(57)【要約】【課題】発光素子を駆動する回路で消費される電力を簡素な構成で低減する。【解決手段】駆動トランジスタの第２電極（例えばソース）には発光素子の陽極が接続される。電源電圧ＶＥＬは、駆動トランジスタの第１電極（例えばドレイン）と発光素子の陰極間に印加される。電源電圧ＶＥＬの電圧値を徐々に増加（または徐々に減少）させながら、駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの発光素子の発光量を検出し、発光量の時間変化率が変化した時点における電源電圧ＶＥＬの電圧値を特定する。特定した電圧値を電源回路で生成する電源電圧ＶＥＬの電圧値に設定する。【選択図】図４
2010050304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、第２電極および制御電極を有し、飽和領域で動作している場合に、前記制御電極に供給される電位に応じて前記第１電極−前記第２電極間に流れる駆動電流の電流量を制御する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの第２電極に陽極が接続され、前記駆動電流に応じた発光量で発光する発光素子と、
入射される光量に応じたレベルの検出信号を出力する受光素子と、
前記駆動トランジスタの第１電極と前記発光素子の陰極間に印加する電源電圧を生成する電源回路と、
前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記電源電圧の電圧値を増加または減少させながら、前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出し、検出した発光量の時間変化率が変化した時点における前記電源電圧の電圧値を特定し、
前記特定した電圧値を前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記駆動トランジスタを飽和領域で動作させつつ、前記駆動トランジスタの制御電極に基準電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出する検出手段と、
前記検出手段が検出した発光量に基づいて前記駆動トランジスタの制御電極に供給する電位を補正する補正手段とを備え、
前記制御手段は、前記所定の電位の代わりに、前記所定の電位を前記補正手段によって補正して得られる電位を前記駆動トランジスタの制御電極に供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記特定した電圧値より所定値だけ大きな電圧値を、前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記駆動トランジスタと前記発光素子とを有する単位回路を複数備え、
前記制御手段は、
前記単位回路ごとに、前記電源電圧の電圧値を増加または減少させながら、前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出し、検出した発光量の時間変化率が変化した時点における前記電源電圧の電圧値を特定し、
前記特定した複数の電圧値のうち最も大きい電圧値を、前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記駆動トランジスタと前記発光素子とを各々有する複数の単位回路と、
前記単位回路ごとに、前記駆動トランジスタを飽和領域で動作させつつ、前記駆動トランジスタの制御電極に基準電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出する検出手段と、
前記検出手段が検出した複数の発光量の各々を比較し、発光量が最も少ない前記単位回路を選択する選択手段とを備え、
前記制御手段は、
前記選択手段が選択した前記単位回路について、前記電源電圧の電圧値を増加または減少させながら、前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出し、検出した発光量の時間変化率が変化した時点における前記電源電圧の電圧値を特定し、
前記特定した電圧値を前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の発光装置を備えた電子機器。
【請求項７】
第１電極、第２電極および制御電極を有し、飽和領域で動作している場合に、前記制御電極に供給される電位に応じて前記第１電極−前記第２電極間に流れる駆動電流の電流量を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの第２電極に陽極が接続され、前記駆動電流に応じた発光量で発光する発光素子と、入射される光量に応じたレベルの検出信号を出力する受光素子と、前記駆動トランジスタの第１電極と前記発光素子の陰極間に印加する電源電圧を生成する電源回路とを備えた発光装置の駆動方法であって、
前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値を増加または減少させながら、前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出し、検出した発光量の時間変化率が変化した時点における前記電源電圧の電圧値を特定し、
前記特定した電圧値を前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定する
ことを特徴とする発光装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescent）素子などの発光素子を備えた発光装置、電子機器および発光装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の発光時の端子間電圧は経時劣化や温度によって変化する。例えば特許文献１には、直列に接続された電気光学素子（有機発光ダイオード素子）と駆動回路の両端に印加する電源電圧ＶDDを最小限に抑える電気光学装置が記載されている。この電気光学装置は、電気光学素子の素子電圧（端子間電圧）ＶELを直接測定する測定回路（Ａ/Ｄ変換器）を備え、測定回路で測定した素子電圧ＶELと、駆動回路内の駆動トランジスタがゲート電圧に応じた駆動電流を適正に生成するために必要な電圧ＶDR0とに基づいて、電源電圧ＶDDを設定する。
