(57)【要約】【課題】段差によるパターンの描画不良を低減したパターン形成装置及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】制御装置５０は、半導体チップの基準高さと実装高さとの段差ずれを示す段差ずれデータＨＤと、段差ずれと駆動信号の補正量とを関連づけた駆動信号補正データとに基づいて、半導体チップ毎に駆動信号を関連づけた波形補正データＷＲＤを生成する。そして、実装高さが基準高さでないときには、その波形補正データＷＲＤに基づいて駆動信号ＣＯＭを補正する信号補正処理を実行し、その段差ずれに応じて液滴の容量を増減させて液滴を吐出する。【選択図】図５
2010219248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と該実装基板の実装面に配置された実装部品とによって形成される段差部に液滴を吐出して前記段差部を覆うパターンを形成するパターン形成装置であって、
前記段差部における段差量と前記パターンの段差方向における厚さとの差を予め規定された吐出位置ごとの前記液滴の量により補正する態様で前記パターンの厚さを前記段差量に応じて制御する
ことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項２】
前記パターンの厚さを前記液滴の容量により補正する
請求項１に記載のパターン形成装置。
【請求項３】
前記実装面の面方向における前記実装部品のずれ量により前記予め規定した吐出位置を補正してその補正後の吐出位置に前記液滴を吐出する
請求項１又は２に記載のパターン形成装置。
【請求項４】
前記段差部を覆うパターンが、前記段差部の段差量を緩和する傾斜パターンである
請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン形成装置。
【請求項５】
前記段差部を覆うパターンが、前記段差部の段差量を緩和する傾斜パターンに積層されて前記段差部を跨ぐかたちに前記実装基板の電極パッドと前記実装部品の電極パッドとを接続する金属配線である
請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン形成装置。
【請求項６】
実装基板と該実装基板の実装面に配置された実装部品とによって形成される段差部に液滴を吐出して前記段差部を覆うパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記段差部における段差量と前記パターンの段差方向における厚さとの差を予め規定した吐出位置ごとの前記液滴の量により補正する態様で前記パターンの厚さを前記段差量に応じて制御することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出法を用いて段差部にパターンを形成するパターン形成装置及びパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
実装部品としての半導体チップを実装基板上に実装する実装技術には、近年、基板電極パッドとチップ電極パッドとを結ぶ配線の形成方法として、銀などの導電性微粒子を分散させた導電性インクからなる液滴を双方の電極パッド間を結ぶかたちで吐出して配線を形成する、いわゆるインクジェット法が知られている。こうしたインクジェット法は、基板と半導体チップとによって形成される段差部に絶縁性のスロープを設けて、実装基板が載置されるステージと液滴を吐出する複数のノズルを有した吐出ヘッドとを相対移動させながら、導電性インクからなる液滴を実装基板に向けて吐出させることにより配線を形成している（例えば特許文献１）。また、上述したスロープについてもインクジェット法を用いて形成することが可能である。この場合には、絶縁材料を分散させた絶縁性インクを用い、段差部に向かって液滴を吐出させることによりスロープが形成される。こうした液滴の吐出動作は、描画像を表現するビットマップデータとステージの位置を示す位置データとに基づいて行われる。具体的には、まず実装基板の位置が液滴を吐出するための位置であるか否かの判断処理が位置データに基づいて実行される。次いで、実装基板の位置が吐出位置になるたび、ビットマップデータがノズル列の単位で取り扱われて、ビットマップデータに基づいて選択されるノズルから液滴が吐出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１３４９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述したような半導体装置においては、実装基板の実装面と半導体チップとが接着層を介して接合されるのが一般的である。こうした構成からなる半導体装置を量産する上では、上記接着層の厚みや半導体チップ自体の厚みが半導体装置ごとに正確に一致し難いため、実装基板と半導体チップとで形成される段差部の段差量に少なからず半導体装置ごとのずれが余儀なく生じてしまう。そのため、上述したスロープを形成するときに同じ条件の下で液滴が吐出されたとしても、こうした段差量の違いによって、半導体チップの表面にスロープが届かず段差が残ってしまったり、反対に実装基板の実装面や半導体チップの表面にスロープが過剰に広がってしまったりする虞がある。こうした段差量のずれに起因した問題は、上記スロープに限られるものではなく、段差部を覆うパターンの全てについて生じ得る問題でもある。
【０００５】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、段差によるパターンの描画不良を低減したパターン形成装置及びパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のパターン形成装置は、実装基板と該実装基板の実装面に配置された実装部品とによって形成される段差部に液滴を吐出して前記段差部を覆うパターンを形成するパターン形成装置であって、前記段差部における段差量と前記パターンの段差方向における厚さとの差を予め規定された吐出位置ごとの前記液滴の量により補正する態様で前記パターン
の厚さを前記段差量に応じて制御する。
【０００７】
このパターン形成装置によれば、段差部における段差量とパターンの段差方向における厚さとの差が吐出位置ごとの液滴の量で補正されることから、例えば段差を緩和するためのスロープやそれに積層される配線などといった段差部を覆うパターンが段差量に応じた厚さで形成可能となる。しかも液滴の吐出位置が維持された状態でパターンの厚さが補正されることから、パターンの形状が大きく変更されることなく、言い換えれば、パターンの位置精度が大きく損なわれることなく、その厚さが補正可能になる。またパターンの厚さを補正する上においては、吐出位置の変更が不要となるため、より簡便な態様でパターンの厚さ補正が可能にもなる。それゆえ実装基板とその実装面に配置された実装部品とによって形成された段差部において、その段差部を覆うパターンの描画不良が低減可能となる。
【０００８】
このパターン形成装置は、前記パターンの厚さを前記液滴の容量により補正することを要旨とする。
このパターン形成装置によれば、吐出位置やそこに吐出する液滴の数が維持された状態でパターンの厚さが補正されることから、上述するような制御態様がより簡便なものとして実現可能にもなる。
【０００９】
このパターン形成装置は、前記実装面の面方向における前記実装部品のずれ量により前記予め規定した吐出位置を補正してその補正後の吐出位置に前記液滴を吐出することを要旨とする。
【００１０】
このパターン形成装置によれば、実装部品の位置が実装面の面方向においてずれる場合であっても、こうした位置ずれまでも補正される態様でパターンの厚さが補正可能になる。それゆえ、たとえ実装面の面方向において実装部品が位置ずれを生じたとしても、その位置ずれにあわせてパターンの描画位置が補正されることから、段差部に対して確実に液滴を吐出することが可能となる。
【００１１】
このパターン形成装置は、前記段差部を覆うパターンが、前記段差部の段差量を緩和する傾斜パターンであってもよい。
このパターン形成装置によれば、段差部における段差を緩和するパターンについてその厚さが補正されることとなり、例えば傾斜パターンの厚さ不足や傾斜パターンの厚さ過剰による緩和不良が回避可能となる。
【００１２】
このパターン形成装置は、前記段差部を覆うパターンが、前記段差部の段差量を緩和する傾斜パターンに積層されて前記段差部を跨ぐかたちに前記実装基板の電極パッドと前記実装部品の電極パッドとを接続する金属配線であってもよい。
【００１３】
このパターン形成装置によれば、傾斜パターンに積層される金属配線についてその厚さが補正されることとなり、段差部の段差量にずれが発生する場合であれ、電極パッド間における断線や短絡といった接続不良が回避可能となる。
【００１４】
本発明のパターン形成方法は、実装基板と該実装基板の実装面に配置された実装部品とによって形成される段差部に吐出して前記段差部を覆うパターンを形成するパターン形成方法であって、前記段差部における段差量と前記パターンの段差方向における厚さとの差を予め規定した吐出位置ごとの前記液滴の量により補正する態様で前記パターンの厚さを前記段差量に応じて制御することを要旨とする。
【００１５】
このパターン形成方法によれば、段差部における段差量とパターンの段差方向における
