(57)【要約】【課題】２つの基材を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合し、さらに各基材に設けられた導電部同士を電気的に接続することができる接合方法、および、かかる接合方法により、２つの基材間を電気的に接続しつつ接合してなる接合体を提供すること。【解決手段】本発明の接合方法は、配線パターン２１２が設けられた基材２１と、配線パターン２２２が設けられた基材２２とを用意する工程と、基材２１に、シリコーン材料と導電性粒子３２を含有する液状材料３０を供給し、液状被膜３１を形成する工程と、液状被膜３１を介して基材２１と基材２２とを重ね合わせて仮接合体５とした後、それを厚さ方向に加圧する工程と、液状被膜３１を乾燥して接合膜３を得る工程と、接合膜３にエネルギーを付与して、接合膜３に接着性を発現させ、基材２１と基材２２とを接合して接合体１を得るとともに、各配線パターン２１２、２２２間を導通する工程とを有する。【選択図】図２
2010050238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合膜を介して接合される基材として、表面に第１の導電部を有する第１の基材と表面に第２の導電部を有する第２の基材とを用意する第１の工程と、
前記第１の導電部および第２の導電部の少なくとも一方の表面上に、シリコーン材料と導電性粒子とを含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成する第２の工程と、
前記液状被膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを重ね合わせて仮接合体とした後、該仮接合体を前記液状被膜の厚さ方向に加圧する第３の工程と、
前記仮接合体中の前記液状被膜を乾燥して、前記接合膜を得る第４の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜に接着性を発現させ、この接着性により、前記第１の基材と前記第２の基材とを接合して接合体を得るとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して前記第１の導電部と前記第２の導電部との間を電気的に接続する第５の工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項２】
前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成される請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記シリコーン材料は、シラノール基を有する請求項１または２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する金属膜とを有するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項５】
前記導電膜は、Ｎｉ、ＣｕまたはＡｕを主材料として構成されている請求項４に記載の接合方法。
【請求項６】
前記基材粒子は、樹脂材料で構成されている請求項４または５に記載の接合方法。
【請求項７】
前記導電性粒子は、弾力性を有している請求項１ないし６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項８】
前記導電性粒子の平均粒径は、０．５〜１００μｍである請求項１ないし７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項９】
前記接合膜中における前記導電性粒子の含有量は、１〜５０質量％である請求項１ないし８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１０】
前記第１の基材は、第１の絶縁性基板と、前記第１の導電部として、前記第１の絶縁性基板の前記接合膜側に位置する面から突出するように設けられた第１の導電膜とを有しており、
前記第２の基材は、第２の絶縁性基板と、前記第２の導電部として、前記第２の絶縁性基板の前記接合膜側に位置する面から突出するように設けられた第２の導電膜とを有しており、
前記接合膜を介して、前記第１の基材と前記第２の基材とを接合するとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを選択的に電気的に接続する請求項１ないし９のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１１】
前記接合膜中の前記導電性粒子は、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜のうち、互いに対向している領域同士を選択的に電気的に接続する請求項１０に記載の接合方法。
【請求項１２】
前記第５の工程における前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１３】
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項１２に記載の接合方法。
【請求項１４】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項１２に記載の接合方法。
【請求項１５】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項１２に記載の接合方法。
【請求項１６】
前記第５の工程における前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項１ないし１５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１７】
前記接合膜の平均厚さは、１００ｎｍ〜１００μｍである請求項１ないし１６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１８】
前記第２の工程において、前記第１の基材および前記第２の基材の双方の表面上に、前記液状被膜を形成し、
前記第３の工程において、前記液状被膜同士が密着するように、前記第１の基材と前記第２の基材とを重ね合わせる請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１９】
前記第５の工程の後に、さらに、前記接合体に対して、前記第１の基材と前記第２の基材との接合強度を高める処理を行う工程を有する請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２０】
前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１９に記載の接合方法。
【請求項２１】
前記第１の基材および前記第２の基材は、互いに対向する面に、それぞれ導電部を有しており、
前記第１の基材と前記第２の基材との間が、請求項１ないし２０のいずれかに記載の接合方法により接合されてなり、かつ、前記各導電部間が電気的に接続されてなることを特徴とする接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合方法および接合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器における実装工程において、電子部品の電極と配線パターンとを接続する接続材には、従来、はんだが広く用いられている。しかし、はんだは、実装温度、実装電極ピッチ、取り付け高さ等に制約があり、高密度実装に対しては不利である。
一方、熱硬化性樹脂中に導電性粒子を分散させた異方導電性接着剤組成物が提案されている（例えば、特許文献１参照）。異方導電性接着剤組成物は、はんだに比べて接続に要する処理温度が低いため、接続に際して電子部品の熱劣化を抑えることができる。また、異方導電性接着剤組成物は、圧縮したときに厚さ方向にのみ導電性が発現し、面方向では絶縁性が保持されることから、例えば、狭ピッチで並設された複数の電極同士を一括して接続する場合、対向する電極同士を電気的に接続する一方、隣接する電極同士を絶縁することができる。また、接着する電極の一方にあらかじめこのような異方導電性接着剤組成物を塗布しておくことにより、厳密な位置合わせをすることなく、対向する電極に対して接着することができる。したがって、電極ピッチを比較的狭く設定することが可能になる。さらに、複数の電極間を一括して接続することが容易であり、はんだに比べて厚さを薄く抑えることもできる。これらのことから、異方導電性接着剤組成物は、高密度実装に適する接続材として注目されている。
また、この異方導電性接着剤組成物を剥離フィルム上に塗布してなる異方導電性フィルムも用いられている。
【０００３】
ところが、このような異方導電性接着剤組成物では、以下のような問題がある。
・接着強度が低い
・硬化時間が長いため、接着に長時間を要する
・有機溶剤に対する耐久性が低い
これらの問題は、いずれも異方導電性接着剤組成物に含まれる熱硬化性樹脂の材料そのものの特性に起因したものであるため、解決するのは容易ではない。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２６８３０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、２つの基材を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合し、さらに各基材に設けられた導電部同士を電気的に接続することができる接合方法、および、かかる接合方法により、２つの基材間を電気的に接続しつつ接合してなる接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、接合膜を介して接合される基材として、表面に第１の導電部を有する第１の基材と表面に第２の導電部を有する第２の基材とを用意する第１の工程と、
前記第１の導電部および第２の導電部の少なくとも一方の表面上に、シリコーン材料と導電性粒子とを含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成する第２の工程と、
前記液状被膜を介して前記第１の基材と前記第２の基材とを重ね合わせて仮接合体とした後、該仮接合体を前記液状被膜の厚さ方向に加圧する第３の工程と、
前記仮接合体中の前記液状被膜を乾燥して、前記接合膜を得る第４の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜に接着性を発現させ、この接着性により、前記第１の基材と前記第２の基材とを接合して接合体を得るとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して前記第１の導電部と前記第２の導電部との間を電気的に接続する第５の工程とを有することを特徴とする。
これにより、２つの基材を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合し、さらに２つの基材間を電気的に接続することができる。
【０００７】
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成されることが好ましい。
かかる化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、かかる化合物を含有する接合膜にエネルギーを付与することにより、化合物を構成するメチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜に確実に接着性を発現させることができるため、シリコーン材料として好適に用いられる。
本発明の接合方法では、前記シリコーン材料は、シラノール基を有することが好ましい。
これにより、液状材料を乾燥させて接合膜を得る際に、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が優れたものとなる。
【０００８】
本発明の接合方法では、前記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する金属膜とを有するものであることが好ましい。
これにより、基材粒子の構成材料や導電膜の構成材料を適宜選択することにより、導電性粒子の形状、大きさ（平均粒径等）、物性（導電性、密度等）等の調整が容易となる。
本発明の接合方法では、前記導電膜は、Ｎｉ、ＣｕまたはＡｕを主材料として構成されていることが好ましい。
これらの導電性材料は、導電性に優れているため、導電性の高い導電性粒子が得られ、第１の導電部と第２の導電部との間の導電性を高めることができる。
【０００９】
本発明の接合方法では、前記基材粒子は、樹脂材料で構成されていることが好ましい。
樹脂材料は一般にシリコーン材料の比重に近いため、導電性粒子は液状材料中において沈降したり浮上したりし難くなる。すなわち、液状材料中に均一に分散し得る導電性粒子を得ることができる。このため、仮接合体を圧縮したときに、導電性粒子が、第１の導電部と第２の導電部との間に挟まれる確率を一定にすることができ、これらの間が確実に導通する。また、樹脂材料の比重は比較的小さいので、速やかな泳動が可能な導電性粒子が得られる。
