(57)【要約】【課題】基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置において、基板のパーティクル汚染を防ぐこと。【解決手段】基板に対して、少なくとも側面部を撥水モジュールで撥水処理するステップ及び塗布モジュールで全面に第１のレジスト塗布を行うステップの一方及び他方を実行し、さらに露光装置で第１の液浸露光が行われた後に現像モジュールで第１の現像を行うステップと、その後塗布モジュールで全面に第２のレジスト塗布を行うステップと、さらに前記露光装置で第２の液浸露光が行われた後に現像モジュールで第２の現像を行うステップと、を実行するように基板搬送手段及び各モジュールの動作を制御する制御部と、第１の現像終了後から第２の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理するための基板側面撥水モジュールと、を備えるように塗布、現像装置を構成する。【選択図】図９
2010219150.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置において、
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
基板を撥水処理する撥水モジュールと、基板にレジストを塗布する塗布モジュールと、液浸露光された基板に現像液を供給して現像する現像モジュールと、これら各モジュール間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む、前記キャリアから取り出された基板を処理する処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを液浸露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
基板に対して、少なくとも側面部を前記撥水モジュールで撥水処理するステップ及び塗布モジュールで全面に第１のレジスト塗布を行うステップの一方及び他方を実行し、さらに前記露光装置で第１の液浸露光が行われた後に前記現像モジュールで第１の現像を行うステップと、その後塗布モジュールで全面に第２のレジスト塗布を行うステップと、
さらに前記露光装置で第２の液浸露光が行われた後に現像モジュールで第２の現像を行うステップと、を実行するように前記基板搬送手段及び各モジュールの動作を制御する制御部と、
前記第１の現像終了後から第２の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理するための基板側面部撥水モジュールと、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記第１の現像後、第２のレジスト塗布前の基板を加熱する加熱板を備えた現像後加熱モジュールが設けられ、前記基板側面部撥水モジュールはその現像後加熱モジュールに組み込まれていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記加熱板は基板を載置する載置台を兼用し、前記現像後加熱モジュールは、その加熱板に載置された基板の側面部に、当該側面部を撥水処理するガスを供給するガス供給部を備えていることを特徴とする請求項２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
第２のレジスト塗布後、第２の液浸露光が行われるまでに基板を加熱する加熱板を備えた塗布後加熱モジュールが設けられ、前記基板側面部撥水モジュールはその塗布後加熱モジュールに組み込まれていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記加熱板は基板を載置する載置台を兼用し、前記塗布後加熱モジュールは、その加熱板に載置された基板の側面部に当該側面部を撥水処理するためのガスを供給するガス供給部を備えていることを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
第２のレジスト塗布後、第２の液浸露光が行われるまでの基板を載置する載置台を備え、その載置台に載置された基板に洗浄液を供給して洗浄する露光前洗浄モジュールが設けられ、前記基板側面部撥水モジュールはその露光前洗浄モジュールに組み込まれていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
前記露光前洗浄モジュールは、基板の側面部に当該側面部を撥水処理するための薬液を供給する薬液供給部を備えていることを特徴とする請求項６記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
基板にレジストパターンを連続して複数回形成する塗布、現像方法において、
基板に対して、少なくとも側面部を撥水処理する工程と、
基板に対して、全面にレジストを塗布する第１のレジスト塗布を行う工程と、
前記撥水処理及び第１のレジスト塗布後、さらに第１の液浸露光が行われた基板に現像液を供給する第１の現像を行う工程と、
前記第１の現像後、基板に対して全面にレジストを塗布する第２のレジスト塗布を行う工程と、
前記第２のレジスト塗布後、さらに第２の液浸露光が行われた基板に現像液を供給する第２の現像を行う工程と、
前記第１の現像終了後から第２の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理する工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項９】
第１の現像後、第２のレジスト塗布前の基板を加熱板に載置する工程と、
前記基板を加熱する工程と、が含まれ、
基板の側面部を撥水処理する工程は、基板が加熱されているときにその側面部に、当該側面部を撥水処理するためのガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の塗布、現像方法。
【請求項１０】
第２のレジスト塗布後、第２の液浸露光が行われる前の基板を加熱板に載置する工程と、
前記基板を加熱する工程と、が含まれ、
基板の側面部を撥水処理する工程は、基板が加熱されているときにその側面部に、当該側面部を撥水処理するためのガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の塗布、現像方法。
【請求項１１】
第２のレジスト塗布後、第２の液浸露光が行われる前の基板を載置台に載置する工程と、その載置台に載置された基板に洗浄液を供給して洗浄する工程と、が含まれ
