(57)【要約】【課題】磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の最適な供給電力を効率良く決定する。【解決手段】ＭＰＵ１が、ＲＤＣ２から、磁気記憶媒体５からのデータ読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値を第１のゲイン値として取得し、磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値を第２のゲイン値として取得する。そして、ＭＰＵ１が、第１のゲイン値と第２のゲイン値との比較結果に基づいて、磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時における磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力を制御する。【選択図】図１
2010033665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する磁気記憶装置であって、
磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を設定する供給電力設定手段と、
磁気記憶媒体からのデータ読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値を第１のゲイン値として取得し、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値を第２のゲイン値として取得するゲイン値取得手段とを備え、
前記供給電力設定手段が、前記第１のゲイン値と前記第２のゲイン値との比較結果に基づいて、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する
ことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２】
前記供給電力設定手段が、前記第２のゲイン値が前記第１のゲイン値に一致するように、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記供給電力設定手段が、前記第２のゲイン値と前記第１のゲイン値との差が予め定められたゲイン値の範囲内に入るように、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
磁気記憶装置における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法であって、
磁気記憶媒体からのデータ読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値を第１のゲイン値として取得し、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値を第２のゲイン値として取得し、
前記第１のゲイン値と前記第２のゲイン値との比較結果に基づいて、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する
ことを特徴とする磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法。
【請求項５】
前記第２のゲイン値が前記第１のゲイン値に一致するように、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する
ことを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法。
【請求項６】
前記第２のゲイン値と前記第１のゲイン値との差が予め定められたゲイン値の範囲内に入るように、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する
ことを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する磁気記憶装置及び磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ヘッドにヒータやピエゾ素子などを埋め込み、埋め込まれたヒータやピエゾ素子などに与える信号を制御することで、磁気ヘッド毎に浮上量を変更できる磁気記憶装置（例えば、磁気ディスク装置）が提案されている。
【０００３】
上記磁気記憶装置では、例えば磁気ヘッドに埋め込まれたヒータに供給する電力量を増加させると、磁気ヘッドが設けられたスライダーが、ヒータの加熱に伴って膨張等することによって、磁気ヘッドの浮上量が減少する。また、ヒータに供給する電力量を減少させると、スライダーの膨張度合いが減少することによって、磁気ヘッドの浮上量が増加する。
【０００４】
ここで、データのリード時における、磁気ヘッドの浮上量制御用の最適な供給電力の決定方法については、各種の公知技術がある。一方、データのライト時について、データのリード時と同じ浮上量にするために、リード時においてスライダー内のヒータに供給される最適な供給電力から、ある特定の磁気ヘッドに供給されるライト電流に対応する電力量を引くことによって得られる電力を、全ての磁気ヘッドについての、ライト時においてヒータに供給すべき供給電力として決定する従来技術が提案されている。
【０００５】
図６は、従来技術を説明する図である。図６（Ａ）は、データのリード時において最適な供給電力が、ある特定の磁気ヘッドのスライダー内のヒータに供給された場合の、磁気ヘッドの浮上量の変化量を示す。図６（Ａ）の斜線部は、ヒータの加熱に伴って膨張したスライダーの部分を示す（図６（Ｂ）において同じ）。スライダーに設けられた磁気ヘッド素子の位置は、該スライダーの膨張に伴って、下方に移動する。磁気ヘッドの浮上量の変化量は、図６（Ａ）に示すａである。図６（Ｂ）は、従来技術により決定されるデータのライト時の最適な供給電力による磁気ヘッドの浮上量の変化量を示す図である。従来技術は、図６（Ａ）に示す磁気ヘッドの浮上量の変化量ａをもたらす供給電力（データのリード時における最適な供給電力）からライト電流に対応する電力を引いて得られる電力を、ヒータへ電力供給する対象とする全ての磁気ヘッドについての、データのライト時の最適な供給電力として決定する。該決定されたライト時の供給電力をスライダー内のヒータに供給すると、磁気ヘッドの浮上量は、図６（Ｂ）中に示すように、図６（Ａ）を参照して前述したデータのリード時の磁気ヘッドの浮上量ａと同じ浮上量となる。図６（Ｂ）中のｂは、ライト電流による発熱に伴う磁気ヘッドの浮上量の変化量である。
