(57)【要約】【課題】高速で光変調が可能であるとともにＳ／Ｎが良好であり、かつ堅牢な磁気光学素子と、それを使用した磁気光学方式の光変調器を得る。【解決手段】基板８上に設けられた磁性材料層１１と、磁性材料層１１に積層され、磁性材料層１１との接触部以外の周囲が絶縁材料層１４で覆われた貴金属材料層１２とを有する微小構造体２からなり、微小構造体２に印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変して、磁性材料層１１による磁気光学効果を貴金属材料層１２におけるプラズモンの電場増強効果により磁気光学効果を強めて高精細かつ高速で直線偏光を回転する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と微小構造体とを有し、
前記微小構造体は、光の波長の半分より小さく形成され、少なくとも前記基板上に設けられた磁性材料層と、該磁性材料層に積層され、前記磁性材料層との接触部以外の周囲が絶縁材料で覆われた貴金属材料層とを有し、前記微小構造体に印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変することを特徴とする磁気光学素子。
【請求項２】
前記基板と前記磁性材料層の間に、前記基板側から絶縁層と貴金属材料層とが積層されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気光学素子。
【請求項３】
前記微小構造体は、前記基板の面と平行な断面形状が正方形であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気光学素子。
【請求項４】
前記微小構造体は、前記基板の面と平行な断面形状が長方形であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気光学素子。
【請求項５】
前記微小構造体は、前記基板の面と平行な断面形状が非対称形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気光学素子。
【請求項６】
前記微小構造体の前記貴金属材料層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのいずれか又はこれらの合金材料で形成されたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の磁気光学素子。
【請求項７】
前記微小構造体の前記磁性材料層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気光学素子。
【請求項８】
前記微小構造体の前記磁性材料層は、少なくともＣｏを含有し、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気光学素子。
【請求項９】
前記微小構造体の前記磁性材料層は、Ｆｅ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄのいずれかから選択された垂直の磁気異方性を備えた多層構造であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気光学素子。
【請求項１０】
前記微小構造体の前記磁性材料層は、イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ，Ｙ３Ｆｅ３Ｏ１２）であるガーネット型フェライト、あるいはその一部を置換した材料で形成されたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気光学素子。
【請求項１１】
前記微小構造体の前記磁性材料層は、ハーフメタルで形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の磁気光学素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の磁気光学素子と偏光子と磁界制御手段及び検光子とを有し、
前記偏光子は、入射した光を直線偏光にして前記磁気光学素子に入射し、
前記磁界制御手段は、前記磁気光学素子に印加する磁界を変化させ、
前記磁気光学素子は、前記磁界制御手段により印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変し、
前記検光子は、前記磁気光学素子からの透過光のある方向に回転した偏光成分を透過させることを特徴とする光変調器。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の磁気光学素子と偏光子と磁界制御手段及び検光子とを有し、
前記偏光子は、入射した光を直線偏光にして前記磁気光学素子に入射し、
前記磁界制御手段は、前記磁気光学素子に印加する磁界を変化させ、
前記磁気光学素子は、前記磁界制御手段により印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変し、
前記検光子は、前記磁気光学素子からの反射光のある方向に回転した偏光成分を透過させることを特徴とする光変調器。
【請求項１４】
前記磁気光学素子を、前記基板の表面に二次元状に配列し、光の位相及び振幅を２次元空間的に変調することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の光変調器。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれかに記載の光変調器を有し、前記磁界制御手段により前記磁気光学素子に印加する磁界を変化させて光のオン・オフ制御を行うことを特徴とする磁気光学制御素子。
【請求項１６】
請求項１４に記載の光変調器を有し、前記磁界制御手段により前記磁気光学素子に印加する磁界を変化させて２次元空間的に光変調を行うことを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁性体とプラズモンを用い、高速で光変調が可能であるとともにＳ／Ｎが良好な磁気光学素子と、それを使用した磁気光学方式の光変調器と、光スイッチやセンサなどの磁気光学制御素子及び画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
