(57)【要約】【課題】表面に絶縁膜が成膜された基板とシール材との接合強度を高め、液晶表示装置の強度を高める。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板２と、ＴＦＴアレイ基板２の絶縁膜２５が形成された側に設けられ、ＴＦＴアレイ基板２と間隔を空けて対向した対向基板４と、対向基板４のＴＦＴアレイ基板２に対向する面に成膜され、ＩＴＯからなる対向電極４３と、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板４との間の隙間を囲繞するようにして枠状に設けられ、対向電極４３に接合されたシール材３と、絶縁膜２５上に形成され、シール材３に接合されたＩＴＯ層９と、シール材３によって囲繞された空間に充填された液晶８と、を備える。【選択図】図５
2010282111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と隙間を空けて対向し、前記第１基板と対向する面に電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の隙間を囲繞するように枠状に設けられたシール材と、
前記シール材によって囲繞された空間に充填された液晶と、を備え、
前記第１基板の前記シール材形成領域には、前記第２基板に設けられた電極と同じ材料からなる層が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
ＴＦＴアレイ基板と、
前記ＴＦＴアレイ基板の絶縁膜が形成された側に設けられ、前記ＴＦＴアレイ基板と間隔を空けて対向した対向基板と、
前記基板の前記ＴＦＴアレイ基板に対向する面に成膜され、ＩＴＯからなる対向電極と、
前記ＴＦＴアレイ基板と前記対向基板との間の隙間を囲繞するようにして枠状に設けられ、前記対向電極に接合されたシール材と、
前記絶縁膜上に形成され、前記シール材に接合されたＩＴＯ層と、
前記シール材によって囲繞された空間に充填された液晶と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記ＩＴＯ層は前記対向電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、
前記対向基板から前記ＴＦＴアレイ基板に向かって見て、前記ＩＴＯ層が前記配線からずれていることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ＩＴＯ層は断続的に複数箇所設けられていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記配線は少なくともデータライン及びゲートラインの何れか一方であることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ＩＴＯ層と前記シール材との接着強度が前記絶縁膜と前記シール材との接着強度よりも大きいことを特徴とする請求項２乃至６の何れか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記シール材形成領域の内部において、前記絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極を被覆するように形成された配向膜と、
を備えることを特徴とする請求項２乃至７の何れか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、
前記対向基板から前記ＴＦＴアレイ基板に向かって見て、前記ＩＴＯ層が前記配線に重なっていることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、カラーフィルタ基板とそれに対向したＴＦＴアレイ基板との間に液晶を密閉したものである（特許文献１参照）。液晶を密閉すべく、枠状のシール材がカラーフィルタ基板の周縁部とＴＦＴアレイ基板の周縁部の間に挟持されている。液晶はそのシール材の内側に封入されている。カラーフィルタ基板の両面のうちＴＦＴアレイ基板に向き合う面には、ＩＴＯからなる共通電極が成膜されている。