(57)【要約】【課題】基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板Ｗの表面に膜が形成される前に、密着強化ユニットＡＨＬにより基板Ｗの密着強化処理が行われる。密着強化ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗが基板載置プレート９３１上に載置される。この状態で、基板Ｗの裏面は複数の球体ＰＵおよび環状部材９３５により支持される。基板Ｗの裏面の周縁部は環状部材９３５に当接する。基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間に隙間空間ＢＳが形成される。基板Ｗの表面に密着強化剤が供給される際には、第１の排気装置９９０により隙間空間ＢＳの内部の雰囲気が排気され、隙間空間ＢＳの外周部が環状部材９３５により閉塞される。密着強化処理後の基板Ｗの表面には膜が形成される。その後、基板Ｗの裏面が洗浄される。裏面が洗浄された基板Ｗは露光装置へ搬送される。【選択図】図５
2010219435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、前記露光装置による露光処理前に基板の表面に膜を形成する膜形成ユニットと、前記膜形成ユニットによる前記膜の形成前に基板の表面に密着強化処理を行う密着強化ユニットとを含み、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、前記膜形成ユニットによる前記膜の形成後で前記露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する第１の洗浄ユニットを含み、
前記密着強化ユニットは、
基板が載置される上面を有するとともに前記上面に開口する通路を有する基板載置台と、
基板の裏面と前記基板載置台の前記上面との間に隙間が形成されるように基板の裏面を支持する支持部材と、
前記基板載置台に載置された基板の表面に密着強化剤を供給する密着強化剤供給部と、
前記密着強化剤供給部により基板の表面に供給される密着強化剤が前記隙間に進入しないように、前記通路を通して前記隙間内の圧力を調整する圧力調整機構とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記支持部材は、基板の裏面の周縁部に当接することにより前記隙間の外周部を閉塞する環状部材を含み、
前記圧力調整機構は、前記基板載置台の前記通路を通して前記隙間内の雰囲気を排気することにより前記隙間内の圧力を調整する排気装置を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記環状部材の内側に分散的に配置されて基板の裏面を支持する複数の支持体を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記支持部材は、前記隙間の外周部の少なくとも一部が開放状態となるように基板の裏面を支持する複数の支持体を含み、
前記圧力調整機構は、前記基板載置台の前記通路を通して前記隙間内に不活性ガスを供給することにより前記隙間内の圧力を調整する不活性ガス供給装置を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記圧力調整機構は、前記基板載置台の前記上面に設けられる環状の流路形成部材をさらに備え、
前記流路形成部材は、前記基板載置台に載置された基板の外周端部に間隙をおいて対向する内周面を有することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の洗浄ユニットは、基板の裏面とともに基板の外周端部を洗浄することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の洗浄ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面上に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段により基板の表面上に処理液が供給された後に、基板の表面上に供給された処理液が基板の中心部から外方へ移動することにより基板の表面上から排除されるように不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、前記露光装置による露光処理後に基板の裏面を洗浄する第２の洗浄ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記膜形成ユニットは、
前記露光装置による露光処理前に基板の表面に前記感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
前記密着強化ユニットによる密着強化処理後かつ前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板の表面に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットとを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
露光装置に隣接するように配置され、密着強化ユニット、膜形成ユニットおよび洗浄ユニットを備えた基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、
前記露光装置による露光処理前に前記密着強化ユニットにより基板の表面に密着強化処理を行う工程と
前記密着強化ユニットによる密着強化処理後で前記露光装置による露光処理前に前記膜形成ユニットにより基板の表面に膜を形成する工程と、
前記膜形成ユニットによる膜の形成後で前記露光装置による露光処理前に前記洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄する工程と、
前記洗浄ユニットによる洗浄後の基板を前記露光装置に搬送する工程とを備え、
前記密着強化処理を行う工程は、
基板が載置される上面を有するとともに前記上面に開口する通路を有する基板載置台に、基板の裏面と前記基板載置台の前記上面との間に隙間が形成されるように基板を載置する工程と、
前記基板載置台に載置された基板の表面に密着強化剤を供給する工程と、
基板の表面に供給される密着強化剤が前記隙間に進入しないように、前記通路を通して前記隙間内の圧力を調整する工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レクチルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【特許文献３】特開２００７−２１４３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施される。この成膜処理の過程で、基板の裏面が汚染する場合がある。その場合、汚染物質により基板の裏面に凹凸が生じて、基板が不安定な状態となる。そのため、液体を用いない一般的な方法により露光処理を行うと、露光装置のレンズの焦点が基板上のレジスト膜の表面から外れるデフォーカスが発生することがある。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００９】
一方、上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いて基板の露光処理を行う場合においては、基板の裏面が汚染していると、基板の裏面に付着した汚染物質が露光装置内の液体に混入する。それにより、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【００１０】
そこで、特許文献３には、露光処理前の基板の裏面を洗浄する基板処理装置が開示されている。この基板処理装置によれば、露光処理前の基板の裏面が裏面洗浄ユニットにより洗浄されるので、露光処理前の基板の裏面に付着した汚染物質を取り除くことができる。
【００１１】
しかしながら、実際には、洗浄処理後の基板の裏面に液滴が残留する場合がある。この場合、洗浄処理後の基板が裏面洗浄ユニットから露光装置まで搬送される間に、外部雰囲気中のパーティクルが基板の裏面の液滴に付着する。そのため、基板の裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染が十分に防止できない場合がある。
【００１２】
本発明の目的は、基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光装置による露光処理前に基板の表面に膜を形成する膜形成ユニットと、膜形成ユニットによる膜の形成前に基板の表面に密着強化処理を行う密着強化ユニットとを含み、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、膜形成ユニットによる膜の形成後で露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する第１の洗浄ユニットを含み、密着強化ユニットは、基板が載置される上面を有するとともに上面に開口する通路を有する基板載置台と、基板の裏面と基板載置台の上面との間に隙間が形成されるように基板の裏面を支持する支持部材と、基板載置台に載置された基板の表面に密着強化剤を供給する密着強化剤供給部と、密着強化剤供給部により基板の表面に供給される密着強化剤が隙間に進入しないように、通路を通して隙間内の圧力を調整する圧力調整機構とを備えるものである。
【００１４】
この基板処理装置においては、処理部による処理後の基板が受け渡し部により受け取られ、露光装置に渡される。露光装置では、処理部による処理済の基板に露光処理が施される。露光処理後の基板は、受け渡し部により受け取られ、処理部に渡される。
【００１５】
処理部の密着強化ユニットにおいては、基板が基板載置台に載置されることにより基板の裏面が支持部材により支持され、基板の裏面と基板載置台の上面との間に隙間が形成される。
【００１６】
この状態で、密着強化剤供給部により基板の表面に密着強化剤が供給される。また、圧力調整機構により、基板載置台に形成された通路を通して基板の裏面と基板載置台の上面との間の隙間内の圧力が調整され、基板の表面に供給される密着強化剤がその隙間に進入することが防止される。これにより、基板の裏面が密着強化剤により親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【００１７】
密着強化ユニットによる密着強化処理後の基板の表面には、膜形成ユニットにより膜が形成される。その後、露光装置による露光処理前に基板の裏面が第１の洗浄ユニットにより洗浄される。
【００１８】
この場合、基板の裏面が疎水性を有さないので、基板の裏面の洗浄時に基板の裏面に微小な液滴が付着してもその液滴を容易に取り除くことができる。したがって、微小な液滴が基板の裏面に残留することが十分に低減される。
【００１９】
