(57)【要約】【課題】本発明の態様は、パーティクル汚染の発生を抑制することができ、被処理物の離脱応答性が良好で、静電チャックの載置面部分に形成された被覆部の剥離耐久性が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。【解決手段】被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された被覆部と、を備えた静電チャックであって、前記平面部の少なくとも一部には、前記被覆部が形成されていない領域が設けられていること、を特徴とする静電チャックが提供される。【選択図】図１
2010165805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板と、
前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された被覆部と、
を備えた静電チャックであって、
前記平面部の少なくとも一部には、前記被覆部が形成されていない領域が設けられていること、を特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記被覆部は、前記平面部上において、前記突起部の側面と前記平面部とが交わる位置から前記突起部から離隔する方向に前記被覆部の厚み寸法以上、３ｍｍ以下の範囲に形成されていること、を特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】
静電チャックの使用温度領域における前記誘電体基板の体積抵抗率は、１０９Ωｃｍ以上、１０１１Ωｃｍ以下であること、を特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記被覆部の２５℃における体積抵抗率は、１０１４Ωｃｍ以上、１０１８Ωｃｍ以下であること、を特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項５】
前記被覆部は、ポリイミド樹脂を含むこと、を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項６】
前記被覆部は、蒸着重合法を用いて形成されること、を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項７】
前記突起部の頂面に被覆された前記被覆部の表面と被処理物との接触面積比が、０．００５％以上、１．５％以下であること、を特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項８】
誘電体基板の電極が設けられた主面と対向する側の主面を研磨し、前記主面に所望の形状のマスクを設け、サンドブラスト法を用いて前記マスクにより覆われていない部分を除去することで平面部を形成するとともに突起部を形成し、
前記突起部と、前記平面部と、を覆うように樹脂を被覆し、
前記突起部の頂面に被覆された前記樹脂の表面の算術平均高さが、前記平面部の上面に被覆された前記樹脂の表面の算術平均高さより小さくなるように、前記突起部の頂面に被覆された前記樹脂の表面をポリッシュ加工し、
前記平面部の上面に被覆された前記樹脂の一部を切断し、
前記切断された樹脂を除去することで被覆部を形成すること、を特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項９】
前記樹脂は、蒸着重合法を用いて被覆されること、を特徴とする請求項８記載の静電チャックの製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂は、レーザ加工法またはウォータジェット加工法を用いて切断されること、を特徴とする請求項８または９に記載の静電チャックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の態様は、一般に、静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
エッチング、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)、スパッタリング、イオン注入、アッシング、露光、検査などを行う基板処理装置において、被処理物である半導体ウェーハやガラス基板などを吸着保持する手段として静電チャックが用いられている。また、静電チャックとしては、クーロン力を生じさせて被処理物を吸着するクーロン型静電チャックや、ジョンセン−ラーベック力を生じさせて強い吸着力を発現させるジョンセン−ラーベック型静電チャックなどが知られている。    
ここで、静電チャックの載置面と被処理物とが擦れ合うとパーティクル汚染が発生するおそれがある。この場合、ジョンセン−ラーベック型静電チャックなどのように強い吸着力を発現可能な静電チャックほどパーティクル汚染が発生するおそれが高くなる。また、被処理物の離脱応答性も悪くなるおそれがある。
【０００３】
そのため、静電チャックの載置面部分に突起部を設けることで接触面積を小さくし、パーティクル汚染の抑制と被処理物の離脱応答性の向上とを図る静電チャックが提案されている。また、この静電チャックの載置面を樹脂で覆うことによりパーティクル汚染やスクラッチの発生をさらに抑制する技術も提案されている（特許文献１の図１（ａ）を参照）。しかしながら、本発明者らの検討によると、特許文献１に開示がされているもののように静電チャックの載置面全面を樹脂で覆うようにすると、樹脂層に電荷が残留して被処理物の離脱応答性が悪化してしまうことが明らかとなった。
【０００４】
また、平坦なセラミックス層の上に、被処理体を保持する樹脂からなる突起部を形成する技術も提案されている（特許文献１の図２（ｂ）を参照）。    
しかしながら、本発明者らの検討によると、平坦なセラミックス層の上に樹脂からなる突起部を形成する際に、セラミックス層と突起部との界面に剥離が発生する場合があり、この発生した剥離が外力により進展しやすいことが明らかとなった。例えば、樹脂からなる突起部を形成させる場合、平坦なセラミックス層の上面を樹脂で覆い、突起部を残して周辺の樹脂を剥離するようにしている。この様な製造方法によれば、突起部の周辺の樹脂を剥離する際に突起部にも剥離方向に力が働く場合がある。そして、突起部に剥離方向の力が加わるとセラミックス層と突起部との界面に微小な剥離が発生する場合があり、一旦微小な剥離が発生すると、この発生した剥離が外力により容易に進展してしまうことが明らかとなった。特に、樹脂からなる突起部に被処理物を吸着させ、その後、被処理物を離脱させる際に、被処理物に突起部が引張られると、容易に剥離が進展することが判明した。これは、界面の密着力に比べて、突起部を形成する樹脂そのものの引っ張り強さが大きい為であると考えられる。
【０００５】
また、セラミックス層自体に突起部を形成し、突起部の頂面のみを覆うように樹脂層を形成する技術も提案されている（特許文献１の図２（ａ）を参照）。    
しかしながら、この様な場合であっても、前述したものと同様の理由により剥離が進展しやすいことには変わりはない。
