(57)【要約】【課題】平坦化層が反射表示領域に選択的に形成された構成でスペーサの厚さを低くできる液晶装置を提供すること。【解決手段】液晶装置１００は、素子基板１０に対向して配置された対向基板３０と、素子基板１０と対向基板３０との間に配置された液晶層４０と、反射表示領域Ｒを有する複数の画素４と、隣り合う画素４同士の間に位置し素子基板１０と対向基板３０との間で間隙を保持するスペーサ４３と、素子基板１０の液晶層４０側に設けられ、画素４同士の間に位置する複数の配線と、複数の配線を覆うとともに反射表示領域Ｒに対応した領域に凹凸面を有する樹脂層２２と、樹脂層２２の凹凸面上に形成され凹凸面を反映した表面を有する反射層２４と、反射層２４の液晶層４０側に配置され凹凸面に平面的に重なる第１の領域と、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域と、に選択的に設けられた平坦化層２６と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図６
2010039330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、
反射表示領域を有する複数の画素と、
互いに隣り合う前記画素同士の間に位置しており、前記第１の基板と前記第２の基板との間で間隙を保持するスペーサと、
前記第１の基板の前記液晶層側に設けられ、前記画素同士の間に配置された複数の配線と、
前記複数の配線を覆うとともに、前記反射表示領域に対応した領域に凹凸面を有する下地層と、
前記下地層の前記凹凸面上に形成されており、前記凹凸面を反映した表面を有する反射層と、
前記反射層の前記液晶層側に配置されており、前記凹凸面に平面的に重なる第１の領域と、前記スペーサに平面的に重なる第２の領域と、に選択的に設けられた平坦化層と、
を備えていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記複数の配線は、複数の走査線と、前記複数の走査線のそれぞれに交差するように配置された複数の信号線と、を含み、
前記スペーサは、前記走査線および前記信号線の少なくとも一方に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置であって、
前記スペーサは、前記走査線および前記信号線に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記平坦化層は、前記第１の領域と前記第２の領域とに相互に連なって一体形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置であって、
前記平坦化層は、前記複数の画素に亘って一体形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記平坦化層は、前記第１の領域と前記第２の領域とに個別に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記画素は、前記反射層と前記平坦化層とが配置されていない透過表示領域をさらに有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置において、一対の基板間に挟持される液晶層の層厚を規定する基板間の間隙（以下、ギャップと呼ぶ）を保持するため、フォトスペーサが用いられている。フォトスペーサは、例えば、一方の基板の液晶層側にスペーサ材料を配置した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングされ、画素同士の間の領域等に形成される（例えば特許文献１）。
【０００３】
一方、液晶層に入射した外光を反射する反射層を有し、反射表示を行うことができる液晶装置が知られている。この反射層は、例えば、凹凸面を有する下地層上に形成されることで付与された凹凸面を有している。このような液晶装置では、凹凸面の凹部と凸部とで液晶層の厚さが異なるため、反射表示におけるコントラスト低下が生じる場合がある。これに対して、反射層上に平坦化層を設けることにより、凹凸面の凹部を埋める構成が知られている（例えば特許文献２）。このような構成によれば、液晶層に接する面に反射層の凹凸面が反映されにくいので、反射表示におけるコントラスト低下が抑えられる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３０５５５２号公報
【特許文献２】特開２０００−２０６５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、例えばフォトリソグラフィ法を用いて下地層に凹凸面を形成する場合、下地層において凹凸面とそれ以外の部分の表面との間に段差が生じ易い。このような段差に跨って上層に平坦化層を形成すると、平坦化層は下地層の段差を埋めることができず、平坦化層の表面に斜面状の段差が生じてしまう。平坦化層表面の段差は液晶層に接する面に反映される。この斜面状の段差が画素領域内に及ぶと、画素領域内にコントラストが低下する部分が生じることとなる。したがって、下地層の凹凸面に平面的に重なる領域、すなわち反射表示領域に選択的に平坦化層を形成することが好ましい。
【０００６】
しかしながら、平坦化層を反射表示領域に選択的に形成すると、平坦化層が形成されない画素同士の間の領域においては、その分ギャップが厚くなる。そうすると、画素同士の間の領域でギャップを保持するスペーサの厚さが厚くなる。スペーサの厚さが厚くなると、それぞれのスペーサ間で厚さのばらつき（すなわちギャップのばらつき）が生じ易くなる。その結果、液晶装置においてコントラストや応答速度のムラが生じてしまい、表示品質の低下を招いてしまうという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、反射表示領域を有する複数の画素と、互いに隣り合う前記画素同士の間に位置しており、前記第１の基板と前記第２の基板との間で間隙を保持するスペーサと、前記第１の基板の前記液晶層側に設けられ、前記画素同士の間に配置された複数の配線と、前記複数の配線を覆うとともに、前記反射表示領域に対応した領域に凹凸面を有する下地層と、前記下地層の前記凹凸面上に形成されており、前記凹凸面を反映した表面を有する反射層と、前記反射層の前記液晶層側に配置されており、前記凹凸面に平面的に重なる第１の領域と、前記スペーサに平面的に重なる第２の領域と、に選択的に設けられた平坦化層と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、平坦化層が凹凸面に平面的に重なる第１の領域に選択的に設けられているので、第１の基板の液晶層に接する面に反射層の凹凸面が反映されるのが抑えられる。また、平坦化層が設けられた第１の領域とそれ以外の部分との間で下地層の表面に段差があっても、平坦化層がその段差に跨って形成されないので、平坦化層の表面には段差が反映されない。これにより、凹凸面に平面的に重なる第１の領域における液晶層の厚さのムラが抑えられるので、反射表示領域におけるコントラストの低下を抑制できる。
