(57)【要約】【課題】導電線として機能する内部導電領域のピッチが小さく、絶縁領域の周囲がグランド又は電磁シールドとして機能する導電ハウジングで囲繞され、クロストークが生じることがなく、高周波通信特性が良好で、安定した性能を発揮できるようにする。【解決手段】導電性材料から成る導電ハウジングと、該導電ハウジング内に存在する複数の孤立した絶縁性材料から成る絶縁領域と、各絶縁領域内に存在する導電性材料から成る内側導電領域とを有するコネクタであって、前記導電ハウジングは、相手側コネクタと当接する当接面を備え、各絶縁領域は、１つの面のみが前記当接面に露出して該当接面と面一となり、他の部分が前記導電ハウジング内に埋没するように形成され、各内側導電領域は、１つの面のみが前記絶縁領域の面に露出して該面及び当接面と面一となり、他の部分が前記絶縁領域内に埋没するように形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）導電性材料から成る導電ハウジング（７１）と、
（ｂ）該導電ハウジング（７１）内に存在する複数の孤立した絶縁性材料から成る絶縁領域（２１）と、
（ｃ）各絶縁領域（２１）内に存在する導電性材料から成る内側導電領域（６１）とを有するコネクタ（１）であって、
（ｄ）前記導電ハウジング（７１）は、相手側コネクタと当接する当接面（７６）を備え、
（ｅ）各絶縁領域（２１）は、１つの面（２２）のみが前記当接面（７６）に露出して該当接面（７６）と面一となり、他の部分が前記導電ハウジング（７１）内に埋没するように形成され、
（ｆ）各内側導電領域（６１）は、１つの面（６２）のみが前記絶縁領域（２１）の面（２２）に露出して該面（２２）及び当接面（７６）と面一となり、他の部分が前記絶縁領域（２１）内に埋没するように形成されることを特徴とするコネクタ（１）。
【請求項２】
前記導電ハウジング（７１）には、前記絶縁領域（２１）の外側に外側導電領域（７８）が形成されている請求項１に記載のコネクタ（１）。
【請求項３】
前記絶縁領域（２１）及び内側導電領域（６１）は、当接面（７６）に沿って延在する帯状の領域である請求項１又は２に記載のコネクタ（１）。
【請求項４】
前記絶縁領域（２１）は、前記導電ハウジング（７１）の導電性材料の一部を多孔化した多孔質性の絶縁性材料から成る多孔質絶縁領域であり、
前記内側導電領域（６１）は、前記多孔質絶縁領域に導電性物質を堆積させることによって、該導電性物質が前記多孔質絶縁領域に含浸して形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載のコネクタ（１）。
【請求項５】
前記導電ハウジング（７１）及び絶縁領域（２１）は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ又はＡｌ2 Ｏ3 から成る請求項１〜４のいずれか１項に記載のコネクタ（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コネクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル通信システム、特に、無線デジタル通信システムの発展に伴い、デジタル通信システムにおいて使用される電気素子及び電子素子は、性能が向上するとともに、構造が複雑化している。その結果、帯域幅が広く、サイズが小さい電気素子及び電子素子が製造されている。そして、このような小型の電気素子又は電子素子同士を接続するために、サイズが小さく、信頼性の高い電気コネクタが必要とされている。
【０００３】
従来、電気コネクタは、２個の電気素子又は電子素子を接続するために、多数の電気配線を利用する。この場合、電気コネクタの電極は、通常、２つのグループから成り、各グループの幾何学的パターンが画一的に繰返されている。このような電極のグループは電極配列又は電極アレイと呼ばれ、このような電極のグループが含まれている電気コネクタが電気配列コネクタ又は電気アレイコネクタと呼ばれる。また、電極アレイにおける電極と電極との間の幅が電極ピッチと呼ばれる。
【０００４】
電気配列コネクタが正しく２個の電気素子又は電子素子を接続するためには、電気配列コネクタの一方の電極グループと他方の電極グループとの境界を調整し、対応する電極同士を接触させる必要がある。すなわち、短絡又はオープンというコネクタの機能不全が引起こされないようにするため、一方の電極グループの電極の配列、形状、大きさ等を調整するとともに、他方の電極グループもそれに合わせて調整する必要がある（以下、このような電極の配列、形状、大きさ等を調整することを「境界調整」と言う。）。この条件が満足されると、電気信号は、一方の電極グループの電極から他方の電極グループの電極へ流れることができる。
