(57)【要約】【課題】高耐圧化とオン抵抗の安定化とを同時に達成するトレンチゲート型半導体装置を提供すること。【解決手段】第１導電型（ｎ）を有するエピタキシャル層（１）と、前記エピタキシャル層上に隣接して形成され、且つ、前記第１導電型と反対の第２導電型（ｐ）を有するベース層（２）と、前記ベース層上に選択的に形成される前記第１導電型（ｎ）を有するソース層（３）と、前記エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通して形成されるトレンチ（４）と、前記トレンチの内壁に沿って形成される絶縁膜（５）と、前記絶縁膜を介して前記トレンチ内部に形成される制御電極（６）と、を備える半導体装置であって、前記エピタキシャル層において前記トレンチの底部に沿って形成される前記第１導電型の半導体領域（１０）を備えることを特徴とする半導体装置。【選択図】図１
2010219109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型を有するエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層上に隣接して形成され、且つ、前記第１導電型と反対の第２導電型を有するベース層と、
前記ベース層上に選択的に形成される前記第１導電型を有するソース層と、
前記エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通して形成されるトレンチと、
前記トレンチの内壁に沿って形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチ内部に形成される制御電極と、
を備える半導体装置であって、
前記エピタキシャル層において前記トレンチの底部に沿って形成される前記第１導電型の半導体領域を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体領域が、前記エピタキシャル層と同等の不純物濃度を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
第１導電型のエピタキシャル層に第２導電型の不純物をイオン注入してベース層を形成する工程と、
前記ベース層に第１導電型の不純物をイオン注入してソース層を形成する工程と、
エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内部に酸化膜を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記酸化膜を形成する工程の後に第１導電型のイオン注入工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来のトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの構造を示す断面図である。
従来のトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴは、図示しないｎ＋型の基板上に形成されたｎ−型のエピタキシャル層１上にｐ型のベース層２とｎ＋型のソース層３が形成され、平面的に見てストライプ状のトレンチ４がベース層２とソース層３とを貫通してエピタキシャル層１に到達するように形成され、トレンチ４内部にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６と、ゲート電極６上に形成された層間絶縁膜７と、ベース層２とソース層３とに接するように形成されたソース電極８と、エピタキシャル層１に接するように形成されたドレイン電極９と、を備える。
【０００３】
従来のトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの製造方法について説明する。
図示しない基板上にエピタキシャル層１を周知の方法で成長させ、エピタキシャル層１にホウ素（Ｂ）をイオン注入し、活性化させてベース層２を形成し、ベース層２に砒素（Ａｓ）をイオン注入し、活性化させてソース層３を形成する。次に、ベース層２及びソース層３上に酸化膜によるマスクを形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりベース層２及びソース層３を貫通してエピタキシャル層１に達するように、例えば０．４〜１．０μｍの幅を有するトレンチ４を形成する。次に、熱酸化により、図示しない犠牲酸化膜を形成し、これを除去した後、再度熱酸化を行いゲート酸化膜５を形成し、化学気相成長方（ＣＶＤ）等によりトレンチ４内部にポリシリコンを埋め込むことでゲート電極６を形成する。次に、ゲート電極６上に層間絶縁膜７を形成し、ソース電極８及びドレイン電極９を蒸着により形成する。
【０００４】
従来のトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴは、トレンチ４の外壁に沿ってチャネル（電流通路）が形成されるため、プレーナ型パワーＭＯＳＦＥＴと比較してセル密度を高くすることができる。さらに、トレンチ４の底部にｎ＋型の半導体層を形成すると、Ｒｏｎが低減されることが知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２９９４６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、従来のトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを高耐圧化すると、以下に述べるような問題点があった。例えば６００Ｖ前後の耐圧を得るため、１×１０１４〜１０１５ｃｍ−３程度の低不純物濃度を有するエピタキシャル層１を用いてトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを形成した場合、所望の耐圧が得られる一方、ドレイン電圧（Ｖｄｓ）に依存してオン抵抗（Ｒｏｎ）が変動してしまう（図５  実線ｂ）。
