(57)【要約】【課題】高輝度化してもユニフォーミティが劣化しない表示パネルモジュールを提案する。【解決手段】自発光型の表示パネルモジュールとして、（１）保持容量と、当該保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを少なくとも有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、（２）信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、（３）サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、（４）発光期間の初期期間の終了後、駆動トランジスタの制御電極の電位を、カップリング動作を通じて上昇させる第３の駆動部とを有するものを提案する。【選択図】図１８
2010039436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持容量と、前記保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
前記駆動トランジスタの他方の主電極に接続される第２の制御線に、３値の駆動電圧を時間順次に与える第３の駆動部であって、非発光期間の開始から前記駆動トランジスタの特性補正期間が開始されるまでの間、最も電位が低い第１の駆動電圧を印加し、前記駆動トランジスタの特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで、中間電位に対応する第２の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、最も電位が高い第３の駆動電圧を印加する第３の駆動部と
を有し、
前記第２の駆動電圧は、
特性補正期間の開始から発光開始直後までの期間、全ての画素の駆動トランジスタを飽和領域で動作させる電圧であり、かつ、前記発光開始直後以降、ある階調レベル以上の信号電位が印加される画素の駆動トランジスタを線形領域で動作させる電圧に定められており、
前記第３の駆動電圧は、
全ての階調レベルについて全画素の駆動トランジスタを、該当する発光期間の間中、飽和領域で動作させる電圧に定められている
自発光型の表示パネルモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルモジュールにおいて、
前記第２の駆動電圧が印加されている発光期間における輝度レベルと、第３の駆動電圧が印加されている発光期間における輝度レベルの差は２％以下である
ことを特徴とする自発光型の表示パネルモジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の表示パネルモジュールにおいて、
前記第２の駆動電圧が印加されている発光期間長は、全発光時間長の２０％以下である
ことを特徴とする自発光型の表示パネルモジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の表示パネルモジュールにおいて、
前記第２の駆動部による画素階調に対応する電位の印加期間Ｔが、各電位について計算上導き出される移動度補正時間長ｔよりも長く設定されている
ことを特徴とする自発光型の表示パネルモジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の表示パネルモジュールにおいて、
前記移動度補正時間長ｔは、
定数をｋ、前記薄膜トランジスタの移動度をμ、画素階調に対応する信号電位をＶsig
とするとき、
ｔ＝Ｃ／（ｋ・μ・Ｖsig ）
で与えられる
ことを特徴とする自発光型の表示パネルモジュール。
【請求項６】
保持容量と、前記保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、前記駆動トランジスタの一方の主電極に接続される第２の制御線に、３値の駆動電圧を時間順次に与える第３の駆動部であって、非発光期間の開始から前記駆動トランジスタの特性補正期間が開始されるまでの間、最も電位が低い第１の駆動電圧を印加し、前記駆動トランジスタの特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで、中間電位に対応する第２の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、最も電位が高い第３の駆動電圧を印加する第３の駆動部とを有する自発光型の表示パネルモジュールと、
システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
を有し、
前記第２の駆動電圧は、
特性補正期間の開始から発光開始直後までの期間、全ての画素の駆動トランジスタを飽和領域で動作させる電圧であり、かつ、前記発光開始直後以降、ある階調レベル以上の信号電位が印加される画素の駆動トランジスタを線形領域で動作させる電圧に定められており、
前記第３の駆動電圧は、
全ての階調レベルについて全画素の駆動トランジスタを、該当する発光期間の間中、飽和領域で動作させる電圧に定められている
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、電流駆動型の自発光素子の駆動技術に関する。なお、この明細書で提案する発明は、表示パネルモジュール及び当該表示パネルモジュールを搭載する各種の電子機器としての側面も有する。
【背景技術】
【０００２】
以下では、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬパネルモジュールを例に、パネル構造とその駆動動作例を説明する。
図１に、有機ＥＬパネルモジュールのシステム構造例を示す。図１に示す表示パネル１は、画素アレイ部３と、その駆動回路である信号線駆動部５、制御線駆動部７及び９で構成される。
画素アレイ部３には、ホワイトユニットを構成する１画素が、画面内の垂直方向と水平方向についてそれぞれ規定の解像度で配置されている。
【０００３】
図２に、ホワイトユニットとしての１画素を構成するサブ画素１１の配列例を示す。図２の場合、１画素は、Ｒ（赤）画素１１、Ｇ（緑）画素１１、Ｂ（青）画素１１の集合体として構成される。従って、画素アレイ部３の垂直解像度をＭ、水平解像度をＮとすると、画素アレイ部３の総サブ画素数は、Ｍ×Ｎ×３で与えられる。
図１では、画素アレイ部３を構成する画素構造の最小単位であるサブ画素１１とその駆動回路部との接続関係を表している。
【０００４】
信号線駆動部５は、画素データＤinに対応する信号電位Ｖsig を信号線ＤＴＬに供給する駆動デバイスである。個々の信号線ＤＴＬはＹ方向に延びるように配置され、画面の水平方向（Ｘ方向）に３Ｎ本配置される。
第１の制御線駆動部７は、書込制御線ＷＳＬ（特許請求の範囲における第１の制御線）を通じて、サブ画素１１への信号電位Ｖsig 等の書き込みを線順次に制御する駆動デバイスである。図１の場合、制御線駆動部７は、オフセット電位Ｖofs と信号電位Ｖsig の書き込みタイミングを水平ライン単位でライン順次に指定する動作を実行する。
【０００５】
第２の制御線駆動部９は、点灯制御線ＬＳＬ（特許請求の範囲における第２の制御線）を通じて、サブ画素１１への駆動電源の供給と停止を切り替え制御する駆動デバイスである。具体的には、第２の制御線駆動部９は、駆動電位（発光電位）Ｖccと接地電位（非発光電位）Ｖssの２値で点灯制御線ＬＳＬを駆動する。
ここで、書込制御線ＷＳＬと点灯制御線ＬＳＬは、Ｘ方向に延びるように配置され、画面の垂直方向にそれぞれ３Ｍ本ずつ配置される。
【０００６】
図３に、サブ画素１１の画素構造を示す。サブ画素１１は、図３に示すように、薄膜トランジスタＮ１（以下「サンプリングトランジスタＮ１」という。）と、薄膜トランジスタＮ２（以下「駆動トランジスタＮ２」という。）と、信号電位Ｖsig を保持する保持容量Ｃｓと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとで構成される。
