(57)【要約】【課題】研磨テープの圧力を被研磨面に好適に分散できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】研磨装置１は、スリット３３が形成された研磨テープ３の、スリット３３を含む所定の範囲ＡＲ（２つの案内ローラ１３間の範囲）に、ウェハＷの主面Ｗａに交差する方向において張力を付与する。そして、研磨装置１は、範囲ＡＲに張力を付与した状態で、研磨テープ３とウェハＷの端面Ｗｂとを摺動させて端面Ｗｂを研磨する。【選択図】図１
2010284747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口が形成された研磨テープの、前記開口を含む所定範囲に、円盤状の半導体基板の主面に交差する方向において張力を付与した状態で、前記所定範囲と前記半導体基板の端面とを摺動させて前記端面を研磨する
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記開口は、前記研磨テープに張力が付与される方向に対して交差するスリットである
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記研磨テープは、前記半導体基板に対して前記半導体基板の前記主面に交差する方向に移動され、
前記スリットは、前記研磨テープの平面視において前記主面に対して傾斜している
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記研磨テープの平面視において前記張力が付与される方向は前記半導体基板の前記主面に直交する方向であり、
前記スリットは、前記張力が付与される方向に対して斜めに交差するように設けられることにより、前記研磨テープの平面視において前記主面に対して傾斜している
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記スリットは、前記張力が付与される方向に対して直交するように設けられ、前記張力が付与される方向が前記半導体基板の前記主面に対して傾斜されることにより、前記主面に対して傾斜している
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記研磨テープの平面視において前記スリットの前記半導体基板の前記主面に対する傾斜角は４５度以下である
請求項３〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記スリットは、前記半導体装置の前記主面に対して平行である
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
開口が形成された研磨テープの、前記開口を含む所定範囲に張力を付与した状態で、前記所定範囲と凸状に湾曲した被研磨面とを摺動させて前記被研磨面を研磨する
研磨方法。
【請求項９】
円盤状の半導体基板を保持可能であり、前記半導体基板の主面に直交する回転軸回りに回転可能な基板保持部と、
開口が形成された研磨テープと、
前記主面の向く側及びその反対側に配置され、前記研磨テープの前記開口を含む所定範囲が前記主面に交差する方向に所定の張力で掛架され、前記所定範囲を前記半導体基板の端面に押し付け可能な２つのテープ保持部と、
を有する半導体製造装置。
【請求項１０】
送出モータと
前記送出モータに回転駆動されることにより、前記研磨テープを送出可能な送出ローラと、
前記巻取りモータと、
前記巻取りモータにより回転駆動されることにより、前記研磨テープを巻き取り可能な巻取りローラと、
前記送出モータ及び前記巻取りモータを制御し、当該制御により前記研磨テープに付与される張力を制御し、前記送出モータ及び前記巻取りモータの少なくとも一方の負荷変動に基づいて前記開口が前記半導体基板の端面に到達したことを検出する制御装置と、
を有する請求項９に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
