(57)【要約】【課題】半導体素子の配置面を有する板状のダイパッドと、その一端側に間隔をあけて配される連結枠と、ダイパッドの一端側から連結枠まで延在してダイパッドを連結枠に連結する支持用リードとを備えるリードフレームを用いて半導体装置を製造する際に、支持用リードの切断位置にばらつきが発生することを防止できるようにする。【解決手段】支持用リード９に、その延在方向に沿う支持用リード９の側面１９から窪む切欠溝２３を形成したリードフレームを提供する。なお、切欠溝２３は、連結枠５側からダイパッド３側に向かうにしたがって前記延在方向に直交する支持用リード９の断面積が漸次小さくなるように傾斜するテーパ面２６と、テーパ面２６に連ねて形成されて前記延在方向に直交して連結枠５側に対面する係止用端面２８とを備える。【選択図】図４
2010108954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の配置面を有する板状のダイパッドと、当該ダイパッドの一端側に間隔をあけて配される連結枠と、前記ダイパッドの一端側から前記連結枠まで延在して前記ダイパッドを前記連結枠に連結する支持用リードとを備え、
当該支持用リードには、その延在方向に沿う支持用リードの側面から窪む切欠溝が形成され、
当該切欠溝が、前記連結枠側から前記ダイパッド側に向かうにしたがって前記延在方向に直交する前記支持用リードの断面積が漸次小さくなるように傾斜するテーパ面と、当該テーパ面に連ねて形成されて前記延在方向に直交して前記連結枠側に対面する係止用端面とを備えることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記切欠溝が、前記ダイパッドの厚さ方向に面する前記支持用リードの側面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記切欠溝が、互いに反対側に位置する前記支持用リードの側面から窪むように一対形成され、
一対の前記切欠溝を構成する一対の前記係止用端面が、同一平面をなしていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記支持用リードの延在方向に対する一対の前記テーパ面の傾斜角度が相互に異なることを特徴とする請求項３に記載のリードフレーム。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリードフレームを使用して製造される半導体装置であって、
前記ダイパッドと、前記配置面に配された半導体素子とが封止樹脂に内包され、
前記封止樹脂には、前記係止用端面と同一平面をなす前記支持用リードの切断面を外方に向けて臨ませる孔部が形成され、
当該孔部には、前記支持用リードのテーパ面に対応するテーパ内面が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、リードフレーム及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、半導体素子に電気接続される複数のリードが半導体素子を内包する封止樹脂の同一の側面から突出する樹脂封止型の半導体装置がある。また、この種の半導体装置の製造に使用する従来のリードフレームとしては、例えば図１０に示すように、半導体素子の配置面を有する板状のダイパッド１０１と、ダイパッド１０１のうち半導体素子の配置面に沿う一方向の一端に間隔をあけて配される第１リード１０２と、ダイパッド１０１の一端に連結される第２リード１０３とを備えたものがある（特許文献１参照）。このリードフレームは、第１リード１０２及び第２リード１０３を一体に連結する連結枠（不図示）も備えており、第２リード１０３によってダイパッド１０１の一端側を支持した片持ち構造を呈している。
【０００３】
さらに、従来のリードフレームとしては、例えば図１０，１１に示すように、上記構成に加えてダイパッド１０１の他端を連結枠１０４に連結して支持する支持用リード１０５を備えたものもあり、第１リード１０２に対するダイパッド１０１の位置の安定化を図ったものがある。従来、支持用リード１０５は、その延在方向にわたって断面積が同一となるように形成されている。
ここで、支持用リード１０５は、前述した構成の半導体装置には不要であるため、封止樹脂１０６の形成後にダイパッド１０１から切り離される。なお、この切り離しおいては、支持用リード１０５の切断面に対して電気的な短絡が発生しないように、封止樹脂１０６の外面１０６ａから支持用リード１０５の切断面に至る電気的な絶縁距離を確保することを考慮して、支持用リード１０５の切断面が封止樹脂１０６の内部に位置するように、支持用リード１０５をその延在方向（図１１における矢印方向）に引き抜くことが考えられている。