【０００５】
従来の電気配列コネクタにおいて、電極及びハウジングは、それぞれ、金属及び電気的絶縁性を備えるプラスチックによって形成される。このように、材料が相違するので、電極の温度膨張係数とハウジングの温度膨張係数とは同一ではない。そのため、電気配列コネクタの環境温度が変化すると、電極グループの境界に影響があり、その結果、電気配列コネクタの機能が不全になる可能性がある。さらに、電極とハウジングとが物理的に異なる部分であるため、電気配列コネクタの接続及び分離の繰返しが電極グループの境界に影響を及ぼし、その結果、電気配列コネクタの機能が不全になる可能性がある。
【０００６】
電気配列コネクタの基本的な幾何学的フォームを維持しながら、電気配列コネクタの全体的なサイズを減少するためには、電極ピッチを狭くすることが１つの方法である。しかし、電極ピッチを狭くすると、電極グループの境界調整の公差が付随的に小さくなるという問題があった。
【０００７】
ところで、半導体装置において、シリコンウェハ上に絶縁層を形成し、さらに、シリコン層を形成してＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）素子を得る技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
図６は従来のシリコンウェハ上に絶縁層及びシリコン層を形成する方法を示す図である。なお、図において、（ａ）〜（ｄ）は各工程を示している。
【０００９】
図６（ａ）に示されるようなシリコンのウェハ８０１にフッ化水素及びエタノールから成る電解質でアノード処理を施すと、図６（ｂ）に示されるように、シリコン基板８１０の上に多孔（こう）性シリコン層８１１が形成されたウェハ８０１を得ることができる。
【００１０】
続いて、イオン注入を行い、前記多孔性シリコン層８１１にＧｅ+ イオン及びＦ+ イオンを注入すると、図６（ｃ）に示されるように、前記多孔性シリコン層８１１上にアモルファスシリコン表皮層８１２が形成される。そして、ウェハ８０１にアニーリング処理を施すことによって、前記アモルファスシリコン表皮層８１２が再結晶化され、図６（ｄ）に示されるように、前記多孔性シリコン層８１１上に実質的に単結晶のシリコン層８１３が生じる。
【００１１】
このようにして、ＳＯＩ素子を得ることができる。
【特許文献１】特表平６−５０２２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、前記特許文献１には、ウェハ８０１上に絶縁層である多孔性シリコン層８１１を形成し、更に単結晶のシリコン層８１３を形成する技術は開示されていても、微細な電気配列を備えるコネクタを作成する技術は何ら開示されていない。
【００１３】
本発明は、前記従来の問題点を解決して、導電ハウジング内に複数の孤立した絶縁領域を形成し、さらに、各絶縁領域内に内側導電領域を形成することによって、導電線として機能する内部導電領域のピッチが小さく、絶縁領域の周囲がグランド又は電磁シールドとして機能する導電ハウジングで囲繞（にょう）され、クロストークが生じることがなく、高周波通信特性が良好で、サイズが小さく、安定した性能を発揮することができるコネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
そのために、本発明のコネクタにおいては、導電性材料から成る導電ハウジングと、該導電ハウジング内に存在する複数の孤立した絶縁性材料から成る絶縁領域と、各絶縁領域内に存在する導電性材料から成る内側導電領域とを有するコネクタであって、前記導電ハウジングは、相手側コネクタと当接する当接面を備え、各絶縁領域は、１つの面のみが前記当接面に露出して該当接面と面一となり、他の部分が前記導電ハウジング内に埋没するように形成され、各内側導電領域は、１つの面のみが前記絶縁領域の面に露出して該面及び当接面と面一となり、他の部分が前記絶縁領域内に埋没するように形成される。
【００１５】
本発明の他のコネクタにおいては、さらに、前記導電ハウジングには、前記絶縁領域の外側に外側導電領域が形成されている。
【００１６】
本発明の更に他のコネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域及び内側導電領域は、当接面に沿って延在する帯状の領域である。
【００１７】
