(57)【要約】  【課題】  広視野角、高速応答かつ高輝度等の高画質を実現する横電界方式の液晶表示装置を提供する。  【解決手段】  液晶表示装置は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備える。 前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の線幅は、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙よりも大きく、かつ、前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の膜厚は、前記走査信号線及び映像信号線の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きい。【選択図】  図１
2010079313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、
前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の線幅は、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、
前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の膜厚は、前記走査信号線及び映像信号線の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、
前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の線幅は、前記共通電
極と前記画素電極との間の間隙よりも大きく、かつ、前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の膜厚は、前記走査信号線及び映像信号線の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方は、透明導電層から構成されたことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方は、少なくとも２種類の導電層から構成されたことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方は、少なくとも２種類の異なる光学特性を有する透明導電体から構成されたことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方は、絶縁層とその表面に形成された導電層とから構成されたことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方は、透明絶縁層とその表面に形成された透明導電層とから構成されたことを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記共通電極と前記画素電極との間の電極間隙は、少なくとも前記アレイ基板と前記対向基板との間の間隙よりも小さくしたことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、
前記共通電極と前記画素電極の一部または全部が非晶質の透明導電膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
前記共通電極と前記画素電極の一部または全部が非晶質の透明導電膜からなることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記透明導電膜の膜厚は１５００Å以上であることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記アレイ基板及び前記対向基板の少なくとも何れか一方が、樹脂製であることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
共通電極と画素電極の少なくとも一部が非晶質の透明導電膜からなる
液晶表示装置を製造する方法であって、
前記透明導電膜は１００℃以下で成膜することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
透明導電膜をＨ2ＯまたはＨ2を添加して無加熱成膜することを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、
前記共通電極と前記画素電極の少なくとも一方は、絶縁層を介して異なる層に形成された配線部と電極部とからなり、前記電極部が透明導電層で構成されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
前記共通電極の配線部が前記走査信号線と同一プロセスで形成されたことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記画素電極の配線部が前記映像信号線と同一プロセスで形成されたことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の各々の線幅と、前記共通電極と前記画素電極とを構成する電極部間の間隙は、その一方もしくは両方が、前記アレイ基板と前記対向基板との間の間隙と略同じか、もしくは小さいことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
透明導電層で形成された前記電極部の線幅は、電極部を非透過形導電層で形成する場合と比較して、電極部の線幅が異なることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
透明導電層で形成された前記電極部の線幅は、電極部を非透過形導電層で形成する場合と比較して、電極部の線幅が大きいことを特徴とする請求項２０記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、
前記共通電極の一部と前記映像信号線は、基板面に直交する方向から見た場合に、各々の形成パターンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層を介して積層された積層形共通電極と積層形映像信号線であり、前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の各々の線幅と、前記共通電極と前記画素電極とを構成する電極部間の間隙は、その一方もしくは両方が、前記アレイ基板と前記対向基板との間の間隙と略同じか、もしくは小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２３】
前記積層形電極の少なくとも一方は、配線部と電極部とからなり、前記電極部が透明導電層で構成されたことを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記積層形電極は配線部と電極部とからなり、前記配線部が前記走査信号線あるいは前記映像信号線と同一プロセスで形成されたことを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記積層形共通電極のうち、前記積層形映像信号線の直上の電極部を含む層は、非透過形導電層で形成したことを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記積層形共通電極のうち、前記積層形映像信号線の直上の電極部を含む層は、それ以外の共通電極を形成した層と異なる層に形成したことを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記積層形共通電極または前記積層形画素電極の少なくとも一方が、前記絶縁層のアレイ基板側に形成されたことを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟
持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、前記共通電極の一部と上記映像信号線は、基板面に直交する方向から見た場合に、各々の形成パターンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層を介して積層された積層形共通電極と積層形映像信号線であり、前記積層形共通電極のうち、前記積層形映像信号線の直上の電極部の線幅は、他の共通電極の電極部の線幅と異なることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２９】
前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の各々の線幅は、透明導電層で形成した電極部上の液晶分子が前記共通電極と前記画素電極との間で発生する電界によって変調が可能な線幅であることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の各々の線幅は、前記アレイ基板と前記対向基板との間の間隙の２倍以下であることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項３１】
前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の各々の線幅は、３μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項３２】
前記液晶層の液晶材料は誘電率異方性Δεが＋８以上であることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項３３】
前記液晶層の液晶材料はベンドの弾性定数Ｋ33が１８（ｐＮ）以下であることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項３４】
前記液晶層の位相差Δｎ・ｄ（リタデーション）が２００〜６００ｎｍであることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項３５】
前記液晶層はシアノ系化合物を含有する液晶材料であることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項３６】
前記液晶層はシアノ系化合物の含有率が３５％以下の液晶材料であることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項３７】
前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部は、画素内に少なくとも一つの屈曲部を有する屈曲形であることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項３８】
前記映像信号線は、前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の屈曲形状と略同じ屈曲角を有する屈曲形であることを特徴とする請求項３５記載の液晶表示装置。
【請求項３９】
前記半導体スイッチング素子はチャネルエッチ形薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項４０】
前記半導体スイッチング素子の一部はポリシリコンで形成されたことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項４１】
アクティブマトリックス基板に非透過形導電体を形成し共通電極の一部または全部と走査信号線からなる第１電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、
