(57)【要約】【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置に形成される配線表面の酸化物部を選択的に除去する。【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置を製造するに際し、配線表面を、Ｘｅのプラズマで逆スパッタリングする。本発明によれば、Ｘｅのプラズマガスで逆スパッタリングすることにより、配線表面の酸化物部等を選択的に効率よく除去でき、ダマシン配線構造において、上下配線間のコンタクト抵抗の増大を回避できる。また、配線の上に形成されたＣＦなどの絶縁膜へのダメージを抑制でき、絶縁膜の誘電率変動も抑制できる。【選択図】図１
2010165935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、
配線表面を、Ｘｅのプラズマで逆スパッタリングする工程を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記配線表面は、ＶＩＡホールの底部に現れる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記配線は、Ｃｕを含む、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線は、バリア層の上に形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記バリア層は、Ｔａを含む、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記配線の上に、絶縁膜が形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜は、ＣおよびＦを含む、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、
層間絶縁膜側壁にＸｅが含まれる、半導体装置。
【請求項９】
Ｃｕを含む配線を有している、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記配線は、バリア層の上に形成されている、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記バリア層は、Ｔａを含む、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記配線の上に、絶縁膜が形成されている、請求項８〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁膜は、ＣおよびＦを含む、請求項１２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関し、特に逆スパッタリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の配線は、低抵抗化および高信頼性化を目的として、従来のＡｌ配線からＣｕ配線へと移行しつつある。Ｃｕ配線は、ドライエッチングによる形成が困難なため、配線を多層に形成したダマシン配線構造を有する。ダマシン配線構造は、層間絶縁膜上に形成された配線パターンの溝にＣｕ膜を堆積させ、その後、溝以外に堆積させたＣｕをケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）によって除去する方法で作られる。
【０００３】
しかしながら、Ｃｕ配線は大気に曝されると容易に酸化し、上下配線間のコンタクト抵抗の増大を招く恐れがある。このため、例えば特許文献１（特開２００４−７１９５６号公報）に示されるように、ＶＩＡホールの底部に現れているＣｕ配線の表面の酸化物部を、Ａｒのプラズマガスで逆スパッタリングして除去する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−７１９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、ＡｒのプラズマガスはＣｕ配線の酸化物部に対するエッチングレートが小さく、酸化物部を効率よく除去することが困難である。一方、ダマシン配線構造では、Ｃｕ配線の上にＣＦ膜などの絶縁膜が形成されるが、Ａｒのプラズマガスは、この絶縁膜に対するエッチングレートが大きく、絶縁膜にダメージを与えやすい。このため、Ｃｕ配線表面の酸化物部を選択的に除去できないといった問題がある。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ダマシン配線構造を有する半導体装置において不可避的に形成される配線溝へのダメージを抑制しながら配線表面の酸化物部およびエッチング残渣等の不純物を選択的に除去する有効な方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するため、本発明によれば、ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、配線表面を、Ｘｅのプラズマで逆スパッタリングする工程を有する、半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
