(57)【要約】【課題】特に、近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているＳｉＣやＧａＮを、加工効率が高く、且つ任意の形状に、比較的容易に加工できるようにする。【解決手段】  液体１０中に被加工物１４と電極１６とを互いに対向させて配置し、被加工物１４と電極１６との間隙に酸素原子を含有する気体２０を供給しながら、被加工物１４と電極１６の間に高周波電圧を印加して、被加工物１４と電極１６との間隙に供給される気体２０にプラズマを発生させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体中に被加工物と電極とを互いに対向させて配置し、
被加工物と電極との間隙に酸素原子を含有する気体を供給しながら、被加工物と電極の間に高周波電圧を印加して、前記被加工物と前記電極との間隙に供給される気体にプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ加工方法。
【請求項２】
前記被加工物は、ＳｉＣまたはＧａＮであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ加工方法。
【請求項３】
前記液体は、ＨＦ溶液、塩酸、燐酸、硝酸、硫酸、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液、または純水であることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ加工方法。
【請求項４】
前記電極は、アルミナを溶射被覆した金属製の電極であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のプラズマ加工方法。
【請求項５】
前記酸素原子を含有する気体は、酸素ガス、水蒸気、希ガスと酸素ガスの混合ガス、または希ガスと水蒸気の混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のプラズマ加工方法。
【請求項６】
前記高周波電圧は、周波数が１ｋＨｚ〜１ＧＨｚの正弦波状もしくはパルス状の電圧であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のプラズマ加工方法。
【請求項７】
内部に保持した液体中に被加工物を浸漬させて該被加工物を保持する加工槽と、
前記加工槽内に保持した被加工物に対向し該対向部を液体中に浸漬させて配置される電極と、
前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極との間隙に酸素原子を含む気体を供給する気体供給部と、
前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極とを相対移動させる駆動機構と、
前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極との間にプラズマ生成用の高周波電圧を印加する電源を有することを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項８】
内部に保持した液体中に被加工物を浸漬させて該被加工物を保持する加工槽と、
前記加工槽内に保持した被加工物の外周部に対向し該対向部を液体中に浸漬させて配置される電極と、
前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極との間隙に酸素原子を含む気体を供給する気体供給部と、
前記加工槽内に保持した被加工物を回転させる回転機構と、
前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極との間にプラズマ生成用の高周波電圧を印加する電源を有することを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項９】
前記液体は、ＨＦ溶液、塩酸、燐酸、硝酸、硫酸、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液、または純水であることを特徴とする請求項７または８記載のプラズマ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ加工方法及び加工装置に係り、更に詳しくは、ＧａＮやＳｉＣ等の難加工材料を効率的にプラズマ加工できるようにしたプラズマ加工方法および加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に機械的な加工は、古くから様々な場面で使用されている。たとえば、機械研磨では、工具を加工したい表面に押し付けることで、機械的作用により材料欠陥を導入し表面の原子を剥ぎ取って加工する。このような機械研磨法では、結晶格子にダメージを与えてしまう上に、高精度な面を得ることが非常に困難となる。ゆえに、高精度でものを作成するためには、格子欠陥を発生させることなく加工できる化学的な加工を用いる必要がある。