【０００７】
サンプリングトランジスタＮ１の一方の主電極は信号線ＤＴＬに接続され、他方の主電極は駆動トランジスタＮ２の制御電極に接続される。また、サンプリングトランジスタＮ１の制御電極は、書込制御線ＷＳＬに接続される。
駆動トランジスタＮ２の一方の主電極は点灯制御線ＬＳＬに接続され、他方の主電極は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極側に接続される。
【０００８】
なお、図３の場合、薄膜トランジスタは、いずれもＮチャネル型を想定する。因みに、図３では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが有する容量成分Ｃoledと基板との間に形成される寄生容量Ｃsub も破線にて表している。
【特許文献１】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献２】特開２００３−２５５８９７号公報
【特許文献３】特開２００５−１７３４３４号公報
【特許文献４】特開２００６−２１５２１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図４に、前述したサブ画素１１の駆動動作例を示す。図４（Ａ）は、書込制御線ＷＳＬの駆動波形である。図４（Ｂ）は、信号線ＤＴＬの駆動波形である。図４（Ｃ）は、点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。図４（Ｄ）は、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの波形である。図４（Ｅ）は、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓ（ここでは、発光動作時にソース電極として機能する主電極の電位をソース電位と呼ぶことにする。）の波形である。
【００１０】
図４に示すように、サブ画素１１の駆動動作は、発光期間と非発光期間に分類される。信号電位Ｖsig の書き込みは、非発光期間に実行される。ただし、薄膜トランジスタの形成に低温ポリシリコンプロセスやアモルファスシリコンプロセスを用いる場合、形成された薄膜トランジスタの閾値特性や移動度特性には特性バラツキが残存することになる。
このため、図４の場合には、１水平走査期間内に特性バラツキを補正する２つの動作期間が設けられている。この２つの動作は、書込制御線ＷＳＬの２つのＨレベル期間で与えられる。
【００１１】
１つ目のＨレベル期間は、閾値補正期間に対応する。なお、閾値補正を実行する前には、その準備動作として、薄膜トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsを閾値電圧Ｖth以上に拡大する動作（すなわち、初期化動作）が実行される。この初期化動作のために、点灯制御線ＬＳＬは、一度、Ｌレベル（Ｖss）に制御される。初期化が完了した時点で、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは閾値電圧Ｖthより広くなる。従って、点灯制御線ＬＳＬが駆動電位Ｖccに制御されることで、駆動トランジスタＮ２に駆動電流が流れ出し、ソース電位Ｖｓが上昇を開始する。
【００１２】
この際、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇはオフセット電位Ｖofs に固定される。従って、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖthに達するまでソース電位Ｖｓの上昇が継続する。なお、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖthに達した時点で、駆動トランジスタＮ２は自動的にカットオフする。これが、閾値補正動作である。
【００１３】
２つ目のＨレベル期間は、移動度補正期間に対応する。なお、この移動度補正動作は、信号電位Ｖsig の書き込み動作を兼用する。
移動度補正は、信号線ＤＴＬに信号電位Ｖsig が印加された状態で、サンプリングトランジスタＮ１がオン動作されることで実行される。なお、移動度μの大きさは、駆動トランジスタＮ２の電流駆動能力を表している。従って、ゲート・ソース間電圧Ｖgsが同じでも、移動度μが大きい駆動トランジスタＮ２の駆動電流Ｉdsの方が、移動度μの小さい駆動トランジスタＮ２の駆動電流Ｉdsよりも大きくなる。そこで、移動度補正によって、移動度μの大きい駆動トランジスタＮ２ほどソース電位Ｖｓを上げて（ゲート・ソース間電圧Ｖgsを小さくして）、移動度μの違いによらず信号電位Ｖsig が同じであれば同じ大きさの駆動電流Ｉdsが流れるように補正する。
【００１４】
ところで、この移動度補正に必要な時間ｔは、信号電位Ｖsig の大きさによって異なっている。
一般に、移動度補正時における駆動電流Ｉdsは、次式で与えられる。
Ｉds＝ｋ・μ・｛Ｖsig ／[１＋（Ｖsig・ｋ・μ・ｔ）／Ｃ]｝2            式（１）
ここで、ｋは定数、Ｃは画素回路の総容量（＝Ｃｓ＋Ｃloed＋Ｃsub ）である。
この際、最適な移動度補正時間ｔは、次式で与えられる。
ｔ＝Ｃ／（ｋ・μ・Ｖsig ）                                            式（２）
なお、式（２）を式（１）に代入すると、補正時間が最適化された際の駆動電流Ｉdsは、次式で与えられることが分かる。
Ｉds＝ｋ・μ・｛Ｖsig ／２｝2                                         式（３）
【００１５】
このことは、計算上導き出される最適な移動度補正時間が、信号電位Ｖsig の半分まで立ち上がるまでゲート・ソース間電圧Ｖgsを持ち上げるのに必要な時間で与えられることを意味する。換言すると、補正電圧ΔＶが、信号電位Ｖsig の半分で与えられることを意味する。
図５に、信号電位Ｖsig と最適な補正時間ｔとの関係を示す。図５に太線で示す曲線が、移動度補正が最適化される際の補正電圧ΔＶと補正時間との関係である。
【００１６】
そこで、移動度補正時には、各信号電位Ｖsig について過不足なく移動度補正が実行されるように、図４（Ａ）に示す２回目のＨレベル期間の立ち下がりを図５の曲線に合わせて変化させている。
図６に、具体例を示す。図６は、信号電位Ｖsig が４Ｖの場合の信号波形例である。なお、図６（Ａ）は、書込制御線ＷＳＬの駆動波形である。図６（Ｂ）は、点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。図６（Ｃ）は、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの波形である、図６（Ｄ）は、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの波形である。
【００１７】
図６（Ｄ）に示すように、移動度補正期間中に、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓは２Ｖ上昇する。従って、移動度補正後の駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは２Ｖ＋Ｖthになる。
これらの補正動作により、閾値補正と移動度補正が最適化される。すなわち、駆動トランジスタＮ２の特性バラツキが、発光輝度差として知覚されないようにできる。
【００１８】
ところが、この駆動方式にも改善すべき問題がある。
その原因は、式（２）に示すように、信号電位Ｖsig が大きいほど、移動度補正時間を短くしなければならない点である。
勿論、このこと自体には問題ないのであるが、昨今のディスプレイパネルには、画質を向上するためにも、更なる高輝度化（コントラスト比の拡大化）が求められている。この高輝度化は、つまるところ信号電位Ｖsig の増加を意味する。
【００１９】