【００１０】
さらに、平坦化層がスペーサに平面的に重なる第２の領域にも選択的に設けられているので、平坦化層が配置されていない場合に比べてスペーサの厚さを平坦化層の厚さ相当分薄くできる。これにより、スペーサ同士の厚さのばらつきが抑えられる。したがって、第１の基板と第２の基板との間隙、すなわちギャップをより均一に保持できる。これらの結果、液晶装置の表示品位を向上させることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置であって、前記複数の配線は、複数の走査線と、前記複数の走査線のそれぞれに交差するように配置された複数の信号線と、を含み、前記スペーサは、前記走査線および前記信号線の少なくとも一方に平面的に重なるように配置されていてもよい。
【００１２】
この構成によれば、スペーサが走査線および信号線の少なくとも一方と平坦化層とに重なる領域に配置されるので、スペーサの厚さを走査線および信号線の少なくとも一方の厚さ相当分さらに薄くできる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置であって、前記スペーサは、前記走査線および前記信号線に平面的に重なるように配置されていてもよい。
【００１４】
この構成によれば、スペーサが走査線および信号線と平坦化層とに重なる領域に配置されるので、スペーサの厚さを走査線および信号線の厚さ相当分さらに薄くできる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置であって、前記平坦化層は、前記第１の領域と前記第２の領域とに相互に連なって一体形成されていてもよい。
【００１６】
この構成によれば、平坦化層のうちスペーサに平面的に重なる部分は、凹凸面に平面的に重なる部分よりも面積が小さい。フォトリソグラフィ法を用いて平坦化層を形成する場合、このような面積の小さな部分が孤立していると現像の際に剥離し易いが、平坦化層が一体形成されるので、現像における剥がれの発生が抑えられる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置であって、前記平坦化層は、前記複数の画素に亘って一体形成されていてもよい。
【００１８】
この構成によれば、平坦化層が複数の画素に亘って一体形成されるので、フォトリソグラフィ法を用いて平坦化層を形成する際、現像における剥がれの発生がさらに抑えられる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置であって、前記平坦化層は、前記第１の領域と前記第２の領域とに個別に形成されていてもよい。
【００２０】
この構成によれば、平坦化層のスペーサに平面的に重なる部分を、反射表示領域から離れた位置に設けることができる。したがって、スペーサの配置の自由度が高められる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置であって、前記画素は、前記反射層と前記平坦化層とが配置されていない透過表示領域をさらに有していてもよい。
【００２２】
この構成によれば、透過表示と反射表示とを行う半透過反射型の液晶装置において、表示品位を向上させることができる。
【００２３】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、電子機器は、上記の液晶装置を表示部として有しているので、表示品位の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、参照する各図面において、素子、配線、接続部等を一部省略してある。
【００２６】
＜液晶装置＞
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る液晶装置の構成について図１、図２、及び図３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。詳しくは、図１（ａ）は斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域を拡大して示した平面図である。図３は、第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。なお、図２では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
【００２７】
本実施形態に係る液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置であるとともに、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の半透過反射型の液晶装置である。図１に示すように、液晶装置１００は、第１の基板としての素子基板１０と、素子基板１０に対向して配置された第２の基板としての対向基板３０とを備えている。素子基板１０と対向基板３０とは、枠状のシール剤４１を介して対向して貼り合わされている。素子基板１０と対向基板３０とのギャップは、スペーサ４３（図２参照）により保持されている。
【００２８】
素子基板１０と対向基板３０とシール剤４１とによって囲まれた空間には、液晶層４０が封入されている。素子基板１０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板４４が配置されており、対向基板３０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板４５が配置されている。素子基板１０は、対向基板３０より大きく、一部が対向基板３０に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層４０を駆動するためのドライバＩＣ４２が実装されている。液晶装置１００は、液晶層４０が封入された表示領域２において表示を行う。
【００２９】
図２に示すように、表示領域２には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の表示に寄与する画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単に画素４と呼ぶ）が複数配置されている。画素４は、液晶装置１００の表示の最小単位であり、隣り合う画素４同士の間に間隔が空くように、Ｘ軸およびＹ軸に沿ってマトリクス状に配置されている。画素４の平面形状は、例えば矩形状である。なお、Ｘ軸は画素４の行方向を示し、Ｙ軸は画素４の列方向を示している。
【００３０】
