(57)【要約】【課題】製造工程を簡略化して製造コストを引き下げることが可能となる高周波基板を提供する。【解決手段】第１の誘電体基板１１に第１の導体層１１１を設け、第２の誘電体基板１２に第２の導体層１２１を設け、第１の導体層１１１と第２の導体層１２１とを電気的に接触させるように、第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつける。また、第１の誘電体基板１１に第１の導体層１１４をスルーホール１１２の周囲に、他のスルーホール１１２の周囲の第１の導体層１１４と接触しないように設け、第２の誘電体基板１２に第２の導体層１２４をスルーホール１２２の周囲に、他のスルーホール１２２の周囲の第２の導体層１２４と接触しないように設け、第１の導体層１１４と第２の導体層１２４とを電気的に接触させるように、第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面に第１の接地導体を有し、前記第１の面と対向する第２の面にパターニングされた第１の導体層を有する第１の誘電体基板と、
前記第１の導体層に電気的に接するパターニングされた第２の導体層を第１の面に有し、前記第２の導体層と同じ面に前記第２の導体層と電気的に接続しないように設けられたストリップ線路を有し、前記第１の面と対向する第２の面に第２の接地導体を有する第２の誘電体基板と、
を備えることを特徴とする高周波基板。
【請求項２】
前記第１の誘電体基板が複数のスルーホールをさらに備え、前記第１の導体層が前記スルーホールの周囲に、他のスルーホールの周囲の第１の導体層と接触しないようにパターニングされており、
前記第２の誘電体基板が複数のスルーホールをさらに備え、前記第２の導体層が前記スルーホールの周囲に、他のスルーホールの周囲の第２の導体層と接触しないようにパターニングされている、
ことを特徴とする請求項１記載の高周波基板。
【請求項３】
前記第１の誘電体基板が前記第２の面に前記ストリップ線路と接触する補助導体を備えることを特徴とする請求項１記載の高周波基板。
【請求項４】
前記複数のスルーホールが、１／４波長未満の間隔をあけて設けられていることを特徴とする請求項２記載の高周波基板。
【請求項５】
前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板とが、前記第１の導体層と前記第２の導体層とが接触するように組みつけられていることを特徴とする請求項１記載の高周波基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波基板に係り、特に製造工程が簡略化された高周波基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波基板はアイソレーションの向上などを目的として多層化されることが多い。例えば、両面に接地導体を有する誘電体基板の内部にストリップ線路を備えた３導体ストリップ線路などが用いられる。
【０００３】
このような従来の多層高周波基板は、接地導体、ストリップ線路、誘電体基板を積層し、これをプレスしながら加熱する工程を要していた（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−２０９９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このため、多層高周波基板を製造するにあたってはプレス機と加熱器を用意しなければならず、また、加工費用もかかり、製造コストが高いという問題点があった。
【０００５】
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、製造工程を簡略化して製造コストを引き下げることが可能となる高周波基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的を達成するために本発明は、第１の面に第１の接地導体を有し、第１の面と対向する第２の面にパターニングされた第１の導体層を有する第１の誘電体基板と、ストリップ線路と、第１の導体層に電気的に接するパターニングされた第２の導体層を第１の面に有し、第２の導体層と電気的に接続しないように第２の導体層と同じ面にストリップ線路を有し、第１の面と対向する第２の面に第２の接地導体を有する第２の誘電体基板と、を備えることを特徴とする高周波基板を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、加圧して加熱する工程を要しないため、安価な高周波基板を提供することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明による高周波基板の一実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態の高周波基板の分解斜視図である。図１に示すように、本実施形態の高周波基板は第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを備える。第１の誘電体基板１１は第１の面１に第１の接地導体２１を有する。
【００１０】
第１の誘電体基板１１は第１の面と対向する第２の面に任意の形状にパターニングされた第１の導体層１１１を有する。図１においては第１の導体層１１１は破線にて示されている。
