(57)【要約】【課題】ストライプ両端部での劣化現象を抑制でき、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供すること。【解決手段】一対の電極層４０及び電極層５０と、前記一対の電極層４０及び電極層５０の間に形成され、活性層２０ｃ、光ガイド層２０ｂ、２０ｄ、及びクラッド層２０ａ、２０ｅを含むエピタキシャル層２０と、を有し、前記電極層４０は、前記エピタキシャル層２０と導通するストライプ４１、及び前記ストライプ４１の両側に位置し、前記エピタキシャル層２０との間に絶縁層３０が介在する電流注入部４２を備え、前記電極層４０に直交する方向における前記エピタキシャル層２０の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプ４１の中央部よりも、その端部側で大きいことを特徴とする半導体レーザ素子２００。【選択図】 図１
2010219261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極層Ａ及び電極層Ｂと、
前記一対の電極層Ａ及び電極層Ｂの間に形成され、活性層、光ガイド層、及びクラッド層を含むエピタキシャル層と、を有し、
前記電極層Ａは、前記エピタキシャル層と導通するストライプ、及び前記ストライプの両側に位置し、前記エピタキシャル層との間に絶縁層が介在する電流注入部を備え、
前記電極層Ａに直交する方向における前記エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプの中央部よりも、その端部側で大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記電極層Ａに直交する方向における前記エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプの中央部からその端部側にゆくほど、大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記電極層Ａに直交する方向における前記エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプの中央部において極小値をもつ二次関数的分布に従うことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記エピタキシャル層全体、又は前記エピタキシャル層を構成する１以上の層の膜厚が、前記ストライプの中央部よりも、その端部側で大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記エピタキシャル層全体、又は前記エピタキシャル層を構成する１以上の層の抵抗率が、前記ストライプの中央部よりも、その端部側で大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザ素子において出力時に結晶欠陥等に起因する特性劣化が観測され、十分な出力特性や寿命が得られていないという問題があった。この特性劣化について、これまで幾つかの検討が行われてきている。特性劣化の原因としては、結晶に起因する劣化現象である、光学損傷破壊（ＣＯＤ：Catastrophic Optical Damage）や暗線欠陥（ＤＬＤ：Dark Line Defect）が知られている。
【０００３】
ＣＯＤやＤＬＤは、光出力を低下させる非可逆的破壊が生じる現象として知られており、以下のようにして生じると考えられている。すなわち、半導体レーザの動作時に結晶に内在する欠陥準位を介した非発光再結合が起こり、局所的なキャリア密度の低下が発生する。そのため、共振器内部の利得が得られる発振波長に対し、その領域でキャリア密度低下により利得が得られず光吸収が起こる。光吸収により温度上昇が起こりバンドギャップEgは減少する。バンドギャップが減少することで、さらに吸収が増え、温度が上昇するという正帰還がかかり、結晶溶融や転位の発生に至り、素子の劣化・破壊が起きる。
【０００４】
これまで、特開平6-338657（特許文献１）のように、この劣化現象に対する半導体レーザの耐性を向上させるべく、光密度が高い領域である反射鏡近傍、つまり共振器端面の活性層を中央部の活性層よりもバンドギャップの大きい結晶材料で構成するウィンドウ構造が提案されている。
【０００５】
