(57)【要約】【課題】本発明は、フッ素化合物の使用量低減が図られる焼結磁石モータを提供することを目的とする。【解決手段】  本発明は、焼結される主成分が鉄の強磁性材料と、前記強磁性材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、前記強磁性材料の表面から内部には前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物の一部が濃度勾配をもって分布し、前記強磁性材料の粒界面と母相間には希土類元素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、前記フッ素化合物の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結される主成分が鉄の強磁性材料と、
前記強磁性材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、
前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、
前記強磁性材料の表面から内部には前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物の一部が濃度勾配をもって分布し、前記強磁性材料の粒界面と母相間には希土類元素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、
前記フッ素化合物の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
【請求項２】
鉄を主成分とする焼結磁石材料と、
前記焼結磁石材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、
前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、
前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の一部が前記強磁性材料の表面から内部を貫き他方の表面に亘って連続するように延在し、
前記強磁性材料の粒界面と母相間に前記希土類元素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、
前記フッ素化合物の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
【請求項３】
鉄を主成分とする焼結磁石材料と、
前記焼結磁石材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、
前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素あるいは希土類元素の少なくとも１種と、を有し、
前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の一部が前記強磁性材料の表面から内部を貫き他方の表面に亘って連続するように延在し、
前記強磁性材料の粒界面と母相間にフッ素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、
前記フッ素の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
【請求項４】
鉄を主成分とする焼結磁石材料と、
前記焼結磁石材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、
前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、
前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の一部が前記強磁性材料の表面から結晶粒界面に沿って延び他方の表面に亘って連続するように延在し、
前記強磁性材料の粒界面と母相間にフッ素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、
前記フッ素の平均濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
【請求項５】
鉄を主成分とする焼結磁石材料と、
前記焼結磁石材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、
前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、
前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の一部が前記強磁性材料の表面から内部を貫き他方の表面に亘って連続するように延在し、
前記強磁性材料の粒界面と母相間にフッ素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、
前記焼結磁石回転子の外周に配置された焼結磁石の残留磁束密度分布の対称性と保磁力分布の対称性が異なることを特徴とする焼結磁石モータ。
【請求項６】
鉄及び希土類元素を主成分とする強磁性材料と、
前記強磁性材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、
前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、金属元素、希土類元素の少なくとも１種及び炭素と、
前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物が前記強磁性材料の任意の場所の粒界において最表面とはつながらない連続するように延びる連続層と、を有し、
前記連続層に沿って前記アルカリ、アルカリ土類元素、金属元素あるいは希土類元素の少なくとも１種が前記強磁性材料の母相の粒界に沿って偏析し、かつ前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の立方晶の構造をもった粒内でアルカリ、アルカリ土類元素、金属元素あるいは希土類元素の少なくとも１種が粒の中心から外側に向かって高濃度になるように偏析しており、１００μｍ３以上の体積を組成分析して得られた希土類元素の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極を中心にして左右非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
【請求項７】
焼結される主成分が鉄の強磁性材料と、
前記強磁性材料にフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物がフッ化処理されたフッ化処理部を有する焼結磁石が回転子に備わる焼結磁石モータにおいて、
前記フッ化処理部は、回転子の軸方向の中心部で狭く軸方向の中心部から離れる両端部で広くなっていることを特徴とする焼結磁石モータ。
【請求項８】
焼結される主成分が鉄の強磁性材料と、
前記強磁性材料にフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物がフッ化処理されたフッ化処理部を有する焼結磁石が回転子に備わる焼結磁石モータにおいて、
前記フッ化処理部を除くフッ化物未処理部分は異方性方向に垂直な２つの面の中心部に存在することを特徴とする焼結磁石モータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類磁石及びその製造方法に関し、中でも重希土類元素の使用量を低減し高エネルギー積あるいは高耐熱性を有する磁石を使用した焼結磁石モータに関する。
【０００２】
本発明はＲ−Ｆｅ（Ｒは希土類元素）系を含むＦｅ系磁石の耐熱性を高めるために、Ｆｅ系磁石材料にフッ素を含む相を粒界あるいは粒内の一部に形成し、前記フッ素を含む相は、磁気特性や信頼性を向上させた焼結磁石とそれを用いた回転機に関する。フッ素を含む相を有する磁石は各種磁気回路に合った特性の磁石及び上記磁石を適用した磁石モータなどに利用される。このような磁石モータには、ハイブリッド自動車の駆動用、スタータ用、電動パワステ用が含まれる。
【背景技術】
【０００３】
従来のフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物を含む希土類焼結磁石は、特開２００３−２８２３１２号公報（特許文献１）、特開２００６−３０３４３６号公報（特許文献２）、特開２００６−３０３４３５号公報（特許文献３）、特開２００６−３０３４３４号公報（特許文献４）、特開２００６−３０３４３３号公報（特許文献５）に記載されている。前記従来技術では、処理に使用するフッ素化合物は粉末状あるいは粉末と溶媒の混合物であり、磁石粉表面に沿って効率よくフッ素を含む相を形成することは困難である。
【０００４】
また、上記従来手法では、磁粉表面に処理に使用するフッ素化合物が点接触しており、本手法のように容易にフッ素を含む相が磁粉に面接触しないため、従来手法の方がより多くの処理原料と高温での熱処理を要する。米国公開特許ＵＳ２００５／００８１９５９Ａ１（特許文献６）には希土類フッ素化合物の微粉末（１から２０μｍ）をＮｄＦｅＢ粉と混合しているが、磁石の粒内に板状に飛び飛びに成長している例はない。また、ＩＥＥＥ
ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ＯＮ  ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，ＶＯＬ．４１  ＮＯ．１０（２００５）３８４４頁から３８４６頁（非特許文献１）に記載のように、ＤｙＦ３やＴｂＦ３の微粉（１から５μｍ）を微小焼結磁石表面に塗布しているが、フッ素化合物の溶液処理ではなく、ＤｙやＦが焼結磁石に吸収されＮｄＯＦやＮｄ酸化物が形成されるという記載があるが、酸フッ素化合物中の炭素や重希土類、軽希土類の濃度勾配などが回転子に配置された１極において極中心から周方向に対称性が異なる磁石に関する記載はない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２８２３１２号公報
【特許文献２】特開２００６−３０３４３６号公報
【特許文献３】特開２００６−３０３４３５号公報
【特許文献４】特開２００６−３０３４３４号公報
【特許文献５】特開２００６−３０３４３３号公報
【特許文献６】米国公開特許ＵＳ２００５／００８１９５９Ａ１
【非特許文献１】ＩＥＥＥ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ＯＮ  ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，ＶＯＬ．４１  ＮＯ．１０（２００５）３８４４頁から３８４６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の発明は、ＮｄＦｅＢ磁粉に層状にフッ素を含んだ相を形成するために、フッ素化合物などの粉砕粉を原料にしており、低粘度透明溶液の状態に関する記載がない。そのため、拡散に必要な熱処理温度が高く焼結磁石よりも低温で磁気特性が劣化する磁粉において磁気特性向上あるいは希土類元素の低濃度化を達成させることは困難である。