しかしながら、信号電位Ｖsig の増加に伴って移動度補正時間の短縮化がますます進むことになると、駆動パルスに現れる時間のバラツキ（補正時間のバラツキ）が無視できなくなり、表示画面にスジムラ等が発生し易くなる。すなわち、高輝度化がユニフォーミティを低下させ、画質を低下させてしまう原因になる。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
そこで、発明者らは、自発光型の表示パネルモジュールとして、
（ａ）保持容量と、当該保持容量の２つの電極に制御電極と一方の主電極が接続され、当該保持容量に蓄積された電圧に応じた大きさの駆動電流を自発光素子に供給する駆動トランジスタと、駆動トランジスタの制御電極に対する電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタとを有する画素領域を、表示領域内にマトリクス状に配置した画素アレイ部と、
（ｂ）信号線に、対応する電位を印加する第１の駆動部と、
（ｃ）前記サンプリングトランジスタの制御電極に接続される第１の制御線に、電位の書き込みタイミングを与える第２の駆動部と、
（ｄ）駆動トランジスタの他方の主電極に接続される第２の制御線に、３値の駆動電圧を時間順次に与える第３の駆動部であって、非発光期間の開始から駆動トランジスタの特性補正期間が開始されるまでの間、最も電位が低い第１の駆動電圧を印加し、駆動トランジスタの特性補正期間の開始から発光期間の初期期間まで、中間電位に対応する第２の駆動電圧を印加し、発光期間の初期期間の終了後、最も電位が高い第３の駆動電圧を印加する第３の駆動部とを有し、
（ｅ）第２の駆動電圧は、特性補正期間の開始から発光開始直後までの期間、全ての画素の駆動トランジスタを飽和領域で動作させる電圧であり、かつ、発光開始直後以降、ある階調レベル以上の信号電位が印加される画素の駆動トランジスタを線形領域で動作させる電圧に定められており、
（ｆ）前記第３の駆動電圧は、全ての階調レベルについて全画素の駆動トランジスタを、該当する発光期間の間中、飽和領域で動作させる電圧に定められている
ものを提案する。
【００２１】
なお、第２の駆動電圧が印加されている発光期間における輝度レベルと、第３の駆動電圧が印加されている発光期間における輝度レベルの差は２％以下であることが望まれる。更に、第２の駆動電圧が印加されている発光期間長は、全発光時間長の２０％以下であることが望ましい。
結果的に、本来の発光輝度と画質が得られない発光期間が極力短縮される。また、第２の駆動電圧が印加される発光期間と第３の駆動電圧が印加される発光期間の輝度差が小さくなり、駆動電圧の切り替えが視認されずに済む。
【００２２】
なお、第２の駆動部による画素階調に対応する電位の印加期間Ｔが、各電位について計算上導き出される移動度補正時間長ｔよりも長く設定されていることが望ましい。特に、高輝度側において、Ｔ＞ｔを満たすことが望ましい。ここでの移動度補正時間長ｔは、定数をｋ、前記薄膜トランジスタの移動度をμ、画素階調に対応する信号電位をＶsig とするとき、ｔ＝Ｃ／（ｋ・μ・Ｖsig ）で与えられる。
【００２３】
また、発明者らは、前述したパネル構造を有する表示パネルモジュールを搭載した電子機器を提案する。
ここで、電子機器は、表示パネルモジュールと、システム全体の動作を制御するシステム制御部と、システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部とで構成する。
【発明の効果】
【００２４】
発明者らの提案する発明の場合、カップリング動作によって、駆動トランジスタの制御電極電位を発光開始後に上昇させることにより、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を最適化する。すなわち、実際に印加される信号電位よりも高い信号電位が印加される場合と同じ電位関係を、発光開始後のカップリング動作によって実現することができる。
【００２５】
この駆動方法の採用により、移動度補正期間中に実際に印加される信号電位を、カップリングにより追加される電圧分だけ、最終的な電位関係を得るのに必要な信号電位よりも低くすることが可能になる。印加される信号電位が低くなれば、その分、移動度補正に割り当てられる時間長を長くすることができる。
【００２６】
結果的に、高輝度表示に対応しながらも、十分な移動度補正時間を確保することができる画像品質に優れた自発光型の表示パネルを実現することができる。
しかも、移動度補正時間は、最終的な電位関係を得るのに必要な信号電位の補正電圧（実際に印加される信号電位の補正電圧より大きい）を実現するように定められる。
【００２７】
すなわち、移動度補正時間は長くなる方向にシフトする。このことは、高輝度化する場合でも、一定長以上の移動度補正時間を確保できることに通じ、補正時間のバラツキの影響を小さくできることに通じ、ユニフォーミティを向上させることができる。
加えて、第２の駆動電圧の最適化により、カップリング動作直前に駆動トランジスタの寄生する容量成分を最大化することができる。結果的に、カップリングによって重畳できる電圧を最大化できる。このことは、最終的に駆動トランジスタに印加できる電圧の増加につながることになり、更なる高輝度化に有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルモジュールに適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【００２９】
（Ａ）外観構成
この明細書では、画素アレイ部と駆動回路（例えば信号線駆動部及び制御線駆動部等）を、半導体プロセスを用いて同じ基板上に形成する表示パネルモジュールだけでなく、例えば特定用途向けＩＣとして製造された駆動回路を画素アレイ部と同じ基板上に実装したものも表示パネルモジュールと呼ぶ。
【００３０】
図７に、有機ＥＬパネルモジュールの外観構成例を示す。有機ＥＬパネルモジュール２１は、支持基板２３のうち画素アレイ部の形成領域に対向基板２５を貼り合わせた構造を有している。
支持基板２３は、ガラス、プラスチックその他の基材で構成される。対向基板２５も、ガラス、プラスチックその他の透明部材を基材とする。
【００３１】
対向基板２５は、封止材料を挟んで支持基板２３の表面を封止する部材である。
なお、基板の透明性は光の射出側だけ確保されていれば良く、他方の基板側は不透性の基板でも良い。この他、有機ＥＬパネルモジュール２１には、外部信号や駆動電源を入力するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２７が配置される。
【００３２】
（Ｂ）形態例１
（Ｂ−１）システム構成
図８に、この形態例に係る有機ＥＬパネルモジュール３１のシステム構成例を示す。なお、図８には、図１との対応部分に同一符号を付して示す。
図８に示す有機ＥＬパネルモジュール３１は、画素アレイ部３と、その駆動回路である信号線駆動部３３、制御線駆動部３５及び３７で構成される。
以下では、形態例に特有の駆動回路の構成について説明する。
【００３３】
（ａ）信号線駆動部の構成
信号線駆動部３３は、画素データＤinに対応する信号電位Ｖsig を信号線ＤＴＬに供給する駆動デバイスである。
図９に、信号線駆動部３３の内部構成例を示す。信号線駆動部３３は、シフトレジスタ４１、ラッチ部４３、ディジタル／アナログ変換部４５、スイッチ４７で構成される。
シフトレジスタ４１は、クロック信号ＣＫに基づいて、画素データＤinの取り込みタイミングを与える回路デバイスである。
【００３４】
ラッチ部４３は、シフトレジスタ４１から与えられるタイミング信号に基づいて、画素データＤinを対応する記憶領域に取り込む記憶回路である。
ディジタル／アナログ変換回路４５は、ラッチ部４３に取り込まれた画素データＤinを、アナログの信号電圧Ｖsig に変換する回路デバイスである。なお、ディジタル／アナログ変換回路４５の変換特性は、Ｈレベル基準電位ＶrefHとＬレベル基準電位ＶrefLによって規定される。この形態例の場合、後述するように、発光開始後にカップリング動作を通じて駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇを上昇させる駆動方式が用いられる。