このウィンドウ構造は、再成長により共振器端面に非吸収ミラー（NAM：Non Absorbing Mirror）を構成する。レーザの基本構造である結晶の積層構造を作製した後、共振器端部を活性層に達するまでエッチングし、再度結晶成長により共振器端面を埋め込み成長させた構造としている。ここで再成長した結晶のバンドギャップを活性層に対して大きくすることで共振器端部の埋め込み層は発振波長に対して透明になり、ウィンドウ構造が構成される。
この他に、特開平5-218593（特許文献２）のように、不純物拡散による非吸収ミラーが考案されている。これは、Ｚｎ、Ｓｉ等の熱拡散を利用し、活性層付近で結晶のディスオーダ化を図り、端面付近の実効屈折率を下げ、発振波長に対し透明になることを利用する。
どちらにしても共振器端部に吸収構造を採用することでウィンドウ構造を形成し、反射面近傍での劣化現象を抑制し、レーザの出力特性や寿命をある程度向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平6-338657号公報
【特許文献２】特開平5-218593号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体レーザ素子（特に大出力の半導体レーザ素子）においては、上述の共振器端部での光密度分布に加えて、ストライプ両端部での光密度が高くなるという問題がある。そのため、上述の劣化現象がストライプ両端部で発生しやすいという問題があった。
これは、半導体レーザ素子の注入電流分布に起因したものである。一般に半導体レーザ素子は、上記ストライプの幅を広げることで、利得飽和や熱の影響を抑制でき、注入した電流に対し高い光出力を得ることができる。しかしながら、ストライプ両端部の両外側から電流を注入した場合、電極面積が広いことから、その抵抗成分により注入電流がストライプ両端部で高く、中央部で低くなる。この電流分布に応じ、光密度もストライプ両端部で高くなる。その結果、上述の劣化現象がストライプ両端部で発生しやすくなってしまう。
これに対し、ストライプの中に電流を導くワイヤをボンディングすることが考えられるが、ストライプの中にワイヤをボンディングすることは、ストライプ下部にある活性層にダメージを与え、レーザの出力特性や寿命の低下を招いてしまう。
【０００８】
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたもので、ストライプ両端部での劣化現象を抑制でき、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体レーザ素子は、一対の電極層Ａ及び電極層Ｂと、前記一対の電極層Ａ及び電極層Ｂの間に形成され、活性層、光ガイド層、及びクラッド層を含むエピタキシャル層とを有し、前記電極層Ａは、前記エピタキシャル層と導通するストライプ、及び前記ストライプの両側に位置し、前記エピタキシャル層との間に絶縁層が介在する電流注入部を備える。そして、前記電極層Ａに直交する方向における前記エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプの中央部よりも、その端部側で大きい。
【００１０】
本発明の半導体レーザ素子は、エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗が上記のような分布を有することにより、注入電流が、ストライプ両端部で高くなってしまうことを防止できる。その結果として、ストライプ両端部での劣化現象を防止できる。なお、その原理については後述する。
また、ストライプの中に電流を導くワイヤをボンディングする必要がないため、ストライプ下部にある活性層にダメージが生じ、レーザの出力特性や寿命の低下を招いてしまうようなことがない。
【００１１】
本発明において、前記電極層Ａに直交する方向における前記エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプの中央部からその端部側にゆくほど、大きくすることが好ましい。こうすることにより、注入電流を均一化し、ストライプ両端部での劣化現象を防止する効果が一層著しくなる。なお、前記エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプの中央部からその端部側にゆくにつれて、連続的に変化してもよいし、階段状に変化してもよい。
【００１２】
また、本発明において、前記電極層Ａに直交する方向における前記エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプの中央部において極小値をもつ二次関数的分布に従うことが好ましい。こうすることにより、注入電流を均一化し、ストライプ両端部での劣化現象を防止する効果が一層著しくなる。
