(57)【要約】【課題】試料上の欠陥の修正にかかる時間を短縮すること。【解決手段】本発明の一態様に係る検査修正装置１００は、マスク２０上の欠陥を検査するとともに、当該欠陥を修正する検査修正装置であって、紫外レーザ光源１からの照明光をマスク２０に照射するための照明光学系と、マスク２０を観察するための拡大投影光学系とを備え、照明光学系は、照明光の強度分布を均一化するためのロッド型インテグレータ３と、照明光を集光する集光光学系１１とを含み、ロッド型インテグレータ３と集光光学系１１とが光軸上に出し入れ可能になっていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上の欠陥を検査するとともに、当該欠陥を修正する検査修正装置であって、
紫外レーザ光源からの照明光を前記試料に照射するための照明光学系と、
前記試料を観察するための拡大投影光学系とを備え、
前記照明光学系は、
前記照明光の強度分布を均一化するための均一化光学系と、
前記照明光を集光する集光光学系とを含み、
前記均一化光学系と前記集光光学系とが光軸上に出し入れ可能になっていることを特徴とする検査修正装置。
【請求項２】
前記照明光学系は、
前記均一化光学系によって形成される光強度分布が均一な像面を前記試料のパターン面に投影する、又は、前記集光光学系によって集光された像面を前記試料のパターン面に投影する投影光学系をさらに備える請求項１に記載の検査修正装置。
【請求項３】
前記均一化光学系の出射端面は、前記試料のパターン面と共役な位置に配置され、
前記集光光学系の集光点は、前記試料のパターン面と共役な位置に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の検査修正装置。
【請求項４】
前記試料上の欠陥を観察する際には、前記光軸上に前記均一化光学系を挿入し、
前記試料上の欠陥を修正する際には、前記光軸上に前記均一化光学系の代わりに前記集光光学系を挿入する請求項１、２又は３に記載の検査修正装置。
【請求項５】
前記紫外レーザ光源は、エキシマレーザであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の検査修正装置。
【請求項６】
前記均一化光学系は、断面が略正方形のガラスロッドであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の検査修正装置。
【請求項７】
紫外レーザ光を用いて、試料上の欠陥を検査するとともに、当該欠陥を修正する検査修正方法であって、
前記紫外レーザ光を均一化光学系に入射させ、前記試料に照明光を照射して当該試料を観察するステップと、
前記試料上に欠陥が検出された場合、前記均一化光学系を光軸から退避させ、当該光軸上に集光光学系を配置するステップと、
前記紫外レーザ光を前記集光光学系に入射させ、前記試料に照射して当該欠陥を修正するステップと、
を有する検査修正方法。
【請求項８】
前記試料を観察するステップでは、投影光学系により前記均一化光学系によって形成される光強度分布が均一な像面を前記試料のパターン面に投影し、
前記欠陥を修正するステップでは、前記投影光学系により、前記集光光学系によって集光された像面を前記試料のパターン面に投影することを特徴とする請求項７に記載の検査修正方法。
【請求項９】
前記均一化光学系の出射端面は、前記試料のパターン面と共役な位置に配置され、
前記集光光学系の集光点は、前記試料のパターン面と共役な位置に配置されることを特徴とする請求項７又は８に記載の検査修正方法。
【請求項１０】
前記試料の照明と前記欠陥の修正とが、同一の紫外レーザ光源からの紫外レーザ光によってなされていることを特徴とする請求項７、８又は９に記載の検査修正方法。
【請求項１１】
前記紫外レーザ光として、エキシマレーザ光を用いることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の検査修正方法。
【請求項１２】
前記均一化光学系は、断面が略正方形のガラスロッドであることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の検査修正方法。
【請求項１３】
請求項７〜１２のいずれか１項に記載の欠陥修正方法によりマスク上の欠陥を検出して、当該欠陥を修正し、