差との差が吐出位置ごとの液滴の量で補正されることから、例えば段差を緩和するためのスロープやそれに積層される配線などといった段差部を覆うパターンが段差量に応じた厚さで形成可能となる。しかも液滴の吐出位置が維持された状態でパターンの厚さが補正されることから、パターンの形状が大きく変更されることなく、言い換えれば、パターンの位置精度が大きく損なわれることなく、その厚さが補正可能になる。またパターンの厚さを補正する上においては、吐出位置の変更が不要となるため、より簡便な態様でパターンの厚さ補正が可能にもなる。それゆえ実装基板とその実装面に配置された実装部品とによって形成された段差部において、その段差部を覆うパターンの描画不良が低減可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】液滴吐出装置の斜視構造を示す斜視図。
【図２】吐出ヘッドの斜視構造を示す斜視図。
【図３】吐出ヘッドの内部構造を示す部分断面図。
【図４】実装面におけるドットパターン格子を示す図。
【図５】液滴吐出装置の電気的構成を示すブロック回路図。
【図６】駆動波形の一例を示す図。
【図７】描画情報のテータ構成を示す構成図。
【図８】駆動電圧補正データを説明するグラフ。
【図９】整合状態にある実装態様の平面構造を示す平面図。
【図１０】直交座標系における基準位置及びパッドエリアを示す図。
【図１１】第１実施形態における基本描画データを示す図。
【図１２】非整合状態の実装態様における並進ベクトル及び回転ベクトルの一例を示した図。
【図１３】第１実施形態における位置補正の実施態様の一例を示した図。
【図１４】第１実施形態における段差部の断面図。
【図１５】第１実施形態におけるパターン形成方法の流れを示すフローチャート。
【図１６】第２実施形態における基本描画パターンを示す図。
【図１７】第２実施形態における位置補正の実施態様の一例を示した図。
【図１８】第２実施形態におけるパターン形成方法の流れを示すフローチャート。
【図１９】第２実施形態における段差部の断面図
【図２０】変更例における駆動信号補正データのデータ構成を示す図
【図２１】変更例における駆動信号補正データのデータ構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１実施形態）
以下、本発明のパターン形成装置を液滴吐出装置に具体化した第１実施形態について図１〜図１５を参照して説明する。図１は液滴吐出装置の斜視構造を示した図である。図２は、吐出ヘッドの斜視構造を示す斜視図であり、図３は同吐出ヘッドの内部断面構造を示す部分断面図である。また図４は液滴吐出装置に投入された実装基板と吐出ヘッドとの配置を示す平面図である。なお、第１実施形態における液滴吐出装置は、実装基板と半導体チップとによって形成される段差部を緩和する傾斜パターンとしてのスロープを形成するものである。
【００１８】
図１に示すように、液滴吐出装置１０の基台１１には、実装面１３ａを上に向けた状態で実装基板１３が載置されるステージ１２が基台１１の長手方向に沿って往復移動可能に搭載されている。その基台１１には、実装面１３ａの面方向に沿ってステージ１２を並進および回転させる図示しないアライメント機構が搭載されており、このアライメント機構が駆動することにより、ステージ１２に位置決めされた実装基板１３が予め定められた位置である描画位置と整合する。さらに基台１１には、図示しない走査モータが搭載されて
おり、そして走査モータが正転又は逆転することにより、基台１１の長手方向に沿って前記ステージ１２が所定の速度で往復移動し、これにより描画位置に整合した状態で実装基板１３が同長手方向に沿って走査される。
【００１９】
以下、基台１１の長手方向であって、図１における右上方向を＋Ｘ方向とし、＋Ｘ方向の反対方向を−Ｘ方向と言う。また、＋Ｘ方向と直交する水平方向であって、図２における左上方向を＋Ｙ方向とし、＋Ｙ方向の反対方向を−Ｙ方向と言う。また、鉛直方向上方を＋Ｚ方向とし、＋Ｚ方向の反対方向を−Ｚ方向と言う。また、Ｚ方向を軸にした回転方向をθ方向と言う。なお、各図に示したＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向はそれぞれ同一方向とする。
【００２０】
実装基板１３は、その上面である実装面１３ａに複数の基板電極パッド１６を具備しており、その実装面１３ａには電子部品である複数の半導体チップ１５がそれぞれ接着層１４（図３参照）を介して接合されている。例えば実装面１３ａには８つの基板電極パッド１６が具備されており、各基板電極パッド１６に囲まれるかたちで２つの半導体チップ１５が接合されている。２つの半導体チップ１５は、上側から見て矩形状をなし、その上面である接続面１５ａの四隅に、基板電極パッド１６に接続されるための部品電極パッドであるチップ電極パッド１７を有している。さらに半導体チップ１５は、一対をなすチップ電極パッド１７間の中心位置にそれぞれアライメントマーク１８を有している。１つの半導体チップ１５が具備する一対のアライメントマーク１８は、その位置に基づいて各チップ電極パッド１７の位置を一義的に規定する位置に配設されている。そして２つの半導体チップ１５は、それぞれのチップ電極パッド１７が異なる基板電極パッド１６と接続されるべく、異なる４つの基板電極パッド１６に囲まれるかたちで配置されている。
【００２１】
以下、実装設計上において予め定められたアライメントマーク１８の位置を、それぞれ基準位置という。また実際に載置された半導体チップ１５の状態のなかで、アライメントマーク１８が基準位置にある状態は、実装面１３ａの面方向に関わる各種部材の位置補正が不要な状態であって、こうした載置状態を整合状態という。これに対して、実際に載置された半導体チップ１５の状態のなかで、アライメントマーク１８の基準位置からの位置ずれが設計上の許容値を超えた状態は、実装面１３ａの面方向に関わる各種部材の位置補正が必要な状態であって、こうした載置状態を非整合状態という。
【００２２】
基台１１の上側には、門型に形成されたガイド部材１９が＋Ｘ方向に沿って架設されており、該ガイド部材１９の上側には、液状体としての絶縁性インクＩｋを供給するインクタンク２０が配設されている。インクタンク２０は、絶縁性材料の分散系からなる絶縁性インクＩｋを貯留し、貯留する絶縁性インクＩｋを所定の圧力の下で所定の温度に調整しつつ吐出ヘッド２１へ供給する。絶縁性材料としては、エポキシ系の熱硬化性樹脂やアクリル系の光硬化性樹脂、あるいはこれらを混合させたものを用いることができる。なお、本実施形態では、アクリル系の光硬化性樹脂を用いている。
【００２３】
ガイド部材１９には、＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に移動可能なキャリッジ２２が搭載されており、該キャリッジ２２には吐出ヘッド２１が搭載されている。ガイド部材１９には図示しないキャリッジモータが取付けられており、そのキャリッジモータが正転又は逆転するとき、キャリッジ２２は＋Ｘ方向又は−Ｘ方向へ移動し、吐出ヘッド２１は＋Ｘ方向又は−Ｘ方向へ走査される。
【００２４】
基台１１の上方には、実装基板１３や半導体チップ１５を撮像するための撮像カメラ３５が設けられている。撮像カメラ３５は、実装基板１３の位置やアライメントマーク１８の位置、実装基板１３と半導体チップ１５とによって形成される段差部Ｂの段差方向の高さである段差量Ｈ（図３参照）を検出するための装置である。撮像カメラ３５が撮像する実装基板１３の撮像画像は、実装基板１３を描画位置に配置するための前記アライメント
機構の駆動処理に利用される。撮像カメラ３５が撮像する半導体チップ１５の撮像画像は、アライメントマーク１８の位置の検出処理に利用され、また半導体チップ１５が整合状態であるか、あるいは非整合状態であるかの判断処理に利用される。さらに半導体チップ１５の撮像画像は、アライメントマーク１８とその対応する基準位置との間のずれを算出する算出処理に利用される。なお撮像カメラ３５は、各半導体チップ１５を撮像する際にはその半導体チップ１５のアライメントマーク１８に焦点を合わせて撮像する。そしてそのときの焦点距離が段差部Ｂの段差量Ｈを算出する算出処理に利用される。ちなみに、この撮像カメラ３５には、段差量Ｈを高精度に算出すべく、焦点深度の浅いＣＣＤカメラを用いられている。
【００２５】
図２に示されるように、吐出ヘッド２１は、キャリッジ２２に位置決め固定されて＋Ｘ方向に延びるヘッド基板２３と、ヘッド基板２３に支持されるヘッド本体２５とを有する。ヘッド基板２３は、−Ｘ方向の端部にヘッドコネクタ２３ａを有しており、外部からの各種制御信号がこのヘッドコネクタ２３ａからヘッド本体２５へ入力されて、またヘッド本体２５からの各種検出信号がこのヘッドコネクタ２３ａから外部へ出力される。
【００２６】
ヘッド本体２５の底部には、走査される実装基板１３と対向するようにノズルプレート２６が貼り付けられている。ノズルプレート２６は、ヘッド本体２５の直下に実装基板１３が位置するときに、その底面であるノズル形成面２６ａと実装基板１３の実装面１３ａとが略平行になる態様で構成されており、ノズル形成面２６ａと実装面１３ａとの間、あるいはノズル形成面２６ａと半導体チップ１５の接続面１５ａとの間に液滴Ｄの飛行空間を形成する。またノズルプレート２６は、ヘッド本体２５の直下に実装基板１３が位置する間、ノズル形成面２６ａと実装基板１３の実装面１３ａとの間の距離であるプラテンギャップを所定の距離に維持する。ノズルプレート２６のノズル形成面２６ａには、ノズルプレート２６をＺ方向に貫通する複数個のノズルＮがＸ方向に沿ってノズルピッチＤｘにて等間隔に配列されている。
【００２７】