一方、ＴＦＴアレイ基板の両面のうち、カラーフィルタ基板に向き合う面には、シリコン酸化物からなる絶縁膜が成膜されている。そのため、シール材は共通電極に密着すると共に、絶縁膜に密着する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２４４０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、シール材と絶縁膜との接着強度は、シール材の引張強度やシール材と共通電極の接着強度に比べ弱い。このため、液晶表示装置にカラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基板とを互いに引き離す方向に力が加えられると、シール材の引張強度に達する前にシール材と絶縁膜が剥がれてしまっていた。つまり、シール材の有する引張強度を十分に生かしきれておらず、液晶表示装置の強度が十分でなかった。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、表面に絶縁膜が成膜された基板とシール材との接合強度を高め、液晶表示装置の強度を高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、第１基板と、前記第１基板と隙間を空けて対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の隙間を囲繞するように枠状に設けられたシール材と、前記シール材によって囲繞された空間に充填された液晶と、を備え、前記第１基板と前記第２基板の前記シール材形成領域にはそれぞれ同じ材料からなる層が設けられていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、ＴＦＴアレイ基板と、前記ＴＦＴアレイ基板の絶縁膜が形成された側に設けられ、前記ＴＦＴアレイ基板と間隔を空けて対向した対向基板と、前記対向基板の前記ＴＦＴアレイ基板に対向する面に成膜され、ＩＴＯからなる対向電極と、前記ＴＦＴアレイ基板と前記対向基板との間の隙間を囲繞するようにして枠状に設けられ、前記対向電極に接合されたシール材と、前記絶縁膜上に形成され、前記シール材に接合されたＩＴＯ層と、前記シール材によって囲繞された空間に充填された液晶と、を備えることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００７】
好ましくは、前記ＩＴＯ層は前記対向電極と電気的に絶縁されている。
好ましくは、前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、前記対向基板から前記ＴＦＴアレイ基板に向かって見て、前記ＩＴＯ層が前記配線からずれている。
好ましくは、前記ＩＴＯ層は断続的に複数箇所設けられている。
好ましくは、前記配線は少なくともデータライン及びゲートラインの何れか一方である。
好ましくは、前記ＩＴＯ層と前記シール材との接着強度が前記絶縁膜と前記シール材との接着強度よりも大きい。
好ましくは、前記シール材形成領域の内部において、前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極を被覆するように形成された配向膜と、を備える。
好ましくは、前記絶縁膜によって被覆された配線を備え、前記対向基板から前記ＴＦＴアレイ基板に向かって見て、前記ＩＴＯ層が前記配線に重なっている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ＴＦＴアレイ基板の表面に成膜された絶縁層の上にＩＴＯ層が成膜されることにより、ＴＦＴアレイ基板とシール材は、間にＩＴＯ層を介在させた状態で接合される。ＩＴＯ層とシール材との接着強度は、絶縁膜とシール材との接着強度よりも大きい。従って、ＴＦＴアレイ基板とシール材とがより強力に接合することになり、液晶表示装置の強度が高まる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態における液晶表示装置を示した正面図である。
【図２】同実施形態における液晶表示装置を示した縦断面図である。