【００１３】
エピタキシャル層の単位面積あたりの抵抗が上記のような分布を持つ形態としては、例えば、前記エピタキシャル層全体、又は前記エピタキシャル層を構成する１以上の層の膜厚が、前記ストライプの中央部よりも、その端部側で大きいものが挙げられる。特に、前記エピタキシャル層全体、又は前記エピタキシャル層を構成する１以上の層の膜厚が、前記ストライプの中央部からその端部側にゆくほど、大きくなることが好ましい。
【００１４】
また、他の形態としては、例えば、前記エピタキシャル層全体、又は前記エピタキシャル層を構成する１以上の層の抵抗率が、前記ストライプの中央部よりも、その端部側で大きいものが挙げられる。特に、前記エピタキシャル層全体、又は前記エピタキシャル層を構成する１以上の層の抵抗率が、前記ストライプの中央部からその端部側にゆくほど、大きくなることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】半導体レーザ素子２００の構成を表す斜視図である。
【図２】コンタクト層２０ｆの膜厚分布を表す説明図である。
【図３】半導体レーザ素子２００の製造方法を表す説明図である。
【図４】半導体レーザ素子２００の動作状態を表す等価回路図である。
【図５】半導体層１００の抵抗分布を表すグラフである。
【図６】半導体層１００を流れる注入電流の分布を表すグラフである。
【図７】半導体レーザ素子２００の構成を表す斜視図である。
【図８】半導体レーザ素子２００の製造方法を表す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施形態を説明する。
【実施例１】
【００１７】
１．半導体レーザ素子２００の構成
半導体レーザ素子２００の構成を図１に基づいて説明する。半導体レーザ素子２００は、Ｎ型基板１０の上面に、Ｎ型クラッド層２０ａ、光ガイド層２０ｂ、活性層２０ｃ、光ガイド層２０ｄ、Ｐ型クラッド層２０ｅ、及びコンタクト層２０ｆからなるエピタキシャル層２０と、絶縁層３０と、Ｐ型電極４０とを積層し、一方、Ｎ型基板１０の裏面に、Ｎ型電極５０及びはんだ層６０を積層した構造を有する。
【００１８】
ここで、上記Ｎ型基板１０は、Ｎ型ＧａＡｓ基板である。また、上記Ｎ型クラッド層２０ａは、Ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層である。また、上記光ガイド層２０ｂは、ＡｌＧａＡｓ光ガイド層（N型あるいはアンドープ）である。また、上記活性層２０ｃは、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸活性層（アンドープのＡｌＧａＡｓ障壁層とアンドープのＧａＡｓ井戸層を交互に複数層積層して構成されたＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸（MQW: Multi Quantum Well）活性層）である。また、上記光ガイド層２０ｄは、ＡｌＧａＡｓ光ガイド層（ P型あるいはアンドープ）である。また、上記Ｐ型クラッド層２０ｅは、Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層である。また、上記コンタクト層２０ｆは、Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。
【００１９】
上記絶縁層３０のうち、左右方向（図１における左右方向であって、以下、ストライプ幅方向とする）における中央部は切り欠かれており、この中央部において、Ｐ型電極４０はエピタキシャル層２０（特にコンタクト層２０ｆ）と接している。Ｐ型電極４０のうち、エピタキシャル層２０と接する部分をストライプ４１とする。ストライプ４１のストライプ幅方向における幅をＬとする。また、活性層２０ｃの共振器長をＷとする。Ｐ型電極４０のうち、ストライプ４１の両側（以下、電流注入部４２とする）は、絶縁層３０によってエピタキシャル層２０と隔てられている。電流注入部４２には、電流注入のための金線ワイヤ７０ａ、７０ｂがボンディングされている。なお、Ｎ型基板１０とエピタキシャル層２０を合わせて半導体層１００とする。
【００２０】
ここで、エピタキシャル層２０を構成する層の中では、活性層２０ｃの屈折率が最も高く、光ガイド層２０ｂ、２０ｄの屈折率は、活性層２０ｃの屈折率よりも低く、Ｎ型クラッド層２０ａ及びＰ型クラッド層２０ｅの屈折率は、光ガイド層２０ｂ、２０ｄの屈折率よりも低い。これにより光を活性層２０ｃに閉じ込めることができる。
