(57)【要約】【課題】精細度に問題があるメタルマスク、および高価なレーザースキャン装置を使わずに、高効率で長寿命な色変換方式有機ＥＬディスプレイの提供。【解決手段】基板上に形成された下部反射電極と上部透明電極の間にバンクで分離された少なくとも高分子有機物からなる発光層を挟持したトップエミッション構造の有機ＥＬ基板であって、上部透明電極の上に発光層の発するＥＬ光を吸収し該ＥＬ光とは異なる波長の光を発光する色変換層を直接形成し、前記バンクで分離された画素領域を有するＥＬ基板と、透明基板上に、ブラックマトリクスおよびカラーフィルタがフォトプロセスでパターン形成されているカラーフィルタ基板とを、画素領域が対向するように位置あわせを行って貼り合わせて形成されていることを特徴とする色変換方式有機ＥＬディスプレイ。【選択図】図１
2010033905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された下部反射電極と上部透明電極の間にバンクで分離された少なくとも高分子有機物からなる発光層を挟持し、かつ前記基板とは反対側の方向に光を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ基板であって、上部透明電極の上に発光層の発するＥＬ光を吸収し該ＥＬ光とは異なる波長の光を発光する色変換層を直接形成し、前記バンクで分離された画素領域を有するＥＬ基板と、
透明基板上に、ブラックマトリクスおよびカラーフィルタがフォトプロセスでパターン形成されているカラーフィルタ基板と
を、画素領域が対向するように位置あわせを行って貼り合わせて形成されていることを特徴とする色変換方式有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】
上部透明電極と色変換層との間に透明保護層をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の色変換方式有機ＥＬディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はトップエミッション方式の有機ＥＬ素子に直接色変換膜を形成してフルカラー化する有機ディスプレイの素子構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ素子は実用化に向けての研究が活発に行われている。有機ＥＬ素子は低電圧で高い電流密度が実現できるために高い発光輝度および発光効率を実現することが期待され、特に高精細なマルチカラーまたはフルカラー表示が可能な有機多色ＥＬディスプレイの実用化が期待されている。有機ＥＬディスプレイのマルチカラー化またはフルカラー化の方法の１例として、特定波長領域の光を透過させる複数種のカラーフィルタを用いる方法（カラーフィルタ法）がある。カラーフィルタ法を適用する場合、用いられる有機ＥＬ素子は、多色発光して、光の３原色（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ））をバランスよく含む、いわゆる「白色光」を発光することが求められる。
【０００３】
多色発光有機ＥＬ素子を得るために：
（ａ）複数の発光色素を含む発光層を用い、該複数の発光色素を同時に励起する方法（特許文献１および２参照）；
（ｂ）ホスト発光材料とゲスト発光材料とを含む発光層を用い、ホスト発光材料を励起および発光させると同時に、ゲスト材料へのエネルギー移動を行い、ゲスト材料を発光させる方法（特許文献３参照）；
（ｃ）異なる発光色素を含む複数の発光層を用い、それぞれの層において発光色素を励起させる方法；および
（ｄ）発光色素を含む発光層と該発光層に隣接して発光性ドーパントを含むキャリア輸送層とを用い、発光層においてキャリア再結合によって生成する励起子から、一部の励起エネルギーを発光性ドーパントに移動させ、発光性ドーパントを発光させる方法（特許文献４および５参照）
などが検討されてきている。
【０００４】
しかしながら、前述の多色発光有機ＥＬ素子は、複数種の発光材料を同時に励起させるか、あるいは複数種の発光材料間のエネルギー移動のいずれかに依拠している。そのような素子において、駆動時間の経過または通電電流の変化に伴って、発光材料間の発光強度バランスが変化し、得られる色相が変化する恐れがあることが報告されてきている。
【０００５】
多色発光有機ＥＬ素子を得るための別法として、単色発光の有機ＥＬ素子と色変換膜とを用いる色変換法が提案されている（特許文献６〜８参照）。用いられる色変換膜は、短波長の光を吸収して、長波長への光へと変換する１つまたは複数の色変換物質を含む層である。色変換膜の形成法としては、色変換物質を樹脂中に分散させた塗布液を塗布すること、あるいは色変換物質を蒸着ないしスパッタのようなドライプロセスで堆積させることなどが検討されてきている。
