(57)【要約】【課題】  基板エッジ部を加熱処理する場合、基板支持部材の一部が、基板からはみ出して基板を支持することになり、また、基板支持部材と基板アライメント機構等の基板エッジ部近傍部材とが物理的に干渉し、接触することにより、基板エッジ部の加熱処理ができない。【解決手段】  基板エッジ部を加熱手段で加熱処理する際に、加熱手段の座標と、基板支持部材の座標とを独立して位置制御することで、加熱手段の中心位置と基板支持部材の中心位置とをずらして配し、基板支持部材を基板周辺部材と物理的に干渉しない位置に設定し、加熱手段を基板エッジ部に設定して加熱処理することで、基板エッジ近接位置の加熱処理を可能とする。【選択図】  図１０
2010282045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を局所的に加熱する装置であって、
前記基板の加熱処理領域近傍を下方より基板に接触させ支持する基板支持部材と、
前記基板の加熱対象となる局所位置に前記基板の上方より熱風を噴射して加熱する加熱手段とを有し、
基板処理座標領域ごとに、前記加熱手段の熱風を噴射する座標と、
前記基板支持部材の座標との相対位置関係を設定し、
前記加熱手段の座標と、前記基板支持部材の座標とを独立して位置制御することを特徴とした局所加熱装置。
【請求項２】
前記基板を支持する前記基板支持部材の支持領域より外側に、前記加熱手段の座標を配置できることを特徴とした請求項１記載の局所加熱装置。
【請求項３】
前記基板支持部材上における基板上面位置の高さと、
前記加熱手段による加熱位置における基板上面位置の高さとの差分量を、
前記加熱手段の噴出し位置の高さ補正量として前記加熱手段の高さを制御することを特徴とした請求項２記載の局所加熱装置。
【請求項４】
前記基板支持部材の高さを設定することで前記基板の加熱処理による反り方向を一定方向にすることを特徴とした請求項１記載の局所加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に局所的に形成された液体あるいは熱硬化性部材を加熱乾燥し、膜形成させる局所加熱装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液体あるいは熱硬化性部材を基板上に塗布し、乾燥させることで膜を形成させる技術は従来から多くの生産装置で利用されている。その中でも近年注目が高まっているのが、基板上の任意の箇所に必要量だけ液体を塗布し、乾燥させることで膜を形成させるパターニング技術である。このような技術にはディスペンサーやインクジェットを用いた技術がある。このような技術は、従来のフォトリソグラフィーによる真空プロセスを用いたパターン生成方法に代わり、脱真空プロセスに使用可能な技術として注目が高まっている。
【０００３】
例えば、インクジェットによるパターニング技術を用いた生産装置としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色からなるインクをガラス基板上に形成されているＲＧＢ用画素領域内に着弾させることによって各画素を埋め、カラーフィルタ(ＣＦ)パネルを形成する装置がある。この場合、画素領域内に埋められたインクは、オーブン等によって基板全体を加熱することで乾燥させ、膜を形成する。
【０００４】
また、このようなパターニング技術は全面印刷技術としてのみならず、混色、夾雑物の混入または付着といった欠陥部を修復するための技術としても広く用いられており、このような修復装置の開発も進んでいる。このような修復技術として、例えば、CFパネルにおいては、インクの混色が発生した欠陥画素や夾雑物が混入した欠陥画素の場合、欠陥領域のインク層膜を除去し、除去部分に再度インクを塗布して加熱乾燥することで画素を再形成する技術がある。
【０００５】
液体塗布部の加熱乾燥方法としては、従来、オーブン、ホットプレート等で基板全体を加熱して乾燥させる方法を開示した先行文献として特許文献１がある。基板全体を加熱する場合、専用の大型加熱装置や耐熱性に優れた搬送ロボットが必要であり、また、加熱された基板を次工程に進めるために冷却する場所や時間も必要となり、製造コストの上昇やタクトが長くなるといった問題があった。
【０００６】
特に、加熱乾燥箇所が少ない場合は、局所的に加熱し乾燥させる方が製造コストとタクトが有利になるため、液体塗布部だけを局所的に加熱乾燥させる技術への期待は高い。