それぞれの画素４は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを有している。Ｘ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列され、Ｙ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列されている。画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂから画素群６が構成されている。液晶装置１００では、画素群６において画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００３１】
それぞれの画素４には、反射表示領域Ｒに対応して反射層２４が配置されている。隣り合う画素４同士の間には、遮光層３２が配置されている。遮光層３２は、格子状の平面形状を有しており、画素４の領域を区画している。遮光層３２は、画素４同士の間から漏れる光を遮って表示のコントラストを向上させる役割を果たす。
【００３２】
また、隣り合う画素４同士の間には、スペーサ４３が配置されている。スペーサ４３は、画素群６のそれぞれに対して少なくとも１箇所設けられている。本実施形態では、スペーサ４３は、画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂのそれぞれの間に設けられている。
【００３３】
図３に示すように、表示領域２には、複数の配線としての複数の走査線１２と複数の信号線１４と複数の共通配線１７とが形成されている。複数の走査線１２と複数の共通配線１７とは、それぞれが互いに略平行に配置されている。複数の信号線１４は、複数の走査線１２と複数の共通配線１７とのそれぞれに交差するように配置されている。走査線１２および共通配線１７と信号線１４との交差に対応して画素４が設けられている。画素４のそれぞれには、画素電極１６と、画素電極１６を制御するためのＴＦＴ素子２０とが形成されている。また、画素４のそれぞれには、画素電極１６との間で横電界を発生させるための共通電極１８が形成されている。共通電極１８は、共通配線１７に電気的に接続されている。
【００３４】
ＴＦＴ素子２０のソース電極２０ｓ（図４参照）は、信号線駆動回路１３から延在する信号線１４に電気的に接続されている。信号線１４には、信号線駆動回路１３からデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ素子２０のゲート電極２０ｇ（図４参照）は、走査線駆動回路１５から延在する走査線１２の一部である。走査線１２には、走査線駆動回路１５から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄ（図４参照）は、画素電極１６に電気的に接続されている。
【００３５】
データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、ＴＦＴ素子２０を一定期間だけオン状態とすることにより、信号線１４を介して画素電極１６に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極１６を介して、液晶層４０に書き込まれた所定レベルのデータ信号は、共通電極１８との間で一定期間保持される。ここで、画素電極１６と共通電極１８との間には保持容量１９が形成されており、画素電極１６の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも長い時間保持される。これにより、電荷の保持特性が改善され、液晶装置１００はコントラスト比の高い表示を行うことができる。
【００３６】
次に、第１の実施形態に係る液晶装置１００の詳細な構成について図４および図５を参照して説明する。図４および図５は、第１の実施形態に係る液晶装置１００の画素４の構成を示す図である。詳しくは、図４は、対向基板３０側から見たときの平面図である。図５は、図４中のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。なお、図４において、対向基板３０の図示を省略しており、画素４の領域を２点鎖線で示すが、この画素４の領域外に平面的に重なるように遮光層３２（図２参照）が配置されている。
【００３７】
図５に示すように、素子基板１０は、基板１１を基体として構成されており、基板１１上に、ＴＦＴ素子２０と、絶縁層２１と、下地層としての樹脂層２２と、反射層２４と、平坦化層２６と、共通配線１７と、共通電極１８と、絶縁層２８と、画素電極１６と、配向膜（図示しない）とを備えている。基板１１は、透光性を有する材料からなり、例えばガラスからなる。基板１１の材料は、石英や樹脂であってもよい。
【００３８】
基板１１の液晶層４０側には、ゲート電極２０ｇと共通配線１７とが形成されている。ゲート電極２０ｇは、同層に形成された走査線１２の一部である。絶縁層２１は、基板１１とゲート電極２０ｇ（走査線１２）と共通配線１７とを覆うように形成されている。絶縁層２１は、例えばＳｉＯ2（酸化ケイ素）からなる。
【００３９】
絶縁層２１上には、半導体層２０ａとソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄとが形成されている。図４に示すように、半導体層２０ａは、走査線１２に平面的に重なる位置に形成されている。半導体層２０ａは、アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体からなる。ソース電極２０ｓは、信号線１４から分岐した部分であり、その一部が半導体層２０ａの一部を覆うように形成されている。ドレイン電極２０ｄは、一部が半導体層２０ａの一部を覆うように形成されている。ゲート電極２０ｇと半導体層２０ａとソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄとで、ＴＦＴ素子２０が構成される。
【００４０】
反射表示領域Ｒは、画素４の領域においてＴＦＴ素子２０側に配置されている。反射層２４は、図４において斜線で示すように、反射表示領域Ｒと、画素４同士の間の領域であって反射表示領域Ｒに隣接する部分とに亘って設けられている。この反射層２４に平面的に重なる領域を第１の領域と呼ぶ。
【００４１】
また、スペーサ４３は、反射表示領域Ｒ同士の間の領域において、信号線１４に平面的に重なるように配置されている。このスペーサ４３に平面的に重なる領域を第２の領域と呼ぶ。スペーサ４３は、走査線１２に平面的に重なるように配置されていてもよい。スペーサ４３の対向基板３０側から見た断面形状は、例えば矩形である。スペーサ４３の断面形状は、多角形、円形、楕円形等であってもよい。
【００４２】
なお、図４において、Ｘ軸は走査線１２の延在方向に沿った方向を示し、Ｙ軸は信号線１４の延在方向に沿った方向を示している。図４におけるＸ軸およびＹ軸の方向は、それぞれ図２におけるＸ軸およびＹ軸の方向と同じである。
