(57)【要約】【課題】  めっき用給電配線を有さず、回路配線、外部電極及びボンディングパッドの寸法が、最終的に通電やボンディングに必要な容量を有する断面積を有する回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁体表面に下地金属層を有する基材を用いて、最終的に電解めっき用の給電配線が無い回路基板を製造する方法であって、下地金属層上に形成する前駆体として最終的に必要な回路配線の厚さよりも厚く、且つ最終的に必要な回路配線幅より広い幅を有する前駆体を形成し、前記下地金属層と共に該前駆体をエッチング除去して所定寸法の回路配線、外部電極及びボンディングパッドを形成する。【選択図】  図２
2010050229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解めっき用の給電配線がない回路基板の製造方法であって、
・絶縁体の少なくとも片面に下地金属層を設ける工程、
・該下地金属層をドライフィルムで被覆した後露光・現像して開口部を有するドライフィルムパターンを形成する工程、
・該開口部に露出した下地金属層表面に、最終的な回路配線の寸法よりも大きな寸法を有する前駆体を形成する工程、
・前記ドライフィルムパターンを溶解除去した後、前駆体の一部を含む必要箇所を覆うためのドライフィルムパターンを再度形成する工程、
・前記再度形成したドライフィルムパターンに覆われていない部分をエッチングする工程、
・前記前駆体の露出している部分にニッケル／金めっき層を形成する工程、
・前記ドライフィルムパターンを溶解除去して、ニッケル／金めっき層で覆われていない前駆体及び下地金属層を露出させる工程、
・前記露出した前駆体及び下地金属層をエッチングする工程、
・ニッケル／金めっき層で覆われた部分のみを露出させて、ソルダーレジスト層で被覆する工程
を包含することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記最終的な回路配線が、ボンディングパッド及び外部電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記前駆体の寸法が、厚さが前記下地金属層の厚さ以上であり、幅が前記下地金属層の厚さ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記前駆体の寸法が、厚さが最終的な回路配線の厚さに前記下地金属層の厚さの１．１倍を加えた厚さ以上であり、幅が最終的な回路配線の幅に前記下地金属層の厚さの２．２倍以上を加えた幅であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記前駆体の幅が、最終的に必要な回路配線の幅に、前記最終的な回路配線の厚さに加える厚さの２倍の幅を加えた幅であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記下地金属層を無電解めっき法、電解めっき法、極薄銅箔積層法の群から選ばれる１種を用いて形成することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記前駆体をセミアディティブ法による電解銅めっき層で形成することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記前駆体がボンディングパッド用、外部電極用、配線用の各前駆体のうち少なくとも一つ以上であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解めっき用の給電配線が無い回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のＩＣチップは、高速化、高集積化、多ピン化の傾向が強く、ＩＣチップと回路基板の接続方法もワイヤーボンディング法からフリップチップ法へ推移する傾向にある。
