(57)【要約】【課題】発光領域の一部が欠けたように視認されない有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】所定の発光色を示す第１発光部、第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部、及び、第１発光部と第２発光部とを駆動するための駆動回路、を備えており、第１発光部は、下部電極、下部電極の上に設けられた、発光層を含む第１有機層、及び、第１有機層の上に設けられた、光透過性を有する中間電極から構成されており、第２発光部は、該中間電極、該中間電極の上に設けられた、発光層を含む第２有機層、及び、第２有機層の上に設けられた、上部電極から構成されており、下部電極及び上部電極の少なくとも一方は光透過性を有しており、中間電極は、第１発光部及び第２発光部のアノード電極を構成し、あるいは又、中間電極は、第１発光部及び第２発光部のカソード電極を構成する。【選択図】  図１
2010033838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）所定の発光色を示す第１発光部、
（Ｂ）第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部、及び、
（Ｃ）第１発光部と第２発光部とを駆動するための駆動回路、
を備えており、
第１発光部は、
（Ａ−１）下部電極、
（Ａ−２）下部電極の上に設けられた、発光層を含む第１有機層、及び、
（Ａ−３）第１有機層の上に設けられた、光透過性を有する中間電極、
から構成されており、
第２発光部は、
（Ｂ−１）該中間電極、
（Ｂ−２）該中間電極の上に設けられた、発光層を含む第２有機層、及び、
（Ｂ−３）第２有機層の上に設けられた、上部電極、
から構成されており、
下部電極及び上部電極の少なくとも一方は光透過性を有しており、
駆動回路は、第１発光部及び第２発光部を駆動するための駆動トランジスタを備えており、
第１発光部と第２発光部は、駆動トランジスタに接続されており、
中間電極は、第１発光部及び第２発光部のアノード電極を構成し、あるいは又、中間電極は、第１発光部及び第２発光部のカソード電極を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
駆動回路は、駆動トランジスタとして第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタを備えており、
第１発光部は、第１駆動トランジスタに接続されており、
第２発光部は、第２駆動トランジスタに接続されている請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
（Ａ）所定の発光色を示す第１発光部、
（Ｂ）第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部、及び、
（Ｃ）第１発光部と第２発光部とを駆動するための駆動回路、
を備えており、
第１発光部は、
（Ａ−１）下部電極、
（Ａ−２）下部電極の上に設けられた、発光層を含む第１有機層、及び、
（Ａ−３）第１有機層の上に設けられた、光透過性を有する第１中間電極、
から構成されており、
第２発光部は、
（Ｂ−１）該第１中間電極の上に、光透過性を有する絶縁層を介して設けられた、光透過性を有する第２中間電極、
（Ｂ−２）第２中間電極の上に設けられた、発光層を含む第２有機層、及び、
（Ｂ−３）上部電極、
から構成されており、
下部電極及び上部電極の少なくとも一方は光透過性を有しており、
駆動回路は、第１発光部及び第２発光部を駆動するための駆動トランジスタを備えており、
第１発光部と第２発光部は、駆動トランジスタに接続されている有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
下部電極と第１中間電極は、それぞれ、第１発光部のアノード電極とカソード電極を構成し、且つ、第２中間電極と上部電極は、それぞれ、第２発光部のアノード電極とカソード電極を構成し、
あるいは又、下部電極と第１中間電極は、それぞれ、第１発光部のカソード電極とアノード電極を構成し、且つ、第２中間電極と上部電極は、それぞれ、第２発光部のカソード電極とアノード電極を構成する請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
駆動回路は、駆動トランジスタとして第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタを備えており、
第１発光部は、第１駆動トランジスタに接続されており、
第２発光部は、第２駆動トランジスタに接続されている請求項３又は請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
有機エレクトロルミネッセンス素子を複数備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
有機エレクトロルミネッセンス素子は、
（Ａ）所定の発光色を示す第１発光部、
（Ｂ）第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部、及び、
（Ｃ）第１発光部と第２発光部とを駆動するための駆動回路、
を備えており、
第１発光部は、
（Ａ−１）下部電極、
（Ａ−２）下部電極の上に設けられた、発光層を含む第１有機層、及び、
（Ａ−３）第１有機層の上に設けられた、光透過性を有する中間電極、
から構成されており、
第２発光部は、
（Ｂ−１）該中間電極、
（Ｂ−２）該中間電極の上に設けられた、発光層を含む第２有機層、及び、
（Ｂ−３）第２有機層の上に設けられた、上部電極、
から構成されており、
下部電極及び上部電極の少なくとも一方は光透過性を有しており、
駆動回路は、第１発光部及び第２発光部を駆動するための駆動トランジスタを備えており、
第１発光部と第２発光部は、駆動トランジスタに接続されており、
中間電極は、第１発光部及び第２発光部のアノード電極を構成し、あるいは又、中間電極は、第１発光部及び第２発光部のカソード電極を構成する有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
有機エレクトロルミネッセンス素子を複数備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
有機エレクトロルミネッセンス素子は、
（Ａ）所定の発光色を示す第１発光部、
（Ｂ）第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部、及び、
（Ｃ）第１発光部と第２発光部とを駆動するための駆動回路、
を備えており、
第１発光部は、
（Ａ−１）下部電極、
（Ａ−２）下部電極の上に設けられた、発光層を含む第１有機層、及び、
（Ａ−３）第１有機層の上に設けられた、光透過性を有する第１中間電極、
から構成されており、
第２発光部は、
（Ｂ−１）該第１中間電極の上に、光透過性を有する絶縁層を介して設けられた、光透過性を有する第２中間電極、
（Ｂ−２）第２中間電極の上に設けられた、発光層を含む第２有機層、及び、
（Ｂ−３）上部電極、
から構成されており、
下部電極及び上部電極の少なくとも一方は光透過性を有しており、
駆動回路は、第１発光部及び第２発光部を駆動するための駆動トランジスタを備えており、
第１発光部と第２発光部は、駆動トランジスタに接続されている有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。より詳しくは、第１発光部と、第１発光部の上側に設けられた第２発光部とを備えている有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、係る有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬと略称する）を利用した有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と略称する場合がある）を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子と略称する場合がある）においては、発光層を含む有機層が、アノード電極とカソード電極との間に設けられており、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
液晶表示装置と同様に、有機ＥＬ表示装置においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、構造が複雑となるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等の利点を有する。アクティブマトリクス方式により駆動される有機ＥＬ素子にあっては、発光層を含む有機層等から構成された発光部に加えて、発光部を駆動するための駆動回路を備えている。
【０００４】
図２３に、駆動回路を備えた有機ＥＬ素子を用いた、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の概念図を示す。有機ＥＬ表示装置は、
（１）走査回路１０１、
（２）信号出力回路１０２、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向（具体的には、第１の方向に直交する方向）にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子１０、
（４）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（５）信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、
（６）電源部１００、
を備えている。尚、図２３においては、便宜のため３×３個の有機ＥＬ素子１０を示したが、これは単なる例示に過ぎない。
【０００５】
図２４に、有機ＥＬ素子１０の等価回路図を示す。有機ＥＬ素子１０は、発光部ＥＬＰと、発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路１１とを備えている。図２４に示す例では、駆動回路１１は、書込みトランジスタＴＲW、駆動トランジスタＴＲD、及び、容量部Ｃ1を備えている。尚、書込みトランジスタＴＲW及び駆動トランジスタＴＲDは、ｎチャネル型トランジスタであるとして説明する。
【０００６】
書込みトランジスタＴＲWにおいては、一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は、書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域及び容量部Ｃ1の一方の電極に接続されている。また、駆動トランジスタＴＲDにおいては、一方のソース／ドレイン領域は、所定の駆動電圧ＶCC（例えば２０ボルト）等が印加される給電線ＰＳ１に接続されており、他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰのアノード電極及び容量部Ｃ1の他方の電極に接続されている。発光部ＥＬＰのカソード電極は、所定の電圧ＶCat（例えば０ボルト）が印加される給電線ＰＳ２に接続されている。符号ＣELは発光部ＥＬＰの容量を表す。尚、図２３においては、図２４に示す給電線ＰＳ２の図示を省略した。
【０００７】
有機ＥＬ素子１０の基本的な動作を説明する。走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲWを介して、信号出力回路１０２から所定の映像信号ＶSigが駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に印加される。その後、書込みトランジスタＴＲWがオフ状態となっても、容量部Ｃ1により、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域の間の電圧は、映像信号ＶSigに応じて或る所定の電圧に保持される。
【０００８】
発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsである。駆動トランジスタＴＲDが飽和領域において理想的に動作するとすれば、ドレイン電流Ｉdsは、以下の式（Ａ）で表すことができる。発光部ＥＬＰはドレイン電流Ｉdsの値に応じた輝度で発光する。
【０００９】
Ｉds＝ｋ・μ・（Ｖgs−Ｖth）2      （Ａ）
但し、
μ  ：実効的な移動度
Ｌ  ：チャネル長
Ｗ  ：チャネル幅
Ｖgs：駆動トランジスタＴＲDのソース領域とゲート電極との間の電圧
Ｖth：駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧
Ｃox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃox
とする。
【００１０】
