(57)【要約】【課題】半導体基板上に並ぶように複数の露光ショット領域を形成すべく複数回の露光を行う場合に、欠陥検査工程において発見された素子領域パターンの欠陥がレチクルに起因して生じたものであるか否かを容易且つ正確に短時間で認識する。【解決手段】レチクルには、例えば４つの素子領域パターンが形成され、各素子領域パターンと上下又は左右で隣り合う２つの素子領域パターンとの間に識別用パターンが形成されており、このレチクルを用いて半導体基板２０１上のレジストに素子領域パターン及び識別用パターンを転写し、素子領域パターン１２Ａと、隣り合う２つの素子領域パターン１２Ａ間の関連性を示す識別用パターン１５Ａを形成する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の主面にフォト・レジスト層を形成する工程と、
複数個の半導体素子パターンと当該複数個の半導体素子パターン間を相互に関連付ける識別用パターンとを具備してなるレチクルを用いて、前記フォト・レジスト層に対し、前記半導体素子パターンが並ぶように複数回の露光処理を行なう工程と、
前記フォト・レジスト層を現像処理する工程と、
前記識別用パターンを用い、現像処理された前記フォト・レジスト層に於いて一つの露光処理により形成された前記半導体素子パターンを特定する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レチクルは、隣り合う２つの前記半導体素子パターン間に前記識別用パターンを有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レチクルは、最外周に位置する前記半導体素子パターンと当該レチクルの周縁部との間に前記識別用パターンを有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体素子パターン内で検査対象領域が限定されており、
前記レチクルにおいて、前記半導体素子パターンの前記検査対象領域に対応する部分と近接するように、前記識別用パターンが配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数個の半導体素子パターンと、前記複数個の半導体素子パターンを相互に関連付ける識別用パターンとを具備してなることを特徴とするレチクル。
【請求項６】
一方の主面に、複数個の半導体素子、ならびに当該半導体素子の間に配設された識別用パターンを具備することを特徴とする半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、縮小投影露光を用いた半導体装置の製造方法、レチクル及び半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子（以下、単に半導体素子と記す）に於いては、半導体基板の一方の主面に、ＭＩＳトランジスタ、抵抗素子などの機能素子が複数個配設され、当該機能素子間を相互に接続する配線層をもって電子回路が形成されている。
【０００３】
当該半導体素子を製造する際には、所謂フォト・リソグラフィ技術が適用されて、素子間分離領域、電極、不純物注入用マスク層、コンタクト孔、配線などの各種パターンが形成される。
当該フォト・リソグラフィ技術にあっては、前記素子間分離領域、電極、不純物注入用マスク層、コンタクト孔、或いは配線等の半導体素子形成用パターンのそれぞれに対応する複数枚のレチクル（フォト・マスク）が適用される。
そして、露光装置に於いて、前記レチクルに於ける半導体素子形成用パターンが、半導体基板上のフォト・レジスト層に露光・転写される。
【０００４】
近年、電子機器の多機能化、小型化ならびに高速動作化の為に、当該電子機器に搭載される半導体素子に対しても、より微細化、高集積化が求められている。
一方、当該半導体素子の量産化に向けて、半導体基板の大判化がなされ、３００ｍｍΦのシリコン基板が適用されている。
この様な大判の半導体基板に対しては、所謂縮小投影露光法により、多数の半導体素子形成用パターンを形成する。
【０００５】
即ち、複数個の半導体素子形成用パターン（以下、素子領域パターンと称する）を含むレチクルを用い、当該レチクルの含む素子領域パターンを、縮小投影露光法により、半導体基板上に形成されたフォト・レジスト層に対して、横方向ならびに縦方向に複数個並べて露光・転写する。
かかる露光処理に於いて、一つのレチクルを用いその１回の露光処理により形成される被露光領域を"露光ショット領域"と称する。
【０００６】
当該露光ショット領域には、複数個の素子領域パターンが含まれている。
即ち、縮小投影露光法が適用されることにより、半導体基板上に形成されたフォト・レジスト層に於いては、前記露光ショット領域が複数個形成される。
半導体装置の製造工程にあっては、当該露光処理工程後、フォト・レジスト層に対し現像処理を施した段階で、当該フォト・レジスト層に於ける欠陥の有無を検査する。
当該フォト・レジスト層に於ける欠陥としては、素子領域パターンの欠け、変形などがある。
欠陥検査により、素子領域パターンに於いて欠け、変形等の欠陥が発見された場合には、その欠陥の発生原因を特定し、対応処置を実施する。
当該欠陥の発生がレチクルに起因するものであれば、レチクルに於ける欠陥（異物の付着、ペリクルの損傷など）を適宜除去する。
【０００７】
一方、欠陥の発生がレチクルに起因するものでなければ、半導体基板上のレジストを剥離し、当該レチクルを適用して再度フォト・リソグラフィ処理を行う。
当該欠陥の発生が、レチクルに起因するものであるか否かを確認するためには、以下の手法を用いる。
即ち、欠陥が発見された素子領域パターンの属する一つの光ショット領域と他の露光ショット領域とを比較し、当該他の露光ショット領域に於いて同様の欠陥が発見されたならば、欠陥はレチクルに起因して発生したものであると認識される。
この時、当然、欠陥が発見された素子領域パターンと同じ位置にある素子領域パターンを比較・観察する。
【０００８】
半導体基板に形成された素子領域パターンの欠陥検査には、光学顕微鏡、或いは走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）が用いられる。（以下、顕微鏡と称する。）
欠陥検査時には、顕微鏡の検査視野内に於いて、被検査半導体基板、半導体素子を観察する。
検査視野は、顕微鏡に於いて、対象物を観察する際に視認できる範囲であり、倍率及びレンズの開口数などにより決定される。
【０００９】
半導体基板に形成された素子領域パターンの欠陥検査に於いて、欠陥の発生がレチクルに起因するか否かを確認するための観察手段として、従来は、以下の様な方法が採られてきた。
複数個の素子領域パターンを含むレチクルの一例を、図１に示す。
当該レチクル１０１は、素子領域パターン１０２を４個具備している。
当該４個の素子領域パターン１０２は、所謂スクライブ領域（素子間分離領域）１０３の幅をもって互いに離間して配置されている。
【００１０】
また、当該４個の素子領域パターン１０２の外周部にも、当該スクライブ領域（素子間分離領域）１０３に相当する幅、即ちスクライブ領域１０３と同じ幅をもってスクライブ領域１０４が配設されている。
そして、当該外周部に於けるスクライブ領域に於いては、素子領域パターン１０２の外側隅部に接して、識別用パターン１０５が配設されている。
前記素子領域パターン１０２は、それぞれ、半導体素子のフォト・リソグラフィ工程に適用されるところの選択されたパターン、例えば配線層パターンを具備する。（詳細は図示せず）
当該レチクル１０１は、例えば石英ガラス基板の一方の主面に、クロム（Ｃｒ）からなるマスクパターンが選択的に配設されて形成されている。
当該マスクパターンが、前記素子領域パターン１０２ならびに識別用パターン１０５を形成している。
尚、当該マスクパターンも、フォト・リソグラフィ技術により形成される。
【００１１】
前記レチクル１０１を用いて、半導体基板１５１の一方の主面上に形成されたフォト・レジスト層に対して、縮小投影露光法により露光処理を行なった状態を図２に示す。
即ち、前記レチクル１０１から形成される一つの露光ショット領域１０１Ａが、４個の素子領域パターン１０２Ａの外周部に配設されているスクライブ領域１０４Ａを重畳して、且つ縦方向（Ｙ軸方向）ならびに横方向（Ｘ軸方向）に隣りあって配設されている。
ここでは、当該露光ショット領域１０１Ａが、４個（１０１Ａａ〜１０１Ａｄ）配設された状態を示しており、露光ショット領域１０１Ａａについては右下がりのハッチングを付し、露光ショット領域１０１Ａｂについては左下がりのハッチングを付して、両露光ショット領域１０１Ａの位置関係、重畳関係を示している。
【００１２】
即ち、露光ショット領域１０１Ａａ〜１０１Ａｄには、それぞれ、素子領域パターン１０２が転写された素子領域パターン１０２Ａが４個、識別用パターン１０４が転写された識別用パターン１０５Ａが４個含まれている。４個の素子領域パターン１０２Ａの間には、前記スクライブ領域１０３に対応する間隔が設けられている。
そして、露光ショット領域１０１Ａａ〜１０１Ａｄの相互間に於いて、隣り合う露光ショット領域間は、各露光ショット領域１０１Ａの外周部に配設されたスクライブ領域１０４Ａに於いて重複している。
【００１３】
当該半導体基板１５１に形成された露光ショット領域に於ける欠陥の検査方法について、図３を用いて説明する。
当該図３にあっては、図２に示した４個の露光ショット領域１０１Ａａ〜１０１Ａｄについて、顕微鏡に於ける検査視野との関連性を含めて示している。図３に於いて、破線で描かれた円が一つの検査視野を表している。
ここで、当該図３に示される如く、検査視野１８１が、４個の露光ショット領域１０１Ａａ〜１０１Ａｄの共通する隅部に設定された時には、かかる共通する隅部には、それぞれが対応する露光ショット領域に含まれる識別用パターン１０５Ａが表示（視認）される。
かかる識別用パターン１０５Ａを認識することにより、当該４個の露光ショット領域の位置関係が解る。
【００１４】
従って、例えば露光ショット領域１０１Ａｄに於ける素子領域パターン１０２Ａｂに欠陥が見出された場合には、露光ショット領域１０１Ａａに於ける素子領域パターン１０２Ａｂ，露光ショット領域１０１Ａｂに於ける素子領域パターン１０２Ａｂ、或いは露光ショット領域１０１Ａｃに於ける素子領域パターン１０２Ａｂについて、同様の欠陥の存在の有無を確認することにより、当該欠陥がこの露光ショット領域を形成する際に適用されたレチクルに起因したものであるか否かを判断することができる。
【００１５】
尚、一つの露光ショット内に複数個の半導体チップ領域を含む形態に於いて、半導体チップの位置を、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて確認する方法として、当該露光ショット領域の周囲に、スクライブ・ライン幅に相当するオーバーラップ量を設定し、当該スクライブ・ラインを含む領域内に在る半導体チップは同一ショット内にあるものと認識することが特許文献１にて開示されている。
【００１６】
【特許文献１】特開平９−６４１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、前述の如き従来の欠陥検査法にあっては、以下のような問題がある。
即ち、顕微鏡の視野に、前記識別用パターン１０５Ａが含まれない場合には、当該視野内に表示（視認）される素子領域パターン１０２Ａと露光ショット領域１０１Ａとの関連性を見出すことが困難となる。
図３に於いて、検査視野１８２或いは検査視野１８３に於いては、その視野内に識別用パターン１０５Ａが含まれず、スクライブ領域１０３Ａ及び／或いは１０４Ａを挟んで位置する複数の素子領域パターン１０２Ａが認められるだけである。
当該スクライブ領域は、一つの露光ショット領域内に於ける素子領域パターンの間、ならびに異なる露光ショット領域間に於ける素子領域パターン相互間に於いて、共通の幅をもって設定されている。
【００１８】
この為、当該検査視野１８２或いは検査視野１８３からは、当該視野内に在る素子領域パターンの位置、即ち露光ショット領域内に於ける当該素子領域パターンの位置を特定することができない。
従って、当該検査視野内に於ける素子領域パターンに欠陥が見出された場合には、顕微鏡の倍率を低下させて当該素子領域パターンに対応する識別用パターン１０５Ａの位置を確認するか、または当該検査視野を移動させて識別用パターン１０５Ａを見出して、露光ショット領域内に於ける当該素子領域パターンの位置を特定することが必要となる。
【００１９】
しかしながら、顕微鏡の倍率を低下させることにより当該素子領域パターンに対応する識別用パターン１０５Ａの位置を確認しよとすると、欠陥が発見された素子領域パターンの検査視野内における位置に見かけ上のズレが生じてしまう。
これにより、欠陥が見出された素子領域パターン１０２Ａを見失ってしまう恐れがある。
また、検査視野を移動させることにより識別用パターン１０５Ａを見出す方法にあっては、長時間を要すると共に、当該視野の移動に伴って欠陥が見出された素子領域パターン１０２Ａを見失ってしまう恐れがある。
【００２０】
微細加工技術の進展とともに、より高集積が図られて、一つの半導体基板に形成される半導体素子数が増加している。
一方、当該半導体基板の大判化がなされている。
この為、縮小投影露光法を適用するフォト・プロセス工程に於いても、一枚のレチクルに形成される露光ショット領域内に含まれる素子領域パターン数を増加させ、当該フォト・プロセス工程の効率化を図ることが必要である。
しかしながら、前述の如き問題からして、従来の欠陥検査法にあっては、この様な一つの露光ショット領域に含まれる素子領域パターン数の増加に対応することができない。
【００２１】
前記特許文献１に於いて開示される技術にあっては、一つの露光ショット内に含まれる複数個の半導体チップの間に於いては、スクライブ領域が設定されていない。
従って、本発明の如く、一つの露光ショット領域内に、複数個の識別用パターンが、スクライブ領域相当幅をもって互いに分離して配設される構成に於ける問題について、その解決策を示唆するものではない。
【００２２】