【特許文献１】特開２００７−２３４７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来のリードフレームにおいては、支持用リード１０５の断面積が延在方向にわたって一定となるように形成されているため、支持用リード１０５を引き抜く際には、その延在方向の不特定の位置において応力が集中し、結果として支持用リード１０５の切断位置にばらつきが発生するという問題がある。
なお、これを解決する方法として、例えば支持用リード１０５にＶ字状の溝を打刻して切断位置のばらつきの度合いの減少を図ることも考えられている。しかしながら、このＶ字状の溝は、ダイパッド１０１側から連結枠１０４側に向かうにしたがって、支持用リード１０５の断面積が漸次小さくなるように傾斜するテーパ面を有するため、支持用リード１０５を引き抜く際に、V字状の溝よりもダイパッド１０１側に位置するリードフレーム部分が引き抜き方向に引っ張られてしまう場合がある。その結果、依然として支持用リード１０５の切断位置がばらつき、支持用リード１０５の切断面に対する電気的な絶縁距離を確保できないことがある。
【０００５】
この発明は、上述した事情に鑑みたものであって、支持用リードの切断位置にばらつきが発生することを防止できるリードフレーム、及び、これを用いて製造される半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題を解決するために、本発明のリードフレームは、半導体素子の配置面を有する板状のダイパッドと、当該ダイパッドの一端側に間隔をあけて配される連結枠と、前記ダイパッドの一端側から前記連結枠まで延在して前記ダイパッドを前記連結枠に連結する支持用リードとを備え、当該支持用リードには、その延在方向に沿う支持用リードの側面から窪む切欠溝が形成され、当該切欠溝が、前記連結枠側から前記ダイパッド側に向かうにしたがって前記延在方向に直交する前記支持用リードの断面積が漸次小さくなるように傾斜するテーパ面と、当該テーパ面に連ねて形成されて前記延在方向に直交して前記連結枠側に対面する係止用端面とを備えることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の半導体装置は、前記リードフレームを使用して製造されるものであって、前記ダイパッドと、前記配置面に配された半導体素子とが封止樹脂に内包され、前記封止樹脂には、前記係止用端面と同一平面をなす前記支持用リードの切断面を外方に向けて臨ませる孔部が形成され、当該孔部には、前記支持用リードのテーパ面に対応するテーパ内面が形成されていることを特徴としている。
【０００８】
本発明のリードフレームを用いて樹脂封止型の前記半導体装置を製造する場合には、ダイパッド、半導体素子、及び、切欠溝を含む支持用リードの一部をモールド金型に収納して樹脂を流し込み、封止樹脂を形成すればよい。なお、連結枠をモールド金型に対して固定することで、ダイパッド、半導体素子及び支持用リードをモールド金型内の所定位置に保持することができる。この樹脂封止の際には、切欠溝にも封止樹脂が充填される。
そして、上述のように封止樹脂を形成した後には、支持用リードを封止樹脂から支持用リードの延在方向に引き抜くことにより、封止樹脂に内包された支持用リードのうち係止用端面よりも連結枠側に位置する部分をダイパッド側から容易かつ確実に切り離すことができる。
【０００９】
すなわち、このリードフレームにおいては、延在方向に直交する支持用リードの断面積が係止用端面の形成位置において最小となるため、支持用リードを封止樹脂から引き抜く際には、支持用リードのうち前述した断面積が最小となる面に応力を集中させることができる。また、切欠溝には封止樹脂が充填されていることから、支持用リードを封止樹脂から引き抜く際には係止用端面が封止樹脂に押し付けられて、係止用端面よりもダイパッド側に位置するリードフレーム部分が引き抜き方向に移動することを防止するため、支持用リードのうち前記断面積が最小となる面にさらに応力を集中させることができる。
【００１０】