【０００７】
ＲｏｎがＶｄｓに依存する現象は、ｐ型の反転領域が、エピタキシャル層１においてトレンチ４の底部に沿って形成され、ソース−ドレイン間を流れる電流がｐ型の反転領域とエピタキシャル層１とが形成するｐｎ接合を経由して流れることに起因し、ｐ型の反転領域がベース層２と隣接する場合に最も影響が大きくなる。
【０００８】
ｐ型の反転領域は、犠牲酸化膜或いはゲート酸化膜５を形成する熱酸化工程において、以下のメカニズムにより形成される。熱酸化工程において、半導体基板に供給される酸化性ガスが、トレンチ４の底部まで到達しにくいため、トレンチ４の底部における酸化膜の成長が抑制される。そのため、ベース層２に含まれるｐ型不純物がトレンチ４の底部に混入する、所謂オートドーピング現象が発生しやすい。特に、高耐圧のパワーＭＯＳＦＥＴは、エピタキシャル層１とベース層２とのｐｎ接合で耐圧を保持するため、エピタキシャル層１の不純物濃度を低くすることから、オートドーピングによりエピタキシャル層１の一部の導電型が、ｎ型からｐ型に反転し、ｐ型の反転領域が形成されやすい。
【０００９】
このような問題は、特許文献１に開示される構造のパワーＭＯＳＦＥＴのみならず、トレンチゲート型ＩＧＢＴにおいても問題となる。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、高耐圧化とオン抵抗の安定化とを同時に達成するトレンチゲート型半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記のような課題を解決するために、請求項１記載の発明は、第１導電型を有するエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層上に隣接して形成され、且つ、前記第１導電型と反対の第２導電型を有するベース層と、
前記ベース層上に選択的に形成される前記第１導電型を有するソース層と、
前記エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通して形成されるトレンチと、
前記トレンチの内壁に沿って形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチ内部に形成される制御電極と、
を備える半導体装置であって、
前記エピタキシャル層において前記トレンチの底部に沿って形成される前記第１導電型の半導体領域を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高耐圧化とオン抵抗の安定化とを同時に達成するトレンチゲート型半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例１に係るトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの構造断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係るトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの工程断面図である。
【図３】本発明の変形例に係るトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの構造断面図である。
【図４】従来のトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの構造断面図である。
【図５】トレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴのＲｏｎとＶｄｓとの相関図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本発明の第１実施例に係るトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの平面及び側面構造を示す断面図である。図１（ａ）は、本実施例に係るトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの平面断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ線の側面断面図である。
【００１６】
本実施例におけるトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴは、図示しないｎ＋型の基板と、基板上に形成されたｎ−型のエピタキシャル層１上に、ｐ型のベース層２とｎ＋型のソース層３が形成され、平面的に見てストライプ状のトレンチ４がベース層２とソース層３とを貫通してエピタキシャル層１に到達するように形成され、トレンチ４内部にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６と、ゲート絶縁膜５及びゲート電極６上に形成された層間絶縁膜７と、ベース層２とソース層３とに接するように形成されたソース電極８と、エピタキシャル層１に接するように形成されたドレイン電極９と、を有し、エピタキシャル層１内においてトレンチ４の底部に沿って形成され且つエピタキシャル層１と同等の不純物濃度を有する本発明の半導体領域としてのｎ−型半導体層１０を備える。
