(57)【要約】【課題】半導体装置に付すマークの位置精度を向上する。【解決手段】ウェハ１ｄの裏面１ｂにダイシングテープ９を貼り付けた状態で、ウェハ１ｄの裏面１ｂ側からダイシングテープ９を介してグリーン光２を照射してマークを施すことにより、ウェハ状態のままグリーン光２を照射することでウェハ１ｄとグリーン光２の位置合わせ精度が良く、ウェハ１ｄに対するグリーン光２の照射位置のずれを発生しにくくすることができ、前記マークの位置精度を向上させることができる。【選択図】図１４
2010050242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）回路素子及び複数のパッドが形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有するデバイス形成領域を、複数備えたウェハを準備する工程；
（ｂ）前記ウェハの前記主面に前記ウェハを保持する第１保持テープを貼り付け、前記ウェハの前記裏面を研削する工程；
（ｃ）前記ウェハの前記裏面に前記ウェハを保持する第２保持テープを貼り付け、前記ウェハの前記主面から前記第１保持テープを剥離する工程；
（ｄ）前記複数のデバイス形成領域のそれぞれの前記複数のパッドに、複数のバンプ電極をそれぞれ接続する工程；
（ｅ）前記第２保持テープ側から前記ウェハの前記裏面に第１光を照射し、前記複数のデバイス形成領域のそれぞれの前記裏面にマークを施す工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程の後、
（ｆ）前記複数のデバイス形成領域のうち、隣り合うデバイス形成領域の間を切断し、複数の半導体装置に分割する工程；
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程の後、
（ｇ）前記第１光と異なる波長の第２光を前記第２保持テープに照射し、前記半導体装置をピックアップする工程；
を含み、
前記（ｅ）工程における前記第１光の波長は、前記（ｇ）工程における前記第２光の波長よりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記第２光は紫外光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程の後、
（ｆ）前記複数のデバイス形成領域のうち、隣り合うデバイス形成領域の間を切断し、複数の半導体デバイスに分割する工程；
（ｇ）前記第１光と異なる波長の第２光を前記第２保持テープに照射し、前記半導体デバイスをピックアップする工程；
（ｈ）前記ピックアップされた前記半導体デバイスを基板上に搭載する工程；
（ｉ）前記半導体デバイスと前記基板とを電気的に接続する工程；
（ｊ）前記半導体デバイスを樹脂封止して封止体を形成する工程；
（ｋ）前記第１光と異なる波長の第３光を前記封止体の表面に照射して刻印を形成する工程；
を含み、
前記（ｅ）工程における前記第１光の波長は、前記（ｋ）工程における前記第３光の波長よりも短いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記第３光は赤外光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記第１光はグリーン光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２保持テープは透明であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記回路素子は前記ウェハの前記主面に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記ウェハはシリコンから成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程と前記（ｅ）工程の間に、前記ウェハの外観を検査する外観検査工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）回路素子及び複数のパッドが形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有するデバイス形成領域を、複数備えたウェハを準備する工程；
（ｂ）前記ウェハの前記主面に前記ウェハを保持する第１保持テープを貼り付け、前記ウェハの前記裏面を研削する工程；
（ｃ）前記ウェハの前記裏面に前記ウェハを保持する第２保持テープを貼り付け、前記ウェハの前記主面から前記第１保持テープを剥離する工程；
（ｄ）前記複数のデバイス形成領域のそれぞれの前記複数のパッドに、複数のバンプ電極をそれぞれ接続する工程；
（ｅ）前記複数のデバイス形成領域のうち、隣り合うデバイス形成領域の間を切断し、複数の半導体装置に分割する工程；
（ｆ）前記第２保持テープ側から前記ウェハの前記裏面に第１光を照射し、前記複数のデバイス形成領域のそれぞれの前記裏面にマークを施す工程。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程の後、
（ｇ）前記第１光と異なる波長の第２光を前記第２保持テープに照射し、前記半導体装置をピックアップする工程；
を含み、
前記（ｆ）工程における前記第１光の波長は、前記（ｇ）工程における前記第２光の波長よりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、前記第１光はグリーン光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記第２保持テープは透明であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記回路素子は前記ウェハの前記主面に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記ウェハはシリコンから成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、レーザマーキング工程を含む半導体装置の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法において、赤外線（レーザー）の吸収率が高い保護膜を介して、ダイシングシートの上面に半導体ウェハが貼着され、ダイシングシートを透過するレーザーを照射して、保護膜の上面に所定の認識マークを刻印する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
半導体装置において、半導体基板と、半導体基板の側面を被覆する第１被覆層と、半導体基板の下面に形成された配線等を具備し、第１被覆層は、例えば樹脂材料等の絶縁性を有する材料から成り半導体基板の側面を被覆しており、更に第１被覆層は少なくとも半導体基板の側面全域を被覆するように形成され、その下端は絶縁層まで位置し、上端は半導体基板の上面まで延在している構造が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００７−２６６４２０号公報
