(57)【要約】【課題】発光素子のカソード電極の電圧が位置によって変化してしまうことを防止する有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、第１基板１００と、第１基板１００上に形成された複数の発光素子１３０と、第１基板１００に対向するように配置された第２基板３００と、隣接する発光素子１３０の間の部分に対応するように第２基板３００上に形成されたスペーサ３２０と、スペーサ３２０上に形成され、カソード電極１３４と接触する補助電極３４０とを含んでいることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成され、第１電極と、有機発光層と、第２電極とを含んだ複数の発光素子と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
隣接した前記発光素子の間の部分に対応するように前記第２基板上に形成されたスペーサと、
前記スペーサ上に形成され、前記第２電極と接触する補助電極と
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は、前記複数の発光素子の共通電極として用いられることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記補助電極は、メッシュ状または電気的に互いに接続された複数のストライプ状の形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記補助電極は、前記第２電極よりも比抵抗の低い金属または導電物で形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記金属が、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕからなる群より選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記導電物が、Ｃｒ、ＣｒＯ及びＭＩＨＬからなる群より選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記スペーサは、有機物または無機物で形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記発光素子の前記第１電極に接続された薄膜トランジスタをさらに含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、前面発光型有機電界発光表示装置に関し、より詳細には、発光素子のカソード電極が画素領域の全面に共通に形成されている有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光表示装置は、自発光性を有する表示装置であって、有機発光層を含む発光素子が配列された基板と、基板に対向するように配置された封止基板と、発光素子を密封する密封材とを含んでいる。
【０００３】
このように構成された有機電界発光表示装置は、有機発光層から光が放出される方向によって前面発光構造と背面発光構造とに区分される。封止基板方向に光を放出する前面発光構造は、発光素子が配列された基板方向に光を放出する背面発光構造に比べて、開口率が高いという長所がある。
【０００４】
前面発光構造の有機電界発光表示装置は、封止基板方向に光を放出するため、カソード電極はＩＴＯ、ＩＺＯなどのような透明電極物質で薄く形成しなければならない。しかし、透明電極物質は比抵抗が高いため、カソード電極を共通電極の形で画素領域の全面に形成する場合、位置に応じて電圧差が発生し、画質が不均一になるという問題点があった。すなわち、電源供給源に近い位置と、電源供給源から遠く離れた位置との間の電圧差（電圧降下）によって、画素間の輝度差が発生するため、画質が低下してしまう。このような電圧差は、電流駆動方式で動作する有機電界発光表示装置が大型化するほど深刻化する。電圧差を減少させるためには、駆動電圧を増加させることが考えられるが、駆動電圧を増加させると、消費電力が増大するという短所がある。そのため、大型表示装置を実現するためには、消費電力を増加させずに高画質を実現できるカソード電極の材料及び構造に関する研究が必要となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】大韓民国特許公開第２００７−００７１２６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、カソード電極の位置に応じた電圧差を最小化することができる有機電界発光表示装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、カソード電極と、カソード電極の電圧降下を補償するための補助電極とが安定して接触することができる有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様による有機電界発光表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、第１電極と、有機発光層と、第２電極とを含んだ複数の発光素子と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、隣接した前記発光素子の間の部分に対応するように前記第２基板上に形成されたスペーサと、前記スペーサ上に形成され、前記第２電極と接触する補助電極とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の有機電界発光表示装置は、封止基板に積層構造のスペーサ及び補助電極が形成され、スペーサによって補助電極がカソード電極に密着するようにしたことを特徴としている。ここで、低抵抗の補助電極によって、カソード電極の電圧を位置にかかわらず一定に維持することができ、これによって消費電力を減少させて、画素間の輝度差を発生させないようにできる。また、スペーサによって補助電極がカソード電極と安定して接触するので、高品位の画質を実現することができる。さらに、本発明の補助電極は、透過率の低い金属で形成され、外部光の反射を抑制するブラックマトリクスの役割を果たしている。これにより、黒輝度を減少させてコントラストを向上させることができ、ブラックマトリクスまたは偏光板を別途に必要としないため、表示装置の構造を単純化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の有機電界発光表示装置の構成を示す概略的な平面図である。
【図２】図２は、図１に示した発光素子の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、複数の発光素子が形成された画素領域を封止するための封止基板の部分的な拡大平面図である。