前記第１電極群が形成されたアクティブマトリックス基板上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の所定部分上に半導体層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び半導体層の上に非透過形導電体を形成し映像信号線と画素電極の一部または全部からなる第２電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、前記第２電極群までが形成されたアクティブマトリックス基板上に第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層の上に透明導電体を形成し共通電極の一部及び／または画素電極の一部からなる第３電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４２】
アクティブマトリックス基板に非透過形導電体を形成し共通電極の一部または全部と走査信号線からなる第１電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、
前記第１電極群が形成されたアクティブマトリックス基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の所定部分上に半導体層を形成する工程と、
前記第１絶縁層及び半導体層の上に非透過形導電体を形成し映像信号線と画素電極の一部または全部からなる第２電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、
前記第２電極群までが形成されたアクティブマトリックス基板上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜の上に透明導電体を形成し共通電極及び画素電極のいずれか一方の一部からなる第３電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、
前記第３電極群までが形成されたアクティブマトリクス基板上に第３絶縁層を形成する工程と、
前記第３絶縁層の上に透明導電体を形成し共通電極及び画素電極のうち残りの一方の一部からなる第４電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４３】
前記第３電極群を所定のパターンに形成する工程の後に、第３絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記第４電極群を所定のパターンに形成する工程の後に、第４絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４５】
前記第３絶縁層あるいは第４絶縁層は、ＳｉＮｘ系材料で構成されたことを特徴とする請求項４３記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４６】
前記第３絶縁層あるいは第４絶縁層は、感光性樹脂材料で構成されたことを特徴とする請求項４３記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４７】
前記第３絶縁層あるいは第４絶縁層は、ＳｉＯ2系材料で構
成されたことを特徴とする請求項４３記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４８】
前記ＳｉＯ2系材料にＳｂ2Ｏ5系微粒子が添加されているこ
とを特徴とする請求項４７記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に広視野角かつ高速応答が得られる液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
（第１の従来技術）
図２３(a)(b)は従来の液晶パネル内での液晶の動作を示す側断面図であり、図２３(c)(d)はその正面図を表す。図２３ではアクティブ素子を省略してある。また、ストライプ状の電極を構成して複数の画素を形成するが、ここでは一画素の部分を示している。
【０００３】
電圧無印加時のセル側断面を図２３(a)に、その時の正面図を図２３(c)に示す。透明な一対の基板の内側に線状の電極１０３、１０４が形成され、その上に配向制御膜１０６が塗布及び配向処理されている。間には液晶組成物が挟持されている。棒状の液晶分子１０５は、電圧無印加時にはストライプ状のＹ電極の長手方向に対して若干の角度、即ち４５度≦｜φLC｜＜９０度、（φLC：界面近傍での液晶分子長軸（光学軸）方向のなす角）を持つように配向されている。上下界面上での液晶分子配向方向はここでは平行としている。また、液晶組成物の誘電異方性は正を想定している。
【０００４】
次に、電界１０９を印加すると図２３(b)(d)に示したように電界方向に液晶がその向きを変える。偏光板１０２を所定角度１０８に配置することで電圧印加によって光透過率を変えることが可能となる。このようにして透明電極がなくともコントラストを与える表示が可能である。
【０００５】
しかしながら、このような横電界方式の液晶表示装置では、ネマティック液晶の電場に対する応答が遅いのに加え、図２３に示すようなストライプ状など独特の電極構造であり、電界が液晶に印加されにくいため、応答速度が遅いという問題があった。
【０００６】
横電界方式における液晶の立ち上がりτrise及び立ち下がり時間τfallは、特開平７−２２５３８８号公報に示されるような次式で表される。
【０００７】
τrise=γ1／(ε0ΔεＥ2−π2Ｋ2／ｄ2)        …  (1)
τfall=γ1ｄ2／π2Ｋ2＝γ1／ε0ΔεＥc2      …  (2)
ここで、γ1は粘性係数、Ｋ2はツイストの弾性定数、ｄはセルギャップ、Δεは誘電異方性、ε0は真空の誘電率、Ｅは電界強度、Ｅcはしきい値電界を示す。
【０００８】
上記第１式及び第２式より、横電界方式における液晶表示装置を高速応答にするには、セルギャップｄを小さくしたり、粘性係数γ1が小さく高誘電率の液晶材料（例えばシアノ系液晶など）を使用したり、あるいは電界強度Ｅを大きくするために駆動電圧を大きくする手段がとられている。
【０００９】
（第２の従来技術）
図２４は、特開平９−２３６８２０号公報に開示された横電界印加方式の液晶表示装置の断面図である。なおここに、横電界印加方式とは、透明基板の一方の内面に画素電極と対向電極の双方を同一面上に形成し、これら同一面上に形成した画素電極と対向電極間に電位を与え、透明基板の板面と平行する方向の横電界を液晶に印加して液晶分子の配列を制御する方式であり、これにより装置の表示の視野角依存性の改善を図るものである。
【００１０】
図２４（ａ）は、ソースバスライン（映像信号線）に直交する方向かつ後に説明する半
導体スイッチング素子のない部分の上下方向（基板面に直交する方向）断面を示し、図２４（ｂ）は同じく半導体スイッチング素子の存在する部分の断面を示し、図２４（ｃ）はソースバスラインに平行方向かつ半導体スイッチング素子の存在する部分の断面を示す。
【００１１】
図２４において、２０１ａは下部の、２０１ｂは上部の透明基板である。２０２は、対向電極である。２０３ａは、ゲート電極である。２０４は、ソースバスラインである。２０５は、画素電極、２０５ａは、その延長端部である。２０６は、半導体スイッチング素子である。２０７は、液晶層である。２０８ａは下部の、２０８ｂは上部の配向膜である。２０９は透明絶縁層である。
【００１２】
図２４に示すように、この液晶表示装置においては、２枚の透明基板２０１ａと２０１ｂが相対向して配置され、その対向面間に配向膜を介して液晶が封入されており、更に配向膜が液晶層の上下両面に接して液晶分子を所定の配向に整列させる点は従来広く採用されているものと同じである。
【００１３】
ただし、アレイ基板すなわち電極を形成する側の透明基板、この装置では２０１ａ側には配向膜２０８ａと透明基板２０１ａとの間に透明絶縁層２０９が配置され、この透明絶縁層によってソースバスラインと対向電極との間及びソースバスラインと画素電極との間をそれぞれ絶縁し、併せて対向電極とソースバスラインの位置を本装置の使用者から見て（本装置の使用者が表示面を見る場合に）重ね合わせて配置することが可能な構造となっている点に特徴がある。
このようにすれば、電極の存在によって発生する遮光部分の面積を小さくすることが可能となり、画素部分の開口率が高まるため、画面全体の輝度が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平７−２２５３８８号公報
【特許文献２】特開平９−２３６８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
（第１の従来技術の課題）
しかしながら、上記のような第１の従来例である液晶表示装置の場合、以下のような課題が残されていた。
【００１６】
（１）セルギャップを小さくすると、液晶を注入するのに要する時間が長くなり製造に要する時間が長くなる。また、ギャップの精度ばらつきによるムラが目立ちやすくなる。
【００１７】
（２）フッソ系液晶材料に替え、シアノ系液晶材料を使用したり添加率を増加すると、耐熱・耐光性が不安定になりコントラストの部分的な異常やフリッカーなどの表示不良につながる可能性がある。
【００１８】
（３）駆動電圧を大きくすると、消費電力が大きくなるばかりでなく、従来使用していた駆動用ＩＣが使えなくなり専用の駆動用ＩＣが必要になる。
【００１９】
（４）透過率を向上するために、画素電極あるいは共通電極にＩＴＯなどの透明電極を使用し、且つ応答速度の向上をも図ろうとすると、より厚い膜を形成する必要がある。しかしながら、このような厚い膜を形成しようとすれば、微小な結晶の堆積により透過率が低下するとともに、膜表面が粗くなり、そのため光散乱値が増加して光利用効率が低下してしまう。
【００２０】
（第２の従来技術の課題）
しかしながら、上記のような第２の従来例である液晶表示装置の場合、以下のような課題が残されていた。
【００２１】
（１）画素部に形成された画素電極、対向電極が非透過形導電層である場合、その部分で光を透過しないので開口率が低下してしまう。また、画素電極、対向電極を透明導電層で形成しても、従来の電極構成、液晶材料の組み合わせでは電極上の電界強度は微弱であるため、光はほとんど透過しないので実質開口率の向上は望めない。
【００２２】
（２）ゲート電極（走査信号線）と対向電極を同一プロセスで形成すれば、製造プロセスが簡略化されるが、各々の電極は近接しているため電気的短絡が発生し、歩留まり低下の原因になる。
【００２３】
（３）ソースバスライン（映像信号線）直上にも対向電極を設けることにより、ソースバスライン（映像信号線）直上に設けた対向電極以外の大部分の対向電極と画素電極で形成される電界分布にも影響を及ぼす。
【００２４】
（４）ソースバスライン（映像信号線）直上の対向電極と画素電極で形成される電界分布は、それ以外の対向電極と画素電極で形成される電界分布と異なるため、輝度ムラ、あるいは色付きが発生する要因となる。
【００２５】
本発明は、上記課題を解決し、液晶材料の変更やセルギャップの狭小化、あるいは駆動電圧を大きくすることなく、広視野角で高速応答かつ高輝度等の高画質が得られる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記目的を達成するため、本発明のうち請求項１記載の発明は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の線幅は、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙よりも大きいことを特徴とする。
【００２７】
上記の如く、電極の線幅を、共通電極と前記画素電極との間の間隙（電極間隔）よりも大きくすることにより、実質的に電極間隔が従来よりも狭くなる。この結果、電界の立ち上がりが電極内部側まで拡がり、電極端近傍での電界強度が大きくなるため、応答速度が向上する。
【００２８】
また、本発明は、共通電極及び画素電極の少なくとも何れか一方の膜厚を、走査信号線及び映像信号線の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きくする場合もある。