【０００３】
高電圧を印加した加工電極により発生させた反応ガスに基づく中性ラジカルを被加工物の被加工面に供給し、この中性ラジカルと被加工面の原子または分子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し、加工電極を被加工面に対して相対的に変化させて加工するものであって、反応ガスの種類と被加工物の材質に応じて決定される、加工時間と加工量との間の相関データと、前加工面と目的加工面の座標データとに基づきその座標差に応じて加工時間を数値制御して加工するプラズマＣＶＭ（Chemical  Vaporization  Machining）が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、ハロゲン化水素酸からなる処理液中に被加工物を配し、白金、金またはセラミックス系固体触媒からなる触媒を被加工物の被加工面に接触若しくは極接近させて配し、触媒の表面でハロゲン化水素を分子解離して生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を溶出させることによって被加工物を加工する触媒支援型化学加工法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００５】
更に、溶液中で被加工物にＵＶ照射するか、もしくは電解酸化によって被加工物を酸化し、酸化物を溶液中に溶解させて除去することで被加工物を加工する光電気化学エッチングも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２９６２５８３号公報
【特許文献２】特開２００６−１１４６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
プラズマＣＶＭは、高速かつダメージフリーで被加工物を加工することができる。しかし、プラズマＣＶＭで、例えばＧａＮを加工する場合には、大気圧のヘリウム・塩素混合ガスのプラズマにより被加工物（ＧａＮ）を塩素化し、同時に被加工物を昇温させ塩化物を昇華させて加工を行うようにしている。このため、腐食性が非常に強い塩素ガスを用いる必要があるばかりでなく、被加工物を加熱する必要がある等の課題がある。
【０００８】
触媒支援型化学加工方法は、化学的作用のみにより、ＧａＮやＳｉＣを任意形状で平滑に加工することができる。しかし、加工速度が〜１００ｎｍ／ｈｒと一般に遅く、このため、使用用途が制限されてしまう。
光電気化学エッチングは、数１０μｍ／ｈｒと比較的速い加工速度で被加工物の加工を行うことができる。しかし、被加工物全体が一様に加工されるので、被加工物を任意の形状に加工することが難しいという課題がある。
【０００９】
本発明は上記に鑑みて為されてもので、特に、近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているＳｉＣやＧａＮを、加工効率が高く、且つ任意の形状に、比較的容易に加工できるようにしたプラズマ加工方法及び加工装置を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
従来のＧａＮやＳｉＣの加工方法は、ドライプロセスかウェットプロセスに分類される。本発明は、ドライプロセスとウェットプロセスの中間に位置する加工方法であり、プラズマによる被加工物の酸化とウェットエッチングによる酸化物の除去を同時に行うことを特徴とする。
【００１１】
請求項１に記載の発明は、液体中に被加工物と電極とを互いに対向させて配置し、被加工物と電極との間隙に酸素原子を含有する気体を供給しながら、被加工物と電極の間に高周波電圧を印加して、前記被加工物と前記電極との間隙に供給される気体にプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ加工方法である。
【００１２】
例えば、ＧａＮやＳｉＣは、化学的に非常に安定であるが、その酸化物（Ｇａ２Ｏ３，ＳｉＯ２）は、アルカリ溶液やＨＦ溶液等に可溶である。また、液体中であっても、局所的に気体を生じさせながら、該気体を生じさせた領域に電圧を印加することで、気体中にプラズマを発生させることができる。このため、液体中の被加工物と電極との間隙に酸素原子を含有する気体を供給しながら、被加工物と電極の間に高周波電圧を印加することで、被加工物と電極との間隙の気体中にプラズマを発生させて液体中に酸素原子を生成し、この酸素原子で被加工物表面を酸化させ、被加工物表面に生成された酸化物を液体中に溶解させて除去することで、被加工物を加工することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、前記被加工物は、ＳｉＣまたはＧａＮであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ加工方法である。
