(57)【要約】【課題】フッ素系溶剤を主成分とする溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高める。【解決手段】ＩＰＡ液で覆われた基板表面ＷｆにＨＦＥ液を供給してＩＰＡ液をＨＦＥ液で置換して基板表面Ｗｆの全部がＨＦＥ液で覆われた後に、高温窒素ガスが基板裏面Ｗｂに供給されて基板Ｗが加熱されるとともに、基板表面ＷｆからＨＦＥ液が除去される。この基板加熱は、乾燥処理（除去処理）によってＨＦＥ液が基板表面Ｗｆから全部除去されるまで継続される。このように乾燥処理の間、基板裏面Ｗｂに高温窒素ガスを供給して基板Ｗを加熱しているため、仮に基板の周辺に多量の水蒸気成分が存在していたとしても、基板表面Ｗｆに水滴は付着することなく、基板Ｗを確実に乾燥することができる。【選択図】図３
2010050143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が処理液で濡れた基板を乾燥させる基板処理方法であって、
前記基板表面にフッ素系溶剤を主成分とする溶剤を供給して前記処理液を前記溶剤で置換する置換工程と、
前記置換工程後に前記基板表面から前記溶剤を除去する除去工程とを備え、
前記除去工程において、少なくとも前記基板表面から前記溶剤が全部除去されるまでの間、前記基板を加熱することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記フッ素系溶剤は、ハイドロフルオロエーテルである請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記除去工程においては、常温以上に加熱された高温ガスを前記基板に供給して前記基板を加熱する請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記除去工程においては、常温以上に加熱された高温液体を前記基板表面の反対側から前記基板に供給して前記基板を加熱する請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記除去工程においては、前記基板表面を覆うように遮断部材を前記基板表面に対して近接して配置しながら前記高温液体を供給する請求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記処理液が純水である場合、前記置換工程の直前より前記基板の加熱を開始する請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記処理液が有機溶剤である場合、前記基板表面上の前記処理液の全部が前記溶剤に置換された直後より前記基板の加熱を開始する請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
処理液で濡れた基板表面を上方に向けた略水平姿勢で前記基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面に向けてフッ素系溶剤を主成分とする溶剤を供給して前記処理液を前記溶剤で置換する溶剤供給手段と、
前記基板表面から前記溶剤を除去する除去手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を加熱する加熱手段とを備え、
少なくとも前記除去手段により前記基板表面から前記溶剤が全部除去されるまでの間、前記加熱手段が前記基板を加熱することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
前記フッ素系溶剤は、ハイドロフルオロエーテルである請求項８記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表面が処理液で濡れた基板を乾燥させる基板処理方法および装置に関するものである。なお、乾燥処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ：Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、薬液による薬液処理および純水などのリンス液によるリンス処理が行われた後、基板表面に付着するリンス液を除去すべく、乾燥処理が実行される。例えば特許文献１に記載の装置は、基板を水平姿勢にて保持するスピンチャックと、スピンチャックを回転させるチャック回転駆動機構と、スピンチャックに保持された基板の表面に向けて薬液および純水やＤＩＷ（deionized water：脱イオン水）などのリンス液を供給する第１ノズルと、スピンチャックに保持された基板の表面に向けて溶剤を供給する第２ノズルとを備えている。そして、同装置では、次のようにして薬液処理、リンス処理、第１置換処理、第２置換処理および乾燥処理が実行される。すなわち、基板表面に対してフッ酸などの薬液が第１ノズルから供給されて薬液処理が実行された後、同ノズルからＤＩＷが供給されてリンス処理が実行される。また、同基板表面に対し、ＤＩＷよりも揮発性の高い水溶性有機溶剤であるＩＰＡ（isopropyl alcohol：イソプロピルアルコール）と、純水よりも表面張力が低く、ＩＰＡよりも水溶性の低いフッ素系溶剤であるＨＦＥ（Hydrofluoroether：ハイドロフルオロエーテル）とを含む混合溶剤が供給されて基板上のリンス液（ＤＩＷ）が混合溶剤に置換される。その後、ＨＦＥのみを基板の表面に供給して基板の表面上の混合溶剤をＨＦＥに置換する。最後に、基板の高速回転によって基板表面からＨＦＥを振り切ることで基板表面が乾燥される（乾燥処理）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５３４５２号公報（図１、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように乾燥処理前に基板表面全体をＨＦＥで覆っておくことで、リンス液で濡れた基板をそのままスピン乾燥する場合に比べて乾燥性能を格段に高めることができる。しかしながら、乾燥処理を行っている間に基板表面上のＨＦＥ液膜の乾燥移動にしたがって微細な水滴が基板表面に付着してしまい、乾燥性能を低下させてしまうことがあった。
