(57)【要約】【課題】大きな黒欠陥であっても効率的に、しかも精度良く修正することができる欠陥修正工程を有するフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし遮光膜パターンを形成する工程と、形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を修正する工程とを有する。欠陥部分を修正する工程は、フォトマスク上に再度レジスト膜を形成し、欠陥部分を含む所定領域に所定のパターン描画を行い、現像して修正用レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して欠陥部分の余剰物を除去する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記遮光膜上に形成したレジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングし、遮光膜パターンを形成する工程と、形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を修正する工程と、を有するフォトマスクの製造方法であって、
前記欠陥部分を修正する工程は、前記欠陥部分を特定する工程と、
前記フォトマスク上に再度レジスト膜を形成する工程と、
前記欠陥部分を含む所定領域に、前記特定した欠陥部分の位置と形状に基づいて作製した描画パターンデータに基づくパターン描画を行い、描画後、現像して修正用レジストパターンを形成する工程と、
前記修正用レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、を有し、
前記レジストパターンは第一マークを含み、前記修正用レジストパターンは第二マークを含み、
さらに、前記修正用レジストパターンの形成後、または、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程後の少なくともいずれかに検査を行う工程を有し、
該検査工程では、前記修正用レジストパターンの形成後に検査を行う場合には、前記第一マークに対応する遮光膜パターンのエッジと前記修正用レジストパターンにおける第二マークのエッジとの距離を測定し、
前記欠陥部分の余剰物を除去する工程後に検査を行う場合には、前記第一マークに対応する遮光膜パターンのエッジと前記第二マークに対応する遮光膜パターンのエッジとの距離を測定し、前記距離が所定範囲内であるか否かを検査する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記第一マークと前記欠陥部分を修正する工程を実施する場合に形成される前記第二マークとは、前記透明基板上に形成されたときに、一方のマークの外形が他方のマークの外形の内部に含まれる形状の組合せであることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第一マークと前記第二マークとは、一方向と、それに直交する方向とに、いずれも対称な形状のパターンを有することを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記第一マークの外形と前記第二マークの外形とは、相似形であることを特徴とする請求項２又は３に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記第一マークと前記第二マークとは、いずれも矩形状のパターンを含むことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記検査工程は、前記フォトマスクに光を照射し、その透過光を受光することによって行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記検査工程は、前記フォトマスクに光を照射し、その反射光を受光することによって行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
透明基板上に、遮光膜パターンを有するフォトマスクであって、描画工程を含むパターニング工程を用いて透明基板上に形成した遮光膜にパターンを形成することにより製造されるフォトマスクにおいて、
該フォトマスクは、前記描画工程を含むパターニングによって、遮光膜に形成された第一マークを有し、
該フォトマスク上に形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を描画工程を含むパターニングによって修正し、