【０００７】
このため従来の手法では熱処理温度が高く、拡散に必要なフッ素化合物の使用量が多く、１０ｍｍを超える厚さの磁石への適用が困難であった。
【０００８】
本発明は、上記の課題に鑑み、フッ素化合物の使用量低減が図られる焼結磁石モータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記の目的を達成するために、
焼結される主成分が鉄の強磁性材料と、
前記強磁性材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、
前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、
前記強磁性材料の表面から内部には前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物の一部が濃度勾配をもって分布し、前記強磁性材料の粒界面と母相間には希土類元素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、前記フッ素化合物の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする焼結磁石モータを提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、フッ素化合物の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称にすることにより、保磁力増加を含む焼結磁石モータの性能向上に必要なフッ素化合物の使用量低減が図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
上記課題を解決するための手段で述べた本発明の特徴を有する焼結磁石モータに続く主な特徴を有する焼結磁石モータを以下に列挙する。
〔１〕．本発明は、鉄を主成分とする焼結磁石材料と、前記焼結磁石材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の一部が前記強磁性材料の表面から内部を貫き他方の表面に亘って連続するように延在し、前記強磁性材料の粒界面と母相間に前記希土類元素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、前記フッ素化合物の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
〔２〕．本発明は、鉄を主成分とする焼結磁石材料と、前記焼結磁石材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素あるいは希土類元素の少なくとも１種と、を有し、前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の一部が前記強磁性材料の表面から内部を貫き他方の表面に亘って連続するように延在し、前記強磁性材料の粒界面と母相間にフッ素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、前記フッ素の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
〔３〕．本発明は、鉄を主成分とする焼結磁石材料と、前記焼結磁石材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の一部が前記強磁性材料の表面から結晶粒界面に沿って延び他方の表面に亘って連続するように延在し、前記強磁性材料の粒界面と母相間にフッ素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、前記フッ素の平均濃度分布が焼結磁石回転子の磁極中心からみて非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
〔４〕．本発明は、鉄を主成分とする焼結磁石材料と、前記焼結磁石材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、希土類元素の少なくとも１種と、を有し、前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の一部が前記強磁性材料の表面から内部を貫き他方の表面に亘って連続するように延在し、前記強磁性材料の粒界面と母相間にフッ素が濃度勾配をもって分布する焼結磁石回転子を備える焼結磁石モータにおいて、前記焼結磁石回転子の外周に配置された焼結磁石の残留磁束密度分布の対称性と保磁力分布の対称性が異なることを特徴とする焼結磁石モータ。
〔５〕．本発明は、鉄及び希土類元素を主成分とする強磁性材料と、前記強磁性材料の結晶粒内部あるいは粒界部の一部に形成されるフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物と、前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物に含まれるアルカリ、アルカリ土類元素、金属元素、希土類元素の少なくとも１種及び炭素と、前記フッ素化合物あるいは前記酸フッ素化合物が前記強磁性材料の任意の場所の粒界において最表面とはつながらない連続するように延びる連続層と、を有し、前記連続層に沿って前記アルカリ、アルカリ土類元素、金属元素あるいは希土類元素の少なくとも１種が前記強磁性材料の母相の粒界に沿って偏析し、かつ前記フッ素化合物あるいは酸フッ素化合物の立方晶の構造をもった粒内でアルカリ、アルカリ土類元素、金属元素あるいは希土類元素の少なくとも１種が粒の中心から外側に向かって高濃度になるように偏析しており、１００μｍ３以上の体積を組成分析して得られた希土類元素の濃度分布が焼結磁石回転子の磁極を中心にして左右非対称であることを特徴とする焼結磁石モータ。
〔６〕本発明は、焼結される主成分が鉄の強磁性材料と、前記強磁性材料にフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物がフッ化処理されたフッ化処理部を有する焼結磁石が回転子に備わる焼結磁石モータにおいて、前記フッ化処理部は、回転子の軸方向の中心部で狭く軸方向の中心部から離れる両端部で広くなっていることを特徴とする焼結磁石モータ。
〔７〕本発明は、焼結される主成分が鉄の強磁性材料と、前記強磁性材料にフッ素化合物あるいは酸フッ素化合物がフッ化処理されたフッ化処理部を有する焼結磁石が回転子に備わる焼結磁石モータにおいて、前記フッ化処理部を除くフッ化物未処理部分は異方性方向に垂直な２つの面の中心部に存在することを特徴とする焼結磁石モータ。
〔８〕本発明は、ゾル状態の該希土類フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物がアルコールを主成分とした溶媒に膨潤されてなるものを処理液として使用し、磁場中配向後の仮成形体の磁粉と磁粉の隙間にフッ素化合物溶液を含浸させる工程あるいは表面処理によりフッ素化合物が塗布された磁性粉との混合後、磁場中仮成形する工程または焼結磁石ブロックにフッ化物を溶液処理後、電磁波を使用して加熱拡散する手法を採用し、粉砕フッ素化合物粉を使用する場合よりもフッ素化合物が容易に焼結磁石内部に形成でき、フッ素化合物の使用量低減、塗布の均一性向上などが利点として挙げられ、フッ素あるいは希土類元素が偏析している部分を磁石表面の局所に形成し、上記偏析している部分が回転子の一極において極中心からみて非対称であることを特徴とした焼結磁石モータ。
【００１２】
本発明の実施例について説明をする前に本発明の目的を達成するための手法に関する概要を以下に述べる。何れとも粉砕粉を含まず光透過性のあるフッ素化合物系溶液を使用する。このような溶液を隙間のある低密度成形体に含浸させ、焼結させるか、あらかじめ磁粉表面にフッ素化合物を塗布した表面処理磁粉と未処理磁粉とを混合後、仮成形して焼結する。あるいは焼結ブロック表面から局所的に拡散させる。Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂを主相とする焼結磁石を作製する場合、磁粉の粒度分布を整えた後、磁界中で仮成形する。この仮成形体には磁粉と磁粉の間に隙間があるため、隙間にフッ素化合物系溶液を含浸させることにより仮成形体の中心部までフッ素化合物溶液で塗布可能である。この時、フッ素化合物溶液は透明性の高いもの、光透過性のあるものあるいは低粘度な溶液が望ましく、このような溶液を使用することで、磁粉の微小な隙間にフッ素化合物溶液を浸入させることができる。含浸はフッ素化合物溶液に仮成形体の一部を接触させることで実施でき、仮成形体とフッ素化合物溶液の接触した面に沿ってフッ素化合物溶液が塗布され、塗布した面に１ｎｍから１ｍｍの隙間があればその隙間の磁粉面に沿ってフッ素化合物溶液が含浸される。含浸方向は仮成形体の連続隙間のある方向であり、仮成形条件や磁粉の形状に依存する。含浸させるためのフッ素化合物溶液接触面と非接触面の付近とでは塗布量が異なるために焼結後のフッ素化合物を構成する元素の一部に濃度差が認められる場合がある。
【００１３】
また、前記溶液接触面と垂直方向の面とでは平均的にフッ素化合物の濃度分布に差がみられる場合がある。フッ素化合物溶液はアルカリ金属元素、アルカリ土類元素あるいは希土類元素を１種類以上含む非晶質に類似の構造をもった炭素を含有するフッ素化合物または酸素を一部含むフッ素酸素化合物（以下フッ酸化合物）からなる溶液であり、含浸処理は室温で可能である。この含浸された溶液を２００℃から４００℃の熱処理で溶媒を除去し、５００℃から８００℃の熱処理でフッ素化合物と磁粉間や粒界に炭素、希土類元素及びフッ素化合物構成元素が拡散する。磁粉には酸素が１０から５０００ｐｐｍ含有し、他の不純物元素としてＨ，Ｃ，Ｐ，Ｓｉ，Ａｌ等の軽元素あるいは遷移金属元素などが含まれる。磁粉に含まれる酸素は、希土類酸化物やＳｉ，Ａｌなどの軽元素の酸化物としてばかりでなく、母相中や粒界に化学量論組成からずれた組成の酸素を含む相としても存在する。このような酸素を含んだ相は、磁粉の磁化を減少させ、磁化曲線の形にも影響する。すなわち、残留磁束密度の値の低下、異方性磁界の減少、減磁曲線の角型性の低下、保磁力の減少、不可逆減磁率の増加、熱減磁の増加、着磁特性の変動、耐食性劣化、機械特性低下などにつながり、磁石の信頼性が低下する。酸素はこのように多くの特性に影響するので、磁粉中に残留させないような工程が考えられてきた。含浸させて磁粉表面に成長した希土類フッ素化合物は一部溶媒を含んでいるが、ＲＥＦ３を４００℃以下の熱処理で成長させ（ＲＥは希土類元素）、真空度１ｘ１０−３Ｔｏｒｒ以下で４００から８００℃で加熱保持する。保持時間は３０分である。この熱処理で磁粉の鉄原子や希土類元素、酸素がフッ素化合物に拡散し、ＲＥＦ３、ＲＥＦ２あるいはＲＥ（ＯＦ）中あるいはこれらの粒界付近に磁粉の構成元素がみられるようになる。含浸は成形体の表面から貫通する隙間に沿って生じるため、焼結後の磁石においてフッ素を含む粒界相が表面から別の表面につながるほぼ連続した層となって形成される。上記処理液を使用することにより、２００から１０００℃の比較的低温度でフッ素化合物を磁性体内部に拡散させ焼結することが可能であり、含浸することで以下のような利点が得られる。１）処理に必要なフッ素化合物量を低減できる。