(57)【要約】【課題】発振波長のばらつきが大きくなるのを抑制することが可能なバー状半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】このバー状半導体レーザ素子１は、ＧａＮ基板２と、ＧａＮ基板２の主面上に形成され、複数のレーザ素子部３ａを含む半導体層３とを備えている。複数のレーザ素子部３ａは、Ａ方向（［１１−２０］方向）に配列されている。ＧａＮ基板２の主面の中心部Ｏ１は、Ａ方向（［１１−２０］方向）に沿った方向に（０００１）面から約０．０５±０．１度のオフ角度αを有する。【選択図】図１
2010108993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板の主面上に形成され、複数のレーザ素子部を含む半導体層とを備え、
前記複数のレーザ素子部は、［１１−２０］方向に配列されており、
前記窒化物半導体基板の主面は、［１１−２０］方向に沿った方向にオフ角度を有する（０００１）面であり、
前記窒化物半導体基板の主面の中心部は、［１１−２０］方向に沿った方向に（０００１）面から０．０５±０．１度のオフ角度を有することを特徴とするバー状半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記窒化物半導体基板の主面のオフ角度が、［１１−２０］方向に向かって小さくなる場合、前記窒化物半導体基板の主面の中心部は、［１１−２０］方向に向かって（０００１）面から［０００１］方向側に０．０５±０．１度のオフ角度を有し、
前記窒化物半導体基板の主面のオフ角度が、［１１−２０］方向に向かって大きくなる場合、前記窒化物半導体基板の主面の中心部は、［−１−１２０］方向に向かって（０００１）面から［０００１］方向側に０．０５±０．１度のオフ角度を有することを特徴とする請求項１に記載のバー状半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記窒化物半導体基板の主面の中心部は、［１１−２０］方向に沿った方向に（０００１）面から０度よりも大きく、かつ、０．１度よりも小さいオフ角度を有することを特徴とする請求項１または２に記載のバー状半導体レーザ素子。
【請求項４】
［１１−２０］方向の端部の前記レーザ素子部の発振波長と、［−１−１２０］方向の端部の前記レーザ素子部の発振波長との差は、２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のバー状半導体レーザ素子。
【請求項５】
窒化物半導体からなるウェハを準備する工程と、
前記ウェハの主面上に、レーザ素子部となる半導体層を形成する工程と、
複数の前記レーザ素子部が［１１−２０］方向に配列されるように、前記ウェハをバー状に分割する工程とを備え、
前記ウェハの主面は、［１１−２０］方向に沿った方向にオフ角度を有する（０００１）面であり、
前記ウェハの主面の中心部は、［１１−２０］方向に沿った方向に（０００１）面から０．０５±０．１度のオフ角度を有することを特徴とするバー状半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記ウェハの主面のオフ角度が、［１１−２０］方向に向かって小さくなる場合、前記ウェハの主面の中心部は、［１１−２０］方向に向かって（０００１）面から［０００１］方向側に０．０５±０．１度のオフ角度を有し、
前記ウェハの主面のオフ角度が、［１１−２０］方向に向かって大きくなる場合、前記ウェハの主面の中心部は、［−１−１２０］方向に向かって（０００１）面から［０００１］方向側に０．０５±０．１度のオフ角度を有することを特徴とする請求項５に記載のバー状半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、窒化物半導体基板を備えたバー状半導体レーザ素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、窒化物半導体基板を備えた半導体レーザ素子が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、窒化物半導体からなる基板と、基板の主面上に形成されたｎ側半導体層、活性層、ｐ側半導体層およびｐ電極と、基板の裏面上に形成されたｎ電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子が開示されている。
【０００４】
この窒化物半導体レーザ素子では、共振器面は、（１−１００）面となっている。すなわち、共振器面は、［１１−２０］方向に延びるように形成されている。
【０００５】
また、従来、窒化物半導体基板を備えたバー状半導体レーザ素子が知られている。バー状半導体レーザ素子は、複数のレーザ素子部が所定の方向に配列されることによって形成されている。
【０００６】
