(57)【要約】【課題】半導体チップのトリミング加工を、コスト低減する。また、製造リードタイムを短縮する。【解決手段】パッケージ組立工程のダイボンドキュア工程からワイヤボンド工程までの間に、トリミング前の半導体チップ表面の電極部や配線部を撮影し、次いで電気特性を測定して、生産情報を参照してトリミングすべき配線を決定し、保護膜開口部にある配線部をレーザー照射するというレーザートリミング加工を行う。これにより、ウエハー１枚すべてをトリミングする必要がなくなり、コストが低減する。また、製品を出荷するまでの時間が短くなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガイド孔を有するリードフレーム上に固定された半導体チップをトリミングして半導体装置を製造するための半導体製造装置であって、
前記ガイド孔に挿入して前記リードフレームを固定するためのガイドピンと搬送するための搬送ピンと前記リードフレームを下から支持してガイド搬送するガイドレールとを有する搬送部と、
前記半導体チップの表面の電極部や保護膜開口部である配線部を光学的に撮影して、電極位置情報および配線位置情報を得る光学前画像撮影部と、
前記電極位置情報を基に前記リードフレーム上に固定された前記半導体チップに対して電気信号を印加するとともに前記半導体チップからの電気信号を得てレーザー照射前の前記半導体チップの電気特性を検査する前測定部と、
生産品種、数量および生産条件等のいわゆる生産情報を入力できる入力手段および記憶手段を有して生産装置全体を統括制御する生産制御部と、
前記光学前画像撮影部からの前記電極位置情報および配線位置情報と前記前測定部で得られた前記電気特性と前記生産制御部からの前記生産情報とを基に前記半導体チップ表面上の切断すべき配線の位置座標を算出する演算部と、
前記演算部から切断すべき配線の前記位置座標情報を受け、前記半導体チップの前記配線部内の配線にレーザーを照射して配線を溶断するレーザー照射部と、
からなる半導体製造装置。
【請求項２】
ガイド孔を有するリードフレーム上に固定された半導体チップをトリミングして半導体装置を製造するための製造方法であって、
前記リードフレーム上に固定された前記半導体チップを光学前画像撮影部に搬送する工程と、
前記半導体チップの表面の電極部や保護膜開口部である配線部を光学的に撮影して、電極位置情報および配線位置情報を得る光学前画像撮影工程と、
前記リードフレーム上に固定された前記半導体チップを前測定部に搬送する工程と、
前記電極位置情報を基に前記リードフレーム上に固定された前記半導体チップに対して電気信号を印加するとともに前記半導体チップからの電気信号を得てレーザー照射前の前記半導体チップの電気特性を検査する前測定工程と、
前記光学前画像撮影工程で得られた前記電極位置情報および配線位置情報と前記前測定工程で得られた前記電気特性と生産制御部からの生産情報とを基に前記半導体チップ表面上の切断すべき配線の位置座標を算出する演算工程と、
前記リードフレーム上に固定された前記半導体チップをレーザー照射部に搬送する工程と、
前記演算工程で算出された切断すべき配線の前記位置座標情報を受け、前記半導体チップの前記配線部内の配線にレーザーを照射して配線を溶断するレーザー照射工程と、
からなる半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ組立工程でトリミングを行う半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザートリミングを要する半導体装置では、レーザートリミングヒューズや配線をレーザーでトリミングすることで電圧、電流、周波数等を微調整している。トリミングとはヒューズや配線を切断または接続することであり、通常、ウエハー状態で行われる。ＩＣ等の半導体集積回路を構成している半導体装置は、その後、パッケージ組立工程にてパッケージに組み立てられる。
【０００３】
詳細には、レーザートリミングにて素子特性を調整できる回路が搭載されている半導体装置について顧客より電圧、電流、周波数の指定があると、ウエハー状態で半導体装置にレーザートリミングを施し、素子特性の調整を図った後、ウエハーをダイシングして個々の半導体チップに切り離し、個片化された半導体チップをリードフレーム上に固定し、リードフレーム端子と半導体チップの電極パッドとを金属ワイヤで接続する。そして樹脂モールドをしてパッケージに組立て、最後にファイナルテストを行い、半導体装置が顧客要求仕様に合った特性値になっているかをチェックして、顧客に出荷するという手順で処理されていた。
