(57)【要約】 【課題】  高分解能のカラーフィルタを製造するための印刷版を、容易にかつ安価に製造することが可能な印刷版の製造方法、印刷版および、これを用いた反転印刷方法を提供する。【解決手段】  遮光部隔壁、アライメントマークなどの幅が広く、版深さを深くする必要がある低解像度部分においては、印刷版用基板２１の表面を、エッチング処理によってパターン化して形成する。画素、ブラックマトリクスなど幅が小さく高精細な高解像度部分においては、印刷版用基板２１の表面上にネガレジスト４１を塗布し、これを露光、現像することによって細線パターンを形成する。【選択図】      図３
2010000673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高解像度部分と、前記高解像度部分よりも版深さが深い低解像度部分とを有し、反転印刷に用いられる印刷版を製造する製造方法において、
前記低解像度部分は、基板の表面を、フォトリソグラフィとエッチング処理によってパターン化して形成し、
前記高解像度部分は、前記基板の表面上にネガレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターン化して形成することを特徴とする印刷版の製造方法。
【請求項２】
前記ネガレジストの膜厚は６μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の印刷版の製造方法。
【請求項３】
前記低解像度部分を形成したのち、前記低解像度部分が形成されていない領域に前記高解像度部分を形成することを特徴とする請求項１または２記載の印刷版の製造方法。
【請求項４】
高解像度部分と、前記高解像度部分よりも版深さが深い低解像度部分とを有し、反転印刷に用いられる印刷版において、
前記低解像度部分は、フォトリソグラフィとエッチング処理によってパターン化された基板の表面で構成され、
前記高解像度部分は、フォトリソグラフィ法によってパターン化された前記基板の表面上のネガレジストで構成されることを特徴とする印刷版。
【請求項５】
請求項４記載の印刷版を用いた反転印刷方法において、
前記印刷版の基板の熱膨張率と、ブランケット表面のインクが印刷される基板の熱膨張率との差が１５×１０−７／℃以下であることを特徴とする反転印刷方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反転印刷方法に用いる印刷版の製造方法、印刷版および、これを用いた反転印刷方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が注目されており、その薄型、軽量、低消費電力といった特徴から、携帯電話機をはじめ、特にＬＣＤは、ノート型のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、デスクトップ型ＰＣ用のモニタ、大型テレビジョン受像機を中心に市場が拡大している。
【０００３】
これらのディスプレイには、カラー映像を表示するためにカラーフィルタが備えられている。用いるカラーフィルタとしては、パターン化された赤・緑・青やシアン・マゼンタ・イエローの３色、及びこれに黒を加えた４色からなる着色層が透明基板に形成されたものである。
【０００４】
このカラーフィルタの着色層は従来より、感光性顔料分散レジストをフォトリソグラフィ法によってパターニングして画素ごとに形成されているが、近年、カラーフィルタの低コスト化を実現するため、フォトリソグラフィ法に代わって印刷法によって形成することが提案されている。
【０００５】
カラーフィルタの製造に利用可能な印刷法には、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、凹版オフセット印刷法、反転印刷法などが提案されている。
【０００６】
スクリーン印刷法は、スクリーンメッシュを用いて、スキージによりメッシュからインクを押し出して印刷する方法であるが、７０μｍ以下の細線の形成は困難であり、インクジェット印刷法は、インクを溜めるための下地処理をフォトリソグラフィ法などにより形成しなければならず、低コスト化にはならない。
【０００７】
凹版オフセット印刷法は、印刷凹版にインキを塗布、スキージで不要なインキを除去し、凹版内に充填されたインキをオフセットブランケットに転写し、ブランケットから被印刷部材に印刷する方法であり、反転印刷法は、オフセットブランケットにインキを塗布、印刷凹版でブランケット表面の不要なインキを除去し、オフセットブランケットに残ったインキを被印刷部材に印刷する方法である。
【０００８】
