(57)【要約】【課題】本発明は、幅広配線および絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、第一絶縁部と、上記第一絶縁部上に形成された第一幅広配線と、上記第一幅広配線上に形成された第二絶縁部と、上記第二絶縁部上に形成された第二幅広配線とを有する幅広配線積層構造を備えたサスペンション基板の製造方法であって、金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する積層基板準備工程と、上記第一導電層に対してエッチングを行い、上記第一幅広配線を形成する第一幅広配線形成工程と、上記幅広配線積層構造が形成される上記第一幅広配線の表面上に、上記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成工程と、上記第二絶縁部の表面上に、上記第二幅広配線を形成する第二幅広配線形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一絶縁部と、前記第一絶縁部上に形成された第一幅広配線と、前記第一幅広配線上に形成された第二絶縁部と、前記第二絶縁部上に形成された第二幅広配線とを有する幅広配線積層構造を備えたサスペンション基板の製造方法であって、
金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する積層基板準備工程と、
前記第一導電層に対してエッチングを行い、前記第一幅広配線を形成する第一幅広配線形成工程と、
前記幅広配線積層構造が形成される前記第一幅広配線の表面上に、前記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成工程と、
前記第二絶縁部の表面上に、前記第二幅広配線を形成する第二幅広配線形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション基板の製造方法。
【請求項２】
前記第一絶縁層に対してエッチングを行い、前記第一絶縁部を形成する第一絶縁部形成工程を、前記第二絶縁部形成工程の後に行うことを特徴とする請求項１に記載のサスペンション基板の製造方法。
【請求項３】
前記第二絶縁部形成工程の際に、
前記第一幅広配線および前記第一絶縁層の表面上に、ダイコータにより第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成処理と、
前記第二絶縁層から前記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成処理と、
を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション基板の製造方法。
【請求項４】
前記第二幅広配線形成工程の際に、パターンめっきにより、前記第二幅広配線を形成することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション基板の製造方法。
【請求項５】
前記第二幅広配線形成工程の際に、パネルめっきおよびエッチングにより、前記第二幅広配線を形成することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション基板の製造方法。
【請求項６】
前記第一幅広配線形成工程で前記第一導電層に対してエッチングを行う際に、前記金属基板の治具孔を形成するエッチングを同時に行うことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のサスペンション基板の製造方法。
【請求項７】
前記サスペンション基板は、前記幅広配線積層構造の他に、前記第一絶縁部と、前記第一絶縁部上に形成された複数の第一幅狭配線とを有する幅狭配線含有構造を有し、
前記幅狭配線含有構造の第一幅狭配線を、前記第一幅広配線形成工程の際に、同時に形成することを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載のサスペンション基板の製造方法。
【請求項８】
前記幅広配線積層構造を有する配線がライト用配線であり、前記幅狭配線含有構造を有する配線がリード用配線であることを特徴とする請求項７に記載のサスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ＨＤＤ用の磁気ヘッドサスペンションに用いられるサスペンション基板の製造方法に関し、より詳しくは、幅広配線および絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このＨＤＤに用いられる磁気ヘッドサスペンションは、通常、磁気ヘッドを搭載するサスペンション基板を有する。さらに、このサスペンション基板には、磁気ヘッドと磁気ディスク装置のリード／ライト回線とを接続するために、導電性薄膜からなる配線（リード用配線およびライト用配線）が形成されている。
【０００３】
