(57)【要約】【課題】中継配線基板を製造する際の材料利用効率が高く、また中継配線基板を整列する必要が無い、中継配線基板の製造方法の提供。【解決手段】少なくとも耐熱性の基材と接着剤層と保護フィルムとからなる多面付けの中継配線基板の製造方法において、該耐熱性の基材の厚みのすべてと、接着剤層の厚みのすべてと、保護フィルムの厚みの一部を、耐熱性の基材側から厚み方向に切断することにより、耐熱性の基材と接着剤層までを完全に切断し、保護フィルムは厚さ方向に完全に切断しない。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも耐熱性の基材上に接着剤層と保護フィルムとをこの順に形成してなる多面付けの中継配線基板の製造方法において、該耐熱性の基材の厚みのすべてと、接着剤層の厚みのすべてと、保護フィルムの厚みの一部を、耐熱性の基材側から厚み方向に切断することにより、耐熱性の基材と接着剤層までを完全に切断し、保護フィルムは厚さ方向に完全に切断しないことを特徴とする中継配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記耐熱性の基材と前記接着剤層を完全に切断し、更に前記保護フィルムを厚さ方向に切り込む際の厚み方向の深さを５μｍ以上にすることを特徴とする請求項１に記載の中継配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記耐熱性の基材と前期接着剤層を切断する際の切断代が０．１ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項１と請求項２に記載の中継配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに１項に記載の中継配線基板の製造方法を用いてなることを特徴とする中継配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の中継配線基板をリードフレームに貼りあわせてなることを特徴とする複合リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合リードフレームの製造方法に関し、特に中継配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの小型化に伴い、半導体チップのボンディングピッチが狭小化しているが、インナーリードの微細化には限界があり、その解決策として複合リードフレームが使用されるようになってきている。
【０００３】
複合リードフレームとは、半導体チップとインナーリードの中間に、中継用の配線パターンを有する配線基板を設置することにより、半導体チップと中継配線基板間および中継配線基板とインナーリード間でのワイヤボンディングを可能にしたものである。
【０００４】
このような複合リードフレームを製造する工程として、中継配線基板を、絶縁性基板上に導体配線パターンを多面付けする工程を経て作製後に、金型を用いて個々の中継配線基板を打ち抜き、その後、リードフレームのダイパッドの周囲を取り巻く位置に、接着剤などを介して貼りあわせる、という方法が使用されてきた。
【０００５】
多面付けされていた中継配線基板を金型で打ち抜くと、個々の中継配線基板は一度バラバラの状態になる。
【０００６】
その為、リードフレームの所定の位置に中継配線基板を貼りあわせる場合に、あらためてバラバラになった中継配線基板を整列させる工程が必要になるという問題があった。
【０００７】
また、金型を用いて多面付けされた中継配線基板を打ち抜く場合、打ち抜きマージンとしてパンチの幅とパンチとダイスのクリアランスを含め、通常１ｍｍ以上を必要とし、材料の利用効率が悪いという問題があった。
【０００８】
以下に先行技術文献を示す。
【特許文献１】特開平７−２９７３４８号公報
【特許文献２】特開２００１−１３５７６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、中継配線基板を製造する際の材料利用効率が高く、また中継配線基板を整列する必要が無い、中継配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の本発明は、少なくとも耐熱性の基材と接着剤層と保護フィルムとからなる多面付けの中継配線基板の製造方法において、該耐熱性の基材の厚みのすべてと、接着剤層の厚みのすべてと、保護フィルムの厚みの一部を、耐熱性の基材側から厚み方向に切断することにより、耐熱性の基材と接着剤層までを完全に切断し、保護フィルムは厚さ方向に完全に切断しないことを特徴とする中継配線基板の製造方法である。
【００１１】
請求項２に記載の本発明は、前記耐熱性の基材と前記接着剤層を完全に切断し、更に前
記保護フィルムを厚さ方向に切り込む際の厚み方向の深さを５μｍ以上にすることを特徴とする請求項１に記載の中継配線基板の製造方法である。
