(57)【要約】【課題】現像欠陥を抑えて、歩留りの低下を抑えることができ、さらに後段の装置における処理の手間を軽減させることができる、露光された後の基板を加熱する基板処理装置を提供すること。【解決手段】表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する表面処理液霧化手段と、前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する表面処理液供給手段と、を備えるように基板処理装置を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、
前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する表面処理液霧化手段と、
前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する表面処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記加熱板が基板を加熱しているときに前記基板に霧化した表面処理液を供給するように制御信号を出力する手段を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、
現像液を霧化する現像液霧化手段と、
前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記現像液を基板に供給する現像液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記加熱板が基板を加熱しているときに前記基板に霧化した現像液を供給するように制御信号を出力する手段を有することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記加熱板は、その上に基板が載置される載置台を兼用し、前記冷却手段は、加熱板の上方領域と、当該上方領域から退避した領域との間で移動自在な冷却板であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板を保持して、基板を加熱するために加熱板の上方領域に位置させると共に当該上方領域と、ここから退避した領域との間で基板を移動させる基板保持機構を備え、
前記基板保持機構は、加熱後の基板を加熱板の上方領域から退避させることにより基板を冷却する冷却手段としての機能を備えていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項７】
表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する工程と、
前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する工程と、
加熱された前記基板を冷却手段により冷却する工程と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記基板を加熱する工程が行われているときに、基板に霧化した表面処理液を供給する工程が行われることを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】
表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する工程と、
現像液を霧化する工程と、
加熱された前記基板を冷却手段により冷却する工程と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記現像液を基板に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板を加熱する工程が行われているときに、基板に霧化した現像液を供給する工程が行われることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【請求項１１】
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、加熱された前記基板に現像液を供給して現像する現像処理部と、これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱処理部として請求項１または２記載の基板処理装置が設けられ、前記現像処理部で現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、当該基板に供給された前記現像液を除去する洗浄処理部が設けられたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項１２】
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、前記現像液を除去する洗浄処理部と、
これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱処理部として請求項３または４記載の基板処理装置が設けられたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項１３】
前記加熱処理部にて、基板に霧化した現像液を供給するステップと、次いで洗浄処理部にて基板に洗浄液を供給するステップとを繰り返し行うように制御信号を出力する手段を有する請求項１２記載の塗布、現像装置。
【請求項１４】
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、加熱された前記基板に現像液を供給して現像する現像処理部と、これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
請求項７または８記載の基板処理方法と、
前記現像処理部で現像液が供給された基板に洗浄液を供給して当該基板に供給された前記現像液を除去する工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１５】
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、前記現像液を除去する洗浄処理部と、
これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
請求項９または１０記載の基板処理方法を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１６】
