(57)【要約】【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。【選択図】図３
2010108963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成され、アルミニウムよりも高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜からなる配線と、
該配線の上面および側面を酸化してなる表面保護膜と、
を有することを特徴とする電気的固体装置。
【請求項２】
前記高融点の金属は、ネオジウムであることを特徴とする請求項１に記載の電気的固体装置。
【請求項３】
前記アルミニウム合金膜におけるネオジウム含有量が２ａｔｍ％未満であることを特徴とする請求項２に記載の電気的固体装置。
【請求項４】
前記表面保護膜の上層に形成された層間絶縁膜と、前記配線の上層側において前記層間絶縁膜および前記表面保護膜を一体に貫通するコンタクトホールと、前記層間絶縁膜の上層において前記コンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する上層側導電パターンと、を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気的固体装置。
【請求項５】
前記配線の一部をゲート電極とする電界効果型トランジスタを有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気的固体装置。
【請求項６】
前記電界効果型トランジスタとして、第１導電型の電界効果型トランジスタと、第２導電型の電界効果型トランジスタと、を有することを特徴とする請求項５に記載の電気的固体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気的固体装置を備えた電気光学装置であって、
前記電気的固体装置は、前記基板上に画素電極を有する電気光学装置用の素子基板であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
基板上にアルミニウムよりも高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜を形成するアルミニウム合金膜形成工程と、
前記アルミニウム合金膜の上面にエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、
前記アルミニウム合金膜に対してエッチングを行ない、前記アルミニウム合金膜からなる配線を形成するパターニング工程と、
前記配線の上面および側面を酸化して当該配線の上面および側面に表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、
を有することを特徴とする電気的固体装置の製造方法。
【請求項９】
前記パターニング工程では、前記エッチングとしてドライエッチングを行なうことを特徴とする請求項８に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記表面保護膜形成工程において前記配線の上面および側面を酸化するにあたっては、当該配線に対してＵＶ酸化、酸素プラズマ照射、陽極酸化、オゾン酸化、水蒸気処理、およびアニール処理のうちの何れかを行なうことを特徴とする請求項８または９に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記高融点の金属は、ネオジウムであることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記アルミニウム合金膜におけるネオジウム含有量が２ａｔｍ％未満であることを特徴とする請求項１１に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記表面保護膜形成工程の後、
前記表面保護膜を覆う層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜および前記表面保護膜を一体に貫通するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
前記層間絶縁膜の上層に前記コンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する上層側導電パターンを形成する上層側導電パターン形成工程と、
を有することを特徴とする請求項８乃至１２の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記アルミニウム合金膜形成工程の前に、
電界効果型トランジスタの能動層を構成するための半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層を覆うゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、
を行ない、
前記配線の一部をゲート電極として電界効果型トランジスタを形成することを特徴とする請求項８乃至１３の何れか一項に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記電界効果型トランジスタとして、第１導電型の電界効果型トランジスタと、第２導電型の電界効果型トランジスタとを形成することを特徴とする請求項１４に記載の電気的固体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に少なくとも配線が形成された電気的固体装置、該電気的固体装置を素子基板として用いた電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や各種回路基板などの電気的固体装置では、基板上に少なくとも配線が形成されており、かかる配線を構成する材料としては、電気的抵抗が低いアルミニウムが多用されている。但し、アルミニウムは、融点が比較的低いため、加熱工程でヒロックと称せられる微細な突起が発生しやすい。従って、アルミニウムを配線材料として用いると、その上層側に導電膜を重ねることができないという問題点がある。そこで、配線材料として、ネオジウムなどの高融点金属を含有するアルミニウム合金を配線材料として用いることが提案されている（特許文献１、２、３参照）。
【０００３】
これらの特許文献のうち、特許文献１では、アルミニウム−ネオジウム合金の単体膜、あるいはアルミニウム膜上にアルミニウム−ネオジウム合金膜を形成した積層膜によって配線を形成することが提案されている。
【０００４】
特許文献２では、アルミニウム−ネオジウム合金膜上にモリブデン−タングステン合金膜を形成した積層膜によって配線を形成することが提案されている。
【０００５】
特許文献３では、窒化アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸窒化アルミニウム膜、あるいはアルミニウム−ネオジウム合金膜からなるバリアアルミニウム膜の上に純アルミニウム膜を形成した積層膜によって配線を形成することが提案されている。
【特許文献１】特開２００２−３６８２０２号公報
【特許文献２】特開２００４−３５６６１６号公報
【特許文献３】特開２００５−３３１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、アルミニウム−ネオジウム合金膜などは、高融点金属を多量に含有するほど耐ヒロック性が向上する一方、高融点金属を多量に含有するとドライエッチングを適正に行なえないなどといった問題点がある。その理由は、高融点金属やその化合物は、蒸気圧が低いため、ドライエッチングされにくいため、と考えられる。
