(57)【要約】【課題】物理ブロック単位でデータ保持特性のばらつきが発生した場合においても、その特性ばらつきを吸収し、データ保持性能を改善すること。【解決手段】データの書き込み時には、Ｎワードのデータに対してＭワードのパリティを付加し、第１のＥＣＣ符号とする。各ワードを（Ｎ＋Ｍ）個の各物理ブロックに分配し、Ａ個の前記第１のＥＣＣ符号の各１ワードを構成要素とする第2のＥＣＣ符号を付して物理ブロックの各ページに書き込む。データの読み出しにおいては、第２のＥＣＣ符号によってエラー訂正を実施し、第２のＥＣＣ符号でエラー訂正できなかった場合は、第１のＥＣＣ符号で消失訂正を実施する。訂正された物理ブロックを警告ブロックとし、書き込み対象の物理ブロックとしての優先順位を下げる。所定のタイミングで警告ブロックのデータを読み出し、ＥＣＣ訂正して別の物理ブロックに書き込む。【選択図】図５
2010079485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の物理ブロックにより構成され、且つ物理ブロックが複数ページによって構成される不揮発性メモリを内蔵し、所定数の前記物理ブロックを１つのグループとする半導体記録装置において、
データの書き込みの際に入力されたデータに対して、ＥＣＣパリティを付加して、第１のＥＣＣ符号をＡ個（Ａは自然数）生成する第１のＥＣＣ生成手段と、
前記第１のＥＣＣ生成手段によって生成された第１のＥＣＣ符号を分配するデータ分配手段と、
前記データ分配手段から夫々の物理ブロックに分配されたＡワードに対して、Ｂ（Ｂは自然数）ワードのパリティを付加して（Ａ＋Ｂ）ワードの第２のＥＣＣ符号を生成する第２のＥＣＣ生成手段と、
前記第２のＥＣＣ生成手段より出力される（Ａ＋Ｂ）ワードのデータを１つのグループの各物理ブロックに書き込むデータ書き込み手段と、
前記不揮発性メモリの１つのグループの物理ブロックより第１のＥＣＣ符号を読み出すデータの読み出し手段と、
前記データ読み出し手段により読み出された各ページのデータにエラーのあるときに、第２のＥＣＣ符号によってエラーを訂正する第２のＥＣＣ訂正手段と、
前記第２のＥＣＣ符号でエラー訂正できなかった場合は、第１のＥＣＣ符号によって消失訂正を行う消失訂正手段と、
データ読み出し時に前記消失訂正手段によって消失訂正したページ数に基づいて、閾値となるページ数以上のエラーのあるページを警告ブロックテーブルに警告ブロックとして登録すると共に、前記警告ブロックを含む第１のＥＣＣ訂正符号を保持する他の物理ブロックをペアブロックとして登録する警告ブロック管理手段と、
所定のタイミングで前記警告ブロック管理手段に登録されている警告ブロックとそのペアブロックのデータを読み出し、前記消失訂正手段によって消失訂正を行い、修復した警告ブロックのデータを消去済みの物理ブロックに書き込むように制御するシーケンサと、を具備する半導体記録装置。
【請求項２】
前記不揮発性メモリは、Ｎ＋Ｍ個（Ｎ，Ｍは自然数）の物理ブロックを１つのグループとするものであり、
前記ＥＣＣ生成手段は、データの書き込みの際に入力された（Ａ＊Ｎ）ワードのデータに対して、Ａワードの間隔で抽出したＮワードにＭワードのＥＣＣパリティを付加して、（Ｎ＋Ｍ）ワードのＥＣＣ符号をＡ個生成するものである請求項１に記載の半導体記録装置。
【請求項３】
前記データ分配手段は、前記ＥＣＣ生成手段によって生成されたＥＣＣ符号の（Ｎ＋Ｍ）ワードを、１ワード毎に前記不揮発性メモリの物理ブロックのグループ内で異なる物理ブロックに分配を繰り返すことにより、１つのグループの物理ブロックにＡワードずつ分配するものである請求項２記載の半導体記録装置。
【請求項４】
データ書き込み及び読み出し時に、外部より与えられる論理アドレスで示される論理ブロックと、前記不揮発性メモリの物理ブロックとの対応を示す論物変換テーブル、及び各物理ブロックの使用可否を示すブロックエントリテーブルの登録、更新を行うと共に、データ書き込み時に新規物理ブロックを抽出するテーブル管理手段を更に具備する請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体記録装置。
【請求項５】
前記シーケンサの所定のタイミングは、書き込みコマンドに基づくデータの書き込みの後である請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体記録装置。
【請求項６】
前記テーブル管理手段は、新規に書き込み可能な物理ブロックを抽出する過程において、前記警告テーブルに登録されている前記警告ブロックの優先順位を下げて抽出する請求項４記載の半導体記録装置。
【請求項７】
前記警告ブロック管理手段は、前記不揮発性メモリの総書き換え回数の増加に伴って、エラー訂正されたページ数の閾値を増加させるようにした請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体記録装置。
【請求項８】
前記テーブル管理手段は、使用可能な１つのグループの物理ブロックを抽出する際に、当該グループ中の前記警告ブロックの数がＭ個以下になるように抽出する請求項４又は６記載の半導体記録装置。
【請求項９】
前記１つのグループに属する（Ｍ＋Ｎ）個の物理ブロックは、夫々別の不揮発性メモリである請求項２〜８のいずれか１項記載の半導体記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリカードなどの不揮発性の半導体記録装置に関し、特に内部の不揮発性メモリのデータ保持特性のばらつき及び書き換え回数の増加に伴う劣化を抑制するようにした半導体記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フラッシュメモリが内蔵されたカード型の記録媒体であるＳＤ（Secure Digital）カード等の半導体記録装置は、超小型、超薄型であり、その取り扱い易さから、ディジタルカメラ、携帯機器等において画像等のデータを記録するために広く利用されている。
【０００３】