２）１０ｍｍ以上の厚さの焼結磁石に適用できる。３）フッ素化合物の拡散温度が低温化できる。４）焼結後の拡散熱処理が不要である。これらの特徴より、厚板磁石において、含浸部の残留磁束密度の増加、保磁力増加、減磁曲線の角型性向上、熱減磁特性向上、着磁性向上、異方性向上、耐食性向上、低損失化、機械強度向上、製造コスト低減などの効果が顕著になる。磁粉がＮｄＦｅＢ系の場合、Ｎｄ，Ｆｅ，Ｂあるいは添加元素、不純物元素が２００℃以上の加熱温度でフッ素化合物内に拡散する。上記温度でフッ素化合物層内のフッ素濃度は場所により異なり、ＲＥＦ２，ＲＥＦ３（ＲＥは希土類元素），あるいはこれらの酸フッ素化合物が層状あるいは板状に不連続に形成されるが、含浸する方向にはほぼ連続したフッ素化合物が層状に形成され、表面から反対側の表面までつながった層になる。拡散の駆動力は、温度、応力（歪）、濃度差、欠陥などであり電子顕微鏡などにより拡散した結果を確認できるがフッ素化合物粉砕粉を使用しない溶液を含浸させて使用することにより、室温で既に仮成形体の中央にフッ素化合物を形成でき、低温度で拡散させることが可能なため、フッ素化合物の使用量を少なくでき、特に高温にすると磁気特性が劣化するＮｄＦｅＢ磁石粉の場合有効である。ＮｄＦｅＢ系磁粉には、主相にＮｄ２Ｆｅ１４Ｂの結晶構造と同等の相を含む磁粉を含んでおり、Ａｌ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｔｉなどの遷移金属が上記主相に含有してもよい。また、Ｂの一部をＣとしてもよい。また主相以外にＦｅ３ＢやＮｄ２Ｆｅ２３Ｂ３などの化合物あるいは酸化物が含まれてもよい。フッ素化合物層は８００℃以下の温度でＮｄＦｅＢ系磁粉よりも高い抵抗を示すため、フッ素化合物層の形成によりＮｄＦｅＢ焼結磁石の抵抗を増加させることができ、その結果損失を低減することが可能である。フッ素化合物層中にはフッ素化合物以外に磁気特性に影響が小さい室温付近で強磁性を示さない元素であれば不純物として含んでいても問題はない。高抵抗あるいは磁気特性改善の目的で窒素化合物や炭化物などの微粒子がフッ素化合物中に混合されていても良い。このようなフッ素化合物を含浸工程によって形成された焼結磁石は、フッ素が磁石表面から別の面まで連続した層を含むか、あるいは磁石内部に表面につながらないフッ素を含む層状粒界が含まれる。このように含浸した部分では粒界付近にフッ素化合物の偏析がみられ、保磁力が増加する。保磁力の増加はＤｙＦ系溶液を使用した場合、含浸していない部部分の１．１倍から３倍である。保磁力が増加した部分では、残留磁束密度の減少が５％以下と小さいため、磁石表面の磁束密度の値が含浸しない焼結磁石とほとんど変化せずに、含浸部の耐熱性のみ向上するため、モータ内の逆磁界が印加される角付近のみ高保磁力が必要となり、その高保磁力が必要な部分は径方向の極中心からみて左右非対称である。左右非対称の高保磁力部分を形成するために、含浸と拡散処理などの手法を用いることにより、重希土類の使用量を低減することが可能である。
【００１４】
次に本発明の実施例について以下に説明する。
【００１５】
＜実施例１＞
（Ｄｙ０．９Ｃｕ０．１）Ｆｘ（Ｘ＝１−３）希土類フッ化物コート膜の形成処理液は以下
のようにして作製した。
【００１６】
〔１〕硝酸Ｄｙ４ｇを１００ｍＬの水に導入し、振とう器または超音波攪拌器を用い
て完全に溶解した。
【００１７】
〔２〕１０％に希釈したフッ化水素酸をＤｙＦｘ（Ｘ＝１−３）が生成する化学反応
の当量分徐々に加えた。
【００１８】
〔３〕ゲル状沈殿のＤｙＦｘ（Ｘ＝１−３）が生成した溶液に対して超音波攪拌器を
用いて１時間以上攪拌した。
【００１９】
〔４〕６０００〜１００００ｒ．ｐ．ｍの回転数で遠心分離した後、上澄み液を取り
除きほぼ同量のメタノールを加えた。
【００２０】
〔５〕ゲル状のＤｙＦクラスタを含むメタノール溶液を攪拌して完全に懸濁液にした
後、超音波攪拌器を用いて１時間以上攪拌した。
【００２１】
〔６〕上記〔４〕と〔５〕の操作を酢酸イオン、又は硝酸イオン等の陰イオンが検出
されなくなるまで、３〜１０回繰り返した。
【００２２】
〔７〕ＤｙＦ系の場合、ほぼ透明なゾル状のＤｙＦｘとなった。処理液としてはＤｙ
Ｆｘが１ｇ／５ｍＬのメタノール溶液を用いた。
【００２３】
〔８〕上記溶液にＣｕの有機金属化合物を溶液構造を変えない条件で添加した。
【００２４】
溶液あるいは溶液を乾燥させた膜の回折パターンは、半値幅が１度以上（２度から１０度）の複数ピークから構成されていた。これは添加元素とフッ素間あるいは金属元素間の原子間距離がＲＥｎＦｍと異なり、結晶構造もＲＥｎＦｍやＲＥｎ（Ｆ，Ｏ）ｍと異なることを示している。ここでＲＥは希土類元素、Ｆはフッ素、Ｏは酸素、ｎやｍは正の整数である。半値幅が１度以上であることから、上記原子間距離が通常の金属結晶のように一定値ではなくある分布をもっている。このような分布ができるのは、上記金属元素あるいはフッ素元素の原子の周囲に他の原子が上記化合物とは異なる配置をしているためであり、その原子は水素、炭素、酸素が主であり、加熱など外部エネルギーを加えることでこれら水素、炭素、酸素などの原子は容易に移動し構造が変化し流動性も変化する。ゾル状およびゲル状のＸ線回折パターンは半値幅が１度より大きなピークから構成されているが、熱処理により構造変化がみられ、上記ＲＥｎＦｍあるいはＲＥｎ（Ｆ，Ｏ）ｍの回折パターンの一部がみられるようになる。Ｃｕを添加しても溶液中で長周期構造を持っていない。このＲＥｎＦｍの回折ピークは上記ゾルあるいはゲルの回折ピークよりも半値幅が狭い。溶液の流動性を高め塗布膜厚を均一にするためには、上記溶液の回折パターンに１度以上の半値幅をもつピークが少なくとも一つ見られることが重要である。このような１度以上の半値幅のピークとＲＥｎＦｍの回折パターンあるいは酸フッ素化合物のピークが含まれても良い。ＲＥｎＦｍあるいは酸フッ素化合物の回折パターンのみ、または１度以下の回折パターンが溶液の回折パターンに主として観測される場合、溶液中にゾルやゲルではない固相が混合しているため流動性が悪くなる。このような溶液を用いて次にＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ（ＮｄＦｅＢと省略する）に塗布する。
【００２５】
〔１〕ＮｄＦｅＢの焼結体（１０ｘ１０ｘ１０ｍｍ３）を室温で圧縮成形し、ＤｙＦ
系コート膜形成処理中に浸漬し、そのブロックを２〜５ｔｏｒｒの減圧下で溶媒
のメタノール除去を行った。
【００２６】
〔２〕上記〔１〕の操作を１から５回繰り返し４００℃から１１００℃の温度範囲で
０．５−５時間熱処理した。
【００２７】
〔３〕上記〔２〕で表面コート膜を形成した異方性磁石の異方性方向に３０ｋＯｅ以
上のパルス磁界を印加した。
【００２８】
この着磁成形体を直流Ｍ−Ｈループ測定器にて磁極間に成形体を着磁方向が磁界印加方向に一致するように挟み、磁極間に磁界を印加することで減磁曲線を測定した。着磁成形体に磁界を印加させる磁極のポールピースには、ＦｅＣｏ合金を使用し、磁化の値は同一形状の純Ｎｉ試料及び純Ｆｅ試料を用いて校正した。
【００２９】
この結果、Ｄｙフッ化物コート膜を形成したＮｄＦｅＢ焼結体のブロックの保磁力は１．１から２倍に増加した。溶液に添加したＣｕの近傍は溶媒除去により短範囲構造が見られ、さらに熱処理することで焼結磁石の粒界に沿って溶液構成元素とともに拡散する。Ｃｕは粒界付近に溶液構成元素の一部とともに偏析する傾向を示す。高保磁力を示す焼結磁石の組成は、磁石外周部でフッ化物溶液を構成する元素の濃度が高く、磁石中心部で低濃度となる傾向を示す。これは焼結磁石ブロックの外側に添加元素を含むフッ化物溶液を塗布乾燥し、添加元素を含有し短範囲構造を有するフッ化物あるいは酸フッ化物が成長するとともに粒界付近に沿って拡散が進行するためである。すなわち、焼結磁石ブロックには外周側（最外周のフッ化物も含む）から内部にフッ素及びＣｕの濃度勾配が認められる。スラリー状の希土類元素を少なくとも１種類以上含むフッ化物、酸化物あるいは酸フッ化物のいずれかにＣｕ以外の原子番号１８から８６の元素を添加した場合、無添加の場合よりも高い保磁力が得られるなど磁気特性向上が確認できた。添加元素の役割は以下のいずれかである。１）粒界付近に偏析して界面エネルギーを低下させる。２）粒界の格子整合性を高める。３）粒界の欠陥を低減する。４）希土類元素などの粒界拡散を助長する。５）粒界付近の磁気異方性エネルギーを高める。６）フッ化物、酸フッ化物あるいは炭酸フッ化物との界面を平滑化する。７）希土類元素の異方性を高める。８）酸素を母相から除去する。９）母相のキュリー温度を高める。１０）粒界中心にＣｕを含む添加元素が偏析し、粒界相を非磁性化する。１１）焼結磁石の最外周に成長するフッ化物あるいは酸フッ化物のさらに外側に偏析し、耐蝕性の向上、粒界組成制御などに寄与する。１２）母相の磁気モーメントと界面で弱く結合する。これらの結果、保磁力の増加、減磁曲線の角型性向上、残留磁束密度増加、エネルギー積増加、キュリー温度上昇、着磁磁界低減、保磁力や残留磁束密度の温度依存性低減、耐食性向上、比抵抗増加、熱減磁率低減のいずれかの効果が認められる。またＣｕに代わる添加元素として、遷移金属元素があり、その濃度分布は焼結磁石外周から内部に平均的に濃度が減少する傾向を示し、粒界部で高濃度となる傾向を示す。粒界の幅は粒界３重点付近と粒界３重点から離れた場所とでは異なる傾向をもち、粒界３重点付近の方が幅が広く高濃度になる傾向がある。遷移金属添加元素は、粒界相あるいは粒界の端部、粒界から粒内に向かって粒内の外周（粒界側）のいずれかに偏析し易い。これらの添加元素は溶液を用いて処理後加熱拡散させるため、あらかじめ焼結磁石に添加された元素の組成分布とは異なり、フッ素あるいは希土類元素の偏析している粒界近傍で高濃度になり、フッ素の偏析が少ない粒界ではあらかじめ添加した元素の偏析が見られ、磁石ブロック最表面のフッ化物の外側と内側（磁石側）にかけて平均的な濃度勾配となって現れる。添加元素濃度が溶液中で低濃度の場合は、濃度勾配あるいは濃度差となって確認できる。このように、溶液に添加元素を加え、磁石ブロックに塗布後熱処理により焼結磁石の特性を向上させた時に、焼結磁石の特徴は以下の通りである。１）遷移金属元素の濃度勾配または平均的濃度差が最表面のフッ化物層近傍にみられる。２）遷移金属元素の粒界付近の偏析がフッ素を伴ってみられる。３）粒界相でフッ素濃度が高く粒界相の外側でフッ素濃度が低く、フッ素濃度差が見られる付近に遷移金属元素の偏析が見られ、かつ磁石ブロック表面から内部にかけて平均的な濃度勾配や濃度差がみられる。４）焼結磁石の最表面には遷移金属元素、フッ素及び炭素を含むフッ化物層あるいは酸フッ化物層が成長する。
【００３０】
このようにして作製したＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ構造を主相とするＮｄＦｅＢ系焼結磁石を積層電磁鋼板、積層アモルファスあるいは圧粉鉄と接着させて回転子を作製する場合、あらかじめ磁石を挿入する位置に挿入する。図１にモータの軸方向に垂直な断面の模式図を示す。モータは回転子１００と固定子２から構成され、固定子にはコアバック５とティース４からなり、ティース４間のコイル挿入位置７には、コイル８ａ，８ｂ，８ｃ（３相巻線のＵ相巻線８ａ，Ｖ相巻線８ｂ，Ｗ相巻線８ｃ）のコイル群が挿入されている。ティース４の先端部９よりシャフト中心には回転子が入る回転子挿入部１０が確保され、この位置に回転子１００が挿入される。回転子１００の外周側には焼結磁石が挿入されておりフッ化物溶液で処理していない部分２００とフッ化物処理部分２０１、２０２から構成されている。焼結磁石のフッ化物処理部分２０１及び２０２の面積は異なり、磁界設計により逆磁界が印加される磁界強度が大きい方を広い面積でフッ化物処理して保磁力を高めている。このように焼結磁石の外周側を部分的にフッ化物処理することにより、Ｄｙの使用量を少なくし、かつ減磁耐力を向上させることができ、使用温度範囲の拡大、モータ出力増加に繋がる。
