(57)【要約】【課題】フォトマスクの高信頼性を十分に保ちつつも、フォトマスクの再製造を可及的に抑えて高い製品歩留まりを容易に達成し、製品納期の遵守及び製造コスト・価格の低廉なフォトマスクを可能する。【解決手段】いくつかのチップ領域が不良であっても、一定の条件を満たす場合には当該フォトマスクを製品として供するものであり、フォトマスクの信頼性の保持及び不良チップ領域の容易且つ確実な認知を可能とすべく、フォトマスクごとに各チップ領域について検査し、その検査結果を用いて予め規定された判定基準と比較する。比較の結果、当該判定基準を満たす場合には、当該フォトマスク群を良品であると判定し、製品として供する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を製造するに際して、
前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、
作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う工程と、
前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する工程と
を含み、
前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記複数のチップ領域は全て同一種類のものであり、
前記判定基準は、前記複数のチップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記複数のチップ領域は、２種類以上の前記チップ領域からなり、
前記判定基準は、前記チップ領域ごとに規定され、前記各チップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記フォトマスク群のうち、所定の前記フォトマスクを前記検査する以前に、前記チップ領域の少なくとも１つが不良品と判定された前記フォトマスクが存在する場合に、
前記不良品と判定された前記チップ領域と同位置に対応する、前記所定の前記フォトマスクの前記チップ領域の前記検査を省略することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
基板に複数のチップが形成されてなる電子デバイスの製造方法であって、
それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて前記複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を判定する第１の工程と、
前記フォトマスク群を用いて前記各チップ領域を基板上に重畳転写し、前記基板上に前記複数のチップを形成する第２の工程と
を含み、
前記第１の工程は、
前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、
作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う工程と、
前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する工程と
を含み、
前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記判定基準は、前記第２の工程を行う第２の作業部から、前記第１の工程を行う第１の作業部へ送信され、
前記フォトマスクごとの前記判定結果は、前記第１の工程を行う第１の作業部から、前記第２の工程を行う第２の作業部へ送信されることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、電子デバイスの各種固体素子の作製における微細パターンの形成に用いられるフォトマスクの製造方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、フォトマスクは、トランジスタや半導体メモリ、磁気デバイス等の各種固体素子を備えた電子デバイスの製造における微細パターンの形成に用いられている。
上記の微細パターンを形成するには、ステッパ等の露光装置を用いて、フォトマスクには、例えば各チップ領域が配設されており、各チップ領域に設けられたマスクパターンを基板上に露光転写する。この露光転写を含めた各種製造プロセスにより、基板上には複数のチップが並列形成される。複数のチップ領域が配設されたフォトマスクの一例が特許文献１に開示されている。
【０００３】
フォトマスクは、被転写対象である基板の各チップに対応した各チップ領域について、その全てが良品（不良のチップ領域が存在しない）となるように製造されている。通常、１つでも不良のチップ領域が存在すれば、当該フォトマスクは製品として供されることはなく、再製造の対象とされる。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１６７５６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近時では、半導体装置に代表される電子デバイスの素子サイズの微細化・高集積化の要請が高まっており、この要請に応えるべく、フォトマスクのマスクパターンの微細化が進行している。このようなフォトマスクの製造においては、製造歩留まりが低く、各チップ領域について不良部分が存在しない完全良品であるフォトマスクを製造することは非常に困難であり、フォトマスクが再製造となる割合が高い。
【０００６】
上記のように、近時のフォトマスクは再製造を要する割合が高く、製品歩留まりが低いという問題がある。この問題に伴い、フォトマスクを製品として供する際の納期を遵守することが困難であり、製造コスト等の上昇によりフォトマスクの価格が高額となるという問題もある。
【０００７】
本件は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、フォトマスクの高信頼性を十分に保ちつつも、フォトマスクの再製造を可及的に抑えて高い製品歩留まりを容易に達成し、製品納期の遵守及び製造コスト・価格の低廉なフォトマスクを可能するフォトマスクの製造方法及びシステム、並びに当該フォトマスクを用いた電子デバイスの製造方法及びシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本件のフォトマスクの製造方法は、それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を製造するに際して、前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う工程と、前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する工程とを含み、前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定する。
【０００９】
