(57)【要約】【課題】下層の形成時において発生したバリや残渣に影響されることなく良好な有機化合物層を有する有機ＥＬ表示装置、及びこの有機化合物層の形成を可能にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板と、該基板上に複数配列されている画素と、から構成され、該画素が、該基板上に設けられる下部電極と、該下部電極の上方に設けられ層の数がｎである電極層と、該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がｎである有機化合物層と、からなり、該有機化合物層の膜厚が下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。      ｄ1＜ｄ2＜・・・＜ｄn      （１）（式（１）において、ｄ1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ｄ2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ｄnは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。）【選択図】図１
2010033983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に複数配列されている画素と、から構成され、
該画素が、該基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極の上方に設けられ層の数がｎである電極層と、
該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がｎである有機化合物層と、からなり、
該有機化合物層の膜厚が下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
ｄ1＜ｄ2＜・・・＜ｄn          （１）
（式（１）において、ｄ1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ｄ2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ｄnは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。）
【請求項２】
前記有機化合物層に含まれる前記発光層が下記式（２）の関係を満たすことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
λ1＜λ2＜・・・＜λn          （２）
（式（２）において、λ1は、第１有機化合物層に含まれる第１発光層から発する光のピーク波長を表す。λ2は、第２有機化合物層に含まれる第２発光層から発する光のピーク波長を表す。λnは、第ｎ有機化合物層に含まれる第ｎ発光層から発する光のピーク波長を表す。）
【請求項３】
基板と、
該基板上に複数配列されている画素と、から構成され、
該画素が、該基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極の上方に設けられ層の数がｎである電極層と、
該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がｎである有機化合物層と、
からなる有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
該有機化合物層を形成するときに該有機化合物層の膜厚を下記式（１）の関係を満たすように制御することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
ｄ1＜ｄ2＜・・・＜ｄn          （１）
【請求項４】
前記有機化合物層を形成するときに、前記有機化合物層に含まれる前記発光層が下記式（２）の関係を満たすことを特徴とする、請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
λ1＜λ2＜・・・＜λn          （２）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機化合物層と電極層とを交互に積層されてなる多色発光の有機ＥＬ表示装置として、例えば、特許文献１に開示されている多色発光表示装置が挙げられる。特許文献１に開示されている多色発光表示装置は、少なくとも２つの発光素子を積層した構成となっていて、各々の発光素子を個別に駆動することができる。また特許文献１に開示されている多色発光表示装置は、装置を構成する複数の有機発光素子を選択的に駆動させるために、各電極層を所望の形状にパターニングすることが必要になる。また、上層の電極層を下層の電極層又は基板に予め形成した配線層と部分的に電気接続することも必要になる。即ち、特許文献１に開示されている多色発光表示装置を製造する際には、電極層及び有機化合物層を選択的に除去する工程が必要となる。また選択的に除去した領域においても、電極間のショートを発生させることなく電極層と有機化合物層とをさらに順次積層させることが求められる。