【００４３】
図５に示すように、樹脂層２２は、ＴＦＴ素子２０および絶縁層２１の上に形成されている。樹脂層２２は、透光性を有する樹脂からなり、例えばポジ型の感光性アクリル樹脂からなる。樹脂層２２は、液晶層４０側の反射表示領域Ｒに対応した領域に凹凸面を有している。樹脂層２２の層厚は、例えば２μｍ程度であり、凹凸面の凸部と凹部との段差は、例えば０．５μｍ〜１μｍ程度である。
【００４４】
樹脂層２２は、例えば、スピンコート法を用いてベタ状に成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いて凹凸面を形成することにより設けられる。樹脂層２２の凹凸面を形成する方法は、まず、樹脂層２２の第１の領域に、凹凸形状の凸部の非形成領域に露光光が照射される開口パターンを有するマスクを用いて露光し、露光された部分を現像液によって除去する。これにより、凹部と略円柱状の突出部とが形成される。さらに、樹脂層２２に加熱処理を施して、突出部の上端面をだれさせることにより、凹凸面が形成される。
【００４５】
なお、樹脂層２２を成膜する際、樹脂層２２の下層に凸部がある場合、樹脂層２２の表面にその凸部の形状が反映され易い。例えば、走査線１２や信号線１４等の配線やＴＦＴ素子２０に平面的に重なる部分では、樹脂層２２の表面に配線やＴＦＴ素子２０の形状が反映された段差が生じることとなる。また、樹脂層２２の表面のうち凹凸面を形成する際に露光された部分が除去されるため、樹脂層２２の凹凸面とそれ以外の部分の表面との間に段差ができる。したがって、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で、樹脂層２２の表面に段差が生じることとなる。
【００４６】
反射層２４は、樹脂層２２の凹凸面上に形成されており、樹脂層２２の凹凸面を反映した上面、すなわち凹凸面を有している。反射層２４は、光反射性を有する金属膜からなり、例えばアルミニウムからなる。反射層２４の材料は、ＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）であってもよい。反射層２４は、凹凸面を有することにより、液晶層４０側から入射した光を散乱反射する。
【００４７】
平坦化層２６は、反射層２４の液晶層４０側に位置している。図４に示すように、平坦化層２６は、反射層２４に平面的に重なる第１の領域と、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域とに選択的に設けられている。本実施形態では、平坦化層２６は、第１の領域に位置する第１の部分２６ａと、第２の領域に位置する第２の部分２６ｂと、第１の部分２６ａと第２の部分２６ｂとを接続する第３の部分２６ｃとからなる。つまり、平坦化層２６は、第１の領域と第２の領域とに相互に連なって一体形成されている。
【００４８】
第２の部分２６ｂは、スペーサ４３と信号線１４とに平面的に重なっている。第２の部分２６ｂの面積は、スペーサ４３の対向基板３０側から見た断面の面積よりも大きいことが好ましい。第３の部分２６ｃのＹ軸方向における幅は、第２の部分２６ｂのＹ軸方向における幅よりも小さい。第３の部分２６ｃのＹ軸方向における幅は、第２の部分２６ｂのＹ軸方向における幅と略同一であってもよい。
【００４９】
平坦化層２６は、透光性を有する樹脂からなり、例えばネガ型の感光性樹脂からなる。平坦化層２６の材料は、ＵＶ硬化型樹脂であってもよい。平坦化層２６（第１の部分２６ａ）は、反射層２４の凹凸面の段差を埋めることにより反射表示領域Ｒにおける液晶層４０側の面を略平坦化している。したがって、平坦化層２６の材料は、低粘度であることが好ましい。平坦化層２６の層厚は、例えば１．０μｍ〜１．５μｍ程度である。
【００５０】
平坦化層２６は、例えばスピンコート法を用いてベタ状に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いて第１の部分２６ａ、第２の部分２６ｂ、および第３の部分２６ｃ以外の部分を現像液により除去することにより形成される。ところで、第２の部分２６ｂのように面積の小さな部分が孤立していると、現像の際に剥離してしまうことがある。本実施形態では、第３の部分２６ｃにより、第２の部分２６ｂを面積の大きな第１の部分２６ａに接続して一体化することで、第２の部分２６ｂが現像の際に剥離するリスクを低減できる。
【００５１】
ここで、平坦化層２６の下層の樹脂層２２には、配線やＴＦＴ素子２０等の凸部が表面に反映された段差や、凹凸面とそれ以外の部分の表面との間に段差が存在している。これらの段差は、反射層２４が位置する凹凸面の凹部と凸部との段差に比べて大きい。そのため、平坦化層２６をベタ状に形成すると、平坦化層２６はこれらの樹脂層２２の段差を埋めることができず、平坦化層２６の表面に樹脂層２２の段差に対応した斜面状の段差が生じてしまう。平坦化層２６の表面に生じた斜面状の段差は、液晶層４０に接する面に反映される。
【００５２】
例えば、樹脂層２２の表面において、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に段差が存在するので、その段差に対応して平坦化層２６の表面には、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に跨るように斜面状の段差が生じることとなる。この結果、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔのそれぞれで、液晶層４０の層厚がばらついてしまう。また、配線やＴＦＴ素子２０に平面的に重なる部分における樹脂層２２の表面の段差についても、その段差に対応する平坦化層２６表面の斜面状の段差は、画素４の領域内に及ぶ場合がある。
【００５３】
上述のような理由から、平坦化層２６は、樹脂層２２の凹凸面、すなわち反射層２４に平面的に重なる第１の領域に選択的に形成することが好ましい。本実施形態では、平坦化層２６（第１の部分２６ａ）を第１の領域に選択的に形成することで、樹脂層２２の表面の段差の影響が画素４の領域内に及ぶのを防止している。
【００５４】
また、第２の部分２６ｂは、スペーサ４３と信号線１４とに平面的に重なっている。第２の部分２６ｂの面積は、スペーサ４３の対向基板３０側から見た断面の面積よりも大きいことが好ましい。一方で、下層の段差の影響が画素４の領域内に及ぶのを防止する目的から、第２の部分２６ｂおよび第３の部分２６ｃの面積は小さい方が好ましい。本実施形態において、スペーサ４３に平面的に重なる第２の部分２６ｂよりも、第３の部分２６ｃが小さいのはこのためである。
【００５５】
