(57)【要約】【課題】多端子固体電解コンデンサ部品において、実装端子間でのＥＳＬが均一となるコンデンサを提供すること。【解決手段】コンデンサ部品は、陰極及び陽極を有するコンデンサ素子１０、変換基板２と及びソルダーレジスト３０を備えている。変換基板２０の表面２１には、コンデンサ素子１０の陰極導体層１８及び陽極導体部１９と接続される素子側陰極端子２５及び素子側陽極端子２６を有している一方、変換基板２０の裏面２１’には、ソルダーレジスト３０の陰極開口部３２内及び陽極開口部３３内に位置する実装側陰極端子２５’及び実装側陽極端子２６’を有している。実装側陰極端子２５’及び実装側陽極端子２６’は、素子側陰極端子２５及び素子側陽極端子２６とスルーホール２９で接続されている。このようなコンデンサ部品において、実装側陰極端子２５’及び実装側陽極端子２６’を実装側陰極端子２５’の下部のみに配置したこと。【選択図】図１
2010165871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極及び陽極を有するコンデンサ素子と変換基板とを備えるコンデンサ部品であって、
前記変換基板は、表面及び裏面を有しており、
前記表面には前記陰極に接続される陰極外部端子及び前記陽極に接続される陽極接続端子が形成されている一方、前記裏面には陰極外部端子及び陽極外部端子が形成されており、
前記陽極接続端子及び前記陰極接続端子は、前記陽極外部端子及び前記陰極外部端子と電気的に接続されており、
前記陰極外部端子及び前記陽極外部端子は、前記陰極接続端子の下部のみに配置されている
コンデンサ部品。
【請求項２】
前記陽極外部端子の数及び前記陰極外部端子の数は、夫々、２以上であり、
該陽極外部端子同士及び該陰極外部端子同士は、夫々、互いに隣接しないように配列されており、
前記陰極接続端子及び前記陰極外部端子は、前記変換基板に形成されたスルーホールを通して接続されている
請求項１に記載のコンデンサ部品。
【請求項３】
前記コンデンサは、弁作用金属からなる母材を含む固体電解コンデンサである
請求項１又は請求項２に記載のコンデンサ部品。
【請求項４】
前記母材は、板状又は箔状のものであり、
前記母材表面には該母材の酸化物による誘電体層が形成されており、
前記誘電体層上には、固体電解質層を含み、且つ、前記母材とは電気的に絶縁されている陰極導体層が形成されており、
前記母材の一部に前記陽極が形成されている
請求項３に記載のコンデンサ部品。
【請求項５】
前記陰極導体層は、前記母材の表側に形成されている表側陰極導体層と前記母材の裏側に形成されている裏側陰極導体層を備えており、
前記表側陰極導体層及び前記裏陰極導体層は、互いに電気的に接続されている
請求項４に記載のコンデンサ部品。
【請求項６】
前記母材の面に対して直交する方向から見た場合に、前記母材の対向する端部には夫々前記陽極が形成されている
請求項４又は請求項５に記載のコンデンサ部品。
【請求項７】
前記陽極の数は４である、請求項６に記載のコンデンサ部品。
【請求項８】
前記陽極の数は２である、請求項６に記載のコンデンサ部品。
【請求項９】
前記母材の端部には、前記陽極が該端部の全域に亘って連続して形成されており、
前記母材の面に対して直交する方向から見た場合に、前記陰極導体層は、前記陽極の内側に配置されているとともに、
前記表側陰極導体層及び前記裏陰極導体層の夫々は、前記コンデンサ素子の中央付近に形成された貫通導体部を通して電気的に接続されている
請求項４又は請求項５に記載のコンデンサ部品。
【請求項１０】
前記弁作用金属は、アルミニウム、ニオブ、タンタル或いはそれらの合金を用いてなる
請求項３乃至請求項９のいずれかに記載のコンデンサ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に電源回路に用いられる固体電解コンデンサに関し、特に、複数の実装端子を有する固体電解コンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル民生機器に搭載された回路基板上に流れる信号が高周波化している。それに伴い、回路基板上の半導体等に流れる電源電流も増加傾向にあり、電源ノイズ増加の原因となっている。更に、半導体等の構造の微細化に伴って、半導体等の電源ノイズに対するマージンも小さくなっており、電源ノイズの影響も増大している。このような背景から、増加した電源ノイズへの対策が急務になっている。電源ノイズの除去をするデバイスのひとつとしてコンデンサが挙げられるが、電源ノイズ対策用コンデンサの分野においても、小型大容量でかつ高周波領域においてインピーダンスが低いコンデンサが強く要求されている。
