(57)【要約】【課題】工程間で引き継がれるデータの量を削減可能にすることで、そのデータの取り扱いを容易にするとともに試験効率の向上を図ることができる半導体試験装置及び半導体試験方法を提供する。【解決手段】半導体試験装置２は、前工程から引き継がれる工程間引継データＦ１を用いてリダンダンシ演算を行うリダンダンシ演算部１２と、前工程からの工程間引継データＦ１のうち、予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読み込んでリダンダンシ演算部１２に受け渡す読込制御部１１と、リダンダンシ演算部１２から出力されるデータのうち、予め設定された格納指定情報に合致する種別のデータのみをデータ格納部１４に格納する格納制御部１３と、予め設定された出力指定情報に合致する種別のデータのみをデータ格納部１４から読み出して工程間引継データＦ２として外部に出力する出力制御部１５とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前工程から引き継がれる工程間引継データを用いて所定の処理を行う処理部を備える半導体試験装置において、
前工程からの工程間引継データのうち、予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読み込んで前記処理部に受け渡す読込制御部を備えることを特徴とする半導体試験装置。
【請求項２】
前記処理部の処理によって得られるデータを格納する格納部と、
前記処理部の処理によって得られるデータのうち、予め設定された格納指定情報に合致する種別のデータのみを前記格納部に格納する格納制御部と
を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体試験装置。
【請求項３】
予め設定された出力指定情報に合致する種別のデータのみを前記格納部から読み出して工程間引継データとして外部に出力する出力制御部を更に備えることを特徴とする請求項２記載の半導体試験装置。
【請求項４】
前記読込指定情報、前記格納指定情報、及び前記出力指定情報は、ユーザによって作成されて前記半導体試験装置の動作を規定する試験プログラム内において設定されることを特徴とする請求項３記載の半導体試験装置。
【請求項５】
前記処理部は、半導体デバイスに生じた不良の救済を行う上で必要なデータを前記工程間引継データと自工程で得られた前記半導体デバイスの試験結果とを用いて作成するリダンダンシ演算を、前記所定の処理として行うことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の半導体試験装置。
【請求項６】
前工程から引き継がれる工程間引継データを用いて所定の処理を行う半導体試験方法であって、
前工程からの工程間引継データのうち、予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読み込む第１ステップと、
前記所定の処理によって得られるデータのうち、予め設定された格納指定情報に合致する種別のデータのみを格納部に格納する第２ステップと、
予め設定された出力指定情報に合致する種別のデータのみを前記格納部から読み出して工程間引継データとして外部に出力する第３ステップと
を含むことを特徴とする半導体試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの試験を行う半導体試験装置及び半導体試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイスの信頼性を高めるために、半導体デバイスに対する様々な試験が複数工程で実施されている。例えば、被試験対象の半導体デバイスを恒温槽の炉の中に入れ、炉の温度を百℃程度の高温に設定した上で試験信号を印加して半導体デバイスにストレスを加えることで初期不良の有無を試験する高温試験や、炉の温度をマイナス数十℃程度の低温に設定して同様にストレスを加えつつ初期不良の有無を試験する低温試験が実施されている。
【０００３】
以上の高温試験及び低温試験は、半導体論理回路を試験するロジックテスタ、メモリの試験を行うメモリテスタ、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display：液晶表示ディスプレイ）の駆動ドライバを試験するトライバテスタ等の各種の半導体試験装置で一般的に行われる。ここで、半導体ウェハに形成されている状態のメモリを試験するメモリテスタでは、上記の高温試験や低温試験等の試験結果を用いて、メモリセルに生じた不良の救済を行う上で必要なデータを作成するリダンダンシ演算が行われる。
