材料を介して接続されていることを特徴とする、請求項４に記載のトランジスタアレイ。
【請求項６】
請求項３から請求項５までのいずれかの請求項に記載のトランジスタアレイが用いられたことを特徴とする、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タイリングすることにより大面積のトランジスタアレイを作製することが可能なタイリング用トランジスタアレイ、タイリング用トランジスタアレイがタイリングされてなるトランジスタアレイ、および当該トランジスタアレイが用いられた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴに代表される半導体トランジスタは、近年、ディスプレイ装置の発展に伴ってその用途を拡大する傾向にある。このような半導体トランジスタは、半導体材料を介して電極が接続されていることにより、スイッチング素子としての機能を果たすものである。
【０００３】
従来、上記半導体トランジスタに用いられる半導体材料としては、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）やインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）などの無機半導体材料が用いられており、近年、普及が拡大している液晶表示素子のディスプレイ用ＴＦＴアレイ基板にもこのような無機半導体材料を用いた半導体トランジスタが用いられている。
その一方で、上記半導体材料としては、有機化合物からなる有機半導体材料も知られている。このような有機半導体材料は、上記無機半導体材料に比べて安価に大面積化が可能であり、フレキシブルなプラスチック基板上に形成でき、さらに機械的衝撃に対して安定であるという利点を有することから、電子ペーパー代表されるフレキシブルディスプレイ等のディスプレイ装置への応用などを想定した研究が活発に行われている。
【０００４】
ところで、近年のディスプレイ装置はより大面積化が進んでおり、それに伴って有機半導体材料が用いられた有機トランジスタアレイについても大面積化が望まれている。しかしながら、有機トランジスタの製造工程は非常に精密であることから、欠陥のない有機トランジスタアレイを大面積で製造することは、非常に困難であった。
【０００５】
この点、特許文献１には、比較的小さい面積で製造されたトランジスタアレイを複数連結（タイリング）して大面積のトランジスタアレイを得る方法が開示されている。このようなタイリングによる方法は、タイリングする枚数を調整することによって、大面積のトランジスタアレイを任意の面積で容易に形成することができるという利点を有するものである。また、タイリングを前提とすることにより、個々のタイリング用トランジスタアレイは比較的小面積で作製すれば足りることになるため、製造工程において欠陥が生じる確率も低くなるという利点を有するものである。
【０００６】
しかしながら、このようなタイリングによる方法を用いる場合においては、個々のトランジスタアレイを正確に、かつトランジスタアレイの用途を損なわないような方法によって連結することが必要であるところ、従来のタイリングによる方法はこの連結方法において問題があった。
例えば、上記特許文献１に記載されたタイリング方法は、個々の基板を、基板の端面に露出された配線を無電解メッキによって連結するものである。しかしながら、このような方法では、必要な配線を確実に連結することが困難であるという点において問題がある。また、無電解メッキという方法では、配線の接続部位以外にもメッキが形成されてしまい、トランジスタアレイの性能が損なわれることが問題となる。
【０００７】
また、上記特許文献２には、モジュール化されたパネルを接続用の側壁を介してタイリングする例が開示されている。しかしながら、このようなタイリング方法は、側壁の高さがトランジスタの高さよりもはるかに高くなってしまうため、トランジスタが形成された側の表面に側壁に起因する凹凸形状が形成されてしまうことになる。そして、トランジスタが形成された側の表面は、トランジスタアレイを表示装置に用いた場合に、通常、表示側になることから、このような凹凸形状が形成されると、表示装置を作製する際に支障が生じてしまうという問題点がある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−７８５２８号公報
【特許文献２】特開２００３−１５００７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、タイリングすることにより大面積のトランジスタアレイを形成することが可能であり、タイリングした際の接続部位を平らにすることができ、かつ隣接して配置されたトランジスタアレイを簡易な方法で確実に連結することができるタイリング用トランジスタアレイ、およびこれがタイリングされてなるトランジスタアレイを提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明は、絶縁性材料からなり、複数の貫通孔が形成された絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタおよび配線と、上記絶縁性基板の上記薄膜トランジスタおよび配線が形成された面とは反対側の面上に形成された連結用電極とを有し、上記連結用電極と上記配線とが上記絶縁性基板に形成された貫通孔を通して通電するように接続されていることを特徴とする、タイリング用トランジスタアレイを提供する。
【００１１】
本発明によれば、タイリング時の連結に用いられる連結用電極が形成されていることにより、本発明のタイリング用トランジスタアレイを用いて大面積のトランジスタアレイを作製する際に、当該連結用電極を介して複数のタイリング用トランジスタアレイが通電するように連結することができる。このため、本発明のタイリング用トランジスタアレイによれば、簡易な方法で大面積のトランジスタアレイを作製することができる。
また、本発明によれば上記連結用電極が上記絶縁性基板に形成された貫通孔を通して上記配線と通電するように接続されていることにより、上記連結用電極が上記絶縁性基板の上記薄膜トランジスタが形成された側とは反対側の表面上に形成されることになる。このため、本発明のタイリング用トランジスタアレイを複数連結させて大面積のトランジスタアレイを作製した場合であっても、薄膜トランジスタが形成された側において連結部位を平らにすることができる。
さらに、本発明によれば上記連結用電極が上記絶縁性基板に形成された貫通孔を通して上記配線と通電するように接続されていることにより、上記連結用電極と上記タイリング用基板の連結用パッドとを異方性導電材料を用いて容易に通電接続させることができる。
