(57)【要約】【課題】ＷＬ−ＣＳＰにおいて、チップ単位でトレーサビリティ管理を行うための指標が、チップを一切、大型化することなく、かつ短時間でチップに形成された半導体装置を提供する。【解決手段】チップ５０の側面５０ｓ１〜５０ｓ４における少なくとも２辺以上の側面に、ウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定する指標３１〜３４が、側面によって異なるようそれぞれ形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2010165936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から切り出した半導体チップを具備する半導体装置であって、
前記半導体チップの切断面における少なくとも２辺以上の前記切断面に、前記基板における前記半導体チップの位置を特定する指標が、前記切断面によって異なるようそれぞれ形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記指標は、前記基板から前記半導体チップを切り出す際、前記切断面毎に切断装置を異ならせて切り出したことにより形成された切断痕によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記指標は、前記基板から前記半導体チップをレーザ照射によるレーザダイシングによって切り出す際、前記切断面毎に前記レーザの照射パターンを変えることにより形成されたレーザ痕によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記照射パターンは、前記レーザの照射間隔を変える、または前記レーザの照射出力を変える、若しくはレーザの照射時間を変えることにより構成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップ内に、前記基板における前記半導体チップの位置を特定する、前記指標とは異なる指標がさらに形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップ内に形成された前記指標は、前記半導体チップの最上層に露光により形成された記号から構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップ内に形成された前記指標は、前記半導体チップ内にレーザ照射により形成された改質層から構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体チップが複数構成された基板から前記半導体チップを複数切り出す半導体装置の製造方法であって、
切り出し後の前記各半導体チップの切断面における少なくとも２辺以上に、前記基板における前記半導体チップの位置を特定する指標が前記切断面によって異なってそれぞれ形成されるよう、前記基板に複数の切断ラインを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記指標は、前記切断ライン毎に、前記切断に用いる切断装置を異ならせて形成することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板から前記半導体チップを切り出す工程は、レーザ照射によるレーザダイシングを用い、
前記指標は、前記切断ライン毎に前記レーザの照射パターンを変えることにより形成することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記照射パターンを、前記レーザの照射間隔を変える、または前記レーザの照射出力を変える、若しくはレーザの照射時間を変えることにより形成することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体チップ内に、前記基板における前記半導体チップの位置を特定する、前記指標とは異なる指標をさらに形成する工程を具備していることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体チップ内に形成する前記指標は、前記基板に構成された複数の前記半導体チップの内、少なくとも２チップ以上の前記半導体チップの集合体毎に露光を用いて形成し、前記露光を数回に分けて前記各集合体に行うことにより、全ての前記半導体チップに形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記露光は、前記集合体内において、前記半導体チップ毎に異なる記号を形成することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体チップ内に形成する前記指標は、前記半導体チップ内にレーザ照射することにより、改質層を発生させることにより形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体チップが複数構成された基板から前記半導体チップを複数切り出す半導体装置の製造装置であって、
