(57)【要約】【課題】本発明は、ディスプレイ装置に関し、例えば有機ＥＬ素子によるディスプレイ装置に適用して、自発光に係る画素によるディスプレイ装置について、走査線、信号線の容量を正確に測定することができるようにする。【解決手段】本発明は、発光素子の一端の電極に接続されてなる配線パターンを中間配線層の配線パターンを介して引き出すようにして、この中間配線層の信号線、走査線の配線に対応する部位に、周囲より絶縁して下層の信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２の配線に測定用のプローブを接触可能なコンタクト部３２を形成する。【選択図】  図１
2010033090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流駆動の発光素子と発光素子を駆動する画素回路とから構成された画素をマトリックス状に配置して成るディスプレイ装置であって、
基板の略長方形形状を有する領域に、マトリックス状に画素回路が配置されると共に、画素回路の信号線及び又は走査線に駆動信号用の配線を介して接続され、画素回路の駆動用の信号を出力する駆動回路が配置されており、
画素回路上に設けられた平坦化膜上に、電極、発光素子を構成する材料層、電極パターンが順次形成されており、
発光素子の一端は、電極を介して、対応する画素回路に接続されており、
発光素子の他端は、電極パターンに接続されており、
平坦化膜上に形成され、電極を囲んだ引き出し用の配線パターンを介して、電極パターンは外部接続用の電極に接続されており、
引き出し用の配線パターン内には、引き出し用の配線パターンから絶縁され、下方の駆動信号用の配線に測定用のプローブを接続可能なコンタクト部が形成されていることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
コンタクト部は、平坦化膜上に島状に形成され、駆動信号用の配線に接続されたランドであることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
ランドの上方には、発光素子を構成する材料層が形成されていないことを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
コンタクト部は、平坦化膜上に島状に形成され、駆動信号用の配線から絶縁されたランドであることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
コンタクト部は、電極パターンに形成された開口であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置に関し、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子によるディスプレイ装置に適用することができる。本発明は、発光素子の一端の電極に接続されてなる配線パターンを中間配線層の配線パターンを介して引き出すようにして、この中間配線層の信号線、走査線の配線に対応する部位に、周囲より絶縁して下層の信号線、走査線の配線に測定用のプローブを接触可能なコンタクト部を形成することにより、自発光に係る画素によるディスプレイ装置について、走査線、信号線の容量を正確に測定することができる。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ素子においては、例えばＵＳＰ５，６８４，３６５、特開平８−２３４６８３号公報等にディスプレイ装置への応用が種々に提案されるようになされている。
【０００３】
このようなディスプレイ装置１においては、図６に示すように、例えばガラスによる基板２上に、マトリックス状に画素を配置してなる画素部３が形成されると共に、垂直スキャナー（ＳＣＡＮ）の集積回路４Ａ、４Ｂ、セレクタ（ＳＥＬ）の集積回路５がこの基板２上に実装されて形成される。ここで画素部３は、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２がライン単位で水平方向に延長するように設けられ、またこの走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２と直交するように信号線ＳＩＧが各列毎に垂直方向に延長するように設けられる。このようにして形成されてなる画素部３に対して、ディスプレイ装置１は、垂直スキャナーにより走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２を駆動して順次ライン単位で画素部３の画素を駆動すると共に、この画素の駆動に対応するようにセレクタにより信号線ＳＩＧを駆動して各画素の階調を設定するようになされている。
【０００４】
このようなディスプレイ装置においては、各画素を構成する有機ＥＬ素子が電流駆動による自発光素子であることにより、画素部に電源を供給する電源の配線パターン等に大きな電流が流れる。これによりこの種のディスプレイ装置１においては、このような駆動電流に係る配線パターンを極力、低抵抗化することが求められる。
【０００５】
