(57)【要約】      （修正有）【課題】検出軸を水平軸から所定の角度傾斜させた加速度などの物理量を検出するのに好適な半導体物理量センサを提供する。【解決手段】セラミックパッケージ５内の、第１の内底部５ｂに設けた水平軸Ｈから所定の角度θ傾いた傾斜ベース４の上に物理量センサチップ２を実装し、信号処理チップ３を第２の内底部５ｃに実装する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体を用いた物理量センサチップと、
前記物理量センサチップの出力信号を信号処理する信号処理チップと、
前記物理量センサチップを所定の角度傾いた上面に実装する傾斜ベースと、
前記傾斜ベースを第１の内底部に実装するとともに前記信号処理チップを第２の内底部に実装するセラミックパッケージと、
前記セラミックパッケージを封止するリッドと
を備えたことを特徴とする半導体物理量センサ。
【請求項２】
前記傾斜ベースの上面には、所定の大きさの凹部又は溝部が１又は複数設けられていることを特徴とする半導体物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度などの所定の物理量を検出する半導体物理量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度などの所定の物理量を検出する半導体物理量センサの検出軸を水平軸から所定の角度傾斜させる方法として、所定の角度傾いたプリント基板に半導体物理量センサを実装する半導体物理量センサの実装構造が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２０８７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような従来の方法では、半導体物理量センサ以外に、半導体物理量センサを実装するプリント基板や、プリント基板を所定の角度傾けた状態で支持するボディ、ボディを覆うカバーなどが必要であるため、製造コストや、デバイスサイズ、組み立て工程などを増大させてしまう。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、検出軸を水平軸から所定の角度傾斜させた半導体物理量センサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するために、半導体を用いた物理量センサチップと、前記物理量センサチップの出力信号を信号処理する信号処理チップと、前記物理量センサチップを所定の角度傾いた上面に実装する傾斜ベースと、前記傾斜ベースを第１の内底部に実装するとともに前記信号処理チップを第２の内底部に実装するセラミックパッケージと、前記セラミックパッケージを封止するリッドとを備えたことを特徴としている。
【０００７】
また、本発明は、上記に加えて、傾斜ベースの上面には、所定の大きさの凹部又は溝部が１又は複数設けられていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、物理量センサチップが、所定の角度傾いた傾斜ベースの上面に実装されるので、１つの追加部品のみで、半導体物理量センサの検出軸を水平軸から所定の角度傾斜させることができる。
【０００９】
また、本発明によれば、傾斜ベースの上面に凹部又は溝部が１又は複数設けられているので、傾斜ベースに接着剤を塗布した際に当該接着剤が傾斜に沿って流れずに溝部又は凹部で留まることによって物理量センサチップと傾斜ベースとの接着を安定して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す上面図である。
【図３】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの傾斜ベースの構成を示す上面図及び断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態となる半導体物理量センサの傾斜ベースの構成を示す上面図及び断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる半導体物理量センサについて説明する。
【００１２】
本発明の実施形態となる半導体物理量センサ１は、図１に示すように、物理量センサチップ２と、信号処理チップ３と、傾斜ベース４と、セラミックパッケージ５と、リッド６とを備えている。
【００１３】
物理量センサチップ２は、半導体基板をエッチングすることにより形成されたものであり、検出軸方向から加わる加速度などの所定の物理量を検出する。
【００１４】
信号処理チップ３は、図２に示すように、物理量センサチップ２とリード線Ｌを介して電気的に接続されており、物理量センサチップ２の出力信号を信号処理する。この信号処理チップ３としては、たとえば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などが用いられる。
【００１５】
傾斜ベース４は、図４に示すように、樹脂や金属などにより形成された四角柱状のものであり、物理量センサチップ２をこの上面に実装する。なお、実装に際しては、傾斜ベース４の上面に接着剤が塗布される。
【００１６】
セラミックパッケージ５は、セラミック基板を積層することにより形成された上方に開口部５ａを有する箱状のものであり、図２に示すように、傾斜ベース４を内底部５ｂに実装するとともに信号処理チップ３を内底部５ｃに実装する。なお、実装された物理量センサチップ２及び信号処理チップ３は、セラミックパッケージ５の内壁に設けられた端子台部５ｄとリード線Ｌを介して電気的に接続される。
【００１７】
リッド６は、セラミックパッケージ５を封止するものであり、セラミックパッケージ５の開口部５ａと気密に接合される。
【００１８】
以上のように構成された半導体物理量センサ１では、図３に示すように、物理量センサチップ２が、水平軸Ｈから所定の角度θ傾いた傾斜ベース４の上面に実装される。このため、本発明の実施形態によれば、１つの追加部品のみで、半導体物理量センサ１の検出軸を水平軸Ｈから所定の角度θ傾斜させることができ、従来と比較して、製造コストや、デバイスサイズ、組み立て工程などを低減することができる。
【００１９】
なお、本実施形態では、傾斜ベース４の上面は平面として形成されているが、他の実施形態では、図５（ａ），（ｂ）に示すような所定の大きさの凹部４ａが傾斜ベース４の上面に一又は複数設けられていても良く、また、図５（ｃ），（ｄ）に示すような所定の大きさの溝部４ｂが傾斜ベース４の上面に一又は複数設けられていても良い。これらの場合には、傾斜ベース４に接着剤を塗布した際に当該接着剤が傾斜に沿って流れずに凹部４ａ又は溝部４ｂで留まることによって物理量センサチップ２と傾斜ベース４との接着を安定して行うことができ、半導体物理量センサ１の信頼性を向上することができる。
【００２０】
以上、本発明者によってなされた発明を適用した実施形態について説明したが、この実施形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明が限定されることはない。すなわち、上記の実施形態に基づいて当業者によってなされる他の実施形態、実施例及び運用技術などはすべて本発明の範囲に含まれることを付け加えておく。
【符号の説明】
【００２１】
１：半導体物理量センサ
２：物理量センサチップ
３：信号処理チップ
４：傾斜ベース
４ａ：凹部
４ｂ：溝部
５：セラミックパッケージ
５ａ：開口部
５ｂ，５ｃ：内底部
５ｄ：端子台部
６：リッド
Ｌ：リード線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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