【０００４】
レーザートリミング装置は高精度にトリミング制御を行うことができるが、極めて高価であるので、トリミング工程の加工原価だけを考慮すれば、半導体チップが整然と並んでいるウエハー状態でレーザートリミング加工を行うのが有利であり、ウエハー状態でレーザートリミング加工するのが一般的である。特許文献１に示されるように、パッケージの1部をレーザー光が透過できる材料を用いてパッケージすることでパッケージの組立後にトリミングをすることも可能であるが、一般的とは言い難い。
【特許文献１】特開平１１−３４５９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウエハー状態でレーザートリミング加工を行う場合にウエハー１枚については同一特性の同一機能製品だけに限定して加工を行うことが管理しやすい生産方法である。しかし、フォトリソグラフィー技術の微細化が進んだ現在はウエハー１枚あたりの半導体チップ取り個数が非常に多くなっていて、顧客実需要数がウエハー１枚を大きく下回る場合でもウエハー１枚単位の生産を行わざるを得ず、すなわち実需要数を越える数量を生産してしまうことや実需要数を超える部分の生産に高価な製造装置を使わざるを得ないことが実状であった。加えて、生産者側事情や顧客要求に基づく極めて少数のエンジニアリングサンプル作成についても高価なウエハーを丸々１枚使わなければならず、ここでも実需要数をはるかに超える原料を使うことや実需要数を超える部分の生産に高価な製造装置を使うこととなり、必要なこととは言え、原料と生産時間の大きな無駄を生じていた。
【０００６】
今後、原料である半導体ウエハーの直径サイズがさらに大きくなると、実需要数は増えないままで実需要数を超える部分はますます増加してしまうことが起こりうる。その場合、これら実需要数を超える分そのものが無駄となり、これが製造コストを増やしてしまうこと、および実需要数を超えて作られた停滞在庫分を将来の受注を見込んで適切に保管するための保管スペースが一時的には必要となり、本来は不用なスペースにあたる無駄が発生すること、又、やむを得ず製造した停滞在庫の性能劣化防止や品質維持の為に例えば温度や湿度などの環境を保持するためにいわゆる管理コストが発生すること等々の問題があった。
【０００７】
さらにまた、ウエハー状態でトリミング加工を行う場合には、少なくともウエハー１枚全体が加工状態を維持すべきことから、トリミング加工を終えた半導体チップもウエハー1枚に属する半導体チップのトリミング加工が全数終了するまで次工程への移動ができなかった。つまり、ウエハー状態での加工を行う場合は、ウエハー１枚分全体をまるまる製造リードタイムとして計算する必要があった。
【０００８】
以上の課題をまとめると、ウエハー状態でのトリミング加工には、必要以上に製造するために原料や生産時間の無駄を生じていること、製造した停滞品の保管に管理コストが発生すること、製造リードタイムが長くなること等の課題があった。
【０００９】
上記課題を解決する手段として例えば、半導体チップ内部に不揮発性記憶機能を持つ部分を追加して、パッケージ組立完成直前に製品の機能や性能にかかわる情報を不揮発性記憶部に入力し、記憶させて所定製品の機能や性能を実現させる方法がある。しかし、半導体チップ内部に不揮発性記憶機能を持つ部分を追加することは当然半導体チップのサイズを大きくしウエハー１枚で生産可能な半導体チップ個数を減らしてしまうこと、また不揮発性記憶部の記憶性能保証や確認の為に品質管理コストをかけざるを得ないこと、の両方により製造原価を押し上げることで販売価格の上昇を招くことにもなり、製品の市場競争力が低下することもあって、選択可能な手段ではあるが合理的方法とは言い難い。
【００１０】