【０００７】
また、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置に用いられる素子基板は、基板上に配線に加えて、電界効果型トランジスタが形成された半導体装置（電気的固体装置）として構成される。かかる素子基板の製造工程において、ＬＤＤ構造の電界効果型トランジスタを形成する場合や、相補型の電界効果型トランジスタを形成する場合、レジストマスクを形成した状態で不純物を導入する。このため、不純物を導入した後、剥離液を用いてレジストマスクを除去するが、その際、剥離液によって、アルミニウム合金膜からなる配線がエッチングされてしまうという問題点がある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用できる電気的固体装置、該電気的固体装置を素子基板として用いた電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の課題は、アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、該電気的固体装置を素子基板として用いた電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気的固体装置は、基板と、該基板上に形成され、アルミニウムよりも高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜からなる配線と、該配線の上面および側面を酸化してなる表面保護膜と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る電気的固体装置の製造方法では、基板上にアルミニウムよりも高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜を形成するアルミニウム合金膜形成工程と、前記アルミニウム合金膜の上面にエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、前記アルミニウム合金膜に対してエッチングを行ない、前記アルミニウム合金膜からなる配線を形成するパターニング工程と、前記配線の上面および側面を酸化して当該配線の上面および側面に表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る電気的固体装置の製造方法において、前記パターニング工程では、前記エッチングとしてドライエッチングを行なうことが好ましい。
【００１３】
本発明において、「アルミニウムよりも高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜からなる配線」とは、「配線全体が前記アルミニウム合金膜からなる形態」の他、「アルミニウム合金膜からなる配線の下層に別の金属配線が形成されている形態」を含む意味であり、少なくとも、配線の最上層が「アルミニウムよりも高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜からなる配線」になっていればよい。
【００１４】
本発明では、高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜を配線材料として用いるため、耐ヒロック性に優れている。また、本発明では、アルミニウム合金膜からなる配線の上面および側面には、配線の上面および側面を酸化してなる表面保護膜が形成され、かかる表面保護膜は配線の耐ヒロック性を向上させる。このように本発明では、高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜を配線材料として用いるという構成と、配線の上面および側面を酸化して表面保護膜を形成するという構成の２つの構成によって、配線の耐ヒロック性を高めているため、配線材料においては、高融点の金属の含有量を低くすることができる。従って、アルミニウム合金膜をドライエッチングする場合でも、純アルミニウムを配線材料として用いた場合と同様な条件で済む。また、アルミニウム合金膜のパターニングにドライエッチングを採用すれば、ウエットエッチングと比較してサイドエッチングが少ないので、配線のライン＆スペースを狭くすることができる。
【００１５】
本発明に係る電気的固体装置およびその製造方法において、前記高融点の金属としては、銅（Ｃｕ／融点１０８３℃）、ネオジウム（Ｎｄ／融点１０２１℃）、ニッケル（Ｎｉ／融点１４５３℃）、シリコン（Ｓｉ／融点１４１０℃）など、アルミニウム（Ａｌ／融点６６０℃）より融点が高い金属を用いることができる。本発明では、前記高融点の金属としては、ネオジウムを用いることが好ましく、この場合、前記アルミニウム合金膜におけるネオジウム含有量が２ａｔｍ％未満であることが好ましい。ネオジウムを含有するアルミニウム合金を用いて耐ヒロック性を高める場合、通常は、アルミニウム合金膜におけるネオジウム含有量が２〜６ａｔｍ％以上であるが、本発明によれば、表面保護膜によって耐ヒロック性を高めてあるので、ネオジウムを含有するアルミニウム合金を用いて耐ヒロック性を高める場合でも、アルミニウム合金膜におけるネオジウム含有量が２ａｔｍ％未満とすることができる。
【００１６】
本発明に係る電気的固体装置の製造方法では、前記表面保護膜形成工程において前記配線の上面および側面を酸化するにあたっては、当該配線に対してＵＶ酸化、酸素プラズマ照射、陽極酸化、オゾン酸化、水蒸気処理、およびアニール処理のうちの何れかを行なうことが好ましい。かかる方法によれば、ＣＶＤ法により表面保護膜を堆積させる場合と比較して、配線の上面および側面の全体に薄い表面保護膜を確実に形成することができる。
【００１７】
本発明に係る電気的固体装置において、前記表面保護膜の上層に形成された層間絶縁膜と、前記配線の上層側において前記層間絶縁膜および前記表面保護膜を一体に貫通するコンタクトホールと、前記層間絶縁膜の上層において前記コンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する上層側導電パターンと、を有する構成を採用することができる。この場合、本発明に係る電気的固体装置の製造方法では、前記表面保護膜形成工程の後、前記表面保護膜を覆う層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜および前記表面保護膜を一体に貫通するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、前記層間絶縁膜の上層に前記コンタクトホールを介して前記配線に電気的に接続する上層側導電パターンを形成する上層側導電パターン形成工程と、を行なう。
【００１８】
本発明に係る電気的固体装置において、前記配線の一部をゲート電極とする電界効果型トランジスタを有することが好ましい。この場合、本発明に係る電気的固体装置の製造方法では、前記アルミニウム合金膜形成工程の前に、電界効果型トランジスタの能動層を構成するための半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層を覆うゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、を行ない、前記配線の一部をゲート電極として電界効果型トランジスタを形成する。電界効果型トランジスタを製造する際、レジストマスクを形成した後、剥離液によってレジストマスクを除去するときでも、配線は表面保護膜で保護されているので、剥離液によって、配線がエッチングされることを確実に防止することができる。例えば、ＬＤＤ構造の電界効果型トランジスタを形成する場合、レジストマスクを形成した状態で不純物を導入した後、剥離液を用いてレジストマスクを除去するが、配線は表面保護膜で保護されているので、剥離液によって、配線がエッチングされることがない。