【図４】図４は、図３のＩ１−Ｉ２部分の構造を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の有機電界発光表示装置の構造を示す概略的な断面図である。
【図６】図６は、図５の「Ｂ」部分の構造を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明の有機電界発光表示装置の構成を説明するための概略的な平面図であり、図２は、図１に示す発光素子１３０の構造を説明するための断面図である。
【００１２】
図１に示すように、基板１００は、画素領域１２０と、画素領域１２０の周辺に位置する非画素領域１４０とを含んでいる。画素領域１２０には、走査線１５０及びデータ線１６０と、走査線１５０とデータ線１６０との間にマトリクス状に接続された複数の発光素子１３０とが配列されている。また、非画素領域１４０には、画素領域１２０の走査線１５０及びデータ線１６０から延びた走査線１５０及びデータ線１６０と、発光素子１３０の動作のための電源供給線（図示せず）と、パッド１９０を介して外部から提供された信号を処理して走査線１５０及びデータ線１６０に供給する走査駆動部１７０及びデータ駆動部１８０とが配置されている。走査駆動部１７０及びデータ駆動部１８０は、パッド１９０を介して外部から提供される信号を走査信号及びデータ信号に変換して発光素子１３０を選択的に駆動させる駆動回路を含んでいる。
【００１３】
図２に示すように、発光素子１３０は、アノード電極１３１と、カソード電極１３４と、アノード電極１３１とカソード電極１３４との間に形成された有機発光層１３３とを含んでいる。アノード電極１３１は、画素部の基板１００上にそれぞれ形成されている。また、有機発光層１３３は、画素画定膜１３２によって画定された発光領域（アノード電極１３１が露出する領域）１３６に形成され、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層を含むことが可能である。さらに、カソード電極１３４は、画素領域１２０の全面に配置され、複数の発光素子１３０の共通電極として用いられている。
【００１４】
さらに、発光素子１３０には、動作を制御するための薄膜トランジスタ１１０と、信号を維持するためのキャパシタ（図示せず）とが接続されている。薄膜トランジスタ１１０は、半導体層１１２と、ゲート電極１１４と、ソース／ドレイン電極１１６とを含んでいる。半導体層１１２は、ソース及びドレイン領域と、チャネル領域とを提供している。また、ゲート電極１１４は、ゲート絶縁層１１３によって半導体層１１２と絶縁されている。さらに、ソース／ドレイン電極１１６は、絶縁層１１５及びゲート絶縁層１１３に形成されたコンタクトホールを介して半導体層１１２のソース及びドレイン領域に接続されている。説明していない図面番号「１１１」はバッファ層、「１１７」は平坦化絶縁層である。
【００１５】
図３は、複数の発光素子１３０が形成された画素領域１２０を封止するための封止基板３００の一部分の拡大平面図であり、図４は、図３のＩ１−Ｉ２部分の断面図である。
【００１６】
図３及び図４に示すように、封止基板３００には、隣接する発光素子１３０の間の部分に対応するように、スペーサ３２０及び補助電極３４０が積層構造で形成されている。図３に点線で表した「Ａ」部分は、発光素子１３０の発光領域１３６に対応する部分を示すためのものである。
【００１７】
スペーサ３２０は、カソード電極１３４と封止基板３００との間の間隔を一定に維持し、補助電極３４０をカソード電極１３４に密着させるためのものである。これにより、スペーサ３２０の高さは、カソード電極１３４と封止基板３００との間の間隔及び補助電極３４０の厚さによって調節可能である。スペーサ３２０は、有機物または無機物で形成することができる。さらに、補助電極３４０は、カソード電極１３４と接触して電極の比抵抗を減少させるのと同時に、均一に分布した接触部を介して位置に応じた電圧差を減少させるためのものである。したがって、補助電極３４０は、カソード電極１３４よりも比抵抗の低い金属または導電物で形成される。例えば、カソード電極１３４がＩＴＯ、ＩＺＯなどで形成される場合、補助電極３４０は、比抵抗の低い金属、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどで形成することが好ましい。
【００１８】
図３には、スペーサ３２０及び補助電極３４０がメッシュ状に形成された場合を示しているが、補助電極３４０とカソード電極１３４との接触部が均一に分布し、電気的に互いに接続される複数のストライプ状の形状でも実現可能であることはいうまでもない。
【００１９】
図５は、本発明の有機電界発光表示装置の構造を説明するための概略的な断面図であり、図６は、図５の「Ｂ」部分の拡大断面図である。
【００２０】
図５及び図６に示すように、複数の発光素子１３０を含む基板１００上に、画素領域１２０を封止するための封止基板３００が配置され、密封材４００によって封止基板３００が基板１００に貼り合わされる。封止基板３００が基板１００に貼り合わされることにより、封止基板３００の補助電極３４０がカソード電極１３４と接触する。また、スペーサ３２０によって補助電極３４０とカソード電極１３４との間の接触を安定して維持することができる。
【００２１】
本発明の他の実施例として、補助電極３４０を、クロム（Ｃｒ）のように透過率の低い金属、透過率の低い金属を含む酸化物（例えば、Ｃｒ２Ｏ３など）または厚さに応じて無機物と金属とが反比例的組成比を有するＭＩＨＬ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｈｙｂｒｉｄ  Ｌａｙｅｒ）などの導電物で形成することができる。これにより、補助電極３４０が外部光の反射を抑制するブラックマトリクスとしての役割を果たすことができるため、黒輝度を減少させてコントラストを向上させることができる。この場合、ブラックマトリクスまたは偏光板を別途に必要としないため、表示装置の構造を単純化することができる。
【００２２】
また、図６の構造において、スペーサ３２０に対応した部分の画素画定膜１３２上にスペーサ（図示せず）を形成すると、補助電極３４０とカソード電極１３４との間の接触をより安定して維持することができる。
【符号の説明】
【００２３】
１００  基板
１１０  薄膜トランジスタ
１２０  画素領域
１３０  発光素子
１４０  非画素領域
１５０  走査線
１６０  データ線
１７０  走査駆動部
１８０  データ駆動部
１９０  パッド
３００  封止基板
３２０  スペーサ
３４０  補助電極
４００  密封材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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