共通電極１８は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘ってベタ状に形成されている。共通電極１８は、反射表示領域Ｒにおいては平坦化層２６上に位置しており、透過表示領域Ｔにおいては樹脂層２２上に位置している。共通電極１８は、一辺部において共通配線１７に平面的に重なっており、共通配線１７に電気的に接続されている。共通電極１８は、反射表示領域Ｒにおいて、平坦化層２６上に配置されることにより、反射層２４の凹凸面が反映されることなく略平坦に形成されている。共通電極１８は、透光性を有する導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。
【００５６】
絶縁層２８は、樹脂層２２と平坦化層２６と共通電極１８とを覆うように形成されている。絶縁層２８は、平坦化層２６の液晶層４０側に配置されることにより、反射層２４の凹凸面が反映されることなく、略平坦な表面を有している。絶縁層２８は、例えばＳｉＮ（窒化ケイ素）からなる。絶縁層２８の層厚は、例えば０．１μｍ〜０．５μｍ程度である。
【００５７】
画素電極１６は、絶縁層２８上に形成されている。図４に示すように、画素電極１６は、共通電極１８に平面的にほぼ重なる領域に形成され、複数のスリット状の開口部１６ａを有している。画素電極１６は、コンタクトホール２９を介してドレイン電極２０ｄに電気的に接続されている。コンタクトホール２９は、反射層２４に平面的に重なる第１の領域に設けられ、絶縁層２８と平坦化層２６と樹脂層２２とを貫通している。反射層２４は、コンタクトホール２９に接しないように、コンタクトホール２９よりも一回り大きな開口部を有している。
【００５８】
画素電極１６は、透光性を有する導電材料からなり、例えばＩＴＯからなる。画素電極１６は、例えばスパッタリング法を用いてベタ状の膜を形成した後、画素電極１６の外形と開口部１６ａとに対応した部分をパターニングすることにより形成される。画素電極１６は、反射層２４の凹凸面が反映されない略平坦な絶縁層２８上に形成されるので、開口部１６ａの周辺における断線の発生が抑えられる。
【００５９】
図５に示すように、画素電極１６と共通電極１８とは絶縁層２８を介して対向しており、画素電極１６と共通電極１８との間には絶縁層２８を誘電体膜とする保持容量１９（図３参照）が形成されている。素子基板１０では、画素電極１６と共通電極１８との間に電圧が印加されると、スリット状の開口部１６ａおよびその周辺に素子基板１０に平行な方向の横電界が発生する。この横電界によって、液晶層４０の液晶分子の配向が制御される。
【００６０】
素子基板１０の液晶層４０に接する側には配向膜が形成されている。配向膜は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜の表面には、ラビング処理等の配向処理が施されている。
【００６１】
次に、対向基板３０は、液晶装置１００の観察側に位置している。対向基板３０は、基板３１を基体として構成されており、基板３１上に、遮光層３２と、カラーフィルタ層３４と、オーバーコート層３６と、保護層３８と、配向膜（図示しない）とを備えている。基板３１は、透光性を有する材料からなり、例えばガラスからなる。基板３１の材料は、石英や樹脂であってもよい。
【００６２】
遮光層３２とカラーフィルタ層３４とは、基板３１上に形成されている。遮光層３２は、基板３１上の隣り合う画素４同士の間の領域に配置されている。カラーフィルタ層３４は、画素４の領域に対応して配置されている。カラーフィルタ層３４は、例えばアクリル樹脂等からなり、画素４で表示するＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する色材を含有している。オーバーコート層３６は、遮光層３２とカラーフィルタ層３４とを覆うように形成されている。オーバーコート層３６は、透光性を有する樹脂からなる。
【００６３】
保護層３８は、オーバーコート層３６上に設けられ、反射表示領域Ｒに配置されている。保護層３８は、反射表示領域Ｒ同士が互いに対向して隣り合う複数の画素４に亘って形成されている。保護層３８は、例えばオーバーコート層３６と同じ材料からなる。保護層３８は、自身の層厚により、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとにおいて液晶層４０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層としての役割を果たす。なお、保護層３８は、保護層３８に入射する光に所定の位相差を付与する位相差層であってもよいし、このような位相差層を含んでいてもよい。
【００６４】
対向基板３０の液晶層４０に接する側には配向膜が形成されている。配向膜は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜の表面には、素子基板１０の配向膜の配向方向と同方向の配向処理が施されている。
【００６５】
液晶層４０は、素子基板１０と対向基板３０との間に配置されている。液晶層４０の液晶分子は、画素電極１６と共通電極１８との間に電界が発生していない状態（オフ状態）では、素子基板１０の配向膜と対向基板３０の配向膜とに施された配向処理によって規制される方向に沿って水平に配向する。また、液晶層４０の液晶分子は、画素電極１６と共通電極１８との間に電界が発生している状態（オン状態）では、開口部１６ａの延在方向と直交する方向に沿って配向する。したがって、液晶層４０では、オフ状態とオン状態とにおける液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して液晶層４０を通過する光に対して位相差を付与している。
【００６６】
液晶層４０の層厚は、スペーサ４３（図６参照）によって保持された素子基板１０と対向基板３０とのギャップにより規定される。液晶層４０の層厚は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで異なる。具体的には、液晶層４０の反射表示領域Ｒにおける層厚は、液晶層４０の透過表示領域Ｔにおける層厚の略１／２となっている。
【００６７】
反射表示領域Ｒにおける素子基板１０の液晶層４０に接する面は、平坦化層２６により反射層２４（樹脂層２２）の凹凸面が反映されない略平坦な面となっている。これにより、反射表示領域Ｒにおける液晶層４０の厚さのばらつきが抑えられるので、反射層２４で反射され液晶層４０を通過する光の変調状態のばらつきが低減される。
【００６８】
素子基板１０と偏光板４４との間には、位相差板４６が配置されている。対向基板３０と偏光板４５との間には、位相差板４８が配置されている。位相差板４６および位相差板４８は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差、例えば１／４波長分の位相差を付与する。偏光板４４と位相差板４６とで円偏光板が構成される。同様に、偏光板４５と位相差板４８とで円偏光板が構成される。なお、保護層３８が位相差層である場合、あるいは保護層３８が位相差層を含む場合は、位相差板４６および位相差板４８は配置されていなくてもよい。
