(57)【要約】【課題】保護ダイオードの降伏電圧のバラツキを低減する。【解決手段】Ｐ型低濃度拡散領域７とＮ型低濃度拡散領域１１の間にＰ型第２低濃度拡散領域９を備えている。Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｎ型低濃度拡散領域１１を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域７を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。Ｐ型第２低濃度拡散領域９はＰ型低濃度拡散領域７よりも薄いＰ型不純物濃度をもつ。Ｐ型第２低濃度拡散領域９の深さは、低濃度拡散領域７，１１の深さと同じである。【選択図】図１
2010219438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一表面に形成されたＰ型低濃度拡散領域及びＮ型低濃度拡散領域と、Ｐ型低濃度拡散領域の表面に形成されたＰ型高濃度拡散領域と、Ｎ型低濃度拡散領域の表面に形成されたＮ型高濃度拡散領域とをもつ保護ダイオードを備えた半導体装置において、
前記保護ダイオードは、前記Ｐ型低濃度拡散領域と前記Ｎ型低濃度拡散領域の間の前記半導体基板の前記一表面に形成されたＰ型又はＮ型の第２低濃度拡散領域を備え、
前記第２低濃度拡散領域は、前記Ｎ型低濃度拡散領域を形成するためのＮ型不純物イオンと前記Ｐ型低濃度拡散領域を形成するためのＰ型不純物イオンが前記半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものであり、前記第２低濃度拡散領域がＰ型の場合には前記Ｐ型低濃度拡散領域よりも薄い実効的なＰ型不純物濃度をもち、前記第２低濃度拡散領域がＮ型の場合には前記Ｎ型低濃度拡散領域よりも薄い実効的なＮ型不純物濃度をもち、前記Ｐ型高濃度拡散領域及び前記Ｎ型高濃度拡散領域とは間隔をもって配置されており、
前記第２低濃度拡散領域の深さは、前記Ｐ型低濃度拡散領域の深さもしくは前記Ｎ型低濃度拡散領域の深さ又はその両方と同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板の一表面に形成されたＰ型低濃度拡散領域及びＮ型低濃度拡散領域と、Ｐ型低濃度拡散領域の表面に形成されたＰ型高濃度拡散領域と、Ｎ型低濃度拡散領域の表面に形成されたＮ型高濃度拡散領域とをもつ保護ダイオードを備えた半導体装置の製造方法であって、以下の工程（Ａ）〜（Ｆ）をその順に含む半導体装置の製造方法。
（Ａ）写真製版技術を用いて第１開口部をもつ第１レジストパターンを半導体基板上に形成する第１レジストパターン形成工程、
（Ｂ）イオン注入法を用いて、前記第１レジストパターンをマスクにして前記半導体基板にＰ型低濃度拡散領域又はＮ型低濃度拡散領域を形成するためのＰ型又はＮ型の第１不純物イオンを注入する第１注入工程、
（Ｃ）前記第１レジストパターンを除去した後、写真製版技術を用いて、第２開口部をもつ第２レジストパターンを前記半導体基板上に形成し、後工程（Ｅ）で形成される第２低濃度拡散領域の深さが前記Ｐ型低濃度拡散領域の深さもしくは前記Ｎ型低濃度拡散領域の深さ又はその両方と同じになるように前記第２開口部を前記第１開口部の配置位置に一部重複する位置に配置する第２レジストパターン形成工程、
（Ｄ）イオン注入法を用いて、前記第２レジストパターンをマスクにして前記半導体基板にＮ型低濃度拡散領域又はＰ型低濃度拡散領域を形成するための、前記第１不純物イオンとは反対導電型のＮ型又はＰ型の第２不純物イオンを注入する第２注入工程、
（Ｅ）前記第２レジストパターンを除去した後、熱拡散処理を施して、前記第１不純物イオン及び前記第２不純物イオンを活性化させて前記半導体基板に、Ｐ型低濃度拡散領域と、Ｎ型低濃度拡散領域と、前記Ｐ型低濃度拡散領域と前記Ｎ型低濃度拡散領域の間にＰ型又はＮ型の第２低濃度拡散領域を形成する熱拡散処理工程、