本発明は、上記の課題を解決すべくなされたものであって、縮小投影露光法を適用したフォト・プロセス工程に於いて、半導体基板上に形成された複数の露光ショット領域に対する欠陥検査に於いて見出された素子領域パターンの欠陥が、レチクルに起因するものであるか否かを容易に且つ正確に短時間に認識することができる半導体装置の製造方法、レチクルの構成ならびに半導体基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
半導体装置の製造方法の一態様は、半導体基板の一方の主面にフォト・レジスト層を形成する工程と、複数個の半導体素子パターンと当該複数個の半導体素子パターン間を相互に関連付ける識別用パターンとを具備してなるレチクルを用いて、前記フォト・レジスト層に対し、前記半導体素子パターンが並ぶように複数回の露光処理を行なう工程と、前記フォト・レジスト層を現像処理する工程と、記識別用パターンを用い、現像処理された前記フォト・レジスト層に於いて一つの露光処理により形成された前記半導体素子パターンを特定する工程とを具備する。
【００２４】
レチクルの一態様は、複数個の半導体素子パターンと、前記複数個の半導体素子パターンを相互に関連付ける識別用パターンとを具備してなる。
【００２５】
半導体基板の一態様は、一方の主面に、複数個の半導体素子、ならびに当該半導体素子の間に配設された識別用パターンを具備する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に於ける上記各態様によれば、縮小投影露光法を適用したフォト・プロセス工程に於いて、半導体基板上に形成された複数の露光ショット領域に対する欠陥検査に於いて見出された素子領域パターンの欠陥が、レチクルに起因するものであるか否かを、容易に且つ正確に短時間で認識することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明について、複数の実施の形態をもって説明する。
なお、以下の説明に於いて、「隣り合う２つの素子領域パターン」とは、当該２つの素子領域パターンの間には他の素子領域パターンが存在しないことを意味する。
［第１の実施の形態］
【００２８】
本発明の、第１の実施の形態に於けるレチクルの構成を、図４に示す。
当該第１の実施の形態に於けるレチクル１１にあっては、同一のパターンを含む素子領域パターン１２が４個、互いに離間して縦横に配置されている。
当該レチクルは、縮小投影露光処理に於いて、一つの露光ショット領域を形成するものである。
当該レチクル１１に於いて、個々の素子領域パターン１２は、１つの半導体素子を形成することに対応する寸法・形状を有し、当該半導体素子の製造工程に於いて適用される一つのパターン、例えば素子間分離領域（アイソレーション領域）を画定するパターンを含んでいる。但し、此処では当該パターンの表示は行なわない。
【００２９】
そして４個の素子領域パターン１２は、スクライブ領域（素子間分離領域）に相当する領域１３を挟んで、互いに分離して配置されている。当該スクライブ領域に相当する領域１３は、縦方向（Ｙ軸方向）ならびに横方向（Ｘ軸方向）の何れに於いても、等しい幅を有している。
また、当該４個の素子領域パターン１２の周囲には、これらを囲繞して、前記スクライブ領域に相当する領域１３と等しい幅を有するスクライブ領域１４が配設されている。
【００３０】
本実施の形態に於ける特徴的構成として、当該レチクル１１に配置されて隣り合う素子領域パターン１２の間に於ける、スクライブ領域に相当する領域１３に、当該隣り合う素子領域パターン１２の間を相互に関連付ける識別用パターン１５が配設されている。
当該識別用パターン１５は、図示される様に、双方向の矢印をもって構成されている。
【００３１】
フォト・リソグラフィ処理に於いては、かかる構成を有するレチクル１１を用いて、半導体基板の一方の主面に形成されたフォト・レジスト層に対し、縮小投影露光を行なう。
即ち、ここでは、当該レチクル１１に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【００３２】
この時、当該レチクル１１により与えられる露光ショット領域１１Ａは、図５に示される様に、半導体基板２０１の一方の主面に形成されたフォト・レジスト層（図示せず）に対し、素子領域パターンを囲繞して配設されているスクライブ領域１４Ａを重畳して、且つ縦方向（Ｙ軸方向）ならびに横方向（Ｘ軸方向）に隣り合って形成される。
尚、図５にあっては、各露光ショット領域１１Ａ内に於ける、４個の素子領域パターンについては図示していない。
【００３３】
図５にあっては、露光ショット領域１１Ａ１については左下がりのハッチングを付し、露光ショット領域１１Ａ２については右下がりのハッチングを付して、両露光ショット領域の位置関係、重畳関係を例示している。
また、素子領域パターンを囲繞して配設されているスクライブ領域１４Ａについては、一点鎖線を用いて示している。前述の如く、当該スクライブ領域１４Ａは、４個の素子領域パターン１２Ａの間に於けるスクライブ領域１３Ａと等しい幅を有している。
【００３４】
この様に、露光ショット領域１１Ａは、４個の素子領域パターン１２Ａを囲繞して配設されているスクライブ領域１４Ａを重畳して、且つ縦方向（Ｙ軸方向）ならびに横方向（Ｘ軸方向）に隣り合って連続して、半導体基板２０１の一方の主面のフォト・レジスト層に複数個形成される。
【００３５】
このうち４個の露光ショット領域１１Ａが縦横に並べられた状態を、図６に示す。
ここでは、露光ショット領域１１Ａａについては右下がりのハッチングを付し、露光ショット領域１１Ａｂについては左下がりのハッチングを付して、両露光ショット領域の位置関係、重畳関係を示している。
【００３６】
当該図６より明らかな如く、４個の露光ショット領域１１Ａの相互間には、スクライブ領域１４Ａがあるのみで、ここにはこれら４個の露光ショット領域１１Ａを相互に関連付ける指標は存在しない。
一方、個々の露光ショット領域１１Ａにあっては、当該の露光ショット領域１１Ａに含まれて、それぞれ隣り合う素子領域パターン１２Ａの相互間に、識別用パターン１５Ａが配設されている。
即ち、一つの露光ショット領域１１Ａに於ける複数個の素子領域パターン１２Ａは、識別用パターン１５Ａによって相互に関連付けがなされている。
【００３７】
かかる構成は、隣り合う素子領域パターン１２Ａ間に識別用パターン１５Ａが存在する場合には、当該隣り合う素子領域パターン１２Ａは同一の露光ショット領域に属することを意味し、一方、隣り合う素子領域パターン１２Ａ間に識別用パターン１５Ａが存在しない場合には、当該隣り合う素子領域パターン１２Ａは互いに異なる露光ショット領域に属していることを意味する。
従って、一つの露光ショット領域１１Ａに於ける複数個の素子領域パターン１２Ａは、これに隣り合うところの他の露光ショット領域１１Ａに於ける素子領域パターンとは、明確に区分することがなされている。
【００３８】
尚、前記レチクル１１に於ける識別用パターン１５、当該レチクルによりもたらされる露光ショット領域１１Ａに於ける識別用パターン１５Ａは、前述の如き「双方向の矢印」に特定されるものではない。隣り合う素子領域パターン１２（１２Ａ）の間を関連付けることができ、且つ占有面積が小であれば、他の形状を適用することもできる。
【００３９】
この様に、４個の素子領域パターン１２Ａを含み、隣り合う素子領域パターン１２Ａの間に識別用パターン１５Ａが配設されてなる露光ショット領域１１Ａが、複数個形成されてなる半導体基板に対する欠陥検査について、図７を用いて説明する。
図７に於いては、前記図６と同様、４個の露光ショット領域１１Ａが縦横に並べられた状態を示している。
【００４０】
ここで、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野５０１と設定された場合、当該検査視野５０１内には、識別用パターン１５Ａは表示（視認）されていない。
また、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン１２Ａが、当該識別用パターン１５Ａによって相互に関連付けられていない。
【００４１】
これにより、これら４個の素子領域パターン１２Ａは、露光ショット領域１１Ａａに含まれる素子領域パターン１２Ａｃの一部、露光ショット領域１１Ａｂに含まれる素子領域パターン１２Ａｄの一部、露光ショット領域１１Ａｃに含まれる素子領域パターン１２Ａａの一部、ならびに露光ショット領域１１Ａｄに含まれる素子領域パターン１２Ａｂの一部であると判る。
【００４２】
従って、当該検査視野５０１内に於いて、例えば露光ショット領域１１Ａｄに含まれる素子領域パターン１２Ａｂに欠陥が見出された時には、他の露光ショット領域１１Ａａ乃至露光ショット領域１１Ａｃに於ける素子領域パターン１２Ａｂについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることにより、当該露光ショット領域１１Ａｄに含まれる素子領域パターン１２Ａｂに於ける欠陥が、レチクル１１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【００４３】
一方、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野５０２と設定された場合、当該検査視野５０２内に於いて、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン１２Ａのうち、スクライブ領域１４Ａを挟んで左右に位置し、またスクライブ領域１３Ａを挟んで上下の位置関係にある二つの素子領域パターン１２Ａ間が、当該スクライブ領域１３Ａに配設された識別用パターン１５Ａによって相互に関連付けられている。
尚、スクライブ領域１４Ａは、識別用パターン１５Ａを含まない（配設されていない）ことから、スクライブ領域１４Ａとして認識される。
【００４４】
これにより、これら４個の素子領域パターン２Ａは、露光ショット領域１１Ａｂに含まれる素子領域パターン１２Ａｃの一部、露光ショット領域１１Ａｂに含まれる素子領域パターン１２Ａｄの一部、露光ショット領域１１Ａｃに含まれる素子領域パターン１２Ａａの一部、ならびに露光ショット領域１１Ａｃに含まれる素子領域パターン１２Ａｂの一部であると判る。
かかる配置に於いて、識別用パターン１５Ａの存在により、素子領域パターン１２Ａｃと素子領域パターン１２Ａｄが、共に露光ショット領域１１Ａｂに含まれることが判明し、また素子領域パターン１２Ａａと素子領域パターン１２Ａｂが、共に露光ショット領域１１Ａｃに含まれることが判る。
【００４５】
従って、当該検査視野５０２内に於いて、例えば露光ショット領域１１Ａｂに含まれる素子領域パターン１２Ａｄに欠陥が見出された時には、他の露光ショット領域１１Ａａ、露光ショット領域１１Ａｃ及び露光ショット領域１１Ａｄに於ける素子領域パターン１２Ａｄについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることにより、当該露光ショット領域１１Ａｂに含まれる素子領域パターン１２Ａｄに於ける欠陥が、レチクル１１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【００４６】
また、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野５０３と設定された場合、当該検査視野５０３内に於いて、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン１２Ａは、スクライブ領域１３Ａを挟んで上下、左右に位置し、また当該スクライブ領域１３Ａを挟んで対向する二つの素子領域パターン１２Ａ間が、当該スクライブ領域１３Ａに配設された識別用パターン１５Ａによって相互に関連付けられている。
これにより、これら４個の素子領域パターン１２Ａは、一つの露光ショット領域１１Ａｃに含まれるところの、素子領域パターン１２Ａａの一部、素子領域パターン１２Ａｂの一部、素子領域パターン１２Ａｃの一部、ならびに素子領域パターン１２Ａｄの一部であると判る。
【００４７】
従って、当該検査視野５０３内に於いて、例えば素子領域パターン１２Ａｂに欠陥が見出された時には、他の露光ショット領域１１Ａａ、露光ショット領域１１Ａｂ或いは露光ショット領域１１Ａｄに於ける素子領域パターン１２Ａｂについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることにより、当該露光ショット領域１１Ａｃに含まれる素子領域パターン１２Ａｂに於ける欠陥が、レチクル１１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【００４８】
即ち、この様な本発明の第１の実施の形態によれば、一つの露光ショット領域１１Ａに含まれる複数個の素子領域パターン１２Ａを識別用パターン１５Ａにより関連付けることにより、欠陥の見出された素子領域パターン１２Ａが含まれる露光ショット領域１１Ａを容易に特定することができる。
【００４９】
従って、当該欠陥の見出された素子領域パターン１２Ａに対応する他の露光ショット領域１１Ａに於ける素子領域パターン１２Ａをチェックすることにより、当該欠陥がレチクルに起因するものであるか否かを、短時間に確認することができる。
【００５０】
この第１の実施の形態にあっては、一枚のレチクル１１に含まれる素子領域パターン２が４個であったが、当該レチクルに、多数の素子領域パターン１２を配設することがなされる。
例えば、１枚のレチクルに１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン１２が配設される。
この様に、多数の素子領域パターン１２を配設する場合には、本発明思想に従って素子領域パターン２の間に配設される識別用パターン１５の配設形態を、種々選択することができる。
かかる識別用パターン１５の配設形態の変形例二つを、以下に説明する。
【００５１】
＜第１の実施の形態の変形例１＞
