(57)【要約】【課題】低コストでウエハ周辺部における歩留まりを向上させる。【解決手段】基板上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜工程と、層間絶縁膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程と、配線パターンを露光する際の露光エネルギーよりも高いエネルギーの光を基板の周辺領域に照射し、ポジレジストをネガ化させる周辺露光と、ポジレジストに配線パターンを露光するパターン露光とを行う露光工程と、ネガ化させたポジレジストを残して、パターン露光により露光された領域のポジレジストを現像により除去する現像工程と、現像工程後に残ったポジレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜をエッチングするエッチング工程と、ポジレジストを除去し、層間絶縁膜のエッチングされた領域に配線材料を埋め込む埋込工程と、研磨により層間絶縁膜表面を平坦化し配線材料の配線層を形成する平坦化工程と、を有する半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。【選択図】  図３
2010219466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜工程と、
前記層間絶縁膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
配線パターンを露光する際の露光エネルギーよりも高いエネルギーの光を前記基板の周辺領域に照射し、前記ポジレジストをネガ化させる周辺露光と、前記ポジレジストに前記配線パターンを露光するパターン露光とを行う露光工程と、
前記ネガ化させたポジレジストを残して、前記パターン露光により露光された領域のポジレジストを現像により除去する現像工程と、
前記現像工程後に残った前記ポジレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜をエッチングするエッチング工程と、
前記ポジレジストを除去し、前記層間絶縁膜のエッチングされた領域に配線材料を埋め込む埋込工程と、
研磨により前記層間絶縁膜表面を平坦化し前記配線材料の配線層を形成する平坦化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記露光工程は、前記周辺露光を行った後、前記パターン露光を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の前記層間絶縁膜形成工程から前記平坦化工程までの工程を繰り返すことにより、前記配線層を多層形成したものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記露光工程におけるパターン露光により露光された領域の前記ポジレジストが現像液に完全に溶解する時間では、前記周辺露光により露光された領域の前記ポジレジストは現像液に完全には溶解しないことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記平坦化工程における研磨は、化学機械研磨であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの高集積化に伴いトランジスタ等の半導体素子の体積をより縮小して実装密度を高める傾向にある。このような半導体素子の高集積化の方法として、半導体ウエハに形成される半導体素子上に、銅（Ｃｕ）配線の多層配線を形成する方法がある。この方法について図１に基づき説明する。
【０００３】
最初に、図１（ａ）に示すように、半導体基板である半導体ウエハ２０１上に第１の層間絶縁膜２０２を形成した後、図１（ｂ）に示すように、第１の層間絶縁膜２０２上にポジ型のフォトレジスト２０３を塗布する。
【０００４】
次に、図１（ｃ）に示すように、半導体ウエハ２０１の周辺領域におけるポジ型のフォトレジスト２０３を周辺露光する。これは後に形成されるレジストパターンや層間絶縁膜が、半導体ウエハ２０１の周辺部においては剥離しやすいため、予め露光することにより周辺領域においてレジストパターンや層間絶縁膜が形成されることを防ぐために行なうものである。この工程により半導体ウエハ２０１の周辺領域においてポジ型のフォトレジスト２０３は感光する。
【０００５】
次に、図１（ｄ）に示すように、露光装置によりレチクルマスクに形成されたパターン露光を行った後、図１（ｅ）に示すように現像を行う。この現像により周辺領域と露光装置により露光された部分のポジ型のフォトレジストが除去され、レジストパターン２０３ａが形成される。