【０００３】
高周波領域のインピーダンスは、インダクタンス成分（ＥＳＬ）の影響が大きい。そのため、ＥＳＬ低減がノイズ対策の大きな課題となっている。このような要求に対応できるコンデンサの一つとして、特許文献１に開示されているような複数の実装端子を有する多端子積層セラミックコンデンサが挙げられる。多端子積層セラミックコンデンサは実装陽極端子及び実装陰極端子が交合に配置されることにより、低ＥＳＬ化を図ったものである。
【０００４】
一方、大容量のコンデンサとして、特許文献２に、タンタルやアルミ等の弁作用金属の酸化物を誘電体としポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子化合物を固体電解質とした固体電解コンデンサが開示されている。
【０００５】
更に、スルーホール未形成のコンデンサとして特許文献３及び特許文献４に多端子積層セラミックコンデンサが開示されている。このタイプの多端子積層セラミックコンデンサは、コンデンサ素子と、そのコンデンサ素子に接続される端子及び回路基板に実装するための多端子を有する基板（以下、変換基板という）とを備えているものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２０４３７２号公報
【特許文献２】特開２００２−３４３６８６号公報
【特許文献３】特開２００５−２３６０９０号公報
【特許文献４】特開２００６−３４４９３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１及び特許文献２に開示されている多端子積層セラミックコンデンサは、コンデンサ本体内部に内部陽極層及び内部陰極層を有する構造のものであり、これらと実装陽極端子及び実装陰極端子が電気的に接触することを避けるために、誘電体を貫通するスルーホールを有している。従って、多端子積層セラミックコンデンサは低ＥＳＬにはなるもののコンデンサ自体の容量が極端に小さくなる。
【０００８】
また、特許文献３及び特許文献４に開示されている多端子積層セラミックコンデンサは、コンデンサ素子の電極（以下、素子側電極）の数と実装端子の数が異なる構成としており、素子側電極から実装端子までは、導体層及びスルーホールで電気的に接続し、ソルダーレジストのパターンで多端子化を図ったものである。従って、コンデンサ素子内の誘電体を貫通するスルーホールがないため、誘電体層内にスルーホールを形成するコンデンサに比べてコンデンサの容量が低下することがない。しかし、夫々の実装端子間でのＥＳＬ（等価直列インダクタンス）が不均一になるという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、実装端子間でのＥＳＬが均一となるコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
即ち、本発明によれば、第１のコンデンサ部品として、陰極及び陽極を有するコンデンサ素子と変換基板とを備えるコンデンサ部品であって、前記変換基板は、表面及び裏面を有しており、前記表面には前記陰極に接続される陰極外部端子及び前記陽極に接続される陽極接続端子が形成されている一方、前記裏面には陰極外部端子及び陽極外部端子が形成されており、前記陽極接続端子及び前記陰極接続端子は、前記陽極外部端子及び前記陰極外部端子と電気的に接続されており、前記陰極外部端子及び前記陽極外部端子は、前記陰極接続端子の下部のみに配置されているコンデンサ部品が得られる。
【００１１】
また、本発明によれば、第２のコンデンサ部品として、第１のコンデンサ部品において、前記陽極外部端子の数及び前記陰極外部端子の数は、夫々、２以上であり、該陽極外部端子同士及び該陰極外部端子同士は、夫々、互いに隣接しないように配列されており、前記陰極接続端子及び前記陰極外部端子は、前記変換基板に形成されたスルーホールを通して接続されているコンデンサ部品が得られる。