【特許文献１】特開２００８−００３４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載された電気光学装置では、電気光学素子の素子電圧ＶELを直接測定するため単位回路内に測定回路（Ａ/Ｄ変換器）を設ける必要がある。このため回路構成が複雑になる。
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、発光素子を駆動する回路で消費される電力を簡素な構成で低減可能な発光装置、電子機器および発光装置の駆動方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
以上の課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、第１電極、第２電極および制御電極を有し、飽和領域で動作している場合に、前記制御電極に供給される電位に応じて前記第１電極−前記第２電極間に流れる駆動電流の電流量を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの第２電極に陽極が接続され、前記駆動電流に応じた発光量で発光する発光素子と、入射される光量に応じたレベルの検出信号を出力する受光素子と、前記駆動トランジスタの第１電極と前記発光素子の陰極間に印加する電源電圧を生成する電源回路と、前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記電源電圧の電圧値を増加または減少させながら、前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出し、検出した発光量の時間変化率が変化した時点における前記電源電圧の電圧値を特定し、前記特定した電圧値を前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定することを特徴とする。
【０００５】
この構成によれば、電源電圧を、駆動トランジスタが飽和領域で動作し得る必要最低限の電圧値に設定することができる。したがって、駆動トランジスタで消費される電力を低減することができる。また、駆動トランジスタの消費電力を減らすことで発光装置内の発熱を減らすことができるから、熱による発光素子の劣化や特性変動を抑えることもできる。また、特許文献１に記載された電気光学装置では、電気光学素子の端子間電圧を直接測定するため単位回路内に測定回路（Ａ／Ｄ変換器）を設けなければならないが、本発明では受光素子を設ければよいだけである。このため回路構成も簡素化でき製造が容易である。よって、発光素子を駆動する回路で消費される電力を簡素な構成で低減できる。
【０００６】
なお、駆動トランジスタをＮチャネル型で構成した場合、第１電極はドレイン、第２電極はソース、制御電極はゲートで構成される。また、駆動トランジスタをＰチャネル型で構成してもよい。この場合は、第１電極はソース、第２電極はドレイン、制御電極はゲートで構成することができる。さらに、駆動電流の電流量を一定に保つように、電源電圧の電圧値の変化に応じて制御電極に供給する電位を変化させることが好ましい。
また、「検出した発光量の時間変化率が変化した時点」とは、検出した発光量の微分値が変化した時点（つまり、発光量の変曲点）である。
【０００７】
また、上述した発光装置において、前記駆動トランジスタを飽和領域で動作させつつ、前記駆動トランジスタの制御電極に基準電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出する検出手段と、前記検出手段が検出した発光量に基づいて前記駆動トランジスタの制御電極に供給する電位を補正する補正手段とを備え、前記制御手段は、前記所定の電位の代わりに、前記所定の電位を前記補正手段によって補正して得られる電位を前記駆動トランジスタの制御電極に供給する構成であってもよい。
この場合、補正手段による補正後の電位を用いるので、駆動トランジスタが飽和領域で動作し得る必要最低限の電源電圧を正確に特定できる。
【０００８】
また、上述した発光装置において、前記制御手段は、前記特定した電圧値より所定値だけ大きな電圧値を、前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定する構成であってもよい。
この場合、電源電圧の変動などを見込んで電源電圧にマージンを持たせることができる。
【０００９】
また、上述した発光装置において、前記駆動トランジスタと前記発光素子とを有する単位回路を複数備え、前記制御手段は、前記単位回路ごとに、前記電源電圧の電圧値を増加または減少させながら、前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出し、検出した発光量の時間変化率が変化した時点における前記電源電圧の電圧値を特定し、前記特定した複数の電圧値のうち最も大きい電圧値を、前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定する構成であってもよい。
この場合、複数の単位回路のうち、駆動トランジスタの特性バラツキを含め、発光素子の特性変動が最も大きい単位回路にあわせて電源電圧の電圧値を設定できる。
【００１０】
また、上述した発光装置において、前記駆動トランジスタと前記発光素子とを各々有する複数の単位回路と、前記単位回路ごとに、前記駆動トランジスタを飽和領域で動作させつつ、前記駆動トランジスタの制御電極に基準電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出する検出手段と、前記検出手段が検出した複数の発光量の各々を比較し、発光量が最も少ない前記単位回路を選択する選択手段とを備え、前記制御手段は、前記選択手段が選択した前記単位回路について、前記電源電圧の電圧値を増加または減少させながら、前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出し、検出した発光量の時間変化率が変化した時点における前記電源電圧の電圧値を特定し、前記特定した電圧値を前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定する構成であってもよい。
この場合、発光量が最も少ない単位回路、すなわち最も劣化が進んでいる発光素子を有する単位回路についてのみ処理を行えばよいから、処理負荷を軽減すると共に処理時間も短縮できる。
【００１１】