【０００４】
上述の通り、半導体デバイスに対しては様々な試験が複数工程で実施されるため、前工程で行われた試験の試験結果や試験条件等を示すデータが後工程の試験で必要になる場合があり、かかる場合には前工程から後工程にデータの引き継ぎが行われる。例えば、上記のメモリテスタでは、前工程の試験（例えば、高温試験）で得られた試験結果を用いたリダンダンシ演算の演算結果を示すデータが後工程に引き継がれ、後工程において前工程の演算結果を考慮したリダンダンシ演算が行われる。
【０００５】
また、これら前工程及び後工程に続く後々工程がある場合には、前工程における演算結果を考慮して演算された後工程の演算結果が後々工程に引き継がれ、後々工程において同様にリダンダンシ演算が行われる。このようにして、各工程で得られたリダンダンシ演算の演算結果が後の工程に順次引き継がれていき、各工程において前の工程で得られた演算結果を考慮したリダンダンシ演算が必要に応じて行われる。
【０００６】
尚、以下の特許文献１には高温試験・低温試験が可能な従来の半導体試験装置が開示されており、以下の特許文献２にはリダンダンシ演算を行う従来の半導体試験装置が開示されており、以下の特許文献３には半導体試験装置におけるデータの引き継ぎに関する発明が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１３８５２７号公報
【特許文献２】特開２００７−６６３４９号公報
【特許文献３】特開２００８−１４５１０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、従来の半導体試験装置では、様々な試験が複数工程で実施される場合において、前工程で用いた試験条件並びに前工程で得られた試験結果及び演算結果（リダンダンシ演算の演算結果）を示すデータの全てを後工程に引き継いでいる。これは、後工程の演算結果等が前工程の演算結果等に影響される場合があり、また、後の工程で不具合が生じた場合にその原因究明を容易にするためである。
【０００８】
しかしながら、近年においては、半導体デバイスの高集積化、多機能化、大容量化等によって工程間において引き継がれるデータの量が膨大になっている。このため、前工程から引き継がれるデータの読み込み、後工程に引き継ぐべきデータの書き出し等の処理に長時間を要し、試験効率が低下するという問題がある。また、データ量が膨大であるためにその取り扱いが困難であり、ユーザが不具合の原因究明を行おうとしても膨大なデータから必要なデータを見つけるのに長時間を要してしまうという問題もある。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、工程間で引き継がれるデータの量を削減可能にすることで、そのデータの取り扱いを容易にするとともに試験効率の向上を図ることができる半導体試験装置及び半導体試験方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の半導体試験装置は、前工程から引き継がれる工程間引継データ（Ｆ１）を用いて所定の処理を行う処理部（１２）を備える半導体試験装置（２）において、前工程からの工程間引継データのうち、予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読み込んで前記処理部に受け渡す読込制御部（１１）を備えることを特徴としている。
この発明によると、前工程から引き継がれたデータのうち、予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみが読込制御部によって読み込まれて処理部に受け渡される。
