(57)【要約】【課題】外部光の反射率を大幅に減らして具現される画像のコントラストと輝度とを向上させ、特に外部光を遮断するための偏光板を除去して生産性の向上を図れる有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】透明な基板５０と、基板５０の上面に所定パターンで形成されて透明な導電性材質よりなる第１電極部６０と、第１電極部６０の上部に所定のパターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部７０と、第１電極部６０と対応するように有機電界発光部７０の上面に所定のパターンで形成された第２電極部８０と、前記第１電極部、電界発光部、第２電極部を覆って保護するように形成されるとともに、第１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでなる封止層９０とにより、有機電界発光表示装置が構成されるものとする。【選択図】図１
2010108949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な導電性材質よりなる第１電極部と、
前記第１電極部の上部に所定のパターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、
前記第１電極部と対応するように前記有機電界発光部の上面に形成された第２電極部と、
前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記第２電極層を覆って保護するように形成されるとともに、誘電性物質である第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでなる封止層とを備え、
前記第１成分と前記第２成分はその厚さ方向に互いに反対の漸進的な濃度勾配を有し、
前記漸進的な濃度勾配は、前記封止層の厚さ方向に沿って前記第１電極部から離れるほど前記第１成分の含量は次第に増加し、前記第２成分の含量は次第に減少するように分布されて、
前記封止層の前記第２成分の含量が多い側が前記第２電極部に接触していることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１成分はＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第２電極部はＣａが蒸着されてなる第１電極層と、前記第１電極層の上面に形成された導電性透明電極層とよりなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第２電極部の面抵抗が１Ω／□以下であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第２電極部がＩＴＯよりなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板の上面に形成された膜と、
前記膜の上面に形成された第２電極部と、
前記第２電極部の上面に所定パターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、
前記有機電界発光部の上面に所定パターンで形成された第１電極部とを含んでなり、
前記膜は誘電性物質である第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とがその厚さ方向に互いに反対の漸進的な濃度勾配を有し、
前記膜は、前記基板から離れるほど前記第１成分の誘電性物質の含量は次第に減少し、前記第２成分の金属成分の含量は次第に増加するように分布されていて、
前記膜の前記第２成分の含量が多い側が前記第２電極部に接触していることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第１成分の誘電性物質は、ＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質よりなることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置に係り、より詳細には電極構造及び封止層、外部光反射防止構造が改善された有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光表示装置は能動発光型表示素子であって、視野角が広くてコントラストが優秀なだけでなく応答速度が速いという長所があって次世代表示素子として注目されている。このような電界発光表示装置は発光層を形成する物質によって無機電界発光表示装置と有機電界発光装置とに区分される。
【０００３】
前記無機電界発光表示装置はもともと緑色発光ディスプレーとして商品化されたが、プラズマ表示装置と同じく交流バイアス駆動であり、駆動に数百Ｖが必要である。また発光のための材料が無機物であるため分子設計による発光波長の制御が難しくて画像のカラー化し難い。
【０００４】
そして、前記有機電界発光表示装置は、蛍光性有機化合物を電気的に励起して発光させる自発光型ディスプレーであって、低電圧で駆動が可能で、薄型化が容易であり、光視野角、速い応答速度など液晶表示装置の問題点を解決できる次世代ディスプレーとして注目されている。このような有機電界発光表示装置はイーストマンコダック社により積層型として開発され、パイオニア社により寿命が改善された緑色のディスプレーとして商品化された。一方、有機電界発光表示装置（以下、有機ＥＬ素子と略称する）においては、有機材料の長所である分子構造が多様な新規材料が開発されて直流低電圧駆動、薄型、自発光性などに優れる特性を有するカラーディスプレーに関する研究が活発に進んでいる。