本発明の更に他のコネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は、前記導電ハウジングの導電性材料の一部を多孔化した多孔質性の絶縁性材料から成る多孔質絶縁領域であり、前記内側導電領域は、前記多孔質絶縁領域に導電性物質を堆（たい）積させることによって、該導電性物質が前記多孔質絶縁領域に含浸して形成される。
【００１８】
本発明の更に他のコネクタにおいては、さらに、前記導電ハウジング及び絶縁領域は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ又はＡｌ2 Ｏ3 から成る。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、コネクタは、導電ハウジング内に複数の孤立した絶縁領域が形成され、さらに、各絶縁領域内に内側導電領域が形成されている。これにより、導電線として機能する内部導電領域のピッチが小さく、絶縁領域の周囲がグランド又は電磁シールドとして機能する導電ハウジングで囲繞され、クロストークが生じることがなく、高周波通信特性が良好で、サイズが小さく、安定した性能を発揮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】
図１は本発明の実施の形態におけるコネクタを示す斜視図、図２は本発明の実施の形態におけるコネクタの断面を示す図であり図１のＺ−Ｚ矢視断面図である。
【００２２】
図において、１Ａ及び１Ｂは本実施の形態におけるコネクタとしての第１コネクタ及び第２コネクタであり、例えば、図示されない電気素子又は電子素子同士を電気的に接続するために使用されるものであるが、電気素子又は電子素子と電気ケーブルとを電気的に接続するために使用されてもよく、電気素子又は電子素子と回路基板等の基板とを電気的に接続するために使用されてもよく、電気ケーブル同士を電気的に接続するために使用されてもよく、いかなる用途に使用されるものであってもよい。そして、前記第１コネクタ１Ａと第２コネクタ１Ｂとは互いに双方の相手側コネクタとして機能する。
【００２３】
なお、本実施の形態において、第１コネクタ１Ａと第２コネクタ１Ｂとは互いに同様の構造を有し、第１コネクタ１Ａに付随するものと第２コネクタ１Ｂに付随するものとも互いに同様の構造を有するので、第１コネクタ１Ａ及びそれに付随するものに「第１」の呼称を付すとともに符号の末尾に「Ａ」の文字を追加し、第２コネクタ１Ｂ及びそれに付随するものに「第２」の呼称を付すとともに符号の末尾に「Ｂ」の文字を追加することによって識別を行うこととする。また、第１コネクタ１Ａ及びそれに付随するものと第２コネクタ１Ｂ及びそれに付随するものとを識別することなく説明する場合には、「第１」及び「第２」の呼称並びに「Ａ」及び「Ｂ」の文字を省略することとする。
【００２４】
さらに、本実施の形態において、コネクタ１の各部の構成及び動作を説明するために使用される上、下、左、右、前、後等の方向を示す表現は、絶対的なものでなく相対的なものであり、コネクタ１が図に示される姿勢である場合に適切であるが、コネクタ１の姿勢が変化した場合には姿勢の変化に応じて変更して解釈されるべきものである。
【００２５】
ここで、７１は、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）のウェハにホウ素（Ｂ）等のドーパントをドープして形成された高濃度のｐ++層から成る導電性材料で形成された導電ハウジング部であり、そこに外側導電領域として機能しかつグランド領域として機能するグランド層７８、前記導電ハウジング部７１内に形成された絶縁領域としてのコンタクト保持部２１、及び、該コンタクト保持部２１内に形成された内側導電領域としてのコンタクト部６１が形成されており、金属等の導電性材料から成る接続線６３がコンタクト部６１に接続されている。そして、各接続線６３には電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等の備える導電トレースが接続される。また、各コンタクト保持部２１は孤立するように形成されている。
【００２６】
図に示される例において、導電ハウジング部７１は、矩（く）形の板状部材であるが、いかなる形状の部材であってもよい。ここでは、導電ハウジング部７１が、厚さが約５〔ｍｍ〕以下、好ましくは、１〔ｍｍ〕程度の板状部材であるものとする。また、導電ハウジング部７１において、互いに対向する面は当接面７６であり、反対側の面は背面７７である。
【００２７】