【００１２】
請求項３に記載の本発明は、前記耐熱性の基材と前期接着剤層を切断する際の切断代が０．１ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項１と請求項２に記載の中継配線基板の製造方法である。
【００１３】
請求項４に記載の本発明は、請求項１〜請求項３のいずれかに１項に記載の中継配線基板の製造方法を用いてなることを特徴とする中継配線基板である。
【００１４】
請求項５に記載の本発明は、請求項４に記載の中継配線基板をリードフレームに貼りあわせてなることを特徴とする複合リードフレームである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の複合リードフレーム用中継配線基板の製造方法により、中継配線基板に用いる基板材料の利用効率を向上することが可能となる。また、中継配線基板をリードフレームに貼りあわせる際に必要だった中継配線基板を整列させる工程が不要となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明である複合リードフレーム用中継配線基板の製造方法を実施の形態に沿って図１〜図７を参照しながら詳細に説明する。なお図１〜図６は本発明の実施例の一つである。
【００１７】
図１と図２は、ビク型と呼ばれる加工方法を用いて中継配線基板２０をハーフカットする本発明の主要な部分を示している。図１は、耐熱性の基材４の片方の面に中継配線基板２０における配線部が形成され、その裏面に接着剤層５と保護フィルム層６が形成された状態の断面を示しているが、それをビク型に設置されたトムソン刃１がハーフカットする前の状態を示している。
【００１８】
図２は、耐熱性の基材４に形成された中継配線基板２０がハーフカットされた状態の断面を示している。ハーフカットは、耐熱性の基材４と接着剤層３を切断し、更に保護フィルム層６の一部まで切断している状態を示している。
【００１９】
本発明の特徴は将にこの点にある。ビク型による中継配線基板２０の切断は、耐熱性の基材４と接着剤層３だけでなく、保護フィルム層６の一部まで切り抜くことが特徴である。
【００２０】
従来から使用されている打ち抜き加工では、完全に中継配線基板２０が切断される為、耐熱性の基材４の表面に形成された中継配線基板２０は個々に断裁された状態になる。次工程では個々に断裁された中継配線基板２０をまず一定方向に整列させる必要があった。しかし本発明では、多面付けされた中継配線基板２０は、保護フィルム層６の一部までのハーフカットがなされている為、断裁されずに、多面付け状態で整列したままの状態が保持されている。
【００２１】
図３は、従来の打ち抜き加工に使用する中継配線基板２０が多面付けされた状態を示しているが、これは図４の本発明になるビク型を用いたハーフカット方式用の中継配線基板２０の多面付けの配置状況と比べ、一定の面積に配置できる中継配線基板２０の数量が後者の方が多いことは明らかである。
【００２２】
図５は、多面付けされた中継配線基板２０が本発明の方法によりハーフカットされた状態のものを中継配線基板２０をリードフレーム２１に接着・搭載する装置に装着し、装置
の吸着治具２２により中継配線基板２０が吸着され、リードフレーム２１の所定の位置に接着剤層３を介して貼りあわされている状況を示す概念図である。多面付けされた中継配線基板２０を打ち抜いた場合は、まずバラバラになった個々の中継配線基板２０を整列させる工程が必要となるが、本発明では、その工程が不要である。
【実施例】
【００２３】
上記の発明について具体的な実施例を以下に示すが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００２４】
耐熱性の基材として片面銅貼りポリイミドフィルム（Ｃｕ１８μｍ／米国のデュポン社製のカプトンＥＮ５０μｍt）を用い、多層プリント配線板の製造技術を用いて、銅箔をフォトエッチング法によりエッチング加工し、所望の中継配線基板が１２面付けされたパターンを得た。その後、銅箔が無い面にエポキシ系の接着剤が１５μｍの厚さで形成されたＰＥＴフィルム（厚さ３８μｍ）を保護フィルムとしてラミネートした。１つ１つの中継配線基板のパターン間に配置したビク型を用いた加工のハーフカット用スペースは、０．３ｍｍとした。トムソン刃１は厚さ０．２ｍｍのものを使用した。
【００２５】
ビク型を用いた加工の方法としては、１２面付けを１回のハーフカット処理で加工する方法と加工される多面付けされた基材を必要なピッチだけ送ってトムソン刃によりハーフカットする方法がある。ここでは前者の場合を説明する。
【００２６】
図４に示した１２面付けの個々の中継配線基板のパターンの端部から０．１５ｍｍの位置に０．２ｍｍの厚みのトムソン刃を配置したビク型を作製した。０．２ｍｍの厚みを採用した理由は、０．１ｍｍ未満ではトムソン刃が折れやすくなる傾向があるからである。また０．４ｍｍ以上の厚みになると、打ち抜き加工と比較した材料の有効利用のメリットが薄れてくるからである。以上から０．２ｍｍの厚みのトムソン刃を選択した。
