(57)【要約】【課題】  樹脂封止形半導体装置に於ける、反りなど変形の発生を防止すると共に、電極の再溶融（リフロー）処理など加熱処理の際にも内部に含まれる水分の爆発を招来しない、即ち耐熱性の向上を図ることができる半導体装置の構造を提供する。【解決手段】  平面形状が矩形状を有する配線基板５１と、前記配線基板５１の一方の主面に搭載された半導体素子５２と、前記配線基板５１の一方の主面に於いて、前記半導体素子５２を被覆する封止用樹脂５５と、を具備し、前記配線基板５１の一方の主面に於いて、前記半導体素子５２２の隅部と当該配線基板５１の隅部との間に、反り防止部材５７が選択的に配設されてなることを特徴とする半導体装置５０が提供される。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状が矩形状を有する配線基板と、
前記配線基板の一方の主面に搭載された半導体素子と、
前記配線基板の一方の主面に於いて、前記半導体素子を被覆する封止用樹脂と
を具備し、
前記配線基板の一方の主面に於いて、前記半導体素子の隅部と当該配線基板の隅部との間に、反り防止部材が選択的に配設されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記反り防止部材は、前記配線基板の隅部に選択的に配設されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置であって、
前記反り防止部材は、前記半導体素子の角部から前記配線基板の角部に向かって幅が漸次拡大された形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記配線基板の隅部に於いて、前記反り防止部材の端面が、前記封止用樹脂から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記反り防止部材は、前記配線基板上に設けられた前記封止用樹脂の厚さと略等しい厚さを有し、
前記反り防止部材の上面が前記封止用樹脂から表出していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、配線基板の一方の主面に搭載された半導体素子が樹脂封止されてなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高密度化、ならびに高機能化に伴い、当該電子機器に搭載される半導体装置の小形化、薄形化が要求されている。
【０００３】
かかる要求に対して、当該半導体装置の形態として、所謂ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等の表面実装型パッケージが提案されている。
【０００４】
当該ＢＧＡ型パッケージ構造を有する半導体装置に於いて、ボールピッチが０．８ｍｍ以下の構造については、ＦＢＧＡ（Ｆｉｎｅ  ｐｉｔｃｈ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）と称され、そのボールピッチは、更に０．３ｍｍ乃至０．４ｍｍへの狭ピッチ化が進められている。
【０００５】
かかるＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置を、図１に示す。即ち、当該半導体装置１０にあっては、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）１の一方の主面（上面）上に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）２が接着材３を介して載置され、配線基板１の電極端子（図示せず）と半導体素子２の電極端子（図示せず）とは、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ４により接続されている。そして、当該半導体素子２ならびにボンディングワイヤ４などは、封止用樹脂５により封止されている。一方、前記配線基板１の他方の主面（下面）には、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続端子６が配設されている。
【０００６】
かかる構成に於いて、前記配線基板１は、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材とし、その一方の主面（上面）に銅（Ｃｕ）等からなる導電層（図示せず）が選択的に配設されている。当該導電層は、前記ボンディングワイヤ４が接続される部位を除いてソルダーレジスト層により選択的に被覆されている。尚、当該配線基板１は、例えば０．３０ｍｍ程の厚さを有する。
【０００７】
また、当該配線基板１の他方の主面（下面）にも、銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設され、当該導電層は、前記半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子６が配設される部位を除いて、ソルダーレジスト層により選択的に被覆されている。尚、当該外部接続端子６は、例えば０．２５ｍｍ乃至０．３５ｍｍ程の厚さ（高さ）を有する。
【０００８】
一方、前記半導体素子２は、その厚さが０．２０ｍｍ程とされ、その背面（電子回路非形成面）が所謂ダイボンドフィルムからなる接着材３を介して配線基板１上に固着されている。
【０００９】
そして、前記封止用樹脂５としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が適用される。そして、前記配線基板１上に於ける厚さ（高さ）が、０．６０ｍｍ程とされる。
【００１０】
かかる構造を有する半導体装置１０の製造工程に於いて、配線基板１上に封止樹脂５を形成する際に発生する残留応力、又は封止樹脂５、当該封止樹脂５により封止される半導体素子２及び配線基板１等の半導体装置１０を構成する各部材の熱膨張係数は相違する。例えば、配線基板１の線膨張係数は約１３ｐｐｍ乃至約１５ｐｐｍであるのに対し、封止樹脂６の線膨張係数は約１０ｐｐｍ乃至約１３ｐｐｍである。
【００１１】
この様な構成部材の熱膨張係数の相違に起因して、当該半導体装置１０に於いては、図２（ａ）に示す如く上方に凸状となる反り、或いは図２（ｂ）に示す如く下方に凸状となる反りを生ずる場合がある。なお、図２では、前記半導体素子２、接着剤３、及びボンディングワイヤ４などの図示を省略している。この様な反りの量は、コプラナリティ値、即ち、半導体装置１０を平坦面に載置した際の外部接続端子（バンプ）６の高さの最小値と最大値の差として管理されている。
【００１２】
図２に示す半導体装置１０にあっては、平坦面上に載置した際の、配線基板１の中央部に配設された外部接続端子６ａと配線基板１の周縁部近傍に配設された外部接続端子６ｂとの鉛直方向に於ける先端部の位置の差がコプラナリティ値に相当する。
【００１３】
ボールピッチの狭ピッチ化に伴い、コプラナリティの管理値は厳しくなってきており、例えば１辺が１８ｍｍの配線基板１を備えた半導体装置にあっては、コプラナリティ値が８０μｍであることが求められる場合がある。
【００１４】
一辺の長さが１８ｍｍの正方形状配線基板を用いて、前記図１に示す構造を有するところの半導体装置１０の反り量を図３に示す。
【００１５】
同図に於いて、符号ａ、符号ａ’により示す領域は、反りが殆ど発生していない領域であり、符号ｂから、符号ｃ、符号ｄ、符号ｅ、更には符号ｆという順番に従って上方への反り量が大きくなる領域を示し、一方、符号ｂ’から、符号ｃ’、符号ｄ’、符号ｅ’、更には符号ｆ’という順番に従って下方への反り量が大きくなる領域を示している。即ち、当該配線基板の中央部から離間するにつれて、反り量が大きくなってゆく。