カメラやプロジェクターなど光情報処理を伴う製品において、伝搬光の位相や振幅を制御する空間光変調器（ＳＬＭ；Spatial Light Modulator）は映像を表示するキーデバイスとして使用されている。この空間光変調器としては、現在実用化されている液晶型やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）型に勝る応答速度をもつものの要求が高まっている。しかしながら、分子の配向を制御する液晶型やミラーの角度を変化させるＭＥＭＳ型では、応答速度がマイクロ秒レベルにとどまり、さらなる応答速度をもつ空間光変調器を達成するためには、原理的にこれらとは異なる空間光変調器の開発が必要である。
【０００３】
原理的にナノ秒からサブナノ秒の応答速度をもつ方式として磁気光学方式がある。この磁気光学方式は、物質に磁場をかけた際に直線偏光の偏光面が回転する効果が磁気光学効果を利用したものであり、透過光へ影響を及ぼす場合をファラデー効果、反射光に影響を及ぼす場合を磁気カー効果という。磁気光学方式では、磁性薄膜の磁気モーメントの磁化反転速度がナノ秒からサブナノ秒であることを利用した高速スイッチングが可能とされる。この磁気光学方式を用いた空間光変調器が非特許文献１や特許文献１等に開示されている。
【０００４】
また、特許文献２に示された空間光変調器は、磁気光学効果を有する層と磁界発生層を有し、磁気光学効果を有する層に複数の磁区を定義し、この磁界発生層は各磁区に対して磁界を与える縦方向配線を設けた配線層（縦配線層）と横方向配線を設けた配線層（横配線層）のそれぞれを少なくとも一層備え、配線のそれぞれに順方向あるいは逆方向に電流を供給したり停止させて磁気光学効果を有する層の磁気光学効果により光の強度を連続的に変調させている。
【０００５】
また、特許文献３に示された空間光変調器は、磁気光学素子としてＣＰＰ（Current Perpendicular to the Plane）−ＧＭＲ（Giant Magneto-Resistance）素子やＴＭＲ（Tunneling Magneto-resistance）素子を用い、画素サイズを微細化するとともに高速応答で光を変調させている。しかしながら、素子構造が複雑になり、多くの加工プロセスを必要とするため、歩留まりが悪いという問題がある。
【０００６】
特許文献４には、光変調器を用いて表示装置、ホログラフィ装置、ホログラム記録装置が記載されている。この光変調器は、磁化反応素子をアレイ状に配設された複数の画素に配設し、磁化反応素子間には非磁性絶縁体を形成する。この磁化反応素子を磁化方向が固定の磁化方向固定層と、非磁性材料で構成される分離層と、電圧の印加により磁化方向が反転する磁化方向可変層の柱状積層構造とし、この磁化反応素子にアレイ状に配列される電極を接続して所望の画素を選択できるようにし、選択された画素の磁化反応素子の磁化方向可変層の磁化方向を反転させて、入射光の偏光方向の変化を偏光板で検出している。
【０００７】
空間光変調器ではないが、例えば特許文献５や特許文献６に示されているように、磁気光学効果を用いた光制御装置や情報再生装置の研究開発もこれまでなされている。これらは、いずれも磁性薄膜を利用するものであり、微小構造体を用いたものではない。
【０００８】
また、新規の光学現象により磁気光学特性を向上させようとする試みが近年なされている。以下に、プラズモン共鳴やフォトニック結晶を用いた例を挙げる。
ナノメートルからマイクロメートルスケールの大きさの構造体（以下、微小構造体とする）はナノフォト二クス、高密度記録媒体、光学素子、バイオチップなど多くの分野で研究が進んでいる。微小構造体特有の光現象の中に、局在型表面プラズモン共鳴がある。局在型表面プラズモン共鳴は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの貴金属特有に見られる共鳴現象であり、光の電場の増強効果が見られる。例えば、表面増強ラマン散乱法（Surface Enhanced Raman Scattering ；ＳＥＲＳ）では、金や銀などの金属ナノ粒子の表面に吸着したある種の分子のラマン散乱強度が、その分子が液体中に存在するときよりも著しく増強（１０３〜６程度）されることを利用した分析法として知られている。磁性体においては、貴金属薄膜との積層構成、貴金属ナノ粒子との複合材料構成とすることで、磁気光学効果が増大すると期待されている。
【０００９】
特許文献７に示された磁気光学体は、Ｂｉ：ＹＩＧからなる透過性磁性体薄膜に金属ナノ粒子を複合化させることにより磁気光学効果を増大させている。また、特許文献８に示された磁気光学素子は、非磁性支持体上に規則的に配列した金属磁性微粒子を含む微粒子配列層を有し、この金属磁性微粒子に対し外部から磁界を印加し、かつ直線偏光を入射し、金属磁性微粒子への入射光と金属の表面プラズモン振動との相互作用によって磁気光学効果を生じさせて、ディスプレイ用素子として適用した場合のコントラストを向上させるようにしている。
【００１０】
フォトニック結晶は、誘電率が周期的に変調を起こした人工結晶である。フォトニック結晶での磁気光学効果を増大させる磁気光学素子として、特許文献９に示された磁気光学体及びこの磁気光学体を用いた光アイソレ−タは、磁気光学薄膜を有する第１組１次元磁性フォトニック結晶及び磁気光学薄膜を有する第２組１次元磁性フォトニック結晶を光学長がλ／４＋ｍλ／２（λは光の波長、ｍは０または正の整数）である低屈折率誘電体薄膜を介して積層することにより、ファラデー回転角が大きくなるようにしている。
【００１１】
また、特許文献１０に示された屈折率制御方法および周期性構造物並びに光学素子は、光学基板上に光学媒質を周期的に配列した周期構造物に磁場を印加して周期構造物の屈折率を制御している。しかしながら数百ｎｍサイズの微粒子では光透過率が大きく低下してしまうという問題がある。特許文献１１に示されたフォトニック構造を有する屈折率周期構造体の製造方法、及びそれを用いた光機能素子も同様であり、光機能材料として磁性体を用いた場合に、光透過率が低下してしまい、ファラデー効果の増大など目的の効果を得るのは難しい。
【００１２】
特許文献１２には誘電体多層膜を利用した磁気光学素子が提案されている。特許文献１３に示された光素子は第１の光学媒質中に第２の光学媒質と第３の光学媒質を入射光の波長オーダーの間隔で周期的に配列した構造体に所定波長の入射光を変調する外場条件を加えることによりフォトニックバンド波長を制御している。特許文献１４に示された光スイッチは、磁気ヘッド層と、磁気光学効果を有する層と、偏光子層とから構成させる光スイッチであり、磁気光学効果を有する層は表面のみが磁性体及び非磁性体の周期構造で構成している。