【００２９】
このようにしても、電界の立ち上がりが電極内部側まで拡がり、応答速度が向上する。
【００３０】
また、本発明は、共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の線幅を、共通電極と画素電極との間の間隙よりも大きく、かつ、共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の膜厚を、走査信号線及び映像信号線の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きくする場合もある。
【００３１】
このような構成であれば、線幅を大きくした場合の上記効果と、膜厚を大きくした場合
の上記効果を単に加えた以上の相乗的な効果が得られる。
【００３２】
また、本発明は共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方を透明導電層から構成してもよい。
【００３３】
上記したように、電極間隔を狭くしたり、電極の厚みを大きくしたりすれば、電界分布が電極上にまで拡がる。従って、不透明電極に代えて透明電極を使用すれば、電極直上を表示部として使用することが可能となり、透過率の向上を図ることができる。
【００３４】
また、本発明は共通電極及び画素電極の少なくとも何れか一方を、少なくとも２種類の導電層から構成してもよい。
【００３５】
また、本発明は、共通電極及び画素電極の少なくとも何れか一方は、少なくとも２種類の異なる光学特性を有する透明導電体から構成されている場合もある。
【００３６】
また、本発明は、共通電極及び画素電極の少なくとも何れか一方は、絶縁層とその表面に形成された導電層とから構成されている場合もある。
【００３７】
また、本発明は、共通電極及び画素電極の少なくとも何れか一方は、透明絶縁層とその表面に形成された透明導電層とから構成されている場合もある。
【００３８】
また、本発明は、共通電極と画素電極との間の電極間隙は、少なくとも前記アレイ基板と前記対向基板との間の間隙よりも小さくする場合もある。
【００３９】
また、本発明は、共通電極と画素電極の一部または全部が非晶質の透明導電膜からなる場合もある。透明導電膜の膜厚は１５００Å以上としてもよい。
【００４０】
アレイ基板及び対向基板の少なくとも何れか一方は、樹脂製であってもよい。
【００４１】
また、本発明は、共通電極と画素電極の少なくとも一部が非晶質の透明導電膜からなる液晶表示装置を製造する方法であって、前記透明導電膜は１００℃以下で成膜することを特徴とする。
【００４２】
透明導電膜をＨ２ＯまたはＨ２を添加して無加熱成膜するようにしてもよい。
【００４３】
また、本発明は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、前記共通電極と前記画素電極の少なくとも一方は、絶縁層を介して異なる層に形成された配線部と電極部とからなり、前記電極部が透明導電層で構成されたことを特徴とする。
【００４４】
このように電極部を透明導電層で形成することにより、画素電極・共通電極が積層型の液晶表示装置において、透過率を従来よりも大きくすることができる。
【００４５】
共通電極の配線部が走査信号線と同一プロセスで形成される場合もあり、画素電極の配線部が映像信号線と同一プロセスで形成される場合もある。
【００４６】
共通電極及び画素電極を構成する電極部の各々の線幅と、共通電極と画素電極とを構成する電極部間の間隙は、その一方もしくは両方が、アレイ基板と対向基板との間の間隙と
略同じか、もしくは小さい場合であってもよい。
【００４７】
また、透明導電層で形成された電極部の線幅は、非透過形導電層で作製するときの電極部の線幅に拘束される必要はなく、異なる値を用いればよい。特に、透明導電層の電極部線幅は、非透過形導電層の電極部線幅として通常使用されている値より大きくするのが望ましい。このようにすれば、透過率をより大きくすることが可能となる。
【００４８】
また、本発明は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、前記共通電極の一部と前記映像信号線は、基板面に直交する方向から見た場合に、各々の形成パターンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層を介して積層された積層形共通電極と積層形映像信号線であり、前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の各々の線幅と、前記共通電極と前記画素電極とを構成する電極部間の間隙は、その一方もしくは両方が、前記アレイ基板と前記対向基板との間の間隙と略同じか、もしくは小さいことを特徴とする。
【００４９】
本発明は、積層形電極の少なくとも一方が、配線部と電極部とからなり、前記電極部が透明導電層で構成されている場合もある。
【００５０】
また、積層形電極は、配線部と電極部とからなり、配線部が走査信号線あるいは前記映像信号線と同一プロセスで形成されてもよい。
【００５１】
また、積層形共通電極のうち、積層形映像信号線の直上の電極部を含む層は、非透過形導電層で形成されている場合もある。
【００５２】
また、積層形共通電極のうち、積層形映像信号線の直上の電極部を含む層は、それ以外の共通電極を形成した層と異なる層に形成されている場合もある。
【００５３】
また、積層形共通電極または前記積層形画素電極の少なくとも一方が、前記絶縁層のアレイ基板側に形成されていてもよい。
【００５４】
また、本発明は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、前記共通電極の一部と上記映像信号線は、基板面に直交する方向から見た場合に、各々の形成パターンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層を介して積層された積層形共通電極と積層形映像信号線であり、前記積層形共通電極のうち、前記積層形映像信号線の直上の電極部の線幅は、他の共通電極の電極部の線幅と異なることを特徴とする。
【００５５】
本発明は、共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の各々の線幅が、透明導電層で形成した電極部上の液晶分子が共通電極と画素電極との間で発生する電界によって変調が可能な線幅である場合もある。
【００５６】
また、共通電極及び画素電極を構成する電極部の各々の線幅が、アレイ基板と対向基板との間の間隙の２倍以下であってもよい。
【００５７】
また、共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の各々の線幅が、３μｍ以上８μｍ以下であってもよい。
【００５８】
また、液晶層の液晶材料は誘電率異方性Δεが＋８以上である場合もあるし、ベンドの弾性定数Ｋ33が１８（ｐＮ）以下である場合もある。更に、液晶層の位相差Δｎ・ｄ（リタデーション）が２００〜６００ｎｍである場合もある。
【００５９】
液晶層はシアノ系化合物を含有する液晶材料であってもよく、シアノ系化合物は含有率が３５％以下であるのが好ましい。
【００６０】
また、共通電極及び前記画素電極を構成する電極部は、画素内に少なくとも一つの屈曲部を有する屈曲形であってもよく、映像信号線は、前記共通電極及び前記画素電極を構成する電極部の屈曲形状と略同じ屈曲角を有する屈曲形であってもよい。
【００６１】
半導体スイッチング素子はチャネルエッチ形薄膜トランジスタである場合もある。
【００６２】
また、半導体スイッチング素子の一部はポリシリコンで形成されている場合もある。
【００６３】
また、本発明は、液晶表示装置の製造方法であって、アクティブマトリックス基板に非透過形導電体を形成し共通電極の一部または全部と走査信号線からなる第１電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、前記第１電極群が形成されたアクティブマトリックス基板上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の所定部分上に半導体層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び半導体層の上に非透過形導電体を形成し映像信号線と画素電極の一部または全部からなる第２電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、前記第２電極群までが形成されたアクティブマトリックス基板上に第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層の上に透明導電体を形成し共通電極の一部及び／または画素電極の一部からなる第３電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００６４】
また、本発明の製造方法は、アクティブマトリックス基板に非透過形導電体を形成し共通電極の一部または全部と走査信号線からなる第１電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、前記第１電極群が形成されたアクティブマトリックス基板上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の所定部分上に半導体層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び半導体層の上に非透過形導電体を形成し映像信号線と画素電極の一部または全部からなる第２電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、前記第２電極群までが形成されたアクティブマトリックス基板上に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜の上に透明導電体を形成し共通電極及び画素電極のいずれか一方の一部からなる第３電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、前記第３電極群までが形成されたアクティブマトリクス基板上に第３絶縁層を形成する工程と、前記第３絶縁層の上に透明導電体を形成し共通電極及び画素電極のうち残りの一方の一部からなる第４電極群を所定の形状にパターン形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００６５】
本発明の製造方法は、第３電極群を所定のパターンに形成する工程の後に、第３絶縁層を形成する工程を含むようにしてもよい。
【００６６】
また、第４電極群を所定のパターンに形成する工程の後に、第４絶縁層を形成する工程を含むようにしてもよい。
このとき、第３絶縁層あるいは第４絶縁層は、ＳｉＮｘ系材料又は、感光性樹脂材料又は、ＳｉＯ2系材料で構成される場合もある。ＳｉＯ2系材料で構成する場合は、Ｓｂ２Ｏ５系微粒子を添加するのが好ましい。
【発明の効果】
【００６７】
以上のように第１の発明群の構成によれば、以下の効果を奏する。
【００６８】
（１）セルギャップを小さくする必要がないので、液晶を注入するのに要する時間が長くすることなく、また、ギャップの精度ばらつきによるムラを生じることなく高速化することが可能である。
【００６９】
（２）液晶材料あるいはその添加率を変える必要がないので、耐熱・耐光性等の低下によるコントラストの部分的な異常やフリッカーなどの表示不良を発生することなく高速化することが可能である。
【００７０】
（３）駆動電圧を大きくする必要がないので、消費電力が大きくせずに、また従来の駆動用ＩＣを使って高速化することが可能である。
【００７１】
（４）透過率を低下することなく高速化することが可能である。
【００７２】
（５）以上の作用により、液晶材料の変更やセルギャップの狭小化、あるいは駆動電圧を大きくすることなく、広視野角で高速応答かつ高輝度等の高画質が得られる液晶表示装置を提供することができるので工業的価値は極めて大である。
