(57)【要約】      （修正有）【課題】バンプ付きメンブレンリングの数十μｍの微小なニッケルバンプを電気めっきにより多数形成する場合において、均一なサイズで形成する方法の提供。【解決手段】ソーダライムガラスの微細な粒子を焼結させて形成した、孔径が０．５μｍ以下の微細孔を有する無機多孔質体からなる板状のフィルター１７を、処理槽１１に、陰極１３のメンブレンリングと平行になるように設置し、電気めっきを行う。これにより、サブミクロン程度の大きさのニッケル粒子からなるスライムが、陰極１３側へ拡散することを良好に防止することができ、均一なニッケルバンプ２６を形成することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気めっきにおいて、陽極から発生する不溶性残渣が拡散して陰極の被めっき物に付着するのを防止するために用いられ、不溶性残渣は通過せず、かつ、陽イオンは通過する多数の細孔を有するフィルターであって、
前記細孔の孔径は、０．５μｍ以下であり、
めっき浴に耐性を有する材料からなることを特徴とするフィルター。
【請求項２】
前記フィルターは、上端部が開口し、下端部が閉鎖した袋状の形状であることを特徴とする請求項１記載のフィルター。
【請求項３】
前記フィルターは、無機系材料または有機系材料からなる多孔質体であることを特徴する請求項１または２記載のフィルター。
【請求項４】
ポリイミドフィルムと導電性フィルムとを貼り合わせた積層フィルムを、剛性リングに貼り渡す接着工程と、
前記ポリイミドフィルムに前記導電性フィルムが露出する深さでバンプホールを形成するバンプホール形成工程と、
請求項１から３いずれか１項記載のフィルターを用いて、電気めっきにより、前記バンプホール内部をめっき成長させて埋めた後、続いて前記ポリイミドフィルム表面に突出する半球状のバンプを、めっき成長させて形成するバンプ形成工程と、
前記導電性フィルムをパターニングすることにより、前記バンプと導通するパッドを形成するパッド形成工程と
を有することを特徴とするバンプ付きメンブレンの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の製造方法により製造されたバンプ付きメンブレンリングと、
基板上に複数の導電層が絶縁層を介して積層されてなる多層配線基板とを有することを特徴とするウエハ一括コンタクトボード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気めっきにおいて、不溶性残渣を除去するためのフィルター、そのフィルターを用いて電気めっきによりめっき成長させ形成したバンプを有するバンプ付きメンブレンリングの製造方法、バンプ付きメンブレンリングを構成部品とするウエハを一括してバーンイン試験を行うためのウエハ一括コンタクトボードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ上に複数形成された半導体デバイスの検査は、プローブカードによる製品検査（電気的特性試験）と、その後に行われる信頼性試験であるバーンイン試験に大別される。バーンイン試験は、固有欠陥のある半導体デバイス、あるいは製造上のばらつきから、時間とストレスに依存する故障を起こすデバイスを除くために行われるスクリーニング試験の一つである。プローブカードによる検査が製造したデバイスの電気的特性試験であるのに対し、バーンイン試験は熱加速試験と言える。
【０００３】
バーンイン試験においては、プローブカードによって１チップ毎に行われる電気的特性試験の後に、ウエハをダイシングによりチップに切断し、パッケージングしたものについて一つずつバーンイン試験を行う方法（１チップバーンインシステム）が広く採用されているが、現在、特許文献１に示すように、ウエハ上に多数形成された半導体デバイスのバーンイン試験を一括して一度に行うためのウエハ一括コンタクトボード（バーンインボード）の開発及び実用化が進められている。ウエハ一括コンタクトボードを用いたウエハ・一括バーンインシステムは、コスト的に実現可能性が高い他に、ベアチップ出荷及びベアチップ搭載といった最新の技術的な流れを実現可能にするためにも重要な技術である。ウエハ一括コンタクトボードが実用化されると、従来プローブカードによって行われていた製品検査（電気的特性試験）を、ウエハ一括で行うことも可能となる。ウエハ一括コンタクトボードは、ウエハを一括で検査するため、数万個以上のパッドと接する必要があることや、加熱試験に用いる点で、従来プローブカードと比較して高い信頼性が要求される。
