(57)【要約】【課題】球状フィラの噛み込みによる半導体素子の損傷を防止するとともに、モールド不良の発生を防止する【解決手段】半導体装置は、第１の半導体素子１と、第１の半導体素子１の上面に接着層２を介して搭載された第２の半導体素子３と、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３を封止するモールド樹脂体４と、モールド樹脂体４内に分散され、接着層２の平均厚みより小さな径を有する第１の球状フィラ１８と、モールド樹脂体４内に分散され、接着層２の平均厚みより大きな径を有する第２の球状フィラ１９とを備えている。モールド樹脂体４には、接着層２の平均厚みと同等の径を有する球状フィラが含まれていない。【選択図】図３
2010050262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体素子と、
前記第１の半導体素子の上面に接着層を介して搭載された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止するモールド樹脂体と、
前記モールド樹脂体内に分散され、前記接着層の平均厚みより小さな径を有する第１の球状フィラと、
前記モールド樹脂体内に分散され、前記接着層の平均厚みより大きな径を有する第２の球状フィラとを備えている半導体装置。
【請求項２】
前記モールド樹脂体には、前記接着層の平均厚みと同等の径を有する球状フィラが含まれていないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の球状フィラは、前記接着層の平均厚みに対して５％より小さな径を有し、
前記第２の球状フィラは、前記接着層の平均厚みに対して５％より大きな径を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記接着層はダイボンドシートであり、
前記第２の半導体素子の平面外形寸法は前記第１の半導体素子の平面外形寸法よりも小さく、
前記接着層の平面外形寸法は前記第２の半導体素子が前記第１の半導体素子に載置された部分の平面外形寸法と略同じであり、前記接着層の平面外周形状は、前記第２の半導体素子の平面外周に対して断続的に窪み部または突部が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記接着層が接着している、第１の半導体素子の上面と、第２の半導体素子の下面との少なくとも一方に、配線層を設けた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
第１の半導体素子の上面に接着層を介して第２の半導体素子を搭載する工程（ａ）と、
前記工程（ａ）の後、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を金型内に設置した状態で前記金型内に熱硬化性樹脂を注入して前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止するモールド樹脂体を形成する工程（ｂ）とを備え、
前記工程（ｂ）で用いられる前記熱硬化性樹脂には、前記接着層の平均厚みより小さな径を有する第１の球状フィラと、前記接着層の平均厚みより大きな径を有する第２の球状フィラとが混入されている半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）において、前記熱硬化性樹脂には前記接着層の平均厚みと同等の径を有する球状フィラが混入されないことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の球状フィラは、前記接着層の平均厚みに対して５％より小さな径を有し、
前記第２の球状フィラは、前記接着層の平均厚みに対して５％より大きな径を有していることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記接着層はダイボンドシートであり、
前記工程（ｂ）は、
複数の前記第２の半導体素子が形成されたウエハの下面に前記ダイボンドシートを接着する工程（ｂ１）と、
前記ウエハを個片化して、下面に前記ダイボンドシートが接着された前記第２の半導体素子を形成する工程（ｂ２）とを含んでいることを特徴とする請求項６〜８のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ａ）において、前記第１の半導体素子の上面上と、前記第２の半導体素子の上面または下面とにはそれぞれ配線が形成されていることを特徴とする請求項６〜９のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド樹脂により封止された半導体装置とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止型半導体装置は、例えばチップ状の第１の半導体素子と、この第１の半導体素子の上面にダイボンドシートを介して接着されたチップ状の第２の半導体素子と、第１の半導体素子及び第２の半導体素子を封止するモールド樹脂体と、このモールド樹脂体の内部において第１の半導体素子及び第２の半導体素子の少なくとも一方と電気的に接続され、少なくともその一部がモールド樹脂体の内部から外部へと引き出されたリードとを備えている。