長手方向に交差する複数のスリットが長手方向に配列されている研磨テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、ウェハ等の被研磨物を研磨する研磨方法、半導体製造装置及び研磨テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの主面の向く方向及びその裏側に配置された２つのローラ間に掛架された研磨テープをウェハの端面に摺動させて、当該端面を研磨する技術が知られている（例えば特許文献１）。なお、「研削」の語と「研磨」の語とは、区別されて使用されることもあるが、本願では、「研磨」の語は、「研削」も含むものとして、一貫して「研磨」の語を使用するものとする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１６３１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
２つのローラは、それぞれ直線状に延びていることから、研磨テープに張力を付与すると、ウェハの平面視において、研磨テープのウェハ端面に当接すべき部分は直線状となる。一方、ウェハは、円盤状に形成されていることから、ウェハの平面視においてウェハの端面は弧状に湾曲している。従って、研磨テープをウェハの端面に当接させると、ウェハの平面視において、研磨テープの一部のみがウェハの端面に当接することになる。そして、張力によって生じる研磨テープをウェハの端面に押し付ける力は、研磨テープの一部のみに集中する。その結果、例えば、低荷重での研磨が困難になる。
【０００５】
本発明の目的は、研磨テープの圧力を被研磨面に好適に分散できる半導体装置の製造方法、研磨方法、半導体製造装置及び研磨テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置の製造方法は、開口が形成された研磨テープの、前記開口を含む所定範囲に、円盤状の半導体基板の主面に交差する方向において張力を付与した状態で、前記所定範囲と前記半導体基板の端面とを摺動させて前記端面を研磨する。
【０００７】
本発明の研磨方法は、開口が形成された研磨テープの、前記開口を含む所定範囲に張力を付与した状態で、前記所定範囲と凸状に湾曲した被研磨面とを摺動させて前記被研磨面を研磨する。
【０００８】
本発明の半導体製造装置は、円盤状の半導体基板を保持可能であり、前記半導体基板の主面に直交する回転軸回りに回転可能な基板保持部と、開口が形成された研磨テープとを有する。また、半導体製造装置は、前記主面の向く側及びその反対側に配置され、前記研磨テープの前記開口を含む所定範囲が前記主面に交差する方向に所定の張力で掛架され、前記所定範囲を前記半導体基板の端面に押し付け可能な２つのテープ保持部を有する。
【０００９】
本発明の研磨テープは、長手方向に交差する複数のスリットが長手方向に配列されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、研磨テープの圧力を被研磨面に好適に分散できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る研磨装置を概念的に示す斜視図。
【図２】図１の研磨装置の研磨テープの模式的な平面図。
【図３】図２のＩＩＩａ−ＩＩＩａ線及びＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線における断面図。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図。
【図５】比較例の研磨テープの模式的な平面図。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線における断面図。
【図７】図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る研磨テープの模式的な平面図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る研磨テープの模式的な平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、発明を実施するための形態について説明する。説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施形態（斜めのスリットが形成された研磨テープの例）