半導体記録装置に内蔵されているフラッシュメモリは、一定サイズの多数の物理ブロックから成り、物理ブロックの単位でデータを消去できるメモリである。昨今の大容量化の要請に対応すべく、フラッシュメモリは１セルで２ビット以上のデータが蓄積できる多値フラッシュメモリが商品化されている。
【０００４】
図１に、多値フラッシュメモリのフローティングゲートに蓄積する電子の数と閾値電圧（Ｖｔｈ）の関係の一例を示す。図１に示すように、４値のフラッシュメモリでは、フローティングゲートの電子の蓄積状態をその閾値電圧（Ｖｔｈ）に従って４状態で管理する。消去状態は電位が一番低く、これを（１，１）とする。そして電子が蓄積していくにつれて閾値電圧が離散的に上昇し、その状態を夫々（１，０）（０，０）（０，１）とする。このように、蓄積する電子の数に比例して電位が上昇するので、所定の電位の閾値に収まるように制御することによって、１つのメモリセルに２ビットのデータを記録することができる。
【０００５】
図２に４値のフラッシュメモリの１つの物理ブロックの模式図を示す。図２に示す物理ブロックは、２Ｋ個（Ｋは自然数）のページによって構成されている。そして、書き込み処理は、ページ番号０から昇順に実施される。ここで、ページ番号ｍ（０≦ｍ＜Ｋ）のページとページ番号（Ｋ＋ｍ）番のページは１つのメモリセルを共有している関係（以下、セル共有関係という）にあるとする。セル共有関係にあるページにおいて、最初に書き込むページを第１ページ、次に書き込むページを第２ページと呼ぶ。つまり、ページ番号ｍへの書き込み（第１ページへの書き込み）と、ページ番号（Ｋ＋ｍ）への書き込み（第２ページへの書き込み）は、同一のセルに電子をチャージしていることになる。図１を参照に説明すると、第１ページへの書き込みでは、電位は最大でも半分までしか上昇しないように制御し、次の第２ページへの書き込みでは、半分から最大まで電位が上昇するように制御する。
【０００６】
図３に、フラッシュメモリセルの状態遷移を示す。図３に示すように、フラッシュメモリの物理ブロックの１つのメモリセルの状態は、以下のように遷移する。
（ａ）データを消去した後は、メモリセルの状態は（１，１）
（ｂ）第１ページへの書き込み後は、セルの状態は（１，１）又は（１，０）
（ｃ）第２ページへの書き込み後は、セルの状態は（１，１），（１，０），（０，０）又は（０，１）
このように、多値のフラッシュメモリでは、閾値電圧Ｖｔｈに複数の状態を設けてフラッシュメモリの電子の蓄積量を制御する多値記録を行い、大容量化を実現している。
【０００７】
しかしながら、多値フラッシュメモリにおいては、電子の蓄積量によって４状態を識別するために、各状態間の閾値電圧（Ｖｔｈ）の差が、２値フラッシュメモリより小さい。また、書き換え回数を重ねる毎に、データの書き換えを繰り返すと、電子の注入と引き抜きによってゲート酸化膜にわずかな損傷が発生する。この損傷が積み重なると電子トラップが数多く形成されるため、実際のフローティングゲートに蓄積される電子数が減少してしまう。半導体プロセスの微細化に比例して、フローティングゲートに蓄積される電子数が少なくなっているため、電子トラップの影響は大きくなる。このように、フラッシュメモリの大容量化を支える多値記録および半導体プロセスの微細化に従い、フラッシュメモリのデータ保持特性が劣化するという問題点が顕著になってきた。
【０００８】
上記の課題の解決手法としてフラッシュメモリの書き換え回数を制限したり、エラー訂正を強化することが行われている。特許文献１では、フラッシュメモリの物理ブロックを構成するページ単位に誤り訂正能力の高いＥＣＣ符号を記録し、読み出し時に誤り訂正を実施する。そして、誤り数が基準値以上であれば、当該ページにかかるデータを消去済みブロックのページに記録し直すことにより、近い将来において、当該ページのデータが誤り訂正不可となることを防止している。
【特許文献１】特開２００６−２２１３３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
半導体記録装置では、書き換え回数が増加するにつれて、ゲート酸化膜の損傷による電子トラップが数多く形成されるため、実際のフローティングゲートに蓄積される電子数が減少し、データ保持特性が劣化する。フラッシュメモリは物理ブロック単位で消去されるため、フラッシュメモリのデータ保持特性のばらつきは、物理ブロック単位で発生する可能性が高い。さらに、フラッシュメモリの制御手法によって各物理ブロックの書き換え回数のばらつきが発生すれば、データ保持特性のばらつきは加速していく。
【００１０】
一般にフラッシュメモリの制御においては、論理ブロックアドレスと物理ブロックアドレスとを変換する変換テーブル（以下、論物変換テーブルという）を用いることにより、論理ブロックへの書き込みにばらつきがあっても物理ブロックの書き換え回数を平均化している。論物変換テーブルの一例を図４に示す。図４に示すように、１個の論理ブロックが使用中であれば、それに対応している物理ブロック番号を登録し、論理ブロックが未使用であれば、存在しない物理ブロック番号（例えばＺ）を登録する。半導体記録装置では、以下のような手法で書き換え回数を平均化する。
（Ｓ１）電源投入時に論物変換テーブルをリードし、全物理ブロックの使用状態（使用又は未使用）を示すブロックエントリテーブルを作成する。
（Ｓ２）ホストから書き込み命令が発行されると、ブロックエントリテーブルより未使用の物理ブロックを、ランダムに、又は物理ブロック番号のサーチ初期値から昇順に抽出する。
（Ｓ３）抽出した物理ブロックを消去し、ホストから転送されるデータを書き込む。
（Ｓ４）論物変換テーブルとブロックエントリテーブルを更新する。
【００１１】
