(57)【要約】【課題】エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くする。【解決手段】基板２上に形成された第一電極２０ａと、第一電極を囲む開口８を有する隔壁７と、第一電極２０ａ上に形成された担体輸送層４２と、隔壁７及び担体輸送層４２上に形成された第二電極４６と、を備える発光パネル１０である。第二電極４６は、隔壁７と担体輸送層４２との段差部分を連続して被覆する導電性材料からなる段差被覆層４７と、段差被覆層４７に積層され、段差被覆層４７との接触抵抗を軽減することができる抵抗軽減層４８とを積層してなる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第一電極と、前記第一電極を囲む開口を有する隔壁と、前記第一電極上に形成された担体輸送層と、前記隔壁及び前記担体輸送層上に形成された第二電極と、を備える発光パネルにおいて、
前記第二電極は、前記隔壁と前記担体輸送層との段差部分を連続して被覆する導電性材料からなる段差被覆層と、前記段差被覆層に積層され、前記段差被覆層との接触抵抗を軽減する抵抗軽減層と、を有することを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記発光パネルはボトムエミッション型の構造であることを特徴とする請求項１に記載の発光パネル。
【請求項３】
前記隔壁は、前記基板上面に形成され、前記第一電極に接続されたトランジスタを被覆する第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜を被覆する第二絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記隔壁は、厚さが１〜５μｍ、テーパー角が８０〜９０°であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の発光パネル。
【請求項５】
前記段差被覆層は、錫ドープ酸化インジウムまたは亜鉛ドープ酸化インジウムを含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の発光パネル。
【請求項６】
前記抵抗軽減層は、アルミニウム−ニッケル合金を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の発光パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）はアノードとカソードとの間に例えば電子注入層、有機化合物層、正孔注入層が介在した積層構造を為している。アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、電子注入層から有機化合物層に電子が注入され、正孔注入層から有機化合物層に正孔が注入され、有機化合物層内で電子と正孔が再結合を引き起こして有機化合物層が発光する。
【０００３】
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
有機ＥＬ素子を用いたエレクトロルミネッセンスパネルにおいてカラー表示をする場合には、赤、緑、青の３色の画素を配列するが、それぞれ有機化合物層が異なる材料からなるため、有機化合物層を形成する際に材料が混合するのを防止するため、各画素の間に隔壁を形成する。この隔壁は、画素トランジスタの上部に形成される。有機ＥＬ素子のカソード電極はエレクトロルミネッセンスパネルの画素領域の全面に形成されるが、隔壁が設けられていることでカソード電極が画素トランジスタに及ぼす影響を低減することができる。隔壁の厚さは、カソード電極によるバックゲート効果が発生しないように、最適な厚さ、例えば１〜５μｍに設計される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、製造プロセスの簡略化のために、図１３、図１４に示す構造のエレクトロルミネッセンスパネルが検討されている。このエレクトロルミネッセンスパネルを製造するには、まず、有機エレクトロルミネッセンス素子１４０を構成する画素電極１４１と、画素トランジスタ１２１とを基板上に形成する。次に、画素トランジスタ１２１及び画素電極１４１を保護絶縁膜１３２で覆う。そして、保護絶縁膜１３２に画素電極１４１を露出させる開口部１３３を形成した後に、保護絶縁膜１３２の上部に画素電極１４１の外周部と重なるように網目状の隔壁１０６を形成する。その後、開口部１３３内の画素電極１４１上に有機化合物層１４２を形成する。その後、有機化合物層１４２及び隔壁１０６の上部にカソードとなる共通電極１４６を、例えばアルミニウムを１００〜５００ｎｍの厚さになるようにべた一面に形成する。
【０００７】
ここで、隔壁１０６のテーパー角を９０度近くにすると、共通電極１４６が隔壁１０６の段差部で断線するおそれがある。一方、隔壁１０６のテーパー角を小さくすると、有機化合物層１４２のエッジと画素トランジスタ１２１との距離を長くとる必要があり、開口率を大きくすることができないという問題がある。
【０００８】
本発明の課題は、エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、基板上に形成された第一電極と、前記第一電極を囲む開口を有する隔壁と、前記第一電極上に形成された担体輸送層と、前記隔壁及び前記担体輸送層上に形成された第二電極と、を備える発光パネルにおいて、前記第二電極は、前記隔壁と前記担体輸送層との段差部分を連続して被覆する導電性材料からなる段差被覆層と、前記段差被覆層に積層され、前記段差被覆層との接触抵抗を軽減する抵抗軽減層と、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルが提供される。
【００１０】
好ましくは、前記発光パネルはボトムエミッション型の構造である。
好ましくは、前記隔壁は、前記基板上面に形成され、前記第一電極に接続されたトランジスタを被覆する第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜を被覆する第二絶縁膜を含む。
好ましくは、前記隔壁は、厚さが１〜５μｍ、テーパー角が８０〜９０°である。
好ましくは、前記段差被覆層は、錫ドープ酸化インジウムまたは亜鉛ドープ酸化インジウムからなる。
好ましくは、前記抵抗軽減層は、アルミニウム−ニッケル合金からなる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ＥＬディスプレイパネル１０における１つの画素ＰＸの回路図である。
【図２】１つの画素ＰＸを示す平面図である。
【図３】図２のIII−III矢視断面図である。