【００１７】
図２は、本実施例に係るトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの製造方法を示す工程断面図である。
【００１８】
図示しない基板上にエピタキシャル層１を周知の方法で成長させ、エピタキシャル層１のほぼ全面にホウ素（Ｂ）をイオン注入し、活性化させてエピタキシャル層１上にベース層２を形成し、次いでベース層２に砒素（Ａｓ）を選択的にイオン注入し、活性化させてベース層２上に島状のソース層３を形成する（図２ａ）。エピタキシャル層１のｎ型不純物濃度は１×１０１４〜１×１０１５ｃｍ−３であり、エピタキシャル層１の厚みは３０〜５０μｍ、ベース層２のｐ型不純物濃度は５×１０１６〜５×１０１７ｃｍ−３、ベース層２の厚みは１．０〜１．５μｍになるように形成される。
【００１９】
次に、ベース層２及びソース層３上に酸化膜から成る図示しないマスクを形成した後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりベース層２及びソース層３を貫通してエピタキシャル層１に到達するように所望のトレンチ４を形成する（図２ｂ）。本実施例におけるトレンチ４の幅は０．４μｍ〜１．０μｍ、ベース層２表面からの深さは１．０〜２．０μｍである。
【００２０】
次に、ＲＩＥのダメージを除去するための熱酸化工程を行いトレンチ４の内壁に犠牲酸化による犠牲酸化膜５’を形成する。この熱酸化工程と同時に、ベース層２に含まれるｐ型不純物が、トレンチ４の側壁からエピタキシャル層１内に形成されるトレンチ４の底部を介してエピタキシャル層１に混入するため、トレンチ４の底部のエピタキシャル層１の部分にｐ型の反転層１１が形成される。（図２ｃ）。
【００２１】
次に、リン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）等のｎ型不純物をトレンチ４の側壁と並行にトレンチ４内にイオン注入し、ｎ型不純物を熱拡散させることで、ｐ型の反転層１１の導電型を再度反転させ、ｎ−型半導体層１０を形成する（図２ｄ）。このとき、ｎ型不純物イオンの注入量は、反転層１１の濃度や深さにより決定され、ｎ−型半導体層１０の不純物濃度はがエピタキシャル層１の不純物濃度と同等になるように決定される。ｎ型不純物の熱拡散は、次に行う熱酸化工程と同一の工程で行っても良く、熱酸化工程の後に行っても良い。
【００２２】
次に、犠牲酸化膜５’を除去した後、熱酸化工程によりゲート酸化膜５を形成した後、化学気相成長（ＣＶＤ）法等によりトレンチ４内部にポリシリコンを埋め込むことでゲート電極６を形成し、ゲート電極６上に層間絶縁膜７を形成し、ソース電極８及びドレイン電極９を蒸着により形成する（図２ｅ）。
【００２３】
本実施例に係るトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴによれば、不純物濃度が低いエピタキシャル層１を用いているため、トレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴが高耐圧化される。さらに、ｎ−型半導体層１０が形成されるため、オン抵抗（Ｒｏｎ）がドレイン電圧（Ｖｄｓ）に依存しない、安定性を得ることができる（図５  実線ａ）。
【００２４】
また、本実施例に係る製造方法によれば、反転層１１が形成された後にイオン注入を行いｎ−型半導体層１０を形成するため、トレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの高耐圧化とオン抵抗の安定化が、同時に達成できる。
【００２５】
ゲート電極６は、半導体装置の要求特性より狭幅に形成されたトレンチや、或いは図３に示すように柱状の孔等の内部に形成され、ゲート酸化膜５の成長がより抑制されやすい場合がある。しかし、本実施例に係る製造方法によれば、トレンチ底部にｎ−型半導体層１０を形成するため、トレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴの高耐圧化とオン抵抗の安定化とが同時に達成できる。
【００２６】
以上、本発明の実施形態の一例について説明したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。例えば、エピタキシャル層１とドレイン電極９との間にｐ型の半導体層を有するＩＧＢＴとしても良く、各層が逆の導電型を有する半導体装置に適用しても良い。また、本発明は、オートドーピング以外の要因でトレンチ４底部に異常層が形成された場合にも適用できる。
【符号の説明】
【００２７】
１    ドレイン層
２    ベース層
３    ソース層
４    トレンチ
５    ゲート絶縁膜
６    ゲート電極
７    層間絶縁膜
８    ソース電極
９    ドレイン電極
１０  ｎ型半導体層
１１  反転層
【図１】
2010219109.tif 000003
【図２】
2010219109.tif 000004
【図３】
2010219109.tif 000005
【図４】
2010219109.tif 000006
【図５】
2010219109.tif 000007