(57)【要約】      （修正有）【課題】大きな変位で動かすことが可能な液晶エラストマーアクチュエータを提供する。【解決手段】一対の電極が低分子液晶と液晶エラストマーとを含む低分子液晶層を介して向かい合う液晶エラストマーアクチュエータであって、前記電極の少なくとも一方の前記低分子液晶層に接する表面の凸部重心間距離（Ａ）と前記低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が７０〜１２５であることを特徴とする、液晶エラストマーアクチュエータである。【選択図】図２
2010017066.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極が低分子液晶と液晶エラストマーとを含む低分子液晶層を介して向かい合う液晶エラストマーアクチュエータであって、
前記電極の少なくとも一方の、前記低分子液晶層に接する表面の凸部重心間距離（Ａ）と前記低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が７０〜１２５であることを特徴とする、液晶エラストマーアクチュエータ。
【請求項２】
前記凸部重心間距離（Ａ）と前記低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が１００〜１２５である、請求項１に記載の液晶エラストマーアクチュエータ。
【請求項３】
前記液晶エラストマーに前記低分子液晶が含浸されてなる、請求項１または２に記載の液晶エラストマーアクチュエータ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶エラストマーアクチュエータを用いた車両用部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶エラストマーを用いたアクチュエータおよびそれを用いた車両用部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般的に用いられている機械式の装置の駆動源として、モーター、油圧・空気圧式アクチュエータなどがある。これらは概ね金属からなるものが多く、質量、スペースを大きくとり、また必要な動力源としても多大なエネルギーを必要とするものが多い。
【０００３】
このことに鑑み、軽量・省スペースという特徴を有する有機材料を用いたアクチュエータの例として、非特許文献１に記載の液晶エラストマーが挙げられる。非特許文献１に記載の液晶エラストマーは、低分子液晶で膨潤され、電圧印加による電気力学的な応答がアクチュエータとして用いられている。
【非特許文献１】ＰＨＹＳＩＣＡＬ  ＲＥＶＩＥＷ  Ｅ  ７１，０６１７０２（２００５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、非特許文献１で開示される液晶エラストマーの変位量はアクチュエータとして十分ではない。
【０００５】
そこで本発明は、上記のデバイスとしての視点に鑑み、これらの材料をデバイスとして用いるときの電極を最適化することで、より大きな変位量を持つアクチュエータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、対向する電極間に低分子液晶と液晶エラストマーとを含む低分子液晶層を有し、少なくとも一方の電極の表面の凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）比が７０〜１２５である、液晶エラストマーアクチュエータである。
【０００７】
また本発明は、上記液晶エラストマーアクチュエータを用いた車両用部品である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電極表面の凹凸形状と低分子液晶の大きさとを最適化することで、低分子液晶の配向状態が最適化され、電界に対する低分子液晶の応答性が向上し、液晶エラストマーを大きな変位で動かすことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１０】
本発明は、対向する電極間に液晶エラストマーを含む低分子液晶層を有し、少なくとも一方の電極の表面の凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）比が７０〜１２５である、液晶エラストマーアクチュエータである。
【００１１】
本発明の液晶エラストマーアクチュエータ１０は、例えば、図１左に示すように、対向する一対の電極２０間に低分子液晶層３０を有し、前記低分子液晶層３０中に液晶エラストマー４０が配置される構造を有する。低分子液晶層３０は、低分子液晶１４を含む。液晶エラストマー４０は、好ましくは高分子鎖１１に液晶性を示す基１２が結合し、エラストマーの液晶相状態を生じる高分子材料である。図１右の矢印のような電界印加によって、低分子液晶１４の配向が変化し、これによって液晶エラストマー４０の高分子鎖１１に結合した液晶性を示す基１２が再配向し、液晶エラストマー４０の弾性変形が起こりうる。
【００１２】
本発明の液晶エラストマーアクチュエータは、少なくとも一方の電極の、低分子液晶層に接する表面の凹凸を上面から見た場合の凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が７０〜１２５であることを特徴とする。電極の低分子液晶層に接する表面における凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）を７０〜１２５とすることで、液晶エラストマーへの電圧印加時の変位量を１．５〜２倍程度とすることができる。より好適には１００〜１２５とすることで、おおよそ２倍の変位量を得ることができる。本発明の液晶エラストマーアクチュエータにおいては、対向する一対の電極のうちいずれか一方の電極が上記条件を満たせばよいが、好ましくは両方の電極が上記条件を満たす。
【００１３】
本発明の意図するところは、材料の一般的な静的特性を変化させるための工夫ではなく、刺激により応答して変形するなどの動的な特性を狙い、デバイスの構造の工夫によって、上記の刺激応答機能を実現するところにある。
【００１４】
電極と低分子液晶層との界面における低分子液晶の配向は、電極の表面の形状に強く依存する。界面における低分子液晶の配向は、低分子液晶の電圧印加時の応答性に影響を及ぼし、ひいては液晶エラストマーの変位量に影響を与える。したがって、より大きな変位量を得るためには、電極表面の凹凸形状と低分子液晶の大きさとを最適化し、電気刺激に応答して収縮、変形などをする機能を大きくすることが必要である。
【００１５】