【０００６】
しかしながら、色変換膜中の色変換物質の濃度が高くなると、吸収したエネルギーが同一分子間の移動を繰り返すうちに発光を伴わずに失活する濃度消光と呼ばれる現象が発生する。この現象を抑制するために、色変換物質を何らかの媒体中に溶解または分散させて濃度を低下させることが行われている（特許文献８参照）。
【０００７】
ここで、色変換物質の濃度を低下させると、吸収すべき光の吸光度が減少し十分な変換光強度が得られない。この問題に関して、色変換膜を厚くして吸光度を高め、色変換の効率を維持することが行われている。このように厚い色変換膜（膜厚１０μｍ程度）を用いた場合、段差部での電極パターンの断線、高精細化の困難さ、膜中への水分または溶媒の残留（有機ＥＬ素子と組み合わせた場合に、残留水分または溶媒により有機ＥＬ層が変質し、表示欠陥となる）などの問題点が存在する。一方、視野角依存性を減少させるという観点からは、色変換膜を薄くするという相反する要求が存在する。
【０００８】
そこで、厚さを増大させることなく十分な変換光強度を維持することが可能な色変換膜を提供するために、２μｍ以下の膜厚を有するホスト−ゲスト系色変換膜を蒸着法によって形成することが検討されている（特許文献９）。しかしながら、蒸着法により色変換膜を形成する場合、表示面の全面に膜を形成すると３原色に分けて発光させることが出来ないため、何らかの手段で特定の画素に対応した微細パターン形成が必要になる。
【０００９】
現在のところ、蒸着材材料薄膜をパターン形成する方法としては、メタルマスクによる塗分け法がある。しかしながら、メタルマスクによる蒸着パターン形成法は古くから実用化されているが、マスクパターンの微細化に対してはマスク材質と厚さによる限界から、１５０ｐｐｉの精細度レベルが限界であり、それ以上の高精細なパターンに対しては困難さが増し、大面積化には到底及ばず、歩留りも低下するという問題がある。
【００１０】
そこで、厚膜色変換層のパターニング方法として、支持基板上に凹凸パターンを形成し、その凹凸パターン部に色変換材料を塗布して凹部に色変換材料を埋め込み、その後色変換層を研磨して表面を平坦化してパターニングする方法が検討されている（特許文献１０）。しかしながら、上記方法では、高価な色返変換材料の材料利用効率が悪く、また、色変換層を直接研磨することで色変換性能が劣化するといった不具合が生じるという問題がある。
【００１１】
また、基板上の画素周辺に隔壁を形成して、インクジェット法で隔壁間に選択的に蛍光体材料を塗布しパターニングする方法がある（特許文献１１）。この方法で色変換膜のパターニングを行う場合、インクジェット法では色変換材料の希薄溶液を用いるため、吐出時に隣接画素に流出しないように隔壁の高さを色変換材料の必要膜厚より１０倍程度高くする必要が生じる。そのため、別途作製した有機ＥＬ素子基板と貼り合わせる場合においても、色変換層の上に平坦化層を設け、その上に有機ＥＬ素子を形成する場合においても、色変換層と有機ＥＬ素子との間に、隔壁の高さおよび平坦化層の膜厚の分だけギャップが生じる。そのギャップのために、ＥＬ素子からの光が隣接画素に漏れるクロストーク現象、またはＥＬ素子からの光が色変換層に十分に入射せずロスが発生するという現象が発生し、問題となる。
【００１２】
最近、これらの問題を解決する手段として、基板上に陰極と陽極に有機発光層を挟んだトップエミッション構造の有機ＥＬ素子の上部透明電極の上に直接カラーフィルタや色変換層を形成して３原色を発光させる方式の有機ＥＬディスプレイ構造が開示されている（特許文献１２）。この方式は、高精細化にとってはメリットがあるが、発光層には低分子の有機ＥＬ材料が例示されているためカラーフィルタおよび色変換層を形成する際のアニール温度が１００℃以下に制限される。そのため、カラーフィルタおよび色変換層から、有機ＥＬ材料に対して最も悪影響を及ぼす水分や溶剤を充分に除去することが困難であり、それらが素子寿命に対し決定的なダメージを与えることが容易に予想される。
【００１３】
【特許文献１】特許第２９９１４５０号公報
【特許文献２】特開２０００−２４３５６３号公報
【特許文献３】米国特許第５，６８３，８２３号明細書
【特許文献４】特開２００２−９３５８３号公報
【特許文献５】特開２００３−８６３８０号公報
【特許文献６】特開２００２−７５６４３号公報
【特許文献７】特開２００３−２１７８５９号公報
【特許文献８】特開２０００−２３０１７２号公報
【特許文献９】特開２００７−１５７５５０号公報
【特許文献１０】特開２００６-３２０２１号公報