【００３１】
＜実施例２＞
（Ｄｙ０．９Ｃｕ０．１）Ｆｘ（Ｘ＝１−３）希土類フッ化物コート膜の形成処理液は以下のようにして作製した。
【００３２】
〔１〕硝酸Ｄｙ４ｇを１００ｍＬの水に導入し、振とう器または超音波攪拌器を用い
て完全に溶解した。
【００３３】
〔２〕１０％に希釈したフッ化水素酸をＤｙＦｘ（Ｘ＝１−３）が生成する化学反応
の当量分徐々に加えた。
【００３４】
〔３〕ゲル状沈殿のＤｙＦｘ（Ｘ＝１−３）が生成した溶液に対して超音波攪拌器を
用いて１時間以上攪拌した。
【００３５】
〔４〕６０００〜１００００ｒ．ｐ．ｍの回転数で遠心分離した後、上澄み液を取り
除きほぼ同量のメタノールを加えた。
【００３６】
〔５〕ゲル状のＤｙＦクラスタを含むメタノール溶液を攪拌して完全に懸濁液にした
後、超音波攪拌器を用いて１時間以上攪拌した。
【００３７】
〔６〕上記〔４〕と〔５〕の操作を酢酸イオン、又は硝酸イオン等の陰イオンが検出
されなくなるまで、３〜１０回繰り返した。
【００３８】
〔７〕ＤｙＦ系の場合、ほぼ透明なゾル状のＤｙＦｘとなった。処理液としてはＤｙ
Ｆｘが１ｇ／５ｍＬのメタノール溶液を用いた。
【００３９】
〔８〕上記溶液にＣｕの有機金属化合物を溶液構造を変えない条件で添加した。
【００４０】
溶液あるいは溶液を乾燥させた膜の回折パターンは、半値幅が１度以上（２度から１０度）の複数ピークから構成されていた。これは添加元素とフッ素間あるいは金属元素間の原子間距離がＲＥｎＦｍと異なり、結晶構造もＲＥｎＦｍやＲＥｎ（Ｆ，Ｏ，Ｃ）ｍと異なることを示している。ここでＲＥは希土類元素、Ｆはフッ素、Ｏは酸素、Ｃは炭素、ｎやｍは正の整数である。フッ素、酸素、炭素の比率は生成物によって異なり、焼結磁石最表面ではフッ素と酸素が炭素よりも多い。半値幅が１度以上であることから、上記原子間距離が通常の金属結晶のように一定値ではなくある分布をもっている。このような分布ができるのは、上記金属元素あるいはフッ素元素の原子の周囲に他の原子が上記化合物とは異なる配置をしているためであり、その原子は水素、炭素、酸素が主であり、加熱など外部エネルギーを加えることでこれら水素、炭素、酸素などの原子は容易に移動し構造が変化し流動性も変化する。ゾル状およびゲル状のＸ線回折パターンは半値幅が１度より大きなピークから構成されているが、熱処理により構造変化がみられ、上記ＲＥｎＦｍあるいはＲＥｎ（Ｆ，Ｏ，Ｃ）ｍの回折パターンの一部がみられるようになる。Ｃｕを添加しても溶液中で長周期構造を持っていない。このＲＥｎＦｍの回折ピークは上記ゾルあるいはゲルの回折ピークよりも半値幅が狭い。溶液の流動性を高め塗布膜厚を均一にするためには、上記溶液の回折パターンに１度以上の半値幅をもつピークが少なくとも一つ見られることが重要である。このような１度以上の半値幅のピークとＲＥｎＦｍの回折パターンあるいは酸フッ素化合物のピークが含まれても良い。ＲＥｎＦｍあるいは酸フッ素化合物の回折パターンのみ、または１度以下の回折パターンが溶液の回折パターンに主として観測される場合、溶液中にゾルやゲルではない固相が混合しているため流動性が悪くなる。このような溶液を用いて次にＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ（ＮｄＦｅＢと省略する）に塗布する。
【００４１】
〔１〕ＮｄＦｅＢの焼結体（１０ｘ１０ｘ１０ｍｍ３）を室温で圧縮成形し、ＤｙＦ
系コート膜形成処理中に浸漬し、そのブロックを２〜５ｔｏｒｒの減圧下で溶媒
のメタノール除去を行った。
【００４２】
〔２〕上記〔１〕の操作を１から５回繰り返し４００℃から１１００℃の温度範囲で
０．５−５時間熱処理した。
【００４３】
〔３〕上記〔２〕で表面コート膜を形成した異方性磁石の異方性方向に３０ｋＯｅ以
上のパルス磁界を印加した。
【００４４】
この着磁成形体を直流Ｍ−Ｈループ測定器にて磁極間に成形体を着磁方向が磁界印加方向に一致するように挟み、磁極間に磁界を印加することで減磁曲線を測定した。着磁成形体に磁界を印加させる磁極のポールピースには、ＦｅＣｏ合金を使用し、磁化の値は同一形状の純Ｎｉ試料及び純Ｆｅ試料を用いて校正した。
【００４５】
この結果、Ｄｙフッ化物コート膜を形成したＮｄＦｅＢ焼結体のブロックの保磁力は１．１から３倍に増加した。溶液に添加したＣｕの近傍は溶媒除去により短範囲構造が見られ、さらに熱処理することで焼結磁石の粒界に沿って溶液構成元素とともに拡散する。Ｃｕは粒界付近に溶液構成元素の一部とともに偏析する傾向を示す。高保磁力を示す焼結磁石の組成は、磁石外周部でフッ化物溶液を構成する元素の濃度が高く、磁石中心部で低濃度となる傾向を示す。これは焼結磁石ブロックの外側に添加元素を含むフッ化物溶液を塗布乾燥し、添加元素を含有し短範囲構造を有するフッ化物あるいは酸フッ化物が成長するとともに粒界付近に沿って拡散が進行するためである。すなわち、焼結磁石ブロックには外周側（最外周のフッ化物も含む）から内部にフッ素及びＣｕの濃度勾配が認められる。スラリー状の希土類元素を少なくとも１種類以上含むフッ化物、酸化物あるいは酸フッ化物のいずれかにＣｕ以外の原子番号１８から８６の元素を添加した場合、無添加の場合よりも高い保磁力が得られるなど磁気特性向上が確認できた。添加元素の役割は以下のいずれかである。１）粒界付近に偏析して界面エネルギーを低下させる。２）粒界の格子整合性を高める。３）粒界の欠陥を低減する。４）希土類元素などの粒界拡散を助長する。５）粒界付近の磁気異方性エネルギーを高める。６）フッ化物、酸フッ化物あるいは炭酸フッ化物との界面を平滑化する。７）希土類元素の異方性を高める。８）酸素を母相から除去する。９）母相のキュリー温度を高める。１０）粒界中心にＣｕを含む添加元素が偏析し、粒界相を非磁性化する。１１）焼結磁石の最外周に成長するフッ化物あるいは酸フッ化物のさらに外側に偏析し、耐蝕性の向上、粒界組成制御などに寄与する。１２）母相の磁気モーメントと界面で弱く結合する。これらの結果、保磁力の増加、減磁曲線の角型性向上、残留磁束密度増加、エネルギー積増加、キュリー温度上昇、着磁磁界低減、保磁力や残留磁束密度の温度依存性低減、耐食性向上、比抵抗増加、熱減磁率低減のいずれかの効果が認められる。またＣｕに代わる添加元素として、遷移金属元素があり、その濃度分布は焼結磁石外周から内部に平均的に濃度が減少する傾向を示し、粒界部で高濃度となる傾向を示す。粒界の幅は粒界３重点付近と粒界３重点から離れた場所とでは異なる傾向をもち、粒界３重点付近の方が幅が広く高濃度になる傾向がある。遷移金属添加元素は、粒界相あるいは粒界の端部、粒界から粒内に向かって粒内の外周（粒界側）のいずれかに偏析し易い。これらの添加元素は溶液を用いて処理後加熱拡散させるため、あらかじめ焼結磁石に添加された元素の組成分布とは異なり、フッ素あるいは希土類元素の偏析している粒界近傍で高濃度になり、フッ素の偏析が少ない粒界ではあらかじめ添加した元素の偏析が見られ、磁石ブロック最表面のフッ化物の外側と内側（磁石側）にかけて平均的な濃度勾配となって現れる。添加元素濃度が溶液中で低濃度の場合は、濃度勾配あるいは濃度差となって確認できる。このように、溶液に添加元素を加え、磁石ブロックに塗布後熱処理により焼結磁石の特性を向上させた時に、焼結磁石の特徴は以下の通りである。１）遷移金属元素の濃度勾配または平均的濃度差が最表面のフッ化物層近傍にみられる。２）遷移金属元素の粒界付近の偏析がフッ素を伴ってみられる。３）粒界相でフッ素濃度が高く粒界相の外側でフッ素濃度が低く、フッ素濃度差が見られる付近に遷移金属元素の偏析が見られ、かつ磁石ブロック表面から内部にかけて平均的な濃度勾配や濃度差がみられる。４）焼結磁石の最表面には遷移金属元素、フッ素及び炭素を含むフッ化物層あるいは酸フッ化物層が成長する。
【００４６】
このようにして作製したＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ構造を主相とするＮｄＦｅＢ系焼結磁石を積層電磁鋼板、積層アモルファスあるいは圧粉鉄と接着させて回転子を作製する場合、あらかじめ磁石を挿入する位置に挿入する。図２にモータの軸方向に垂直な断面の模式図を示す。モータは回転子１００と固定子２から構成され、固定子にはコアバック５とティース４からなり、ティース４間のコイル挿入位置７には、コイル８ａ，８ｂ，８ｃ（３相巻線のＵ相巻線８ａ，Ｖ相巻線８ｂ，Ｗ相巻線８ｃ）のコイル群が挿入されている。ティース４の先端部９よりシャフト中心には回転子が入る回転子挿入部１０が確保され、この位置に回転子１００が挿入される。回転子１００の外周側には１極当り複数の焼結磁石２０１が挿入されている。焼結磁石に要求される性能は、使用環境温度、磁界強度、磁界波形、周波数、誘起電圧、トルク、コギングトルク、振動、騒音などによって変わる。図８には種々のフッ化物処理した焼結磁石を示す。これらの焼結磁石を図２の回転子１００の焼結磁石２０１に使用するために上記工程により製造した。図８の焼結磁石は立方体であり、その長辺が軸方向に平行になり、短辺にほぼ平行方向が異方性の方向、すなわち着磁方向である。図８において焼結磁石はフッ化物で処理していない部分２０３とフッ化物処理した部分２０１を形成している。いずれの焼結磁石の場合も少なくとも１ケ所以上の角あるいは辺がフッ化物処理されている。フッ化物で処理していない部分２０３とフッ化物処理した部分２０１はそれぞれ、低保磁力部と高保磁力部に相当する。フッ化物処理部分２０１と未処理部分２０３の境界は、直線であったり曲線であったりするが、平均結晶粒の１０倍から１０００倍の距離でフッ素など塗布材料の濃度勾配がみられ、この境界部の幅は１０μｍから１００００μｍの範囲である。フッ化物処理は、上記のように溶液を使用して塗布後、加熱拡散させている。加熱は４００℃から１１００℃の温度範囲で０．５−５時間熱処理する手法以外に、電磁波を使用してフッ化物を発熱させる手法があり、後者の方が局所付近のみを選択的に高温にすることができ、未処理部分２０２の熱処理による磁気特性劣化を抑制することができる。図８（ａ）の焼結磁石は異方性に垂直方向の両端部がフッ化物で処理されている。フッ化物処理部２０１は回転軸の軸方向の中心部で狭く軸方向の中心部から離れる両端部で広くなっている。これは焼結磁石の角が逆磁界に弱い部分の一つであると考えられるためである。図８（ｂ）に示す焼結磁石は、４つの角と異方性の方向に平行な面全てをフッ化物処理したものである。フッ化物未処理部分２０２は異方性方向に垂直な２つの面の中心部のみであり、角及び辺付近の逆磁界に対して弱い場所の保磁力を高めている。図８（ｃ）は異方性方向に平行な面４面の中で１つの面を全てフッ化物処理し、残りの面の一部がフッ化物処理されている焼結磁石である。このような焼結磁石は、焼結磁石の片側付近に逆磁界が付加される場合に減磁しにくい磁石として適用でき、焼結磁石の異方性方向が回転子の軸方向に垂直な断面において、中心からみた径方向から傾斜して配置されている場合に有効である。図８（ｄ）は図８（ｃ）の焼結磁石よりもフッ化物��理領域を小さくして、フッ化物処理量を少なくしたものである。図８（ｄ）では、フッ化物処理部分２０１が異方性に平行な面でその面積が変化しており、フッ化物処理部分２０１と未処理部分２０３の境界が異方性方向から傾斜している。このような焼結磁石は焼結磁石の４つの角の中で２つの角及び異方性方向に平行な面の１面をフッ化物処理したものであり、長辺の１辺付近を特に高保磁力にする場合効果的である。図８（ｅ）は異方性に垂直な２つの面でフッ化物処理部分の面積が異なる場合であり、面積が広い方が回転子において外周側に配置することで、逆磁界に対して焼結磁石の磁化が回転子外周側で反転しにくく設計する場合に有効である。図８（ｆ）は焼結磁石の８個の角と６個の辺のうち、４個の角と２つの辺近傍を高保磁力にする場合に、フッ化物処理部分２０１を溶液処理により形成する。このような図８の６種類の焼結磁石を図２の焼結磁石挿入位置２０１に配置することにより、Ｄｙ使用料を低減させた回転子を製造できる。