そして、コンタクト保持部２１は、矩形の導電ハウジング部７１の長手方向に延在し、１つの面２２のみが当接面７６に露出して該当接面７６と面一となり、他の部分が導電ハウジング部７１内に埋没するように形成された細長い棒状又は帯状の領域である。また、コンタクト部６１は、コンタクト保持部２１と同方向に延在し、１つの面６２のみがコンタクト保持部２１の面２２に露出して該面２２及び当接面７６と面一となり、他の部分がコンタクト保持部２１内に埋没するように形成された細長い棒状又は帯状の領域である。そして、コンタクト部６１における露出した面６２の一部には、接続線６３が接続されている。
【００２８】
また、複数のコンタクト保持部２１同士、及び、複数のコンタクト部６１同士は、所定の間隔で、かつ、互いに平行となるように配列されている。ここで、隣接するコンタクト部６１同士の間隔、すなわち、ピッチは、例えば、約０．１〔ｍｍ〕であるが、任意に設定することができる。なお、図に示される例において、コンタクト保持部２１及びコンタクト部６１の数は２本であるが、１本であってもよいし、３本以上であってもよい。また、図に示される例において、各コンタクト保持部２１内に存在するコンタクト部６１の数は１本であるが、２本以上であってもよい。
【００２９】
図に示されるように、第１コネクタ１Ａの当接面７６Ａの一部と第２コネクタ１Ｂの当接面７６Ｂの一部とを互いに当接させることによって、第１接続線６３Ａに接続された電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等と、第２接続線６３Ｂに接続された電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等とを電気的に接続することができる。
【００３０】
この場合、図２に示されるように、第１コネクタ１Ａの第１コンタクト部６１Ａの面６２Ａと第２コネクタ１Ｂの第２コンタクト部６１Ｂの面６２Ｂとが互いに当接して電気的に接続され、第１コンタクト部６１Ａと第２コンタクト部６１Ｂとは一体化された２本の導電線を形成する。また、第１コネクタ１Ａの第１コンタクト保持部２１Ａの面２２Ａと第２コネクタ１Ｂの第２コンタクト保持部２１Ｂの面２２Ｂとが互いに当接して、第１コンタクト保持部２１Ａと第２コンタクト保持部２１Ｂとはコンタクト部６１から成る２本の導電線のそれぞれの周囲を囲繞する絶縁層を形成する。さらに、第１コネクタ１Ａの第１グランド層７８Ａの当接面７６Ａと第２コネクタ１Ｂの第２グランド層７８Ｂの当接面７６Ｂとが互いに当接して、第１グランド層７８Ａと第２グランド層７８Ｂとは一体化して、コンタクト保持部２１から成る絶縁層を介して２本の導電線のそれぞれの周囲を囲繞するグランド層７８を形成する。
【００３１】
該グランド層７８は、電磁シールドとしても機能するのであるから、コンタクト部６１から成る２本の導電線は、各々、周囲をシールドされた状態となる。したがって、導電線に高周波信号を伝送しても、隣接する導電線間でのクロストークの発生を効果的に防止することができる。また、高周波信号の伝送ロスも低減することができる。
【００３２】
さらに、前記第１コネクタ１Ａの当接面７６Ａと第２コネクタ１Ｂの当接面７６Ｂとが互いに当接する範囲、すなわち、オーバーラップ範囲Ｌを大きくすることによって、第１コネクタ１Ａの第１コンタクト部６１Ａの面６２Ａと第２コネクタ１Ｂの第２コンタクト部６１Ｂの面６２Ｂとが互いに当接する面積が大きくなり、第１コンタクト部６１Ａと第２コンタクト部６１Ｂとの接触抵抗が減少し、伝送ロスが抑制される。また、コンタクト保持部２１及び導電ハウジング部７１によって覆われずに露出する面６２の面積が小さくなるので、ノイズ及びクロストークの発生が抑制される。
【００３３】
本実施の形態において、導電ハウジング部７１は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）のウェハにホウ素（Ｂ）等のドーパントをドープして形成された高濃度のｐ++層から成る導電領域である。また、コンタクト保持部２１は、フッ化水素酸をエッチャントとするエッチングによって前記ｐ++層から成る導電領域に選択的に形成されたポーラス（Porous）な炭化ケイ素から成る多孔質絶縁領域である。さらに、コンタクト部６１は、蒸着、めっき、スパッタリング等の金属堆積法によって、導電性金属をポーラスシリコン上に選択的に堆積させて含浸させた導電領域である。なお、前記導電性金属は、いかなる種類の金属であってもよいが、導電性の高い銅又はその合金であることが望ましい。また、前記ウェハの材料は、炭化ケイ素以外の物質であってもよく、例えば、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体であってもよいし、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）であってもよい。
【００３４】
