(57)【要約】【課題】接触孔を形成するための乾式エッチング工程を容易にする。【解決手段】第１基板上にゲート電極を含むゲート線及び高さ上向部材を形成する段階、ゲート線及び高さ上向部材上にゲート絶縁膜を形成する段階、ゲート絶縁膜上に半導体とソース電極を含むデータ線、及びソース電極と対向して、高さ上向部材と少なくとも一部が重畳するドレイン電極を形成する段階、ゲート絶縁膜及びデータ線上に第１絶縁膜を形成する段階、第１絶縁膜上のゲート線及びデータ線に対応する部分に画素領域を区画するように遮光部材を形成する段階、遮光部材によって区画された画素領域に色フィルターを形成する段階、遮光部材及び前記色フィルター上に第２絶縁膜を形成する段階、第２絶縁膜、遮光部材または色フィルター、及び第１絶縁膜を写真エッチングして、ドレイン電極の高さ上向部材と重畳する部分を露出させる接触孔を形成する段階、及び第２絶縁膜上に接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階を含む。【選択図】図２
2010033019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板、
前記第１基板上に形成されていて、ゲート電極を含むゲート線及び高さ上向部材、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体、
前記半導体上に形成されていて、ソース電極を含むデータ線、及び前記ソース電極と対向して、前記高さ上向部材と少なくとも一部が重畳するドレイン電極、
前記ゲート絶縁膜、前記データ線、及び前記ドレイン電極上に形成されている第１絶縁膜、
前記第１絶縁膜上の前記ゲート線及び前記データ線に対応する部分に形成されていて、画素領域を区画する遮光部材、
前記遮光部材によって区画された画素領域に形成されている色フィルター、
前記遮光部材及び前記色フィルター上に形成されている第２絶縁膜、
前記第２絶縁膜上に形成されていて、前記第２絶縁膜、前記遮光部材または前記色フィルター、及び前記第１絶縁膜を貫通して、前記ドレイン電極を露出させる接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結される画素電極を含み、
前記接触孔は、前記高さ上向部材に対応する部分に位置する、薄膜トランジスター表示板。
【請求項２】
前記ゲート絶縁膜のうち、前記半導体、データ線、及びドレイン電極によって覆われた部分の厚さが、覆われない部分の厚さより厚い、請求項１に記載の薄膜トランジスター表示板。
【請求項３】
前記高さ上向部材は、前記ドレイン電極の境界線が囲む領域内に位置する、請求項１に記載の薄膜トランジスター表示板。
【請求項４】
第１基板上にゲート電極を含むゲート線及び高さ上向部材を形成する段階、
前記ゲート線及び前記高さ上向部材上にゲート絶縁膜を形成する段階、
前記ゲート絶縁膜上に半導体、ソース電極を含むデータ線、及び前記ソース電極と対向して、前記高さ上向部材と少なくとも一部が重畳するドレイン電極を形成する段階、
前記ゲート絶縁膜及び前記データ線上に第１絶縁膜を形成する段階、
前記第１絶縁膜上の前記ゲート線及び前記データ線に対応する部分に画素領域を区画する隔壁を形成する段階、
前記隔壁によって区画された画素領域に色フィルターを形成する段階、
前記隔壁及び前記色フィルター上に第２絶縁膜を形成する段階、
前記第２絶縁膜、前記隔壁または前記色フィルター、そして前記第１絶縁膜を写真エッチングして、前記ドレイン電極の前記高さ上向部材と重畳する部分を露出させる接触孔を形成する段階、
前記第２絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階、そして
前記第２絶縁膜上に遮光部材を形成する段階を含む、薄膜トランジスター表示板の製造方法。
【請求項５】
前記接触孔を形成する段階は、
前記第２絶縁膜上に感光膜パターンを形成する段階、
前記感光膜パターンをマスクとして前記第２絶縁膜をエッチングして、前記接触孔の上部を形成する第１エッチング段階、
前記接触孔の上部が形成された第２絶縁膜をマスクとして前記隔壁または前記色フィルター、及び前記第１絶縁膜をエッチングして、前記接触孔を完成する第２エッチング段階を含む、請求項４に記載の薄膜トランジスター表示板の製造方法。
【請求項６】
前記第１エッチング段階及び第２エッチング段階は、乾式エッチング工程で行う、請求項５に記載の薄膜トランジスター表示板の製造方法。
【請求項７】
前記ドレイン電極を形成する段階は、
前記半導体、データ線、及びドレイン電極によって覆われない前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜の厚さを減少させる段階を含む、請求項４に記載の薄膜トランジスター表示板の製造方法。
【請求項８】
前記ドレイン電極を形成する段階は、
前記ゲート絶縁膜上に前記半導体層及びデータ導電層を順次に積層する段階、
前記データ導電層上にスリットマスクを使用して第１部分及び第１部分より厚い第２部分を含む感光膜パターンを形成する段階、
前記感光膜パターンをマスクとして前記半導体層及びデータ導電層をエッチングする段階、