図２に、電極表面の凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との関係を示す。電極と低分子液晶層との界面において、低分子液晶は数十〜百数十程度の数からなるクラスターを形成し、電極表面に配向する。この際、低分子液晶の配向の度合いが、電極表面の凸部重心間距離によって変化する。すなわち、電極表面の凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が７０未満の場合には、低分子液晶のクラスターサイズに対して凸部の間の距離が小さいことになり、擬似的に配向を規制する点が少なくなる。よって低分子液晶の電極表面での配向がランダム状態に近くなる。一方、凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が１２５を超える場合には、低分子液晶のクラスターサイズに対して凸部の間の距離が大きい。この場合、凸部はあるものの実質的に表面は平らに近い状態であるため、配向規制点が少なくなることになる。したがって、この場合も低分子液晶の電極表面での配向がランダム状態に近くなる。これにより電極印加時の低分子液晶の駆動に必要な電界強度が上がり、ひいては液晶エラストマーの変形が小さくなる。そこで、凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）を７０〜１２５とすることで、最適な配向状態が得られ、電界に対する低分子液晶の応答、フレデリクス転移が容易になる。これにより、液晶エラストマー中の液晶性を示す基も同様に駆動しやすくなり、変位量が大きくなる。
【００１６】
本明細書中、電極表面の凸部重心間距離（Ａ）は、電極表面のＳＥＭ像から画像解析により求めた値を採用する。図３に、電極表面のＳＥＭ像（ａ）および画像解析結果（ｂ）を示す。画像解析は、旭化成株式会社製画像解析システムＩＰ−１０００ＰＣを用いて行った。５００００倍で撮影したＳＥＭ像を画像解析システムにスキャナーを用いて取り込み、実寸視野１．７６μｍ×１．７６μｍ中にある凸部を認識させた。本明細書においては、ＡＦＭ像で断面の形状を確認し、高さ５ｎｍ以上に相当する部分の面積を凸部とする。この凸部の大きさに対する重心位置と近傍６か所の凸部に対して結んだ距離を視野中の凸部全てに対して求め平均した値を凸部重心間距離（Ａ）とする。
【００１７】
凸部の高さについては、電極表面の形成方法によるが、好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍ、より好ましくは５〜２０ｎｍ程度の高さをとる。凸部の高さが低くなることで、低分子液晶の配向はランダムになる傾向があり、また高くなることで、低分子液晶の凸部の側面への配列により配向の度合いがランダムになる傾向が見られるが、特に限定されない。凸部の高さは、電極表面のＳＥＭ像から求めることができる。
【００１８】
本明細書中、低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）は、分子を構成する原子のファンデルワールス径から見積もった短軸方向の大きさをいう。例えば、４−ペンチル−４’−シアノビフェニル（５ＣＢ）は、図４に示すように、長軸方向の大きさが２〜３ｎｍであり、短軸方向の大きさが０．５ｎｍの形状を有する。例えば、後述のＭＬＣ−２０５８のように、低分子液晶が複数の液晶の混合物として用いられる場合、それぞれの低分子液晶分子の短軸方向の大きさを、混合物中の存在比に応じた数平均値で表したものを低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）とする。
【００１９】
以下、本発明の液晶エラストマーアクチュエータの構成について説明する。
【００２０】
（液晶エラストマー）
液晶エラストマーは、主骨格となる弾性を持つ高分子骨格と液晶性を示す基とを有する、弾性を持つ高分子材料である。
【００２１】
なお、前記液晶エラストマーは、ゲルやゴムと同様に、高分子鎖が架橋分子に結ばれたネットワーク構造を有するために、ゴム弾性を有する特性、および液晶分子の配列による異方性があるため、液晶のような自由度が存在する特性の２つを有する。したがって、本発明に係る液晶エラストマーの構造は上記の２点の特性を有するものであれば特に制限されるものではない。好ましくは、液晶分子が液晶性基として直接化学結合しているものである。
【００２２】
前記高分子骨格は特に制限されるものではないが、例えば、ポリシロキサン類、スチレン−共役ジエン共重合体およびその水素添加物、エチレン−α−オレフィン共重合体、エチレン−有機酸エステル共重合体、ポリメタクリレート、ポリクロロアクリレート、ポリスチレン誘導体、ポリアクリレート、ポリホスファゼンを含むもの、およびこれらからなるコポリマーなどの中から選択される１以上の成分が使用できる。好ましくは、ポリシロキサン類である。
【００２３】
上記ポリシロキサン類の具体例としては、ポリメチルハイドロゲンシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ポリエチルハイドロゲンシロキサン、ポリジエチルハイドロゲンシロキサンなどが挙げられる。ポリシロキサン類は、大きな変形を得る上で、より好適である。
【００２４】
上記スチレン−共役ジエン共重合体およびその水素添加物の具体例としては、スチレン−ブタジエンランダム共重合体、スチレン−イソプレンランダム共重合体、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体およびこれらの共重合体の水素添加物が挙げられる。ここで水素添加物とは共役ジエンの９０％以上が水素添加されたものをいう。
【００２５】
上記エチレン−α−オレフィン共重合体の具体例としては、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−１−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体などが挙げられる。上記エチレン−有機酸エステル共重合体の具体例としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体などが挙げられる。
【００２６】
この他に前記高分子骨格として用いられるものとしては、例えば、室温においてガラス状態で存在するポリメタクリレート、ポリクロロアクリレートまたはポリスチレン誘導体や、室温において液晶状態で存在するポリアクリレート、ポリシロキサンまたはポリホスファゼンを含むもの、およびこれらからなるコポリマーが挙げられる。
【００２７】