このようなバー状半導体レーザ素子を、例えば上記特許文献１に開示された窒化物半導体レーザ素子を用いて形成する場合、バー状半導体レーザ素子は、［１１−２０］方向に延びるように形成される。すなわち、バー状半導体レーザ素子は、レーザ素子部（窒化物半導体レーザ素子）が［１１−２０］方向に配列されたバー状に形成される。
【特許文献１】特開２００８−２０５１７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、窒化物半導体基板の面内のオフ角度は均一でないので、バー状半導体レーザ素子では、各レーザ素子部における窒化物半導体基板のオフ角度が異なる。このため、上記したバー状半導体レーザ素子のように、レーザ素子部（窒化物半導体レーザ素子）が［１１−２０］方向に配列されている場合、［１１−２０］方向に向かって、レーザ素子部の発振波長が徐々に大きく（または小さく）なる。これにより、［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長と、［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長との差が大きくなるという問題点がある。すなわち、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきが大きくなるという問題点がある。
【０００８】
なお、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきが大きくなると、バー状半導体レーザ素子を、例えば露光機の光源などに用いる場合に、均一に露光するのが困難となる。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、発振波長のばらつきが大きくなるのを抑制することが可能なバー状半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面によるバー状半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板の主面上に形成され、複数のレーザ素子部を含む半導体層とを備え、複数のレーザ素子部は、［１１−２０］方向に配列されており、窒化物半導体基板の主面は、［１１−２０］方向に沿った方向にオフ角度を有する（０００１）面であり、窒化物半導体基板の主面の中心部は、［１１−２０］方向に沿った方向に（０００１）面から０．０５±０．１度のオフ角度を有する。
【００１１】
この第１の局面によるバー状半導体レーザ素子では、上記のように、窒化物半導体基板の主面の中心部を、［１１−２０］方向に沿った方向に（０００１）面から０．０５±０．１度のオフ角度を有するように構成することによって、複数のレーザ素子部のうちの［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長と、［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長との差が大きくなるのを抑制することができる。すなわち、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきが大きくなるのを抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面によるバー状半導体レーザ素子において、好ましくは、窒化物半導体基板の主面のオフ角度が、［１１−２０］方向に向かって小さくなる場合、窒化物半導体基板の主面の中心部は、［１１−２０］方向に向かって（０００１）面から［０００１］方向側に０．０５±０．１度のオフ角度を有し、窒化物半導体基板の主面のオフ角度が、［１１−２０］方向に向かって大きくなる場合、窒化物半導体基板の主面の中心部は、［−１−１２０］方向に向かって（０００１）面から［０００１］方向側に０．０５±０．１度のオフ角度を有する。このように構成すれば、［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長と、［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長との差が大きくなるのを、容易に抑制することができるので、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきが大きくなるのを、容易に抑制することができる。
【００１３】
上記第１の局面によるバー状半導体レーザ素子において、好ましくは、窒化物半導体基板の主面の中心部は、［１１−２０］方向に沿った方向に（０００１）面から０度よりも大きく、かつ、０．１度よりも小さいオフ角度を有する。このように構成すれば、複数のレーザ素子部のうちの［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長と、［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長との差が大きくなるのを、より抑制することができるので、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきが大きくなるのを、より抑制することができる。