【００４７】
＜実施例３＞
Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ構造を主相とするＮｄＦｅＢ系焼結磁石を積層電磁鋼板、積層アモルファスあるいは圧粉鉄と接着させて回転子を作製する場合、あらかじめ磁石を挿入する位置に挿入する。図３にモータの軸方向に垂直な断面の模式図を示す。モータは回転子１００と固定子２から構成され、固定子にはコアバック５とティース４からなり、ティース４間のコイル挿入位置７には、コイル８ａ，８ｂ，８ｃ（３相巻線のＵ相巻線８ａ，Ｖ相巻線８ｂ，Ｗ相巻線８ｃ）のコイル群が挿入されている。ティース４の先端部９よりシャフト中心には回転子が入る回転子挿入部１０が確保され、この位置に回転子１００が挿入される。回転子１００の外周側には１極当り複数の焼結磁石が挿入されている。焼結磁石はフッ化物処理部分２０３０と未処理部分２０２０からなり、焼結磁石ブロックの一部をフッ化物溶液に浸漬後熱処理して高保磁力とすることができる。図３に示すように、フッ化物処理部分２０３０は一つの極において中心から径方向に極をみた場合、左右対称ではなく、焼結磁石角部分のフッ化物塗布位置は非対称である。左右対称にフッ化物処理しても、保磁力の分布は左右非対称とすることで、Ｄｙなどの保磁力増加に必要な元素の濃度を低減することができる。焼結磁石に要求される性能は、使用環境温度、磁界強度、磁界波形、周波数、誘起電圧、トルク、コギングトルク、振動、騒音などによって変わる。図８には種々のフッ化物処理した焼結磁石を示す。これらの焼結磁石を図２の回転子１００の焼結磁石２０１に使用するために下記工程により製造した。フッ化物処理している部分２０３の特徴は以下の通りである。１）フッ素が少なくとも０．１ａｔ％以上含有する相が形成されている。２）フッ素原子の一部はＮｄと結合している。３）フッ素及びＮｄが偏在化している。４）フッ素やＮｄあるいは炭素が粒界に多く存在している。４）最外周にはフッ素化合物あるいは酸素や炭素を含有する化合物層が一部Ｃｕの偏析層と隣接して成長している。５）フッ素化合物の一部には鉄を含有している。５）粒界相の幅は焼結磁石の外側で広く、平均１から２０ｎｍである。この粒界相の幅は粒界３重点近傍で広い。６）母相の結晶粒内に少なくとも１個フッ素の多い粒が成長している。７）フッ化物未処理部分と比較して保磁力が１．１から２倍大きい。８）Ｈｋが１．０５から１．１倍大きい。このような特徴をもったフッ化物処理部分は以下のように作成した。（Ｄｙ０．９Ｃｕ０．１）Ｆｘ（Ｘ＝１−３）希土類フッ化物コート膜の形成処理液は以下のようにして作製した。
【００４８】
〔１〕硝酸Ｄｙ４ｇを１００ｍＬの水に導入し、振とう器または超音波攪拌器を用い
て完全に溶解した。
【００４９】
〔２〕１０％に希釈したフッ化水素酸をＤｙＦｘ（Ｘ＝１−３）が生成する化学反応
の当量分徐々に加えた。
【００５０】
〔３〕ゲル状沈殿のＤｙＦｘ（Ｘ＝１−３）が生成した溶液に対して超音波攪拌器を
用いて１時間以上攪拌した。
【００５１】
〔４〕６０００〜１００００ｒ．ｐ．ｍの回転数で遠心分離した後、上澄み液を取り
除きほぼ同量のメタノールを加えた。
【００５２】
〔５〕ゲル状のＤｙＦクラスタを含むメタノール溶液を攪拌して完全に懸濁液にした
後、超音波攪拌器を用いて１時間以上攪拌した。
【００５３】
〔６〕上記〔４〕と〔５〕の操作を酢酸イオン、又は硝酸イオン等の陰イオンが検出
されなくなるまで、３〜１０回繰り返した。
【００５４】
〔７〕ＤｙＦ系の場合、ほぼ透明なゾル状のＤｙＦｘとなった。処理液としてはＤｙ
Ｆｘが１ｇ／５ｍＬのメタノール溶液を用いた。
【００５５】
〔８〕上記溶液にＣｕの有機金属化合物を溶液構造を変えない条件で添加した。
【００５６】
溶液あるいは溶液を乾燥させた膜の回折パターンは、半値幅が０．５度以上（０．５度から１０度）の複数ピークから構成されていた。これは添加元素とフッ素間あるいは金属元素間の原子間距離がＲＥｎＦｍと異なり、結晶構造もＲＥｎＦｍやＲＥｎＦｍＯｈＣｉと異なることを示している。ここでＲＥは希土類元素、Ｆはフッ素、Ｏは酸素、Ｃは炭素ｎやｍ、ｈ、ｉは正の整数である。半値幅が０．５度以上であることから、上記原子間距離が通常の金属結晶のように一定値ではなくある分布をもっている。このような分布ができるのは、上記金属元素あるいはフッ素元素の原子の周囲に他の原子が上記化合物とは異なる配置をしているためであり、その原子は水素、炭素、酸素が主であり、加熱など外部エネルギーを加えることでこれら水素、炭素、酸素などの原子は容易に移動し構造が変化し流動性も変化する。ゾル状およびゲル状のＸ線回折パターンは半値幅が１度より大きなピークから構成されているが、熱処理により構造変化がみられ、上記ＲＥｎＦｍあるいはＲＥｎＦｍＯｈＣｉの回折パターンの一部がみられるようになる。Ｃｕを添加しても溶液中で長周期構造を持っていない。このＲＥｎＦｍの回折ピークは上記ゾルあるいはゲルの回折ピークよりも半値幅が狭い。溶液の流動性を高め塗布膜厚を均一にするためには、上記溶液の回折パターンに１度以上の半値幅をもつピークが少なくとも一つ見られることが重要である。このような１度以上の半値幅のピークとＲＥｎＦｍの回折パターンあるいは酸フッ素化合物のピークが含まれても良い。ＲＥｎＦｍあるいは酸フッ素化合物の回折パターンのみ、または１度以下の回折パターンが溶液の回折パターンに主として観測される場合、溶液中にゾルやゲルではない固相が混合しているため流動性が悪くなる。このような溶液を用いて次にＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ（ＮｄＦｅＢと省略する）に塗布する。
【００５７】
〔１〕ＮｄＦｅＢの焼結体（１０ｘ１０ｘ１０ｍｍ３）を室温で圧縮成形し、ＤｙＦ
系コート膜形成処理中に浸漬し、そのブロックを２〜５ｔｏｒｒの減圧下で溶媒
のメタノール除去を行った。
【００５８】
〔２〕上記〔１〕の操作を１から５回繰り返し４００℃から１１００℃の温度範囲で
０．５−５時間熱処理した。
【００５９】
〔３〕上記〔２〕で表面コート膜を形成した異方性磁石の異方性方向に３０ｋＯｅ以
上のパルス磁界を印加した。
【００６０】
この着磁成形体を直流Ｍ−Ｈループ測定器にて磁極間に成形体を着磁方向が磁界印加方向に一致するように挟み、磁極間に磁界を印加することで減磁曲線を測定した。着磁成形体に磁界を印加させる磁極のポールピースには、ＦｅＣｏ合金を使用し、磁化の値は同一形状の純Ｎｉ試料及び純Ｆｅ試料を用いて校正した。
【００６１】
この結果、Ｄｙフッ化物コート膜を形成したＮｄＦｅＢ焼結体のブロックの保磁力は１．１から４倍に増加した。溶液に添加したＣｕの近傍は溶媒除去により短範囲構造が見られ、さらに熱処理することで焼結磁石の粒界に沿って溶液構成元素とともに拡散する。Ｃｕは粒界付近に溶液構成元素の一部とともに偏析する傾向を示す。高保磁力を示す焼結磁石の組成は、磁石外周部でフッ化物溶液を構成する元素の濃度が高く、磁石中心部で低濃度となる傾向を示す。これは焼結磁石ブロックの外側に添加元素を含むフッ化物溶液を塗布乾燥し、添加元素を含有し短範囲構造を有するフッ化物あるいは酸フッ化物が成長するとともに粒界付近に沿って拡散が進行するためである。すなわち、焼結磁石ブロックには外周側（最外周のフッ化物も含む）から内部にフッ素及びＣｕの濃度勾配が認められる。スラリー状の希土類元素を少なくとも１種類以上含むフッ化物、酸化物あるいは酸フッ化物のいずれかにＣｕ以外の原子番号１８から８６の元素を添加した場合、無添加の場合よりも高い保磁力が得られるなど磁気特性向上が確認できた。添加元素の役割は以下のいずれかである。１）粒界付近に偏析して界面エネルギーを低下させる。２）粒界の格子整合性を高める。３）粒界の欠陥を低減する。４）希土類元素などの粒界拡散を助長する。５）粒界付近の磁気異方性エネルギーを高める。６）フッ化物、酸フッ化物あるいは炭酸フッ化物との界面を平滑化する。７）希土類元素の異方性を高める。８）酸素を母相から除去する。９）母相のキュリー温度を高める。１０）粒界中心にＣｕを含む添加元素が偏析し、粒界相を非磁性化する。１１）焼結磁石の最外周に成長するフッ化物あるいは酸フッ化物のさらに外側に偏析し、耐蝕性の向上、粒界組成制御などに寄与する。  １２）母相の磁気モーメントと界面で弱く結合する。これらの結果、保磁力の増加、減磁曲線の角型性向上、残留磁束密度増加、エネルギー積増加、キュリー温度上昇、着磁磁界低減、保磁力や残留磁束密度の温度依存性低減、耐食性向上、比抵抗増加、熱減磁率低減のいずれかの効果が認められる。またＣｕに代わる添加元素として、遷移金属元素があり、その濃度分布は焼結磁石外周から内部に平均的に濃度が減少する傾向を示し、粒界部で高濃度となる傾向を示す。粒界の幅は粒界３重点付近と粒界３重点から離れた場所とでは異なる傾向をもち、粒界３重点付近の方が幅が広く高濃度になる傾向がある。遷移金属添加元素は、粒界相あるいは粒界の端部、粒界から粒内に向かって粒内の外周（粒界側）のいずれかに偏析し易い。これらの添加元素は溶液を用いて処理後加熱拡散させるため、あらかじめ焼結磁石に添加された元素の組成分布とは異なり、フッ素あるいは希土類元素の偏析している粒界近傍で高濃度になり、フッ素の偏析が少ない粒界ではあらかじめ添加した元素の偏析が見られ、磁石ブロック最表面のフッ化物の外側と内側（磁石側）にかけて平均的な濃度勾配となって現れる。添加元素濃度が溶液中で低濃度の場合は、濃度勾配あるいは濃度差となって確認できる。このように、溶液に添加元素を加え、磁石ブロックに塗布後熱処理により焼結磁石の特性を向上させた時に、焼結磁石の特徴は以下の通りである。１）遷移金属元素の���度勾配または平均的濃度差が最表面のフッ化物層近傍にみられる。２）遷移金属元素の粒界付近の偏析がフッ素を伴ってみられる。３）粒界相でフッ素濃度が高く粒界相の外側でフッ素濃度が低く、フッ素濃度差が見られる付近に遷移金属元素の偏析が見られ、かつ磁石ブロック表面から内部にかけて平均的な濃度勾配や濃度差がみられる。４）焼結磁石の最表面には遷移金属元素、フッ素及び炭素を含むフッ化物層あるいは酸フッ化物層が成長する。
【００６２】
上記のようなフッ化物処理した焼結磁石は以下のような組成で示すことができる。
