(57)【要約】【課題】熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁性層２は、非磁性基板１と反対側の面に設けられた境界領域８によって当該磁性層２が磁気的に互いに分離された複数の磁性領域２ａと、非磁性基板１と対向する側の面に設けられた下部領域２ｂとから構成され、隣接する磁性領域２ａは、下部領域２ｂを介して磁気的に連続し、下部領域２ｂの飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、磁性領域２ａの飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とが、０．０５×ＭｓＵ＜ＭｓＬ＜０．４×ＭｓＵ、０．０１×ＭｒＵ＜ＭｒＬ＜０．２×ＭｒＵの関係を有することを特徴とする磁気記録媒体１０を採用する。【選択図】図１
2010165398.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の少なくとも一方の表面に磁性層を備えた磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、記録領域となる磁性領域と前記磁性領域を分離する境界領域とが隣接して交互に配置されており、
前記境界領域の飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、前記磁性領域の飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とが、下記式（１）及び下記式（２）の関係を有することを特徴とする磁気記録媒体。
０．０５×ＭｓＵ  ＜  ＭｓＬ  ＜  ０．４×ＭｓＵ  ・・・（１）
０．０１×ＭｒＵ  ＜  ＭｒＬ  ＜  ０．２×ＭｒＵ  ・・・（２）
【請求項２】
前記境界領域が、前記非磁性基板側に設けられた磁性層からなる下部領域と、前記下部領域上に設けられた非磁性領域との積層構造であり、
前記下部領域の飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、前記磁性領域の飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とが、上記式（１）及び上記式（２）の関係を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性領域と前記下部領域とが磁気的に連続していることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記境界領域が、前記磁性層の磁気特性を改質した領域であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
磁気記録媒体の磁気記録表面において、前記磁性領域が凸部を形成し、前記境界領域が凹部を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記磁性領域と前記境界領域との段差が、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記磁性領域と前記境界領域とからなる磁気記録パターンが、記録トラック、記録ビット、サーボ信号の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録トラック方向に駆動する媒体駆動手段と、
記録部と再生部とを備える磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド運動手段と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と当該磁気ヘッドからの出力信号の再生を行う記録再生信号処理手段とを具備してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体および磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特にＭＲ（ｍａｇｎｅｔ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、およびＰＲＭＬ技術の導入以来、単位面積あたりの記録密度の上昇はさらに激しさを増している。近年では、さらにＧＭＲ（ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＴＭＲ（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  ｍａｇｎｅｔ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドなども導入され、１年に約１００％ものペースで記録密度の増加が続いている。これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されており、そのために磁性層の高信号対雑音比（ＳＮＲ）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では線記録密度の向上と同時に、トラック密度の増加によって記録密度を上昇させようとする努力がなされている。
【０００３】
そして、最新の磁気記録装置では、トラック密度が３００ｋＴＰＩにも達している。しかしながら、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となり、ＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなる。このことは、そのままビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）の悪化につながるため、記録密度の向上に対して障害となっている。
【０００４】
一方、磁気記録媒体の記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚とを確保する必要がある。しかしながら、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
【０００５】
また、トラック密度が高くなるとトラック間距離が近づくため、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術を要求されるという問題も生じる。これに対して、広いトラック幅で記録を行い、記録時よりも狭いトラック幅で再生を行うことにより、隣接トラックからの影響をできるだけ排除する方法が一般的に用いられている。しかしながら、この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮＲを確保することがむずかしいという問題がある。
【０００６】