切り出し後の前記各半導体チップの切断面における少なくとも２辺以上に、前記基板における前記半導体チップの位置を特定する指標が前記切断面によって異なってそれぞれ形成されるよう、前記基板に複数の切断ラインを形成する部材を具備していることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板から切り出した半導体チップを具備する半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置においては、ウエハレベルチップサイズパッケージ（以下、ＷＬ−ＣＳＰと称す）タイプのものが周知である。ＷＬ−ＣＳＰにおいては、複数の半導体チップ（以下、単にチップと称す）が構成された基板（以下、ウエハと称す）から複数のチップを切り出した後、各チップをパッケージ化する技術が知られている。
【０００３】
また、ＷＬ−ＣＳＰにおいては、複数のチップが構成されたウエハ単位で、トレーサビリティ管理を行うのが一般的である。具体的には、ウエハ製造の際に、ウエハに、例えばロット番号を記載することによってトレーサビリティ管理を行っている。ウエハ単位でトレーサビリティ管理を行えば、パッケージ化された半導体装置に不具合が発生した際、どのウエハから製造された半導体装置であるかを、製造者は容易に認識することができる。
【０００４】
しかしながら、ウエハ単位でトレーサビリティ管理を行うと、製造者は、不具合が発生した半導体装置がどのウエハから製造されたかは認識できるが、ウエハのどの位置に構成されていたチップであるかは認識できないといった問題があった。
【０００５】
よって、チップ単位でトレーサビリティ管理が行える方法が望まれていた。尚、チップ単位でのトレーサビリティ管理は、ウエハに、例えば数百から数千のチップが構成されている場合において特に重要である。
【０００６】
このような事情に鑑み、特許文献１には、ウエハの各チップに対する半導体集積回路の露光工程において、各チップの表面または裏面に、識別の際の指標となるロット番号、ウエハ番号、ウエハ内位置座標等の個別管理情報を、露光装置を用いて、全てのチップに転写することにより、チップ単位でトレーサビリティ管理を行える構成を開示している。
【０００７】
また、その他にも、レーザ等で、チップ内に上述した個別管理情報を書き込む構成や、チップの不揮発性メモリに、上述した個別管理情報を書き込む構成も周知である。
【特許文献１】特開２０００−２２８３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、上述した特許文献１に開示された構成では、全てのチップに、上述した個別管理情報を露光するには、専用の露光用マスクを用意しなくてはならない他、露光シーケンスが複雑になり製造時間が増加してしまうといった問題があるばかりか、個別管理情報を転写する領域が各チップに必要となるためチップサイズが大きくなってしまうといった問題があった。さらには、ウエハに数千のチップが構成されている場合、１回の露光によって、全てのチップに個別管理情報を露光するのは、構造上難しいといった問題がある。
【０００９】
また、レーザでチップ内に個別管理情報を書き込む構成においては、個別情報を書き込む仕様のレーザ装置は高価であるばかりか、個別管理情報をチップ毎に書き込むのに時間がかかってしまうといった問題がある。さらに、特許文献１と同様に、個別管理情報を書き込む領域が各チップに必要となるため、チップサイズが大きくなってしまうといった問題があった。
【００１０】
