(57)【要約】【課題】露光及び現像により感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を基板上に形成した場合に、得られたパターン膜の柔軟性を高めることができ、従ってパターン膜の耐久性を高めることができる感光性組成物を提供する。【解決手段】下記式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物を重合させることにより得られたシロキサンポリマーと、光重合開始剤とを含有し、上記式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物に、下記式（１）で表され、かつ下記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が含まれており、上記シロキサンポリマーの重量平均分子量が５００〜６００００の範囲内にあり、上記シロキサンポリマーの固形分酸価が５〜８００ＫＯＨｍｇ／ｇの範囲内にある感光性組成物。  Ｓｉ（Ｘ）ｐ（Ｒ）４−ｐ    ・・・式（１）  上記式（１）中、Ｘは加水分解性基を表し、Ｒは炭素数１〜３０の非加水分解性の有機基を表し、ｐは１〜４の整数を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物を重合させることにより得られたシロキサンポリマーと、光重合開始剤とを含有し、
前記式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物に、下記式（１）で表され、かつ下記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が含まれており、
前記シロキサンポリマーの重量平均分子量が５００〜６００００の範囲内にあり、
前記シロキサンポリマーの固形分酸価が５〜８００ＫＯＨｍｇ／ｇの範囲内にあることを特徴とする、感光性組成物。
Ｓｉ（Ｘ）ｐ（Ｒ）４−ｐ    ・・・式（１）
上記式（１）中、Ｘは加水分解性基を表し、Ｒは炭素数１〜３０の非加水分解性の有機基を表し、ｐは１〜４の整数を表す。ｐが２〜４のとき、複数のＸは同一であってもよく、異なっていてもよい。ｐが１又は２のとき、複数のＲは同一であってもよく、異なっていてもよい。
【請求項２】
前記式（１）で表されるシラン化合物１００ｍｏｌ％中に、前記式（１）で表され、かつ前記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が５〜６０ｍｏｌ％の範囲内で含まれている、請求項１に記載の感光性組成物。
【請求項３】
前記シロキサンポリマーが、カルボキシル基及びメルカプト基の内の少なくとも一方を有する、請求項１または２に記載の感光性組成物。
【請求項４】
前記シロキサンポリマーが、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の１〜２５％がカルボキシル基を有する、請求項３に記載の感光性組成物。
【請求項５】
前記シロキサンポリマーが、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の１〜５０％がメルカプト基を有する、請求項３または４に記載の感光性組成物。
【請求項６】
前記シロキサンポリマーは、ＳｉＯＨ基の数のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数に対する比（ＳｉＯＨ基の数／Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数）が０．０２〜０．２の範囲内にあるシロキサンポリマーである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感光性組成物。
【請求項７】
前記光重合開始剤が、光ラジカル発生剤を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の感光性組成物。
【請求項８】
前記シロキサンポリマーが、不飽和二重結合を有し、
前記シロキサンポリマーが、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の５〜９９％が不飽和二重結合を有する、請求項７に記載の感光性組成物。
【請求項９】
前記シロキサンポリマー１００重量部に対して、不飽和二重結合を有する化合物を１０〜５０重量部の範囲内でさらに含む、請求項７または８に記載の感光性組成物。
【請求項１０】
前記不飽和二重結合を有する化合物が、（メタ）アクリル化合物であり、
前記（メタ）アクリル化合物は不飽和二重結合を１〜１０個有し、かつ前記（メタ）アクリル化合物の重量平均分子量が１００〜５０００の範囲内にある、請求項９に記載の感光性組成物。
【請求項１１】
前記シロキサンポリマーが、カルボキシル基及びメルカプト基の内の少なくとも一方を有し、
前記光重合開始剤が、光酸発生剤を含む、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の感光性組成物。
【請求項１２】
前記シロキサンポリマーが、カルボキシル基及び環状エーテル基を有し、
前記シロキサンポリマーの環状エーテル基の数のカルボキシル基の数に対する比（環状エーテル基の数／カルボキシル基の数）が０．１〜２の範囲内にある、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の感光性組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の感光性組成物を基板上に塗工し、基板上に感光性組成物層を形成する工程と、
前記感光性組成物層が光の照射された露光部と光の照射されていない未露光部とを有するように前記感光性組成物層を部分的に露光することにより、前記露光部の前記感光性組成物層を硬化させて、現像液に不溶にする工程と、
前記感光性組成物層を現像液で現像することにより、前記未露光部の前記感光性組成物層を除去し、前記感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を得る工程とを備えることを特徴とする、パターン膜の製造方法。
【請求項１４】
現像工程の後に、前記パターン膜を加熱する工程をさらに備える、請求項１３に記載のパターン膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置などの電子デバイスの絶縁膜等に用いられるパターン膜を形成できる感光性組成物に関し、より詳細には、露光及び現像により感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を基板上に形成するのに用いられ、パターン膜の耐久性を高めることができる感光性組成物、並びに該感光性組成物を用いたパターン膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置などの電子デバイスでは、小型化及び薄型化を図るために、絶縁性に優れた絶縁膜を形成する必要がある。また、半導体装置のパッシベーション膜やゲート絶縁膜などでは、微細パターン形状の絶縁膜を形成する必要がある。このような絶縁膜を形成するために、アルコキシシラン縮合物を含むパターニング可能な感光性組成物が提案されている。
【０００３】
例えば、下記の特許文献１には、アルカリ可溶性シロキサンポリマーと、光により反応促進剤を発生する化合物と、溶剤とを含む感光性組成物が開示されている。上記アルカリ可溶性シロキサンポリマーは、アルコキシシランに水及び触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液から、水及び触媒を除去して得られたアルコキシシラン縮合物である。上記光により反応促進剤を発生する化合物として、光酸発生剤又は光塩基発生剤が用いられている。
【０００４】
上記のようなアルコキシシラン縮合物を含む感光性組成物を用いて微細なパターン形状の薄膜を形成する際には、先ず感光性組成物を基板上に塗布する。次に、基板上の感光性組成物層を乾燥し、マスクを介して部分的に露光する。露光部の感光性組成物層は硬化されて現像液に溶解しない。その後、感光性組成物をアルカリ溶液により現像し、未露光部の感光性組成物層を除去する。現像後に、残存している感光性組成物層の硬化物を加熱することにより、硬質で緻密な微細パターン形状の薄膜を得ることができる。
【特許文献１】特開平６−１４８８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の感光性組成物を用いて微細パターン形状の薄膜を形成した場合には、薄膜の柔軟性が不足しており、薄膜の耐熱又は耐湿熱等の耐久性が低かった。このため、高い信頼性が要求される用途に、薄膜を用いることが困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、露光及び現像により感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を基板上に形成する際の現像性に優れており、かつ得られたパターン膜の柔軟性を高めることができ、従ってパターン膜の耐久性を高めることができる感光性組成物、並びに該感光性組成物を用いたパターン膜の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、下記式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物を重合させることにより得られたシロキサンポリマーと、光重合開始剤とを含有し、前記式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物に、下記式（１）で表され、かつ下記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が含まれており、前記シロキサンポリマーの重量平均分子量が５００〜６００００の範囲内にあり、前記シロキサンポリマーの固形分酸価が５〜８００ＫＯＨｍｇ／ｇの範囲内にあることを特徴とする、感光性組成物が提供される。
