(57)【要約】【課題】薄型化・小型化できて量産性がよく、かつ耐熱性の要求にも応えることができる半導体装置を提供する。【解決手段】樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置であって、上記回路基板は、上記回路パターンに導通しない補強金属層が形成された領域を有することにより、回路基板の基材として樹脂フィルムを使用しても、回路パターンに導通しない補強金属層が形成されていることから、回路基板に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上し、量産しやすくなる。【選択図】図１
2010219103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置であって、
上記回路基板は、上記回路パターン以外の領域に補強金属層が形成された領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記補強金属層が、回路パターンに導通しないように形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記補強金属層は電子部品の放熱部材を兼ねて存在している請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
樹脂フィルムの表面に導電金属層による表面回路パターンが形成され、樹脂フィルムの裏面に導電金属層による裏面回路パターンが形成され、表面回路パターンと裏面回路パターンを導通させる導通部が設けられ、
上記補強金属層は、上記樹脂フィルムの裏面において、裏面回路パターンの存在しない領域に形成されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記導通部は、樹脂フィルムを貫通して片面側に広がるように貫通部が形成され、上記貫通部の広い側の開口部から狭い側の開口部にかけて形成された導電金属層と、上記貫通部の狭い側の開口部に形成された導電金属層とが導通することによって形成されている請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置であって、
上記樹脂フィルムの表面に導電金属層による表面回路パターンが形成され、上記樹脂フィルムの裏面に導電金属層による裏面回路パターンが形成され、表面回路パターンと裏面回路パターンを導通させる導通部が設けられ、
上記導通部は、樹脂フィルムを貫通して片面側に広がるように貫通部が形成され、上記貫通部の広い側の開口部から狭い側の開口部にかけて形成された導電金属層と、上記貫通部の狭い側の開口部に形成された導電金属層とが導通することによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、樹脂フィルムの少なくとも片面に導電金属層を形成し、上記導電金属層にエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルムの片面における回路パターン以外の領域に、補強金属層を形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、１単位の半導体装置となる領域が切断領域を介して並べられ、上記切断領域を切断除去することにより１単位の半導体装置を形成するものであり、
樹脂フィルムの少なくとも片面に導電金属層を形成し、上記導電金属層にエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルムの片面における切断領域に補強金属層を形成する請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、表面に導電金属層を形成した樹脂フィルムに対し、表面の導電金属層を残すように裏面側から樹脂フィルムに貫通部を形成し、裏面側から導電金属層を形成して表面の導電金属層と裏面の導電金属層を上記貫通部で導電させて導通部を形成させて形成することを特徴とする半導体装置の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばポリイミドフィルム等の樹脂フィルムをベースとした半導体装置およびその製法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置としては、ガラス繊維を積層してエポキシ樹脂を含浸したガラスエポキシ樹脂からなる回路基板の表面に回路パターンを形成し、上記回路パターンにＬＥＤ素子等の電子部品を実装し、上記電子部品の上面を覆うようにエポキシ樹脂等の封止樹脂で樹脂封止したものが用いられている（例えば下記の特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１５０９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の電子機器の小型化、高性能化に伴い、素子や基板を含む半導体装置の高精細化、薄型化が要求されているところ、上述したガラスエポキシ樹脂の回路基板を用いた半導体装置では、薄型化・小型化するにも限界があった。