しかし、フリップチップ法は高度な実装技術や、新規周辺装置の整備を強いられるため、現行の設備を利用でき接続技術に実績のあるワイヤーボンディング法での対応が望まれている。このワイヤーボンディング法により金ワイヤーで接続される回路基板側のボンディングパッドは、金ワイヤーとの接続信頼性やコストの面でその表面処理は無電解ニッケル金めっき法よりも電解ニッケル金めっき法が有利とされる。よって、回路基板のボンディングパッド側には実効的な配線とは別に電解ニッケル金めっき用の給電配線が必要となるが、ＩＣチップの高速化に伴い給電配線の存在は高周波ではアンテナとなってノイズの発生原因になるために、電解ニッケル金めっきを施した後に給電配線を残さない回路基板の要求が高まっている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−３４９４１４号公報
【０００３】
図５−１、図５−２、図６−１、図６−２は、給電配線を残さない電解ニッケル金めっき法を用いた、従来の回路基板の製造方法の一例をフローで示してある。
従来の製造方法を図に従って説明すると、先ず図５−１（１）に示す絶縁体２の片面に下地金属層３を設けた基材１を用いて、図５−１（２）に示すように基材１の表面にドライフィルムレジスト４をラミネートする。
次に、所定のマスクを用いて露光、現像を行うことで下地金属層３上にレジストパターン５を作製して、所定の位置に下地金属層３を露出させる（図５−１（３）参照。）。
次に、露出した下地金属層３の表面に電解銅めっきを行い、ボンディングパッド用、配線用、外部電極用の各前駆体６を形成（図５−２（４）参照。）して、図５−２（５）に示すようにレジストパターン５を剥離して、露出した前駆体６を形成する。
【０００４】
次に図５−２（６）に示すように、耐金めっき性を有する金めっきレジスト１７’を全面に形成し、所定のパターンを有した露光マスクを用いて露光、現像により図６−１（７）に示す金めっきレジストパターン１７を形成する。
次に、金めっきレジストパターン１７で被覆されていない、露出している下地金属層３をエッチングにより除去して絶縁体２を露出させる。このとき、下地金属層３と共に露出している前駆体６の一部も破線で図示するように下地金属層３と同じ厚さ以上がエッチングされる。（図６−１（８）参照。）
次に図６−１（９）に示すように、金めっきレジストパターン１７で被覆されずに露出しているボンディングパッド用及び外部電極用の前駆体６の表面に、電解めっき法でニッケルめっき及び金めっきを順次施し、金属めっき層１８を形成する。
次に、図６−２（１０）に示すように、金めっきレジストパターン１７を剥離する。
【０００５】
次に、図６−２（１１）に示すように、露出している下地金属層３をエッチングにより除去して絶縁体２を露出させる。このとき、ニッケルめっき及び金めっきからなる金属めっき層１８で被覆されていない各前駆体６の一部も、下地金属層３と同時にエッチング除去され、最終的な厚さ及び幅を有するボンディングパッド用及び外部電極用の各前駆体６を得る。また、配線用の前駆体６は、当初の前駆体寸法よりも幅の狭くなった配線７となる。
【０００６】
そして最後に、露出しているボンディングパッド用及び外部電極用の各前駆体６の一部と配線７の表面にソルダーレジスト層１０を形成して覆い、図６−２（１２）に示すような回路基板を得ている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、この方法では図６−１（８）や図６−２（１１）のように下地金属層３を除去する際、前駆体６が厚さ（高さ）方向だけではなく幅方向も同様にエッチングされるため、前駆体６の幅も減少して細くなってしまう問題があった。そしてこの減少量を考慮しないと必要量の電流を通電させるために要する回路配線断面積が確保できなかったり、ワイヤーボンディングに必要な表面積が得られない問題や、最悪の場合には断線が生じ、回路基板として機能しない事態に陥ってしまうことがあった。
本発明は、給電配線を残さない回路基板を形成するために、図６−１（８）および図６−２（１１）に示すように下地金属層３を除去する際、前駆体６の厚さ方向及び幅方向の寸法が最終的に必要な寸法を有し、必要量の電流を通電させる断面積が確保でき、確実なボンディングができる面積を有する回路配線が形成される回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、絶縁体に下地金属層を有する基材を用いて最終的に電解めっき用の給電配線が無い回路基板を製造する方法において、最終的に必要な回路配線寸法よりも大きく、高さが高く且つ幅の広い前駆体を下地金属層上に形成しておく回路基板の製造方法である。すなわち、本発明の回路基板の製造方法は、
