(57)【要約】【課題】有機ＥＬ装置に用いる基板の洗浄処理において、基板表面からより多くの異物を除去し、高い洗浄効果が得られる有機ＥＬ装置の製造装置を提供する。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置であって、プロセスガスが供給されるチャンバー１と、チャンバー１内に設けられ、被処理基板Ｘを電気的に浮いた状態で保持する基板保持部２と、チャンバー１内のプロセスガスをプラズマ状態にして、被処理基板Ｘに照射する電極３Ａ，３Ｂと、被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓに対向する位置と対向しない位置との間を移動可能に設けられた静電吸着部５と、を備え、静電吸着部５は、電圧を印加する外部電源５ａが接続され、プラズマの電荷に起因して被処理基板Ｘ上の異物Ｆが有する電荷と、自身に印加される電圧により発生するプラズマの電荷と逆の電荷と、によって生じる静電力により、異物Ｆを吸着することを特徴とする。【選択図】図２
2010165492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層が形成された基板に有機層および第２の電極層が積層されて形成される有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置であって、
プロセスガスが供給される処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記基板を電気的に浮いた状態で保持する基板保持部と、
前記処理室内の前記プロセスガスをプラズマ状態にして、前記基板に照射するプラズマ発生源と、
前記基板のプラズマ照射面である被処理面に対向する位置と対向しない位置との間を移動可能に設けられた静電吸着部と、を備え、
前記静電吸着部は、電圧を印加する外部電源が接続され、前記プラズマの電荷に起因して前記基板上の異物が有する電荷と、印加される電圧により発生する前記プラズマの電荷と逆の電荷と、によって生じる静電力により、前記異物を吸着することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項２】
前記外部電源は、パルス信号を供給して前記静電吸着部に電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項３】
前記基板保持部は、絶縁性材料からなる絶縁性部材を介して前記処理室内に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項４】
前記基板保持部は、絶縁性材料で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項５】
前記静電吸着部は、前記被処理面に対向する対向面が前記被処理面よりも相対的に小さく、前記被処理面に対向して走査可能に設けられ、走査しながら前記異物を吸着することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項６】
前記処理室には、前記対向しない位置に前記静電吸着部を収容する収容室が設けられ、
前記処理室と前記収容室との接続部には、密閉可能な開閉扉を有し、
前記静電吸着部は、前記収容室内で交換可能に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。  
【請求項７】
前記処理室には、前記対向しない位置に前記静電吸着部を収容する収容室が設けられ、
前記処理室と前記収容室との接続部には、密閉可能な開閉扉を有し、
前記収容室は、前記静電吸着部に付着する前記異物を除去する除去手段を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造装置に関するものであり、有機ＥＬ装置に用いる基板の洗浄処理において、基板表面から異物を除去する洗浄処理に用いる装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、有機発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置（以下「有機ＥＬ装置」という）が知られている。
【０００３】
