(57)【要約】【課題】半導体基板１の裏面に備えられた第１、第２裏面導体３、４を有する半導体装置において、半導体基板１をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる検査工程を含む半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体装置の検査装置を提供する。【解決手段】板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部３１と、絶縁部３１の表面および裏面から露出するように備えられている第１、第２導電部３２、３３を備え、第１導電部３２と第２導電部３３とが絶縁されている中間配線層３０を用意する。そして、中間配線層３０を半導体基板１の裏面に第１導電部３２と第１裏面導体３とが電気的に接続されると共に第２導電部３３と第２裏面導体４とが電気的に接続されるように配置する工程を行い、第１、第２導電部３２、３３を介して第１、第２裏面導体３、４に電圧を印加する。【選択図】図３
2010050155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１）に形成された半導体素子と、前記半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、前記半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板（１）に前記半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板（１）の表面に前記半導体基板（１）の外部と電気的に接続される前記表面導体（２）を配置する工程と、
前記半導体基板（１）の裏面に前記半導体基板（１）の外部と電気的に接続される前記第１裏面導体（３）および前記第２裏面導体（４）を配置する工程と、
板状部材であり、前記板状部材を構成する絶縁部（３１）と、前記絶縁部（３１）の表面および裏面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、前記第１導電部（３２）と前記第２導電部（３３）とが絶縁されている中間配線層（３０）を用意し、前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に前記第１導電部（３２）と前記第１裏面導体（３）とが電気的に接続されると共に前記第２導電部（３３）と前記第２裏面導体とが電気的に接続されるように配置する工程と、
前記中間配線層（３０）のうち前記半導体基板（１）と反対側の面において前記第１導電部（３２）と対応する部分に形成された第１電極（４２）と前記第２導電部（３３）と対応する部分に形成された第２電極（４３）とを有するチャック台（４０）を用意し、前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を前記チャック台（４０）に配置することにより、前記第１導電部（３２）を介して前記第１裏面導体（３）と前記第１電極（４２）とを電気的に接続すると共に前記第２導電部（３３）を介して前記第２裏面導体（４）と前記第２電極（４３）とを電気的に接続する工程と、
複数のプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）を用意し、前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に前記可動用プローバ（５０）を配置して前記可動用プローバ（５０）に備えられた前記プローブ針（５１）を前記表面導体（２）に接触させる工程と、
前記チャック台（４０）および前記可動用プローバ（５０）と電気的に接続されているテスタ（６０）を用意し、前記テスタ（６０）により前記第１、第２導電部（３２、３３）、前記第１、第２電極（４２、４３）および前記プローブ針（５１）を介して前記表面導体（２）および前記第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することで前記半導体装置における電気的特性の検査を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記中間配線層（３０）として、前記第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と前記第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に前記第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と前記第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）をそれぞれ前記第１棒状部（３２ｂ）と前記第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されたものを用意し、
前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置する工程では、前記第１棒状部（３２ｂ）が前記第１裏面導体（３）と接触すると共に前記第２棒状部（３３ｂ）が前記第２裏面導体（４）と接触するように前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置し、
前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を前記チャック台（４０）に配置する工程では、前記第１電極（４２）が前記第１支持部（３２ａ）と接触すると共に前記第２電極（４３）が前記第２支持部（３３ａ）と接触するように前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を前記チャック台（４０）に配置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板（１）に形成された半導体素子と、前記半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、前記半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板（１）に前記半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板（１）の表面に前記半導体基板（１）の外部と電気的に接続される前記表面導体（２）を配置する工程と、
前記半導体基板（１）の裏面に前記半導体基板（１）の外部と電気的に接続される前記第１裏面導体（３）および前記第２裏面導体（４）を配置する工程と、
板状部材であり、前記板状部材を構成する絶縁部（３１）と、前記絶縁部（３１）の表面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、前記第１導電部（３２）と前記第２導電部（３３）とが絶縁されている中間配線層（３０）を用意し、前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に、前記第１導電部（３２）と前記第１裏面導体（３）とが電気的に接続され、前記第２導電部（３３）と前記第２裏面導体（４）とが電気的に接続されると共に、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）の一部分が前記中間配線層（３０）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出されるように配置する工程と、
