(57)【要約】      （修正有）【課題】金属ボールの大きさを均一にすることで高品質の低融点金属ボールを備えフリップチップボンディングにより基板に実装することができる半導体装置と、フリップチップボンディング方法を提供する。【解決手段】半導体チップ２上に形成された電極８と、これらの電極にフラックスにより接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボール３とを含む半導体装置、及びこれを用いたフリップチップボンディング方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ上に形成された電極と、これらの電極にフラックスにより接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボールとを含む半導体装置。
【請求項２】
前記電極が、ＣｕもしくはＣｕ合金、ＡｌもしくはＡｌ合金、又はＡｕもしくはＡｕ合金の電極材料から形成されている、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電極が、Ａｌ又はＡｌ合金から構成された電極材料の層と、この電極材料層に積層された、当該電極材料よりも融点が高い金属層又は金属合金層を少なくとも一つ含む、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電極材料の層に積層された前記少なくとも一つの層が、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ又はＰｂから選択された金属又はこれらの金属の合金で形成されている、請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電極材料層に積層され当該電極材料層に接する前記少なくとも一つの層がＴｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、ＣｕもしくはＰｔ又はこれらの金属の合金で形成され、また前記電極材料層から一番遠く前記低融点金属ボールに接する前記少なくとも一つの層がＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、ＳｎもしくはＰｂ又はこれらの金属の合金で形成されている、請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体チップ上に形成された電極と、これらの電極に接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボールとを含む半導体装置を製造する方法であって、
フラックスを前記電極に塗布してから、
上記低融点金属ボールを、
低融点金属ボールを収容した容器に微小振幅の振動を加えてそれらの低融点金属ボールを浮遊させる工程、
浮遊した低融点金属ボールを、低融点金属ボールを接着結合しようとする前記半導体チップの前記電極の位置に対応する位置に吸着口を設けた配列板の当該吸着口に吸着して、配列板上に低融点金属ボールを配列して担持する工程、
上記配列板に付着しあるいは上記吸着口に吸着した低融点金属ボールに付着した余分の低融点金属ボールを、配列板を振動させることによって除去する工程、及び
上記配列板上に担持及び配列した低融点金属ボールを、前記半導体チップの前記電極に一括して接触させる工程、
を含む方法により前記電極に接着結合することを含む半導体装置製造方法。
【請求項７】
半導体チップ上に低融点金属のバンプを備えた半導体装置を製造する方法であって、
フラックスを電極に塗布する工程、
球状に形成された所定寸法の低融点金属のボールを、低融点金属ボールを収容した容器に微小振幅の振動を加えてそれらの低融点金属ボールを浮遊させる工程、浮遊した低融点金属ボールを、低融点金属ボールを接着結合しようとする前記半導体チップの前記電極の位置に対応する位置に吸着口を設けた配列板の当該吸着口に吸着して、配列板上に低融点金属ボールを配列して担持する工程、上記配列板に付着しあるいは上記吸着口に吸着した低融点金属ボールに付着した余分の低融点金属ボールを、配列板を振動させることによって除去する工程、及び上記配列板上に担持及び配列した低融点金属ボールを、前記半導体チップの前記電極に一括して接触させる工程、を含む方法により前記電極に接着結合する工程、及び
この低融点金属ボールをリフローさせて半球状バンプを形成する工程、