【０００７】
図２には、液体塗布部だけを局所的に加熱乾燥させる技術として、基板支持部材５にて基板１を一定高さに支持した上で、熱風ヒータ２により液体塗布部のみを局所加熱させ、不要な熱排気を取る排気管９を持つ局所加熱装置の構成断面図を示す。搬送コロ８上の基板を、基板支持部材５によってわずかに持ち上げて支持し、基板支持部材内側に配置された熱風ヒータ２により、基板下面より加熱する。加熱開始時の基板支持部材高さは予め設定されており、支持された基板と熱風ヒータとの間隔は一定に管理される。
【０００８】
基板支持部材は基板と直接接触しており、熱風ヒータにて基板を加熱処理する際、近接する基板支持部材も熱の影響を受け温度が上昇する。このため、基板支持部材は、基板に傷が付かないように耐熱性の高い樹脂材料で製作されている。
【０００９】
ただし、基板支持部材の温度が上昇すると、樹脂材料であるためにその強度が低下し、基板支持の際の荷重により変形する可能性が高くなる。基板支持部材の温度上昇を抑えるためには熱風ヒータとの距離を離すことが有効である。リング状の基板支持部材の場合、そのリング形状を大きくすることが基板支持部材の温度上昇を抑えるにあたって非常に有効な方法である。また、基板を支持する際の荷重も大きな面積で分散支持できるため、基板への集中荷重を防ぎ、基板割れのような不具合が発生する可能性を低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−１６０２９６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
基板高さを一定にする基板支持部材の中心位置に加熱手段を配した構成によって基板エッジ部を加熱処理する場合、基板加熱条件を最適に保つために、加熱手段中心位置を基板処理位置に配置する必要がある。しかし、基板支持部材の支持位置が熱の影響を避けるために加熱手段中心位置との距離が離れている場合、基板支持部材の一部が、基板からはみ出して基板を支持することになる。また、基板端部周辺には基板アライメント機構等が配されており、基板支持部材と基板アライメント機構等の基板エッジ部近傍部材とが物理的に干渉し、接触する。両者を接触させないためには、基板支持部材が基板領域からはみ出さないように基板エッジ部から大きく内側へ配する必要があり、それにより、熱風ヒータによる基板エッジ部の加熱処理ができないという問題点がある。
【００１２】
また、熱風ヒータで局所的に加熱された基板は膨張し、基板の反りが発生する。加熱された基板が大きく反ることにより、基板と熱風ヒータ間の距離が変化し、基板の処理温度を一定に管理できない。そのため、安定した加熱条件を保持できず、加熱後の熱硬化性部材の高品質化を図ることができないという問題点がある。
【００１３】
本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、加熱対象となる基板エッジ部の加熱を可能とし、基板の反りに対して安定した加熱条件を保持し、加熱後の熱硬化性部材の高品質化を図ることができる、局所加熱装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板の加熱処理領域近傍を下方より基板に接触させ支持する基板支持部材と、基板の加熱対象となる局所位置に基板の上方より熱風を噴射して加熱する加熱手段とを有し、基板処理座標領域ごとに、加熱手段の熱風を噴射する座標と、基板支持部材の座標との相対位置関係を設定し、加熱手段の座標と、基板支持部材の座標とを独立して位置制御する。
【００１５】
この局所加熱装置によると、基板エッジ部を加熱手段で加熱処理する際に、加熱手段の座標と、基板支持部材の座標とを独立して位置制御することで、加熱手段の中心位置と基板支持部材の中心位置とをずらして配し、基板支持部材を基板周辺部材と物理的に干渉しない位置に設定し、加熱手段を基板エッジ部に設定して加熱処理することで、基板エッジ近接位置の加熱処理を可能とする。
【００１６】
さらに、基板を支持する基板支持部材の支持領域より外側に、加熱手段の座標を配置できることが好ましい。
【００１７】
加熱手段を基板支持部材の支持領域より外側に配置することで、加熱処理による基板支持部材への熱の影響を抑えることができ、加熱による劣化を防ぐことができる。