【０００６】
また、特許文献１に開示がされた技術においては、被覆される樹脂の下地に関する考慮がされておらず、被処理物との接触部分（突起部頂面における樹脂の表面）における算術平均高さが大きくなり、この部分にチップポケットが形成されるおそれがある。そのため、このチップポケット内に微細な粒子が入り込み、後にこの粒子が放出されることでパーティクル汚染が発生するおそれがある。また、突起部の周辺においては、樹脂の密着力が低下してしまうおそれがあった。
【０００７】
また、２種以上の原料モノマーを蒸発させ、基体に原料モノマーを蒸着重合させることで絶縁材料の被膜を形成させる静電チャック部品の製造方法が提案されている（特許文献２を参照）。    
しかしながら、特許文献２に開示がされた技術においても被覆される樹脂の下地に関する考慮がされておらず、特許文献１に開示がされた技術と同様にパーティクル汚染の発生や突起部の周辺における樹脂の密着力の低下が生ずるおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２８７２１０号公報
【特許文献２】特開昭６３−１８１３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、パーティクル汚染の発生を抑制することができ、被処理物の離脱応答性が良好で、静電チャックの載置面部分に形成された被覆部の剥離耐久性が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された被覆部と、を備えた静電チャックであって、前記平面部の少なくとも一部には、前記被覆部が形成されていない領域が設けられていること、を特徴とする静電チャックが提供される。
【００１１】
また、本発明の他の一態様によれば、誘電体基板の電極が設けられた主面と対向する側の主面を研磨し、前記主面に所望の形状のマスクを設け、サンドブラスト法を用いて前記マスクにより覆われていない部分を除去することで平面部を形成するとともに突起部を形成し、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように樹脂を被覆し、前記突起部の頂面に被覆された前記樹脂の表面の算術平均高さが、前記平面部の上面に被覆された前記樹脂の表面の算術平均高さより小さくなるように、前記突起部の頂面に被覆された前記樹脂の表面をポリッシュ加工し、前記平面部の上面に被覆された前記樹脂の一部を切断し、前記切断された樹脂を除去することで被覆部を形成すること、を特徴とする静電チャックの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の態様によれば、パーティクル汚染の発生を抑制することができ、被処理物の離脱応答性が良好で、静電チャックの載置面部分に形成された被覆部の剥離耐久性が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係る静電チャックを例示するための模式断面図である。
【図２】平面部が被覆部により覆われる範囲を例示するための模式断面図である。
【図３】静電チャックの製造方法を例示するためのフローチャートである。
【図４】本発明の他の実施の形態に係る静電チャックを例示するための模式断面図である。
【図５】図４に示した静電チャックの製造方法の具体例を例示するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
第１の発明の実施形態は、被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された被覆部と、を備えた静電チャックであって、前記平面部の少なくとも一部には、前記被覆部が形成されていない領域が設けられていること、を特徴とする静電チャックである。    
この静電チャックによれば、パーティクル汚染の発生を抑制することができる。また、被処理物の離脱応答性、静電チャックの載置面部分に形成された被覆部の剥離耐久性を向上させることができる。
【００１５】
また、第２の発明の実施形態は、第１の発明の実施形態において、前記被覆部は、前記平面部上において、前記突起部の側面と前記平面部とが交わる位置から前記突起部から離隔する方向に前記被覆部の厚み寸法以上、３ｍｍ以下の範囲に形成されていること、を特徴とする静電チャックである。    
この静電チャックによれば、パーティクル汚染の抑制、被処理物の離脱応答性の向上、被覆部の剥離耐久性の向上をさらに図ることができる。
【００１６】
また、第３の発明の実施形態は、第１または第２の発明の実施形態において、静電チャックの使用温度領域における前記誘電体基板の体積抵抗率は、１０９Ωｃｍ以上、１０１１Ωｃｍ以下であること、を特徴とする静電チャックである。    
この静電チャックによれば、吸着電圧の電流値を増加させることなく被処理物の吸着離脱応答性の向上を図ることができる。
【００１７】
また、第４の発明の実施形態は、第１〜第３のいずれか１つの発明の実施形態において、前記被覆部の２５℃における体積抵抗率は、１０１４Ωｃｍ以上、１０１８Ωｃｍ以下であること、を特徴とする静電チャックである。    
この静電チャックによれば、被処理物の離脱応答性の向上を図ることができる。また、一般的で経済的な樹脂製造方法を用いることが可能となる。
【００１８】
また、第５の発明の実施形態は、第１〜第４のいずれか１つの発明の実施形態において、前記被覆部は、ポリイミド樹脂を含むこと、を特徴とする静電チャックである。    
この静電チャックによれば、耐食性に優れ、また、被覆特性にも優れた被覆部を有するものとすることができる。
【００１９】
また、第６の発明の実施形態は、第１〜第５のいずれか１つの発明の実施形態において、前記被覆部は、蒸着重合法を用いて形成されること、を特徴とする静電チャックである。  この静電チャックによれば、被覆特性に優れた被覆部を有するものとすることができる。
【００２０】
また、第７の発明の実施形態は、第１〜第６のいずれか１つの発明の実施形態において、前記突起部の頂面における被覆部の表面と被処理物との接触面積比が、０．００５％以上、１．５％以下であること、を特徴とする静電チャックである。      
この静電チャックによれば、パーティクル汚染の抑制、被処理物の離脱応答性の向上を図ることができる。また、突起部の形成を容易とすることができる。
【００２１】
第８の発明の実施形態は、誘電体基板の電極が設けられた主面と対向する側の主面を研磨し、前記主面に所望の形状のマスクを設け、サンドブラスト法を用いて前記マスクにより覆われていない部分を除去することで平面部を形成するとともに突起部を形成し、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように樹脂を被覆し、前記突起部の頂面に被覆された前記樹脂の表面の算術平均高さが、前記平面部の上面に被覆された前記樹脂の表面の算術平均高さより小さくなるように、前記突起部の頂面に被覆された前記樹脂の表面をポリッシュ加工し、前記平面部の上面に被覆された前記樹脂の一部を切断し、前記切断された樹脂を除去することで被覆部を形成すること、を特徴とする静電チャックの製造方法である。  この静電チャックの製造方法によれば、パーティクル汚染の抑制、被処理物の離脱応答性の向上、被覆部の剥離耐久性の向上を図ることができる静電チャックを製造することができる。