【０００３】
【特許文献１】米国特許５７０７７４５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている多色発光表示装置を製造する際に、特に、有機化合物層又は電極層を選択的に除去する工程を行うときに、除去した領域の端部でバリや残渣が発生する場合がある。このため良好な加工形状が得られないことがある。特に、除去する領域の膜厚が厚いほどバリや残渣が顕著に発生するおそれがある。このようにバリや残渣が発生している領域上に有機化合物層又は電極層となる薄膜を形成すると、除去した領域における加工形状が良好でないため、有機化合物層又は電極層になる薄膜が良好に形成されにくい。一方、除去した領域の上層に形成する有機化合物層の膜厚が薄い場合は、下層に発生したバリや残渣の影響を受けて所望の領域を完全に被覆することが難しく、有機化合物層を良好に形成することが困難になる。このため、電極間のショートが発生し、有機ＥＬ表示装置の製造歩留りが低下するという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。その目的は、下層の形成時において発生したバリや残渣に影響されることなく良好な有機化合物層を有する有機ＥＬ表示装置、及びこの有機化合物層の形成を可能にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、
該基板上に複数配列されている画素と、から構成され、
該画素が、該基板上に設けられる下部電極と、
該下部電極の上方に設けられ層の数がｎである電極層と、
該下部電極と該下部電極の直上にある電極層との間及び該電極層間に設けられ所定の光を発する発光層を含み層の数がｎである有機化合物層と、からなり、
該有機化合物層の膜厚が下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする。
ｄ1＜ｄ2＜・・・＜ｄn          （１）
（式（１）において、ｄ1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ｄ2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ｄnは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。）
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、下層の形成時において発生したバリや残渣に影響されることなく良好な有機化合物層を有する有機ＥＬ表示装置、及びこの有機化合物層の形成を可能にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。従って、有機化合物層あるいは電極層を選択的に除去した領域上における電極間のショートを低減することが可能になり、有機ＥＬ表示装置の製造歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明は、基板と、この基板上に複数配列されている画素と、から構成される有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関するものである。
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置の構成部材である画素は、下部電極と、電極層と、有機化合物層と、からなる部材である。ここで、下部電極は基板上に設けられる。電極層は、下部電極の上方に設けられ層の数がｎである。ここで、ｎの値は、有機ＥＬ表示装置に印加する電圧等を考慮して、好ましくは、２〜４である。有機化合物層は、下部電極と下部電極の直上にある電極層との間及び電極層間に設けられ層の数がｎである。ここで、有機化合物層には所定の光を発する発光層を含んでいる。またｎの値は、有機ＥＬ表示装置に印加する電圧等を考慮して、好ましくは、２〜４である。
【００１０】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、有機化合物層の膜厚が下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする。
ｄ1＜ｄ2＜・・・＜ｄn          （１）
【００１１】
式（１）において、ｄ1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ここで、第１有機化合物層とは、下部電極とこの下部電極の直上に設けられる第１電極層との間に設けられる有機化合物層をいうものである。
【００１２】
