(57)【要約】      （修正有）【課題】液状樹脂の流出を防止し、チップ表面の配線を保護することにより、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面に、配線、電極パッド１４、チップ実装領域が設けられた第１平面視矩形状チップ１０を準備する工程と、配線を覆う保護膜を形成する工程と、第１平面視矩形状チップ１０の表面において、保護膜を覆い且つチップ実装領域を離間して囲み、チップ実装領域の所定の辺と該所定の辺に対向する辺との距離がチップ実装領域の他の辺と該他の辺に対向する辺との距離よりも長くなる位置にダム１６を形成する工程と、チップ実装領域に第２平面視矩形状チップ１２をフリップチップ実装する工程と、チップ実装領域の所定の辺とダム１６の該所定の辺に対向する辺との間に液状樹脂を吐出しアンダーフィル１８を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図１
2010050481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に、配線、電極パッド、及びチップ実装領域が設けられた第１平面視矩形状チップを準備する工程と、
前記配線を覆う保護膜を形成する工程と、
前記第１平面視矩形状チップの前記表面において、前記電極パッド、及び前記チップ実装領域の周囲に設けられた前記保護膜を覆い、且つ前記チップ実装領域を離間して囲み、該チップ実装領域の所定の辺と該所定の辺に対向する辺との距離が前記チップ実装領域の他の辺と該他の辺に対向する辺との距離よりも長くなる位置に第１ダムを形成する工程と、
前記チップ実装領域に第２平面視矩形状チップをフリップチップ実装する工程と、
前記チップ実装領域の所定の辺と前記第１ダムの該所定の辺に対向する辺との間の領域に液状樹脂を吐出し、前記第２平面視矩形状チップと前記第１平面視矩形状チップとの間に該液状樹脂を充填してアンダーフィルを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記アンダーフィルは、前記液状樹脂を前記チップ実装領域の全面に充填して形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１ダムは、ポリイミドからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１ダムは、内周部の少なくとも一隅に面取り部を有するよう形成したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アンダーフィルを形成する工程の前に、前記チップ実装領域の所定の辺と前記第１ダムの該所定の辺に対向する辺との間の領域に、前記チップ実装領域の側面に沿うように第２ダムを形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２ダムの長さが、前記第２平面視矩形状チップの側面の長さの３５％以上４８％以下であり、前記第２ダムの幅が、前記チップ実装領域の所定の辺と前記第１ダムの該所定の辺に対向する辺との間の距離の２％以上２４％以下であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記アンダーフィルを形成する工程の前に、前記チップ実装領域の他の辺と前記第１ダムの該他の辺に対向する辺との間、の少なくとも一つに、前記チップ実装領域の側面に沿うように第３ダムを形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第３ダムの長さが、前記第２平面視矩形状チップの側面の長さの８０％以上１２０％以下であり、第３ダムの幅が、前記チップ実装領域の他の辺と前記第１ダムの該他の辺に対向する辺との間の距離の８％以上３３％以下であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記アンダーフィルを形成する工程の前に、前記第１ダムの内周部の側面の少なくとも一つから、前記第２平面視矩形状チップに向けて突出するように第４ダムを形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１平面視矩形状チップを準備する工程が、前記チップ実装領域の所定の辺と前記第１ダムの該所定の辺に対向する辺との間となる領域に、更に他のチップ実装領域を有する第１平面視矩形状チップを準備する工程であり、
前記第１ダムを形成する工程が、前記チップ実装領域の所定の辺と前記他のチップ実装領域の該所定の辺に対向する辺との間の距離が、前記チップ実装領域と前記第１ダムとの間の距離および前記他のチップ実装領域と前記第１ダムとの間の距離より長くなるよう前記第１ダムを形成する工程であり、
前記第２平面視矩形状チップをフリップチップ実装する工程が、前記チップ実装領域および前記他のチップ実装領域のそれぞれに第２平面視矩形状チップをフリップチップ実装する工程であり、