【００１１】
また、第１の誘電体基板１１は、内部を導体によってメッキされた複数のスルーホール１１２を有する。このスルーホール１１２はメッキ層によって、第１の接地導体と第１の導体層１１１とを電気的に接続している。
【００１２】
スルーホール１１２同士の間隔は伝達する高周波信号の波長より十分に短い距離がとられている。この距離は例えば１／４波長未満であることが望ましい。これ以上になるとノイズが伝送路に漏出する。
【００１３】
第２の誘電体基板１２は、ストリップ線路１３を第１の面２に有し、第１の導体層１１１に接する任意の形状にパターニングされた第２の導体層１２１を第１の面に有し、第１の面２と対向する第２の面に第２の接地導体３１を有する。
【００１４】
すなわち、第２の誘電体基板１２は、第２の導体層１２１と同じ面に第２の導体層１２１と電気的に接続しないように設けられたストリップ線路１３を有する。
【００１５】
また、第２の誘電体基板１２は、内部を導体によってメッキされた複数のスルーホール１２２を有する。このスルーホール１２２はメッキ層によって、第２の接地導体と第２の導体層１２１とを電気的に接続している。
【００１６】
スルーホール１２２同士の間隔は伝達する高周波信号の波長より十分に短い距離がとられている。この距離は例えば１／４波長未満であることが望ましい。これ以上になるとノイズが伝送路に漏出する。
【００１７】
第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつけたとき、第１の誘電体基板１１のスルーホール１１２と第２の誘電体基板１２のスルーホール１２２とが合わさるように、スルーホール１１２とスルーホール１２２とが配置されている。
【００１８】
第１の誘電体基板１１はねじ穴１１３を有し、第２の誘電体基板１２はねじ穴１２３を有する。第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とは組みつけられて、ねじにより筐体に固定される。
【００１９】
図２は、本実施形態の高周波基板の斜視図である。図２に示すように、第１の誘電体基板１１の第２の面と第２の誘電体基板１２の第１の面２とは向かい合って組みつけられる。このため、第１の導体層１１１と第２の導体層１２１とは電気的に接触する。
【００２０】
第１の誘電体基板１１の第２の面と第２の誘電体基板１２の第１の面２とを向かい合わせて組みつけると、図２に示すように３導体ストリップ線路が構成される。このため、高周波における電磁シールド性が強化され、不要輻射や線路間干渉が抑えられる。
【００２１】
図３は、図２におけるＡＡ線断面図である。図３に示すように、第１の誘電体基板１１は、第１の誘電体層２０の第１の面１に第１の接地導体２１を有し、第２の面に第１の導体層１１１を有する。第１の接地導体２１と、スルーホール１１２の内部と第１の導体層１１１とは第１のメッキ層２２によって被覆されている。
【００２２】
また、第２の誘電体基板１２は、第２の誘電体層３０の第１の面２に第２の導体層１２１とストリップ線路１３を有し、第２の面に第２の接地導体３１を有する。第２の接地導体３１と、スルーホール１２２の内部と第２の導体層１２１とは第２のメッキ層３２によって被覆されている。
【００２３】
図３に示すように、第１の導体層１１１と第２の導体層１２１とは第１のメッキ層２２と第２のメッキ層３２とを介して電気的に接触している。
【００２４】
ここで、ストリップ線路１３の周囲には空隙が存在する。このため、本実施形態の高周波基板はこの空隙も条件として含めて設計される。
【００２５】
以上述べたように、本実施形態の高周波基板は、第１の誘電体基板１１に第１の導体層１１１を設け、第２の誘電体基板１２に第２の導体層１２１を設け、第１の導体層１１１と第２の導体層１２１とを電気的に接触させるように、第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつける。このため、加圧して加熱する工程を要しないため、安価な高周波基板を提供することができるという効果がある。
【００２６】
（第２の実施形態）
図４は第２の実施形態の高周波基板の分解斜視図である。図４に示すように、本実施形態の高周波基板は第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを備える。第１の誘電体基板１１は第１の面１に第１の接地導体２１を有する。
【００２７】
第１の誘電体基板１１は内部がメッキされたスルーホール１１２を有する。第１の誘電体基板１１は第１の面１と対向する第２の面に第１の導体層１１４を有する。図４に示すように第１の導体層１１４はスルーホール１１２の周囲に、他のスルーホール１１２の周囲の第１の導体層１１４と接触しないようにパターニングされている。すなわち、第１の導体層１１４はスルーホール１１２ごとに他の第１の導体層１１４から独立してパターニングされている。
【００２８】
スルーホール１１２はメッキ層によって、第１の接地導体と第１の導体層１１４とを電気的に接続している。スルーホール１１２同士の間隔は伝達する高周波信号の波長より十分に短い距離がとられている。この距離は例えば１／４波長未満であることが望ましい。これ以上になるとノイズが伝送路に漏出する。
【００２９】