【図３】同実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の一部を示した正面図である。
【図４】同実施形態における液晶表示装置の一部を示した縦断面図である。
【図５】同実施形態における液晶表示装置の一部を示した縦断面図である。
【図６】同実施形態における液晶表示装置の一部を示した縦断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態における液晶表示装置の一部を示した縦断面図である。
【図８】同実施形態における液晶表示装置の一部を示した縦断面図である。
【図９】同実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の一部を示した正面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態における液晶表示装置の一部を示した縦断面図である。
【図１１】同実施形態における液晶表示装置の一部を示した縦断面図である。
【図１２】同実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の一部を示した正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１１】
＜第１の実施の形態＞
まず、液晶表示装置１の構成について説明する。
図１は、液晶表示装置１の正面図である。図２は、図１に示したＡ−Ａ線に沿った面の縦断面図である。図１、図２に示すように、対向基板（第２基板）４がＴＦＴアレイ基板（第１基板）２の正面に対向する。対向基板４とＴＦＴアレイ基板２の間には、シール材３が挟持されている。このシール材３は、対向基板４の縁に沿って矩形枠状に設けられている。ＴＦＴアレイ基板２と対向基板４の間であってシール材３内には、液晶８が封入されている。図１に示すように、シール材３によって囲まれる領域が表示領域である。ＴＦＴアレイ基板２の表面には、ＬＳＩチップ６が実装されている。このＬＳＩチップ６は、表示領域の下側に配置されている。ＴＦＴアレイ基板２の表面であって表示領域の外側には、複数本の引き回し配線からなる引き回し配線群２１ａ，２２ａが形成されている。ＬＳＩチップ６には、引き回し配線群２１ａ，２２ａの各引き回し配線の端部が接続されている。半分の引き回し配線群２１ａは、ＬＳＩチップ６からＴＦＴアレイ基板２の左側を通って表示領域の左側まで延びている。もう半分の引き回し配線群２１ａは、ＬＳＩチップ６からＴＦＴアレイ基板２の右側部を通って表示領域の右側まで延びている。引き回し配線群２２ａは、ＬＳＩチップ６から帯状に広がって表示領域の下部まで延びている。
【００１２】
図３は、ＴＦＴアレイ基板２の表示領域の一部を拡大して示した平面図である。ＴＦＴアレイ基板２の表示領域には、図３に示すように、ゲートライン２１が表示領域の左端から右端まで左右方向に等間隔かつ平行に延びている。そして、１本のゲートライン２１につき、引き回し配線群２１ａの１本の引き回し配線２１ｂが一体形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板２の表示領域には、データライン２２が表示領域の下端から上端まで上下方向に等間隔かつ平行に延びている。１本のデータライン２２につき引き回し配線群２２ａの引き回し配線２２ｂが一体形成されている。複数のゲートライン２１と複数のデータライン２２は平面視で互いに直交している。ゲートライン２１とデータライン２２は互いに絶縁されている。そして、複数の薄膜トランジスタ２４がマトリクス状に配列され、各薄膜トランジスタ２４がゲートライン２１とデータライン２２の各交差部付近に配置され、各薄膜トランジスタ２４がゲートライン２１とデータライン２２とに接続されている。また、複数の画素電極２６がマトリクス状に配列され、複数のゲートライン２１と複数のデータライン２２とで囲繞された各領域には、各画素電極２６が配置されて薄膜トランジスタ２４と接続されている。このようにして表示領域が形成されている。
【００１３】