【特許文献２】特開２００７−２６６４２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置（半導体デバイス）の製造工程において、使用される半導体チップ（以降、単にチップともいう）の種別や機能などを認識するために、チップの裏面にマークを施す工程がある。このマーク方法としては、例えば半導体ウェハ（以降、単にウェハともいう）の段階でチップ主面側のプロセスを処理し、ウェハの個片化を行い、さらに個片化された各チップをトレイに収納した状態で、チップの裏面にレーザにてマークを形成している。
【０００５】
しかしながら、図４４の比較例に示すように、このチップ３０を収納するトレイ３１は、チップ３０を収納する際、チップ３０のエッジ部３０ａがトレイ３１と接触してチップクラックが発生するのを抑制するために、チップサイズよりも大きく収納部３１ａを形成している。そのため、レーザ光３２を用いたマーク工程の段階で、チップ３０の位置ずれが起こり易く、マークの位置合わせ精度を向上することが困難である。また、トレイ３１は、例えば樹脂材料で構成されていることが多く、トレイ自体に反りが発生し易く、仮にチップクラックを防げても、位置合わせの精度には限界があることを本願発明者は発見した。
【０００６】
そこで、前記特許文献１及び２に示すように、ダイシングシートの上面にウェハを貼着し、ウェハを分割してから、ダイシングシートを介して赤外光を照射する方法が考えられる。
【０００７】
しかしながら、本願発明者が検討した結果、赤外光ほどの波長の長いレーザ光を、シリコンから成る半導体ウェハに照射すると、半導体ウェハの内部も透過し、半導体ウェハの主面側に形成された回路素子にダメージを与える恐れがあることが問題である（半導体装置の信頼性の低下）。
【０００８】
そこで、さらに特許文献１及び２に示すように、半導体ウェハの裏面において赤外光を吸収しやすくするために、半導体ウェハの裏面に絶縁層を形成することも考えられる。
【０００９】
しかしながら、絶縁層を形成することで、追加する材料費や、絶縁層を形成する工程が増える分だけ、半導体装置の製造コストが高くなることが問題である。
【００１０】
本発明の目的は、半導体装置に付すマークの位置精度を向上することができる技術を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性の低下を抑制することができる技術を提供することにある。
【００１２】
さらに、本発明の他の目的は、半導体装置の製造コストの増大を抑制することができる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１５】
すなわち、本発明は、以下の工程を含むものである。（ａ）回路素子及び複数のパッドが形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有するデバイス形成領域を、複数備えたウェハを準備する工程；（ｂ）前記ウェハの前記主面に前記ウェハを保持する第１保持テープを貼り付け、前記ウェハの前記裏面を研削する工程。さらに、（ｃ）前記ウェハの前記裏面に前記ウェハを保持する第２保持テープを貼り付け、前記ウェハの前記主面から前記第１保持テープを剥離する工程；（ｄ）前記複数のデバイス形成領域のそれぞれの前記複数のパッドに、複数のバンプ電極をそれぞれ接続する工程；（ｅ）前記第２保持テープ側から前記ウェハの前記裏面に第１光を照射し、前記複数のデバイス形成領域のそれぞれの前記裏面にマークを施す工程。
【００１６】
また、本発明は、以下の工程を含むものである。（ａ）回路素子及び複数のパッドが形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有するデバイス形成領域を、複数備えたウェハを準備する工程；（ｂ）前記ウェハの前記主面に前記ウェハを保持する第１保持テープを貼り付け、前記ウェハの前記裏面を研削する工程；（ｃ）前記ウェハの前記裏面に前記ウェハを保持する第２保持テープを貼り付け、前記ウェハの前記主面から前記第１保持テープを剥離する工程。さらに、（ｄ）前記複数のデバイス形成領域のそれぞれの前記複数のパッドに、複数のバンプ電極をそれぞれ接続する工程；（ｅ）前記複数のデバイス形成領域のうち、隣り合うデバイス形成領域の間を切断し、複数の半導体装置に分割する工程；（ｆ）前記第２保持テープ側から前記ウェハの前記裏面に第１光を照射し、前記複数のデバイス形成領域のそれぞれの前記裏面にマークを施す工程。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
半導体ウェハの裏面に保持テープを貼り付けた状態で、裏面側から保持テープを介してレーザを照射してマークを施すことにより、ウェハ状態のままレーザを照射することで半導体ウェハとレーザの位置合わせ精度が良く、マークの位置精度を向上させることができる。
【００１９】
また、マークを施すレーザとして、赤外光より波長が短いレーザ光を採用し、このレーザ光を半導体ウェハの裏面側から照射することで、半導体ウェハの主面側に形成された回路素子にダメージを与えることを抑制することができ、その結果、半導体装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００２０】
また、半導体ウェハの裏面に貼る保持テープとして、ダイシングテープを採用することで、追加する材料費の発生を無くすことができるとともに、裏面に絶縁層を形成する工程も不必要となるため、半導体装置の製造コストの増大を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２２】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２３】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２５】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法で用いられる半導体ウェハの構造の一例を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図３は図１のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図、図４は図２のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大断面図である。また、図５は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法のバックグラインド工程におけるバックグラインド前の構造の一例を示す平面図、図６は図５のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図７は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法のバックグラインド工程におけるバックグラインド時の構造の一例を示す平面図、図８は図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。さらに、図９は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法におけるテープ貼り替え時の構造の一例を示す平面図、図１０は図９のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図１１は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法におけるバンプ形成後の構造の一例を示す平面図、図１２は図１１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図１３は図１２のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大断面図である。