また、本発明の半導体試験装置は、前記処理部の処理によって得られるデータを格納する格納部（１４）と、前記処理部の処理によって得られるデータのうち、予め設定された格納指定情報に合致する種別のデータのみを前記格納部に格納する格納制御部（１３）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、予め設定された出力指定情報に合致する種別のデータのみを前記格納部から読み出して工程間引継データ（Ｆ２）として外部に出力する出力制御部（１５）を更に備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記読込指定情報、前記格納指定情報、及び前記出力指定情報が、ユーザによって作成されて前記半導体試験装置の動作を規定する試験プログラム内において設定されることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記処理部が、半導体デバイスに生じた不良の救済を行う上で必要なデータを前記工程間引継データと自工程で得られた前記半導体デバイスの試験結果とを用いて作成するリダンダンシ演算を、前記所定の処理として行うことを特徴としている。
本発明の半導体試験方法は、前工程から引き継がれる工程間引継データ（Ｆ１）を用いて所定の処理を行う半導体試験方法であって、前工程からの工程間引継データのうち、予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読み込む第１ステップ（Ｓ１３）と、前記所定の処理によって得られるデータのうち、予め設定された格納指定情報に合致する種別のデータのみを格納部（１４）に格納する第２ステップと（Ｓ１５）、予め設定された出力指定情報に合致する種別のデータのみを前記格納部から読み出して工程間引継データ（Ｆ２）として外部に出力する第３ステップ（Ｓ１６）とを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、前工程から引き継がれたデータのうち、予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読込制御部が読み込んで処理部に受け渡しているため、工程間で引き継がれるデータの量を削減することが可能になり、その結果としてデータの取り扱いが容易になり、また試験効率の向上を図ることができるという効果がある。
また、格納部に格納すべきデータの選択や、外部に出力すべきデータの選択を行うことで、更なるデータ量の削減をすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による半導体試験装置及び半導体試験方法について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による半導体試験装置を備える半導体試験システムの全体構成を示すブロック図である。図１に示す半導体試験システムは、ネットワークＮに複数の半導体試験装置を接続した構成であり、半導体試験装置間で工程間引継データの引き継ぎを行いつつ半導体デバイスの試験を行う。
【００１３】
尚、図１においては説明を簡単にするために、ネットワークＮに接続された２台の半導体試験装置１，２のみを図示しており、以下ではこれら半導体試験装置１，２に着目して説明を進める。また、これらの半導体試験装置１，２は、半導体ウェハに形成されている状態のメモリの試験を行うメモリテスタであって、半導体試験装置１は被試験対象であるメモリ（以下、ＤＵＴ（Device Under Test）という）に対して低温試験を実施すメモリテスタであり、半導体試験装置２は半導体試験装置１で低温試験が行われたＤＵＴに対して高温試験を実施するメモリテスタであるとする。
【００１４】
ここで、低温試験とは、ＤＵＴを恒温槽の炉の中に入れ、炉の温度をマイナス数十℃程度の低温に設定した上で試験信号を印加してＤＵＴにストレスを加えつつ行う試験をいう。また、高温試験とは、炉の温度を百℃程度の高温に設定した上で試験信号を印加してＤＵＴにストレスを加えつつ行う試験をいう。尚、低温試験及び高温試験の設定温度は、被試験対象の種類に応じてユーザが任意の温度に設定することができる。
【００１５】
半導体試験装置１は、試験装置本体１ａと管理コンピュータ１ｂとからなり、ユーザによって作成される試験プログラムに従って、ＤＵＴに対する低温試験を実施するとともに、低温試験により得られた試験結果を用いて低温試験が実施されたＤＵＴが備えるメモリセルの不良の救済を行う上で必要なデータを作成するリダンダンシ演算を行う。試験装置本体１ａは、恒温槽の炉（図示省略）を備えており、試験プログラムに従って炉内に配置されたＤＵＴに対して試験信号を印加し、ＤＵＴから得られる信号と所定の期待値とを比較してＤＵＴのパス／フェイルを判定することによりＤＵＴの低温試験を実施する。また、試験プログラムに従って、ＤＵＴの試験結果（フェイル情報）を用いてリダンダンシ演算を実施する。
