(57)【要約】【課題】共振器構造を有し、共振波長が異なる複数のＥＬ素子を備えたＥＬ装置について、その製造工程を簡略化し、生産性の向上を図るようにした製造方法を提供する。【解決手段】光反射層１２０と、半透過反射層と、これらの間に配置された発光層と、光反射層と半透過反射層との間に配置された画素電極とを含むＥＬ素子を複数有し、ＥＬ素子の発光領域には共振器構造が形成され、ＥＬ素子は、第１ＥＬ素子と、第１ＥＬ素子に比べて共振器構造における共振波長が短い第２ＥＬ素子と、を備えたＥＬ装置の製造方法である。第１ＥＬ素子の形成領域ではその膜厚が厚く、第２ＥＬ素子の形成領域ではその膜厚が薄くなり、画素電極間の分離領域では除去されて透明導電層を露出させるように、パターニングして感光性樹脂マスク２２２を形成する工程と、この感光性樹脂マスクを用いて透明導電層をエッチングする工程を有する。【選択図】図６
2010108706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、光反射層と、半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に配置された発光層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に配置された光透過性の画素電極とを含むエレクトロルミネッセンス素子を複数有し、
前記エレクトロルミネッセンス素子の発光領域には共振器構造が形成され、
前記複数のエレクトロルミネッセンス素子は、第１エレクトロルミネッセンス素子と、該第１エレクトロルミネッセンス素子に比べて前記共振器構造における共振波長が短い第２エレクトロルミネッセンス素子と、を備えてなるエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基体上の前記光反射層上に透明導電層を形成する工程と、
前記透明導電層上に感光性樹脂層を形成する工程と、
前記感光性樹脂層を、前記第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域ではその膜厚が厚く、前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域ではその膜厚が前記第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域より薄くなり、前記画素電極間の分離領域では除去されて前記透明導電層を露出させるように、パターニングして感光性樹脂マスクを形成する工程と、
前記感光性樹脂マスクを用いて前記透明導電層における前記画素電極間の分離領域をエッチングし、前記透明導電層を複数の電極部に分離する工程と、
前記分離領域のエッチング後、前記感光性樹脂マスクをアッシングして、前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部を露出させる工程と、
前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部の表層をエッチングして該電極部を所定の厚さにする工程と、
前記第２エレクトロルミネッセンス素子の電極部のエッチング後、前記感光性樹脂マスクをアッシングもしくは剥離液による剥離処理をして、前記第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部を露出させる工程と、
前記第１エレクトロルミネッセンス素子の電極部上、及び前記第２エレクトロルミネッセンス素子の電極部上にそれぞれ発光層を形成する工程と、
前記発光層上に光透過反射層を形成する工程と、を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記透明導電層を形成する工程では、前記光反射層上に第１透明導電層を形成し、さらに該第１透明導電層上に該第１透明導電層とエッチングの選択比が異なる第２透明導電層を積層することで、透明導電層を形成することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１透明導電層を、その厚さが前記第２エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成し、
前記第２透明導電層を、その厚さと前記第１透明導電層の厚さとの和が、前記第１エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成することを特徴とする請求項２記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記複数のエレクトロルミネッセンス素子は、前記第１エレクトロルミネッセンス素子と前記第２エレクトロルミネッセンス素子とに加えて、前記第２エレクトロルミネッセンス素子に比べて前記共振器構造における共振波長が短い第３エレクトロルミネッセンス素子を備えてなり、
前記感光性樹脂マスクを形成する工程では、前記第３エレクトロルミネッセンス素子の形成領域ではその膜厚が前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域より薄くなるようにパターニングし、
前記分離領域のエッチング後、アッシングにより前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部を露出させるに先だって、まず、前記感光性樹脂マスクをアッシングして、前記第３エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部を露出させ、その後、前記第３エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部の表層をエッチングして該電極部を所定の厚さにする工程を備え、
前記発光層を形成する工程では、第３エレクトロルミネッセンス素子の電極部上にも発光層を形成することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
前記透明導電層を形成する工程では、前記光反射層上に第１透明導電層を形成し、該第１透明導電層上に該第１透明導電層とエッチングの選択比が異なる第２透明導電層を形成し、さらに、該第２透明導電層上に、前記第１透明導電層とエッチングの選択比が異なり、かつ該第２透明導電層ともエッチングの選択比が異なる第３透明導電層を積層することで、透明導電層を形成することを特徴とする請求項４記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１透明導電層を、その厚さが前記第３エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成し、
