(57)【要約】【課題】熱処理プレートの配設スペースを可能な限り小さくして、装置の小型化、基板の収納数の増大を図れるようにし、かつ、熱媒体の流路の自由度及びスループットの向上を図れるようにすること。【解決手段】半導体ウエハＷを載置しつつウエハを所定温度に熱処理する熱処理プレート例えば冷却プレート１４を具備する基板熱処理装置において、冷却プレート１４は、複数の熱伝導性材料からなる薄板１を例えば拡散接合によって積層結合してなり、かつ、薄板１を積層することで開設される、熱媒体の供給流路６１ａ、排出流路６２ａ及び冷媒流路６３と吸着用孔６４ｆを形成する冷却プレート本体６４を具備する。【選択図】  図１０
2010219363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置された基板を保持しつつ該基板を所定温度に熱処理する熱処理プレートを具備する基板熱処理装置であって、
上記熱処理プレートは、複数の熱伝導性材料からなる薄板を積層してなり、かつ、上記薄板を積層することで開設される、熱媒体の供給流路、排出流路及びこれら流路に連通する熱媒体流路と吸着用孔を形成する熱処理プレート本体を具備する、
ことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板熱処理装置において、
複数の熱伝導性材料からなる薄板を積層してなり、かつ、上記薄板を積層することで開設され、上記吸着用孔に連通する吸引流路を形成する基板吸着プレートを更に具備する、ことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板熱処理装置において、
上記熱処理プレートの最上層及び最下層の薄板が内部層の薄板に比べて耐強度性を有する材料からなる薄板である、ことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項４】
請求項１記載の基板熱処理装置において、
上記熱処理プレート本体の最上層及び最下層の薄板が内部層の薄板に比べて耐強度性を有する材料からなる薄板である、ことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
上記熱処理プレートにおける上部側の複数の薄板における任意の複数箇所に取付穴を設け、この取付穴に基板を支持する支持ピンを嵌合立設してなる、ことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項６】
請求項１又は２記載の基板熱処理装置において、
上記薄板が銅製薄板である、ことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項７】
請求項３又は４記載の基板熱処理装置において、
上記最上層及び最下層の薄板がステンレス，チタン又はニッケル製薄板であり、上記内部層の薄板が銅製薄板である、ことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
上記薄板同士が拡散接合にて結合されている、ことを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
上記供給流路及び排出流路の少なくとも供給流路の供給口と熱媒体供給源とを、温度切換機構を介設した供給管路にて接続してなる、ことを特徴とする基板熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやフラット・パネル・ディスプレー基板（ＦＰＤ基板）等の基板熱処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、フォトリソグラフィ技術においては、基板にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連の工程によって行われている。
【０００３】
このような処理は、一般に基板にレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット、レジスト塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、加熱処理後の基板を所定温度にまで冷却処理する冷却処理ユニット、基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等が個別に複数段に積み重ねられた状態で備えられており、これらの各処理ユニット間における基板の搬送、並びに基板の搬入出は、基板搬送手段によって行われている。
【０００４】
従来のこの種の基板処理装置として、複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、上記キャリアから取り出された基板にレジスト塗布・現像処理等を施す上記処理ユニットを具備する処理ブロックと、上記キャリアブロック及び処理ブロック内にそれぞれ配設され、基板を鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板が載置可能であって、かつ基板を所定温度にまで冷却する前に、基板を待機して予備冷却する冷却プレートを有する基板収納部と、を具備する基板熱処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
特許文献１記載の基板処理装置によれば、各処理ユニットにおける基板の処理時間の時間差に対応して基板を効率よく搬送し、スループットの向上を図るようにするために、複数の処理ユニットを備えた処理ブロックとインターフェイスブロックとの間又はインターフェイスブロック内に、複数の基板を収容可能な複数段状の基板収納部を設けて、該基板収納部の２方向から基板収納部に対して異なる基板搬送手段によって基板の受渡しを行うことができる。
【０００６】
また、一般に冷却プレート内に冷媒流体の流路を形成する手段として、プレート本体に設けられた冷却管収納導路に冷却管を内設する構造のものが知られている（例えば、特許文献２参照）。この特許文献２記載の技術と同様の構造として冷却プレートの裏面に冷却管収納溝を設け、この冷却管収納溝内に、熱伝導性に富みかつ屈曲変形容易な例えば銅あるいはアルミニウム製の冷却管を内設して冷媒流体の流路を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２８８０２９号公報（特許請求の範囲、図１）
【特許文献２】特開平１１−２３３５２０号公報（特許請求の範囲、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１記載の装置においては、基板収納部に配設される冷却プレートに複数（例えば３本）の支持ピンを昇降可能に立設し、これら支持ピンによって基板を支持するようにして、基板搬送手段との間で基板の受渡しを行っている。そのため、基板の受渡しに時間を要する懸念があった。また、冷却プレートと支持ピンの昇降駆動機構分の高さが必要となるので、装置全体の高さにより冷却プレートの数を多くすることができず、高生産に対応できないという問題があった。更には、支持ピンの昇降駆動機構の保守・点検に注意を払う必要がある。
【０００９】
また、特許文献２記載の構造においては、冷却管の肉厚が必要なため、冷却プレートの厚みを薄くできない。また、冷却管の屈曲に限界がある上、冷却管の設置に手間を要するという問題がある。