このようなことから、本発明によればタイリングすることにより大面積のトランジスタアレイを形成することが可能であり、タイリングした際の接続部位を平らにすることができ、かつ隣接して配置されたトランジスタアレイと、簡易な方法で確実に接続することができるタイリング用トランジスタアレイを得ることができる。
【００１２】
本発明においては上記薄膜トランジスタが有機トランジスタであることが好ましい。これにより、本発明のタイリング用トランジスタアレイを、より簡易的に製造することができるからである。
【００１３】
また本発明は、複数のタイリング用トランジスタアレイがタイリングされてなるトランジスタアレイであって、上記タイリング用トランジスタアレイが上記本発明に係るタイリング用トランジスタアレイであり、かつ隣接する上記タイリング用トランジスタアレイが上記連結用電極を介して互いに通電するように連結されていることを特徴とするトランジスタアレイを提供する。
【００１４】
本発明によれば、上記本発明に係るタイリング用トランジスタアレイが用いられ、かつ、当該タイリング用トランジスタアレイが上記連結用電極を介して連結されていることにより、薄膜トランジスタが形成された側において連結部位を平らにすることができる。このため、本発明によれば大面積のトランジスタアレイであって、上記薄膜トランジスタが形成された側を表示側とする表示装置への用途に適したトランジスタアレイを得ることができる。
【００１５】
本発明のトランジスタアレイは、支持基板と、上記支持基板上に形成され、導電性材料からなる連結用パッドとを有するタイリング用基板が用いられており、隣接する上記タイリング用トランジスタアレイの上記連結用電極が、上記連結用パットに通電するように接続されていることが好ましい。このような態様で上記タイリング用トランジスタアレイが連結されていることにより、各タイリング用トランジスタアレイが確実に通電するように連結することができ、かつ本発明のトランジスタアレイを自己支持性の高いものにすることができるからである。
【００１６】
また、上記タイリング用トランジスタアレイの上記連結用電極と、上記連結用パットとが、異方性導電材料を介して接続されていることが好ましい。これにより、連結用電極が目的とする他の連結用電極以外の部位と通電してしまうことを効果的に防止することができるからである。
【００１７】
また本発明は、上記本発明に係るトランジスタアレイが用いられたことを特徴とする、表示装置を提供する。本発明によれば上記トランジスタアレイが用いられていることにより大面積の表示装置を得ることができる。また、上記トランジスタアレイにおいてはタイリングされたタイリング用トランジスタアレイの連結部が、薄膜トランジスタが形成された側において平らになっていることから、当該薄膜トランジスタ側を表示側として表示品質に優れた表示装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のタイリング用トランジスタアレイは、タイリングすることにより大面積のトランジスタアレイを作製することが可能であり、またタイリングした際の連結部位を平らにすることができ、かつ隣接して配置されたトランジスタアレイと簡易な方法で確実に連結することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は、タイリング用トランジスタアレイ、薄膜トランジスタ、および表示装置に関するものである。
以下、これらの発明について順に説明する。
【００２０】
Ａ．タイリング用トランジスタアレイ
まず、本発明のタイリング用トランジスタアレイについて説明する。上述したように、本発明のタイリング用トランジスタアレイは、絶縁性材料からなり、複数の貫通孔が形成された絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタおよび配線と、上記絶縁性基板の上記薄膜トランジスタおよび配線が形成された面とは反対側の面上に形成された連結用電極とを有し、上記連結用電極と上記配線とが上記絶縁性基板に形成された貫通孔を通して通電するように接続されていることを特徴とするものである。
【００２１】
このような本発明のタイリング用トランジスタアレイについて図を参照しながら説明する。図１は本発明のタイリング用トランジスタアレイの一例を示す概略図である。ここで、図１（ａ）は、本発明のタイリング用トランジスタアレイの一例を示す概略断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＸ方向からの正視図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＹ方向からの正視図である。
図１に例示するように、本発明のタイリング用トランジスタアレイ１０は、絶縁性材料からなり、複数の貫通孔Ａが形成された絶縁性基板１と、上記絶縁性基板１上に形成された薄膜トランジスタ２および配線３と、上記絶縁性基板１の上記薄膜トランジスタ２および配線３が形成された面とは反対側の面上に形成された連結用電極４とを有するものであり、さらに上記連結用電極４と上記配線３とが上記絶縁性基板１に形成された貫通孔Ａを通して通電するように接続されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明によれば、タイリング時の連結に用いられる連結用電極が形成されていることにより、本発明のタイリング用トランジスタアレイを用いて大面積のトランジスタアレイを作製する際に、当該連結用電極を介して複数のタイリング用トランジスタアレイが通電するように連結することができる。このため、本発明のタイリング用トランジスタアレイによれば、簡易な方法で大面積のトランジスタアレイを作製することができる。
また、本発明によれば上記連結用電極が上記絶縁性基板に形成された貫通孔を通して上記配線と通電するように接続されていることにより、上記連結用電極が上記絶縁性基板の上記薄膜トランジスタが形成された側とは反対側の表面上に形成されることになる。このため、本発明のタイリング用トランジスタアレイを複数連結させて大面積のトランジスタアレイを作製した場合であっても、薄膜トランジスタが形成された側において連結部位を平らにすることができる。
さらに、本発明によれば上記連結用電極が上記絶縁性基板に形成された貫通孔を通して上記配線と通電するように接続されていることにより、上記連結用電極と上記タイリング用基板の連結用パッドとを異方性導電材料を用いて容易に通電接続させることができる。
このようなことから、本発明によればタイリングすることにより大面積のトランジスタアレイを形成することが可能であり、タイリングした際の接続部位を平らにすることができ、かつ隣接して配置されたトランジスタアレイと、簡易な方法で確実に接続することができるタイリング用トランジスタアレイを得ることができる。
【００２３】