さらに、チップの不揮発性メモリに個別管理情報を書き込む構成においては、不揮発メモリを搭載したチップ以外には適用できないといった問題がある他、メモリや読み出し回路に不具合が発生すると、情報が読み出せなくなってしまうといった問題があった。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、ＷＬ−ＣＳＰにおいて、チップ単位でトレーサビリティ管理を行うための指標が、チップを一切、大型化することなく、かつ短時間でチップに形成された半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため本発明による半導体装置は、基板から切り出した半導体チップを具備する半導体装置であって、前記半導体チップの切断面における少なくとも２辺以上の前記切断面に、前記基板における前記半導体チップの位置を特定する指標が、前記切断面によって異なるようそれぞれ形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、半導体装置の製造方法は、半導体チップが複数構成された基板から前記半導体チップを複数切り出す半導体装置の製造方法であって、切り出し後の前記各半導体チップの切断面における少なくとも２辺以上に、前記基板における前記半導体チップの位置を特定する指標が前記切断面によって異なってそれぞれ形成されるよう、前記基板に複数の切断ラインを形成することを特徴とする。
【００１４】
さらに、半導体装置の製造装置は、半導体チップが複数構成された基板から前記半導体チップを複数切り出す半導体装置の製造装置であって、切り出し後の前記各半導体チップの切断面における少なくとも２辺以上に、前記基板における前記半導体チップの位置を特定する指標が前記切断面によって異なってそれぞれ形成されるよう、前記基板に複数の切断ラインを形成する部材を具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ＷＬ−ＣＳＰにおいて、チップ単位でトレーサビリティ管理を行うための指標が、チップを一切、大型化することなく、かつ短時間でチップに形成された半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、それぞれの部材の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１７】
（第１実施の形態）
図１は、本実施の形態を示す半導体装置に用いられる半導体チップを、各側面の切断面を模式的に示した図とともに示す平面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施の形態の半導体装置に用いる半導体チップ（以下、単にチップと称す）５０は、後述する図２に示すようなチップ５０が複数構成された、例えばシリコンから形成された基板（以下、ウエハと称す）１００から、例えば平面視した形状が矩形状に切り出されて形成されたものである。よって、チップ５０の４つの側面５０ｓ１〜５０ｓ４は、切断面を構成している。
【００１９】
また、チップ５０の４つの側面５０ｓ１〜５０ｓ４に、ウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定する指標３１〜３４が、側面５０ｓ１〜５０ｓ４によって異なるようにそれぞれ形成されている。
【００２０】
尚、指標は、全ての側面５０ｓ１〜５０ｓ４に形成されている必要はなく、側面５０ｓ１〜５０ｓ４の内、少なくとも２辺以上の側面に、互いに指標が異なるよう形成されていれば構わない。
【００２１】
また、指標３１〜３４は、様々な手法により形成される。例えば、指標３１〜３４は、ウエハ１００からチップ５０を切り出す際、側面５０ｓ１〜５０ｓ４毎に切断装置を異ならせて切り出すことにより形成されたそれぞれ異なる切断痕によって構成されていても良い。
【００２２】
具体的に一例を挙げると、側面５０ｓ１の指標３１は、パルスレーザ（以下、単にレーザと称す）の照射によるレーザダイシングによって切り出された切断痕により構成され、側面５０ｓ２の指標３２は、砥石を用いたダイシングによって切り出された切断痕により構成され、側面５０ｓ３の指標３３は、ドライエッチングによって切り出された切断痕により構成され、側面５０ｓ４の指標３４は、スクライブブレイクによって切り出された切断痕によって構成されていても構わない。
【００２３】
また、指標３１〜３４は、ウエハ１００からチップ５０をレーザダイシングのみによって切り出す際、側面５０ｓ１〜５０ｓ４毎に、レーザの照射パターンを変えることにより形成されたそれぞれ異なるレーザ痕によって構成されていても構わない。
【００２４】
具体的には、側面５０ｓ１〜５０ｓ４毎に、レーザの照射間隔を変える、またはレーザの照射出力を変える、若しくはレーザの照射時間を変えることにより、レーザ痕を異ならせても構わない。尚、レーザダイシングを用いた指標３１〜３４の詳しい形成方法は、後述する。
【００２５】
さらに、指標３１〜３４は、ウエハ１００からチップ５０を、砥石を用いたダイシングのみによって切り出す際、側面５０ｓ１〜５０ｓ４毎に砥石の粗さを変えることにより形成されたそれぞれ異なる切断痕によって構成されていても構わない。