図４は、図２に示した液晶表示装置１の一部を拡大して示した縦断面図である。ＴＦＴアレイ基板２は以下のようにして構成されている。ガラス基板２０の一方の面上にゲート絶縁膜２３が成膜され、そのゲート絶縁膜２３上に保護絶縁膜２５が成膜され、保護絶縁膜２５がＴＦＴアレイ基板２の表面になっている。ガラス基板２０の上面に薄膜トランジスタ２４のゲート電極２１ｃがパターニングされて形成されている。ゲート電極２１ｃがゲート絶縁膜２３によって被覆されている。ゲート絶縁膜２３上には半導体層２４ａがパターニングされて形成されている。半導体層２４ａは、ゲート電極２１ｃに対向している。半導体層２４ａの上面中央部にはチャネル保護膜２４ｂがパターニングされて形成され、平面視してチャネル保護膜２４ｂの上面両側及び半導体層２４ａの上面両側には不純物半導体層２４ｃ、２４ｄがパターニングされて形成されている。また、不純物半導体層２４ｃ上にドレイン電極２２ｃがパターニングされて形成され、不純物半導体層２４ｄ上にソース電極２４ｅがパターニングされている。そして、これら全体が保護絶縁膜２５によって被覆されている。ゲート絶縁膜２３及び保護絶縁膜２５は、窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる。
【００１４】
図３に示されたゲートライン２１及び引き回し配線２１ｂは、図４に示されたガラス基板２０上に形成されているとともに、ゲート絶縁膜２３によって被覆されている。ゲート電極２１ｃがゲートライン２１に連接され、ゲート電極２１ｃとゲートライン２１が一体成形されている。データライン２２及び引き回し配線群２２ａは、ゲート絶縁膜２３上に形成されているとともに、保護絶縁膜２５によって被覆されている。ドレイン電極２２ｃがデータライン２２に連接され、ドレイン電極２２ｃとデータライン２２が一体成形されている。
【００１５】
保護絶縁膜２５上には画素電極２６が成膜されている。画素電極２６は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）で形成されている。平面視して一つの画素電極２６につき一つの薄膜トランジスタ２４のソース電極２４ｅが一部重なっており、保護絶縁膜２５にはこの重なっている箇所においてコンタクトホール２６ａが形成されている。コンタクトホール２６ａには画素電極２６と同じ材料が埋められており、画素電極２６とソース電極２４ｅがコンタクトホール２６ａを通じて導電している。そして、これら全ての画素電極２６を被覆するように配向膜２７が形成されている。この配向膜２７は液晶８を配向させるものである。
【００１６】
対向基板４は、以下のようにして構成されている。ガラス基板４０のＴＦＴアレイ基板２側の面には、画素電極２６に相対する領域で開口した黒色のブラックマトリクス４１が網目状にパターニングされており、ブラックマトリクス４１によって囲繞された複数の開口部がマトリクス状に配列されている。ブラックマトリクス４１の各開口部には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの色を有したカラーフィルタ４２が形成されており、対向基板４全体ではこれら三色が規則正しく配列されている。
【００１７】
ブラックマトリクス４１及びカラーフィルタ４２全体を被覆するように対向電極（第２層）４３が形成されている。対向電極４３はＩＴＯで形成されている。対向電極４３が対向基板４の表面になっている。そして、対向電極４３を被覆するように配向膜４４が形成されている。この配向膜４４は液晶８を配向させるものである。
【００１８】
図５は、図１に示したＢ−Ｂ線に沿った縦断面図である。また、図６は、図１に示すＣ−Ｃ線に沿った縦断面図である。液晶表示装置１を、ＴＦＴアレイ基板２の表示領域の側部に設けられたシール材３に沿って切断してみると、図５に示すように、ガラス基板２０の上面に、ゲートライン２１が、図５の紙面に垂直な方向に向かって複数本形成されている。そのゲートライン２１をゲート絶縁膜２３が被覆している。また、ゲート絶縁膜２３を保護絶縁膜２５が更に被覆している。保護絶縁膜２５の上面にはＩＴＯ層（第１層）９が成膜されている。ＩＴＯ層９は、表示領域を囲むようにして矩形枠状に設けられており、対向電極４３と電気的に絶縁されている。図１に示す方向に見てシール材３の形状とＩＴＯ層９の形状は同じである。
【００１９】