２．第２の実施形態（直交するスリットが形成された研磨テープの例）
３．第３の実施形態（研磨テープがウェハに対して斜めに送られる装置の例）
なお、以下に説明する複数の実施形態において、互いに同一の構成については同一符号を付して説明を省略することがある。
【００１３】
＜１．第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る研磨装置１を概念的に示す斜視図である。
【００１４】
研磨装置１は、ウェハＷの端面Ｗｂを研磨する装置として構成されている。ウェハＷは、ＩＣ等の半導体装置の材料であり、例えば、単結晶シリコンにより円盤状に形成されている。
【００１５】
研磨装置１は、ウェハＷを研磨する研磨テープ３と、研磨テープ３を保持するテープ保持装置５と、ウェハＷを保持するウェハ保持装置７と、テープ保持装置５及びウェハ保持装置７の動作を制御する制御装置９とを有している。
【００１６】
研磨テープ３は、例えば、特に図示しないが、樹脂により形成されたシート状の基材上に接着層が形成され、当該接着層に複数の固定砥粒が固定されている。なお、研磨テープ３は、不織布に固定砥粒が保持されて構成されていてもよい。
【００１７】
テープ保持装置５は、研磨テープ３をウェハＷの端面Ｗｂに押し付けて保持する。また、テープ保持装置５は、矢印ｙ１の方向へ研磨テープ３を送り出す。テープ保持装置５により、研磨テープ３が送り出されることにより、研磨テープ３の未使用部分が順次ウェハＷの端面Ｗｂに当接し、研磨効率が維持される。具体的には、以下のとおりである。
【００１８】
テープ保持装置５は、研磨テープ３を保持及び送り出すための部材として、研磨テープ３の移動方向に沿って順に、送出ローラ１１、第１案内ローラ１３Ａ、第２案内ローラ１３Ｂ及び巻取りローラ１５を有している。なお、以下において、第１案内ローラ１３Ａ及び第２案内ローラ１３Ｂについて、単に「案内ローラ１３」といい、両者を区別しないことがある。
【００１９】
また、テープ保持装置５は、上記の部材を駆動するために、送出モータ１７、巻取りモータ１９、送出モータドライバ２１、及び、巻取りモータドライバ２３を有している。
【００２０】
送出ローラ１１には、未使用の研磨テープ３が巻かれている。第１案内ローラ１３Ａは、送出ローラ１１から送出された研磨テープ３を案内する。第２案内ローラ１３Ｂは、第１案内ローラ１３Ａに案内された研磨テープ３を案内する。巻取りローラ１５は、第２案内ローラ１３Ｂに案内された研磨テープ３を巻き取る。
【００２１】
送出モータドライバ２１は、入力された制御信号に応じた電力を送出モータ１７に供給する。送出モータ１７は、供給された電力に応じた回転数及びトルクで回転し、送出ローラ１１を駆動する。これにより、送出ローラ１１から研磨テープ３が送り出される。
【００２２】
巻取りモータドライバ２３は、入力された制御信号に応じた電力を巻取りモータ１９に供給する。巻取りモータ１９は、供給された電力に応じた回転数及びトルクで回転し、巻取りローラ１５を駆動する。これにより、巻取りローラ１５により研磨テープ３が巻き取られる。
【００２３】
送出モータ１７及び巻取りモータ１９の回転数及びトルクの少なくとも一方を適宜に制御することにより、研磨テープ３には所定の張力が付与される。なお、送出モータ１７及び巻取りモータ１９は、直流モータであってもよいし、交流モータであってもよい。モータドライバ（２１等）から出力される「制御信号に応じた電力」は、モータが交流モータである場合には、電流及び電圧だけでなく、周波数も含む概念である。また、送出モータ１７は、ステップモータであってもよいし、サーボモータであってもよい。後述するウェハ側モータ２７についても同様である。
【００２４】
２つの案内ローラ１３は、ウェハＷの主面Ｗａの向く側及びその反対側にそれぞれ配置されるとともに、外周面のウェハＷ側部分（図３の点線Ｌ１も参照）がウェハＷの端面ＷｂよりもウェハＷの中央側に配置されている。また、研磨テープ３は、２つの案内ローラ１３に掛架されるとともに、送出ローラ１１及び巻取りローラ１５により張力が付与される。従って、研磨テープ３は、ウェハＷの主面Ｗａに交差する方向において張力が付与された状態で、ウェハＷの端面Ｗｂに当接する。