【００６３】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系（Ｒは希土類元素）焼結磁石に表面からＧ成分（Ｇは遷移金属元素及び希土類元素からそれぞれ１種以上選択される元素、または遷移金属元素及びアルカリ土類金属元素からそれぞれ１種以上選択される元素）及びフッ素原子を拡散させることによって得られ、次の式（１）または（２）
ＲａＧｂＴｃＡｄＦｅＯｆＭｇ      （１）
（Ｒ・Ｇ）ａ＋ｂＴｃＡｄＦｅＯｆＭｇ  （２）
（ここでＲは希土類元素から選択される１種又は２種以上、Ｍはフッ素を含有する溶液を塗布する前に焼結磁石内に存在する希土類元素を除く２族から１１６族のＣとＢを除く元素、Ｇは遷移金属元素及び希土類元素からそれぞれ１種以上選択される元素、または遷移金属元素及びアルカリ土類金属元素からそれぞれ１種以上選択される元素であるが、ＲとＧが同一元素を含有していても良く、ＲとＧが同一元素を含有していない場合は式（１）で表され、ＲとＧが同一元素を含有している場合は式（２）で表される。ＴはＦｅ及びＣｏから選ばれる１種又は２種、ＡはＢ（ホウ素）及びＣ（炭素）から選ばれる１種又は２種以上、ａ−ｇは合金の原子％でａ，ｂは式（１）の場合１０≦ａ≦１５、０．００５≦ｂ≦２であり、式（２）の場合は１０．００５≦ａ＋ｂ≦１７であり、３≦ｄ≦１５、０．０１≦ｅ≦４、０．０４≦ｆ≦４、０．０１≦ｇ≦１１、残部がｃである。）
で示される組成を有する焼結磁石であって、その構成元素であるＦ及び遷移金属元素の少なくとも１種が磁石中心から磁石表面に向かって平均的に含有濃度が高くなるように分布し、かつ該焼結磁石中の（Ｒ、Ｇ）２Ｔ１４Ａ正方晶からなる主相結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界部において、結晶粒界に含まれるＧ／（Ｒ＋Ｇ）の濃度が主相結晶粒中Ｇ／（Ｒ＋Ｇ）濃度よりも平均的に濃く、かつ磁石表面から少なくとも１０μｍの深さ領域において結晶粒界部にＲ及びＧの酸フッ化物、フッ化物または炭酸フッ化物が存在し、磁石表層付近の保磁力が内部よりも高いことを特徴とする希土類永久磁石は、遷移金属元素の濃度勾配が焼結磁石の表面から中心に向かって認められることが特徴の一つである。
【００６４】
＜実施例４＞
Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ構造を主相とするＮｄＦｅＢ系焼結磁石を積層電磁鋼板、積層アモルファスあるいは圧粉鉄と接着させて回転子を作製する場合、あらかじめ磁石を挿入する位置に挿入する。図４から図７にモータの軸方向に垂直な回転子１０１一極の断面の模式図を示す。焼結磁石はフッ化物処理部分１０６と未処理部分１０５からなり、焼結磁石ブロックの一部をフッ化物溶液に浸漬後熱処理して高保磁力とすることができる。図４から図６に示すように、フッ化物処理部分１０６は一つの極において中心から径方向に極をみた場合、左右対称ではなく、焼結磁石角部分のフッ化物塗布位置は非対称である。左右対称にフッ化物処理しても、保磁力の分布は左右非対称とすることで、Ｄｙなどの保磁力増加に必要な元素の濃度を低減することができる。リラクタンストルク確保のため局中心に空間部１０４を設けている。焼結磁石に要求される性能は、使用環境温度、磁界強度、磁界波形、周波数、誘起電圧、トルク、コギングトルク、振動、騒音などによって変わる。図４では、外周側の２個の磁石の端部１ケ所をフッ化物処理した焼結磁石及び２ケ所の端部をフッ化物処理した焼結磁石を配置している。フッ化物処理による残留磁束密度の減少は０．２％以下と小さいため、回転子の外周側で測定できる表面磁束密度の波形はフッ化物処理しない場合とほとんど変化しない。このため誘起電圧波形へのフッ化物処理部分の影響は少なく、逆磁界の大きい部分のみフッ化物処理することで、省資源と高効率モータ特性を両立できる。図５には外周側及び内周側のすべての磁石にフッ化物処理を施し、少なくとも１つの角がフッ化物処理により高保磁力化されている。このようなフッ化物処理部分１０６は未処理部分１０５よりも外周側あるいは角部に必要に応じて塗布拡散させれば高保磁力化が可能である。さらに図６では、フッ化物処理部分１０６の境界線が焼結磁石の辺に平行ではなく角度をもった部分に処理されている焼結磁石が配置されている。このようなフッ化物処理領域を限定することで希土類元素の使用量を低減できる。また図７では４個の磁石のすべてが外周側の角部のみフッ化物処理部分１０６を有し、他の部分は未処理部分１０５になっている。このような角部のみフッ化物処理を施し、その境界線が立方体の辺に平行でない磁石は、溶液を使用してマスクなしで作成することが可能である。また図９は、回転子の斜視図であり、シャフト３０１の外周側に焼結磁石が配置され、フッ化物処理部３０３と未処理部分３０２から構成されている。フッ化物処理部３０３を軸方向から傾斜するようにすることで、モータの騒音や振動を低減することが可能である。このような部分的にフッ化物処理を施した焼結磁石は以下の手法で作製できる。その一例を下記に示す。まずフッ化物溶液を作成し、溶液を塗布後、加熱することでフッ化物を焼結磁石内部に拡散させた。
【００６５】
（Ｄｙ０．９Ｃｕ０．１）Ｆｘ（Ｘ＝１−３）希土類フッ化物コート膜の形成処理液は以下のようにして作製した。
【００６６】
〔１〕硝酸Ｄｙ４ｇを１００ｍＬの水に導入し、振とう器または超音波攪拌器を用い
て完全に溶解した。
【００６７】
〔２〕１０％に希釈したフッ化水素酸をＤｙＦｘ（Ｘ＝１−３）が生成する化学反応
の当量分徐々に加えた。
【００６８】
〔３〕ゲル状沈殿のＤｙＦｘ（Ｘ＝１−３）が生成した溶液に対して超音波攪拌器を
用いて１時間以上攪拌した。
【００６９】
〔４〕６０００〜１００００ｒ．ｐ．ｍの回転数で遠心分離した後、上澄み液を取り
除きほぼ同量のメタノールを加えた。
【００７０】
〔５〕ゲル状のＤｙＦクラスタを含むメタノール溶液を攪拌して完全に懸濁液にした
後、超音波攪拌器を用いて１時間以上攪拌した。
【００７１】
〔６〕（４）と（５）の操作を酢酸イオン、又は硝酸イオン等の陰イオンが検出され
なくなるまで、３〜１０回繰り返した。
【００７２】
〔７〕ＤｙＦ系の場合、ほぼ透明なゾル状のＤｙＦｘとなった。処理液としてはＤｙ
Ｆｘが１ｇ／５ｍＬのメタノール溶液を用いた。
【００７３】
〔８〕上記溶液にＣｏの有機金属化合物を溶液構造を変えない条件で添加した。
【００７４】
溶液あるいは溶液を乾燥させた膜の回折パターンは、半値幅が０．５度以上（０．５度から１０度）の複数ピークから構成されていた。これは添加元素とフッ素間あるいは金属元素間の原子間距離がＲＥｎＦｍと異なり、結晶構造もＲＥｎＦｍやＲＥｎＦｍＯｈＣｉと異なることを示している。ここでＲＥは希土類元素、Ｆはフッ素、Ｏは酸素、Ｃは炭素ｎやｍ、ｈ、ｉは正の整数である。半値幅が０．５度以上であることから、上記原子間距離が通常の金属結晶のように一定値ではなくある分布をもっている。このような分布ができるのは、上記金属元素あるいはフッ素元素の原子の周囲に他の原子が上記化合物とは異なる配置をしているためであり、その原子は水素、炭素、酸素が主であり、加熱など外部エネルギーを加えることでこれら水素、炭素、酸素などの原子は容易に移動し構造が変化し流動性も変化する。ゾル状およびゲル状のＸ線回折パターンは半値幅が１度より大きなピークから構成されているが、熱処理により構造変化がみられ、上記ＲＥｎＦｍあるいはＲＥｎＦｍＯｈＣｉの回折パターンの一部がみられるようになる。Ｃｏを添加しても溶液中で長周期構造を持っていない。このＲＥｎＦｍの回折ピークは上記ゾルあるいはゲルの回折ピークよりも半値幅が狭い。溶液の流動性を高め塗布膜厚を均一にするためには、上記溶液の回折パターンに１度以上の半値幅をもつピークが少なくとも一つ見られることが重要である。このような１度以上の半値幅のピークとＲＥｎＦｍの回折パターンあるいは酸フッ素化合物のピークが含まれても良い。ＲＥｎＦｍあるいは酸フッ素化合物の回折パターンのみ、または１度以下の回折パターンが溶液の回折パターンに主として観測される場合、溶液中にゾルやゲルではない固相が混合しているため流動性が悪くなる。このような溶液を用いて次にＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ（ＮｄＦｅＢと省略する）に塗布する。
【００７５】
〔１〕ＮｄＦｅＢの焼結体（１０ｘ１０ｘ１０ｍｍ３）を室温で圧縮成形し、ＤｙＦ
系コート膜形成処理中に浸漬し、そのブロックを２〜５ｔｏｒｒの減圧下で溶媒
のメタノール除去を行った。
【００７６】
〔２〕上記〔１〕の操作を１から５回繰り返し４００℃から１１００℃の温度範囲で
０．５−５時間熱処理した。
【００７７】
〔３〕上記〔２〕で表面コート膜を形成した異方性磁石の異方性方向に３０ｋＯｅ以
上のパルス磁界を印加した。
【００７８】
この着磁成形体を直流Ｍ−Ｈループ測定器にて磁極間に成形体を着磁方向が磁界印加方向に一致するように挟み、磁極間に磁界を印加することで減磁曲線を測定した。着磁成形体に磁界を印加させる磁極のポールピースには、ＦｅＣｏ合金を使用し、磁化の値は同一形状の純Ｎｉ試料及び純Ｆｅ試料を用いて校正した。
【００７９】
この結果、Ｄｙフッ化物コート膜を形成したＮｄＦｅＢ焼結体のブロックの保磁力は１．１から４倍に増加した。溶液に添加したＣｏの近傍は溶媒除去により短範囲構造が見られ、さらに熱処理することで焼結磁石の粒界に沿って溶液構成元素とともに拡散する。Ｃｏは粒界付近に溶液構成元素の一部とともに偏析する傾向を示す。高保磁力を示す焼結磁石の組成は、磁石外周部でフッ化物溶液を構成する元素の濃度が高く、磁石中心部で低濃度となる傾向を示す。これは焼結磁石ブロックの外側に添加元素を含むフッ化物溶液を塗布乾燥し、添加元素を含有し短範囲構造を有するフッ化物あるいは酸フッ化物が成長するとともに粒界付近に沿って拡散が進行するためである。すなわち、焼結磁石ブロックには外周側（最外周のフッ化物も含む）から内部にフッ素及びＣｏの濃度勾配が認められる。スラリー状の希土類元素を少なくとも１種類以上含むフッ化物、酸化物あるいは酸フッ化物のいずれかにＣｏ以外の原子番号１８から８６の元素を添加した場合、無添加の場合よりも高い保磁力が得られるなど磁気特性向上が確認できた。添加元素の役割は以下のいずれかである。１）粒界付近に偏析して界面エネルギーを低下させる。２）粒界の格子整合性を高める。３）粒界の欠陥を低減する。４）希土類元素などの粒界拡散を助長する。５）粒界付近の磁気異方性エネルギーを高める。６）フッ化物、酸フッ化物あるいは炭酸フッ化物との界面を平滑化する。７）希土類元素の異方性を高める。８）酸素を母相から除去する。９）母相のキュリー温度を高める。１０）粒界中心にＣｕを含む添加元素が偏析し、粒界相を非磁性化する。１１）焼結磁石の最外周に成長するフッ化物あるいは酸フッ化物のさらに外側に偏析し、耐蝕性の向上、粒界組成制御などに寄与する。１２）母相の磁気モーメントと界面で弱く結合する。これらの結果、保磁力の増加、減磁曲線の角型性向上、残留磁束密度増加、エネルギー積増加、キュリー温度上昇、着磁磁界低減、保磁力や残留磁束密度の温度依存性低減、耐食性向上、比抵抗増加、熱減磁率低減のいずれかの効果が認められる。またＣｏに代わる添加元素として、遷移金属元素があり、その濃度分布は焼結磁石外周から内部に平均的に濃度が減少する傾向を示し、粒界部で高濃度となる傾向を示す。粒界の幅は粒界３重点付近と粒界３重点から離れた場所とでは異なる傾向をもち、粒界３重点付近の方が幅が広く高濃度になる傾向がある。遷移金属添加元素は、粒界相あるいは粒界の端部、粒界から粒内に向かって粒内の外周（粒界側）のいずれかに偏析し易い。これらの添加元素は溶液を用いて処理後加熱拡散させるため、あらかじめ焼結磁石に添加された元素の組成分布とは異なり、フッ素あるいは希土類元素の偏析している粒界近傍で高濃度になり、フッ素の偏析が少ない粒界ではあらかじめ添加した元素の偏析が見られ、磁石ブロック最表面のフッ化物の外側と内側（磁石側）にかけて平均的な濃度勾配となって現れる。添加元素濃度が溶液中で低濃度の場合は、濃度勾配あるいは濃度差となって確認できる。このように、溶液に添加元素を加え、磁石ブロックに塗布後熱処理により焼結磁石の特性を向上させた時に、焼結磁石の特徴は以下の通りである。１）遷移金属元素の濃度勾配または平均的濃度差が最表面のフッ化物層近傍にみられる。２）遷移金属元素の粒界付近の偏析がフッ素を伴ってみられる。３）粒界相でフッ素濃度が高く粒界相の外側でフッ素濃度が低く、フッ素濃度差が見られる付近に遷移金属元素の偏析が見られ、かつ磁石ブロック表面から内部にかけて平均的な濃度勾配や濃度差がみられる。４）焼結磁石の最表面には遷移金属元素、フッ素及び炭素を含むフッ化物層あるいは酸フッ化物層が成長する。