【００１６】
管理コンピュータ１ｂは、ユーザの指示に応じて試験装置本体１ａの管理を行う。例えば、ユーザの指示に応じた試験プログラムを試験装置本体１ａに読み込ませてＤＵＴの低温試験を実行させる。また、試験装置本体１ａで行われるリダンダンシ演算によって得られる演算結果の取捨選択、半導体試験装置２へ引き継ぐべき工程間引継データＦ１の作成及び引き継ぎ等を行う。ここで、工程間引継データＦ１には、試験装置本体１ａで行われるＤＵＴに対する試験の試験条件、その試験結果、及びリダンダンシ演算の演算結果等が所定のデータ形式で含まれる。尚、工程間引継データＦ１のデータ形式の詳細については後述する。
【００１７】
半導体試験装置２は、半導体試験装置１と同様に、試験装置本体２ａと管理コンピュータ２ｂとからなり、ユーザによって作成される試験プログラムに従って、ＤＵＴに対して高温試験を実施する。また、高温試験により得られた試験結果を用いて高温試験が実施されたＤＵＴが備えるメモリセルの不良の救済を行う上で必要なデータを作成するリダンダンシ演算を行う。
【００１８】
試験装置本体２ａは、上述した試験装置本体１ａと同様に、恒温槽の炉（図示省略）を備えており、試験プログラムに従って炉内に配置されたＤＵＴに対して試験信号を印加し、ＤＵＴから得られる信号と所定の期待値とを比較してＤＵＴのパス／フェイルを判定することによりＤＵＴの高温試験を実施する。また、試験プログラムに従って、ＤＵＴの試験結果を用いてリダンダンシ演算を実施する。尚、詳細は後述するが、試験装置本体２ａは、半導体試験装置１から引き継がれる工程間引継データＦ１に含まれる演算結果（リダンダンシ演算の演算結果）を考慮してリダンダンシ演算を実施する。
【００１９】
管理コンピュータ２ｂは、ユーザの指示に応じて試験装置本体２ａの管理を行う。例えば、ユーザの指示に応じた試験プログラムを試験装置本体２ａに読み込ませてＤＵＴの高温試験を実行させる。また、半導体試験装置１から引き継がれる工程間引継データＦ１の取捨選択、試験装置本体２ａで行われるリダンダンシ演算によって得られる演算結果の取捨選択を行う。更に、管理コンピュータ２ｂは、不図示の他の半導体試験装置へ引き継ぐべき工程間引継データＦ２がある場合には、その工程間引継データＦ２の作成及び引き継ぎ等を行う。ここで、工程間引継データＦ２には、試験装置本体２ａで行われるＤＵＴに対する試験の試験条件、その試験結果、及びリダンダンシ演算の演算結果等が、工程間引継データＦ１のデータ形式と同じデータ形式で含まれる。
【００２０】
ここで、工程間引継データＦ１，Ｆ２のデータ形式について説明する。図２は、工程間引継データＦ１，Ｆ２のデータ形式を説明するための図である。図２に示す通り、工程間引継データＦ１，Ｆ２は、ＩＤリスト格納領域Ｒ１と複数のデータ格納領域Ｒ１１，Ｒ１２，…とを含んでなる。ＩＤリスト格納領域Ｒ１は、工程間引継データＦ１，Ｆ２の先頭部分に設けられ、引き継がれるべきデータ（データ格納領域Ｒ１１，Ｒ１２，…に格納されるデータ）の各々に一意に付される識別子（ＩＤ）の一覧（リスト）が格納される領域である。
【００２１】
データ格納領域Ｒ１１，Ｒ１２，…は、工程間引継データＦ１，Ｆ２のＩＤリスト格納領域Ｒ１よりも後ろの部分に設けられ、引き継がれるべきデータに一意に付される上述したＩＤ、そのデータのサイズ（大きさ）、及びそのデータを組にしたものが格納される領域である。データ格納領域Ｒ１１，Ｒ１２，…は、引き継がれるべきデータの種類の数だけ（ＩＤの数だけ）設けられる。かかるデータ形式の工程間引き継ぎデータＦ１，Ｆ２は、データ格納領域Ｒ１１，Ｒ１２，…の各々に格納されたデータを単位として半導体試験装置１，２で取り扱われる。
【００２２】
図３は、半導体試験装置２の要部構成を示すブロック図である。尚、図３では半導体試験装置２の要部構成を図示しているが、半導体試験装置１も同様の構成である。図３に示す通り、半導体試験装置２は、読込制御部１１、リダンダンシ演算部１２（処理部）、格納制御部１３、データ格納部１４（格納部）、及び出力制御部１５を備える。尚、半導体試験装置２に設けられるこれら読込制御部１１〜出力制御部１５のうち、リダンダンシ演算部１２、格納制御部１３、及びデータ格納部１４は試験装置本体２ａに設けられ、読込制御部１１及び出力制御部１５は管理コンピュータ２ｂに設けられる。
【００２３】