【００１３】
また、非特許文献２には、Ｃｏ／Ａｕの構造により通常のバイオセンサと比較して３倍感度を増加させたことが報告され、非特許文献３には、Ａｕ／Ｃｏ／Ａｕの微小構造体にて局在表面プラズモン共鳴により磁気光学効果を増大させることが可能であることを示している。しかしながら具体的に実用に耐えうる光デバイスとしての提案はなかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
この発明は、微小構造体を使用し、高速で光変調が可能であるとともにＳ／Ｎが良好であり、かつ堅牢な磁気光学素子と、それを使用した磁気光学方式の光変調器と、光スイッチやセンサなどの磁気光学制御素子及び画像表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明の磁気光学素子は、光の波長の半分より小さく形成され、少なくとも基板上に設けられた磁性材料層と、該磁性材料層に積層され、前記磁性材料層との接触部以外の周囲が絶縁材料で覆われた貴金属材料層とを有する微小構造体からなり、前記微小構造体に印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変することを特徴とする。
【００１６】
前記基板と前記磁性材料層の間に、前記基板側から絶縁層と貴金属材料層とが積層されていることを特徴とする。
【００１７】
また、前記微小構造体は、前記基板の面と平行な断面形状が正方形や長方形あるいは非対称形状であることを特徴とする。
【００１８】
前記微小構造体の前記貴金属材料層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのいずれか又はこれらの合金材料で形成されたことを特徴とする。
【００１９】
また、前記微小構造体の前記磁性材料層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも１つを含むことを特徴とする。また、前記磁性材料層は、少なくともＣｏを含有し、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造や、Ｆｅ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄのいずれかから選択された垂直の磁気異方性を備えた多層構造で構成したり、イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ，Ｙ３Ｆｅ３Ｏ１２）であるガーネット型フェライト、あるいはその一部を置換した材料やハーフメタルで形成しても良い。
【００２０】
この発明の第１の光変調器は、前記いずれかの磁気光学素子と偏光子と磁界制御手段及び検光子とを有し、前記偏光子は、入射した光を直線偏光にして前記磁気光学素子に入射し、前記磁界制御手段は、前記磁気光学素子に印加する磁界を変化させ、前記磁気光学素子は、前記磁界制御手段により印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変し、前記検光子は、前記磁気光学素子からの透過光のある方向に回転した偏光成分を透過させることを特徴とする。
【００２１】
この発明の第２の光変調器は、前記いずれかの磁気光学素子と偏光子と磁界制御手段及び検光子とを有し、前記偏光子は、入射した光を直線偏光にして前記磁気光学素子に入射し、前記磁界制御手段は、前記磁気光学素子に印加する磁界を変化させ、前記磁気光学素子は、前記磁界制御手段により印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変し、前記検光子は、前記磁気光学素子からの反射光のある方向に回転した偏光成分を透過させることを特徴とする。
【００２２】
この発明の第３の光変調器は、前記第１と第２の磁気光学変調器において、前記磁気光学素子を、前記基板の表面に二次元状に配列し、光の位相及び振幅を２次元空間的に変調することを特徴とする。
【００２３】
この発明の磁気光学制御素子は、前記光変調器を有し、前記磁界制御手段により前記磁気光学素子に印加する磁界を変化させて光のオン・オフ制御を行うことを特徴とする。
【００２４】
この発明の画像表示装置は、前記第３の光変調器を有し、前記磁界制御手段により前記磁気光学素子に印加する磁界を変化させて２次元空間的に光変調を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
この発明の磁気光学素子は、基板上に設けられた磁性材料層と、磁性材料層に積層され、磁性材料層との接触部以外の周囲が絶縁材料で覆われた貴金属材料層とを有する微小構造体からなり、微小構造体に印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変するから、磁性材料層による磁気光学効果を貴金属材料層におけるプラズモンの電場増強効果により磁気光学効果を強めて高精細かつ高速で直線偏光を回転することができる。
【００２６】
この微小構造体の磁性材料層として、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも１つを含むか、少なくともＣｏを含有し、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造や、Ｆｅ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄのいずれかから選択された垂直の磁気異方性を備えた多層構造で構成するか、または、イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ，Ｙ３Ｆｅ３Ｏ１２）であるガーネット型フェライト、あるいはその一部を置換した材料やハーフメタルで形成することにより、信号強度の強い磁気光学素子を得ることができる。
【００２７】
また、この発明の磁気光学素子を有する光変調器は、偏光子からの直線偏光を磁気光学素子に入射し、磁気光学素子に印加する磁界を変化させて磁気光学素子に入射する直線偏光の回転方向を可変し、磁気光学素子からの透過光あるいは反射光のある方向に回転した偏光成分を検光子で透過させることにより、高精細・高速で光変調することができるとともに信号強度が強く、堅牢な光変調器を提供することができる。