【００２５】
２つの案内ローラ１３は、回転可能に設けられている。研磨テープ３は、２つの案内ローラ１３が回転することにより、２つの案内ローラ１３に案内されて移動する。より具体的には、２つの案内ローラ１３は、ウェハＷの主面Ｗａに対して平行に設けられており、研磨テープ３は、研磨テープ３の平面視において、主面Ｗａに対して直交する方向へ案内される。
【００２６】
ウェハ保持装置７は、例えば、ウェハＷが載置されるテーブル２５と、テーブル２５を駆動するウェハ側モータ２７と、ウェハ側モータ２７に電力を供給するウェハ側ドライバ２９とを有している。
【００２７】
ウェハ側ドライバ２９は、入力された制御信号に応じた電力をウェハ側モータ２７に供給する。ウェハ側モータ２７は、供給された電力に応じた回転数及びトルクで回転し、テーブル２５を回転駆動する。これにより、ウェハＷは、当該ウェハＷの主面Ｗａに直交する回転軸回りに回転し、ウェハＷの端面Ｗｂと研磨テープ３とが摺動し、端面Ｗｂの研磨が行われる。なお、特に図示しないが、端面Ｗｂには、研磨屑を除去するなどの目的で、水や研磨液が供給されてよい。
【００２８】
制御装置９は、例えば、特に図示しないが、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ及び外部記憶装置を含むコンピュータにより構成されている。制御装置９は、予め設定された制御プログラムに基づいて、送出モータ１７、巻取りモータ１９及びウェハ側モータ２７の回転数やトルクを制御する。
【００２９】
より具体的には、例えば、制御装置９は、研磨テープ３の張力を検出する張力センサ３１の検出値に基づいて、研磨テープ３の張力が所定の目標張力になるように、送出モータ１７及び巻取りモータ１９の動作をフィードバック制御する。
【００３０】
なお、張力センサ３１は、特に図示しないが、例えば、ローラと、当該ローラを研磨テープ３に押し付ける弾性部材と、ローラの位置を検出する位置センサとを有している。ローラは、研磨テープ３の張力により弾性部材の付勢力に抗して研磨テープ３に押される。そのローラの位置が検出されることにより研磨テープ３の張力が検出される。
【００３１】
研磨テープ３には、研磨テープ３の圧力を好適にウェハＷの端面Ｗｂに分散させるために、複数のスリット３３が形成されている。複数のスリット３３は、研磨テープ３の張力が付与される方向（矢印ｙ１の方向）に配列されている。より具体的には、複数のスリット３３は、研磨テープ３の幅方向（矢印ｙ１に直交する方向）の概ね中央において、２つの案内ローラ１３間において２以上のスリット３３が位置するピッチで配列されている。
【００３２】
また、複数のスリット３３は、張力が付与される方向に対して交差するように延びている。より具体的には、複数のスリット３３は、張力が付与される方向に対して斜めに交差している。本実施形態においては、研磨テープ３は、ウェハＷの主面Ｗａに対して直交する方向において張力が付与されているから、複数のスリット３３は、主面Ｗａに対して傾斜している。複数のスリット３３の主面Ｗａに対する傾斜角θ（符号は図２参照）は、例えば、４５度以内である。
【００３３】
研磨装置１の作用について説明する。なお、以下では、理解の容易化のために、力や圧力等を厳密には区分せずに説明したり、図示したりすることがある。
【００３４】
図２は、研磨テープ３の模式的な平面図である。
【００３５】
研磨テープ３は、テープ保持装置５により、２つの案内ローラ１３間において、その幅方向の全体に亘って引っ張られる。しかし、研磨テープ３の幅方向の中央においてはスリット３３が設けられていることから、研磨テープ３の幅方向の中央においては張力が伝達されない。換言すれば、研磨テープ３の送出方向の張力Ｆ１は、研磨テープ３の幅方向の両端においてのみ伝達される。
【００３６】
図３（ａ）は、図２のＩＩＩａ−ＩＩＩａ線における断面図である。図３（ｂ）は、図２のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線における断面図である。