【０００６】
次に、図１（ｆ）に示すように、レジストパターン２０３ａが形成されていない領域の第１の層間絶縁膜２０２を除去し、その後、レジストパターン２０３ａを除去する。
【０００７】
次に、図１（ｇ）に示すように、Ｃｕのメッキを行った後、化学機械研磨（ＣＭＰ）により第１の層間絶縁膜２０２の表面の平坦化を行う。これにより第１の配線層２０４が形成される。この際、後述するように半導体ウエハ２０１の周辺部における第１の層間絶縁膜２０２及び第１の配線層２０４は、内部に比べてより多く削られてしまう。
【０００８】
次に、図１（ｈ）に示すように、第２の層間絶縁膜２０５を形成した後、第１の配線層２０４と同様の方法により、図１（ｉ）に示すように、第２の配線層２０６を形成する。上述のとおり、半導体ウエハ２０１の周辺領域においては内側部分と比べ、第１の層間絶縁膜２０２及び第１の配線層２０４は過剰に削られている。よって、露光装置により露光を行う際のオートフォーカス機能により、フォーカス位置がずれてしまいパターニング精度が低下する。また、第１の配線層２０４と第２の配線層２０６との間で異常放電が生じ、製造される半導体素子の歩留まりが低下してしまう。このことは多層化するに伴いより顕著となる。
【０００９】
このように半導体ウエハ２０１の周辺領域において、ＣＭＰにより第１の層間絶縁膜２０２及び第１の配線層２０４が過剰に削られてしまう原因として、ＣＭＰの際の半導体ウエハ２０１の周辺領域の段差が過剰な研磨を助長していることが考えられる。更に、この段差が生じる原因は、半導体ウエハ２０１の周辺領域において第１の層間絶縁膜２０２が形成されていないことに起因して生じるものと考えられる。よって、半導体ウエハ２０１の周辺領域に、別途レジストパターンを形成し、半導体ウエハ２０１の周辺領域において、第１の層間絶縁膜２０２等を形成する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−７９４４１号公報
【特許文献２】特開２００３−１９７６２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、別途レジストパターンを形成する方法では、フォトレジストの塗布、露光装置等による露光、現像等を行う必要があり、製造工程が増えるとともに、製造される半導体装置のコストアップにつながってしまう。
【００１２】
よって、別途レジストパターンを形成する工程を設けることなく、半導体ウエハの周辺部において、層間絶縁膜を残すことができる製造方法が望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本実施の形態の一観点によれば、基板上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜工程と、前記層間絶縁膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程と、配線パターンを露光する際の露光エネルギーよりも高いエネルギーの光を前記基板の周辺領域に照射し、前記ポジレジストをネガ化させる周辺露光と、前記ポジレジストに前記配線パターンを露光するパターン露光とを行う露光工程と、前記ネガ化させたポジレジストを残して、前記パターン露光により露光された領域のポジレジストを現像により除去する現像工程と、前記現像工程後に残った前記ポジレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜をエッチングするエッチング工程と、前記ポジレジストを除去し、前記層間絶縁膜のエッチングされた領域に配線材料を埋め込む埋込工程と、研磨により前記層間絶縁膜表面を平坦化し前記配線材料の配線層を形成する平坦化工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１４】
開示の半導体装置の製造方法によれば、別途レジストパターンを形成することなく、半導体ウエハの周辺部において、層間絶縁膜を残すことができるため、低コストで半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の多層配線を有する半導体装置の製造方法の工程図
【図２】半導体ウエハの上面図
【図３】第１の実施の形態における半導体装置の製造方法の工程図
【図４】露光エネルギーとレジスト溶解速度との相関図
【図５】第２の実施の形態における半導体装置の製造方法の工程図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施するための形態について、以下に説明する。
