(57)【要約】【課題】可燃性ガスを大量に含んだ排ガスを除害処理したときでも逆火のおそれがなく、かつ、従来の入口スクラバに比べて排ガスの洗浄効果を高めることができる排ガス除害装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置から排出される、可燃性ガスを含む排ガスＦを洗浄する洗浄水Ｗを貯留する洗浄水タンク２０と、下流端２２ｂが洗浄水タンク２０に貯留された洗浄水Ｗ中に開口され、排ガスＦを洗浄水タンク２０の導入する排ガス導入ダクト２２とを有する排ガス洗浄器１２、および排ガス洗浄器１２で洗浄された排ガスＦを受け入れ、排ガスＦ中の熱分解性ガスを熱分解する熱分解炉１４で排ガス除害装置１０を構成することにより、上記課題を解決することができる。【選択図】図１
2010023000.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置から排出される、可燃性ガスを含む排ガスを洗浄する洗浄水を貯留する洗浄水タンクと、下流端が前記洗浄水タンクに貯留された前記洗浄水中に開口され、前記半導体製造装置からの前記排ガスを前記洗浄水タンクに導入する排ガス導入ダクトとを有する排ガス洗浄器、および
前記排ガス洗浄器で洗浄された前記排ガスを受け入れ、前記排ガス中の熱分解性ガスを熱分解する熱分解炉を備える排ガス除害装置。
【請求項２】
前記排ガス洗浄器は、肉厚方向に複数の貫通孔が形成され、前記洗浄水中において前記排ガス導入ダクトの下流端部から突設された排ガス分散板をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の排ガス除害装置。
【請求項３】
前記排ガス洗浄器における前記排ガス導入ダクトの下流端部には、切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の排ガス除害装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置からの排ガスを除害する排ガス除害装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ装置やエッチャーなどの半導体製造装置で使用されるガスには、爆発性を有するシラン系ガス（例えば、ＳｉＨ4やＳｉＨ2Ｃｌ2）や、毒性を有するリン系ガス（例えば、ＰＨ3）、ヒ素系ガス（例えば、ＡｓＨ3）、ホウ素系ガス（例えば、Ｂ2Ｈ6）などが使用されている。これらガスは、半導体製造装置に供給され、半導体ウェハーを処理した後、排ガスとして排出される。この排ガス内には、未反応ガスが残留しており、また、半導体製造装置内での反応によって新たに生成された有害成分が含まれている。したがって、この排ガスをそのまま大気放出することは非常に危険であり、近年では、排ガス除害装置（特許文献１参照）を用いて排ガスに除害処理を施すことによって、有毒ガスの濃度を許容値以下にまで低減するようにしている。
【０００３】
特許文献１に開示された従来の排ガス除害装置１は、図４に示すように、該排ガス除害装置１に導入された排ガスＦ中の水溶性成分ガスを捕集する入口側スクラバ２と、排ガスＦ中の有害成分を加熱分解する加熱分解反応器３と、加熱分解処理がされた排ガスＦを洗浄する出口側スクラバ４とを備えている。
【０００４】
この排ガス除害装置１を用いて排ガスＦを除害する際には、まず、排ガスＦが入口側スクラバ２に与えられ、排ガスＦ中に含まれている水溶性成分ガスと、排ガスの種類によって発生する粉塵とがスプレー水ＳＰによって捕集される。続いて、水分を含む排ガスが加熱分解反応器３へ与えられる。加熱分解反応器３では、排ガスＦがヒータ５で加熱されることによって排ガスＦ中に含まれる有害成分が加熱分解される。加熱分解処理された排ガスＦは、出口側スクラバ４を通って水洗された後、大気放出される。