基板の側面部を撥水処理する工程は、前記載置台に載置された基板の側面部に当該側面部を撥水処理するための薬液をその側面部に供給する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の塗布、現像方法。
【請求項１２】
基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項８ないし１１のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
近年は微細なレジストパターンを形成するために前記露光装置にて液浸露光が行われる場合がある。この液浸露光について簡単に説明すると、図１６（ａ）に示すように露光手段１０の露光レンズ１１とウエハＷとの間に例えば純水からなる液膜１２を形成し、そして図１６（ｂ）に示すように露光手段１０を横方向に移動させて次の転写領域（ショット領域）１１Ａに対応する位置に当該露光手段１を配置し、光を照射する動作を繰り返すことにより、レジスト膜１４に所定の回路パターンを転写する露光方式である。図中１３Ａ，１３Ｂは、夫々液膜１２を形成するための液供給路、排液路である。また、この図１６（ｂ）では転写領域１１Ａは実際よりも大きく示している。
【０００４】
ウエハＷの側端面とその側端面に隣接する上側及び下側の傾斜面とはベベル部と呼ばれ、前記液浸露光中において前記液膜１２を構成する純水が、そのベベル部に付着したり、ベベル部からウエハＷの裏面に回り込んだりするおそれがある。このようにウエハＷの側面部であるベベル部に付着したり裏面側周縁部に回り込んだりした液体は乾燥してパーティクルとなり、ウエハＷを汚染してしまうおそれがある。そこで、例えばウエハＷにレジストを塗布する前にウエハＷの表面からベベル部にかけて例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を含んだガスを供給して撥水処理（疎水化処理）を行い、前記純水のベベル部への付着及びベベル部からウエハＷ裏面への回り込みを防ぐことが行われている。
【０００５】
ところで、レジストパターンのさらなる線幅の微細化を図るためにダブルパターニングと呼ばれる手法を用いることが検討されている。ダブルパターニングの手順について、その一例を示したフローチャートである図１７を参照しながら簡単に説明すると、先ず既述のウエハＷ表面及びベベル部の撥水処理→１回目のレジスト塗布処理→レジストの溶剤成分を除去するための加熱処理（ＰＡＢ処理）→露光前のウエハＷの洗浄処理→１回目の露光処理→露光後の化学反応を促進するための加熱処理（ＰＥＢ処理、ただし不図示）→１回目の現像処理を順に行い、図１８（ａ）に示すように凹部１５ａと凸部１５ｂとからなるレジストパターン１５を形成し、現像後、現像処理による水分を除去するための加熱処理（ポストベーク処理）を行う。
【０００６】
その後、さらに２回目のレジスト塗布処理、加熱処理、露光前洗浄処理を順次行い、１回目の露光領域からずれるようにウエハＷを露光する２回目の露光処理を行う。然る後、２回目の現像処理を行い、図１８（ｂ）に示すようにレジストパターン１６を形成し、加熱処理を行う。その後、ウエハＷはエッチング装置に搬送され、レジストパターン１６をマスクとしてエッチングされる。このようにダブルパターニングにおいては、２回のフォトリソグラフィが行われ、それによって１回のフォトリソグラフィで形成されるレジストパターンより微細で密なレジストパターンが形成される。
【０００７】
半導体デバイスによっては、その製造工程においてレジストパターン１６を構成する凹部１６ａの線幅Ｌ１と凸部１６ｂの線幅Ｌ２との大きさの比が例えばこの図１８（ｂ）に示すように１：１であるようなレジストパターンを形成することが要求される。このダブルパターニングを用いれば上記のように１回目の現像後に形成されたパターン１５の凹部１５ａ内に２回目の現像後に凸部１６ａを形成することができるので、露光装置としては凹部の線幅と凸部の線幅との大きさの比が３：１であるレジストパターンを形成できる性能があれば、このようにＬ１：Ｌ２＝１：１であるレジストパターンを形成することができる。従って、露光装置を変更せずにＬ１：Ｌ２＝１：１であるパターンを微細化することができるので、このような比のレジストパターンを形成するために特に有利な手法である。
【０００８】
ところで、後述の参考試験で示すように、ＨＭＤＳで処理したウエハの現像処理前後の接触角を調査したところ、現像後の接触角は現像前の接触角に比べて低下している、つまり現像液に接触することでＨＭＤＳによる撥水処理の効果が低下し、ウエハＷの撥水性が低下してしまうことが明らかになった。このことから、液浸露光を行う露光装置を用いて上記のダブルパターニングを行った場合、図１９（ａ）に示すように１回目の露光時にはベベル部の撥水性が高いため当該ベベル部の純水の付着を防ぐことができるが、２回目の露光時にはウエハＷのベベル部の撥水性は低下しているため、図１９（ｂ）に示すようにベベル部への純水の付着及びウエハＷ裏面への純水の回り込みが発生し、既述のようにパーティクルが発生してしまうことが懸念される。
【０００９】
例えば特許文献１及び特許文献２にはウエハＷの周縁部を疎水化する手法について記載されているが、上記のダブルパターニングを行うことについては記載されておらず、このダブルパターニングにおける問題を解決するには不十分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−１７５０７９
【特許文献２】特開２００７−２１４２７９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置において、基板のパーティクル汚染を防ぐことができる塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の塗布、現像装置は、基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置において、
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
基板を撥水処理する撥水モジュールと、基板にレジストを塗布する塗布モジュールと、液浸露光された基板に現像液を供給して現像する現像モジュールと、これら各モジュール間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む、前記キャリアから取り出された基板を処理する処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを液浸露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