【００２６】
尚、側面５０ｓ１〜５０ｓ４毎に、指標３１〜３４を異ならせる手法は、以上の手法に限定されない。その中で、以下、一例として、レーザダイシングにより、側面５０ｓ１〜５０ｓ４毎に、指標３１〜３４を異ならせる手法を、図２〜図６を用いて説明する。
【００２７】
図２は、複数のチップが構成されたウエハに、レーザの照射によって切断ラインが形成された状態を示す平面図、図３は、図２の切断ラインの一例を示す部分断面図、図４は、図３とは異なる図２の切断ラインを示す部分断面図、図５は、図３、図４とは異なる図２の切断ラインの一例を示す部分断面図、図６は、図３〜図５とは異なる図２の切断ラインの一例を示す部分断面図である。
【００２８】
尚、以下、図２に示すように、説明を簡略化するため、ウエハ１００には、チップ５０が３２個構成されている場合を例に挙げて説明するが、チップの個数は、３２個に限定されないことは勿論である。
【００２９】
図２に示すように、ウエハ１００から複数のチップ５０−１〜チップ５０−３２を切り出す際は、製造者は、先ず、切り出し後の各チップ５０−１〜チップ５０−３２の側面５０ｓ１〜５０ｓ４における少なくとも２辺以上の側面に、ウエハ１００における各チップの位置を特定する上述した指標が、互いに異なってそれぞれ形成されるよう、ウエハ１００に複数の切断ライン１〜１４を形成する。
【００３０】
具体的には、例えば既知の図示しないステルスダイシング装置を用いて、切断ライン毎に、レーザの照射間隔を変える、またはレーザの照射出力を変える、若しくはレーザの照射時間を変えることにより、切断ライン１〜１４を形成する。尚、切断ライン１〜１４を形成する際は、ウエハ１００に複数の切断ライン１〜１４を形成する部材である図示しない照射部からレーザを、ウエハ１００に対して該ウエハ１００の厚み方向ｚに出力した後、図示しないステージを用いてウエハ１００を、該ウエハ１００の表面１００ｆの面内におけるｘ、ｙ方向に移動させることにより、切断ライン１〜１４を、ｘ、ｙ方向において直線状に形成する。
【００３１】
より具体的には、切断ライン１、２、１３、１４を形成する場合には、図３に示すように、ウエハ１００の厚み方向ｚの表面１００ｆ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射し、またウエハ１００の厚み方向ｚの裏面１００ｒ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射するとともに、ウエハ１００の厚み方向ｚにおける表面１００ｆ側の改質層２１と裏面１００ｒ側の改質層２１との間の中間層に、ｘ方向またはｙ方向に沿って、２個ずつ所定の間隔を有して改質層２２が形成されるようレーザ照射することにより、改質層２１、２２からなるパターンαの切断ラインを形成する。尚、改質層２２は、ｘ、ｙ方向におけるレーザのオンオフにより、レーザの照射間隔を変えることにより形成する。
【００３２】
その結果、図１中における切り出し後のチップ５０−１〜チップ５０−４のｘ方向の両側面、チップ５０−５〜チップ５０−１０のｘ方向の左側面、チップ５０−５、５０−１１、５０−１７、５０−２３のｙ方向の両側面、チップ５０−１、５０−６、５０−１２、５０−１８、５０−２４、５０−２９のｙ方向の上側側面には、指標３１〜３４におけるいずれかの指標が形成される。
【００３３】
次に、切断ライン３、４、１１、１２を形成する場合には、図４に示すように、ウエハ１００の厚み方向ｚの表面１００ｆ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射し、またウエハ１００の厚み方向ｚの裏面１００ｒ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射するとともに、ウエハ１００の厚み方向ｚにおける表面１００ｆ側の改質層２１と裏面１００ｒ側の改質層２１との間の中間層に、ｘ方向またはｙ方向に沿って、所定の間隔を有して２個、１個、２個、１個・・・と、改質層２３が形成されるようレーザ照射することにより、改質層２１、２３からなるパターンβの切断ラインを形成する。尚、改質層２３は、レーザのオンオフにより、ｘ、ｙ方向におけるレーザの照射間隔を、改質層２２とは変えることにより形成する。
【００３４】
