(57)【要約】【課題】封止層におけるクラックを発生が低減された信頼性の高い有機ＥＬ装置を得る。【解決手段】周囲を隔壁で囲まれた島状の第１電極２５と、第１電極２５を覆う発光機能層２６と、発光機能層２６を覆う第２電極２７と、からなる有機ＥＬ素子２９が基板１０上に規則的に配置されてなり、かつ有機ＥＬ素子２９を覆う封止層８５がさらに配置されてなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板１０上に第１絶縁材料層７２を形成する第１工程と、第１絶縁材料層７２上に画素電極２５を形成する第２工程と、画素電極２５を覆う第２絶縁材料層７６を形成する第３工程と、第２絶縁材料層７６を画素電極２５の少なくとも一部が露出し、かつ隣り合う画素電極２５間の中央部に凹部１６が生じるようにパターニングする第４工程と、パターニング後の第２絶縁材料層７６を加熱溶融して隔壁７７とする第５工程と、を順に行なう有機ＥＬ装置の製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲を隔壁で囲まれた島状の第１の電極と、前記第１の電極を覆う少なくとも有機ＥＬ層を含む発光機能層と、前記発光機能層を覆う第２の電極と、からなる有機ＥＬ素子が基板上に規則的に配置されてなり、かつ、前記有機ＥＬ素子を覆う封止層がさらに配置されてなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上の全面に第１の絶縁材料層を形成する第１の工程と、
前記第１の絶縁材料層上に前記第１の電極を形成する第２の工程と、
前記第１の電極を覆う第２の絶縁材料層を形成する第３の工程と、
前記第２の絶縁材料層を、前記第１の電極の少なくとも一部が露出し、かつ隣り合う前記第１の電極間の中央部に該中央部の両隣りの領域に対して凹んだ凹部が形成されるようにパターニングする第４の工程と、
パターニング後の前記第２の絶縁材料層をメルトベークして隔壁とする第５の工程と、
を順に行なうことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１の工程と前記第２の工程との間、または前記第２の工程と前記第３の工程との間に、隣り合う前記第１の電極間において前記第１の絶縁材料層を所定の深さまでエッチングして溝部を形成する第６の工程をさらに行なうことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第３の工程は感光性の絶縁材料からなる前記第２の絶縁材料層を形成する工程であり、
前記第４の工程は、前記中央部をハーフ露光することにより前記凹部を形成する工程であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法により製造された有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）現象を利用した装置の１つとして、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置がある。かかるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、一般に、画素電極と有機ＥＬ層を含む発光機能層と共通電極とが積層されてなる有機ＥＬ素子が、基板上に規則的に配置されてなる。有機ＥＬ素子の上層には水分等の滲入を抑制するための封止層が形成されており、隣り合う画素電極間には該画素電極を互いに電気的に独立させるための隔壁が形成されている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２８８０１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
かかる構成を有する（従来の）有機ＥＬ装置においては、隔壁と画素電極との接合部が封止層に与える影響が問題となり得る。図５に、従来の有機ＥＬ装置の模式断面図を示す。図５は、後述する本発明の実施形態における図２に対応する図であり、各構成要素の名称及び符号等は、該図２の説明で記載されている。そこで、かかる説明は省略して上述の接合部についてのみ述べる。
【０００５】
隣り合う第１の電極としての画素電極２５間を区画する隔壁７７は、絶縁材料層をフォトリソグラフィー法によるパターニングで形成されており、画素電極２５の表面に対して５０度ないし８０度の傾きを有する側面と、上記表面に略平行な上面とを備えている。したがって、隔壁７７と画素電極２５との接合部において、隔壁７７は画素電極２５の表面から５０度ないし８０度の角度で立ち上がっている。かかる隔壁と画素電極との接合部を、以下、立ち上がり部１２と称する。
【０００６】
