(57)【要約】      （修正有）【課題】検出軸を水平軸から所定の角度傾斜させた加速度等の物理量の検出に好適な半導体物理量センサを提供する。【解決手段】セラミックパッケージ４内に設けた第１の内底部４ｂに、検出軸Ｄが水平軸Ｈから所定の角度θ傾くよう下面を階段状に形成した物理量センサチップ２を実装し、第２の内底部４ｃに信号処理チップ３を実装する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体を用いた物理量センサチップと、
前記物理量センサチップの出力信号を信号処理する信号処理チップと、
前記物理量センサチップを第１の内底部に実装するとともに前記信号処理チップを第２の内底部に実装するセラミックパッケージと、
前記セラミックパッケージを封止するリッドとを備え、
前記物理量センサチップの下面が、当該物理量センサチップの検出軸が水平軸から所定の角度傾くよう階段状に形成されていることを特徴とする半導体物理量センサ。
【請求項２】
前記物理量センサチップは、半導体基板と、前記半導体基板の上部を支持する上部支持基板と、前記半導体基板の下部を支持する下部支持基板とを備え、
前記下部支持基板の下面が、当該物理量センサチップの検出軸が水平軸から所定の角度傾くよう階段状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体物理量センサ。
【請求項３】
前記物理量センサチップは、半導体基板と、前記半導体基板の上部を支持する上部支持基板とを備え、
前記半導体基板の下面が、当該物理量センサチップの検出軸が水平軸から所定の角度傾くよう階段状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度などの所定の物理量を検出する半導体物理量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度などの所定の物理量を検出する半導体物理量センサの検出軸を水平軸から所定の角度傾斜させる方法として、所定の角度傾いたプリント基板に半導体物理量センサを実装する半導体物理量センサの実装構造が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２０８７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような従来の方法では、半導体物理量センサ以外に、半導体物理量センサを実装するプリント基板や、プリント基板を所定の角度傾けた状態で支持するボディ、ボディを覆うカバーなどが必要であるため、製造コストや、デバイスサイズ、組み立て工程などを増大させてしまう。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、検出軸を水平軸から所定の角度傾斜させた半導体物理量センサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するために、半導体を用いた物理量センサチップと、物理量センサチップの出力信号を信号処理する信号処理チップと、物理量センサチップを第１の内底部に実装するとともに信号処理チップを第２の内底部に実装するセラミックパッケージと、セラミックパッケージを封止するリッドとを備え、物理量センサチップの下面が、当該物理量センサチップの検出軸が水平軸から所定の角度傾くよう階段状に形成されていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明は、上記に加えて、物理量センサチップは、半導体基板と、半導体基板の上部を支持する上部支持基板と、半導体基板の下部を支持する下部支持基板とを備え、下部支持基板の下面が、当該物理量センサチップの検出軸が水平軸から所定の角度傾くよう階段状に形成されていることを特徴としている。
【０００８】
さらに、本発明は、上記に加えて、物理量センサチップは、半導体基板と、半導体基板の上部を支持する上部支持基板とを備え、半導体基板の下面が、当該物理量センサチップの検出軸が水平軸から所定の角度傾くよう階段状に形成されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、物理量センサチップの下面が、当該物理量センサチップの検出軸が水平軸から所定の角度傾くよう階段状に形成されているので、追加部品なしで、半導体物理量センサの検出軸を水平軸から所定の角度傾斜させることができ、従来と比較して、製造コストや、デバイスサイズ、組み立て工程などを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す上面図である。
【図３】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの物理量センサチップの構成を示す下面図及び断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態となる半導体物理量センサの物理量センサチップの構成を示す下面図及び断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる半導体物理量センサについて説明する。
【００１２】
本発明の実施形態となる半導体物理量センサ１は、図１に示すように、物理量センサチップ２と、信号処理チップ３と、セラミックパッケージ４と、リッド５とを備えている。
【００１３】
物理量センサチップ２は、図４に示すように、半導体基板２１（たとえば、シリコン基板）と、半導体基板２１の上部を支持する上部支持基板２２（たとえば、ガラス基板）と、半導体基板２１の下部を支持する下部支持基板２３（たとえば、ガラス基板）とを備えたものであり、検出軸方向から加わる加速度などの所定の物理量を検出する。
【００１４】
信号処理チップ３は、図２に示すように、物理量センサチップ２とリード線Ｌを介して電気的に接続されており、物理量センサチップ２の出力信号を信号処理する。この信号処理チップ３としては、たとえば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などが用いられる。
【００１５】
セラミックパッケージ４は、セラミック基板を積層することにより形成された上方に開口部４ａを有する箱状のものであり、図２に示すように、物理量センサチップ２を内底部４ｂに実装するとともに信号処理チップ３を内底部４ｃに実装する。なお、実装された物理量センサチップ２及び信号処理チップ３は、セラミックパッケージ４の内壁に設けられた端子台部４ｄとリード線Ｌを介して電気的に接続される。
【００１６】
リッド５は、セラミックパッケージ４を封止するものであり、セラミックパッケージ４の開口部４ａと気密に接合される。
【００１７】
以上のように構成された半導体物理量センサ１では、図３に示すように、物理量センサチップ２の下部支持基板２３の下面が、当該物理量センサチップ２の検出軸Ｄが水平軸Ｈから所定の角度θ傾くよう階段状に形成されている。このため、本発明の実施形態によれば、別途、追加部品を必要とすることなく、半導体物理量センサ１の検出軸Ｄを水平軸Ｈから所定の角度θ傾斜させることができ、従来と比較して、製造コストや、デバイスサイズ、組み立て工程などを低減することができる。
【００１８】
なお、本実施形態では、物理量センサチップ２は、上述の通り、半導体基板２１と、上部支持基板２２と、下部支持基板２３とを備え、下部支持基板２３の下面が、当該物理量センサチップ２の検出軸Ｄが水平軸Ｈから所定の角度θ傾くよう階段状に形成されているが、他の実施形態では、図５に示すように、半導体基板２１と、上部支持基板２２とを備え、半導体基板２１の下面が、当該物理量センサチップ２の検出軸Ｄが水平軸Ｈから所定の角度θ傾くよう階段状に形成されていても良い。この場合には、半導体物理量センサ１の検出軸Ｄをより正確に水平軸Ｈから所定の角度θ傾斜させることができる。
【００１９】
以上、本発明者によってなされた発明を適用した実施形態について説明したが、この実施形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明が限定されることはない。すなわち、上記の実施形態に基づいて当業者によってなされる他の実施形態、実施例及び運用技術などはすべて本発明の範囲に含まれることを付け加えておく。
【符号の説明】
【００２０】
１：半導体物理量センサ
２：物理量センサチップ
２１：半導体基板
２２：上部支持基板
２３：下部支持基板
３：信号処理チップ
４：セラミックパッケージ
４ａ：開口部
４ｂ，４ｃ：内底部
４ｄ：端子台部
５：リッド
Ｌ：リード線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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