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態は、図２に示すように半導体ウエハ１１の周辺領域１１ａにおいてポジ型のフォトレジストのネガ化させるための周辺露光を行うものである。図３は、本実施の形態における多層配線を有する半導体装置の製造工程図である。
【００１８】
最初に、図３（ａ）に示すように、半導体基板である半導体ウエハ１１（例えば、シリコンウエハ）上に第１の層間絶縁膜１２を形成する。この第１の層間絶縁膜１２は、酸化シリコン等により形成されるものであり、塗布法又は真空成膜法により形成される。
【００１９】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１の層間絶縁膜１２上にポジ型のフォトレジスト１３を塗布する。ポジ型のフォトレジス１３の塗布は、スピンコーター等により塗布する。ポジ型のレジスト１３を塗布した後、半導体ウエハ１１の裏面に回り込んだポジ型のレジストを除去するためベベルリンスを必要に応じて行なう。尚、本実施の形態において用いたポジ型のフォトレジスト１３は、紫外光により感光する一般的な化学増感型のフォトレジストである。
【００２０】
次に、図３（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１１上のポジ型のフォトレジスト１３に対し周辺露光を行なう。周辺露光に用いられる光源は水銀ランプ等であり、水銀ランプ等により発せられる紫外光により周辺露光を行なう。この際、照射される露光エネルギーは、後述するパターン露光におけるポジ型のフォトレジスト１３を感光させる露光エネルギーよりも高い露光エネルギーであって、ポジ型のフォトレジスト１３がネガ化する露光エネルギー量である。具体的には、１０４ｍＪ／ｃｍ２以上の露光エネルギーにより周辺露光を行なう。これにより周辺露光の行なわれた領域、即ち周辺領域１１ａにおけるポジ型のフォトレジス１３はネガ化されネガ化領域１３ａとなる。
【００２１】
次に、図４に基づきポジ型のフォトレジストのネガ化について説明する。図４は本実施の形態において用いたポジ型のフォトレジストにおける紫外光の露光エネルギーと現像液によるレジスト溶解速度との関係を示すものである。
【００２２】
一例として具体的に説明すると、低い露光エネルギー量による露光では、ポジ型のフォトレジストは感光しないためレジスト溶解速度は低く現像液に殆ど溶解しない。１０ｍＪ／ｃｍ２以上の露光エネルギーにより露光することにより、レジスト溶解速度が急激に増加し、露光エネルギーが約１５ｍＪ／ｃｍ２で露光した場合、現像液におけるレジスト溶解速度がほぼ最大となる。後述するパターン露光を行なう際の露光エネルギーが２６ｍＪ／ｃｍ２の場合では、溶解度は、８０ｎｍ／ｓとなる。更に、高い露光エネルギーで露光を行なうと、レジストの溶解速度が低下する。具体的には、露光エネルギーが１０４ｍＪ／ｃｍ２では、現像液におけるレジストの溶解速度は、４８ｎｍ以下となる。このように、ポジ型のレジストにおいて過剰に光を照射することにより、レジストの溶解速度が低下する現象をポジ型のレジストのネガ化という。
【００２３】
本実施の形態では、パターン露光工程において露光された領域のポジ型のフォトレジストが現像液に完全に溶解する時間では、周辺露光工程におい露光された領域のポジ型のフォトレジストは現像液に完全には溶解しないものであることが好ましい。
【００２４】
よって、本実施の形態において用いたポジ型のフォトレジストにおいては、ネガ化のための露光エネルギーは、パターン形成の際の露光によるレジスト溶解速度の６０％以下となる露光エネルギーであることが好ましい。レジスト溶解速度が６０％以下であれば、パターン形成の際に露光された領域のレジストが完全に溶解しても、ネガ化された領域のフォトレジストは完全には溶解されず、ほぼ確実に残存させることが可能であるからである。
【００２５】
ここで、パターン形成の際の露光エネルギーが２６ｍＪ／ｃｍ２である場合、露光された領域のレジスト溶解速度８０ｎｍ／ｓである。ネガ化のためには、この値の６０％以下となる露光エネルギーに相当する１０４ｍＪ／ｃｍ２以上で露光を行なうことが好ましい。尚、この値は、パターン形成の際の露光エネルギーの４倍以上の値である。
【００２６】
また、ネガ化に必要な露光エネルギー及びレジスト溶解速度は、レジストの種類やレジストの使用される工程により異なる。しかしながら、周辺露光工程において、パターン露光工程における露光エネルギーよりも高い露光エネルギーでネガ化させることができれば、レジストの種類等に関係なく、本実施の形態における半導体装置の製造方法を適用することが可能である。
【００２７】