立ち上がり部１２において封止層８５は強く屈曲しているため、形成時において層厚が不均一に成りがちであり、また使用時における温度変化等によるストレスも集中しがちである。そのため、かかる立ち上がり部１２では、封止層８５にクラック等が生じる可能性があり、有機ＥＬ装置の信頼性を低下させかねないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］周囲を隔壁で囲まれた島状の第１の電極と、上記第１の電極を覆う少なくとも有機ＥＬ層を含む発光機能層と、上記発光機能層を覆う第２の電極と、からなる有機ＥＬ素子が基板上に規則的に配置されてなり、かつ、上記有機ＥＬ素子を覆う封止層がさらに配置されてなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記基板上の全面に第１の絶縁材料層を形成する第１の工程と、上記第１の絶縁材料層上に上記第１の電極を形成する第２の工程と、上記第１の電極を覆う第２の絶縁材料層を形成する第３の工程と、上記第２の絶縁材料層を、上記第１の電極の少なくとも一部が露出し、かつ隣り合う上記第１の電極間の中央部に該中央部の両隣りの領域に対して凹んだ凹部が形成されるようにパターニングする第４の工程と、パターニング後の上記第２の絶縁材料層をメルトベークして隔壁とする第５の工程と、を順に行なうことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【０００９】
このような製造方法であれば、上記第１の電極の表面からなだらかに立ち上がる側面を有する隔壁を形成できる。したがって、上述のクラック等の発生を抑制でき、信頼性の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００１０】
［適用例２］上述の有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記第１の工程と上記第２の工程との間、または上記第２の工程と上記第３の工程との間に、隣り合う上記第１の電極間において上記第１の絶縁材料層を所定の深さまでエッチングして溝部を形成する第６の工程をさらに行なうことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１１】
このような製造方法であれば、上述のなだらかに立ち上がる側面を容易に形成できる。したがって製造コストの上昇を抑制しつつ、信頼性の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００１２】
［適用例３］上述の有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記第３の工程は感光性の絶縁材料からなる上記第２の絶縁材料層を形成する工程であり、上記第４の工程は、上記中央部をハーフ露光することにより上記凹部を形成する工程であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１３】
このような製造方法であれば、上述のなだらかに立ち上がる側面を容易に形成できる。したがって製造コストの上昇を抑制しつつ、信頼性の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００１４】
［適用例４］上述の製造方法により製造された有機ＥＬ装置。
【００１５】
このような構成の有機ＥＬ装置であれば、製造コストを殆んど増加させることなく高い信頼性を実現できる。
【００１６】
［適用例５］上述の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【００１７】
このような構成によれば、製造コストを殆んど上昇させることなく、信頼性が向上した電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照し、第１の実施形態としてアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置について説明し、続けて第２及び第３の実施形態としてかかる有機ＥＬ装置の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の全体構成を示す回路構成図である。有機ＥＬ装置１は、表示領域１００と該表示領域の周辺部に形成された周辺領域（符号無し）とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０３と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の電源線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と電源線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０３の中心線で規定される方形の区画毎に３種類の有機ＥＬ画素３０（赤色有機ＥＬ画素３０Ｒ、緑色有機ＥＬ画素３０Ｇ、青色有機ＥＬ画素３０Ｂ、）が規則的に形成されている。
【００２０】
なお、有機ＥＬ画素３０に付記されているアルファベットは該有機ＥＬ画素に対応するカラーフィルター６１（図２参照）の色に対応しており、各有機ＥＬ画素３０に対応する発光領域（符号無し）から射出される光の色を表わしている。以下の記載において、対応する色を区別しない場合には、単に有機ＥＬ画素３０と称する。
【００２１】