基板に霧化した現像液を供給する工程と、次いで前記基板に洗浄液を供給する工程とを繰り返し行うことを特徴とする請求項１５記載の塗布、現像方法。
【請求項１７】
基板を加熱する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項７ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、その表面にレジストが塗布され、更に露光された基板を加熱処理する基板処理装置、基板処理方法、その基板処理装置を含んだ塗布、現像装置、その基板処理方法を含んだ塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
この塗布、現像装置には露光後のウエハを加熱処理（ＰＥＢ処理）する加熱モジュール（ＰＥＢモジュール）が設けられている。この加熱モジュールでウエハが加熱されると、露光によりレジストから生じた酸が熱拡散し、露光された領域が変質して、現像液に対する溶解性が変化する。
【０００４】
また、前記塗布、現像装置には前記加熱処理後、ウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュールが設けられている。現像モジュールでは、例えばウエハＷの表面に前記現像液の濡れ性を高めるための表面処理液を供給するプリウエット処理を行う。そのプリウエット処理後、ウエハＷ表面に現像液を供給し、液膜を形成して、所定の時間その液膜を維持させてレジストを溶解させる。然る後、ウエハＷに洗浄液を供給して現像液を洗い流す。前記表面処理液としては純水や現像液を用いる場合があり、この場合の現像液は、現像目的ではなく前記液膜を形成する際に供給される現像液のウエハの表面での濡れ性を高める目的で用いられる。
【０００５】
ところで、露光装置による露光としては液浸露光が広く行われるようになり、その傾向に従い、液浸露光の際に用いられる液体の影響を抑えるためにレジストの高撥水性化が進んでいる。しかし、このように高い撥水性を有するレジストを現像する際には、前記プリウエット処理や前記液膜の形成を行うにあたり、現像液や純水がその表面張力により、少しでも濡れ性の良い部分に集まってしまう。
【０００６】
ウエハＷの模式図である図１５を用いてこの問題について具体的に説明する。前記プリウエットが開始され、ウエハＷ表面を中心部から周縁部に向けて純水が広がったときに、図中斜線を付して示すその純水に濡れた領域２００は濡れ性が高まるが、純水が供給されていない領域２０１は依然として濡れ性が低い。このようにウエハＷに濡れ性が高い領域２００が形成されると、続けて純水が供給されてもその表面張力により当該純水は領域２００に集まり、当該領域２００を通過してウエハＷの周縁部から流れ落ちる。その結果として、領域２０１は純水に濡れないままプリウエットが終了してしまう。そして、プリウエット終了後に現像液が供給されても、現像液は濡れ性が高い領域２００を広がるが、プリウエットの純水と同様にその表面張力によって領域２０１には行き渡らず、領域２０１が現像されずに処理が終わってしまう。
【０００７】
スループットの向上を図るためにウエハは大型化する傾向にあり、現在では例えば直径４５０ｍｍのウエハを用いることが検討されているが、そのように大型のウエハを用いた場合には、上記のように現像液に濡れない箇所も多く発生し、現像欠陥がより起こりやすくなってしまうおそれがある。
【０００８】
上記のようにウエハを回転させながら現像液の供給を行う代わりに、ウエハを静止状態におき、ウエハの直径をカバーするスリット状の吐出口を備えた現像液ノズルをウエハの一端から他端へと移動させながら現像液を供給して、当該現像液の液膜を形成し、その後ウエハＷを静止状態に保つ現像手法もある。しかし、レジストの撥水性が高くなると、この手法を用いても上記の理由で均一な液膜を形成することが難しくなるおそれがある。
【０００９】
そのようなことから、均一な液膜を形成するためにウエハに供給する現像液の量を増やすことも考えられる。しかし、その場合は現像処理に要する時間が長くなり、スループットが低下してしまうし、高コストになってしまう。
【００１０】
その他に、現像モジュールでは既述の表面処理液、現像液、洗浄液を夫々供給するためのノズルを所定の位置に配置して、各液の供給を行うため、それらの各ノズルを移動させるための駆動機構の負荷が大きく、従って塗布、現像装置のスループットの向上が妨げられてしまうおそれがある。
【００１１】
特許文献１には基板にミスト化した現像液を供給して現像を行うと共に基板を加熱する基板処理装置について記載されている。しかし、この基板処理装置は、加熱した基板を冷却する機構を備えていない。前記ＰＥＢ処理を行う装置は、レジスト中の酸の拡散を制御するために基板が加熱される時間を厳しく管理することが必要であるため、加熱後の冷却機構が必要である。従って、この特許文献１の基板処理装置はその文献中に記載されるように現像後の加熱を行うためのもので、ＰＥＢ処理を行うものではない。つまり、この上記の問題を解決できるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００５−２７７７２６８（段落０１２９など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、現像欠陥を抑えて、歩留りの低下を抑えることができ、さらに後段の装置における処理の手間を軽減させることができる、露光された後の基板を加熱する基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の基板処理装置は、表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、
前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する表面処理液霧化手段と、
前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する表面処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする。前記加熱板が基板を加熱しているときに前記基板に霧化した表面処理液を供給するように制御信号を出力する手段を有していてもよい。
【００１５】
本発明の塗布、現像装置は、