【００２１】
２．コンタクト層膜厚tについて
次に、コンタクト層２０ｆの膜厚t（以下、コンタクト層膜厚tという）について、図２に基づいて説明する。図２に示すように、コンタクト層膜厚tは、ストライプ４１の中央部Ｃよりも、その端部Ｅ側で大きくなる。さらに詳しくは、コンタクト層膜厚tは、ストライプ４１の中央部Ｃからその端部側Ｅにゆくほど、大きくなる。さらに詳しくは、コンタクト層膜厚tは、ストライプ４１の中央部Ｃにおいて極小値をもつ二次関数的分布に従う。
【００２２】
なお、図２では、コンタクト層２０ｆのうち、半分のみを図示しているが、図示していない残りの半分においても、コンタクト層２０ｆの膜厚tは同様に設定されている。
３．半導体レーザ素子２００の製造方法
次に、半導体レーザ素子２００の製造方法を説明する。まず、Ｎ型基板１０を準備する。そして、このＮ型基板１０の上面に、Ｎ型クラッド層２０ａ、光ガイド層２０ｂ、活性層２０ｃ、光ガイド層２０ｄ、Ｐ型クラッド層２０ｅ、及びコンタクト層２０ｆからなるエピタキシャル層２０をエピタキシャル成長させる。
【００２３】
なお、エピタキシャル成長法としては、液相エピタキシ（LPE：liquid-Phase Epitaxy）、分子線エピタキシ（MBE：Molecular-Beam Epitaxy）、有機金属気相エピタキシ（MOCVD：Metal-Organic Chemical Vapor Epitaxy）等の方法がある。また、活性層２０ｃの構造としては、例えば、ダブルヘテロ構造、量子井戸構造等を採用してもよい。
【００２４】
コンタクト層膜厚tの膜厚分布は、以下のようにして形成することができる。図３（ａ）に示すように、エピタキシャル層２０を形成した後、コンタクト層２０ｆの上面にフォトレジスト層３００を形成する。露光に用いるマスクにおける開口部の線幅を、ストライプ４１の中央部に対応する部分では広く、ストライプ４１の両端部に近づくに従って狭くする。これにより、フォトレジスト層３００は、ストライプ４１の中央部に対応する部分では広く除去され、ストライプ４１の両端部に近づくに従って、除去される部分の幅が狭くなる。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、ドライエッチを行うと、マイクロローディング効果によるエッチングレート差が生じ、中央部が深く、両端部が浅いエッチング形状が実現出来る。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトレジスト層３００を除去した後、等方性エッチングにより残存部を除去することで、上述したようなコンタクト層膜厚tの膜厚分布を形成する。
【００２７】
その後、コンタクト層２０ｆの上面に絶縁層３０を形成し、Ｐ型電極４０を電子ビーム蒸着法やスパッタ法等により形成する。パターン化が必要な場合は、フォトレジスト加工、ケミカルエッチングやイオンビームエッチング等を用いて所定のパターンに加工する。
【００２８】
次に、チップ化の際のへき開を容易にするために、Ｎ型基板１０の裏面を研磨し、薄片化する。なお、へき開面を使用せずドライエッチングにより反射面を作製する場合はこの限りでない。
【００２９】
次に、Ｎ型電極５０を、Ｎ型基板１０の裏面に、電子ビーム蒸着法やスパッタ法等により所定の厚さに成膜する。成膜後、アニールを行い、Ｎ型電極５０として形成する。次いで、はんだ層６０をＮ型電極５０の裏面に形成する。なお、このはんだ層６０として気相成長による薄膜を使用する場合には、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着やスパッタ等の方法により薄膜を形成する。
【００３０】
このようにして作製した半導体レーザ素子２００を、図示しないヒートシンク、その他の半導体基板や回路基板等に接合し実装（ダイボンド）する。ダイボンドの次には半導体レーザ素子２００と電気的コンタクトをとるため、Ｐ型電極４０と駆動回路配線とをAu、Pt等の金線ワイヤ７０ａ、７０ｂでボンディングする。このとき、ワイヤボンディングはストライプ４１の両側に位置する電流注入部４２に施す。なお、ストライプ４１の中にワイヤをボンディングすると、エピタキシャル層２０にダメージが入り、半導体レーザ素子２００が劣化するため、好ましくない。その後、必要に応じて半導体レーザ素子２００をカン封入する。
【００３１】
なお、半導体レーザ素子２００の製造方法は、上述の製造方法に限定されず、本発明の趣旨を逸脱することなく種々の方法を採ることが可能である。
４．半導体レーザ素子２００が奏する効果