【特許文献１１】特開２０００−３５３５９４号公報
【特許文献１２】特開２００６−３２０１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、精細度に問題があるメタルマスクや、高価なレーザースキャン装置を使わずに、色変換層を発光層の上方に微細かつ選択的に形成することで、高効率で長寿命の多色発光する色変換方式有機ＥＬディスプレイを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の色変換方式有機ＥＬディスプレイは、基板上に形成された下部反射電極と上部透明電極の間にバンクで分離された少なくとも高分子有機物からなる発光層を挟持し、かつ前記基板とは反対側の方向に光を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ基板であって、上部透明電極の上に発光層の発するＥＬ光を吸収し該ＥＬ光とは異なる波長の光を発光する色変換層を直接形成し、前記バンクで分離された画素領域を有するＥＬ基板と、透明基板上に、ブラックマトリクスおよびカラーフィルタがフォトプロセスでパターン形成されているカラーフィルタ基板とを、画素領域が対向するように位置あわせを行って貼り合わせて形成されていることを特徴とする。ここで、上部透明電極と色変換層との間に透明保護層をさらに有してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
以上の構成を採る本発明によれば、下部反射電極と上部透明電極に挟まれバンクによって分離された発光層を高分子有機ＥＬ材料で形成し、上部の透明電極上に直接色変換層を形成し、かつカラーフィルタおよびブラックマトリクスを形成した別基板と貼り合わせる構造にすることで以下の効果が得られる。
（１）色変換層を形成した後に２００℃以上の高温でアニールでき、カラーフィルタ基板とＥＬ基板を貼り合わせた後も水分や有機溶剤の残留が無くなり、長寿命の有機ＥＬディスプレイが実現できる。
（２）通常のフォトプロセスを用い膜厚を正確に制御して、透明基板上にカラーフィルタを形成するため、色度のバラつきを最小限に抑えることが可能である。
（３）色変換層が有機ＥＬ素子の上に直接形成されるため、ＥＬ光がロス無く色変換層に入射し、高効率な有機ＥＬディスプレイが実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１８】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態の色変換方式有機ＥＬディスプレイの概略断面図である。
【００１９】
（ＴＦＴ基板１）
ＴＦＴ基板１は、有機ＥＬディスプレイを構成するＴＦＴ回路が形成されている基板で、最表面は絶縁性の平坦化層で覆われ、画素単位で分割され、ＴＦＴ回路と接続されたコンタクト電極が形成されている。その上にコンタクト電極でＴＦＴと接合された下部の反射電極となる陰極、又は陽極が画素単位で分離されて形成されている。
【００２０】
基板の材質は絶縁性の材料であればよく、主にガラスが使用されるが、高分子材料やセラミックス、Ｓｉ単結晶でも問題はない。
【００２１】
本実施形態では０．７ｍｍ厚さの無アルカリガラスを用い、アモルファスＳｉ−ＴＦＴを用いた回路を形成した基板を用いた。
【００２２】
（下部反射電極２）
トップエミッション構造の有機ＥＬを形成するために、下部反射電極２は光反射性の材料を用いる必要がある。反射性の金属としては、蒸着形成できることが望ましく、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｌ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｍｇ／Ｉｎなどが適用できる。下部反射電極２を陰極として用いる場合は、電子注入性材料としてＬｉＦ薄層を挿入することも可能である。
【００２３】
下部反射電極２は、通常のフォトリソグラフィー工程でパターニングを行って互いに分離独立した複数の部分電極から構成される。複数の部分電極のそれぞれはＴＦＴ基板１のコンタクト電極と１対１に接続され、画素領域を形成する。
【００２４】
下部反射電極２の膜厚は、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。下部反射電極２が薄すぎると光が透過し、厚すぎると表面凹凸が大きくなるため、好ましくは１００ｎｍ程度である。
【００２５】
本実施形態では、蒸着法を用いて膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を形成し、フォトリソグラフィー工程で画素領域の形状にパターニングし、後述のバンク３形成後にＬｉＦを１ｎｍの厚さで蒸着したものを下部反射電極２とした。本実施形態の下部反射電極２は陰極である。