【００１０】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、熱処理プレートの配設スペースを可能な限り小さくして、装置の小型化、基板の収納数の増大を図れるようにし、かつ、熱媒体の流路の自由度及びスループットの向上を図れるようにした基板熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、載置された基板を保持しつつ該基板を所定温度に熱処理する熱処理プレートを具備する基板熱処理装置であって、上記熱処理プレートは、複数の熱伝導性材料からなる薄板を積層してなり、かつ、上記薄板を積層することで開設される、熱媒体の供給流路、排出流路及びこれら流路に連通する熱媒体流路と吸着用孔を形成する熱処理プレート本体を具備する、ことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板熱処理装置において、複数の熱伝導性材料からなる薄板を積層してなり、かつ、上記薄板を積層することで開設され、上記吸着用孔に連通する吸引流路を形成する基板吸着プレートを更に具備する、ことを特徴とする。
【００１３】
このように構成することにより、熱処理プレートを構成する薄板に例えばエッチング処理によって孔やスリット等を開設（加工）して、複数の薄板を積層することによって開設される、熱媒体の供給流路、排出流路及びこれら流路に連通する熱媒体流路を形成することができる。また、吸着用孔及びこの吸着用孔に連通する吸引流路を形成することができる。
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の基板熱処理装置において、上記熱処理プレートの最上層及び最下層の薄板が内部層の薄板に比べて耐強度性を有する材料からなる薄板である、ことを特徴とする。
【００１５】
このように構成することにより、熱処理プレートに剛性をもたせることができると共に、プレート表面を硬度にすることができる。
【００１６】
請求項４記載の発明は、請求項１記載の基板熱処理装置において、上記熱処理プレート本体の最上層及び最下層の薄板が内部層の薄板に比べて耐強度性を有する材料からなる薄板である、ことを特徴とする。
【００１７】
このように構成することにより、熱処理プレート本体ひいては熱処理プレートに剛性をもたせることができると共に、プレート表面を硬度にすることができる。
【００１８】
また、この発明において、上記熱処理プレートにおける上部側の複数の薄板における任意の複数箇所に取付穴を設け、この取付穴に基板を支持する支持ピンを嵌合立設する方が好ましい（請求項５）。
【００１９】
このように構成することにより、熱媒体の流路及び吸引流路と同時に支持ピンの取付穴を成形することができる。
【００２０】
また、この発明において、上記薄板を銅製薄板にて形成することができ（請求項６）、また、熱処理プレート又は熱処理プレート本体の最上層及び最下層の薄板を、内部層の薄板に比べて耐強度性を有する材料からなる薄板にて形成する場合は、最上層及び最下層の薄板を例えば、ステンレス，チタン又はニッケル製薄板にて形成することができ、上記内部層の薄板を銅製薄板にて形成することができる（請求項７）。
【００２１】
また、この発明において、上記薄板同士を積層結合する手段はろう付けでも可能であるが、好ましくは拡散接合にて結合する方がよい（請求項８）。ここで、拡散接合とは、薄板の素材同士を密着させ、薄板素材の融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する方法である。
【００２２】
このように薄板同士を拡散接合にて結合することにより、薄板同士の積層部を一体化した状態で結合することができる。
【００２３】
加えて、この発明において、上記供給流路及び排出流路の少なくとも供給流路の供給口と熱媒体供給源とを、温度切換機構を介設した供給管路にて接続してもよい（請求項９）。ここで、切換機構とは、供給流路に供給される熱媒体の温度を切り換える機構をいい、例えば切換弁あるいは温調機構等によって形成することができる。
【００２４】
このように構成することにより、基板の熱処理温度を変更することができ、基板の熱処理を目的に応じて容易に変更することができる。
【発明の効果】
【００２５】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。
【００２６】
（１）請求項１，２，６記載の発明によれば、熱媒体の流路と吸引流路を一体に形成した板厚の薄い熱処理プレートを具備するので、熱処理プレートの配設スペースを可能な限り小さくして、装置の小型化、基板の収納数の増大を図ることができる。また、複雑な形状の熱媒体の流路を容易に形成することができるので、熱媒体の流路の自由度の向上が図れると共に、基板への伝熱効率の向上が図れ、スループットの向上を図ることができる。
【００２７】
（２）請求項３，４，７記載の発明によれば、熱処理プレートに剛性をもたせることができると共に、プレート表面を硬度にすることができるので、上記（１）に加えて、更に熱処理プレートの平面精度の向上により熱処理の精度の向上が図れる。
【００２８】
（３）請求項５記載の発明によれば、熱媒体の流路及び吸引流路と同時に支持ピンの取付穴を成形することができるので、熱処理プレートの表面に容易に支持ピンを突設することができると共に、支持ピンの位置決めを高精度にすることができる。
【００２９】
（４）請求項８記載の発明によれば、熱処理プレートを構成する薄板同士を拡散接合にて結合することにより、薄板同士の積層部を一体化した状態で結合することができるので、熱処理プレートの平面性を高精度にすることができ、熱処理の効率の向上が図れる。
【００３０】
（５）請求項９記載の発明によれば、基板の熱処理温度を変更することができ、基板の熱処理を目的に応じて容易に変更することができるので、同一の熱処理プレートを用いて異なる温度の熱処理を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】この発明に係る基板熱処理装置を適用したレジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト塗布・現像処理装置の概略斜視図である。
【図３】上記レジスト塗布・現像処理装置の概略図であって、処理部の単位ブロックのみを平面状態で重ねて示す概略構成図である。
【図４】上記レジスト塗布・現像処理装置における処理ブロックの単位ブロック（ＤＥＶ層）を示す概略斜視図である。
【図５】この発明に係る基板熱処理装置を備える基板収納部を示す概略側面図である。
【図６】上記基板収納部を示す概略斜視図である。
【図７】上記レジスト塗布・現像処理装置における処理ブロックの単位ブロック（ＣＯＴ層）を示す概略平面図である。
【図８】上記レジスト塗布・現像処理装置における処理ブロックの処理ユニットの一例を示す概略断面図である。
【図９】この発明における冷却プレートの一例を示す側面図である。
【図１０】この発明における冷却プレートの要部を示す断面図である。
【図１１】この発明における冷却プレート本体と、メインアーム及び受渡しアームとの関係を示す概略平面図である。
【図１２】この発明におけるベースブロック、冷却プレート本体及び基板吸着プレートの積層状態を示す分解斜視図である。
【図１３】この発明における冷却プレート本体の別の積層状態を示す断面図である。
【図１４】この発明に係る基板熱処理装置の別の実施形態の要部を示す概略断面図である。
【図１５】この発明に係る基板熱処理装置の更に別の実施形態の要部を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下に、この発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板熱処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。
【００３３】
上記レジスト塗布・現像処理装置は、図１ないし図８に示すように、基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）が例えば１３枚密閉収容されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、第２の処理ブロックである露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００３４】
