(57)【要約】【課題】ロープロファイル性を維持しつつ、共振器間の広い範囲の結合係数を得ることができる帯域通過フィルタを提供する。【解決手段】この帯域通過フィルタ１は、第１の共振器１１と、第１の共振器１１とブロードサイド結合した第２の共振器２１と、第１の共振器１１と第２の共振器２１の中間に、それらの一部と重なるように配設される遮断導体シート３１と、を備えてなり、コムライン配置では遮断導体シート３１は第１及び第２の共振器１１、２１の両短絡端１１ａ、２１ａ又は両開放端１１ｂ、２１ｂの位置に配設され、インターディジタル配置では遮断導体シート３１は第１及び第２の共振器１１、２１の中心線の位置に配設されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の共振器と、
第１の共振器とブロードサイド結合した第２の共振器と、
第１の共振器と第２の共振器の中間に、それらの一部と重なるように配設される遮断導体シートと、
を備えてなることを特徴とする帯域通過フィルタ。
【請求項２】
請求項１に記載の帯域通過フィルタにおいて、
第１の共振器と第２の共振器は、周囲を接地導体に囲まれた１／４波長の共振器であることを特徴とする帯域通過フィルタ。
【請求項３】
請求項２に記載の帯域通過フィルタにおいて、
第１の共振器と第２の共振器間はコムライン配置になっており、前記遮断導体シートは第１及び第２の共振器の両短絡端の位置に配設されていることを特徴とする帯域通過フィルタ。
【請求項４】
請求項２に記載の帯域通過フィルタにおいて、
第１の共振器と第２の共振器間はコムライン配置になっており、前記遮断導体シートは第１及び第２の共振器の両開放端の位置に配設されていることを特徴とする帯域通過フィルタ。
【請求項５】
請求項２に記載の帯域通過フィルタにおいて、
第１の共振器と第２の共振器間はインターディジタル配置になっており、前記遮断導体シートは第１及び第２の共振器の中心線の位置に配設されていることを特徴とする帯域通過フィルタ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の帯域通過フィルタにおいて、
第１の共振器の下側又は第２の共振器の上側に別の遮断導体シートを介して別の共振器を重ねて多段の帯域通過フィルタにしたことを特徴とする帯域通過フィルタ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の帯域通過フィルタを含む高周波回路装置であって、
第１の共振器、第２の共振器、前記遮断導体シートは絶縁体の低温同時焼結セラミックスに組み入れられて一体に焼成されていることを特徴とする高周波回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波周波数帯などの高周波数領域で使用する帯域通過フィルタに関する。また、その帯域通過フィルタを含む高周波回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロ波などの高周波数信号の帯域通過フィルタ（Ｂａｎｄ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ  ：  ＢＰＦ）に関する研究開発が盛んに行われている。帯域通過フィルタは、１／４波長又は１／２波長で共振する共振器を２個以上設けてそれらを結合させ、所望の帯域の高周波信号を共振器から共振器に伝播させることにより構成するのが一般的である。共振器を構成するためには、小型化のために、信号線路及び共振器にパターニングされた薄い導体（いわゆるストリップ導体）を用いたマイクロストリップライン或いはコプレーナラインが広く用いられている。マイクロストリップラインは、信号線路及び共振器とは別の層に接地導体を設けたものであり、コプレーナラインは、信号線路及び共振器と同じ層に接地導体を設けたものである。
【０００３】
ところで、帯域通過フィルタの帯域幅は、共振器間の結合の程度を示す結合係数に大きく依存する。従って、結合係数を調整し易くすることは、帯域通過フィルタの設計において重要な条件となる。本願発明者らは、結合モード理論を用いることによって結合係数を計算する方法を非特許文献１に示している。