ところで、有機ＥＬ素子１０を製造する際に、例えば異物が発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に付着し、アノード電極とカソード電極の間が短絡状態となる場合がある。あるいは又、例えば有機層の不良により、アノード電極とカソード電極との間が開放状態となる場合もある。このような場合には、発光部ＥＬＰは発光せず、非発光状態となる。そして、有機ＥＬ表示装置の滅点不良として視認されてしまう。このため、従来より、滅点不良を修復することができる構造を備えた有機ＥＬ素子が提案されている。例えば、特開２００８−６５２００号公報（特許文献１）には、複数の発光部を備えた有機ＥＬ素子が開示されている。
【００１１】
図２５の（Ａ）に、複数の発光部を備えた有機ＥＬ素子１０’の等価回路図を示す。図２５の（Ｂ）に、有機ＥＬ素子１０’の模式的な断面図を示す。ここでは、有機ＥＬ素子１０’は所謂上面発光型の有機ＥＬ素子であるとして説明する。有機ＥＬ素子１０’を構成する駆動回路１１は、図２４に示す駆動回路１１と同一であるので説明を省略する。尚、図２５の（Ａ）においては、便宜のため、発光部の容量の図示を省略した。
【００１２】
図２５の（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１０’は、ガラス等から成る支持体２０の上に形成されている。支持体２０の上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や容量部から成る駆動回路１１、及び、給電線ＰＳ１が形成されている。尚、給電線ＰＳ１と駆動回路１１との接続部分は隠れて見えない。支持体２０の裏面側は、例えば遮光層等で覆われている。
【００１３】
駆動回路１１及び給電線ＰＳ１を含む支持体２０の全面が、層間絶縁層２１によって覆われている。そして、層間絶縁層２１の上に発光部ＥＬＰ（より具体的には、後述する第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2）が形成されている。発光部ＥＬＰは、アノード電極２２、カソード電極２４、及び、アノード電極２２とカソード電極２４との間に配された、発光層を含む有機層２３から構成されている。尚、便宜のため、図においては発光層を含む有機層２３を１層として表した。有機ＥＬ素子１０’においては、アノード電極２２は、アノード電極２２Ａとアノード電極２２Ｂとに分割されている。アノード電極２２Ａとアノード電極２２Ｂは、それぞれ、層間絶縁層２１に形成されたコンタクトプラグを介して、駆動回路１１に接続されている。
【００１４】
層間絶縁層２１の上には、アノード電極２２の他、給電線ＰＳ２が形成されている。カソード電極２４は、アノード電極２２Ａ，２２Ｂの全体を覆うように形成されており、コンタクトプラグを介して給電線ＰＳ２に接続されている。カソード電極２４は光透過性を有し、金属薄膜や、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料から構成されている。
【００１５】
図２５の（Ｂ）に示す構成にあっては、アノード電極２２Ａ、及び、アノード電極２２Ａに対向する有機層２３及びカソード電極２４の部分が、第１発光部ＥＬＰ1を構成する。同様に、アノード電極２２Ｂ、及び、アノード電極２２Ｂに対向する有機層２３及びカソード電極２４の部分が、第２発光部ＥＬＰ2を構成する。
【００１６】
有機ＥＬ素子１０’にあっては、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2とは、平面状に、並行に載置されている。そして、例えば、アノード電極２２Ａとカソード電極２４との間が短絡状態となり、第１発光部ＥＬＰ1が正常に動作しない場合には、レーザリペア等の周知の技術によりアノード電極２２Ａと駆動回路１１とを切り離す。これにより、第２発光部ＥＬＰ2は正常に発光するので、滅点不良を修復することができる。また、例えば別の例として、アノード電極２２Ａとカソード電極２４との間が開放状態となり、第１発光部ＥＬＰ1が正常に動作しない場合においても、第２発光部ＥＬＰ2は正常に発光するので、滅点不良を修復することができる。
【特許文献１】特開２００８−６５２００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
複数の発光部が平面状に並行に載置された構成の有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、一部の発光部が動作不良により非発光状態になったとしても、有機エレクトロルミネッセンス素子全体が滅点となることはない。しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光領域の一部が欠けたように視認されるおそれがある。
【００１８】
従って、本発明の目的は、一部の発光部が動作不良により非発光状態となっても、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光領域の一部が欠けたように視認されることがない有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、係る有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様及び第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子を複数備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【００２０】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、これらを単に、本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子と呼ぶ場合がある）は、
（Ａ）所定の発光色を示す第１発光部、
（Ｂ）第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部、及び、
（Ｃ）第１発光部と第２発光部とを駆動するための駆動回路、
を備えており、
第１発光部は、
（Ａ−１）下部電極、
（Ａ−２）下部電極の上に設けられた、発光層を含む第１有機層、及び、
（Ａ−３）第１有機層の上に設けられた、光透過性を有する中間電極、
から構成されており、
第２発光部は、
（Ｂ−１）該中間電極、
（Ｂ−２）該中間電極の上に設けられた、発光層を含む第２有機層、及び、
（Ｂ−３）第２有機層の上に設けられた、上部電極、
から構成されており、
下部電極及び上部電極の少なくとも一方は光透過性を有しており、
駆動回路は、第１発光部及び第２発光部を駆動するための駆動トランジスタを備えており、
第１発光部と第２発光部は、駆動トランジスタに接続されており、
中間電極は、第１発光部及び第２発光部のアノード電極を構成し、あるいは又、中間電極は、第１発光部及び第２発光部のカソード電極を構成する。
【００２１】
本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、下部電極から中間電極に電流が流れるように第１有機層が構成されている場合には、第２有機層は上部電極から中間電極に電流が流れるように構成される。一方、中間電極から下部電極に電流が流れるように第１有機層が構成されている場合には、第２有機層は中間電極から上部電極に電流が流れるように構成される。下部電極と上部電極が駆動トランジスタに接続されている構成とすることができるし、あるいは又、中間電極が駆動トランジスタに接続されている構成とすることもできる。いずれの接続とするかは、駆動回路の構成や、第１有機層及び第２有機層の極性に応じて、適宜設定すればよい。
【００２２】
本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、中間電極は、第１発光部及び第２発光部の共通のアノード電極あるいは共通のカソード電極を構成する。これにより、素子の構成の簡略化を図ることができる。また、中間電極は、第１発光部の上部の電極としての役割と、第２発光部の下部の電極としての役割とを担っている。中間電極は、単一の導電材料から構成されていてもよいし、種類の異なる導電材料が積層されて構成されていてもよい。第１発光部側の特性に合わせた導電材料と、第２発光部側の特性に合わせた導電材料とを積層して中間電極を積層することにより、第１発光部と第２発光部の特性に合わせた設計が可能となる。
【００２３】
また、本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、駆動回路は、駆動トランジスタとして第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタを備えており、第１発光部は、第１駆動トランジスタに接続されており、第２発光部は、第２駆動トランジスタに接続されている構成とすることができる。
【００２４】
本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、下部電極と第１有機層との間に他の層を備えている構成であってもよいし、第１有機層と中間電極との間に他の層を備えている構成であってもよい。同様に、中間電極と第２有機層との間に他の層を備えている構成であってもよいし、第２有機層と上部電極との間に他の層を備えている構成であってもよい。
【００２５】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、これらを単に、本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子と呼ぶ場合がある）は、
（Ａ）所定の発光色を示す第１発光部、
（Ｂ）第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部、及び、
（Ｃ）第１発光部と第２発光部とを駆動するための駆動回路、
を備えており、
第１発光部は、
（Ａ−１）下部電極、
（Ａ−２）下部電極の上に設けられた、発光層を含む第１有機層、及び、
（Ａ−３）第１有機層の上に設けられた、光透過性を有する第１中間電極、
から構成されており、
第２発光部は、
（Ｂ−１）該第１中間電極の上に、光透過性を有する絶縁層を介して設けられた、光透過性を有する第２中間電極、
（Ｂ−２）第２中間電極の上に設けられた、発光層を含む第２有機層、及び、
（Ｂ−３）上部電極、
から構成されており、
下部電極及び上部電極の少なくとも一方は光透過性を有しており、
駆動回路は、第１発光部及び第２発光部を駆動するための駆動トランジスタを備えており、
第１発光部と第２発光部は、駆動トランジスタに接続されている。
【００２６】
第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子に対し、第１有機層と第２有機層の極性を任意に設定することができる利点を備えている。
【００２７】
そして、本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、下部電極と第１中間電極は、それぞれ、第１発光部のアノード電極とカソード電極を構成し、且つ、第２中間電極と上部電極は、それぞれ、第２発光部のアノード電極とカソード電極を構成するといった構成とすることができる。あるいは又、下部電極と第１中間電極は、それぞれ、第１発光部のカソード電極とアノード電極を構成し、且つ、第２中間電極と上部電極は、それぞれ、第２発光部のカソード電極とアノード電極を構成するといった構成とすることができる。便宜のため、上述した構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を、本発明の第２Ａの態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子と呼ぶ場合がある。
【００２８】
本発明の第２Ａの態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、下部電極から第１中間電極に電流が流れるように第１有機層が構成されている場合には、第２有機層は第２中間電極から上部電極に電流が流れるように構成されている。一方、第１中間電極から下部電極に電流が流れるように第１有機層が構成されている場合には、第２有機層は上部電極から第２中間電極に電流が流れるように構成されている。換言すれば、第１有機層と第２有機層は、同方向の極性を備えるように形成されている。これにより、第１有機層と第２有機層の製造プロセスを共通化することができるといった利点を有する。
【００２９】
第２Ａの態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、下部電極と第２中間電極が駆動トランジスタに接続されている構成とすることができるし、あるいは又、第１中間電極と上部電極が駆動トランジスタに接続されている構成とすることもできる。いずれの接続とするかは、駆動回路の構成や、第１有機層及び第２有機層の極性に応じて、適宜設定すればよい。
【００３０】
また、上述した第２Ａの態様を含む本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子においても、駆動回路は、駆動トランジスタとして第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタを備えており、第１発光部は、第１駆動トランジスタに接続されており、第２発光部は、第２駆動トランジスタに接続されている構成とすることができる。
【００３１】