（Ｆ）写真製版技術、イオン注入法及び熱拡散処理を用いて、前記Ｐ型低濃度拡散領域の表面に前記第２低濃度拡散領域とは間隔をもってＰ型高濃度拡散領域を形成し、前記Ｎ型低濃度拡散領域の表面に前記第２低濃度拡散領域とは間隔をもってＮ型高濃度拡散領域を形成する高濃度拡散領域形成工程。
【請求項３】
前記第２レジストパターン形成工程（Ｃ）での前記第１開口部と前記第２開口部の平面重複寸法は、２μｍ以上であって、前記第２低濃度拡散領域が前記Ｐ型高濃度拡散領域及び前記Ｎ型高濃度拡散領域と接触しない寸法である請求項２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板の一表面に形成されたＰ型低濃度拡散領域及びＮ型低濃度拡散領域と、Ｐ型低濃度拡散領域の表面に形成されたＰ型高濃度拡散領域と、Ｎ型低濃度拡散領域の表面に形成されたＮ型高濃度拡散領域とをもつ保護ダイオードを備えた半導体装置及びその半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばＣＭＯＳ集積回路における入出力回路のゲート酸化膜等の静電破壊を防止するために、保護したいトランジスタに保護ダイオードを並列に接続した半導体装置がある。保護ダイオードの降伏電圧は、内部素子の耐圧よりも低い電圧で降伏するように設定されている。
【０００３】
保護ダイオードを備えた半導体装置は例えば特許文献１，２に開示されている。
特許文献１では、保護ダイオードのＰＮ接合周りの低濃度層のはり出し長さを調整することで、降伏電圧の最適化を図っている。
特許文献２では、入力電極と保護ダイオードのＰＮ接合面との間に抵抗成分を挿入して、保護ダイオードの静電破壊強度を強くしている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高耐圧の保護ダイオードは、降伏電圧のバラツキが大きく、内部素子の耐圧を高くすることによって保護ダイオードの降伏電圧バラツキを許容していた。そのため、過剰に内部素子耐圧を高くする必要があり、ＭＯＳトランジスタの駆動能力等の特性を最大限に引き出すことができなかった。
本発明は、保護ダイオードの降伏電圧のバラツキを低減することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願発明者は、保護ダイオードの降伏電圧バラツキの要因として、低濃度拡散領域形成のための不純物イオン注入処理時のフォトレジスト形成工程でのマスクズレにより、注入位置が異なり、バラツキが発生していると考えた。実際に、Ｎ型低濃度拡散領域を形成するためのレジストパターンの開口位置と、Ｐ型低濃度拡散領域を形成するためのレジストパターンの開口位置を接する形で配置して不純物イオン注入処理を行なえば、３Ｖ程度のバラツキが発生していた。
そこで、本発明の半導体装置及びその製造方法では以下のように構成した。
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板の一表面に形成されたＰ型低濃度拡散領域及びＮ型低濃度拡散領域と、Ｐ型低濃度拡散領域の表面に形成されたＰ型高濃度拡散領域と、Ｎ型低濃度拡散領域の表面に形成されたＮ型高濃度拡散領域とをもつ保護ダイオードを備えた半導体装置である。上記保護ダイオードは、上記Ｐ型低濃度拡散領域と上記Ｎ型低濃度拡散領域の間の上記半導体基板の上記一表面に形成されたＰ型又はＮ型の第２低濃度拡散領域を備えている。上記第２低濃度拡散領域は、上記Ｎ型低濃度拡散領域を形成するためのＮ型不純物イオンと上記Ｐ型低濃度拡散領域を形成するためのＰ型不純物イオンが上記半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。さらに、上記第２低濃度拡散領域は、上記第２低濃度拡散領域がＰ型の場合には上記Ｐ型低濃度拡散領域よりも薄い実効的なＰ型不純物濃度をもち、上記第２低濃度拡散領域がＮ型の場合には上記Ｎ型低濃度拡散領域よりも薄い実効的なＮ型不純物濃度をもつ。また、上記第２低濃度拡散領域は、上記Ｐ型高濃度拡散領域及び上記Ｎ型高濃度拡散領域とは間隔をもって配置されている。上記第２低濃度拡散領域の深さは、上記Ｐ型低濃度拡散領域の深さもしくは上記Ｎ型低濃度拡散領域の深さ又はその両方と同じである。