を含むことを含む半導体装置製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法により製造された、半導体チップのそれぞれの電極に接着結合した低融点金属ボールを備えた半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載の方法により製造された、半導体チップの電極に低融点金属を備えた半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置の低融点金属ボールを基板のそれぞれの対応する電極端子に対向させ、位置合わせを行い、ボールを電極端子に接触させてから、リフローを行うことを特徴とするフリップチップボンディング方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の半導体装置の低融点金属ボールを基板のそれぞれの対応する電極端子に対向させ、位置合わせを行い、ボールを電極端子に接触させてから、リフローを行うことを特徴とするフリップチップボンディング方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の半導体装置の半球状バンプを基板のそれぞれの対応する電極端子に対向させ、位置合わせを行い、半球状バンプを電極端子に接触させてから、リフローを行うことを特徴とするフリップチップボンディング方法。
【請求項１３】
ウエハー上に作製された複数の半導体チップ上に形成された電極と、これらの電極にフラックスにより接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボールとを含み、前記各電極に対してそれぞれ１つの前記金属ボールが前記電極に接触して接着結合された、半導体チップと電極と金属ボールを含むウエハー。
【請求項１４】
前記電極が、ＣｕもしくはＣｕ合金、ＡｌもしくはＡｌ合金、又はＡｕもしくはＡｕ合金の電極材料から形成されている、請求項１３記載のウエハー。
【請求項１５】
前記電極が、Ａｌ又はＡｌ合金から構成された電極材料の層と、この電極材料層に積層された、当該電極材料よりも融点が高い金属層又は金属合金層を少なくとも一つ含む、請求項１４記載のウエハー。
【請求項１６】
前記電極材料の層に積層された前記少なくとも一つの層が、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ又はＰｂから選択された金属又はこれらの金属の合金で形成されている、請求項１５記載のウエハー。
【請求項１７】
前記電極材料層に積層され当該電極材料層に接する前記少なくとも一つの層がＴｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、ＣｕもしくはＰｔ又はこれらの金属の合金で形成され、また前記電極材料層から一番遠く前記低融点金属ボールに接する前記少なくとも一つの層がＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、ＳｎもしくはＰｂ又はこれらの金属の合金で形成されている、請求項１６記載のウエハー。
【請求項１８】
請求項１３〜１７のいずれかに記載の半導体チップと電極と金属ボールを含むウエハーを、更にリフローして前記金属ボールを半球状バンプとした、半導体チップと電極と半球状バンプを含むウエハー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低融点金属のバンプを備えた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、現在様々な分野で広く使用されている。通常、これらの半導体装置は、基板に実装して使用される。それらの実装の方法には、テープ自動化接着（ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ，  ＴＡＢ）、ワイヤボンディング、フリップチップボンディング等の接合方法が含まれる。
【０００３】
ＴＡＢやワイヤボンディングは、リードを介して半導体装置を基板に実装する技術である。リードは半導体装置の周囲の１辺当たりに１列に配列される。そのため、これらの技術は半導体装置の高密度の実装には向いていない。それに対し、フリップチップボンディングは、半導体装置の電極を基板上の電極端子に接合用金属を介して直接接続する技術である。半導体装置の電極は表面全体に格子状に設けることができることから、この技術は高密度実装に適している。フリップチップボンディングにおける接合用金属としては、低い温度での融解により接合を行うために、各種の半田が一般に用いられている。
【０００４】
フリップチップボンディングにおいては、電極上に接合用の低融点金属のバンプを設けた半導体装置を使用し、そのバンプを融解及び再固化させるリフロー手法により半導体装置を基板の電極端子に接続する。
【０００５】