上記したように、好ましくは、前記液晶エラストマーは、液晶性を示す基が、上記高分子骨格に化学結合したものである。液晶性を示す基は、前記高分子骨格の主鎖または側鎖のいずれか、または両方に結合する。２種類以上の液晶性を示す基が用いられてもよい。液晶性を示す基が、主鎖および側鎖の両方に結合する場合、これらの液晶性を示す基は同一であっても異なっていてもよい。図５（ａ）〜（ｃ）に、液晶エラストマー４０の液晶性を示す基１２、１３が、高分子骨格１１の側鎖に含まれる場合、主鎖に含まれる場合、ならびに主鎖および側鎖の両方に含まれる場合の模式図を示す。なお、以下に説明するように、液晶エラストマーにさらに低分子液晶１４を含浸させて用いることもできる（図５（ｄ））。
【００２８】
液晶性を示す基としては、具体的には、メソゲン基の長軸に、例えば、１５個までの末端基または側方置換基を有するものが挙げられる。メソゲン基としては、ベンゼン環、シクロへキサン環、シクロヘキセン環、ピリミジン環、ジオキサン環、およびピリジン環からなる群より選択される基２〜４が炭素−炭素結合、エステル結合、アセチレン結合、エタン結合、エチレン結合、またはアゾ結合などで結合されたものが好ましい。末端基または側方置換基としては、シアノ基、フルオロ基、アルキル基、アルケニル基、またはメトキシ基などのアルコキシ基、またはオキサアルキル基などが挙げられる。液晶性を示す基のさらに具体的な例としては、４−ペンチル−４’−シアノビフェニル（５ＣＢ）基、４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル（６ＣＢ）基、４−ヘキシル−４’−シアノフェニルピリジニル基、４−ヘキシル−４’−プロピルフェニルシクロへキシル基、４−メチル−４’−プロピルジシクロへキサシル基、４−ヘキシル−４’−メトキシジシクロへキサシル基、４−ブタ−３−エニロキシ安息香酸４−メトキシフェニル基、１−（４−ヒドロキシ−４’−ビフェニル）−２−[４−（１０−ウンデセニロキシ）フェニル]ブチル基などが好ましく用いられうる。
【００２９】
液晶エラストマーは通常の高分子の合成と同様に、例えば単純なランダム共重合、あるいは多官能性架橋剤分子とのランダムポリマー類似付加反応により合成される。多官能性架橋剤分子としては、例えば、テトラメチルジビニルシロキサン、ビス（ビニルジメチルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ヘキシ−５−エニロキシベンゼン）、４−（ヘキシ−５−エニロキシ）ベンゾエイト−４−（ヘキシ−５−エニロキシ）フェニルエステルなど、２つ以上のビニル基を有する化合物が用いられうる。
【００３０】
また、別の方法では、メソゲンモノマーを官能性コモノマーと共重合して液晶コポリマーを形成し、それを第二反応工程で架橋剤によりネットワーク構造に変える方法もある。
【００３１】
または、高分子骨格と液晶分子とを、好ましくは白金系触媒（ＰｔＣｌ２ＣＯＤ）の触媒の存在下で、または上記のような多官能性架橋剤の存在下で、５０〜９０℃、２４〜４８時間で反応させてエラストマー化する。
【００３２】
前記液晶分子は、特に制限されるものではなく、低分子量（分子量５００未満）であっても、高分子量（分子量５００以上１００００未満）であってもよい。例えば、低分子量の液晶分子としては、４−ペンチル−４’−シアノビフェニル（５ＣＢ）、４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル（６ＣＢ）、４−ヘキシル−４’−シアノフェニルピリジン、４−ヘキシル−４’−プロピルフェニルシクロへキサン、４−メチル−４’−プロピルジシクロへキサン、４−ヘキシル−４’−メトキシジシクロへキサンなどが挙げられる。高分子量の液晶分子としては、シロキサン骨格に上記の低分子量の液晶を側鎖に持つものなどが挙げられる。
【００３３】
高分子骨格の側鎖または主鎖に液晶性を示す基を含ませる量は、モル比で、骨格となる（高分子骨格）：（液晶性を示す基）＝約１：１程度が、形状維持、駆動量を大きく出来る点で好ましい。実際に駆動が出来る範囲としては、１０：１程度から１：１０程度でも可能であるが、駆動できる量が小さくなり、形状維持が難しくなる傾向にある。
【００３４】
液晶エラストマーは、他の高分子材料と混合して用いられてもよい。このときの混合比は、質量比で、（液晶エラストマー）：（他の高分子）＝１０：０〜５：１であることが好ましい。上記混合比であれば刺激に応答し変形する機能を発現することができる。アクチュエータの変位量を大きくとるためには、液晶エラストマーの比率が大きいほど好ましい。ここで、他の高分子としては、例えば、ナイロン６、ナイロン６６などのポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、共重合成分を含むポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル、ポリウレタン、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリメタクリル酸エチル、ポリスチレン、スチレン−ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルホルマール、エポキシ、フェノール、ユリア、またはシリコンなどが用いられうる。
【００３５】
液晶エラストマーの大きさや形状は特に限定されず、例えば、フィルム形状や積層体形状、繊維形状などが採用されうる。積層されることにより、動きが阻害される面が発生するため、マクロに見た場合には特定の方向に駆動することができる。フィルム形状のものでは、液晶性を示す基を配向させておくことが望ましい。例えば、図６のように、一軸方向の延伸をフィルムにかけることで、液晶性を示す基を強く配向させることができる。具体的には、液晶の配向の度合いを示すオーダーパラメータが、０．２〜０．３程度の値を示すことが好ましい。
【００３６】
（低分子液晶層）
低分子液晶層は、低分子液晶を含む。低分子液晶は、液晶エラストマーよりも低い分子量を有する液晶である。これらの低分子液晶は単独で用いてもよく、複数の種類を混合して用いてもよい。低分子液晶の例としては、特に限定されるものではないが、ネマチック−アイソトロピック転移温度（ＮＩ点）が常温域に含まれるように考慮して選定されることが好ましい。この温度域とすることで、温度変化によって、体積変化などの機能を発現することが可能である。
【００３７】