前記アンダーフィルを形成する工程が、前記チップ実装領域の所定の辺と前記他のチップ実装領域の該所定の辺に対向する辺との間の領域に液状樹脂を吐出する工程であることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電極パッドは、前記第１平面視矩形状チップの表面における前記チップ実装領域の周囲に配置して形成したことを特徴とする請求項１〜請求項１０の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、基板に半導体チップをフリップチップ実装した導体記装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化や軽薄短小化の要求に伴って電子部品の高密度集積化や高密度実装化が進み、それにつれてフリップチップ実装を用いたＭＣＭ（マルチチップモジュール）又はＳＩＰ（システムインパッケージ）  タイプの半導体装置が主流になりつつある。この種の半導体装置の中には、インターポーザと称される実装基板に半導体チップをフリップチップ実装した構成を採用したものがある。
【０００３】
図１０は従来の半導体装置（例えば、特許文献１参照）の構成を示すもので、図中（Ａ）はその平面図、（Ｂ）はその断面図である。図示した半導体装置９００は、実装基板９１０、チップ９０３、ダム９０５、バンプ９０１、液状樹脂９０４によって構成されるものである。チップ９０３は、チップ実装領域の所定の辺と当該所定の辺に対応するダム９０５との間の距離Ｌ１１０が、前記チップ実装領域の他の辺と当該他の辺に対応するダム９０５との間の距離Ｌ１１２よりも長いことを特徴とするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２７６８７９公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
液状樹脂９０４は前記Ｌ１１０を表す領域に吐出され、チップ９０３と基板９１０との間の微小な空間に毛細管現象により引き込まれ、充填される。
しかしながら、前記微小な空間に充填され、尚且つチップの側面を覆うように、さらに液状樹脂９０４を吐出すると、液状樹脂９０４がダム９０５を乗り越え、電極パッド９０１まで到達し、さらには基板の側面にも流出する問題がある。
また、ダム９０５は基板９１０の一部分しか覆われていないが、基板９１０が代わりに配線が形成されたチップである場合には、液状樹脂９０４が流出すると、前記配線に液状樹脂が付着することになる。
さらには、最終的に製品にするために、チップ全体をフィラーが混入されている封止樹脂で封止するが、このフィラーが前記配線を覆っているパッシベーション膜を破壊し、該封止樹脂中のフィラーと前記配線とがショートする恐れがある。
【０００６】
本発明は、前記問題点に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、液状樹脂の流出を防止し、チップ表面の配線を保護することにより、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は鋭意検討した結果、下記の半導体装置の製造方法を用いることにより、上記問題を解決できることを見出し、上記目的を達成するに至った。
【０００８】
即ち、請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、表面に、配線、電極パッド、及びチップ実装領域が設けられた第１平面視矩形状チップを準備する工程と、前記配線を覆う保護膜を形成する工程と、前記第１平面視矩形状チップの前記表面において、前記電極パッド、及び前記チップ実装領域の周囲に設けられた前記保護膜を覆い、且つ前記チップ実装領域を離間して囲み、該チップ実装領域の所定の辺と該所定の辺に対向する辺との距離が前記チップ実装領域の他の辺と該他の辺に対向する辺との距離よりも長くなる位置に第１ダムを形成する工程と、前記チップ実装領域に第２平面視矩形状チップをフリップチップ実装する工程と、前記チップ実装領域の所定の辺と前記第１ダムの該所定の辺に対向する辺との間の領域に液状樹脂を吐出し、前記第２平面視矩形状チップと前記第１平面視矩形状チップとの間に該液状樹脂を充填してアンダーフィルを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