以上のような熱揺らぎの問題を解消し、さらに、ＳＮＲの確保及び十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体表面にトラックに沿った凹凸を形成する等により、記録トラック同士を物理的または磁気的に分離して、隣接トラック間の干渉を抑えて、トラック密度を上げようとする試みがなされている。なお、以下では、このような技術をディスクリートトラック法、それによって製造された磁気記録媒体をディスクリートトラック媒体と呼ぶ。
さらに、ディスクリートトラック媒体のトラック部分を、さらにビット単位で分離したビットパターン媒体を製造する試みもなされている。
【０００７】
ディスクリートトラック媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板上に磁性層を形成することにより、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成した磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ディスクリート媒体やビットパターン媒体の開発により、隣接する記録トラックや記録ビット同士を物理的または磁気的に分離し、隣接トラック、ビット間の干渉を抑え、媒体のＳＮＲを高めることが可能となった。しかしながら、ディスクリート媒体等においても記録密度を高めるためには、磁気記録媒体上の各記録トラックや記録ビットのサイズを微細なものとし、各記録ビット等に可能な限り大きな飽和磁化等を確保する必要が生じている。すなわち、ディスクリート媒体等においても、高記録密度化のために記録トラックを微細化していくと、磁化体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じていた。
【００１０】
本願発明は上記の問題を解決すべくなされたものであり、ディスクリート媒体やビットパターン媒体の高記録密度化に対応するため、熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者は、上記課題を解決すべく鋭意努力検討した結果、ディスクリート媒体やビットパターン媒体等の磁気記録パターンを記録領域となる磁性領域と、この磁性領域を磁気的に分離する境界領域とから構成し、隣接する磁性領域の間に配置する境界領域の飽和磁化（ＭｓＬ）および残留磁化（ＭｒＬ）を特定の範囲内とすることにより、熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体を提供できることを見出し、本願発明を完成させた。
すなわち、本発明は以下の構成を採用した。
［１］  非磁性基板の少なくとも一方の表面に磁性層を備えた磁気記録媒体であって、前記磁性層は、記録領域となる磁性領域と前記磁性領域を分離する境界領域とが隣接して交互に配置されており、前記境界領域の飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、前記磁性領域の飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とが、下記式（１）及び下記式（２）の関係を有することを特徴とする磁気記録媒体。
０．０５×ＭｓＵ  ＜  ＭｓＬ  ＜  ０．４×ＭｓＵ  ・・・（１）
０．０１×ＭｒＵ  ＜  ＭｒＬ  ＜  ０．２×ＭｒＵ  ・・・（２）
［２］  前記境界領域が、前記非磁性基板側に設けられた磁性層からなる下部領域と、前記下部領域上に設けられた非磁性領域との積層構造であり、前記下部領域の飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、前記磁性領域の飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とが、上記式（１）及び上記式（２）の関係を有することを特徴とする前項［１］に記載の磁気記録媒体。
［３］  前記磁性領域と前記下部領域とが磁気的に連続していることを特徴とする前項［２］に記載の磁気記録媒体。
［４］  前記境界領域が、前記磁性層の磁気特性を改質した領域であることを特徴とする前項［１］に記載の磁気記録媒体。
［５］  磁気記録媒体の磁気記録表面において、前記磁性領域が凸部を形成し、前記境界領域が凹部を形成することを特徴とする前項［１］乃至［４］のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
［６］  前記磁性領域と前記境界領域との段差が、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする前項［５］に記載の磁気記録媒体。
［７］  前記磁性領域と前記境界領域とからなる磁気記録パターンが、記録トラック、記録ビット、サーボ信号の少なくともいずれかであることを特徴とする前項［１］乃至［６］の何れか一項に記載の磁気記録媒体。
［８］  前項［１］乃至［７］の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録トラック方向に駆動する媒体駆動手段と、記録部と再生部とを備える磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド運動手段と、前記磁気ヘッドへの信号入力と当該磁気ヘッドからの出力信号の再生を行う記録再生信号処理手段とを具備してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のディスクリート媒体やビットパターン媒体によれば、磁気記録パターンを記録領域となる磁性領域と、この磁性領域を磁気的に分離する境界領域とから構成し、隣接する磁性領域の間に配置する境界領域の飽和磁化および残留磁化を特定の範囲内としているため、１データビット当たりの磁化体積が大きくなり、熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態である磁気記録媒体を説明するための図であり、（ａ）は全体を示す平面図、（ｂ）は磁気記録パターンの拡大平面図、（ｃ）は（ｂ）に示すＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態である磁気記録媒体の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２実施形態である磁気記録媒体を説明するための図であり、（ａ）は全体を示す平面図、（ｂ）は磁気記録パターンの拡大平面図、（ｃ）は（ｂ）に示すＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態である磁気記録媒体の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】図５は、本発明の第３実施形態である磁気記録再生装置を示す斜視図である。