これらの印刷凹版の製造方法としては、一般的にガラス基板に金属薄膜をマスキング材としてパターニングし、金属薄膜の開口部にあるガラスをフッ酸等の薬液で溶解して、ガラス基板表面に凹凸パターンを形成する方法が用いられる。
【０００９】
また、反転印刷法に用いられる印刷凹版は、画素パターン、アライメントマーク、額縁パターンと様々な寸法のパターンをオフセットブランケットから凹版へ転写する。印刷凹版の版深さが浅いとオフセットブランケットのニップ圧により凹部の底にオフセットブランケット表面が接触する現象が認められている。この現象を回避する方策として、凹部の開口寸法が大きい部分では版深さを深くする構造が用いられている。
【００１０】
特許文献１記載の凹版の製造方法では、複数種類の版深さを有する凹版を製造するにあたって、ウェット処理とサンドブラスト処理とを併用している。特許文献２記載の印刷用凹版では、パターンの形状、寸法に応じて凹形状の深さを変えており、ベース基材上に設けた感光層に対する露光量を変える、複数の感光層を設けるなどにより凹形状の深さを変えている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−２３１８２７号公報
【特許文献２】特開２００６−１６７９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図４は、サイドエッチングを説明するための図である。ガラス基板にウェットエッチングを用いて凹部を形成する場合、マスキング層の開口部からエッチング液を浸入させて、ガラス表面から深さ方向にエッチングを進行させるが、このときのエッチングが等方性エッチングであることから、深さ方向と同様に平面方向（横方向）にもエッチング（サイドエッチング）が進行する。深さ方向：横方向≒１：１であるため、深さ数μｍのガラスエッチングを行った場合、実際に得られる凹所の開口幅は、マスキング層の開口幅にエッチング深さの２倍を加えた幅となる。
【００１３】
たとえば、図４に示すように、マスキング層の開口幅が４μｍ、エッチング深さを６μｍとすると、実際に得られる凹所の開口幅Ｗは、Ｗ＝４＋６×２＝１６μｍと広がってしまう。
【００１４】
携帯電話機等に用いられるディスプレイは、小型かつ高解像度が求められており、画素部においては、幅１０μｍ以下の細線パターンが必要となるが、上記のようにサイドエッチングによって微細パターンを形成することが困難である。レーザアブレーション技術でガラスに細線パターンを形成することも可能であるが、大面積の印刷版を加工するには、時間やコストがかかりすぎる。
【００１５】
したがって、線幅１０μｍ以下のような細線パターンの版を形成する場合、ガラス基板をエッチングする特許文献１記載のような方法では作製できない。
【００１６】
また、額縁はｍｍ単位の線幅を有し、アライメントマーク等は、数十〜数百μｍの線幅で、線幅において画素部と大きな違いがある。これに伴い、同一の印刷版に線幅も深さも異なるパターンが混在する。
【００１７】
特許文献２記載のような方法では、異なるパターンの混在に対応することができるが、感光層を複数重ねて深さを変えたり、露光量をパターンごとに変えるなどフォトリソグラフィによるパターン形成工程が複雑かつ長時間を要し、コストも上昇する。
【００１８】
本発明の目的は、高分解能のカラーフィルタを製造するための印刷版を、容易にかつ安価に製造することが可能な印刷版の製造方法、印刷版および、これを用いた反転印刷方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、高解像度部分と、前記高解像度部分よりも版深さが深い低解像度部分とを有し、反転印刷に用いられる印刷版を製造する製造方法において、
前記低解像度部分は、基板の表面を、フォトリソグラフィとエッチング処理によってパターン化して形成し、
前記高解像度部分は、前記基板の表面上にネガレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターン化して形成することを特徴とする印刷版の製造方法である。
【００２０】
また本発明は、前記ネガレジストの膜厚は６μｍ以上であることを特徴とする。
また本発明は、前記低解像度部分を形成したのち、前記低解像度部分が形成されていない領域に前記高解像度部分を形成することを特徴とする。
【００２１】
また本発明は、高解像度部分と、前記高解像度部分よりも版深さが深い低解像度部分とを有し、反転印刷に用いられる印刷版において、
前記低解像度部分は、フォトリソグラフィとエッチング処理によってパターン化された基板の表面で構成され、
