(57)【要約】【課題】ＴＦＴ液晶基板検査装置において、従来のコンタクト位置観察用テープを用いることなくプローブピンの接触位置を確認する。【解決手段】プローブピンの接触位置の確認を、ＴＦＴ液晶基板にプローブピンを接触した後にＳＥＭ像を取得し、このＳＥＭ像中のプローブピンの位置からプローブピンの接触位置を確認する。これによってコンタクト位置観察用テープを用いることなくプローブピンの接触位置を確認する。プローブピンをＴＦＴ液晶基板に接触した後、電子線をＴＦＴ液晶基板に照射して検出器によって二次電子を検出してＳＥＭ像を取得し、取得したＳＥＭ像からプローブピンの接触位置を求め、求めた接触位置とコンタクトパッドの位置との位置関係から位置ずれ方向および位置ずれ量を求める。【選択図】図１
2010190781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空状態にし得るメインチャンバと、当該メインチャンバ内に、ＴＦＴ液晶基板を支持するステージと、ＴＦＴ液晶基板に電子線を照射する電子銃と、ＴＦＴ液晶基板から発生する二次電子を検出する検出器と、検査対象のＴＦＴ液晶基板に検査信号を印加するプローブピンを有したプローバとを備えるＴＦＴ液晶基板検査装置において、前記プローブピンのＴＦＴ液晶基板上の接触位置を確認する方法であって、
前記プローバ又は前記ステージを駆動して、前記プローブピンを前記ＴＦＴ液晶基板に接触させる工程と、
前記プローバを前記ＴＦＴ液晶基板上から外して退避させる工程と、
前記電子線を前記ＴＦＴ液晶基板に照射し、前記検出器によってＴＦＴ液晶基板から発生する二次電子を検出してＳＥＭ像を取得する工程と、
前記ＳＥＭ像から前記プローブピンの接触位置を求める工程と、
前記求めた接触位置とコンタクトパッドとの位置関係から位置ずれを求める工程とを備えたことを特徴とする、ＴＦＴ液晶基板検査装置のプローブピンの接触位置確認方法。
【請求項２】
前記プローブピンとＴＦＴ液晶基板との接触工程において、前記プローブピンにＴＦＴ液晶基板の電位と異なる電位を生じる電圧を印加することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴ液晶基板検査装置のプローブピンの接触位置確認方法。
【請求項３】
前記電子銃から照射した電子線をＸ方向およびＹ方向に走査することによって、当該走査範囲のＳＥＭ像を取得することを特徴とする、請求項１又は２に記載のＴＦＴ液晶基板検査装置のプローブピンの接触位置確認方法。
【請求項４】
前記ステージの移動、および当該ステージに移動位置における前記電子銃から照射した電子線のＸ方向およびＹ方向の走査によって、当該走査範囲のＳＥＭ像を取得することを特徴とする、請求項１又は２に記載のＴＦＴ液晶基板検査装置のプローブピンの接触位置確認方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ液晶基板等の基板検査に関し、特にＴＦＴ液晶基板検査装置において、プローバのプローブピンの接触位置を確認する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ液晶基板は、例えばガラス基板上に液晶の画素を駆動する複数の回路がマトリックス状に配列された電気回路が形成され、その周囲に電気的接点となるコンタクトパットが多数形成されている。この液晶基板に形成された電気回路の良否を判定する電気的検査は、液晶基板のコンタクトパッドにプローバに設けたプローブピンを電気的に接触させることで行っている。
【０００３】
プローブピンをＴＦＴ液晶基板のコンタクトパッドに接触させることによって、ＴＦＴ液晶基板のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に検査用の駆動信号を供給するＴＦＴ液晶基板検査装置は、例えば、特許文献１〜３で知られている。
【０００４】
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に検査用駆動信号を供給するには、プローバのプローブピンとコンタクトパッドとの接触が良好であることが求められる。