上記キャリアブロックＳ１には、複数個（例えば４個）のキャリア２０を載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する基板収納部を構成する棚ユニットＵ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。
【００３５】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成用単位ブロックである第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための塗布膜形成用単位ブロックである第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成用単位ブロックである第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
【００３６】
次に、第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、前面側に配設され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、背面側に配設され、上記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱ユニット等の処理ユニットと、前面側に配設される上記液処理ユニットと背面側に配設される加熱ユニット等の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５と、を備えている。
【００３７】
これら単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上記液処理ユニットと、加熱ユニット等の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じに形成されている。ここで、配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおけるウエハＷの保持手段であるスピンチャックの中心や、加熱ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。
【００３８】
上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成されており、この場合、共通に形成されている。このＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、図１に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１（メインアームＡ１の水平移動領域）が形成されている。
【００３９】
この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、上記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個の現像処理部を備えた現像ユニット３１が例えば２段設けられている。各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、順に加熱系のユニットを多段化した例えば４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、この図では現像ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば３段ずつに積層した構成とされている。このようにして上記搬送領域Ｒ１によって現像ユニット３１と棚ユニットＵ１〜Ｕ４が区画されており、搬送領域Ｒ１に洗浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
【００４０】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１）や、現像処理後のウエハＷの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）等が含まれている。これら加熱ユニット（ＰＥＢ１、ＰＯＳＴ１）等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器５１内に収容されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、上記処理容器５１が３段ずつ積層されて構成され、各処理容器５１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口５２が形成されている。
【００４１】
上記搬送領域Ｒ１には上記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、当該ＤＥＶ層Ｂ１内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像ユニット３１，棚ユニットＵ５の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００４２】
また、上記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５は、いずれも同様に構成されており、上述の現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２と同様に構成されている。具体的にＣＯＴ層Ｂ４を例にして図３，図７及び図８を参照して説明すると、液処理ユニットとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布ユニット３２が設けられ、ＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）や、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）を備えており、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様に構成されている。すなわち、塗布ユニット３２と加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）及び疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）とをメインアームＡ４の搬送領域Ｒ４（メインアームＡ４の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。なお上記疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）は、ＨＭＤＳ雰囲気内でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかに設けられればよい。
【００４３】
また、ＢＣＴ層Ｂ３は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニット３３が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）を備えており、ＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。すなわち、第１の反射防止膜形成ユニット３３と加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）とをメインアームＡ３の搬送領域Ｒ３（メインアームＡ３の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、この第３の単位ブロックＢ３では、メインアームＡ３により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、第１の反射防止膜形成ユニット３３と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００４４】