前記半導体基板（１）を保持するチャック台（４０）を用意し、前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を前記チャック台（４０）に配置する工程と、
複数のプローブ針（７１）を備えた固定用プローバ（７０）を用意し、前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に前記固定用プローバ（７０）を配置して前記固定用プローバ（７０）に備えられている前記プローブ針（７１）を前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出している前記一部分に接触させる工程と、
複数のプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）を用意し、前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に前記可動用プローバ（５０）を配置して前記可動用プローバ（５０）に備えられた前記プローブ針（５１）を前記表面導体（２）に接触させる工程と、
前記固定用プローバ（７０）および前記可動用プローバ（５０）と電気的に接続されているテスタ（６０）を用意し、前記テスタ（６０）により前記第１、第２導電部（３２、３３）、前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）および前記可動用プローバ（５０）に備えられた前記プローブ針（５１）を介して前記表面導体（２）および前記第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することで前記半導体装置における電気的特性の検査を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記中間配線層（３０）として、前記第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と前記第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に前記第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と前記第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）をそれぞれ前記第１棒状部（３２ｂ）と前記第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されたものを用意し、
前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置する工程では、前記第１棒状部（３２ｂ）が前記第１裏面導体（３）と接触し、前記第２棒状部（３３ｂ）が前記第２裏面導体（４）と接触するようにすると共に、前記第１支持部（３２ａ）および前記第２支持部（３３ａ）が前記中間配線層（３０）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出するように前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置し、
前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）を前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出している前記一部分に接触させる工程では、前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）を前記第１支持部（３２ａ）および前記第２支持部（３３ａ）にそれぞれ接触させることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板（１）に形成された半導体素子と、前記半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、前記半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置に用いられる検査装置であって、
板状部材であり、前記板状部材を構成する絶縁部（３１）と、前記絶縁部（３１）の表面および裏面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、前記第１導電部（３２）と前記第２導電部（３３）とが絶縁されており、前記第１導電部（３２）と前記第１裏面導体（３）とが電気的に接続されると共に前記第２導電部（３３）と前記第２裏面導体とが電気的に接続されるように前記半導体基板（１）の裏面に配置される中間配線層（３０）と、
前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を保持し、前記中間配線層（３０）のうち前記半導体基板（１）と反対側の面において前記第１導電部（３２）と対応する部分に形成された第１電極（４２）と前記第２導電部（３３）と対応する部分に形成された第２電極（４３）とを有し、前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）が配置されることにより、前記第１導電部（３２）を介して前記第１裏面導体（３）と前記第１電極（４２）とが電気的に接続されると共に前記第２導電部（３３）を介して前記第２裏面導体（４）と前記第２電極（４３）とが電気的に接続されるチャック台（４０）と、
前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に配置され、前記表面導体（２）とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）と、
前記可動用プローバ（５０）および前記チャック台（４０）と電気的に接続され、前記第１、第２導電部（３２、３３）、前記第１、第２電極（４２、４３）および前記プローブ針（５１）を介して前記表面導体（２）および前記第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することにより前記半導体装置における電気的特性の検査を行うテスタ（６０）と、を有していることを特徴とする半導体装置の検査装置。
【請求項６】
前記中間配線層（３０）は、前記第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と前記第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に前記第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と前記第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）はそれぞれ前記第１棒状部（３２ｂ）と前記第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されており、