ここで、半導体基板の語にはウエル領域及びエピタキシャル成長層も含む。
また、Ｐ型低濃度拡散領域とＮ型低濃度拡散領域の間に第２低濃度拡散領域が形成されているので、Ｐ型低濃度拡散領域とＮ型低濃度拡散領域は、両拡散領域の深さが異なる場合には両拡散領域の底部のみが互いに隣接し、両拡散領域の深さが同じである場合には両拡散領域の底部のみが互いに隣接するか、互いに間隔をもって形成されている。
【０００７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、以下の工程（Ａ）〜（Ｆ）をその順に含む。
（Ａ）写真製版技術を用いて第１開口部をもつ第１レジストパターンを半導体基板上に形成する第１レジストパターン形成工程、
（Ｂ）イオン注入法を用いて、上記第１レジストパターンをマスクにして上記半導体基板にＰ型低濃度拡散領域又はＮ型低濃度拡散領域を形成するためのＰ型又はＮ型の第１不純物イオンを注入する第１注入工程、
（Ｃ）上記第１レジストパターンを除去した後、写真製版技術を用いて、第２開口部をもつ第２レジストパターンを上記半導体基板上に形成し、後工程（Ｅ）で形成される第２低濃度拡散領域の深さが上記Ｐ型低濃度拡散領域の深さもしくは上記Ｎ型低濃度拡散領域の深さ又はその両方と同じになるように上記第２開口部を上記第１開口部の配置位置に一部重複する位置に配置する第２レジストパターン形成工程、
（Ｄ）イオン注入法を用いて、上記第２レジストパターンをマスクにして上記半導体基板にＮ型低濃度拡散領域又はＰ型低濃度拡散領域を形成するための、上記第１不純物イオンとは反対導電型のＮ型又はＰ型の第２不純物イオンを注入する第２注入工程、
（Ｅ）上記第２レジストパターンを除去した後、熱拡散処理を施して、上記第１不純物イオン及び上記第２不純物イオンを活性化させて上記半導体基板に、Ｐ型低濃度拡散領域と、Ｎ型低濃度拡散領域と、上記Ｐ型低濃度拡散領域と上記Ｎ型低濃度拡散領域の間にＰ型又はＮ型の第２低濃度拡散領域を形成する熱拡散処理工程、
（Ｆ）写真製版技術、イオン注入法及び熱拡散処理を用いて、上記Ｐ型低濃度拡散領域の表面に上記第２低濃度拡散領域とは間隔をもってＰ型高濃度拡散領域を形成し、上記Ｎ型低濃度拡散領域の表面に上記第２低濃度拡散領域とは間隔をもってＮ型高濃度拡散領域を形成する高濃度拡散領域形成工程。
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法において、上記第２レジストパターン形成工程（Ｃ）での上記第１開口部と上記第２開口部の平面重複寸法は、２μｍ（マイクロメートル）以上であって、上記第２低濃度拡散領域が上記Ｐ型高濃度拡散領域及び上記Ｎ型高濃度拡散領域と接触しない寸法である例を挙げることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体装置では、保護ダイオードは、Ｎ型低濃度拡散領域を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたＮ型又はＰ型の第２低濃度拡散領域を備えているようにした。第２低濃度拡散領域の深さは、Ｐ型低濃度拡散領域の深さもしくはＮ型低濃度拡散領域の深さ又はその両方と同じであるようにした。
また、本発明の半導体装置の製造方法では、第２レジストパターン形成工程（Ｃ）で、後工程（Ｅ）で形成される第２低濃度拡散領域の深さがＰ型低濃度拡散領域の深さもしくはＮ型低濃度拡散領域の深さ又はその両方と同じになるように、Ｐ型又はＮ型の低濃度拡散領域を形成するための不純物イオンの注入マスクである第２レジストパターンの第２開口部を、Ｎ型又はＰ型の低濃度拡散領域を形成するための不純物イオンの注入マスクである第１レジストパターンの第１開口部の配置位置に一部重複する位置に配置するようにした。
本発明の半導体装置の保護ダイオード、及び本発明の半導体装置の製造方法により形成された保護ダイオードにおいて、Ｐ型又はＮ型の第２低濃度拡散領域と、第２低濃度拡散領域とは反対導電型のＰ型低濃度拡散領域又はＮ型低濃度拡散領域のＰＮ接合面積が保護ダイオードの降伏電圧を決定する一因になっている。