【０００５】
プローブピンのコンタクト位置を確認するために、コンタクト位置観察用のテープを用いてプローブピンのコンタクト状態をチェックする方法が知られている。図６〜図９はコンタクト位置観察用テープを用いてプローブピンの接触を確認する方法を説明するための図およびフローチャートである。
【０００６】
図６において、ガラス基板等の基板面１１上には複数の液晶パネルが形成されている。液晶パネルには、複数のＴＦＴや透明電極がマトリックス状に配置されると共に、これらＴＦＴを選択的に駆動する配線が形成され、これらの配線に駆動信号を供給する電極が設けられる。図６では、ＴＦＴ、電極、配線等が形成される領域を回路部分１２として示し、電極をコンタクトパッド１３で示している。コンタクトパッド１３とプローブピン（図６には示していない）との接触を確認するために、コンタクト位置観察用テープ２０をコンタクトパッド１３の上表面に貼り付ける。
【０００７】
図７は、コンタクト位置観察用テープ２０をコンタクトパッド１３の上表面に貼り付けた状態を示している。ここでは、コンタクトパッド１３ａ〜１３ｄに対してそれぞれプローブピンが一本ずつ接触することによって、各コンタクトパッド１３ａ〜１３ｄに検査用駆動信号を供給する場合を示している。プローブピンをＴＦＴ液晶基板１０に近づけ、プローブピンの先端をコンタクト位置観察用テープ２０に接触させると、この接触によってコンタクト位置観察用テープ２０にピン痕２１が形成される。図７において、ピン痕２１ａ〜２１ｃはコンタクトパッド１３ａ〜１３ｃ上の対応する位置に観察されるが、ピン痕２１ｄはコンタクトパッド１３ｄから外れた位置に観察される。このコンタクト位置観察用テープ２０上に残るピン痕２１によって、プローブピンのコンタクトパッドに対する接触位置を確認することができる。
【０００８】
図８のフローチャートおよび図９の状態図は、コンタクト位置観察用テープを用いてプローブピンの接触位置を確認する手順を示している。
【０００９】
なお、ここで、液晶アレイ検査装置１０１は、ＴＦＴ液晶基板の搬出入を行うロードロックチャンバ１０２と、ＴＦＴ液晶基板の検査を行うメインチャンバ１０３を備え、メインチャンバ１０３内には、プローブピン１０７を有したプローバ１０６とステージ１０５とが設けられている。
【００１０】
コンタクト位置観察用テープを用いてプローブピンの接触位置を確認するには、ＴＦＴ液晶基板１１０のコンタクトパッド上にコンタクト位置観察用テープ２０を貼った後（S101）、ＴＦＴ液晶基板１１０をロードロックチャンバ１０２へ導入する(S102)。ＴＦＴ液晶基板１１０をロードロックチャンバ１０２からメインチャンバ１０３へ搬入し（図９（ａ））（S103）、プローバ１０６をＴＦＴ液晶基板１１０にセットしプローブピン１０７をＴＦＴ液晶基板に接触させる（図９（ｂ），（ｃ））（S104）。
【００１１】
プローブピン１０７をＴＦＴ液晶基板１１０に接触させた後、プローバ１０６をＴＦＴ液晶基板１１０から離し、プローブピン１０７とＴＦＴ液晶基板１１０との接触を解除する（図９（ｄ））（S105）。ＴＦＴ液晶基板１１０をメインチャンバ１０３からロードロックチャンバ１０２へ搬送し（図９（ｅ））（S106）、ロードロックチャンバ１０２の大気側を開放してＴＦＴ液晶基板１１０を取り出し（S107）、コンタクト位置観察用テープ２０のピン痕を観察し(S108)、ピン痕からコンタクト位置の位置ずれを求め調整する（S109）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−１７１０９３号公報
【特許文献２】特開２００７−１７１０９４号公報
【特許文献３】特開２００７−１７１０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
