(57)【要約】      （修正有）【課題】パワー半導体装置における実使用時の熱サイクルによっても半導体チップとリードとを接合するはんだ接合層に疲労亀裂が発生しにくく、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１０４と回路層１０６とそれらを電気的に接続する板状のリード１０１とを有する半導体装置であって、前記リードは、チップ側接合部１０１ａと回路層側接合部１０１ｂと立ち上がり部１０１ｃと渡り部１０１ｄとからなるリード本体と、少なくとも前記チップ側接合部の周縁に形成された折り返し部１０１ｅとを有し、前記リード本体の前記チップ側接合部が導電性の接合層１０３を介して前記半導体チップに接合され、前記回路層側接合部が導電性の接合層を介して前記回路層に接合されており、前記折り返し部と前記立ち上がり部とが前記チップ側接合部の接合面に対して前記半導体チップと反対方向に折り返されている。【選択図】図１
2010050364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと回路層とそれらを電気的に接続する板状のリードとを有する半導体装置であって、
前記リードは、チップ側接合部と回路層側接合部と立ち上がり部と渡り部とからなるリード本体と、少なくとも前記チップ側接合部の周縁に形成された折り返し部とを有し、
前記リード本体の前記チップ側接合部が導電性の接合層を介して前記半導体チップに接合され、前記回路層側接合部が導電性の接合層を介して前記回路層に接合されており、
前記折り返し部と前記立ち上がり部とが前記チップ側接合部の接合面に対して前記半導体チップと反対方向に折り返されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記チップ側接合部の厚さが１mm以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、
前記折り返し部の高さが前記チップ側接合部の厚さの２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記折り返し部および前記立ち上がり部の立ち上がり角度が50〜130°であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記チップ側接合部を分割するためのスリットが前記チップ側接合部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記折り返し部および前記立ち上がり部が前記チップ側接合部の外周の３/４以上に接するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に係わり、特にモータ等の電気機器の制御に用いられるパワー半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体装置は、モータ等の電気機器を制御するために用いられる大電力の半導体装置である。近年、省エネ・環境負荷低減の要求によりモータ制御におけるインバータ制御が普及し、ハイブリッド自動車市場等の拡大も合わせて、パワー半導体装置の需要が急伸している。また、モータ制御のさらなる効率化を目的として、パワー半導体装置の使用環境は高電圧・大電流化（大電力化）がさらに進展し、要求される使用温度条件なども益々厳しくなってきている。このような背景の下、パワー半導体装置にとっては信頼性の低下を引き起こさないことが重要であり、特に、電子部材同士の接合層（例えば、はんだ接合層）の信頼性確保が重要な課題となっている。
【０００３】
上述したように、パワー半導体装置は高電圧・大電流で動作させられることが多いため、動作中は半導体チップなどに大量のジュール熱が発生する。一方、停止中は環境温度まで冷却されることになる。すなわち、パワー半導体装置は各種半導体装置の中で動作・停止間の温度差が特に大きいという事情がある。その結果、半導体チップ・リード・半導体チップとリードを接合するはんだ接合層には、大きな熱応力が繰返し生じる。この繰返しの熱応力は、機械的強度が比較的低いはんだ接合層に疲労亀裂を発生させる要因となりやすい。はんだ接合層での疲労亀裂の発生・進展（すなわち疲労破壊）は、半導体チップにおける導電障害や放熱障害を引き起こし、パワー半導体装置の機能停止を誘発する恐れがある。
【０００４】
例えば、半導体チップとリードを接合するはんだ接合層の疲労亀裂は、半導体チップの主材質であるシリコン（線膨張係数は約３×10−６℃−１）とリードの主材質である銅（線膨張係数は約17×10−６℃−１）の熱膨張差に起因する剪断応力が原因で発生すると考えられている。また、この剪断応力ははんだ接合層の外周部分に集中するため、はんだ接合層の疲労亀裂は、外周部分から中央に向かって進展することが一般的である。したがって、はんだ接合層の疲労破壊を防止するためには、電子部材の熱膨張差に起因する剪断応力をいかに低減するかが肝要である。
