(57)【要約】【課題】  生産性が高く高品質のＷＬＰのパッケージを得ることを目的とする。【解決手段】  半導体ウエハの縁辺又はアライメントマーク１１の周辺に、絶縁層流動防止用ダム４１を形成するダム形成工程と、絶縁層２３をパッシベーション層２２上に形成する絶縁層形成工程と、アライメントマーク１１を使用して金属接続体２６を形成する金属接続体形成工程と、アライメントマーク１１を使用して配線層２４を形成する配線層形成工程とを有することを特徴とする半導体ウエハのパッケージの製造方法。【選択図】  図５Ｆ
2010108989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッシベーション層で被覆された半導体集積回路と、該半導体集積回路の上のアライメントマークと、前記半導体集積回路の上の接続パッドと、絶縁層と、絶縁層流動防止用ダムと、前記絶縁層の上の配線層と、該配線層と前記接続パッドとを接続する金属接続体とを有する半導体ウエハのパッケージの製造方法であって、
前記半導体ウエハの縁辺又は前記アライメントマークの周辺に、前記絶縁層流動防止用ダムを形成するダム形成工程と、
前記絶縁層を前記パッシベーション層上に形成する絶縁層形成工程と、
前記アライメントマークを使用して前記金属接続体を形成する金属接続体形成工程と、
前記アライメントマークを使用して前記配線層を形成する配線層形成工程とを有することを特徴とする半導体ウエハのパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層流動防止用ダムは、ポリイミドの材料を含んでいることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハのパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層流動防止用ダムは、透明なフィルム材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハのパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層流動防止用ダムは、赤外線透過可能なフィルム材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層流動防止用ダムを形成する工程は、樹脂のポッティング法を用いて行うことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層流動防止用ダムは、取り外し可能な金属治具であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項７】
半導体集積回路と、該半導体集積回路の上のアライメントマークと、前記半導体集積回路の上の接続パッドと、パッシベーション層と、絶縁層と、絶縁層流動防止用ダムと、前記絶縁層の上の配線層と、該配線層及び前記接続パッドを接続する金属接続体とを有する半導体ウエハのパッケージの製造方法であって、
前記パッシベーション層と、前記半導体ウエハの縁辺又は前記アライメントマークの周辺に位置する前記絶縁層流動防止用ダムとを一体成形するダム一体成形工程と、
前記絶縁層を前記パッシベーション層上に形成する絶縁層形成工程と、
前記アライメントマークを使用して前記金属接続体を形成する金属接続体形成工程と、
前記アライメントマークを使用して前記配線層を形成する配線層形成工程とを有することを特徴とする半導体ウエハのパッケージの製造方法。
【請求項８】
前記ダム一体成形工程は、ポリイミドの材料を含んでいることを特徴とする請求項７記載の半導体ウエハのパッケージの製造方法。
【請求項９】
半導体集積回路と、該半導体集積回路の上のアライメントマークと、前記半導体集積回路上に設けたパッシベーション層と、絶縁層流動防止用ダムとを有する半導体ウエハであって、
前記パッシベーション層と、前記半導体ウエハの縁辺又は前記アライメントマークの周辺に位置する前記絶縁層流動防止用ダムとが一体成形された半導体ウエハ。
【請求項１０】
前記パッシベーション層と、絶縁層流動防止用ダムとがポリイミドの材料を含んでいることを特徴とする請求項９の半導体ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）についての、半導体ウエハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯情報機器、ノート型パソコン等に代表される小型電子機器の、高性能化小型化のニーズに応えるべく、半導体装置の高密度実装技術の研究開発が進められている。その中でも半導体ウエハのサイズのままでパッケージの製造工程を経るウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の技術の役割が一層重要になっている。
係るウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の技術とは、半導体集積回路の寸法レベルから実装基板の接続端子の寸法レベルへの寸法拡大（ファンアウト）等を目的にして、半導体集積回路が形成された半導体ウエハの表面に、絶縁層及び再配線層が形成され、外部接続端子加工、樹脂被覆等が施されて、工程の最後に個々の半導体チップ毎に個片化されるパッケージの技術を指している。個片化されたそれぞれの半導体チップは、電子機器の基板に搭載されるパッケージとしての機能を有しており、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）と呼ばれる。
【０００３】
（半導体ウエハのパッケージの構造）
図１は、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の製造方法による、半導体ウエハのパッケージの全体を例示する平面図である。半導体ウエハ１０の表面には、個片化される半導体チップ１２が配列しており、光学的位置合わせ（アライメント）の基準となるアライメントマーク１１が、ウエハの周縁の、ウエハの円の中心に対し、略点対称にもうけた直径の両端の領域１３に設定されている。アライメントマーク１１及びアライメントマーク１１を含む矩形の領域１３は、マークの検出を光により行うために、絶縁層等で被覆されずに露出している必要がある。また、他の物質に覆われていても、少なくとも、検出光が透過することができれば、マーク検出は可能である。
【０００４】
図２は、図１の切断線Ａ−Ａによる、半導体ウエハのパッケージの断面を例示する図である。配線層２４が半導体ウエハ１０の半導体集積回路２１から金属接続体２６を介してファンアウトして、外部との接続端子の金属バンプ２７に連なっている。配線層２４は、絶縁層２３上に形成されている。絶縁層２３は、材料の絶縁樹脂フィルム等が、真空プレス法等により半導体ウエハ上１０に圧着され形成される。
【０００５】
従来の製造方法においては、絶縁樹脂がプレスされる際に、樹脂のもつ流動性の性質によって、ウエハの縁辺等へ向かって流動し、ウエハの外周２８に樹脂が付着するなどして、ＷＬＰの後工程のウエハ裏面研削等において支障を生じることがあった。例えば、ウエハ側面に付着した樹脂が研削砥石に接しているうち、砥石自体に目詰まりを生じたり、ウエハの端部にある位置決め用ノッチ部に樹脂が付着して、ウエハの位置精度が低下する等の支障である。また、上述したようにアライメントマークの領域１３については、光による検出のため、絶縁層等で被覆されずに露出していることが必要なところ、領域１３への絶縁層の樹脂の流動が生じて、アライメントの精度低下を生じていた。そこで、樹脂の流動の影響を受けないよう、絶縁層の樹脂圧着の際の樹脂の流動に対して、樹脂の被覆面積を安全側に設定していたため、絶縁樹脂が被覆すべき面積を最大限に活用することができず、品質又は歩留まり等の点で問題があり、量産面に不都合があった。
【特許文献１】特許第３３７８６８０号公報
【特許文献２】特開平４−２８０６４６号公報
【特許文献３】特開２００１−１１０８３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体パッケージについて、その様々な形態において、目的用途に応じた封止樹脂が用いられ、その封止樹脂の流動を防止するダムが使用されている。例えば、放熱体と高密度配線層等を有する半導体パッケージにおける封止樹脂の流動を阻止するダムとしての枠状部材（特許文献１）、ＴＡＢ配線板におけるＩＣ封止樹脂の流動防止手段（特許文献２）、又は半導体チップ支持基板における、真空差圧印刷法を実施するための封止ダム（特許文献３）が挙げられる。しかし、これらは、ウエハレベルパッケージの製造の方法について具体的に製品の高品質化に至る方法を示していない。そこで、本発明は、絶縁層流動防止用ダムの機能を発揮させ、また、例えば、アライメントを確実に実施できるＷＬＰの製造方法を提案するとともに、ＷＬＰの材料となる半導体ウエハの製造工程において、絶縁層流動防止ダムと半導体集積回路を保護するパッシベーション層とを一体成形する製造方法及び半導体ウエハ製品を提案して、生産性が高く高品質のＷＬＰのパッケージを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、第１の発明は、パッシべーション層で被覆された半導体集積回路と、該半導体集積回路の上のアライメントマークと、前記半導体集積回路の上の接続パッドと、絶縁層と、絶縁層流動防止用ダムと、前記絶縁層の上の配線層と、該配線層と前記接続パッドとを接続する金属接続体とを有する半導体ウエハのパッケージの製造方法であって、前記半導体ウエハの縁辺又は前記アライメントマークの周辺に、前記絶縁層流動防止用ダムを形成するダム形成工程と、前記絶縁層を前記パッシべーション層上に形成する絶縁層形成工程と、前記アライメントマークを使用して前記金属接続体を形成する金属接続体形成工程と、前記アライメントマークを使用して前記配線層を形成する配線層形成工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