【００３５】
このため、ディジタル／アナログ変換回路４５は、後段部分での電位上昇分だけ、発光動作時に想定する信号振幅よりも小さい値になるように調整された信号電位Ｖsig を生成できるものを採用する。具体的には、Ｈレベル基準電位ＶrefHを、カップリング動作後に実現される信号振幅に対して、カップリング電圧分だけ低い電位に設定する。勿論、カップリング電圧が大きいほど、Ｈレベル基準電位ＶrefHを小さくすることができる。
【００３６】
図１０に、この形態例で使用する入出力特性（実線で示す）と、カップリング動作を通じて実質的に実現する入出力特性（破線で示す）との関係を示す。この形態例の場合、ディジタル／アナログ変換回路４５は、最終的に実現したい信号振幅（８Ｖ）に対して信号振幅が１Ｖ狭くなるようにディジタル／アナログ変換する。
【００３７】
このように、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig の信号振幅が最終的に実現した信号振幅よりも狭まる結果、移動度補正時に必要となる時間も、カップリング動作を組み合わせない場合の移動度補正時間よりも長くなる方向にシフトすることができる。
スイッチ４７は、画素階調に対応する信号電位Ｖsig と閾値補正用のオフセット電位Ｖofs のいずれか一方を、選択的に対応する信号線ＤＴＬに出力する回路デバイスである。具体的には、信号電位Ｖsig の書き込み兼移動度補正期間にのみ信号電位Ｖsig が出力される。
【００３８】
（ｂ）第１の制御線駆動部の構成
第１の制御線駆動部３５は、書込制御線ＷＳＬを通じて、サブ画素１１への信号電位Ｖsig
等の書き込みを線順次に制御する駆動デバイスである。
図１１に、第１の制御線駆動部３５の部分構成例を示す。なお、図１１に示す構成は、１つの水平ラインに対応する構成である。従って、画面内の垂直方向には、図１１に示す構成の回路を、垂直解像度数分だけ配置する。
【００３９】
以下では、この部分回路も第１の制御線駆動部３５と呼ぶ。第１の制御線駆動部３５は、シフトレジスタ５１、２段のインバータ回路５３、５５で構成されるバッファ回路、レベルシフタ５７及び１段のインバータ回路５９で構成される出力バッファ回路で構成される。
信号電位Ｖsig に応じた移動度補正時間を実現するための補正曲線は、インバータ回路５９に供給される電源電圧パルスＷＳＰの波形レベルによって実現される。
図１２に、電源電圧パルスＷＳＰの波形例を示す。
【００４０】
図１２に示すように、移動度補正カーブの部分は、各水平ラインの移動度補正期間に位相同期したタイミングに設定される。
この形態例の場合、移動度補正カーブの形状は、印加される信号電位Ｖsig に対して過補正がかかるように設定する。すなわち、式（２）に基づいて算出される補正時間よりも、各信号電位Ｖsig に対する補正時間が長くなるように、移動度補正カーブの形状を設定する。
【００４１】
図１３に、この形態例で使用する移動度補正カーブの形状を太線で示す。この形態例の場合、信号電位Ｖsig の最大値は７Ｖである。従って、図１３では、７Ｖに対応する位置から移動度補正カーブが表されている。図１３に示す移動度補正カーブを見て分かるように、各信号電位Ｖsig に対応する移動度補正時間が長くなることが分かる。勿論、カップリング電圧を大きくできるほど、Ｈレベル基準電位ＶrefHを小さくして、移動度補正時間を長くできる。なお、移動度補正時間を長くできるほど、輝度レベルのアップに有利である。
【００４２】
ところで、図１３に示す移動度補正カーブは、式（２）で算出される補正時間よりも長い位置を通るように設定される。
その理由は、後述するカップリング動作との組み合わせ動作の影響を考慮する必要があるためである。
この形態例の場合、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig の振幅が７Ｖに圧縮されているが、最終的には、信号振幅が８Ｖの場合と同じ駆動状態を実現することにある。
【００４３】
従って、図１３では、信号線ＤＴＬに印加される信号電位Ｖsig が７Ｖの場合でも、８Ｖの信号電位Ｖsig が印加される場合と同じ移動度補正量（すなわち、４Ｖ）が確保できるように移動度補正カーブを定めている。同様に、６Ｖの信号電位Ｖsig に対しては、信号電位Ｖsig が７Ｖの場合の移動度補正量（すなわち、３．５Ｖ）を実現する補正時間を定めている。
【００４４】
また、５Ｖの信号電位Ｖsig に対しては、信号電位Ｖsig が６Ｖの場合の移動度補正量（すなわち、３Ｖ）を実現する補正時間を定めている。また、４Ｖの信号電位Ｖsig に対しては、信号電位Ｖsig が５Ｖの場合の移動度補正量（すなわち、２．５Ｖ）を実現する補正時間を定めている。また、３Ｖの信号電位Ｖsig に対しては、信号電位Ｖsig が４Ｖの場合の移動度補正量（すなわち、２Ｖ）を実現する補正時間を定めている。また、２Ｖの信号電位Ｖsig に対しては、信号電位Ｖsig が３Ｖの場合の移動度補正量（すなわち、１．５Ｖ）を実現する補正時間を定めている。
【００４５】
図１４に、第１の制御線駆動部３５に供給される電源電圧パルスＷＳＰを発生する回路デバイスの構成を示す。
電源電圧パルスＷＳＰは、タイミングジェネレータ６１と駆動電源発生部６３により生成される。タイミングジェネレータ６１は、制御線駆動部３５だけでなく、他の制御線駆動部にも駆動パルス（矩形波）を供給する回路デバイスである。なお、駆動パルスの立ち下がりタイミングは、移動度補正の開始タイミングに対して所定時間だけ遅れたタイミングに設定される。
【００４６】
駆動電源発生部６３は、矩形波状の駆動パルスに基づいて、立ち下がり時の波形が２段階に折れ曲がる駆動電圧パルスＷＳＰ（図１２）を発生する回路デバイスである。
図１５に、駆動電源発生部６３の回路例を示す。図１５に示す駆動電源発生部６３は、移動度補正カーブに近似する疑似的な駆動電圧パルスＷＳＰを発生する回路デバイスの構成例である。図１５に示す駆動電源発生部６３は、２個のトランジスタと、１個の容量と、３個の固定抵抗と、２個の可変抵抗により構成される。
【００４７】
駆動電源発生部６３は、駆動パルスをアナログ処理し、立ち下がり時の波形が２段階に折れ曲がる電源電圧パルスＷＳＰを発生する。すなわち、１段目の立ち下がり波形の傾斜角度が大きく、２段目の立ち下がり波形の傾斜が小さい電源電圧パルスＷＳＰを発生する。勿論、多段階で立ち下がる波形を生成できる回路構成を採用すれば、それだけ理想的な移動度補正カーブに近い電源電圧パルスＷＳＰを生成することができる。
【００４８】
（ｃ）第２の制御線駆動部の構成
第２の制御線駆動部３７は、点灯制御線ＬＳＬを通じて、サブ画素１１への駆動電源の供給と停止を切り替え制御する駆動デバイスである。なお、この形態例の場合、駆動電源の供給は３段階に行うことに特徴がある。すなわち、第２の制御線駆動部３７は、第１の発光電位Ｖcc1 と、第２の発光電位Ｖcc2  と、非発光電位Ｖssの３値によって点灯制御線ＬＳＬを駆動する。
【００４９】
図１６に、第２の制御線駆動部３７の部分回路構成を示す。なお、図１６に示す構成は、１つの水平ラインに対応する出力段部分の構成である。従って、画面内の垂直方向には、図１６に示す構成の回路が垂直解像度数分だけ配置される。以下では、この部分回路も第２の制御線駆動部３７と呼ぶ。
図１６の場合、第２の制御線駆動部３７は、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ１１の一方の主電極をスキャン電源線Ｖｃｃｐに接続し、他方の主電極を点灯制御線ＬＳＬに接続する。この点灯制御線ＬＳＬには、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ１１の一方の主電極を接続する。なお、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ１１の他方の主電極は接地電源ＶＳＳに接続される。
【００５０】