【０００５】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、フッ素系溶剤を主成分とする溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかる基板処理方法は、表面が処理液で濡れた基板を乾燥させる基板処理方法であって、上記目的を達成するため、基板表面にフッ素系溶剤を主成分とする溶剤を供給して処理液を溶剤で置換する置換工程と、置換工程後に基板表面から溶剤を除去する除去工程とを備え、除去工程において、少なくとも基板表面から溶剤が全部除去されるまでの間、基板を加熱することを特徴としている。
【０００７】
また、この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、処理液で濡れた基板表面を上方に向けた略水平姿勢で基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板の表面に向けてフッ素系溶剤を主成分とする溶剤を供給して処理液を溶剤で置換する溶剤供給手段と、基板表面から溶剤を除去する除去手段と、基板保持手段に保持された基板を加熱する加熱手段とを備え、少なくとも除去手段により基板表面から溶剤が全部除去されるまでの間、加熱手段が基板を加熱することを特徴としている。
【０００８】
このように構成された発明（基板処理方法および基板処理装置）では、フッ素系溶剤を主成分とする溶剤で覆われた基板表面から当該溶剤を除去することで基板表面を乾燥させているが、その除去処理中においてはＨＦＥ蒸発によりＨＦＥ液膜の端部では基板表面が乾燥されて露出する。このとき、ＨＦＥ蒸発と同時に気化熱が発生して露出領域の周辺温度が局部的にかつ急激に低下する。これが上記「発明が解決しようとする課題」で説明した水滴発生の原因であると考えられる。つまり、露出領域の周辺に多量の水蒸気成分が存在すると、上記温度低下により露出領域に凝集して水滴として付着してしまう。
【０００９】
そこで、本発明では、除去処理の際、少なくとも溶剤が基板表面から全部除去されるまでの間、基板が加熱されるため、仮に基板表面の周辺に多量の水蒸気成分が存在していたとしても、基板表面への水滴付着は確実に防止される。
【００１０】
ここで、フッ素系溶剤としては、例えばハイドロフルオロエーテルを用いることができる。また、基板を加熱する具体的な方法としては、例えば常温以上に加熱された高温ガスを基板に供給して基板を加熱してもよい。また、常温以上に加熱された高温液体を基板表面の反対側から基板に供給して基板を加熱してもよく、この場合、基板表面を覆うように遮断部材を基板表面に対して近接して配置しながら高温液体の供給を行うのが望ましい。というのも基板に供給された高温液体の一部が基板表面側に飛散することがあるが、遮断部材によって基板表面への液体付着が確実に防止されるからである。
【００１１】
また、処理液が純水である場合、置換工程の直前より基板の加熱を開始することが望ましく、これによって除去工程における基板温度を高めることができ、基板表面の周辺に存在する水蒸気成分が基板に凝集付着するのをさらに確実に防止することができる。一方、処理液が有機溶剤である場合、基板表面上の処理液の全部がフッ素系溶剤に置換された直後より基板の加熱を開始するのが望ましい。これは、有機溶剤の引火点が比較的低いことを考慮したものであり、基板加熱による引火リスクを低減するためである。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、フッ素系溶剤を主成分とする溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる際、少なくとも溶剤が基板表面から全部除去されるまでの間、基板を加熱しているため、基板表面の周辺に存在する水蒸気成分が凝集して基板表面に付着するのを防止して乾燥性能を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は本発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置を制御する電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置１は、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に付着している不要物を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、(1)基板表面に対してフッ酸などの薬液による薬液処理、(2)純水やＤＩＷなどのリンス液によるリンス処理、(3)基板表面にリンス液膜をパドル状に形成するパドル形成処理、(4)基板Ｗ上のリンス液をＩＰＡ液で置換する第１置換処理、(5)基板Ｗ上のＩＰＡ液をＨＦＥ液で置換する第２置換処理、(6)基板ＷからＨＦＥ液を除去して基板Ｗを乾燥させる除去処理を実行する装置である。
【００１４】
この基板処理装置１では、処理チャンバー２の天井部分にファンフィルタユニット（ＦＦＵ）４が配置されている。このファンフィルタユニット４はファン４ａおよびフィルタ４ｂを有している。このファンフィルタユニット４では、装置１の上方空間より送り込まれた気体がファン４ａによってフィルタ４ｂに向けて送られて当該フィルタ４ｂで清浄された後に処理チャンバー２の中央空間に送り込まれる。
【００１５】
この中央空間にはスピンチャック６が配置されている。このスピンチャック６は基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるものであり、本発明の「基板保持手段」として機能する。また、このスピンチャック６では、回転支軸８がモータを含むチャック回転機構１０（図２）の回転軸に連結されており、チャック回転機構１０の駆動によりスピンチャック６が回転軸（鉛直軸）回りに回転可能となっている。これら回転支軸８およびチャック回転機構１０は、円筒状のケーシング１４内に収容されている。また、回転支軸８の上端部には、円盤状のスピンベース１６が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、制御部１８からの動作指令に応じてチャック回転機構１０を駆動させることによりスピンベース１６が回転軸回りに回転する。また、制御部１８はチャック回転機構１０を制御してスピンベース１６の回転速度を調整する。