【００２８】
また、この発明の磁気光学制御素子は、高精細・高速で光変調することができる光変調器を有し、磁気光学素子に印加する磁界を変化させて光のオン・オフ制御を行うことにより、超高速光スイッチングを可能に知ることができる。
【００２９】
さらに、磁気光学制御素子を有し、２次元空間的に光変調を行う画像表示装置は、信号強度を増強するとともに高速応答をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明の光透過型空間光変調器の構成を示す断面模式図である。
【図２】光透過型空間光変調器の電極部を示す上面模式図である。
【図３】光透過型空間光変調器の動作原理を示す模式図である。
【図４】光透過型空間光変調器を構成する微小構造体の形状を示す配置図である。
【図５】微小構造体の磁気光学特性図である。
【図６】この発明の光反射型空間光変調器の構成を示す断面模式図である。
【図７】光反射型空間光変調器の電極部を示す斜視図である。
【図８】光反射型空間光変調器の動作原理を示す模式図である。
【図９】光反射型空間光変調器の他の構成を示す断面模式図である。
【図１０】光反射型空間光変調器を構成する微小構造体の形状を示す配置図である。
【図１１】第２の光反射型空間光変調器の構成を示す断面模式図である。
【図１２】第２の光反射型空間光変調器の電極部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
まず、この発明の光透過型空間光変調器について説明する。
図１と図２は、この発明の磁気光学方式による光透過型空間光変調器の構成を示し、図１は光透過型空間光変調器を垂直面（ＸＺ面）で裁断した断面模式図、図２は光透過型空間光変調器の電極部のみがよく理解できるように示した上面模式図である。図１（ａ）は図２のＸ１−Ｘ１断面を示し、（ｂ）は図２のＸ２−Ｘ２断面を示す。
【００３２】
光透過型空間光変調器１は、図１に示すように、複数の微小構造体２とＸ方向ライン状電極３及びＹ方向ライン状電極４と偏光子５と検光子６及び第１のガラス基板７と第２のガラス基板８と第３のガラス基板９を有する。複数の微小構造体２は、第１の貴金属材料層１０と磁性材料層（磁気光学信号層）１１と第２の貴金属材料層１２及び絶縁層１３が積層され、例えば幅が約200ｎｍのほぼ直方体形状に形成されている。第１の貴金属材料層１０は、例えば厚さが約20ｎｍのＡｕで形成され、磁性材料層（磁気光学信号層）１１は、例えば厚さが約５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２で形成され、第２の貴金属材料層１２は、例えば厚さが10ｎｍのＡｕで形成され、絶縁層１３は、例えば厚さが２ｎｍのＳｉＮで形成されている。この微小構造体２は約200ｎｍの間隔で絶縁層１３を第２のガラス基板８側にして第２のガラス基板８の表面に形成され、１個にて１つの信号（１画素）を形成する変調器であり、ＸＹ平面内にｎ×ｎ個形成されている。この微小構造体２の周囲は二酸化珪素（ＳｉＯ２）からなる絶縁材料層１４で覆われている。
【００３３】
第２のガラス基板８の微小構造体２を有する面上で微小構造体２の間にはＸ方向にライン状のＸ方向ライン状電極３が形成されている。また、微小構造体２を覆う絶縁材料層１４内にはＸ方向ライン状電極４と直交するＹ方向にライン状のＹ方向ライン状電極４が微小構造体２の間にＸ方向ライン状電極３と接触しないように形成されている。Ｘ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなり、幅が約80ｎｍである。
【００３４】
偏光子５は、第１のガラス基板７に光硬化型樹脂１５で接着され、微小構造体２とＹ方向ライン状電極４を有する絶縁材料層１４の第２のガラス基板８とは反対側の面に接着されている。検光子６は、第３のガラス基板９に光硬化型樹脂１６で接着され、第２のガラス基板８の微小構造体２を有する面と反対側の面に接着されている。偏光子５と検光子６は、ある方位の直線偏光を作り出す光学素子であり、有機高分子材料であるポリビニルアルコールにヨウ素や二色性色素を混入し、製膜してフィルムとした後、延伸処理を施すことによって作製されたものである。
【００３５】
磁性材料層（磁気光学信号層）１１を形成するＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２はグラニュラー構造からなり、垂直磁気異方性をもつ。グラニュラーとは「粒状の」という意味で、ナノメータースケールの粒子が別の材料のマトリックスに分散した構造を持つ材料を指す。この磁性材料層１１のＣｏは六方最密結晶格子構造の結晶を形成し、ＣｒおよびＳｉＯ２が偏析して粒界を形成する。このように磁性材料層（磁気光学信号層）１１にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を用いることにより、ＳｉＯ２が強磁性のＣｏの周囲に偏析するため、物理的に独立した微細なＣｏ粒子を形成しやすいという特徴がある。
【００３６】
この光透過型空間光変調器１の動作原理を図３の模式図を参照して説明する。空間光変調器１は、入射光を偏光子５で直線偏光にして微小構造体２に入射する。この微小構造体２に直線偏光を入射するとき、Ｘ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４に流れる電流を可変制御して微小構造体２に印加する磁界を変化させる。この磁界の変化により微小構造体２の磁性材料層（磁気光学信号層）１１の磁気モーメントの向きが変化する。この磁性材料層（磁気光学信号層）１１の磁気モーメントの向きの変化により微小構造体２に入射した直線偏光の反射光や透過光は回転する。検光子６は微小構造体２からの透過光のある方向に回転した偏光成分を透過させるとともに、逆方向に回転した偏光成分を遮断する。このように微小構造体２に印加する磁界を変化させることにより光のオン・オフを制御することができる。例えば、正方向の磁界が印加されたときに＋θＦのファラデー回転し、負方向の磁界が印加されたときに−θＦのファラデー回転が生じるとし、検光子６の偏光透過面が＋θＦに設定されているとすると、＋θＦのファラデー回転した光は透過するが（オンの状態）、−θＦの回転をした光は透過しない（オフの状態）ように検光子６を配置する。したがって磁界の向きを制御することにより光のオン・オフを制御でき、光透過型空間光変調器１を光スイッチやセンサなどの磁気光学素子として使用することができる。なお、図３では、石英基板によるファラデー回転は配慮していないが、実際に石英のようにファラデー回転が比較的大きい材質をガラス基板７〜９として用いた場合には回転角を配慮する必要がある。