図３に示されるように、ヘッド本体２５は、各ノズルＮの上側にそれぞれキャビティ２７と、振動板２８と、駆動素子としての圧電素子ＰＺとを有する。各キャビティ２７は、供給チューブ２５Ｔを介してインクタンク２０に共通接続されており、これによりインクタンク２０からの導電性インクＩｋを収容して、該導電性インクＩｋを各ノズルＮに供給する。振動板２８は、各キャビティ２７に対向する領域でＺ方向に振動することにより、該キャビティ２７の容積を拡大及び縮小させて圧力変動を発生させ、これによりノズルＮのメニスカスを振動させる。各圧電素子ＰＺには、その収縮量や収縮速度、伸張量や伸張速度を規定した電圧波形に基づく駆動信号ＣＯＭ（図５，６参照）が入力されるようになっており、こうした駆動信号ＣＯＭが圧電素子ＰＺに入力されるたびに、該圧電素子ＰＺがＺ方向に収縮して伸張し、これにより振動板２８がＺ方向に振動する。
【００２８】
こうした構成からなる吐出ヘッド２１では、各圧電素子ＰＺがＺ方向に収縮及び伸張するときに、各キャビティ２７に収容される絶縁性インクＩｋの一部が、上記駆動信号ＣＯＭに応じた量や速度を有する液滴ＤとしてノズルＮから吐出される。ノズルＮから吐出される液滴Ｄは、上述する飛行空間を飛行して実装基板１３の実装面１３ａあるいは半導体チップ１５の上面であるの接続面１５ａに着弾する。そして着弾した各液滴Ｄを硬化させることにより、絶縁性のパターンであって段差部Ｂを緩和するスロープ２９が形成される（図１４参照）。
【００２９】
図４の一点鎖線で示されるように、実装基板１３の実装面１３ａには、二次元の矩形格子であるドットパターン格子ＤＬが仮想分割されている。ドットパターン格子ＤＬは、＋Ｘ方向の格子間隔と＋Ｙ方向の格子間隔とが、それぞれ所定の間隔で設定される仮想格子である。例えば、ドットパターン格子ＤＬの＋Ｘ方向の格子間隔は、ノズルピッチＤｘで
規定されており、ドットパターン格子ＤＬの＋Ｙ方向の格子間隔は、液滴Ｄの吐出周期とステージ１２の走査速度との積から算出される吐出ピッチＤｙで規定されている。こうしたドットパターン格子ＤＬが上記ステージ１２により走査されるとき、上述する吐出ヘッド２１の各ノズルＮは、ドットパターン格子ＤＬの単位格子Ｌが走査される経路の直上に配置される。そして液滴Ｄを吐出するか否かの選択が、１つのノズルＮに対して上記単位格子Ｌごとに設定される。つまり、基板電極パッド１６とチップ電極パッド１７との間に液滴Ｄからなる配線が形成される場合、基板電極パッド１６とチップ電極パッド１７との間の単位格子Ｌが予め規定された吐出位置となり、これらがむすばれるかたちで液滴Ｄが吐出される。なお、図４では、ドットパターン格子ＤＬの各単位格子Ｌを説明する便宜上、ドットパターン格子ＤＬの格子間隔及び吐出ヘッド２１のノズルピッチＤｘを十分拡大して示している。
【００３０】
次に上記のように構成した液滴吐出装置１０の電気的構成について図５を参照して説明する。図５は、液滴吐出装置１０の電気的構成を示したブロック回路図である。
図５に示されるように、液滴吐出装置１０の制御装置５０は、ＣＰＵ等からなる制御部５１、ＲＯＭ５２、ＲＡＭ５３、発振回路５４、駆動波形生成部５５、ビットマップ生成部５６、外部Ｉ／Ｆ５８及び内部Ｉ／Ｆ５９から構成されている。この制御装置５０は、外部Ｉ／Ｆ５８を介して入出力装置６０に接続されており、また内部Ｉ／Ｆ５９を介してキャリッジモータ駆動回路６１、ステージモータ駆動回路６２、撮像カメラ駆動回路６３及びヘッド駆動回路６４に接続されている。
【００３１】
液滴吐出装置１０がスロープ２９の描画命令を受けるとき、制御部５１は、ＲＯＭ５２に格納された描画プログラムを読み出し、その描画プログラムに従う各種の制御信号をそれらに対応する上記各構成要素に適宜出力する。そして制御部５１は、描画プログラムに応じた処理を上記各構成要素に実行させて、ＲＡＭ５３に割り当てられた所定の記憶領域に各構成要素からの処理結果、例えば描画データとしてのビットマップデータＢＭＤ等を格納したり、あるいは各構成要素からの処理結果を内部Ｉ／Ｆ５９から出力したりする。なおビットマップデータＢＭＤは、二次元に配列された各単位格子Ｌに対して値が０あるいは１であるビットを対応づけることにより、１つの半導体チップ１５が必要とするスロープ２９の描画像を表現したデータであり、そして各ビットの値に応じて圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定したデータである。
【００３２】
発振回路５４は、制御装置５０における各種処理のタイミングを制御したり、各種処理のサイクル数を規定したりするためにその内部クロックを生成する。例えば発振回路５４は、制御装置５０の構成要素間でデータが転送される際の同期信号である基準クロックを生成したり、またＲＡＭ５３から読み出された各種データがヘッド駆動回路６４にシリアル転送される際の同期信号である転送クロックＣＬＫを生成したりする。
【００３３】
駆動波形生成部５５は、所定クロックごとの昇圧値や降圧値を示した波形データが所定の記憶領域に格納される波形メモリ５５ａを備え、その波形メモリに格納された波形データを制御部５１からの制御信号に応じて読み出す。そして駆動波形生成部５５は、読み出した波形データを用いて、駆動信号ＣＯＭの波形に対応した電圧レベルを示す電圧レベルデータを生成する。また駆動波形生成部５５は、その電圧レベルデータをアナログ信号に変換するデジタル／アナログ変換器を備え、制御部５１からの制御信号に応じて電圧レベルデータをアナログ信号に変換する。そして駆動波形生成部５５は、圧電素子ＰＺが駆動する電圧までそのアナログ信号を増幅し、さらにその増幅した電圧信号に対応した電流供給を行う。なお図６は、こうした駆動信号ＣＯＭの一例を示した図であり、駆動信号ＣＯＭの第１勾配部７１では、初期状態にある圧電素子ＰＺをその勾配に応じた速度で駆動電圧値Ｖｈに応じた量だけ収縮させる。第２勾配部７２では、収縮状態にある圧電素子ＰＺをその勾配に応じた速度でその電位差に応じた量だけ伸張させる。第３勾配部７３では、
伸張状態にある圧電素子ＰＺをその勾配に応じた速度で収縮させて初期状態へと復帰させる。そしてこうした駆動信号ＣＯＭが圧電素子ＰＺに供給されるとき、第２勾配部７２の勾配が高くなるほど高い飛行速度の液滴が吐出されることになり、また駆動電圧値Ｖｈが大きくなるほど大きい容量の液滴が吐出されることになる。
【００３４】
キャリッジモータ駆動回路６１は、制御装置５０からの制御信号が入力されると、その制御信号に応答して、キャリッジ２２を移動させるためのキャリッジモータＣＭを正転又は逆転させる。キャリッジモータ駆動回路６１には、キャリッジエンコーダＣＥが接続されており、このキャリッジエンコーダＣＥからの検出信号が入力される。キャリッジモータ駆動回路６１は、キャリッジエンコーダＣＥからの検出信号に基づいて、実装基板１３に対するキャリッジ２２の移動方向及び移動量、すなわちノズルＮの移動方向や移動量に関わる信号を生成して制御装置５０に出力する。
【００３５】
ステージモータ駆動回路６２は、制御装置５０からの制御信号が入力されると、その制御信号に応答して、ステージ１２を移動させるためのステージモータＳＭを正転又は逆転させる。ステージモータ駆動回路６２には、ステージエンコーダＳＥが接続されており、このステージエンコーダＳＥからの検出信号が入力される。ステージモータ駆動回路６２は、ステージエンコーダＳＥからの検出信号に基づいて、ステージ１２の移動方向及び移動量に関する信号、すなわちドットパターン格子ＤＬの単位格子Ｌの移動方向や移動量に関わる信号を生成して制御装置５０に出力する。制御部５１は、ステージエンコーダＳＥからの検出信号を受けて各種の制御信号を出力する。具体的には、制御部５１は、ステージエンコーダＳＥからの検出信号に基づき、撮像カメラ３５の直下に実装基板１３及び半導体チップ１５が位置するときに撮像制御信号を生成し、その撮像制御信号を撮像カメラ駆動回路６３に出力する。また制御部５１は、ステージエンコーダＳＥからの検出信号に基づき、単位格子ＬがノズルＮの直下に位置するときに吐出タイミング信号ＬＡＴを生成し、その吐出タイミング信号ＬＡＴをヘッド駆動回路６４に出力する。
【００３６】
撮像カメラ駆動回路６３は、制御装置５０からの撮像制御信号が入力されると、その撮像制御信号に応答して、撮像カメラ３５に実装基板１３や各半導体チップ１５を撮像させる。撮像カメラ駆動回路６３は、撮像カメラ３５が取得した画像データを利用して、実装基板１３の座標値、実装位置である各アライメントマーク１８の座標値を演算し、その演算結果を位置データＰＤとして制御装置５０に出力する。制御装置５０は撮像カメラ駆動回路６３からの位置データＰＤをＲＡＭ５３の所定の記憶領域に格納する。また、撮像カメラ駆動回路６３は、撮像カメラ３５が各半導体チップ１５を撮像する際に、半導体チップ１５に設けたアライメントマーク１８に焦点を合わせて撮像させる。撮像カメラ駆動回路６３は、そのときの焦点距離に基づいてステージ１２の上面から接続面１５ａまでの距離を演算し、その演算した距離から実装基板１３の厚さを差し引くことで、その半導体チップ１５における段差部Ｂの段差量Ｈ１を演算する。そして、この段差量Ｈ１に基づいて基準段差量Ｈ０との段差ずれΔＨ１を演算する。撮像カメラ駆動回路６３は、こうした段差ずれΔＨ１を半導体チップ１５毎に演算し、その演算結果を段差量データＨＤとして制御装置５０に出力する。制御装置５０は、撮像カメラ駆動回路６３からの段差量データＨＤをＲＡＭ５３の所定の記憶領域に格納する。
【００３７】