有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に、発光層や電子注入層などの有機層が挟持される構成の有機ＥＬ素子を複数備えている。これら有機ＥＬ素子は、有機層が通常、数十〜数百ｎｍと非常に薄い自発光素子であるため、有機ＥＬ装置の特長である従来のパネルを上回る薄型化を実現している。
【０００４】
有機層の形成材料としては、高分子材料と低分子材料とが知られているが、このうち低分子材料は剛直な骨格を有する分子が多く、有機溶媒に対する溶解性が低いものが多い。そのため、例えば真空蒸着法のような気相反応を用いて有機層の形成を行うのが一般的である。
【０００５】
蒸着法を用いて有機層を形成する際に、例えば有機層の成膜面となる画素電極上に異物が存在すると、成膜不良が生じ品質が低下しやすい。図５に示すように、素子基板５１０に設けた陽極５２０上に異物Ｆが存在すると、有機層５３０は異物Ｆの表面にも形成されることとなる。しかしながら、上述のように有機層５３０は非常に薄いため、異物Ｆの大きさによっては異物Ｆの陰となる箇所で有機層５３０が成膜されず、図中符号Ａで示すように不連続となる箇所が生じやすい。すると、異物Ｆの表面に形成された有機層５３０には電流が流れず、非発光の点（暗点）となって表示不良の原因となる。
【０００６】
また、このような符号Ａのような成膜不良の箇所では、有機層５３０の上に積層して形成する陰極５４０が、下層の陽極５２０と接触して成膜されることがある。すると、電流リークが生じ大電流が流れることで、有機ＥＬ素子の駆動に用いる素子基板中の駆動素子等を破損しやすく、装置全体の信頼性低下につながる。
【０００７】
このような不良を抑制するため、有機層の成膜前に基板表面を洗浄し、異物を除去する対策が講じられている（例えば、特許文献１〜３参照）。これら特許文献では、溶剤を用いる湿式法や、プラズマを用いる乾式法による基板表面の洗浄方法が提案されている。プラズマ処理は、不純物の除去の他に陽極表面の仕事関数の値を調整し、正孔注入層に対する正孔注入性を高める処理も兼ねることができるから、有機ＥＬ素子の基板の前処理（洗浄処理）に好適に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−４２３１５号公報
【特許文献２】特開２００３−２６４０７５号公報
【特許文献３】特開２０００−２７７２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、被処理基板がプラズマ処理により加えられるエネルギーが大きい場合には、プラズマによるスパッタによって被処理基板がダメージを受ける。そのため、陽極の膜厚が薄くなってしまうという問題、陽極周辺が削られてしまい所望の画素形状を得ることができないという問題、また、削り取られた基板の一部が陽極表面に付着し新たな異物となるという問題が生じる。
【００１０】
また、上記ダメージを抑制するために、プラズマ処理によるエネルギーを小さくすると、目的とするプラズマ洗浄の効果があがりにくく、異物の除去が不完全となりやすい。更に、乾式法と湿式法とを併用すると洗浄効率は高まるものの、必要設備が多くなり工程負荷が大きい。
【００１１】
有機ＥＬ素子の製造においては、成膜面に数十ｎｍ程度の大きさ（直径または最大径）の異物があれば成膜不良の原因と成り得るため、より高い洗浄効果が期待できる方法や洗浄設備が求められているが、通常の洗浄ではサブミクロンオーダーの異物は残留する可能性があり、上述の特許文献の技術では不十分であった。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、有機ＥＬ装置に用いる基板の洗浄処理において、基板表面からより多くの異物を除去し、高い洗浄効果が得られる有機ＥＬ装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置は、第１の電極層が形成された基板に有機層および第２の電極層が積層されて形成される有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置であって、プロセスガスが供給される処理室と、前記処理室内に設けられ、前記基板を電気的に浮いた状態で保持する基板保持部と、前記処理室内の前記プロセスガスをプラズマ状態にして、前記基板に照射するプラズマ発生源と、前記基板のプラズマ照射面である被処理面に対向する位置と対向しない位置との間を移動可能に設けられた静電吸着部と、を備え、前記静電吸着部は、前記プラズマの電荷に起因して前記基板上の異物が有する電荷と、自身に印加される電圧により発生する前記プラズマの電荷と逆の電荷と、の間に生じる静電吸着力により、前記異物を吸着することを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、まず、基板にはプラズマ状態のプロセスガスが照射され、第１の異物除去が行われる。その際、基板および基板上の異物は、プラズマ状態のプロセスガスが接触することで帯電する。