【０００４】
ウエハ一括コンタクトボードは、通常、多層配線基板に、異方性導電ゴムシートを介して、バンプ付きメンブレンリングを固定した構造を有する。バンプ付きメンブレンリングは、リングと、リングに張り渡された絶縁性薄膜の一方の面に設けられたバンプと、このバンプと電気的に接続して他方の面に設けられたパッドとを備えるものである。バンプ付きメンブレンリングに設けられた数千〜数十万個のバンプが、半導体ウエハ上のデバイスのパッドと接触し、多層配線基板の導電層に接続された電源および信号源から印加される電源電圧およびバーンイン試験信号が、異方性導電ゴムシートを介してバンプ付きメンブレンリングのパッドに送られる。パッドに導通するバンプからウエハ上の半導体デバイスに送られて、バーンイン試験が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２３１０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
バンプの形成方法としては、電気めっき法が採用されている。電気めっき法においては、陽極の金属板から溶け出した微小なスライム（s’lime）が発生し、このスライムが被めっき物に付着して凹凸ができ、均一なめっきができない場合がある。スライムが溶液内に拡散しないように、通常、陽極をアノードバックという袋に入れて電気めっきを行う。
ところが、バンプ付きメンブレンリングのような、数十μｍ以下の微小なバンプを数千〜数十万個という多数形成する場合、この付着したスライムがバンプに異常成長を起こし、他のバンプよりはるかに大きなバンプとなってしまい、コンタクト性が著しく低下したり、歩留りが低下するという問題がある。バンプ付きメンブレンリングにおける、めっき成長させ形成された数万個のめっきバンプのうち、異常成長したものについて、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）観察を行ったところ、異常成長したバンプ内部に、スライム、すなわち大きさがサブミクロン程度のニッケル粒子が凝集していることを発見した。これは、スライムがアノードバックの孔を通りぬけて、被めっき物のメンブレンリングにニッケル粒子が凝集し、その部分だけ電流密度が大きくなり、異常成長したものと考えられる。直径数十μｍの微細なバンプを形成するためのめっき工程においては、基板全面を均一にめっきするような場合に用いられる通常のアノードバックでは、スライムの除去が困難であることがわかった。さらなる微細化が進むと、バンプの数も多くなり、より一層、めっき成長させ形成された均一なバンプめっきが要求される。
また、めっき工程においては、外部から微粒子や陽極金属中に含まれる不純物を除去するために、めっき溶液を循環させて濾過を行っている。濾過を行うフィルターの網目を小さくしてポンプの回転速度を上げることが考えられるが、フィルターの目を小さくすると、濾過に数十時間要し、また、目詰まりによって、ポンプ効率が悪くなり、濾過が良好に行われないことが考えられる。さらに、めっき中は、めっき液の対流により、バンプの形状がいびつになるため、循環を停止しているので、アノードバッグの効率向上が必須である。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、数十μｍ以下の微小なバンプを多数、均一に、電気めっきによりめっき成長させ、形成するためのフィルター、そのフィルターを用いてめっき成長させ、形成されたバンプを有するバンプ付きメンブレンリングの製造方法、並びにその製造方法により得られたバンプ付きメンブレンリングを備えたウエハ一括コンタクトボードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
電気めっきにおいて、陽極から発生する不溶性残渣が拡散して陰極の被めっき物に付着するのを防止するために用いられ、不溶性残渣は通過せず、かつ、陽イオンは通過する多数の細孔を有するフィルターであって、
前記細孔の孔径は、０．５μｍ以下であり、