有機ＥＬ装置１はアクティブマトリクス型の表示装置であり、各々の有機ＥＬ画素３０は、走査線１０３を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画像信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子２９等からなる。なお、有機ＥＬ画素３０とは、上述の各要素等で構成される機能的な概念である。それに対して、上述した発光領域は、平面視において後述するブラックマトリクス６２（図２参照）で囲まれた平面的な概念であり、色相、強度等が面内で均一となる最小の領域である。
【００２２】
周辺領域には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査線１０３に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は信号線１０４に画像信号を供給する。電源線１０６には図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
【００２３】
走査線１０３が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から第１の電極としての画素電極２５（図２参照）に駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２９は駆動電流の大きさに応じて発光する。そして、カラーフィルター６１（図２参照）により３原色光のいずれかの光となって、各々の有機ＥＬ画素３０に対応する発光領域から射出される。個々の有機ＥＬ画素３０毎の発光が上述の各種信号により制御されることで、表示領域１００にカラー画像が形成される。
【００２４】
図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、隣り合う第１の電極としての画素電極２５間を区画する隔壁７７の断面形状に特徴がある。そこで、図２では、該画素電極を含む有機ＥＬ素子２９と該有機ＥＬ素子を駆動する駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）１１２の断面を表示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略している。以下、素子基板１０側から順に説明する。
【００２５】
ＴＦＴ１１２は素子基板１０上に形成されている。なお、素子基板１０との界面に別途保護層を形成してもよい。ＴＦＴ１１２は、半導体層３１と、走査線１０３と同一の層をパターニングして形成されたゲート電極３３、及び、半導体層３１とゲート電極３３との間に形成されたゲート絶縁層７０等からなる。半導体層３１のうちゲート電極３３と重なる領域がチャネル領域３８であり、該チャネル領域の両側にソース領域３５とドレイン領域３６とが形成されている。
【００２６】
ＴＦＴ１１２の対向基板１１側には、窒化シリコン、又は酸化シリコンからなる層間絶縁層７１が形成されている。なお、以下の記載において、「対向基板１１側」を「上面」又は「上層」と表記する。ソース領域３５は、層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してソース電極５３と電気的に接続されており、同様にドレイン領域３６は層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してドレイン電極５４と電気的に接続されている。
【００２７】
ソース電極５３とドレイン電極５４との上層には、窒化シリコンからなる第１の保護層７３と第１の絶縁材料層としての平坦化層７２とが順に積層されている。平坦化層７２の層厚は略２．０μｍであり、形成材料にはアクリル樹脂等の有機系材料を用いることが好ましい。平坦化層７２の上層における所定の領域には反射層２８が形成されている。上記「所定の領域」とは、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を含む領域である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は矢印の方向に光を射出するトップエミッション型であり、反射層２８は、有機ＥＬ素子２９の発光を上層方向に反射する機能を果たしている。そのため、反射層２８は将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を少なくとも含むように形成される。反射層２８の形成材料は、反射率が高く加工性（パターニング性）に優れた材料が好ましい。したがって、反射層２８は、Ａｌ（アルミニウム）等で形成することが好ましい。反射層２８の上面は、窒化シリコンからなる第２の保護層７４で覆われている。該第２の保護層は、画素電極２５の形成時に反射層２８を保護する機能を果たしている。
【００２８】
反射層２８の形成領域を含む平坦化層７２の上面には、該反射層を覆うように画素電極２５が、ＴＦＴ１１２毎に形成されている。かかる画素電極２５は、コンタクトホール５１を介してドレイン電極５４と導通している。画素電極２５は、後述する第２の電極としての陰極２７よりも仕事関数が高く、かつ導電性を有する材料で形成されていることが必要である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１では、画素電極２５を透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）で形成している。なお、画素電極２５を反射性の金属材料で形成した場合、反射層２８は必須の構成要素には含まれない。