【０００８】
Ｓｉ（Ｘ）ｐ（Ｒ）４−ｐ    ・・・式（１）
上記式（１）中、Ｘは加水分解性基を表し、Ｒは炭素数１〜３０の非加水分解性の有機基を表し、ｐは１〜４の整数を表す。ｐが２〜４のとき、複数のＸは同一であってもよく、異なっていてもよい。ｐが１又は２のとき、複数のＲは同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０００９】
本発明に係る感光性組成物のある特定の局面では、前記式（１）で表されるシラン化合物１００ｍｏｌ％中に、前記式（１）で表され、かつ前記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が５〜６０ｍｏｌ％の範囲内で含まれている。
【００１０】
本発明に係る感光性組成物の他の特定の局面では、前記シロキサンポリマーは、カルボキシル基及びメルカプト基の内の少なくとも一方を有する。
【００１１】
本発明に係る感光性組成物のさらに他の特定の局面では、前記シロキサンポリマーは、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の１〜２５％がカルボキシル基を有する。
【００１２】
本発明に係る感光性組成物のさらに他の特定の局面では、前記シロキサンポリマーは、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の１〜５０％がメルカプト基を有する。
【００１３】
本発明に係る感光性組成物のさらに他の特定の局面では、前記シロキサンポリマーは、ＳｉＯＨ基の数のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数に対する比（ＳｉＯＨ基の数／Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数）が０．０２〜０．２の範囲内にあるシロキサンポリマーである。
【００１４】
本発明に係る感光性組成物の別の特定の局面では、前記光重合開始剤は、光ラジカル発生剤を含む。
【００１５】
本発明に係る感光性組成物のさらに他の特定の局面では、前記シロキサンポリマーは、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の５〜９９％が不飽和二重結合を有する。
【００１６】
本発明に係る感光性組成物の別の特定の局面では、前記シロキサンポリマー１００重量部に対して、不飽和二重結合を有する化合物が１０〜５０重量部の範囲内でさらに含まれている。
【００１７】
本発明に係る感光性組成物のさらに別の特定の局面では、前記不飽和二重結合を有する化合物は（メタ）アクリル化合物であり、前記（メタ）アクリル化合物は不飽和二重結合を１〜１０個有し、かつ前記（メタ）アクリル化合物の重量平均分子量が１００〜５０００の範囲内にある。
【００１８】
本発明に係る感光性組成物の別の特定の局面では、前記シロキサンポリマーはカルボキシル基及びメルカプト基の内の少なくとも一方を有し、前記光重合開始剤は光酸発生剤を含む。
【００１９】
本発明に係る感光性組成物の別の特定の局面では、前記シロキサンポリマーは、カルボキシル基及び環状エーテル基を有し、前記シロキサンポリマーの環状エーテル基の数のカルボキシル基の数に対する比（環状エーテル基の数／カルボキシル基の数））が０．１〜２の範囲内にある。
【００２０】
本発明に係るパターン膜の製造方法は、本発明に従って構成された感光性組成物を基板上に塗工し、基板上に感光性組成物層を形成する工程と、前記感光性組成物層が光の照射された露光部と光の照射されていない未露光部とを有するように前記感光性組成物層を部分的に露光することにより、前記露光部の前記感光性組成物層を硬化させて、現像液に不溶にする工程と、前記感光性組成物層を現像液で現像することにより、前記未露光部の前記感光性組成物層を除去し、前記感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係るパターン膜の製造方法では、現像工程の後に、前記パターン膜を加熱する工程がさらに備えられることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る感光性組成物では、上記特定のシラン化合物を重合させることにより得られたシロキサンポリマーの重量平均分子量が５００〜６００００の範囲内にあり、かつシロキサンポリマーの固形分酸価が５〜８００ＫＯＨｍｇ／ｇの範囲内にあるため、露光及び現像により感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を基板上に形成した場合に、パターン膜の柔軟性を高めることができる。このため、パターン膜の耐クラック性などの耐久性を高めることができる。
【００２３】
上記式（１）で表されるシラン化合物１００ｍｏｌ％中に、上記式（１）で表され、かつ上記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が５〜６０ｍｏｌ％の範囲内で含まれている場合には、感光性組成物の現像性を高めることができる。さらに、得られたパターン膜の柔軟性をより一層層高めることができる。
【００２４】
本発明に係るパターン膜の製造方法では、本発明に従って構成された感光性組成物からなる感光性組成物層を部分的に露光し、現像するので、パターン膜の柔軟性を高めることができ、従って耐久性の高いパターン膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２６】
本発明に係る感光性組成物は、シロキサンポリマーと、光重合開始剤とを含有する。
【００２７】
（シロキサンポリマー）
本発明に係る感光性組成物に含まれているシロキサンポリマーは、下記式（１）で表されるシラン化合物を重合させることにより得られたシロキサンポリマーである。
【００２８】
Ｓｉ（Ｘ）ｐ（Ｒ）４−ｐ    ・・・式（１）
上記式（１）中、Ｘは加水分解性基を表し、Ｒは炭素数１〜３０の非加水分解性の有機基を表し、ｐは１〜４の整数を表す。ｐが２〜４のとき、複数のＸは同一であってもよく、異なっていてもよい。ｐが１又は２のとき、複数のＲは同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００２９】
上記式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物には、上記式（１）で表され、かつ上記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が含まれている。
【００３０】
上記式（１）中のＸは、通常、過剰の水の共存下で、かつ無触媒で、室温（２５℃）〜１００℃に加熱されると、加水分解されてシラノール基が生成できる基、又はさらに縮合してシロキサン結合が形成できる基である。
【００３１】
上記加水分解性基としては、アルコキシ基等が挙げられる。該アルコキシ基の具体例としては、炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。該炭素数１〜６のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基等が挙げられる。
【００３２】
上記加水分解性基は、アルコキシ基以外の加水分解性基であってもよい。該アルコキシ基以外の加水分解性基の具体例としては、塩素もしくは臭素等のハロゲン基、アセチル基、ヒドロキシル基又はイソシアネート基等が挙げられる。
【００３３】
上記非加水分解性の有機基としては、加水分解され難く、安定な疎水基である炭素数１〜３０の有機基が挙げられる。
【００３４】
上記炭素数１〜３０の有機基としては、炭素数１〜３０のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、芳香族置換アルキル基、アリール基、ビニル基を含む基、エポキシ基を含む有機基、アミノ基を含む有機基、又はチオール基を含む有機基等が挙げられる。
【００３５】
上記炭素数１〜３０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ペンチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基又はエイコシル基等が挙げられる。上記ハロゲン化アルキル基としては、アルキル基のフッ素化物基、アルキル基の塩素化物基又はアルキル基の臭素化物基等が挙げられる。上記ハロゲン化アルキル基の具体例としては、例えば、３−クロロプロピル基、６−クロロプロピル基、６−クロロヘキシル基又は６，６，６−トリフルオロヘキシル基等が挙げられる。上記芳香族置換アルキル基としては、例えば、ベンジル基又はハロゲン置換ベンジル基等が挙げられる。上記ハロゲン置換ベンジル基としては、４−クロロベンジル基又は４−ブロモベンジル基等が挙げられる。上記アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、メシチル基又はナフチル基等が挙げられる。
【００３６】