また、ＴＣＴ層Ｂ５は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニット３４が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＰＨ５）や、周辺露光装置（ＷＥＥ）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。すなわち、第２の反射防止膜形成ユニット３４と加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）及び周辺露光装置（ＷＥＥ）とをメインアームＡ５の搬送領域Ｒ５（メインアームＡ５の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、第２の反射防止膜形成ユニット３４と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００４５】
また、処理ブロックＳ２には、棚ユニットＵ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ２とインターフェイスブロックＳ３側の棚ユニットＵ６との間でウエハＷの受け渡しを行う基板搬送手段であるシャトルアームＡが水平のＹ方向に移動自在及び鉛直のＺ方向に昇降自在に配設されている。
【００４６】
なお、シャトルアームＡの搬送領域と上記メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５の搬送領域Ｒ１，Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ区画されている。
【００４７】
また、処理ブロックＳ２とキャリアブロックＳ１との間の領域は、ウエハＷの受渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡがアクセスできる位置に基板収納部である棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための基板受渡し手段をなす受渡しアームＤを備えている。この場合、棚ユニットＵ５は、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡの水平移動方向（Ｙ方向）の軸線上に配置されており、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡの進退方向（Ｙ方向）に第１の開口部１１が設けられると共に、受渡しアームＤの進退方向（Ｘ方向）に第２の開口部１２が設けられている。
【００４８】
また、上記棚ユニットＵ５は、図３，図５及び図６に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡとの間でウエハＷの受け渡しを行うように、例えば２個の受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を備えており、また、単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対応すべく複数に区画された収納ブロック１０ａ〜１０ｄを備えると共に、各収納ブロック１０ａ〜１０ｄに、複数の載置棚１３、及びレジスト塗布前にウエハＷを所定温度に調整するためや、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するためや、露光処理後に加熱処理されたウエハＷを所定温度に調整するための、この発明における熱処理プレートである冷却プレート１４（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６）を備えている。
【００４９】
この場合、第１収納ブロック１０ａは第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２（ＤＥＶ層）に対応し、第２収納ブロック１０ｂは第３の単位ブロックＢ３（ＢＣＴ層）に対応し、第３収納ブロック１０ｃは第４の単位ブロックＢ４（ＣＯＴ層）に対応し、第４収納ブロック１０ｄは第５の単位ブロックＢ５（ＴＣＴ層）に対応している。
【００５０】
第１収納ブロック１０ａに配設される冷却プレート１４Ａ（ＣＰＬ７，ＣＰＬ８）は、枠体１６に架設された保持板１７上に支持柱１７ａを介して横設されており、この冷却プレート１４Ａ（ＣＰＬ７，ＣＰＬ８）には３本の支持ピン１５が立設されている。この冷却プレート１４Ａ（ＣＰＬ７，ＣＰＬ８）はメインアームＡ１又は受渡しアームＤとの間でウエハＷの受渡しの機能を有している。
【００５１】
また、冷却プレート１４（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６）は、図６，図９，図１０及び図１２に示すように、熱媒体である冷媒流体例えば恒温の冷却水の供給流路６１及び排出流路６２を有するベースブロック６０と、該ベースブロック６０の上部に積層され、供給流路６１及び排出流路６２に連通する冷媒流路６３を有する１又は複数（図では２個の場合を示す）の冷却プレート本体６４と、冷却プレート本体６４の下面に一体に形成される基板吸着プレート６７と、ベースブロック６０と冷却プレート本体６４及び基板吸着プレート６７を着脱可能に連結する連結部材すなわち連結ボルト６６と、を具備している。なお、冷却プレート１４は、恒温の冷却水を循環させる水冷方式のものを使用することができるが、水冷方式以外の方式であってもよい。
【００５２】
この場合、上記ベースブロック６０は、例えばステンレス製部材にて形成されており、一つの角部がカットされた略立方体にて形成されている。このベースブロック６０の一側面には、図示しない冷却水供給源に接続する供給配管７１が接続する供給口６０ａと、排出配管７２が接続する排出口６０ｂと、図示しない吸引手段例えば真空ポンプに接続する吸引配管７３が接続する吸引口６０ｃが設けられている。また、供給口６０ａに連通する供給流路６１と、排出口６０ｂに連通する排出流路６２とが、ベースブロック６０の上面に開口するように垂直方向に平行に設けられている。これら供給流路６１と排出流路６２の開口端部には、シール部材であるＯリング（図示せず）が設けられている。
【００５３】
上記冷却プレート本体６４は、例えば銅製部材にて形成されており、図１０及び図１２に示すように、ベースブロック６０の上面の形状と同じ形状の略矩形状の取付基部６４ａと、取付基部６４ａの角部から外方に突出する腕部６４ｂの先端に形成される円板部６４ｃとで構成されている。この冷却プレート本体６４の取付基部６４ａには、ベースブロック６０の供給流路６１に連通する供給流路６１ａが設けられ、腕部６４ｂ及び円板部６４ｃには供給流路６１ａに連通する冷媒流路６３が設けられ、円板部６４ｃにはベースブロック６０の排出流路６２に連通する排出流路６２ａが設けられている。
【００５４】
また、冷却プレート本体６４の円板部６４ｃの上面の複数箇所例えば５箇所には、円板部６４ｃ表面との間に僅かに隙間例えば５０μｍ〜１００μｍをおいてウエハＷを支持する支持ピンであるプロキシミティピン６４ｅが後述する取付穴６４ｈ内に嵌挿されて突設されている。また、円板部６４ｃにおける冷媒流路６３を回避した位置の４箇所には、吸着用孔６４ｆが穿設されている。また、取付基部６４ａの辺部側の４箇所には連結ボルト６６を貫挿する取付孔７５が設けられている。
【００５５】