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、加熱された前記基板に現像液を供給して現像する現像処理部と、これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱処理部として上記の基板処理装置が設けられ、前記現像処理部で現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、当該基板に供給された前記現像液を除去する洗浄処理部が設けられたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の他の基板処理装置は、表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する加熱板と、
現像液を霧化する現像液霧化手段と、
前記加熱板により加熱された基板を冷却するための冷却手段と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記現像液を基板に供給する現像液供給手段と、
を備えたことを特徴とする。前記加熱板が基板を加熱しているときに前記基板に霧化した現像液を供給するように制御信号を出力する手段を有していてもよい。
【００１７】
また、各基板処理装置において、前記加熱板は、その上に基板が載置される載置台を兼用し、前記冷却手段は、加熱板の上方領域と、当該情報領域から退避した領域との間で移動自在な冷却板であってもよいし、また前記基板を保持して、基板を加熱するために加熱板の上方領域に位置させると共に当該上方領域と、ここから退避した領域との間で基板を移動させる基板保持機構を備え、
前記基板保持機構は、加熱後の基板を加熱板の上方領域から退避させることにより基板を冷却する冷却手段としての機能を備えていてもよい。
【００１８】
本発明の他の塗布、現像装置は、
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、前記現像液を除去する洗浄処理部と、
これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱処理部として上記の基板処理装置が設けられたことを特徴とする。さらにこの塗布、現像装置において、前記加熱処理部にて、基板に霧化した現像液を供給するステップと、次いで洗浄処理部にて基板に洗浄液を供給するステップとを繰り返し行うように制御信号を出力する手段が設けられていてもよい。
【００１９】
本発明の基板処理方法は、
表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する工程と、
前記レジストに供給する現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する工程と、
加熱された前記基板を冷却手段により冷却する工程と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記表面処理液を基板に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする。前記基板を加熱する工程が行われているときに、基板に霧化した表面処理液を供給する工程が行われてもよい。
【００２０】
本発明の塗布、現像方法は、複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、加熱された前記基板に現像液を供給して現像する現像処理部と、これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
請求項７または８記載の基板処理方法と、
前記現像処理部で現像液が供給された基板に洗浄液を供給して当該基板に供給された前記現像液を除去する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の他の基板処理方法は、
表面にレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を加熱する工程と、
現像液を霧化する工程と、
加熱された前記基板を冷却手段により冷却する工程と、
前記加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、霧化した前記現像液を基板に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする。前記基板を加熱する工程が行われているときに、基板に霧化した現像液を供給する工程が行われてもよい。
【００２２】
本発明の他の塗布、現像方法は、
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布処理部と、露光された前記レジストが塗布された基板を加熱する加熱処理部と、現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、前記現像液を除去する洗浄処理部と、
これら各処理部間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
を備えた塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
請求項９または１０記載の基板処理方法を含むことを特徴とする。例えば基板に霧化した現像液を供給する工程と、次いで前記基板に洗浄液を供給する工程とが繰り返し行われる。
【００２３】
本発明の記憶媒体は、基板を加熱する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする
【発明の効果】
【００２４】
本発明の基板処理装置は、現像液の前記基板への濡れ性を高めるための前記表面処理液を霧化する表面処理液霧化手段と、それを加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、基板に供給する表面処理液供給手段と、を備えている。霧化した表面処理液は、液状のままの表面処理液に比べて、基板に対する表面張力が低いので、基板上で凝集することが抑えられるため、容易に基板全体に供給することができ、前記濡れ性を高めることができる。その結果として、後段の装置で現像液を均一性高く基板に供給することができ、現像欠陥を抑え、歩留りの低下を抑えることができる。
【００２５】
本発明の他の基板処理装置は、現像液を霧化する現像液霧化手段と、その霧化した現像液を加熱板による加熱が開始されてから前記冷却手段による冷却が終了するまでに、基板に供給する現像液供給手段と、を備えている。霧化した現像液は、上記の霧化した表面処理液と同様の理由で容易に基板全体に供給することができるため、現像欠陥を抑え、歩留りの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態に係る加熱装置の縦断側面図である。