一方、半導体装置としては、素子の発熱に耐える耐熱性も同時に要求される。薄型化や小型化の要求を満たすべく、回路基板を薄型化し、回路を高精細化しようとすると、回路基板や半導体装置の製造過程でのハンドリング性が極端に悪くなり、量産できないという問題が生じている。このため、現在までのところ、薄型化・小型化できて量産性がよく、かつ耐熱性の要求にも応えることができる半導体装置は提供されていなかったのが実情である。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、薄型化・小型化できて量産性がよく、かつ耐熱性の要求にも応えることができる半導体装置およびその製法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の第１の半導体装置は、樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置であって、
上記回路基板は、上記回路パターン以外の領域に補強金属層が形成された領域を有することを要旨とする。
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第２の半導体装置は、樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置であって、
上記樹脂フィルムの表面に導電金属層による表面回路パターンが形成され、上記樹脂フィルムの裏面に導電金属層による裏面回路パターンが形成され、表面回路パターンと裏面回路パターンを導通させる導通部が設けられ、
上記導通部は、樹脂フィルムを貫通して片面側に広がるように貫通部が形成され、上記貫通部の広い側の開口部から狭い側の開口部にかけて形成された導電金属層と、上記貫通部の狭い側の開口部に形成された導電金属層とが導通することによって形成されていることを要旨とする。
【０００８】
また、上記目的を達成するため、本発明の第１の半導体装置の製法は、樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、樹脂フィルムの少なくとも片面に導電金属層を形成し、上記導電金属層にエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルムの片面における回路パターン以外の領域に、補強金属層を形成することを要旨とする。
【０００９】
また、上記目的を達成するため、本発明の第２の半導体装置の製法は、樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、１単位の半導体装置となる領域が切断領域を介して並べられ、上記切断領域を切断除去することにより１単位の半導体装置を形成するものであり、
樹脂フィルムの少なくとも片面に導電金属層を形成し、上記導電金属層にエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルムの片面における切断領域に補強金属層を形成することを要旨とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するため、本発明の第３の半導体装置の製法は、樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、表面に導電金属層を形成した樹脂フィルムに対し、表面の導電金属層を残すように裏面側から樹脂フィルムに貫通部を形成し、裏面側から導電金属層を形成して表面の導電金属層と裏面の導電金属層を上記貫通部で導電させて形成することを特徴とすることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の第１の半導体装置は、
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置であって、上記回路基板は、上記回路パターン以外の領域に補強金属層が形成された領域を有する。
このように、回路基板の基材として樹脂フィルムを使用しても、回路パターンの部分は回路パターンを構成する導電金属層により回路基板に腰が付与されているが、回路パターンの存在しない領域に補強金属層を形成することにより、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上し、量産しやすくなる。
【００１２】
上記半導体装置において、
上記補強金属層が、回路パターンに導通しないように形成されている場合には、
回路パターンの部分は回路パターンを構成する導電金属層により回路基板に腰が付与されているが、回路パターンに導通しない領域に補強金属層を形成することにより、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上する。
【００１３】
上記半導体装置において、上記補強金属層は電子部品の放熱部材を兼ねて存在している場合には、
補強金属層により電子部品の熱が放熱されることから、耐熱性の要求にも応えることができる。
【００１４】
上記半導体装置において、
樹脂フィルムの表面に導電金属層による表面回路パターンが形成され、樹脂フィルムの裏面に導電金属層による裏面回路パターンが形成され、表面回路パターンと裏面回路パターンを導通させる導通部が設けられ、