上述した第２Ａの態様を含む本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、下部電極と第１有機層との間に他の層を備えている構成であってもよいし、第１有機層と第１中間電極との間に他の層を備えている構成であってもよい。同様に、第２中間電極と第２有機層との間に他の層を備えている構成であってもよいし、第２有機層と上部電極との間に他の層を備えている構成であってもよい。
【００３２】
上述した各種の好ましい構成を含む本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、上述した各種の好ましい構成を含む本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、これらを単に、本発明の有機ＥＬ素子と呼ぶ場合がある）においては、所定の発光色を示す第１発光部と、第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部を備えている。即ち、第１発光部と第２発光部とは平面状に並行に載置されておらず、重なった状態にある。従って、一部の発光部が動作不良により非発光状態になったとしても、有機ＥＬ素子における発光領域の一部が欠けたように視認されることがない。これにより、本発明の有機ＥＬ素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する）にあっては、表示される画像の品位をより良好なものとすることができる。
【００３３】
また、第１発光部は第１駆動トランジスタに接続されており、第２発光部は第２駆動トランジスタに接続されている構成の本発明の有機ＥＬ素子にあっては、一方の駆動トランジスタが動作不良を起こしたとしても、完全な滅点状態とはならない。即ち、駆動トランジスタの動作不良による滅点の発生をも防ぐことができるといった利点を備えている。
【００３４】
各種電極や絶縁層が「光透過性を有する」とは、少なくとも第１発光部や第２発光部からの発光光に対して光透過性を有するとの意である。従って、可視光スペクトルの全てに亙って光透過性を有している構成であってもよいし、発光光の波長及びその近傍の波長において光透過性を有している構成であってもよい。基本的には、発光光をできるだけ多く透過することが好ましいが、有機ＥＬ素子の動作に支障が生じない限り、光透過性の程度は特に限定するものではない。
【００３５】
また、第２発光部が「該所定の発光色を示す」とは、第２発光部の発光色が第１発光部の発光色に対し概ね同色と判断される程度といった意である。即ち、第２発光部の発光光の波長が第１発光部の発光光の波長と同じであってもよいし、同色と判断される程度で異なっていても良い。
【００３６】
以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本発明の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、所謂カラー表示の構成であってもよい。
【００３７】
例えば、モノクロ表示の有機ＥＬ表示装置であるとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、画素が構成される。有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）である。
【００３８】
一方、カラー表示の有機ＥＬ表示装置であるとき、１画素は、例えば、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。
【００３９】
尚、カラー表示の場合には、上述した３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から、画素を構成することもできる。
【００４０】
有機ＥＬ表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【００４１】
本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ素子が上面発光型であり、下部電極と上部電極がアノード電極を構成する場合、下部電極は、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、金（Ａｕ）といった、仕事関数の値が大きく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。更に、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料の場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、下部電極をアノード電極として用いることができる。また、光反射性の高い導電材料上にインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。また、上部電極を、ＩＴＯやＩＺＯといった、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。
【００４２】
光透過性を有する電極は、例えば、上述したＩＴＯやＩＺＯに加えて、ＺｎＯ、ＭｇＯ等の金属化合物から構成することができるし、あるいは又、金属あるいは合金から成る薄膜から構成することもできる。後ほど詳しく説明するが、有機ＥＬ素子が上面発光型であり、上部電極をカソード電極として用いる場合、上部電極は、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましい。このような場合には、例えば、厚さが数ナノメートル程度のＭｇ−Ａｇ合金薄膜のような、光透過率の高い導電膜（例えば、光透過率が３０％以上の金属あるいは合金）を上部電極として用いることができる。尚、発光を妨げない部分に導電性の良い補助電極を設けておき、この補助電極と上部電極とが接触する構成であってもよい。この構成によれば、有機ＥＬ表示装置の動作時において上部電極の抵抗による電圧変化が抑制され、表示される画像の輝度の均一性等をより良好なものとすることができる。本発明の第２の態様においても同様である。
【００４３】
上述したように、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ素子が上面発光型であり、下部電極と上部電極がアノード電極を構成する場合、中間電極は、第１発光部及び第２発光部のカソード電極を構成する。中間電極は、発光光を透過し、しかも、第１有機層及び第２有機層に対して電子を効率的に注入できるように、仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましい。例えば、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金等から成る薄膜から中間電極を構成することができる。あるいは又、ＩＴＯやＩＺＯから成る層の両面に上述した薄膜を積層した構成とすることもできる。
【００４４】
一方、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ素子が上面発光型であり、下部電極と上部電極とがカソード電極を構成する場合、下部電極は、Ａｌ、Ａｌ合金といった仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。尚、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、下部電極をカソード電極として用いることができる。また、上部電極を、発光光を透過し、しかも、第２有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましい。例えば、上部電極は、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金等から成る薄膜から構成することができる。あるいは又、これらの薄膜にＩＴＯやＩＺＯから成る層を積層した構成とすることもできる。この場合において、中間電極は、第１発光部及び第２発光部のアノード電極を構成する。中間電極は、ＩＴＯやＩＺＯといった、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。
【００４５】
本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ素子が上面発光型であり、下部電極と第２中間電極とがアノード電極を構成し、第１中間電極と上部電極とがカソード電極を構成する場合について説明する。この場合、下部電極は、上述したと同様に、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）、金（Ａｕ）といった、仕事関数の値が大きく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。更に、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料の場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、下部電極をアノード電極として用いることができる。また、光反射性の高い導電材料上にＩＴＯやＩＺＯ等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。第２中間電極は、ＩＴＯやＩＺＯといった、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。また、第１中間電極や上部電極は、発光光を透過し、しかも、第１有機層及び第２有機層に対して電子を効率的に注入できるように、仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましい。例えば、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金等から成る薄膜から第１中間電極や上部電極を構成することができる。あるいは又、ＩＴＯやＩＺＯから成る層の両面に上述した薄膜を積層した構成の第１中間電極とすることもできるし、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金等から成る薄膜の上にＩＴＯやＩＺＯから成る層が積層された構成の上部電極とすることもできる。
【００４６】
一方、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ素子が上面発光型であり、下部電極と第２中間電極とがカソード電極を構成し、第１中間電極と上部電極とがアノード電極を構成する場合について説明する。この場合、下部電極は、Ａｌ、Ａｌ合金といった仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。尚、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、下部電極をカソード電極として用いることができる。また、第２中間電極を、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましい。例えば、第２中間電極は、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金等から成る薄膜から構成することができる。あるいは又、これらの薄膜にＩＴＯやＩＺＯから成る層を積層した構成とすることもできる。また、第１中間電極や上部電極は、ＩＴＯやＩＺＯといった、発光光を透過し、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。
【００４７】
尚、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ素子、及び、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ素子が下面発光型である場合、下部電極を発光光を透過する導電材料から構成し、上部電極を例えば光反射率の高い導電材料から構成すればよい。これらの電極は、有機ＥＬ素子の設計に応じて、適宜好適な導電材料を用いて構成すればよい。
【００４８】
本発明の有機ＥＬ素子にあっては、下部電極を、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を用いて形成することができる。
【００４９】
本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ素子において、絶縁層は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、第１有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、絶縁層の剥がれを防止するために絶縁層のストレスを最小になる条件で絶縁層を成膜することが望ましい。また、絶縁層の形成は、第１有機層を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による第１有機層の劣化を防止することができる。更には、絶縁層は、第１有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ1-yＯy）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な絶縁層を構成する。