これにより、近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているＳｉＣやＧａＮを、比較的容易に、加工効率が高く加工することができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、前記液体は、ＨＦ溶液、塩酸、燐酸、硝酸、硫酸、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液、または純水であることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ加工方法である。
固体酸触媒や固体アルカリ触媒を利用することで、酸化物を溶解させて除去する液体として、酸溶液またはアルカリ溶液の代わりに、超純水を含む純水を使用することができる。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、前記電極は、アルミナを溶射被覆した金属製の電極であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のプラズマ加工方法である。
請求項５に記載の発明は、前記酸素原子を含有する気体は、酸素ガス、水蒸気、希ガスと酸素ガスの混合ガス、または希ガスと水蒸気の混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のプラズマ加工方法である。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、前記高周波電圧は、周波数が１ｋＨｚ〜１ＧＨｚの正弦波状もしくはパルス状の電圧であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のプラズマ加工方法である。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、内部に保持した液体中に浸漬させて被加工物を保持する加工槽と、前記加工槽内に保持した被加工物に対向し該対向部を液体中に浸漬させて配置される電極と、前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極との間隙に酸素原子を含む気体を供給する気体供給部と、前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極とを相対移動させる駆動機構と、前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極との間にプラズマ生成用の高周波電圧を印加する電源を有することを特徴とするプラズマ加工装置である。
【００１８】
このプラズマ加工装置によれば、例えば半導体ウェハ等の被加工物を加工槽内に水平に保持し、この被加工物の表面に対向させて電極を配置して、被加工物と電極とを水平方向に相対移動させることで、被加工物の表面を加工することができる。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、内部に保持した液体中に浸漬させて被加工物を保持する加工槽と、前記加工槽内に保持した被加工物の外周部に対向し該対向部を液体中に浸漬させて配置される電極と、前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極との間隙に酸素原子を含む気体を供給する気体供給部と、前記加工槽内に保持した被加工物を回転させる回転機構と、前記加工槽内に保持した被加工物と前記電極との間にプラズマ生成用の高周波電圧を印加する電源を有することを特徴とするプラズマ加工装置である。
【００２０】
このプラズマ加工装置によれば、例えば半導体ウェハ等の被加工物を加工槽内に鉛直に保持し、この被加工物の外周部に電極を対向させて配置して、被加工物を回転させることで、被加工物の周縁部（ベベル部）を加工することができる。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、前記液体は、ＨＦ溶液、塩酸、燐酸、硝酸、硫酸、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液、または純水であることを特徴とする請求項７または８記載のプラズマ加工装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、被加工物と電極と液体中に浸漬させながら互いに対向させて配置し、被加工物と電極との間隙に酸素原子を含有する気体を供給しながら、被加工物と電極との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させるといった、比較的簡単な構成で、例えば難加工物であるＳｉＣやＧａＮを加工効率が高く、且つ任意の形状に加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のプラズマ加工方法における被加工物と電極との間にプラズマを発生させている状態を示す断面図である。