【００１０】
本発明の接合方法では、前記導電性粒子は、弾力性を有していることが好ましい。
これにより、圧縮力を付与することにより、容易に扁平状に変形し得る導電性粒子が得られる。したがって、導電性粒子として柔軟な粒子を用いることにより、第１の導電部と第２の導電部との間で導電性粒子が容易に扁平になるため、第１の導電部および第２の導電部に対する導電性粒子の接触面積を広くすることができる。その結果、接合体において、各導電部間の導電性をより高めることができる。また、導電性粒子が柔軟性を有することにより、導電性粒子の粒径が不均一であっても、導電性粒子が変形することによって粒径のバラツキを補完することができる。さらに、各導電部の表面に凹凸がある場合でも、導電性粒子が変形することによって、各導電部と各導電性粒子とを確実に接触させることができる。
【００１１】
本発明の接合方法では、前記導電性粒子の平均粒径は、０．５〜１００μｍであることが好ましい。
これにより、導電性粒子の平均粒径が小さ過ぎて、液状材料中において導電性粒子の凝集を防止することができる。また、導電性粒子の平均粒径が大き過ぎて、圧縮しなくても液状被膜中で導電性粒子同士や導電性粒子と各基材とが接触する確率が高くなるのを防止することができる。
【００１２】
本発明の接合方法では、前記接合膜中における前記導電性粒子の含有量は、１〜５０質量％であることが好ましい。
これにより、第１の導電部と第２の導電部との間に導電性粒子が挟まる確率が低下するのを防止する一方、圧縮しなくても液状被膜に意図しない導電性が発現してしまい、異方導電性が損なわれるのを防止することができる。
【００１３】
本発明の接合方法では、前記第１の基材は、第１の絶縁性基板と、前記第１の導電部として、前記第１の絶縁性基板の前記接合膜側に位置する面から突出するように設けられた第１の導電膜とを有しており、
前記第２の基材は、第２の絶縁性基板と、前記第２の導電部として、前記第２の絶縁性基板の前記接合膜側に位置する面から突出するように設けられた第２の導電膜とを有しており、
前記接合膜を介して、前記第１の基材と前記第２の基材とを接合するとともに、前記接合膜中の前記導電性粒子を介して、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを選択的に電気的に接続することが好ましい。
【００１４】
これにより、仮接合体を圧縮したときに、第１の絶縁性基板と第２の絶縁性基板との離間距離は、第１の導電部と第２の導電部との離間距離よりも大きくなっている。したがって、仮接合体において、第１の絶縁性基板の接合面と第２の絶縁性基板の接合面との間にも液状被膜は存在するものの、離間距離が大きいので、導電性粒子は第１の絶縁性基板および第２の絶縁性基板に接触する確率が特に低くなるとともに、各導電性粒子は、絶縁性材料であるシリコーン材料で被覆され、互いに絶縁される。このため、第１の絶縁性基板と第２の絶縁性基板との間は、絶縁状態となる。以上のことから、液状被膜において、導電性を発現させる領域を、第１の導電部と第２の導電部との間に、容易かつ自動的に選択することができる。
【００１５】
本発明の接合方法では、前記接合膜中の前記導電性粒子は、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜のうち、互いに対向している領域同士を選択的に電気的に接続することが好ましい。
これにより、第１の導電膜と第２の導電膜との間で、互いに対向する領域のみが導通し、それ以外の領域を絶縁することができる。その結果、例えば、同じパターンの電極同士を接続する場合に、対向する電極同士を接続するとともに、対向していない電極同士を絶縁することができるので、回路形成を簡単に行うことができる。
【００１６】
本発明の接合方法では、前記第５の工程における前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜の表面を効率よく活性化させることができる。また、接合膜中の分子構造を必要以上に切断しないので、接合膜の特性が低下してしまうのを避けることができる。
【００１７】
本発明の接合方法では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
エネルギー線として前記範囲内の紫外線を用いることにより、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の骨格をなす分子結合が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、接合膜から表面付近の分子結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を確実に発現させることができる。
【００１８】
本発明の接合方法では、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
本発明の接合方法では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて各基材に損傷等が生じるのを防止しつつ、接合体の接合強度を確実に高めることができる。
【００１９】
本発明の接合方法では、前記第５の工程における前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の接合方法では、前記接合膜の平均厚さは、１００ｎｍ〜１００μｍであることが好ましい。
これにより、接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、第１の基材と第２の基材とをより強固に接合することができる。
【００２０】
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記第１の基材および前記第２の基材の双方の表面上に、前記液状被膜を形成し、
前記第３の工程において、前記液状被膜同士が密着するように、前記第１の基材と前記第２の基材とを重ね合わせることが好ましい。
これにより、第１の基材と第２の基材との間をより強固に接合することができる。
【００２１】
本発明の接合方法では、前記第５の工程の後に、さらに、前記接合体に対して、前記第１の基材と前記第２の基材との接合強度を高める処理を行う工程を有することが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
本発明の接合方法では、前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【００２２】
本発明の接合体は、前記第１の基材および前記第２の基材は、互いに対向する面に、それぞれ導電部を有しており、
前記第１の基材と前記第２の基材との間が、本発明の接合方法により接合されてなり、かつ、前記各導電部間が電気的に接続されてなることを特徴とする。
これにより、２つの基材間を電気的に接続しつつ接合してなる接合体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の接合方法は、２つの基材（第１の基材２１および第２の基材２２）間を、接合膜３、３’を介して接合し、かつ、電気的に接続する方法である。
この接合膜３、３’は、シリコーン材料中に導電性粒子が分散してなる複合物を主材料とする被膜であり、エネルギーを付与することにより、その表面のエネルギーを付与した領域に、接着性が発現するという特徴を有するものである。
このような特徴を有する接合膜３、３’によれば、２つの基材２１、２２を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合し、かつ、電気的に接続することが可能である。そして、本発明によれば、２つの基材２１、２２が強固に接合し、かつ、電気的に接続してなる信頼性の高い接合体１が得られる。
【００２４】
＜接合方法＞
≪第１実施形態≫
まず、本発明の接合方法および本発明の接合体の各第１実施形態について説明する。
図１および図２は、本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２５】
本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材２１と第２の基材２２とを用意する工程と、第１の基材２１上の接合膜形成領域４１に、シリコーン材料中に導電性粒子３２が分散してなる液状材料３０を供給し、液状被膜３１を形成する工程と、液状被膜３１を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせて仮接合体５とした後、この仮接合体５を液状被膜３１の厚さ方向に加圧する工程と、仮接合体５中の液状被膜３１を乾燥して、接合膜３を得る工程と、接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面および裏面付近に接着性を発現させ、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合して接合体１を得る工程とを有する。
【００２６】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、第１の基材２１と第２の基材２２とを用意する。
本発明の接合方法により接合される第１の基材２１および第２の基材２２は、それぞれ、いかなる材料で構成されたものでもよいが、本実施形態では、図１（ａ）に示すように、第１の基材２１が、絶縁性基板２１１（第１の絶縁性基板）とその表面上の一部に設けられた３つの導電膜２１２ａ（第１の導電膜）とにより構成されており、また、第２の基材２２が、絶縁性基板２２１（第２の絶縁性基板）とその表面上の一部に設けられた３つの導電膜２２２ａ（第２の導電膜）とにより構成されている。なお、各導電膜２１２ａおよび各導電膜２２２ａは、導電性を有しており、それぞれの導電膜２１２ａおよびそれぞれの導電膜２２２ａは互いに離間して設けられている。
【００２７】
また、３つの導電膜２１２ａは、それぞれ帯状をなしており、帯状の導電膜２１２ａがストライプ状に配設されていることにより第１の配線パターン２１２が構成されている。一方、３つの導電膜２２２ａも、それぞれ帯状をなしており、帯状の導電膜２２２ａがストライプ状に配設されていることにより第２の配線パターン２２２が構成されている。また、これらの第１の配線パターン２１２および第２の配線パターン２２２は、その寸法およびピッチがほぼ同じであり、後述する工程を経ることにより、各導電膜２１２ａとその各々に対応する各導電膜２２２ａとが接合膜を介して電気的に接続される。
【００２８】
各導電膜２１２ａおよび各導電膜２２２ａを構成する導電性材料としては、それぞれ、実質的に導電性を有するものであれば特に限定されず、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、金、銀、モリブデン、タンタルまたはこれらを含む合金等の金属材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾールまたはこれらの誘導体等の電子導電性高分子材料、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリエチレンオキシド、ポリビニルブチラール、ポリビニルカルバゾール、酢酸ビニル等のマトリックス樹脂中に、イオン性物質を分散させたイオン導電性高分子材料、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープした錫酸化物（ＦＴＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム酸化物（ＩＯ）等の導電性酸化物材料のような各種導電性材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
その他、導電性材料としては、それぞれ、例えば、ガラス材料、ゴム材料、高分子材料等の導電性を有さない材料中に、金、銀、ニッケル、カーボン等の導電性材料（導電性粒子）を混合して、導電性を付加したような各種複合材料も使用することができる。
【００２９】
また、絶縁性基板２１１および絶縁性基板２２１の構成材料としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、ガリウムヒ素のような金属系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００３０】
また、半導体基材の構成材料としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのような元素半導体、ガリウムヒ素のような化合物半導体、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
これらの絶縁性基板２１１および絶縁性基板２２１は、それぞれ、その表面に、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