式（１）において、ｄ2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ここで、第２有機化合物層とは、上述した第１電極層とこの第１電極層の直上に設けられる第２電極層との間に設けられる有機化合物層をいうものである。
【００１３】
式（１）において、ｄnは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。ここで、第ｎ有機化合物層とは、上から２番目に設けられる電極層である第ｎ−１電極層と上から１番目に設けられる電極層である第ｎ電極層（上部電極）との間に設けられる有機化合物層をいうものである。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ表示装置を製造する場合は、有機化合物層を形成するときにこの有機化合物層の膜厚を上記式（１）の関係を満たすように制御する。即ち、式（１）に示すように、有機化合物層を形成するときには、下方にある有機化合物層よりも厚い膜厚で形成する。
【００１５】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、有機化合物層に含まれる発光層が下記式（２）の関係を満たす。
λ1＜λ2＜・・・＜λn          （２）
【００１６】
式（２）において、λ1は、第１有機化合物層に含まれる第１発光層から発する光のピーク波長を表す。
【００１７】
式（２）において、λ2は、第２有機化合物層に含まれる第２発光層から発する光のピーク波長を表す。
【００１８】
式（２）において、λnは、第ｎ有機化合物層に含まれる第ｎ発光層から発する光のピーク波長を表す。
【００１９】
本発明の有機ＥＬ表示装置を製造する場合は、好ましくは、有機化合物層を形成するときに、有機化合物層に含まれる発光層が下記式（２）の関係を満たすようにする。即ち、式（２）に示すように、有機化合物層に含まれる発光層から発する光のピーク波長が、下方にある有機化合物層に含まれる発光層から発する光のピーク波長よりも長波長側にシフトするように調整するのが好ましい。
【００２０】
以下、本発明について図面を参照しながら具体的に説明する。ただし本発明はこれに限定されるものではない。
【００２１】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置を示す模式図である。図１において、（ａ）は、１画素分の有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。
【００２２】
図１（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。また図１（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置は、第１副画素Ｐ１と、第２副画素Ｐ２と、第３副画素Ｐ３とが並列に配置されており、この３個の副画素Ｐ１，Ｐ２及びＰ３により１つの画素が構成されている。
【００２３】
ところで図１（ａ）に示される副画素Ｐ１，Ｐ２及びＰ３には、下部電極と電極層との間、及び電極層と電極層との間に各々が異なる色に発光する有機化合物層がそれぞれ形成されている。
【００２４】
即ち、第１副画素Ｐ１は、基板１０上に、下部電極１１ａ、第１有機化合物層１２ａ、第１電極層１３ａ、第２有機化合物層１４ａ、第２電極層１５ａ、第３有機化合物層１６ａ及び第３電極層２１がこの順に積層されている。
【００２５】
尚、第１副画素Ｐ１の近傍には、コンタクトホール２０ａが設けられており、第１電極１３ａ、第２電極層１５ａ及び第３電極層２１が直接電気接続できるようになっている。これにより第１副画素Ｐ１は、図１（ｂ）に示される等価回路Ａを形成し、所望の電圧を印加したときに第１有機化合物層１３ａが発光するようになっている。
【００２６】
第２副画素Ｐ２では、基板１０上に、下部電極１１ｂ、第１有機化合物層１２ｂ、第１電極層１３ｂ、第２有機化合物層１４ｂ、第２電極層１５ｂ、第３有機化合物層１６ｂ及び第３電極層２１がこの順に積層されている。
【００２７】
尚、第２副画素Ｐ２の近傍には、コンタクトホール１８ｂ及びコンタクトホール２０ｂが設けられている。ここでコンタクトホール１８ｂは、下部電極１１ｂと第１電極層１３ｂとが直接電気接続できるようになっている。またコンタクトホール２０ｂは、第２電極層１５ｂと第３電極層２１とが直接電気接続できるようになっている。上記の二種類のコンタクトホールを設けることにより、第２副画素Ｐ２は、図１（ｂ）に示される等価回路Ｂを形成し、所望の電圧を印加したときに第２有機化合物層１４ｂが発光するようになっている。
【００２８】
第３副画素Ｐ３では、基板１０上に、下部電極１１ｃ、第１有機化合物層１２ｃ、第１電極層１３ｃ、第２有機化合物層１４ｃ、第２電極層１５ｃ、第３有機化合物層１６ｃ及び第３電極層２１がこの順に積層されている。
【００２９】