本件の電子デバイスの製造方法は、基板に複数のチップが形成されてなる電子デバイスの製造方法であって、それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて前記複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を判定する第１の工程と、前記フォトマスク群を用いて前記各チップ領域を基板上に重畳転写し、前記基板上に前記複数のチップを形成する第２の工程とを含み、前記第１の工程は、前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う工程と、前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する工程とを含み、前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定する。
【００１０】
本件のフォトマスクの製造システムは、それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を製造するに際して、前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う検査部と、前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する判定部とを含み、前記判定部は、前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定する。
【００１１】
本件の電子デバイスの製造システムは、基板に複数のチップが形成されてなる電子デバイスの製造システムであって、それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて前記複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を製造する第１の作業部と、前記フォトマスク群を用いて前記各チップ領域を基板上に重畳転写し、前記基板上に前記複数のチップを形成する第２の作業部とを含み、前記第１の作業部は、前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う工程と、前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する工程とを含み、前記判定部は、前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定する。
【発明の効果】
【００１２】
本件によれば、フォトマスクの高信頼性を十分に保ちつつも、フォトマスクの再製造を可及的に抑えて高い製品歩留まりを容易に達成し、製品納期の遵守及び製造コスト・価格の低廉なフォトマスクの提供が可能となる。
また、当該フォトマスクを用いることにより、高性能で歩留まりの高い電子デバイスを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
―本件の基本骨子―
基板に複数のチップを露光転写する際には、それぞれ複数のチップ領域を有し、各チップ領域が重畳転写されて複数のチップの形成に供される１セットのフォトマスクからなるフォトマスク群を用いる。各フォトマスクには、各チップを構成する構成要素（例えばＭＯＳトランジスタであれば、素子分離領域、ゲート電極、コンタクト孔、配線等）に対応したマスクパターンを持つチップ領域が設けられている。これらのフォトマスクを基板上に順次重畳的に露光することにより、各チップが形成される。
【００１４】
本件では、各チップ領域の全てが良品となるフォトマスクのみを製品として供するのではなく、いくつかのチップ領域が不良であっても、一定の条件を満たす場合には当該フォトマスクを製品として供することを提案する。
この場合、フォトマスクの信頼性の保持及び不良チップ領域の容易且つ確実な認知を可能とすべく、フォトマスクごとに各チップ領域について検査し、その検査結果を用いて予め規定された判定基準と比較する。比較の結果、当該判定基準を満たす場合には、当該フォトマスク群を良品であると判定し、製品として供する。
【００１５】
ここで、フォトマスクの複数のチップ領域の形態としては、全て同一種類のものである場合と、２種類以上のチップ領域からなる場合とがある。後者の形態としては、いくつかの同一チップ領域が集合してなるチップ領域群が構成され、相異なる複数のチップ領域群が形成されることがある。本件では、これらの形態に対応した判定基準を提示する。即ち、前者の場合には、複数のチップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値を当該判定基準とする。一方、後者の場合には、チップ領域（或いは各チップ領域群）ごとに規定され、各チップ領域（或いは各チップ領域群）のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値を当該判定基準とする。
【００１６】
具体的に、各フォトマスクの判定に際しては、フォトマスク群のうち、所定のフォトマスクを検査する以前に、チップ領域の少なくとも１つが不良品と判定されたフォトマスクが存在する場合には、以下のように判定を行うことが好適である。即ちこの場合、不良品と判定されたチップ領域と同位置に対応する、所定のフォトマスクのチップ領域の検査を省略する。また、不良品と判定されたチップ領域と同位置に対応する、所定のフォトマスクのチップ領域にダミーパターンを形成するようにしても良い。
【００１７】
本件では、チップの形成に使用する１セットのフォトマスクであるフォトマスク群のセット情報（当該フォトマスク群の系列を示す情報）を基に、１セット中の各フォトマスクで許容される不良品のチップ領域数或いは１セット中の各フォトマスクで要求される良品のチップ領域数を明定する。そして、基板に露光転写された場合に不良チップとなる箇所を明確化すべく、フォトマスク群を通して不良チップとなる箇所を特定する。
【００１８】
本件では、フォトマスク群について、明確な判定基準によりその製品としての良否を判定し、良品とされたフォトマスク群をその判定結果である不良品チップ領域情報（フォトマスク群における不良品チップ領域の情報）と共に提供する。この構成を採ることにより、不良チップ領域を含むフォトマスク群であっても、当該不良品チップ領域を容易且つ的確に把握し、当該フォトマスク群に対応した基板上の不良品チップの位置を的確にマーキングすることが可能となる。これにより、不良品チップ領域を含むフォトマスク群が製品として供されても、当該フォトマスク群における良品チップ領域のみを適宜に利用することができる。
【００１９】
―本件を適用した好適な諸実施形態―
以下、本件を適用した具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
本実施形態では、フォトマスクの製造方法について説明する。本実施形態により製造されるフォトマスクは、トランジスタや半導体メモリ等の半導体装置の製造に用いられるものである。なお、本件のフォトマスクとしては、半導体装置以外にも、例えば液晶装置や磁気デバイス等の各種電子デバイスにも適用可能である。
【００２１】
図１は、第１の実施形態により製造されるフォトマスク群を模式的に示す斜視図である。
このフォトマスク群１００は、複数のフォトマスク（ここでは、フォトマスク１０１〜１０３を例示する。以下同様）からなる。フォトマスク１０１〜１０３には、複数のチップ領域、ここでは半導体チップ領域１１１〜１１３（ここでは、３×６の半導体チップ領域１１１〜１１３を例示する。）が配設されている。フォトマスク１０１とフォトマスク１０２とフォトマスク１０３とでは、同位置に配設された、半導体チップ領域１１１と半導体チップ領域１１２と半導体チップ領域１１３とが対応している。