【０００５】
上記の課題を解決するため、例えば特許文献１の大電力半導体デバイスには、半導体チップ上の電極バッドとリードとの間に多層構造の応力緩衝部材を挿入し、半導体チップとリードの接合界面に発生する熱応力を低減させる構造が提案されている。また、例えば特許文献２の半導体装置には、半導体素子の外部電極端部と接合する引き出し電極（インナーリード）端部に、溝を設けて引き出し電極端部を複数個に分割することにより、半田接合時の半田溜りの形成を防止するとともに、半田に掛かる熱応力を分散させて半田ひずみを軽減する構造が提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−６４２５８号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の大電力半導体デバイスは、前記課題を解決するにあたり部材点数や組み立て工程が増加することでコスト高の要因になりやすく、低コスト化の観点で課題を残していた。また、特許文献２に記載の半導体装置は、その主たる目的が半導体素子と引き出し電極の半田接合時に、その接合箇所において半田溜り部の形成を防止することであるから、熱サイクルに起因する半田接合層の疲労破壊の防止に関してはその効果が不十分な場合があった。
【０００８】
従って、本発明の目的は、パワー半導体装置における実使用時の熱サイクルによっても半導体チップとリードとを接合するはんだ接合層に疲労亀裂が発生しにくく、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するため、半導体チップと回路層とそれらを電気的に接続する板状のリードとを有する半導体装置であって、
前記リードは、チップ側接合部と回路層側接合部と立ち上がり部と渡り部とからなるリード本体と、少なくとも前記チップ側接合部の周縁に形成された折り返し部とを有し、
前記リード本体の前記チップ側接合部が導電性の接合層を介して前記半導体チップに接合され、前記回路層側接合部が導電性の接合層を介して前記回路層に接合されており、
前記折り返し部と前記立ち上がり部とが前記チップ側接合部の接合面に対して前記半導体チップと反対方向に折り返されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１０】
また、本発明は、上記目的を達成するため、上記の本発明に係る半導体装置において、以下のような改良や変更を加えることができる。
（１）前記チップ側接合部の厚さが１mm以下である。
（２）前記折り返し部の高さが前記チップ側接合部の厚さの２倍以上である。
（３）前記折り返し部および前記立ち上がり部の立ち上がり角度が50〜130°である。
（４）前記チップ側接合部を分割するためのスリットが前記チップ側接合部に形成されている。
（５）前記折り返し部および前記立ち上がり部が前記チップ側接合部の外周の３/４以上に接するように形成されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、パワー半導体装置における実使用時の熱サイクルによっても半導体チップとリードとを接合するはんだ接合層に疲労亀裂が発生しにくく、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明者は、熱サイクルによるはんだ接合層の疲労亀裂に関する詳細な応力解析を行い、リードの形状・厚さとはんだ接合層の疲労亀裂との間に特定の相関関係があることを見出したことに基づき、本発明を完成した（応力解析の詳細は後述する）。以下、図を参照しながら、本発明に係る実施の形態を説明する。ただし、本発明はここで取り上げた実施の形態に限定されることはなく、適宜組み合わせてもよい。なお、図面中で同義の部分には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００１３】
〔本発明の第１の実施形態〕
（半導体装置の構造）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の１例を示す斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面模式図である。図１，２に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、両面に回路層（基板上回路層106および基板下回路層108）を有する絶縁基板107が基板下はんだ109を介して高熱伝導性のベース110上に接合されており、半導体チップ104がチップ下はんだ105を介して基板上回路層106の１つに接合されており、リード101がリード下はんだ103を介して半導体チップ104と他の基板上回路層106とを電気的に接続するように接合されている。
【００１４】