コンタクト位置観察用テープを用いてプローブピンの接触位置を確認する方法では、コンタクト位置観察用テープをプローブピンに貼る必要がある。このコンタクト位置観察用テープの貼付を人手によって行う場合には、プローブピンの設置位置が手の届かない位置であるときにはコンタクト位置観察用テープの貼り付けが難しいため、コンタクト位置観察用テープによる接触位置の確認ができない個所が発生するという問題がある。特に、ＴＦＴ液晶基板の大型化に伴ってプローバが大型化した場合には、コンタクト位置観察用テープを用いて接触位置を確認することができる範囲はプローバの周囲に限られ、プローバの内側に設けられたプローブピンについては接触位置の確認が困難である。
【００１４】
また、仮にプローバの内側に設置されたプローブピンにコンタクト位置観察用テープを貼り付けることができた場合であっても、コンタクト位置観察用テープのピン痕を目視で確認することが難しいという問題がある。
【００１５】
また、コンタクト位置観察用テープの貼付やピン痕の確認を人手や目視に代えて、貼付治具や撮像装置等の装置構成を用いることによって解決することも考えられるが、そのためには特別に設計した装置構成を別途用意する必要があるという問題がある。
【００１６】
そこで、本発明は前記した問題点を解決し、ＴＦＴ液晶基板検査装置において、従来のコンタクト位置観察用テープを用いることなくプローブピンの接触位置を確認することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、プローブピンの接触位置の確認を、ＴＦＴ液晶基板にプローブピンを接触した後にＳＥＭ像を取得し、このＳＥＭ像中のプローブピンの位置からプローブピンの接触位置を確認する。これによってコンタクト位置観察用テープを用いることなくプローブピンの接触位置を確認する。
【００１８】
本発明のプローブピンの接触位置確認方法は、真空状態にし得るメインチャンバと、メインチャンバ内に、ＴＦＴ液晶基板を支持するステージと、ＴＦＴ液晶基板に電子線を照射する電子銃と、ＴＦＴ液晶基板から発生する二次電子を検出する検出器と、検査対象のＴＦＴ液晶基板に検査信号を印加するプローブピンを有したプローバとを備えるＴＦＴ液晶基板検査装置において、プローブピンのＴＦＴ液晶基板上の接触位置を確認する方法であり、プローバ又はステージを駆動して、プローブピンをＴＦＴ液晶基板に接触させる工程と、プローバをＴＦＴ液晶基板上から外して退避させる工程と、電子線をＴＦＴ液晶基板に照射し、検出器によってＴＦＴ液晶基板から発生する二次電子を検出してＳＥＭ像を取得する工程と、ＳＥＭ像からプローブピンの接触位置を求める工程と、求めた接触位置とコンタクトパッドの位置とから位置ずれを求める工程とを備える。位置ずれは、プローブピンの接触位置とンタクトパッドの位置との位置関係から、位置ずれ方向と位置ずれ量によって定めることができる。
【００１９】
ＴＦＴ液晶基板のＳＥＭ像は、ＴＦＴ液晶基板の凹凸形状の他に、ＴＦＴ液晶基板の電位状態の違いを表している。プローブピンがコンタクトパッドに接触した部分の電位とプローブピンがＴＦＴ液晶基板の基板面に接触した部分の電位とは、異なる電位を示す。
【００２０】
コンタクトパッドは、配線を介して接地されているため、グラウンドレベルの電位である。一方、ＴＦＴ液晶基板の基板面はガラス基板等の絶縁性の素材から構成されているため、接地から電気的に浮いた状態にあり、グラウンドレベルに対して正あるいは負の電位である。
【００２１】
また、プローバが備えるプローブピンは配線を介して接続されており、所定の電圧状態とすることができる。ここで、所定の電圧は、配線を介して印加される信号の電圧で定まる他、配線を介して接地することができる。
【００２２】
プローブピンがコンタクトパッドに接触した場合には、コンタクトパッドがグラウンドレベルの電位にあるため、プローブピンの電圧にかかわらず、プローブピンが接触した位置の電位は変化せず、グラウンドレベルを維持する。これに対して、プローブピンがＴＦＴ液晶基板の基板面に接触した場合には、基板面はグラウンドレベル以外の正の電位あるいは負の電位にあるため、プローブピンが接触した位置の電位は接触したプローブピンの電位に変化し、基板面の絶縁性によってその電位が保持される。
【００２３】