また、第２の発明群の構成によれば、以下の効果を奏する。
【００７３】
（６）画素電極、対向電極の電極部を透明導電層で形成し、かつ、電極上の電界強度を強くする電極構成、液晶材料の組み合わせとしたことにより、電極上の液晶分子も変調させて光を透過することができる、実質開口率の高い液晶パネルを得ることができる。
【００７４】
（７）ゲート電極（走査信号線）と対向電極を異なる層で形成するので、ゲート電極と対向電極間での電気的短絡を著しく低減することができる。
【００７５】
（８）映像信号線直上の積層形共通電極が電界分布に及ぼす影響を考慮した電極配置としたため、全体的に高い透過率を得ることができる。
【００７６】
（９）映像信号線直上の共通電極の線幅を他の共通電極の線幅よりも大きくすることにより、映像信号線直上の共通電極と画素電極の間もなめらかな透過率分布を得られる構成としたため、輝度ムラ、あるいは色付きの無い均一な画像を得ることができる。
【００７７】
（１０）以上のことから、広視野角かつ高輝度で、輝度ムラ、色付き等のない高画質が得られる液晶表示装置を提供することができるので工業的価値は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】実施の形態１−１における液晶表示装置の構成を示す図
【図２】実施の形態１−１における電極構造の原理を説明するための図
【図３】実施の形態１−１における液晶表示装置の応答特性を示す図
【図４】実施の形態１−２における液晶表示装置の構成を示す図
【図５】実施の形態１−３における液晶表示装置の構成を示す図
【図６】実施の形態１−３における電極構造の原理を説明するための図
【図７】実施の形態１−４における液晶表示装置の構成を示す図
【図８】実施の形態２−１における液晶表示装置の構成を示す図であり、  （ａ）は実施の形態２−１における液晶表示装置の構成を示す断面図  （ｂ）は実施の形態２−１における液晶表示装置の構成を示す平面図  （ｃ）は実施の形態２−１における液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図
【図９】実施の形態２−１における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図
【図１０】実施の形態２−１における液晶表示装置の光透過率特性を示す図
【図１１】従来技術の液晶表示装置の光透過率特性を示す図
【図１２】実施の形態２−２における液晶表示装置の構成を示す図であり、  （ａ）は実施の形態２−２における液晶表示装置の構成を示す断面図  （ｂ）は実施の形態２−２における液晶表示装置の構成を示す平面図  （ｃ）は実施の形態２−２における液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図
【図１３】実施の形態２−２における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図
【図１４】実施の形態２−３における液晶表示装置の構成を示す図であり、  （ａ）は実施の形態２−３における液晶表示装置の構成を示す断面図  （ｂ）は実施の形態２−３における液晶表示装置の構成を示す平面図  （ｃ）は実施の形態２−３における液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図
【図１５】実施の形態２−３における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図
【図１６】実施の形態２−４における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図
【図１７】実施の形態２−５における液晶表示装置の構成を示す図であり、  （ａ）は実施の形態２−５における液晶表示装置の構成を示す断面図  （ｂ）は実施の形態２−３における液晶表示装置の構成を示す平面図
【図１８】実施の形態２−５における液晶表示装置の光透過率特性を示す図
【図１９】実施の形態２−５における液晶表示装置の光透過率特性を示す図
【図２０】実施の形態２−６における液晶表示装置の構成を示す図であり、  （ａ）は実施の形態２−６における液晶表示装置の構成を示す断面図  （ｂ）は実施の形態２−６における液晶表示装置の構成を示す平面図  （ｃ）は実施の形態２−６における液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図
【図２１】実施の形態２−７における液晶表示装置の構成を示す図であり、  （ａ）は実施の形態２−７における液晶表示装置の構成を示す断面図  （ｂ）は実施の形態２−７における液晶表示装置の構成を示す平面図  （ｃ）は実施の形態２−７における液晶表示装置の構成を示すＡ−Ａ線上の断面図
【図２２】実施の形態２−７における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図
【図２３】第１の従来の液晶表示装置の構成を示す図
【図２４】第２の従来の液晶表示装置の構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【００７９】
［第１の発明群］
以下、本発明の第１の発明群について、図面を参照しながら説明する。
【００８０】
（実施の形態１−１）
本発明の実施の形態１−１について図面を参照しながら説明する。
【００８１】
図１(a)は本発明の実施の形態１−１における液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【００８２】
図１(b)は本発明の実施の形態１−１における液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【００８３】
液晶表示装置は、横電界印加方式（ＩＰＳ（In-Plane-Swiching）方式）の液晶表示装置である。この液晶表示装置は、アレイ基板側基板１Ａと、対向基板１Ｂと、アレイ基板１Ａと対向基板１Ｂ間に挟持された液晶２とを有する。
【００８４】
前記対向基板１Ｂの内側面には、赤色カラーフィルター材料８ａ、緑色カラーフィルター材料８ｂ、青色カラーフィルター材料８ｃ、及びブラックマトリックス１０が所定のパターンに形成されている。これらカラーフィルター材料８ａ、８ｂ、８ｃ及びブラックマトリックス１０の内側面には、配向膜９Ｂが形成されている。
【００８５】
一方、アレイ基板側基板１Ａには、マトリクス状に配線された複数の走査信号線６及び映像信号線５と、走査信号線６と映像信号線５の交差点付近に配置された半導体スイッチングとしての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin FiLm Transistor）７と、基板１Ａ，１Ｂに平行な電界（横電界）を発生させるための対をなす共通電極３及び画素電極４とが、形成されている。画素電極４は、映像信号線５からの映像信号が供給される電極部４Ａと、配線部４Ｂとから構成されており、共通電極３は、電極部３Ａと、配線部３Ｂとから構成されている。共通電極３及び画素電極４の内側面には、ポリイミド等からなる配向膜９Ａが形成されている。
【００８６】
ここで、注目すべきは、共通電極３及び画素電極４の線幅ｗ1、ｗ2は、共通電極３と画素電極４との間の間隙ｌ（電極部４Ａと電極部３Ａとの間隔を意味する。）よりも大きく（ｗ1,ｗ2＞ｌ）、なおかつ、共通電極３及び画素電極４の膜厚ｔ1は、走査信号線あるいは映像信号線の膜厚ｔ2よりも厚く構成されている。このような構成により、液晶の応答速度を大きくすることができ、しかも、透過率の実質的な向上をも図ることが可能となる。なお、このような応答速度の向上及び透過率の向上の理由については、後に詳細に説明することにする。
【００８７】
次いで、上記構成の液晶表示装置の製造方法について簡単に説明する。まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ等からなる導電膜でパターニングされた走査信号線６を形成し、さらに絶
縁膜を形成した後、ａ−Ｓｉ等からなる半導体スイッチング素子７、また、Ａｌ等からなる導電膜でパターニングされた映像信号線５を形成する。
【００８８】
本実施の形態は横電界印加方式であり、共通電極３及び画素電極４を透明導電体であるＩＴＯ膜、あるいはＡｌ等からなる導電膜で櫛形にパターニング形成する。
【００８９】
さらに、アレイ基板１Ａ、及び対向基板１Ｂには、液晶２の分子の配列を整列させるためにポリイミド等からなる配向膜９Ａ、９Ｂを形成する。透明基板１Ｂは透明基板１Ａに対向して設け、赤色カラーフィルター材料８ａ、緑色カラーフィルター材料８ｂ、青色カラーフィルター材料８ｃ、及びブラックマトリックス１０が所定のパターンに形成されている。
【００９０】
このように作製されたアレイ基板１Ａ、及び対向基板１Ｂは、各々所定の方向に初期配向方位を形成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶２を注入し封止する。こうして、液晶表示装置が作製される。
【００９１】
このようにして作製された液晶表示装置の表示動作について説明する。半導体スイッチング素子７は映像信号線５及び走査信号線６から入力される駆動信号によってオン、オフ制御される。そして、半導体スイッチング素子７と接続された画素電極４と、共通電極３との間に印加された電圧によって電界を発生させ、液晶２の配向を変化させて各画素の輝度を制御し、画像を表示する。
【００９２】
次いで、本発明の主たる特徴である電極構造について説明する。  図１(a)及び(ｂ)において、ｄはセルギャップ、ｗ1、ｗ2は共通電極３及び画素電極４の幅、ｌは共通電極３と画素電極４の間隔（間隙）、ｔ1は共通電極３の厚さ、ｔ２は画素電極４の厚さ、ｔ５は映像信号線５及び走査信号線６の厚さを示す。
【００９３】
従来の構成では、例えば特開平７−３６０５８号公報に示されるように、共通電極３は走査信号線６と同じプロセスによってＣｒまたはＡｌ系などの金属で形成し、また、画素電極４は映像信号線５と同じプロセスによってＭｏまたはＡｌ系などの金属で形成している。したがって、このようなプロセスで形成された共通電極３の膜厚は走査信号線６と同じになり、また、画素電極４の膜厚は映像信号線５と同じになる。
【００９４】
一方、本実施の形態では、図１に示すように、共通電極３及び画素電極４の線幅ｗ1、ｗ2は、共通電極３と画素電極４との間の間隙ｌよりも大きくし（ｗ1,ｗ2＞ｌ）、なおかつ、共通電極３の膜厚ｔ１及び画素電極４の膜厚ｔ２は、走査信号線あるいは映像信号線の膜厚ｔ５よりも厚くした（ｔ1，ｔ２＞ｔ５）。この点が本実施の形態と従来例とが大きく異なる点である。なお、本発明は、ｗ1,ｗ2＞ｌかつｔ1，ｔ２＞ｔ５の構成に限定されるものではなく、ｗ1,ｗ2＞ｌのみの構成あるいはｔ1，ｔ２＞ｔ５のみの構成であってもよい。
【００９５】
このような電極構成により、高速応答性を得ることができ、電極として透明電極を用いれば透過率の向上をも図ることができる。以下に、その理由を図２を参照して、詳細に説明する。なお、図２において、参照符号Ｍ１で示す曲線は従来例の電界分布を示し、照符号Ｍ２で示す曲線は膜厚のみ大きい場合の電界分布を示し、照符号Ｍ３で示す曲線は電極間隔のみ狭くした場合の電界分布を示し、照符号Ｍ４で示す曲線は膜厚を大きくし且つ電極間隔を狭くした場合の電界分布を示している。
【００９６】
図２（ａ）は従来例を示し、図２（ｂ）は電極間隔は従来例と同一にしておき、膜厚のみを大きくした例を示す。
【００９７】
膜厚を大きくすると、電極端部近傍で図２（ｂ）に示すように電界強度が大きく発生する。これにより、電極上においても、図２（ａ）の従来例と比較すれば、電界強度が大きくなり、そのため、電極直上に位置する液晶分子を駆動することができる。従来例では、電界強度は図２（ａ）に示す状態であり、電極間においてのみ、液晶分子を駆動し、電極直上での液晶分子を駆動することができなかった。従って、図２（ｂ）に示す例においては、電極直上の液晶分子を駆動できるため、かかる電極を透明電極とすれば、透過率を向上することができる。なお、電極間での電界強度も、従来例より大きくなっている。よって、かかる観点からも高速応答性が得られ、且つ、高透過率特性をも得られることになる。
