(57)【要約】【課題】チッピングの発生を抑えてダイシングすることを可能とする半導体ウェハ処理方法を提供する。【解決手段】前記半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合する工程（ａ）と、前記半導体ウェハの非パターン面を研削する工程（ｂ）と、研削した前記非パターン面に水溶性フィルムを加熱により貼合する工程（ｃ）と、前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程（ｄ）と、前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程（ｅ）と、前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程（ｆ）と、前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程（ｇ）と、前記表面保護フィルムを前記半導体ウェハのパターン面から剥がす工程（ｈ）と、を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法である。【選択図】図２
2010165963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを個片化する半導体ウェハの処理方法であって、
前記半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合する工程（ａ）と、
前記半導体ウェハの非パターン面を研削する工程（ｂ）と、
研削した前記非パターン面に水溶性フィルムを加熱により貼合する工程（ｃ）と、
前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程（ｄ）と、
前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程（ｅ）と、
前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程（ｆ）と、
前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程（ｇ）と、
前記表面保護フィルムを前記半導体ウェハのパターン面から剥がす工程（ｈ）と、
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
【請求項２】
半導体ウェハを個片化する半導体ウェハの処理方法であって、
水溶性フィルムと表面保護テープとを積層したフィルムを、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを介して加熱により貼合する工程（ａ）と、
前記半導体ウェハの裏面を研削する工程（ｂ）と、
前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程（ｃ）と、
前記表面保護フィルムを前記水溶性フィルムから剥がす工程（ｄ）と、
前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程（ｅ）と、
前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程（ｆ）と、
前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程（ｇ）と、
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
【請求項３】
さらに、工程の最後に個片化した前記半導体ウェハをピックアップする工程を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項４】
前記水溶性フィルムが、水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せず、６０℃〜１００℃の温水に可溶であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項５】
前記表面保護テープの粘着層が、放射線の照射によって粘着力が著しく低下することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項６】
前記工程（ａ）において、水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せずに６０℃〜１００℃の温水に可溶である水溶性フィルムと、紫外線硬化可能な粘着層を有する表面保護テープとを積層したフィルムを、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを加熱貼合することで貼合することを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項７】
前記工程（ａ）に代えて、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを貼合し、さらに表面保護テープを貼合する工程と、を具備することを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項８】
紫外線硬化可能な粘着層を介して表面保護テープと水溶性フィルムを積層したフィルムであって、
前記水溶性フィルムが水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せず６０℃〜１００℃の温水に可溶であることを特徴とするフィルム。
【請求項９】