なお、これらの第１の基材２１の構成および第２の基材２２の構成は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００３１】
また、第１の基材２１の熱膨張率と第２の基材２２の熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。これらの熱膨張率がほぼ等しければ、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合した際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体１において、剥離を確実に防止することができる。
なお、後に詳述するが、第１の基材２１の熱膨張率と第２の基材２２の熱膨張率が互いに異なる場合でも、後述する工程において、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
【００３２】
また、２つの基材２１、２２のうち、少なくとも一方は、樹脂材料を主材料として構成されているのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、２つの基材２１、２２を接合した際に、その接合界面に発生する応力（例えば、熱膨張に伴う応力等）を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体１を得ることができる。
なお、上記のような観点から、２つの基材２１、２２のうちの少なくとも一方は、可撓性を有しているのが好ましい。これにより、接合体１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。さらに、２つの基材２１、２２の双方が可撓性を有している場合には、全体として可撓性を有し、機能性の高い接合体１が得られる。
【００３３】
また、各基材２１、２２の形状は、それぞれ、液状被膜を支持する面を有するような形状であればよく、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
各基材２１、２２がそれぞれ板状をなしていることにより、各基材２１、２２は撓み易くなり、２つの基材２１、２２を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、２つの基材２１、２２を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体１における接合強度が高くなる。
【００３４】
また、各基材２１、２２が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和する作用が期待できる。
この場合、各基材２１、２２の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態では、図１（ａ）に示すように、各基材２１、２２がそれぞれ板状をなしており、このうち第１の基材２１の一主面（接合面２３）の周縁部を除いた領域が、接合膜３が形成される接合膜形成領域４１として設定されている。ここで、この接合膜形成領域４１は、第１の配線パターン２１２を構成する各導電膜２１２ａの一部と重なっているものとする。
【００３５】
次に、必要に応じて、第１の基材２１の接合面２３、すなわち第１の絶縁性基板２１１および各導電膜２１２ａの上面に、接合膜３との密着性を高める表面処理を施す。これにより、接合面２３が清浄化および活性化され、接合面２３に対して接合膜３が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、接合面２３上に接合膜３を形成したとき、接合面２３と接合膜３との接合強度を高めることができる。また、各導電膜２１２ａと接合膜３との間の電気抵抗を低減することができる。
【００３６】
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
なお、表面処理を施す第１の絶縁性基板２１１が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、接合面２３を、より清浄化および活性化することができる。その結果、接合面２３と接合膜３との接合強度を特に高めることができる。また、各導電膜２１２ａと接合膜３との間の電気抵抗を特に低減することができる。
【００３７】
また、第１の絶縁性基板２１１および第１の配線パターン２１２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第１の絶縁性基板２１１の構成材料としては、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられ、第１の配線パターン２１２の構成材料としては、例えば、各種金属系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【００３８】
このような材料で構成された第１の基材２１は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第１の基材２１を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第１の基材２１の接合面２３と接合膜３との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第１の絶縁性基板２１１および第１の配線パターン２１２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面２３付近が上記のような材料で構成されていればよい。
【００３９】
また、表面処理に代えて、第１の基材２１の接合面２３に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層上に接合膜３を成膜することにより、最終的に、信頼性の高い接合体１を得ることができる。
【００４０】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、第１の基材２１と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。
【００４１】
なお、以上のような中間層は、接合面２３のうち、第１の絶縁性基板２１１の表面および第１の配線パターン２１２の表面の双方に設けてもよく、いずれか一方に設けるようにしてもよい。また、第１の絶縁性基板２１１の表面および第１の配線パターン２１２の表面の双方に中間層を設ける場合、各表面に設ける中間層は同じであっても異なっていてもよい。また、各表面に設ける中間層は、その導電性を考慮して選択するのが好ましい。すなわち、第１の絶縁性基板２１１の表面には絶縁性の中間層を設け、第１の配線パターン２１２の表面には導電性の中間層を設けるのが好ましい。
【００４２】
一方、第１の基材２１と同様、第２の基材２２の接合面２４、すなわち第２の絶縁性基板２２１および各導電膜２２２ａにも、必要に応じて、あらかじめ接合膜３との密着性を高める表面処理を施してもよい。これにより、接合面２４を清浄化および活性化する。その結果、第２の基材２２の接合面２４と接合膜３との接合強度を高めることができる。
この表面処理としては、特に限定されないが、前述の第１の基材２１の接合面２３に対する表面処理と同様の処理を用いることができる。
【００４３】
また、第１の基材２１の場合と同様に、第２の絶縁性基板２２１および第２の配線パターン２２２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との密着性が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第２の絶縁性基板２２１の構成材料としては、例えば、前述したような各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられ、第２の配線パターン２２２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【００４４】
すなわち、このような材料で構成された第２の基材２２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、水酸基が結合している。したがって、このような酸化膜で覆われた第２の基材２２を用いることにより、上記のような表面処理を施さなくても、第２の基材２２の接合面２４と接合膜３との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第２の絶縁性基板２２１および第２の配線パターン２２２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面２４付近が上記のような材料で構成されていればよい。
また、第２の基材２２の接合面２４に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、第２の基材２２の接合面２４と接合膜３との接合強度を十分に高くすることができる。
【００４５】
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような各種官能基、各種ラジカル、開環分子または、２重結合、３重結合のような不飽和結合を有する脱離性中間体分子、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基や物質、または、これらの基が脱離してなる終端化されていない結合手（未結合手、ダングリングボンド）が挙げられる。
このうち、脱離性中間体分子は、開環分子または不飽和結合を有する炭化水素分子であるのが好ましい。このような炭化水素分子は、開環分子および不飽和結合の顕著な反応性に基づき、接合膜３に対して強固に作用する。したがって、このような炭化水素分子を有する接合面２４は、接合膜３に対して特に強固に接合可能なものとなる。
【００４６】
また、接合面２４が有する官能基は、特に水酸基が好ましい。これにより、接合面２４は、接合膜３に対して特に容易かつ強固に接合可能なものとなる。
また、このような基や物質を有するように、接合面２４に対して上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜３に対して強固に接合可能な第２の基材２２が得られる。
このうち、第２の基材２２の接合面２４には、水酸基が存在しているのが好ましい。このような接合面２４には、水酸基が露出した接合膜３との間に、水素結合に基づく大きな引力が生じる。これにより、最終的に、第１の基材２１と第２の基材２２とを特に強固に接合することができる。
【００４７】
また、表面処理に代えて、第２の基材２２の接合面２４に、あらかじめ、中間層を形成しておいてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、前記第１の基材２１の場合と同様に、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。
かかる中間層の構成材料には、例えば、前記第１の基材２１の接合面２３に形成する中間層の構成材料と同様の材料を用いることができる。
また、この表面処理および中間層の形成は、必要に応じて行えばよく、特に高い接合強度を必要としない場合には、省略することができる。
【００４８】
［２］次に、図１（ｂ）に示すように、第１の基材２１の接合膜形成領域４１に、シリコーン材料と導電性粒子３２を含有する液状材料３０を供給し、接合膜形成領域４１に液状被膜３１を形成する。
具体的には、第１の基材２１上に、接合膜形成領域４１の形状に対応する形状をなす窓部を有するマスクを設け、このマスクを介して、液状材料を供給する。このようにすれば、接合膜形成領域４１に対して液状材料が選択的に供給され、接合膜形成領域４１に液状被膜３１が形成される。
【００４９】
液状材料３０を接合膜形成領域４１に供給する方法としては、例えば、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法のような各種塗布法が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、インクジェット法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、比較的容易に、かつ優れた精度で、液状材料を、第１の基材２１の接合膜形成領域４１に選択的に供給することができる。
その後、各種エッチング法を用いて、マスクを除去する。
【００５０】
また、前述のようなマスクを用いずに、第１の基材２１の接合膜形成領域４１に、インクジェット法によって液状材料３０を選択的に供給し、液状被膜３１を形成するようにしてもよい。これにより、マスクの形成および除去が不要になるので、液状被膜３１の形成工程を簡易化することができる。
なお、このとき、接合面２３に供給する液状材料３０の量を適宜設定することにより、形成される接合膜３の厚さの制御を比較的容易に行うことができる。
【００５１】
ここで、液状材料３０は、シリコーン材料を含有するものである。