Ｘｅのプラズマガスは、Ａｒのプラズマガスに比べて、電子温度は低いが、電子密度は高いといった物理的性質を有している。かかるＸｅのプラズマガスは、Ｃｕなどからなる配線の酸化物部等を、ＣＦなどの絶縁膜に比べて、選択的に除去できる。本発明では、Ｘｅのプラズマガスで逆スパッタリングすることにより、配線表面の酸化物部等を選択的に効率よく除去する。
【０００９】
前記配線表面は、ＶＩＡホールの底部に現れても良い。また、前記配線は、例えばＣｕを含んでいる。また、前記配線は、バリア層の上に形成されていても良い。この場合、前記バリア層は、例えばＴａを含んでいる。また、前記配線の上に、絶縁膜が形成されていても良い。この場合、前記絶縁膜は、例えばＣおよびＦを含んでいる。
【００１０】
また、本発明によれば、ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、層間絶縁膜側壁にＸｅが含まれる、半導体装置が提供される。この半導体装置は、例えばＣｕを含む配線を有している。また、前記配線は、バリア層の上に形成されていても良い。この場合、前記バリア層は、例えばＴａを含んでいる。また、前記配線の上に、絶縁膜が形成されていても良い。この場合、前記絶縁膜は、例えばＣおよびＦを含んでいる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、Ｘｅのプラズマガスで逆スパッタリングすることにより、配線表面の酸化物部等を選択的に効率よく除去することができ、ダマシン配線構造において、上下配線間のコンタクト抵抗の増大を回避できる。また、配線の上に形成されたＣＦ膜などの絶縁膜へのダメージを抑制でき、絶縁膜の誘電率変動も抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】逆スパッタリング装置の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、層間絶縁膜の表面に配線溝が形成された状態を示している。
【図３】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、バリアメタル膜とＣｕめっきシード層が、層間絶縁膜上に連続して形成された状態を示している。
【図４】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、Ｃｕ導電層が基板の表面全体に形成された状態を示している。
【図５】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、層間絶縁膜の上方からＣｕ導電層とバリアメタル膜が除去された状態を示している。
【図６】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、バリア層と層間絶縁膜が基板の表面全体に順次形成された状態を示している。
【図７】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、層間絶縁膜を貫通するＶＩＡホールと配線溝が形成された状態を示している。
【図８】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、バリア層がエッチングされて、ＶＩＡホールの底部にＣｕ配線の表面が露出させられた状態を示している。
【図９】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、バリアメタル膜とＣｕめっきシード層が、ＶＩＡホールと配線溝の内面に順次成膜された状態を示している。
【図１０】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、Ｃｕ導電層が基板の表面全体に形成された状態を示している。
【図１１】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を説明するための基板の断面図であり、層間絶縁膜の上方からＣｕ導電層とバリアメタル膜が除去されて、ビアプラグが形成された状態を示している。
【図１２】Ａｒのプラズマの電子温度とＸｅのプラズマの電子温度を比較したグラフである。
【図１３】Ａｒのプラズマの電子密度とＸｅのプラズマの電子密度を比較したグラフである。
【図１４】ＳｉＯ２膜について、ＡｒプラズマとＸｅプラズマのスパッタリング量（エッチング量）を比較したグラフである。
【図１５】ＣＦ膜について、ＡｒプラズマとＸｅプラズマのスパッタリング量（エッチング量）を比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１４】