【００９８】
次いで、図２（ｃ）は、膜厚は従来例と同一にしておき、電極間隔のみを小さくした例を示す。このように、電極間隔を従来例より小さくすると、電極間における電界強度は、従来例よりも大きくなる。更に、電極上においても電界強度は液晶分子を駆動することができる程度に大きくなる。従って、かかる図２（ｃ）に示すように電極間隔を小さくすれば、電極上及び電極間において、従来例よりも電界強度を大きくすることができ、そのため、高速応答性が得られる。更に、電極を透明電極にすることにより、当該電極上における液晶分子の駆動により、開口率が向上すると共に、実質的な透過を向上することができる。従って、このような図２（ｃ）の構成においても、高速応答性及び高透過率特性を得られることになる。
【００９９】
次いで、図２（ｄ）は、膜厚を大きくし、且つ、電極間隔を小さくした例を示す。この図２（ｄ）に示す例は、構成上は図２（ｂ）の構成に図２（ｃ）の構成を加えたものである。しかしながら、注目すべきは、この図２（ｄ）の構成では、膜厚のみによる効果に電極間隔のみを小さくした効果を単に加えた効果以上の相乗効果が得られる点において特徴を有する。即ち、電界強度は、図２（ｄ）に示すように、電極上及び電極間において、図２（ｂ）に示す電界強度と図２（ｃ）に示す電界強度を加えた以上の電界強度が得られている。この理由は、膜厚の変化による電界強度の効果と、電極間隔の変化による電界強度の効果とが相乗的に作用したものと推量される。
【０１００】
本発明者らは、上記原理に基づき実際に図２（ａ）〜（ｄ）の構成の液晶表示装置を作製し、実験を行った。
【０１０１】
具体的には、本実施の形態のサンプルとして、３つのサンプルを用意した。サンプル（１）は電極間隙ｌ＝６μｍ、電極幅ｗ＝１０μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、ｔ1＝t2＝0.4μｍ、の構成とし、サンプル（２）は電極間隙ｌ＝６μｍ、電極幅ｗ＝１０μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、ｔ1＝t2＝8000Åの構成とし、サンプル(４)は電極間隙ｌ＝１０μｍ、電極幅ｗ＝６μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、ｔ1＝t2＝0.4μｍ、の構成とした。
【０１０２】
また、従来例のサンプルとして、サンプル（３）を用意した。サンプル（３）は電極間隙ｌ＝１０μｍ、電極幅ｗ＝６μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、ｔ1＝t2＝2000Åの構成とした。
【０１０３】
電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶材料は同一、セルギャップｄは４μｍ、駆動電圧は５Ｖ、同一環境下という条件で、上記サンプル（１）〜サンプル（４）につき応答速度を測定した。図３はサンプル（１）〜サンプル（４）の立ち上がり時間τriseを測定した結果であり、実線が従来例のサンプル(3)、一点鎖線がサンプル（１）、破線がサンプル（２）、二点鎖線がサンプル(４)の応答特性を示している。この結果からも明らかなように、９０％応答の立ち上がり時間は、従来例のサンプル（３）に比べ、サンプル（１）で約１／３に、サンプル（２）で約１／４に短縮され、本実施の形態が高速応答に有効
であることが認められる。
【０１０４】
なお、参考までに述べると、従来は、電極線幅ｗ1、ｗ2は、電極間隔ｌよりも小さく（ｗ1,ｗ2＜ｌ）設定されていた。これは、以下の理由による。即ち、従来では、画素電極及び共通電極はＡｌ等の不透明電極を使用していたので、開口率を上げるために、電極間隔ｌを拡く設定することが必要である。しかし、拡げすぎると、応答速度が悪くなるし、配線との関係で一画素の内での電極線幅が決定されており、電極間隔をむやみに広くするには制約がある。従って、従来においては、電極線幅と応答速度等の条件を加味しながら、電極間隔を極力拡くしたという設計思想に基づいていたと考えられる。即ち、従来、電極間隔を狭くするという思想がなかった。この点に関して、本発明は、電極間隔を狭くするという技術思想に基づいており、従来例とは本質的に技術思想が相違する。
【０１０５】
また、電極の厚みを大きくするという点に関しても、本発明は、従来例にないものである。なぜなら、従来は走査線や映像信号線の製造プロセス時に同時に画素電極及び共通電極を作製していた。このとき、映像信号の書き込みのためには配線抵抗は小さい方がよく、そのためには配線の膜厚は薄い方がよい。従って、映像信号線等の配線は薄く形成され、これに応じて電極の厚みも薄いのが現状である。要約すれば、電極の厚みは、映像信号線等の配線の厚みと同一であって薄かった。従って、従来では電極の厚みを配線の厚みと異ならせるという技術的思想はなく、この点に関して電極の厚みを変化させる本発明とは本質的に技術的思想が相違する。
【０１０６】
上記の例では、共通電極３及び画素電極４にＣｒまたはＡｌ系など非透過タイプの金属を使用する場合について説明したが、開口率を向上するためにＩＴＯなどの透明電極を使用する場合について以下に説明する。
【０１０７】
一般に共通電極３や画素電極４に使用されるＩＴＯは２００℃程度で成膜しているが、ＩＴＯの結晶化温度は１００〜２００℃付近にあり、この領域の温度で作製したＩＴＯは非晶質（アモルファス）と多結晶の混在した膜となる。このように非晶質と多結晶の混在した膜で、より厚い膜を形成しようとすると、表面が粗くなり光散乱値が増加して光利用効率が低下してしまう。そのため、一般にＩＴＯの膜厚は７００Å程度で使用され、映像信号線５や走査信号線６に使用されるＣｒまたはＡｌ系など非透過タイプの金属の場合（膜厚１２００Å〜２０００Å程度）に比べかなり薄い。したがって、従来のＩＴＯ膜では、透過率を向上するためには膜厚を大きくすることができないので、前述のように、高速応答化のために膜厚を大きくするということは困難である。
【０１０８】
しかし、ＩＴＯが非晶質であれば、表面が滑らかであるため、膜厚を厚くしても光散乱値が増加して透過率を大きく低下させるということはない。非晶質ＩＴＯの場合、波長５５０ｎｍに透過率のピークを設けようとすると、膜厚１５００Å程度にする必要がある。したがって、透過率の向上と高速応答化を両立するには、膜厚１５００Å以上にするのが望ましい。
【０１０９】
すなわち、非晶質ＩＴＯを使用すれば、映像信号線５や走査信号線６に使用されるＣｒまたはＡｌ系など非透過タイプの金属と同程度の膜厚（１２００Å〜２０００Å程度）でも、従来のＩＴＯ膜に比べて高速応答化の効果があるということになる。もちろん、映像信号線５や走査信号線６よりも厚く、例えば２０００Å以上に厚膜化すれば、より高速応答化が可能となる。ただし、厚膜化による透過率、光散乱値等の光学特性の低下とのトレードオフの関係で膜厚を最適化する必要がある。
【０１１０】
このような非晶質ＩＴＯを得るには、１００℃以下の低温で成膜する。また、さらに、Ｈ2ＯまたはＨ2を添加して無加熱成膜すれば、チャンバー中の残留Ｈ2Ｏ分圧の低下によ
るＩＴＯの微結晶化するのを防止することができ、安定な非晶質を得ることが可能となる。
【０１１１】
さらに、１００℃以下のプロセスでＩＴＯを成膜することができるので、アレイ基板１Ａ及び対向基板１Ｂの両方あるいは一方をポリカーボネートのような透明樹脂板とすることが可能となる。したがって、軽量な液晶表示装置を得ることが可能になるとともに、製造時の取り扱いや運搬時に発生する基板の割れ、カケを低減することができる。また、使用時の落下、転倒等による衝撃による基板の割れ、カケも低減することができる。
【０１１２】
図４は、共通電極３、画素電極４を２段階のプロセスに分けて形成することで凸形断面形状にした場合の実施の形態である。
【０１１３】
すなわち、第１のプロセスで３'、４'の導電層（膜厚ｔ1'＝ｔ2'＝4000Å、電極幅ｗ1'＝ｗ2'＝１０μｍ）を形成し、第２のプロセスで３"、４"の導電層（膜厚ｔ1"＝ｔ2"＝4000Å、電極幅ｗ1"＝ｗ2"＝６μｍ）を形成することで、共通電極３、画素電極４の断面形状を凸形にした。このような凸形断面形状にしても図３のサンプル(2)とほぼ同様の効果を得ることができた。
【０１１４】
したがって、共通電極３、画素電極４の断面形状は必ずしも矩形形状である必要はなく、共通電極３、画素電極４の膜厚を厚くするための製造プロセスで、電極の断面形状の角が取れてＲ状になったり、テーパ形断面形状であってもかまわない。
【０１１５】
（実施の形態１−２）
次に、本発明の実施の形態１−２について図面を参照しながら説明する。
【０１１６】
図５は本発明の実施の形態１−２における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図５において３Ｍ、４Ｍは透明樹脂層、３Ｎ、４Ｎは透明導電層である。すなわち、共通電極３は透明樹脂層３Ｍ、導電層３Ｎからなり、画素電極４は透明樹脂層４Ｍ、導電層４Ｎからなる。また、ｄはセルギャップ、ｗ1、ｗ2は共通電極３及び画素電極４の幅、ｌは共通電極３と画素電極４の間隔（間隙）、ｔ1aは共通電極３の透明樹脂層３Ｍの厚さ、ｔ2aは画素電極の透明樹脂層４Ｍの厚さ、ｔ1bは共通電極３の透明導電層３Ｎの厚さ、ｔ2bは画素電極３の透明導電層４Ｎの厚さ、を示す。
【０１１７】
透明樹脂層３Ｍ、４Ｍとしては、例えばアクリル系ポリマーの感光樹脂を使用すれば、容易に１μｍ程度の膜厚で、櫛形等の所望のパターンに形成することが可能である。また、透明導電層３Ｎ、４Ｎとしては、例えばＩＴＯを使用する。
【０１１８】
本実施の形態では、セルギャップｄ＝４μｍ、電極間隙ｌ＝３μｍ、電極幅ｗ＝１０μｍ、ｔ1a＝ｔ2a＝１μｍ、ｔ1b＝ｔ2b＝2000Åとした。
【０１１９】
本実施の形態１−２では、共通電極３と画素電極４との間の電極間隙ｌを、アレイ基板１Ａと対向基板１Ｂとの間の間隙ｄよりも小さくなるように構成されている。このような構成により、共通電極３及び画素電極４の周辺部の電界強度が大きくなることを利用して各々の電極上の液晶を変調可能になり、かつ、共通電極３及び画素電極４は各々が透明層で構成されているので、電極上の光も透過することが可能となる。
【０１２０】
図６を参照して、具体的に説明する。図６（ａ）は従来例（ｌ＞ｄの場合）の断面図であり、図６（ｂ）は従来例（ｌ＞ｄの場合）において液晶が駆動される領域を模式的に示す図であり、図６（ｃ）は本発明（ｌ＜ｄの場合）の断面図であり、図６（ｂ）は本発明（ｌ＜ｄの場合）において液晶が駆動される領域を模式的に示す図である。従来例では、
電極上の液晶分子は駆動されず、図６（ａ）の斜線領域Ｓ１のみの液晶分子しか駆動されない。一方、本発明では、図６（ｂ）の斜線領域Ｓ２で示すように電極上の広い領域に亘って駆動される。このとき、本発明における電極は透明電極を用いるため、電極上の領域を液晶表示領域として使用することができる。従って、透過率の向上を図ることができる。なお、電極間での電界強度は、従来例の方が本発明よりも大きい。しかしながら、電界により駆動される液晶の領域は、本発明の方が従来例よりも大きい。即ち、図６（ｂ）及び図６（ｄ）に示すように、液晶が駆動される領域は、高さＨ１＞Ｈ２であるが、領域Ｓ１＜Ｓ２である。従って、液晶パネル全体から見ると、本発明の方が従来例に比べて、明るく、且つコントラストの高い液晶表示装置が得られることになる。しかも、図６（ｄ）に示すように電極上での電界分布の変化が緩やかであるので、表示ムラのない均一な表示が可能となる。
【０１２１】
こうして、本実施の形態は、透過率を低下させることなく高速応答の液晶パネルを得ることが可能となる。
【０１２２】
