(57)【要約】【課題】可撓性を有し、且つ外部から押圧がかかっても破損しにくく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。また、可撓性を有し、且つ外部から押圧がかかっても破損しにくく、信頼性の高い液晶表示装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。【解決手段】液晶を介して対向配置される第１の構造体及び第２の構造体と、第１の構造体及び第２の構造体を固着し、且つ液晶を封入するシール材とを有し、第１の構造体及び第２の構造体は、繊維体に有機樹脂が含浸され且つ前記シール材の外側で接して固着されている液晶表示装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される第１の構造体及び第２の構造体と、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体を固着し、且つ前記液晶を封入するシール材と、
を有し、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、繊維体に有機樹脂が含浸され、且つ前記シール材の外側で接して固着されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶を介して対向配置される第１の構造体及び第２の構造体と、
前記第１の構造体に接する第１の衝撃緩和層と、
前記第２の構造体に接する第２の衝撃緩和層と、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体を固着し、且つ前記液晶を封入するシール材と、
を有し、
前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、繊維体に有機樹脂が含浸され、且つ前記シール材の外側で接して固着されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の構造体または前記第２の構造体の表面に導電層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記第１の構造体の表面に第１の導電層が形成され、前記第２の構造体の表面に第２の導電層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第１の構造体の表面に第１の導電層が形成され、前記第２の構造体の表面に第２の導電層が形成され、前記第１の導電層及び前記第２の導電層は電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一項において、前記導電層、前記第１の導電層、及び前記第２の導電層の厚さは、光を透過する厚さであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、厚さが等しいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれか一項において、前記第１の衝撃緩和層及び前記第２の衝撃緩和層は、厚さが等しいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記第１の構造体及び前記第２の構造体の内側において、前記第１の構造体または前記第２の構造体の少なくとも一方に、前記液晶の配向を制御する画素電極が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有する液晶表示装置及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数十〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
【０００３】
このような表示装置の基板としては、ガラス基板や石英基板が多く使用されているが、ガラス基板や石英基板は、重く割れやすいという欠点がある。また、ガラス基板や石英基板は大型化が困難であり、ガラス基板や石英基板は大量生産を行う上で不向きである。そのため、可撓性を有する基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムを用いて表示装置を作製することが試みられている。
【０００４】
そこで、ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタを含む素子形成層を基板から剥離し、他の基材、例えばプラスチックフィルムなどに転写する技術が提案されている。
【０００５】
また、特許文献１や特許文献２に剥離および転写技術が提案されている。特許文献１には剥離層となる酸化珪素層をウェットエッチングで除去して剥離する技術が記載されている。また、特許文献２には剥離層となるシリコン層をドライエッチングで除去して剥離する技術が記載されている。
【０００６】
また、特許文献３に剥離および転写技術が提案されている。特許文献３には、基板に金属層（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ）を形成し、その上に酸化物層を積層形成する際、該金属層の金属酸化物層を金属層と酸化物層との界面に形成し、この金属酸化物層を利用して後の工程で剥離を行う技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−２８８５２２号公報
【特許文献２】特開平８−２５０７４５号公報
【特許文献３】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、可撓性を有する液晶表示装置の基板は可撓性を有するため、外部からの局所的な押圧や、液晶表示装置を曲げることによる局所的に線状の圧力の印加により、半導体素子を有する素子形成層に亀裂が入りやすい。また、これらを原因とする液晶表示装置の動作不良や、表示ムラ等の問題がある。また、素子形成層と可撓性を有する基板の密着性は低く、可撓性を有する基板が素子形成層から剥れやすいため、歩留まりが低下するという問題がある。
【０００９】
以上のことから、本発明は、可撓性を有し、且つ外部から押圧がかかっても破損しにくく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。また、可撓性を有し、且つ外部から押圧がかかっても破損しにくく、信頼性の高い液晶表示装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
液晶を介して対向配置される第１の構造体及び第２の構造体と、第１の構造体及び第２の構造体を固着し、且つ液晶を封入するシール材とを有し、第１の構造体及び第２の構造体は、繊維体に有機樹脂が含浸され且つ前記シール材の外側で接して固着されている液晶表示装置である。
【００１１】
また、液晶を介して対向配置される第１の構造体及び第２の構造体と、第１の構造体に接する第１の衝撃緩和層と、第２の構造体に接する第２の衝撃緩和層と、第１の構造体及び第２の構造体を固着し、且つ液晶を封入するシール材とを有し、第１の構造体及び第２の構造体は、繊維体に有機樹脂が含浸され且つシール材の外側で接して固着されている液晶表示装置である。
【００１２】
第１の構造体及び第２の構造体に含まれる有機樹脂としては、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂がある。また、第１の構造体及び第２の構造体に含まれる有機樹脂が直接接して固着されているため、第１の構造体及び第２の構造体の密着性が高く歩留まりを高めることができる。
【００１３】
第１の構造体及び第２の構造体に含まれる繊維体としては、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いた織布または不織布がある。高強度繊維としては、具体的には引張弾性率が高い繊維である。またはヤング率が高い繊維である。このため、繊維体として高強度繊維を用いることにより、局所的な押圧が液晶表示装置にかかったとしても、また、曲げによる線圧が液晶表示装置にかかったとしても、当該圧力を繊維体全体に分散させることができる。
【００１４】
また、第１の構造体または／及び第２の構造体の表面に導電層が形成されていてもよい。また、第１の構造体及び第２の構造体それぞれに導電層が形成されている場合、それぞれの導電層が電気的に接続され、等電位である。
【００１５】
第１の構造体または／及び第２の構造体の表面に形成される導電層の厚さは、光を透過する厚さとすることで、画像の質を低下することなく、局所的な電荷の帯電による液晶表示装置の破壊を低減することができる。
【００１６】
また、第１の構造体及び第２の構造体は、厚さが等しいことが好ましい。また、第１の衝撃緩和層及び第２の衝撃緩和層は、厚さが等しいことが好ましい。さらには、第１の構造体及び第１の衝撃緩和層の厚さの総和、第２の構造体及び第２の衝撃緩和層の厚さの総和は、素子形成層及び液晶層の厚さの総和より厚いことが好ましい。この結果、素子形成層及び液晶層は、液晶表示装置の断面における中央に配置するため、曲げによるストレスを低減することができる。
【発明の効果】
【００１７】
可撓性を有する液晶表示装置において、外部から押圧がかかっても破損しにくく、液晶表示装置の信頼性を高めることができる。また、外部から押圧がかかっても破損しにくく、信頼性の高い液晶表示装置を歩留まり高く作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の液晶表示装置を説明する断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置を説明する断面図である。
【図３】本発明の液晶表示装置を説明する断面図である。
【図４】本発明の液晶表示装置を説明する断面図である。
【図５】本発明の液晶表示装置を説明する断面図である。
【図６】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図９】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１２】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１４】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１５】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１６】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１７】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１８】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１９】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２０】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２１】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２２】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２３】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２４】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２５】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２６】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２７】本発明の液晶表示装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２８】本発明の液晶表示装置を説明する上面図及び断面図である。
【図２９】繊維体に有機樹脂が含浸された構造体の一例を説明する図。
【図３０】繊維体に有機樹脂が含浸された構造体の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる形態で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、可撓性を有し、且つ外部からの押圧や曲げによって破壊されにくく、また信頼性の高い液晶表示装置について、図１を用いて説明する。
【００２１】
本実施の形態に示す液晶表示装置は、液晶層１３６と、液晶層１３６を間に挟んで対向する第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８と、液晶層１３６を封入するシール材１３４と、画素電極、半導体素子、容量素子、配線等を含む素子形成層１２４とを有する。また、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８は、破線１６０で示すように、シール材１３４の外側において接して固着されていることを特徴とする（図１（Ａ）参照）。なお、図１（Ａ）においては、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８が接し密着する領域を示す破線１６０は、液晶表示装置の概略中央であるが、図１（Ｂ）の破線１６２で示すように、第１の構造体１３２または第２の構造体１３８の一方側に偏ってもよい。
【００２２】