【００１４】
上記第１の局面によるバー状半導体レーザ素子において、好ましくは、［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長と、［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長との差は、２ｎｍ以下である。このように構成すれば、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきを２ｎｍ以下にすることができるので、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきを、十分に小さくすることができる。
【００１５】
この発明の第２の局面によるバー状半導体レーザ素子の製造方法は、窒化物半導体からなるウェハを準備する工程と、ウェハの主面上に、レーザ素子部となる半導体層を形成する工程と、複数のレーザ素子部が［１１−２０］方向に配列されるように、ウェハをバー状に分割する工程とを備え、ウェハの主面は、［１１−２０］方向に沿った方向にオフ角度を有する（０００１）面であり、ウェハの主面の中心部は、［１１−２０］方向に沿った方向に（０００１）面から０．０５±０．１度のオフ角度を有する。
【００１６】
この第２の局面によるバー状半導体レーザ素子の製造方法では、上記のように、ウェハの主面の中心部を、［１１−２０］方向に沿った方向に（０００１）面から０．０５±０．１度のオフ角度を有するように構成することによって、複数のレーザ素子部のうちの［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長と、［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長との差が大きくなるのを抑制することができる。すなわち、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきが大きくなるのを抑制することができる。
【００１７】
上記第２の局面によるバー状半導体レーザ素子の製造方法において、好ましくは、ウェハの主面のオフ角度が、［１１−２０］方向に向かって小さくなる場合、ウェハの主面の中心部は、［１１−２０］方向に向かって（０００１）面から［０００１］方向側に０．０５±０．１度のオフ角度を有し、ウェハの主面のオフ角度が、［１１−２０］方向に向かって大きくなる場合、ウェハの主面の中心部は、［−１−１２０］方向に向かって（０００１）面から［０００１］方向側に０．０５±０．１度のオフ角度を有する。このように構成すれば、［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長と、［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部の発振波長との差が大きくなるのを、容易に抑制することができるので、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきが大きくなるのを、容易に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、本発明によれば、発振波長のばらつきが大きくなるのを抑制することが可能なバー状半導体レーザ素子を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態によるバー状半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。図２は、図１に示した一実施形態によるバー状半導体レーザ素子の構造を示した断面図である。図３は、図１に示した一実施形態によるバー状半導体レーザ素子のＧａＮ基板のオフ角度を説明するための断面図である。図４は、図１に示した一実施形態によるバー状半導体レーザ素子のＧａＮ基板の主面の中心部の構造を示した拡大断面図である。まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施形態によるバー状半導体レーザ素子１の構造について説明する。
【００２０】
本発明の一実施形態によるバー状半導体レーザ素子１は、図１に示すように、Ａ方向（［１１−２０］方向）に延びるバー状に形成されており、例えば露光機の光源などに用いられる。また、バー状半導体レーザ素子１は、例えば、Ａ方向（［１１−２０］方向）に約１０ｍｍ〜約２０ｍｍの長さを有するとともに、Ｂ方向（［１−１００］方向）に約２００μｍの幅を有する。また、バー状半導体レーザ素子１には、Ａ方向（［１１−２０］方向）に配列された複数（数十個〜数百個）の後述するレーザ素子部３ａが形成されている。