次に、図３（ｄ）に示すように、ポジ型のフォトレジスト１３に対してパターン露光を行なう。パターン露光において照射される露光エネルギーは２６ｍＪ／ｃｍ２である。このパターン露光には、ＡｒＦ又はＫｒＦ等のエキシマレーザーを光源とするステッパー又はスキャナー等の露光装置が用いられる。ステッパー又はスキャナー等の露光装置による露光では、レチクルに形成されたパターンを半導体ウエハ１１よりも小さな領域ごとに、半導体ウエハ１１上におけるポジ型のフォトレジスト１３を順次露光するものである。このようなステッパー又はスキャナー等の露光装置による露光は、ステップアンドリピートにより露光を行うものである。このようにステップアンドリピートにより露光を行った場合には、半導体ウエハ１１の周辺部においては、上記の露光される小さな領域は、半導体ウエハ１１上からはみ出してしまう。しかしながら、前述のとおり周辺露光を行なうことにより、半導体ウエハ１１の周辺部分においてはポジ型のレジスト１３がネガ化しており、現像液への溶解速度が低いため、パターン露光によりレジストパターンが形成されることはない。
【００２８】
次に、図３（ｅ）に示すように、現像液による現像を行なう。これにより、パターン露光の際に光が照射されなかった領域及び周辺露光がされた半導体ウエハ１１の周辺領域（ネガ化領域１３ａ）において、ポジ型のレジスト１３が残りレジストパターン１３ｂが形成される。
【００２９】
次に、図３（ｆ）に示すように、第１の層間絶縁膜１２のエッチングを行なう。具体的には、レジストパターン１３ｂをマスクとして、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等により、第１の層間絶縁膜１２のエッチングを行なう。この際、半導体ウエハ１１の周辺領域では、レジストパターン１３ｂが存在しているため、周辺領域における第１の層間絶縁膜１２はエッチングされることはない。尚、ＲＩＥ等によるエッチングの後、レジストパターン１３ｂを除去する。
【００３０】
次に、図３（ｇ）に示すように、第１の層間絶縁膜１２がエッチングされた領域に、配線材料となるＣｕをメッキにより埋込み、その後、ＣＭＰ等により平坦化を行なうことにより、第１の配線層１４を形成する。この際、半導体ウエハ１１の周辺領域においても第１の層間絶縁膜１２が形成されているため、ＣＭＰ等による加工において、半導体ウエハ１１の周辺領域近傍における第１の配線層１４が過剰に削られることはない。
【００３１】
次に、図３（ｈ）に示すように、第２の層間絶縁膜１５を形成する。第２の層間絶縁膜１５の形成方法は、第１の層間絶縁膜１２の形成方法と同様である。
【００３２】
次に、図３（ｉ）に示すように、第１の配線層１４と同様の形成方法により、第２の層間絶縁層１５をエッチングし第２の配線層１６を形成する。この際、半導体ウエハ１１の周辺領域においては、第１の層間絶縁膜１２が形成されているため、半導体ウエハ１１の周辺領域の近傍における第１の配線層１４は、過剰には削られることはない。従って、第１の配線層１４と第２の配線層１６との間において異常放電等が生じることはない。また、半導体ウエハ１１の周辺領域においては、第１の層間絶縁膜１２及び第２の層間絶縁膜１５が形成されているため、露光装置においてフォーカシングを行なう際のオートフォーカス動作においても、正確にフォーカス位置を検出することができる。
【００３３】
以上より、本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、別途半導体ウエハの周辺領域にレジストパターンを形成する必要がないため、製造工程を増やすことなく、多層配線を有する半導体素子を高い歩留まりで製造することができる。
【００３４】
尚、上記図３（ａ）から図３（ｇ）に記載された工程を繰り返し行なうことにより、更に配線を多層形成することも可能である。
【００３５】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態は、図２に示すように半導体ウエハ１１の周辺領域１１ａにおいてポジ型のフォトレジストのネガ化させるための周辺露光を行うものであり、第１の実施の形態とは、周辺露光とパターン露光の順序が異なるものである。図５は、本実施の形態における多層配線を有する半導体装置の製造工程図である。
【００３６】