【００１６】
図３（ａ）は、半導体装置１０に於いて、その中央部が上方に凸状となる反りが発生した場合の、当該反り量の測定結果を示している。即ち、半導体装置１０は配線基板１の中央部から当該配線基板１の四隅及びその近傍の領域に向かうに従い、下方へ湾曲しており、従って、当該半導体装置１０はその中央部が上方に凸状に反っている。
【００１７】
この様に、中央部が上方に凸状に反る形態は、配線基板１が４層以上の多層構造とされた場合に発生し易い。即ち、封止樹脂５の硬化収縮よりも配線基板１の熱収縮が大きく、封止樹脂５による樹脂封止工程後、封止樹脂５は配線基板１方向に引張される為、半導体装置１０にはその中央部が上方に凸状となる反りが発生し易い。
【００１８】
一方、図３（ｂ）は、半導体装置１０に於いて、その中央部が下方に凸状となる反りが発生した場合の、当該反り量の測定結果を示している。即ち、半導体装置１０は配線基板１の中央部から当該配線基板１の四隅及びその近傍の領域に向かうに従い、上方へ湾曲しており、従って、当該半導体装置１０はその中央部が下方に凸状に反っている。
【００１９】
この様に、中央部が下方に凸状に反る形態は、配線基板１が２層程度の積層構造とされた場合に発生し易い。即ち、封止樹脂５の硬化収縮が配線基板１の熱収縮よりも大きく、封止樹脂５による樹脂封止工程後、配線基板１は封止用樹脂５方向に引張される為、半導体装置１０にはその中央部が下方に凸状となる反りが発生し易い。
【００２０】
そして、この様に反りが生ずる場合、半導体装置１０の中心に向って各部材は引張される。従って、中心部から最も遠い位置にある配線基板の隅部に於いてより大きな変形を生ずる。
【００２１】
またこの時、作用する力が不均衡であると、半導体装置１０自体に、うねり或いは捩れが発生してしまう。
【００２２】
尚、樹脂封止型半導体装置に於いて、半導体パッケージ用樹脂フレームなどのパッケージ基板の表面に、その縁部に沿い、且つ半導体素子搭載部を囲んで、幅広の矩形枠状金属パターンを配置することによって反りを防止することが、下記特許文献１或いは特許文献２に開示されている。また、樹脂封止型半導体装置に於いて、封止用樹脂中に、矩形枠状或いはＬ時状の鉄製補強材を配設することによって反りを防止することが、下記特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２３】
【特許文献１】特開平９−１５３５６４号公報
【特許文献２】特開平１１−１３５６７７号公報
【特許文献３】特開２００３−９２３７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
上述の如く、配線基板１と封止樹脂５との熱収縮量の相違によって反りが生ずることから、当該配線基板１上へ封止用樹脂５を被覆形成した後の製造工程に於いて問題が生じ、結果として半導体装置１０の製造歩留りの低下を招来してしまう。
【００２５】
即ち、当該配線基板１の他方の主面に、半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子６を配設する際、当該配線基板１に反り或いはうねりがあることにより、球状電極の配置・接続が適切に行なえない状態を生ずる可能性がある。
【００２６】
また、当該外部接続端子６が配設され、半導体装置１０が形成されたとしても、当該半導体装置１０を電子機器に適用される大判の配線基板（所謂マザーボード）に搭載する際に、外部接続端子６を形成する半田を主体とする球状電極の再溶融（リフロー）に必要な熱処理がなされることにより、前記配線基板１に於ける反り或いはうねりが助長されて、当該半導体装置１０の外部接続端子６の一部が、マザーボード上の電極端子に接続されない状態を生ずる可能性がある。
【００２７】
更に、かかる半田を主体とする球状電極の再溶融（リフロー）処理の際、加熱温度のピーク値は２４０℃乃至約２６０℃となる。
【００２８】
この為、封止用樹脂５により被覆された構造を有する半導体装置１０にあっては、内部に含まれる水分の膨張・気化を生じ、所謂水蒸気爆発を引き起こす可能性がある。
【００２９】
そして、かかる水分は、図４に示される矢印Ａ１の如く、配線基板１と封止用樹脂５との界面に沿って移動し、当該配線基板１の表面に配設されたソルダーレジスト層と封止用樹脂５との界面に於いて剥離を生じてしまう。尚、当該水分は、当該半導体装置の製造工程中に於いて、接着材３ならびに封止用樹脂５などの中に取り込まれている。
【００３０】
ソルダーレジスト層と封止用樹脂５との界面に於いて剥離が生ずると、前記配線基板１の電極端子からのボンディングワイヤ４の剥離を生じ、また、半導体素子に対しての当該界面を通しての外部からの水分の侵入を容易化してしまう。
【００３１】
尚、前記特許文献１ならびに特許文献２に示される技術にあっては、パッケージ基板の表面に、その縁部に沿って且つ半導体素子搭載部を囲んで、幅広の矩形枠状金属パターンを配置することにより当該パッケージ基板の反りを防止しようとしている。しかしながら、当該幅広の矩形枠状金属パターンの適用は、パッケージ基板の表面に於ける配線層、電極端子などの配設の自由度を大きく低下させてしまう。そして、当該配線層、電極端子などの配設の自由度を高めようとすると、当該パッケージ基板の大形化（大面積化）を招来してしまう。
【００３２】
一方、前記特許文献３に示される技術にあっては、封止用樹脂中に、矩形枠状或いはＬ時状の鉄製補強材を配設することによって反りを防止しようとしているが、封止用樹脂中にこの様な矩形枠状或いはＬ時状の鉄製補強材を配設することは、その為の樹脂封止金型の設定、ならびに樹脂封止工程の適用が必要であり、製造される半導体装置の高価格化を招いてしまう。
【００３３】
そして、これらの特許文献に開示される技術にあっては、半導体装置内部に於ける水分の膨張・気化、所謂水蒸気爆発の発生に対する対応策について何ら検討されていない。
【００３４】
本発明は、この様な従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、樹脂封止形半導体装置に於ける、反りなど変形の発生を防止すると共に、電極の再溶融（リフロー）処理など加熱処理の際にも内部に含まれる水分の爆発を招来しない、即ち耐熱性の向上を図ることができる半導体装置の構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
本発明によれば、平面形状が矩形状を有する配線基板と、前記配線基板の一方の主面に搭載された半導体素子と、前記配線基板の一方の主面に於いて、前記半導体素子を被覆する封止用樹脂と、を具備し、前記配線基板の一方の主面に於いて、前記半導体素子の隅部と当該配線基板の隅部との間に、反り防止部材が選択的に配設されてなることを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、半導体装置の反りの発生を防止・低減すると共に、耐熱性が高められた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】ＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の反りの状態を示す図である。
【図３】図１に示す構造を有する半導体装置であって、配線基板として１辺が約１８ｍｍの基板を用いた場合に於ける、当該半導体装置の反りを測定した結果を示す図である。