【００３７】
これまで従来技術の課題として、回転角が小さく、その結果としてＳ／Ｎが悪く、画素を微細化した場合に信号強度が小さいという問題があった。しかしながら、この発明の光透過型空間光変調器１では、磁性材料層（磁気光学信号層）１１を上下からプラズモン励起をする第１の貴金属材料層１０と第２の貴金属材料層１２のＡｕで挟み込む構成の微小構造体２を用いる構成を示している点が従来例とは大きく異なる。このような構成では、磁性体のみの場合と比較して回転角が大きくなるという特徴がある。これは、微小構造体２における局在型表面プラズモンによる電場増強効果によるものである。特に第１の貴金属材料層１０のＡｕ層においてプラズモン励起効果が大きい。プラズモン励起層としてＡｕ層を利用しているが、プラズモンは電子の振動により生じるものであるため、周囲は絶縁材料である必要がある。この微小構造体２の第１の貴金属材料層１０のＡｕ層にて生成した電子の振動が磁性材料層（磁気光学信号層）１１に影響し、磁気光学効果を強めていると推測される。また、入射光２０として波長633ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザを用いた場合にはファラデー回転角も約0.2度という比較的大きな値で、コントラスト比が大きくスイッチングが可能であった。
【００３８】
この微小構造体２の磁性材料層（磁気光学信号層）１１の磁気モーメントの方向制御は、図2に示すＸ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４に流す電流を制御して、Ｘ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４の周囲に発生する磁界を制御するようにシミュレーションにより求め、ＸＹ方向にて一つの微小構造体２に対して同期を取れるようにして水平方向の磁化反転を制御する。
【００３９】
微小構造体２の各種形状を図４の上面模式図を示す。微小構造体２は、図４（ａ）に示すように断面が正方形や、図４（ｂ）に示すように断面が円形や、図４（ｃ）に示すように断面がコノ字型の形状にすると良い。微小構造体２を断面が正方形の形状や円形の形状にすると加工が容易である。また、微小構造体２を断面がコノ字型の非対称形状にすると旋光性を利用することができ増強された磁気光学信号を得ることができる。さらに、微小構造体２を辺の長さが異なる長方形形状にすることによりＳ／Ｎを良好にすることができる。
【００４０】
次に微小構造体２を有する光透過型空間光変調器１の作製方法を示す。まず、表面研磨を施した石英からなる第２のガラス基板８を用意した。これが微小構造体２の支持体としての役割を示す。このガラス基板８に対して超高真空スパッタリング装置を用いてＸ方向ライン状電極３となるＩＴＯおよび微小構造体２を形成する薄膜構成を形成した。その後、収束イオンビーム（Focused Ion beam）装置を用いてパターン作製した。収束イオンビームではＧａイオンビームにより試料表面の原子をはじきとばすことによって試料を削ることができる。その後、ＳｉＯ２により微小構造体２の間を埋めるとともに、再度、加工と成膜を繰り返してＹ方向ライン状電極４を作製した。その後、光硬化型樹脂を用い偏光子５と検光子６を固定した。ここで収束イオンビーム装置を利用した例を示しが、電子線描画によりレジストパターンを形成し、そのパターンをもとに磁性体薄膜にイオンミリングを施す方法などを使用しても良い。
【００４１】
この光透過型空間光変調器１の特徴として、磁化の反転速度が数ナノ秒であり、同様な空間光変調器に液晶フィルムを用いたものではスイッチングに数マイクロ秒を要するのに対して、微小構造体２を用いた光透過型空間光変調器１は超高速光スイッチングが可能である。
【００４２】
すなわち微小構造体２における局在型表面プラズモン共鳴による磁気光学効果の増大を利用している点が大きな特徴である。ほぼプラズモン共鳴波長に対応する入射波長にて磁気光学効果が増大する。光路において、磁性体の体積が大きい方が、磁気光学効果が大きいことが知られているが、同体積にて比較した場合にプラズモン共鳴を用いた場合には光の共鳴効果により磁気光学効果が増強される。また、微小構造体２の形状を断面がコノ字型の非対称形状とし、貴金属の中でもＡｕを用いることにより、プラズモン共鳴波長が可視光領域に存在し、優れた共鳴効果であるほかに、Ａｕは化学的に安定な元素であるためである。また、磁性材料層（磁気光学信号層）１１の下側に、下側から絶縁層１３と第２の貴金属材料層１２を設けることにより磁気光学信号をより強めるほか、信号強度の調整の役割も果たすことができる。
【００４３】
前記説明では磁場印加方法としてＸ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４の周辺に生じる磁界を用いたが、ハードディスクに用いられる磁気ヘッド（ＴＭＲやＧＭＲ）を利用する方法や、コイル形状と磁芯からなる微小磁気ヘッドを用いた方法や、永久磁石を近接させる方法もある。特に透明磁気ヘッドを用いた場合には垂直入射も容易である。
【００４４】
また、前記説明では微小構造体２が２次元的に周期配列した構成を示し、微小構造体２の１個を１画素として利用した場合について示したが、縦２個×横２個の計４個の微小構造体２で１つの信号（１画素）を形成するなど、複数個でも光変調機能を示すことができる。このように複数個の微小構造体２で１画素を形成することにより、微小構造体２の１個を１画素とした場合にはより高精細であり、光強度を良好にすることができる。すなわち、１つの微小構造体２のサイズが数十〜数百ｎｍ程度であり、利用する光の波長の半分以下の幅であるため、高精細を必要とする利用に適している。このような空間的に光を変調する機能をもつ磁気光学デバイスは応用範囲が広く、光スイッチのほかバイオセンサやガスセンサなどのセンサとしての利用も可能である。用途としては、微小構造体２を１個としての利用するほか、２次元空間的な利用もある。微小構造体２を１個としての利用の場合はレーザ光を高速走査させる用途が主になる。一方、微小構造体２を複数個用いた２次元空間的な利用の場合には、並列処理を要する用途での利用となる。
【００４５】