【００２６】
また、図１４は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法のレーザマーキング工程におけるレーザ照射時の構造の一例を示す断面図、図１５は図１４に示すレーザ照射時の詳細構造の一例を示す断面図、図１６は図１５に示すレーザ照射によって形成されたマークの一例を示す部分拡大平面図である。さらに、図１７は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法のダイシング工程におけるダイシング前の構造の一例を示す断面図、図１８は図１７に示すダイシング工程におけるダイシング後の構造の一例を示す断面図、図１９は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法によって組み立てられた半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２０は図１９のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【００２７】
本実施の形態１の半導体装置は、図１９及び図２０に示すように、チップサイズと同様の小型のものであり、本実施の形態１では前記半導体装置の一例として、ウェハレベルＣＳＰ（Chip Size Package)７を取り上げて説明する。
【００２８】
図１９及び図２０に示すウェハレベルＣＳＰ７の構成について説明すると、主面１ａとこの主面１ａの反対側に設けられた裏面１ｂとを有するとともに表面電極である複数のパッド１ｃが主面１ａに設けられた半導体チップ（半導体デバイス）１と、複数のパッド１ｃの配列をこれらのパッド１ｃに対応する複数の外部端子の配列に置き換えるための引き出し配線（再配線、再配置配線）１ｉと、複数の引き出し配線１ｉに電気的に接続された複数の外部端子である半田ボール（バンプ電極）５とから成る。
【００２９】
また、半導体チップ１の主面１ａ上には絶縁膜１ｇが形成されており、引き出し配線１ｉは、この絶縁膜１ｇ上に形成されている。さらに、絶縁膜１ｇ上には保護膜１ｈが形成されており、各引き出し配線１ｉは、複数の外部端子のそれぞれが接続される領域を露出するようにこの保護膜１ｈで覆われ、保護されている。
【００３０】
なお、各引き出し配線１ｉは、それぞれ一部が保護膜１ｈの開口によって露出しており、これら開口した箇所に外部端子である半田ボール（バンプ電極）５が配置されている。これにより、図１９に示すように、複数のパッド１ｃの配列がそれぞれ引き出し配線１ｉによって複数の半田ボール５の配列に置き換えられている。
【００３１】
また、半導体チップ１は、例えば、シリコンから成り、その厚さと交差する主面１ａ及び裏面１ｂの平面形状は方形状となっている。半導体チップ１の主面１ａには、その４つの辺それぞれに沿って複数のパッド１ｃが周縁部に一列に並んで設けられている。引き出し配線１ｉによってパッド１ｃから引き出された半田ボール５は、パッド列の内側において、四角を形成するように並んで配置されている。
【００３２】
また、半導体チップ１の主面１ａ側には図３に示すように回路素子１ｆが形成されている。
【００３３】
なお、ウェハレベルＣＳＰ７の半導体チップ１の裏面１ｂと、切断面となる側面１ｊは、露出した状態となっている。
【００３４】
次に、本実施の形態１の半導体装置であるウェハレベルＣＳＰ７の組み立てについて説明する。
【００３５】
まず、図１〜図4 に示すように、回路素子１ｆ及びその周辺に複数のパッド１ｃが形成された主面１ａ、及び主面１ａと反対側の裏面１ｂを有するデバイス形成領域１ｅを、複数備えるとともに、シリコンから成るウェハ（半導体ウェハ）１ｄを準備する。なお、図３及び図４に示すように、各デバイス形成領域１ｅには、その周縁部に複数のパッド１ｃがダイシングライン（隣り合うデバイス形成領域１ｅの間の領域）に沿って形成され、さらにパッド列内側には回路素子１ｆが形成されている。尚、各デバイス形成領域１ｅの平面形状は、四角形から成り、ダイシングラインによってウェハの主面１ａに区画形成されている。
【００３６】
その後、図５及び図６に示すように、ウェハ１ｄの主面１ａにウェハ１ｄを保持するＢＧ（Back Grinding)テープ（第１保持テープ）８を貼り付ける。ここでは、リング部材１０に貼り付けられたＢＧテープ８に、ウェハ１ｄがリング部材１０の内側に位置するように配置して、ウェハ１ｄの主面１ａを貼り付ける。
【００３７】
その後、図７及び図８に示すように、主面１ａがＢＧテープ８に貼り付けられたウェハ１ｄの裏面１ｂを研削する。ここでは、ウェハ１ｄの裏面１ｂを研削パッド１１によって研削してウェハ１ｄの厚さを薄くする（ウェハバックグラインド）。
【００３８】
ＢＧ工程後、ウェハ１ｄの裏面１ｂをポリシングによって仕上げ研磨し、ウェハ１ｄをさらに薄くする。
【００３９】
ポリシング工程完了後、図９及び図１０に示すように、ウェハ１ｄの裏面１ｂにウェハ１ｄを保持するダイシングテープ（第２保持テープ）９を貼り付ける。このとき、図１０に示すように、ウェハ１ｄの裏面１ｂとリング部材１０の一方の面（ＢＧテープ８が貼り付けられている面とは反対側の面）にダイシングテープ９を貼り付ける。その後、ウェハ１ｄの主面１ａ及びリング部材１０の他方の面からＢＧテープ８を剥離する。
【００４０】
なお、半導体装置がウェハレベルＣＳＰ７であるため、ＢＧテープ８を剥離した後、ウェハ１ｄの各デバイス形成領域１ｅにおいてその主面１ａに対して、図２０に示す絶縁膜１ｇ、引き出し配線１ｉ及び保護膜１ｈを形成して、各パッド１ｃを引き出し配線１ｉによって引き出す。すなわち、引き出し配線１ｉによってパッド１ｃの配列を変換する。本実施の形態１では、隣り合うパッド１ｃの間のピッチよりも、引き出し配線１ｉの一部であり、かつ隣り合う外部端子５（又は、外部端子が接続される領域）の間のピッチの方が大きくなるように、パッド１ｃの配列は変換されている。
【００４１】
その後、図１１及び図１２に示すバンプ形成を行う。ここでは、ウェハ１ｄの裏面１ｂにダイシングテープ９が貼り付けられた状態で、複数のデバイス形成領域１ｅにおいて、それぞれの複数のパッド１ｃから引き出された引き出し配線１ｉに、複数の半田ボール（バンプ電極）５をそれぞれ電気的に接続する。すなわち、図１３に示すように、ウェハ１ｄの裏面１ｂにダイシングテープ９が貼り付けられた状態でウェハ１ｄの主面１ａに半田ボール５を搭載する。