【０００６】
なお、データのライト時にヒータの印加される電流とＡＧＣ利得値との対応情報を測定し、該測定結果に基づいて、ヒータの消費電力と磁気ヘッドの浮上量との対応情報を算出することによって、ライト時にヒータに印加する最適な電流値を計算する方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開２００６−１９０４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
データのリード時における最適な供給電力から、ある特定の磁気ヘッドに供給されるライト電流に対応する電力を引くことによって得られる電力を、全ての磁気ヘッドについての、データのライト時においてヒータに供給すべき供給電力として決定する従来技術では、個々の磁気ヘッドについての最適な供給電力を決定することができない。
【０００８】
また、上述した特許文献１が提案する技術では、データのライト時にヒータに印加される電流とＡＧＣ利得値との対応情報を測定し、さらに、該測定結果に基づいて、ヒータの消費電力と磁気ヘッドの浮上量との対応情報を算出するという複雑な処理が必要となる。また、上記特許文献１が提案する技術は、磁気ヘッドとディスクとが接触されるまでＡＧＣ利得値を検出するので、磁気ヘッドの耐久性に悪影響が及ぶおそれがある。
【０００９】
本発明は、磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の最適な供給電力を効率良く決定する磁気記憶装置の提供を目的とする。
【００１０】
また、本発明は、磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の最適な供給電力を効率良く決定する磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本磁気記憶装置は、磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する磁気記憶装置であって、磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を設定する供給電力設定手段と、磁気記憶媒体からのデータ読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値を第１のゲイン値として取得し、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値を第２のゲイン値として取得するゲイン値取得手段とを備え、前記供給電力設定手段が、前記第１のゲイン値と前記第２のゲイン値との比較結果に基づいて、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する。
【００１２】
また、本磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法は、磁気記憶装置における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法であって、磁気記憶媒体からのデータ読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値を第１のゲイン値として取得し、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値を第２のゲイン値として取得し、前記第１のゲイン値と前記第２のゲイン値との比較結果に基づいて、前記磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する。
【発明の効果】
【００１３】
本磁気記憶装置、本磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法は、磁気記憶媒体からのデータ読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値と磁気記憶媒体へのデータ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値との比較結果に基づいて、磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を制御する。すなわち、本磁気記憶装置、本磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法は、測定値を容易に得ることができるサーボ信号のゲイン値を用いて、磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力を決定する。従って、本磁気記憶装置、本磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御方法によれば、磁気記憶媒体へのデータ書き込み時における磁気ヘッドの浮上量制御用の最適な供給電力を効率良く決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本実施形態の磁気記憶装置の構成例を示す図である。図１では、本実施形態の磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御処理に必要な構成を示している。図１に示す磁気記憶装置は、例えば、磁気ディスク装置である。該磁気記憶装置は、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）１、ＲＤＣ（ReadChannel） ２、プリアンプ３、磁気ヘッド４を備える。ＭＰＵ１は、図示を省略する周知のＨＤＣ（Hard Disk Controller）を制御して、磁気ヘッド４を介した磁気記憶媒体（例えば、磁気ディスク）５からのデータの読み出し（リード）と磁気記憶媒体５へのデータの書き込み（ライト）を制御する。また、ＭＰＵ１は、ＲＤＣ２が備えるＡＧＣ２１から、磁気ヘッド４を介した磁気記憶媒体５からのデータ読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値を第１のゲイン値として取得する。なお、上記データ読み出し時におけるサーボ信号は、予め定められたデータ読み出し時に対応する最適な供給電力が磁気ヘッド４に供給された状態で磁気ヘッド４によって読み出されたサーボ信号である。