以上のことから、係止用端面の形成位置において確実に支持用リードを切断することができる。すなわち、支持用リードを引き抜く際に支持用リードの切断位置にばらつきが発生することを確実に防止でき、その結果として、製造された半導体装置において封止樹脂の外面から支持用リードの切断面に至る電気的な絶縁距離を確実に確保することができる。
さらに、支持用リードを封止樹脂から引き抜く際には、テーパ面を封止樹脂から容易に離間させることができるため、引き抜きの際に支持用リードと封止樹脂との間に生じる摩擦を低減して、封止樹脂にクラック（欠損）が発生することを容易に防止できる。
【００１１】
なお、前記リードフレームでは、前記切欠溝が、前記ダイパッドの厚さ方向に面する前記支持用リードの側面に形成されていてもよい。
この場合には、切欠溝をプレス加工などにより容易に形成することができる。
また、プレス加工によってこの切欠溝を形成する場合には、支持用リードをなす材料が係止用端面の形成位置から支持用リードの延在方向に押し出されるため、係止用端面の形成部分における支持用リードの強度が他の部分よりも弱くなる。これにより、支持用リードを引き抜く際には、大きな力を要することなく係止用端面の形成位置において支持用リードを確実に切断できる。
【００１２】
また、前記リードフレームにおいては、前記切欠溝が、互いに反対側に位置する前記支持用リードの側面から窪むように一対形成され、一対の前記切欠溝を構成する一対の前記係止用端面が、同一平面をなしていてもよい。
【００１３】
さらに、前記リードフレームにおいては、前記支持用リードの延在方向に対する一対の前記テーパ面の傾斜角度が相互に異なっていてもよい。
支持用リードを封止樹脂から引き抜く方向は、例えば支持用リードの延在方向に対して傾斜する場合がある。すなわち、支持用リードの引き抜き方向に対して一対のテーパ面の傾斜方向が非対称となる場合があり、その結果として、引き抜きの際に生じる支持用リードと封止樹脂との摩擦が一対のテーパ面の間で相異する、という不具合が生じることがある。
これに対して、本発明では、上述したように支持用リードの延在方向に対する一対のテーパ面の傾斜角度を相互に異ならせている、すなわち、一対のテーパ面の対称軸を延在方向に対して傾斜させている。そして、一対のテーパ面の対称軸を引き抜き方向に一致させることで、引き抜きの際に生じる支持用リードと封止樹脂との摩擦を、一対のテーパ面の間で一致させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、リードフレームを用いた半導体装置の製造に際して、支持用リードを封止樹脂から引き抜く際に、支持用リードの切断位置にばらつきが発生することを確実に防止することができ、製造された半導体装置において封止樹脂の外面から支持用リードの切断面に至る電気的な絶縁距離を確実に確保することができる。
また、支持用リードを封止樹脂から引き抜く際に、支持用リードと封止樹脂との間に生じる摩擦を低減して、封止樹脂にクラック（欠損）が発生することを容易に防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。
図１〜４に示すように、この実施形態に係るリードフレーム１は、図５〜７に示す樹脂封止型の半導体装置３１の製造に使用するものであり、半導体素子３３の配置面３ａを有する平面視矩形の板状に形成されたダイパッド３と、ダイパッド３のうち配置面３ａに沿う一方向（Ｙ軸方向）の両端側に間隔をあけて配される連結枠５，７と、ダイパッド３をその一端側に配された連結枠５に連結する複数の支持用リード９と、ダイパッド３のうちＹ軸方向の他端側に間隔をあけて配される複数の第１リード１１と、ダイパッド３をその他端側に配された連結枠７に連結する複数の第２リード１３と、を備えている。
なお、図示例のリードフレーム１においては、１つの半導体装置３１を製造するためのダイパッド３、第１リード１１、第２リード１３及び支持用リード９のみが記載されているが、実際のリードフレーム１は、複数の半導体装置３１を製造するためのダイパッド３、第１リード１１、第２リード１３及び支持用リード９が連結枠５，７によって複数連結された状態で構成されている。
【００１６】
ダイパッド３は、その配置面３ａが連結枠５，７、支持用リード９、第１リード１１及び第２リード１３よりも下方に位置するように、連結枠５，７、支持用リード９、第１リード１１及び第２リード１３に対してダイパッド３の厚さ方向（Ｚ軸方向）にずらして配置されている。このダイパッド３のダウンセットは、ダイパッド３の一端側及び第２リード１３に折り曲げ加工を施すことによって実施されている。
【００１７】