本変形例１にあっては、図８に示される様に、１枚のレチクル１１Ｓ１に於いて、その一方の主面に、１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン１２が配設されている。
縦方向ならびに横方向に於いて並ぶ素子領域パターン１２は、互いに、スクライブ領域１３を介して等しい間隔をおいて、縦横に配列されている。
【００５２】
かかる素子領域パターン１２の配列に於いては、隣り合う素子領域パターン１２間の領域、即ちスクライブ領域１３の全てに、識別用パターン１５が配設されている。
即ち、当該レチクル１１Ｓ１に配設された１２１個の素子領域パターン１２の全てが、識別用パターン１５により関連付けられている。
そして、当該１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン１２の配列を囲繞して、前記スクライブ領域１３と等しい幅を有するスクライブ領域１４が配設されている。
即ち、ここでは、当該レチクル１１Ｓ１に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【００５３】
当該変形例１に於けるレチクル１１Ｓ１を適用して、縮小投影露光処理を行ない、半導体基板上のフォト・レジスト層に形成した露光ショット領域１１Ｓ１Ａを、図９に示す。
此処では、当該露光ショット領域１１Ｓ１Ａが、２個並んで配設された状態を示している。
即ち、第１の露光ショット領域１１Ｓ１Ａａと第２の露光ショット領域１１Ｓ１Ａｂは、スクライブ領域１４Ａを重畳して、横方向に隣り合って配設されている。
【００５４】
かかる構成にあっては、両露光ショット領域の境界部に検査視野５１１を置いた場合、その境界部に於けるスクライブ領域１４Ａには識別用パターン１５Ａが存在しないことから、二つの露光ショット領域の区分けが容易になされる。
【００５５】
そして、例えば第１の露光ショット領域１１Ｓ１Ａａに対する検査に於いて、検査視野５１２に於ける素子領域パターン１２Ａｎに於いて欠陥が見出された場合には、当該検査視野５１２から前記スクライブ領域１４Ａ迄の間に在る素子領域パターン１２Ａの数を数え、これを一つの露光ショット領域１１Ｓ１内に於いて横方向に配列された素子領域パターン１２Ａの数から減じてその差を得、欠陥が見出された素子領域パターン１２Ａａｎの位置を特定する。
【００５６】
しかる後、第２の露光ショット領域１１Ｓ１Ａｂに対して、前記スクライブ領域４Ａ側から前記差に相当する素子領域パターン２Ａの個数分右方向に在る素子領域パターン１２Ａｂｎを検査視野５１３内に捕らえる。
そして、当該素子領域パターン１２Ａｂｎに於いて、前記素子領域パターン１２Ａａｎに於けると同様の欠陥が見出されれば、当該欠陥はレチクルに起因するものと判断される。
尚、レチクルに於いては、前記素子領域パターン１２の他に、露光処理の際に露光ショット領域間の位置合わせを容易とする為のパターン、及び／或いは半導体素子の特性モニタ用パターンが配設される。
【００５７】
本実施の形態の変形例１にあっては、図１０（Ａ）に示す如く、レチクル１１Ｓ１に於いて、前記１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン１２の配列を囲繞して配設されたスクライブ領域１４に、当該位置合わせ用パターン及び／或いは特性モニタ用パターン１６を配設している。
この時、当該パターン１６は、レチクル１１の、対向する辺に於いて、互いにその辺の縦方向或いは横方向に位置を異ならしめて（ズラして）配置される。
【００５８】
即ち、同図に於いて、レチクル１１の左辺に配設されるパターン１６−１と右辺に配置されるパターン１６−２とは、縦方向に位置が異なり、また上辺に配設されるパターン１６−３と下辺に配置されるパターン１６−４とは、横縦方向に位置が異なっている。
【００５９】
この様に、これらのパターン１６は対向する辺に於いて位置が異なることにより、前述の如くスクライブ領域１４Ａを重複させて露光ショット領域を形成しても、図１０（Ｂ）に示す如く、横方向に並ぶ露光ショット領域１２間に於いて重複するところの、スクライブ領域４Ａに配設されたパターン１６−１Ａとパターン１６−２Ａが重複することは生じない。
図示されないが、縦方向に並ぶ露光ショット領域間に於いて重複するスクライブ領域１４Ａに配設されたパターン１６−３Ａとパターン１６−４Ａが重複することも生じない。
【００６０】
＜第１の実施の形態の変形例２＞
本変形例２にあっても、図１１に示される様に、１枚のレチクル１１Ｓ２に於いて、その一方の主面に、１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン１２が配設された例を示す。
縦方向ならびに横方向に於いて並ぶ素子領域パターン１２は、互いに、スクライブ領域１３を介して等しい間隔をおいて、縦横に配列されている。
【００６１】
本変形例２に於けるレチクル１１Ｓ２にあっては、素子領域パターン１２の配列に於いて、最外周に配設されて隣り合う素子領域パターン１２間のスクライブ領域１３に、識別用パターン１５が配設されている。
即ち、複数の素子領域パターン１２のうち、最外周に配設されて隣り合う素子領域パターン１２間は、これらの素子領域パターン１２を直列に繋ぐ識別用パターン１５により関連付けられている。
一方、これより内側に配設された複数個の素子領域パターン１２の間には、識別用パターン１５は配設されない。
そして、当該１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン１２配列を囲繞して、前記スクライブ領域１３と等しい幅を有するスクライブ領域１４が配設されている。
即ち、ここでは、当該レチクル１１Ｓ２に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【００６２】
当該変形例２に於けるレチクル１１Ｓ２を適用して、縮小投影露光処理を行ない、半導体基板上のフォト・レジスト層に形成した露光ショット領域１１Ｓ２Ａを、図１２に示す。
此処では、当該露光ショット領域１１Ｓ２Ａが、２個並んで配設された状態を示している。
即ち、第１の露光ショット領域１１Ｓ２Ａａと第２の露光ショット領域１１Ｓ２Ａｂは、スクライブ領域１４Ａを重畳して、横方向に隣り合って配設されている。
【００６３】
かかる構成にあっては、両露光ショット領域の境界部に検査視野５２１を置いた場合、その境界部に於けるスクライブ領域１４Ａには識別用パターン１５Ａが存在せず、その両側に、縦方向の識別用パターン１５が平行して存在することから、露光ショット領域の区分けが容易になされる。
【００６４】
そして、例えば第１の露光ショット領域１１Ｓ２Ａａに対する検査に於いて、検査視野５２２に於ける素子領域パターン１２Ａｎに於いて欠陥が見出された場合には、当該検査視野５２２から前記スクライブ領域１４Ａ迄の間に在る素子領域パターン１２Ａの数を数え、これを一つの露光ショット領域１１Ｓ２内に於いて横方向に配列された素子領域パターン１２Ａの数から減じてその差を得、欠陥が見出された素子領域パターン１２Ａａｎの位置を特定する。
【００６５】
しかる後、第２の露光ショット領域１１Ｓ２Ａｂに対して、前記スクライブ領域１４Ａ側から前記差に相当する素子領域パターン１２Ａの個数分右方向に在る素子領域パターン１２Ａｂｎを検査視野５２３内に捕らえる。
そして、当該素子領域パターン１２Ａｂｎに於いて、前記素子領域パターン１２Ａａｎに於けると同様の欠陥が見出されれば、当該欠陥はレチクルに起因するものと判断される。
【００６６】
本実施の形態の変形例２にあっても、図１３に示す如く、レチクル１１Ｓ２に於いて、前記１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン１２配列を囲繞して配設されたスクライブ領域１４Ａに、当該位置合わせ用パターン及び／或いは特性モニタ用パターン１６を配設することができる。
【００６７】
即ち、同図に於いて、レチクル１１Ｓ２の左辺に配設されるパターン１６−１と右辺に配置されるパターン１６−２とは、縦方向に位置が異なり、また上辺に配設されるパターン１６−３と下辺に配置されるパターン１６−４とは、横縦方向に位置が異なっている。
【００６８】
この様に、これらのパターンは対向する辺に於いて位置が異なることにより、前述の如くスクライブ領域１４Ａを重複させて露光ショット領域を形成しても、横方向に並ぶ露光ショット領域間に於いて重複するスクライブ領域４Ａに配設されたパターン１６−１とパターン１６−２が重複することは生じない。（図示せず）
同様に、図示されないが、縦方向に並ぶ露光ショット領域間に於いて重複するスクライブ領域４Ａに配設されたパターン１６−３とパターン１６−４が重複することも生じない。
尚、これらのパターンの一部を、必要に応じて、例えば１６−ａ〜１６−ｇの如く、内部に位置する素子領域パターン１２の間に配設しても良い。
【００６９】
このように、本発明の第１の実施の形態によれば、縮小投影露光方式により、半導体基板２０１上に複数の露光ショット領域を形成すべく複数回の露光を行う際に、一つひとつの露光ショット領域を効率良くチェックすることを可能とし、欠陥検査工程において発見された素子領域パターン１２の欠陥がレチクル１１に起因して生じたものであるか否かを、容易且つ正確に短時間で認識することができる。
【００７０】
尚、本実施の形態では、顕微鏡を用いたユーザの目視による欠陥検査を行う場合を説明したが、目視で欠陥検査を行う代わりに、所定の自動検査装置を用いて自動的に欠陥検査を行うようにしても良い。
【００７１】
前述の如く、シリコン（Ｓｉ）半導体基板などの半導体基板に、半導体集積回路素子などの半導体素子を形成する為には、当該半導体素子の構造に対応して、当該素子構造を実現する為のフォト・リソグラフィ工程に対応した素子領域パターンを有する複数枚のレチクルを必要とする。
本発明にあっては、複数枚のレチクルを作製する際に、如何なる工程に適用するレチクルに対して、識別用パターンを配設するかを選択することができる。
【００７２】
前記レチクルを作製する際には、先ず、例えば石英ガラス基板の一方の主面上を覆ってクロム（Ｃｒ）層を堆積する。
次いで、当該クロム層上にフォト・レジスト層を塗布形成し、当該フォト・レジスト層に、図形パターンデータに従って、素子領域パターン２ならびに識別用パターン４の潜像を、例えば電子線露光装置を用いて描画する。
そして、当該フォト・レジスト層の現像処理等を行って、レジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして、前記クロム層を選択エッチングし、石英ガラス基板上に素子領域パターン２及び識別用パターン５を形成する。
これにより、石英ガラス基板の一方の主面に、マスク層として、素子領域パターン２及び識別用パターン５を含むクロム層が選択的に配設されたレチクルが形成される。
【００７３】
本発明に於ける識別用パターンを具備するレチクルを含む、複数のレチクルを作製するための製造工程フローを図１４に示す。
ここでは、一組のレチクルセットを構成するレチクルに於いて、どのレチクルに本発明にかかる識別用パターンを形成するかを決定したうえで、各レチクルを作製する。
【００７４】
ここでは、複数のレチクルからなるレチクルセットを構成するレチクルのうち、先ず１枚目のレチクル（Ｎ＝１）を選択する。（ステップＳ１）
以下、作製対象であるレチクルがＮ枚目（Ｎ＝１，２，・・・，Ｋ）として説明する。
そして、当該１枚目のレチクルをレジストに露光して形成された第２の素子領域パターンの欠陥検査時に、識別用パターンを要するか否かを判定する。（ステップＳ２）
第２の識別用パターンを要すると判定された場合にはステップＳ３へ進む。
【００７５】
一方、第２の識別用パターンを要しないと判定された場合には、当該レチクルを作製（ステップＳ１１）し、ステップＳ７へ進む。
【００７６】
第２の素子領域パターンの欠陥検査時に第２の識別用パターンを要しない一例として、形成状態に比較的精緻性が要求されないイオン注入のためのマスクがある。
形成状態に比較的精緻性が要求されないイオン注入のためのマスクを形成する場合、レチクル（当該マスクに対応した第１の素子領域パターンを有するレチクル）には、第１の識別用パターンを要さず、欠陥検査も不要である。
一方、第２の素子領域パターンの欠陥検査時に第２の識別用パターンを要しないが、欠陥検査は必要である場合もある。例えば、スクライブ領域上に形成する所定のパターンには、第２の素子領域パターン毎に対応して設ける必要はなく、スクライブ領域の少数の箇所に設ければ良い。
スクライブ領域上に所定のパターンを形成する場合には、所定のパターンについて第２の識別用パターンは不要であるが、所定のパターンの欠陥検査は必要である。
【００７７】
ステップＳ３に於いて、当該レチクルを用いた第２の素子領域パターンの形成工程以前の各パターン形成工程のいずれかで第２の識別用パターンが形成されるか否かを判定する。
即ち、当該レチクルを用いたパターン形成工程をＳ（Ｍ）（１≦Ｍ≦Ｋ）とすると、以前の各パターン形成工程であるＳ（Ｍ−１），Ｓ（Ｍ−２）・・・Ｓ（１）のいずれかで第２の識別用パターンが形成されるか否かを判定する。
以前の各パターン形成工程で第２の識別用パターンが形成されていると判定された場合にはステップＳ４へ進む。
一方、以前の各パターン形成工程で第２の識別用パターンが形成されていないと判定された場合には、当該レチクルに第１の識別用パターンを要すると判断（ステップＳ８）し、第１の識別用パターンを含むようにレチクルを作製する。（ステップＳ９）
そして、当該レチクルを用いて形成された第２の素子領域パターンの欠陥検査時には、第２の識別用パターンを使用するように認識（ステップＳ１０）して、ステップＳ７へ進む。
なお、Ｎ＝１のときには、前のレチクルは存在しないため、ステップＳ８〜Ｓ１０を経てステップＳ７へ進む。
【００７８】
ステップＳ４では、当該レチクルを用いた露光により形成される第２の素子領域パターンについて欠陥検査を行う際に、当該レチクルを用いて露光する以前の露光工程で使用されたレチクルの露光によって形成された第２の識別用パターンが認識できるか否かを判定する。
