(57)【要約】【課題】時間及び温度における安定性が改良された基準センサを提供すること【解決手段】センサは、頂面及び底面、頂面にある第一導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、及び底面にある反対の第二導電性タイプの第二ドープ表面指向領域を有する半導体本体を含み、第一領域が第二領域にオーバーラップする感応性領域が画定される。抵抗層は一部が感応性領域内に配置される。センサは、２つの第一コンタクト電極及び２つの第二コンタクト電極を含み、第一コンタクト電極は、抵抗層上に配置されて、感応性領域内で第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定し、第二コンタクト電極は一部が本体の底面の感応性領域内に配置され、感応性領域内の第二電極の表面が、第一検出領域にオーバーラップする第二検出領域を画定する。【選択図】図２
2010050448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂面及び底面を有する単一の半導体本体であって、前記本体が、
前記本体の前記頂面に第一導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、及び、
前記第一ドープ表面指向領域に実質的に対向する前記本体の前記底面に第二導電性タイプの第二ドープ表面指向領域であって、前記第二導電性タイプが前記第一導電性タイプとは異なり、前記第一ドープ表面指向領域が前記第二ドープ表面指向領域にオーバーラップする感応性領域が画定される、前記第二ドープ表面指向領域、を備える半導体本体と、
少なくとも一部が前記感応性領域内に配置された抵抗層と、
２つの第一コンタクト電極と、
２つの第二コンタクト電極と
を備え、
前記第一コンタクト電極が、前記感応性領域内で前記第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定するように前記抵抗層上に配置され、
前記第二コンタクト電極が、前記本体の前記底面上の前記感応性領域内に少なくとも一部が配置され、
前記感応性領域内にある前記第二コンタクト電極の表面が、前記第一検出領域にオーバーラップする第二検出領域を画定する、光学位置センサ。
【請求項２】
前記半導体本体が、前記第一ドープ表面指向領域と前記第二ドープ表面指向領域を分離する真性半導体材料が主要である層をさらに備える、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記第一コンタクト電極が実質的に長方形の形状を有する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記第二コンタクト電極が実質的に長方形の形状を有する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
４つの第一コンタクト電極を備え、前記第一検出領域が実質的に長方形の形状を有し、各第一コンタクト電極が、前記第一検出領域の前記長方形の形状の辺を形成する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項６】
２×２のアレイを形成する４つの第二コンタクト電極を備える、請求項１に記載のセンサ。
【請求項７】
前記第一検出領域が凹状の境界を有する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項８】
前記第一検出領域が、少なくとも３つの頂点がある形状を有し、各第一コンタクト電極が個々の頂点に配置されて、前記頂点に隣接する各辺の少なくとも一部を形成する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項９】
頂面及び底面を有する単一の半導体本体であって、前記本体が、
前記本体の前記頂面に第一導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、及び、
前記第一ドープ表面指向領域に実質的に対向する前記本体の前記底面に第二導電性タイプの第二ドープ表面指向領域であって、前記第二導電性タイプが前記第一導電性タイプとは異なり、前記第一ドープ表面指向領域が前記第二ドープ表面指向領域にオーバーラップする感応性領域が画定される、前記第二ドープ表面指向領域、を備える半導体本体と、
少なくとも一部が前記感応性領域内に配置された抵抗層と、
２つの第一コンタクト電極と、
２つの第二コンタクト電極と
を備える、光学位置センサであって、
前記第一コンタクト電極が、前記感応性領域内で前記第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定するように前記抵抗層上に配置され、前記第二コンタクト電極が、前記本体の前記底面上の前記感応性領域内に少なくとも一部が配置され、前記感応性領域内にある前記第二コンタクト電極の表面が、前記第一検出領域とオーバーラップする第二検出領域を画定する、光学位置センサと、
前記第一コンタクト電極と前記第二コンタクト電極の間に逆バイアスを与える電圧源と、
個々の第一コンタクト電極及び第二コンタクト電極を通る電流を測定する測定システムと
を備える、位置検出器。
【請求項１０】
放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