【００２７】
作製したビク型を多面付けされた中継配線基板に位置合わせしてプレスし、ハーフカット加工する装置に、多面付けされた中継配線基板とビク型を装着し、ビク型と多面付けされた中継配線基板を位置合わせした後、ハーフカット処理が良好に実施できる位置までビク型を押圧することにより、ハーフカット処理が完了した。
【００２８】
ハーフカットされた中継配線基板が吸着装置により良好に吸着され、搬送されて行く為には、ハーフカットが適切に行われている必要がある。具体的には、銅箔層が接着されている耐熱性の基材であるポリイミドフィルム（厚さ５０μｍt）と接着剤層（厚さ１５μｍt）と保護フィルムであるＰＥＴフィルム（厚さ３８μｍt）のうち、ポリイミドフィルムと接着剤層は完全に切断されている必要がある。更に、良好に吸着装置が中継配線基板を吸着できる為には、保護フィルムであるＰＥＴフィルム層は約１５μｍの深さまで切り込みを入れることで、良好に吸着ができた。
【００２９】
保護フィルム層（本実施例の場合は、ＰＥＴフィルム）の切り込み深さは、経験的に、５μｍ以上、好ましくは８μｍ以上の範囲にある場合に、良好に吸着以降の工程を良好に実施できることが分かっている。
【００３０】
保護フィルムの切り込みの深さを５μｍ以上の範囲で選択する根拠は、機械の加工精度が±５μｍが限界であるからである。保護フィルムの切り込み深さを５μｍに設定しても、ビク型を多面付けされた中継配線基板に押圧してハーフカットする装置の機械精度も±５μｍが限界である為、実際に保護フィルムが切り込まれる深さは、０μｍ〜１０μｍの範囲でばらつく。実用上は、機械精度が悪化する可能性があるため、８μｍ以上に設定することが好ましい。また、保護フィルムの未切断の部分を１０μｍ程度以上残すことで切断・分離させないことも必要であるので、３８μｍの厚さの保護フィルムの場合、切り込み深さは２８μｍが好ましい。
【００３１】
次に、ハーフカット処理が完了した多面付けされた中継配線基板を、リードフレームへの貼り付け装置に装着した。この装置により、ハーフカットされた中継配線基板を吸着装置により１つ１つ吸着・搬送し、リードフレームの所望の位置に位置合わせして、継配線基板を貼り付けることができた。
【００３２】
以上のようにして、リードフレームの所望の位置に、中継配線基板を貼り付けることにより、複合リードフレームが完成した。
＜比較例＞
多面付けされた中継配線基板を１つ１つの中継配線基板にする方法として、パンチとダイスを用いた打ち抜き法を用いることができる。この場合、パンチの厚みとダイスとのクリアランスを合わせて、１ｍｍ以上が必要となる。従って多面付けされた中継配線基板のパターン間のスペースを１ｍｍ以上あけてパターニングする必要がある。この多面付けされた中継配線基板をパンチとダイスを使用して打ち抜き加工すると１つ１つの中継配線基板がバラバラになって打ち抜かれる。その為、次の工程であるリードフレームへの貼り合わせ工程の前に、バラバラになった中継配線基板を整列させる工程が必要となる。その他は、実施例で説明した内容と同等である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施例によるトムソン刃１を用いた中継配線基板２０のハーフカット方法を示す概念図である。
【図２】本発明の図１に示すトムソン刃１を用いた中継配線基板２０のハーフカット方法によるハーフカットされた中継配線基板２０の断面図である。
【図３】従来の方法による耐熱性の基材４に配置された中継配線基板２０の配置状況を示す平面図である。
【図４】本発明の方法による耐熱性の基材４に配置された中継配線基板２０の配置状況を示す平面図である。
【図５】リードフレーム２１上の所定の位置に中継配線基板２０が配置された複合リードフレームの一例を示す平面図である。
【図６】本発明の方法によるハーフカットされた中継配線基板２０を吸着治具２２により中継配線基板２０を吸着後、リードフレーム２１に貼りあわせる工程の概念を示す断面図である。
【図７】耐熱性の基材４に形成された中継配線基板２０をパンチとダイスを用いて打ち抜き加工する方法の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…トムソン刃
２…銅箔層
３…接着剤層
４…耐熱性の基材
５…接着剤層
６…保護フィルム層
７…ダイス（金型）
８…パンチとダイスのクリアランス
１１…パンチ（金型）
２０…中継配線基板
２１…リードフレーム
２２…吸着治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010050325.tif 000007
【図６】
2010050325.tif 000008
【図７】
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