(57)【要約】【課題】インクジェットプリンタヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】本方法は、半導体ウェーハ上に支持膜を形成する段階と、前記支持膜上に抵抗パターンを形成する段階と、前記抵抗パターンを含む前記基板の上部面を覆う保護膜を形成する段階と、前記保護膜及び支持膜をパターニングして前記半導体ウェーハの一部を露出する開口部を形成する段階と、前記半導体ウェーハを貫通するノズル部を形成する段階と、前記ノズル部にインクを供給するためのインクカートリッジを前記保護膜に付ける段階と、を含み、前記ノズル部を形成する段階は、前記開口部を通じて露出された前記半導体ウェーハを等方性エッチングして前記支持膜の下部に半球形の上部ノズル部を形成する段階と、前記開口部を通じて露出された前記上部ノズル部の下部面を異方性エッチングして前記半導体ウェーハを貫通する下部ノズル部を形成する段階と、を含む。【選択図】図５
2010105405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハ上に支持膜を形成する段階と、
前記支持膜上に抵抗パターンを形成する段階と、
前記抵抗パターンを含む前記基板の上部面を覆う保護膜を形成する段階と、
前記保護膜及び支持膜をパターニングして前記半導体ウェーハの一部を露出する開口部を形成する段階と、
前記半導体ウェーハを貫通するノズル部を形成する段階と、
前記ノズル部にインクを供給するためのインクカートリッジを前記保護膜に付ける段階と、を含み、
前記ノズル部を形成する段階は、
前記開口部を通じて露出された前記半導体ウェーハを等方性エッチングして前記支持膜の下部に半球形の上部ノズル部を形成する段階と、
前記開口部を通じて露出された前記上部ノズル部の下部面を異方性エッチングして前記半導体ウェーハを貫通する下部ノズル部を形成する段階と、を含むことを特徴とするインクジェットプリンタヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記支持膜はシリコン酸化物、シリコン窒化物、炭化珪素及びタンタルのうちから選択された少なくも一つの物質で形成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリンタヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記抵抗パターンはタンタルアルミニウムＴａＡｌで形成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリンタヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記保護膜はシリコン酸化物、シリコン窒化物及び炭素珪素のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリンタヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウェーハを等方性エッチングする段階はＸｅＦ２ガスを使用して実施することを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリンタヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記下部ノズル部は前記インクが吐き出される前記半導体ウェーハの表面に近接すれば近接するほど、幅が狭くなることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリンタヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記下部ノズル部の形成のための異方性エッチング段階の後に、等方性エッチング段階をさらに実施することを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリンタヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインクジェットプリンタのヘッド及びその製造方法に関するものであり、特に、半導体ウェーハをノズルとして使用するインクジェットプリンタヘッド及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリンタはコンピュータで処理された情報を目で見ることができる形態で印刷する出力装置として、その種類にはドットプリンタ、インクジェットプリンタ及びレーザプリンタなどがある。