前記第一マークは、該第一マークと、前記欠陥部分を修正するための２度目の描画工程を含むパターニングによって遮光膜又はレジスト膜に形成される第二マークとの距離を測定し、前記距離が所定範囲内であるか否かを検査することにより、２度目の描画のアライメントずれの評価を可能とするように、前記第二マークとの関係において、一方のマークの外形が他方のマークの外形の内部に含まれる矩形状のパターンであることを特徴とするフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造等に用いられるフォトマスクの製造方法及びフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造等に使用されるフォトマスクは、たとえばバイナリマスクの場合、透明基板上に遮光膜がパターン状に形成されたものである。このようなフォトマスクは、透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記遮光膜上に形成したレジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングし、遮光膜パターンを形成する工程を経ることによって製造される。
【０００３】
ところで、上述のようなフォトマスクにおいて、その製造過程で、遮光膜パターンに欠陥が生じることは避けられない。なお、ここでは、膜パターンの余剰や異物付着による欠陥を黒欠陥、膜パターンの不足による欠陥を白欠陥と称する。
【０００４】
フォトマスク上に形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、白欠陥、黒欠陥が存在した場合には、通常は、例えばレーザーＣＶＤ法、又は収束イオンビーム（ＦＩＢ）法を用いて、局所的な膜修正を行うことが考えられる。すなわち、白欠陥の部分には、局所的に修正膜を形成することで好適な修正が可能である。一方、黒欠陥の修正方法としては、ＦＩＢやレーザーで例えば遮光膜成分を飛ばして除去する方法が一般的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の一般的な黒欠陥修正方法では、微小な黒欠陥領域は修正できたとしても、大きな黒欠陥領域の場合、従来の黒欠陥修正方法で修正するのは非常に時間がかかり不効率である。また、従来の一般的な黒欠陥修正方法では、飛ばした異物が欠陥の周囲の正常部（透光部）に付着し易く、再度修正が必要となる。
【０００６】
本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、第一に、大きな黒欠陥であっても効率的に、しかも精度良く修正することができる欠陥修正工程を有するフォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供することであり、第二に、フォトマスクの欠陥修正段階で生じ得るアライメントずれを定量的に評価できるフォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記遮光膜上に形成したレジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングし、遮光膜パターンを形成する工程と、形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を修正する工程と、を有するフォトマスクの製造方法であって、前記欠陥部分を修正する工程は、前記欠陥部分を特定する工程と、前記フォトマスク上に再度レジスト膜を形成する工程と、前記欠陥部分を含む所定領域に、前記特定した欠陥部分の位置と形状に基づいて作製した描画パターンデータに基づくパターン描画を行い、描画後、現像して修正用レジストパターンを形成する工程と、前記修正用レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、を有し、前記レジストパターンは第一マークを含み、前記修正用レジストパターンは第二マークを含み、さらに、前記修正用レジストパターンの形成後、または、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程後の少なくともいずれかに検査を行う工程を有し、該検査工程では、前記修正用レジストパターンの形成後に検査を行う場合には、前記第一マークに対応する遮光膜パターンのエッジと前記修正用レジストパターンにおける第二マークのエッジとの距離を測定し、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程後に検査を行う場合には、前記第一マークに対応する遮光膜パターンのエッジと前記第二マークに対応する遮光膜パターンのエッジとの距離を測定し、前記距離が所定範囲内であるか否かを検査する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【０００８】