これにより、第１の洗浄ユニットによる洗浄後の基板が受け渡し部により露光装置へ搬送される間に、基板の裏面が汚染されることが防止される。その結果、基板の裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止され、基板の裏面の汚染に起因するパターン不良が防止される。
【００２０】
（２）支持部材は、基板の裏面の周縁部に当接することにより隙間の外周部を閉塞する環状部材を含み、圧力調整機構は、基板載置台の通路を通して隙間内の雰囲気を排気することにより隙間内の圧力を調整する排気装置を含んでもよい。
【００２１】
この場合、密着強化ユニットにおいては、基板が基板載置台に載置されることにより基板の裏面の周縁部が環状部材に当接し、基板の裏面と基板載置台の上面との間に隙間が形成されるとともに、隙間の外周部が閉塞される。
【００２２】
この状態で、排気装置により基板載置台の通路を通して隙間内の雰囲気が排気され、隙間内の圧力が基板の上側の空間に対して陰圧となるように調整される。これにより、基板の周縁部と環状部材とが密着し、隙間が密閉空間となる。その結果、基板の表面に供給される密着強化剤がその隙間に進入することが防止され、基板の裏面が親水性から疎水性に改質されることが確実に防止される。
【００２３】
（３）支持部材は、環状部材の内側に分散的に配置されて基板の裏面を支持する複数の支持体を含んでもよい。
【００２４】
この場合、基板が基板載置台に載置されることにより基板の裏面の周縁部を除く領域が複数の支持体により支持される。これにより、隙間内の圧力が基板の上側の空間に対して陰圧となった場合に基板の中央部が変形することが防止される。
【００２５】
（４）支持部材は、隙間の外周部の少なくとも一部が開放状態となるように基板の裏面を支持する複数の支持体を含み、圧力調整機構は、基板載置台の通路を通して隙間内に不活性ガスを供給することにより隙間内の圧力を調整する不活性ガス供給装置を備えてもよい。
【００２６】
この場合、密着強化ユニットにおいては、基板が基板載置台に載置された状態で、不活性ガス供給装置により基板載置台の通路を通して隙間内に不活性ガスが供給され、隙間内の圧力が基板の上側の空間に対して陽圧となるように調整される。これにより、隙間内に供給された不活性ガスが開放状態となっている外周部から外方に流出する。その結果、基板の表面に供給される密着強化剤がその隙間に進入することが防止され、基板の裏面が親水性から疎水性に改質されることが確実に防止される。
【００２７】
（５）圧力調整機構は、基板載置台の上面に設けられる環状の流路形成部材をさらに備え、流路形成部材は、基板載置台に載置された基板の外周端部に間隙をおいて対向する内周面を有してもよい。
【００２８】
この場合、不活性ガス供給装置により基板載置台の通路を通して隙間内に不活性ガスが供給されると、隙間内に供給された不活性ガスが基板の外周端部と流路形成部材の内周面との間から上方へ流出する。その結果、基板の表面に供給される密着強化剤が基板の外周端部と流路形成部材の内周面との間の空間、および基板の裏面と基板載置台の上面との間の隙間に進入することが防止され、基板の裏面および外周端部が親水性から疎水性に改質されることが確実に防止される。
【００２９】
この場合、基板の裏面の洗浄時に基板の裏面および外周端部に微小な液滴が付着してもその液滴を容易に取り除くことができる。したがって、微小な液滴が基板の裏面および外周端部に残留することが十分に低減される。
【００３０】
これにより、第１の洗浄ユニットによる洗浄後の基板が受け渡し部により露光装置へ搬送される間に、基板の裏面および外周端部が汚染されることが防止される。その結果、基板の裏面および外周端部の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止され、基板の裏面および外周端部の汚染に起因するパターン不良が防止される。
【００３１】
（６）第１の洗浄ユニットは、基板の裏面とともに基板の外周端部を洗浄してもよい。
【００３２】
この場合、第１の洗浄ユニットにおいては、基板の裏面とともに外周端部が洗浄される。これにより、露光処理前の基板の外周端部が清浄に保たれる。また、基板の外周端部が親水性から疎水性に改質されないので、基板の外周端部の洗浄時に基板の外周端部に微小な液滴が付着してもその液滴を容易に取り除くことができる。
【００３３】
（７）第１の洗浄ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板の表面上に処理液を供給する処理液供給手段と、処理液供給手段により基板の表面上に処理液が供給された後に、基板の表面上に供給された処理液が基板の中心部から外方へ移動することにより基板の表面上から排除されるように不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。
【００３４】
第１の洗浄ユニットにおいては、基板保持手段により基板が略水平に保持され、回転駆動手段により基板がその基板に垂直な軸の周りで回転される。また、処理液供給手段により基板の表面上に処理液が供給される。そして、不活性ガス供給手段により、基板の表面上に供給された処理液が基板の表面上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスが供給される。
【００３５】
これにより、基板の表面上の処理液を一体的に基板の外方へ移動させることができるので、基板の表面が疎水性を有する場合でも、基板の表面に微細な液滴が残留することが防止される。その結果、基板の表面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止され、基板の表面の汚染に起因するパターン不良が防止される。
【００３６】
（８）処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光装置による露光処理後に基板の裏面を洗浄する第２の洗浄ユニットをさらに含んでもよい。
【００３７】
この場合、処理部および受け渡し部の少なくとも一方において、露光装置による露光処理後に、第２の洗浄ユニットにより基板の裏面が洗浄される。
【００３８】
この場合においても、基板の裏面が疎水性を有さないので、基板の裏面の洗浄時に基板の裏面に微小な液滴が付着してもその液滴を容易に取り除くことができる。したがって、微小な液滴が基板の裏面に残留することが十分に低減される。
【００３９】
これにより、第２の洗浄ユニットによる洗浄後の基板が搬送される間に、基板の裏面が汚染されることが防止される。その結果、基板の裏面の汚染に起因する処理部内の汚染が防止される。
【００４０】
（９）膜形成ユニットは、露光装置による露光処理前に基板の表面に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、密着強化ユニットによる密着強化処理後かつ感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板の表面に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットとを含んでもよい。
【００４１】
この場合、密着強化ユニットによる密着強化処理後の基板の表面に、反射防止膜形成ユニットにより反射防止膜が形成される。これにより、基板の表面に対する反射防止膜の密着力が向上する。また、反射防止膜形成ユニットにより反射防止膜が形成された基板の表面に、感光性膜形成ユニットにより感光性膜が形成される。これにより、露光装置による露光処理時に発生する定在波およびハレーションが抑制される。
【００４２】
（１０）第２の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置され、密着強化ユニット、膜形成ユニットおよび洗浄ユニットを備えた基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、露光装置による露光処理前に密着強化ユニットにより基板の表面に密着強化処理を行う工程と密着強化ユニットによる密着強化処理後で露光装置による露光処理前に膜形成ユニットにより基板の表面に膜を形成する工程と、膜形成ユニットによる膜の形成後で露光装置による露光処理前に洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄する工程と、洗浄ユニットによる洗浄後の基板を露光装置に搬送する工程とを備え、密着強化処理を行う工程は、基板が載置される上面を有するとともに上面に開口する通路を有する基板載置台に、基板の裏面と基板載置台の上面との間に隙間が形成されるように基板を載置する工程と、基板載置台に載置された基板の表面に密着強化剤を供給する工程と、基板の表面に供給される密着強化剤が隙間に進入しないように、通路を通して隙間内の圧力を調整する工程とを備えるものである。
【００４３】
この基板処理方法においては、露光装置による露光処理前に密着強化ユニットにより基板の表面に密着強化処理が行われ、密着強化ユニットによる密着強化処理後で露光装置による露光処理前に膜形成ユニットにより基板の表面に膜が形成され、膜形成ユニットによる膜の形成後で露光装置による露光処理前に洗浄ユニットにより基板の裏面が洗浄される。洗浄ユニットによる洗浄後の基板は、露光装置に搬送され、露光装置により露光処理が施される。
【００４４】
密着強化処理を行う工程においては、基板が載置される上面を有するとともに上面に開口する通路を有する基板載置台に、基板の裏面と基板載置台の上面との間に隙間が形成されるように基板が載置される。
【００４５】
この状態で、密着強化剤供給部により基板の表面に密着強化剤が供給される。そして、基板載置台に形成された通路を通して基板の裏面と基板載置台の上面との間の隙間内の圧力が調整され、基板の表面に供給される密着強化剤がその隙間に進入することが防止される。これにより、基板の裏面が密着強化剤により親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【００４６】
これにより、基板の裏面が疎水性を有さないので、洗浄ユニットによる基板の裏面の洗浄時に基板の裏面に微小な液滴が付着してもその液滴を容易に取り除くことができる。したがって、微小な液滴が基板の裏面に残留することが十分に低減される。
【００４７】
それにより、洗浄ユニットによる洗浄後の基板が露光装置へ搬送される間に、基板の裏面が汚染されることが防止される。その結果、基板の裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止され、基板の裏面の汚染に起因するパターン不良が防止される。
【発明の効果】
【００４８】
本発明においては、基板の表面の密着強化処理時に、密着強化剤が基板の裏面に回り込むことが防止される。これにより、基板の裏面が密着強化剤により親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【００４９】