めっき浴に耐性を有する材料からなることを特徴とするフィルター。
【０００９】
（構成２）
前記フィルターは、上端部が開口し、下端部が閉鎖した袋状の形状であることを特徴とする構成１記載のフィルター。
【００１０】
（構成３）
前記フィルターは、無機系材料または有機系材料からなる多孔質体であることを特徴する構成１または２記載のフィルター。
【００１１】
（構成４）
ポリイミドフィルムと導電性フィルムとを貼り合わせた積層フィルムを、剛性リングに貼り渡す接着工程と、
前記ポリイミドフィルムに前記導電性フィルムが露出する深さでバンプホールを形成するバンプホール形成工程と、
構成１から３いずれか１項記載のフィルターを用いて、電気めっきにより、前記バンプホール内部をめっき成長させて埋めた後、続いて前記ポリイミドフィルム表面に突出する半球状のバンプを、めっき成長させて形成するバンプ形成工程と、
前記導電性フィルムをパターニングすることにより、前記バンプと導通するパッドを形成するパッド形成工程と
を有することを特徴とするバンプ付きメンブレンの製造方法。
【００１２】
（構成５）
構成４の製造方法により製造されたバンプ付きメンブレンリングと、
基板上に複数の導電層が絶縁層を介して積層されてなる多層配線基板とを有することを特徴とするウエハ一括コンタクトボード。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のフィルターによれば、細孔の孔径が、０．５μｍ以下であるので、陽極の金属の不溶性残渣である微小なスライムが、陰極側へ拡散して、陰極の被めっき物に付着するのを良好に防止することができる。よって、スライムが被めっき物に付着して、部分的に電流密度が高くなって異常成長することを防止することができる。特に、数十μｍ以下の微小なバンプを数万個めっきする場合には、部分的に異常成長するのを防止することができ、均一なバンプを形成することができるので、歩留りを向上させることができる。
【００１４】
構成２によれば、上端部が開口し、下端部が閉鎖した袋状の形状とすることにより、作業工程が簡略であり、容易にスライムを除去することが可能である。
【００１５】
本発明のバンプ付きメンブレンリングの製造方法によれば、数万個の微小なバンプが均一に電気めっきにより形成されているので、高歩留りを実現でき、高い信頼性を得ることができる。
【００１６】
本発明のウエハ一括コンタクトボードよれば、本発明のバンプ付きメンブレンリングを備えているので、高い信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第一の実施形態によるフィルターを備えた電気めっき装置の概略構成図
【図２】本発明の第二の実施形態によるフィルターを備えた電気めっき装置の概略構成図
【図３】本発明のバンプ付きメンブレンリングの製造過程を示す概略断面図
【図４】本発明のウエハ一括コンタクトボードの概略断面図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本発明の第一の実施形態によるフィルターについて説明する。図１に、本発明のフィルターを用いて、メンブレンリングにニッケル（Ｎｉ）バンプを形成するための電気めっき装置の概略構成図を示す。
本実施形態のフィルターは、不溶性残渣は通過せず、かつ、陽イオンは通過する多数の細孔を有するものであり、孔径０．５μｍ以下の微細孔を多数備えている。高分子有機化合物からなる織布あるいは不織布であり、上端部が開口し、下端部が閉鎖した袋状であることを特徴とする。フィルター１６は、細孔の孔径が０．５μｍ以下の微細孔であるため、陽極のニッケルの不溶性残渣が拡散するのを良好に防止することができる。孔径は好ましくは、めっき成長によるバンプ形成速度を不溶性残渣の拡散防止の観点から、０．１μｍ上０．５μｍ以下が望ましく、さらには、０、２μｍ以上０．４μｍ以下が好ましい。
【００１９】
高分子有機化合物からなるフィルターは、例えば、ポリプロピレン、ナイロン、サラン、カネカロン、ポリエチレン、ポリスチレン、テトロン（登録商標）、フッ素系樹脂のような、めっき浴の溶液に耐性を有する高分子有機化合物を挙げることができる。高分子有機化合物からなる不織布のフィルターの形成方法としては、公知の、電界紡糸法等を挙げることができる。これら高分子有機化合物からなる織布あるいは不織布のフィルターは、酸性あるいはアルカリ性のめっき浴に耐性を有し、良好にスライムを除去できるので、好ましい。