前記第２透明導電層を、その厚さと前記第１透明導電層の厚さとの和が、前記第２エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成し、
前記第３透明導電層を、その厚さと前記第１透明導電層の厚さと前記第２透明導電層の厚さとの和が、前記第１エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成することを特徴とする請求項５記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
前記感光性樹脂層をパターニングして感光性樹脂マスクを形成する工程では、透過率の異なる複数の膜からなるハーフトーンマスクを露光マスクとして用いて前記感光性樹脂層を露光し、その後現像することでパターニングすることにより、感光性樹脂マスクを形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
前記感光性樹脂層をパターニングして感光性樹脂マスクを形成する工程では、解像度以下のスリットを設けたグレートーンマスクを露光マスクとして用いて前記感光性樹脂層を露光し、その後現像することでパターニングすることにより、感光性樹脂マスクを形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
前記感光性樹脂層を、感光部分が現像液に溶解するポジ型の感光性樹脂で形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
前記透明導電層を形成する工程では、前記透明導電層を、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛酸化物のうちの一種あるいは複数種から形成することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）材料からなる発光層を第１電極と第２電極との間に配置した有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）が、基板上に配列されて構成された有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）が提案されている。この有機ＥＬ装置においては、発光層による出射光のスペクトルのピーク幅が広くその強度も低いため、例えば表示装置として採用されたときに充分な色再現性の確保が困難であるという問題がある。
【０００３】
この問題を解決するため、例えば特許文献１には、発光層からの出射光を共振させる共振器構造を各発光素子に形成した構成が開示されている。この構成においては、発光層に対して基板側に位置する光透過性の第１電極と、該基板との間に位置する光反射層（誘電体ミラー）とが配設される。発光層からの出射光は、この発光層を挟んで相互に対向する光反射層と第２電極との間で往復する。そして、光反射層と第２電極との光学的距離に応じた共振波長の光が選択的に増幅されたうえで、観察側に出射する。したがって、スペクトルのピーク幅が狭く強度も高い光を表示に利用することができ、表示装置の色再現性を向上させることが可能になる。また、発光素子ごとに光反射層と第２電極との光学的距離を調整することにより、複数の色（例えば赤色や緑色や青色）に対応した波長の光を取り出すこともできる。
【０００４】
また、特許文献２には、誘電膜を挟んで共振構造を形成し、誘電膜を多層化してその厚さを変えることで、共振構造における共振長を変え、複数の色（例えば赤色や緑色や青色）に対応した波長の光を取り出すようにした方法が開示されている。
【特許文献１】国際公開第０１／０３９５５４号パンフレット
【特許文献２】特開２００６−２７８２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記特許文献１に開示された表示素子は、ＲＧＢの色毎に発光層の厚さを変えているため、これら発光層の形成工程が複雑になり、さらに、その膜厚制御が困難であるといった課題がある。
また、前記特許文献２では、誘電膜を多層に形成するため、この多層誘電体膜の製造工程が大幅に増加し、生産性を損なうといった課題がある。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、共振器構造を有し、共振波長が異なる複数のエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置について、その製造工程を簡略化し、生産性の向上を図るようにした、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基体上に、光反射層と、半透過反射層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に配置された発光層と、前記光反射層と前記半透過反射層との間に配置された光透過性の画素電極とを含むエレクトロルミネッセンス素子を複数有し、
前記エレクトロルミネッセンス素子の発光領域には共振器構造が形成され、
前記複数のエレクトロルミネッセンス素子は、第１エレクトロルミネッセンス素子と、該第１エレクトロルミネッセンス素子に比べて前記共振器構造における共振波長が短い第２エレクトロルミネッセンス素子と、を備えてなるエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基体上の前記光反射層上に透明導電層を形成する工程と、
前記透明導電層上に感光性樹脂層を形成する工程と、
前記感光性樹脂層を、前記第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域ではその膜厚が厚く、前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域ではその膜厚が前記第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域より薄くなり、前記画素電極間の分離領域では除去されて前記透明導電層を露出させるように、パターニングして感光性樹脂マスクを形成する工程と、
前記感光性樹脂マスクを用いて前記透明導電層における前記画素電極間の分離領域をエッチングし、前記透明導電層を複数の電極部に分離する工程と、
前記分離領域のエッチング後、前記感光性樹脂マスクをアッシングして、前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部を露出させる工程と、