【００１９】
本発明に係る電気的固体装置およびその製造方法において、前記電界効果型トランジスタとして、第１導電型の電界効果型トランジスタと、第２導電型の電界効果型トランジスタとを形成してもよい。同一基板上に第１導電型の電界効果型トランジスタと第２導電型の電界効果型トランジスタとを形成する場合、レジストマスクを形成した状態で第１導電型の不純物を導入する工程と、別のレジストマスクを形成して第２導電型の不純物を導入する工程とを行なう。かかる場合でも、本発明では、配線が表面保護膜で保護されているので、レジストマスクを剥離液によって除去する際、配線が剥離液によってエッチングされることがない。
【００２０】
本発明を適用した電気的固体装置は電気光学装置に用いることができ、この場合、前記電気的固体装置は、前記基板上に画素電極を有する電気光学装置用の素子基板として構成される。
【００２１】
本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器の表示部などとして用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態として、本発明に係る電気的固体装置を、代表的な電気光学装置である液晶装置の素子基板として構成した例を中心に説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、カラーフィルタや配向膜などの図示は省略してある。また、電界効果型トランジスタでは、印加する電圧の極性によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００２３】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、電気的固体装置としての素子基板１０（半導体装置）と対向基板２０とはシール材１０７によって所定の隙間を介して貼り合わされている。対向基板２０は、シール材１０７とほぼ同じ輪郭を備えており、素子基板１０と対向基板２０との間において、シール材１０７で区画された領域内にホモジニアス配向された液晶５０が保持されている。液晶５０は、配向方向の誘電率がその法線方向よりも大きい正の誘電率異方性を示す液晶組成物であり、広い温度範囲においてネマチック相を示す。
【００２４】
素子基板１０において、シール材１０７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１および実装端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、実装端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿っては、走査線駆動回路１０４が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、さらに、額縁１０８の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が設けられることもある。
【００２５】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、画素電極７ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。対向基板２０では、素子基板１０の画素電極７ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成されている。
【００２６】
本形態の電気光学装置１００は、液晶５０をフリンジフィールドスイッチング（以下、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）という）方式で駆動する。このため、素子基板１０の上には、画素電極７ａに加えて共通電極（図示せず）も形成されており、対向基板２０には、対向電極が形成されていない。かかる構造を採用した場合、対向基板２０の側からは静電気が侵入しやすいので、対向基板２０において素子基板１０側とは反対側の面にＩＴＯ膜などからなるシールド層が形成される場合もある。
【００２７】
本形態の電気光学装置１００においては、対向基板２０が表示光の出射側に位置するように配置されており、素子基板１０に対して対向基板２０と反対側にはバックライト装置（図示せず）が配置される。また、対向基板２０側および素子基板１０側の各々に偏光板などの光学部材が配置される。なお、電気光学装置１００は反射型あるいは半透過反射型として構成される場合があり、半透過反射型の場合、対向基板２０において素子基板１０と対向する面には、反射表示領域に位相差層が形成される場合もある。
【００２８】
（電気光学装置１００の詳細な構成）
図２を参照して、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００およびそれに用いた素子基板の構成を説明する。図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた素子基板１０の画像表示領域１０ａの電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２９】
図２に示すように、電気光学装置１００の画像表示領域１０ａには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極７ａ、および画素電極７ａを制御するための電界効果型トランジスタ３０（画素トランジスタ）が形成されており、データ信号（画像信号）を線順次で供給するデータ線５ａが電界効果型トランジスタ３０のソースに電気的に接続されている。電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａに走査信号を線順次で印加する。画素電極７ａは、電界効果型トランジスタ３０のドレインに電気的に接続されており、電界効果型トランジスタ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線５ａから供給されるデータ信号を各画素１００ａに所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極７ａを介して、図１（ｂ）に示す液晶５０に書き込まれた所定レベルの画素信号は、素子基板１０に形成された画素電極７ａと共通電極９ａとの間で一定期間保持される。ここで、画素電極７ａと共通電極９ａとの間には保持容量６０が形成されており、画素電極７ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置１００が実現される。
【００３０】
図２では、共通電極９ａが走査線駆動回路１０４から延びた配線のように示してあるが、素子基板１０の画像表示領域１０ａの略全面に形成されており、所定の電位に保持される。また、共通電極９ａは、複数の画素１００ａに跨って、あるいは複数の画素１００ａ毎に形成される場合もあるが、いずれの場合も共通の電位が印加される。
【００３１】
（各画素の詳細な構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）のＡ１−Ａ１′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図に相当する。また、図３（ｂ）では、画素電極７ａは太くて長い点線で示し、データ線５ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは二点鎖線で示し、半導体層は細くて短い点線で示してある。