【図２】本発明のプラズマ加工方法における酸化部を溶液で溶解除去した状態を示す断面図である。
【図３】（１）ＧａＮからなる試料に何ら処理を施さなかった場合、（２）ＧａＮからなる試料にＳＰＭ洗浄処理とＨＣｌ洗浄処理を行った場合、（３）ＧａＮからなる試料に大気圧酸素プラズマ処理を行った場合、（４）ＧａＮからなる試料に大気圧酸素プラズマ処理を行い、更にＨＣｌ洗浄処理を行った場合におけるＧａ３ｄとＯ１ｓのＸＰＳスペクトルである。
【図４】本発明の実施の形態のプラズマ加工装置の概要を示す斜視図である。
【図５】本発明の他の実施の形態のプラズマ加工装置の概要を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１及び図２は、本発明のプラズマ加工方法の概念を示す。図１に示すように、内部に溶液１０を保持した、有底円筒状の加工槽１２の内部に、被加工物１４を溶液１０中に浸漬させて配置する。被加工物１４は、例えばＧａＮやＳｉＣからなり、溶液は、被加工物１４の酸化物、例えばＧａＮの酸化物であるＧａ２Ｏ３やＳｉＣの酸化物であるＳｉＯ２が可溶な、例えばＨＦ溶液、塩酸、燐酸、硝酸または硫酸等の酸溶液、または水酸化カリウム溶液または水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ溶液である。なお、固体酸触媒や固体アルカリ触媒を利用することで、溶液（酸溶液またはアルカリ溶液）１０の代わりに、超純水を含む純水を使用することもできる。
【００２５】
この例では、被加工物１４を水平に配置し、この被加工物１４の上面（表面）に下端部を対向させて、例えばアルミナを溶射被覆した金属製の棒状の電極１６が、その約下半分を加工槽１２内の溶液１０中に浸漬させて配置されており、これにより、溶液１０中において、被加工物１４の上面（表面）と電極１６の下端部との間に所定間隔の間隙が生じるようになっている。そして、電極１６の中央には、電極１６の軸心に沿って直線状に延びる気体供給部としての気体導入口１６ａが設けられ、この気体導入口（気体供給部）１６ａは、気体供給源（図示せず）に接続されている。これによって、例えば酸素ガスと希ガスの混合ガスからなる酸素原子を含有する気体が、電極１６の軸心に沿って延びる気体導入口１６ａを通って、被加工物１４の上面と電極１６の下端部との間隙に供給される。
【００２６】
この被加工物１４の上面と電極１６の下端部との間隙に供給される気体としては、酸素ガスと希ガスの混合ガスの他に、例えば、酸素ガス、水蒸気、または希ガスと水蒸気の混合ガス等の酸素原子を含有する任意の気体が挙げられる。
【００２７】
そして、加工槽１２の外方に位置して、被加工物１４と電極１６との間に、例えば周波数が１ｋＨｚ〜１ＧＨｚの正弦波状もしくはパルス状の高周波電圧を印加して、被加工物１４と電極１６との間隙に供給される気体にプラズマを発生させる電源１８が備えられている。
【００２８】
この例によれば、図１に示すように、加工槽１２内の溶液１０中に被加工物１４と電極１６の約下半分を浸漬させ、かつ被加工物１４の上面（表面）と電極１６の下端部との間に間隙が生じるようにして、被加工物１４と電極１６とを互いに対向させて配置する。この状態で、電極１６に設けた気体導入口１６ａを通して、被加工物１４と電極１６との間隙に、酸素ガスと希ガスの混合ガス等の酸素原子を含有する気体を供給し、これによって、被加工物１４と電極１６との間隙に位置する溶液１０中に局所的に気体２０を形成する。
【００２９】
このように、被加工物１４と電極１６との間隙に位置する溶液１０中に局所的に気体２０を形成した状態で、電源１８により、被加工物１４と電極１６との間に、例えば周波数が１ｋＨｚ〜１ＧＨｚの正弦波状もしくはパルス状の高周波電圧を印加する。すると、被加工物１４と電極１６との間隙に位置する気体２０中にプラズマ２２が発生し、これによって、気体２０中に含まれる酸素ガス等から酸素原子が生成されて溶液１０中に溶解し、この溶液１０中に溶解した酸素原子によって、被加工物１４の電極１６と対向する表面が酸化されて、ここに酸化物１４ａが生成される。
【００３０】