上記式（１）で表されるシラン化合物の具体例としては、例えば、トリフェニルエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、エチルジメチルメトキシシラン、メチルジエチルメトキシシラン、エチルジメチルエトキシシラン、メチルジエチルエトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジエチルメトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、フェニルジエチルエトキシシラン、メチルジフェニルメトキシシラン、エチルジフェニルメトキシシラン、メチルジフェニルエトキシシラン、エチルジフェニルエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブトキシトリメチルシラン、ブトキシトリメチルシラン、ジメチルエトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、エトキシジメチルビニルシラン、ジフェニルジエトキシラン、フェニルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジアセトキシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、３−クロロプロピルジメトキシメチルシラン、クロロメチルジエトキシメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジアセトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリプロポキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリプロポキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリプロポキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリプロポキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリプロポキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリプロポキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリプロポキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリプロポキシシラン、エイコシルデシルトリメトキシシラン、エイコシルトリエトキシシラン、エイコシルトリプロポキシシラン、６−クロロヘキシルトリメトキシシラン、６，６，６−トリフルオロヘキシルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、４−クロロベンジルトリメトキシシラン、４−ブロモベンジルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリアセトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン又はテトラアセトキシシラン等が挙げられる。
【００３７】
上記式（１）で表されるシラン化合物１００ｍｏｌ％中に、上記式（１）で表され、かつ上記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が５〜６０ｍｏｌ％の範囲内で含まれていることが好ましい。上記式（１）で表され、かつ上記式（１）中のｐが２であるシラン化合物の量が上記範囲内にあることにより、パターン膜の柔軟性をより一層高めることができる。なお、上記式（１）で表されるシラン化合物１００ｍｏｌ％中に、上記式（１）で表され、かつ上記式（１）中のｐが２であるシラン化合物が５〜６０ｍｏｌ％の範囲内で含まれている場合、上記式（１）で表されるシラン化合物は少なくとも２種用いられている。
【００３８】
上記式（１）で表されるシラン化合物１００重量％中に、上記式（１）で表され、かつ上記式（１）中のｐが２であるシラン化合物は、１０〜５０ｍｏｌ％の範囲内で含まれていることがより好ましい。
【００３９】
上記式（１）で表され、かつ上記式（１）中のｐが２であるシラン化合物の具体例としては、例えば、ジフェニルジエトキシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン又は３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
【００４０】
上記シロキサンポリマーの重量平均分子量は、５００〜６００００の範囲内にある。重量平均分子量が５００未満であると、感光性組成物が硬化しにくいことがある。重量平均分子量が６００００を超えると、感光性組成物中にゲル状物が生じやすく、現像後に残渣が生じやすくなる。重量平均分子量の好ましい下限は１０００であり、好ましい上限は２００００である。
【００４１】
上記シロキサンポリマーの固形分酸価は、５〜８００ＫＯＨｍｇ／ｇの範囲内にある。固形分酸価が５ＫＯＨｍｇ／ｇ未満であると、感光性組成物がアルカリ現像液に溶解しないことがある。固形分酸価が８００ＫＯＨｍｇ／ｇを超えると、感光性組成物がアルカリ現像液にすべて溶解し、パターン膜を得られないことがある。固形分酸価の好ましい下限は２０ＫＯＨｍｇ／ｇ、好ましい上限は７５０ＫＯＨｍｇ／ｇ、より好ましい上限は７００ＫＯＨｍｇ／ｇ、さらに好ましい上限は４００ＫＯＨｍｇ／ｇである。
【００４２】
シロキサンポリマーに酸価を付与できる官能基としては、カルボキシル基、メルカプト基、シラノール基、フェノール性ＯＨ基又はアルコール性ＯＨ基等が挙げられる。
【００４３】
上記シロキサンポリマーは、カルボキシル基及びメルカプト基の内の少なくとも一方を有することが好ましい。
【００４４】
カルボキシル基を有するシロキサンポリマーは、アルカリ溶液などの現像液に対する溶解性に優れている。従って、カルボキシル基を有するシロキサンポリマーを用いた場合には、感光性組成物の現像性を高めることができる。
【００４５】
上記カルボキシル基を有するシロキサンポリマーは、カルボキシル基を有するアルコキシシランを縮合させて得られたカルボキシル基含有アルコキシシラン縮合物、又はカルボキシル基を有しないアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシラン縮合物に、カルボキシル基が導入されたカルボキシル基含有アルコキシシラン縮合物であることが好ましい。これらのカルボキシル基含有アルコキシシラン縮合物を用いた場合には、感光性組成物の現像性をより一層高めることができる。
【００４６】
カルボキシル基を有しないアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシラン縮合物に、カルボキシル基を導入する方法としては、環状エーテル基を有するアルコキシシランを縮合させて得られた環状エーテル基含有アルコキシシラン縮合物に、無水カルボン酸を反応させる方法等が挙げられる。
【００４７】
上記カルボキシル基含有アルコキシシラン縮合物を得る際には、１種のアルコキシシランが用いられてもよく、２種以上のアルコキシシランが用いられていてもよい。
【００４８】
上記シロキサンポリマーは、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の１〜２５％が、カルボキシル基を有することが好ましい。ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基１００％中に占めるカルボキシル基を有する有機基の割合が１％未満であると、感光性組成物の現像性が充分に高められないことがあり、２５％を超えると、感光性組成物が現像液だけでなく水にも溶解しやすくなり、パターン膜の形成が困難になることがある。
【００４９】
上記シロキサンポリマーは、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の１〜５０％が、メルカプト基を有することが好ましい。ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基１００％中に占める上記メルカプト基を有する有機基の割合が１％未満であると、パターン膜の基板への密着性が充分に高められないことがあり、５０％を超えると、メルカプト基によりシロキサンポリマーの溶解性が高くなるため、フォトリソグラフィーにおけるパターンが形成できないことがある。
【００５０】
メルカプト基を有するシロキサンポリマーを用いると、パターン膜の基板への密着性を高めることができる。特にパターン膜が形成される基板が金属又はＩＴＯ等の金属酸化物からなる場合に、パターン膜の基板への密着性を極めて高めることができる。シロキサンポリマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５１】
上記メルカプト基を有するシロキサンポリマーは、メルカプト基を有するアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシラン縮合物、又はメルカプト基を有しないアルコキシシランを縮合させた後、メルカプト基が導入されたアルコキシシラン縮合物であることが好ましい。
【００５２】
アルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシラン縮合物に、メルカプト基を導入する方法は、特に限定されない。この方法として、ヒドロシリル化反応を用いる方法等が挙げられる。上記アルコキシシラン縮合物を用いた場合には、パターン膜の基板への密着性を高めることができる。