【００１８】
さらに、基板支持部材上における基板上面位置の高さと、加熱手段による加熱位置における基板上面位置の高さとの差分量を加熱手段の噴出し位置の高さ補正量として加熱手段の高さを制御することが好ましい。
【００１９】
基板の撓みによる高さの差分量を補正量として加熱手段の高さを制御することで、加熱手段の噴出し位置と基板上面位置との距離を一定に保つことができ、加熱条件を安定化することで加熱後の基板の高品質化を図ることが可能となる。
【００２０】
さらに、基板支持部材の高さを設定することで基板の加熱処理による反り方向を一定方向にすることが好ましい。
【００２１】
加熱処理開始時に基板支持部材の高さを設定することで基板に反りを与え、加熱処理による反り方向を一定方向にすることで、加熱手段の噴出し位置と基板上面位置との距離を一定にすることができ、加熱条件を安定化することで加熱後の基板の高品質化を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の局所加熱装置によれば、加熱手段の座標と、基板支持部材の座標とを独立して位置制御することで、加熱対象である基板エッジ近接位置の加熱処理を可能とすることができる。また、基板上面位置と加熱手段との距離を一定に保つことができるため、基板の加熱条件をより厳密に管理することが可能となり、加熱後の基板の高品質化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の加熱処理動作を示すブロック図である。
【図２】従来技術における局所加熱装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の装置構成を示す平面図である。
【図４】本発明の装置構成を示す断面図である。
【図５】搬送コロ上の基板の状態を示す図である。
【図６】基板が基板支持部材に支持された状態を示す図である。
【図７】基板支持部材とアライメント機構の干渉を示す図である。
【図８】基板を複数の領域に分割した状態を示す図である。
【図９】複数の領域に分割した領域ごとのレシピ１を示す図である。
【図１０】本発明における熱風ヒータと基板支持部材の位置ずれを示す図である。
【図１１】複数の領域に分割した領域ごとのレシピ２を示す図である。
【図１２】熱風ヒータと基板支持部材との相対位置関係を示す図である。
【図１３】基板支持部材位置を同一とした場合の基板エッジ部のたわみを示す図である。
【図１４】基板支持部材と加熱手段との間隔を一定にした場合の基板エッジ部のたわみを示す図である。
【図１５】基板と加熱手段の噴出し位置の高さ関係を示す図である。
【図１６】基板の加熱による反りを示す図である。
【図１７】基板の反り方向を示す図である。
【図１８】基板支持部材上の基板の反りを示す図である。
【図１９】基板支持部材上の基板の反りを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、この発明に基づいた本発明の実施の形態における局所加熱装置において、図を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２５】
図３、図４に局所加熱装置の構成を示す。基板搬送用枠体７には、基板１を位置決め、固定するためのアライメントコロ６１と、このアライメントコロ６１を駆動するエアシリンダー６２が設置され、アライメント機構６を構成している。エアシリンダー６２を動作させると、基板１は、その四隅をアライメントコロ６１により位置決め、固定される。基板１は図示しない多数の搬送コロ８上に配されており、図示しない搬送機構によりＹ軸方向に往復移動可能となっている。
【００２６】
基板１の上方には、加熱手段２と冷却ノズル３がユニット保持部材４に固定されている。加熱手段２としては、熱風を噴射する熱風ヒータを使用してもよい。ユニット保持部材４は、図示しないＸ、Ｚステージによって、前記基板搬送方向（Ｙ）と直交するＸ方向、上下Ｚ方向に移動可能となっている。加熱処理時の基板１と熱風ヒータなどの加熱手段２先端位置の間隔は、事前に基板加熱に最適なギャップ寸法となるよう位置制御される。
【００２７】