従来のサスペンション基板では、絶縁部上の同一平面に、複数本（例えば２本）の幅狭配線が形成されることが一般的であった。これに対して、複数本の幅広配線を、同一平面上ではなく、絶縁部を介して積層したサスペンション基板が知られている。例えば、特許文献１においては、絶縁部を介して幅広配線を２層以上積層したジンバルサスペンションを有する磁気ヘッドサスペンションが開示されている。さらに、積層した幅広配線の形成方法として、接着層および幅広配線を有する転写原版を用いた転写法が開示されている（特許文献１の図５、図６等参照）。なお、特許文献２においても、同様に、絶縁部を介して幅広配線を積層したヘッドアセンブリが開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３６３２号公報
【特許文献２】特開平９−２２５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、従来から、絶縁部を介して幅広配線を積層した構造（幅広配線積層構造）を有するサスペンション基板は知られている。例えば、高周波伝送を目的した場合、低インピーダンスが求められるライト用配線側で、幅広配線積層構造を形成することが有効である。しかしながら、幅広配線積層構造を有するサスペンション基板は、幅広配線や絶縁部の厚さのばらつきが大きいという問題がある。例えば、上述した特許文献１に記載されているように、転写法を用いて幅広配線の形成を行う場合、転写原版に用いられる導電性基板（幅広配線および接着層を保持する基板）には、版離れの観点から、ステンレスやチタン等の電気抵抗値が高い材料が用いられることが多い。そのため、電界めっき法等により導電性基板上に幅広配線を形成すると、幅広配線の厚さのばらつきが大きくなるという問題がある。また、特許文献１においては、電着法により絶縁部を形成する方法が開示されているが、この場合は、絶縁部の厚さのばらつきが大きくなるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、幅広配線および絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、第一絶縁部と、上記第一絶縁部上に形成された第一幅広配線と、上記第一幅広配線上に形成された第二絶縁部と、上記第二絶縁部上に形成された第二幅広配線とを有する幅広配線積層構造を備えたサスペンション基板の製造方法であって、金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する積層基板準備工程と、上記第一導電層に対してエッチングを行い、上記第一幅広配線を形成する第一幅広配線形成工程と、上記幅広配線積層構造が形成される上記第一幅広配線の表面上に、上記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成工程と、上記第二絶縁部の表面上に、上記第二幅広配線を形成する第二幅広配線形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション基板の製造方法を提供する。
【０００８】
本発明によれば、金属基板、第一絶縁層および第一導電層の各層の膜厚均一性の高い積層基板を出発材料に用いることにより、第一絶縁部および第一幅広配線の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができる。
【０００９】
上記発明においては、上記第一絶縁層に対してエッチングを行い、上記第一絶縁部を形成する第一絶縁部形成工程を、上記第二絶縁部形成工程の後に行うことが好ましい。このような順番にすることにより、第二絶縁部の厚さのばらつきをさらに小さくすることができるからである。
【００１０】
上記発明においては、上記第二絶縁部形成工程の際に、上記第一幅広配線および上記第一絶縁層の表面上に、ダイコータにより第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成処理と、上記第二絶縁層から上記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成処理と、を行うことが好ましい。より厚さのばらつきが小さい第二絶縁部を形成することができるからである。
【００１１】
上記発明においては、上記第二幅広配線形成工程の際に、パターンめっきにより、上記第二幅広配線を形成することが好ましい。上述した転写法を用いた場合と比較して、さらに厚さのばらつきが小さい第二幅広配線を形成することができるからである。
【００１２】
上記発明においては、上記第二幅広配線形成工程の際に、パネルめっきおよびエッチングにより、上記第二幅広配線を形成することが好ましい。上述したパターンめっきを用いた場合と比較して、さらに厚さのばらつきが小さい第二幅広配線を形成することができるからである。
【００１３】
上記発明においては、上記第一幅広配線形成工程で上記第一導電層に対してエッチングを行う際に、上記金属基板の治具孔を形成するエッチングを同時に行うことが好ましい。工程が簡略化され、かつ、精度良くサスペンション基板を製造することができるからである。
【００１４】
上記発明においては、上記サスペンション基板は、上記幅広配線積層構造の他に、上記第一絶縁部と、上記第一絶縁部上に形成された複数の第一幅狭配線とを有する幅狭配線含有構造を有し、上記幅狭配線含有構造の第一幅狭配線を、上記第一幅広配線形成工程の際に、同時に形成することが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