上記第１開口部の配置位置と上記第２開口部の配置位置を一部重複させ、第２低濃度拡散領域の深さがＰ型低濃度拡散領域の深さもしくはＮ型低濃度拡散領域の深さ又はその両方と同じになっていることにより、Ｐ型低濃度拡散領域を形成するためのレジストパターンもしくはＮ型低濃度拡散領域を形成するためのレジストパターン又はその両方の形成時にマスクズレが生じた場合であっても、上記ＰＮ接合面積の変化はないか微量である。
したがって、保護ダイオードの降伏電圧のバラツキを低減することができる。
【００１０】
例えば、本発明の製造方法において、第２レジストパターン形成工程（Ｃ）での第１開口部と第２開口部の平面重複寸法は、２μｍ以上であって、第２低濃度拡散領域がＰ型高濃度拡散領域及び上記Ｎ型高濃度拡散領域と接触しない寸法であるようにすれば、±０.５μｍのマスクズレが発生しても、保護ダイオードの降伏電圧のバラツキを０.５Ｖ程度のバラツキ範囲に収めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】半導体装置の一実施例を説明するための概略図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ位置での断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図３】マスクズレの程度と保護ダイオードの降伏電圧の変動の関係を調べた結果を示す図である。（Ａ）は電源基準の保護ダイオードのもの、（Ｂ）は接地電位基準の保護ダイオードのものを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、半導体装置の一実施例を説明するための概略図である。図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ位置での断面図である。
抵抗率が２０Ωｃｍ程度のＰ型半導体基板１（Ｐｓｕｂ）の一表面にＰ型ウエル領域５（ＰＷ）が形成されている。
【００１３】
Ｐ型ウエル領域５の表面にＰ型低濃度拡散領域７（Ｐ−）、Ｐ型第２低濃度拡散領域９（Ｐ−−）及びＮ型低濃度拡散領域１１（Ｎ−）が形成されている。Ｐ型第２低濃度拡散領域９の深さは低濃度拡散領域７もしくは１１又はその両方と同じ深さに形成されている。Ｐ型低濃度拡散領域７とＮ型低濃度拡散領域１１は互いに間隔をもって形成されている。Ｐ型第２低濃度拡散領域９はＰ型低濃度拡散領域７とＮ型低濃度拡散領域１１の間に両拡散領域７，１１に隣接して形成されている。Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｐ型低濃度拡散領域に比べて、実効的なＰ型不純物イオン濃度が薄い。
【００１４】
Ｐ型低濃度拡散領域７の表面にＰ型高濃度拡散領域１３が形成されている。Ｐ型高濃度拡散領域１３はＰ型低濃度拡散領域７よりも濃いＰ型不純物イオン濃度をもつ。
Ｎ型低濃度拡散領域１１の表面にＮ型高濃度拡散領域１５が形成されている。Ｎ型高濃度拡散領域１５はＮ型低濃度拡散領域１１よりも濃いＮ型不純物イオン濃度をもつ。
【００１５】
高濃度拡散領域１３，１５の形成位置を除いて、半導体基板１の一表面にＬＯＣＯＳ（local oxidation of silicon）酸化膜１７が形成されている。図１（Ａ）では、ＬＯＣＯＳ酸化膜１７の図示は省略されている。
高濃度拡散領域１３，１５上に電気的接続をとるためのコンタクト１９が形成されている。図１（Ｂ）では、コンタクト１９の図示は省略されている。
【００１６】
図２は、図１に示した半導体装置の製造工程を説明するための工程断面図である。図１及び図２を参照して、本発明の製造方法の一実施例を説明する。図２中のかっこ数字は以下に説明する各工程に対応している。
【００１７】
（１）Ｐ型半導体基板１に、注入エネルギーは５０ＫｅＶ、ドーズ量は４.０×１０12ｃｍ-2の条件でボロンイオンの注入を行なう。１１５０℃、８時間の条件で熱拡散処理を行ない、Ｐウエル領域５を形成する。
【００１８】