なお、ここに金属接続体とは、例えば、複数の配線層同士を導通のために接続するビア構造、又は半導体上の集積回路とその上部の層に設けられた配線層とを接続する金属バンプ等を指している。
【０００９】
上記目的を達成するため、第２の発明は、半導体集積回路と、該半導体集積回路の上のアライメントマークと、前記半導体集積回路の上の接続パッドと、パッシベーション層と、絶縁層と、絶縁層流動防止用ダムと、前記絶縁層の上の配線層と、該配線層及び前記接続パッドを接続する金属接続体とを有する半導体ウエハのパッケージの製造方法であって、前記パッシベーション層と、前記半導体ウエハの縁辺又は前記アライメントマークの周辺に前記絶縁層流動防止用ダムとを一体成形するダム一体成形工程と、前記絶縁層を前記パッシべーション層上に形成する絶縁層形成工程と、前記アライメントマークを使用して前記金属接続体を形成する金属接続体形成工程と、前記アライメントマークを使用して前記配線層を形成する配線層形成工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
なお、ここに金属接続体とは、前記の第１の発明におけると同様に、例えば、複数の配線層同士を導通のために接続するビア構造や、半導体上の集積回路とその上部の層に設けられた配線層とを接続する金属バンプ等を指している。
【００１１】
上記目的を達成するため、第３の発明は、半導体集積回路と、該半導体集積回路の上のアライメントマークと、前記半導体集積回路上に設けたパッシベーション層と、絶縁層流動防止用ダムとを有する半導体ウエハであって、前記パッシベーション層と、前記半導体ウエハの縁辺又は前記アライメントマークの周辺に位置する前記絶縁層流動防止用ダムとが一体成形されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、半導体ウエハのパッケージの製造において絶縁層樹脂の流動を制御する方法と、半導体製造工程における、絶縁層樹脂の流動の制御のための半導体ウエハ及びその製造方法を提案することにより、生産性が高く高品質のウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）及びその製造方法を得ることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態は、表面がパッシベーション層で保護された半導体ウエハのＷＬＰの製造方法の一形態である。
【００１５】
図３は、本発明の第１の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【００１６】
図４は、絶縁層流動防止用ダム形成の終了した時点の半導体ウエハを例示する平面図で、半導体ウエハ１０の上の、アライメントマーク１１を示している。
【００１７】
図５Ａは、半導体ウエハのパッケージの工程が完了した時点の、図４の切断線Ｂ−Ｂによる断面を例示する図である。半導体ウエハ１０は、一方の表面に半導体集積回路２１を有し、２１の表面はパッシベーション層２２で保護されている。パッシベーション層２２の上層は樹脂フィルム等の絶縁層２３が覆い、絶縁層２３の上に配線層２４が設けられる。絶縁層２３の端面は、絶縁層流動防止ダム４１で流動が規制されている。半導体集積回路２１の上には、アルミニウム等を材料とする接続パッド２５及びアライメントマーク１１がある。配線層２４は、金属接続体２６によって接続パッド２５と接続されて、半導体集積回路２１と導通している。配線層２４は、外部との接続端子の金属バンプ２７と接続される。配線層２４は、ソルダーレジスト層２８によって保護され、金属バンプ２７は、その先端がソルダーレジスト層２８から露出して、外部の基板（図示せず）との接続の機能を果たす。
【００１８】
断面を示す図５Ｂ〜図５Ｉは、各ステップの中間におけるパッケージの状態を例示する図である。
【００１９】
以下、第１の実施の形態の製造方法について、図３の製造方法のステップを説明する。各部位の符号については図５Ａに基づく。
（１．絶縁層流動防止ダム形成）  感光性ポリイミド樹脂をａ）スピンコートにより対象の半導体ウエハ１０の表面に塗布して、ｂ）プリベークを行う。ｃ）露光・現像、ｄ）キュアを経て、絶縁層流動防止用ダムが形成される。ダムの内径寸法は、後に載置される絶縁層の樹脂の変形代を見込んだ寸法である。
【００２０】