前記感光膜パターンをマスクとして前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜の厚さを減少させる段階、
前記感光膜パターンをアッシングして、前記第１部分を除去する段階、
前記第１部分が除去されることによって露出された前記データ導電層及び前記半導体層の一部をエッチングする段階を含む、請求項７に記載の薄膜トランジスター表示板の製造方法。
【請求項９】
前記ドレイン電極を形成する段階は、
前記半導体、データ線、及びドレイン電極によって覆われない前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜の厚さを減少させる段階を含む、請求項４に記載の薄膜トランジスター表示板の製造方法。
【請求項１０】
前記ドレイン電極を形成する段階は、
前記ゲート絶縁膜上に前記半導体層及びデータ導電層を順次に積層する段階、
前記データ導電層上にスリットマスクを使用して第１部分及び第１部分より厚い第２部分を含む感光膜パターンを形成する段階、
前記感光膜パターンをマスクとして前記半導体層及びデータ導電層をエッチングする段階、
前記感光膜パターンをマスクとして前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜の厚さを減少させる段階、
前記感光膜パターンをアッシングして、前記第１部分を除去する段階、
前記第１部分が除去されることによって露出された前記データ導電層及び前記半導体層の一部をエッチングする段階を含む、請求項９に記載の薄膜トランジスター表示板の製造方法。
【請求項１１】
第１基板、
前記第１基板上に形成されていて、ゲート電極を含むゲート線及び高さ上向部材、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体、
前記半導体上に形成されていて、ソース電極を含むデータ線、及び前記ソース電極と対向して、前記高さ上向部材と少なくとも一部が重畳するドレイン電極、
前記ゲート絶縁膜、前記データ線、及び前記ドレイン電極上に形成されている第１絶縁膜、
前記第１絶縁膜上の前記ゲート線及び前記データ線に対応する部分に形成されていて、画素領域を区画する隔壁、
前記隔壁によって区画された領域に形成されている色フィルター、
前記隔壁及び前記色フィルター上に形成されている第２絶縁膜、
前記第２絶縁膜上に形成されていて、前記第２絶縁膜、前記隔壁または前記色フィルター、そして前記第１絶縁膜を貫通して、前記ドレイン電極を露出させる接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結される画素電極、
前記第２絶縁膜上の前記ゲート線及び前記データ線に対応する部分に形成された遮光部材を含み、
前記接触孔は、前記高さ上向部材に対応する部分に位置する、薄膜トランジスター表示板。
【請求項１２】
前記ゲート絶縁膜のうち、前記半導体、データ線、及びドレイン電極によって覆われた部分の厚さが、覆われない部分の厚さより厚い、請求項１１に記載の薄膜トランジスター表示板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用薄膜トランジスター表示板に関し、より詳細には、色フィルターまたは遮光部材を含む薄膜トランジスター表示板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も幅広く使用されている平板表示装置のうちの１つであり、電極が形成されている２枚の表示板及びその間に形成されている液晶層からなる。この液晶表示装置は、電極に電圧を印加して、液晶層の液晶分子を再配列させることによって、透過する光の量を調節する表示装置である。
【０００３】
液晶表示装置のうちで、現在主に使用されているものは、電場生成電極が２つの表示板に各々形成されている構造からなる。この中でも、１つの表示板（以下、薄膜トランジスター表示板とする）には複数の薄膜トランジスター及び画素電極が行列形態に配列され、他の表示板（以下、共通電極表示板とする）には赤色、緑色、及び青色の色フィルターが形成されて、その全面を共通電極が覆っている構造が主流である。
【０００４】
しかし、このような液晶表示装置は、画素電極及び色フィルターが異なる表示板に形成されているので、画素電極及び色フィルターの間の正確な整列（ａｌｉｇｎ）が難しく、整列誤差が発生することがある。
【０００５】
これを解決するために、色フィルター及び画素電極を同一な表示板に形成する色フィルターオンアレイ（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ ｏｎ ａｒｒａｙ、ＣＯＡ）構造が提案された。
【０００６】