その結果、図１中における切り出し後のチップ５０−５〜チップ５０−１０のｘ方向の右側面、チップ５０−１１〜チップ５０−１６のｘ方向の両側面、チップ５０−１７〜チップ５０−２２のｘ方向の左側面、チップ５０−１、５０−６、５０−１２、５０−１８、５０−２４、５０−２９のｙ方向の下側側面、チップ５０−２、５０−７、５０−１３、５０−１９、５０−２５、５０−３０のｙ方向の両側面、チップ５０−３、５０−８、５０−１４、５０−２０、５０−２６、５０−３１のｙ方向の上側側面には、指標３１〜３４におけるいずれかの、パターンαによって形成された指標とは異なる指標が形成される。
【００３５】
次に、切断ライン５、６、９、１０を形成する場合には、図５に示すように、ウエハ１００の厚み方向ｚの表面１００ｆ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射し、またウエハ１００の厚み方向ｚの裏面１００ｒ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射するとともに、ウエハ１００の厚み方向ｚにおける表面１００ｆ側の改質層２１と裏面１００ｒ側の改質層２１との間の中間層に、ｘ方向またはｙ方向に沿って、大きさが一部異なる改質層２４が形成されるようレーザ照射することにより、改質層２１、２４からなるパターンγの切断ラインを形成する。尚、改質層２４は、一部、レーザの照射出力または照射時間を変えることにより形成する。
【００３６】
その結果、図１中における切り出し後のチップ５０−１７〜チップ５０−２２のｘ方向の右側面、チップ５０−２３〜５０−２８のｘ方向の両側面、チップ５０−２９〜５０−３２のｘ方向の左側面、チップ５０−３、５０−８、５０−１４、５０−２０、５０−２６、５０−３１のｙ方向の下側側面、チップ５０−４、５０−９、５０−１５、５０−２１、５０−２７、５０−３２のｙ方向の両側側面、チップ５０−１０、５０−１６、５０−２２、５０−２８のｙ方向の上側側面には、指標３１〜３４におけるいずれかの、パターンα、βによって形成された指標とは異なる指標が形成される。
【００３７】
次に、切断ライン７、８を形成する場合には、図６に示すように、ウエハ１００の厚み方向ｚの表面１００ｆ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射し、またウエハ１００の厚み方向ｚの裏面１００ｒ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射するとともに、ウエハ１００の厚み方向ｚにおける表面１００ｆ側の改質層２１と裏面１００ｒ側の改質層２１との間の中間層に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射することにより、改質層２１からなるパターンσの切断ラインを形成する。
【００３８】
その結果、図１中における切り出し後のチップ５０−２９〜チップ５０−３２のｘ方向の右側面、チップ５０−１０、５０−１６、５０−２２、５０−２８のｙ方向の下側側面には、指標３１〜３４におけるいずれかの、パターンα、β、γによって形成された指標とは異なる指標が形成される。
【００３９】
以上から、ウエハ１００の構成された全てのチップ５０−１〜５０−３２に、切り出し後、各チップ毎に、少なくとも２辺以上が異なる指標を形成することができる。一例を挙げると、チップ５０−１は、ｘ方向の両側面とｙ方向の上側側面が、パターンαの切断ラインによる指標が形成され、ｙ方向の下側側面にパターンβの切断ラインによる指標が形成されているのに対し、チップ５０−１９は、ｙ方向の両側側面とｘ方向の左側側面に、パターンβの切断ラインによる指標が形成され、ｘ方向の右側側面に、パターンγの切断ラインによる指標が形成されていることから、切り出し後のチップの側面を見ることによって、ウエハ１００のどの位置に構成されていたチップであるかを容易に認識することができる。
【００４０】
このように、本実施の形態においては、チップ５０の４つの側面５０ｓ１〜５０ｓ４の内、少なくとも２つ以上の側面に、ウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定する指標が、側面５０ｓ１〜５０ｓ４によって異なるようにそれぞれ形成されていると示した。
【００４１】
また、ウエハ１００から複数のチップ５０−１〜チップ５０−３２を切り出す際は、切り出し後の各チップ５０−１〜チップ５０−３２の側面５０ｓ１〜５０ｓ４における少なくとも２辺以上の側面に、ウエハ１００における各チップの位置を特定する上述した指標が、互いに異なってそれぞれ形成されるよう、ウエハ１００に複数の切断ライン１〜１４を形成すると示した。
【００４２】
このことによれば、切断後のチップ５０の側面５０ｓ１〜５０ｓ４の指標を見るだけで、側面の指標は、チップ５０毎に異なるよう形成されていることから、チップ５０がウエハ１００のどの位置に構成されていたのかを、製造者は容易に認識することができる。