低分子液晶の基本骨格は、メソゲン基に末端基および側方置換基が付加した構造であるが、前記メソゲン基としては、例えば、ベンゼン環、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環、ピリミジン環、ジオキサン環、ピリジン環などのヘテロ環より選択される基２〜４個が炭素−炭素結合、エステル結合、アセチレン結合（エチニレン基）、エタン結合、エチレン結合、アゾ結合などで結合されたものが好ましい。末端基または側方置換基としては、シアノ基、フルオロ基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基などが挙げられる。末端基の数は１〜２個が好ましく、側方置換基の数は０〜複数個が好ましい。これらの環または基を有する低分子液晶としては、アゾキシ系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、フェニルエステル系、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル系、フェニルピリミジン系、またはフェニルジオキサン系などの液晶が用いられる。
【００３８】
これらの液晶単体、あるいは２種類以上の低分子液晶を混合した混合液晶は、好ましくは常温で等方相を持つように調整する。単体で等方相を持つ例としては、４−ペンチル−４’−シアノビフェニル（５ＣＢ）、４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル（６ＣＢ）、４−ヘキシル−４’−シアノフェニルピリジン、４−ヘキシル−４’−プロピルフェニルシクロヘキサン、４−メチル−４’−プロピルジシクロヘキサン、４−ヘキシル−４’−メトキシジシクロヘキサンなどが挙げられる。５ＣＢ、６ＣＢなどのシアノビフェニル系の液晶は、誘電異方性が大きいため、アクチュエータの変位量を大きくする観点で有利である。
【００３９】
低分子液晶の短軸方向の大きさは、例えば、側方基の種類を選択したり、複数の低分子液晶を様々な混合比で混合することによって調整することができる。好ましくは、低分子液晶の短軸方向の大きさは、０．３〜０．６ｎｍである。低分子液晶の短軸方向の大きさが０．６ｎｍ以下であれば、大きな変位量が得られうる。低分子液晶の短軸方向の大きさは、実質的に、０．３ｎｍ以上である。
【００４０】
上述したように、液晶エラストマーは、低分子液晶層中に配置されるが、好ましくは、低分子液晶を前記液晶エラストマーに含浸させて用いる。低分子液晶を含浸させることにより、この低分子液晶がトリガーとなり、液晶エラストマーに含まれる液晶性を持つ基をより動きやすくし、大きな変位を得ることができる。
【００４１】
低分子液晶層の層厚は、特に限定されない。液晶エラストマーの厚み、または含浸させて膨潤させた液晶エラストマーの厚みの１．５〜２倍の層厚にすると、液晶エラストマーをより動きやすくし、大きな変位を得ることができる。また、上記の層厚であれば、適切な電極間距離を得られ、低電圧で駆動できる。
【００４２】
（電極）
電極に用いられる材料としては、表面の凸部重心間距離が上記の条件を満たすものであれば特に限定されず、従来公知の材料を用いることができる。好ましくは、あらかじめ表面形状を制御した基材の表面に金属や金属酸化物を積層したものや、導電性高分子をコートしたものなどが用いられうる。
【００４３】
電極を作製するための基材の材質は特に限定されないが、ポリアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリメルカプトエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、もしくはポリブタジエン樹脂などの樹脂、またはソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、石英ガラス、または無アルカリガラスなどのガラスが用いられうる。本発明のアクチュエータに適した電極を作製するためには、前記基材は、例えば研磨などの方法で、あらかじめ表面の算術平均粗さを０．１〜０．３ｎｍに制御したものを用いることが好ましい。表面の算術平均粗さは、原子間力顕微鏡で測定した値を採用するものとする。
【００４４】
金属としては、例えば、金、銀、銅、鉄、アルミ等の導電性を有する材料を用いることができる。２種類以上の材料を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
金属酸化物としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化ストロンチウム、酸化ルビジウム、およびこれらの混合物が挙げられる。ＩＴＯが好ましく用いられうる。
【００４６】
上記金属または金属酸化物を用いた電極の作製方法は、特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。例えば、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の方法で積層して電極を作製することができる。上記金属または金属酸化物を用いた電極は市販品を用いてもよい。
【００４７】
好ましくは、電極表面の凸部重心間距離は２０〜８０ｎｍであり、表面の算術平均粗さは０．１〜５．５ｎｍである。電極表面の形状は、電極の形成方法や厚さなどを制御することで最適化されうる。例えば、蒸着法を用いると、スパッタ法を用いた場合に比べ、表面の凸部重心間距離が大きくなる傾向がある。また、膜厚を厚くするほど表面の凸部重心間距離が大きくなる傾向がある。本発明に適した凸部重心間距離を得るためには、電極の膜厚は、５０〜２００ｎｍであることが好ましい。さらに必要に応じて、蒸着、スパッタリングなどによって積層した後、表面を研磨してもよい。
【００４８】
前記導電性高分子は、導電性を示す高分子であれば特に制限されない。具体的な例としては、ポリアセチレン、ポリメチルアセチレン、ポリフェニルアセチレン、ポリフルオロアセチレン、ポリブチルアセチレン、ポリメチルフェニルアセチレンなどのポリアセチレン系高分子；ポリオルソフェニレン、ポリメタフェニレン、ポリパラフェニレンなどのポリフェニレン系高分子；ポリピロール、ポリ（３−メチルピロール）、ポリ（３−エチルピロール）、ポリ（３−ドデシルピロール）、ポリ（３，４−ジメチルピロール）、ポリ（３−メチル−４−ドデシルピロール）、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（Ｎ−ドデシルピロール）、ポリ（Ｎ−メチル−３−メチルピロール）、ポリ（Ｎ−エチル−３−ドデシルピロール）、ポリ（３−カルボキシピロール）などのピロール系高分子；ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−エチルチオフェン）、ポリ（３，４−ジメチルチオフェン）、ポリ（３，４−ジエチルチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）などのポリチオフェン系高分子；ポリフラン；ポリセレノフェン；ポリイソチアナフテン；ポリフェニレンスルフィド；ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（２−エチルアニリン）、ポリ（２、６−ジメチルアニリン）などのポリアニリン系高分子；ポリフェニレンビニレン；ポリチオフェンビニレン；ポリペリナフタレン；ポリアントラセン；ポリナフタレン；ポリピレン；ポリアズレン；またはこれらの誘導体が好ましく挙げられる。これらは単独でもまたは２種類以上組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