この場合、冷却プレート本体６４は、板厚が例えば０．５ｍｍの複数枚例えば１０枚の銅製薄板１を積層してなり、後述する基板吸着プレート６７を構成する銅製薄板１に積層されて拡散接合によって結合されている。すなわち、予めエッチング処理によって供給流路６１ａ，排出流路６２ａ，冷媒流路６３，吸着用孔６４ｆ又はプロキシミティピン６４ｅの取付穴６４ｈの一部を構成する孔やスリット等を開設（加工）した銅製薄板１と、孔やスリット等を有しない銅製薄板１同士を密着させ、銅の融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する拡散接合方法によって結合されている。なお、上記のような銅製薄板１の積層構造では、拡散接合の際に加圧できない箇所があると、接合強度が低下するので、流路の壁２は接合しろＳを少なくとも５ｍｍ確保する必要がある（図１０参照）。また、銅製の冷却プレート本体６４の場合、流路上の板厚Ｔは、拡散接合時の銅軟化を抑えるために、最低１ｍｍは必要である（図１０参照）。
【００５６】
上記説明では、冷却プレート本体６４が複数枚の銅製薄板１のみを拡散接合によって積層結合した場合について説明したが、図１３に示すように、冷却プレート本体６４の最上層及び最下層の薄板１ａ，１ｂを内層の薄板１ｃに比べて耐強度性を有する材料、例えばステンレス，チタン又はニッケル製薄板にて形成してもよい。このように冷却プレート本体６４の最上層及び最下層の薄板１ａ，１ｂを内層の薄板１ｃに比べて耐強度性を有する材料にて形成することにより、冷却プレート本体６４ひいては冷却プレート１４に強度をもたせることができると共に、平面精度の向上により熱処理の精度の向上を図ることができる。この場合、ステンレス，チタン又はニッケルは銅に対して熱膨張率が異なるが、ステンレス，チタン又はニッケル製の薄板１ａ，１ｂを上下に配置することで、拡散接合時の歪みを抑制することができる。
【００５７】
また、冷却プレート本体６４の円板部６４ｃの外周の６箇所には、棚ユニットＵ５の第１の開口部１１から進入するメインアームメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５（以下、符号Ａ１で代表する）、及び棚ユニットＵ５の第２の開口部１２から進入する受渡しアームＤが、冷却プレート１４にウエハＷを受け渡す際の昇降移動の干渉を回避するための切欠き６４ｇが設けられている（図１１参照）。この場合、受渡しアームＤのアーム本体９０は、一方の湾曲アーム片９１が他方の湾曲アーム片９２より先端側に延在する変形馬蹄形状に形成されると共に、両アーム片９１，９２の先端側下部及びアーム本体９０の基部側下部の３箇所にウエハＷを支持する支持爪９３を設けている。また、メインアームＡ１のアーム本体８０は、馬蹄形状に突出する一対の湾曲アーム片８１，８２の先端側下部及びアーム本体８０の基部側下部の４箇所にウエハＷを支持する支持爪８３を設けている。なお、冷却プレート本体６４の円板部６４ｃの外周に設けられる６箇所の切欠き６４ｇは、メインアームＡ１の支持爪８３及び受渡しアームＤの支持爪９３に対応して設けられている。
【００５８】
このように冷却プレート本体６４の円板部６４ｃの外周に切欠き６４ｇを設けることにより、支持ピンを要することなく、冷却プレート１４に対するメインアームＡ１及び受渡しアームＤのウエハＷの受渡しを行うことができる。
【００５９】
上記基板吸着プレート６７は、例えば銅製部材にて形成されており、図１０及び図１２に示すように、ベースブロック６０の上面の形状と同じ形状の略矩形状の取付基部６７ａと、取付基部６７ａの角部から外方に突出する腕部６７ｂの先端に形成される略円形の吸着部６７ｃとで構成されている。取付基部６７ａには、ベースブロック６０の供給流路６１と連通する供給流路６１ａと、ベースブロック６０の排出流路６２と冷却プレート本体６４の冷媒流路とを連通する排出流路６２ａが設けられている。
【００６０】
なお、基板吸着プレート６７の取付基部６７ａの辺部側の４箇所には連結ボルト６６を貫挿する取付孔７５が設けられている。また、基板吸着プレート６７には、ベースブロック６０に設けられた吸引口６０ｃと連通し、かつ冷却プレート本体６４に設けられた吸着用孔６４ｆに連通する吸引流路６７ｄが設けられている。
【００６１】
この場合、基板吸着プレート６７は、冷却プレート本体６４と同様に、板厚が例えば０．５ｍｍの複数枚例えば１０枚の銅製薄板１を積層してなり、冷却プレート本体６４を構成する銅製薄板１に積層されて拡散接合によって結合されている。すなわち、予めエッチング処理によって吸着用孔６４ｆに連通する吸引流路６７ｄの一部を構成する孔やスリット等を開設（加工）した銅製薄板１と、孔やスリット等を有しない銅製薄板１同士を密着させ、銅の融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する拡散接合方法によって結合されている。
【００６２】
なお、積層結合された冷却プレート本体６４と基板吸着プレート６７における最上層及び最下層の薄板を内層の薄板に比べて耐強度性を有する材料、例えばステンレス，チタン又はニッケル製薄板にて形成してもよい。また、冷却プレート本体６４の最上層及び最下層の薄板と基板吸着プレート６７の最下層の薄板を内層の薄板に比べて耐強度性を有する材料、例えばステンレス，チタン又はニッケル製薄板にて形成してもよい。このように形成することにより、拡散接合時の歪みを抑制することができ、かつ、冷却プレート１４に強度をもたせることができると共に、平面精度の向上により熱処理の精度の向上を図ることができる。
【００６３】
なお、冷却プレート１４を複数段積層する場合は、図９及び図１２に示すように、下段の冷却プレート本体６４の取付基部６４ａの上面にスペーサ７６を介在して上段の冷却プレート１４すなわち裏面に基板吸着プレート６７を一体に形成した冷却プレート本体６４を積層することができる。この場合、スペーサ７６は、ベースブロック６０と同様に、一つの角部がカットされた略立方体にて形成されており、直下に位置する冷却プレート本体６４の供給流路６１ａ及び排出流路６２ａと連通する供給流路６１ｂ及び排出流路６２ｂが設けられると共に、辺部側の４箇所には連結ボルト６６を貫挿する取付孔（図示せず）が設けられている。また、スペーサ７６の供給流路６１ｂ及び排出流路６２ｂにおける下段側の冷却プレート本体６４との間、及び上段側の基板吸着プレート６７との間には夫々シール部材であるＯリング（図示せず）が介在されて、供給流路６１及び排出流路６２の気水密が維持されている。なお、スペーサ７６には基板吸着プレート６７の吸引流路６７ｄが連通する吸引口６０ｃが設けられている。
【００６４】
なお、上記説明ではスペーサ７６を介して複数の冷却プレート１４を積層する場合について説明したが、スペーサ７６を冷却プレート本体６４の取付基部６４ａ又は基板吸着プレート６７の取付基部６７ａに一体に形成した構造としてもよい。
【００６５】
上記のように構成される冷却プレート１４のベースブロック６０と、ベースブロック６０に設けられた供給流路６１及び排出流路６２に接続する供給配管７１及び排出配管７２と、ベースブロック６０に設けられた吸引口６０ｃに接続する吸引配管７３は、ベースプレートに一体に固定されている。なお、ベースプレート７７の一側端下部にはベースプレート７７を枠体１６に固定するための取付ブラケット７８が設けられており、取付ボルト７９によってベースプレート７７が枠体１６に固定されるようになっている。
【００６６】
このようにして冷却プレート１４を一体化したベースプレート７７は、基板収納部である棚ユニットＵ５を構成する枠体１６に対して引出可能に装着されている。したがって、冷却プレート１４を棚ユニットＵ５に対して引出可能に取り付けることができるので、冷却プレート１４の交換や保守・点検等のメンテナンスの向上が図れる。
【００６７】
なお、載置棚１３は、図６に示すように、棚ユニットＵ５の一側から該棚ユニットＵ５内に突入する複数の板状アーム１３ａにて形成されている。この場合、板状アーム１３ａは、例えば先端に約１２０°の角度で分岐される二又部１３ｂを具備しており、この二又部１３ｂを含む板状アーム１３ａの先端部における同心円状の等分された３箇所に、ウエハＷを板状アーム１３ａの表面より僅かに隙間例えば約０．５ｍｍをおいて支持するプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃを突設すると共に、その一つの第１ピン１８ａを受渡しアームＤが棚ユニットＵ５内に進入する方向に平行に配置している。