【００２０】
本発明のフィルターを用いたニッケルめっき装置は、図１に示すように、めっき浴１４で満たされた処理槽１１と、めっき浴中１４に設置された、フィルター１６に収容された陽極１２と、陰極１３と、均一な大きさのバンプを形成するため、電界を制御するための遮蔽板１５とを備えるものである。陰極１３には被めっき物であるメンブレンリングが設置されている。メンブレンリングとは、詳細は後述するが、例えば、剛性リングに銅フィルムといった導電性フィルムとポリイミドフィルムからなる積層フィルムが貼り渡されたものであり、積層フィルムにバンプホールがバンプ形成の数だけ形成されている。そのバンプホールにニッケルめっきを施して、バンプを形成するものである。陽極金属としては、ニッケルを用いる。
【００２１】
めっき浴１４としては、例えばスルファミン酸浴を用いる。スルファミン酸浴構成は、ニッケルイオンの供給源としてのスルファミン酸ニッケル水溶液と、陽極溶解促進剤としてのシュウ化ニッケルと、ｐＨ緩衝剤としてのホウ酸とからなる。
【００２２】
ニッケルめっきのめっき浴としては、スルファミン酸浴に限らず、塩化ニッケルからなるストライク浴（ウッド浴）、硫酸ニッケルからなるワット浴等であってもよく、これらのめっき浴に対して、本発明のフィルターを用いることは効果的である。
【００２３】
図１に示すように、メンブレンリングへのバンプ形成は、陰極側の積層フィルム２８のバンプホール部をめっきした後、成長を続けて半球状となることにより行われる。
【００２４】
次に、本発明の第二の実施形態によるフィルターについて説明する。図２は、本発明のフィルターが設置された電気めっき装置の概略構成図である。図１と同じ構成要素については同じ符号を付し、説明を省略する。
本実施形態のフィルター１７は、不溶性残渣は通過せず、かつ、ニッケルイオンは通過する、孔径０．５μｍ以下の多数の微細孔を有するものである。フィルター１７は、板状であり、めっき浴を満たす処理槽に取り付け可能で、陰極のメンブレンリングと平行に設置して使用する。厚さ１ｍｍ〜２０ｍｍのガラスあるいはセラミックからなる無機系多孔質体である。無機系多孔質体は、公知の方法により得ることができる。例えば、粒径０．１ｍｍ〜０．５ｍｍのソーダライムガラスからなる微細な粒子（ガラスビーズ）を、７２０℃で、３０分〜１２０分焼結することによって得ることができる。
また、例えば、ホウケイ酸ガラス板を、８００℃で加熱処理し、ガラスを構成する酸化ケイ素（ＳｉＯ２）とそれ以外を分離させ、酸溶液に溶けやすいところと、溶けにくいところを作り、最後に酸溶液に上記ガラスを接触させることによって無機系多孔質体を得ることができる。
【００２５】
無機系多孔質体の材料としては、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラスであってもよく、これらの一つあるいは複数の微細な粒子を焼結することによって得られる無機系多孔質体であってもよい。
【００２６】
また、ポリエチレンやポリプロピレン等の有機高分子の微細な粒子から得られる有機系多孔質体であってもよい。
これらの無機系多孔質体、有機系多孔質体の微細孔の孔径は、微細な粒子のサイズ、焼結（加熱）条件等により制御することができる。
これら無機系多孔質体、有機系多孔質体からなるフィルターは、酸性あるいはアルカリ性のめっき浴に耐性を有し、良好にスライムを除去できるので好ましい。
【００２７】
上記２つの実施形態においては、ニッケルめっきについて説明したが、これに限らず、金、パラジウム、ルテニウム、白金、銀、クロム、銅等の他の金属を電気めっきする場合にも、本発明のフィルターを用いることは効果的である。
【００２８】
また、処理槽１１には、めっき浴中に発生するニッケル粒子を含む種々の不溶性の不純物を除去するために、供給管および排出管と、フィルターと、ポンプとからなる濾過循環経路を設けてもよい。循環濾過に用いるフィルターの微細孔の孔径は、濾過時間や濾過効率を考慮して、０．１μｍ〜０．５μｍ、望ましくは、０．２μｍ〜０．４μｍ程度が好ましい。めっき中は、循環により、めっき浴に対流が生じて、バンプ形状が不均一になるのを防止するため、循環は停止することが望ましい。
【００２９】
