(57)【要約】【課題】光スポットのサイドローブの影響を簡単に抑制する。【解決手段】本受光装置は、複数の受光素子を含む受光素子アレイと、受光素子アレイに含まれる複数の受光素子の各々又は各々からの出力の採否を決定する選択手段とを有する。そして、上で述べた選択手段は、受光素子アレイに照射された光スポットのメインローブの範囲に入る受光素子又はメインローブの範囲外となる受光素子を特定し、メインローブの範囲に入る受光素子又は当該受光素子からの出力をイネーブルするものである。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光素子を含む受光素子アレイと、
前記受光素子アレイに含まれる前記複数の受光素子の各々又は各々からの出力の採否を決定する選択手段と、
を有し、
前記選択手段は、
前記受光素子アレイに照射された光スポットのメインローブの範囲に入る受光素子又は前記メインローブの範囲外となる受光素子を特定し、前記メインローブの範囲に入る受光素子又は当該受光素子からの出力をイネーブルする
受光装置。
【請求項２】
照射対象物上にレーザ光を超解像効果を生じさせつつ集光させると共に、前記照射対象物からの反射光を前記受光素子アレイ上に集光させる手段
をさらに有する請求項１記載の受光装置。
【請求項３】
前記選択手段が、
前記光スポットにおいて最も出力値の大きい受光素子を中心受光素子として検出し、
前記中心受光素子と同じ行の受光素子又は当該受光素子からの出力と、前記中心受光素子と同じ列の受光素子又は当該受光素子からの出力とを、前記イネーブルされた前記受光素子又は当該受光素子からの出力から除外する
請求項１記載の受光装置。
【請求項４】
前記選択手段が、
前記光スポットのメインローブの範囲に入る受光素子を、前記中心受光素子と同じ行と同じ列の受光素子で４グループに分ける
請求項３記載の受光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つ記載の受光装置を有する光ディスク再生装置。
【請求項６】
複数の受光素子を含む受光素子アレイに初期的に光スポットを照射するステップと、
前記光スポットのメインローブの範囲に入る受光素子又は前記メインローブの範囲外となる受光素子を特定し、前記メインローブの範囲に入る受光素子又は当該受光素子からの出力をイネーブルするステップと、
を含む受光素子選択方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の受光素子を含む受光素子アレイを含む受光装置、当該受光装置を用いた光ディスク再生装置等、及び当該受光装置の動作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特開２００４−１９２８０２号公報には、以下の事項が開示されている。具体的には、アバランシェ・フォト・ダイオードにおける一つの受光素子の大きさは２μｍ角であり、縦横１００個ずつ並んでいて、各受光素子の印加電圧は独立している。信号強度がピークを示す受光素子の位置が、検出レンズにより集光された再生信号光のピークである。受光素子ａが最大の信号強度を示したとすると、ａ点が境界となるようにＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの領域に分割し、４分割の受光素子が形成できるように結線する。このように多数の受光素子を含むアバランシェ・フォト・ダイオードを用いれば、機械的な調整を省略できるので調整時間が大幅に短縮でき、量産性が高くなるとされている。
【０００３】
一方、光ディスク上にレーザ光を集光されることによって形成される光スポットのスポット径を小さくすることにより、読み出し又は書き込みの解像度を向上させることができる。このように解像度を向上させる方法として、光ディスクに照射する光束の中心部分を遮光したり、中心部分の位相を周辺部分と１８０度ずらす位相フィルタを挿入したりすることによってスポット径を小さくする方法が知られている。このようなスポット径を小さくする効果を超解像効果と呼ぶ。