制御部５１は、各圧電素子ＰＺを駆動するための駆動信号ＣＯＭを吐出タイミング信号ＬＡＴと同期させて駆動波形生成部５５からヘッド駆動回路６４へ出力させる。また制御部５１は、ＲＡＭ５３に格納されたビットマップデータＢＭＤをノズル列ごとに取り扱い、そのノズル列ごとのデータを所定のクロック信号に同期した吐出制御信号ＳＩとしてヘッド駆動回路６４にシリアル転送する。
【００３８】
ヘッド駆動回路６４は、制御装置５０からのシリアル信号である吐出制御信号ＳＩを各
圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。ヘッド駆動回路６４は、制御装置５０からの吐出タイミング信号ＬＡＴを受けるたびに、シリアル／パラレル変換した吐出制御信号ＳＩをラッチし、値が１であるビットに対応づけられた各圧電素子ＰＺにそれぞれ駆動信号ＣＯＭを供給する。こうした構成によれば、吐出タイミング信号ＬＡＴがヘッド駆動回路６４に入力されるたびに、圧電素子ＰＺがビットマップデータＢＭＤに基づいて選択的に駆動される。そして選択された圧電素子ＰＺに対応するノズルＮから液滴Ｄが吐出されて、該ノズルＮの直下にある単位格子Ｌに液滴Ｄが着弾し、スロープ２９が形成される。
【００３９】
入出力装置６０は、例えばＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスク、液晶ディスプレイ等を有する外部コンピュータである。入出力装置６０は、段差部Ｂにスロープ２９を描画するための各種条件を含む描画情報Ｉａを制御装置５０に入力する。そして制御装置５０は、入出力装置６０からの描画情報Ｉａを受けて、その描画情報ＩａをＲＡＭ５３における所定の記憶領域に格納する。
【００４０】
制御装置５０が受ける上記描画情報Ｉａは、前記単位格子Ｌの位置に関するデータや駆動信号ＣＯＭに対応した電圧波形を示すデータを含むかたちで構成されている。単位格子Ｌに関するデータは、液滴Ｄの吐出位置である各単位格子Ｌを実装面１３ａ上に規定するためのデータであり、ノズルピッチＤｘや液滴Ｄの吐出周期、さらにはステージ１２の走査速度などから構成されている。駆動信号ＣＯＭの電圧波形に関するデータは、駆動電圧値Ｖｈからなる駆動信号ＣＯＭにおいて、所定クロック毎の昇圧値や降圧値を示すデータであり、液滴Ｄの量や吐出速度がスロープ２９の設計ルールに基づく目標値となるように、各種液滴の吐出実験等に基づいてその値が設定されている。上記描画情報Ｉａは、これらのデータの他に、図７に示されるように、スロープ２９の描画位置を半導体チップ１５の位置ずれに基づいて補正すべく、基準位置データＩａ１と信号補正データとしての駆動電圧データＩａ３とを含むかたちで構成されている。
【００４１】
基準位置データＩａ１は、アライメントマーク１８の基準位置を示す座標値から構成されている。基準位置データＩａ１は、一つの基準位置を示す座標値がその基準位置に対応するアライメントマーク１８に関連付けられたデータ構造からなり、アライメントマーク１８の数に対応するデータ量で構成されている。この基準位置データＩａ１を構成する座標値の座標空間は、各単位格子Ｌの座標値を整数値として扱う二次元の直交座標系Ｃで規定されている。
【００４２】
基本描画データＩａ２は、スロープ２９の描画領域であるスロープエリア２９Ｉを示すデータから構成されている。基本描画データＩａ２は、一つの半導体チップ１５に要する複数のスロープエリア２９Ｉが一つの半導体チップ１５に対してステージ１２の走査毎に関連付けられたデータ構造からなり、一つの半導体チップ１５に要するスロープ２９の数及びステージ１２の走査回数に対応するデータ量で構成されている。この基本描画データＩａ２により規定されるスロープエリア２９Ｉは、半導体チップ１５が前記整合状態であることを条件にして、スロープ２９の基本描画領域として設定されている。このようなスロープエリア２９Ｉは、値として０または１を持つ２次元配列の２値パターンやその領域の輪郭線を構成する要素の座標系列として表現され得るが、本実施形態では、スロープエリア２９Ｉの幾何学的変換の容易化を図るべく、スロープエリア２９Ｉの輪郭線をベクトル化したベクトルデータとして表現されている。この基本描画データＩａ２を構成するベクトルデータのデータ空間は、各単位格子Ｌが規定される座標系と共通する二次元の直交座標系Ｃである。
【００４３】
駆動電圧データＩａ３は、基準段差量Ｈ０に関連づけられた駆動電圧値である基準駆動電圧値Ｖｈ０を示すデータと、段差ずれΔＨに応じた基準駆動電圧値Ｖｈ０の補正量ΔＶ
ｈを示すデータとから構成されている。駆動電圧データＩａ３は、基準駆動電圧値Ｖｈ０の補正量ΔＶｈが段差ずれΔＨごとに一義的に関連付けられたデータ構造をなしている。図８は、こうした駆動電圧データＩａ３が補間式などで表現される例を示すものであり、横軸を段差ずれΔＨ、縦軸を駆動電圧値Ｖｈの補正量ΔＶｈとするグラフに展開して示したものであり、例えば段差ずれΔＨ１の場合には基準駆動電圧値Ｖｈ０に対する補正量ΔＶｈ１が一義的に規定されている。同図に示されるように、段差ずれΔＨが正値である場合、すなわち段差量Ｈが基準段差量Ｈ０よりも大きい場合には、基準駆動電圧値Ｖｈ０を増加させる補正量が対応付けられている。また、段差ずれΔＨが負値である場合、すなわち段差量Ｈが基準段差量Ｈ０よりも小さい場合には、基準駆動電圧値Ｖｈ０を減少させる補正量が対応付けられている。なお、段差ずれΔＨが段差ずれΔＨ２よりも小さい場合や段差ずれΔＨ３より大きい場合には基準駆動電圧値Ｖｈ０の補正だけではその段差ずれΔＨに対して好適な形状（段差方向における厚さ）のスロープ２９を形成することが困難であるため、それらの範囲には補正量ΔＶｈが規定されておらず、エラーとして取り扱われるデータが対応付けられている。
【００４４】
以下、上記基準位置データＩａ１及び基本描画データＩａ２の構成について実装態様の一例を用いて詳細に説明する。図９は、２つの半導体チップ１５がそれぞれ整合状態にあるときの実装態様の例を示す平面図である。図１０は基準位置データＩａ１に対応する基準位置を二次元の直交座標系Ｃに示した図であり、図１１は基本描画データＩａ２に対応するスロープエリア２９Ｉを二次元の直交座標系Ｃに示した図である。
【００４５】
図９に示されるように、描画位置に配置された実装基板１３には、左右一対をなす第１半導体チップ１５１と第２半導体チップ１５２とが整合状態で載置されている。第１半導体チップ１５１及び第２半導体チップ１５２は、接続面１５ａと対向する裏面が実装面１３ａに向くかたちで実装面１３ａに接合されている。第１半導体チップ１５１及び第２半導体チップ１５２の各接続面１５ａの四隅には、それぞれチップ電極パッド１７が配設されている。接続面１５ａの四隅のうちで左右一対をなすチップ電極パッド１７の間には、その左右方向の中心位置に、それぞれアライメントマーク１８ａ、１８ｂが配設されている。
【００４６】
このような第１半導体チップ１５１及び第２半導体チップ１５２が接合された実装面１３ａには、第１半導体チップ１５１の上側（＋Ｙ方向）に、左右一対の基板電極パッド１６が、左右一対のチップ電極パッド１７の＋Ｙ方向を横切るかたちで配設されている。また第１半導体チップ１５１の下側（−Ｙ方向）に、左右一対の基板電極パッド１６が、左右一対のチップ電極パッド１７の−Ｙ方向を横切るかたちで配設されている。さらに第２半導体チップ１５２の上側（＋Ｙ方向）にも、第１半導体チップ１５１と同じく、左右一対の基板電極パッド１６が、左右一対のチップ電極パッド１７の＋Ｙ方向を横切るかたちで配設されている。また第２半導体チップ１５２の下側（−Ｙ方向）にも、第１半導体チップ１５１と同じく、左右一対の基板電極パッド１６が、左右一対のチップ電極パッド１７の−Ｙ方向を横切るかたちで配設されている。
【００４７】
上述するような実装態様の場合、実装面１３ａにおける直交座標系Ｃには、図１０に示されるように、第１半導体チップ１５１の２つのアライメントマーク１８ａ、１８ｂに対応する基準位置の座標値（第１基準座標Ｐａ１、Ｐｂ１）が、前記基準位置データＩａ１によって設定されている。さらに第２半導体チップ１５２の２つのアライメントマーク１８ａ、１８ｂに対応する基準位置の座標値（第２基準座標Ｐａ２、Ｐｂ２）が、これも同じく、前記基準位置データＩａ１により設定されている。つまり、上述する基準位置データＩａ１は、第１基準座標Ｐａ１、Ｐｂ１に対応する座標値と、第２基準座標Ｐａ２、Ｐｂ２に対応する座標値とを示すデータがそれぞれ第１半導体チップ１５１と第２半導体チップ１５２とに関連付けられるかたちで構成されている。
【００４８】
また実装面１３ａにおける直交座標系Ｃには、図１１に示されるように、描画位置における２つのスロープエリア２９Ｉが、一対の転写基準座標Ｔａ、Ｔｂに関連づけられるかたちで半導体チップ１５ごとに設定されている。これら半導体チップ１５ごとに設定される２つのスロープエリア２９Ｉは、１つの共通する前記基本描画データＩａ２により設定されている。言い換えれば、上述する基本描画データＩａ２は、１つの半導体チップ１５に必要とされる２つのスロープエリア２９Ｉが前記転写基準座標Ｔａ、Ｔｂの座標値に関連づけられたベクトルデータにより構成されている。そして、転写基準座標Ｔａ、Ｔｂが第１基準座標Ｐａ１、Ｐｂ１に位置するように上述のベクトルデータが変換され、こうした基本描画データＩａ２の変換により、第１半導体チップ１５１用の２つのスロープエリア２９Ｉが設定される。さらに転写基準座標Ｔａ、Ｔｂが第２基準座標Ｐａ２、Ｐｂ２に位置するように前述のベクトルデータが変換され、こうした基本描画データＩａ２の変換により、第２半導体チップ１５２用の２つのスロープエリア２９Ｉが設定される。