前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部の表層をエッチングして該電極部を所定の厚さにする工程と、
前記第２エレクトロルミネッセンス素子の電極部のエッチング後、前記感光性樹脂マスクをアッシングもしくは剥離液による剥離処理をして、前記第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部を露出させる工程と、
前記第１エレクトロルミネッセンス素子の電極部上、及び前記第２エレクトロルミネッセンス素子の電極部上にそれぞれ発光層を形成する工程と、
前記発光層上に光透過反射層を形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
【０００８】
このエレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、透明導電層をエッチングして複数の電極部に分離し、さらに第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部と、第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部とを共に形成可能にする感光性樹脂マスクを、一つの感光性樹脂層から形成するので、製造工程を簡略化し、生産性の向上を図ることができる。
【０００９】
また、前記の製造方法において、前記透明導電層を形成する工程では、前記光反射層上に第１透明導電層を形成し、さらに該第１透明導電層上に該第１透明導電層とエッチングの選択比が異なる第２透明導電層を積層することで、透明導電層を形成するのが好ましい。
そして、その場合に、前記第１透明導電層を、その厚さが前記第２エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成し、前記第２透明導電層を、その厚さと前記第１透明導電層の厚さとの和が、前記第１エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成するのが好ましい。
【００１０】
このようにすれば、第１透明導電層と第２透明導電層とを積層して透明導電層を形成し、その後、感光性樹脂マスクを用いて第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部の第２透明導電層を選択的にエッチングすることにより、この第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部の厚さを、共振器構造における共振波長に対応する厚さに容易に形成することができる。さらに、第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部については、これを直接エッチングして膜厚を調整しなくても、その厚さを、共振器構造における共振波長に対応する厚さに容易に形成することができる。
【００１１】
また、前記の製造方法において、前記複数のエレクトロルミネッセンス素子は、前記第１エレクトロルミネッセンス素子と前記第２エレクトロルミネッセンス素子とに加えて、前記第２エレクトロルミネッセンス素子に比べて前記共振器構造における共振波長が短い第３エレクトロルミネッセンス素子を備えてなり、
前記感光性樹脂マスクを形成する工程では、前記第３エレクトロルミネッセンス素子の形成領域ではその膜厚が前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域より薄くなるようにパターニングし、
前記分離領域のエッチング後、アッシングにより前記第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部を露出させるに先だって、まず、前記感光性樹脂マスクをアッシングして、前記第３エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部を露出させ、その後、前記第３エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の前記電極部の表層をエッチングして該電極部を所定の厚さにする工程を備え、
前記発光層を形成する工程では、第３エレクトロルミネッセンス素子の電極部上にも発光層を形成するのが好ましい。
このようにすれば、共振器構造における共振波長が異なる三つのエレクトロルミネッセンス素子を形成することができ、したがって、これら三つのエレクトロルミネッセンス素子の発光する光の波長域をそれぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の波長域に対応させることにより、フルカラー表示が可能なエレクトロルミネッセンス装置を容易に形成することができる。
【００１２】
また、この製造方法において、前記透明導電層を形成する工程では、前記光反射層上に第１透明導電層を形成し、該第１透明導電層上に該第１透明導電層とエッチングの選択比が異なる第２透明導電層を形成し、さらに、該第２透明導電層上に、前記第１透明導電層とエッチングの選択比が異なり、かつ該第２透明導電層ともエッチングの選択比が異なる第３透明導電層を積層することで、透明導電層を形成するのが好ましい。
そして、その場合に、前記第１透明導電層を、その厚さが前記第３エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成し、前記第２透明導電層を、その厚さと前記第１透明導電層の厚さとの和が、前記第２エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成し、前記第３透明導電層を、その厚さと前記第１透明導電層の厚さと前記第２透明導電層の厚さとの和が、前記第１エレクトロルミネッセンス素子の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成するのが好ましい。
【００１３】
このようにすれば、第１透明導電層と第２透明導電層と第３透明導電層とを積層して透明導電層を形成し、その後、感光性樹脂マスクを用いて第３エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部の第３透明導電層と第２透明導電層とを選択的にエッチングし、さらに第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部の第３透明導電層を選択的にエッチングすることにより、第３エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部の厚さと、第２エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部の厚さとをそれぞれ、共振器構造における共振波長に対応する厚さに容易に形成することができる。さらに、第１エレクトロルミネッセンス素子の形成領域における電極部については、これを直接エッチングして膜厚を調整しなくても、その厚さを、共振器構造における共振波長に対応する厚さに容易に形成することができる。