【０００５】
このような有機ＥＬ素子の一例が日本国特開平１０−３３５０６０号に開示されており、これを図１５に示した。
【０００６】
図面を参照すれば、有機ＥＬ素子１０は、発光領域を含む有機積層構造１１が陽極１２と陰極１３との間に取り付けられるとともに、前記陰極がアルミニウムと、アルミニウムより大きい仕事関数を有する少なくとも一種の材料を含有した封止層１４とにより保護される構成を有する。
【０００７】
前記のように構成された従来の有機ＥＬ素子は陰極１３と封止層１４とにより外部光が反射されるので画像の読取り能（ｒｅａｄａｂｉｌｉｔｙ）が劣るという問題点を有している。特に太陽光に露出された室外では前記陰極１３による外部光反射により相対的に輝度とコントラストが急激に低下する。
【０００８】
米国特許ＵＳＰ５，０５９，８６１号にはカソードがアルカリメタル以外の多種メタルで構成された有機ＥＬ素子の構成が開示されている。
【０００９】
米国特許ＵＳＰ５，０４７，６８７号にはカソードがアルカリメタルでない仕事関数が低い金属を少なくとも一つ以上含む多種の金属で構成された有機ＥＬ素子が開示されている。ここで前記金属はアルミニウム、バナジウム、コバルト等を含む。
【００１０】
日本国特開平９−２７４９９０号には陽極、有機膜層構造、陰極を覆う封止層がシリカゲル、ゼオライト、塩化カルシウム、活性炭、ナイロン及びポリビニルアルコールよりなる群から選択された少なくとも１種以上の吸湿剤が含まれた構成が開示されている。
【００１１】
米国特許ＵＳＰ５，０７３，４４６号、日本国特開平５−３６４７５号、特開平８−２２２３６８号、および特開平７−１６１４７４号には陽極、有機膜積層構造、陰極及び陰極保護のための封止層及び密封層の構造が開示されている。
【００１２】
一方、従来の有機電界発光表示装置の大部分は電極及び有機膜積層構造により輝度が低下することを防止するために、基板の表面に偏光板を使用して外部光反射による画像の輝度低下を減らしている。しかし、前記のように偏光板を使用すれば、有機膜積層構造から発生する光の一部が遮光されるので実質的な輝度減少を誘発する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】米国特許第５，０５９，８６１号明細書
【特許文献２】米国特許第５，０４７，６８７号明細書
【特許文献３】特開平９−２７４９９０号公報
【特許文献４】米国特許第５，０７３，４４６号明細書
【特許文献５】特開平５−３６４７５号公報
【特許文献６】特開平８−２２２３６８号公報
【特許文献７】特開平７−１６１４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の技術的課題は、入射される外部光の反射を減らして画像のコントラスト及び輝度を向上させ、外部光反射を減らすための偏光板を除去できる有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記技術的課題を達成するための本発明の有機電界発光表示装置は、基板と、前記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な導電性材質よりなる第１電極部と、前記第１電極部の上部に所定のパターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記第１電極部と対応するように前記有機電界発光部の上面に形成された第２電極部と、前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記第２電極部を覆って保護するように形成されるとともに、誘電性物質である第１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでなる封止層とを備え、前記第１成分と前記第２成分はその厚さ方向に互いに反対の漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記第１成分はＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質である。前記漸進的な濃度勾配は、前記封止層の厚さ方向に沿って外部光の入射方向から離れるほど前記第１成分の含量は次第に減少し、前記第２成分の含量は次第に増加するように分布されている。
【００１７】
前記技術的課題を達成するための本発明の有機電界発光表示装置の他の特徴は、基板と、前記基板の上面に所定パターンで形成されて透明な導電性材質よりなる第１電極部と、前記第１電極部の上部に所定パターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記有機電界発光部の上面に形成されるとともに、誘電性物質である第１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよりなる第２電極部と、前記第１電極部、前記有機電界発光部、前記第２電極部を覆う封止層とを備え、前記第１成分と前記第２成分はその厚さ方向に反対の漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする。