前記導電性高分子の製造方法は特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。製造方法の具体的な例としては、例えば、化学重合法、電界重合法、可溶性前駆体法、マトリックス重合法、またはＣＶＤなどの蒸着法が挙げられる。また、前記導電性高分子は市販品を用いてもよい。
【００５０】
前記導電性高分子は、さらにドーパントを含んでいてもよい。ドーパントを添加することによって、より高い導電性を発現させることができる。前記ドーパントの具体的な例としては、塩化物イオン、臭化物イオンなどのハロゲン化物イオン；過塩素酸イオン；テトラフルオロ硼酸イオン；六フッ化ヒ酸イオン；硫酸イオン；硝酸イオン；チオシアン酸イオン；六フッ化ケイ酸イオン；燐酸イオン、フェニル燐酸イオン、六フッ化燐酸イオンなどの燐酸系イオン；トリフルオロ酢酸イオン；トシレートイオン、エチルベンゼンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオンなどのアルキルベンゼンスルホン酸イオン；メチルスルホン酸イオン、エチルスルホン酸イオンなどのアルキルスルホン酸イオン；またはポリアクリル酸イオン、ポリビニルスルホン酸イオン、ポリスチレンスルホン酸イオン、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）イオンなどの高分子イオンなどが好ましく挙げられ、これらは単独でもまたは２種類以上組み合わせて用いてもよい。ドーパントの添加量は、前記導電性高分子１００質量部に対して、好ましくは３〜５０質量部であり、より好ましくは１０〜３０質量部である。
【００５１】
さらに上記の材料の上に、絶縁層を設けたものを電極として用いてもよい。絶縁層を設けることによって、電極表面の形状を制御することができるため、変位量のより大きいアクチュエータが作製されうる。
【００５２】
絶縁層は任意の材料で作製することができる。本発明のアクチュエータは、電界駆動なので、電極表面上は特に電気伝導性が求められるわけではないためである。
【００５３】
絶縁層としては、例えば、ＳｉＯ２等の無機絶縁層や、配向膜に用いられるポリイミド等の有機材料などが用いられうる。絶縁層を設ける場合、絶縁層の表面の凸部重心間距離が、低分子液晶の短軸方向の大きさに対して７０〜１２５倍になるようにする。このような表面形状を作製する方法は特に制限されないが、例えば、化学重合法、電界重合法、可溶性前駆体法、マトリックス重合法、またはＣＶＤなどの蒸着法が挙げられる。絶縁層の厚さは、概ね１０〜１００ｎｍ程度の厚さで設けることが好ましい。絶縁層の厚さが１００ｎｍ以下であれば、電極間距離を大幅に変化させないので十分な電界強度が維持でき、高い性能のアクチュエータが作製できる。絶縁層の厚さが１０ｎｍ以上であれば、適当な凸部重心間距離を有する表面が得られうる。
【００５４】
電極のサイズは、液晶エラストマーの厚み方向で上下の面を完全に覆うことのできるサイズで形成することが好ましいが、これに限定されない。また、電極と液晶エラストマーとの間の距離も特に限定されない。液晶エラストマーの大きさや電界強度によって適宜設定すればよい。
【００５５】
（液晶エラストマーアクチュエータ）
本発明の液晶エラストマーアクチュエータは、例えば、以下の手順で作製されうる。はじめに、上述の液晶エラストマーに低分子液晶を含浸させる。液晶エラストマー中に低分子液晶を含浸させる方法としては、あらかじめ高分子のモノマー中に液晶を混合、分散させておき、ポリマー化させる際に高分子鎖中に取り込ませる方法や、重合後、含浸により、液晶エラストマー中に含ませる方法が挙げられる。
【００５６】
重合後に含浸させるためには、例えば、合成後、適当なサイズ、形状に調製した液晶エラストマーを低分子液晶中に浸漬して、概ね１〜１０日程度、低分子液晶を含浸させる。液晶は一般的に不揮発性なので、これらの液晶エラストマー中に留まる。ここで、液晶エラストマー中に含ませる低分子液晶の量は、特に限定されないが、液晶エラストマーの質量に対して数％から５０％程度の質量であることが好ましい。上記範囲であれば、低電圧で駆動でき、液晶エラストマーの強度が維持されうる。含浸による液晶エラストマーの膨潤度（含浸後の体積／含浸前の体積）は、好ましくは１．８〜３．６である。
【００５７】
その後、低分子液晶を含浸させた液晶エラストマーを、スペーサーなどを用いて、２枚の電極間に配置する。
【００５８】
次に、電界刺激で駆動させる方法として、一対の電極より電圧印加することで、前記一対の電極間の低分子液晶が配列する。これに伴い、液晶エラストマーの変形が起こる。この変形は電圧の印加／解除により可逆的に起こる。
【００５９】
このとき印加する電圧は、液晶エラストマーの厚さに応じて調節されうる。通常、１〜１００Ｖ程度が好適であるが、液晶エラストマーの厚さが数μｍと薄い場合には、数ｍＶから数百ｍＶでも駆動できる。また、逆に厚い場合には、数ｋＶで駆動させる。
【００６０】
本発明の液晶エラストマーアクチュエータの他の実施形態を、図７および図８に示す。図７に示す形態では、電極２０と液晶エラストマーを有する低分子液晶層３０とを交互に積層して、封止材３５を用いて封止する。複数層を積層することで厚さ方向の変形を大きく取り出すことができる。また、図８のように、電極２０を分割して設置すると、面方向の変形を大きく取り出すことができる。
【００６１】
（車両用部品）
このようにして得られた本発明の液晶エラストマーアクチュエータは、車両の内装材に用いられる表皮材料、又はクッション材料と置換されうる。これにより乗員の座り心地やクッションの動きによる乗り心地が改善されうる。本発明の液晶エラストマーアクチュエータを、車両から乗員へ信号を伝達する手段などに用いるのは、従来持たない機能を付与する技術となるために、新たなスペースや質量の増加を伴わず、大変好適である。
【００６２】