上記補強金属層は、上記樹脂フィルムの裏面において、裏面回路パターンの存在しない領域に形成されている場合には、
裏面回路パターンの部分は裏面回路パターンを構成する導電金属層により回路基板に腰が付与されているが、裏面回路パターンの存在しない領域に補強金属層を形成することにより、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上する。
【００１５】
上記半導体装置において、
上記導通部は、樹脂フィルムを貫通して片面側に広がるように貫通部が形成され、上記貫通部の広い側の開口部から狭い側の開口部にかけて形成された導電金属層と、上記貫通部の狭い側の開口部に形成された導電金属層とが導通することによって形成されている場合には、
例えば、上記導通部は、表面に導電金属層を形成した樹脂フィルムに対し、表面の導電金属層を残すように裏面側から樹脂フィルムに貫通部を形成し、裏面側から導電金属層を形成して表面の導電金属層と裏面の導電金属層を上記貫通部で導電させて形成することができる。このとき、上記貫通部をレーザ等の手法で形成することにより極めて小さな導通部とすることが可能となり、半導体装置の小型化や高精細化に極めて有利である。
【００１６】
本発明の第２の半導体装置は、
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置であって、
上記樹脂フィルムの表面に導電金属層による表面回路パターンが形成され、上記樹脂フィルムの裏面に導電金属層による裏面回路パターンが形成され、表面回路パターンと裏面回路パターンを導通させる導通部が設けられ、
上記導通部は、樹脂フィルムを貫通して片面側に広がるように貫通部が形成され、上記貫通部の広い側の開口部から狭い側の開口部にかけて形成された導電金属層と、上記貫通部の狭い側の開口部に形成された導電金属層とが導通することによって形成されている。  このようにすることにより、上記導通部は、表面に導電金属層を形成した樹脂フィルムに対し、表面の導電金属層を残すように裏面側から樹脂フィルムに貫通部を形成し、裏面側から導電金属層を形成して表面の導電金属層と裏面の導電金属層を上記貫通部で導電させて形成することができる。このとき、上記貫通部をレーザ等の手法で形成することにより極めて小さな導通部とすることが可能となり、半導体装置の小型化や高精細化に極めて有利である。
【００１７】
本発明の第１の半導体装置の製法は、
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、樹脂フィルムの少なくとも片面に導電金属層を形成し、上記導電金属層にエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルムの片面における回路パターン以外の領域に、補強金属層を形成する。
このようにすることにより、回路パターンの存在する部分は回路パターンを構成する導電金属層により回路基板に腰が付与されているが、回路パターンの存在しない領域に補強金属層を形成することにより、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上する。
【００１８】
本発明の第３の半導体装置の製法は、
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、１単位の半導体装置となる領域が切断領域を介して並べられ、上記切断領域を切断除去することにより１単位の半導体装置を形成するものであり、
樹脂フィルムの少なくとも片面に導電金属層を形成し、上記導電金属層にエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルムの片面における切断領域に補強金属層を形成する。
このようにすることにより、切断領域に形成された補強金属層により、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上する。
【００１９】
本発明の第４の半導体装置の製法は、
樹脂フィルムに導電金属層により回路パターンが形成されて回路基板が形成され、上記回路基板の回路パターンに電子部品が実装された半導体装置の製法であって、
上記回路基板は、表面に導電金属層を形成した樹脂フィルムに対し、表面の導電金属層を残すように裏面側から樹脂フィルムに貫通部を形成し、裏面側から導電金属層を形成して表面の導電金属層と裏面の導電金属層を上記貫通部で導電させて導通部を形成させて形成する。
このようにすることにより、例えば上記貫通部をレーザ等の手法で形成することにより極めて小さな導通部とすることが可能となり、半導体装置の小型化や高精細化に極めて有利である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図である。
【図２】本発明の半導体装置の回路基板の製造工程を説明する図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
つぎに、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００２２】