使用されるガラス基板は、一辺が３ｍを超える大きさである一方、その厚さは０．７ｍｍ程度と非常に薄い。前述のように基板１は搬送コロ８上を滑るように移動するが、全くの平板とはならない。図５（ａ）は、基板１が搬送コロ８に支持されている状態を示す断面図であり、図５（ｂ）は、基板１が搬送コロ８に偏って支持されている状態を示す断面図である。図５（ａ）に示すように、隣り合う搬送コロ８同士の間において、基板は自重によるたわみが生じて基板高さがばらつく。また、搬送コロ８上面の高さをばらつき無く一致させることは困難であり、搬送コロ８上の基板高さのばらつきの原因の一つとなる。図５（ｂ）に示すように、基板端部周辺を加熱手段２である熱風ヒータにて加熱処理する場合、基板１は搬送コロ８によって片持ち状態で支持される。そのため、片持ち状態になっている部分の基板１の自重により、大きなたわみが発生する場合がある。
【００２８】
熱風ヒータによる局所加熱装置においては、熱風ヒータと基板１間の距離がばらつくと、加熱処理時の基板温度も距離に応じてばらつき、一定とならない。基板１に塗布された熱硬化性部材を、加熱処理後に高品質に保つためには、あらかじめ設定された最適基板温度範囲に加熱することが必要であり、加熱温度のばらつきを小さく抑える必要がある。
【００２９】
このため、図６に示すように、基板１の下方には基板支持部材５が配されており、ここでの基板支持部材５はドーナツ型をなし、リング状に基板と接触する。基板支持部材５は図示しないＸ、Ｚステージに搭載されており、基板搬送方向と直交するＸ方向、及び、上下Ｚ方向に移動可能である。また、基板１上方の熱風ヒータも基板搬送Ｙ方向と直交するＸ方向に移動可能であるが、装置Ｘ−Ｙ平面でみて、基板支持部材５の中心位置と熱風ヒータ中心位置は略一致できるようＹ方向位置は設定されている。ここでは基板支持部材５が搬送コロ８上面よりわずか上方に配された状態を示す。基板支持部材５を搬送コロ８上面より上方に配し、基板１を若干量持上げることで、搬送コロ８上の基板１が撓んでいたとしても、基板支持部材中央部の基板高さはほぼ一定高さに規定され、基板１と熱風ヒータとの間隔を一定に保つことができる。
【００３０】
ところで、熱硬化性部材は、基板最外周のごく一部を除いた基板１のほぼ全面に塗布される可能性がある。基板１の中央付近を加熱処理する際は、図６に示す基板１、基板支持部材５、熱風ヒータの各配置となり、基板支持部材５の中心位置の基板１を加熱処理する。ここでは、基板支持部材５周辺にアライメントコロ６１等の他の構成部品はなく、安定した加熱処理が可能である。
【００３１】
ところで、基板支持部材５の形状が小さいと、加熱処理時、熱風ヒータにより基板支持部材５も加熱され温度が上昇する。基板支持部材５は基板１と接触するため、基板１にキズを付けないよう樹脂材にて形成されている。耐熱性の樹脂材が選択されるが、基板１を支持した際の荷重により加熱量が大きいと熱変形する可能性が大きくなる。このため事前検討により、許容できる温度上昇となる大きさの基板支持部材５形状が選択されている。
【００３２】
一方、図７は基板エッジ部を加熱処理する場合の、熱風ヒータなどの加熱手段２、基板支持部材５の位置関係を示す。基板支持部材５と加熱手段２である熱風ヒータの中心位置は合致した状態である。基板支持部材５は基板外周部より外側に大きくはみ出しており、基板位置決め、固定用アライメントコロ６１と物理的に干渉している。また、熱風ヒータはアライメントコロ６１に近接して基板１を加熱しており、基板加熱後の熱風がアライメントコロ６１を加熱してしまう。アライメントコロ６１も基板端面と接触するため、基板端面にキズを付けないよう樹脂材で形成されており、基板アライメント時に高温になると、熱変形する可能性が高くなる。
【００３３】
このように、基板支持部材５と熱風ヒータによる局所加熱装置の場合、基板エッジ部や外周部の加熱処理時に各部材の物理的干渉や、構成部品の異常加熱という問題が発生する。
【００３４】
図８は、基板１を複数の領域に分割した状態を示す。ここでは基板エッジ部のＰ２〜Ｐ５とそれ以外であるＰ１の５つの領域に分割している。各々の基板処理座標領域ごとに、熱風ヒータ中心座標、基板支持部材５中心座標の相対位置関係を設定した処理レシピを持つ。
【００３５】
図９は、図８での基板処理座標領域と熱風ヒータ中心座標、基板支持部材５中心座標の相対位置関係（レシピ１）を示す。
【００３６】
熱風ヒータ中心座標Ｘｈは、基板上の熱硬化性部材塗布位置Ｘ０を熱風ヒータ中心で加熱処理する必要があるため、通常Ｘｈ＝Ｘ０となる。