第１の構造体１３２、第２の構造体１３８は、それぞれ繊維体１３２ａ、１３８ａに有機樹脂１３２ｂ、１３８ｂが含浸されており、このような構造体１３２、１３８は、プリプレグとも呼ばれる。プリプレグは、具体的には繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化または硬化させたものである。第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下、さらには１０μｍ以上６０μｍが好ましい。このような厚さの構造体を用いることで、薄型で湾曲することが可能な液晶表示装置を作製することができる。
【００２３】
有機樹脂１３２ｂ、１３８ｂとして、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。上記有機樹脂を用いることで、熱処理により繊維体を素子形成層またはシール材に固着することができる。なお、有機樹脂１３２ｂ、１３８ｂはガラス転移温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくいため好ましい。
【００２４】
有機樹脂１３２ｂ、１３８ｂまたは繊維体１３２ａ、１３８ａの糸束内に高熱伝導性フィラーを分散させてもよい。高熱伝導性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ等が挙げられる。また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。高熱伝導性フィラーが有機樹脂または糸束内に含まれることにより液晶表示装置で生じる発熱を外部に放出しやすくなるため、液晶表示装置の蓄熱を低減することが可能であり、液晶表示装置の破壊を低減することができる。
【００２５】
繊維体１３２ａ、１３８ａは、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いた織布または不織布であり、繊維体１３２ａ、１３８ａが部分的に重なるように配置する。高強度繊維としては、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維である。高強度繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。なお、繊維体１３２ａ、１３８ａは、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。また、複数の上記高強度繊維で形成されてもよい。
【００２６】
また、繊維体１３２ａ、１３８ａは、繊維（単糸）の束（以下、糸束と呼ぶ）を経糸及び緯糸に使って製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積させた不織布であってもよい。織布の場合、平織り、綾織り、しゅす織り等を適宜用いることができる。
【００２７】
糸束の断面形状は、円形でも楕円形でもよい。糸束として、高圧水流、液体を媒体とした高周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした糸束を用いてもよい。開繊加工をした糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数を削減することが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、糸束として低撚糸を用いることで、糸束が扁平化やすく、糸束の断面形状が楕円形状または平板形状となる。このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、繊維体１３２ａ、１３８ａを薄くすることが可能である。このため、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８を薄くすることが可能であり、薄型の液晶表示装置を作製することができる。
【００２８】
繊維体１３２ａ、１３８ａは、一定間隔をあけた経糸及び一定間隔をあけた緯糸が織られている。このような繊維体には、経糸及び緯糸が存在しない領域を有する。このような繊維体は、有機樹脂が繊維体に含浸される割合が高まり、繊維体及び素子層の密着性を高めることができる。
【００２９】
また、糸束内部への有機樹脂の浸透率を高めるため、糸束に表面処理が施されても良い。例えば、糸束表面を活性化させるためのコロナ放電処理、プラズマ放電処理等がある。また、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤を用いた表面処理がある。
【００３０】
図２９、図３０に、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を設ける場合の一例を示す。なお、図２９（Ａ）は、実際に作製したサンプルの断面ＳＥＭ像（１０００倍）を示し、図２９（Ｂ）は図２９（Ａ）の模式図を示している。また、図３０に、実際に作製したサンプルの断面を光学顕微鏡で観察した像（２０倍）を示す。
【００３１】
図２９は、トランジスタ部５０を挟むように、繊維体７１ａに有機樹脂７１ｂが含浸された第１の構造体５１と、繊維体７２ａに有機樹脂７２ｂが含浸された第２の構造体５２とを設ける場合を示している。図２９の断面図では、繊維体７１ａ、繊維体７２ａとして経糸と緯糸の一方のみが示されているが、観察する断面方向によっては経糸と緯糸の一方と交差する他方の繊維体が存在している。
【００３２】
図３０の断面では、繊維糸束から構成される経糸と緯糸が交差して設けられていることが示されている。
【００３３】
このように、繊維体を経糸と緯糸が互いにクロスするように布状に編み、これに有機樹脂を含浸させることにより、布状の面方向への伸び縮みを繊維体が抑え、且つ垂直方向に可撓性を有する構造体とすることができる。
【００３４】
ここで、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８は透明であることが好ましいため、繊維体１３２ａ、１３８ａと、有機樹脂１３２ｂ、１３８ｂとは、可視光に対する透過率が高く、互いの屈折率が概略等しく、複屈折を有しない材料であることが好ましい。
【００３５】
また、第１の構造体１３２の厚さｄ１は、素子形成層１２４及び液晶層１３６と重なる第１の構造体１３２の領域における厚さとする。また、第２の構造体１３８の厚さｄ２も同様に、素子形成層１２４及び液晶層１３６と重なる第２の構造体１３８の領域における厚さとする。
【００３６】
本実施の形態に示す液晶表示装置は、繊維体に有機樹脂が含浸された第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８を有し、且つシール材１３４の外側で第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８が直接接して密着している。これは、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８に含まれる有機樹脂同士が融着の後固着しているためであり、密着性が高く、液晶表示装置における第１の構造体及び第２の構造体の剥れや、外部からの水分等の浸入等による液晶表示装置の不良などを低減することができる。また、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８には、繊維体が含まれるため、外部からの押圧や曲げによる力を液晶表示装置全体に分散することが可能であり、液晶表示装置の不良を低減することができる。
【００３７】
素子形成層１２４としては、画素電極、半導体素子、容量素子、配線等の液晶層１３６に含まれる液晶の配向を制御するための素子が形成されている。なお、素子形成層１２４は、画素部のみ形成されていてもよい。また、画素部及び画素部に含まれる液晶素子を駆動するための駆動回路が形成されていてもよい。また、液晶表示装置の外部に設けられている情報発振機から表示情報を受信するためのアンテナ及び送受信回路を素子形成層１２４に設けてもよい。このような構造により、情報発振機と液晶表示装置との間で無線で表示情報を送受信することが可能であり、液晶表示装置の周辺部を完全に第１の構造体及び第２の構造体で封止することができる。
【００３８】
また、素子形成層１２４及び液晶層１３６には液晶素子が含まれる。液晶素子とは、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子であり、一対の電極、及び液晶材料により構成される。また、一対の画素電極の間に生じる電圧により液晶材料が配向することで、光の透過または非透過を制御する。
【００３９】
液晶材料としては、リオトロピック液晶、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、ディスコチック液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等を用いる。また、上記液晶材料は、条件により、ネマチック相、コレステリック相、コレステリックブルー相、スメクチック相、スメクチックブルー相、キュービック相、スクメチックＤ相、カイラル・ネマチック相、等方相等を示す。コレステリックブルー相及びスメクチックブルー相は、螺旋ピッチが５００ｎｍ以下で比較的短いコレステリック相またはスメクチック相を有する液晶材料にみられる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。光学波長以下の秩序を有しているため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変調作用が生じる。ブルー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成しなくとも良いため、表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。
【００４０】
画素電極は、透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極として反射性を有する金属（例えば、アルミニウムまたは銀を主成分とする材料層、又はそれらの積層層等）を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域には反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料を用いることができる。
【００４１】
なお、対向する画素電極は、液晶表示装置の表示モードにあわせて、素子形成層１２４または／及び第２の構造体に形成すればよい。例えば、液晶の駆動方式が、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ゲストホストモード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード等の場合は、素子形成層１２４に画素電極を形成し、第２の構造体に対向電極を形成して、対応する画素電極を形成すればよい。また、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの場合は、素子形成層１２４に画素電極及び共通電極を形成して、対応する画素電極を形成すればよい。
【００４２】
ただし、上記液晶表示装置の駆動方法及び液晶材料に限定されず、液晶材料及びその駆動方式として様々なものを用いることができる。
【００４３】
素子形成層１２４に含まれる半導体素子としては、画素電極に印加する電圧を制御するためのスイッチング素子として機能する。半導体素子の代表例としては、薄膜トランジスタ、ダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）等がある。薄膜トランジスタとしては、結晶性半導体、微結晶半導体、非晶質半導体をチャネル形成領域に用いた薄膜トランジスタ、有機半導体をチャネル形成領域に用いた有機半導体薄膜トランジスタ、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた薄膜トランジスタ等がある。
【００４４】
シール材１３４は、可視光硬化性、紫外線硬化性、または熱硬化性の樹脂を含む材料を用いることができる。例えば、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、シール材１３４には、フィラーが散布されることにより、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８の間隔を一定に保つことができる。
【００４５】
液晶層１３６の間隔を一定に保つために、液晶層１３６にスペーサを設けてもよい。スペーサとしては、柱状スペーサまた球状スペーサがある。なお、柱状スペーサはフォトリソスペーサー、ポストスペーサー、貝柱スペーサ、カラムスペーサーとも呼ばれている。
【００４６】
なお、図１では示さないが、第１の構造体、または／及び第２の構造体の表面に偏光フィルムが、設けられている。偏光フィルムを設けることで、コントラストを高めることができる。なお、液晶表示装置が反射型の液晶表示装置の場合には、第１の構造体、または第２の構造体に偏光フィルムが設けられていればよい。なお、偏光フィルム第１の構造体または／及び第２の構造体に設ける場合は、偏光軸と第１の構造体または／及び第２の構造体の繊維体の軸とを平行または垂直にすることで、光漏れを低減することができる。なお、ここでは、繊維体の軸とは、繊維体の長軸と平行な方向のことをいう。
【００４７】
さらには、偏光フィルムのほかに、カラーフィルター、位相差フィルム、反射防止フィルム、広視野角フィルム等が適宜設けられていてもよい。
【００４８】
ここで、本実施の形態で示す液晶表示装置が有する効果について、以下に示す。
【００４９】