【図６】図６は、実施例の磁気記録パターン（磁性領域）とその境界領域の磁気ヒステリシス曲線である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を適用した磁気記録媒体及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の磁気記録媒体は、例えば、非磁性基板の表面に軟磁性層、中間層、磁気パターンが形成された磁性層、保護膜を積層した構造を有し、さらに最表面には潤滑膜が形成されている。なお、本発明の実施形態である磁気記録媒体では、非磁性基板、磁性層以外は適宜設ければ可能である。
【００１５】
＜第１実施形態＞
先ず、本発明を適用した第１の実施形態として、図１に示すような磁気記録媒体１０の構成について説明する。尚、図１は本実施形態の垂直磁気記録媒体１０の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の垂直磁気記録媒体１０の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１６】
本実施形態の垂直磁気記録媒体１０は、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層（裏打ち層）、下地層、中間層等からなる層１１と、磁気記録層となる磁性層２と、保護層と潤滑剤層とが形成され、概略構成されている。より具体的には、磁性層２は、記録領域となる磁性領域２ａと、この磁性領域２ａを磁気的に分離する境界領域８とが隣接して交互に配置されている。また、境界領域８は、図１（ｃ）に示すように、非磁性基板１側に設けられた磁性層２からなる下部領域２ｂと、この下部領域２ｂ上に設けられた非磁性領域８ａとの積層構造となっている。そして、隣接する磁性領域２ａは、下部領域２ｂを介して磁気的に連続するように構成されている。
【００１７】
非磁性基板１としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。中でもＡｌ合金基板や結晶化ガラス等のガラス製基板またはシリコン基板を用いることが好ましい。またこれら基板の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ましく、中でも０．１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
磁性層２は、面内磁性層でも垂直磁性層でもかまわないが、より高い記録密度を実現するためには垂直磁性層が好ましい。これら磁性層２は、主としてＣｏを主成分とする合金から形成するのが好ましい。面内磁気記録媒体用の磁性層としては、例えば、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ記録層とからなる積層構造が利用できる。
【００１９】
垂直磁気記録媒体用の磁性層２としては、例えば軟磁性のＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等からなる裏打ち層と、Ｐｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどの配向制御膜と、必要によりＲｕ等の中間膜、及び７０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金からなる記録層を積層したものを利用することがきる。
【００２０】
磁性層２の厚さは、記録領域である記録層の膜厚が３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上１８ｎｍ以下とする。磁性層２は使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。磁性層２の膜厚は再生の際に一定以上の出力を得るにはある程度以上の記録層膜厚が必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメータは出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な膜厚に設定する必要がある。
【００２１】
境界領域８は、非磁性領域であり、例えば磁気記録トラック及びサーボ信号パターン部を磁気的に分離する領域である。なお、境界領域８は、図１（ｂ）に示すように、磁性層２が表面側から見て分離されていればよいため、少なくとも磁性層２の表面側が非磁性化されていれば良く、磁性層２の底部側において非磁性化されていなくても良い。
【００２２】
非磁性領域８ａは、上述したように磁性層２の表面側に設けられている。また、非磁性領域８ａは、磁性層２を磁気的に改質したものであってもよく、非磁性材料を埋め込んで形成されていても良い。非磁性領域８ａの厚さは、２ｎｍ以上１５ｎｍ以下、好ましくは８ｎｍ以上１２ｎｍ以下とする。非磁性領域８ａの厚さが２ｎｍ未満であると、磁気記録パターンの磁気的分離が不十分となるため好ましくない。一方、非磁性領域８ａの厚さが１５ｎｍを超えると、磁性層２の最適な膜厚が定まっていることから、下部領域２ｂの厚さが薄くなり、磁気記録ビットの熱的安定性が低下するため好ましくない。これに対して上記範囲であると、十分な体積の磁気記録ビットが確保できるため熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体が提供できる。
【００２３】
下部領域２ｂの厚さは、５ｎｍ以上１８ｎｍ以下、好ましくは８以上１２以下とする。下部領域２ｂの厚さが５ｎｍ未満であると、十分な体積の磁気記録ビットが確保できないため好ましくない。一方、下部領域２ｂの厚さが１８ｎｍを超えると磁性層２の最適な膜厚が定まっていることから、非磁性層８ａの厚さが薄くなり、磁気記録パターンの磁気的分離が不十分となるため好ましくない。これに対して上記範囲であると、十分な体積の磁気記録ビットが確保できるため熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体が提供できる。
【００２４】
本実施形態の磁気記録媒体１０は、境界領域８を構成する下部領域２ｂの飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、磁性領域２ａの飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とが、下記式（３）及び下記式（４）の関係を有するように構成されている。
０．０５×ＭｓＵ  ＜  ＭｓＬ  ＜  ０．４×ＭｓＵ  ・・・（３）
０．０１×ＭｒＵ  ＜  ＭｒＬ  ＜  ０．２×ＭｒＵ  ・・・（４）
【００２５】
本実施形態の磁気記録媒体１０は、上記の構成を採用することにより、１データビット当たりの磁化体積を大きくすることが可能となり、高記録密度化のため隣接するトラックやビットとの距離が小さくなった場合においても、熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体１０Ａを提供することが可能となる。本実施形態においてＭｓＬが０．０５×ＭｓＵ以下となった場合は、各データビットと隣接するデータビットとの磁気的な結合が小さくなり、熱揺らぎ耐性が低下する。一方、ＭｓＬが０．４×ＭｓＵ以上となった場合は、データトラックやデータビットの磁気的な分離が不十分となり、クロストークが発生する。同様に、ＭｒＬが０．０５×ＭｒＵ以下となった場合は、各データビットと隣接するデータビットとの磁気的な結合が小さくなり、熱揺らぎ耐性が低下する。そして、ＭｒＬが０．２×ＭｒＵ以上となった場合は、データトラックやデータビットの磁気的な分離が不十分となり、クロストークが発生し、例えば、隣接トラックに逆向きの信号が記録されている場合は、両信号が打ち消しあって、信号強度が低下することになる。