【００３７】
基板支持部材５中心座標Ｘｐは、基板領域Ｐ１では、Ｘｐ＝Ｘｈ（＝Ｘ０）が設定され、基板領域Ｐ２、Ｐ４では、Ｘｐ＝A（一定値）が設定され、基板領域Ｐ３、Ｐ５では、Ｘｐ＝B（一定値）が設定されている。つまり、基板領域Ｐ１では熱風ヒータと基板支持部材５の中心が一致して加熱処理を行う。その他の基板領域Ｐ２〜Ｐ５では、基板支持部材５中心位置は、基板周辺部材に物理的に干渉しないように、例えば、基板領域から基板支持部材がはみ出さない位置Ａ、またはＢに設定され、Ｐ２〜Ｐ５基板領域では、熱風ヒータ中心位置は基板支持部材５中心位置とはずれて配される。
【００３８】
図１０は、領域Ｐ２における基板支持部材５と加熱手段２である熱風ヒータとの位置関係を示す断面図である。基板支持部材５は基板領域からはみ出さない位置Ｘｐ＝Ａに固定され、熱風ヒータは加熱処理位置に位置制御される（Ｘｈ＝Ｘ０）。
【００３９】
このように熱風ヒータ中心座標と基板支持部材５中心座標とを単純に一致させる位置制御（Ｐ１領域）に、両座標を独立させた位置制御を組み合わせる（Ｐ２〜Ｐ５領域）相対位置関係を複数設定した少なくとも一種類の処理レシピを持たせ、この処理レシピに従い熱風ヒータ、基板支持部材５の座標位置を制御、加熱処理することにより、基板支持部材５と基板エッジ部周辺部材との接触を防いで基板エッジ部の加熱処理が可能となる。
【実施例２】
【００４０】
一方、熱風ヒータなどの加熱手段２中心位置と基板支持部材５中心位置がずれるということは、熱風ヒータが基板支持部材５に近づくことにより基板支持部材５自身が加熱されることになる。基板支持部材５は、基板１と接触した際に基板１に傷を付けないよう耐熱性の高い樹脂材料にて形成されているが、熱風ヒータと基板支持部材５との距離が縮まって基板支持部材５の温度上昇が大きいと、基板支持部材５が熱変形し、基板支持に悪影響を及ぼす可能性がある。
【００４１】
そこで、基板支持部材５が基板１を支持する領域の外側に熱風ヒータを配する局所加熱装置の構成とする。
【００４２】
図１１は、図８領域区分での基板処理座標と熱風ヒータ中心座標、基板支持部材５中心座標の相対位置関係（レシピ２）を示す。
【００４３】
熱風ヒータ中心座標Ｘｈは、基板上の熱硬化性部材塗布位置Ｘ０を熱風ヒータ中心で加熱処理する必要があるため、通常Ｘｈ＝Ｘ０となる。
【００４４】
基板支持部材５中心座標Ｘｐは、基板領域Ｐ１では、Ｘｐ＝Ｘｈ（＝Ｘ０）が設定され、基板領域Ｐ２、Ｐ４では、Ｘｐ＝Ｘｈ−α  が設定され、基板領域Ｐ３、Ｐ５では、Ｘｐ＝Ｘｈ＋α  が設定されている。つまり、基板領域Ｐ１では熱風ヒータと基板支持部材５の中心が一致して加熱処理を行う。その他の基板領域Ｐ２〜Ｐ５では、基板支持部材５中心位置は熱風ヒータ中心位置に対してα、あるいは−αだけオフセット配置設定されている。
【００４５】
図１２（ａ）はＰ２領域を加熱処理する際の熱風ヒータなどの加熱手段２と基板支持部材５の位置関係を説明する平面図を示し、図１２（ｂ）は側面図を示す。基板１は基板支持部材５によって搬送コロ８上の基板位置より所定量だけ上方に持上げられている。基板１上部熱風ヒータ中心位置Ｘｈは、熱硬化性部材塗布位置Ｘ０と合致するよう位置決めされる。一方、基板支持部材５中心位置Ｘｐは、熱風ヒータ中心位置から−αの位置に配される。ここでは、基板支持部材５の外側に熱風ヒータ中心が配されている。オフセット値αの大きさは、熱風ヒータにより基板支持部材５の耐熱温度以上に加熱されない、基板支持部材５が最もアライメントコロ６１に近づいた場合でも物理的に接触しないなどの条件によって設定されている。
【００４６】
このような基板支持部材５が基板１を支持する領域の外側に熱風ヒータなどの加熱手段２を配する構成とすることにより、基板エッジ部を加熱処理する場合においても、熱風ヒータと基板支持部材５との距離を十分に保つことができるため、基板支持部材５の大きな温度上昇を抑えることが出来る。また、基板支持部材５は基板領域内部に配置されるため、基板エッジ部周辺部材との接触を防ぐ構成とすることが可能となる。
【００４７】