前記中間配線層（３０）のうち、前記第１棒状部（３２ｂ）が前記第１裏面導体（３）と電気的に接続されると共に前記第２棒状部（３３ｂ）が前記第２裏面導体（４）と電気的に接続され、前記第１支持部（３２ａ）が前記第１電極（４２）と電気的に接続されると共に前記第２支持部（３３ａ）が前記第２電極（４３）と電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の検査装置。
【請求項７】
半導体基板（１）に形成された半導体素子と、前記半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、前記半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置に用いられる検査装置であって、
板状部材であり、前記板状部材を構成する絶縁部（３１）と、前記絶縁部（３１）の表面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、前記第１導電部（３２）と前記第２導電部（３３）とが絶縁されており、前記半導体基板（１）の裏面に、前記第１導電部（３２）と前記第１裏面導体（３）とが電気的に接続され、前記第２導電部（３３）と前記第２裏面導体（４）とが電気的に接続されると共に、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）の一部分が前記半導体基板（１）側の面から露出されるように配置される中間配線層（３０）と、
前記中間配線層（３０）を介して前記半導体基板（１）を保持するチャック台（４０）と、
前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に配置され、前記中間配線層（３０）を前記半導体基板（１）の裏面に配置したときに前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）のうち前記半導体基板（１）側の面から露出している前記一部分とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（７１）を備えた固定用プローバ（７０）と、
前記半導体基板（１）を挟んで前記チャック台（４０）と反対側に配置され、前記表面導体（２）とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）と、
前記可動用プローバ（５０）および前記固定用プローバ（７０）と電気的に接続され、前記第１、第２導電部（３２、３３）、前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）および前記可動用プローバ（５０）に備えられた前記プローブ針（５１）を介して前記表面導体（２）および前記第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することにより前記半導体装置における電気的特性の検査を行うテスタ（６０）と、を有していることを特徴とする半導体装置の検査装置。
【請求項８】
前記中間配線層（３０）は、前記第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と前記第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に前記第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と前記第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、前記第１導電部（３２）および前記第２導電部（３３）はそれぞれ前記第１棒状部（３２ｂ）と前記第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されており、
前記中間配線層（３０）のうち、前記第１棒状部（３２ｂ）が前記第１裏面導体（３）と電気的に接続されると共に前記第２棒状部（３３ｂ）が前記第２裏面導体（４）と電気的に接続され、前記第１支持部（３２ａ）および前記第２支持部（３３ａ）が前記固定用プローバ（７０）に備えられた前記プローブ針（７１）とそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に形成されている半導体素子と、半導体基板の表裏面に備えられた複数の導体とを有して構成される半導体装置に対して、半導体基板の表裏面に備えられている導体に電圧を印加することにより電気的特性を検査する工程を含む半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体装置の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板に形成されている半導体素子と、半導体基板の表裏面に備えられた複数の導体とを有して構成される半導体装置を製造するに際し、半導体装置の電気的特性を検査する検査工程が行われている。具体的には、半導体装置の表裏面に備えられている導体に検査装置を用いて電圧を印加することにより半導体装置の良不良判定を行う工程を行っている。
【０００３】
半導体装置を検査する検査装置は、例えば、チャック台と、プローバと、テスタとを有して構成されている（例えば、特許文献１参照）。チャック台は、半導体基板を保持するものであり、半導体基板の裏面に備えられている裏面導体と電気的に接続される検査用電極を半導体基板が保持される面の全面に備えている。プローバは、半導体基板を挟んでチャック台と反対側に配置されるものであり、半導体基板の表面に備えられている表面導体と電気的に接続されるプローブ針を備えている。また、テスタは、プローバおよびチャック台と電気的に接続されており、プローブ針および検査用電極を介して表面導体および裏面導体に電圧を印加して半導体装置の電気的特性を検査するものである。
【０００４】
そして、このような検査装置を用いて半導体装置の電気的特性の検査が次のように行われる。まず、半導体装置の裏面に備えられている裏面導体と検査用電極とが電気的に接続されるように、半導体基板をチャック台に保持する。その後、プローブ針を半導体装置の表面に備えられている表面導体に接触させ、テスタによりプローブ針とチャック台に備えられている検査用電極に電圧を印加する。これにより、半導体装置の電気的特性の検査が行われる。
【特許文献１】特開平６−２４２１７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の半導体装置の検査装置では、半導体装置の裏面に備えられている裏面導体はチャック台に備えられている検査用電極と一様に接触することになる。このため、例えば、互いに異なる電圧が印加されて使用される二つの裏面導体を有する半導体装置では、各裏面導体が一様に検査用電極と接触してしまうためそれぞれの裏面導体に異なる電圧を印加することができず、半導体装置の検査を行うことが困難であるという問題がある。
【０００６】