【００８０】
上記のようなフッ化物処理した焼結磁石は以下のような組成で示すことができる。
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系（Ｒは希土類元素）焼結磁石に表面からＧ成分（Ｇは遷移金属元素及び希土類元素からそれぞれ１種以上選択される元素、または遷移金属元素及びアルカリ土類金属元素からそれぞれ１種以上選択される元素）及びフッ素原子を拡散させることによって得られ、次の式（１）または（２）
ＲａＧｂＴｃＡｄＦｅＯｆＭｇ    （１）
（Ｒ・Ｇ）ａ＋ｂＴｃＡｄＦｅＯｆＭｇ  （２）
（ここでＲは希土類元素から選択される１種又は２種以上、Ｍはフッ素を含有する溶液を塗布する前に焼結磁石内に存在する希土類元素を除く２族から１１６族のＣとＢを除く元素、Ｇは遷移金属元素及び希土類元素からそれぞれ１種以上選択される元素、または遷移金属元素及びアルカリ土類金属元素からそれぞれ１種以上選択される元素であるが、ＲとＧが同一元素を含有していても良く、ＲとＧが同一元素を含有していない場合は式（１）で表され、ＲとＧが同一元素を含有している場合は式（２）で表される。ＴはＦｅ及びＣｏから選ばれる１種又は２種、ＡはＢ（ホウ素）及びＣ（炭素）から選ばれる１種又は２種以上、ａ−ｇは合金の原子％でａ，ｂは式（１）の場合１０≦ａ≦１５、０．００５≦ｂ≦２であり、式（２）の場合は１０．００５≦ａ＋ｂ≦１７であり、３≦ｄ≦１５、０．０１≦ｅ≦４、０．０４≦ｆ≦４、０．０１≦ｇ≦１１、残部がｃである。）で示される組成を有する焼結磁石であって、その構成元素であるＦ及び遷移金属元素の少なくとも１種が磁石中心から磁石表面に向かって平均的に含有濃度が高くなるように分布し、かつ該焼結磁石中の（Ｒ、Ｇ）２Ｔ１４Ａ正方晶からなる主相結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界部において、結晶粒界に含まれるＧ／（Ｒ＋Ｇ）の濃度が主相結晶粒中Ｇ／（Ｒ＋Ｇ）濃度よりも平均的に濃く、かつ磁石表面から少なくとも１０μｍの深さ領域において結晶粒界部にＲ及びＧの酸フッ化物、フッ化物または炭酸フッ化物が存在し、磁石表層付近の保磁力が内部よりも高いことを特徴とする希土類永久磁石は、遷移金属元素の濃度勾配が焼結磁石の表面から中心に向かって認められることが特徴の一つである。
【００８１】
フッ化物処理部分は、別の組成の記述として以下の記述も可能である。
【００８２】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系（Ｒは希土類元素）焼結磁石に表面からＧ成分（Ｇは金属元素（希土類元素を除く３族から１１族の金属元素あるいは２族、１２族から１６族のＣとＢを除く元素から少なくとも１種類）と希土類元素１種以上から選択された元素）及びフッ素原子を拡散させることによって得られ、次の式（１）または（２）
ＲａＧｂＴｃＡｄＦｅＯｆＭｇ    （１）
（Ｒ・Ｇ）ａ＋ｂ  ＴｃＡｄＦｅＯｆＭｇ  （２）
（ここでＲは希土類元素から選択される１種又は２種以上、Ｍはフッ素を含有する溶液を塗布する前に焼結磁石内に存在する希土類元素を除く２族から１１６族のＣとＢを除く元素、Ｇは金属元素（希土類元素を除く３族から１１族の金属元素あるいは２族、１２族から１６族のＣとＢを除く元素）及び希土類元素からそれぞれ１種以上選択される元素、または金属元素（希土類元素を除く３族から１１族の金属元素あるいは２族、１２族から１６族のＣとＢを除く元素）及びアルカリ土類金属元素からそれぞれ１種以上選択される元素であるが、ＲとＧが同一元素を含有していても良く、ＲとＧが同一元素を含有していない場合は式（１）で表され、ＲとＧが同一元素を含有している場合は式（２）で表される。ＴはＦｅ及びＣｏから選ばれる１種又は２種、ＡはＢ（ホウ素）及びＣ（炭素）から選ばれる１種又は２種以上、ａ−ｇは合金の原子％でａ，ｂは式（１）の場合１０≦ａ≦１５、０．００５≦ｂ≦２であり、式（２）の場合は１０．００５≦ａ＋ｂ≦１７であり、３≦ｄ≦１７、０．０１≦ｅ≦１０、０．０４≦ｆ≦４、０．０１≦ｇ≦１１、残部がｃである。）で示される組成を有する焼結磁石であって、その構成元素であるＦ及び金属元素（希土類元素を除く２族から１１６族のＣとＢを除く元素）の少なくとも１種が磁石中心から磁石表面に向かって平均的に含有濃度が高くなるように分布し、かつ該焼結磁石中の（Ｒ、Ｇ）２Ｔ１４Ａ正方晶からなる主相結晶粒の周りを取り囲む結晶粒界部において、結晶粒界に含まれるＧ／（Ｒ＋Ｇ）の濃度が主相結晶粒中Ｇ／（Ｒ＋Ｇ）濃度よりも平均的に濃く、かつ磁石表面から少なくとも１μｍの深さ領域において結晶粒界部にＲ及びＧの酸フッ化物、フッ化物または炭酸フッ化物が存在し、磁石表層付近の保磁力が内部よりも高いことを特徴とする希土類永久磁石は、金属元素（希土類元素を除く２族から１１６族のＣとＢを除く元素）の濃度勾配や濃度差が焼結磁石の表面から中心に向かって認められることが特徴の一つであり、以下の手法の例によって製造することが可能である。
【００８３】
＜実施例５＞
ＮｄＦｅＢ系粉末としてＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ構造を主相とする磁粉を作成し、これらの磁粉表面にフッ素化合物を形成する。ＤｙＦ３を磁粉表面に形成する場合、原料としてＤｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３をＨ２Ｏで溶解させ、ＨＦを添加する。ＨＦの添加によりゼラチン状のＤｙＦ３・ＸＨ２ＯあるいはＤｙＦ３・Ｘ（ＣＨ３ＣＯＯ）（Ｘは正数）が形成される。これを遠心分離し、溶媒を除去し、光透過性のある溶液とする。磁粉を金型に挿入し１０ｋＯｅの磁場中で１ｔ／ｃｍ２の荷重で仮成形体を作成する。仮成形体には連続した隙間が存在する。この仮成形体の底面のみ前記光透過性のある溶液に浸す。底面は磁場方向に平行な面である。溶液は仮成形体の磁粉隙間に底面及び側面から浸み込み、磁粉表面に光透過性のある溶液が塗布される。次に前記光透過性のある溶液の溶媒を蒸発させ、加熱により水和水を蒸発させ、約１１００℃で焼結する。焼結時にフッ素化合物を構成するＤｙ，Ｃ，Ｆが磁粉の表面や粒界に沿って拡散し、磁粉を構成するＮｄやＦｅと交換するような相互拡散が生じる。特に粒界付近にはＤｙがＮｄと交換する拡散が進行し、粒界に沿ってＤｙの偏析した構造が形成される。粒界三重点には酸フッ素化合物やフッ素化合物が形成され、ＤｙＦ３，ＤｙＦ２，ＤｙＯＦなどから構成されていることが判明した。１０ｘ１０ｘ１０ｍｍの焼結磁石を上記工程により作成し、その断面を波長分散型Ｘ線分光により分析した結果、表面を含む１００μｍ深さまでの平均のフッ素濃度と深さ４ｍｍ以上の磁石中心付近の平均フッ素濃度との比は１００ｘ１００μｍの面積で１０ヶ所場所を変えて測定した結果、１．０±０．５であった。このような焼結磁石はフッ素化合物を使用しない場合と比較して、保磁力が４０％増加し保磁力増加による残留磁束密度の減少は２％、Ｈｋの増加が１０％であった。このＤｙＦ２，ＤｙＦ３あるいはＤｙ（Ｏ，Ｆ）フッ素化合物をＤｙＦ系溶液を使用して仮成形体の一つの面から含浸させ、反対側の面に含浸溶液が達する前に含浸処理を終了させることにより、磁石の一部のみフッ化物溶液で含浸させた部分を形成でき、焼結後に含浸部が高保磁力部となる。このような高保磁力部は焼結磁石の表面から任意の位置で形成でき、モータにおいて逆磁界の大きい部分のみ高保磁力とすることが可能である。
【００８４】
＜実施例６＞
ＮｄＦｅＢ系粉末としてＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ構造を主相とし、約１％のホウ化物や希土類リッチ相を有する平均粒径７μｍの磁粉を作成し、これらの磁粉表面にフッ素化合物を形成する。ＤｙＦ３を磁粉表面に形成する場合、原料としてＤｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３をＨ２Ｏで溶解させ、ＨＦを添加する。ＨＦの添加によりゼラチン状のＤｙＦ３・ＸＨ２ＯあるいはＤｙＦ３・Ｘ（ＣＨ３ＣＯＯ）（Ｘは正数）が形成される。これを遠心分離し、溶媒を除去し、光透過性のある溶液とする。磁粉を金型に挿入し１０ｋＯｅの磁場中で１ｔ／ｃｍ２の荷重で仮成形体を作成する。仮成形体の密度は約６０％であり、仮成形体の底面から上面に連続した隙間が存在する。この仮成形体の底面の一部のみ前記光透過性のある溶液に浸す。溶液は仮成形体の磁粉隙間に浸み込み始め、真空排気することで磁粉隙間の磁粉表面に光透過性のある溶液が含浸する。次に含浸した前記光透過性のある溶液の溶媒を連続隙間に沿って蒸発させ、加熱により水和水を蒸発させ、真空熱処理炉で約１１００℃の温度に３時間保持して焼結する。焼結時にフッ素化合物を構成するＤｙ，Ｃ，Ｆが磁粉の表面や粒界に沿って拡散し、磁粉を構成するＮｄやＦｅとＤｙ，Ｃ，Ｆが交換するような相互拡散が生じる。特に粒界付近にはＤｙがＮｄと交換する拡散が進行し、粒界近傍に沿ってＤｙの偏析した構造が形成される。粒界三重点や粒界には酸フッ素化合物やフッ素化合物の粒が形成され、ＤｙＦ３，ＤｙＦ２，ＤｙＯＦ，ＮｄＯＦ，ＮｄＦ２，ＮｄＦ３などから構成され、一部の粒では粒内から粒界にかけてＤｙやフッ素の濃度が高濃度になっていることをＴＥＭ−ＥＤＸ（電子顕微鏡、エネルギー分散Ｘ線）で直径１ｎｍの電子線を使用して確認している。粒界の中心部にはフッ素原子が検出され、粒界中心部から平均１ｎｍから５００ｎｍの範囲にＤｙが濃縮している。このＤｙ濃縮部の近傍に、結晶粒中心から粒界方向にＤｙ濃度が減少する領域がみられ、粒内にあらかじめ添加されたＤｙ原子が粒界付近に拡散した結果として粒中心から粒界にかけてのＤｙ濃度が一旦減少してさらに粒界近傍で増加する濃度勾配が存在している。粒界の中心から１００ｎｍの距離でＤｙの濃度はＮｄとの比率（Ｄｙ／Ｎｄ）で１／２から１／１０である。このような焼結磁石はフッ素化合物を使用しない場合と比較して、保磁力が４０％増加し保磁力増加による残留磁束密度の減少は２％、Ｈｋの増加が１０％であった。このフッ素化合物を磁石の一部に含浸させた焼結磁石をモータの回転子外周側に配置させる。含浸位置すなわち高保磁力部分は、回転子軸方向に垂直方向の断面において、焼結磁石の外周側端部のみ、あるいは極中心から左右周方向に対して非対称でよい。このような含浸位置を磁石の特定部のみ施すことにより、プロセス全体に使用する重希土類元素の量を低減することができる。前記磁石の特定部とは、立方体磁石の場合、４つの角部付近のみ、４つの角部と辺近傍、あるいは２つの角部と辺近傍、４つの角を含み６面の一部など、モータ設計による磁界集中部の領域によって変えることが可能となる。またモータの軸方向に対して垂直な磁石断面は、一定ではなく軸方向に平行な端部において塗布面積を大きくすることにより、磁石の信頼性が���上することでモータの信頼性も向上する。含浸した領域としていない領域の境界付近では、粒界近傍の組成が変化する。含浸した領域では、粒界中心や粒界３重点でのフッ素濃度が、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を使用して含浸していない領域に比較すると、２倍以上となって分析できる。また含浸した領域での平均の粒界幅は、含浸していない領域の粒界幅よりも１．１から２０倍広く、粒界の中心部よりも粒界に沿った粒内側においてＤｙの濃度が高い。また、含浸した領域では、Ｄｙ濃度は粒界３重点の位置よりも粒内側のＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ母相の結晶粒の外周で濃度が高い。
