(57)【要約】【課題】  熱電変換素子と電極との間の密着性をより高めることができる熱電変換モジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】  熱電変換素子１０と電極６，８とを、熱電変換素子１０を電磁誘導加熱することにより、接合する工程を備える熱電変換モジュール１の製造方法である。【選択図】  図１
2010165847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱電変換素子と電極とを、前記熱電変換素子を電磁誘導加熱することにより接合する工程を備える熱電変換モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記熱電変換素子は強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含有する、請求項１記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記熱電変換素子と前記電極とを接触させた状態で、前記電極の表面における前記熱電変換素子との接触領域が溶融するまで、前記熱電変換素子を電磁誘導加熱する請求項１又は２記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記熱電変換素子と前記電極との間に接合材を介在させて、前記熱電変換素子を電磁誘導加熱することにより、前記接合材を介して前記熱電変換素子と前記電極とを接合する請求項１又は２記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記熱電変換素子は、前記熱電変換素子の表面のうち前記電極と対向する面に金属層を有し、前記金属層は強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含有する、請求項１〜４のいずれか一項記載の熱電変換モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱電変換モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱電変換モジュールを作製する際に電極と熱電変換素子とを接合する方法として、例えば、特許文献１には、基板の電極が形成された面の反対側から、誘導加熱される治具を用いて基板上の電極と複数の熱電変換素子とを加熱及び加圧する方法が記載されている。
【０００３】
また、特許文献２には、回路基板上に形成された金属回路と半導体素子との間に強磁性材が含有された接合金属層を設け、接合金属層の電磁誘導加熱を行うことにより、回路基板上に半導体素子を接合する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】実開平５−１３６６０号公報
【特許文献２】特開２００８−１１２９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法では、熱電変換素子と電極との密着性は十分なものではなかった。また、特許文献２の方法を熱電変換モジュールに応用しても、熱電変換素子と電極との密着性は十分ではない。
【０００６】
そこで本発明は、熱電変換素子と電極との間の密着性を高めることのできる熱電変換モジュールの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る熱電変換モジュールの製造方法は、熱電変換素子と電極とを、熱電変換素子を電磁誘導加熱することにより接合する工程を備える。
【０００８】
本発明によれば、熱電変換素子を直接電磁誘導加熱することにより、熱電変換素子を容易に高温にすることができ、熱電変換素子と電極との間の密着性を高めることができる。
【０００９】
ここで、熱電変換素子は強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含有することが好ましい。
【００１０】
強磁性体及び／又はフェリ磁性体は透磁率が大きいため、電磁誘導加熱を行うと、より多くの熱を生じる。したがって、熱電変換素子が強磁性体を含有すると、熱電変換素子自体がより発熱し易くなり、熱電変換素子と電極との間の密着性をより高めることができる。
【００１１】