【００５３】
上記メルカプト基を有する上記アルコキシシラン縮合物を得る際には、少なくとも２種のアルコキシシランを用いることが好ましい。
【００５４】
上記シロキサンポリマーは、ＳｉＯＨ基の数のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数に対する比（ＳｉＯＨ基の数／Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数）が０．０２〜０．２の範囲内にあることが好ましい。上記比が０．０２未満であると、露光によりシロキサンポリマーが充分に架橋しなかったり、感光性組成物の現像性が充分に高められなかったりすることがある。上記比が０．２を超えると、露光により感光性組成物が充分に硬化しないことがあり、露光された感光性組成物が現像液に溶解することがある。
【００５５】
光重合開始剤が光ラジカル発生剤を含む場合、上記シロキサンポリマーは、不飽和二重結合を有することが好ましい。
【００５６】
上記不飽和二重結合を有するシロキサンポリマーは、不飽和二重結合を有するアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシラン縮合物、又はアルコキシシランを縮合させた後、不飽和二重結合が導入されたアルコキシシラン縮合物であることが好ましい。上記不飽和二重結合を有するシロキサンポリマーとして、上記アルコキシシラン縮合物を用いた場合には、現像性をより一層高めることができる。
【００５７】
アルコキシシランを縮合させた後に、不飽和二重結合を導入する方法としては、ヒドロシリル化反応を用いる方法等が挙げられる。
【００５８】
上記不飽和二重結合を有するアルコキシシランとしては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン又は３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００５９】
上記シロキサンポリマーは、ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基を有し、該有機基の５〜９９％が、不飽和二重結合を有することが好ましい。ケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基１００％中に占める不飽和二重結合を有する有機基の割合が５％未満であると、露光によりシロキサンポリマーが充分に架橋しないことがある。
【００６０】
上記シロキサンポリマーは、カルボキシル基及び環状エーテル基を有することが好ましい。カルボキシル基及び環状エーテル基を有するシロキサンポリマーを用いた場合には、露光及び現像により形成されたパターン膜を加熱することにより、カルボキシル基と環状エーテル基とを反応させることができる。従って、パターン膜におけるカルボキシル基量を低減できる。カルボキシル基量が低減され得るので、パターン膜の電気絶縁性を高めることができる。
【００６１】
上記環状エーテル基を有するシロキサンポリマーは、環状エーテル基を有するアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシラン縮合物、又は環状エーテル基を有しないアルコキシシランを縮合させた後、アルコキシシラン縮合物に環状エーテル基が導入されたアルコキシシラン縮合物であることが好ましい。
【００６２】
アルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシラン縮合物に、環状エーテル基を導入する方法としては、ヒドロシリル化反応を用いる方法等が挙げられる。
【００６３】
上記カルボキシル基及び環状エーテル基を有するシロキサンポリマーは、カルボキシル基及び環状エーテル基を有するアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシラン縮合物、環状エーテル基を有するアルコキシシランを縮合させた後、カルボキシル基が導入されたアルコキシシラン縮合物、カルボキシル基を有するアルコキシシランを縮合させた後、環状エーテル基が導入されたアルコキシシラン縮合物、又はアルコキシシランを縮合させた後、カルボキシル基及び環状エーテル基が導入されたアルコキシシラン縮合物であることが好ましい。
【００６４】
上記カルボキシル基及び環状エーテル基を有するシロキサンポリマーとして、上記アルコキシシラン縮合物を用いた場合には、パターン膜の基板への密着性をより一層高めることができる。カルボキシル基及び環状エーテル基を有する上記アルコキシシラン縮合物を得る際には、１種のアルコキシシランが用いられてもよく、２種以上のアルコキシシランが用いられてもよい。
【００６５】
上記環状エーテル基を有するアルコキシシランとしては、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン又は３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００６６】
環状エーテル基を有するシロキサンポリマーを用いると、パターン膜の基板への密着性を高めることができる。特にパターン膜が形成される基板が金属又はＩＴＯ等の金属酸化物からなる場合に、パターン膜の基板への密着性を極めて高めることができる。シロキサンポリマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６７】
シロキサンポリマーにおける環状エーテル基の数のカルボキシル基の数に対する比（環状エーテル基の数／カルボキシル基の数）は０．１〜２の範囲内にあることが好ましい。上記比（環状エーテル基の数／カルボキシル基の数）が２を超えると、感光性組成物の現像性が低くなることがあり、０．１未満であると、環状エーテル基が少なすぎて、パターン膜の電気絶縁性が充分に高められないことがある。環状エーテル基は、エポキシ基であることが好ましい。
【００６８】
（不飽和二重結合を有する化合物）
光重合開始剤が光ラジカル発生剤を含む場合、本発明に係る感光性組成物は、シロキサンポリマー以外の不飽和二重結合を有する化合物を含有することが好ましい。
【００６９】
上記不飽和二重結合を有する化合物は、不飽和二重結合を有するものであれば特に限定されない。上記不飽和二重結合を有する化合物は、（メタ）アクリル化合物であることが好ましい。
【００７０】
上記不飽和二重結合を有する化合物は、不飽和二重結合を１〜１０個有することが好ましい。不飽和二重結合の数が１０個を超えると、硬化物の柔軟性が低くなり耐久性が低下することがある。
【００７１】
上記不飽和二重結合を有する化合物の重量平均分子量は、１００〜５０００の範囲内にあることが好ましい。上記重量平均分子量が１００未満であると、感光性組成物の硬化が不十分で、感光性組成物が現像時にすべて溶解しパターンが形成できないことがあり、露光により感光性組成物が充分に硬化しないことがある。上記重量平均分子量が５０００を超えると、感光性組成物の現像性が低くなり、現像後に残渣が生じやすくなる。
【００７２】
（光重合開始剤）
本発明に係る感光性組成物に含まれている光重合開始剤は、光や熱等の刺激により上記シロキサンポリマーを架橋させるものであれば、特に限定されない。
【００７３】
上記シロキサンポリマー１００重量部に対し、上記光重合開始剤は０．１〜３０重量部の範囲内で含有されることが好ましい。光重合開始剤の量が少なすぎると、露光により感光性組成物を充分に硬化させることができないことがある。光重合開始剤の量が多すぎると、感光性組成物を均一に塗布することが困難となったり、現像後に残渣を生じたりすることがある。
【００７４】
光重合開始剤は、光酸発生剤及び光ラジカル発生剤の内の少なくとも一方であることが好ましい。光酸発生剤及び光ラジカル発生剤の内のいずれか一方を用いた場合には、本発明に係る感光性組成物は、ネガ型の感光性組成物となる。
【００７５】
上記光酸発生剤を用いた場合には、露光によって光酸発生剤から生成された酸により、上記シロキサンポリマーを架橋させ、感光性組成物を硬化させることができる。
【００７６】
上記光酸発生剤としては、光が照射されると酸を発生するものであれば特に限定されない。上記光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩などが挙げられる。
【００７７】