【００１５】
上記発明においては、上記幅広配線積層構造を有する配線がライト用配線であり、上記幅狭配線含有構造を有する配線がリード用配線であることが好ましい。ライト用配線の低インピーダンス化が求められているからである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明においては、幅広配線および絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のサスペンション基板の製造方法について、詳細に説明する。
【００１８】
本発明のサスペンション基板の製造方法は、第一絶縁部と、上記第一絶縁部上に形成された第一幅広配線と、上記第一幅広配線上に形成された第二絶縁部と、上記第二絶縁部上に形成された第二幅広配線とを有する幅広配線積層構造を備えたサスペンション基板の製造方法であって、金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する積層基板準備工程と、上記第一導電層に対してエッチングを行い、上記第一幅広配線を形成する第一幅広配線形成工程と、上記幅広配線積層構造が形成される上記第一幅広配線の表面上に、上記第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成工程と、上記第二絶縁部の表面上に、上記第二幅広配線を形成する第二幅広配線形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１９】
本発明によれば、金属基板、第一絶縁層および第一導電層の各層の膜厚均一性の高い積層基板を出発材料に用いることにより、第一絶縁部および第一幅広配線の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができる。また、後述するように、例えばダイコータを用いて第二絶縁層を形成し、その第二絶縁層から第二絶縁部を形成することで、第二絶縁部の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができる。また、後述するように、パターンめっきにより第二幅広配線を形成したり、パネルめっきおよびエッチングにより第二幅広配線を形成したりすることで、第二幅広配線の厚さのばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができる。各層の厚さのばらつきが小さくなることで、インピーダンス制御等が容易になる。
【００２０】
図１は、本発明により得られるサスペンション基板の一例を示す概略平面図である。図１に示されるサスペンション基板１００は、磁気ヘッドを搭載するジンバル部２１と、中継基板の接続端子２２と、磁気ヘッド（図示せず）および接続端子２２を接続する配線３０とを有するものである。なお、便宜上、配線３０を覆うカバー層等の記載は省略している。さらに、配線３０は、ライト用配線３０ｘおよびリード用配線３０ｙを有しており、ライト用配線３０ｘ側で、複数本の幅広配線が絶縁部を介して積層した幅広配線積層構造が形成されている。これにより、高周波伝送に適したサスペンション基板とすることができる。次に、「幅広配線積層構造」について、図２を用いて説明する。
【００２１】
図２は、図１のＸ−Ｘ断面図である。図２に示されるように、サスペンション基板１００は、金属基板１０、第一絶縁層２０および配線３０がこの順に積層した基本構造を有するものである。ライト用配線３０ｘ側では、（幅広配線用）第一絶縁部２ａと、その上に形成された第一幅広配線４ａと、第一幅広配線４ａ上に形成された第二絶縁部５ａと、第二絶縁部５ａ上に形成された第二幅広配線７ａとを有する幅広配線積層構造Ａが形成されている。一方、リード用配線３０ｙ側では、（幅狭配線用）第一絶縁部２ｂと、その上に形成され、複数（２本）の第一幅狭配線４ｂとを有する幅狭配線含有構造Ｂが形成されている。本発明においては、少なくともライト用配線３０ｘ側で幅広配線積層構造が形成されていることが好ましい。高周波伝送に適したサスペンション基板とすることができるからである。なお、図示しないが、ライト用配線３０ｘ側およびリード用配線３０ｙ側の両側で、幅広配線積層構造が形成されていても良い。
【００２２】
図３および図４は、本発明のサスペンション基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図３および図４は、本発明のサスペンション基板の断面の一部を概念的に示したものであり、実際の寸法とは異なる場合がある。まず、ＳＵＳからなる金属基板１、ポリイミドからなる第一絶縁層２、並びに、Ｃｕからなる第一シード層３および第一導電層４がこの順に積層された積層基板１１を準備する（図３（ａ））。次に、所定のレジストパターンを介して、第一導電層４および第一シード層３のウェットエッチング（例えば塩化第２鉄水溶液を用いたウェットエッチング）を行い、幅広配線積層構造が形成される領域に第一幅広配線４ａおよび第一シード部３ａを形成し、幅狭配線含有構造が形成される領域に第一幅狭配線４ｂおよび第一シード部３ｂを形成する（図３（ｂ））。なお、同時に、電源用配線３２を形成することができる。また、同時に、金属基板１のウェットエッチングを行い、金属基板の治具孔１２を形成することが好ましい（図３（ｃ））。