従来の可撓性を有する基板を用いた液晶表示装置に局所的な押圧を加えると、可撓性を有する基板及び素子形成層それぞれが延伸してしまい、押圧部において曲率半径の小さな湾曲が生じてしまう。この結果、素子形成層に含まれる半導体素子、配線等に亀裂が生じてしまい、液晶表示装置が破壊されてしまう。
【００５０】
しかしながら、本実施の形態で示す液晶表示装置は、有機樹脂を含有する繊維体からなる構造体が設けられる。繊維体は高強度繊維で形成されており、高強度繊維は、引張弾性率が高い、またはヤング率が高い。このため、点圧や線圧等の局所的な押圧がかかっても高強度繊維は延伸せず、押圧された力が繊維体全体に分散され、液晶表示装置全体で湾曲するようになる。この結果、局所的な押圧が加えられても、液晶表示装置で生じる湾曲は曲率半径の大きなものとなり、素子形成層に含まれる半導体素子、配線等に亀裂が生じず、液晶表示装置の破壊を低減することができる。
【００５１】
本実施の形態に示す液晶表示装置は、繊維体に有機樹脂が含浸された第１の構造体及び第２の構造体を有し、且つシール材の外側で第１の構造体及び第２の構造体が直接接して密着している。このため、第１の構造体及び第２の構造体の密着性が高く、液晶表示装置の剥れや不良などの低減及び信頼性の向上と共に、外部からの押圧や曲げによる力を液晶表示装置全体に分散することが可能であり、製品の不良を低減することができる。
【００５２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、面圧や線圧がかかっても破壊されにくい液晶表示装置を提供することを目的とし、詳細を以下に示す。
【００５３】
本実施の形態に示す液晶表示装置は、液晶層１３６と、液晶層１３６を間に挟んで対向する第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８と、液晶層１３６を封入するシール材１３４と、画素電極、半導体素子、容量素子、配線等を含む素子形成層１２４とを有し、第１の構造体１３２の外側に第１の衝撃緩和層１５１を有し、第２の構造体１３８の外側に第２の衝撃緩和層１５３を有することを特徴とする。
【００５４】
第１の衝撃緩和層１５１及び第２の衝撃緩和層１５３は、外部から液晶層１３６や素子形成層１２４にかかる力を拡散し、低減する効果がある。さらには、面圧や線圧等の面積の広い押圧により液晶表示装置が破壊するのを低減すると共に、特性不良などを防止することが可能となる。
【００５５】
第１の衝撃緩和層１５１及び第２の衝撃緩和層１５３は、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８より弾性率が低く、かつ破断強度が高い方が好ましい。
【００５６】
第１の衝撃緩和層１５１及び第２の衝撃緩和層１５３として、弾性率が低く、かつ破断強度が高い材料を用いるのが好ましい。例えば、第１の衝撃緩和層１５１及び第２の衝撃緩和層１５３は、弾性率５ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下、破断係数３００ＭＰａ以上のゴム弾性を有する層を用いることができる。
【００５７】
第１の衝撃緩和層１５１及び第２の衝撃緩和層１５３は、高強度材料で形成されていることが好ましい。高強度材料の代表例としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、アラミド樹脂、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール樹脂、ガラス樹脂等がある。
【００５８】
より具体的には、第１の衝撃緩和層１５１及び第２の衝撃緩和層１５３として、アラミド樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂などを用いることができる。本実施の形態では、第２の衝撃緩和層１５３としてアラミド樹脂フィルム（弾性率１０ＧＰａ、破断強度４８０ＭＰａ）を用いる。
【００５９】
本実施の形態のように素子形成層１２４及び液晶層１３６に対して、一対の繊維体を含む構造体、及び一対の衝撃緩和層を対称に設けると、液晶表示装置にかかる力をより均一に拡散できるため、曲げや反りなどに起因する素子形成層１２４及び液晶層１３６の破損をより防止できる。これは、一対の繊維体を含む構造体、一対の衝撃緩和層それぞれを同じ材料及び同じ厚さで作製すると、素子形成層１２４及び液晶層１３６が液晶表示装置の中央に配置され、曲げストレスに強くなるためである。さらに、素子形成層１２４及び液晶層１３６の厚さの総和に対して、第１の構造体１３２及び第１の衝撃緩和層１５１の厚さの総和、第２の構造体１３８及び第２の衝撃緩和層１５３の厚さの総和それぞれが厚いと、第１の構造体１３２、第１の衝撃緩和層１５１、第２の構造体１３８、及び第２の衝撃緩和層１５３が、曲げによるストレスを緩和するため、素子形成層１２４及び液晶層１３６が破壊されにくい。
【００６０】
なお、図２においては、液晶表示装置の外側に一対の衝撃緩和層を設けた形態を示したが、液晶表示装置の一方面においては、構造体の外側に衝撃緩和層を設け、他方面においては、衝撃緩和層の外側に構造体を設けてもよい。この場合、構造体と衝撃緩和層が直接接して固着される形態となる。
【００６１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、静電気等の電気的ストレスによる破壊を低減し、高い信頼性を有する液晶表示装置を提供することを目的とし、詳細の説明を以下に示す。
【００６２】
本実施の形態では、液晶表示装置の最表面に導電層が形成されることを特徴とする。
【００６３】
導電層１７０が、第１の構造体１３２または第２の構造体１３８の外側（ここでは、素子形成層１２４側に設けられた第１の構造体１３２）の表面に形成される。なお、実施の形態２で示すように第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８それぞれの外側に衝撃緩和層が設けられる場合は、衝撃緩和層の外側の表面に導電層が形成される。
【００６４】
導電層１７０は、静電気放電により液晶表示装置に印加される静電気を拡散する、または電荷の局部的な存在（局在化）を防ぐ（局部的な電位差が発生しないようにする）ため、液晶表示装置の静電気破壊を防ぐことができる。
【００６５】
また、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８の外側それぞれに、導電層１７０ａ、１７０ｂが形成される形態を示す（図３（Ｂ）参照）。なお、図３（Ｂ）においては、導電層１７０ａ、１７０ｂは電気的に接続しない。
【００６６】
また、第１の構造体１３２の表面と第２の構造体１３８の表面にそれぞれ導電層が形成される場合、その導電層同士が電気的に接続し、等電位であってもよい。電気的接続は、液晶表示装置の側面の一部で行われてもよいし、液晶表示装置内部を貫通する電極層で形成してもよい。なお、液晶表示装置において側面とは、同一素子形成層を、個々の素子形成層に切断（分断）した際に生じる切断面（分断面）である。上記切断面の全面が導電層によって覆われていてもよいし、切断面の一部が導電層によって覆われていてもよい。具体的形態について、以下に示す。
【００６７】
導電層１７０が、液晶表示装置の周囲（上面、下面、側面）全部を覆うように（即ち、液晶表示装置を包むように）形成される形態を示す（図４（Ａ）参照）。
【００６８】
また、導電層１７０が、液晶表示装置の上面、下面、及び少なくとも一つの側面に形成される形態を示す（図４（Ｂ）参照）。
【００６９】
また、第１の構造体１３２の表面に形成される導電層１７０ａと、第２の構造体１３８の表面に形成される導電層１７０ｂとが、液晶表示装置の内部を貫通する電極層１７２ａで接続される形態を示す（図５（Ａ）参照）。
【００７０】
また、第１の構造体１３２の表面に形成される導電層１７０ａと、第２の構造体１３８の表面に形成される導電層１７０ｂとが、液晶表示装置の内部を貫通する電極層１７２ａ、１７２ｂで電気的に接続する形態を示す（図５（Ｂ）参照）。
【００７１】
電極層１７２ａ、１７２ｂを形成する貫通孔は、針や錐などの物理的処理によって加工してもよいし、エッチングなどで化学的処理によって加工してもよい。また、レーザービームを用いて加工してもよい。
【００７２】
図４及び図５において、素子形成層１２４は、上面及び下面に電気的に接続されている導電層が設けられているので、外部からの静電気に対して広い領域にわたって保護されている。このため、静電気により生じた電流が液晶表示装置に流れて、液晶表示装置が破壊される前に、電気的に接続され等電位である上面に形成された導電層及び下面に形成された導電層に当該電流を流すことが可能であるため、より高い静電気破壊防止効果を得ることができる。
【００７３】
導電層１７０、１７０ａ、１７０ｂは、導電性を有していればよい。このため、導電層１７０、１７０ａ、１７０ｂは、金属、金属窒化物、または金属酸化物で形成される層、及びそれらの積層を用いることができる。代表的には、チタン、モリブデン、タングステン、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、タンタル、カドミウム、亜鉛、鉄、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、バリウムから選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料、化合物材料、窒化物材料、酸化物材料で形成すればよい。
【００７４】
また、窒化物材料としては、窒化タンタル、窒化チタンなどを用いることができる。酸化物材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛等を用いることができる。また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含むインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ））、ガリウム（Ｇａ）を含む酸化亜鉛、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物なども用いてもよい。
【００７５】
また、導電層１７０、１７０ａ、１７０ｂとして、半導体に不純物元素などを添加して導電性を付与した半導体層などを用いることができる。例えばリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン層などを用いることができる。
【００７６】
さらに、導電層１７０、１７０ａ、１７０ｂとして、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を用いてもよい。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリン及びまたはその誘導体、ポリピロール及びまたはその誘導体、ポリチオフェン及びまたはその誘導体、これらの２種以上の共重合体などがあげられる。
【００７７】
液晶表示装置が透過型及び半透過型の場合、導電層１７０、１７０ａ、１７０ｂは、透光性を有し、且つ導電性を有する材料または膜厚で形成する。導電層１７０、１７０ａ、１７０ｂが、金属、金属窒化物、または金属酸化物で形成される場合、膜厚を薄くすることで、透光性を付与することができる。
【００７８】
また、液晶表示装置が、反射型の場合、表示面側に設けられる導電層１７０、１７０ａ、１７０ｂは、透光性を有し且つ導電性を有することが好ましい。一方、液晶表示装置の表示面以外に形成される導電層は、導電性を有していればよく、遮光性でもよい。
【００７９】
また、導電層上に保護層を積層してもよい。例えば、導電層としてチタン層を形成し、チタン層上に保護層として酸化チタン層を積層するとよい。保護層により液晶表示装置の表面に導電層を設ける場合でも保護層が最表面となり、導電層の劣化を防ぐことができる。
【００８０】
液晶表示装置を覆う導電層により、液晶表示装置の静電気放電による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止する。また、液晶表示装置を封止する一対の構造体によって、薄型化及び小型化を達成しながら耐性を有する信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く液晶表示装置を作製することができる。
【００８１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１に示す液晶表示装置を歩留まり高く作製する方法を提供することを目的とする。
【００８２】
基板１００の一表面に剥離層１０２を形成し、続けて絶縁層１０４を形成する（図６（Ａ）参照）。剥離層１０２、絶縁層１０４は、連続して形成することができる。連続して形成することにより、大気に曝されないため不純物の混入を防ぐことができる。
【００８３】
基板１００は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板等を用いるとよい。例えば、１辺が１メートル以上の矩形状のガラス基板を用いることにより、生産性を格段に向上させることができる。
【００８４】
なお、本工程では、剥離層１０２を基板１００の全面に設ける場合を示しているが、必要に応じて、基板１００の全面に剥離層１０２を設けた後に当該剥離層１０２を選択的に除去し、所望の領域にのみ剥離層を設けてもよい。また、基板１００に接して剥離層１０２を形成しているが、必要に応じて、基板１００に接するように酸化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化珪素層、窒化酸化珪素層等の絶縁層を形成し、当該絶縁層に接するように剥離層１０２を形成してもよい。
【００８５】