「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物のことを言い、主鎖の一部から突出する分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式（１）で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式（２）で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式（３）で表わされる構造単位を有している。
【００５２】
【化１】
2010050238.tif 000003
［式中、各Ｒは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Ｚは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、Ｘはシロキサン残基を表し、ａは０または１〜３の整数を表し、ｂは０または１〜２の整数を表し、ｃは０または１を表す。］
【００５３】
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−Ｏ−（Ｓｉ）構造（Ｓｉは隣接する構造単位が有するケイ素原子）となっている。
このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、分枝状をなすもの、すなわち上記一般式（１）で表わされる構造単位、上記一般式（２）で表わされる構造単位および上記一般式（３）で表わされる構造単位で構成されているのが好ましい。この分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物（以下、「分枝状化合物」と略すこともある。）は、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物であり、主鎖の途中でオルガノシロキサン単位の繰り返しが分枝するとともに、主鎖の末端同士が連結しないものである。
この分枝状化合物を用いることにより、次工程において、液状材料中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜３が形成されることから、得られる接合膜３は特に膜強度に優れたものとなる。
【００５４】
なお、上記一般式（１）〜上記一般式（３）中、基Ｒ（置換または無置換の炭化水素基）としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、Ｉ）フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II）グリシドキシ基のようなエポキシ基、III）メタクリル基のような（メタ）アクリロイル基、IV）カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。
【００５５】
加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、分枝状化合物は、その分子量が、１×１０４〜１×１０６程度のものであるのが好ましく、１×１０５〜１×１０６程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
【００５６】
このような分枝状化合物は、シラノール基を有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位において、各基Ｚは水酸基であるのが好ましい。これにより、次工程において、液状被膜３１を乾燥させて接合膜３を得る際に、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜３の膜強度が優れたものとなる。さらに、第１の基材２１として、前述したように、その接合面（表面）２３から水酸基が露出しているものを用いた場合には、分枝状化合物が備える水酸基と、第１の基材２１が備える水酸基とが結合することから、分枝状化合物を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても第１の基材２１に結合させることができる。その結果、接合膜３は、第１の基材２１の接合面２３に対して、強固に結合したものとなる。
【００５７】
また、シラノール基が有するシリコン原子に連結している炭化水素基は、フェニル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが水酸基である上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。
【００５８】
さらに、シラノール基が存在しないシリコン原子に連結している炭化水素基は、メチル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、メチル基であるのが好ましい。このように、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程において、接合膜３に接合用エネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜３に確実に接着性を発現させることができるため、分枝状化合物（シリコーン材料）として好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、分枝状化合物としては、例えば、下記一般式（４）で表わされる化合物が好適に用いられる。
【００５９】
【化２】
2010050238.tif 000004
［式中、ｎは、それぞれ独立して、０または１以上の整数を表す。］
【００６０】
さらに、上述した分枝状化合物は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程において、接合膜３を介して第１の基材２１に第２の基材２２を接合して接合体１を得る際に、例えば、第１の基材２１と第２の基材２２との各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、各基材２１、２２間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体１において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００６１】
また、分枝状化合物は、耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。具体的には、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、接合膜３を用いて接合すれば、その耐久性を確実に向上させることができる。また、分枝状化合物は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。
【００６２】
また、導電性粒子３２は、少なくとも表面付近が導電性材料によって構成されたものである。このような導電性粒子３２としては、具体的には、例えば、その全体が導電性材料によって構成されたものであってもよく、基材粒子と、この基材粒子の表面を被覆する導電膜とによって構成されたものであってもよい。このうち、導電性粒子３２を後者の構成とすることにより、導電性粒子３２の形状、大きさ（平均粒径等）、物性（導電性、密度等）等の調整が容易となる。
【００６３】
基材粒子の構成材料としては、特に限定されないが、各種金属材料、各種セラミックス材料、各種樹脂材料等が挙げられる。このうち、特に樹脂材料を用いるのが好ましい。樹脂材料は一般にシリコーン材料の比重に近いため、導電性粒子３２は液状材料３０中において沈降したり浮上したりし難くなる。すなわち、液状材料３０中に均一に分散し得る導電性粒子３２を得ることができる。このため、後述する工程において仮接合体５を圧縮したときに、導電性粒子３２が、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの間に挟まれる確率を一定にすることができ、これらの間が確実に導通する。また、樹脂材料の比重は比較的小さいので、速やかな泳動が可能な導電性粒子３２が得られる。
【００６４】
また、樹脂材料のような材料は一般に柔軟性に富むため、このような柔軟性に富む材料で構成された粒子は、圧縮力を付与することにより、容易に扁平状に変形することができる。したがって、導電性粒子３２として柔軟な粒子を用いることにより、第１の基材２１と第２の基材２２との間で導電性粒子３２が容易に扁平になるため、第１の導電パターン２１２および第２の導電パターン２２２に対する導電性粒子３２の接触面積を広くすることができる。その結果、接合体１において、各導電パターン２１２、２２２間の導電性をより高めることができる。また、導電性粒子３２が柔軟性を有することにより、導電性粒子３２の粒径が不均一であっても、導電性粒子３２が変形することによって、粒径のバラツキを補完することができる。さらに、第１の導電パターン２１２の表面および第２の導電パターン２２２の表面に凹凸がある場合でも、導電性粒子３２が変形することによって、各導電パターン２１２、２２２と各導電性粒子３２とを確実に接触させることができる。
【００６５】
また、導電性粒子３２の導電膜の構成材料には、前述の各導電膜２１２ａおよび各導電膜２２２ａの構成材料と同様の導電性材料が挙げられるが、特に、Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｕを主材料とする導電性材料が好ましく用いられる。これらの導電性材料は、導電性に優れているため、導電性の高い導電性粒子３２が得られ、各導電パターン２１２、２２２間の導電性を高めることができる。
なお、導電性粒子３２の具体的な形態としては、Ｎｉ粒子や、Ａｕめっき処理が施されたＮｉ粒子、Ａｕめっき処理が施されたＣｕ粒子、Ａｕめっき処理が施された樹脂製粒子等が挙げられる。
【００６６】
また、導電性粒子の粒子形状は、特に限定されず、例えば、球状、扁平状、針状、不定形状等のいずれでもよい。
また、導電性粒子３２は、弾力性を有しているのが好ましい。弾力性を有する導電性粒子３２は、圧縮された際に、元の形状に戻ろうとする復元力が発生する。この復元力は、導電性粒子３２が各導電パターン２１２、２２２間で圧縮されているときには、導電性粒子３２の表面を各導電パターン２１２、２２２に押し付けるように作用する。このため、各導電パターン２１２、２２２と導電性粒子３２との接触抵抗を低減することができ、各導電パターン２１２、２２２間の導電性をより高めることができる。
【００６７】
このような導電性粒子３２の平均粒子径は、０．５〜１００μｍ程度であるのが好ましく、２〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。導電性粒子３２の平均粒径が前記下限値より小さいと、液状材料３０中において導電性粒子３２が凝集し易くなり、導電性粒子３２を均一に分散させるのが困難になる。その結果、得られる接合膜３において、厚さ方向および面方向における電気抵抗が不均一になる可能性がある。一方、導電性粒子３２の平均粒径が前記上限値を超えると、圧縮しなくても液状被膜３１中で各導電性粒子３２同士や導電性粒子３２と各基材２１、２２とが接触する確率が高くなり、接合膜３に意図しない導電性が発現するおそれがある。
【００６８】
このような液状材料３０の粘度（２５℃）は、通常、０．５〜２００ｍＰａ・ｓ程度であるのが好ましく、３〜２０ｍＰａ・ｓ程度であるのがより好ましい。液状材料３０の粘度が前記範囲内であれば、液状材料３０がある程度の粘性を有したものとなり、より厚さの厚い液状被膜３１を形成することが可能となる。さらに、この液状材料３０で構成される液状被膜３１を次工程で乾燥させた際に、接合膜３を形成するのに十分な量のシリコーン材料および導電性粒子３２を液状材料３０中に含有したものとすることができる。
一方、液状材料３０の粘度が前記上限値を上回った場合、液状被膜３１の厚さや形状の精度が著しく低下するおそれがある。
【００６９】
また、液状材料３０は、前述のようにシリコーン材料と導電性粒子３２を含有するものであるが、シリコーン材料単独で、液状をなし、これに導電性粒子３２を分散させた状態で目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料に導電性粒子３２を分散させた分散液を、そのまま液状材料３０として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料３０中に別途溶媒または分散媒を追加するようにしてもよい。
【００７０】
このような溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
また、液状材料３０中には、導電性粒子３２の分散性を高める分散剤が含まれていてもよい。この分散剤により、液状材料３０中において導電性粒子３２が凝集するのを防止することができる。
【００７１】
［３］次に、図１（ｃ）に示すように、液状被膜３１を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせる。これにより、図１（ｄ）に示す仮接合体５を得る。