しかしながら、上記の方法では、例えばファイル１とファイル２の２個のファイルがあって、ファイル１を更新せずファイル２を繰り返して更新した後、ファイル１，２を更新する場合においては、各物理ブロックの書き換え回数ばらつきが無視できない程度に発生する。つまり、ファイル１に割り当てられた物理ブロックの書き換え回数は、ファイル２が繰り返して更新されている間は一定であるが、それ以外の物理ブロックの書き換え回数は増加している。その後ファイル１，２を更新すると、全体の物理ブロックの書き換え回数が増加する。よって、この時点での物理ブロックの書き換え回数は、元のファイル１に割り当てられた物理ブロックとそれ以外の物理ブロックとで大幅に異なってしまう。
【００１２】
このように、物理ブロックの書き換え回数にばらつきが発生すると、物理ブロックによってデータ保持特性が大きく異なっていく。よって従来の手法では、書き換え回数のばらつきによるデータ保持特性が劣化し、エラー訂正不能なレベルになる可能性がある。この場合には誤り訂正されたページのデータを消去済みブロックのページに記録し直すことができなくなるという問題があった。
【００１３】
本発明は上記課題を解決するものであり、物理ブロック単位でデータ保持特性のばらつきが発生した場合においても、そのばらつきを吸収し、データ保持性能を改善できる半導体記録装置を提供することを目的とする。
【００１４】
さらに、各物理ブロックの書き換え回数にばらつきが発生した場合においても、物理ブロックの書き換え回数のばらつきを緩和し、データ保持特性を改善可能な半導体記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この課題を解決するために、本発明の半導体記録装置は、複数の物理ブロックにより構成され、且つ物理ブロックが複数ページによって構成される不揮発性メモリを内蔵し、所定数の前記物理ブロックを１つのグループとする半導体記録装置において、データの書き込みの際に入力されたデータに対して、ＥＣＣパリティを付加して、第１のＥＣＣ符号をＡ個（Ａは自然数）生成する第１のＥＣＣ生成手段と、前記第１のＥＣＣ生成手段によって生成された第１のＥＣＣ符号を分配するデータ分配手段と、前記データ分配手段から夫々の物理ブロックに分配されたＡワードに対して、Ｂ（Ｂは自然数）ワードのパリティを付加して（Ａ＋Ｂ）ワードの第２のＥＣＣ符号を生成する第２のＥＣＣ生成手段と、前記第２のＥＣＣ生成手段より出力される（Ａ＋Ｂ）ワードのデータを１つのグループの各物理ブロックに書き込むデータ書き込み手段と、前記不揮発性メモリの１つのグループの物理ブロックより第１のＥＣＣ符号を読み出すデータの読み出し手段と、前記データ読み出し手段により読み出された各ページのデータにエラーのあるときに、第２のＥＣＣ符号によってエラーを訂正する第２のＥＣＣ訂正手段と、前記第２のＥＣＣ符号でエラー訂正できなかった場合は、第１のＥＣＣ符号によって消失訂正を行う消失訂正手段と、データ読み出し時に前記消失訂正手段によって消失訂正したページ数に基づいて、閾値となるページ数以上のエラーのあるページを警告ブロックテーブルに警告ブロックとして登録すると共に、前記警告ブロックを含む第１のＥＣＣ訂正符号を保持する他の物理ブロックをペアブロックとして登録する警告ブロック管理手段と、所定のタイミングで前記警告ブロック管理手段に登録されている警告ブロックとそのペアブロックのデータを読み出し、前記消失訂正手段によって消失訂正を行い、修復した警告ブロックのデータを消去済みの物理ブロックに書き込むように制御するシーケンサと、を具備するものである。
【００１６】
ここで前記不揮発性メモリは、Ｎ＋Ｍ個（Ｎ，Ｍは自然数）の物理ブロックを１つのグループとするものであり、前記ＥＣＣ生成手段は、データの書き込みの際に入力された（Ａ＊Ｎ）ワードのデータに対して、Ａワードの間隔で抽出したＮワードにＭワードのＥＣＣパリティを付加して、（Ｎ＋Ｍ）ワードのＥＣＣ符号をＡ個生成するようにしてもよい。
【００１７】
ここで前記データ分配手段は、前記ＥＣＣ生成手段によって生成されたＥＣＣ符号の（Ｎ＋Ｍ）ワードを、１ワード毎に前記不揮発性メモリの物理ブロックのグループ内で異なる物理ブロックに分配を繰り返すことにより、１つのグループの物理ブロックにＡワードずつ分配するようにしてもよい。
【００１８】
ここでデータ書き込み及び読み出し時に、外部より与えられる論理アドレスで示される論理ブロックと、前記不揮発性メモリの物理ブロックとの対応を示す論物変換テーブル、及び各物理ブロックの使用可否を示すブロックエントリテーブルの登録、更新を行うと共に、データ書き込み時に新規物理ブロックを抽出するテーブル管理手段を更に具備するようにしてもよい。
【００１９】
ここで前記シーケンサの所定のタイミングは、書き込みコマンドに基づくデータの書き込みの後としてもよい。
【００２０】
ここで前記テーブル管理手段は、新規に書き込み可能な物理ブロックを抽出する過程において、前記警告テーブルに登録されている前記警告ブロックの優先順位を下げて抽出するようにしてもよい。
【００２１】
ここで前記警告ブロック管理手段は、前記不揮発性メモリの総書き換え回数の増加に伴って、エラー訂正されたページ数の閾値を増加させるようにしてもよい。
【００２２】
ここで前記テーブル管理手段は、使用可能な１つのグループの物理ブロックを抽出する際に、当該グループ中の前記警告ブロックの数がＭ個以下になるように抽出するようにしてもよい。
【００２３】
ここで前記１つのグループに属する（Ｍ＋Ｎ）個の物理ブロックは、夫々別の不揮発性メモリとしてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
上記構成によって、データの読み出しの際における第１のＥＣＣ符号を利用した誤り訂正の結果より、警告ブロックとして管理された物理ブロックを、データ保持特性の劣化した物理ブロックと判定し、当該ブロックに書き込まれたデータを別の物理ブロックに書き直すため、物理ブロック単位で、データ保持特性のばらつきが発生した場合においても、そのばらつきを吸収し、データ保持性能を改善できる。
【００２５】
また、データの書き込み時において、書き込み可能な物理ブロックを選択する際に、警告ブロックの優先順位をさげるようにすれば、全体の書き換え回数の偏りを抑制できる。
【００２６】