光学位置センサと
を備え、
前記光学位置センサが、
頂面及び底面を有する１つの半導体本体であって、前記本体が、
前記本体の前記頂面に第一導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、
前記第一ドープ表面指向領域に実質的に対向する前記本体の前記底面に第二導電性タイプの第二ドープ表面指向領域であって、前記第二導電性タイプが前記第一導電性タイプとは異なり、前記第一ドープ表面指向領域が前記第二ドープ表面指向領域にオーバーラップする感応性領域が画定される、前記第二ドープ表面指向領域、を備える半導体本体と、
少なくとも一部が前記感応性領域内に配置された抵抗層と、
２つの第一コンタクト電極と、
２つの第二コンタクト電極と、
を備え、
前記第一コンタクト電極が、前記感応性領域内で前記第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定するように前記抵抗層上に配置され、
前記第二コンタクト電極が、前記本体の前記底面上の前記感応性領域内に少なくとも一部が配置され、
前記感応性領域内にある前記第二コンタクト電極の表面が、前記第一検出領域にオーバーラップする第二検出領域を画定する、リソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記センサが前記基板テーブルの基準センサとして使用される、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記センサが前記支持体の基準センサとして使用される、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
相対位置測定システムに使用される可動オブジェクトの絶対位置を割り出す方法であって、
光学位置センサによって放射ビームの位置を検出することを含み、
前記光学位置センサが、
頂面及び底面を有する１つの半導体本体であって、前記本体が、
前記本体の前記頂面に第一導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、
前記第一ドープ表面指向領域に実質的に対向する前記本体の前記底面に第二導電性タイプの第二ドープ表面指向領域であって、前記第二導電性タイプが前記第一導電性タイプとは異なり、前記第一ドープ表面指向領域が前記第二ドープ表面指向領域にオーバーラップする感応性領域が画定される、前記第二ドープ表面指向領域、を備える半導体本体と、
少なくとも一部が前記感応性領域内に配置された抵抗層と、
２つの第一コンタクト電極と、
２つの第二コンタクト電極と
を備え、
前記第一コンタクト電極が、前記感応性領域内で前記第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定するように前記抵抗層上に配置され、
前記第二コンタクト電極が、前記本体の前記底面上の前記感応性領域内に少なくとも一部が配置され、
前記感応性領域内にある前記第二コンタクト電極の表面が、前記第一検出領域にオーバーラップする第二検出領域を画定する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は光学位置センサ、位置検出器、リソグラフィ装置、及び相対位置測定システムに使用される可動オブジェクトの絶対位置を割り出す方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  パターニングデバイス及び基板は通常、支持構造によって支持され、これは位置決めデバイスに接続されて、それぞれ特定のパラメータに従ってパターニングデバイス及び基板を正確に位置決めする。これらの位置決めデバイスの位置は、変位センサ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）及び位置決めデバイスの「null」を割り出す少なくとも１つの基準センサによって割り出される。この「null」は、特定のフレーム構造に対する位置決めデバイスの６自由度の基準点であることが好ましい。重要なパラメータは、ある時間及び温度にわたる基準点の安定性である。ある時間及び温度にわたるこのドリフトの要件は、益々厳密になっている。現在の基準センサは、これらの要件及び予想される将来の要件に適合できないことがある。
【０００４】
[0004]  一般的に使用されている基準センサは、いわゆる位置検知型デバイス（ＰＳＤと短縮される）である。ＰＳＤは、センサ表面上の光点の位置を１次元又は２次元で測定することができる光学センサである。ＰＳＤは少なくともダイオード構造、抵抗層及びコンタクト電極を含む。ＰＳＤの例はＵＳ４，８８７，１４０号から分かり、その内容は参照により全体が本明細書に組み込まれる。この文書の図１は１次元ＰＳＤを示し、図２から図５は様々なタイプの２次元ＰＳＤを示す。ＰＳＤのダイオード構造は逆バイアスがかけられる。コンタクト電極間でセンサ表面への入射放射は、光電流を生成し、その結果、コンタクト電極を通る電流は、入射放射の重心位置の尺度となる。しかしＰＳＤ内では、センサの基準点がある時間及び温度にわたってドリフトしている。これらのドリフトは、（特に）放射点の局所的加熱及びＰＳＤの逆バイアスによって引き起こされることがあり、これはＰＳＤの抵抗層に不均質性を引き起こすことがある。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  時間及び温度における安定性が改良された基準センサを提供することが望ましい。