図４は、半導体ウエハの縁辺及びアライメントマーク１１の周辺の矩形の絶縁層流動防止用ダム４１を示している。半導体ウエハの縁辺に位置する絶縁層流動防止用ダムの円環部分の外径は、ウエハ１０の外周から概ね３ｍｍ内側にあり、アライメントマーク１１を囲む矩形４２は、一辺が１５〜２０ｍｍの正方形である。ただし、アライメント等の条件によって、正方形に限らず、円、楕円又は凸多角形等、種々の形状を用いることができる。なお、図５Ｂは、絶縁層流動防止用ダム４１が形成された半導体ウエハの断面を例示する図である。
【００２１】
次の絶縁層形成のステップの前に、パッケージの設計条件に応じて、金属接続体形成のステップを実施することも可能である。この場合には、図３の（ステップ１．絶縁層流動防止ダム形成）の後において、図６に示す（ステップＡ．金属接続体形成）を実施する。その内容は、（第１の実施の形態の変形例）において説明する。
（ステップ２．絶縁層形成）  図５Ｃに示すように、半導体ウエハ１０の上に、絶縁層用樹脂フィルム５１を載置し、ａ）加熱、プレス及びｂ）キュアを行う。絶縁層用樹脂フィルム５１の厚みの一例は３０μｍである。絶縁層流動防止用ダム４１の厚みは、載置される絶縁層用樹脂フィルム５１の厚みの１／２を目安として、絶縁層の樹脂の流動状態及びプレスにおける全体の状態を確認しながら、製造条件を調整する。
【００２２】
図５Ｄに示すように、加熱及びプレスによって変形流動しようとしている絶縁層用樹脂３６が、絶縁層流動防止用ダム４１によって、その変形流動が規制されるので、ウエハ縁辺５２及びアライメントマーク１１の周辺の領域５３への流れ込みを防止することができる。
（ステップ３．配線層形成）  図５Ａに示したように、配線層２４は、半導体ウエハ１０における半導体集積回路２１上の接続パッド２５と金属接続体２６によって導通し、更にファンアウトして、接続端子の金属バンプ２７へ導通している。金属接続体２６については、電解めっき等で形成する。アライメントマーク１１を光検出するａ）アライメントの後、レーザ等を使用して、図５Ｅに示すように、絶縁層２３にビアの空間５４を形成する。以下、図３の製造方法の（ステップ３．配線層形成）において、ｂ）めっきシード層の形成、ｃ）フォトレジスト層の形成、ｄ）電解めっきを行い、図５Ｆに示すように、ビア（金属接続体）２６及び配線層２４が形成される。更に、図５Ｇに示すように、表面にｇ）ソルダーレジスト層２８の形成、ｈ）金属バンプ２７の形成を行って、半導体ウエハのパッケージの製造工程が完成する。
【００２３】
（第１の実施の形態の効果）
上述したように、（ステップ２．絶縁層形成）において、図５Ｄに示す絶縁層流動防止用ダム４１によって、絶縁層用樹脂３６の変形流動が規制されて、ウエハ縁辺５２及びアライメントマーク１１の周辺の領域５３への、絶縁層用樹脂の流れ込みを防止することができた。従って、確実なアライメント、露光を実施することができ、精度の高いＷＬＰの製造を実施することができた。
【００２４】
（第１の実施の形態の変形例）
本発明の第１の実施の形態の変形例は、金属接続体形成を、絶縁層形成より前に行うＷＬＰの製造方法の例である。前記の（第１の実施の形態）の図３で示した（ステップ１．絶縁層流動防止ダム形成）の直後に、（ステップＡ．金属接続体形成）としてａ）アライメント及びｂ）金属接続体の載置（加熱）を実施する。
【００２５】
図６は、ダム形成直後の金属接続体形成を特徴とする、ＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。（ステップＡ．金属接続体形成）において、金属接続体は、例えば、球状のバンプ、ボンディングワイヤの材料を使用する等、適宜選択することができる。その次の（ステップ２．絶縁層形成）以降のステップは、（第１の実施の形態）において示した図３の（ステップ２．絶縁層形成）以降と同様である。ただし、（ステップ３．配線層形成）のａ）ビア空間の形成は、既に形成されているので、除かれる。
【００２６】
（第１の実施の形態の変形例の効果）
係る第１の実施の形態の変形例を使用すれば、半導体集積回路と配線層との金属接続体形成について、配線層形成のプロセスにおいては、ビア空間の形成又はめっきプロセスを使用しためっきの工程を経ずにＷＬＰの製造工程が短縮できるので、製品の品質の向上を図ることができる。
【００２７】
（第１の実施の形態の他の変形例）
本発明の第１の実施の形態の他の変形例は、チップ保護用ポリイミドを特徴とする半導体ウエハのＷＬＰの製造方法の一形態であって、半導体ウエハの表面にポリイミドの保護被膜を更に設けることによって、使用環境に対し耐性に優れたパッケージとしてのＣＳＰを提供することができる。ポリイミドの保護被膜は、第１の実施の形態の図３における（ステップ１．絶縁層流動層防止ダム形成）においてダム形成と同時に行う露光、現像によって形成することができる。
【００２８】