第２の誘電体基板１２は内部がメッキされたスルーホール１２２を有する。第２の誘電体基板１２は、ストリップ線路１３を第１の面２に有し、第１の導体層１１４に接する第２の導体層１２４を第１の面２に有し、前記第１の面と対向する第２の面に第２の接地導体３１を有する。
【００３０】
第２の誘電体基板１２は、第２の導体層１２４と同じ面に第２の導体層１２４と電気的に接続しないように設けられたストリップ線路１３を有する。
【００３１】
図４に示すように第２の導体層１２４はスルーホール１２２の周囲に、他のスルーホール１２２の周囲の第２の導体層１２４と接触しないようにパターニングされている。すなわち、第２の導体層１２４はスルーホール１２２ごとに他の第２の導体層１２４から独立してパターニングされている。
【００３２】
スルーホール１２２はメッキ層によって、第２の接地導体と第２の導体層１２４とを電気的に接続している。スルーホール１２２同士の間隔は伝達する高周波信号の波長より十分に短い距離がとられている。この距離は例えば１／４波長未満であることが望ましい。これ以上になるとノイズが伝送路に漏出する。
【００３３】
第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつけたとき、第１の誘電体基板１１のスルーホール１１２と第２の誘電体基板１２のスルーホール１２２とが合わさるように、スルーホール１１２とスルーホール１２２とが配置されている。
【００３４】
第１の誘電体基板１１はねじ穴１１３を有し、第２の誘電体基板１２はねじ穴１２３を有する。第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とは組みつけられて、ねじにより筐体に固定される。
【００３５】
図５は、本実施形態の高周波基板の斜視図である。図５に示すように、第１の誘電体基板１１の第２の面と第２の誘電体基板１２の第１の面とは向かい合って組みつけられる。このため、第１の導体層１１４と第２の導体層１２４とは電気的に接触する。
【００３６】
第１の誘電体基板１１の第２の面と第２の誘電体基板１２の第１の面２とを向かい合わせて組みつけると、図５に示すように３導体ストリップ線路が構成される。このため、高周波における電磁シールド性が強化され、不要輻射や線路間干渉が抑えられる。
【００３７】
図６は、図５におけるＢＢ線断面図である。図６に示すように、第１の誘電体基板１１は、第１の誘電体層２０の第１の面１に第１の接地導体２１を有し、第２の面に第１の導体層１１４を有する。第１の接地導体２１と、スルーホール１１２の内部と第１の導体層１１４とは第１のメッキ層２２によって被覆されている。
【００３８】
また、第２の誘電体基板１２は、第２の誘電体層３０の第１の面２に第２の導体層１２４とストリップ線路１３を有し、第２の面に第２の接地導体３１を有する。第２の接地導体３１と、スルーホール１２２の内部と第２の導体層１２４とは第２のメッキ層３２によって被覆されている。
【００３９】
図６に示すように、第１の導体層１１４と第２の導体層１２４とは第１のメッキ層２２と第２のメッキ層３２とを介して電気的に接触している。
【００４０】
ここで、ストリップ線路１３の周囲には空隙が存在する。このため、本実施形態の高周波基板はこの空隙も条件として含めて設計される。
【００４１】
以上述べたように、本実施形態の高周波基板は、第１の誘電体基板１１に第１の導体層１１４をスルーホール１１２の周囲に、他のスルーホール１１２の周囲の第１の導体層１１４と接触しないように設け、第２の誘電体基板１２に第２の導体層１２４をスルーホール１２２の周囲に、他のスルーホール１２２の周囲の第２の導体層１２４と接触しないように設け、第１の導体層１１４と第２の導体層１２４とを電気的に接触させるように、第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつける。このため、金属部分が従来の高周波基板より減少し、この分だけ高周波基板の重量を軽くできるという効果がある。
【００４２】
（第３の実施形態）
図７は第３の実施形態の高周波基板の分解斜視図である。図７に示すように、本実施形態の高周波基板は第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを備える。第１の誘電体基板１１は第１の面１に第１の接地導体２１を有する。
【００４３】
第１の誘電体基板１１は第１の面と対向する面に任意の形状にパターニングされた第１の導体層１１１と、補助導体１４と、を有する。図７においては第１の導体層１１１と補助導体１４は破線にて示されている。
【００４４】
また、第１の誘電体基板１１は、内部を導体によってメッキされた複数のスルーホール１１２を有する。このスルーホール１１２はメッキ層によって、第１の接地導体と第１の導体層１１１とを電気的に接続している。
【００４５】
スルーホール同士の間隔は伝達する高周波信号の波長より十分に短い距離がとられている。この距離は例えば１／４波長未満であることが望ましい。これ以上になるとノイズが伝送路に漏出する。
【００４６】
第２の誘電体基板１２は、ストリップ線路１３を第１の面２に有し、第１の導体層１１１に接する任意の形状にパターニングされた第２の導体層１２１を第１の面２に有し、前記第１の面と対向する第２の面に第２の接地導体３１を有する。
【００４７】