【０００３】
前記ドットプリンタはカーボン紙を使用する衝撃方式のプリンタとして、官公署などで使用されている。しかし、前記ドットプリンタは解像度が低く、ノイズが激しいので、徐々に消えているプリンタである。
【０００４】
前記レーザプリンタは低騒音、高速度及び高解像度の特性を有する。しかし、前記レーザプリンタは製品の値段が高く、これに加えて、カラー化が困難な短所を有する。
【０００５】
これに比べて、前記イントジェックプリンタは騒音が少なく、カラー化が容易であるので、現在一番広く使用されるプリンタである。前記インクジェットプリンタはインクの噴射方式に従って圧電方式、バブルジェット（登録商標）方式、及び加熱方式に区分される。しかし、一般的に加熱方式及びバルブジェック方式は熱を利用してインクを噴射するという点においては同一であるので、前記インクジェットプリンタは大きく圧電方式と加熱方式とに区分される。
【０００６】
図１及び図２は各々従来の技術によるインクジェットプリンタのヘッドを説明するための平面図及び断面図である。
【０００７】
図１及び図２を参照すると、半導体ウェーハ１０にはその両面を貫通する開口部１５が形成される。前記半導体ウェーハ１０の一面にはインクを供給するためのインクカートリッジ（図示せず）が連結され、前記インクカートリッジが連結されない前記半導体ウェーハ１０の他の面にはインク噴射のための構造物が配置される。
【０００８】
前記インク噴射のための構造物はオリフィス層（ｏｒｉｆｉｃｅ  ｌａｙｅｒ；７５）、接着層７０及び抵抗パターン４０を含む。前記オリフィス層７５は前記接着層７０の側壁と共に前記インクカートリッジから供給されたインクが留まるインクチャンバ７３を形成する。また、前記インクが一点に噴射されるように、前記オリフィス層７５には前記オリフィス層７５を貫通する円柱形の開口部であるノズル部７７が形成される。前記接着層７０は前記オリフィス層７５を前記半導体ウェーハ１０に接着させながら、前記インクチャンバ７３の側壁を形成する。前記抵抗パターン４０と前記半導体ウェーハ１０との間には、通常、絶縁膜で形成される支持膜２０がさらに介在されてもよい。
【０００９】
前記抵抗パターン４０は電気的抵抗による発熱現象により、前記インクチャンバ７３の内部のインクを加熱させる。前記加熱されたインクが気化する場合に、前記インクチャンバ７３の内部の圧力は急速に増加する。この時に、前記ノズル部７７でのインクは前記増加した圧力により用紙に噴射される。これが加熱方式を使用するインクジェットプリンタの動作原理である。
【００１０】
前記圧電方式のプリンタはインクチャンバの圧力を変化させる方法として、圧電性（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｉｃｉｔｙ）を有する物質の機械的収縮／膨張を利用するという点において、前記加熱方式と差を有する。
【００１１】
一方、従来の技術による場合に、前記インクは前記半導体ウェーハ１０の開口部１５を通じて前記インクチャンバ７３に供給された後に、前記オリフィス層７５に形成されたノズル部７７を通じて吐き出される。ところで、前記接着層７０及びオリフィス層７５は前記開口部１５及び前記抵抗パターン４０形成工程などで形成されず、これと別途に製作されて前記半導体ウェーハ１０に付着される。通常の場合に、前記のような製作方法は、加熱方式または圧電方式に関係なしに同一である。
【００１２】
ところで、前記オリフィス層７５に形成された前記ノズル部７７は、インクの良好な噴射のために、前記抵抗パターン４０の中央に整列されなければならない。しかし、前記ノズル部７７及び前記抵抗パターン４０は数十μｍ乃至数百μｍの微細な幅を有する構造である。これによって、前記オリフィス層７５を前記半導体ウェーハ１０に接着する過程の間前記ノズル部７７と前記抵抗パターン４０との間に誤整列が発生することもある。
【００１３】
また、前記接着層７０及び前記オリフィス層７５により囲まれる前記インクチャンバ７３は前記半導体ウェーハ１０に形成された開口部１５と連結されなければならない。これによって、前記インクチャンバ７３の外壁を形成する前記接着層７０の内壁は円形から外れた多少複雑な構造で形成しなければならない。