【図４】図１に示す半導体装置をマザーボード等に実装する際に発生する恐れがある問題点を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第１の変形例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第２の変形例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第３の変形例を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第４の変形例を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第５の変形例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第６の変形例を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の第７の変形例を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図１７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図１８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。
【図１９】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図（その７）である。
【図２０】切断されると図６に示す反り防止部材６７を構成する集合体の平面図である。
【図２１】図１１に示す半導体装置１１０を製造する工程を説明するための図である。
【図２２】図１２に示す半導体装置１２０を製造する工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００３９】
先ず、本発明の実施の形態に於ける半導体装置について説明し、次いで、当該半導体装置の製造方法について説明する。
【００４０】
１．半導体装置
本発明の実施の形態にかかる半導体装置を、図５に示す。図５（ａ）は、当該半導体装置の上面を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）の点線Ａ−Ａ’ に於ける断面を示す。また、図５（ｃ）は、図５（ａ）に於いて矢印Ｐ１で示す方向に見たときの側面を示している。尚、図５（ａ）に於いては、封止用樹脂の表示を行なっていない。
【００４１】
即ち、本発明の実施の形態に於ける半導体装置５０にあっては、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）５１の一方の主面（上面）の中央部に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）５２が接着材５３を介して載置され、当該配線基板５１に配設された電極端子（図示せず）と半導体素子５２に於ける電極端子（図示せず）との間は、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ５４により接続されている。そして、当該半導体素子５２ならびにボンディングワイヤ５４などは、封止用樹脂５５により封止されている。一方、前記配線基板５１の他方の主面（下面）には、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続端子５６が配設されている。
【００４２】
前記配線基板５１は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材として形成され、平面形状が矩形形状を有し、その一方の主面（上面）には銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設されている。当該導電層は、前記ボンディングワイヤ５４が接続される領域を除いて、ソルダーレジスト層（図示せず）により選択的に被覆されている。
【００４３】
また、当該配線基板５１の他方の主面（下面）にも、銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設され、当該導電層は、前記半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子５６が配設される部位を除いて、ソルダーレジスト層（図示せず）により選択的に被覆されている。
【００４４】
一方、前記半導体素子５２は、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）半導体基板が用いられ、周知の半導体製造プロセスにより、その一方の主面に形成された能動素子、受動素子層ならびにこれらの機能素子を相互に接続する配線層をもって電子回路が形成されている。そして、その表面に、当該配線層に接続された電極端子（電極パッド）が設けられている。当該半導体素子５２は、その背面（電子回路非形成面）が所謂ダイボンドフィルムからなる接着材５３を介して配線基板５１上に固着されている。そして、前記封止用樹脂５５としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が適用される。
【００４５】
この様な本発明の実施の形態に於ける半導体装置５０にあっては、その特徴的構成として、前記配線基板５１の一方の主面に於いて、前記半導体素子５２の近傍から当該配線基板５１の四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状の反り防止部材５７が配設されている。当該反り防止部材５７も、半導体素子５２と同様、ダイボンドフィルムからなる接着材５３を介して、配線基板５１上に固着されている。
【００４６】
通常、半導体素子５２も平面形状が矩形状を有し、その四つの隅部が配線基板５１の四つの隅部に対応して搭載されることから、当該反り防止部材５７は、半導体素子５２の四つの隅部近傍から当該配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在してそれぞれ選択的に配設される。
【００４７】
そして、当該反り防止部材５７は、その端部が、前記封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００４８】
当該反り防止部材５７は、板状のシリコン（Ｓｉ）からなり、前記半導体素子５２と同様、所謂ダイボンディングフィルム又はペースト状等のダイボンディング材からなる接着剤５５を介して、配線基板５１上に接着固定される。当該反り防止部材５７としては、前記半導体素子５２と同等の線膨張係数（約３ｐｐｍ）及び曲げ強度（約８０ＭＰａ）を有する材料であれば、セラミック材などを適用することもできる。
【００４９】
この様に、前記配線基板５１の一方の主面に、半導体素子５２の四つの隅部の近傍から当該配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）のそれぞれに延在して、板状の反り防止部材５７が固着・配設されていることにより、当該配線基板５１の機械的強度が高められる。従って、当該半導体装置５０は、高い機械的強度を有し、配線基板５１ならびに封止樹脂５５などの熱膨張係数の相違に基づく反り、或いは不均衡な力に起因するうねり又は捩れの発生が防止・抑制される。
【００５０】
従って、樹脂封止工程の後、当該配線基板５１の他方の主面に外部接続端子５６を配設する際にも、当該配線基板５１に反り或いはうねりが生じておらず、当該外部接続端子５６の配置・接続が適切に行なわれる。
【００５１】