剥離層１０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ３０ｎｍ〜２００ｎｍのタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び珪素（Ｓｉ）の中から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層または複数の層を積層させて形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。ここでは、なお、塗布法は、溶液を被処理物上に吐出させて成膜する方法であり、例えばスピンコーティング法や液滴吐出法を含む。また、液滴吐出法とは微粒子を含む組成物の液滴を微細な孔から吐出して所定の形状のパターンを形成する方法である。
【００８６】
剥離層１０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【００８７】
剥離層１０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目として金属酸化物層を形成する。代表的には、１層目の金属層として、タングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化物、タングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、又はタングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物を含む層を形成する。
【００８８】
剥離層１０２として、１層目として金属層、２層目として金属酸化物層の積層構造を形成する場合、金属層としてタングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と絶縁層との界面に、金属酸化物層としてタングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、金属層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って金属酸化物層を形成してもよい。
【００８９】
絶縁層１０４は、バッファ層として機能し、後の剥離工程において剥離層１０２との界面での剥離が容易となるように、又は後の剥離工程において半導体素子や配線に亀裂やダメージが入るのを防ぐために設ける。例えば、絶縁層１０４として、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は多層で形成する。無機化合物の代表例としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等がある。なお、絶縁層１０４として、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることにより、外部から後に形成される素子層へ水分や、酸素等の気体が侵入することを防止することができる。バッファ層として機能する絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらには１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。
【００９０】
次に、絶縁層１０４上に薄膜トランジスタ１０６を形成する（図６（Ｂ）参照）。薄膜トランジスタ１０６は、少なくともソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する半導体層１０８、ゲート絶縁層１１０、ゲート電極１１２で構成される。
【００９１】
半導体層１０８は、厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらには２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の非単結晶半導体で形成される層であり、非単結晶半導体層としては、結晶性半導体層、非晶質半導体層、微結晶半導体層等がある。また、半導体としては、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム化合物等がある。特に、レーザービームの照射、瞬間熱アニール（ＲＴＡ）やファーネスアニール炉を用いた熱処理、又はこれらの方法を組み合わせた方法により結晶化させた結晶質半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。
【００９２】
ゲート絶縁層１１０は、厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の酸化珪素及び酸化窒化珪素などの無機絶縁物で形成する。
【００９３】
ゲート電極１１２は、金属または一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。
【００９４】
半導体層１０８、ゲート絶縁層１１０、ゲート電極１１２等を組み合わせて構成される薄膜トランジスタ１０６は、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、ゲート電極１１２の側面に接する絶縁層（「サイドウォール」ともよばれる）を用いて低濃度不純物領域が設けられたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタを示している。さらには、等価的には同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造等で形成される薄膜トランジスタ等を適用することができる。
【００９５】
また、薄膜トランジスタとして金属酸化物や有機半導体材料を半導体層に用いた薄膜トランジスタを用いることが可能である。金属酸化物の代表的には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムインジウムの酸化物等がある。
【００９６】
次に、薄膜トランジスタ１０６のソース領域、ドレイン領域に電気的に接続する配線１１８を形成し、当該配線１１８に電気的に接続する画素電極１２２ａ、共通電極１２２ｂを形成する（図６（Ｃ）参照）。
【００９７】
ここでは、薄膜トランジスタ１０６を覆うように絶縁層１１４、１１６を形成し、絶縁層１１６上にソース電極、ドレイン電極としても機能しうる配線１１８を形成する。その後、配線１１８上に絶縁層１２０を形成し、当該絶縁層１２０上に画素電極、共通電極を形成する。
【００９８】
絶縁層１１４、１１６は、層間絶縁層として機能する。絶縁層１１４、１１６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、１層目の絶縁層１１４として窒化酸化珪素層で形成し、２層目の絶縁層１１６として酸化窒化珪素層で形成することができる。
【００９９】
配線１１８は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
【０１００】
絶縁層１２０は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、絶縁層１２０として、スクリーン印刷法を用いてエポキシで設ける。
【０１０１】
画素電極１２２ａ、共通電極１２２ｂとして、透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等の透光性を有する材料を用いることができる。反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極１２２ａ、共通電極１２２ｂとして反射性を有する金属（例えば、アルミニウムまたは銀を主成分とする材料層、又はそれらの積層層等）を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域には反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料を用いることができる。
【０１０２】
ここでは、液晶表示装置として、ＩＰＳモードの液晶表示装置を形成するため、絶縁層１２０上に対となる画素電極１２２ａ、共通電極１２２ｂを形成する。なお、縦電界駆動方式の液晶表示装置を作製する場合は、画素電極１２２ａを絶縁層１２０上に形成し、共通電極１２２ｂを第２の構造体上に形成すればよい。
【０１０３】
次に、基板１００の端部に設けられた絶縁層をエッチング等により除去する。ここでは、少なくとも絶縁層１１４、１１６、１２０を除去して、絶縁層１０４を露出させる。なお、１枚の基板から複数の液晶表示装置を形成する（多面取りする）場合には、パネルを形成する各々の領域の端部において絶縁層をエッチングし、それぞれのパネルを構成する素子毎に分離する。
【０１０４】
次に、絶縁層１２０上にスペーサ１２１を形成する。次に、液晶材料を配向しやすくするため、画素電極１２２ａ、共通電極１２２ｂ、絶縁層１２０、絶縁層１０４上に配向膜１２３を形成する（図６（Ｄ）参照）。
【０１０５】
本実施の形態では、スペーサ１２１として、柱状スペーサを用いて示す。柱状スペーサの作製方法としては、感光性アクリルなどの有機絶縁材料を基板の全面にスピンコート法により塗布し、これを一連のフォトリソグラフィの工程を行うことにより、基板上に残った感光性有機絶縁材料がスペーサとしての役割を果たす。当該方法により、露光時のマスクパターン次第でスペーサの配置したい場所に露光できるため、液晶が駆動しない部分に柱状スペーサを配置することにより、第１の構造体及び第２の構造体の間の間隔を維持するだけでなく、液晶の光漏れも防ぐことができる。また、スペーサ１２１は、インクジェット法により有機絶縁材料を含む組成物を吐出し焼成して形成することができる。
【０１０６】
なお、ここでは、スペーサ１２１を絶縁層１２０上に形成したが、図示しない第２の構造体上にスペーサ１２１を形成してもよい。
【０１０７】
配向膜１２３は、ポリイミド等を溶解した溶液を基板上に塗布し焼成を行った後、ラビング処理を行い形成する。または、ＵＶ光の照射またはイオンビームの照射によりシスートランス異性化が可能なポリマーを基板上に塗布した後、ＵＶ光の照射またはイオンビームの照射により、ポリマーのシスートランス異性化を行って配向膜を形成する。または、斜方蒸着により酸化珪素を基板上に蒸着して、配向膜を形成する。
【０１０８】
なお、半導体層１０８の結晶化工程、半導体層１０８に含まれるソース領域及びドレイン領域の活性化工程、絶縁層１１４、１１６、１２０の形成工程、配向膜１２３の形成工程における加熱処理により、剥離層１０２の一部を脆弱にすることで、後の剥離工程を容易に行うことができる。
【０１０９】
次に、薄膜トランジスタ１０６等を含む素子形成層１２４を基板１００から容易に剥離するために、素子形成層１２４を基板１００から剥離する前にレーザービームを照射して、凹部を形成することが好ましい。ここでは、端部において露出した絶縁層１０４及び配向膜１２３にレーザービームを照射することにより凹部１２８を形成する（図６（Ｅ）参照）。
【０１１０】
次に、図７（Ａ）に示すように、素子形成層１２４に粘着フィルム１３０を貼り合わせて設ける。粘着フィルム１３０は、光または熱により剥離可能なシートを適用する。
【０１１１】
粘着フィルム１３０を貼り合わせることにより、剥離が容易に行えると共に剥離の前後において素子形成層１２４に加わる応力を低減し、薄膜トランジスタ１０６の破損を抑制することが可能となる。
【０１１２】
次に、凹部１２８をきっかけとして、剥離層１０２及びバッファ層として機能する絶縁層１０４の界面において、素子形成層１２４を基板１００から剥離する（図７（Ｂ）参照）。剥離方法としては、例えば、機械的な力を加えること（人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）を用いて行えばよい。
【０１１３】
また、凹部１２８に液体を滴下し、剥離層１０２及び絶縁層１０４の界面に液体を浸透させて剥離層１０２から素子形成層１２４を剥離してもよい。また、凹部１２８にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、剥離層をフッ化ガスでエッチングし除去して、絶縁表面を有する基板から素子形成層１２４を剥離する方法を用いることができる。
【０１１４】
本実施の形態においては、剥離層１０２として絶縁層１０４に接する側に金属酸化層を形成し、物理的手段により、素子形成層１２４を剥離する方法を用いたがこれに限られない。基板１００として透光性を有する基板を用い、剥離層１０２として水素を含む非晶質珪素層を用い、基板１００から剥離層１０２にレーザービームを照射して、非晶質珪素層に含まれる水素を気化させて、基板１００と剥離層１０２との間で剥離する方法を用いることができる。
【０１１５】
また、基板１００を機械的に研磨し除去する方法や、基板１００をＨＦ等の溶液を用いて溶解し除去する方法を用いることができる。この場合、剥離層１０２を用いなくともよい。
【０１１６】
次に、剥離した素子形成層１２４の剥離面（剥離により露出した絶縁層１０４表面）に、繊維体１３２ａに有機樹脂１３２ｂが含浸された第１の構造体１３２を設ける（図７（Ｃ）参照）。このような構造体は、プリプレグとも呼ばれる。
【０１１７】
プリプレグは、繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化または硬化させたものである。構造体の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下、さらには１０μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。このような厚さの構造体を用いることで、薄型で湾曲することが可能な液晶表示装置を作製することができる。
【０１１８】