請求項１に記載の半導体装置の製造方法によると、液状樹脂を充填しても、第１ダムが設けられていることにより、前記第１ダムの内周部から液状樹脂が流出することがない半導体装置の製造方法が提供される。また、前記配線は第１ダムで覆われているので、チップ全体をフィラーが混入した封止樹脂で覆っても、前記配線を覆っているパッシベーション膜の破壊を抑制することができる半導体装置の製造方法が提供される。また、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によると、液状樹脂を吐出する位置が広く設けられていることになるため、液状樹脂を吐出する際に、前記第２平面視矩形状チップ、又は第１ダムに液滴が接触することがなく、確実に液状樹脂を開口部に吐出することができる半導体装置の製造方法が提供される。
請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、前記アンダーフィルは、前記液状樹脂を前記チップ実装領域の全面に充填して形成したことを特徴とする。
請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、前記第１ダムは、ポリイミドからなることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、前記第１ダムは、内周部の少なくとも一隅に面取り部を有するよう形成したことを特徴とする。
請求項４に記載の半導体装置の製造方法によると、請求項１の効果に加えて、面取り部を有することにより、第１平面視矩形状チップと第２平面視矩形状チップとの間に充填され周囲に広がるのと同時に、液状樹脂が第１ダムの境界に沿って全周に広がり易くなるため、前記内周部の全体に液状樹脂が行き渡り、チップ実装領域のすべてを液状樹脂で覆うことができる半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、前記アンダーフィルを形成する工程の前に、前記チップ実装領域の所定の辺と前記第１ダムの該所定の辺に対向する辺との間の領域に、前記チップ実装領域の側面に沿うように第２ダムを形成する工程を有することを特徴とする。
請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、前記第２ダムの長さが、前記第２平面視矩形状チップの側面の長さの３５％以上４８％以下であり、前記第２ダムの幅が、前記チップ実装領域の所定の辺と前記第１ダムの該所定の辺に対向する辺との間の距離の２％以上２４％以下であることを特徴とする。
請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、前記アンダーフィルを形成する工程の前に、前記チップ実装領域の他の辺と前記第１ダムの該他の辺に対向する辺との間、の少なくとも一つに、前記チップ実装領域の側面に沿うように第３ダムを形成する工程を有することを特徴とする。
請求項８に記載の半導体装置の製造方法は、前記第３ダムの長さが、前記第２平面視矩形状チップの側面の長さの８０％以上１２０％以下であり、第３ダムの幅が、前記チップ実装領域の他の辺と前記第１ダムの該他の辺に対向する辺との間の距離の８％以上３３％以下であることを特徴とする。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法は、前記アンダーフィルを形成する工程の前に、前記第１ダムの内周部の側面の少なくとも一つから、前記第２平面視矩形状チップに向けて突出するように第４ダムを形成する工程を有することを特徴とする。
請求項５〜請求項９に記載の半導体装置の製造方法によると、請求項１および請求項４の効果に加えて、開口部に吐出された液状樹脂が表面張力によりダムに沿って開口部中に広がるため、開口部全体をさらに覆いやすくなる半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法は、前記第１平面視矩形状チップを準備する工程が、前記チップ実装領域の所定の辺と前記第１ダムの該所定の辺に対向する辺との間となる領域に、更に他のチップ実装領域を有する第１平面視矩形状チップを準備する工程であり、前記第１ダムを形成する工程が、前記チップ実装領域の所定の辺と前記他のチップ実装領域の該所定の辺に対向する辺との間の距離が、前記チップ実装領域と前記第１ダムとの間の距離および前記他のチップ実装領域と前記第１ダムとの間の距離より長くなるよう前記第１ダムを形成する工程であり、前記第２平面視矩形状チップをフリップチップ実装する工程が、前記チップ実装領域および前記他のチップ実装領域のそれぞれに第２平面視矩形状チップをフリップチップ実装する工程であり、前記アンダーフィルを形成する工程が、前記チップ実装領域の所定の辺と前記他のチップ実装領域の該所定の辺に対向する辺との間の領域に液状樹脂を吐出する工程であることを特徴とする。
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法によると、請求項１および請求項４〜請求項９の効果に加えて、チップ実装領域に複数の第２平面視矩形状チップを設けても、液状樹脂が第１平面視矩形状チップと第２平面視矩形状チップとの間に同時に充填されるため、開口部全体に渡り均一なアンダーフィルを形成することができる半導体装置の製造方法が提供される。