また、第１のＥＣＣ符号を利用した誤り訂正の結果、誤りがあったページ数の基準値を設定する際に、フラッシュメモリの物理ブロックの総書き換え回数の増加に対応して基準値を大きくすれば、より精度よくデータ保持特性の劣化した物理ブロックを警告ブロックとして検出できる。
【００２７】
また、データの書き込み時において、書き込み可能な物理ブロックを選択する際に、警告ブロックの数をＭ個以下に制限すれば、第１のＥＣＣ符号のエラー訂正数以下に警告ブロック数を設定できるため、第１のＥＣＣ訂正による性能を十分に発揮できる。
【００２８】
このように、物理ブロック単位で、データ保持特性および書き換え回数のばらつきが発生した場合においても、その特性ばらつきを吸収し、データ保持性能を改善できる半導体記録装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図５に本発明の実施の形態による半導体記録装置の構成図を示す。本実施の形態において、外部インターフェイス手段１は、図示しないホスト機器からのコマンドやデータを受信し、データの転送を行うインターフェイスである。
【００３０】
第１のＥＣＣ生成手段２はホスト機器からライトコマンドを受信したときに、受信したライトデータに対してエラー訂正のためＥＣＣパリティを付加するものである。より詳細には、入力された（Ａ＊Ｎ）ワード（Ａ、Ｎは自然数）のデータに対して、Ａワードの間隔で抽出したＮワードにＭワード（Ｍは自然数）のＥＣＣパリティを付加して、（Ｎ＋Ｍ）ワードの第１のＥＣＣ符号をＡ個生成するものである。尚ＥＣＣパリティはエラー訂正の機能を持つコードである。本実施の形態では、Ｎを４、Ｍを２、Ａを５１２として説明する。
【００３１】
データ分配手段３はＥＣＣ生成手段２でＥＣＣパリティが付加されたＥＣＣ符号をワード単位でフラッシュメモリの相異なる物理ブロックに分配するものである。より具体的にはＥＣＣ生成手段２によって生成されたＥＣＣ符号の（Ｎ＋Ｍ）ワード、ここでは６ワードを、１ワード毎に異なる物理ブロックに分配を繰り返すことにより、（Ｎ＋Ｍ）個の物理ブロックにＡワードずつ分配する。
【００３２】
第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆは、データ分配手段３によって分配された各物理ブロック当たりＡワードのデータにＢワード（Ｂは自然数）のＥＣＣパリティを付加するものである。本実施の形態では、Ａを５１２、Ｂを３とする。この場合には、１ワードのデータを訂正することができ、２ワードのデータの誤り位置を検出することができる。
【００３３】
データ書き込み手段５ａ〜５ｆは、第2のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆによって生成された（Ａ＋Ｂ）ワードのデータを、不揮発性メモリの各物理ブロックに記録するものである。ここでは（Ｍ＋Ｎ）を６としているので、データ書き込み手段５ａ〜５ｆは６並列に実装し、６個のフラッシュメモリ６ａ〜６ｆの夫々１つの物理ブロックにデータを書き込むものである。
【００３４】
本実施の形態の半導体記録装置は、（Ｍ＋Ｎ）個、ここでは６個のフラッシュメモリ６ａ〜６ｆを有している。フラッシュメモリ６ａ〜６ｆは４値のフラッシュメモリとし、夫々は多数の物理ブロックから構成される。物理ブロックは消去単位であって、夫々２Ｋ個（Ｋは自然数）のページを有する。フラッシュメモリの内部は前述した図２に示すように０〜２Ｋ−１までのページ番号で管理されている。このうちページ番号０〜Ｋ−１のＫページはメモリセルの第１ページにより構成され、ページ番号Ｋ〜２Ｋ−１のＫページはメモリセルの第２ページにより構成される。各ページはＡワードの記憶容量を持ち、Ｂワード以上の冗長領域を持っている。ここでは１ワードは例えば１バイト、即ち８ビットとする。ＥＣＣ生成手段２で生成されるＥＣＣ符号を構成する４つの論理ブロックを論理セグメント、各論理セグメントに対応する（Ｍ＋Ｎ）個の物理ブロックをグループという。
【００３５】
テーブル管理手段７ａ〜７ｆは、論物変換テーブルとブロックエントリテーブルを管理するものであって、フラッシュメモリの数に対応して６個実装される。論物変換テーブルは外部インターフェイス手段１を介して指示される論理ブロックと、論理ブロックに対応するフラッシュメモリの物理ブロックのアドレスとを関連づけるものである。ブロックエントリテーブルは電源の投入後に生成されるもので、各物理ブロックの使用又は未使用を示すテーブルである。テーブル管理手段７ａ〜７ｆは独立に動作し、これらのテーブルを管理すると共にデータ書き込みの際論理ブロックに対応する新規物理ブロックを後述する警告ブロック管理手段を参照して抽出するものである。
【００３６】
データ読み出し手段８ａ〜８ｆは、ホスト機器より半導体記録装置に読み出しコマンドが与えられたときに、指定された論理ブロックに対応するフラッシュメモリ６ａ〜６ｆの物理ブロックより、データを読み出すものである。データ読み出し手段８ａ〜８ｆは後述するシーケンサ１２によっても起動される。
【００３７】
第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆは、第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆで生成された第２のＥＣＣパリティに基づいて読み出されたページのデータにエラーがあれば、ＥＣＣ訂正を行い、訂正されたデータと訂正の可否を示すエラーフラグを出力するものである。
【００３８】
消失訂正手段１０は、第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆから出力される訂正されたデータと訂正の可否を示すエラーフラグにより、第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆで訂正不可能であったデータを第１のＥＣＣパリティを用いて訂正するものである。
【００３９】