【０００４】
また、結合係数の調整に関する技術として、例えば、特許文献１には、マイクロストリップラインにおいてエッジ結合とブロードサイド結合を所望の結合係数によって使い分けるものが提案されている。なお、エッジ結合は、２個の共振器を横に並べるように同一層に形成して結合させたものであり、ブロードサイド結合は、２個の共振器を別の層に形成して縦に重なるように配置して結合させたものである。
【０００５】
【非特許文献１】粟井  郁雄、張  陽軍、「共振器の結合係数  直感的理解への一つの道」、電子情報通信学会論文誌Ｃ、２００６年、Ｖｏｌ．Ｊ８６−Ｃ、Ｎｏ．１２、ｐ．９６２−９６８
【特許文献１】特開２００６−１８６８２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したブロードサイド結合の共振器は、共振器間の距離を変えることによって結合係数の調整を行うことが一般的である。このような結合係数の調整では、以下に述べるように、所望の結合係数によっては得難いものもある。
【０００７】
本願発明者は、コプレーナラインでブロードサイド結合を用いた１／４波長共振器（以下、λ／４コプレーナ共振器）について、シミュレーションを行った。このλ／４コプレーナ共振器は、共振器を多段に積層してもロープロファイル（薄型）性を保つことができるものである。
【０００８】
図８はλ／４コプレーナ共振器の斜視図であって、（ａ）はコムライン配置のもの、（ｂ）はインターディジタル配置のものである。第１の共振器１１１及び第２の共振器１２１は同じ大きさの矩形状であり、それらの３辺は略一定幅でコ字状の隙間１１１Ｓ、１２１Ｓを空けて接地導体１１２、１２２に囲まれており、残りの１辺（短絡端）１１１ａ、１２１ａ（細い破線で図示）は、接地導体１１２、１２２に接続されている。従って、短絡端１１１ａ、１２１ａからそれに対する他端（開放端）１１１ｂ、１２１ｂまでが１／４波長となる場合に共振することになる。（ａ）のコムライン配置は、第１及び第２の共振器１１１、１２１の短絡端１１１ａ、１２１ａ同士が対向し、開放端１１１ｂ、１２１ｂ同士が対向した配置のものである。（ｂ）のインターディジタル配置は、第１の共振器１１１の開放端１１１ｂと第２の共振器１２１の短絡端１２１ａとが対向し、第１の共振器１１１の短絡端１１１ａと第２の共振器１２１の開放端１２１ｂとが対向した配置のものである。
【０００９】
結合係数の計算は、結合モード理論に基づいた。結合モード理論によると、導体の存在が共振器の形成に本質的役割を果たすマイクロストリップライン型やコプレーナライン型の共振器では、結合係数ｋは磁気結合係数ｋｍと電気結合係数ｋｅへの分離ができ、結合係数ｋは以下の（１）式のようにそれらの差で与えられる。磁気結合係数ｋｍと電気結合係数ｋｅはそれぞれ、（２）式、（３）式のように、分母の正規化定数は別として、磁界同士の空間重なり（磁気結合成分）を積分した値と電界同士の空間重なり（電気結合成分）を積分した値である。
【００１０】
【数１】
2010050918.tif 000003
【００１１】
【数２】
2010050918.tif 000004
【００１２】
【数３】
2010050918.tif 000005
【００１３】
この結合モード理論に基づき、シミュレーションを行った。なお、電磁界分布のシミュレーションソフトはアンソフト社製ＨＦＳＳを用い、積分計算は本願発明者が独自に作成したプログラムを用いた。
【００１４】
図９は、結合係数ｋと共振器間の距離ｄの関係を示す特性図であって、（ａ）はコムライン配置の場合であり、（ｂ）はインターディジタル配置の場合である。図９によると、コムライン配置とインターディジタル配置で特性は大きく異なる。すなわち、コムライン配置では、共振器間の距離ｄが変化すると結合係数ｋは小さい値で上下し、最大が０．０１程度である。一方、インターディジタル配置では、共振器間の距離ｄが大きくなるにつれて結合係数ｋは単調に下がっているものの、共振器間の距離ｄが５ｍｍになっても結合係数ｋは０．２まで下がっていない。共振器間の距離ｄが５ｍｍ以上にもなると、λ／４コプレーナ共振器のロープロファイル化の特徴がなくなる。