なお、各半導体チップ領域１１１（又は１１２，１１３）は、全て同一の場合と、２種類以上から構成される場合とがあるが、ここでは便宜上、各フォトマスクの各半導体チップ領域を個々に区別しない。
【００２２】
図２は、第１の実施形態により製造されるフォトマスク群を用いて半導体基板に各半導体チップが形成された様子を模式的に示す平面図である。
フォトマスク群１００を用いて、フォトマスク１０１〜１０３を基板、ここではシリコン基板１１４上に順次に露光し、半導体チップ領域１１１〜１１３がシリコン基板１１４上に重畳的に転写される。この露光工程を含めた諸工程により、シリコン基板１１４上に各チップ、ここでは各半導体チップ１１５が形成される。
【００２３】
図３は、第１の実施形態に用いられる半導体装置の製造システムを模式的に示すブロック図である。
この製造システムは、第１の作業部１及び第２の作業部２を備えて構成されている。
第１の作業部１は、第２の作業部２から依頼を受けてフォトマスク群１００の製造を実行し、フォトマスク群１００及びその付帯情報を第２の作業部２に供する作業部である。
一方、第２の作業部２は、フォトマスク群１００の製造依頼元であり、製造されたフォトマスク群１００及びその付帯情報を用いて電子デバイスの製造を実行する作業部である。
第１の作業部１と第２の作業部２は、同一の企業内に設置されている場合もあれば、第１の作業部１が第２の作業部２の補助機関（いわゆる手足）を担う場合等もある。後者のような場合には、第１の作業部１による本件の実施は、第２の作業部２の実施と同視されるものである。
【００２４】
第２の作業部２は、情報送信部１１及び情報受信部１２を備えている。
情報送信部１１は、フォトマスク群１００の製造を第１の作業部１に依頼するに際して、フォトマスク群１００の付帯情報を第１の作業部１に送信する。この付帯情報は、フォトマスク群の系列を示す情報（系列情報）、半導体チップ領域１１１〜１１３の各種情報、及び判定基準である不良品半導体チップ領域数の上限値（又は良品半導体チップ領域数の下限値）である。
情報受信部１２は、第１の作業部１から送信されたフォトマスク群１００の不良品半導体チップ領域情報を受信する。
【００２５】
更に第２の作業部２は、デバイス製造部２１を備えている。このデバイス製造部２１は、各種リソグラフィー装置、各種エッチング装置、各種成膜装置、イオン注入装置、熱処理装置等を有している。
各種リソグラフィー装置は、露光装置を含むフォトマスクを用いたリソグラフィーを行うための装置群である。各種エッチング装置は、ドライエッチング装置やウェットエッチング装置等の装置群である。各種成膜装置は、ＣＶＤ装置やスパッタ装置、真空蒸着等の装置群である。
なお、このデバイス製造部２１は、主に後述する第２の実施形態で用いられるものであり、本実施形態では、第１の作業部１と、デバイス製造部２１を除く第２の作業部２とにより、フォトマスクの製造システムが構成される。
【００２６】
第１の作業部１は、パターン描画部１３、マスク検査部１４、第１の情報格納部１５、第２の情報格納部１６、マスク判定部１７、情報送信部１８を備えている。ここで、パターン描画部１３、マスク検査部１４、マスク判定部１７、情報送信部１８は、第１の作業部１の制御部２０により統括制御される。この制御部２０は、例えばコンピュータの中央処理装置（ＣＰＵ）を有して構成される。
【００２７】
パターン描画部１３は、例えば電子線描画装置等を備えており、マスクパターンデータに基づいてフォトマスクの基板に所定のマスクパターンを描画形成する。
マスク検査部１４は、例えばパターン検査装置（ＳＥＭ等を含む）等を備えており、各半導体チップ領域におけるマスクパターンの適否を検査する。マスクパターンの欠陥としては、マスクパターンデータと異なる形状（異物部分の付加、一部の欠如等）、断線等がある。
第１の情報格納部１５は、ハードディスク等の各種記録媒体、或いはデータベース等であり、第２の作業部２の情報送信部１１から送信されたフォトマスク群１００の付帯情報を記憶する。
第２の情報格納部１６は、ハードディスク等の各種記録媒体、或いはデータベース等であり、フォトマスク群１００を構成するフォトマスク１０１〜１０３に関する不良品半導体チップ領域情報（これら不良品半導体チップ領域の位置情報を含む。）を記憶する。
【００２８】
マスク判定部１７は、マスク検査部１４による検査結果、第１の情報格納部１５に記憶された付帯情報、及び第２の情報格納部１６に格納された不良品半導体チップ領域情報（判定対象であるフォトマスクの以前に取得したフォトマスクの不良品半導体チップ領域情報）に基づき、当該フォトマスクの良否を判定する。
情報送信部１８は、マスク判定部１７により取得したフォトマスク群１００の不良品半導体チップ領域情報を第２の作業部２の情報受信部１２に送信する。
【００２９】
以下、上記したフォトマスク群１００の製造方法について説明する。図４は、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を工程順に示すフロー図である。
先ず、第２の作業部２の情報送信部１１は、フォトマスク群１００の製造を第１の作業部１に依頼する際に（ステップＳ１）、フォトマスク群１００の付帯情報を第１の作業部１に送信する（ステップＳ２）。情報送信部１１から送信された付帯情報は、第２の作業部２の第１の情報格納部１５に記憶される。
【００３０】
付帯情報の一例について説明する。
フォトマスクの各半導体チップ領域が全て同一の場合では、不良半導体チップ領域数情報としては、例えば以下のようになる。
不良品半導体チップ領域数の上限値：８
または、
良品チップ領域取得率（良品半導体チップ領域数の下限値の割合）：８０％
【００３１】
フォトマスクの各半導体チップ領域が２種類以上から構成される場合では、不良半導体チップ領域数情報としては、例えば以下のようになる。
Ａ１／２
ここで、
Ａ１：デバイスデータＮｏ.（半導体チップ領域の種類を示す符号）、／２：許容される不良品半導体チップ領域数である。
或いは、
Ａ１／８０
ここで、Ａ１：デバイスデータＮｏ.、／８０：良品チップ領域取得率である。
【００３２】
系列情報としては、例えば以下のようになる。
フォトマスクの名称：０００１／Ａ０１，０００１／Ｂ０１，０００１／Ｃ０２・・・・
ここで、０００１：品種名、／Ａ：工程名、０１：版数である。
【００３３】
フォトマスクの各半導体チップ領域の情報としては、例えば以下のようになる。
デバイスデータの配置情報：Ａ１／１０００，２０００
ここで、Ａ１：デバイスデータＮｏ.、／１０００，２０００:配置座標Ｘ，配置座標Ｙである。
デバイスデータサイズ：Ａ１／３０００，４０００
ここで、Ａ１：デバイスデータＮｏ.、／３０００，４０００:デバイスデータサイズＸｓ，Ｙｓである。
【００３４】
第１の作業部１は、第２の作業部２によるフォトマスク群１００の製造依頼を受けてフォトマスク群１００の製造を開始する。
第１の作業部１は、フォトマスク群１００を構成する各フォトマスク１０１〜１０３について、例えばフォトマスク１０１からフォトマスク１０３まで順次に作製してゆく。以下、説明の便宜上、フォトマスク１０１〜１０３のうちのいずれか１つのフォトマスクを製造対象（以下、対象フォトマスクと呼ぶ。）として説明する。