【０００４】
しかし、超解像効果を用いた場合、光スポットのメインローブ径は小さくなるものの、その周辺部にあるサイドローブが大きくなり、例えば再生時の場合、このサイドローブが周辺マークの影響を強く受けることになるため、隣接トラックからのクロストークや、符号間干渉などが発生してしまい、超解像効果が減じられてしまう。
【０００５】
このため、例えば特開平６−４４６０３号公報などでは、受光素子の手前にピンホールを設けて、光スポットのサイドローブを低減する技術が開示されている。しかしながら、機械的なピンホールを採用すると、その位置調整に手間や時間がかかってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１９２８０２号公報
【特許文献２】特開平６−４４６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のように、光スポットを小さくすることによって生ずるサイドローブの影響を簡単に抑制する技術は従来存在していない。
【０００８】
従って、本発明の目的は、光スポットのサイドローブの影響を簡単に抑制するための技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様に係る受光装置は、複数の受光素子を含む受光素子アレイと、受光素子アレイに含まれる複数の受光素子の各々又は各々からの出力の採否を決定する選択手段とを有する。そして、上で述べた選択手段は、受光素子アレイに照射された光スポットのメインローブの範囲に入る受光素子又はメインローブの範囲外となる受光素子を特定し、メインローブの範囲に入る受光素子又は当該受光素子からの出力をイネーブルするものである。
【００１０】
このようにすれば、ピンホールを機械的に設けることなく選択手段によってサイドローブを手間無く除去できるようになる。
【００１１】
また、上で述べた受光装置は、照射対象物（例えば光ディスク）上にレーザ光を超解像効果を生じさせつつ集光させると共に、照射対象物からの反射光を受光素子アレイ上に集光させる手段をさらに有するようにしてもよい。このように超解像効果によって小さくなったメインローブをサイドローブによるクロストークなどの問題を回避しつつ有効に検出することができるようになる。
【００１２】
さらに、上で述べた選択手段が、光スポットにおいて最も出力値の大きい受光素子を中心受光素子として検出し、中心受光素子と同じ行の受光素子又は当該受光素子からの出力と、中心受光素子と同じ列の受光素子又は当該受光素子からの出力とを、イネーブルされた受光素子又は当該受光素子からの出力から除外するようにしてもよい。
【００１３】
また、上で述べた選択手段が、光スポットのメインローブの範囲に入る受光素子を、中心受光素子と同じ行と同じ列の受光素子で４グループに分けるようにしてもよい。これによって、光ディスク再生装置などにおけるトラッキングなどの従来から必要とされる動作を本受光装置においても行うことができるようになる。
【００１４】
また、このような受光装置については、光ディスク再生装置又は光ディスク記録再生装置などに用いられる場合もある。このような場合には、光ディスクにおける記録密度を上げることができるようになる。
【００１５】
本発明の第２の態様に係る受光素子選択方法は、複数の受光素子を含む受光素子アレイに初期的に光スポットを照射するステップと、光スポットのメインローブの範囲に入る受光素子又はメインローブの範囲外となる受光素子を特定し、メインローブの範囲に入る受光素子又は当該受光素子からの出力をイネーブルするステップとを含む。このようにすれば、これ以降の処理においてサイドローブを除去した後の受光信号を得ることができるようになり、サイドローブによるクロストークなどの問題を回避することができるようになる。
【００１６】