【００１４】
また、前記製造方法において、前記感光性樹脂層をパターニングして感光性樹脂マスクを形成する工程では、透過率の異なる複数の膜からなるハーフトーンマスクを露光マスクとして用いて前記感光性樹脂層を露光し、その後現像することでパターニングすることにより、感光性樹脂マスクを形成するのが好ましい。
このようにすれば、感光性樹脂層を直接パターニングして感光性樹脂マスクを容易に形成することができる。
【００１５】
また、前記製造方法において、前記感光性樹脂層をパターニングして感光性樹脂マスクを形成する工程では、解像度以下のスリットを設けたグレートーンマスクを露光マスクとして用いて前記感光性樹脂層を露光し、その後現像することでパターニングすることにより、感光性樹脂マスクを形成するのが好ましい。
このようにすれば、感光性樹脂層を直接パターニングして感光性樹脂マスクを容易に形成することができる。
【００１６】
また、前記製造方法において、前記感光性樹脂層を、感光部分が現像液に溶解するポジ型の感光性樹脂で形成するのが好ましい。
このようにすれば、特にハーフ露光を行った際、露光面となる表面側が感光部分となって現像液に溶解するようになり、したがって現像処理によって感光した表面側のみを選択的に溶解することが可能になる。
【００１７】
また、前記製造方法において、前記透明導電層を形成する工程では、前記透明導電層を、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛酸化物のうちの一種あるいは複数種から形成するのが好ましい。
インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または亜鉛酸化物によって透明導電層を形成することにより、透明導電層から得られる電極部によって透過性、導電性に優れた良好な画素電極を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法を詳しく説明する。
まず、本発明の製造方法によって製造されるエレクトロルミネッセンス装置（以下、ＥＬ装置と記す）の一例について、図１〜図３を参照して説明する。なお、図１は本発明に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図、図２は図１に示した有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は図１に示した有機ＥＬ装置の要部の断面模式図である。また、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
【００１９】
図１に示すように有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、単一画素を構成する画素領域Ａを形成したものである。
【００２０】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１１３と、この駆動用薄膜トランジスタ（駆動用ＴＦＴ）１１３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極（画素電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれ、挟持された機能層１１０とが設けられている。
なお、画素電極（陽極）１１１と陰極（対向電極）１２と機能層１１０とを備えてなることにより、有機ＥＬ素子が構成されている。
【００２１】
このような構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。すると、機能層１１０はこれを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
また、図２及び図３に示すようにこの有機ＥＬ装置１は、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された有機ＥＬ素子とを具備して構成されている。図３に示すように有機ＥＬ素子３は、基板２上に形成されたもので、画素電極１１１と、機能層１１０と、陰極１２とを備えて構成されている。機能層１１０は、画素電極１１１側から順に正孔注入・輸送層６０、発光層６２が積層されたもので、発光層６２上に陰極１２が設けられたことにより、画素電極（陽極）１１１と陰極１２との間に配設され、挟持されたものとなっている。
【００２３】
ここで、本発明に係る有機ＥＬ装置１は、前記有機ＥＬ素子３として、発光する光の波長域が赤色（Ｒ）である赤色ＥＬ素子３Ｒ（第１エレクトロルミネッセンス素子）と、発光する光の波長域が緑色（Ｇ）である緑色ＥＬ素子３Ｇ（第２エレクトロルミネッセンス素子）と、発光する光の波長域が青色（Ｂ）である青色ＥＬ素子３Ｂ（第３エレクトロルミネッセンス素子）とを備えて構成されている。そして、これら三種類の有機ＥＬ素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、いずれもその発光領域に共振器構造を形成して構成されている。
【００２４】
模式図である図４に示すように、有機ＥＬ素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、画素電極１１１の下面側に光反射層１２０を有し、また、陰極１２が、その表面に到達した光の一部を透過し、残部を反射する性質を有した半透過反射層として機能するようになっている。このような構成のもとに、光反射層１２０と半透過反射層（陰極１２）との間は発光領域になっている。すなわち、画素電極１１１が透明導電材料によって形成されていることにより、機能層１１０の発光層６２で発光した光は、光反射層１２０と半透過反射層（陰極１２）との間で反射を繰り返し、共振する。すると、この共振構造における共振波長の成分のみが選択的に増幅されたうえで、陰極１２を透過し外側（観測者側）に出射する。したがって、このような構成により、スペクトルのピーク幅が狭く強度も高い光を出射できるようになっている。
【００２５】