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法は、前記電極パッドは、前記第１平面視矩形状チップの表面における前記チップ実装領域の周囲に配置して形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、液状樹脂の流出を防止し、チップ表面の配線を保護することにより、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（Ａ）は、参考例の参考第１実施形態に係る半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は、前記上面図におけるＡ−Ａ断面図である。
【図２】参考例の参考第１実施形態に係る半導体装置が、フィラーが混入している封止樹脂によりモールドされている図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の上面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置が、フィラーが混入している封止樹脂によりモールドされている図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の上面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る半導体装置が、フィラーが混入している封止樹脂によりモールドされている図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の上面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る半導体装置が、フィラーが混入している封止樹脂によりモールドされている図である。
【図９】本発明の半導体装置における工程断面図である。
【図１０】（Ａ）は従来技術の半導体装置の上面図であり、（Ｂ）は従来技術の半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の半導体装置の製造方法の最良の形態について、図面により説明する。なお、重複する説明は省略する場合がある。
【００１５】
＜半導体装置＞
〔参考第１実施形態〕
まず、参考例としての参考第１実施形態について示す。
図１（Ａ）は、参考例の参考第１実施形態に係る半導体装置１００の上面図であり、図１（Ｂ）は、前記上面図におけるＡ−Ａ断面図である。また、図２は、半導体装置１００が、フィラーが混入している封止樹脂によりモールドされている図である。
図１（Ａ）では、配線（不図示）、電極パッド１４、及びチップ実装領域が設けられた第１平面視矩形状チップ１０と、第１平面視矩形状チップ１０上に、電極パッド１４、及び内周部２０ａを有し、前記配線（不図示）を覆うように形成された第１ダム１６と、前記チップ実装領域にフリップチップ実装された第２平面視矩形状チップ１２と、第１平面視矩形状チップ１２と、の間に液状樹脂が充填されて形成されたアンダーフィル１８と、を有する。
図１（Ｂ）で、第１ダム１６は、電極パッド１４、及び内周部２０ａを有する。
図２では、第１平面視矩形状チップ１０の電極パッド１４と、第１平面視矩形状チップ１０の底面に配置されている配線基板２２上の電極パッド２４と、がボンディングワイヤ２６で電気的に接続されており、電極パッド１４、第１ダム１６、ボンディングワイヤ２６、アンダーフィル１８、第１平面視矩形状チップ１０、第２平面視矩形状チップ１２を覆うように、フィラーが混入された封止樹脂２８で封止されている。
各構成部位について詳述する。
【００１６】
〔第１平面視矩形状チップ〕
図１（Ｂ）において、第１平面視矩形状チップ１０は、略中央部にチップ実装領域が設けられており、その周囲には電極パッド１４が配置されている。また、第１平面視矩形状チップ１０の表面には配線（不図示）が設けられており、チップ実装領域のうち第２平面視矩形状チップ１２との接続部及び電極パッド１４が露出するようにパッシベーション膜（不図示）が設けられている。
【００１７】
〔第１ダム〕
図１（Ｂ）において、第１ダム１６は、電極パッド１４、及び内周部２０を設けており、図１（Ａ）より、その内周部は矩形状を有している。
第１ダム１６の材質は、絶縁性の材料であれば特に限定されないが、ダムの成形性、及び耐熱性の観点からポリイミドであることが好ましい。また、第２平面視矩形状チップ１２はパッシベーション膜で覆われているため、電極部とショートしなければ、導電性材料であっても構わない。
第１ダム１６の高さは、後述する液状樹脂が吐出後、アンダーフィル１８が形成されるまでの間に、電極パッド１４の方に流出しないような高さであれば特に限定されない。なお、第２平面視矩形状チップ１２が縦方向に複数段積層されている形態は、後述する実施形態２〜実施形態４でも同様である。