前記欠陥を修正したマスクを用いて、パターンを形成するパターン基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥修正装置、欠陥修正方法及びパターン基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ上に形成されるパターンに欠陥が生じることを未然に防ぐことが様々に行われている。その最も効果的な手法は、当初無欠陥であったマスクのパターン面に生じてくる欠陥（成長性欠陥、あるいは異物、またはヘーズと呼ばれる曇りの場合もあるが、ここでは統一して単に異物と呼ぶ。）を定期的に除去することである。異物の中でも、特に有機物から成るものは、紫外光が照射されると分解することから、マスクに対して定期的に紫外光を照射して、異物が大きく成長することを防ぐことが提案されていた。
【０００３】
特許文献１には、検査用の照明光としてエキシマレーザ等の紫外レーザ光を照射できるマスク検査清掃装置が記載されている。このマスク検査清掃装置では、エキシマレーザからのレーザ光のエネルギーを高めることで、異物を除去できるとされている。
【特許文献２】特開２００５−１２１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたマスク上の異物を除去する装置では、検査画面に表示される領域の全面にレーザ光が照射される。このため、その画面内の小さな領域に見出される異物を除去する際に、照射される紫外光のほとんどが無駄になっていた。
【０００５】
本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、試料上の欠陥の修正にかかる時間を短縮することができる検査修正装置、検査修正方法及びパターン基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に係る検査修正装置は、試料上の欠陥を検査するとともに、当該欠陥を修正する検査修正装置であって、紫外レーザ光源からの照明光を前記試料に照射するための照明光学系と、前記試料を観察するための拡大投影光学系とを備え、前記照明光学系は、前記照明光の強度分布を均一化するための均一化光学系と、前記照明光を集光する集光光学系とを含み、前記均一化光学系と前記集光光学系とが光軸上に出し入れ可能になっていることを特徴とするものである。
【０００７】
これにより、集光光学系によって、試料の検査領域内で小さな領域のみに照明光である紫外レーザ光を集光できる。従って、検査領域内で観察された欠陥が集光部分と合うように、試料を移動させることで、当該欠陥に対して強い紫外光を照射させることができ、欠陥の修正にかかる時間を短縮することが可能となる。
【０００８】
本発明の第２の態様に係る検査修正装置は、上記の検査修正装置において、前記照明光学系は、前記均一化光学系によって形成される光強度分布が均一な像面を前記試料のパターン面に投影する、又は、前記集光光学系によって集光された像面を前記試料のパターン面に投影する投影光学系をさらに備えるものである。
【０００９】
これにより、均一化光学系によって、試料の検査領域内に光強度分布が均一な照明光を試料に照射することができる。また、集光光学系によって、紫外レーザ光の集光点を試料に投影することができる。従って、試料の検査領域内で小さな欠陥領域のみに照明光である紫外光を集光して、欠陥に対して強い紫外光を照射することができ、欠陥の修正にかかる時間を短縮することができる。
【００１０】
本発明の第３の態様に係る検査修正装置は、上記の検査修正装置において、前記均一化光学系の出射端面は、前記試料のパターン面と共役な位置に配置され、前記集光光学系の集光点は、前記試料のパターン面と共役な位置に配置されることを特徴とするものである。これにより、均一な面照明をすることができるため、欠陥部分を容易に観察することができる。また、集光点を試料のパターン面に投影することができ、欠陥の修正にかかる時間を短縮することができる。
【００１１】
本発明の第４の態様に係る検査修正装置は、上記の検査修正装置において、前記試料上の欠陥を観察する際には、前記光軸上に前記均一化光学系を挿入し、前記試料上の欠陥を修正する際には、前記光軸上に前記均一化光学系の代わりに前記集光光学系を挿入するものである。これにより、試料の検査領域内に光強度分布が均一な照明光を試料に照射することができるとともに、欠陥領域のみに照明光である紫外光を集光して欠陥の修正にかかる時間を短縮することができる。
【００１２】
本発明の第５の態様に係る検査修正装置は、上記の検査修正装置において、前記紫外レーザ光源は、エキシマレーザであることを特徴とするものである。