ここで、有機ＥＬ素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂでは、それぞれが発光する光の波長域に対応して、画素電極１１１の厚さが決定され、形成されている。すなわち、赤色ＥＬ素子３Ｒでは、三種類の有機ＥＬ素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂのうちで発光する光の波長域が一番長いことから、共振構造における共振長さも一番長くなるように、画素電極１１１（１１１Ｒ）の厚さが一番厚く形成されている。同様に、緑色ＥＬ素子３Ｇでは、三種類の有機ＥＬ素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂのうちで発光する光の波長域が二番目に長いことから、画素電極１１１（１１１Ｇ）の厚さも二番目に厚く形成され、青色ＥＬ素子３Ｂでは、三種類の有機ＥＬ素子３Ｒ、３Ｇ、３Ｂのうちで発光する光の波長域が一番短いことから、画素電極１１１（１１１Ｂ）の厚さは一番薄く形成されている。
【００２６】
また、本実施形態では、一番薄い青色ＥＬ素子３Ｂの画素電極１１１（１１１Ｂ）は、後述する第１透明導電層１１５ａによって形成されており、緑色ＥＬ素子３Ｂの画素電極１１１（１１１Ｇ）は、第１透明導電層１１５ａと第２透明導電層１１５ｂとによって形成されており、一番厚い赤色ＥＬ素子３Ｒの画素電極１１１（１１１Ｒ）は、第１透明導電層１１５ａと第２透明導電層１１５ｂと第３透明導電層１１５ｃとによって形成されている。
【００２７】
また、図３に示すように基板２の厚さ方向において、前記有機ＥＬ素子３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）を含むＥＬ素子部１０と基板２との間には、回路素子部１４が形成されている。この回路素子部１４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１１３等が形成されている。このような回路素子部１４と前記基板２とにより、本発明の基体が構成されている。
【００２８】
また、陰極１２は、その一端が陰極コンタクト７０に接続されており、この陰極コンタクト７０は、基板２上に形成された陰極用配線１２ａに接続されている。そして、図２に示すようにこの配線１２ａの端部が、フレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。なお、この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００２９】
また、本発明の有機ＥＬ装置１は、前述したように発光層６２で発光した光が、陰極１２を透過し外側（観測者側）に出射する、いわゆるトップエミッション型となっている。したがって、このような回路素子部１４の構成については、図３に示した構造と異なり、駆動用ＴＦＴ１１３等を後述する隔壁の下方に配置することなく、画素電極１１１の下方に配置し、開口率を高めることもできる。
【００３０】
図３に示すように回路素子部１４には、基板２上にＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域が、チャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする層間絶縁層２８３が形成されている。
【００３１】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００３２】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された層間絶縁層２８３の上層には、平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１１３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００３３】
そして、この平坦化膜２８４の表面上には、光反射層１２０と画素電極１１１とが積層されて形成されており、特に画素電極１１１は、前記平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００３４】
光反射層１２０は、光反射性を有する導電性材料によって形成されたものである。光反射性を有する導電性材料としては、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、あるいはこれらを主成分とする合金等が用いられ、例えばＡｌとＮｄ（ネオジム）との合金が好適に用いられる。
【００３５】
画素電極１１１は、透明導電材料によって形成されたもので、図４に示したように青色ＥＬ素子３Ｂでは第１透明導電層１１５ａのみから形成され、緑色ＥＬ素子３Ｇでは第１透明導電層１１５ａと第２透明導電層１１５ｂとから形成され、赤色ＥＬ素子３Ｒでは第１透明導電層１１５ａと第２透明導電層１１５ｂと第３透明導電層１１５ｃとから形成されている。
【００３６】
ここで、第１透明導電層１１５ａのみからなる青色ＥＬ素子３Ｂの画素電極１１１Ｂは、その厚さが、青色ＥＬ素子３Ｂ（第３エレクトロルミネッセンス素子）の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成されている。また、第１透明導電層１１５ａと第２透明導電層１１５ｂとからなる緑色ＥＬ素子３Ｇの画素電極１１１Ｇは、その厚さが、緑色ＥＬ素子３Ｇ（第２エレクトロルミネッセンス素子）の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成され、第１透明導電層１１５ａと第２透明導電層１１５ｂと第３透明導電層１１５ｃとからなる赤色ＥＬ素子３Ｒの画素電極１１１Ｒは、その厚さが、赤色ＥＬ素子３Ｒ（第１エレクトロルミネッセンス素子）の共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成されている。
【００３７】
第１透明導電層１１５ａ、第２透明導電層１１５ｂ、第３透明導電層１１５ｃとなる透明導電材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ［登録商標］）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）が好適に用いられ、これらのうちから選択された一種あるいは複数種により、前記の各透明導電層は形成されている。
【００３８】