液晶エラストマーアクチュエータを車両に用いる際には、例えば、図９に示すように、液晶エラストマーアクチュエータ１０の変形を基布４５間の厚さの変形として使用する設置方法が挙げられる。また、図１０に示すようなフレーム５０間に、液晶エラストマーアクチュエータ１０を橋渡しし、収縮により液晶エラストマーアクチュエータ１０が持ち上がるような設置方法などが挙げられる。本発明の液晶エラストマーアクチュエータをこのような変形をしうる編物、織物とすることで、車両に容易に用いることができるようになる。
【００６３】
さらに、液晶エラストマーアクチュエータで形成したこれらの編物、織物を、車両のシートクッションに使用した場合の図を、図１１、１２に示す。図１１では、乗員１名用シート６０に応用した場合であり、乗員の体格などに合わせて、シート座面６１の上昇や下降を、メカニカルな機構を持たずに行うことができる。同様に図１２では、ベンチシート６２を、乗員６３の人数に合わせて、適度なホールド感を得るために、座面の必要な部分だけ凹ませたり、膨らませたりさせることができる。両例ともにメカニカルな機構を持たないため、本発明による機構を追加しても、大きな質量増を招かず、燃費の悪化を防ぐことができる。
【実施例】
【００６４】
本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例に示す形態のみに制限されるわけではない。
【００６５】
（実施例１）
液晶エラストマーの主骨格を形成する高分子として、ポリ（メチルハイドロゲンシロキサン）（ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌｈｙｄｒｏｇｅｎｓｉｌｏｘａｎｅ））（１５０ｍｇ）を準備した。ポリ（メチルハイドロゲンシロキサン）の側鎖であるケイ素に直接結合している水素と置換する液晶分子として、（４−ブタ−３−エニロキシ安息香酸４−メトキシフェニルエステル）（４−ｂｕｔ−３−ｅｎｙｌｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ  ａｃｉｄ  ４−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｅｓｔｅｒ）（７５０ｍｇ）を準備した。また、主鎖に結合する液晶分子として、（１−（４−ヒドロキシ−４’−ビフェニル）−２−[４−（１０−ウンデセニロキシ）フェニル]ブタン）（１−（４−ｈｙｄｒｏｘｙ−４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−２−［４−（１０−ｕｎｄｅｃｅｎｙｌｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］ｂｕｔａｎｅ）（１９ｍｇ）を準備した。これらを溶媒であるトルエン（２．５ｍＬ）に溶解させ、撹拌して混合し、６０℃環境下で２４時間で緩やかに架橋を行った。その後、生成物を取り出し、６０℃で１２時間乾燥させ、９１９ｍｇ（収率１００％）の液晶エラストマーを得た。得られた液晶エラストマーの厚さは、２００μｍであった。
【００６６】
この液晶エラストマーを長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍに切り出し、低分子液晶である４−ペンチル−４’−シアノビフェニル（５ＣＢ）中に１０日間浸漬し、含浸させた。含浸前に２ｇであった質量は、３ｇとなった。
【００６７】
この５ＣＢを含浸させた液晶エラストマーを４０μｍの厚さにスライスし、電極で挟んでアクチュエータを作製した。スペーサーには厚さ１００μｍのテフロン（登録商標）フィルムを用いた。電極にはガラス板（ジオマテック社製）上にＩＴＯ膜（蒸着、厚さ１００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗３０Ω／ｃｍ２）をコートし、さらに絶縁層としてＳｉＯ２を８０ｎｍの厚さでコートしたものを用いた。電極の表面の算術平均粗さＲａは３．３ｎｍであった。この電極の表面の凸部重心間距離は６０．５ｎｍであった。低分子液晶である５ＣＢの短軸方向の大きさは０．５ｎｍであり、電極表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１２１．１であった。
【００６８】
得られたアクチュエータに１００Ｖ、５０Ｈｚの交流電圧を印加し変位量測定を行ったところ、液晶エラストマーの幅が３．４５％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００６９】
（実施例２）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（スパッタリング、厚さ２０ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗１０００Ω／ｃｍ２）をコートしたものを用いた。電極の表面の算術平均粗さＲａは０．６ｎｍであった。この電極の表面の凸部重心間距離は３５．４ｎｍであった。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は７０．８であった。通電したところ、２．１０％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７０】
（実施例３）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（スパッタリング、厚さ２０ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗１０００Ω／ｃｍ２）をコートし、さらに絶縁層としてＳｉＯ２を８０ｎｍの厚さでコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは０．４ｎｍであった。表面の凸部重心間距離は４１．８ｎｍであった。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は８３．６であった。通電したところ、２．３０％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７１】
（実施例４）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（スパッタリング、厚さ１００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗１０Ω／ｃｍ２）をコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは２．６ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は５５．４ｎｍであった。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１１０．８であった。通電したところ、２．７１％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７２】