【００６８】
なお、上記説明では、載置棚１３の板状アーム１３ａは二又部１３ｂを具備する場合について説明したが、第１の開口部１１から進入するメインアームのアーム本体８０と第２の開口部１２から進入する受渡しアームＤのアーム本体９０が干渉しなければ任意の形状でよく、例えば円形状に形成してもよい。
【００６９】
また、板状アーム１３ａは、棚ユニットＵ５の枠体１６の一部に一端が取り付けられて棚ユニットＵ５の一側から該棚ユニットＵ５内に突入するように設けられており、各板状アーム１３ａの基端部同士はスペーサ１９を介して連結部材例えば連結ボルト（図示せず）によって着脱可能に積層状に連結固定されている。このように、載置棚１３を構成する板状アーム１３ａを連結ボルトによって着脱可能に積層状に連結固定することにより、処理スケジュールや処理時間に対応させて載置棚１３の段数すなわち板状アーム１３ａの数の増減を容易にすることができる。
【００７０】
なお、図５に示すように、棚ユニットＵのキャリアブロックＳ１側から所定流量の清浄気体を棚ユニットＵ５内に供給するように構成されている。
【００７１】
なお、受渡しアームＤは、図１１に示すように、上記湾曲アーム片９１，９２と支持爪９３を有するアーム本体９０が棚ユニットＵ５に対して進退自在に構成されると共に、移動機構（図示せず）により、鉛直のＺ方向に昇降自在に構成されている。このようにしてアーム本体９０は、Ｘ方向に進退自在及び昇降自在に構成され、棚ユニットＵ５の各収納ブロック１０ａ〜１０ｄ、受渡しステージＴＲＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このような受渡しアームＤは、後述する制御部１００からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。
【００７２】
上記メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡは基本的には同様に構成されており、シャトルアームＡを代表して説明すると、冷却プレート本体６４の円板部６４ｃ及び載置棚１３の板状アーム１３ａに設けられたプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃと干渉しない一対の湾曲アーム片８１，８２を有する馬蹄形状のアーム本体８０を具備すると共に、各湾曲アーム片８１，８２の先端部及び基端部側下部の４箇所にウエハＷを支持する支持爪８３を設けている。
【００７３】
したがって、受渡しアームＤの場合と同様に、載置棚１３同士間のスペースをシャトルアームＡのアーム本体８０が鉛直方向に移動して載置棚１３のプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃとの間でウエハＷの受け渡しが可能な最低限のスペースとすることができるので、限られたスペース内に多くの載置棚１３を設けることができる。また、シャトルアームＡは、馬蹄形状のアーム本体８０の３箇所に支持爪８３を設けるので、ウエハＷを安定した状態で支持して搬送することができる。
【００７４】
なお、上記複数の載置棚１３の間隔は、受渡しアームＤのアーム本体９０の厚み及びメインアームＡのアーム本体８０の厚みよりも狭く形成されている。これにより、棚ユニットＵ５の収納スペースを可能な限り小さくすることができ、棚ユニットＵ５内へのウエハＷの収納枚数の増大、あるいは、ウエハＷの収納枚数が少ない場合には装置の小型化が図れる。
【００７５】
なお、メインアームＡ１（Ａ３〜Ａ５）は、同様に構成されており、図４に示すように、回転駆動機構８４、水平ガイドレール８６及び垂直ガイドレール８７に沿って移動するための移動機構８５によって、Ｘ方向に進退自在，Ｙ方向に移動自在，昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各ユニットや受渡しステージＴＲＳ１、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡ１は、制御部１００からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。また、メインアームＡ１（Ａ３〜Ａ５）の加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。
【００７６】
また、上記処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３の隣接する領域には、図１及び図３に示すように、メインアームＡ１，シャトルアームＡがアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。この棚ユニットＵ６は、図３に示すように、各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のメインアームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、２個の受渡しステージＴＲＳ３を備えている。
【００７７】
また、棚ユニットＵ６の上部には上記棚ユニットＵ５と同様に、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡとの間でウエハＷの受け渡しを行うように、例えば２個の受渡しステージＴＲＳ４，ＴＲＳ５を備えており、また、単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対応すべく複数に区画された収納ブロック１０ｅ〜１０ｈを備えると共に、各収納ブロック１０ｅ〜１０ｈに、複数の載置棚１３、及び反射防止膜形成処理後にウエハＷを所定温度に調整するためや、露光処理後に加熱処理されたウエハＷを所定温度に調整するための冷却プレート１４（ＣＰＬ９〜ＣＰＬ１６）と、バッファ用の載置棚１３を備えている。
【００７８】
この場合、第１収納ブロック１０ｅは第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２（ＤＥＶ層）に対応し、第２収納ブロック１０ｆは第３の単位ブロックＢ３（ＢＣＴ層）に対応し、第３収納ブロック１０ｇは第４の単位ブロックＢ４（ＣＯＴ層）に対応し、第４収納ブロック１０ｈは第５の単位ブロックＢ５（ＴＣＴ層）に対応している。
【００７９】
また、棚ユニットＵ６のＸ方向の背部側には上記基板受渡しアームＤと同様の構造の受渡しアームＥが配設されており、この受渡しアームＥによって各収納ブロック１０ｅ〜１０ｈの冷却プレート１４，１４Ａ（ＣＰＬ９〜ＣＰＬ１６）や載置棚１３に対してウエハＷを受渡しすることができるように構成されている。
【００８０】
なお、図８はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット（ＣＬＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ），疎水化処理装置（ＡＤＨ），周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。
【００８１】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して第２の処理ブロックである露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の棚ユニットＵ６の各部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＦを備えている。このインターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の受渡しステージＴＲＳ３に対してウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００８２】