基板に対して、少なくとも側面部を前記撥水モジュールで撥水処理するステップ及び塗布モジュールで全面に第１のレジスト塗布を行うステップの一方及び他方を実行し、さらに前記露光装置で第１の液浸露光が行われた後に前記現像モジュールで第１の現像を行うステップと、その後塗布モジュールで全面に第２のレジスト塗布を行うステップと、
さらに前記露光装置で第２の液浸露光が行われた後に現像モジュールで第２の現像を行うステップと、を実行するように前記基板搬送手段及び各モジュールの動作を制御する制御部と、
前記第１の現像終了後から第２の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理するための基板側面部撥水モジュールと、
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
前記第１の現像後、第２のレジスト塗布前の基板を加熱する加熱板を備えた現像後加熱モジュールが設けられ、前記基板側面部撥水モジュールはその現像後加熱モジュールに組み込まれていてもよく、その場合例えば前記加熱板は基板を載置する載置台を兼用し、前記現像後加熱モジュールは、その加熱板に載置された基板の側面部に、当該側面部を撥水処理するガスを供給するガス供給部を備えている。
【００１４】
あるいは、第２のレジスト塗布後、第２の液浸露光が行われるまでに基板を加熱する加熱板を備えた塗布後加熱モジュールが設けられ、前記基板側面部撥水モジュールはその塗布後加熱モジュールに組み込まれていてもよく、その場合前記加熱板は基板を載置する載置台を兼用し、前記塗布後加熱モジュールは、その加熱板に載置された基板の側面部に当該側面部を撥水処理するためのガスを供給するガス供給部を備えていてもよい。
【００１５】
また、第２のレジスト塗布後、第２の液浸露光が行われるまでの基板を載置する載置台を備え、その載置台に載置された基板に洗浄液を供給して洗浄する露光前洗浄モジュールが設けられ、前記基板側面部撥水モジュールはその露光前洗浄モジュールに組み込まれていてもよく、前記露光前洗浄モジュールは、基板の側面部に当該側面部を撥水処理するための薬液を供給する薬液供給部を備えていてもよい。
【００１６】
本発明の塗布、現像方法は、  基板にレジストパターンを連続して複数回形成する塗布、現像方法において、
基板に対して、少なくとも側面部を撥水処理する工程と、
基板に対して、全面にレジストを塗布する第１のレジスト塗布を行う工程と、
前記撥水処理及びレジスト塗布後、さらに第１の液浸露光が行われた基板に現像液を供給する第１の現像を行う工程と、
前記第１の現像後、基板に対して全面にレジストを塗布する第２のレジスト塗布を行う工程と、
前記第２のレジスト塗布後、さらに第２の液浸露光が行われた基板に現像液を供給する第２の現像を行う工程と、
前記第１の現像終了後から第２の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１７】
前記方法には例えば、第１の現像後、第２のレジスト塗布前の基板を加熱板に載置する工程と、
前記基板を加熱する工程と、が含まれ、
基板の側面部を撥水処理する工程は、基板が加熱されているときにその側面部に、当該側面部を撥水処理するためのガスを供給する工程を含まれているか、あるいは、例えば第２のレジスト塗布後、第２の液浸露光が行われる前の基板を加熱板に載置する工程と、
前記基板を加熱する工程と、が含まれ、
基板の側面部を撥水処理する工程は、基板が加熱されているときにその側面部に、当該側面部を撥水処理するためのガスを供給する工程を含まれている。
また、その方法は、第２のレジスト塗布後、第２の液浸露光が行われる前の基板を載置台に載置する工程と、その載置台に載置された基板に洗浄液を供給して洗浄する工程と、が含まれ、
基板の側面部を撥水処理する工程は、前記載置台に載置された基板の側面部に当該側面部を撥水処理するための薬液をその側面部に供給する工程を含んでいてもよい。
【００１８】
本発明の記憶媒体は、基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の塗布、現像装置は、基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置において、第１の現像終了後から第２の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理するための基板側面部撥水モジュールが設けられている。従って第２の液浸露光中に、その液浸露光で用いられる液体が前記側面部に付着したり、側面部を介して基板の裏面に回り込んだりすることが抑えられる。その結果として、その液体からのパーティクルの発生が抑制されるので、基板がパーティクルで汚染されて歩留りが低下することが抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の処理ブロックの斜視図である。
【図５】前記処理ブロックに含まれた周縁部撥水処理を行う加熱装置の側面図である。
【図６】前記加熱装置の横断平面図である。
【図７】前記加熱装置の蓋体の縦断側面図である。
【図８】前記塗布、現像装置の処理工程を示したフローチャートである。
【図９】前記処理工程におけるウエハＷの周縁部を示した説明図である。
【図１０】前記塗布、現像装置の他の処理工程を示したフローチャートである。
【図１１】前記塗布、現像装置に設けられる露光前洗浄モジュールの縦断側面図である。
【図１２】前記露光前洗浄モジュールの横断平面図である。
【図１３】前記洗浄装置においてウエハのベベル部が撥水処理される様子を示した説明図である。
【図１４】前記洗浄モジュールを備えた塗布、現像装置の処理工程を示したフローチャートである。
【図１５】参考試験の結果を示したグラフ図である。
【図１６】液浸露光について示した説明図である。
【図１７】従来のダブルパターニングを行うための塗布、現像装置における処理工程を示したフローチャートである。
【図１８】ダブルパターニングにより形成されるパターンの模式図である。
【図１９】前記ダブルパターニングにおける液浸露光時のウエハＷの周縁部を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は塗布、現像装置２に露光装置Ｃ５が接続されたレジストパターン形成システムの平面図であり、図２は同システムの斜視図である。また、図３は同システムの縦断面図である。この塗布、現像装置２にはキャリアブロックＣ１が設けられており、その載置台２１上に載置された密閉型のキャリア２０から受け渡しアーム２２がウエハＷを取り出して処理ブロックＣ２に受け渡し、処理ブロックＣ２から受け渡しアーム２２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア２０に戻すように構成されている。