【００１５】
具体的には、ＭＰＵ１は、ＡＧＣ２１内のレジスタ２１１から上記第１のゲイン値を抽出して取得する。また、ＭＰＵ１は、ＡＧＣ２１から、磁気ヘッド４を介した磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値を第２のゲイン値として取得する。具体的には、ＭＰＵ１は、ＡＧＣ２１内のレジスタ２１１から上記第２のゲイン値を抽出して取得する。すなわち、ＭＰＵ１は、磁気記憶媒体５からのデータ読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値を第１のゲイン値として取得し、磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値を第２のゲイン値として取得するゲイン値取得手段である。ＭＰＵ１は、上記第１のゲイン値と第２のゲイン値との比較結果に基づいて、磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時における磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力の値を決定する。磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力の値は、後述する図２中に示すスライダー内のヒータ４２に供給する供給電力の値である。また、ＭＰＵ１は、上記決定された供給電力の値を、プリアンプ３が備える電力コントローラ３１に設定する。すなわち、ＭＰＵ１は磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力を設定する供給電力設定手段である。ＭＰＵ１は、例えば、第２のゲイン値が第１のゲイン値に一致するように、磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時における磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力を制御する。
【００１６】
ここで、ＭＰＵ１による磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時における磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力の決定原理について説明する。磁気ヘッドの浮上と波形振幅との関係を表すＷａｌｌａｃｅの方程式によれば、磁気ヘッドが浮上している２つの状態の各々について波形振幅を測定すると、波形振幅の比は浮上の差分と比例することが示される。また、ＡＧＣによるサーボ信号のゲイン値が等しければ波形振幅も等しい。以上から、サーボ信号のゲイン値が一致すれば浮上量も一致することになる。また、前述した第１のゲイン値は、予め定められたデータ読み出し時に対応する最適な供給電力が磁気ヘッド４に供給された状態で磁気ヘッド４によって読み出されたサーボ信号のゲイン値である。そこで、ＭＰＵ１は、上記第２のゲイン値が第１のゲイン値に一致するように磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時における磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力を決定する。このようにして決定された供給電力を用いることにより、データ書き込み時の磁気ヘッド４の浮上量をデータ読み出し時の磁気ヘッド４の浮上量と一致させることができる。該データ読み出し時の磁気ヘッド４の浮上量と一致するデータ書き込み時の磁気ヘッド４の浮上量をもたらす供給電力が、磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時における最適な磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力である。
【００１７】
なお、ＭＰＵ１が、第２のゲイン値と第１のゲイン値との差が予め定められたゲイン値の範囲内に入るように、磁気記憶媒体５へのデータ書き込み時における磁気ヘッド４の浮上量制御用の供給電力を制御するようにしてもよい。
【００１８】
ＲＤＣ２は、磁気記憶媒体５へのデータの書き込み時及び磁気記憶媒体５からのデータの読み出し時に磁気ヘッド４によって読み出されたサーボ信号をプリアンプ３を介して受信し、受信したサーボ信号の振幅を一定にするためのゲインの値（サーボ信号のゲイン値）を決定し、決定したゲイン値をレジスタ２１１に記憶する。なお、ＲＤＣ２は、周知のように、上記ゲイン値を用いて振幅が一定となったサーボ信号をフィルタ２２でフィルタリングし、Ｅｎｄｅｃ２３でデコードして、ＭＰＵ１に送信する。ＭＰＵ１は、送信されたサーボ信号に基づいて、周知のように磁気ヘッド４の位置決め制御を行う。
【００１９】
プリアンプ３は、周知のように、磁気ヘッド４によって読み出されたサーボ信号を増幅してＲＤＣ２に送信する。また、プリアンプ３は、電力コントローラ３１を備える。該電力コントローラ３１は、上記ＭＰＵ１によって設定された値の供給電力を磁気ヘッド４内のヒータ４２に供給して、加熱させる。図２を参照して後述するように、ヒータ４２の加熱により磁気ヘッド４のスライダー４１が膨張することを通じて、磁気ヘッド４の浮上量が制御される。磁気ヘッド４は、磁気記憶媒体５へのデータの書き込みと磁気記憶媒体５からのデータの読み出しを実行する。
【００２０】
図２は、磁気ヘッドの浮上量の制御について説明する図である。図２中の４１は、本実施形態の磁気記憶装置が備える磁気ヘッド４のスライダーである。該スライダー４１に、磁気ヘッド素子４３とヒータ４２とが設けられている。図２（Ａ）はヒータ４２に電力が供給される前の磁気ヘッド４の状態の例を示し、図２（Ｂ）はヒータ４２に電力が供給された時の磁気ヘッド４の状態の例を示す。図１中に示す電力コントローラ３１が、図２（Ａ）中に示すヒータ４２に電力を供給すると、ヒータ４２が加熱する。ヒータ４２が加熱することによって、図２（Ｂ）中の斜線部に示すように、スライダー４１が下方（磁気記憶媒体５が配置されている方向）に膨張し、該スライダー４１の膨張に伴って、磁気ヘッド４の浮上量が変更される（図２（Ｂ）中に示す例では、磁気ヘッド４の浮上量が小さくなる）。すなわち、ヒータ４２に供給される電力量が増加すると、スライダー４１の膨張量が大きくなって磁気ヘッド４の浮上量が小さくなり、ヒータ４２に供給される電力量が減少すると、スライダー４１の膨張量が小さくなって磁気ヘッド４の浮上量が大きくなる。