本発明のタイリング用トランジスタアレイは、少なくとも上記絶縁性基板と、上記薄膜トランジスタおよび配線と、上記連結用電極とを有するものであり、必要に応じて他の任意の構成を有してもよいものである。
以下、本発明のタイリング用トランジスタアレイに用いられる各構成について順に説明する。
【００２４】
１．絶縁性基板
まず、本発明に用いられる絶縁性基板について説明する。本発明に用いられる絶縁性基板は絶縁性材料からなるものであり、かつ後述する配線と連結用電極とを通電するように接続することが可能な貫通孔が形成されたものである。
以下、このような絶縁性基板について説明する。
【００２５】
本発明に用いられる絶縁性基板は絶縁性を有する絶縁性材料からなり、貫通孔以外の部位において後述する薄膜トランジスタおよび配線と、連結用電極とが短絡することを防止できる程度の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではない。なかでも本発明に用いられる絶縁性基板は、体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１０１４Ω・ｃｍ以上であることがさらに好ましい。ここで、上記体積抵抗率は四探針法または四端子法、二重リング電極法などにより測定することができる。
【００２６】
また、上記絶縁性基板を構成する絶縁性材料としては、上述したような所望の絶縁性を有する絶縁性基板を得ることができるものであれば特に限定されるものではない。このような絶縁性材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フィノール樹脂等を挙げることができる。本発明においてはこれらのいずれの絶縁性材料であっても好適に用いることができる。なかでも本発明においては、耐熱性、耐衝撃性、寸法安定性、表面平滑性等を考慮すると、上記絶縁性材料としてポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミドを用いられることが好ましい。
【００２７】
なお、本発明に用いられる絶縁性材料は１種類のみであってもよく、あるいは２種類以上であってもよい。
【００２８】
本発明に用いられる絶縁性基板の厚みは、貫通孔を形成することができる範囲内であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明に用いられる絶縁性基板の厚みは、貫通孔形成と可撓性とを両立し得るという観点から、１０μｍ〜１０００μｍの範囲内であることが好ましく、１５μｍ〜５００μｍの範囲内であることがより好ましく、２５μｍ〜２００μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００２９】
また、本発明に用いられる絶縁性基板の形状は、本発明のタイリング用トランジスタアレイをタイリングすることができる形状であれば特に限定されるものではない。本発明においては、通常、平面形状が、正方形または長方形の絶縁性基板が用いられる。
【００３０】
本発明に用いられる絶縁性基板の構成としては、絶縁性材料によって構成される単一層からなる構成であってもよく、あるいは複数の層が積層された構成であってもよい。ここで、本発明に用いられる絶縁性基板が複数の層が積層された構成を有するものである場合は、最表層のみが絶縁性材料からなることにより、所望の絶縁性が付与されたものであってもよい。
【００３１】
本発明に用いられる絶縁性基板は、後述する配線と連結用電極とが通電するように接続されることが可能な貫通孔が形成されたものであるが、当該貫通孔が形成された態様としては、当該貫通孔を通して後述する配線と連結用電極とを通電するように接続できる態様であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明においては、通常、絶縁性基板の厚み方向に対して平行に貫通孔が形成されることが好ましい。
【００３２】
また、絶縁性基板表面を正視した際の上記貫通孔の開口形状は、本発明のタイリング用トランジスタアレイの用途や、絶縁性基板上に形成される薄膜トランジスタの構造、さらには当該薄膜トランジスタが絶縁性基板上に配置される態様等に応じて適宜決定することができるものであり特に限定されるものではない。したがって、上記開口形状としては、円形状、楕円形状、多角形状あるいは矩形状等のいずれであってもよい。また上記開口形状は絶縁性基板の表裏において同一であってもよく、あるいは異なっていてもよい。
【００３３】
上記開口形状を円形状とする場合、貫通孔の直径は、当該貫通孔を通して配線と連結用電極とを通電するように接続できる範囲内であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明においては、１０μｍ〜５００μｍの範囲内であることが好ましく、３０μｍ〜１００μｍの範囲内であることがより好ましく、５０μｍ〜８０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。もっとも、貫通孔の大きさは上記絶縁性基板の厚みにも依存するものである。より具体的には、絶縁性基板に形成することができる貫通孔の大きさは、絶縁性基板の厚みと同程度が実質的な下限となるため、絶縁性基板の厚みが薄いほど貫通孔の大きさを小さくすることが可能であり、厚みが増すほど形成可能な貫通孔の大きさを大きくすることができる。
【００３４】
また、本発明に用いられる絶縁性基板において貫通孔が形成されている位置としては、後述する連結用電極を所望の位置に形成できる位置であれば特に限定されるものではない。
【００３５】
２．連結用電極
次に、本発明に用いられる連結用電極について説明する。本発明に用いられる連結用電極は、上述した絶縁性基板上であって、後述する薄膜トランジスタが形成された表面とは反対側の表面上に形成されるものである。また本発明に用いられる連結用電極は、上記絶縁性基板が備える貫通孔を通して、後述する配線と通電するように形成されたものである。本発明における連結用電極は、本発明のタイリング用トランジスタアレイをタイリングして、大面積のトランジスタアレイを作製する際に、隣接するタイリング用トランジスタアレイを通電するように連結するために用いられるものである。
以下、このような連結用電極について説明する。
【００３６】
本発明に用いられる連結用電極としては、導電性材料からなるものであり、本発明のタイリング用トランジスタアレイをタイリングして、大面積のトランジスタアレイを作製する際に、隣接するタイリング用トランジスタアレイを互いに通電するように接続することができるものであれば特に限定されるものではない。このような連結用電極は、本発明のタイリング用トランジスタアレイをタイリングして薄膜トランジスタを作製する際の、各タイリング用トランジスタアレイを連結する方法等に応じて、所望の導電性材料から形成することができる。
【００３７】