因みに、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ１１のゲート電極とＮチャネル型の薄膜トランジスタＮ１１のゲート電極には、共通の制御信号線Ｓcnt1が接続される。これら２つの薄膜トランジスタはチャネルの特性が異なるため、一方がオン動作しているとき他方はオフ動作する。すなわち、相補動作する。
この形態例の場合、制御信号線Ｓcnt1の電位は、前段に位置するシフトレジスタのうち対応する出力段の出力パルスを通じて２値的に制御される。
一方、スキャン電源線Ｖｃｃｐの電位も、前段に位置するシフトレジスタのうち対応する出力段の出力パルスを通じて２値的に制御される。
【００５１】
この形態例では、第１の発光電位Ｖcc1 （特許請求の範囲における「第２の駆動電圧」に対応する。）と第２の発光電位Ｖcc2  （特許請求の範囲における「第３の駆動電圧」に対応する。）の２値で駆動する。２種類の発光電位を使用するのは、発光期間中に第１の発光電位Ｖcc1 から第２の発光電位Ｖcc2  に切り替えることで、駆動トランジスタＮ２のゲート電極配線にカップリング電圧ΔＶｇを重畳させることができるためである。カップリング電圧ΔＶｇを重畳して駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsを拡大すれば、信号線ＤＴＬに印加される信号振幅よりも広い信号振幅による駆動が可能になる。
【００５２】
この形態例の場合、第１の発光電位Ｖcc1 は、以下の条件を満たす電圧に設定する。
（１）特性補正期間の開始から発光開始直後まで、全ての画素の駆動トランジスタＮ２を飽和領域で動作させる電圧
（２）発光開始直後以降は、ある階調レベル以上の信号電位Ｖsig が印加される画素の駆動トランジスタＮ２については、線形領域で動作させる電圧
【００５３】
ここで、１つ目の条件は、移動度補正を適正に実行するための条件である。この条件は、最終的な発光状態が、駆動トランジスタＮ２を飽和状態で動作させた状態で実行されることから導き出される。
２つ目の条件は、カップリング電圧の最大化を実現するための条件である。この条件は、駆動トランジスタＮ２に寄生する容量成分が、飽和領域で動作する場合よりも線形領域で動作する場合の方が大きくなることから導き出される。
【００５４】
例えば点灯制御線ＬＳＬの電位を、発光期間中に、第１の発光電位Ｖcc1 から第２の発光電位Ｖcc2  に切り替える場合において、全画素の駆動トランジスタＮ２が全階調レベルについて飽和領域で動作する場合を考える。この場合、ゲート電極に重畳されるカップリング電圧ΔＶｇ0 は、次式で与えられる。
ΔＶｇ0＝｛Ｃｃ／（Ｃｃ＋Ｃｓ）｝・（Ｖcc2 −Ｖcc1）                   式（４）
因みに、Ｃｃは、駆動トランジスタＮ２のゲート・ドレイン間に寄生する容量の容量値である。
【００５５】
この式（４）から、カップリング電圧ΔＶｇは、ゲート・ドレイン間容量Ｃｃの大きさに比例することが分かる。このことから、カップリング電圧ΔＶｇの増加には、ゲート・ドレイン間容量Ｃｃの容量値を増加させれば良いことが分かる。例えばゲート電極とドレイン電極の構造上のオーバーラップを増加させれば、ゲート・ドレイン間容量Ｃｃの容量値を増加させることができる。しかし、この方法は、レイアウトの観点や薄膜トランジスタの特性の観点から容易に選択することができない。
【００５６】
そこで、この形態例では、前述した２つ目の条件に示すように、少なくとも高輝度レベルに対応する画素の薄膜トランジスタＮ２については、発光開始から一定期間が経過した後に、駆動トランジスタＮ２が線形領域で動作するように第１の発光電位Ｖcc1 を設定する。
この場合、点灯制御線ＬＳＬ側からは、ゲート・ドレイン間容量（すなわち、拡散容量）Ｃｃに加え、ゲート・チャネル間容量（すなわち、ゲート容量）Ｃgsの半分が、見える状態になる。
【００５７】
従って、線形領域で動作する駆動トランジスタＮ２の寄生容量は、Ｃｃ＋Ｃgs/2で与えられる。なお、ゲート容量Ｃgsの大きさは、ゲート・ドレイン間に寄生する拡散容量Ｃｃの１０倍以上大きい。従って、この形態例のように、第１の発光電位Ｖcc1 が印加される発光期間の少なくとも後半部分に、高輝度画素に対応する駆動トランジスタＮ２を線形領域で動作させることで、カップリング電圧ΔＶｇを大幅に増加させることが可能になる。勿論、この寄生容量の増加は駆動方式にのみ依存し、画素構造は従前のものをそのまま使用することができる。
【００５８】
さて、このように駆動トランジスタＮ２を線形領域で動作させる場合、ゲート電極に重畳されるカップリング電圧ΔＶｇは、次式で与えられる。
ΔＶg＝｛(Ｃc＋Ｃgs/2）/（(Ｃc＋Ｃgs/2）＋Ｃｓ）｝・（Ｖcc2 −Ｖcc1）  式（５）
なお、２つの目の条件では、線形領域で動作させる電圧を、ある階調レベル以上の信号電位Ｖsig が印加される画素の駆動トランジスタＮ２に限定しているが、この駆動技術は、高輝度化を目的とする技術であるためである。ただし、階調レベルの境界値を厳密に定めることに意味はない。具体的な階調レベルは、各パネルモジュールに応じて最適化すれば良いためである。
【００５９】
以下では、第１の発光電位Ｖcc1 の具体例を示す。例えば信号電位Ｖsig の最大値（白レベル）をＶsig(max)とする場合、駆動トランジスタＮ２の閾値電圧をＶth(N2)とすると、第１の発光電位Ｖcc1 は、次式で与えられる電位まで低下させることができる。
Ｖcc1 ＝Ｖsig(max)−Ｖth(N2)                                          式（６）
すなわち、第１の発光電位Ｖcc1 がＶsig(max)−Ｖth(N2)以上である限り、全ての信号電位Ｖsig （グレーレベルから白レベルまでの信号電位）について、駆動トランジスタＮ２を線形領域で駆動することが可能となる。
【００６０】
次に、第２の発光電位Ｖcc2  に求められる駆動条件を説明する。第２の発光電位Ｖcc2  は、全ての階調レベルについて全画素の駆動トランジスタを、該当する発光期間の間中、飽和領域で動作させる電圧であることが求められる。
【００６１】
図１７に、第２の制御線駆動部３７の駆動波形と画素回路の動作期間との関係を示す。図１７（Ａ）は、スキャン電源線Ｖｃｃｐの駆動波形である。図１７（Ｂ）は、制御信号線Ｓcnt1の駆動波形である。図１７（Ｃ）は、点灯制御線ＬＳＬに現れる電位波形である。
図１７に示すように、スキャン電源線ＶｃｃｐがＨレベルの期間、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ１１がオン動作し、点灯制御線ＬＳＬの電位をＬレベルに制御する。また、スキャン電源線ＶｃｃｐがＬレベルの期間、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ１１がオン動作し、スキャン電源線Ｖｃｃｐの電位が点灯制御線ＬＳＬに出力される。
【００６２】
なお、第１の発光電位Ｖcc1 の印加期間Ｔ１と第２の発光電位Ｖcc2  の印加期間Ｔ２では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる駆動電流Ｉdsに違いがあり、画質や輝度レベルに差が発生する。なぜなら、線形領域で動作している駆動トランジスタＮ２は、飽和領域で動作する場合に比して出力電流が低く、しかも補正効果が十分でないためである。しかも、この形態例の場合には、第２の発光電位Ｖcc2  の印加開始によって、動作状態が飽和領域に遷移するだけでなく、カップリング電圧分だけ発光輝度が増加する。
【００６３】
このため、第１の発光電位Ｖcc1 は基本的に短いほど良い。この形態例の場合、例えば１水平走査期間から１０水平走査期間程度の範囲で設定する。もっとも、ここでの期間長は一例である。実用上の印加期間Ｔ１は、全発光期間長の２０％以下であることが望ましい。なお、ここでの期間長は、実期間長を想定する。従って、点滅駆動時には、実際に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが点灯している期間長の総和をいう。