したがって、このような異なる電圧が印加されて使用される二つの裏面導体を備えた半導体装置では、半導体基板をチップ単位に分割した後にパッケージ等に組み付け、各裏面導体と電気的に接続される配線をそれぞれパッケージの外部に引き出し、配線を介してそれぞれの裏面導体に電圧を印加することで半導体装置の検査を行うことが考えられる。しかしながら、このような半導体装置の検査方法では、半導体装置の検査工程が増加すると共に複雑になるという問題がある。
【０００７】
本発明は上記点に鑑みて、半導体基板の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される複数の導体を有する半導体装置において、半導体基板をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる検査工程を含む半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体装置の検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体基板（１）に形成された半導体素子と、半導体基板（１）の表面に備えられた複数の表面導体（２）と、半導体基板（１）の裏面に備えられた第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）と、を有して構成される半導体装置の製造方法であって、以下の工程を行うことを特徴としている。まず、半導体基板（１）に半導体素子を形成する工程と、半導体基板（１）の表面に半導体基板（１）の外部と電気的に接続される表面導体（２）を配置する工程と、半導体基板（１）の裏面に半導体基板（１）の外部と電気的に接続される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を配置する工程とを行う。続いて、板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部（３１）と、絶縁部（３１）の表面および裏面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、第１導電部（３２）と第２導電部（３３）とが絶縁されている中間配線層（３０）を用意し、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に第１導電部（３２）と第１裏面導体（３）とが電気的に接続されると共に第２導電部（３３）と第２裏面導体とが電気的に接続されるように配置する工程を行う。その後、中間配線層（３０）のうち半導体基板（１）と反対側の面において第１導電部（３２）と対応する部分に形成された第１電極（４２）と第２導電部（３３）と対応する部分に形成された第２電極（４３）とを有するチャック台（４０）を用意し、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）をチャック台（４０）に配置することにより、第１導電部（３２）を介して第１裏面導体（３）と第１電極（４２）とを電気的に接続すると共に第２導電部（３３）を介して第２裏面導体（４）と第２電極（４３）とを電気的に接続する工程を行う。続いて、複数のプローブ針（５１）を備えた可動用プローバ（５０）を用意し、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に可動用プローバ（５０）を配置して可動用プローバ（５０）に備えられたプローブ針（５１）を表面導体（２）に接触させる工程を行う。次に、チャック台（４０）および可動用プローバ（５０）と電気的に接続されているテスタ（６０）を用意し、テスタ（６０）により第１、第２導電部（３２、３３）、第１、第２電極（４２、４３）およびプローブ針（５１）を介して表面導体（２）および第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することで半導体装置における電気的特性の検査を行う工程を行う。
【０００９】
このような半導体装置の製造方法では、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）の裏面に備えられている第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）がチャック台（４０）に備えられている第１電極（４２）および第２電極（４３）とそれぞれ電気的に接続されている。このため、第１裏面導体（３）に印加される電圧と第２裏面導体（４）に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板（１）の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を有する半導体装置においても半導体基板（１）をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる。
【００１０】
例えば、請求項２に記載の発明のように、中間配線層（３０）として、第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）をそれぞれ第１棒状部（３２ｂ）と第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されたものを用意する。そして、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置する工程では、第１棒状部（３２ｂ）が第１裏面導体（３）と接触すると共に第２棒状部（３３ｂ）が第２裏面導体（４）と接触するように中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置する。その後、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）をチャック台（４０）に配置する工程では、第１電極（４２）が第１支持部（３２ａ）と接触すると共に第２電極（４３）が第２支持部（３３ａ）と接触するように中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）をチャック台（４０）に配置することもできる。
【００１１】