また、微小構造体２の形状も加工が容易で局在表面プラズモンモードを選択できる直方体形状）のほか、例えば、加工精度がやや悪くなるが、水平断面形状が卍型やコノ字型の場合は、旋光性を持たせる構造として知られ、旋光機能を重畳させてさらに磁気光学信号を増強させることができる。
【００４６】
また、微小構造体２の絶縁層１３は、プラズモン励起の際の電子の振動運動が磁性材料層（磁気光学信号層）１１に充分に影響させるために設けているものであり、プラズモン励起が実際に生じ、磁気光学効果を増強させる効果がある。さらに、磁性材料層（磁気光学信号層）１１としてＣｏを含めた場合について示したが、ＣｏやＦｅ、Ｎｉの少なくとも１つを含むと良い。Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉは磁気光学信号を発生させるのに有利な基本元素であるためである。また、磁性材料層（磁気光学信号層）１１としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２からなるグラニュラー構造を用いることにより、強く、かつ安定した磁気光学信号を得ることができる。
【００４７】
この磁性材料層（磁気光学信号層）１１の材料として重要なのは、強磁性体金属・合金と非磁性の絶縁体の組み合わせである。強磁性体として例えば、Ｆｅ、Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金、絶縁体にはＳｉＯ２、ＭｇＯなどの酸化物やＭＧＦ２などのフッ化物があげられ、これらの材料を同時にスパッタするといった方法で、自然に相分離によってナノメータースケールの構造が形成される。
【００４８】
また、Ｘ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４としてＩＴＯを用いたが、ＩＴＯは可視光領域にてほぼ透明であるため、光デバイス用途には好ましい。インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）なども光学的に透明である。また、透明でないＣｕなどの金属電極を用いることも可能である。
【００４９】
前記光透過型空間光変調器１を構成する微小構造体２の磁性材料層（磁気光学信号層）１１としてＣｏ／Ｐｔ多層膜を使用しても良い。このＣｏ／Ｐｔ多層膜はＣｏ；１ｎｍ／（Ｃｏ；0.5ｎｍ／Ｐｔ；１ｎｍ）５層からなる人工格子構造であり、垂直磁気異方性をもつ。この微小構造体２の磁性材料層（磁気光学信号層）１１としてＣｏ／Ｐｔ多層膜を用いた光透過型空間光変調器１も光変調機能を確認できた。ここで、（Ｃｏ；0.5ｎｍ／Ｐｔ；１ｎｍ）層の層数は限定されない。光反射率や飽和磁化の関係から５層もしくは７層程度が好ましい。また、Ｆｅ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄなどの多層膜を利用することもできる。
【００５０】
図５に磁気光学特性（ファラデー回転角、ファラデー楕円率）の一例を示す。測定試料は、以下の二つのものである。
試料１；  ガラス基板/Ti2nm / Au 20nm / [(Co 0.5 nm / Pt 1nm)7層] / Au 20nm
試料２；  ガラス基板/ Ti 2nm / Pt 1nm / [(Co 0.5 nm / Pt 1nm)7層] / Pt 3nm
試料の形状は円形のドット形状であり、ドット周期はいずれも250ｎｍである。ドットの周囲は有機レジスト材料を塗布して保護してある。同じドット直径で比較すると試料１の方の回転角が試料２の回転角と比較して約２倍以上大きいことがわかる。測定した光の波長は630ｎｍであり、プラズモン共鳴波長はドット径が50ｎｍの際に約630ｎｍであり、630ｎｍ近傍の光はプラズモン共鳴を生じる。また、プラズモン共鳴波長はドット径が大きくなるにつれて、長波長側にシフトする。試料１の回転角が試料２の回転角よりも大きいのはプラズモン共鳴に起因している。このような特性は、例えばＡｕをＡｇやＣｕ、Ａｌなど他の貴金属材料に変えたり、磁気特性を示すＣｏ／Ｐｔ多層膜を他の材料に変えたり、ドット周期、各材料の膜厚などを変えることにより磁気光学特性は変化するため、用途に応じて調整可能である。
【００５１】
また、光透過型空間光変調器１を構成する微小構造体２の磁性材料層（磁気光学信号層）１１として、イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ，Ｙ３Ｆｅ３Ｏ１２）であるガーネット型フェライトの一部をビスマス（Ｂｉ）で置換したＢｉ：ＹＩＧを用いても良い。Ｂｉ；ＹＩＧは磁気光学信号を発する材料としては、比較的透過率が高く、その結果、光強度も大きくなるという利点がある。
【００５２】
Ｂｉ：ＹＩＧの形成方法としては、スパッタリング法を用いたが、他にＢｉ：ＹＩＧの有機化合物を有機溶剤に溶解した溶液（ＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）塗布材料）を利用する方法もある。この方法は例えば溶液を基板に塗布し、乾燥させる作業を５回繰り返し、その後、100℃で30分、500℃で15分、700℃で180分という熱処理工程を加え、Ｂｉ：ＹＩＧを焼成することにより結晶性を向上させることができる。
【００５３】
また、磁性材料層（磁気光学信号層）１１としてＢｉ：ＹＩＧを用いたが、これは希土類鉄ガーネットであり、希土類金属としてＹのほかにＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどでもよい。また、Ｂｉ置換型であるが、Ｃｅ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｐｔでもよい。さらにＦｅの一部をＡｌ、Ｇａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉなどとしても良い。
【００５４】
次に、この発明の光反射型空間光変調器について説明する。