【００１８】
また、前記技術的課題を達成するための本発明の有機電界発光表示装置のさらに他の特徴は、基板と、前記基板の上面に形成されて外部光を吸収する外光吸収膜と、前記外光吸収膜の上面に形成された第２電極部と、前記第２電極部の上面に所定パターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記有機電界発光部の上面に所定パターンで形成された第１電極部とを含んでなり、前記外光吸収膜は誘電性物質である第１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択される一つ以上の第２成分とがその厚さ方向に互いに反対の漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明において、前記第１成分の誘電性物質は、ＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質よりなる。
【００２０】
前記技術的課題を達成するための本発明の有機電界発光表示装置は、基板と、前記基板上に所定のパターンで形成されたアノード層と、前記アノード層の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記有機電界発光部が露出されるように前記基板の上面に形成された絶縁性保護膜と、前記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定のパターンで形成されたカソード層を含む画素領域と、前記透明な基板上に形成されて前記アノード層に選択的に電位を印加するための薄膜トランジスタを含む駆動領域と、前記基板の上面に前記アノード層と絶縁される外光吸収膜が形成され、前記外光吸収膜は誘電性物質である第１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択される一つ以上の第２成分とがその厚さ方向に互いに反対の漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする。
また、前記技術的課題を達成するための本発明の有機電界発光表示装置は、基板と、前記基板上に所定のパターンで形成されたアノード層と、前記アノード層の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記有機電界発光部が露出されるように前記基板の上面に形成された絶縁性保護膜と、前記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定のパターンで形成されたカソード層を含む画素領域と、前記透明な基板上に形成されて前記アノード層に選択的に電圧を印加するための薄膜トランジスタを含む駆動領域とを含み、前記アノード層が外光吸収膜よりなり、前記外光吸収膜は誘電性物質である第１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択される一つ以上の第２成分とがその厚さ方向に互いに反対の漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする。
また、前記技術的課題を達成するための本発明の有機電界発光表示装置は、基板と、前記基板に形成されたバッファ層と、前記バッファ層に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを埋め込む中間絶縁体層と、前記中間絶縁体層の上面に所定のパターンで形成されて前記薄膜トランジスタにより選択的に電位が印加される透明電極層と、前記透明電極層が露出されるように開口部が形成された絶縁性保護膜と、前記透明電極層の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定のパターンで形成されたカソード層とを含み、前記有機電界発光部と対応する領域を除外した中間絶縁体層と絶縁性保護膜との間に外光吸収膜が形成され、前記外光吸収膜は誘電性物質である第１成分とＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択される一つ以上の第２成分とがその厚さ方向に互いに反対の漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする。
【００２１】
前記技術的課題を達成するための本発明のさらに他の有機電界発光表示装置は、基板と、前記基板に形成されたバッファ層と、前記バッファ層に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを埋め込む中間絶縁体層と、前記中間絶縁体層の上面に所定のパターンで形成されて前記薄膜トランジスタにより選択的に電位が印加される透明電極層と、前記透明電極層が露出されるように開口部が形成された絶縁性保護膜と、前記透明電極層の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部と、前記有機電界発光部と前記絶縁性保護膜の上面に所定のパターンで形成されたカソード層とを含み、前記カソード層が誘電性物質である第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでなり、前記第１成分と前記第２成分がその厚さ方向に互いに反対の漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする。