【００５０】
本発明の有機ＥＬ素子において、中間電極、第１中間電極、及び、上部電極は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、第１有機層あるいは第２有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。第２中間電極の成膜においても、基本的には上述したと同様である。
【００５１】
発光層を含む有機層の構成は、特に限定するものではない。例えば、有機層は、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造から構成することができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができる。有機層は、広く周知の材料を用いて構成することができる。
【００５２】
本発明の有機ＥＬ素子を構成する上部電極、下部電極、中間電極、第１中間電極、及び、第２中間電極は、上述した構成の他、適切な電子注入層や正孔注入層を用いることにより、他の構成や材料を用いることもできる。
【００５３】
本発明の有機ＥＬ素子を構成する下部電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられている。そして、この層間絶縁層は、支持体上に形成された駆動回路を覆っている。駆動回路は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等から構成されており、ＴＦＴと下部電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００５４】
上部電極の上には、第１有機層及び第２有機層への水分の到達防止を目的として、絶縁性の保護膜を設けることが好ましい。上述した絶縁層と同様に、保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、第１有機層や第２有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスを最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、上部電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、有機ＥＬ表示装置が上面発光型である場合、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ1-yＯy）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）を例示することができる。絶縁層において説明したように、このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。保護膜の上には基板を配するが、保護膜と基板とは、例えば、紫外線硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いて接着すればよい。尚、上部電極に共通の電圧が印加される構成の場合には、保護膜を、透明導電材料から形成してもよい。例えば、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成することができる。
【００５５】
支持体や基板の構成材料として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等のガラス材料の他、各種プラスチック材料を例示することができる。支持体と基板の構成材料は、同じであってもよいし異なっていてもよい。可撓性を有するプラスチック材料から成る支持体及び基板を用いれば、可撓性を有する有機ＥＬ表示装置を構成することができる。
【００５６】
本発明の有機ＥＬ素子を構成する駆動回路として、広く周知の駆動回路を用いることができる。駆動回路の構成は特に限定するものではない。所謂電圧書込み型の駆動回路であってもよいし、電流書込み型の駆動回路であってもよい。
【００５７】
所謂電圧書込み型の駆動回路は、例えば、書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、容量部から構成することができる。電圧書込型の駆動回路の一例として、
駆動トランジスタにおいては、
（ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、所定の電源部に接続されており、
（ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に接続されており、
（ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部の一方の電極に接続されており、
（ａ−４）駆動トランジスタがｎチャネル型トランジスタから成る場合には、他方のソース／ドレイン領域と容量部の他方の電極が接続されており、駆動トランジスタがｐチャネル型トランジスタから成る場合には、一方のソース／ドレイン領域と容量部の他方の電極が接続されており、
書込みトランジスタにおいては、
（ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、所定のデータ線に接続されており、
（ｂ−２）ゲート電極は、所定の走査線に接続されている、
駆動回路を挙げることができる。尚、更に別のトランジスタを備えている構成であってもよい。
【発明の効果】
【００５８】
本発明の有機ＥＬ素子においては、所定の発光色を示す第１発光部と、第１発光部の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部を備えている。これにより、一部の発光部が動作不良により非発光状態になったとしても、有機ＥＬ素子における発光領域の一部が欠けたように視認されることがない。従って、一部の発光部が動作不良により非発光状態となっても、発光領域の一部が欠けたように視認されることがない有機ＥＬ素子、及び、係る有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００５９】
また、第１発光部は第１駆動トランジスタに接続されており、第２発光部は第２駆動トランジスタに接続されている構成の本発明の有機ＥＬ素子にあっては、一方の駆動トランジスタが動作不良を起こしたとしても、完全な滅点状態とはならない。即ち、駆動トランジスタの動作不良による滅点の発生をも防ぐことができるといった利点を備えている有機ＥＬ素子、及び、係る有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６０】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００６１】
実施例１は、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ素子、及び、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例１の有機ＥＬ表示装置の模式的な一部断面図を図１に示し、実施例１の有機ＥＬ素子１１０の等価回路図を図２に示す。
【００６２】
有機ＥＬ素子１１０を備えた実施例１の有機ＥＬ表示装置の概念図は、背景技術において参照した図２３において、有機ＥＬ素子１０を有機ＥＬ素子１１０と置き換えたと同様である。後述する他の実施例においても同様である。実施例１及び後述する他の実施例における有機ＥＬ表示装置の概念図は省略する。
【００６３】
実施例１の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子１１０を複数備えた有機ＥＬ表示装置である。より具体的には、アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置であり、上面発光型である。即ち、上部電極を通して光が出射される。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子１１０を、複数（例えば、Ｎ×Ｍ＝１９２０×４８０）有する。尚、１つの有機ＥＬ素子１１０は、１つの副画素を構成する。ここで、１画素は、走査線ＳＣＬの延びる方向に並んだ、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ／３）×Ｍの画素を有する。
【００６４】
図１及び図２に示すように、有機ＥＬ素子１１０は、
（Ａ）所定の発光色を示す第１発光部ＥＬＰ1、
（Ｂ）第１発光部ＥＬＰ1の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部ＥＬＰ2、及び、
（Ｃ）第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2とを駆動するための駆動回路１１１、
を備えている。
【００６５】
図１に示すように、第１発光部ＥＬＰ1は、
（Ａ−１）下部電極５１、
（Ａ−２）下部電極５１の上に設けられた、発光層を含む第１有機層５４、及び、
（Ａ−３）第１有機層５４の上に設けられた、光透過性を有する中間電極５５、
から構成されており、
第２発光部ＥＬＰ2は、
（Ｂ−１）中間電極５５、
（Ｂ−２）中間電極５５の上に設けられた、発光層を含む第２有機層５７、及び、
（Ｂ−３）第２有機層５７の上に設けられた、上部電極５８、
から構成されている。また、下部電極５１及び上部電極５８の少なくとも一方は光透過性を有している。実施例１の有機ＥＬ表示装置は上面発光型であり、上部電極５８は光透過性を有している。
【００６６】
図２に示すように、駆動回路１１１は、第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2を駆動するための駆動トランジスタＴＲDを備えている。第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2は、駆動トランジスタＴＲDに接続されている。そして、中間電極５５は、第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2のアノード電極を構成し、あるいは又、中間電極５５は、第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2のカソード電極を構成する。後で詳しく説明するが、実施例１においては、下部電極５１は第１発光部ＥＬＰ1のアノード電極を構成し、上部電極５８は第２発光部ＥＬＰ2のアノード電極を構成し、中間電極５５は、第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2のカソード電極を構成する。
【００６７】
実施例１においては、駆動回路１１１は、書込みトランジスタＴＲW、上述した駆動トランジスタＴＲD、及び、容量部Ｃ1から構成されている。書込みトランジスタＴＲW及び駆動トランジスタＴＲDは、ｎチャネル型トランジスタである。駆動回路１１１の構成は、背景技術において説明した駆動回路１１と同様である。即ち、書込みトランジスタＴＲWにおいては、一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は、書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域及び容量部Ｃ1の一方の電極に接続されている。また、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域は、所定の駆動電圧ＶCC（例えば２０ボルト）等が印加される給電線ＰＳ１に接続されている。駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域は、第１発光部ＥＬＰ1のアノード電極（実施例１においては下部電極５１）、第２発光部ＥＬＰ2のアノード電極（実施例１においては上部電極５８）、及び、容量部Ｃ1の他方の電極に接続されている。第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2の共通のカソード電極（実施例１においては中間電極５５）は、所定の電圧ＶCat（例えば０ボルト）が印加される給電線ＰＳ２に接続されている。符号ＣEL1は第１発光部ＥＬＰ1の容量を表し、符号ＣEL2は第２発光部ＥＬＰ2の容量を表す。
【００６８】
引き続き、図１を参照して説明する。駆動回路１１１を構成する各トランジスタ及び容量部Ｃ1は支持体２０上に形成され、第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2は、例えば、層間絶縁層４１を介して、駆動回路１１１を構成する各トランジスタ及び容量部Ｃ1の上方に形成されている。尚、図１においては、駆動トランジスタＴＲDのみを図示する。書込みトランジスタＴＲWは隠れて見えない。
【００６９】
駆動トランジスタＴＲDは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３から構成されている。より具体的には、駆動トランジスタＴＲDは、半導体層３３に設けられた一方のソース／ドレイン領域３５及び他方のソース／ドレイン領域３６、並びに、一方のソース／ドレイン領域３５と他方のソース／ドレイン領域３６の間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４を備えている。図示せぬ他のトランジスタも同様の構成である。