【００１６】
スピンベース１６の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部を把持するための複数個のチャックピン１２が立設されている。チャックピン１２は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース１６の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン１２のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する基板保持部とを備えている。また、各チャックピン１２は、基板保持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Ｗの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
【００１７】
スピンベース１６に対して基板Ｗが受渡しされる際には、複数個のチャックピン１２を解放状態とし、後述する基板処理を基板Ｗに対して行う際には、複数個のチャックピン１２を押圧状態とする。このように押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン１２は基板Ｗの周縁部を把持してその基板Ｗをスピンベース１６から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Ｗはその表面を上方に向け、裏面を下方に向けた状態で支持される。なお、基板保持機構としてはチャックピン１２に限らず、基板裏面を吸引して基板Ｗを支持する真空チャックを用いてもよい。
【００１８】
スピンチャック６により保持された基板Ｗの上方位置には、２種類のノズルアーム２２、２４が水平面内で揺動自在に設けられている。一方のノズルアーム２２の先端部に薬液供給ノズル２６とリンス液供給ノズル２８が取り付けられている。また、他方のノズルアーム２４の先端部にＩＰＡ液供給ノズル３０（図３）とＨＦＥ液供給ノズル３２（図３）が取り付けられている。
【００１９】
これら４つのノズルのうち薬液供給ノズル２６は薬液供給ユニット３４（図２）と接続されている。この薬液供給ユニット３４はフッ酸またはＢＨＦ（Buffered Hydrofluoric acid：バッファードフッ酸）などの基板洗浄に適した薬液をノズル２６側に供給可能となっている。そして、制御部１８からの指令に応じて薬液供給ユニット３４が薬液供給ノズル２６に向けて薬液を圧送すると、ノズル２６から薬液が基板Ｗに向けて吐出される。また、薬液供給ノズル２６と同様に、リンス液供給ノズル２８にもリンス液供給ユニット３６（図２）が接続されており、薬液処理された基板Ｗに向けてリンス液（ＤＩＷ）を吐出させてリンス処理を実行可能となっている。そして、これらのノズル２６、２８が取り付けられたノズルアーム２２にはノズルアーム移動機構３８が接続されており、制御部１８からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構３８が作動することで、基板Ｗの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル２６、２８は移動可能となっている。さらに、吐出領域においても、ノズルアーム移動機構３８によりノズル２６、２８は基板表面の中央部上方と周縁部上方との間を往復移動可能となっている。
【００２０】
また、ＩＰＡ液供給ノズル３０はＩＰＡ液供給ユニット４０（図２）と接続されている。このＩＰＡ液供給ユニット４０は１００％ＩＰＡ液あるいは純水で希釈したＩＰＡ液をノズル３０側に供給可能となっている。そして、制御部１８からの指令に応じてＩＰＡ液供給ユニット４０がＩＰＡ液供給ノズル３０に向けてＩＰＡ液を圧送すると、ノズル３０からＩＰＡ液が基板Ｗに向けて吐出される。
【００２１】
また、ＩＰＡ液供給ノズル３０と同様に、ＨＦＥ液供給ノズル３２にＨＦＥ液供給ユニット４２（図２）が接続されている。このＨＦＥ液供給ユニット４２は本発明の「フッ素系溶剤を主成分とする溶剤」としてＨＦＥ液を供給可能となっている。この「ＨＦＥ液」は、ＩＰＡおよびＤＩＷよりも表面張力が低い、蒸発が速い、引火性がないという等の特性を有しており、「ＨＦＥ液」として例えば住友スリーエム株式会社製の商品名ノベック（登録商標）シリーズのＨＦＥを用いることができる。具体的には、ＨＦＥとして、例えばノベック７１００／７１００ＤＬ（化学式：Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３）、ノベック７２００（化学式：Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５）、ノベック７３００（化学式：Ｃ６Ｆ１３ＯＣＨ３）などを用いることができる。そして、制御部１８からの指令に応じてＨＦＥ液供給ユニット４２がＨＦＥ液供給ノズル３２に向けてＨＦＥ液を圧送すると、ノズル３２からＨＦＥ液が基板Ｗに向けて吐出される。このようにＨＦＥ液供給ノズル３２が本発明の「溶剤供給手段」として機能しており、ＨＦＥ液を基板Ｗの表面中央部に供給可能となっている。
【００２２】
これらのノズル３０、３２が取り付けられたノズルアーム２４にはノズルアーム移動機構４４が接続されており、制御部１８からの動作指令に応じてノズルアーム移動機構４４が駆動されることで、基板Ｗの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル３０、３２は移動可能となっている。
【００２３】
ケーシング１４の周囲には、受け部材４６が固定的に取り付けられている。この受け部材４６には、円筒状の仕切り部材が３個立設されている。そして、これらの仕切り部材とケーシング１４の組み合わせにより３つの空間が排液槽４８ａ〜４８ｃとして形成されている。また、これらの排液槽４８ａ〜４８ｃの上方にはスプラッシュガード（カップ）５０がスピンチャック６に水平姿勢で保持されている基板Ｗの周囲を包囲するようにスピンチャック６の回転軸に沿って昇降自在に設けられている。このスプラッシュガード５０は回転軸に対して略回転対称な形状を有しており、スピンチャック６と同心円状に径方向内側から外側に向かって配置された２つのガードを備えている。そして、ガード昇降機構５２の駆動によりスプラッシュガード５０を段階的に昇降させることで、回転する基板Ｗから飛散する薬液やリンス液などを分別して排液させることが可能となっている。