密着強化処理後の基板の表面には膜が形成される。その後、露光装置による露光処理前に基板の裏面が洗浄される。この場合、基板の裏面が疎水性を有さないので、基板の裏面の洗浄時に基板の裏面に微小な液滴が付着してもその液滴を容易に取り除くことができる。したがって、微小な液滴が基板の裏面に残留することが十分に低減される。
【００５０】
これにより、洗浄後の基板が露光装置へ搬送される間に、基板の裏面が汚染されることが防止される。その結果、基板の裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止され、基板の裏面の汚染に起因するパターン不良が防止される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の一方の側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の他方の側面図である。
【図４】インターフェースブロックを露光装置側から見た概略側面図である。
【図５】密着強化ユニットの一構成例を示す模式的断面図である。
【図６】（ａ）は図５の基板載置プレートの模式的縦断面図であり、（ｂ）は図５の基板載置プレートを上方から見た平面図である。
【図７】図５の密着強化ユニットによる基板の密着強化処理時の隙間空間の状態を示す模式図である。
【図８】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図および概略平面図である。
【図９】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図および概略平面図である。
【図１０】主として図８の流体供給管の構造を示す縦断面図である。
【図１１】（ａ）は図８の流体供給管の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管の先端部の平面図である。
【図１２】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図１３】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図１４】基板の表面洗浄処理および裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１５】基板のベベル洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
【図１６】図８の洗浄／乾燥処理ユニットによる基板表面の洗浄処理および乾燥処理の一例を示す図である。
【図１７】（ａ）は変形例に係る基板載置プレートの模式的縦断面図であり、（ｂ）は変形例に係る基板載置プレートを上方から見た平面図である。
【図１８】変形例の密着強化ユニットによる基板の密着強化処理時の隙間空間の状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００５３】
また、以下の説明では、回路パターン等の各種パターンが形成される基板の面を表面と称し、その反対側の面を裏面と称する。
【００５４】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００５５】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００５６】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５がこの順で並設されている。以下、各処理ブロック９〜１５について説明する。
【００５７】
インデクサブロック９は、各処理ブロック９〜１５の動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００５８】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００５９】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００６０】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３および載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰにも同様に設けられる。
【００６１】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００６２】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００６３】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００６４】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００６５】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００６６】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００６７】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００６８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００６９】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
【００７０】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００７１】
図２は図１の基板処理装置５００の一方の側面図であり、図３は図１の基板処理装置５００の他方の側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００７２】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００７３】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００７４】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００７５】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００７６】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００７７】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００７８】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００７９】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の密着強化ユニットＡＨＬ、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に密着強化ユニットＡＨＬ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００８０】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００８１】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００８２】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００８３】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００８４】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００８５】
図４は、インターフェースブロック１５を露光装置１６側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００８６】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００８７】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００８８】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００８９】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００９０】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。なお、本実施の形態において、未処理の基板Ｗは、その表面、裏面および外周端部が親水性を有する。
【００９１】
その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００９２】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００９３】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１の密着強化ユニットＡＨＬ（図３）では、基板Ｗの表面に密着強化剤が供給される（密着強化処理）。密着強化ユニットＡＨＬの詳細な構成および密着強化処理については後述する。
【００９５】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から密着強化処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００９６】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００９８】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００９９】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【０１００】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【０１０１】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。レジストカバー膜が形成されることにより、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジスト膜が液体と接触することが防止され、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