例えば、当該レチクルで配線層を形成する場合（当該レチクルの第１の素子領域パターンが配線層に対応する場合）、半導体基板上には配線材料を全面に形成し、配線材料上にフォト・レジストを塗布する。このとき、以前のレチクルの露光によって形成された第２の識別用パターンが、半導体基板の全面を覆う配線材料の存在により視認できなくなることがある。
【００７９】
以前のレチクルを用いて形成された第２の識別用パターンが認識できると判定された場合には、第１の識別用パターンを形成することなく当該レチクルを作製する（ステップＳ５）。そして、当該レチクルを用いて形成された第２の素子領域パターンの欠陥検査時には、既存の第２の識別用パターンを使用するように認識して（ステップＳ６）、ステップＳ７へ進む。
一方、以前のレチクルを用いて形成された第２の識別用パターンが認識できないと判定された場合には、ステップＳ８〜Ｓ１０を経てステップＳ７へ進む。
【００８０】
そして、ステップＳ７では、当該レチクルが最終のレチクル（Ｎ＝Ｋ）であるか否かを判定する。最終のレチクルであると判定された場合にはフローを終了する。一方、最終のレチクルではないと判定された場合には、Ｎ＝Ｎ＋１として例えば工程カウンタに加算（ステップＳ１２）し、再びステップＳ２〜Ｓ１１を適宜繰り返し実行する。
【００８１】
以下、本実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
ここでは、半導体基板上に、機能素子としてＭＯＳトランジスタを含む複数の半導体素子を形成する場合を例示する。
【００８２】
本実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示すフローを、図１５に示す。
本実施形態では、レチクルＡ１〜Ｆ１を用いてフォト・リソグラフィ処理を行う。レチクルＡ１〜Ｆ１は、前記図１４に示すレチクル作製フローに従って作製されたものである。
ここでは、レチクルＡ１〜Ｆ１に、第１の素子領域パターンと共に第１の識別用パターンが形成されたものとして説明する。
【００８３】
シリコン（Ｓｉ）半導体基板の一方の主面に、先ず、素子間分離領域（アイソレーション領域）を形成する。
この為、素子間分離領域形成パターンに対応したレチクルＡ１を用いる。
当該レチクルＡ１には、半導体素子に於ける素子間分離領域に対応した第１の素子領域パターンと、隣り合う第１の素子領域パターンの間に配設された第１の識別用パターンとを含む。
【００８４】
当該レチクルＡ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、半導体基板に素子間分離領域形成部位を規定するフォト・レジスト層Ａ２を形成する。
当該フォト・レジスト層Ａ２は、半導体素子の素子間分離領域を形成するためのレジストパターンを有する第２の素子領域パターンと、隣り合う第２の素子領域パターン間の関連性を示す第２の識別用パターンが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ａ２について、第２の識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
【００８５】
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ａ２をマスクとして用い、前記半導体基板をドライエッチングして素子間分離用溝を形成する。
しかる後、当該フォト・レジスト層Ａ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００８６】
次いで、化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、前記素子間分離用溝を埋め込む絶縁膜（例えばシリコン酸化膜等）を堆積し、化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法等により平坦化して、前記素子間分離用溝内が絶縁物により充填された所謂ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）素子間分離構造を形成する。（ステップＳ２１）
【００８７】
次いで、熱酸化法等により、前記半導体基板の表面に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層を形成した後、当該絶縁層上にＣＶＤ法等により多結晶シリコン層を堆積する。
前記絶縁層は、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁層を、また多結晶シリコン層は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成するものである。
【００８８】
そして、ゲート電極形成パターンに対応したレチクルＢ１を適用して、前記多結晶シリコン層及び絶縁層を一括してパターニングする。
当該レチクルＢ１は、半導体素子のゲート電極に対応した第１の素子領域パターンと、隣り合う第１の素子領域パターン間に配設された第１の識別用パターンとを含む。
【００８９】
即ち、当該レチクルＢ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、多結晶シリコン層上にゲート電極用のフォト・レジスト層Ｂ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｂ２には、半導体素子のゲート電極を形成するためのレジストパターンを有する第２の素子領域パターンと、隣り合う第２の素子領域パターン間の関連性を示す第２の識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｂ２について、第２の識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｂ２をマスクとして用い、多結晶シリコン層及び絶縁層をドライエッチングし、半導体基板上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成する。（ステップＳ２２）
その後、フォト・レジスト層Ｂ２を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００９０】
次いで、前記ゲート電極をマスクとして、半導体基板の表面に不純物（硼素（Ｂ+）、或いは燐（Ｐ+）又は砒素（Ａｓ+）等）を、所定のドーズ量及び加速エネルギーをもってイオン注入し、ゲート電極の両側にエクステンション領域を形成する。（ステップＳ２３）
【００９１】
次いで、ＣＶＤ法等により、ゲート電極を含む半導体基板の全面に絶縁皮膜（例えばシリコン酸化膜）を堆積する。
そして、当該絶縁皮膜に対して異方性ドライエッチング（エッチバック）処理を施し、前記ゲート電極及びゲート絶縁膜の両側面にのみ絶縁皮膜を残して、所謂サイドウォール絶縁膜を形成する。（ステップＳ２４）
【００９２】
次いで、前記ゲート電極及びサイドウォール絶縁膜をマスクとして、半導体基板の表面近傍に不純物（硼素（Ｂ+）、或いは燐（Ｐ+）又は砒素（Ａｓ+）等）を、所定のドーズ量及び加速エネルギーでイオン注入する。
当該イオン注入により、サイドウォール絶縁膜の両側にエクステンション領域と一部重畳されたソース領域／ドレイン領域を形成する。（ステップＳ２５）
【００９３】
尚、前記エクステンション領域ならびにソース領域／ドレイン領域を形成する為に注入される不純物は、形成されるＭＯＳ型トランジスタのチャネルの導電型式（Ｎ−チャネル型或いはＰ−チャネル型）に対応して選択される。
【００９４】
従って、当該半導体基板に、所謂ＣＭＯＳトランジスタ構成をもって半導体素子を形成する場合には、前記ステップＳ２３及びステップＳ２５において、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタ領域、或いはＮ−チャネル型ＭＯＳトランジスタ領域を選択的に被覆するフォト・レジストマスク層を形成することを要する。
即ち、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタを形成する際には、Ｎ−チャネル型ＭＯＳトランジスタの形成領域を覆い、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタの形成領域を露出するフォト・レジスト層を形成し、当該フォト・レジスト層をマスクとして、半導体基板中にＰ型不純物（硼素（Ｂ+））をイオン注入する。
【００９５】
当該フォト・レジスト層を形成する際に、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタ形成用第１の素子領域パターンと、隣り合う第１の素子領域パターン間に第１の識別用パターンとが形成されたレチクルを用いる。
【００９６】
当該レチクルを用いたフォト・リソグラフィ処理により、半導体基板上には、第２の素子領域パターンと、隣り合う第２の素子領域パターン間の関連性を示す第２の識別用パターンとを有するフォト・レジスト層が形成される。
そして、当該フォト・レジスト層について、第２の識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層をマスクとしてＰ型不純物のイオン注入を行なう。
その後、フォト・レジスト層を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００９７】
一方、Ｎ−チャネル型ＭＯＳトランジスタを形成する際には、Ｐ−チャネル型ＭＯＳトランジスタの形成領域を覆い、Ｎ−チャネル型ＭＯＳトランジスタの形成領域を露出するフォト・レジスト層を形成し、当該フォト・レジスト層をマスクとして半導体基板中にＮ型不純物をイオン注入する。
このレジストマスク層を形成する際に、Ｎ−チャネル型ＭＯＳトランジスタ形成用第１の素子領域パターンと、隣り合う第１の素子領域パターン間に第１の識別用パターンとが形成されたレチクルを用いる。
【００９８】
当該レチクルを用いたフォト・リソグラフィ処理により、半導体基板上には、第２の素子領域パターンと、隣り合う２つの第２の素子領域パターン間の関連性を示す第２の識別用パターンとを有するフォト・レジスト層が形成される。
そして、当該フォト・レジスト層について、第２の識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層をマスクとしてＰ型不純物のイオン注入を行なう。
その後、フォト・レジスト層を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【００９９】
しかる後、ＣＶＤ法等により、前記半導体基板上の全面に、前記ゲート電極を埋め込む膜厚を有する絶縁膜を堆積して、第１の層間絶縁層を形成する。（ステップＳ２６）
当該第１の層間絶縁層を形成する絶縁物としては、酸化シリコンが適用される。
【０１００】
そして、前記第１の層間絶縁層に選択的に開孔処理を施して、所謂層間接続孔（コンタクト孔）を形成する。
当該層間接続孔形成パターンに対応したレチクルＣ１を適用して、前記第１の層間絶縁層をパターニングする。
当該レチクルＣ１は、層間接続孔に対応した第１の素子領域パターンと、隣り合う第１の素子領域パターン間に配設された第１の識別用パターンとを含む。
【０１０１】
即ち、当該レチクルＣ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、第１の層間絶縁層に層間接続孔形成用のフォト・レジスト層Ｃ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｃ２には、層間接続孔形成用パターンを有する第２の素子領域パターンと、隣り合う第２の素子領域パターン間の関連性を示す第２の識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｃ２について、第２の識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｃ２をマスクとして第１の層間絶縁層に層間接続孔を形成する。（ステップＳ２７）
その後、フォト・レジスト層を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【０１０２】
次いで、所定のグルー膜等を介して層間接続孔内を埋め込むように、例えばタングステン（Ｗ）からなる導電材料を、ＣＶＤ法等により第１層間絶縁膜上に被着する。
そして、当該導電材料をＣＭＰ法等により平坦化して、前記層間接続孔内が導電材料により充填された、所謂コンタクトプラグ構造とする。（ステップＳ２８）
【０１０３】
続いて、前記第１層間絶縁膜上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金からなる配線材料層を被着する。当該アルミニウム合金を被着する際には、スパッタ法等を適用することができる。
そして、当該配線材料層を選択的に除去して、電極配線層を形成する。
【０１０４】
当該電極配線層形成パターンに対応したレチクルＤ１を適用して、前記配線材料層をパターニングする。
当該レチクルＤ１は、半導体素子の電極配線層に対応した第１の素子領域パターンと、隣り合う第１の素子領域パターン間に配設された第１の識別用パターンとを含む。
【０１０５】
即ち、当該レチクルＤ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、配線材料層上に電極配線層形成用のフォト・レジスト層Ｄ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｄ２には、電極配線層形成用パターンを有する第２の素子領域パターンと、隣り合う第２の素子領域パターン間の関連性を示す第２の識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｄ２について、第２の識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｄ２をマスクとして配線材料層を選択エッチングして、第１の層間絶縁層上に第１の配線層を形成する。（ステップＳ２９）