一般に、バンプは蒸着やメッキにより形成される。ところが、このようなバンプ形成法は、いずれもマスクを用いた複雑な処理工程を繰り返し行わなくてはならない。更に、蒸着によりバンプを形成する方法では、バンプを形成しない部分にバンプ材料が被着し、その部分への被着量が非常に多くなる。そのため、この方法はコスト的にも効率的にも好ましいものではない。更に、電気メッキや無電解メッキ等の湿式メッキは、ウエハーの汚れを生じたり、環境問題を生じたりし、そのような問題への対策を欠くことができない。このように、通常のバンプ形成方法は比較的コストが高く、実用化は限定されている。
【０００６】
蒸着やメッキ以外のバンプ形成方法として、スタッドバンプ方式がある。この方式ではバンプを１つずつ形成するために、製造効率が悪く、その上、個々のバンプの量にばらつきが生じやすい。
【０００７】
従って、半導体装置と基板との接合の均一性の確保が困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、高品質の低融点金属ボールを備えフリップチップボンディングにより基板に実装することができる半導体装置と、その製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置は、半導体チップ上に形成された電極を含み、そしてこの電極上にフラックスにより接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボールを備えている。
好ましくは、半導体チップ上の電極は、ＣｕもしくはＣｕ合金、ＡｌもしくはＡｌ合金、又はＡｕもしくはＡｕ合金の電極材料から形成される。
電極材料がＡｌ又はＡｌ合金である場合、好ましくは、その電極材料で形成された層に当該電極材料よりも融点が高い金属又は金属合金の層が少なくとも一つ積層される。
この積層された層は、好ましくは、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ及びＰｂから選択された金属又はこれらの金属の合金で形成される。
好ましくは、電極材料層に積層された層のうち、電極材料層に接する層はＴｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、ＣｕもしくはＰｔ又はこれらの金属の合金で形成され、低融点金属ボールに接する層はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、ＳｎもしくはＰｂ又はこれらの金属の合金で形成される。
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体チップ上に形成された電極を有し、そしてそれぞれの電極に接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボールを備えた半導体装置を製造する方法であって、フラックスを前記電極に塗布してから、
上記低融点金属ボールを、
低融点金属ボールを収容した容器に微小振幅の振動を加えてそれらの低融点金属ボールを浮遊させる工程、
浮遊した低融点金属ボールを、低融点金属ボールを接着結合しようとする前記半導体チップの前記電極の位置に対応する位置に吸着口を設けた配列板の当該吸着口に吸着して、配列板上に低融点金属ボールを配列して担持する工程、
上記配列板に付着しあるいは上記吸着口に吸着した低融点金属ボールに付着した余分の低融点金属ボールを、配列板を振動させることによって除去する工程、及び
上記配列板上に担持及び配列した低融点金属ボールを、前記半導体チップの前記電極に一括して接触させる工程、
を含む方法により前記それぞれの電極に接着結合することを特徴とする。
本発明の別の側面において、本発明による半導体装置の製造方法は、半導体チップの電極に低融点金属のバンプを備えた半導体装置を製造する方法であって、
フラックスを電極に塗布する工程、
球状に形成された所定寸法の低融点金属のボールを、低融点金属ボールを収容した容器に微小振幅の振動を加えてそれらの低融点金属ボールを浮遊させる工程、浮遊した低融点金属ボールを、低融点金属ボールを接着結合しようとする前記半導体チップの前記電極の位置に対応する位置に吸着口を設けた配列板の当該吸着口に吸着して、配列板上に低融点金属ボールを配列して担持する工程、上記配列板に付着しあるいは上記吸着口に吸着した低融点金属ボールに付着した余分の低融点金属ボールを、配列板を振動させることによって除去する工程、及び上記配列板上に担持及び配列した低融点金属ボールを、前記半導体チップの前記電極に一括して接触させる工程、を含む方法により前記電極に接着結合する工程、及び
これらの低融点金属ボールをリフローさせて半球状バンプを形成する工程、