ただし、第２透明導電層１１５ｂを形成する透明導電材料については、第１透明導電層１１５ａを形成する透明導電材料とエッチングの選択比が異なる材料、すなわち、第１透明導電層１１５ａに対して高いエッチング選択比がとれる材料が好適に用いられる。また、第３透明導電層１１５ｃを形成する透明導電材料については、第２透明導電層１１５ｂを形成する透明導電材料、及び第１透明導電層１１５ａを形成する透明導電材料とエッチングの選択比が異なる材料、すなわち、第２透明導電層１１５ｂ及び第１透明導電層１１５ａのいずれに対しても高いエッチング選択比がとれる材料が好適に用いられる。このように選択比がとれる材料の組み合わせとしては、前記したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛酸化物を挙げることができる。これら三種類の材料を用いて適宜な順に積層し、従来公知のエッチング条件から適宜な条件を選択することにより、高い選択比で第３透明導電層１１５ｃ及び第２透明導電層１１５ｂをそれぞれエッチングすることができる。
【００３９】
画素電極１１１が形成された平坦化膜２８４の表面上には、画素電極１１１と、これの外周部を覆う無機隔壁２５とが形成されており、さらにこの無機隔壁２５上には、有機隔壁２２１が形成されている。ここで、無機隔壁２５はＳｉＯ２からなっており、有機隔壁２２１は、アクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂で、かつ、感光性の樹脂からなっている。
また、画素電極１１１上には、隔壁に形成された無機隔壁２５の開口内、及び有機隔壁２２１の開口内、すなわち単一画素の形成領域に、前記した機能層１１０が形成されている。
【００４０】
機能層１１０は、正孔注入・輸送層６０と発光層６２とが積層されてなるもので、後述するように液相法で形成されたものである。正孔注入・輸送層６０は、その形成材料として、例えば３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられている。ただし、これ以外にも、従来公知の正孔注入・輸送性材料を用いることができるのはもちろんである。
【００４１】
発光層６２は、前記正孔注入・輸送層６０上に形成されたもので、その形成材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体等の高分子材料が用いられ、さらに、これらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等がドープされたものも用いられる。ただし、赤色ＥＬ素子３Ｒでは赤色（Ｒ）の波長域の光を発光する材料が用いられ、同様に緑色ＥＬ素子３Ｇでは緑色（Ｇ）の波長域の光を発光する材料が、また、青色ＥＬ素子３Ｂでは青色（Ｂ）の波長域の光を発光する材料がそれぞれ用いられる。
【００４２】
陰極１２は、発光層６２を覆い、さらに有機隔壁２２１を覆って形成されたもので、発光層６２に電子を注入する機能を有するものである。ただし、この陰極１２は、本発明では前述したようにその表面に到達した光の一部を透過し、残部を反射する半透過反射層として機能するようになっている。具体的には、真空蒸着法で形成された厚さ５ｎｍ程度のＬｉＦ（フッ化リチウム）と、これの上に共蒸着法で形成された厚さ１０ｎｍ程度のＭｇＡｇとからなる、積層膜によって形成されている。なお、陰極１２の材料としては、前記材料以外にも、ＣａやＢａなどの電子注入性を有する導電材料が使用可能である。
【００４３】
これら導電材料は、十分に薄く形成されることで透明性を発揮するものの、実際にはある程度反射する、半透過反射性のものである。したがって、形成された陰極１２は、前述したようにその表面に到達した光の一部を透過し、残部を反射する半透過反射層として機能する。このような構成のもとに、半透過反射層である陰極１２と、前記画素電極１１１の下面側に配設された光反射層１２０と間には、前述したように光共構造が形成されている。
そして、この陰極１２上には、透明接着層（図示せず）を介して透明封止基板（図示せず）が貼着されている。
【００４４】
次に、このような構成の有機ＥＬ装置１の製造方法に基づき、本発明の製造方法の一実施形態を説明する。
本実施形態ではまず、従来と同様にして基板２上に回路素子部１４を形成する。そして、基板２の全面を覆って光反射層１２０の形成材料を成膜し、その後これをパターニングすることにより、図５（ａ）に示すように光反射層１２０を形成する。
【００４５】
次いで、前記光反射層１２０を覆って透明導電層を形成する。具体的には、図５（ｂ）に示すように画素電極１１１及び陰極コンタクト７０の形成材料となる、第１透明導電材料層１１５Ａ、第２透明導電材料層１１５Ｂ、第３透明導電材料層１１５Ｃをこの順に形成し、これら透明導電材料層によって透明導電層を形成する。例えば、第１透明導電材料層１１５Ａをインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で形成し、第２透明導電材料層１１５Ｂを亜鉛酸化物（ＺｎＯ）で形成し、第３透明導電材料層１１５Ｃをインジウム亜鉛酸化物で形成する。
【００４６】
なお、これら第１透明導電材料層１１５Ａ、第２透明導電材料層１１５Ｂ、第３透明導電材料層１１５Ｃの厚さについては、第１透明導電材料層１１５Ａを、青色ＥＬ素子３Ｂの共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成する。また、第２透明導電材料層１１５Ｂの厚さについては、この第２透明導電材料層１１５Ｂの厚さと前記第１透明導電材料層１１５Ａの厚さとの和が、緑色ＥＬ素子３Ｇの共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成する。さらに、第３透明導電材料層１１５Ｃの厚さについては、この第３透明導電材料層１１５Ｃの厚さと前記第２透明導電材料層１１５Ｂの厚さと前記第１透明導電材料層１１５Ａの厚さとの和が、赤色ＥＬ素子３Ｒの共振器構造における共振波長に対応する厚さになるように形成する。
【００４７】
次いで、前記第３透明導電材料膜１１５Ｃ上に、図５（ｃ）に示すように感光性樹脂層２２０を形成する。この感光性樹脂層２２０を形成する材料としては、一般に用いられるレジストや、感光性のアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等が好適に用いられる。また、特に紫外線照射等による感光（露光）によってその感光部分が現像液に溶解する、ポジ型の感光性樹脂（レジスト）が用いられる。
【００４８】
次いで、この感光性樹脂層２２０を露光し、さらに現像することによって感光性樹脂層２２０をパターニングし、図６（ａ）に示すように感光性樹脂マスク２２２を形成する。ここで、感光性樹脂層２２０の露光に際しては、露光マスクとして、透過率の異なる複数の膜からなるハーフトーンマスク、あるいは、解像度以下のスリットを設けたグレートーンマスクが好適に用いられる。
【００４９】