【００７０】
容量部Ｃ1は、電極３７、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、電極３８から成る。尚、電極３８は駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域３６に接続されている。また、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域３５は配線３９に接続されている。配線３９は給電線ＰＳ１に対応する。
【００７１】
ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及び、容量部Ｃ1を構成する電極３７は、支持体２０上に形成されている。電極３８、配線３９、及び、半導体層３３は、ゲート絶縁層３２（延在部から構成された誘電体層の部分を含む）の上に形成されている。駆動トランジスタＴＲD、容量部Ｃ1等は、層間絶縁層４１で覆われている。層間絶縁層４１上に、第１発光部ＥＬＰ1が設けられており、更にその上側に、第２発光部ＥＬＰ2が設けられている。また、給電線ＰＳ２に相当する配線５３が、層間絶縁層４１上に設けられている。発光部が設けられていない層間絶縁層４１の部分の上には、第２層間絶縁層４２が設けられている。発光部及び第２層間絶縁層４２を含む全面には、絶縁性の保護膜４３が設けられている。保護膜４３の上には例えばガラスから成る基板６０が配されているが、保護膜４３と基板６０とは、紫外線硬化型接着剤から成る接着層４４によって接着されている。発光した光は、基板６０を通過して、外部に出射される。第１発光部ＥＬＰ1のアノード電極を構成する下部電極５１は、層間絶縁層４１に設けられたコンタクトプラグ５２を介して電極３８に接続されている。第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2のカソード電極を構成する中間電極５５は、第２層間絶縁層４２に設けられたコンタクトプラグ５６を介して、給電線ＰＳ２を構成する配線５３に接続されている。第２発光部ＥＬＰ2のアノード電極を構成する上部電極５８は、第２層間絶縁層４２及び層間絶縁層４１に設けられたコンタクトプラグ５９を介して、電極３８に接続されている。
【００７２】
図２を参照して、実施例１の有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子１１０の基本的な動作を説明する。走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲWを介して、信号出力回路１０２から所定の映像信号ＶSigが駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に印加される。その後、書込みトランジスタＴＲWがオフ状態となっても、容量部Ｃ1により、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極とソース領域の間の電圧は、映像信号ＶSigに応じて或る所定の電圧に保持される。
【００７３】
第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2を流れる電流は、駆動トランジスタＴＲDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsである。駆動トランジスタＴＲDが飽和領域において理想的に動作するとすれば、ドレイン電流Ｉdsは、以下の式（１）で表すことができる。
【００７４】
Ｉds＝ｋ・μ・（Ｖgs−Ｖth）2      （１）
但し、
μ  ：実効的な移動度
Ｌ  ：チャネル長
Ｗ  ：チャネル幅
Ｖgs：駆動トランジスタＴＲDのソース領域とゲート電極との間の電圧
Ｖth：駆動トランジスタＴＲDの閾値電圧
Ｃox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃox
とする。
【００７５】
図２からも明らかなように、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2は並列に接続された状態にある。従って、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2の特性が同じであると仮定すれば、各発光部に流れる電流はＩds／２となり、各発光部はＩds／２の値に応じた輝度で発光する。そして、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2とは重なった状態にある。従って、外部からは、有機ＥＬ素子１１０は１つの発光部が発光しているように観測される。また、各発光部の輝度は流れる電流に比例し、第１発光部ＥＬＰ1の発光光が第２発光部ＥＬＰ2等を透過する際に減衰しないとすれば、有機ＥＬ素子１１０は１つの発光部に電流Ｉdsが流れたと同様の輝度として観測される。
【００７６】
一方、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれか一方が短絡状態にあり、レーザリペア等の周知の技術により短絡状態にある発光部と駆動回路１１１とが切り離されている場合、正常に動作する発光部に流れる電流はＩdsとなる。また、例えば、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれか一方が開放状態となり正常に動作しない場合においても、正常に動作する発光部に流れる電流はＩdsとなる。そして、正常に動作する発光部はＩdsに応じた輝度で発光する。従って、有機ＥＬ素子１１０は、理想的には、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれもが正常に動作する場合と同様の輝度として観測される。また、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2とは平面状に並行に載置されておらず、重なった状態にある。従って、有機ＥＬ素子１１０における発光領域の一部が欠けたように視認されることもない。
【００７７】
尚、駆動回路の構成や駆動方法によっては、いずれか一方の正常に動作する発光部の輝度が、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれもが正常に動作する場合と同様の輝度と同じにならない場合がある。このような場合には、例えば、係る表示素子１１０においては映像信号ＶSigの値を適宜修正して書き込む等の処理を行い、輝度の調整を図ることもできる。後述する他の実施例においても同様である。
【００７８】
実施例１の有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ素子１１０の製造方法の概要を、以下、図３の（Ａ）乃至（Ｃ）、図４の（Ａ）乃至（Ｃ）、図５の（Ａ）及び（Ｂ）、図６の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図７の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明する。
【００７９】
［工程−１００］（図３の（Ａ）参照）
支持体２０上に、副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０毎に、駆動回路１１１を構成するＴＦＴを周知の方法で作製する。尚、図１と同様に、駆動トランジスタＴＲDのみを図示する。書込みトランジスタＴＲWは隠れて見えない。他の実施例においても同様である。
【００８０】
ＴＦＴは、支持体２０上に形成されたゲート電極３１、支持体２０及びゲート電極３１上に形成されたゲート絶縁層３２、ゲート絶縁層３２上に形成された半導体層３３に設けられたソース／ドレイン領域３５，３６、並びに、ソース／ドレイン領域３５，３６の間であって、ゲート電極３１の上方に位置する半導体層３３の部分が相当するチャネル形成領域３４から構成されている。ＴＦＴのゲート電極３１は、走査回路（図示せず）に接続されている。また、容量部Ｃ1を構成する電極３７を、支持体２０上に形成した。電極３７を、ゲート電極３１の形成プロセスにおいて同時に形成したが、これに限るものではない。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。
【００８１】
［工程−１１０］（図３の（Ｂ）参照）
次いで、全面に、導電材料層を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、容量部Ｃ1を構成する電極３８、及び、配線３９を形成する。
【００８２】
［工程−１２０］（図３の（Ｃ）及び図４の（Ａ）参照）
その後、支持体２０上に、ＴＦＴ、電極３８及び配線３９を覆うように、ＳｉＯ2から成る層間絶縁層４１をＣＶＤ法にて成膜する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、層間絶縁層４１に、底部に電極３８の上面が露出した開口部５２’を形成する。また、併せて、後述する開口部５９’に相当する層間絶縁層４１の部分を除去する。尚、層間絶縁層４１を、ポリイミド樹脂等から成る有機絶縁層から構成してもよいし、ＳｉＯ2等の無機絶縁層とポリイミド樹脂等の有機絶縁層の積層構造として構成してもよい。
【００８３】
その後、層間絶縁層４１上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、アルミニウムから成る下部電極５１を形成し、併せて、配線５３を形成する。尚、下部電極５１は、開口部５２’内に設けられたコンタクトプラグ５２を介して、電極３８に電気的に接続されている。
【００８４】
［工程−１３０］（図４の（Ｂ）参照）
次いで、全面に、第２層間絶縁層４２を形成する。具体的には、スピンコーティング法に基づき、厚さ１μｍのポリイミド樹脂から成る第２層間絶縁層４２を形成する。尚、第２層間絶縁層４２を、ＳｉＯ2等の無機絶縁層から構成してもよい。
【００８５】
［工程−１４０］（図４の（Ｃ）及び図５の（Ａ）参照）
その後、第１有機層５４を形成する。先ず、底部に下部電極５１が露出した開口部５４’をエッチング法に基づき形成する。尚、開口部５４’を囲む第２層間絶縁層４２の部分は、なだらかな斜面を構成していることが好ましい。併せて、底部に配線５３が露出した開口部５６’と、底部に電極３８が露出した開口部５９’を形成する。
【００８６】
そして、開口部５４’の底部に露出した下部電極５１の部分の上から、開口部５４’を取り囲む第２層間絶縁層４２の部分に亙り、第１有機層５４を形成する。尚、第１有機層５４は、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた発光層が順次積層されている。尚、便宜のため、図においては、第１有機層５４を１層として表した。他の実施例において参照する図面においても同様である。
【００８７】
具体的には、下部電極５１の表面の有機付着物の除去、正孔注入性の向上のために、プラズマ処理を行う。導入するガスとして、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガスを挙げることができるが、実施例１にあっては、具体的には、処理パワー１００Ｗ、処理時間１８０秒の酸素プラズマ処理を行う。第２層間絶縁層４２の表面は、酸素プラズマ処理によって化学的に活性な状態となる。
【００８８】
次いで、第２層間絶縁層４２の上方に各副画素を構成する第１有機層５４を形成するためのメタルマスク（図示せず）を配置した状態で、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着する。有機材料は、メタルマスクに設けられた開口を通過し、副画素を構成する開口部５４’の底部に露出した下部電極５１の部分の上から、開口部５４’を取り囲む第２層間絶縁層４２の部分に亙り堆積する。
【００８９】
緑色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０における第１有機層５４にあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine］を２５ｎｍの膜厚で蒸着させる。次に、正孔輸送層として、例えば、α−ＮＰＤ［4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl］を３０ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、電子輸送層を兼ねる発光層として、例えば、Ａｌｑ３［tris(8-quinolinolato)aluminum(III)］を５０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。
【００９０】