さらに、請求項３に記載の発明のように、絶縁部（３１）の表面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）を備えた中間配線層（３０）を用意する。そして、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に、第１導電部（３２）と第１裏面導体（３）とが電気的に接続され、第２導電部（３３）と第２裏面導体（４）とが電気的に接続されると共に、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）の一部分が中間配線層（３０）のうち半導体基板（１）側の面から露出されるように配置する工程を行う。続いて、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）をチャック台（４０）に配置する工程を行った後、複数のプローブ針（７１）を備えた固定用プローバ（７０）を用意して、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に固定用プローバ（７０）を配置して固定用プローバ（７０）に備えられているプローブ針（７１）を第１導電部（３２）および第２導電部（３３）のうち半導体基板（１）側の面から露出している一部分に接触させる工程を行う。その後、可動用プローバ（５０）を用意し、可動用プローバ（５０）に備えられたプローブ針（５１）を表面導体（２）に接触させる工程を行い、固定用プローバ（７０）および可動用プローバ（５０）と電気的に接続されているテスタ（６０）を用意して、テスタ（６０）により第１、第２導電部（３２、３３）、固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）および可動用プローバ（５０）に備えられたプローブ針（５１）を介して表面導体（２）および第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することで半導体装置における電気的特性の検査を行う工程を行ってもよい。
【００１２】
このような半導体装置の製造方法では、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）の裏面に備えられている第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）が固定用プローバ（７０）に備えられているプローブ針（７１）とそれぞれ電気的に接続されている。このため、第１裏面導体（３）に印加される電圧と第２裏面導体（４）に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板（１）の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を有する半導体装置においても半導体基板（１）をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる。
【００１３】
また、例えば、請求項４に記載の発明のように、中間配線層（３０）として、第１導電部（３２）が半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成されていると共に第２導電部（３３）が半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成され、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）をそれぞれ第１棒状部（３２ｂ）と第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置されたものを用意する。そして、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置する工程では、第１棒状部（３２ｂ）が第１裏面導体（３）と接触し、第２棒状部（３３ｂ）が第２裏面導体（４）と接触するようにすると共に、第１支持部（３２ａ）および第２支持部（３３ａ）が中間配線層（３０）のうち半導体基板（１）側の面から露出するように中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置する。その後、固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）を第１導電部（３２）および第２導電部（３３）のうち半導体基板（１）側の面から露出している一部分に接触させる工程では、固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）を第１支持部（３２ａ）および第２支持部（３３ａ）にそれぞれ接触させることもできる。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明のように、半導体装置の検査装置を、中間配線層（３０）、チャック台（４０）、可動用プローバ（５０）およびテスタ（６０）を有して構成することができる。中間配線層（３０）は、板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部（３１）と、絶縁部（３１）の表面および裏面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、第１導電部（３２）と第２導電部（３３）とが絶縁されており、第１導電部（３２）と第１裏面導体（３）とが電気的に接続されると共に第２導電部（３３）と第２裏面導体とが電気的に接続されるように半導体基板（１）の裏面に配置されるものである。チャック台（４０）は、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）を保持し、中間配線層（３０）のうち半導体基板（１）と反対側の面において第１導電部（３２）と対応する部分に形成された第１電極（４２）と第２導電部（３３）と対応する部分に形成された第２電極（４３）とを有し、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）が配置されることにより、第１導電部（３２）を介して第１裏面導体（３）と第１電極（４２）とが電気的に接続されると共に第２導電部（３３）を介して第２裏面導体（４）と第２電極（４３）とが電気的に接続されるものである。可動用プローバ（５０）は、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に配置され、表面導体（２）とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（５１）を備えたものである。テスタ（６０）は、可動用プローバ（５０）およびチャック台（４０）と電気的に接続され、第１、第２導電部（３２、３３）、第１、第２電極（４２、４３）およびプローブ針（５１）を介して表面導体（２）および第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することにより半導体装置における電気的特性の検査を行うものである。
【００１５】
このような半導体装置の検査装置では、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）の裏面に備えられている第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）をチャック台（４０）に備えられている第１電極（４２）および第２電極（４３）とそれぞれ電気的に接続することができる。このため、第１裏面導体（３）に印加される電圧と第２裏面導体（４）に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板（１）の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を有する半導体装置においても半導体基板（１）をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる。
【００１６】