また、当該半導体装置５０を電子機器に適用される大判の配線基板（所謂マザーボード）に搭載する際に、前記外部接続端子５６を形成する半田を主体とする球状電極の再溶融（リフロー）処理がなされても、前記配線基板５１に於いては反り或いはうねりが生ずることなく、当該半導体装置５０の外部接続端子５６は、マザーボード上の電極端子に確実に接続される。
【００５２】
また、当該半導体装置５０に於いては、反り防止部材５７は、半導体素子５２の近傍から当該配線基板５１の四つの隅部（コーナー部）に延在して配設されているに止まり、当該配線基板５１の周縁部に沿って延在するものではない。従って、当該配線基板５１の表面に於ける、配線層、電極端子などの配設の自由度を低下させず、もって当該半導体装置５０の小形化を妨げない。
【００５３】
一方、前記反り防止部材５７は、前述の如く、半導体素子５２の四つの隅部近傍から配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在され、更にその端部が封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００５４】
かかる構成に於いては、反り防止部材５７の構成材料であるシリコン（Ｓｉ）と封止用樹脂５６との密着性が低いため、当該反り防止部材５７と封止用樹脂５５との接触部には隙間が生じ易い。かかる隙間は、当該半導体装置５０の内部に於いて接着材５３或いは封止用樹脂５６に含まれる水分の通路となり得る。そして、反り防止部材５７の端部が、封止用樹脂５５から露出していることにより、当該水分の放散は容易になされる。
【００５５】
この為、当該半導体装置５０をマザーボードに搭載するにあたり、半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子５６の再溶融（リフロー）処理を行なう際には、１５０℃乃至１９０℃程の予備加熱の段階で、当該半導体装置５０の内部に含まれる水分は反り防止部材５７と封止用樹脂５５との界面に於ける隙間を通して、矢印Ｓ１の如く外部に放散される。従って、当該リフロー処理中に於いて、２４０℃乃至約２６０℃程のピーク温度に到達しても、当該半導体装置５０に於いては水蒸気爆発を生じない。
【００５６】
これにより、配線基板５１上に配設されたソルダーレジスト層と封止用樹脂との間の剥離、ならびに電極端子に接続されたボンディングワイヤ５４の断線を防止することができ、当該半導体装置５０は高い信頼性を維持することができる。
【００５７】
尚、当該反り防止部材５７の表面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属層を被覆することにより、封止用樹脂５５との密着性をより低下せしめることもできる。
【００５８】
尚、当該反り防止部材５７の内端は、半導体素子５２に近接するものの、当該半導体素子５２に接しはしない。両者の間には、封止用樹脂５５が存在する。
【００５９】
かかる構成により、反り防止部材５７と封止用樹脂５５との界面に於ける隙間を通して外部から水分などが侵入して半導体素子５２に到達することを防止する。
【００６０】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の変形例を、図６乃至図１２を用いて示す。尚、これらの図に於いて、前記図５に示した部位に対応する部位には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【００６１】
［第１の変形例］
本発明の実施の形態に係る半導体装置の、第１の変形例を図６に示す。図６（ａ）は、当該半導体装置の上面を示し、図６（ｂ）は、図６（ａ）に於いて矢印Ｐ２で示す方向に見たときの側面を示す。尚、図６（ａ）に於いては、封止用樹脂の表示を行なっていない。
【００６２】
即ち、本第１の変形例に於ける半導体装置６０にあっても、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）５１の一方の主面（上面）の中央部に、半導体素子５２が接着材５３を介して載置され、当該配線基板５１に配設された電極端子（図示せず）と半導体素子５２に於ける電極端子（図示せず）との間は、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ５４により接続されている。そして、当該半導体素子５２ならびにボンディングワイヤ５４などは、封止用樹脂５５により封止されている。一方、前記配線基板５１の他方の主面（下面）には、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続端子５６が配設されている。
【００６３】
そして、前記配線基板５１の一方の主面に於いて、前記半導体素子５２の近傍から当該配線基板５１の四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状のシリコン（Ｓｉ）からなる反り防止部材６７が選択的に配設されている。当該反り防止部材６７も、半導体素子５２と同様、ダイボンドフィルムからなる接着材５３を介して、配線基板５１上に固着されている。当該反り防止部材６７は、その端部が、前記封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００６４】
本変形例１に於ける特徴的構成として、かかる反り防止部材６７の配置構成に於いて、当該反り防止部材６７は、半導体素子５２の近傍から配線基板５１の隅部（コーナー部）に近づくにつれて、その幅が漸次拡大されている。
【００６５】
この様に、前記配線基板５１の一方の主面に、半導体素子５２の四つの隅部の近傍から当該配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状の反り防止部材５７が固着・配設されていることにより、当該配線基板５１の機械的強度が高められる。従って、当該半導体装置６０に於いては、高い機械的強度を有し、配線基板５１ならびに封止樹脂５５などの熱膨張係数の相違に基づく反り、或いは不均衡な力に起因するうねり又は捩れの発生が防止・抑制される。
【００６６】
また、当該半導体装置６０に於ける構造によれば、封止用樹脂５５から露出する反り防止部材６７の端面の面積が拡大し、従って当該反り防止部材６７と封止用樹脂５５との間に於ける接触部の長さが増加して、当該反り防止部材６７と封止用樹脂５５との接触部に於ける隙間の長さが増加されている。
【００６７】
かかる隙間の拡大により、当該半導体装置６０の内部に於いて接着材５３或いは封止用樹脂５５に含まれる水分の外部への放散が容易化され、当該半導体装置５０をマザーボードに搭載するにあたり、半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子５６の再溶融（リフロー）処理を行なう際には、１５０℃乃至１９０℃程の予備加熱の段階で、当該半導体装置５０の内部に含まれる水分は容易に外部に放散される。前述の如く、反り防止部材６７の端部が、封止用樹脂５５から露出していることから、当該水分の放散は容易になされる。
【００６８】
［第２の変形例］
本発明の実施の形態に係る半導体装置の第２の変形例を、図７に示す。図７（ａ）は、当該半導体装置の上面を示し、図７（ｂ）は、図７（ａ）に於いて矢印Ｐ３で示す方向に見たときの側面を示す。尚、図７（ａ）に於いては、封止用樹脂の表示を行なっていない。
【００６９】