また、本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例は、上述したいずれかの発光装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写真方式の画像形成装置である。画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体（例えば感光体ドラム）と、像担持体を露光する本発明の発光装置と、像担持体の潜像に対する現像剤（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器を含む。
もっとも、本発明に係る発光装置の用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、スキャナなどの画像読取装置においては、本発明に係る発光装置を原稿の照明に利用することが可能である。画像読取装置は、上述したいずれかの発光装置と、発光装置から出射して読取対象（原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えば、ＣＣＤ：Charge Coupled Deviceなどの受光素子）を備える。さらに、発光素子をマトリクス状に配列させた発光装置は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など、各種電子機器の表示装置としても利用される。
【００１２】
また、本発明に係る発光装置の駆動方法は、第１電極、第２電極および制御電極を有し、飽和領域で動作している場合に、前記制御電極に供給される電位に応じて前記第１電極−前記第２電極間に流れる駆動電流の電流量を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの第２電極に陽極が接続され、前記駆動電流に応じた発光量で発光する発光素子と、入射される光量に応じたレベルの検出信号を出力する受光素子と、前記駆動トランジスタの第１電極と前記発光素子の陰極間に印加する電源電圧を生成する電源回路とを備えた発光装置の駆動方法であって、前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値を増加または減少させながら、前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電位を供給したときの前記発光素子の発光量を前記受光素子から出力される前記検出信号により検出し、検出した発光量の時間変化率が変化した時点における前記電源電圧の電圧値を特定し、前記特定した電圧値を前記電源回路が生成する前記電源電圧の電圧値に設定することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜Ａ．実施形態＞
図１は、本実施形態に係る発光装置１０を適用した画像形成装置の部分的な構造を示す斜視図である。
画像形成装置は、発光装置１０と、集束性レンズアレイ１１と、感光体ドラム１２を有する。発光装置１０は、Ｘ方向（主走査方向）に沿って発光素子Ｅと受光素子Ｒが多数形成された長尺状のガラス基板１３を有する。感光体ドラム１２は、Ｘ方向の回転軸に支持された円柱体であり、外周面をガラス基板１３に対向させた状態で回転する。ガラス基板１３と感光体ドラム１２との間に配置された集束性レンズアレイ１１は、各発光素子Ｅからの出射光を感光体ドラム１２の外周面に結像させる。以上の露光によって感光体ドラム１２の外周面には所望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。
【００１４】
図２は、発光装置１０の電気的な構成を示すブロック図である。
発光装置１０は、露光ヘッド１００と、制御回路２００と、電源回路３００と、ドライバ４００と、Ａ／Ｄコンバータ５００を備える。露光ヘッド１００内のガラス基板１３には、ＴＦＴ制御回路１０２と駆動回路１０４が形成される。また、ガラス基板１３には複数の単位回路Ｕが形成される。各単位回路Ｕは、画素回路Ｇと発光素子Ｅと受光素子Ｒを含む。画素回路Ｇは、発光素子Ｅを駆動するための回路であって複数の薄膜トランジスタを有する。発光素子Ｅは、相互に対向する陽極と陰極との間に有機ＥＬ材料の発光層を介在させた有機ＥＬ素子である。受光素子Ｒは、例えばＰＮ型やＰＩＮ型のダイオード、フォトダイオード、フォトトランジスタなどである。各単位回路Ｕの受光素子Ｒは、当該単位回路Ｕ内の発光素子Ｅからの出射光を受光し、受光量に応じた電流値または電圧値を検出信号として出力する。受光素子Ｒから出力された検出信号は、Ａ／Ｄコンバータ５００でアナログ信号からデジタル信号に変換され、制御回路２００に出力される。
【００１５】
制御回路２００内の電源電圧制御部２１０は、電源回路３００が生成する電源電圧ＶＥＬの電圧値を制御する。より具体的には、電源電圧制御部２１０は、電源回路３００が生成する電源電圧ＶＥＬを、予め定められた最小値Ｖｍｉｎから最大値Ｖｍａｘまでの間の任意の電圧値に設定することができる。また、電源電圧制御部２１０は電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａを備える。
電源回路３００は、電源電圧制御部２１０から指示された電圧値の電源電圧ＶＥＬを生成する。電源回路３００が生成した電源電圧ＶＥＬは露光ヘッド１００に供給される。
【００１６】
制御回路２００には外部から画像データが供給される。画像データは、画像形成装置が形成すべき画像の各画素の階調を指定するデータである。これはすなわち、各発光素子Ｅの発光パワーを指定するデータである。制御回路２００内のバラツキ補正部２２０は、各発光素子Ｅの発光パワー（光量）を補正する。さらに詳述すると、バラツキ補正部２２０は、各受光素子Ｒから供給される検出信号に応じて発光素子Ｅごとに補正値を決定し、決定した補正値を用いて画像データを補正する。補正後の画像データはドライバ４００に出力される。なお、各発光素子Ｅの補正値は、例えば全ての画素について同一の階調を指定する画像データが供給された場合に、各発光素子Ｅの発光パワーが均一化されるように設定される。また、バラツキ補正部２２０は、発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａとバラツキ補正演算器２２０ｂを備える。
【００１７】
なお、露光ヘッド１００の工場出荷時には、まず、各受光素子Ｒではなく外部測定装置を用いて各発光素子Ｅの発光パワー（光量）を補正し、各発光素子Ｅの発光パワーを均一化する。この光量補正後に同一の発光パワーで各発光素子Ｅを順次発光させ、その発光パワーを対応する受光素子Ｒを用いて測定する。この場合、各受光素子Ｒから出力される検出信号の大きさは全て同じでなければならない。したがって、各検出信号の大きさが同じになるように各受光素子Ｒの検出信号の値を補正することで、各受光素子Ｒについてもキャリブレーションが可能になる。