警告ブロック管理手段１１は、消失訂正手段１０で訂正された物理ブロックの中で、訂正ページ数が所定数以上あった物理ブロックを判別し、これを警告ブロックとして警告ブロックテーブルに登録するものである。また警告ブロックテーブルには、当該警告ブロックと共に第１のＥＣＣ符号を構成している物理ブロックを、当該警告ブロックのペアブロックとして登録しておく。
【００４０】
シーケンサ１２は、所定のタイミングで警告ブロックのデータのエラーを修復してフラッシュメモリを書き換えるものである。より詳細には、シーケンサ１２は警告ブロックと当該警告ブロックのペアブロックのデータを、データ読み出し手段８ａ〜８ｆを介して読み出し、第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆにより誤り訂正を行い、消失訂正手段１０により消失訂正を実施する。更にシーケンサ１２は修復された警告ブロックのデータをデータ分配手段３、第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆ、データ書き込み手段５ａ〜５ｆを介して新規物理ブロックに書き込むものである。
【００４１】
次に本実施の形態の半導体記録装置の動作について説明する。まずテーブル管理手段７ａ〜７ｆは、電源投入時に論物変換テーブルをリードし、全物理ブロックの使用状態（使用又は未使用）を示すブロックエントリテーブルを作成する。本実施の形態では、テーブル管理手段７ａ〜７ｆは、フラッシュメモリ６個を制御するため、ブロックエントリテーブルを６個作成する。ブロックエントリテーブルの一例を図６に示す。図６において、上段は物理ブロック番号、下段はその使用状態を示しており、１が使用済み、０は使用可のブロックである。
【００４２】
次にデータの書き込みについて説明する。データを書き込む場合には、ホスト機器は、半導体記録装置にライトコマンドと共に論理アドレス及び書き込みデータを転送する。ここで書き込みデータはワード単位で表示し、ワード０からワード８ＫＡのデータを書き込みデータとして転送するものとする。外部インターフェイス手段１を介してライトコマンドを受けると、第１のＥＣＣ生成手段２は、書き込みデータをワード単位でＡワード毎に分離し、ＥＣＣパリティを付加する。データ分配手段３は、各フラッシュメモリに記録するためデータをＡワード毎に分配して夫々第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆに入力する。第２のＥＣＣ手段４ａ〜４ｆでは、入力されるＡワード、ここでは５１２ワードのデータに対してＢワード、ここでは３ワードのパリティを付加する。
【００４３】
図７は６つのフラッシュメモリ６ａ〜６ｆにストライピング記録される場合の並列の物理ブロックとデータ及びパリティの関係を示す図である。図中の物理ブロックＰＢ０はフラッシュメモリ６ａの物理ブロック、物理ブロックＰＢ１はフラッシュメモリ６ｂの物理ブロックであり、以下同様に物理ブロックＰＢ２，ＰＢ３，ＰＢ４，ＰＢ５は夫々フラッシュメモリ６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆの物理ブロックである。Ｎはページ番号を示す。外部のホスト機器により指定されるライトアドレスに対して、フラッシュメモリのページ内のワード番号、フラッシュメモリの番号、各フラッシュメモリの物理ブロックの番号、物理ブロック内のページ番号が一意で定まる。図７の物理ブロックＰＢ０〜ＰＢ３の各ページには、そのページに書き込まれる先頭のワード番号が示されている。フラッシュメモリ６ｅ、６ｆの物理ブロックの各ページには、第１のＥＣＣ生成手段２により生成されたＥＣＣパリティが書き込まれる。
【００４４】
図８に第１のＥＣＣ生成手段２におけるＥＣＣパリティの生成方法を示す。図８（ａ）に、各物理ブロックＰＢ０，ＰＢ１，ＰＢ２，ＰＢ３及びＰＢ４，ＰＢ５のページ０のワードのアサインメントを示す。図８（ｂ）は各ブロックＰＢ０〜ＰＢ３のページ０の最初のワードとＥＣＣパリティとの関連図、図８（ｃ）は各ブロックＢ０〜ＰＢ３のページ０の２番目のワードとＥＣＣパリティとの関連図、図８（ｄ）は各ブロックＢ０〜ＰＢ３のページ０の最終ワードとＥＣＣパリティとの関連図である。上記のように、複数のデータを夫々要素とし、複数の要素を夫々相異なる物理ブロック、ここではＰＢ０〜ＰＢ３から抽出してＥＣＣパリティを生成し、２バイト分のＥＣＣパリティを１バイトづつ別の物理ブロック、ここではＰＢ４、ＰＢ５に記録する。
【００４５】
ここで第１のＥＣＣ符号について説明する。第１のＥＣＣ生成手段２では、１ワード、即ち１バイトを上位４ビットと下位４ビットに分割し、各４ビットを１シンボルとする。そして、Ｘ4＋Ｘ＋１を生成多項式とするＧＦ（１６）のガロア体において、（６，４）のリードソロモン符号を構成し、２シンボルのパリティを生成する。即ち、入力シンボルを（ａ３，ａ２，ａ１，ａ０）、パリティシンボルを（ｐ１，ｐ０）とすると、入力シンボルの情報多項式は次式で示される。
Ａ（Ｘ）＝ａ３＊Ｘ3＋ａ２＊Ｘ2＋ａ１＊Ｘ1＋ａ０  ・・・（１）
また符号生成多項式は次式で示される。
Ｇ（Ｘ）＝（Ｘ−α0）（Ｘ−α）  ・・・（２）
この符号生成多項式において、
Ａ（Ｘ）＊Ｘ2÷Ｇ（Ｘ）の剰余Ｒ（Ｘ）を求め、Ｒ（Ｘ）の１次項をｐ１、Ｒ（Ｘ）の０次項をｐ０とする。図８では物理ブロックＰＢ４に１次項であるＰ１＿０，Ｐ１＿１，・・・Ｐ１＿（Ａ−１）が書き込まれ、物理ブロックＰＢ５に０次項であるＰ０＿０，Ｐ０＿１，・・・Ｐ０＿（Ａ−１）が書き込まれることを示している。
【００４６】
こうすればこのうちの最大２個の物理ブロックへの書き込みにエラーが生じて、ａ３，ａ２，ａ１，ａ０，ｐ１，ｐ０のうち２つの要素がエラーとなっても、ＥＣＣ符号の他の要素に基づいて消失訂正を実施することにより、データを復元することができる。
【００４７】
データ分配手段３は、各フラッシュメモリに記録するためデータを図７に示すように分配して夫々第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆに入力する。