【０００６】
[0006]  本発明の実施形態によれば、頂面及び底面を有する単一の半導体本体を含み、この本体は本体の頂面に１つの導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、第一領域に実質的に対向する本体の底面に反対の導電性タイプの第二ドープ表面指向領域を含み、上から見て第一領域が第二領域にオーバーラップする感応性領域が画定された光学位置センサであって、センサが、少なくとも一部が感応性領域内にある抵抗層、少なくとも２つの第一コンタクト電極、及び少なくとも２つの第二コンタクト電極をさらに含み、第一コンタクト電極が、感応性領域内で第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定する抵抗層上に配置され、第二コンタクト電極が、本体の底面上の感応性領域内に少なくとも一部が配置され、感応性領域内にある第二電極の表面が第二検出領域を画定し、したがって上から見て第一検出領域と第二検出領域がオーバーラップする光学位置センサが提供される。
【０００７】
[0007]  本発明の実施形態によれば、頂面及び底面を有する１つの半導体本体を含む光学位置センサを含み、本体が本体の頂面に１つの導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、第一領域と実質的に対向する本体の底面に反対の導電性タイプの第二ドープ表面指向領域を含み、上から見て第一領域が第二領域にオーバーラップする感応性領域が画定され、センサが、少なくとも一部が感応性領域内にある抵抗層、少なくとも２つの第一コンタクト電極、及び少なくとも２つの第二コンタクト電極をさらに含み、第一コンタクト電極が、感応性領域内で第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定する抵抗層上に配置され、第二コンタクト電極が少なくとも一部が本体の底面の感応性領域内に配置され、感応性領域内にある第二電極の表面が第二検出領域を画定し、したがって上から見て第一検出領域と第二検出領域がオーバーラップし、第一コンタクト電極と第二コンタクト電極の間に逆バイアスを与える電圧源、及び個々の第一コンタクト電極及び第二コンタクト電極のそれぞれを通る電流を測定する測定システム、をさらに含む位置検出器が提供される。
【０００８】
[0008]  本発明の実施形態によれば、放射ビームを調節するように構成された照明システム、放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体、基板を保持するように構築された基板テーブル、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システム、及び少なくとも１つの光学位置センサであって、頂面及び底面を有する１つの半導体本体を含み、この本体は本体の頂面に１つの導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、第一領域に実質的に対向する本体の底面に反対の導電性タイプの第二ドープ表面指向領域を含み、上から見て第一領域が第二領域にオーバーラップする感応性領域が画定された光学位置センサであって、センサが、少なくとも一部が感応性領域内にある抵抗層、少なくとも２つの第一コンタクト電極、及び少なくとも２つの第二コンタクト電極をさらに含み、第一コンタクト電極が、感応性領域内で第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定する抵抗層上に配置され、第二コンタクト電極が、本体の底面上の感応性領域内に少なくとも一部が配置され、感応性領域内にある第二電極の表面が第二検出領域を画定し、したがって上から見て第一検出領域と第二検出領域がオーバーラップする光学位置センサ、を含むリソグラフィ装置が提供される。
【０００９】
[0009]  本発明の実施形態によれば、頂面及び底面を有する１つの半導体本体を含み、この本体は本体の頂面に１つの導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、第一領域に実質的に対向する本体の底面に反対の導電性タイプの第二ドープ表面指向領域を含み、上から見て第一領域が第二領域にオーバーラップする感応性領域が画定された光学位置センサであって、センサが、少なくとも一部が感応性領域内にある抵抗層、少なくとも２つの第一コンタクト電極、及び少なくとも２つの第二コンタクト電極をさらに含み、第一コンタクト電極が、感応性領域内で第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定する抵抗層上に配置され、第二コンタクト電極が、本体の底面上の感応性領域内に少なくとも一部が配置され、感応性領域内にある第二電極の表面が第二検出領域を画定し、したがって上から見て第一検出領域と第二検出領域がオーバーラップする光学位置センサを使用して、相対位置測定システムに使用される可動オブジェクトの絶対位置を割り出す方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