図７は、この駆動電流に係る配線パターンを低抵抗化し得ると考えられるディスプレイ装置１１の構成を示す分解斜視図である。このディスプレイ装置１１においては、ガラス基板１２上の画素部となる領域ＡＲにアモルファスシリコンのＴＦＴにより各画素の画素回路、この画素回路に係る走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧ等が形成された後、垂直スキャナーの集積回路４Ａ、４Ｂ、セレクタの集積回路５が実装される。ディスプレイ装置１１は、続いて絶縁層による平坦化膜１４、アノードレイヤーの配線層１５が形成される。ディスプレイ装置１１では、このアノードレイヤーの配線層１５により有機ＥＬ素子を駆動する画素回路のトランジスタを有機ＥＬ素子のアノードに接続する電極１６が形成される。ディスプレイ装置１１は、続いて有機ＥＬ素子の材料層が蒸着により形成された後、有機ＥＬ素子のカソード電極の配線パターン１７、ガラス基板１８が積層される。
【０００６】
しかしてこのようにして形成されるディスプレイ装置１１において、カソード電極の配線パターン１７にあっては、有機ＥＬ素子の光を透過して出射することが必要なことにより、透明電極により形成され、これにより低抵抗化が困難な欠点がある。これに対して平坦化膜１４の下層側にあっては、アルミニウムによる配線材料を適用し得ることにより、カソード電極の配線パターン１７に比して低抵抗化し得るものの限度がある。これに対してアノードレイヤーの配線層１５は、平坦化膜１４上に下層の配線パターンと絶縁されて設けられることにより、低抵抗化が比較的容易な特徴がある。
【０００７】
これによりディスプレイ装置１１では、アノードレイヤーの配線層１５を利用して、カソード電極１７の配線パターンと電源の配線パターンとが外部に引き出される。すなわちアノードレイヤーの配線層１５は、画素部となる矩形の領域を囲むように、幅広の配線パターン１９が形成され、破線により示すように、カソード電極の配線パターン１７が画素部の周囲でこの幅広の配線パターン１９に接続される。またこの配線パターン１９がこのディスプレイ装置１１の短辺側、対向する２辺よりそれぞれ飛び出すように形成されたカソード用のパッド２０Ａ〜２０Ｄに接続され、これらにより低抵抗であるアノードレイヤーの配線層１５を介してカソード電極の配線パターン１７が引き出される。
【０００８】
またアノードレイヤーの配線層１５は、このカソード電極の配線パターン１７に係る配線パターン１９の上下、このディスプレイ装置１１の長辺に沿って、１組の幅広による配線パターン２１Ａ、２１Ｂが形成され、この幅広の配線パターン２１Ａ、２１Ｂがディスプレイ装置１１の上下の長辺より飛び出すように形成された外部接続用の電極である電源用のパッド２２Ａ及び２２Ｂ、２２Ｃ及び２２Ｄに接続される。ディスプレイ装置１１は、この幅広の配線パターン２１Ａ、２１Ｂに、平坦化膜１４の下層に形成された電源の配線パターンが接続され、これにより電源の配線パターンについても、中間層であるアノードレイヤーの配線層１５を有効に利用して、外部に引き出されるようになされている。なおガラス基板１２には、垂直スキャナーの集積回路４Ａ、４Ｂ、セレクタの集積回路５の駆動に係る信号入力用のパッド２４Ａ〜２４Ｄが設けられる。
【０００９】
これらによりこのディスプレイ装置１１において、各画素は、図８に示すように、ガラス基板１２上に、画素回路が形成されてなる部位３２、平坦化膜１４、アノードレイヤーの配線層１５の配線パターン１６、有機ＥＬ素子材料層３１、カソード電極の配線パターン１７、ガラス基板１８の積層構造により形成されるようになされている。これに対して画素部以外の信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２の部位においては、図９に示すように、ガラス基板１２上に、信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２による配線パターン、平坦化膜１４、アノードレイヤーの配線層１５の配線パターン１９、２１Ａ、２１Ｂが積層される。また有機ＥＬ素子材料層３１、カソード電極の配線パターン１７をガラス基板１２の全面に形成する場合には、続いて有機ＥＬ素子材料層３１、カソード電極の配線パターン１７が積層された後、ガラス基板１８が積層されて形成されるようになされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】ＵＳＰ５，６８４，３６５
【特許文献２】特開平８−２３４６８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで同様のディスプレイ装置である液晶表示装置においては、ディスプレイ装置１１と同様にアモルファスシリコンによるＴＦＴにより作成され、ガラス基板上に画素部を形成した時点で、いわゆるプローバーによる針立て測定が実行される。ここでプローバーによる針立て測定とは、測定対象に設けられた測定用のポイントにプローバーを押し付け、このプローバーを介して測定用のポイントの電圧等を測定する方法であり、ＴＦＴによるディスプレイ装置においては、動作特性、各配線パターンの容量等が測定されるようになされている。
【００１２】
有機ＥＬ素子のディスプレイ装置においても、同様のプローバーによる針立て測定を実行することができれば、便利であると考えられる。すなわち製造工程においては、プローバーによる針立て測定を実行することにより、早期に不良品を発見することができ、これにより無駄な製品加工を防止することができる。また設計工程においては、走査線、信号線の容量の測定により、画素回路、垂直スキャナー、セレクタの設計、改良等に有効に役立てることができる。