【図４】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図５】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図６】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図７】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図８】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図９】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１０】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１１】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１２】トランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１３】従来のＥＬディスプレイパネル１１０における１つの画素ＰＸを示す平面図である。
【図１４】図１３のXIV−XIV矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。なお、本実施の形態のＥＬディスプレイパネル１０は絶縁基板２側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型の構造である。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０における１つの画素ＰＸの回路図である。このＥＬディスプレイパネル１０においては、赤、青及び緑の画素ＰＸによって１ドットの画素が構成され、このような画素が表示領域全域にマトリクス状に配列されている。図１の水平方向の配列に着目すると赤の画素ＰＸ、青の画素ＰＸ、緑の画素ＰＸの順に繰り返し配列され、図１の上下方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００１５】
このＥＬディスプレイパネル１０においては、画素ＰＸに各種の信号を出力するために、複数の走査線５２、信号線５１及び供給線５３が設けられている。走査線５２と信号線５１とは互いに直交する方向に延在している。
【００１６】
画素ＰＸは、２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、を有する画素回路ＰＣ及び有機ＥＬ素子４０を有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、走査線５２、信号線５１及び供給線５３の入力信号に応じて有機ＥＬ素子４０に電圧を印加する。
【００１７】
図２は１つの画素ＰＸを示す平面図であり、図３は図２のIII−III矢視断面図である。図２、図３に示すように、透明な絶縁基板２の上にトランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線５１が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。
【００１８】
ゲート絶縁膜３１の上には、図２、図３に示すように、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線５２及び供給線５３が設けられている。なお、図２に示すように、ドレイン電極２１Ｄは供給線５３と一体に形成されており、ソース電極２２Ｓはコンタクトホール２８ａによりゲート電極２１Ｇ及び電極２７ａと導通されており、信号線５１はコンタクトホール２８ｂによりドレイン電極２２Ｄと導通されており、走査線５２はコンタクトホール２８ｃによりゲート電極２２と導通されている。また、ソース電極２１Ｓと電極２７ｂとは一体に形成されている。
【００１９】
また、ゲート絶縁膜３１の上には、画素電極４１（第一電極）がマトリクス状に配列されている。これら画素電極４１は、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。画素電極４１はトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
【００２０】
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線５２及び供給線５３、画素電極４１は共通の保護絶縁膜（第一絶縁膜）３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２の画素電極４１の部分には画素電極４１を露出させる開口部３３が形成されている。開口部３３が形成されることにより保護絶縁膜３２は画素電極４１の間を縫うように網目状に形成されるとともに画素電極４１の一部外縁部に重なり、画素電極４１を囲繞している。開口部３３内に後述する有機ＥＬ層４２が形成される。
【００２１】
保護絶縁膜３２上には、保護絶縁膜３２を覆いかつ画素電極４１を露出させるように、網目状の上部絶縁膜（第二絶縁膜）６が形成されている。上部絶縁膜６は、例えばポリイミド等の樹脂により形成されたものであり、トランジスタ２１，２２の各電極、走査線５２、信号線５１、供給線５３よりも十分に厚い。上部絶縁膜６の最適な厚さは、例えば１〜５μｍに設計される。
上部絶縁膜６の開口８からは画素電極４１が露出している。上部絶縁膜６の開口部８は、保護絶縁膜３２の開口部３３よりも小さい。以降、保護絶縁膜３２と上部絶縁膜６の二層を合わせて隔壁７という。
なお、絶縁基板２から隔壁７までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
【００２２】
図３に示すように、隔壁７は９０度近くの高テーパー角となるように制御されている。高テーパー角に制御する方法は、例えば、保護絶縁膜３２上に上部絶縁膜６となる有機または無機材料を成膜後、レジストパターニングしてドライエッチングする方法が知られている。隔壁７が高テーパー角となるように制御されているため、隔壁７の開口８を画素電極４１の大きさに合わせて極力大きくすることができる。したがって、有機ＥＬ素子２０の開口率を高くすることができる。
【００２３】
なお、図２、図３においては、画素電極４１とソース電極２１Ｓとの接続部を除き、画素電極４１と保護絶縁膜３２との重なり幅は約２μｍであるが、重なり幅は任意である。また、開口部８の外縁は開口部３３の外縁よりも約２μｍ内側に配置されているが、画素電極４１と保護絶縁膜３２との重なり幅よりも大きければよい。
【００２４】