【００３２】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、透光性の画素電極７ａ（太くて長い点線で囲まれた領域）が各画素１００ａ毎に形成され、隣接する画素電極７ａの間に沿ってデータ線５ａ（一点鎖線で示す領域）、および走査線３ａ（二点鎖線で示す領域）が延在している。また、素子基板１０の画像表示領域１０ａの略全面には透光性の共通電極９ａが形成されている。画素電極７ａおよび共通電極９ａはいずれもＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる。
【００３３】
本形態では、共通電極９ａが下側電極として形成され、画素電極７ａが上側電極として形成されている。このため、上側の画素電極７ａには、フリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが互いに平行に形成されている。本形態において、スリット７ｂは、走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びている。
【００３４】
図３（ａ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板１０ｂからなり、対向基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板２０ｂからなる。本形態では、透光性基板１０ｂ、２０ｂのいずれについてもガラス基板が用いられている。素子基板１０には、透光性基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜（図示せず）が形成されているとともに、その表面側において、各画素電極７ａに対応する位置にトップゲート構造の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。本形態において、電界効果型トランジスタ３０はＮチャネル型（第１導電型）である。
【００３５】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、電界効果型トランジスタ３０において、能動層を構成する半導体層１ａは、走査線３ａに対して２箇所で交差するように屈曲した平面形状を備えており、電界効果型トランジスタ３０は、走査線３ａの２箇所をゲート電極として利用したツインゲート構造を備えている。電界効果型トランジスタ３０は、２つのチャネル領域１ｂの両側にソース領域およびドレイン領域を備えている。また、電界効果型トランジスタ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えており、ソース領域およびドレイン領域は各々、低濃度ソース領域１ｃおよび低濃度ドレイン領域１ｄと、高濃度ソース１ｅおよび高濃度ドレイン領域１ｆとを備えている。本形態において、半導体層１ａは、素子基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜である。半導体層１ａの上層には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁層２が形成され、ゲート絶縁層２の上層に走査線３ａが形成されている。
【００３６】
ゲート電極（走査線３ａ）の上層側にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４が形成されている。層間絶縁膜４の表面にはデータ線５ａが形成され、このデータ線５ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ａを介して最もデータ線５ａ側に位置するソース領域に電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面にはドレイン電極５ｂが形成されており、ドレイン電極５ｂは、データ線５ａと同時形成された導電膜である。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂの上層側には、層間絶縁膜６が形成されている。本形態において、層間絶縁膜６は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。
【００３７】
層間絶縁膜６の表面にはＩＴＯ膜からなる共通電極９ａが形成されており、共通電極９ａにおいてドレイン電極５ｂと重なり部分には切り欠き９ｃが形成されている。共通電極９ａの表面にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる絶縁膜８（誘電体膜）が形成されている。絶縁膜８の上層には、ＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが島状に形成されている。層間絶縁膜６にはコンタクトホール６ａが形成されているとともに、絶縁膜８にはコンタクトホール６ａの内側にコンタクトホール８ａが形成されている。このため、画素電極７ａは、コンタクトホール６ａ、８ａの底部でドレイン電極５ｂに電気的に接続し、このドレイン電極５ｂは、層間絶縁膜４およびゲート絶縁層２に形成されたコンタクトホール４ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｆに電気的に接続している。
【００３８】
画素電極７ａにはフリンジ電界形成用のスリット７ｂが形成されている。スリット７ｂの幅寸法は３〜１０μｍであり、画素電極７ａにおいてスリット７ｂに挟まれた線状電極部７ｅの幅寸法は２〜８μｍである。
【００３９】
図示を省略するが、素子基板１０および対向基板２０には配向膜が形成されており、対向基板２０側の配向膜に対しては走査線３ａと平行にラビング処理が施され、素子基板１０側の配向膜に対しては、対向基板２０の配向膜に対するラビング方向と逆向きのラビング処理が施されている。このため、液晶５０をホモジニアス配向することができる。ここで、素子基板１０の画素電極７ａに形成されたスリット７ｂは、互いに平行に形成されているが、走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びている。このため、配向膜に対しては、スリット７ｂが延びている方向に５度の角度をもってラビング処理が施されていることになる。また、偏光板は、互いの偏光軸が直交するように配置されており、対向基板２０側の偏光板の偏光軸は、配向膜に対するラビング方向と直交し、素子基板１０側の偏光板の偏光軸は、配向膜に対するラビング方向と平行である。
【００４０】
このように構成した電気光学装置１００では、共通電極９ａと画素電極７ａとの間には絶縁膜８が介在し、上側の画素電極７ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが形成されている。このため、上側の画素電極９ａと下側の共通電極９ａとの間に形成したフリンジ電界で液晶５０を駆動することができる。また、上側の画素電極７ａと下側の共通電極９ａとが絶縁膜８を介して対向する部分に形成される容量成分を保持容量６０として利用することができる。
【００４１】
（駆動回路の構成）
図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０に形成した相補型電界効果型トランジスタの平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。なお、図４（ｂ）には、図４（ａ）のＣ−Ｃ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面も示してある。