本発明の第６の態様に係る検査修正装置は、上記の検査修正装置において、前記均一化光学系は、断面が略正方形のガラスロッドであることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の第７の態様に係る検査修正方法は、紫外レーザ光を用いて、試料上の欠陥を検査するとともに、当該欠陥を修正する検査修正方法であって、前記紫外レーザ光を均一化光学系に入射させ、前記試料に照明光を照射して当該試料を観察するステップと、前記試料上に欠陥が検出された場合、前記均一化光学系を光軸から退避させ、当該光軸上に集光光学系を配置するステップと、前記紫外レーザ光を前記集光光学系に入射させ、前記試料に照射して当該欠陥を修正するステップとを有する。
【００１４】
これにより、集光光学系によって、試料の検査領域内で小さな領域のみに照明光である紫外レーザ光を集光できる。従って、検査領域内で観察された欠陥が集光部分と合うように、試料を移動させることで、当該欠陥に対して強い紫外光を照射させることができ、欠陥の修正にかかる時間を短縮することが可能となる。
【００１５】
本発明の第８の態様に係る検査修正方法は、上記の検査修正方法において、前記試料を観察するステップでは、投影光学系により前記均一化光学系によって形成される光強度分布が均一な像面を前記試料のパターン面に投影し、前記欠陥を修正するステップでは、前記投影光学系により、前記集光光学系によって集光された像面を前記試料のパターン面に投影することを特徴とする。
【００１６】
これにより、均一化光学系によって、試料の検査領域内に光強度分布が均一な照明光を試料に照射することができる。また、集光光学系によって、紫外レーザ光の集光点を試料に投影することができる。従って、試料の検査領域内で小さな欠陥領域のみに照明光である紫外光を集光して、欠陥に対して強い紫外光を照射することができ、欠陥の修正にかかる時間を短縮することができる。
【００１７】
本発明の第９の態様に係る検査修正方法は、上記の検査修正方法において、前記均一化光学系の出射端面は、前記試料のパターン面と共役な位置に配置され、前記集光光学系の集光点は、前記試料のパターン面と共役な位置に配置されることを特徴とする。これにより、均一な面照明をすることができるため、欠陥部分を容易に観察することができる。また、集光点を試料のパターン面に投影することができ、欠陥の修正にかかる時間を短縮することができる。
【００１８】
本発明の第１０の態様に係る検査修正方法は、上記の検査修正方法において、前記試料の照明と前記欠陥の修正とが、同一の紫外レーザ光源からの紫外レーザ光によってなされていることを特徴とする。これにより、１つのレーザ光源で照明及び欠陥修正を行うことができるため、装置構成を簡略化することができる。
【００１９】
本発明の第１１の態様に係る検査修正方法は、上記の検査修正方法において、前記紫外レーザ光として、エキシマレーザ光を用いることを特徴とする。
本発明の第１２の態様に係る検査修正方法は、上記の検査修正方法において、前記均一化光学系は、断面が略正方形のガラスロッドであることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第１３の態様に係るパターン基板の製造方法は、上記いずれかに記載の欠陥修正方法によりマスク上の欠陥を検出して、当該欠陥を修正し、前記欠陥を修正したマスクを用いて、パターンを形成する。これにより、生産性を向上することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、欠陥の修正にかかる時間を短縮することができる欠陥修正装置、欠陥修正方法及びパターン基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。
【００２３】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る検査修正装置の構成について、図１、２を参照して説明する。図１は、本実施の形態に係る検査修正装置１００の構成を示す図である。図２は、本実施の形態に係る検査修正装置１００の光学系を説明するための図である。図２（ａ）は検査時の照明系の構成を示しており、同図（ｂ）は修正時の照明系の構成を示している。ここでは、試料の一例として、半導体装置の製造工程で用いられるマスク２０を検査する例について説明する。
【００２４】