図１に示すように、逆スパッタリング装置１は、例えば石英などで構成された処理容器１０を備えている。この処理容器１０は、上部が半球状に形成されたドーム形状である。処理容器１０の側面には、スパッタガスの導入管１１と排気管１２が接続されている。導入管１１には、Ｘｅガスの供給源１５が接続され、この供給源１５から、導入管１１を介して、処理容器１０内にＸｅガスが供給される。排気管１２には、排気装置１６が接続され、この排気装置１６によって、処理容器１０の内部は、所定の真空度に減圧される。
【００１５】
処理容器１０の内部には、Ｓｉ等からなる半導体の基板Ｗを載置させる載置台２０が設けられている。載置台２０には、電源２１が接続されている。図示はしないが、載置台２０は、スパッタ用の磁石、温度調節機構等も備えている。
【００１６】
処理容器１０の外周には、プラズマ発生器２５が設けられている。プラズマ発生器２５は、処理容器１０の外側周に巻かれたＩＣＰコイル２６と、ＩＣＰコイル２６に高周波電力を加える高周波電源２７を備えている。
【００１７】
以上のように構成された逆スパッタリング装置１において、処理容器１０内の載置台２０上に基板Ｗが載置され、排気装置１６によって処理容器１０の内部が所定の真空度に減圧された状態で、供給源１５から処理容器１０内にＸｅガスが供給される。そして、高周波電源２７からＩＣＰコイル２６に加えられた高周波電力で発生された誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductivery coupled plasma）により、処理容器１０内のＸｅガスがプラズマ化させられる。そして、電源２１から載置台２０に電力が加えられることにより、ＸｅガスのプラズマＰが高エネルギーで基板Ｗの表面に当たり、基板Ｗの表面からスパッタ粒子が放出させられる。その結果、載置台２０上に載置された基板Ｗの表面がスパッタリングされて、逆スパッタリングが行われる。
【００１８】
次に、本発明の実施の形態にかかる半導体製造装置の製造工程を、図２〜１１を参照にして説明する。Ｓｉ等からなる半導体の基板Ｗにおいて、基板本体２９の上面に素子が形成される。先ず、図２に示すように、第１の層間絶縁膜３０が、基板本体２９の上に形成される。続いて、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、第１の層間絶縁膜３０の表面に配線溝３１が形成される。
【００１９】
次に、図３に示すように、配線溝３１の内面を被覆するように、バリアメタル（ＢＭ）膜３２とＣｕめっきシード層３３が、第１の層間絶縁膜３０上に連続して形成される。バリアメタル膜３２は、第１の層間絶縁膜３０の全面にＴａＮ膜をスパッタリングして形成される。バリアメタル膜３２は、Ｔａ膜、Ｔａ化合物膜又はＴａ合金膜の単層膜やこれらの２種以上の積層膜であってもよい。Ｃｕめっきシード層３３は、例えばスパッタリングにより形成される。
【００２０】
次に、図４に示すように、Ｃｕ導電層３５が、Ｃｕめっきシード層３３の上から配線溝３１を埋め込むように、基板Ｗの表面全体に形成される。Ｃｕ導電層３５は、純Ｃｕに限らずＣｕ合金であってもよく、合金Ｃｕめっき、スパッタリングなどで形成される。なお、Ｃｕ導電層３５の形成により、Ｃｕめっきシード層３３は、Ｃｕ導電層３５に一体化される。
【００２１】
次に、図５に示すように、配線溝３１の内部にあるＣｕ導電層３５とバリアメタル膜３２の部分を残して、第１の層間絶縁膜３０の上方からＣｕ導電層３５とバリアメタル膜３２が、ＣＭＰ法により除去される。こうして、配線溝３１の内部に、バリアメタル膜３２で囲まれた状態で、Ｃｕ配線３６が形成される。
【００２２】
次に、図６に示すように、バリア層４０と第２の層間絶縁膜４１が、基板Ｗの表面全体に、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって順次形成される。バリア層４０は、例えばＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜などが用いられる。第２の層間絶縁膜４１は、例えばＣＦ絶縁膜などが用いられる。バリア層４０は、第２の層間絶縁膜４１がエッチング（ＲＩＥ）される際に、下層のバリアメタル膜３２とＣｕ配線３６の保護膜として機能する。
【００２３】
次に、図７に示すように、第２の層間絶縁膜４１が、フォトリソグラフィおよびＲＩＥによって加工され、バリアメタル膜３２とＣｕ配線３６の上に、第２の層間絶縁膜４１を貫通するＶＩＡホール４５と配線溝４６が形成される。
【００２４】
次に、図８に示すように、バリア層４０がエッチング（ＲＩＥ）され、ＶＩＡホール４５の底部において、Ｃｕ配線３６の表面が露出させられる。このとき、ビアホール４５の側壁およびＣｕ配線３６の表面にはＲＩＥで生成された反応生成物が堆積する。そこで、エッチングの後、アッシングやウエットエッチングが行われ、ビアホール４５の側壁およびＣｕ配線３６の表面から反応生成物が除去される。