【００１３】
しかしながら図７について上述した構成によるディスプレイ装置１１においては、走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧの配線の上層に、アノードレイヤーの配線層１５に係る配線パターン１９、２１Ａ、２１Ｂが設けられていることにより、結局、アノードレイヤーの配線層１５を設ける前でしか、走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧに対してはプローバーによる針立て測定を実行することができない。
【００１４】
これに対してアノードレイヤーの配線層１５にあっては、殆どの部位を覆ってしまうことにより、走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧの容量を大きく増大させる。これにより図７のディスプレイ装置１１において、アノードレイヤーの配線層１５を設ける前に、走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧに対してプローバーによる針立て測定を実行したのでは、正確に容量を測定できない問題がある。
【００１５】
この問題を解決する１つの方法として、例えば設計工程においては、レーザービームの照射によりレイアウトの一部を切り取った後、プローバーによる針立て測定を実行する方法も考えられるが、図７に係るディスプレイ装置１１においては、このようにしてレーザービームの照射によりレイアウトの一部を切り取ると、ガラス基板１２上の配線パターン等がアノードレイヤーの配線層１５との間で短絡することになり、結局、正確に容量を測定できない。
【００１６】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、自発光に係る画素によるディスプレイ装置について、走査線、信号線の容量を正確に測定することができるディスプレイ装置を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
かかる課題を解決するため請求項１の発明においては、電流駆動による発光素子と発光素子を駆動する画素回路とによる画素をマトリックス状に配置してなるディスプレイ装置に適用して、基板上の略長方形形状による領域にマトリックス状に画素回路が配置されると共に、画素回路の信号線及び又は走査線に接続されてなる駆動用の配線に画素回路の駆動用の信号を出力する駆動回路が配置され、画素回路の上層に形成された中間配線層による電極を介して、中間配線層の上層に形成された発光素子の一端が対応する画素回路に接続され、発光素子の他端が、発光素子の上層に形成された電極パターンに接続され、中間配線層に形成された引き出し用の配線パターンを介して、電極パターンが外部接続用の電極に接続され中間配線層は、略長方形形状による領域を囲む形状により、駆動用の配線を覆うように引き出し用の配線パターンが形成され、駆動用の配線のそれぞれに対応する部位に、引き出し用の配線パターンから絶縁されて、下層の前記駆動用の配線に測定用のプローブを接続可能なコンタクト部が形成されてなるようにする。
【００１８】
請求項１の構成により、電流駆動による発光素子と発光素子を駆動する画素回路とによる画素をマトリックス状に配置してなるディスプレイ装置に適用して、基板上の略長方形形状による領域にマトリックス状に画素回路が配置されると共に、画素回路の信号線及び又は走査線に接続されてなる駆動用の配線に画素回路の駆動用の信号を出力する駆動回路が配置され、画素回路の上層に形成された中間配線層による電極を介して、中間配線層の上層に形成された発光素子の一端が対応する画素回路に接続され、発光素子の他端が、発光素子の上層に形成された電極パターンに接続され、中間配線層に形成された引き出し用の配線パターンを介して、電極パターンが外部接続用の電極に接続されてなるようにすれば、中間配線層を介して発光素子の他端を引き出し得ることにより、この種のディスプレイ装置に求められる配線パターンの低抵抗化を図ることができる。このとき中間配線層は、略長方形形状による領域を囲む形状により、駆動用の配線を覆うように引き出し用の配線パターンが形成され、駆動用の配線のそれぞれに対応する部位に、引き出し用の配線パターンから絶縁されて、下層の前記駆動用の配線に測定用のプローブを接続可能なコンタクト部が形成されてなるようにすれば、このように低抵抗化により中間配線層を介して発光素子の他端を引き出すようにしても、中間配線層を設けた状態でこのプローブを接続可能な部位を介して下層の駆動用の配線に係る容量を測定することができ、これにより自発光に係る画素によるディスプレイ装置について、走査線、信号線の容量を正確に測定することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、自発光に係る画素によるディスプレイ装置について、走査線、信号線の容量を正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１に係るディスプレイ装置を部分的に示す平面図及び断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係るディスプレイ装置を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の実施例２に係るディスプレイ装置を部分的に示す平面図及び断面図である。