【００２２】
前記技術的課題を達成するための本発明の有機電界発光表示装置の製造方法は、透明な基板を備える第１段階と、前記基板に所定パターンの第１電極部を形成する第２段階と、前記第１電極部の上面に多数の有機膜が積層されてなる有機電界発光部を形成する第３段階と、前記有機電界発光部の上面に第１電極部と共に前記有機電界発光部を駆動させるための第２電極部を形成する第４段階と、誘電性物質の第１成分と金属物質の第２成分とが濃度勾配を有し、かつ前記第１電極部、前記有機電界発光部及び前記第２電極部を覆う封止層を形成する第５段階とを含んでなり、前記第５段階において、相異なる融点特性を有する誘電性物質のＳｉＯを３ないし５０重量％含みかつＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の金属を５０ないし９７重量％含んでなる誘電性物質と金属の混合物を、一つの蒸着ボートに投入する段階と、前記封止層を形成するため前記蒸着ボートの温度を順次増加させつつＳｉＯと金属とを蒸着する段階とを含んでなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
前記本発明の有機電界発光装置及びこの製造方法は、外部光の反射率を大幅に減らして具現される画像のコントラストと輝度とを向上させ、特に外部光を遮断するための偏光板を除去して生産性の向上を図れる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２】図１に示された封止層の厚さによる濃度勾配を示すグラフである。
【図３】封止層の濃度勾配を示す図である。
【図４】封止層の濃度勾配を示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図７】図５に示された第２電極部の濃度勾配を示すグラフである。
【図８】本発明の他の実施例を示す有機電界発光表示装置の断面図である。
【図９】本発明の他の実施例を示す有機電界発光表示装置の断面図である。
【図１０】図９に示された有機電界発光表示装置の配列を示す図である。
【図１１】本発明による有機電界発光表示装置の他の実施形態を示す断面図である。
【図１２】本発明による有機電界発光表示装置の他の実施形態を示す断面図である。
【図１３】本発明による有機電界発光表示装置の他の実施形態を示す断面図である。
【図１４】本発明による有機電界発光表示装置の他の実施形態を示す断面図である。
【図１５】従来の有機電界発光表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
【００２６】
本発明による有機電界発光表示装置は、封止層または電極が外部光を吸収可能にして画像の輝度を高めるものであって、その一実施形態を図１に示した。
【００２７】
図面を参照すれば、本発明による有機電界発光表示装置は、透明な基板５０の上面に所定のパターンで形成された透明な第１電極部６０と、前記第１電極部６０の上面に有機膜が積層されてなる有機電界発光部７０と、前記有機電界発光部７０の上面に所定のパターンで形成される第２電極部８０と、前記第１電極部６０、前記有機電界発光部７０、前記第２電極部８０を覆うように前記基板５０に形成された、誘電性物質の第１成分と少なくとも一つ以上の金属よりなる第２成分とを含む封止層９０とを具備する。
【００２８】
前記第１電極部６０は透明な基板５０の上面に形成される陽極であって、透明な導電性材質のＩＴＯよりなり、図面には明確に図示されていないが、相互平行に取り付けられるストライプ状の電極よりなりうる。
【００２９】
前記有機電界発光部７０は前記第１電極部６０の上面から順次に積層されるホール輸送層７１、発光層７２、電子輸送層７３を含む。前記有機電界発光部７０は有機化合物よりなる有機薄膜であって、特に前記発光層７２の材料としてはトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）のような低分子またはポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１、４−フェニレンビニレン）などの高分子を使用する。
【００３０】
前記第２電極部８０は導電性金属よりなり、前記第１電極部６０と直交する方向に形成される多数のストライプ状の電極よりなりうる。
【００３１】
前記封止層９０は透明な基板５０の上面に形成されて第１電極部６０、有機電界発光部７０及び第２電極部８０を覆うが、外部から入射される光を吸収できるように構成される。
【００３２】
これをより詳細に説明すれば、前記封止層９０は誘電性物質の前記第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とを含んでなり、図２に示されたように厚さによって順次に成分濃度勾配を有する。封止層９０をなす第１成分はＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質よりなる。
【００３３】
前記封止層９０の厚さ方向への漸進的な濃度勾配は、図３及び図４に示されたように前記封止層９０の厚さ方向に沿って外部光の入射方向から離れるほど光吸収率が漸進的に増加または減少する。また前記濃度勾配を有する封止層９０は、外部光の入射方向から離れるほど前記誘電性物質の含量は順次に減少し、前記金属成分の含量は順次に増加するように分布される。
