(57)【要約】【目的】電子銃及び高圧電源回路の異常を検知することが可能な装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を放出する電子銃２０１と、電子銃２０１に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路１１０と、高圧電源回路１１０内に配置され、電子銃２０１のエミッタ抵抗の変動を検知するエミッタ抵抗変動検知回路５４と、高圧電源回路１１０内に配置され、検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する記録回路８０と、電子銃２０１から放出される電子ビーム２００を試料の所望する位置に照射する電子光学系と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図２
2010219372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを放出する電子銃と、
前記電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃のエミッタ抵抗の変動を検知するエミッタ抵抗変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する記録部と、
前記電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
電子ビームを放出する電子銃と、
前記電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃に印加される加速電圧の直流成分の変動を検知する加速電圧直流変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知された加速電圧の直流成分の変動を記録する記録部と、
前記電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項３】
電子ビームを放出する電子銃と、
前記電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃に流れるエミッション電流の変動を検知するエミッション電流変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃に印加されるバイアス電圧の変動を検知するエミッション電流変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知されたエミッション電流の変動とバイアス電圧の変動とを記録する記録部と、
前記電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項４】
電子ビームを放出する電子銃と、
前記電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
前記高圧電源回路内に配置され、前記電子銃のフィラメントに供給される電力変動を検知する加速電圧直流変動検知部と、
前記高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知されたフィラメントの電力変動を記録する記録部と、
前記電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項５】
描画中に電子ビームを放出する電子銃のエミッタ抵抗の変動を検知する工程と、
検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する工程と、
前記エミッタ抵抗の変動が、所定の頻度と所定の大きさの少なくとも一方を越えた場合に、前記電子銃のカソードの寿命と判定する工程と、
を備えたことを特徴とする電子銃のカソード寿命の判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置及び電子銃のカソード寿命の判定方法に関し、特に、電子銃の異常を監視する機能を備えた電子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１０は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
電子ビーム描画装置では、電子銃から電子ビームが放出され、かかる電子銃には加速電圧を印加する高圧電源回路が接続されている。従来、かかる電子銃及び高圧電源回路の異常を検知することが困難となっていた。特に、消耗品となるカソードの寿命は判断することは困難であった。そのため、従来、描画装置を運用中に急遽、カソード交換を迫られることが多く、ユーザは想定外の装置停止を強いられていた。そのため、カソードの寿命を予測する手法が求められていた。また、電子銃に印加する高圧電源の異常についても描画中に高精度にその異常を検知することが困難となっていた。昨今のパターンの微細化に伴い、パターン寸法に影響を与える例えば加速電圧については高精度に制御することが求められる。しかし、従来、例えば、１０〜１００倍程度の非常に大きな変動について確認することができるに留まっていたため、加速電圧の高精度な変動を検知することが困難であった。
【０００５】
ここで、電子銃に関連する技術として、電流密度が略一定になるように、描画中に定期的に電流密度を測定し、測定された電流密度に応じて制御値を変化させるＰＩＤ制御を行なう技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−０１００７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、電子銃及び高圧電源回路の異常を描画中に検知することが困難となっていた。また、消耗品となるカソードの寿命は判断することは困難であった。
【０００８】
本発明は、かかる問題点を克服し、電子銃及び高圧電源回路の異常を検知することが可能な装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の電子ビーム描画装置は、
電子ビームを放出する電子銃と、