以上のような各発光素子Ｅの光量補正と各受光素子Ｒのキャリブレーションを工場出荷時に行うことで、各受光素子Ｒについて、対応する発光素子Ｅからの距離や受光面積などを厳密に同一に保つ必要がなくなる。つまり、各受光素子Ｒには繰り返して測定する場合の測定精度の安定性は求められるが、各受光素子Ｒの形成において絶対的な精度は必要とされない。
【００１８】
ドライバ４００は、バラツキ補正部２２０から供給される補正後の画像データに基づいて、各発光素子Ｅの発光パワーを指定する発光制御データを生成する。ドライバ４００で生成された発光制御データは、露光ヘッド１００内のＴＦＴ制御回路１０２に供給される。ＴＦＴ制御回路１０２は、発光制御データを駆動回路１０４内の各画素回路Ｇに分配する。また、画像形成装置内には、画像形成装置内の温度を検出する温度センサ６００や、印刷枚数をカウントする印刷枚数カウンタ６５０が設けられている。制御回路２００には、温度センサ６００によって検出された温度データや、印刷枚数カウンタ６５０による印刷枚数のカウント値が供給される。
【００１９】
図３は、単位回路Ｕの回路図である。
単位回路Ｕは、選択トランジスタＴｓと駆動トランジスタＴｄを含む画素回路Ｇと、発光素子Ｅと、受光素子Ｒを有する。電源回路３００から供給される電源電圧ＶＥＬは、駆動トランジスタＴｄのドレインと発光素子Ｅの陰極間に印加される。選択トランジスタＴｓは、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタであり、ゲートには選択信号ＳＥＬが供給される。選択信号ＳＥＬがＨｉレベルになると、選択トランジスタＴｓがオン状態になる。これにより１画素分の発光制御データ、すなわち、この単位回路Ｕ内に含まれる１つの発光素子Ｅの発光パワーを指定する電位Ｖａが駆動トランジスタＴｄのゲートに供給される。駆動トランジスタＴｄは、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタであり、ゲートの電位に応じてドレイン−ソース間に流れる駆動電流Ｉｄの電流量を制御する。なお、駆動電流Ｉｄの電流量をゲートの電位に応じて定めるためには、駆動トランジスタＴｄを飽和領域で動作させる必要がある。発光素子Ｅは駆動電流Ｉｄの電流量に応じた発光パワーで発光し、この発光パワーが受光素子Ｒによって検出される。
【００２０】
次に、発光装置１０の動作を説明する。
まず、バラツキ補正部２２０で行われるバラツキ補正処理について説明する。
発光素子Ｅ（有機ＥＬ素子）は、その駆動に伴って発光パワーが徐々に低下する。また、画像データによって各発光素子Ｅの使用頻度が異なるため、発光パワーの低下量は発光素子Ｅごとに異なる。つまり、露光ヘッド１００の使用に応じて、各発光素子Ｅの絶対的な発光パワーが低下すると共に、発光素子Ｅ間での相対的な発光パワーにも差が生じる。前者は印刷される画像の全体的な濃度に影響し、後者は筋むらとなって現れる。このような濃度低下と筋むらの問題を解消するためにバラツキ補正処理が行われる。
また、バラツキ補正処理を行うための前処理として発光パワー取得処理が実行される。発光パワー取得処理は、例えば、画像形成装置の電源が投入されたときや、画像形成装置（あるいは発光装置１０）の動作時間が予め定められた時間を超えるたび、あるいは温度センサ６００によって検出された温度が規定温度を超えた場合や、印刷枚数カウンタ６５０によるカウント値を監視して所定枚数印刷したことを検出するたびに実行される。
【００２１】
発光パワー取得処理が開始されると、まず、バラツキ補正部２２０は、駆動トランジスタＴｄを必ず飽和領域で動作させるため、例えば電源電圧ＶＥＬを最大値Ｖｍａｘとするよう電源電圧制御部２１０を介して電源回路３００に指示する。この指示に応じて電源回路３００は、電圧値が最大値Ｖｍａｘとなる電源電圧ＶＥＬを生成し、露光ヘッド１００に供給する。これにより各単位回路Ｕにおいて駆動トランジスタＴｄのドレインと発光素子Ｅの陰極間には最大値Ｖｍａｘが印加される。したがって、発光パワー取得処理が行われている間、各駆動トランジスタＴｄは必ず飽和領域で動作する。なお、発光パワー取得処理を行っている間の電源電圧ＶＥＬは、駆動トランジスタＴｄが飽和領域で動作する電圧値であればよく、最大値Ｖｍａｘに限定されない。
【００２２】
次いで、バラツキ補正部２２０は、予め定められた基準電位ＶＲＥＦを用いて発光素子Ｅを１つずつ順番に発光させ、その発光パワーを測定する。つまり、バラツキ補正部２２０は、単位回路Ｕごとに、駆動トランジスタＴｄのゲートに基準電位ＶＲＥＦを供給して発光素子Ｅを発光させる。また、バラツキ補正部２２０は、発光素子Ｅの発光パワーを受光素子Ｒを用いて検出し、Ａ／Ｄコンバータ５００を介して取得する。このようにして得られた発光素子Ｅごとの発光パワー（光量）が発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａに格納される。以上が発光パワー取得処理である。
【００２３】
次にバラツキ補正処理では、発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａに格納されたデータを用いて各発光素子Ｅの発光パワーを補正する。バラツキ補正処理は、制御回路２００に対して画像データが供給されるごとに行われる。バラツキ補正部２２０（バラツキ補正演算器２２０ｂ）は、発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａに格納されたデータから、発光素子Ｅごとの補正値を算出する。発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａに格納された発光素子Ｅごとの発光パワーは、いずれも駆動トランジスタＴｄのゲートに基準電位ＶＲＥＦを供給したときの発光パワーであるから、その大きさにより各発光素子Ｅの劣化の程度や、発光素子Ｅ間での相対的な発光パワーの差が把握できる。また、例えば発光パワーの値が取り得る数値範囲を複数に区分し、各区分ごとに補正値を定めた補正値テーブルを参照することで、発光素子Ｅごとの補正値を求めることができる。
【００２４】