【００８５】
＜実施例７＞
ＤｙＦ系処理液は、酢酸Ｄｙを水に溶解後、希釈したフッ化水素酸を徐々に添加させた。ゲル状沈殿のフッ素化合物に酸フッ素化合物や酸フッ素炭化物が混合した溶液に対して超音波攪拌器を用いて攪拌し、遠心分離後、メタノールを添加し、ゲル状のメタノール溶液を攪拌後、陰イオンを除去し透明化した。処理液は可視光において透過率が５％以上になるまで陰イオンを除去している。この溶液を仮成形体に含浸させる。仮成形体はＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ磁粉を１０ｋＯｅの磁場で５ｔ／ｃｍ２の荷重を加えて作製した厚さ２０ｍｍのものであり、密度が平均６０％である。仮成形体はこのように密度１００％とはならないため仮成形体中に連続した隙間が存在する。この隙間に前記溶液を約０．１ｗｔ％含浸させる。仮成形体の磁場印加方向と垂直な面を底面にして溶液と接触させ、溶液が磁粉隙間に浸み込む。この時真空排気することで、溶液が隙間に沿って含浸され底面と反対側の面まで溶液が塗布される。この含浸仮成形体２００℃で真空熱処理することにより塗布液の溶媒を蒸発させる。含浸した仮成形体を真空熱処理炉に入れて焼結温度１０００℃まで真空加熱し焼結させ、密度９９％の異方性焼結磁石を得た。含浸処理なしの焼結磁石と比較して、ＤｙＦ系処理液の含浸処理をした焼結磁石は、磁石中央でも粒界付近にＤｙが偏析し粒界にＦやＮｄ及び酸素の多い特徴をもち、粒界付近のＤｙが保磁力を増大させ、保磁力２５ｋＯｅかつ残留磁束密度１．５Ｔの特性を２０℃で示す。ＤｙやＦの濃度は含浸の経路になって塗布された部分で高いため、濃度に差が認められ、含浸溶液に浸した面とその対面の方向では連続したフッ化物が形成されるのに対し、その垂直方向では不連続の部分もみられるため、平均的に含浸溶液の面と反対の面では高濃度で垂直方向では平均的に濃度が低い。これはＳＥＭ−ＥＤＸやＴＥＭ−ＥＤＸまたはＥＥＬＳ、ＥＰＭＡで識別できる。また焼結磁石表面を研磨した場合でも含浸処理により貫通隙間に沿ってフッ素を含有する相が形成されるため、表面から別の表面にかけて連続したフッ素含有相が形成されており、磁石中心部と磁石表面でのフッ素濃度に大きな差は生じない。１００μｍ角の面でフッ素の平均濃度を分析した結果、磁石表面と中心部での比率は１±０．５であった。フッ素以外のＤｙ，Ｃ，Ｎｄの平均濃度の比も１±０．５であった。
【００８６】
ＤｙＦＣ系溶液の含浸処理と焼結により磁気特性の角型性向上、成形後の抵抗増加、保磁力の温度依存性低減、残留磁束密度の温度依存性低減、耐食性向上、機械的強度増加、熱伝導性向上、磁石の接着性向上のいずれかの効果が得られる。フッ素化合物はＤｙＦ系のＤｙＦ３以外にＬｉＦ，ＭｇＦ２，ＣａＦ２，ＳｃＦ３，ＶＦ２，ＶＦ３，ＣｒＦ２，ＣｒＦ３，ＭｎＦ２，ＭｎＦ３，ＦｅＦ２，ＦｅＦ３，ＣｏＦ２，ＣｏＦ３，ＮｉＦ２，ＺｎＦ２，ＡｌＦ３，ＧａＦ３，ＳｒＦ２，ＹＦ３，ＺｒＦ３，ＮｂＦ５，ＡｇＦ，ＩｎＦ３，ＳｎＦ２，ＳｎＦ４，ＢａＦ２，ＬａＦ２，ＬａＦ３，ＣｅＦ２，ＣｅＦ３，ＰｒＦ２，ＰｒＦ３，ＮｄＦ２，ＳｍＦ２，ＳｍＦ３，ＥｕＦ２，ＥｕＦ３，ＧｄＦ３，ＴｂＦ３，ＴｂＦ４，ＤｙＦ２，ＮｄＦ３，ＨｏＦ２，ＨｏＦ３，ＥｒＦ２，ＥｒＦ３，ＴｍＦ２，ＴｍＦ３，ＹｂＦ３，ＹｂＦ２，ＬｕＦ２，ＬｕＦ３，ＰｂＦ２，ＢｉＦ３あるいはこれらのフッ素化合物に酸素や炭素あるいは遷移金属元素を含んだ化合物が含浸工程適用可能であり、可視光線の透過性のある溶液あるいはＣＨ基とフッ素の一部が結合した溶液を使用した含浸処理によって形成することができ、磁石表面から中心部あるいは磁石表面から反対側の磁石表面に連続したフッ素を含む層が形成できる。また粒界や粒内に板状のフッ素化合物や酸フッ素化合物が認められた。
【００８７】
＜実施例８＞
ＤｙＦ系処理液は、酢酸Ｄｙを水に溶解後、希釈したフッ化水素酸を徐々に添加させた。ゲル状沈殿のフッ素化合物に酸フッ素化合物や酸フッ素炭化物が混合した溶液に対して超音波攪拌器を用いて攪拌し、遠心分離後、メタノールを添加し、ゲル状のメタノール溶液を攪拌後、陰イオンを除去し透明化した。処理液は可視光において透過率が１０％以上になるまで陰イオンを除去している。この溶液を仮成形体に含浸させる。仮成形体はアスペクト比が平均２のＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ磁粉を１０ｋＯｅの磁場で５ｔ／ｃｍ２の荷重を加えて作製した厚さ２０ｍｍのものであり、密度が平均７０％である。仮成形体はこのように密度１００％とはならないため仮成形体中に連続した隙間が存在する。この隙間に前記溶液を含浸させる。仮成形体の磁場印加方向と垂直な面を底面にして溶液と接触させ、溶液が磁粉隙間に浸み込む。この時真空排気することで、溶液が隙間に沿って含浸され底面と反対側の面まで溶液が塗布される。この含浸仮成形体２００℃で真空熱処理することにより塗布液の溶媒を蒸発させる。含浸した仮成形体を真空熱処理炉に入れて焼結温度１０００℃まで真空加熱し焼結させ、密度９９％の異方性焼結磁石を得た。Ｄｙ及びＦを含む相は、磁石の表面から反対側の表面に連続した層となって形成され、その厚さは粒界３重点などの特異点を除けば０．５〜５ｎｍである。含浸処理なしの焼結磁石と比較して、ＤｙＦ系処理液の含浸処理をした焼結磁石は、粒界中心の近傍５００ｎｍ以内にＤｙが偏析し粒界にＦやＮｄ及び酸素の多い特徴をもち、粒界付近のＤｙが保磁力を増大させ、保磁力３０ｋＯｅかつ残留磁束密度１．５Ｔの特性を２０℃で示す。１０ｘ１０ｘ１０ｍｍの磁石を上記工程により作成し、その断面を波長分散型Ｘ線分光により分析した結果、表面を含む１００μｍ深さまでの平均のフッ素濃度と深さ４ｍｍ以上の磁石中心付近の平均フッ素濃度との比は１００ｘ１００μｍの面積で１０ヶ所場所を変えて測定した結果、１．０±０．３であった。このような焼結磁石はフッ素化合物を使用しない場合と比較して、保磁力が４０％増加し保磁力増加による残留磁束密度の減少は０．１％、Ｈｋの増加が１０％であった。このフッ素化合物を含浸させた焼結磁石は高エネルギー積のためハイブリッド自動車回転機に適用できる。このような特性の向上以外にもＤｙＦ系溶液の含浸処理と焼結により磁気特性の角型性向上、成形後の抵抗増加、保磁力の温度依存性低減、残留磁束密度の温度依存性低減、耐食性向上、機械的強度増加、熱伝導性向上、磁石の接着性向上のいずれかの効果が得られる。フッ素化合物はＤｙＦ系のＤｙＦ３以外にＬｉＦ，ＭｇＦ２，ＣａＦ２，ＳｃＦ３，ＶＦ２，ＶＦ３，ＣｒＦ２，ＣｒＦ３，ＭｎＦ２，ＭｎＦ３，ＦｅＦ２，ＦｅＦ３，ＣｏＦ２，ＣｏＦ３，ＮｉＦ２，ＺｎＦ２，ＡｌＦ３，ＧａＦ３，ＳｒＦ２，ＹＦ３，ＺｒＦ３，ＮｂＦ５，ＡｇＦ，ＩｎＦ３，ＳｎＦ２，ＳｎＦ４，ＢａＦ２，ＬａＦ２，ＬａＦ３，ＣｅＦ２，ＣｅＦ３，ＰｒＦ２，ＰｒＦ３，ＮｄＦ２，ＳｍＦ２，ＳｍＦ３，ＥｕＦ２，ＥｕＦ３，ＧｄＦ３，ＴｂＦ３，ＴｂＦ４，ＤｙＦ２，ＮｄＦ３，ＨｏＦ２，ＨｏＦ３，ＥｒＦ２，ＥｒＦ３，ＴｍＦ２，ＴｍＦ３，ＹｂＦ３，ＹｂＦ２，ＬｕＦ２，ＬｕＦ３，ＰｂＦ２，ＢｉＦ３あるいはこれらのフッ素化合物に酸素や炭素あるいは遷移金属元素を含んだ化合物が含浸工程適用可能であり、可視光線の透過性のある溶液あるいはＣＨ基とフッ素の一部が結合した溶液を使用した含浸処理によって形成することができ、粒界や粒内に板状のフッ素化合物や酸フッ素化合物が認められた。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の実施例に係るもので、焼結磁石モータの軸方向に垂直な断面の模式図を示す。
【図２】本発明の実施例に係るもので、焼結磁石モータの軸方向に垂直な断面の模式図を示す。焼結磁石の配置が図１と相違する。
【図３】本発明の実施例に係るもので、焼結磁石モータの軸方向に垂直な断面の模式図を示す。焼結磁石が図２と相違する。
【図４】本発明の実施例に係るもので、回転子断面の一極の焼結磁石配置を示す。
【図５】本発明の実施例に係るもので、回転子断面の一極の焼結磁石配置を示す。焼結磁石が図４と相違する。
【図６】本発明の実施例に係るもので、回転子断面の一極の焼結磁石配置を示す。焼結磁石が図５と相違する。
【図７】本発明の実施例に係るもので、回転子断面の一極の焼結磁石配置を示す。焼結磁石が図６と相違する。
【図８】本発明の実施例に係るもので、種々のフッ化物処理した焼結磁石を示す。
【図９】本発明の実施例に係るもので、焼結磁石を用いた表面磁石モータ回転子の外観図。
【符号の説明】
【００８９】
１００…回転子
２…固定子
４…ティース
５…コアバック
７…コイル挿入位置
８ａ…３相巻線のＵ相巻線
８ｂ…３相巻線のＶ相巻線
８ｃ…３相巻線のＷ相巻線
９…ティースの先端部
１０…回転子挿入部
２００…焼結磁石の未処理部分
２０１…焼結磁石のフッ化物処理部分
２０２…焼結磁石のフッ化物処理部分
２０１０…焼結磁石
２０２０…焼結磁石の未処理部分
２０３０…焼結磁石のフッ化物処理部分
１０１…回転子
１０２…磁石挿入空間
１０３…焼結磁石
１０４…空間
１０５…焼結磁石の未処理部分
１０６…焼結磁石のフッ化物処理部分
２０１…焼結磁石のフッ化物処理部分
２０３…焼結磁石の未処理部分
３０１…シャフト
３０２…焼結磁石の未処理部分
３０３…焼結磁石のフッ化物処理部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010022147.tif 000008
【図７】
2010022147.tif 000009
【図８】
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【図９】
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