上記光酸発生剤の具体例としては、ミドリ化学社製の商品名「ＴＰＳ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．６６００３−７８−９）、「ＴＰＳ−１０９」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１４４３１７−４４−２）、「ＭＤＳ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１１６８０８−６７−４）、「ＭＤＳ−２０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．８１４１６−３７−７）、「ＤＴＳ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１１１２８１−１２−０）、「ＮＤＳ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１９５０５７−８３−１）、「ＮＤＳ−１６５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．３１６８２１−９８−４）等のスルホニウム塩化合物、「ＤＰＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．６６００３−７６−７）、「ＤＰＩ−１０６」（ＣＡＳ  Ｎｏ．２１４５３４−４４−８）、「ＤＰＩ−１０９」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１９４９９９−８２−１）、「ＤＰＩ−２０１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．６２９３−６６−９）、「ＢＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１５４５５７−１６−１）、「ＭＰＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１１５２９８−６３−０）、「ＭＰＩ−１０６」（ＣＡＳ  Ｎｏ．２６００６１−４６−９）、「ＭＰＩ−１０９」（ＣＡＳ  Ｎｏ．２６００６１−４７−０）、「ＢＢＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．８４５６３−５４−２）、「ＢＢＩ−１０６」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１８５１９５−３０−６）、「ＢＢＩ−１０９」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１９４９９９−８５−４）、「ＢＢＩ−１１０」（ＣＡＳ  Ｎｏ．２１３７４０−８０−８）、「ＢＢＩ−２０１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１４２３４２−３３−４）等のヨードニウム塩化合物、ミドリ化学社製の商品名「ＮＡＩ−１０６」（ナフタルイミド  カンファスルホン酸塩、ＣＡＳ  Ｎｏ．８３６９７−５６−７）、「ＮＡＩ−１００」（ＣＡＳ  Ｎｏ．８３６９７−５３−４）、「ＮＡＩ−１００２」（ＣＡＳ  Ｎｏ．７６６５６−４８−９）、「ＮＡＩ−１００４」（ＣＡＳ  Ｎｏ．８３６９７−６０−３）、「ＮＡＩ−１０１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．５５５１−７２−４）、「ＮＡＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．８５３４２−６２−７）、「ＮＡＩ−１０９」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１７１４１７−９１−７）、「ＮＩ−１０１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１３１５２６−９９−３）、「ＮＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．８５３４２−６３−８）、「ＮＤＩ−１０１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１４１７１４−８２−１）、「ＮＤＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１３３７１０−６２−０）、「ＮＤＩ−１０６」（ＣＡＳ  Ｎｏ．２１０２１８−５７−８）、「ＮＤＩ−１０９」（ＣＡＳ  Ｎｏ．３０７５３１−７６−６）、「ＰＡＩ−０１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１７５１２−８８−８）、「ＰＡＩ−１０１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．８２４２４−５３−１）、「ＰＡＩ−１０６」（ＣＡＳ  Ｎｏ．２０２４１９−８８−３）、「ＰＡＩ−１００１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１９３２２２−０２−５）、「ＳＩ−１０１」（ＣＡＳ  Ｎｏ．５５０４８−３９−０）、「ＳＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．３４６８４−４０−７）、「ＳＩ−１０６」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１７９４１９−３２−０）、「ＳＩ−１０９」（ＣＡＳ  Ｎｏ．２５２９３７−６６−９）、「ＰＩ−１０５」（ＣＡＳ  Ｎｏ．４１５８０−５８−９）、「ＰＩ−１０６」（ＣＡＳ  Ｎｏ．８３６９７−５１−２）、チバスペシャリティケミカルズ社製の商品名「ＣＧＩ１３９７」、「ＣＧＩ１��２５」、「ＣＧＩ１３８０」、「ＣＧＩ１３１１」、「ＣＧＩ２６３」、「ＣＧＩ２６８」等のスルホン酸エステル系化合物、ミドリ化学社製の商品名「ＤＴＳ２００」（ＣＡＳ  Ｎｏ．２０３５７３−０６−２）、ローディアジャパン社製の商品名「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ−２０７４」（ＣＡＳ  Ｎｏ．１７８２３３−７２−２）等のＢＦ４−を対イオンとする化合物等が挙げられる。光酸発生剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７８】
上記光酸発生剤は、反応性が高いので、オニウム塩、ジアゾニウム塩、及びスルホン酸エステルからなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
【００７９】
本発明に係る感光性組成物が光酸発生剤を含む場合、上記シロキサンポリマー１００重量部に対し、上記光酸発生剤は０．１〜１０重量部の範囲内で含有されることが好ましく、０．３〜５重量部の範囲内で含有されることがより好ましい。光酸発生剤の量が少なすぎると、露光により充分な量の酸が発生しないことがある。光酸発生剤の量が多すぎると、感光性組成物を均一に塗布することが困難となったり、現像後に残渣を生じたりすることがある。
【００８０】
上記光ラジカル発生剤を用いた場合には、露光によって光ラジカル発生剤から生じたラジカルにより、シロキサンポリマーを架橋させ、感光性組成物を硬化させることができる。
【００８１】
光ラジカル発生剤が含有される場合には、不飽和二重結合を有するシロキサンポリマーが含有されるか、又は不飽和二重結合を有する化合物がさらに含有されることが好ましい。この場合には、露光によって光ラジカル発生剤から生じたラジカルにより、上記不飽和二重結合を有するシロキサンポリマー又は不飽和二重結合を有する化合物を架橋させて、感光性組成物を硬化させることができる。
【００８２】
上記光ラジカル発生剤が含有される場合には、感光性組成物は、光酸発生剤及び光塩基発生剤の内のいずれも含有しないことが好ましい。この場合には、形成されたパターン膜に酸や塩基が残存しない。このため、パターン膜に金属が接触されている場合、金属のマイグレーションを抑制できる。
【００８３】
上記光ラジカル発生剤の具体例としては、ハロメチル化トリアジン誘導体、ハロメチル化オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル類、アントラキノン誘導体、ベンズアンスロン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、アセトフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、安息香酸エステル誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、チタノセン誘導体、α−アミノアルキルフェノン系化合物又はオキシム誘導体等が挙げられる。光ラジカル発生剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８４】
上記ハロメチル化トリアジン誘導体としては、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、又は２−（４−エトキシカルボニルナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等が挙げられる。
【００８５】
上記イミダゾール誘導体としては、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール２量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ビス（３’−メトキシフェニル）イミダゾール２量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール２量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール２量体、又は２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール２量体等が挙げられる。
【００８６】
上記ベンゾインアルキルエーテル類としては、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル又はベンゾインイソプロピルエーテル等が挙げられる。
【００８７】
上記アントラキノン誘導体としては、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン又は１−クロロアントラキノン等が挙げられる。
【００８８】