上記連結用電極に用いられる導電性材料としては、所望の導電性を有する連結用電極を形成できるものであれば特に限定されるものではない。このような導電性材料としては、例えば、金、銅、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、スズ等の金属材料とポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン等の導電性高分子材料とＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化物を挙げることができる。本発明においてはこれらのいずれの導電性材料であっても好適に用いることができるが、なかでも金、銀、銅、アルミニウム、ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェンがフィルム基材上に形成した場合であっても、亀裂や破断等の破損を生じにくいため好ましい。
【００３８】
本発明に用いられる連結用電極は、後述する配線の１端に対して１つの連結用電極が接続されるように形成されるのが通常である。したがって、本発明に用いられる連結用電極の数は上記配線の本数に依存することになる。
【００３９】
また、本発明において連結用電極が形成される位置としては、上記絶縁性基板の後述する薄膜トランジスタが形成された面とは反対面上であって、本発明のタイリング用トランジスタアレイをタイリングして大面積のトランジスタアレイを作製する際に、隣接するタイリング用トランジスタアレイを通電するように連結することができる位置であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明においては、連結時の便宜から、通常は絶縁性基板の端部により近い位置に連結用電極が形成される。
【００４０】
また、本発明に用いられる連結用電極の厚みについては、上記導電性材料の種類等に応じて連結用電極に所望の導電性を付与することができる範囲内であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明に用いられる連結用電極の厚みは５０ｎｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましく、１００ｎｍ〜５μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００４１】
３．薄膜トランジスタおよび配線
次に、本発明に用いられる薄膜トランジスタおよび配線について説明する。本発明に用いられる薄膜トランジスタおよび配線は、上記絶縁性基板の上記連結用電極が形成された表面とは反対側の表面上に形成されるものである。また本発明に用いられる配線は、上記絶縁性基板が備える貫通孔を介して、上記連結用電極と通電するように形成されたものである。
以下、このような薄膜トランジスタおよび配線について詳細に説明する。
【００４２】
（１）薄膜トランジスタ
まず、本発明に用いられる薄膜トランジスタについて説明する。
本発明に用いられる薄膜トランジスタとしては、本発明のタイリング用トランジスタアレイの用途等に応じて、所望のトランジスタ特性を示すものであれば特に限定されるものではない。このような薄膜トランジスタとしては、たとえば、有機半導体材料が用いられた有機トランジスタ、シリコン材料が用いられたアモルファスシリコントランジスタ、ポリシリコントランジスタ、酸化物半導体材料が用いられたＩｎＧａＺｎＯトランジスタ、ＺｎＯトランジスタ等を挙げることができる。本発明においてはこれらのいずれの薄膜トランジスタであっても好適に用いることができるが、中でも本発明においては有機トランジスタが用いられることが好ましい。上記薄膜トランジスタとして有機トランジスタが用いられることにより、本発明のタイリング用トランジスタアレイを、より簡易的に製造することができるからである。
【００４３】
本発明に用いられる有機トランジスタとしては、有機半導体材料からなる有機半導体層が用いられ、トランジスタとして機能するものであれば特に限定されるものではない。このような有機トランジスタとしては、通常、少なくとも有機半導体材料からなる有機半導体層、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極によって構成されるものが用いられる。また、本発明においては、上記ドレイン電極または上記ソース電極のいずれか一方が絶縁性基板の貫通孔を介して連結用電極と接続されるように形成される。
【００４４】
本発明に用いられる有機トランジスタについて図を参照しながら説明する。図２は本発明に用いられる有機トランジスタの例を示す概略断面図である。図２（ａ）に例示するように、本発明に用いられる有機トランジスタ２は、絶縁性基板１上に形成されたゲート電極２ａと、上記ゲート電極２ａを覆うように形成されたゲート絶縁層２ｂと、上記ゲート絶縁層２ｂ上にチャネル領域を構成するように形成されたソース電極２ｃおよびドレイン電極２ｄと、上記チャネル領域上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層２ｅとを有するものであってもよい。
【００４５】
また、図２（ｂ）に例示するように、本発明に用いられる有機トランジスタ２は、絶縁性基板１上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層２ｅと、上記有機半導体層２ｅ上においてチャネル領域を構成するように形成されたソース電極２ｃおよびドレイン電極２ｄと、上記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁層２ｂと、上記ゲート絶縁層２ｂ上に形成されたゲート電極２ａとを有するものであってもよい。
【００４６】
ここで、上記図２（ａ）に例示した有機トランジスタは、ボトムゲート型構造を有するものとなり、上記図２（ｂ）に例示した有機トランジスタはトップゲート型構造を有するものとなるが、本発明に用いられる有機トランジスタの構造としては、図２に例示した構造に限定されるものではなく、任意の構造の有機トランジスタを用いることができる。
【００４７】