【００２２】
また、第９の発明の実施形態は、第８の発明の実施形態において、前記樹脂は、蒸着重合法を用いて被覆されること、を特徴とする静電チャックの製造方法である。    
この静電チャックの製造方法によれば、被覆特性に優れた樹脂の被覆が可能となる。
【００２３】
また、第１０の発明の実施形態は、第８または第９の発明の実施形態において、前記樹脂は、レーザ加工法またはウォータジェット加工法を用いて切断されること、を特徴とする静電チャックの製造方法である。    
この静電チャックの製造方法によれば、樹脂を切断する際に、バリ・カエリの発生を抑制することができる。
【００２４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。尚、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。    
図１は、本発明の実施の形態に係る静電チャックを例示するための模式断面図である。  尚、図１（ａ）は静電チャックを例示するための模式断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＢ部の模式拡大図である。    
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、静電チャック１には、基台２、誘電体基板３、電極４が設けられている。    
基台２の一方の主面（電極４の側の表面）には、無機材料からなる絶縁体層５が形成されている。また、誘電体基板３は、被処理物を載置する側の主面に形成された突起部３ａと、突起部３ａの周辺に形成された平面部３ｂと、を有している。
【００２５】
被覆部７は、突起部３ａと、その周辺に形成された平面部３ｂとを覆うように形成されている。また、被覆部７は、所定の範囲に形成され、隣接する突起部３ｂ同士の間には被覆部７が形成されていない部分が設けられている。すなわち、相互に離間した被覆部７が形成され、平面部３ｂの少なくとも一部には、被覆部７が形成されていない領域が設けられている。また、被覆部７が形成されていない領域においては、誘電体基板３の平面部３ｂが露出するようになっている。    
また、突起部３ａの頂面における被覆部７の表面が、半導体ウェーハ等の被処理物の載置面となっている。
【００２６】
ここで、特許文献１（特開２００６−２８７２１０号公報）の図２（ｂ）に開示がされている技術のように、誘電体基板３の被処理物を載置する側の平面部３ｂ全体を被覆部７で覆うようにすると、被覆部７に残留する電荷の量が多くなるので被処理物の離脱応答性が悪化してしまう。    
また、残留した電荷の極性と印加電圧の極性とが同極の場合には吸着力が強くなったり、異極の場合には吸着力が弱くなったりして、吸着力が不安定となる要因ともなる。
【００２７】
本実施の形態によれば、被覆部７で覆う部分を必要な範囲に限定しているので残留する電荷の量を抑制することができる。すなわち、被処理物と擦れ合う部分である突起部３ａと、突起部３ａを中心に平面部３ｂの所定の範囲を覆うように被覆部７を形成している。そのため、隣接する突起部３ｂ同士の間には被覆部７が形成されていない部分が設けられ、被覆部７が形成されていない部分の分だけ残留する電荷の量を減らすことができる。その結果、被処理物の離脱応答性を向上させることができ、また、安定した吸着力を得ることができる。
【００２８】
この場合、特許文献１（特開２００６−２８７２１０号公報）の図２（ａ）に開示がされている技術のように、突起部３ａの頂面のみを覆うように被覆部７を形成することもできるが、被覆部７の剥離が進展しやすく、載置面にバリ・カエリが発生するという新たな問題を生じる。
【００２９】
すなわち、被覆部７を部分的に形成する場合には、突起部３ａとともに平面部３ｂを樹脂で覆い、必要な部分を残して不要となる部分が剥離されることになる。この場合、不要となる部分を剥離する際に、被覆部７の端部が剥離方向に引っぱられて微小な剥離が発生する場合がある。そして、この様な剥離がある部分に、剥離方向に外力が加わると剥離が容易に進展してしまうことになる。
【００３０】
本実施の形態によれば、外力が加わる部分と製造上剥離が発生しやすい被覆部７の端部とを離すことができるので、被覆部７の端部において剥離方向に加わる力を抑制することができる。そのため、剥離の進展を抑制することができる。    
すなわち、被覆部７が突起部３ａ及びその周辺の平面部３ｂまでを蔽うように形成されているため、製造上剥離が発生しやすい被覆部７の端部を外力が加わる突起部３ａの頂面近傍から離すことができる。そのため、被処理物を吸着し離脱させる際、突起部３ａの頂面近傍において被覆部７を上方に引張るような外力（剥離方向に働く外力）が発生しても、被覆部７の端部においては被覆部７の端部を上方に引張るような外力（剥離方向に働く外力）を小さくすることができる。その結果、剥離の発生、進展が生じにくい構造とすることができる。
【００３１】
また、不要となる部分の樹脂を剥離する際に剥離される部分との境界、すなわち、被覆部７の端部において剥離方向に向いたバリ・カエリが生ずるおそれがある。この様なバリ・カエリが被処理物を載置する面に生ずると被処理物の載置側の面に傷が入り、パーティクル数が増加するおそれがある。
【００３２】
本実施の形態によれば、製造上バリ・カエリが発生するおそれがある被覆部７の端部を被処理物の載置側の面から離隔させた位置に設けることができる。そのため、仮に被覆部７の端部にバリ・カエリが発生したとしてもバリ・カエリが被処理物の載置側の面に触れることを防止することができる。その結果、被処理物の載置側の面に傷が入ることやパーティクル数が増加することを抑制することができる。
【００３３】
ここで、突起部３ａの周辺において平面部３ｂが被覆部７により覆われる範囲に関してさらに説明をする。      
図２は、平面部が被覆部により覆われる範囲を例示するための模式断面図である。尚、図２は、突起部３ａの形状が略円錐台の場合である。    
また、表１は、長時間吸着後の離脱応答性に対する評価結果を例示するための表である。  尚、長時間吸着後の被処理物の離脱応答性評価は、３時間連続吸着後、被処理物に対して１００ｇｆの力で離脱方向にプリロードをかけ、印加電圧をＯＦＦ後、被処理物が３秒以内に離脱できるか否かで判定するようにしている。この場合、離脱した場合は○、しない場合はＸと表示している。
【００３４】
【表１】
2010165805.tif 000003
図２、表１に示すように、平面部３ｂが被覆部７により覆われる範囲（被覆部幅Ｌ）は、突起部３ａの側面と平面部３ｂとが交わる位置３ｄを基準とした場合、被覆部７の厚み寸法以上、３ｍｍ以下とすることが好ましい。すなわち、被覆部７は、平面部３ｂ上において、突起部３ａの側面と平面部３ｂとが交わる位置から突起部３ａから離隔する方向に被覆部７の厚み寸法以上、３ｍｍ以下の範囲に形成されるようにすることが好ましい。  