上記ベンゾフェノン誘導体としては、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、２−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４−ブロモベンゾフェノン又は２−カルボキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【００８９】
上記アセトフェノン誘導体としては、２，２，−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、α−ヒドロキシ−２−メチルフェニルプロパノン、１−ヒドロキシ−１−メチルエチル−（ｐ−イソプロピルフェニル）ケトン、１−ヒドロキシ−１−（ｐ−ドデシルフェニル）ケトン、２−メチル−（４’−（メチルチオ）フェニル）−２−モルホリノ−１−プロパノン、又は１，１，１，−トリクロロメチル−（ｐ−ブチルフェニル）ケトン等が挙げられる。
【００９０】
上記チオキサントン誘導体としては、チオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン又は２，４−ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。
【００９１】
上記安息香酸エステル誘導体としては、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル又はｐ−ジエチルアミノ安息香酸エチル等が挙げられる。
【００９２】
上記アクリジン誘導体としては、９−フェニルアクリジン又は９−（ｐ−メトキシフェニル）アクリジン等が挙げられる。
【００９３】
上記フェナジン誘導体としては、９，１０−ジメチルベンズフェナジン等が挙げられる。
【００９４】
上記チタノセン誘導体としては、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ジ−クロライド、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−フェニル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４，６−トリフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−２，６−ジ−フルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−２，４−ジ−フルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，６−ジ−フルオロフェニ−１−イル、又はジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−２，６−ジ−フルオロ−３−（ピル−１−イル）−フェニ−１−イル等が挙げられる。
【００９５】
上記α−アミノアルキルフェノン系化合物としては、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、４−ジメチルアミノエチルベンゾエ−ト、４−ジメチルアミノイソアミルベンゾエ−ト、４−ジエチルアミノアセトフェノン、４−ジメチルアミノプロピオフェノン、２−エチルヘキシル−１，４−ジメチルアミノベンゾエート、２，５−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、７−ジエチルアミノ−３−（４−ジエチルアミノベンゾイル）クマリン、又は４−（ジエチルアミノ）カルコン等が挙げられる。
【００９６】
上記オキシム誘導体類としては、１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）フェニル］−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、又はエタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）等が挙げられる。
【００９７】
本発明に係る感光性組成物が光ラジカル発生剤を含む場合、上記シロキサンポリマー１００重量部に対し、上記光ラジカル発生剤は０．１〜３０重量部の範囲内で含有されることが好ましく、１〜１５重量部の範囲内で含有されることがより好ましい。光ラジカル発生剤の量が少なすぎると、露光により充分な量のラジカルが発生しないことがある。光ラジカル発生剤の量が多すぎると、感光性組成物を均一に塗布することが困難となったり、現像後に残渣を生じたりすることがある。
【００９８】
（その他成分）
本発明に係る感光性組成物は、増感剤をさらに含んでいてもよい。
【００９９】
上記増感剤は特に限定されない。上記増感剤の具体例としては、ベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−テトラエチルアミノベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアントラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，２−ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビス（５，７−ジメトキシカルボニルクマリン）又はコロネン等が挙げられる。
【０１００】
本発明に係る感光性組成物は、溶剤を含んでいてもよい。溶剤として、感光性組成物に配合される成分を溶解し得る適宜の溶剤を用いることができる。
【０１０１】
上記溶剤としては、芳香族炭化水素化合物、飽和もしくは不飽和炭化水素化合物、エーテル類、ケトン類又はエステル類等が挙げられる。
【０１０２】
上記芳香族炭化水素化合物としては、例えば、ベンゼン、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、スチレン、トリメチルベンゼン又はジエチルベンゼン等が挙げられる。
【０１０３】
上記飽和もしくは不飽和炭化水素化合物としては、シクロヘキサン、シクロヘキセン、ジペンテン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ｎ−ノナン、イソノナン、ｎ−デカン、イソデカン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロナフタレン又はスクワラン等が挙げられる。
【０１０４】
上記エーテル類としては、ジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジプロピルエーテル又はジブチルエーテル等が挙げられる。
【０１０５】
上記ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン又はシクロヘプタノン等が挙げられる。
【０１０６】
上記エステル類としては、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル又はステアリン酸ブチル等が挙げられる。
【０１０７】
例えば基板上に感光性組成物を塗工し、感光性組成物層を形成する際に、均一に塗工されるように、上記溶剤の配合量は適宜設定される。溶剤は、固形分濃度が０．５〜７０重量％の範囲内になるように含有されることが好ましく、固形分濃度が２〜５０重量％の範囲内になるように含有されることがより好ましい。
【０１０８】
本発明に係る感光性組成物には、必要に応じて、他の添加剤をさらに添加してもよい。このような添加剤としては、フィラーなどの充填剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、ｐＨ調整剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、可塑促進剤又はタレ防止剤等が挙げられる。
【０１０９】
（パターン膜の製造方法）
以下、図１（ａ）〜（ｃ）を参照しつつ、本発明の一実施形態に係るパターン膜の製造方法を説明する。
【０１１０】
図１（ａ）に示すように、先ず、本発明の感光性組成物を基板２上に塗工し、基板２上に感光性組成物からなる所定の厚みの感光性組成物層１を形成する。
【０１１１】
塗工方法としては、一般的な塗工方法を用いることができる。例えば、浸漬塗工、ロール塗工、バー塗工、刷毛塗工、スプレー塗工、スピン塗工、押出塗工又はグラビア塗工等により感光性組成物が塗工される。感光性組成物層１の厚さは、１０ｎｍ〜１０μｍ程度である。
【０１１２】
感光性組成物層１が溶剤を含む場合、溶剤を除去するために、露光前に、感光性組成物層１を熱処理することが望ましい。露光前熱処理温度は、一般的には、４０〜２００℃の範囲内である。露光前熱処理温度は、溶剤の沸点や蒸気圧に応じて適宜選択される。
【０１１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、感光性組成物層１が光の照射された露光部１ａと光の照射されていない未露光部１ｂとを有するように、感光性組成物層１を部分的に露光する。
【０１１４】
感光性組成物層１を部分的に露光するには、例えば開口部３ａと、マスク部３ｂとを有するマスク３を用いればよい。マスク３として、市販されている一般的なマスクが用いられる。
【０１１５】
光の照射された露光部１ａの感光性組成物層１では、光酸発生剤等の光重合開始剤から酸等の刺激が発生する。光の照射されていない未露光部１ｂの感光性組成物層１では、光重合開始剤から刺激は発生しない。
【０１１６】
露光部１ａの感光性組成物層１では、光重合開始剤から発生した刺激の作用により、上記シロキサンポリマーが架橋する。シロキサンポリマーが架橋すると、露光部１ａの感光性組成物層１は硬化する。その結果、露光部１ａの感光性組成物層１は現像液に不溶になる。未露光部１ｂの感光性組成物層１は、感光しない。従って、未露光部１ｂの感光性組成物層１は硬化せずに、現像液に可溶である。