[0010]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【００１１】
【図１】[0011]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0012]本発明の実施形態による光学位置センサを示した断面図である。
【図３】[0013]本発明の実施形態による光学位置センサを示した頂面図である。
【図４】[0014]本発明の実施形態による光学センサを示した底面図である。
【図５】[0015]本発明の実施形態による光学位置センサを示した頂面図である。
【図６】[0016]本発明の実施形態による光学位置センサを示した底面図である。
【図７】[0017]本発明の実施形態による光学センサを示した頂面図である。
【図８】[0018]本発明の実施形態によるセンサシステムを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0019]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイス支持体又は支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを含む。装置は、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」も含む。装置は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳをさらに含む。
【００１３】
[0020]  照明システムは、放射を誘導、整形又は制御するための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１４】
[0021]  パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。パターニングデバイス支持体は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１５】
[0022]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴又はいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１６】
[0023]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１７】
[0024]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００１８】
[0025]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００１９】
[0026]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル又は「基板支持体」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスク支持体」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に１つ又は複数のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。
【００２０】
[0027]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液はリソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影システムの間にも適用することができる。液浸技術は、投影システムの開口数を上げるために使用することができる。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければいけないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体を配置するという意味にすぎない。
【００２１】
[0028]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを含むビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへとわたされる。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２２】
[0029]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含んでもよい。通常、少なくともイルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２３】
[0030]  放射ビームＢは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第二位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。図１では、基準センサ１及び５が、それぞれ第一位置決めデバイスＰＭ及び第二位置決めデバイスＰＷのフレームＦＲに対する基準点を提供する。位置決めデバイス毎に６自由度の基準点を提供することが好ましい。この実施形態では、基準センサは本発明の実施形態による光学位置センサである。放射／光源２及び４がそれぞれ、基準センサ１及び５に入射する放射ビーム３及び６を提供する。この例ではミラー７などのミラー表面を設けて、放射ビームを基準センサ５の方向に偏向させることができる。