有機樹脂１３２ｂとして、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。上記有機樹脂を用いることで、熱処理により繊維体を素子形成層１２４に固着することができる。なお、有機樹脂１３２ｂはガラス転移温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくいため好ましい。
【０１１９】
有機樹脂１３２ｂまたは繊維体１３２ａの糸束内に高熱伝導性フィラーを分散させてもよい。高熱伝導性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ等が挙げられる。また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。高熱伝導性フィラーが有機樹脂または糸束内に含まれることにより発熱を外部に放出しやすくなるため、液晶表示装置の蓄熱を抑制することが可能であり、液晶表示装置の破壊を低減することができる。
【０１２０】
繊維体１３２ａは、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いた織布または不織布であり、部分的に重なるように配置する。高強度繊維としては、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維である。高強度繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。なお、繊維体１３２ａは、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。また、複数の上記高強度繊維で形成されてもよい。
【０１２１】
また、繊維体１３２ａは、繊維（単糸）の束（以下、糸束と呼ぶ）を経糸及び緯糸に使って製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積させた不織布であってもよい。織布の場合、平織り、綾織り、しゅす織り等を適宜用いることができる。
【０１２２】
糸束の断面は、円形でも楕円形でもよい。糸束として、高圧水流、液体を媒体とした高周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした糸束を用いてもよい。開繊加工をした糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数を削減することが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、糸束として低撚糸を用いることで、糸束が扁平化やすく、糸束の断面形状が楕円形状または平板形状となる。このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、繊維体１３２ａを薄くすることが可能である。このため、構造体を薄くすることが可能であり、薄型の液晶表示装置を作製することができる。
【０１２３】
次に、第１の構造体を加熱し圧着して、第１の構造体の有機樹脂を可塑化または硬化する。なお、有機樹脂が可塑性有機樹脂の場合、この後、室温に冷却することにより可塑化した有機樹脂を硬化する。
【０１２４】
有機樹脂は加熱及び圧着により、素子形成層１２４の表面に有機樹脂１３２ｂが均一に広がり硬化する。第１の構造体１３２を圧着する工程は、大気圧下または減圧下で行うことができる。以上の工程により、素子形成層１２４に第１の構造体１３２を固着することができる。
【０１２５】
次に、配向膜１２３上にシール材１３４を形成する（図８（Ａ）参照）。シール材１３４は、スクリーン印刷法、インクジェット装置またはディスペンス装置を用いて配向膜１２３または第２の構造体上に塗布する。シール材１３４は、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を含む材料を用いることができる。例えば、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。また、フィラー（直径１μｍ〜２４μｍ）を含んでもよい。
【０１２６】
次に、シール材１３４の内側に液晶材料を吐出する。この後、第２の構造体１３７を減圧雰囲気で貼り合せ、ＵＶ光を照射してシール材１３４を硬化して第２の構造体１３７を固着する（図８（Ｂ）参照）。また、当該固着工程により、第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、シール材１３４で囲まれた液晶層１３６を形成する。
【０１２７】
第２の構造体１３７は、第１の構造体１３２と同様に、繊維体１３７ａに有機樹脂１３７ｂが含浸されている。なお、図８（Ｂ）においては、第２の構造体１３７は、繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化させたものであり、後の加熱工程で硬化する。
【０１２８】
次に、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３７を熱圧着し、有機樹脂が硬化された第２の構造体１３８を形成すると共に、第２の構造体１３８の有機樹脂が硬化する際に、第１の構造体１３２を第２の構造体１３８に固着させる（図９参照）。以上の工程により、密着性の高い液晶表示装置を作製する。
【０１２９】
なお、本実施の形態では、図７（Ｂ）において、素子形成層１２４の表面に粘着フィルム１３０を設けた後、剥離層１０２で剥離しているが、この工程を経ずに、以下の工程を用いてもよい。図６（Ａ）乃至図６（Ｅ）の後、素子形成層１２４にシール材１３４を形成し、シール材１３４の内側に液晶材料を塗布し、シール材１３４を用いて素子形成層１２４及び第２の構造体を固着して液晶層１３６を形成する。次に、剥離層１０２から素子形成層１２４、液晶層１３６、及び第２の構造体１３７を剥離する。次に、素子形成層１２４に第１の構造体１３２を固着すると共に、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３７を固着させてもよい。
【０１３０】
以上の工程により、可撓性を有し、且つ外部からの押圧による破壊が少なく、且つ信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。
【０１３１】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる液晶表示装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。
【０１３２】
まず、基板１００の一表面に剥離層１０２を形成し、続けて絶縁層１０４した後、絶縁層１０４上に画素電極１５０ａ、共通電極１５０ｂを形成する（図１０（Ａ）参照）。ここでは、絶縁層１０４を積層構造とし、絶縁層の最上層を窒化珪素層で形成することが好ましい。
【０１３３】
画素電極１５０ａ、共通電極１５０ｂとして、透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極１５０ａ、共通電極１５０ｂとして反射性を有する金属（例えば、アルミニウムまたは銀を主成分とする材料層、又はそれらの積層層等）を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域には反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料を用いることができる。
【０１３４】
ここでは、液晶表示装置として、ＩＰＳモードの液晶表示装置を形成するため、絶縁層１０４上に対となる画素電極１５０ａ、共通電極１５０ｂを形成する。なお、縦電界駆動方式の液晶表示装置を作製する場合は、画素電極１５０ａを絶縁層１０４上に形成し、共通電極１５０ｂを第２の構造体上に形成すればよい。
【０１３５】
次に、画素電極１５０ａ、共通電極１５０ｂ上に絶縁層１５２を形成し、当該絶縁層１５２上に薄膜トランジスタ１０６を形成する。また、薄膜トランジスタ１０６上に絶縁層１１４、１１６を形成し、絶縁層１１６上にソース電極、ドレイン電極として機能しうる配線１１８を形成する（図１０（Ｂ）参照）。
【０１３６】
薄膜トランジスタ１０６は、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、ここでは、シングルドレイン構造の薄膜トランジスタを示す。
【０１３７】
また、配線１１８と画素電極１５０ａとを電気的に接続する。ここでは、導電層１５４を介して配線１１８と画素電極１５０ａを電気的に接続する。導電層１５４は、薄膜トランジスタ１０６のゲート電極１１２と同時に（同一の工程で）形成することができる。
【０１３８】
次に、基板１００の端部に設けられた絶縁層をエッチング等により除去した後、配線１１８を覆うように絶縁層１５６を形成する（図１０（Ｃ）参照）。ここでは、少なくとも絶縁層１０４を露出させように絶縁層１５２等を除去する。なお、１枚の基板から複数の液晶表示装置を形成する（多面取りする）場合には、パネルを形成する各々の領域の端部において絶縁層をエッチングし、それぞれのパネルを構成する素子毎に分離する。
【０１３９】
なお、ここでは、絶縁層１５６を窒化珪素で形成することが好ましい。この結果、絶縁層１０４及び絶縁層１５６で素子形成層１２４を封止することが可能であるため、外部からの水分等が素子形成層１２４に浸入することを低減することができる。この結果、素子形成層１２４の劣化を低減することが可能である。
【０１４０】
次に、薄膜トランジスタ１０６等を含む素子形成層１２４を基板１００から容易に剥離を行うために、素子形成層１２４を基板１００から剥離する前にレーザービームを照射して、凹部１２８を形成することが好ましい。ここでは、端部において絶縁層１５６、１０４にレーザービームを照射することにより凹部１２８を形成する（図１０（Ｄ）参照）。
【０１４１】
次に、少なくとも凹部１２８を覆うように、セパレートフィルム１５８を設ける（図１１（Ａ）参照）。セパレートフィルム１５８の一例としてＰＥＴ上にシリコーン樹脂層が形成されたフィルムがある。
【０１４２】
次に、絶縁層１５６の表面に、繊維体に有機樹脂が含浸された第１の構造体を設ける。続いて、第１の構造体を加熱し圧着して、第１の構造体の有機樹脂を可塑化または硬化する。有機樹脂は加熱及び圧着により、素子形成層１２４の表面に有機樹脂１３２ｂが均一に広がり硬化するため、素子形成層１２４に第１の構造体１３２を固着することができる（図１１（Ｂ）参照）。
【０１４３】
第１の構造体１３２を絶縁層１５６に貼り合わせて設けることにより、剥離が容易に行えると共に剥離の前後において素子形成層１２４に加わる応力を低減し、薄膜トランジスタ１０６の破損を抑制することが可能となる。
【０１４４】
また、第１の構造体１３２を貼り合わせる前に、セパレートフィルム１５８を設けておくことにより、有機樹脂１３２ｂが凹部１２８に浸入して剥離層１０２と接着することによる剥離不良を抑制することができる。
【０１４５】
次に、凹部１２８をきっかけとして、剥離層１０２及びバッファ層として機能する絶縁層１０４の界面において、素子形成層１２４を基板１００から剥離する（図１１（Ｃ）参照）。また、剥離後にセパレートフィルム１５８を取り除くことが好ましい。
【０１４６】
次に、実施の形態４と同様に絶縁層１０４上にスペーサ１２１を形成する。次に、スペーサ１２１、絶縁層１０４の表面に配向膜１２３を形成する。次に、配向膜１２３上にシール材１３４を形成する（図１２（Ａ）参照。）
【０１４７】
次に、実施の形態４と同様に、シール材１３４の内側に液晶を吐出する。この後、シール材１３４上に第２の構造体を設ける。次に、第２の構造体１３７を減圧雰囲気で貼り合せ、ＵＶ光を照射してシール材１３４を硬化して第２の構造体１３７を固着する（図１２（Ｂ）参照）。また、当該固着工程により、第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、シール材１３４で囲まれた液晶層１３６を形成する。
【０１４８】
次に、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３７を熱圧着し、有機樹脂が硬化された第２の構造体１３８を形成すると共に、第２の構造体１３８の有機樹脂が硬化する際に、第１の構造体１３２を第２の構造体１３８に固着させ、密着性の高い液晶表示装置を作製する（図１３参照）。
【０１４９】
以上の工程により、実施の形態４と比較して、少ない工程数で、可撓性を有し、且つ外部からの押圧による破壊が少なく、且つ信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。
【０１５０】
（実施の形態６）
本実施の形態では、比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される薄膜トランジスタ（非晶質半導体層または微結晶半導体層などを用いた薄膜トランジスタ、有機半導体層を用いた薄膜トランジスタ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ等）を有する液晶表示装置の画素部の作製方法について、以下に示す。
【０１５１】
基板１００の一表面に剥離層３０２を形成し、続けて絶縁層１０４を形成する（図１４（Ａ）参照）。剥離層３０２、絶縁層１０４は、連続して形成することができる。連続して形成することにより、大気に曝されないため不純物の混入を防ぐことができる。
【０１５２】
なお、本工程では、剥離層３０２を基板１００の全面に設ける場合を示しているが、必要に応じて、基板１００の全面に剥離層３０２を設けた後に当該剥離層３０２を選択的に除去し、所望の領域にのみ剥離層を設けてもよい。また、基板１００に接して剥離層３０２を形成しているが、必要に応じて、基板１００に接するように酸化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化珪素層、窒化酸化珪素層等の絶縁層を形成し、当該絶縁層に接するように剥離層３０２を形成してもよい。