また、本実施の形態は、電極部の透過率を低下することなく電極層厚ｔ1をより厚くしたい場合の実施の形態であり、このような構成でも実施の形態１−１と同様、あるいはそれ以上の効果が得られる。
【０１２３】
（実施の形態１−３）
次に、本発明の実施の形態１−３について図面を参照しながら説明する。
【０１２４】
図５は本発明の第２の実施の形態における液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【０１２５】
図５において３−Iは共通電極３の第１層、３−IIは共通電極３の第２層、３−IIIは共通電極３の第３層であり、４−Iは画素電極３の第１層、４−IIは画素電極４の第２層、３−IIIは共通電極３の第３層である。
【０１２６】
本実施の形態では、３−I、４−Iは赤色（Ｒ）すなわち７００ｎｍ近辺の波長領域、３−II、４−IIは緑色（Ｇ）すなわち５４６ｎｍ近辺の波長領域、３−III、４−IIIは青色（Ｂ）すなわち４３６ｎｍ近辺の波長領域で、それぞれ最も良好な透過率が得られる分光特性を有するように、各々の膜成分及び膜厚を調整して成膜されたＩＴＯ電極である。
【０１２７】
このような構成にすることで、全体の透過率を低下させることなく、電極層厚ｔ1、ｔ2をより厚くすることが可能となる。
【０１２８】
上記の例では、共通電極及び画素電極は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）にそれぞれ対応する分光特性を有する３つの層から構成されていたけれども、本発明はこれに限定されるものではなく、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の少なくとも１種類に対応する分光特性を有する層から構成するようにしてもよい。また、本発明は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に限らず、使用する用途に応じてその他の所望の波長領域で最も良好な透過率が得られる分光特性を有する層から構成するようにしてもよい。
【０１２９】
［第２の発明群］
第２の発明群は、画素電極・共通電極が積層型の液晶表示装置に関するものである。以下、本発明の第２の発明群について、図面を参照しながら説明する。
【０１３０】
（実施の形態２−１）
図８(a)は実施の形態２−１における液晶表示装置の構成を示す断面図である。
図８(b)は実施の形態２−１における液晶表示装置の構成を示す平面図である。
図８(c)は実施の形態２−１における液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図８(b)のＡ−Ａにおける断面図である。
【０１３１】
図９は実施の形態２−１における液晶表示装置の半導体スイッチング素子７近傍の構成を示す断面拡大図である。
【０１３２】
図８において、１Ａはアレイ基板、１Ｂは対向基板、２は液晶、３は共通電極、４は画素電極、５は画素電極４と接続され映像信号を与える映像信号線、６は走査信号線、７は半導体スイッチング素子、８は第１絶縁層、９Ａはアレイ基板１Ａの内面に形成した配向膜、９Ｂは対向基板１Ｂの内面に形成した配向膜、１０ａは赤色カラーフィルター材料、１０ｂは緑色カラーフィルター材料、１０ｃは青色カラーフィルター材料、１１はブラックマトリックス（遮光層）、１２は第２絶縁層である。
【０１３３】
図９において、７ａはａ−Ｓｉ層、７ｂはｎ+形ａ−Ｓｉ層、８ａは第１絶縁層８に設けたコンタクトホール、１２ａは第２絶縁層１２に設けたコンタクトホールである。
【０１３４】
以下、図８及び図９を用いて、上記構成の液晶表示装置の製造方法について説明する。
【０１３５】
まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ、Ｔｉ等からなる非透過形導電体を形成し、共通電極の配線部３ｄと走査信号線６を所定の形状にパターニングする。このように形成された第１電極群の上に第１絶縁層８を形成した後、この第１絶縁層８の所定の部分の上にａ−Ｓｉ層７ａとｎ+形ａ−Ｓｉ層７ｂとからなる半導体スイッチング素子７を形成する。さらに、第１絶縁層８及び半導体スイッチング素子７の所定部分の上にＡｌ、Ｔｉ等からなる非透過形導電体を形成し、映像信号線と画素電極からなる第２電極群を所定の形状にパターン形成する。
【０１３６】
つぎに、第２電極群までが形成されたアレイ基板１Ａ上にＳｉＮｘ等からなる第２絶縁層１２を形成する。第２絶縁層１２は半導体スイッチング素子７を保護する保護膜の役目も果たすものでもある。
【０１３７】
さらに、共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃを、透明導電体であるＩＴＯ膜で形成する。
【０１３８】
ここで、非透過形導電体で形成された共通電極の配線部３ｄと、透明導電体で形成された共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃとの電気的導通を得るために、第１絶縁層８と第２絶縁層１２は、各々、コンタクトホール８ａ、１２ａを設けた構成としている。
【０１３９】
その後、アレイ基板１Ａ、及び対向基板１Ｂには、液晶２の分子の配列を整列させるためにポリイミド等からなる配向膜９Ａ、９Ｂを形成する。
【０１４０】
透明基板１Ｂは透明基板１Ａに対向して設け、赤色カラーフィルター材料１０ａ、緑色カラーフィルター材料１０ｂ、青色カラーフィルター材料１０ｃ、及びブラックマトリックス１１が所定のパターンに形成されている。
【０１４１】
このように作製されたアレイ基板１Ａ、及び対向基板１Ｂは、各々所定の方向に初期配向方位を形成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶２を注入し封止する。
【０１４２】
半導体スイッチング素子７は映像信号線５及び走査信号線６から入力される駆動信号によってオン、オフ制御される。そして、半導体スイッチング素子７と接続された画素電極４と、共通電極３との間に印加された電圧によって電界を発生させ、液晶２の配向を変化
させて各画素の輝度を制御し、画像を表示する。
【０１４３】
図８において、ｄはセルギャップ、ｗ1は共通電極の電極部３ｂの線幅、ｗ２は画素電極の電極部４ａの線幅、ｗ１'は共通電極の電極部３ａの線幅、ｌは共通電極の電極部３ｂと画素電極４ａの電極部との間隔（間隙）、を示す。
【０１４４】
本実施の形態では、図８に示すように、共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃの線幅ｗ1＝５μｍ、画素電極の電極部４ａ、４ｂの線幅ｗ2＝４μｍと、セルギャップｄ＝４μｍ、電極間の間隔（間隙）ｌ＝１０μｍとした。すなわち、共通電極３及び画素電極４の各々の電極部の線幅ｗ１、ｗ２を、アレイ基板と対向基板との間の間隙ｄ（セルギャップ）と略同じである構成とした。
【０１４５】
電極の形状としては、例えば図８(b)に示すように、共通電極３の電極部と画素電極４の電極部とが相互に配置された櫛形にパターニング形成し、共通電極３の電極部と画素電極４の電極部との間に横電界を形成する。上記のような電極構成にすることにより、横電界に加え、各々の電極の周辺電界によって電極上の電界強度が大きくなり液晶が回転するので、電極に透明導電材料を使用することによって、電極の上の部分も光を透過するようになる。
【０１４６】
また、液晶層２の液晶材料には、シアノ系化合物を１０％ないし２０％程度含有したシアノ系液晶材料を使用し、リタデーションΔｎ・ｄ（セルギャップｄと屈折率差Δｎとの積）は３５０ｎｍ程度とした。また、液晶層２の液晶材料のスプレイ弾性定数Ｋ11＝１２（ｐＮ）、ツイスト弾性定数Ｋ22＝７（ｐＮ）、ベンド弾性定数Ｋ33＝１８（ｐＮ）、誘電率異方性Δε=＋８、である。ここで、誘電率異方性Δεとベンドの弾性定数Ｋ33は液晶の駆動電圧を決定する上で重要であり、特に、誘電率異方性Δεは＋８以上、ベンド弾性係数Ｋ33は１８（ｐＮ）以下とするのが望ましい。
【０１４７】
上記の電極構成に、このような構成からなる液晶層２を組み合わせることにより、従来適用されている駆動電圧（５Ｖ程度）で充分に電極上の電界強度を大きくし液晶を駆動することができる。
【０１４８】
さらに、この櫛形の電極部を屈曲させることにより、液晶分子の回転する方向が２つの方向に分かれるため、視野角方向による色付きを互いに相殺し、視野角方向による色変化の少ないパネル構成とすることができる。また、ここでは図示はしていないが、映像信号線５とブラックマトリックス１１も、共通電極３、画素電極４の電極部と同じ屈曲角を有する屈曲形状にすれば、電極部を屈曲形状にしたことによる遮光面積の増加分をなくすことができ、より開口率が高い液晶パネルを得ることが可能となる。
【０１４９】
つぎに、本実施の形態によるパネル構成における作用と効果について説明する。
【０１５０】
図１０に本実施の形態によるパネル構成で上記したシアノ系液晶材料を使用した場合の液晶パネルの光透過率特性（電界分布、液晶ダイレクタからパネルの光透過率を計算）を示す。駆動電圧は５Ｖである。また、電極構成は、図１０のライン（ａ）が共通電極３ａ、３ｂ、３ｃの線幅ｗ1＝５μｍ、画素電極４ａ、４ｂの線幅ｗ2＝４μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、電極間の間隔（間隙）ｌ＝１０μｍという構成であり、図１０のライン（ｂ）が共通電極３ａ、３ｂ、３ｃの線幅ｗ1＝６μｍ、画素電極４ａ、４ｂの線幅ｗ2＝６μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、電極間の間隔（間隙）ｌ＝１１μｍという構成である。
【０１５１】
一般にＩＴＯはＡｌ、Ｔｉ等に比べて微細化パターニングがやや困難であるため、Ａｌ、Ｔｉ等よりも線幅を若干大きめにしておく。Ａｌ、Ｔｉ等は光を透過しない非透過形導
電体であるため、できるだけ微細化するのが望ましいが、ＩＴＯは光を透過するので若干線幅が大きくなっても大きく開口率を低下させることはない。
【０１５２】
すなわち、図１０のライン（ａ）とライン（ｂ）は、電極線幅と電極間隔のみが異なる液晶パネル構成での光透過率特性を比較したものである。
【０１５３】
また、図１０と同じ電極、パネル構成で、液晶材料のみフッ素系液晶材料（スプレイ弾性定数Ｋ11＝9（ｐＮ）、ツイスト弾性定数Ｋ22＝9（ｐＮ）、ベンド弾性定数Ｋ33＝22（ｐＮ）、誘電率異方性Δε=＋4.4）を使用した場合の液晶パネルの光透過率特性（電界分布、液晶ダイレクタからパネルの光透過率を計算）を図１１に示す。駆動電圧は図１０と同様に５Ｖである。
【０１５４】
この結果から明らかなように、シアノ系液晶材料を使用した図１０の構成のほうが、フッソ系液晶材料を使用した図１１の構成に比べてより高い透過率を得ることが可能であることがわかる。
【０１５５】
特に、フッソ系液晶材料を使用した図１１の構成では、電極上の部分ではほとんど光を透過しないが、シアノ系液晶材料を使用した図１０の構成では最低でも１０％〜２０％程度の光を透過することが可能であり、電極にＩＴＯ等の透明導電層を使用すると実質開口率が大きく向上する。また、電極線幅が細いほど電界強度は強くなり電極上の透過率は向上する。しかしながら、縦電界の影響が強すぎると視野角による色の変化が大きくなりすぎるため、電極線幅は最大４μｍ程度にするのが望ましい。
【０１５６】
さらに、走査信号線６と共通電極３を同じ層で形成した場合、共通電極３の櫛部３ａ、３ｂ、３ｃと走査信号線６がごく近傍に配置されるため、ショートによる不良が発生する確率が高かったが、本実施の形態による構成では、共通電極３の櫛部３ａ、３ｂ、３ｃを走査信号線６と異なる層に形成するため、ショートによる不良をなくすことができる。
【０１５７】
なお、本実施の形態では、半導体スイッチング素子７にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を使用する例について説明したが、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）等、他の半導体層を使用しても同様の効果を得ることができる。