上記課題を解決する別の手段としてさらに例えば、半導体チップからの電極取り出し配線を少なくとも１本以上追加して半導体装置外部電極として端子を追加して、半導体装置搭載基板の加工者が外部電極を選択的に接続あるいは切断することで、半導体装置搭載基板全体の機能や性能を決定する方法がある。しかし、このような手段では、外部電極を新たに用意しなければならないので半導体チップサイズが大きくなり、半導体チップ製造原価が相対的に上昇するという不利益があることや、半導体装置搭載基板の加工者に対して外部電極を選択的に接続あるいは切断したことによるダメージの有無を検証する等の品質管理コスト等の負担を強いることになり、やはり選択可能な手段ではあるが合理的方法とは言い難い。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために、パッケージ組立工程のダイボンドキュア工程からワイヤボンド工程までの間に、トリミング前の半導体チップ表面の電極部や配線部を撮影し、次いで電気特性を測定して、生産情報を参照してトリミングすべき配線を決定し、保護膜開口部にある配線部をレーザー照射するというレーザートリミング加工を行うようにした。
【００１２】
具体的には、以下のような手段を用いて上記課題を解決する。
【００１３】
半導体装置をトリミングする半導体製造装置であって、ガイド孔を有するリードフレームと、前記リードフレーム上に固定された半導体チップと、前記ガイド孔に挿入して前記リードフレームを固定するためのガイドピンと搬送するための搬送ピンと前記リードフレームを下から支持してガイド搬送するガイドレールとを有する搬送部と、前記半導体チップ表面の電極部や保護膜開口部である配線部を光学的に撮影して、電極位置情報や配線位置情報を得る光学前画像撮影部と、前記電極位置情報を基に前記リードフレーム上に固定された半導体チップに対して電気信号を印加するとともに半導体チップからの電気信号を得てレーザー照射前の半導体チップの電気特性を検査する前測定部と、生産品種や数量および生産条件等のいわゆる生産情報を入力できかつ記憶手段を有して生産装置全体を統括制御する生産制御部と、前記光学前画像撮影部からの前記電極位置情報や配線位置情報と前記前測定部で得られた前記電気特性と前記生産制御部から指示される生産情報とを基に前記半導体チップ表面上の切断すべき配線の位置座標を算出する演算部と、前記演算部から切断すべき配線の位置座標情報を受け、前記半導体チップの前記配線部内の配線にレーザーを照射して配線を溶断するレーザー照射部、とからなる半導体製造装置とする。
【００１４】
また、レーザートリミングを用いて半導体チップの電気特性を調整する半導体チップの製造方法において、レーザートリミング工程がパッケージ組立工程に含まれるダイボンドキュア工程の後であって、ワイヤボンド工程の前であることを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、パッケージ組立工程でのトリミング加工方式は、ウエハートリミング加工方式に比べ極めて小さいロットサイズを実現できることから、生産品種と生産数量の選択が容易になり、実需要を大幅に超えて必要数以上に作る必要がない。よって、無駄な在庫の生産を飛躍的に低減すること、高価な生産ラインの稼働時間を無駄な在庫の生産に費やす無駄を非常に小さく抑制すること、ほぼ同等の製造コストのままで製造リードタイムの大幅に削減すること、余剰在庫管理コストを大幅に削減すること、また販売促進用に用意するサンプル在庫の管理コストやエンジアリングサンプルの準備にかかわる日程上の不利や少数サンプル作成にもかかわらずウエハー１枚全てを使うようなウエハー部分の無駄を解消すること、が可能となる。非常に短期間に納入を要求されるのが常であるエンジアリングサンプルの準備のための在庫管理コストや製造リードタイムを改善することも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、図１、図２、図３において同一部分については同一符号を付してあるので重複する説明は省略する。図１は本発明の一実施例に係わる半導体装置製造装置の模式的構成図である。図２は本発明の一実施例に係わる半導体チップのリードフレーム搭載の模式図である。図３は本発明の一実施例に係わる半導体チップ表面の模式図である。
【００１７】