【図２】前記加熱装置の平面図である。
【図３】前記加熱装置の処理容器内の構成を示した縦断側面図である。
【図４】前記加熱装置で行われる処理の手順を示した工程図である。
【図５】前記加熱装置で行われる処理の手順を示した工程図である。
【図６】前記加熱装置の他の構成例を示した縦断側面図及び横断平面図である。
【図７】前記加熱装置のさらに他の構成の概略を示した平面図及び側面図である。
【図８】前記加熱装置が組込まれた塗布、現像装置の平面図である。
【図９】前記加熱装置が組込まれた塗布、現像装置の斜視図である。
【図１０】前記塗布、現像装置の縦断平面図である。
【図１１】前記塗布、現像装置における搬送領域の斜視図である。
【図１２】前記塗布、現像装置に設けられた現像モジュールの概略図である。
【図１３】前記塗布、現像装置の処理のフローを示した工程図である。
【図１４】ウエハ表面の変化を示す模式図である。
【図１５】現像されるウエハの表面を示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の基板処理装置の実施形態である加熱装置１について、その縦断側面図、横断平面図である図１、図２を夫々参照しながら説明する。この加熱装置１は、レジストが塗布され、露光されたウエハＷについて、背景技術の欄で述べたＰＥＢ処理を行い、さらに前記ウエハＷに霧化した現像液を供給して、この加熱装置１の後段に設けられる現像装置でウエハＷに現像液を供給したときに、その現像液の濡れ性を高めるためのプリウエットを行うか、あるいはその霧化した現像液により現像処理を行う。前記レジストは撥水性を有し、所定のパターンに沿って露光処理を受け、その露光部が現像液に溶解性になっている。このレジストの水に対する静的接触角は例えば８０°以上である。また、ウエハＷの直径は例えば３００ｍｍ〜４５０ｍｍである。
【００２８】
この加熱装置１は筐体１１を備えており、筺体１１の側壁にはウエハＷの搬送口１２が開口している。この搬送口１２を介して不図示の搬送手段によりウエハＷが筐体１１内に搬送される。筺体１１内には当該筐体１１内を上下に仕切る仕切り板１３が設けられている。仕切り板１３の上側はウエハＷを加熱板３１へ搬入するための搬入領域１４ａとして構成されている。搬送口１２に向かう側を手前側とすると、この搬入領域１４ａの手前側には水平な冷却プレート１５が設けられている。
【００２９】
冷却プレート１５はその裏面側に例えば温度調節水を流すための図示しない冷却流路を備えており、加熱板３１により加熱されたウエハＷが当該冷却プレート１５の表面である載置面１５ａに載置されたときに、そのウエハＷを冷却する。図中１６ａ，１６ｂは、冷却プレート１５に設けられたスリットである。
【００３０】
冷却プレート１５は載置されたウエハＷを冷却する他にウエハＷを加熱板３１に搬送する搬送手段としての役割も有しており、支持部１７を介して仕切り板１３の下側の下方領域１４ｂに設けられた駆動部１８に接続されている。そして、この駆動部１８により、冷却プレート１５は筐体１１内を手前側から奥側へと水平方向に移動できるように構成されている。駆動部１８は例えば図示しない速度調整器を備えており、制御部１００から出力される制御信号に従って、冷却プレート１５を任意の速度で移動させることができる。図２中１９は、支持部１７が通過するために仕切り板１３に形成されたスリットである。
【００３１】
図中２１は３本の昇降ピンであり、昇降機構２２により筐体１１内を手前側に移動した冷却プレート１５において前記スリット１６ａ，１６ｂを介して突没し、搬送口１２を介して筐体１１内に進入した前記搬送手段と冷却プレート１５との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００３２】
筐体１１の奥側にはウエハＷが載置され、その載置されたウエハＷについて加熱する円形の加熱板３１が設けられている。加熱板３１の内部にはヒータ３２が設けられており、ヒータ３２は制御部１００から出力される制御信号を受信して加熱板３１の表面である載置面３０の温度を制御し、その載置面３０に載置されたウエハＷを任意の温度で加熱する。図中３２ａ、３２ｂは加熱板３１を水平に支持する支持部材である。図中２３は３本の昇降ピンであり、昇降機構２４により加熱板３１上に移動した冷却プレート１５において前記スリット１６ａ，１６ｂを介して突没し、当該冷却プレート１５と加熱板３１との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００３３】
加熱板３１の周囲にはリング状の排気部４１が設けられており、排気部４１はその内部に排気空間４２を備えている。排気空間４２には当該空間４２を周方向に仕切るように仕切り部材４３が設けられ、仕切られた各空間は当該仕切り部材４３に設けられた連通口４４を介して互いに連通している。また、排気部４１の表面には当該排気部４１の周方向に沿って、排気空間４２に連通した複数の排気口４５が設けられている。
【００３４】
排気部４１には排気管４６の一端が接続されており、排気管４６の他端は真空ポンプなどにより構成される排気手段４７に接続されている。排気手段４７により排気管４６、連通口４４及び排気空間４２を介して排気口４５から排気が行われる。排気手段４７は不図示の圧力調整手段を含み、制御部１００から出力された制御信号を受け、その制御信号に応じてその排気量が制御される。
【００３５】
加熱板３１上には支持部材５２を介して昇降機構５３により昇降自在な円形の蓋体５１が設けられており、この蓋体５１はその周縁部５１ａが下方に突出してカップ状に形成されている。図３に示すように、蓋体５１が下降したときにその周縁部５１ａがリング状の密着部材４８を介して排気部４１の周縁部に密着し、加熱板３１に載置されたウエハＷの周囲が密閉空間である処理空間Ｓとして構成される。
【００３６】
図３に示すように、蓋体５１には前記周縁部５１ａに囲まれるように水平な整流板５４が設けられており、整流板５４と蓋体５１の天板５１ｂとの間には通気室５５が形成されている。霧化した現像液をウエハＷに均一性高く供給するように、整流板５４にはその厚さ方向に多数の吐出口５４ａが設けられている。蓋体５１の中央部には開口部５６が設けられており、開口部５６にはガス供給管６１の一端が接続されている。
【００３７】