【００１５】
ここで、基板は電気的に浮いた状態で保持されているため、基板は帯電電荷を保持したままとなり、第１の異物除去で除去仕切れなかった異物も同じ電荷に帯電する。「電気的に浮いた」とは、基板保持部が、周囲の配線や電極などの導電部材と接続していない状態で形成されていることを指す。
【００１６】
そして、静電吸着部が、基板の被処理面に対向する位置に移動し、プラズマの電荷を利用して帯電させた異物の帯電電荷と逆の電荷を有することで、生じる静電力（クーロン力）によって異物が静電吸着部に吸着され、第２の異物除去が行われる。
【００１７】
すなわち、プラズマ洗浄と静電吸着部による静電吸着との２種の異物除去を重ねて行うことにより、高い洗浄効果が得られる製造装置とすることができる。
【００１８】
本発明においては、前記外部電源は、パルス信号を供給して前記静電吸着部に電圧を印加することが望ましい。
パルス信号を供給して静電吸着部に印加すると、パルス信号の波形に応じてクーロン力が変化する。すると、異物は変化するクーロン力に応じて引きつけられることとなり、変化に応じて揺さぶられることとなる。この揺さぶりのために、異物は基板上から外れやすくなり、静電吸着の効果が高くなる。
【００１９】
本発明においては、前記基板保持部は、絶縁性材料からなる絶縁性部材を介して前記処理室内に設けられていることが望ましい。
または、本発明においては、前記基板保持部は、絶縁性材料で形成されていることが望ましい。
この構成によれば、基板を確実に電気的に浮いた状態として維持できるため、異物の帯電状態を維持しやすくなり、高い洗浄効果が得られる製造装置とすることができる。
【００２０】
本発明においては、前記静電吸着部は、前記被処理面に対向する対向面が前記被処理面よりも相対的に小さく、前記被処理面に対向して走査可能に設けられ、走査しながら前記異物を吸着することが望ましい。
この構成によれば、例えば、被処理面内の位置によって異物の付着量に濃淡が生じている場合、静電吸着部に異物の付着量が多い箇所を複数回走査させることで、繰り返し異物除去を行うことができ、洗浄効果を高めることができる。
【００２１】
本発明においては、前記処理室には、前記対向しない位置に前記静電吸着部を収容する収容室が設けられ、前記処理室と前記収容室との接続部には、密閉可能な開閉扉を有し、前記静電吸着部は、前記収容室内で交換可能に設けられていることが望ましい。
この構成によれば、静電吸着部を清浄な状態に保つ事ができ、高い洗浄効果を維持することができる。また、部品交換を処理室と隔離した収容室内で行うことが可能であるため、交換作業によって大気中の異物が処理室内に侵入することを防ぐことができる。
【００２２】
本発明においては、前記処理室には、前記対向しない位置に前記静電吸着部を収容する収容室が設けられ、前記処理室と前記収容室との接続部には、密閉可能な開閉扉を有し、前記収容室は、前記静電吸着部に付着する前記異物を除去する除去手段を有することが望ましい。
この構成によれば、静電吸着部を清浄な状態に保つ事ができ、高い洗浄効果を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造装置の構成を示す概略図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ装置の製造装置の動作を説明する説明図である。
【図４】本発明に係る他の有機ＥＬ装置の製造装置の動作を説明する説明図である。
【図５】従来の課題を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［第１実施形態］
以下、図１〜図４を参照しながら、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００２５】