【００２５】
一方、アッシングやウエットエッチングによって、Ｃｕ配線３６の表面には、酸化物部３６’が形成されてしまう。また、エッチング残渣等の不純物が付着している。そこで次に、逆スパッタリングが行われ、Ｃｕ配線３６の表面に形成された酸化物部等（酸化物部およびエッチング残渣）３６’が除去される。
【００２６】
即ち、Ｃｕ配線３６の表面に酸化物部等３６’が形成された状態で、基板Ｗが、逆スパッタリング装置１の処理容器１０内に収納され、載置台２０上に基板Ｗが載置される。そして、排気装置１６によって処理容器１０の内部が所定の真空度に減圧され、供給源１５から処理容器１０内にＸｅガスが供給される。そして、高周波電源２７からＩＣＰコイル２６に加えられた高周波電力で発生された誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductivery coupled plasma）により、処理容器１０内のＸｅガスがプラズマ化させられる。そして、電源２１から載置台２０に電力が加えられることにより、ＸｅガスのプラズマＰが高エネルギーで基板Ｗの表面に当たり、基板Ｗの表面からスパッタ粒子が放出させられる。その結果、載置台２０上に載置された基板Ｗの表面において、Ｃｕ配線３６の表面に形成された酸化物部等３６’がスパッタリングされ、酸化物部等３６’が除去される。
【００２７】
このように逆スパッタによって、Ｃｕ配線３６表面の酸化物部等３６’が除去されるに際し、ＩＣＰコイル２６には、例えば１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ以下の高周波電力が加えられる。また、載置台２０には、例えば４００Ｈｚ、パワー２００Ｗ以下の電力が加えられる。
【００２８】
かかる逆スパッタリング装置１では、載置台２０に加えられる電力を制御することにより、スパッタエネルギーの制御が容易に行われる。また、プラズマ発生器２５は、処理容器１０の外部に配置されたＩＣＰコイル２６と高周波電源２７で構成され、装置構成が複雑にならない。
【００２９】
Ｘｅのプラズマガスは、Ａｒのプラズマガスに比べて、電子温度は低いが、電子密度は高いといった物理的性質を有している。ＸｅガスのプラズマＰを用いた逆スパッタを行うことにより、ＣＦなどからなる第２の層間絶縁膜４１に比べて、Ｃｕ配線３６の表面の酸化物部等３６’が選択的に効率よく除去される。また、Ｃｕ配線３６の表面の酸化物部等３６’が除去される際に、第２の層間絶縁膜４１へのダメージが抑制され、第２の層間絶縁膜４１の誘電率変動も抑制される。
【００３０】
こうして逆スパッタリングによって、Ｃｕ配線３６表面の酸化物部等３６’が除去された後、基板Ｗを大気に曝さずに、連続的に、図９に示すように、バリアメタル膜５０とＣｕめっきシード層５１が、ＶＩＡホール４５と配線溝４６の内面に順次成膜される。これらバリアメタル膜５０とＣｕめっきシード層５１の成膜は、例えばスパッタ法により行われる。バリアメタル膜５０は、Ｔａ膜、Ｔａ化合物膜又はＴａ合金膜の単層膜やこれらの２種以上の積層膜であってもよい。
【００３１】
次に、図１０に示すように、Ｃｕ導電層５２が、Ｃｕめっきシード層５１の上から、ＶＩＡホール４５と配線溝４６を埋め込むように、基板Ｗの表面全体に形成される。Ｃｕ導電層５２は、純Ｃｕに限らずＣｕ合金であってもよく、合金Ｃｕめっき、スパッタリングなどで形成される。なお、Ｃｕ導電層５２の形成により、Ｃｕめっきシード層５１は、Ｃｕ導電層５２に一体化される。
【００３２】
次に、図１１に示すように、ＶＩＡホール４５と配線溝４６の内部にあるＣｕ導電層５２とバリアメタル膜５０の部分を残して、第２の層間絶縁膜４１の上方からＣｕ導電層５２とバリアメタル膜５０が、ＣＭＰ法により除去される。こうして、ＶＩＡホール４５と配線溝４６の内部に、バリアメタル膜５０で囲まれた状態で、ビアプラグ５３が形成される。
【００３３】
こうして、Ｃｕ配線を多層に形成したダマシン配線構造を有する半導体装置が製造されていく。こうして製造された半導体装置は、上下のＣｕ配線層３６、５３のコンタクト抵抗の増大を回避でき、基板Ｗの面内のコンタクト抵抗のばらつきの増加が抑制される。
【００３４】
以上、本発明の好ましい実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明は、シングルダマシン工程、デュアルダマシン工程のいずれにも適応できる。なお、本明細書でいう「逆スパッタリング」とは、「スパッタエッチング」を含む概念である。
【実施例】
【００３５】