【００３４】
一方、前記第２電極部８０は図５に示されたようにＣａよりなる第１電極層８１と、この第１電極層８１の上面に導電性透明物質のＩＴＯよりなる第２電極層８２が積層されて面抵抗を１Ω／□以下にすることが望ましい。そして、前記第２電極部８０がＩＴＯよりなりうるが、この場合、外部光の入射方向から離れるほど前記ＩＴＯ物質の含量は順次に減少し、前記金属成分の含量は順次に増加する分布にすることが望ましい。また前記封止層９０の内部には水分の遮断のために第１電極部６０、有機電界発光部７０及び第２電極部８０を覆う保護膜１００がさらに備わりうる。
【００３５】
図６には本発明による有機電界発光表示装置の他の実施形態を示した。この実施形態において図５に示された実施形態の場合と同じ符号は同じ構成要素を示す。
【００３６】
図面を参照すれば、本発明による有機電界発光表示装置は、透明な基板５０、導電性材質よりなる所定パターンの第１電極部６０、前記複数の有機膜よりなる有機電界発光部７０が順次に積層される。そして前記有機電界発光部７０の上部には第２電極部１１０が形成されるが、前記第２電極部１１０は誘電性物質の前記第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよりなる。前記第２電極部１１０はその厚さ方向に漸進的な成分濃度勾配を有するが、この漸進的な濃度勾配は前記第２電極部１１０の厚さ方向に外部光の入射方向から離れるほど光吸収率が漸進的に増加するようになっており、図７に示されたように外部光の入射方向から離れるほど前記誘電性物質の第１成分含量は順次に減少し、前記金属成分の第２成分含量は順次に増加するように分布される。
【００３７】
そして第１電極部６０、有機電界発光部７０、第２電極部１１０は封止層１２０により覆われるが、この封止層１２０はアルミニウムまたはこの合金よりなり、前記封止層１２０と第１電極部６０は絶縁層２１により絶縁される。
【００３８】
図８には本発明による有機電界発光表示装置の他の実施形態を示した。
【００３９】
図面を参照すれば、本発明による有機電界発光表示装置は、透明な基板１３１の上面に形成されて外部光を吸収する外光吸収膜１３２と、前記外光吸収膜１３２の上面に形成された第２電極部１３３と、前記第２電極部１３３の上面に所定パターンの有機膜が積層されてなる有機電界発光部１３４と、前記有機電界発光部１３４の上面に所定のパターンで形成された透明な第１電極部１３５とを含む。
【００４０】
前記外光吸収膜１３２はＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質よりなる第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよりなり、漸進的な濃度勾配を有し、外部光の入射方向から離れるほど前記第１成分の誘電性物質の含量は順次に減少し、前記第２成分の金属成分の含量は順次に増加する分布を有する。
【００４１】
図９及び図１０にはＡＭタイプの有機電界発光表示装置（Ａｃｔｉｖｅ ｍａｒｔｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ；ＡＭＯＬＥＤ）の一例を示した。
【００４２】
図示されたように透明な基板２００にはバッファ層２０１が形成され、このバッファ層２０１の上部には各々画素とその画素の形成のための透明電極２１０を有する画素領域３００と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とキャパシタ２５０とが形成された駆動領域４００とが設けられる。
【００４３】
前記駆動領域４００はバッファ層２０１の上面に所定のパターンで配列されたｐ型またはｎ型の半導体層２０２がゲート絶縁層２０３により埋込められ、前記ゲート絶縁層２０３の上面には前記半導体層２０２と対応するゲート電極層２０４と、これを埋込む中間絶縁膜２０５と、前記中間絶縁膜２０５とゲート絶縁層２０３とに形成されたコンタクトホール２０６ａ、２０７ａを通じて前記半導体層２０２の両側に各々連結され、かつ中間絶縁膜２０５の上部に形成されたドレーン電極２０６、ソース電極２０７よりなる薄膜トランジスタと、前記ソース電極２０７と連結されて前記中間絶縁膜２０５の上面に形成された第１電極２５１と、この第１電極２５１と対向して中間絶縁層２０５に埋込められる第２電極２５２とよりなるキャパシタ２５０とが設けられる。
【００４４】
そして、前記中間絶縁膜２０５の保護膜２０８と、画素形成領域３００に開口部２０９ａが形成された平坦化膜２０９とが形成される。前記平坦化膜２０９の開口部２０９ａの底面には前記ドレーン電極２０６と電気的に連結された透明電極２１０が形成され、この透明電極２１０の上部には有機膜２２０が積層され、前記有機膜２２０と平坦化膜２０９との上部にはカソード層２３０が形成される。
【００４５】
一方、前記駆動領域４００をなす薄膜トランジスタとキャパシタ２５０との下部、すなわち第２領域と対応する基板２００とバッファ層２０１との間には外光吸収膜２４０が形成される。この外光吸収膜２４０は前述した実施形態のようにＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質よりなる第１成分と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分とよりなり漸進的な濃度勾配を有する。前記外光吸収膜２４０は外部光の入射方向から離れるほど前記第１成分の誘電性物質の含量は順次に減少し、前記第２成分の金属成分の含量は順次に増加する分布にすることが望ましい。