その後、フォト・レジスト層を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【０１０６】
次いで、前記第１の配線層ならびに第１の層間絶縁層の露出部を覆って、第２層間絶縁膜を形成する。（ステップＳ３０）
当該第２層間絶縁膜も、その材料として酸化シリコンを適用することができ、またその被着方法としてＣＶＤ法を適用することができる。
【０１０７】
そして、当該第２の層間絶縁層に選択的に開孔処理を施して、所謂層間接続孔（コンタクト孔）を形成する。
当該層間接続孔形成パターンに対応したレチクルＥ１を適用して、前記第１の層間絶縁層をパターニングする。
当該レチクルＥ１は、層間接続孔に対応した第１の素子領域パターンと、隣り合う第１の素子領域パターン間に配設された第１の識別用パターンとを含む。
【０１０８】
即ち、当該レチクルＥ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、第１の層間絶縁層に層間接続孔形成用のフォト・レジスト層Ｅ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｅ２には、層間接続孔形成用パターンを有する第２の素子領域パターンと、隣り合う第２の素子領域パターン間の関連性を示す第２の識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｅ２について、第２の識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｅ２をマスクとして第２の層間絶縁層に層間接続孔を形成する。（ステップＳ３１）
その後、フォト・レジスト層を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【０１０９】
次いで、所定のグルー膜等を介して層間接続孔内を埋め込むように、例えばタングステン（Ｗ）からなる導電材料を、ＣＶＤ法等により第１層間絶縁膜上に被着する。
そして、当該導電材料をＣＭＰ法等により平坦化して、前記層間接続孔内が導電材料により充填された、所謂コンタクトプラグ構造とする。（ステップＳ３２）
【０１１０】
続いて、前記第２層間絶縁膜上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金、或いは銅（Ｃｕ）からなる配線材料層を被着する。
そして、当該配線材料層を選択的に除去して、電極配線層を形成する。
当該電極配線層形成パターンに対応したレチクルＦ１を適用して、前記配線材料層をパターニングする。
当該レチクルＦ１は、電極配線層に対応した第１の素子領域パターンと、隣り合う第１の素子領域パターン間に配設された第１の識別用パターンとを含む。
【０１１１】
即ち、当該レチクルＦ１を用いたフォト・リソグラフィ処理により、配線材料層上に電極配線層形成用のフォト・レジスト層Ｆ２を形成する。
フォト・レジスト層Ｆ２には、電極配線層形成用パターンを有する第２の素子領域パターンと、隣り合う第２の素子領域パターン間の関連性を示す第２の識別用パターンとが形成されている。
そして、当該フォト・レジスト層Ｆ２について、第２の識別用パターンを利用して欠陥検査を行う。
検査の結果、不良箇所が無い時には、当該フォト・レジスト層Ｆ２をマスクとして配線材料層を選択エッチングして、第１の層間絶縁層上に第２の配線層を形成する。（ステップＳ３３）
その後、フォト・レジスト層を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
【０１１２】
次いで、前記第２の配線層ならびに第２の層間絶縁層の露出部を覆って、第３の層間絶縁膜を形成する。（ステップＳ３４）
当該第３の層間絶縁膜も、その材料として酸化シリコンを適用することができ、またその被着方法としてＣＶＤ法を適用することができる。
【０１１３】
そして、必要に応じて、より上層の配線層を、層間絶縁層を介して形成し、更に窒化シリコンからなる安定化層（パッシベーション層）、外部接続用端子などを形成して、半導体基板の一方の主面に、ＭＯＳトランジスタを含む電子回路を形成する。
【０１１４】
尚、前記配線層を構成する配線層材料として、アルミニウム合金等の代わりに、銅（Ｃｕ）を主体とする配線材料を適用することもできる。
当該銅配線は、所謂ダマシン法により形成することができる。
この場合、層間絶縁層に形成された配線溝内に、窒化チタン（ＴｉＮ）等の下地導電層を介して銅を主体とする配線材料を埋め込む。
当該銅を主体とする配線材料の被着方法としては、例えばメッキ法を適用することができる。
そして、層間絶縁層上に在る導電材料及び下地導電層をＣＭＰ法により除去し、電極配線層が層間絶縁層の配線溝内に配設された構造を得る。
【０１１５】
ここで、レチクルを用いたフォト・リソグラフィ処理を行うステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２７，Ｓ２９，Ｓ３１，Ｓ３３のうち、第１配線を形成するためのステップＳ２９を例に採って、フォト・リソグラフィ処理を詳細に説明する。
尚、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２７，Ｓ３１，Ｓ３３に於いても、同様に欠陥検査が行われる。
【０１１６】
前記第１配線の形成に関する製造工程フローを、図１６に示す。
また、当該第１配線の形成工程を、図１７に示す。当該図１７に於いて、半導体素子の形成される素子領域３０を左側に、スクライブ領域７ｂを右側に示す。
【０１１７】
先ず、半導体基板５１の表面を覆う絶縁層（図示せず）上に、アルミニウム合金からなる配線材料層５２を形成する。（ステップＳ４１、図１７（Ａ）参照）
そして、前記配線材料層５２上に、フォト・レジスト層５３を形成する。（ステップＳ４２、図１７（Ｂ）参照）
【０１１８】
次いで、前記フォト・レジスト層５３に対して、レチクルＤ１を用いての縮小投影露光法によって、露光処理を行う。（ステップＳ４３）
当該レチクルＤ１には、第１層目の配線に対応した複数の素子領域パターン１２と、隣り合う第１の素子領域パターン間を関連付ける識別用パターン１５が形成されている。
【０１１９】
当該レチクルＤ１を用いての露光処理により、フォト・レジスト層５３には素子領域パターン１２及び識別用パターン１５が転写され、素子領域パターンの潜像１２Ｓ（非露光部）及び識別用パターンの潜像１５Ｓ（非露光部）が形成される。（図１７（Ｃ）参照）
尚、ここでは、素子領域パターン１２の一部１２ａ（配線層のレチクルパターンに相当する部分）の断面と、識別用パターン１５の短手方向に沿った断面とを示している。
【０１２０】
次いで、前記フォト・レジスト層５３の現像処理を行う。（ステップＳ４４）
即ち、現像液を用いてフォト・レジスト層５３を現像し、当該フォト・レジスト層５３に於ける露光部を除去する。
これにより、配線材料層５２上に、素子領域パターン１２Ａと、隣り合う２つの素子領域パターン５間の関連性を示す識別用パターン１５Ａとを含むレジストマスクＤ２が形成される。（図１７（Ｄ）参照）
尚、ここでは、素子領域パターン１２Ａの一部４ａ（配線層のレジストパターンに相当する部分）の断面と、識別用パターン１５Ａの短手方向に沿った断面とを示している。
【０１２１】
続いて、レジストマスクＤ２について、顕微鏡を用いて、素子領域パターン１２Ａの欠陥検査を行い、素子領域パターン１２Ａに於ける欠陥の有無を判定する。（ステップＳ４５、Ｓ４６）
各素子領域パターン１２Ａに、欠陥が見出されなかった場合には、配線層の形成工程へ進む。（ステップＳ５０）
【０１２２】
欠陥が発見された場合には、当該欠陥がレチクルＤ１に起因するものであるか否かを判断する。（ステップＳ４７）
この時、前記識別用パターン１５Ａを、隣り合う素子領域パターン１２Ａが同一の露光ショット領域に属するか否かを判断する指標として用いる。
そして、欠陥が発見された素子領域パターン１２Ａが属する露光ショット領域以外の露光ショット領域に於いて、当該素子領域パターン１２Ａに対応する位置に存在する素子領域パターン１２Ａ−ｎに同様の欠陥があるか否かを観察する。
この観察により、当該欠陥が、レチクルＤ１に起因して発生したものか否かを判断する。
【０１２３】
前記ステップＳ４７に於いて、素子領域パターン１２Ａ−ｎに於いて、同様の欠陥が発見された場合には、当該欠陥がレチクルＤ１に起因するものであると判断し、レチクルＤ１に於ける欠陥の原因を除去する。（ステップＳ４８）
欠陥の原因が、レチクルＤ１のペリクル上に付着した異物である場合には、窒素ブロー等を用いて当該異物を除去する。また、欠陥の原因がレチクルＤ１のペリクルに於ける傷である場合には、当該ペリクルの張り替えを行う。
【０１２４】
この様にしてレチクルＤ１における欠陥の原因を除去する一方、前記レジストマスクＤ２を除去する。（ステップＳ４９）
当該レジストマスクＤ２の除去は、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等によって行なうことができる。
【０１２５】
一方、前記ステップＳ４７に於いて、他の露光ショット領域に於ける素子領域パターン１２Ａ−ｎに於いて、同様の欠陥が発見されない場合には、当該欠陥がレチクルＤ１に起因するものではなく、欠陥が素子領域パターン単位で生じたものと判断する。
そして、前記レジストマスクＤ２を除去する。（ステップＳ４９）
【０１２６】
尚、当該素子領域パターン単位で生じる欠陥としては、半導体基板にフォト・レジストを塗布する際に当該フォト・レジストに付着した異物、フォト・レジストの変質、或いはフォト・レジスト自体に生じた傷等に起因するものがある。
そして、再び前記ステップＳ４２〜ステップＳ４４を実行し、レジストマスクＤ２を再形成する。
更に、再びステップＳ４５，Ｓ４６を実行し、ステップＳ４６の結果によっては更にステップＳ４７〜Ｓ４９を実行する。
【０１２７】
前述の如く、各素子領域パターン１２Ａに、欠陥が発見されなかった場合には、レジストマスクＤ２を用いて配線材料層５３をドライエッチングし、コンタクトプラグと接続される第１配線層５４を形成する。（ステップＳ５０、図１７（Ｅ）参照）
このとき、第１配線層１２Ｂと共に、半導体基板５１のスクライブ領域に、配線材料層５２からなる識別用パターン１５Ｂが形成される。
尚、ここでは、素子領域パターン１２Ａの一部４ａに倣って形成された第１配線層１２Ｂの一部と、識別用パターン１５Ａに倣って形成された識別用パターン１５Ｂとを示している。
当該エッチング処理の後、レジストマスクＤ２は、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理により除去される。
【０１２８】
前記図１５に示される工程（ステップＳ２１〜Ｓ３４）を経て、一方の主面に複数個の半導体素子が形成された半導体基板の一例を、図１８及び図１９に示す。
図１８に示すように、当該半導体基板２０１に於いては、複数の半導体素子領域１１Ｂが横方向及び縦方向に並び画定されている。各半導体素子領域１１Ｂは、前記露光ショット領域１２Ａの一つに対応している。
【０１２９】
ここでは、半導体素子領域１１Ｂ１については右下がりのハッチングを付し、半導体素子領域１１Ｂ２については左下がりのハッチングを付して、両半導体素子領域の位置関係を示している。
各半導体素子領域１１Ｂ内には、例えば４個の半導体素子が互いにスクライブ領域（図示せず）を挟んで、縦横に配設されている。
尚、複数個の半導体素子が形成された現実の半導体基板にあっては、個々の露光ショット領域に対応した半導体素子領域を区別することはできない。
複数の半導体素子が、スクライブ領域を挟んで、縦横に並ぶ状態が具示されるだけである。
【０１３０】
当該半導体基板上に於いて、４個の半導体素子領域１１Ｂが、縦横に並べられた状態を、図１９に示す。
ここでは、半導体素子領域１１Ｂａについては右下がりのハッチングを付し、半導体素子領域１１Ｂｂについては左下がりのハッチングを付して、両半導体素子領域の位置関係、重畳関係を示している。
当該図１９より明らかな如く、４個の半導体素子領域１１Ｂの相互間には、スクライブ領域１４Ｂがあるのみで、これら４個の半導体素子領域１１Ｂを相互に関連付ける指標は存在しない。
前述の如く、各半導体素子領域１１Ｂ内には、４個の半導体素子形成部材が互いにスクライブ領域１３Ｂを挟んで、縦横に配設されている。
これらのスクライブ領域１３Ｂならびにスクライブ領域１４は、互いに同じ幅を有する。
【０１３１】
一方、個々の半導体素子領域１１Ｂにあっては、それぞれ隣り合う半導体素子領域１１Ｂ相互間に於いて、識別用パターン１５Ｂが配設されている。
当該識別用パターン１５Ｂは、前記製造工程に於いて、所望の素子領域パターンと共に形成されており、製造工程に従って、複数の層が積層状態をもって形成される場合がある。
そして、当該識別用パターン１５Ｂは、スクライブ領域１３Ｂに位置することから、当該半導体基板２０１に対するダイシング処理（半導体素子の個片化処理）工程などに於いて、除去される。
【０１３２】
半導体素子の高集積化、微細パターン化に伴い、半導体基板上に形成されるフォト・レジストパターンの欠陥検査に際しても、検査用顕微鏡倍率としてより高い倍率が必要とされる。
この様に、顕微鏡の倍率を高めると、その検査視野に於ける被検査領域は狭小化して、検査視野内に本発明にかかる識別用パターンが入らない（視認されない）という問題が生じる可能性がある。
かかる問題は、顕微鏡の倍率が高くなる場合の他、半導体素子が大形化された（大チップ化された）場合にも生ずる可能性がある。
この様な場合に対応可能な識別用パターンの配設構成について、以下、実施の形態をもって説明する。
【０１３３】
［第２の実施の形態］
本発明の、第２の実施の形態にかかるレチクルを、図２０に示す。
当該第２の実施の形態に於けるレチクル２１にあっても、素子領域パターン２２が４個、互いに離間して縦横に配置されている。
当該レチクル２１は、縮小投影露光に於ける、一つの露光ショット領域を形成するものである。