【００２９】
隣り合う画素電極２５間には、隔壁７７が形成されている。隔壁７７は、後述するように層厚略２．０μｍの第２の絶縁材料層としての感光性アクリル層７６（図３参照）をパターニング及びベークして形成されている。上記層厚はベーク後の層厚である。かかるパターニングは、該隔壁の側面の傾斜ができる限り低角度となるように行なわれている。したがって、上述した従来の有機ＥＬ装置の隔壁７７とは異なり、本実施形態の有機ＥＬ装置１の隔壁７７は最大高さ（素子基板１０の法線方向の寸法）は変わらないが、明確に上面となる領域が少なく、上面と側面とがなだらかに連続している。したがって、立ち上がり部１２の（画素電極２５の表面に対する）角度が低角度化されている。後述するように、かかる立ち上がり部１２の形状により、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は信頼性が向上している。
なお該パターニングにより生じる開口領域（符号無し）すなわち画素電極２５が露出する領域が、有機ＥＬ層内で生じた光が射出される領域であり、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域である。
【００３０】
隔壁７７の上層、及び該隔壁のパターニングにより露出した画素電極２５の上層には、発光機能層２６が形成されている。発光機能層２６は、素子基板１０側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機ＥＬ層と電子輸送層と電子注入層との計５層が積層されて形成されている。本実施形態の有機ＥＬ装置１の有機ＥＬ層は白色光を発光する層であり、上述の３種類の有機ＥＬ画素３０（図１参照）間で共通である。
【００３１】
発光機能層２６の上面には、第２の電極としての陰極２７が形成されている。陰極２７は共通電極であり、素子基板１０の表示領域１００の全域に形成されている。したがって、隔壁７７で囲まれた領域内において画素電極２５と発光機能層２６と陰極２７の積層体が形成される。かかる積層体が有機ＥＬ素子２９である。
【００３２】
本実施形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるため、陰極２７は導電性と共に、透明性又は半透過反射性を有することが必要である。一方で、陰極２７は画素電極２５の形成材料よりも仕事係数が低い材料で形成される必要がある。したがって、層厚数ｎｍ〜十数ｎｍのＡｌ（アルミニウム）あるいはＭｇＡｇ（マグネシウム・銀）合金等で形成することが好ましい。なお、隔壁７７上に補助陰極配線を形成して陰極２７を低抵抗化すると、表示領域１００に占める発光が射出される面積を低下させずに表示品質を向上できる。
【００３３】
陰極２７の上層には、水分や酸素に弱い陰極２７や発光機能層２６を大気から遮断して保護するために、封止層８５が形成されている。封止層８５は、順に積層された酸化シリコン層とエポキシ樹脂層と酸化シリコン層との計３層の層からなり、全体で略０．５μｍの層厚を有している。そして、該封止層まで形成された素子基板１０は、接着層７８を介して対向基板１１と貼り合わされている。対向基板１１の素子基板１０と対向する側の面にカラーフィルター層６０が配置されており、上記の面の反対側の面には、外光反射を抑制するための円偏光板８８が配置されている。
【００３４】
カラーフィルター層６０は、カラーフィルター６１とカラーフィルター６１間に形成されたブラックマトリクス６２とからなる。カラーフィルター６１は３原色である赤、緑、青、のいずれかの色に着色された透明性を有する樹脂層である。各々の有機ＥＬ素子２９で形成された光、は該カラーフィルターにより３原色のいずれかの色の光とされて矢印に示すように対向基板１１側に射出される。ブラックマトリクス６２は隣り合う有機ＥＬ素子２９間の混色を抑制するために形成された遮光性を有する層であり、平面視で隔壁７７と略重なる領域に形成されている。
【００３５】
（本実施形態の効果）
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、立ち上がり部１２の角度が低角度化された隔壁７７を有している。そして、該隔壁の上層を（発光機能層２６と陰極２７とを介して）封止層８５が覆っている。上述したように封止層８５は３層構造を有している。かかる３層のうち、エポキシ樹脂層は流体を塗布後硬化させる手法により形成されるため、下層の形状の影響を受けることは少ない。また該エポキシ樹脂層の上層の酸化シリコン層も、下層が該エポキシ樹脂層により平坦化されているため、隔壁７７の形状によらず欠陥等の発生は抑制される。
【００３６】