なお、リード101は、チップ側接合部101aと回路層側接合部101bと立ち上がり部101cと渡り部101dとからなるリード本体と、接合部の周縁に形成された折り返し部101eとで構成され、リード本体のチップ側接合部101aと回路層側接合部101bが、それぞれ半導体チップ104や他の基板上回路層106と接合されている。また、チップ側接合部101aと回路層側接合部101bの周縁に設けられた折り返し部101eが、立ち上がり部101cとともに、チップ側接合部101aの接合面に対して半導体チップ104や他の基板上回路層106と反対方向に折り返されている。言い換えると、チップ側接合部101aおよび/または回路層側接合部101bの接合面内の少なくとも四方に折り返された部分が存在することに特徴がある。折り返された部分（折り返し部および立ち上がり部）は、チップ側接合部の外周の３/４以上に接するように形成されていることが望ましい。接合部の外周に対する折り返された部分の比率が大きいほど、はんだ接合層へのひずみ低減に関する効果が大きい。
【００１５】
リード本体のチップ側接合部101aの厚さは１mm以下が好ましく、0.25〜１mmがより好ましい（例えば0.5 mm）。折り返し部101eの高さはチップ側接合部101aの厚さの２倍以上が好ましく、４〜６倍がより好ましい（例えば厚さ0.5 mmに対して高さ３mm）。また、折り返し部および立ち上がり部の立ち上がり角度は50〜130°が好ましく、53〜127°がより好ましく、64〜116°が更に好ましい（例えば90°）。なお、折り返し部101eの高さとは、リード101の展開図における、接合部（リード下はんだ103によって接合される部分の外縁）から折り返し部先端までの距離と定義する。立ち上がり角度は、図２に示したように、折り返し部の面と接合部の接合面とのなす角、立ち上がり部の面と接合部の接合面とのなす角と定義する。
【００１６】
チップ側接合部の厚さを薄くすることによりチップ側接合部の面内の剛性を小さくすることができ、接合部の外周に折り返し部と立ち上がり部を設けることによりチップ側接合部全体の曲げ剛性を補強することができる。これにより、リード下はんだ（接合層）に掛かる熱応力を低減することができ、接合層の疲労寿命を向上させることができる。応力解析の詳細は後述する。
【００１７】
（半導体装置の製造方法）
半導体装置の製造方法について説明する。図３は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の１例を示す断面模式図である。
【００１８】
まず、図３(１)に示すように、両面に回路層（基板上回路層106および基板下回路層108）を有する絶縁基板107を用意する（基板の準備工程）。絶縁基板107の材質は特に限定されないが、パワー半導体装置ではセラミックス基板を用いるのが一般的であり、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミ、アルミナ等が利用可能である。また、基板上回路層106および基板下回路層108の材質も特に限定されないが、銅やアルミニウム等が通常用いられる。基板上回路層106および基板下回路層108の形成は、絶縁基板107上に結果的に形成されていればその形成方法を問わないが、パワー半導体装置の製造プロセス中で経験する熱履歴に耐えられる程度の耐熱性が必要とされ、例えば、銀ろう付け、Direct Bonding Copper法と呼ばれる直接接合技術等により接合されるのは好ましい。
【００１９】
次に、図３(２)に示すように、チップ下はんだ105を用いて半導体チップ104と基板上回路層106の１つを接合する（半導体チップの接合工程）。半導体チップ104、チップ下はんだ105および絶縁基板107の位置決めにはスペーサ301を用い、スペーサ301を搭載した状態で全体をはんだ付け炉の中に入れ加熱する。加熱によってチップ下はんだ105が溶融し、基板上回路層106と半導体チップ104とが接合される。チップ下はんだ105には高温はんだ（融点：300℃程度、鉛含有率：約93〜95％）がしばしば用いられる。ただし、高温はんだに限定されるものでなく、製造プロセス上の要求（例えば、階層はんだ構造にするための条件）を満たせばよい。
【００２０】
次に、図３(３)に示すように、基板下はんだ109を用いてベース110と基板下回路層108を接合する（ベースの接合工程）。絶縁基板107、基板下はんだ109およびベース110の位置決めにはスペーサ302を用い、スペーサ302を搭載した状態で全体をはんだ付け炉の中に入れ加熱する。加熱によって基板下はんだ109が溶融し、基板下回路層108とベース110とが接合される。ベース材110の材質は高熱伝導性を有することが望ましく、例えば、銅、アルミシリコンカーバイド、銅タングステン合金等が利用可能である。また、基板下はんだ109としては、錫−鉛はんだの他、錫・銅・銀・ビスマス・ニッケル・インジウム・ゲルマニウム等の金属の全部または一部からなる合金（いわゆる鉛フリーはんだ）を好適に用いることができる。このとき階層はんだ構造の観点から、後工程で使用するはんだ（例えば、基板下はんだ109）は先工程で使用するはんだ（例えば、チップ下はんだ105）よりも融点が低い材料を選定することが望ましい。