【００１２】
また、本発明によれば、第３のコンデンサ部品として、第１又は第２のコンデンサ部品において、前記コンデンサは、弁作用金属からなる母材を含む固体電解コンデンサであるコンデンサ部品が得られる。
【００１３】
また、本発明によれば、第４のコンデンサ部品として、第３のコンデンサ部品において、前記母材は、板状又は箔状のものであり、前記母材表面には該母材の酸化物による誘電体層が形成されており、前記誘電体層上には、固体電解質層を含み、且つ、前記母材とは電気的に絶縁されている陰極導体層が形成されており、前記母材の一部に前記陽極が形成されているコンデンサ部品が得られる。
【００１４】
また、本発明によれば、第５のコンデンサ部品として、第４のコンデンサ部品において、前記陰極導体層は、前記母材の表側に形成されている表側陰極導体層と前記母材の裏側に形成されている裏側陰極導体層を備えており、前記表側陰極導体層及び前記裏陰極導体層は、互いに電気的に接続されているコンデンサ部品が得られる。
【００１５】
また、本発明によれば、第６のコンデンサ部品として、第４又は第５のコンデンサ部品において、前記母材の面に対して直交する方向から見た場合に、前記母材の対向する端部には夫々前記陽極が形成されているコンデンサ部品が得られる。
【００１６】
また、本発明によれば、第７のコンデンサ部品として、第６のコンデンサ部品において、前記陽極の数は４である、コンデンサ部品が得られる。
【００１７】
また、本発明によれば、第８のコンデンサ部品として、第６のコンデンサ部品において、前記陽極の数は２である、コンデンサ部品が得られる。
【００１８】
また、本発明によれば、第９のコンデンサ部品として、第４又は第５のコンデンサ部品において、前記母材の端部には、前記陽極が該端部の全域に亘って連続して形成されており、前記母材の面に対して直交する方向から見た場合に、前記陰極導体層は、前記陽極の内側に配置されているとともに、前記表側陰極導体層及び前記裏陰極導体層の夫々は、前記コンデンサ素子の中央付近に形成された貫通導体部を通して電気的に接続されているコンデンサ部品が得られる。
【００１９】
また、本発明によれば、第１０のコンデンサ部品として、第３乃至第９のコンデンサ部品において、前記弁作用金属は、アルミニウム、ニオブ、タンタル或いはそれらの合金を用いてなるコンデンサ部品が得られる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、陰極外部端子及び陽極外部端子を陰極接続端子の下部のみに配置したことにより、ＥＳＬを実装端子間でほぼ均一にすることができ、高周波特性のすぐれた多端子固体電解コンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるコンデンサ部品の分解斜視図である。
【図２】図１のコンデンサ素子のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の変換基板の表面を表す図である。
【図４】図１の変換基板の裏面を表す図である。
【図５】図１のソルダーレジストを表す図である。
【図６】従来のコンデンサ部品におけるコンデンサ素子を表す図である。
【図７】従来のコンデンサ部品における変換基板の表面を表す図である。
【図８】従来のコンデンサ部品における変換基板の裏面を表す図である。
【図９】従来のコンデンサ部品におけるソルダーレジストを表す図である。
【図１０】コンデンサ部品における等価回路のイメージ図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態によるコンデンサ素子を表す図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態による変換基板の表面を表す図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態による変換基板の裏面を表す図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態によるソルダーレジストを表す図である。
【図１５】本発明の第４の実施の形態によるコンデンサ素子を表す図である。