【００４２】
なお、ダイシングテープ９は、図１３に示すように、基材９ａと接着層９ｂとから成り、基材９ａは、例えばポリオレフィン等から成り、厚さは、例えば１００μｍである。接着層９ｂは、例えば、アクリル系等の接着材であり、厚さは、例えば１０μｍである。すなわち、ダイシングテープ９は、基材９ａ及び接着層９ｂとも、少なくともレーザ光を透過可能な程度に透明（ダイシングテープ９側からウェハ１ｄの裏面１ｂを目視することが可能）なものであり、また透明であれば他の材料から成るものであってもよいことは言うまでもない。
【００４３】
また、バンプ形成工程前に裏面１ｂ側にダイシングテープ９を貼り付けるとともに、主面１ａ側に貼り付けられていたＢＧテープ８を剥離してテープの貼り替えを行っているが、ウェハ１ｄの厚さが１００μｍ以上と厚い場合には、バンプ形成工程において、裏面１ｂ側にダイシングテープ９を貼り付けない状態でバンプ形成を行うことも可能である。
【００４４】
その後、図１４及び図１５に示すように、レーザ照射を用いたマーキングを行う。ここでは、ダイシングテープ９側からウェハ１ｄの裏面１ｂにレーザ光の一例であるグリーン光（第１光）２を照射し、ダイシングテープ９を透過したこのレーザ光によって、ウェハ１ｄの複数のデバイス形成領域１ｅのそれぞれの裏面１ｂに、図１６に示すようなマーク３を施す。すなわち、図１５に示すように、裏面１ｂ側にダイシングテープ９が貼り付けられ、かつ主面１ａ側に半田ボール５が搭載されたウェハ１ｄの外側周囲をリング部材１０によって支持するとともに、これらをダイシングテープ９ごとウェハ支持ブロック４によって支持し、この状態で、ウェハ１ｄの裏面１ｂ側からウェハ支持ブロック４の中央部に形成された中空部４ａを利用してウェハ１ｄの裏面１ｂにダイシングテープ９を介してグリーン光２を照射することで、ウェハ１ｄの裏面１ｂにマーク３を施す。
【００４５】
ここで、本実施の形態１のマーキング工程で用いられるウェハ１ｄの裏面１ｂに照射するレーザ光の条件について説明する。
【００４６】
前記レーザ光は、例えば、グリーン光２であり、その波長は５３２ｎｍである。この波長は、半導体チップ１のピックアップが行われるピックアップ工程で、例えばＵＶランプから照射される紫外光（第２光）１３の波長（１５０ｎｍ〜３００ｎｍ）より長い。これは、本来、マーキング工程より後のピックアップ工程で紫外光１３を照射してダイシングテープ９の接着層９ｂを硬化させて半導体チップ１のピックアップを行うのであり、したがって、マーキング工程でダイシングテープ９の接着層９ｂが硬化するのを防止するためである。
【００４７】
また、前記レーザ光の波長は、後述する樹脂製の封止体１７（図４０参照）の表面１７ａに刻印するレーザ光である赤外光（第３光）１８の波長（１０６４ｎｍ〜１０６００ｎｍ）より短い。これは、ウェハ１ｄ（半導体チップ１）の主面１ａ側には回路素子１ｆが形成されており、マーキング工程で裏面１ｂ側から赤外光１８を照射すると、赤外光の波長はシリコンに対して透過率が良いため、シリコン中を突き抜けて素子面にダメージを与えてしまう。したがって、マーキング工程では、ウェハ１ｄに赤外光１８より波長が短いグリーン光２を裏面１ｂ側から照射することで、回路素子１ｆにダメージを与えることを阻止できる。
【００４８】
したがって、マーキング工程で使用するマーク用の光の波長は、〔赤外光１８（第３光）の波長＞グリーン光２（第１光）の波長＞紫外光１３（第２光）の波長〕を満たすことが条件となる。このような波長の光を用いることで、照射された光はダイシングテープ９を透過することができる。また、このマーキング工程において、ダイシングテープ９の接着層９ｂの硬化が促進されるのを抑制できる。さらには、このマーキング工程において、回路素子１ｆへ光が到達することを抑制できる。
【００４９】
マーキング終了後、図１７及び図１８に示すようにウェハ１ｄのダイシングを行う。すなわち、ダイシングによってウェハ１ｄの個片化を行う。まず、図１７に示すように、裏面１ｂにダイシングテープ９が貼られ、かつ外周部がリング部材１０によって保持されたウェハ１ｄを、その主面１ａ側を上方に向けてダイシングステージ１２上に載置し、この状態で、ウェハ１ｄ上の複数のデバイス形成領域１ｅのうち、隣り合うデバイス形成領域１ｅの間をブレード６によって切断し、図１８に示すように、複数のウェハレベルＣＳＰ（半導体装置）７に分割する。
【００５０】
その後、個片化された半導体装置各々の間の領域をエキスパンド工程によって引き伸ばし、さらに、グリーン光２（第１光）と異なる波長の紫外光１３（第２光）をダイシングテープ９（第２保持テープ）に照射してダイシングテープ９の接着層９ｂを硬化させ、硬化後、ウェハレベルＣＳＰ７をピックアップする。すなわち、マーキング工程で用いられる第１レーザ光であるグリーン光２の波長と、ダイシング工程で用いられる紫外光１３の波長は、異なっており、グリーン光２の波長の方が紫外光１３の波長よりも長い。
【００５１】
このピックアップによって、図１９及び図２０に示すウェハレベルＣＳＰ７を取得する。
【００５２】
本実施の形態１のウェハレベルＣＳＰ７（半導体装置）の製造方法によれば、ウェハ１ｄの裏面１ｂにダイシングテープ９を貼り付けた状態で、裏面１ｂ側からダイシングテープ９を介してグリーン光２を照射してマーク３を施すことにより、ウェハ状態のままグリーン光２を照射することでウェハ１ｄとグリーン光２の位置合わせ精度が良く、ウェハ１ｄに対するグリーン光２の照射位置のずれが発生しにくい。
【００５３】
すなわち、マーキング時のグリーン光２の照射がウェハ１ｄの個片化後であると、ダイシングテープ９のエキスパンド工程があるため、マーク３を施す対象となるデバイス形成領域１ｅの位置ずれが起こり易い。また、ダイシング工程においてダイシング用のブレード６を用いた場合、回転するブレード６の応力により、ウェハ１ｄの切断面において微細な凹凸が形成されるため、マーク３を施したいデバイス形成領域１ｅの外形を特定し難くなり、マーク３を施したい本来の位置から外れた箇所に、マーク３が施される恐れがある。そこで、本実施の形態１のように、グリーン光２の照射対照が個片化する前のウェハ１ｄであれば、位置ずれが起こりにくく、位置合わせ精度を高めた状態でグリーン光２を照射することができる。
【００５４】
これにより、マーク３の位置精度を向上させることができる。
【００５５】
また、マーク３を施すレーザとして、赤外光１８より波長が短いグリーン光２等のレーザ光を採用し、このグリーン光２をウェハ１ｄの裏面１ｂ側から照射することにより、ウェハ１ｄの主面１ａ側に形成された回路素子１ｆにダメージを与えることを抑制することができ、その結果、ウェハレベルＣＳＰ７の信頼性の低下を抑制することができる。
【００５６】
また、ウェハ１ｄの裏面１ｂに貼る保持テープとして、ダイシングテープ９を採用することで、追加する材料費の発生を無くすことができるとともに、裏面１ｂに絶縁層を形成する工程も不必要となるため、製造工程の増加もなく、その結果、ウェハレベルＣＳＰ７の製造コストの増大を抑制することができる。