【特許文献１】特開２００２−３１６０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の排ガス除害装置１には、以下のような問題があった。すなわち、水素等の水に溶け難い可燃性ガス（以下、単に「可燃性ガス」という）を大量に含んだ排ガスＦを排出する太陽電池製造装置等の半導体製造装置にこの排ガス除害装置１を適用したとき、排ガス除害装置１の加熱分解反応器３に導入される（つまり、入口側スクラバ２を通過した）排ガスＦには未だに大量の可燃性ガスが含まれており、この可燃性ガスが加熱分解反応器３において加熱分解用の熱を受けて排ガスＦ中の酸素と結びつくことによって火炎が生じる。
【０００６】
このようにして加熱分解反応器３で生じた火炎が排ガスＦの流れに逆らって該排ガスＦ中の可燃性ガスに伝播していき、その結果、入口側スクラバ２を遡って太陽電池製造装置等に至るまで逆火するおそれがあった。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の問題に鑑みて開発されたものである。それゆえに本発明の主たる課題は、可燃性ガスを含んだ排ガスを除害処理したときにおいて、逆火のおそれがない排ガス除害装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載した発明は、「半導体製造装置から排出される、可燃性ガスを含む排ガスＦを洗浄する洗浄水Ｗを貯留する洗浄水タンク２０と、下流端２２ｂが前記洗浄水タンク２０に貯留された前記洗浄水Ｗ中に開口され、前記半導体製造装置からの前記排ガスＦを前記洗浄水タンク２０に導入する排ガス導入ダクト２２とを有する排ガス洗浄器１２、および前記排ガス洗浄器１２で洗浄された前記排ガスＦを受け入れ、前記排ガスＦ中の熱分解性ガスを熱分解する熱分解炉１４を備える排ガス除害装置１０」である。
【０００９】
この排ガス除害装置１０の排ガス洗浄器１２では、排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂが洗浄水タンク２０に貯留された洗浄水Ｗ中に開口しているので、半導体製造装置から排ガス除害装置１０に導入された排ガスＦは必ず洗浄水Ｗ中に放散され、洗浄水Ｗ中に放散された該排ガスＦがこの洗浄水Ｗの水面に至るまでの間に洗浄された後、熱分解炉１４へ導入されることになる。
【００１０】
加えて、熱分解炉１４に導入された排ガスＦが加熱されることにより、該排ガスＦに含まれる水素等の可燃性ガスが排ガスＦ中の酸素と結びついて火炎が生じ、この火炎が排ガスＦの流れに逆らって伝播していったとしても、火炎が洗浄水Ｗを通過して排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂから排ガス導入ダクト２２内に伝播することはない。
【００１１】
請求項２に記載した発明は、請求項１に記載の排ガス除害装置１０に関し、「前記排ガス洗浄器１２は、肉厚方向に複数の貫通孔３２が形成され、前記洗浄水Ｗ中において前記排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃから突設された排ガス分散板２３をさらに有する」ことを特徴とする。
【００１２】
上述のように、半導体製造装置から排ガス除害装置１０に導入された排ガスＦは、排ガス洗浄器１２の洗浄水Ｗ中に放散されるが、このとき、洗浄水Ｗ中の排ガスＦの気泡が細かいほど排ガスＦ中の加水分解性あるいは水溶性ガスや粉塵が洗浄水Ｗと接触し易くなり、排ガス洗浄器１２における排ガスＦの洗浄効果を高めることができる。
【００１３】
この排ガス除害装置１０における排ガス洗浄器１２には、肉厚方向に複数の貫通孔３２が形成された排ガス分散板２３が、洗浄水Ｗ中において排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃから突設されているので、排ガス導入ダクト２２から洗浄水Ｗ中に放散された排ガスＦは、洗浄水Ｗの水面に至るまでの間に該排ガス分散板２３に形成された複数の貫通孔３２を通過することになる。排ガスＦが排ガス分散板２３の貫通孔３２を通過する際、排ガスＦの気泡は、貫通孔３２の径に応じて細かくなる。
【００１４】