また、本発明に係る製造方法においては、熱電変換素子と電極とを接触させた状態で、電極の表面における熱電変換素子との接触領域が溶融するまで、熱電変換素子を電磁誘導加熱することが好ましい。
【００１２】
電極表面における熱電変換素子と接合される領域が溶融するまで、熱電変換素子を電磁誘導加熱することによって、熱電変換素子と電極との間の密着性をより高めることができる。
【００１３】
また、熱電変換素子と前記電極との間に接合材を介在させて、熱電変換素子を電磁誘導加熱することにより、接合材を介して、熱電変換素子と電極とを接合することもでき、好ましい。
【００１４】
熱電変換素子を電磁誘導加熱することによって熱電変換素子から発生した熱が、熱電変換素子と電極との間に介在する接合材を溶融することにより、熱電変換素子と接合材との間の密着性をより高めることができる。
【００１５】
また、熱電変換素子は、熱電変換素子の表面のうち電極と対向する面に金属層を有し、この金属層は強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含有することが好ましい。
【００１６】
熱電変換素子の表面のうち電極と対向する面に有する金属層と電極とを接合することにより、熱電変換素子と電極との間の密着性をより高めることができる。また、金属層が強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含むので、熱電変換素子に加えてこの金属層も電磁誘導加熱により発熱し、電極と熱電変換素子との間の密着性をより高めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、熱電変換素子と電極との間の密着性をより高めることのできる熱電変換モジュールの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態で製造する熱電変換モジュール１の一例における断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態で製造する熱電変換モジュール１の一例における断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態で製造する熱電変換モジュール１の一例における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、各図面の寸法比率は、必ずしも実際の寸法比率とは一致していない。
【００２０】
まず、本実施形態で製造する熱電変換モジュールについて説明する。
【００２１】
＜第１実施形態＞
（熱電変換モジュール）
図１は、第１実施形態で製造する熱電変換モジュール１の一例の断面図である。本実施形態で製造する熱電変換モジュール１は、第１の基板２、第１の電極８、熱電変換素子１０としてのｐ型熱電変換素子３及びｎ型熱電変換素子４、第２の電極６、及び第２の基板７を備える。ｐ型熱電変換素子３及びｎ型熱電変換素子４は、第１の基板２及び第２の基板７間に交互に並んで配置されると共に、これらの両面が対応する第１の電極８及び第２の電極６の表面に対して、全体として電気的に直列に接続されている。
【００２２】
第１の基板２は、例えば矩形状をなし、電気的絶縁性で、かつ熱伝導性を有し、複数の熱電変換素子１０の一端を覆うものである。この第１の基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、マグネシア、炭化珪素、ジルコニア、ムライト等が挙げられる。
【００２３】
第１の電極８は、第１の基板２上に設けられ、互いに隣接する熱電変換素子１０の一端面同士を電気的に接続するものである。この第１の電極８は、第１の基板２上の所定位置に、例えば、スパッタや蒸着等の薄膜技術、スクリーン印刷、めっき、溶射等の方法を用いて形成することができる。また、所定形状の金属板等を例えば、はんだ、ロウ付け等で第１の基板２上に接合させてもよい。第１の電極８の材料としては、導電性を有するものであれば特に制限されないが、電極の耐熱性、耐食性、熱電変換素子への接着性を向上させる観点から、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、銀、パラジウム、金、タングステン及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含む金属が好ましい。ここで、主成分とは、電極材料中に５０体積％以上含有されている成分を言う。