（構成２）前記第一マークと前記欠陥部分を修正する工程を実施する場合に形成される前記第二マークとは、前記透明基板上に形成されたときに、一方のマークの外形が他方のマークの外形の内部に含まれる形状の組合せであることを特徴とする構成１に記載のフォトマスクの製造方法。
（構成３）前記第一マークと前記第二マークとは、一方向と、それに直交する方向とに、いずれも対称な形状のパターンを有することを特徴とする構成２に記載のフォトマスクの製造方法。
【０００９】
（構成４）前記第一マークの外形と前記第二マークの外形とは、相似形であることを特徴とする構成２又は３に記載のフォトマスクの製造方法。
（構成５）前記第一マークと前記第二マークとは、いずれも矩形状のパターンを含むことを特徴とする構成２乃至４のいずれか一に記載のフォトマスクの製造方法。
【００１０】
（構成６）前記検査工程は、前記フォトマスクに光を照射し、その透過光を受光することによって行うことを特徴とする構成１乃至５のいずれか一に記載のフォトマスクの製造方法。
（構成７）前記検査工程は、前記フォトマスクに光を照射し、その反射光を受光することによって行うことを特徴とする構成１乃至５のいずれか一に記載のフォトマスクの製造方法。
【００１１】
（構成８）透明基板上に、遮光膜パターンを有するフォトマスクであって、描画工程を含むパターニング工程を用いて透明基板上に形成した遮光膜にパターンを形成することにより製造されるフォトマスクにおいて、該フォトマスクは、前記描画工程を含むパターニングによって、遮光膜に形成された第一マークを有し、該フォトマスク上に形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を描画工程を含むパターニングによって修正し、前記第一マークは、該第一マークと、前記欠陥部分を修正するための２度目の描画工程を含むパターニングによって遮光膜又はレジスト膜に形成される第二マークとの距離を測定し、前記距離が所定範囲内であるか否かを検査することにより、２度目の描画のアライメントずれの評価を可能とするように、前記第二マークとの関係において、一方のマークの外形が他方のマークの外形の内部に含まれる矩形状のパターンであることを特徴とするフォトマスク。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のフォトマスクの製造方法によれば、フォトマスク上に形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を描画工程を含むパターニングによって修正するため、大きな黒欠陥があっても、効率的な修正が可能である。また、黒欠陥の修正を行う場合には、遮光膜パターンを形成するための描画と、黒欠陥を修正するための描画の２回の描画を行うことになるが、本発明では、２回の描画のアライメントずれを定量的に検査する検査工程を含むため、フォトマスクの黒欠陥の修正段階でアライメントずれが生じたか否か、及び生じた場合にはアライメントずれの大きさを定量的に検査することができる。すなわち、１回目の遮光膜パターンを形成するための描画時に特定のマーク（第一マーク）を、２回目の黒欠陥を修正するための描画時に特定のマーク（第二マーク）をそれぞれ作成し、これらのマークの例えばエッジ間の距離で２回の描画のアライメントずれを評価することにより、黒欠陥の修正段階で実際に生じたアライメントずれを定量的に検査することができる。また、マスクの製造途中でアライメントずれを評価することができるため、必要ならばその段階で可能な修正を行うことが可能になり、大きな黒欠陥であっても効率的に、しかも精度良く修正することができ、マスク生産上のメリットが大きい。
【００１３】
また、本発明のフォトマスクによれば、遮光膜パターンの形成と同時に形成された特定のマーク（第一マーク）を有することにより、フォトマスク上に形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を描画工程を含むパターニングによって修正する場合に、黒欠陥の修正段階で実際に生じたアライメントずれの大きさを定量的に検査することができる。すなわち、上記第一マークは、黒欠陥を修正するための描画時に遮光膜に形成される特定のマーク（第二マーク）との関係において、一方のマークの外形が他方のマークの外形の内部に含まれる矩形状のパターンであり、これらのマークの例えばエッジ間の距離を評価することにより、黒欠陥の修正段階で実際に生じたアライメントずれを定量的に検査することができる。そして、マスクの製造途中でこのようなアライメントずれを評価することができるため、必要ならばその段階で可能な修正を行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づき説明する。
図１は、本発明によるフォトマスクの製造方法の実施の形態を工程順に説明するための模式的平面図である。