また、排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂから排出された排ガスＦは、排ガス分散板２３の貫通孔３２を通過する前に排ガス分散板２３の下面側で一時滞留することになるので、排ガスＦが洗浄水Ｗ中に滞留する時間は排ガス分散板２３が存在しない場合に比べて長くなる。このように排ガスＦが洗浄水Ｗ中に滞留する時間が長くなると、それだけ排ガスＦ中の加水分解性あるいは水溶性ガスや粉塵が洗浄水Ｗと接触する機会が増える。
【００１５】
以上のことから、この排ガス洗浄器１２によれば、排ガスＦの洗浄効果をさらに高めることができる。
【００１６】
請求項３に記載した発明は、請求項１または２に記載の排ガス除害装置１０に関し、「前記排ガス洗浄器１２における前記排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃには、切り欠き３０が形成されている」ことを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂから洗浄水Ｗ中に流出しようとする排ガスＦは、排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃの形成された切り欠き（＝ノッチ）３０によってその流れが積極的に乱されることにより、より細かい気泡となって洗浄水Ｗ中に放散される。このように排ガスＦをより細かい気泡として洗浄水Ｗ中に放散することにより、排ガスＦの洗浄効果をさらに高めることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の排ガス除害装置によれば、熱分解炉で生じた火炎が排ガス導入ダクトの下流端から排ガス導入ダクト内に伝播することを防止できるので、可燃性ガスを含んだ排ガスを除害処理したときにおいて逆火のおそれがない。また、従来の入口スクラバに比べて排ガスの洗浄効果を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の好適な実施例を図１に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明に係る排ガス除害装置１０の概略構成図である。排ガス除害装置１０は、排ガス洗浄器１２、熱分解炉１４、および出口スクラバ１６で構成されている。
【００２０】
排ガス洗浄器１２は、洗浄水タンク２０と排ガス導入ダクト２２と排ガス分散板２３とを有している。
【００２１】
洗浄水タンク２０は、半導体製造装置からの排ガスＦを洗浄する洗浄水Ｗを貯留する内部空間Ａを有し、天面２０ａが設けられた容器である。また、洗浄水タンク２０は、出口スクラバ１６の洗浄水タンク４８（後述）と一体的に形成されており、仕切板２４によって排ガス洗浄器１２の洗浄水タンク２０と、出口スクラバ１６の洗浄水タンク４８とに分けられている。もちろん、排ガス洗浄器１２の洗浄水タンク２０と出口スクラバ１６の洗浄水タンク４８とを互いに別体で形成してもよい。
【００２２】
また、仕切板２４の下端は、洗浄水タンク２０、４８の内側底面から離間しており、洗浄水タンク２０に貯留された洗浄水Ｗと洗浄水タンク４８に貯留された洗浄水Ｗとが互いに行き来できるようになっている。
【００２３】
また、洗浄水タンク２０の天面２０ａには、排ガス導入ダクト２２が挿通される排ガス導入ダクト挿通孔２６と、熱分解炉１４の内部空間Ｂおよび洗浄水タンク２０の内部空間Ａを互いに連通するための熱分解炉連通孔２８とが設けられている。
【００２４】
排ガス導入ダクト２２は、半導体製造装置からの排ガスＦを洗浄水タンク２０に導入するダクトであり、その図示しない一端（＝上流端）２２ａは半導体製造装置に接続され、他端（＝下流端）２２ｂは、洗浄水タンク２０の内部空間Ａに貯留された洗浄水Ｗ中に開口されている。また、排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃには、切り欠き（＝ノッチ）３０が形成されている。なお、排ガスＦを洗浄水Ｗ中に放出する勢いを増すため、排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃの径を他の部分に比べて絞るように形成してもよい。
【００２５】