【００２３】
次に、ダイコータ等により、第一幅広配線４ａを覆うように第二絶縁層５を形成し（図３（ｄ））、第二絶縁層５にウェットエッチング（例えばアルカリ溶液を用いたウェットエッチング）等を行い、第一幅広配線４ａの表面上に（幅広配線用）第二絶縁部５ａを形成する（図３（ｅ））。次に、得られた基板の露出表面に、スパッタリング法によりＣｕからなる第二シード層６を形成する（図３（ｆ））。次に、電解めっき法等により、幅広配線積層構造が形成される第二シード層６の表面上に、第二幅広配線７ａを形成する（図３（ｇ））。
【００２４】
続いて、フラッシュエッチング等により、第二幅広配線７ａが形成されていない部分の第二シード層６を除去し、第二シード部６ａを形成する（図４（ａ））。次に、所望の配線部分を覆うように、カバー層８ａ、８ｂを形成する（図４（ｂ））。次に、アルカリ溶液を用いたウェットエッチング等により、第一絶縁層２のエッチングを行う（図４（ｃ））。次に、露出する配線部分に、Ｎｉ／Ａｕめっきからなる配線めっき部９ａを形成し（図４（ｄ））、Ｎｉめっきにより、グランド端子１３を形成する（図４（ｅ））。最後に、金属基板１のエッチングを行い、幅広配線積層構造Ａおよび幅狭配線含有構造Ｂを有するサスペンション基板１００を得る（図４（ｆ））。得られたサスペンション基板１００は、幅広配線積層構造のライト用配線３０ｘ、幅狭配線含有構造のリード用配線３０ｙ、グランド端子部３１および電源用配線３２を有するものである。
以下、本発明のサスペンション基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００２５】
１．積層基板準備工程
本発明における積層基板準備工程について説明する。本発明における積層基板準備工程は、金属基板、第一絶縁層および第一導電層を有する積層基板を準備する工程である（図３（ａ）参照）。このような積層基板は、一般的に三層材と呼ばれるものである。また、本発明における積層基板は、第一絶縁層と第一導電層の間に第一シード層が形成されていても良い。
【００２６】
積層基板に用いられる金属基板は、所定のばね性および導電性を有するものである。金属基板の材料としては、例えばＳＵＳ等を挙げることができる。また、金属基板の厚さとしては、金属基板の材料等により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２７】
積層基板に用いられる第一絶縁層は、所定の絶縁性を有し、金属基板および第一導電層の間に形成されるものである。第一絶縁層の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。絶縁層の厚さとしては、例えば５μｍ〜２０μｍの範囲内、中でも７μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２８】
積層基板に用いられる第一導電層は、所定の導電性を有し、後述する第一幅広配線になる層である。第一導電層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。第一導電層の厚さとしては、例えば３μｍ〜１２μｍの範囲内、中でも４μｍ〜９μｍの範囲内であることが好ましい。また、第一導電層の材料が銅である場合、第一導電層と第一絶縁層との間に、スパッタリング法等により形成されたＣｕ薄膜からなる第一シード層があっても良い。
【００２９】
本発明における積層基板は、金属基板、第一絶縁層および第一導電層の厚さがそれぞれ均一であることが好ましく、中でも第一絶縁層および第一導電層の厚さがそれぞれ均一であることがより好ましい。後述する第一絶縁部および第一幅広配線のばらつきが小さいサスペンション基板を得ることができるからである。第一導電層の厚さの公差は、±１．５μｍの範囲内であることが好ましく、±０．７５μｍの範囲内であることがより好ましい。第一絶縁層の厚さの公差は、±２．５μｍの範囲内であることが好ましく、±１．５μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、各層の厚さの公差は、触針段差計や焦点深度計により測定することができる。
【００３０】
本発明に用いられる積層基板は、上述した金属基板、第一絶縁層および第一導電層等を有するものであれば特に限定されるものではなく、市販の積層基板をそのまま用いることができる。
【００３１】
２．第一幅広配線形成工程
次に、本発明における第一幅広配線形成工程について説明する。本発明における第一幅広配線形成工程は、上記第一導電層に対してエッチングを行い、上記第一幅広配線を形成する工程である（図３（ｂ）参照）。
【００３２】
第一幅広配線を形成する方法としては、所望の第一幅広配線を形成できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、第一導電層の表面上に感光性のレジスト層を形成し、次に、レジスト層に対して露光現像を行い所望のレジストパターンを形成し、次に、レジストパターンから露出した第一導電層をウェットエッチングし、最後にレジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液としては、用いられる第一導電層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。第一導電層の材料が銅である場合、エッチング液として、例えば塩化第２鉄水溶液および塩化銅水溶液等を挙げることができる。