図６と図７は、この発明の光反射型空間光変調器２１の構成を示し、図６は光反射型空間光変調器２１の断面模式図、図７は光反射型空間光変調器２１の電極部を模式的に示した斜視図である。図に示すように、光反射型空間光変調器２１は複数の微小構造体２ａとＸ方向ライン状電極３及びＹ方向ライン状電極４と第１のガラス基板７と第２のガラス基板８及び偏光子５と検光子６を有する。そして表面が研磨された石英からなる第２のガラス基板８の上にＸ方向ライン状電極３が形成され、Ｘ方向ライン状電極３の上に例えば幅が約250ｎｍのほぼ直方体形状の微小構造体２ａが形成されている。この微小構造体２ａは、第２のガラス基板８側から例えば厚さが約２ｎｍのＳｉＮで形成された絶縁層１３と、例えば厚さが５ｎｍの第２の貴金属材料層１２と、例えば厚さが約30ｎｍのＮｉＦｅで形成された磁性材料層（磁気光学信号層）１１と、例えば厚さが約30ｎｍのＡｕで形成された第１の貴金属材料層１０と、厚さが約２ｎｍのＳｉＮで形成された絶縁層２２の順で積層されている。磁性材料層（磁気光学信号層）１１を形成するＮｉＦｅは面内磁気異方性をもつ。この微小構造体２ａの上に第１のガラス基板７に形成されたＹ方向ライン状電極４が配置され、微小構造体２ａの周囲とＹ方向ライン状電極４は光硬化型樹脂１５により固定されている。Ｘ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４は幅が微小構造体２ａと同じ約250ｎｍで形成されている。このＸ方向ライン状電極３はＡｌで形成され、Ｙ方向ライン状電極４はＩＴＯで形成されている。この場合、Ｘ方向ライン状電極３のＡｌは反射膜の機能も兼ね、Ｙ方向ライン状電極４のＩＴＯはほぼ可視光を透過するのに対し、Ａｌは可視光をほぼ反射する。偏光子５と検光子６はグラントムソンプリズムであり、第１のガラス基板７の上方に配置されている。この微小構造体２ａは１個で１つの信号（１画素）を形成する変調器であり、ＸＹ平面内にｎ×ｎ個形成されている。このＸ方向ライン状電極３はＡｌで形成され、Ｙ方向ライン状電極４はＩＴＯで形成されている。
【００５５】
この光反射型空間光変調器２１の動作原理を図８の模式図を参照して説明する。
偏光子５を透過した直線偏光は微小構造体２ａに入射した後に反射する。この際に、微小構造体２ａを形成する磁性材料層（磁気光学信号層）１１のＮｉＦｅの磁気モーメントの向きにより、入射した直線偏光と反射した直線偏光のカー回転方向が互いに逆向きになる。検光子６は、図８（ａ）に示すように、＋θｋのカー回転を受けた光は透過し、図８（ｂ）に示すように、−θｋのカー回転を受けた光は透過しないように、すなわち、一方の直線偏光を透過するように配置されている。したがって磁性材料層（磁気光学信号層）１１に印加する磁界の方向を変えることにより、磁性材料層（磁気光学信号層）１１を形成するＮｉＦｅの磁気モーメントを変化させて、偏光子５を透過して微小構造体２ａで反射した光信号をオン・オフすることができる。
【００５６】
この光信号をオン・オフするための磁場印加方法は、Ｘ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４に流すパルス電流による。このＸ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４に流すパルス電流をシミュレーションにより求められた最適パルス電流にすることによりＸＹ方向の発生磁界を制御することができる。ここで磁性材料層（磁気光学信号層）１１を形成するＮｉＦｅは面内磁化膜であり、面内磁化膜としては、他にＣｏＦｅＢなどがある。
【００５７】
また、光反射型空間光変調器２１を構成する微小構造体２ａの磁性材料層（磁気光学信号層）１１としてＰｔＭｎＳｂを使用しても良い。ＰｔＭｎＳｂは白金（Ｐｔ）とマンガン（Ｍｎ）とアンチモン（Ｓｂ）の組成比を調整することにより、一方向のみのスピンをもつ（理論上スピン偏極率100％）状態を形成することができる。
【００５８】
この微小構造体２ａの磁性材料層（磁気光学信号層）１１としてＰｔＭｎＳｂを使用した光反射型空間光変調器２１の構成を図９と図１０に示す。図９は光反射型空間光変調器２１の断面模式図、図１０は光反射型空間光変調器２１の微小構造体２ａの形状を示す上面模式図である。微小構造体２ａはＸ方向の幅が250ｎｍ、Ｙ方向の幅が50ｎｍであり、図９（ａ）に示すように断面を長方体形状にしても良いし、図９（ｂ）に示すように断面を楕円形状にしても良い。また、磁場印加方法としてマイクロ磁気ヘッドを用いた。
【００５９】
また、微小構造体２ａの磁性材料層（磁気光学信号層）１１としてハーフメタル材料を用いても良い。このハーフメタル材料としては、外部磁場が印加される場合にすべての電子が所定の方向にスピン分極されるホイスラー合金（Heusler alloy）やハーフメタル強磁性膜（例えばＣｏ２ＭｎＳｉ膜）で形成することが好ましい。また、ホイスラー合金やハーフメタル強磁性膜と同様な他の強磁性膜で形成しても良い。ハーフメタルには（Ｌａ，Ｓｒ）ＭｎＯ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｒＯ２などの導電性強磁性酸化物やＮｉＭｎＳｂなどのハーフホイスラー合金、Ｃｏ２ＭｎＳｉ、Ｃｏ２ＭｎＡｌ、Ｃｏ２ＭｎＧｅ、Ｃｏ２ＣｒＧａなどのフルホイスラー合金および閃亜鉛鉱型のＣｒＡｓなどが知られている。
【００６０】
また、微小構造体２ａの第1の貴金属材料層１０と第２の貴金属材料層１２の材料としてＡｇを用いた。Ａｇは化学的にやや不安定という欠点があるが、プラズモン共鳴を生じる元素としてＡｕよりも増強効果は大きい。
【００６１】
この光反射型空間光変調器２１を構成する微小構造体２ａは一方向の長さとそれと垂直な方向の長さを異ならせることにより、プラズモンの共鳴モードを選択的に利用してプラズモン共鳴波長を制御できるという利点がある。
【００６２】
次に、この発明の他の光反射型空間光変調器について説明する。
図１１と図１２は、光反射型空間光変調器２１ａの構成を示し、図１１は光反射型空間光変調器２１ａの断面模式図、図１２は光反射型空間光変調器２１ａの電極部を模式的に示した斜視図である。この光反射型空間光変調器２１ａの微小構造体２ｂに対するＸ方向ライン状電極３及びＹ方向ライン状電極４の配置は図５と図６に示す構成と同様である。図に示すように、光反射型空間光変調器２１ａは表面が研磨された石英からなる第２のガラス基板８の上にＸ方向ライン状電極３が形成され、Ｘ方向ライン状電極３の上にほぼ直方体形状の微小構造体２ｂが形成されている。微小構造体２ｂの上に第１のガラス基板７に形成されたＹ方向ライン状電極４が配置されている。
【００６３】