【００４９】
ちなみに、上述する実装態様のように第１半導体チップ１５１と第２半導体チップ１５２とが整合状態にある場合であれば、このようにして設定された２つのスロープエリア２９Ｉを用いることにより、スロープ２９の描画位置補正を行うことなく描画することが可能である。これに対して、第１半導体チップ１５１又は第２半導体チップ１５２が非整合状態にある場合、このようにして設定された２つのスロープエリア２９Ｉを用いると、段差部Ｂの位置がずれているにも関わらずスロープエリア２９Ｉに液滴が吐出されてしまう。そのため、例えば、段差部Ｂの一部にスロープ２９が形成されなかったり、チップ電極パッド１７を覆い隠してしまったりする虞がある。
【００５０】
そこで制御部５１は、まず撮像カメラ駆動回路６３からの位置データＰＤと基準位置データＩａ１とをＲＡＭ５３から読み出して、半導体チップ１５が整合状態であるか、あるいは非整合状態であるかを判断すべく、アライメントマーク１８の検出位置と同アライメントマーク１８に対応する基準座標とのずれを示す位置補正データＰＲＤを生成する。次いで制御部５１は、位置補正データＰＲＤに基づくずれが実装設計上定められた所定のずれよりも小さい場合には、その半導体チップ１５が整合状態であるものと判断し、反対に位置補正データＰＲＤに基づくずれが実装設計上定められた所定のずれ以上である場合には、その半導体チップ１５が非整合状態にあるものと判断する。そして第１半導体チップ１５１あるいは第２半導体チップ１５２が非整合状態にある場合には、制御部５１は、基本描画データＩａ２に含まれるベクトルデータを位置補正データＰＲＤに基づいてビットマップ生成部５６に変換させて、こうした補正判断の後に半導体チップ１５ごとのビットマップデータＢＭＤを生成する。
【００５１】
以下、このような位置補正に用いられる位置補正データＰＲＤの構成およびビットマップ生成部５６の構成、さらにはその補正態様の一例を図５及び図１２を参照して詳細に説明する。図１２は非整合状態の実装態様における並進ベクトルおよび回転ベクトルの一例を示した図であり、図１３は位置補正データＰＲＤの構成要素である並進補正データ及び回転補正データを用いた描画位置補正の一例を示す図である。
【００５２】
位置補正データＰＲＤは、並進補正データと回転補正データとから構成されており、並進補正データは、アライメントマーク１８ａの基準位置をその検出位置に補正するための並進ベクトルＴを示すデータであり、半導体チップ１５ごとの並進ベクトルＴがその半導体チップ１５に関連付けられたデータ構造からなる。回転補正データは、前記並進ベクトルにより並進変換されたアライメントマーク１８ｂの基準位置をその検出位置に補正するための回転ベクトルＲを示すデータであり、これもまた同じく、半導体チップ１５ごとの前記回転ベクトルＲがその半導体チップ１５に関連付けられたデータ構造からなる。
【００５３】
こうした構成からなる位置補正データＰＲＤは、撮像カメラ駆動回路６３からの位置データＰＤと基準位置データＩａ１とを用いて制御部５１により生成される。例えば図１２に示されるように、制御部５１は、まず撮像カメラ駆動回路６３からの位置データＰＤと基準位置データＩａ１とをＲＡＭ５３から読み出して、第１基準座標Ｐａ１から実際のアライメントマーク１８ａの座標値への並進ベクトルＴを算出し、その算出結果を並進補正データとしてＲＡＭ５３に格納させる。次いで、制御部５１は、前記並進ベクトルＴにより並進変換された第１基準座標Ｐｂ１を回転中心にして、同じく並進変換された第２基準座標Ｐｂ２から実際のアライメントマーク１８ｂの座標値への回転ベクトルＲを算出し、その算出結果を回転補正データとしてＲＡＭ５３に格納させる。そして制御部５１は、全ての半導体チップ１５に対してこうした並進ベクトルＴと回転ベクトルＲとを算出することにより１つの位置補正データＰＲＤを生成する。
【００５４】
図５に示されるように、ビットマップ生成部５６は、位置補正判断後のスロープエリア２９Ｉに対応するベクトルデータに対して並進変換および回転変換を施すベクトルデータ変換部５６ａと、スロープエリア２９Ｉに対応するベクトルデータをビットマップデータＢＭＤに展開するベクトルデータ展開部５６ｂとから構成されている。制御部５１は、位置補正データＰＲＤと基本描画データＩａ２とをＲＡＭ５３から読み出し、基本描画データＩａ２を構成するベクトルデータに対して位置補正データＰＲＤを用いた上記変換を半導体チップ１５ごとにベクトルデータ変換部５６ａに実行させる。
【００５５】
つまりビットマップ生成部５６は、制御部５１からの制御信号を受けて、位置補正データＰＲＤに基づく並進変換や回転変換をスロープエリア２９Ｉに適用し、変換処理後のスロープエリア２９Ｉの輪郭線に相当するベクトルデータ、言い換えれば、位置補正データＰＲＤに基づく補正がなされたスロープエリア２９Ｉに相当するベクトルデータを半導体チップ１５ごとに生成する。またビットマップ生成部５６は、上記変換後のベクトルデータあるいは基本描画データＩａ２を構成するベクトルデータに対して所定のアルゴリズムに基づく展開処理を施し、そのベクトルデータが示すスロープエリア２９Ｉに応じた二次元の二値データ、つまり同スロープエリア２９Ｉに対応するビットマップデータＢＭＤを図示しないローカルメモリに展開する。そしてビットマップ生成部５６は、制御部５１からの制御信号を受けて、半導体チップ１５ごとに生成したビットマップデータＢＭＤを順にＲＡＭ５３に格納させる。
【００５６】
図１３は描画位置補正が必要とされる非整合状態に対して適用される位置補正態様の一例を説明する図である。なお、この例において第１半導体チップ１５１は、アライメントマーク１８ａ、１８ｂがそれぞれ第１基準座標Ｐａ１、Ｐｂ１から同じ並進方向に並進ベクトルＴだけずれて実装基板１３に実装されている。また第２半導体チップ１５２は、アライメントマーク１８ａが第２基準座標Ｐａ２と同じであり、アライメントマーク１８ｂが第２基準座標Ｐｂ２から回転方向に回転ベクトルＲだけずれて実装基板１３に実装されている。
【００５７】
こうした実装態様の場合、制御部５１は、第１基準座標Ｐａ１からアライメントマーク１８ａの座標値への並進ベクトルＴを第１半導体チップ１５１に関連付けるかたちで並進補正データを生成する。また制御部５１は、第２基準座標Ｐｂ２からアライメントマーク１８ｂの座標値への回転ベクトルＲを第２半導体チップ１５２に関連付けるかたちで回転補正データを生成する。このようにして生成された位置補正データＰＲＤは、制御部５１からの制御信号に基づいて、基本描画データＩａ２とともにＲＡＭ５３からビットマップ生成部５６へ転送される。
【００５８】
ビットマップ生成部５６においては、図１３に示されるように、基本描画データＩａ２に対応する２つのスロープエリア２９Ｉ（二点鎖線で示すエリア）が第１半導体チップ１
５１に関連付けられた並進ベクトルＴにより並進変換されるかたちで、基本描画データＩａ２のベクトルデータがベクトルデータ変換部５６ａにより変換される。そして変換されたベクトルデータがベクトルデータ展開部５６ｂで展開されることにより、第１半導体チップ１５１に適用されるビットマップデータＢＭＤが生成される。
【００５９】
さらに基本描画データＩａ２に対応するスロープエリア２９Ｉ（二点鎖線で示すエリア）が第２半導体チップ１５２に関連付けられた回転ベクトルＲにより回転変換されるかたちで、基本描画データＩａ２のベクトルデータがベクトルデータ変換部５６ａにより変換される。そして変換されたベクトルデータがベクトルデータ展開部５６ｂにより展開されることにより、第２半導体チップ１５２に適用されるビットマップデータＢＭＤが生成される。
【００６０】
このようにして生成されるそれらのビットマップデータＢＭＤは、制御部５１からの制御信号に基づいて、ビットマップ生成部５６からＲＡＭ５３へ転送されて、第１半導体チップ１５１に対する描画処理、第２半導体チップ１５２に対する描画処理の際に利用される。
【００６１】
つまりビットマップ生成部５６においては、基本描画データＩａ２に対応するスロープエリアが半導体チップ１５ごとに順に並進変換又は回転変換されるかたちで、半導体チップ１５ごとのビットマップデータＢＭＤが順に生成される。そしてスロープ２９の描画処理を半導体チップ１５ごとに実行する際には、その半導体チップ１５に対応するビットマップデータＢＭＤを用いて液滴Ｄが吐出される。
【００６２】
なお、ビットマップデータＢＭＤは、スロープエリア２９Ｉに含まれる全ての単位格子Ｌに対してビット値を設定したデータである。これに対して、ベクトルデータはスロープエリア２９Ｉの輪郭線をベクトル値で規定したデータであり、そのデータ量はビットマップデータＢＭＤに比べて大幅に少なくなる。上述する構成によれば、スロープエリア２９Ｉを並進変換または回転変換するに際し、そのスロープエリア２９Ｉがベクトルデータとして取り扱われるため、こうしたスロープエリア２９Ｉがビットマップデータとして取り扱われる場合に比べれば、取り扱うデータ量が大幅に少なくなり、さらにデータ処理の負荷そのものが大幅に軽くなる。
【００６３】
このようにして補正されたビットマップデータＢＭＤを用いれば、液滴の吐出位置が半導体チップ１５の位置ずれに応じて補正されることになり、実装面１３ａの面方向において半導体チップ１５の位置に即したスロープ２９が形成されることになる。だが、補正後のビットマップデータＢＭＤを用いた場合であっても、基準駆動電圧値Ｖｈ０からなる駆動信号ＣＯＭで液滴が吐出されるとあっては、段差量Ｈが基準段差量Ｈ０よりも大きい場合にインク量が不足することとなり、好適な形状（厚さ）のスロープ２９が形成され難くなる。また段差量Ｈが基準段差量Ｈ０よりも小さい場合に過剰なインクが吐出されることとなり、その過剰なインクが濡れ広がることで、例えば基板電極パッド１６の一部を覆い隠してしまう虞がある。