リング状の基板支持部材５により基板１を持上げた際、基板支持部材５の中心の基板１下面高さは、基板支持部材５上面（基板受け面）高さとほぼ同じである。熱風ヒータの中心位置からαだけずらした位置で基板支持部材５が基板１を支持した場合、基板支持部材５による片持ち支持となり、基板１のソリやたわみの影響により基板高さが若干ばらつく可能性がある。しかし、基板支持部材５を用いない場合と比較して、熱風ヒータと基板１との間隔のばらつきははるかに小さい。その結果、基板１の加熱温度を設定温度に近づけることができ、加熱後の熱硬化性部材の高品質化を図ることが可能となる。
【００４８】
このように、基板支持部材５を持つ局所加熱装置においては、基板処理座標領域と熱風ヒータ中心座標、基板支持部材５中心座標の相対位置関係を複数設定した処理レシピを持ち、この処理レシピに従い熱風ヒータ、基板支持部材５の座標位置を制御することにより、基板支持部材５で基板１を支持しながら熱風ヒータにより基板全面を加熱処理することができる。
【００４９】
なお、この実施例では、基板を５つの処理領域に分割したが、基板のアライメント機構６の構成や、基板支持部材５形状等の要因により、各領域を様々な分割数、形状に分割することも可能である。また、この実施例では加熱手段２である熱風ヒータと基板支持部材５とのオフセット値をある一つの設定値αとしたが、基板支持部材５と他の部材との干渉領域によって、複数のオフセット設定値とすることも可能である。また、複数の熱風ヒータを用いての加熱処理に対応して、熱風ヒータ中心位置を複数設定することも可能である。
【００５０】
図１は、図４に示す基板冷却ノズルの開閉を含めた、加熱処理動作のブロック図の一例を示す。装置構成や、基板処理分割数などの条件により処理レシピを選択する（Ｓ１）。熱硬化性部材が基板に塗布された加熱処理座標Ｘ０、Ｙ０が入力され（Ｓ２）、その座標が含まれる処理領域が選択される（Ｓ３）。選択された処理領域に設定されたテーブルを参照（Ｓ４）。テーブルに従い、熱風ヒータ、基板支持部材５、及び、基板の移動・位置制御（Ｓ５）。熱風ヒータを基板加熱位置まで降下、基板支持部材５による基板１の支持。熱風ヒータが常時ＯＮの場合、基板加熱開始（Ｓ６）。熱硬化性部材の十分な硬化を確保する加熱処理（Ｓ７）。加熱後、熱風ヒータ、基板支持部材５が退避（Ｓ８）。冷却ノズル弁開放し基板冷却開始（Ｓ９）。基板温度払い出し設定温度まで冷却（Ｓ１０）。冷却ノズル弁閉鎖し基板冷却終了（Ｓ１１）。同じ基板１に他の加熱処理ポイントがあるか判定（Ｓ１２）。他の点を加熱処理する必要がある場合（Ｙｅｓ）は処理領域の判定（Ｓ３）へ戻って追加処理を継続、必要がない場合（Ｎｏ）は、熱風ヒータと基板支持部材５をホームポジションに移動（Ｓ１３）、基板１を払い出す（Ｓ１４）。
【００５１】
ここでは、熱風ヒータから常時、熱風が噴射される常時ＯＮにて説明したが、基板１を過熱するたびに熱風ヒータの電力供給をＯＮ／ＯＦＦ制御するようにしても良い。
【実施例３】
【００５２】
図１２の構成においては、基板支持部材５が基板１を支持する領域の外側に熱風ヒータなどの加熱手段２を配したが、図１２（ｂ）において、基板１は基板支持部材５によって片持ち支持されている。熱風ヒータからの熱風の影響による基板支持部材５の温度上昇を抑えたい場合には、熱風ヒータ中心位置と基板支持部材５との距離αを少しでも大きくとる必要がある。しかしその一方で、基板１の片持ち量が増え、基板１の自重により熱風ヒータ中心位置での基板下面高さも基板支持部材５上面よりも下方にたわむ量が増える。加熱すべき位置での基板のたわみ量が大きいと、熱風ヒータと基板１との間隔が大きくなり、基板１上の熱硬化性部材の加熱温度が低下してしまう。
【００５３】
このため、熱処理すべき基板座標における基板支持部材５上の基板高さと、基板１座標位置の基板高さとの差分量を熱風ヒータの高さ補正量ΔＺとする補正テーブルを作成する。
【００５４】
図１３（a）、図１３（b）、図１３（ｃ）は、基板エッジ部の加熱処理にあたり、基板支持部材５位置が同一で、熱風ヒータ位置が移動するよう制御する際の一例である。熱風ヒータと基板支持部材５との距離がα１、α２、基板支持部材５上の基板１と加熱処理すべき座標位置の基板１との高さの差がたわみ補正量ΔＺ１、ΔＺ２となる。
【００５５】
図１４（a）、図１４（b）、図１４（ｃ）は、基板エッジ部の加熱処理にあたり、基板支持部材５と熱風ヒータとの間隔を一定に位置が移動するよう制御する際の一例である。熱風ヒータと基板支持部材５との距離が一定値α３、基板支持部材５上の基板１と加熱処理すべき座標位置の基板１との高さの差がたわみ補正量ΔＺ３となる。熱風ヒータ中心座標Ｘｈの変化量が小さい場合は、基板支持部材５との距離が一定値であればこのたわみ補正量も大きく変化しない。