上述したように本発明に用いられる有機トランジスタは、有機半導体材料からなる有機半導体層を有するものであるが、上記有機半導体材料としては、本発明のタイリング用トランジスタアレイの用途等に応じて、所望の半導体特性を備える有機半導体層を形成できる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的に有機トランジスタに用いられる有機半導体材料を用いることができる。このような有機半導体材料としては、例えば、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。より具体的には、ペンタセン等の低分子系有機半導体材料、および、ポリピロール、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）等のポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェン等のポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン等のポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン等のポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）等のポリアニリン類、ポリアセチレン等のポリアセチレン類、ポリジアセチレン、ポリアズレン等のポリアズレン類等の高分子系有機半導体材料を挙げることができる。なかでも本発明においては、ペンタセンまたはポリチオフェン類を好適に用いることができる。
【００４８】
また、本発明に用いられる有機半導体層の厚みについては、上記有機半導体材料の種類等に応じて所望の半導体特性を発現させることができる範囲内であれば特に限定されない。なかでも本発明に用いられる有機半導体層の厚みは１０００ｎｍ以下であることが好ましく、なかでも５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００４９】
また、上述したように本発明に用いられる有機トランジスタには、通常、上記有機半導体層以外にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極が用いられるが、これらの各構成については、一般的に有機トランジスタに用いられるものと同様であるため、ここでの詳しい説明は省略する。
【００５０】
（２）配線
次に、本発明に用いられる配線について説明する。本発明に用いられる上述した絶縁性基板の間通行を通して、上記連結用電極と通電するように形成されたものである。
【００５１】
本発明に用いられる配線は、主として上述した薄膜トランジスタを駆動させるために形成されるものであり、代表的にはデータラインやスキャンラインがこれに当たるものである。
【００５２】
上記配線と上記連結用電極とが上記貫通孔を通して接続されている態様としては、配線と連結用電極とが通電するような態様であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明においては、上記絶縁性基板に形成された貫通孔内に、当該貫通孔を貫くように通電部が形成され、当該通電部に配線および連結用電極が接続されることにより、配線と連結用電極とが通電するように接続されていることが好ましい。
【００５３】
本発明に用いられる通電部としては、配線と連結用電極とが通電させることができるように導電性材料から形成されたものであれば特に限定されるものではない。このような通電部としては、例えば、上記絶縁性基板の貫通孔を閉塞させるように形成されたものと、上記貫通孔を閉塞させることなく、上記貫通孔の内側の表面上のみに形成されたものとを挙げることができる。
【００５４】
このような通電部について図を参照しながら説明する。本発明のタイリング用トランジスタアレイにおいて、上記通電部が形成される態様の一例を示す概略断面図である。図３（ａ）に例示するように、本発明における通電部５は、絶縁性基板１の貫通孔Ａを閉塞させるように形成されたものであってもよく、あるいは図３（ｂ）に例示するように絶縁性基板１に形成された貫通孔Ａを閉塞させることなく、当該貫通孔Ａの内側の表面上のみに形成されたものであってもよい。
なお、図３においては、薄膜トランジスタの図示は省略している。
【００５５】
本発明においては、上記のいずれの態様で形成された通電部であっても好適に用いることができる。
なお、上記通電部として絶縁性基板に設けられた貫通孔を閉塞させることなく、当該貫通孔の内側の表面上のみに形成されたものを用いる場合、貫通孔に内側の表面上に形成される通電部の厚みは特に限定されないが、より低い電気抵抗で配線と連結用電極と接続させるという観点からは、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、２００ｎｍ〜５μｍの範囲内であることがより好ましく、５００ｎｍ〜５μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００５６】
上記通電部に用いられる電導性材料としては、配線と連結用電極とを通電させることが可能な通電部を形成できるものであれば特に限定されるものではない。このような電導性材料としては、例えば、金、銅、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、スズ等の金属材料とポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン等の導電性高分子材料等を挙げることができる。本発明においてはこれらのいずれの電導性材料であっても好適に用いることができるが、なかでも上記通電部として絶縁性基板の貫通孔を閉塞させるように形成されたものを用いる場合は銅等のめっき金属等を用いることが好ましい。一方、上記通電部として絶縁性基板に形成された貫通孔を閉塞させることなく、当該貫通孔の内側の表面上のみに形成されたものを用いる場合は、銅等のめっき金属等、金、銀、銅等の導電性ペースト等を用いることが好ましい。
【００５７】
なお、本発明に用いられる電導性材料は１種類のみであってもよく、あるいは２種類以上であってもよい。
【００５８】
４．タイリング用トランジスタアレイ
本発明のタイリング用トランジスタアレイは、少なくとも絶縁性基板、薄膜トランジスタおよび配線、連結用電極を有するものであるが、必要に応じて他の任意の構成が用いられてもよい。このような任意の構成としては、本発明のタイリング用トランジスタアレイを用いて形成するトランジスタアレイの用途等に応じて、本発明のタイリング用トランジスタアレイに所望の機能を付与することが可能なものを適宜選択して用いることができる。なかでも上記任意の構成として本発明に用いられることが好ましいものとしては、例えば、上記薄膜トランジスタおよび配線を覆うように形成されるパッシベーション層を挙げることができる。このようなパッシベーション層が用いられることにより、例えば、上記薄膜トランジスタとして有機トランジスタを用いた場合に、上記有機トランジスタの経時劣化を防止することができるため、本発明のタイリング用トランジスタアレイをより耐久性に優れたものにできるという利点がある。
【００５９】
本発明に用いられるパッシベーション層としては、例えば、フルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＤ）等のフッ素系樹脂からなるものや、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、シリコーン樹脂、または有機−無機ハイブリッド材料等を挙げることができる。