排ガス分散板２３は、その肉厚方向に複数の貫通孔３２が形成された板材であって、洗浄水Ｗ中において排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃから突設されている。本実施例では、排ガス分散板２３の略中央部に排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃを挿通する挿通孔２３ａが設けられており、排ガス分散板２３の表裏面が洗浄水Ｗの水面に対して平行になるように配設した状態で、排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃが排ガス分散板２３に挿通されており、排ガス分散板２３は、排ガス導入ダクト２２の下流端部２２ｃの周囲を囲繞するようになっている。もちろん、排ガス分散板２３と排ガス導入ダクト２２とを一体的に形成してもよい。また、排ガス分散板２３として網材を用いてもよい。
【００２６】
熱分解炉１４は、ケーシング３４と、一対のヒータ３６ａ、３６ｂとで構成されている。
【００２７】
ケーシング３４は、ヒータ３６ａ、３６ｂからの熱に耐えられるようにその内側に耐熱性材が積層された鋼板で形成され、その底面が開口した筒状体である。
【００２８】
このケーシング３４の内部空間Ｂには、当該内部空間Ｂを入口側チャンバ３８と出口側チャンバ４０とに二分する仕切壁４２が設けられており、仕切壁４２の上端がケーシング３４の内側天面から離間して配設されることにより、入口側チャンバ３８と出口側チャンバ４０とがその上端部において互いに連通するようになっている。
【００２９】
さらに、仕切板２４の下端が洗浄水タンク２０の仕切板２４の上端に接続されることにより、入口側チャンバ３８の下端は、熱分解炉連通孔２８を介して洗浄水タンク２０の内部空間Ａと互いに連通され、出口側チャンバ４０の下端は、後述する熱分解炉連通孔６４を介して出口スクラバ１６における洗浄水タンク４８の内部空間Ｃと互いに連通されている。これにより、洗浄水タンク２０の内部空間Ａと入口側チャンバ３８と出口側チャンバ４０と洗浄水タンク４８の内部空間Ｃとがこの順で連通されている。
【００３０】
ヒータ３６ａ、３６ｂは、ケーシング３４の天面から内部空間Ｂに挿設された直管状の電気ヒータであり、一方のヒータ３６ａは、入口側チャンバ３８に配設され、他方のヒータ３６ｂは、出口側チャンバ４０に配設されている。なお、電気ヒータに替えて、大気圧プラズマあるいは燃料バーナなど他の熱源を用いてもよい。
【００３１】
出口スクラバ１６は、ケーシング４４と、水噴射手段４６と、洗浄水タンク４８とを備えている。
【００３２】
ケーシング４４は、その内部に熱分解炉１４から排出された排ガスＦを通流させる内部空間Ｄを有する円筒状体であり、その下端は、洗浄水タンク４８の天面４８ａのケーシング連通孔６６に接続されており、その上端は、排ガス排出ダクト５０を介して図示しない排ガス排出先に接続されている。これにより、洗浄水タンク４８の内部空間Ｃとケーシング４４の内部空間Ｄと排ガス排出先とがこの順で連通されている。
【００３３】
また、排ガス排出ダクト５０には、排気ファン５２が取り付けられており、この排気ファン５２が稼働することによって排ガス除害装置１０の内部が常時負圧（＝大気圧よりも低い圧力）に保たれている。このため、熱分解処理前の排ガスＦや処理済みの高温の排ガスＦが誤って排ガス除害装置１０から外部へ漏れ出すことがない。
【００３４】
ここで、排ガス除害装置１０の内部圧力制御についてより具体的に説明すれば、排ガス洗浄器１２における洗浄水タンク２０の内部空間Ａの上部には、洗浄水タンク２０内の圧力を測定する圧力測定器５３が取り付けられており、また、排ガス除害装置１０には、信号線１００を介して圧力測定器５３からの圧力値信号を受け入れ、当該圧力値に基づいて排気ファン５２の回転数等を調節して洗浄水タンク２０内を所定の負圧に制御する圧力制御回路１０２が設けられている。これら圧力測定器５３、圧力制御回路１０２および排気ファン５２が協働して、排ガス除害装置１０の内部圧力が調整される。
【００３５】
水噴射手段４６は、水噴射管５４と水噴射ポンプ５６とで構成されている。