【００２６】
なお、本実施形態の磁気記録パターンは、磁性領域２ａと境界領域８とから構成されており、磁気記録パターンが１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアや、磁気記録パターンが、トラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等を含んでいる。この中で本実施形態は、磁気的に分離した磁気記録パターンが、磁気記録トラック、記録ビット及びサーボ信号パターンである、いわゆる、ディスクリート型磁気記録媒体に適用するのが、その製造における簡便性から好ましい。
【００２７】
上述した磁気記録媒体１０の製造方法を、図２を用いながら製造工程に即して詳細に説明する。なお、図２では、磁気記録媒体１０を構成する非磁性基板１、磁性層２、保護層９以外の層は省略している。
【００２８】
本実施形態では、図２（ａ）〜図２（ｉ）に示すように、非磁性基板１に、少なくとも磁性層２を形成する工程Ａ（図２（ａ））、磁性層２の上にマスク層３を形成する工程Ｂ（図２（ｂ））、マスク層３の上にレジスト層４を形成する工程Ｃ（図２（ｃ））、レジスト層４に磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプ５を用いて転写する工程Ｄ（図２（ｄ）；図中における矢印はスタンプ５の動きを示す）、マスク層３を用いて磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程Ｅ（図２（ｅ））、レジスト層４側の表面から磁性層２の表層部を部分的にイオンミリングする工程Ｆ（図２（ｆ）；符号７は磁性層２で部分的にイオンミリングした箇所を示し、符号ｄは磁性層２でイオンミリングした深さを示す）、磁性層２のイオンミリングした箇所を反応性プラズマ又は反応性イオンに曝して磁性層２の磁気特性を改質する工程Ｇ（図２（ｇ）；符号８は磁性層２の磁気特性を改質した境界領域を示す）、レジスト層４及びマスク層３を除去する工程Ｈ（図２（ｈ））、磁性層２の表面を保護層９で覆う工程Ｉ（図２（ｉ））の各工程をこの順で有する方法により、磁気記録媒体１０を製造することができる。
【００２９】
（工程Ａ）
本実施形態では、まず、非磁性基板１上に、必要に応じて、図示略の軟磁性層、中間層を、従来公知の材料及び方法を用いて形成する。
次いで、図２（ａ）の工程Ａに示すように、非磁性基板１の上、あるいは、軟磁性層又は中間層の上に、上述したような材質からなる磁性層２を形成する。磁性層２は、通常、スパッタ法を用いて薄膜として形成する。
【００３０】
（工程Ｂ）
次に、図２（ｂ）に示す工程Ｂにおいて、磁性層２の上にマスク層３を形成する。マスク層３としては、Ｃ、Ｔａ、Ｗ、Ｔａ窒化物、Ｗ窒化物、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｎｉからなる群から選ばれる何れか一種以上を含む材料で形成するのが好ましい。このような材料を用いることにより、マスク層３のミリングイオン６に対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層３による磁気記録パターン形成特性を向上させることができる。さらに、これらの物質は、反応性ガスを用いたドライエッチング処理が容易であるため、図２（ｈ）の工程Ｈにおいて残留物を減らし、磁気記録媒体１０の表面の汚れを低減することができる。
【００３１】
また、本実施形態では、これらの物質の中でも、マスク層３として、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｇａを用いるのが好ましく、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂを用いるのがより好ましく、Ｃ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを用いるのが最も好ましい。
【００３２】
（工程Ｃ〜工程Ｄ〜工程Ｅ）
次に、図２（ｃ）に示す工程Ｃにおいて、上記材料からなるレジスト層４を形成する。
次いで、図２（ｄ）に示す工程Ｄにおいて、レジスト層４に対してスタンプ５を押圧することにより、磁気記録パターンのネガパターンを転写する。
次いで、図２（ｅ）に示す工程Ｅにおいて、マスク層３の内の磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する。
【００３３】
本実施形態の製造方法では、図２（ｄ）の工程Ｄで示すような、レジスト層４に磁気記録パターンのネガパターンを転写した後の、レジスト層４の凹部の厚さを、０〜１０ｎｍの範囲内とするのが好ましい。レジスト層４の凹部の厚さをこの範囲とすることにより、図２（ｅ）の工程Ｅで示すマスク層３のエッチング工程において、マスク層３のエッジの部分のダレを防止することが可能となる。また、マスク層３のミリングイオン６に対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層３による磁気記録パターン形成特性を向上させることができる。
【００３４】
本実施形態の製造方法では、図２（ｃ）の工程Ｃ、及び、図２（ｄ）の工程Ｄにおいてレジスト層４に用いる材料を、放射線照射により硬化性を有する材料とし、レジスト層４にスタンプ５を用いてパターンを転写する際か、あるいはパターン転写工程の後に、レジスト層４に放射線を照射するのが好ましい。このような方法とすることにより、レジスト層４に、スタンプ５の形状を精度良く転写することができる。これにより、図２（ｅ）の工程Ｅで示したマスク層３のエッチング工程において、マスク層３のエッジの部分のダレを防止し、マスク層３の注入イオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層３による磁気記録パターンの形成特性を向上させることが可能となる。なお、本実施形態で説明する放射線とは、例えば、熱線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波である。また、放射線照射により硬化性を有する材料とは、例えば、熱線に対しては熱硬化樹脂、紫外線に対しては紫外線硬化樹脂である。
【００３５】