また、バラツキ補正部２２０には、温度センサ６００によって検出された温度データや、印刷枚数カウンタ６５０によるカウント値が供給されている。したがって、バラツキ補正部２２０は、例えば、発光パワー取得処理を行ったときとの温度差や、発光パワー取得処理を終えてからの印刷枚数をさらに加味することで、発光素子Ｅごとの補正値をより正確に算出することができる。また、例えばハガキやＯＨＰシートに対して印刷を行う場合は、普通紙に対して印刷を行う場合に比べ、紙送り速度を遅くし、各発光素子Ｅの発光パワーも減らす必要がある。したがって、バラツキ補正部２２０では、このような印刷モードの違い（印刷する記録材の違い）も加味して発光素子Ｅごとの補正値を算出する構成であってもよい。
いずれにせよバラツキ補正部２２０は、このようにして求めた発光素子Ｅごとの補正値を用いて、外部から供給された画像データを補正する。したがって、各駆動トランジスＴｄのゲートに供給される電位Ｖａは、補正後の画像データに基づいて生成されることになる。
【００２５】
次に、電源電圧制御部２１０で行われる電源電圧制御処理について説明する。
電源電圧制御処理は、電源電圧ＶＥＬを、各駆動トランジスタＴｄが飽和領域で動作し得る必要最低限の電圧値に設定する処理であり、例えば上述した発光パワー取得処理を終えた後に実行される。すなわち電源電圧制御処理は、画像形成装置の電源が投入されたときや、画像形成装置（あるいは発光装置１０）の動作時間が予め定められた時間を超えるたび、あるいは温度センサ６００によって検出された温度が規定温度を超えた場合や、印刷枚数カウンタ６５０によるカウント値を監視して所定枚数印刷したことを検出するたびに実行される。
【００２６】
図４は、電源電圧制御処理の流れを示すフローチャートである。
なお、同図には１つの単位回路Ｕに対して行われる電源電圧制御処理の一部分のみを示している。電源電圧制御処理が開始されると電源電圧制御部２１０は、図４に示す処理を単位回路Ｕごとに実行する。例えば単位回路ＵがＮ個ある場合は、図４に示す処理が計Ｎ回行われることになる。
また、以下の動作説明では、ある１つの単位回路Ｕに対して行われる電源電圧制御処理をメインに説明を行うが、説明の便宜上、処理対象としている単位回路Ｕと、この単位回路Ｕに含まれる構成要素に添字として“１”を付与する。すなわち、単位回路Ｕ１は、選択トランジスタＴｓ１と駆動トランジスタＴｄ１を含む画素回路Ｇ１と、発光素子Ｅ１と、受光素子Ｒ１を有する。このように以下の動作説明において添字の“１”は、単位回路Ｕ１に含まれる構成要素であることを示す。
【００２７】
図４に示すように、まず、電源電圧制御部２１０は、電源電圧ＶＥＬを最小値Ｖｍｉｎとするよう電源回路３００に指示する（ステップＳ１０１）。この指示に応じて電源回路３００は、電圧値が最小値Ｖｍｉｎとなる電源電圧ＶＥＬを生成し、露光ヘッド１００に供給する。これにより単位回路Ｕ１を含め全ての単位回路Ｕにおいて、駆動トランジスタＴｄのドレインと発光素子Ｅの陰極間に最小値Ｖｍｉｎが印加される。
【００２８】
次いで、電源電圧制御部２１０は、バラツキ補正部２２０に対し、発光素子Ｅ１の補正値を算出するよう指示する。この指示に応じてバラツキ補正部２２０は、発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａに格納されているデータを用いて発光素子Ｅ１の補正値を算出する。なお、発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａには、電源電圧制御処理を実行する直前に行われた発光パワー取得処理によって、最新のデータ（発光素子Ｅごとの発光パワー）が格納されている。また、電源電圧制御部２１０は、バラツキ補正部２２０から発光素子Ｅ１の補正値を得ると、この補正値を用いて基準電位ＶＲＥＦを補正する。つまり、電源電圧制御部２１０は、発光素子Ｅ１用のバラツキ補正を施した基準電位ＶＲＥＦ’を算出する。
【００２９】
この後、電源電圧制御部２１０は、駆動トランジスタＴｄ１のゲートに基準電位ＶＲＥＦ’を供給し、発光素子Ｅ１を発光させる（ステップＳ１０２）。また、電源電圧制御部２１０は、発光素子Ｅ１の発光パワーを受光素子Ｒ１を用いて検出し、Ａ／Ｄコンバータ５００を介して取得する（ステップＳ１０３）。次いで、電源電圧制御部２１０は、前回取得した発光素子Ｅ１の発光パワーと、今回取得した発光素子Ｅ１の発光パワーとを比較し、発光パワーが増えたか否かを判定する（ステップＳ１０４）。なお、図４に示す処理を最初に行った場合は、前回取得した発光素子Ｅ１の発光パワーが存在しないので、ステップＳ１０４に示す処理はスキップされ、ステップＳ１０５に移行する。
【００３０】
また、ステップＳ１０４の判定結果がＹＥＳの場合、電源電圧制御部２１０は、現時点において設定されている電源電圧ＶＥＬの電圧値を、単位回路Ｕ１の識別情報と対応付けて電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａに格納する（ステップＳ１０５）。例えば、図４に示す処理を最初に行った場合は、電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａに最小値Ｖｍｉｎが格納される。なお、ステップＳ１０５によって電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａに格納される電圧値は、ステップＳ１０２〜Ｓ１０６に示す処理が繰り返して行われる都度、新たな電圧値に更新される。さらに、ステップＳ１０５では、ステップＳ１０３において取得した発光素子Ｅ１の発光パワーをワークメモリ（図示省略）に格納する。ここでワークメモリに格納した発光パワーは、ステップＳ１０４に示す処理を次に行う際に、前回取得した発光素子Ｅ１の発光パワーとして使用される。
【００３１】
次いで、電源電圧制御部２１０は、電源電圧ＶＥＬをΔＶだけ上げるよう電源回路３００に指示した後（ステップＳ１０６）、ステップＳ１０２に戻る。この指示により、各単位回路Ｕに供給される電源電圧ＶＥＬの値がΔＶだけ増える。例えば、図４に示す処理を最初に行った場合は、ステップＳ１０６によって電源電圧ＶＥＬがＶｍｉｎからＶｍｉｎ＋ΔＶに変更される。
【００３２】
以上説明したステップＳ１０２〜Ｓ１０６までの処理を繰り返すことで、電源電圧制御部２１０は、電源電圧ＶＥＬを最小値ＶｍｉｎからΔＶずつ徐々に上げながら、駆動トランジスタＴｄ１のゲートに基準電位ＶＲＥＦ’を供給したときの発光素子Ｅ１の発光パワーを測定していくことになる。
【００３３】