【００２４】
この実施形態では、回転支軸８は中空管構造を有しており、気体加熱ユニット５４から高温窒素ガスが供給されて回転支軸８の内部空間に配置されたノズルの上端部に形成されたノズル孔（図示省略）から高温窒素ガスを基板裏面に向けて吐出することが可能となっている。この気体加熱ユニット５４は例えば特開平１１−２８１１５４号公報や特開２０００−７４４８５号公報などに記載された装置で構成されている。すなわち、この気体加熱ユニット５４のインレット端部は基板処理装置１を設置する工場のユーティリティー（用力）と接続されて常温の窒素ガスの供給を受ける。また、気体加熱ユニット５４の内部では、コイルに高周波電流を流すことによって加熱容器が加熱され、その加熱容器内を窒素ガスが流通することで窒素ガスの温度が上昇する。こうして常温よりも高い温度に加熱された高温窒素ガスが気体加熱ユニット５４のアウトレット端部から回転支軸８に供給される。そして、制御部１８からの動作指令に応じて気体加熱ユニット５４が駆動されることで、基板Ｗの裏面に向けて高温窒素ガスが供給されて基板Ｗの温度を常温よりも高い温度に加熱することができる。このように、第１実施形態では、気体加熱ユニット５４が本発明の「加熱手段」として機能しており、高温窒素ガスを熱媒体としている。
【００２５】
次に、上記のように構成された基板処理装置１の動作について図３を参照しつつ詳述する。図３は図１の基板処理装置の動作を示す図である。この実施形態では、制御部１８がメモリ（図示省略）に記憶されているプログラムにしたがって装置各部を制御して基板Ｗに対して薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、第１置換処理、第２置換処理および乾燥処理（除去処理）を施す。これらのうち第１置換処理ではＩＰＡ液が本発明の「処理液」として用いられる。
【００２６】
制御部１８はスプラッシュガード５０を降下させてスピンチャック６をスプラッシュガード５０の開口部５０ａから突出させる。このとき、両ノズルアーム２２、２４ともスプラッシュガード５０の外側に退避している。そして、この状態で基板搬送ロボット（図示省略）により未処理の基板Ｗが処理チャンバー２内に搬入される。より具体的には、基板表面を上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入され、スピンチャック６に保持される。これに続いて、スプラッシュガード５０が１段階上昇されるとともに基板Ｗに対して薬液処理が実行される（ステップＳ１）。
【００２７】
薬液処理では、薬液供給ノズル２６が基板表面の中央部上方に位置するようにノズルアーム移動機構３８がノズルアーム２２を移動させるとともに、チャック回転機構１０の駆動によりスピンチャック６に保持された基板Ｗを２００〜１２０ｒｐｍの範囲内で定められる回転速度（例えば８００ｒｐｍ）で回転させる。また、薬液供給ユニット３４がフッ酸を薬液として薬液供給ノズル２６に向けて圧送して当該ノズル２６から基板表面に供給する。こうして基板表面の中央部に供給されたフッ酸は遠心力により径方向に広げられ、フッ酸による基板表面のエッチング処理（薬液処理）が実行される。
【００２８】
薬液処理が完了すると、リンス液供給ノズル２８が薬液供給ノズル２６と入れ替わって基板表面の中央部上方に位置するようにノズルアーム移動機構３８がノズルアーム２２を移動させる。そして、リンス液供給ノズル２８からリンス液（ＤＩＷ）が吐出される。こうして基板表面に吐出されたリンス液は基板Ｗの回転の遠心力によって基板Ｗの表面に拡がり、リンス液によるリンス処理が行われる。また、リンス処理が終了すると、次にパドル形成処理が実行される（ステップＳ２）。すなわち、制御部１８は、リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度をリンス処理時の回転速度よりも遅い回転速度（この実施形態では５ｒｐｍ）に減速する。これによって、リンス液供給ノズル２８から吐出されるリンス液が基板表面Ｗｆに溜められてリンス液膜がパドル状に形成される。なお、パドル形成処理時の回転速度は５ｒｐｍに限定されるものではないが、リンス液に作用する遠心力がリンス液と基板表面との間で作用する表面張力よりも小さくなるという条件が満足する範囲で回転速度を設定する必要がある。というのも、リンス液の液膜をパドル状に形成するためには、上記条件の充足が必須だからである。
【００２９】
こうしてパドル形成が完了すると、制御部１８はノズルアーム移動機構３８を制御してノズルアーム２２を基板Ｗから離間移動させて両ノズル２６、２８をスプラッシュガード５０の外側に退避させる。そして、第１置換処理を開始する（ステップＳ３）。すなわち、制御部１８はノズルアーム移動機構４４を制御してＩＰＡ液供給ノズル３０を基板表面Ｗｆの中央部上方に位置させる。そして、ＩＰＡ液供給ユニット４０からＩＰＡ液が圧送されてＩＰＡ液供給ノズル３０から基板Ｗの表面中央部に向けてＩＰＡ液が供給される。また、この実施形態では、第１置換処理の進行に伴って基板Ｗの回転速度を変化させている。つまり、ＩＰＡ液供給の前半段階では、基板Ｗの表面中央部ではリンス液膜の中央部がＩＰＡ液に置換されて置換領域が液膜に形成される。このときの回転速度はパドル形成処理と同程度（この実施形態では１０ｒｐｍ）に設定されている。そして、ＩＰＡ液供給から所定時間が経過すると、ＩＰＡ液供給を継続させたまま基板Ｗの回転速度を１０ｒｐｍから１００ｒｐｍに加速する。このように回転速度の加速によって基板表面上の液膜（リンス液領域＋ＩＰＡ液領域（置換領域））に作用する遠心力が増大してリンス液が振り切られるとともに置換領域が径方向に広がっていく。そして、所定時間が経過すると、基板Ｗの表面外周部に存在していたリンス液は基板Ｗから振り落とされるとともに、置換領域が基板表面の全面に均一に広がって基板表面はＩＰＡ液膜で全面的に覆われる。さらに、制御部１８は基板Ｗの回転速度を１００ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速する。これは基板表面Ｗｆに形成された微細パターン（図示省略）の間隙内部に残留しているリンス液をＩＰＡ液に置換するために行われるものである。つまり、回転速度の加速によってＩＰＡ液が基板表面Ｗｆで大きく流動し、これによって微細パターンの間隙内部では残留リンス液がＩＰＡ液に置換される。これによって、基板表面Ｗｆに付着するリンス液がＩＰＡ液に確実に置換される。