【図４】本発明の実施例３に係るディスプレイ装置を部分的に示す平面図及び断面図である。
【図５】本発明の実施例４に係るディスプレイ装置を部分的に示す平面図及び断面図である。
【図６】従来のディスプレイ装置を示す平面図である。
【図７】配線パターンの抵抗値を小さくし得ると考えられるディスプレイ装置を示す分解斜視図である。
【図８】図７のディスプレイ装置における画素の部分の断面図である。
【図９】図７のディスプレイ装置の画素以外の部位における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。
【実施例１】
【００２２】
（１）実施例の構成
図２は、図７との対比により本発明の実施例１に係るディスプレイ装置を示す分解斜視図である。このディスプレイ装置３１は、ガラス基板１２上の矩形の領域ＡＲに画素回路が形成されると共に、この画素回路による走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧに駆動用の信号を出力する垂直スキャナーの集積回路４Ａ、４Ｂ、セレクタの集積回路５がこのガラス基板１２に設けられ、これら集積回路４Ａ、４Ｂ、５による駆動回路が走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧにそれぞれ接続されてなる駆動信号用の配線に接続される。さらにこの上層に、中間配線層であるアノードレイヤーの配線層１５が形成された後、有機ＥＬ素子の材料層、カソード電極の配線パターン１７、ガラス基板１８が順次積層され、カソード電極の配線パターン１７が中間配線層に設けられた引き出し用の配線パターン１９を介して外部接続用の電極であるパッド２０Ａ〜２０Ｄに接続される。
【００２３】
ディスプレイ装置３１は、このようにして形成されてなる中間配線層による引き出し用の配線パターン１９において、走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧにそれぞれ接続されてなる駆動信号用の配線に対応する部位に、周囲より絶縁されて、下層の駆動信号用の配線にプローブを接続可能な部位３２（以下、コンタクト部と呼ぶ）がそれぞれ形成される。このディスプレイ装置３１は、このコンタクト部３２に係る構成を除いて、図７について上述したディスプレイ装置１１と同一に形成されることにより、重複した説明は省略する。
【００２４】
図１（Ａ）は、このコンタクト部３２を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、この図１（Ａ）をＢ−Ｂ線により切り取って示す断面図である。コンタクト部３２は、走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧにそれぞれ接続されてなる駆動信号用の配線（図１においては、符号ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、ＳＩＧにより示す）のそれぞれに設けられ、アノードレイヤーの配線層１５において、各配線の上部に、矩形形状によるランド３３が設けられ、このランド３３が下層の対応する配線に接続されるようになされている。
【００２５】
これによりこのディスプレイ装置３１では、アノードレイヤーの配線層１５を形成した後、このランド３３にプローバーの先端を接触させることにより、プローバーによる針立て測定を実行して、各走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧの容量を正確に測定できるようになされている。
【００２６】
ところでこのようにしてランド３３を形成した場合、ランド３３においては、対応する走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧと同電位に保持されることになる。これによりアノードレイヤーの配線層１５の上層に、全面により有機ＥＬ素子の材料層を設け、さらにはカソード電極の配線パターン１７を設けた場合、このランド３３の上層で有機ＥＬ素子の材料層が発光する場合も考えられる。このためこのディスプレイ装置３１では、少なくともランド３３の上層側には、有機ＥＬ素子材料を設けないようになされ、これにより画素部以外の領域ではディスプレイ装置３１が発光しないようになされている。
【００２７】
（２）実施例の動作
以上の構成において、このディスプレイ装置３１では、周囲に形成されたパッド２０Ａ〜２０Ｄ、２２Ａ〜２２Ｄ、２４Ａ〜２４Ｄが電源、駆動回路等に接続されて所望の画像が画素部で表示される。すなわちディスプレイ装置３１では、これらパッド２０Ａ〜２０Ｄ、２２Ａ〜２２Ｄ、２４Ａ〜２４Ｄのうち、長辺側の両端に設けられたパッド２２Ａ〜２２Ｄが電源Ｖｃｃ用に割り当てられ、また短辺側の両端に設けられたパッド２０Ａ〜２０Ｄがカソード用に割り当てられ、残る信号線用のパッド２２Ａ〜２２Ｄを介して各画素の階調が設定されて所望の画像が表示される。