そして、図１に示すようにガス供給管６１の上流側はガス供給管６２，６３に分岐し、ガス供給管６２の他端はバルブＶ１、霧化部６０、流量制御部６４をこの順に介して現像液が貯留された供給源６５に接続されている。ガス供給管６３の他端は流量制御部６６を介して不活性ガス例えばＮ２ガスが貯留されたＮ２ガス供給源６７に接続されている。蓋体５１の中央上部にはヒータ５７ａを備えた加熱部５７が設けられており、ガス供給管６２の霧化部６０の下流側及びガス供給管６１にはテープヒータ５８が巻装されている。霧化した現像液が処理空間Ｓに供給されるときに、加熱部５７、テープヒータ５８は蓋体５１及びガス供給管６１，６２を夫々所定の温度に加熱し、前記現像液の再液化を防ぐ。
【００３８】
また、霧化部６０にはガス供給管６８の一端が接続され、ガス供給管６８の他端は流量制御部６９を介して流量制御部６６の上流側でガス供給管６３に接続されている。各流量制御部６４，６６，６９はバルブやマスフローコントローラなどにより構成され、制御部１００から出力される制御信号に従って現像液及びＮ２ガスの下流側に流れる流量を制御する。バルブＶ１は制御部１００から出力される制御信号に従ってその開閉が制御される。
【００３９】
霧化部６０は現像液供給源６５から供給された現像液を貯留するタンクと、制御部１００から出力された制御信号に応じてそのタンクに貯留された現像液に超音波を印加して霧化した現像液（以下、現像ミストと記載する）を生成させるための振動子と、を備えている。この現像ミストの粒子径としては例えば３μｍ以下であり、この霧化部６０で生成した現像ミストは、この霧化部６０に供給されるキャリアガスである前記Ｎ２ガスによりガス供給管６２，６１を下流側に流通し、そのＮ２ガスと共にウエハＷに供給される。
【００４０】
続いて制御部１００について説明する。制御部１００は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述の作用で説明する現像処理が行われるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納され、このプログラムが制御部１００に読み出されることで、制御部１００は加熱板４１の温度、冷却プレート２の移動、蓋体５１の昇降、Ｎ２ガス及び現像ミストの供給などを制御する。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４１】
加熱装置１によりウエハＷに既述のＰＥＢ処理を行った後、プリウエットを行う手順について図４及び図５を参照しながら説明する。
（ステップＳ１：ウエハＷの搬入）
先ず不図示の基板搬送手段により既述のウエハＷが加熱装置１に搬送されると、この基板搬送手段と昇降ピン２１との協働作用によりウエハＷは冷却プレート１５の載置面１５ａに載置される。このとき、蓋体５１は図１に示す上昇位置にある。また、筐体１１内は排気手段４７により所定の排気量で排気されており、筐体１１内のパーティクルはその排気による排気流に乗って除去される。
【００４２】
ウエハＷが載置された冷却プレート１５が加熱板４１上に移動し、昇降ピン２３が冷却プレート１５に突出してウエハＷの裏面を支持し（図４（ａ））、冷却プレート１５が加熱板４１上から搬送口１２に向けて退避すると、昇降ピン２３が下降してウエハＷが加熱板４１に受け渡されると共に蓋体５１が下降して、気密な処理空間Ｓが形成される。
【００４３】
（ステップＳ２：ウエハＷの加熱）
加熱板４１の温度が例えば１００℃〜１２０℃に上昇してウエハＷがその温度で加熱されると共に処理空間Ｓにガス供給管６３，６１を介してＮ２ガスが供給され、そのＮ２ガスは排気部４１の排気口４５を介して処理空間Ｓから除去されて、図中矢印で示すようにＮ２ガス流を形成する（図４（ｂ））。そして、ウエハＷは所定の時間、前記Ｎ２ガス流に曝されながら加熱処理され、加熱によりウエハＷから生じた昇華物は、このＮ２ガス流に乗って処理空間Ｓから除去される。
【００４４】
（ステップＳ３：プリウエット）
所定の時間ウエハＷが加熱されると、加熱板４１の温度が例えば２０℃〜４０℃に下降し、排気手段４７による処理空間Ｓの排気量が低下する。霧化部６０で現像ミストが発生し、排気管６３へのＮ２ガスの供給が停止すると共に、その霧化部６０にＮ２ガスが供給され、そのＮ２ガスは霧化部６０の現像ミストを下流側へ押し流す。続いてバルブＶ１が開かれ、処理空間ＳにＮ２ガスと共に現像ミストが供給される（図４（ｃ））。ウエハＷに供給された現像ミストは霧状、つまり小さな粒子状であることから、そのレジストに対する表面張力は液状のままの現像液に比べて低い。従って当該現像ミストはウエハＷの面内のレジストにおいて濡れ性の高い箇所に凝集することが抑えられるため、ウエハＷ表面全体に高い均一性をもって供給され、ウエハＷ表面全体の濡れ性が高まる。
【００４５】
（ステップＳ４：ウエハＷの冷却と搬出）
現像ミストの供給開始から所定の時間経過後、バルブＶ１が閉じられると共に霧化部６０へのＮ２ガスの供給が停止し、ウエハＷへの現像ミストの供給が停止する。また、排気手段４７による排気量が上昇し、例えばステップＳ１、Ｓ２実行時の排気量に戻る。その後、蓋体５１が上昇すると共に昇降ピン２３が上昇してウエハＷを加熱板４１から浮くように支持する。その後、冷却プレート１５が加熱板４１上にウエハＷの下方に潜り込むように移動し、昇降ピン２３が下降してウエハＷを冷却プレート１５に受け渡し、ウエハＷが冷却される（図５（ｄ））。然る後、冷却プレート１５が搬送口１２へ向けて移動し、昇降ピン２１によりウエハＷは基板搬送手段に受け渡され、筐体１１外に搬出される。ウエハＷはその後、現像装置に搬送され、そのプリウエットされた表面に現像液が供給される。然る後、その現像液が洗い流されて、レジストパターンが形成される。
【００４６】
この加熱装置１は、現像液のウエハＷへの濡れ性を高めるためにプリウエットで用いられる現像液を霧化させて現像ミストを生成する霧化部６０を備えている。霧化した現像液は、液状のままの現像液に比べて、ウエハＷに対する表面張力が低いので、ウエハＷ上で凝集することが抑えられるため、容易にその表面全体に供給され、前記濡れ性を高めることができる。その結果として、現像液を均一性高くウエハＷに供給することができるので、正常に現像されない箇所が発生することを抑え、歩留りの低下を抑えることができる。また、この加熱装置１の後段の現像装置ではプリウエットを行う必要がなくなるので、ノズルの移動動作などの手間が省かれ、その現像装置の処理の負荷を低減させることができ、結果としてスループットの向上を図ることができる。