本実施形態の製造方法では、特に、レジスト層４にスタンプ５を用いてパターンを転写する工程に際して、レジスト層４の流動性が高い状態で、該レジスト層４にスタンプ５を押圧し、押圧した状態でレジスト層４に放射線を照射することが好ましい。これにより、レジスト層４を硬化させ、その後、スタンプ５をレジスト層４から離すことにより、スタンプ５の形状を精度良くレジスト層４に転写することが可能となる。レジスト層４にスタンプ５を押圧した状態で、レジスト層４に放射線を照射する方法としては、スタンプ５の反対側、すなわち非磁性基板１側から放射線を照射する方法、スタンプ５の材料として放射線を透過できる物質を選択し、スタンプ５側から放射線を照射する方法、スタンプ５の側面から放射線を照射する方法、熱線のように固体に対して伝導性の高い放射線を用いて、スタンプ５の材料又は非磁性基板１からの熱伝導によって放射線を照射する方法等を用いることができる。本実施形態の製造方法では、上記各方法の中でも、特に、レジスト材としてノボラック系樹脂、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類等の紫外線硬化樹脂を用い、スタンプ５の材料として、紫外線に対して透過性の高いガラスもしくは樹脂を用いることが好ましい。
【００３６】
上述のような方法を用いてレジスト層４にパターンを転写することにより、磁気トラック間領域の保磁力、残留磁化を極限まで低減させることができ、磁気記録の際の書きにじみをなくし、高い面記録密度を有する磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００３７】
なお、上記プロセスで用いられるスタンパー（スタンプ５）としては、例えば、金属プレートに電子線描画などの方法を用いて微細なトラックパターンを形成したもの等が使用でき、その材料としては、上記プロセスに耐えうる硬度、耐久性等が要求される。このような材料としては、例えばＮｉ等が使用できるが、上述の目的に合致するものであれば、材料の種類は何ら制限されない。また、このようなスタンパーは、通常のデータを記録するトラックの他に、バーストパターン、グレイコードパターン、プリアンブルパターンといったサーボ信号のパターンも形成することができる。
【００３８】
（工程Ｆ）
次に、図２（ｆ）に示す工程Ｆにおいて、イオンミリング等によって磁性層２の表層の一部を除去する。
本実施形態では、磁性層２の表層の一部を除去し、その後、表面を反応性プラズマや反応性イオンにさらして磁性層２の磁気特性を改質させる方法とすることが、磁性層２の一部を除去しない場合に比べ、磁気記録パターンのコントラストがより鮮明になり、また、磁気記録媒体１０のＳ／Ｎが向上する。この理由としては、磁性層２の表層部を除去することにより、その表面の清浄化並びに活性化が図られ、反応性プラズマや反応性イオンとの反応性が高まることが考えられる。また、磁性層２の表層部に空孔等の欠陥が導入され、その欠陥を通じて磁性層２に反応性イオンが侵入しやすくなること等も、上記理由として考えられる。
【００３９】
本実施形態の製造方法では、イオンミリング等によって磁性層２の表層の一部を除去する際の深さｄは、好ましくは０．１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内、より好ましくは１〜１０ｎｍの範囲内とする。イオンミリングによる除去深さが０．１ｎｍより小さな場合は、上述の磁性層の除去効果が現れず、また、除去深さが１５ｎｍより大きくなると、磁気記録媒体の表面平滑性が悪化し、磁気記録再生装置を構成した際の磁気ヘッドの浮上特性が低下する虞がある。
本実施形態では、例えば、磁気記録パターン及びサーボ信号パターンを磁気的に分離する領域を、既に成膜された磁性層２を反応性プラズマや反応性イオンにさらし、磁性層２の磁気特性を改質する方法によって形成することができる。
【００４０】
（工程Ｇ）
次に、本実施形態の製造方法では、図２（ｇ）に示す工程Ｇにおいて、磁性層２のイオンミリングした箇所を、反応性プラズマ又は反応性イオンに曝して磁性層２の磁気特性を改質することにより、磁性層２を磁気的に分離する。
【００４１】
ここで、本実施形態において説明する、磁気的に分離した磁気記録パターンとは、図２（ｇ）の工程Ｇに示すように、磁気記録媒体１０を表面側から見た場合に、磁性層２が非磁性化した非磁性領域８ａにより分離された状態を指す（図１（ｂ）も参照）。即ち、磁性層２が表面側から見て分離されていれば、境界領域８の底部において分離されていなくとも、本発明の目的を達成することが可能であり、こらは、本発明で説明する、所謂、記録領域である磁性層２ａを磁気的に分離する境界領域８の概念に含まれる。
【００４２】
また、本実施形態で説明する、非磁性領域８ａを形成するための磁性層２の改質とは、磁性層２をパターン化するために、磁性層２の保磁力、残留磁化等を部分的に変化させることを指し、その変化とは、保磁力を下げ、残留磁化を下げることを指す。本実施形態では特に、上述のような磁気特性の改質として、磁性層２を反応性プラズマや反応性イオンに曝すこと、またはイオン注入により行うことができる。
【００４３】
本実施形態で用いる反応性プラズマとしては、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）や反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｐｌａｓｍａ）等が例示できる。
また、ここで説明する反応性イオンとしては、上述の誘導結合プラズマや、反応性イオンプラズマ内に存在する反応性のイオンが例示できる。
【００４４】
また、本実施形態で説明する誘導結合プラズマとは、気体が高電圧の印加によってプラズマ化し、さらに、高周波数の変動磁場によってそのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマである。このような誘導結合プラズマは、電子密度が高く、従来のイオンビームを用いてディスクリートトラックメディアを製造する場合に比べ、面積の広い磁性膜において、高効率で磁気特性の改質を行なうことができる。また、反応性イオンプラズマとは、プラズマ中にＯ２、ＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＣＣｌ４等の反応性ガスを加えた反応性の高いプラズマである。このようなプラズマを本実施形態で用いる反応性プラズマとして採用することにより、磁性膜２の磁性合金をハロゲン化、酸化させ磁気特性の改質または非磁性化を、より高い効率で実現することが可能となる。
【００４５】
本実施形態の製造方法では、成膜された磁性層２を反応性プラズマに曝すことにより、磁性層２を改質する方法を例示しているが、このような改質処理は、磁性層２を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の原子又はイオンとの反応によって実現するのが好ましい。
なお、ここで説明する反応とは、磁性金属に反応性プラズマ中の原子等が侵入し、磁性金属の結晶構造が変化することや、磁性金属の組成が変化すること、磁性金属が酸化すること、磁性金属が窒化すること、磁性金属が珪化すること等が例示できる。
【００４６】