請求項８に記載のフィルムを、パターン面に貼合したことを特徴とする半導体ウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハをチップに個片化する処理方法に関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
ここ最近における半導体チップの薄膜化・小チップ化への進化はめざましい。特に、メモリカードやスマートカードの様な半導体ＩＣチップが内蔵されたＩＣカードの場合、半導体チップの厚さとしては７５μｍ以下が要求される。ＬＥＤ・ＬＣＤ駆動用デバイスなどにおいては小チップ化が進み０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以下のチップも存在する。今後これらの需要が増えるにつれ半導体チップの薄膜化・小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる。
【０００３】
従来、半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等において所定厚みに薄膜化した後、ダイシング工程にてチップ化する事により製造されていた。このダイシング工程においては、半導体ウェハはダイシングブレードにより切断されるブレードカット方式が用いられるのが一般的である。この場合、切断時にはブレードによる切削抵抗が半導体ウェハに直接かかる事になり、この切削抵抗によって半導体チップには微小な欠け（チッピング）が発生する事がある。このチッピング発生は半導体チップの外観を損なうだけでなく、場合によってはチップ上の回路パターンまで破損してしまう可能性があるため、重要な問題のうちの１つとして捉えられ、これまでにも検討が種々行われてきた。前述の様な薄膜小チップの場合は、許容されるチッピングレベルも厳しくなってくるため、今後の半導体チップの薄膜化・小チップ化の傾向がますます進むことにより、このチッピングの問題は今後より一層深刻化してくるものと容易に推測される。
【０００４】
特許文献１には、ウェハ裏面にレジスト膜等からなるマスク層を形成して、レーザー光によるダイシング用のマスクパターンを形成し、プラズマエッチングにより個々のチップに分割する方法が提案されている。
【０００５】
特許文献２には、水溶性保護膜を半導体ウェハのパターン表面にコーティングすることが、レーザー光を被加工物に照射することにより、照射された領域に熱エネルギーが集中して発生するデブリの影響を防止する方法として提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１９１０３９号公報
【特許文献２】特開２００４−３２２１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の発明は、レジスト等による被膜、およびマスク層の剥離が必要あるため工程が煩雑なものとなるという問題点があった。また、マスク層の膜厚やエッチングレートの制御が困難であり、分割自体が完全にできない等の不具合が生じるという問題点もあった。
【０００８】
また、特許文献２に記載の発明は、液状の樹脂液を塗布して水溶性保護膜を形成するため、塗布の工程が煩雑なものとなるという問題点があった。
【０００９】
本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたもので、その目的とすることは、チッピングの発生を抑えてダイシングすることを可能とする半導体ウェハ処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した目的を達成するために、第１の発明は、半導体ウェハを個片化する半導体ウェハの処理方法であって、前記半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合する工程（ａ）と、前記半導体ウェハの非パターン面を研削する工程（ｂ）と、研削した前記非パターン面に水溶性フィルムを加熱により貼合する工程（ｃ）と、前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程（ｄ）と、前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程（ｅ）と、前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程（ｆ）と、前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程（ｇ）と、前記表面保護フィルムを前記半導体ウェハのパターン面から剥がす工程（ｈ）と、を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法である。
【００１１】
第２の発明は、半導体ウェハを個片化する半導体ウェハの処理方法であって、水溶性フィルムと表面保護テープとを積層したフィルムを、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを介して加熱により貼合する工程（ａ）と、前記半導体ウェハの裏面を研削する工程（ｂ）と、前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程（ｃ）と、前記表面保護フィルムを前記水溶性フィルムから剥がす工程（ｄ）と、前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程（ｅ）と、前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程（ｆ）と、前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程（ｇ）と、を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法である。