・絶縁体の少なくとも片面に下地金属層を設ける工程、
・該下地金属層をドライフィルムで被覆した後露光・現像して開口部を有するドライフィルムパターンを形成する工程、
・該開口部に露出した下地金属層表面に、最終的な回路配線の寸法よりも大きな寸法を有する前駆体を形成する工程、
・前記ドライフィルムパターンを溶解除去した後、前駆体の一部を含む必要箇所を覆うためのドライフィルムパターンを再度形成する工程、
・前記再度形成したドライフィルムパターンに覆われていない部分をエッチングする程、
前記前駆体の露出している部分にニッケル／金めっき層を形成する工程、
・前記ドライフィルムパターンを溶解除去して、ニッケル／金めっき層で覆われていない前駆体及び下地金属層を露出させる工程、
・前記露出した前駆体及び下地金属層をエッチングする工程、
・ニッケル／金めっき層で覆われた部分のみを露出させて、ソルダーレジスト層で被覆する工程
を包含する回路基板の製造方法とした。
この製造方法によれば、所望の電流を通電させるために必要な断面積の配線を有する回路基板を確実に得ることができる。
【０００９】
本発明の回路基板の製造方法では、前記最終的な回路配線が、ボンディングパッド及び外部電極を含む回路基板の製造方法である。
また、前記前駆体の寸法は、厚さが前記下地金属層の厚さ以上であり、幅も前記下地金属層の厚さ以上であることが好ましく、例えば、厚さが最終的な回路配線の厚さに前記下地金属層の厚さの１．１倍を加えた厚さ以上であり、幅が最終的な回路配線の幅に前記下地金属層の厚さの２．２倍以上を加えた幅とすることが好ましい。
さらに、前記前駆体の幅は、最終的に必要な回路配線の幅に前記最終的な回路配線の厚さに加える厚さの２倍の幅を加えた幅であることが好ましい。
【００１０】
本発明の回路基板の製造方法では、前記下地金属層は無電解めっき法、電解めっき法、極薄銅箔積層法の群から選ばれる１種を用いて形成することができる。
また、前記前駆体をセミアディティブ法による電解銅めっき層で形成することができる。
【００１１】
本発明の回路基板の製造方法は、前記前駆体がボンディングパッド用、外部電極用、配線用の各前駆体のうち少なくとも一つ以上のものである回路基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
必要な回路配線幅と回路配線厚さの回路基板を得られることで、従来回路配線の厚さと幅が減少して細くなってしまう問題が解消され、通電に必要な回路配線断面積が確保でき、断線問題や回路基板として機能しなくなる問題を解決することが可能となる。
最終的に必要な銅層で形成された回路配線の厚さと幅を得るために、回路配線の側面と上面に銅層で形成された下地金属層の厚さより厚くなる前駆体を形成し、その加えた厚さ分をエッチング加工によって溶解除去して必要な回路配線の厚さと幅を得ると同時に、下地金属層の厚さより厚いエッチング加工量の処理のため、不要な下地金属層が残ることなく完全に溶解除去できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１に示す平面配置を有する回路基板を製造する場合について説明する。
図１の回路基板２０は、基板１の表面の任意位置に複数の外部電極８とボンディングパターン９を配置し、これら外部電極８とボンディングパッド９の間を配線７で結線して構成されている。これら回路配線は回路に必要な電流を流すのに十分な断面積を有し、外部電極８とボンディングパッド９はそれぞれ外部基板との接続やワイヤーボンディングをするのに必要な十分な表面積を有するように形成されている。
【００１４】
回路基板の製造に先立って、下地金属層である銅層の厚さをｔとしたときに、最終的に必要な回路配線厚さ（高さ）に加える厚さｎｔを下地金属層の厚さの１．１倍以上の厚さに、最終的に必要な回路配線幅に加える幅を、前記回路配線高さに加える厚さｎｔの２倍の値に予め決めておく。ここで、ｎ≧１．１とするのが好ましい。
【００１５】
図２に、本発明の回路基板の製造方法における最終的に必要な回路配線の寸法（Ｈ，Ｗ）と、形成する前駆体の寸法（ｈ、ｗ）の関係を示す。前駆体６は回路基板上に最終的な配線７、外部電極８並びにボンディングパッド９を形成するためのものである。