図５Ｈは、チップ保護用ポリイミドを特徴とする半導体ウエハのＷＬＰを例示する図である。半導体ウエハ１０の上のパッシベーション層２２にチップ保護用ポリイミド５５を被覆する。製造方法のステップは、上記図６の（ステップ１．絶縁層流動防止ダム形成）のａ）スピンコート、ｂ）プリベークの後、ダム形成と同時にチップ保護用ポリイミド５５の露光・現像を行う。金属接続体５６を設ける場合には、図５Ｉに示すように、金属接続体を設けるための空間５７と絶縁層流動防止用ダム４１を同時に形成する。（ステップＡ．金属接続体形成）以降は、図６の各ステップと同様であるので、説明の記載を省く。
【００２９】
以上のように、チップ保護用ポリイミドを特徴とする半導体ウエハのＷＬＰの製造方法を用いることによって、耐性に優れたＣＳＰのパッケージを提供することができた。
【００３０】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、透明なフィルム材料による絶縁層流動防止ダム形成を特徴とする、ＷＬＰの製造方法の一形態である。
【００３１】
図７は、第２の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【００３２】
図８は、図７におけるステップの、（ステップ１．絶縁層流動防止ダム形成）の終了時点の半導体ウエハを例示する平面図であり、図９は、その切断線Ｄ―Ｄによる断面図を例示している。
【００３３】
以下、第２の実施の形態の製造方法について、図７の製造方法のステップを説明する。絶縁層流動防止ダム用透明フィルムの材料として、例えばＰＥＴ（Polyethylene terephtalate）等を準備して、半導体ウエハに載置する。このとき、絶縁層流動防止ダム用透明フィルムの内径寸法は、絶縁層の樹脂の変形代を見込んだ寸法である。また、図９に示すように、絶縁層流動防止ダム用透明フィルム９１における、アライメントマーク１１を覆う領域９２は、半導体ウエハ１０の表面に対し、圧着されている。この圧着の状態によって、アライメントマーク１１を覆う領域９２自体に、絶縁層（図示せず）のアライメントマーク付近への流入を排除するダムの機能をもたせるとともに、アライメントの光学機器の透過光検出を可能にさせることができる。また、絶縁層流動防止ダム用透明フィルム９１については、ＷＬＰのパッケージの製造工程において、その剥離等の後処理は不要である。個片化して個々のＣＳＰを形成する場合のダイシングにおいて、ダム用透明フィルムが存在していても、何ら支障を来さないからである。図７に示す（ステップ２．絶縁層形成）以降の製造方法のステップは、図３に示した第１の実施の形態の場合と同様であるので、その説明の記載を省く。
【００３４】
（第２の実施の形態の効果）
以上のように、ＷＬＰのパッケージ製造工程において、透明なフィルム材料による絶縁層流動防止ダム形成を実施することによって、ＷＬＰの製造工程において工程数を増加させることなく、精度の高いパッケージを得ることができた。
【００３５】
（第２の実施の形態の変形例）
本発明の第２の実施の形態の変形例は、金属接続体形成を絶縁層形成より前に行う、ＷＬＰの製造方法の例である。第２の実施の形態に係るステップを例示する図７の（ステップ１．絶縁層流動防止ダム形成）の直後に、金属接続体形成のステップａ）アライメント，ｂ）金属接続体の載置（加熱）を実施する。金属接続体形成のステップは、図６の（ステップＡ．金属接続体形成）と同様である。その場合には、図７の（ステップ３．配線層形成）のａ）ビア空間の形成の項目は、除かれる。（ステップ２．絶縁層形成）以降は、図７の製造方法のステップと同様であるので説明の記載を省く。
【００３６】
（第２の実施の形態の変形例の効果）
係る第２の実施の形態の変形例を使用すれば、半導体集積回路と配線層との金属接続体形成について、配線層形成のプロセスにおいては、ビア空間の形成、又はめっきプロセスを使用しためっき工程を要さないため、ＷＬＰの製造工程を短縮して、製品の品質の向上を図ることができる。
【００３７】
（第２の実施の形態の応用例）
本発明の第２の実施の形態の応用例は、赤外線透過可能なフィルム材料を用いた絶縁層流動防止ダム形成を特徴とする、ＷＬＰの製造方法の一形態である。アライメントを実施する際、赤外線検出を利用したアライメントの光学機器を使用する場合には、赤外線を透過する性質を備えたフィルム材料を絶縁層流動防止ダムとして使用すれば、アライメントマークを検出することができる。赤外光を透過する材料として、例えば炭化水素変性ノボラック又はそのエポキシ化樹脂を樹脂成分として含有した材料を使用することができる。製造工程は、第２の実施の形態に係る図７と同様である。また、金属接続体形成を、絶縁層形成より前に行うこともできる。この場合も、前出の（第１の実施の形態の変形例）と同様に製造ステップを実施することができ、内容は同様であるので、その説明の記載を省く。赤外線透過可能なフィルム材料を用いた場合にも、上記（第２の実施の形態）及び（第２の実施の形態の変形例）と同様の効果が得られる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態は、樹脂のポッティング法を用いた絶縁層流動防止ダム形成を特徴とする、ＷＬＰの製造方法の一形態である。
