(57)【要約】【課題】記録層の下地の特性を向上することで記録層の結晶配向性と結晶粒径の制御精度を向上し、もって記録特性の向上と高密度化に寄与する磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供すること。【解決手段】基板１とＣｏ合金磁性記録層９との間に第一〜第二結晶制御層と中間層を設ける。第一結晶制御層４はＬ１２型合金で形成する。第二結晶制御層５は、ｈｃｐ合金もしくはｆｃｃ合金で形成する。そして、中間層６は、Ｒｕ合金で形成する。第二結晶制御層５は、その下の第一結晶制御層４の上面の凹凸を吸収するようにも機能するので、第二結晶制御層５の作用によって配向が一方向に揃えられて良好な結晶性を有する中間層６が第二結晶制御層５上に成長する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性材料で形成された基板と、
前記基板上にＬ１２型構造の合金で形成された第一結晶制御層と、
前記第一結晶制御層上に六方最密充填構造の合金もしくは面心立方構造の合金で形成された第二結晶制御層と、
前記第二結晶制御層上にルテニウム、もしくはルテニウムを含む合金で形成された中間層と、
前記中間層上にコバルト合金で形成された磁化容易軸方向が前記基板面に対して略垂直な記録層と、
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第一結晶制御層は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｆｅのうち少なくとも１つの元素を含む合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第一結晶制御層は、ＮｉとＡｌの合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第一結晶制御層は、Ｎｉ３ＡｌもしくはＴｉ３Ａｌであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第二結晶制御層は、Ｎｉ合金あるいはＣｏ合金であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第二結晶制御層は、ＷとＣｒのうち少なくとも一方を添加したＮｉ合金であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記記録層は、複数のＣｏ合金磁性粒子と、前記複数のＣｏ合金磁性粒子を磁気的に分離する非磁性部とを有するグラニュラ構造であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記記録層は、複数のＣｏＣｒＰｔ合金磁性粒子と前記複数のＣｏＣｒＰｔ合金磁性粒子を磁気的に分離する非磁性部を有するグラニュラ構造である下層磁性層と、ＣｏＣｒＰＢ合金で形成された上層磁性とを備えたことを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１〜８に記載した磁気記録媒体を少なくとも一つ以上使用した磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク等の磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、記憶媒体の高密度化の要望にこたえるため、磁化容易軸を記録媒体に対して垂直方向にした垂直磁気記録方式の磁気記録媒体が実用化されている。この垂直磁気記録媒体では、記録層として六方最密充填（ｈｃｐ：hexagonal close-packed）構造をとるＣｏ合金磁性層を利用することができる。
【０００３】
Ｃｏ合金磁性層を記録層として用いた垂直磁気記録媒体の高密度化のためには、Ｃｏ合金磁性層について、結晶配向性や結晶粒径などの結晶構造を制御することが重要である。Ｃｏ合金の磁化容易軸はｃ軸方向であるので、Ｃｏ合金のｃ軸方向が基板面に対して垂直方向になるように結晶配向を制御し、結晶粒径を微細かつ均一にすることで、記録再生特性を向上することが可能である。
【０００４】