図１に示す半導体装置製造装置は主に、生産制御部１０、演算部２０、光学前画像撮影部３０、前測定部４０、レーザー照射部５０、搬送部６０、リードフレーム７０、半導体チップ１から構成されている。生産制御部１０は、生産情報入力部１１や生産情報記憶部１２を具備し、半導体品種情報、生産数情報、演算方法、加工位置情報等のいわゆる生産情報の統括を行う部分であって、演算部２０に対して光学前画像撮影部３０、前測定部４０、レーザー照射部５０と相互に情報通信を行わせることで画像撮影からレーザー加工までの一連の制御を行わせるとともに、ガイドレール６１やガイドピン６２等からなる搬送部６０を制御してリードフレーム７０を整列搬送させて逐次加工を統制する機能を有する。光学前画像撮影部３０からはリードフレーム７０上に固定された半導体チップ１の座標オフセット情報、前測定部４０からは半導体チップ１の電気特性情報が演算部２０へ与えられ、演算部２０はこれらの情報を基に演算して半導体チップ上のどの位置をトリミングすべきかをレーザー照射部５０に出力する。レーザー照射部５０は演算部２０より受けた情報を基に半導体チップにレーザー照射をしてトリミング加工を施す。以上が各部の大まかな機能と処理フローである。
【００１８】
通常、半導体装置は、前工程、検査工程、パッケージ組立工程を経て完成する。一般にパッケージ組立工程は、ダイシング工程、ダイボンド工程、ダイボンドキュア工程、ワイヤボンド工程、モールド工程、等々からなるが、本発明は半導体チップのトリミング工程をパッケージ組立工程内にて行うことを特徴とするものである。以下においてはダイボンドキュア工程終了後にトリミング工程を施し、次いでワイヤボンドを行うという処理フローについて説明する。
【００１９】
半導体ウエハーはダイシング工程を経て個片化され半導体チップ１となり、リードフレーム７０上に銀ペースト等で固定される。図２は一枚のリードフレーム７０上に複数の半導体チップ１が搭載された状態を示す。リードフレーム７０は銅などの伝導性の高い金属からなる薄板であり、半導体チップ搭載領域７４の上に半導体チップ１が固定され、その周囲には後に端子となる部分に加工が施されている。また、その外側にはリードフレーム不良刻印領域７２が設けられ、リードフレーム４隅にはガイド孔７１が形成され、リードフレームの反対側にはリードフレーム情報刻印領域７３が設けられている。ガイド孔７１はガイドピン６２や搬送ピン６３が出入りする孔であってリードフレームの固定や搬送に際し必要なものである。なお、リードフレーム不良刻印領域７２やリードフレーム情報刻印領域７３は後のモールド工程にて樹脂被覆がされず刻印が目視確認できる。リードフレーム不良刻印領域７２には半導体チップの良否を判別できる情報が刻印され、リードフレーム情報刻印領域には半導体チップの半導体品種番号やロット番号などが刻印されており、後の工程での識別に役に立つ。
【００２０】
以上のように構成されたリードフレーム７０及び半導体チップ１の断面を図１に示している。搬送部６０を構成するガイドレール６１上のリードフレーム７０の上には半導体チップ１が複数個固定され、半導体チップ１が光学前画像撮影部４の直下位置２ａに来たとき、右隣の半導体チップ１は前測定部５の直下位置２ｂになり、さらに右隣の半導体チップ１はレーザー照射部５０の直下位置２ｃになる。リードフレームの端にはガイド孔７１があり、上下には搬送ピン６３とガイドピン６２がある。リードフレーム上の半導体チップ１を静止する場合にはガイド孔７１にガイドピン６２が挿入される。ガイドピン６２の外寸とガイド孔７１の内寸は略同寸法であって、ガイドピン６２がガイド孔７１に挿入されると遊びの無い状態になる。一方、半導体チップを搬送したい場合にはガイド孔７１からガイドピン６２が抜け、代わりに搬送ピン６３が挿入されて図の右方向にリードフレームを移動させる。
【００２１】
リードフレーム７０上に固定された半導体チップ１が光学前画像撮影部直下の位置２ａに来ると、光学前画像撮影部３０は演算部２０から受けた半導体品種情報を基にして半導体チップ１の電極部と配線部を撮影し、その映像より電極位置情報と配線位置情報を算出し、それらを演算部２０へ出力する。半導体チップのあるべき位置からのズレは並進ズレと回転ズレで構成され（ｘ、ｙ、θ）という３種の値で表現されるが、電極位置情報や配線位置情報は（ｘｓ、ｙｓ）という形に変換して演算部７へ出力される。
【００２２】