本実施形態においては、特に、反応性プラズマとして酸素原子又は窒素原子を含有させ、磁性層２を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の酸素原子又は窒素原子とを反応させることにより、磁性層２を酸化させることが好ましい。例えば、磁性層２を部分的に酸化させることにより、この酸化部分の残留磁化及び保磁力等を効率よく低減させることが可能となるので、短時間の反応性プラズマ処理により、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体１０を製造することが可能となる。
また本実施形態の製造方法では、成膜された磁性層２にイオン注入を行うことで、磁性層２の一部を非晶質化し非磁性化することができる。注入イオンとしては、アルゴン、ネオン、ヘリウムの不活性ガス、窒素ガス、酸素ガス、水素ガス等の他、これらの混合ガスを用いることができる。
【００４７】
（工程Ｈ）
次に、本実施形態においては、図２（ｈ）の工程Ｈに示すように、レジスト層４及びマスク層３を除去する。
ここで、反応性プラズマ処理を行った後のレジスト層４及びマスク層３の具体的な除去方法としては、例えば、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリング、湿式エッチング等の手法を適宜採用することができる。
また本願実施形態では、磁気記録パターン２と、非磁性領域８ａからなる境界領域８との間に生じた段差をなくすため、境界領域８の凹部にさらに非磁性材料等を埋め込んで平滑化しても良い。
【００４８】
（工程Ｉ）
次に、図２（ｉ）の工程Ｉに示すように、本実施形態の製造方法においては、保護層９を形成し、さらに、その上に潤滑材を塗布することにより、磁気記録媒体１０を製造する工程を採用するのが好ましい。
【００４９】
保護層９の形成方法としては、一般的には、Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎの薄膜を、Ｐ−ＣＶＤ法等を用いて成膜する方法が用いられるが、特に限定されるものではない。また、保護層９の材料としては、炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨｘＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層や、ＳｉＯ２、Ｚｒ２Ｏ３、ＴｉＮ等、通常用いられる保護膜材料を用いることができる。また、保護層９を、単層として形成しても、あるいは２層構造として形成しても良い。なお、保護膜９の膜厚は１０ｎｍ未満とする必要がある。保護膜の膜厚が１０ｎｍを越えるとヘッドと磁性層との距離が大きくなり、十分な出入力信号の強さが得られなくなるためである。
【００５０】
また、上述したように、保護層９の上には、例えば、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等からなる図示略の潤滑層を、通常１〜４ｎｍの厚さで形成することがより好ましい。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態の磁気記録媒体１０によれば、磁気記録パターンを記録領域となる磁性領域２ａと、この磁性領域２ａを磁気的に分離する境界領域８とから構成し、隣接する磁性領域２ａの間に配置する境界領域８を構成する下部領域２ｂの飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、磁性領域２ａの飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とを、上記式（３）及び上記式（４）の関係としているため、１データビット当たりの磁化体積が大きくなり、熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００５２】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明を適用した第２の実施形態として、図３に示すような磁気記録媒体２０の構成について説明する。図３（１）〜図３（３）に示すように、本実施形態の磁気記録媒体２０は、磁性層２２の構成が、前述の第１の実施形態の磁性層２の構成と異なるものであり、その他の構成については第１の実施形態と同一である。したがって、本実施形態の磁気記録媒体については、第１の実施形態と同一の構成部分については同じ符号を付すると共に説明を省略する。なお、図３（１）〜図３（３）では、磁気記録媒体３０を構成する非磁性基板１、層１１、磁性層２２以外の層は省略している。
【００５３】
本実施形態の磁気記録媒体２０は、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、非磁性基板１の少なくとも一方の表面に、磁性層２２が積層されて概略構成されている。磁性層２２には、記録領域となる磁性領域２２ａと、この磁性領域２２ａを分離する境界領域２８とが隣接して交互に配置されている。ここで、本実施形態の境界領域２８は、隣接する磁性領域２２ａ同士を磁性層２２の底部まで完全に分離するように構成されている。そして、磁性領域２２ａと境界領域２８とによって、磁気記録パターンが形成されている。また、磁気記録パターンは、図３（ｃ）に示すように、磁気記録媒体２０の磁気記録表面において、磁性領域２２ａが凸部を形成し、境界領域２８が凹部を形成している。
【００５４】
本実施形態のように、磁気記録媒体表面の磁性領域２２ａが凸部を形成し、この磁性領域２２ａに隣接する境界領域２８が凹部を形成する場合においても、その凹凸が小さい場合は、その表面上に磁気ヘッドを浮上走行させることができる。この場合、磁性領域２２ａは磁気ヘッドとの距離が小さいため、磁気ヘッドによる読み込みおよび書き込みが可能となり、一方、磁気記録パターンの境界領域２８は、磁気ヘッドとの距離が大きいため、磁気ヘッドによる読み込みおよび書き込みが困難となる。
【００５５】
本実施形態の磁気記録媒体２０では、磁性領域２２ａと境界領域２８とが形成する凹凸の段差ｄが、１〜１０ｎｍの範囲であることが好ましく、３〜５μｍの範囲であることがより好ましい。段差ｄが１ｎｍ未満の場合は、境界領域２８への磁気ヘッドによる読み込みおよび書き込みが可能となり、磁気記録パターンの磁気的な分離ができなくなるため好ましくなく、また、段差ｄが１０ｎｍより大きくなると、磁気記録媒体２０の表面平滑性が悪化し、磁気記録再生装置を製造した際の磁気ヘッドの浮上特性が悪くなるため好ましくない。
【００５６】
本実施形態の境界領域２８は、磁性層２２の磁気特性を改質したものである。具体的に、境界領域２８の磁気と特性の改質は、境界領域２８の飽和磁化が未処理の磁性層２２の飽和磁化の５％超４０％未満、より好ましくは１０％以上３０％以下とすることが好ましい。また、同様に、境界領域２８の残留磁化が未処理の磁性層２２の残留磁化の１％超２０％以下、より好ましくは５％以上１５％以下とすることが好ましい。
【００５７】