【００３６】
水噴射管５４は、その内部において、洗浄水タンク４８に貯留された洗浄水Ｗを通流させる洗浄水通流空間Ｅを有するパイプであり、その一端がケーシング４４の内部空間Ｄにおいて開口されており、他端が洗浄水タンク４８に接続されている。なお、熱分解炉１４から排出される排ガスＦに含まれる固形成分の粒径が大きく、水噴射管５４の洗浄水通流空間Ｅが閉塞するおそれのある場合には、粒径の大きい固形成分を捕捉する濾過フィルタ５８を洗浄水タンク４８における水噴射管５４の接続位置に取り付けてもよい（もちろん、濾過フィルタ５８を水噴射管５４に取り付けてもよい）。
【００３７】
洗浄水タンク４８は、天面４８ａが設けられた、内部空間Ｃを有する容器であり、上述のように、排ガス洗浄器１２の洗浄水タンク２０と一体的に形成されている。また、洗浄水タンク４８には、洗浄水Ｗを洗浄水タンク４８（および洗浄水タンク２０）へ供給する水供給配管６０が接続されており（洗浄水Ｗを洗浄水タンク４８内に注ぐようにしてもよいし、洗浄水タンク４８内で細かい液滴として噴霧してもよい）、さらに、洗浄水タンク４８の側面底部には、洗浄水タンク４８（および洗浄水タンク２０）に貯留された洗浄水Ｗを外部に排出するための水排出配管６２が接続されている。また、洗浄水タンク４８の天面４８ａには、熱分解炉１４の出口側チャンバ４０および洗浄水タンク４８の内部空間Ｃを互いに連通するための熱分解炉連通孔６４と、洗浄水タンク４８の内部空間Ｃおよびケーシング４４の内部空間Ｄを互いに連通するためのケーシング連通孔６６とが設けられている。
【００３８】
なお、本実施例の排ガス除害装置１０における熱分解炉１４を除く他の部分には、排ガス除害装置１０に導入された当初から排ガスＦに含まれる、あるいは、排ガスＦを熱分解することによって生じるフッ酸など腐食性の加水分解ガスあるいは水溶性ガスによる腐食から各部を守るため、塩化ビニル、ポリエチレン、不飽和ポリエステル樹脂およびフッ素樹脂などによる耐腐食性のライニングやコーティングが施されている。
【００３９】
また、上述した水排出配管６２に代えて、図２に示すように、洗浄水タンク２０、４８からのオーバーフロー水ＯＷを貯留する水貯留タンク７０と、洗浄水タンク２０、４８および水貯留タンク７０を互いに連通する連通配管７２とを設けてもよい。さらに、必要に応じて、水貯留タンク７０に貯留されたオーバーフロー水ＯＷを再び洗浄水タンク２０、４８に循環する水循環配管７４と、水循環配管７４に取り付けられた水循環ポンプ７６とを設けてもよい。
【００４０】
水貯留タンク７０は、その天面７０ａに水貯留タンク７０内と大気（外気）とを互いに連通する大気連通孔７８と、その側面７０ｂにオーバーフロー水ＯＷを外部へ排出する排出孔８０とを有している。
【００４１】
連通配管７２は、一端が洗浄水タンク２０の側面に接続されており、他端が水貯留タンク７０に貯留されたオーバーフロー水ＯＷの水面よりも低い位置に開口されたパイプである。つまり、連通配管７２における一端部の内面下端の位置が洗浄水タンク２０、４８の水面位置となる。
【００４２】
図２の排ガス除害装置１０によれば、排ガス洗浄器１２等における内部空間Ａを負圧に維持しつつ、排ガスＦからの固形成分や加水分解性ガスあるいは水溶性ガスを含んだ洗浄水Ｗを水貯留タンク７０に排出することができる。排出された洗浄水Ｗに対応する量の新たな洗浄水Ｗが水供給配管から洗浄水タンク２０、４８に導入されることはいうまでもない。
【００４３】
また、水貯留タンク７０に貯留されたオーバーフロー水ＯＷの一部は、水循環配管７４および循環ポンプ７６によって再び洗浄水タンク２０、４８に戻されるので、洗浄水Ｗを無駄なく使用することができる。
【００４４】
次に、本実施例の排ガス除害装置１０の作用について説明する（図１参照）。図示しない半導体製造装置から排出された排ガスＦは、排ガス導入ダクト２２を介して排ガス洗浄器１２の洗浄水タンク２０に貯留された洗浄水Ｗ中に導入される。そして、排ガスＦ中の固形成分（粉塵など）、および加水分解性ガスあるいは水溶性ガス（もちろん、排ガスＦが固形成分を含んでいない場合もある）は、洗浄水Ｗに捕捉される。なお、加水分解性の腐食性ガスの例として、化１に示すように、ジクロールシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）を挙げることができる。