【００４８】
第２のＥＣＣ手段４ａ〜４ｆでは、入力されるＡワード、ここでは５１２ワードのデータに対してＢワード、ここでは３ワードのパリティを付加する。この場合には、１ワードのデータを訂正することができ、２ワードデータの誤り検出が可能である。誤り訂正符号は、第１のＥＣＣ生成手段と同様にリードソロモン符号等が使用される。この場合はＧＦ（１０２４）において、符号生成多項式を次式の通りとする。
Ｇ１（Ｘ）＝（Ｘ−α0）（Ｘ−α1）（Ｘ−α2）  ・・・（３）
そして、５１１次の入力シンボルの情報多項式Ａ（Ｘ）とすると、Ａ（Ｘ）＊Ｘ3 ÷  Ｇ（Ｘ）の剰余Ｒ（Ｘ）を求め、Ｒ（Ｘ）の２次項と１次項と０次項を３ワードのパリティとして生成する。
【００４９】
さてデータの書き込み時には、テーブル管理手段７ａ〜７ｆは論理ブロックに対応する物理ブロックを選択する。以下、テーブル管理手段７ａ〜７ｆの新規物理ブロック抽出の処理を中心として、図９のフローチャートを用いてより詳細に説明する。
（Ｓ１１）ホスト機器からライトコマンドが発行されると、電源投入時に作成したブロックエントリテーブルから未使用ブロックを（Ｓ１１ａ）〜（Ｓ１１ｆ）のアルゴリズムで、各フラッシュメモリにつき1個抽出する。
（Ｓ１１ａ）フラッシュメモリ毎に物理ブロック番号のサーチポインタＳＰをランダムに生成する。ブロックエントリテーブルを用いてサーチポインタＳＰの物理ブロック番号から昇順に未使用の物理ブロックを抽出する。
（Ｓ１１ｂ）抽出した物理ブロックが警告ブロックでなければ、抽出ブロックをそのフラッシュメモリの新規物理ブロックとする。全フラッシュメモリの処理を終えるまで（Ｓ１１ａ），（Ｓ１１ｂ）を繰り返す。
（Ｓ１１ｃ）各フラッシュメモリから抽出された６個の物理ブロックにおいて、警告ブロックが含まれている場合は、警告ブロックが抽出されたフラッシュメモリのサーチポインタＳＰを１個ずつ進め、未使用の物理ブロックで且つ警告ブロックでなければ、これを新規物理ブロックとする。
（Ｓ１１ｄ）ループ数Ｃ（Ｃは予め定められた自然数）だけサーチポインタを進めても警告ブロックであった場合は、一旦処理を停止する。
（Ｓ１１ｅ）この段階で、各フラッシュメモリから抽出された６個の物理ブロックにおいて、警告ブロックが２個以上あった場合には、さらに警告ブロックが抽出されたフラッシュメモリのサーチポインタＳＰを１個ずつ進める。
（Ｓ１１ｆ）さらに、ループ数Ｃ（Ｃは予め定められた自然数）だけサーチポインタを進めても警告ブロックであった場合は、警告ブロックを新規物理ブロックとして物理ブロックのサーチを終える。ここではＰＢ０〜ＰＢ５を選択したものとする。
（Ｓ１２）こうして抽出した６個の新規物理ブロックのデータを消去する。次いでデータ書き込み手段５ａ〜５ｆは、第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆによって生成された（Ａ＋Ｂ）ワードのデータを、図７に示すように不揮発性メモリの各物理ブロックＰＢ０〜ＰＢ５に記録する。ここで各ページの通常記録領域にＡワード（５１２ワード）を記録し、冗長領域にＢワード（３ワード）を記録する。
（Ｓ１３）論物変換テーブル、ブロックエントリテーブルを更新する。
【００５０】
このように、従来の動作に（Ｓ１１ｂ）〜（Ｓ１１ｄ）の処理を追加することによって、警告ブロックの採用優先順位を落として物理ブロックを抽出することができる。さらに、（Ｓ１１ｅ）〜（Ｓ１１ｆ）の処理により、１又は２の警告ブロックを新規物理ブロックとしてデータを書き込んだ場合において、仮に警告ブロックから読み出したデータが第２のＥＣＣ符号で訂正できなくても、第１のＥＣＣ符号において消失訂正をすることができる。
【００５１】
次に、本実施の形態の読み出し処理について説明する。読み出し時には、ホスト機器が半導体記録装置に読み出しコマンドを与える。半導体記録装置は外部インターフェイス手段１を介してこれを受け取る。データ読み出し手段８ａ〜８ｆは、指定された論理ブロックに対応する各フラッシュメモリ６ａ〜６ｆの物理ブロックより、データを読み出す。読み出したデータは第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆに出力される。第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆは、第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆで生成されたページ単位のＥＣＣパリティに基づいてエラーがあれば、以下のように訂正を施す。
【００５２】
データとパリティで構成された５１５ワードで表現される５１４次の受信符号多項式Ｕ（Ｘ）において、そのシンドローム式（４）〜(６)と２重誤りの条件（７）を計算する。
ｓ０＝Ｕ（α0）  ・・・(４)
ｓ１＝Ｕ（α）  ・・・（５）
ｓ２＝Ｕ（α2）  ・・・（６）
Ｍ２＝ｓ１2＋ｓ０＊ｓ２  ・・・（７）
尚、ｓ０は受信符号多項式Ｕ（Ｘ）を符号生成多項式の根α0で割った余りであり、ｓ１は受信符号多項式Ｕ（Ｘ）を符号生成多項式の根αで割った余りであり、ｓ２は受信符号多項式Ｕ（Ｘ）を符号生成多項式の根α2で割った余りである。
ここで、誤りが発生していない場合はＭ２＝ｓ０＝０となる。
１個誤りが発生している場合はＭ２＝０、ｓ０≠０となる。
１個誤りがある場合は、誤り位置をｙ２、誤りの大きさ、即ち正しいデータをｚ２とすると、次式が成立する。
ｓ０＝ｚ２＝Ｕ（α0）  ・・・（８）
ｓ１＝αy2＊ｚ２＝Ｕ（α）  ・・・（９）
ここから誤り位置ｙ２と訂正データｚ２を求めることができる。
【００５３】
２個誤りがある場合は、Ｍ２≠０となり、第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆでは訂正できない。よって、第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆでは、訂正されたデータと訂正の可否を示すエラーフラグを消失訂正手段１０に出力する。