を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置は、半導体チップ上に形成されたそれぞれの電極に直接接着結合された低融点金属ボールのバンプを備えていることが明らかである。金属ボールの大きさを均一にすることで高品質のバンプを作ることができる。金属ボールは、従来の方法でもってメッキ法や蒸着法等で半導体チップの電極上に形成するのではなく、電極へ接着結合することができる。従って、本発明の半導体装置は、マスクを用いず、また環境汚染の心配なく、製造することができる。
【００１１】
更に、低融点金属ボールの大きさを加減することにより、バンプ量を容易に、かつ高精度にコントロールすることができ、バンプの信頼性を向上することができる。
【００１２】
本発明は、半導体装置の基板への高密度実装を可能にするフリップチップボンディングに有利に応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の半導体装置を説明する斜視図である。
【図２】本発明の半導体装置における電極を説明する図である。
【図３】本発明の半導体装置の低融点金属ボールをリフローさせて形成した半球状バンプを説明する図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】単一材料のチップ電極上に直接形成した半田ボールのバンプを説明する図である。
【図６】低融点金属ボールをそれぞれの電極上に接着結合する好ましい方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１に、本発明の半導体装置１を示す。この半導体装置１は、半導体チップ２の表面に形成した電極（図示せず）上に接着結合された低融点金属ボール３を備えている。
【００１５】
低融点金属ボール３は、半導体装置を基板へ実装するのに使用される各種の半田類の一つから形成することができる。それらの半田の例には、Ｓｎ合金、例えばＳｎ−Ｐｂ合金及びＳｎ−Ａｇ合金等の半田や、Ｐｂ合金、例えばＰｂ−Ｉｎ合金等の半田が含まれる。
【００１６】
低融点金属ボールのバンプ３を接着結合させる電極は、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ａｌ又はＡｌ合金、あるいはＡｕ又はＡｕ合金の電極材料から形成することができる。本発明の半導体装置では、表面積が９００から２２，５００μｍ2までの電極を使用するのが好ましい。すなわち、正方形の電極を使用する場合には、電極の１辺は３０〜１５０μｍの寸法を有する。
【００１７】
電極材料がＡｌ又はＡｌ合金である場合、半田ボール（以下、この用語は低融点金属ボールを指示するものとし、そして下記ではこの用語を使用する）をリフローさせて電極と接続すると、半田ボールと電極との密着性が低下する。電極材料としてＡｌ又はＡｌ合金を使用する場合には、この低下を避けるため、その電極材料で形成された層に電極材料よりも融点が高い金属又は金属合金の層を少なくとも一つ積層する。そのために用いられる材料の代表例は、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ及びＰｂから選択された金属又はこれらの金属の合金である。これらの物質のうち、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、ＣｕもしくはＰｔ又はこれらの金属の合金は、当該材料とＡｌ又はその合金から作られた層との密着性に特に有効である。従って、Ａｌ又はその合金の層と接する層として上記の金属又はこれらの金属の合金のうちのいずれかを使用するのが好ましい。
【００１８】
更に、半田は一般に、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、ＳｎもしくはＰｂ又はこれらの金属の合金に対して良好な濡れ性を示す。従って、ＡｌもしくはＡｌ合金の電極材料層に積層された層のうちの半田ボールに接する層は、好ましくはこれらの材料から形成される。
【００１９】
このように、電極は、Ａｌ又はＡｌ合金を使用する場合、図２に例示したように多層構造を持つ。図２において、電極８は、半導体チップ２の表面にＡｌ（又はＡｌ合金）で作られた第一の層５と、この第一の層の上にＣｒから作られた第二の層６と、この第二の層の上にＣｕから作られた第三の層７とを含む積層構造として形成される。
【００２０】