【００１４】
また、従来の技術によると、前記抵抗パターン４０は前記半導体ウェーハ１０の一面に配置されることによって、前記インクカートリッジから離隔される。これによって、前記抵抗パターン４０から発生する熱が効果的に冷却されない残留熱（ｒｅｓｉｄｕａｌ  ｈｅａｔ）現象を引き起こす。前記残留熱による印刷品質の低下などの問題を最小化するために、効果的な冷却手段である前記インクカートリッジのインクの近くに前記抵抗パターン４０を配置することが望ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の課題は、インクを噴射するノズルが抵抗パターンに誤整列されることを予防することができるインクジェットプリンタヘッド及びその製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明のまた他の課題は、抵抗パターンを効果的に冷却させることができるインクジェットプリンタヘッド及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上述の課題を達成するために本発明は、インク放出装置に整列された半導体ウェーハの開口部をノズルとして使用することを特徴とするインクジェットプリンタヘッド及びその製造方法を提供する。このインクジェットプリンタのヘッドはインクを吐き出すためのノズル部が形成される半導体ウェーハ、前記半導体ウェーハの一面に配置されて前記ノズル部にインクを供給するインクカートリッジ、及び前記インクカートリッジと前記半導体ウェーハとの間に介在されるインク放出装置を含む。この時に、前記ノズル部は前記半導体ウェーハを貫通することを特徴とする。
【００１８】
この時に、前記インク放出装置は抵抗体及び圧電性物質を含む電子装置であることが望ましい。また、前記インクは前記インクカートリッジ、前記インク放出装置及び前記ノズル部を順次に過ぎて吐き出される。
【００１９】
また他のインクジェットプリンタのヘッドはインクを吐き出すためのノズル部が形成された半導体ウェーハ、及び前記半導体ウェーハの一面に配置されて前記ノズル部にインクを供給するインクカートリッジを含む。この時に、前記インクカートリッジと前記半導体ウェーハとの間には前記ノズル部の上部で開口部を有する支持膜が介在される。また、前記支持膜と前記インクカートリッジとの間には前記ノズル部の上部を過ぎる抵抗パターンが介在される。前記ノズル部は前記開口部の下部に形成される半球形の上部ノズル部を含み、前記半導体ウェーハを貫通することを特徴とする。
【００２０】
前記支持膜はシリコン酸化物、シリコン窒化物及び炭化珪素のうちから選択された少なくとも一つの物質であることが望ましい。前記支持膜と前記インクカートリッジとの間には前記抵抗パターンを覆う保護膜がさらに介在されることが望ましい。この時に、前記保護膜はシリコン酸化物、シリコン窒化物、炭化珪素及びタンタルのうちから選択された少なくとも一つの物質であることが望ましい。
【００２１】
前記ノズル部は前記上部ノズル部の下部面に配置されて前記半導体ウェーハを貫通する下部ノズル部をさらに含む。この時に、前記下部ノズル部の中心軸線の延長線は前記支持膜の開口部を過ぎることが望ましい。
【００２２】
本発明によるインクジェットプリンタのヘッド製造方法は半導体ウェーハ上に、前記半導体ウェーハの上部面を露出させる開口部を具備するインク放出装置を形成した後に、前記半導体ウェーハを貫通するノズル部を形成する段階を含む。以後、前記ノズル部にインクを供給するためのインクカートリッジを付着する。前記ノズル部を形成する段階は等方性エッチング及び異方性エッチングの方法を組み合わせて実施することを特徴とする。
【００２３】
前記インク放出装置を形成する段階は、前記半導体ウェーハ上に支持膜を形成し、前記支持膜上に、抵抗パターンを形成し、前記抵抗パターンを含む半導体ウェーハの上部面を覆う保護膜を形成した後に、前記保護膜及び前記支持膜をパターニングして前記ノズル部の位置の半導体ウェーハを露出させる開口部を形成する段階を含むことが望ましい。
【００２４】
この時に、前記支持膜はシリコン酸化物、シリコン窒化物、炭化珪素及びタンタルのうちから選択された一つの物質で形成することが望ましい。また、前記抵抗パターンはタンタルアルミニウムＴａＡｌで形成することが望ましい。前記保護膜はシリコン酸化物、シリコン窒化物及び炭化珪素のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することが望ましい。