【００２４】
[0031]  放射源と基準センサの位置について、４つの変形が可能である。第一変形では、放射源２及び基準センサ１の場合のように、放射源が装置のフレームＦＲ上に配置され、基準センサが位置決めデバイス上に配置される。
【００２５】
[0032]  第二変形は、放射源４及び基準センサ５の場合のように、放射源が位置決めデバイス上に配置され、基準センサがフレームＦＲ上に配置される。
【００２６】
[0033]  この例には第三及び第四変形が図示されておらず、ここでは放射源と基準センサの両方がそれぞれ、フレームＦＲ又は位置決めデバイス上に配置される。これらの変形は、適切に機能するために、位置決めデバイス及びフレームＦＲそれぞれの上に追加のミラー表面を有する。どの変形を選択するかは、例えば使用可能な空間、重量及び剛性などのフレーム並びに位置決めデバイスの設計パラメータに依存する。
【００２７】
[0034]  一般的に、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２８】
[0035]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２９】
[0036]  １．ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３０】
[0037]  ２．スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３１】
[0038]  ３．別のモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３２】
[0039]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３３】
[0040]  図２は、本発明の実施形態による光学位置センサ１０の断面図を示す。センサ１０は１つの半導体本体１１を含む。本体１１は頂面１２及び底面１３を有し、本体は頂面１２に１つの導電性タイプ、この場合はｐ型導電性の第一ドープ表面指向領域１４を、底面１３に反対又は異なる導電性タイプ、この場合はｎ型導電性の第二ドープ表面指向領域１５をさらに含む。第一領域１４及び第二領域１５は相互に対して対向して配置され、それにより上から見てオーバーラップする領域を生成し、第一領域が第二領域にオーバーラップする。オーバーラップ領域を感応性領域ＳＡと呼ぶ。
【００３４】
[0041]  この実施形態では、本体１１は第一領域１４と第二領域１５とを分離する真性半導体材料層も含む。センサ１０は、第一領域１４の上に抵抗層１６、及び抵抗層１６上に配置された２つの第一コンタクト電極１７及び１８をさらに含む。抵抗層１６は半導体材料でも作成することができるが、金属材料又はプラスチック材料から作成することも可能である。さらに、抵抗層１６は、入射光ビームの吸収を減少させるように、実質的に透明とすることができる。
【００３５】
[0042]  第一電極１７、１８は、感応性領域ＳＡ内で２つの第一電極１７、１８間に第一検出領域Ｄ１を画定する。センサ１０は、少なくとも一部が感応性領域ＳＡ内に配置された２つの第二コンタクト電極１９及び２０も含む。（上から見て）感応性領域ＳＡの内側にある第二コンタクト電極１９、２０の表面は、第二検出領域Ｄ２を画定する。第一及び第二コンタクト電極１７〜２０は、第一検出領域Ｄ１が（上から見て）第二検出領域Ｄ２にオーバーラップするように配置される。
【００３６】
[0043]  第一領域１４及び第二領域１５は反対の導電性タイプであるので、共にダイオード構造を形成する。ダイオードは逆バイアスが印加されていることが好ましい。つまりこの場合は、第二コンタクト電極１９、２０に加えられる電圧が、第一コンタクト電極１７、１８に加えられる電圧より高い。逆バイアスにより、電圧は、ダイオードに固有の微小な暗電流を除き、第一コンタクト電極１７、１８と第二コンタクト電極１９、２０の間に電流を生成しない。本記述では微小な暗電流を無視する。
【００３７】
[0044]  センサ１０への入射放射は半導体本体１１を貫通し、半導体本体１１内、好ましくは真性半導体層内に電子−正孔対を生成する。逆バイアスにより、これは矢印２１で表される光電流になる。入射放射ビーム（図２には図示せず）は上から来ることができるが、下からも来ることができる。入射放射ビームは、半導体の頂面１２に対して実質的に垂直であることが好ましい。（上から見て）感応性領域ＳＡ内には電子−正孔対のみが生成されることが好ましく、（上から見て）実質的に第一検出領域Ｄ１及び／又は第二検出領域Ｄ２の領域内のみであることがさらに好ましい。これは、例えば実質的に透明な部分がある不透明なハウジングによって達成することができ、この部分は、入射放射が（上から見て）第一及び／又は第二検出領域内で半導体本体を貫通するのみであるように、その領域の形状に一致するような構成である。代替的な「遮蔽」方法も想定される。
【００３８】