【００３５】
先ず、パターン描画部１３は、マスクパターンデータに基づいて対象フォトマスクの基板に所定のマスクパターンを描画形成する（ステップＳ３）。マスクパターンの描画により、対象フォトマスクの各半導体チップ領域が形成される。
【００３６】
続いて、マスク検査部１４は、対象フォトマスクの各半導体チップ領域におけるマスクパターンの適否を検査する（ステップＳ４）。
当該検査の結果、所定の半導体チップ領域に欠陥が確認された場合、この不良品半導体チップ領域の位置情報は、以下のようにデータ化される。
対象フォトマスク上の基準点：（０，０）
欠陥座標：（Ｘａ，Ｙａ）
デバイスデータ配置座標：（Ｘｂ，Ｙｂ）
デバイスデータサイズ：（Ｘｓ，Ｙｓ）
ここで、欠陥座標Ｘａは、
Ｘｂ−Ｘｓ／２≦Ｘａ≦Ｘｂ＋Ｘｓ／２
となる。また、欠陥座標Ｙaは、
Ｙｂ−Ｙｓ／２≦Ｙａ≦Ｙｂ＋Ｙｓ／２
となる。これにより、欠陥のある不良品半導体チップ領域は、図５の斜線を付した部分の半導体チップ領域であることが特定される。
【００３７】
続いて、制御部２０は、ステップＳ３の検査結果に基づき、対象フォトマスクが完全な良品（全ての半導体チップ領域に欠陥がない）か否かを判断する（ステップＳ５）。
対象フォトマスクが完全な良品でない（少なくとも１つの半導体チップ領域に欠陥がある）場合には、当該対象フォトマスクの名称と共に欠陥半導体チップ領域の位置情報が、マスク検査部１４による検査結果の一環として、第２の情報格納部１６に記憶される。その後、ステップＳ６へ進む。
一方、対象フォトマスクが完全な良品である場合には、後述するステップＳ７へ進む。
【００３８】
続いて、マスク判定部１７は、マスク検査部１４による検査結果、第１の情報格納部１５に記憶された付帯情報、及び第２の情報格納部１６に格納された不良半導体チップ情報に基づき、以下のように対象フォトマスクの良否を判定する。
先ず、マスク判定部１７は、第１及び第２の情報格納部１５，１６から各種情報を取得する（ステップＳ６）。具体的には、第１の情報格納部１５からはフォトマスク群１００に関する付帯情報を取得する。第２の情報格納部１６からは、対象フォトマスクの不良品半導体チップ領域の位置情報（位置情報Ａとする）と、対象フォトマスクの以前に判定されたフォトマスクの不良品半導体チップ領域の位置情報（位置情報Ｂとする）とを取得する。
【００３９】
続いて、マスク判定部１７は、ステップＳ６において、位置情報Ｂの有無を確認する（ステップＳ７）。
ステップＳ７において、位置情報Ｂが存在しない場合には、マスク判定部１７は、取得した位置情報Ａ及び付帯情報に基づいて対象フォトマスクの良否を判定する。
即ち、マスク判定部１７は、位置情報Ａにおける不良品半導体チップ領域数を、判定基準である不良品半導体チップ領域数の上限値と比較する（ステップＳ８）。ステップＳ８において位置情報Ａの不良品半導体チップ領域数が上限値以下である場合には、対象フォトマスクを良品と判定する（ステップＳ９）。このとき、続いてマスク判定部１７は、対象フォトマスクがフォトマスク群１００の最後のもの、即ちフォトマスク１０３であるか否かを判定する（ステップＳ１０）。最後のフォトマスクでないと判定された場合には、次の対象フォトマスクについてステップＳ３に進む。続くステップＳ４では、位置情報Ａに対応する半導体チップ領域については検査を行わない。即ち、当該半導体チップ領域はフォトマスク群１００において不良品となるため使用できず、工程数削減のために当該半導体チップ領域の検査を省略する。一方、最後のフォトマスクであると判定された場合には、マスク判定部１７は、フォトマスク群１００を良品と判定し（ステップＳ１１）、フォトマスク群１００は出荷に供される（ステップＳ１２）。
【００４０】
一方、ステップＳ８において、位置情報Ａの不良品チップ領域数が上限値よりも大きい場合には、対象フォトマスクの段階で既にフォトマスク群１００に求められる不良品チップ領域数が上限値を超えている。従ってマスク判定部１７は、この時点でフォトマスク群１００を不良品と判定する（ステップＳ１３）。この場合、対象フォトマスクが最後のフォトマスクでない場合でも、対象フォトマスク以降のフォトマスクは作製することなく、再びフォトマスク１０１からフォトマスク群１００を再製造する（ステップＳ１４）。
【００４１】
ステップＳ７において、位置情報Ｂが存在する場合には、マスク判定部１７は、位置情報Ｂのうちで位置情報Ａと一致する不良品半導体チップ領域が存在するか否かを判定する（ステップＳ１５）。例えば、図５が位置情報Ｂに対応するフォトマスクである場合、位置情報Ｂのうちで位置情報Ａと一致する不良品半導体チップ領域が存在する場合の対象フォトマスクの一例を図６に、存在しない場合の一例を図７にそれぞれ示す。
【００４２】
ステップＳ１５において、位置情報Ｂのうちで位置情報Ａと一致する不良品半導体チップ領域が存在する場合には、マスク判定部１７は、その一致する不良品半導体チップ領域については「不良品半導体チップ領域」として認定（加算）しない。従ってこの場合、位置情報Ａ，Ｂの不良品チップ領域数は、
位置情報Ａ，Ｂの不良品チップ領域数＝（位置情報Ａの不良品チップ領域数＋位置情報Ｂの不良品チップ領域数）−上記一致する不良品チップ領域数
となる。この値を不良品チップ領域数Ｎ１とする（ステップＳ１６）。
【００４３】
その後、ステップＳ８へ進む。ステップＳ８では、マスク判定部１７は、不良品チップ領域数Ｎ１を、判定基準である不良品チップ領域数の上限値と比較する。続くステップＳ９では、ステップＳ８において不良品チップ領域数Ｎ１が上限値以下である場合には、対象フォトマスクを良品と判定する。このとき、ステップＳ１０〜Ｓ１２を上述と同様に適宜実行する。ステップＳ１０で最後のフォトマスクでないと判定された場合に、ステップＳ４では、不良品チップ領域数Ｎ１の位置情報Ａ，Ｂに対応する半導体チップ領域については検査を省略する。
一方、不良品チップ領域数Ｎ１が上限値よりも大きい場合には、上述と同様にステップＳ１３でフォトマスク群１００を不良品と判定し、ステップＳ１４でフォトマスク群１００を再製造する。
【００４４】
ステップＳ１５において、位置情報Ｂのうちで位置情報Ａと一致する不良品半導体チップ領域が存在しない場合には、位置情報Ａ，Ｂの不良品チップ領域数は、
位置情報Ａ，Ｂの不良品チップ領域数＝位置情報Ａの不良品チップ領域数＋位置情報Ｂの不良品チップ領域数
となる。この値を不良品チップ領域数Ｎ２とする（ステップＳ１７）。
【００４５】
その後、ステップＳ８へ進む。ステップＳ８では、マスク判定部１７は、不良品チップ領域数Ｎ２を、判定基準である不良品チップ領域数の上限値と比較する。続くステップＳ９では、ステップＳ８において不良品チップ領域数Ｎ２が上限値以下である場合には、対象フォトマスクを良品と判定する。このとき、ステップＳ１０〜Ｓ１２を上述と同様に適宜実行する。ステップＳ１０で最後のフォトマスクでないと判定された場合に、ステップＳ４では、不良品チップ領域数Ｎ２の位置情報Ａ，Ｂに対応する半導体チップ領域については検査を省略する。
一方、不良品チップ領域数Ｎ２が上限値よりも大きい場合には、上述と同様にステップＳ１３でフォトマスク群１００を不良品と判定し、ステップＳ１４でフォトマスク群１００を再製造する。
【００４６】