本第２の変形例に於ける半導体装置７０にあっては、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）５１の一方の主面（上面）の中央部に、半導体素子５２が当該配線基板５１の表面に配設された電極端子に対して、所謂フリップチップ（フェイスダウン）実装法をもって載置されている。尚、ここでは、当該半導体素子５２に於ける電極端子ならびに配線基板５１の表面に配設された電極端子については図示していない。そして、当該半導体素子５２は、封止用樹脂５５により封止されている。一方、前記配線基板５１の他方の主面（下面）には、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続端子５６が配設されている。
【００７０】
そして、前記配線基板５１の一方の主面に於いて、前記半導体素子５２の近傍から当該配線基板５１の四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状のシリコン（Ｓｉ）からなる反り防止部材７７が配設されている。当該反り防止部材７７も、半導体素子５２と同様、ダイボンドフィルムからなる接着材５３を介して、配線基板５１上に固着されている。当該反り防止部材７７も、その端部が、前記封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００７１】
この様な、半導体素子の実装形態として所謂フリップチップ（フェイスダウン）実装法が適用された半導体装置にあっても、配線基板５１の一方の主面に、半導体素子５２の四つの隅部の近傍から当該配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状の反り防止部材７７が固着・配設されていることにより、当該配線基板５１の機械的強度が高められる。
【００７２】
従って、当該半導体装置７０は、高い機械的強度を有し、配線基板５１ならびに封止樹脂５５などの熱膨張係数の相違に基づく反り、或いは不均衡な力に起因するうねり又は捩れの発生が防止・抑制される。
【００７３】
一方、前記反り防止部材７７は、半導体素子５２の四つの隅部近傍から配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在され、更にその端部が封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００７４】
前述の如く、反り防止部材７７の構成材料であるシリコン（Ｓｉ）と封止用樹脂５５との密着性が低いため、当該反り防止部材７７と封止用樹脂５５との接触部には隙間が生じ易い。かかる隙間の存在により、当該半導体装置７０の内部に於いて接着材５３或いは封止用樹脂５５に含まれる水分の外部への放散が容易化され、当該半導体装置７０をマザーボードに搭載するにあたり、半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子５６の再溶融（リフロー）処理を行なう際には、１５０℃乃至１９０℃程の予備加熱の段階で、当該半導体装置７０の内部に含まれる水分は容易に外部に放散される。前述の如く、反り防止部材７７の端部が、封止用樹脂５５から露出していることから、当該水分の放散は容易になされる。
【００７５】
［第３の変形例］
本発明の実施の形態に係る半導体装置の第３の変形例を、図８に示す。図８（ａ）は、当該半導体装置の上面を示し、図８（ｂ）は、図８（ａ）に於いて矢印Ｐ４で示す方向に見たときの側面を示している。尚、図８（ａ）に於いては、封止用樹脂の表示を行なっていない。
【００７６】
本第３の変形例に於ける半導体装置８０は、所謂ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型と称される半導体装置である。
【００７７】
即ち、本第３の変形例に於ける半導体装置８０にあっても、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）５１の一方の主面（上面）の中央部に、半導体素子５２が接着材５３を介して載置され、当該配線基板５１に配設された電極端子（図示せず）と半導体素子５２に於ける電極端子（図示せず）との間は、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ５４により接続されている。そして、当該半導体素子５２ならびにボンディングワイヤ５４などは、封止用樹脂５５により封止されている。
【００７８】
一方、前記配線基板５１の他方の主面（下面）ＳＡ２には、半田を主体とする球状電極端子ではなく、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）メッキが施された銅（Ｃｕ）などからなるランド状外部接続端子が配設されている（図示せず）。
【００７９】
そして、前記配線基板５１の一方の主面に於いて、前記半導体素子５２の近傍から当該配線基板５１の四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状のシリコン（Ｓｉ）からなる反り防止部材８７が選択的に配設されている。当該反り防止部材８７も、半導体素子５１と同様、ダイボンドフィルムからなる接着材５３を介して、配線基板５１上に固着されている。そして、当該反り防止部材８７も、その端部が、前記封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００８０】
この様に、前記配線基板５１の一方の主面に、半導体素子５２の四つの隅部の近傍から当該配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状の反り防止部材８７が固着・配設されていることにより、当該配線基板５１の機械的強度が高められる。従って、当該半導体装置８０は、高い機械的強度を有し、配線基板５１ならびに封止樹脂５５などの熱膨張係数の相違に基づく反り、或いは不均衡な力に起因するうねり又は捩れの発生が防止・抑制される。
【００８１】
一方、前記反り防止部材８７は、半導体素子５２の四つの隅部近傍から配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在され、更にその端部が封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００８２】
前述の如く、反り防止部材８７の構成材料であるシリコン（Ｓｉ）と封止用樹脂５５との密着性が低いため、当該反り防止部材８７と封止用樹脂５５との接触部には隙間が生じ易い。かかる隙間の存在により、当該半導体装置８０の内部に於いて接着材５３或いは封止用樹脂５５に含まれる水分の外部への放散が容易化され、当該半導体装置８０をマザーボードに搭載するにあたり、半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子５６の再溶融（リフロー）処理を行なう際には、１５０℃乃至１９０℃程の予備加熱の段階で、当該半導体装置８０の内部に含まれる水分は容易に外部に放散される。前述の如く、反り防止部材８７の端部が、封止用樹脂５５から露出していることから、当該水分の放散は容易になされる。
【００８３】
［第４の変形例］
本発明の実施の形態に係る半導体装置の第４の変形例を、図９に示す。図９（ａ）は、上面外観を示している。また、図９（ｂ）は、当該半導体装置に於いて、封止用樹脂の図示を省略して示し、図９（ｃ）は、図９（ｂ）の点線Ａ−Ａ’ に於ける断面を示している。
【００８４】
本第４の変形例に於ける半導体装置９０にあっては、反り防止部材の厚さが、封止用樹脂と同等の高さとされている。
【００８５】