ここで、発光素子Ｅ１の端子間電圧をＶｘ、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させるために必要なドレイン−ゲート間電圧Ｖｄｇの閾値をＶｙとしたとき、電源電圧ＶＥＬがＶｘ＋Ｖｙ未満の場合は、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させることができない。したがって、発光素子Ｅ１を定電流駆動させることができず、実質、低電圧駆動状態になる。このため電源電圧ＶＥＬがＶｘ＋Ｖｙ未満の期間では、駆動トランジスタＴｄ１のゲートに同じ電位（基準電位ＶＲＥＦ’）を供給しても、発光素子Ｅ１の発光パワーが変動する。具体的には図５に示すように、電源電圧ＶＥＬが低いと電源電圧ＶＥＬを上げていくごとに発光素子Ｅ１の発光パワーも増える。
これに対し、電源電圧ＶＥＬがＶｘ＋Ｖｙに達すると、それ以上、電源電圧ＶＥＬを上げても発光素子Ｅ１の発光パワーは増えなくなる。これは、駆動トランジスタＴｄ１のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが予め定められた閾値以上となり、駆動トランジスタＴｄ１が飽和領域で動作して、発光素子Ｅ１を定電流駆動させることができるようになったことを意味する。
【００３４】
したがって、ステップＳ１０２〜Ｓ１０６までの処理を繰り返すことで、電源電圧制御部２１０は、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させるための必要最低限の電源電圧ＶＥＬを特定することができる。
つまり、図５に示すｔ２の時点では、ステップＳ１０４において、前回取得したｔ１の時点の発光素子Ｅ１の発光パワーと、今回取得したｔ２の時点の発光素子Ｅ１の発光パワーを比較した結果、まだ発光パワーが増えているので（ステップＳ１０４：ＹＥＳ）、ステップＳ１０５に移行することになる。これに対し、図５に示すｔ３の時点では、ステップＳ１０４において、前回取得したｔ２の時点の発光素子Ｅ１の発光パワーと、今回取得したｔ３の時点の発光素子Ｅ１の発光パワーを比較した結果、発光パワーが増えていないので（ステップＳ１０４：ＮＯ）、図４に示す処理を終えることになる。また、この際、単位回路Ｕ１の識別情報と対応付けて電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａに格納されているのは、前回行われたステップＳ１０５で格納された電圧値になるから、図５におけるｔ２の時点で取得した電源電圧ＶＥＬの値になる。
【００３５】
したがって、Ｎ個の単位回路Ｕについて図４に示す処理を行うと、電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａには、単位回路Ｕごとに、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させるための必要最低限の電源電圧ＶＥＬの値が格納されることになる。したがって、電源電圧制御部２１０は、全ての単位回路Ｕについて図４に示す処理を終えると、電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａに格納されているＮ個の電圧値を比較し、最も大きい電圧値を選択する。そして、電源電圧制御部２１０は、選択した電圧値を、印刷の際に電源回路３００が生成する電源電圧ＶＥＬの電圧値として設定する。つまり、駆動トランジスタＴｄの特性バラツキを含め、発光素子Ｅの特性変動が最も大きい単位回路Ｕにあわせて、電源電圧ＶＥＬの電圧値を設定することができる。
【００３６】
このように本実施形態によれば、電源電圧ＶＥＬを、全ての駆動トランジスタＴｄが飽和領域で動作し得る必要最低限の電圧値に設定することができる。したがって、駆動トランジスタＴｄ（駆動回路１０４）で消費される電力を低減することができる。また、駆動トランジスタＴｄの消費電力を減らすことで露光ヘッド１００内での発熱を抑えることができるから、熱による発光素子Ｅの劣化や発光パワーの変動を低減することもできる。また、特許文献１に記載された電気光学装置では、電気光学素子の端子間電圧を直接測定するため単位回路内に測定回路（Ａ／Ｄ変換器）を設けなければならないが、本実施形態では、例えばＰＮ型のダイオードやフォトダイオード、あるいはフォトトランジスタなどといった受光素子Ｒを設ければよいだけであるので、ガラス基板１３の回路構成も簡素化でき製造が容易である。よって、発光素子Ｅを駆動する回路で消費される電力を簡素な構成で低減できる。
また、全ての単位回路Ｕについて電源電圧制御処理を行うことで、発光素子Ｅのみの特性変動だけでなく、駆動トランジスタＴｄの特性バラツキなども含めて駆動トランジスタＴｄの消費電力を必要最低限に抑える電源電圧ＶＥＬを特定することができるので、電源電圧ＶＥＬを正確に特定できる。
【００３７】
＜Ｂ．変形例＞
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下の変形が可能である。また、以下に示す２以上の変形例を適宜組み合わせることもできる。
［変形例１］
上述した電源電圧制御処理では、電源電圧ＶＥＬを最小値Ｖｍｉｎから徐々に上げていく場合について説明したが、逆に、電源電圧ＶＥＬの電圧値を最大値Ｖｍａｘから徐々に下げていく構成としてもよい。
図６は、変形例１に係る電源電圧制御処理の流れを示すフローチャートである。
同図に示す電源電圧制御処理では、ステップＳ２０１，Ｓ２０６の記載から明らかとなるように、電源電圧ＶＥＬを最大値ＶｍａｘからΔＶずつ徐々に下げながら発光素子Ｅ１の発光パワーを検出する。また、ステップＳ２０４の記載から明らかとなるように、検出した発光パワーが減った時点、すなわち前回検出した発光素子Ｅ１の発光パワーと、今回検出した発光素子Ｅ１の発光パワーとを比較した結果、発光パワーが減った場合に（ステップＳ２０４：ＹＥＳ）、処理を終える。なお、ステップＳ２０２，Ｓ２０３，Ｓ２０５では、図４に示したフローチャートのステップＳ１０２，Ｓ１０３，Ｓ１０５と同様の処理を行う。
【００３８】
前述したように、発光素子Ｅ１の端子間電圧をＶｘ、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させるために必要となるドレイン−ゲート間電圧Ｖｄｇの閾値をＶｙとしたとき、電源電圧ＶＥＬがＶｘ＋Ｖｙ以上の場合は、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させることができる。したがって、電源電圧ＶＥＬがＶｘ＋Ｖｙ未満となるまでは、駆動トランジスタＴｄ１のゲートに同じ電位（基準電位ＶＲＥＦ’）を供給している限り、電源電圧ＶＥＬを下げても発光素子Ｅ１の発光パワーは一定である。