【００５７】
また、本実施の形態１のウェハレベルＣＳＰ７の組み立てでは、ウェハ１ｄのバックグラインドによりウェハ１ｄの厚さが薄くなっても、バックグラインド以降の各工程においてダイシングテープ９がウェハ１ｄの裏面１ｂに貼り付けられているため、各工程間でのウェハ１ｄの搬送を容易に行うことができる。
【００５８】
また、本実施の形態１のウェハレベルＣＳＰ７の組み立てでは、図１１及び図１２に示す半田ボール形成工程後で、かつマーキング工程の前にウェハ１ｄの外観検査を行っている。
【００５９】
これにより、外観検査工程で半田ボール５の接合不良箇所を認識することができ、その後のマーキング工程でこの接合不良箇所にレーザ光で不良マークを刻印することができる。
【００６０】
次に、本実施の形態１の半導体装置の製造方法の変形例について説明する。
【００６１】
すなわち、前述の図１〜図２０の組み立ての流れでは、半田ボール形成後で、かつウェハ１ｄの個片化前にグリーン光２等のレーザ光でマーキングを行う場合を説明したが、レーザ光によるウェハ１ｄへのマーキングは、半田ボール形成後で、かつウェハ１ｄの個片化後に行ってもよい。
【００６２】
つまり、図１１、図１２及び図１３に示すように、ウェハ１ｄの裏面１ｂにダイシングテープ９が貼り付けられた状態でウェハ１ｄの主面１ａに半田ボール５を搭載した後、図１７及び図１８に示すウェハ１ｄの個片化を先に行い、個片化後に図１４〜図１６に示すウェハ１ｄへのマーキングを行うものである。
【００６３】
マーキング時は、図１８に示すダイシング後のダイシングテープ９に固定された状態のウェハ１ｄ（ウェハレベルＣＳＰ７）を、図１４に示すウェハ支持ブロック４上に載置し、この状態で裏面１ｂ側からグリーン光２等のレーザ光を照射してマーキングを行う。
【００６４】
マーキング後は、グリーン光２（第１光）と異なる波長の紫外光１３（第２光）をダイシングテープ９（第２保持テープ）に照射してダイシングテープ９の接着層９ｂを硬化させた後、ウェハレベルＣＳＰ７をピックアップする。
【００６５】
このようにダイシング後にレーザ光によってマーキングを行うことで、半導体チップ１の４辺が形成された後にマーキングを行うため、マーキング時にチップの輪郭を明確に認識することができ、ウェハ１ｄ（半導体チップ１）とレーザ光の位置合わせを容易にすることができる。
【００６６】
（実施の形態２）
図２１は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法で用いられる半導体ウェハの構造の一例を示す平面図、図２２は図２１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図２３は図２１のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図、図２４は図２２のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大断面図である。また、図２５は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のバックグラインド工程におけるバックグラインド前の構造の一例を示す平面図、図２６は図２５のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図２７は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のバックグラインド工程におけるバックグラインド時の構造の一例を示す平面図、図２８は図２７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。さらに、図２９は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法におけるテープ貼り替え時の構造の一例を示す平面図、図３０は図２９のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図３１は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のレーザマーキング工程におけるレーザ照射時の構造の一例を示す断面図である。
【００６７】
また、図３２は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のダイシング工程におけるダイシング前の構造の一例を示す断面図、図３３は図３２に示すダイシング工程におけるダイシング後の構造の一例を示す断面図、図３４は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法で用いられる配線基板の構造の一例を示す断面図、図３５は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のチップ搭載工程におけるチップ搭載後の構造の一例を示す断面図である。さらに、図３６は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のワイヤボンディング工程におけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す断面図、図３７は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のモールド工程における樹脂モールド後の構造の一例を示す断面図、図３８は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のボール供給工程におけるボール付け後の構造の一例を示す断面図である。また、図３９は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のパッケージダイシング工程におけるダイシング時の構造の一例を示す断面図、図４０は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のパッケージマーキング工程におけるマーキング時の構造の一例を示す断面図である。また、図４１は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法によって組み立てられた半導体装置の構造の一例を示す平面図、図４２は図４１に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図４３は図４２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【００６８】
本実施の形態２の半導体装置は、図４１〜４３に示すように、配線基板１４の主面１４ａ上に半導体チップ（半導体デバイス）１が搭載され、かつ半導体チップ１と配線基板１４とが金線等の導電性のワイヤ１５によって電気的に接続され、さらに、配線基板１４の裏面１４ｂに複数の外部端子である半田ボール５が格子状に配置されて設けられた樹脂封止型のパッケージであり、その一例としてＢＧＡ（Ball Grid Array)１９を取り上げて説明する。