【００２４】
第２の基板７は、例えば矩形状をなし、熱電変換素子１０の他端側を覆うものである。また、第２の基板７は、第１の基板２と平行に対向配置されている。第２の基板７は、第１の基板２と同様に、電気的絶縁性で、かつ熱伝導性を有するものであれば特に制限されるものではなく、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、マグネシア、炭化珪素、ジルコニア、ムライト等の材料を用いることができる。
【００２５】
第２の電極６は、互いに隣接する熱電変換素子１０の他端面同士を電気的に接続するものであり、第２の基板７の下面に、例えば、スパッタや蒸着等の薄膜技術、スクリーン印刷、めっき、溶射等の方法を用いて形成することができる。そして、この第２の電極６と、熱電変換素子１０の下端面側に設けられた第１の電極８とにより、熱電変換素子１０は電気的に直列に接続されている。
【００２６】
熱電変換素子１０には、ｐ型熱電変換素子３及びｎ型熱電変換素子４の２種類が存在する。各熱電変換素子１０を構成する材料は、ｐ型半導体又はｎ型半導体の性質を有するものであれば特に限定されず、金属、金属酸化物等の種々の材料を用いることができる。半導体の性質を有する熱電変換素子は、交流磁界を与えると電流が発生し発熱する。後述する熱電変換モジュールの製造方法では、このような作用、すなわち熱電変換素子１０を「電磁誘導加熱」することにより、熱電変換素子を直接加熱し、これにより熱電変換素子１０と第１の基板２上に第１の電極８（以下、単に電極６，８と示すことがある。）との接合を行う。熱電変換素子を効率よく電磁誘導加熱する観点から、熱電変換素子は抵抗率又は透磁率の高い材料であることが好ましい。
【００２７】
ここで、ｐ型熱電変換素子及びｎ型熱電変換素子の材料として、下記の材料が挙げられる。
【００２８】
例えば、ｐ型の材料としては、ＮａｘＣｏＯ２（０＜ｘ＜１）、Ｃａ３Ｃｏ４Ｏ９等の金属複合酸化物、ＭｎＳｉ１．７３、Ｆｅ１−ｘＭｎｘＳｉ２、Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２：Ｂ（ＢドープＳｉ０．８Ｇｅ０．２）、β−ＦｅＳｉ２等のシリサイド、ＣｏＳｂ３、ＦｅＳｂ３、ＲＦｅ３ＣｏＳｂ１２（ＲはＬａ、Ｃｅ又はＹｂを示す）等のスクッテルダイト、ＢｉＴｅＳｂ、ＰｂＴｅＳｂ、Ｂｉ２Ｔｅ３、ＰｂＴｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３等のＴｅを含む合金、Ｚｎ４Ｓｂ３等が挙げられる。
【００２９】
また、ｎ型の材料としては、例えば、ＳｒＴｉＯ３、Ｚｎ１−ｘＡｌｘＯ、ＣａＭｎＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、Ｔｉ１−ｘＮｂｘＯ等の金属複合酸化物、Ｍｇ２Ｓｉ、Ｆｅ１−ｘＣｏｘＳｉ２、Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２：Ｐ（ＰドープＳｉ０．８Ｇｅ０．２）、β−ＦｅＳｉ２等のシリサイド、ＣｏＳｂ３等のスクッテルダイト、Ｂａ８Ａｌ１２Ｓｉ３０、Ｂａ８ＡｌｘＳｉ４６―ｘ、Ｂａ８Ａｌ１２Ｇｅ３０、Ｂａ８ＡｌｘＧｅ４６−ｘ等のクラスレート化合物、ＣａＢ６、ＳｒＢ６、ＢａＢ６、ＣｅＢ６等のホウ素化合物、ＢｉＴｅＳｂ、ＰｂＴｅＳｂ、Ｂｉ２Ｔｅ３、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＰｂＴｅ等のＴｅを含む合金、Ｚｎ４Ｓｂ３等が挙げられる。
【００３０】
熱電変換モジュールを３００℃以上で使用する場合を考慮すると、耐熱性及び耐酸化性の観点から、ｐ型熱電変換素子及びｎ型熱電変換素子は、上記材料の中でも金属酸化物を主成分として含むことが好ましい。また、金属酸化物の中でも、ｐ型の材料としてはＣａ３Ｃｏ４Ｏ９が好ましく、ｎ型の材料としてはＣａＭｎＯ３が好ましい。Ｃａ３Ｃｏ４Ｏ９及びＣａＭｎＯ３は、高温下大気雰囲気中において特に優れた耐酸化性を有し、熱電変換性能も高い。
【００３１】
後述する、熱電変換素子と電極とを接合する工程において、透磁率を高くすることによって熱電変換素子１０を電磁誘導加熱により十分に高温にさせる観点から、熱電変換素子１０は、磁性体及び／又はフェリ磁性体を含有することが好ましい。
【００３２】