【００４６】
外光吸収膜２４０は図１０に示されたように画素形成領域の画素領域３００を除外した領域に形成できる。外光吸収膜２４０は図１１に示されたように全面発光型で画素領域３００と対応する保護膜２０８と平坦化膜２０９との間に形成できる。また外光吸収膜２４０は図１２に示されたように全面発光型の有機電界発光表示装置の場合には基板２００とバッファ膜２０１との間の全面に形成できる。
【００４７】
全面発光型誘電電界発光表示装置の他の実施形態を図１３に示した。
【００４８】
図面を参照すれば、画素を構成する部分のアノード層の透明電極２１０が前記の第１成分のうちＩＴＯ成分と第２成分とよりなる。この時に前記透明電極２１０は基板側で第２成分の濃度が高くて有機発光層側で第１成分の濃度が高い構造を有する。
【００４９】
本発明の他の実施形態としては、図１４に示されたように有機電界発光表示装置が背面発光型である場合には前記カソード層２３０は前記第１成分と第２成分とよりなり、濃度勾配を有するように形成することが望ましい。
【００５０】
図１を再び参照すれば、前述したように構成された有機電界発光表示装置は第１電極部６０及び第２電極部８０に所定の電圧が印加されれば、陽極の第１電極部６０から注入されたホールがホール輸送層７１を経由して発光層７２に移動し、電子は第２電極部８０から電子輸送層７３を経由して発光層７２に注入される。この発光層７２で電子とホールとが再結合して励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化するにつれて、発光層７２の蛍光性分子が発光して画像が形成される。
【００５１】
前述したように駆動される有機電界発光表示装置は、前記封止層９０または第２電極部８０が誘電性物質と金属とが混合された物質よりなって入射される外部光を吸収できるようになっているので、入射された外部光の反射を減らして有機電界発光部７０により形成される画像の輝度及びコントラストが低下することを防止できる。
【００５２】
このような作用効果は前記有機電界発光表示装置の実施例と比較例の輝度の実験を通じてより明らかになる。
【００５３】
＜実施例１＞
透明な基板の上面にＩＴＯよりなる第１電極部を形成し、この第１電極部の上面にホール注入層としてフタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）を４００℃で２００Åの厚さに蒸着させ、その上部にホール輸送層の役割をするＮ、Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で５００Åの厚さに蒸着させた。そして、ホール輸送層の上部にはトリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）とフッ化リチウム（ＬｉＦ）及びＣａを各々４００Å、１０Å、２０００Åの厚さに蒸着し、この上部に第１成分のＳｉＯと第２成分のＴｉとを濃度勾配を有するように１０００Åの厚さに封止層を形成した。
【００５４】
前述したように製造された有機電界発光表示装置によると、下記表１に示したように反射率が１０％未満で光強度が５０ｃｄ／ｍ２である場合にも具現される画像のコントラストが１００：１の優秀な光学特性が確保できた。
【００５５】
＜実施例２＞
Ｃａ電極上に導電性透明物質のＩＴＯを蒸着し、前記第２電極部の面抵抗を１Ω／□以下にしたことを除いては実施例１と同じ方法によって実施してパターニングされたブラックマトリックスを製造した。
【００５６】
前述したように製造された有機電界発光表示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０％未満に減らすことができた。
【００５７】
＜実施例３＞
前記第２電極部をＩＴＯを利用して製造し、封止層としてＩＴＯ−メタル系のＴｉを利用したことを除いては実施例１と同じ方法によって実施してパターニングされたブラックマトリックスを製造した。
【００５８】
前述したように製造された有機電界発光表示装置によると、下記表１に示したように反射率を２０％未満に減らすことができた。
【００５９】
＜実施例４＞
前記第２電極部をＩＴＯを蒸着して製造して、封止層の内面に第１電極部及び有機電界維持発光部及び第２電極部を覆って水分を遮断する保護膜を形成したことを除いては実施例１と同じ方法によって実施してパターニングされたブラックマトリックスを製造した。
【００６０】
前述したように製造された有機電界発光表示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０％未満に減らすことができ、輝度を後述する比較例の有機電界発光表示装置に比べて５０％以上向上させることができた。
【００６１】
＜実施例５＞