ＴＦＴ液晶基板上において電位の差異が存在する場合には、電子線照射によって放出される二次電子の強度に差異が生じる。この二次電子強度の差異は、ＳＥＭ像において画像信号の強度差として表され、表示画像では、例えば画像の濃淡によって表示される。本発明は、このＳＥＭ像を利用し、ＳＥＭ像からプローブピンの接触位置を確認する。
【００２４】
プローブピンがコンタクトパッド上に接触した場合には、プローブピンが接触して位置の電位は変化しないため、ＳＥＭ像にプローブピンの接触位置は現れず、プローブピンの接触位置を確認することはできない。
【００２５】
一方、プローブピンがコンタクトパッドからずれてＴＦＴ液晶基板の基板面上に接触した場合には、プローブピンが接触した位置の電位は変化するため、ＳＥＭ像にプローブピンの接触位置が現れ、プローブピンの接触位置を確認することができる。
【００２６】
このように、ＳＥＭ像によるプローブピンの接触位置の検出は、プローブピンがコンタクトパッドから位置ずれして接触したことを確認することで行うことができ、そのプローブピンが基板面上で接触した位置とコンタクトパッドの位置関係から、プローブピンの位置ずれ方向と位置ずれ量を求めることができる。
【００２７】
プローブピンとＴＦＴ液晶基板との接触工程において、プローブピンを接地する他、プローブピンにＴＦＴ液晶基板の電位と異なる電位を生じる電圧を印加してもよい。これによって、プローブピンがＴＦＴ液晶基板の基板面と接触した際に、その基板面上の接触位置を基板面の電位と異なる電位とすることができる。
【００２８】
また、ＳＥＭ像は、電子銃から照射した電子線をＸ方向およびＹ方向に走査することによって取得することができる。この場合には、走査範囲内でＳＥＭ像を取得することができる。
【００２９】
また、ＳＥＭ像は、ステージを移動し、ステージの移動位置において電子銃から照射した電子線をＸ方向およびＹ方向の走査することによって取得することができる。この場合には、ステージを移動させることで、走査範囲を広げることができる。
【００３０】
本発明の態様によれば、ＴＦＴ液晶基板検査装置が備える電子銃および検出器の構成によってＳＥＭ像を取得することができるため、別途ＳＥＭ像を取得するための構成を追加して付加することなく、ＳＥＭ像を取得することができる。
【００３１】
本発明の態様によれば、電子線の走査やステージの移動によってＴＦＴ液晶基板の全面についてＳＥＭ像を取得することができるため、プローバにおいてコンタクト観察用テープの貼付が難しい場所においても、プローブピンの接触位置を確認することができる。
【発明の効果】
【００３２】
以上説明したように、本発明のＴＦＴ液晶基板検査装置のプローブピンの接触位置確認方法によれば、ＴＦＴ液晶基板検査装置において、従来のコンタクト位置観察用テープを用いることなくプローブピンの接触位置を確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明のＴＦＴ液晶基板検査装置のプローブピンの接触位置確認方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の各手順での状態を説明するための状態図である。
【図３】プローブピンのＴＦＴ液晶基板との接触において、ＴＦＴ液晶基板を説明するための平面図である。
【図４】プローブピンのＴＦＴ液晶基板との接触において、プローブピンとＴＦＴ液晶基板との接触状態を説明するための概略斜視図である。
【図５】プローブピンのＴＦＴ液晶基板との接触において、ＳＥＭ像を説明するための概略図である。
【図６】コンタクト位置観察用テープを用いてプローブピンの接触を確認する方法を説明するための図である。
【図７】コンタクト位置観察用テープをコンタクトパッドの上表面に貼り付けた状態を示す図である。
【図８】コンタクト位置観察用テープを用いてプローブピンの接触位置を確認する手順を説明するためのフローチャートである。
【図９】コンタクト位置観察用テープを用いてプローブピンの接触位置を確認する手順を説明するための状態図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００３５】
図１は本発明のＴＦＴ液晶基板検査装置のプローブピンの接触位置確認方法を説明するためのフローチャートであり、図２は各手順での状態を説明するための状態図である。