【０１５３】
剥離層３０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ３０ｎｍ〜２００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）、モリブデンを主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層または複数の層を積層させて形成する。
【０１５４】
剥離層３０２が単層構造の場合、好ましくは、モリブデン、またはモリブデンを有する混合物を含む層を形成する。又は、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はモリブデンを有する混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、モリブデンを有する混合物とは、代表的には、モリブデンを主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料であり、一例としてタングステンとモリブデンの合金があるがこれに限定されるものではなく、モリブデンを主成分として含んでいればよい。
【０１５５】
剥離層３０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目として金属酸化物層を形成する。代表的には、１層目の金属層として、モリブデン、またはモリブデンを有する混合物を含む層を形成し、２層目として、モリブデンの酸化物、窒化物、酸化窒化物、若しくは窒化酸化物を含む層、または、モリブデンを有する混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物、若しくは窒化酸化物を含む層を形成する。
【０１５６】
剥離層３０２として、１層目として金属層、２層目として金属酸化物層の積層構造を形成する場合、金属層としてモリブデンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、モリブデンを含む層と絶縁層との界面に、金属酸化物層としてモリブデンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、金属層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って金属酸化物層を形成してもよい。
【０１５７】
次に、絶縁層１０４上に薄膜トランジスタ３０４を形成する（図１４（Ｂ）参照）。本実施の形態では、薄膜トランジスタとして、チャネル形成領域を非晶質半導体、微結晶半導体、有機半導体、または酸化物半導体で形成した逆スタガ型の薄膜トランジスタを示す。
【０１５８】
薄膜トランジスタ３０４は、少なくともゲート電極３０６、ゲート絶縁層３０８、半導体層３１０で構成される。また、半導体層３１０上にソース領域、ドレイン領域として機能する不純物半導体層３１２を形成してもよい。また、不純物半導体層３１２に接する配線３１４を形成する。
【０１５９】
ゲート電極３０６は、実施の形態４に示すゲート電極１１２に示す金属のほか、クロム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体層やＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、スズ等からなる導電性の酸化物や複合酸化物を用いてもよい。例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いて透明なゲート電極としてもよい。
【０１６０】
ゲート電極３０６は、絶縁層１０４上に、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いて上記した材料により導電層を形成し、該導電層上にフォトリソグラフィ法又はインクジェット法等によりマスクを形成し、該マスクを用いて導電層をエッチングして形成することができる。
【０１６１】
また、銀、金又は銅等の導電性ナノペーストをインクジェット法により基板上に吐出し、焼成することで形成することもできる。なお、ゲート電極３０６と、絶縁層１０４との密着性向上として、上記の金属材料の窒化物層を、絶縁層１０４と、ゲート電極３０６との間に設けてもよい。ここでは、絶縁層１０４に導電層を形成し、フォトマスクを用いて形成したレジストマスクによりエッチングして、ゲート電極３０６を形成する。
【０１６２】
なお、ゲート電極３０６の側面は、テーパー形状とすることが好ましい。ゲート電極３０６上には、後の工程で半導体層及び配線を形成するので、段差の箇所における配線切れ防止のためである。ゲート電極３０６の側面をテーパー形状にするためには、レジストマスクを後退させつつエッチングを行えばよい。例えば、エッチングガスに酸素ガスを含ませることでレジストを後退させつつエッチングを行うことが可能である。
【０１６３】
また、ゲート電極３０６を形成する工程によりゲート配線（走査線）も同時に形成することができる。なお、走査線とは画素を選択する配線をいい、容量配線とは画素の保持容量の一方の電極に接続された配線をいう。ただし、これに限定されず、ゲート配線及び容量配線の一方又は双方と、ゲート電極３０６とは別に設けてもよい。
【０１６４】
ゲート絶縁層３０８は、ＣＶＤ法、スパッタリング法又はパルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化ハフニウム、酸化ハフニウムアルミニウム、酸化窒化ハフニウム珪素、又はイットリアを用いて単層で又は積層して形成することができる。また、ゲート絶縁層３０８、高周波数（１ＧＨｚ以上）のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて形成することで、ゲート電極と、ドレイン電極及びソース電極との間の耐圧を向上させることができるため、信頼性の高い薄膜トランジスタを得ることができる。
【０１６５】
半導体層３１０は、厚さ１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、さらには２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の非単結晶半導体で形成される層であり、非単結晶半導体層としては、非晶質半導体層、微結晶半導体層等がある。また、半導体としては、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム化合物等がある。本実施の形態では、レーザービームの照射、熱処理等を行わず、５００℃未満の低温度で、直接ゲート絶縁層３０８上に形成することを特徴とする。剥離層３０２を、少なくともモリブデンを含む層を用いることで、５００℃未満の低温度で薄膜トランジスタ形成しても、容易に剥離プロセスを行うことができる。
【０１６６】
なお、半導体層３１０として、ゲート絶縁層に接する側から、微結晶半導体及び非晶質半導体を積層した構造でもよい。また、半導体層３１０として、窒素またはＮＨ基を有し、且つ非晶質構造の中に逆錐形の結晶粒及び／または粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下の微小結晶粒含む非単結晶半導体を形成してもよい。
【０１６７】
また、半導体層３１０として、ｎ型の導電性を付与するリン等の一導電型を付与する不純物元素が、非晶質半導体または微結晶半導体に添加されてもよい。または、半導体層３１０として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル、白金等のシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素が、非晶質半導体または微結晶半導体に添加されていてもよい。一導電型を付与する不純物元素やシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素等を添加することにより、半導体層のキャリア移動度を上昇させることが可能であるため、当該半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタの電界効果移動度を高めることができる。
【０１６８】
また、半導体層３１０として、金属酸化物や有機半導体材料を用いて形成することができる。金属酸化物の代表的には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムインジウムの酸化物等がある。
【０１６９】
半導体層３１０に接して、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層３１２を形成してもよい。不純物半導体層３１２は、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を用いて形成すればよい。ｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成する場合には、一導電型を付与する不純物元素としてリンを用いればよく、代表的には、リンが含有されたアモルファスシリコンまたは微結晶シリコンを用いて形成する。また、ｐチャネル型の薄膜トランジスタを形成する場合には、一導電型を付与する不純物元素としてとしてボロンを用いればよく、代表的には、ボロンが含有されたアモルファスシリコンまたは微結晶シリコンを用いて形成する。
【０１７０】
一導電型を付与する不純物元素の濃度、ここではリンまたはボロンの濃度を１×１０１９〜１×１０２１ｃｍ−３とすることで、配線３１４とオーミックコンタクトすることが可能となり、ソース領域及びドレイン領域として機能する。
【０１７１】
ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層３１２は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さで形成する。不純物半導体層３１２の厚さを、薄くすることでスループットを向上させることができる。
【０１７２】
配線３１４は、実施の形態４に示す配線１１８と同様に形成することができる。また、例えば、実施の形態４で示す画素電極１２２ａに羅列した透光性を有する材料を適宜用いることができる。
【０１７３】
本実施の形態に係る薄膜トランジスタは、実施の形態４及び実施の形態５にて説明した薄膜トランジスタと同様に、液晶表示装置に代表される表示装置の画素におけるスイッチングトランジスタに適用することができる。そのため、この薄膜トランジスタを覆う絶縁層３１６、絶縁層３１８を形成する（図１４（Ｃ）参照）。
【０１７４】
次に、配線３１４により構成されるソース電極及びドレイン電極に達するように、開口部３２３を形成する。なお、当該開口部３２３を形成する際、基板１００の端部に設けられた絶縁層３１６、絶縁層３１８をエッチング等により除去する。ここでは、少なくとも絶縁層３１８を除去して、絶縁層３１６を露出させることが好ましい。なお、１枚の基板から複数の液晶表示装置を形成する（多面取りする）場合には、液晶表示装置を形成する各々の領域の端部において、少なくとも絶縁層３１８をエッチングし、それぞれの液晶表示装置を構成する素子毎に分離することが好ましい。
【０１７５】
次に、当該開口部３２３を介して接続されるように、絶縁層３１６、絶縁層３１８上に画素電極３２２ａ、共通電極３２２ｂを設ける。このようにして図１４（Ｄ）に示す表示装置の画素におけるスイッチング用の薄膜トランジスタを作製することができる。
【０１７６】
なお、絶縁層３１６は、ゲート絶縁層３０８と同様に形成することができる。さらには、絶縁層３１６は、大気中に浮遊する有機物、金属又は水蒸気等の汚染源となりうる不純物元素の侵入を防ぐことができるよう、緻密な窒化珪素により設けることが好ましい。絶縁層３１８は、実施の形態４に示す絶縁層１１６と同様に形成することができる。また、画素電極３２２ａ、共通電極３２２ｂは、実施の形態４に示す画素電極１２２ａ、共通電極１２２ｂと同様に形成することができる。
【０１７７】
次に、基板１００から、薄膜トランジスタ３０４等を含む素子形成層３２４を容易に剥離するために、素子形成層３２４を基板１００から剥離する前にレーザービームを照射して、凹部３２７を形成することが好ましい。ここでは、端部において露出した絶縁層３１６、ゲート絶縁層３０８、絶縁層１０４にレーザービーム３２６を照射することにより凹部３２７を形成する（図１４（Ｅ）参照）。
【０１７８】
次に、図１５（Ａ）に示すように、素子形成層３２４に粘着シート３２８を貼り合わせる。粘着シート３２８は、光または熱により剥離可能なシートを適用する。
【０１７９】
粘着シート３２８を貼り合わせることにより、剥離層３０２における剥離が容易に行えると共に、剥離の前後において素子形成層３２４に加わる応力を低減し、薄膜トランジスタ３０４の破損を抑制することが可能となる。
【０１８０】
次に、凹部３２７をきっかけとして、剥離層３０２及びバッファ層として機能する絶縁層１０４の界面において、素子形成層３２４を基板１００から剥離する（図１５（Ｂ）参照）。剥離方法としては、例えば、機械的な力を加えること（人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）を用いて行えばよい。
【０１８１】
また、凹部３２７に液体を滴下し、剥離層３０２及び絶縁層１０４の界面に液体を浸透させて剥離層３０２から素子形成層３２４を剥離してもよい。また、凹部３２７にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、剥離層をフッ化ガスでエッチングし除去して、絶縁表面を有する基板から素子形成層３２４を剥離する方法を用いることができる。