前記高解像度部分は、フォトリソグラフィ法によってパターン化された前記基板の表面上のネガレジストで構成されることを特徴とする印刷版である。
【００２２】
また本発明は、上記の印刷版を用いた反転印刷方法において、
前記印刷版の基板の熱膨張率と、ブランケット表面のインクが印刷される基板の熱膨張率との差が１５×１０−７／℃以下であることを特徴とする反転印刷方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、低解像度部分は、基板の表面を、フォトリソグラフィとエッチング処理によってパターン化して形成し、高解像度部分は、前記基板の表面上のネガレジストを、フォトリソグラフィ法によってパターン化して形成する。
【００２４】
低解像度部分については、フォトリソグラフィとエッチング処理を組み合わせて作製するが、線幅１０μｍ以下のような細線パターンを有する高解像度部分については、フォトリソグラフィを用い、ネガレジストを版の一部として用いるので、サイドエッチングの影響を抑えて、容易に高精細パターンを形成することができる。
【００２５】
また本発明によれば、ネガレジストの膜厚を６μｍ以上とする。ネガレジストの膜厚が薄過ぎると、強度を十分保てなかったり、細線パターンの精度および形状が低下するので、膜厚を６μｍ以上とすることが好ましい。
【００２６】
また本発明によれば、前記低解像度部分を形成したのち、前記低解像度部分が形成されていない領域に前記高解像度部分を形成する。
【００２７】
高解像度部分は、レジストにより構成されるため、低解像度部分を高解像度部分よりも後に形成すると、高解像度部分のレジストが、低解像度部分を形成する際に薬液の影響を受けてしまうので、予め高解像度部分を形成する領域を確保して低解像度部分を形成してから高解像度部分を形成することが好ましい。
【００２８】
また本発明によれば、低解像度部分は、フォトリソグラフィとエッチング処理によってパターン化された基板の表面で構成され、高解像度部分は、フォトリソグラフィ法のみによってパターン化された前記基板の表面上のネガレジストで構成される。
これにより、高精細な印刷が可能な印刷版が容易かつ安価に得ることができる。
【００２９】
また本発明によれば、上記の印刷版を用いた反転印刷方法において、前記印刷版の基板の熱膨張率と、ブランケット表面のインクが印刷される基板の熱膨張率との差を１５×１０−７／℃以下とする。
【００３０】
熱膨張率差を上記のような範囲に抑えることで、上記印刷版と印刷時の被印刷基板上のインクの位置精度を十分に確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明は、高解像度部分と、前記高解像度部分よりも版深さが深い低解像度部分とを有し、反転印刷に用いられる印刷版を製造する製造方法であって、前記低解像度部分は、基板の表面を、フォトリソグラフィとエッチング処理によってパターン化して形成し、前記高解像度部分は、前記基板の表面上のネガレジストを、フォトリソグラフィ法によってパターン化して形成することを特徴としている。
【００３２】
本発明により製造される印刷版は、カラーフィルタ層の形成に好適に用いられる。カラーフィルタ層を形成する場合、高解像度部分は、微細パターンが必要な画素部分、ブラックマトリクス部分に相当し、低解像度部分は、アライメントマークや額縁部分に相当する。
【００３３】
低解像度部分については、ガラス基板にフォトリソグラフィにより所定のレジストパターニングを行い、該レジストパターンにウェットエッチング処理を施して、ガラス基板の表面に凹部を形成する。異なるエッチング深さが複数存在する場合は、最初に形成した凹部をレジストで覆い、再度フォトリソグラフィで所定のレジストパターンをパターニングし、別の凹部をガラス表面に形成する。所定のパターニングとはサイドエッチングを考慮したパターニングを言う。
【００３４】
高解像度部分については、基板上に塗布したネガレジストにフォトリソグラフィ処理でパターン形成し、ネガレジストを、版の一部として利用する。
【００３５】
以上のように、ウエットエッチング処理で少なくとも２種類の版深さを形成することが可能で、ネガレジストのフォトリソグラフィ処理で細線パターンを形成することが可能である。これにより、エッチング処理とネガレジストのフォトリソグラフィ処理とを併用することで線幅１０μｍ以下の細線を含んだ３種類以上の版深さを有する印刷版を形成することが可能となる。
【００３６】
パターンの低解像度、高解像度部分について、版深さを複数種類に変更する理由は、オフセットブランケット上のインクを印刷版に転写する際、ニップ幅が数ミリとなるように圧力をかけており、幅の広い凹部パターンになるとこの凹部の底面にオフセットブランケット上のインクが接触する傾向が強くなる現象を回避するためである。