【００６０】
５．タイリング用トランジスタアレイの製造方法
本発明のタイリング用トランジスタアレイは、一般的に薄膜トランジスタが用いられたトランジスタアレイを製造する方法として公知の方法を適宜選択して用いることによって製造することができる。このような方法としては、たとえば、絶縁性材料からなる絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された電極層とを有する有機半導体素子用基板を用い、上記有機半導体素子用基板の、上記絶縁性基板側から上記絶縁性基板の上記電極層が形成された位置に貫通孔を形成する絶縁性基板貫通工程と、上記絶縁性基板に形成された貫通孔内に、上記貫通孔を貫き、かつ上記連結用電極に接続するように導電性材料からなる通電部を形成する通電部形成工程と、上記有機半導体素子用基板の上記絶縁性基板上であり、かつ上記通電部に接続されるように配線を形成し、かつ薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程と、上記電極層をパターニングするパターニング工程と、を有する方法を挙げることができる。
【００６１】
このような本発明のタイリング用トランジスタアレイの製造方法について図を参照しながら説明する。図４は、本発明のタイリング用トランジスタアレイの製造方法について、その一例を示す概略図である。図４に例示するように、本発明のタイリング用トランジスタアレイは、絶縁性材料からなる絶縁性基板１と、上記絶縁性基板１上に形成された電極層４’とを有する有機半導体素子用基板１１を用い（図４（ａ））、上記有機半導体素子用基板１１の、上記絶縁性基板１側から上記絶縁性基板１に貫通孔Ａを形成する絶縁性基板貫通工程と（図４（ｂ））、上記絶縁性基板１に形成された貫通孔Ａ内に、上記貫通孔Ａを貫くように形成され、上記電極層４’に接続するように導電性材料からなる通電部５を形成する通電部形成工程と（図４（ｃ））、上記絶縁性基板１上であり、かつ上記通電部５に接続されるように配線３を形成し、さらに薄膜トランジスタ２を形成する薄膜トランジスタ形成工程と（図４（ｄ））、上記電極層４’をパターニングすることにより、連結用電極４を形成する、電極層パターニング工程と（図４（ｅ））、により製造することができる。
【００６２】
以下、このような製造方法について説明する。
【００６３】
１．絶縁性基板貫通工程
上記絶縁性基板貫通工程において上記絶縁性基板に貫通孔を形成する方法としては、上記有機半導体素子用基板の、上記絶縁性基板側から上記絶縁性基板に貫通孔を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。したがって、本工程は上記絶縁性基板に貫通孔が形成され、かつ上記電極層には全く孔が形成されない場合であってもよく、あるいは上記絶縁性基板に貫通孔が形成され、かつ上記電極層にも貫通していない孔が形成される場合であってもよい。
【００６４】
本工程において貫通孔を形成する方法としては、所定の位置に所望の大きさの貫通孔を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。このような方法としては、ドリリング法やパンチング法、あるいは上記絶縁性基板を分解することが可能なレーザー光等を貫通孔を形成する位置のみに照射する方法、貫通孔を形成する位置のみが開口部とされたマスクを介して、上記絶縁性基板の表面に上記絶縁性基板を分解することが可能なエネルギー線を照射する方法、上記絶縁性基板上に貫通孔を形成する位置のみが開口部としたパターンをドライフィルム等により形成し、開口部の上記絶縁性基板を化学エッチングする方法、および、上記絶縁性基板上に貫通孔を形成する位置のみが開口部としたパターンをメタルマスク等により形成し、適当なガスを選択しプラズマエッチングする方法等を挙げることができる。本工程においてはこれらのいずれの方法であっても好適に用いることができるが、なかでもレーザーまたは化学エッチングによる加工方法が、微細な貫通孔の形成と安価な加工方法という観点から好ましい。また、レーザーを用いた場合では、バリの少ないホールを形成するため、高分子フィルムの分子結合を直接切断するアブレーション作用のある紫外線領域の波長が特に好ましい。
【００６５】
２．通電部形成工程
上記通電部形成工程において、上記絶縁性基板に形成された貫通孔内に通電部を形成する方法としては、上記貫通孔を貫くように通電部を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。このような方法としては、上記貫通孔を電導性材料で閉塞させるように通電部を形成する方法と、上記貫通孔を閉塞させることなく、上記貫通孔の内側の表面上のみに電導性材料からなる通電部を形成する方法とを挙げることができる。前者の方法としては、例えば、貫通孔内部に優先的にめっき金属を析出させるビアフィル法等を挙げることができる。また後者の方法としては、例えば、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法、導電性溶液を用いたインクジェット法、スパッタ法、めっき法等を挙げることができる。
【００６６】
３．薄膜トランジスタ形成工程
上記薄膜トランジスタ形成工程において配線および有機トランジスタを形成する方法としては、上記通電部形成工程において形成された通電部に接続されるようにデータライン・スキャンライン等の配線が形成され、かつ所望の構造を有する薄膜トランジスタを形成することができる方法であれば特に限定されるものではない。ここで、本工程に用いられる薄膜トランジスタおよび配線の形成方法としては、一般的に薄膜トランジスタを形成する方法として公知の方法を用いることができるため、ここでの説明は省略する。
【００６７】
また、本工程において形成される薄膜トランジスタの構造は特に限定されるものではない。したがってトップゲート型構造を有する薄膜トランジスタが形成されてもよく、あるいはボトムゲート型構造を有する薄膜トランジスタが形成されてもよい。
【００６８】
４．電極層パターニング工程
上記電極層パターニング工程において電極層をパターニングする方法としては、上記絶縁性基板に形成された貫通孔の位置等に応じて、所望のパターン上にパターニングできる方法であれば特に限定されるものではない。
【００６９】
Ｂ．トランジスタアレイ
次に、本発明のトランジスタアレイについて説明する。上述したように、本発明のトランジスタアレイは、複数のタイリング用トランジスタアレイがタイリングされてなるものであって、上記タイリング用トランジスタアレイが上記本発明に係るタイリング用トランジスタアレイであり、かつ隣接する上記タイリング用トランジスタアレイが上記連結用電極を介して互いに通電するように連結されていることを特徴とするものである。