一方、ＴＦＴアレイ基板２の表示領域の下部に設けられたシール材３に沿って切断してみると、図６に示すように、ガラス基板２０の上面にゲート絶縁膜２３が成膜され、そのゲート絶縁膜２３の上面にデータライン２２が、図６の紙面に垂直な方向に向かって複数本形成されている。そのデータライン２２を保護絶縁膜２５が被覆している。保護絶縁膜２５の上面にはＩＴＯ層９が成膜されている。なお、図５、図６に示す箇所は表示領域の外側であるため、薄膜トランジスタ２４や画素電極２６、配向膜２７は設けられていない。
【００２０】
図５、図６に示すように、ＩＴＯ層９の上面にはシール材３の下面が接着されている。シール材３は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂である。また、ＩＴＯ層９は、図１に示す正面視のシール材３の形状と同じ矩形枠状に形成されているため、シール材３の下面全体がＩＴＯ層９と接着している。
【００２１】
シール材３の上面には、図１、図５、図６に示すように、対向基板４が設けられている。そして、ガラス基板４０の下面に成膜された対向電極４３の下面が、シール材３の上面に接着されている。前述したとおり図５、図６に示す箇所は表示領域の外側であるため、ブラックマトリクス４１、カラーフィルタ４２、配向膜４４は設けられていない。一方、対向電極４３は、ガラス基板４０の下面全体に成膜されているので、シール材３の上面全体が対向電極４３と接着する。
【００２２】
ピール強度試験の結果から、シール材３の引張強度、ＳｉＯ２等の絶縁膜とシール材３との接着強度及びＩＴＯとシール材３との接着強度を比較すると、ＩＴＯとシール材３との接着強度が最も強く、次いで、シール材３の引張強度が強く、そして、絶縁膜とシール材３との接着強度が３つの中で最も弱いことが知られている。このことは、ＩＴＯ層９とシール材３との接着強度が、シール材３の引張強度や保護絶縁膜２５とシール材３との接着強度よりも強いことを示している。また、保護絶縁膜２５とＩＴＯ層９との接着強度も、保護絶縁膜２５とシール材３との接着強度よりも強いことが分かっている。この液晶表示装置１は、シール材３と保護絶縁膜２５との間にＩＴＯ層９が介在し、シール材３とガラス基板４０との間にＩＴＯの対向電極４３が介在し、シール材３が上下両面全体でＩＴＯと接着するよう構成されている。このため、ＴＦＴアレイ基板２とシール材３との接着強度及び対向基板４とシール材３との接着強度がシール材３の引張強度よりも強くなっている。従って、液晶表示装置１の強度が従来に比べ高くなっている。
【００２３】
次に、液晶表示装置１の製造方法について説明する。
まず、ＴＦＴアレイ基板２を製造する。即ち、気相成長工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、レジスト除去工程を適宜行う。そうすることにより、ガラス基板２０の上にゲートライン２１、データライン２２及び薄膜トランジスタ２４をパターニングするとともに、ゲート絶縁膜２３及び保護絶縁膜２５を成膜する。こうしてＴＦＴアレイ基板２が完成する。
その後、画素ごとにコンタクトホール２６ａを保護絶縁膜２５に形成する。その後、画素電極２６及びＩＴＯ層９をＴＦＴアレイ基板２の表面にパターニングする。具体的には、気相成長法等によって保護絶縁膜２５上にＩＴＯの膜を一面に成膜し、そのＩＴＯ膜の上にレジストを塗布し、そのレジストをステッパによって露光し、そのレジストを現像液で現像し、残留したレジストをフォトマスクとしてＩＴＯ膜をエッチングする。そうすると、ＩＴＯ膜が形状加工され、ＩＴＯ膜の一部が画素電極２６、ＩＴＯ層９として残留する。従って、従来のフォトマスクに比べて、ＩＴＯ層９に対応する部分だけを変更するだけで、つまり、ステッパで投影する像を変更するだけで、画素電極２６とＩＴＯ層９を同時にパターニングすることができる。なお、画素電極２６及びＩＴＯ層９の元となるＩＴＯ膜を成膜する際に、ＩＴＯがコンタクトホール２６ａ内に堆積する。その後、残留したレジストを除去する。
【００２４】
次に、ＩＴＯ層９の内側であって保護絶縁膜２５の上に配向膜２７を成膜し、配向膜２７によって画素電極２６を被覆する。その後、配向膜２７をラビング処理する。
【００２５】