透明な基板の上面に誘電性物質の第１成分のＳｉＯと金属成分の第２成分のＴｉとを濃度勾配を有するように１０００Åの厚さで光吸収層を形成し、この上部にＩＴＯよりなる第１電極部を形成し、この第１電極部の上面にホール注入層としてフタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）を４００℃で２００Åの厚さに蒸着させ、その上部にホール輸送層の役割をするＮ、Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ′−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で５００Åの厚さに蒸着させた。そして、ホール輸送層の上部にはトリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）とＬｉＦ及びＣａを各々４００Å、１０Å、２０００Åの厚さに蒸着させた。
【００６２】
前述したように製造された有機電界発光表示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０％未満に減らすことができ、後述する比較例に比べて輝度を７０％以上向上させることができた。
【００６３】
＜実施例６＞
薄膜トランジスタを利用した背面発光型ＡＭタイプの有機電界発光表示装置において、薄膜トランジスタとキャパシタとが形成された第２領域と対応する基板とバッファ層との間に誘電性物質の第１成分のＳｉＯと第２成分のＴｉとで濃度勾配を有するように外光吸収膜を形成した。
【００６４】
前述したように製造された有機電界発光表示装置によると、下記表１に示したように反射率を１０％未満に減らすことができ、後述した比較例に比べて輝度を２００％以上向上させることができた。
【００６５】
＜比較例１＞
透明な基板の上面にＩＴＯよりなる第１電極部を形成し、この第１電極部の上面にホール注入層としてフタロシアニン（ＣｕＰｃ）を４００℃で２００Åに蒸着させ、その上部にホール輸送層の役割をするＮ、Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）を３００℃で５００Åの厚さに蒸着させた。そしてホール輸送層の上部にはトリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）とＬｉＦ及びＡｌを各々４００Å、１０Å、２０００Åの厚さに蒸着させ、封止材を利用して密封した。
【００６６】
前述したように製造された有機電界発光表示装置によると、Ａｌ層の反射率が９０％以上で有機電界発光装置を１００ｃｄ／ｍ２で駆動し、外部光の強度が５０ｃｄ／ｍ２の場合、具現されるコントラストが２：１程度で視認性が大きく減少した。
【００６７】
前述したように実施例と比較例との実験結果を表１に示した。
【００６８】
【表１】
2010108949.tif 000003
【００６９】
一方、前述したように外部光を吸収する有機電界発光表示装置の封止層、第２電極部または外光吸収膜は次のような工程を通じて製造できる。
【００７０】
まず、基板の上面に第１電極部と有機電界発光部及び第２電極部を順次に形成した後、前記基板を真空蒸着器内に蒸着ボートと対向するように固定する段階を行う。そして相異なる融点を有する金属と誘電性物質の混合物、すなわち、前記第１成分と第２成分のうちいずれか一つが選択されて混合された混合物を一つの蒸着ボートに投入する段階を行う。ここで、金属と誘電性物質の混合物はＦｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の第２成分の金属の５０ないし９７重量％と、前記第１成分のＳｉＯｘ（ｘ＞１）、ＳｉＮｘ（ｘ＞１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯよりなる群から選択される一つ以上の誘電性物質の３ないし５０重量％とよりなる。
【００７１】
次いで、金属と誘電性物質の混合物が入っている蒸着ボートの温度を変化させつつ真空熱蒸着を実施する。この時、蒸着ボートの温度を変化させるためには蒸着ボートに印加される電圧を徐々に高める方法を使用する。
【００７２】
経時的に蒸着温度を徐々に高めれば誘電性成分のＳｉＯが先に蒸着され、これより高い温度では誘電性成分と金属成分との２つの成分が同時に蒸着され、最終的に最も高い温度ではこれ以上の誘電性成分が残らず、純粋に金属成分だけが蒸着される。その結果、図２に示されたようにＳｉＯは外部光入射方向から離れるほど次第に減少する分布で存在し、金属成分は外部光の入射方向から離れるほど次第に増加する分布で存在する封止層を形成できる。
【００７３】
そして前記封止層または電極層の他の形成方法は次の通りである。
【００７４】
まず、基板の上面に第１電極部と有機電界発光部及び第２電極部を順次に形成した後、前記基板を真空蒸着器内に蒸着ボートと対向するように固定する段階を行う。相異なる融点特性を有する誘電性物質よりなるターゲットと、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔよりなる群から選択された一つ以上の金属よりなるターゲットとを利用してスパッタリングすることによって封止層を形成する。
【符号の説明】
【００７５】
５０  基板
６０  第１電極部
７０  有機電界発光部
７１  ホール輸送層
７２  発光層
７３  電子輸送層
８０  第２電極部
９０  封止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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