【００３０】
この第１置換処理に続いて第２置換処理が開始される（ステップＳ４）。すなわち、制御部１８はノズルアーム移動機構４４を制御してＨＦＥ液供給ノズル３２を基板表面Ｗｆの中央部上方に位置させる。そして、ＨＦＥ液供給ユニット４２からＨＦＥ液が圧送されてＨＦＥ液供給ノズル３２から基板Ｗの表面中央部に向けてＨＦＥ液が供給される。また、この実施形態では、第２置換処理においても処理の進行に伴って基板Ｗの回転速度を変化させている。つまり、ＨＦＥ液供給の前半段階では、基板Ｗの表面中央部ではＩＰＡ液膜の中央部がＨＦＥ液に置換されて置換領域Ｒが液膜に形成される。このときの回転速度はパドル形成処理と同程度（この実施形態では１０ｒｐｍ）に設定されている。また、ＨＦＥ液供給から所定時間が経過すると、ＨＦＥ液供給を継続させたまま基板Ｗの回転速度を１０ｒｐｍから１００ｒｐｍに加速する。このように回転速度の加速によって基板表面上の液膜（ＩＰＡ液領域＋ＨＦＥ液領域（置換領域Ｒ））に作用する遠心力が増大してＩＰＡ液が振り切られるとともに置換領域Ｒが径方向に広がっていく。そして、所定時間が経過すると、基板Ｗの表面外周部に存在していたＩＰＡ液は基板Ｗから振り落とされるとともに、置換領域Ｒが基板表面Ｗｆの全面に均一に広がって基板表面ＷｆはＨＦＥ液膜で全面的に覆われる。
【００３１】
この実施形態では、上記のようにして基板表面Ｗｆ上のＩＰＡ液がＨＦＥ液で全面置換されるのを検出するために、ＨＦＥ液による置換処理の開始と同時に制御部１８の内部タイマー（図示省略）による経過時間Ｔの計測を開始する（ステップＳ５）。また、この実施形態では、ＨＦＥ液の供給開始から基板表面Ｗｆ全体をＨＦＥ液で置換するまでに要する時間Ｔ0を予め求めておき、メモリに記憶している。そして、制御部１８は経過時間Ｔが時間Ｔ0に達したことでＨＦＥ液による第２置換処理が完了したことを判定する（ステップＳ６）。なお、上記時間Ｔ0は基板Ｗのサイズや回転速度、ＨＦＥ液の物性、ＨＦＥ液の吐出流量などの処理条件により大きく異なるため、予め実験やコンピュータ・シミュレーションなどによって処理条件に対応した時間Ｔ0を求めておくのが望ましい。例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラなどの撮像装置を用いることによってＩＰＡ液領域と置換領域Ｒとの境界（図３中の符号Ｂ）が時間経過とともに基板周縁部に移動する様子を観察し、上記時間Ｔ0を実験的に求めることができる。このように境界Ｂの観察が可能となるのは、ＨＦＥ液の接触角がＩＰＡ液の接触角に比べて小さいためである。また、処理条件と時間Ｔ0とを対応付けた関連データを例えばレシピ形式でメモリに記憶しておき、オペレータなどにより入力された処理条件に対応する時間Ｔ0を制御部１８がメモリから読み出して時間Ｔ0をセットするように構成してもよい。
【００３２】
ステップＳ６で「ＹＥＳ」と判定される、つまり基板表面Ｗｆの全体にわたってＨＦＥ液でＩＰＡ液が置換されると、制御部１８は気体加熱ユニット５４を駆動して基板Ｗの裏面Ｗｂに向けて高温窒素ガスを供給して基板加熱を開始する（ステップＳ７）。これによって、基板Ｗの温度は上昇していく。また、基板加熱の開始と同時あるいは若干遅れて制御部１８からの指令に応じて、ＨＦＥ液供給ユニット４２がＨＦＥ液の供給を停止して第２置換処理を終了させるとともにノズルアーム移動機構４４がノズルアーム２４を基板Ｗから離間移動させて両ノズル３０、３２をスプラッシュガード５０の外側に退避させる（ステップＳ８）。
【００３３】
それに続いて、高温窒素ガスを基板裏面Ｗｂに供給し続けた状態で、基板Ｗが３００〜２５００ｒｐｍ（この実施形態では８００ｒｐｍ）で高速回転されて基板表面Ｗｆ上のＨＦＥ液が除去されて基板Ｗの乾燥処理が実行される（ステップＳ９）。ここでは、揮発性の高いＨＦＥ液を用いているため、この乾燥処理（除去処理）では、図４に示すように、基板回転の遠心力とＨＦＥ蒸発に伴いＨＦＥ液膜が移動していく。また、ＨＦＥ蒸発によりＨＦＥ液膜の端部では基板表面Ｗｆが乾燥されて露出するが、ＨＦＥ蒸発と同時に気化熱が発生して露出領域の周辺温度が局部的にかつ急激に低下する（同図（ａ））。このとき、露出領域の周辺に多量の水蒸気成分が存在すると、上記温度低下により露出領域に凝集して水滴として付着することがある（同図（ｂ）、（ｃ））。このような現象はＨＦＥ液膜の乾燥移動にしたがって順次発生するため、帯状の乾燥不良が発生してしまう。しかしながら、本実施形態では少なくとも基板表面ＷｆからＨＦＥ液が全部除去されるまでの間、基板Ｗを加熱した状態で乾燥処理を行っているため、基板表面の周辺に存在する水蒸気成分が凝集して基板表面に付着するのを防止することができる。
【００３４】
基板Ｗの乾燥処理が終了すると、制御部１８はチャック回転機構１０を制御して基板Ｗの回転を停止させる。また、制御部１８は気体加熱ユニット５４に停止指令を与えて高温窒素ガスの供給を停止して基板加熱を停止する（ステップＳ１０）。また、スプラッシュガード５０を降下させて、スピンチャック６をスプラッシュガード５０の上方から突出させる。その後、基板搬送ロボットが処理済の基板Ｗを基板処理装置１から搬出して、１枚の基板Ｗに対する一連の基板処理が終了する。そして、次の基板Ｗについても、上記と同様の処理が実行される。なお、この実施形態では、基板表面ＷｆからＨＦＥ液が全部除去された後も、しばらくの間、基板加熱を行いながら乾燥処理を継続しているが、ＨＦＥ液が全部除去されると同時に基板加熱のみを停止してもよい。また、基板表面ＷｆからＨＦＥ液が全部除去された時点で基板加熱および乾燥処理を同時に終了してもよい。
【００３５】
以上のように、第１実施形態によれば、乾燥処理（除去処理）中において少なくとも基板表面ＷｆからＨＦＥ液が全部除去されるまでの間、基板裏面Ｗｂに高温窒素ガスを供給して基板Ｗを加熱しているため、仮に基板Ｗｆの周辺に多量の水蒸気成分が存在していたとしても、基板表面Ｗｆに水滴は付着することなく、基板Ｗを確実に乾燥することができる。