【００６４】
そこで制御部５１は、駆動電圧データＩａ３に段差ずれΔＨを適用する態様で駆動電圧値Ｖｈを補正し、その補正後の駆動電圧値Ｖｈからなる駆動信号ＣＯＭを用いることにより、段差ずれΔＨに応じた厚さのスロープ２９を形成する。
【００６５】
つまり制御部５１は、その半導体チップ１５の段差量Ｈが基準段差量Ｈ０と異なる場合、スロープ２９の描画処理を半導体チップ１５に実行する前に、その段差量Ｈに応じた形状（厚さ）のスロープ２９を形成すべく、駆動信号ＣＯＭを補正する信号補正処理を実行する。詳述すると、制御部５１は、ＲＡＭ５３の所定領域に記憶された段差量データＨＤ
を駆動電圧データＩａ３に適用してその段差ずれΔＨに対応した駆動電圧値Ｖｈを演算し、演算結果である駆動電圧値Ｖｈを半導体チップ１５に関連づけた波形補正データＷＲＤを生成する。制御部５１は、半導体チップ１５にスロープ２９を描画する前に、波形補正データＷＲＤからその描画対象となっている半導体チップ１５の駆動電圧値Ｖｈを読み出して、その読み出した駆動電圧値Ｖｈに対応する駆動信号ＣＯＭを駆動波形生成部５５に生成させる。制御部５１は、こうした補正後の駆動信号ＣＯＭを吐出タイミング信号ＬＡＴと同期させて駆動波形生成部５５からヘッド駆動回路６４へ出力させる。このようにして駆動信号ＣＯＭの信号補正処理が行われることにより、段差量Ｈの段差ずれΔＨに応じて液滴Ｄの量が増減されることとなり、液滴Ｄの吐出回数を変更することなく同じビットマップデータＢＭＤの下で液滴Ｄを吐出したとしても、その段差量Ｈに応じた形状（厚さ）のスロープ２９を形成することが可能となる。
【００６６】
図１４は、こうした信号補正処理後の駆動信号ＣＯＭを用いて形成されたスロープ２９の一例を示した図であり、その実装高さが基準段差量Ｈ０よりも大きい段差量Ｈ１である場合を示している。なお同図では、段差量Ｈが基準段差量Ｈ０である場合における接続面１５ａ、及び基準駆動電圧値Ｖｈ０からなる駆動信号ＣＯＭで形成されるスロープ２９を二点鎖線で示している。同図に示されるように、信号補正処理後の駆動信号ＣＯＭを用いて液滴Ｄを吐出することにより、段差ずれΔＨ１に応じて増量された液滴Ｄが吐出されることとなり、段差量Ｈ１と段差方向における厚さとの差が所定値となるスロープ２９が同じビットマップデータＢＭＤの下で形成されることとなる。それゆえ段差部Ｂの段差ずれΔＨに起因する描画不良を低減することが可能となる。
【００６７】
次に、上述のように構成した液滴吐出装置１０を利用したスロープ２９のパターン形成方法について図１５を用いて説明する。図１５は、第１実施形態におけるパターン形成処理の流れを示したフローチャートである。
【００６８】
まず、液滴吐出装置１０のステージ１２には、実装面１３ａを上に向けるかたちで実装基板１３が載置される。続いて、入出力装置６０から制御装置５０に描画情報Ｉａが入力されて、さらにスロープ２９の描画命令が同じく入出力装置６０から制御装置５０に入力される（ステップＳ１０１）。このようにして描画命令が入力されると、液滴吐出装置１０は、ステージ１２を撮像カメラ３５の直下に通過させつつ、実装基板１３および各半導体チップ１５を撮像カメラ３５に撮像させて、制御装置５０に位置データＰＤを生成させる。また液滴吐出装置１０は、各半導体チップ１５を撮像する際の焦点距離から、各半導体チップ１５の段差量Ｈと基準段差量Ｈ０との段差ずれΔＨを演算し、制御装置５０に段差量データＨＤを生成させる。（ステップＳ１０２）
次いで液滴吐出装置１０は、位置データＰＤに基づいて実装基板１３の位置ずれを把握し、その位置ずれが補正されるかたちでアライメント機構を駆動して、実装基板１３を描画位置へ配置する（ステップＳ１０３）。また液滴吐出装置１０は、位置データＰＤおよび基準位置データＩａ１に基づいて各アライメントマーク１８ａ、１８ｂに関わる位置ずれを算出し、その算出結果に基づいて位置補正データＰＲＤを生成する。さらに液滴吐出装置１０は、段差量データＨＤ及び駆動電圧データＩａ３に基づいて、波形補正データＷＲＤを生成する（ステップＳ１０４）。そしてこれらの位置補正データＰＲＤ及び波形補正データＷＲＤが生成されると、液滴吐出装置１０は、段差量データＨＤに基づいて、描画対象である半導体チップ１５の段差ずれΔＨがスロープ２９を形成可能な範囲であるか否かを判断する（ステップＳ１０５）。液滴吐出装置１０は、描画対象の半導体チップ１５が形成不能であると判断した場合にはその半導体チップ１５についての描画プログラムを終了する。
【００６９】
一方、描画対象となる半導体チップ１５にスロープ２９が形成可能であると判断された場合、液滴吐出装置１０は、その位置補正データＰＲＤに基づいて、描画対象である半導
体チップ１５が整合状態であるか、あるいは非整合状態であるかを判断する（ステップＳ１０６）。半導体チップ１５が整合状態である場合、液滴吐出装置１０は、基本描画データＩａ２の構成要素であるベクトルデータをベクトルデータ展開部５６ｂに展開させて、その半導体チップ１５に適用可能なビットマップデータＢＭＤを生成する（ステップＳ１０８）。一方、半導体チップ１５が非整合状態である場合、液滴吐出装置１０は、基本描画データＩａ２の構成要素であるベクトルデータをＲＡＭ５３から読み出し、位置補正データＰＲＤに基づいて該ベクトルデータをベクトルデータ変換部５６ａに並進変換または回転変換させて（ステップＳ１０７）、その半導体チップ１５に適用可能なビットマップデータＢＭＤを生成する（ステップＳ１０８）。
【００７０】
続いて液滴吐出装置１０は、段差量データＨＤに基づいてその描画対象となっている半導体チップ１５に段差ずれΔＨが生じているかを判断する（ステップＳ１０９）。その半導体チップ１５に段差ずれが生じていない場合、液滴吐出装置１０は駆動電圧データＩａ３の基準駆動電圧値Ｖｈ０からなる駆動信号ＣＯＭを生成する（ステップＳ１１０）。一方、描画対象となっている半導体チップ１５に段差ずれΔＨが生じている場合、液滴吐出装置１０は駆動信号ＣＯＭの信号補正処理を実行し、波形補正データＷＲＤからその半導体チップ１５に関連づけられた駆動電圧値Ｖｈを読み出して、補正後の駆動電圧値Ｖｈからなる駆動信号ＣＯＭを生成する（ステップＳ１１１）。
【００７１】
そして、液滴吐出装置１０は、上記ビットマップデータＢＭＤをノズル列ごとに取り扱うことにより吐出制御信号ＳＩを生成し、描画対象である半導体チップ１５が吐出ヘッド２１の直下を通過するかたちで、ステージ１２の走査処理を実行する。この間、実装面１３ａ上の単位格子ＬがノズルＮの直下に位置するたび、液滴吐出装置１０は、吐出制御信号ＳＩにより選択されたノズルＮの圧電素子ＰＺには信号補正処理後の駆動信号ＣＯＭを印加して同駆動信号ＣＯＭに応じた量の液滴Ｄを吐出させて、スロープエリア２９Ｉに含まれる各単位格子Ｌにその液滴Ｄを着弾させ、これにより段差量Ｈに応じたスロープ２９の描画像を形成する。そしてこの描画像を構成する絶縁性インクＩｋが硬化されることにより、スロープ２９が形成される（ステップＳ１１２）。
【００７２】
以上、第１実施形態の液滴吐出装置１０によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）上記第１実施形態によれば、段差量データＨＤ及び駆動電圧データＩａ３によって生成された波形補正データＷＲＤに基づく信号補正処理後の駆動信号ＣＯＭを用いて液滴Ｄを吐出した。こうすることにより、スロープ２９を半導体チップ１５の段差ずれΔＨに応じた形状（厚さ）に、液滴Ｄの吐出回数を変更することなく同じビットマップデータＢＭＤの下で形成することが可能となる。それゆえ段差ずれΔＨによるスロープ２９の描画不良を低減することが可能となる。
【００７３】
（２）上記第１実施形態によれば、位置補正データＰＲＤに基づく変換処理により半導体チップ１５毎の位置ずれに応じたビットマップデータＢＭＤを生成した。こうすることより、半導体チップ１５の実装位置が基準位置からずれている場合であっても段差部Ｂに確実に液滴Ｄを吐出することが可能となる。
【００７４】
（３）上記第１実施形態の駆動電圧データＩａ３では、段差ずれΔＨごとに駆動電圧値Ｖｈの補正量ΔＶｈを規定した。こうした駆動電圧データＩａ３を用いて駆動信号ＣＯＭの信号補正処理を行うことにより、段差ずれΔＨに即した態様で駆動信号ＣＯＭの信号補正処理が実行されることとなり、段差量Ｈに即した形状（厚さ）のスロープ２９を形成することが可能となる。
【００７５】
（４）上記第１実施形態によれば、基本描画データＩａ２のデータ構造がベクトルデー
タであるため、その構造がビットマップデータである場合に比べ、基本描画データＩａ２そのものの容量が一層に抑えられ、そのうえ回転変換の容易化が図れることから、変換処理に必要とされる時間そのもの長期化がさらに抑えられる。
（第２実施形態）
次に、本発明のパターン形成装置を液滴吐出装置に具体化した第２実施形態について図１６〜図１９を参照して説明する。なお、第２実施形態の液滴吐出装置は、第１実施形態にてスロープ２９が形成された実装基板１３に対して、スロープ２９に積層される金属配線パターンを描画するものであり、以下ではその変更点について詳細に説明する。また第１実施形態において全ての半導体チップ１５に対してスロープ２９が形成されたものとする。図１６は第２実施形態における基本描画データを示した図であり、図１７は第２実施形態における位置補正の実施態様の一例を示した図である。