まず、図１を用いて、本発明が製造に適用される有機ＥＬ装置について説明した後に、本発明の説明を行う。
【００２６】
図１に示す有機ＥＬ装置１００は、基材１０１ａに素子層１０１ｂが設けられた素子基板１０１と、素子層１０１ｂ上に設けられた画素電極（第１の電極）１０２と、画素電極１０２上に設けられた有機層１０３と、有機層１０３を覆って設けられた共通電極（第２の電極）１０４と、を有している。有機層１０３は、複数の隔壁１０５で分割されている。ここでは、有機層１０３には、光を発する層のみならず、電子注入層や正孔注入層などの機能層も含むものとする。有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション方式、ボトムエミッション方式のいずれの発光方式を採用することとしても良い。
【００２７】
有機層１０３は、低分子の有機発光材料を形成材料としており、画素電極１０２、隔壁１０５が形成された素子基板１０１上に、真空蒸着法などの気相反応を用いて形成される。本発明の有機ＥＬ装置の製造装置は、有機層１０３の形成に先だって、画素電極１０２上に付着する異物を除去するために用いられる。
【００２８】
図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造装置（以下、処理装置）の構成を示す概略図である。
【００２９】
図に示すように、本実施形態の処理装置Ｓは、プロセスガスが供給可能なチャンバー（処理室）１と、チャンバー１内に配置され被処理基板（基板）Ｘを保持する基板保持部２と、プロセスガスをプラズマ状態にして被処理基板Ｘに照射する一対の電極（プラズマ発生源）３Ａ，３Ｂと、プラズマ照射時間を制御するためのシャッター４と、被処理基板Ｘの表面に付着している異物を電気的に吸着して除去する静電吸着板（静電吸着部）５と、を有している。また、チャンバー１には、チャンバー１の中から排気するための真空排気ライン６と、チャンバー１の中にプロセスガスを供給するためのプロセスガス供給ライン７と、が連通している。
【００３０】
基板保持部２は、チャンバー１の上部（天井面１ｂ）に設けられ、一対の電極３Ａ，３Ｂの間で被処理基板Ｘを保持する。本実施形態の基板保持部２は、天井面１ｂに絶縁性部材２Ａを介して取り付けられており、導電部材と接続していない電気的に浮いた（フローティング）状態となっている。そのため、被処理基板Ｘは、処理中にフローティング状態で保持される。絶縁性材料としては、フッ素樹脂のような耐熱性の高い樹脂材料や、セラミックなどが挙げられる。
【００３１】
被処理基板Ｘとしては、図１に示した有機ＥＬ装置１００の素子基板１０１上に画素電極１０２、隔壁１０５を形成したものを用いる。素子基板１０１の画素電極の形成面が被処理面Ｘｓであり、基板保持部２においては、被処理面Ｘｓが静電吸着板５に対向する様に被処理基板Ｘを保持する。
【００３２】
電極３Ａは高周波電源３ａに接続されており、チャンバー１の底部１ａに配置されている。一方、電極３Ｂはグラウンドに接続され、チャンバー１の天井面１ｂに配置されている。高周波電源３ａから高周波電力が供給されると、電極３Ａと電極３Ｂとの間に高周波（ＲＦ）電界が発生し、プロセスガスの容量結合型プラズマが発生する。
【００３３】
シャッター４は、電極３Ａと基板保持部２との間に配置されている。また、シャッター４には、当該シャッター４を開閉駆動するシャッター開閉機構４ａが接続されている。シャッター開閉機構４ａがシャッター４を閉じた場合、被処理基板Ｘと電極３Ａとが隔離され、被処理基板Ｘに対するプラズマ照射は行なわれない。一方、シャッター開閉機構４ａがシャッター４を開いた場合、電極３Ａ，３Ｂによって生成されたプロセスガスのプラズマが被処理基板Ｘに照射される。
【００３４】
静電吸着板５は、被処理基板Ｘに面する様に、被処理基板Ｘとシャッター４との間の空間を移動可能に設けられている。また、静電吸着板５は電源（外部電源）５ａに接続されており、後述のように電源５ａから印加される電荷に基づき、被処理基板Ｘ上の異物を電気的に吸着する機能を有している。
【００３５】
真空排気ライン６には、開度を調節する電磁バルブ８と、チャンバー１内の圧力を計測する真空計９とが接続されている。電磁バルブ８は、真空計９に電気的に接続されており、真空計９によって測定されたチャンバー１内の圧力に応じて、チャンバー１内が所定圧力になるように開度を調整し、不図示の真空ポンプによってチャンバー１内を減圧する。