撮影される電極部と配線部について図３を用いて説明する。図３は半導体チップ表面の模式図であって、半導体チップの周辺には電極パッドと呼ばれる複数の電極部３があり、内部には保護膜６で覆われずに複数の配線５ａ、５ｂ、５ｃ・・・５ｍが露出されている配線部４が図示されている。これら複数の電極部や配線部内の複数の配線の位置が、あるべき位置からどれくらい、そして、どのようにズレているかを前述の（ｘｓ、ｙｓ）で表現することになるが、一つの半導体チップ上に配置された電極部の個数に相当する複数の電極部位置情報と配線の本数に相当する複数の配線位置情報が演算部２０に転送されることになる。
【００２３】
撮影が終了すると、リードフレーム７０は右方向に移動し、半導体チップ１は図１の前測定部直下の位置２ｂに来る。前測定部４０の先端にはプローブ針４１が設けられており、演算部２０から出力された電極位置情報を基に前測定部４０が位置補正を行い、プローブ針４１が半導体チップ１の電極部３と接触できる位置に移動する。プローブ針４１が下降して電極部３と接触したら、演算部２０より得た半導体品種情報を基に固有のテストプログラムを選択して、測定のための電気信号がプローブ針４１から半導体チップの電極部３に印加し、半導体チップ１の電気特性を測定し前測定結果を得る。得られた前測定結果は演算部２０に送られ、演算部２０ではこの前測定結果と配線位置情報と半導体品種情報より切断すべき配線の座標を算出し、トリミング加工情報として保存する。算出されたトリミング加工情報は半導体チップの配線部に露出している配線のうち、切断すべき複数の配線の位置情報の集合として表現出来る。例えば、半導体チップ上に８本の配線が露出しており、内１本目、４本目、６本目の３本の配線を切断することで半導体チップの目標仕様を達成できるとすれば、トリミング加工情報は（ｘｓ１、ｙｓ１）（ｘｓ４、ｙｓ４）（ｘｓ６、ｙｓ６）という３個の座標情報の集合とすればよい。
【００２４】
前測定部４０での測定が終了すると、半導体チップ１は図１のレーザー照射部直下の位置２ｃに来る。レーザー照射部５０にはレーザー光源部５２とレーザー照射制御部５１が付属しており、レーザー照射制御部５１が演算部２０からトリミング加工情報を受け、レーザー照射部５０の位置補正を行い、所定の配線にレーザーを照射して溶断するということになる。溶断された配線は電気的な切断状態に至るが、レーザー照射されない配線は溶断しないで元のまま残る。上記例のように、トリミング加工情報が（ｘｓ１、ｙｓ１）（ｘｓ４、ｙｓ４）（ｘｓ６、ｙｓ６）という３個の座標情報の集合であるとすれば、８本の配線のうち１本目、４本目、６本目の３本の配線にレーザー照射がされてそれらの配線は溶断するが、残りの５本にはレーザー照射されないということになり元のまま残る。
【００２５】
これら一連の動作すなわち生産情報決定から光学前画像撮影、前測定、レーザー照射までを連続して搬送される複数の半導体チップ、そして、半導体チップの搭載された複数のリードフレームに繰り返し行われ、必要とする個数（例えば、１ロット）が終了するまで連続する。なお、トリミング工程を終了したリードフレーム７０はワイヤボンド工程にてリードフレームの端子と半導体チップの電極パッドとを金属ワイヤで接続し、モールド工程にて半導体チップを樹脂封止し、パッケージ検査工程でのファイナルテスト等を経て半導体装置は完成する。
【００２６】
パッケージ組立工程トリミング方式を適用する生産品種の製造に係わる構成数量単位すなわちロットサイズはリードフレームの構成によりほぼ次の二通りが一般的である。すなわち約３００ｍｍ長前後の固定長さで統一されたいわゆる短尺タイプと人手で運搬や段取り取扱が可能な重量および大きさにおさまるまでリードフレーム長さを延長したフープ状超長尺タイプである。
【００２７】
短尺タイプを採用する生産システムでは、リードフレームが搭載する半導体チップの個数の整数倍をとることが自然であり、加工順序はどの加工装置においても常に一定方向に固定されていて、産業界では通常に行われている。
【００２８】
一方、フープ状超長尺タイプを採用する生産システムでは、あるまとまった複数の加工工程群の工程終了後、フープ巻き取りリールに巻き取られるので、次の加工工程群では加工順序が直前の加工工程順序と逆になることが一般的であるが、光学前画像撮影と前測定とレーザー照射が連続して行われるように維持すれば、順序の逆転問題は支障をきたさない。フープ状超長尺タイプにおいては、ロットサイズはその長さを調整することで短尺タイプよりも小さい数量を選択可能で、極端には１列長さまでも小さくできる。
【００２９】