半導体基板１の一表面に膜厚が２５ｎｍ（ナノメートル）程度のマスク酸化膜（図示は省略）を形成する。そのマスク酸化膜上に、写真製版技術を用いて第１レジストパターン２１を形成する。第１レジストパターン２１はＰ型ウエル領域５におけるＰ型低濃度拡散領域７及びＰ型第２低濃度拡散領域９の形成予定位置に対応して第１開口部２１ａをもつ。イオン注入法により、第１レジストパターン２１をマスクにしてＰ型ウエル領域５に、注入エネルギーは５０ＫｅＶ、ドーズ量は５.５×１０13ｃｍ-2程度の条件でボロンイオン２３（△印参照）の注入を行なう。ここで、同一半導体基板１上に二重拡散構造のソース又はドレインをもつＭＯＳトランジスタを形成する場合には、ＭＯＳトランジスタの二重拡散構造の低濃度拡散領域を形成するためのイオン注入をボロンイオン２３の注入と同時に行なってもよい。
【００１９】
（２）第１レジストパターン２１を除去する。図示しない上記マスク酸化膜上に、写真製版技術を用いて第２レジストパターン２５を形成する。第２レジストパターン２５はＰ型ウエル領域５におけるＰ型第２低濃度拡散領域９及びＮ型低濃度拡散領域１１の形成予定位置に対応して第２開口部２５ａをもつ。ここで、第２開口部２５ａが工程（１）での第１レジストパターン２１の第１開口部２１ａと距離Ｌだけ重複するように第２レジストパターン２５を形成する。重複距離Ｌは例えば２μｍである。
【００２０】
イオン注入法により、第２レジストパターン２５をマスクにしてＰ型ウエル領域５に、注入エネルギーは１００ＫｅＶ、ドーズ量は３.５×１０13ｃｍ-2程度の条件でリンイオン２７（×印参照）の注入を行なう。レジストパターン２１，２５の開口部２１ａ，２５ａの配置位置が重複している部分では、Ｐ型ウエル領域５にボロンイオン２３とリンイオン２７の両方が注入された状態になる。ここで、同一半導体基板１上に二重拡散構造のソース又はドレインをもつＭＯＳトランジスタを形成する場合には、ＭＯＳトランジスタの二重拡散構造の低濃度拡散領域を形成するためのイオン注入をリンイオン２７の注入と同時に行なってもよい。
【００２１】
（３）第２レジストパターン２５を除去する。１１５０℃、２時間の条件で熱拡散処理を行ない、Ｐ型ウエル領域５の表面に、Ｐ型低濃度拡散領域７、Ｐ型第２低濃度拡散領域９及びＮ型低濃度拡散領域１１を形成する。上記工程（１），（２）でＰ型ウエル領域５にボロンイオン２３とリンイオン２７の両方が注入された領域にＰ型第２低濃度拡散領域９が形成される。この実施例では、ボロンイオン２３がリンイオン２７に比べて濃く注入され、かつ、ボロンイオン２３及びリンイオン２７が注入される領域がＰ型ウエル領域５なので、Ｐ型の第２低濃度拡散領域９が形成される。
【００２２】
（４）ＬＯＣＯＳ酸化法により、膜厚が８００ｎｍ程度のＬＯＣＯＳ酸化膜１７を形成する。ＬＯＣＯＳ酸化膜１７は、後工程で形成するＰ型高濃度拡散層及びＮ型高濃度拡散層の形成予定位置に対応する位置に開口部をもつ。
【００２３】
（５）図１を参照して説明する。写真製版技術及びイオン注入法により、レジストパターン（図示は省略）及びＬＯＣＯＳ酸化膜１７をマスクにして、Ｐ型低濃度拡散領域７に、注入エネルギーは３０ＫｅＶ、ドーズ量は２.０×１０15ｃｍ-2程度の条件でボロンイオンを注入する。レジストパターンを除去する。別途、写真製版技術及びイオン注入法により、レジストパターン（図示は省略）及びＬＯＣＯＳ酸化膜１７をマスクにして、Ｎ型低濃度拡散領域１１に、注入エネルギーは５０ＫｅＶ、ドーズ量は６.０×１０15ｃｍ-2程度の条件でヒ素イオンを注入する。注入した不純物イオンを活性化させてＰ型高濃度拡散領域１３及びＮ型高濃度拡散領域１５を形成して保護ダイオードの形成が完了する。ここで、同一半導体基板１上のＭＯＳトランジスタのソース拡散領域及びドレイン拡散領域をＰ型高濃度拡散領域１３及びＮ型高濃度拡散領域１５の形成と同時に行なってもよい。
【００２４】
上記工程（２）での重複距離Ｌの設定は、ボロンイオン２３及びリンイオン２７の注入深さ、並びにボロンイオン２３及びリンイオン２７の熱拡散距離の条件に留意すべきである。条件によっては、重複距離Ｌが小さすぎると、Ｐ型第２低濃度拡散領域９の深さが低濃度拡散領域７又は１１と同じ深さにならないからである。