【００３７】
上述のように、研磨テープ３の幅方向中央（図３（ａ））においては張力Ｆ１は伝達されず、研磨テープ３の幅方向の両端においてのみ張力Ｆ１は伝達される。張力Ｆ１は、主面Ｗａに平行な分力Ｆ２と、主面Ｗａに直交する分力Ｆ３とに分解可能である。分力Ｆ２は、研磨テープ３を直線状に戻す力として作用する。分力Ｆ３は、反対方向に作用する張力Ｆ１の分力Ｆ３（図示省略）と打ち消し合う。
【００３８】
図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【００３９】
分力Ｆ２は、研磨テープ３をウェハＷの端面Ｗｂに押し付ける力として作用し、端面Ｗｂからの反力により打ち消される。具体的には、上述のように、研磨テープ３は、その幅方向両側においてのみ分力Ｆ２が作用する。その両側の分力Ｆ２は、研磨テープ３の中央側部分（幅Ｗ２で示す）を端面Ｗｂに密着させる。そして、分力Ｆ２は、研磨テープ３の、複数のスリット３３が設けられた領域（幅Ｗ１で示す）における幅方向の張力Ｆ４を介して研磨テープ３を端面Ｗｂに押し付けるとともに、端面Ｗｂからの反力により打ち消される。なお、図４では、幅Ｗ１が幅Ｗ２よりも大きい場合を例示しているが、幅Ｗ１は幅Ｗ２以下であってもよい。
【００４０】
研磨テープ３の作用の理解を深めるために、複数のスリット３３が設けられていない場合の作用を説明する。
【００４１】
図５は、比較例に係る研磨テープ１０３の模式的な平面図であり、図２に対応する。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線における断面図であり、図３（ａ）に対応する。図７（ａ）は、図５のＶ−Ｖ線における断面図であり、図４に対応する。
【００４２】
図５に示すように、研磨テープ１０３においては、幅方向の中央においても張力Ｆ１が作用する。当然に、図６に示すように、幅方向の中央においても、研磨テープ１０３を直線状にしようとする分力Ｆ２が生じる。そして、図７（ａ）に示すように、分力Ｆ２は、直接的に研磨テープ１０３の中央側部分（幅Ｗ３で示す）をウェハＷの端面Ｗｂに押し付けるとともに、端面Ｗｂからの反力により打ち消される。
【００４３】
比較例の研磨テープ１０３では、張力Ｆ１の分力Ｆ２は、直接的に研磨テープ１０３の中央側部分に作用し、ウェハＷの端面Ｗｂから反力を得る。従って、研磨テープ１０３は、本実施形態の研磨テープ３に比較して、少ない当接量で分力Ｆ２に相当する反力が得られる。換言すれば、研磨テープ１０３の圧力が端面Ｗｂに分散されにくく、高荷重となりやすい。
【００４４】
図７（ｂ）は、図７（ａ）における状態よりも張力Ｆ１（分力Ｆ２）を大きくした状態における図７（ａ）に相当する断面図である。
【００４５】
この場合、分力Ｆ２が大きくなるが、研磨テープ１０３の、ウェハＷの端面Ｗｂに対する当接量（幅Ｗ４で示す）も大きくなる。従って、研磨テープ１０３と端面Ｗｂとの接触圧は、張力Ｆ１に比例して大きくならず、また、その相関の仕方も複雑である。
【００４６】
一方、本実施形態の研磨テープ３は、比較例に比較して、分力Ｆ２を大きくした場合の研磨テープ３と端面Ｗｂとの当接量の変化は小さく、張力Ｆ１と、研磨テープ１０３の端面Ｗｂに対する接触圧との相関の仕方も単純である。これは、研磨テープ３は、張力Ｆ１が比較的小さい段階において、スリット３３が設けられた領域（Ｗ１）が大きく変形して端面Ｗｂに大きな当接量で密着することなどによるものと考えられる。
【００４７】
以上のとおり、第１の実施形態によれば、研磨装置１は、スリット３３が形成された研磨テープ３の、スリット３３を含む所定の範囲ＡＲ（２つの案内ローラ１３間の範囲、図２参照）に、ウェハＷの主面Ｗａに交差する方向において張力を付与する。そして、研磨装置１は、範囲ＡＲに張力を付与した状態で、研磨テープ３とウェハＷの端面Ｗｂとを摺動させて端面Ｗｂを研磨する。
【００４８】
従って、研磨テープ３は、図３に示すように張力方向に平行な断面が屈曲した状態で、図４に示すようにウェハＷの平面視において端面Ｗｂの形状に沿って変形しやすい。そして、研磨テープ３の圧力が端面Ｗｂに好適に分散される。