【００２５】
前記インク放出装置を形成する段階は前記半導体ウェーハ上に圧電素子を形成する段階を含むこともできる。
【００２６】
前記ノズル部を形成する段階は前記開口部を通じて露出された半導体ウェーハを等方性エッチングして前記インク放出装置の下部に半球形の上部ノズル部を形成した後に、前記開口部を通じて露出された前記上部ノズル部の下部面を異方性エッチングして前記半導体ウェーハを貫通する下部ノズル部を形成する段階を含むことが望ましい。この時に、前記半導体ウェーハを等方性エッチングする段階は前記インク放出装置に対してエッチング選択比を有するエッチングレシピを使用して実施し、望ましくは、ＸｅＦ２ガスを使用して実施する。前記下部ノズル部は前記インクが吐き出される前記半導体ウェーハの表面に近接すれば近接するほど、幅が狭くなることが望ましい。前記下部ノズル部の形成のための異方性エッチング工程の後に、前記下部ノズル部と前記上部ノズル部との境界が緩慢な曲線を形成する等方性エッチング工程をさらに実施することが望ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、通常の半導体装置の製造方法を使用して半導体ウェーハにノズル及び抵抗を形成する。これによって、ノズルと抵抗パターンとの間に語整列が発生する問題を最小化することができる。
【００２８】
また、本発明によるインクジェットプリンタのヘッドは半導体ウェーハを貫通する上部ノズル部及び下部ノズル部、上部ノズル部を過ぎる抵抗パターン、及びインクを供給するインクカートリッジを含む。この時に、前記インクカートリッジは前記抵抗パターンの上部でインクを供給することによって、前記抵抗パターンで発生する熱を効果的に冷却させる。これによって、残留熱による問題を最小化して優れた特性を具備するインクジェットプリンタのヘッドを製造することができる。
【００２９】
これに加えて、本発明によると、半導体ウェーハをノズルとして使用する。これによって、耐磨耗性が優れたインクジェットプリンタのヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】通常のインクジェットプリンタのヘッドを示す平面図である。
【図２】通常のインクジェットプリンタのヘッドを示す工程断面図である。
【図３】本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッドを示す平面図である。
【図４】本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッドを示す斜視図である。
【図５】本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッド製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッド製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッド製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッド製造方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付した図を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定せず、他の形態で具体化することができる。むしろ、ここで紹介する実施形態は開示された内容を徹底し、完全にするために、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。図面において、層及び領域の厚さは明確性のために誇張されたものである。また、層が他の層、または基板の上にあると言及された場合に、それは他の層または基板上に直接形成されることができるもの、またはそれらの間に第３の層が介在されることもできるものである。
【００３２】
図３及び図４は本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッドを示す平面図及び斜視図である。
【００３３】