【００７６】
第２実施形態のインクタンク２０には、導電性微粒子の分散系からなる導電性インクＩｋが貯留されている。導電性微粒子は、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒径を有する微粒子であり、例えば銀、金、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム等の金属、あるいはこれらの合金を用いることができる。分散媒は、上記導電性微粒子を均一に分散させるものであればよく、例えば水や水を主成分とする水溶液系、あるいはテトラデカン等の有機溶剤を主成分とする有機系を用いることができる。なお、本実施形態の導電性インクＩｋにおいては、導電性粒子として銀を用い、分散媒として水を用いている。
【００７７】
第２実施形態の描画情報Ｉａは、スロープ２９に積層される金属配線パターンを描画するための各種条件を含んでいる。以下、その詳細について説明する。
第２実施形態において、描画情報Ｉａの駆動信号ＣＯＭの電圧波形に関するデータは、駆動電圧値Ｖｈの駆動信号ＣＯＭにおける、基準クロック毎の昇圧値や降圧値を示すデータであり、液滴Ｄの量や吐出速度が金属配線３０の設計ルールに基づく目標値となるように、各種液滴の吐出実験等に基づいてその値が設定されている。
【００７８】
第２実施形態における基本描画データＩａ２は、図１６に示されるように、金属配線３０の描画領域である配線エリア３０Ｉを示すデータから構成されている。基本描画データＩａ２は、一つの半導体チップ１５に要する複数の配線エリア３０Ｉが一つの半導体チップ１５に関連付けられたデータ構造からなり、一つの半導体チップ１５に要する金属配線３０の数に対応するデータ量で構成されている。この基本描画データＩａ２により規定される配線エリア３０Ｉは、半導体チップ１５が前記整合状態であることを条件にして基板電極パッド１６とその接続先であるチップ電極パッド１７とを連結するかたちの基本配線として設定されている。
【００７９】
第２実施形態における駆動電圧データＩａ３は、基準段差量Ｈ０における駆動電圧値である基準駆動電圧値Ｖｈ０を示すデータと、段差ずれΔＨに応じた駆動電圧値Ｖｈの補正量ΔＶｈを示すデータとから構成されている。
【００８０】
さらに第２実施形態の描画情報Ｉａは、基板電極パッドデータが含まれるかたちで構成されている。基板電極パッドデータは、基板電極パッド１６の接続領域であるパッドエリア１６Ｉを示すデータから構成されている（図１０参照）。基板電極パッドデータは、一つの実装面１３ａに存在する複数のパッドエリア１６Ｉが一つの実装面１３ａに関連付けられたデータ構造からなり、基板電極パッド１６の数に対応するデータ量で構成されている。なお、この基板電極パッドデータも、二次元の直交座標系Ｃに規定されたベクトルデータである。
【００８１】
図１７は、各半導体チップ１５が第１実施形態の実装態様である場合における、基本描画データＩａ２の位置補正の実施態様を示している。同図に示されるように、基本描画データＩａ２に対応する４つの配線エリア３０Ｉ（二点鎖線で示すエリア）が、第１半導体チップ１５１に関連付けられた並進ベクトルＴにより並進変換されるかたちで基本描画データＩａ２のベクトルデータがベクトルデータ変換部５６ａにより変換される。また第２半導体チップ１５２に関連付けられた回転ベクトルＲにより回転変換されるかたちで基本描画データＩａ２のベクトルデータがベクトルデータ変換部５６ａにより変換される。そして変換されたベクトルデータがベクトルデータ展開部５６ｂで展開されることにより、第１半導体チップ１５１、第２半導体チップ１５２に適用されるビットマップデータＢＭＤがそれぞれ生成される。
【００８２】
ところで、第１実施形態において形成されたスロープ２９は、段差量Ｈの段差ずれΔＨに応じて液滴Ｄの量を増減させて同じビットマップデータＢＭＤの下で形成しているため、各半導体チップ１５のスロープ２９の勾配にばらつきが生じている場合がある。こうした勾配のばらつきがあると、金属配線３０のスロープ２９上における配線長さがその勾配に応じて変動することになる。そのため、各半導体チップ１５に対して金属配線３０を形成する際に同量の液滴Ｄを吐出しながら形成したのでは、そのスロープ２９上における金属配線３０の膜厚がその配線長さの違いの分だけ異なってしまう。特に半導体チップ１５の段差量Ｈが基準段差量Ｈ０よりも大きい場合には、急勾配のスロープ２９が形成されることとなりスロープ２９上における配線長さが長くなる。そのため、金属配線３０の膜厚が薄くなってしまい断線を引き起こしやすくなる虞がある。
【００８３】
そこで制御部５１は、半導体チップ１５の段差量Ｈが基準段差量Ｈ０と異なる場合、金属配線３０の描画処理を半導体チップ１５に実行する前に、各金属配線３０のスロープ２９における膜厚の均一化を図るべく、第１実施形態と同様、駆動信号ＣＯＭを補正する信号補正処理を実行する。
【００８４】
図１９は、こうした補正処理後の駆動信号ＣＯＭを用いて形成された金属配線３０の一例を示した図であり、その実装高さが基準段差量Ｈ０よりも大きい段差量Ｈ１である場合を示している。なお同図では、基準駆動電圧値Ｖｈ０を用いて生成した駆動信号ＣＯＭで形成される金属配線３０を二点鎖線で示している。同図に示されるように、補正処理後の駆動信号ＣＯＭを用いて液滴Ｄを吐出することにより、段差ずれΔＨに応じて増量された液滴Ｄが吐出されることとなり、たとえ半導体チップ１５毎に段差量Ｈにばらつきが生じている場合であっても、液滴の吐出回数を変更することなく同じビットマップデータＢＭＤの下で、スロープ２９における金属配線３０の膜厚を均一にすることが可能となる。
【００８５】
次に、上述のように構成した液滴吐出装置１０を利用した金属配線３０のパターン形成方法について図１８を用いて説明する。図１８は、第２実施形態におけるパターン形成処理の流れを示したフローチャートである。なお、ステップＳ２０１，Ｓ２０２，Ｓ２０３，Ｓ２０４は、第１実施形態のステップＳ１０１，Ｓ１０２，Ｓ１０３，Ｓ１０４と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
【００８６】
位置補正データＰＲＤ及び波形補正データＷＲＤが生成されると、液滴吐出装置１０は、位置補正データＰＲＤに基づいて、描画対象である半導体チップ１５が整合状態であるか、あるいは非整合状態であるかを判断する（ステップＳ２０５）。
【００８７】
半導体チップ１５が整合状態である場合、液滴吐出装置１０は、基本描画データＩａ２の構成要素であるベクトルデータをベクトルデータ展開部５６ｂに展開させて、その半導体チップ１５に適用可能なビットマップデータＢＭＤを生成する（ステップＳ２０８）。このビットマップデータＢＭＤが生成されると、液滴吐出装置１０は、そのビットマップ
データＢＭＤをノズル列ごとに取り扱うことにより吐出制御信号ＳＩを生成し、結線対象である半導体チップ１５が吐出ヘッド２１の直下を通過するかたちで、ステージ１２の走査処理を実行する。この間、実装面１３ａ上の単位格子ＬがノズルＮの直下に位置するたび、液滴吐出装置１０は、吐出制御信号ＳＩにより選択されたノズルＮに液滴Ｄを吐出させて、配線エリア３０Ｉに含まれる各単位格子Ｌにその液滴Ｄを着弾させ、これにより金属配線３０の描画像を形成する。そしてこの描画像を構成する導電性インクＩｋが硬化されることにより、金属配線３０が形成される（ステップＳ２０９）。
【００８８】
一方、半導体チップ１５が非整合状態である場合、液滴吐出装置１０は、基本描画データＩａ２の構成要素であるベクトルデータをＲＡＭ５３から読み出し、位置補正データＰＲＤに基づいて該ベクトルデータをベクトルデータ変換部５６ａに並進変換または回転変換させる（ステップＳ２０６）。次いで液滴吐出装置１０は、ＲＡＭ５３から基板電極パッドデータを読み出し、変換後のベクトルデータが示す配線エリアと、基板電極パッドデータが示すパッドエリアとが重畳するか否かを判断する（ステップＳ２０７）。そして配線エリアとパッドエリアとが重畳しない場合、液滴吐出装置１０は、チップ電極パッド１７とその接続先である基板電極パッド１６との間が金属配線３０により結線不能であると判断し、結線対象である半導体チップ１５についての描画プログラムを終了する。
【００８９】
これに対して配線エリアとパッドエリアとが重畳する場合、液滴吐出装置１０は、チップ電極パッド１７とその接続先である基板電極パッド１６との間が金属配線３０により結線可能であると判断し、変換後のベクトルデータをベクトルデータ展開部５６ｂに展開させて、その半導体チップ１５に適用可能なビットマップデータＢＭＤを生成する（ステップＳ２０８）。次いで、ビットマップデータＢＭＤを生成すると、液滴吐出装置１０は、そのビットマップデータＢＭＤをノズル列ごとに取り扱うことにより吐出制御信号ＳＩを生成し、結線対象である半導体チップ１５が吐出ヘッド２１の直下を通過するかたちで、ステージ１２の走査処理を実行する。この間、実装面１３ａ上の単位格子ＬがノズルＮの直下に位置するたび、液滴吐出装置１０は、吐出制御信号ＳＩにより選択されたノズルＮから液滴Ｄを吐出させて、配線エリア３０Ｉに含まれる各単位格子Ｌに液滴Ｄを着弾させることにより、金属配線３０の描画像を形成する。つまり液滴吐出装置１０は、位置補正データＰＲＤに対応する並進処理や回転処理により補正された描画像を形成する。そしてこの描画像を構成する導電性インクＩｋが硬化されることにより、非整合状態の半導体チップ１５と実装基板１３とが金属配線３０で結線される。