【００４３】
また、通常、ウエハ１００からチップ５０を切り出すダイシング装置を用いて指標を形成することができるため、専用の装置や治具を不要として、短時間かつ、容易に指標を形成することができる。
【００４４】
さらに、指標は、チップ５０の側面５０ｓ１〜５０ｓ４に形成することができることから、上述した従来例のように、チップ５０の個別管理情報を書き込むスペースが不要となるため、チップの大型化を防ぐことができる。
【００４５】
また、ウエハに構成されているチップの個数が増えたとしても、切断ラインのパターンを増やせば本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
以上から、ＷＬ−ＣＳＰにおいて、チップ単位でトレーサビリティ管理を行うための指標が、チップを一切、大型化することなく、かつ短時間でチップに形成された半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置を提供することができる。
【００４７】
また、本実施の形態においては、切断ラインを形成する際、ステルスダイシング装置を用いて形成すると示したが、これに限らず、既知の表面アブレーション加工装置により切断ラインを形成しても構わない。
【００４８】
尚、以下、変形例を、図７を用いて示す。図７は、ウエハに形成する切断ラインに、切断に用いる改質層に他に、マーキング用の改質層を形成する図６の変形例を示す部分断面図である。
【００４９】
図７に示すように、例えば切断ライン７、８を形成する場合、図６と同様に、ウエハ１００の厚み方向ｚの表面１００ｆ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射し、またウエハ１００の厚み方向ｚの裏面１００ｒ側に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射するとともに、ウエハ１００の厚み方向ｚにおける表面１００ｆ側の改質層２１と裏面１００ｒ側の改質層２１との間の中間層に、ｘ方向またはｙ方向に沿って連続して改質層２１が形成されるようレーザ照射することにより、３つの改質層２１からなるパターンσの切断ラインを形成した後、３つの改質層２１とは別に、マーキング専用のｘ方向またはｙ方向に沿って連続した改質層２５が、レーザ照射によって形成され、３つの改質層２１、改質層２５からなるパターンσ’を形成しても構わない。
【００５０】
尚、マーキング専用のラインは、図３に示すパターンαによる切断ライン、図４に示すパターンβによる切断ライン、図５に示すパターンγによる切断ラインに適用しても構わない。
【００５１】
このような構成によれば、例えばパターンα〜パターンγによる切断ラインは、パターンσによる切断ラインに比べ、中間層の改質層２２〜２４が少なくまたは小さく形成されているため、パターンσによる切断ラインよりも切断性が低下するが、図７に示すように、切断に用いる改質層とは別にマーキング用の改質層を形成することより、側面５０ｓ１〜５０ｓ４に指標を形成しても、従来と変わらぬ切断性を維持することができる。
【００５２】
尚、以下、図８、図９を用いて、別の変形例を示す。図８は、中間層の改質層のみｚ方向に長く形成した切断ラインの変形例を示す部分断面図、図９は、中間層の改質層のみｘ方向またはｙ方向に長く形成した切断ラインの変形例を示す部分断面図である。
【００５３】
図８に示すように、切断ラインは、中間層のみ、レーザの照射出力を変えるまたは照射時間を変えることにより、ウエハの厚さ方向ｚに長くなる改質層２６が形成されたパターンであっても構わないし、図９に示すように、切断ラインは、中間層のみ、ウエハを保持するステージの移動時間を変えることにより、ウエハのｘ方向またはｙ方向に長くなる改質層２７が形成されたパターンであっても構わない。
【００５４】
（第２実施の形態）
図１０は、本実施の形態を示す半導体装置に用いる半導体チップを、各側面の切断面を模式的に示した図とともに示す平面図である。
【００５５】
この第２実施の形態の半導体装置の構成は、上述した図１〜図５に示した第１実施の形態の半導体装置と比して、第１実施の形態の構成に加え、各チップの内部にも、チップ側面に形成する指標とは異なる指標を形成する点が異なる。
【００５６】
よって、これらの相違点のみを説明し、第１実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００５７】