図２は、絶縁体２の表面に厚さｔの下地金属層３を設け、下地金属層３の表面には最終的に必要な配線７を点線で示し、製造工程で形成する前駆体６を実線で示してある。
今、最終的に必要な配線７の厚さ（高さ）をＨ、最終的に必要な配線７の幅をＷとすれば、製造工程で形成する前駆体６の厚さ（高さ）ｈは  ｈ≧（Ｈ＋１．１ｔ）、幅ｗは  ｗ≧（Ｗ＋２．２ｔ）とする。
前駆体６の高さ（厚さ）ｈをｈ≧（Ｈ＋１．１ｔ）とするのは、後に説明するように電解ニッケルめっき及び電解金めっきに使用する給電配線の役割を果たした下地金属層を２回に分けてエッチング除去する際に、前駆体も同時にエッチング除去されるため、前駆体の厚さを最終的に必要な回路配線厚さに下地金属層の厚さを加えた厚さ以上に厚くしておけば、エッチング処理後も最終的に必要な回路配線厚さを残すことができるからである。
同様に前駆体６の幅をｗ≧（Ｗ＋２．２ｔ）とするのは、エッチング過程で前駆体６も両端からエッチング除去されて幅が狭くなるので、エッチング処理後も最終的に必要な回路配線幅を残すためである。ここで、（ｗ−Ｗ）＝２（ｈ−Ｈ）とするのが好ましい。
【００１６】
図３−１、図３−２、図４−１及び図４−２は、本発明の回路基板の製造方法を説明する工程断面図である。図は、図１に示す回路基板の線Ａ−Ａ’に沿った断面図で示している。
先ず、絶縁体２の表面に厚さｔの下地金属層３を設けた基板１を用意し（図３−１、（１）参照。）、下地金属層３の上にドライフィルムレジスト４をラミネート（図３−１（２）参照。）した後、目的とする回路パターンを有するマスクを使用して露光・現像して所定のレジストパターン５を形成する（図３−１（３）参照。）。このときレジストパターン５の高さは、最終的に必要な回路配線厚さに、ｎ≧１．１である厚さｎｔを加え厚さより厚いことが必要である。レジストパターン５は、ボンディングパッド及び外部電極となる部分を含む最終的に必要な回路配線部分が開口するパターンを形成する。
【００１７】
次に、レジストパターン５から露出している下地金属層３上に電解銅めっきを施して、配線用、ボンディングパッド用及び外部電極用の各前駆体６７，６９，６８を形成する（図３−２（４）参照。）。このときの前駆体６７，６８，６９の厚さ（高さ）は、最終的に必要な回路配線厚さ（高さ）に、ｎ≧１．１であるｎｔを加えた厚さであり、前駆体６７，６８，６９の幅は、最終的に必要な回路配線幅にｎ≧１．１である２ｎｔを加えた幅とする。次に、レジストパターン５を剥離して前駆体６７，６８，６９を露出させる（図３−２（５）参照。）。そして、全面にめっきレジスト１７’を形成する（図３−２（６）参照。）。
次いで、ボンディングパッドとなる部分及び外部電極となる部分のめっきレジスト１７’を剥離して、めっきレジストパターン１７を形成する（図４−１（７）参照。）。この結果、電解ニッケルおよび電解金めっきが必要な外部電極となる部分の前駆体６８とボンディングパッドとなる部分の前駆体６９並びに下地金属層３の一部が露出する。
【００１８】
次にエッチング加工により露出している前駆体６８，６９の高さをｎｔ、幅も２ｎｔだけエッチング除去する（図４−１（８）参照。）。このエッチング加工は、同時に厚さｔの下地金属層３を完全に溶解除去して、めっきレジストパターン７から露出している前駆体６８，６９は、最終的に必要な回路配線高さと幅になる。そして、めっきレジストパターン１７で被覆された部分には、下地金属層３が残っており、ボンディングパッドとなる部分の前駆体６９、外部電極となる部分の前駆体６８および配線なる部分の前駆体６７と連続しているため、給電配線として使用できる。
【００１９】
次に、めっきレジストパターン１７より露出しているエッチング加工されたボンディングパッドおよび外部電極となる前駆体６９，６８の表面に、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを行い、ニッケルめっき層及び金めっき層からなる金属めっき層１８を形成し（図４−１（９）参照。）、レジストパターン１７を剥離する（図４−２（１０）参照。）。
次に、ニッケルめっき層及び金めっき層からなる金属めっき層１８をエッチングマスクとして用いて、露出している下地金属層３および前駆体６７と６８，６９の一部をエッチング加工により除去する。ここで、前駆体６８，６９の高さはｎｔ、幅も２ｎｔだけ溶解除去される（図４−２（１１）参照。）。このエッチング加工によって露出している部分の下地金属層３は完全に溶解除去されて、給電配線の機能は無くなる。配線用の前駆体６７は、厚さがｎｔ、幅が２ｎｔだけエッチング除去されて、最終的に必要な配線高さと配線幅に加工される。