使用するマスクブランクは、透明基板１上に、クロムを主成分とする遮光膜２が形成され、その上にレジストを塗布してレジスト膜が形成されている。まず、所定のパターン描画を行う。描画には、通常電子線又は光（短波長光）が用いられることが多いが、本実施の形態では電子線を用いる。従って、上記レジストとしてはポジ型フォトレジストを使用する。そして、上記レジスト膜に対し、所定のデバイスパターンを描画し、描画後に現像を行うことにより、レジストパターン３を形成する（図１（ａ）参照）。なお、上記デバイスパターンの描画時に特定のマークパターンを同時に描画する。この特定のマークパターンは、後に黒欠陥修正を行う場合の描画時のアライメントずれを評価するためのものであり、たとえば基板上のデバイスパターンが形成される領域の外側の領域に描画される。従って、上記レジストパターンは、上記特定のマークパターンの描画、現像により形成されるマーク（第一マーク）を含む。第一マークの詳しくは後述する。
【００１５】
次に、上記レジストパターン３をエッチングマスクとして遮光膜２をエッチングして遮光膜パターンを形成する（図１（ｂ）参照）。クロムを主成分とする遮光膜２を用いたので、エッチング手段としては、ドライエッチングもしくはウェットエッチングのどちらでも可能であるが、本実施の形態ではウエットエッチングを利用した。
こうして透明基板１上に所定の遮光膜パターンが形成されたフォトマスクが得られる（図１（ｃ）参照）。
【００１６】
製造された上記フォトマスクについて、欠陥検査装置を用いた欠陥検査の結果、マスク上の一部に、図１（ｃ）に示すように、小さな領域のものと大きな領域のものとを含む黒欠陥６が存在した。これは前述の図１（ａ）、（ｂ）に示すように、たとえばレジストパターン３の開口部を覆うような異物５が付着し、開口部の遮光膜のエッチングを妨げたことにより生じた欠陥である。
次に、欠陥検査により特定された黒欠陥６の位置情報と形状情報に基づき上記黒欠陥６あるいはこれを含む所定領域内の正常な描画パターンデータを作製する。
【００１７】
次に、上記フォトマスク上の例えば全面に前記と同じポジ型レジスト膜を形成し、上記で作製した描画パターンデータを含む必要な情報を描画機に入力し、上記黒欠陥６あるいはこれを含む所定領域に、上記描画パターンデータに基づくパターン描画を行う。そして描画後、現像してレジストパターン４を形成する。これによって黒欠陥６領域上のレジスト膜が除去されて遮光膜２が露出する（図１（ｄ）参照）。なお、この描画工程での位置合わせは、フォトマスクのコーナー等に予め設けたアライメントマークを使用する。また、この２度目の欠陥修正用の描画時においても特定のマークパターンを同時に描画する。この特定のマークパターンは、上記第一マークとの組み合わせにより、この２度目の描画時のアライメントずれを評価するためのものであり、上記第一マークの場合と同様、たとえば基板上のデバイスパターンが形成される領域の外側の領域であって、上記第一マークとは所定の位置関係（距離関係）となるように描画される。従って、上記レジストパターン４は、上記２度目の描画、現像により形成されるマーク（第二マーク）を含む。第二マークの詳しくは後述する。
【００１８】
次に、上記レジストパターン４をマスクとしてエッチングを行う。エッチング方法としては、クロム遮光膜の場合、たとえばドライエッチングもしくはウェットエッチングのいずれを用いてもよいが、本実施の形態では特に局所的なエッチングを行えるウェットエッチングを利用した。
【００１９】
上記エッチングによって、黒欠陥６領域上の不要な遮光膜２が除去され、透明基板１が露出する（図１（ｅ）参照）。
そして、残存するレジストパターンを除去することにより、上記黒欠陥の修正が施されたフォトマスクが得られる（図１（ｆ）参照）。
【００２０】
次に、図２を参照して、上述の黒欠陥を修正するために２度目の描画を行ったときのアライメントずれの検査方法について説明する。図２は、上記実施の形態における検査方法を説明するための特定のマークパターン形成部分の製造工程順の断面図（左半分）及び平面図（右半分）である。
前記遮光膜パターン（マスクパターン）を形成するためのレジストパターン３に含まれる第一マークとして、本実施の形態では、４種類のパターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを１セットとして用いている（図２（ａ）参照）。いずれも矩形状のパターンであり、Ａは中央に小さめの矩形状の孔開き（レジストがない）部分を有するパターンであり、Ｂは中央に小さめの矩形状のレジストパターンであり、Ｃは所定幅の孔開き部分を矩形状に有するパターンであり、Ｄは中央に大きめの矩形状の孔開き部分を有するパターンである。
【００２１】