【００４７】
なお、加熱装置１において整流板５４は設けられなくてもよく、開口部５６から直接ウエハＷに現像ミストを供給するようにしてもよい。また、この例ではプリウエットのために霧化する表面処理液として現像液を用いているが、現像液に限らず、純水や純水と現像液との混合液を表面処理液として用い、これらを霧化させたものをウエハＷに供給してもよい。
【００４８】
また、上記のステップＳ３では現像ミストを用いてウエハＷにプリウエットを行っているが、このプリウエットを行う代わりに十分な量の現像ミストをウエハＷに供給し、ウエハＷ表面に現像液の液膜を形成して現像処理を行ってもよい。この場合は、この加熱装置１での処理後にウエハＷは洗浄装置に搬送され、その洗浄装置にて洗浄液が供給されて、ウエハＷ表面から現像液が除去される。この場合も加熱装置１の後段の装置での処理が簡素化されるため既述の実施形態と同様の効果が得られる。また、このように加熱装置１で現像処理を行う場合、例えば現像ミストとレジストとを効率よく化学反応させて現像を行うために、現像ミスト供給時にウエハＷは例えば３０℃〜６０℃に加熱される。
【００４９】
上記の処理手順では、ＰＥＢ処理後に現像ミストを供給しているが、ＰＥＢ処理と同時に現像ミストを供給し、ＰＥＢ処理及びプリウエット処理を同時にまたはＰＥＢ処理及び現像処理を同時に行ってもよい。
【００５０】
また、例えば蓋体５１により構成される処理空間Ｓに現像ミストを供給する代わりに、図６（ａ）、（ｂ）に示すように冷却プレート１５の移動路上に現像ミストの噴霧ノズル７１を設けて、加熱処理を終えたウエハＷが冷却プレート１５により冷却中で搬送口１１へ移動するときに、この噴霧ノズル７１から現像ミストをウエハＷ表面全体に供給してもよい。図中７２は下方に開口した噴霧ノズルの吐出口であり、ウエハＷ全体に現像ミストを供給することができるようにスリット状に形成されている。
【００５１】
加熱板４１の上方領域と加熱板４１から退避した位置との間で移動する冷却プレート１５を備えた加熱装置の例について説明してきたが、加熱装置としては、図７のように構成されていてもよい。図７（ａ）、（ｂ）は夫々加熱装置の平面図、側面図であるが、これらの図において、現像ミストの供給機構及び排気機構は加熱装置１と同様なので図示を省略している。図中７３は冷却プレートであり、冷却プレート１５と同様にその裏面に温度調節水を流すための図示しない冷却機構を備え、載置されたウエハＷを粗冷却する。冷却プレート７３は昇降自在に構成され、その昇降動作により基板搬送手段７０との間でウエハＷの受け渡しを行うために、その基板搬送手段７０の形状に対応した切り欠き７３ａを備えている。
【００５２】
７４，７４はガイドレールであり、冷却プレート７３の左右から加熱板４１に向かって伸びている。７５はガイドレール７４に沿って移動する移動機構であり、移動機構７５，７５間にはワイヤ７６が張られ、これら駆動機構７５及びワイヤ７６がウエハＷの保持機構を構成している。
【００５３】
前記基板搬送手段７０がウエハＷをこの加熱装置に搬送し、当該ウエハＷを保持した状態で冷却プレート７３上に位置したときには、ワイヤ７６が冷却プレート７３に設けられた溝７７内に位置している。その後、冷却プレート７３が上昇し、基板搬送手段７０からウエハＷを受け取った後に下降して、ワイヤ７６にウエハＷが受け渡される。その後、当該ワイヤ７６によりウエハＷは加熱板４１へと搬送され、当該加熱板４１上で加熱され、さらに現像ミストの供給が行われる。現像ミスト供給後、冷却プレート７３へ向けてウエハＷが移動し、その移動中にウエハＷは自然冷却される。そして、ウエハＷが冷却プレート７３上に位置したときに、当該冷却プレート７３が上昇してウエハＷが冷却プレート７３に受け渡され、ウエハＷはさらに冷却される。
【００５４】
続いて上述の加熱装置１がモジュール化されて組み込まれた塗布、現像装置８について説明する。図８は塗布、現像装置８に例えば液浸露光を行う露光装置Ｃ４が接続されたレジストパターン形成システムの平面図を示しており、図９は同システムの斜視図である。また、図１０は塗布、現像装置８の縦断面図である。
【００５５】
塗布、現像装置８は、制御部１００と同様に構成された、例えばコンピュータからなる制御部９０を備えており、この制御部９０のプログラム格納部には後述のように塗布、現像処理を行うために命令が組まれたプログラムが格納される。前記プログラムに従って制御部９０から制御信号が出力され、ウエハＷの搬送や各モジュールの動作などが制御される。前記プログラムも既述の記憶媒体に収納された状態で前記プログラム格納部に格納される。
【００５６】
この塗布、現像装置８にはキャリアブロックＣ１が設けられており、その載置台８１上に載置された密閉型のキャリア８０から受け渡しアーム８２がウエハＷを取り出して処理ブロックＣ２に受け渡し、処理ブロックＣ２から受け渡しアーム８２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア８０に戻すように構成されている。キャリア８０は多数枚のウエハＷを含み、各ウエハＷは順次処理ブロックＣ２へと搬送される。
【００５７】
前記処理ブロックＣ２は、図９に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４を、下から順に積層して構成されている。
【００５８】
処理ブロックＣ２の各層は平面視同様に構成されている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を例に挙げて説明すると、ＣＯＴ層Ｂ３は塗布膜としてレジスト膜を形成するためのレジスト膜形成モジュールと、このレジスト膜形成モジュールにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群を構成する棚ユニットＵ１〜Ｕ４と、前記レジスト膜形成モジュールと加熱・冷却系の処理モジュール群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ３と、により構成されている。
【００５９】
前記棚ユニットＵ１〜Ｕ４は搬送アームＡ３が移動する搬送領域Ｒ１に沿って配列され、夫々上記の加熱モジュール、冷却モジュールが積層されることにより構成される。加熱モジュールは載置されたウエハを加熱するための加熱板を備えており、冷却モジュールは載置されたウエハを冷却するための冷却板を備えている。