【００１２】
さらに、工程の最後に個片化した前記半導体ウェハをピックアップする工程を含むことが好ましく、前記水溶性フィルムが、水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せず、６０℃〜１００℃の温水に可溶であることが好ましく、前記表面保護テープの粘着層が、放射線の照射によって粘着力が著しく低下することが好ましい。
【００１３】
第２の発明の前記工程（ａ）において、水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せずに６０℃〜１００℃の温水に可溶である水溶性フィルムと、紫外線硬化可能な粘着層を有する表面保護テープとを積層したフィルムを、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを加熱貼合することで貼合することが好ましい。
【００１４】
また、第２の発明の前記工程（ａ）に代えて、前記半導体ウェハのパターン面に、水溶性フィルムを貼合し、さらに表面保護テープを貼合する工程と、を具備してもよい。
【００１５】
第３の発明は、紫外線硬化可能な粘着層を介して表面保護テープと水溶性フィルムを積層したフィルムであって、前記水溶性フィルムが水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せず６０℃〜１００℃の温水に可溶であることを特徴とするフィルムである。
【００１６】
なお、ここで言う放射線とは、紫外線のような光線、または電子線のような電離性放射線の事をさして言うものであり、一般的には紫外線の事を指して言う。
【００１７】
また、パターン面とは、半導体素子の回路等のパターンが形成された半導体ウェハの面であり、非パターン面とは、パターン面とは反対側で、パターンが形成されていない面を指す。
【００１８】
ストリートとは、半導体ウェハの切断ラインのことである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、チッピングの発生を抑えてダイシングすることを可能とする半導体ウェハ処理方法を提供することができる。また、プラズマ処理後の水溶性フィルムの除去が容易である。また、本発明の方法のそれぞれの工程においては、従来、半導体ウェハ加工に用いられている装置を使用することができ、使用条件の制御が容易である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１の実施形態にかかる半導体ウェハの処理方法を断面概略図を用いて説明する図。
【図２】図１の続きの図。
【図３】図２の続きの図。
【図４】レーザー光照射手段６の説明図である。
【図５】プラズマエッチング装置１０の説明図である。
【図６】第２の実施形態にかかる半導体ウェハの処理方法を断面概略図を用いて説明する図。
【図７】図６の続きの図。
【図８】図７の続きの図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の半導体ウェハの処理方法の好ましい実施形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
第１の実施形態を図１〜図３を参照して説明する。図１〜図３は、第１の実施形態にかかる半導体ウェハの処理方法を断面概略図を用いて説明する図である。図１（ａ）に示すように、半導体ウェハ１のパターン面２に、粘着剤層４を介して表面保護テープ３を貼合する。また、図示はしないが、パターン面２には複数のストリートが平面図において格子状に形成されている。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１のパターン面２側に表面保護テープ３を貼合された状態で半導体ウェハ１の非パターン面を研削する。
【００２３】
次に、図１（ｃ）に示すように、研削された半導体ウェハ１の非パターン面に水溶性フィルム５を貼合する。水溶性フィルム５は、半導体ウェハ１に加熱により貼合する。
【００２４】
次に、図１（ｄ）に示すように、レーザー光照射手段６から照射されたレーザー光７により、半導体ウェハ１のストリートに沿って、水溶性フィルム５のみ切断し、図２（ａ）に示すように、溝８を入れる。溝８の幅は、ストリート幅以下とすることが好ましい。このレーザー照射は、水溶性フィルム５が形成された半導体ウェハ１に対してレーザー光７を相対的に移動させながら行われる。
【００２５】
なお、図１（ｄ）では、レーザー光７により水溶性フィルム５を切断して溝８を作成しているが、水溶性フィルム５の切断方法はこれに限定されるものでなく、例えばブレードによる切断等、溝８を形成することができれば任意の方法を用いることができる。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示されるように、プラズマエッチング装置１０において、溝８が設けられて個片化された水溶性フィルム５側から半導体ウェハ１をプラズマ９による処理を行い、溝８においてむき出しにされたウェハをエッチングし、半導体ウェハ１がチップに個片化する。プラズマのエッチング効果により、溝８によりむき出しされた半導体ウェハ１がエッチングされ、個々のチップに分割される。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示されるように、水または温水１１による洗浄で水溶性フィルム５を溶解・除去する。例えば、洗浄は、半導体ウェハ１をスピンナーテーブルに保持し、半導体ウェハ１を回転させつつ、半導体ウェハ1の中心部上方に位置するノズルより純水とエアとからなる洗浄水を噴出させる事により行われる。その後、半導体ウェハ１にエアノズルよりエアを噴出させ乾燥させる。