【００２８】
ディスプレイ装置３１では、このようにして各画素を駆動するにつき、長辺側の両端に設けられたパッド２２Ａ〜２２Ｄより供給される電源が、このパッド２２Ａ〜２２Ｄよりアノードレイヤーの配線層１５に形成された配線パターン２１Ａ、２１Ｂに供給され、さらにこの配線パターン２１Ａ、２１Ｂを介して下層の配線パターン層に供給され、この下層の配線パターンより画素部の各画素に供給される。
【００２９】
またこのようにして各画素に電源を供給して、ディスプレイ装置３１では、各画素に設けられた画素回路が、アノードレイヤーの配線層１５に形成された電極１６により上層の有機ＥＬ素子に接続され、この画素回路による有機ＥＬ素子の駆動電流がさらに上層のカソード電極の配線パターン１７により画素部でまとめられる。ディスプレイ装置３１では、このカソード電極の配線パターン１７にまとめられた有機ＥＬ素子の駆動電流が、画素部を囲むようにアノードレイヤーの配線層１５に形成された配線パターン１９に導かれ、この配線パターン１９に接続されてなる短辺側のカソード用のパッド２０Ａ〜２０Ｄより流出する。
【００３０】
これによりディスプレイ装置３１では、多数の配線パターン層の中で最も抵抗値の低い中間配線層であるアノードレイヤーの配線層１５を有効に利用して、有機ＥＬ素子の駆動電流の経路を低抵抗化し、消費電力を低減すると共に、配線パターンの抵抗による画質劣化を有効に回避するようになされている。
【００３１】
またこのようにして中間配線層であるアノードレイヤーの配線層１５を介してカソード電極の配線パターン、電源の配線パターンを引き出して、これらの配線パターンに係る抵抗値を小さくすることにより、ディスプレイ装置３１では、このアノードレイヤーの配線層１５が信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２、駆動回路４Ａ、４Ｂ、５を覆うように形成され、信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２においては、アノードレイヤーの配線層１５により容量が著しく増大する。
【００３２】
ディスプレイ装置３１では、これによりアノードレイヤーの配線層１５において、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２、信号線ＳＩＧを対応する駆動回路４Ａ、４Ｂ、５に接続する配線に対応する部位に、周囲より絶縁されて、下層のこれら駆動信号に係る配線に測定用のプローバーを接続可能なコンタクト部３２が形成される。これによりディスプレイ装置３１では、このコンタクト部３２により走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２、信号線ＳＩＧの容量をアノードレイヤーの配線層１５を形成した後に測定し得、これにより自発光に係る画素によるディスプレイ装置について、走査線、信号線の容量を正確に測定することができる。
【００３３】
このディスプレイ装置３１は、このような測定用のプローバーを接続可能なコンタクト部３２が、それぞれ下層の配線に接続されたアノードレイヤーの配線層１５によるランド３３により形成され、これにより単にプローバーの先端を各ランド３３に接触させるだけで、走査線、信号線の容量を正確に測定することができる。
【００３４】
またこのようにしてランド３３により測定用のプローバーを接続可能なコンタクト部３２を形成して、少なくともこのランド３３の部分には有機ＥＬ材料が堆積しないようになされ、これにより画素部以外の領域における発光が有効に回避される。
【００３５】
（３）実施例の効果
以上の構成によれば、発光素子の一端の電極であるカソード電極に接続されてなる配線パターンを中間配線層の配線パターンを介して引き出すようにして、この中間配線層の信号線、走査線の配線に対応する部位に、周囲より絶縁して下層の信号線、走査線の配線に測定用のプローブを接触可能なコンタクト部３２を形成することにより、自発光に係る画素によるディスプレイ装置について、走査線、信号線の容量を正確に測定することができる。
【００３６】
またこのような測定用のプローブを接触可能なコンタクト部を、下層の配線に接続されたランドにより形成することにより、単にプローバーの先端を各ランドに接触させるだけで、走査線、信号線の容量を正確に測定することができる。
【００３７】
またこのようにしてランドにより測定用のプローブを接続可能なコンタクト部を形成して、少なくともこのランドの部分には有機ＥＬ材料が堆積しないように形成することにより、画素部以外の領域における発光を有効に回避することができる。
【実施例２】
【００３８】
図３は、図１との対比により本発明の実施例２に係るディスプレイ装置を部分的に示す平面図及び断面図である。この実施例においては、実施例１に係るディスプレイ装置３１と同様に、中間配線層の信号線、走査線の配線に対応する部位に、周囲より絶縁して下層の信号線、走査線の配線に測定用のプローブを接触可能なコンタクト部４２が形成される。このディスプレイ装置では、このコンタクト部４２が、実施例１と同様に、下層の配線に接続されたランド４３により形成され、これにより実施例１について上述したディスプレイ装置３１と同様に、簡易かつ正確に、走査線、信号線の容量を測定することができるようになされている。なおこのディスプレイ装置においては、これらコンタクト部４２に関する構成が異なる点を除いて、実施例１について上述したディスプレイ装置３１と同一に作成される。