被覆部幅Ｌを被覆部７の厚み寸法未満とすれば、平面部３ｂ上を覆う部分の形成が困難となり、また、突起部３ａ部分に形成される被覆部７の剥離耐久性が低くなるおそれがあるからである。また、３ｍｍを超えるものとすれば、残留電荷による吸着力が大きくなりすぎるので、表１に示すように被処理物の離脱応答性が悪化するおそれがあるからである。
【００３５】
また、表１に示すように、被覆部７の面積を被処理物の面積で割った被覆部被覆比率は、０％を超え、４０％以下とすることが好ましい。この場合、０％を超え、３０％以下とすることがより好ましい。また、０％を超え、２５％以下とすることがさらに好ましい。０％、すなわち、被覆部７が形成されていない場合には、被処理物に電荷が溜まり、離脱応答性が悪くなるおそれがあるからである。また、４０％を超える場合には、被覆部７に残留する電荷の量が多くなりすぎるので、被処理物の離脱応答性が悪くなるおそれがあるからである。ここで、被覆部７に残留する電荷の量を減らすことが離脱応答性改善につながるため、被覆部被覆比率は低い方がより好ましい。そのため、３０％以下とすることが好ましく、さらに２５％以下とした方がより好ましい。
【００３６】
次に、図１に戻って、静電チャック１の他の構成要素に関して説明をする。    
電極４が設けられた誘電体基板３の主面と、絶縁体層５が設けられた基台２の主面とは絶縁性接着剤で接着されている。この絶縁性接着剤が硬化したものが接合層６となる。  
電極４と電源１０ａ、電源１０ｂとは、電線９で接続されている。尚、電線９は基台２を貫通するようにして設けられているが、電線９と基台２とは絶縁されている。図１に例示をしたものは、正極、負極の電極を互いに隣接させるようにして誘電体基板３に形成させたいわゆる双極型静電チャックである。ただし、これに限定されるわけではなく、１つの電極を誘電体基板３に形成させたいわゆる単極型静電チャックであってもよいし、三極型、その他多極型であってもよい。また、電極の数や配置も適宜変更することができる。
【００３７】
また、静電チャック１を貫通するように貫通孔１１が設けられている。貫通孔１１の一端は平面部３ｂに開口し、他端は図示しない圧力制御手段や流量制御手段を介して、これも図示しないガス供給手段と接続されている。尚、貫通孔１１が開口する領域に被覆部７が形成されている場合には、被覆部７を貫通するようにして被覆部７の上面に貫通孔１１が開口している。
【００３８】
図示しないガス供給手段はヘリウムガスまたはアルゴンガスなどを供給する。そして、突起部３ａを形成することで設けられた空間３ｃが供給されたガスの通路となる。また、空間３ｃ同士はそれぞれ連通し、供給されたガスが全体にいきわたるようになっている。
【００３９】
また、半導体ウェーハ等の被処理物の戴置側の面の外周部、及び前記ガス供給用の貫通孔１１以外の貫通孔の周囲に図示しないリング状の突起部を配設し、前述のガスが漏出しないようにすることもできる。このリング状突起部においても、突起部３ａと同様にして被覆部７を形成することができる。すなわち、図示しないリング状突起部の側面、頂面、及びリング状突起部周辺の平面部３ｂの所定の範囲を被覆部７で覆うことができる。
【００４０】
さらに、平面部３ｂに放射状、同心円状に設けられ、貫通孔１１と連通する図示しないガス分配溝（凹状の溝）を設けることで、ガス分配速度を早めることができる。そして、このガス分配溝の側面、底面、及びガス分配溝周辺の平面部３ｂの所定の範囲を被覆部７で覆うようにすることもできる。
【００４１】
基台２は、例えば、アルミニウム合金や銅などのような熱伝導率の高い金属で形成することができる。そして、その内部には冷却液または加熱液が流れる流路８を設けることができる。尚、流路８は必ずしも必要ではないが、被処理物の温度制御の観点からは設けられていた方が好ましい。
【００４２】
また、基台２の一方の主面に設けられる絶縁体層５は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やイットリア（Ｙ２Ｏ３）等の多結晶体で形成することができる。また、絶縁体層５は、接合層６よりも熱伝導率が大きいことが好ましく、熱伝導率を２Ｗ／ｍＫ以上にすることがより好ましい。そのようにすれば、接合層単独の場合よりも熱伝達性が良好となり、被処理物の温度制御性と面内温度の均一性をより向上させることができる。
【００４３】
接合層６においては、その熱伝導率を高くすることが好ましい。例えば、熱伝導率を１Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましく、１．６Ｗ／ｍＫ以上とすればより好ましい。このような熱伝導率は、例えば、シリコーン樹脂等にアルミナや窒化アルミニウムをフィラーとして添加することで得ることができる。また、添加の割合で熱伝導率を調整することもできる。
【００４４】
接合層６の厚みは、熱伝達性を考慮すればできるだけ薄い方が好ましい。一方、基台２と誘電体基板３との間における熱膨張率の差に起因する熱せん断応力により、接合層６が剥離することなどを考慮すれば、接合層６の厚みはできるだけ厚い方が好ましい。そのため、接合層６の厚みはこれらを考慮して０．１ｍｍ以上、０．３ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００４５】
誘電体基板３としては、静電チャックに求められる様々な要求により種々の材料を用いることができる。この場合、熱伝導率、電気絶縁の信頼性を考慮すると、セラミック焼結体を用いることが好ましい。セラミック焼結体の具体例を例示すれば、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウム、炭化珪素などを挙げることができる。
【００４６】
この誘電体基板３の材料の体積抵抗率は、使用温度領域で１０８Ωｃｍ以上であることが好ましい。この場合、体積抵抗率が使用温度領域で１０９Ωｃｍ以上、１０１１Ωｃｍ以下となるようにすることがより好ましい。１０９Ωｃｍ未満とすれば、印加電圧の電流値が大きくなりすぎるからである。また、１０１１Ωｃｍを超えるものとすれば離脱応答性が悪化するおそれがあるからである。
【００４７】
また、誘電体基板３は、平均粒子径が２μｍ以下のセラミック焼結体とすることが好ましい。平均粒子径が２μｍ以下のセラミック焼結体を用いるものとすれば、仮に被覆部７の一部が侵食されたり、剥離したりすることがあっても、大きなサイズの脱粒が起きることを抑制することができるからである。
【００４８】
体積抵抗率が使用温度領域で１０９Ωｃｍ以上、１０１１Ωｃｍ以下である静電チャックの場合、実用的な電圧範囲（±５００Ｖ〜±２０００Ｖ）で使用するためには、誘電体基板３の厚みを１．５ｍｍ以下にすることが好ましい。また、製作の容易さを考慮すれば誘電体基板３の厚みは０．２ｍｍ以上（より好ましくは０．３ｍｍ以上）とすることが好ましい。
【００４９】