【０００３】
モールド樹脂体は、球状フィラ（filler）を混入させた熱硬化性樹脂を金型内に流入させることにより形成される。ここで、球状フィラの径が、第１の半導体素子と第２の半導体素子との距離より小さいことにより、第１の半導体素子及び第２の半導体素子が損傷を受けにくくなっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
すなわち、従来の半導体装置では、モールド樹脂体に混入する球状フィラの直径を第１の半導体素子と第２の半導体素子との距離よりも小さくすることで、第１の半導体素子と第２の半導体素子との間に球状フィラが挟み込まれた状態で第１の半導体素子と第２の半導体素子との間にモールド樹脂体による圧力が加わった場合でも、第１の半導体素子と第２の半導体素子とが損傷を受けにくくなっている。
【特許文献１】特開２００８−５３５０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、球状フィラの径を小さくすれば、この球状フィラが、重ねられた第１の半導体素子と第２の半導体素子との間に噛み込むことによる損傷は回避できる。しかし、この場合、球状フィラを混入した熱硬化性樹脂の粘度が非常に高くなり、結果として樹脂が金型内をスムーズに流動せず、これが原因でモールド不良が発生するおそれがあった。
【０００６】
そこで本発明は、球状フィラの噛み込みによる第１の半導体素子及び第２の半導体素子の損傷を防止するとともに、モールド不良の発生を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために、本発明の半導体装置は、第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子の上面に接着層を介して搭載された第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止するモールド樹脂体と、前記モールド樹脂体内に分散され、前記接着層の平均厚みより小さな径を有する第１の球状フィラと、前記モールド樹脂体内に分散され、前記接着層の平均厚みより大きな径を有する第２の球状フィラとを備えている。
【０００８】
この構成によれば、樹脂注入工程において、第１の半導体素子と第２の半導体素子との隙間に第１の球状フィラが進入した場合でも、第１の球状フィラの径が小さいために第１の半導体素子と第２の半導体素子が損傷を受けにくくなっている。また、第２の球状フィラは径が大きいため第１の半導体素子と第２の半導体素子との隙間に入ることがなく、第１の半導体素子及び第２の半導体素子に損傷を与えることがない。さらに、大きい径を有する第２の球状フィラが混入されていることで、樹脂注入工程において樹脂の流動性を向上させることができるので、モールド不良の発生を抑えることができる。
【０００９】
なお、前記モールド樹脂体には、前記接着層の平均厚みと同等の径を有する球状フィラが含まれていないことが好ましい。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、第１の半導体素子の上面に接着層を介して第２の半導体素子を搭載する工程（ａ）と、前記工程（ａ）の後、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を金型内に設置した状態で前記金型内に熱硬化性樹脂を注入して前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を封止するモールド樹脂体を形成する工程（ｂ）とを備え、前記工程（ｂ）で用いられる前記熱硬化性樹脂には、前記接着層の平均厚みより小さな径を有する第１の球状フィラと、前記接着層の平均厚みより大きな径を有する第２の球状フィラとが混入されている。
【００１１】
この方法によれば、工程（ｂ）において、第１の半導体素子と第２の半導体素子との隙間に第１の球状フィラが進入した場合でも、第１の半導体素子と第２の半導体素子との間に第１の球状フィラが噛み込むことはなく、第２の球状フィラは第１の半導体素子と第２の半導体素子との隙間に入らないので、第１の半導体素子及び第２の半導体素子に損傷が入りにくくなっている。また、第２の球状フィラが混入されていることで、樹脂の流動性が向上し、モールド樹脂体の形成不良が防がれている。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明の半導体装置では、球状フィラが第１の半導体素子と第２の半導体素子の間に噛み込むのが防がれ、第１の半導体素子及び第２の半導体素子が損傷を受けにくくなっている。また、径の大きい第２の球状フィラが樹脂に混入されていることで、樹脂注入工程で熱硬化樹脂等の流動性を向上させ、モールド不良の発生を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施形態）