従来から、Ｃｏ合金磁性層の結晶配向性を制御するために、Ｃｏと同じ結晶系のｈｃｐ構造を有するＲｕ層を下地層に形成し、さらにＲｕの結晶配向性を制御するために、面心立方格子（ｆｃｃ：face-centered cubic）構造を有する下地層をＲｕ層の下地として形成する技術が考えられている。
【０００５】
ｆｃｃ構造を下地層とすると、ｆｃｃの(１１１)面とｈｃｐ−Ｒｕ層の(００２)面、ｈｃｐ−Ｃｏ合金磁性層の(００２)面の原子配置が同じであることから、それぞれの結晶がエピタキシャル成長するために結晶配向制御が可能となる。
【０００６】
このようにそれぞれの結晶がエピタキシャル成長しているため、Ｃｏ合金層の結晶粒径、結晶性は、下地層の結晶粒径、結晶性に依存する。特に最初の結晶成長層である下地層の特性が大きく影響する。
【０００７】
従って、Ｃｏ合金磁性層の結晶粒径を制御し、記録再生特性を向上させるためには、下地層の結晶粒径、結晶性等の特性を制御することが重要である。
【０００８】
なお、ｆｃｔ(Ｌ１０)構造を有する磁性層を記録層とする媒体において、磁性層の結晶粒径の制御として、下地層にＬ１２構造をとる合金を用い、さらに、磁性層と下地層の間に第２の下地層としてｆｃｃ構造をとる合金を用いる方法も知られている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−３２７００６号公報
【特許文献２】特開２００８−０３４０６０号公報
【特許文献３】特開２００１−１８９０１０号公報
【特許文献４】特開２００７−１８４０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した従来技術では、下地層の結晶粒径、結晶性等の特性が十分得られず、記録媒体の結晶配向性と結晶粒径の制御が不十分であった。そこで、下地層の特性（結晶粒径、結晶性等）の制御技術を向上して、Ｃｏ合金結晶配向性と結晶粒径を高精度に制御して垂直磁気記録媒体の記録再生特性向上に寄与することが重要な課題であった。
【００１１】
本発明は上述した従来技術にかかる問題点を解消し、課題を解決するためになされたものであり、記録層の下地の特性を向上することで記録層の結晶配向性と結晶粒径の制御精度を向上し、もって記録特性の向上と高密度化に寄与する磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本磁気記録媒体および磁気記憶装置は、非磁性材料で形成された基板上に、Ｌ１２型構造の合金で形成された第一結晶制御層、六方最密充填構造の合金もしくは面心立方構造の合金で形成された第二結晶制御層、ルテニウム、もしくはルテニウムを含む合金で形成された中間層、コバルト合金で形成された磁化容易軸方向が前記基板面に対して略垂直な記録層を順次積層する。
【発明の効果】
【００１３】
本磁気記録媒体および磁気記憶装置によれば、記録層の下地の特性を向上することで記録層の結晶配向性と結晶粒径の制御精度を向上し、もって記録特性の向上と高密度化に寄与する磁気記録媒体および磁気記憶装置を得ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本磁気記録媒体および磁気記憶装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例】
【００１５】
図１は、本実施例にかかる磁気記録媒体の概要構成について説明する概要構成図である。本実施例にかかる磁気記録媒体では、基板１とＣｏ合金磁性記録層９との間に第一結晶制御層、第二結晶制御層、中間層を設けることで、磁性記録層９の結晶配向性と結晶粒径を制御する。
【００１６】
第一結晶制御層４はｆｃｃ層が規則化したＬ１２型合金で形成する。第二結晶制御層５は、ｈｃｐ合金もしくはｆｃｃ合金で形成する。そして、中間層６は、Ｒｕ合金で形成する。
【００１７】
従来の垂直磁気記録媒体は、一般的に「Ｃｏ合金記録層／Ｒｕ合金中間層／下地層／軟磁性層／基板」という構成をとっていた。図１と比較すると、Ｒｕ合金中間層が中間層６に相当し、第二結晶制御層５と第一結晶制御層４とが下地層に対応する。なお、軟磁性層は裏打層であり、この裏打層については後述する。
【００１８】