ＳｉＨ2Ｃｌ2＋２Ｈ2Ｏ  →  ＳｉＯ2＋２ＨＣｌ＋２Ｈ2  （化１）
【００４５】
このとき、排ガス洗浄器１２には、排ガス分散板２３が水平方向（もちろん、完全に水平でなく、多少、勾配があってもよい）に配設されているので、排ガス導入ダクト２２から洗浄水Ｗ中に放散された排ガスＦは、洗浄水Ｗの水面に至るまでの間に排ガス分散板２３に形成された複数の貫通孔３２を通過することになる。排ガスＦが排ガス分散板２３の貫通孔３２を通過する際、排ガスＦの気泡は、貫通孔３２の径に応じて細かくなる。
【００４６】
また、排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂから排出された排ガスＦは、排ガス分散板２３の貫通孔３２を通過する前に排ガス分散板２３の下面側で一時滞留することになるので、排ガスＦが洗浄水Ｗ中に滞留する時間は排ガス分散板２３が存在しない場合に比べて長くなる。
【００４７】
さらに、排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂから洗浄水Ｗ中に流出しようとする排ガスＦは、当該下流端２２ｂの周方向に形成された切り欠き３０（＝ノッチ）によってその流れが積極的に乱されることにより、より細かい気泡となって洗浄水Ｗ中に放散される。このように排ガスＦをより細かい気泡として洗浄水中に放散する。さらに洗浄水Ｗ中における排ガスＦをさらに積極的に乱すため、洗浄水タンク２０、４８内に攪拌スクリュー（図示せず）を設けてもよい。
【００４８】
なお、洗浄水Ｗ中において、排ガス分散板２３を排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂよりもやや深い位置に配設してもよく（図示せず）、この場合、排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂから洗浄水Ｗ中に放散された排ガスＦが、その勢いで該下流端２２ｂの位置よりも深い位置まで到達する際に排ガス導入ダクト２２の貫通孔３２を通過することになる。
【００４９】
以上のとおり排ガスＦの気泡を十分に細かくするとともに、洗浄水Ｗ中における排ガスＦの滞留時間を長くすることにより、排ガスＦ中の加水分解性あるいは水溶性ガスや粉塵が洗浄水Ｗと接触する機会を極大化することができ、その結果、排ガス洗浄器１２における排ガスＦの洗浄効果を十分に高めることができる。
【００５０】
排ガス洗浄器１２で洗浄された低温湿潤の排ガスＦは、洗浄水タンク２０における内部空間Ａの上部から熱分解炉連通孔２８を通って熱分解炉１４の入口側チャンバ３８および出口側チャンバ４０内をこの順に通流する。このとき、入口側チャンバ３８および出口側チャンバ４０は、それぞれヒータ３６ａ、３６ｂからの熱によって十分な高温に保たれているので、入口側チャンバ３８および出口側チャンバ４０に導入された排ガスＦは直ちに熱分解される（例えば、化２ないし化４を参照）。
ＣＦ4＋２Ｈ2Ｏ      →  ＣＯ2＋４ＨＦ                （化２）
ＳｉＨ2Ｃｌ2＋Ｏ2   →  ＳｉＯ2＋３ＨＣｌ            （化３）
ＳｉＨ4＋２Ｈ2Ｏ    →  ＳｉＯ2＋４Ｈ2                （化４）
【００５１】
このとき、熱分解炉１４に導入された排ガスＦに含まれる可燃性ガスが排ガスＦ中の酸素と結びつくことによって火炎が生じ、この火炎が排ガスＦの流れに逆らって伝播していったとしても、火炎が洗浄水タンク２０において洗浄水Ｗを通過して排ガス導入ダクト２２の下流端２２ｂから排ガス導入ダクト２２内に伝播することはない。したがって、可燃性ガスを含んだ排ガスＦを除害処理したときにおいても逆火のおそれがない。
【００５２】
熱分解処理を受けた排ガスＦは、出口側チャンバ４０の下端を通って出口スクラバ１６の洗浄水タンク４８の内部空間Ｃに導入される。