つまり、被加工物１４としてＧａＮを使用した場合には、被加工物１の電極１６と対向する表面にＧａ２Ｏ３が生成され、被加工物１４としてＳｉＣを使用した場合には、被加工物１の電極１６と対向する表面にＳｉ２Ｏ３が生成される。
【００３１】
前述のように、例えばＧａ２Ｏ３やＳｉ２Ｏ３は、ＨＦ溶液等の酸溶液や水酸化カリウム等のアルカリ溶液に可溶である。このため、図２に示すように、必要に応じて、電極１８を横移動させると、被加工物１４の表面に生成された酸化物１４ａが溶液１０に溶解して除去され、これによって、被加工物１４の表面に加工部１４ｂが形成される。
【００３２】
このように、液体中であっても、電極間に気体部分があれば、電極間に高周波電圧を印加することで、電極間にプラズマを発生させることができ、また、ＣＯ２等、プラズマが着き易いガスが存在することが確かめられている。更に、気相実験により、ヘリウム９９％＋酸素１％での大気圧プラズマでＧａＮが酸化されることが確認されている。
【００３３】
図３は、（１）ＧａＮからなる試料に何ら処理を施さなかった場合、（２）ＧａＮからなる試料にＳＰＭ（硫酸（９８％）：過酸化水素水（３０％）＝４：１）洗浄処理とＨＣｌ洗浄処理を行った場合、（３）ＧａＮからなる試料に大気圧酸素プラズマ処理を行った場合、（４）ＧａＮからなる試料に大気圧酸素プラズマ処理を行い、更にＨＣｌ洗浄処理を行った場合、の（１）〜（４）における、Ｇａ３ｄとＯ１ｓをＸ線光電子分光法（x-ray  photoelectron  spectroscopy：ＸＰＳ）より測定した結果（ＧａＮ表面からのＧａ３ｄとＯ１ｓのＸＰＳスペクトル）を示す。図３より、ＧａＮは、大気圧酸素プラズマによって酸化され、酸化部は、ＨＣｌ溶液中で除去されることが判る。
【００３４】
図４は、本発明の実施の形態のプラズマ処理装置を示す。このプラズマ処理装置は、半導体ウェハ等の表面を加工するのに適するようにしたもので、図４に示すように、上方に開放し、内部に溶液３０を溜める有底円筒状の加工槽３２を有しており、この加工槽３２の底部に、溶液３０に浸漬させて被加工物３４が着脱自在に水平に保持される。この溶液３２は、前述と同様に、例えばＨＦ溶液、塩酸、燐酸、硝酸または硫酸等の酸溶液、または水酸化カリウム溶液または水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ溶液である。なお、固体酸触媒や固体アルカリ触媒を利用することで、溶液（酸溶液またはアルカリ溶液）３０の代わりに、超純水を含む純水を使用することもできる。
【００３５】
加工槽３２のほぼ中央に位置して、例えばアルミナを溶射被覆した金属製の棒状の電極３６が、その約下半分を加工槽３２内の溶液３０中に浸漬させて鉛直に配置されており、これにより、溶液３０中において、被加工物３４の上面（表面）と電極３６の下端部との間に所定間隔の間隙が生じるようになっている。そして、電極３６の中央には、電極３６の軸心に沿って直線状に延びる気体供給部としての気体導入口３６ａが設けられ、この気体導入口（気体供給部）３６ａは、気体供給源（図示せず）に接続されている。これによって、例えば酸素ガスと希ガスの混合ガスからなる酸素原子を含有する気体が、電極３６の軸心に沿って延びる気体導入口３６ａを通って、被加工物３４の上面と電極３６の下端部との間隙に供給される。
【００３６】
この被加工物１４の上面と電極１６の下端部との間隙に供給される気体としては、酸素ガスと希ガスの混合ガスの他に、例えば、酸素ガス、水蒸気、または希ガスと水蒸気の混合ガス等の酸素原子を含有する任意の気体が挙げられる。
【００３７】
そして、加工槽３２の外方に位置して、被加工物３４と電極３６との間に、例えば周波数が１ｋＨｚ〜１ＧＨｚの正弦波状もしくはパルス状の高周波電圧を印加して、被加工物３４と電極３６との間隙に供給される気体にプラズマを発生させる電源３８が備えられている。
【００３８】
加工槽３２は、Ｘ軸駆動部４０とＹ軸駆動部４２を有し、水平面内において、Ｘ−Ｙ方向に移動自在なＸ−Ｙ駆動部４４の上面に固定されており、これによって、加工槽３２は、Ｘ−Ｙ駆動部４４の駆動に伴って、水平面内において、Ｘ−Ｙの方向に任意に水平移動するように構成されている。
【００３９】
このプラズマ加工装置によれば、加工槽３２内の溶液３０中において、被加工物３４の上面（表面）と電極３６の下端部との間に間隙が生じるようにして、被加工物３４と電極３６とを互いに対向させて配置し、電極３６に設けた気体導入口３６ａを通して、被加工物３４と電極３６との間隙に、酸素ガスと希ガスの混合ガス等の酸素原子を含有する気体を供給して、被加工物３４と電極３６との間隙に位置する溶液３０中に局所的に気体を形成する。この状態で、被加工物３４と電極３６との間に、電源３８から、例えば周波数が１ｋＨｚ〜１ＧＨｚの正弦波状もしくはパルス状の高周波電圧を印加し、同時に、Ｘ−Ｙ駆動部４４を駆動して、加工槽３２をＸ−Ｙ方向に水平移動させる。