【図１６】本発明の第４の実施の形態による変換基板の表面を表す図である。
【図１７】本発明の第４の実施の形態による変換基板の裏面を表す図である。
【図１８】本発明の第４の実施の形態によるソルダーレジストを表す図である。
【図１９】従来品１のコンデンサ素子を表す図である。
【図２０】従来品１の変換基板の表面を表す図である。
【図２１】従来品１の変換基板の裏面を表す図である。
【図２２】従来品１のソルダーレジストを表す図である。
【図２３】従来品２のコンデンサ素子を表す図である。
【図２４】従来品２の変換基板の表面を表す図である。
【図２５】従来品２の変換基板の裏面を表す図である。
【図２６】従来品２のソルダーレジストを表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図１に示されるように、本実施の形態におけるコンデンサ部品１は、コンデンサ素子１０、変換基板２０及びソルダーレジスト３０を備えている。
【００２４】
コンデンサ素子１０について構造の詳細を製法と共に説明する。図２に示されるように、まず、多孔質部が形成された弁金属作用を有する母材１１の表面に酸化皮膜１２を形成し陽極体とする。本実施の形態における母材１１は、アルミ電解コンデンサ用に市販されているアルミ箔であり、公称化成電圧５Ｖのものを用いている。母材１１は、８ｍｍ角の正方形形状に切り取られたアルミ箔の四隅から１．２５ｍｍ角の正方形を更に打ち抜くことにより、外形が略十字型になるように形成した。次に、略十字型に形成された母材１１の４つの最端から１．０ｍｍ内側部分の面上にエポキシを主成分とする樹脂をＸＹ平面において０．５ｍｍの幅で塗布し、含浸、硬化させることにより、絶縁部１３を形成する。本実施の形態において、絶縁部１３に囲まれる５．５ｍｍ角の正方形領域を素子陰極領域１４とし、素子陰極領域１４に導電性高分子であるポリピロールからなる固体電解質層１５を形成した。更に、固体電解質層１５の上に、グラファイト層１６及び銀層１７を形成し、陰極導体層１８とした。本実施の形態における銀層１７は、外形を６．０ｍｍ角の正方形形状とすることにより、上部の銀層１７と下部の銀層１７は素子陰極領域１４の四隅で電気的に接続されている。その後、Ｚ方向において厚さ０．０５ｍｍの銅箔を母材１１に対して超音波溶接することにより、陽極導体部１９とする。
【００２５】
次に、変換基板２０について説明する。図３及び図４に示されるように、変換基板２０は、厚さ０．２ｍｍガラスエポキシ樹脂の両面を厚さ０．０２ｍｍの銅板で挟んだ両面銅貼板を８．０ｍｍ角の正方形となるように打ち抜いたものを用いる。なお、図１における変換基板２０は、簡略化のため、一部のみ透過するものとして描かれている。
【００２６】
変換基板の表面２１には、面の中心に基板陰極領域２２が形成されており、その基板陰極領域２２の外周に沿って絶縁領域２３が形成されており、更には、その絶縁領域２３
外周に沿って陽極領域２４が形成されている。本実施の形態において、基板陰極領域２２は５．５ｍｍ角の形状を有しており、基板陰極領域２２を含む絶縁領域２３は１辺が６．５ｍｍになるように形成されている。本実施の形態において、変換基板２０とコンデンサ素子１０を重ねた場合に、基板陰極領域２２と素子陰極領域１４のＸＹ平面における位置は一致する。陰極領域２２内には、５．０ｍｍ角で規定される正方形領域２２’が形成されている。本実施の形態において、正方形領域２２’を１ｍｍ間隔の格子平面とした場合、計３６個の格子点ができることになる。φ０．３２ｍｍに形成された素子側陰極端子２５は、Ｘ方向及びＹ方向において１個おきの格子点上に配置されており、結果として、１８個の素子側陰極端子２５が正方形領域２２’上に配置されている。一方、陽極領域２４には、変換基板２０の各４辺の端から０．２５ｍｍ内側の直線上に６個ずつ素子側陽極端子２６が形成されており、素子側陽極端子２６は、その直線の基板上の部分における中心付近に１ｍｍ間隔で配置されている。本実施の形態における素子側陰極端子２５及び素子側陽極端子２６は、スルーホール２９を通じて変換基板の裏面２１’に形成された実装側陰極端子２５’及び実装側陽極端子２６’と電気的に接続されている。各実装側陰極端子２５’の外周には、実装側陰極端子２５’と変換基板裏面２１’の表面に形成された導体部とを絶縁するための絶縁部２７が形成されている。