また、青色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０における第１有機層５４にあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを１８ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、正孔輸送層として、例えば、α−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚で蒸着する。更に、正孔ブロック層を兼ねる発光層として、例えば、バソクプロイン［Bathocuproine：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10phenanthroline］を１４ｎｍの膜厚で蒸着した後、発光層として、例えば、Ａｌｑ３を例えば３０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。
【００９１】
更には、赤色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０における第１有機層５４にあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを５５ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、正孔輸送層として、例えば、α−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚で蒸着する。更には、発光層として、例えば、ＢＳＢ−ＢＣＮ［2,5-bis{4-(N-methoxyphenyl-N-phenylamino)styryl}benzene-1,4-dicarbonitrile］を蒸着した後、電子輸送層として、例えば、Ａｌｑ３を３０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。
【００９２】
［工程−１５０］（図５の（Ｂ）参照）
その後、中間電極５５を形成する。第２層間絶縁層４２の上方に中間電極５５を形成するためのメタルマスク（図示せず）を配置した状態で、第１有機層５４に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき、中間電極５５の形成を行う。第１有機層５４の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して中間電極５５の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による第１有機層５４等の劣化を防止することができる。例えば、Ｍｇ−Ａｇ（体積比１０：１）の共蒸着膜を成膜することで、中間電極５５を得ることができる。中間電極５５は、コンタクトプラグ５６を介して配線５３と電気的に接続されている。
【００９３】
［工程−１６０］（図６の（Ａ）参照）
その後、第２有機層５７を形成する。具体的には、中間電極５５を概ね覆うように第２有機層５７を形成するためのメタルマスク（図示せず）を中間電極５５の上方に配置した状態で、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着する。有機材料は、メタルマスクに設けられた開口を通過し、中間電極５５上に堆積する。尚、後述する上部電極５８と中間電極５５とが直接接触しないように、第２有機層５７は、開口部５９’付近の中間電極５５の縁を覆うように、第２層間絶縁層４２上に亙り、形成されている。
【００９４】
有機ＥＬ素子１１０における第２有機層５７の形成方法は、積層の順序を逆にする他は、第１有機層５４において説明したと同様である。例えば、緑色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０における第２有機層５７にあっては、電子輸送層を兼ねる発光層として、例えば、Ａｌｑ３を５０ｎｍの膜厚で蒸着する。次に、正孔輸送層として、例えば、α−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚で蒸着した後、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを２５ｎｍの膜厚で蒸着させる。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。尚、便宜のため、図においては、第２有機層５７を１層として表した。他の実施例において参照する図面においても同様である。青色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０における第２有機層５７、赤色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０における第２有機層５７の形成方法も、積層の順序を逆にする他は、第１有機層５４において説明したと同様であるので、説明を省略する。
【００９５】
［工程−１７０］（図６の（Ｂ）参照）
次いで、副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０毎に、第２有機層５７の上方に上部電極５８を形成するためのメタルマスク（図示せず）を配置した状態で、第２有機層５７に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき、副画素を構成する有機ＥＬ素子１１０毎に上部電極５８の形成を行う。第２有機層５７を大気に暴露することなく、第２有機層５７の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して上部電極５８の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による第２有機層５７等の劣化を防止することができる。具体的には、ＩＴＯの蒸着膜を成膜することで、上部電極５８を得ることができる。上部電極は、コンタクトプラグ５９を介して、電極３８と電気的に接続されている。
【００９６】
［工程−１８０］（図７の（Ａ）参照）
次いで、全面に、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁性の保護膜４３をＣＶＤ法に基づき形成する。保護膜４３の形成は、上部電極５８を大気に暴露することなく、連続して行うことで、大気中の水分や酸素による第２有機層５７等の劣化を防止することができる。また、有機材料から成る保護膜を真空蒸着法に基づき形成してもよい。
【００９７】
［工程−１９０］（図７の（Ｂ）参照）
その後、保護膜４３と基板６０とを、紫外線硬化型接着剤から成る接着層４４によって接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。尚、保護膜４３上に透明基板を配置し、外周部を接着剤等で封止した状態で、表示領域を覆う空間に充填剤を充填した構成としてもよい。あるいは、該空間内に窒素ガス等の不活性ガスを封入するとともに、該空間に連通する領域に乾燥剤を封入した構成としてもよい。後述する他の実施例においても同様である。
【００９８】
以上、実施例１の有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ素子１１０について説明した。次いで、駆動回路１１１をｐチャネル型トランジスタを用いて構成した変形例について説明する。変形例の有機ＥＬ素子１１０’を構成する駆動回路１１１’の等価回路図を図８に示す。また、変形例の有機ＥＬ素子１１０’の模式的な一部断面図を図９に示す。
【００９９】
図８に示すように、変形例の駆動回路１１１’は、上述した駆動回路１１１に対し、各トランジスタがｐチャネル型トランジスタから構成されており、容量部Ｃ1の他方の電極が、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に接続されている点が相違する。より具体的には、図９に示すように、変形例の有機ＥＬ素子１１０’においては、容量部Ｃ1を構成する電極３７が配線３９と対向する側に形成されている。尚、これに併せて電極３７と対向する配線３９の部分の幅が広げられている。これらの点を除く他、変形例の有機ＥＬ素子１１０’の構成は、上述した有機ＥＬ素子１１０と同様である。
【実施例２】
【０１００】
実施例２も、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ素子、及び、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例２の有機ＥＬ素子２１０の模式的な一部断面図を図１０に示し、実施例２の有機ＥＬ素子２１０を構成する駆動回路２１１の等価回路図を図１１に示す。
【０１０１】
図１１に示すように、実施例２の有機ＥＬ素子２１０を構成する駆動回路２１１は、駆動トランジスタとして第１駆動トランジスタＴＲD1及び第２駆動トランジスタＴＲD2を備えている。第１発光部ＥＬＰ1は、第１駆動トランジスタＴＲD1に接続されており、第２発光部ＥＬＰ2は、第２駆動トランジスタＴＲD2に接続されている。
【０１０２】
上述した点が相違する他、実施例２の有機ＥＬ素子２１０の構成は、実施例１の有機ＥＬ素子１１０において説明したと同様である。説明の便宜のため、実施例１と共通する構成要素については、実施例１と同様の参照番号あるいは符号を付して説明する。尚、図１０においては、第１駆動トランジスタＴＲD1のみを図示する。書込みトランジスタＴＲWと第２駆動トランジスタＴＲD2は隠れて見えない。
【０１０３】
第１駆動トランジスタＴＲD1及び第２駆動トランジスタＴＲD2の構成は、実施例１において説明した駆動トランジスタＴＲDの構成と同様である。書込みトランジスタＴＲWと容量部Ｃ1の構成は、実施例１において説明した書込みトランジスタＴＲWと容量部Ｃ1の構成と同様である。第１駆動トランジスタＴＲD1と容量部Ｃ1の結線は、実施例１において説明した駆動トランジスタＴＲDと容量部Ｃ1の結線と同様である。
【０１０４】
第１駆動トランジスタＴＲD1と同様に、第２駆動トランジスタＴＲD2にあっては、ゲート電極は、書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域及び容量部Ｃ1の一方の電極に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、給電線ＰＳ１に接続されており、他方のソース／ドレイン領域は、容量部Ｃ1の他方の電極に接続されている。
【０１０５】
そして、第１駆動トランジスタＴＲD1の他方のソース／ドレイン領域は、第１発光部ＥＬＰ1のアノード電極（実施例２においては下部電極５１）に接続されている。第２駆動トランジスタＴＲD2の他方のソース／ドレイン領域は、第２発光部ＥＬＰ2のアノード電極（実施例２においては上部電極５８）に接続されている。
【０１０６】
実施例１において説明したと同様に、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2とは平面状に並行に載置されておらず、重なった状態にある。第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれか一方が短絡状態にあり、レーザリペア等の周知の技術により短絡状態にある発光部と駆動回路２１１とが切り離されていても、有機ＥＬ素子２１０における発光領域の一部が欠けたように視認されることもない。第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれか一方が開放状態となり正常に動作しない場合においても同様である。
【０１０７】
また、実施例１の有機ＥＬ素子１１０にあっては、駆動トランジスタＴＲDが動作不良の場合には、滅点となることを避けることができない。これに対し、実施例２の有機ＥＬ素子２１０にあっては、第１駆動トランジスタＴＲD1及び第２駆動トランジスタＴＲD2のいずれか一方が動作不良となっても、滅点とならない利点を備えている。
【０１０８】
尚、実施例２の有機ＥＬ素子２１０においては、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれかが駆動回路２１１と切り離されていると、基本的には輝度は半減する。第１駆動トランジスタＴＲD1及び第２駆動トランジスタＴＲD2のいずれか一方が動作不良となったときも同様である。このような場合には、該当する有機ＥＬ素子２１０については、映像信号ＶSigの値を適宜修正して書き込む等の処理をすればよい。
【０１０９】
実施例２の有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ素子２１０の製造方法の概要を、以下、図１２の（Ａ）乃至（Ｃ）、図１３の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明する。
【０１１０】
［工程−２００］（図１２の（Ａ）及び（Ｂ）参照）
支持体２０上に、副画素を構成する有機ＥＬ素子２１０毎に、駆動回路２１１を構成するＴＦＴを周知の方法で作製する。図１２の（Ａ）は、第１駆動トランジスタＴＲD1を構成するＴＦＴを示す。第１駆動トランジスタＴＲD1の構成は、実施例１において図３の（Ａ）を参照して説明したＴＦＴと同様の構成であるので、同じ参照番号を付した。また、実施例１と同様に、容量部Ｃ1を構成する電極３７を、支持体２０上に形成した。
【０１１１】
