(57)【要約】【課題】センサ性能のばらつきを抑えることができる半導体物理量センサを提供する。【解決手段】エッチングを行う際のプラズマによるばね部４４の浸食を防ぐ保護壁７を支持部４５，４６の間に設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動電極と該可動電極に対向配置された固定電極との間の静電容量の変化を検知することにより所定の物理量を検出する半導体物理量センサにおいて、
前記可動電極となるおもり部と、
前記おもり部の一方端側に形成され、第１のばね部を介して前記おもり部を規定方向へ揺動自在に支持する第１の支持部と、
前記おもり部の他方端側に形成され、第２のばね部を介して前記おもり部を規定方向へ揺動自在に支持する一組の第２の支持部と、
前記第２の支持部の間に設けられ、エッチングを行う際のプラズマによる第２のばね部の浸食を防ぐ保護壁と
を備えたことを特徴とする半導体物理量センサ。
【請求項２】
前記保護壁が、前記第２の支持部に連結されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度などの所定の物理量を検出する半導体物理量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、可動電極とこの可動電極に対向配置された固定電極との間の静電容量の変化を検知することにより加速度などの所定の物理量を検出する半導体物理量センサが知られており、この半導体物理量センサは、可動電極となるおもり部と、おもり部の両側に形成され、ばね部を介しておもり部を規定方向へ揺動自在に支持する支持部とを備えている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３１７１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体物理量センサでは、エッチングを行う際、プラズマ中で試料が帯電することによりばね部と近隣部との間で電位差が生じ、この電位差によりプラズマがばね部に引き寄せられてばね部の一部を浸食してしまう。このため、従来の半導体物理量センサでは当該部分をあらかじめ太く形成している。
【０００５】
しかしながら、プラズマによる当該部分の浸食は一様でない。したがって、従来の半導体物理量センサによれば、ばね部の形状がいびつになり、センサの性能にばらつきが生じる。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、センサ性能のばらつきを抑えることができる半導体物理量センサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するために、可動電極とこの可動電極に対向配置された固定電極との間の静電容量の変化を検知することにより所定の物理量を検出する半導体物理量センサにおいて、可動電極となるおもり部と、おもり部の一方端側に形成され、第１のばね部を介しておもり部を規定方向へ揺動自在に支持する第１の支持部と、おもり部の他方端側に形成され、第２のばね部を介しておもり部を規定方向へ揺動自在に支持する一組の第２の支持部と、第２の支持部の間に設けられ、エッチングを行う際のプラズマによる第２のばね部の浸食を防ぐ保護壁とを備えたことを特徴としている。
【０００８】
また、本発明は、上記に加えて、保護壁が、第２の支持部に連結されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第２の支持部の間に設けられた保護壁がエッチングを行う際のプラズマによる第２のばね部の浸食を防ぐので、第２のばね部の形状がいびつになることがなく、センサ性能のばらつきを抑えることができる。
【００１０】
また、本発明によれば、保護壁が、第２の支持部に連結されているので、第２のばね部と近隣部（保護壁）との間の電位差がなくなることによってプラズマが第２のばね部に引き寄せられることがなくなり、プラズマによる第２のばね部の浸食を完全に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す（ａ）上面図、（ｂ）断面図である。
【図２】本発明の実施形態となる半導体物理量センサの主要部分を拡大した拡大図である。
【図３】本発明の他の実施形態となる半導体物理量センサの構成を示す（ａ）上面図、（ｂ）断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態となる半導体物理量センサの主要部分を拡大した拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる半導体物理量センサについて説明する。
【００１３】
本発明の実施形態となる半導体物理量センサ１は、図１に示すように、半導体基板２（たとえば、シリコン基板）と、半導体基板２の下部を支持する下部支持基板３（たとえば、ガラス基板）と、半導体基板２の上部を支持する図示省略した上部支持基板（たとえば、ガラス基板）とを備えており、半導体基板２には、図１（ａ）に示すように、エッチングによって可動電極部４と固定電極部５とが形成されている。
【００１４】
可動電極部４は、可動電極となる櫛状のおもり部４１と、おもり部４１の一方端側に形成され、ばね部４２を介しておもり部４１を規定方向へ揺動自在に支持する支持部４３と、おもり部４２の他方端側に形成され、ばね部４４を介しておもり部４１を規定方向へ揺動自在に支持する一組の支持部４５，４６とを備えている。なお、支持部４３の上面には、金属薄膜によって電極端子６ａが形成されている。
【００１５】
固定電極部５は、可動電極部４のおもり部４１に所定間隔をもって対向配置された櫛状の固定電極５１と、金属薄膜によって電極端子６ｂが上面に形成された端子部５２とを備えている。
【００１６】
なお、可動電極部４のおもり部４１及びばね部４２，４４の上面は、図１（ｂ）に示すように、当該おもり部４１及びばね部４２，４４が上部支持基板から所定間隔離間するようエッチング加工されている。また、下部支持基板３の上面は、図１（ｂ）に示すように、可動電極部４のおもり部４１及びばね部４２，４４が当該下部支持基板３から所定間隔離間するよう加工されている。
【００１７】
以上のように構成された半導体物理量センサ１では、加速度などの所定の物理量が規定方向から加わると、可動電極部４のおもり部４１が揺動しておもり部４１と固定電極５１との間の静電容量が変化する。このため、本発明の実施形態によれば、電極端子６ａ，６ｂを介してこの静電容量の変化を検知することにより所定の物理量を検出することができる。
【００１８】
また、この半導体物理量センサ１では、図１，２に示すように、エッチングを行う際のプラズマによるばね部４４の浸食を防ぐ保護壁７が支持部４５，４６の間に設けられている。このため、本発明の実施形態によれば、ばね部４４の形状がいびつになることがなく、センサ性能のばらつきを抑えることができる。
【００１９】
なお、本実施形態では、保護壁７は、支持部４５，４６と所定間隔離間しているが、他の実施形態では、図３，４に示すように、支持部４５，４６と連結されていても良い。この場合には、ばね部４４と近隣部（保護壁７）との間の電位差がなくなることによってプラズマがばね部４４に引き寄せられることがなくなり、プラズマによるばね部４４の浸食を完全に防ぐことができる。
【００２０】
以上、本発明者によってなされた発明を適用した実施形態について説明したが、この実施形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明が限定されることはない。すなわち、上記の実施形態に基づいて当業者によってなされる他の実施形態、実施例及び運用技術などはすべて本発明の範囲に含まれることを付け加えておく。
【符号の説明】
【００２１】
１：半導体物理量センサ
２：半導体基板
３：下部支持基板
４：可動電極部
４１：おもり部
４２，４４：ばね部
４３，４５，４６：支持部
５：固定電極部
５１：固定電極
５２：端子部
６ａ，６ｂ：電極端子
７：保護壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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