全ての第１リード１１及び第２リード１３は、Ｙ軸方向に沿ってダイパッド３の他端から離れる方向に延びるように形成されており、平面視矩形状に形成されたダイパッド３の一辺に沿うＸ軸方向に配列されている。なお、図示例のリードフレーム１においては、全ての第１リード１１を挟み込むように２つの第２リード１３が配置されており、これら２つの第２リード１３は、ダイパッド３の一辺の両端に連結されている。
また、ダイパッド３の両端側に配される一対の連結枠５，７は、それぞれＸ軸方向に延びて形成されている。なお、図示例においては、一対の連結枠５，７が互いに分離しているように記載されているが、実際には一体に連結して形成されている。
【００１８】
各支持用リード９は、Ｙ軸方向に沿ってダイパッド３の一端から連結枠５まで延在して形成されている。なお、図示例のリードフレーム１においては、２つの支持用リード９がＸ軸方向に配列されている。また、支持用リード９を連結したダイパッド３の側面３ｂは、Ｙ軸方向に窪む窪み部分３ｃを有して形成されており、支持用リード９は、この窪み部分３ｃに入り込んでいる。
【００１９】
各支持用リード９には、その延在方向（Ｙ軸方向）に沿う支持用リード９の側面１９から窪む切欠溝２１，２３が形成されている。また、切欠溝２１，２３は、互いに反対側に位置する支持用リード９の一対の側面１９から窪むように一対形成されている。
より具体的に説明すると、各支持用リード９には、図１，３に示すように、ダイパッド３の配置面３ａに沿う支持用リード９の幅方向（Ｘ軸方向）に面する一対の側面１９Ａ，１９Ｂから窪む一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂが形成されている。この第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂは、これを形成した一対の側面１９Ａ，１９Ｂに沿う支持用リード９の厚さ方向（Ｚ軸方向）にわたって形成されている。そして、一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂは、支持用リード９の幅方向の中心を基準の軸Ｓ１（対称軸Ｓ１）として互いに対称な形状に形成されている。
【００２０】
また、図２，４に示すように、ダイパッド３の厚さ方向（Ｚ軸方向）に面する一対の側面１９Ｃ，１９Ｄから窪む一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂが形成されている。この第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂは、これを形成した一対の側面１９Ｃ，１９Ｄに沿う支持用リード９の幅方向（Ｘ軸方向）にわたって形成されている。そして、一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂは、一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂの場合と同様に、支持用リード９の厚さ方向（Ｚ軸方向）の中心を基準の軸Ｓ２（対称軸Ｓ２）として互いに対称な形状に形成されている。
【００２１】
各切欠溝２１，２３は、図３，４に示すように、連結枠５側からダイパッド３側に向かうにしたがってＹ軸方向に直交する支持用リード９の断面積が小さくなるように傾斜するテーパ面２５，２６と、テーパ面２５，２６に連ねて形成されてＹ軸方向に直交して連結枠５に対面する係止用端面２７，２８とを備えて形成されている。
【００２２】
そして、一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂを構成する一対のテーパ面２５Ａ，２５Ｂは、支持用リード９の延在方向に対して同一の傾斜角度で傾斜している。また、一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂを構成する一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂも、支持用リード９の延在方向に対して同一の傾斜角度で傾斜している。なお、このテーパ面２５，２６の傾斜角度は、第１切欠溝２１と第２切欠溝２３との間で相互に異なっていてもよいし、互いに等しくても構わない。
【００２３】
また、複数の切欠溝２１，２３を構成する複数の係止用端面２７，２８は、同一平面をなしており、支持用リード９が連結されるダイパッド３の側面３ｂと一体に形成されている。すなわち、複数の切欠溝２１，２３はダイパッド３に隣接するように形成されている。