そして、ステップＳ１〜Ｓ１７（繰り返し実行するステップを含む）を上述のように適宜実行し、良品と判定されたフォトマスク群１００の不良品半導体チップ領域情報について、第１の作業部１の情報送信部１８は第２の作業部２の情報受信部１２に送信する（ステップＳ１８）。
フォトマスク群１００の不良品半導体チップ情報の一例を図８及び図９に示す。
図８では、図６に相当する状況で、例えばフォトマスク１０１，１０２の共通する半導体チップ領域が不良品であり、フォトマスク１０３には不良品半導体チップ領域がない場合を例示する。図９では、図７に相当する状況で、例えばフォトマスク１０１，１０２の異なる半導体チップ領域が不良品であり、フォトマスク１０３には不良品半導体チップ領域がない場合を例示する。
【００４７】
情報受信部１２は、フォトマスク群１００の不良品半導体チップ領域情報を受信する（ステップＳ１９）。その後、第２の作業部２では、この不良品半導体チップ領域情報は、フォトマスク群１００を用いた露光転写の対象である半導体基板におけるマーキング情報として用いられる。
【００４８】
なお、本実施形態では、ステップＳ１０で対象フォトマスクが最後のフォトマスクでないと判定された場合に、ステップＳ４では、位置情報Ａ，Ｂに対応する半導体チップ領域については検査を省略する構成を採るが、これに代わって以下の構成を採っても良い。
即ち、ステップＳ１０で対象フォトマスクが最後のフォトマスクでないと判定された場合に、ステップＳ３において、位置情報Ａ，Ｂに対応する半導体チップ領域についてダミーのマスクパターンを描画形成する。そしてこの場合も、位置情報Ａ，Ｂに対応する半導体チップ領域については検査を省略する。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態によれば、フォトマスク群１００の高信頼性を十分に保ちつつも、フォトマスク群１００の再製造を可及的に抑えて高い製品歩留まりを容易に達成し、製品納期の遵守及び製造コスト・価格の低廉なフォトマスク群１００の提供が可能となる。
【００５０】
上述した第１の実施形態によるフォトマスクの製造システムの各構成要素（図３において、例えば、第１の作業部１のマスク判定部１７及び制御部２０等）の機能は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭ等に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。同様に、フォトマスクの製造方法の各ステップ（図４のステップＳ２，Ｓ５〜Ｓ１１，Ｓ１３〜，Ｓ１５〜Ｓ１９等）は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭ等に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明に含まれる。
【００５１】
具体的に、前記プログラムは、例えばＣＤ−ＲＯＭのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、前記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワークシステムにおける通信媒体を用いることができる。ここで、コンピュータネットワークとは、ＬＡＮ、インターネットの等のＷＡＮ、無線通信ネットワーク等であり、通信媒体とは、光ファイバ等の有線回線や無線回線等である。
【００５２】
また、本発明に含まれるプログラムとしては、供給されたプログラムをコンピュータが実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるようなもののみではない。例えば、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）或いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。
【００５３】
例えば、図１０は、パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。この図１０において、１２００はＣＰＵ１２０１を備えたパーソナルコンピュータ（ＰＣ）である。ＰＣ１２００は、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶された、又はフレキシブルディスクドライブ（ＦＤ）１２１２より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行する。このＰＣ１２００は、システムバス１２０４に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【００５４】
ＰＣ１２００のＣＰＵ１２０１、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶されたプログラムにより、本実施形態の図４におけるステップＳ２，Ｓ５〜Ｓ１１，Ｓ１３〜，Ｓ１５〜Ｓ１９の手順等が実現される。
【００５５】
１２０３はＲＡＭであり、ＣＰＵ１２０１の主メモリ、ワークエリア等として機能する。１２０５はキーボードコントローラ（ＫＢＣ）であり、キーボード（ＫＢ）１２０９や不図示のデバイス等からの指示入力を制御する。
【００５６】
１２０６はＣＲＴコントローラ（ＣＲＴＣ）であり、ＣＲＴディスプレイ（ＣＲＴ）１２１０の表示を制御する。１２０７はディスクコントローラ（ＤＫＣ）である。ＤＫＣ１２０７は、ブートプログラム、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶するハードディスク（ＨＤ）１２１１、及びフレキシブルディスク（ＦＤ）１２１２とのアクセスを制御する。ここで、ブートプログラムとは、起動プログラム：パソコンのハードやソフトの実行（動作）を開始するプログラムである。
【００５７】
１２０８はネットワーク・インターフェースカード（ＮＩＣ）で、ＬＡＮ１２２０を介して、ネットワークプリンタ、他のネットワーク機器、或いは他のＰＣと双方向のデータのやり取りを行う。
【００５８】
（第２の実施形態）
本実施形態では、電子デバイスの製造方法について説明する。本実施形態により製造される電子デバイスは、トランジスタや半導体メモリ等の半導体装置である。なお、本件により製造される電子デバイスとしては、半導体装置以外にも、例えば液晶装置や磁気デバイス等の各種電子デバイスも対象となる。
【００５９】
本実施形態に用いられる半導体装置の製造システムは、第１の実施形態で示した図３の製造システムと同様である。即ち本実施形態に用いられる製造システムは、第１の作業部１と、デバイス製造部２１を含む第２の作業部２とを備えている。
【００６０】
以下、半導体装置としてＭＯＳトランジスタを例に採り、ＭＯＳトランジスタの製造方法について説明する。図１１は、第２の実施形態によるＭＯＳトランジスタの製造方法を工程順に示すフロー図である。
先ず、第１の実施形態で説明したステップＳ１〜Ｓ１９（繰り返し実行するステップを含む）を上述のように適宜実行する。
【００６１】
第２の作業部２では、ステップＳ１９において第１の作業部１からフォトマスク群１００の不良品半導体チップ領域情報を取得している。第２の作業部２は、この不良品半導体チップ領域情報に基づいて、露光転写の対象である半導体基板におけるマーキング対象の不良品半導体チップを特定する（ステップＳ２１）。