図１は、本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は表面側、（Ｂ）は断面、（Ｃ）は裏面側を示す図である。
【００２３】
この半導体装置は、樹脂フィルム１に導電金属層としての銅系金属層３ａ，３ｂにより回路パターンが形成されて回路基板６が形成され、上記回路基板６の回路パターンに電子部品としてＬＥＤ１０が実装されて構成されている。
【００２４】
上記樹脂フィルム１としては、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、液晶ポリマーフィルム等が耐熱性、機械的安定性、機械的強度、電気的特性等の点で優れており、好適に用いることができる。
【００２５】
この例では、上記導電金属層として銅系金属層３ａ，３ｂが形成されたものを説明する。上記導電金属層を形成する導電金属としては、銅系金属に限定するものではなく、導電性を有する金属であれば各種のものを用いることができるが、上記導電金属としては、金、銀、銅、白金、ニッケル等、耐食性が良好で、電気抵抗が比較的低い金属を好適に用いることができる。これらの導電金属としては、工業的純度の純金属を用いることもできるし合金を用いることができる。
【００２６】
また、この例では、上記電子部品としてＬＥＤ１０を搭載した例を示したが、電子部品としては、ＬＥＤに限定するものではなく、ダイオード、トランジスタ等、各種の電子部品を適用することができる。
【００２７】
上記樹脂フィルム１の電子部品実装面としての表面に形成される表面銅系金属層３ａは、樹脂フィルム１側から、銅スパッタ膜２ａ、第１銅めっき層４ａおよび第２銅めっき層５ａが積層されて構成されている。上記樹脂フィルム１の裏面に形成される裏面銅系金属層３ｂは、樹脂フィルム１側から、銅スパッタ膜２ｂおよび第２銅めっき層５ｂが積層されて構成されている。
【００２８】
上記表面銅系金属層３ａおよび裏面銅系金属層３ｂがそれぞれエッチングされることにより、樹脂フィルム１の表面には表面銅系金属層３ａによる表面回路パターンが形成され、樹脂フィルム１の裏面には裏面銅系金属層３ｂによる裏面回路パターンが形成されている。図において斜線で囲った領域は、それぞれ表面銅系金属層３ａおよび裏面銅系金属層３ｂがエッチングによって除去された領域であるエッチング除去部１５ａ，１５ｂである。
【００２９】
上記表面回路パターン上には、エッチングで表面銅系金属層３ａが除去された領域から第２銅めっき層５ａの表面にかけて、白色レジスト樹脂による表面レジスト樹脂層７ａが形成されている。裏面回路パターン上には、エッチングで裏面銅系金属層３ｂが除去された領域から第２銅めっき層５ｂの裏面にかけて、白色レジスト樹脂による裏面レジスト樹脂層７ｂが形成されている。
【００３０】
上記表面レジスト樹脂層７ａは、フォトレジストによりパターンが形成されることにより、ＬＥＤ１０が搭載される電子部品搭載領域１１と、ＬＥＤ１０に接続されたリード線１２がボンディングされるボンディング領域１３とが形成されている。上記表面レジスト樹脂層７ｂは、フォトレジストによりパターンが形成されることにより、裏面電極となる裏面電極領域１４が形成されている。
【００３１】
上記電子部品搭載領域１１およびボンディング領域１３には、金めっき層８ａが形成されている。また、裏面電極領域１４にも金めっき層８ｂが形成されている。
【００３２】
そして、この半導体装置では、上記回路基板６は、上記回路パターン以外の領域に補強金属層９が形成された領域を有する。上記補強金属層９は、上記回路パターンに導通しないように形成されている。
【００３３】
より詳しく説明すると、この例では、樹脂フィルム１の表面には表面銅系金属層３ａによる表面回路パターンが形成され、樹脂フィルム１の裏面には裏面銅系金属層３ｂによる裏面回路パターンが形成され、上記補強金属層９は、上記樹脂フィルム１の裏面において、裏面回路パターンの存在しない領域に形成されている。
【００３４】
上記補強金属層９は、この例では、樹脂フィルム１の裏面に形成された銅スパッタ膜２ｂと第２銅めっき層５ｂとから構成された裏面銅系金属層３ｂの一部がエッチングで除去され、残された裏面銅系金属層３ｂで裏面回路パターンが形成されるのと同様に、裏面銅系金属層３ｂが残された部分によって形成される。このとき、裏面側のエッチング除去部１５ｂの存在により、裏面電極領域１４となる裏面回路パターンと補強金属層９との電気的接続が断たれ、相互に導通しないようになっている。
【００３５】
そして、上記補強金属層９は電子部品であるＬＥＤ１０で発する熱を放熱するための放熱部材としての機能を兼ねて存在している。
【００３６】
また、上記回路基板６では、樹脂フィルム１の表面に表面銅系金属層３ａによる表面回路パターンが形成され、樹脂フィルム１の裏面に裏面銅系金属層３ｂによる裏面回路パターンが形成され、表面回路パターンと裏面回路パターンを導通させる導通部１６が設けられている。
【００３７】
上記導通部１６は、樹脂フィルム１を貫通して片面側に広がるように貫通部１７が形成され、上記貫通部１７の広い側の開口部１８ｂから狭い側の開口部１８ａにかけて形成された裏面銅系金属層３ｂと、上記貫通部１７の狭い側の開口部１８ａに形成された表面銅系金属層３ａとが導通することによって形成されている。