以上のように構成される支持用リード９においては、延在方向に直交する支持用リード９の断面積が係止用端面２７，２８の形成位置において最小となる、言い換えれば、支持用リードとダイパッド３との境界面９ａにおいて最小となる。
そして、以上のように構成されるリードフレーム１は、導電性を有する板材にプレス加工等を施すことで得ることが可能である。
【００２４】
次に、上記構成のリードフレーム１を用いて図５〜７に示す半導体装置３１を製造する方法について説明する。
半導体装置３１を製造する場合には、はじめに、ダイパッド３の配置面３ａに半導体素子３３を接着剤等により固定する。なお、この固定に使用する接着剤として導電性ペーストや半田等を用いる場合には半導体素子３３と第２リード１３とが電気接続されることになるが、例えば、絶縁性の接着剤により半導体素子３３を固定して、半導体素子３３と第２リード１３とを電気的に絶縁させてもよい。
次いで、ワイヤーボンディング等により導体素子と複数の第１リード１１との間にそれぞれワイヤーを配して半導体素子３３と複数の第１リード１１とを電気接続する。
【００２５】
その後、ダイパッド３及び半導体素子３３、第１リード１１及び第２リード１３の一部、並びに、切欠溝を含む支持用リード９の一部をモールド金型に収納する。この収納の際には、連結枠５，７がモールド金型に対して固定される。
そして、モールド金型内に樹脂を流し込むことで、第１リード１１及び第２リード１３の一部、並びに、切欠溝を含む支持用リード９の一部を封止する封止樹脂３５が成形される。この樹脂封止の際には、連結枠５，７がモールド金型に固定されているため、また、ダイパッド３の両端が第２リード１３及び支持用リード９によって支持されているため、ダイパッド３、半導体素子３３、第１リード１１、第２リード１３及び支持用リード９をモールド金型内の所定位置に保持することができる。さらに、この樹脂封止の際には、切欠溝２１，２３にも封止樹脂３５が充填される。
【００２６】
なお、図３，４においては、切欠溝２１，２３全体に封止樹脂３５が充填されて全てのテーパ面２５，２６が封止樹脂３５に内包され、成形された封止樹脂３５の側面３５ａが全てのテーパ面２５，２６と支持用リード９の側面１９との境界に一致するように位置しているが、例えば各テーパ面２５，２６の一部が封止樹脂３５の外側に位置していてもよい。また、切欠溝２１，２３よりも連結枠５側に位置する支持用リード９の側面１９は、封止樹脂３５の外側に配置されていることが好ましい。
【００２７】
このように封止樹脂３５を成形した後には、複数の第１リード１１及び第２リード１３に連結された連結枠７を切り離し、複数の第１リード１１及び第２リード１３を互いに電気的に独立させる。また、支持用リード９を封止樹脂３５から支持用リード９の延在方向に引き抜き、支持用リード９及びこれに連結されている連結枠５をダイパッド３から切り離すことで、半導体装置３１の製造が完了する。
なお、支持用リード９の具体的な引き抜き方法としては、例えば支持用リード９が突出する封止樹脂３５の側面３５ａとこれに対面する連結枠５との隙間に引き抜き用部材４０を挿通させた状態で、この引き抜き用部材４０を封止樹脂３５の側面３５ａから離れる方向に移動させることで、支持用リード９を封止樹脂３５から引き抜くことが挙げられる。
【００２８】
そして、支持用リード９の引き抜きの際には、延在方向に直交する支持用リード９の断面積が、支持用リード９とダイパッド３との境界面９ａにおいて最小となるため、支持用リード９とダイパッド３との境界面９ａに応力を集中させることができる。また、切欠溝２１，２３には封止樹脂３５が充填されているため、引き抜きの際にはダイパッド３の側面３ｂに一体に形成された係止用端面２７，２８が封止樹脂３５に押し付けられて、ダイパッド３が支持用リード９の引き抜き方向に移動することを防止するため、支持用リード９とダイパッド３との境界面９ａにさらに応力を集中させることができる。
以上のことから、この引き抜きの際には支持用リード９とダイパッド３との境界面９ａにおいて確実に支持用リード９が切断され、支持用リード９全体がダイパッド３から切り離されることになる。
【００２９】
以上のようにして製造される半導体装置３１では、図５〜７に示すように、ダイパッド３とその配置面３ａに配された半導体素子３３とが封止樹脂３５に内包されている。