【００２７】
続いて、ソルダーレジスト３０について説明する。図５に示されるように、ソルダーレジスト３０は、ＸＹ平面における中心に５．０ｍｍ角の正方形形状を有するレジスト陰極領域３１を有している。レジスト陰極領域３１内には、陰極開口部３２と陽極開口部３３で構成されるφ３．０ｍｍ開口部３４が１ｍｍ間隔で格子状に形成されている。本実施の形態において、ソルダーレジスト３０と変換基板２０とを重ねると、レジスト陰極領域３１は、Ｚ方向から見た場合に基板陰極領域２２内に含まれることとなる。従って、Ｚ方向において、陰極開口部３２と陽極開口部３３は素子陰極領域１４の直下に配置されることとなる。また、実装側陰極端子２５’は、開口部３４のうち陰極開口部３２内に位置する一方、陽極開口部３３内には変換基板の裏面２１’に形成された銅板が位置することとなる。
【００２８】
本実施の形態においては、陽極開口部３３を通りコンデンサ部品１に入力される電流（以下、入力電流という）は、変換基板の裏面２１’上の銅板を経由して、各実装側陽極端子２６’、スルーホール２９、素子側陽極端子２６へと通じ、陽極導体部１９へと入力される。一方、コンデンサ部品１から出力される出力電流については、陰極導体層１８、各素子側陽極端子２５、スルーホール２９を通じて実装側陰極端子２５’へと通じ、陰極開口部３２を通って出力される。
【００２９】
図６乃至図９に示されるように、従来のコンデンサ部品においては、陰極開口部３０２及び陽極開口部３０３が、Ｚ方向から見た場合に、基板陰極領域３０４の外側にも形成されている。そのため、ソルダーレジスト３００の角部に形成された陽極開口部３０３から実装側陽極端子２０６’までの距離と、ソルダーレジスト３００の中心部に形成された陽極開口部３０３から実装側陽極端子２０６’までの距離に差が生じており、このことが実装端子間でＥＳＬが不均一となる原因となっていた。
【００３０】
具体的には、角部陽極開口部３１０に入力電流があった場合、実装側陽極端子２０６’までの最短距離（例えば、実装側陽極端子２１０’までの距離Ｌ１）と、実装側陽極端子２０６’までの最長距離（例えば、実装側陽極端子２１１’までの距離Ｌ２）との差が大きい。更に、角部陽極開口部３１０のＺ方向における直上には、陽極導体部１０９が存在しない。このため、角部陽極開口部３１０に入力電流があった場合は、コンデンサ素子１００の陽極導体部１０９までの電流経路が少ない。
【００３１】
それに対し、中心部陽極開口部３１２に入力電流があった場合、各実装側陽極端子２０６’までの最短距離（例えば、実装側端子２１２’までの距離Ｌ３）と、実装側陽極端子２０６’までの最長距離（例えば、実装側端子２１３’までの距離Ｌ４）との差は小さい。このため、中心部陽極開口部３１２に入力電流があった場合は、コンデンサ素子１００の陽極導体部１０９までの電流経路が多い。
【００３２】
以上より、ソルダーレジストの中心部に形成された開口部３０２の方が、角部に形成された開口部よりも電流経路ごとのＥＳＬがほぼ均一になることから、入力電流は全ての実装側陽極端子２０６’をほぼ均等に通ることとなる。
【００３３】
本発明におけるコンデンサ部品１の陽極開口部３３及び陰極開口部３２は、Ｚ方向において、陰極領域１４の直下に配置されており、従来のコンデンサ部品１の陽極開口部３０３及び陰極開口部３０２に比べると、よりＸＹ平面において中心付近の集まっている構成としている。従って、角部の陽極開口部３３に入力電流があった場合であっても、その陽極開口部３３から各実装側陽極端子２６’までのインダクタンス成分夫々の差は小さいものとなる。そのため、コンデンサ部品１のＥＳＬが均一になり、入力電流は全ての実装側陽極端子２６’をほぼ均等に通ることにより、高周波特性を向上させることができる。
【００３４】
以上に説明したことを等価回路図を用いて詳しく説明する。図１０において、陽極開口部３３から各実装側陽極端子２６’までのインダクタンス成分をＬａｍ（ｍ＝１，２，３・・・）、スルーホールのインダクタンス成分をＬｐ、素子側陽極端子２６から陽極導体部１９までのインダクタンス成分をＬｂｍ（ｍ＝１，２，３・・・）で表している。本実施の形態においては、陽極開口部３３から実装側陽極端子２６’までの距離、即ちインダクタンス成分Ｌａｍ（ｍ＝１，２，３・・・）のバラツキを小さくすることで、入力電流の経路ごとのＥＳＬを均一とすることができる。