尚、第３副画素Ｐ３の近傍には、コンタクトホール１９ｃが設けられており、下部電極層１１ｃ、第１電極層１３ｃ及び第２電極層が直接電気接続できるようになっている。これにより第３副画素Ｐ３は、図１（ｂ）に示される等価回路Ｃを形成し、所望の電圧を印加したときに第３有機化合物層１６ｃが発光するようになっている。
【００３０】
一方、図１（ａ）で示される有機化合物層（１２ａ乃至１２ｃ、１４ａ乃至１４ｃ及び１６ａ乃至１６ｃ）は、少なくとも発光層を含む単層薄膜又は２層以上からなる積層体である。ここで、有機化合物層が２層以上からなる積層体である場合、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等のいずれかが含まれる。
【００３１】
一方、基板１０として、絶縁性基板上にＴＦＴ等のスイッチング素子（図示せず）が形成されたものを使用してもよい。尚、このスイッチング素子は下部電極１１ａ乃至１１ｃに電気接続されるものである。
【００３２】
次に、図面を参照しながら本発明の製造方法を説明する。図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面模式図である。
【００３３】
本実施形態において、まず基板１０上に下部電極１１ａ乃至１１ｃを所望の形状でパターン形成する。
【００３４】
本実施形態において使用される基板１０は、絶縁性の基板が好ましく、例えば、ガラス基板が挙げられる。
【００３５】
下部電極１１ａ乃至１１ｃの構成材料として、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ等の金属単体、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性化合物が挙げられる。尚、第１電極層１１ａ乃至１１ｃは、上記の金属単体から構成される薄膜と、上記透明導電性化合物から構成される薄膜と、を積層した積層体であってもよい。
【００３６】
下部電極１１ａ乃至１１ｃの形成方法として、スパッタ法、或いは真空蒸着法で成膜した金属膜、或いは透明導電性化合物膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する方法が挙げられる。
【００３７】
下部電極１１ａ乃至１１ｃを形成した後、複数の副画素に共通する第１有機化合物層１２を、下部電極１１ａ乃至１１ｃを覆うように形成する（図２（ａ））。
【００３８】
この第１有機化合物層１２を形成する際、その膜厚（ｄ1）は薄い方が好ましい。第１有機化合物層１２をより薄く形成することで、次の工程でコンタクトホール１８ｂ及び１８ｃを形成する際に、形成されるコンタクトホール１８ｂ及び１８ｃの端部においてバリや残渣の発生を低減することが可能になる。尚、ここでいう膜厚ｄ1とは、下部電極と第電極層との間に設けられる第１有機化合物層の膜厚をいうものである。
【００３９】
第１有機化合物層１２は、例えば、電子輸送層、発光層、正孔輸送層の３層で構成されるが本発明においてはこれに限定されるものではない。
【００４０】
電子輸送層を構成する電子注入輸送材料として、アルミニウム原子に８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用することができる。
【００４１】
発光層を構成する発光材料は、取り出す光の色又は光の波長に応じて適宜選択することができる。例えば、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物、及びこれらの単独オリゴ体、或いは複合オリゴ体等を使用することができる。
【００４２】
正孔輸送層を構成する正孔注入輸送材料として、フタロシアミン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等を使用することができる。
【００４３】
第１有機化合物層１２の形成方法としては、真空蒸着法、塗布法等を用いることができる。
【００４４】
次に、コンタクトホールを形成する領域に設けられている第１有機化合物層を選択的に除去することで、コンタクトホール１８ｂ及び１８ｃを形成する（図２（ｂ））。尚、この段階で後述するコンタクトホール１９ａ（２０ａ）及び２０ｂを形成する領域についても第１有機化合物層の選択的除去を行う。この選択的除去によって、分割された第１有機化合物層１２ａ〜１２ｃが形成される。第１有機化合物層を選択的に除去する方法としては、レーザーアブレーション法が好ましい。レーザーアブレーション法として、具体的には、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を照射する方法が挙げられるが、第１有機化合物層を選択的にかつ良好に除去することができればこの限りではない。本実施形態においては、より具体的には、波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを使用する。また、第１有機化合物層の選択的除去方法として、具体的には、数μｍに集光したレーザーを走査する方法、遮光膜をパターン配置したマスクを用いて所望の領域にのみレーザーを照射する方法等を採用することができる。