【００３８】
すなわち、上記貫通部１７は、樹脂フィルム１を貫通して内周面が少しテーパー状になっており、樹脂フィルム１の表面側の開口部１８ａが裏面側のそれよりも狭く、樹脂フィルム１の裏面の開口部１８ｂが表面側のそれよりも広くなるよう形成されている。
【００３９】
そして、樹脂フィルム１の表面側において、銅スパッタ膜２ａ、第１銅めっき層４ａおよび第２銅めっき層５ａから構成された表面銅系金属層３ａは、樹脂フィルム１の表面と面一になって表面側の狭い方の開口部１８ａを覆うように形成されている。一方、樹脂フィルム１の裏面側において、銅スパッタ膜２ｂおよび第２銅めっき層５ｂから構成された裏面銅系金属層３ｂは、樹脂フィルム１の裏面から貫通部１７の内周面および表面銅系金属層３ａの裏面側にわたって形成され、貫通部１７の表面側の開口１８ａのところで電気的に接触して導通が図られている。
【００４０】
図２は、上記半導体装置に用いられる回路基板６の製造工程を示す断面図である。
【００４１】
以下、樹脂フィルム１に銅系金属層３ａ，３ｂにより回路パターンが形成されて回路基板６が形成され、上記回路基板６の回路パターンに電子部品としてＬＥＤ１０が実装された半導体装置の製法を説明する。
【００４２】
図２（Ａ）に示すように、まず、基材となる樹脂フィルム１の表面に、後に形成する第１銅めっき層４ａの密着性を向上させる導電性金属によるシード層としての銅スパッタ膜２ａを形成する。上記シード層としては、この例ではスパッタ法によって銅スパッタ膜２ａを形成したが、真空蒸着法、ＰＶＤ法等によって導電性金属の薄膜を形成すればよい趣旨である。
【００４３】
上記銅スパッタ膜２ａを形成する前に、スパッタ法により窒化シリコン層または酸窒化シリコン層を形成することもできる。このようにすることにより、上記シード層としての銅スパッタ膜２ａの樹脂フィルム１に対する密着性を向上させることができる。
【００４４】
図２（Ｂ）に示すように、上記銅スパッタ膜２ａを形成したのち、樹脂フィルム１の表面側に、第１銅めっき層４ａを形成する。上記第１銅めっき層４ａは、電気めっき等により形成することができるが、このときのめっきは、樹脂フィルム１の片面すなわち表面側だけにめっき層を形成することが行われる。
【００４５】
図２（Ｃ）に示すように、上記樹脂フィルム１の表面に銅スパッタ膜２ａおよび第１銅めっき層４ａを積層したのち、樹脂フィルム１の裏面側から所定の位置に貫通部１７を形成する。上記貫通部１７は、例えば、樹脂フィルム１の裏面側から所定の位置にレーザ光を照射することにより形成することができる。このとき、レーザ光の出力を、樹脂フィルム１だけを除去し、銅スパッタ膜２ａおよび第１銅めっき層４ａには影響をほとんど与えない程度の出力に調整することにより、樹脂フィルム１だけを焼いて除去し、貫通部１７を形成する。このとき、上記貫通部１７は、裏面側の開口部１８ｂが表面側のそれよりも広く、裏面側の開口部１８ａが表面側のそれよりも狭くなるよう形成される。
【００４６】
図２（Ｄ）に示すように、上記貫通部１７を形成した後、樹脂フィルム１の裏面に、後に形成する第１銅めっき層４ｂの密着性を向上させる導電性金属によるシード層としての銅スパッタ膜２ｂを形成する。上記シード層としては、真空蒸着法、ＰＶＤ法等によって形成してもよい。また、上記銅スパッタ膜２ｂを形成する前に、スパッタ法により窒化シリコン層または酸窒化シリコン層を形成し、上記シード層としての銅スパッタ膜２ａの樹脂フィルム１に対する密着性を向上させることもできる。
【００４７】
上記銅スパッタ膜２ｂは、樹脂フィルム１の裏面、貫通部１７の内周面および貫通部１７の開口部１８ａにより樹脂フィルム１の裏面側に露呈した銅スパッタ膜２ａの裏面側にわたって形成される。
【００４８】
図２（Ｅ）に示すように、上記銅スパッタ膜２ｂを形成した樹脂フィルム１の表面側および裏面側の両面に、第２銅めっき層５ａ，５ｂを形成する。上記第２銅めっき層５ａ，５ｂは、電気めっき等により形成することができる。このとき、裏面側の第２銅めっき層５ｂは、樹脂フィルム１の裏面部、貫通部１７の内周面部および貫通部１７の開口部１８ａの部分にわたって形成される。
【００４９】
これにより、樹脂フィルム１の表面には、銅スパッタ膜２ａ、第１銅めっき層４ａおよび第２銅めっき層５ａが積層されて表面銅系金属層３ａが形成され、樹脂フィルム１の裏面には、銅スパッタ膜２ｂおよび第２銅めっき層５ｂが積層されて裏面銅系金属層３ｂが形成される。また、表面銅系金属層３ａと裏面銅系金属層３ｂは、貫通部１７の内部で銅通が図られ、この部分に導通部１６が形成される。
【００５０】
このように、上記回路基板６は、表面に表面銅系金属層３ａを形成した樹脂フィルム１に対し、表面銅系金属層３ａを残すように裏面側から樹脂フィルム１に貫通部１７を形成し、裏面側から裏面銅系金属層３ｂを形成して表面銅系金属層３ａと裏面銅系金属層３ｂを上記貫通部１７で導電させて導通部１６を形成させて形成する。
【００５１】
図３は、上記のようにして形成した基板にエッチングを施した状態を示す。図３（Ａ）は表面側を見た図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は裏面側を見た図である。