【００３５】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態におけるコンデンサ部品２は、第１の実施の形態における実装側陽極端子２６’の数を１１個に増やし、実装側陽極端子２６’同士の間隔を０．５ｍｍにした点が異なっている。これにより、第１の実施の形態に比べて、入力電流の経路ごとのＥＳＬを均一とすることができることに加え、陽極開口部３３からコンデンサ素子の陽極導体部１９までの入力電流の経路をより多くとることができ、高周波特性を向上させることができる。
【００３６】
（第３の実施の形態）
続いて、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、以下の説明においては、第１の実施の形態との相違点のみを説明し、同一の構成部分については説明を省略する。図１１乃至図１４に示されるように、本実施の形態におけるコンデンサ部品３は、母材１１ａの対向する端部に２つの陽極極導体層１９ａを有している。また、Ｚ方向における上下の陰極導体層１８ａは、コンデンサ素子１０のＹ方向端部において電気的に接続されている。本実施の形態における実装側陽極端子２６ａ’は、１辺あたり１ｍｍ間隔で８個形成されている。
【００３７】
（第４の実施の形態）
更に続いて、本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、以下の説明においても、第１の実施の形態との相違点のみを説明し、同一の構成部分については説明を省略する。図１５乃至図１８に示されるように、本実施の形態におけるコンデンサ素子１０ｂは中心にφ１．０ｍｍの貫通孔４０が形成されている。Ｚ方向において上下の陰極導体層１８ｂは、貫通孔４０の内側の面上に形成された導体部を通して電気的に接続されている。かかる構成により、陽極導体部１９ｂを母材１１ｂの外周全域に亘って形成することができコンデンサ部品４の入力電流に対する電流経路を増やすことができる。
【００３８】
このような構成のコンデンサ部品４であっても、陽極開口部３２ｂ及び陰極開口部３３ｂをＺ方向において、陰極領域１４ｂの直下に配置させることで、コンデンサ部品１のＥＳＬが均一になり、且つ入力電流の経路をより多くとることができ、高周波特性を向上させることができる。
【００３９】
以上のような工程によって作られたコンデンサ部品１乃至４の素子部の平均的特性を表１に示す。なお、容量の測定周波数は１２０Ｈｚであり、等価直列抵抗（以下、ＥＳＲとする）の測定周波数は１００ｋＨｚである。漏れ電流は、２．５Ｖ印加時の電流値とした。
【００４０】
【表１】
2010165871.tif 000003
【００４１】
続いて、本実施の形態におけるコンデンサ部品１乃至４と従来のコンデンサ部品とのＥＳＬのバラツキについて比較する。
【００４２】
（従来品１）
従来品１のコンデンサ部品５は、上述した第１の実施の形態におけるコンデンサ部品１とは、変換基板２００の構成が異なっている。以下、相違点を説明する。図１９乃至図２２に示されるように、ソルダーレジスト３００の開口部３０１は、ＸＹ平面において、ソルダーレジスト３００の中心部に位置する６．０ｍｍ角の正方形内に１．２ｍｍ間隔で格子状に配列され、陰極開口部３０２と陽極開口部３０３が交互に配列されている。変換基板２００は、２種類の実装側陰極端子２０５’、２１５’を有している。このうち、実装側陰極端子２０５’は、正方形領域２０２’外周上に形成されている一方、実装側陰極端子２１５’は、正方形領域２０２’の内部に形成されている。Ｚ方向において、陰極開口部３０２は、レジスト陰極領域３０４よりも外側の部分にまで形成されているため、ソルダーレジスト３００と変換基板２００とを重ねた場合に、最外周に位置する陰極開口部３０２とスルーホール２０９との位置がＸＹ平面においてずれてしまう。このため、実装側陰極端子２０５’（φ１．０ｍｍ）は、実装側陰極端子２１５’（φ０．３２ｍｍ）よりも若干大きめに形成されており、陰極開口部３０２とスルーホール２０９が実装側陰極端子２０５’を介して接続されるような構成としている。
【００４３】
（従来品２）