当該レチクル２１に於いて、個々の素子領域パターン２２は、１つの半導体素子を形成することに対応する寸法・形状を有し、当該半導体素子の製造工程に於いて適用される一つのパターン、例えば素子間分離領域（アイソレーション領域）を画定するパターンを含んでいる。但し、前記第１の実施形態と同様、此処では当該パターンの表示は行なわない。
【０１３４】
前記４個の素子領域パターン２２は、スクライブ領域（素子間分離領域）に相当する領域２３を挟んで、互いに分離して配置されている。当該スクライブ領域に相当する領域２３は、縦方向（Ｙ軸方向）ならびに横方向（Ｘ軸方向）の何れに於いても、等しい幅を有している。
また、当該４個の素子領域パターン２２の周囲には、これらを囲繞して、前記スクライブ領域に相当する領域２３と等しい幅を有する領域２４が配設されている。
即ち、ここでは、当該レチクル２１に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【０１３５】
本実施の形態に於ける特徴的構成として、当該レチクル２１に配置されて隣り合う素子領域パターン２２の間に於ける、スクライブ領域に相当する領域２３に配設されて、隣り合う素子領域パターン２２の間を相互に関連付ける識別用パターン２５が、互いに離間し且つ平行して配置された複数本（此処では２５ａ、２５ｂの２本）のパターンをもって構成されている。
当該識別用パターン２５は、図示される様に、双方向の矢印をもって構成されている。
【０１３６】
当該レチクル２１を用いて、半導体基板上のフォト・レジスト層に対し縮小投影露光処理を施し、複数の露光ショット領域を縦横に形成する。
このうち４個の露光ショット領域２１Ａが縦横に並べられた状態を、図２１に示す。
ここでは、露光ショット領域２１Ａａについては右下がりのハッチングを付し、露光ショット領域２１Ａｂについては左下がりのハッチングを付して、両露光ショット領域の位置関係、重畳関係を示している。
【０１３７】
当該図２１より明らかな如く、４個の露光ショット領域２１Ａの相互間には、スクライブ領域２４Ａがあるのみで、ここにはこれら４個の露光ショット領域２１Ａを相互に関連付ける指標は存在しない。
しかしながら、個々の露光ショット領域２１Ａにあっては、それぞれ隣り合う素子領域パターン２２Ａ相互間に、２本の矢印からなる識別用パターン２５Ａが配設されている。
即ち、一つの露光ショット領域２１Ａに於ける複数個の素子領域パターン２２Ａは、２本の識別用パターン２５Ａによって相互に関連付けがなされている。
【０１３８】
前記第１の実施の形態と同様、かかる構成は、隣り合う素子領域パターン２２Ａ間に識別用パターン２５Ａが存在する場合には、当該隣り合う素子領域パターン２２Ａは同一の露光ショット領域に属することを意味し、一方、隣り合う素子領域パターン２２Ａ間に識別用パターン２５Ａが存在しない場合には、隣り合うところの素子領域パターン２２Ａは異なる露光ショット領域に属していることを意味する。
従って、一つの露光ショット領域２１Ａに於ける複数個の素子領域パターン２２Ａは、これに隣り合うところの他の露光ショット領域２１Ａに於ける素子領域パターンとは、明確に分離することがなされている。
【０１３９】
尚、前記レチクル２１に於ける識別用パターン２５、当該レチクル２１によりもたらされる露光ショット領域２１Ａに於ける識別用パターン２５Ａは、前述の如き「双方向の矢印」に特定されるものではない。隣り合う素子領域パターン２２（２２Ａ）の間を関連付けることができ、且つ占有面積が小であれば、他の形状を適用することもできる。
【０１４０】
この様に、４個の素子領域パターン２２Ａを含み、隣り合う素子領域パターン２２Ａの間に、それぞれ複数の識別用パターン２５Ａが配設されてなる露光ショット領域２１Ａが、複数個形成された半導体基板に対する欠陥検査は、次の様になされる。
【０１４１】
即ち、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野６０１と設定された場合、当該検査視野６０１内には、識別用パターン２５Ａは表示（視認）されていない。
また、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン２２Ａが、当該識別用パターン２５Ａによって相互に関連付けられてもいない。
これにより、これら４個の素子領域パターン２２Ａは、露光ショット領域２１Ａａに含まれる素子領域パターン２２Ａｃの一部、露光ショット領域２１Ａｂに含まれる素子領域パターン２２Ａｄの一部、露光ショット領域２１Ａｃに含まれる素子領域パターン２２Ａａの一部、ならびに露光ショット領域２１Ａｄに含まれる素子領域パターン２２Ａｂの一部であると判る。
【０１４２】
従って、当該検査視野６０１内に於いて、例えば露光ショット領域２１Ａｄに含まれる素子領域パターン２２Ａｂに欠陥が見出された時には、他の露光ショット領域２１Ａａ乃至露光ショット領域２１Ａｃに於ける素子領域パターン２２Ａｂについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることによって、当該露光ショット領域２１Ａｄに含まれる素子領域パターン２２Ａｂに含まれる欠陥が、レチクル２１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【０１４３】
一方、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野６０２と設定された場合、当該検査視野６０２内に於いて、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン２２Ａのうち、スクライブ領域４Ａを挟んで左右に位置し、またスクライブ領域２３Ａを挟んで上下の位置関係にある二つの素子領域パターン２２Ａ間が、スクライブ領域２４Ａの近くに位置して、且つスクライブ領域２３Ａに配設された二つの識別用パターン２５Ａによって相互に関連付けられる。
尚、当該スクライブ領域２４Ａは、識別用パターン２５Ａを含まない（配設されていない）ことから、スクライブ領域２４Ａとして認識される。
これにより、これら４個の素子領域パターン２２Ａは、露光ショット領域２１Ａｂに含まれる素子領域パターン２２Ａｄの一部、露光ショット領域２１Ａｂに含まれる素子領域パターン２２Ａｃの一部、露光ショット領域２１Ａｃに含まれる素子領域パターン２２Ａａの一部、ならびに露光ショット領域２１Ａｃに含まれる素子領域パターン２２Ａｂの一部であると判る。
【０１４４】
かかる配置に於いて、識別用パターン２５Ａの存在により、素子領域パターン２２Ａｃと素子領域パターン２２Ａｄが、共に露光ショット領域２１Ａｂに含まれることが判明し、また素子領域パターン２２Ａａと素子領域パターン２２Ａｂが、共に露光ショット領域２１Ａｃに含まれることが判る。
従って、当該検査視野６０２内に於いて、例えば露光ショット領域２１Ａｂに含まれる素子領域パターン２２Ａｄに欠陥が見出された時には、他の露光ショット領域２１Ａａ乃至露光ショット領域２１Ａｃに於ける素子領域パターン２２Ａｄについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることによって、当該露光ショット領域２１Ａｂに含まれる素子領域パターン２２Ａｄに含まれる欠陥が、レチクル２１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【０１４５】
また、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野６０３と設定された場合、当該検査視野６０３内に於いて、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン２２Ａは、スクライブ領域２３Ａを挟んで上下、左右に位置し、また当該スクライブ領域２３Ａを挟んで対向する二つの素子領域パターン２２Ａ間が、当該スクライブ領域２３Ａに配設された識別用パターン２５Ａによって相互に関連付けられている。
これにより、これら４個の素子領域パターン２２Ａは、一つの露光ショット領域２１Ａｃに含まれるところの、素子領域パターン２２Ａａの一部、素子領域パターン２２Ａｂの一部、素子領域パターン２２Ａｃの一部、ならびに素子領域パターン２２Ａｄの一部であると判る。
【０１４６】
従って、当該検査視野６０３内に於いて、例えば素子領域パターン２２Ａｂに欠陥が見出された時には、他の露光ショット領域２１Ａａ、露光ショット領域２１Ａｂ或いは露光ショット領域２１Ａｄに於ける素子領域パターン２２Ａｂについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることによって、当該露光ショット領域２１Ａｃに含まれる素子領域パターン２２Ａｂに含まれる欠陥が、レチクル２１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【０１４７】
即ち、この様な本発明の第２の実施の形態によれば、より狭い検査視野が適用される場合にあっても、一つの露光ショット領域２１Ａに含まれる複数個の素子領域パターン２２Ａを、複数の識別用パターン２５の内の何れか一つによって関連付けることにより、欠陥の見出された素子領域パターン２２Ａが含まれる露光ショット領域２１Ａを容易に特定することができる。
従って、当該欠陥の見出された素子領域パターン２２Ａに対応する他の露光ショット領域２１Ａに於ける素子領域パターン２２Ａをチェックすることにより、当該欠陥がレチクルに起因するものであるか否かを、短時間に確認することができる。
【０１４８】
この第２の実施形態にあっては、一枚のレチクル２１に含まれる素子領域パターン２２が４個であったが、当該レチクルに、多数の素子領域パターン２２を配設することがなされる。
例えば、１枚のレチクルに１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン２２が配設される。
この様に、多数の素子領域パターン２２を配設する場合には、本発明思想に従って素子領域パターン２２の間に配設される識別用パターン２５Ａの配設形態を選択することができる。
かかる識別用パターン２５Ａの配設形態の変形例を、以下に示す。
【０１４９】
＜第２の実施の形態の変形例＞
本変形例にあっては、図２２に示される様に、１枚のレチクル２１Ｓ１の一方の主面に、１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン２２が配設されている。
縦方向ならびに横方向に於いて並ぶ素子領域パターン２２は、互いに、スクライブ領域２３を介して等しい間隔をおいて、縦横に配列されている。
即ち、ここでは、当該レチクル２１Ｓ１に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【０１５０】
かかる素子領域パターン２２の配列に於いては、隣り合う素子領域パターン２２間の領域、即ちスクライブ領域２３の全てに、識別用パターン２５が配設されている。
即ち、当該レチクル２１Ｓ１に配設された１２１個の素子領域パターン２２の全てが、識別用パターン２５により関連付けられている。
そして、当該１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン２２の配列を囲繞して、前記スクライブ領域２３と等しい幅を有する領域２４が配設されている。
かかる構成によれば、前記第１の実施の形態の変形例１と同様の効果を得ることができる。
【０１５１】
この様に、本発明の第２の実施の形態にあっては、半導体素子の高集積化、微細パターン化或いは半導体素子の大形化に伴って、顕微鏡に於ける検査視野が小となっても、レチクルに於ける欠陥の検査を効率良く行なうことができる。
尚、当該第２の実施の形態に於いても、前記第１の実施の形態の変形例２と同様に、１枚のレチクル２１Ｓ１の一方の主面に、１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン２２が配設された構成に於いて、最外周に配設されて隣り合う素子領域パターン２２間の領域、即ち縦方向ならびに横方向に沿うスクライブ領域２３にのみ、識別用パターン２５を配設する形態を採ることができる。（図示せず）
【０１５２】
そして、これら第２の実施の形態及びその変形例に於いても、前記第１の実施の形態と同様に、素子領域パターン２２の間或いは外周部に対して、位置合わせ用パターン及び／或いは特性モニタ用パターンなどを、適宜配設することができる。
【０１５３】
［第３の実施の形態］
本発明の、第３の実施の形態にかかるレチクルを、図２３に示す。
当該第３の実施の形態に於けるレチクル３１にあっても、素子領域パターン３２が４個、互いに離間して縦横に配置されている。
当該レチクル３１は、縮小投影露光に於ける、一つの露光ショット領域を形成するものである。
当該レチクル３１に於いて、個々の素子領域パターン３２は、１つの半導体素子を形成することに対応する寸法・形状を有し、当該半導体素子の製造工程に於いて適用される一つのパターン、例えば素子間分離領域（アイソレーション領域）を画定するパターンを含んでいる。但し、前記実施形態と同様、此処では当該パターンの表示は行なわない。
即ち、ここでは、当該レチクル３１に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【０１５４】
前記４個の素子領域パターン３２は、スクライブ領域（素子間分離領域）に相当する領域３３を挟んで、互いに分離して配置されている。当該スクライブ領域に相当する領域３３は、縦方向（Ｙ軸方向）ならびに横方向（Ｘ軸方向）の何れに於いても、等しい幅を有している。
また、当該４個の素子領域パターン３２の周囲には、これらを囲繞して、前記スクライブ領域に相当する領域３３と等しい幅を有する領域３４が配設されている。
本実施の形態にあっては、識別用パターン３５が、個々の素子領域パターン３２内に設けられる特定パターン（例えばフォト・レジスト測長用パターン）３６の配設箇所に対応して、前記スクライブ領域に相当する領域３３に配設される。