封止樹脂３５は、ダイパッド３の平面視形状に対応するように平面視矩形状に形成されており、ダイパッド３の一端側に対応する封止樹脂３５の一端側の側面３５ａには、支持用リード９に対応する孔部３７が形成されている。孔部３７は、ダイパッド３の側面３ｂと同一平面をなす支持用リード９の切断面９ｂを外方に向けて臨ませるように形成されている。そして、孔部３７には、支持用リード９のテーパ面２５，２６の形状に対応するテーパ内面が形成されている。
【００３０】
また、この半導体装置３１は、ダイパッド３の他端側に対応する封止樹脂３５の他端側の側面３５ｂから突出する複数の第１リード１１及び第２リード１３を備えている。すなわち、この半導体装置３１においては、全ての第１リード１１及び第２リード１３が封止樹脂３５の同一の側面３５ｂから突出している。
なお、第１リード１１のうち半導体素子３３と電気接続されている部分（ワイヤーに接合された部分）がインナーリード部分として封止樹脂３５に内包されている。また、第２リード１３のうちダイパッド３に連結されている部分がインナーリード部分として封止樹脂３５に内包されている。
【００３１】
上記実施形態によるリードフレーム１によれば、半導体装置３１の製造に際して、支持用リード９を封止樹脂から引き抜く際に支持用リード９とダイパッド３との境界面９ａに応力を集中させて、この境界面９ａにおいて確実に支持用リード９を切断することができる。すなわち、支持用リード９を引き抜く際に支持用リード９の切断位置にばらつきが発生することを確実に防止できる、特に、支持用リード９の切断位置が連結枠５側にずれることを確実に防止できる。その結果、製造された半導体装置３１においては、封止樹脂３５の側面３５ａから支持用リード９の切断面９ｂに至る電気的な絶縁距離を確実に確保することができる。
さらに、支持用リード９を封止樹脂３５から引き抜く際には、テーパ面２５，２６を封止樹脂３５から容易に離間させることができるため、引き抜きの際に支持用リード９と封止樹脂３５との間に生じる摩擦を低減して、封止樹脂３５にクラック（欠損）が発生することを容易に防止できる。
【００３２】
また、ダイパッド３の厚さ方向に面する支持用リード９の側面１９Ｃ，１９Ｄから窪む第２切欠溝２３は、リードフレーム１を製造する際にプレス加工などにより容易に形成することができる。
さらに、プレス加工により第２切欠溝２３を形成する場合には、支持用リード９をなす材料が係止用端面２８の形成位置から支持用リード９の延在方向に押し出されるため、係止用端面２８の形成部分における支持用リード９の強度が他の部分よりも弱くなる。これにより、支持用リード９を引き抜く際には、大きな力を要することなく係止用端面２８の形成位置において支持用リード９を確実に切断できる。
【００３３】
また、複数の切欠溝２１，２３を構成する全ての係止用端面２７，２８が同一平面に配されることで、支持用リード９を引き抜いた際に形成される支持用リード９の切断面９ｂを支持用リード９の延在方向に直交させ、ダイパッド３の側面３ｂと同一の平面に配することができる。
さらに、上記実施形態においては、全ての係止用端面２７，２８をダイパッド３の側面３ｂに一体に形成しているため、支持用リード９全体をダイパッド３から切り離して引き抜くことができる。すなわち、半導体装置３１において、封止樹脂３５内に支持用リード９の一部が残留することがなく、結果として、封止樹脂３５の側面３５ａから支持用リード９の切断面９ｂに至る電気的な絶縁距離をより長く確保することができる。
【００３４】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、リードフレーム１を構成する支持用リード９、第１リード１１及び第２リード１３の本数は、上記実施形態に記載したものに限らず、任意の本数であってよい。
【００３５】
また、一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂや一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂは、支持用リード９の延在方向に延びる対称軸Ｓ１，Ｓ２を中心として互いに対称な形状に形成されるとしたが、各切欠溝２１，２３が上記実施形態と同様形状のテーパ面及び係止用端面を備えていれば、例えば互いに異なる非対称な形状に形成されていてもよい。すなわち、例えば一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂや一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂ溝の深さ寸法や、支持用リードの延在方向に沿う一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂや一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂの長さ寸法が、互いに異なっていてもよい。