【００３９】
このディスプレイ装置では、このような中間配線層に係るアノードレイヤーの配線層１５を作成した後の平坦化膜の作成工程において、このランド４３の部分にも絶縁層による平坦化膜４４が形成され、上層の有機ＥＬ素子材料膜との間についても、この平坦化膜４４によりこのコンタクト部４２が絶縁されるようになされている。
【００４０】
またこれに対応してディスプレイ装置では、アノードレイヤーの配線層１５の上層側全面に、有機ＥＬ素子の材料層が形成され、これによりこの材料膜の作成工程を簡略化するようになされている。
【００４１】
この実施例においては、アノードレイヤーの配線層を作成した後の平坦化膜により上層の有機ＥＬ素子の材料層との間についてもコンタクト部４２を絶縁することにより、簡易な工程により画素部以外の領域における発光を有効に回避して、実施例１と同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００４２】
図４は、図１との対比により本発明の実施例３に係るディスプレイ装置を部分的に示す平面図及び断面図である。この実施例においては、実施例２に係るディスプレイ装置と同様に、中間配線層の信号線、走査線の配線に対応する部位に、周囲より絶縁して下層の信号線、走査線の配線に測定用のプローブを接触可能なコンタクト部５２が形成される。このディスプレイ装置においては、コンタクト部５２に関する構成が異なる点を除いて、実施例２について上述したディスプレイ装置と同一に作成される。
【００４３】
このディスプレイ装置では、このコンタクト部５２が、平坦化膜１４により下層の配線より絶縁されたランド５３により形成される。これによりこのディスプレイ装置では、このランド５３を目標にしたレーザービームの照射により、平坦化膜１４を部分的に除去した後、測定用のプローブをランド５３又は下層の配線に接触させて走査線等の容量を測定するようになされている。
【００４４】
この実施例のように、下層の配線と絶縁してランドを設けて測定用のプローブを接触可能なコンタクト部を形成するようにしても、実施例１との同様の効果を得ることができる。またこのように下層の配線と絶縁してランドを設けることにより、有機ＥＬ素子の材料層を全面に作成する場合にあっても、このランドの部分における発光を有効に回避し得、これにより簡易な工程により実施例１との同様の効果を得ることができる。
【実施例４】
【００４５】
図５は、図１との対比により本発明の実施例４に係るディスプレイ装置を部分的に示す平面図及び断面図である。この実施例においては、実施例１に係るディスプレイ装置と同様に、中間配線層の信号線、走査線の配線に対応する部位に、周囲より絶縁して下層の信号線、走査線の配線に測定用のプローブを接触可能なコンタクト部６２が形成される。このディスプレイ装置においては、コンタクト部６２に関する構成が異なる点を除いて、実施例３について上述したディスプレイ装置と同一に作成される。
【００４６】
このディスプレイ装置では、このコンタクト部６２が、アノードレイヤーの配線層１５に島状に形成された開口により形成され、これによりこの開口の部位では下層の平坦化膜１４が露出するようになされている。このディスプレイ装置では、これによりこの開口を目標にしたレーザービームの照射により、平坦化膜１４を部分的に除去した後、測定用のプローブを下層の配線に接触させて走査線等の容量を測定するようになされている。
【００４７】
この実施例のように、下層の平坦化膜を露出させる開口により測定用のプローブを接触可能なコンタクト部を形成するようにしても、実施例１との同様の効果を得ることができる。またこのようにしてプローブを接触可能な部位を形成する場合にあっては、有機ＥＬ素子材料を全面に作成する場合にあっても、この部位における発光を有効に回避し得、これにより簡易な工程により実施例１との同様の効果を得ることができる。
【実施例５】
【００４８】
なお上述の実施例においては、発光素子のアノードを中間配線層側にしてなるディスプレイ装置に本発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、発光素子のカソードを中間配線層側にしてなるディスプレイ装置にも広く適用することができる。
【００４９】
また上述の実施例においては、電源の配線パターンを中間配線層の下層側にしてなるディスプレイ装置に本発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電源側を最上層側にしてなるディスプレイ装置にも広く適用することができる。
【００５０】
また上述の実施例においては、信号線及び走査線の双方について、容量を測定する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、何れか一方についてのみ容量を測定する場合にも広く適用することができる。
【００５１】