【０１５５】
当該レチクル３１を用いて、半導体基板上のフォト・レジスト層に対し縮小投影露光処理を施し、複数の露光ショット領域を縦横に形成する。
このうち４個の露光ショット領域３１Ａが縦横に並べられた状態を、図２４に示す。
ここでは、露光ショット領域３１Ａａについては右下がりのハッチングを付し、露光ショット領域３１Ａｂについては左下がりのハッチングを付して、両露光ショット領域の位置関係、重畳関係を示している。
【０１５６】
当該図２４より明らかな如く、４個の露光ショット領域３１Ａの相互間には、スクライブ領域３４Ａがあるのみで、ここにはこれら４個の露光ショット領域３１Ａを相互に関連付ける指標は存在しない。
しかしながら、個々の露光ショット領域３１Ａにあっては、それぞれ隣り合う素子領域パターン３２Ａ相互間に、且つ前記特定パターン３６Ａに対応して、１本の矢印からなる識別用パターン３５Ａが配設されている。
即ち、一つの露光ショット領域３１Ａに於ける複数個の素子領域パターン３２Ａは、識別用パターン３５Ａによって相互に関連付けがなされている。
【０１５７】
前記第１の実施の形態などと同様に、かかる構成は、隣り合う素子領域パターン３２Ａ間に識別用パターン３５Ａが存在する場合には、当該隣り合う素子領域パターン３２Ａは同一の露光ショット領域に属することを意味し、一方、隣り合う素子領域パターン３２Ａ間に識別用パターン３５Ａが存在しない場合には、隣り合うところの当該素子領域パターン３２Ａは異なる露光ショット領域に属していることを意味する。
従って、一つの露光ショット領域３１Ａに於ける複数個の素子領域パターン３２Ａは、これに隣り合うところの他の露光ショット領域３１Ａに於ける素子領域パターン３２Ａとは、明確に分離されている。
【０１５８】
尚、本実施の形態にあっても、レチクル３１に於ける識別用パターン３５、当該レチクル３１によりもたらされる露光ショット領域３１Ａに於ける識別用パターン３５は、「双方向の矢印」に特定されるものではない。隣り合う素子領域パターン３２（３２Ａ）の間を関連付けることができ、且つ占有面積が小であれば、他の形状を適用することができる。
【０１５９】
この様に、４個の素子領域パターン３２Ａを含み、隣り合う素子領域パターン３２Ａの間に、特定パターン３６Ａに対応して識別用パターン３５Ａが配設された露光ショット領域３１Ａが複数個形成されてなる半導体基板に対する欠陥検査は、次の様になされる。
即ち、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野７０１に設定された場合、当該検査視野７０１内には、識別用パターン３５Ａは表示（視認）されていない。
また、当該視野内に表示（視認）される２個の素子領域パターン３２Ａが、当該識別用パターン３５Ａによって相互に関連付けられてもいない。
これにより、これら４個の素子領域パターン３２Ａは、露光ショット領域３１Ａａに含まれる素子領域パターン３２Ａｃの一部、露光ショット領域３１Ａｂに含まれる素子領域パターン３２Ａｄの一部であると判る。
【０１６０】
従って、当該検査視野７０１内に於いて、例えば露光ショット領域３１Ａｂに含まれる素子領域パターン３２Ａｄに欠陥が見出された時には、他の露光ショット領域３１Ａａ、露光ショット領域３１Ａｃ  及び露光ショット領域３１Ａｄに於ける素子領域パターン３２Ａｂについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることによって、当該露光ショット領域３１Ａｂに含まれる素子領域パターン３２Ａｄに含まれる欠陥が、レチクル３１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【０１６１】
一方、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野７０２に設定された場合、当該検査視野７０２内に於いて、当該視野内に表示（視認）される２個の素子領域パターン３２Ａのうち、スクライブ領域３３Ａを挟んで上下の位置関係にある二つの素子領域パターン３２Ａ間が、特定パターン３６Ａに対応して配設された識別用パターン３５Ａによって相互に関連付けられている。
尚、領域３４Ａは、識別用パターン３５Ａを含まない（配設されていない）ことから、スクライブ領域として認識される。
【０１６２】
これにより、これら２個の素子領域パターン３２Ａは、露光ショット領域３１Ａに含まれる素子領域パターン３２Ａｃの一部、露光ショット領域３１Ａｂに含まれる素子領域パターン３２Ａｄの一部であると判る。
かかる配置に於いて、識別用パターン３５Ａの存在により、素子領域パターン３２Ａｃと素子領域パターン３２Ａｄが、共に露光ショット領域３１Ａｂに含まれることが判明する。
【０１６３】
また、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野７０３に設定された場合、当該検査視野７０３内に於いて、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン３２Ａのうち、スクライブ領域３３Ａを挟んで上下の位置関係にある二つの素子領域パターン３２Ａ間が、特定パターン３６Ａに対応して配設された識別用パターン３５Ａによって相互に関連付けられ、またスクライブ領域３３Ａを挟んで左右の位置関係にある二つの素子領域パターン３２Ａ間が、特定パターン３６Ａに対応して配設された識別用パターン３５Ａによって相互に関連付けられている。
これにより、これら２個の素子領域パターン３２Ａは、露光ショット領域３１Ａに含まれる素子領域パターン３２Ａａの一部、素子領域パターン３２Ａｂの一部、素子領域パターン３２Ａｃの一部、及び素子領域パターン３２Ａｄの一部であると判る。
【０１６４】
かかる配置に於いて、特定パターン３６Ａに対応して配設された識別用パターン３５Ａの存在によって、素子領域パターン３２Ａｃと素子領域パターン３２Ａｄが、共に露光ショット領域３１Ａに含まれることが判明する。
即ち、この様な本発明の第３の実施の形態によれば、より狭い検査視野が適用される場合にあっても、一つの露光ショット領域３１Ａに含まれる複数個の素子領域パターン３２Ａを、特定パターン３６Ａの近傍に配設された識別用パターン３５Ａによって関連付けることにより、欠陥の見出された素子領域パターン３２Ａが含まれる露光ショット領域３１Ａを容易に特定することができる。
従って、当該欠陥の見出された素子領域パターン３２Ａに対応する他の露光ショット領域３１Ａに於ける素子領域パターン３２Ａをチェックすることにより、当該欠陥がレチクルに起因するものであるか否かを、短時間に確認することができる。
【０１６５】
当該第３の実施形態にあっては、一枚のレチクル３１に含まれる素子領域パターン３２が４個であったが、当該レチクルに、多数の素子領域パターン２を配設することがなされる。
例えば、１枚のレチクルに１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン３２が配設される。
この様に、多数の素子領域パターン３２を配設する場合には、本発明思想に従って素子領域パターン３２の間に配設される識別用パターン３５の配設形態を選択することができる。
かかる識別用パターン３５の配設形態の変形例を、以下に述べる。
【０１６６】
＜第３の実施の形態の変形例＞
当該変形例にあっては、図２５に示される様に、１枚のレチクル３１Ｓ１に於いて、その一方の主面に、１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン３２が配設されている。
縦方向ならびに横方向に於いて並ぶ素子領域パターン３２は、互いに、スクライブ領域３３を介して等しい間隔をおいて、縦横に配列されている。
即ち、ここでは、当該レチクル３１Ｓ１に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【０１６７】
かかる素子領域パターン３２の配列に於いては、隣り合う素子領域パターン３２間の領域、即ちスクライブ領域３３の全てに、個々の素子領域パターン３２に設けられるところの特定パターン、例えばフォト・レジスト測長用パターン３６の配設箇所に対応して、識別用パターン３５が配設されている。
即ち、当該レチクル３１Ｓ１に配設された１２１個の素子領域パターン３２の全てが、識別用パターン３５によって相互に関連付けられている。
そして、当該１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン３２の配列を囲繞して、前記スクライブ領域３３と等しい幅を有する領域３４が配設されている。
かかる構成によれば、前記第１の実施の形態の変形例１と同様の効果を得ることができる。
【０１６８】
この様に、本発明の第３の実施の形態にあっては、半導体素子の高集積化、微細パターン化或いは半導体素子の大形化に伴って、顕微鏡に於ける検査視野が小となっても、レチクルに於ける欠陥の検査を効率良く行なうことができる。
そして、これら第３の実施の形態の変形例に於いても、前記第１の実施の形態などと同様、位置合わせ用パターン及び／或いは特性モニタ用パターンなどを配設することが可能である。
【０１６９】
尚、当該第３の実施の形態に於いても、前記第１の実施の形態の変形例２と同様に、１枚のレチクル３１Ｓ１に於いて、その一方の主面に、１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン３２が配設された構成に於いて、最外周に配設されて隣り合う素子領域パターン３２間の領域、即ち縦方向ならびに横方向に沿うスクライブ領域３３に、特定パターン３６に対応して識別用パターン３５を配設する形態を採ることができる。（図示せず）
【０１７０】
そして、これら第３の実施の形態及びその変形例に於いても、前記第１の実施の形態などと同様、素子領域パターン３２の間或いは外周部に対して、位置合わせ用パターン及び／或いは特性モニタ用パターンなどを、選択的に配設することが可能である。
【０１７１】
［第４の実施の形態］
本発明の、第４の実施の形態にかかるレチクルを、図２６に示す。
当該第４の実施の形態に於けるレチクル４１にあっても、素子領域パターン４２が４個、互いに離間して縦横に配置されている。
当該レチクル４１は、縮小投影露光に於ける、一つの露光ショット領域を形成するものである。
当該レチクル４１に於いて、個々の素子領域パターン４２は、１つの半導体素子を形成することに対応する寸法・形状を有し、当該半導体素子の製造工程に於いて適用される一つのパターン、例えば素子間分離領域（アイソレーション領域）を画定するパターンを含んでいる。但し、前記実施形態と同様、此処では当該パターンの表示は行なわない。
即ち、ここでは、当該レチクル４１に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【０１７２】
前記４個の素子領域パターン４２は、スクライブ領域（素子間分離領域）に相当する領域４３を挟んで、互いに分離して配置されている。当該スクライブ領域に相当する領域４３は、縦方向（Ｙ軸方向）ならびに横方向（Ｘ軸方向）の何れに於いても、等しい幅を有している。
また、当該４個の素子領域パターン４２の周囲には、これらを囲繞して、前記スクライブ領域に相当する領域４３と等しい幅を有する領域４４が配設されている。
【０１７３】
本実施形態に於ける特徴的構成として、識別用パターン４５が、隣り合う個々の素子領域パターン４３の間には配設されず、当該素子領域パターン４２の外側に位置する領域４４に配設される。
当該識別用パターン４５は、図示される様に、双方向の矢印をもって構成されている。
当該レチクル４１を用いて、半導体基板上のフォト・レジスト層に対し縮小投影露光処理を施し、複数の露光ショット領域を縦横に形成する。
【０１７４】
このうち４個の露光ショット領域４１Ａが縦横に並べられた状態を、図２７に示す。
ここでは、露光ショット領域４１Ａａについては右下がりのハッチングを付し、露光ショット領域４１Ａｂについては左下がりのハッチングを付して、両露光ショット領域の位置関係、重畳関係を示している。
【０１７５】
当該図２７より明らかな如く、４個の露光ショット領域４１Ａの相互間に於ける、スクライブ領域４４Ａにあっては、これら４個の露光ショット領域１Ａを相互に関連付ける指標として、識別用パターン４５が存在している。
一方、個々の露光ショット領域４１Ａにあっては、それぞれ隣り合う素子領域パターン４２Ａの相互間に、識別用パターン４５は配設されていない。
【０１７６】
かかる構成は、隣り合う素子領域パターン４２Ａの間に識別用パターン４５Ａが存在しない場合には、当該隣り合う素子領域パターン４２Ａは同一の露光ショット領域に属することを意味し、一方、隣り合う素子領域パターン４２Ａ間に識別用パターン４５Ａが存在する場合には、隣り合うところの当該素子領域パターン４２Ａは、異なる露光ショット領域に属していることを意味する。
【０１７７】
従って、一つの露光ショット領域４１Ａに於ける複数個の素子領域パターン４２Ａは、これに隣り合うところの他の露光ショット領域４１Ａに於ける素子領域パターン４２Ａと、明確に分離することがなされる。
【０１７８】
尚、本実施形態にあっても、レチクル４１に於ける識別用パターン４５、従って当該レチクル４１によりもたらされる露光ショット領域４１Ａに於ける識別用パターン４５Ａは、「双方向の矢印」に特定されるものではない。
隣り合う素子領域パターン４２（４２Ａ）の間を関連付けることができ、且つ占有面積が小であれば、他の形状を適用することができる。
【０１７９】
この様に、４個の素子領域パターン４２Ａを含み、当該素子領域パターン４２Ａの外側に位置する領域４４Ａに識別用パターン４５Ａが配設された露光ショット領域４１Ａが複数個形成されてなる半導体基板２０１に対する欠陥検査は、次の様になされる。
即ち、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野８０１と設定された場合、当該検査視野８０１内には、識別用パターン４５Ａは表示（視認）されていない。
【０１８０】