以降の工程は、前述の図１の工程と全く同様である。すなわち、このような第一マークを含むレジストパターン３をエッチングマスクとして遮光膜２をエッチングし（図２（ｂ）参照）、残存するレジストパターンを除去すると、上記第一マークＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄに相当する遮光膜パターンが形成されたフォトマスクが得られる（図２（ｃ）参照）。
次に、得られたフォトマスクのパターン検査により修正を要する黒欠陥が発見された場合には、上記フォトマスク上に再度レジスト膜を形成し、上記黒欠陥に対応する描画パターンデータに基づくパターン描画を行、描画後、現像してレジストパターン４を形成する（図２（ｄ）参照）。
【００２２】
本実施の形態では、上記レジストパターン４に含まれる第二マークとして、前記第一マークＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄとそれぞれ対応させて、４種類のパターンａ，ｂ，ｃ，ｄを１セットとして用いている（図２（ｄ）参照）。いずれも矩形状のパターンであり、ａは第一マークＡよりも大きな矩形状のパターンであり、ｂは第一マークＢよりも大きな矩形状のパターンであり、ｃは第一マークＣよりも小さな矩形状のパターンであり、ｄは第一マークＤよりも小さな矩形状のパターンである。
このように本実施の形態では、第一マークＡと第二マークａ、第一マークＢと第二マークｂ、第一マークＣと第二マークｃ、第一マークＤと第二マークｄをそれぞれ組み合わせて用いる。これら第一マークと第二マークは、透明基板２４上に形成されたときに、一方のマークの外形が他方のマークの外形の内部に含まれる形状である。また、これら第一マークと第二マークは、一方向と、それに直交する方向とに、いずれも対称な形状のパターンを有する。また、これら第一マークの外形と第二マークの外形とは、矩形状の相似形であり、しかもこれらマークのパターンデータとして共通の重心をもつ矩形状のパターンを含む。
【００２３】
従って、本実施の形態における第一マークＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄと第二マークａ，ｂ，ｃ，ｄは、透明基板２４上に形成されたときに、それぞれの組み合わせにおいて、透明基板２４表面の平面視で一方向に、第一マークのエッジ、第二マークのエッジ、第二マークのエッジ、第一マークのエッジの順で配列、または、第二マークのエッジ、第一マークのエッジ、第一マークのエッジ、第二マークのエッジの順で配列している（図２（ｄ）参照）。
【００２４】
ここで、つまり上記黒欠陥修正を行う場合に２度目の描画により形成されるレジストパターン４の形成後（図２（ｄ）の工程）に検査を行う場合、第一マークに相当する膜パターンのエッジと上記レジストパターン４における第二マークのエッジとの距離を測定し、この距離が所定範囲内であるか否かを検査することにより、２度目の描画時のアライメントずれを評価する。つまり、本実施の形態の場合、図３に示すように、４種類のパターンのいずれにおいても、例えばＸ方向において、第一マークに相当する遮光膜２パターンのエッジとレジストパターン４における第二マークのエッジとの距離ｍとｎを測定し、（ｍ−ｎ）/２でアライメントずれの大きさを評価し、この値が予め設定した所定範囲（許容範囲）内であるか否かを検査する。また、Ｙ方向のアライメントずれについても同様に評価することができる。図２（ｄ）及び図３において○印を付した箇所は本実施の形態において好適な測定箇所である。
【００２５】
このように、黒欠陥修正を行うための２度目の描画により形成されるレジストパターン４の形成後に検査を行い、アライメントずれの大きさが許容範囲を超えた場合には、上記レジストパターン４を除去して、あらためてレジスト膜形成、描画を行う（レジストパターニングのやり直し）ことにより、修正を行うことが可能である。
このように必要に応じて上記レジストパターン４の形成後に検査を行った後、上記第二マークを含むレジストパターン４をエッチングマスクとして遮光膜２をエッチングし（図２（ｅ）参照）、残存するレジストパターンを除去すると、第一マークＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄと第二マーク（の組み合わせ）に相当する膜パターンが形成される（図２（ｆ）参照）。
【００２６】
この最終工程後にアライメントずれの検査を行う場合においても、例えばＸ方向において、第一マークに相当する遮光膜パターンのエッジと第二マークに相当する遮光膜パターンのエッジとの距離ｍとｎを測定し、（ｍ−ｎ）/２でアライメントずれの大きさを評価し、この値が予め設定した所定範囲（許容範囲）内であるか否かを検査する。また、Ｙ方向のアライメントずれについても同様に評価することができる。図２（ｆ）において○印を付した箇所は本実施の形態において好適な測定箇所である。なお、この段階では、マークのパターンによっては消えてしまっている場合もあるが（例えば第一マークＡ、第二マークｂ、第二マークｄ）、上述のレジストパターン４の形成後の段階では、第一マークと第二マークの組み合わせにより検査を行うことが可能である。