また、例えば、請求項６に記載の発明のように、中間配線層（３０）を、第１導電部（３２）を半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成すると共に第２導電部（３３）を半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成し、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）をそれぞれ第１棒状部（３２ｂ）と第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置することができる。そして、中間配線層（３０）のうち、第１棒状部（３２ｂ）を第１裏面導体（３）と電気的に接続すると共に第２棒状部（３３ｂ）を第２裏面導体（４）と電気的に接続し、第１支持部（３２ａ）を第１電極（４２）と電気的に接続すると共に第２支持部（３３ａ）を第２電極（４３）と電気的に接続することができる。
【００１７】
さらに、請求項７に記載の発明のように、半導体装置の検査装置を、中間配線層（３０）、チャック台（４０）、固定用プローバ（７０）、可動用プローバ（５０）、テスタ（６０）を有して構成することができる。中間配線層（３０）は、板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部（３１）と、絶縁部（３１）の表面から露出するように備えられている第１導電部（３２）および第２導電部（３３）とを備え、第１導電部（３２）と第２導電部（３３）とが絶縁されており、半導体基板（１）の裏面に、第１導電部（３２）と第１裏面導体（３）とが電気的に接続され、第２導電部（３３）と第２裏面導体（４）とが電気的に接続されると共に、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）の一部分が半導体基板（１）側の面から露出されるように配置されるものである。チャック台（４０）は、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）を保持するものである。固定用プローバ（７０）は、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に配置され、中間配線層（３０）を半導体基板（１）の裏面に配置したときに第１導電部（３２）および第２導電部（３３）のうち半導体基板（１）側の面から露出している一部分とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（７１）を備えているものである。可動用プローバ（５０）は、半導体基板（１）を挟んでチャック台（４０）と反対側に配置され、表面導体（２）とそれぞれ電気的に接続されるプローブ針（５１）を備えているものである。テスタ（６０）は、可動用プローバ（５０）および固定用プローバ（７０）と電気的に接続され、第１、第２導電部（３２、３３）、固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）および可動用プローバ（５０）に備えられたプローブ針（５１）を介して表面導体（２）および第１、第２裏面導体（３、４）に電圧を印加することにより半導体装置における電気的特性の検査を行うものである。
【００１８】
このような半導体装置の検査装置では、中間配線層（３０）を介して半導体基板（１）の裏面に備えられている第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を固定用プローバ（７０）に備えられているプローブ針（７１）とそれぞれ電気的に接続することができる。このため、第１裏面導体（３）に印加される電圧と第２裏面導体（４）に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板（１）の裏面に備えられた異なる電圧が印加されて使用される第１裏面導体（３）および第２裏面導体（４）を有する半導体装置においても半導体基板（１）をチップ単位に分割することなく、半導体装置の検査を行うことができる。
【００１９】
さらに、請求項８に記載の発明のように、中間配線層（３０）を、第１導電部（３２）を半円弧形状の第１支持部（３２ａ）と第１支持部（３２ａ）から一方向に突出している複数の第１棒状部（３２ｂ）とを有して構成すると共に第２導電部（３３）を半円弧形状の第２支持部（３３ａ）と第２支持部（３３ａ）から一方向に突出している複数の第２棒状部（３３ｂ）とを有して構成し、第１導電部（３２）および第２導電部（３３）をそれぞれ第１棒状部（３２ｂ）と第２棒状部（３３ｂ）とが対向するように交互に配置することができる。そして、中間配線層（３０）のうち、第１棒状部（３２ｂ）を第１裏面導体（３）と電気的に接続すると共に第２棒状部（３３ｂ）を第２裏面導体（４）と電気的に接続し、第１支持部（３２ａ）および第２支持部（３３ａ）を固定用プローバ（７０）に備えられたプローブ針（７１）とそれぞれ電気的に接続することができる。
【００２０】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１は本実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備えた半導体基板の断面構成を示す図である。図２（ａ）は図１に示す半導体基板の上面図、図２（ｂ）は図１に示す半導体基板の裏面図である。なお、図１は図２中のＡ−Ａ断面図に相当している。
【００２２】
図１および図２に示されるように、半導体基板１に本実施形態の半導体装置の製造方法により製造された複数の半導体装置１０が備えられている。具体的には、半導体基板１には、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ等の複数の半導体素子が備えられている。そして、半導体基板１の表面には半導体基板１の外部と電気的に接続される複数の表面パッド２が備えられ、半導体基板１の裏面には半導体基板１の外部と電気的に接続される第１裏面パッド３および第２裏面パッド４が備えられている。また、半導体基板１の表面には表面パッド２が露出するように表面保護膜５が配置されており、半導体基板１の裏面には第１、第２裏面パッド３、４がそれぞれ露出するように裏面保護膜６が配置されている。本実施形態では、半導体装置１０は、半導体素子、表面パッド２、第１裏面パッド３、第２裏面パッド４、表面保護膜５および裏面保護膜６を有して構成されている。
【００２３】
なお、本実施形態では、表面パッド２が表面導体に相当し、第１、第２裏面パッド３、４が第１、第２裏面導体に相当している。また、本実施形態の半導体装置１０は、第１裏面パッド３と第２裏面パッド４とに異なる電圧が印加されて使用されるものである。
【００２４】
次に、このような半導体装置１０の製造工程について説明する。
【００２５】
まず、半導体基板１に所望の半導体プロセスを実施して半導体素子を形成する工程を行う。次に、半導体基板１の表面に半導体基板１の外部と電気的に接続される表面パッド２を配置する工程を行うと共に、半導体基板１の裏面に半導体基板１の外部と電気的に接続される第１裏面導体３および第２裏面導体４を配置する工程を行う。続いて、半導体基板１の表面に表面パッド２が露出するように表面保護膜５を配置すると共に、半導体基板１の裏面に第１裏面パッド３および第２裏面パッド６がそれぞれ露出するように裏面保護膜６を配置する工程を行う。その後、各半導体装置１０に対して検査工程を行う。本実施形態では、半導体装置１０の検査工程は以下のように行われている。