【００７０】
このような本発明のトランジスタアレイについて図を参照しながら説明する。図５、６は本発明のトランジスタアレイの一例を示す概略図である。ここで、図５（ａ）は、本発明のトランジスタアレイの一例を示す概略断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＸ方向からの正視図であり、さらに図６は、図５（ａ）におけるＹ方向からの正視図である。
図５（ａ）、（ｂ）に例示するように、本発明のトランジスタアレイ２０は、上記本発明に係るタイリング用トランジスタアレイ１０がタイリングされてなるものである。
このような例において、本発明のトランジスタアレイ２０は、図５（ａ）および図６に例示するように、隣接する上記タイリング用トランジスタアレイ１０が、導電材６によって、上記連結用電極４を介して互いに通電するように連結されていることを特徴とするものである。
【００７１】
本発明によれば、上記本発明に係るタイリング用トランジスタアレイが用いられ、かつ、当該タイリング用トランジスタアレイが上記連結用電極を介して連結されていることにより、薄膜トランジスタが形成された側において連結部位を平らにすることができる。このため、本発明によれば大面積のトランジスタアレイであって、上記薄膜トランジスタが形成された側を表示側とする表示装置への用途に適したトランジスタアレイを得ることができる。
【００７２】
以下、このような本発明のトランジスタアレイについて説明する。
【００７３】
１．タイリング用トランジスタアレイ
本発明のトランジスタアレイは、上記本発明に係るタイリング用トランジスタアレイが複数個タイリングされてなるものである。ここで、本発明に用いられるタイリング用トランジスタアレイについては、上記「Ａ．タイリング用トランジスタアレイ」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００７４】
２．タイリング
次に、本発明においてタイリング用トランジスタアレイがタイリングされている態様について説明する。本発明においてタイリング用トランジスタアレイがタイリングされている態様としては、隣接する上記タイリング用トランジスタアレイが互いに通電するように、上記連結用電極を介して連結されている態様であれば特に限定されるものではない。このような方法としては、たとえば、上記連結用電極を直接接触させることによって連結してもよいし、あるいは所定の導電材を利用して上記連結用電極を連結してもよい。本発明においてはこれらのいずれの方法であっても好適に用いることができるが、なかでも導電材を用いて連結する方法を用いることが好ましい。このような方法によれば、隣接するタイリング用トランジスタアレイを確実に連結することができるからである。
【００７５】
上記導電材を用いて連結する方法としては、隣接するタイリング用トランジスタアレイを互いに通電するように連結できる方法であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明に用いられる連結方法としては、支持基板と、上記支持基板上に形成され、導電性材料からなる連結用パッドとを有するタイリング用基板を用い、隣接する上記タイリング用トランジスタアレイの上記連結用電極が、上記連結用パットに通電するように接続されていることが好ましい。このような態様で上記タイリング用トランジスタアレイが連結されていることにより、各タイリング用トランジスタアレイが確実に通電するように連結することができ、かつ本発明のトランジスタアレイを自己支持性の高いものにすることができるからである。
【００７６】
このような連結方法について図を参照しながら説明する。図７は上述したような連結方法の一例を示す概略断面図である。図７に例示するように本発明における連結方法としては、支持基板３１と、上記支持基板３１上に形成され、導電性材料からなる連結用パッド３２とを有するタイリング用基板３０を用い、隣接する上記タイリング用トランジスタアレイ１０の上記連結用電極４が、上記連結用パット３２に通電するように接続されていることが好ましい。
【００７７】
ここで、上記支持基板としては、本発明のトランジスタアレイに所望の自己支持性を付与できるものであれば特に限定されるものではない。このような支持基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フィノール樹脂等からなる基板を挙げることができる。
【００７８】
また、上記連結用パットに用いられる導電性材料としては、例えば、金、銅、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、スズ等の金属材料とポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン等の導電性高分子材料とＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化物を挙げることができる。
【００７９】
さらに、本発明において上記タイリング用基板を用いて連結する方法が用いられる場合、上記タイリング用トランジスタアレイの上記連結用電極と、上記連結用パットとが、異方性導電材料を介して接続されていることが好ましい。これにより、連結用電極が目的とする他の連結用電極以外の部位と通電してしまうことを効果的に防止することができるからである。ここで、異方性導電材料はＮｉやＡｕからなる導電粒子が熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化／熱可塑混合樹脂などの樹脂バインダー中に分散されたものを用いることができる。さらに、異方性導電材料の形態としてはペースト状の異方性導電ペースト、フィルム状の異方性導電フィルムいずれの異方性導電材料であっても好適に用いることができる。
【００８０】
本発明においてタイリングされるタイリング用トランジスタアレイの数や配置態様は、目的とする面積を実現できる態様であれば特に限定されるものではなく、個々のタイリング用トランジスタアレイの面積等に応じて適宜決定することができるものである。
【００８１】
Ｃ．表示装置
次に本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、上記本発明に係るトランジスタアレイが用いられたことを特徴とするものである。
【００８２】
本発明の表示装置としては、上記本発明に係るトランジスタアレイが用いられ、画像表示に寄与する各画素が、上記トランジスタアレイが備える各薄膜トランジスタによってスイッチングされる構成を有するものであれば特に限定されるものではない。このような構成を有する表示装置としては、例えば、液晶ディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、および、有機ＥＬディスプレイ装置等を挙げることができる。