【００４０】
これによって、被加工物３４と電極３６との間隙に位置する気体中にプラズマ４６が発生し、気体中に含まれる酸素ガス等から酸素原子が生成されて溶液３０中に溶解し、この溶液３０中に溶解した酸素原子によって、被加工物３４の電極３６と対向する表面が酸化される。そして、この酸化物が溶液３０中に溶解して除去され、これによって、被加工物１４の表面の加工が進行する。加工時に、Ｘ−Ｙ駆動部４４の動きを制御することで、被加工物１４の表面を任意に加工することができる。
【００４１】
図５は、本発明の他の実施の形態のプラズマ処理装置を示す。このプラズマ処理装置は、半導体ウェハ等の被加工物の外周部（ベベル部）を加工するのに適するようにしたもので、上方に開放し、内部に前記と同様な溶液５０を溜める有底矩形ボックス状の加工槽５２と、この加工槽５２内の溶液５０に浸漬させて被加工物５４を着脱自在に保持する保持部５６を有しており、この保持部５６は、加工槽５２の周壁を貫通して水平方向に延びる、回転機構としての回転軸５８の先端に該回転軸５８と一体に回転するように連結されている。
【００４２】
保持部５６で保持された被加工物５４の外周部上端のやや上方に位置して、例えばアルミナを溶射被覆した金属製の棒状の電極６０が、その下部を加工槽５２内の溶液５０中に浸漬されるように鉛直に配置されており、これにより、溶液５０中において、被加工物５４の外周部上端と電極６０の下端部との間に所定間隔の間隙が生じるようになっている。そして、電極６０の中央には、電極６０の軸心に沿って直線状に延びる気体供給部としての気体導入口６０ａが設けられ、この気体導入口（気体供給部）６０ａは、気体供給源（図示せず）に接続されている。これによって、前述と同様な、例えば酸素ガスと希ガスの混合ガスからなる酸素原子を含有する気体が、電極６０の軸心に沿って延びる気体導入口６０ａを通って、被加工物５４の外周部上端と電極６０の下端部との間隙に供給される。
【００４３】
そして、加工槽５２の外方に位置して、被加工物５４と電極６０との間に、例えば周波数が１ｋＨｚ〜１ＧＨｚの正弦波状もしくはパルス状の高周波電圧を印加して、被加工物５４と電極６０との間隙に供給される気体にプラズマを発生させる電源６２が備えられており、この電源６２の一方の導電６４ａは、電極６０に直接接続され、他方の導電６４ｂは、加工槽５２の周壁を貫通して水平に延びて、先端が保持部５６で保持された被加工物５４に接触する電流導入軸６６の基部に接続されている。
【００４４】
このプラズマ加工装置によれば、加工槽５２内の溶液５０中において、保持部５６で保持した被加工物５４の上端外周部と電極６０の下端部との間に間隙が生じるようにして、被加工物５４と電極６０とを互いに対向させて配置し、電極６０に設けた気体導入口６０ａを通して、被加工物５４と電極６０との間隙に、酸素ガスと希ガスの混合ガス等の酸素原子を含有する気体を供給して、被加工物５４と電極６０との間隙に位置する溶液５０中に局所的に気体を形成する。この状態で、被加工物５４と電極６０との間に、電源６２から、例えば周波数が１ｋＨｚ〜１ＧＨｚの正弦波状もしくはパルス状の高周波電圧を印加し、同時に、回転軸５８を回転させて、保持部５６で保持した被加工物５４を回転させる。
【００４５】
これによって、被加工物５４と電極６０との間隙に位置する気体中にプラズマが発生し、気体中に含まれる酸素ガス等から酸素原子が生成されて溶液５０中に溶解し、この溶液５０中に溶解した酸素原子によって、被加工物５４の電極６０と対向する外周部表面が酸化される。そして、この酸化物が溶液３０中に溶解して除去され、これによって、被加工物５４の外周部（ベベル部）の加工が進行する。
【００４６】
これまで本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されず、その技術思想の範囲内において、種々の異なる形態で実施されてよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００４７】
１０，３０，５０  溶液
１２，３２，５２  加工槽
１４，３４，５４  被加工物
１４ａ  酸化物
１４ｂ  加工部
１６，３６，６０  電極
１６ａ，３６ａ  気体導入口（気体供給部）
１８，３８，６２  電源
２０  気体
２２，４６  プラズマ
４４  Ｘ−Ｙ駆動部
５６  保持部
５８  回転軸
【図１】
2010219475.tif 000003
【図２】
2010219475.tif 000004
【図３】
2010219475.tif 000005
【図４】
2010219475.tif 000006
【図５】
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