【００２８】
次に、図３（ａ）に示すように、ダイシングされ個片化された半導体ウェハ１の非パターン面を支持固定用テープ１２に貼付し、リングフレーム１４にて固定する。ここで、支持固定用テープ１２は、半導体ウェハ１よりもサイズが大きく、かつ、周囲をリングフレーム１４によって固定されている。これ以降の工程においては、リングフレーム１４を把持してハンドリングが行われる。
【００２９】
次に、図３（ｂ）に示すように、表面保護テープ３を粘着剤層４とともに剥離する。紫外線を表面保護テープ３側から照射し、粘着剤層４を硬化させることで、表面保護テープ３は容易に剥離する。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、個片化された半導体ウェハ１をパターン面２とともに、ピン１５により突き上げてコレット１６により吸着してチップをピックアップする。
【００３１】
図１および図２に示される工程に用いられる装置及び材料は、従来、半導体ウェハ加工に用いられているものを使用することができ、装置の使用条件は常法により適切な条件を設定することができる。
【００３２】
半導体ウェハ１は、片面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有するシリコンウェハなどである。
【００３３】
パターン面２は、半導体素子の回路などが形成された面であって、平面図において格子状のストリートを有する。
【００３４】
表面保護テープ３は、樹脂などの絶縁性材料からなる絶縁シートであり、半導体ウェハ１に貼合した状態で半導体ウェハ１の外周側に張り出さないよう、半導体ウェハ１と同サイズのものが用いられる。これにより、後述するプラズマ処理工程において、半導体ウェハ１よりはみ出した表面保護テープ３がプラズマによって焼損するダメージを防止することができる。
【００３５】
表面保護テープ３には、通常プラスチック、ゴム等が好ましく用いられる。さらに、表面保護テープ３については、粘着剤層４を紫外線照射によって硬化させる場合は、光透過性の良いものを選択する。この様な表面保護テープ３としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体、あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテン−もしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマー等があげられ、表面保護テープ３の要求特性に応じて任意に選ぶことができる。
【００３６】
これらの表面保護テープ３は、一般的な押出し法を用いて製造できるが、表面保護テープ３を種々の樹脂を積層して得る場合には、共押出し法、ラミネート法などで製造され、この際通常のラミネートフィルムの製法に於いて普通に行われている様に、樹脂と樹脂の間に接着層を設けても良い。この様な表面保護テープ３の厚さは、強・伸度特性、放射線透過性の観点から３０〜２００μｍが好ましい。
【００３７】
粘着剤層４は、表面保護テープ３の粘着剤層である。粘着剤層４は、表面保護テープ３を剥離する際に、半導体ウェハ１などの被着物への破損や表面への粘着剤残留による汚染などの不具合を生じないものであれば、特に制限は無いが、放射線、好ましくは紫外線硬化により粘着剤が三次元網状化を呈し、粘着力が低下すると共に剥離した後の表面に粘着剤などの残留物が生じ難い、紫外線硬化型の粘着剤を使用するのが好ましい。この様な紫外線硬化型粘着剤としては、所望の紫外線硬化性を示す限り特に制限は無いが、例えば、２−エチルヘキシルアクリレートとｎ−ブチルアクリレートとの共重合体から成るアクリル系粘着剤に対して、紫外線硬化性の炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリレート化合物を含有し、光開始剤および光増感剤、その他従来公知の粘着付与剤、軟化剤、酸化防止剤、等を配合してなる組成を挙げることができる。
【００３８】
粘着剤層４の厚さは、被着物への密着性を妨げず、また研削時のダストや研削水などの浸入が発生しないものであれば特に制限はないが、通常５〜１００μｍが適当である。
【００３９】
水溶性フィルム５は、後述するプラズマ処理工程において用いられるマスクパターンを形成するためのものであり、フッ素系ガスを用いたプラズマに対して耐性を有する材質からなり、半導体ウェハの加工などに用いられる一般的な水溶性のフィルムを用いることができる。好ましくは、ポリビニルアルコールやポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイドなどの水溶性ポリマーを用いることができ、より好ましくは、水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せず６０℃〜１００℃の温水に可溶であることを特徴とするフィルムである。水溶性フィルム５の厚さは１〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０〜５０μｍである。
【００４０】