最初に、図５（ａ）に示すように、半導体基板である半導体ウエハ１１１（例えば、シリコンウエハ）上に第１の層間絶縁膜１１２を形成する。この第１の層間絶縁膜１１２は、酸化シリコン等により形成されるものであり、塗布法又は真空成膜法により形成される。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の層間絶縁膜１１２上にポジ型のフォトレジスト１１３を塗布する。ポジ型のフォトレジス１１３の塗布は、スピンコーター等により塗布する。ポジ型のレジスト１１３を塗布した後、半導体ウエハ１１１の裏面に回り込んだポジ型のレジストを除去するためベベルリンスを必要に応じて行なう。尚、本実施の形態において用いたポジ型のフォトレジスト１１３は、紫外光により感光する化学増感型のフォトレジストである。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に示すように、ポジ型のフォトレジスト１１３に対しパターン露光を行なう。パターン露光において照射される露光エネルギーは２６ｍＪ／ｃｍ２である。このパターン露光には、ＡｒＦ又はＫｒＦ等のエキシマレーザーを光源とするステッパー又はスキャナー等の露光装置が用いられる。
【００３９】
次に、図５（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１１１上のポジ型のフォトレジスト１１３に対し周辺露光を行なう。周辺露光に用いられる光源は水銀ランプ等であり、水銀ランプ等により発せられる紫外光により周辺露光を行なう。この際、照射される露光エネルギーは、後述するパターン露光におけるポジ型のフォトレジスト１１３を感光させる露光エネルギーよりも高い露光エネルギーであって、ポジ型のフォトレジスト１１３がネガ化する露光エネルギー量である。具体的には、１０４ｍＪ／ｃｍ２以上の露光エネルギーにより周辺露光を行なう。これにより、周辺露光の行なわれた領域、即ち周辺領域１１ａにおけるポジ型のフォトレジス１１３はネガ化されネガ化領域１１３ａとなる。
【００４０】
次に、図５（ｅ）に示すように、現像液による現像を行なう。これにより、パターン露光の際に光が照射されなかった領域及び周辺露光がされた半導体ウエハ１１１の周辺領域（ネガ化領域１１３ａ）において、ポジ型のレジストが残りレジストパターン１１３ｂが形成される。
【００４１】
次に、図５（ｆ）に示すように、第１の層間絶縁膜１１２のエッチングを行なう。具体的には、レジストパターン１１３ｂをマスクとして、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等により、第１の層間絶縁膜１１２のエッチングを行なう。この際、半導体ウエハ１１１の周辺領域では、レジストパターン１１３ｂが存在しているため、周辺領域における第１の層間絶縁膜１１２はエッチングされることはない。尚、ＲＩＥ等によるエッチングの後、レジストパターン１１３ｂを除去する。
【００４２】
次に、図５（ｇ）に示すように、第１の層間絶縁膜１１２のエッチングされた領域に、配線材料となるＣｕをメッキにより埋込み、その後、ＣＭＰ等により平坦化を行なうことにより、第１の配線層１１４を形成する。この際、半導体ウエハ１１１の周辺領域においても第１の層間絶縁膜１１２が形成されているため、ＣＭＰ等による加工において、半導体ウエハ１１１の周辺領域近傍における第１の配線層１１４が過剰に削られることはない。
【００４３】
次に、図５（ｈ）に示すように、第２の層間絶縁膜１１５を形成する。第２の層間絶縁膜１１５の形成方法は、第１の層間絶縁膜１１２の形成方法と同様である。
【００４４】
次に、図５（ｉ）に示すように、第１の配線層１１４と同様の形成方法により、第２の層間絶縁層１１５をエッチングし第２の配線層１１６を形成する。この際、半導体ウエハ１１１の周辺領域においては、第１の層間絶縁膜１１２が形成されているため、半導体ウエハ１１１の周辺領域の近傍における第１の配線層１１４は、過剰に削られることはない。従って、第１の配線層１１４と第２の配線層１１６との間において異常放電等が生じることはない。また、半導体ウエハ１１１の周辺領域においては、第１の層間絶縁膜１１２及び第２の層間絶縁膜１１５が形成されているため、露光装置においてフォーカシングを行なう際のオートフォーカス動作においても、正確にフォーカス位置を検出することができる。
【００４５】
以上より、本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、別途半導体ウエハの周辺領域にレジストパターンを形成する必要がないため、製造工程を増やすことなく、多層配線を有する半導体素子を高い歩留まりで製造することができる。
【００４６】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、パターン露光を行なった後、周辺露光を行なうことにより、製造装置の配置等に考慮した製造プロセスとすることができる。
【００４７】
尚、上記図５（ａ）から図５（ｇ）に記載された工程を繰り返し行なうことにより、更に配線層を多層形成することも可能である。
【００４８】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００４９】