【００３６】
なお、ここで、液晶アレイ検査装置１は、ＴＦＴ液晶基板１０の搬出入を行うロードロックチャンバ２と、ＴＦＴ液晶基板１０の検査を行うメインチャンバ３を備え、メインチャンバ３内には、プローブピン７を有したプローバ６とステージ５とが設けられている。
【００３７】
ロードロックチャンバ２は、大気側との間およびメインチャンバ３との間にゲートを有し、大気側との間およびメインチャンバ３との間でＴＦＴ液晶基板１０の搬出入する搬送装置（図示していない）を備える。また、ロードロックチャンバ２のチャンバ内は、排気装置（図示していない）によって真空引きすることができる。
【００３８】
メインチャンバ３は、ロードロックチャンバ２から搬入したＴＦＴ液晶基板のＴＦＴアレイを真空状態で検査する機構を備える。検査機構として、ＴＦＴ液晶基板に電子線を照射して走査する電子銃４、電子線の照射によってＴＦＴ液晶基板から放出される二次電子を検出する検出器（図示していない）、搬入されたＴＦＴ液晶基板１０を支持し、水平方向および上下方向に移動自在とするステージ５、ステージ５上に載置してＴＦＴ液晶基板１０に検査信号を印加するプローバ６等を備える。また、メインチャンバ３のチャンバ内は、排気装置（図示していない）によって真空引きすることができる。
【００３９】
プローバ６は、ＴＦＴ液晶基板１０に設けられたコンタクトパッド（図示していない）に対応して複数本のプローブピン７を備える。ＴＦＴ液晶基板１０への検査信号の印加は、このプローバ６が備えるプローブピン７をＴＦＴ液晶基板１０の基板面上に形成されたコンタクトパッドに接触させることで行う。
【００４０】
液晶アレイ検査装置１は、図示しない制御回路を備え、この制御回路によって、電子銃４による電子線の走査、検出器による二次電子の検出、プローバ６からＴＦＴ液晶基板１０への検査信号の印加、ステージ５の移動、ゲートの開閉等を制御することによって、ＴＦＴ液晶基板１０のＴＦＴアレイの欠陥検出を行う。
【００４１】
本発明は、この液晶アレイ検査装置１が備える機能を利用することによって、プローバ６のプローブピン７がＴＦＴ液晶基板１０上で接触する接触位置を確認する。
【００４２】
ＴＦＴ液晶基板１０をロードロックチャンバ２へ導入し(S1)、ＴＦＴ液晶基板１０をロードロックチャンバ１０２からメインチャンバ１０３へ搬入し（図２（ａ））、ステージ５上に載置する（S2）。プローバ６をＴＦＴ液晶基板１０にセットし、プローブピン７をＴＦＴ液晶基板１０に接触させる。このプローブピン７のＴＦＴ液晶基板１０への接触は、プローバ６をステージ５側へ下降させる動作、あるいはステージ５をプローバ６側に上昇させる動作で行うことができる。
【００４３】
このとき、ＴＦＴ液晶基板１０上のコンタクトパッド（図示していない）、およびＴＦＴや電極等の素子が設けられた回路部分（図示していない）は接地されて、グラウンドレベルの電位に設定されている。
【００４４】
なお、プローブピン７は接地する他、所定電圧を印加しても良い。プローブピン７を接地した場合には、ＴＦＴ液晶基板１０の絶縁性の基板面において、プローブピン７が接触した部位の電位はグラウンドレベルとなる。これによって、基板面上において、プローブピン７が接触して接触位置の電位と、他の部位の電位とを異ならせることができる。
【００４５】
また、プローブピン７に所定電圧を印加した場合には、ＴＦＴ液晶基板１０の絶縁性の基板面において、プローブピン７が接触した部位の電位は印加した電圧に応じた電位となる。これによって、基板面上において、プローブピン７が接触して接触位置の電位と、他の部位の電位とを異ならせることができる。
【００４６】
上記したように、プローブピン７が基板面に接触した場合には、その接触位置は電位差として現れ、電子線を照射して得られるＳＥＭ像で識別可能となる（図２（ｂ），（ｃ））（S3）。
【００４７】
プローブピン７をＴＦＴ液晶基板１０に接触させた後、プローバ６をＴＦＴ液晶基板１０から離してプローブピン７とＴＦＴ液晶基板１０との接触を解除し、プローバ６をＴＦＴ液晶基板１０から退避させる。プローバ６をＴＦＴ液晶基板１０から退避させるのは、ＴＦＴ液晶基板１０上に電子線を走査して、ＳＥＭ像を所得するためである。