尚、誘電体基板３と被覆部７とのトータル厚みは、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが好ましい。このような厚みにすることで、被処理物と電極間の電気絶縁性を確保することができる。また、被処理物から基台ヘの熱伝達性が良好な静電チャックを得ることができる。
【００５０】
電極４の材料としては、酸化チタン、チタンの単体あるいはチタンと酸化チタンの混合体、窒化チタン、炭化チタン、タングステン、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、ニッケル、金−白金などを例示することができる。
【００５１】
ここで、被覆部７の材質、体積抵抗率、厚み寸法やそのバラツキ、算術平均高さなどは、耐食性、パーティクル汚染の発生、離脱応答性などに大きな影響を及ぼす。そのため、被覆部７の体積抵抗率、厚み寸法やそのバラツキ、算術平均高さなどを所定の範囲内に収めることが重要となる。以下、被覆部７に関して本発明者の得た知見について説明をする。
【００５２】
被覆部７の材料としては、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の耐食性を有する樹脂であることが好ましい。特に、ポリイミド樹脂とすれば耐食性に優れ、また、後述する蒸着重合法などにより被覆特性に優れた成膜が可能となるのでより好ましい。この場合、少なくともポリイミド樹脂を含むものとすることもできる。
【００５３】
被覆部７の２５℃における体積抵抗率は、１０１４Ωｃｍ以上、１０１８Ωｃｍ以下とすることが好ましい。１０１４Ωｃｍ未満とすれば、被覆部７を通じて被処理物に電流が流れるため、ジョンセン−ラーベック力が増加して残留吸着力が増大し、離脱応答性が悪化するおそれがあるからである。また、１０１８Ωｃｍ以下とすることで、特殊な材料、製法を選択する必要がなくなり、一般的で経済的なポリイミド製造方法を選択することが可能となるからである。
【００５４】
被覆部７の厚み寸法は、２μｍ以上、１５μｍ以下とすることが好ましい。ここで、下地層の表面形状はその上に形成される被覆部７の表面に転写され、被覆部７の厚み寸法が薄くなるほどその影響を受けやすくなる。そのため、２μｍ未満とすれば下地の影響を大きく受けるため成膜後のポリッシュ加工（仕上げ加工）において算術平均高さを小さくすることが困難となる場合が生じ得るからである。また、被膜強度が小さくなり剥離が発生するおそれがあるからである。一方、１５μｍを超えるものとすれば吸着力が小さくなりすぎるおそれがあるからである。
【００５５】
被覆部７の厚み寸法のバラツキは、±１０％以下とすることが好ましい。±１０％を超えるものとすれば、吸着力のバラツキが大きくなり吸着力の面内分布が大きくなりすぎるからである。尚、このような均一な成膜は、例えば、蒸着重合法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより行うことができる。
【００５６】
突起部３ａの頂面に形成された被覆部７の表面（被処理物との接触面）の算術平均高さは、平面部３ｂに形成された被覆部７の表面の算術平均高さよりも小さくなっている。この場合、突起部３ａの頂面に形成された被覆部７の表面の算術平均高さＲａは、０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下とすることが好ましい。０．０１μｍ未満とするためには、ポリッシュ加工（仕上げ加工）に要する時間が長くなり生産性が著しく低下するからである。一方、０．１μｍを超えるものとすればこの部分にチップポケットが形成されるおそれがある。そして、ポリッシュ加工（仕上げ加工）をした際にこのチップポケット内に微細な粒子が入り込み、後にこの粒子が放出されることでパーティクル汚染が発生するおそれがあるからである。尚、本明細書における「算術平均高さＲａ」は、「ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１」に基づくものである。
【００５７】
また、平面部３ｂに形成された被覆部７表面の算術平均高さＲａは、１μｍ以下とすることが好ましい。１μｍを超えるものとすれば、突起部３ａ頂面に形成された被覆部７をポリッシュ加工した際に発生した微細な粒子がこの部分に形成されたチップポケット内に入り込むおそれがある。そして、後にこの粒子が放出されることでパーティクル汚染が発生するおそれがあるからである。
【００５８】
次に、突起部３ａに関してさらに説明をする。      
突起部３ａの平面部３ｂに略平行な方向の断面は、任意の形状とすることができる。ただし、円などのように角部のない形状とすれば、割れや欠けなどを抑制することができる。
【００５９】
また、突起部３ａを略円柱状とする場合には、直径を０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下とすることが好ましい。０．１ｍｍ未満とすれば、突起部３ａの形成が困難となるからである。一方、１．０ｍｍを超えるものとすれば、被処理物との総接触面積が大きくなりすぎるため、擦れによるパーティクル汚染の増大と離脱応答性の悪化が生じるおそれがあるからである。    
尚、突起部３ａの直径が１．０ｍｍ、被覆部厚さが１０μｍの場合、突起部３ａを覆う被覆部７の直径は１．０２ｍｍとなる。
【００６０】
また、突起部３ａの頂面に形成された被覆部７の表面から平面部３ｂまでの寸法は、５μｍ以上、１５μｍ以下とすることが好ましい。５μｍ未満とすれば、被処理物を吸着した際に被処理物の載置側の面と平面部３ｂが露出している部分とが接触するおそれがあるからである。一方、１５μｍを超えるものとすれば、後述する空間クーロン力が弱まるため吸着力が不足するおそれがあるからである。
【００６１】
突起部３ａの配設ピッチ寸法は、２ｍｍ以上、１５ｍｍ以下とすることが好ましい。２ｍｍ未満とすれば、被処理物との総接触面積が大きくなりすぎるため、擦れによるパーティクル汚染の増大と離脱応答性の悪化が生じるおそれがあるからである。一方、１５ｍｍを超えるものとすれば、被処理物を吸着した際に被処理物の載置側の面と平面部３ｂが露出している部分とが接触するおそれがあるからである。
【００６２】
また、突起部３ａの高さ、突起部３ａの配設ピッチ寸法、被覆部７の厚さ、突起部３ａの周辺において平面部３ｂが被覆部７により覆われる範囲は、被処理物を静電吸着した際に、被処理物の載置側の面と被覆部７のうちの平面部３ｂ上に形成された部分の表面とが接触しないような寸法範囲とされている。
【００６３】
突起部３ａの頂面における被覆部の表面と被処理物との接触面積比は、０．００５％以上、１．５％以下とすることが好ましい。０．００５％未満とすれば突起部３ａの形成が困難となり、また、被処理物を吸着した際に被処理物の載置側の面と被覆部７のうちの平面部３ｂ上に形成された部分の表面とが接触するおそれがあるからである。一方、１．５％を超えるものとすれば、被処理物との総接触面積が大きくなりすぎるため、擦れによるパーティクル汚染の増大と離脱応答性の悪化が生じるおそれがあるからである。    