下地層にはＴａ合金、Ｎｉ合金が広く用いられている。本実施例においては、Ｒｕ合金中間層（中間層６）の下で下地層を２層化し、下層（第一結晶制御層４）にＬ１２構造をとる合金を用いる事で、微細かつ均一な結晶膜を得る。
【００１９】
一般的に規則系合金（金属間化合物）は、結晶化エネルギーが高いため、大きな結晶に成長し難い特徴を持っている。最密構造をもつ規則系合金にはＬ１２以外にも、Ｄ０１９、Ｄ０２２、Ｄ０２３等があるが、合金の安定性、実現性等を考慮すると、Ｌ１２合金が好適である。Ｌ１２合金は単層でも下地膜として十分良好な特性を有するが、Ｒｕ合金との結晶的、物理化学的整合性がより好ましい上層下地層（第二結晶制御層５）を設ける事で、記録層の特性を更に改善することが可能となる。
【００２０】
次に、本発明の実施例に係る磁気記録媒体について、その製造工程を追いながら詳細に説明する。図２、図３は、本実施例に係る磁気記録媒体の製造途中の断面図である。この磁気記録媒体は、記録層における磁化の方向が基板面に対して垂直方向に向いた垂直磁気記録媒体である。
【００２１】
最初に、図２の断面図Ｓ１に示すように、表面の化学処理によって剛性が高められたガラス基板等の非磁性の基材１の上に、成膜圧力を約０．３〜０．８Ｐａとするスパッタ法によりＣｒ（クロム）層を厚さ約３ｎｍに形成してそれを第１シード層２とする。
【００２２】
なお、第１シード層２の成長レートは特に限定されないが、本実施形態では例えば５ｎｍ／ｓｅｃとする。この第１シード層２は、後の工程で積層される膜に基材１の表面状態を伝えないようにする役割を担うと共に、密着層としての機能も有する。第１シード層２を形成しなくても後の膜の結晶性に問題が無いならば、第１シード層２を省略してもよい。
【００２３】
また、基材１はガラス基板に限定されず、記録媒体がハードディスクのようなソリッドな媒体の場合には、プラスチック基板、ＮｉＰめっきアルミ合金基板、及びシリコン基板を基材１として採用してもよい。また、記録媒体が可撓性のテープ状である場合には、ＰＥＴ(Poly Ethylene Telephthalate)基材、ＰＥＮ(Ploy Ethylene Naphthalate)基材、ポリイミド基材等を基材１として使用してもよい。
【００２４】
次に、図２の断面図Ｓ２に示すように、成膜圧力を０．３〜０．８Ｐａ、成長レートを５ｎｍ／ｓｅｃとするスパッタ法により、第１シード層２の上に下側軟磁性裏打層３ａとして軟磁性のアモルファスＦｅＣｏＺｒＴａＣｒ層を厚さ約３０ｎｍに形成する。
【００２５】
なお、下側軟磁性裏打層３ａを構成する軟磁性のアモルファス材料はＦｅＣｏＺｒＴａＣｒに限定されず、ＦｅＣｏＣｒ合金にＺｒ,Ｔａ,Ｎｂ,Ｓｉ,Ｂ,Ｔｉ,Ｗ,Ｃの中から少なくとも１つ以上の元素を添加したアモルファス材料で下側軟磁性裏打層３ａを構成してもよい。
【００２６】
そして、この下側軟磁性裏打層３ａの上に、スパッタ法により極薄い非磁性層、例えば厚さ約０．４ｎｍ〜３ｎｍのＲｕ（ルテニウム）層を形成し、それを磁区制御層３ｂとする。なお、ルテニウム層に代えてＲｈ（ロジウム）層、Ｉｒ（イリジウム）層、銅層を磁区制御層３ｂとして形成してもよい。
【００２７】
更に、既述の下側軟磁性裏打層３ａと同じ成膜条件を採用するスパッタ法を用いて、上側軟磁性裏打層３ｃとして厚さ約３０ｎｍのアモルファスＦｅＣｏＺｒＴａ層を磁区制御層３ｂの上に形成する。既述の下側軟磁性裏打層３ａと同様のアモルファス材料で構成されれば良い。
【００２８】
ここまでの処理で、第１シード層２の上には、下側軟磁性裏打層３ａ、磁区制御層３ｂ、及び上側軟磁性裏打層３ｃをこの順に積層した裏打層３が形成されたことになる。このような構造の裏打層３では、磁区制御層３ｂを介して下側軟磁性裏打層３ａと上側軟磁性裏打層３ｃとが反強磁性結合をするため、各軟磁性層３ａ、３ｂの磁化Ｍ１は互いに反並行の状態で安定する。上側軟磁性層３ｃもしくは下側軟磁性層３ａの膜面内に隣り合う磁化が反対方向を向く場合に見られる「突合せ」が存在しても、そこから漏れる磁束は３ａ、３ｃの軟磁性層の磁化が反並行状態にあるため裏打層３内で還流する。その結果、磁壁を発生源とする磁束が裏打層３の上方に延び難くなるため、後述の磁気ヘッドがその磁束を拾わなくなり、上記の磁束に起因して読み取り時に発生するスパイクノイズを減少させることが可能となる。