【００６０】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４については、前記レジスト膜形成モジュールに相当する反射防止膜形成モジュール、保護膜形成モジュールが夫々設けられ、これらモジュールにおいてレジストの代わりに処理液として反射防止膜形成用の薬液、保護膜形成用の薬液が夫々ウエハＷに供給されることを除けばＣＯＴ層Ｂ３と同様の構成である。
【００６１】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については一つのＤＥＶ層Ｂ１内に前記レジスト膜形成モジュールに対応する現像モジュール８３が２段に積層されており、各現像モジュール８３は、３基の現像処理部９１と、これら現像処理部９１を含む筐体と、を備えている。また、ＤＥＶ層Ｂ１にはこの現像モジュール８３の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群を構成する棚ユニットＵ１〜Ｕ４が設けられている。図１１はこのＤＥＶ層Ｂ１の下段側の現像モジュール８３とそれに対向する位置に設けられた棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成するモジュールとを示した斜視図であり、棚ユニットＵ３，Ｕ４は既述の加熱装置１に対応する加熱モジュール９により構成されている。
【００６２】
そして、図１１に示すようにＤＥＶ層Ｂ１内には搬送アームＡ１が設けられており、この搬送アームＡ１は２段の現像モジュールと、前記加熱・冷却系の処理モジュールとの間でウエハＷを搬送する。つまり２段の現像モジュールに対して搬送アームＡ１が共通化されている構成となっている。この搬送アームＡ１は上記の基板搬送手段に相当する。
【００６３】
現像モジュール８３について、その概略を示した図１２を参照しながら説明する。各現像処理部９１は、ウエハＷの裏面中央部を吸着して水平に保持する基板保持部であるスピンチャック９２と、そのスピンチャック９２を介してウエハＷを鉛直軸回りに回転させる回転駆動機構９３と、スピンチャック９２に保持されたウエハＷを囲むように設けられたカップ体９４と、を備えている。
【００６４】
カップ体９４の底部側には、凹部状をなす液受け部９４ａが設けられている。液受け部９４ａは、図示しない隔壁によりウエハＷの周縁下方側に全周に亘って外側領域と内側領域とに区画され、外側領域の底部には貯留した現像液などのドレインを排出するための図示しない廃液口が、内側領域の底部には処理雰囲気を排気するための排気口９５が夫々設けられている。排気口９５はカップ体９４内の排気量を制御する排気ダンパ９６を介して工場の排気路に接続されている。また、カップ体９４内には搬送アームＡ１とスピンチャック９２との間でウエハＷを受け渡すための図示しない昇降ピンが設けられている。
【００６５】
現像液が供給されたウエハＷを洗浄するための洗浄液として例えば純水を供給する純水吐出ノズル９７が現像処理部９１毎に設けられ、また、各現像処理部９１で共用される現像液吐出ノズル９８が設けられている。各ノズル９７，９８は当該ノズル９７，９８に夫々接続される駆動機構により、現像処理部９１の配列方向に沿って互いに独立して移動し、且つ互いに独立して昇降することができる。図中１０３，１０４は夫々ノズル９７、９８がウエハＷに処理を行わないときに、当該ノズル９７，９８を夫々待機させる待機部である。
【００６６】
塗布、現像装置８の説明に戻って、処理ブロックＣ２には、図８及び図１０に示すように棚ユニットＵ５が設けられ、キャリアブロックＣ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ５の一つの受け渡しユニット、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しユニットＣＰＬ２に順次搬送される。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ２は、この受け渡しユニットＣＰＬ２からウエハＷを受け取って各ユニット（反射防止膜形成モジュール及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。
【００６７】
その後、ウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ２、受け渡しアームＤ１、棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＣＰＬ３に搬送され、そこで例えば２３℃に温度調整された後、搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、レジスト膜形成モジュールにてレジスト膜が形成される。更にウエハＷは、搬送アームＡ３→棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ３に受け渡される。なお、レジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４にて更に保護膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、保護膜の形成された後搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。
【００６８】
一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアーム８５が設けられている。レジスト膜や更に保護膜の形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１を介して受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４から受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアーム８５により棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＣ３に取り込まれることになる。なお、図１０中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。
【００６９】