【００４８】
プローブピン７とＴＦＴ液晶基板１０との接触を解除した後の状態において、ＴＦＴ液晶基板１０のコンタクトパッド（図示していない）や回路部分（図示していない）の電位は、配線を介して接地されているためグラウンドレベルにある。一方、ＴＦＴ液晶基板１０の基板面は、ガラス基板等の絶縁材であってグラウンドレベルから電気的に浮いた状態にあるため所定の電位となる。
【００４９】
プローブピン７が接触した部分の電位は、コンタクトパッドと基板面とでは異なる。プローブピン７がコンタクトパッド（図示していない）に接触した場合には、その接触位置の電位はコンタクトパッドが接地されているため、グラウンドレベルから変化しない。一方、プローブピン７がＴＦＴ液晶基板１０の基板面上に接触した場合には、基板面はガラス基板等の絶縁材であるため、接触位置の部位の電位はプローブピン７の接触によって変化し、プローブピン７の電位を保持する（図２（ｄ），（ｅ））（S4）。
【００５０】
メインチャンバ３内において、電子銃４から電子線を照射して、電子線をＴＦＴ液晶基板１０上で走査させ、ＳＥＭ像を取得する。ＳＥＭ像を取得するときには、電子銃４あるいは電子線の経路上に設けたレンズによって電子線をＸ方向およびＹ方向に振ることで走査することができる。また、ステージ５を水平方向に移動させることで、電子銃４による走査範囲を移動させて、広い範囲のＳＥＭ像を取得することができる（図２（ｅ））（S5）。
【００５１】
ＳＥＭ像を取得した後は、ＴＦＴ液晶基板１０をメインチャンバ３からロードロックチャンバ２へ搬送し（図２（ｆ））、ロードロックチャンバ２の大気側を開放することで取り出すことができる。
【００５２】
取得したＳＥＭ像からプローブピン７の接触位置を確認し、接触位置が位置ずれしている場合には、プローブピン７の接触位置とコンタクトパッドの位置との位置関係から位置ずれ方向および位置ずれ量を算出し、プローブピン７の接触位置を調整する。ＳＥＭ像を用いたプローブピン７の接触位置の確認、プローブピン７の接触位置とコンタクトパッドの位置との位置の比較、および位置ずれ方向および位置ずれ量の算出は、ＳＥＭ像の画像処理によって行うことができる（S6）。
【００５３】
図３〜図５は、プローブピンのＴＦＴ液晶基板との接触を説明するための図であり、図３はＴＦＴ液晶基板を説明するための平面図であり、図４はプローブピンとＴＦＴ液晶基板との接触状態を説明するための概略斜視図であり、図５はＳＥＭ像を説明するための概略図である。
【００５４】
図３において、ＴＦＴ液晶基板１０は、ガラス基板等の電気的に絶縁性な基板面１１上に、ＴＦＴや電極等の素子が設けられた回路部分１２、この回路部分１２に検査信号を入力するコンタクトパッド１３等が形成されている。この回路部分１２は液晶パネルを構成している。なお、図３では、回路部分１２とコンタクトパッド１３とを、縦方向に４個、横方向に４個の合計１６個を配置した例を示しているが、この配置は一例であってこの配置例に限られるものではない。
【００５５】
プローバ６はコンタクトパッド１３に対応して複数のプローブピン７を備える。図４は、プローブピン７とＴＦＴ液晶基板１０との接触状態を示し、図４（ａ）は接触前の状態を示し、図４（ｂ）は接触時の状態を示している。なお、図４では、４本のプローブピン７ａ〜７ｄが４個のコンタクトパッド１３ａ〜１３ｄと接触する場合を示している。プローブピン７の本数はコンタクトパッド１３の個数と対応して設けられるが、コンタクトパッド１３の個数は必要に応じて任意に定めることができる。
【００５６】
図４（ａ）の接触前の状態において、ＴＦＴ液晶基板１０の基板面１１は、電気的に絶縁されているため所定の電位（ここではＶsとする）となっている。また、回路部分１２およびコンタクトパッド１３ａ〜１３ｄは、配線（図示していない）を介して接地され、グラウンドレベルの電位に設定されている。
【００５７】
図４（ｂ）は、プローブピン７ａ〜７ｄの内、プローブピン７ｂ〜７ｄは対応するコンタクトパッド１３ｂ〜１３ｄと接触し、プローブピン７ａは対応するコンタクトパッド１３ａと接触せずに基板面１１と接触した状態を示し、各接触位置を１４ｂ〜１４ｄおよび１４ａで示している。