[0045]  この実施形態では、光電流２１が抵抗層１６に向かい、そこで第一コンタクト電極１７への電流２４と第一コンタクト電極１８への電流２５とに分割される。電流２４及び２５は、２つの第一コンタクト電極に向かう抵抗間の比率に依存する。この抵抗は主に、抵抗層の特性、及び入射放射ビームの重心から対応する第一コンタクト電極への距離によって決定される。したがって、電流２４及び２５は、光放射の重心位置の尺度である。第一コンタクト電極の対は、１次元で放射ビームの重心位置を決定することができる。したがってセンサ１０の上部分の作動原理は、ＰＳＤのそれと同様である。したがって、センサはＰＳＤの利点も有する。ＰＳＤの主な利点は、放射ビームの位置を測定するために大きい測定範囲を有する可能性があり、放射ビームが第一検出領域より小さく、第一検出領域に限定されている限り、測定結果が放射ビームの直径及び形状に実質的に依存しないことである。
【００３９】
[0046]  光電流２１は、第二コンタクト電極１９から来る電流２２及び第二コンタクト電極２０から来る電流２３で構成される。これらの電流２２、２３は、電子−正孔の生成が第二コンタクト電極１９又は第二コンタクト電極２０に近い方で生じるか否かによって決定される。以上から見て、これは、電流２２の大きさが対応する第二コンタクト電極１９の検出領域Ｄ２に入射する放射の量によって決定され、電流２３の大きさが対応する第二コンタクト電極２０の検出領域Ｄ２に入射する放射の量によって決定されると表現することもできる。したがって、センサ１０の下部分の作動原理は、光ダイオードアレイ（ＰＤＡ）の場合と同じである。したがってセンサ１０はＰＤＡの属性も有する。例えば、放射ビームは、両方の電流２２及び２３が非ゼロである限り、２つの第二コンタクト電極１９、２０間の境界２６に対して正確に位置決めすることができる。境界２６に対する位置は、時間又は温度によるドリフトに影響されない。というのは、この位置が第二コンタクト電極１９、２０の物理的位置によって決定されるからである。したがって、ＰＳＤのドリフトは、ＰＤＡが安定していることによって補償される。ＰＤＡ内で、測定範囲はスポットのサイズに依存する。放射ビームが１つの第二コンタクト電極に入射するのみである場合、放射ビームの位置を適切に割り出すことはできない。これは、ＰＳＤ型センサの存在によって補償される。
【００４０】
[0047]  図３は、本発明の別の実施形態による光学位置センサ３０の頂面図を示す。センサ３０の作動原理は、図２の実施形態のそれと同様である。したがって、図３はセンサ３０の「ＰＳＤ側」を描いている。センサ３０は、頂面３２を有する半導体本体３１を含む。本体３１の頂面３２には、１つの導電性タイプの第一ドープ表面指向領域３４が設けられ、その境界が図示されている。第一領域３４の境界は、ここで感応性領域ＳＡ’と一致する。感応性領域ＳＡ’内には抵抗層３６が位置する。抵抗層３６の上には、相互に平行に２つの長方形の第一コンタクト電極３７及び３８が配置され、第一コンタクト電極３７、３８が、２つの第一コンタクト電極３７、３８間に第一検出領域Ｄ１’を画定する。放射ビームは上から又は下から半導体本体３１に当たり、この放射ビームの投影は、重心４８を有するスポット４７によって表される。
【００４１】
[0048]  第一コンタクト電極３７、３８が本体３１の底面上の対応する第二コンタクト電極より低い電圧を有すると、光ビームによって本体３１内に生成される光電流は、最初に抵抗層３６へと向かう。重心４８から第一コンタクト電極３７、３８までの距離が、第一コンタクト電極３７、３８に向かう抵抗層３６内の電流４４と４５の間の比率を決定する。スポット４７がｘ方向にシフトすると、第一コンタクト電極３７及び３８への距離が、したがって抵抗が変化する。その結果、電流４４と４５の間の比率がスポット４７の位置に依存する。第一コンタクト電極３７及び３８が長方形の形状であり、それが相互に平行であることは、実質的に線形の１次元センサが生成されるという利点を有し、したがってセンサ３０はｘ方向でスポット４７の位置を測定することができる。スポット４７がｙ方向に移動しても、第一コンタクト電極３７及び３８への距離が変化せず、したがって電流４４及び４５も変化しない。
【００４２】
[0049]  第一コンタクト電極が長方形の形状を有さないことも可能である。第一コンタクト電極の形状はセンサの挙動に影響することがあり、形状を変化させることにより、例えば線形性を改良することが可能である。しかし、センサの作動原理については、及び特に基準点として働くセンサの場合、センサの線形性はそれほど重要ではなく、したがって第一コンタクト電極は任意の複雑な形状を有することができる。
【００４３】
[0050]  電流４４及び４５は、２つの電流４４及び４５の合計によって正規化できることが想定される。これで、光ビームの強度の依存性が主に解消される。
【００４４】
[0051]  図４は、本発明の実施形態による光学センサ５０の底面図を示す。センサ５０の作動原理は、図２の実施形態のそれと同様である。したがって図４は、センサ５０の「ＰＤＡ側」を描いている。センサ５０は、底面５３を有する半導体本体５１を含む。本体５１の底面５３には、１つの導電性タイプの第二ドープ表面指向領域５５が設けられ、その境界が図示されている。第二領域５５の境界は、ここでは感応性領域ＳＡ”と一致する。感応性領域ＳＡ”内には第二コンタクト電極５９及び６０が位置する。第二コンタクト電極５９、６０は、この実施形態では両方とも長方形であり、相互に平行である。第二コンタクト電極５９、６０間の領域は、第二コンタクト電極５９、６０の全体的サイズと比較して小さく維持することが好ましい。