【００５２】
エッチングは、フォトエッチング等の手法により表面銅系金属層３ａおよび裏面銅系金属層３ｂの一部をエッチングで除去することにより行うことが出来る。このようにして、樹脂フィルム１の表面側および裏面側にそれぞれエッチング除去部１５ａ，１５ｂが形成され、表面回路パターン、裏面回路パターンが形成される。
【００５３】
この上記回路基板６は、１単位の半導体装置となる領域が切断領域を介して並べられ、上記切断領域を切断除去することにより１単位の半導体装置を形成するものであり、図において、一点鎖線は、帯状の切断領域の中心に便宜上示した仮想線であり、一点鎖線で囲まれる長方形の領域が、１単位の半導体装置となる領域を略示す領域である。なお、切断領域については後述する。
【００５４】
樹脂フィルム１の表側において、エッチング除去部１５ａは、中央に略「Ｈ」字状のものが１つ形成され、その両側に略「Ｌ」字状のものが１つずつ形成されている。  樹脂フィルム１の裏側において、エッチング除去部１５ｂは、中央に略「コ」字状のものが２つ形成され、その両側に略「Ｌ」字状のものが２つずつ形成されている。
【００５５】
上記エッチング除去部１５ａ，１５ｂは、帯状の除去部が、略「Ｌ」字状、略「コ」字状、略「Ｈ」字状に形成されているが、帯状の端部１９がそれぞれ上記一点鎖線に向かっており、上記帯状の端部１９が後述する切断領域に重なるように構成されている。そして、上記エッチング除去部１５ａ，１５ｂで囲われる部分に、それぞれ１つずつ貫通部１７すなわち導通部１６が形成されている。
【００５６】
図４は、上記のようにして回路パターンが形成された回路基板６に対し、表面レジスト樹脂層７ａおよび裏面レジスト樹脂層７ｂを形成した状態を示す。図４（Ａ）は表面側を見た図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は裏面側を見た図である。
【００５７】
上記表面レジスト樹脂層７ａおよび裏面レジスト樹脂層７ｂは、エッチング除去部１５ａ，１５ｂを覆うとともに、表面銅系金属層３ａと裏面銅系金属層３ｂのそれぞれ一部を露出させた状態で覆うように形成される。上記表面レジスト樹脂層７ａおよび裏面レジスト樹脂層７ｂは、塗料や樹脂をシルクスクリーン印刷やマーク印刷することにより形成したり、光エッチング法によるフォトレジスト等により形成することができる。
【００５８】
これにより、表面銅系金属層３ａの一部を露出させ、露出部を電子部品搭載領域１１およびボンディング領域１３とする。また、裏面銅系金属層３ｂの一部を露出させ、露出部を裏面電極領域１４とする。
【００５９】
この例では、表側には、その中央に、１つの電子部品搭載領域１１および１つのボンディング領域１３が図示の縦並びで配置され、その両側に１つの電子部品搭載領域１１に対して２つのボンディング領域１３が並んだ組がそれぞれ１組ずつ配置されている。また、裏側には、６つの裏面電極領域１４が配置されている。
【００６０】
このようにすることにより、裏面電極として機能する裏面電極領域１４の裏面銅系金属層３ｂと、それに対応する位置のボンディング領域１３の表面銅系金属層３ａとが導通部１６で導通する。また、裏面電極として機能する裏面電極領域１４の裏面銅系金属層３ｂと、それに対応する位置の電子部品搭載領域１１の表面銅系金属層３ａとが導通部１６で導通する。
【００６１】
上記表面レジスト樹脂層７ａおよび裏面レジスト樹脂層７ｂとしては、白色のレジスト樹脂による白色層として形成される。上記白色層は、光透過性が低いこと、言い換えれば隠蔽製が高いことが必要であり、例えば、白色顔料を含む塗料や樹脂を使用することができる。
【００６２】
上記白色顔料としては、例えば、シリカ、クレー、軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム、カオリン、タルク、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、炭酸亜鉛、チタンホワイト、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、アルミナ、リトポン、希土類酸化物などの白色無機顔料、スチレン系プラスチックピグメント、アクリル系プラスチックピグメント、マイクロカプセル、尿素樹脂顔料などの有機顔料が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
【００６３】
上記表面レジスト樹脂層７ａおよび裏面レジスト樹脂層７ｂを、白色のレジスト樹脂による白色層として形成することにより、上記電子部品として発光素子を使用した場合に、発光素子から照射された光が樹脂フィルム１を透過したり吸収されたりせずに白色層で反射される。また、上記白色層を回路基板６の電子部品実装面でない裏面側にも形成することにより、樹脂フィルム１の表面銅系金属層３ａ等が形成されていない部分を光が通過したとしても、反対面としての白色層で反射される。このため、反射効率が向上し、同じ光量を得るのに小さな発光素子ですみ、薄型化・小型化に有利であるうえ、発熱も抑えられて耐熱性の面でも有利である。