この場合、画素電極及び薄膜トランジスターの接触のための接触孔を乾式エッチング工程によって色フィルターに形成するが、その工程が容易でない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、色フィルターを薄膜トランジスター表示板に形成する構造において、画素電極及び薄膜トランジスターの接触のための接触孔を形成するための乾式エッチング工程を容易にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の薄膜トランジスター表示板は、第１基板、第１基板上に形成されていて、ゲート電極を含むゲート線及び高さ上向部材、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体、半導体上に形成されていて、ソース電極を含むデータ線、及びソース電極と対向して、高さ上向部材と少なくとも一部が重畳するドレイン電極、ゲート絶縁膜、データ線、及びドレイン電極上に形成されている第１絶縁膜、第１絶縁膜上のゲート線及びデータ線に対応する部分に形成されていて、画素領域を区画する遮光部材、遮光部材によって区画された画素領域に形成されている色フィルター、遮光部材及び色フィルター上に形成されている第２絶縁膜、第２絶縁膜上に形成されていて、第２絶縁膜、遮光部材または色フィルター、及び第１絶縁膜を貫通して、ドレイン電極を露出させる接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を含み、接触孔は、高さ上向部材に対応する部分に位置する。
【０００９】
ゲート絶縁膜のうち、半導体、データ線、及びドレイン電極によって覆われた部分の厚さが、覆われない部分の厚さより厚くてもよい。
【００１０】
高さ上向部材は、ドレイン電極の境界線が囲む領域内に位置するようにしてもよい。
【００１１】
本発明の他の薄膜トランジスター表示板の製造方法は、第１基板上にゲート電極を含むゲート線及び高さ上向部材を形成する段階、ゲート線及び高さ上向部材上にゲート絶縁膜を形成する段階、ゲート絶縁膜上に半導体、ソース電極を含むデータ線、及びソース電極と対向して、高さ上向部材と少なくとも一部が重畳するドレイン電極を形成する段階、ゲート絶縁膜及びデータ線上に第１絶縁膜を形成する段階、第１絶縁膜上のゲート線及びデータ線に対応する部分に画素領域を区画する隔壁を形成する段階、隔壁によって区画された画素領域に色フィルターを形成する段階、隔壁及び色フィルター上に第２絶縁膜を形成する段階、第２絶縁膜、隔壁または色フィルター、及び第１絶縁膜を写真エッチングして、ドレイン電極の高さ上向部材と重畳する部分を露出させる接触孔を形成する段階、第２絶縁膜上に接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階、及び第２絶縁膜上に遮光部材を形成する段階を含む。
【００１２】
接触孔を形成する段階は、第２絶縁膜上に感光膜パターンを形成する段階、感光膜パターンをマスクとして第２絶縁膜をエッチングして、接触孔の上部を形成する第１エッチング段階、接触孔の上部が形成された第２絶縁膜をマスクとして隔壁または色フィルター、そして第１絶縁膜をエッチングして、接触孔を完成する第２エッチング段階を含むようにしてもよい。
【００１３】
第１エッチング段階及び第２エッチング段階は、乾式エッチング工程で行うようにしてもよい。
【００１４】
ドレイン電極を形成する段階は、半導体、データ線、及びドレイン電極によって覆われないゲート絶縁膜をエッチングして、ゲート絶縁膜の厚さを減少させる段階を含むようにしてもよい。
【００１５】
ドレイン電極を形成する段階は、ゲート絶縁膜上に半導体層及びデータ導電層を順次に積層する段階、データ導電層上にスリットマスクを使用して第１部分及び第１部分より厚い第２部分を含む感光膜パターンを形成する段階、感光膜パターンをマスクとして半導体層及びデータ導電層をエッチングする段階、感光膜パターンをマスクとしてゲート絶縁膜をエッチングして、ゲート絶縁膜の厚さを減少させる段階、感光膜パターンをアッシングして、第１部分を除去する段階、第１部分が除去されることによって露出されたデータ導電層及び半導体層の一部をエッチングする段階を含むようにしてもよい。
【００１６】
本発明の他の薄膜トランジスター表示板は、第１基板、第１基板上に形成されていて、ゲート電極を含むゲート線及び高さ上向部材、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体、半導体上に形成されていて、ソース電極を含むデータ線、及びソース電極と対向して、高さ上向部材と少なくとも一部が重畳するドレイン電極、ゲート絶縁膜、データ線、及びドレイン電極上に形成されている第１絶縁膜、第１絶縁膜上のゲート線及びデータ線に対応する部分に形成されていて、画素領域を区画する隔壁、隔壁によって区画された領域に形成されている色フィルター、隔壁及び色フィルター上に形成されている第２絶縁膜、第２絶縁膜上に形成されていて、第２絶縁膜、隔壁または色フィルター、そして第１絶縁膜を貫通して、ドレイン電極を露出させる接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極、第２絶縁膜上のゲート線及びデータ線に対応する部分に形成された遮光部材を含み、接触孔は、高さ上向部材に対応する部分に位置する。
【００１７】