これに対し、電源電圧ＶＥＬがＶｘ＋Ｖｙ未満になると、駆動トランジスタＴｄ１のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが予め定められた閾値未満になるため、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させることができなくなる。このため電源電圧ＶＥＬがＶｘ＋Ｖｙ未満の期間では、駆動トランジスタＴｄ１のゲートに同じ電位（基準電位ＶＲＥＦ’）を供給しても発光素子Ｅ１の発光パワーが変動する。具体的には図７に示すように、電源電圧ＶＥＬがＶｘ＋Ｖｙ未満になると、電源電圧ＶＥＬを下げていくごとに発光素子Ｅ１の発光パワーも減る。
【００３９】
したがって、ステップＳ２０２〜Ｓ２０６までの処理を繰り返すことで、電源電圧制御部２１０は、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させるための必要最低限の電源電圧ＶＥＬを特定することができる。
つまり、図７に示すｔ２の時点では、ステップＳ２０４において、前回取得したｔ１の時点の発光素子Ｅ１の発光パワーと、今回取得したｔ２の時点の発光素子Ｅ１の発光パワーを比較した結果、まだ発光パワーが減っていないので（ステップＳ２０４：ＮＯ）、ステップＳ２０５に移行することになる。これに対し、図７に示すｔ３の時点では、ステップＳ２０４において、前回取得したｔ２の時点の発光素子Ｅ１の発光パワーと、今回取得したｔ３の時点の発光素子Ｅ１の発光パワーを比較した結果、発光パワーが減っているので（ステップＳ２０４：ＹＥＳ）、図６に示す処理を終えることになる。また、この際、単位回路Ｕ１の識別情報と対応付けて電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａに格納されているのは、前回行われたステップＳ２０５で格納された電圧値になるから、図７におけるｔ２の時点で取得した電源電圧ＶＥＬの値となる。
【００４０】
したがって、Ｎ個の単位回路Ｕについて図６に示す処理を行うと、電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａには、単位回路Ｕごとに、駆動トランジスタＴｄ１を飽和領域で動作させるための必要最低限の電源電圧ＶＥＬの値が格納されることになる。したがって、電源電圧制御部２１０は、全ての単位回路Ｕについて図６に示す処理を終えると、電源電圧格納ＲＡＭ２１０ａに格納されているＮ個の電圧値を比較して、最も大きい電圧値を選択する。そして、電源電圧制御部２１０は、選択した電圧値を、印刷の際に電源回路３００が生成する電源電圧ＶＥＬの電圧値として設定する。
【００４１】
以上説明した変形例１に係る電源電圧制御処理であっても、上述した実施形態と同様の効果を奏する。要するに、単位回路Ｕごとに、電源電圧ＶＥＬの電圧値を徐々に増加（あるいは徐々に減少）させながら、駆動トランジスタＴｄのゲートに所定の電位を供給したときの発光素子Ｅの発光パワーを検出し、検出した発光パワーの微分値が変化した時点（発光パワーの変曲点）における電源電圧ＶＥＬの値を特定してやればよい。
なお、電源電圧ＶＥＬを最小値Ｖｍｉｎから徐々に上げていく構成の方が、電源電圧制御処理を行っている間の露光ヘッド１００での発熱を抑えることができるから、熱による発光素子Ｅの劣化や発光パワーの変動を抑制することができる。
【００４２】
［変形例２］
発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａには、同一の電位（基準電位ＶＲＥＦ）を供給したときの発光素子Ｅごとの発光パワーが格納されている。したがって、発光パワー格納ＲＡＭ２２０ａに格納されている発光パワーを比較することで、最も発光パワーが少ない発光素子Ｅを、最も劣化が進行している発光素子Ｅとして特定することができる。したがって、このようにして特定された発光素子Ｅを有する単位回路Ｕについてのみ、図４や図６に示した電源電圧制御処理を行い、その結果得られた電圧値を、全ての単位回路Ｕに対して供給する電源電圧ＶＥＬの電圧値として設定してもよい。
この場合、全ての単位回路Ｕについて電源電圧制御処理を行う必要がなく、１つの単位回路Ｕについてのみ電源電圧制御処理を行えばよいから、処理負荷を低減できると共に処理時間も短縮できる。但し、発光素子Ｅの発光パワーの変動は、経時劣化や温度による発光素子Ｅの特性変化だけでなく、駆動トランジスタＴｄの特性バラツキなども関係する。場合によっては、むしろ駆動トランジスタＴｄの特性バラツキの方が発光素子Ｅの発光パワーの変動に大きく影響する。したがって、全ての単位回路Ｕについて電源電圧制御処理を行う構成の方が、駆動トランジスタＴｄが飽和領域で動作し得る必要最低限の電源電圧ＶＥＬを正確に特定できる。
【００４３】
［変形例３］
上述した実施形態や変形例１では、発光パワーの時間変化率が変化した時点（図５や図７におけるｔ２の時点）における電源電圧ＶＥＬの電圧値を特定し、この電圧値を電源回路３００で生成する電源電圧ＶＥＬの電圧値に設定した。しかしながら、特定した電圧値そのものでなく、電源電圧ＶＥＬの変動などを見込んである程度のマージンをとった電圧値を、電源回路３００で生成する電源電圧ＶＥＬの電圧値として設定する構成であってもよい。すなわち、発光パワーの時間変化率が変化した時点における電源電圧ＶＥＬの電圧値をＶＥＬｓ、マージンとする電圧値をΔＶｍとしたとき、ＶＥＬｓ＋ΔＶｍを電源回路３００が生成する電源電圧ＶＥＬの電圧値として設定する構成であってもよい。
【００４４】
［変形例４］
電源電圧制御処理で使用した基準電位ＶＲＥＦ’は例示に過ぎない。電源電圧制御処理の際に駆動トランジスタＴｄのゲートに供給する電位は、バラツキ補正を施した所定の電位であればよく、発光パワー取得処理で使用した基準電位ＶＲＥＦに限定されない。また、電源電圧制御処理では、バラツキ補正を施していない所定の電位を駆動トランジスタＴｄのゲートに供給する構成であってもよい。但し、バラツキ補正を施した電位を用いた方が、駆動トランジスタＴｄが飽和領域で動作し得る必要最低限の電源電圧ＶＥＬを正確に求められる。
【００４５】
［変形例５］