なお、以下で本発明の実施の形態について説明するが、これは一例であって、同様の効果を奏する構成であれば、どのような構成であってもよい。特に、メインローブの範囲に入る受光素子又はメインローブの範囲外となる受光素子を特定する処理については、専用の回路によって実施する場合もあれば、光ディスク再生装置等のプロセッサにおいて予め用意されたプログラムを実行することによって実施することもある。このようなプログラムについては、プロセッサ内又はプロセッサ外のメモリに格納される。その他のメモリやコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納される場合もある。さらに、その具体的なアルゴリズムには様々な変形があり、以下で述べる手法は一例に過ぎない。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、光スポットのサイドローブの影響を簡単に抑制することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】超解像光学系を説明するための図である。
【図２】超解像光学系における第一の受光強度分布を表す図である。
【図３】通常の光学系の受光強度分布を表す図である。
【図４】超解像光学系における第二の受光強度分布を表す図である。
【図５】超解像光学系の受光素子における受光強度分布を表す図である。
【図６】超解像光学系においてサイドローブ除去を説明するための図である。
【図７】サイドローブ除去手法を採用した場合の受光強度分布を示す図である。
【図８】高密度記録におけるクロストークを説明するための図である。
【図９】シミュレーションの結果（収差無しの場合）を示す図である。
【図１０】シミュレーションの結果（収差有りの場合）を示す図である。
【図１１】ＰＤアレイを説明するための図である。
【図１２】本発明の実施の形態における光ディスク再生装置の機能ブロック図である。
【図１３】メインローブの範囲内のＰＤを探索するための処理フローを示す図である。
【図１４】メインローブの範囲内のＰＤを探索するための処理を説明するための図である。
【図１５】メインローブの範囲内のＰＤを探索するための処理フローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［本発明の実施の形態の前提及び概要］
まず初めに、超解像光学系について図１を用いて説明する。レーザダイオードＬＤ１０１と、光ディス１５０との間には、直径約４ｍｍのコリメートレンズ１０２と、ビームスプリッタ１０３と、１／４波長板１０４と、超解像効果を得るためのマスク１０５と、直径約３．６ｍｍの対物レンズ１０６とが配置されている。また、ビームスプリッタ１０３と受光素子の一例であるフォト・ダイオードＰＤ１０８との間には、集光レンズ１０７が配置されている。なお、ＬＤ１０１の波長λ＝４０５ｎｍ、広がり角１４deg（水平）、１４deg（垂直）、対物レンズＮＡ＝０．８５、ｆ＝２ｍｍ、ＬＩＭ値０．５５（Rad）、０．５５（Tan）、スポット径０．３８２μｍ（Rad）、０．３８２μｍ（Tan）であるものとする。
【００２０】
このような超解像光学系においてマスク径Ｄ＝１．２ｍｍである場合には、図２に示すような光ディスク１５０上での光強度分布が得られる。図２において縦軸は光強度を表し、横軸は位置を表す。同様に、マスク１０５を設けない場合の光強度分布を図３に示す。図３は、図２と同様に縦軸は光強度を表し、横軸は位置を表す。図２と図３を比較すると、図２の方がメインローブ径は小さくなっているが、図２においてＡで示すようにサイドローブが大きくなってしまう。
【００２１】
また、マスク径Ｄ＝１．６ｍｍにすると、図４に示すような光強度分布が得られる。図４は、図２及び図３と同様に縦軸は光強度を表し、横軸は位置を表す。このようなマスクを採用すると、よりメインローブ径を小さくすることができるが、サイドローブの大きさが大きくなっていることも分かる。
【００２２】