強磁性体としては、鉄、コバルト、ニッケル、ガドリニウムが挙げられる。また、フェリ磁性体としては、ＦｅＯ・Ｆｅ２Ｏ３、ＭｎＯ・Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ・Ｆｅ２Ｏ３、ＣｏＯ・Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２（ＹＩＧ）等が挙げられる。熱電変換モジュールを３００℃以上で使用する場合を考慮すると、耐熱性及び耐酸化性の観点から、強磁性体及び／又はフェリ磁性体は酸化物であることが好ましい。
【００３３】
熱電変換素子１０における強磁性体及び／又はフェリ磁性体の存在形態は特に限定されず、熱電変換素子中に分散して含まれてもよく、熱電変換素子中あるいは熱電変換素子の側面に層として存在していてもよい。また、熱電変換素子における強磁性体及びフェリ磁性体の濃度も特に限定されないが、１０〜５０重量％が好ましい。
【００３４】
続いて、本実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法について詳述する。
（熱電変換モジュールの製造方法）
本実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法は、ａ）熱電変換素子準備工程、ｂ）電極形成工程、ｃ）熱電変換素子と電極との接合工程、を備える。
【００３５】
ａ）熱電変換素子準備工程
上述した材料を構成成分とするｐ型熱電変換素子及びｎ型熱電変換素子を準備する。熱電変換素子本体の形状は特に限定されないが、例えば、図１に示すような直方体等の６面体や、円板等が挙げられる。ｐ型熱電変換素子及びｎ型熱電変換素子の作製方法は、熱電変換素子を構成する材料によって異なるが、例えば、構成材料が合金であれば、合金のバルク体を所望の形状に切り出し、熱電変換素子とすることができる。また、例えば、構成材料が金属酸化物であれば、金属酸化物を構成する金属元素を含む化合物を混合し、酸素含有雰囲気下で焼結し、得られた焼結体を切り出した後、所望の形状とすることにより、熱電変換素子を得ることができる。
【００３６】
上述のように、ｐ型熱電変換素子及びｎ型熱電変換素子の少なくとも一方に、強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含有させることが好ましい。例えば、熱電変換素子の原料となる粉体と、粉体状の強磁性体及び／又はフェリ磁性体と、を混合し、酸素含有雰囲気下又は不活性雰囲気下で焼結し、得られた焼結体を切り出した後、所望の形状とすることにより、強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含有する熱電変換素子を得ることができる。また、強磁性体及び／又はフェリ磁性体の構成元素を含む、強磁性体及び／又はフェリ磁性体の原料を、熱電変換素子の原料となる粉体と混合し、その後上述と同様に焼結等してもよい。また、例えば、熱電変換素子の原料層と、強磁性体及び／又はフェリ磁性体層又はその原料層とを積層させ、酸素含有雰囲気下又は不活性雰囲気下で焼結させることにより、強磁性体及び／又はフェリ磁性体の層を含有する熱電変換素子を得ることもできる。
【００３７】
ｂ）電極形成工程
図１に示すように、第１の基板２上に第１の電極８を形成し、第２の基板７上に第２の電極６をそれぞれ形成する。第１の電極８及び第２の電極６は、第１の基板２及び第２の基板７の主面上に、例えば、スパッタや蒸着等の薄膜技術、スクリーン印刷、めっき、溶射等の方法を用いてそれぞれ形成することができる。
【００３８】
ｃ）熱電変換素子と電極との接合工程
図１に示すように、第１の電極８及び第２の電極６上に、得られた熱電変換素子１０が適切に配置されるよう、熱電変換素子１０の位置決めを行う。そして、熱電変換素子１０を第１の電極８及び第２の電極６上に配置し、熱電変換素子１０と電極６，８との接合を行う。接合は、電磁誘導加熱により行う。具体的には、例えば、熱電変換素子１０と電極６，８との接合を行う前の熱電変換モジュール１を、図１に示すように誘導コイル５の内側に配置する。誘導コイル５に交流電流を流すと、誘導コイル５から発生する交流磁界が熱電変換素子１０に与えられ、熱電変換素子１０が発熱することにより、第１の電極６及び第２の電極８の熱電変換素子１０と接する表面（接触領域）が加熱され、これにより、熱電変換素子１０と、第１の電極８及び第２の電極６とが接合される。このような電磁誘導加熱による接合方法によれば、基板の熱電変換素子が接合される面の反対側から熱電変換素子を加熱する方法や、接合材のみを誘導加熱する方法に比べて、電極と熱電変換素子との接合が強固なものとなる。また、熱電変換素子１０自体が直接誘導加熱されることによって、熱電変換素子１０の製造過程で、焼結、切り出し、研磨等の処理を経たことにより内部に発生した残留応力、欠陥等を減少させることもできる。