【００４５】
[0052]  この場合には、第二コンタクト電極５９、６０の表面全体が感応性領域ＳＡ”内に位置するので、第二コンタクト電極５９、６０の表面全体が第二検出領域Ｄ２”を形成する。放射ビームは上から又は下から半導体本体５１に当たり、この放射ビームの投影はスポット６７によって表される。各第二コンタクト電極５９、６０は、一方の第二コンタクト電極への距離が他方の第二コンタクト電極までよりも小さい本体５０内の領域を画定する。各コンタクト電極からの電流の量は、対応する領域内で生成される光電流の量によって決定される。スポット６７が例えば図４の右側へと移動すると、第二コンタクト電極６０の対応する領域内の光電流の量が増加して、第二コンタクト電極５９の対応する領域内の光電流の量が減少し、したがって各第二コンタクト電極５９、６０を通る電流は、放射スポット６７の位置の尺度となる。スポット６７がｙ方向に移動しても、第二コンタクト電極５９、６０を通る電流は変化せず、したがってセンサ５０は１次元位置センサとして作用する。このようなセンサの利点は、放射が両方の第二コンタクト電極５９、６０に入射すると、第二コンタクト電極５９、６０に対するスポット６７の位置を非常に正確に割り出せることである。この精度は、スポット６７が一方の第二コンタクト電極にしか入射しない場合、一部が失われてしまう。
【００４６】
[0053]  図５は、本発明の実施形態による光学位置センサ７０の頂面図を示す。センサ７０の作動原理は、図２の実施形態のそれと同様である。したがって、図５はセンサ７０の「ＰＳＤ側」を示す。センサ７０は、頂面７２を有する半導体本体７１を含む。頂面７２には、第二ドープ表面指向領域（図示せず）との組み合わせで図３の実施形態と同様の感応性領域（図示せず）を画定する第一ドープ表面指向領域（図示せず）が配置される。感応性領域内には、頂面７２に抵抗層７６が配置される。抵抗層上には、４つの第一コンタクト電極７７、７７ａ、７８、７８ａが設けられる。第一コンタクト電極７７、７７ａ、７８、７８ａは長方形の第一検出領域Ｄ１”’を形成し、４つの第一コンタクト電極７７、７７ａ、７８、７８ａはそれぞれ第一検出領域Ｄ１”’の側部を形成する。放射ビームは上から又は下から半導体本体７１に当たり、この放射ビームの投影は重心８８を有するスポット８７によって表される。
【００４７】
[0054]  本体７１内のスポット８７によって生成される光電流は抵抗層７６内で集められ、４つの第一コンタクト電極へと流れる４つの電流８４、８４ａ、８５及び８５ａに分割される。４つの電流間の比率は、重心８８から対応する第一コンタクト電極までの距離に依存する。電流８４と８５との比率は、図３と同様にｘ方向でのスポット８７の位置を決定する。電流８４ａと８５ａとの比率は、ｙ方向でのスポット８７の位置を決定する。したがって、センサ７０は２次元位置センサである。
【００４８】
[0055]  図６は、本発明の実施形態による光学位置センサ９０の底面図を示す。センサ９０の作動原理は、図２の実施形態のそれと同様である。したがって、図６はセンサ９０の「ＰＤＡ側」を示す。センサ９０は、底面９３を有する半導体本体９１を含む。底面９３には、第一ドープ表面指向領域（図示せず）との組み合わせで図４の実施形態と同様の感応性領域（図示せず）を画定する第二ドープ表面指向領域（図示せず）が配置される。感応性領域内には、２×２のアレイで配置された４つの第二コンタクト電極９９、９９ａ、１００、１００ａが設けられる。第二コンタクト電極の表面は、第二検出領域Ｄ２”’を画定する。放射ビームは上から又は下から半導体本体９１に当たり、この放射ビームの投影はスポット１０７によって表される。放射ビームは、本体９１内に光電流を生成する。
【００４９】
[0056]  各第二コンタクト電極９９、９９ａ、１００、１００ａは、一方の第二コンタクト電極への距離が他方の第二コンタクト電極までよりも小さい本体９０内の領域を画定する。各コンタクト電極からの電流の量は、対応する領域内で生成される光電流の量によって決定される。２×２のアレイにより、これでセンサ９０は、放射スポット１０７が４つの第二コンタクト電極９９、９９ａ、１００、１００ａの全てに入射する限り、２つの方向で放射スポット１０７の位置を割り出すことができる。
【００５０】
[0057]  この実施形態（及び図４の実施形態）は、第二コンタクト電極の検出範囲がスポットのサイズに依存していることを示す。スポットが大きすぎる場合は、第二検出領域全体が照明され、ｘ方向又はｙ方向にシフトしても電流の比率は変化しない。スポットのサイズが小さすぎる場合は、ｘ方向又はｙ方向に小さくシフトすると、第二コンタクト電極の１つに当たる放射がないことがある。
【００５１】