【００６４】
図５は、上記のようにして表面レジスト樹脂層７ａおよび裏面レジスト樹脂層７ｂが形成された回路基板６に対し、金めっき層８ａ，８ｂを形成した状態を示す。図４（Ａ）は表面側を見た図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は裏面側を見た図である。
【００６５】
この例では、表側の電子部品搭載領域１１およびボンディング領域１３に金めっき層８ａが形成され、裏面の裏面電極領域１４に金めっき層８ｂが形成されている。上記表面レジスト樹脂層７ａおよび裏面レジスト樹脂層７ｂに覆われずに表面銅系金属層３ａおよび裏面銅系金属層３ｂが露出した部分に貴金属めっきとしての金めっきが施されて金めっき層８ａ，８ｂが形成される。このように、表面レジスト樹脂層７ａおよび裏面レジスト樹脂層７ｂは、貴金属めっきを施す際のマスクパターンとしても機能する。
【００６６】
そして、上記表側の電子部品搭載領域１１に電子部品としてのＬＥＤ１０が搭載され、ボンディング領域１３にリード線１２がボンディングされる。さらに、上記ＬＥＤ１０、リード線１２、電子部品搭載領域１１およびボンディング領域１３は、図示しないモールド樹脂で覆うことが行われる。
【００６７】
図６は、図５に示した１単位の半導体装置となる領域を縦横に並べて示した状態である。（Ａ）は表側、（Ｂ）は裏側を示す。図において、一点鎖線は、帯状の切断領域の中心に便宜上示した仮想線であり、一点鎖線で囲まれる長方形の領域が、１単位の半導体装置となる領域を略示す領域である。
【００６８】
図７は、図６に示した１単位の半導体装置となる領域を縦横に並べて示した状態において、帯状の切断領域を示した図である。斜線で示す帯状の部分が切断領域である。
【００６９】
このように、上記エッチング除去部１５ａ，１５ｂの帯状の端部１９が切断領域に重なるように構成され、上記切断領域が切断除去されることにより、各裏面電極領域１４に形成される裏面電極の電気的接続が断たれるようになっている。
【００７０】
この状態で、上記樹脂フィルム１の裏面における回路パターンの存在しない領域に、上述した補強金属層９が形成される。すなわち、上記回路基板６は、樹脂フィルム１の少なくとも片面に銅系金属層３ａ，３ｂを形成し、上記銅系金属層３ａ，３ｂにエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルム１の片面における回路パターンの存在しない領域に、補強金属層９を形成する。
【００７１】
また、１単位の半導体装置を切り出す際に切断によって除去される切断領域にも、表面銅系金属層３ａおよび裏面銅系金属層３ａによる補強金属層９が形成されている。すなわち、上記回路基板６は、１単位の半導体装置となる領域が切断領域を介して並べられ、上記切断領域を切断除去することにより１単位の半導体装置を形成するものであり、樹脂フィルム１の少なくとも片面に銅系金属層３ａ，３ｂを形成し、上記銅系金属層３ａ，３ｂにエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルム１の片面における切断領域に補強金属層９が形成されている。
【００７２】
以上のように、本実施形態の半導体装置は、樹脂フィルム１に銅系金属層３ａ，３ｂにより回路パターンが形成されて回路基板６が形成され、上記回路基板６の回路パターンにＬＥＤ１０が実装された半導体装置であって、上記回路基板６は、上記回路パターン以外の領域に補強金属層９が形成された領域を有する。
このように、回路基板６の基材として樹脂フィルム１を使用しても、回路パターンの部分は回路パターンを構成する銅系金属層３ａ，３ｂにより回路基板６に腰が付与されているが、回路パターンの存在しない領域に補強金属層９を形成することにより、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上し、量産しやすくなる。
【００７３】
上記半導体装置において、
上記補強金属層９が、回路パターンに導通しないように形成されている場合には、
回路パターンの部分は回路パターンを構成する銅系金属層３ａ，３ｂにより回路基板６に腰が付与されているが、回路パターンに導通しない領域に補強金属層９を形成することにより、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上する。
【００７４】
上記半導体装置において、上記補強金属層９はＬＥＤ１０の放熱部材を兼ねて存在している場合には、
補強金属層９によりＬＥＤ１０の熱が放熱されることから、耐熱性の要求にも応えることができる。
【００７５】
上記半導体装置において、
樹脂フィルム１の表面に表面銅系金属層３ａによる表面回路パターンが形成され、樹脂フィルム１の裏面に裏面銅系金属層３ｂによる裏面回路パターンが形成され、表面回路パターンと裏面回路パターンを導通させる導通部１６が設けられ、
上記補強金属層９は、上記樹脂フィルム１の裏面において、裏面回路パターンの存在しない領域に形成されている場合には、
裏面回路パターンの部分は裏面回路パターンを構成する裏面銅系金属層３ｂにより回路基板６に腰が付与されているが、裏面回路パターンの存在しない領域に補強金属層９を形成することにより、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上する。