これにより、これら４個の素子領域パターン４２Ａは、一つの露光ショット領域４１Ａｂに含まれる素子領域パターン４２Ａａの一部、素子領域パターン４２Ａｂの一部、素子領域パターン４２Ａｃの一部、ならびに素子領域パターン４２Ａｄの一部であると判る。
【０１８１】
従って、当該検査視野８０１内に於いて、当該露光ショット領域４１Ａｂに含まれる素子領域パターン４２Ａｂに欠陥が見出された時には、露光ショット領域４１Ａａ、露光ショット領域４１Ａｃ、或いは露光ショット領域４１Ａｄに於ける素子領域パターン４２Ａｂについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることによって、当該露光ショット領域４１Ａｂに含まれる素子領域パターン４２Ａｂに於ける欠陥が、レチクル４１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【０１８２】
一方、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野８０２と設定された場合、当該検査視野８０２内に於いて、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン４２Ａのうち、スクライブ領域４４Ａを挟んで左右に位置する二つの素子領域パターン４２Ａの間、またスクライブ領域４４Ａを挟んで上下の位置関係にある二つの素子領域パターン４２Ａの間が、当該スクライブ領域４４Ａに配設された識別用パターン４５Ａによって相互に関連付けられている。
尚、当該スクライブ領域４４Ａは、当該識別用パターン４５Ａを含むことから、スクライブ領域として認識される。
【０１８３】
これにより、これら４個の素子領域パターン４２Ａは、露光ショット領域４１Ａｂに含まれる素子領域パターン４２Ａｃの一部、露光ショット領域４１Ａｂに含まれる素子領域パターン４２Ａｄの一部、露光ショット領域４１Ａｃに含まれる素子領域パターン４２Ａａの一部、ならびに露光ショット領域４１Ａｃに含まれる素子領域パターン４２Ａｂの一部であると判る。
即ち、かかる配置に於いて、識別用パターン４５Ａの存在により、当該検査視野８０２内には、２つの露光ショット領域４１Ａが含まれていることが判る。
【０１８４】
従って、当該検査視野８０２内に於いて、例えば露光ショット領域４１Ａｂに含まれる素子領域パターン４２Ａｄに欠陥が見出された時には、露光ショット領域４１Ａａ、露光ショット領域４１Ａｃ、或いは露光ショット領域４１Ａｄに於ける素子領域パターン４２Ａｄについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることにより、当該露光ショット領域４１Ａｂに含まれる素子領域パターン４２Ａｄに於ける欠陥が、レチクル４１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【０１８５】
また、顕微鏡に於ける検査視野が検査視野８０３と設定された場合、当該検査視野８０３内に於いて、当該視野内に表示（視認）される４個の素子領域パターン４２Ａは、スクライブ領域４３Ａを挟んで上下に位置する二つの素子領域パターンの間、また当該スクライブ領域４４Ａを挟んで対向する二つの素子領域パターン４２Ａ間が、当該スクライブ領域４４Ａに配設された識別用パターン４５Ａによって相互に関連付けられている。
尚、当該スクライブ領域４４Ａは、当該識別用パターン４５Ａを含むことから、スクライブ領域として認識される。
これにより、これら４個の素子領域パターン４２Ａは、露光ショット領域４１Ａａに含まれるところの素子領域パターン４２Ａｃの一部、露光ショット領域４１Ａｂに含まれるところの素子領域パターン４２Ａｄの一部、露光ショット領域４１Ａｃに含まれるところの素子領域パターン４２Ａａの一部、ならびに露光ショット領域４１Ａｄに含まれるところの素子領域パターン４２Ａｂの一部であると判る。
【０１８６】
従って、当該検査視野８０３内に於いて、例えば露光ショット領域４１Ａｄに含まれる素子領域パターン４２Ａｂに欠陥が見出された時には、露光ショット領域４１Ａａ、露光ショット領域４１Ａｂ、露光ショット領域４１Ａｃに於ける素子領域パターン４２Ａｂについて、同様の欠陥が存在するか否かをチェックすることによって、当該露光ショット領域４１Ａｄに含まれる素子領域パターン４２Ａｂに於ける欠陥が、レチクル４１に起因するものであるか否かを判断することができる。
【０１８７】
＜第４の実施形態の変形例＞
当該変形例にあっては、図２８に示される様に、レチクル４１Ｓ１に於いて、その一方の主面に、１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン２が互いに、スクライブ領域４３を介して等しい間隔をもって、縦方向ならびに横方向に配列されている。
そして、当該レチクル４１Ｓ１に於いては、素子領域パターン４２の配列の外側の領域、即ち当該１２１個（１１行×１１列）の素子領域パターン４２の配列を囲繞して配設された領域４４に、個々の素子領域パターン４２に対応して識別用パターン４５が配設されている。
即ち、ここでは、当該レチクル４１Ｓ１に含まれるところの、素子領域パターン、識別用パターンならびにスクライブ領域が、一つの露光単位として適用される。
【０１８８】
当該レチクル４１Ｓ１に配設された１２１個の素子領域パターン４２の全てが、識別用パターン４５により囲繞されることにより、また相互間に識別用パターン４５が配設されていないことにより、関連付けられている。
かかる構成によれば、前記第１の実施形態の変形例１と同様の効果を得ることができる。
【０１８９】
この様に、本発明の第４の実施の形態にあっては、半導体素子の高集積化、微細パターン化或いは半導体素子の大形化に伴って、顕微鏡に於ける検査視野が小となっても、レチクルに於ける欠陥の検査を効率良く行なうことができる。
【０１９０】
そして、当該第４の実施の形態の変形例に於いても、当該図２８に示される様に、素子領域パターン４２の間に対して、位置合わせ用パターン及び／或いは特性モニタ用パターン４６などを、選択的に配設することが可能である。
【０１９１】
以下、諸態様を付記としてまとめて記載する。
【０１９２】
（付記１）半導体基板の一方の主面にフォト・レジスト層を形成する工程と、
複数個の半導体素子パターンと当該複数個の半導体素子パターン間を相互に関連付ける識別用パターンとを具備してなるレチクルを用いて、前記フォト・レジスト層に対し、前記半導体素子パターンが並ぶように複数回の露光処理を行なう工程と、
前記フォト・レジスト層を現像処理する工程と、
前記識別用パターンを用い、現像処理された前記フォト・レジスト層に於いて一つの露光処理により形成された前記半導体素子パターンを特定する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１９３】
（付記２）前記レチクルは、隣り合う２つの前記半導体素子パターン間に前記識別用パターンを有していることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１９４】
（付記３）前記レチクルは、最外周に位置する前記半導体素子パターンと当該レチクルの周縁部との間に前記識別用パターンを有していることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１９５】
（付記４）前記半導体素子パターン内で検査対象領域が限定されており、
前記レチクルにおいて、前記半導体素子パターンの前記検査対象領域に対応する部分と近接するように、前記識別用パターンが配されていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１９６】
（付記５）複数個の半導体素子パターンと、前記複数個の半導体素子パターンを相互に関連付ける識別用パターンとを具備してなることを特徴とするレチクル。
【０１９７】
（付記６）隣り合う２つの前記半導体素子パターン間に前記識別用パターンが配されていることを特徴とする付記５に記載のレチクル。
【０１９８】
（付記７）最外周に位置する前記半導体素子パターンと当該レチクルの周縁部との間に前記識別用パターンが配されていることを特徴とする付記５に記載のレチクル。
【０１９９】
（付記８）一方の主面に、複数個の半導体素子、ならびに当該半導体素子の間に配設された識別用パターンを具備することを特徴とする半導体基板。
【０２００】
（付記９）所定数の前記半導体素子毎に半導体素子領域が画定されており、
前記識別用パターンは、前記各半導体素子領域において、隣り合う２つの前記半導体素子間に形成されていることを特徴とする付記８に記載の半導体基板。
【０２０１】
（付記１０）所定数の前記半導体素子毎に半導体素子領域が画定されており、
前記識別用パターンは、隣り合う２つの前記半導体素子領域において、前記各半導体素子領域の最外周に位置する前記半導体素子間に形成されていることを特徴とする付記８に記載の半導体基板。
【図面の簡単な説明】
【０２０２】
【図１】レチクルに識別用パターンを形成した一例（実施形態の比較例）を示す概略平面図である。
【図２】図１のレチクルを用いて露光・現像された半導体基板の一例を示す概略平面図である。
【図３】図２の半導体基板の欠陥検査を行う様子を示す概略平面図である。
【図４】第１の実施形態によるレチクルを示す概略平面図である。
【図５】図４のレチクルを用いて露光された半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図６】図４のレチクルを用いて露光された半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図７】図６の半導体基板の欠陥検査を行う様子を示す概略平面図である。
【図８】第１の実施形態によるレチクルの第１の変形例を示す概略平面図である。
【図９】図８のレチクルを用いて露光された半導体基板の欠陥検査を行う様子を示す概略平面図である。
【図１０】第１の実施形態の第２の変形例のレチクルを示す概略平面図である。
【図１１】第１の実施形態によるレチクルの第３の変形例を示す概略平面図である。
【図１２】図１１のレチクルを用いて露光された半導体基板の欠陥検査を行う様子を示す概略平面図である。
【図１３】第１の実施形態の第４の変形例のレチクルを示す概略平面図である。
【図１４】第１の実施形態の第１の識別用パターン有するレチクルを含む複数のレチクルを作製するためのフロー図である。
【図１５】第１の実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示すフロー図である。
【図１６】第１の実施形態による半導体装置の製造方法における第１配線の形成工程を詳細に説明するフロー図である。
【図１７】第１の実施形態による半導体装置の製造方法における第１配線の形成工程を示す概略断面図である。
【図１８】第１の実施形態による半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図１９】第１の実施形態による半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図２０】第２の実施形態によるレチクルを示す概略平面図である。
【図２１】図２０のレチクルを用いて露光された半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図２２】第２の実施形態によるレチクルの変形例を示す概略平面図である。
【図２３】第３の実施形態によるレチクルを示す概略平面図である。
【図２４】図２３のレチクルを用いて露光された半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図２５】第３の実施形態によるレチクルの変形例を示す概略平面図である。
【図２６】第４の実施形態によるレチクルを示す概略平面図である。
【図２７】図２６のレチクルを用いて露光された半導体基板の一部を拡大して示す概略平面図である。
【図２８】第４の実施形態の変形例のレチクルを示す概略平面図である。
【符号の説明】
【０２０３】
１０１、１１、１１Ｓ、２１、２１Ｓ、３１、３１Ｓ、４１、４１Ｓ：レチクル
１０１Ａ、１１Ａ、２１Ａ、３１Ａ、４１Ａ：露光ショット領域
１０２、１２、２２、３２、４２：素子領域パターン
１０３、１３、２３、３３、４３：スクライブ領域
１０４、１４、２４、３４、４４：スクライブ領域
１０５、１５、２５、３５、４５：識別用パターン
１５１、５１、２０１：半導体基板
【図１】
2010050430.tif 000003
【図２】
2010050430.tif 000004
【図３】
2010050430.tif 000005
【図４】
2010050430.tif 000006
【図５】
2010050430.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010050430.tif 000009
【図８】
2010050430.tif 000010
【図９】
2010050430.tif 000011
【図１０】
2010050430.tif 000012
【図１１】
2010050430.tif 000013
【図１２】
2010050430.tif 000014
【図１３】
2010050430.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2010050430.tif 000019
【図１８】
2010050430.tif 000020
【図１９】
2010050430.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2010050430.tif 000024
【図２３】
2010050430.tif 000025
【図２４】
2010050430.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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