【００２６】
まず、かかる半導体装置１０の検査工程に用いられる半導体装置の検査装置について説明する。図３は、半導体基板１を備えた半導体装置の検査装置を示す部分断面模式図である。図３に示されるように、本実施形態における半導体装置の検査装置２０は、中間配線層３０と、チャック台４０と、可動用プローバ５０と、テスタ５０とを有して構成されている。
【００２７】
中間配線層３０は半導体基板１の裏面に備えられるものである。図４は中間配線層３０が保持リングに備えられたときの上面図である。なお、図３中の中間配線層３０は、図４中のＢ−Ｂ断面図に相当している。図３および図４に示されるように、中間配線層３０は、本発明の板状部材に相当する円板部材とされている。そして、中間配線層３０は、絶縁部３１と、絶縁部３１の表面および裏面から露出するように形成されている第１導電部３２および第２導電部３３とを有して構成されており、第１導電部３２と第２導電部３３とが絶縁されている。
【００２８】
また、これら第１、第２導電部３２、３３は、半円弧形状とされている第１、第２支持部３２ａ、３３ａと、第１、第２支持部３２ａ、３３ａからそれぞれ一方向に突出している複数の第１、第２棒状部３２ｂ、３３ｂとを有して構成されており、それぞれ櫛歯形状とされている。そして、これら第１、第２導電部３２、３３はそれぞれ第１棒状部３２ｂと第２棒状部３３ｂとが対向するように交互に配置されている。
【００２９】
また、中間配線層３０は中間配線層３０の外縁部に備えられた保持リング３４により保持されている。このような中間配線層３０は、例えば、円板部材を構成する絶縁部３１を用意し、絶縁部３１にレーザ等により上記形状の第１、第２導電部３２、３３を形成することで製造される。
【００３０】
チャック台４０は、中間配線層３０を介して半導体基板１を保持すると共に、第１、第２裏面パッド３、４に電圧を印加するものである。図５はチャック台４０の上面図である。なお、図３中のチャック台４０は、図５中のＣ−Ｃ断面図に相当している。図３および図５に示されるように、チャック台４０には半導体基板１を保持する円板形状のステージ４１が備えられている。そして、ステージ４１には中間配線層３０のうち半導体基板１の反対側における第１支持部３２ａと対応する部分に第１電極４２が備えられていると共に第２支持部３３ａと対応する部分に第２電極４３が備えられている。本実施形態では、第１電極４２および第２電極４３は、第１支持部３２ａおよび第２支持部３３ａとそれぞれ対応した形状とされ、半円弧形状とされている。また、チャック台４０には図示しない吸引孔が備えられており、中間配線層３０を吸引することにより半導体基板１がチャック台４０に保持される。
【００３１】
可動用プローバ５０は、複数のプローブ針５１を備えており、半導体基板１を挟んでチャック台４０と反対側に配置されるものである。また、可動用プローバ５０には図示しないスイッチングマトリクスが備えられており、スイッチングマトリクスにより後述するテスタ６０からの信号に基づいてプローブ針５１が作動される。
【００３２】
テスタ６０は、チャック台４０に備えられている第１、第２電極４２、４３および可動用プローバ５０に備えられているプローブ針５１に電気的に接続されており、第１、第２電極４２、４３およびプローブ針５１に電圧を印加することで半導体装置１０における電気的特性の検査を行うものである。
【００３３】
次に、上記半導体装置の検査装置２０を用いて行われる半導体装置１０の検査工程について説明する。
【００３４】
まず、中間配線層３０を半導体基板１の裏面に、第１裏面パッド３と第１導電部３２とが電気的に接続されると共に第２裏面パッド４と第２導電部３３とが電気的に接続されるように配置する工程を行う。本実施形態では、第１導電部３２のうち第１棒状部３２ｂが第１裏面導体３と接触すると共に第２導電部３３のうち第２棒状部３３ｂが第２裏面導体と接触するように中間配線層３０を半導体基板１の裏面に配置する工程を行っている。
【００３５】
その後、中間配線層３０をチャック台４０に備えられている吸引孔により吸引することで中間配線層３０を介して半導体基板１をチャック台４０に保持して、第１導電部３２を介して第１裏面パッド３と第１電極４２とを電気的に接続すると共に第２導電部３３を介して第２裏面パッド４と第２電極４３とを電気的に接続する工程を行う。本実施形態では、第１導電部３２のうち第１支持部３２ａが第１電極４２と接触すると共に第２導電部３３のうち第２支持部３３ａが第２電極４３と接触するように半導体基板１をチャック台４０に保持することにより、第１裏面パッド３と第１電極４２とを電気的に接続すると共に第２裏面パッド４と第２電極４３とを電気的に接続する工程を行っている。
【００３６】
続いて、半導体基板１を挟んでチャック台４０と反対側に可動用プローバを配置し、プローブ針５１をそれぞれ表面導体２に接触させてプローブ針５１と表面パッド２とを電気的に接続する工程を行う。
【００３７】
そして、テスタ６０により、プローブ針５１を介して表面パッド２に電圧を印加すると共に、第１、第２電極４２、４３および第１、第２導電部３２、３３を介して第１裏面パッド３および第２裏面パッド４に電圧を印加することにより半導体装置１０における電気的特性の検査を行う。
【００３８】
続いて、可動用プローバ５０を移動して半導体基板１に備えられている他の半導体装置１０にかかる電気的特性の検査工程を順次行う。そして、半導体装置１０の検査工程が全て終了した後、半導体基板１をチャック台４０から取り外すことにより半導体装置１０の製造工程を終了する。
【００３９】
このような半導体装置１０の製造方法では、半導体装置１０の検査工程において、半導体装置１０の裏面に備えられている第１裏面パッド３および第２裏面パッド４は中間配線層３０によりチャック台４０に備えられている第１電極４２および第２電極４３とそれぞれ電気的に接続されている。このため、第１裏面パッド３に印加される電圧と第２裏面パッド４に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、半導体基板１をチップ単位に分割することなく、半導体装置１０の検査工程を行うことができる。
【００４０】
また、半導体基板１とチャック台４０との間には中間配線層３０が配置されるため、第１裏面導体３および第２裏面導体４の形状が変更された場合でもチャック台４０に備えられる第１電極４２および第２電極４３の形状を変更しなくてもよい。つまり、本実施形態では、第１、第２棒状部３２ｂ、３３ｂはそれぞれ第１、第２裏面導体３、４に接触し、第１、第２支持部３２ａ、３３ａはそれぞれ第１、第２電極４２、４２に接触しているので、第１、第２裏面導体３、４の形状に合わせて第１、第２棒状部３２ｂ、３３ｂの形状のみを変更するのみでよく、第１、第２裏面導体３、４の形状に対応する第１、第２電極４１、４２を有するチャック台４０を新たに製造しなくてもよい。