マスク２０は、基板２１、ペリクルフレーム２３、ペリクル２４を有する。基板２１のパターン面２２上には、遮光パターンが形成されている。パターン面２２には、異物等の付着を防ぐため、ペリクルフレーム２３を介してペリクル２４が取り付けられている。ペリクルフレーム２３は、遮光パターンが形成されている領域を囲むように形成されている。また、ペリクルフレーム２３の基板２１と反対側の面には透明なペリクル２４が設けられている。これにより、マスク２０のパターンがペリクル２４及びペリクルフレーム２３によって封止され、異物等がパターン面に付着するのを防止している。
【００２５】
本実施の形態に係る検査修正装置１００は、マスクのパターン面を観察して欠陥（異物）を検査するレビュー機能とともに、有機物からなる異物を分解・除去して修正する修正機能とを併せ持っている。図１に示すように、本実施の形態に係る検査修正装置１００は、レーザ光源１、レンズ２、ロッド型インテグレータ３、レンズ４、ＰＢＳ５、λ／４板６、対物レンズ７、ステージ８、投影レンズ９、ＣＣＤ１０、集光光学系１１を備えている。
【００２６】
検査修正装置１００は、レーザ光源１からの照明光をマスク２０に照射するための照明光学系と、観察するための拡大投影光学系とを備える。照明光学系は、ロッド型インテグレータ３と、集光光学系１１と、対物レンズ７を含む投影光学系とを有する。また、拡大投影光学系は、投影レンズ９、ＣＣＤ１０を含む。
【００２７】
レーザ光源１としては、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、波長変換型紫外固体レーザなどの紫外レーザ光源が用いられる。レーザ光源１としてＡｒＦエキシマレーザを用いた場合、レーザ光源１から波長１９３ｎｍのレーザ光Ｌ１が出射される。紫外光を用いることにより、欠陥修正及び観察の空間分解能を向上することができる。検査・修正対象である試料がマスク２０の場合、レーザ光源１としてエキシマレーザを用いると、半導体製造工程で用いられる露光装置の光源と同じである。このため、マスク２０の検査時に観察される欠陥は、露光工程で悪影響を及ぼす欠陥と同じように観察され、マスクの欠陥を見つけやすい。
【００２８】
まず、検査修正装置１００におけるレビュー時の照明に関して説明する。図２（ａ）に示すように、マスク２０上の欠陥を観察するレビュー時においては、光軸上に均一化光学系であるロッド型インテグレータ３が挿入されている。レーザ光Ｌ１は、照明光学系における均一化光学系として用いられるロッド型インテグレータ３の端面にレンズ２で集光される。
【００２９】
ロッド型インテグレータ３は、照明光である紫外レーザ光Ｌ１の強度分布を均一化する。ロッド型インテグレータ３を用いることで、レビュー時に観察領域が加工されるのを防ぐことができる。ロッド型インテグレータ３としては、例えば、断面が略正方形のガラスロッドが用いられる。ロッド型インテグレータ３に入射したレーザ光Ｌ１は、ロッド型インテグレータ３内部で全反射を繰り返す。これにより、ロッド型インテグレータ３の出射端から、空間的に均一な光強度分布のレーザ光が出射する。なお、均一化光学系としては、ロッド型インテグレータに限定されるものではなく、例えばフライアイレンズ等を用いることができる。
【００３０】
また、本実施の形態における照明光学系は、クリティカル照明と呼ばれるものである。具体的には、レンズ４と対物レンズ７とによって投影光学系を構成している。すなわち、ロッド型インテグレータ３の出射端での光学像は、マスク２０のパターン面２２上に縮小投影される。すなわち、ロッド型インテグレータ３の出射端面は、マスク２０のパターン面２２と共役な位置に配置されている。これにより、マスク２０のレンズ２の観察領域は、均一な光強度分布のレーザ光により照明される。なお、照明光が対物レンズ７に入る際に、ＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）５に入って下方に反射し、λ／４板６を通過して観察領域を照明する。
【００３１】
マスク２０は、ステージ８上に載置されている。ステージ８は、例えば、ＸＹステージであり、光軸に対するマスク２０の位置を移動させることができる。照明された観察領域の光学像の情報を含む反射光は、対物レンズ７、λ／４板６を通過し、ＰＢＳ５を透過する。そして、投影レンズ９によりＣＣＤ１０に照射される。すなわち、マスク２０のパターン面２２の観察領域がＣＣＤ１０に拡大投影される。
【００３２】