【００５３】
内部空間Ｃに導入された排ガスＦは、出口スクラバ１６のケーシング４４の下端からその内部空間Ｄに導入され、水噴射管５４から噴射された洗浄水Ｗと気液接触する。このとき、排ガスＦ中に含まれる固形成分、および加水分解成分あるいは水溶性の腐食性ガスは、ほぼ完全に排ガスＦから除去される。
【００５４】
そして、十分な洗浄と温度低減がなされた排ガスＦは、排気ファン５２を通って排ガス排出先から大気中へと放出される。
【００５５】
なお、上述の実施例では、熱分解炉１４で熱分解処理された排ガスＦを洗浄する出口スクラバ１６を設けているが、熱分解処理を受けた排ガスＦ中に加水分解成分あるいは水溶性の腐食性ガスが含まれていない場合（例えば、太陽電池製造装置からの排ガスＦを熱分解処理したときには、水とＳｉＯ2（＝固形成分）とが生成されるだけで、加水分解成分あるいは水溶性の腐食性ガスは生成されない）には、出口スクラバ１６に代えて、図３に示すように、排ガスＦから固形成分を除去する濾過式集塵機９０を設けてもよい。
【００５６】
濾過式集塵機９０は、内部空間を有する密閉式のケーシング９２と、その内部空間を上下に仕切る仕切板９４と、仕切板９４に複数設けられた貫通孔９６に取り付けられ、排ガスＦの固形成分（粉塵）を濾過する複数のフィルタ９８とを有しており、熱分解炉１４の出口側チャンバ４０と排気ファン５２とを互いに連通する排ガス排出ダクト５０に取り付けられている。
【００５７】
また、濾過式集塵機９０と出口側チャンバ４０との間の排ガス排出ダクト５０には、熱分解炉１４から排出された高温の排ガスＦを上記フィルタ９８の耐熱温度以下の温度まで冷却する冷却器９９が取り付けられている。なお、冷却器９９の冷却方式は、排ガスＦを冷却するができればどのようなものであってもよく、例えば、電気式のチラーで冷却した水を循環する方式や吸収式冷却器でダクトを覆う方式などが挙げられる。
【００５８】
この排ガス除害装置１０は、出口側チャンバ４０から冷却器９９、濾過式集塵機９０および排気ファン５２を介して外部に排出されるまで排ガスＦは乾式処理するものであり、熱分解炉１４で熱分解処理を受け、固形成分（粉塵）を含む排ガスＦは、冷却器９９でフィルタ９８の耐熱温度よりも低い所定の温度まで冷却された後、濾過式集塵機９０に導入される。濾過式集塵機９０に導入された排ガスＦは、フィルタ９８を通過した後、排気ファン５２を介して排出される。排ガスＦがフィルタ９８を通過する際、排ガスＦ中の固形成分（粉塵）がフィルタ９８で濾過される。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明に係る排ガス除害装置の概略構成図。
【図２】他の実施例に係る排ガス除害装置の概略構成図。
【図３】さらに別の実施例に係る排ガス除害装置の概略構成図。
【図４】従来技術を示す概略構成図。
【符号の説明】
【００６０】
１０…排ガス除害装置
１２…排ガス洗浄器
１４…熱分解炉
１６…出口スクラバ
２０…（排ガス洗浄器）洗浄水タンク
２２…排ガス導入ダクト
２３…排ガス分散板
２４…仕切板
２６…排ガス導入ダクト挿通孔
２８…熱分解炉連通孔
３０…切り欠き
３２…貫通孔
３４…（熱分解炉の）ケーシング
３６ａ、３６ｂ…ヒータ
３８…入口側チャンバ
４０…出口側チャンバ
４２…仕切壁
４４…（出口スクラバの）ケーシング
４６…水噴射手段
４８…（出口スクラバ）洗浄水タンク
５０…排ガス排出ダクト
５２…排気ファン
５３…圧力測定器
５４…水噴射管
５６…水噴射ポンプ
５８…濾過フィルタ
６０…水供給配管
６２…水排出配管
６４…熱分解炉連通孔
６６…ケーシング連通孔
７０…水貯留タンク
７２…連通配管
７４…水循環配管
７６…循環ポンプ
７８…大気連通孔
８０…排出孔
９０…濾過式集塵機
９２…ケーシング
９４…仕切板
９６…貫通孔
９８…フィルタ
９９…冷却器
１００…信号線
１０２…圧力制御回路
【図１】
2010023000.tif 000003
【図２】
2010023000.tif 000004
【図３】
2010023000.tif 000005
【図４】
2010023000.tif 000006