【００２０】
そして、ボンディングパッドおよび外部電極として必要な箇所が露出するように、前駆体６８，６９を所定のパターンでソルダーレジスト１０を形成すると目的とする回路基板２０が得られる（図４−２（１２）参照。）。
【実施例１】
【００２１】
図３−１、図３−２及び図４−１、図４−２の行程に従って、図１に示す回路基板を作成した例を示す。
まず絶縁体２の片面に下地金属層３を設けた基材１を作製した。ここで絶縁体２は厚さ０．２ｍｍのガラスエポキシ基材を使用し、下地金属層３は、厚さ１２μｍの銅箔を薄膜化して３μｍの厚さとした。
このとき、ｎ＝２として、下地金属層３の厚さを３μｍとしたので、回路配線として必要な幅寸法に対して、片側に６μｍずつ、両側で１２μｍ加えた前駆体幅とした。また、前駆体の厚さは下地金属層３の厚さ３μｍの２倍の６μｍを加えた厚さとした。後工程である下地金属層３の除去工程で、下地金属層３の溶解残りを回避するために下地金属層３の厚さの２倍量を溶解除去する条件とした。
【００２２】
次に、基材１の下地金属層上にドライフィルムレジスト４をラミネートし、続いて所望のボンディングパッドや外部電極並びに配線などのパターンを有する露光マスクを用いて露光を行い、現像を行って銅めっきレジストパターン５を形成した。ここで使用したドライフィルムレジストは厚さ２５μｍでネガ型のＲＹ−３３２５（日立化成社製）を使用し、露光条件は露光量を９０ｍｊ／ｃｍ２ とした。使用したドライフィルムレジスト４はネガ型なので、露光マスクに設けられているボンディングパターンや外部電極並びに回路配線などのパターンは紫外線を遮光する黒色で描画されている。
ドライフィルムレジスト４に対して１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて５２秒間の現像処理を行うと、銅めっきレジストパターン５が形成された。ボンディングパッドや外部電極、並びに配線などが形成される部分には銅めっきレジストパターン５は存在せずに下地金属層３が露出している。
【００２３】
次に、露出した下地金属層３上にセミアディティブ法による電解銅めっきを施し、配線用やボンディングパッド用及び外部電極用などの前駆体６７，６８，６９を形成した。ここで注意する点は電解銅めっきのめっき層厚さを２０μｍに形成したことである。なぜなら、銅めっきレジストパターン５の厚さが２５μｍであり、これ以上の厚さに銅めっき層を形成すると、銅めっきレジストパターン５の剥離が困難になるからである。
【００２４】
次に、銅めっきレジストパターン５を３％水酸化ナトリウム水溶液で剥離した。続いてボンディングパッドと外部電極用の前駆体６８，６９の所望の位置に、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを選択的に行うための予備段階として、全面にドライフィルムレジスト１７’をラミネートし、所定のマスクを使用して露出・現像して金めっきレジストパターン１７を形成した。この段階では下地金属層３が露出している部分を含むため、ボンディングパッドおよび外部電極の所望の位置は、電解ニッケルおよび電解金めっきを選択的に行うための完全な状態にはなっていない。
ここで使用したドライフィルムレジストは、Dupont社製のリストンＳＡ−１５０であった。
【００２５】
次に、金めっきレジストパターン１７で被覆されずに露出している下地金属層３をエッチングにより溶解除去した。このときの溶解条件は、予備試験により下地金属層３の厚さの２倍の厚さを溶解する条件を求めておき、それに従って行った。共に露出しているボンディングパッド用および外部電極用の前駆体６８，６９は、厚さ方向並びに幅方向共に溶解除去される下地金属層３の２倍量だけ溶解除去された。ここで使用したエッチング液は塩化鉄水溶液であった。
【００２６】