【００８３】
このような表示装置は、通常、トランジスタアレイに対向するように前面基板が配置される構成を有するものであるところ、本発明の表示装置においては上記前面基板も、トランジスタアレイと同様にタイリング構造を有するものであってもよく、あるいは、一枚の基板からなるものであってもよい。
【００８４】
このような本発明の表示装置について図を参照しながら説明する。図８は本発明の表示装置の一例を示す概略図である。図８に例示するように、本発明の表示装置４０は、本発明のトランジスタアレイ２０と対抗するように、前面基板４１が用いられるのが通常であるが、このような前面基板４１は、図８（ａ）に例示するようにタイリング構造を有するものであってもよく、あるいは図８（ｂ）に例示するように一枚の基板からなるものであってもよい。
【００８５】
本発明の表示装置については、従来のＴＦＴアレイに替えて、上記本発明のトランジスタアレイを用いること以外は一般的に公知のものと同様であるため、ここでの詳しい説明は省略する。
【００８６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００８７】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
【００８８】
［実施例］
１．貫通孔形成工程
大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍｍの片面銅箔ポリイミド（Ｃｕ厚み：ポリイミド厚み＝９μｍ：２５μｍ）をタイリング用トランジスタアレイの基板として用い、ポリイミド側からＹＡＧレーザーを照射し、５０μｍφの貫通孔をポリイミドに形成した。
【００８９】
２．通電部形成工程
次いで、貫通孔底面の銅から銅電解メッキにより銅を析出成長させて貫通孔内に通電部を形成した。このときに析出成長させた銅は貫通孔を閉塞させるように成長し、接触式段差計の測定結果によると貫通孔底の銅箔面より２３μｍの高さまで銅が析出成長していた。
【００９０】
３．有機トランジスタ形成工程
次に、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機トランジスタをタイリング用トランジスタアレイ基板上に縦３２列×横３２列のアレイを形成し、トランジスタアレイのデータラインとスキャンライン端部が前記２つの工程で形成した通電部と導通するように配置した。
【００９１】
４．電極層パターニング工程
次に、銅箔面上にフォトレジストをスピンコートした。その後、基材を１００℃で１分乾燥させた後、５０ｍＪ／ｃｍ２でパターン露光した。次に、表示電極とする部分以外のフォトレジストを除去するために現像工程を行い、その後、エッチング工程にて現像工程で露出した部分の銅を除去した。次いで、現像工程とエッチング工程にて形成した連結用電極のレジストをレジスト剥離液にて剥離し、連結用電極を形成した。
【００９２】
５．タイリング工程
次に、ポリイミドフィルム上に銅の連絡用パットが形成されたタイリング用基板を用い、前記工程で形成した有機トランジスタアレイの連絡用電極とタイリング用基板の連絡用パットと導通させた。導通には、粒径５μｍの金粒子が樹脂バインダー中に分散された２５μｍ厚みの異方性導電フィルムを用いて熱圧着し、導通させた。熱圧着条件は、圧力２Mpa、温度２００℃で１５秒間熱圧着した。
このとき、前記工程で形成した縦３２列×横３２列の有機トランジスタアレイを４枚用い、縦６４列×横６４列の有機トランジスタアレイを形成した。
【００９３】
６．評価
タイリング工程前に形成した有機トランジスタの移動度は、大気中、遮光下における電流‐電圧測定から１．０×１０−２ｃｍ２／Ｖｓと見積もられ、ＯＮ／ＯＦＦ比は６桁であり、閾値電圧は−２Ｖであった。測定条件はソース・ドレイン電圧を−８０Ｖと固定し、ゲート電圧を５０Ｖ〜−８０Ｖまで−２Ｖ刻みで印加してソース・ドレイン間に流れる電流値を測定した。また、このときの有機トランジスタのＯＮ抵抗は約１００ＭΩと見積もられた。
次に、タイリング工程を経て形成された縦６４列×横６４列の有機トランジスタアレイにて、異方性導電フィルムで接続された連結部を通してデータラインとスキャンラインに電圧を印加して有機トランジスタの電流‐電圧測定を行った。タイリング工程前と同様の測定を行い、移動度が１．０×１０−２ｃｍ２／Ｖｓと見積もられ、ＯＮ／ＯＦＦ比は６桁、閾値電圧は−２Ｖであり、タイリング工程前と同様の特性を示した。また、電流‐電圧測定より異方性導電フィルムを用いた連結部の接続抵抗は、１Ω以下であった。
【００９４】
異方性導電フィルムによるタイリングの場合、連結部の接続抵抗は１Ω以下であり、有機トランジスタのＯＮ抵抗と比較すると非常に小さいため、有機トランジスタの電流−電圧特性に影響することなくタイリングが可能であることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明のタイリング用トランジスタアレイの一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のタイリング用トランジスタアレイに用いられる有機トランジスタの例を示す概略断面図である。
【図３】本発明のタイリング用トランジスタアレイに用いられる通電部の例を示す概略図である。
【図４】本発明のタイリング用トランジスタアレイの製造方法の例を示す概略図である。
【図５】本発明のトランジスタアレイの一例を示す概略図である。
【図６】本発明のトランジスタアレイの他の例を示す概略図である。
【図７】本発明のトランジスタアレイの他の例を示す概略図である。
【図８】本発明の表示装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００９６】
１  …  絶縁性基板
２  …  薄膜トランジスタ
２ａ  …  ゲート電極
２ｂ  …  ゲート絶縁層
２ｃ  …  ソース電極
２ｄ  …  ドレイン電極
２ｅ  …  有機半導体層
３  …  配線
４  …  連結用電極
４’  …  電極層
５  …  通電部
６  …  導電材
１０  …  タイリング用トランジスタアレイ
１１  …  有機半導体素子用基板
２０  …  トランジスタアレイ
３０  …  タイリング用基板
３１  …  支持基板
３２  …  連結用パット
４０  …  表示装置
４１  …  前面基板
【図１】
2010079196.tif 000003
【図２】
2010079196.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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