しかし、最下層の酸化シリコン層は下層の形状の影響を直接受ける。したがって、立ち上がり部１２の角度が大きい場合、欠陥の発生の可能性が高まる。本実施形態の有機ＥＬ装置１は該立ち上がり部が低角度化されているため、最上層の酸化シリコン層と同様に、欠陥等の発生は抑制されている。すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、隣り合う有機ＥＬ素子間の間隔、及び隔壁７７の高さ等が従来の有機ＥＬ装置と略同一であるにもかかわらず、欠陥の発生の可能性が抑制された封止層８５を有している。その結果、水分の滲入等に対する信頼性が向上している。
【００３７】
（第２の実施形態）
次に第２の実施形態として、上述の低角度化された立ち上がり部１２を有する隔壁７７の製造方法について述べる。図３（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態にかかる隔壁７７の形成方法を示す工程断面図である。以下、順に説明する。
【００３８】
まず、第１の工程として、上述のＴＦＴ１１２等（不図示）の上層に第１の絶縁材料層としての平坦化層７２を形成する。そして、図３（ａ）に示すように、第２の工程として平坦化層７２上に第２の保護層７４で覆われた反射層２８と、該反射層を覆う島状の画素電極２５と、を形成する。そして、第６の工程として、平坦化層７２の画素電極２５間の領域の少なくとも一部を所定の深さまでエッチングして、溝部１５を形成する。なお、ＴＦＴ１１２（図２参照）と画素電極２５とを接続するコンタクトホール５１（図２参照）は図示を省略している。隣り合う画素電極２５の間隔は略４．０μｍである。
【００３９】
かかる各要素を形成する順序、すなわち、溝部１５を他の要素に対してどのような順序で形成するかは、１つには限定されず、ある程度任意に設定できる。反射層２８を形成後、コンタクトホール５１と溝部１５とを同時に形成し、その後窒化シリコン層の成膜とパターニングにより第２の保護層７４を形成し最後に画素電極２５を形成することが好ましい。
【００４０】
平坦化層７２が感光性アクリル樹脂等で形成されている場合、ハーフ露光により溝部１５をコンタクトホール５１に比べて浅く形成することができる。したがって、かかる順序であれば、従来の隔壁７７の形成工程と比べて工数を増加させることなく溝部１５を形成できる。
【００４１】
第２の保護層７４を形成後にコンタクトホール５１と溝部１５とを同時に形成してもよい。また、第２の保護層７４の前段階である窒化シリコン層を形成後にコンタクトホール５１と溝部１５とを同時に形成し、次に上記窒化シリコン層をパターニングして第２の保護層７４を形成してもよい。双方の順序とも、工数を増加させることなく溝部１５を形成できる。
【００４２】
また、コンタクトホール５１を形成後に窒化シリコン層を成膜し、該窒化シリコン層のパターニング後に溝部１５を形成してもよい。工数は増加するものの、コンタクトホール５１と溝部１５とを夫々別工程で形成するため、双方の工程を最適な条件で実施できる。
【００４３】
次に、図３（ｂ）に示すように、第３の工程として画素電極２５等が形成された平坦化層７２上の全面に、第２の絶縁材料層としての感光性アクリル層７６を形成する。該形成時に平面視で溝部１５と重なる領域には、該溝部に合せて感光性アクリル材料が凹んで凹部１６が形成される。感光性アクリル層７６の形成方法は、該感光性アクリルの前駆体をスピンコート法で塗布した後、硬化させる方法が好ましい。かかる形成方法では、塗布された流動性を有する該前駆体が溝部１５を満たして平坦化する傾向を有する。したがって、凹部１６の断面形状は溝部１５の該形状よりも小さくなり勝ちであり、溝部１５を大きめに形成する必要がある。すなわち、必要とされる大きさの凹部１６が得られるように、上述の第６の工程において溝部１５の大きさを設定する。
【００４４】
感光性アクリル層７６の層厚は、２．０〜３．０μｍが好ましい。後述するように、本実施形態の隔壁７７の形成方法は加熱により該感光性アクリル層を縮小変形させる。したがって、従来の隔壁７７の形成方法に比べて、感光性アクリル層７６は厚めに形成する必要がある。
【００４５】
次に、図３（ｃ）に示すように、第４の工程として、感光性アクリル層７６を、将来的に隔壁７７が形成される領域にのみに残るようにパターニングする。該パターンにより、画素電極２５の上面が露出される。そして、表示領域１００（図１参照）内の、画素電極２５の形成領域を除く領域には、凹部１６をそのまま残した、略台形状の断面を有する感光性アクリル層７６のパターンが形成される。ここで、画素電極２５と感光性アクリル層７６は略５．５μｍの重なり部を有する。すなわち、隣り合う画素電極２５の間隔は略４．０μｍであるから、感光性アクリル層７６は略１５．０μｍの幅を有する。
【００４６】
次に、図３（ｄ）に示すように、第５の工程として、上述の感光性アクリル層７６のパターンをメルトベーク（加熱溶融）して隔壁７７を形成する。ここでメルトベークとは、加熱により流動性を生じさせつつ溶媒成分を除去して固形化する手法を意味している。加熱により生じた流動性により、上述の感光性アクリル層７６のパターンは、中央部の凹部１６を両側から埋めるように変形しつつ収縮する。その結果、図示するように、中央部が若干盛り上がり画素電極２５の表面から該中央部にかけてなだらかに立ち上がる側面を有する隔壁７７、すなわち立ち上がり部１２の角度が低角度化された隔壁７７が形成される。