【００３６】
なお、一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂを互いに非対称な形状に形成する場合には、例えば図８に示すように、一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂを構成する一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂの傾斜角度を支持用リード９の延在方向に対して互いに異ならせる、すなわち、一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂの対称軸Ｓ３を延在方向に対して傾斜させることがより好ましい。このように一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂを形成した場合には、支持用リード９の引き抜き方向Ｐ１が支持用リード９の延在方向に対して支持用リード９の厚さ方向に傾斜していても、支持用リード９を封止樹脂３５からスムーズに引き抜くことが可能となる。
【００３７】
すなわち、上記実施形態と同様に引き抜き用部材４０（図４参照）を利用する等して支持用リード９を封止樹脂３５から引き抜く際には、支持用リード９の引き抜き方向Ｐ１が支持用リード９の延在方向に対して傾斜する場合がある。
ここで、一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂが上記実施形態のように支持用リード９の延在方向に沿う対称軸Ｓ２（図４参照）を中心として互いに対称な形状に形成されていると、一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂを構成する一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂの傾斜方向が支持用リード９の引き抜き方向Ｐ１に対して非対称となるため、引き抜きの際に生じる支持用リード９と封止樹脂３５との摩擦が一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂの間で相違するという不具合が生じて、支持用リード９の引き抜きに要する力が大きくなってしまうことがある。
【００３８】
これに対して、図８に示すように、一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂの傾斜角度を相互に異ならせた場合には、一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂの対称軸Ｓ３を延在方向に対して傾斜する支持用リードの引き抜き方向Ｐ１に一致させることができる。このため、引き抜きの際に生じる支持用リード９と封止樹脂３５との摩擦を一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂの間で一致させることが可能となり、支持用リード９の引き抜きに要する力を小さくすることができる。
なお、上述したように一対のテーパ面２６Ａ，２６Ｂの傾斜角度を互いに異ならせることは、一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂを互いに非対称な形状に形成する場合にも同様に適用することができる。
【００３９】
さらに、切欠溝２１，２３は、互いに反対側に位置する支持用リード９の一対の側面１９に形成されるとしたが、例えば一対の側面１９の一方のみに形成されていてもよい。
また、上記実施形態において、支持用リード９は４つの側面１９を有する断面矩形状に形成されているが、少なくとも支持用リード９の延在方向（Ｙ軸方向）に沿う側面を有していれば任意の断面形状に形成されてもよい。したがって、支持用リード９の側面は、例えばダイパッド３の配置面３ａに沿う方向（Ｘ軸方向）及びダイパッド３の厚さ方向（Ｚ軸方向）の両方に対して傾斜していてもよい。そして、切欠溝は、この傾斜した支持用リード９の側面から窪むように形成されてもよい。