【００２９】
なお、このようにスパイクノイズを減少させる構造としては、反強磁性体層の上に単層の軟磁性裏打層を形成する構造もある。この場合の反強磁性層は、例えばＩｒＭｎやＦｅＭｎ等で構成される。
【００３０】
次に、図２の断面図Ｓ３に示すように、上側軟磁性裏打層３ｃの上に、成膜圧力を０．３〜３．０Ｐａ、成長レートを２ｎｍ／ｓｅｃとするスパッタ法により、Ｎｉ３Ａｌ層を厚さ約２ｎｍに形成して下層下地層、すなわち第一結晶制御層４とする。
【００３１】
このようなＬ１２構造を持つ下層下地層はＮｉ３Ａｌの他に、Ａｌ３Ｔｉ、Ａｌ３Ｖ、Ｎｉ３Ｔｉ、Ｔｉ３Ａｌ、Ａｌ３Ｈｆ、Ｚｒ３Ａｌ等の合金で構成することもできる。
【００３２】
下層下地層、すなわち第一結晶制御層４の上に、成膜圧力を０．３〜３．０Ｐａ、成長レートを２ｎｍ／ｓｅｃとするスパッタ法により、Ｎｉ８８Ｃｒ６Ｗ６層を厚さ約５ｎｍに形成して上層下地層、すなわち第二結晶制御層５とする。
【００３３】
また、第二結晶制御層５をＮｉＦｅ等の軟磁性材料で構成すると、第二結晶制御層５が上側軟磁性裏打層３ｃの機能をも兼ねるようになるので、後述の磁気ヘッドから上側軟磁性裏打層３ｃまでの距離が見かけ上短くなり、磁気ヘッドによって磁気情報を感度良く拾うことができる。
【００３４】
次に、図２の断面図Ｓ４に示すように、成膜圧力を４〜１０Ｐａとするスパッタ法により、第二結晶制御層５の上に中間層６として機能する非磁性層であるＲｕ層を厚さ約１０ｎｍに形成する。Ｒｕ層の成長レートはなるべく低いのが好ましく、本実施形態では０．５ｎｍ／ｓｅｃとする。
【００３５】
中間層６を構成するＲｕ層の結晶構造はｈｃｐ(hexagonal close-packed)構造であるが、このｈｃｐ構造は第二結晶制御層５の結晶構造の一つであるｆｃｃ(face-centered cubic)構造と格子マッチングがよい。更に、第二結晶制御層５は、その下の第一結晶制御層４の上面の凹凸を吸収するようにも機能する。このような第二結晶制御層５の作用によって、配向が一方向に揃えられて良好な結晶性を有する中間層６が第二結晶制御層５上に成長する。
【００３６】
なお、中間層６としては、Ｒｕ層に代えてＣｏ、Ｃｒ、Ｗ（タングステン）、及びＲｅ（レニウム）のいずれかを混ぜたＲｕ合金により、ｈｃｐ構造の非磁性層を構成するようにしてもよい。
【００３７】
ここまでの工程により、基材１の上に、上記の各層２〜６を積層してなる下地層１２が形成されたことになる。
【００３８】
次に、図３の断面図Ｓ５に示した断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、Ｃｏ７０Ｃｒ１４Ｐｔ２０ターゲットとＳｉＯ２ターゲットとが設けられたスパッタチャンバ内に基材１を入れる。次いで、微量のＯ２、例えば流量比で０．２％〜２％のＯ２をＡｒガスに添加したガスをスパッタガスとしてチャンバ内に導入し、圧力を比較的高圧な約２〜７Ｐａに安定させると共に、基板温度を比較的低温な１０〜８０℃に保持する。
【００３９】
そして、このような状態で、上記のターゲットと基材１との間に、パワーが４００〜１０００Ｗの高周波電力を印加することにより、Ｃｏ６６Ｃｒ１４Ｐｔ２０とＳｉＯ２とのスパッタを開始する。この高周波電力の周波数は特に限定されず、例えば１３．５６ＭＨｚでよい。更に、そのような高周波電力に代えて、パワーが４００〜１０００Ｗ程度のＤＣ電力を用い、チャンバ内で放電を行ってもよい。
【００４０】
このようにスパッタ法において比較的高圧（約２〜７Ｐａ）且つ低温（約１０〜１５０℃）の成膜条件を採用すると、低圧且つ高温で成膜する場合と比較して疎な膜ができる。そのため、非磁性層である中間層６の上では、ターゲット材料のＣｏ６６Ｃｒ１４Ｐｔ２０とＳｉＯ２とが互いに混ざり合わず、酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりなる非磁性材料７ａ中にＣｏ６６Ｃｒ１４Ｐｔ２０の磁性粒子７ｂが分散されたグラニュラ構造の主記録層７が形成される。この主記録層７では、非磁性材料７ａの含有率が約５〜１５at％であるのが好ましく、本実施形態ではその含有率が７at％である(Ｃｏ６６Ｃｒ１４Ｐｔ２０)９３(ＳｉＯ２)７層を主記録層７として形成する。また、主記録層７の厚さは特に限定されないが、本実施形態では例えば１２ｎｍである。そして、主記録層７の成長レートを例えば５ｎｍ／ｓｅｃとする。