【００４２】
図１（ａ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の周辺領域を利用してデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４などの内部回路が形成されている。このようなデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４は、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｐチャネル型（第２導電型）の電界効果型トランジスタ８０とＮチャネル型（第１導電型）の電界効果型トランジスタ９０とを備えた相補回路などを有しており、このような相補回路の構成を簡単に説明する。
【００４３】
図４（ａ）、（ｂ）において、駆動回路のトランジスタは、Ｐチャネル型の電界効果型トランジスタ８０とＮチャネル型の電界効果型トランジスタ９０とからなる相補型電界効果型トランジスタとして構成されている。このような電界効果型トランジスタ８０、９０は、画素スイッチング用の電界効果型トランジスタ３０の製造工程の一部を利用して形成されたものであり、電界効果型トランジスタ８０、９０を構成する半導体層１ｖ、１ｗは、電界効果型トランジスタ３０を構成する半導体層１ａと同じくポリシリコン膜である。
【００４４】
Ｎチャネル型の電界効果型トランジスタ９０は、チャネル領域１ｎの両側にＮ型のソース領域（高濃度ソース領域１ｓおよび低濃度ソース領域１ｑ）、およびドレイン領域（高濃度ドレイン領域１ｒおよび低濃度ドレイン領域１ｐ）を備えており、これらの領域は、電界効果型トランジスタ３０のソース領域およびドレイン領域と同時形成された領域である。Ｐチャネル型の電界効果型トランジスタ８０は、チャネル領域１ｉの両側にＰ型のソース領域（高濃度ソース領域１ｌおよび低濃度ソース領域１ｊ）、およびドレイン領域（高濃度ドレイン領域１ｍおよび低濃度ドレイン領域１ｋ）を備えている。半導体層１ｖ、１ｗの表面側にはゲート絶縁層２が形成され、ゲート絶縁層２の上層に共通のゲート配線３ｅが形成されている。かかるゲート配線３ｅは、図３を参照して説明した走査線３ａと同時形成された配線である。
【００４５】
電界効果型トランジスタ８０、９０では、高電位線５ｅと低電位線５ｇが層間絶縁膜４およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４ｅ、４ｇを介して、半導体層１ｖ、１ｗの高濃度ソース領域１ｌ、１ｓに電気的に接続されている。また、出力配線５ｆは、層間絶縁膜４およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４ｆ、４ｋを介して半導体層１ｖ、１ｗの高濃度ドレイン領域１ｍ、１ｒに電気的にそれぞれ接続されている。また、入力配線５ｈは、層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール４ｈを介して共通のゲート配線３ｅに接続されている。かかる高電位線５ｅ、低電位線５ｇ、出力配線５ｆ、および入力配線５ｈは、図３を参照して説明したデータ５ａと同時形成された上層側導電パターンである。
【００４６】
（配線構造）
本形態の電気光学装置１００において、図３および図４を参照して説明した走査線３ａおよびゲート配線３ｅについては以下の構成が採用されている。まず、走査線３ａおよびゲート配線３ｅは、アルミニウム（融点６６０℃）よりも高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜からなる。かかる高融点の金属としては、銅（Ｃｕ／融点１０８３℃）、ネオジウム（Ｎｄ／融点１０２１℃）、ニッケル（Ｎｉ／融点１４５３℃）、シリコン（Ｓｉ／融点１４１０℃）などを用いることができ、本形態では、ネオジウムが用いられている。かかるネオジウム含有アルミニウム合金において、ネオジウムの含有量は、アルミニウム合金全体に対して６ａｔｍ％以下である。本形態では、ネオジウムの含有量が２ａｔｍ％未満であり、２ａｔｍ％未満というネオジウムの含有量のレベルは、耐ヒロック性という観点で使用されるネオジウム含有アルミニウム合金におけるネオジウムの含有量からすると、低いレベルである。なお、ネオジウムの含有量の下限については、純アルミニウム配線に比して耐ヒロック性が少しでも向上するレベルに相当し、例えば、０．１ａｔｍ％程度である。
【００４７】
また、本形態では、図３（ａ）および図４（ｂ）に示すように、走査線３ａおよびゲート配線３ｅの上面および側面には、酸化膜からなる表面保護膜３１ａ、３１ｅが形成されている。本形態において、表面保護膜３１ａ、３１ｅは、走査線３ａおよびゲート配線３ｅの上面および側面を酸化してなる酸化膜である。本形態において、表面保護膜３１ａ、３１ｅの膜厚は、１〜１０ｎｍであり、極めて薄い。
【００４８】
ここで、ゲート配線３ｅの上面には、入力配線５ｈ（上層側導電パターン）が層間絶縁膜４のコンタクトホール４ｈを介して電気的に接続されている。このため、コンタクトホール４ｈは、層間絶縁膜４および表面保護膜３０１ｅを貫通している。本形態において、表面保護膜３１ａ、３１ｅは極めて薄いので、コンタクトホール４ｈは、１回のエッチングで層間絶縁膜４および表面保護膜３０１ｅを一体に貫通するように形成されている。
【００４９】
（素子基板１０の製造方法）
図５〜図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、図５〜図７には、図３および図４に示すＡ１−Ａ１′断面、Ｂ−Ｂ′断面、およびＣ−Ｃ′断面に相当する位置を示してある。
【００５０】
本形態の電気光学装置１００の製造工程のうち、素子基板１０の製造工程では、ガラス基板からなる透光性基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成した後、まず、図５（ａ）に示す半導体層形成工程では、ポリシリコン膜からなる半導体層１ａ、１ｖ、１ｗを島状に形成する。それには、基板温度が１５０〜４５０℃の温度条件下で、透光性基板１０ｂの全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体層をプラズマＣＶＤ法により、例えば、４０〜５０ｎｍの厚さに形成した後、レーザアニール法などにより、シリコン膜を多結晶化させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、半導体層１ａ、１ｖ、１ｗを形成する。
【００５１】
次に、ゲート絶縁層形成工程では、ＣＶＤ法などを用いて、半導体層１ａの表面にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁層２を形成する。かかるゲート絶縁層２については、半導体層１ａ、１ｖ、１ｗの表面を熱酸化してなる酸化膜により構成することもできる。また、ゲート絶縁層２については、半導体層１ａ、１ｖ、１ｗの表面を熱酸化してなる酸化膜と、ＣＶＤ法などにより形成した絶縁膜の積層構造とすることもある。
【００５２】
次に、図５（ｂ）〜図５（ｄ）に示すゲート電極形成工程を行なう。このゲート電極形成工程では、まず、図５（ｂ）に示すアルミニウム合金膜形成工程において、スパッタ法や真空蒸着法などにより、透光性基板１０ｂの表面全体に、高融点金属を含有するアルミニウム合金膜３を形成する。本形態では、高融点金属としてネオジウムを含有するアルミニウム合金膜３を形成する。本形態におけるネオジウムの含有量は、２ａｔｍ％未満である。次に、図５（ｃ）に示すエッチングマスク形成工程において、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク９０を形成する。次に、図５（ｄ）に示すパターニング工程では、レジストマスク９０を形成した状態でアルミニウム合金膜３に対してエッチングを行なう。本形態では、塩素系のエッチングガスを用いてドライエッチングを行なう。その結果、図５（ｄ）に示すように、走査線３ａおよびゲート配線３ｅが形成される。次に、剥離液を用いてレジストマスク９０を除去する。