【００２６】
（バンク３）
バンク３の材料としては、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を、光および／または熱処理して、ラジカル種、イオン種を発生させて重合または架橋させ、不溶不融化させたものが一般的である。また、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂は、パターニングを行うために、硬化をする前は有機溶媒またはアルカリ溶液に可溶性であることが好ましい。
【００２７】
具体的に、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂としては、
（１）アクロイル基、メタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーまたはオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物
（２）ポリビニル桂皮酸エステルと増感剤とからなる組成物
（３）鎖状または環状オレフィンとビスアジドとからなる組成物、および
（４）エポキシ基を有するモノマーと光酸発生剤からなる組成物
を用いることができる。
【００２８】
特に上記（１）の光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を用いた場合には、フォトプロセスのため、パターニングが可能であり、耐溶剤性、耐熱性等の信頼性の面でも好ましい。
【００２９】
バンク３を形成するのに用いることができるその他の材料としては、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルホン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレンエーテル、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ノルボルネン系樹脂、メタクリル樹脂、イソブチレン無水マレイン酸共重合樹脂、環状ポリオレフィン系などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ビニルエステル樹脂、イミド系樹脂、ウレタン系樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいはポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネートなどと３官能性もしくは４官能性のアルコキシシランとを含むポリマーハイブリッド等が挙げられる。
【００３０】
前述の樹脂性材料を用いたバンク３の形成方法としては、塗布法を用いることができ、特に、フォトプロセスを用いることが好ましい。膜厚は、後述する色変換材料をインクジェット塗布法で形成する際に、膜厚が薄いと液滴が画素外にあふれてしまうため好ましくは３〜５μｍが好ましい。また、隔壁の側面形状は、純テーパ、逆テーパあるいは垂直のいずれでも特に限定はされない。
【００３１】
また、バンク３に無機材料を用いても良い。例えば、ＳｉＯx、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy、ＡｌＯx、ＴｉＯx、ＴａＯx、ＺｎＯx等の無機酸化物、無機窒化物などを使用することができる。無機材料を用いるバンク層の形成方法としては特に制約はなく、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などの手法により形成できる。また、無機材料を用いる場合、バンク３のパターニングはドライエッチングにて行う。好ましくは、プラズマエッチングを用いる。バンク層の無機材料と選択比の取れるフォトレジストによりパターンをバンク層上に形成し、ＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3、Ａｒ等のガスを用いてドライエッチングを行い、バンク３をパターニングする。さらに、ガスをＯ2に変え、Ｏ2プラズマエッチングを行うことにより、パターニングに使用したレジストをエッチングする。この際に、反応性を高めるために、ＣＦ4などのフッ素系のガスを若干添加しても良い。
【００３２】
また、必要に応じて、別途後述するインク（高分子有機ＥＬ層４形成用および／または色変換層（６、７）形成用）と、下地（下部反射電極２または上部透明電極５）および／またはバンク３との濡れ性を変化させるために親水処理もしくは撥水処理を行っても良い。