画素電極４１上には正孔注入層４３、発光層４４が順に積層されて有機ＥＬ層４２（担体輸送層）が形成されている。正孔注入層４３は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層４４は、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。サブピクセルが赤の場合には発光層４４が赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層４４が緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層４４が青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
【００２５】
正孔注入層４３及び発光層４４は、湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔注入層４３となるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液を画素電極４１に塗布して成膜し、その後、発光層４４となる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜する。なお、厚膜の隔壁７が設けられるので、隣り合う画素電極４１に塗布された有機化合物含有液が隔壁７を越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００２６】
なお、発光層４４の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層４２は画素電極４１の上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であってもよい。
【００２７】
発光層４４、隔壁７の上部には、有機ＥＬ素子２０のカソードを構成する電子注入層４５が成膜されている。電子注入層４５は、画素電極４１よりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成されている。あるいは、電子注入層４５は、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
【００２８】
電子注入層４５の上部には、対向電極（第二電極）４６が形成されている。対向電極４６は、段差被覆層４７と、抵抗軽減層４８とを積層してなる。
段差被覆層４７は、導電性かつステップカバレッジ性が高い材料からなり、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いて形成することができる。あるいは、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩｎＺｎＯ）を用いてもよく、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）を重量比９０：１０とするターゲット組成で気相成長法により成膜してもよい。これらの材料はステップカバレッジ性がよく、段差被覆層４７は隔壁７の開口８のテーパー角が９０度近くでも段差部分で切れることなく形成される。このため、段差部分における断線不良が軽減され、歩留まりが向上する。なお、段差被覆層４７の厚さは３０〜５０ｎｍが好ましい。
【００２９】
抵抗軽減層４８は、発光層４４からカソード側に発光された光をアノード側に反射できるものであればよく、例えば、可視光を全て反射できる材質および膜厚から形成されている。抵抗軽減層４８は、例えばアルミニウムとニッケルの合金（Ａｌ−Ｎｉ合金）等の導電性材料を気相成長法によって成膜することによって形成される。抵抗軽減層４８の厚さは１００〜５００ｎｍであることが好ましい。抵抗軽減層４８を設けることで、段差被覆層４７を単独で対向電極４６とする場合よりも抵抗を軽減することができる。また、Ａｌ−Ｎｉ合金を用いることで、純粋なアルミニウムを用いた場合よりも段差被覆層４７との接触抵抗を軽減することができる。
【００３０】
画素電極４１、有機ＥＬ層４２、電子注入層４５、対向電極４６の順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
【００３１】
なお、図示しないが、対向電極４６の上には、封止層が堆積されており、封止層は表示部３全体を被覆するように形成されている。つまり、封止層は、複数の有機ＥＬ素子１０全体を被覆するように形成されている。封止層は、絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これらの樹脂にシリカ充填材等を加えたものでもよい。封止層は有機ＥＬ素子２０が外気に露出されることを防ぐ役割を果たす。
【００３２】
次に、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。まず、図４〜図１２を用いてトランジスタアレイパネル５０の製造工程について説明する。
まず、図４に示すように、絶縁基板２の上部にべた一面にゲート金属３５を成膜する。次に、ゲート金属３５をパターニングすることで、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ及び電極２７ａ、信号線５１を形成する。次に、図５に示すように、これらを被覆するゲート絶縁膜３１、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体層３６、及び、半導体層３６の上に窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をべた一面に形成する。次に、図６に示すように、窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をパターニングすることでチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。
【００３３】
次に、図７に示すように、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄとなるｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコンからなる層（ｎ+シリコン層３８）をべた一面に形成する。次に、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃが形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層、及びｎ+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
【００３４】