【００５３】
次に、図５（ｅ）に示す表面保護膜形成工程では、走査線３ａおよびゲート配線３ｅに対してＵＶ酸化、酸素プラズマ照射、陽極酸化、オゾン酸化、水蒸気処理、あるいはアニール処理を行い、走査線３ａおよびゲート配線３ｅの上面および側面を酸化して、走査線３ａおよびゲート配線３ｅの上面および側面を覆う表面保護膜３１ａ、３１ｅを形成する。かかる表面保護膜３１ａ、３１ｅの膜厚は、１〜１０ｎｍであり、極めて薄い。
【００５４】
ＵＶ酸化とは、酸素存在下でアルミニウム合金膜にＵＶ光を照射してアルミニウム合金膜の表面を酸化する方法であり、大気中でメタルハライドなどのＵＶ光源から出射されたＵＶ光を１００ｍｍ程度の距離で１８０秒程度照射するだけでアルミニウム合金膜の表面を酸化することができる。酸素プラズマ照射は、酸素プラズマをアルミニウム合金膜に照射してアルミニウム合金膜の表面を酸化する方法である。陽極酸化は、シュウ酸、リン酸などの酸性液中あるいは中性液中でアルミニウム合金膜を陽極にして電解を行なってアルミニウム合金膜の表面を酸化する方法である。オゾン酸化は、アルミニウム合金膜の表面にオゾンを接触させてアルミニウム合金膜の表面を酸化する方法である。水蒸気処理は、高圧雰囲気中などにおいてアルミニウム合金膜の表面に水蒸気を接触させてアルミニウム合金膜の表面を酸化する方法である。アニール処理は、酸素存在下でアルミニウム合金膜を加熱してアルミニウム合金膜の表面を酸化する方法である。
【００５５】
次に、図６（ａ）に示す低濃度Ｎ型不純物導入工程では、Ｐチャネル型の電界効果型トランジスタ８０を形成するための半導体層１ｖを覆うレジストマスク９１を形成した状態で、走査線３ａおよびゲート配線３ｅをマスクにしてＮチャネル型の電界効果型トランジスタ３０、９０を形成するための半導体層１ａ、１ｗに対して低濃度Ｎ型の不純物の導入工程を行なう。例えば、リンイオンを約０．１×１０13／ｃｍ2〜約１０×１０13／ｃｍ2のドーズ量でイオン注入する。その結果、半導体層１ａ、１ｗには低濃度ソース領域１ｃ、１ｑ、および低濃度ドレイン領域１ｄ、１ｐが形成される。次に、剥離液を用いてレジストマスク９１を除去する。本形態では、剥離液としては、エタノールアミン類やヒドロキシルアミンなどを含有するアルカリ性の剥離液を用いる。
【００５６】
次に、図６（ｂ）に示す高濃度Ｎ型不純物導入工程では、Ｐチャネル型の電界効果型トランジスタ８０を形成するための半導体層１ｖを覆うとともに、半導体層１ａ、１ｗの上層側に位置する走査線３ａおよびゲート配線３ｅを広めに覆うレジストマスク９２を形成した状態で、Ｎチャネル型の電界効果型トランジスタ３０、９０を形成するための半導体層１ａ、１ｗに対して高濃度Ｎ型の不純物の導入工程を行なう。例えば、リンイオンを約０．１×１０15／ｃｍ2〜約１０×１０15ｃｍ2のドーズ量でイオン注入する。その結果、半導体層１ａ、１ｗには、高濃度ソース領域１ｅ、１ｓ、および高濃度ドレイン領域１ｆ、１ｒが形成される。また、走査線３ａおよびゲート配線３ｅの近傍には低濃度ソース領域１ｃ、１ｑ、および低濃度ドレイン領域１ｄ、１ｐが残る。このようにして、ＬＤＤ構造の電界効果型トランジスタ３０、９０を形成する。次に、剥離液を用いてレジストマスク９２を除去する。本形態では、剥離液としては、エタノールアミン類やヒドロキシルアミンなどを含有するアルカリ性の剥離液を用いる。
【００５７】
次に、図６（ｃ）に示す低濃度Ｐ型不純物導入工程では、Ｎチャネル型の電界効果型トランジスタ３０、９０を形成するための半導体層１ａ、１ｗを覆うレジストマスク９３を形成した状態で、ゲート配線３ｅをマスクにしてＰチャネル型の電界効果型トランジスタ８０を形成するための半導体層１ｖに対して低濃度Ｐ型の不純物の導入工程を行なう。例えば、ボロンイオンを約０．１×１０13／ｃｍ2〜約１０×１０13／ｃｍ2のドーズ量でイオン注入する。その結果、半導体層１ｖには低濃度ソース領域１ｊおよび低濃度ドレイン領域１ｋが形成される。次に、剥離液を用いてレジストマスク９３を除去する。本形態では、剥離液としては、エタノールアミン類やヒドロキシルアミンなどを含有するアルカリ性の剥離液を用いる。
【００５８】
次に、図６（ｄ）に示す高濃度Ｐ型不純物導入工程では、Ｎチャネル型の電界効果型トランジスタ３０、９０を形成するための半導体層１ａ、１ｗを覆うとともに、半導体層１ｖの上層側に位置するゲート配線３ｅを広めに覆うレジストマスク９４を形成した状態で、Ｐチャネル型の電界効果型トランジスタ８０を形成するための半導体層１ｖに対して高濃度Ｐ型の不純物の導入工程を行なう。例えば、ボロンイオンを約０．１×１０15／ｃｍ2〜約１０×１０15ｃｍ2のドーズ量でイオン注入する。その結果、半導体層１ｖには、高濃度ソース領域１ｌおよび高濃度ドレイン領域１ｍが形成される。また、ゲート配線３ｅの近傍には低濃度ソース領域１ｊおよび低濃度ドレイン領域１ｋが残る。このようにして、ＬＤＤ構造の電界効果型トランジスタ８０を形成する。次に、剥離液を用いてレジストマスク９４を除去する。本形態では、剥離液としては、エタノールアミン類やヒドロキシルアミンなどを含有するアルカリ性の剥離液を用いる。
【００５９】
次に、図６（ｅ）に示す第１層間絶縁膜形成工程では、ＣＶＤ法などを用いて、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４を形成する。
【００６０】
次に、不純物活性化工程では、素子基板１０を加熱し、半導体層１ａ、１ｖ、１ｗに導入した不純物を活性化させる。
【００６１】
次に、図７（ａ）にコンタクトホール形成工程では、フォトリソグラフィ技術を用いて層間絶縁膜４の表面にレジストマスク（図示せず）を形成し、この状態で、層間絶縁膜４に、ＣＨＦ3＋アルゴンガスなどを用いたドライエッチングによって、図３（ｂ）に示すコンタクトホール４ａ、および図７（ａ）に示すコンタクトホール４ｂ、４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈ、４ｋを形成し、しかる後に、レジストマスクを除去する。
【００６２】
次に、図７（ｂ）に示すデータ線形成工程（上層側導電パターン形成工程）では、透光性基板１０ｂの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、あるいはそれらの積層膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、データ線５ａ、ドレイン電極５ｂ、高電位線５ｅ、低電位線５ｇ、入力配線５ｈ、および出力配線５ｆなどの上層側導電パターンを形成する。本形態では、データ線５ａなどの上層側導電パターンについては、配線を形成した後に高い温度での熱処理が行われないことからヒロックの問題が発生しないこと、不純物導入時に用いたエッチングに対する剥離液に接触しないことから、高融点金属を含まないアルミニウム膜を配線材料として用いるとともに、表面保護膜の形成を行なわない。
【００６３】
次に、図７（ｃ）に示す第２層間絶縁膜形成工程では、感光性樹脂を塗布した後、露光、現像し、コンタクトホール６ａを備えた層間絶縁膜６（平坦化膜）を１．５〜２．０μｍの厚さに形成する。
【００６４】