【００４９】
その結果、例えば、低荷重での高精度な研磨が実現される。具体的には、比較例では、小さな張力（例えば３とする）でなければ、低荷重の研磨が行えない。その結果、テープ保持装置５の張力制御の精度が一定（例えば±１とする）である場合に、目標張力（３）に対する誤差（±１）の割合が大きくなる。一方、本実施形態では、大きな張力（例えば１０とする）で低荷重の研磨が行える。従って、目標張力（１０）に対する誤差（±１）の割合が小さくなり、高精度の研磨が可能となる。
【００５０】
また、第１の実施形態によれば、研磨テープ３に設けられた開口（３３）は、研磨テープ３に張力が付与される方向に対して交差するスリット３３であることから、図２〜図７を参照して説明したように、より好適に圧力を分散できる。すなわち、張力Ｆ１の伝達を抑制することにより、研磨テープ３の変形を容易化できる。さらに、そのための開口面積が極力小さくされ、その結果、研磨テープ３の材料の節約や研磨テープ３のウェハＷに対する当接面積の維持が図られる。
【００５１】
研磨テープ３は、ウェハＷに対してウェハＷの主面Ｗａに交差する方向に移動され、スリット３３は、研磨テープ３の平面視において主面Ｗａに対して傾斜している。従って、例えば、研磨テープ３の未使用部分をウェハＷの端面Ｗｂに当接させるために研磨テープ３を移動させても、ウェハＷの縁部はスリット３３に引っ掛かりにくい。例えば、ウェハＷの結晶方向を示すノッチのようなウェハＷの特異点の部分が引っ掛かりにくい。その結果、例えば、テーブル２５を回転させて研磨を行いつつ研磨テープ３を連続的に移動させることができ、効率的な研磨が可能となる。また、研磨テープ３を移動させるときに、研磨テープ３をいずれの位置において停止させても、研磨テープ３のスリット３３以外の部分が端面Ｗｂに当接する。これらの効果については、後述する第２の実施形態と比較して理解されたい。
【００５２】
研磨テープ３の平面視において張力が付与される方向はウェハＷの主面Ｗａに直交する方向である。スリット３３は、張力が付与される方向に対して斜めに交差するように設けられることにより、研磨テープ３の平面視において主面Ｗａに対して傾斜している。従って、例えば、テープ保持装置５等の構成は既存の設備を用い、研磨テープ３のみを交換することにより、本実施形態を実現できる。
【００５３】
研磨テープ３の平面視においてスリット３３のウェハＷの主面Ｗａに対する傾斜角θは４５度以下である。傾斜角θが大きいほど、スリット３３の張力の伝達を阻止する機能は低下する。しかし、傾斜角θが４５度以下であれば、スリット３３の十分な効果が期待される。
【００５４】
なお、第１の実施形態において、スリット３３は本発明の開口の一例である。範囲ＡＲは本発明の所定範囲の一例である。ウェハＷは本発明の半導体基板の一例である。ウェハＷの端面Ｗｂは本発明の被研磨面の一例である。研磨装置１は本発明の半導体製造装置の一例である。なお、研磨装置１は半導体製造装置の一部として捉えられてもよい。テーブル２５は本発明の基板保持部の一例である。２つの案内ローラ１３は本発明のテープ保持部の一例である。
【００５５】
＜２．第２の実施形態＞
第２の実施形態の構成は、第１の実施形態と研磨テープの構成のみが相違し、その他は、第１の実施形態の構成と同様である。具体的には、以下のとおりである。
【００５６】
図８は、第２の実施形態に係る研磨テープ２０３の模式的な平面図である。
【００５７】
研磨テープ２０３は、第１の実施形態と同様に、複数のスリット２３３が形成されている。ただし、複数のスリット２３３は、２つの案内ローラ１３の配列方向、すなわち、張力が付与される方向に対して、直交するように延びている。第２の実施形態においても、研磨テープ２０３の張力が付与される方向は、研磨テープ２０３の平面視においてウェハＷの主面Ｗａに直交しているから、複数のスリット２３３は、研磨テープ２０３の平面視において主面Ｗａに対して平行である。
【００５８】