第１ダム１６は、第１平面視矩形状チップ１０の表面に形成されている配線を、前述した封止樹脂２８中のフィラーから保護する目的をも有する。
第１ダム１６は、前述した高さ、及び面積を有し、尚且つ、配線保護の観点から、第１平面視矩形状チップ１０上に形成された電気パッド１４と第１平面視矩形状チップ１０の端部との間の領域をも覆うように形成されている。
【００１８】
〔アンダーフィル、液状樹脂〕
図１（Ｂ）において、アンダーフィル１８は、第１平面視矩形状チップ１０と第２平面視矩形状チップ１２との間、及び第２平面視矩形状チップ１２の側面部を覆うように形成されている。液状樹脂は、第２平面視矩形状チップ１２が後述するフリップチップ実装された後、第１ダム１６と第２平面視矩形状チップ１２との間に吐出され、毛細管現象により第１平面視矩形状チップ１０と第２平面視矩形状チップ１２との間に引き込まれ、第２平面視矩形状チップ１２の側面部を覆うようにアンダーフィル１８が形成される。
この液状樹脂の材質は、チップ間隔が１０μｍ〜３０μｍである領域に注入する観点から、微小フィラーおよび低粘度であることが挙げられる。
【００１９】
〔第１平面視矩形状チップ、第２平面視矩形状チップ、チップ実装領域、フリップチップ実装〕
図１（Ｂ）において、第２平面視矩形状チップ１２は、第１平面視矩形状チップ１０のチップ実装領域にフリップチップ実装されている。このフリップチップ実装とは、第２平面視矩形状チップ１２の活性面を第１平面視矩形状チップ１０に向けた、いわゆるフェースダウンで第１平面視矩形状チップ１０に実装することをいう。また、第１平面視矩形状チップ１０との接続部は、半田等により電気的に接続されている。
また、第１平面視矩形状チップ１０上のチップ実装領域は、第２平面視矩形状チップ１２の面積と同程度の平面視矩形状に区画されている。
第１平面視矩形状チップ１０と第２平面視矩形状チップ１２との間隔は、前述した液状樹脂が毛細管現象により第１平面視矩形状チップ１０と第２平面視矩形状チップ１２との間に引き込まれるような間隔であれば特に限定されない。
【００２０】
〔配線、電極パッド〕
本発明の半導体装置において、第１平面視矩形状チップ１０上には、配線（不図示）、及び電極パッド１４が設けられている。
配線（不図示）、及び電極パッド１４の材質としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ等の従来の金属を用いることができる。
【００２１】
〔封止樹脂〕
図２では、図１に示した半導体装置１００をフィラーが混入された封止樹脂２８で封止されている。
封止樹脂２８の材質としては、例えば、エポキシ樹脂等が挙げられる。
また、封止樹脂２８には、耐環境性（ヒートサイクル等）を向上させる観点から、フィラーが混入される。ここで用いられるフィラーとしては、Ａｌ２Ｏ３、シリカ  等の粒子を用いることができる。これらの形状は、球状が望ましいが、異形状であってもよい。
【００２２】
〔第２実施形態〕
以下においては、本発明の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置を、単に「本発明の半導体装置」と称す。
本発明の半導体装置における好ましい態様である第２実施形態を図３に示す。図３（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置２００の上面図であり、図４は、半導体装置２００が、フィラーが混入している封止樹脂４２によりモールドされている断面図である。
図３（Ａ）の領域３６に液状樹脂を吐出すると、図３（Ｂ）のように液状樹脂が、第２平面視矩形状チップ１２の下部、及び内周部４０ａの側面に沿って広がり、図３（Ｃ）に示すように内周部４０ａの全面に液状樹脂が充填される。
図３に示す半導体装置２００は、チップ実装領域が矩形状に露出された内周部４０ａの少なくとも一隅に面取り部３４を有する。液状樹脂が内周部全面に広がり易くなる点で好ましい。従って、面取り部３４は、図３に示すように、４隅に設けられていることがより好ましい態様として挙げられる。
面取り部３４は、Ｃ面であってもＲ面であってもよい、
Ｃ面の場合、Ｃ面部の長さがＬ１で、角度が４５°であることが好ましい。Ｒ面の場合、Ｒ面の半径がＬ１の１５０％〜１８０％であることが好ましく、１６０％〜１７０％であることが特に好ましい。
【００２３】
さらに、本発明の半導体装置における好ましい態様である第２実施形態は、前記第２平面視矩形状チップ１２の所定の辺と前記第１ダムとの間の距離が、前記第２平面視矩形状チップの他の辺と前記第１ダム３２との間の距離よりも長い領域を有する。
ここで、「前記第２平面視矩形状チップの所定の辺と前記第１ダムとの間の距離」とは、例えば、図３（Ａ）中のＬ１を表す。また、「前記第２平面視矩形状チップの他の辺と前記第１ダムとの間の距離」とは、例えば、図３（Ａ）中のＬ２を表す。