次に、図７（ｄ）に示す共通電極形成工程では、透光性基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透光性導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて透光性導電膜をパターニングし、共通電極９ａを形成する。その際、共通電極９ａに切り欠き９ｃを形成する。
【００６５】
次に、図７（ｅ）に示す絶縁膜形成工程では、ＣＶＤ法などにより、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、それらの積層膜からなる絶縁膜８を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、絶縁膜８にコンタクトホール８ａを形成する。
【００６６】
次に、画素電極形成工程では、透光性基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透光性導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて透光性導電膜をパターニングし、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極７ａを形成する。その際、画素電極７ａに、スリット７ｂを形成する。
【００６７】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０（電気的固体装置）上に走査線３ａおよびゲート配線３ｅを形成するにあたって、ネオジウム（高融点の金属）を含有するアルミニウム合金膜を用いたため、耐ヒロック性に優れている。また、本形態では、アルミニウム合金膜からなる走査線３ａおよびゲート配線３ｅの上面および側面には表面保護膜３１ａ、３１ｅが形成され、かかる表面保護膜３１ａ、３１ｅは、走査線３ａおよびゲート配線３ｅの耐ヒロック性を向上させる。従って、走査線３ａおよびゲート配線３ｅを形成した後、活性化工程などにおいて、加熱処理を行なっても、走査線３ａおよびゲート配線３ｅにヒロックが発生しない。それ故、走査線３ａおよびゲート配線３ｅの上層側に、走査線３ａおよびゲート配線３ｅと交差するようにデータ線５ａなどの配線を形成しても、走査線３ａおよびゲート配線３ｅなどの下層側配線と、データ線５ａなどの上層側導電パターンとの間で短絡するなどの不具合が発生しない。
【００６８】
このように本形態では、高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜を配線（走査線３ａおよびゲート配線３ｅ）の配線材料として用いるという構成と、配線（走査線３ａおよびゲート配線３ｅ）の上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａ、３１ｅを形成するという構成の２つの構成によって、配線（走査線３ａおよびゲート配線３ｅ）の耐ヒロック性を高める。このため、配線材料においては、高融点の金属であるネオジウムの含有量を２ａｔｍ％未満まで低くすることができるので、アルミニウム合金膜をドライエッチングする場合でも、純アルミニウムを配線材料として用いた場合と同様な条件で済む。より具体的には、ネオジウムを含有するアルミニウム合金を用いて耐ヒロック性を高める場合、通常は、アルミニウム合金膜におけるネオジウム含有量が２ａｔｍ％以上であるが、本形態では、表面保護膜３１ａ、３１ｅによって耐ヒロック性を高めてあるので、ネオジウムを含有するアルミニウム合金を用いて耐ヒロック性を高める場合でも、アルミニウム合金膜におけるネオジウム含有量が２ａｔｍ％未満でよい。
【００６９】
それ故、本形態によれば、アルミニウム合金膜のパターニングにドライエッチングを採用することができ、かかるドライエッチングでは、ウエットエッチングと比較してサイドエッチングが少ないので、配線のライン＆スペースを狭くすることができる。
【００７０】
また、表面保護膜３１ａ、３１ｅは、走査線３ａおよびゲート配線３ｅの上面および側面を酸化した酸化物であるため、ＣＶＤ法に比較して、必要な箇所に薄く形成することができる。従って、図４および図７（ａ）に示すコンタクトホール４ｈを形成する際、他のコンタクトホール４ａ、４ｂ、４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｋと同じ工程で、層間絶縁膜４と表面保護膜３１ｅを一括してエッチングすることができる。
【００７１】
さらに、表面保護膜３１ａ、３１ｅは、酸化物であるため、耐アルカリ性を有する。従って、素子基板１０上に電界効果型トランジスタ３０、８０、９０を形成する際、不純物導入時に用いたレジストマスク９１、９２、９３、９４をアルカリ性の剥離液によって除去するときでも、走査線３ａおよびゲート配線３ｅは表面保護膜３１ａ、３１ｅにより保護され、剥離液によってエッチングされることがない。
【００７２】
［実施の形態１の変形例］
上記実施の形態１では、データ線５ａなどの上層側導電パターンについては、配線を形成した後に高い温度での熱処理が行われないことからヒロックの問題が発生しないこと、不純物導入時に用いたエッチングに対する剥離液に接触しない。従って、データ線５ａなどの上層側導電パターンについては、高融点金属を含まないアルミニウム膜を配線材料として用いるとともに、表面保護膜の形成を行なっていない。但し、データ線５ａ、ドレイン電極５ｂ、高電位線５ｅ、低電位線５ｇ、入力配線５ｈ、および出力配線５ｆなどの上層側導電パターンについても、高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜を配線材料として用いるという構成と、表面保護膜を形成するという構成とを適用してもよい。
【００７３】
［実施の形態２］
図８（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図８（ａ）は、図８（ｂ）のＡ４−Ａ４′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、図１〜図７を参照して説明した構成と同様であるため、対応関係が分りやすいように、可能な限り、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００７４】
上記実施の形態では、画素トランジスタとして、トップゲート構造の電界効果型トランジスタ３０が用いたが、図８（ａ）、（ｂ）を参照して以下に説明するように、画素トランジスタとして、ボトムゲート構造の電界効果型トランジスタ３０が用いた電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。
【００７５】
図８（ａ）、（ｂ）に示す電気光学装置１００において、素子基板１０上には、ＩＴＯ膜からなる透光性の画素電極７ａが各画素１００ａ毎に形成されている。画素電極７ａの縦横の境界領域に沿っては、電界効果型トランジスタ３０に電気的に接続されたデータ線５ａおよび走査線３ａが形成されている。また、走査線３ａと並列するように共通配線３ｃが形成されており、共通配線３ｃは、走査線３ａと同時形成された配線層である。共通配線３ｃの下層側には、ＩＴＯ膜からなる透光性の共通電極９ａが走査線３ａおよび共通配線３ｃの延在方向と同一方向に帯状に延びており、共通配線３ｃと共通電極９ａの端部とは電気的に接続されている。従って、共通電極９ａは複数の画素１００ａに跨るように形成されている。但し、共通電極９ａは複数の画素１００ａ毎に形成される場合もある。いずれの場合も、共通電極９ａは、共通配線３ｃに電気的に接続され、画素１００ａ毎に共通の電位が印加される。
【００７６】