電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃のエミッタ抵抗の変動を検知するエミッタ抵抗変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する記録部と、
電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の態様の電子ビーム描画装置は、
電子ビームを放出する電子銃と、
電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃に印加される加速電圧の直流成分の変動を検知する加速電圧直流変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知された加速電圧の直流成分の変動を記録する記録部と、
電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の態様の電子ビーム描画装置は、
電子ビームを放出する電子銃と、
電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃に流れるエミッション電流の変動を検知するエミッション電流変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃に印加されるバイアス電圧の変動を検知するエミッション電流変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知されたエミッション電流の変動とバイアス電圧の変動とを記録する記録部と、
電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の他の態様の電子ビーム描画装置は、
電子ビームを放出する電子銃と、
電子銃に電子の加速電圧を印加する高圧電源回路と、
高圧電源回路内に配置され、電子銃のフィラメントに供給される電力変動を検知する加速電圧直流変動検知部と、
高圧電源回路内に配置され、閾値を超えた検知されたフィラメントの電力変動を記録する記録部と、
電子銃から放出される電子ビームを試料の所望する位置に照射する電子光学系と、
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の一態様の電子銃のカソード寿命の判定方法は、
描画中に電子ビームを放出する電子銃のエミッタ抵抗の変動を検知する工程と、
検知されたエミッタ抵抗の変動を記録する工程と、
エミッタ抵抗の変動が、所定の頻度と所定の大きさの少なくとも一方を越えた場合に、電子銃のカソードの寿命と判定する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、エミッタ抵抗の異常を検出することができる。また、本発明の一態様によれば、エミッション電流の異常を検出することができる。また、本発明の一態様によれば、バイアス電圧の異常を検出することができる。また、本発明の一態様によれば、フィラメントの電力異常を検出することができる。また、本発明の一態様によれば、カソードの寿命を判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における高圧電源回路と電子銃の内部構成を示す概念図である。
【図３】実施の形態１における直流成分の変動要因の一例を示す図である。
【図４】実施の形態１における直流成分の変動要因の他の一例を示す図である。
【図５】実施の形態１における直流成分の変動の一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における交流成分の変動の一例を示す図である。
【図７】実施の形態１における交流成分の変動の一例を示す図である。
【図８】実施の形態１におけるエミッタ抵抗の変動の一例を示す図である。
【図９】実施の形態１におけるＪドロップの様子の一例を示す図である。
【図１０】可変成形型電子線露光装置の動作を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、高圧電源回路１１０と制御計算機１２０と制御回路１４０と描画部１５０を備えている。描画装置１００は、電子ビーム２００を用いて試料１０１に所望するパターンを描画する。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、及び描画室１０３を有している。
【００１７】
電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８を有している。照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８は、電子光学系の一例である。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画対象となる試料１０１が載置される。
【００１８】
高圧電源回路１１０と制御計算機１２０と制御回路１４０は、図示しないバスにより互いに接続されている。また、高圧電源回路１１０と制御回路１４０は、制御計算機１２０によって制御される。高圧電源回路１１０は、高圧ケーブル１３０で電子銃２０１に接続される。描画部１５０は、制御回路１４０によって制御される。
【００１９】
図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にその他の構成が含まれても構わない。試料１０１にパターンを描画する際の描画部１５０の動作について以下に説明する。
【００２０】
電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。
【００２１】