なお、この仮接合体５の状態では、第１の基材２１と第２の基材２２とは接合されていないので、互いの位置を容易に調整することができる。したがって、一旦、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせた後、これらの相対的な位置をずらして微調整することができ、最終的に得られる接合体の寸法精度をより高めることができる。
【００７２】
次いで、得られた仮接合体５を、図２（ｅ）に示すように厚さ方向に加圧する。これにより、第１の基材２１と第２の基材２２とが接近するとともに、液状被膜３１が面方向に広がって徐々に薄くなる。そして、最終的には、図２（ｆ）に示すように、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの間に導電性粒子３２が挟まった状態となる。この状態では、導電性粒子３２は、導電膜２１２ａとそれに対向する導電膜２２２ａの双方に接触しているので、導電性粒子３２を介して導電膜２１２ａとそれに対向する導電膜２２２ａとの間を選択的に導通させることができる。このため、例えば、同じパターンの電極同士を接続する場合に、対向する電極同士を接続するとともに、対向していない電極同士を絶縁することができるので、回路形成を簡単に行うことができる。
【００７３】
ここで、図１に示す各導電膜２１２ａおよび各導電膜２２２ａは、各絶縁性基板２１１、２２１の表面から突出するように設けられているので、仮接合体５を圧縮したときには、第１の絶縁性基板２１１と第２の絶縁性基板との離間距離は、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの離間距離よりも大きくなっている。したがって、仮接合体５において、第１の絶縁性基板２１１の接合面２３と第２の絶縁性基板２２１の接合面２４との間にも液状被膜３１は存在するものの、離間距離が大きいので、導電性粒子３２は第１の絶縁性基板２１１および第２の絶縁性基板２２１に接触する確率が特に低くなるとともに、各導電性粒子３２は、絶縁性材料であるシリコーン材料で被覆され、絶縁される。このため、第１の絶縁性基板２１１と第２の絶縁性基板２２１との間は、絶縁状態となる。
【００７４】
以上のことから、各導電膜２１２ａおよび各導電膜２２２ａが、各絶縁性基板２１１、２２１の表面から突出するように設けられていることにより、液状被膜３１には、上述したような導電性を発現させる領域を容易かつ自動的に選択することができる。
また、仮接合体５を厚さ方向に圧縮しても、液状被膜３１には面方向の導電性は発現しない。このため、各導電膜２１２ａ間の絶縁性を確保することができ、電極間の短絡を防止することができる。
なお、液状被膜３１を形成する液状材料３０は、前述したようにある程度の粘性を有しているため、仮接合体５は、圧縮力を解除しても、圧縮された状態を維持することができる。
【００７５】
［４］次に、仮接合体５中の液状被膜３１を乾燥する（溶媒または分散媒を揮発させる）。これにより、接合膜形成領域４１の形状（所定形状）に対応してパターニングされた接合膜３が形成される。
このようにして得られた接合膜３は、エネルギーを付与することにより接着性が発現するものとなる。かかる接合膜３は、例えばシリコーン材料としてシラノール基を有するものを用いた場合には、シリコーン材料が有するシラノール基同士を、さらには、このシラノール基と第１の基材２１が有する水酸基とを、確実に結合させることができるため、形成される接合膜３を膜強度に優れ、かつ第１の基材２１および第２の基材２２に対して強固に結合することができる。
また、この接合膜３では、導電性粒子３２が、厚さ方向では各導電膜２１２ａおよび各導電膜２２２ａに接触しているが、面方向では絶縁性材料であるシリコーン材料を介して互いに絶縁されている。このため、接合膜３は、厚さ方向では導電性を有し、面方向では絶縁性を有するもの、いわゆる異方導電性を有するものとなる。
【００７６】
液状材料３０を乾燥させる際の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
また、乾燥させる時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。
さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料３０の乾燥を促進させるとともに、接合膜３の膜密度が緻密化して、接合膜３をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
【００７７】
以上のように、接合膜３を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜３の膜強度等を所望のものとすることができる。
なお、接合膜３中における導電性粒子３２の含有率は、１〜５０質量％程度であるのが好ましく、５〜３０質量％程度であるのがより好ましい。導電性粒子３２の含有率が前記下限値より少ないと、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの間に導電性粒子３２が挟まる確率が低下し、これらの間の導電性が低下するおそれがある。一方、導電性粒子３２の含有率が前記上限値を超えると、圧縮しなくても液状被膜３１に導電性が発現してしまい、前述したように圧縮量を適宜調整することによって導電性領域と絶縁性領域とを選択することが困難になる。また、面方向にも導電性が発現してしまい、各導電膜２１２ａ間および各導電膜２２２ａ間の絶縁を保持することができないおそれがある。接合膜３中におけるシリコーン材料の割合が少なくなるため、接合体１の接合強度が小さくなる可能性がある。
【００７８】
また、接合膜３の平均厚さは、導電性領域では導電性粒子３２の粒径に依存するものの、絶縁性領域では、１００ｎｍ〜１００μｍ程度であるのが好ましく、２００ｎｍ〜１０μｍ程度であるのがより好ましい。供給する液状材料３０の量を適宜設定して、形成される接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合した接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、より強固に接合することができる。
なお、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回ると、接合体１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００７９】
また、接合膜３の平均厚さをかかる範囲とすることにより、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせた際に、接合膜３と接触させる第２の基材２２の接合面２４にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜３で包み込むようにして接合膜３と接合面２４とを接合することができる。したがって、このパーティクルが存在することによって、接合膜３と接合面２４との界面における接合強度が低下したり、接合界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００８０】
［５］次に、仮接合体５中の接合膜３にエネルギーを付与する。
接合膜３にエネルギーを付与すると、この接合膜３では、表面および裏面付近の分子結合の一部が切断され、表面および裏面が活性化されることに起因して、第１の基材２１および第２の基材２２に対する接着性が発現する。その結果、接合膜３を介して、第１の基材２１と第２の基材２２とを、化学的結合に基づいて強固に接合することができる。
【００８１】
ここで、本明細書中において、表面および裏面が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面および裏面の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜３中に終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【００８２】
接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。これにより、接合膜３の表面および裏面を効率よく活性化させることができる。また、接合膜３中の分子構造を必要以上に切断しないので、接合膜３の特性が低下してしまうのを避けることができる。
【００８３】
上記の方法の中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
【００８４】
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図２（ｇ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の骨格をなす分子結合が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、接合膜３から表面付近の分子結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
【００８５】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、分子結合の切断を効率よく行うことができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【００８６】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面付近の分子結合を切断し得る程度の時間、すなわち、接合膜３の表面付近に存在する分子結合を選択的に切断し得る程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、１秒〜３０分程度であるのが好ましく、１秒〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【００８７】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【００８８】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【００８９】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、表面付近の分子結合を選択的に切断することができる。
【００９０】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇するのを防止して、表面付近の分子結合を選択的に切断することができる。
また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面に合わせた状態で、この表面に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面に存在する分子結合を選択的に脱離させることができる。
【００９１】
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、大気雰囲気（特に、露点が低い雰囲気下）中で行うのが好ましい。これにより、接合膜３の表面付近にオゾンガスが生じて、表面の活性化がより円滑に行われることとなる。さらに、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【００９２】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による第１の基材２１の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３で切断される分子結合の量を調整することが可能となる。このように切断される分子結合の量を調整することにより、第１の基材２１と第２の基材２２との間の接合強度を容易に制御することができる。
【００９３】
すなわち、表面付近で切断される分子結合の量を多くすることにより、接合膜３の表面付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、表面付近で切断される分子結合の量を少なくすることにより、接合膜３の表面付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【００９４】
以上のようにして、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合膜３を介して化学的に結合され、図２（ｈ）に示すような接合体１が得られる。
このようにして得られた接合体１では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、２つの基材２１、２２が接合されている。このため、接合体１は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
【００９５】