次に、対向基板４を製造する。ガラス基板４０の表面にブラックマトリクス４１を形成し、ブラックマトリクス４１の各開口部にカラーフィルタ４２を形成する。次にブラックマトリクス４１及びカラーフィルタ４２の上から対向電極４３をべた一面に成膜する。こうして対向基板４が完成する。
【００２６】
次に、対向電極４３上に配向膜４４を成膜する。配向膜４４の成膜領域は、対向電極４３の縁部分を除く中央部とする。従って、対向電極４３のうち配向膜４４が重なっていない縁部分では対向電極４３が枠状に露出する。その縁部分は、後述するようにシール材３が貼着される領域であり、対向電極４３のうち配向膜４４が重なった中央部は、表示領域となる。その後、配向膜４４をラビング処理する。
【００２７】
次に、それらを貼り合わせる。まず、ＴＦＴアレイ基板２上に形成されたＩＴＯ層９の上にシール材３を塗布し、表示領域をシール材３で囲繞する。シール材３による壁ができたところで、表示領域に液晶８を滴下する。そして対向基板４をＴＦＴアレイ基板２と貼り合わせ、露出した対向電極４３の縁部分をシール材３と密着させて、内部の液晶８を封止する。その後、シール材３を熱又は紫外線で硬化させる。このようにして液晶ディスプレイパネル５が完成する。
なお、液晶８の封入法としては、滴下法ではなく、真空注入法であってもよい。即ちＩＴＯ層９の上にシール材３を塗布した後、対向基板４とＴＦＴアレイ基板２を貼り合わせて、露出した対向電極４３の縁部分とＩＴＯ層９との間にシール材３を挟み、シール材３を熱又は紫外線によって硬化させ、その後、シール材３の内側を真空引きしながら、シール材３の内側に液晶８を注入してもよい。
また、滴下法、真空注入法の何れの方法であっても、シール材３をＩＴＯ層９に塗布した後、対向基板４とＴＦＴアレイ基板２を貼り合わせたが、逆に、露出した対向電極４３の縁部分にシール材３を塗布した後、対向基板４とＴＦＴアレイ基板２を貼り合わせてもよい。
【００２８】
この液晶ディスプレイパネル５の所定位置に、ＬＳＩチップ６実装し、ＦＰＣ７を接続する。こうして液晶表示装置１が完成する。
【００２９】
本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板２の表面に成膜された保護絶縁膜２５の上にＩＴＯ層９が成膜されることにより、ＴＦＴアレイ基板２とシール材３は、間にＩＴＯ層９を介在させた状態で接合される。ＩＴＯ層９とシール材３との接着強度は、保護絶縁膜２５とシール材３との接着強度よりも大きいため、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板４とがより強力に接合することになり、液晶表示装置１の強度が高まる。また、保護絶縁膜２５の上に画素電極２６を設けるタイプのＴＦＴアレイ基板２であっても、工程を追加する必要なく液晶表示装置１の強度を高めることができる。
【００３０】
＜第２の実施の形態＞
図７、図８は、液晶表示装置１０１の縦断面図である。また、図９は、ＴＦＴアレイ基板１０２の一部を拡大して示した正面図である。本実施形態は、ＩＴＯ層１０９の形状、配置が第１実施形態と異なっている。他の構成は全て第１実施形態と同様である。ＴＦＴアレイ基板１０２の表示領域の側部に設けられたシール材１０３に沿って切断してみると、図７に示すように、保護絶縁膜１２５の上面にＩＴＯ層１０９が成膜されている。表示領域の左右両側では、ＩＴＯ層１０９は、対向基板１０４側からＴＦＴアレイ基板１０２に向かって見て、ＩＴＯ層１０９がゲートライン１２１に重なるように設けられている。同じ保護絶縁膜１２５上であっても、ゲートライン１２１の無い箇所には設けられていない。また、ＩＴＯ層１０９は、対向電極１４３と電気的に絶縁されている。
【００３１】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０２の表示領域の下部に設けられたシール材１０３に沿って切断してみると、図８に示すように、保護絶縁膜１２５の上面にＩＴＯ層１０９が成膜されている。表示領域の下側では、ＩＴＯ層１０９は、対向基板１０４側からＴＦＴアレイ基板１０２に向かって見て、ＩＴＯ層１０９がデータライン１２２に重なるように設けられている。同じ保護絶縁膜１２５上であっても、データライン１２２のない箇所には設けられていない。