【００４０】
さらに、切欠溝２１，２３は、ダイパッド３の側面３ｂに隣接するように形成されるとしたが、例えば、支持用リード９の延在方向の中途部分に形成されていてもよい。すなわち、切欠溝２１，２３の係止用端面２７，２８は、ダイパッド３の側面３ｂに一体に形成されることに限らず、ダイパッド３の側面３ｂから離れた位置に形成されていてもよい。なお、この場合には、支持用リード９のうち切欠溝２１，２３の形成位置よりもダイパッド３側に位置する部分が、封止樹脂３５内に残留することになる。また、封止樹脂３５内に残留する支持用リード９の切断面９ｂは、係止用端面２７，２８と共に同一平面をなすことになる。
【００４１】
また、複数の切欠溝２１，２３を構成する複数の係止用端面２７，２８は、同一平面をなすように配されるとしたが、例えば図９に示すように、支持用リード９の延在方向に互いにずらして配されていてもよい。また、例えば一対の第１切欠溝２１Ａ，２１Ｂを構成する一対の係止用端面２７Ａ，２７Ｂが同一平面をなすと共に、一対の第２切欠溝２３Ａ，２３Ｂの一対の係止用端面２８Ａ，２８Ｂが同一平面をなすものの、第１切欠溝２１の係止用端面２７と第２切欠溝２３の係止用端面２８とが支持用リード９の延在方向に互いにずらして配されていてもよい。
【００４２】
さらに、リードフレーム１は、上記実施形態のように構成されることに限らず、少なくともダイパッド３と連結枠５とこれらを連結する支持用リード９とを備えていればよい。このように第１リード１１や第２リード１３を備えないリードフレームを用いて半導体装置を製造する場合には、半導体装置における第１リード１１及び第２リード１３を、リードフレームとは別個の導電性の板材によって構成してもよいし、例えば第１リード１１や第２リード１３を直接半導体素子３３やダイパッド３に適宜固定してもよい。
【００４３】
また、上記実施形態の半導体装置３１では、全ての第１リード１１や第２リード１３が封止樹脂３５の同一の側面３５ｂから突出するとしたが、これら複数の第１リード１１や第２リード１３は相互に異なる封止樹脂３５の側面から突出していてもよい。したがって、リードフレーム１においても、複数の第１リード１１や第２リード１３がダイパッド３周囲の任意の位置にそれぞれ配されていてもよい。
さらに、上記実施形態においては、封止樹脂３５から突出する第１リード１１、第２リード１３を備える構成を適用して本願発明について説明したが、第１リード１１や第２リード１３が突出しない構成の半導体装置及びその製造に用いるリードフレームにも適用可能である。すなわち、本願発明の半導体装置においては、少なくとも第１リード１１や第２リード１３が封止樹脂３５の外側に露出していればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態であるリードフレームを示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のリードフレームを用いて半導体装置を製造する途中段階における支持用リードを示す拡大平面図である。
【図４】図１のリードフレームを用いて半導体装置を製造する途中段階における支持用リードを示す拡大断面図である。
【図５】図１のリードフレームを用いて製造される半導体装置を示す平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図７】図５の半導体装置において、支持用リードの切断面を外方に向けて臨ませる孔部を示す拡大断面図である。
【図８】支持用リードの変形例を示す拡大断面図である。
【図９】切欠溝を構成する係止用端面の変形例を示す拡大断面図である。
【図１０】従来のリードフレームの一例を示す平面図である。
【図１１】従来のリードフレームを用いて半導体装置を製造する途中段階における支持用リードを示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  リードフレーム
３  ダイパッド
３ａ配置面
５  連結枠
９  支持用リード
９ｂ  切断面
１９  支持用リードの側面
２１  第１切欠溝
２３  第２切欠溝
２５，２６  テーパ面
２７，２８  係止用端面
３１  半導体装置
３３  半導体素子
３５  封止樹脂
３７  孔部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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