【００３９】
図１０は、第３の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。前出の第１の実施の形態の図３の（ステップ１．絶縁層流動防止ダム形成）のａ）スピンコート、ｂ）プリベーク及びｃ）露光・現像のステップの代わりに、（ステップＢ．ダム形成）のアライメント、キュアを行うポッティングのステップを特徴とする。
【００４０】
絶縁層流動防止ダム形成の終了時点の半導体ウエハの状態は、第１の実施の形態の図４に例示する平面図と類似している。ただし、第３の実施の形態においては、図１１の断面図において、絶縁層流動防止ダム１１１の断面は矩形ではなく、ポッティング特有の凸型の形状である。図１０に示す製造方法のステップは、（ステップ２．絶縁層形成）以降について、他の第１の実施の形態におけるステップと同様であるので、説明の記載を省く。また、第３の実施の形態においても、第１の実施の形態の変形例又は第２の実施の形態の変形例と同様に、ダム形成直後の金属接続体形成工程の実施が可能である。
【００４１】
（第３の実施の形態の効果）
第１の実施の形態で実施したポリイミドのスピンコート、プリベーク及び露光・現像のステップの代わりに、アライメント、キュアにて絶縁層流動防止ダムを形成するポッティング法によって、ダムの平面形状についての種々の形に即応することができた。
【００４２】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態は、金属治具に絶縁層流動防止ダムの機能をもたせて絶縁層を形成し、その後金属治具を分離することを特徴とする、ＷＬＰの製造方法の一形態である。
【００４３】
図１２は、第４の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。（ステップＣ．治具取り付け）において、絶縁層流動防止用金属治具を使用し、（ステップ２Ａ．絶縁層形成）において、取り外す。他の工程は、他の実施の形態と同様である。
【００４４】
図１３は、（ステップC．治具取り付け）直後の絶縁層流動防止用金属治具１３１が半導体ウエハ１０に載置された状態を例示している。その形状は、例えば、円環に矩形を組合せた態様を使用する。係る絶縁層流動防止用金属治具１３１の円環部分は、半導体ウエハ１０の外周から概ねδ＝３ｍｍ内側に位置しており、アライメントマーク１１を覆う矩形部１３２は、一辺が１５〜２０ｍｍの正方形を目安に作成する。また、係る金属治具の表面及び側面は、樹脂が付着することなく、絶縁層の圧着後プレス後、金属治具の取り外しが容易となるような表面性状とする。例えば梨地状表面の形成、ＰＥＴのコーティング等の種々の加工が可能である。図１３に示す矩形部１３２は、（ステップ２Ａ．絶縁層形成）のａ）加熱、プレスにおいて、半導体ウエハ１０に対し、圧着され、アライメントマーク１１を囲む領域を絶縁層樹脂から遮蔽する。かかる圧着によって、アライメントマーク上部の空間を確保し、アライメントの光学機器の光検出を可能にさせることができる。
【００４５】
（第４の実施の形態の効果）
繰り返し使用可能な金属治具に、絶縁層流動防止ダムの機能をもたせてＷＬＰの製造を実施することにより、経済性に優れたＷＬＰの製造方法を提供することができた。
【００４６】
（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態は、半導体ウエハ表面のパッシベーション層及び絶縁層流動防止用ダムが一体成形された半導体ウエハの、ＷＬＰの製造方法の一形態である。半導体ウエハの集積回路の製造工程において、パッシベーション層形成のステップにおいて一体成形を行うものである。後述する図１７に示すような、ダムとパッシベーション層との一体成形がなされた半導体ウエハを、ＷＬＰのパッケージの製造工程の素材として提供することができ、この素材により、パッケージの製造工程を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００４７】
図１４は、第５の実施の形態の製造方法に係る半導体ウエハのＷＬＰのパッケージが完了した状態の断面を例示する図である。
【００４８】
図１５は、第５の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【００４９】
図１６は、第５の実施の形態の製造方法に係る（半導体ウエハの製造工程）における（ステップＥ．パッシベーション層とダムの一体成形）の終了時点の半導体ウエハを例示する平面図である。
【００５０】