上述した第１実施の形態においては、チップ５０の４つの側面５０ｓ１〜５０ｓ４の内、少なくとも２つ以上の側面に、ウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定する指標が、側面５０ｓ１〜５０ｓ４によって異なるようにそれぞれ形成されていると示した。
【００５８】
しかしながら、この構成では、ウエハ１００に、例えばチップ５０が数千個構成されていた場合、相当数のパターンが互いに異なる切断ラインを形成しなければならないため、切断ラインの形成工程が煩雑になってしまうといった問題があった。
【００５９】
そこで、本実施の形態においては、第１実施の形態の構成に加え、図１０に示すように、チップ５０の内部にも、ウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定する指標である記号Ａ１〜Ｊ１０が、チップの最上層、例えば既知のアライメントマークが形成されたメタル層に露光により形成されている。尚、記号７０がチップ５０の最上層に形成されているのは、外部から記号７０を視認できるようにするためである。
【００６０】
次に、チップ５０内に記号を形成する工程について、図１１を用いて説明する。図１１は、ウエハに構成されたチップの集合体に、記号を形成した状態を、一部を拡大して示す図である。
【００６１】
先ず、数千個のチップ５０が構成されたウエハ１００に対し、図１１に示すように、例えば１００種類の記号Ａ１〜Ｊ１０のパターンが形成された図示しないマスクを、ウエハ１００の１００個からなるチップ５０の集合体上に載置し、既知のステッパ装置を用いて記号Ａ１〜Ｊ１０を、１００個のチップ５０に該チップ５０毎に記号が異なるよう、チップ５０の最上層に転写する。その後、上述した第１実施の形態同様に、数パターン互いに異なる切断ラインを、レーザダイシングによって形成する。
【００６２】
その結果、１００個のチップ５０には、チップ５０毎に異なる記号Ａ１〜Ｊ１０が形成される。尚、この際用いるマスクは、チップの最上層に形成された、例えばトップメタル層をパターニングする際に用いるマスクの一部領域を利用したものである。また、チップ５０の集合体は、１００個に限定されず、２個以上であれば良い。この場合、一度の露光により転写される互いに異なる記号は、集合体のチップ５０の数に相当する。
【００６３】
その後、記号Ａ１〜Ｊ１０を転写した１００個のチップ５０とは異なる他の１００個からなるチップ５０の集合体に対し、露光により記号Ａ１〜Ｊ１０を転写する。尚、この作業は、ウエハ１００に構成された全てのチップ５０に記号Ａ１〜Ｊ１０を転写するまで行う。その結果、ウエハ１００の構成された全てのチップ５０に、記号Ａ１〜Ｊ１０の内、何かしらの記号が転写される。
【００６４】
このように、本実施の形態においては、チップ５０の４つの側面５０ｓ１〜５０ｓ４の内、少なくとも２つ以上の側面に、ウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定する指標が、側面５０ｓ１〜５０ｓ４によって異なるようにそれぞれ形成されているとともに、チップ５０内に、記号が転写されていると示した。
【００６５】
また、チップ５０内に形成する記号は、ウエハ１００に構成された複数のチップ５０の内、チップ５０の集合体毎に露光を用いて、チップ５０毎に記号が異なるよう形成し、露光を数回に分けて各集合体に行うことにより、全てのチップ５０に記号を形成すると示した。
【００６６】
このことによれば、チップ５０の側面を見るとともに、記号を見るだけで、製造者は、ウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定することができることから、例えばウエハ１００にチップ５０が数千個構成されている場合であっても、第１実施の形態のように、切断ラインが全て異なるよう形成する必要がなくなる。
【００６７】
これは、図１０に示すように、例えばウエハ１００内において、チップ５０の側面５０ｓ１〜５０ｓ４が全て同じなチップ５０が２個存在したとしても、記号Ａ１と記号Ｅ６が異なっていることを視認することにより、製造者は、容易にウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定することができる。
【００６８】
よって、このような構成、手法を用いれば、ウエハ１００に構成されたチップ５０の数が多くとも、容易に切り出し後のチップ５０を識別することができる。
【００６９】
また、露光を用いて、上述した従来技術のように、チップに対し、個別管理情報を転写する必要がなく、記号のみ転写すれば良いことから、チップ５０の数十μｍ程度の領域に形成できるため、チップが大きくなってしまうことを最大限に抑えることができる。