【００２１】
また、バー状半導体レーザ素子１は、図２に示すように、ＧａＮ基板２と、ＧａＮ基板２の主面上に形成された窒化物半導体からなる半導体層３と、半導体層３の所定領域上に形成されたｐ側電極４および絶縁膜５と、ｐ側電極４および絶縁膜５上に形成された金属層からなるパッド電極６と、ＧａＮ基板２の裏面上に形成された金属層からなるｎ側電極７とによって構成されている。なお、ＧａＮ基板２は、本発明の「窒化物半導体基板」の一例である。
【００２２】
ＧａＮ基板２の主面は、Ａ方向（［１１−２０］方向）に沿った方向に所定のオフ角度を有する（０００１）面である。すなわち、ＧａＮ基板２の主面は、Ａ方向（［１１−２０］方向）に沿って、（０００１）面から所定の角度だけ傾斜した面である。
【００２３】
具体的には、本実施形態では、図３に示すように、ＧａＮ基板２の主面のオフ角度は、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって徐々に小さくなっている。すなわち、ＧａＮ基板２のＣ軸（［０００１］方向に延びる軸）は、ＧａＮ基板２の面内において傾きが異なっている。そして、ＧａＮ基板２のＡ方向（［１１−２０］方向）側のＣ軸５０とＧａＮ基板２の主面に垂直な軸（図示せず）との成す角度は、ＧａＮ基板２のＡ方向とは反対側（［−１−１２０］方向側）のＣ軸５０とＧａＮ基板２の主面に垂直な軸（図示せず）との成す角度に比べて小さくなっている。
【００２４】
また、本実施形態では、図４に示すように、ＧａＮ基板２の主面の中心部Ｏ１は、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって（０００１）面からＣ方向（［０００１］方向）側に約０．０５±０．１度のオフ角度αを有する。また、ＧａＮ基板２の主面の中心部Ｏ１は、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって（０００１）面からＣ方向（［０００１］方向）側に約０度よりも大きく、かつ、約０．１度よりも小さいオフ角度αを有することが、より好ましい。
【００２５】
半導体層３は、図２に示すように、ＧａＮ基板２上に形成されたｎ型半導体層３１と、ｎ型半導体層３１上に形成された活性層３２と、活性層３２上に形成されたｐ型半導体層３３とを含んでいる。
【００２６】
また、半導体層３（ｎ型半導体層３１、活性層３２およびｐ型半導体層３３）によって、図１に示すように、Ａ方向（［１１−２０］方向）に配列された複数のレーザ素子部３ａが形成されている。
【００２７】
そして、各レーザ素子部３ａにおいて、図２に示すように、ｐ型半導体層３３の長手方向（Ａ方向に沿った方向）の中央部には、Ｂ方向（図１参照）に延びるリッジ部３３ａが形成されている。
【００２８】
また、各レーザ素子部３ａ（バー状半導体レーザ素子１）の共振器面は、Ａ方向（［１１−２０］方向）に延びるように形成されている。
【００２９】
また、本実施形態では、Ａ方向（［１１−２０］方向）の端部のレーザ素子部３ｂ（図１参照）の発振波長と、Ａ方向とは反対側（［−１−１２０］方向）の端部のレーザ素子部３ｃ（図１参照）の発振波長との差は、約２ｎｍ以下である。なお、レーザ素子部３ｂは、本発明の「［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部」の一例であり、レーザ素子部３ｃは、本発明の「［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部」の一例である。
【００３０】
ｐ側電極４は、金属層からなるとともに、リッジ部３３ａ上に形成されている。
【００３１】
絶縁膜５は、ＳｉＯ2膜などからなり、ｐ型半導体層３３のリッジ部３３ａ以外の上面上に形成されている。
【００３２】
図５は、図１に示した一実施形態によるバー状半導体レーザ素子の製造方法を説明するための平面図である。次に、図１〜図５を参照して、本実施形態によるバー状半導体レーザ素子１の製造プロセスについて説明する。
【００３３】
まず、図５に示すように、ＧａＮからなるとともに、例えば２インチの直径を有するウェハ２ａを準備する。なお、ＧａＮは、本発明の「窒化物半導体」の一例である。
【００３４】
このとき準備するウェハ２ａの主面は、図３に示すように、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって小さくなるオフ角度を有する（０００１）面である。また、図４に示すように、ウェハ２ａの主面の中心部Ｏ２は、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって（０００１）面からＣ方向（［０００１］方向）側に約０．０５±０．１度のオフ角度αを有する。また、ウェハ２ａの面内のオフ角度は、中心部Ｏ２を通りＡ方向（［１１−２０］方向）に延びる線（図示せず）に対して、Ｂ方向（［１−１００］方向）、および、Ｂ方向とは反対方向（［−１１００］方向）に略対称となっている。