【００６９】
なお、図４３に示すように半導体チップ１は、ダイボンド材１６を介して配線基板１４の主面１４ａ上に固着され、さらに配線基板１４の主面１４ａ上には、複数のワイヤ１５と半導体チップ１を樹脂封止する樹脂製の封止体１７が形成されており、図４１に示すように封止体１７の表面１７ａには、マーク３が刻印されている。封止体１７を形成する封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等である。
【００７０】
また、半導体チップ１の主面１ａ側には回路素子１ｆが形成されているとともに、周縁部には複数の表面電極であるパッド１ｃが形成されており、このパッド１ｃとこれに対応する配線基板１４のボンディングリード１４ｃとがワイヤ１５によって電気的に接続されている。
【００７１】
また、配線基板１４において、主面１４ａ側のボンディングリード１４ｃと裏面１４ｂ側のランド１４ｄとは図示しない基板の内部配線等で電気的に接続されており、各ランド１４ｄには外部端子となる半田ボール５が接続されている。
【００７２】
次に、本実施の形態２の半導体装置であるＢＧＡ１９の組み立てについて説明する。
【００７３】
図２１〜図２4 に示すように、回路素子１ｆ及びその周辺に複数のパッド１ｃが形成された主面１ａ、及び主面１ａと反対側の裏面１ｂを有するデバイス形成領域１ｅを、複数備えるとともに、シリコンから成るウェハ（半導体ウェハ）１ｄを準備する。なお、図２３及び図２４に示すように、各デバイス形成領域１ｅには、その周縁部に複数のパッド１ｃが形成され、さらにパッド列内側には回路素子１ｆが形成されている。
【００７４】
その後、図２５及び図２６に示すように、ウェハ１ｄの主面１ａにウェハ１ｄを保持するＢＧ（Back Grinding)テープ（第１保持テープ）８を貼り付ける。ここでは、リング部材１０に貼り付けられたＢＧテープ８に、リング部材１０の内側に位置するように配置してウェハ１ｄの主面１ａを貼り付ける。
【００７５】
その後、図２７及び図２８に示すように、主面１ａがＢＧテープ８に貼り付けられたウェハ１ｄの裏面１ｂを研削する。ここでは、ウェハ１ｄの裏面１ｂを研削パッド１１によって研削してウェハ１ｄの厚さを薄くする（ウェハバックグラインド）。
【００７６】
ＢＧ工程後、ウェハ１ｄの裏面１ｂをポリシングによって仕上げ研磨し、ウェハ１ｄをさらに薄くする。
【００７７】
ポリシング工程完了後、図２９及び図３０に示すように、ウェハ１ｄの裏面１ｂにウェハ１ｄを保持するダイシングテープ（第２保持テープ）９を貼り付ける。その後、ウェハ１ｄの主面１ａからＢＧテープ８を剥離する。
【００７８】
なお、ダイシングテープ９は、実施の形態１の図１３に示すように、基材９ａと接着層９ｂとから成り、基材９ａは、例えばポリオレフィン等から成り、厚さは、例えば１００μｍである。接着層９ｂは、例えば、アクリル系等の接着材であり、厚さは、例えば１０μｍである。すなわち、ダイシングテープ９は、基材９ａ及び接着層９ｂとも、少なくともレーザ光を透過可能な程度に透明なものであり、また透明であれば他の材料から成るものであってもよいことは言うまでもない。
【００７９】
その後、図３１に示すように、レーザ照射を用いたマーキングを行う。ここでは、ダイシングテープ９側からウェハ１ｄの裏面１ｂにレーザ光の一例であるグリーン光２を照射し、ダイシングテープ９を透過したこのレーザ光によって、ウェハ１ｄの複数のデバイス形成領域１ｅのそれぞれの裏面１ｂに、実施の形態１の図１６に示すようなマーク３を施す。すなわち、裏面１ｂ側にダイシングテープ９が貼り付けられたウェハ１ｄの外側周囲をリング部材１０によって支持するとともに、これらをダイシングテープ９ごとウェハ支持ブロック４によって支持し、この状態で、ウェハ１ｄの裏面１ｂ側からウェハ支持ブロック４の中央部に形成された中空部４ａを利用してウェハ１ｄの裏面１ｂにダイシングテープ９を介してグリーン光２を照射することで、ウェハ１ｄの裏面１ｂに図１６に示すようなマーク３を施す。
【００８０】
なお、本実施の形態２のマーキング工程で用いられるウェハ１ｄの裏面１ｂに照射する第１レーザ光の条件についても、実施の形態１で説明した条件と同様である。
【００８１】
すなわち、前記レーザ光は、例えば、グリーン光２であり、その波長は５３２ｎｍである。この波長は、半導体チップ１のピックアップが行われるピックアップ工程で、例えばＵＶランプから照射される紫外光（第２光）１３の波長（１５０ｎｍ〜３００ｎｍ）より長い。これは、本来、マーキング工程より後のピックアップ工程で紫外光１３を照射してダイシングテープ９の接着層９ｂを硬化させて半導体チップ１のピックアップを行うのであり、したがって、マーキング工程でダイシングテープ９の接着層９ｂが硬化するのを防止するためである。
【００８２】
また、前記レーザ光の波長は、後述する樹脂製の封止体１７（図４０参照）の表面１７ａに刻印するレーザ光である赤外光（第３光）１８の波長（１０６４ｎｍ〜１０６００ｎｍ）より短い。これは、ウェハ１ｄ（半導体チップ１）の主面１ａ側には回路素子１ｆが形成されており、マーキング工程で裏面１ｂ側から赤外光１８を照射すると、赤外光の波長はシリコンに対して透過率が良いため、シリコン中を突き抜けて素子面にダメージを与えてしまう。したがって、マーキング工程では、ウェハ１ｄに赤外光１８より波長が短いグリーン光２を裏面１ｂ側から照射することで、回路素子１ｆにダメージを与えることを阻止できる。
【００８３】
したがって、マーキング工程で使用するマーク用の第１レーザ光の波長は、実施の形態１と同様に、〔赤外光１８（第３光）の波長＞グリーン光２（第１光）の波長＞紫外光１３（第２光）の波長〕を満たすことが条件となる。このような波長の光を用いることで、照射された光はダイシングテープ９を透過することができる。また、このマーキング工程において、ダイシングテープ９の接着層９ｂの硬化が促進されるのを抑制できる。さらには、このマーキング工程において、回路素子１ｆへ光が到達することを抑制できる。
【００８４】
マーキング終了後、図３２及び図３３に示すようにウェハ１ｄのダイシングを行う。すなわち、ダイシングによってウェハ１ｄの個片化を行う。まず、図３２に示すように、裏面１ｂにダイシングテープ９が貼られ、かつ外周部がリング部材１０によって保持されたウェハ１ｄを、その主面１ａ側を上方に向けてダイシングステージ１２上に載置し、この状態で、ウェハ１ｄ上の複数のデバイス形成領域１ｅのうち、隣り合うデバイス形成領域１ｅの間をブレード６によって切断し、図３３に示すように、複数の半導体チップ（半導体デバイス）１に分割する。
【００８５】
その後、個片化された半導体装置各々の間の領域をエキスパンドによって引き伸ばし、さらに、グリーン光２（第１光）と異なる波長の紫外光１３（第２光）をダイシングテープ９（第２保持テープ）に照射してダイシングテープ９の接着層９ｂを硬化させ、硬化後、半導体チップ１をピックアップする。すなわち、マーキング工程で用いられるグリーン光２の波長と、ダイシング工程で用いられる第２レーザ光である紫外光１３の波長は、異なっており、グリーン光２の波長の方が紫外光１３の波長よりも長い。