【００７０】
さらに、トップメタル層のパターニングとともに、記号を転写できるため、従来のパターニングに用いる露光時間が増加しない。
【００７１】
以上から、ＷＬ−ＣＳＰにおいて、チップ単位でトレーサビリティ管理を行うための指標が、チップを一切、大型化することなく、かつ短時間でチップに形成された半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置を提供することができる。
【００７２】
尚、以下、変形例を、図１２に示す。図１２は、チップ内部に、レーザ照射により指標を形成する変形例を示す図である。
【００７３】
上述した本実施の形態においては、チップ５０の内部に記号を形成すると示したが、これ限定されず、レーザによってチップ５０の内部に記号以外の指標を形成しても構わない。
【００７４】
具体的には、図１２に示すように、上述した第１実施の形態の構成に加え、切断ラインとは別に、チップ５０の内部に、指標である図７において上述した改質層２５が形成されるよう、ウエハ１００に改質層２５のみのパターンεのラインをレーザ照射により形成しても構わない。尚、指標は、改質層２５に限定されず、どのようなものであっても良いし、１本に限らず、何本形成しても良い。但し、複数本形成する場合は、互いに異なるパターンにする必要がある。
【００７５】
このような構成によれば、ウエハ１００からチップ５０を切り出した後、チップ５０内部の指標を、例えば赤外線顕微鏡を用いて観察することにより、本実施の形態同様、２個のチップ５０において、４つの側面５０ｓ１〜５０ｓ４が同じであっても、２個のチップ５０間においてチップ５０内部の指標の有無、または指標の違いにより、チップ５０を識別することができる。
【００７６】
よって、このような構成によっても、製造者は、容易にウエハ１００におけるチップ５０の位置を特定することができる。
【００７７】
また、チップ５０の内部に書き込む指標は、改質層のみに限らず、より詳細な情報を示す指標であっても構わない。
【００７８】
さらに、上述した第１、第２実施の形態の構成は、半導体装置、例えば固体撮像装置や、表示装置、太陽電池セルを製造する場合に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】第１実施の形態を示す半導体装置に用いられる半導体チップを、各側面の切断面を模式的に示した図とともに示す平面図。
【図２】複数のチップが構成されたウエハに、レーザの照射によって切断ラインが形成された状態を示す平面図。
【図３】図２の切断ラインの一例を示す部分断面図。
【図４】図３とは異なる図２の切断ラインを示す部分断面図。
【図５】図３、図４とは異なる図２の切断ラインの一例を示す部分断面図。
【図６】図３〜図５とは異なる図２の切断ラインの一例を示す部分断面図。
【図７】ウエハに形成する切断ラインに、切断に用いる改質層に他に、マーキング用の改質層を形成する図６の変形例を示す部分断面図。
【図８】中間層の改質層のみｚ方向に長く形成した切断ラインの変形例を示す部分断面図。
【図９】中間層の改質層のみｘ方向またはｙ方向に長く形成した切断ラインの変形例を示す部分断面図。
【図１０】第２実施の形態を示す半導体装置に用いる半導体チップを、各側面の切断面を模式的に示した図とともに示す平面図。
【図１１】ウエハに構成されたチップの集合体に、記号を形成した状態を、一部を拡大して示す図。
【図１２】チップ内部に、レーザ照射により指標を形成する変形例を示す図。
【符号の説明】
【００８０】
１〜１４…切断ライン
２５…改質層（指標）
３１〜３４…指標
５０…チップ（半導体チップ）
５０ｓ１〜５０ｓ４…チップ側面（切断面）
１００…ウエハ（基板）
Ａ１〜Ｊ１０…記号（指標）
【図１】
2010165936.tif 000003
【図２】
2010165936.tif 000004
【図３】
2010165936.tif 000005
【図４】
2010165936.tif 000006
【図５】
2010165936.tif 000007
【図６】
2010165936.tif 000008
【図７】
2010165936.tif 000009
【図８】
2010165936.tif 000010
【図９】
2010165936.tif 000011
【図１０】
2010165936.tif 000012
【図１１】
2010165936.tif 000013
【図１２】
2010165936.tif 000014