図３及び図４を参照すると、本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッドは下部ノズル部１０７及び上部ノズル部１０５を具備する半導体ウェーハ１００を含む。前記下部及び上部ノズル部１０７、１０５は前記半導体ウェーハ１００を貫通する開口部を形成する。平面的に見ると、前記下部及び上部ノズル部１０７、１０５は円形であり、その中心は互いに一致する。この時に、前記上部ノズル部１０５は半球形の空いている領域（ｈｅｍｉｓｐｈｅｒｉｃａｌ  ｖａｃａｎｃｙ）として、前記下部ノズル部１０７に比べて広い幅を有する。前記下部ノズル部１０７は円柱形の空いている領域（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ  ｖａｃａｎｃｙ）として、前記上部ノズル部１０５に接する入口が前記半導体ウェーハ１００の表面に形成された出口に比べて広い幅を有するように形成されることが望ましい。
【００３４】
前記上部ノズル部１０５が形成された前記半導体ウェーハ１００の上部には前記上部及び下部ノズル部１０５、１０７の中心軸線上に開口部１１５を有する支持膜１１０が配置される。前記支持膜１１０は前記半導体ウェーハ１１０の上部面を水平に覆うことによって、前記上部ノズル部１０５が半球形を有するようにする。前記支持膜１１０はシリコン酸化物、シリコン窒化物及び炭化珪素のうちから選択された少なくとも一つの物質であることが望ましい。
【００３５】
前記支持膜１１０上には前記上部ノズル部１０５を過ぎ、前記支持膜１１０の開口部１１５よりも広い開口部１２５を有する抵抗パターン１２０が配置される。前記抵抗パターン１２０は前記上部ノズル部１０５ごとに一つずつ配置されることが望ましい。前記抵抗パターン１２０の両端には配線１３０が連結される。前記半導体ウェーハ１００には前記上部ノズル部１０５にインクを供給するインクカートリッジ（図示せず）が付着される。前記インクカートリッジは前記支持膜１１０の開口部１１５を通じて前記上部ノズル部１０５にインクを供給する。このために、前記インクカートリッジは前記半導体ウェーハ１００の両面のうち、前記配線１３０が形成される方に付着される。
【００３６】
この時に、前記抵抗パターン１２０はインクジェットプリンタのインク放出装置の一実施形態として、加熱方式のインクジェットプリンタに使用することができる。前記抵抗パターン１２０はタンタルアルミニウムＴａＡｌであることが望ましく、高い比抵抗を有する多様な物質が前記抵抗パターン１２０として使用され得る。前記インク放出装置は圧電性を有する物質を使用することもできる。前記配線１３０は低い比抵抗を有する金属物質であることが望ましい。
【００３７】
電流は前記配線１３０の間に介在された前記抵抗パターン１２０を過ぎながら熱を発生させる。この時に発生した熱によって、前記抵抗パターン１２０の下部の前記上部ノズル部１０５のインクを気化させる。前記下部ノズル部１０７に位置するインクは前記上部ノズル部１０５の増加された圧力により外に噴射される。このようなインク噴射過程は、秒当たり数十乃至数万回行われ、この時に発生する熱が効果的に冷却されない場合に、従来の技術で説明した残留熱現象を示す。しかし、本発明によると、前記抵抗パターン１２０及び前記配線１３０の上部には効果的な冷却剤であるインクを入れた前記インクカートリッジが配置される。これによって、本発明によると、前記抵抗パターン１２０の加熱による特性の低下の問題は予防される。一方、前記抵抗パターン１２０と配線１３０及び前記インクカートリッジとの間には保護膜が介在されることが望ましい。この時に、前記保護膜は前記インクカートリッジから前記上部ノズル部１０５にインクが供給されるように、前記開口部１１５、１２５を露出させるまた他の開口部を具備することが望ましい。また、前記保護膜はシリコン酸化物、シリコン窒化物、炭化珪素及びタンタルのうちから選択された少なくとも一つの物質であることが望ましい。
【００３８】
図５乃至図８は本発明の望ましい実施形態によるインクジェットプリンタのヘッドを製造する方法を説明するための工程断面図である。
【００３９】
図５を参照すると、半導体ウェーハ１００上に支持膜１１０を形成する。前記支持膜１１０はシリコン酸化物、シリコン窒化物及び炭化珪素のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することが望ましい。
【００４０】