【０１０２】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【０１０３】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【０１０４】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【０１０５】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【０１０６】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【０１０７】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【０１０８】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【０１１０】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【０１１１】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【０１１２】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【０１１３】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【０１１４】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【０１１５】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【０１１６】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【０１１７】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを複数の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１１８】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【０１１９】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１２０】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１２１】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１２２】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１２３】
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１２４】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１２５】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１２６】
（３）密着強化ユニット
上述のように、図３の密着強化ユニットＡＨＬでは、基板Ｗの表面に密着強化処理が施される。これにより、基板Ｗの表面が親水性から疎水性に改質される。それにより、基板Ｗの表面と反射防止膜との密着性が向上する。以下、密着強化ユニットＡＨＬの構成および動作について詳細を説明する。
【０１２７】
（３−１）密着強化ユニットの構成
密着強化ユニットＡＨＬの構成について図面を用いて詳細に説明する。図５は密着強化ユニットＡＨＬの一構成例を示す模式的断面図である。
【０１２８】
図５に示すように、密着強化ユニットＡＨＬは、密着強化剤気化装置９１０および密着強化剤供給装置９２０を有する。密着強化剤気化装置９１０および密着強化剤供給装置９２０は、配管９１１を介して接続されている。配管９１１には、バルブ９１２が介挿されている。
【０１２９】
密着強化剤気化装置９１０は、貯留容器および加熱装置を備える。この貯留容器には、密着強化剤が貯留される。加熱装置は、貯留容器内に貯留された密着強化剤を加熱する。これにより、加熱装置により加熱された密着強化剤が気化される。
【０１３０】
本実施の形態において、密着強化剤としては、基板Ｗの表面を疎水化処理する疎水性材料が用いられる。このような疎水性材料として、例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）または低分子材料等を用いることができる。
【０１３１】
密着強化剤供給装置９２０は処理室９２１を有する。処理室９２１の一側面には、基板Ｗの搬入および搬出を行うための搬入搬出口９２２が形成されている。処理室９２１の一側面の内側には、搬入搬出口９２２を開閉するためのシャッター９２３が設けられている。シャッター９２３は、シャッター駆動機構９２４により上下方向に昇降し、搬入搬出口９２２を開閉する。
【０１３２】
処理室９２１内の略中央に基板載置機構９３０が設けられている。基板載置機構９３０は、複数の支持柱９３１ｃにより支持された基板載置プレート９３１を備える。基板載置プレート９３１は、上面に載置された基板Ｗを所定の温度に加熱する。なお、基板載置プレート９３１には、表面が上側を向くように基板Ｗが載置される。
【０１３３】
基板載置プレート９３１を鉛直方向に貫通するように複数の昇降ピンＰＩが設けられている。複数の昇降ピンＰＩはピン支持部材９３２により直立姿勢で支持され、ピン支持部材９３２はピン駆動装置９３４により昇降可能に保持されている。
【０１３４】
基板載置プレート９３１には、鉛直方向に貫通する複数の貫通孔９３１ａが形成されている。これらの貫通孔９３１ａに配管９９１の一端が接続されている。配管９９１の他端は、第１の排気装置９９０に接続されている。
【０１３５】
処理室９２１の天井面には、筒状の支持部材９４０が昇降可能に設けられている。支持部材９４０の上端には配管９１１が接続され、支持部材９４０の下端には蓋体９４１が設けられている。蓋体９４１の内部空間は支持部材９４０の内部空間に連通している。これにより、配管９１１に介挿されたバルブ９１２が開状態である場合には、蓋体９４１の内部空間が、支持部材９４０および配管９１１を通して密着強化剤気化装置９１０の貯留容器に連通する。
【０１３６】
蓋体９４１の内部には、全面に複数の細孔を有する整流板９４２が取り付けられている。整流板９４２は、基板載置プレート９３１上に載置された基板Ｗに対向するように配置される。
【０１３７】
処理室９２１の底面には、排気口９２９が形成されている。この排気口９２９に配管９８１の一端が接続されている。配管９８１の他端は、第２の排気装置９８０に接続されている。第２の排気装置９８０が動作することにより、処理室９２１内の雰囲気が排気される。
【０１３８】
ここで、基板載置プレート９３１およびその周辺部材の構造について詳細を説明する。図６（ａ）は図５の基板載置プレート９３１の模式的縦断面図であり、図６（ｂ）は図５の基板載置プレート９３１を上方から見た平面図である。
【０１３９】
図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、基板載置プレート９３１の上面の周縁部を除く領域には、複数（本例では１０個）の球体ＰＵが分散的に配置されている。より具体的には、複数の球体ＰＵは、基板載置プレート９３１の上面に形成された複数の凹部に嵌め込まれている。
【０１４０】
また、基板載置プレート９３１には、鉛直方向に貫通する複数（本例では３つ）の貫通孔９３１ａと鉛直方向に貫通する複数（本例では３つ）のピン孔９３１ｂとが形成されている。
【０１４１】
基板載置プレート９３１の上面の周縁部に環状部材９３５が取り付けられている。さらに、環状部材９３５の上面に、台形状の縦断面を有する円環状の規制片９３６が取り付けられている。
【０１４２】
環状部材９３５および規制片９３６の外径は、ともに基板載置プレート９３１の外径に等しい。一方、環状部材９３５の内径は、規制片９３６の内径よりも小さい。これにより、図６（ｂ）に示すように、環状部材９３５の上面の内側の領域が露出する。
【０１４３】
環状部材９３５の厚みは、基板載置プレート９３１の上面を基準とした場合の複数の球体ＰＵの高さ（微小高さｍｔ）にほぼ等しい。これにより、基板載置プレート９３１上に基板Ｗが載置される際には、基板Ｗの裏面の周縁部が全周に渡って環状部材９３５の上面における露出する領域に当接する。また、基板Ｗの裏面の周縁部を除く領域が、複数の球体ＰＵに当接する。それにより、基板Ｗの裏面が環状部材９３５および複数の球体ＰＵにより支持される。この状態で、基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間には、微小高さｍｔ分の隙間空間ＢＳが形成される。
【０１４４】
上述のように、基板載置プレート９３１の複数の貫通孔９３１ａには、配管９９１を介して第１の排気装置９９０が接続されている。本実施の形態において、密着強化ユニットＡＨＬによる基板Ｗの密着強化処理時には第１の排気装置９９０により、隙間空間ＢＳの雰囲気が外部に排気される。
【０１４５】
図７は、図５の密着強化ユニットＡＨＬによる基板Ｗの密着強化処理時の隙間空間ＢＳの状態を示す模式図である。図７に一点鎖線の矢印で示すように、密着強化処理時には、隙間空間ＢＳの雰囲気が貫通孔９３１ａおよび配管９９１を通して第１の排気装置９９０により排気される。これにより、隙間空間ＢＳの圧力が基板Ｗの上側の空間に対して陰圧となるように調整され、環状部材９３５の上面に接触する基板Ｗの裏面の周縁部が環状部材９３５に密着する。
【０１４６】
本実施の形態において、上記の環状部材９３５および規制片９３６の材料としては、例えば耐熱性および弾性を有するポリイミド樹脂または四フッ化エチレン樹脂等を用いることができる。
【０１４７】
（３−２）密着強化ユニットの動作
上記構成を有する密着強化ユニットＡＨＬの動作について図５〜図７を参照しつつ説明する。なお、以下に説明する密着強化ユニットＡＨＬの各構成要素の動作は、図１のメインコントローラ３０または図３の反射防止膜用熱処理部１００，１０１に設けられるローカルコントローラＬＣにより制御される。
【０１４８】
初めに、基板Ｗが密着強化ユニットＡＨＬに搬入される際には、図５の支持部材９４０および蓋体９４１が上昇するとともに、ピン駆動装置９３４がピン支持部材９３２を上昇させる。これにより、複数の昇降ピンＰＩの上端部が基板載置プレート９３１の上面から上方に突出する。また、図５のシャッター駆動機構９２４によりシャッター９２３が下降し、搬入搬出口９２２が開かれる。
【０１４９】
この状態で、図１の第１のセンターロボットＣＲ１により処理室９２１内に基板Ｗが搬入される。第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により保持された基板は、複数の昇降ピンＰＩ上に載置される。
【０１５０】
次に、ピン駆動装置９３４がピン支持部材９３２を下降させる。これにより、複数の昇降ピンＰＩが下降し、複数の昇降ピンＰＩの上端部が基板載置プレート９３１の内部に収容される。それにより、基板Ｗが基板載置プレート９３１上に載置される。このとき、基板Ｗの外周端部が規制片９３６の内側の側面に沿って下降する。これにより、基板載置プレート９３１上で基板Ｗの位置合わせが行われる。また、ハンドＣＲＨ１が処理室９２１内から退出すると、シャッター９２３が上昇し、搬入搬出口９２２が閉じられる。
【０１５１】