【００７６】
上記半導体装置において、
上記導通部１６は、樹脂フィルム１を貫通して片面側に広がるように貫通部１７が形成され、上記貫通部１７の広い側の開口部１８ｂから狭い側の開口部１８ａにかけて形成された裏面銅系金属層３ｂと、上記貫通部１７の狭い側の開口部１８ａに形成された表面銅系金属層３ａとが導通することによって形成されている場合には、
例えば、上記導通部１６は、表面銅系金属層３ａを形成した樹脂フィルム１に対し、表面銅系金属層３ａを残すように裏面側から樹脂フィルム１に貫通部１７を形成し、裏面側から裏面銅系金属層３ｂを形成して表面銅系金属層３ａと裏面銅系金属層３ｂを上記貫通部１７で導電させて形成することができる。このとき、上記貫通部１７をレーザ等の手法で形成することにより極めて小さな導通部１６とすることが可能となり、半導体装置の小型化や高精細化に極めて有利である。
【００７７】
本実施形態の半導体装置は、
上記樹脂フィルム１の表面に表面銅系金属層３ａによる表面回路パターンが形成され、上記樹脂フィルム１の裏面に裏面銅系金属層３ｂによる裏面回路パターンが形成され、表面回路パターンと裏面回路パターンを導通させる導通部１６が設けられ、
上記導通部１６は、樹脂フィルム１を貫通して片面側に広がるように貫通部１７が形成され、上記貫通部１７の広い側の開口部１８ｂから狭い側の開口部１８ａにかけて形成された裏面銅系金属層３ｂと、上記貫通部１７の狭い側の開口部１８ａに形成された表面銅系金属層３ａとが導通することによって形成されている
このようにすることにより、上記導通部１６は、表面銅系金属層３ａを形成した樹脂フィルム１に対し、表面銅系金属層３ａを残すように裏面側から樹脂フィルム１に貫通部１７を形成し、裏面側から裏面銅系金属層３ｂを形成して表面銅系金属層３ａと裏面銅系金属層３ｂを上記貫通部１７で導電させて形成することができる。このとき、上記貫通部１７をレーザ等の手法で形成することにより極めて小さな導通部１６とすることが可能となり、半導体装置の小型化や高精細化に極めて有利である。
【００７８】
本実施形態の半導体装置の製法は、
上記回路基板６は、樹脂フィルム１の少なくとも片面に銅系金属層３ａ，３ｂを形成し、上記銅系金属層３ａ，３ｂにエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルム１の片面における回路パターン以外の領域に、補強金属層９を形成する。
このようにすることにより、回路パターンの存在する部分は回路パターンを構成する銅系金属層３ａ，３ｂにより回路基板６に腰が付与されているが、回路パターンの存在しない領域に補強金属層９を形成することにより、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上する。
【００７９】
本実施形態の半導体装置の製法は、
上記回路基板６は、１単位の半導体装置となる領域が切断領域を介して並べられ、上記切断領域を切断除去することにより１単位の半導体装置を形成するものであり、
樹脂フィルム１の少なくとも片面に銅系金属層３ａ，３ｂを形成し、上記銅系金属層３ａ，３ｂにエッチングを施すことにより、回路パターンを形成するとともに、上記樹脂フィルム１の片面における切断領域に補強金属層９を形成する。
このようにすることにより、切断領域に形成された補強金属層９により、その領域に腰が付与されて強度が増し、製造過程でのハンドリング性が格段に向上する。
【００８０】
本実施形態の半導体装置の製法は、
上記回路基板６は、表面銅系金属層３ａを形成した樹脂フィルム１に対し、表面銅系金属層３ａを残すように裏面側から樹脂フィルム１に貫通部１７を形成し、裏面側から裏面銅系金属層３ｂを形成して表面銅系金属層３ａと裏面銅系金属層３ｂを上記貫通部１７で導電させて導通部１６を形成させて形成する。
このようにすることにより、例えば上記貫通部１７をレーザ等の手法で形成することにより極めて小さな導通部１６とすることが可能となり、半導体装置の小型化や高精細化に極めて有利である。
【符号の説明】
【００８１】
１：樹脂フィルム
２ａ：銅スパッタ膜
２ｂ：銅スパッタ膜
３ａ：表面銅系金属層
３ｂ：裏面銅系金属層
４ａ：第１銅めっき層
５ａ：第２銅めっき層
５ｂ：第２銅めっき層
６：回路基板
７ａ：表面レジスト樹脂層
７ｂ：裏面レジスト樹脂層
８ａ：金めっき層
８ｂ：金めっき層
９：補強金属層
１０：ＬＥＤ
１１：電子部品搭載領域
１２：リード線
１３：ボンディング領域
１４：裏面電極領域
１５ａ：エッチング除去部
１５ｂ：エッチング除去部
１６：導通部
１７：貫通部
１８ａ：開口部
１８ｂ：開口部
１９：端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010219103.tif 000007
【図６】
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【図７】
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