【００３６】
プロセスガス供給ライン７には、マスフローコントローラ１０が接続されており、チャンバー１内に供給されるプロセスガスの流量を制御する。
【００３７】
チャンバー１内に供給されるプロセスガスとしては、例えば、酸素（Ｏ２）等の処理ガスと、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ），アルゴン（Ａｒ），ネオン（Ｎｅ），キセノン（Ｘｅ），及びクリプトン（Ｋｒ）等の希ガス、或いは窒素（Ｎ２）等の不活性ガスとが混合された混合ガスが採用される。
【００３８】
また、図においてチャンバー１の一方の壁面には、静電吸着板５を収容する収容室１５が設けられており、収容室１５とチャンバー１との接続部は、開閉扉１５Ａで密閉可能となっている。また、収容室１５の処理装置Ｓの外部とつながる壁面には、収容室１５を密閉可能な開閉扉１５Ｂが設けられている。静電吸着板５は、例えば被処理基板Ｘへのプラズマ処理の間、この収容室１５に収容されている。
【００３９】
また、図において、チャンバー１において収容室１５が設けられた壁面と対向する壁面には、搬入部１７が設けられている。搬入部１７には、基板保持部２に被処理基板Ｘを搬送し戴置する搬送機構１８が設けられており、搬入部１７と基板保持部２との間を往復して処理が終了した被処理基板Ｘを搬出し、未処理の被処理基板Ｘを搬入する構成となっている。搬入部１７とチャンバー１との接続部は、開閉扉１７Ａで密閉可能となっている。
本実施形態の処理装置Ｓは、以上のような構成となっている。
【００４０】
図３は、処理装置Ｓの動作について説明する説明図であり、基板保持部２に被処理基板Ｘが戴置されている様子を示す概略拡大図である。
【００４１】
まず、図３（ａ）に示すように、チャンバー１内において、基板保持部２で保持した被処理基板Ｘに対してプラズマ処理（プラズマ洗浄）を行う。プラズマ洗浄では、活性なプラズマが被処理基板Ｘ上に付着している異物Ｆに対して結合することにより異物Ｆを分解する、或いはプラズマ状態のプロセスガスが異物Ｆに衝突する事により異物Ｆはじき飛ばす、と言った作用により、被処理基板Ｘの表面を洗浄する。
【００４２】
有機層の形成前に被処理基板Ｘに付着している異物Ｆとしては、基板の切削や欠けによって生じるガラス等の基板素材、図２に示した搬入部から流入するほこり、製造工程での残存により表面に付着している有機物や金属などがある。プラズマ洗浄を行うことで、正電荷に帯電したプロセスガスのプラズマ粒子Ｐが、被処理基板Ｘや異物Ｆに接触し、被処理基板Ｘや異物Ｆは正電荷に帯電する。
【００４３】
ここで、前述のようにプラズマ洗浄の時間が長くなると被処理基板Ｘを損傷するおそれが生じるため、損傷しない程度の時間にプラズマ洗浄の時間を抑える必要がある。すると、被処理基板Ｘ上に異物Ｆが残りやすく、洗浄不足の状態となりやすい。
【００４４】
そこで、本実施形態の処理装置Ｓでは、静電吸着板５を用いて残る異物Ｆを電気的に吸着することで、プラズマ洗浄では除去仕切れない異物を被処理基板Ｘ上から除去する構成となっている。
【００４５】
図３（ｂ）に示すように、収容室１５に収容されていた静電吸着板５が、プラズマ洗浄後の被処理基板Ｘに対向する位置に移動する。静電吸着板５は、被処理基板Ｘと対向する面（対向面５ｓ）が被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓよりも広い平坦面となっており、被処理基板Ｘと一定の離間距離を保って配置される。この状態で、静電吸着板５と被処理基板Ｘとの間で放電が起こらない程度の強度で、静電吸着板５に被処理基板Ｘの帯電電荷とは逆の負電荷を印加する。
【００４６】
ここで、被処理基板Ｘを保持する基板保持部２が、絶縁性部材２Ａにより電気的にフローティング状態となっているため、被処理基板Ｘおよび異物Ｆは、正に帯電した状態を保持している。そのため異物Ｆは、自身の正電荷と静電吸着板５の負電荷とによって生じるクーロン力により静電吸着板５に引きつけられ、被処理基板Ｘ上から静電吸着板５に移動する。
【００４７】
ここで、静電吸着板５への印加は、パルス信号を用いた変調駆動（パルス駆動）方式により行う事としても良い。パルス信号を供給して静電吸着板５に印加すると、パルス信号の波形に応じてクーロン力が変化する。すると、異物Ｆは変化するクーロン力に応じて引きつけられることとなり、クーロン力の変化に応じて揺さぶられることとなる。この揺さぶりのために、異物Ｆは被処理基板Ｘの上から外れやすくなり、静電吸着の効果が高くなる。