（実施例５）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（スパッタリング、厚さ５０ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗３０Ω／ｃｍ２）をコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは１．６ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は４９．７ｎｍであった。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は９９．３であった。通電したところ、２．２９％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７３】
（実施例６）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（蒸着、厚さ１００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗３０Ω／ｃｍ２）をコートし、さらに絶縁層としてＳｉＯ２を８０ｎｍの厚さでコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは３．３ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は６０．５ｎｍであった。低分子液晶としてメルク社製ＭＬＣ―２０５８（短軸方向の大きさ０．６ｎｍ）を用いた。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１００．９であった。通電したところ、２．５０％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７４】
（実施例７）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（スパッタリング、厚さ２００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗５Ω／ｃｍ２）をコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは４．７ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は６７．２ｎｍであった。低分子液晶としてメルク社製ＭＬＣ―２０５８（短軸方向の大きさ０．６ｎｍ）を用いた。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１１２．０であった。通電したところ、２．９５％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７５】
（実施例８）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（蒸着、厚さ１００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗３０Ω／ｃｍ２）をコートし、さらに絶縁層としてＳｉＯ２を８０ｎｍの厚さでコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは３．３ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は６０．５ｎｍであった。液晶を含浸させる工程を行わず、直接スライスした実施例１で合成した液晶エラストマーを電極に挟んだ。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１２１．１であった。通電したところ、２．１１％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７６】
（比較例１）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（スパッタリング、厚さ２００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗５Ω／ｃｍ２）をコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは４．７ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は６７．２ｎｍであった。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１３４．４であった。通電したところ、１．７０％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７７】
（比較例２）
電極として、ガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（スパッタリング、厚さ２００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗５Ω／ｃｍ２）をコートし、さらに絶縁層としてＳｉＯ２を８０ｎｍの厚さにコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは４．０ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は６３．６ｎｍであった。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１２７．２であった。通電したところ、１．３０％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７８】
（比較例３）
電極としてガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（スパッタリング後研磨、厚さ１５０ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗１０Ω／ｃｍ２）を作製したものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは０．４ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は３２．８ｎｍであった。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は６５．７であった。通電したところ、１．６７％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００７９】