以上の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基板上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜工程と、
前記層間絶縁膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
配線パターンを露光する際の露光エネルギーよりも高いエネルギーの光を前記基板の周辺領域に照射し、前記ポジレジストをネガ化させる周辺露光と、前記ポジレジストに前記配線パターンを露光するパターン露光とを行う露光工程と、
前記ネガ化させたポジレジストを残して、前記パターン露光により露光された領域のポジレジストを現像により除去する現像工程と、
前記現像工程後に残った前記ポジレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜をエッチングするエッチング工程と、
前記ポジレジストを除去し、前記層間絶縁膜のエッチングされた領域に配線材料を埋め込む埋込工程と、
研磨により前記層間絶縁膜表面を平坦化し前記配線材料の配線層を形成する平坦化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。（請求項１、図３、図５）
（付記２）
前記露光工程は、前記周辺露光を行った後、前記パターン露光を行うことを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。（請求項２、図３）
（付記３）
付記１または２に記載の前記層間絶縁膜形成工程から前記平坦化工程までの工程を繰り返すことにより、前記配線層を多層形成したものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。（請求項３、図３、図５）
（付記４）
前記露光工程におけるパターン露光により露光された領域の前記ポジレジストが現像液に完全に溶解する時間では、前記周辺露光により露光された領域の前記ポジレジストは現像液に完全には溶解しないことを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。（請求項４、図４）
（付記５）
前記パターン露光工程において露光に用いられる光及び前記周辺露光工程において露光に用いられる光は、ともに紫外光であって、
前記周辺露光工程における露光エネルギーは、前記パターン露光工程における露光エネルギーの４倍以上であることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。（図４）
（付記６）
前記周辺露光に工程により露光された前記ポジレジストの現像液における溶解度は、前記パターン露光工程により前記ポジレジストが露光された領域の現像液における溶解度の６０％以下であることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。（図４）
（付記７）
前記平坦化工程における研磨は、化学機械研磨であることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。（請求項５、図３、図５）
（付記８）
前記パターン露光は、前記基板よりも小さな領域を順次露光することにより、前記基板全体を露光することを特徴とする付記１から７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記パターン露光工程における露光は、ステップアンドリピートにより露光するものであることを特徴とする付記１から８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記パターン露光工程の露光に用いられる露光装置には、オートフォーカス機能を有していることを特徴とする付記１から９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００５０】
１１        半導体ウエハ（例えば、シリコンウエハ）
１２        第１の層間絶縁膜
１３        ポジ型のフォトレジスト
１３ａ      ネガ化領域
１３ｂ      レジストパターン
１４        第１の配線層
１５        第２の層間絶縁膜
１６        第２の配線層
【図１】
2010219466.tif 000003
【図２】
2010219466.tif 000004
【図３】
2010219466.tif 000005
【図４】
2010219466.tif 000006
【図５】
2010219466.tif 000007