「前記平面視矩形状チップの所定の辺と該所定の辺に対応する前記基板の端部との間の距離が、前記平面視矩形状チップの他の辺と該他の辺に対応する前記基板の端部との間の距離よりも長い領域」とは、領域３６で表される領域を示す。
このＬ１とＬ２との関係は、Ｌ１＞Ｌ２であり、その比は、Ｌ１：Ｌ２＝７：２〜６：１であることが好ましい。この範囲にすることにより、液状樹脂を吐出する位置を容易に設定することができ、液状樹脂を吐出する際の漏れ等を抑制することができる。
このようにして設けられた内周部４０ａを有する半導体装置における第２実施形態の断面図を図４に示す。
内周部４０ａに設けられた第２平面視矩形状チップ１２は、領域３６を設けたことにより、偏った箇所に配置されていることがわかる。
また、液状樹脂により形成されたアンダーフィル４２が内周部４０ａの全面を覆っているので、第１平面視矩形状チップ１０の表面を覆っているパッシベーション膜が破壊されることなく、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００２４】
〔第３実施形態〕
本発明の半導体装置における好ましい態様である第３実施形態を図５に示す。図５（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置３００の上面図であり、図６は、半導体装置３００が、フィラーが混入している封止樹脂６２によりモールドされている断面図である。
図５に示す半導体装置３００は、領域５６に、第２平面視矩形状チップ１２の側面に沿うように形成された第２ダム５０を有する。また、第２平面視矩形状チップ１２の他の辺と第１ダム３２との間、の少なくとも一つに、第２平面視矩形状チップ１２の側面に沿うように形成された第３ダム５２を有する。さらに、内周部６０ａの側面の少なくとも一つから、第２平面視矩形状チップ１２に向けて突出するように形成された第４ダム５４を有する。
これらのダムを形成することにより、領域５６に吐出された液状樹脂の流れを制御することができ、内周部６０ａ中に広がるため、液状樹脂により内周部６０ａ全体をさらに覆いやすくなる。
【００２５】
−第２ダム−
第２ダム５０の長さＬ３は、第２平面視矩形状チップ１２の側面の長さの３５％以上４８％以下であることが好ましい。第２ダム５０の幅Ｌ４は、前記第２平面視矩形状チップ１２の所定の辺と前記第１ダム３２との間の距離Ｌ１の２％以上２３％以下であることが好ましい。このような第２ダム５０は、領域５６において複数存在してもよい。第２ダム５０の長さＬ３が、第２平面視矩形状チップ１２の側面の長さの１／２未満である場合には、図５に示すように、第２平面視矩形状チップ１２の側面に沿って、複数並べて配置されていてもよい。さらに好ましくは、第２平面視矩形状チップ１２の側面に並列に複数配置されていてもよい。
第２ダムが複数配置されている場合には、隣接する第２ダム５０の距離は、液状樹脂の毛細管現象を発現させる観点から、第２ダム５０の幅Ｌ４の９％以上４００％以下であることが好ましい。
【００２６】
−第３ダム−
第３ダム５２は、図５中のＬ２で表される領域に配置されている。この第３ダム５２を配置することにより、液状樹脂の流れを内周部６０ａの外周部に沿って広げるように制御することができる。
第３ダム５２の長さＬ５は、第２平面視矩形状チップ１２の側面の長さの８０％以上１２０％以下であることが好ましい。また、第３ダム５２の幅Ｌ６は、第２平面視矩形状チップ１２の側面から第１ダム３２までの長さＬ２の８％以上３３％以下であることが好ましい。
【００２７】
−第４ダム−
第４ダム５４は、内周部６０ａの側面の少なくとも一つから、第２平面視矩形状チップ１２に向けて突出するように形成されている。
第２ダム５０の長さＬ３が、第２平面視矩形状チップ１２の側面の長さの１／２未満である場合には、図５に示すように第４ダム５４を設けることが好ましい。この第４ダム５０により、液状樹脂の流れをさらに制御し、内周部６０ａの全域に広げることができる。
第４ダム５４の幅Ｌ８は、ダム加工上の観点から、第２ダム５０の幅と同様であることが望ましい。第４ダム５４の長さＬ７は、液状樹脂流動の観点からの観点から、第２平面視矩形状チップ１２の側面と第１ダム３２との間の長さＬ１の２０％〜５０％であることが好ましい。
第４ダム５４は、第２平面視矩形状チップ１２と第１ダム３２との間の距離にもよるが、内周部６０ａのいずれの側面にも形成されていることが好ましい。また、第４ダム５４の位置は、液状樹脂が均一に広がるように、内周部６０ａの側面の中央部に位置することが好ましい。
【００２８】
第２ダム５０、第３ダム５２、及び第４ダム５４の材質、高さは、製造を容易に行う観点から、前述した第１の材質と同様である。
【００２９】
〔第４実施形態〕