【００３３】
本実施形態では、新日鐵化学製ＶＰＡ１００Ｐ５．０を塗布した後に、フォトリソグラフィー法でパターニングして、下部反射電極２を構成する複数の部分電極の間隙（縦方向および横方向）にバンクを形成した。バンクの膜厚は５μｍとした。
【００３４】
（有機ＥＬ層４）
本発明の有機ＥＬ層４は、少なくとも発光層を含む。発光層は、高分子材料を用いて形成される。青色発光する高分子材料としてのポリフェニレンビニレンおよびポリアルキルフェニレンを、インクジェット法でパターン塗布して、発光層を形成する。発光層は、３０〜１００ｎｍ，好ましくは５０ｎｍの膜厚を有する。
【００３５】
発光層の上に、ポリマー前駆体であるポリテトラヒドロチオフェニレンをキャスト法で塗布し、加熱により該前駆体をポリフェニレンビニレンに変換し、正孔輸送層を形成する。正孔輸送層は、３０〜１００ｎｍ，好ましくは５０ｎｍの膜厚を有する。
【００３６】
発光層および正孔輸送層を形成するための材料は、耐熱性の高い高分子材料であれば、前記材料に限定されるものではない。
【００３７】
本実施形態では、ポリフェニレンビニレンおよびポリアルキルフェニレンをインクジェット法でパターン塗布し、膜厚５０ｎｍの発光層を形成した。次いで、発光層の上に、ポリフェニレンビニレンからなる膜厚５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【００３８】
（上部透明電極５）
上部透明電極５としては、酸化物透明電極、あるいは金属薄層からなるハーフミラー電極を用いることができる。酸化物透明電極を構成するための材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯなどを挙げることができる。酸化物透明電極は、１００〜２００ｎｍの膜厚を有することが好ましい。また、ハーフミラー電極を構成するための材料としては、Ａｌ、Ａｇなどを挙げることができる。ハーフミラー電極は、５〜２０ｎｍの膜厚を有することが好ましい。
【００３９】
本実施形態では、蒸着法を用いて、膜厚２００ｎｍのＩＴＯからなる上部透明電極５を形成した。本実施形態の上部透明電極５は陽極である。
【００４０】
（色変換層６，７）
赤色変換層６および緑色変換層７は、それぞれ、有機ＥＬ層４の青色発光を吸収し、赤色および緑色に蛍光発光する材料で形成される。それら材料は、高沸点（１５０℃以上）の溶媒に可溶であれば特に材料の制限はないが、低分子材料に比べて、高分子材料を使用することが望ましい。なぜなら、高分子材料は、塗布後に高温（１５０℃以上）でアニールすることができるからである。
【００４１】
インクジェット法でバンク３間に色変換層を形成するには、溶媒に溶解した高分子蛍光材料溶液の粘度が１０〜２０ｍＰａ・Ｓ（ｃＰ）の範囲であることが必要で、このときの濃度はおおむね０．５〜２質量％であり、この範囲で調整することができる。
【００４２】
溶媒乾燥後の蛍光材料の厚さは１００〜６００ｎｍの範囲が可能で、薄いと光吸収量が不十分で、厚いと透過率が減少する。効果的な厚さは１００〜２００ｎｍである。
【００４３】
本実施形態では、ＰＡＴ（ポリ［３−アルキルチオフェン］、Poly[3-alkylthiophene]）を用いて赤色変換層６を形成し、アセチレン誘導体のＰＤＰＡ（ポリ［１−（ｐ−ｎ−ブチルフェニル）−２−フェニルアセチレン］、Poly[1-(p-n-butylphenyl)-2-phenylacetylene]）を用いて、緑色変換層７を形成した。インクジェット用の溶液の濃度はいずれも１質量％で、溶媒はテトラリン（沸点２０７℃）を用いた。乾燥条件は２００℃／３０分で、乾燥後の赤色変換層６および緑色変換層７の膜厚はいずれも２００ｎｍとした。
【００４４】
本実施形態では、塗膜形成法としてインクジェット法を用いたが、この方法に制限されるものではなく、たとえば、ノズルコーターで連続的に溶液を選択的にディスペンスする方法なども適用できる。
【００４５】
（透明基板８）
カラーフィルタ（１０〜１２）およびブラックマトリクス９を形成する基板は、ＴＦＴ回路を含むＥＬ基板と貼り合わせ、有機ＥＬ層４および色変換層（６，７）の発光を取り出すために可視光に対して透明であることは必須で、ガラス基板、プラスチック基板などを用いることが可能である。
【００４６】
本実施形態では、０．７ｍｍ厚の無アルカリガラス基板である１７３７ガラス（コーニング社製）を用いた。
【００４７】
（ブラックマトリクス９、カラーフィルタ１０〜１２）