第２の実施形態の研磨テープ２０３においても、第１の実施形態の研磨テープ３と同様の効果、すなわち、研磨テープ２０３の好適な圧力分散の効果が奏される。さらに、複数のスリット２３３は、研磨テープ２０３の送出方向（長手方向）に直交していることから、張力Ｆ１の伝達は、第１の実施形態よりも効果的に抑制される。また、研磨テープ２０３の製造装置の簡素化も期待される。
【００５９】
ただし、スリット２３３がウェハＷの端面Ｗｂに位置した状態で研磨が行われると、端面Ｗｂの研磨が均一に行われないおそれがある。従って、研磨テープ２０３は、研磨中（ウェハＷの回転中）には停止され、研磨が行われていないときに移動されることが好ましい。そして、この断続的な移動は、複数のスリット２３３間の部分が端面Ｗｂに当接したときに停止するように行われることが好ましい。
【００６０】
複数のスリット２３３間の部分が端面Ｗｂに当接したときに停止する断続的な移動は、適宜な方法により実現されてよい。
【００６１】
例えば、研磨テープ２０３の一回の送り量を複数のスリット２３３の間隔と同一量にしておけば、初期状態においてスリット２３３とウェハＷの端面Ｗｂとがずれている限り、スリット２３３は端面Ｗｂに位置しない。
【００６２】
また、例えば、制御装置９において、スリット２３３が端面Ｗｂに位置したことを検出し、その検出結果に基づいて、制御装置９が、スリット２３３と端面Ｗｂとをずらすように、適宜に研磨テープ２０３を移動させてもよい。スリット２３３の検出は、例えば、以下のように行われてよい。
【００６３】
一定の回転数及びトルクで送出モータ１７及び巻取りモータ１９を制御している場合、スリット２３３がウェハＷの端面Ｗｂに位置すると、送出モータ１７及び巻取りモータ１９の少なくとも一方の負荷が変動する。例えば、摺動抵抗の低下により送出モータ１７及び巻取りモータ１９の負荷が低下する。また、例えば、スリット２３３がウェハＷの縁部に引っ掛かれば、巻取りモータ１９の負荷が増加することも考えられる。制御装置９は、このような負荷変動を検出することにより、スリット２３３が端面Ｗｂに位置したことを検出できる。
【００６４】
負荷変動は、送出モータ及び巻取りモータの少なくとも一方の消費電力の変動として表れる。そこで、制御装置９は、例えば、送出モータドライバ２１又は巻取りモータドライバ２３の供給電力が、所定の基準範囲外となったときに、負荷変動が生じたと判定してよい。
【００６５】
＜３．第３の実施形態＞
第３の実施形態では、第２の実施形態の研磨テープ２０３が用いられる。ただし、第３の実施形態は、研磨テープ２０３の送り方向が第２の実施形態と相違する。その他は、第２の実施形態の構成と同様である。具体的には、以下のとおりである。
【００６６】
図９は、第３の実施形態に係る研磨テープ２０３の模式的な平面図である。
【００６７】
第３の実施形態のテープ保持装置３０５は、２つの案内ローラ１３をウェハＷの主面Ｗａに対して傾斜角θで傾斜した状態で有している。なお、図示は省略するが、送出ローラ１１及び巻取りローラ１５も、案内ローラ１３と同様に、主面Ｗａに対して傾斜角θで傾斜していることが好ましい。
【００６８】
２つの案内ローラ１３がウェハＷの主面Ｗａに対して傾斜角θで傾斜していることにより、研磨テープ２０３の長手方向に直交するスリット２３３も、主面Ｗａに対して傾斜角θで傾斜する。傾斜角θの大きさは、第１の実施形態と同様に、４５度以内であることが好ましい。
【００６９】
第３の実施形態によれば、第１及び第２の実施形態と同様の効果、すなわち、研磨テープ２０３の好適な圧力分散の効果が奏される。さらに、第２の実施形態の研磨テープ２０３により、第１の実施形態と同様のウェハＷの端面Ｗｂの引っ掛かり抑制の効果を得ることができる。
【００７０】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００７１】
研磨方法は、製品の製造方法とはいえないものであってもよい。例えば、研磨方法は、製品を製造しているとはいえない程度の修理や改造を行うものであってもよい。
【００７２】
研磨対象は、半導体装置の材料となる半導体基板に限定されない。例えば、研磨対象は、レンズであってもよいし、磁気記録媒体からデータを読み出すための磁気ヘッドであってもよい。
【００７３】