【００６９】
偏光板４４の透過軸と偏光板４５の透過軸とは、互いに略直交するように設けられている。なお、図示しないが、偏光板４４の側にはバックライト装置が、偏光板４４に対向して配置されている。
【００７０】
次に、液晶装置１００のギャップについて図６および図１２を参照して説明する。図６は、液晶装置１００のギャップを説明する図である。詳しくは、図４中のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図１２は、液晶装置の比較例を示す図である。詳しくは、平坦化層が第１の領域に選択的に形成された場合を示す断面図である。
【００７１】
図６では、液晶装置１００における、反射層２４に平面的に重なる第１の領域と、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域とに亘る断面を示している。上述の通り、平坦化層２６は、第１の部分２６ａと、第２の部分２６ｂと、第３の部分２６ｃとからなる。第１の部分２６ａは、反射層２４に平面的に重なる第１の領域に配置されている。第２の部分２６ｂは、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域に配置されている。平坦化層２６の層厚Ｄ３は、例えば１．０μｍである。
【００７２】
平坦化層２６の下層には、樹脂層２２における凹凸面（反射層２４の表面）と凹凸面のない表面との間の段差Ｄ４が位置している。段差Ｄ４は、例えば０．６μｍである。平坦化層２６は、段差Ｄ４に跨って配置されている。このため、平坦化層２６の表面には、段差Ｄ４に対応して斜面状の段差が形成されている。この斜面状の段差は、遮光層３２に平面的に重なる画素４同士の間に位置している。
【００７３】
スペーサ４３は、信号線１４と平坦化層２６（第３の部分２６ｃ）とに平面的に重なっている。スペーサ４３は、例えばアクリル樹脂からなる。スペーサ４３の材料の一例として、ＪＳＲ株式会社のＮＮ５２５やＮＮ８０３を用いることができる。スペーサ４３は、例えば、スピンコート法を用いて素子基板１０上にベタ状に成膜された後、フォトリソグラフィ法を用いてスペーサ４３以外の部分を現像液により除去して形成される。スペーサ４３は、対向基板３０上に形成されてもよい。
【００７４】
スペーサ４３は、スペーサ４３が配置される領域における素子基板１０と対向基板３０とのギャップに相当する厚さを有する。スペーサ４３の厚さは、成膜されたベタ状の膜の膜厚によって決まる。ベタ状の膜の膜厚を厚くするには、スピンコート法を用いて成膜する場合、スピンコートの回転数をより小さくする方法が用いられる。しかしながら、スピンコートの回転数をより小さくすると、成膜されるベタ状の膜における膜厚のばらつきはより大きくなる。そうすると、スペーサ４３のそれぞれの厚さがばらつくので、素子基板１０と対向基板３０とのギャップがばらつくこととなる。したがって、スペーサ４３の厚さは、より薄い方が好ましい。
【００７５】
本実施形態では、反射表示領域Ｒにおける素子基板１０と対向基板３０とのギャップＤ１は、例えば１．５μｍである。この場合、透過表示領域Ｔにおけるギャップは、ギャップＤ１の２倍の３．０μｍ程度となる。なお、配向膜や絶縁層２８等の厚さは無視するものとする。スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域における素子基板１０と対向基板３０とのギャップＤ２は、ギャップＤ１よりも段差Ｄ４に相当する分だけ小さくなる。したがって、ギャップＤ２は、０．９μｍである。これにより、液晶装置１００において、ギャップＤ１，Ｄ２を保持するために必要なスペーサ４３の厚さは０．９μｍとなる。このように、平坦化層２６（第２の部分２６ｂ）を、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域に配置することで、スペーサ４３の厚さを薄くすることができる。
【００７６】
ここで、第２の領域においてスペーサ４３が信号線１４に平面的に重ならない場合を想定すると、信号線１４の厚さを０．２μｍとすれば、ギャップＤ２は１．１μｍとなる。したがって、スペーサ４３を信号線１４に平面的に重なるように配置することで、ギャップＤ２を０．２μｍ小さくできることになる。
【００７７】
次に、図１２に示す液晶装置６００と液晶装置１００とを比較して説明する。比較例としての液晶装置６００は、本実施形態の液晶装置１００に対して、平坦化層６６が第１の領域のみに選択的に形成されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。本実施形態の液晶装置１００と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００７８】
液晶装置６００の素子基板６０において、平坦化層６６は、反射層２４（樹脂層２２の凹凸面）に平面的に重なる第１の領域のみに選択的に形成されている。したがって、平坦化層６６は、液晶装置１００における平坦化層２６の第１の部分２６ａに相当する。平坦化層６６の層厚は、平坦化層２６の層厚Ｄ３と等しいものとする。平坦化層６６は段差Ｄ４に跨っていないので、平坦化層６６の表面は略平坦な面となっている。この構成により、画素４の領域内に下層の段差の影響が及ぶのを防止している。
【００７９】
一方、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域には平坦化層６６が形成されていないので、平坦化層６６の表面と樹脂層２２の表面との間に段差Ｄ７ができている。段差Ｄ７は、平坦化層６６の層厚Ｄ３から段差Ｄ４を減じた差に等しいので、０．４μｍとなる。第２の領域における素子基板６０と対向基板３０とのギャップＤ８は、ギャップＤ１よりも段差Ｄ７に相当する分だけ大きくなる。したがって、ギャップＤ８は１．９μｍである。これにより、液晶装置６００において、ギャップＤ１，Ｄ８を保持するために必要なスペーサ４３の厚さは１．９μｍとなる。つまり、液晶装置６００におけるスペーサ４３の厚さは、液晶装置１００におけるスペーサ４３の厚さよりも、平坦化層６６（平坦化層２６）の層厚分だけ厚くなる。換言すれば、液晶装置１００において、第２の領域に平坦化層２６（第２の部分２６ｂ）を配置することで、スペーサ４３の厚さを平坦化層２６の層厚分だけ薄くできる。
【００８０】
本実施形態では、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域に平坦化層２６（第２の部分２６ｂ）を選択的に配置することで、スペーサ４３のそれぞれの厚さのばらつきを小さくすることができる。したがって、素子基板１０と対向基板３０とのギャップＤ１，Ｄ２をより均一に保持できる。この結果、液晶装置１００におけるコントラストや応答速度のムラが抑えられるので、液晶装置１００の表示品位を向上させることができる。