すなわち、境界領域２８の飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、磁性領域２２ａの飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とが、下記式（５）及び下記式（６）の関係を有する。
０．０５×ＭｓＵ  ＜  ＭｓＬ  ＜  ０．４×ＭｓＵ  ・・・（５）
０．０１×ＭｒＵ  ＜  ＭｒＬ  ＜  ０．２×ＭｒＵ  ・・・（６）
【００５８】
次に、第２の実施形態である磁気記録媒体２０の製造方法について説明する。なお、本実施形態の磁気記録媒体２０の製造方法については、第１の実施形態の磁気記録媒体の製造方法とは、境界領域２８の形成方法が異なるものであり、その他の工程については、第１実施形態の製造方法と同一であるため、説明を省略する。
【００５９】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、レジスト層４側の表面から磁性層２の表層部を部分的にイオンミリングする工程Ｆ（図２（ｆ）参照）を行った後、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、磁性層２２のイオンミリングした箇所を反応性プラズマ又は反応性イオンに曝して磁性層２２の磁気特性を改質する工程Ｇ’（図４（ａ）；符号２８は磁性層２２の磁気特性を改質した境界領域を示す）、レジスト層４及びマスク層３を除去する工程Ｈ’（図４（ｂ））、磁性層２２の表面を保護層９で覆う工程Ｉ’（図４（ｃ））の各工程をこの順で有する方法により、磁気記録媒体２０を製造することができる。
【００６０】
（工程Ｆ）
本実施形態においても第１実施形態と同様に、工程Ｆにおいて、イオンミリング等により磁性層２２の表層の一部を除去して、凹凸を形成する。このように磁性層２２に凹凸を設けることにより、磁気記録パターンの凹部にあたる境界領域２８と磁気ヘッドとの距離を広げ、磁気ヘッドによる境界領域２８への情報の読み書きができないようにすることができる。
【００６１】
（工程Ｇ’）
次に、本実施形態の製造方法では、図４（ａ）に示す工程Ｇ’において、磁性層２２のイオンミリングした箇所を、反応性プラズマ又は反応性イオンに曝して磁性層２２の磁気特性を改質する。これにより、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すような磁性領域２２ａと境界領域２８とが形成される。また、磁性層２２にイオン注入を行って注入箇所の磁気特性を改質し、境界領域２８を形成することができる。
【００６２】
ここで、本実施形態の磁気記録パターンは、磁性層２２が非磁性領域によって磁気的に分離されている場合のみを含むものではなく、前述のように、磁気ヘッドによる読み込みおよび書き込みが可能な状態で備えられている場合も含まれる。すなわち、本実施形態では、磁気記録媒体２０の記録面を平面視した場合（図３（ｂ）参照）において、磁気記録パターン部が非磁性領域からなる境界領域によって磁気的に分離されていなくとも、境界領域２８が磁気ヘッドから離れ、磁気記録パターン部が磁気ヘッドに近く設けられ、磁気記録パターンが磁気ヘッドによる読み込みおよび書き込みが可能な状態で備えられていれば良い。
【００６３】
したがって、本実施形態では、磁性層２２のイオンミリングした箇所、すなわち、境界領域２８となる箇所の磁性層２２の磁気特性を改質し、該箇所の飽和磁化（ＭｓＬ）および残留磁化（ＭｒＬ）を、磁性領域２２ａとなる箇所の磁性層２２の飽和磁化（ＭｓＵ）および残留磁化（ＭｒＵ）と、上記式（５）および上記式（６）の関係となるように調整する。
【００６４】
（工程Ｈ’〜工程Ｉ’）
次に、本実施形態においては、図４（ｂ）の工程Ｈ’に示すように、レジスト層４及びマスク層３を除去する。
次に、図４（ｃ）の工程Ｉ’に示すように、本実施形態の製造方法においては、保護層９を形成し、さらに、その上に潤滑材を塗布することにより、磁気記録媒体２０を製造する工程を採用するのが好ましい。
【００６５】
以上説明したように、本実施形態の磁気記録媒体２０によれば、磁気記録パターンを記録領域となる磁性領域２２ａと、磁性層２２の磁気特性が改質された境界領域２８とから構成し、隣接する磁性領域２２ａの間に配置する境界領域２８の飽和磁化（ＭｓＬ）及び残留磁化（ＭｒＬ）と、磁性領域２ａの飽和磁化（ＭｓＵ）及び残留磁化（ＭｒＵ）とを、上記式（５）及び上記式（６）の関係としているため、１データビット当たりの磁化体積が大きくなり、熱揺らぎ耐性の高い磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００６６】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明を適用した磁気記録再生装置として、図１および図３に示す磁気記録媒体１０，２０を備えた磁気記録再生装置を例に挙げて説明する。図５は、本発明を適用した磁気記録再生装置の一例を示した概略構成図である。図５に示す磁気記録再生装置３０は、図１および図３に示す磁気記録媒体１０（２０）と、磁気記録媒体１０を円周方向に回転（記録トラック方向に駆動）させる媒体駆動部３１と、読み出しヘッドと書き込みヘッドとからなる磁気ヘッド３２と、磁気ヘッド３２を磁気記録媒体１０に対して相対移動させるヘッド運動手段３３と、磁気ヘッド３２への信号入力と磁気ヘッド３２からの出力信号の再生を行う記録再生信号処理手段３４とを具備している。
【００６７】
記録再生信号処理手段３４は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を生成し、この記録信号を磁気ヘッド３２に入力するとともに、磁気ヘッド３２からの再生信号を処理してデ−タを生成し、このデータを外部に出力するものである。
また、磁気ヘッド３２には、読み込みヘッド用の再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＡＭＲ素子の他、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子、トンネル効果を利用したＴｕＭＲ素子などを有する高記録密度に適した磁気ヘッドを用いることができる。
【００６８】
本実施形態の磁気記録再生装置３０は、優れた書き込み特性を有する磁気記録媒体１０（２０）を備えているため、磁気ヘッド３２として高記録密度に対応した書き込み磁界の小さいものを用いた場合であっても、磁気記録パターンに確実に書き込みを行うことができ、高記録密度特性に優れたものとなる。
また、本実施形態の磁気記録再生装置３０では、磁気記録媒体１０（２０）が、読み出し時における隣接する磁気記録パターンからの影響が小さいため、書き込みヘッドと同じ幅の読み出しヘッドを備えた磁気ヘッド３２を用いて、十分な再生出力と高いＳＮＲを得ることができる。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例を示し、本発明の効果を具体的に説明する。