【００３５】
そして、図２に示すように、ウェハ２ａの主面上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法などにより、ｎ型半導体層３１、活性層３２およびｐ型半導体層３３を結晶成長させる。その後、ｐ型半導体層３３上に、ｐ側電極４を形成する。
【００３６】
そして、マスク（図示せず）を用いて、ｐ側電極４の上面からｐ型半導体層３３の途中の深さまでを除去することにより、ｐ型半導体層３３に、Ａ方向に所定の間隔を隔てて複数のリッジ部３３ａを形成する。これにより、Ａ方向（［１１−２０］方向）に配列された複数（数十個〜数百個）のレーザ素子部３ａが形成される。
【００３７】
その後、ｐ型半導体層３３のリッジ部３３ａ以外の上面上に、ＳｉＯ2膜などからなる絶縁膜５を形成する。
【００３８】
そして、ｐ側電極４および絶縁膜５上に、金属層からなるパッド電極６を形成する。また、ＧａＮ基板２の下面（裏面）上に、金属層からなるｎ側電極７を形成する。
【００３９】
そして、図１および図５に示すように、複数のレーザ素子部３ａ（図１参照）がＡ方向（［１１−２０］方向）に配列されるように、ウェハ２ａ（図５参照）をバー状に分割する。
【００４０】
以上のようにして、本実施形態によるバー状半導体レーザ素子１が製造される。
【００４１】
本実施形態では、上記のように、ＧａＮ基板２の主面のオフ角度を、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって徐々に小さくするとともに、ＧａＮ基板２の主面の中心部Ｏ１を、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって（０００１）面からＣ方向（［０００１］方向）側に約０．０５±０．１度のオフ角度αを有するように構成している。これにより、Ａ方向（［１１−２０］方向）の端部のレーザ素子部３ｂの発振波長と、Ａ方向とは反対側（［−１−１２０］方向）の端部のレーザ素子部３ｃの発振波長との差が大きくなるのを抑制することができる。すなわち、バー状半導体レーザ素子１の発振波長のばらつきが大きくなるのを抑制することができる。これにより、バー状半導体レーザ素子１を、例えば露光機の光源などに用いる場合に、均一に露光することができる。
【００４２】
また、上記のように、ＧａＮ基板２の主面の中心部Ｏ１を、Ａ方向（［１１−２０］方向）に沿った方向に（０００１）面から０度よりも大きく、かつ、０．１度よりも小さいオフ角度αを有するように構成すれば、Ａ方向（［１１−２０］方向）の端部のレーザ素子部３ｂの発振波長と、Ａ方向とは反対側（［−１−１２０］方向）の端部のレーザ素子部３ｃの発振波長との差が大きくなるのを、より抑制することができる。これにより、バー状半導体レーザ素子１の発振波長のばらつきが大きくなるのを、より抑制することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、上記のように、Ａ方向（［１１−２０］方向）の端部のレーザ素子部３ｂの発振波長と、Ａ方向とは反対側（［−１−１２０］方向）の端部のレーザ素子部３ｃの発振波長との差を、約２ｎｍ以下にすることによって、バー状半導体レーザ素子１の発振波長のばらつきを、十分に小さくすることができる。
【００４４】
図６は、上記した本発明の一実施形態によるバー状半導体レーザ素子の効果を確認するために行った実験を説明するための図である。次に、上記した本発明の一実施形態によるバー状半導体レーザ素子１の効果を確認するために行った実験について説明する。この実験では、上記した製造プロセスを用いてバー状半導体レーザ素子を作製するとともに、そのバー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきを評価した。以下、詳細に説明する。
【００４５】
まず、主面の中心部がＡ方向（［１１−２０］方向）に向かって（０００１）面からＣ方向（［０００１］方向）側に所定のオフ角度を有するウェハを準備した。この実験では、主面の中心部が約−０．２４度〜０．１８度の様々なオフ角度を有するウェハを準備した。
【００４６】
そして、上記した製造プロセスを用いてバー状半導体レーザ素子を作製した。
【００４７】
なお、バー状半導体レーザ素子のその他の製造プロセスは、上記実施形態と同様にした。
【００４８】
次に、バー状半導体レーザ素子について、Ａ方向（［１１−２０］方向）の端部のレーザ素子部の発振波長と、Ａ方向とは反対側（［−１−１２０］方向）の端部のレーザ素子部の発振波長とを測定した。
【００４９】