【００３７】
カラーフィルタ基板の各色の画素およびブラックマトリックスの各パターンには、数μｍから数十ミクロンと様々な寸法のパターンがあり、特に開口率を向上させるための高精細のブラックマトリックスでは５〜６μｍの線幅が要求される。また額縁は、これらとは逆に約１ミリから数ミリと幅の広いパターンであり、オフセットブランケットの底付きの影響を受けやすい。
【００３８】
ウェット処理では、フォトリソグラフィで形成したエッチングマスクを介してエッチング液を適用するため、線幅が数μｍ以上の細線の解像が可能であるが、サイドエッチングが発生することにより、線幅１０μｍ以下の細線を形成することが困難である。このため、本発明では線幅１０μｍ以下の高解像度部分を作製する場合は、ネガ型レジストを利用しこれにフォトリソグラフィ処理によりパターンを形成する。
【００３９】
カラーフィルタ基板は、対向電極基板とのセル位置精度を保証するために、トータルピッチ精度が±３μｍ以下となるように制御することが求められている。カラーフィルタ基板と対向電極基板とは熱膨張率の同じガラス材料を使用し、露光も熱膨張率の低いクオーツ製のフォトマスクを使用して、トータルピッチの制御を行っている。
【００４０】
また、印刷版のフォトリソグラフィに用いる露光マスクを介して処理すると露光マスク自体の寸法精度と同等またはそれ以下の精度にしかならないため、直描露光機によってパターンデータを描画することも可能である。
【００４１】
印刷版のトータルピッチを制御する方法としてはカラーフィルタ基板に近い熱膨張率の材料を使用することが望ましい。液晶表示装置のカラーフィルタ基板に使用されるガラス基板の熱膨張率は３×１０−６／℃程度であり、たとえば１０００ｍｍ角の基板サイズで１℃温度が変化するとガラス基板の長さは３μｍ変化する。液晶表示装置の要求仕様である±３μｍを保証するためには、印刷版のベース基板とカラーフィルタ基板とのトータルピッチの差が±１．５μｍ以下となるように制御する必要がある。このような制御を実現するためには、印刷版のベース基板の熱膨張率と、カラーフィルタ基板の熱膨張率との差として１５×１０−７／℃以下であることが望ましい。なお、印刷版のベース基板において、熱膨張率がカラーフィルタ基板に近い基板としては、液晶表示装置に使用されている低膨張ガラスから選定すれば良い。
【００４２】
まず、本発明の印刷版を用いる印刷法として反転印刷法について説明する。反転印刷法は、公知の印刷法であり、たとえば、特開平１１−５８９２１号公報、特開２０００−２８９３２０号公報などに記載されている。
【００４３】
図１は、反転印刷法の手順を示す概略図である。
反転印刷法では、ブランケット１０と、インクをブランケット１０表面に塗布するインクコータ１２と、ブランケット１０表面のインクの一部を除去する印刷版４とを使用する。
【００４４】
まず、予め準備したインクを、インクコータ１２から一定量吐出させ、ブランケット１０の表面に所定の厚さでインクを塗布しインク層１１を形成する（図１（ａ））。
【００４５】
ブランケット１０の表面にインク層１１を形成したのち、ブランケット１０を回転させながら印刷版４表面に当接させ、インク層１１の一部を印刷版４に形成された凸部表面に付着させて除去する。このとき、印刷版４に予めパターンを形成しておくことで、ブランケット１０表面に残ったインク層１１に所定のパターンを形成することができる（図１（ｂ））。
【００４６】
ブランケット１０を回転させながら、ブランケット１０の表面に残ったパターン化されたインク層１１を、被印刷体である基板１の表面に転写して印刷する（図１（ｃ））。
【００４７】
以下では、印刷版４の製造方法について説明する。
図２は、印刷版４の低解像度部分を形成する工程を示す図であり、図３は、印刷版４の高解像度部分を形成する工程を示す図である。
【００４８】
低解像度部分については、ガラス基板に対してフォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、該レジストパターンにウェットエッチング処理を施して、ガラス基板の表面に直接凹部を形成する。
【００４９】
低解像度パターンを形成する側の表面全体に金属保護膜２４が設けられた印刷版用基板２１を準備し、金属保護膜２４上に感光性レジストを塗布する。露光マスク２３を用いて、塗布された感光性レジストを露光し、現像してアライメントマーク用凹部を形成するための開口が設けられたエッチングマスク２２を形成する（図２（ａ））。
【００５０】