【００２２】
前記処理ブロックＣ２は、図２に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、ウエハ全面にレジストの塗布を行うための第２のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ２を、下から順に積層して構成されている。
【００２３】
第１のブロックＢ１，Ｂ２は平面視同様に構成されている。図１に示した第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１を例に挙げて説明すると、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像モジュール２３が２段に積層されており、各現像モジュール２３は、３基の現像処理部２４と、これら現像処理部２４を囲う、各現像処理部２４に共通の筐体と、を備えている。また、ＤＥＶ層Ｂ１にはこの現像モジュール２３の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群を構成する棚ユニットＵ１〜Ｕ４が設けられている。図４は、このＤＥＶ層Ｂ１の下段側の現像モジュール２３とその下段の現像モジュール２３に対向する位置に設けられた棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成するモジュールとを示した斜視図である。
【００２４】
また、図３に示すようにＤＥＶ層Ｂ１内には搬送アームＡ１が設けられており、この搬送アームＡ１は２段の現像モジュールと、前記加熱・冷却系の処理モジュールとの間でウエハＷを搬送する。つまり２段の現像モジュールに対して搬送アームＡ１が共通化されている構成となっている。
【００２５】
ＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成する加熱モジュールは、載置されたウエハＷを加熱する加熱板を備えている。そして、この加熱モジュールとしては、前記ＰＥＢを行うための加熱モジュールと、現像処理後の前記ポストベークを行う加熱モジュール３とがあり、この例ではＰＥＢを行う加熱モジュールが棚ユニットＵ４に、ポストベークを行う加熱モジュール３が棚ユニットＵ１に夫々設けられている。加熱モジュール３については後に詳しく説明する。また、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成する冷却モジュールは、載置されたウエハＷを冷却する冷却板を備えている。
【００２６】
ＣＯＴ層Ｂ２について、ＤＥＶ層Ｂ１との差異点を中心に説明すると、ＣＯＴ層Ｂ２は、塗布膜としてレジスト膜を形成するためのレジスト膜形成モジュールと、このレジスト膜形成モジュールにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群を構成する棚ユニットＵ１〜Ｕ４と、前記レジスト膜形成モジュールと、加熱・冷却系の処理モジュール群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ２と、により構成されている。このレジスト膜形成モジュールは前記現像モジュール２３に対応したモジュールであるが、この例では現像モジュール２１と異なり積層されておらず、従ってレジスト膜を形成する処理部はＣＯＴ層Ｂ２に３基設けられている。
【００２７】
ＣＯＴ層Ｂ２に設けられた前記棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、ＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ１〜Ｕ４と同様に搬送アームＡ２が移動する搬送領域Ｒ１に沿って配列され、加熱モジュール、冷却モジュールが夫々積層されることにより構成される。この加熱モジュールとしてはレジストが塗布された後のウエハＷを加熱（ＰＡＢ）するためのモジュール（ＰＡＢモジュール）と、ウエハＷを加熱しながらＨＭＤＳガスをその表面及びベベル部に供給して撥水処理を行うモジュール（ＡＤＨモジュール）が含まれる。このＡＤＨモジュールは、後述の加熱モジュール３と同様に加熱板に載置されたウエハＷの周囲に処理空間を形成する蓋体を備え、その処理空間にＨＭＤＳガスが供給される。加熱モジュール３における処理と異なり、ＡＤＨモジュールにおいてＨＭＤＳガスはウエハＷ表面全体及びベベル部に供給され、このＡＤＨモジュールにおいてはウエハＷ全面が撥水処理される。
【００２８】
更に処理ブロックＣ２には、図１及び図３に示すように各搬送アームＡ１，Ａ２がアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられている。この棚ユニットＵ５は、図３に示すように、各ブロックＢ１，Ｂ２に夫々設けられた搬送アームＡ１，Ａ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ２及び温調機能を備えた受け渡しステージＣＰＬ２及び複数枚のウエハを一時滞留させることができる受け渡しステージＢＦ２を備えている。棚ユニットＵ５の近傍には昇降自在な搬送アームＤ１が設けられ、これら棚ユニットＵ５に設けられたステージにアクセスすることができる。また、既述のキャリアブロックＣ１の受け渡しアーム２２は、この棚ユニットＵ５の各ステージにアクセスして、キャリアブロックＣ１と処理ブロックＣ２との間でウエハＷを受け渡す。
【００２９】
また、処理ブロックＣ２には、搬送領域Ｒ１の洗浄ブロックＣ３と隣接する領域において、図３に示すように搬送アームＡ１及び後述のシャトルアーム２６がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。前記棚ユニットＵ６は、棚ユニットＵ５と同様に受け渡しステージＴＲＳ３及びＣＰＬ１を備えている。
【００３０】
ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しステージＴＲＳ２から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しステージＴＲＳ３にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアーム２６が設けられている。
【００３１】