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置について、図面を用いて説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の外観を示す斜視図であり、図２は、本実施形態に係る半導体装置の図１に示すII-II線における断面図である。
【００１５】
図１及び図２に示すように、本実施形態の半導体装置は、ダイパッド（素子の支持部）７と、ダイパッド７上にダイボンド剤６を介して搭載されたチップ状の第１の半導体素子１と、第１の半導体素子１の上面（回路形成面）に接着層であるダイボンドシート２を介して接着・搭載された第２の半導体素子３と、ダイパッド７の周囲に設けられ、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子の少なくとも一方に電気的に接続された複数のリード５と、複数のリード５の各々と第１の半導体素子１または第２の半導体素子３とを接続する金属細線（接続部材）１２と、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３、複数のリード５の一部、及び金属細線１２を封止するモールド樹脂体４とを備えている。複数のリード５の各々のうち、金属細線１２に接続された部分はモールド樹脂体４により封止されており、モールド樹脂体４から外方に向かって突き出た部分は、外部端子として機能する。モールド樹脂体４は上方から見ると例えば四辺形状をしており、その四辺から複数のリード５が引き出されている。
【００１６】
図３は、本実施形態の半導体装置のうち、図２に示すＡ部分の縦断面を示す拡大図であり、図４は、本実施形態の半導体装置のうち、図２に示すＡ部分を上から見た場合の拡大図である。
【００１７】
図３、図４に示すように、第１の半導体素子１の上面には配線８と、配線８に接続された電極１０が設けられており、第２の半導体素子３の上面には配線９と、配線９に接続された電極１１とが設けられている。金属細線１２は、この電極１０または電極１１に接続される。また、ダイボンドシート２は熱可塑性樹脂で構成されており、その厚みは例えば１〜１００μｍ程度である。
【００１８】
図３に示すように、本実施形態の半導体装置の特徴は、モールド樹脂体４内に、ダイボンドシート２の厚みより小さい直径を有する第１の球状フィラ１８と、ダイボンドシート２の厚みより大きい直径を有する第２の球状フィラ１９とが分散して存在していることにある。これにより、後で詳述するように、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３が球状フィラによって損傷を受けることがなくなるとともに、モールド樹脂体４を形成する際に樹脂材料の流動性を向上させ、モールド形成不良の発生を抑えることができる。
【００１９】
次に製造方法について説明する。
【００２０】
図５は、本実施形態の半導体装置の製造工程のうち、モールド樹脂体４の形成工程を示す平面図である。同図では、ダイパッド７上にダイボンド剤６、第１の半導体素子１、ダイボンドシート２、及び第２の半導体素子３を順次積層し、電極１０、１１とリード５とを金属細線１２により電気的に接続してなる一体化物（作製中の半導体装置）を、金型１３のキャビティ１４内に設置した状態を示している。
【００２１】
本実施形態の半導体装置を作製する際には、まず、複数のリード５、ダイパッド７、及びダイパッド７を支持する吊りリード３０を含むリードフレーム１５を準備し、ダイパッド７上面にダイボンド剤６により第１の半導体素子１を接着する。次に、ダイボンドシート２を介して第１の半導体素子１の上面に第２の半導体素子３を接着する。この際には、電極１０が露出するように第２の半導体素子３を搭載する。なお、ダイボンドシート２は、第１の半導体素子１と第２の半導体素子３とを接着させる前に、あらかじめ第２の半導体素子３の下面に貼付けておく。具体的には、複数の第２の半導体素子３が形成されたウエハの下面に大板のダイボンドシート体を接着する。そして、ダイボンドシート２が接着された状態で第２の半導体素子３の上面側からウエハを個片化する。このとき、ダイシングブレードにダイボンドシート２が引っかかり、ダイボンドシート２が引きちぎられた状態で個片化される場合があるため、結果的にダイボンドシート２の平面外周形状は第２の半導体素子３の平面外周に対して断続的に内方または外方に突出させた形状となる。
【００２２】