【００４５】
また、第１有機化合物層１２並びにコンタクトホール１８ｂ及び１８ｃを形成する別の方法として、メタルマスクを用いた真空蒸着、又はインクジェット等を用いた選択的塗布によるパターン形成が挙げられる。
【００４６】
次に、第１有機化合物層１２ａ〜１２ｃ上に第１電極層に相当する薄膜を形成した後、パターニングを行うことにより、所望のパターンに分割された第１電極層１３ａ〜１３ｃを形成する（図２（ｃ））。このときコンタクトホール１８ｂを介して下部電極１１ｂと第１電極層１３ｂとが電気接続される。またコンタクトホール１８ｃを介して下部電極１１ｃと第１電極層１３ｃとが電気接続される。ここで、第１電極層１３ａは第１有機化合物層１２ａを覆う領域に形成される。第１電極層１３ｂは第１有機化合物層１２ｂを覆う領域に形成される。第１電極層１３ｃは第１有機化合物層１２ｃを覆う領域に形成される。
【００４７】
第１電極層１３ａ〜１３ｃは、ＩＴＯ、ＩＺＯ等からなる透明電極であるのが望ましいが、膜厚が１０ｎｍ乃至３０ｎｍである半透過性のＡｌ薄膜、Ａｇ薄膜等であってもよい。
【００４８】
第１電極層１３ａ〜１３ｃの形成方法として、下部電極１１ａ〜１１ｃと同様の方法、即ち、スパッタ法、或いは真空蒸着法で成膜した金属膜、或いは透明導電性化合物膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する方法が挙げられる。
【００４９】
次に、上記の第１有機化合物層１２と同様の方法で、第２有機化合物層１４を形成する（図２（ｃ））。ここで第２有機化合物層１４の膜厚（ｄ2）は、第１有機化合物層１２の膜厚ｄ1よりも厚くする。第１有機化合物層１２よりも第２有機化合物層１４の膜厚を厚くすることにより、コンタクトホール１８ｂ上に形成された第１電極層１３ｂ上にも第２有機化合物層１４に相当する薄膜を良好に形成することができる。このため第１電極層１３ｂと後述する第２電極層１５ｂとの間におけるショートの発生を低減することができる。尚、ここでいう膜厚ｄ2とは、第１電極層と第２電極層との間に設けられる第２有機化合物層の膜厚をいうものである。
【００５０】
第２有機化合物層１４は、例えば、電子輸送層、発光層、正孔輸送層の３層で構成されるが本発明においてはこれに限定されるものではない。また第２有機化合物層１４の構成材料は、第１有機化合物層１２の構成材料と同様の材料を使用することができる。
【００５１】
第２有機化合物層１４の形成方法としては、第１有機化合物層１２の場合と同様に、真空蒸着法、塗布法等が挙げられる。
【００５２】
次に、コンタクトホールを形成する領域に設けられている第２有機化合物層を選択的に除去することで、コンタクトホール１９ａ及び１９ｃを形成する（図２（ｄ））。尚、この段階で後述するコンタクトホール２０ｂを形成する領域についても第２有機化合物層の選択的除去を行う。この選択的除去によって、分割された第２有機化合物層１４ａ〜１４ｃが形成される。
【００５３】
次に、第２有機化合物層１４ａ〜１４ｃ上に第２電極層に相当する薄膜を形成した後、パターニングを行うことにより、所望のパターンに分割された第２電極層１５ａ〜１５ｃを形成する（図２（ｅ））。このときコンタクトホール１９ａを介して第１電極層１３ａと第２電極層１５ａとが電気接続される。またコンタクトホール１９ｃを介して下部電極１１ｃ、第１電極層１３ｃ及び第２電極層１５ｃが電気接続される。ここで、第２電極層１５ａは第２有機化合物層１４ａを覆う領域に形成される。第２電極層１５ｂは第２有機化合物層１４ｂを覆う領域に形成される。第２電極層１５ｃは第２有機化合物層１４ｃを覆う領域に形成される。
【００５４】
第２電極層１５ａ〜１５ｃは、ＩＴＯ、ＩＺＯ等からなる透明電極であるのが望ましいが、膜厚が１０ｎｍ乃至３０ｎｍである半透過性のＡｌ薄膜、Ａｇ薄膜等であってもよい。
【００５５】
第２電極層１５ａ〜１５ｃの形成方法として、下部電極１１ａ〜１１ｃと同様の方法、即ち、スパッタ法、或いは真空蒸着法で成膜した金属膜、或いは透明導電性化合物膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する方法が挙げられる。
【００５６】
次に、上記の第１有機化合物層１２と同様の方法で、第３有機化合物層１６を形成する（図２（ｅ））。ここで第２有機化合物層１６の膜厚（ｄ3）は、第２有機化合物層１４の膜厚ｄ2よりも厚くする。第２有機化合物層１４よりも第３有機化合物層１６の膜厚を厚くすることにより、コンタクトホール１９ｃ上に形成された第２電極層１５ｂ上にも第２有機化合物層１４に相当する薄膜を良好に形成することができる。このため第２電極層１５ｃと後述する第３電極層２１との間におけるショートの発生を低減することができる。また、パターニング等により第２電極層１５ａ〜１５ｃをそれぞれ形成する際に、加工端部でバリや残渣が発生するおそれがあるが、第２有機化合物層１４よりも第３有機化合物層１６の膜厚を厚くすればよい。こうすることにより、第２電極層１５ａ〜１５ｃを効率よく被覆した膜を形成することができる。尚、ここでいう膜厚ｄ3とは、第２電極層と第３電極層との間に設けられる第３有機化合物層の膜厚をいうものである。