半導体層１００を、その厚さ方向に流れる電流を、注入電流とする。半導体レーザ素子２００では、この注入電流の、ストライプ幅方向に関するばらつきが小さい。すなわち、従来の半導体レーザ素子では、注入電流は、ストライプ４１の中央部では小さく、ストライプ４１の端部に近づくほど大きくなっていたが、半導体レーザ素子２００では、その差が小さい。このことを、図４、図５に基づいて説明する。
【００３２】
図４は、半導体レーザ素子２００のストライプ４１の中央部から端部においての等価回路図である。図４において、０、１、・・・ｎは、ストライプ幅方向における座標であって、０はストライプ４１の中央部の座標であり、ｎはストライプ４１の端部における座標である。ｍは、０〜ｎまでの任意の値である。ＲLはＰ型電極４０のストライプ幅方向長さΔL分の抵抗である。Ｉm（ｍ＝０、１・・・ｎ）は、座標ｍにおいてＰ型電極４０をストライプ幅方向に流れる電流である。Ｒm（ｍ＝０、１・・・ｎ）は、半導体層１００のうち、座標ｍの部分におけるΔL分の、厚さ方向での抵抗である。Ｖm（ｍ＝０、１・・・ｎ）は、上記抵抗Ｒmにかかる電圧である。ここで、座標ｍにおける半導体層１００の厚さ方向の電流は、Ｖm/Ｒmとして表される。
上記図４の等価回路より、下記の方程式(1)、(2)が求められる。
【００３３】
【数１】
2010219261.tif 000003
【００３４】
上記方程式(1)、(2)において半導体層１００の厚さ方向における電流Ｖm/Ｒm（注入電流）が座標０〜ｎにおいて等しいとし、Ｒmを求めると下記式(3)、(4)が求められる。
【００３５】
【数２】
2010219261.tif 000004
【００３６】
ｍの範囲は０からｎであることから、ｆ（ｍ）は、ｎが増加する（ストライプ幅方向において、中央部から端部に向かう）につれて、二次関数的に増加することが分かる。従って、図４の等価回路図がストライプ４１の端部（座標0）から中央部（座標ｎ）までを表しているため、Ｒmの抵抗分布はストライプ４１の中心部が最も低く、ストライプ４１の両端部に近づくに従って二次関数的に高くなる。
【００３７】
注入電流が、ストライプ幅方向における位置によらず一定であると仮定した場合におけるＲmの概略図を図５に示す。図５に示すＲmのストライプ幅方向における分布を以下では分布Ｄとする。
【００３８】
以上の結果から、Ｒmの分布が分布Ｄであれば、注入電流は、ストライプ幅方向における位置によらず、一定になることが分かる。
半導体レーザ素子２００では、上述したように、コンタクト層膜厚tは、ストライプ４１の中央部Ｃからその端部側Ｅにゆくほど、大きくなる。そのため、半導体レーザ素子２００におけるＲmは、分布Ｄと同様に、ストライプ４１の中央部Ｃからその端部側Ｅにゆくほど、大きくなる。よって、注入電流の、ストライプ幅方向に関するばらつきは小さい。特に、Ｒmが分布Ｄと一致するように、コンタクト層膜厚tのストライプ幅方向における分布を設定すれば、図６の実線に示すように、注入電流を、ストライプ幅方向における位置によらず、一定とすることができる。一方、従来の半導体レーザ素子のように、ストライプ幅方向における位置によらずＲmが一定であれば、図６の波線に示すように、注入電流は、ストライプ幅方向における中央部では小さく、両端部では大きくなってしまう。
【００３９】
なお、注入電流のストライプ幅方向における分布は、コンタクト層膜厚tのストライプ幅方向における分布の設定により種々に変えることができる。
例えば、分布Ｄと対比して、ストライプ４１の両端部におけるＲmが高く、中央部におけるＲmが低くなるようにコンタクト層膜厚tのストライプ幅方向における分布を設定すれば、注入電流は、ストライプ４１の中央部で高くなる。また、分布Ｄと対比して、ストライプ４１の両端部におけるＲmが低く、中央部におけるＲmが高くなるようにコンタクト層膜厚tのストライプ幅方向における分布を設定すれば、注入電流は、ストライプ４１の中央部で低くなる。
【００４０】
５．変形例
本実施形態では、コンタクト層膜厚tに膜厚分布を持たせているが、例えば、Ｎ型クラッド層２０ａ、Ｐ型クラッド層２０ｅ、Ｎ型基板１０のうちのいずれか１つ、又は２以上に、コンタクト層２０ｆの場合と同様の膜厚分布を持たせてもよい。その場合、Ｎ型クラッド層２０ａ、Ｐ型クラッド層２０ｅは光を閉じ込める役割があるため、光の閉じ込めに影響を与えない程度に厚みを持たせる必要がある。また、半導体層１００全体に、コンタクト層２０ｆの場合と同様の膜厚分布を持たせてもよい。
【実施例２】
【００４１】