【００３６】
また、上記実施形態では、基板表面Ｗｆ上のＩＰＡ液がＨＦＥ液で全面置換された後に基板加熱を開始しているため、次のような効果もある。すなわち、ＩＰＡ液の引火点は比較的低く（約１１゜Ｃ）、基板表面Ｗｆ上にＩＰＡ液が存在している状態で基板加熱することは安全面上のリスクを伴うことになる。そこで、本実施形態では、ＩＰＡ液が基板表面Ｗｆから排除されたことを確実に検出した上で基板加熱を行っているため、安全面のリスクを回避しながらも基板乾燥を良好に行うことができる。
【００３７】
なお、上記第１実施形態では、高温窒素ガスの供給を気体加熱ユニット５４を駆動して基板を加熱する時以外で停止しているが、気体加熱ユニット５４を介して基板を加熱する時以外は、常温の窒素ガスを基板に供給し、基板を加熱する時に窒素ガスの温度を上昇し基板に供給するようにしても良い。
【００３８】
図５は本発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違している点は、気体加熱ユニット５４からの高温窒素ガスの供給態様である。すなわち、同図に示すように、第２実施形態では気体加熱ユニット５４と回転支軸８の内部空間を連通する配管に開閉弁５６が介挿されるとともに、その開閉弁５６と気体加熱ユニット５４の間で配管が分岐して熱排気部（図示省略）に延設されている。また、この分岐配管に開閉弁５８が介挿されている。そして、制御部１８からの指令に応じて開閉弁５６、５８が開閉制御されて気体加熱ユニット５４から供給される高温窒素ガスの供給先が切り替えられる。
【００３９】
この第２実施形態では、気体加熱ユニット５４は常時作動しており、基板加熱を開始するタイミング（ステップＳ７）で制御部１８は開閉弁５６を開く一方、開閉弁５８を閉じて気体加熱ユニット５４で加熱された高温窒素ガスを開閉弁５６および回転支軸８の内部空間を介して基板裏面Ｗｂに供給し、基板加熱を実行する（図５（ａ））。一方、基板加熱を停止するタイミング（ステップＳ１０）で制御部１８は開閉弁５６を閉じる一方、開閉弁５８を開いて気体加熱ユニット５４で加熱された高温窒素ガスを開閉弁５８を介して熱排気部に排気する（図５（ｂ））。なお、基板加熱を行わない（基板非加熱）時には、開閉弁５６，５８はそれぞれ「閉成状態」、「開成状態」となっており、気体加熱ユニット５４から排出される高温窒素ガスは熱排気部に排気されている。
【００４０】
このように第２実施形態によれば、気体加熱ユニット５４を常時作動させておき、開閉弁５６、５８の開閉制御によって高温窒素ガスの供給先を切り替えているため、次のような作用効果が得られる。気体加熱ユニット５４は誘導電流により加熱容器を加熱し、その内部を流れる窒素ガスを加熱しているため、比較的短時間で窒素ガスの温度を上昇させることができる。といっても、気体加熱ユニット５４を起動した直後より高温窒素ガスを得ることは困難であり、基板裏面Ｗｂに供給される窒素ガスの温度を所望温度に上昇させるにはある程度の時間が必要となる。これに対し、第２実施形態では気体加熱ユニット５４を常時駆動するとともに、基板裏面Ｗｂへの高温窒素ガスの供給が必要となったタイミングで開閉弁５６，５８を開閉制御することで直ちに高温窒素ガスを基板裏面Ｗｂに供給して基板加熱を行うことができる。したがって、短時間で、しかも効率的に基板Ｗを加熱して水滴付着を確実に防止することができ、タクトタイムを短縮することができる。
【００４１】
なお、上記第１および第２実施形態では、基板Ｗを加熱するために高温窒素ガスを用いているが、他の気体（例えば空気）を加熱して得られる高温ガスを基板裏面Ｗｂに供給して基板加熱を行ってもよい。また、高温窒素ガスなどの高温ガスを基板表面Ｗｆ側から供給して基板加熱を行ってもよい。
【００４２】
図６は本発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。この第３実施形態が第１実施形態および第２実施形態と大きく相違している点は、基板加熱の態様である。すなわち、第１実施形態および第２実施形態では、高温窒素ガスを用いて基板Ｗを加熱しているのに対し、第３実施形態ではスピンベース１６にヒータなどの加熱部材６０が設けられており、この加熱部材６０によって上記タイミングで基板Ｗが加熱される。つまり、ステップＳ７で制御部１８から加熱部材６０に電流が供給されて加熱部材６０による基板加熱が開始される。一方、ステップＳ１０で制御部１８からの電流供給を停止することで加熱部材６０による基板加熱が停止される。なお、その他の構成および動作は第１実施形態や第２実施形態と同一である。
【００４３】
図７は本発明にかかる基板処理装置の第４実施形態を示す図である。また、図８は図７の基板処理装置の動作を示す図である。この第４実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、(1)基板表面を覆うように遮断部材を基板表面に対して近接して配置することが可能となっている点、(2)リンス液（ＤＩＷ）、ＩＰＡ液およびＨＦＥ液の供給態様、および(3)基板Ｗを加熱する手段として液体加熱ユニット６２を用いている点であり、その他の構成は基本的に第１実施形態と同一である。そこで、以下の説明においては、相違点を中心に説明し、同一構成については同一または相当の符号を付して説明を省略する。
【００４４】
この基板処理装置１では、スピンチャック６により保持された基板Ｗの上方位置には、ノズルアーム２２と遮断部材６４が設けられている。この第４実施形態では、ノズルアーム２２の先端部には薬液供給ノズル２６のみが取り付けられており、上記第１実施形態と同様にして基板表面Ｗｆへの薬液供給が可能となっている。
【００４５】
遮断部材６４は、中心部に開口部を有するドーナツ盤状の板状部材６６と、内部が中空に仕上げられ、板状部材６６を支持する回転支軸６８と、回転支軸６８の中空部および板状部材６６の開口部に挿通された内挿軸（図示省略）とを有している。板状部材６６はスピンチャック６に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向配置されている。板状部材６６は、その下面（底面）６６ａが基板表面Ｗｆと略平行に対向する基板対向面となっており、その平面サイズは基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されている。板状部材６６は略円筒形状を有する回転支軸６８の下端部に略水平に取り付けられ、回転支軸６８は水平方向に延びるアーム７０により基板Ｗの中心を通る回転軸回りに回転可能に保持されている。内挿軸の外周面と回転支軸６８の内周面との間にはベアリング（図示省略）が介在して取り付けられている。また、アーム７０には、遮断部材回転機構７２と遮断部材昇降機構７４が接続されている。