半導体基板は、半導体のみにより形成されているものでもよいし、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板のように、半導体層に加えて、絶縁層を含むものであってもよい。また、半導体基板は、半導体素子が形成されたり、配線パターンが形成されたりする前のものでもよいし、後のものでもよい。換言すれば、研磨される層は、基板そのもの（半導体層など）であってもよいし、基板上に形成された導電層や絶縁層であってもよい。
【００７４】
半導体装置は、ＩＣに限定されず、半導体基板を利用して製造されるあらゆるものを含む。例えば、半導体装置は、トランジスタ、液晶パネル、センサ素子、フィルタ素子であってもよい。
【００７５】
研磨テープの保持は、研磨テープが平面になるようになされるものに限定されない。例えば、実施形態において、案内ローラが端部側ほど拡径するように構成されることにより、ウェハに対して凹となるように湾曲した状態で研磨テープが保持されてもよい。
【００７６】
研磨テープを研磨対象に押し付けるテープ保持部は、研磨テープを案内する案内ローラ（１３）に限定されない。例えば、実施形態において、送出ローラ１１及び巻取りローラ１５が、２つの案内ローラ１３の位置に配置され、テープ保持部として機能してもよい。また、テープ保持部は、回転可能なものに限定されない。例えば、実施形態において、案内ローラ１３に代えて、研磨テープを摺動させるバーが配置されてもよい。
【００７７】
研磨は、研磨対象（半導体基板）を移動させることにより行われるものに限定されず、研磨テープが移動されることにより行われるものであってもよい。また、その相対移動の方向も、適宜に設定されてよい。
【００７８】
研磨テープは、固定砥粒式のものに限定されず、遊離砥粒式のものであってもよい。
【００７９】
研磨テープは、張力が付与されている範囲のいずれの位置が研磨に用いられてもよい。例えば、実施形態では、研磨テープの幅方向中央がウェハの端面に当接したが、研磨テープの幅方向の一方側がウェハの端面に当接してもよい。
【００８０】
研磨テープに形成される開口は、適宜な範囲に適宜な数で形成されてよい。例えば、実施形態において、複数のスリット３３は、２つの案内ローラ１３間において、一つのスリット３３のみが位置するように形成されてもよい。
【００８１】
研磨テープに形成される開口は、スリットに限定されない。例えば、開口は、円形や矩形であってもよい。また、開口は、研磨テープの幅に対して比較的大きな径を有するものに限定されない。例えば、複数の比較的小さな開口が、研磨テープの幅方向に分布されていてもよい。
【００８２】
研磨テープに形成される開口がスリットである場合、スリットは、幅のないもの（切れ目）であってもよいし、幅を有するものであってもよい。なお、幅のないスリットは、例えば、研磨テープをカッターで切ることなどにより形成可能である。また、幅のあるスリットは、例えば、研磨テープに対してパンチングを行うことなどにより形成可能である。
【００８３】
また、スリットは、直線状に延びるものに限定されず、曲線状に延びるものであってもよいし、Ｖ字などの適宜な形状に延びるものであってもよい。複数のスリットは、長さ、幅、研磨テープの幅方向における位置、研磨テープの長手方向に対する傾斜角、及び、隣接するスリットとのピッチが適宜に設定されてよい。また、これらの設定項目は、複数のスリット間において、互いに同一でもよいし、互いに異なっていてもよい。
【００８４】
スリットは、張力が付与される方向に対して平行なものであってもよい。この場合にも、研磨テープが変形しやすくなり、圧力分散の効果が期待される。
【符号の説明】
【００８５】
１…研磨装置（半導体製造装置）、３…研磨テープ、１３Ａ…第１案内ローラ（テープ保持部）、１３Ｂ…第２案内ローラ（テープ保持部）、２５…テーブル（基板保持部）、３３…スリット（開口）、ＡＲ…所定範囲、Ｗ…ウェハ（半導体基板）、Ｗａ…主面、Ｗｂ…端面（被研磨面）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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