本発明のデバイスで用いるカラーフィルタ１０〜１２は、透明基板８上に作成される。カラーフィルタの材料としては、液晶ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイに用いられるカラーフィルタ用材料であれば良い。近年は、フォトレジストに顔料を分散させた、顔料分散型カラーフィルタが良く用いられている。
【００４８】
フラットパネルディスプレイ用のカラーフィルタは、４００ｎｍ〜５５０ｎｍの波長を透過する青色カラーフィルタ１２、５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長を透過する緑色カラーフィルタ１１、６００ｎｍ以上の波長を透過する赤色カラーフィルタ１０のそれぞれを配列したものが一般的であり、また、各カラーフィルタ画素間に、主にコントラストの向上を目的として、可視域を透過しないブラックマトリクス９を配設することが一般的に行われている。ブラックマトリクス９の材料としては、フラットパネルディスプレイのブラックマトリクス用として市販されている任意の材料を用いることができる。
【００４９】
本実施形態では、透明基板８上に、カラーモザイクＣＫ−７００１、ＣＲ−７００１、ＣＧ−７００１およびＣＢ−７００１（全て富士フィルムエレクトロニクスマテリアル製）のそれぞれを塗布し、フォトリソグラフ法にてパターニングを行うことによって、ブラックマトリクス９、赤色カラーフィルタ１０、緑色カラーフィルタ１１、および青色カラーフィルタ１２を形成した。各層の膜厚はそれぞれ１μｍとした。
【００５０】
作製したカラーフィルタ（１０〜１２）のサブピクセル寸法は３００μｍ×１００μｍであり、サブピクセル間のギャップが縦方向３０ｕｍ、横方向１０μｍである。前記サブピクセル３個（赤・青・緑）で１画素であり、縦方向に５０画素、横方向に５０画素が配列されている。
【００５１】
（接着層１３）
接着層１３は、ＥＬ基板とカラーフィルタ基板とＥＬ基板とを接着するための層である。カラーフィルタ基板との接着には、透明で、液状の熱硬化型の接着剤であれば特に制限なく使用することができる。
【００５２】
本実施形態では、低粘度液状エポキシ樹脂であるＴ８３２シリーズ（長瀬産業）を用いた。接着層１３の膜厚は、バンク３の頂上で１〜２μｍとした。
【００５３】
＜第２の実施形態＞
図２は、本発明の第２の実施形態の色変換方式有機ＥＬディスプレイの概略断面図である。本発明の第２の実施形態の色変換方式有機ＥＬディスプレイは、上部透明電極５の上に保護層１４が存在し、色変換層（６，７）が保護層１４の上に形成される点を除いて、第１の実施形態と同様の構成を有する。
【００５４】
（保護層１４）
上部透明電極５の上に色変換層（６，７）を直接形成してもよいが、色変換層（６，７）の形成法が湿式の場合、上部透明電極５にピンホールがあると有機ＥＬ層４（特に発光層）への溶媒の浸入が考えられるため、上部透明電極５上に保護層１４を挿入することができる。
【００５５】
保護層１４の材料としては、透明であり、かつ色変換層（６，７）形成用インクジェット溶液の溶媒に溶けない材料であれば特に制限はない。ただし、保護層１４はピンホールが発生しない方法で形成する必要がある。この観点から、スパッタまたはＣＶＤプロセスを用いて無機材料を堆積させて保護層１４を形成することが好ましい。
【００５６】
＜評価＞
低分子材料を用いて有機ＥＬ層４（特に発光層）を形成する場合、実施可能なアニーリング温度はおおむね１００℃以下である。本発明の実施形態の効果を確認するために、本実施形態の構成で作製した有機ＥＬ基板およびカラーフィルタ基板を、それぞれ１００℃および２００℃の温度で１時間にわたってアニーリングし、その後に貼り合わせて有機ＥＬディスプレイを作製した。得られた有機ＥＬディスプレイの発光状態を観察した。その結果は第１表に示すとおりであり、本発明の実施形態の有効性が確認できた。
【００５７】
【表１】
2010033905.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施形態の色変換方式有機ＥＬディスプレイの概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の色変換方式有機ＥＬディスプレイの概略断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  ＴＦＴ基板
２  下部反射電極
３  バンク
４  有機ＥＬ層
５  上部透明電極
６  赤色変換層
７  緑色変換層
８  透明基板
８  ブラックマトリクス
１０  赤色カラーフィルタ
１１  緑色カラーフィルタ
１２  青色カラーフィルタ
１３  接着層
１４  保護層
【図１】
2010033905.tif 000004
【図２】
2010033905.tif 000005