即ち、本第１の変形例に於ける半導体装置９０にあっても、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）５１の一方の主面（上面）の中央部に、半導体素子５２が接着材５３を介して載置され、当該配線基板５１に配設された電極端子（図示せず）と半導体素子５２に於ける電極端子（図示せず）との間は、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ５４により接続されている。そして、当該半導体素子５２ならびにボンディングワイヤ５４などは、封止用樹脂５５により封止されている。一方、前記配線基板５１の他方の主面（下面）には、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続端子５６が配設されている。
【００８６】
そして、前記配線基板５１の一方の主面に於いて、前記半導体素子５２の近傍から当該配線基板５１の四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状のシリコン（Ｓｉ）からなる反り防止部材９７が配設されている。当該反り防止部材９７は、半導体素子５２と同様、ダイボンドフィルムからなる接着材５３を介して、配線基板５１上に固着されている。
【００８７】
そして、本変形例に於ける特徴的構成として、当該反り防止部材９７は、その側端部が前記封止用樹脂５５から露出して配設されると共に、その上端が前記配線基板５１上に於いて封止用樹脂５５の表面と同等の高さを有し、その上面は当該封止用樹脂５５から表出している。
【００８８】
この様に、前記配線基板５１の一方の主面に、半導体素子５２の四つの隅部の近傍から当該配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在して、板状の反り防止部材９７が固着・配設されていることにより、当該配線基板５１の機械的強度がいっそう高められる。
【００８９】
従って、当該半導体装置９０は、高い機械的強度を有し、配線基板５１ならびに封止樹脂５５などの熱膨張係数の相違に基づく反り、或いは不均衡な力に起因するうねり又は捩れの発生が大きく防止・抑制される。
【００９０】
一方、前記反り防止部材９７は、半導体素子５２の四つの隅部近傍から配線基板５１に於ける四つの隅部（コーナー部）に延在され、その側端部が封止用樹脂５５から露出すると共に、その上端部も封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００９１】
前述の如く、反り防止部材９７の構成材料であるシリコン（Ｓｉ）と封止用樹脂５５との密着性が低いため、当該反り防止部材９７と封止用樹脂５５との接触部には隙間が生じ易い。かかる隙間の存在により、当該半導体装置９０の内部に於いて接着材５３或いは封止用樹脂５５に含まれる水分の外部への放散が容易化され、当該半導体装置９０をマザーボードに搭載するにあたり、半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子５６の再溶融（リフロー）処理を行なう際には、１５０℃乃至１９０℃程の予備加熱の段階で、当該半導体装置８０の内部に含まれる水分は容易に外部に放散される。
【００９２】
当該半導体装置９０にあっては、封止用樹脂５５の上面に於いても、反り防止部材９７との間に隙間が存在し、当該反り防止部材９７が封止用樹脂５５から表出いることから、水分の放散はいっそう容易になされる。
【００９３】
更に、当該半導体装置９０にあっては、反り防止部材９７の上面が封止用樹脂５５の上面に於いて露出していることから、当該反り防止部材９７の上面に放熱体を配設することにより、その放熱性を高めることができる。
【００９４】
［第５の変形例］
本発明の実施の形態に係る半導体装置の、第５の変形例を図１０に示す。図１０（ａ）は、当該半導体装置の上面を示し、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に於いて矢印Ｐ５で示す方向に見たときの側面を示す。尚、図１０（ａ）に於いては、封止用樹脂の表示を行なっていない。
【００９５】
即ち、本第５の変形例に於ける半導体装置１００にあっても、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）５１の一方の主面（上面）の中央部に、半導体素子５２が接着材５３を介して載置され、当該配線基板５１に配設された電極端子（図示せず）と半導体素子５２に於ける電極端子（図示せず）との間は、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ５４により接続されている。そして、当該半導体素子５２ならびにボンディングワイヤ５４などは、封止用樹脂５５により封止されている。一方、前記配線基板５１の他方の主面（下面）には、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続端子５６が配設されている。
【００９６】
但し、前記半導体素子５２が半導体記憶素子であって、その電極端子は対向する２辺に沿って配設されている。そして、前記ボンディングワイヤ５４は、当該対向する２辺から導出されている。従って、前記電極端子が配設された２辺とは異なる２辺の近傍に於ける配線基板表面には、ボンディングワイヤの接続部位を配設する必要がない。
【００９７】
この為、本変形例に於ける特徴的構成として、前記半導体素子５２に於ける電極端子の存在しない辺の近傍から、配線基板５１の近接する周縁部に延在して、板状のシリコン（Ｓｉ）からなる反り防止部材１０７が配設されている。当該反り防止部材１０７は、半導体素子５２と同様、ダイボンドフィルムからなる接着材５３を介して、配線基板５１上に固着されている。
【００９８】
そして、当該反り防止部材１０７は、その端部が、前記封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【００９９】
この様に、前記配線基板５１の一方の主面に、半導体素子５２の側面近傍から当該配線基板５１に於ける周縁部に延在して、板状の反り防止部材１０７が固着・配設されていることにより、当該配線基板５１の機械的強度が高められる。従って、当該半導体装置１００は、高い機械的強度を有し、配線基板５１ならびに封止樹脂５５などの熱膨張係数の相違に基づく反り、或いは不均衡な力に起因するうねり又は捩れの発生が防止・抑制される。
【０１００】
一方、前記反り防止部材１０７は、半導体素子５２の側面近傍から配線基板５１に於ける周縁部に延在され、更にその端部が封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【０１０１】
前述の如く、反り防止部材１０７の構成材料であるシリコン（Ｓｉ）と封止用樹脂５５との密着性が低いため、当該反り防止部材１０７と封止用樹脂５５との接触部には隙間が生じ易い。かかる隙間の存在により、当該半導体装置１００の内部に於いて接着材５３或いは封止用樹脂５５に含まれる水分の外部への放散が容易化され、当該半導体装置１００をマザーボードに搭載するにあたり、半田を主体とする球状電極からなる外部接続端子５６の再溶融（リフロー）処理を行なう際には、１５０℃乃至１９０℃程の予備加熱の段階で、当該半導体装置１００の内部に含まれる水分は容易に外部に放散される。前述の如く、反り防止部材１０７の端部が、封止用樹脂５５から露出していることから、当該水分の放散は容易になされる。
【０１０２】
［第６の変形例］
本発明の実施の形態に係る半導体装置の第６の変形例を、図１１に示す。図１１は、当該半導体装置の上面を示し、封止用樹脂の図示を省略している。
【０１０３】