図１２は、半導体基板におけるマーキング対象である不良品半導体チップを特定した様子を示す概略イメージ図である。ここでは、シリコン基板３１に複数の半導体チップ２２を形成するに際して、半導体チップ２２のうち、マーキングされた不良品を斜線部分で示している。ここで、図中で太線により囲まれた各部分２３が、第１の実施形態で製造されたフォトマスク群を用い、露光装置による１ショットで露光転写がなされる領域である。ここで、フォトマスク群としては、例えばフォトマスクＡ〜Ｆを１セットとしたものとする。
【００６２】
このように、第２の作業部２において認識されたマーキング対象の不良品を含む半導体チップの形成態様を踏まえ、第２の作業部２の第２の作業部２は、以下のようにＭＯＳトランジスタを製造する。
図１３は、第２の実施形態による製造方法により作製されたＭＯＳトランジスタを示す概略断面図である。このＭＯＳトランジスタは、シリコン基板３１の各半導体チップ４１に適宜集積されるものとする。
【００６３】
先ず、フォトマスク群のうち、素子間分離のレイヤーに対応したフォトマスクＡを用いて、リソグラフィーにより、シリコン基板３１の素子分離領域に素子分離用のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして半導体基板をドライエッチングして、素子分離溝を形成する。レジストパターンは灰化処理等により除去される。
そして、ＣＶＤ法等により、素子分離溝を埋め込む絶縁膜、ここではシリコン酸化膜等を堆積し、化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法等により平坦化して、素子分離溝内をシリコン酸化物で充填するＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）素子分離構造３２を形成する（ステップＳ２２）。
【００６４】
続いて、熱酸化法等により、シリコン基板３１上に薄い絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を形成した後、ＣＶＤ法等により多結晶シリコン膜を堆積する。
そして、フォトマスク群のうち、ゲートのレイヤーに対応したフォトマスクＢを用いて、リソグラフィーにより、多結晶シリコン膜上にゲート用のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして多結晶シリコン膜及びシリコン酸化膜をドライエッチングして、シリコン基板３１上にゲート絶縁膜３３を介したゲート電極３４をパターン形成する（ステップＳ２３）。レジストパターンは灰化処理等により除去される。
【００６５】
続いて、ゲート電極３４をマスクとして、シリコン基板１の表層に不純物（Ｐ型であればホウ素（Ｂ+）等、Ｎ型であればリン（Ｐ+）や砒素（Ａｓ+）等）を所定のドーズ量及び加速エネルギーでイオン注入する。これにより、ゲート電極３４の両側にエクステンション領域３５が形成される（ステップＳ２４）。
【００６６】
続いて、ＣＶＤ法等により、ゲート電極３４を含むシリコン基板２１の全面に絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を堆積する。
そして、シリコン酸化膜の全面を異方性ドライエッチング（エッチバック）し、シリコン酸化物をゲート電極３４及びゲート絶縁膜３３の両側のみに残し、サイドウォール絶縁膜３６を形成する（ステップＳ２５）。
【００６７】
続いて、ゲート電極３４及びサイドウォール絶縁膜３６をマスクとして、シリコン基板３１の表層に不純物（Ｐ型であればホウ素（Ｂ+）等、Ｎ型であればリン（Ｐ+）や砒素（Ａｓ+）等）を所定のドーズ量及び加速エネルギーでイオン注入する。これにより、サイドウォール絶縁膜３６の両側にエクステンション領域３５と一部重畳されてなるソース／ドレイン領域３７が形成される（ステップＳ２６）。
【００６８】
続いて、ＣＶＤ法等により、ゲート電極３４を埋め込む膜厚となるように、シリコン基板３１の全面に絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を堆積し、層間絶縁膜３８を形成する（ステップＳ２７）。
【００６９】
続いて、フォトマスク群のうち、コンタクト孔のレイヤーに対応したフォトマスクＣを用いて、リソグラフィーにより、層間絶縁膜３８上にコンタクト孔用のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜３８をドライエッチングして、ソース／ドレイン領域３７の表面の一部を露出させるコンタクト孔を形成する（ステップＳ２８）。レジストパターンは灰化処理等により除去される。
そして、所定のグルー膜等を介してコンタクト孔を埋め込むように導電材料、ここではタングステン（Ｗ）等をＣＶＤ法等により層間絶縁膜３８上に堆積し、ＣＭＰ法等により平坦化して、コンタクト孔内をＷで充填するコンタクトプラグ３９を形成する（ステップＳ２９）。
【００７０】
続いて、層間絶縁膜３８上に配線材料、ここではＡｌ合金等をスパッタ法等により堆積する。
そして、フォトマスク群のうち、１層目の配線のレイヤーに対応したフォトマスクＤを用いて、リソグラフィーにより、配線材料上にコンタクト孔用のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして配線材料をドライエッチングして、コンタクトプラグ３９と接続される配線４０を形成する（ステップＳ３０）。レジストパターンは灰化処理等により除去される。
【００７１】
続いて、ＣＶＤ法等により、配線４０を埋め込む膜厚となるように、層間絶縁膜３８の全面に絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を堆積し、層間絶縁膜４１を形成する（ステップＳ３１）。
【００７２】
なお、１層目の配線としては、いわゆるダマシン法により形成しても良い。
詳細には、例えば、層間絶縁膜４１（の下層部分）を形成した後、フォトマスク群のうち、１層目の配線の配線溝のレイヤーに対応したフォトマスクを用いて、リソグラフィーにより、層間絶縁膜４１上に配線溝用のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜４１をドライエッチングして、コンタクトプラグ３９の表面の一部を露出させる配線溝を形成する。レジストパターンは灰化処理等により除去される。
そして、配線溝を埋め込むように導電材料、ここでは銅（Ｃｕ）又はＣｕ合金等をメッキ法等により堆積し、ＣＭＰ法等により平坦化して、配線溝内をＣｕ又はＣｕ合金で充填する配線を形成する。
その後、配線を埋め込むように層間絶縁膜４１（の上層部分）を形成する。
【００７３】
続いて、フォトマスク群のうち、ビア孔のレイヤーに対応したフォトマスクＥを用いて、リソグラフィーにより、層間絶縁膜４１上にビア孔用のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜４１をドライエッチングして、配線４０の表面の一部を露出させるビア孔を形成する（ステップＳ３２）。レジストパターンは灰化処理等により除去される。