続いて、基板載置プレート９３１上に基板Ｗが載置された状態で、図５〜図７の第１の排気装置９９０が基板Ｗと基板載置プレート９３１との間の隙間空間ＢＳの雰囲気を排気する。これにより、隙間空間ＢＳの圧力が基板Ｗの上側の空間の圧力に比べて陰圧となるように調整される。また、支持部材９４０および蓋体９４１が下降する。この状態で、基板載置プレート９３１上の基板Ｗが所定の温度に加熱される。
【０１５２】
次に、図５の配管９１１に介挿されたバルブ９１２が開かれる。それにより、図５の密着強化剤気化装置９１０により気化された密着強化剤が密着強化剤供給装置９２０の支持部材９４０に送られる。そして、蓋体９４１に設けられた整流板９４２の複数の細孔を通して基板Ｗの表面に密着強化剤が供給され、基板Ｗの表面に疎水化処理が施される（密着強化処理）。また、密着強化処理時には、図５の第２の排気装置９８０が動作する。これにより、蓋体９４１から供給された密着強化剤が、排気口９２９および配管９８１を通して外部に排気される。
【０１５３】
密着強化処理の終了時には、バルブ９１２が閉じられるとともに、支持部材９４０および蓋体９４１が上昇する。そして、第１の排気装置９９０の動作が停止する。
【０１５４】
続いて、ピン駆動装置９３４がピン支持部材９３２を上昇させる。これにより、複数の昇降ピンＰＩにより密着強化処理済の基板Ｗが持ち上げられる。また、シャッター駆動機構９２４によりシャッター９２３が下降し、処理室９２１の搬入搬出口９２２が開かれる。その後、図１の第１のセンターロボットＣＲ１により基板Ｗが密着強化ユニットＡＨＬから搬出される。
【０１５５】
上記の密着強化ユニットＡＨＬにおいて、基板Ｗに密着強化処理が施される際には、基板Ｗの裏面が複数の球体ＰＵにより支持されるとともに、基板Ｗの裏面の周縁部が環状部材９３５により支持される。そして、基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間の隙間空間ＢＳの雰囲気が第１の排気装置９９０により排気される。これにより、隙間空間ＢＳの圧力が基板Ｗの上側の空間に対して陰圧となるように調整され、環状部材９３５の上面に基板Ｗの裏面の周縁部が密着する。
【０１５６】
それにより、蓋体９４１から基板Ｗに密着強化剤が供給される際に、密着強化剤が基板Ｗの裏面側に回り込むことが防止される。その結果、基板Ｗの裏面が親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【０１５７】
（４）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１について図面を用いて詳細に説明する。図８および図９は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図９には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の一部の構成要素が模式的に示される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。
【０１５８】
なお、本実施の形態において、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、図示しない筐体を備え、その筐体の内部に以下の構成要素が設けられる。
【０１５９】
図８および図９に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック６００を備える。スピンチャック６００は、スピンモータ２００、回転軸２１０、円板状のスピンプレート５２０、プレート支持部材５１０、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数のチャックピン６１５を含む。
【０１６０】
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の上部にスピンモータ２００が設けられている。スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓによって支持されている。モータ支持部材２００ｓは、鉛直方向に延びる貫通孔２００ｈを有し、モータ固定部２９０に取り付けられている。モータ固定部２９０は、図示しない洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の筐体に取り付けられている。
【０１６１】
スピンモータ２００の内部から下方に延びるように円筒形状を有する回転軸２１０が設けられている。回転軸２１０はスピンモータ２００の出力軸として機能し、約２０ｍｍの内径を有する。
【０１６２】
回転軸２１０の下端部にはプレート支持部材５１０が取り付けられている。後述するように、プレート支持部材５１０は円筒形状を有する。プレート支持部材５１０によりスピンプレート５２０が水平に支持されている。スピンモータ２００によって回転軸２１０が回転することにより、プレート支持部材５１０とともにスピンプレート５２０が鉛直軸の周りで回転する。
【０１６３】
モータ支持部材２００ｓの貫通孔２００ｈ、スピンモータ２００の回転軸２１０の内部、およびプレート支持部材５１０の内部には、流体供給管４００が挿通されている。流体供給管４００を通して、スピンチャック６００により保持される基板Ｗ上に洗浄液および気体を供給することができる。流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細は後述する。
【０１６４】
スピンプレート５２０の周縁部には、複数（本例では５つ）のチャックピン６１５が回転軸２１０に関して等角度間隔で設けられている。チャックピン６１５の個数は、５つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。
【０１６５】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａ、ピン支持部６１５ｂ、保持部６１５ｃおよびマグネット６１６を含む。スピンプレート５２０を貫通するように軸部６１５ａが設けられ、軸部６１５ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部６１５ｂが接続されている。ピン支持部６１５ｂの先端部から下方に突出するように保持部６１５ｃが設けられている。また、スピンプレート５２０の上面側において、軸部６１５ａの上端部にマグネット６１６が取り付けられている。
【０１６６】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット６１６のＮ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネット６１６のＳ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が開状態となる。
【０１６７】
スピンプレート５２０の上方には、回転軸２１０を中心とする周方向に沿ってマグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが配置される。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、マグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂによってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン６１５のマグネット６１６よりも高い上方位置とチャックピン６１５のマグネット６１６とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
【０１６８】
マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの昇降により、各チャックピン６１５が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびチャックピン６１５の動作の詳細については後述する。
【０１６９】
スピンチャック６００の外方には、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード６１８が設けられている。ガード６１８は、スピンチャック６００の回転軸２１０に関して回転対称な形状を有する。また、ガード６１８は、ガード昇降機構６１８ａにより昇降する。ガード６１８により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
【０１７０】
ガード６１８の外方には、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構６２０がスピンチャック６００の回転軸２１０を中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構６２０は、昇降回転駆動部６２１、回転軸６２２、アーム６２３および保持ピン６２４を含む。昇降回転駆動部６２１から上方に延びるように回転軸６２２が設けられ、回転軸６２２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６２３が連結されている。アーム６２３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン６２４が設けられている。
【０１７１】
昇降回転駆動部６２１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン６２４が水平方向および上下方向に移動する。
【０１７２】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の下部には、スピンチャック６００により保持される基板Ｗの外周端部および裏面を洗浄するための洗浄ブラシ６３０が設けられている。洗浄ブラシ６３０は略円柱形状を有し、外周面には断面Ｖ字状の溝６３５が形成されている。洗浄ブラシ６３０はブラシ保持部材６３１により保持されている。ブラシ保持部材６３１がブラシ移動機構６３２によって駆動されことにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および鉛直方向に移動する。
【０１７３】
洗浄ブラシ６３０の近傍におけるブラシ保持部材６３１の部分には洗浄ノズル６３３が取り付けられている。洗浄ノズル６３３には洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続されている。洗浄ノズル６３３の吐出口は洗浄ブラシ６３０周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ６３０周辺に向けて洗浄液が吐出される。なお、本例では洗浄水として例えば純水が用いられる。
【０１７４】
（５）流体供給管の詳細