【００４８】
次いで、図３（ｃ）に示すように、被処理基板Ｘの対向位置から、異物Ｆを付着させた静電吸着板５を移動させ、収容室１５へ収容する。これにより、被処理基板Ｘの表面からは、プラズマ洗浄で除去仕切れなかった異物を除去することができる。
【００４９】
異物を吸着した静電吸着板５は、収容室１５において新たな静電吸着板５と交換することにより、高い洗浄効果を維持することができる。静電吸着板５を交換する場合には、開閉扉１５Ａを閉じてチャンバー１を密閉することで、チャンバー１を大気へ解放せずに交換操作を行うことができ、チャンバー１内への異物侵入を防ぐことができる。または、収容室１５内に、静電吸着板と同様の原理による異物の除去手段を設け、静電吸着板５の表面の異物を除去する事としても良い。
以上のようにして、処理装置Ｓは被処理基板Ｘ上の異物Ｆを除去する。
【００５０】
以上のような構成の処理装置Ｓによれば、従来行われてきたプラズマ洗浄と、静電吸着板５による静電吸着と、の２種の異物除去を重ねて行うことにより、高い洗浄効果が得られる。
【００５１】
なお、本実施形態においては、容量結合型プラズマを用いてプラズマ洗浄を行うこととしたが、これに限らず、電子サイクロトン共鳴プラズマ、ヘリコン波励起プラズマ、誘導結合型プラズマ、マイクロ波励起表面波プラズマ、など、通常知られた他のプラズマを用いることとしても構わない。
【００５２】
また、本実施形態においては、絶縁性部材２Ａを介して基板保持部２が設けられることにより、被処理基板Ｘを電気的に浮いた状態として保持する構成としたが、基板保持部２そのものが絶縁性材料によって形成されることとしても構わない。
【００５３】
また、基板保持部に帯電する静電気を逃がすための除電手段を設ける事としても構わない。基板保持部が帯電していると、新たに処理を行う帯電していない基板との間の電位差によって基板を損傷するおそれがあるが、これを回避することができる。
【００５４】
なお、本実施形態においては、静電吸着板５を１枚用いるとしたが、２枚以上用いることとしても構わない。
その場合は、静電吸着板５の交換あるいは静電吸着板５の表面からの異物除去を行っている間、他の静電吸着板を用いて洗浄作業を継続することができる。
【００５５】
また、本実施形態においては、静電吸着板５として、被処理基板Ｘよりも広い対向面５ｓを有することとしたが、これに限らない。
【００５６】
図４は、被処理基板Ｘの大きさに対して、静電吸着板５が小さい場合の、静電吸着板５の動作の一例を示した模式図である。ここでは、処理装置Ｓの下方（図２に示す電極３Ａ側）から平面的に見た図を示す。
【００５７】
図に示すように、小さい静電吸着板５を用いる場合には、静電吸着板５に被処理基板Ｘの表面を走査させることで、被処理基板Ｘの全面の異物を除去することができる。走査の回数や方向は任意に設定することができ、例えば、被処理基板Ｘが複数集合した母材から切削されている場合に、被処理基板Ｘの被処理面の中心部よりも周縁部において異物が多く付着しているならば、中心部よりも周縁部において多く走査を行い、異物除去を念入りに行う事としても良い。
【００５８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【符号の説明】
【００５９】
１…チャンバー（処理室）、２…基板保持部、２Ａ…絶縁性部材、３Ａ、３Ｂ…電極（プラズマ発生源）、５…静電吸着材（静電吸着部）、５ａ…電源（外部電源）、１５…収容室、１５Ａ…開閉扉、１００…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、１０１…素子基板（基板）、１０２…画素電極（第１の電極層）、１０３…有機層、１０４…共通電極（第２の電極層）、Ｆ…異物、Ｓ…有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置、Ｘ…被処理基板（基板）、Ｘｓ…被処理面、
【図１】
2010165492.tif 000003
【図２】
2010165492.tif 000004
【図３】
2010165492.tif 000005
【図４】
2010165492.tif 000006
【図５】
2010165492.tif 000007