上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置では、５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の受渡しアームＤ，Ｅにより、それぞれ受渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができると共に、上述のインターフェイスアームＦにより、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２を介して処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００８３】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置におけるウエハＷの搬送処理態様について、図１〜図４、図７及び図８を参照して説明する。なお、ここでは、棚ユニットＵ５の収納ブロック１０ａ〜１０ｄの最下段の第１収納ブロック１０ａには、２段の冷却プレートＣＰＬ７，ＣＰＬ８が配置され、その上段の第２収納ブロック１０ｂには、２段の冷却プレートＣＰＬ１，ＣＰＬ２と複数の載置棚１３（ＢＵＦ１）が配置され、その上段の第３収納ブロック１０ｃには、２段の冷却プレートＣＰＬ３，ＣＰＬ４と複数の載置棚１３（ＢＵＦ２）が配置され、そして、その上段すなわち最上段の第４収納ブロック１０ｄには、２段の冷却プレートＣＰＬ５，ＣＰＬ６と複数の載置棚１３（ＢＵＦ３）が配置される場合について説明する。また、棚ユニットＵ６の収納ブロック１０ｅ〜１０ｈの最下段の第１収納ブロック１０ｅには、２段の冷却プレートＣＰＬ９，ＣＰＬ１０が配置され、その上段の第２収納ブロック１０ｆには、２段の冷却プレートＣＰＬ１１，ＣＰＬ１２と複数の載置棚１３（ＢＵＦ１）が配置され、その上段の第３収納ブロック１０ｃには、２段の冷却プレートＣＰＬ１３，ＣＰＬ１４と複数の載置棚１３（ＢＵＦ２）が配置され、そして、その上段すなわち最上段の第４収納ブロック１０ｄには、２段の冷却プレートＣＰＬ１５，ＣＰＬ１６と複数の載置棚１３（ＢＵＦ３）が配置される場合について説明する。
【００８４】
＜レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態＞
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから受渡しアームＤに受け渡された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの冷却プレート１４（ＣＰＬ１）まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ１上に載置されて所定の冷却温度例えば室温に温度調整される。その後、ＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。
【００８５】
そしてＢＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、第１の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）→棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの載置棚ＢＵＦ１の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。第２収納ブロック１０ｂ内の載置棚ＢＵＦ１に載置されたウエハＷは、受渡しアームＤによって第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）上に載置されて所定温度（例えば室温）に温度調整される。
【００８６】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷはメインアームＡ３により、塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＬＨＰ４→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２に載置されたウエハＷは、受渡しアームＤによって第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）上に載置されて所定温度（例えば室温）に温度調整される。
【００８７】
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ５に搬送される。続いて受渡しステージＴＲＳ５のウエハＷは、インターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００８８】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＦにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００８９】
＜レジスト膜の上側に反射防止膜を形成する搬送処理形態＞
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣにより、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、受渡しアームＤにより、棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３上に載置されて所定の冷却温度例えば室温に温度調整される。その後、ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そして、ウエハＷは、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ４に搬送され、冷却プレートＣＰＬ４上に載置されて所定温度（室温）に温度調整される。次に、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５から取り出されたウエハＷは、塗布ユニット３２に搬送されて、塗布ユニット３２においてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ４によって加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベークが施される。その後、ウエハＷは、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２上に収納されて一時待機する。
【００９０】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷは、受渡しアームＤによって棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの冷却プレートＣＰＬ５（ＣＰＬ６）に搬送され、冷却プレートＣＰＬ５（ＣＰＬ６）上に載置されて所定温度（室温）に温度調整された後、メインアームＡ５によりＴＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そして、ＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、第２の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）→棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３の順序で搬送されて、第２の反射防止膜が形成される。なお、この場合、加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）による加熱処理後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送して、周辺露光処理を行った後に、棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３に搬送してもよい。