【００５７】
第３有機化合物層１６は、例えば、電子輸送層、発光層、正孔輸送層の３層で構成されるが本発明においてはこれに限定されるものではない。また第３有機化合物層１６の構成材料は、第１有機化合物層１２の構成材料と同様の材料を使用することができる。
【００５８】
第３有機化合物層１６の形成方法としては、第１有機化合物層１２の場合と同様に、真空蒸着法、塗布法等が挙げられる。
【００５９】
次に、コンタクトホールを形成する領域に設けられている第３有機化合物層を選択的に除去することで、コンタクトホール２０ａ及び２０ｂを形成する（図２（ｆ））。この選択的除去により、分割された第３有機化合物層１６ａ〜１６ｃが形成される。
【００６０】
次に、第３有機化合物層１６ａ〜１６ｃ上に第３電極層２１を形成する（図２（ｇ））。このときコンタクトホール２０ａを介して第１電極層１３ａ、第２電極層１５ａ及び第３電極層２１が電気接続される。またコンタクトホール２０ｂを介して第２電極層１５ｂ及び第３電極層２１が電気接続される。
【００６１】
第３電極層１５ａ〜１５ｃは、ＩＴＯ、ＩＺＯ等からなる透明電極であるのが望ましいが、膜厚が１０ｎｍ乃至３０ｎｍである半透過性のＡｌ薄膜、Ａｇ薄膜等であってもよい。
【００６２】
第３電極層２１の形成方法として、スパッタ法、真空蒸着法等が挙げられる。
【００６３】
以上に示した方法により製造した有機ＥＬ表示装置は、有機化合物層あるいは電極層を選択的に除去した領域上においても、有機化合物層を良好に形成することができる。従って、有機化合物層あるいは電極層を選択的に除去した領域上において起こる可能性がある電極層間のショートを低減することが可能になり、有機ＥＬ表示装置の製造歩留りを向上させることができる。
【００６４】
［第２の実施形態］
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、好ましくは、有機化合物層に含まれる発光層の発光ピーク波長が、下方にある有機化合物層に含まれる発光層の発光ピーク波長よりも長波長側にシフトするように調整する。
【００６５】
具体的には、例えば、図１（ａ）の有機ＥＬ表示装置において、第２有機化合物層（１４ａ〜１４ｃ）に含まれる第２発光層の発光スペクトルが、第１有機化合物層（１２ａ〜１２ｃ）に含まれる第１発光層の発光スペクトルよりも長波長であるのが好ましい。また、第３有機化合物層（１６ａ〜１６ｃ）に含まれる第３発光層の発光スペクトルが、第２有機化合物層（１４ａ〜１４ｃ）に含まれる第２発光層の発光スペクトルよりも長波長であるのが好ましい。
【００６６】
より具体的には、例えば、図１（ａ）の有機ＥＬ表示装置において、第１有機化合物層（１２ａ〜１２ｃ）に含まれる第１発光層を青色発光層とする。そして、第２有機化合物層（１４ａ〜１４ｃ）に含まれる第２発光層を緑色発光層とし、第３有機化合物層（１６ａ〜１６ｃ）に含まれる第３発光層を赤色発光層とする。
【００６７】
こうすることで、光の共振器構造を利用した色純度の高い光を取り出すことが可能になり、有機ＥＬ表示装置の表示品質をさらに高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置を示す模式図であり、（ａ）は、１画素分の有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す回路図である。
【図２】図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０  基板
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ  下部電極
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ  第１有機化合物層
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ  第１電極層
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ  第２有機化合物層
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ  第２電極層
１６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ  第３有機化合物層
１８ｂ、１８ｃ、１９ａ、１９ｃ、２０ａ、２０ｂ  コンタクトホール
２１  第３電極層
Ｐ１  第１副画素
Ｐ２  第２副画素
Ｐ３  第３副画素
【図１】
2010033983.tif 000003
【図２】
2010033983.tif 000004