前記支持膜１１０上に抵抗パターン１２０を形成する。前記抵抗パターン１２０はタンタルアルミニウムＴａＡｌで形成することが望ましい。通常の加熱方式のインクジェットプリンタにおいて、インクを噴射するための前記抵抗パターン１２０の温度は数百℃である。このような温度は前記抵抗パターン１２０の厚さによる抵抗の変化を調節することによって得ることができる。また、前記抵抗パターン１２０は前記温度として加熱されるのに十分な比抵抗を有するならば、多様な物質を使用することができる。
【００４１】
前記抵抗パターン１２０を形成した後に、前記抵抗パターン１２０を電気的に連結することができる配線（図５の１３０参照）をさらに形成することが望ましい。また、前記抵抗パターン１２０を形成する前に、素子分離膜、ゲートパターン及びソース／ドレインを形成するための工程を通常の方法でさらに実施することが望ましい（図示せず）。この時に、前記支持膜１１０は前記素子分離膜で形成することもできる。
【００４２】
前記抵抗パターン１２０を含む半導体ウェーハ１００の全面に保護膜１５５を形成する。前記保護膜１５５は順次に積層された下部膜１４０及び上部膜１５０からなる二重膜であることが望ましい。前記下部膜１４０は炭化珪素、シリコン窒化物及びシリコン酸化物のうちから選択された少なくとも一つの物質で形成することが望ましい。また、前記上部膜１５０はインクとの異常反応（ａｂｎｏｒｍａｌ  ｒｅａｃｔｉｏｎ）を防止することができる物質、例えば、タンタルで形成することが望ましい。前記上部膜１５０上に、前記上部膜１５０を露出させる開口部１６５を具備するフォトレジストパターン１６０を形成する。前記フォトレジストパターン１６０は後続工程で開口部、上部及び下部ノズル部を形成するためのマスクとして使用される。したがって、前記フォトレジストパターン１６０の開口部１６５は大略２０μｍ乃至４０μｍの幅を有することが望ましい。
【００４３】
図６を参照すると、前記フォトレジストパターン１６０をエッチングマスクとして使用して、前記上部膜１５０、下部膜１４０及び支持膜１１０を順次にエッチングして、前記半導体ウェーハ１００の表面を露出させる開口部１７０を形成する。前記開口部１７０は前記抵抗パターン１２０を貫通することが望ましい。このために、図４に示したように、前記抵抗パターン１２０も開口部１２５を有することが望ましい。前記抵抗パターン１２０に形成される開口部１２５は前記支持膜１１０に形成される開口部１１５よりも広い幅を有するように形成することが望ましい。
【００４４】
前記開口部１７０を通じて露出された前記半導体ウェーハ１００を等方性エッチングして、前記抵抗パターン１２０の下部に半球形の空いている空間である上部ノズル部１０５を形成する。前記上部ノズル部１０５を形成する段階は前記抵抗パターン１２０の下の前記支持膜１１０の下部面を露出させるように実施する。前記上部ノズル部１０５は前記保護膜１５５及び前記支持膜１１０に対してエッチング選択性を有する等方性エッチング工程を通じて形成することが望ましい。このために、前記上部ノズル部１０５の形成のためのエッチング工程はＸｅＦ２ガスを使用して実施することが望ましい。
【００４５】
図７を参照すると、前記上部ノズル部１０５を形成した後に、前記開口部１７０を通じて露出された前記上部ノズル部１０５の下部面を異方性エッチングして、前記半導体ウェーハ１００を貫通する下部ノズル部１０７を形成する。
【００４６】
前記下部ノズル部１０７を形成する段階は前記フォトレジストパターン１６０をエッチングマスクとして使用する異方性エッチングの方法であることが望ましい。インクの良好な噴射のために、前記下部ノズル部１０７は前記上部ノズル部１０５に接する入口よりも前記半導体ウェーハ１００の下部面に形成される出口の幅が狭く形成することが望ましい。このために、前記エッチング工程は異方性エッチングのための工程条件に等方性エッチングのための工程条件を混用して実施することができる。
【００４７】
一方、エッチングされる前記半導体ウェーハ１００が厚い場合に、前記下部ノズル部１０７の形成のためのエッチング工程で前記フォトレジストパターン１６０を除去して、前記保護膜１５５の上部面を露出させることもできる。これに加えて、前記露出された保護膜１５５を前記下部ノズル部１０７の形成のためのエッチング工程でエッチングすることもできる。したがって、前記下部ノズル部１０７の形成のためのエッチング工程は前記上部膜１５０に対して高いエッチング選択比を有するエッチングレシピを使用して実施することが望ましい。また、前記保護膜１５５は前記下部ノズル部１０７の形成のためのエッチング工程でエッチングされる厚さを考慮して最初積層厚さを決めることが望ましい。