【００６４】
また、印加期間Ｔ１と印加期間Ｔ２の各期間長は、印加期間Ｔ１と印加期間Ｔ２の輝度差が画面上で視認されないことが求められる。輝度差の視認は、表示品質を大きく損なうためである。従って、印加期間Ｔ１と印加期間Ｔ２の輝度差は、経験上２％以下であることが望ましい。
【００６５】
（Ｂ−２）駆動動作
以下では、この形態例に係る有機ＥＬパネルモジュール３１の駆動動作例を説明する。
図１８に、あるサブ画素１１に着目した内部電位の変化を示す。図１８（Ａ）は、書込制御線ＷＳＬの駆動波形である。図１８（Ｂ）は、信号線ＤＴＬの駆動波形である。図１８（Ｃ）は、点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。図１８（Ｄ）は、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの電位変化を示す波形である。図１８（Ｅ）は、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの電位変化を示す波形である。
【００６６】
（ａ）初期化動作
発光期間が終了し、非発光期間が開始すると、信号電位Ｖsig の新たな書き込みに備えてサブ画素１１の初期化動作が実行される。このとき、点灯制御線ＬＳＬの電位は接地電位（すなわち、ＶＳＳ）に制御される。
図１９に、この動作時におけるサブ画素１１の等価回路を示す。図１９に示すように、サンプリングトランジスタＮ１はオフ制御されている。
【００６７】
このとき、駆動トランジスタＮ２のゲート電極と点灯制御線ＬＳＬの間の電圧が閾値電圧Ｖthより大きくなっている。このため、駆動トランジスタＮ２がオン動作し、保持容量Ｃｓに保持されていた電荷が引き出される。この電荷の引出しに伴い、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの接続側の電位）は接地電位ＶＳＳになる。また、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇも、ソース電位Ｖｓの電位低下に引きずられるように低下する。
【００６８】
（ｂ）閾値補正準備及び閾値補正動作
初期化動作が完了すると、サンプリングトランジスタＮ１がオン動作し、駆動トランジスタＮ２のゲート電極に、基準電位としてのオフセット電位Ｖofs を印加する状態になる。図２０に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。このとき、保持容量Ｃｓは、Ｖofs −ＶＳＳで与えられる電圧が印加された状態に制御される。この電圧は、駆動トランジスタＮ２の閾値電圧Ｖth(N2)より広い状態である。この電位状態によって、閾値補正準備動作が完了する。
【００６９】
この電位状態において、点灯制御線ＬＳＬの電位が印加される３つの電位のうちの中間電位に当たる第１の発光電位Ｖcc1 に切り替わる。図２１に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。このとき、駆動トランジスタＮ２のドレイン・ソース間電圧Ｖdsが広がる。このため、駆動トランジスタＮ２がオン状態になり、点灯制御線ＬＳＬより保持容量Ｃｓの方向に電流が流れ込み、保持容量Ｃｓに保持されている電荷を中和する。これに伴い、駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。
【００７０】
なお、このソース電位Ｖｓの上昇は、保持容量Ｃｓに保持される電圧が、駆動トランジスタＮ２の閾値電圧Ｖth（N2）に達した時点で停止する。これは、駆動トランジスタＮ２が自動的にカットオフするためである。
やがて、閾値補正期間が終了すると、図２２に示すように、サンプリングトランジスタＮ１がオフ制御される。勿論、駆動トランジスタＮ２がカットオフした時点の電位関係はそのまま保持される。
【００７１】
（ｃ）信号電位の書き込み兼移動度補正動作
閾値補正動作が完了すると、信号線ＤＴＬの電位はオフセット電位Ｖofs から信号電位Ｖsig に切り替わる。この後、書込制御線ＷＳＬがＨレベルに制御され、サンプリングトランジスタＮ１がオン制御される。図２３に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。信号電位Ｖsig の書き込みによって、保持容量Ｃｓの電圧は再び閾値電圧Ｖth(N2)より拡大し、駆動トランジスタＮ２がオン制御される。
【００７２】
これにより、駆動電流Ｉdsの供給が開始される。なお、駆動電流Ｉdsは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量Ｃel等を充電するように流れ込む。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極電位（駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓ）は、移動度補正電圧ΔＶだけ上昇する。この移動度補正電圧ΔＶは、一般には信号電位Ｖsig の半分である。ただし、この形態例の場合には、移動度補正時間Ｔが、信号電位Ｖsig
より計算上求められる移動度補正時間ｔより長く制御されている（図１８（Ａ））。従って、移動度補正電圧ΔＶは、実際に印加されている信号電位Ｖsig の半分よりも大きな値になる。
【００７３】
また、ここでの移動度補正電圧ΔＶは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧Ｖth(oled)を超えないように定められている。
従って、移動度補正動作中に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがオン動作することはない。すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは非点灯のままである。
【００７４】
（ｄ）発光動作（カップリング動作を含む）
移動度補正動作が完了すると、サンプリングトランジスタＮ１がオフ制御される。図２４に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。
このとき、駆動トランジスタＮ２のゲート電極は、フローティング状態になる。従って、ソース電位Ｖｓの上昇に伴って、駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇもブートストラップ動作により上昇する。そして、ソース電位Ｖｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧Ｖth(oled)に達した時点で、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤはオン動作し、保持容量Ｃｓに保持されている電圧Ｖgsに応じて定まる駆動電流Ｉdsに応じた輝度レベルで発光を開始する。
【００７５】
この形態例では、発光開始時における駆動トランジスタＮ２のゲート電位ＶｇをＶｘとする。この際、少なくとも高輝度画素の駆動トランジスタＮ２については、線形領域で動作している。従って、点灯制御線ＬＳＬから見える駆動トランジスタＮ２の寄生容量の容量値は、Ｃｃ＋Ｃgs/2で与えられる。
やがて、点灯制御線ＬＳＬの電位が第２の発光電位Ｖcc2  に切り替わる。第２の発光電位Ｖcc2  は、点灯制御線ＬＳＬに印加される３つの電位のうち最も大きい電位である。
【００７６】
図２５に、この時点におけるサブ画素１１の等価回路を示す。点灯制御線ＬＳＬの電位が第１の発光電位Ｖcc1 から第２の発光電位Ｖcc2  に切り替わると、切り替わりタイミングにおける電位変化（＝Ｖcc2  −Ｖcc1 ）が、駆動トランジスタＮ２に寄生する容量Ｃｃ＋Ｃgs/2を通じてゲート電極に飛び込む。
【００７７】
ここでカップリング電圧をΔＶｇとすると、ゲート電位Ｖｇは、ＶｘからＶｘ＋ΔＶｇに変化する。