また上述の実施例においては、有機ＥＬ素子によるディスプレイ装置に本発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電流駆動に係る自発光素子によるディスプレイ装置に広く適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、例えば有機ＥＬ素子によるディスプレイ装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１、１１、３１……ディスプレイ装置、２、１２……ガラス基板、３……画素部、４Ａ、４Ｂ、５……集積回路、１４、４４……平坦化膜、１５……配線層、１７、１９、２１Ａ、２１Ｂ……配線パターン、３３、４３、５３……ランド
【図１】
2010033090.tif 000003
【図２】
2010033090.tif 000004
【図３】
2010033090.tif 000005
【図４】
2010033090.tif 000006
【図５】
2010033090.tif 000007
【図６】
2010033090.tif 000008
【図７】
2010033090.tif 000009
【図８】
2010033090.tif 000010
【図９】
2010033090.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月17日(2009.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図７は、この駆動電流に係る配線パターンを低抵抗化し得ると考えられるディスプレイ装置１１の構成を示す分解斜視図である。このディスプレイ装置１１においては、ガラス基板１２上の画素部となる領域ＡＲにアモルファスシリコンのＴＦＴにより各画素の画素回路、この画素回路に係る走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧ等が形成された後、垂直スキャナーの集積回路４Ａ、４Ｂ、セレクタの集積回路５が実装される。ディスプレイ装置１１は、続いて絶縁層による平坦化膜１４、アノードレイヤーの配線層１５が形成される。ディスプレイ装置１１では、このアノードレイヤーの配線層１５により有機ＥＬ素子を駆動する画素回路のトランジスタを有機ＥＬ素子のアノードに接続する電極１６が形成される。ディスプレイ装置１１は、続いて有機ＥＬ素子の材料層が蒸着により形成された後、有機ＥＬ素子のカソード電極の電極パターン１７、ガラス基板１８が積層される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしてこのようにして形成されるディスプレイ装置１１において、カソード電極の電極パターン１７にあっては、有機ＥＬ素子の光を透過して出射することが必要なことにより、透明電極により形成され、これにより低抵抗化が困難な欠点がある。これに対して平坦化膜１４の下層側にあっては、アルミニウムによる配線材料を適用し得ることにより、カソード電極の電極パターン１７に比して低抵抗化し得るものの限度がある。これに対してアノードレイヤーの配線層１５は、平坦化膜１４上に下層の配線パターンと絶縁されて設けられることにより、低抵抗化が比較的容易な特徴がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
これによりディスプレイ装置１１では、アノードレイヤーの配線層１５を利用して、カソード電極１７の電極パターンと電源の配線パターンとが外部に引き出される。すなわちアノードレイヤーの配線層１５は、画素部となる矩形の領域を囲むように、幅広の配線パターン１９が形成され、破線により示すように、カソード電極の電極パターン１７が画素部の周囲でこの幅広の配線パターン１９に接続される。またこの配線パターン１９がこのディスプレイ装置１１の短辺側、対向する２辺よりそれぞれ飛び出すように形成されたカソード用のパッド２０Ａ〜２０Ｄに接続され、これらにより低抵抗であるアノードレイヤーの配線層１５を介してカソード電極の電極パターン１７が引き出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
またアノードレイヤーの配線層１５は、このカソード電極の電極パターン１７に係る配線パターン１９の上下、このディスプレイ装置１１の長辺に沿って、１組の幅広による配線パターン２１Ａ、２１Ｂが形成され、この幅広の配線パターン２１Ａ、２１Ｂがディスプレイ装置１１の上下の長辺より飛び出すように形成された外部接続用の電極である電源用のパッド２２Ａ及び２２Ｂ、２２Ｃ及び２２Ｄに接続される。ディスプレイ装置１１は、この幅広の配線パターン２１Ａ、２１Ｂに、平坦化膜１４の下層に形成された電源の配線パターンが接続され、これにより電源の配線パターンについても、中間層であるアノードレイヤーの配線層１５を有効に利用して、外部に引き出されるようになされている。なおガラス基板１２には、垂直スキャナーの集積回路４Ａ、４Ｂ、セレクタの集積回路５の駆動に係る信号入力用のパッド２４Ａ〜２４Ｄが設けられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これらによりこのディスプレイ装置１１において、各画素は、図８に示すように、ガラス基板１２上に、画素回路が形成されてなる部位３２、平坦化膜１４、アノードレイヤーの配線層１５の配線パターン１６、有機ＥＬ素子材料層３１、カソード電極の電極パターン１７、ガラス基板１８の積層構造により形成されるようになされている。