ゲート絶縁膜のうち、半導体、データ線、及びドレイン電極によって覆われた部分の厚さが、覆われない部分の厚さより厚くしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、画素電極及び薄膜トランジスターの接触のための接触孔の下部に高さ上向部材を形成して、接触孔の長さを短くすることによって、接触孔を形成するための乾式エッチング工程を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１の液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
【図３】図１及び図２の液晶表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図４】図１及び図２の液晶表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図５】図１及び図２の液晶表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図６】図１及び図２の液晶表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図７】図１及び図２の液晶表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図８】図１及び図２の液晶表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図９】図１及び図２の液晶表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【図１０】本発明の第１実施例による液晶表示装置の他の断面図である。
【図１１】本発明の第１実施例による液晶表示装置の他の断面図である。
【図１２】本発明の第２実施例による液晶表示装置の配置図である。
【図１３】図１２の液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ矢視断面図である。
【図１４】図１２の液晶表示装置のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面図である。
【図１５】本発明の第２実施例による液晶表示装置の他の断面図である。
【図１６】本発明の第２実施例による液晶表示装置の他の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、当業者が容易に実施することができるように、本発明の実施例について、添付した図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明は多様に相異した形態に具現され、ここで説明する実施例に限定されない。
【００２１】
図面では、多様な層及び領域を明確に表すために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通して類似した部分には、同一の参照符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする時、これは他の部分の「真上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も意味する。反対に、ある部分が他の部分の「真上に」あるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２２】
＜第１実施例＞
図1及び図２を参照して、本発明の第１実施例による液晶表示装置について説明する。
【００２３】
図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置の配置図であり、図２は図１の液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
【００２４】
図１及び図２を参照すれば、本実施例による液晶表示装置は、薄膜トランジスター表示板１００、これと対向する共通電極表示板２００及び２つの表示板１００、２００の間に形成される液晶層３を含む。
【００２５】
まず、薄膜トランジスター表示板１００について説明する。
【００２６】
ガラスまたはプラスチックなどの絶縁物質からなる基板１１０上にゲート電極１２４を含む複数のゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１及び高さ上向部材１２５、その上にゲート絶縁膜（ｇａｔｅ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１４０、複数の半導体１５４、複数の抵抗性接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３、１６５、複数のデータ線１７１、及び複数のドレイン電極（ｄｒａｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が順次に形成されている。
【００２７】
ゲート線１２１は、主に横方向にのびて、ゲート信号を伝達する。高さ上向部材１２５は、後述するドレイン電極１７５と重畳して、画素電極１９１及びドレイン電極１７５が接触する接触孔１８５の下に位置する。