尚、突起部３ａと被処理物との接触面積比の計算には、前述のリング状突起部の面積を含めないことにする。
【００６４】
次に、被覆部７の下地に関して説明をする。    
被覆部７の下地、すなわち、突起部３ａと平面部３ｂの表面は、これらの上に形成される被覆部７の算術平均高さや密着力（剥離性）に大きな影響を及ぼす。そのため、突起部３ａと平面部３ｂの算術平均高さを所定の範囲内に収めることが重要となる。以下、被覆部７の下地に関して本発明者が得た知見について説明をする。
【００６５】
突起部３ａの頂面における算術平均高さＲａは、０．１５μｍ以上、０．３０μｍ以下とすることが好ましい。０．１５μｍ未満とすれば、突起部３ａの頂面に形成される被覆部７の密着力が低下し剥離が発生するおそれがあるからである。また、下地層の表面形状はその上に形成される被覆部７の表面に転写される。そのため、０．３０μｍを超えるものとすれば被覆部７の表面に形成される凹凸もその分大きくなり、平滑面を得るために要する時間（仕上げのためのポリッシュ加工時間）が長くなって生産性が著しく低下するからである。
【００６６】
密着力（剥離性）を向上させる観点からは、平面部３ｂの算術平均高さを少なくとも突起部３ａの頂面における算術平均高さより大きくすることが好ましい。この場合、平面部３ｂの算術平均高さＲａを０．１５μｍ以上、１．０μｍ以下とすることが好ましい。０．１５μｍ未満とすれば、平面部３ｂに形成される被覆部７の密着力が低下し剥離が発生するおそれがあるからである。
【００６７】
一方、１．０μｍを超えるような表面が形成される加工を行えば、突起部３ａの寸法精度が悪化するおそれがある。例えば、後述するサンドブラスト法を用いて平面部３ｂを形成させるとともにその算術平均高さＲａが１．０μｍを超えるようにするためには、通常より大きな粒子径の研磨材を使用する必要がある。そのため、突起部３ａを形成する際の寸法制御が困難となり高さ寸法精度が悪化するおそれがある。
【００６８】
次に、本実施の形態に係る静電チャック１の作用について説明をする。  
突起部３ａの頂面に形成された被覆部７の表面（載置面）に、被処理物（例えば、半導体ウェーハ等）を載置し、電源１０ａ、電源１０ｂにより電圧を電極４に印加する。このとき、被処理物と突起部３ａの頂面近傍とにそれぞれ異なる極性の電荷が発生し、この電荷間に働くクーロン力によって被処理物が吸着固定される。また、平面部３ｂの上方には空間３ｃが形成されるため、平面部３ｂとその上方の被処理物とにそれぞれ異なる極性の電荷が発生し、この電荷間に働くクーロン力（空間クーロン力）によって被処理物が吸着固定される。すなわち、静電チャック１は、突起部３ａ部分に生じるクーロン力と、平面部３ｂ部分に生じる空間クーロン力とによって被処理物を吸着固定する。
【００６９】
この場合、クーロン力が発生する部分（突起部３ａ部分）においては被処理物と被覆部７とが接触するためパーティクルが発生するおそれがある。そのため、本実施の形態においては、前述したような被覆部７表面の算術平均高さとすることでパーティクルの発生を抑制するようにしている。また、被覆部７の厚み寸法が前述した所定の範囲内に収まるようになっているので、吸着力のバラツキが低減される。
【００７０】
また、空間クーロン力が発生する部分（平面部３ｂの上方に形成される空間３ｃ部分）においては被処理物と平面部３ｂや被覆部７とが接触することがないため擦れにともなうパーティクルの発生がない。そのため、空間クーロン力が発生する部分を多くすることでパーティクル汚染の発生を大幅に低減させることができる。    
また、本実施の形態に係る静電チャック１においては、空間クーロン力が発生する部分を多くするとともに、被処理物が撓むなどして平面部３ｂや被覆部７と接触することを抑制することができるように前述したような突起部３ａの高さ寸法、配設ピッチ寸法、直径寸法、突起部３ａの頂面における被覆部の表面と被処理物との接触面積比などとしている。また、突起部３ａに関するこれらの条件は、空間クーロン力が発生する部分を多くしても適正な吸着力が得られるような条件でもある。尚、パーティクルの低減効果については後述する（表２を参照）。
【００７１】
また、前述したように、被覆部７で覆う部分を必要な範囲に限定しているので残留する電荷の量を抑制することができる。そのため、被処理物の離脱応答性を向上させることができ、また、安定した吸着力を得ることができる。    
また、外力が加わる部分と製造上剥離が発生しやすい被覆部７の端部とを離すようにしている。そのため、被処理物を吸着し離脱させる際、突起部３ａの頂面近傍において被覆部７を上方に引張るような外力（剥離方向に働く外力）が発生しても、被覆部７の端部においては被覆部７の端部を上方に引張るような外力（剥離方向に働く外力）を小さくすることができる。その結果、剥離の発生、進展を抑制することができる。    
また、製造上バリ・カエリが発生するおそれがある被覆部７の端部を被処理物の載置側の面から離隔させた位置に設けるようにしている。そのため、仮に被覆部７の端部にバリ・カエリがあったとしてもバリ・カエリが被処理物の載置側の面に触れることを防止することができる。その結果、被処理物の載置側の面に傷が入ることやパーティクル数が増加することを抑制することができる。
【００７２】
被処理物の処理においては、静電チャック１を介して被処理物の温度制御が行われる場合がある。本実施の形態に係る静電チャック１においては、流路８に冷却液や加熱液を流すことで被処理物の温度制御を行うことができる。尚、説明の便宜上、冷却液や加熱液を流し温度制御を行う場合を例示したが、ヒータなどの他の温度制御手段を設けるようにすることもできる。
【００７３】
また、図示しないガス供給手段から供給されたガス（例えば、ヘリウムガス）は、図示しない圧力制御手段や流量制御手段により圧力や流量が調整された後、貫通孔１１を通って平面部３ｂの上方に形成された空間３ｃに導入される。導入されたガスは空間３ｃを通り、全体にいきわたる。そして、導入されたガスにより熱伝導率が著しく高められるので、被処理物の加熱や冷却を効果的に行うことができる。
【００７４】
また、リング状突起部を、半導体ウェーハ等の被処理物の戴置面の外周部、及びガス導入用以外の貫通孔の周囲にリング状に配設し、前述のガスが漏出しないようにすることもできる。    
さらに、平面部３ｂに放射状、同心円状に設けられ、貫通孔１１と連通する図示しないガス分配溝（凹状の溝）を設けることで、ガス分配速度を早めることができる。  
尚、図示しないガス分配溝の内部に、被覆部７を形成するようにしてもよい。ガス分配溝の内部に被覆部７を形成すれば、被処理物と平面部３ｂとの間における放電の防止効果が期待できる。
【００７５】
次に、本発明者が行った各種測定の結果について説明をする。      
表２は、パーティクル数の測定結果を例示するための表である。    
【表２】
2010165805.tif 000004