読込制御部１１は、半導体試験装置１からの工程間引継データＦ１のうち、試験プログラムで予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読み込んでリダンダンシ演算部１２へ受け渡す。この読込制御部１１は、工程間引継データＦ１に含まれるデータの読み込みを、上記の読込指定情報に基づいて図２に示すデータ格納領域Ｒ１１，Ｒ１２，…に格納されたデータを単位として行う。尚、図３においては、工程間引継データＦ１に含まれるデータ（図２に示すデータ格納領域Ｒ１１，Ｒ１２，…を単位としたデータ）を、データｄ１１〜ｄ１３で表しており、読込制御部１１内のスイッチを開閉することによりデータｄ１１〜ｄ１３の読み込みが制御可能であることを表している。
【００２４】
リダンダンシ演算部１２は、試験装置本体２ａで実施されたＤＵＴの高温試験の試験結果を用いてリダンダンシ演算を実施する。ここで、リダンダンシ演算部１２は、半導体試験装置１から引き継がれる工程間引継データＦ１に含まれる演算結果（低温試験の試験結果を用いたリダンダンシ演算の演算結果）が読込制御部１１から受け渡された場合には、その演算結果を考慮してリダンダンシ演算を実施する。これは、低温試験を行ってフェイルと判定されたメモリセルが高温試験ではパスと判定されることがあるため、低温試験に係るリダンダンシ演算の演算結果も加味して高温試験に係るリダンダンシ演算を行うためである。
【００２５】
格納制御部１３は、リダンダンシ演算部１２から出力されるデータのうち、試験プログラムで予め設定された格納指定情報に合致する種別のデータのみをデータ格納部１４に格納する。この格納制御部１３は、上述した読込制御部１１と同様に、リダンダンシ演算部１２から出力されるデータを、工程間引継データＦ１のデータ形式と同様のデータ形式でデータ格納部１４に格納する。つまり、リダンダンシ演算部１２から出力されるデータは、図２に示す通り、そのデータに一意に付されるＩＤ、そのデータのサイズ（大きさ）、及びそのデータを組にした形式で格納される。尚、図３においては、データ格納部１４に格納されるデータを、データｄ２１〜ｄ２３で表しており、格納制御部１３内のスイッチを開閉することによりデータｄ２１〜ｄ２３の格納が制御可能であることを表している。
【００２６】
データ格納部１４は、リダンダンシ演算部１２から出力されるデータのうち、格納制御部１３を介したデータを格納する。このデータ格納部１４は、試験装置本体２ａのみで用いられるものではなく、管理コンピュータ２ｂとの間で共用される。このデータ格納部１４は、例えばハードディスク等の磁気記憶装置又はＲＡＭ（Random Access Memory)等の半導体記憶装置で実現される。
【００２７】
出力制御部１５は、試験プログラムで予め設定された出力指定情報に合致する種別のデータのみをデータ格納部１４から読み出して、工程間引継データＦ２として半導体試験装置２の外部に出力する。この出力制御部１５は、工程間引継データＦ１のデータ形式と同様のデータ形式でデータ格納部１４に格納されたデータを、そのデータ形式のまま読み出す。尚、図３においては、出力制御部１５から出力されるデータを、データｄ３１〜ｄ３３で表しており、出力制御部１５内のスイッチを開閉することによりデータｄ３１〜ｄ３３の出力が制御可能であることを表している。
【００２８】
次に、上記構成における半導体試験システムの動作について説明する。図４は、本発明の一実施形態による半導体試験方法を示すフローチャートである。本実施形態では、まず試験装置本体１ａが備える恒温槽の炉内にＤＵＴが配置され、ＤＵＴに対する低温試験が行われる。ＤＵＴの低温試験は、ユーザが管理コンピュータ１ｂを操作して低温試験用のプログラムを特定し、試験開始の指示を行うことにより開始される。
【００２９】
低温試験が開始されると、ＤＵＴが配置された炉内の温度が試験プログラムに記述された温度（例えば、マイナス数十℃程度の低温）に設定される。炉内の温度が目標の温度に達すると、試験装置本体１ａから炉内のＤＵＴに対して試験信号が印加され、ＤＵＴから出力される信号と所定の期待値とが比較されパス／フェイルが判定される。この判定結果は、フェイル情報として試験装置本体１ａ内に蓄積される。
【００３０】