【００２８】
データ線１７１は、主に縦方向にのびていて、データ信号を伝達して、ゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かってのびた複数のソース電極（ｓｏｕｒｃｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３を含む。ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。
【００２９】
半導体１５４は、ゲート電極１２４上に位置し、その上の抵抗性接触部材１６３、１６５は、半導体１５４とデータ線１７１及びドレイン電極１７５との間にだけ配置されて、この２つの間の接触抵抗を小さくする。
【００３０】
１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１７３、及び１つのドレイン電極１７５は、半導体１５４と共に１つの薄膜トランジスター（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ−ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスターのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間の半導体１５４に形成される。
【００３１】
データ線１７１及びドレイン電極１７５上には、窒化ケイ素及び酸化ケイ素などからなる遮断層１６０が形成されている。遮断層１６０は、後述する色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂがソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間に露出されている半導体１５４に流入するのを防止することができる。
【００３２】
遮断層１６０上のゲート線１２１、データ線１７１、及び薄膜トランジスターに対応する部分にブラックマトリックス（ｂｌａｃｋｍａｔｒｉｘ）といわれる遮光部材２２０が形成されていて、遮光部材２２０が区画する画素領域内に色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂが形成されている。
【００３３】
色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ上には、色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂが浮いたり、後続工程で色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂにエッチング液などの化学液が流入したりするのを防止する蓋層１８０が形成されている。
【００３４】
蓋層１８０、遮光部材２２０、及び遮断層１６０には、ドレイン電極１７５を露出させる第１接触孔１８５ａ及び第２接触孔１８５ｂを含む接触孔１８５が形成されている。
【００３５】
蓋層１８０上には、画素電極１９１が形成されていて、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と連結されている。
【００３６】
接触孔１８５の下に高さ上向部材１２５が形成されていて、高さ上向部材１２５の高さだけ接触孔１８５の長さが短くなる。特に、遮光部材２２０部分の接触孔１８５ｂの長さが短くなる。また、高さ上向部材１２５は、ドレイン電極１７５の境界線が囲む領域内に位置する。
【００３７】
共通電極表示板２００は、薄膜トランジスター表示板１００と対向して、基板２１０及びその上に形成されている共通電極２７０を含む。しかし、共通電極２７０は、薄膜トランジスター表示板１００に形成されてもよい。
【００３８】
共通電極表示板２００及び薄膜トランジスター表示板１００の間には、液晶層３が位置する。
【００３９】
次に、図１及び図２に示した液晶表示装置の製造方法について、図３乃至図９を参照して説明する。
【００４０】
図３乃至図９は図１及び図２の液晶表示装置の製造方法を順次に示した断面図である。
【００４１】
まず、図３に示したように、絶縁基板１１０上にゲート電極１２４を含むゲート線１２１（図１）及び高さ上向部材１２５を形成した後、ゲート線１２１及び高さ上向部材１２５を含む絶縁基板１１０の全面にゲート絶縁膜１４０を形成する。高さ上向部材１２５は、後に形成する接触孔１８５の下部に形成する。また、高さ上向部材１２５は、後に形成するドレイン電極１７５の境界線が囲む領域内に位置するように形成する。
【００４２】
次に、図４及び図５に示したように、ゲート絶縁膜１４０上に半導体層１５０、抵抗性接触層１６１（図示せず）、及びデータ導電層１７０を順次に積層する。
【００４３】
そして、データ導電層１７０上に感光膜（図示せず）を塗布し、スリットマスクなどを使用して厚さが異なる感光膜パターンを形成する。その後、感光膜パターンをマスクとしてデータ導電層１７０、抵抗性接触層１６１、及び半導体層１５０を１次エッチングした後、データ導電層１７０を２次エッチングして、ソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５を形成する。その後、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間に露出されている抵抗性接触層１６１を除去して、抵抗性接触部材１６３、１６５を形成する。