【００４１】
そして、主記録層７の下のｈｃｐ構造の非磁性層である中間層６は、膜面に対して垂直方向に磁性粒子７ｂの配向を揃えるように機能するため、磁性粒子７ｂは、非磁性層である中間層６と同じように垂直方向に延びたｈｃｐ構造の結晶構造となると共に、ｈｃｐ構造の六角柱の高さ方向が磁化容易軸になり、主記録層７が垂直磁気異方性を呈するようになる。
【００４２】
このようなグラニュラ構造の主記録層７では、それぞれの磁性粒子７ｂが磁化容易軸を揃えて孤立化しているため、主記録層７でのノイズを低減することが可能になる。
【００４３】
また、磁性粒子７ｂにおいて、Ｐｔ含有率を２５ａｔ％以上とすると、主記録層７の磁気異方性定数Ｋｕが低下するので、磁性粒子７ｂでのＰｔ含有率は２５ａｔ％未満とするのが好ましい。
【００４４】
更に、本実施例のように、スパッタガス中に流量比で０．２％〜２％程度の微量のＯ２を添加することにより、主記録層７における磁性粒子７ｂの孤立化が促進され、電磁変換特性を向上させることが可能になる。
【００４５】
なお、磁性粒子７ｂの孤立化、つまり各磁性粒子７ｂ同士の間隔の拡大は、主記録層７の下の中間層６の表面の凹凸を大きくすることによっても促進することができる。このように凹凸を大きくするには、中間層６を構成するＲｕ層を、既述のような０．５ｎｍ／ｓｅｃ程度の低成長レートで成長すればよい。
【００４６】
そして、本実施例では、非磁性材料７ａとして酸化シリコンを採用したが、酸化シリコン以外の酸化物を非磁性材料７ａとして用いてもよい。そのような酸化物としては、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ及びＺｒ（ジルコニウム）のいずれかの酸化物がある。更に、Ｓｉ（シリコン）、Ｔｉ、Ｃｒ、及びＺｒのいずれかの窒化物を非磁性材料７ａとしてもよい。
【００４７】
更に、磁性粒子７ｂとして、ＣｏとＦｅ（鉄）とを含むＣｏＦｅ合金で構成される粒子を採用してもよい。このＣｏＦｅ合金を使用する場合、主記録層７に対して熱処理を施し、磁性粒子７ｂの結晶構造をＨＣＴ(Honeycomb Chained Triangle)構造にするのが好ましい。また、そのＣｏＦｅ合金に銅又は銀を添加してもよい。
【００４８】
次に、Ａｒガスをスパッタガスとするスパッタ法により、ＣｏとＣｒとを含む合金層、例えばＣｏ６７Ｃｒ１９Ｐｔ１０Ｂ４層を主記録層７の上に厚さ約６ｎｍに形成し、それを書き込み補助層８とする。書き込み補助層８の成膜条件は特に限定されないが、本実施形態では、例えば成膜圧力０．３〜０．８Ｐａ、成長レート５ｎｍ／ｓｅｃを採用する。
【００４９】
書き込み補助層８を構成するＣｏ６７Ｃｒ１９Ｐｔ１０Ｂ４層は、その下の主記録層７中の磁性粒子７ｂと同じ結晶構造のｈｃｐ構造を有するため、磁性粒子７ｂと書き込み補助層８との格子マッチングは良好であり、結晶性の良い書き込み補助層８が主記録層７上に成長する。
【００５０】
その後に、図３の断面図Ｓ６に示すように、Ｃ２Ｈ２ガスを反応ガスとするＲＦ−ＣＶＤ(Radio Frequency-Chemical Vapor Deposition)法により、記録層９の上に保護層１０としてＤＬＣ(Diamond Like Carbon)層を厚さ約４ｎｍに形成する。この保護層１０の成膜条件は、例えば、成膜圧力約４Ｐａ、高周波電力のパワー１０００Ｗ、及び基材‐シャワーヘッド間のバイアス電圧２００Ｖである。以上により、本実施形態に係る磁気記録媒体１１の基本構造が完成する。
【００５１】
次に、本実施例に開示した磁気記録媒体の特性について図４を参照して説明する。図４は、第一結晶制御層４にＮｉ７５Ａｌ２５、第二結晶制御層５にＮｉ９２Ｗ８を用いた本媒体において、そのトータル膜厚を一定にした場合の保磁力Ｈｃ、飽和磁界Ｈｓの第一結晶制御層膜厚に対する依存性を示す。Ｈｃは下層下地層（ＮｉＡｌ）の膜厚に対して一定だが、Ｈｓは下層下地層が１〜２ｎｍで極小値を持つ事が分かる。
【００５２】