【００８６】
このピックアップによって、個々の半導体チップ（半導体デバイス）１を取得可能となる。
【００８７】
一方、図３４に示すような多数個取りの配線基板１４を準備する。配線基板１４の主面１４ａには、複数のボンディングリード１４ｃが設けられており、また、裏面１４ｂには、複数のランド１４ｄが設けられている。
【００８８】
その後、所望の半導体チップ１をピックアップし、このピックアップした半導体チップ１を配線基板１４上に搭載する。すなわち、ダイボンディングを行う。ここでは、図３５に示すように配線基板１４の主面１４ａ上にダイボンド材１６を介して半導体チップ１を搭載する。その際、半導体チップ１をフェイスアップ実装で搭載する。つまり、配線基板１４の主面１４ａと半導体チップ１の裏面１ｂとをペースト材等のダイボンド材１６を介して接合する。
【００８９】
なお、ダイボンディングとして、フリップチップボンディングを採用してもよく、その場合、半導体チップ１がフェイスダウン実装で配線基板１４上に搭載される。つまり、半導体チップ１の主面１ａが配線基板１４の主面１４ａと対向する状態で搭載される。
【００９０】
その後、図３６に示すワイヤボンディングを行う。すなわち、半導体チップ１のパッド１ｃと配線基板１４のボンディングリード１４ｃとを金線等のワイヤ１５で接続して半導体チップ１と配線基板１４とを電気的に接続する。
【００９１】
その後、図３７に示す樹脂封止を行う。ここでは、複数の半導体チップ１を樹脂成形金型の１つのキャビティで覆った状態で樹脂封止して封止体１７を形成する。すなわち、１つの封止体１７で複数の半導体チップ１を覆う一括モールドを行って封止体１７を形成する。
【００９２】
その後、図３８に示す半田ボール付けを行う。ここでは、配線基板１４の裏面１４ｂを上方に向けた状態で裏面１４ｂの各ランド１４ｄにＢＧＡ１９の外部端子である半田ボール５を接続する。
【００９３】
半田ボール付け後、図３９に示すパッケージダイシング（個片化）を行う。ここでは、パッケージ領域に沿ってブレード６で配線基板１４と封止体１７をいっしょに切断し、各ＢＧＡ１９に個片化する。
【００９４】
その後、図４０に示すマーキングを行う。ここでは、封止体１７の表面１７ａにマーキングを施す。その際、第１レーザ光であるグリーン光２と異なる波長のレーザ光を封止体１７の表面１７ａに照射して刻印を形成する。なお、ウェハ１ｄの裏面１ｂにマーキングを行ったグリーン光（第１光）２の波長は、封止体１７へのマーキング工程で用いるレーザ光の波長よりも短く、例えば、赤外光１８である。
【００９５】
すなわち、封止体１７に施すマーキングでは、ウェハ１ｄに施す際に用いたグリーン光２より長い波長の赤外光１８を用いる。これは、赤外光１８のマーキング装置の方がグリーン光２のマーキング装置より安価なためである。ただし、封止体１７に施すマーキングは、赤外光１８に限らず、グリーン光２であってもよい。
【００９６】
なお、封止体１７に施すマーキング用のレーザ光として、赤外光１８を用いる場合、本実施の形態２の半導体装置の組み立てで用いられる各光のそれぞれの波長の関係は、実施の形態１で説明したものと同様であり、〔赤外光１８（第３光）の波長＞グリーン光２（第１光）の波長＞紫外光１３（第２光）の波長〕となる。
【００９７】
このように封止体１７の表面１７ａに赤外光１８を照射することで、図４１に示すようにマーク３を形成できる。
【００９８】
なお、封止体１７にマーキングを施す場合、チップ単体よりもマーキング領域が広いため、個片化を行った後のマーキング工程であっても位置精度は確保可能である。ただし、より位置精度を向上することに着目すれば、図３９の個片化工程の前に、マーキングすることが好ましい。
【００９９】
マーキング完了により、図４２及び図４３に示すようにＢＧＡ１９の組み立て完了となる。
【０１００】
本実施の形態２の半導体装置（ＢＧＡ１９）の製造方法によって得られるその他の効果については、前記実施の形態１で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１０１】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１０２】
例えば、前記実施の形態２では、半導体装置がパッケージの場合であり、その一例としてＢＧＡを取り上げて説明したが、前記半導体装置は、ＢＧＡに限らず、ＱＦＰ（Quad Flat Package)やＱＦＮ（QuadFlatNon-leaded Package) 等であってもよい。また、複数のチップが搭載されたＭＣＭ（Multi-Chip-Module)等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、マークを施す電子装置の製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法で用いられる半導体ウェハの構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図３】図１のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図４】図２のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法のバックグラインド工程におけるバックグラインド前の構造の一例を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法のバックグラインド工程におけるバックグラインド時の構造の一例を示す平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法におけるテープ貼り替え時の構造の一例を示す平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法におけるバンプ形成後の構造の一例を示す平面図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図１３】図１２のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法のレーザマーキング工程におけるレーザ照射時の構造の一例を示す断面図である。
【図１５】図１４に示すレーザ照射時の詳細構造の一例を示す断面図である。
【図１６】図１５に示すレーザ照射によって形成されたマークの一例を示す部分拡大平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法のダイシング工程におけるダイシング前の構造の一例を示す断面図である。
【図１８】図１７に示すダイシング工程におけるダイシング後の構造の一例を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法によって組み立てられた半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２０】図１９のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法で用いられる半導体ウェハの構造の一例を示す平面図である。