そして、所定のグルー膜等を介してビア孔を埋め込むように導電材料、ここではタングステン（Ｗ）等をＣＶＤ法等により層間絶縁膜４１上に堆積し、ＣＭＰ法等により平坦化して、ビア孔内をＷで充填するビアプラグ４２を形成する（ステップＳ３３）。
【００７４】
続いて、層間絶縁膜４１上に配線材料、ここではＡｌ合金等をスパッタ法等により堆積する。
そして、フォトマスク群のうち、２層目の配線のレイヤーに対応したフォトマスクＦを用いて、リソグラフィーにより、配線材料上にコンタクト孔用のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして配線材料をドライエッチングして、ビアプラグ４２と接続される配線４３を形成する（ステップＳ３４）。レジストパターンは灰化処理等により除去される。
なお、２層目の配線についても、１層目の配線と同様に、ダマシン法により形成しても良い。
【００７５】
続いて、ＣＶＤ法等により、配線４３を埋め込む膜厚となるように、層間絶縁膜４１の全面に絶縁膜、ここではシリコン酸化膜を堆積し、層間絶縁膜４４を形成する（ステップＳ３５）。
しかる後、更なる上層配線及び層間絶縁膜を形成し、ＭＯＳトランジスタを完成させる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１の実施形態で製造されたフォトマスク群を用いることにより、高性能で歩留まりの高い電子デバイスを実現することができる。
【００７７】
以下、本件の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００７８】
（付記１）それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を製造するに際して、
前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、
作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う工程と、
前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する工程と
を含み、
前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００７９】
（付記２）前記複数のチップ領域は全て同一種類のものであり、
前記判定基準は、前記複数のチップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする付記１に記載のフォトマスクの製造方法。
【００８０】
（付記３）前記複数のチップ領域は、２種類以上の前記チップ領域からなり、
前記判定基準は、前記チップ領域ごとに規定され、前記各チップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする付記１に記載のフォトマスクの製造方法。
【００８１】
（付記４）前記フォトマスク群のうち、所定の前記フォトマスクを前記検査する以前に、前記チップ領域の少なくとも１つが不良品と判定された前記フォトマスクが存在する場合に、
前記不良品と判定された前記チップ領域と同位置に対応する、前記所定の前記フォトマスクの前記チップ領域の前記検査を省略することを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載のフォトマスクの製造方法。
【００８２】
（付記５）前記フォトマスク群のうち、所定の前記フォトマスクを前記検査する以前に、前記チップ領域の少なくとも１つが不良品と判定された前記フォトマスクが存在する場合に、
前記不良品と判定された前記チップ領域と同位置に対応する、前記所定の前記フォトマスクの前記チップ領域にダミーパターンを形成することを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載のフォトマスクの製造方法。
【００８３】
（付記６）基板に複数のチップが形成されてなる電子デバイスの製造方法であって、
それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて前記複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を判定する第１の工程と、
前記フォトマスク群を用いて前記各チップ領域を基板上に重畳転写し、前記基板上に前記複数のチップを形成する第２の工程と
を含み、
前記第１の工程は、
前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、
作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う工程と、
前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する工程と
を含み、
前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００８４】
（付記７）前記判定基準は、前記第２の工程を行う第２の作業部から、前記第１の工程を行う第１の作業部へ送信され、
前記フォトマスクごとの前記判定結果は、前記第１の工程を行う第１の作業部から、前記第２の工程を行う第２の作業部へ送信されることを特徴とする付記６に記載の電子デバイスの製造方法。
【００８５】
（付記８）前記複数のチップ領域は全て同一種類のものであり、
前記判定基準は、前記複数のチップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする付記６又は７に記載の電子デバイスの製造方法。
【００８６】
（付記９）前記複数のチップ領域は、２種類以上の前記チップ領域からなり、
前記判定基準は、前記チップ領域ごとに規定され、前記各チップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする付記６又は７に記載の電子デバイスの製造方法。
【００８７】
（付記１０）前記フォトマスク群のうち、所定の前記フォトマスクを前記検査する以前に、前記チップ領域の少なくとも１つが不良品と判定された前記フォトマスクが存在する場合に、
前記不良品と判定された前記チップ領域と同位置に対応する、前記所定の前記フォトマスクの前記チップ領域の前記検査を省略することを特徴とする付記６〜９のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【００８８】
（付記１１）前記フォトマスク群のうち、所定の前記フォトマスクを前記検査する以前に、前記チップ領域の少なくとも１つが不良品と判定された前記フォトマスクが存在する場合に、
前記不良品と判定された前記チップ領域と同位置に対応する、前記所定の前記フォトマスクの前記チップ領域にダミーパターンを形成することを特徴とする付記６〜９のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【００８９】
（付記１２）それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を製造するに際して、
前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、