次いで、電極１０、１１とリード５とを金属細線１２によって接続した後、図５に示すように、作製中の半導体装置を金型１３内に設置する。なお、金型１３は上、下の金型により構成されているが、図５では煩雑さを避けるため、金型１３を模式的に示している。リード５は、金型１３の内部から外部に引き出された状態となっており、上下の金型１３で挟まれる。そして、この状態で、約１８０℃に加熱された金型１３のゲート１６からキャビティ１４内に熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）を圧力を掛けながら注入する。本工程において、熱硬化性樹脂は、ゲート１６とは対角の位置にあるエヤーベント１７に向けてキャビティ１４内を流動し、やがて、このエヤーベント１７側からゲート１６に向けて順次硬化する。続いて、熱硬化性樹脂が完全に硬化してから金型１３が外され、リードフレーム１５のフレーム枠からリード５を切断分離する。これにより、図１、図２に示すような、モールド樹脂体４で覆われた本実施形態の半導体装置が完成する。
【００２３】
以上で説明した本実施形態の半導体装置の特徴点について、図面を用いてより詳細に説明する。
【００２４】
図７は、本実施形態の半導体装置に用いられるモールド樹脂体４に配合される球状フィラの粒度分布を示す図である。
【００２５】
まず、図３、図７に示すように、本実施形態の半導体装置において、金型１３のキャビティ１４に圧入させる熱硬化性樹脂は、例えばエポキシ樹脂に、第１の半導体素子１と、第２の半導体素子３との間に挟まれたダイボンドシート２の平均厚み（成型後の平均厚み）と略同じ大きさの径を除き、ダイボンドシート２の平均厚みより小さな径を有する第１の球形フィラ（例えば石英製）１８と、ダイボンドシート２の厚みより大きな径を有する第２の球形フィラ（例えば石英製）１９とを混入することで構成されたものである。
【００２６】
具体的には、ダイボンドシート２の平均厚みＴに対して５％より小さい（すなわち、Ｔの９５％より小さい）複数種の径を有する第１の球状フィラ１８と、ダイボンドシート２の平均厚みＴに対して５％より大きい（すなわち、Ｔの１０５％より大きい）複数種の径を有する第２の球状フィラ１９とが熱硬化性樹脂に混入される。また、ダイボンドシート２の平均厚みＴと比べた場合の差が±５％の範囲内の直径を有する球状フィラは熱硬化性樹脂から除かれている。ここでのダイボンドシート２の平均厚みとは、図１に示すように第１の半導体素子１と第２の半導体素子３との間に配置された状態での平均厚みのことを意味するものとする。
【００２７】
なお、小さな径の第１の球状フィラ１８及び大きな径の第２の球状フィラ１９として、それぞれ径が異なる複数種の球状フィラを熱硬化性樹脂に配合する理由は、球状フィラを含むモールド樹脂体４の熱膨張係数を第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３の熱膨張係数に近似させるためや、熱硬化性樹脂の流動性を確保するためや、モールド樹脂体４の強度を確保するためなどである。
【００２８】
以下、このような径の第１の球状フィラ１８、第２の球状フィラ１９を用いる理由について詳細に説明する。図６は、比較例に係る半導体装置の一部を拡大して示す断面図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の半導体装置の効果を説明するための拡大断面図である。
【００２９】
図５に示すように、モールド樹脂体４の形成工程において、熱硬化性樹脂は、上述のごとく１８０℃に加熱された金型１３のゲート１６からキャビティ１４内に圧入される。この際に、樹脂を注入する圧力によって金型１３のゲート１６近傍のダイボンドシート２が凹み、第１の半導体素子１と第２の半導体素子３との間に窪みが形成される場合がある。このとき、図７に示す比較例のように、ダイボンドシート２の平均厚みと略同じ大きさの径の球状フィラ２０が熱硬化性樹脂に混入している場合、熱硬化性樹脂がキャビティ１４内に圧入されると、この球状フィラ２０が第１の半導体素子１と第２の半導体素子３との間に噛み込み、その結果、熱硬化性樹脂を用いたモールド成形時の圧力で、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３、特に第１の半導体素子１上面の配線８が損傷（クラック２１のが発生）する。
【００３０】
これに対し、本実施形態の半導体装置では、樹脂の注入によって生じる窪みや、第１の半導体素子１と第２の半導体素子３との間に元々存在する窪みに、ダイボンドシート２の平均厚みに対して５％より小さな径を有する複数種の第１の球状フィラ１８が、図８（ａ）に示すごとく進入することがあるが、第１の球状フィラ１８が第１の半導体素子１と第２の半導体素子３とに接した状態で両者の間に挟み込まれる（噛み込まれる）ことはない。言い換えれば、第１の球状フィラ１８はダイボンドシート２の平均厚みよりも十分に小さいので、第１の半導体素子１と第２の半導体素子３との間につかえることがない。このため、本実施形態の半導体装置においては、熱硬化性樹脂を用いたモールド成形時の圧力で、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３、特に第１の半導体素子１上面の配線８が損傷することはない。
【００３１】