電極材料としてＡｌ又はその合金を使用する電極の積層構造の例には、図２に例示したように半導体チップ側から順次Ａｌ（又はＡｌ合金）層、Ｃｒ層、Ｃｕ層を有する積層構造（このような積層構造を、以下においてはＡｌ／Ｃｒ／Ｃｕのように表示する）のほかに、Ａｌ／Ｎｉ、Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、Ａｌ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ａｕ、Ａｌ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ａｕ、Ａｌ／Ｔｉ／Ｃｕ／Ａｕ、Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＷ（合金）／Ｃｕ／Ａｕ、Ａｌ／ＴｉＷ（合金）／Ｃｕ／Ａｕ、Ａｌ／Ｃｒ／Ｎｉ／Ｐｄ、Ａｌ／Ｐｄ／Ａｕ、Ａｌ／Ｎｉ／Ｓｎ、Ａｌ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｐｄ、及びＡｌ／Ｃｒ／Ｐｔを含めることができる。言うまでもなく、本発明の半導体装置において有効な電極積層構造は上述の構造に限定されない。
【００２１】
半田ボールを電極に接着結合するのにフラックスを使用する。半導体装置の製造で一般に使用されているフラックスのうちのいずれを使用しても差し支えない。フラックスは、電極表面に塗布する。電極表面にフラックスを塗布する方法としては、スクリーン印刷等の標準的方法を利用することができる。
【００２２】
本発明の半導体装置を基板にフリップチップボンディングする際には、半田ボールのバンプを基板のそれぞれの電極端子に対向させ、位置合わせを行い、そしてそれと接触させてから、バンプをリフローさせればよい。このようなフリップチップボンディングの方法は広く知られており、ここで詳細に説明するには及ばない。
【００２３】
本発明の半導体装置は、半田ボールを一旦リフローさせて半球状のバンプとしてから基板にフリップチップボンディングしてもよい。図３に、半球状バンプの例を示す。図３における半球状バンプ１０は、図２で説明した積層電極８に接着結合した半田ボールのバンプ３をリフローさせて形成される。
【００２４】
なお、ここでは半田ボールをリフローさせて形成した図３のバンプ１０を「半球状」と称している。この用語は主として、図３に示したようにリフロー後のバンプの縦断面形状を基にしている。半導体チップ上の電極の形状には、円形や正方形や、その他の任意の形状といったように、様々なものがある。例えば正方形の電極上の半田ボールをリフローさせて形成したバンプは、図３に見られるように半球状の縦断面形状を持つ。しかしながら、融解した半田は正方形の電極表面全体を濡らしてから固化するため、上方から見た形状（横断面形状）は円ではなく正方形又は正方形に近い形状になる。従って、ここで言う半球状バンプとは、リフロー後に上方から見た場合に円形の横断面形状を持つように見えるバンプばかりでなく、バンプの下の電極形状を反映して任意の横断面形状を持つバンプをも包含することに注目すべきである。すなわち、ここでの「半球状バンプ」とは、任意の形状の電極に接着結合した半田ボールをリフローさせて形成した全ての種類のバンプを指示するものである。
【００２５】
半田ボールをリフローさせて電極上に半球状バンプを適切に形成するためには、電極に接着結合する半田ボールの半径Ｒを、電極の表面積をＡとして、次の式を満足するように選ぶのが望ましい。
０．４×Ａ0.5  ≦  Ｒ  ≦  ２×Ａ0.5
半田ボールの半径Ｒが０．４×Ａ0.5に満たない場合には、半田量が不十分になり、リフロー後に良好な半球状バンプを形成するのが困難になる。半田ボールの半径Ｒが２×Ａ0.5を超える場合には、電極の大きさに比べて半球状バンプが大きくなり、その結果電極とバンプとの接合部が応力集中を受けて破断しやすくなる。
【００２６】
本発明の半導体装置において表面積が９００〜２２，５００μｍ2の電極を使用する場合、好ましい半田ボールの半径Ｒは上記の式から１２〜３００μｍとなる。
【００２７】
次に、図４を参照して、本発明の半導体装置の製造の一例を説明する。
図４（ａ）に示すように、半導体チップ４１上に、１００×１００μｍのＡｌ合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金）の電極４２を、スパッタ法により１．０μｍの厚さで形成する。この図中の４３は、こうして形成した電極を区画しているパッシベーション膜を示している。次に、図４（ｂ）に示すように、チップ電極４２にＮｉの金属層４４とＣｕの金属層４５とをスパッタ法によりそれぞれ８０ｎｍの厚さで順次積層する。
【００２８】