【００７０】
（実施例１）
本発明の実施例である磁気記録媒体を以下に示す製造方法により得た。
まず、非磁性基板として、Ｌｉ２Ｓｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスよりなり、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）２Å（０．２ｎｍ）のハードディスク用ガラス基板を用意した。
【００７１】
次いで、このような非磁性基板を成膜装置の真空チャンバ内に設置し、真空チャンバ内を１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気し、ＤＣスパッタリング法を用いて、非磁性基板上に軟磁性層としてＦｅＣｏＢ膜、中間層としてＲｕ膜、磁性層として２５Ｆｅ−３０Ｃｏ−４５Ｐｔ膜を順次成膜した。成膜されたそれぞれの層の膜厚は、軟磁性層が６０ｎｍ、中間層が１０ｎｍ、磁性層が２０ｎｍであった。
【００７２】
次に、磁性層の表面全面に紫外線硬化性樹脂からなるレジストを６０ｎｍの厚さで塗布してレジスト膜を形成した。その後、レジスト膜の表面に、あらかじめ用意したＮｉ製のスタンパーを密着させてプレスした。これにより、レジスト膜の表面にスタンパーの凹凸パターンをインプリントした。スタンパーは、深さ３０ｎｍ、幅７０ｎｍの溝が１００ｎｍのトラックピッチおよびビットピッチで刻設されたものである。その後、レジスト膜に紫外線を照射することによって、レジスト膜を硬化させてレジスト層とし、レジスト層の凹部の箇所をドライエッチングで除去して磁性層の表面を露出させレジストパターンとした。レジスト層のドライエッチング条件は、Ｏ２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ，高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１５秒とした。
【００７３】
次に、レジストパターンから露出された磁性層上の領域に対して磁性層の表層部のイオンエッチングと、それと同時にその下の箇所の磁気特性の改質を行った。この工程は、プロセスガスとして窒素と水素との混合ガス（混合比は１：１で各ガスの流量は４０ｓｃｃｍ）を使用し、イオンビームエッチングと同時にイオン注入により行った。本工程の処理は、加速電圧１０００Ｖ、電流密度０．４ｍＡ／ｃｍ２、エッチング速度０．０８ｎｍ／秒の条件で行い、エッチング深さは１０ｎｍとし、その下のイオン注入された１０ｎｍの磁性層については磁気特性を改質した。図６に、磁気記録領域（磁性領域）とその境界領域の磁気ヒステリシス曲線を示す。曲線Ｕは磁気記録パターン部、曲線Ｌはその境界領域の磁気ヒステリシス曲線である。境界領域の飽和磁化（ＭｓＬ）および残留磁化（ＭｒＬ）と、磁気記録パターン部の飽和磁化（ＭｓＵ）および残留磁化（ＭｒＵ）とは、０．３３×ＭｓＵ＝ＭｓＬ、０．０５×ＭｒＵ＝ＭｒＬの関係があった。
【００７４】
その後、磁性層の表面からレジストパターンをドライエッチングにより除去した。次に、磁性層上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、平均膜厚４０Åのカーボンからなる保護層を成膜し、さらに、保護層上に、フッ素系潤滑剤を塗布することによって潤滑膜を形成した。以上の工程により、第２実施形態の磁気記録媒体２０の構成を有する、実施例の磁気記録媒体を製造した。
【００７５】
このようにして得られた実施例の磁気記録媒体について、電磁変換特性（ＳＮＲおよび３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ）を測定した。電磁変換特性の評価は、スピンスタンドを用いて実施した。なお、評価用のヘッドには、記録用として垂直記録ヘッド、読み込み用としてＴｕＭＲヘッド（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ｈｅａｄ，  ＴＤＫ株式会社製）を用い、７５０ｋＦＣＩの信号を記録したときのＳＮＲ値および３Ｔ−ｓｑｕａｓｈを測定した。
その結果、ＳＮＲが１３．７ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が９６％であり、記録再生特性が優れていることがわかった。ここで、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（３トラックスカッシュ）とは、センタートラックに信号を記録した後、センターの両隣に信号を記録し、両隣に信号を記録する前と後におけるセンタートラックの信号強度の割合（％）である。
【００７６】
（実施例２）
実施例１と同様に磁気記録媒体を製造したが、実施例２では、イオン注入された磁性層については、０．３９×ＭｓＵ＝ＭｓＬ、０．１９×ＭｒＵ＝ＭｒＬとした。その結果、ＳＮＲが１３．３ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が９０％であった。
【００７７】
（実施例３）
実施例１と同様に磁気記録媒体を製造したが、実施例３では、イオン注入された磁性層については、０．０６×ＭｓＵ＝ＭｓＬ、０．０２×ＭｒＵ＝ＭｒＬとした。その結果、ＳＮＲが１３．４ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が９７％であった。
【００７８】
（比較例１）
実施例１と同様に磁気記録媒体を製造したが、比較例１では、レジストパターンから露出された磁性層上の領域に対する磁性層の表層部のイオンエッチングと磁気特性の改質に際し、エッチング深さは実施例と同様に１０ｎｍとしたが、その下の磁性層については完全に非磁性化した。すなわち、ＭｓＬ＝ＭｒＬ＝０とした。その結果、ＳＮＲが１３．１ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が９７％であった。
【００７９】
（比較例２）
実施例１と同様に磁気記録媒体を製造したが、比較例２では、レジストパターンから露出された磁性層上の領域に対する磁性層の表層部のイオンエッチングと磁気特性の改質に際し、エッチング深さは実施例と同様に１０ｎｍとしたが、その下のイオン注入された磁性層については、０．４５×ＭｓＵ＝ＭｓＬ、０．２４×ＭｒＵ＝ＭｒＬとした。その結果、ＳＮＲが１２．８ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が８３％であった。
【符号の説明】
【００８０】
１…非磁性基板
２，２２…磁性層
２ａ，２２ａ…磁性領域
２ｂ…下部領域
８，２８…境界領域
８ａ…非磁性領域
１０，２０…磁気記録媒体
３０…磁気記録再生装置
３１…媒体駆動部
３２…磁気ヘッド
３３…ヘッド運動手段
３４…記録再生信号処理手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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