【００４４】
その後、データ線１７１、ドレイン電極１７５、及びゲート絶縁膜１４０を含む全面に遮断層１６０を形成する。
【００４５】
次に、図６に示したように、遮断層１６０上のゲート線１２１（図１）及びデータ線１７１（図１）に対応する部分に遮光部材２２０を形成する。
【００４６】
次に、図７に示したように、遮光部材２２０によって区画された各領域に色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂを形成する。色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは、インクジェット印刷方法で形成され、インクジェット印刷方法は、遮光部材２２０によって区画された領域にインクジェット用ヘッドを移動させて色フィルター溶液を滴下する方式で行う。そして、色フィルター溶液を乾燥させる。
【００４７】
次に、図８に示したように、色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ及び遮光部材２２０上に蓋層１８０を形成した後、蓋層１８０、遮光部材２２０、及び遮断層１６０にドレイン電極１７５を露出させる接触孔１８５を形成する。
【００４８】
接触孔１８５を形成する際には、蓋層１８０上に感光膜（図示せず）を塗布し、マスクを使用して感光膜パターンを形成する。その後、感光膜パターンをマスクとして乾式エッチングを行って、第１接触孔１８５ａを形成する。その後、第１接触孔１８５ａが形成された蓋層１８０をマスクとして乾式エッチングを行って、遮光部材２２０及び遮断層１６０に第２接触孔１８５ｂを形成する。
【００４９】
ここで、接触孔１８５は、接触孔１８５の下部に位置した高さ上向部材１２５によって、その厚さだけ接触孔１８５の長さが減少するようになる。特に、第２接触孔１８５ｂの長さが高さ上向部材１２５の厚さだけ減少するようになる。
【００５０】
したがって、乾式エッチングを行う厚さが減少するようになるので、乾式エッチング工程をより容易に行うことができるようになって、生産性が向上する。
【００５１】
次に、図９に示したように、蓋層１８０上に接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と連結される画素電極１９１を形成する。
【００５２】
図１０に示すように、共通電極表示板２００は、絶縁基板２１０上に共通電極２７０を形成する。
【００５３】
次に、薄膜トランジスター表示板１００及び共通電極表示板２００のうちの１つの上に液晶を滴下した後、２つの表示板１００、２００を合着（ａｓｓｅｍｂｌｙ）する。
【００５４】
また、図１０に示したように、ゲート絶縁膜１４０の厚さは一定でなくてもよい。つまり、半導体１５４、データ線１７１（図１）、及びドレイン電極１７５によって覆われる部分のゲート絶縁膜１４０の厚さが、それ以外の部分より厚い。したがって、ゲート絶縁膜１４０の厚さの差だけ相対的に接触孔１８５の長さが減少するようになる。
【００５５】
このようなゲート絶縁膜１４０の厚さの差は、半導体１５４、抵抗性接触部材１６３、１６５、ソース電極１７３を含むデータ線１７１、及びドレイン電極１７５を形成する際に、厚さが異なる感光膜パターンをマスクとしてデータ導電層１７０、抵抗性接触層１６１、及び半導体層１５０を１次エッチングし、この１次エッチングの際にゲート絶縁膜１４０の一部もエッチングして、ゲート絶縁膜１４０の厚さが異なるようにする。
【００５６】
また、図１１に示したように、蓋層１８０、色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ、及び遮断層１６０に接触孔１８５が形成されることもある。この場合、色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂが画素電極１９１及びドレイン電極１７５が接触する部分まで形成され、接触孔１８５を形成する際には、蓋層１８０上に感光膜（図示せず）を塗布し、マスクを使用して感光膜パターンを形成する。その後、感光膜パターンをマスクとして乾式エッチングを行って、第１接触孔１８５ａを形成する。その後、第１接触孔１８５ａが形成された蓋層１８０をマスクとして乾式エッチングを行って、色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ及び遮断層１６０に第２接触孔１８５ｂを形成する。
【００５７】
＜第２実施例＞
図１２乃至図１５を参照して、本発明の第２実施例による液晶表示装置について説明する。
【００５８】
図１２は本発明の第２実施例による液晶表示装置の配置図であり、図１３は図１２の液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ矢視断面図であり、図１４は図１２の液晶表示装置のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面図である。