図８の流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細を図１０および図１１を参照しつつ説明する。図１０は主として図８の流体供給管４００の構造を示す縦断面図である。図１１（ａ）は図８の流体供給管４００の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管４００の先端部の平面図である。
【０１７５】
上述のように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓ、スピンモータ２００、回転軸２１０およびプレート支持部材５１０に挿通されている。
【０１７６】
図１０に示すように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓの上方で湾曲し、水平方向に延びている。以下の説明において、鉛直方向に延びる直管部の端部を先端部と呼び、水平方向に延びる直管部の端部を後端部と呼ぶ。
【０１７７】
流体供給管４００において、鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第１フランジＦＲ１が一体形成されている。また、後端部には第２フランジＦＲ２が一体形成されている。
【０１７８】
第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定され、第２フランジＦＲ２が管固定部２８０に固定される。管固定部２８０は、図示しない洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の筐体に取り付けられる。
【０１７９】
これにより、流体供給管４００は、管固定部２８０、モータ支持部材２００ｓおよびモータ固定部２９０により、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の筐体に固定される。
【０１８０】
上述のように、スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓにより支持されている。これにより、流体供給管４００がモータ支持部材２００ｓに取り付けられることにより、スピンモータ２００が動作する場合でも、流体供給管４００とスピンモータ２００との位置関係が保たれる。したがって、流体供給管４００に位置ずれが発生することが防止される。
【０１８１】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、流体供給管４００は、ガイド管４１０の内部に１本の気体供給管４２０および複数本（本例では６本）の洗浄液供給管４３０が収容された構造を有する。気体供給管４２０は基板Ｗに気体（本例ではＮ２ガス）を供給するために用いられる。洗浄液供給管４３０は基板Ｗに洗浄液（本例では純水）を供給するために用いられる。
【０１８２】
本実施の形態において、ガイド管４１０はステンレス鋼からなり、約１８ｍｍの外径を有する。気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０はＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）およびＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）等のフッ素樹脂からなり、それぞれ約６ｍｍおよび約５ｍｍの外径を有する。
【０１８３】
ガイド管４１０の内部において、１本の気体供給管４２０は、６本の洗浄液供給管４３０に取り囲まれた状態で、その軸心がガイド管４１０の軸心に沿うように配置される。ここで、ガイド管４１０の内径は、気体供給管４２０の外径と洗浄液供給管４３０の外径を２倍した値との合計にほぼ等しい。この場合、複数の洗浄液供給管４３０は、それぞれ気体供給管４２０の外周面およびガイド管４１０の内周面に当接する。
【０１８４】
この場合、流体供給管４００の製造時に、１本の気体供給管４２０および６本の洗浄液供給管４３０をガイド管４１０に挿入することにより、ガイド管４１０内部の中心部に気体供給管４２０が容易かつ正確に位置決めされる。
【０１８５】
図１１（ａ）に示すように、洗浄液供給管４３０および気体供給管４２０の先端部は、ガイド管４１０の先端部から突出している。これにより、例えば洗浄液供給管４３０から基板Ｗに洗浄液が供給される際に、洗浄液供給管４３０から吐出された洗浄液がガイド管４１０に付着することが防止される。それにより、金属製のガイド管４１０に付着した洗浄液が基板Ｗの表面に落下して基板Ｗに金属汚染（メタルコンタミネーション）が発生することが防止される。
【０１８６】
流体供給管４００の先端部の周辺部材について説明する。上述のように、本例では、回転軸２１０は約２０ｍｍの内径を有し、ガイド管４１０は約１８ｍｍの外径を有する。これにより、流体供給管４００が図１０のモータ支持部材２００ｓおよび管固定部２８０に取り付けられた状態で、回転軸２１０とガイド管４１０との間に約１ｍｍのギャップＧＡが形成される。
【０１８７】
流体供給管４００の先端部近傍において、回転軸２１０には、略円筒形状を有するプレート支持部材５１０が取り付けられている。プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈは、軸心に沿って階段状に形成されている。
【０１８８】
プレート支持部材５１０を回転軸２１０に取り付ける際には、プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈと回転軸２１０の外周面との間の隙間に円筒形状のパッド固定片５１２を嵌め込み、パッド固定片５１２をプレート支持部材５１０のねじ受け部５１１にネジ止めする。これにより、プレート支持部材５１０が回転軸２１０の先端部に確実に固定される。
【０１８９】
プレート支持部材５１０の下端部近傍には、フランジ５１０Ｆが形成されている。フランジ５１０Ｆとスピンプレート５２０とがネジ止めされることにより、スピンプレート５２０が回転軸２１０に固定される。
【０１９０】
図１０に戻り、流体供給管４００の後端部には、上述のように第２フランジＦＲ２が形成されている。そして、第２フランジＦＲ２は管固定部２８０に固定される。
【０１９１】
ここで、流体供給管４００の後端部近傍には、１本の気体供給管４２０および６本の洗浄液供給管４３０を互いに固定するとともにガイド管４１０に固定する供給管固定部４９０が設けられる。
【０１９２】
供給管固定部４９０においては、例えば気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０が互いに融着加工または接着剤により固定される。また、気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０は粘着シート等を用いてガイド管４１０に固定される。
【０１９３】
供給管固定部４９０によりガイド管４１０、気体供給管４２０および洗浄液供給管４３０の位置関係が固定される。これにより、流体供給管４００の先端部近傍における各供給管４３０，４２０の位置精度が向上する。
【０１９４】
ガイド管４１０内部に挿入される１本の気体供給管４２０および６本の洗浄液供給管４３０は、それぞれガイド管４１０の後端部から外部に延びている。ガイド管４１０の後端部から延びる気体供給管４２０の後端部は、図示しない気体供給装置に接続される。また、ガイド管４１０の後端部から延びる洗浄液供給管４３０の後端部は、図示しない洗浄液供給装置に接続される。
【０１９５】
気体供給装置から気体供給管４２０にＮ２ガスが供給されることにより、基板ＷにＮ２ガスが供給される。また、洗浄液供給装置から洗浄液供給管４３０に純水が供給されることにより、基板Ｗに純水が供給される。
【０１９６】
（６）基板の保持動作
スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作について説明する。図１２および図１３は、スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
【０１９７】
まず、図１２（ａ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構６２０（図８）の保持ピン６２４がガード６１８の上方を通ってスピンプレート５２０の下方に移動する。複数の保持ピン６２４上に第６のセンターロボットＣＲ６（図１）により基板Ｗが載置される。
【０１９８】
このとき、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの磁力線Ｂは、チャックピン６１５のマグネット６１６の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン６１５は開状態となる。
【０１９９】
続いて、図１２（ｂ）に示すように、複数の保持ピン６２４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃの間に移動する。
【０２００】
続いて、図１３（ｃ）に示すように、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン６１５が閉状態となり、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。なお、各チャックピン６１５は、隣接する保持ピン６２４間で基板Ｗの外周端部を保持する。そのため、チャックピン６１５と保持ピン６２４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン６２４がガード６１８の外方に移動する。
【０２０１】
続いて、図１３（ｄ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理が順に行われる。
【０２０２】
（７）洗浄処理および乾燥処理
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に基板Ｗが搬送される際には、基板Ｗの表面が上側を向いている。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、表面が上側を向いた状態の基板Ｗに対して洗浄処理および乾燥処理が施される。
【０２０３】
具体的には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、洗浄処理として基板Ｗの表面（上面）を洗浄する表面洗浄処理、基板の裏面（下面）を洗浄する裏面洗浄処理、および基板Ｗの外周端部（ベベル部）を洗浄するベベル洗浄処理が行われ、その後、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０２０４】
図１４は基板Ｗの表面洗浄処理および裏面洗浄処理について説明するための側面図であり、図１５は基板Ｗのベベル洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
【０２０５】