【０１８２】
本実施の形態においては、剥離層３０２として絶縁層１０４に接する側に金属酸化層を形成し、物理的手段により、素子形成層３２４を剥離する方法を用いたがこれに限られない。基板１００として透光性を有する基板を用い、剥離層３０２として水素を含む非晶質珪素層を用い、基板１００から剥離層３０２にレーザービームを照射して、非晶質珪素層に含まれる水素を気化させて、基板１００と剥離層３０２との間で剥離する方法を用いることができる。
【０１８３】
また、基板１００を機械的に研磨し除去する方法や、基板１００をＨＦ等の溶液を用いて溶解し除去する方法を用いることができる。この場合、剥離層３０２を用いなくともよい。
【０１８４】
次に、剥離した素子形成層３２４の剥離面（剥離により露出した絶縁層１０４表面）に、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を設けた後、加熱し圧着して、構造体の有機樹脂を可塑または硬化させて、素子形成層３２４に繊維体１３２ａに有機樹脂１３２ｂが含浸された第１の構造体１３２を設ける（図１５（Ｃ）参照）。繊維体に有機樹脂が含浸された構造体の固着は、大気圧下または減圧下で行うことができる。なお、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体の有機樹脂が可塑性有機樹脂の場合、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を加熱し圧着した後、室温に冷却することにより硬化した有機樹脂１３２ｂを含む。
【０１８５】
次に、粘着シート３２８を第１の構造体１３２から剥す（図１６（Ａ）参照。）
【０１８６】
次に、絶縁層３２０上に実施の形態４と同様にスペーサ１２１を形成する。次に、スペーサ１２１、画素電極３２２ａ、及び共通電極３２２ｂの表面に配向膜１２３を形成する。次に、配向膜１２３上にシール材１３４を形成する（図１６（Ｂ）参照。）
【０１８７】
次に、実施の形態４と同様に、シール材１３４の内側に液晶材料を吐出する。この後、第２の構造体１３７を減圧雰囲気で貼り合せ、ＵＶ光を照射してシール材１３４を硬化して第２の構造体１３７を固着する（図１７（Ａ）参照）。また、当該固着工程により、第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、シール材１３４で囲まれた液晶層１３６を形成する（図１７（Ｂ）参照）。
【０１８８】
次に、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３７を熱圧着し、有機樹脂が硬化された第２の構造体１３８を形成すると共に、第２の構造体１３８の有機樹脂が硬化する際に、第１の構造体１３２を第２の構造体１３８に固着させ、密着性の高い液晶表示装置を作製する。
【０１８９】
なお、本実施の形態では、素子形成層３２４の形成方法として、実施の形態４を用いたが、この代わりに実施の形態５を用いることができる。
【０１９０】
本実施の形態では、剥離層に少なくともモリブデンを含む層を用いるため、プリプレグ上に直接形成できず、且つ５００℃未満の低温工程で形成する薄膜トランジスタを含む素子形成層を容易に剥離層から剥離することが可能であり、当該素子形成層をプリプレグに固着して素子基板を形成することができる。また、当該素子基板を用いて液晶表示装置を作製することができる。
【０１９１】
（実施の形態７）
本実施の形態では、少ない工程数で、液晶表示装置を作製する方法を提供することを目的とし、以下に示す。具体的には、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する表示装置の画素部の作製方法について、以下に示す。
【０１９２】
繊維体１３２ａに有機樹脂１３２ｂが含浸された第１の構造体１３２を基板として用いる。なお、第１の構造体１３２は、繊維体１３２ａに含浸された有機樹脂は、硬化または半硬化された有機樹脂である。
【０１９３】
基板である第１の構造体１３２上にゲート電極４０２を形成する前に、第１の構造体１３２とゲート電極４０２の間に下地層として機能する絶縁層４００を設けても良い。この絶縁層４００は、第１の構造体１３２からＴＦＴ素子及び表示装置へ水分やアルカリ金属などの不純物が拡散して、素子形成層に形成される半導体素子の信頼性などが劣化するのを防ぐものであり、ブロッキング層として適宜設ければ良い。
【０１９４】
絶縁層４００としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁層４００を２層構造とする場合、第１層目の絶縁層として窒化酸化珪素層を形成し、第２層目の絶縁層として酸化窒化珪素層を形成するとよい。また、第１層目の絶縁層として窒化珪素層を形成し、第２層目の絶縁層として酸化珪素層を形成してもよい。
【０１９５】
次に、第１の構造体１３２上にゲート電極４０２を形成し、ゲート電極４０２上にゲート絶縁層４０４を形成する（図１８（Ａ）参照）。ゲート電極４０２、ゲート絶縁層４０４は、それぞれ実施の形態６に示すゲート電極３０６、ゲート絶縁層３０８を適宜用いて形成する。
【０１９６】
次に、フォトマスクを用いて形成したレジストマスクを使い、ゲート絶縁層４０４にコンタクトホールを形成しゲート電極４０２の接続パッドを露出する。また、同時に液晶表示装置の外周部を図１８（Ｂ）の凹部４０６の如くドライエッチングで取り除く。また、下地層として機能する絶縁層４００を有している場合は、ゲート絶縁層４０４と共に絶縁層４００をドライエッチングし、凹部４０６を形成する。外周部の絶縁層と下地層として機能する絶縁層４００を取り除くことで、後の工程において、プリプレグ同士の熱融着が可能になる。ドライエッチングにはＣＨＦ３の混合ガスを用いたがこれに限定されるものではない。
【０１９７】
半導体層４０８は、酸化物半導体層を用いて形成する。酸化物半導体層としては、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛及びスズから選んだ元素の複合酸化物を用いることができる。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛を含む酸化インジウム（ＩＺＯ）や酸化インジウムと酸化ガリウムと酸化亜鉛からなる酸化物（ＩＧＺＯ）をその例に挙げることができる。酸化物半導体は、スパッタリング、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等のプリプレグの耐熱温度より低い温度で膜の堆積が可能であるため、耐熱温度の低いプリプレグ上に直接形成することができる。
【０１９８】
半導体層４０８は、反応性スパッタリング法又はパルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）により成膜することができる。半導体層としては１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さで形成するとよい。また、膜中の酸素欠損が増えるとキャリア密度が高まり薄膜トランジスタ特性が損なわれてしまうため、成膜雰囲気の酸素濃度を制御するとよい。
【０１９９】
酸化インジウムと酸化ガリウムと酸化亜鉛からなる酸化物の場合、金属元素の組成比の自由度は高く、広い範囲の混合比で半導体として機能する。１０重量％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム（ＩＺＯ）や酸化インジウムと酸化ガリウムと酸化亜鉛からなる酸化物をそれぞれ等モルで混合した材料（ＩＧＺＯ）を一例として挙げることができる。
【０２００】
ここでは、半導体層４０８の形成方法の一例として、ＩＧＺＯを用いた方法について説明する。酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）をそれぞれ等モルで混合し、焼結した直径８インチのターゲットを用い、５００Ｗの出力でＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリングして半導体層を形成する。チャンバーの圧力は０．４Ｐａ、ガス組成比はＡｒ／Ｏ２が１０／５ｓｃｃｍの条件で１００ｎｍ成膜する。成膜の際の酸素分圧をインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電層の成膜条件より高く設定し、酸素欠損を抑制することが望ましい。
【０２０１】
半導体層の成膜後、フォトマスクを用いて形成したレジストマスクを使い、希塩酸もしくは有機酸、例えばクエン酸によりエッチングして、半導体層４０８を形成する（図１８（Ｃ）参照）。次いで、有機溶剤を使ってフォトレジストを剥離する。
【０２０２】
次に、半導体層４０８上に配線４１２、４１４を形成する。配線４１２、４１４は、実施の形態６に示す配線３１４と同様の材料を用いて形成することができる。
【０２０３】
配線４１２、４１４は、少なくとも半導体層４０８上にレジストマスクを形成した後、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いて導電層をレジストマスク、半導体層４０８、及びゲート絶縁層４０４上に形成し、レジストを剥離して、リフトオフ法により図１８（Ｄ）のごとく、半導体層４０８の一部を露出する配線４１２、４１４を形成する。
【０２０４】
以上の工程により、酸化物半導体を用いて半導体層を形成した薄膜トランジスタを作製することができる。本実施の形態に係る薄膜トランジスタは、実施の形態４にて説明した薄膜トランジスタと同様に、液晶表示装置に代表される表示装置の画素におけるスイッチング用の薄膜トランジスタに適用することができる。
【０２０５】
次に、開口部４２０、４２２を有する絶縁層４１８を形成する。絶縁層４１８は、実施の形態６に示す絶縁層３１６と同様に形成することができる。開口部４２０、４２２は、基板上全面に絶縁層を形成した場合、フォトリソグラフィ法を用いてレジストマスクを形成し、当該マスクを用いて絶縁層をエッチングすることで形成することができる。または、印刷法または液滴吐出法を用いて、開口部４２０、４２２を有する絶縁層４１８を形成してもよい。
【０２０６】
次に、当該開口部４２０を介して接続されるように、絶縁層４１８上に画素電極４２４ａ、共通電極４２４ｂを設ける。このようにして図１９（Ａ）に示す液晶表示装置の画素におけるスイッチング用の薄膜トランジスタを作製することができる。
【０２０７】
なお、画素電極４２４ａ、共通電極４２４ｂは、実施の形態６に示す画素電極３２２ａ、共通電極３２２ｂを適宜用いることができる。
【０２０８】
以上の工程により、プリプレグ上に薄膜トランジスタを形成することができる。本実施の形態では、剥離工程を用いず、直接プリプレグ上に薄膜トランジスタを形成することができるため、可撓性を有する素子基板の作製工程数を削減することができる。
【０２０９】
次に、実施の形態４と同様に絶縁層４１８上にスペーサ１２１を形成する。次に、スペーサ１２１、絶縁層４１８の表面に配向膜１２３を形成する。次に、配向膜１２３上にシール材１３４を形成する（図１９（Ｂ）参照。）
【０２１０】
次に、実施の形態４と同様に、シール材１３４の内側に液晶材料を吐出する。この後、第２の構造体１３７を減圧雰囲気で貼り合せ、ＵＶ光を照射してシール材１３４を硬化して第２の構造体１３７を固着する（図２０（Ａ）参照）。また、当該固着工程により、第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、シール材１３４で囲まれた液晶層１３６を形成する。
【０２１１】
次に、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３７を熱圧着し、有機樹脂が硬化された第２の構造体１３８を形成すると共に、第２の構造体１３８の有機樹脂が硬化する際に、第１の構造体１３２を第２の構造体１３８に固着させ、密着性の高い液晶表示装置を作製する（図２０（Ｂ）参照）。
【０２１２】
本実施の形態では、プリプレグ上に薄膜トランジスタを形成することができるため、可撓性を有する素子基板の作製工程数を削減することができる。また、当該素子基板を用いて液晶表示装置を作製することができる。
【０２１３】
（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態２に示す液晶表示装置の作製方法について、以下に示す。本実施の形態では、実施の形態４を用いて説明するが、他の実施を形態に適宜適用することができる。
【０２１４】
実施の形態４と同様に、図６から図７（Ｂ）までの工程を経る。絶縁層１０４に第１の構造体１３１及び第１の衝撃緩和層１５１を設ける（図２１（Ａ）参照）。ここでは、第１の構造体１３１としては、繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化させたものであり、後の加熱工程で硬化する（図２１（Ｂ）参照）。
【０２１５】
次に、第１の構造体１３１を加熱し圧着して、第１の構造体に含まれる有機樹脂１３１ｂを硬化または可塑化して、絶縁層１０４に第１の構造体１３２及び第１の衝撃緩和層１５１を固着する。
【０２１６】
次に、粘着フィルム１３０を剥した後、実施の形態４の図８（Ａ）に示すように、シール材１３４を形成する。次に、シール材１３４の内側に液晶を吐出する。この後、第２の構造体１３７をシール材１３４の上に設け、第２の構造体１３７上に第２の衝撃緩和層１５３を設ける。次に、第２の構造体１３７を減圧雰囲気で貼り合せ、ＵＶ光を照射してシール材１３４を硬化して第２の構造体１３７を固着する。また、当該固着工程により、第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、シール材１３４で囲まれた液晶層１３６を形成する（図２２参照）。