【００４７】
上述したように、かかる態様の隔壁７７は封止層８５（図２参照）における欠陥の発生を抑制できる。したがって、本実施形態の製造方法によれば水分の滲入等に対する信頼性が向上した隔壁７７を形成でき、最終的には信頼性が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００４８】
立ち上がり部１２の角度は、２０度〜４０度が好ましい。かかる範囲の角度であれば、封止層８５における欠陥の発生を略完全に抑制できる。ここで、隣り合う画素電極２５を覆う感光性アクリル層７６の幅は略１５．０μｍであり、隔壁７７の高さは上述のメルトベーク後で略２．０μｍである。特に、隔壁７７の高さは上述の補助陰極配線（段落００３２参照）を形成する際の蒸着マスクの保持のために１．５μｍを確保することが好ましい。したがって、隔壁７７を、略三角形の断面を有するように、すなわち上面の平坦部がなくなるように形成すると、上述の角度はＴａｎ−１（１．５μｍ／７．５μｍ）により略１１度まで下げることができる。
【００４９】
しかし、隔壁７７は、上述の補助陰極配線（段落００３２参照）を形成する際の蒸着マスクの保持、及び、陰極２７と他の配線（走査線１０３、信号線１０４、及び電源線１０６）との間の容量の低減等機能を果たす必要があり、本来は、隔壁７７の頂上部に所定の幅の平坦部を形成することが好ましい。しかしながら、本第２の実施形態における製造方法では、実際には断面形状で曲面（円弧）となる隔壁７７が形成される。この場合であっても上記機能は果たし、隣り合う画素電極２５を覆う感光性アクリル層７６の幅が略１５．０μｍであって、隔壁７７の高さが１．５μｍの場合、立ち上がり部１２の角度は略２０度以上となる。また、経験的に立ち上がり部１２の角度が４０度を大きく超えると、封止層８５に欠陥が発生する可能性が生じ始めることも判明している。したがって、上述したように立ち上がり部１２の角度は２０度〜４０度の範囲内であることが好ましい。
【００５０】
しかし、隔壁７７は、上述の補助陰極配線（段落００３２参照）を形成する際の蒸着マスクの保持、及び、陰極２７と他の配線（走査線１０３、信号線１０４、及び電源線１０６）との間の容量の低減等機能を果たす必要があり、少なくとも２．０μｍ以上の（幅の）平坦部が必要である。したがって、画素電極２５の間隔が略８．０μｍの場合立ち上がり部１２の角度は略２０度以上となる。また、経験的に立ち上がり部１２の角度が４０度を大きく超えると、封止層８５に欠陥が発生する可能性が生じ始めることも判明している。したがって、上述したように立ち上がり部１２の角度は２０度〜４０度の範囲内であることが好ましい。
【００５１】
上述の角度はメルトベーク条件と凹部１６の形状で定まり、凹部１６の形状は溝部１５で定まる。したがって、最終的に上述の範囲内の角度の立ち上がり部１２が得られるように、溝部１５の形状を設定する必要がある。
【００５２】
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形にかかる隔壁７７の製造方法について述べる。図４（ａ）〜（ｄ）は、第３の実施形態にかかる隔壁７７の形成方法を示す工程断面図である。以下、順に説明する。
【００５３】
まず、第１の工程として、図４（ａ）に示すように、上述のＴＦＴ１１２等（不図示）の上層に第１の絶縁材料層としての平坦化層７２を形成する。そして第２の工程として平坦化層７２上に第２の保護層７４で覆われた反射層２８と、該反射層を覆う島状の画素電極２５と、を形成する。そしてさらに、第３の工程として、画素電極２５等が形成された平坦化層７２上の全面に、第２の絶縁材料層としてのポジ型の感光性アクリル層７６を形成する。
【００５４】
次に、第４の工程として、図４（ｂ）に示すように、光強度差マスク２０を用いて、感光性アクリル層７６に領域毎に異なる強度の紫外線２４を照射して露光させる。そして露光後の感光性アクリル層７６を現像して、凹部１６を有するパターニングされた感光性アクリル層７６を得る。
【００５５】
光強度差マスク２０は、画素電極２５の平面視での形状に合わせて、透光性基体２１上に遮光層２２と半透過層２３とを夫々局所的に配置して形成されている。具体的には、隣り合う画素電極２５間に平面視で対応する領域には、半透過層２３を両側から挟むように遮光層２２が配置されている。画素電極２５に平面視で対応する領域には上述のいずれの層も配置されておらず、透光性基体２１のみが対向している。したがって、隣り合う画素電極２５間の領域は、両側が全く露光されず中央部がハーフ露光された状態となる。
【００５６】
次に、上述の露光後の感光性アクリル層７６を現像して、図４（ｃ）に示すように将来的に隔壁７７が形成される領域のみに残るようにパターニングされた感光性アクリル層７６を得る。上述のハーフ露光されていた領域は層厚方向の一部が現像される。したがって、両側の領域に比べて凹んだ凹部１６が形成される。
【００５７】
次に、図４（ｄ）に示すように、第５の工程として、上述の感光性アクリル層７６のパターンをメルトベークして隔壁７７を形成する。上述の第２の実施形態における隔壁７７の形成時と同様に、加熱により生じた流動性により、立ち上がり部１２の角度が低角度化された隔壁７７が形成される。