基板Ｗの表面洗浄処理時には、図１４（ａ）に示すように、スピンチャック６００により基板Ｗが回転する状態で、流体供給管４００を通して基板Ｗの表面に純水ＤＩＷが供給される。純水ＤＩＷは遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面に付着する塵埃等が洗い流される。また、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が純水ＤＩＷ中に溶出し、洗い流される。
【０２０６】
基板Ｗの裏面洗浄処理時には、図１４（ｂ）に示すように、スピンチャック６００により基板Ｗが回転する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下方に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の上面と基板Ｗの裏面とが接触する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【０２０７】
基板Ｗのベベル洗浄処理時には、図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。その状態で、スピンチャック６００により基板Ｗが回転する。
【０２０８】
この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１（図１５（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２（図１５（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０２０９】
本例では、５つのチャックピン６１５のうちの少なくとも４つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、少なくとも４つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
【０２１０】
その状態で、洗浄ブラシ６３０が、外方領域Ｒ２においてチャックピン６１５の保持部６１５ｃと基板Ｗの外周端部との間に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の溝６３５が、基板Ｗの外周端部に押し当てられる。洗浄ブラシ６３０と基板Ｗとの接触部分には、洗浄ノズル６３３（図８）から純水が供給される。これにより、基板Ｗの外周端部の全体が洗浄され、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物が取り除かれる。
【０２１１】
なお、ベベル洗浄処理時に図８の洗浄液供給管４３０を通して基板Ｗの表面に純水を供給してもよい。その場合、ベベル洗浄処理と表面洗浄処理とを同時に行うことができる。また、基板Ｗの裏面を洗浄する裏面洗浄ブラシを洗浄ブラシ６３０と別個に設け、ベベル洗浄処理時に裏面洗浄ブラシを基板Ｗの裏面に接触させてもよい。その場合、ベベル洗浄処理と裏面洗浄処理とを同時に行うことができる。あるいは、ベベル洗浄処理、表面洗浄処理および裏面洗浄処理を同時に行ってもよい。
【０２１２】
上記の表面洗浄処理、裏面洗浄処理およびベベル洗浄処理の後には、基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６００により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する純水が振り切られ、基板Ｗが乾燥する（振り切り乾燥）。
【０２１３】
ここで、上述のように、図８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、流体供給管４００から基板Ｗの表面に純水を供給することが可能であるとともに、Ｎ２ガスを供給することが可能である。
【０２１４】
そこで、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、以下のように基板Ｗの表面の洗浄処理および乾燥処理を行ってもよい。
【０２１５】
図１６は、図８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１による基板Ｗ表面の洗浄処理および乾燥処理の一例を示す図である。
【０２１６】
ここで、本例では、図１０の洗浄液供給管４３０が、薬液およびリンス液を供給可能な図示しない洗浄液供給装置に接続されているものとする。なお、本例において薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、過酸化水素水もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。また、リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。
【０２１７】
図１４（ａ）の例で説明したように、初めにスピンチャック６００により基板Ｗが回転する状態で、流体供給管４００を通して基板Ｗの表面に薬液を供給する。この場合、薬液は遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面全体が薬液により洗い流される。
【０２１８】
所定時間経過後、基板Ｗへの薬液の供給を停止し、流体供給管４００から基板Ｗにリンス液を供給する。これにより、基板Ｗ上の薬液が洗い流される。
【０２１９】
その後、基板Ｗの回転速度を低下させる。これにより、基板Ｗの回転により振り切られるリンス液の量が減少し、図１６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液ＲＩＮの液層Ｌが形成される。なお、基板Ｗの回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
【０２２０】
その後、図１６（ｂ）に示すように、流体供給管４００からＮ２ガスを吐出させる。これにより、図１６（ｃ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液ＲＩＮが基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
【０２２１】
次に、基板Ｗの回転数を上昇させることにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用する。それにより、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。
【０２２２】
（８）効果
（８−１）
基板Ｗの裏面洗浄処理時に基板Ｗの裏面に微小な液滴が付着すると、遠心力を利用した振り切り乾燥を行っても、付着した液滴を振り切ることができない場合がある。微小な液滴にはその質量に応じた小さな遠心力しか働かないためである。この現象は、特に基板Ｗの裏面が疎水性である場合に発生しやすい。したがって、基板Ｗの裏面を洗浄する場合、基板Ｗの裏面は親水性を有することが好ましい。
【０２２３】
そこで、図５の密着強化ユニットＡＨＬにおいては、蓋体９４１から基板Ｗに密着強化剤が供給される際に、密着強化剤が基板Ｗの裏面側に回り込むことが防止される。これにより、基板Ｗの裏面が親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【０２２４】
そのため、図８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの裏面洗浄処理時に基板Ｗの裏面に微小な液滴が付着しても、振り切り乾燥時に微小な液滴が基板Ｗの裏面に残留することが十分に低減される。
【０２２５】
これにより、洗浄処理後の基板Ｗが洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から露光装置１６に搬送される間に、基板Ｗの裏面が外部雰囲気中のパーティクルにより汚染されることが防止される。その結果、基板Ｗの裏面の汚染に起因する露光装置１６内の汚染が防止され、基板Ｗの裏面の汚染に起因するパターン不良が防止される。
【０２２６】
（８−２）
図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示したように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗの回転を停止させて基板Ｗの表面全体にリンス液ＲＩＮの液層Ｌを形成した後、基板Ｗの中央部に流体供給管４００からＮ２ガスを吐出しつつ基板Ｗの回転速度を上昇させることにより基板Ｗの表面の乾燥処理を行うことが可能である。
【０２２７】
この場合、基板Ｗの表面に形成された液層Ｌを一体的に基板Ｗの外方へ移動させることができるので、基板Ｗの表面が疎水性を有する場合でも、基板Ｗの表面に微細な液滴が残留することが防止される。その結果、基板Ｗの表面の汚染に起因する露光装置１６内の汚染が防止され、基板Ｗの表面の汚染に起因するパターン不良が防止される。
【０２２８】
（８−３）
上記のように、図５の密着強化ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗの裏面が親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【０２２９】
これにより、露光装置１６による露光処理後の基板Ｗに洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２により裏面洗浄処理が行われる場合でも、振り切り乾燥時に微小な液滴が基板Ｗの裏面に残留することが十分に低減される。
【０２３０】
それにより、洗浄処理後の基板Ｗが洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から図１の現像処理ブロック１２に搬送される間に、基板Ｗの裏面が外部雰囲気中のパーティクルにより汚染されることが防止される。その結果、基板Ｗの裏面の汚染に起因する現像不良が防止される。
【０２３１】
（９）変形例
（９−１）
上記の実施の形態において、密着強化ユニットＡＨＬは、図５〜図７の構成に代えて以下の構成を有してもよい。以下、変形例に係る密着強化ユニットＡＨＬの構成について、図５〜図７の密着強化ユニットＡＨＬと異なる点を説明する。
【０２３２】
本例の密着強化ユニットＡＨＬにおいても、基板載置プレート９３１は、図５の処理室９２１内に収容される。
【０２３３】
基板載置プレート９３１およびその周辺部材の構造について詳細を説明する。図１７（ａ）は変形例に係る基板載置プレート９３１の模式的縦断面図であり、図１７（ｂ）は変形例に係る基板載置プレート９３１を上方から見た平面図である。
【０２３４】
図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示すように、基板載置プレート９３１の上面の周縁部を除く領域には、複数（本例では１０個）の球体ＰＵが分散的に配置されている。より具体的には、複数の球体ＰＵは、基板載置プレート９３１の上面に形成された複数の凹部に嵌め込まれている。
【０２３５】
また、基板載置プレート９３１には、鉛直方向に貫通する複数（本例では３つ）の貫通孔９３１ａと鉛直方向に貫通する複数（本例では３つ）のピン孔９３１ｂとが形成されている。