処理ブロックＣ２から露光装置Ｃ５に向けて、洗浄ブロックＣ３、インターフェイスブロックＣ４がこの順に設けられている。洗浄ブロックＣ３には、露光前洗浄モジュール２５、露光後洗浄モジュール２７、受け渡しステージＣＰＬ４，ＴＲＳ４が積層されて設けられている。また、洗浄ブロックＣ３は搬送アームＡ１，Ａ２と同様に構成された搬送アームＡ３を備えており、棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ３，ＣＰＬ１と、洗浄モジュール２５，２７と、受け渡しステージＴＲＳ４，ＣＰＬ３との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００３２】
インターフェイスブロックＣ４には、洗浄モジュールＣ３の各受け渡しステージと、露光装置Ｃ５との間でウエハＷを受け渡すことができるインターフェイスアーム２８が設けられている。露光装置Ｃ５は既述の液浸露光を行う。
【００３３】
続いて、前記加熱モジュール３について、その縦断側面図、横断平面図である図５、図６を夫々参照しながら説明する。この加熱モジュール３は筐体３１を備えており、その側壁にはウエハＷの搬送口３２が開口している。図中３３は、筺体３１内を上下に仕切る仕切り板であり、仕切り板３３上には水平な冷却プレート３４が設けられている。冷却プレート３４はその裏面側に例えば温度調節水を流すための図示しない冷却流路を備えており、加熱されたウエハＷがこの冷却プレート３４に載置されると粗冷却される。
【００３４】
冷却プレート３４は仕切り板３３の下側に設けられた駆動機構３５に接続されており、駆動機構３５により筐体３１内にて搬送口３２側を手前側とすると、奥側に設けられた加熱板３７上へ水平方向に移動する。図中３３ａは冷却プレート３４が移動するための仕切り板３３に設けられたスリットである。３４ａ，３４ｂは、後述の各昇降ピンが冷却プレート３４上にて突没するための当該冷却プレート３４に設けられたスリットである。
【００３５】
図中３６は昇降機構３６ａにより昇降する３本の昇降ピンであり、筐体１１内を搬送口３２側に移動した冷却プレート３４と搬送アームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００３６】
前記加熱板３７について説明すると、その内部にはヒータ３７ａが設けられており、ヒータ３７ａは後述の制御部１００から出力される制御信号に基づいて加熱板３７の表面の温度を制御し、その表面に載置されたウエハＷを任意の温度で加熱する。加熱板３７の表面にはウエハＷを若干前記加熱板３７の表面から浮かせて載置させるための複数のピン３７ｂが加熱板３７の周方向に設けられている。図中３８は昇降機構３８ａにより昇降する３本の昇降ピンであり、加熱板３７上に移動した冷却プレート３４と加熱板３７との間でウエハＷの受け渡しを行う。図中３７ｃは加熱板３７の支持部である。
【００３７】
加熱板３７及び支持部３７ｃを囲むように筒状の区画壁３９が形成され、区画壁３９と加熱板３７及び支持部３７ｃとの間はリング状の排気路４１として形成されており、排気路４１には当該排気路４１を介して後述の処理空間４０内を排気するための排気管４２の一端が接続されている。排気管４２の他端は真空ポンプなどにより構成される排気手段４３に接続されている。排気手段４３は不図示の圧力調整部を備え、後述の処理空間４０を制御部１００から出力される制御信号に応じて任意の排気量で排気する。
【００３８】
加熱板３７上には昇降機構４４ａにより昇降自在な蓋体４が設けられている。ガス供給部を構成する蓋体４の構成について、図７も参照しながら説明する。蓋体４の周縁部は下方に突出した、突縁部４ａを形成しており、蓋体４が下降したときに、不図示のシール部材を介して突縁部４ａが区画壁３９と密着することで、加熱板３７に載置されたウエハＷの周囲に密閉された処理空間４０が形成される。蓋体４の天板４ｂの中央部には加熱板３７に載置されたウエハＷの中央部に対向するように区画された扁平な円形状のガス流通空間４５が設けられている。さらに、天板４ｂの前記空間４５の外側には同心円状にガス流通空間４６，４７が設けられており、流通空間４６は例えばウエハＷの周縁部上に、流通空間４７は例えば前記排気路４１上に夫々形成されている。
【００３９】
蓋体４において、流通空間４５，４６，４７の下方にはこれらの空間に夫々連通する多数の小孔４５ａ，４６ａ，４７ａが分散して穿孔されている。流通空間４５，４６，４７から下方のウエハＷに向けてエア、例えば気化したＨＭＤＳを含んだ撥水処理用のガス（ＨＭＤＳガスと記載する）、エアが夫々吐出され、ウエハＷに吐出された各ガスは排気路４１からの排気によりウエハＷの外側へ吸引され、当該排気路４１に流れ込んで排気される。図７中、点線の矢印でエアの流れを、実線の矢印でＨＭＤＳガスの流れを夫々示している。流通空間４５からのエアは、加熱によりウエハＷから生じた昇華物をウエハＷの中央部から外周へ押し流して除去すると共に余剰のＨＭＤＳガスをウエハＷの周縁部から外周へと押し流して、そのＨＭＤＳガスがレジスト膜に付着することを抑えるためのパージ用ガスである。また、流通空間４７からのエアも前記ＨＭＤＳガスを排気路４１に向けて押し流すことで、ＨＭＤＳガスの流れを規制し、そのＨＭＤＳガスがレジスト膜に付着することを防ぐパージ用ガスである。
【００４０】
流通空間４５，４７にはガス供給管４５ａ，４７ａの一端が接続され、これら供給管４５ａ，４７ａの他端はバルブやマスフローコントローラにより構成されるガス流量制御機器群４８を介してエアが貯留されたガス供給源４８Ａに接続されている。流通空間４６にはガス供給管４６ａの一端が接続され、これら供給管４６ａの他端は前記ガス流量制御機器群４８を介してＨＭＤＳガスの供給源４９に接続されている。ガス流量制御機器群４８は後述の制御部１００から出力される制御信号に従ってウエハＷへの各ガスの給断を制御する。
【００４１】
続いて制御部１００について説明する。制御部１００は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述の作用で説明する塗布、現像処理が行われるように命令（ステップ群）が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納されている。このプログラムが制御部１００に読み出されることで、制御部１００は搬送アームＡなどの各搬送手段の動作、各加熱モジュールでのウエハＷの加熱温度、各塗布モジュールにおけるウエハＷの薬液の供給などを制御する。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４２】