【００１５】
本発明は、係る事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、ロープロファイル性を維持しつつ、共振器間の広い範囲の結合係数を得ることができるようにして、狭帯域から広帯域まで広い帯域で適用可能な帯域通過フィルタを提供することにある。また、その帯域通過フィルタを含む高周波回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の帯域通過フィルタは、第１の共振器と、第１の共振器とブロードサイド結合した第２の共振器と、第１の共振器と第２の共振器の中間に、それらの一部と重なるように配設される遮断導体シートと、を備えてなることを特徴とする。
【００１７】
請求項２に記載の帯域通過フィルタは、請求項１に記載の帯域通過フィルタにおいて、第１の共振器と第２の共振器は、周囲を接地導体に囲まれた１／４波長の共振器であることを特徴とする。
【００１８】
請求項３に記載の帯域通過フィルタは、請求項２に記載の帯域通過フィルタにおいて、第１の共振器と第２の共振器間はコムライン配置になっており、前記遮断導体シートは第１及び第２の共振器の両短絡端の位置に配設されていることを特徴とする。
【００１９】
請求項４に記載の帯域通過フィルタは、請求項２に記載の帯域通過フィルタにおいて、第１の共振器と第２の共振器間はコムライン配置になっており、前記遮断導体シートは第１及び第２の共振器の両開放端の位置に配設されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項５に記載の帯域通過フィルタは、請求項２に記載の帯域通過フィルタにおいて、第１の共振器と第２の共振器間はインターディジタル配置になっており、前記遮断導体シートは第１及び第２の共振器の中心線の位置に配設されていることを特徴とする。
【００２１】
請求項６に記載の帯域通過フィルタは、請求項１乃至５のいずれかに記載の帯域通過フィルタにおいて、第１の共振器の下側又は第２の共振器の上側に別の遮断導体シートを介して別の共振器を重ねて多段の帯域通過フィルタにしたことを特徴とする。
【００２２】
請求項７に記載の高周波回路装置は、請求項１乃至６のいずれかに記載の帯域通過フィルタを含む高周波回路装置であって、第１の共振器、第２の共振器、前記遮断導体シートは絶縁体の低温同時焼結セラミックスに組み入れられて一体に焼成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の帯域通過フィルタによれば、第１の共振器と第２の共振器間に遮断導体シートが配設されるので、その位置と長さを変化させることによって結合係数を変化させることができ、ロープロファイル性を維持しつつ、共振器間の広い範囲の結合係数を得ることができ、その結果、狭帯域から広帯域まで広い帯域で適用可能となる。また、本発明の高周波回路装置によれば、本発明の帯域通過フィルタを含んで構成しているので、狭帯域から広帯域まで広い帯域で適用可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を参照しながら説明する。図１及び図２は、本発明の実施形態に係る帯域通過フィルタ１を示す斜視図及び平面図である。この帯域通過フィルタ１は、λ／４コプレーナ共振器を用いたものであって、各図の（ａ）はコムライン配置のもの、（ｂ）はインターディジタル配置のものである。帯域通過フィルタ１を構成する第１の共振器１１と第２の共振器２１は同じ大きさの矩形状であり、それらの３辺は略一定幅でコ字状の隙間１１Ｓ、２１Ｓを空けて第１の接地導体１２、第２の接地導体２２に囲まれており、残りの１辺（短絡端）１１ａ、２１ａ（図１、図２及び後述の図３において細い破線で図示）は、第１及び第２の接地導体１２、２２に接続されている。従って、短絡端１１ａ、２１ａからそれに対する他端（開放端）１１ｂ、２１ｂまでが１／４波長となる場合に共振することになる。第１及び第２の接地導体２２は、図示はしないが、いずれかの端部で互いに接続されている。第１及び第２の共振器１１、２１の一部には、それぞれ第１及び第２の信号線路１３、２３が連接されており、第１の信号線路１３では信号が入力又は出力され、第２の信号線路２３では信号が出力又は入力される。