印刷版用基板２１としては、たとえば低膨張ガラスを用いることができ、金属保護膜２４としては、たとえば、クロムなどを印刷版用基板２１表面に形成した。
【００５１】
レジストによるエッチングマスク２２を用いてエッチングを行い、金属保護膜２４に開口を形成する（図２（ｂ））。金属保護膜２４のエッチング剤は、金属保護膜２４に用いた金属をエッチングできるものであれば使用でき、一般的にはウェットエッチングを行う。
【００５２】
金属保護膜２４に開口を設けた状態で、印刷版用基板２１に対してウェットエッチングを行い、印刷版用基板２１の表面にアライメントマーク用凹部３１を形成する（図２（ｃ））。
【００５３】
印刷版用基板２１としては主にガラス基板を用いるので、エッチング剤としては、たとえばフッ酸などを用いる。
【００５４】
ブランケット１０表面のインク層１１において、この凹部３１に対向する部分は印刷版４によって除去されず、ブランケット１０の表面上に残るので、残ったインク層を被印刷基板に転写することで、転写されたインク層がカラーフィルタ基板におけるアライメントマークとなる。
【００５５】
アライメントマークは、たとえば、後段での対向基板との貼り合わせ工程などカラーフィルタ基板と別の部材とを組み立てる場合に位置合せ用の基準となるマークである。
【００５６】
アライメントマーク用凹部３１を形成したのち、アライメントマーク用凹部を形成するためのエッチングマスク２２を除去する（図２（ｄ））。エッチングマスク２２は感光性レジストにより構成されているので感光性レジストの剥離液を用いてレジスト剥離を行えばよい。
【００５７】
次にアライメントマーク用凹部を形成するためのエッチングマスクと同様に、金属保護膜２４上に感光性レジストを塗布し、露光マスクを用いて、塗布された感光性レジストを露光し、現像して版深さがアライメントマーク用凹部よりも深い額縁用凹部を形成するためのエッチングマスク２５を形成する（図２（ｅ））。
【００５８】
エッチングマスク２５を用いてエッチングを行い、金属保護膜２４に開口を形成する（図２（ｆ））。金属保護膜２４のエッチング剤は、図２（ｂ）に示した場合と同様に、金属保護膜２４に用いた金属をエッチングできるものであれば使用できる。
【００５９】
金属保護膜２４に開口を設けた状態で、印刷版用基板２１に対してウェットエッチングを行い、印刷版用基板２１の表面に額縁用凹部３２を形成する（図２（ｇ））。
【００６０】
エッチング剤としては、図２（ｃ）で示した場合と同様に、たとえばフッ酸などを用いる。
【００６１】
ブランケット１０表面のインク層１１において、この凹部３２に対向する部分は印刷版４によって除去されず、ブランケット１０の表面上に残るので、残ったインク層を被印刷基板に転写することで、転写されたインク層がカラーフィルタ基板における額縁となる。
【００６２】
最後に、エッチングマスク２５および金属保護膜２４を除去して、低解像度部分が形成された印刷版を得る（図２（ｈ））。
【００６３】
エッチングマスク２５の除去は、図２（ｄ）で示した場合と同様に、感光性レジストの剥離液を用いてレジスト剥離を行えばよい。金属保護膜２４の除去は、金属保護膜２４のエッチングと同様に、金属保護膜２４に用いた金属を除去できる方法であれば使用できる。
【００６４】
アライメントマーク、遮光部隔壁は、エッチング深さに応じて、サイドエッチングにより凹部の開口幅が大きくなるため、予めサイドエッチングを考慮したパターニングを行う。
【００６５】
なお、上記の例では金属保護膜が形成された基板を使用したが、使用する感光性レジストによっては、この金属保護膜が無くてもよい。また、アライメントマーク、遮光部隔壁の形成は、どちらが先でも構わない。
【００６６】
さらに、アライメントマークの種類によって遮光部隔壁と同じ版深さが可能な場合は、遮光部隔壁と同時に形成すれば、アライメントマークの形成のための工程である図２（ｅ）〜図２（ｇ）までの各工程は必要なくなる。
【００６７】
以上のようにして低解像度部分の形成が終わると、続いて高解像度部分を形成する。高解像度部分は、印刷版用基板をエッチング処理により形成するのではなく、印刷版用基板の表面に塗布したレジストにパターンを形成し、レジストを版の一部として用いる。
【００６８】
印刷版用基板２１の低解像度部分が形成された側の表面全体に感光性レジスト４１を塗布する（図３（ａ））。感光性レジストの塗布はダイコータ、スリットコータ、スピンコータ、ＣＡＰコータなど塗布装置、塗布方法について特に問わないが、印刷版用基板２１には、遮光部隔壁用凹部３１、アライメントマーク用凹部３２などの段差が設けられているため、このような段差を有する基板表面に一定厚みで均一にレジスト塗布するには、ダイコータによる塗布が好適である。