次に、前記コネクタ１を製造する方法について説明する。
【００３５】
図３は本発明の実施の形態におけるウェハに導電領域及び絶縁領域を形成する方法を示す図、図４は本発明の実施の形態におけるコンタクト保持部が形成された状態を示す斜視図、図５は本発明の実施の形態におけるコンタクト保持部にコンタクト部が形成された状態を示す斜視図である。なお、図３おいて、（ａ）〜（ｃ）は各製造工程を示している。
【００３６】
図３（ａ）において、１０は半導体材料から成る基板部であり、具体的には、炭化ケイ素のウェハから成る。なお、基板部１０の材料は、前述のように、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体であってもよいし、アルミナであってもよいが、ここでは、説明の都合上、炭化ケイ素である場合についてのみ説明する。
【００３７】
そして、前記基板部１０の上部には、イオン注入等の方法によって不純物であるドーパントをドープして形成された導電領域としての導電層１３が存在する。該導電層１３は、例えば、炭化ケイ素から成る基板部１０に、上方からドーパントとしてホウ素を注入することによって形成されたｐ++層であって、好ましくは、ドーパント濃度が１０18〜１０19〔ｃｍ-3〕の高濃度のｐ++層である。なお、前記導電層１３は、リン（Ｐ）等のドーパントを注入することによって形成されたｎ++層であってもよい。
【００３８】
続いて、図３（ｂ）に示されるように、導電層１３上にフォトレジスト等から成るマスク９１を載置する。該マスク９１は、絶縁領域としての絶縁層１１となる領域が露出するようにパターニングされ、一部が除去されて開口部９１ａが形成されている。そして、マスク９１を載置した導電層１３をフッ化水素酸に浸して陽極化成を行うことによって、マスク９１の開口部９１ａに対応する部位のみが多孔化されて多孔質となり、ポーラスな炭化ケイ素から成る多孔質絶縁領域である絶縁層１１が選択的に形成される。なお、該絶縁層１１は、導電層１３よりも浅くなるように形成される。これにより、各々が導電層１３中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態の絶縁層１１を得ることができる。
【００３９】
そして、前記マスク９１を除去すると、図３（ｃ）に示されるように、複数の孤立した絶縁層１１を含む導電層１３を得ることができる。最後に、基板部１０を除去し、形状を整えることによって、図４に示されるように、矩形の板状の部材である導電ハウジング部７１内にコンタクト保持部２１が形成されたコネクタ１の原型を得ることができる。
【００４０】
続いて、図４に示されるような導電ハウジング部７１の当接面７６上にフォトレジスト等から成るマスクを載置する。該マスクは、コンタクト部６１となる領域が露出するようにパターニングされ、一部が除去されて開口部が形成されている。そして、スパッタリング等の金属堆積法によって金属、具体的には、銅をマスクの上から堆積させる。すると、銅は、コンタクト保持部２１における開口部に対応する部位のみに堆積し、コンタクト部６１となる領域に含浸する。
【００４１】
そして、前記マスクを除去すると、図５に示されるように、各コンタクト保持部２１内に形成された導電領域としてのコンタクト部６１を得ることができる。最後に、接続線６３を各コンタクト部６１に接続することによって、コネクタ１を得ることができる。
【００４２】
このように、本実施の形態において、コネクタ１は、導電性材料から成る導電ハウジング部７１と、導電ハウジング部７１内に存在する複数の孤立した絶縁性材料から成るコンタクト保持部２１と、各コンタクト保持部２１内に存在する導電性材料から成るコンタクト部６１とを有し、導電ハウジング部７１は相手側コネクタと当接する当接面７６を備える板状の領域であり、各コンタクト保持部２１は、１つの面２２のみが当接面７６に露出して当接面７６と面一となり、他の部分が導電ハウジング部７１内に埋没するように形成され、各コンタクト部６１は、１つの面６２のみがコンタクト保持部２１の面２２に露出して面２２及び当接面７６と面一となり、他の部分がコンタクト保持部２１内に埋没するように形成される。
【００４３】
すなわち、本発明によるコネクタは、グランド層７８、コンタクト保持部２１とコンタクト部６１とが同一の材料（導電ハウジング部７１）から一体的に形成されているので、コネクタ１の環境温度が変化しても、グランド層７８とコンタクト保持部２１とコンタクト部６１との境界に熱応力が加えられることがなく、それぞれの境界が安定する。したがって、コネクタ１は、環境温度の変化に対して高い耐性を有し、安定した性能を発揮することができる。
【００４４】