以上は、低融点金属のバンプを形成する下地を形成する工程である。次に、図４（ｃ）に示すように、前記Ｃｕの金属層４５に直径８０μｍのＰｂ−Ｓｎ合金の半田ボール４６を接着結合する。半田ボールを接着結合する時には、まず、金属層４５の表面にスクリーン印刷でフラックス（図示せず）を塗布する。次いで、そのフラックスに半田ボール４６を接着結合する。半田ボールを電極に接着結合する方法は後述する。
【００２９】
このようにして製造された本発明の半導体装置は、半田ボールを基板のそれぞれの対応する電極端子に対向させ、ボールの位置合わせを行い、ボールを電極端子と接触させ、そしてボールをリフローさせることで基板にフリップチップボンディングすることができる。
【００３０】
図４（ｃ）に示された半田ボール４６を備えた本発明の半導体装置は、図４（ｄ）に示したように半田ボールを一旦リフローさせて半球状のバンプ４７を形成してから基板にフリップチップボンディングしてもよい。
【００３１】
上述の例では電極材料としてＡｌ合金を使用しているので、半田バンプにより半導体装置を基板に強固に結合するためＡｌ合金層にＮｉ層及びＣｕ層を積層している。しかし、電極材料がＡｌでもＡｌ合金でもない場合、例えばＣｕ又はＣｕ合金、あるいはＡｕ又はＡｕ合金である場合には、低融点金属のボールを形成するための下地（電極材料層の上の１又は２以上の金属（又は合金）層）を形成する必要がない。従って、図５に示すように、半導体チップ５１の電極５２の上に半田ボール５３のバンプを直接形成することができる。この半田ボールも、一旦リフローさせて半球状のバンプにしてからフリップチップボンディングに使用することができる。
【００３２】
次に、直径５０μｍの電極上に直径１５０μｍの半田ボールバンプを形成するもう一つの例を説明する。この場合には、直径５０μｍ、厚さ１．０μｍのＡｌ−Ｃｕ合金の電極上に、スパッタ法により同じ直径もしくはやや大きい直径のＣｒ層、Ｃｕ層及びＡｕ層をそれぞれ８０ｎｍ、８０ｎｍ、３０ｎｍの厚さで順次重ねる。次いで、Ａｕ層の表面にフラックスを塗布し、その上に直径１５０μｍのＰｂ−Ｓｎ合金の半田ボールを接着結合する。この半田ボールをリフローさせて形成した半球状バンプについて剪断試験を行ったところ、破断はいずれも半田ボール内で起こり、バンプと電極との接合部に破断は認められなかった。
【００３３】
次に、半田ボールを電極に接着結合する方法を説明する。ここでは、多層積層構造の電極ではなく、図５で説明したように単一材料で構成された電極上への半田ボールの接着結合を説明する。
【００３４】
図６（ａ）に示すように、半田ボール５３を収容した容器６０に微小振幅の振動を加えて半田ボール５３を浮遊させる。次に、浮遊した半田ボール５３を、半田ボール５３を接着結合しようとする半導体チップの電極の位置に対応する位置に吸着口６１を設けた配列板６３の当該吸着口６１に吸着して（半田ボールを吸着のための吸引機構は図示せず）、配列板６３上に半田ボール５３を配列して担持する。図６（ａ）に示したように、半田ボールを吸着・配列する際に、余分な半田ボール５３′が配列板６３の吸着口６１以外の箇所に付着し、あるいは吸着口６１に吸着した半田ボール５３に別の余分な半田ボール５３″が付着する。そこで、これらの余分な半田ボール５３′、５３″を除去する。そのためには、配列板６３に水平方向の超音波振動を適用することで余分な半田ボール５３′、５３″を好ましく除くことができる。図６（ａ）の配列板６３には、簡単にするため二つの吸着口６１しか図示されていないが、実際の配列板には半導体チップの電極に接着結合しようとする半田ボールの数と同じ数の吸着口があることに注意すべきである。
【００３５】
次いで、図６（ｂ）に示すように、半田ボール５３を所定位置に担持した配列板６３を半導体チップ５１上へ移動して、半田ボール５３と半導体チップ５１のそれぞれの電極５２との適切な位置合わせを行ってから、配列板６３を下方へ移動させて半田ボール５３をそれぞれの電極５２と接触させる。接触後、配列板６３への半田ボール５３の吸着を停止し（吸引機構の停止による）、配列板６３を上方へ移動させる。
【００３６】
半田ボール５３は、電極５２の表面にフラックス（図示せず）が塗布してあればその粘着性のために電極に接着結合される。
【００３７】
ここで説明したような方法により半導体チップの多数の電極に半田バンプを一括して接着結合することができるので、この方法は本発明の半導体装置の製造にとって非常に有利である。
【００３８】
半導体チップは、一般に１枚のウエハーに多数が作られ、そして切断して個々のチップにされる。上述の方法は、ウエハーから切り離す前の複数の半導体チップに対して適用することもでき、あるいはウエハーから切り離した後の個別の半導体チップに対して適用することもできる。ここで説明したことから、本発明における半導体チップは、切り離された個々の半導体チップばかりでなく、１枚のウエハー上に製作された状態の複数の半導体チップをも包含することは明らかである。