【００４１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置１０の製造方法は、第１実施形態に対して、チャック台４０に第１、第２電極４２、４３を配置する代わりに第１、第２裏面パッド３、４と電気的に接続されるプローブ針を備えた固定用プローバを追加したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。まず、本実施形態の半導体装置１０の検査工程に用いられる半導体装置の検査装置について説明する。図６は、半導体基板１を備えた半導体装置の検査装置を示す部分断面模式図である。
【００４２】
図６に示されるように、本実施形態の半導体装置１０の検査工程に用いられる半導体装置の検査装置２０は、中間配線層３０と、チャック台４０と、可動用プローバ５０と、テスタ６０と、固定用プローバ７０とを有して構成されている。
【００４３】
本実施形態の中間配線層３０は、絶縁部３１と、絶縁部３１の表面から露出するように形成されている第１導電部３２および第２導電部３３とを有して構成されており、第１導電部３２と第２導電部３３とが絶縁されている。
【００４４】
固定用プローバ７０は、複数のプローブ針７１を備えており、半導体基板１を挟んでチャック台４０と反対側に配置されるものである。
【００４５】
テスタ６０は、可動用プローバ５０に備えられているプローブ針５１および固定用プローバ７０に備えられているプローブ針に電気的に接続されており、可動用プローバ５０に備えられているプローブ針５１および固定用プローバ７０に備えられているプローブ針７１に電圧を印加することで半導体装置１０における電気的特性の検査を行うものである。
【００４６】
次に、本実施形態の半導体装置の検査装置２０を用いて行われる半導体装置１０の検査工程について説明する。
【００４７】
まず、中間配線層３０を半導体基板１の裏面に、第１裏面パッド３と第１導電部３２とが電気的に接続され、第２裏面パッド４と第２導電部３３とが電気的に接続されると共に、第１導電部３２および第２導電部３３の一部分が半導体基板１側の面から露出されるように配置する工程を行う。図７は、半導体基板１の裏面に中間配線層３０を備えたときの上面図である。図６および図７に示されるように、本実施形態では、第１導電部３２のうち第１棒状部３２ｂが第１裏面導体３と接触し、第２導電部３３のうち第２棒状部３３ｂが第２裏面導体と接触するようにすると共に、第１導電部３２における第１支持部３２ａおよび第２導電部３３における第２支持部３３ａが中間配線層３０のうち半導体基板１側の面から露出するように中間配線層３０を半導体基板１の裏面に配置する工程を行っている。その後、中間配線層３０を介して半導体基板１をチャック台４０に配置する工程を行う。
【００４８】
そして、半導体基板１を挟んでチャック台４０と反対側に固定用プローバ７０を配置し、プローブ針７１を第１導電部３２および第２導電部３３のうち半導体基板１側の面から露出している一部分に接触させる工程を行う。本実施形態では、第１導電部３２および第２導電部３３のうち第１支持部３３ａおよび第２支持部３３ａが中間配線層３０における半導体基板１側の面から露出しているので、固定用プローバ７０に備えられたプローブ針７１を第１支持部３２ａおよび第２支持部３３ａにそれぞれ接触させる工程を行っている。
【００４９】
次に、可動用プローバ５０に備えられたプローブ針５１を表面パッド２にそれぞれ接触させる工程を行った後、テスタ６０により、固定用プローバ５０に備えられたプローブ針５１を介して表面パッド２に電圧を印加すると共に、固定用プローバ７０に備えられたプローブ針７１および第１、第２導電部３２、３３を介して第１裏面パッド３および第２裏面パッド４に電圧を印加することにより半導体装置１０における電気的特性の検査を行う。
【００５０】
このような半導体装置１０の製造方法では、半導体装置１０の検査工程において、半導体装置１０の裏面に備えられている第１裏面パッド３および第２裏面パッド４は中間配線層３０を介して固定用プローバ７０に備えられているプローブ針７１とそれぞれ電気的に接続されている。したがって、第１裏面パッド３に印加される電圧と第２裏面パッド４に印加される電圧とを異なる電圧とすることができ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５１】
（他の実施形態）
上記第１実施形態では、第１電極４２および第２電極４３は第１支持部３２ａおよび第２支持部３３ａと対応する形状とされている例を説明したが、もちろんこれに限定されるものではなく、第１電極４２および第２電極４３は第１導電部３２および第２導電部３３と電気的に接続されるように形成されていればよい。
【００５２】
また、第１導電部３２および第２導電部３３はそれぞれ櫛歯形状とされていなくてもよく、第１導電部３２が第１裏面導体３と電気的に接続されていると共に第１電極４２と電気的に接続され、第２導電部３３が第２裏面導体４と電気的に接続されていると共に第２電極４３と電気的に接続されていればよい。
【００５３】
また、上記第１実施形態では、円板部材を構成する絶縁部３１に第１、第２導電部３２、３３を形成する方法を例に挙げて説明したが、例えば、円板部材を構成する導電部に導電部が第１、第２導電部３２、３３の形状となるように絶縁部３１を形成してもよい。
【００５４】
また、上記各実施形態では、半導体素子として、パワーＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、半導体素子として、例えば、ＩＧＢＴ、ダイオードおよびキャパシタ等を用いて半導体装置１０を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備えた半導体基板の断面構成を示す図である。
【図２】（ａ）は図１に示す半導体基板の表面図であり、（ｂ）は図１に示す半導体基板の裏面図である。
【図３】図１に示す半導体基板を備えた半導体装置の検査装置を示す部分断面模式図である。
【図４】図１に示す中間配線層が保持リングに備えられたときの上面図である。
【図５】図１に示すチャック台の上面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる半導体基板を備えた半導体装置の検査装置を示す部分断面模式図である。
【図７】図６に示す半導体基板の裏面に中間配線層を備えたときの上面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１      半導体基板
２      表面パッド
３      第１裏面導体
４      第２裏面導体
１０    半導体装置
２０    検査装置
３０    中間配線層
３１    絶縁部
３２    第１導電部
３３    第２導電部
４０    チャック台
４２    第１電極
４３    第２電極
５０    可動用プローバ
６０    テスタ
【図１】
2010050155.tif 000003
【図２】
2010050155.tif 000004
【図３】
2010050155.tif 000005
【図４】
2010050155.tif 000006
【図５】
2010050155.tif 000007
【図６】
2010050155.tif 000008
【図７】
2010050155.tif 000009