また、実施例２においては、第２駆動トランジスタＴＲD2も作成する。図１２の（Ｂ）は、第２駆動トランジスタＴＲD2を構成するＴＦＴを示す。尚、以下の説明において参照する図面のうち、図１２の（Ｂ）のみが場所を異にした支持体等の模式的な一部端面図である。第２駆動トランジスタＴＲD2の構成は、第１駆動トランジスタＴＲD1の構成と同様であるので説明を省略する。尚、図１２の（Ｂ）においては、区別のため、第２駆動トランジスタＴＲD2の構成要素の参照番号にはダッシュを付して表した。尚、第１駆動トランジスタＴＲD1のゲート電極３１と、第２駆動トランジスタＴＲD2のゲート電極３１’とは接続されているが、接続部は隠れて見えない。
【０１１２】
［工程−２１０］（図１２の（Ｃ）参照）
次いで、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、全面に、導電材料層を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、容量部Ｃ1を構成する電極３８、及び、配線３９を形成する。また、併せて、図１２の（Ｂ）に示す第２駆動トランジスタＴＲD2のソース／ドレイン領域３６’に接続された電極２３８を形成する。
【０１１３】
尚、電極２３８とソース／ドレイン領域３６’との接続部は隠れて見えない。また、配線３９は第１駆動トランジスタＴＲD1のソース／ドレイン領域３５の他、第２駆動トランジスタＴＲD2のソース／ドレイン領域３５’にも接続されているが、この接続部も隠れて見えない。
【０１１４】
［工程−２２０］（図１３の（Ａ）参照）
その後、後述する一連の工程を行う。先ず、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、層間絶縁層４１、底部に電極３８の上面が露出した開口部５２’を形成した後、層間絶縁層４１上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、アルミニウムから成る下部電極５１、配線５３を形成する。下部電極５１は、開口部５２’内に設けられたコンタクトプラグ５２を介して、電極３８に電気的に接続されている。
【０１１５】
次いで、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、全面に、第２層間絶縁層４２を形成する。その後、［工程−１４０］と同様にして、第１有機層５４を形成する。先ず、底部に下部電極５１が露出した開口部５４’、底部に配線５３が露出した開口部５６’と、底部に電極２３８が露出した開口部５９’を形成し、その後、第１有機層５４を形成する。尚、実施例１とは、開口部５９’の底部に電極２３８が露出する点が相違する。
【０１１６】
［工程−２３０］（図１３の（Ｂ）参照）
その後、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、中間電極５５を形成する。以下、実施例１の［工程−１６０］乃至［工程−１７０］と同様の工程を行う。尚、実施例１とは、上部電極５８が、コンタクトプラグ５９により電極２３８に接続されている点が相違する。
【０１１７】
［工程−２４０］
次いで、実施例１の［工程−１８０］乃至［工程−１９０］と同様の工程を行う。これにより、図１０に示す有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【実施例３】
【０１１８】
実施例３は、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ素子、及び、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例３の有機ＥＬ素子３１０の模式的な一部断面図を図１４に示す。尚、実施例３の有機ＥＬ素子３１０は実施例１において説明した駆動回路１１１と同様の駆動回路を備えている。尚、説明の便宜のため、有機ＥＬ素子３１０を構成する駆動回路を駆動回路３１１と表す。実施例３の有機ＥＬ素子３１０の等価回路図は、実施例１において参照した図２に示す等価回路図と同様である。具体的には、図２において、参照番号１１０を参照番号３１０とし、参照番号１１１と参照番号３１１とすればよい。
【０１１９】
なお、実施例３の有機ＥＬ素子３１０を構成する第１中間電極は、実施例１及び実施例２において説明した中間電極５５と同様の構成である。説明の便宜のため、実施例３においては、第１中間電極についても参照番号５５を付して説明する。
【０１２０】
図１４等に示すように、有機ＥＬ素子３１０は、
（Ａ）所定の発光色を示す第１発光部ＥＬＰ1、
（Ｂ）第１発光部ＥＬＰ1の上側に設けられた、該所定の発光色を示す第２発光部ＥＬＰ2、及び、
（Ｃ）第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2とを駆動するための駆動回路３１１、
とを備えている。
【０１２１】
図１４に示すように、第１発光部ＥＬＰ1は、
（Ａ−１）下部電極５１、
（Ａ−２）下部電極５１の上に設けられた、発光層を含む第１有機層５４、及び、
（Ａ−３）第１有機層５４の上に設けられた、光透過性を有する第１中間電極５５、
から構成されており、
第２発光部ＥＬＰ2は、
（Ｂ−１）該第１中間電極５５の上に、光透過性を有する絶縁層３４５を介して設けられた、光透過性を有する第２中間電極３５５、
（Ｂ−２）第２中間電極３５５の上に設けられた、発光層を含む第２有機層３５７、及び、
（Ｂ−３）上部電極３５８、
から構成されている。また、下部電極５１及び上部電極３５８の少なくとも一方は光透過性を有している。実施例３の有機ＥＬ表示装置も上面発光型であり、上部電極３５８は光透過性を有している。駆動回路３１１は、第１発光部ＥＬＰ1及び第２発光部ＥＬＰ2を駆動するための駆動トランジスタＴＲDを備えており、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2は、駆動トランジスタＴＲDに接続されている。上述したように、駆動回路３１１の構成は、実施例１において説明した駆動回路１１１の構成と同様であるので、説明を省略する。
【０１２２】
実施例３にあっては、下部電極５１と第１中間電極５５は、それぞれ、第１発光部ＥＬＰ1のアノード電極とカソード電極を構成し、且つ、第２中間電極３５５と上部電極３５８は、それぞれ、第２発光部ＥＬＰ2のアノード電極とカソード電極を構成するとして説明する。尚、有機層の極性を変えて、下部電極５１と第１中間電極５５は、それぞれ、第１発光部ＥＬＰ1のカソード電極とアノード電極を構成し、且つ、第２中間電極３５５と上部電極３５８は、それぞれ、第２発光部ＥＬＰ2のカソード電極とアノード電極を構成する態様とすることもできる。
【０１２３】
図１４を参照して説明する。実施例１と同様に、駆動トランジスタＴＲD、容量部Ｃ1等は、層間絶縁層４１で覆われている。層間絶縁層４１上に、第１発光部ＥＬＰ1が設けられている。また、給電線ＰＳ２に相当する配線５３が、層間絶縁層４１上に設けられている。第１発光部ＥＬＰ1が設けられていない層間絶縁層４１の部分の上には、第２層間絶縁層４２が設けられている。第１発光部ＥＬＰ1のアノード電極を構成する下部電極５１は、層間絶縁層４１に設けられたコンタクトプラグ５２を介して電極３８に接続されている。第１発光部ＥＬＰ1のカソード電極を構成する第１中間電極５５は、第２層間絶縁層４２に設けられたコンタクトプラグ５６を介して、給電線ＰＳ２を構成する配線５３に接続されている。以上の構造は、実施例１において説明したと同様である。
【０１２４】
実施例３においては、第１発光部ＥＬＰ1を含む全面に、光透過性を有する絶縁層３４５が形成されている。そしてその上に、第２中間電極３５５、第２有機層３５７、上部電極３５８が積層され、第２発光部ＥＬＰ2を構成する。第２発光部ＥＬＰ2が設けられていない絶縁層３４５の部分の上には、第３層間絶縁層３４６が設けられている。第２発光部ＥＬＰ2のアノード電極を構成する第２中間電極３５５は、絶縁層３４５、第２層間絶縁層４２、及び、層間絶縁層４１に設けられたコンタクトプラグ３５６を介して電極３８に接続されている。第２発光部ＥＬＰ2のカソード電極を構成する上部電極３５８は、第３層間絶縁層３４６、絶縁層３４５、及び、第２層間絶縁層４２に設けられたコンタクトプラグ３５９を介して（図に示す例では、更にコンタクトプラグ５６を介して）、給電線ＰＳ２を構成する配線５３に接続されている。第２発光部ＥＬＰ2及び第３層間絶縁層３４６を含む全面には、絶縁性の保護膜３４７が設けられている。保護膜３４７の上には例えばガラスから成る基板６０が配されているが、保護膜３４７と基板６０とは、紫外線硬化型接着剤から成る接着層４４によって接着されている。発光した光は、基板６０を通過して、外部に出射される。
【０１２５】
実施例１とは異なり、実施例３の有機ＥＬ素子３１０にあっては、第１有機層５４と第２有機層３５７とは同じ極性を備えている。これにより、第１有機層と第２有機層の製造プロセスを共通化することができるといった利点を有する。
【０１２６】
また、実施例３においても、実施例１において説明したと同様の効果を得ることができる。即ち、実施例１において説明したと同様に、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2は並列に接続された状態にある。実施例１において説明したと同様に、例えば第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれか一方が短絡状態にあり、レーザリペア等の周知の技術により短絡状態にある発光部と駆動回路３１１とが切り離されている場合、正常に動作する発光部に流れる電流はＩdsとなる。第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれか一方が開放状態にある場合も同様である。また、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2とは平面状に並行に載置されておらず、重なった状態にある。従って、有機ＥＬ素子３１０における発光領域の一部が欠けたように視認されることもない。
【０１２７】
実施例３の有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ素子３１０の製造方法の概要を、以下、図１５の（Ａ）及び（Ｂ）、図１６の（Ａ）及び（Ｂ）、図１７の（Ａ）及び（Ｂ）、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）、図１９の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図２０を参照して説明する。
【０１２８】
［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１００］乃至［工程−１３０］と同様にして、実施例１において参照した図４の（Ｂ）に示す構造を得る。
【０１２９】
［工程−３１０］（図１５の（Ａ）及び（Ｂ）参照）
次いで、第１有機層５４と第１中間電極５５を形成する。先ず、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を行う。具体的には、底部に配線５３が露出した開口部５６’をエッチング法に基づき形成する。併せて、後述する開口部３５６’に対応する部分の第２層間絶縁層４２を除去する。その後、実施例１の［工程−１５０］と同様の工程を行い、第１中間電極５５の形成を行う。即ち、第２層間絶縁層４２の上方に第１中間電極５５を形成するためのメタルマスク（図示せず）を配置した状態で、第１有機層５４に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき、第１中間電極５５の形成を行う。第１中間電極５５は、コンタクトプラグ５６を介して配線５３と電気的に接続されている。
【０１３０】
［工程−３２０］（図１６の（Ａ）参照）
次いで、全面に、光透過性を有する絶縁層３４５を形成する。実施例３にあっては、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁層３４５をＣＶＤ法に基づき形成する。絶縁層３４５の形成は、第１中間電極５５を大気に暴露することなく、連続して行うことで、大気中の水分や酸素による第１有機層５４等の劣化を防止することができる。尚、ＣＶＤによるダメージが問題となるような場合には、絶縁層３４５を例えば真空蒸着法等により形成すればよい。
【０１３１】
［工程−３３０］（図１６の（Ｂ）及び図１７の（Ａ）参照）
その後、第２中間電極３５５を形成する。先ず、底部に電極３８が露出した開口部３５６’をエッチング法に基づき形成する。併せて、後述する開口部３５９’に対応する部分の絶縁層３４５を除去する。次いで、絶縁層３４５上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、ＩＴＯから成る第２中間電極３５５を形成する。第２中間電極３５５は、開口部３５６’内に設けられたコンタクトプラグ３５６を介して、電極３８に電気的に接続されている。尚、エッチングによるダメージを避けるため、絶縁層３４５をマスクを用いて成膜することにより、開口部３５６’を形成してもよい。同様に、第２中間電極３５５を、マスクを用いて形成してもよい。
【０１３２】
［工程−３４０］（図１７の（Ｂ）参照）
その後、全面に、第３層間絶縁層３４６を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、スピンコーティング法に基づき、厚さ１μｍのポリイミド樹脂から成る第３層間絶縁層３４６を形成する。