続いて、塗布、現像装置２を用いて背景技術の欄で説明したダブルパターニングを行う処理工程について、その工程を示したフローチャートである図８と、ウエハＷの周縁部の変化を示した図９とを参照しながら説明する。この処理工程では凸部の幅：凹部の幅＝１：１であるレジストパターンを形成する。先ず、外部からウエハＷの収納されたキャリア２０がキャリアブロックＣ１の載置部２１に載置され、受け渡しアーム２２がキャリア２０からウエハＷを棚ユニットＵ５の受け渡しステージＣＰＬ２に搬送する。
【００４３】
ＣＯＴ層Ｂ２に設けられた搬送アームＡ２は、ウエハＷを受け渡しステージＣＰＬ２から当該ＣＯＴ層Ｂ２の棚ユニットＵ１〜Ｕ４に含まれる疎水化処理モジュールＡＤＨに搬送し、ウエハＷは加熱されながらその表面からベベル部にかけてＨＭＤＳガスが供給されて、撥水処理される（ステップＳ１）。その後、搬送アームＡ２が棚ユニットＵ１〜Ｕ４に含まれる冷却モジュールにウエハＷを搬送してウエハＷが冷却された後、搬送アームＡ２はウエハＷをレジスト塗布モジュールに搬送し、ウエハＷの表面全体にレジストが塗布されて図９（ａ）に示すようにレジスト膜１４が形成される（ステップＳ２）。
【００４４】
レジスト膜１４形成後、搬送アームＡ２はウエハＷを棚ユニットＵ１〜Ｕ４の加熱モジュールに搬送し、加熱処理（ＰＡＢ処理）が行われた後（ステップＳ３）、搬送アームＡ２は棚ユニットＵ１〜Ｕ４に含まれる冷却モジュールに搬送して、ウエハＷが冷却される。さらに搬送アームＡ２はそのウエハＷを棚ユニットＵ５の受け渡しステージＢＦ２に搬送する。
【００４５】
その後、ウエハＷは受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ２→シャトルアーム２６→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ３→洗浄ブロックＣ３の搬送アームＡ３→露光前洗浄モジュール２５の順に搬送され、露光前洗浄モジュール２５でその表面に洗浄液が供給されて洗浄された後（ステップＳ４）、搬送アームＡ３→受け渡しステージＣＰＬ３→インターフェイスブロックＣ４のインターフェイスアーム２８→露光装置Ｃ５の順に搬送され、露光装置Ｃ５で図９（ｂ）に示すようにウエハＷが液浸露光される（ステップＳ５）。
【００４６】
然る後、ウエハＷは露光装置Ｃ５→インターフェイスアーム２８→受け渡しステージＴＲＳ４→搬送アームＡ３→露光後洗浄モジュール２７の順に搬送され、露光前洗浄モジュール２５に搬送されたときと同様に洗浄された後、搬送アームＡ３→受け渡しステージＣＰＬ１→ＤＥＶ層Ｂ１の搬送アームＡ１→ＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ４の加熱モジュールの順に搬送され、その加熱モジュールで加熱処理（ＰＥＢ処理）を受ける。
【００４７】
その後、ウエハＷは、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ１〜Ｕ４の冷却モジュールに搬送されて、冷却された後に現像モジュール２３に搬送されて、その表面に現像液が供給されて現像が行われた後（ステップＳ６）、洗浄液が表面に供給されて現像液が洗い流されて、図９（ｃ）に示すようにレジストパターン１５が形成される。背景技術の欄で説明したようにこのレジストパターン１５の凹部１５ａの線幅Ｌ３、凸部１５ｂの線幅Ｌ４の比は１：３である。
【００４８】
搬送アームＡ１によりレジストパターン１５が形成されたウエハＷは加熱モジュール３に搬送され、冷却プレート３４を介して加熱板３７に載置されると、蓋体４が下降して処理空間４０が形成される。そして、ウエハＷが加熱板３７により加熱されて現像後の加熱処理（ポストベーク処理）が行われると共に図７で示したようにウエハＷに蓋体４の流通空間４５，４６，４７からエア、ＨＭＤＳガス、エアが夫々供給され、図９（ｄ）に示すようにウエハＷのベベル部はＨＭＤＳガスに曝されて、このＨＭＤＳによる撥水性の薄膜１９が形成され、局所的に撥水処理される（ステップＳ７）。
【００４９】
各ガスの供給から所定の時間経過後、各ガスの供給が停止し、ウエハＷは搬送アームＡ１により棚ユニットＵ１〜Ｕ４の冷却モジュールに搬送されて冷却され、然る後搬送アームＡ１→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１→受け渡しアーム２２の順に搬送され、受け渡しアーム２２によりキャリア２０に一旦戻される。
【００５０】
キャリア２０に戻されたウエハＷは、受け渡しアーム２２→受け渡しステージＣＰＬ２→搬送アームＡ２→棚ユニットＵ１〜Ｕ４の冷却モジュールの順に搬送され、その冷却モジュールで温度調整された後、搬送アームＡ２によりレジスト塗布モジュールに搬送され、ウエハＷの表面にレジストが塗布されて図９（ｅ）に示すようにレジストパターン１５がレジストに埋まり、ウエハＷに新たにレジスト膜１７が形成される（ステップＳ８）。
【００５１】
レジスト膜１７形成後、搬送アームＡ２は棚ユニットＵ１〜Ｕ４の加熱モジュールにウエハＷを搬送し、加熱（ＰＡＢ）処理が行われた後（ステップＳ９）、搬送アームＡ２→棚ユニットＵ１〜Ｕ４の冷却モジュール→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＢＦ２→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ２→シャトルアーム２６→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ３→洗浄ブロックＣ３に設けられた搬送アームＡ３→露光前洗浄モジュール２５の順に搬送されて、当該露光前洗浄モジュール２５で洗浄される（ステップＳ１０）。
【００５２】
洗浄後、ウエハＷは搬送アームＡ３→受け渡しステージＣＰＬ３→インターフェイスアーム２８→露光装置Ｃ５の順に搬送され、露光装置Ｃ５で図９（ｆ）に示すようにウエハＷが液浸露光される（ステップＳ１１）。このときウエハＷのベベル部には撥水性の薄膜１９が形成されているため、液膜１２を構成する純水がベベル部に付着したり、ベベル部を介してウエハＷの裏面に回り込んだりすることが防がれた状態で、露光手段１０がウエハＷ上を移動し、所定のパターンに沿って露光が行われる。
【００５３】
露光後、ウエハＷは露光装置Ｃ５→インターフェイスアーム２８→受け渡しステージＴＲＳ４→搬送アームＡ３→露光後洗浄モジュール２７の順に搬送されて、当該露光後洗浄モジュール２７で洗浄された後、搬送アームＡ３→受け渡しステージＣＰＬ１→搬送アームＡ１→加熱モジュール２５の順に搬送され、加熱処理（ＰＥＢ処理）される。その後、ウエハＷは、搬送アームＡ１→棚ユニットＵ１〜Ｕ４の冷却モジュール→現像モジュール２３の順に搬送され、１回目の現像処理と同様に現像処理され（ステップＳ１２）、図９（ｆ）に示すように凹部１６ａの線幅Ｌ１、凸部１６ｂの線幅Ｌ２の比が１：１であるレジストパターン１６が形成される。