次に、検査修正装置１００におけるマスク２０の欠陥修正時の照明に関して説明する。図２（ｂ）に示すように、マスク２０上の欠陥の修正時においては、光軸上にロッド型インテグレータ３の代わりに集光光学系１１が挿入される。集光光学系１１は、レンズ２から入射するレーザ光Ｌ１を集光する。集光光学系１１としては、例えば、２枚のレンズからなるものを用いることができる。
【００３３】
ロッド型インテグレータ３と集光光学系１１との切り替えについては、例えば、以下のような構成により実現することができる。具体的には、ロッド型インテグレータ３と集光光学系１１とは、同一のステージ（不図示）上に載せられている。このステージの移動台は、光軸に対して直行する方向（図１に示す矢印方向）に移動できるようになっている。欠陥の修正時においては、集光光学系１１が光軸上に配置されるように、矢印の上方向へステージを移動させることができる。
【００３４】
また、特に集光光学系１１によって、レーザ光Ｌ１が集光される位置（集光点）は、ロッド型インテグレータ３の出射端と光軸方向で等しくなるように、ロッド型インテグレータ３と集光光学系１１とが切り替えられる。その結果、集光光学系１１によって集光されて光強度が高くなった光学像が、レンズ４と対物レンズ７とを含む投影光学系によりマスク２０のパターン面２２の観察領域の略中心部に縮小投影される。すなわち、集光光学系１１の集光点は、マスク２０のパターン面２２と共役な位置に配置される。つまり、観察領域における微小領域に、紫外のレーザ光を集光できるようになる。従って、この位置に異物を移動させることで、異物を短時間で分解・除去できる。
【００３５】
ここで、図３を参照して、本実施の形態に係る検査修正方法について説明する。図３は、本実施の形態に係る検査修正方法について説明するための図である。図３に示すように、検査修正装置１００のレビュー機能を用いて、マスク２０の欠陥を検査する。
【００３６】
図２（ａ）に示すように、検査時においては、光軸上にロッド型インテグレータ３配置された状態で、マスク２０の観察領域に均一な光強度分布の照明が行われる。すなわち、レーザ光源１からの紫外のレーザ光を均一化光学系であるロッド型インテグレータ３に入射させる。そして、レンズ４、対物レンズ７を含む投影光学系により、ロッド型インテグレータ３によって形成された光強度分布が均一な像面をパターン面２２に投影する。その後、ステージ８を駆動しながら、マスク２０上の異物を検査する。観察領域内に異物が発見された場合、図３（ａ）に示すような検査画像が得られる。
【００３７】
マスク２０上に異物が検出された場合、当該異物が観察領域の略中央に来るように、ステージ８を駆動してマスク２０を移動させる。これにより、図３（ｂ）に示すように、修正直前の検査画像が得られる。そして、ロッド型インテグレータ３を光軸上から退避させ、図２（ｂ）に示すようにロッド型インテグレータ３の代わりに当該光軸上に集光光学系１１を配置する。上述したように、集光光学系１１によってレーザ光Ｌ１が集光される位置（集光点）がロッド型インテグレータ３の出射端と光軸方向で等しくなるように、ロッド型インテグレータ３と集光光学系１１とが切り替えられる。
【００３８】
その後、レーザ光Ｌ１を集光光学系１１に入射させ、マスク２０の異物部分に照射する。上述したように、集光光学系１１によって集光されて光強度が高くなった光学像が、レンズ４と対物レンズ７とを含む投影光学系によりマスク２０のパターン面２２の異物がある観察領域の略中心部に縮小投影される。すなわち、図３（ｃ）に示すように、観察領域の中心部のみに強い紫外レーザ光が集光するため、検査画面では中心部が明るく見える。これにより、観察領域における微小領域に紫外のレーザ光を集光でき、異物を短時間で分解・除去できる。
【００３９】
また、マスク２０の照明を行う光源と欠陥の修正を行う光源としては、同一の紫外光源を共用して用いることができる。これにより、１つのレーザ光源で照明及び欠陥修正を行うことができるため、装置構成を簡略化することができる。また、対物レンズ７は、検査を行う場合と、欠陥の修正を行う場合とで、共用されている。すなわち同一の対物レンズ７によって、照明用のレーザ光と修正用のレーザ光とがマスク２０に集光される。さらに、照明用のレーザ光と修正用のレーザ光とは同じ波長であるため、大きな色収差等がない。このため、これらのレーザ光の入射位置を一致させることができ、正確に欠陥を集積することができる。