【００５８】
このプローブピン７ａ〜７ｄの接触において、コンタクトパッド１３ｂ〜１３ｄ上の接触位置１４ｂ〜１４ｄの電位は、プローブピン７ｂ〜７ｄの電位に関わらずグラウンドレベルとなる。
【００５９】
一方、コンタクトパッド１３ａ上の接触位置１４ａの電位は、基板面１１が電気的に絶縁性であるため、プローブピン７ａの電位によって変化する。プローブピン７ａの電位がグラウンドレベルである場合には、接触位置１４ａの電位はグラウンドレベルとなる。また、プローブピン７ａに所定電圧を印加することによって所定電位とした場合には、接触位置１４ａの電位はプローブピン７ａによる所定電位となる。
【００６０】
これによって、プローブピン７とコンタクトパッド１３との間に位置ずれがある場合には、ＴＦＴ液晶基板１０の基板面１１上において、位置ずれした接触位置に基板面１１と異なる電位が生成される。ＳＥＭ像はこの電位状態を表すことができるため、ＳＥＭ像からプローブピン７の位置ずれを検出することができる。プローブピン７の位置ずれは、プローブピン７とそのプローブピン７が接触すべきコンタクトパッド１３との位置関係から求めることができ、ＳＥＭ像の画像処理によって位置ずれの方向と位置ずれ量を求めることができる。
【００６１】
図５は、ＳＥＭ像の一例を示している。図５（ａ）中の破線部分は、ＳＥＭ像を取得した範囲を示し、図５（ｂ）は取得したＳＥＭ像を模式的に示している。図５（ｂ）において、ＳＥＭ像は、基板面１１、回路部分１２，コンタクトパッド１３、およびプローブピン７の接触位置１４を示している。
【００６２】
ここで、基板面１１の電位Ｖsと、回路部分１２およびコンタクトパッド１３のグラウンドレベルの電位とが相違することによって、ＳＥＭ像上において回路部分１２およびコンタクトパッド１３と基板面１１とを識別することができる。
【００６３】
また、プローブピン７の接触位置１４の電位と基板面１１の電位Ｖsとが相違することによって、ＳＥＭ像上において接触位置１４と基板面１１とを識別することができる。
【００６４】
ＳＥＭ像において、コンタクトパッド１３とプローブピン７の接触位置１４とを識別し、この位置関係を求めることによってプローブピン７の位置ずれを検出することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明の基板搬送機構は、液晶のガラス基板の搬送に限らず、絶縁性の基板面に形成されたコンタクトパッドとプローブピンとの接触位置の確認にも適用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１…液晶アレイ検査装置、２…ロードロックチャンバ、３…メインチャンバ、４…電子銃、５…ステージ、６…プローバ、７…プローブピン、１０…液晶基板、１１…基板面、１２…回路部分、２０…コンタクト位置観察用テープ、２１，２１ａ〜２１ｄ…ピン痕、１３，１３ａ〜１３ｄ…コンタクトパッド、１４，１４ａ〜１４ｄ…接触位置、２１ａ〜２１ｃ…ピン痕、７ａ〜７ｄ…プローブピン、１０１…液晶アレイ検査装置、１０２…ロードロックチャンバ、１０３…メインチャンバ、１０５…ステージ、１０６…プローバ、１０７…プローブピン、１１０…液晶基板。
【図１】
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【図２】
2010190781.tif 000004
【図３】
2010190781.tif 000005
【図４】
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【図６】
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【図７】
2010190781.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図５】
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