具体的には、前記赤色ＥＬ素子３Ｒの形成領域においては露光光を透過せず、前記緑色ＥＬ素子３Ｇの形成領域では露光光を少し透過し、前記青色ＥＬ素子３Ｂの形成領域では露光光を前記緑色ＥＬ素子３Ｇの形成領域より多く透過し、前記画素電極１１１間の分離領域では、露光光が全部透過するように、前記のハーフトーンマスクあるいはグレートーンマスクを形成する。また、陰極コンタクト７０の形成領域においては、前記赤色ＥＬ素子３Ｒの形成領域と同様に露光光を透過せず、陰極コンタクト７０とＥＬ素子３との分離領域では、露光光が全部透過するように、前記のハーフトーンマスクあるいはグレートーンマスクを形成する。そして、これを用いて露光を行う。
【００５０】
露光後現像処理を行うことにより、前記赤色ＥＬ素子３Ｒの形成領域と前記陰極コンタクト７０の形成領域とでは元の厚さが保持されてその膜厚が厚くなり、前記緑色ＥＬ素子３Ｇの形成領域ではその膜厚が前記赤色ＥＬ素子３Ｒの形成領域より薄くなり、前記青色ＥＬ素子３Ｂの形成領域ではその膜厚が前記緑色ＥＬ素子３Ｇの形成領域より薄くなり、前記画素電極間の分離領域、及び陰極コンタクト７０とＥＬ素子３との分離領域では除去されて前記第３透明導電材料層１１５Ｃを露出させるように、パターニングする。
これにより、感光性樹脂マスク２２２が形成される。
【００５１】
次いで、この感光性樹脂マスク２２２を用い、画素電極間の分離領域、及び陰極コンタクト７０とＥＬ素子３との分離領域に露出した第３透明導電材料層１１５Ｃ、さらには第２透明導電材料層１１５Ｂ、第１透明導電材料層１１５Ａを、順次エッチングする。これにより、図６（ｂ）に示すように各ＥＬ素子の形成領域毎に、それぞれのＥＬ素子に対応する画素電極となる、電極部１１５が形成される。
次いで、感光性樹脂マスク２２２の表層部をアッシングし、図６（ｃ）に示すように前記青色ＥＬ素子３Ｂの形成領域に対応する電極部１１５を覆っている、膜厚を最も薄く形成した部分を除去して該電極部１１５の第３透明導電材料層１１５Ｃを露出させる。
【００５２】
次いで、アッシング後の感光性樹脂マスク２２２を用い、前記青色ＥＬ素子３Ｂの形成領域に露出した電極部１１５における第３透明導電材料層１１５Ｃ（第３透明導電層１１５ｃ）と、その下の第２透明導電材料層１１５Ｂ（第２透明導電層１１５ｂ）とを順次エッチングする。このとき、特に第２透明導電材料層１１５Ｂをエッチングした際には、この第２透明導電材料層１１５Ｂを第１透明導電材料層１１５Ａ（第１透明導電層１１５ａ）に対して高いエッチング選択比がとれる材料で形成しているので、第１透明導電材料層１１５Ａをほとんどオーバーエッチングすることなく、第３透明導電材料層１１５Ｃ及び第２透明導電材料層１１５Ｂを選択的にエッチングすることができる。したがって、エッチング後に残った第１透明導電材料層１１５Ａは、図７（ａ）に示すように成膜時の厚さとほぼ等しい厚さの第１透明導電層１１５ａとなり、この第１透明導電層１１５ａによって青色ＥＬ素子３Ｂの画素電極１１１Ｂ（１１１）が形成される。
【００５３】
次いで、残った感光性樹脂マスク２２２の表層部を再度アッシングし、図７（ｂ）に示すように前記緑色ＥＬ素子３Ｇの形成領域に対応する電極部１１５を覆っている、膜厚を少し薄く形成した部分を除去して該電極部１１５の第３透明導電材料層１１５Ｃを露出させる。
【００５４】
次いで、アッシング後の感光性樹脂マスク２２２を用い、前記緑色ＥＬ素子３Ｇの形成領域に露出した電極部１１５における第３透明導電材料層１１５Ｃをエッチングする。このように第３透明導電材料層１１５Ｃをエッチングした際には、この第３透明導電材料層１１５Ｃを第２透明導電材料層１１５Ｂに対して高いエッチング選択比がとれる材料で形成しているので、第２透明導電材料層１１５Ｂをほとんどオーバーエッチングすることなく、第３透明導電材料層１１５Ｃを選択的にエッチングすることができる。また、この第３透明導電材料層１１５Ｃを第１透明導電材料層１１５Ａ（第１透明導電層１１５ａ）に対しても高いエッチング選択比がとれる材料で形成しているので、第１透明導電層１１５ａをエッチングすることもない。
【００５５】
したがって、エッチング後に残った第２透明導電材料層１１５Ｂ及び第１透明導電材料層１１５Ａは、図７（ｃ）に示すようにいずれも成膜時の厚さとほぼ等しい厚さの第２透明導電層１１５ｂ及び第１透明導電層１１５ａとなり、これら第２透明導電層１１５ｂ及び第１透明導電層１１５ａによって緑色ＥＬ素子３Ｇの画素電極１１１Ｇ（１１１）が形成される。
【００５６】
次いで、残った感光性樹脂マスク２２２の表層部をアッシングし、もしくは剥離液によって剥離し、図８（ａ）に示すように前記赤色ＥＬ素子３Ｒの形成領域に対応する電極部１１５を露出させるとともに、陰極コンタクト７０を露出させる。すると、赤色ＥＬ素子３Ｒの形成領域に対応する電極部１１５では、第３透明導電材料層１１５Ｃ、第２透明導電材料層１１５Ｂ、第１透明導電材料層１１５Ａがいずれも成膜時の厚さに保持されており、これによって第３透明導電層１１５ｃ、第２透明導電層１１５ｂ、第１透明導電層１１５ａからなる赤色ＥＬ素子３Ｒの画素電極１１１Ｒ（１１１）が形成される。また、陰極コンタクト７０も形成される。
【００５７】
次いで、前記各透明導電層上および平坦化膜２８４上に、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料をＣＶＤ法等で成膜して隔壁層（図示せず）を形成し、続いて、公知のホトリソグラフィー技術、エッチング技術を用いて隔壁層をパターニングする。これにより、図８（ｂ）に示すように、形成する各有機ＥＬ素子３の画素領域毎に開口（図示略）を形成すると同時に、無機隔壁２５を形成する。
【００５８】
次いで、図８（ｃ）に示すように、無機隔壁２５の所定位置、詳しくは画素領域を囲む位置に樹脂等によって有機隔壁２２１を形成する。
次いで、このようにして画素電極１１１と無機隔壁２５と有機隔壁２２１とを形成した側の面を酸素プラズマ処理し、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板２を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。
【００５９】
次いで、撥液化処理を行うことにより、特に有機隔壁２２１の上面及び側面の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基板２を室温まで冷却することで、有機隔壁２２１の上面及び側面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極１１１の露出面および無機隔壁２５についても多少の影響を受けるが、画素電極１１１の材料であるＩＴＯおよび無機隔壁２５の構成材料であるＳｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、酸素プラズマ処理で濡れ性が向上した面は濡れ性がそのままに保持される。