【００２５】
第１の共振器１１と第１の接地導体１２と第１の信号線路１３は、同一の層に設けられている。一方、第２の共振器２１と第２の接地導体２２と第２の信号線路２３も同一の層に設けられている。これら第１の共振器１１と第２の共振器２１は、縦方向に重なりブロードバンド結合をなしている。コムライン配置は、第１及び第２の共振器１１、２１の各短絡端１１ａ、２１ａ同士、各開放端１１ｂ、２１ｂ同士がそれぞれ対向している。インターディジタル配置は、第１の共振器１１の開放端１１ｂと第２の共振器２１の短絡端２１ａ、第１の共振器１１の短絡端１１ａと第２の共振器２１の開放端２１ｂ、がそれぞれ対向している。
【００２６】
第１の共振器１１と第２の共振器２１の中間には、それらの一部と重なるように遮断導体シート３１が配設されている。遮断導体シート３１は、図示はしないが、いずれかの端部で第１及び第２の接地導体１２、２２に接続されている。
【００２７】
なお、第１の共振器１１、第１の接地導体１２、第１の信号線路１３、第２の共振器２１、第２の接地導体２２、第２の信号線路２３、そして遮断導体シート３１は、ＣｕやＡｇなどの金属から成る薄い導体であり、第１の共振器１１、第１の接地導体１２、第１の信号線路１３を形成する層と遮断導体シート３１との間及び遮断導体シート３１と第２の共振器２１、第２の接地導体２２、第２の信号線路２３を形成する層との間には、図示していないが、絶縁体（誘電体）が設けられている。
【００２８】
第１の共振器１１と第２の共振器２１の間において、磁気結合成分の分布と電気結合成分の分布は異なる。遮断導体シート３１は、一部の場所の磁気結合成分及び電気結合成分を遮断して磁気結合係数ｋｍと電気結合係数ｋｅを減じるものである。従って、遮断導体シート３１を配設する場所によって磁気結合成分の遮断量及び電気結合成分の遮断量は異なり、それを利用して適切な位置に適切な長さの遮断導体シート３１を配設して広い範囲の結合係数ｋを得ることができる。また、第１の共振器１１、第１の接地導体１２、第１の信号線路１３を形成する層から遮断導体シート３１までの距離や遮断導体シート３１から第２の共振器２１、第２の接地導体２２、第２の信号線路２３を形成する層までの距離は一定である。従って、帯域通過フィルタ１は、それに必要な高さは一定であり、しかも、小さく（ロープロファイルであり）、狭帯域から広帯域まで帯域を違えても同じにすることができる。
【００２９】
コムライン配置とインターディジタル配置では、磁気結合成分及び電気結合成分の分布は元々大きく違うため、結合係数ｋを調整する上で遮断導体シート３１を配設する好ましい場所は異なる。コムライン配置では、第１及び第２の共振器１１、２１の両短絡端１１ａ、２１ａの幅全部に重なるように遮断導体シート３１を配設してその長さを調整する。インターディジタル配置では、第１の共振器１１及び第２の共振器２１のそれぞれの短絡端１１ａ、２１ａと開放端１１ｂ、２１ｂの中心線Ｍ（図２において一点鎖線で図示）に重なるように遮断導体シート３１を配設し、中心線Ｍから左右対称に長さを調整する。そのようにすると、遮断導体シート３１の長さに応じた結合係数ｋの変化において、変化率の変動を少なくすることができる。また、遮断導体シート３１の長さの調整の広い所定範囲で、結合係数ｋの変化を単調で大きくすることができる。詳細は後述のシミュレーションで述べる。なお、図１及び図２（ａ）のコムライン配置では磁気結合係数ｋｍを主に減じたものを示しているが、図３（ａ）の斜視図、（ｂ）の平面図に示すように、両開放端１１ｂ、２１ｂの間に遮断導体シート３１を配設することで電気結合係数ｋｅを主に減ずるようにしてもよい。これにより、遮断導体シート３１の第１の信号線路１３や第２の信号線路２３への影響を考慮しなければならない場合に、両短絡端１１ａ、２１ａの間の配設と両開放端１１ｂ、２１ｂの間の配設を自由に選択できる。
【００３０】