表２からわかるように、本実施の形態に係る静電チャック１によればパーティクルの発生数を低減させることができる。例えば、特許文献１（特開２００６−２８７２１０号公報）において開示がされたものと比較すると、突起を有する静電チャックにおいて、突起の頂面だけを被覆部で覆ったもの（特許文献１の図２（ａ）のもの）の場合では５０００個程度、全面を被覆部で覆ったもの（特許文献１の図１（ａ）のもの）の場合では１０００個であったパーティクル数を、本発明の形態に係る静電チャック１では、７４０個と低減させることができた。
【００７６】
また、表２においては比較例として、被覆部のない（樹脂による被覆をしていない）静電チャックにおけるパーティクルの発生数を記載している。被覆部のない静電チャックにおいては、パーティクル数は３０５５個であり、本実施の形態における静電チャック１はこの様な静電チャックと比較してもパーティクルの発生数が少ないことがわかる。
【００７７】
表３は、サンドブラスト法を用いて形成した平面部３ｂの算術平均高さを例示するための表である。  
【表３】
2010165805.tif 000005
表３からわかるように、サンドブラスト法を用いて平面部３ｂを形成させるようにすれば、平面部３ｂの算術平均高さＲａを前述した範囲内（０．１５μｍ以上、１．０μｍ以下）に収めることができる。
【００７８】
表４は、下地の算術平均高さＲａと、下地−被覆部の密着強度、被覆部の成膜後（樹脂の被覆後）に行われるポリッシュ加工時間との関係を例示するための表である。  
【表４】
2010165805.tif 000006
表４からわかるように、下地の算術平均高さを０．１５μｍ以上とすれば、良好な密着強度を得ることができる。また、算術平均高さを大きくするほど密着強度を大きくすることができることもわかる。また、前述したように下地の表面形状はその上に形成される被覆部７の表面に転写されるので、算術平均高さを大きくしすぎると平滑面を得るために要する時間（ポリッシュ加工時間）が長くなりすぎることがわかる。
【００７９】
表５は、突起部３ａの頂面に形成された成膜直後の被覆部７の算術平均高さＲａと、突起部３ａの頂面に形成されたポリッシュ加工後の被覆部７の算術平均高さＲａとを例示するための表である。
【００８０】
【表５】
2010165805.tif 000007
表５からわかるように、ポリッシュ加工を行えば突起部３ａの頂面に形成された被覆部７表面（被処理物との接触面）の算術平均高さＲａを前述した範囲内（０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下）に収めることができる。
【００８１】
表６は、突起部３ａの配設ピッチを変えた場合における吸着力と被処理物（半導体ウェーハ）の撓みとの関係を例示するための表である。  
【表６】
2010165805.tif 000008
表６からわかるように、突起部３ａの配設ピッチを前述した範囲内（２ｍｍ以上、１５ｍｍ以下）に収めれば、吸着力が大きい場合においても被処理物（半導体ウェーハ）の撓み量（１．５５μｍ以下）を前述した突起部３ａの高さ寸法（２μｍ以上、１５μｍ以下）より小さくすることができる。そのため、被処理物の載置側の面と平面部３ｂに形成された被覆部７の表面との接触を防止することができる。
【００８２】
次に、本実施の形態に係る静電チャック１の製造方法について例示をする。  
図３は、静電チャックの製造方法を例示するためのフローチャートである。  
最初に誘電体基板３の形成方法を例示する。
【００８３】
まず、例えば、原料として平均粒子径０．１μｍ、純度９９．９９％以上のアルミナ原料粉末を用い、これに０．２ｗｔ％を超え、０．６ｗｔ％以下の酸化チタン（ＴｉＯ２）を混合粉砕し、アクリル系バインダーを添加、調整後スプレードライヤーで造粒し、顆粒粉を製造する。
【００８４】
次に、ＣＩＰ（ラバープレス）またはメカプレス成形後、所定の形状に加工し、１１５０℃〜１３５０℃の還元雰囲気下で焼成する。その後、ＨＩＰ処理（熱間等方圧加圧）を行う。ＨＩＰ処理の条件はＡｒガス１０００気圧以上とし、温度は焼成温度と同じ１１５０℃〜１３５０℃とする。このような条件によれば、相対密度が９９％以上と極めて緻密で、構成粒子の平均粒子径が２μｍ以下、２０±３℃のときに体積抵抗率が１０８〜１０１１Ωｃｍ、熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以上の誘電体基板３が得られる（ステップ１）。
【００８５】
尚、ここにいう平均粒子径とは、以下のプラニメトリック法で求められた粒子径である。まず、走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ；scanning electron microscope)で誘電体基板３の写真を撮り、この写真上に面積がＡの既知の円を描き、円内の粒子数ｎｃと円周にかかった粒子数ｎｉから下記の（１）式によって単位面積当たりの粒子数ＮＧを求める。
【００８６】
【数１】
2010165805.tif 000009
【００８７】
ここで示すｍは写真の倍率である。１／ＮＧが１個の粒子の占める面積であるから、平均粒子径は円相当径の下記の（２）式により求めることができる。
【００８８】
【数２】
2010165805.tif 000010
【００８９】
次に、誘電体基板３の一方の主面を研削加工した後に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法などにより前述のチタンまたはチタン化合物などからなる導電膜を形成し、この形成した膜をサンドブラスト法やエッチング法により所定の形状に成形することで所望の形状の電極４を形成する（ステップＳ２）。尚、電極４には電線９が適宜配線される。
【００９０】
次に、誘電体基板３の電極が設けられた主面と対向する側の主面に、サンドブラスト法を用いて突起部３ａと平面部３ｂとを形成する（ステップＳ３）。
【００９１】
突起部３ａと平面部３ｂとの形成においては、まず、誘電体基板３の当該主面を研磨し、その表面にレジストフィルムを貼り付け、感光、除去を行うことで所望の形状のマスクを形成させる（ステップＳ３ａ）。すなわち、平面部３ｂが形成される部分にはマスクがなく露出した状態とされ、突起部３ａが形成される部分はマスクにより覆われるようにする。
【００９２】
尚、誘電体基板３の当該主面を研磨することで、その算術平均高さＲａを０．１５μｍ以上、０．３０μｍ以下にする。後述するように、マスクにより覆われる部分が突起部３ａの頂面となるので、突起部３ａ頂面の算術平均高さが前述した範囲内（Ｒａで０．１５μｍ以上、０．３０μｍ以下）となるようにすることができる。
【００９３】
次に、サンドブラスト法を用いて誘電体基板３の当該主面のうちマスクにより覆われていない部分を除去する（ステップＳ３ｂ）。この場合、除去が行われた部分が平面部３ｂとなり、マスクにより覆われていたため除去がされなかった部分が突起部３ａとなる。  
このようにサンドブラスト法により突起部３ａと平面部３ｂとの形成を行うようにすれば、突起部３ａの高さの寸法精度を向上させることができる。そのため、平面部３ｂから被処理物までの寸法のバラツキを抑えることができるので、発現させる静電気力（空間クーロン力）のバラツキを抑制することができる。