また、本実施形態の半導体装置では、ダイボンドシート２の平均厚みと略同じ大きさの径を除き、ダイボンドシート２の平均厚みに対して５％より大きな径を有する複数種の第２の球状フィラ１９が熱硬化性樹脂に混入される。図８（ａ）に示すように、第２の球状フィラ１９の直径はダイボンドシート２の平均厚みより十分大きいので、第１の半導体素子１と第２の半導体素子３との間の隙間に第２の球状フィラ１９が進入することはない。このため、第２の球状フィラ１９によって第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３が損傷を受けることはない。さらに、径の大きな第２の球状フィラ１９が混入されることで、モールド樹脂体４の形成工程において熱硬化性樹脂の流動性が向上し、モールド不良の発生を抑えることができる。
【００３２】
次に、本実施形態の半導体装置のその他の特徴点について説明する。
【００３３】
本実施形態の半導体装置では、小径の第１の球状フィラ１８と大径の第２の球状フィラ１９とが共に第１の半導体素子１と第２の半導体素子３とを損傷させることがないので、ダイボンドシート２の形状を以下のような形状にして、第１の半導体素子１と第２の半導体素子３の接着強度を高めている。
【００３４】
すなわち、第２の半導体素子３の平面外形大きさを、第１の半導体素子１の平面外形大きさよりも小さくし（すなわち、第２の半導体素子３の平面外形の縦方向寸法と横方向寸法をそれぞれ第１の半導体素子１の平面外形の縦方向寸法と横方向寸法より小さくし）、第１の半導体素子１上における第２の半導体素子３の載置安定感を高めた状態で、ダイボンドシート２の平面外形大きさを、前記第２の半導体素子３の平面外形大きさと略同じにする。その上で、図４に示すように、ダイボンドシート２の平面外周形状は、第２の半導体素子３の平面外周に対して、断続的に内、外方に突出する形状となっている。つまり、ダイボンドシート２の平面外周に、窪み部２Ａと突部２Ｂが断続的に存在する形状となっている。
【００３５】
このように、ダイボンドシート２の平面外周形状を、窪み部２Ａと突部２Ｂが断続的に存在する形状にすると、このダイボンドシート２の平面外周距離が長くなることにより、ダイボンドシート２の第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３に対する接着強度が強くなり、この結果として第１の半導体素子１上における第２の半導体素子３の載置安定感がさらに高まる。以上のように、本実施形態の半導体装置は、従来の半導体装置に比べ半導体素子の損傷やモールド不良の発生が抑えられているので、信頼性が大きく向上している。
【００３６】
なお、本実施形態の半導体装置では、２つの半導体素子が樹脂封止された例を挙げて説明したが、３つ以上の半導体素子が積層され、樹脂封止されていてもよい。
【００３７】
また、モールド樹脂体４内に分散される球状フィラは、用途に応じて石英以外の材料で構成されていてもよい。
【００３８】
また、第１の半導体素子１と第２の半導体素子３とを接着させるための接着層は、ダイボンドシートに限られず、例えばフィラを含まない液状樹脂などであってもよい。
【００３９】
−その他の具体例に係る半導体装置−
図９は、本発明の実施形態の図１とは別の具体例に係る半導体装置を示す断面図である。同図に示すように、以上で説明した構成は、ＢＧＡ（Ball grid array）タイプのパッケージにも適用できる。以下に、ＢＧＡタイプのパッケージを採用した場合の半導体装置の構成を説明する。この場合は、ＢＧＡ基板が半導体素子の支持部となる。なお、図１、図２に示す半導体装置と同じ部材については説明を簡略化あるいは省略する。
【００４０】
本具体例に係る半導体装置は、上面に電極パッド３１を有するとともに下面に外部電極端子２２を有する基板（有機樹脂基板やセラミック基板）２３と、基板２３の上面にダイボンド剤６を介して接着・搭載された第１の半導体素子１と、第１の半導体素子１の上面（回路形成面）上にダイボンドシート２を介して接着・搭載された第２の半導体素子３と、第１の半導体素子１上の電極１０と電極パッド２１、または第２の半導体素子３上の電極１１と電極パッド２１とを電気的に接続する金属細線１２と、第１の半導体素子１、第２の半導体素子３、及び金属細線１２を封止するモールド樹脂体４と、外部電極端子２２に接続された外部接続用電極２４とを備えている。外部接続用電極２４は例えば半田ボールなどで構成されており、母基板等との電気的接続が可能となっている。
【００４１】
図９には図示しないが、図４に示す半導体装置と同様に、第１の半導体素子１の上面には配線８が、第２の半導体素子３の上面には配線９がそれぞれ設けられており、配線８、９はそれぞれ金属細線１２、電極パッド、及び外部電極端子２２等を介して外部機器に電気的に接続される。
【００４２】
このような構成であっても、径の小さい第１の球状フィラと径の大きい第２の球状フィラとがモールド樹脂体４内に分散され、ダイボンドシート２の平均厚みと略等しい直径を有する球状フィラがモールド樹脂体４内に含まれていないことにより、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３の損傷が防がれ、且つモールド不良の発生も防がれる。