【００４６】
遮断部材回転機構７２は、制御部１８からの動作指令に応じて回転支軸６８を回転軸回りに回転させる。この回転支軸６８の回転によって板状部材６６が回転支軸６８とともに一体的に回転する。遮断部材回転機構７２は、スピンチャック６に保持された基板Ｗの回転に応じて基板Ｗと同じ回転方向でかつ略同じ回転速度で板状部材６６（下面６６ａ）を回転させるように構成されている。
【００４７】
また、遮断部材昇降機構７４は、制御部１８からの動作指令に応じて遮断部材６４をスピンベース１６に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御部１８は遮断部材昇降機構７４を作動させることで、基板処理装置１に対して基板Ｗを搬入出させる際には、スピンチャック６の上方の離間位置に遮断部材６４を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対して所定の処理を施す際には、スピンチャック６に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された所定の対向位置（図８参照）まで遮断部材６４を下降させる。この実施形態では、リンス処理が開始されてから遮断部材６４を離間位置から対向位置に下降させ、乾燥処理が完了するまで継続して遮断部材６４を対向位置に位置させる。
【００４８】
この遮断部材６４では、回転支軸６８と内挿軸は全周にわたって互いに均一に離間しており、気体供給経路が形成されている。そして、この気体供給経路の上端側（図７の上方側）に窒素ガスが圧送されると、窒素ガスは気体供給経路を介して気体供給経路の下端側開口からスピンチャック６に向けて吐出される。
【００４９】
一方、内挿軸には３本の流体供給路が鉛直軸方向に延びるように形成されている。すなわち、リンス液（ＤＩＷ）の通路となるリンス液供給路、ＩＰＡ液の通路となるＩＰＡ液供給路およびＨＦＥ液の通路となるＨＦＥ液供給路が内挿軸に形成されている。これらの流体供給路はＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン：polytetrafluoroethylene）からなる内挿軸にそれぞれ、ＰＦＡ（パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）製のチューブを軸方向に挿入することによって形成されている。そして、リンス液供給路、ＩＰＡ液供給路およびＨＦＥ液供給路の下端がそれぞれ、リンス液吐出口、ＩＰＡ液吐出口およびＨＦＥ液吐出口となってスピンチャック６に保持された基板Ｗの表面Ｗｆと対向している。
【００５０】
また、本実施形態では、上記したように、基板Ｗを加熱するための手段として液体加熱ユニット６２が設けられている。この液体加熱ユニット６２は基板処理装置１を設置する工場のユーティリティー（用力）と接続されて常温のＤＩＷの供給を受けるとともに、ＤＩＷを加熱して高温ＤＩＷを回転支軸８に供給可能となっている。そして、制御部１８からの動作指令に応じて液体加熱ユニット６２が駆動することで、基板Ｗの裏面に向けて高温ＤＩＷが供給されて基板Ｗの温度を常温よりも高い温度に加熱することができる。このように、第４実施形態では、液体加熱ユニット６２が本発明の「加熱手段」として機能しており、高温ＤＩＷを熱媒体としている。もちろん、第１実施形態と同様に気体加熱ユニット５４を「加熱手段」として用いてもよい。
【００５１】
次に、上記のように構成された基板処理装置１の動作について図８を参照しつつ詳述する。この第４実施形態においても、第１実施形態と同様に、制御部１８がメモリに記憶されているプログラムにしたがって装置各部を制御して基板Ｗに対して薬液処理、リンス処理、パドル形成処理、第１置換処理、第２置換処理および乾燥処理（除去処理）を施す。
【００５２】
第１実施形態と同様に、基板搬送ロボット（図示省略）により未処理の基板Ｗが処理チャンバー２内に搬入されると、基板Ｗに対して薬液処理が実行される（ステップＳ１）。そして、薬液処理が完了すると、制御部１８はノズルアーム移動機構３８を制御してノズルアーム２２を基板Ｗから離間移動させてノズル２６をスプラッシュガード５０の外側に退避させる。それに続いて、制御部１８は遮断部材昇降機構７４を制御して遮断部材６４をスピンベース１６に近接して対向させる。これによって、薬液処理を受けた基板Ｗの表面Ｗｆに対して板状部材６６の下面６６ａが略平行に、しかも近接して対向位置決めされて基板表面Ｗｆを覆う。
【００５３】
この状態でリンス処理（ステップＳ２）から乾燥処理（ステップＳ１０）までの一連の処理が実行される。すなわち、リンス液供給ユニット３６から遮断部材６４のリンス液供給路にリンス液が圧送されて板状部材６６に設けられたリンス液吐出口からリンス液が吐出される。また、リンス処理が終了すると、制御部１８は基板Ｗの回転速度をリンス処理時の回転速度よりも遅い回転速度（この実施形態では５ｒｐｍ）に減速する。これによって、リンス液吐出口から吐出されるリンス液が基板表面Ｗｆに溜められてリンス液膜がパドル状に形成される。また、パドル形成が完了すると、リンス液吐出を停止するとともにＩＰＡ液供給ユニット４０から遮断部材６４のＩＰＡ液供給路にＩＰＡ液が圧送されて板状部材６６に設けられたＩＰＡ液吐出口からＩＰＡ液が吐出されて第１置換処理が実行される（ステップＳ３）。さらに、第１置換処理後、ＩＰＡ液吐出を停止するとともにＨＦＥ液供給ユニット４２から遮断部材６４のＨＦＥ液供給路にＨＦＥ液が圧送されて板状部材６６に設けられたＨＦＥ液吐出口からのＨＦＥ液吐出が開始される（ステップＳ４）。
【００５４】