以上、どちらのリードフレーム構成においても、課題で述べたウエハー単位での生産品種決定方法よりロットサイズを飛躍的に小さくできる。この結果として必要数以外の生産数すなわち実需要を超える余剰数は、生産制御部１０が持つ生産予定数が本工程以降の予定歩留を見込んだ数量に設定されていれば、最終生産予定数を僅かに超えてかつリードフレーム搭載の半導体チップ個数以内の余剰に限定できる。
【００３０】
加えてリードフレームの枚数や長さで決められる単位に生産品種を切り替えることが可能となるため、予定生産数を超える部分の生産に製造装置を使う無駄が極限まで減らせ、製造装置の稼働率は同じでも非常に高い設備使用効率で必要生産品種の生産が可能になること、数量の大小にかかわらない最適生産数を実現できる。
【００３１】
また、生産品種の変更がリードフレームの枚数や長さで決めることで、すべて同一の半導体チップに作られたウエハー１枚を使って多種の生産品種の加工を実現できるようになり、ウエハー内に無駄が生じなくなる。
【００３２】
生産者側事情や顧客要求に基づく極めて少数のエンジニアリングサンプル作成についても、本願に係るパッケージ組立工程トリミング加工方式によればリードフレームの単位で生産が可能であり、発生する無駄はウエハー状態でトリミング加工する場合よりも飛躍的に小さくできる。
【００３３】
また、本願に係るウエハー状態トリミング工程がパッケージ組立工程トリミング加工方式に移行することで、製造リードタイムを減らすことが可能になる。
【００３４】
本願に係るパッケージ組立トリミング工程方式の実現に必要な新たな加工装置部分は、光学前画像撮影部、前測定部およびレーザー照射部となるが、これらはウエハートリミング工程におけるレーザートリミング装置に置き換えて設置されるもので、ウエハートリミングの場合は８インチウエハーであれば、約２００ｍｍ□の範囲を移動できるステージ系が必要であったが、パッケージ組立工程トリミングであれば、レーザー照射部の移動範囲は半導体チップ数個分の大きさ程度であれば良いので、ウエハートリミング方式と比べると格段にコンパクトになる。これは本方式の製造装置が従来方式に比べ廉価な装置となることを意味している。
【００３５】
以上は、リードフレーム上に半導体チップが一行３列で搭載されている例を示したが、半導体チップの搭載個数はこれに限定されるものではなく、複数行複数列の搭載であっても構わない。
【００３６】
以上、本発明の効果をまとめると、本願に係るパッケージ組立工程トリミング加工方式はウエハートリミング方式に比べ生産品種のロットサイズを極めて小さくすることができることで必要数以上に作らざるを得ないような在庫の無駄を飛躍的に低減できること、高価な生産ラインを無駄な在庫の生産に費やす無駄を非常に小さく抑制できること、ほぼ同等の製造コストのまま製造リードタイムの大幅な削減が可能なこと、非常に短期間に納入を要求されるのが常であるエンジアリングサンプルの準備の為の在庫管理コストや製造リードタイムを改善できることにある。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施例に係わる半導体装置製造装置の模式的構成
【図２】本発明の一実施例に係わる半導体チップのリードフレーム搭載の模式図
【図３】本発明の一実施例に係わる半導体チップ表面の模式図
【符号の説明】
【００３８】
１    半導体チップ
２ａ  光学前画像撮影部直下の位置
２ｂ  前測定部直下の位置
２ｃ  レーザー照射部直下の位置
３    電極部（電極パッド）
４    配線部（保護膜無し領域）
５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｍ  配線
６    保護膜
１０  生産制御部
１１  生産情報入力部
１２  生産情報記憶部
２０  演算部
３０  光学前画像撮影部
４０  前測定部
４１  プローブ針
５０  レーザー照射部
５１  レーザー照射制御部
５２  レーザー光源部
６０  搬送部
６１  ガイドレール
６２  ガイドピン
６３  搬送ピン
７０  リードフレーム
７１  ガイド孔
７２  リードフレーム不良刻印領域
７３  リードフレーム情報刻印領域
７４  半導体チップ搭載領域
【図１】
2010050373.tif 000003
【図２】
2010050373.tif 000004
【図３】
2010050373.tif 000005