これ以降、塗布、現像装置８における露光後の処理手順について示した図１３（ａ）も参照しながら説明する。受け渡しユニットＢＦ３に搬送されたウエハＷはインターフェイスアーム８６により露光装置Ｃ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後（ステップＥ１）、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＣ２に戻される。戻されたウエハＷは、加熱モジュール９にて既述のようにＰＥＢ処理である加熱処理（ステップＥ２）、現像ミストによるプリウエット処理（ステップＥ３）を受けた後、搬送アームＡ１により一の現像処理部９１に搬送され、スピンチャック９２に受け渡される。ステップＥ２，Ｅ３は、加熱装置１の説明で述べたステップＳ２，Ｓ３に夫々対応する。
【００７０】
スピンチャック９２により回転するウエハＷに、当該ウエハＷの周縁部から中心部に向かって現像液を供給しながら現像液吐出ノズル９８が移動して、ウエハＷ表面に現像液の液膜が形成される（ステップＥ４）。然る後、純水吐出ノズル９７から、ウエハＷの中心部に純水が吐出されて遠心力によりウエハＷの周縁部へと広がり、現像液が洗い流された後、純水の供給が停止する。そして、ウエハＷの回転により純水が振り切られて、当該ウエハＷが乾燥する（ステップＥ５）。乾燥したウエハＷは搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＴＲＳ１に受け渡され、受け渡しアーム８２を介してキャリア８０に戻される。
【００７１】
この塗布、現像装置８では、現像モジュール８３でウエハＷにプリウエット処理を行わなくてよいので、現像モジュール８３でプリウエット処理を行う場合に比べて、その現像モジュール８３での処理が簡素化され、各ノズル９７，９８の移動の手間が省略化されるし、各ノズルを移動させる駆動機構の負荷が軽減する。それによって、現像モジュール８３でのウエハＷの搬入から洗浄終了までの処理の高速化を図ることができ、その結果としてスループットの低下が抑えられる。
【００７２】
ところで、加熱モジュール９でプリウエットの代わりに現像処理を行う場合は、ＤＥＶ層Ｂ１において現像モジュール８３の代わりに洗浄モジュールが設けられる。その洗浄モジュールの構成としては例えば現像液吐出ノズル９８が設けられていないことを除けば現像モジュール８３と同様である。この場合の処理工程について、図１３（ｂ）のフローを参照しながら、プリウエットを行う処理工程との差異点を中心に説明する。
【００７３】
前記ステップＥ１、Ｅ２と同様に露光処理（ステップＦ１）、加熱処理（ステップＦ２）を順次行った後に、加熱モジュール９にてウエハＷに現像ミストを供給して、現像液の液膜をその表面全体に形成して現像処理を行う（ステップＦ３）。然る後、搬送アームＡ１がウエハＷを洗浄モジュールに搬送し、現像モジュール８３におけるステップＥ５と同様の洗浄、乾燥処理（ステップＦ４）が行われる。このように処理を行えば既述のように加熱モジュール９の後段のモジュールでの処理がより簡素化されるので、スループットの低下をより確実に抑えることができる。
【００７４】
ところで、本発明の発明者は、レジストにおいて現像液への溶解部は、その現像液に接触するだけでは液中に溶け出さずレジスト膜の表面に留まったままであり、現像液供給後、ウエハＷに上記のように洗浄液として例えば水が加えられたときに液中に溶け出し、解像が進行する傾向があることを検証済みである。レジストの材料組成から考えられる現像時間よりも実際に必要な現像時間が長い場合があるが、この場合にはその傾向が影響し、現像液がレジストの深さ方向に向かって浸透するまでに時間がかかっており、また、パターンが微細になればこの傾向が大きく現れると考えている。このような傾向に対応して、現像液の消費量を抑えること及び現像処理に要する時間が長くなることを抑えるために、既述の洗浄モジュールを備えた塗布、現像装置８において、ウエハＷに現像液と水とを交互に繰り返し供給する手法について、図１３（ｃ）のフローと、ウエハＷの縦断側面の変化を模式的に示した図１４と、を参照しながら、既述の塗布、現像方法との差異点を中心に以下に説明する。
【００７５】
前記ステップＥ１、Ｅ２と同様に露光処理（ステップＧ１）の後、加熱モジュール９で加熱処理（ステップＧ２）を行う。図１４（ａ）はこのステップＧ１の露光処理後のウエハＷの表面を示しており、図中１１１はレジスト膜、１１２は現像液に対する不溶解性部位、１１３は現像液に対する溶解性部位を夫々示している。その後、ステップＦ３と同様にウエハＷに現像ミストを供給して、現像液の液膜をその表面全体に形成し、現像処理を行う（ステップＧ３）。
【００７６】
然る後、搬送アームＡ１がウエハＷを洗浄モジュールに搬送し、回転するウエハＷの中心に純水吐出ノズル９７から純水Ｆが吐出され、現像液に接した溶解性部位１１３の表面がレジスト膜１１１から洗い流されて除去される。図１４（ｂ）は、このときのウエハＷの表面の状態を示したものであり、図中１１４は溶解したレジスト成分である。
【００７７】
洗浄後、純水が振り切られてウエハＷは乾燥し（ステップＧ４）、搬送アームＡ１によりウエハＷは再び加熱モジュール８に搬送され、そこで現像ミストが供給され、その表面に再び現像液の液膜が形成される（ステップＧ５）。然る後、搬送アームＡ１はウエハＷを再び洗浄モジュールに搬送し、その洗浄モジュールで回転するウエハＷに純水Ｆが供給されて、図１４（ｃ）に示すように現像液Ｄに接した溶解性部位１１３が液中に溶け出し、レジストパターン１１５が形成され、溶解成分１１４は純水Ｆによりレジスト膜１１１から洗い流されて除去される。その後は、ウエハＷの回転により純水が振り切られてウエハＷが乾燥する（ステップＧ６）。
【００７８】
このような現像方法によれば既述の実施形態の効果に加えて、現像液に接触した溶解性部分の表面を除去した後、改めて現像液を供給してその現像液に接触した溶解性部分の表面を除去しているので、その溶解性部分に効率的に現像液を接触させることができる。従って、既述のように現像液の使用量の低減を図ることができるし、現像処理に要する時間を抑えることができる。また、高い解像度で現像を行うことができる。なお、この実施形態で示す回数以上に現像液と純水との供給を繰り返し行ってもよい。
【符号の説明】
【００７９】
Ｗ      ウエハ
１      加熱装置
１５    冷却プレート
３１    加熱板
４１    排気部
４７    排気手段
５１    蓋体
６０    霧化部
８      塗布、現像装置
８３    現像モジュール
９      加熱モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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