【００８１】
また、素子基板１０および対向基板３０の少なくとも一方の側からスペーサ４３を圧縮するような力が加わった場合に、スペーサ４３の厚さが薄いとスペーサ４３の伸縮量が小さくなる。したがって、スペーサ４３の厚さが平坦化層２６の層厚分だけ薄くなると、素子基板１０と対向基板３０とのギャップＤ１，Ｄ２をより安定的に保持できる。この結果、液晶装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００８２】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶装置の構成について図７および図８を参照して説明する。図７および図８は、第２の実施形態に係る液晶装置の画素４の構成を示す図である。詳しくは、図７は、対向基板側から見たときの平面図である。対向基板の図示は省略している。図８は、図７中のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００８３】
第２の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態に係る液晶装置に対して、スペーサが走査線および信号線に平面的に重なるように配置されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
【００８４】
図８に示すように、第２の実施形態に係る液晶装置２００は、素子基板５０と、対向基板３０と、液晶層４０と、スペーサ４３とを備えている。素子基板５０は、基板１１を基体として構成されており、反射層２４に平面的に重なる第１の領域と、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域と、に選択的に設けられた平坦化層５２を備えている。
【００８５】
図７に示すように、液晶装置２００においては、スペーサ４３が、走査線１２と信号線１４とが交差する部分に平面的に重なるように配置されている。したがって、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域は、走査線１２および信号線１４にも平面的に重なっている。平坦化層５２は、第１の領域に位置する第１の部分５２ａと、第２の領域に位置する第２の部分５２ｂと、第１の領域と第２の領域とを接続する第３の部分５２ｃとからなり、第１の領域と第２の領域とに相互に連なって一体形成されている。
【００８６】
図８に示すように、スペーサ４３は、走査線１２と信号線１４と平坦化層５２（第２の部分５２ｂ）とに平面的に重なっている。走査線１２は、基板１１と絶縁層２１との間に位置している。また、絶縁層２１上には、信号線１４が走査線１２に重なるように配置されている。このため樹脂層２２における凹凸面（反射層２４の表面）と凹凸面のない表面との間の段差は、液晶装置１００における段差Ｄ４に走査線１２の層厚に相当する段差Ｄ６が加えられたものとなる。なお、平坦化層５２の層厚は、液晶装置１００における平坦化層２６の層厚Ｄ３と等しいものとする。
【００８７】
素子基板５０と対向基板３０とのギャップＤ５は、ギャップＤ１よりも段差Ｄ４および段差Ｄ６に相当する分だけ小さくなる。段差Ｄ６、すなわち走査線１２の層厚を０．２μｍとすれば、ギャップＤ５は０．７μｍとなる。これにより、液晶装置２００において、ギャップＤ１，Ｄ５を保持するために必要なスペーサ４３の厚さは０．７μｍである。したがって、スペーサ４３を走査線１２と信号線１４とに平面的に重なるように配置することで、液晶装置１００よりもスペーサ４３の厚さをさらに薄くできる。
【００８８】
本実施形態では、スペーサ４３を走査線１２と信号線１４に平面的に重なるように配置し、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域に平坦化層５２（第２の部分５２ｂ）を選択的に配置することで、スペーサ４３のそれぞれの厚さのばらつきを小さくすることができる。したがって、素子基板５０と対向基板３０とのギャップＤ１，Ｄ５をさらに均一に保持できる。この結果、液晶装置の表示品位をさらに向上させることができる。
【００８９】
なお、スペーサ４３は、ＴＦＴ素子２０に平面的に重なるように配置されていてもよい。その場合、平坦化層５２の第２の部分５２ｂは、スペーサ４３とＴＦＴ素子２０とに平面的に重なるように配置される。
【００９０】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る液晶装置の構成について図９を参照して説明する。図９は、第３の実施形態に係る液晶装置の画素４の構成を示す図である。詳しくは、図９は、対向基板側から見たときの平面図である。対向基板の図示は省略している。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００９１】
第３の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態に係る液晶装置および第２の実施形態に係る液晶装置に対して、平坦化層が第１の領域と第２の領域とに個別に形成されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
【００９２】
図９に示すように、第３の実施形態に係る液晶装置３００では、反射層２４に平面的に重なる第１の領域に平坦化層６２ａが選択的に設けられており、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域に平坦化層６２ｂが選択的に設けられている。すなわち、平坦化層６２ａと平坦化層６２ｂとが個別に形成されている。
【００９３】
本実施形態では、平坦化層６２ａと平坦化層６２ｂとを形成する際に平坦化層６２ｂが剥離するリスクはあるが、平坦化層６２ｂを平坦化層６２ａから離れた位置に配置することができる。平坦化層６２ｂはスペーサ４３に平面的に重なる第２の領域に設けられるので、これにより、スペーサ４３の配置の自由度が高められる。
【００９４】
また、本実施形態では、スペーサ４３が、共通配線１７と信号線１４とが交差する部分に平面的に重なるように配置されており、かつ平坦化層６２ｂにも平面的に重なるように配置されている。共通配線１７の層厚を０．２μｍとすれば、素子基板１０と対向基板３０とのギャップは０．７μｍとなり、第２の実施形態に係る液晶装置２００と同様の効果が得られる。スペーサ４３は、共通配線１７に平面的に重なるように配置されていてもよい。
【００９５】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る液晶装置の構成について図１０を参照して説明する。図１０は、第４の実施形態に係る液晶装置の表示領域を示した平面図である。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００９６】