【００２５】
図１に示した保護ダイオードにおいて、Ｐ型第２低濃度拡散領域９とＮ型低濃度拡散領域１１のＰＮ接合面積が降伏電圧を決定する一因になっている。上記実施例では、レジストパターン２１，２５の開口部２１ａ，２５ａの配置位置を一部重複させ、その重複部分にＰ型第２低濃度拡散領域９を形成している。そして、Ｐ型第２低濃度拡散領域９の深さがＰ型低濃度拡散領域７又はＮ型低濃度拡散領域１１の深さと同じになっている。これにより、レジストパターン２１，２５の形成時にマスクズレが生じた場合であっても、保護ダイオードのＰＮ接合面積の変化はないか微量である。したがって、保護ダイオードの降伏電圧のバラツキを低減することができる。
【００２６】
図３は、マスクズレの程度と保護ダイオードの降伏電圧の変動の関係を調べた結果を示す図である。図３（Ａ）は電源基準の保護ダイオードのもの、図３（Ｂ）は接地電位基準の保護ダイオードのものを示す。図３において、縦軸は電圧（Ｖ）、横軸はマスクズレの程度（単位はμｍ）を示す。マスクズレは、図２の開口部２１ａ，２５ａが一部重複する場合は重複距離Ｌをマイナス数値で表し、隣接する場合は０、間隔をもつ場合はプラス数値で表す。接地電位基準の保護ダイオードとして、図１及び図２を参照して説明した実施例の構造において、Ｐ型ウエル領域５に替えてＮ型ウエル領域を用い、Ｐ型低濃度拡散領域７、Ｎ型低濃度拡散領域１１、Ｐ型高濃度拡散領域１３及びＮ型高濃度拡散領域１５のＰ型とＮ型を反転させたものを用いた。接地電位基準の保護ダイオードの第２低濃度拡散層はＰ型である。
【００２７】
図３から、Ｐ型低濃度拡散領域を形成するためのマスクとＮ型低濃度拡散領域を形成するためのマスクをレイアウト上で２μｍ程度オーバーラップさせることにより、写真製版工程で０.５μｍ程度のマスクズレが発生した場合でも、保護ダイオードの降伏電圧のバラツキとしては０.５Ｖ程度のバラツキ範囲に収めることができる。これにより、降伏電圧のバラツキの少ない保護ダイオードを作り込むことができる。
【００２８】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【００２９】
例えば、上記実施例では、Ｐ型第２低濃度拡散領域９の深さは低濃度拡散領域７又は１１と同じ深さになっているが、本発明はこれに限定されるものではなく、Ｐ型第２低濃度拡散領域の深さはＰ型低濃度拡散領域及びＮ型低濃度拡散層と同じ深さであってもよい。この場合でも、マスクズレが生じたとしても、Ｐ型第２低濃度拡散領域とＮ型低濃度拡散層のＰＮ接合面積の変動はないか微量である。
【００３０】
また、上記の実施例では、第２低濃度拡散領域９はＰ型であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、第２低濃度拡散領域はＮ型であってもよい。
また、Ｐ型低濃度拡散領域、Ｎ型低濃度拡散領域及び第２低濃度拡散領域が形成される領域は、Ｐ型ウエル領域又はＰ型半導体基板に限定されるものではなく、Ｎ型ウエル領域又はＮ型半導体基板であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、例えば電源ＩＣや高耐圧ＣＭＯＳレギュレータ、高耐圧ディテクタなどの高耐圧半導体製品の保護回路などに適用できる。
【符号の説明】
【００３２】
１  Ｐ型半導体基板
５  Ｐ型ウエル領域
７  Ｐ型低濃度拡散領域
９  Ｐ型第２低濃度拡散領域
１１  Ｎ型低濃度拡散領域
１３  Ｐ型高濃度拡散領域
１５  Ｎ型高濃度拡散領域
１７  ＬＯＣＯＳ酸化膜
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３３】
【特許文献１】特開昭６３−３０１５６９号公報
【特許文献２】特開昭５７−０２３２６９号公報
【図１】
2010219438.tif 000003
【図２】
2010219438.tif 000004
【図３】
2010219438.tif 000005