本発明の半導体装置における好ましい態様である第４実施形態を図７に示す。図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置４００の上面図であり、図８は、半導体装置４００が、フィラーが混入している封止樹脂８２によりモールドされている断面図である。
本発明の半導体装置である弟４実施形態は、図７に示すように、チップ実装領域の同一平面上に、複数の前記第２平面視矩形状チップ７２（チップ実装領域に実装された第２平面視矩形状チップと他のチップ実装領域に実装された第２平面視矩形状チップ）を備え、隣接する第２平面視矩形状チップ７２間の距離（前記チップ実装領域の所定の辺と前記他のチップ実装領域の該所定の辺に対向する辺との間の距離）Ｌ７０が第２平面視矩形状チップ７２と第１ダム１６との間の距離（前記チップ実装領域と前記第１ダムとの間の距離および前記他のチップ実装領域と前記第１ダムとの間の距離）Ｌ８０より長いことを特徴とする。
二つの隣接する第２平面視矩形状チップ７２間の領域７４が、チップ実装領域の略中央部に配置されている。これにより、チップ実装領域に複数の第２平面視矩形状チップ７２を設けても、液状樹脂が第１平面視矩形状チップ１０と第２平面視矩形状チップ７２との間に同時に充填されるため、内周部８０ａ全体に渡り均一なアンダーフィルを形成することができる。
領域７４が、第２平面視矩形状チップ７２と第１ダム１６との間に位置していると、液状樹脂を吐出した後、隣接する第２平面視矩形状チップ７２との間で毛細管現象により、液状樹脂が第２平面視矩形状チップ７２の下部に充填され難いためである。
隣接する複数の前記第２平面視矩形状チップ７２の距離Ｌ７０は、液状樹脂を確実に内周部８０ａに吐出する観点から、第２平面視矩形状チップ７２と第１ダム１６との間の距離Ｌ８０の１００％以上４００％以下であることが好ましい。
また、第２平面視矩形状チップ７２の数は、第２平面視矩形状チップ７２の面積とチップ実装面積とに依存するものであるので、特に個数に限定されるものではない。
【００３０】
＜半導体装置の製造方法＞
本発明の半導体装置の製造方法は、例えば、以下のように製造することができる。例として、参考第１実施形態の製造工程の略を説明する。
−第１工程−
図９（Ａ）に示すように、所定の半導体製造プロセス（成膜プロセス等）を経て得られた電極パッド１４が形成された第１平面視矩形状チップ１０を準備し、第１平面視矩形状チップ１０上には、電極パッド１４、及びチップ実装領域が露出するような内周部２０ａを有する第１ダム１６を形成する。
−第２工程−
次いで、チップ実装領域に、第２平面視矩形状チップ１２をフリップチップ実装し、第２平面視矩形状チップ１２と第１ダム１６との間に液状樹脂を吐出する。この吐出された液状樹脂は、第１平面視矩形状チップ１０と第２平面視矩形状チップ１２との間に毛細管現象により引き込まれ、引き込まれた液状樹脂が、吐出した面とは反対側の面にも流れ出る。その後、熱硬化しアンダーフィル１８を形成する。
次いで、第１平面視矩形状チップ１０を配線基板２２上に搭載する。
−第３工程−
その後、第１平面視矩形状チップ１０の電極パッド１４と配線基板２２上の電極パッド２４とをボンディングワイヤ２６で電気的に接続する。
−第４工程−
最後に、シリカからなる粒子が混入した封止樹脂２８で全面を覆い、第１実施形態の半導体装置が完成する。
【００３１】
上記工程の他、第１の工程で第１平面視矩形状チップ１０をウエハ状態で準備し、前記第２工程のアンダーフィル１８を形成した後、該ウエハをダイシングすることにより、第２平面視矩形状チップ１２が搭載された第１平面視矩形状チップ１０を作製し、その後、第１平面視矩形状チップ１０を配線基板２２上に搭載してよい。
【００３２】
以上のように、本発明の半導体装置は、液状樹脂の流出を防止し、尚且つ、配線上にパッシベーション膜を保護するようにダムが形成されていることにより、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００３３】
なお、本実施形態は、限定的に解釈されるものではなく、本発明の要件を満足する範囲内で実現可能であることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００３４】
１０  第１平面視矩形状チップ
１２、７２  第２平面視矩形状チップ
１４、２４  電極パッド
１６、３２  第１ダム
１８  アンダーフィル
２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ  内周部
２２  配線基板
２６  ボンディングワイヤ
２８、４２、６２、８２  封止樹脂
３４  面取り部
３６、５６、７４  領域
５０  第２ダム
５２  第３ダム
５４  第４ダム
１００、２００、３００、４００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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