【００２１】
図３は、本実施形態の磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御処理フローの例を示す図である。まず、プリアンプ３の電力コントローラ３１が、磁気ヘッド４内のヒータ４２に対して、予め決められたデータ読み出し時の最適な値の電力を供給する（ステップＳ１）。次に、ＭＰＵ１が、データの読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値（第１のゲイン値）をＡＧＣ２１内のレジスタ２１１から取得する（ステップＳ２）。ＭＰＵ１が、データ書き込み時におけるヒータ４２に対する供給電力の値を電力コントローラ３１に設定する（ステップＳ３）。ＭＰＵ１が、データ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値（第２のゲイン値）をレジスタ２１１から取得する（ステップＳ４）。ＭＰＵ１が、第２のゲイン値と第１のゲイン値とを比較する（ステップＳ５）。具体的には、ＭＰＵ１が、第２のゲイン値と第１のゲイン値とが等しいか、第２のゲイン値が第１のゲイン値より小さいか、又は第２のゲイン値が第１のゲイン値より大きいかを判断する。
【００２２】
ＭＰＵ１が、第２のゲイン値が第１のゲイン値と等しいと判断した場合は、ＭＰＵ１は、現時点におけるデータ書き込み時における供給電力を、データ書き込み時の最適な供給電力として決定し（ステップＳ６）、処理を終了する。ＭＰＵ１が、第２のゲイン値が第１のゲイン値より大きいと判断した場合、ＭＰＵ１は、データ書き込み時における供給電力の値を増加させて（ステップＳ７）、上記ステップＳ３に戻る。第２のゲイン値が第１のゲイン値より大きいということは、データ書き込み時における磁気記憶媒体５の浮上量が、データ読み出し時における磁気記憶媒体５の浮上量より大きいことを意味するので、ＭＰＵ１は、データ書き込み時における供給電力の値を増加させることにより、磁気記憶媒体５の浮上量を下げるのである。
【００２３】
ＭＰＵ１が、第２のゲイン値が第１のゲイン値より小さいと判断した場合、ＭＰＵ１は、データ書き込み時における供給電力の値を減少させて（ステップＳ８）、上記ステップＳ３に戻る。第２のゲイン値が第１のゲイン値より小さいということは、データ書き込み時における磁気記憶媒体５の浮上量が、データ読み出し時における磁気記憶媒体５の浮上量より小さいことを意味するので、ＭＰＵ１は、データ書き込み時における供給電力の値を減少させることにより、磁気記憶媒体５の浮上量を上げるのである。
【００２４】
図４及び図５は、本実施形態の磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御処理フローの他の例を示す図である。図４に示すように、まず、プリアンプ３の電力コントローラ３１が、磁気ヘッド４内のヒータ４２に対して、予め決められたデータ読み出し時の最適な値の電力を供給する（ステップＳ１１）。次に、ＭＰＵ１が、データの読み出し時におけるサーボ信号のゲイン値（第１のゲイン値）をＡＧＣ２１内のレジスタ２１１から取得する（ステップＳ１２）。ＭＰＵ１が、データ書き込み時におけるヒータ４２に対する供給電力の値を電力コントローラ３１に設定する（ステップＳ１３）。ＭＰＵ１が、データ書き込み時におけるサーボ信号のゲイン値（第２のゲイン値）をレジスタ２１１から取得し（ステップＳ１４）、図５のステップＳ１５に進む。
【００２５】
図５のステップＳ１５において、ＭＰＵ１が、（第１のゲイン値＋ｄｉｆmax ）＜第２のゲイン値であるかを判断する（ステップＳ１５）。ｄｉｆmax は、予め決められた、第１のゲイン値と第２のゲイン値との差の最大許容値である。ＭＰＵ１が、（第１のゲイン値＋ｄｉｆmax ）＜第２のゲイン値であると判断した場合、ＭＰＵ１は、データ書き込み時における供給電力の値を増加させて（ステップＳ１６）、図４のステップＳ１３に戻る。ＭＰＵ１が、（第１のゲイン値＋ｄｉｆmax ）＜第２のゲイン値でないと判断した場合、ＭＰＵ１は、第２のゲイン値＜（第１のゲイン値−ｄｉｆmin ）であるかを判断する（ステップＳ１７）。ｄｉｆmin は、予め決められた、第１のゲイン値と第２のゲイン値との差の最小許容値である。ＭＰＵ１が、第２のゲイン値＜（第１のゲイン値−ｄｉｆmin ）であると判断した場合、ＭＰＵ１は、データ書き込み時における供給電力の値を減少させて（ステップＳ１８）、図４のステップＳ１３に戻る。ＭＰＵ１が、第２のゲイン値＜（第１のゲイン値−ｄｉｆmin ）でないと判断した場合、ＭＰＵ１は、現時点におけるデータ書き込み時における供給電力を最適な供給電力として決定し（ステップＳ１９）、処理を終了する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態の磁気記憶装置の構成例を示す図である。
【図２】磁気ヘッドの浮上量の制御について説明する図である。
【図３】本実施形態の磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御処理フローの例を示す図である。
【図４】本実施形態の磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御処理フローの他の例を示す図である。
【図５】本実施形態の磁気ヘッドの浮上量制御用の供給電力の制御処理フローの他の例を示す図である。
【図６】従来技術を説明する図である。
【符号の説明】
【００２７】
１  ＭＰＵ
２  ＲＤＣ
３  プリアンプ
４  磁気ヘッド
５  磁気記憶媒体
２１  ＡＧＣ
２２  フィルタ
２３  Ｅｎｄｅｃ
３１  電力コントローラ
２１１  レジスタ
【図１】
2010033665.tif 000003
【図２】
2010033665.tif 000004
【図３】
2010033665.tif 000005
【図４】
2010033665.tif 000006
【図５】
2010033665.tif 000007
【図６】
2010033665.tif 000008