ところで、ゲート電位Ｖｇが上昇する一方で、ソース電位Ｖｓはほとんど上昇しない。基本的に、ソース電位Ｖｓは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧Ｖth(oled)で決まるためである。
【００７８】
従って、保持容量Ｃｓの保持電圧もＶgsからＶgs’（＝Ｖgs＋ΔＶｇ）に拡大する。このように、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧がＶgs’に拡大すると、駆動電流もＩdsからIds’に増加する。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度は、信号電位Ｖsig で与えられる輝度レベルよりも高い輝度レベルで発光する状態になる。
【００７９】
もっとも、輝度レベルが高くなっても、移動度補正にバラツキが出たのでは、ユニフォーミティの劣化による画質の低下を避け得ない。
ただし、この形態例の場合、移動度補正の際の移動度補正電圧ΔＶを、このカップリング動作後のゲート・ソース間電圧Ｖgs’を想定して過剰に補正している。従って、カップリング動作後の電位関係は、カップリング動作後のゲート・ソース間電圧Ｖgs’に対して適正な関係にある。
【００８０】
図２６を用いて、カップリング動作後の電位関係が適正になることを説明する。図２６（Ａ）は書込制御線ＷＳＬの駆動波形であり、図２６（Ｂ）は点灯制御線ＬＳＬの駆動波形である。また、図２６（Ｃ）は駆動トランジスタＮ２のゲート電位Ｖｇの電位変化の波形であり、図２６（Ｄ）は駆動トランジスタＮ２のソース電位Ｖｓの電位変化の波形である。
【００８１】
なお、図２６においては、実際に供給される信号電位Ｖsig が３Ｖである場合について表している。図２６に示すように、移動度補正時間Ｔは、計算上の移動度補正時間ｔよりも長く設定されている。従って、信号電位Ｖsig が３Ｖの場合における計算上の移動度補正電圧は１．５Ｖであるが、この例の場合には移動度補正電圧が２Ｖに達している。すなわち、信号電位Ｖsig に対して過補正が掛った状態にある。このとき、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは１Ｖ＋Ｖthである。
【００８２】
この状態で点灯制御線ＬＳＬの電位が上昇すると、容量カップリングによって、駆動トランジスタＮ２のゲート電極に１Ｖの電圧が加えられる。
結果的に、駆動トランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは２Ｖ＋Ｖthに拡大する。この電位状態は、信号線ＤＴＬに４Ｖの信号電位Ｖsig が印加された状態で、適正な移動度補正が実行された結果と同じである。
【００８３】
（Ｂ−３）形態例の効果
以上説明したように、この形態例の場合には、点灯制御線ＬＳＬを３値の電圧で駆動し、閾値補正と移動度補正には中間電位（第１の発光電位Ｖcc1 ）を利用し、発光期間が開始された後に最大電位（第２の発光電位Ｖcc2  ）を印加する駆動方式を採用する。すなわち、点灯制御線ＬＳＬの電位が中間電位から最大電位に切り替わる際の電位変化を、カップリング動作を通じて薄膜トランジスタのゲート電極に重畳する駆動方式を採用する。
また、移動度補正時間をカップリングによる重畳電圧分を考慮して、実際に印加される信号電位Ｖsig における計算上の移動度補正時間よりも長くする駆動方式を採用する。
【００８４】
この駆動方式の採用により、一般的な駆動方式よりも高輝度での画像表示を、当該表示に必要なゲート・ソース間電圧Ｖgsに見合う移動度補正電圧を適切に確保しながら実現することができる。
かくして、一般的な駆動方式に比してユニフォーミティが高く、かつ高輝度が得られる画像品質の高い有機ＥＬパネルモジュール３１を実現することができる。
【００８５】
しかも、カップリング動作によって駆動トランジスタＮ２のゲート電極配線に重畳されるカップリング電圧ΔＶｇは、駆動トランジスタＮ２を第１の発光電位Ｖcc1 で飽和動作させる場合に比して大きい。従って、第１及び第２の発光電位が全ての駆動トランジスタＮ２を飽和領域で動作できる電位に設定されている場合よりも、輝度レベルの高い有機ＥＬディスプレイパネルを画素構造に変更を加えることなく実現できる。
【００８６】
（Ｃ）他の形態例
（Ｃ−１）制御線駆動部の他の構成例
前述した形態例１の場合には、点灯制御線ＬＳＬの駆動部として、図１６に示す回路構成の制御線駆動部３７を例示した。
しかし、同様の制御は、他の回路構成によっても実現できる。図２７に、点灯制御線ＬＳＬの駆動に適する制御線駆動部３７の他の構成例を示す。
【００８７】
図２７に示す制御線駆動部３７では、点灯制御線ＬＳＬに印加する３値の電位ＶＳＳ、Ｖcc1 、Ｖcc2  のそれぞれについて１つのスイッチ（薄膜トランジスタ）を配置する構成を採用する。
図２７に示す制御線駆動部３７の場合、点灯制御線ＬＳＬに対して、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ２１とＰ２２が並列に接続される。
このうち、薄膜トランジスタＰ２１の一方の主電極は、第１の発光電位Ｖcc1 が印加される電源線に接続され、他方の主電極は点灯制御線ＬＳＬに接続される。また、薄膜トランジスタＰ２２の一方の主電極は、第２の発光電位Ｖcc2  が印加される電源線に接続され、他方の主電極を点灯制御線ＬＳＬに接続される。
【００８８】
また、これら２つの薄膜トランジスタＰ２１、Ｐ２２に対して直列にＮチャネル型の薄膜トランジスタＮ２１が接続され、他方の主電極は接地電源ＶＳＳに接続される。
この図２７に示す制御線駆動部３７の場合、個々の薄膜トランジスタＰ２１、Ｐ２２及びＮ２１のゲート電極には、それぞれ専用の制御信号線Ｓcnt11 、Ｓcnt12 、Ｓcnt13
が接続される。
因みに、薄膜トランジスタＰ２１のゲート電極には制御信号線Ｓcnt11 が接続され、薄膜トランジスタＰ２２のゲート電極には制御信号線Ｓcnt12 が接続され、薄膜トランジスタＮ２１のゲート電極には制御信号線Ｓcnt13 が接続される。
【００８９】
これらの制御信号線Ｓcnt11 、Ｓcnt12 、Ｓcnt13 の電位についても、前段に位置するシフトレジスタのうち対応する出力段の出力パルスを通じて２値的に制御される。
図２８に、制御線駆動部３７の駆動波形と画素回路の動作期間との関係を示す。図２８（Ａ）は、薄膜トランジスタＰ２１を駆動する制御信号線Ｓcnt11 の駆動波形である。図２８（Ｂ）は、薄膜トランジスタＰ２２を駆動する制御信号線Ｓcnt12 の駆動波形である。図２８（Ｃ）は、薄膜トランジスタＮ２１を駆動する制御信号線Ｓcnt13 の駆動波形である。図２８（Ｄ）は、点灯制御線ＬＳＬに現れる電位波形である。
【００９０】
この回路構成の場合、まず、制御信号線Ｓcnt13 がＨレベルの期間、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタＮ２１がオン動作し、点灯制御線ＬＳＬの電位をＬレベルに制御する。次に、制御信号線Ｓcnt13 がＬレベルに切り替わり、この切り替わりに連動して、制御信号線Ｓcnt11 がＨレベルからＬレベルに変化する。このとき、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ２１がオン動作し、点灯制御線ＬＳＬには第１の発光電位Ｖcc1 が出力される。
【００９１】
続いて、制御信号線Ｓcnt13 が再びＨベルに切り替わり、この切り替わりに連動して、制御信号線Ｓcnt12 がＨレベルからＬレベルに変化する。このとき、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタＰ２２がオン動作し、点灯制御線ＬＳＬには第２の発光電位Ｖcc2  が出力される。
かくして、図２８（Ｄ）に示す電位変化は、図１７（Ｃ）と全く同じ電位変化となる。
【００９２】
（Ｃ−２）信号線駆動部の他の構成
前述した形態例の説明では、カップリング動作時の電位上昇分だけ、信号線駆動部３３のディジタル／アナログ変換回路４５では、信号振幅を一般的な駆動方式よりも小さくした。しかしながら、信号線駆動部３３の構成は、現在一般的に使用されている信号線駆動部５をそのまま使用しても良い。