即ち、本第６の変形例に於ける半導体装置１１０にあっても、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）５１の一方の主面（上面）の中央部に、半導体素子５２が接着材５３を介して載置され、当該配線基板５１に配設された電極端子（図示せず）と半導体素子５２に於ける電極端子（図示せず）との間は、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ５４により接続されている。そして、当該半導体素子５２ならびにボンディングワイヤ５４などは、封止用樹脂５５により封止されている。
【０１０４】
そして、本変形例６に於ける特徴的構成として、前記配線基板５１の各隅部（コーナー部）に於いて、矩形状を有するシリコン（Ｓｉ）からなる反り防止部材１１７が選択的に配設されている。当該反り防止部材１１７は、その端部が、前記封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【０１０５】
かかる構成によれば、前記配線基板５１の各隅部（コーナー部）に、矩形状を有する反り防止部材１１７が固着・配設されていることにより、当該配線基板５１の機械的強度が高められる。従って、当該半導体装置１１０は、高い機械的強度を有し、配線基板５１ならびに封止樹脂５５などの熱膨張係数の相違に基づく反り、或いは不均衡な力に起因するうねり又は捩れの発生が防止・抑制される。
【０１０６】
また、かかる反り防止部材１１７の配置構成によれば、半導体素子５２の周囲に於ける配線層、電極端子などの配設の自由度を損なうことがない。
【０１０７】
［第７の変形例］
本発明の実施の形態に係る半導体装置の第７の変形例を、図１２に示す。図１２は、当該半導体装置の上面を示し、封止用樹脂の図示を省略している。
【０１０８】
即ち、本第７の変形例に於ける半導体装置１２０にあっても、配線基板（支持基板、インターポーザとも称される）５１の一方の主面（上面）の中央部に、半導体素子５２が接着材５３を介して載置され、当該配線基板５１に配設された電極端子（図示せず）と半導体素子５２に於ける電極端子（図示せず）との間は、例えば金（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ５４により接続されている。そして、当該半導体素子５２ならびにボンディングワイヤ５４などは、封止用樹脂５５により封止されている。
【０１０９】
そして、本変形例７に於ける特徴的構成として、前記配線基板５１の各隅部（コーナー部）に於いて、三角形状を有するシリコン（Ｓｉ）からなる反り防止部材１２７が選択的に配設されている。当該反り防止部材１２７は、その端部が、前記封止用樹脂５５から露出して配設されている。
【０１１０】
かかる構成によれば、前記配線基板５１の各隅部（コーナー部）に、矩形状を有する反り防止部材１２７が固着・配設されていることにより、当該配線基板５１の機械的強度が高められる。従って、当該半導体装置１２０は、高い機械的強度を有し、配線基板５１ならびに封止樹脂５５などの熱膨張係数の相違に基づく反り、或いは不均衡な力に起因するうねり又は捩れの発生が防止・抑制される。
【０１１１】
また、かかる反り防止部材１２７の配置構成によれば、半導体素子５２の周囲に於ける配線層、電極端子などの配設の自由度を損なうことがない。
【０１１２】
２．半導体装置の製造方法
次に、図１３乃至図１９を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体装置５０の製造方法について説明する。
【０１１３】
これらの図１３、図１４、図１５、図１６、及び図１８のそれぞれに於いて、（ａ）は上面を示し、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ’ 断面を示している。一方、図１７、図１９は、断面のみを示している。尚、これらの図に於けるＹ−Ｙ’ 断面は、図１３に於いて記入している一点鎖線に沿うものであって、図１４乃至図１８に於いても、これに相当する箇所の断面を描いている。
【０１１４】
当該半導体装置５０の製造に際しては、大判の配線基板５００が容易され、その一方の主面（上面）に設けられた複数個の半導体素子搭載部のそれぞれに、接着材５３を介して半導体素子５２を搭載・固着する。（図１３参照）
当該図１３に於いて、実線Ｌ１にて描かれる6個の領域が、分割されて配線基板５１となる部位であり、また破線Ｌ２にて囲繞される領域が樹脂封止対象の部位である。
【０１１５】
前記半導体素子搭載部は、当該配線基板５００が分割されて形成される配線基板５１のほぼ中央部に位置する。
【０１１６】
当該大判の配線基板５００は、例えばガラスエポキシ樹脂などの無機絶縁性樹脂を基材とし、その主面及び／或いは内層に銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設されて、所謂多層配線構造を呈している。
【０１１７】
半導体素子５２は、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）半導体基板が用いられ、周知の半導体製造プロセスにより、その一方の主面に形成された能動素子、受動素子層ならびにこれらの機能素子を相互に接続する配線層をもって電子回路が形成されている。そして、その表面に、当該配線層に接続された電極端子（電極パッド）が設けられている。
【０１１８】
また、接着材５３としては、所謂ダイボンドフィルム、或いはペースト状接着材を適用することができる。当該ダイボンドフィルムは、半導体基板のダイシング処理に対応して、半導体素子の裏面に配設することができる。
【０１１９】
次いで、前記配線基板５００の一方の主面上に於いて、各半導体素子５２の隅部近傍に位置して、反り防止部材の集合体５７０を配置する。（図１４参照）
当該反り防止部材の集合体５７０の一つは、平面形状がＸ字状或いはＶ字状を有し、それぞれの板状部が、個々の半導体素子５２の隅部と、配線基板５００にあって当該半導体素子５２が搭載される配線基板５１の隅部となる位置を結ぶ如く配置される。
【０１２０】
即ち、個々の半導体素子５２間にあっては、Ｘ字状の反り防止部材の集合体５７０ａが、その交点部（交差部）を複数の配線基板５１の隣接部、即ち当該配線基板５１の隅部（コーナー部）に位置して配置される。また当該配線基板５００の外縁部側にあっては、Ｖ字状の反り防止部材の集合体５７０ｂ或いはＸ字状の反り防止部材の集合体５７０ａが、その交点部（交差部）を個々の配線基板５１の外縁部相当部に位置して配置される。
【０１２１】
尚、当該配線基板５１の外縁部とは、配線基板５００が後のダイシング工程に於いて切断されて、半導体装置５０の配線基板５１として分離された際に、その外縁部でかつ隅部（コーナー部）となる部位に相当する。
【０１２２】
当該反り防止部材の集合体５７０は、シリコン（Ｓｉ）或いはセラミックなど、半導体素子５２と同等の線膨張係数（約３ｐｐｍ）及び曲げ強度（約８０ＭＰａ）を有する材料から形成されることが望ましい。また、その厚さは１００μｍ以上とされ、配線基板５１の構成・厚さ、半導体素子５２の厚さ、ならびに樹脂用封止５５の厚さなどに応じて適宜選択される。
【０１２３】
そして、当該反り防止部材の集合体５７０は、前記半導体素子５２と同様に、接着材５３を介して配線基板５００の一方の主面上に固着される。この時、当該反り防止部材の集合体５７０は、４個または２個の反り防止部材が一対に形成されたものであることから、Ｘ字状の反り防止部材の集合体５７０ａにあっては４個の反り防止部材を、またＶ字状の反り防止部材の集合体５７０ｂにあっては２個の反り防止部材を一括して固着することに相当し、その作業性は高い。
【０１２４】