これに対して画素部以外の信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２の部位においては、図９に示すように、ガラス基板１２上に、信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２による配線パターン、平坦化膜１４、アノードレイヤーの配線層１５の配線パターン１９、２１Ａ、２１Ｂが積層される。また有機ＥＬ素子材料層３１、カソード電極の電極パターン１７をガラス基板１２の全面に形成する場合には、続いて有機ＥＬ素子材料層３１、カソード電極の電極パターン１７が積層された後、ガラス基板１８が積層されて形成されるようになされている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１）実施例の構成
図２は、図７との対比により本発明の実施例１に係るディスプレイ装置を示す分解斜視図である。このディスプレイ装置３１は、ガラス基板１２上の矩形の領域ＡＲに画素回路が形成されると共に、この画素回路による走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧに駆動用の信号を出力する垂直スキャナーの集積回路４Ａ、４Ｂ、セレクタの集積回路５がこのガラス基板１２に設けられ、これら集積回路４Ａ、４Ｂ、５による駆動回路が走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧにそれぞれ接続されてなる駆動信号用の配線に接続される。さらにこの上層に、中間配線層であるアノードレイヤーの配線層１５が形成された後、有機ＥＬ素子の材料層、カソード電極の電極パターン１７、ガラス基板１８が順次積層され、カソード電極の電極パターン１７が中間配線層に設けられた引き出し用の配線パターン１９を介して外部接続用の電極であるパッド２０Ａ〜２０Ｄに接続される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ところでこのようにしてランド３３を形成した場合、ランド３３においては、対応する走査線ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２、信号線ＳＩＧと同電位に保持されることになる。これによりアノードレイヤーの配線層１５の上層に、全面により有機ＥＬ素子の材料層を設け、さらにはカソード電極の電極パターン１７を設けた場合、このランド３３の上層で有機ＥＬ素子の材料層が発光する場合も考えられる。このためこのディスプレイ装置３１では、少なくともランド３３の上層側には、有機ＥＬ素子材料を設けないようになされ、これにより画素部以外の領域ではディスプレイ装置３１が発光しないようになされている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
またこのようにして各画素に電源を供給して、ディスプレイ装置３１では、各画素に設けられた画素回路が、アノードレイヤーの配線層１５に形成された電極１６により上層の有機ＥＬ素子に接続され、この画素回路による有機ＥＬ素子の駆動電流がさらに上層のカソード電極の電極パターン１７により画素部でまとめられる。ディスプレイ装置３１では、このカソード電極の電極パターン１７にまとめられた有機ＥＬ素子の駆動電流が、画素部を囲むようにアノードレイヤーの配線層１５に形成された配線パターン１９に導かれ、この配線パターン１９に接続されてなる短辺側のカソード用のパッド２０Ａ〜２０Ｄより流出する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
またこのようにして中間配線層であるアノードレイヤーの配線層１５を介してカソード電極の電極パターン、電源の配線パターンを引き出して、これらの配線パターンに係る抵抗値を小さくすることにより、ディスプレイ装置３１では、このアノードレイヤーの配線層１５が信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２、駆動回路４Ａ、４Ｂ、５を覆うように形成され、信号線ＳＩＧ、走査線ＳＣＮ１、ＳＣＮ２においては、アノードレイヤーの配線層１５により容量が著しく増大する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（３）実施例の効果
以上の構成によれば、発光素子の一端の電極であるカソード電極に接続されてなる電極パターンを中間配線層の配線パターンを介して引き出すようにして、この中間配線層の信号線、走査線の配線に対応する部位に、周囲より絶縁して下層の信号線、走査線の配線に測定用のプローブを接触可能なコンタクト部３２を形成することにより、自発光に係る画素によるディスプレイ装置について、走査線、信号線の容量を正確に測定することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
１、１１、３１……ディスプレイ装置、２、１２……ガラス基板、３……画素部、４Ａ、４Ｂ、５……集積回路、１４、４４……平坦化膜、１５……配線層、１７……電極パターン、１９、２１Ａ、２１Ｂ……配線パターン、３３、４３、５３……ランド