作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う検査部と、
前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する判定部と
を含み、
前記判定部は、前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定することを特徴とするフォトマスクの製造システム。
【００９０】
（付記１３）前記複数のチップ領域は全て同一種類のものであり、
前記判定基準は、前記複数のチップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする付記１２に記載のフォトマスクの製造システム。
【００９１】
（付記１４）前記複数のチップ領域は、２種類以上の前記チップ領域からなり、
前記判定基準は、前記チップ領域ごとに規定され、前記各チップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする付記１２に記載のフォトマスクの製造システム。
【００９２】
（付記１５）前記フォトマスク群のうち、所定の前記フォトマスクを前記検査する以前に、前記チップ領域の少なくとも１つが不良品と判定された前記フォトマスクが存在する場合に、
前記検査部は、前記不良品と判定された前記チップ領域と同位置に対応する、前記所定の前記フォトマスクの前記チップ領域の前記検査を省略することを特徴とする付記１２〜１４のいずれか１項に記載のフォトマスクの製造システム。
【００９３】
（付記１６）基板に複数のチップが形成されてなる電子デバイスの製造システムであって、
それぞれ複数のチップ領域を有し、前記各チップ領域が重畳転写されて前記複数のチップの形成に供される複数のフォトマスクからなるフォトマスク群を製造する第１の作業部と、
前記フォトマスク群を用いて前記各チップ領域を基板上に重畳転写し、前記基板上に前記複数のチップを形成する第２の作業部と
を含み、
前記第１の作業部は、
前記フォトマスク群の前記フォトマスクごとに順次に、
作製された前記フォトマスクの前記各チップ領域について検査を行う工程と、
前記フォトマスクの前記検査の結果を用い、予め規定された判定基準と比較する工程と
を含み、
前記判定部は、前記各フォトマスクの前記比較の結果、前記フォトマスク群が前記判定基準を満たす場合には、前記フォトマスク群を良品であると判定することを特徴とする電子デバイスの製造システム。
【００９４】
（付記１７）前記判定基準は、前記第２の作業部から前記第１の作業部へ送信され、
前記フォトマスクごとの前記判定結果は、前記第１の作業部から前記第２の作業部へ送信されることを特徴とする付記１６に記載の電子デバイスの製造システム。
【００９５】
（付記１８）前記複数のチップ領域は全て同一種類のものであり、
前記判定基準は、前記複数のチップ領域のうちの不良品チップ領域数の上限値又は良品チップ領域数の下限値であることを特徴とする付記１６又は１７に記載の電子デバイスの製造システム。
【００９６】
（付記１９）前記複数のチップ領域は、２種類以上の前記チップ領域からなり、
前記判定基準は、前記チップ領域ごとに規定され、前記各チップ領域のうちの不良品チップ数の上限値又は良品チップ数の下限値であることを特徴とする付記１６又は１７に記載の電子デバイスの製造システム。
【００９７】
（付記２０）前記フォトマスク群のうち、所定の前記フォトマスクを前記検査する以前に、前記チップ領域の少なくとも１つが不良品と判定された前記フォトマスクが存在する場合に、
前記検査部は、前記不良品と判定された前記チップ領域と同位置に対応する、前記所定の前記フォトマスクの前記チップ領域の前記検査を省略することを特徴とする付記１６〜１９のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造システム。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】第１の実施形態により製造されるフォトマスク群を模式的に示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態により製造されるフォトマスク群を用いて半導体基板に各半導体チップが形成された様子を模式的に示す平面図である。
【図３】第１の実施形態に用いられる半導体装置の製造システムを模式的に示すブロック図である。
【図４】第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を工程順に示すフロー図である。
【図５】不良品半導体チップ領域を有する対象フォトマスクを模式的に示す平面図である。
【図６】位置情報Ｂのうちで位置情報Ａと一致する不良品半導体チップ領域が存在する場合の対象フォトマスクを模式的に示す平面図である。
【図７】位置情報Ｂのうちで位置情報Ａと一致する不良品半導体チップ領域が存在しない場合の対象フォトマスクを模式的に示す平面図である。
【図８】図６に相当するフォトマスク群の不良品半導体チップ情報の一例を模式的に示す平面図である。
【図９】図７に相当するフォトマスク群の不良品半導体チップ情報の一例を模式的に示す平面図である。
【図１０】パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。
【図１１】第２の実施形態によるＭＯＳトランジスタの製造方法を工程順に示すフロー図である。
【図１２】半導体基板におけるマーキング対象である不良品半導体チップを特定した様子を示す概略イメージ図である。
【図１３】第２の実施形態による製造方法により作製されたＭＯＳトランジスタを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  第１の作業部
２  第２の作業部
１１，１８  情報送信部
１２  情報受信部
１３  パターン描画部
１４  マスク検査部
１５  第１の情報格納部
１６  第２の情報格納部
１７  マスク判定部
２０  制御部
２２，１１５  半導体チップ
２３  部分
２１  デバイス製造部
３１，１１４  シリコン基板
３２  ＳＴＩ素子分離構造
３３  ゲート絶縁膜
３４  ゲート電極
３５  エクステンション領域
３６  サイドウォール絶縁膜
３７  ソース／ドレイン領域
３８，４１，４４  層間絶縁膜
３９  コンタクトプラグ
４０，４３  配線
４２  ビアプラグ
１００  フォトマスク群
１０１〜１０３  フォトマスク
１１１〜１１３  半導体チップ領域
【図１】
2010039312.tif 000003
【図２】
2010039312.tif 000004
【図３】
2010039312.tif 000005
【図４】
2010039312.tif 000006
【図５】
2010039312.tif 000007
【図６】
2010039312.tif 000008
【図７】
2010039312.tif 000009
【図８】
2010039312.tif 000010
【図９】
2010039312.tif 000011
【図１０】
2010039312.tif 000012
【図１１】
2010039312.tif 000013
【図１２】
2010039312.tif 000014
【図１３】
2010039312.tif 000015