【００３９】
図１に示すように、第１の電極８及び第２の電極６と熱電変換素子１０とを接合するための好適な条件としては例えば、誘導コイル５に流す交流電流の周波数を１０ｋ〜１ＭＨｚ程度とすることがより好ましい。
【００４０】
ここで、熱電変換素子１０と第１の電極８及び第２の電極６とを接合する場合、第１の電極８及び第２の電極６の熱電変換素子１０と接する面ａ１，ｂ１が溶融するまで、熱電変換素子１０を電磁誘導加熱することが好ましい。第１の電極８及び第２の電極６の熱電変換素子１０と接する面（接触領域）ａ１，ｂ１を、電極を構成する材料の融点以上にまで加熱すると、電極と熱電変換素子との密着性はより十分なものとなる。加熱強度の調節は、例えば、基板の材料の熱伝導性、熱電変換素子の材質及びサイズ、電極を構成する材料の融点、誘電コイル５の巻き数等の種々の条件に応じて、誘電コイル５からの出力及び周波数を適宜調整することにより可能である。
【００４１】
＜第２実施形態＞
（熱電変換モジュール）
次に、第２実施形態で製造する熱電変換モジュールの一例について説明する。図２は、第２実施形態で製造する熱電変換モジュール１の一例の断面図である。本実施形態で製造する熱電変換モジュール１は、熱電変換素子１０と第１の電極８及び第２の電極６との間には、接合材９が設けられている。接合材９は、熱電変換素子１０と、第１の電極８及び第２の電極６とをそれぞれ接合し、複数の熱電変換素子１０を電気的に直列に接続する。接合材９としては、例えば、ＡｕＳｂ、ＰｂＳｂ系のはんだや銀ペースト等が挙げられる。この接合材は、熱電変換モジュールとしての使用時に固体であるものが好ましい。
【００４２】
（熱電変換モジュールの製造方法）
本実施形態に係る熱電変換モジュールの製造方法では、第１実施形態の製造方法における電極と熱電変換素子との接合工程の前に、第一の電極８及び第２の電極６の表面、又は、熱電変換素子１０における電極６，８との対向面に対し、接合材９を、あらかじめスパッタや蒸着等の薄膜技術、スクリーン印刷、めっき、溶射等の方法を用いてそれぞれ形成しておけばよい。
【００４３】
そして、接合材９が溶融するまで熱電変換素子１０を電磁誘導加熱し、熱電変換素子１０と接合材９とを接合すると共に、接合材９と第一の電極８及び第２の電極６とを接合すればよい。接合材９が溶融するまで熱電変換素子を加熱することにより、接合材によって電極と熱電変換素子とが高い密着性で接合される。
【００４４】
＜第３実施形態＞
（熱電変換モジュール）
次に、第３実施形態で製造する熱電変換モジュールの一例について説明する。図３は、第３実施形態で製造する熱電変換モジュール１の一例の断面図である。上下に対向する第１の基板２及び第２の基板７の間に、ｐ型熱電変換素子１３及びｎ型熱電変換素子１４が交互に複数配置されている。本実施形態で製造する熱電変換モジュールは、ｐ型熱電変換素子１３及びｎ型熱電変換素子１４は、ｐ型熱電変換素子本体３及びｎ型熱電変換素子本体４の上面及び底面に、それぞれ金属（メタライズ）層２１を有する。この金属層２１は、接合材９と熱電変換素子１０との接着性を高めるために設けられる。
【００４５】
金属層２１の材質は、金属や合金であれば特に限定されず、例えば、銀、銅、鉄、ニッケル、マンガンやこれらの合金が挙げられる。また、金属層２１には、上述した、強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含んでいることも好ましい。  
【００４６】
（熱電変換モジュールの製造方法）
本実施形態に係る熱電変換モジュール製造方法では、第１実施形態の製造方法における電極と熱電変換素子との接合工程の前に、熱電変換素子１０における電極６，８との対向面に対し、金属層２１を、あらかじめ形成しておけばよい。
【００４７】