【０２３６】
基板載置プレート９３１の上面の周縁部に円環状の流路形成部材９３８が取り付けられている。流路形成部材９３８の外径は基板載置プレート９３１の外径と等しく、流路形成部材９３８の厚み（高さ）は基板載置プレート９３１の上面を基準とする球体ＰＵの高さと基板Ｗの厚みとの合計値よりも大きくなるように設定されている。
【０２３７】
さらに、基板載置プレート９３１の上面においては、流路形成部材９３８の内側で流路形成部材９３８の内周面に近接するように、複数（本例では３つ）のガイドピン９３７が設けられている。ガイドピン９３７は略円錐形状を有し、基板載置プレート９３１上に基板Ｗを載置する際に基板Ｗの位置合わせを行うために用いられる。ガイドピン９３７の厚み（高さ）は基板載置プレート９３１の上面を基準とする球体ＰＵの高さと基板Ｗの厚みとの合計値よりも大きくなるように設定されている。
【０２３８】
また、変形例に係る密着強化ユニットＡＨＬにおいては、図５〜図７の第１の排気装置９９０に代えて不活性ガス供給装置９９０Ｘが用いられる。基板載置プレート９３１の貫通孔９３１ａに接続された配管９９１の他端は、不活性ガス供給装置９９０Ｘに接続される。
【０２３９】
上記の密着強化ユニットＡＨＬにおいて、基板載置プレート９３１上に基板Ｗが載置される際には、基板Ｗの裏面が複数の球体ＰＵにより支持される。それにより、基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間に、微小高さｍｔ分の隙間空間ＢＳが形成される。
【０２４０】
このとき、基板Ｗの外周端部の一部（本例では３箇所）がガイドピン９３７に当接する。また、基板Ｗの外周端部のうちガイドピン９３７に当接しない部分は、流路形成部材９３８の内周面から離間するとともに流路形成部材９３８の内周面に対向する。これにより、基板Ｗの外周端部とガイドピン９３７の内周面との間に、気体流路ＦＳが形成される。
【０２４１】
本変形例において、密着強化ユニットＡＨＬによる基板Ｗの密着強化処理時には不活性ガス供給装置９９０Ｘにより、隙間空間ＢＳにＮ２ガス等の不活性ガスが供給される。
【０２４２】
図１８は、変形例の密着強化ユニットＡＨＬによる基板Ｗの密着強化処理時の隙間空間ＢＳの状態を示す模式図である。図１８に一点鎖線の矢印で示すように、密着強化処理時には、不活性ガス供給装置９９０Ｘにより、貫通孔９３１ａおよび配管９９１を通して隙間空間ＢＳに不活性ガスが供給される。
【０２４３】
隙間空間ＢＳ内に供給された不活性ガスは、基板Ｗの外周端部に回り込み、気体流路ＦＳを通して基板Ｗの上方に流れ出る。これにより、隙間空間ＢＳの圧力が基板Ｗの上側の空間に対して陽圧となるように調整され、基板Ｗの外周端部から基板Ｗの上方の空間に向かって不活性ガスが放出される。
【０２４４】
上記より、本例の密着強化ユニットＡＨＬにおいては、蓋体９４１から基板Ｗに密着強化剤が供給される際に、密着強化剤が基板Ｗの裏面側に回り込むことが防止される。これにより、基板Ｗの裏面が親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【０２４５】
さらに、密着強化処理中に、不活性ガスが基板Ｗの外周端部と流路形成部材９３８とで形成される気体流路ＦＳを流れるので、密着強化剤が基板Ｗの外周端部に付着することも防止される。これにより、基板Ｗの外周端部が親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【０２４６】
これらより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１による洗浄処理後の基板Ｗの裏面および外周端部に液滴が残留することが十分に低減される。その結果、基板Ｗの裏面および外周端部の汚染に起因する露光装置１６内の汚染が防止され、基板の裏面および外周端部の汚染に起因するパターン不良が防止される。
【０２４７】
本変形例に係る密着強化ユニットＡＨＬにおいては、必ずしも基板載置プレート９３１上に流路形成部材９３８を設ける必要はない。この場合、不活性ガス供給装置９９０Ｘにより隙間空間ＢＳに供給される不活性ガスは、基板Ｗの外周端部と基板載置プレート９３１の上面との間から基板Ｗの外方の空間に流れ出る。これにより、蓋体９４１から基板Ｗに密着強化剤が供給される際に、密着強化剤が基板Ｗの裏面側に回り込むことが防止される。それにより、基板Ｗの裏面が親水性から疎水性に改質されることが防止される。
【０２４８】
なお、本例において、上記の流路形成部材９３８およびガイドピン９３７としては、例えば耐熱性および弾性を有するポリイミド樹脂または四フッ化エチレン樹脂等を用いることができる。
【０２４９】
（９−２）
基板Ｗの表面にはレジスト膜が直接形成されてもよい。この場合、レジスト膜用塗布処理部６０によるレジスト膜の形成前に、上記の密着強化ユニットＡＨＬにより基板Ｗの表面に密着強化処理を行う。これにより、基板Ｗの表面とレジスト膜との密着性が向上する。
【０２５０】
（９−３）
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、基板Ｗの裏面および外周端部が洗浄ブラシ６３０により洗浄されるが、基板Ｗの裏面および外周端部の洗浄は液体および気体の混合流体を吐出する二流体ノズルを用いて行ってもよい。また、基板Ｗの裏面および外周端部の洗浄は、高周波振動子を内蔵する超音波ノズルを用いて行ってもよい。超音波ノズルを用いる場合、超音波振動状態となった洗浄液が基板Ｗの裏面および外周端部に供給される。
【０２５１】
（９−４）
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
【０２５２】
また、上記第１の実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５内に配置されるが、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方が図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方を含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
【０２５３】
また、上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を基板処理装置５００の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置を基板処理装置５００の外部装置として設けてもよい。
【０２５４】
（９−５）
上記では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を基板処理装置５００に設ける場合について説明したが、これに限らず、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を他の基板処理装置に設けてもよく、または洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を単独で用いてもよい。
【０２５５】
（９−６）
上記では、基板載置プレート９３１の上面に１０個の球体ＰＵが分散的に配置される例を説明した。これに関して、基板載置プレート９３１の上面に設けられる球体ＰＵの数は１０個に限定されない。例えば、複数の球体ＰＵの個数は、９個であってもよいし、８個であってもよい。
【０２５６】
（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２５７】
上記実施の形態では、処理ブロック１０〜１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、反射防止膜用塗布処理部５０、レジスト膜用塗布処理部６０およびレジストカバー膜用塗布処理部８０が膜形成ユニットの例である。
【０２５８】
また、基板載置プレート９３１が基板載置台の例であり、複数の貫通孔９３１ａが通路の例であり、隙間空間ＢＳが隙間の例であり、複数の球体ＰＵおよび環状部材９３５が支持部材の例であり、密着強化剤気化装置９１０、配管９１１、支持部材９４０、蓋体９４１および整流板９４２が密着強化剤供給部の例である。
【０２５９】
さらに、第１の排気装置９９０および不活性ガス供給装置９９０Ｘが圧力調整機構の例であり、複数の球体ＰＵが複数の支持体の例であり、第１の排気装置９９０が排気装置の例であり、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が第１の洗浄ユニットおよび洗浄ユニットの例である。
【０２６０】
また、スピンモータ２００が回転駆動手段の例であり、回転軸２１０、円板状のスピンプレート５２０、プレート支持部材５１０、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数のチャックピン６１５が基板保持手段の例であり、気体供給管４２０が不活性ガス供給手段の例であり、洗浄液供給管４３０が処理液供給手段の例であり、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が第２の洗浄ユニットの例である。さらに、洗浄液、薬液およびリンス液が処理液の例である。
【０２６１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２６２】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【符号の説明】
【０２６３】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  レジストカバー膜用処理ブロック
１４  レジストカバー膜除去ブロック
１５  インターフェースブロック
１６  露光装置
５０  反射防止膜用塗布処理部
６０  レジスト膜用塗布処理部
８０  レジストカバー膜用塗布処理部
２００  スピンモータ
２１０  回転軸
４２０  気体供給管
４３０  洗浄液供給管
５００  基板処理装置
５１０  プレート支持部材
５２０  スピンプレート
６１４ａ，６１４ｂ  マグネットプレート
６１５  チャックピン
９１０  密着強化剤気化装置
９１１  配管
９３１  基板載置プレート
９３１ａ  貫通孔
９３５  環状部材
９３８  流路形成部材
９４０  支持部材
９４１  蓋体
９４２  整流板
９９０  第１の排気装置
９９０Ｘ  不活性ガス供給装置
ＡＨＬ  密着強化ユニット
ＢＳ  隙間空間
ＰＵ  球体
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄／乾燥処理ユニット
【図１】
2010219435.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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