（比較例４）
電極としてガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（蒸着、厚さ２００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗１０Ω／ｃｍ２）をコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは５．１ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は７８．７ｎｍであった。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１５７．３であった。通電したところ、１．５１％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００８０】
（比較例５）
電極としてガラス板（ジオマテック社製）の上にＩＴＯ膜（蒸着、厚さ２００ｎｍ、ＩＴＯ部の表面抵抗１０Ω／ｃｍ２）をコートしたものを用いた。この電極の表面の算術平均粗さＲａは５．１ｎｍであった。電極の表面の凸部重心間距離は７８．７ｎｍであった。低分子液晶としてメルク社製ＭＬＣ―２０５８（短軸方向の大きさ０．６ｎｍ）を用いた。他の条件は実施例１と同様にしてアクチュエータを作製した。電極の表面の凸部重心間距離／低分子液晶の短軸方向の大きさの比は１３１．１であった。通電したところ、１．６７％変位する様子が観察された。この応答は電圧の印加／解除により可逆的に起った。
【００８１】
［評価試験］変位量試験
実施例１〜８、および比較例１〜５で作製したアクチュエータを偏光顕微鏡（オリンパス株式会社製ＢＨ−２）に設置し、図１３に示すように、ファンクションジェネレータ７３（株式会社エヌエフ回路設計ブロック製ＷＦ１９４３Ａ）で交流１０Ｖ、５０Ｈｚを発生させ、電圧増幅装置７４（株式会社エヌエフ回路設計ブロック製エヌエフ社ＨＶＡ４３２１）で１００Ｖに昇圧して、電圧を印加した。この様子を図１３の矢印の方向から５倍の対物レンズを用いて観察した。画像取り込みシステム（菊地光学株式会社製Ｍｏｔｉｃａｍ２０００）を用いＰＣに動画で記録し、寸法を計測して液晶エラストマーの幅の変位量を求めた。結果を表１に示す。
【００８２】
この際、交流電流をディジタルマルチメータ（横河電機株式会社製７５５５）でモニターしながら行ったところ、いずれのサンプルでも４５μＡ程度の交流電流が流れた。
【００８３】
【表１】
2010017066.tif 000003
【００８４】
表１の結果から、電極表面の凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が７０〜１２５である実施例１〜８のアクチュエータは、比較例１〜５のアクチュエータに比べて、大きな変位量が得られることが確認された。Ａ／Ｂの値が１００〜１２５である実施例１、４、６、７、８のアクチュエータは特に良好な結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の液晶エラストマーアクチュエータを示す模式図である。
【図２】電極の表面の凸部重心間距離（Ａ）と低分子液晶の短軸方向の大きさ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）と、低分子液晶分子の配向との関係を示す図である。
【図３】本発明に係る電極表面の解析手法を示す図である。
【図４】低分子液晶の大きさを示す図である。
【図５（ａ）】液晶エラストマーにおいて、液晶性を示す基が、エラストマーの側鎖に含まれる例を示す模式図である。
【図５（ｂ）】エラストマーの主鎖に含まれる例を示す模式図である。
【図５（ｃ）】エラストマーの側鎖と主鎖とに含まれる例を示す模式図である。
【図５（ｄ）】液晶エラストマーに低分子液晶が含浸されている例を示す模式図である。
【図６】本発明の液晶エラストマーの延伸による配向の強さの変化の例を示す模式図である。
【図７】本発明の液晶エラストマーアクチュエータの他の実施形態を示す模式図である。
【図８】本発明の液晶エラストマーアクチュエータの他の実施形態を示す模式図である。
【図９】本発明の液晶エラストマーアクチュエータの変形を厚さの変形に用いた例を示す模式図である。
【図１０】本発明の液晶エラストマーアクチュエータの変形を持ち上げる変形に用いた例を示す模式図である。
【図１１】本発明の液晶エラストマーアクチュエータを用いた車両用部品を示す概略図である。
【図１２】本発明の液晶エラストマーアクチュエータを用いた車両用部品を示す概略図である。
【図１３】液晶エラストマーアクチュエータの評価方法を示す模式図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０    液晶エラストマーアクチュエータ、
１１    高分子骨格（高分子鎖）、
１２    側鎖に結合した液晶性を示す基、
１３    主鎖に結合した液晶性を示す基、
１４    低分子液晶、
２０    電極、
３０    低分子液晶層、
３５    封止材、
４０    液晶エラストマー、
４５    基布、
５０    フレーム、
６０    乗員１名用シート、
６１    シート座面、
６２    ベンチシート、
６３    乗員、
７１    基材（ガラス板）、
７２    スペーサー
７３    ファンクションジェネレータ、
７４    電圧増幅装置。
【図１】
2010017066.tif 000004
【図２】
2010017066.tif 000005
【図４】
2010017066.tif 000006
【図５（ａ）】
2010017066.tif 000007
【図５（ｂ）】
2010017066.tif 000008
【図５（ｃ）】
2010017066.tif 000009
【図５（ｄ）】
2010017066.tif 000010
【図６】
2010017066.tif 000011
【図７】
2010017066.tif 000012
【図８】
2010017066.tif 000013
【図９】
2010017066.tif 000014
【図１０】
2010017066.tif 000015
【図１１】
2010017066.tif 000016
【図１２】
2010017066.tif 000017
【図１３】
2010017066.tif 000018
【図３】
2010017066.tif 000019