【００５４】
その後、ウエハＷは加熱モジュール３に搬送され、ここで加熱（ポストベーク）処理される（ステップＳ１３）。この２回目の加熱モジュール３での加熱処理は例えば１回目の処理と異なり、ウエハＷにＨＭＤＳガスが供給されず、エアのみが供給されながらウエハＷが加熱される。その後、ウエハＷは搬送アームＡ１→棚ユニットＵ１〜Ｕ４の冷却モジュール→搬送アームＡ１→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１→受け渡しアーム２２の順に搬送され、受け渡しアーム２２によりキャリア２０に戻される。
【００５５】
この塗布、現像装置２によれば、現像モジュール２３での１回目の現像後、加熱モジュール３でウエハＷのベベル部にＨＭＤＳガスを供給し、ベベル部を撥水処理しているため、露光装置Ｃ５の２回目の液浸露光中にこのベベル部において高い撥水性が得られ、液浸露光で用いる液体がこのベベル部に付着したり、このベベル部を介してウエハＷの裏面に回り込んだりすることを抑えることができる。その結果としてそのように付着した液体及び裏面に回り込んだ液体からパーティクルが発生することを抑えることができる。また、加熱モジュール３ではエアの供給及び排気によりＨＭＤＳガスの流れが規制されているため、ベベル部より中央部側の表面にＨＭＤＳガスが供給されることが抑えられ、パターンの形状が劣化することを防ぐことができる。また、この加熱モジュール３では現像後の加熱処理時にウエハＷにＨＭＤＳガスを供給し、前記加熱処理とベベル部の撥水処理とを同時に行っているため、これら加熱処理と撥水処理とを別々に行う場合に比べてスループットの低下を防ぐことができる。
【００５６】
上記の例で、レジストパターン１６の解像度を向上させるために、１回目の現像が終わってウエハＷがキャリア２０に戻されると、キャリア２０を外部の装置に搬送して、そのウエハＷに例えば紫外線照射してレジストパターン１５を硬化させた後、キャリア２０を再び塗布、現像装置２に戻して、２回目のレジスト塗布以降の処理を行ってもよい。また、そのように紫外線を照射する手段を塗布、現像装置２内に設けて、２回目のレジスト塗布前に照射処理を行ってもよい。
【００５７】
（第２の実施形態）
ところで、上記のベベル部の撥水処理は１回目の現像処理後、２回目の液浸露光前に行えばよく、例えばＣＯＴ層Ｂ２の棚ユニットＵ１〜Ｕ４でＰＡＢ処理を行う加熱モジュールを、加熱モジュール３として構成し、撥水処理を行ってもよい。図１０のフローチャートは、そのように加熱モジュール３をＣＯＴ層Ｂ２に配置したときの塗布、現像装置２の処理工程の一例を示したものである。既述の第１の実施形態との差異点を中心に説明すると、ステップＳ３においてウエハＷをその加熱モジュール３の加熱板３７により加熱してＰＡＢ処理を行う。このときはウエハＷにエアのみ供給し、ＨＭＤＳガスの供給は行わない。そして、ステップＳ７においてＤＥＶ層Ｂ１でウエハＷのポストベーク処理を行うときにもウエハＷにＨＭＤＳガスの供給は行わない。そして、２回目のレジスト塗布後、再びＰＡＢ処理を行うために加熱モジュール３にウエハＷが搬入されたときに、第１の実施形態のポストベーク処理時と同様にウエハＷを加熱しながら処理空間４０にエア及びＨＭＤＳガスを供給して、ベベル部を撥水処理する。この第２の実施形態においても第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５８】
（第３の実施形態）
洗浄ブロックＣ３の露光前洗浄モジュール２５にウエハＷのベベル部を撥水処理する手段を設けて、その露光前洗浄モジュール２５で洗浄と撥水処理とを行ってもよい。図１１、図１２はそのように撥水処理を行う手段を備えた露光前洗浄モジュール５の縦断側面図、平面図を夫々示している。露光前洗浄モジュール５はウエハＷの搬送口５１が形成された筐体５０を備えている。図中５２はウエハＷの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持する載置台をなすスピンチャックであり、駆動機構５３と接続されており、この駆動機構５３によりウエハＷを保持した状態で回転及び昇降することができる。スピンチャック５２に保持されたウエハＷを囲むように上部側が開口するカップ体５４が設けられている。
【００５９】
カップ体５４の底部側には凹部状をなす液受け部５５がウエハＷの周縁下方側に全周に亘って形成されている。この液受け部５５は縦の仕切り壁５６によりその内部が全周に亘って外側領域と内側領域とに区画されており、外側領域には液受け部５５に貯留した排液を除去する排液口５７が、内側領域にはカップ体５４内を排気するための排気口５８が夫々設けられている。
【００６０】
図中５９は円形板、５９ａは円形板５９を囲むリング部材、５９ｂはリング部材５９ａの外端から下方に伸びる端板であり、この端板５９ｂ及びリング部材５９の表面を伝って、ウエハＷから飛散した洗浄液である純水が前記外側領域にガイドされる。なお、図示は省略するが、ウエハＷの裏面側を支持して昇降可能な昇降ピンが円形板５７を上下に貫通して設けられており、この昇降ピンを介して搬送アームＡ３とスピンチャック５２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００６１】
スピンチャック５２に保持されたウエハＷ上には細孔状の吐出口６２を有する純水供給ノズル６１が設けられ、純水供給ノズル６１を昇降させる昇降機構を備えた移動基体６３と接続されている。図中６４は水平方向に伸びるガイドレールであり、純水供給ノズル６１は移動基体６３の移動に従って、このガイドレール６４に沿って移動する。図中６５は純水供給ノズル６１の待機領域である。また、図中６６は純水の供給路６７を介して純水供給ノズル６１に接続された純水供給源である。
【００６２】
前記円形板５９には薬液供給部である撥水液供給ノズル７１がウエハＷの外側に向かって傾いた状態で設けられている。撥水液供給ノズル７１はウエハＷの周縁部に向けて開口した細孔状の吐出口を備え、供給路７２を介して撥水液供給源７３に接続されている。撥水液としては例えばＨＭＤＳを含んだ溶液が使用される。供給路６７，７２には、バルブやマスフローコントローラを含んだ供給制御部６８，７４が介設されており、これら供給制御部６８，７４は制御部１００から出力される制御信号を受けてウエハＷへの純水、撥水液の給断を夫々制御する。
【００６３】
この露光前洗浄モジュール５での処理手順について説明する。先ず搬送アームＡ３によりウエハＷがスピンチャック５２に受け渡されると、待機領域６５から純水供給ノズル６１がウエハＷの中心部上に移動すると共にスピンチャック５２によりウエハＷが所定の回転数で回転する。純水供給ノズル６１からウエハＷの中心部に純水が供給され、その純水は遠心力によりウエハＷの周縁部へと広がり、ウエハＷが洗浄される。