【００９３】
（Ｃ−３）移動度補正時の他のパルス波形
前述の形態例においては、移動度補正動作の実行を指示する制御パルスの立ち下げ波形を移動度補正カーブに一致させる場合について説明した。
しかし、実際の駆動回路では、書込制御線ＷＳＬに矩形波形状の制御パルスを入力したとしても、立ち下がり時の波形に鈍りが現われることが知られている。従って、立ち下げ時に出現する鈍り量によっては、制御パルスとして矩形波を使用しても良い。
【００９４】
（Ｃ−４）製品例
（ａ）電子機器
前述の説明では、有機ＥＬパネルモジュールについて発明を説明した。しかし、前述した有機ＥＬパネルモジュールは、各種の電子機器に実装した商品形態でも流通される。以下、他の電子機器への実装例を示す。
【００９５】
図２９に、電子機器７１の概念構成例を示す。電子機器７１は、前述した駆動回路を搭載する表示パネルモジュール７３、システム制御部７５及び操作入力部７７で構成される。システム制御部７５で実行される処理内容は、電子機器７１の商品形態により異なる。また、操作入力部７７は、システム制御部７５に対する操作入力を受け付けるデバイスである。操作入力部７７には、例えばスイッチ、ボタンその他の機械式インターフェース、グラフィックインターフェース等が用いられる。
【００９６】
図３０に、電子機器がテレビジョン受像機の場合の外観例を示す。テレビジョン受像機８１の筐体正面には、フロントパネル８３及びフィルターガラス８５等で構成される表示画面８７が配置される。表示画面８７の部分が、図２９の表示パネルモジュール７３に対応する。
また、この種の電子機器には、例えばデジタルカメラが想定される。図３１に、デジタルカメラ９１の外観例を示す。図３１（Ａ）が正面側（被写体側）の外観例であり、図３１（Ｂ）が背面側（撮影者側）の外観例である。
【００９７】
デジタルカメラ９１は、保護カバー９３、撮像レンズ部９５、表示画面９７、コントロールスイッチ９９及びシャッターボタン１０１で構成される。このうち、表示画面９７の部分が、図２９の表示パネルモジュール７３に対応する。
また、この種の電子機器には、例えばビデオカメラが想定される。図３２に、ビデオカメラ１１１の外観例を示す。
ビデオカメラ１１１は、本体１１３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ１１５、撮影のスタート／ストップスイッチ１１７及び表示画面１１９で構成される。このうち、表示画面１１９の部分が、図２９の表示パネルモジュール７３に対応する。
【００９８】
また、この種の電子機器には、例えば携帯端末装置が想定される。図３３に、携帯端末装置としての携帯電話機１２１の外観例を示す。図３３に示す携帯電話機１２１は折りたたみ式であり、図３３（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図３３（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
携帯電話機１２１は、上側筐体１２３、下側筐体１２５、連結部（この例ではヒンジ部）１２７、表示画面１２９、補助表示画面１３１、ピクチャーライト１３３及び撮像レンズ１３５で構成される。このうち、表示画面１２９及び補助表示画面１３１の部分が、図２９の表示パネルモジュール７３に対応する。
【００９９】
また、この種の電子機器には、例えばコンピュータが想定される。図３４に、ノート型コンピュータ１４１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ１４１は、下型筐体１４３、上側筐体１４５、キーボード１４７及び表示画面１４９で構成される。このうち、表示画面１４９の部分が、図２９の表示パネルモジュール７３に対応する。
これらの他、電子機器には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
【０１００】
（Ｃ−５）他の表示デバイス例
前述の形態例においては、発明を有機ＥＬパネルモジュールに適用する場合について説明した。
しかし、前述した電源系回路の構成は、その他の自発光型の表示パネルモジュールにも適用することができる。
例えばＬＥＤをマトリクス状に配列する表示装置やダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示パネルモジュールに対しても適用することができる。例えば無機ＥＬパネルにも適用できる。
【０１０１】
（Ｃ−６）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】有機ＥＬパネルモジュールのシステム構造を説明する図である。
【図２】サブ画素の画素配列を説明する図である。
【図３】サブ画素の構造例を説明する図である。
【図４】サブ画素の駆動波形例を説明する図である。
【図５】計算上導き出される移動度補正カーブの形状を説明する図である。
【図６】駆動トランジスタのゲート・ソース間に現われる電圧変化を説明する図である。
【図７】有機ＥＬパネルモジュールの外観構成例を示す図である。
【図８】形態例１に係る有機ＥＬパネルモジュールのシステム構造例を示す図である。
【図９】信号線駆動部の構成例を示す図である。
【図１０】実際に使用する入出力特性（実線で示す）と最終的に実現したい入出力特性（破線で示す）の関係を説明する図である。
【図１１】書込制御線を駆動する制御線駆動部の回路構成例を説明する図である。
【図１２】電源電圧パルスの波形例を説明する図である。
【図１３】この形態例で使用する移動度補正カーブの形状例を示す図である。
【図１４】電源電圧パルスを発生する回路デバイスの構成例を示す図である。
【図１５】駆動電源発生部の構成例を示す図である。
【図１６】点灯制御線を駆動する制御線駆動部の回路構成例を説明する図である。
【図１７】点灯制御線の駆動信号波形を示す図である。
【図１８】形態例１に係る駆動波形例を説明する図である。
【図１９】初期化動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。
【図２０】閾値補正準備動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。
【図２１】閾値補正動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。
【図２２】閾値補正動作が完了した後のサブ画素の等価回路を示す図である。
【図２３】信号電位の書き込み兼移動度補正動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。
【図２４】発光動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。
【図２５】カップリング動作時におけるサブ画素の等価回路を示す図である。
【図２６】形態例に係る駆動動作の適用時に、駆動トランジスタのゲート・ソース間に現われる電圧変化を説明する図である。
【図２７】点灯制御線を駆動する制御線駆動部の他の回路構成例を説明する図である。
【図２８】図２７に示す制御線駆動部の制御信号と点灯制御線の電位変化との関係を説明する図である。
【図２９】電子機器の概念構成例を示す図である。
【図３０】電子機器の商品例を示す図である。
【図３１】電子機器の商品例を示す図である。
【図３２】電子機器の商品例を示す図である。
【図３３】電子機器の商品例を示す図である。
【図３４】電子機器の商品例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０３】
３          画素アレイ部
３１        有機ＥＬパネルモジュール
３３        信号線駆動部
３５        制御線駆動部
３７        制御線駆動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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