【図２２】図２１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図２３】図２１のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図２４】図２２のＢ部の構造を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のバックグラインド工程におけるバックグラインド前の構造の一例を示す平面図である。
【図２６】図２５のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のバックグラインド工程におけるバックグラインド時の構造の一例を示す平面図である。
【図２８】図２７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法におけるテープ貼り替え時の構造の一例を示す平面図である。
【図３０】図２９のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のレーザマーキング工程におけるレーザ照射時の構造の一例を示す断面図である。
【図３２】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のダイシング工程におけるダイシング前の構造の一例を示す断面図である。
【図３３】図３２に示すダイシング工程におけるダイシング後の構造の一例を示す断面図である。
【図３４】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法で用いられる配線基板の構造の一例を示す断面図である。
【図３５】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のチップ搭載工程におけるチップ搭載後の構造の一例を示す断面図である。
【図３６】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のワイヤボンディング工程におけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す断面図である。
【図３７】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のモールド工程における樹脂モールド後の構造の一例を示す断面図である。
【図３８】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のボール供給工程におけるボール付け後の構造の一例を示す断面図である。
【図３９】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のパッケージダイシング工程におけるダイシング時の構造の一例を示す断面図である。
【図４０】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法のパッケージマーキング工程におけるマーキング時の構造の一例を示す断面図である。
【図４１】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法によって組み立てられた半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図４２】図４１に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。
【図４３】図４２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図４４】比較例の半導体装置の収納構造を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１  半導体チップ（半導体デバイス）
１ａ  主面
１ｂ  裏面
１ｃ  パッド
１ｄ  ウェハ
１ｅ  デバイス形成領域
１ｆ  回路素子
１ｇ  絶縁膜
１ｈ  保護膜
１ｉ  引き出し配線
１ｊ  側面
２  グリーン光（第１光）
３  マーク
４  ウェハ支持ブロック
４ａ  中空部
５  半田ボール（バンプ電極）
６  ブレード
７  ウェハレベルＣＳＰ（半導体装置）
８  ＢＧテープ（第１保持テープ）
９  ダイシングテープ（第２保持テープ）
９ａ  基材
９ｂ  接着層
１０  リング部材
１１  研削パッド
１２  ダイシングステージ
１３  紫外光（第２光）
１４  配線基板
１４ａ  主面
１４ｂ  裏面
１４ｃ  ボンディングリード
１４ｄ  ランド
１５  ワイヤ
１６  ダイボンド材
１７  封止体
１７ａ  表面
１８  赤外光（第３光）
１９  ＢＧＡ（半導体装置）
３０  チップ
３０ａ  エッジ部
３１  トレイ
３１ａ  収納部
３２  レーザ光
【図１】
2010050242.tif 000003
【図２】
2010050242.tif 000004
【図３】
2010050242.tif 000005
【図４】
2010050242.tif 000006
【図５】
2010050242.tif 000007
【図６】
2010050242.tif 000008
【図７】
2010050242.tif 000009
【図８】
2010050242.tif 000010
【図９】
2010050242.tif 000011
【図１０】
2010050242.tif 000012
【図１１】
2010050242.tif 000013
【図１２】
2010050242.tif 000014
【図１３】
2010050242.tif 000015
【図１４】
2010050242.tif 000016
【図１５】
2010050242.tif 000017
【図１６】
2010050242.tif 000018
【図１７】
2010050242.tif 000019
【図１８】
2010050242.tif 000020
【図１９】
2010050242.tif 000021
【図２０】
2010050242.tif 000022
【図２１】
2010050242.tif 000023
【図２２】
2010050242.tif 000024
【図２３】
2010050242.tif 000025
【図２４】
2010050242.tif 000026
【図２５】
2010050242.tif 000027
【図２６】
2010050242.tif 000028
【図２７】
2010050242.tif 000029
【図２８】
2010050242.tif 000030
【図２９】
2010050242.tif 000031
【図３０】
2010050242.tif 000032
【図３１】
2010050242.tif 000033
【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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