【０２１７】
次に、実施の形態４と同様に、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３７を熱圧着し、有機樹脂が硬化された第２の構造体１３８を形成すると共に、第２の構造体１３８の有機樹脂が硬化する際に、第１の構造体１３２を第２の構造体１３８に固着させ、図２に示すような、密着性が高く、さらに面圧や線圧に対する破壊の少ない液晶表示装置を作製することができる。
【０２１８】
（実施の形態９）
本実施の形態では、第１の構造体及び第２の構造体の密着性がさらに高い液晶表示装置の作製方法について、以下に示す。本実施の形態では、実施の形態５を用いて示すが、他の実施の形態を適宜適用することができる。
【０２１９】
実施の形態５と同様に、図１０（Ａ）乃至図１０（Ｃ）の工程を経て図２３（Ａ）に示すように、絶縁層１５６に第１の構造体１３２を固着する。
【０２２０】
次に、素子形成層１２４を基板１００からの剥離を容易に行うために、素子形成層１２４を基板１００から剥離する前にレーザービーム１７１を照射して、凹部１７２を形成することが好ましい。ここでは、第１の構造体１３２、絶縁層１５６、絶縁層１０４にレーザービームを照射することにより凹部１７２を形成する（図２３（Ｂ）参照）。
【０２２１】
次に、実施の形態４と同様に、凹部１７２をきっかけとして、剥離層１０２及びバッファ層として機能する絶縁層１０４の界面において、素子形成層１２４を基板１００から剥離する（図２４（Ａ）参照）。
【０２２２】
次に、実施の形態５と同様に絶縁層１０４上にスペーサ１２１を形成する。次に、スペーサ１２１、絶縁層１０４の表面に配向膜１２３を形成する（図２４（Ｂ）参照。）
【０２２３】
次に、配向膜１２３から第１の構造体１３２の途中まで凹部１７６を形成する。ここでは、ＵＶレーザービーム１７４を照射して凹部１７６を形成する。次に、配向膜１２３上にシール材１３４を形成する（図２５（Ａ）参照）。
【０２２４】
次に、実施の形態４と同様に、シール材１３４の内側に液晶を吐出する。この後、シール材１３４上に第２の構造体を設ける。次に、第２の構造体１３７を減圧雰囲気で貼り合せ、ＵＶ光を照射してシール材１３４を硬化して第２の構造体１３７を固着する。また、当該固着工程により、第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、シール材１３４で囲まれた液晶層１３６を形成する。
【０２２５】
次に、第１の構造体１３２及び第２の構造体を熱圧着し、有機樹脂が硬化された第２の構造体１３８を形成すると共に、第２の構造体１３８の有機樹脂が硬化する際に、第１の構造体１３２を第２の構造体１３８に固着させ、密着性の高い液晶表示装置を作製する（図２５（Ｂ）参照）。なお、当該熱圧着の際、第２の構造体の有機樹脂が凹部１７６に充填された後に硬化するため、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８の密着性が高まる。
【０２２６】
以上の工程により、可撓性を有し、且つ外部からの押圧による破壊が少なく、且つ信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、第２の構造体１３８の有機樹脂が第１の構造体の凹部に入り込んでいるため、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８の密着性を更に高めることができる。
【０２２７】
（実施の形態１０）
本実施の形態では、信頼性の高い液晶表示装置の作製方法について、以下に示す。具体的には、実施の形態３に示すような、静電気に対する破壊を低減することが可能な液晶表示装置に関して、以下に説明する。なお、本実施の形態では、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２２８】
実施の形態３に示す液晶表示装置は、第１の構造体及び第２の構造体を加熱し圧着して、固着させた後、第１の構造体または／及び第２の構造体の表面に、蒸着法、スパッタリング法、電解メッキ法、無電解メッキ法、塗布法、印刷法、ディップ法等により、導電層を形成する。なお、塗布法、印刷法、ディップ法を用いた場合は、乾燥、さらには焼成して導電層の導電性を高めることが好ましい。
【０２２９】
また、実施の形態８に示す作製工程において、第１の衝撃緩和層及び第２の衝撃緩和層の表面に導電層を形成した後、第１の構造体及び第２の構造体の表面それぞれに当該第１の衝撃緩和層及び第２の衝撃緩和層を設けてもよい。この工程について、以下に示す。
【０２３０】
実施の形態４と同様に、図６から図７（Ｂ）までの工程を経る。次に、絶縁層１０４に第１の構造体１３１、及び導電層１８０が形成された第１の衝撃緩和層１５１を設ける（図２６（Ａ）参照）。ここでは、第１の構造体１３１としては、繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化させたものであり、後の加熱工程で硬化する。また、導電層１８０は、第１の衝撃緩和層１５１において、第１の構造体１３１とは反対側の面に設けているが、第１の構造体１３１及び第１の衝撃緩和層１５１の間に設けてもよい。
【０２３１】
導電層は、第１の衝撃緩和層１５１の表面に、蒸蒸着法、スパッタリング法、電解メッキ法、無電解メッキ法、塗布法、印刷法、ディップ法等により形成する。なお、塗布法、印刷法、ディップ法を用いた場合は、乾燥、さらには焼成して導電層の導電性を高めることが好ましい。
【０２３２】
次に、第１の構造体１３１を加熱し圧着して、第１の構造体に含まれる有機樹脂１３１ｂを硬化または可塑化して、絶縁層１０４に第１の構造体１３２及び第１の衝撃緩和層１５１を固着する（図２６（Ｂ）参照）。この後、粘着フィルムを剥す。
【０２３３】
次に、実施の形態４の図８（Ａ）に示すように、シール材１３４を形成する。次に、シール材１３４の内側に液晶材料を吐出する。この後、第２の構造体１３７をシール材１３４の上に設け、第２の構造体１３７上に、導電層が形成された第２の衝撃緩和層１５３を設ける。次に、第２の構造体１３７を減圧雰囲気で貼り合せ、ＵＶ光を照射してシール材１３４を硬化して第２の構造体１３７を固着する。また、当該固着工程により、第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、シール材１３４で囲まれた液晶層１３６を形成する（図２７参照）。
【０２３４】
なお、一つの基板に形成した素子形成層及び液晶層から複数の液晶表示装置を分断する（多面取りする）場合、分断方法として、レーザカット法や切断部材を用いて分断する。ここでは、レーザカット法を用いた形態について示す。
【０２３５】
第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、第１の衝撃緩和層１５１、第２の衝撃緩和層１５３にレーザービーム１８４を照射して、第１の構造体１３２、第２の構造体１３７、第１の衝撃緩和層１５１、第２の衝撃緩和層１５３を溶融させる。
【０２３６】
上記分断工程に用いるレーザービームの波長や強度、ビームサイズなどの条件については特に限定されない。少なくとも、液晶表示装置を分断できる条件であればよい。レーザービームの発振器としては、例えば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザ等の連続発振レーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマ（ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ）レーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザ等のパルス発振レーザを用いることができる。
【０２３７】
なお、レーザービームを用いたレーザカット法を用いて分断することで、導電層１８０と導電層１８２との間の抵抗値が低下し、導電層１８０と導電層１８２とが導通することになる。このため、液晶表示装置の分断の工程と、導電層１８０、１８２とを導通させる工程を、一度に行うことができるため、工程数を削減することができる。
【０２３８】
（実施の形態１１）
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置について、上面図及び断面図を用いて説明する。
【０２３９】
図２８（Ａ）は、上記実施の形態に示す作製方法によって作製した液晶表示装置を示す上面図である。また、図２８（Ｂ）は図２８（Ａ）をａ−ｂで切断した断面図である。図２８（Ａ）及び（Ｂ）に示す液晶表示装置は、上記実施の形態のいずれかに示す方法を適用して作製されており、繊維体に有機樹脂が含浸された第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８によって固着された、素子部５０１及び端子部５０２を有している。なお、ここでの素子部５０１とは、素子形成層、液晶層、及びシール材を含む画素部を示す。また、端子部５０２に設けられた配線５０４は、外部入力端子となるフレキシブルプリント配線基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）５０５からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る配線である。なお、図２８に図示したＦＰＣ５０５に、さらにプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられた構成としても良い。本明細書における液晶表示装置には、液晶表示装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０２４０】
図２８（Ｂ）において、端子部５０２に設けられた配線５０４と電気的に接続する位置に、貫通配線５０３が形成されている。貫通配線５０３は、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８に対して、レーザ、ドリル、打ち抜き針等によって貫通孔を形成し、当該貫通孔にスクリーン印刷や、インクジェット法によって、導電性樹脂を設け、焼成またはリフローすることで形成することができる。導電性樹脂とは、粒径が数十マイクロメートル以下の導電性粒子を有機樹脂に溶解又は分解させたものを指す。導電性粒子としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のいずれかの金属元素を含む導電ペースト用いることができる。また、導電性樹脂に含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤、及び被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。
【０２４１】
また、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８に貫通孔を形成せずに、貫通配線５０３を形成してもよい。例えば、第１の構造体１３２又は第２の構造体１３８上の所定の位置に導電性樹脂を配置し、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８中の有機樹脂と導電性樹脂に含まれる有機樹脂の反応によって、構造体の有機樹脂の一部を溶解させ、導電性樹脂に含まれる金属粒子を第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８中に浸透させることで貫通配線５０３を形成することができる。
【０２４２】
外部入力端子となるＦＰＣ５０５は、第１の構造体１３２及び第２の構造体１３８に設けられた貫通配線５０３上に貼りつけられている。従って、貫通配線５０３に含まれる導電性粒子により、端子部５０２に設けられた配線５０４とＦＰＣ５０５に形成された配線５０６とが電気的に接続する。
【０２４３】
以上によって、ＦＰＣ５０５が接続された液晶表示装置を得ることができる。
【０２４４】
（実施の形態１２）
実施の形態１乃至実施の形態１１においては、半導体素子及びそれに接続する画素電極を有する液晶素子が素子形成層に形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を示したが、これに限定されるものではなく、素子形成層にパッシブマトリクス型の液晶素子を形成して液晶表示装置とすることができる。
【０２４５】
（実施の形態１３）
上記実施の形態で示す液晶表示装置を電子機器の表示部に組みこむことが可能である。
【０２４６】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ及びデジタルカメラ等のカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。
【０２４７】
また、街頭における広告用の表示装置や、駅や空港における情報を表示する表示装置に、上記実施の形態で示す液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示装置は薄型で、可撓性を有するため、設置場所を特に選ばず、壁等に当該表示装置を貼り付けることで、情報を表示することが可能である。また、表示内容を随時変更することが可能であるため、多くの情報量を表示することが可能である。
【図１】
2010039482.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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