【００５８】
上述したように、かかる態様の隔壁７７は封止層８５（図２参照）における欠陥の発生を抑制できる。したがって、本実施形態の製造方法によれば、上述の第２の実施形態の製造方法と同様に、水分の滲入等に対する信頼性が向上した隔壁７７を形成でき、最終的には信頼性が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００５９】
また、本実施形態の製造方法によれば、上述の信頼性が向上した有機ＥＬ装置を、製造コストを増加させることなく得ることができる。感光性アクリル層７６をパターニングする工程、及びパターニング後にベークする工程は、従来の有機ＥＬ装置の製造工程においても必要な工程である。そして、溝部１５を形成することなく凹部１６を形成しているため、平坦化層７２をパターニングする工程を要していない。したがって、従来の有機ＥＬ装置の製造工程における感光性アクリル層７６のパターニング時に、局所的なハーフ露光が可能なフォトマスクを用いることで立ち上がり部１２の角度が低角度化された隔壁７７を形成でき、製造コストを増加させることなく信頼性が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００６０】
（電子機器）
次に、上述の各実施形態のいずれかにかかる有機ＥＬ装置を電子機器に適用した例について説明する。図６は、電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの斜視図である。パーソナルコンピューター９０は、各種の画像を表示する表示部９２と、キーボード９４等が設置された本体部９１とを具備する。そして、キーボード９４を用いて入力された内容等の様々な情報等を、表示部９２に表示する。
【００６１】
ここで、表示部９２は、内部に、上述の有機ＥＬ装置を備えており、該有機ＥＬ装置により表示を行なっている。上述したように、かかる有機ＥＬ装置は、封止層にクラック等が発生する可能性が低減されているため、信頼性が向上している。したがって、パーソナルコンピューター９０は、従来のパーソナルコンピューターに比べて周囲の環境に留意することなく使用することが可能となっている。
【００６２】
（変形例１）
上述の各実施形態においては、トップエミッション型の有機ＥＬ装置について述べてきた。しかし、本発明はボトムエミッション型の有機ＥＬ装置における隔壁７７の形成にも適用可能である。ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置は上述の補助陰極配線を必要としていないが、隣り合う画素電極２５間の絶縁、及び陰極２７と配線との間の容量の低減のために、隔壁７７を必要としている。したがって、封止層８５の欠陥の発生の可能性を有しており、上述の各実施形態でのべた手法を用いることで信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図。
【図２】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図３】第２の実施形にかかる隔壁の形成方法を示す工程断面図。
【図４】第３の実施形にかかる隔壁の形成方法を示す工程断面図。
【図５】従来の有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図６】電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの斜視図。
【符号の説明】
【００６４】
１…第１の実施形態の有機ＥＬ装置、１０…素子基板、１１…対向基板、１２…立ち上がり部、１５…溝部、１６…凹部、２０…光強度差マスク、２１…透光性基体、２２…遮光層、２３…半透過層、２４…紫外線、２５…第１の電極としての画素電極、２６…発光機能層、２７…第２の電極としての陰極、２８…反射層、２９…有機ＥＬ素子、３０…有機ＥＬ画素、３０Ｒ…赤色有機ＥＬ画素、３０Ｇ…緑色有機ＥＬ画素、３０Ｂ…青色有機ＥＬ画素、３１…半導体層、３３…ゲート電極、３５…ソース領域、３６…ドレイン領域、３８チャネル領域、５１…コンタクトホール、５３…ソース電極、５４…ドレイン電極、６０…カラーフィルター層、６１…カラーフィルター、６２…ブラックマトリクス、７０…ゲート絶縁層、７１…層間絶縁層、７２…第１の絶縁材料層としての平坦化層、７３…第１の保護層、７４…第２の保護層、７６…第２の絶縁材料層としての感光性アクリル層、７７…隔壁、７８…接着層、８５…封止層、８８…円偏光板、９０…電子機器としてのパーソナルコンピューター、９１…本体部、９２…表示部、９４…キーボード、１００…表示領域、１０３…走査線、１０４…信号線、１０６…電源線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線。
【図１】
2010165612.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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