【００６０】
次いで、前記有機隔壁２２１に囲まれた領域内に正孔注入・輸送層６０を形成する。この正孔注入・輸送層６０の形成工程では、スピンコート法や液滴吐出法が採用されるが、本実施形態では、有機隔壁２２１に囲まれた領域に正孔注入・輸送層６０の形成材料を選択的に配する必要上、特に液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。このインクジェット法により、正孔注入・輸送層６０の形成材料を前記画素電極１１１の露出面上に配し、その後、熱処理（乾燥処理）を行うことにより、図９（ａ）に示すように正孔注入・輸送層６０を形成する。
【００６１】
次いで、この正孔注入・輸送層６０上に、発光層６２の形成材料を同様にインクジェット法で配し、その後、熱処理（乾燥処理）を行うことにより、図９（ｂ）に示すように発光層６２を形成する。これにより、正孔注入・輸送層６０と発光層６２とからなる機能層１１０が形成される。
次いで、前記機能層１１０及び有機隔壁２２１、さらに前記陰極コンタクト７０の一部を覆って例えばＬｉＦを厚さ５ｎｍ程度、ＭｇＡｇを厚さ１０ｎｍ程度に積層し、図９（ｃ）に示すように前記陰極コンタクト７０を覆ってこれに接する陰極１２を形成する。
【００６２】
なお、この陰極１２の形成では、前記正孔注入・輸送層６０や発光層６２などの形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うことにより、画素領域にのみ選択的に形成するのでなく、基板２のほぼ全面に陰極１２を形成する。
その後、前記陰極１２上に接着層（図示せず）を形成し、さらにこの接着層によって封止基板を接着し、封止を行う。これにより、図３に示した有機ＥＬ装置１を得る。
【００６３】
このような製造方法にあっては、透明導電層となる第３透明導電材料層１１５Ｃ、第２透明導電材料層１１５Ｂ、第１透明導電材料層１１５Ａをエッチングして複数の電極部に分離し、さらに赤色ＥＬ素子３Ｒの形成領域における電極部と、緑色ＥＬ素子３Ｇの形成領域における電極部と、青色ＥＬ素子３Ｂの形成領域における電極部とを共に形成可能にする感光性樹脂マスク２２２を、一つの感光性樹脂層２２０から形成するので、製造工程を簡略化し、生産性の向上を図ることができる。したがって、このように一つの感光性樹脂マスク２２２によって各有機ＥＬ素子３の画素電極１１１を形成することができるため、各有機ＥＬ素子３の発光領域の位置精度を良好にし、開口率を設計通りに形成することができる。
【００６４】
また、各有機ＥＬ素子３の画素電極１１１の厚さを精度良く形成することができるので、各有機ＥＬ素子３における共振器構造を精度良く形成することができ、したがって各有機ＥＬ素子３から出射する光の色純度を高めることができるとともに、スペクトルのピーク幅を狭くして強度を高めることもできる。
さらに、透明導電層となる第３透明導電材料層１１５Ｃ、第２透明導電材料層１１５Ｂ、第１透明導電材料層１１５Ａを連続して成膜するので、エッチング等によって生じるパーティクルの付着を防止することができ、したがってパーティクルに起因する発光不良等を防止することができる。
【００６５】
なお、本発明は前記実施形態に限られることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、前記実施形態では、有機ＥＬ素子３として赤色ＥＬ素子３Ｒ、緑色ＥＬ素子３Ｇ、青色ＥＬ素子３Ｂの三種類を備えてフルカラー表示を可能にしているが、特にフルカラー表示を必要としない場合では、前記赤色ＥＬ素子３Ｒ、緑色ＥＬ素子３Ｇ、青色ＥＬ素子３Ｂのうちの二種類のみを備えることで、本発明に係る有機ＥＬ装置を構成するようにしてもよい。
【００６６】
また、前記実施形態では透明導電層（画素電極１１１）を、エッチングの選択比が異なる第１透明導電材料層１１５Ａ（第１透明導電層１１５ａ）、第２透明導電材料層１１５Ｂ（第２透明導電層１１５ｂ）、第３透明導電材料層１１５Ｃ（第３透明導電層１１５ｃ）によって構成したが、例えば透明導電層を単一層で形成してもよい。その場合には、各有機ＥＬ素子３の形成領域毎に、エッチング時間を管理することなどで画素電極の厚さを所望の厚さになるように、透明導電層のエッチングを行う。
さらに、本発明は有機ＥＬ装置の製造方法に限定されることなく、無機ＥＬ装置の製造方法にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ装置の配線構造説明図である。
【図２】図１の有機ＥＬ装置の平面模式図である。
【図３】図１の有機ＥＬ装置の要部断面模式図である。
【図４】図１の有機ＥＬ装置の要部を説明するための模式図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は図１の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は図５に続く製造方法を説明する工程図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は図６に続く製造方法を説明する工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は図７に続く製造方法を説明する工程図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は図８に続く製造方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
【００６８】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、３…有機ＥＬ素子、３Ｒ…赤色ＥＬ素子、３Ｇ…緑色ＥＬ素子、３Ｂ…青色ＥＬ素子、１２…陰極（半透過反射層）、６０…正孔注入・輸送層、６２…発光層、１１０…機能層、１１１、１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ…画素電極（陽極）、１１５ａ…第１透明導電層、１１５ｂ…第２透明導電層、１１５ｃ…第３透明導電層、１１５Ａ…第１透明導電材料層、１１５Ｂ…第２透明導電材料層、１１５Ｃ…第３透明導電材料層、１２０…光反射層、２２０…感光性樹脂層、２２２…感光性樹脂マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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