微小構造体２ｂは、第２のガラス基板８側から例えば厚さが約30ｎｍのＴｂ１１（Ｃｏ９０Ｆｅ１０）８９で形成された磁化固定層３１と、厚さが約２ｎｍのＣｏＦｅＢで形成された界面層３２と、厚さが約１ｎｍのＭｇＯで形成された中間層（トンネル絶縁層）３３と、厚さが約１ｎｍのＣｏＦｅＢで形成された界面層３４と、厚さが約３ｎｍのＴｂ１５（Ｃｏ９０Ｆｅ１０）８５で形成された磁化自由層（磁気光学信号層）３５と、厚さが約20ｎｍのＡｇで形成された局在表面プラズモン励起層３６からなる。また、局在表面プラズモン励起層３６はＩＴＯで形成されたＹ方向ライン状電極４から流れる電流を流す役割も兼ねている。微小構造体２ｂの周囲は二酸化珪素（ＳｉＯ２）により固定されている。この微小構造体２ｂとＸ方向ライン状電極３とＹ方向ライン状電極４の幅は約200ｎｍであり、微小構造体が１個にて１つの信号（１画素）を形成する。このような画素がＸＹ平面内にｎ×ｎ個形成されている。また、偏光子５と検光子６はグラントムソンプリズムである。
【００６４】
この光反射型空間光変調器２１ａの光をオン・オフする原理は、スピンバルブ多層膜における磁化自由層４５の磁気モーメントの変化である。スピン注入方式は、電流中の電子スピンの作用で磁化を反転させる方式である。磁性体で絶縁膜を挟んだ構成にて電子スピンの方向を揃えた電流を流して磁化を反転させる。磁化固定層３１の磁気モーメントの向きは常に一方向であるが、磁化自由層３５の磁気モーメントの向きは電流により変化する。この微小構造体２ｂで用いている垂直磁化方式は、磁性層の垂直方向の磁化を利用する方式であり、従来の面内磁化方式に比べて磁化反転時のエネルギーが低く、少ない電流で磁化を反転させることができる。
【００６５】
また、局在表面プラズモン励起層３６のＡｇは先にも述べたが、プラズモン励起の役割と電極の役割を兼ねている。このＡｇにて生じた電子の振動が磁化自由層３５から生じる磁気光学信号を強める。このようにプラズモン効果に着目して微小なサイズの貴金属材料層を磁化自由層と接した構成を実施した例はなく新しい構成である。
【００６６】
以上説明したように、この発明は透過光を利用したファラデー効果、反射光を利用した磁気カー効果による空間光変調器を作製することができる。
【００６７】
また、微小構造体２，２ａ，２ｂの磁気光学信号層を形成する工程においては、磁性体・ポリマー複合材料を用いる方法、ゾルゲル法を用いた方法、ＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）材料を用いる方法のほか、スパッタリングを用いた成膜方法や、バナジウムクロムヘキサシアノ錯体などの分子磁性体を用いる方法、ナノシート積層を用いた方法、常温衝撃固化現象を用いたエアロゾルデポジッション法（ＡＤＭ）などもある。ゾルゲル材料は、アルコキシド等を加水分解、重合させ、コロイド状にしたものを溶液中に分散させた材料であり、低温製膜性に優れている。また、ＭＯＤ塗布型材料は、金属の有機化合物を有機溶剤に溶解した溶液であり、基板上にその溶液を塗布し、乾燥後熱処理を施すことで酸化物薄膜を簡単に形成することができる液体材料である。また、（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓ、ＧｅＦｅなどの強磁性半導体材料でも良い。
【００６８】
この発明の光透過型空間光変調器１や光反射型空間光変調器３１，３１ａとしては、微小構造体１個からなる光走査を行う例えば光スイッチに利用できるとともに２次元空間的に光変調をする画像表示装置に利用でき、超高速で光信号をオン・オフすることができる。
【符号の説明】
【００６９】
１；光透過型空間光変調器、２；微小構造体、３；Ｘ方向ライン状電極、
４；Ｙ方向ライン状電極、５；偏光子、６；検光子、７；ガラス基板、
８；ガラス基板、９；ガラス基板、１０；貴金属材料層、
１１；磁性材料層（磁気光学信号層）、１２；貴金属材料層、１３；絶縁層、
１４；絶縁材料層、１５；光硬化型樹脂、１６；光硬化型樹脂、
２１；光反射型空間光変調器、２２；絶縁層、３１；磁化固定層、
３２；界面層、３３；中間層（トンネル絶縁層）、３４；界面層、
３５；磁化自由層（磁気光学信号層）、３６；局在表面プラズモン励起層。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７０】
【特許文献１】特開２００７−３１０１７７号公報
【特許文献２】特開２００４−３５４４４１号公報
【特許文献３】特開２００８−１４５７４８号公報
【特許文献４】特開２００８−８３６８６号公報
【特許文献５】特開昭６３−１４９６２３号公報
【特許文献６】特開２０００−１７３０７１号公報
【特許文献７】特開２００８−２６８８６２号公報
【特許文献８】特開２００７−２１３００４号公報
【特許文献９】特開２００２−９０５２５号公報
【特許文献１０】特開２００３−１７７２０１号公報
【特許文献１１】特開２００１−２９６４４２号公報
【特許文献１２】特開２００２−３０３８４０号公報
【特許文献１３】特許第３７６３７０９号公報
【特許文献１４】特開２００４−３０９７００号公報
【非特許文献】
【００７１】
【非特許文献１】J. Appl. Phys. , Vol. 76, p1910-1919 (1994), J-k. Choほか, 「Design, fabrication, switching, and optical characteristics of new magneto-optic spatial light modulator」
【非特許文献２】Opt. Lett., Vol. 31, No.8, p1085-1087 (2006), B. Sepulvedaほか, 「Higyly sensitive detection of biomolecules with the magneto-optic surface-plasmon-resonance sensor」
【非特許文献３】small, Vol. 4, No.2, p202-205 (2008), Juan B. Gonzalez-Diazほか, 「Plasmonic Au/Co/Au nanosandwiches with enhanced magneto-optical activity」「Higyly sensitive detection of biomolecules with the magneto-optic surface-plasmon-resonance sensor」
【図１】
2010282103.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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