【００３２】
図７、図８に示すように、ＩＴＯ層１０９の上面及び保護絶縁膜１２５の上面にはシール材１０３の下面が接着されている。このため、シール材１０３の下面の一部がＩＴＯ層１０９と接着している。なお、ＩＴＯ層１０９をゲートライン１２１の上全体に設けずに、図９に示すように、島状に複数箇所設けてもよい。また、図示していないが、データライン１２２の上のＩＴＯ層１０９も同様である。
【００３３】
表示領域の上側では、ＩＴＯ層１０９が対向基板１０４の上側の縁に沿って左右に帯状に形成され、そのＩＴＯ層１０９が保護絶縁膜１２５上に形成され、ＩＴＯ層１０９の上にシール材１０３が積層され、そのシール材１０３が対向電極１４３の上縁部とＩＴＯ層１０９との間に挟まれている。
【００３４】
本実施形態によれば、より少ない量のＩＴＯで、ＴＦＴアレイ基板１０２とシール材１０３の接着強度を高めることができる。また、保護絶縁膜１２５の構造や材質により、ゲートライン１２１やデータライン１２２とＩＴＯ層１０９とがショートを起こしやすい状態となっていても、確実に絶縁されている箇所にＩＴＯ層１０９を設けるので、安全にＴＦＴアレイ基板１０２とシール材１０３の接着させることができる。
【００３５】
＜第３の実施の形態＞
図１０、図１１は、液晶表示装置２０１の縦断面図である。また、図１２は、ＴＦＴアレイ基板２０２の一部を拡大して示した正面図である。本実施形態は、ＩＴＯ層２０９の形状、配置が第１、第２実施形態と異なっている。他の構成は全て第１・第２実施形態と同様である。ＴＦＴアレイ基板２０２の表示領域の側部に設けられたシール材２０３に沿って切断してみると、図１０に示すように、保護絶縁膜２２５の上面にはＩＴＯ層２０９が成膜されている。表示領域の左右両側では、ＩＴＯ層２０９は、対向基板２０４側からＴＦＴアレイ基板２０２に向かって見て、ＩＴＯ層２０９がゲートライン２２１からずらして設けられている。同じ保護絶縁膜２２５上であっても、ゲートライン２２１の上には設けられていない。また、ＩＴＯ層２０９は、対向電極２４３と電気的に絶縁されている。
【００３６】
一方、ＴＦＴアレイ基板２０２の表示領域の下部に設けられたシール材２０３に沿って切断してみると、図１１に示すように、保護絶縁膜２２５の上面にはＩＴＯ層２０９が成膜されている。表示領域の下側では、ＩＴＯ層２０９は、対向基板２０４側からＴＦＴアレイ基板２０２に向かって見て、ＩＴＯ層２０９がデータライン２２２からずらして設けられている。同じ保護絶縁膜２２５上であっても、データライン２２２の上には設けられていない。
【００３７】
図１０、図１１に示すように、ＩＴＯ層２０９の上面及び保護絶縁膜２２５の上面にはシール材２０３の下面が接着されている。このため、シール材２０３の下面の一部がＩＴＯ層２０９と接着している。なお、ＩＴＯ層２０９を、ゲートライン１２１又はデータライン１２２の隙間全体に設けずに、図９に示すように、断続的に複数箇所設けることもできる。
【００３８】
本実施形態によれば、より少ない量のＩＴＯで、ＴＦＴアレイ基板２０２とシール材２０３の接着強度を高めることができる、また、場合によりＴＦＴアレイ基板２０２と対向基板２０４との間に導電性の部材を設けなければならない場合にも、導電性部材とＩＴＯ層２０９とが接しにくくなるので、安全にＴＦＴアレイ基板２０２とシール材２０３の接着強度を高めることができる。
【００３９】
尚、上記第１の実施の形態〜第３の実施の形態によれば、対向基板とＴＦＴアレイ基板のシール材形成領域にはそれぞれＩＴＯからなる対向電極とＩＴＯ層を設けたが、何れの材料もＩＴＯに限ったものではなく、対向電極と同材料であり、基板とシール材との接着強度を高めることができるものであれば良い。
【符号の説明】
【００４０】
１、１０１、２０１  液晶表示装置
２、１０２、２０２  ＴＦＴアレイ基板
２５、１２５、２２５  保護絶縁膜
３、１０３、２０３  シール材
４、１０４、２０４  対向基板
４３、１４３、２４３  対向電極
９、１０９、２０９  ＩＴＯ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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