ＤＵＴの試験が終了すると、試験装置本体１ａにおいて、先にユーザによって特定された試験プログラムに従ったリダンダンシ演算が行われる。具体的に、このリダンダンシ演算では、メモリセルの行毎の不良セルの数及び列毎の不良セルの数がそれぞれ計数され、不良セルをメモリセルの周囲に形成された代替セルで代替する方法を示すデータが演算される。リダンダンシ演算が終了すると、管理コンピュータ１ｂによって、ＤＵＴに対する低温試験の試験条件、その試験結果、及びリダンダンシ演算の演算結果等を含む工程間引継データＦ１が図２に示すデータ形式で作成される。以上の処理によって、一連の低温試験が終了する。
【００３１】
低温試験が終了すると、試験装置本体２ａが備える恒温槽の炉内に低温試験が実施されたＤＵＴが配置され、そのＤＵＴに対する高温試験が行われる。ＤＵＴの高温試験は、ユーザが管理コンピュータ２ｂを操作して高温試験用のプログラムを特定し、試験開始の指示を行うことにより開始される。試験開始の指示がなされると、まずユーザによって特定された試験プログラムの読み込みが行われる（ステップＳ１１）。
【００３２】
次に、読み込まれた試験プログラムに従ってＤＵＴの試験が実行される（ステップＳ１２）。具体的には、ＤＵＴが配置された炉内の温度が試験プログラムに記述された温度（例えば、百℃程度の高温）に設定される。炉内の温度が目標の温度に達すると、試験装置本体２ａから炉内のＤＵＴに対して試験信号が印加され、ＤＵＴから出力される信号と所定の期待値とが比較されパス／フェイルが判定される。この判定結果は、フェイル情報として試験装置本体２ａ内に蓄積される。
【００３３】
ＤＵＴの試験が終了すると、試験プログラムの記述に応じた工程間引継データＦ１の読み込みが行われる。具体的には、まず管理コンピュータ２ｂから管理コンピュータ１ｂに対して工程間引継データＦ１の送信要求が出力される。この送信要求を受信すると、管理コンピュータ１ｂは先に作成した工程間引継データＦ１を管理コンピュータ２ｂに向けて送信する。管理コンピュータ１ｂからの工程間引継データＦ１を受信すると、管理コンピュータ２ｂの読込制御部１１は、受信した工程間引継データＦ１のうち、試験プログラムで予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読み込んでリダンダンシ演算部１２へ受け渡す（ステップＳ１３：第１ステップ）。
【００３４】
工程間引継データＦ１の引き継ぎが終了すると、試験装置本体２ａにおいて、ステップＳ１１で特定された試験プログラムに従ったリダンダンシ演算が行われる。ここで行われるリダンダンシ演算は、基本的には前述した半導体試験装置１で行われるリダンダンシ演算と同様に、メモリセルの行毎の不良セルの数及び列毎の不良セルの数がそれぞれ計数され、不良セルをメモリセルの周囲に形成された代替セルで代替する方法を示すデータを演算するものである。
【００３５】
但し、上記のステップＳ１３の処理によって、半導体試験装置１からの工程間引継データＦ１が引き継がれているため、試験装置本体２ａは、その工程間引継データＦ１に含まれる演算結果を考慮してリダンダンシ演算を実施する。例えば、低温試験におけるリダンダンシ演算の演算結果にメモリセルの行毎の不良セルの数及び列毎の不良セルの数が含まれている場合には、それらをを高温試験の試験結果に加えた上でリダンダンシ演算を行う（ステップＳ１４）。
【００３６】
リダンダンシ演算が終了すると、管理コンピュータ２ｂの格納制御部１３は、リダンダンシ演算部１２から出力されるデータのうち、試験プログラムで予め設定された格納指定情報に合致する種別のデータのみをデータ格納部１４に格納する（ステップＳ１５：第２ステップ）。ここで、格納制御部１３は、上記の格納指定情報に合致する種別のデータを、図２に示す通り、そのデータに一意に付されるＩＤ、そのデータのサイズ（大きさ）、及びそのデータを組にした形式で格納する。
【００３７】
データ格納部１４へのデータ格納が終了すると、出力制御部１５は、試験プログラムで予め設定された出力指定情報に合致する種別のデータのみをデータ格納部１４から読み出して、工程間引継データＦ２として半導体試験装置２の外部（例えば、次工程の試験を行う不図示の半導体試験装置に向けて）に出力する（ステップＳ１６：第３ステップ）。尚、ここでは、データ格納部１４から読み出したデータから工程間引継データＦ２を作成し、即座に外部に出力する例について説明するが、作成した工程間引継データＦ２を一時的に保存しておき、外部からの送信要求があってから外部に出力するようにしても良い。
【００３８】