【００３３】
幅広配線積層構造における第一幅広配線の幅は、例えば５０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。特に、インピーダンスを１０Ω〜２０Ωの範囲内で設計する場合、第一幅広配線の幅は、１００μｍ〜２５０μｍの範囲内であることが好ましい。一方、本発明においては、第一幅広配線を形成する際に、上述した図２に示すような第一幅狭配線４ｂを同時に形成することが好ましい。さらに、この場合、幅広配線積層構造を有する配線がライト用配線であり、幅狭配線含有構造を有する配線がリード用配線であることが好ましい。また、第一幅狭配線の幅は、例えば１５μｍ〜８０μｍの範囲内、中でも２０μｍ〜４０μｍの範囲内であることが好ましい。なお、第一幅広配線および第一幅狭配線の厚さは、通常、積層基板における第一導電層の厚さとほぼ一致する。
【００３４】
また、本発明においては、第一幅広配線形成工程の際に、同時に金属基板のエッチングを行っても良い（図３（ｃ）参照）。これにより、金属基板の外形加工や治具孔の形成を行うことができる。中でも、本発明においては、第一導電層に対してエッチングを行う際に、金属基板の治具孔を形成するエッチングを同時に行うことが好ましい。金属基板をエッチングする方法としては、例えば、金属基板の表面上に感光性のレジスト層を形成し、次に、レジスト層に対して露光現像を行い所望のレジストパターンを形成し、次に、レジストパターンから露出した金属基板をウェットエッチングし、最後にレジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。
【００３５】
３．第二絶縁部形成工程
次に、本発明における第二絶縁部形成工程について説明する。本発明における第二絶縁部形成工程は、上記幅広配線積層構造が形成される上記第一幅広配線の表面上（配線の上面及び側面）に、上記第二絶縁部を形成する工程である（図３（ｄ）、図３（ｅ）参照）。
【００３６】
第二絶縁部を形成する方法としては、幅広配線積層構造が形成される第一幅広配線の表面上に第二絶縁部を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。中でも、本発明においては、第一幅広配線および第一絶縁層の表面上に、第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成処理と、第二絶縁層から第二絶縁部を形成する第二絶縁部形成処理とを行うことにより、第二絶縁部を形成することが好ましい。より厚さのばらつきが小さい第二絶縁部を形成することができるからである。
【００３７】
第二絶縁層形成処理において、第二絶縁層を形成する方法は、特に限定されるものではないが、中でも、ダイコータを用いる方法が好ましい。すなわち、ダイコータを用いて第二絶縁層の形成材料を塗工し、乾燥することにより、第二絶縁層を形成することが好ましい。より厚さのばらつきが小さい第二絶縁層を形成することができるからである。
【００３８】
第二絶縁部形成処理において、第二絶縁層を処理し第二絶縁部を形成する方法は、第二絶縁層の形成材料の性質に応じて適宜選択することが好ましい。感光性材料を用いて第二絶縁層を形成した場合は、例えば、第二絶縁層に対してパターン状の露光を直接行い、現像することで、第二絶縁部を形成することができる。一方、非感光性材料を用いて第二絶縁層を形成した場合は、例えば、第二絶縁層の表面上に感光性のレジスト層を形成し、次に、レジスト層に対して露光現像を行い所望のレジストパターンを形成し、次に、レジストパターンから露出した第二絶縁層をエッチングし、最後にレジストパターンを除去することで、第二絶縁部を形成することができる。第二絶縁層をエッチングする方法としては、例えば、アルカリ溶液を用いたウェットエッチング、およびプラズマエッチング等のドライエッチング等を挙げることができる。
【００３９】
第二絶縁部の材料としては、所定の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、上述したように、第二絶縁部の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料あっても良い。さらに、上記感光性材料は、ポジ型であっても良く、ネガ型であっても良い。第一幅広配線上に形成される第二絶縁部の厚さの公差は、±１．５μｍの範囲内であることが好ましく、±１．０μｍの範囲内であることがより好ましい。また、第二絶縁部の厚さは、回路全体のインピーダンスに直接的な影響があるため、可能な限り厚さは均一であることが好ましい。また、第二絶縁部の厚さが薄すぎると、第一幅広配線と第二幅広配線との間で所望の絶縁性を発揮することが困難になる可能性があり、逆に第二絶縁部の厚さが厚すぎると、サスペンション基板の軽量化が困難になることやサスペンションの剛性が大きくなりすぎるといった不具合が発生する可能性がある。また、第二絶縁部は、少なくとも第一幅広配線および第二幅広配線の間に形成されていれば良いが、上述した図３（ｅ）に示すように、第一幅広配線を覆うように形成されていることが好ましい。