図２は、実施の形態１における高圧電源回路と電子銃の内部構成を示す概念図である。図２において、電子銃２０１は、カソード２１及びアノード２３を有している。カソード２１は、ウェネルト電極２６、エミッタ２７、フィラメント２８、及び碍子２９を有している。また、アノード２３は、図示していないが接地（地絡）されている。２極のフィラメントの結合した先端部分にエミッタ２７が配置される。フィラメント２８の両極には、高圧電源回路１１０から高圧ケーブル１３０を介して、フィラメント２８の両極の中間電圧に直流の加速電圧の負極（−）側が印加された状態で加熱電流が流される。また、フィラメント２８の両極の中間電圧とウェネルト電極２６間には、高圧電源回路１１０から高圧ケーブル１３０を介して直流のバイアス電圧（ウェネルト電圧）が印加される。そして、直流の加速電圧の正極（＋）側は地絡されている。そして、フィラメント２８で加熱されたエミッタ２７から電子が放出されることでエミッション電流が流れる。そして、放出された電子はアノード２３に引っ張られることで加速して、電子銃２０１から放出される。
【００２２】
高圧電源回路１１０内には、昇圧回路１０、フィルター回路２０、バイアス回路３０、エミッション電流検出回路４０、フィラメント回路５０、加速電圧検出回路６０、判定回路７０、及び記録回路８０（記録部の一例）が配置されている。また、フィルター回路２０内にはバイアス電圧直流・交流変動検知回路２２（バイアス電圧変動検知部の一例）が配置される。バイアス回路３０内には、加速電圧交流変動検知回路３２（加速電圧変動検知部の一例）が配置される。エミッション電流検出回路４０内には、エミッション電流直流・交流変動検知回路４２（エミッション電流変動検知部の一例）が配置される。フィラメント回路５０内には、フィラメント直流・交流変動検知回路５２（フィラメント電力変動検知部の一例）及びエミッタ抵抗変動検知回路５４（エミッタ抵抗変動検知部の一例）が配置される。加速電圧検出回路６０内には加速電圧直流変動検知回路６２（加速電圧変動検知部の一例）が配置される。
【００２３】
ユーザ側の電源から供給された電力の電圧が昇圧回路１０で昇圧された後、フィルター回路２０で整流され、バイアス電圧（ウェネルト電圧）がウェネルト電極２６に印加される。また、昇圧された電圧はバイアス回路３０に出力され、バイアス回路３０は、フィラメント２８の両極の中間電圧に直流の加速電圧の負極側を印加すると共に、エミッション電流検出回路４０からエミッション電流検出回路４０が検出したエミッション電流に基づく制御信号を例えば所定の一定時間経過する毎に定期的にフィードバックするように入力し、目標となるエミッション電流になるようにバイアス電圧を可変制御する。そして、フィラメント回路５０は、加熱電流をフィラメント２８の両極に流す。また、加速電圧検出回路６０は、定期的に加速電圧を検出し、検出した加速電圧に基づく制御信号を例えば所定の一定時間経過する毎に定期的にフィードバックするように昇圧回路１０に出力し、昇圧回路１０を制御する。
【００２４】
ここで、バイアス電圧直流・交流変動検知回路２２は、バイアス電圧の直流成分とノイズとなる交流成分との各変動を常時検知して、検知された結果を判定回路７０に出力する。加速電圧交流変動検知回路３２は、加速電圧のノイズとなる交流成分の変動を常時検知して、検知された結果を判定回路７０に出力する。エミッション電流直流・交流変動検知回路４２は、エミッション電流の直流成分とノイズとなる交流成分との各変動を常時検知して、検知された結果を判定回路７０に出力する。フィラメント直流・交流変動検知回路５２は、フィラメント電力の直流成分とノイズとなる交流成分との各変動を常時検知して、検知された結果を判定回路７０に出力する。エミッタ抵抗変動検知回路５４は、フィラメント電力の計算の元になった電圧値と電流値からエミッタ抵抗を算出し、かかるエミッタ抵抗の変動を常時検知して、検知された結果を判定回路７０に出力する。
【００２５】
図３は、実施の形態１における直流成分の変動要因の一例を示す図である。図３に示すように、各検出対象の直流成分は、例えば、径時変化に伴うドリフトによって長期的で緩やかな変動が生じる場合がある。
【００２６】
図４は、実施の形態１における直流成分の変動要因の他の一例を示す図である。図４に示すように、各検出対象の直流成分は、例えば、急峻な変動の後、出力値がずれたままになるシフトという現象による変動が生じる場合がある。
【００２７】
図５は、実施の形態１における直流成分の変動の一例を示す図である。図５では、一例として、加速電圧の直流成分の変動を示している。判定回路７０は、制御計算機１２０から直流変動検知用平均値算出要求を入力する。かかる要求に基づいて、判定回路７０は、所定の期間に検出された、例えば、加速電圧の直流成分の値の平均値を算出する。かかる平均値が基準となる。また、判定回路７０は、制御計算機１２０から、例えば、加速電圧の直流成分変動用の閾値を入力する。閾値は基準となる平均値からの上限下限の変動許容範囲となる。また、判定回路７０は、制御計算機１２０から監視（モニター）開始要求を入力する。監視開始要求が入力されると、判定回路７０は、常時検出される、例えば、加速電圧の直流成分が閾値を超えたかどうかを判定する。直流成分については、例えば１点だけ急峻に変動した結果については閾値を超えたとは判定しない。急激な変化は後述する交流成分で判定する。以上の動作をバイアス電圧、エミッション電流、及びフィラメント電力についても同様の動作を行なう。
【００２８】
記録回路８０は、例えば、加速電圧の直流成分について、判定回路７０が閾値を超えたと判定した箇所について、発生時刻、収束時刻、及び最大変動量を記録する。そして、制御計算機１２０から記録出力要求を入力すると、記録された結果を制御計算機１２０に出力する。以上の動作をバイアス電圧、エミッション電流、及びフィラメント電力についても同様の動作を行なう。
【００２９】
図６は、実施の形態１における交流成分の変動の一例を示す図である。図６に示すように、各検出対象の交流成分については、瞬間的な変動を捉える。
【００３０】
図７は、実施の形態１における交流成分の変動の一例を示す図である。図７では、一例として、加速電圧のノイズとなる交流成分の変動を示している。交流変動を検知する際には、各検知回路は、直流成分の値を取り除き、加速電圧及びバイアス電圧の基準電圧、エミッション電流の基準電流、及びフィラメント電力の基準電力を０にする。これによりノイズ成分だけのレンジで検知することができる。その結果、検出する際の解像度を向上させることができる。そして、直流成分が除去された各検出結果を判定回路７０が入力する。判定回路７０は、制御計算機１２０から、例えば、加速電圧の交流成分変動用の閾値を入力する。閾値は基準となる値０からの上限下限の変動許容範囲となる。また、判定回路７０は、制御計算機１２０から監視（モニター）開始要求を入力する。監視開始要求が入力されると、判定回路７０は、常時検出される、例えば、加速電圧の交流成分が閾値を超えたかどうかを判定する。交流成分については、瞬間的に変動した結果についても閾値を超えたと判定する。以上の動作をバイアス電圧、エミッション電流、及びフィラメント電力についても同様の動作を行なう。