図１７は、図１６の切断線Ｃ−Ｃによる断面図の例示である。一体成形されたパッシベーション層１７１及び絶縁層流動防止用ダム１７２の各表面が段差を形成している。図１５の（半導体ウエハの製造工程）において、（ステップＤ．集積回路形成）に引き続いて実施される（ステップＥ．パッシベーション層とダムの一体成形）によって、ＷＬＰのパッケージ製造工程の素材が準備される。
【００５１】
第５の実施の形態の製造方法は図１５のとおりである。
【００５２】
即ち、（半導体ウエハの製造工程）の（ステップＤ．パッシベーション層とダムの一体成形）において、ａ）スピンコートによりポリイミド樹脂等を半導体ウエハの表面に塗布して、ｂ）のプリベークを行う。ｃ）のパッシベーション層と絶縁層流動防止用ダム一体成形における段差の形成の際には、以下に述べるハーフトーンマスクを使用した。
【００５３】
図１８は、ハーフトーンマスクの断面図の例示である。ハーフトーンマスク１８０は、感光性樹脂の段差形成に使用されるマスクであって、マスクの面は、光の遮蔽部分１８１及び光の透過部分１８２の他に、感光性樹脂の現像後の残存率が所定の値となるような透過量の光を透過させる部分１８３を有している。このようなハーフトーンマスク１８０を使用して、感光性樹脂に露光及び現像を施すことによって、図１７に示すパッシベーション層１７１、絶縁層流動防止用ダム１７２及び金属露出部１７３が形成される。図１５のｄ）ポストベークにより、パッシベーション層及び絶縁層流動防止用ダムの全体が形成され、ＷＬＰ用の半導体ウエハが完成する。次のＷＬＰの製造工程のステップは、絶縁層用樹脂フィルムを半導体ウエハに載置して、更に再配線加工を実施していく工程であって、上記（第１の実施の形態）の図３における（ステップ２．絶縁層形成）以降と同様であるので、説明の記載を省く。
【００５４】
（第５の実施の形態による効果）
半導体ウエハの製造工程において、絶縁層流動防止用ダムとパッシベーション層との一体成形がなされた半導体ウエハを製造することができ、次のＷＬＰのパッケージの製造工程の素材として提供することができた。そしてこの半導体ウエハの素材を用いることにより、パッケージの製造工程を短縮することができ、生産性及びＷＬＰの品質を向上させることができた。なお、半導体ウエハの集積回路の製造工程においては、パッシベーション層と絶縁層流動防止用ダムとを、同時に形成できるので、工程を増やすことなく製造することができる。
【００５５】
（第５の実施の形態の変形例）
本発明の第５の実施の形態の変形例は、前記第５の実施の形態における半導体ウエハと同様のパッシベーション層とダムの一体成形の半導体ウエハを準備して、金属連続体の形成を絶縁層形成より前に行うことを特徴とする、ＷＬＰの製造方法の一形態である。
【００５６】
図１９は、上記の特徴を備えた第５の実施の形態の変形例に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。前出の第５の実施の形態の製造方法のステップにおいて、（ウエハレベルパッケージの製造工程）の始めに（ステップＡ．金属連続体形成）を実施する構成である。その他のステップは、図１５の（ステップ２．絶縁層形成）以降のステップと同様である。ただし（ステップ３．配線層形成）のａ）ビア空間の形成の項目は、除かれる。
【００５７】
（第５の実施の形態の変形例の効果）
係る第５の実施の形態の変形例を使用すれば、半導体集積回路と配線層との金属接続体形成について、配線層形成のプロセスにおいては、ビア空間の形成、又はめっきプロセスを使用しためっき工程を要さないため、ＷＬＰの製造工程を短縮して、製品の品質の向上を図ることができる。
【００５８】
（本発明に係る他の実施の形態）
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００５９】
例えば、絶縁層流動防止用ダムの形状は、図４に示したように半導体ウエハの縁辺の円環部分とアライメントマークの周辺の矩形部分とが独立した状態を例示して説明したが、図２０に例示するように、絶縁層流動防止用ダムの半導体ウエハの縁辺に形成された円環２０１の一部に、矩形の凹部２０２が接続して形成されているような、連続した形状にすることもできる。係る形状は、特に樹脂ポッティング等の方法により一筆書きでダムを形成するような場合に、効果がある。また、アライメントマークは、図４等に例示したように、ウエハの円の中心に対し、略点対称にもうけた直径の両端の領域に設定されているが、パッケージの状態、ウエハにおける半導体チップの配列状況等に応じて、その数量の増減または位置の変更をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】ウエハレベルパッケージの製造方法による、半導体ウエハのパッケージの全体を例示する平面図である。