そして、Ａ方向の端部のレーザ素子部の発振波長からＡ方向とは反対側の端部のレーザ素子部の発振波長を減じることにより、バー状半導体レーザ素子内における発振波長の差を算出した。この発振波長の差の絶対値は、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきである。
【００５０】
なお、この実験では、１枚のウェハに対して、ウェハの中心部を含むバー状半導体レーザ素子１ａ（図５参照）のみの発振波長の差を算出した。これは、ウェハの中心部を含むバー状半導体レーザ素子１ａは、ウェハの中心部を含まないバー状半導体レーザ素子１ｂ（図５参照）よりも、発振波長の差が大きいためである。
【００５１】
そして、ウェハの主面の中心部のオフ角度と、発振波長の差との関係をグラフ化した。その結果を、図６に示す。
【００５２】
図６に示すように、ウェハの主面の中心部のオフ角度が約０．０５±０．１度の範囲では、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきが小さくなることが判明した。
【００５３】
具体的には、ウェハの主面の中心部のオフ角度が約−０．０５度〜約０．１５度（約０．０５±０．１度）の範囲では、バー状半導体レーザ素子の発振波長の差は、約１．２ｎｍ〜約−１．２ｎｍであった。すなわち、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきは、約１．２ｎｍ以下であった。
【００５４】
さらに、ウェハの主面の中心部のオフ角度が約０度よりも大きく、かつ、約０．１度よりも小さい場合、バー状半導体レーザ素子の発振波長の差は、約０．７ｎｍ〜約−０．７ｎｍであった。すなわち、バー状半導体レーザ素子の発振波長のばらつきは、約０．７ｎｍ以下であった。
【００５５】
また、ウェハの主面の中心部のオフ角度が約０．０５度のときに、バー状半導体レーザ素子の発振波長の差およびばらつきは最小であった。
【００５６】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５７】
たとえば、上記実施形態では、窒化物半導体としてＧａＮを用いた例について示したが、本発明はこれに限らず、ＧａＮ以外の窒化物半導体を用いてもよい。
【００５８】
また、上記実施形態では、バー状半導体レーザ素子を露光機の光源などに用いる場合について示したが、本発明はこれに限らず、バー状半導体レーザ素子を、露光機の光源以外に用いてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、ＧａＮ基板の主面のオフ角度が、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって小さくなるとともに、ＧａＮ基板の主面の中心部が、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって（０００１）面からＣ方向（［０００１］方向）側に約０．０５±０．１度のオフ角度を有する場合について示したが、本発明はこれに限らず、ＧａＮ基板の主面のオフ角度が、Ａ方向（［１１−２０］方向）に向かって大きくなる場合、ＧａＮ基板の主面の中心部が、Ａ方向とは反対側（［−１−１２０］方向）に向かって（０００１）面からＣ方向（［０００１］方向）側に約０．０５±０．１度のオフ角度を有するように構成してもよい。この場合にも、上記した実験と同様の結果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態によるバー状半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。
【図２】図１に示した一実施形態によるバー状半導体レーザ素子の構造を示した断面図である。
【図３】図１に示した一実施形態によるバー状半導体レーザ素子のＧａＮ基板のオフ角度を説明するための断面図である。
【図４】図１に示した一実施形態によるバー状半導体レーザ素子のＧａＮ基板の主面の中心部の構造を示した拡大断面図である。
【図５】図１に示した一実施形態によるバー状半導体レーザ素子の製造方法を説明するための平面図である。
【図６】本発明の一実施形態によるバー状半導体レーザ素子の効果を確認するために行った実験を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  バー状半導体レーザ素子
２  ＧａＮ基板（窒化物半導体基板）
２ａ  ウェハ
３  半導体層
３ａ  レーザ素子部
３ｂ  レーザ素子部（［１１−２０］方向の端部のレーザ素子部）
３ｃ  レーザ素子部（［−１−１２０］方向の端部のレーザ素子部）
Ｏ１、Ｏ２  中心部
α  オフ角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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