本実施例における半導体レーザ素子２００の構成及び作用は、基本的には前記実施例１と同様であるが、一部において相違する。以下では、その相違点を中心に説明し、同様の部分の説明は省略乃至簡略化する。
【００４２】
本実施例の半導体レーザ素子２００では、図７に示すように、半導体層１００を構成する各層の膜厚は均一であり、半導体層１００の膜厚も均一である。
ただし、本実施例の半導体レーザ素子２００では、半導体層１００の抵抗率（単位厚みあたりの抵抗）は、ストライプ４１の中央部Ｃよりも、その端部Ｅ側で大きくなる。さらに詳しくは、半導体層１００の抵抗率は、ストライプ４１の中央部Ｃからその端部側Ｅにゆくほど、大きくなる。さらに詳しくは、半導体層１００の抵抗率は、ストライプ４１の中央部Ｃにおいて極小値をもつ二次関数的分布に従う。
【００４３】
上記のような半導体層１００の抵抗率の分布は、半導体層１００のドーピングキャリア濃度を、ストライプ４１の中央部Ｃからその端部側Ｅにゆくほど、小さくすることにより実現できる。
【００４４】
次に、本実施例の半導体レーザ素子２００の製造方法（特にドーピングキャリア濃度の制御方法）を図８に基づいて説明する。
イオン注入法は、その注入イオンのエネルギーを変化させることにより、基板表面から所望の深さまでの層にほぼ一様にイオンを打ち込むことが可能である。従って、このような方法によるイオン注入を複数回行うことにより半導体層１００の抵抗率を所望の分布に変化させることができる。
【００４５】
例えば、図８に示すように、半導体層１００を構成する所定の層について、ストライプ幅方向における中央部に対しては、１〜３回目のイオン注入を実施し、両端部に対しては、３回目のイオン注入のみを実施し、中央部と両端部との中間部に対しては、２回目と３回目のイオン注入を行う。その後、ドーピングキャリア拡散を兼ねた活性化アニールを施すと、ドーピングキャリア濃度の分布は、なだらかとなり、且つストライプ４１の中央部Ｃからその端部側Ｅにゆくほど、小さくなる。この方法により、所望のドーピングキャリア濃度の分布（すなわち、抵抗率の分布）を得ることができる。
【００４６】
イオン注入法により抵抗率を変化させる前記所定の層は、コンタクト層２０ｆ、Ｎ型クラッド層２０ａ、Ｐ型クラッド層２０ｅ、Ｎ型基板１０のうちのいずれか１つ、又は２以上とすることができる。また、半導体層１００全体について、上記のように、ドーピングキャリア濃度の分布（すなわち、抵抗率の分布）を形成してもよい。
【００４７】
尚、本発明は前記実施の形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
例えば、半導体レーザ素子２００は、Ｐ型基板を用いた半導体レーザ素子であってもよい。また、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等ほかの半導体材料を用いた半導体レーザにも適用することが可能なものである。
【００４８】
また、前記実施例１のように、膜厚分布を形成する方法と、前記実施例２のように、ドーピングキャリア濃度の分布を形成する方法とを、併用してもよい。例えば、半導体層１００を構成する所定の層（単一の層であっても、複数の層であってもよい）において、前記実施例１のように、膜厚分布を形成するとともに、前記実施例２のように、ドーピングキャリア濃度の分布を形成してもよい。また、半導体層１００を構成する１以上の層において、前記実施例１のように、膜厚分布を形成するとともに、他の層において、前記実施例２のように、ドーピングキャリア濃度の分布を形成してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０・・・Ｎ型基板、２０・・・エピタキシャル層、２０ａ・・・Ｎ型クラッド層、
２０ｂ・・・光ガイド層、２０ｃ・・・活性層、２０ｄ・・・光ガイド層、
２０ｅ・・・Ｐ型クラッド層、２０ｆ・・・コンタクト層、３０・・・絶縁層、
４０・・・Ｐ型電極、４１・・・ストライプ、４２・・・電流注入部、
５０・・・Ｎ型電極、６０・・・はんだ層、７０ａ・・・金線ワイヤ、
１００・・・半導体層、２００・・・半導体レーザ素子、３００・・・フォトレジスト層
【図１】
2010219261.tif 000005
【図２】
2010219261.tif 000006
【図４】
2010219261.tif 000007
【図５】
2010219261.tif 000008
【図６】
2010219261.tif 000009
【図７】
2010219261.tif 000010
【図８】
2010219261.tif 000011
【図３】
2010219261.tif 000012