【０１５８】
また、本実施の形態では、屈曲形の電極の例について説明したが、直線形の電極、囲い込み形の電極等、電極の形状にかかわらず、実質開口率を向上するという効果を得ることができる。
【０１５９】
（実施の形態２−２）
図１２(a)は実施の形態２−２における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図１２(b))は実施の形態２−２における液晶表示装置の構成を示す平面図である。図１２(c)は実施の形態２−２における液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図１２(b)のＡ−Ａにおける断面図である。
【０１６０】
図１３は実施の形態２−２における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図である。
【０１６１】
本実施の形態は、画素電極の電極部４ａ、４ｂに透明導電体を使用する場合の実施の形態であり、この点で実施の形態２−１とは異なる。
【０１６２】
以下、図１２及び図１３を用いてその動作について述べる。
【０１６３】
まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ、Ｔｉ等からなる非透過形導電体を形成し、共通電極３と走査信号線６を所定の形状にパターニングする。このように形成され第１電極群の上に第１絶縁層８を形成した後、この第１絶縁層８の所定部分の上にａ−Ｓｉ層７ａとｎ+形ａ−Ｓｉ層７ｂとからなる半導体スイッチング素子７を形成する。さらに、第１絶縁層８及び半導体スイッチング素子７の所定部分の上にＡｌ、Ｔｉ等からなる非透過形導電体を形成し、映像信号線５と画素電極の配線部４ｃからなる第２電極群を所定の形状にパターン形成する。
【０１６４】
つぎに、第２電極群までが形成されたアレイ基板１Ａ上にＳｉＮｘ等からなる第２絶縁層１２を形成する。第２絶縁層１２は半導体スイッチング素子７を保護する保護膜の役目も果たすものでもある。
【０１６５】
さらに、画素電極の櫛部４ａ、４ｂを、透明導電体であるＩＴＯ膜で形成する。
【０１６６】
ここで、非透過形導電体で形成された画素電極の配線部４ｃと、透明導電体で形成された画素電極の電極部４ａ、４ｂとの導通を得るために、第２絶縁層１２には、コンタクトホール１２ａを設けた構成としている。
【０１６７】
なお、それ以外の部分の電極形状、液晶材料等は上記実施の形態２−１と同じでよい。
【０１６８】
このような構成でも、実施の形態２−１と同様、実質開口率の高い液晶パネルを得ることが可能である。
【０１６９】
（実施の形態２−３）
図１４(a)は実施の形態２−３における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図１４(b)は実施の形態２−３における液晶表示装置の構成を示す平面図である。図１４(c)は実施の形態２−３における液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図１４(b)のＡ−Ａにおける断面図である。
【０１７０】
図１５は実施の形態２−３における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図である。
【０１７１】
本実施の形態は、共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃと画素電極の電極部４ａ、４ｂの両方に透明導電体を使用する場合の実施の形態であり、この点で上記実施の形態２−１及び上記実施の形態２−２とは異なる。
【０１７２】
以下、図１４及び図１５を用いてその動作について述べる。
【０１７３】
まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ、Ｔｉ等からなる非透過形導電体で形成し、共通電極の配線部３ｄと走査信号線６を所定の形状にパターニングする。このように形成された第１電極群の上に第１絶縁層８を形成した後、この第１絶縁層８の所定部分の上にａ−Ｓｉ層７ａとｎ+形ａ−Ｓｉ層７ｂとからなる半導体スイッチング素子７を形成する。さらに、第１絶縁層８及び半導体スイッチング素子７の所定部分の上にＡｌ、Ｔｉ等からなる非透過形導電体を形成し、映像信号線５と画素電極の配線部４ｃからなる第２電極群を所定の形状にパターン形成する。
【０１７４】
つぎに、第２電極群までが形成されたアレイ基板１Ａ上にＳｉＮｘ等からなる第２絶縁層１２を形成する。第２絶縁層１２は半導体スイッチング素子７を保護する保護膜の役目も果たすものでもある。
【０１７５】
さらに、共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃを透明導電体であるＩＴＯ膜で形成し、ＳｉＮｘ等からなる第３絶縁層１３を形成した後、画素電極の電極部４ａ、４ｂを、透明導電体であるＩＴＯ膜で形成する。
【０１７６】
ここで、非透過形導電体で形成された共通電極の配線部３ｄと、透明導電体で形成された共通電極の櫛部３ａ、３ｂ、３ｃとの電気的導通を得るために、第１絶縁層８及び第２絶縁層１２にコンタクトホール８ａ、１２ｂを設け、また、非透過形導電体で形成された画素電極の配線部４ｃと、透明導電体で形成された共通電極の電極部４ａ、４ｂとの電気的導通を得るために、第２絶縁膜１２及び第３絶縁層１３にコンタクトホール１２ａ、１３ａを設けた構成としている。
【０１７７】
なお、それ以外の部分の電極形状、液晶材料等は上記の実施の形態１あるいは上記の実施の形態２−２と同じでよい。
【０１７８】
このような構成により、実施の形態２−１あるいは実施の形態２−２以上に実質開口率の高い液晶パネルを得ることが可能である。
【０１７９】
（実施の形態２−４）
図１６は実施の形態２−４における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す断面拡大図である。
【０１８０】
本実施の形態は、上記の実施の形態２−３と同様に、共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃと画素電極の電極部４ａ、４ｂの両方に透明導電体を使用する場合の実施の形態であるが、これらを同一層に形成した場合の実施の形態であり、この点で上記の実施の形態２−３とは異なる。
【０１８１】
したがって、本形態２−４における液晶表示装置を作製する際、第２電極群を形成し、第２絶縁層を形成する工程までは、実施の形態２−３と同じでよく、この第２絶縁層の上に共通電極の電極部３ａ、３ｂ、３ｃと画素電極の電極部４ａ、４ｂの両方を透明導電体で形成する。
【０１８２】
このような構成により、上記の実施の形態２−３より少ないプロセス数で、かつ、上記の実施の形態２−１あるいは上記の実施の形態２−２以上に実質開口率の高い液晶パネルを得ることが可能である。
【０１８３】
（実施の形態２−５）
図１７(a)は実施の形態２−５における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図１７(b)は実施の形態２−５における液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【０１８４】
図１７において、１Ａはアレイ基板、１Ｂは対向基板、２は液晶、３は共通電極、４は画素電極、５は画素電極４と接続され映像信号を与える映像信号線、６は走査信号線、７は半導体スイッチング素子、８は透明絶縁層、９Ａはアレイ基板１Ａの内面に形成した配向膜、９Ｂは対向基板１Ｂの内面に形成した配向膜、１０ａは赤色カラーフィルター材料、１０ｂは緑色カラーフィルター材料、１０ｃは青色カラーフィルター材料、１１はブラックマトリックス（遮光層）、である。
【０１８５】
以下、図１７を用いて、上記構成の液晶表示装置の製造について説明する。
【０１８６】
まず、アレイ基板１Ａ上にＡｌ等からなる導電膜でパターニングされた走査信号線６を形成し、絶縁膜を形成した後、ａ−Ｓｉ等からなる半導体スイッチング素子７、また、Ａ
ｌ等からなる導電膜でパターニングされた映像信号線５を形成する。
【０１８７】
本実施の形態は横電界印加方式であり、共通電極３及び画素電極４を透明導電体であるＩＴＯ膜、あるいはＡｌ等からなる導電膜で図１７(b)に示すような櫛形にパターニング形成する。
【０１８８】
画素電極４は、映像信号線５、走査信号線６、または半導体スイッチング素子７を形成するのと同じ層で形成し、透明導電体であるＩＴＯ膜等で形成する。
【０１８９】
さらに、これらの配線を平坦化するのに充分な厚さを有する透明絶縁層８を形成した後、透明導電体であるＩＴＯ膜からなる共通電極３を形成する。
【０１９０】
また、映像信号線５直上の共通電極の電極部３ａ、３ｄの線幅ｗ１'は、他の共通電極の電極部３ｂ、３ｃの線幅ｗ１よりも大きくしておく。
【０１９１】
その後、アレイ基板１Ａ、及び対向基板１Ｂには、液晶２の分子の配列を整列させるためにポリイミド等からなる配向膜９Ａ、９Ｂを形成する。
【０１９２】
対向基板１Ｂはアレイ基板１Ａに対向して設け、赤色カラーフィルター材料１０ａ、緑色カラーフィルター材料１０ｂ、青色カラーフィルター材料１０ｃ、及びブラックマトリックス１１が所定のパターンに形成されている。
【０１９３】
このように作製されたアレイ基板１Ａ、及び対向基板１Ｂは、各々所定の方向に初期配向方位を形成し、周辺部をシール剤で接着した後、液晶２を注入し封止する。
【０１９４】
半導体スイッチング素子７は映像信号線５及び走査信号線６から入力される駆動信号によってオン、オフ制御される。そして、半導体スイッチング素子７と接続された画素電極４と、共通電極３との間に印加された電圧によって電界を発生させ、液晶２の配向を変化させて各画素の輝度を制御し、画像を表示する。
【０１９５】
図１７において、ｄはセルギャップ、ｗ1は共通電極の電極部３ｂの線幅、ｗ２は画素電極の電極部４ａの線幅、ｗ１'は共通電極の電極部３ａの線幅、ｌは共通電極の電極部３ｂと画素電極の電極部４ａとの間隔（間隙）、を示す。
【０１９６】
本実施の形態では、図１７に示すように、共通電極の電極部３ｂ及び画素電極の電極部４ａの線幅ｗ1、ｗ2は、セルギャップｄよりも小さくし（ｗ1,ｗ2＜ｄ）、間隔（間隙）ｌもセルギャップより小さい（ｌ＜ｄ）。また、画素電極４を透明絶縁層８が形成される前のプロセスで形成した、すなわち、透明樹脂層８の下層であるアレイ基板１Ａ側に設けた構成としている。
【０１９７】
さらに、映像信号線５直上の共通電極３ａ、３ｄの線幅ｗ１'は、他の共通電極３ｂ、３ｄの線幅ｗ１より大きい（ｗ１'＞ｗ１）。これらの点が、本実施の形態が従来例と大きく異なる点である。
【０１９８】
このような構成においては、横電界に加え、各々の電極の周辺電界によって電極上の電界強度が大きくなり液晶が回転するので、電極に透明導電材料を使用することによって、電極の上の部分も光を透過するようになる。
【０１９９】
さらに、映像信号線５の上にも共通電極３ａを設けているので、画素電極４ａとの間にも電界を発生することができる。したがって、従来、ブラックマトリッス１１で覆ってい
た部分も光を透過するようになり、実質開口率が向上するので高輝度のパネルを得ることができる。
【０２００】
しかしながら、このような構成の場合、共通電極３、画素電極４をどの層に形成するかによって電界分布が異なってくる。
【０２０１】
まず、画素電極４を透明絶縁層８が形成される前のプロセスで形成した、すなわち、透明樹脂層８の下層であるアレイ基板１Ａ側に設けた構成とすることの作用と効果について説明する。
【０２０２】
図１８に本実施の形態による電極構成での液晶パネルの光透過率特性（電界分布、液晶ダイレクタからパネルの光透過率を計算）を示す。
【０２０３】
具体的には、電極間隙ｌ＝２μｍ、電極幅ｗ１＝ｗ２＝２μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、とした（つまり、ｗ１,ｗ２＜ｄ、及びｌ＜ｄを満たしている）。