【００２１】
次に、図３(４)に示すように、リード下はんだ103を介してリード101と半導体チップ104等とを接合する（リードの接合工程）。リード101、リード下はんだ103およびベース110の位置決めにはスペーサ303を用い、スペーサ303を搭載した状態で全体をはんだ付け炉の中に入れ加熱する。加熱によってリード下はんだ103が溶融し、リード本体のチップ側接合部101aと回路層側接合部101bが、それぞれ半導体チップ104や他の基板上回路層106と接合される。リード101の材質にも特段の限定は無いが、一般的に、銅、アルミニウム、鉄−ニッケル合金、モリブデンまたはそれらの複合材が用いられる。リード下はんだ103としては、基板下はんだ109と同等のものを用いることができる。また、基板下はんだ109と同様に、階層はんだ構造の観点から、リード下はんだ103（後工程で使用するはんだ）は先工程で使用するはんだ（例えば、チップ下はんだ105）よりも融点が低い材料を選定することが望ましい。
【００２２】
以上のような工程により、図１，２に示したような半導体装置を製造できる。なお、上述の説明では３回のリフロー工程（はんだを溶融させる工程）を別々に行ったが、「半導体チップの接合工程」と「ベースの接合工程」を同時に行うことも可能であるし、「ベースの接合工程」と「リードの接合工程」を同時に行うことも可能である。
【００２３】
また、図１，２においては、リード101のチップ側接合部101aと回路層側接合部101bの両方に折り返し部101eを設けたが、チップ側接合部101aのみに折り返し部101eを設け、回路層側接合部101bに折り返し部101eを設けない構造でもよい。これは、半導体装置において通常の使用条件での主たる発熱領域（温度変化の大きい部位）が半導体チップ104であり、リード下はんだ103に対して大きな熱応力を生じさせるのが主に半導体チップ側であることからである。
【００２４】
（接合層の応力解析）
次に、接合層（リード下はんだ）の応力解析について説明する。なお、上述したように、主に半導体チップ側での熱応力が問題になることから、チップ側接合部を代表として説明する。
【００２５】
（i）応力分布
図４は、リード下はんだに掛かる応力とチップ側接合部の幅方向の位置との関係を解析した結果の１例である。該図は、温度変化に起因するリード下はんだの応力分布を表している。リードの素材としては「銅」、リード下はんだの素材としては「共晶はんだ（Sn63mass%−Pb37mass%）」、半導体チップの素材としては「シリコン」を選択し、リードの折り返し部および立ち上がり部の立ち上がり角度は90°とし、温度変化量は40℃として計算機シミュレーションで計算した。図中、401は折り返し部を有しない従来のリード形状でチップ側接合部の厚さが２mmのリードの場合の結果、402は折り返し部を有しない従来のリード形状でチップ側接合部の厚さが厚さ0.5 mmのリードの場合、403は折り返し部（高さ１mm）を有する本発明に係るリード形状でチップ側接合部の厚さが厚さ0.5 mmのリードの場合を表している。また、リード下はんだが疲労亀裂を生じさせない上限値も併記した。
【００２６】
図４に示したように、401の場合、リード中央部で応力が小さいものの、端部近傍で応力が急激に増大し上限値を超えていることが判る。これは、401のリードが厚さ２mmと厚いことからチップ側接合部の面内の剛性が高く、熱膨張差に起因する剪断応力がリードの端部近傍（すなわち、リード下はんだの外周部分）に集中するためと考えられる。
【００２７】
一方、402の場合、端部近傍での応力が401の場合に比して減少しているものの、中央部で応力が急激に増大し上限値を超えていることが判る。これは、402のリードが厚さ0.5 mmと薄いことからチップ側接合部の面内の剛性が低くなったために、リード端部近傍の応力集中を低減する効果があったと認められる。しかしながら、チップ側接合部面内の剛性が低くなったことから、リード中央部で反りを生じさせ、リード下はんだの中央部に引張応力を発生させたものと考えられる。
【００２８】
これらに対し、本発明に係る403の場合、薄いリードを用いることにより、402の場合と同様に面内の剛性を低く抑えることでリード端部近傍の応力集中を低減することができる。加えて、チップ側接合部の周縁（リード端部の外縁）に折り返し部を設けることにより、チップ側接合部全体としての剛性（曲げ剛性）を高めてリード中央部での反りを抑制し、リード下はんだに掛かる引張応力を低減することができる。すなわち、本発明に係る半導体装置は、リード下はんだに掛かる応力が疲労亀裂を生じさせない上限値以下に抑制されることから、リード下はんだの熱疲労寿命を向上させることができる。なお、上述の条件で立ち上がり角度の影響を調査したところ、50〜130°の範囲で略同等の結果が得られることが確認された。