【００５６】
図１５は、基板１と加熱手段２である熱風ヒータの位置関係を示す。図１５（ａ）は、熱風ヒータ１が基板表面より大きく逃げた場所に保持された待機時の状態を示す。基板１をＹ方向に動かす際や、熱風ヒータをＸ方向に高速に動かす際など、基板１と熱風ヒータとの干渉を避けるために熱風ヒータを基板１から大きく逃がしている。また、熱風ヒータは、通電開始から所定温度まで昇温するまで時間がかかるため、加熱処理対象の基板が搬入された後、熱風ヒータへの通電を開始したのでは、加熱開始までの時間がかかりタクトタイムが大幅に伸びてしまう。このため、熱風ヒータへ常時通電させておくことはタクトタイム短縮のために有効である。常時通電の熱風ヒータにより基板加熱処理部以外を不要に加熱させたくない際も、熱風ヒータを大きく逃がすことは有効である。
【００５７】
図１５（ｂ）は熱風ヒータが基板上を加熱処理している状態を示す。基板１と熱風ヒータ間の距離ｍは、あらかじめ最適な加熱条件となるように設定される。熱風ヒータの待機位置から処理位置までの降下量をＭとした場合、前述の基板たわみ補正量ΔＺを考慮すると、熱風ヒータは待機位置からＭ＋ΔＺだけ降下させればよいということになる。
【００５８】
加熱処理すべき座標位置は基板ごとに異なり、ある決まった座標とはならない。このため、基板支持部材５に片持ち支持された基板１の突き出し量、基板支持部材５と熱風ヒータとの間隔、加熱処理座標等の条件の組合せにより、基板たわみ補正量は異なる値となる。
【００５９】
そのため、事前に全ての条件を網羅した補正テーブルを作成することは困難であり、通常は、熱風ヒータ中心位置（＝加熱処理位置）をいくつかの領域に分け、例えば、ｋ１≦Ｘｈ≦ｋ２のときΔＺ＝ΔＺｋ１２  として運用される。
【００６０】
このように、熱処理すべき基板座標における基板支持部材５上の基板高さと、該基板１座標位置の基板高さとの差分量を熱風ヒータの高さ補正量ΔＺとする補正テーブルを作成し、この補正テーブルに従って、基板１と熱風ヒータとの距離を制御することにより、加熱処理位置の基板１と熱風ヒータ間の距離を、基板１のどの位置においてもほぼ一定に保つことができる。その結果、基板加熱温度を目標とする設定値に管理することができ、加熱後の熱硬化性部材の高品質化を図ることが可能となる。
【実施例４】
【００６１】
基板１上に塗布された熱硬化性樹脂を焼成、乾燥させるために、基板１を加熱手段２である熱風ヒータにて加熱させるわけであるが、加熱されるのは熱硬化性樹脂周辺部のみであり、熱風ヒータ形状、吐出熱風風量などのヒータ条件によっては、１００ｍｍほど離れた部分の基板１はほとんど温度上昇がない。基板１の温度は、熱硬化性樹脂の種類や加熱プロセスにより異なるが、３００℃以上の高温になる場合もある。加熱された部分の熱膨張量は大きいが、温度上昇が小さい周辺領域の熱膨張量は小さい。このため、熱膨張量の大きい加熱領域のみがお碗状に反る。図１６（ａ）に加熱前後の基板膨張の状態を示す。ここでは、基板１が自由に変形できるように支持されているとする。
【００６２】
熱風ヒータにて基板表面を加熱した場合、熱風ヒータ側の基板表面温度は反対側の表面温度よりも高い。加熱による基板１の熱膨張による反りは、加熱前の基板１に反りがないとした場合、加熱温度が高い熱風ヒータ側の基板１の伸びが大きいため、通常、基板１は熱風ヒータ側に凸形状に反る。
【００６３】
一方、加熱前の基板１に予めソリがあった場合、熱風ヒータ側凸形状に反るとは限らない。その反り方向は図１６（ａ）に示す熱風ヒータ側凸形状に反る場合もあれば、図１６（ｂ）に示す熱風ヒータと逆側凸形状に反る場合もある。そのソリ方向に最も影響を与えているのは、加熱開始時の基板１のソリ方向と、基板１の固定支持方法である。ここでは、基板１は加熱時のソリ方向にほとんど影響を与えないように支持されているものとする。
【００６４】
図１７（a）は、加熱開始時に基板１がわずかながら熱風ヒータ側（上側）凸形状に反った状態を示す。基板１上方から熱風ヒータによりこの基板１を加熱した場合、加熱された基板１は、図１７（ｂ）に示すように熱風ヒータ側凸形状に大きく反る。熱風ヒータ側凸形状に反る現象は、加熱開始時にソリがない場合と同様である。
【００６５】