【００５９】
図１２乃至図１４に示したように、本発明の第２実施例による液晶表示装置は、第１実施例による液晶表示装置とほぼ類似している。
【００６０】
しかし、遮断層１６０上のゲート線１２１、データ線１７１、及び薄膜トランジスターに対応する部分に遮光部材２２０の代わりに隔壁３６１が形成されていて、隔壁３６１が区画する画素領域内に色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂが形成されている。
【００６１】
色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ上に蓋層１８０が形成されていて、蓋層１８０、隔壁３６１、及び遮断層１６０には、ドレイン電極１７５を露出させる第１接触孔１８５ａ及び第２接触孔１８５ｂを含む接触孔１８５が形成されている。
【００６２】
蓋層１８０上には、画素電極１９１が形成されていて、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と連結されている。
【００６３】
接触孔１８５の下に高さ上向部材１２５が形成されていて、高さ上向部材１２５の高さだけ接触孔１８５の長さが短くなる。特に、隔壁３６１部分の接触孔１８５ｂの長さが短くなる。また、高さ上向部材１２５は、ドレイン電極１７５の境界線が囲む領域内に位置する。
【００６４】
蓋層１８０上のゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する部分に遮光部材２２０が形成されていて、遮光部材２２０上に間隔材３２０が形成されている。
【００６５】
これは、蓋層１８０及び画素電極１９１上に遮光膜を形成した後、スリットマスクを使用して露光することによって、遮光部材２２０上に間隔材３２０を形成することができる。
【００６６】
また、図１５に示したように、ゲート絶縁膜１４０の厚さは一定でなくてもよい。つまり、半導体１５４、データ線１７１、及びドレイン電極１７５によって覆われる部分のゲート絶縁膜１４０の厚さが、それ以外の部分より厚い。したがって、ゲート絶縁膜１４０の厚さの差だけ相対的に接触孔１８５の長さが減少するようになる。
【００６７】
このようなゲート絶縁膜１４０の厚さの差は、半導体１５４、抵抗性接触部材１６３、１６５、ソース電極１７３を含むデータ線１７１、及びドレイン電極１７５を形成する際に、厚さが異なる感光膜パターンをマスクとしてデータ導電層１７０、抵抗性接触層１６１、及び半導体層１５０を１次エッチングし、この１次エッチングの際にゲート絶縁膜１４０の一部もエッチングして、ゲート絶縁膜１４０の厚さが異なるようにする。
【００６８】
また、図１６に示したように、蓋層１８０、色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ、及び遮断層１６０に接触孔１８５が形成されることもある。この場合、色フィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂが画素電極１９１及びドレイン電極１７５が接触する部分まで形成され、接触孔１８５を形成する際には、蓋層１８０上に感光膜（図示せず）を塗布し、マスクを使用して感光膜パターンを形成する。その後、感光膜パターンをマスクとして乾式エッチングを行って、第１接触孔１８５ａを形成する。その後、第１接触孔１８５ａが形成された蓋層１８０をマスクとして乾式エッチングを行って、色フルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ及び遮断層１６０に第２接触孔１８５ｂを形成する。
【００６９】
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。例えば、本実施例は液晶表示装置を扱っているが、本発明は薄膜トランジスターを含む他の多様な種類の表示装置にも適用される。
【符号の説明】
【００７０】
３  液晶層
１００  薄膜トランジスター表示板
１１０、２１０  基板
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１２５  高さ上向部材
１４０  ゲート絶縁膜
１５０  半導体層
１５４  半導体
１６０  遮断層
１６１  抵抗性接触層
１６３、１６５  抵抗性接触部材
１７０  データ導電層
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１８０  蓋層
１８５  接触孔
１９１  画素電極
２００  共通電極表示板
２２０  遮光部材
２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ  色フィルター
２７０  共通電極
３２０  間隔材
３６１  隔壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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