以上説明した通り、本実施形態では、前工程における半導体試験装置１からの工程間引継データＦ１のうち、試験プログラムで予め設定された読込指定情報に合致する種別のデータのみを読込制御部１１が読み込んでリダンダンシ演算部１２に受け渡しているため、工程間で引き継がれるデータの量を削減することが可能になるとともに、データの読み込みに要する時間を短縮することができる。
【００３９】
また、本実施形態では、リダンダンシ演算部１２から出力されるデータのうち、試験プログラムで予め設定された格納指定情報に合致する種別のデータのみを格納制御部１３がデータ格納部１４に格納している。更には、試験プログラムで予め設定された出力指定情報に合致する種別のデータのみを出力制御部１５がデータ格納部１４から読み出して、工程間引継データＦ２として半導体試験装置２の外部に出力している。
【００４０】
このため、工程間で引き継がれるデータの量を更に削減することが可能になり、データの格納及び出力に要する時間を短縮することができる。以上の通り、本実施形態では、データ格納部１４に格納すべきデータや工程間で引き継がれるデータの量を削減することができるとともに、それらの処理に要する時間を短縮することができるため、データの取り扱いを容易にすることができるとともに試験効率の向上を図ることができる。
【００４１】
以上、本発明の一実施形態による半導体試験装置及び半導体試験方法について説明したが、本発明は上述した実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態では、前工程において低温試験を行い、後工程において高温試験を行う例について説明したが、これらの工程が行われる順序は逆であっても良い。また、上記実施形態では、前工程のデータを考慮してリダンダンシ演算を行う例について説明したが、前工程のデータを考慮した処理はリダンダンシ演算に限られる訳ではなく、半導体試験装置で行われる他の演算や処理である場合にも本発明を適用することができる。
【００４２】
また、以上の説明においては、読込制御部１１で用いられる読込指定情報、格納制御部１３で用いられる格納指定情報、及び出力制御部１５で用いられる出力指定情報の何れもが試験プログラムで予め設定されているとした。しかしながら、これらは試験プログラムとは別に設定されるものであっても良い。また、以上の読込指定情報、格納指定情報、及び出力指定情報は、ユーザによって任意に設定することができるため、リダンダンシ演算部１２に受け渡すべきデータ、データ格納部１４に格納すべきデータ、及び外部に出力すべきデータをそれぞれ何らの関連性もなく独立に設定することもでき、或いは何らかの関連性をもって設定することもできる。
【００４３】
また、上記実施形態では、半導体試験装置１，２がメモリの試験を行うメモリテスタである場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明は、メモリテスタ以外に、半導体論理回路を試験するロジックテスタ、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display：液晶表示ディスプレイ）の駆動ドライバを試験するトライバテスタ等の各種の半導体試験装置に適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態による半導体試験装置を備える半導体試験システムの全体構成を示すブロック図である。
【図２】工程間引継データＦ１，Ｆ２のデータ形式を説明するための図である。
【図３】半導体試験装置２の要部構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の一実施形態による半導体試験方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４５】
２            半導体試験装置
１１          読込制御部
１２          リダンダンシ演算部
１３          格納制御部
１４          データ格納部
１５          出力制御部
Ｆ１，Ｆ２    工程間引継データ
【図１】
2010079939.tif 000003
【図２】
2010079939.tif 000004
【図３】
2010079939.tif 000005
【図４】
2010079939.tif 000006