先ず、ＡｒプラズマとＸｅプラズマの物理的性質を比較した。図１２は、１３．５６ＭＨｚ、５００Ｗの高周波電力でプラズマ化させたＡｒのプラズマの電子温度（Ａｒ  ＲＦ）、５００Ｗの直流電力でプラズマ化させたＡｒのプラズマの電子温度（Ａｒ  ＤＣ）および１３．５６ＭＨｚ、５００Ｗの高周波電力でプラズマ化させたＸｅのプラズマの電子温度（Ｘｅ  ＲＦ）、５００Ｗの直流電力でプラズマ化させたＸｅのプラズマの電子温度（Ｘｅ  ＤＣ）と、処理容器内の圧力（ｍ  Ｔｏｒｒ）の関係を示すグラフである。いずれの場合も、圧力が高くなると電子温度Ｔｅ（ｅＶ）が下がる傾向を示したが、高周波電力と直流電力のいずれでプラズマさせた場合も、Ｘｅのプラズマの電子温度（Ｘｅ  ＲＦ）、（Ｘｅ  ＤＣ）は、Ａｒのプラズマの電子温度（Ａｒ  ＲＦ）、（Ａｒ  ＤＣ）よりも低くなっていた。Ｘｅのプラズマは、Ａｒのプラズマよりも電子温度が低く、ダメージの少ないプラズマであると考えられる。
【００３６】
図１３は、１３．５６ＭＨｚ、５００Ｗの高周波電力でプラズマ化させたＡｒのプラズマの電子密度（Ａｒ  ＲＦ）、５００Ｗの直流電力でプラズマ化させたＡｒのプラズマの電子密度（Ａｒ  ＤＣ）および１３．５６ＭＨｚ、５００Ｗの高周波電力でプラズマ化させたＸｅのプラズマの電子密度（Ｘｅ  ＲＦ）、５００Ｗの直流電力でプラズマ化させたＸｅのプラズマの電子密度（Ｘｅ  ＤＣ）と、処理容器内の圧力（ｍ  Ｔｏｒｒ）の関係を示すグラフである。いずれの場合も、圧力が高くなると電子密度Ｎｅ（ｃｍ−３）が上がる傾向を示したが、高周波電力と直流電力のいずれでプラズマさせた場合も、Ｘｅのプラズマの電子密度（Ｘｅ  ＲＦ）、（Ｘｅ  ＤＣ）は、Ａｒのプラズマの電子密度（Ａｒ  ＲＦ）、（Ａｒ  ＤＣ）よりも高くなっていた。Ｘｅのプラズマは、Ａｒのプラズマよりも電子密度が高く、スパッタリング量（エッチング速度）の大きいプラズマであると考えられる。
【００３７】
次に、ＡｒプラズマとＸｅプラズマのスパッタリング量（エッチング量）を比較した。図１４、１５に示すように、ＳｉＯ２膜およびＣＦ膜に対するスパッタリング量（エッチング量）は、Ａｒのプラズマに比べてＸｅのプラズマは少なくなった。
【００３８】
また、ＡｒプラズマとＸｅプラズマの逆スパッタリングによる、ＣＦ膜の誘電率の変化を調べた。その結果、Ａｒプラズマを用いた逆スパッタリングでは、ＣＦ膜の誘電率が２．２となり、プラズマ処理前の誘電率２．０に比べて約１０％も低下した。一方、Ｘｅプラズマを用いた逆スパッタリングでは、ＣＦ膜の誘電率はプラズマ処理後も２．０であり、ほとんど変化が見られなかった。なお、ＣＦ膜とは、少なくともＣ、Ｆを含む膜であり、低誘電率の層間絶縁膜として用いられる。ＣＦ膜はダメージに弱く、ダメージが与えられると、誘電率が上昇して、目標とする低誘電率の膜とならなくなってしまう性質を有する。
【００３９】
次に、シュミレーションにより、ＡｒプラズマとＸｅプラズマによるスパッタリング量（原子（個）／ｃｍ２）を求めた。その結果を表１にまとめて示す。ＣＦ膜に対する逆スパッタリングでは、Ａｒプラズマのスパッタリング量に比べて、Ｘｅプラズマのスパッタリング量は、約半分程度であった。一方、Ｔａ膜に対する逆スパッタリングでは、Ａｒプラズマのスパッタリング量に比べて、Ｘｅプラズマのスパッタリング量は、２倍以上となった。また、Ｃｕ膜に対する逆スパッタリングでは、Ａｒプラズマのスパッタリング量に比べて、Ｘｅプラズマのスパッタリング量は、３倍以上となった。
【００４０】
【表１】
2010165935.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造分野に有用である。
【符号の説明】
【００４２】
Ｗ  基板
１  逆スパッタリング装置
１０  処理容器
１１  導入管
１２  排気管
１５  供給源
１６  排気装置
２０  載置台
２１  電源
２５  プラズマ発生器
２６  ＩＣＰコイル
２７  高周波電源
２９  基板本体
３０  第１の層間絶縁膜
３１  配線溝
３２  バリアメタル膜
３３  Ｃｕめっきシード層
３５  Ｃｕ導電層
３６  Ｃｕ配線
３６’  酸化物部等
４０  バリア層
４１  第２の層間絶縁膜
４５  ＶＩＡホール
４６  配線溝
５０  バリアメタル膜
５１  Ｃｕめっきシード層
５２  Ｃｕ導電層
５３  ビアプラグ
【図１】
2010165935.tif 000004
【図２】
2010165935.tif 000005
【図３】
2010165935.tif 000006
【図４】
2010165935.tif 000007
【図５】
2010165935.tif 000008
【図６】
2010165935.tif 000009
【図７】
2010165935.tif 000010
【図８】
2010165935.tif 000011
【図９】
2010165935.tif 000012
【図１０】
2010165935.tif 000013
【図１１】
2010165935.tif 000014
【図１２】
2010165935.tif 000015
【図１３】
2010165935.tif 000016
【図１４】
2010165935.tif 000017
【図１５】
2010165935.tif 000018