【００５４】
消失訂正手段１０は、こうして訂正されたデータと訂正の可否を示すエラーフラグを用いて、第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆで訂正不可能であったデータを第１のＥＣＣ符号を使用して訂正する。ここで受信した６個のシンボルをｂ３，ｂ２，ｂ１，ｂ０，ｑ１，ｑ０とする。このシンボルにおいて、ｂ３はＰＢ０、ｂ２はＰＢ１、ｂ１はＰＢ２、ｂ０はＰＢ３、ｑ１はＰＢ４、ｑ０はＰＢ５の夫々の物理ブロックから読み出されたデータである。このうちエラーフラグが立っているシンボルは誤りを含んでいる。この場合、次式を受信符号多項式とする。
Ｕ（Ｘ）＝ｂ３＊Ｘ5＋ｂ２＊Ｘ4＋ｂ１＊Ｘ3＋ｂ０＊Ｘ2＋ｑ１＊Ｘ＋ｑ０  ・・・（１０）
そしてＵ（Ｘ）において、誤り位置のわかっている２個のシンボルを０として、Ｕ（１）およびＵ（α）を計算する。ここで、誤りシンボル位置をｙ０、ｙ１（０≦ｙ０，ｙ１≦５を満たす整数）、誤りの大きさをｚ０、ｚ１とすると、下記の式（１１），（１２）が成立する。
ｚ０＋ｚ１＝Ｕ（α0）、  ・・・（１１）
αy0＊ｚ０＋αy1＊ｚ1＝Ｕ（α）  ・・・（１２）
式（１１），（１２）において、誤り位置ｙ０、ｙ１は既知なので、２元連立方程式を解くことによって、誤りの大きさｚ０、ｚ１を計算し、誤り位置ｙ０、ｙ１にかかるシンボルを夫々ｚ０、ｚ１に誤り訂正することができる。こうして６個の第２のＥＣＣ訂正において最大２ページの誤り訂正が不可であった場合も、残りの４ページのデータと２個の誤り位置から計算して、誤り位置にかかるページのデータを消失訂正することができる。こうして訂正されたデータのうち論理アドレスに対応するページのデータは、外部インターフェイス手段１を介して外部に出力される。
【００５５】
警告ブロック管理手段１１は、消失訂正手段１０でＥＣＣ訂正された物理ブロックで、訂正ページ数が所定数以上あったブロックを警告ブロックテーブルに警告ブロックとして登録する。また、警告ブロックと共に１つのグループを構成している他の物理ブロックの番号もペアブロックとして登録する。
【００５６】
図１０はこの警告ブロックテーブルの一例を示す図である。例えば物理ブロックＰＢ２の訂正ページが所定数以上あった場合には、ＰＢ２を警告ブロックとして登録し、ＰＢ２と共に第１のＥＣＣ符号を構成している物理ブロックであるＰＢ０，ＰＢ１，ＰＢ３，ＰＢ４，ＰＢ５をペアブロックとして登録しておく。
【００５７】
次にフラッシュメモリに保持されているデータの訂正処理について説明する。シーケンサ１２は、ホスト機器から発行される制御コマンドの間隔を監視している。そして一定時間以上のコマンドが発行されなかった場合に、その後ライトコマンドがあったかどうかを判断する。ライトコマンドがあって、このライトコマンドに応じてデータの書き込み処理を終了したとすると、その後に、警告ブロックテーブルに登録されている警告ブロックとそのペアブロックの番号を読み出す。そして警告ブロックと第１のＥＣＣ符号を構成している６つの物理ブロックのデータをデータ読み出し手段８ａ〜８ｆを介して読み出し、第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆにより誤り訂正を行う。そして消失訂正手段１０により消失訂正を実施して、当該警告ブロックのデータを復元する。更にシーケンサ１２は、データ書き込み手段５ａ〜５ｆを介して復元された警告ブロックのデータを新規物理ブロックに書き込む。
【００５８】
上記データの修復及び書き込み処理は、以下のステップで実施される。
（Ｓ２１）警告ブロックと、当該警告ブロックとそのグループのペアブロックの番号を読み出す。
（Ｓ２２）前述した（Ｓ１１ａ）〜（Ｓ１１ｆ）のアルゴリズムにより、１つのグループの警告ブロックの数に応じて１個又は２個の新規物理ブロックを確保する。
（Ｓ２３）Ｓ２１で読み出したペアブロックの全ページをデータ読み出し手段８ａ〜８ｆによって読み出す。
（Ｓ２４）読み出されたページのデータを、第２のＥＣＣ訂正手段９ａ〜９ｆによりＥＣＣ訂正する。更にこれらのブロックのデータを使用し、消失訂正手段１０により警告ブロックのデータを消失訂正する。
（Ｓ２５）消失訂正された警告ブロックのデータを、Ｓ２２で確保した新規物理ブロックにデータ分配手段３、第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆ、データ書き込み手段５ａ〜５ｆを介して書き込む。この場合のデータの分配は必要な１又は２のブロックにデータを分配することであり、第２のＥＣＣ生成手段４ａ〜４ｆ、データ書き込み手段５ａ〜５ｆも、そのうち１又は２のみが用いられる。こうすれば新規物理ブロックが有効データを保持する使用中の物理ブロックとなり、警告ブロックは有効ブロックでなくなる。テーブル管理手段７ａ〜７ｆはこのようにブロックエントリテーブルを更新する。
（Ｓ２６）警告ブロック管理手段１１は警告テーブルよりペアブロックの情報を削除する。警告ブロックのエラーが修復されたので、ペアブロックの情報はもはや不要だからである。しかし警告ブロックとしての情報はそのまま保持しておく。一旦警告ブロックとなった物理ブロックは、再度エラーが生じる可能性が高く、新規ブロックの抽出時に優先度を下げるために必要だからである。
【００５９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、Ｎ＋Ｍ個の物理ブロックを１つのグループとし、データの書き込み時には、ＮワードのデータとＭワードのパリティを要素とする第１のＥＣＣ符号の各ワードを１つのグループの各物理ブロックに分配し、Ａ個の第１のＥＣＣ符号を生成して各１ワードを構成要素とするＡワードのデータとＢワードのパリティによる（Ａ＋Ｂ）ワードの第２のＥＣＣ符号を物理ブロックの各ページに書き込んでいる。データの読み出しにおいては、第１のＥＣＣ符号をページ単位で、（Ｎ＋Ｍ）ページ読み出し、各ページにおいて第２のＥＣＣ符号によってエラー訂正を実施し、第２のＥＣＣ符号でエラー訂正できなかった場合は、第１のＥＣＣ符号の軸で消失訂正した後に出力する。このとき警告ブロック管理手段により第１のＥＣＣ符号で訂正された物理ブロックと当該物理ブロックと第１のＥＣＣ符号を構成している物理ブロックを警告ブロックと当該警告ブロックのペアブロックとして警告ブロックテーブルに登録する。