尚、当該反り防止部材の集合体５７０の表面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属層を被覆しても良い。これにより、封止用樹脂５５との密着性をより低下せしめることができる。
【０１２５】
次いで、前記半導体素子に於ける電極端子と配線基板に於ける電極端子との間を、ボンディングワイヤ５４により接続する（図１５参照）。当該ボンディングワイヤ５４としては、金（Ａｕ）を主体とするワイヤが適用される。
【０１２６】
次いで、前記大判の配線基板５００の一方の主面に対して樹脂封止処理を行ない、当該一方の主面に搭載された複数個の半導体素子５２、反り防止部材の集合体５７０などを、封止用樹脂によって一括して樹脂封する。（図１６参照）
尚、当該図１６（ａ）に於いて、破線Ｌ２で囲繞された領域が被樹脂封止領域５５０である。
【０１２７】
この時、前記配線基板５００の外縁部側に配設されたＶ字状或いはＸ字状の反り防止部材の集合体５７０は、その一部が被樹脂封止領域５５０の外に露出される。
【０１２８】
次いで、前記大判の配線基板５００の他方の主面（裏面）に於いて、前記複数個の半導体素子５１のそれぞれに対応して配設されている電極端子（図示せず）に対して、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続用端子５６を配設する。（図１７参照）。配線基板５００の他方の主面（裏面）に配設された電極端子の配置によっては、当該外部接続用端子５６は格子状に配列されることとなる。
【０１２９】
しかる後、前記樹脂封止領域５５０と大判の配線基板５００とを、ダイシング処理によりその厚さ方向に切断して、図１８に於いて、実線Ｌ１にて示される部位を切断し、個々の半導体装置５０を形成する。
【０１３０】
この時、前記大判の配線基板５００上に配設されているところの、Ｘ字状或いはＶ字状を有する反り防止部材の集合体５７０も切断・分離されて、個々の半導体装置５０に於いては、半導体素子５２の隅部近傍から配線基板５１の隅部に延在し、封止用樹脂５５の側面に於いて表出する板状の反り防止部材５７が配設される。
【０１３１】
かかる工程を経て形成された、半導体装置５０の断面構造を、図１９に示す。
【０１３２】
即ち、この様な製造方法によれば、複数個の半導体素子５２を配線基板５００に搭載・固着した後、当該配線基板５１上に反り防止部材２００を搭載・固着し、ボンディングワイヤの配設、樹脂封止処理、外部接続端子の配設との工程を経た後、前記反り防止部材の集合体５７０を、樹脂封止領域５５０と大判の配線基板５００と共に一括してダイシング処理することにより、特別な工程を経ることなく、容易に、半導体装置５０を形成することができる。
【０１３３】
この様な半導体装置５０の製造方法は、その変形例に応じて、適宜変更することができる。
【０１３４】
一つに、前記図１４に示される反り防止部材の集合材５７０は、その形状が一様な幅を有する板状部がＸ字状或いはＶ字状とされたものが適用されているが、これは、図２０に示される様に、連結部に向うにつれてその幅が漸次拡大された形状とすることができる。
【０１３５】
当該図２０に示される線Ｌ３にて切断されることにより、前記第１の変形例である半導体装置６０に於ける、反り防止部材５７が形成される。
【０１３６】
また、前記第２の変形例に示される半導体装置７０を形成する場合には、前記図１３に示される半導体素子搭載工程に於いて、フリップチップ（フェイスダウン）実装法を適用して、半導体素子５２を大判の配線基板５００上に実装する。
【０１３７】
また、前記第３の変形例に示される半導体装置８０を形成する場合には、大判の配線基板５００の他方の主面（下面）に、半田を主体とする球状電極端子は設けられず、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）メッキが施された銅（Ｃｕ）などからなるランド状外部接続端子を配設する。
【０１３８】
そして、前記第４の変形例に示される半導体装置９０を形成する場合には、反り防止部材の集合材５７０の厚さが、樹脂封止部の厚さ（封止厚）と同等の厚さ（高さ）となる様、当該反り防止部材の集合材５７０の厚さ及び／或いは封止用樹脂の厚さを予め選択・決定する。
【０１３９】
一方、前記第５の変形例に示される半導体装置１００を形成する場合には、半導体素子５１に於いてボンディングワイヤ５４が導出されない辺に沿う側面の近傍に、板状の反り防止部材の一端を配置し、その他端を、配線基板５１の外縁部（実線Ｌ１に沿う縁部）を越えて、他の配線基板部に搭載されているところの半導体素子５１のボンディングワイヤ５４が導出されない辺に沿う側面の近傍などに配置する。
【０１４０】
更に、前記第６の変形例に示される半導体装置１１０、或いは第７の変形例に示される半導体装置１２０を形成する場合には、大判の配線基板５００に於けるそれぞれの配線基板５１の四隅部（コーナー部）に対して、正方形を有する反り防止部材５７０ｃを選択的に配設する。
【０１４１】
即ち、第６の変形例に示される半導体装置１１０を形成する際には、大判の配線基板５００に於ける配線基板５１の四隅部（コーナー部）に対して、正方形を有する反り防止部材５７０ｃを、その一辺が当該配線基板５１の外縁部と平行、即ち実線Ｌ１と平行となる様に配設する。かかる状態を、図２１に示す。
【０１４２】
また、第７の変形例に示される半導体装置１２０を形成する際には、大判の配線基板５００に於ける配線基板５１の四隅部（コーナー部）に対して、正方形を有する反り防止部材５７０ｃを、その四隅（コーナー部）が当該配線基板５１の外縁部と一致する様に配設する。即ち、前記第６の変形例に示される半導体装置１１０を形成する場合に対し、正方形を有する反り防止部材５７０ｃを９０度回転させて配置する。かかる状態を、図２２に示す。
【０１４３】
この様に、隣接する配線基板５１の四隅部に対して、正方形状を有する反り防止部材５７０ｃを配設することは、４個の反り防止部材を一括して固着することに相当する。
【０１４４】
当該正方形状を有する反り防止部体５７０ｃを適用し、これを配線基板５１の四隅部に配置すれば、前記樹脂封止領域５５０と大判の配線基板５００とをダイシング処理によりその厚さ方向に切断して個々の半導体装置を形成する際に、当該正方形状の反り防止部材５７０ｃも切断・分離される。
【０１４５】
そして、個々の半導体装置に於ける配線基板５１の四隅部に於いて、当該配線基板５１上にあっては正方形或いは三角形を呈し、且つ半導体装置の側面に於いてその端面を表出する反り防止部材５７が配設される。
【０１４６】
本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内に於いて、種々の変形及び変更が可能である。例えば、前記実施の態様ならびにその変形例にあっては、反り防止部材５７の形状を板状として説明したが、これは帯状とも言え、またその厚さが大となれば、棒状或いは柱状と称される形態も生ずることは勿論である。
【符号の説明】
【０１４７】
５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０          半導体装置
５１          配線基板
５２          半導体素子
５４          ボンディングワイヤ
５５          封止樹脂
５７、６７、７７、８７、１０７、１１７、１２７          反り防止部材
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図３】
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