すなわち、第２の誘電体基板１２は、第２の導体層１２１と同じ面に第２の導体層１２１と電気的に接続しないように設けられたストリップ線路１３を有する。
【００４８】
また、第２の誘電体基板１２は、内部を導体によってメッキされた複数のスルーホール１２２を有する。このスルーホール１２２はメッキ層によって、第２の接地導体と第２の導体層１２１とを電気的に接続している。
【００４９】
スルーホール同士の間隔は伝達する高周波信号の波長より十分に短い距離がとられている。この距離は例えば１／４波長未満であることが望ましい。これ以上になるとノイズが伝送路に漏出する。
【００５０】
第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつけたとき、第１の誘電体基板１１のスルーホール１１２と第２の誘電体基板１２のスルーホール１２２とが合わさるように、スルーホール１１２とスルーホール１２２とが配置されている。
【００５１】
第１の誘電体基板１１はねじ穴１１３を有し、第２の誘電体基板１２はねじ穴１２３を有する。第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とは組みつけられて、ねじにより筐体に固定される。
【００５２】
補助導体１４は、ストリップ線路１３と同一の形状をしていても、異なる形状をしていてもよい。補助導体１４は第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつけたとき、電気的に接続するように厚さが設けられ、電気的に接続するように配置される。
【００５３】
図８は、本実施形態の高周波基板の斜視図である。図８に示すように、第１の誘電体基板１１の第２の面と第２の誘電体基板１２の第１の面２とは向かい合って組みつけられる。このため、第１の導体層１１１と第２の導体層１２１とは電気的に接触する。また、ストリップ線路１３と補助導体１４とは電気的に接触する。
【００５４】
第１の誘電体基板１１の第２の面と第２の誘電体基板１２の第１の面２とを向かい合わせて組みつけると、図８に示すように３導体ストリップ線路が構成される。このため、高周波における電磁シールド性が強化され、不要輻射や線路間干渉が抑えられる。
【００５５】
図９は、図８におけるＣＣ線断面図である。図９に示すように、第１の誘電体基板１１は、第１の誘電体層２０の第１の面１に第１の接地導体２１を有し、第２の面に第１の導体層１１１と、補助導体１４と、を有する。第１の接地導体２１と、スルーホール１１２の内部と第１の導体層１１１とは第１のメッキ層２２によって被覆されている。
【００５６】
また、第２の誘電体基板１２は、第２の誘電体層３０の第１の面２に第２の導体層１２１とストリップ線路１３を有し、第２の面に第２の接地導体３１を有する。第２の接地導体３１と、スルーホール１２２の内部と第２の導体層１２１とは第２のメッキ層３２によって被覆されている。
【００５７】
図９に示すように、第１の導体層１１１と第２の導体層１２１とは第１のメッキ層２２と第２のメッキ層３２とを介して電気的に接触している。
【００５８】
ここで、ストリップ線路１３の周囲には空隙が存在する。このため、本実施形態の高周波基板はこの空隙も条件として含めて設計される。
【００５９】
以上述べたように、本実施形態の高周波基板は、第１の誘電体基板１１に第１の導体層１１１と、補助導体１４とを設け、第２の誘電体基板１２に第２の導体層１２１とストリップ線路１３と、を設け、第１の導体層１１１と第２の導体層１２１とを電気的に接触させ、補助導体１４とストリップ線路１３とを接触させるように、第１の誘電体基板１１と第２の誘電体基板１２とを組みつける。このため、本実施形態の高周波基板は従来の高周波基板と高周波特性がより近似し、容易に設計できるうえ、製造工程が簡略なため製造コストを引き下げることができるという効果がある。また、所望の性能が得られずに導体層のパターンを修正する必要が発生した場合などにおいても、修正にかかる費用を安価に抑えることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１の実施形態の高周波基板の分解斜視図である。
【図２】第１の実施形態の高周波基板の斜視図である。
【図３】図２におけるＡＡ線断面図である。
【図４】第２の実施形態の高周波基板の分解斜視図である。
【図５】第２の実施形態の高周波基板の斜視図である。
【図６】図５におけるＢＢ線断面図である。
【図７】第３の実施形態の高周波基板の分解斜視図である。
【図８】第３の実施形態の高周波基板の斜視図である。
【図９】図８におけるＣＣ線断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１１：第１の誘電体基板
１２：第２の誘電体基板
１３：ストリップ線路
１４：補助導体
１１１：第１の導体層
１１２：スルーホール
１１４：第１の導体層
１２１：第２の導体層
１２２：スルーホール
１２４：第２の導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010050253.tif 000009
【図８】
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【図９】
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