また、第４実施形態では、第１実施形態と同様に、基板表面Ｗｆ上のＩＰＡ液がＨＦＥ液で全面置換されるのを検出するために、ＨＦＥ液による置換処理の開始と同時に制御部１８の内部タイマー（図示省略）による経過時間Ｔの計測を開始する（ステップＳ５）。そして、経過時間Ｔが時間Ｔ0に達した時点でＨＦＥ液による第２置換処理が完了したと判定して（ステップＳ６）、制御部１８は液体加熱ユニット６２を駆動して基板Ｗの裏面Ｗｂに向けて高温ＤＩＷを供給して基板加熱を開始する（ステップＳ７）。これによって、基板Ｗの温度は上昇していく。また、基板加熱の開始と同時あるいは若干遅れて制御部１８からの指令に応じて、ＨＦＥ液供給ユニット４２がＨＦＥ液の供給を停止して第２置換処理を終了させる（ステップＳ８）。
【００５５】
それに続いて、高温ＤＩＷを基板裏面Ｗｂに供給し続けた状態で、基板Ｗが３００〜２５００ｒｐｍ（この実施形態では８００ｒｐｍ）で高速回転されて基板表面Ｗｆ上のＨＦＥ液が除去されて基板Ｗの乾燥処理が実行される（ステップＳ９）。そして、基板Ｗの乾燥処理が終了すると、制御部１８はチャック回転機構１０を制御して基板Ｗの回転を停止させるとともに、液体加熱ユニット６２に停止指令を与えて高温ＤＩＷの供給を停止して基板加熱を停止する（ステップＳ１０）。そして、スプラッシュガード５０を降下させて、スピンチャック６をスプラッシュガード５０の上方から突出させる。その後、基板搬送ロボットが処理済の基板Ｗを基板処理装置１から搬出して、１枚の基板Ｗに対する一連の基板処理が終了する。そして、次の基板Ｗについても、上記と同様の処理が実行される。
【００５６】
以上のように、第４実施形態によれば、乾燥処理（除去処理）中において少なくとも基板表面ＷｆからＨＦＥ液が全部除去されるまでの間、基板裏面Ｗｂに高温ＤＩＷを供給して基板Ｗを加熱しているため、仮に基板Ｗｆの周辺に多量の水蒸気成分が存在していたとしても、基板表面Ｗｆに水滴は付着することなく、基板Ｗを確実に乾燥することができる。
【００５７】
また、このように高温ＤＩＷを用いて基板Ｗを加熱する場合、高温ＤＩＷを供給している間に高温ＤＩＷの一部が基板表面Ｗｆ側に飛散することがある。しかしながら、基板表面Ｗｆを遮断部材６４によって覆った状態で高温ＤＩＷは供給されているため、飛散した液滴が基板表面Ｗｆに付着するのを確実に防止することができる。
【００５８】
また、第４実施形態では、高温ＤＩＷを用いて基板加熱を行っているが、他の液体を加熱して得られる高温液体を基板裏面Ｗｂに供給して基板加熱を行ってもよい。
【００５９】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、本発明の「フッ素系溶剤を主成分とする溶剤」として上記ノベック７１００／７１００ＤＬ等を用いているが、例えばＨＦＥ液に対して少量（例えば５％程度）のＩＰＡ液を混合させた混合溶剤を用いてもよい。このような混合溶剤としては、例えば住友スリーエム株式会社製の商品名ノベック（登録商標）シリーズのＨＦＥ７１ＩＰＡ（ハイドロフルオロエーテル共沸様混合物）を用いてもよい、また、この混合溶剤を本発明の「フッ素系溶剤を主成分とする溶剤」として用いる場合には、第１置換処理を省略することができ、基板処理の簡素化、タクトタイムの短縮およびコスト低減を図ることができる。その理由について説明する。
【００６０】
上記第１ないし第４実施形態では、本発明の「フッ素系溶剤を主成分とする溶剤」としてノベック７１００／７１００ＤＬ等を用いているが、これらはＤＩＷに対して不溶性である。したがって、ＩＰＡ液を用いた第１置換処理を実行した後でＨＦＥ液による第２置換処理を実行する必要がある。これに対し、ノベックＨＦＥ７１ＩＰＡはＤＩＷに対して溶解性を有するため、リンス液膜が形成された基板ＷにノベックＨＦＥ７１ＩＰＡを供給してリンス液膜をノベックＨＦＥ７１ＩＰＡで置換可能となっている。このため、第１置換処理が不要となる。
【００６１】
また、第１置換処理が不要となり、第２置換処理の直前において基板表面Ｗｆ上の処理液はＤＩＷであるため、基板加熱を第２置換処理の直前より行ってもよい。例えばパドル形成処理中に基板加熱を開始してもよく、この場合、乾燥処理（除去処理）における基板温度が高くなり、基板表面Ｗｆの周辺に存在する水蒸気成分が基板Ｗに凝集付着するのをさらに確実に防止することができる。
【００６２】
また、上記実施形態では、半導体ウエハ等の基板Ｗに対して薬液処理、リンス処理、パドル処理、（第１置換処理、）第２置換処理および乾燥処置を行う装置および方法に本発明を適用しているが、基板Ｗの種類や処理内容はこれに限定されるものではなく、フッ素系溶剤を主成分とする溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置に本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板の表面を乾燥させる基板処理方法および装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置を制御する電気的構成を示すブロック図である。
【図３】図１の基板処理装置の動作を示す図である。
【図４】ＨＦＥ液の蒸発に起因する乾燥不良の発生メカニズムを模式的に示す図である。
【図５】本発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図６】本発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。
【図７】本発明にかかる基板処理装置の第４実施形態を示す図である。
【図８】図７の基板処理装置の動作を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…基板処理装置
６…スピンチャック
３２…ＨＦＥ液供給ノズル（溶剤供給手段）
４２…ＨＦＥ液供給ユニット（溶剤供給手段）
５４…気体加熱ユニット（加熱手段）
６０…加熱部材（加熱手段）
６２…液体加熱ユニット（加熱手段）
６４…遮断部材
Ｗ…基板
Ｗｂ…基板裏面
Ｗｆ…基板表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010050143.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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