なお、結合係数ｋとともに帯域通過フィルタの設計において重要な要素であって入出力の整合条件となる外部Ｑ値は、第１の共振器１１に第１の信号線路１３が連接される位置及び第２の共振器２１に第２の信号線路２３が連接される位置で調整できるが、本発明の要旨ではないので説明は省略する。
【００３１】
以上、帯域通過フィルタ１の基本的な構成を説明した。このような帯域通過フィルタ１は、より急峻なフィルタ特性の得る目的などのため、第１の共振器１１の下側又は第２の共振器２１の上側に別の遮断導体シートを介して第３の共振器を縦に重ねたり、更に同様にして更なる遮断導体シートと共振器を重ねたりして、多段の帯域通過フィルタを構成することもできる。また、帯域通過フィルタ１は、第１の共振器１１、第１の接地導体１２、第１の信号線路１３、第２の共振器２１、第２の接地導体２２、第２の信号線路２３、遮断導体シート３１のそれぞれが、パターニングされた薄い（例えば、厚さ１５〜２０μｍ程度の）導体層として、所定の誘電率の絶縁体（誘電体）のＬＴＣＣ（低温同時焼結セラミックス）に組み入れられて一体に焼成され、ロープロファイルな高周波回路装置４を構成することができる。この高周波回路装置４においては、帯域通過フィルタ１を挟んで最上位と最下位の層には、図４に示すように、外部の電磁界からの影響をなくすために、パターニングされていない接地導体４１、４１が設けられているのが好ましい。高周波回路装置４は、２段の帯域通過フィルタ１のみを含んだものであってもよいし、多段の帯域通過フィルタを構成したものであってもよい。また、帯域通過フィルタを形成したのと同じ層に帯域通過フィルタを含む他のフィルタや別の素子を設けてもよい。
【００３２】
次に、本願発明者が具体的に行ったシミュレーションの結果を以下に示す。シミュレーションは、上記と同様に、（１）〜（３）式等で示した結合モード理論に基づき、電磁界分布のシミュレーションソフトはアンソフト社製ＨＦＳＳを用い、積分計算は本願発明者らが独自に作成したプログラムを用いた。シミュレーションの構成は、図５の斜視図及び図６の平面図に示すように、（ａ）コムライン配置のもの、（ｂ）インターディジタル配置のもので行った。帯域通過フィルタ１の構成は図１及び図２（ａ）、（ｂ）を用いて説明した上記の構成と基本的には同じであるが、第１の信号線路１３と第２の信号線路２３は省略し単純化している。第１及び第２の接地導体１２、２２の外縁は、長さが４０ｍｍ程度、幅が２０ｍｍ程度である。第１及び第２の共振器１１、２１は、長さＬｒが２０ｍｍ、幅Ｗｒが５ｍｍである。第１の共振器１１の短絡端１１ａと第１の接地導体１２の外縁までの距離（同じく、第２の共振器２１の短絡端２１ａと第２の接地導体２２の外縁までの距離）Ｌ１は、１０ｍｍである。また、第１の共振器１１、第１の接地導体１２、第１の信号線路１３が形成された層から遮断導体シート３１までの距離ｄ１は０．２ｍｍ、遮断導体シート３１から第２の共振器２１、第２の接地導体２２、第２の信号線路２３が形成された層までの距離ｄ２は０．２ｍｍ、というように非常に薄いものとしている。第１の共振器１１、第１の接地導体１２、第１の信号線路１３が形成された層と遮断導体シート３１と第２の共振器２１、第２の接地導体２２、第２の信号線路２３が形成された層は、厚さゼロの理想導体とした。コムライン配置では、遮断導体シート３１は、その一端（図５（ａ）における左側の端）は第１の接地導体１２、第２の接地導体２２の一端の位置に揃えておき、長さＬｃを変化させている。また、インターディジタル配置では、遮断導体シート３１は、その中心線を第１の共振器１１、第２の共振器２１の中心線Ｍに一致させ、長さＬｃを変化させている。なお、層間の絶縁体の比誘電率は３．２７とした。
【００３３】
図７は、結合係数ｋと遮断導体シート４の長さＬｃの関係を示す特性図であって、（ａ）はコムライン配置の場合、（ｂ）はインターディジタル配置の場合である。図７（ａ）に示すように、コムライン配置では、結合係数ｋの磁気結合係数ｋｍと電気結合係数ｋｅは正の値であり、常に打ち消し合っている。遮断導体シート３１の長さＬｃが１０ｍｍまでは、磁気結合係数ｋｍと電気結合係数ｋｅはほとんど同じ大きさであり、結合係数ｋの変化はない。遮断導体シート３１の長さＬｃが１０ｍｍを超えると、磁気結合係数ｋｍは大きな勾配で降下し、電気結合係数ｋｅは磁気結合係数ｋｍよりも小さな勾配で降下する。これは、第１の共振器１１の短絡端１１ａと第２の共振器２１の短絡端２１ａの近傍の間では、磁気結合成分が大きいためにその遮断の影響が大きく、電気結合成分が小さいためにその遮断の影響は小さいからである。その結果、遮断導体シート３１の長さＬｃに応じ、結合係数ｋの変化における変化率の変動が少なく、かつ、Ｌｃが約２１ｍｍまでは結合係数ｋは単調に大きく変化し、最小値０から最大値が０．２までの範囲を得ることができた。