次に、図８に示すように、ソース・ドレイン金属３９をべた一面にする。このとき、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３８に形成された孔の部分でゲート金属３５とソース・ドレイン金属３９とが接合され導通し、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃが形成される。
【００３５】
次に、図９に示すように、ソース・ドレイン金属３９をパターニングすることでキャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線５２及び供給線５３を形成する。
次に、図１０に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることで画素電極４１を形成する。
【００３６】
次に、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線５２及び供給線５３、及び画素電極４１を覆う保護絶縁膜３２をべた一面に形成する。次に、図１１に示すように、画素電極４１の部分に開口部３３を形成する。
【００３７】
次に、保護絶縁膜３２及び画素電極４１の上部にポリイミド等の樹脂をべた一面に塗布し、パターニングすることで、図１２に示すように、上部絶縁膜６を網目状に形成する。このとき、テーパー角が９０度近く（好ましくは８０〜９０度）となるように開口８を形成する。以上により、トランジスタアレイパネル５０が形成される。（以降、保護絶縁膜３２と上部絶縁膜６の二層を合わせて隔壁７という。）
【００３８】
次に、トランジスタアレイパネル５０上へ有機ＥＬ素子２０を形成し、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。
【００３９】
まず、トランジスタアレイパネル５０を洗浄する。次に、画素電極４１の表面を、有機ＥＬ層４２の形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
【００４０】
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液を画素電極４１に塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。画素電極４１ごとに独立して正孔注入層４３を成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００４１】
このように湿式塗布法により正孔注入層４３を形成した場合、厚膜の隔壁７が設けられているから、隣り合う画素電極４１に塗布された有機化合物含有液が隔壁７を越えて混ざり合わない。そのため、画素電極４１ごとに独立して正孔注入層４３を形成することができる。
【００４２】
正孔注入層４３を形成した後、正孔注入層４３を大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
【００４３】
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルの正孔注入層４３上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルの正孔注入層４３上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルの正孔注入層４３上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層４３上に発光層４４を成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００４４】
このように湿式塗布法により正孔注入層４３及び発光層４４を形成した場合、厚膜の隔壁７が設けられているから、隣り合うサブピクセルに塗布された有機化合物含有液が隔壁７を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルごとに独立して発光層４４を形成することができる。
【００４５】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００４６】
次に、発光層４４、隔壁７の上部に電子注入層４５を気相成長法により成膜する。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜を成膜する。
【００４７】
次に、電子注入層４５の上部に段差被覆層４７、抵抗軽減層４８を気相成長法により順に成膜し、対向電極４６を形成する。具体的には、例えばＩＴＯにより段差被覆層４７を形成する。次に、Ａｌ−Ｎｉ合金を用いた真空蒸着法によって抵抗軽減層４８を形成する。
以上により、トランジスタアレイパネル５０上に有機ＥＬ素子２０が形成される。
【００４８】
最後に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等を対向電極４６の上部に塗布し、硬化させて封止層を形成する。
以上により、ＥＬディスプレイパネル１０が完成する。
【００４９】
本実施形態によれば、対向電極４６に段差被覆層４７を設けることで、対向電極４６が段差部分で切れることなく形成され、段差部分における断線不良が軽減され、歩留まりが向上する。即ち、例え抵抗軽減層４８が断線してしまっても、導電性材料からなる段差被覆層４７を介して導通しているので対向電極４６として問題なく機能する。また、抵抗軽減層４８を設けることで、段差被覆層４７を単独で対向電極４６とする場合よりも抵抗を軽減することができる。このため、隔壁７の開口部８のテーパー角を９０度近くにし、エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くすることができる。
【００５０】
本実施形態によれば、隔壁７は、保護絶縁膜３２を上部絶縁膜６が覆う構造としたが、保護絶縁膜３２のみの一層構造とすることもできるし、保護絶縁膜３２上に上部絶縁膜６を形成する二層構造とすることもできる。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、ＥＬディスプレイパネルのような表示装置について説明したが、本発明はこれに限らず、例えばプリンタヘッド等の露光装置に応用してもよい。
【符号の説明】
【００５２】
２  基板
６  上部絶縁膜
７  隔壁
８  開口
２１，２２  トランジスタ
３２  保護絶縁膜
３３  開口部
４１  画素電極
４２  有機ＥＬ層（担体輸送層）
４６  対向電極
４７  段差被覆層
４８  抵抗軽減層 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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