この金めっきレジストパターン１７で被覆された部分には、下地金属層３とボンディングパターン用および外部電極用の前駆体６８，６９が接続しているため、これを給電配線として利用して露出している前駆体６８，６９の表面に電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを施し、ニッケルめっき層及び金めっき層からなる金属めっき層１８を形成した。電解ニッケルめっきと電解金めっきの層の厚さは前者は１０±５μｍ、後者は１．０±０．５μｍとした。電解ニッケルめっき液はワット浴、電解金めっき液はシアン浴を使用し、めっき条件は広く一般的に使用されている条件で行った。
【００２７】
次に、金めっきレジストパターン１７を３％水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離した。ここでは、まだ下地金属層３とボンディングパッド用および外部電極用及び配線用などの前駆体６７，６８，６９が連続している状態にある。
次に、ニッケルめっき層及び金めっき層からなる金属めっき層１８をエッチングマスクとして用い、露出している下地金属層３およびボンディングパッド用と外部電極用の前駆体６８、６９及び配線用の前駆体６７の一部をエッチングにより溶解除去した。これにより配線用の前駆体６７、ボンディングパッド用の前駆体６９および外部電極用の前駆体６８を含む回路配線は、それぞれ露出していた下地金属層３が完全に溶解除去されたために、分離され独立した電気回路となった。このときのエッチング条件は、前述の下地金属層３のエッチングと同じ条件としたので、配線用、ボンディングパッド用および外部電極用の金属前駆体６７，６８，６９の厚さは全体的にほぼ同一となった。また、配線用前駆体６７の幅は最終的に必要な回路配線の幅となった。この前駆体６７はそのまま回路配線として使用される。
【００２８】
次に、回路基板としてボンディングパッド９および外部電極８の必要な箇所が露出するように所望のパターンでソルダーレジストパターン１０を形成した。このとき、ボンディングパッド９および外部電極８の金属めっき層１８と配線７が近接する部分は、銅めっき層の部分とニッケルめっき層及び金めっき層の部分と境界が存在するので、この境界部分がソルダーレジストで被覆されるようなソルダーレジストパターンとすることが望ましい。
【００２９】
本実施例ではボンディングパッド９と外部電極８が同一面に配置されている例を示したが、それぞれが基材１に対して他方の面に配置される場合や、基材１が多層基材でも問題なく本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の回路基板を示す平面図である。
【図２】回路配線パターンと前駆体の寸法関係を説明する図である。
【図３−１】本発明の回路基板の製造工程を示す断面工程図である。
【図３−２】図３−１に続く本発明の回路基板の製造工程を示す断面工程図である。
【図４−１】図３−２に続く本発明の回路基板の製造工程を示す断面工程図である。
【図４−２】図４−１に続く本発明の回路基板の製造工程を示す断面工程図である。
【図５−１】従来の回路基板の製造工程の一例を示す断面工程図である。
【図５−２】図５−１に続く従来の回路基板の製造工程の一例を示す断面工程図である。
【図６−１】図５−２に続く従来の回路基板の製造工程の一例を示す断面工程図である。
【図６−２】図６−１に続く従来の回路基板の製造工程の一例を示す断面工程図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  基材
２  絶縁体
３  下地金属層
４  ドライフィルムレジスト
５  銅めっき用レジストパターン
６、６７、６８、６９  前駆体
７  配線
８  外部電極
９  ボンディングパッド
１０  ソルダーレジスト
１７  金めっきレジストパターン
１８  金属メッキ層
２０  回路基板
【図１】
2010050229.tif 000003
【図２】
2010050229.tif 000004
【図３−１】
2010050229.tif 000005
【図３−２】
2010050229.tif 000006
【図４−１】
2010050229.tif 000007
【図４−２】
2010050229.tif 000008
【図５−１】
2010050229.tif 000009
【図５−２】
2010050229.tif 000010
【図６−１】
2010050229.tif 000011
【図６−２】
2010050229.tif 000012