これにより、導電線として機能するコンタクト部６１のピッチを、例えば、０．１〔ｍｍ〕以下に小さくすることができ、コネクタ１全体を小型化することができる。また、コンタクト保持部２１の外側の導電ハウジング部７１がコンタクト部６１を囲繞するグランド層７８を形成して電磁シールドとしても機能するので、各コンタクト部６１は周囲をシールドされた状態となり、例えば、４０〔ＧＨｚ〕以上の高周波信号をコンタクト部６１に伝送しても、クロストークが発生することがない。さらに、例えば、４０〔ＧＨｚ〕以上の高周波信号をコンタクト部６１に伝送しても、伝送ロスが、例えば、−１〔ｄＢ〕以内となり、良好な高周波通信特性を得ることができる。
【００４５】
また、コンタクト保持部２１及びコンタクト部６１は、当接面７６に沿って延在する帯状の領域である。これにより、第１コネクタ１Ａの当接面７６Ａと第２コネクタ１Ｂの当接面７６Ｂとが互いに当接するオーバーラップ範囲Ｌを大きくすることができ、第１コネクタ１Ａの第１コンタクト部６１Ａの面６２Ａと第２コネクタ１Ｂの第２コンタクト部６１Ｂの面６２Ｂとが互いに当接する面積を大きくして、第１コンタクト部６１Ａと第２コンタクト部６１Ｂとの接続抵抗を低減することができ、伝送ロスを効果的に抑制することができる。また、ノイズ及びクロストークの発生を抑制することができる。
【００４６】
さらに、コンタクト保持部２１は、導電ハウジング部７１の一部を多孔化した多孔質性の絶縁性材料から成る多孔質絶縁領域であり、コンタクト部６１は、多孔質絶縁領域に導電性物質を堆積させることによって、導電性物質を前記多孔質絶縁領域に含浸させて形成される。これにより、導電性物質が多孔質性の絶縁性材料の微小なナノ細孔に入込んで一体化することによってコンタクト部６１を形成するので、コンタクト保持部２１とコンタクト部６１とが強固に結合される。
【００４７】
さらに、導電ハウジング部７１及びコンタクト保持部２１は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ又はＡｌ2 Ｏ3 から成る。これにより、コネクタ１の剛性を高くすることができ、強固なコネクタ１を得ることができる。
【００４８】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態におけるコネクタを示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるコネクタの断面を示す図であり図１のＺ−Ｚ矢視断面図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるウェハに導電領域及び絶縁領域を形成する方法を示す図であり、（ａ）〜（ｃ）は各製造工程を示している。
【図４】本発明の実施の形態におけるコンタクト保持部が形成された状態を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるコンタクト保持部にコンタクト部が形成された状態を示す斜視図である。
【図６】従来のシリコンウェハ上に絶縁層及びシリコン層を形成する方法を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）は各工程を示している。
【符号の説明】
【００５０】
１    コネクタ
１Ａ    第１コネクタ
１Ｂ    第２コネクタ
１０    基板部
１１    絶縁層
１３    導電層
２１    コンタクト保持部
２１Ａ    第１コンタクト保持部
２１Ｂ    第２コンタクト保持部
２２、２２Ａ、２２Ｂ、６２、６２Ａ、６２Ｂ    面
６１    コンタクト部
６１Ａ    第１コンタクト部
６１Ｂ    第２コンタクト部
６３    接続線
６３Ａ    第１接続線
６３Ｂ    第２接続線
７１    導電ハウジング部
７１Ａ    第１導電ハウジング部
７１Ｂ    第２導電ハウジング部
７６、７６Ａ、７６Ｂ    当接面
７７Ａ、７７Ｂ    背面
７８    グランド層
７８Ａ    第１グランド層
７８Ｂ    第２グランド層
９１    マスク
９１ａ    開口部
８０１    ウェハ
８１０    シリコン基板
８１１    多孔性シリコン層
８１２    アモルファスシリコン表皮層
８１３    シリコン層
【図１】
2010033729.tif 000003
【図２】
2010033729.tif 000004
【図３】
2010033729.tif 000005
【図４】
2010033729.tif 000006
【図５】
2010033729.tif 000007
【図６】
2010033729.tif 000008