また、電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶材料は同一、駆動電圧は５Ｖ、同一環境下という条件とした。
【０２０４】
図１８（ａ）と図１８（ｂ）の構成で異なる点は、図１８（ａ）は、共通電極３、画素電極４の両方を透明絶縁層８の上層、すなわち、対向基板１Ｂ側に設けた構成であり、図１８（ｂ）は、画素電極４を透明絶縁層８が形成される前のプロセスで形成した、すなわち、透明樹脂層８の下層であるアレイ基板１Ａ側に設けた構成、という点である。
【０２０５】
この結果から明らかなように、図１８（ｂ）の構成のほうがより高い透過率を有することがわかる。１ドットサイズが４３μm×１２９μmという超高精細パネルで透過率を測定した結果、積層型共通電極を使わない構成での透過率が３７％、図１８（ａ）の構成での透過率は４４％、に対して、図１８（ｂ）の構成にすると透過率は６０％と大きく向上することがわかった。
【０２０６】
つぎに、映像信号線５直上の共通電極３ａの線幅ｗ１'を、他の共通電極３ｂの線幅ｗ１より大きくすること（ｗ１'＞ｗ１）の作用と効果について説明する。
【０２０７】
図１９に、図１８（ｂ）と電極線幅、電極間隔が異なる電極構成の場合の電気光学シュレーション（電界分布、液晶ダイレクタからパネル透過率を計算）の結果を示す。
【０２０８】
具体的には、電極間隙ｌ＝１０μｍ、電極幅ｗ１＝ｗ２＝６μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、とした。また、電極構成以外は同じ条件、すなわち、液晶材料は同一、駆動電圧は５Ｖ、同一環境下という条件とした。
【０２０９】
図１９（ａ）に示すように、ｗ１'＝ｗ１＝６μｍの場合、映像信号線５直上の共通電極４ａと画素電極３ａとの間に生じる電界分布は、画素電極３ａと共通電極４ｂとの間に生じる電界分布と異なり、映像信号線５に近くなるにしたがってより強い電界が発生するような傾斜分布になるため、透過率分布も映像信号線５に近くなるにしたがって高透過率となる。したがって、輝度ムラあるいは色付きの原因となる。
【０２１０】
これに対し、図１９（ｂ）に示すように、映像信号線５直上の共通電極４ａの線幅を他の共通電極の線幅より大きくすれば（ｗ１'＝１０μｍ＞ｗ１の場合）、映像信号線５直上の共通電極４ａと画素電極３ａとの間に生じる電界分布の傾斜は無くなり、輝度ムラ、色付きの発生を防止することができる。
【０２１１】
なお、この実施の形態では、特にｗ１,ｗ２＜ｄ、及びｌ＜ｄを満たしていない構成の例で説明したが、もちろん、ｗ１,ｗ２＜ｄ、及びｌ＜ｄを満たす構成でも同様の効果を得ることができる。
【０２１２】
（実施の形態２−６）
図２０(a)は実施の形態２−６における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図２０(b)は実施の形態２−６における液晶表示装置の構成を示す平面図である。図２０(c)は図２０(b)に示したＡ−Ａ線上の断面図である。
【０２１３】
図２０において、１Ａはアレイ基板、１Ｂは対向基板、２は液晶、３は共通電極、４は画素電極、５は画素電極４と接続され映像信号を与える映像信号線、６は走査信号線、７は半導体スイッチング素子、８は透明絶縁層、９Ａはアレイ基板１Ａの内面に形成した配向膜、９Ｂは対向基板１Ｂの内面に形成した配向膜、１０ａは赤色カラーフィルター材料、１０ｂは緑色カラーフィルター材料、１０ｃは青色カラーフィルター材料、１１はブラックマトリックス（遮光層）、１２は半導体スイッチング素子７を作製する工程で形成される絶縁層である。
【０２１４】
本実施の形態は、映像信号線５直上の共通電極３ａ、３ｄと、それ以外の共通電極３ｂ、３ｃとを異なる層に形成するときの実施の形態であり、映像信号線５直上にＩＴＯのような高抵抗の導電体を形成できない場合の実施の形態である。
【０２１５】
本実施の形態２−６の製造方法は、上記の実施の形態２−５とほぼ同じであるので、異なるプロセスのみ説明する。即ち、共通電極４を形成するプロセスについてのみ説明する。              
【０２１６】
実施の形態２−５と同様に、共通電極３及び画素電極４を透明導電体であるＩＴＯ膜、あるいはＡｌ、Ｔｉ等からなる導電膜で図２０(b)に示すような櫛形にパターニング形成する。
【０２１７】
画素電極４は、映像信号線５、走査信号線６、または半導体スイッチング素子７を形成するのと同じ層で形成し、透明導電体であるＩＴＯ膜で形成する。
【０２１８】
次に、半導体スイッチング素子７を作製する工程で絶縁層１２を形成した後、透明導電体であるＩＴＯ膜で共通電極３ｂ、３ｃを形成する。
【０２１９】
さらに、これらの配線を平坦化するのに充分な厚さを有する透明絶縁層８を形成した後Ａｌ、Ｃｒ等の非透過形の導電材料で共通電極３ａ、３ｄを形成する。映像信号線５の直上の共通電極３ａ、３ｄとそれ以外の共通電極３ｂ、３ｃとは透明絶縁層８に設けたコンタクトホール８ａを介して電気的導通を得られる構成である。
【０２２０】
このような構成にしても、もともと映像信号線５はＡｌ等の非透過形の導電材料で形成されているので、透過率を低下させることはなく、映像信号線５直上の共通電極４ａ、４ｄを、Ａｌ、Ｃｒ等の非透過形の低抵抗導電材料で形成することができる。
【０２２１】
（実施の形態２−７）
本実施の形態２−７について図面を参照しながら説明する。
【０２２２】
図２１（ａ）は本実施の形態２−７における液晶表示装置の構成を示す断面図である。図２１（ｂ）は本実施の形態２−７における液晶表示装置の構成を示す平面図である。図２１（ｃ）は本実施の形態２−７における液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図２
１（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【０２２３】
図２２は本発明の実施の形態２−７における液晶表示装置の半導体スイッチング素子近傍の構成を示す拡大断面図である。
【０２２４】
本実施の形態は、液晶材料中の不純物イオンが多く、その電荷が電極上に蓄積されることによって生じる残像、いわゆる焼き付きが顕著なときの実施の形態であり、この点で実施の形態２−１から実施の形態２−４まで説明した構成と異なる。
【０２２５】
本実施の形態２−７の製造方法は、上記実施の形態２−３とはほぼ同じであるので、異なるプロセスのみ説明する。即ち、第４絶縁層１４を加えるプロセスとその効果についてのみ説明する。
【０２２６】
ＳｉＮｘ等からなる第３絶縁層１３を形成した後、画素電極の電極部４ａ，４ｂを、透明導電体であるＩＴＯ膜で形成するまでのプロセスは実施の形態２−３と同じである。本実施の形態では、さらに第４絶縁層１４を形成する。
【０２２７】
実施の形態２−１から実施の形態２−４で説明した構成は、共通電極の電極部３ａ，３ｂ、あるいは画素電極の電極部４ａ，４ｂが最上層に露出した構成である。すなわち、配向膜９Ａは非常に薄い膜であるため、電極の露出した部分に液晶２がほぼ直接接触する構成となり、液晶２の中の不純物イオンが蓄積し、フリッカーや残像、焼き付きを起こす要因となる。従って、特に液晶２の中の不純物イオンが多い場合は、フリッカーや残像、焼き付きが顕著となり画質を損ねるばかりでなく、高温高湿の環境下などで化学反応を誘発し、さらなる画像欠陥を生じるおそれがある。
【０２２８】
そこで、液晶２が共通電極の電極部３ａ，３ｂ、あるいは画素電極の電極部４ａ，４ｂと直接接触することを防止するために第４絶縁層１４を設けた構成とした。
【０２２９】
ここで、第４絶縁層は実施の形態２−１から実施の形態２−６で説明したいずれの絶縁膜であってもかまわない。すなわち、他のプロセスで使用されるＳｉＮｘ、あるいは層間絶縁膜等で使用されるアクリル系感光性樹脂等の絶縁膜を用いれば、製造装置を追加することなく低コストで高画質、高信頼性の液晶表示装置を得ることができる。
【０２３０】
但し、確実に絶縁性を得るために表面抵抗は１０１０Ω／□前後、膜厚は５０ｎｍ以上が望ましい。
【０２３１】
また、第４絶縁層にＳｂ2ＯS系微粒子を添加したＳｉＯ2系材料を用いれば、Ｎａ＋、Ｋ＋、ＮＨ4＋といった不純物イオンを吸収する機能を有するのでより効果的である。
【符号の説明】
【０２３２】
１Ａ  ：アレイ基板
１Ｂ  ：対向基板
２    ：液晶
３    ：共通電極
４    ：画素電極
５    ：映像信号線
６    ：走査信号線
７    ：半導体スイッチ素子
８    ：透明絶縁層
９Ａ  ：配向膜
９Ｂ  ：配向膜
１０ａ：赤色カラーフィルター材料
１０ｂ：緑色カラーフィルター材料
１０ｃ：青色カラーフィルター材料
１１  ：ブラックマトリックス
１２  ：絶縁層
ｗ１  ：共通電極の線幅
ｗ２  ：画素電極の線幅
ｌ  ：共通電極と画素電極との間隙
ｔ１：共通電極の膜厚
ｔ２：画素電極の膜厚
ｔ６：映像信号線若しくは走査信号線の膜厚
ｄ：セルギャップ
ｗ１’：映像信号線直上に位置する共通電極の線幅
【図１】
2010079313.tif 000003
【図２】
2010079313.tif 000004
【図３】
2010079313.tif 000005
【図４】
2010079313.tif 000006
【図５】
2010079313.tif 000007
【図６】
2010079313.tif 000008
【図７】
2010079313.tif 000009
【図８】
2010079313.tif 000010
【図９】
2010079313.tif 000011
【図１０】
2010079313.tif 000012
【図１１】
2010079313.tif 000013
【図１２】
2010079313.tif 000014
【図１３】
2010079313.tif 000015
【図１４】
2010079313.tif 000016
【図１５】
2010079313.tif 000017
【図１６】
2010079313.tif 000018
【図１７】
2010079313.tif 000019
【図１８】
2010079313.tif 000020
【図１９】
2010079313.tif 000021
【図２０】
2010079313.tif 000022
【図２１】
2010079313.tif 000023
【図２２】
2010079313.tif 000024
【図２３】
2010079313.tif 000025
【図２４】
2010079313.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、
第１絶縁層の上に形成された前記共通電極または前記画素電極のいずれか一方の一部からなる第１電極群と、
前記第１電極群の上に形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に形成された前記共通電極または前記画素電極のうち残りの一方の一部からなる第２電極群と、
前記第２電極群の上に形成された第３絶縁層とからなる液晶表示装置。
【請求項２】
前記第３絶縁層の上に配向膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記目的を達成するため、本発明は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、基板にほぼ平行な電界を発生させて液晶を調光駆動する液晶表示装置であって、
第１絶縁層の上に形成された前記共通電極または前記画素電極のいずれか一方の一部からなる第１電極群と、前記第１電極群の上に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成された前記共通電極または前記画素電極のうち残りの一方の一部からなる第２電極群と、前記第２電極群の上に形成された第３絶縁層とからなる液晶表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】