また、このような接合方法によれば、高温（例えば１８０℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第１の基材２１および第２の基材２２をも、接合に供することができる。
また、接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接合しているため、各基材２１、２２の構成材料に制約がないという利点もある。
以上のことから、本発明によれば、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
【００９６】
また、接合体１では、第１の配線パターン２１２を構成する各導電膜２１２ａと第２の配線パターン２２２を構成する各導電膜２２２ａとの間に、接合膜３中に分散した導電性粒子３２が挟まることによって、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの間が電気的に接続されている。
また、接合体１では、互いに対向していない導電膜２１２ａと導電膜２２２ａとの間は、接合膜３中のシリコーン材料によって絶縁されている。また、隣接する導電膜２１２ａ同士の間、および、隣接する導電膜２２２ａ同士の間も、それぞれ絶縁されている。
【００９７】
以上のことから、接合体１では、接合膜３（液状被膜３１）の圧縮量を適宜調整することによって、導電性領域と絶縁性領域とを簡単に形成することができる。
また、接合膜３は、前述したように、隣接する導電膜２１２ａ、２２２ａ同士を絶縁する機能を有しているので、導電膜２１２ａ、２２２ａのピッチを比較的狭く設定した場合でも、導電膜２１２ａ、２２２ａ間の絶縁性を確保することができる。また、接合膜３は、適正な膜厚範囲が比較的薄いので、接続材が占有するスペースを極めて小さく抑えることができる。これらのことから、電気回路の高密度化に貢献することができる。
【００９８】
また、接合膜３は、異方導電性フィルム等で用いられる接着剤に比べて、耐有機溶剤性に優れるため、製造工程や動作に際して、接続材に有機溶剤が接触する可能性のある場合でも好適に用いることができる。
さらに、接合膜３は、複数の導電膜２１２ａと複数の導電膜２２２ａとの間を一括して接続することができるため、接続工程に要する時間を短縮することができる。
【００９９】
また、接合膜３は、厚さ方向の導電性を高めると同時に、熱伝導性も高めることができる。
また、接合膜３は、従来の接着剤等に比べて、熱膨張係数が極めて小さい。このため、接合膜３は、環境温度が変化してもその厚さが変化し難いものとなり、その結果、接合体１は寸法精度の極めて高いものとなる。
【０１００】
また、本実施形態では、接合すべき領域（接合膜形成領域４１）のみに部分的に接合膜３を形成するようにしたため、第１の基材２１と第２の基材２２との熱膨張率の差に基づいて接合界面に生じる応力が、接合面２３全体に接合膜３を形成した場合に比べて小さく抑えられる。その結果、第１の基材２１と第２の基材２２の剥離を確実に抑制または防止することができる。
【０１０１】
また、例えば、接合膜形成領域４１の面積や形状を制御することによって、接合体１の接合強度を容易に調整することができる。その結果、例えば、第１の基材２１と第２の基材２２とを容易に分離可能な接合体１が得られる。すなわち、接合体１の接合強度を調整可能であると同時に、接合体１を分離する際の強度（割裂強度）を調整可能である。
かかる観点から、容易に分離可能な接合体１を作製する場合には、接合体１の接合強度は、人の手で容易に分離可能な程度の大きさであるのが好ましい。これにより、接合体１を分離する際、装置等を用いることなく、簡単に行うことができる。
【０１０２】
また、第１の基材２１と第２の基材２２の接合膜３と接触する領域の面積や形状を制御することにより、接合膜３に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、第１の基材２１と第２の基材２２との間で熱膨張率差が大きい場合でも、各基材２１、２２を確実に接合することができる。
さらに、本実施形態にかかる接合方法によれば、接合膜３が形成されていない領域では、第１の基材２１と第２の基材２２との間に、接合膜３の厚さに相当する距離（高さ）の空間３ｃが形成される。このような空間３ｃを活かすため、接合膜形成領域４１の形状を適宜調整することにより、第１の基材２１と第２の基材２２との間に、閉空間や流路を形成したりすることができる。
【０１０３】
また、第１の基材２１の熱膨張率と第２の基材２２の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
具体的には、第１の基材２１と第２の基材２２との熱膨張率の差にもよるが、第１の基材２１および第２の基材２２の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、第１の基材２１と第２の基材２１とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第１の基材２１と第２の基材２２との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体１における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
また、この場合、具体的な第１の基材２１と第２の基材２２との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
【０１０４】
ここで、本工程において、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第２の基材２２の接合面２４に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、第１の基材２１に形成された接合膜３と、第２の基材２２の接合面２４とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面に存在する水酸基と、第２の基材２２の接合面２４に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合する。その結果、第１の基材２１と第２の基材２２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士または該結合手同士が酸素原子を介して結合する。これにより、第１の基材２１と第２の基材２２とがより強固に接合されると推察される。
【０１０５】
また、第１の基材２１の接合膜３の表面や内部、および、第２の基材２２の接合面２４や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手（ダングリングボンド）が存在している場合、第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜３と第２の基材２２とが特に強固に接合される。
以上のようにして、図２（ｈ）に示す接合体（本発明の接合体）１を得ることができる。
【０１０６】
また、このようにして得られた接合体１は、第１の基材２１と第２の基材２２との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体１は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、本発明の接合方法によれば、第１の基材２１と第２の基材２２とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体１を効率よく作製することができる。
【０１０７】
また、接合膜３の厚さ方向での体積抵抗率は、導電性粒子３２を介して電気的に接続された領域（導電性領域）では、１×１０５Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。これに対し、シリコーン材料で絶縁された領域（絶縁性領域）では、接合膜３の厚さ方向の体積抵抗率は、１×１０８Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１×１０９Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。また、接合膜３の面方向の体積抵抗率も、同様に、１×１０８Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１×１０９Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。このような抵抗率の接合膜３であれば、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの間を確実に導通させるとともに、隣接する導電膜２１２ａ同士の間、および、隣接する導電膜２２２ａ同士の間を、それぞれ確実に絶縁することができる。その結果、接合体１を用いて、損失や短絡を確実に防止し得る電気回路を構築することができる。また、本発明の接合方法によれば、このような優れた異方導電性を発現する接合膜３を効率よく作製することができる。
なお、接合体１を得る際、または、接合体１を得た後に、この接合体１に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［６Ａ］および［６Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体１の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１０８】
［６Ａ］  図２（ｈ）に示すように、得られた接合体１を、第１の基材２１と第２の基材２２とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第１の基材２１の表面および第２の基材２２の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、接合体１における接合強度をより高めることができる。
また、接合体１を加圧することにより、接合体１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体１における接合強度をさらに高めることができる。
【０１０９】
さらに、導電性粒子３２が柔軟性を有している場合、圧縮されてさらに扁平状となり、導電性粒子３２と各導電膜２１２ａ、２２２ａとの接触面積をより広げることができる。また、導電性粒子３２がより扁平状になることにより、各導電性粒子３２が元の形状に戻ろうとする復元力が生じるため、各導電性粒子３２と各導電膜２１２ａ、２２２ａとの間がより密着する。以上のようなことにより、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの間の導電性をより高めることができる。
【０１１０】
なお、この圧力は、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料によっては、各基材２１、２２に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１１１】
［６Ｂ］  図２（ｈ）に示すように、得られた接合体１を加熱する。
これにより、接合体１における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体１を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１１２】
また、前記工程［６Ａ］、［６Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図２（ｈ）に示すように、接合体１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体１の接合強度を特に高めることができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１１３】
≪第２実施形態≫
次に、本発明の接合方法の第２実施形態について説明する。
図３および図４は、本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３および図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１１４】
以下、接合方法の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態にかかる接合方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材２１と第２の基材２２の双方に、それぞれ接合膜を形成し、これら接合膜を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接合して接合体１’を得るようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１１５】