【００４３】
なお、本発明の構成は、２つ以上の半導体素子が重ねて搭載され、且つそれらの半導体素子が樹脂封止された半導体装置であれば以上で説明した以外の構成を有する半導体装置にも適用できる。
【００４４】
なお、ここで説明した例では配線層が第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３の上面に設けられているが、図１０に示すように、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３において各々の素子の上面と下面の間を貫通する貫通電極３３が設けられる場合などでは第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３の下面に配線層が形成されていてもよい。
【００４５】
なお、ここで説明した例では、第１の半導体素子１及び第２の半導体素子３の実装方法は、ワイヤボンドを用いた構成であるが、フリップチップ実装を用いて半導体装置を構成してもよい。
【００４６】
また、図１１に示すＣｏＣ（chip on chip）の場合のように第２の半導体素子の下面に配線層が形成されていても良い。この場合、第２の半導体素子３の下面に設けられた接続用バンプ３５がバンプ３９を介して第１の半導体素子１上の配線等に接続される。また、第１の半導体素子１と第２の半導体素子３との間の接着層３７としてはダイボンドシートに代えて封止樹脂などが用いられる。
【００４７】
なお、接着層の平均厚みより大きい径を有するフィラと接着層の平均厚みより小さい径を有するフィラとを接着層に混入する本発明の構成は、２つ以上の半導体チップが積層されてなるパッケージであれば上述した例に限らず適用することができ、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
以上のように本発明は、樹脂封止型の半導体装置に適用され、種々の電子機器の信頼性向上に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の図１に示すII-II線における断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体装置のうち、図２に示すＡ部分の縦断面を示す拡大図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置のうち、図２に示すＡ部分を上から見た場合の拡大図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程のうち、モールド樹脂体の形成工程を示す平面図である。
【図６】比較例に係る半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る半導体装置に用いられるモールド樹脂体に配合される球状フィラの粒度分布を示す図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態に係る半導体装置の効果を説明するための拡大断面図である。
【図９】本発明の実施形態の図１とは別の具体例に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施形態の一具体例に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施形態の一具体例に係る半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１      第１の半導体素子
２      ダイボンドシート
２Ａ    窪み部
２Ｂ    突部
３      第２の半導体素子
４      モールド樹脂体
５      リード
６      ダイボンド剤
７      ダイパッド
８、９  配線  
１０、１１      電極
１２      金属細線
１３      金型
１４      キャビティ
１５      リードフレーム
１６      ゲート
１７      エヤーベント
１８      第１の球状フィラ
１９      第２の球状フィラ
２０      球状フィラ
２１      クラック
２２      外部電極端子
２３      基板
２４      外部接続用電極
３０      リード
３１      電極パッド
【図１】
2010050262.tif 000003
【図２】
2010050262.tif 000004
【図３】
2010050262.tif 000005
【図４】
2010050262.tif 000006
【図５】
2010050262.tif 000007
【図６】
2010050262.tif 000008
【図７】
2010050262.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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