【符号の説明】
【００３９】
１    半導体装置
２    半導体チップ
３    低融点金属ボール
５    第一の層
６    第二の層
７    第三の層
８    電極
１０    半球状バンプ
４１、５１    半導体チップ
４２、５２    電極
４３    パッシベーション膜
４４、４５    金属層
４６、５３    半田ボール
４７    半球状バンプ
６０    容器
６１    吸着口
６３    配列板
【図１】
2010050470.tif 000003
【図２】
2010050470.tif 000004
【図３】
2010050470.tif 000005
【図４】
2010050470.tif 000006
【図５】
2010050470.tif 000007
【図６】
2010050470.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月18日(2009.11.18)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のウエハーは、半導体チップと、半導体チップ上に形成された電極を含み、そしてこの電極上にフラックスにより接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボールを含み、各電極に対してそれぞれ１つの金属ボールが電極に接触して接着結合されている。
好ましくは、半導体チップ上の電極は、ＣｕもしくはＣｕ合金、又はＡｕもしくはＡｕ合金の電極材料から形成される。
あるいは、前記電極は、Ａｌ又はＡｌ合金から構成された電極材料の層と、この電極材料層に積層された、当該電極材料よりも融点が高い金属層又は金属合金層を少なくとも一つ含むことができる。
この積層された層は、好ましくは、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、又はＡｇから選択された金属又はこれらの金属の合金で形成される。
好ましくは、電極材料層に積層された層のうち、電極材料層に接する層はＴｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、ＣｕもしくはＰｔ又はこれらの金属の合金で形成され、低融点金属ボールに接する層はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、もしくはＡｇ、又はこれらの金属の合金で形成される。
また、本発明のウエハーは、前記ウエハーを、更にリフローして前記金属ボールを半球状バンプとした、半導体チップと電極と半球状バンプを含むウエハーである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハー上に作製された複数の半導体チップ上に形成された電極と、これらの電極にフラックスにより接着結合された、球状に形成された所定寸法の低融点金属ボールとを含み、前記各電極に対してそれぞれ１つの前記金属ボールが前記電極に接触して接着結合された、半導体チップと電極と金属ボールを含むウエハー。
【請求項２】
前記電極が、ＣｕもしくはＣｕ合金、又はＡｕもしくはＡｕ合金の電極材料から形成されている、請求項１記載のウエハー。
【請求項３】
前記電極が、Ａｌ又はＡｌ合金から構成された電極材料の層と、この電極材料層に積層された、当該電極材料よりも融点が高い金属層又は金属合金層を少なくとも一つ含む、請求項１記載のウエハー。
【請求項４】
前記電極材料の層に積層された前記少なくとも一つの層が、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、又はＡｇから選択された金属又はこれらの金属の合金で形成されている、請求項３記載のウエハー。
【請求項５】
前記電極材料層に積層され当該電極材料層に接する前記少なくとも一つの層がＴｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、ＣｕもしくはＰｔ又はこれらの金属の合金で形成され、また前記電極材料層から一番遠く前記低融点金属ボールに接する前記少なくとも一つの層がＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、もしくはＡｇ、又はこれらの金属の合金で形成されている、請求項４記載のウエハー。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体チップと電極と金属ボールを含むウエハーを、更にリフローして前記金属ボールを半球状バンプとした、半導体チップと電極と半球状バンプを含むウエハー。