例えばマスク径Ｄ＝１．６ｍｍとした場合、ＰＤ１０８では、図５に示すような光強度分布が得られる。図５は、図２乃至図４と同様に縦軸は光強度を表し、横軸は位置を表す。光ディスク１５０上でサイドローブが存在するので、当然ながらＰＤ１０８上でもサイドローブが発生してしまっている。
【００２３】
そこで、図６に示すように、集光レンズ１０７とＰＤ１０８の間に、サイドローブ除去のためのピンホール１０９を設けると、ＰＤ１０８上の光強度分布は図７のようになる。図７は、図２等と同様に縦軸は光強度を表し、横軸は位置を表す。このようにすれば、メインローブ径を小さくした上で、サイドローブ除去が行える。但し、背景技術の欄で述べたように、ピンホール１０９の機械的な位置合わせが問題となる。
【００２４】
このような超解像効果を用いれば現在の光ディスクの記憶容量を増加させることができる。例えばＢｌｕ-ｒａｙディスク（ＢＤと呼ぶ）の線密度とトラックピッチを共に１．３３倍した大容量ＢＤのＲＯＭ（Read Only Memory）をモデル化して、隣接トラックからのクロストークの影響を３Ｔ信号に着目してシミュレーションを行った結果を図９及び図１０に示す。なお、このシミュレーションでは、図８のように、矢印で示したトラックには、３Ｔ信号が連続して記録されており、ほぼ（１）乃至（５）の３Ｔ信号までは隣接トラックに８Ｔ信号が記録されているが、（６）以降の３Ｔ信号については、隣接トラックには他の信号が記録されていないものとする。
【００２５】
例えば、収差のない理想的な状態において、信号波形がどのように変化するかを図９に示す。図９では、縦軸は信号強度を表し、横軸は位置を表す。図９において実線は図１に示すようなピンホール１０９を用いない場合を示し、点線は図６に示すようにピンホール１０９を用いる場合を示す。ピンホール１０９を用いる場合には、光量は減少しているが、信号波形はほぼ一定の変化を行っており、干渉の影響はほとんど見られない。一方、ピンホール１０９を用いない場合には、信号波形が一定しておらず、点線で示している図８の（６）以降の信号部分に対応する位置では明らかにレベルが上昇して干渉の影響を受けている。
【００２６】
また、例えば光ピックアップの球面収差０．０３３λ、光ディスク１５０のチルト０．２deg（Rad）（コマ収差）、０．１deg（Tan）（コマ収差）、光ディスク１５０の厚さ変動±５μｍ（球面収差）が存在するものとしてシミュレーションを行うと、図１０に示すような信号波形が得られる。図１０では、縦軸は信号強度を表し、横軸は位置を表す。図１０でも実線は図１に示すようなピンホール１０９を用いない場合を示し、点線は図６のようにピンホール１０９を用いる場合を示す。ピンホール１０９を用いる場合には、信号波形のレベルはより低くなり、波形の形状も悪くなるが、ほぼ一定の変化を行っている。しかし、ピンホール１０９を用いない場合には、信号波形のレベルは大きいが、安定した信号波形が得られておらず、点線で示している図８の（６）以降の信号部分に対応する位置では明らかにレベルが上昇して干渉の影響を受けている。
【００２７】
以上のように、ピンホール１０９を用いることは、既存の光ディスクを、線密度及びトラックピッチを上げて大容量化する場合には有効であると考えられる。
【００２８】
上で述べたように機械的にピンホール１０９を導入することは問題であり、同様の効果を得るために、本実施の形態では、ＰＤ１０８に代わって多数のＰＤを含むＰＤアレイを導入すると共に、ピンホール１０９と同様の効果を奏するように選択的に各ＰＤの感度等を設定することによって、メインローブの範囲内の光のみ受光するようにする。これによって、ピンホールの位置調整を省略することができる。
【００２９】
例えば図１１に示すように、例えば各々１．４μｍ角で５０×５０個のＰＤ２０１ａを並べたＰＤアレイ２０１を採用する。全体のサイズは７５×７５μｍ角程度である。このようなＰＤアレイ２０１を採用すれば、スポット径３０μｍ程度の再生信号光スポットには有効である。
【００３０】