従来品２のコンデンサ部品６は、上述した第３の実施の形態におけるコンデンサ部品３とは、変換基板２００ａの構成が異なっている。以下、相違点を説明する。図２３乃至図２６に示されるように、ソルダーレジスト３００ａの開口部３０１ａは、ＸＹ平面において、ソルダーレジスト３００ａの中心部に位置する６．０ｍｍ角の正方形内に１．２ｍｍ間隔で格子状に配列され、陰極開口部３０２ａと陽極開口部３０３ａが交互に配列されている。変換基板２００ａは、２種類の実装側陰極端子２０５ａ’、２１５ａ’を有している。このうち、実装側陰極端子２０５ａ’は、長方形領域２０２ａ’外周上に形成されている一方、実装側陰極端子２１５ａ’は、長方形領域２０２ａ’の内部に形成されている。コンデンサ部品６においても、上述したコンデンサ部品５と同様に、開口部３０１ａが陰極領域１０４ａよりも外側の部分にまで形成されているため、ソルダーレジスト３００ａと変換基板２００ａとを重ねた場合に、最外周に位置する陰極開口部３０２ａとスルーホール２０９ａとがＸ方向においてずれてしまう。このため、実装側陰極端子２０５ａ’（φ１．０ｍｍ）は、実装側陰極端子２１５ａ’（φ０．３２ｍｍ）よりも若干大きめに形成されており、陰極開口部３０２ａとスルーホール２０９ａが実装側陰極端子２０５ａ’を介して接続されるような構成としている。
【００４４】
以上に説明したコンデンサ部品１乃至６について、全端子間におけるＥＳＬ平均とバラツキ（標準偏差の３倍）を調べた。４つの陽極導体層を有するコンデンサ部品１、２、４及び５を表２に、２つの陽極導体層を有するコンデンサ部品３及び６を表３に示す。なお、ＥＳＬは高周波プローブ（カスケードマイクロテック製）とネットワークアナライザ（アジレント製）を用いて、４端子法で挿入損失を測定することにより算出した。但し、表２及び表３における数値は、コンデンサ部品５（従来品１）を１００とした場合の数値である。
【００４５】
【表２】
2010165871.tif 000004
【００４６】
【表３】
2010165871.tif 000005
【００４７】
表２及び表３から理解されるように、コンデンサ部品１、２及び４の方がコンデンサ部品５よりも各端子間におけるＥＳＬの平均及びバラツキが小さいことがわかる。また、コンデンサ部品３の方がコンデンサ部品６よりもバラツキが小さいことがわかる。このように、ソルダーレジストにおける陰開口部及び陽極側開口部の位置を、コンデンサ素子の陰極導体層の直下に配置することで、ＥＳＬ不均一を改善するこができる。
【符号の説明】
【００４８】
１０、１０ａ、１０ｂ、１００、１００ａ    コンデンサ素子
１１、１１ａ、１１ｂ    母材金属
１２    酸化皮膜
１３    絶縁部
１４、１４ｂ    素子陰極領域
１５    固体電解質層
１６    グラファイト層
１７    銀層
１８    陰極導体層
１９    陽極導体部
２０、２０ａ、２０ｂ、２００、２００ａ    変換基板
２１、２１ａ、２１ｂ、２０１、２０１ａ    変換基板の表面
２１’、２１ａ’、２１ｂ’、２０１’、２０１ａ’    変換基板の裏面
２２、２２ａ、２２ｂ、２０２、２０２ａ    基板陰極領域
２２’、２２ａ’、２２ｂ’    正方形領域
２３、２３ａ、２３ｂ、２０３、２０３ａ    絶縁領域
２４、２４ａ、２４ｂ、２０４、２０４ａ    陽極領域
２５、２５ａ、２５ｂ、２０５、２０５ａ    素子側陰極端子
２６、２６ａ、２６ｂ、２０６、２０６ａ    素子側陽極端子
２５’、２５ａ’、２５ｂ’、２０５’、２０５ａ’    実装側陰極端子
２６’、２６ａ’、２６ｂ’、２０６’、２０６ａ’    実装側陽極端子
２７    絶縁部
２９    スルーホール
３０、３０ａ、３０ｂ、３０１、３０１ａ    ソルダーレジスト
３１、３１ａ、３１ｂ、３０１、３０１ａ    レジスト陰極領域
３２、３２ａ、３２ｂ、３０２、３０２ａ    陽極開口部
３３、３３ａ、３３ｂ、３０３、３０３ａ    陽極開口部
３４、３４ａ、３４ｂ、３０４、３０４ａ    開口部
【図１】
2010165871.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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