次に、本発明のフィルターを用いて電気めっきにより、めっき成長させ形成したバンプを有するバンプ付きメンブレンリングの製造方法について説明する。図３に、その製造過程の概略断面図を示す。
図３（ａ）に示すように、厚さ１８μｍの銅フィルム２１と厚さ２５μｍのポリイミドフィルム２２が積層されてなる積層フィルム２８に、直径約８インチ、厚さ２ｍｍの環状のＳｉＣからなるリング２３を熱硬化性接着剤により接着する。この積層フィルム２８としては、銅フィルム２１とポリイミドフィルム２２との熱膨張係数の差が０．５ｐｐｍ／℃である積層フィルムを用いることが望ましい。この時、積層フィルム２８、その上にＳｉＣリング２３および重石を置き、１５０℃に加熱して一定時間放置することにより、熱硬化性接着剤を硬化させて積層フィルム２８とＳｉＣリング２３を接着させる。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、上記加熱接着工程を終えたものを、常温まで冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。カッターでリング２３の外周に沿ってリング２３の外側の積層フィルム２８を切断除去する。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示すように、積層フィルム２８の銅フィルム上に、ＮｉおよびＡｕメッキ（厚さ１〜２μｍ）を順次施し(図示せず)、アライメントマーク２４を形成する。
【００３２】
次に、図３（ｄ）に示すように、ポリイミドフィルム２２の所定位置に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μｍΦのバンプホール２５を形成する。
次に、銅フィルム２１の表面がめっきされないように保護した後、銅フィルム２１にめっき用電極の陰極を接続してＮｉの電気めっきを行う。ここで、例えば、上記実施形態１のような本発明のフィルターを用いた電気めっきにより、陽極金属としてニッケルを用い、スルファミン酸浴にて、電気めっきを行う。図３（ｅ）に示すように、めっきは、バンプンプホールを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルムの表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し硬質Ｎｉからなるバンプ２６が形成される。この場合、バンプ２６の高さが約２０〜３０μｍになるまでめっきを行う。その後、バンプ２６と半導体ウエハ上のパッドとの間のコンタクト抵抗を安定させるため、バンプ２６の表面にＡｕからなる電気メッキ層を形成する。（図示せず）。
【００３３】
最後に、図３（ｆ）に示すように、銅フィルム２１を周知のリソグラフィ法によりパターニングして、バンプと対応して、直径約１５０μｍのパッド２１ａを形成し、バンプ付きメンブレンリング２０を作製する。
【００３４】
次に、本発明のフィルターを用いてバンプが形成されたバンプ付きメンブレンリングと、従来のアノードバッグを用いてバンプが形成されたバンプ付きメンブレンリングについて、バンプの異常成長の数を比較した。
（実施例１）
本発明による孔径が０．５μｍのナイロン製の不織布タイプのフィルターを陽極にかぶせて、電気めっきを行うと、７万個のニッケルバンプを形成して、バンプ付きメンブレンリングを作製した。
【００３５】
（実施例２）
本発明による孔径が０．５μｍのソーダライムガラスビーズを用いて製造した無機多孔質体のフィルターを、陽極と陰極の間であって、陰極のメンブレンと平行に設置して、電気めっきを行うことにより７万個のニッケルバンプを形成してバンプ付きメンブレンリングを作製した。
【００３６】
（比較例）
市販の孔径が数十μｍ〜１００μｍのメッシュ状のナイロン製のアノードバッグ（織布）を用いて、電気めっきを行うことにより、７万個のニッケルバンプを形成して、バンプ付きメンブレンリングを作製した。
【００３７】
（評価）
比較例では、７万個のニッケルバンプのうちスライムが原因で異常成長したバンプは、約３５０ｐｐｍの割合で発生したが、実施例１および実施例２においては、全く発生しなかった。このように、本発明のアノードバッグを用いた場合、７万個という多数のバンプ形成において、異常成長を無くして、均一なバンプを形成することが可能であり、格段に歩留りを向上させることができ、高い信頼性を得ることができる。