図１１に重ねて示した光強度分布のメインローブの範囲を擬似的に円Ｂで示すと、当該円Ｂに入るＰＤ（ハッチング付き）については、基本的に当該ＰＤ又は当該ＰＤからの出力をイネーブルする。なお、最も受信強度が大きいＰＤをＣとして示しており、この位置Ｃと同じ行及び列のＰＤについては、円Ｂに入るものでも、当該ＰＤ又は当該ＰＤからの出力をイネーブルの対象から除外する。これは、１乃至４の４つの部分に領域分割を行って、従来から行われてきたトラッキングなどの制御に受光信号を用いるためである。
【００３１】
なお、実際には円Ｂは、円ではない場合もあり、受光強度が極小となるＰＤを探索して、当該ＰＤ及び当該ＰＤより内側のＰＤを基本的なイネーブル対象とする。
【００３２】
このようなＰＤアレイを用いることによって、大容量の光ディスクからのデータ再生が可能となる。すなわち、再生時に、超解像効果によって生ずるサイドローブの部分を受光しなくなるので、クロストークの影響を低減することができるようになる。また、ＰＤアレイ２０１のほぼ中心に光スポットが照射されることが好ましいが、ＰＤアレイ２０１のサイズ自体にある程度の余裕を持たせておけば、位置合わせを完璧に行う必要が無く、光ディスクのチルトや厚みむら等の外乱に対しても容易に対処できる。当然、ピンホールを機械的に配置しないので、ピンホールの位置調整の必要もない。また、ＰＤ１つ１つのサイズも小さくなるため、応答速度も速くなる。
【００３３】
［実施の形態１］
図１２に本実施の形態における光ディスク再生装置３００の機能ブロック図を示す。光ディスク再生装置３００は、上で述べたようなＰＤ１乃至９等を含むＰＤアレイ２０１と、ＰＤアレイ２０１に含まれるＰＤのうち必要とされるＰＤを実質的に選択する情報を格納する不揮発性メモリ２０６と、ＰＤアレイ２０１の各ＰＤに接続されているスイッチＳＷ１乃至３等を含むアナログスイッチＩＣ２０２と、当該アナログスイッチＩＣ２０２に接続されており、各ＰＤからの信号をＡ／Ｄ変換して受光強度に応じたディジタル値を生成するなどの信号処理を実施する信号処理回路２０３と、信号処理回路２０３による各ＰＤの受信強度の値から図１１において示したようなハッチング付きのＰＤを特定する処理などを実施する、内蔵メモリ２０４ａ付きの演算回路２０４と、演算回路２０４の演算処理などで用いられるデータを保持するメモリ２０７と、演算回路２０４によって指定されたＰＤについて選択するための情報を不揮発性メモリ２０６に書き込むアドレス選択回路２０５とを含む。
【００３４】
次に、初期設定処理について説明する。まずＰＤアレイ２０１に対して、光スポットを照射する。この際、演算回路２０４は、アドレス選択回路２０５に、ＰＤアレイ２０１に含まれる各ＰＤを順番に選択するように指示する。アドレス選択回路２０５は、所定時間間隔で、各ＰＤを選択する情報を不揮発性メモリ２０６に書き込む。例えばＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、といった順番に選択する場合には、（１００００．．．．）（０１００００．．．．）（００１００．．．．）といったビット列を不揮発性メモリ２０６に書き込む。そうすると、ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３といった順番で、アナログスイッチＩＣ２０２の各スイッチがオンになる。信号処理回路２０３は、アナログスイッチＩＣ２０２からの信号をＡ／Ｄ変換して受信強度に応じたディジタル値を演算回路２０４に出力する。演算回路２０４は、例えばメモリ２０７にＰＤの識別子と共に受信強度に応じたディジタル値（以下、出力値と呼ぶ）を格納する。このような処理をＰＤアレイ２０１内の全てのＰＤについて実施すれば、受光状況がメモリ２０７に蓄積されるようになる。
【００３５】