【００９０】
以上、第２実施形態の液滴吐出装置１０によれば、第１実施形態の硬化に加えて、以下のような効果を得ることができる。
（５）上記第２実施形態によれば、半導体チップ１５の段差ずれΔＨに応じた信号補正処理が駆動信号ＣＯＭに対して実行することにより、半導体チップ１５に段差ずれΔＨが生じている場合であっても、スロープ２９における金属配線３０の膜厚を均一にすること可能となる。
【００９１】
なお、上記実施形態は以下のように変更して実施することもできる。
・上記実施形態では、スロープ２９を形成する装置と金属配線３０を形成する装置とを別の装置とした。これに限らず、例えば、キャリッジ２２に２つの吐出ヘッド２１を設けて一方の吐出ヘッドを絶縁性インクが貯留されたインクタンクに接続し、他方を導電性インクが貯留されたインクタンクに接続する。そして描画情報Ｉａにスロープ２９に関する基本描画データ及び駆動電圧データと、金属配線３０に関する基本描画データ及び駆動電圧データとを含むかたちで構成して制御装置５０に入力することで、こうしたスロープ２９及び金属配線３０の形成を１台の液滴吐出装置で行うようにしてもよい。これによれば、金属配線３０の形成時における、位置データＰＤ及び段差量データＨＤの生成や実装基板１３のアライメントなどを省略することが可能となる。
【００９２】
・上記実施形態では、駆動電圧データＩａ３が補間式などで表現される例を示したが、これを変更して、図２０に示されるように、例えば段差ずれΔＨを所定の範囲毎に３つに分割し、その範囲毎に駆動電圧値Ｖｈが規定されているようなルックアップテーブルなどで表現される態様であってもよい。
【００９３】
・上記実施形態では、駆動電圧データＩａ３に段差ずれΔＨを適用する態様により駆動信号ＣＯＭが生成される構成を説明した。これを変更して、図２１に示されるように、例えば段差ずれΔＨが予め３つの駆動信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣのいずれか１つに対応付けられる構成であってもよい。すなわち、制御部５１は、駆動電圧値Ｖｈが異なるこれら３つの駆動信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣを駆動波形生成部５５に生成させ、吐出タイミング信号ＬＡＴに同期させてこれら３つの駆動信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣをヘッド駆動回路６４に出力する。一方で制御部５１は、上記３つの駆動信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣを段差ずれΔＨに応じて選択するデータを生成し、そのデータをヘッド駆動回路６４に出力する。そしてヘッド駆動回路６４は、吐出制御信号ＳＩによって選択される圧電素子ＰＺに選択された駆動信号ＣＯＭを供給して液滴Ｄを吐出させる。こうした制御態様であっても、上述した効果と同様の効果が得られる。
【００９４】
・上記実施形態では、実装面１３ａに２つの半導体チップ１５が接合されている実装基板１３を描画対象としたが、これに限らず、さらに多くの半導体チップ１５が接合されている態様の実装基板であってもよいし、反対に１つの半導体チップ１５が接合されている態様の実装基板であってもよい。
【００９５】
・上記第２実施形態においては、パッドエリア１６Ｉを示す基板電極パッドデータが描画情報Ｉａに含まれる。これを変更し、例えば撮像カメラ３５が撮像する実装基板１３の撮像画像に基づいて、撮像カメラ駆動回路６３あるいは制御装置５０が別途基板電極パッドデータを生成する構成であってもよい。このような構成であれば、パッドエリア１６Ｉの位置に関わる実装基板１３ごとの誤差を十分に抑えることができる。特に、実装基板１３に大型の基板が採用される場合や実装基板１３が高い熱膨張率を有する場合などには、パッドエリア１６Ｉを含むかたちで実装基板１３そのものが熱的に変形する。そのため、上述する構成であれば、こうした変形を縮率補正するうえで効果的である。
【００９６】
・上記実施形態においては、アライメントマーク１８ａ、１８ｂの基準位置を、実装部品の基準位置として具体化した。またアライメントマーク１８ａ、１８ｂの検出位置を、実装部品の実装位置として具体化した。これを変更して、例えば半導体チップ１５の周縁に囲まれる位置を実装部品の実装位置として具体化し、そして実装設計上において定められた同周縁に囲まれる位置を基準位置として具体化することもできる。つまり実装部品の実装位置とは、実装面において実装部品の位置を示すかたちであればよく、またその基準位置も、実装面において実装部品の位置を示すかたちであればよい。
【００９７】
・上記実施形態では、半導体チップ１５の位置ずれを検出して位置補正データＰＲＤを生成し、この位置補正データＰＲＤを用いて基本描画データＩａ２を並進・回転変換した後にビットマップデータＢＭＤに展開した。これに限らず、半導体チップ１５がその実装位置が常に整合状態であるような高精度な位置調整の下で実装基板１３に実装されるならば、位置補正データＰＲＤの生成と基本描画データＩａ２の変換処理とを割愛してもよい。
【００９８】
・上記実施形態では、基本描画データＩａ２の変換処理時におけるデータ処理の負荷を軽減すべく、基本描画データＩａ２をベクトルデータとし、変換処理後のベクトルデータをビットマップデータＢＭＤに展開した。これに限らず、位置補正データＰＲＤに基づき
基本描画データＩａ２を変換処理する上では、基本描画データＩａ２をビットマップデータに展開したのちに変換処理を実行してもよい。また、基本描画データＩａ２そのものを第１基準座標Ｐａ１を基準とするビットマップデータに展開したデータとしてもよい。
【００９９】
・上記実施形態においては、制御装置５０がビットマップ生成部５６を備え、制御装置５０がベクトルデータの変換と展開とを実行する。これを変更して、入出力装置６０がビットマップ生成部５６を備え、入出力装置６０がベクトルデータの変換と展開とを実現する構成であってもよい。
【０１００】
・上記実施形態では、実装基板１３の厚さに誤差がないものとしたが、実装基板１３の厚さに誤差がある場合には、撮像カメラ３５による実装基板１３を撮像する際の焦点距離に基づき、まず、ステージ１２の上面から実装面１３ａまでの基板高さを算出する。そして、その基板高さと半導体チップ１５のアライメントマーク１８を撮像する際の焦点距離とに基づいて段差量Ｈを算出するようにするとよい。
【０１０１】
・吐出位置やそこに吐出する液滴の数が維持された状態でパターンの厚さを補正することに限らず、液滴の吐出位置が維持される構成であれば、吐出位置に吐出する液滴の数によりパターンの厚さが補正される構成であってもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
Ｂ…段差部、Ｃ…直交座標系、Ｄ…液滴、Ｈ…段差部、Ｈ…段差量、Ｌ…単位格子、Ｎ…ノズル、Ｒ…回転ベクトル、Ｔ…並進ベクトル、ΔＨ…段差量、ＣＥ…キャリッジエンコーダ、ＣＭ…キャリッジモータ、ＤＬ…ドットパターン格子、Ｄｘ…ノズルピッチ、Ｄｙ…吐出ピッチ、Ｈ０…基準段差量、Ｈ１…段差量、ＨＤ…段差量データ、Ｉａ…描画情報、Ｉａ１…基準位置データ、Ｉａ２…基本描画データ、Ｉａ３…駆動電圧データ、Ｉｋ…絶縁性インク，導電性インク、ＰＤ…位置データ、ＰＺ…圧電素子、ＳＥ…ステージエンコーダ、ＳＩ…吐出制御信号、ＳＭ…ステージモータ、Ｔａ…転写基準座標、Ｖｈ…駆動電圧値、Ｖｈ０…基準駆動電圧値、ΔＶｈ…補正量、ΔＶｈ１…補正量、ＢＭＤ…ビットマップデータ、ＣＬＫ…転送クロック、ＣＯＭ，ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ…駆動信号、ＬＡＴ…吐出タイミング信号、Ｐａ１…第１基準座標、Ｐａ２…第２基準座標、Ｐｂ１…第１基準座標、Ｐｂ２…第２基準座標、ＰＲＤ…位置補正データ、ＷＲＤ…波形補正データ、１０…液滴吐出装置、１１…基台、１２…ステージ、１３…実装基板、１３ａ…実装面、１４…接着層、１５…半導体チップ、１５ａ…接続面、１６…基板電極パッド、１６Ｉ…パッドエリア、１７…チップ電極パッド、１８…アライメントマーク、１８ａ…アライメントマーク、１８ｂ…アライメントマーク、１９…ガイド部材、２０…インクタンク、２１…吐出ヘッド、２２…キャリッジ、２３…ヘッド基板、２３ａ…ヘッドコネクタ、２５…ヘッド本体、２５Ｔ…供給チューブ、２６…ノズルプレート、２６ａ…ノズル形成面、２７…キャビティ、２８…振動板、２９…スロープ、９Ｉ…スロープエリア、３０…金属配線、３０Ｉ…配線エリア、３５…撮像カメラ、５０…制御装置、５１…制御部、５２…ＲＯＭ、５３…ＲＡＭ、５４…発振回路、５５…駆動波形生成部、５５ａ…波形メモリ、５６…ビットマップ生成部、５６ａ…ベクトルデータ変換部、５６ｂ…ベクトルデータ展開部、６０…入出力装置、６１…キャリッジモータ駆動回路、６２…ステージモータ駆動回路、６３…撮像カメラ駆動回路、６４…ヘッド駆動回路、７１…第１勾配部、７２…第２勾配部、７３…第３勾配部、１５１…第１半導体チップ、１５２…第２半導体チップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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