【００３８】
次に、本発明のウエハ一括コンタクトボードについて説明する。図４にウエハ一括コンタクトボードの概略断面図を示す。
図４に示すように、ウエハ一括コンタクトボード６０は、上記のように均一なバンプを有するバンプ付きメンブレンリングと、複数の配線層が絶縁層を介して積層されてなる多層配線基板５０と、バンプ付きメンブレンリング２０と多層配線基板５０とを電気的に接続する異方性導電ゴムシート４０とからなる。異方性導電ゴムシート４０を多層配線基板の所定の位置に貼り合わせ、次に、この異方性導電ゴムシート付き多層配線基板とバンプ付きメンブレンリング２０とをパッド電極が外れないように位置を合わせした後、貼り合わせて作製することができる。
【００３９】
バンプ付きメンブレンリング２０は、リング２３と、リングに張り渡されたポリイミドフィルム２２の一方の面に設けられたバンプ２６と、このバンプと電気的に接続して他方の面に設けられたパッド２１ａとを備える。バンプ付きメンブレンリングにおいては、半導体ウエハ７１上の各半導体チップの周縁又はセンターライン上に形成されたパッド７２（約６００〜１０００ピン程度）に対応して、この数にチップ数を乗じた数のバンプがポリイミドフィルム２２上に形成されている。
【００４０】
多層配線基板５０は、電源電圧および所定のバーンイン試験信号を付与するための配線層を積層構造として有する。絶縁性基材上に配線層を積層し周知のリソグラフィ法により所望のパターンに形成した後、絶縁層を積層し、該絶縁層に周知のリソグラフィ法によりコンタクトホールを形成した後、その上に他の配線層を積層することによりコンタクトホールを介して下層の導電層と導通させる。この一連の工程を複数回行うことにより、ウエハ上の多数のパッドに電気信号を送るための複数の配線を積層構造として設けている。絶縁性基材としては、低膨張無アルカリガラス（例えば、ＮＡ４０：ＨＯＹＡ社製）を用いることが望ましい。絶縁層としては、例えば、ポリイミド前駆体を塗布して熱処理によりイミド化させて形成するポリイミドが望ましい。また、配線層としては、Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層構造を用いることが望ましい。
【００４１】
異方性導電ゴムシート４０は、主面と垂直な方向にのみ導電性を有する、シリコン樹脂のような弾性体４１に、金属粒子がパッド電極部分４１ａに導通方向に沿って埋め込まれてなるものである。多層配線基板５０上の端子とバンプ付きメンブレンリング２０のパッド２１ａとを電気的に接続し、バンプ付きメンブレンリング２０上のパッド２１ａに押圧することで、半導体ウエハ表面の凹凸及びバンプの高さのバラツキを吸収し、半導体ウエハ７１上のパッド７２とポリイミドフィルム２２上のバンプ２６とを確実に接続する。
【００４２】
多層配線基板５０の配線層に接続された電源および信号源から印加される電源電圧およびバーンイン試験信号が、異方性導電ゴムシートを介してバンプ付きメンブレンリングのパッド２１ａに送られ、パッド２１ａに導通するバンプ２６からウエハ上の半導体デバイスに送られて、バーンイン試験が行われる。
【００４３】
上記のようにして作製されたウエハ一括コンタクトボードは、均一性の高いバンプを備えているので、信頼性が高いものが得られる。また、バーンイン試験に用いられるウエハ一括コンタクトボードとして用いる他に、特性検査用のプローブカードとしても用いることもできる。
また、本発明のフィルターは、陽極から発生するスライムに限らず、めっき浴中に存在し、均一なバンプ成長に弊害となる有機系または無機系の不溶性異物を捕捉するフィルターとしての役割を有する。
【符号の説明】
【００４４】
１１  処理槽
１２  陽極
１３  陰極
１４  めっき浴
１５  遮蔽板
１６、１７  フィルター
２０  バンプ付きメンブレンリング
２１ａ  パッド
２６  バンプ
２８  積層フィルム
４０  異方性導電ゴムシート
５０  多層配線基板
６０  ウエハ一括コンタクトボード
【図１】
2010255027.tif 000003
【図２】
2010255027.tif 000004
【図３】
2010255027.tif 000005
【図４】
2010255027.tif 000006