【００９１】
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの載置棚ＢＵＦ３に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ５に搬送される。続いて受渡しステージＴＲＳ５のウエハＷは、インターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００９２】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＦにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００９３】
上記説明では、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態と、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態について説明したが、その他の搬送処理形態例えば、レジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成する搬送処理形態や反射防止膜無しの搬送処理形態についても上記の搬送処理形態の各工程を組み合わせてウエハＷに処理を施すことができる。
【００９４】
以上において、上述の塗布・現像処理装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のスケジュール管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５、トランスファーアームＣ、受渡しアームＤ，Ｅ、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えており、この制御部１００にて、単位ブロックＢ１〜Ｂ５を使用してウエハＷを搬送させ、処理が行われるようになっている。
【００９５】
上記搬送フローのスケジュールは単位ブロック内のウエハＷの搬送経路（搬送の順番）を指定したものであり、単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に、形成する塗布膜の種類に応じて作成され、これにより単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に複数個の搬送フローのスケジュールが制御部１００に格納されている。
【００９６】
また、形成する塗布膜によって、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５にウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第１の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＢＣＴ層Ｂ３）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第２の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＴＣＴ層Ｂ５）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）のみにウエハＷを搬送するモードとがあり、制御部１００のモード選択手段により、形成しようとする塗布膜の種類に応じてウエハＷを搬送する単位ブロックを選択すると共に、かつ選択された単位ブロック毎に用意された複数の搬送フローのスケジュールから最適なレシピを選択することにより、形成する塗布膜に応じて使用する単位ブロックが選択されて、当該単位ブロックでは、各処理ユニットやアームの駆動が制御され、一連の処理が行われるようになっている。
【００９７】
このような塗布・現像処理装置では、キャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２との間、及び処理ブロックＳ２と第２の処理ブロックＳ４（露光装置）との間に、夫々メインアームＡ１〜Ａ５又は受渡しアームＤ，Ｅから受け取ったウエハＷを載置して冷却する、支持ピンを不要とする冷却プレート１４を具備する棚ユニットＵ５，Ｕ６（基板収納部）を設けるので、支持ピンの昇降時間を省くことができると共に、冷却プレート１４による冷却時間を延ばすことができる。したがって、スループットの向上及び処理精度の向上が図れる。また、支持ピンの駆動機構の削減ができるため、冷却プレート１４の故障リスクが減り、メンテナンスを容易にすることができ、かつ冷却プレート１４の高さ方向のスペースを小さくすることができ、装置の小型化が図れる。
【００９８】
更にまた、冷却プレート１４は、冷媒流体の供給流路６１及び排出流路６２を有するベースブロック６０の上部に、供給流路６１及び排出流路６２に連通する冷媒流路６３を有する冷却プレート本体６４の必要数を積層固定してなるので、冷却プレート１４の搭載数を増やすことができ、生産性の向上を図ることができる。
【００９９】
なお、上記実施形態では、この発明に係る基板熱処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、この発明に係る基板熱処理装置は、ＦＰＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムにも適用できることは勿論である。
【０１００】
また、上記実施形態では、熱処理プレートが冷媒の流路を有する冷却プレート１４にて形成される場合について説明したが、所定の温度に設定された熱媒体を流路内に供給して基板を所定温度に加熱又は維持する加熱プレートにて熱処理プレートを形成してもよい。
【０１０１】
また、上記実施形態では、熱処理プレート例えば冷却プレート１４に所定の温度の冷媒を供給してウエハＷを冷却する場合について説明したが、熱処理プレートに異なる温度の熱媒体を切り換え可能に供給するようにしてもよい。例えば、図１４に示すように、供給流路６１ａ及び排出流路６２ａの少なくとも供給流路６１ａの供給口６０ａと、異なる温度の熱媒体の供給源３，４とを温度切換機構例えば切換弁６を介設した熱媒体供給管路８にて接続して、熱処理プレート１４Ｂに異なる温度の熱媒体を切り換え可能に供給するようにしてもよい。なお、この場合、切換弁６を切換操作して複数の熱媒体供給源３，４から異なる温度の熱媒体を熱処理プレート１４Ｂに供給しているが、必ずしもこの構造に限定されるものではない。例えば、図１５に示すように、熱処理プレート１４Ｂの供給流路６１ａ及び排出流路６２ａの少なくとも供給流路６１ａの供給口６０ａと、一つの熱媒体供給源５とを接続する熱媒体供給管路８Ａに温度切換機構である温調機構７を介設し、例えば制御部１００からの制御信号に基づいて温調機構７を温調制御することにより熱媒体を所定の温度に設定して、熱処理プレート１４Ｂに供給するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
Ｗ  半導体ウエハ（基板）
１  銅製薄板
１ａ  最上層薄板
１ｂ  最下層薄板
３，４，５  熱媒体供給源
６  切換弁（温度切換機構）
７  温調機構（温度切換機構）
８，８Ａ  熱媒体供給管路
１４  冷却プレート（熱処理プレート）
１４Ｂ  熱処理プレート
６０ａ  供給口
６１，６１ａ  供給流路
６２，６２ａ  排出流路
６３  冷媒流路（熱媒体流路）
６４  冷却プレート本体
６４ｅ  プロキシミティピン（支持ピン）
６４ｆ  吸着用孔
６４ｈ  取付穴
６７  基板吸着プレート
６７ｄ  吸引流路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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