また、図５は、同媒体のライトコア幅とＶＭＭ特性の第一結晶制御層膜厚依存を示す図である。ライトコア幅は第一結晶制御層の膜厚増加に伴い、若干の低減傾向を示すが、ＶＭＭは下層下地層の膜厚が１〜２ｎｍで極小値をとり、この領域でリードライト特性に改善が見られる事が分かる。ＶＭＭ（Vitabi Metric Margin）は、簡易的なエラーレートであり、値が小さいほど良特性である。磁気ヘッド、評価条件等にも依存するが、凡そＶＭＭの０．１桁はＳ／Ｎ（Signal  to  Noise  ratio）の０．３ｄＢ程度に対応する。
【００５３】
図５において、第一結晶制御層を１〜２ｎｍとしたところでは、Ｈｓの低下も見られており、これはＮｉＡｌの第一結晶制御層を設ける事で、記録層磁性粒子が微細均一化していることを示唆している。
【００５４】
図６は、第一結晶制御層にＴｉ７５Ａｌ２５、第二結晶制御層にＮｉ９２Ｗ７Ｃｒ８を用いた磁気記録媒体において、そのトータル膜厚を一定にした場合のライトコア幅とＶＭＭ特性の第一結晶制御層膜厚依存を示す図である。ＶＭＭは下層下地層の膜厚が２ｎｍ付近で極小値をとり、この領域でリードライト特性に改善が見られる事が分かる。
【００５５】
図７は、第一結晶制御層と第二結晶制御層の様々な材料の実験結果を示す図である。図７では、各材料で第一，第二結晶制御層を形成した場合の保磁力Ｈｃ、反転磁界Ｈｎ、飽和磁界Ｈｓ、書き換え特性Ｏ／Ｗ、簡易エラーレートＶＭＭを示している。図７から、Ｎｉ７２Ａｌ２５と同じくＬ１２構造をとるＴｉ７５Ａｌ２５材料を第一結晶制御層に用いた媒体はＶＭＭの改善が見られるが、他の材料においては、ＶＭＭが改善されないことが分かる。
【００５６】
上述してきたように、本実施例に示した磁気記録媒体によれば、Ｃｏ磁性層の良好な配向性と被ライト性を備え、高いリードライト特性を得ることが出来る。従って、高記録密度に適した磁気記録媒体を提供することが可能であり、かかる磁気記録媒体を用いることで磁気記憶装置の記憶容量を向上することができる。このような大容量の記憶装置は、コンピュータ、ストレージシステム、ゲーム機、車載装置、録画機などに適用できる。
【００５７】
なお、本実施例はあくまで一例であり、本発明はその構成を適宜変形して実施することができる。例えば、第二結晶制御層としては、ｈｃｐもしくはｆｃｃの任意の素材を用いることができる。具体的には、本実施例ではＮｉ合金を使用する場合を例示して説明を行なったが、Ｃｏ合金で第二結晶制御層を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、本実施例にかかる磁気記録媒体の概要構成について説明する概要構成図である。
【図２】図２は、本実施例に係る磁気記録媒体の製造途中の断面図である。（その１）
【図３】図３は、本実施例に係る磁気記録媒体の製造途中の断面図である。（その２）
【図４】図４は、Ｎｉ７５Ａｌ２５第一結晶制御層とＮｉ９２Ｗ８第二結晶制御層のトータル膜厚を一定にした媒体における、Ｈｃ、Ｈｓの第一結晶制御層膜厚依存性を説明する説明図である。
【図５】図５は、図４に示した媒体のライトコア幅とＶＭＭ特性の第一結晶制御層膜厚依存を説明する説明図である。
【図６】図６は、Ｔｉ７５Ａｌ２５第一結晶制御層とＮｉ９２Ｗ７Ｃｒ８第二結晶制御層のトータル膜厚を一定にした媒体のライトコア幅とＶＭＭ特性の第一結晶制御層膜厚依存を説明する説明図である。
【図７】図７は、第一結晶制御層と第二結晶制御層の変更例について説明する説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１    基材
２    第１シード層
３    裏打層
３ａ  下側軟磁性裏打層
３ｂ  磁区制御層
３ｃ  上側軟磁性裏打層
４    第一結晶制御層
５    第二結晶制御層
６    中間層
７    主記録層
７ａ  非磁性材料
７ｂ  磁性粒子
８    書き込み補助層
９    記録層
１０    保護層
１１    磁気記録媒体
１２    下地層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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