その後、演算回路２０４は、メモリ２０７に格納されている受光状況データを参照しつつ、図１３及び図１５に示す処理を実施する。まず、全てのＰＤの出力値から最大値を特定すると共に、当該最大値を出力したＰＤの位置Ｃ（ｘ1，ｙ1）を検出する（ステップＳ１）。位置Ｃを中心に、上下、左右につき出力値極小となるＰＤ位置Ｐ（ｘ1，ｙ2）、Ｑ（ｘ1，ｙ3）、Ｒ（ｘ3，ｙ1）、Ｓ（ｘ2，ｙ1）を特定する（ステップＳ３）。なお、ｘ、ｙ共に左下が原点で、各ＰＤでｘもｙもその方向に一つ移動すると１つずつ座標値がインクリメントされるものとする。そして、カウンタｉを１に初期化する（ステップＳ５）。
【００３６】
その後、演算回路２０４は、（ｘ1＋ｉ）列について（ｙ1＋１）から順にｙを増加させる方向に探索して出力値極小となる位置のＰＤを探索し、（ｙ1＋１）から当該位置までのＰＤを受光対象ＰＤとして選択し、選択ＰＤのアドレスをアドレス選択回路２０５に出力する。アドレス選択回路２０５は、不揮発性メモリ２０６において選択ＰＤをオンにセットする（ステップＳ７）。ここでは、図１４の（４）の領域について処理している。通常は、出力値は順に下がってゆくので、出力値が上昇したら一つ前のＰＤに戻って当該ＰＤまでを選択する。
【００３７】
また、演算回路２０４は、（ｘ1＋ｉ）列について（ｙ1−１）から順にｙを減少させる方向に探索して出力最小となる位置のＰＤを探索し、（ｙ1−１）から当該位置までのＰＤを受光対象ＰＤを選択し、選択ＰＤのアドレスをアドレス選択回路２０５に出力する。アドレス選択回路２０５は、不揮発性メモリ２０６において選択ＰＤをオンにセットする（ステップＳ９）。ここでは、図１４の（３）の領域について処理している。
【００３８】
さらに、演算回路２０４は、（ｘ1−ｉ）列について（ｙ1＋１）から順にｙを増加させる方向に探索して出力最小となる位置のＰＤを探索し、（ｙ1＋１）から当該位置までのＰＤを受光対象ＰＤを選択し、選択ＰＤのアドレスをアドレス選択回路２０５に出力する。アドレス選択回路２０５は、不揮発性メモリ２０６において選択ＰＤをオンにセットする（ステップＳ１１）。ここでは、（１）の領域について処理している。
【００３９】
また、演算回路２０４は、（ｘ1−ｉ）列について（ｙ1−１）から順にｙを減少させる方向に探索して出力最小となる位置のＰＤを探索し、（ｙ1−１）から当該位置までのＰＤを受光対象ＰＤを選択し、選択ＰＤのアドレスをアドレス選択回路２０５に出力する。アドレス選択回路２０５は、不揮発性メモリ２０６において選択ＰＤをオンにセットする（ステップＳ１３）。ここでは、（２）の領域について処理している。
【００４０】
そして、ｉを１インクリメントし（ステップＳ１５）、ｉ＞（ｘ2−ｘ1）が成立するか判断する（ステップＳ１７）。この条件を満たしていない場合にはステップＳ７に戻る。一方、この条件を満たした場合には、処理の方向を変えるために端子Ａを介して図１５の処理に移行する。
【００４１】
また、演算回路２０４は、ｉを１に初期化する（ステップＳ１９）。
【００４２】
その後、演算回路２０４は、（ｙ1＋ｉ）行について（ｘ1＋１）から順にｘを増加させる方向に探索して出力値極小となる位置のＰＤを探索し、（ｘ1＋１）から当該位置までのＰＤを受光対象ＰＤとして選択し、選択ＰＤのアドレスをアドレス選択回路２０５に出力する。アドレス選択回路２０５は、不揮発性メモリ２０６において選択ＰＤをオンにセットする（ステップＳ２１）。ここでは、図１４の（４）の領域について処理している。
【００４３】
また、演算回路２０４は、（ｙ1＋ｉ）行について（ｘ1−１）から順にｘを減少させる方向に探索して出力最小となる位置のＰＤを探索し、（ｘ1−１）から当該位置までのＰＤを受光対象ＰＤを選択し、選択ＰＤのアドレスをアドレス選択回路２０５に出力する。アドレス選択回路２０５は、不揮発性メモリ２０６において選択ＰＤをオンにセットする（ステップＳ２３）。ここでは、図１４の（３）の領域について処理している。
【００４４】
さらに、演算回路２０４は、（ｙ1−ｉ）行について（ｘ1＋１）から順にｘを増加させる方向に探索して出力最小となる位置のＰＤを探索し、（ｙ1＋１）から当該位置までのＰＤを受光対象ＰＤを選択し、選択ＰＤのアドレスをアドレス選択回路２０５に出力する。アドレス選択回路２０５は、不揮発性メモリ２０６において選択ＰＤをオンにセットする（ステップＳ２５）。ここでは、（１）の領域について処理している。