【０１３３】
［工程−３５０］（図１８の（Ａ）及び（Ｂ）参照）
次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程により、底部に第２中間電極３５５が露出した開口部３５７’をエッチング法に基づき形成する。また、併せて、底部にコンタクトプラグ５６が露出した開口部３５９’をエッチング法に基づき形成する。尚、開口部３５９’の底部に配線５３が露出する構成であってもよい。
【０１３４】
尚、［工程−３４０］において、第３層間絶縁層３４６を、例えば真空蒸着法によりマスクを用いて成膜することにより、開口部３５７’等を形成してもよい。この場合には、［工程−３５０］は不要である。
【０１３５】
開口部３５７’を囲む第３層間絶縁層３４６の部分は、なだらかな斜面を構成していることが好ましい。その後、開口部３５７’の底部に露出した第２中間電極３５５の部分の上から、開口部３５７’を取り囲む第３層間絶縁層３４６の部分に亙り、第２有機層３５７を形成する。
【０１３６】
尚、実施例１と実施例２では、第２有機層を形成する際には、第１有機層と積層の順序を逆にした。これに対し、実施例３においては、第２有機層は、第１有機層と同様の積層を行う。従って、第１有機層と第２有機層の形成プロセスを共通化することができる。
【０１３７】
［工程−３６０］（図１９の（Ａ）参照）
次いで、上部電極３５８の形成を行う。実施例１の［工程−１７０］と同様にして、第２有機層３５７の上方に上部電極３５８を形成するためのメタルマスク（図示せず）を配置した状態で、第２有機層３５７に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき、副画素を構成する有機ＥＬ素子３１０毎に上部電極３５８の形成を行う。第２有機層３５７を大気に暴露することなく、第２有機層３５７の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して上部電極３５８の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による第２有機層３５７等の劣化を防止することができる。具体的には、第１中間電極５５と同様の蒸着膜を成膜することで、上部電極３５８を得ることができる。上部電極３５８は、コンタクトプラグ３５９を介して、配線５３と電気的に接続されている。尚、上部電極３５８を、複数の有機ＥＬ素子３１０に共通する電極として設ける構成としてもよい。
【０１３８】
［工程−３７０］（図１９の（Ｂ）参照）
その後、実施例１の［工程−１８０］と同様にして、全面に、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁性の保護膜３４７を真空蒸着法に基づき形成する。保護膜３４７の形成は、上部電極３５８を大気に暴露することなく、上部電極３５８の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して行うことで、大気中の水分や酸素による第２有機層３５７等の劣化を防止することができる。
【０１３９】
［工程−３８０］（図２０参照）
次いで、実施例１の［工程−１９０］と同様にして、保護膜３４７と基板６０とを、紫外線硬化型接着剤から成る接着層４４によって接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。
【実施例４】
【０１４０】
実施例４も、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ素子、及び、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例４の有機ＥＬ素子４１０の模式的な一部断面図を図２１に示す。尚、実施例４の有機ＥＬ素子４１０は実施例２において説明した駆動回路２１１と同様の駆動回路を備えている。以上の点が相違する他、実施例４の有機ＥＬ素子４１０の構成は、実施例３の有機ＥＬ素子３１０と同様の構成である。
【０１４１】
尚、説明の便宜のため、有機ＥＬ素子４１０を構成する駆動回路を駆動回路４１１と表す。実施例４の有機ＥＬ素子４１０の等価回路図は、実施例２において参照した図１１に示す等価回路図と同様である。具体的には、図１１において、参照番号２１０を参照番号４１０とし、参照番号２１１を参照番号４１１とすればよい。
【０１４２】
実施例４の有機ＥＬ素子４１０においては、実施例３において説明した利点の他、実施例２において説明した利点をも備えている。
【０１４３】
即ち、実施例３の有機ＥＬ素子３１０にあっては、駆動トランジスタＴＲDが動作不良の場合には、滅点となることを避けることができない。これに対し、実施例４の有機ＥＬ素子４１０にあっては、第１駆動トランジスタＴＲD1及び第２駆動トランジスタＴＲD2のいずれか一方が動作不良となっても、滅点とならない利点を備えている。
【０１４４】
尚、実施例２において説明したと同様に、実施例４の有機ＥＬ素子４１０においては、第１発光部ＥＬＰ1と第２発光部ＥＬＰ2のいずれかが駆動回路４１１と切り離されていると、基本的には輝度は半減する。第１駆動トランジスタＴＲD1及び第２駆動トランジスタＴＲD2のいずれか一方が動作不良となったときも同様である。このような場合には、該当する有機ＥＬ素子４１０については、映像信号ＶSigの値を適宜修正して書き込む等の処理をすればよい。
【０１４５】
実施例４の有機ＥＬ素子４１０の製造方法は、基本的には、実施例２において説明した［工程−２００］乃至［工程−２１０］と同様の工程、実施例１において説明した［工程−１２０］乃至［工程−１３０］、実施例３において説明した［工程−３１０］乃至［工程−３８０］の工程を、順次、行えばよい。尚、実施例３とは異なり［工程−３３０］を行う際に、開口部３５６’の底部に電極２３８が露出する点が相違する。
【０１４６】
以上、好ましい実施例に基づき本発明を説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。実施例における有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子の構成、構造、製造方法、有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子を構成する材料等は例示であり、適宜変更することができる。
【０１４７】
例えば、実施例１乃至実施例４に示す有機ＥＬ素子にあっては、有機層の極性を変えることにより、カソード電極とアノード電極との関係を入れ替えた構成としてもよい。
【０１４８】
また、実施例２乃至実施例４においても、駆動回路をｐチャネル型トランジスタから構成した態様とすることもできる。
【０１４９】
また、例えば、実施例３のように各発光部が独立したアノード電極とカソード電極を備えている構成にあっては、図２２に示すように、第１発光部と第２発光部とを直列に接続する構成とすることもできる。
【０１５０】
また、上部電極と下部電極との間に、所定の発光色を示す発光層を備えた有機層を、複数積層した構成としてもよい。この構成によれば、一部有機層が短絡状態等により動作不良となっても、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光領域の一部が欠けたように視認されることがない。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】図１は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の等価回路図である。
【図３】図３の（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図４】図４の（Ａ）乃至（Ｃ）は、図３の（Ｃ）に引き続き、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図４の（Ｃ）に引き続き、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｂ）に引き続き、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図８】図８は、変形例の有機エレクトロルミネッセンス素子の等価回路図である。
【図９】図９は、変形例の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図１１】図１１は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス素子の等価回路図である。
【図１２】図１２の（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１２の（Ｃ）に引き続き、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４は、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図１５】図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１５の（Ｂ）に引き続き、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１７】図１７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１６の（Ｂ）に引き続き、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１８】図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１７の（Ｂ）に引き続き、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１９】図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１８の（Ｂ）に引き続き、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２０】図２０は、図１９の（Ｂ）に引き続き、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２１】図２１は、実施例４の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図２２】図２２は、有機エレクトロルミネッセンス素子の等価回路図である。
【図２３】図２３は、駆動回路を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた、アクティブマトリクス方式の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。
【図２４】図２４は、有機エレクトロルミネッセンス素子の等価回路図である。
【図２５】図２５の（Ａ）は、複数の発光部を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の等価回路図である。図２５の（Ｂ）は、複数の発光部を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１００・・・電源部、１０１・・・走査回路、１０２・・・信号出力回路、１０，１１０，２１０，３１０，４１０・・・有機ＥＬ素子、１１，１１１，２１１，３１１，４１１・・・駆動回路、２０・・・支持体、２１・・・層間絶縁層、２２・・・アノード電極、２３・・・有機層、２４・・・カソード電極、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３４・・・チャネル形成領域、３５・・・ソース／ドレイン領域、３６・・・ソース／ドレイン領域、３７・・・電極、３８・・・電極、３９・・・配線、４１・・・層間絶縁層、４２・・・第２層間絶縁層、４３・・・保護膜、４４・・・接着層、５１・・・下部電極、５２’・・・開口部、５２・・・コンタクトプラグ、５３・・・配線、５４’・・・開口部、５４・・・有機層、５５・・・中間電極（第１中間電極）、５６’・・・開口部、５６・・・コンタクトプラグ、５７・・・有機層、５８・・・上部電極、５９’・・・開口部、５９・・・コンタクトプラグ、６０・・・基板、２３８・・・電極、３４５・・・絶縁層、３４６・・・第３層間絶縁層、３５５・・・中間電極、３５６・・・コンタクトプラグ、３５６・・・開口部、３５７・・・開口部、３５７・・・有機層、３５８・・・上部電極、３５９・・・コンタクトプラグ、３５９・・・開口部、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＰＳ１・・・給電線、ＰＳ２・・・給電線、ＥＬＰ・・・発光部、ＥＬＰ1・・・第１発光部、ＥＬＰ2・・・第２発光部、ＣEL・・・発光部の容量、ＣEL1・・・第１発光部の容量、ＣEL2・・・第２発光部の容量、ＴＲW・・・書込みトランジスタ、ＴＲD・・・駆動トランジスタ、ＴＲD1・・・第１駆動トランジスタ、ＴＲD2・・・第２駆動トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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