本形態において、電界効果型トランジスタ３０はボトムゲート構造を有しており、電界効果型トランジスタ３０では、走査線３ａの一部からなるゲート電極、ゲート絶縁層２、電界効果型トランジスタ３０の能動層を構成するアモルファスシリコン膜からなる半導体層１ａ、およびコンタクト層（図示せず）がこの順に積層されている。半導体層１ａのうち、ソース側の端部には、コンタクト層を介してデータ線５ａが重なっており、ドレイン側の端部には、コンタクト層を介してドレイン電極５ｂが重なっている。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂは同時形成された導電膜からなる。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂの表面側にはシリコン窒化膜などからなる絶縁保護膜１１が形成されている。絶縁保護膜１１の上層には、ＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが形成されている。
【００７７】
画素電極７ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが互いに平行に形成されており、スリット７ｂの間には線状電極部７ｅが形成されている。絶縁保護膜１１においてドレイン電極５ｂと重なる領域にはコンタクトホール１１ａが形成されており、画素電極７ａは、コンタクトホール１１ａを介してドレイン電極５ｂに電気的に接続されている。
【００７８】
素子基板１０において、ゲート絶縁層２の下層側には共通配線３ｃが形成されている。また、共通配線３ｃの下層には、ＩＴＯ膜からなる共通電極９ａが形成されており、共通電極９ａの端部は共通配線３ｃに電気的に接続されている。共通電極９ａの表面には、ゲート絶縁層２および絶縁保護膜１１が形成されている。従って、共通電極９ａと画素電極７ａとの間には、ゲート絶縁層２および絶縁保護膜１１からなる絶縁膜１８が介在している。このように構成した電気光学装置１００でも、上側の画素電極７ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが形成されているため、上側の画素電極９ａと下側の共通電極９ａとの間に形成したフリンジ電界で液晶５０を駆動することができる。また、上側の画素電極７ａと下側の共通電極９ａとが絶縁膜１８を介して対向する部分に形成される容量成分を保持容量６０として利用することができる。
【００７９】
このように構成した電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、走査線３ａあるいはデータ線６ａについては、アルミニウムよりも高融点の金属、例えばネオジウムを含有するアルミニウム合金膜を配線材料して用いてもよい。また、走査線３ａおよび共通配線３ｃの表面に表面保護膜３１ａ、３１ｃを形成すればよい。
【００８０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態１、２では、アルミニウムよりも高融点の金属を含有するアルミニウム合金膜として、ネオジウムを含有するアルミニウム合金膜を用いたが、ネオジウムに代えて、銅、ニッケル、シリコンなどの高融点金属を含有するアルミニウム合金や、銅、ネオジウム、ニッケル、シリコンなどの高融点金属を複数種類、含有するアルミニウム合金を配線材料として用いてもよい。
【００８１】
上記実施の形態１では、アルミニウム合金膜を酸化してなる表面保護膜３１ａ、３１ｅは耐アルカリ性が高いとして、レジストの剥離にアルカリ性の剥離液を用いたが、アルミニウム合金膜を酸化してなる表面保護膜３１ａ、３１ｅは耐酸性や耐オゾン性も高い。従って、レジストの剥離に酸性の剥離液や、オゾンを含有する剥離液を用いてもよい。
【００８２】
上記実施の形態１、２では、画素電極７ａに形成されたスリット７ｂが走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びているが、これに限らず、走査線３ａと平行、もしくはデータ線５ａと平行な方向に延びていてもよい。また、スリット７ｂが長さ方向の途中で屈曲している構成を採用してもよい。さらに、上記実施の形態１、２では、共通電極９ａが下層側に形成され、画素電極７ａが上層側に形成されているので、スリットを画素電極７ａに形成したが、共通電極９ａが上層側に形成され、画素電極７ａが下層側に形成されている構成を採用してもよい。この場合、上層側の共通電極９ａにスリットを形成した構成を採用することになる。
【００８３】
また、上記実施の形態１、２では、ＦＦＳ方式を採用した電気光学装置１００に本発明を適用したが、ＩＰＳ(In Plane Switching)方式等、横電界により液晶を駆動する他のタイプの液晶装置（電気光学装置）に本発明を適用してもよい。さらに、横電界方式の液晶装置（電気光学装置）に限らず、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式、あるいはＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）方式の液晶装置（電気光学装置）に本発明を適用してもよい。
【００８４】
また、上記形態は、半導体層としてポリシコン膜やアモルファスシリコン膜を用いた例であったが、半導体層として単結晶シリコン層を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８５】
また、上記実施の形態１、２では、電気光学装置１００が液晶装置である場合を例に説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置などの電気光学装置に用いる素子基板も、液晶装置に用いた素子基板と同様、配線や電界効果型トランジスタが形成された電気的固体装置として構成される。従って、有機エレクトロルミネッセンス装置などに用いる素子基板に本発明を適用してもよい。
【００８６】
さらに、基板上に少なくとも配線が形成された装置（電気的固体装置）であれば、電気光学装置の素子基板以外の装置に本発明を適用してもよい。
【００８７】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図９（ａ）に、電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図９（ｂ）に、電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図８（ｃ）に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【００８８】
なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図９に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板の画像表示領域の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板に形成した相補型電界効果型トランジスタの平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００９０】
１ａ・・半導体層、３ａ・・走査線、３ｅ・・ゲート配線、５ａ・・データ線、５ｈ・・入力配線（上層側導電パターン）、４・・層間絶縁膜、４ｈ・・コンタクトホール、７ａ・・画素電極、９ａ・・共通電極、１０・・素子基板（電気的固体装置）、２０・・対向基板、３０、８０、９０・・電界効果型トランジスタ、３１ａ、３１ｅ・・表面保護膜、１００・・電気光学装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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