レーザー光照射手段６は、紫外線または赤外線のレーザー光７を照射する装置である。図４を用いて、レーザー光照射手段６について説明する。図４において、ウェハ保持部３０上には水溶性フィルム５が形成された半導体ウェハ１が保持されている。ウェハ保持部３０の上方には、レーザー照射部２９およびカメラ２８が装着された移動プレート２７が、移動機構２６によって移動自在に配設されている。レーザー照射部２９はレーザー発生部２３によって発生したレーザー光７を下方の半導体ウェハ１に対して照射する。例えば、ＣＯ２レーザーは数Ｗ〜数十Ｗの大出力を得ることができるので、レーザー光７は、ＣＯ２レーザーが使用できる。
【００４１】
カメラ２８は赤外線カメラであり、下方に位置した半導体ウェハ１を赤外光により撮像する。このとき、水溶性フィルム５を透視して半導体ウェハ１の回路形成面の回路パターンや認識マークなどを撮像することができる。そして撮像結果を認識部２５によって認識処理することにより、半導体ウェハ１の位置や回路パターンの配列を検出できるようになっている。
【００４２】
レーザー発生部２３、認識部２５、移動機構２６は制御部２４によって制御され、制御部２４が操作・入力部２１からの操作指令に基づきこれら各部を制御する際には、ワークデータ記憶部２２に記憶されたデータが参照される。ワークデータ記憶部２２には、ストリート、すなわち隣接する半導体素子相互を区分する境界線の位置に関するデータや、ストリート幅、すなわち図２（ａ）に示す溝８の幅に関するデータが記憶されている。ワークデータ記憶部２２へのデータ書き込みは、操作・入力部２１によって行えるようになっている。
【００４３】
このレーザー光照射手段６によって半導体ウェハ１を対象としたレーザー加工を実行する際には、制御部２４は、認識部２５によって検出された半導体ウェハ１の実際の位置と、ワークデータ記憶部２２に記憶されたストリートの位置を示すデータに基づき、移動機構２６を制御する。これにより、移動機構２６はレーザー照射部２９を半導体ウェハ１の上面においてストリートに沿って移動させる。そして制御部２４が溝８の幅に関するデータに基づいてレーザー発生部２３を制御することにより、レーザー照射部２９から溝８の幅に応じた除去幅で水溶性フィルム５を除去するのに適切な出力のレーザー光７が照射される。そしてこのレーザー加工により、半導体ウェハ１表面の水溶性フィルム５において半導体素子相互を区分する溝８のみが除去されたマスクパターンが形成される。
【００４４】
溝８は、パターン面２のストリートに沿って設けられた水溶性フィルム５が切断された箇所のことをいい、半導体ウェハ１が露出している。
【００４５】
プラズマエッチング装置１０は、図５に示すような、半導体ウェハ１に対してドライエッチングを行う装置である。
【００４６】
図５において、真空チャンバ３１の内部はプラズマ処理を行うための密閉された処理空間となっており、高周波側電極３２、ガス供給電極３３が対向して配置されている。高周波側電極３２には半導体ウェハ１が周囲を絶縁リング３５により囲まれ載置され真空吸引、又は静電吸引により保持されている。ガス供給電極３３に設けられたガス供給孔３６には制御バルブ３７を介してプラズマ発生用ガス供給部３８によりフッ素系のプラズマ発生用ガスが供給される。供給されたプラズマ発生用ガスは、ガス供給電極３３の下面に装着された多孔質プレート３９を介して高周波側電極３２上の半導体ウェハ１に対して均一に吹き付けられる。
【００４７】
この状態で、高周波電源部４０を駆動して高周波側電極３２に高周波電圧を印加することにより、ガス供給電極３３と高周波側電極３２との間にはフッ素系ガスのプラズマが発生し、これにより半導体ウェハ１のストリート部分のみをプラズマエッチングによって除去するプラズマダイシングが行われる。このプラズマダイシング過程においては、冷却ユニット４１を駆動して冷媒を高周波電極３２内に循環させ、プラズマの熱によって半導体ウェハ１が昇温するのを防止する。
【００４８】
支持固定用テープ１２は、ピックアップ工程において良好なピックアップ性や場合によってはエキスパンド性等も求められるため、ダイシングテープを用いるのが好ましい。
【００４９】
支持固定用テープの粘着剤層１３は、ダイシングテープに用いられる一般的な粘着剤を用いることが可能であり、好ましくは、紫外線の照射により硬化する接着剤を用いる。
【００５０】
リングフレーム１４、ピン１５、コレット１６は、一般的な半導体ウェハの処理工程において用いられるものを用いることができる。
【００５１】
第１の実施の形態によれば、ダイシングブレードを用いずに半導体ウェハ１を切断するため、チッピングの発生を抑えてダイシングすることができる。
【００５２】
また、第１の実施の形態によれば、水溶性フィルム５をエッチングのマスクとして用いることで、エッチング後のマスクの除去が容易である。また、水溶性フィルム５の貼合により、エッチングのマスクを得ることで、マスクの膜厚が一定となり、エッチング条件などの制御が容易となる。
【００５３】
また、第１の実施形態によれば、それぞれの工程においては、従来、半導体ウェハ加工に用いられている装置を使用することができ、使用条件の制御が容易である。
【００５４】
次に、第２の実施形態について説明する。図６〜図８は、第２の実施形態にかかる半導体ウェハの処理方法を断面概略図を用いて説明する図である。以下の実施形態で第１の実施形態と同一の様態を果たす要素には同一の番号を付し、重複した説明は避ける。
【００５５】
図６（ａ）に示すように、水溶性フィルム５と半導体ウェハ裏面研削用の表面保護テープ３とを粘着剤層４を介して積層する。
【００５６】
次に、図６（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１のパターン面２側に、水溶性フィルム５を介して表面保護テープ３を貼合する。水溶性フィルム５はパターン面２に加熱により貼合する。
【００５７】