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材２１と第２の基材２２とを用意し、第１の基材２１上の接合膜形成領域（第１の接合膜形成領域４１ａ）、および、第２の基材２２上の接合膜形成領域（第２の接合膜形成領域４１ｂ）に、それぞれ、液状材料３０を供給し、各接合膜形成領域４１ａ、４１ｂに液状被膜３１ａ、３１ｂを形成する工程と、液状被膜３１ａと液状被膜３１ｂとが密着するように、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせて仮接合体５’とした後、この仮接合体５’を厚さ方向に加圧する工程と、仮接合体５’中の各液状被膜３１ａ、３１ｂを乾燥して、接合膜３’を得る工程と、仮接合体５’中の接合膜３’にエネルギーを付与することにより、接合膜３’の表面および裏面付近に接着性を発現させ、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合して接合体１を得る工程とを有する。
【０１１６】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態と同様にして、第１の絶縁性基板２１１と第１の配線パターン２１２とよりなる第１の基材２１、および、第２の絶縁性基板２２１と第２の配線パターン２２２とよりなる第２の基材２２を用意する。なお、本実施形態では、図３（ａ）に示すように、第１の基材２１の一方の面（接合面２３）の周縁部以外の領域が、接合膜が形成される第１の接合膜形成領域４１ａとして設定され、第２の基材２２の一方の面（接合面２４）の周縁部以外の領域が、接合膜が形成される第２の接合膜形成領域４１ｂとして設定されている。ここで、第１の接合膜形成領域４１ａは、第１の配線パターン２１２を構成する各導電膜２１２ａの一部と重なっており、第２の接合膜形成領域４１ｂは、第２の配線パターン２２２を構成する各導電膜２２２ａの一部と重なっているものとする。
【０１１７】
［２］次に、図３（ｂ）に示すように、第１の基材２１の第１の接合膜形成領域４１ａに、シリコーン材料と導電性粒子３２とを含有する液状材料３０を供給し、液状被膜３１ａを得る。また、それと同様に、第２の基材２２の第２の接合膜形成領域４１ｂに、シリコーン材料と導電性粒子３２とを含有する液状材料３０を供給し、液状被膜３１ｂを得る。
【０１１８】
この場合、第１の接合膜形成領域４１ａに供給する液状材料３０と、第２の接合膜形成領域４１ｂに供給する液状材料３０とは、互いにシリコーン材料の組成や重合度、導電性粒子の種類、平均粒径、含有量等が異なる液状材料であってもよいが、好ましくは同種の液状材料とされる。これにより、液状被膜３１ａと液状被膜３１ｂとの親和性が向上する。その結果、後述する工程を経ることにより、液状被膜３１ａと液状被膜３１ｂとがより一体化し易くなるので、第１の基材２１と第２の基材２２との間をより強固に接合することができる。
【０１１９】
［３］次に、図３（ｃ）に示すように、液状被膜３１ａと液状被膜３１ｂとが密着するように、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせる。これにより、図３（ｄ）に示す仮接合体５’を得る。
次いで、得られた仮接合体５’を、図４（ｅ）に示すように厚さ方向に加圧する。これにより、第１の基材２１と第２の基材２２とが接近するとともに、各液状被膜３１ａ、３１ｂが面方向に広がって徐々に薄くなる。そして、最終的には、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの間に導電性粒子３２が挟まった状態となる。この状態では、導電性粒子３２は、導電膜２１２ａとそれに対向する導電膜２２２ａの双方に接触しているので、導電性粒子３２を介して導電膜２１２ａと導電膜２２２ａとの間を導通させることができる。
【０１２０】
このようにして圧縮された仮接合体５’では、図４（ｆ）に示すように、液状被膜３１ａと液状被膜３１ｂとが一体化する。
また、本実施形態では、２層の液状被膜３１ａ、３１ｂを重ね合わせているので、これらが一体化することにより得られた液状被膜は、各接合膜形成領域４１ａ、４１ｂよりも外側に広がることとなる。したがって、この広がり量を考慮して、あらかじめ各接合膜形成領域４１ａ、４１ｂの大きさを設定しておくのが好ましい。
【０１２１】
［４］次に、仮接合体５’中の各液状被膜３１ａ、３１ｂを乾燥する。これにより、接合膜３’が形成される。
［５］次に、仮接合体５’中の接合膜３’にエネルギーを付与する（図４（ｇ）参照）。
接合膜３’にエネルギーを付与すると、この接合膜３’では、表面および裏面付近の分子結合の一部が切断し、表面および裏面が活性化されることに起因して、第１の基材２１および第２の基材２２に対する接着性が発現する。その結果、接合膜３’を介して、第１の基材２１と第２の基材２２とを、化学的結合に基づいて強固に接合することができる。
【０１２２】
以上のようにして、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合膜３’を介して化学的に結合され、図４（ｈ）に示すような接合体１’が得られる。
また、接合体１’では、第１の配線パターン２１２を構成する各導電膜２１２ａと第２の配線パターン２２２を構成する各導電膜２２２ａとの間に、接合膜３’中に分散した導電性粒子３２が挟まることによって、各導電膜２１２ａと各導電膜２２２ａとの間が電気的に接続されている。
【０１２３】
また、各導電膜２１２ａとそれに対向していない各導電膜２２２ａとの間は、接合膜３’中のシリコーン材料によって絶縁されている。また、隣接する導電膜２１２ａ同士の間、および、隣接する導電膜２２２ａ同士の間も、それぞれ絶縁されている。
なお、接合体１’を得た後、この接合体１’に対して、必要に応じて、前記第１実施形態における２つの工程（［６Ａ］および［６Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。これにより、接合体１’の接合強度、および、接合膜３’の厚さ方向における導電性のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１２４】
このような第２実施形態においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
また、本実施形態では、特に、第１の基材２１と第２の基材２２の両方に、同じパターンで各液状被膜３１ａ、３１ｂが形成されているが、各液状被膜３１ａ、３１ｂのパターンは互いに異なっていてもよい。
【０１２５】
以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の複数の部材同士を接合するのに用いることができる。
このような接合に供される部材としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光学フィルターのような光学素子、太陽電池のような光電変換素子、半導体基板とそれに搭載される半導体素子、絶縁性基板と配線または電極、インクジェット式記録ヘッド、マイクロリアクタ、マイクロミラーのようなＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、半導体素子や電子部品のパッケージ部品、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体のような記録媒体、液晶表示素子、有機ＥＬ素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品、燃料電池用部品等が挙げられる。
また、特に、各種半導体装置や電子部品の回路基板への実装、回路基板同士や配線同士の接続に対しては、高密度実装が可能な本発明の接合方法を、より効果的に適用することができる。
【０１２６】
＜液晶表示装置＞
ここでは、本発明の接合体を透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態について説明する。
図５は、透過型液晶表示装置を示す平面図、図６は、図５に示す透過型液晶表示装置が備える液晶パネルの分解斜視図、図７は、図５中Ａ−Ａ線断面図、図８は、図５中Ｂ−Ｂ線断面図である。なお、各図では、図が煩雑になるのを避けるため、一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図５中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言い、図６〜図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１２７】
各図に示す透過型液晶表示装置（以下、単に「液晶表示装置」と言う）５０１は、液晶パネル（表示パネル）５０２と、液晶パネル５０２を駆動するための複数のドライバＩＣパッケージ５０３と、２つの入力用配線基板５０５と、バックライト（光源手段）５０６とを有している。この液晶表示装置５０１は、バックライト５０６からの光を液晶パネル５０２に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
【０１２８】
液晶パネル５０２は、互いに対向して配置された第１の基材５０７と第２の基材５０８とを有し、これらの第１の基材５０７と第２の基材５０８との間には、表示領域を囲むようにしてシール材５０９（図７参照）が設けられている。
そして、これらの第１の基材５０７、第２の基材５０８およびシール材５０９により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、図６および図７に示すように、液晶層（中間層）５１０が形成されている。
【０１２９】
第１の基材５０７および第２の基材５０８は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種樹脂材料等で構成されている。
第１の基材５０７は、その上面（液晶層５１０側の面）に、マトリックス状（行列状）に配置された複数の画素電極５１１と、Ｘ方向に延在する信号電極５１２とが設けられ、１列分の画素電極５１１の各々が１本の信号電極５１２に、それぞれ、ＴＦＤ素子やＴＦＴ素子のようなスイッチング素子５１３を介して接続されている。
また、第１の基材５０７の下面には、偏光板５１４が設けられている。
【０１３０】
一方、第２の基材５０８の下面（液晶層５１０側の面）には、複数の帯状をなす走査電極５１５が設けられている。これらの走査電極５１５は、信号電極５１２とほぼ直交するＹ方向に沿って、互いに所定の間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極５１１の対向電極となるように配列されている。
画素電極５１１と走査電極５１５とが重なる部分（この近傍の部分も含む）が１画素を構成し、これらの電極間において、各画素毎に液晶層５１０の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
【０１３１】
ここで、第１の基材５０７は、図５に示すように、平面視で第２の基材５０８の外縁より外側（図５中、左側および上側）へ張り出した張出領域（額縁）５０７Ａを有している。
この張出領域５０７Ａの上面には、信号電極５１２および走査電極５１５に連続する配線パターン５２２が形成されている。
【０１３２】
各走査電極５１５の下面には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有色層（カラーフィルター）５１６が設けられ、これらの各有色層５１６がブラックマトリックス５１７によって仕切られている。
また、第２の基材５０８の上面には、前記偏光板５１４と偏光軸が異なる偏光板５１８が設けられている。
【０１３３】
このような構成の液晶パネル５０２では、バックライト５０６から発せられた光は、偏光板５１４で偏光された後、第１の基材５０７および各画素電極５１１を介して、液晶層５１０に入射する。液晶層５１０に入射した光は、各画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層５１６、走査電極５１５および第２の基材５０８を通過した後、偏光板５１８で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置５０１では、第２の基材５０８の液晶層５１０と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像動画および静止画の双方を含む）を視認することができる。
【０１３４】
図５および図７に示すように、各ドライバＩＣパッケージ５０３は、それぞれ、駆動用配線パターン５１９が設けられた可撓性基板５２０と、該可撓性基板５２０内に収納され、駆動用配線パターン５１９と電気的に接続されたドライバＩＣ５２１とを有している。
ドライバＩＣ５２１は、信号電極５１２および走査電極５１５に供給すべき駆動信号を生成する機能を有するものであり、半導体チップで構成されている。
【０１３５】
また、図８に示すように、駆動用配線パターン５１９は、配線パターン５２２に対応するようにストライプ状に設けられ、駆動用配線パターン５１９の各配線５１９ａの一端部が、それぞれ、配線パターン５２２の各配線５２２ａと接続（接合）されている。