【００６９】
感光性レジストは、ネガレジストを用いることが好ましい。ネガレジストを使用することで、サイドエッチングの影響が無く細線パターンを形成することが可能となる。また、印刷版の一部を構成するため、ブランケット１０との当接の際にかかる当接力に対して変形などすることなく十分な強度を備えるためにも、ネガレジストが好ましい。
露光マスク４２を用いて、塗布された感光性レジストを露光する（図３（ｂ））。
【００７０】
最後に、未露光部分を除去し、各画素およびブラックマトリクス用凹部３３を形成する（図３（ｃ））。
以上の工程により、低解像度部分、高解像度部分を形成して印刷版４が得られる。
【実施例】
【００７１】
本発明の実施例について説明する。
作製しようとする印刷版４として、低解像度部分では、遮光部隔壁の幅を２ｍｍ、エッチングの深さを０．１ｍｍとし、アライメントマークの幅を０．１ｍｍ、エッチングの深さを０．０４ｍｍとした。
【００７２】
このような設計値に対してマスク２２，２５は、サイドエッチングの影響を考慮して、遮光部隔壁用の線幅を１．８ｍｍ、アライメントマーク用の線幅を２０μｍとした。
【００７３】
印刷版用基板２１には、金属保護膜としてのクロム層付きガラス基板（コーニング社製イーグル２０００）を用いた。厚み０．７ｍｍ、熱膨張率３×１０−７／℃を使用した。クロム層の膜厚は、厚過ぎると基板の反りなどが発生するので１０００Å程度とする。
【００７４】
このような印刷版用基板２１にポジレジストを塗布し、アライメントマーク用マスク２３を利用しフォトリソグラフィでレジスト膜の一部を開口した。レジストの現像液にはアルカリ系の剥離液を使用した。
【００７５】
その後クロム層をクロムエッチャントでエッチングし、ガラス面を露出させた。印刷版用基板２１をフッ酸に浸漬し、エッチング深さが０．０４ｍｍとなるまでエッチングを行った。
【００７６】
金属保護膜を残したまま、フォトレジストを剥離する。
ここでアライメントマーク部分の線幅を計測すると０．１ｍｍであった。
【００７７】
印刷版用基板２１に再びフォトレジストをダイコータで塗布し、アライメントマークを基準に遮光部隔壁パターンをフォトリソ処理で形成した。
【００７８】
レジスト開口部のクロム層をクロムエッチャントで除去し、ガラス面を露出させた。
印刷版用基板２１をフッ酸に浸漬し、エッチング深さが０．１ｍｍとなるようエッチングを行った。遮光部額縁の線幅を測定すると、設計どおり２．０ｍｍであった。印刷版用基板２１上に残っていた、フォトレジスト、クロム層を除去し、アライメントマーク、額縁などの低解像度部分が形成された印刷版用基板２１を得た。
【００７９】
続いて、低解像度部分が形成された印刷版用基板２１にダイコータで、ネガレジスト（ＫＡＹＡＫＵ−ＭＩＣＲＯＣＨＥＭ社製、商品名ＳＵ−８  ３００５）を膜厚１０μｍになるように塗布した。
【００８０】
印刷版用基板２１に形成したアライメントマークを基準に、線幅６μｍの画素パターンを有するマスク４２をアライメントし画素およびブラックマトリクスパターンを露光した。
【００８１】
専用現像液（ＫＡＹＡＫＵ−ＭＩＣＲＯＣＨＥＭ社製、商品名ＳＵ−８  Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）により未露光のネガレジストを現像することにより線幅７μｍの所定のパターンが形成された高解像度部分を形成することができた。
【００８２】
以上のようにして、高解像度部分：線幅７μｍ、深さ１０μｍ、アライメントマーク（低解像度部分）：線幅１００μｍ、深さ４０μｍ、遮光部隔壁（低解像度部分）：線幅２ｍｍ、深さ０．１ｍｍを形成し、１０μｍ以下の細線を含む３種類の版深さを有する印刷版が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】反転印刷法の手順を示す概略図である。
【図２】印刷版４の低解像度部分を形成する工程を示す図である。
【図３】印刷版４の高解像度部分を形成する工程を示す図である。
【図４】サイドエッチングを説明するための図である。
【符号の説明】
【００８４】
４  印刷版
１０  ブランケット
１１  インク層
１２  コータ
２１  印刷版用基板
【図１】
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【図２】
2010000673.tif 000004
【図３】
2010000673.tif 000005
【図４】
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