【００４０】
４．第二幅広配線形成工程
次に、本発明における第二幅広配線形成工程について説明する。上記第二絶縁部の表面上に、上記第二幅広配線を形成する工程である（図３（ｆ）、図３（ｇ）、図４（ａ）参照）。
【００４１】
第二幅広配線を形成する方法としては、所望の第一幅広配線を形成できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、電解めっき法を挙げることができる。電解めっき法により第二幅広配線を形成する場合、通常、第二絶縁部等の表面に、シード層（例えば図３（ｆ）における第二シード層６）を形成する。シード層を形成する方法としては、例えばスパッタリング法およびＣＶＤ法等を挙げることができる。
【００４２】
また、本発明においては、パターンめっきにより第二幅広配線を形成しても良く、パネルめっきおよびエッチングにより第二幅広配線を形成しても良い。パターンめっきにより第二幅広配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法により、目的とする第二幅広配線の配線パターンとは反転したレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した部分に、めっき法により第二幅広配線を形成する方法等を挙げることができる。一方、パネルめっきおよびエッチングにより第二幅広配線を形成する方法としては、例えば、第二幅広配線を形成する領域を含む所定の領域に全面めっきを行い、次に、フォトリソグラフィー法により、目的とする配線パターンと同じレジストパターンを有するを形成し、次に、レジストパターンから露出しためっき部分をエッチングし、最後にレジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。さらに厚さのばらつきが小さい第二幅広配線を得ることができるという観点からは、パネルめっきおよびエッチングにより第二幅広配線を形成することが好ましい。
【００４３】
なお、本発明においては、無電解めっき法やスパッタリング法等を用いて第二幅広配線を形成しても良い。
【００４４】
第二幅広配線の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。第二幅広配線の幅については、上述した第一幅広配線の幅と同様である。本発明において、第一幅広配線および第二幅広配線の幅は、互いに同じであっても良く、異なっていていも良い。また、第二幅広配線の厚さの公差は、例えば±１．５μｍの範囲内であることが好ましく、±０．７５μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４５】
５．カバー層形成工程
本発明においては、少なくとも上記第二幅広配線を覆うカバー層を形成するカバー層形成工程を行っても良い（図４（ｂ）参照）。この際、図４（ｂ）に示すように、第二幅広配線以外の領域（例えば、図４（ｆ）におけるグランド端子部３１が形成される領域、リード用配線３０ｙが形成される領域等）にも、同時にカバー層を形成することが好ましい。
【００４６】
カバー層を形成する方法は、一般的なカバー層を形成する方法と同様であり、例えばフォトリソグラフィー法を用いることができる。カバー層の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料あっても良い。さらに、上記感光性材料は、ポジ型であっても良く、ネガ型であっても良い。また、カバー層の厚さは、配線を保護できる程度の厚さであれば特に限定されるものではない。
【００４７】
６．第一絶縁部形成工程
本発明においては、通常、上記第一絶縁層に対してエッチングを行い、上記第一絶縁部を形成する第一絶縁部形成工程を行う（図４（ｃ）参照）。中でも、本発明においては、第一絶縁部形成工程を、第二絶縁部形成工程の後に行うことが好ましい。このような順番にすることにより、第二絶縁部の厚さのばらつきをさらに小さくすることができるからである。第一絶縁層をエッチングした後に、第二絶縁層の形成材料を塗工すると、第一絶縁層の凹凸部分に、第二絶縁層の形成材料が流れ込み、均一な厚さの第二絶縁層が形成されない可能性がある。これに対して、平坦な第一絶縁層上に第二絶縁部を形成した後に、第一絶縁層のエッチングを行うと、第二絶縁層の形成材料の流れ込みが生じず、厚さのばらつきが小さい第二絶縁部を形成することができるのである。また、同様の理由により、上述したカバー層形成工程を行う場合は、カバー層形成工程の後に、第一絶縁部形成工程を行うことが好ましい。なお、第一絶縁部を形成する方法については、上述した「３．第二絶縁部形成工程」に記載した内容と同様である。また、第一絶縁層のエッチングは、プラズマエッチングであっても良い。
【００４８】
７．その他の工程
本発明においては、上記の工程の他に、露出する配線部分に、Ｎｉ／ＡｕめっきあるいはＡｕめっき等の配線めっき部を形成する配線めっき部形成工程を行っても良い（図４（ｄ）参照）。また、Ｎｉめっき等を用いてグランド端子を形成するグランド端子形成工程を行っても良い（図４（ｅ）参照）。また、所望のタイミングで、金属基板のエッチングを行う金属基板エッチング工程を行っても良い（図４（ｆ）参照）。なお、第一絶縁部は、金属基板上に形成されていても良く、第一絶縁部の直下にある金属基板は抜かれていても良い。また、これらの工程については、一般的なサスペンション基板の製造における工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００５１】