次に、第１の実施形態と同様に、図６（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１の非パターン面を研削する。
【００５８】
次に、第１の実施形態と同様に、図７（ａ）に示すように、半導体ウェハ１の非パターン面を支持固定用テープ１２を用いてリングフレーム１４に固定する。
【００５９】
次に、第１の実施形態と同様に、図７（ｂ）に示すように、表面保護テープ３の粘着剤層４と水溶性フィルム５との層間で剥離を行い、表面保護テープ３を除去する。
【００６０】
次に、第１の実施形態と同様に、図７（ｃ）に示すように、レーザー光照射手段６から照射されたレーザー光７により、半導体ウェハ１のストリートに沿って、水溶性フィルム５を切断し、図８（ａ）に示されるように溝８を入れる。また、水溶性フィルム５の好ましい切断手段については、第１の実施形態における好ましい切断手段と同様である。
【００６１】
次に、第１の実施形態と同様に、図８（ｂ）に示されるように、プラズマエッチング装置１０においてプラズマ９による処理を行い、溝８においてむき出しにされた半導体ウェハ１をエッチングし、チップに個片化する。
【００６２】
次に、第１の実施形態と同様に、図８（ｃ）に示すように、水あるいは温水１１にて洗浄を行うことにより水溶性フィルムの溶解・除去を行う。
【００６３】
次に、第１の実施形態と同様に、図８（ｄ）に示すように、個別化された半導体ウェハ１のチップは、ピックアップ工程に移される。
【００６４】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を有するのに加えて、貼合工程を簡略化できるという効果を有する。第１の実施形態においては、半導体ウェハ１に対して表面保護テープ３を貼合し、さらに水溶性フィルム５を貼合するため、貼合工程が２回である。一方、第２の実施形態においては、表面保護テープ３と水溶性フィルム５を積層したフィルムを貼合するため、貼合工程が１回である。よって、第２の実施形態では、第１の実施形態に比べて、貼合工程を１回に簡略化できる。
【００６５】
以上、添付図面を参照しながら、本発明にかかる半導体ウェハの処理方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しえることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【実施例】
【００６６】
以下、実施例に基づき、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。
【００６７】
直径８インチのシリコンウェハのパターン面側にウェハと略同径となるように紫外線（ＵＶ）硬化型表面保護テープ（ＳＰ−５７５Ｂ−１５０（古河電気工業株式会社製））を貼合し、バックグラインダー（ＤＦＤ８５４０（株式会社ディスコ製））にてウェハ厚が５０μｍになるまで研削した。次いで、研削されたウェハ裏面側にウェハと略同径になるように水溶性フィルム（水溶性プラスチックフィルム（アイセロ化学株式会社製））を加熱貼合した。次いでシリコンウェハのパターン面側のストリート部に沿って、ＣＯ２レーザーマーカーを用いて水溶性フィルムを切断した。
【００６８】
その後、水溶性フィルムを貼合した面側からプラズマ照射しエッチングして、ウェハをダイシングしてチップに分割した。プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６及びＯ２の混合ガスを用い、０．５μｍ／ｓのエッチングレートでプラズマエッチングを行った。プラズマエッチングには、図５の説明図で示されるプラズマエッチング装置を用いた。
【００６９】
プラズマエッチング後、６０℃〜８０℃の温水を用いてエッチング後の非パターン面から水溶性フィルムを溶解・除去した。シリコンがむき出しになったチップ裏面にＵＶ硬化型ダイシングテープ（ＵＣ−３５３ＥＰ−１１０（古河電気工業株式会社製））を貼合した。
【００７０】
更に、ＵＶ硬化型ダイシングテープをリングフレームにて支持固定し、更にパターン面側のＵＶ硬化型表面保護テープに、ＵＶを照射し、剥離させた。その後、ダイシングテープ側からＵＶを照射しダイシングテープの粘着力を低減させ、ピックアップ工程にて、チップをピックアップした。
【００７１】
ピックアップ後のチップをチェックしたところ、チッピングは観測されなかった。また、良好にピックアップすることができた。
【符号の説明】
【００７２】
１………半導体ウェハ
２………パターン面
３………表面保護テープ
４………表面保護テープの粘着剤層
５………水溶性フィルム
６………レーザー光照射手段
７………レーザー光
８………溝
９………プラズマ
１０………プラズマエッチング装置
１１………水あるいは温水
１２………支持固定用テープ
１３………支持固定用テープの粘着剤層
１４………リングフレーム
１５………ピン
１６………コレット
２１………操作・入力部
２２………ワークデータ記憶部
２３………レーザー発生部
２４………制御部
２５………認識部
２６………移動機構
２７………移動プレート
２８………カメラ
２９………ウェハ保持部
３１………真空チャンバ
３２………高周波側電極
３３………ガス供給電極
３５………絶縁リング
３６………ガス供給孔
３７………制御バルブ
３８………プラズマ発生用ガス供給部
３９………多孔質プレート
４０………高周波電源部
４１………冷却ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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