【００６０】
そして、ホストからライトコマンドが発行され、当該ライトコマンドの書き込みが終了したタイミングで警告ブロックとそのペアブロックの位置を読み出し、警告ブロックのデータを第１のＥＣＣ符号を利用して消失訂正した後、消去済みの新物理ブロックに書き込む。
【００６１】
また、警告ブロックとして登録されている物理ブロックをデータ保持特性の劣化した物理ブロックと判断し、新規の物理ブロックを抽出する際、なるべく選択しないようにする。また警告ブロックを選択するとしても、その数をＭ個以下になるように制限することが好ましい。こうすれば、警告ブロックへのデータの記録の際に例えエラーが生じたとしても、第１のＥＣＣ符号のエラー訂正数以下とすることができるため、第１のＥＣＣ訂正による性能を十分に発揮できる。このため、物理ブロック単位でデータ保持特性のばらつきが発生した場合においても、その特性ばらつきを吸収し、データ保持性能を改善できる。
【００６２】
このような処理は半導体記録装置の内部でホスト機器からのデータ書き込みに続いて実施されるため、本半導体装置を使用するユーザは、データ保持特性の劣化および警告ブロックの再書き込み処理を意識する必要はない。
【００６３】
本実施の形態によれば、論物変換テーブルより新規の物理ブロックを抽出する過程において、書き換え回数の多い可能性が高い警告ブロックの優先順位を下げて抽出しているので、全体の書き換え回数の偏りを抑制できる。
【００６４】
なお、上記説明では簡単のために第１のＥＣＣパリティは２パリティとしたが、それ以上のパリティを付加しても良いし、１パリティであってもよい。即ちパリティの数Ｍは、１以上の任意の自然数とすることができる。また、上記説明では簡単のために第２のＥＣＣパリティは３パリティとしたが、それ以上のパリティを付加しても良い。
【００６５】
また、本実施の形態では６つのフラッシュメモリを用いて第１のＥＣＣ符号の各要素を夫々のフラッシュメモリに記憶するようにしているが、１つのフラッシュメモリの中で異なる物理ブロックに記録するようにしてもよい。
【００６６】
本実施の形態では、１つのメモリセルに格納するビット数が２ビットの４値フラッシュメモリを用いた半導体記録装置について説明したが、本発明はさらに状態を増加させ、１セルに３ビット以上格納できる多値フラッシュメモリにも適応することができる。さらに、多値フラッシュメモリのみならず、２値フラッシュメモリやその他の不揮発性メモリに適応しても同様の効果が得られる。
【００６７】
また、書き換え回数の総数を、例えば物理ブロックの総消去回数で別途管理し、警告ブロックと判定する物理ブロック当たりのエラーページ数の閾値ＮEを、書き換え回数の総数に比例させてもよい。例えば、書き換え回数が１０００回とされているフラッシュメモリにおいて、（書き換え回数の総数／物理ブロック数＜５００）の場合は、ブロック当たりの誤り数が１０個以上の物理ブロックを警告ブロックと判定し、（書き換え回数の総数／物理ブロック数≧５００）になった場合は、ブロック当たりの誤り数が２０個以上の物理ブロックを警告ブロックとなるように閾値ＮEを変化させてもよい。書き換え回数の総数に従って警告ブロックの閾値ＮEを更に細かく変更してもよい。こうすれば警告ブロックの総数は大きく変化することがなく、新規物理ブロックを適切に抽出することができる。
【００６８】
尚、本実施の形態ではシーケンサがライトコマンド後に警告ブロックに書き込まれたエラーを含むデータを修復しているが、これに代えてデータ保持特性改善コマンドをホスト機器が発行し、これに応じて警告ブロックのエラーを修復して別の物理ブロックに書き込むようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明の半導体記録装置は、メモリカードなどの半導体記録装置に関し、特に不揮発性メモリにおける物理ブロック単位のデータ保持特性のばらつきを抑制することができる。よって、データ保持特性が良好でない多値フラッシュメモリを使用した半導体記録装置や、書き換えを頻繁に実施する業務用映像記録分野で好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】多値フラッシュメモリの電子の蓄積状態を示す模式図
【図２】多値フラッシュメモリの物理ブロックのセル共有を示す図
【図３】多値フラッシュメモリのセルの状態遷移図
【図４】論物変換テーブルの一例を示す図
【図５】本発明の実施の形態における半導体記録装置の構成図
【図６】本実施の形態におけるブロックエントリテーブルの一例
【図７】本実施の形態における物理ブロックのデータ及びパリティの配置の説明図
【図８】本実施の形態におけるパリティの作成の説明図
【図９】本実施の形態における新物理ブロックサーチのフロー
【図１０】本実施の形態における警告ブロックテーブルの一例を示す図
【符号の説明】
【００７１】
１  外部インターフェイス手段
２  第1のＥＣＣ生成手段
３  データ分配手段
４ａ〜４ｆ  第２のＥＣＣ生成手段
５ａ〜５ｆ  データ書き込み手段
６ａ〜６ｆ  フラッシュメモリ
７ａ〜６ｆ  テーブル管理手段
８ａ〜８ｆ  データ読み出し手段
９ａ〜９ｆ  第２のＥＣＣ訂正手段
１０  消失訂正手段
１１  警告ブロック管理手段
１２  シーケンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010079485.tif 000009
【図８】
2010079485.tif 000010
【図９】
2010079485.tif 000011
【図１０】
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