金属層２１の形成方法としては、例えば、加熱により分解して金属を生成する化合物を主成分とする金属化合物を、当該化合物の分解温度以上に加熱された熱電変換素子１０本体の表面に散布することがあげられる。このような方法で形成された金属層２１は、熱電変換素子本体１０に対して高い密着性を有するため、熱電変換素子本体１０と金属層２１との接合強度が大きくなると共に、熱電変換素子１０本体と金属層２１との接触抵抗が低くなる。
【００４８】
加熱により分解して金属を生じる化合物を主成分とする金属化合物は特に限定されない。加熱により分解して金属を生成する化合物としては、その化合物の融点若しくは昇華点以下で分解して金属を生成する化合物であることが望ましい。加熱により分解して金属を生成する化合物は、熱電変換素子１０と金属層２１との密着性の観点から、銀化合物であることが好ましく、Ａｇ２Ｏ又はＡｇ２ＣＯ３であることがより好ましい。また、上記化合物は、金属酸化物又は金属炭酸塩であってもよく、ＭｎＯ３、ＦｅＣＯ３、Ｃｕ２ＣＯ３、ＮｉＣＯ３及びＭｎＣＯ３からなる群から選択される少なくとも１つであることも好ましい。これによれば、銀、銅、鉄、ニッケル、マンガンやこれらの合金の膜を形成できる。特に、鉄やコバルトの膜は強磁性体であり、電磁誘導加熱が可能であるので好ましい。
【００４９】
また、上記加熱により分解して金属を生成する化合物が、強磁性体やフェリ磁性体を生成するものでない場合には、上記加熱により分解して金属を生成する化合物に第１実施形態で述べた強磁性体及び／又はフェリ磁性体を添加することも好ましい。このような混合物が分解して生成する金属は、強磁性を有するため好ましい。
【００５０】
熱電変換モジュールを３００℃以上で使用する場合を考慮すると、耐熱性及び耐酸化性の観点から、金属層に含有される強磁性体及び／又はフェリ磁性体は酸化物であることが好ましい。
【００５１】
金属層２１が酸化物である強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含む場合、酸化物である強磁性体及び／又はフェリ磁性体の含有量は、金属層全体を基準として、１０〜５０重量％であることが好ましい。
【００５２】
金属層２１の形成方法は上記の形成方法に限定されない。例えば、熱電変換素子本体の表面における電極との接合面に、めっき法、溶射、蒸着、放電プラズマ焼結法等によって、所望の金属層、或いは、強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含む金属層を形成することができる。
【００５３】
図３に示すように、熱電変換素子１１が熱電変換素子本体１０の表面に上記金属層２１を備える場合であっても、電磁誘導加熱により熱電変換素子本体１０を直接加熱することができ、これにより、金属層２１や電極６、８が加熱されて熱電変換素子１１と電極７、８との接合が可能である。また、金属層２１が、強磁性体及び／又はフェリ磁性体を含む場合には、さらに、金属層２１を直接加熱することもできるので好都合である。ここで、金属層２１や電極７、８の表面が溶融するまで電磁誘導加熱をすることが好ましい。これにより、熱電変換素子１１と第１の電極８及び第２の電極６との密着性をより強固なものとすることができる。なお、熱電変換素子１１と第１の電極８及び第２の電極６との間に接合材９が介在する場合にも、同様の電磁誘導加熱により接合材９を十分溶融させることができ、熱電変換素子１１と第１の電極８及び第２の電極６との密着性をより強固なものとすることができる。
【００５４】
なお、本発明に係る熱電変換モジュールの製造方法、及び当該製造方法により製造される熱電変換モジュールは、上述した実施形態に限られるわけではなく様々な変形態様が可能である。例えば、図１〜３に示すような熱電変換モジュール１の互いに対向する１対の基板２、７がなく、代わりに、複数の熱電変換素子１０の間に介在し各熱電変換素子１０の高さ方向の中央部を取り囲むように保持して各々の熱電変換素子を適切な位置に固定するための支持枠を備える、いわゆるスケルトン型の熱電変換モジュールであっても構わない。
【符号の説明】
【００５５】
１…熱電変換モジュール、２…第１の基板、３，１３…ｐ型熱電変換素子、４，１４…ｎ型熱電変換素子、６…第２の電極、７…第２の基板、８…第１の電極、９…接合材、１０，１１…熱電変換素子、ａ１，ａ３…第１の電極８の熱電変換素子との対向面、ｂ１，ｂ３…第２の電極６の熱電変換素子との対向面。
【図１】
2010165847.tif 000003
【図２】
2010165847.tif 000004
【図３】
2010165847.tif 000005