【００３４】
図７（ｂ）に示すように、インターディジタル配置では、磁気結合係数ｋｍは正、電気結合係数ｋｅは負の値であるため、絶対値が常に足し合わされる。磁気結合係数ｋｍの絶対値は小さく、電気結合係数ｋｅの絶対値は大きい。遮断導体シート３１の長さＬｃがゼロのとき（遮断導体シート３１がないとき）から、遮断導体シート３１の長さＬｃの増加に応じて磁気結合係数ｋｍと電気結合係数ｋｅの絶対値は降下する。その結果、遮断導体シート３１の長さＬｃに応じ、結合係数ｋの変化における変化率の変動が少なく、かつ、結合係数ｋは単調に大きく変化し、最大値が０．７５から最小値０．０３までの範囲を得ることができた。
【００３５】
以上、本発明の実施形態に係る帯域通過フィルタとそれを含む高周波回路装置について説明したが、本発明は、上述の実施形態に記載したものに限られることなく、特許請求の範囲に記載した事項の範囲内でのさまざまな設計変更が可能である。例えば、本実施形態で説明したのは、λ／４コプレーナ共振器を用いたものであるが、マイクロストリップライン、ＳＩＲ（Ｓｔｅｐｐｅｄ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）においても共振器間に遮断導体シートを設置して所定の結合係数ｋの帯域通過フィルタを得ることも可能である。ただし、この場合は、全面が接地導体の層が上下に存在することになるため、多層化には限界がある。また、１／４波長の共振器のみならず１／２波長の共振器を用いた帯域通過フィルタにも本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態に係る帯域通過フィルタを示す斜視図である。
【図２】同上の帯域通過フィルタを示す平面図である。
【図３】同上の帯域通過フィルタの変形例を示す斜視図と平面図である。
【図４】同上の帯域通過フィルタを含む高周波回路装置を示す斜視図である。
【図５】同上の帯域通過フィルタのシミュレーションの構成を示す斜視図である。
【図６】同上の帯域通過フィルタのシミュレーションの構成を示す平面図である。
【図７】同上の帯域通過フィルタのシミュレーション結果として結合係数と遮断導体シートの長さの関係を示す特性図である。
【図８】同上の帯域通過フィルタと関連する帯域通過フィルタのシミュレーションの構成を示す斜視図である。
【図９】図８の実験結果における結合係数と共振器間の距離の関係を示す特性図である。
【符号の説明】
【００３７】
１      帯域通過フィルタ
１１    第１の共振器
１１ａ  第１の共振器の短絡端
１１ｂ  第１の共振器の開放端
１２    第１の接地導体
１３    第１の信号線路
２１    第２の共振器
２１ａ  第２の共振器の短絡端
２１ｂ  第２の共振器の開放端
２２    第２の接地導体
２３    第２の信号線路
３１    遮断導体シート
４      高周波回路装置
【図１】
2010050918.tif 000006
【図２】
2010050918.tif 000007
【図３】
2010050918.tif 000008
【図４】
2010050918.tif 000009
【図５】
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【図６】
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【図７】
2010050918.tif 000012
【図８】
2010050918.tif 000013
【図９】
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