図１７（ｃ）は、加熱開始時に基板１がわずかながら熱風ヒータと逆側（下側）凸形状に反った状態を示す。基板１上方から熱風ヒータによりこの基板１を加熱した場合、加熱された基板１は、図１７（ｄ）に示すように熱風ヒータと逆側（下側）凸形状に大きく反る。前述の加熱前の基板１にソリがない場合、及び、基板１がわずかながら熱風ヒータ側（上側）凸形状に反った場合と、加熱による基板１のソリ方向は逆である。
【００６６】
つまり、加熱前の基板１のソリの状況は加熱後のソリの方向に大きく影響を与える。通常、基板１自身には大なり小なりソリがある上、基板１の支持の仕方により新たなソリが発生する。
【００６７】
ところで、熱風ヒータによる基板加熱時、基板１の加熱温度は、基板１と熱風ヒータとの距離によって大きく変わる。基板１と熱風ヒータ間距離がＨの場合の基板加熱温度をＴとすると、加熱により基板１が熱風ヒータ側凸形状に反る場合、両者間の距離はソリの大きさΔＨ１だけ縮まりＨ−ΔＨ１となるため、基板表面温度はＴ＋ΔＴ１へと上昇する。一方、加熱により基板１が熱風ヒータ側と逆側に形状に反る場合、両者間の距離はソリの大きさΔＨ２だけ広がりＨ＋ΔＨ２となるため、基板表面温度はＴ−ΔＴ２へと降下する。このように、加熱時のソリの方向により基板温度はＴ＋ΔＴ１からＴ−ΔＴ２の間でばらつき、加熱条件が一定しない。そのため、加熱後の熱硬化性部材の高品質化を図ることができない。
【００６８】
図１８は、基板１上方からの熱風ヒータにより加熱する際、加熱時の基板１が熱風ヒータ側凸形状に反るように、加熱開始時の基板１を支持した状態を示す。基板１は搬送ローラ８上に載っている。基板支持部材５の基板搭載面高さは、搬送ローラ８基板搭載面より若干量上方位置に設定されているため、基板支持部材５によって支持された基板１は、わずかではあるが上凸方向に反っている。この状態の基板１が、上方から熱風ヒータにて加熱されると、熱風ヒータ側凸形状に大きく反る。
【００６９】
図１９は、加熱前の基板支持部材５の基板搭載面高さが、搬送ローラ８基板搭載面より下方に位置設定された状態を示す。リング状の基板支持部材５にて基板１は支持されてはいるが、熱風ヒータに対向した基板支持部材５中央部は、わずかに下側凸形状に反っている。この状態の基板１が、上方から熱風ヒータにて加熱されると、熱風ヒータと逆側（下側）凸形状に大きく反る。
【００７０】
同じ基板支持部材５を用いて基板１を支持する場合においても、加熱処理部の搬送ローラ８間隔、基板支持部材５の大きさ、基板支持高さ等の条件によって、基板１のソリ方向は影響を受ける。このため、加熱時の基板１のソリを一定方向に合わせる場合、必要な基板領域内において、基板支持部材５に支持された基板１のソリが全て一定方向となっているか、予め確認しておく必要がある。
【００７１】
このように、加熱処理すべき基板座標位置での基板を、基板１上方からの熱風ヒータによる加熱により、常に上凸形状に反るよう基板支持部材５高さを設定しておくことにより、加熱時の基板１と熱風ヒータの間隔をＨ−ΔＨ１、基板表面温度をＴ＋ΔＴ１とすることが可能となる。その結果、加熱条件が安定し、加熱後の熱硬化性部材の高品質化を図ることができる。
【００７２】
なお、本実施の形態においては、加熱時の基板１が熱風ヒータ側（上側）凸形状に反ることとした。これはソリのない基板１の加熱とソリ方向が同じであり、基板１のソリ現象として自然であるためである。ただし、必要であれば、上述のように加熱により下凸形状に反るよう基板支持高さを設定することも可能である。
【００７３】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術範囲は、上気した実施の形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求項の範囲と均等の意味、及び、請求内での全ての変更が含まれる。
【符号の説明】
【００７４】
１  基板
２  加熱手段（熱風ヒータ）
３  冷却ノズル
４  ユニット保持部材
５  基板支持部材
６  アライメント機構
６１  アライメントコロ
６２  エアシリンダー
７  基板搬送用枠体
８  搬送コロ
９  排気管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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