【００３１】
記録回路８０は、例えば、加速電圧の直流成分について、判定回路７０が閾値を超えたと判定した箇所について、発生時刻及び最大変動量を記録する。そして、制御計算機１２０から記録出力要求を入力すると、記録された結果を制御計算機１２０に出力する。以上の動作をバイアス電圧、エミッション電流、及びフィラメント電力についても同様の動作を行なう。
【００３２】
以上のようにして記録された結果は、制御計算機１２０からの記録出力要求に応じて記録回路８０が制御計算機１２０に出力する。そして、描画完了後、或いは描画中に定期的に検知記録を確認することで各検出対象に異常があったかどうかを監視することができる。或いは、制御計算機１２０が、異常があった時点で描画動作を中止するように制御してもよい。
【００３３】
次に、エミッタ抵抗の変動について説明する。
図８は、実施の形態１におけるエミッタ抵抗の変動の一例を示す図である。エミッタ抵抗の変動の挙動と電流密度の変動の挙動は、図８に示すようにほぼ一致していることを発明者は見出した。
【００３４】
図９は、実施の形態１におけるＪドロップの様子の一例を示す図である。描画装置では、図９に示すように、電流密度が、瞬時に最大変動値に到達し、数分〜十数分かけて序々に変動前の値に収束する現象（かかる現象を「Ｊドロップ」と定義する）が発生することがある。かかる現象が発生すると電子ビームの照射量に大きな誤差が生じてしまうためパターン寸法に異常をきたすことになる。そのため、かかる現象が起こるカソード２１は既に寿命が尽きたものと言える。そのため、かかる現象が発生する前にカソード２１を交換することが求められる。しかし、従来、かかる現象がいつ発生するのか予測することが困難であり、カソード寿命の判定が困難であった。
【００３５】
そこで、実施の形態１では、図８で示したように、電流密度の変動の挙動と実質的に同じ挙動を示すエミッタ抵抗の変動を常時監視することで、カソード寿命の判定を行なう。判定回路７０は、制御計算機１２０から、エミッタ抵抗用の閾値を入力する。閾値は基準となる安定期の値からの上限下限の変動許容範囲となる。或いは、閾値はエミッタ抵抗の変動頻度の許容範囲となる。そして、判定回路７０は、制御計算機１２０から監視（モニター）開始要求を入力する。監視開始要求が入力されると、判定回路７０は、常時検出されるエミッタ抵抗の変動が、閾値で示される頻度或いは大きさを超えたかどうかを判定する。
【００３６】
記録回路８０は、エミッタ抵抗の変動を記録すると共に、判定回路７０が閾値を超えたと判定した箇所について、発生時刻及び最大変動量を記録する。そして、制御計算機１２０から記録出力要求を入力すると、記録された結果を制御計算機１２０に出力する。そして、制御計算機１２０は、エミッタ抵抗の変動が、かかる頻度と大きさの少なくとも一方を越えた場合に、電子銃２０１のカソードの寿命と判定し、結果を出力する。或いは、エミッタ抵抗の変動の様子を出力し、ユーザがかかる変動の様子から電子銃２０１のカソードの寿命を判定してもよい。いずれにしても、かかる寿命を超える前にカソード２１を交換すればよい。制御計算機１２０には、モニタ、プリンタ、或いはネットワークに情報を出力するための外部インターフェース等の図示しない出力機能が接続される。
【００３７】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００３８】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００３９】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての高圧電源回路および描画装置は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４０】
１０  昇圧回路
２０  フィルター回路
２１  カソード
２２  バイアス電圧直流・交流変動検知回路
２３  アノード
２６  ウェネルト電極
２７  エミッタ
２８  フィラメント
２９  碍子
３０  バイアス回路
３２  加速電圧交流変動検知回路
４０  エミッション電流検出回路
４２  エミッション電流直流・交流変動検知回路
５０  フィラメント回路
５２  フィラメント直流・交流変動検知回路
５４  エミッタ抵抗変動検知回路
６０  加速電圧検出回路
６２  加速電圧直流変動検知回路
７０  判定回路
８０  記録回路
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  高圧電源回路
１２０  制御計算機
１３０  高圧ケーブル
１４０  制御回路
１５０  描画部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，２０６，４１０，４２０  アパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０７  対物レンズ
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
2010219372.tif 000003
【図２】
2010219372.tif 000004
【図３】
2010219372.tif 000005
【図４】
2010219372.tif 000006
【図５】
2010219372.tif 000007
【図６】
2010219372.tif 000008
【図７】
2010219372.tif 000009
【図８】
2010219372.tif 000010
【図９】
2010219372.tif 000011
【図１０】
2010219372.tif 000012