第４の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態に係る液晶装置に対して、平坦化層が複数の画素に亘って一体形成されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
【００９７】
図１０に示すように、第４の実施形態に係る液晶装置４００では、平坦化層６４は、画素４のそれぞれに対応して第１の部分６４ａと第２の部分６４ｂとを有している。第１の部分６４ａは、反射層２４に平面的に重なる第１の領域に設けられている。第２の部分６４ｂは、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域に位置するとともに、隣り合う画素４のそれぞれに対応する第１の部分６４ａ同士を接続するように設けられている。すなわち、平坦化層６４は複数の画素４に亘って一体形成されている。
【００９８】
本実施形態では、第１の実施形態に係る液晶装置１００と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、平坦化層６４が複数の画素４に亘って一体形成されているので、平坦化層６４を形成する際に第２の部分６４ｂが剥離するリスクをさらに低減できる。なお、平坦化層６４において、第２の部分６４ｂがスペーサ４３に平面的に重なる第２の領域に選択的に設けられており、第１の部分６４ａと第２の部分６４ｂとを接続する第３の部分を有する構成であってもよい。
【００９９】
前述の通り、平坦化層６４をベタ状に形成すると平坦化層６４の表面に下層の段差に対応した斜面状の段差が生じ、液晶層４０に接する面に反映されてしまう。したがって、透過表示領域Ｔには平坦化層６４が形成されていない。また、隣り合う画素４のそれぞれに対応する第１の部分６４ａ同士の間も、より面積の小さい第２の部分６４ｂで接続されている。この構成によれば、隣り合う反射表示領域Ｒ同士の間にスリット状に平坦化層６４が形成されない領域ができる。
【０１００】
ところで、配向膜は、未硬化の配向樹脂を塗布した後、この配向樹脂を硬化させることにより形成される。上述のような構成を有する素子基板の液晶層４０側の表面に未硬化の配向樹脂を塗布して配向膜を形成する場合、透過表示領域Ｔに配向樹脂が溜まることで配向膜の厚さにムラが生じ、液晶装置４００の表示品位を低下させることとなる。液晶装置４００では、隣り合う反射表示領域Ｒ同士の間にスリット状に平坦化層６４が形成されない領域を有しているので、この領域に配向樹脂の一部が流れることで、透過表示領域Ｔに配向樹脂が溜まるのを抑制できる。
【０１０１】
＜電子機器＞
上述した液晶装置１００，２００，３００，４００は、例えば、図１１に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に液晶装置１００，２００，３００，４００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は優れた表示品質を有している。
【０１０２】
また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器、液晶プロジェクタであってもよい。
【０１０３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１０４】
（変形例１）
上記の実施形態の液晶装置は、ＦＦＳ方式で画素電極が共通電極よりも液晶層側に配置された半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、共通電極が画素電極よりも液晶層側に配置された構成を有していてもよい。また、液晶装置は、ＦＦＳ方式と同様に横電界により液晶分子の配向制御を行うＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置であってもよい。これらの液晶装置においても、同様の効果が得られる。
【０１０５】
（変形例２）
上記の実施形態の液晶装置は、ＦＦＳ方式の半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、素子基板と対向基板との間に生じる縦電界により液晶分子の配向制御を行う、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式等の液晶装置であってもよい。このようなＴＮ方式、ＶＡ方式、ＥＣＢ方式の液晶装置においても、同様の効果が得られる。
【０１０６】
（変形例３）
上記の実施形態の液晶装置は、半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、反射型の液晶装置であってもよい。このような反射型の液晶装置においても、同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域を拡大して示した平面図。
【図３】第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】第１の実施形態に係る液晶装置の画素の構成を示す図。
【図５】図４中のＢ−Ｂ’線に沿った断面図。
【図６】図４中のＣ−Ｃ’線に沿った断面図。
【図７】第２の実施形態に係る液晶装置の画素の構成を示す図。
【図８】図７中のＤ−Ｄ’線に沿った断面図。
【図９】第３の実施形態に係る液晶装置の画素の構成を示す図。
【図１０】第４の実施形態に係る液晶装置の表示領域を示した平面図。
【図１１】本実施の形態における電子機器を示す図。
【図１２】液晶装置の比較例を示す図。
【符号の説明】
【０１０８】
２…表示領域、４…画素、６…画素群、１０，５０，６０…素子基板、１１…基板、１２…走査線、１３…信号線駆動回路、１４…信号線、１５…走査線駆動回路、１６…画素電極、１６ａ…開口部、１７…共通配線、１８…共通電極、１９…保持容量、２０…ＴＦＴ素子、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、２１…絶縁層、２２…樹脂層、２４…反射層、２６，５２，６２ａ，６２ｂ，６４，６６…平坦化層、２６ａ，５２ａ，６４ａ…第１の部分、２６ｂ，５２ｂ，６４ｂ…第２の部分、２６ｃ，５２ｃ…第３の部分、２８…絶縁層、２９…コンタクトホール、３０…対向基板、３１…基板、３２…遮光層、３４…カラーフィルタ層、３６…オーバーコート層、３８…保護層、４０…液晶層、４１…シール剤、４２…ドライバＩＣ、４３…スペーサ、４４…偏光板、４５…偏光板、４６…位相差板、４８…位相差板、１００，２００，３００，４００，６００…液晶装置、５００…携帯電話機、５０２…表示部。
【図１】
2010039330.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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