【００４８】
前記フォトレジストパターン１６０が残存する場合に、前記下部ノズル１０７を形成した後に、前記フォトレジストパターン１６０を除去して前記上部膜１５５を露出させる。前記フォトレジストパターン１６０は前記上部ノズル部１０５の形成のためのエッチング工程で消耗されてもよい。
【００４９】
前記下部及び上部ノズル部１０７、１０５は噴射されるインクを入れるインクチャンバを構成する。本発明による前記インクチャンバは前記半導体ウェーハ１００内に形成されるという点において、オリフィス層（図２の７５参照）により定義されるインクチャンバ（図２の７３）を有する従来の技術と差を有する。
【００５０】
図８を参照すると、前記フォトレジストパターン１６０を除去した半導体ウェーハ１００をインクカートリッジ２００に付着する。
【００５１】
インクの良好な噴射特性のために、前記上部及び下部ノズル部１０５、１０７の間の境界を緩慢な曲線で形成することが望ましい。このために、前記フォトレジストパターン１６０を除去した結果物を熱酸化させた後に、生成される熱酸化膜を除去するラウンディング工程をさらに実施することが望ましい。前記熱酸化段階で形成されるシリコン酸化膜は平坦な表面よりも前記上部及び下部ノズル部１０５、１０７の角の境界でより厚く形成される。前記シリコン酸化膜は前記半導体ウェーハ１００のシリコン原子が消耗されて生成した結果物である。したがって、前記熱酸化膜を除去する場合に、前記上部及び下部ノズル部１０５、１０７の境界は良好なインク噴射を可能にする形になり得る。
【００５２】
一方、前記半導体ウェーハ１００の最初厚さは０．５ｍｍ乃至数ｍｍである。前記半導体ウェーハ１００の厚い厚さは工程進行過程で発生する可能性がある破損などの危険を最小化する。しかし、本発明によるインクジェットプリンタのヘッドは前記半導体ウェーハ１００をノズルとして使用するので、前記半導体ウェーハ１００の厚さを減らすことが望ましい。このために、前記半導体ウェーハ１００の一面、望ましくは、前記した下部ノズル部１０７の出口が形成される下部面をグラインディングする工程をさらに実施することが望ましい。前記グラインディング工程は通常の半導体装置の組立て工程の前に実施されるグラインディング工程と同一に使用することができる。前記グラインディング工程は図５で説明した前記支持膜１１０を形成する前に、または前記下部ノズル部１０７を形成した後に実施することができる。前記下部ノズル部１０７を形成した後に、前記グラインディング工程を実施する場合に、前記下部ノズル部１０７が前記半導体ウェーハ１００を貫通するようにエッチングする必要はない。この場合に、前記下部ノズル部１０７は前記グラインディング工程の後の前記半導体ウェーハ１００を貫通することができる深さでエッチングすることが望ましい。
【００５３】
この時に、前記ラウンディング工程は前記グラインディング工程の以後に実施することもできる。また、前記ラウンディング工程は前記インクカートリッジ２００を付着する前に実施する洗浄工程を使用することもできる。
【００５４】
一方、前記下部ノズル部１０７を含む半導体ウェーハ１０７はエポキシなどの接着性樹脂を使用して前記インクカートリッジ２００に付着する。この時に、前記インクカートリッジ２００に含まれたインクは前記開口部１７０を通じて前記上部及び下部ノズル部１０５、１０７に供給される。しかし、本発明によると、前記上部及び下部ノズル部１０５、１０７は通常の半導体製造工程を通じて前記抵抗パターン１２０に整列される。半導体装置の製造で使用される一般的な整列工程は整列の正確性を０．５μｍ以下に容易に調節する。これによって、従来の技術のような抵抗パターン（図２の４０）とノズル部（図２の７７）との間に誤整列が発生する問題を最小化することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１００  半導体ウェーハ
１０５  上部ノズル部
１０７  下部ノズル部
１１０  支持膜
１１５，１２５  開口部
１２０  抵抗パターン
１３０  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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