【００２７】
製造プロセスによるＣＤずれ（パターンの細り）の要素を排除し、純粋にアライメントずれの要素のみを評価するためには、例えばＸ軸、Ｙ軸それぞれの方向のアライメントずれの有無を検出できるよう、第一マークと第二マークは、一方向と、それに直交する方向とに、いずれも対称（例えば左右対称、上下対称）な形状のパターンを有することが好ましい。また、第一マークと第二マークは、これらのエッジ間の距離が１回の測定で精度良く測定できるような位置関係に配置することが望ましい。また、第一マークと第二マークのエッジ間の距離の測定が容易なように、第一マークの外形と第二マークの外形とは相似形であることが好ましい。
【００２８】
また、本実施の形態のように、検査用のマークのパターンとして、複数のパターンをセットにして用いることも好適である。とくに２度目の描画によるレジストパターン４の形成後の段階で検査を行う場合には、基板上にレジストパターンがのっている状態で検査を行うため、レジストの透過率も影響する。また、反射光と透過光のいずれで測定する方が測定精度が高いか（いずれの場合により高いコントラストが得られるか）によって、測定時に測定し易いマークのパターンを選択することができるので好適である。場合によっては、反射光、透過光の両方で検査が行える。
【００２９】
つまり、本実施の形態のように、あらゆる製品に複数の検査用マークのパターン（第一マークと第二マークの組み合わせ）をセットにして用いてもよいし、あるいは製品ごとにマークパターンを１種類乃至は２種類程度選択して用いてもよい。
【００３０】
なお、以上の実施の形態で用いた第一マークＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ及び第二マークａ，ｂ，ｃ，ｄはあくまでも代表的な例を示したものであって、本発明の効果を奏するためには、マークの形状、大きさ、第一マークと第二マークの組み合わせ、その位置関係などは、以上の実施の形態のものに何ら限定される必要は無いことは勿論である。
【００３１】
以上の実施の形態により説明したように、本発明によれば、以下のような効果が得られる。
（１）フォトマスク上に形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を描画工程を含むパターニングによって修正するため、大きな黒欠陥があっても、効率的な修正が可能である。
（２）黒欠陥の修正を行う場合には、遮光膜パターンを形成するための描画と、黒欠陥を修正するための描画の２回の描画を行うことになるが、本発明では、フォトマスクの黒欠陥の修正段階で実際に生じたアライメントずれの大きさを定量的に検査することができる。すなわち、１回目の遮光膜パターンを形成するための描画時に特定のマーク（第一マーク）を、２回目の黒欠陥を修正するための描画時に特定のマーク（第二マーク）をそれぞれ作成し、これらのマークの例えばエッジ間の距離で２回の描画のアライメントずれを評価することにより、黒欠陥の修正段階で実際に生じたアライメントずれを定量的に検査することができる。
（３）また、マスクの製造途中でアライメントずれを評価することができるため、必要ならばその段階で可能な修正を行うことが可能になり、大きな黒欠陥であっても効率的に、しかも精度良く修正することができ、マスク生産上のメリットが大きい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明によるフォトマスクの製造方法の実施の形態を工程順に示す模式的平面図である。
【図２】上記実施の形態におけるアライメントずれの検査方法を説明するための特定のマークパターン形成部分の工程順の断面図及び平面図である。
【図３】上記検査方法を説明するための特定のマークパターン形成部分の平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  透明基板
２  遮光膜
３，４  レジストパターン
５  異物
６  黒欠陥
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ  第一マーク
ａ，ｂ，ｃ，ｄ  第二マーク
【図１】
2010079113.tif 000003
【図２】
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【図３】
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