上述した実施形態では、１個の発光素子Ｅごとに１個の受光素子Ｒを配置したが、受光素子Ｒの個数（発光素子Ｅとの個数比）は任意に変更可能である。また、発光素子Ｅや受光素子Ｒの配列は図１に示した例示に限定されない。例えば、発光素子Ｅを２列の千鳥状に配列した構成であってもよいし、発光素子Ｅや受光素子Ｒをマトリクス状に配列した構成であってもよい。また、発光装置１０は、発光素子Ｅと受光素子Ｒを各々１個だけ備える構成であってもよい。また、有機ＥＬ素子は発光素子Ｅの例示であり、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子などの発光素子を備えた発光装置にも本発明を適用することができる。
【００４６】
＜Ｃ：応用例＞
次に、上述した実施形態および変形例に係る発光装置を利用した電子機器（画像形成装置）の具体例を説明する。
図８は、画像形成装置の構成を示す断面図である。
同図に示す画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置であり、４個の発光装置１０（１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙ）と、各発光装置１０に対応する４個の感光体ドラム１２（１２Ｋ，１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙ）を備える。図１に示したように、１つの発光装置１０は、対応する感光体ドラム１２の被露光面１２Ａ（外周面）と対向するように配置される。なお、各符号の添字「Ｋ」「Ｃ」「Ｍ」「Ｙ」は、黒（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味している。
【００４７】
図８に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２には無端の中間転写ベルト７２が巻回される。４個の感光体ドラム１２は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム１２は、中間転写ベルト７２の駆動に同期して回転する。
【００４８】
各感光体ドラム１２の周囲には、発光装置１０の他にコロナ帯電器７３１（７３１Ｋ，７３１Ｃ，７３１Ｍ，７３１Ｙ）と現像器７３２（７３２Ｋ，７３２Ｃ，７３２Ｍ，７３２Ｙ）が配置される。コロナ帯電器７３１は、対応する感光体ドラム１２の被露光面１２Ａを一様に帯電させる。この帯電した被露光面１２Ａを各発光装置１０が露光することで静電潜像が形成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像材（トナー）を付着させることで感光体ドラム１２に顕像（可視像）を形成する。
【００４９】
以上のように感光体ドラム１２に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）７４（７４Ｋ，７４Ｃ，７４Ｍ，７４Ｙ）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、対応する感光体ドラム１２から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム１２と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。
【００５０】
シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送される。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７によってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート７５を排出する。
【００５１】
以上説明した画像形成装置は、有機ＥＬ素子を光源（露光手段）として利用しているので、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化できる。なお、ロータリ現像式の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラム１２からシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装置などにも発光装置１０を利用することが可能である。
【００５２】
また、発光装置１０の用途は像担持体（感光体ドラム１２）の露光に限定されない。例えば、発光装置１０は、原稿などの読取対象に光を照射する照明装置として画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。また、発光素子Ｅをマトリクス状に配列させた発光装置は、各種電子機器の表示装置としても利用可能である。本発明が適用される電子機器としては、例えば、可搬型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、デジタルサイネージ、タッチパネルを備えた機器などがある。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本実施形態に係る発光装置を適用した画像形成装置の部分的な構造を示す斜視図である。
【図２】発光装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】単位回路の回路図である。
【図４】本実施形態に係る電源電圧制御処理の流れを示すフローチャートである。
【図５】発光パワーの時間変化率を示すグラフである。
【図６】変形例１に係る電源電圧制御処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】発光パワーの時間変化率を示すグラフである。
【図８】電子機器の具体例（画像形成装置）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０…発光装置、１１…集束性レンズアレイ、１２…感光体ドラム、１３…ガラス基板、Ｅ…発光素子、Ｒ…受光素子、１００…露光ヘッド、１０２…ＴＦＴ制御回路、１０４…駆動回路、Ｕ…単位回路、Ｇ…画素回路、２００…制御回路、２１０…電源電圧制御部、２１０ａ…電源電圧格納ＲＡＭ、２２０…バラツキ補正部、２２０ａ…発光パワー格納ＲＡＭ、２２０ｂ…バラツキ補正演算器、３００…電源回路、４００…ドライバ、５００…Ａ／Ｄコンバータ、ＶＥＬ…電源電圧、Ｔｓ…選択トランジスタ、Ｔｄ…駆動トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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