[0058]  図７は、本発明の実施形態による光学位置センサ１１０の頂面図を示す。センサ１１０の作動原理は、図２の実施形態のそれと同様である。したがって、図７はセンサ１１０の「ＰＳＤ側」を示す。センサ１１０は、頂面１１２を有する半導体本体１１１を含む。頂面１１２には、底面（図示せず）にある第二ドープ表面指向領域との組み合わせで図３の実施形態と同様の感応性領域（図示せず）を画定する第一ドープ表面指向領域（図示せず）が配置される。感応性領域内には、頂面１１２に抵抗層１１６が配置される。抵抗層上には、４つの第一コンタクト電極１１７、１１７ａ、１１８、１１８ａが設けられる。第一コンタクト電極は、４つの頂点及び４つの凹形の辺を有する第一検出領域Ｄ１””を形成する。各第一コンタクト電極は、第一検出領域Ｄ１””の頂点に配置され、頂点に隣接する各辺の部分を形成する。この実施形態の利点は、例えば図５の実施形態に対して、センサの線形性が上がることである。この線形性は本質的に必要ではなく、特にセンサが１つの単一の基準点を生成するためにのみ使用される場合は必要ない。しかし、制御という理由から、センサが実質的に線形の挙動を有すると有利なことがある。
【００５２】
[0059]  例えば図５の実施形態によるセンサの線形性は、抵抗層に特定の勾配を与えることによって改良できることも想定される。これは、第一コンタクト電極の特定の形状と組み合わせて実行することができる。抵抗層の勾配は、これで非線形性を少なくとも部分的に補償することができる。
【００５３】
[0060]  本発明は図示の実施形態に限定されず、以上の実施形態の多くの組み合わせが可能であることに留意されたい。また、他の形状の第一及び第二検出領域を画定する変形も想定される。１つのデバイス内で１つの単一の半導体本体を使用し、ＰＳＤとＰＤＡを組み合わせることの利点は、単一の光電流が生成されることである。これは、光ビームが最初に１つのデバイスに当たり、そこで光電流を生成して、部分的に透過し、残りの光ビームが第二デバイスに当たり、そこでも光電流を生成するように、単一のＰＳＤデバイスと単一のＰＤＡデバイスとを直列に配置する解決法とは対照的である。後者の解決法は、２つのデバイスを適切に組み合わせる際に、単一のデバイスでは生じない追加の問題が発生する。
【００５４】
[0061]  図８は、本発明の実施形態による位置検出器１３０を示す。検出器１３０は、本発明の実施形態による光学位置センサ１５０を含む。この例のセンサ１５０は、２つの第一コンタクト電極（ＰＳＤ）及び２つの第二コンタクト電極（ＰＤＡ）（図示せず）を有する１次元センサである。第一コンタクト電極には入力１５０ａが接続される。個別的な第一コンタクト電極はそれぞれ、関連する出力１４４、１４５にも接続される。第二コンタクト電極は入力１５０ｂに接続され、個別的な第二コンタクト電極はそれぞれ、関連する出力１４２、１４３にも接続される。電圧源１５１によって、入力１５０ａ、１５０ｂを通して第一コンタクト電極にバイアス電圧が加えられる。センサ１５０に入射する放射ビームの結果、図２から図７に示すように、第一及び第二電極コンタクトを通る電流が生じる。これらの電流は、出力１４２、１４３、１４４及び１４５を通して測定システム１４９に供給される。この測定システム１４９は、個別的な電流を測定し、この例では出力１４９ａ及び１４９ｂを生成して、これはセンサ１５０に入射する光点の位置の尺度となる。各出力１４９ａ、１４９ｂは、センサ１５０の「ＰＤＡ」又は「ＰＳＤ」側に対応する。出力１４９ａ及び１４９ｂは、例えば制御システム内で使用することができる。
【００５５】
[0062]  次に、再び図１を参照する。基準センサ１及び５は、本発明の実施形態によるＰＳＤ及びＰＤＡ側を有する光学位置センサである。これは、位置決めデバイスＰＭ及びＰＷの基準点を割り出すことができる。２次元センサを使用すると、本発明による３つの光学位置センサを使用して、６自由度の基準点を生成することが可能である。これで、制御システムを使用して、２つの位置決めデバイスをその対応する基準点に配置することができる。
【００５６】
[0063]  本発明の実施形態では、センサのＰＳＤ側の第一検出領域は、センサのＰＤＡ側の第二検出領域と少なくとも等しいサイズであるか、それより大きい。これによって、ＰＳＤ側がレーザビームを捕捉することが可能になる。センサがレーザビームを捕捉すると、制御システムは、ビームがほぼＰＤＡの中心に配置されるように、対応する位置デバイスを操作することができる。次に、位置決めデバイスの位置が、ＰＤＡの物理的な中心点を基準点として使用するＰＤＡを使用して微調整される。
【００５７】
[0064]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジスト層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００５８】
[0065]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジスト層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００５９】
[0066]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００６０】
[0067]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００６１】
[0068]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００６２】
[0069]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を改修できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
2010050448000001.pdf