【００９４】
尚、平面部３ｂの形成をサンドブラスト法により行うことで、表３に示すようにその算術平均高さが前述した範囲内（Ｒａで０．１５μｍ以上、１．０μｍ以下）となるようにすることができる。この場合、平面部３ｂの算術平均高さは少なくとも突起部３ａ頂面の算術平均高さよりも大きくなるようにされている。
【００９５】
次に、マスクを除去する（ステップＳ３ｃ）。    
尚、必要に応じて、突起部３ａの頂部のエッジを除去するようにしてもよい。
【００９６】
次に、突起部３ａと平面部３ｂとを覆うように樹脂を被覆する（ステップＳ４）。    
この被覆された樹脂が被覆部７となる。    
樹脂の材質は、例えば、ポリイミド樹脂とすることができる。尚、少なくともポリイミド樹脂を含むものとすることもできる。また、被覆された樹脂の厚み寸法が５μｍ以上、１５μｍ以下となるようにする。この場合、樹脂の被覆には、蒸着重合法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スピンコート法などの各種の成膜法を用いることができる。ただし、被覆された樹脂の厚み寸法のバラツキを±１０％以下とするためには、蒸着重合法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いることが好ましい。
【００９７】
次に、突起部３ａの頂面に被覆された樹脂の表面（被処理物との接触面）が滑らかとなるように仕上げる（ステップＳ５）。      
この場合、突起部３ａの頂面に被覆された樹脂表面の算術平均高さが、平面部３ｂに被覆された樹脂表面の算術平均高さより小さくなるように、突起部３ａの頂面に被覆された樹脂の表面が加工される。    
この際、突起部３ａの頂面に被覆された樹脂表面の算術平均高さが前述した範囲内（Ｒａで０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下）となるようにする。例えば、ポリッシュ加工を行うことによりこのような算術平均高さとすることができる。
【００９８】
次に、平面部３ｂに被覆された樹脂を切断及び除去することで被覆部７を形成する（ステップＳ６）。すなわち、平面部３ｂの上面に被覆された樹脂の一部を切断し、切断された樹脂を除去することで被覆部７を形成する。    
この場合、樹脂は、レーザ加工法またはウォータジェット加工法を用いて切断されるようにすることができる。  
例えば、除去する部分の境界部にＹＡＧレーザを照射し、被覆されている樹脂を切断する。その後、不要となる部分の樹脂を除去することで被覆部７を形成する。この際、ＹＡＧレーザを用いて樹脂を切断するようにすれば、バリ・カエリの発生を抑制することができるので、被覆部７の端部の品質を向上させることができる。    
また、被覆されている樹脂の切断には、ウォータジェット加工法などを用いるようにしてもよい。
【００９９】
一方、切削加工などにより流路８を備えた基台２を作成し、基台２の一方の主面に絶縁体層５を形成する（ステップＳ７）。    
この場合、基台２の全面に絶縁体層５を形成するようにすることもできる。また、流路８は、必要に応じて設けるようにすればよい。    
絶縁体層５は、溶射法やエアロゾルデポジション法などを用いて形成させることができる。
【０１００】
次に、誘電体基板３の電極４が設けられた主面と、基台２の絶縁体層５が設けられた主面と、を絶縁性接着剤を用いて接合する（ステップＳ８）。    
この際、電極４と電源１０ａ、電源１０ｂとが、電線９で接続できるように、基台２を貫通するようにして電線９を通しておく。絶縁性接着剤が硬化したものが接合層６となる。
【０１０１】
次に、必要に応じて被覆部７の表面などの洗浄を行う（ステップＳ９）。    
この場合、例えば、中性洗剤を用いた洗浄が行われた後にＩＰＡ（Isopropyl Alcohol）を用いた超音波洗浄が行われ、その後に超純水を用いた超音波洗浄が行われるようにすることができる。        
以上のようにして本実施の形態に係る静電チャック１を製造することができる。
【０１０２】
図４は、本発明の他の実施の形態に係る静電チャックを例示するための模式断面図であり、図５は、図４に示した静電チャックの製造方法の具体例を例示するためのフローチャートである。
【０１０３】
また、図４（ａ）は静電チャック１ａを例示するための模式断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＣ部の模式拡大図である。
【０１０４】
図３で説明をしたものとは、突起部３ａ、平面部３ｂの形成手順が異なる。すなわち、絶縁体層５と誘電体基板３の接合後に、サンドブラスト法により誘電体基板３の上面（電極が設けられた主面と対向する主面）に突起部３ａと平面部３ｂとを形成するようにする。
【０１０５】
具体的には、図３のステップＳ１と同様にして、原料から成形、焼成、ＨＩＰ処理を経て誘電体基板３を形成し（ステップＳ１１）、図３のステップＳ２と同様にして、誘電体基板３の一方の主面に電極を形成する（ステップＳ１２）。    
一方、絶縁体層５を形成する（ステップＳ１３）。  
そして、図３のステップＳ８と同様にして、誘電体基板３の電極４が設けられた主面と、絶縁体層５の主面と、を絶縁性接着剤を用いて接合する（ステップＳ１４）。
【０１０６】
次に、図３のステップＳ３ａと同様にして、誘電体基板３の電極４が設けられた主面と対向する側の主面を研磨し、その表面にレジストフィルムを貼り付け、感光させることで所望の形状のマスクを形成させる（ステップＳ１５ａ）。    
次に、図３のステップＳ３ｂと同様にして、サンドブラスト法を用いてマスクにより覆われていない部分を除去する（ステップＳ１５ｂ）。
【０１０７】
次に、図３のステップＳ３ｃと同様にして、マスクを除去する（ステップＳ１５ｃ）。
【０１０８】
次に、図３のステップＳ４と同様にして、突起部３ａと平面部３ｂとを覆うように樹脂を被覆する（ステップＳ１６）。    
次に、図３のステップＳ５と同様にして、突起部３ａの頂面に被覆された樹脂の表面（被処理物との接触面）が滑らかとなるように仕上げる（ステップＳ１７）。    
次に、図３のステップＳ６と同様にして、被覆された樹脂の切断及び除去を行うことで被覆部７を形成する（ステップＳ１８）。
【０１０９】
次に、図３のステップＳ９と同様にして、必要に応じて被覆部７の表面などの洗浄を行う（ステップＳ１９）。    
尚、各手順のおける内容は、図３において例示をしたものと同様のためその説明は省略する。
【符号の説明】
【０１１０】
１  静電チャック、１ａ  静電チャック、２  基台、３  誘電体基板、３ａ  突起部、３ｂ  平面部、３ｃ  空間、３ｄ  位置、４  電極、５  絶縁体層、６  接合層、７  被覆部、８  流路、９  電線、１０ａ  電源、１０ｂ  電源、１１  貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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