【０１１７】
露光する際に、紫外線又は可視光線等の活性エネルギー線を照射するための光源は、特に限定されない。上記光源として、超高圧水銀灯、Ｄｅｅｐ  ＵＶ  ランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ又はエキシマレーザー等を使用できる。これらの光源は、感光性組成物の構成成分の感光波長に応じて適宜選択される。光の照射エネルギーは、所望とする膜厚や感光性組成物の構成成分により適宜選択される。光の照射エネルギーは、一般に、１０〜３０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内である。光の照射エネルギーが１０ｍＪ／ｃｍ２未満であると、露光部１ａの感光性組成物層１が充分に硬化しないことがある。光の照射エネルギーが３０００ｍＪ／ｃｍ２を超えると、露光時間が長すぎることがあり、パターン膜の製造効率が低下するおそれがある。
【０１１８】
次に、感光性組成物層１を現像液で現像する。現像液で現像すると、未露光部１ｂの感光性組成物層１が現像液に溶解することにより、除去される。この結果、図１（ｃ）に示すように、感光性組成物の硬化物膜からなるパターン形状のパターン膜１Ａが得られる。このパターンは、未露光部１ｂの感光性組成物層１が除去されることから、ネガ型パターンといわれる。
【０１１９】
現像の操作は、アルカリ水溶液等の現像液により感光性組成物層１を処理する様々な操作を含む。現像の操作としては、感光性組成物層１を現像液に浸漬する操作、感光性組成物層１の表面を現像液で洗い流す操作、又は感光性組成物層１の表面に現像液を噴射する操作等が挙げられる。
【０１２０】
なお、現像液とは、感光性組成物層１を部分的に露光した後に、未露光部１ｂの感光性組成物層１を溶解する液である。露光部１ａの感光性組成物層１は硬化しているため、現像液に溶解しない。現像液はアルカリ水溶液に限られない。現像液として、溶媒を用いてもよい。溶媒としては、前述した溶剤が挙げられる。
【０１２１】
現像液としてアルカリ水溶液が好適に用いられる。カルボキシル基を有するシロキサンポリマーが含有されている場合には、該カルボキシル基の存在により、感光性組成物のアルカリ水溶液に対する現像性を高めることができる。カルボキシル基を有するシロキサンポリマーを含む感光性組成物は、現像液、特にアルカリ溶液に対する溶解性が高いので、現像により、未露光部１ｂの感光性組成物層１を容易に除去できる。そのため、現像後に残渣が生じ難い。また、現像の際に、比較的低濃度のアルカリ溶液を現像液として用いることができる。よって、作業環境の悪化を防止でき、かつ廃液による環境負荷を低減できる。さらに、アルカリ水溶液を用いた場合には、防爆設備が不要であり、腐蝕等による設備負担も低減できる。
【０１２２】
上記アルカリ水溶液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、珪酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液又は炭酸ナトリウム水溶液等が挙げられる。現像時間は、感光性組成物層１の厚みや溶剤の種類により適宜設定される。効率良く現像でき、かつ製造効率を高めることができるため、現像時間は、１秒〜１０分の範囲内にあることが好ましい。現像後に、パターン膜１Ａを蒸留水で洗浄し、パターン膜１Ａ上に残存しているアルカリ水溶液等の現像液を除去することが好ましい。
【０１２３】
メルカプト基を有するシロキサンポリマーを含む感光性組成物を用いた場合には、パターン膜１Ａの基板２に対する密着性を高めることができる。
【０１２４】
現像後に、基板２上に残存している感光性組成物の硬化物からなるパターン膜１Ａを加熱してもよい。パターン膜１Ａを加熱すると、パターン膜１Ａがさらに焼成される。このため、より一層緻密でかつ硬質のパターン膜を得ることができる。カルボキシル基を有するシロキサンポリマーと、エポキシ基などの環状エーテル基を有するシロキサンポリマーとを含む感光性組成物を用いた場合には、パターン膜１Ａを加熱することにより、カルボキシル基と環状エーテル基とを反応させることができる。このため、加熱後のパターン膜１Ａのカルボキシル基の量を低減できる。このため、パターン膜の電気絶縁性を高めることができる。
【０１２５】
上記加熱の温度は１００〜５００℃程度である。上記加熱の時間は、３０分〜２時間程度である。
【０１２６】
（パターン膜の用途）
なお、本発明に係る感光性組成物により形成されたパターン膜は、様々な装置のパターン膜を形成するのに好適に用いられる。例えば、電子デバイスの絶縁保護膜などの保護膜、液晶表示素子などの表示素子の配向膜、保護膜、ＥＬ素子の保護膜又は電界放出ディスプレイのギャップスペーサー等が、本発明の感光性組成物により形成される。
【０１２７】
上記保護膜としては、ブラックマトリックス、スペーサー、パッシベーション膜又はオーバーコート膜等が挙げられる。
【０１２８】
また、拡散板、プリズムレンズシート、導光板、位相差板、レンチキュラーシート、マイクロレンズアレイ、屈折率傾斜シート、複屈性フィルム、楕円レンズ、導波路、光スイッチ、無反射膜、ホログラム、光ディスクＨＶＤ、感光性カバーレイ、樹脂コアバンプ、チップ積層用ギャップ保持剤、ＣＣＤのダム材、部品内臓基板用コイル材料、ＬＳＩテスティングプローバの芯、三次元配線材料、バイオフィルム、凸版原版、凹版原版、樹脂型又は研磨テープ等に、本発明の感光性組成物を用いることができる。
【０１２９】
次に、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明をより明らかにする。なお、本発明は以下の実施例に限定されない。
【０１３０】
感光性組成物を調製するに際し、以下の材料を用意した。
【０１３１】
シロキサンポリマーＡ〜Ｚ、ＡＡ〜ＡＺ、ＢＡ〜ＢＺ、ＣＡ〜ＣＺ及びＤＡ〜ＤＰを合成するために、アルコキシシランとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピル無水コハク酸トリメトキシシラン（信越化学社製、Ｘ１２−９６７）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランの内の少なくとも１種を用いた。
【０１３２】
（シロキサンポリマーＡ）
冷却管をつけた１００ｍｌのフラスコに、メチルトリメトキシシラン３２．２ｇと、３−（トリメトキシシリル）プロピル無水コハク酸トリメトキシシラン（信越化学社製、Ｘ１２−９６７）６．９ｇと、水１５ｍｌと、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２０ｍｌとを加え、溶液を得た。
【０１３３】
半円形型のメカニカルスターラーを用いて、得られた溶液を撹拌しながら、マントルヒーターにより、８０℃で３時間反応させた。次に、エバポレーターを用いて、２０００Ｐａの圧力、４０℃及び１時間の条件（合成条件）で、水との縮合反応で生成したエタノールと残留水とを除去した。その後、フラスコを室温になるまで放置し、シロキサンポリマーＡを含む溶液を得た。得られたシロキサンポリマーＡを含む溶液の固形分濃度は、５０重量％であった。
【０１３４】
得られたシロキサンポリマーＡは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いて測定されたポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗが５５００であった。また、シロキサンポリマーＡの固形分酸価（ＫＯＨｍｇ／ｇ）は、３５１であった。
【０１３５】
また、シロキサンポリマーＡのＳｉＯＨ基の数のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数に対する比（ＳｉＯＨ基の数／Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数）は、１Ｈ−ＮＭＲの５．０〜６．５ｐｐｍのブロードなピークの積分値と、メチル基の積分値の比から算出したところ、０．１０であった。シロキサンポリマーＡのケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基１００％中に占めるカルボキシル基を有する有機基の割合は、１０％であった。シロキサンポリマーＡにおける環状エーテル基の数のカルボキシル基の数に対する比（環状エーテル基の数／カルボキシル基の数）は、０であった。
【０１３６】
（シロキサンポリマーＢ〜Ｚ、ＡＡ〜ＡＺ、ＢＡ〜ＢＺ、ＣＡ〜ＣＺ及びＤＡ〜ＤＰ）
アルコキシシランの種類及び配合量、並びに上記合成条件を下記の表１〜１３に示すように変更したこと以外は、シロキサンポリマーＡと同様にして、シロキサンポリマーＢ〜Ｚ、ＡＡ〜ＡＺ、ＢＡ〜ＢＺ、ＣＡ〜ＣＺ及びＤＡ〜ＤＰを含む溶液を得た。得られたシロキサンポリマーＢ〜Ｚ、ＡＡ〜ＡＺ、ＢＡ〜ＢＺ、ＣＡ〜ＣＺ及びＤＡ〜ＤＰを含む溶液の固形分濃度は、５０重量％であった。
【０１３７】
また、得られたシロキサンポリマーＢ〜Ｚ、ＡＡ〜ＡＺ、ＢＡ〜ＢＺ、ＣＡ〜ＣＺ及びＤＡ〜ＤＰの重量平均分子量Ｍｗと、固形分酸価（ＫＯＨｍｇ／ｇ）とを、下記の表１〜１３に示した。
【０１３８】
また、得られたシロキサンポリマーＢ〜Ｚ、ＡＡ〜ＡＺ、ＢＡ〜ＢＺ、ＣＡ〜ＣＺ及びＤＡ〜ＤＰのケイ素原子に炭素原子が直接結合されている有機基１００％中に占めるカルボキシル基を有する有機基の割合と、メルカプト基を有する有機基の割合と、オレフィン二重結合を有する有機基の割合とを下記の表１〜１３に示した。