【００２９】
（ii）チップ側接合部の厚さの影響
図５は、リード下はんだに掛かる応力とチップ側接合部の厚さとの関係を解析した結果の１例である。該図は、リード下はんだの応力に与えるチップ側接合部の厚さの影響を表している。リードの素材、リード下はんだの素材、半導体チップの素材、温度変化量等の条件は図４の場合と同じで計算した。図中、501は折り返し部を有しない従来のリード形状でチップ側接合部の端部での結果、502は折り返し部を有しない従来のリード形状でチップ側接合部の中央部での結果、503は本発明に係るリード形状で（チップ側接合部厚さの２倍高さの折り返し部を有する）チップ側接合部の端部での結果、504は本発明に係るリード形状で（チップ側接合部厚さの２倍高さの折り返し部を有する）チップ側接合部の中央部での結果を表している。また、図４と同様にリード下はんだが疲労亀裂を生じさせない上限値も併記した。
【００３０】
501，502に示したように、折り返し部を有しない従来のリード形状においては、接合部の端部と中央部とが相反する傾向を有していることが判る。チップ側接合部の端部では板厚の増大に伴って該応力が増大し板厚が１mmを超えると疲労亀裂を生じさせない上限値を超え（図中の501参照）、チップ側接合部の中央部では板厚の減少に伴って該応力が増大し板厚が１mm以下で疲労亀裂を生じさせない上限値を超えている（図中の502参照）。すなわち、折り返し部を有しない従来のリード形状では両立させる解を見つけることが困難であることが解る。
【００３１】
これに対し、本発明に係るリード形状（チップ側接合部厚さの２倍高さの折り返し部を有する）においては、チップ側接合部の端部での応力は501と略同等であるものの（図中の503参照）、チップ側接合部の中央部の応力は502に比して大きく低下し板厚が１mm以下でも上限値を超えていないことが判る（図中の504参照）。すなわち、板厚の２倍の高さを有する折り返し部を設けた場合、チップ側接合部の板厚を１mm以下とすることでチップ側接合部の端部と中央部の応力をともに低減することが可能となる。
【００３２】
（iii）折り返し部の高さの影響
図６は、リード下はんだに掛かる応力と折り返し部の高さとの関係を解析した結果の１例である。該図は、チップ側接合部の中央部におけるリード下はんだの応力に与える折り返し部の高さ（チップ側接合部の厚さに対する比）の影響を表している。リードの素材、リード下はんだの素材、半導体チップの素材、温度変化量等の条件は図４の場合と同じとし、チップ側接合部の厚さは0.25 mmとして計算した。また、図４と同様にリード下はんだが疲労亀裂を生じさせない上限値も併記した。
【００３３】
図６に示したように、折り返し部の高さ（チップ側接合部の厚さに対する比）が増大するにつれてチップ側接合部の中央部におけるリード下はんだの応力が減少し、折り返し部の高さがチップ側接合部の厚さの２倍以上になると該応力が上限値以下に抑制されていることが判る。言い換えると、チップ側接合部の厚さを薄くした場合、折り返し部の高さをチップ側接合部の厚さの２倍以上とすることにより、チップ側接合部の中央部においてもリード下はんだに掛かる応力を上限値以下に抑制することができる。
【００３４】
以上の応力解析から、チップ側接合部全体としての剛性（曲げ剛性）がリード下はんだに掛かる応力に対して及ぼす影響が大きいことが明らかになった。なお、該曲げ剛性は、リード素材のヤング率の１乗に比例し、チップ側接合部の厚さや折り返し部の高さの３乗に比例すると考えられることから、上述した素材の組み合わせ以外の組み合わせにおいても同様の結果が得られると言える。
【００３５】
〔本発明の第２の実施形態〕
（半導体装置の構造）
図７は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の１例を示す斜視図である。本実施形態に係る半導体装置は、チップ側接合部101aにリード111の長手方向と同じ方向のスリット701を設け、チップ側接合部101aを分割した点で第１の実施形態と異なる。なお、図７に示したように、折り返し部101eや立ち上がり部101cは分割していない。
【００３６】
チップ側接合部101aを図のように分割することにより、リード接合面の幅方向長さを小さくすることができ、温度変化に起因する熱膨張差の絶対量が小さくなることでリード下はんだに掛かる剪断応力を低減することができる。また、折り返し部101eや立ち上がり部101cを分割していないことから、チップ側接合部101a全体としての曲げ剛性は、第１の実施形態と同様に高い状態を維持することができる。「曲げ剛性の維持」と「剪断応力の低減効果」とから、本実施形態に係る半導体装置は、第１の実施形態に係る半導体装置よりもリード下はんだの熱疲労寿命を更に向上させることができる。