各入力用配線基板５０５は、それぞれ、入力用配線パターン５２３を有するプリント配線基板であり、電源用ＩＣや制御用ＩＣが実装された回路基板（図示せず）からの信号（画像信号等）を、その入力用配線パターン５２３を介して、各ドライバＩＣ５２１に伝達する。
各入力用配線パターン５２３は、各駆動用配線パターン５１９に対応するように設けられ、入力用配線パターン５２３の各配線の一端部は、それぞれ、駆動用配線パターン５１９の各配線５１９ａと接続（接合）されている。また、入力用配線パターン５２３の各配線の他端部は、それぞれ、回路基板が有する各配線と接続されている。
【０１３６】
このように構成された液晶表示装置５０１の駆動系では、回路基板からの信号が、各入力用配線パターン５２３および各駆動用配線パターン５１９を介して各ドライバＩＣ５２１に入力され、これら各ドライバＩＣ５２１によって信号電極５１２および走査電極５１５に供給すべき駆動信号が生成される。信号電極側のドライバＩＣ５２１（図５中Ｙ方向に沿って並列するドライバＩＣ５２１）によって生成された駆動信号は、駆動用配線パターン５１９および信号電極５１２を介してスイッチング素子に供給される。スイッチング素子は、供給された駆動信号に応じて画素電極５１１に電流を供給する。また、走査電極５１５側のドライバＩＣ５２１（図５中Ｘ方向に沿って並列するドライバＩＣ５２１）によって生成された駆動信号は、駆動用配線パターン５１９を介して走査電極５１５に供給される。これにより、画素電極５１１と走査電極５１５との間で、各画素毎に、液晶層５１０の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
【０１３７】
以上のような液晶表示装置において、図８に示すように、配線パターン５２２が設けられた張出領域５０７Ａと、駆動用配線パターン５１９が設けられたドライバＩＣパッケージ５０３とを接合する際、および、入力用配線基板５０５とドライバＩＣパッケージ５０３とを接合する際に、少なくとも１箇所において本発明の接合方法が適用されている。
換言すれば、張出領域５０７ＡとドライバＩＣパッケージ５０３との接合体、入力用配線基板５０５とドライバＩＣパッケージ５０３との接合体のうち、少なくとも１箇所に本発明の接合体が適用されている。
【０１３８】
なお、本実施形態では、図８に示すように、張出領域５０７Ａに設けられた配線パターン５２２とドライバＩＣパッケージ５０３に設けられた駆動用配線パターン５１９との間と、この駆動用配線パターン５１９と入力用配線基板５０５に設けられた入力用配線パターン５２３との間が、それぞれ接合膜３を介して接合されるとともに電気的に接続されている。
【０１３９】
このような液晶表示装置５０１は、配線パターン５２２、駆動用配線パターン５１９、入力用配線パターン５２３の各ピッチが比較的狭く設定されていても、配線パターン５２２と駆動用配線パターン５１９、および、駆動用配線パターン５１９と入力用配線パターン５２３とが、接合膜３を介して、隣接する配線間の絶縁性を確実に保持しつつ、導電性よく接続されている。その結果、液晶表示装置５０１は、小型化を図りつつ、高い信頼性を得ることができる。
以上、本発明の接合方法および接合体について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。
【実施例】
【０１４０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．接合体の製造
（実施例１）
まず、第１の基材として、ストライプ状の配線パターンが設けられたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板を用意し、第２の基材として、ストライプ状の配線パターンが設けられた石英ガラス基板を用意した。なお、各配線パターンは、それぞれ基板表面から突出するように形成されている。
また、ＰＥＴ基板および石英ガラス基板の寸法は、それぞれ、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍであり、また、各配線パターンは、いずれも銅薄膜によって構成され、配線の幅が２００μｍ、ピッチが２００μｍである。
【０１４１】
次に、シリコーン材料としてポリジメチルシロキサン骨格を有するものを含有し、溶媒としてトルエンおよびイソブタノールを含有する溶液（信越化学工業社製、「ＫＲ−２５１」：粘度（２５℃）１８．０ｍＰａ・ｓ）に、導電性粒子として金めっきが施されたポリスチレン粒子を、最終的に得られる接合膜中での含有率が１０質量％になるよう溶液中に分散させ、液状材料を用意した。なお、用いた導電性粒子は、平均粒径５μｍの弾力性のある球形状粒子であった。
そして、ＰＥＴ基板およびガラス基板の上に、接合膜形成領域（周縁部の枠状の領域を除いた領域）の形状に対応する形状をなす窓部を有するマスクを設け、このマスクを介して、ロールコート法によって液状材料を供給した。これにより、両基板の配線パターンを覆うように液状被膜を形成した。
【０１４２】
次に、マスクを除去した後、液状被膜同士が密着するように、また、両基板に設けられた配線パターン同士が向き合うようにして、両基板を重ね合わせた。これにより、仮接合体を得た。続いて、仮接合体を厚さ方向に３ＭＰａの圧力で圧縮した。
次に、仮接合体を、常温（２５℃）で、２４時間乾燥させた。これにより、接合膜を得た。
【０１４３】
次に、得られた接合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成  ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度  ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力  ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長      ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間  ：５分
次に、得られた接合体を３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
【０１４４】
（実施例２）
接合体を加圧しつつ加熱する際の加熱温度を８０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例３〜４）
第１の基材の基板材料および第２の基材の基板材料を、それぞれ表１に示す材料に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
【０１４５】
（実施例５）
導電性粒子を、平均粒径が１μｍのものに変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例６）
仮接合体に対して紫外線を照射する方法に代えて、仮接合体を１００℃で加熱するようにした以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
【０１４６】
（実施例７）
導電性粒子として、銅粒子を用いた以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例８）
導電性粒子として、表面に金めっき処理が施されたニッケル粒子を用いた以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
【０１４７】
（実施例９）
導電性粒子として、ニッケル粒子を用いた以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例１０）
ガラス基板には接合膜を形成せず、ＰＥＴ基板にのみ接合膜を形成した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
【０１４８】
（比較例１〜３）
第１の基材の基板材料および第２の基材の基板材料を、それぞれ表１に示す材料とし、実施例１の接合膜形成領域（導電性パターンを包含する領域）と同様の領域を、以下の異方導電性フィルムで接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
＜異方導電性フィルム＞
メーカー  ：日立化成工業（株）
品名      ：異方導電フィルム「ANISOLM」ＡＣ−７０００系
接着剤    ：スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）系ホットメルト
導電性粒子：ニッケル粒子
【０１４９】
２．接合体の評価
２．１  接合強度（割裂強度）の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、それぞれ接合強度を測定した。
接合強度の測定は、各基材を引き剥がしたとき、剥がれる直前の強度（荷重）を測定することにより行った。
その結果、各実施例で得られた接合体の接合強度は、いずれも各比較例で得られた接合体の接合強度とほぼ同等かまたは各比較例より大きかった。
【０１５０】
２．２  接合膜および導電性接着材の導電性の評価
各実施例で形成した接合膜および比較例１〜３で用いた異方導電性フィルム（導電性接着剤）について、厚さ方向および面方向における電気抵抗を測定した。
ここでは、各実施例および各比較例で得られた接合体において、接合膜または導電性接着剤を介して接続された導電パターン間の電気抵抗を測定することにより、接合膜および導電性接着剤の厚さ方向の電気抵抗をそれぞれ測定した。
そして、測定した接合膜および導電性接着剤の厚さ方向の電気抵抗に基づいて算出した抵抗率を、以下の評価基準にしたがって評価した。
【０１５１】
＜抵抗率の評価基準＞
◎：１×１０２Ω・ｃｍ未満
○：１×１０２Ω・ｃｍ以上１×１０５Ω・ｃｍ未満
△：１×１０５Ω・ｃｍ以上１×１０８Ω・ｃｍ未満
×：１×１０８Ω・ｃｍ以上
【０１５２】
２．３  耐薬品性の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体を、８０℃に維持したインクジェットプリンタ用インク（エプソン社製、「ＨＱ４」）に、以下の条件で３週間浸漬した。その後、各基材を引き剥がし、接合界面にインクが浸入していないかを確認した。そして、その結果を以下の基準にしたがって評価した。
【０１５３】
＜耐薬品性の評価基準＞
◎：全く浸入していない
○：角部にわずかに浸入している
△：縁部に沿って浸入している
×：内側に浸入している
以上、２．２〜２．３の各評価結果を表１に示す。
【０１５４】
【表１】
2010050238.tif 000005
【０１５５】
表１から明らかなように、各実施例で得られた接合体は、その導電パターン間の導電性が、各比較例で得られた接合体とほぼ同等かまたはやや優れていた。
また、各実施例で得られた接合体は、優れた耐薬品性を示した。一方、各比較例で得られた接合体は、耐薬品性が十分ではなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図２】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の接合体を適用して得られた透過型液晶表示装置を示す上面図である。
【図６】図５に示す液晶表示装置が備える液晶パネルの分解斜視図である。
【図７】図５中Ａ−Ａ線断面図である。
【図８】図５中Ｂ−Ｂ線断面図である。
【符号の説明】
【０１５７】
１、１’……接合体  ２１……第１の基材  ２１１……第１の絶縁性基板  ２１２……第１の配線パターン  ２１２ａ……導電膜  ２２……第２の基材  ２２１……第２の絶縁性基板  ２２２……第２の配線パターン  ２２２ａ……導電膜  ２３、２４……接合面  ３、３’……接合膜  ３ｃ……空間  ３０……液状材料  ３１、３１ａ、３１ｂ……液状被膜  ３２……導電性粒子  ４１……接合膜形成領域  ４１ａ……第１の接合膜形成領域  ４１ｂ……第２の接合膜形成領域  ５、５’……仮接合体  ５０１……液晶表示装置  ５０２……液晶パネル  ５０３……ドライバＩＣパッケージ  ５０５……入力用配線基板  ５０６……バックライト  ５０７……第１の基材  ５０７Ａ……張出領域  ５０８……第２の基材  ５０９……シール材  ５１０……液晶層  ５１１……画素電極  ５１２……信号電極  ５１３……スイッチング素子  ５１４……偏光板  ５１５……走査電極  ５１６……有色層  ５１７……ブラックマトリックス  ５１８……偏光板  ５１９……駆動用配線パターン  ５１９ａ、５２２ａ……配線  ５２０……可撓性基板  ５２１……ドライバＩＣ  ５２２……配線パターン  ５２３……入力用配線パターン
【図１】
2010050238.tif 000006
【図２】
2010050238.tif 000007
【図３】
2010050238.tif 000008
【図４】
2010050238.tif 000009
【図５】
2010050238.tif 000010
【図６】
2010050238.tif 000011
【図７】
2010050238.tif 000012
【図８】
2010050238.tif 000013