【図２】図１の切断線Ａ−Ａによる、半導体ウエハのパッケージの断面を例示する図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る、絶縁層流動防止用ダム形成の終了した時点の半導体ウエハを例示する平面図である。
【図５Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る、半導体ウエハのパッケージの工程が完了した時点の、図４の切断線Ｂ−Ｂに相当する断面を例示する図である。
【図５Ｂ】本発明の第１の実施の形態に係る、絶縁層流動防止用ダム４１が形成された半導体ウエハの断面を例示する図である。
【図５Ｃ】本発明の第１の実施の形態に係る、半導体ウエハ１０の上に絶縁層用樹脂フィルム５１が載置された状態を例示する図である。
【図５Ｄ】本発明の第１の実施の形態に係る、絶縁層流動防止用ダム４１によって絶縁層用樹脂の変形流動が規制された状態を例示する図である。
【図５Ｅ】本発明の第１の実施の形態に係る、絶縁層２３にビアの空間５４が形成された状態を例示する図である。
【図５Ｆ】本発明の第１の実施の形態に係る、ビア（金属接続体）２６及び配線層２４が形成された状態を例示する図である。
【図５Ｇ】本発明の第１の実施の形態に係る、ソルダーレジスト層２８及び金属バンプ２７が形成された状態を例示する図である。
【図５Ｈ】本発明の第１の実施の形態の他の変形例に係る、チップ保護用ポリイミドを特徴とする半導体ウエハのＷＬＰを例示する図である。
【図５Ｉ】本発明の第１の実施の形態の他の変形例に係る、金属接続体を設けるための空間５７と絶縁層流動防止用ダム４１とが同時に形成された状態を例示する図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の変形例に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法における、絶縁層流動防止ダム形成の終了時点の半導体ウエハを例示する平面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る、図８の切断線Ｄ―Ｄによる半導体ウエハの断面を例示する図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る、半導体ウエハの断面を例示する図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態に係る、絶縁層流動防止用金属治具が半導体ウエハに載置された状態を例示する図である。
【図１４】本発明の第５の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法による半導体ウエハのパッケージの断面を例示する図である。
【図１５】本発明の第５の実施の形態に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【図１６】本発明の第５の実施の形態の製造方法に係る、パッシベーション層とダムの一体成形の終了時点の半導体ウエハを例示する平面図である。
【図１７】本発明の第５の実施の形態の製造方法に係る、図１６の切断線Ｃ−Ｃによる半導体ウエハの断面を例示する図である。
【図１８】本発明の第５の実施の形態に係る、ハーフトーンマスクの断面図の例示である。
【図１９】本発明の第５の実施の形態の変形例に係るＷＬＰの製造方法のステップを例示する図である。
【図２０】本発明に係る他の絶縁層流動防止用ダムを例示する図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０    半導体ウエハ
１１    アライメントマーク
１２  半導体チップ
２１  半導体集積回路
２２  パッシベーション層
２３  絶縁層
２４  配線層
２５  接続パッド
２６，５６  金属接続体
２７  金属バンプ
４１，１１１  絶縁層流動防止ダム
５１  絶縁層用樹脂フィルム
５２  ウエハ縁辺
５３  アライメントマーク１１の周辺の領域
５４  ビアの空間
５５  ポリイミド
５７  金属接続体を設けるための空間
９１  絶縁層流動防止ダム用透明フィルム
９２  アライメントマーク１１を覆う領域
１３１  絶縁層流動防止用金属治具
１３２  アライメントマーク１１を覆う矩形部
１７１  パッシベーション層
１７２  絶縁層流動防止用ダム
１７３  金属露出部
１８０  ハーフトーンマスク
１８１  光の遮蔽部分
１８２  光の透過部分
２０１  円環
２０２  矩形の凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図５Ｉ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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