【００３７】
図７においては、チップ側接合部101aにリード111の長手方向と同じ方向のスリット701を設けているが、長手方向に限定されることはなく、リード111の幅方向にスリット701を設けてもよい。また、図ではチップ側接合部101aを２分割しているが、２分割に限定されることはなく３分割以上でもよい。なお、回路層側接合部101bにおいては、第１の実施形態と同様に、折り返し部101eを設けても設けなくてもよいし、スリット701を設けても設けなくてもよい。
【００３８】
〔本発明の第３の実施形態〕
（半導体装置の構造）
図８は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の１例を示す斜視図である。本実施形態に係る半導体装置は、チップ側接合部101aにリード121の長手方向と幅方向に伸びる十字形のスリット801を設けた点で第２の実施形態と異なる。折り返し部101eや立ち上がり部101cは、第２の実施形態と同様に分割していない。
【００３９】
本実施形態においても、第２の実施形態と同様にリード下はんだに掛かる剪断応力と引張応力の両方を低減することが可能である。スリットの方向を増やすことでリード下はんだに掛かる剪断応力を更に低減することが可能となり、リード下はんだの熱疲労寿命をより一層向上させることができる。
【００４０】
図８においては、リード121の長手方向および幅方向のスリットの本数を１（すなわち十字形）としているが、十字形に限定されることはなく、長手方向または幅方向のいずれか一方のスリット数を２以上としてもよい。また、スリット801の方向もリード121の長手方向および幅方向に限定されることはなく、チップ側接合部101aの面内で回転させた（例えば、面内で45°回転させた）形状としてもよい。なお、回路層側接合部101bにおいては、第１の実施形態と同様に、折り返し部101eを設けても設けなくてもよいし、スリット801を設けても設けなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の１例を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の１例を示す断面模式図である。
【図４】リード下はんだに掛かる応力とチップ側接合部の幅方向の位置との関係を解析した結果の１例である。
【図５】リード下はんだに掛かる応力とチップ側接合部の厚さとの関係を解析した結果の１例である。
【図６】リード下はんだに掛かる応力と折り返し部の高さとの関係を解析した結果の１例である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の１例を示す斜視図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の１例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４２】
101，111，121…リード、101a…チップ側接合部、101b…回路層側接合部、
101c…立ち上がり部、101d…渡り部、101e…折り返し部、
103…リード下はんだ、104…半導体チップ、105…チップ下はんだ、
106…基板上回路層、107…絶縁基板、108…基板下回路層、109…基板下はんだ、
110…ベース、301，302，303…スペーサ、
401…折り返し部を有しない従来のリード形状でチップ側接合部の厚さが２mmのリードの場合の解析結果、
402…折り返し部を有しない従来のリード形状でチップ側接合部の厚さが厚さ0.5 mmのリードの場合の解析結果、
403…折り返し部（高さ１mm）を有する本発明に係るリード形状でチップ側接合部の厚さが厚さ0.5 mmのリードの場合の解析結果、
501…折り返し部を有しない従来のリード形状でチップ側接合部の端部での解析結果、
502…折り返し部を有しない従来のリード形状でチップ側接合部の中央部での解析結果、
503…本発明に係るリード形状で（チップ側接合部厚さの２倍高さの折り返し部を有する）チップ側接合部の端部での解析結果、
504…本発明に係るリード形状で（チップ側接合部厚さの２倍高さの折り返し部を有する）チップ側接合部の中央部での解析結果、
701，801…スリット。
【図１】
2010050364.tif 000003
【図２】
2010050364.tif 000004
【図３】
2010050364.tif 000005
【図４】
2010050364.tif 000006
【図５】
2010050364.tif 000007
【図６】
2010050364.tif 000008
【図７】
2010050364.tif 000009
【図８】
2010050364.tif 000010