【０１３９】
さらに、得られたシロキサンポリマーＢ〜Ｚ、ＡＡ〜ＡＺ、ＢＡ〜ＢＺ、ＣＡ〜ＣＺ及びＤＡ〜ＤＰにおける環状エーテル基の数のカルボキシル基の数に対する比（環状エーテル基の数／カルボキシル基の数）と、ＳｉＯＨ基の数のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数に対する比（ＳｉＯＨ基の数／Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の数）とを下記の表１〜１３に示した。
【０１４０】
【表１】
2010039056.tif 000002
【０１４１】
【表２】
2010039056.tif 000003
【０１４２】
【表３】
2010039056.tif 000004
【０１４３】
【表４】
2010039056.tif 000005
【０１４４】
【表５】
2010039056.tif 000006
【０１４５】
【表６】
2010039056.tif 000007
【０１４６】
【表７】
2010039056.tif 000008
【０１４７】
【表８】
2010039056.tif 000009
【０１４８】
【表９】
2010039056.tif 000010
【０１４９】
【表１０】
2010039056.tif 000011
【０１５０】
【表１１】
2010039056.tif 000012
【０１５１】
【表１２】
2010039056.tif 000013
【０１５２】
【表１３】
2010039056.tif 000014
【０１５３】
（（メタ）アクリル化合物）
メチルメタクリレート  （１官能、Ｍｗ＝８８）
ＥＢＥＣＲＹＬ  ８８５  （３官能、Ｍｗ＝６０００、ダイセルサイテック社製）
ＵＮ−３３２０ＨＳ  （１５官能、Ｍｗ＝５０００、根上工業社製）
ＢＰ−４ＥＡ  （２官能、Ｍｗ＝５６０、共栄社化学社製）
ＥＢＥＣＲＹＬ  ８４０２  （２官能、Ｍｗ＝１０００、ダイセルサイテック社製）
ＰＥＴＩＡ  （３官能、Ｍｗ＝２５０、ダイセルサイテック社製）
【０１５４】
（光重合開始剤）
イルガキュア９０７（チバスペシャリティーケミカル社製、光ラジカル発生剤、ＩＣ９０７）
イルガキュア８１９（チバスペシャリティーケミカル社製、光ラジカル発生剤、ＩＣ８１９）
ＰＡＩ−１０１（みどり化学社製、光酸発生剤）
ＰＡＧ１２１（チバスペシャリティーケミカル社製、光酸発生剤）
【０１５５】
（実施例１〜２０３及び比較例１〜９）
下記表１４〜３５に示す割合で各成分を混合した後、溶剤であるテトラヒドロフラン５００重量部に溶解させ、感光性組成物を調製した。
【０１５６】
（評価）
（１）現像性
表層にＩＴＯがパターニングされたガラス基板を用意した。ガラス基板上に各感光性組成物を回転数１０００ｒｐｍでスピン塗工した。塗工後、１００℃の熱風オーブン内で５分間乾燥させ、塗膜を形成した。
【０１５７】
次に、所定のパターンを有するフォトマスクを介して、塗膜が露光部と未露光部とを有するように、塗膜に部分的に、紫外線照射装置（ウシオ電機社製、スポットキュアＳＰ−５）を用いて、３６５ｎｍの波長の紫外線を、照射エネルギーが１００ｍＪ／ｃｍ２となるように２０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線照度で５秒間照射した。その後、８０℃にて２分ベイクを行った。
【０１５８】
その後、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）の２．３８重量％水溶液（現像液種類Ａ）もしくは炭酸ナトリウム１重量％（現像液種類Ｂ）に塗膜を浸漬して現像し、未露光部の感光性組成物層を除去した。未露光部の感光性組成物層を除去した後、蒸留水で洗浄し、残存しているアルカリ水溶液を除去し、基板上に露光部の感光性組成物の硬化物からなるパターン膜を得た。
【０１５９】
上記パターン膜を得る際に、現像後にパターンが形成されているか否かを、電子顕微鏡を用いて観察することにより下記評価基準で評価した。
【０１６０】
〔現像性の評価基準〕
○：Ｌ／Ｓ  ２０μｍのパターンが形成されていた
△：Ｌ／Ｓ  ２０μｍのパターンが形成されていたものの、パターンの長さ方向寸法に１０％以上のばらつきがあった
×：Ｌ／Ｓ  ２０μｍのパターンが形成されていなかった
【０１６１】
（２）密着性
上記パターン膜の基板に対する密着性を評価した。ＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠して、カッターを用いて、平面視したときに１ｍｍ×１ｍｍの大きさになるようにパターン膜を切断し、パターン膜を１００個に分割した。分割されたパターン膜に、テープを貼り付けた後、テープを剥離することにより、密着性を下記評価基準で評価した。
【０１６２】
〔密着性の評価基準〕
○：分割されたパターン膜１００個中、剥離しなかったパターン膜が９０個〜１００個
△：分割されたパターン膜１００個中、剥離しなかったパターン膜が５０個〜８９個
×：分割されたパターン膜１００個中、剥離しなかったパターン膜が０個〜４９個
【０１６３】
（３）耐クラック性
上記（１）の現像性の評価で得られたパターン膜を、１２０℃、相対湿度１００％及び２ａｔｍの条件に、２４時間間放置した。放置後のパターン膜にクラックが生じているか否かを顕微鏡により観察し、耐クラック性を下記の評価基準で評価した。
【０１６４】
〔耐クラック性の評価基準〕
○：クラックが発生していなかった
△：５ｍｍ×５ｍｍの大きさの領域内で、１〜３箇所クラックが発生していた
×：全面にクラックが発生していた
【０１６５】
（４）腐食性
表層にアルミニウムが蒸着されたガラス基板を用いて、上記（１）現像性の評価と同様の条件で作製したパターン膜を８５℃及び相対湿度８５％の条件で、１０００時間放置することにより、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルにおいて、金属の腐食が生じているか否かを顕微鏡で観察し、下記の評価基準で評価した。
【０１６６】
〔腐食性の評価基準〕
○：アルミニウムパターンに変化無し
△：アルミニウムパターンに変化有
【０１６７】
（５）電気絶縁性
表層にアルミニウムが蒸着されたガラス基板を用意した。ガラス基板上に各感光性組成物を回転数１２５０ｒｐｍで、２０秒かけてスピン塗工した。塗工後、１００℃のホットプレートにより２分間乾燥させ、塗膜を形成した。
【０１６８】
次に、紫外線照射装置を用い、塗膜に３６５ｎｍの波長の紫外線を、照射エネルギーが５００ｍＪ／ｃｍ２となるように１００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線照度で０．５秒間照射した。紫外線を照射した後、１００℃のホットプレートで２分間加熱した。その後、２００℃のホットプレートで６０分間さらに加熱した。次に、塗膜上にアルミニウムを再び蒸着した。
【０１６９】
硬化した感光性組成物層において、蒸着したアルミニウム間に１ＭＶ／ｃｍの電圧を印加し、リーク電流を測定した。また、リーク電流の測定値から、電気絶縁性を下記の評価基準で評価した。
【０１７０】
〔電気絶縁性の評価基準〕
○：リーク電流が１×１０−６Ａ／ｃｍ２以下
△：リーク電流が１×１０−６Ａ／ｃｍ２を超える
結果を下記の表１４〜３５に示す。
【０１７１】
【表１４】
2010039056.tif 000015
【０１７２】
【表１５】
2010039056.tif 000016
【０１７３】
【表１６】
2010039056.tif 000017
【０１７４】
【表１７】
2010039056.tif 000018
【０１７５】
【表１８】
2010039056.tif 000019
【０１７６】
【表１９】
2010039056.tif 000020
【０１７７】
【表２０】
2010039056.tif 000021
【０１７８】
【表２１】
2010039056.tif 000022
【０１７９】
【表２２】
2010039056.tif 000023
【０１８０】
【表２３】
2010039056.tif 000024
【０１８１】
【表２４】
2010039056.tif 000025
【０１８２】
【表２５】
2010039056.tif 000026
【０１８３】
【表２６】
2010039056.tif 000027
【０１８４】
【表２７】
2010039056.tif 000028
【０１８５】
【表２８】
2010039056.tif 000029
【０１８６】
【表２９】
2010039056.tif 000030
【０１８７】
【表３０】
2010039056.tif 000031
【０１８８】
【表３１】
2010039056.tif 000032
【０１８９】
【表３２】
2010039056.tif 000033
【０１９０】
【表３３】
2010039056.tif 000034
【０１９１】
【表３４】
2010039056.tif 000035
【０１９２】
【表３５】
2010039056.tif 000036
【図面の簡単な説明】
【０１９３】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係るパターン膜を製造する方法を説明するための各工程を模式的に示す正面断面図である。
【符号の説明】
【０１９４】
１…感光性組成物層
１ａ…露光部
１ｂ…未露光部
１Ａ…感光性組成物の硬化物からなるパターン膜
２…基板
３…マスク
３ａ…開口部
３ｂ…マスク部
【図１】
2010039056.tif 000037