［実施例］
本実施例においては、図４（ｆ）に示すような幅広配線積層構造および幅狭配線含有構造を有するサスペンション用基板を作製した。まず、金属基板／第一絶縁層／シード層／第一導電層からなる積層基板を用意した。ここでは、金属基板としてのステンレス、第一絶縁層としてのポリイミド、シード層および第一導電層としてのＣｕからなる積層基板を用意した。次に、この積層基板に対してメタルエッチング用レジストを製版した。具体的には、積層基板の両面にメタルエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成した。ここで、第一導電層の表面には配線部分に対応するレジストパターンを形成し、金属基板の表面には、治具孔およびフライングリード部に対応するレジストパターンを形成した。次に、エッチング液として塩化第２鉄水溶液を用い、レジストパターンを介して、金属基板および第一導電層をエッチングし、レジストパターンを剥離した。これにより、第一導電層から第一幅広配線および第一幅狭配線を形成し、金属基板に治具孔等を形成した。
【００５２】
次に、液状ポリイミドを用いて第二絶縁部を形成した。具体的には、非感光性ポリイミド系の液状カバー材をダイコータにてコーティングし、乾燥後にレジスト製版し、露光後、現像と同時に液状カバー材をエッチングし、その後、硬化させることにより、（幅広配線用）第二絶縁部を形成した。次に、得られた基板の表面に、スパッタリング法によりシード層を形成し、続いて、パターンめっき用レジストを製版し、所定のレジストパターンを形成し、露出するシード層に対して電解めっき法を行い、第二幅広配線を形成した。次に、レジストパターンを剥離し、第二幅広配線を覆うカバー層を形成した。具体的には、非感光性ポリイミド系の液状カバー材をダイコータにてコーティングし、乾燥後にレジスト製版し、露光後、現像と同時に液状カバー材をエッチングし、その後、硬化させることにより、カバー層を形成した。次に、絶縁層エッチング用レジストを製版した。具体的には、得られた積層基板の両面にポリイミドエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成した。次に、エッチング液として有機アルカリ液を用い、レジストパターンを介して、絶縁層をエッチングし、レジストパターンを剥離した。これにより、金属基板の上に配線部分が絶縁層を介して一体的に形成される。また、金属基板は、治具孔が形成され、外形加工はされていない状態となる。
【００５３】
上記のように、積層基板に対して金属基板の外形加工を除くエッチング工程を行った後、所定の後加工を行った。具体的には、まず、露出する配線部分を覆うように、Ａｕめっきを施し、配線めっき部を形成した。次に、金属基板の外形加工を行うため、後加工を行った積層基板にメタルエッチング用レジストを製版した。具体的には、後加工を行った積層基板の両面にメタルエッチング用のレジスト層を設け、金属基板の表面にのみ、フォトリソグラフィー法により外形形状に対応するレジストパターンを形成した。次に、エッチング液として塩化第２鉄水溶液を用い、レジストパターンを介して、金属基板をエッチングし、レジストパターンを剥離した。これにより、サスペンション基板を得た。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明により得られるサスペンション基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ断面図である。
【図３】本発明のサスペンション基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明のサスペンション基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  …  金属基板
２  …  第一絶縁層
２ａ  …  （幅広配線用）第一絶縁部
２ｂ  …  （幅狭配線用）第一絶縁部
３  …  第一シード層
３ａ、３ｂ  …  第一シード部
４  …  第一導電層
４ａ  …  第一幅広配線
４ｂ  …  第一幅狭配線
５  …  第二絶縁層
５ａ  …  （幅広配線用）第二絶縁部
５ｂ  …  （幅狭配線用）第二絶縁部
６  …  第二シード層
６ａ、６ｂ  …  第二シード部
７ａ  …  第二幅広配線
８ａ、８ｂ  …  カバー層
９ａ  …  配線めっき部
１０  …  金属基板
１１  …  積層基板
１２  …  治具孔
１３  …  グランド端子
２０  …  第一絶縁層
２１  …  ジンバル部
２２  …  中継基板の接続端子
３０  …  配線
３０ｘ  …  ライト用配線
３０ｙ  …  リード用配線
３１  …  グランド端子部
３２  …  電源用配線
１００  …  サスペンション基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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