【００６４】
純水の吐出が停止した後、ウエハＷの回転によりウエハＷから純水が振り切られて乾燥する。然る後、図１３（ａ）に点線の矢印で示すようにウエハＷのベベル部をなす下側の傾斜面へ撥水液Ｆが供給され、その撥水液Ｆが図１３（ｂ）に示すように表面張力によって回転するウエハＷの側端面を上方へ向けて伝わった後、ウエハＷから飛散して排液される。所定の時間、撥水液Ｆの供給が続いた後、撥水液Ｆの供給が停止し、ウエハＷの回転により撥水液Ｆに含まれる溶剤が揮発して、ベベル部に撥水性の薄膜１９が形成される。その後、ウエハＷの回転が停止してウエハＷは洗浄モジュール５から搬出される。なお、ウエハＷ表面への純水の供給と、ベベル部への撥水液Ｆの供給とが同時に行われてもよい。
【００６５】
図１４はこの露光前洗浄モジュール５が設けられた塗布、現像装置２の処理工程を示したフローチャートである。このフローチャートに示されるように、この例では加熱モジュールでの加熱処理時にウエハＷのベベル部のＨＭＤＳガス供給が行われず、２回目のＰＡＢ処理後、２回目の露光前のステップＳ１０において、上記したように露光前洗浄とウエハＷのベベル部の撥水処理とが行われる。ステップＳ４の１回目の露光処理洗浄時には例えば、上記の撥水液の供給は行われず、ウエハＷ表面へ純水が供給され、ウエハＷの乾燥が終わると、モジュールからウエハＷが搬出される。この実施形態においても２回目の液浸露光前にウエハＷのベベル部が撥水処理されるため、２回目の液浸露光時に液体のベベル部への付着や液体の裏面への回り込みを防ぐことができる。
【００６６】
露光前洗浄モジュール５は洗浄ブロックＣ３に設ける代わりにインターフェイスブロックＣ４に設けて、インターフェイスアーム２８とスピンチャック５２との間でウエハＷの受け渡しが行われるようにしてもよい。
【００６７】
また、上記の各例では基板側面部を撥水するモジュールが、現像後の加熱モジュールを行う加熱モジュールに組み込まれている例と、露光前洗浄モジュールに組み込まれている例とについて示したが、基板側面部を撥水するモジュールを単独で設けてもよい。また、現像モジュール２３の現像処理部２４、レジスト塗布モジュールの塗布処理部は、この露光前洗浄モジュールと同様のスピンチャック及びカップ体を備え、また、純水供給ノズルに対応する現像液供給ノズル、レジスト供給ノズルを夫々備えている。現像液供給ノズル、レジスト供給ノズルは純水供給ノズルと吐出する薬液及びノズルの形状が異なる他は当該純水供給ノズルと略同様に構成されている。この現像モジュール２３の現像処理部２４、レジスト塗布モジュールの塗布処理部に撥水液供給ノズル７１を設けて、撥水処理を行ってもよい。その現像処理部２４によりウエハＷの撥水処理を行う場合は、ステップＳ６の１回目の現像時において例えばウエハＷに洗浄液、例えば純水を供給して現像液を洗い流した後に既述の撥水液Ｆを供給して処理を行う。レジスト塗布モジュールによりウエハＷの撥水処理を行う場合は、２回目のレジスト塗布を始める前、あるいは２回目のレジスト塗布後にウエハＷに撥水液Ｆを供給して処理を行う。
【００６８】
（第４の実施形態）
上記の各実施形態ではウエハＷのベベル部の撥水性を向上させると共にレジストのウエハＷへの密着性を向上させるために、１回目のレジスト塗布前にＡＤＨモジュールにてウエハＷにＨＭＤＳガスを供給しているが、このＡＤＨモジュールによる処理を行わず、ウエハＷに１回目のレジスト塗布後、１回目の液浸露光開始前にウエハＷのベベル部のみを露光する処理工程について説明する。ここでは、例えば上記のようにレジスト塗布モジュールに撥水液供給ノズル７１が設けられているものとする。このレジスト塗布モジュールでウエハＷへの１回目のレジスト塗布が行われた後に、撥水液供給ノズル７１から撥水液が供給され、ウエハＷのベベル部が撥水処理される。その後、ウエハＷが１回目の現像処理を終え、再びこのレジスト塗布モジュールに搬送される。そして、レジスト塗布前あるいは塗布後に再びベベル部の撥水処理を行う。
【００６９】
また、第２の実施形態と同様に例えば加熱モジュール３がＰＡＢモジュールとしてＣＯＴ層Ｂ２に設けられている場合、ＡＤＨモジュールによる処理を行わず、１回目のレジスト塗布を行った後、ウエハＷをその加熱モジュール３に搬送して、ＰＡＢ処理と共にウエハＷのベベル部の撥水処理を行い、その後は第２の実施形態のステップＳ３以降の処理を順次実行してレジストパターンを形成してもよい。つまり、これらの例では１回目の基板側面部を撥水処理するモジュールと２回目の基板側面部を撥水処理するモジュールとが共用化されている。
【００７０】
（参考試験）
背景技術の欄で簡単に説明したように、ウエハＷ全体にＨＭＤＳガスを供給して処理した基板を現像する前と、その基板を現像した後で接触角を測定した。図１５はそのときの結果を示しており、ウエハＷの接触角は現像前で６４．９°だったのに対して現像後には４７．２°に低下していた。つまり現像液に接触した後は、ウエハＷの撥水性が低下している。従って、上記の各実施形態に示されるように１回目の現像処理後、２回目の液浸露光前までにウエハＷのベベル部を撥水処理することが有効である。
【符号の説明】
【００７１】
Ｗ      ウエハ
Ｆ          撥水液
１０        露光手段
１４，１７  レジスト膜
１５，１６    レジストパターン
１９    撥水性の薄膜
２      塗布、現像装置
２３    現像モジュール
３      加熱モジュール
３７    加熱板
４      蓋体
４０    処理空間
５      露光前洗浄モジュール
１００  制御部
【図１】
2010219150.tif 000003
【図２】
2010219150.tif 000004
【図３】
2010219150.tif 000005
【図４】
2010219150.tif 000006
【図５】
2010219150.tif 000007
【図６】
2010219150.tif 000008
【図７】
2010219150.tif 000009
【図８】
2010219150.tif 000010
【図９】
2010219150.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2010219150.tif 000017
【図１６】
2010219150.tif 000018
【図１７】
2010219150.tif 000019
【図１８】
2010219150.tif 000020
【図１９】
2010219150.tif 000021