【００４０】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る検査修正装置２００の構成について、図４を参照して説明する。図４は、本実施の形態に係る検査修正装置２００の光学系を説明するための図である。図４（ａ）は検査時の照明系の構成を示しており、同図（ｂ）は修正時の照明系の構成を示している。図４において、図１、２と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。本実施の形態においては、集光光学系１１の代わりにレンズ２が利用される。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、検査時においては、実施の形態１で説明した検査修正装置１００と同様に、ロッド型インテグレータ３が光軸上に配置されている。レーザ光Ｌ１は、照明光学系における均一化光学系として用いられるロッド型インテグレータ３の端面にレンズ２で集光される。そして、ロッド型インテグレータ３によって光強度分布が均一化される。
【００４２】
ロッド型インテグレータ３で形成された光強度分布が均一な像面は、投影光学系であるレンズ４、対物レンズ７によりマスク２０のパターン面２２に縮小投影される。ロッド型インテグレータ３の出射端面は、マスク２０のパターン面２２と共役な位置に配置されている。従って、検査時には、観察領域の全体にわたって、均一な強度分布の照明光が照射される。
【００４３】
一方、修正時においては、図４（ｂ）に示すように、ロッド型インテグレータ３が光軸上から退避される。本実施の形態では、集光光学系１１を光軸上に配置せずに、検査時においてレーザ光源１から出射される紫外レーザ光を集光させるために用いられているレンズ２を光軸に沿って移動させる。そして、レンズ２によって紫外レーザ光が集光される点を、図４（ａ）に示したロッド型インテグレータ３の出射端面と略同じ位置とする。従って、本実施の形態では、レンズ２が集光光学系となる。
【００４４】
レンズ２によって集光された像面は、レンズ４、対物レンズ７により、観察領域の略中心部に投影される。従って、レンズ２の集光点は、マスク２０のパターン面と共役な位置に配置される。この観察領域の中心部に異物が存在する場合は、この異物に対して強い紫外光が照射されることになる。従って、本実施の形態においても、修正時は異物が短時間で分解・除去される。
【００４５】
以上説明したように、本発明に係る検査修正装置は、マスク２０のパターン面に生じた異物を、ペリクル２４を剥がさずに分解・除去できる。このため、特に同じマスク２０を用いてパターン基板を製造し、大量の半導体デバイスを製造する際に、定期的なマスクの洗浄が不要になる。例えば、メモリー等の大量生産デバイスの製造時に本発明に係る検査修正装置を利用すると、パターン基板の生産性を向上することができ、コストメリットが高い。
【００４６】
なお、本発明に係る検査修正装置１００で検査・修正を行う試料としては、上述したペリクル付きのマスク２０に限定されない。例えば、ＥＵＶ用のフォトマスクや、半導体ウエハなどのパターン基板を検査・修正することができる。
【００４７】
また、修正される欠陥は、特に限定されるものではない。例えば、成長性欠陥、あるいは異物、またはヘーズと呼ばれる曇りを修正することができる。また、半導体デバイスや液晶表示装置に設けられた配線パターンや、リソグラフィー用のフォトマスクに設けられた遮光パターンに対して欠陥修正することも可能である。もちろん、これ以外のパターンを修正してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施の形態１に係る検査修正装置の構成を示す図である。
【図２】実施の形態１に係る検査修正装置の光学系を説明するための図である。
【図３】実施の形態１に係る検査修正方法を説明するための図である。
【図４】実施の形態２に係る欠陥修正装置の光学系を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  レーザ光源
２  レンズ
３  ロッド型インテグレータ
４  レンズ
５  ＰＢＳ
６  λ／４板
７  対物レンズ
８  ステージ
９  投影レンズ
１０  ＣＣＤ
１１  集光光学系
２０  マスク
２１  基板
２２  パターン面
２３  ペリクルフレーム
２４  ペリクル
１００、２００  検査修正装置
【図１】
2010079136.tif 000003
【図２】
2010079136.tif 000004
【図３】
2010079136.tif 000005
【図４】
2010079136.tif 000006