【００４５】
また、演算回路２０４は、（ｙ1−ｉ）列について（ｘ1−１）から順にｘを減少させる方向に探索して出力最小となる位置のＰＤを探索し、（ｘ1−１）から当該位置までのＰＤを受光対象ＰＤを選択し、選択ＰＤのアドレスをアドレス選択回路２０５に出力する。アドレス選択回路２０５は、不揮発性メモリ２０６において選択ＰＤをオンにセットする（ステップＳ２７）。ここでは、（２）の領域について処理している。
【００４６】
そして、ｉを１インクリメントし（ステップＳ２９）、ｉ＞（ｙ2−ｙ1）が成立するか判断する（ステップＳ３１）。この条件を満たしていない場合にはステップＳ２１に戻る。一方、この条件を満たした場合には、処理を終了する。なお、ステップＳ７乃至Ｓ１３と、ステップＳ２１乃至Ｓ２７で、重複する判断を行う場合もあるが、いずれかでオンと判断されたＰＤについてはオンすればよい。
【００４７】
なお、ステップＳ７とＳ２１でオンにセットされたＰＤ群、ステップＳ９とＳ２３でオンにセットされたＰＤ群、ステップＳ１１とＳ２５でオンにセットされたＰＤ群、ステップＳ１３とＳ２７でオンにセットされたＰＤ群については、それぞれ特定できるようにする。そして、演算回路２０４は、信号処理回路２０３に、ＰＤ群についてのデータを設定する。
【００４８】
このようにすれば、以降の処理では、不揮発性メモリ２０６にオンが設定されたＰＤに接続された、アナログスイッチＩＣ２０２のスイッチＳＷはオンになるので、受光強度に応じた信号が信号処理回路２０３が入力される。信号処理回路２０３は、ＰＤ群毎に各ＰＤの信号値を加算し、それぞれヘッドアンプに出力する。これによって、ヘッドアンプなどの、通常の信号処理を従来から保持している回路にて行うことができるようになる。信号処理回路２０３においてさらに他の処理を行うようにしても良い。
【００４９】
なお、演算回路２０４は、例えば内蔵メモリ２０４ａに格納されているプログラムに従って上記処理を行うようにしても良いし、上記処理のための専用の演算回路を保持するようにしても良い。
【００５０】
以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば図１３及び図１５で示したアルゴリズムは一例であって様々な変形が可能である。さらに、ＰＤアレイ２０１についても、個々のＰＤのオン／オフ自体を制御できるようにする場合には、アナログスイッチＩＣ２０５を用いない場合もある。さらに、受光感度の調整をオン又はオフ以外に設定できる場合には、例えば、受光強度が極小となるＰＤについては０．５程度に設定し、上の処理ではオンに設定された他のＰＤについては１に設定するなど、グラフィックスの分野におけるアンチエイリアシングのような調整を行うようにしても良い。
【００５１】
その他、光ディスク再生装置３００を一例として述べたが、当然ながら光ディスク記録再生装置においても、本発明は有効である。さらに、メインローブの範囲内であるＰＤを探索する処理の一例を示したが、メインローブの範囲外のＰＤを特定し、残余のＰＤがメインローブの範囲内と判断するようなアルゴリズムを採用するようにしても良い。メインローブの範囲内とされる範囲についても、より少なく受光強度が極小となるＰＤを外すようにしても良いし、多少多めにメインローブの範囲内とするようなアルゴリズムを採用しても良い。
【符号の説明】
【００５２】
２０１  ＰＤアレイ      ２０２  アナログスイッチＩＣ
２０３  信号処理回路    ２０４  演算回路
２０５  アドレス選択回路    ２０６  不揮発性メモリ
２０７  メモリ    ３００  光ディスク再生装置
【図１】
2010165387.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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