(57)【要約】【課題】不導体被膜が、バンプ形成用領域に形成されることを防止する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１の上に形成された第１の電極パッド２ａと、半導体チップ１の上に形成された第２の電極パッド２ｂと、半導体チップ１の上に形成され、第１の電極パッド２ａの上面を露出する第１の開口部４ａ、及び第２の電極パッド２ｂの上面を露出する第２の開口部４ｂを有する絶縁膜４と、第１の電極パッド２ａの上に形成された第１のＵＢＭ６ａと、第２の電極パッド２ｂの上に形成された第２のＵＢＭ６ｂと、第１のＵＢＭ６ａの上に形成された不導体被膜７と、第２のＵＢＭ６ｂの上に形成されたバンプ８とを有している。絶縁膜４における第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとの間に形成された部分には、第１の溝５Ｘが形成され、第１の電極パッド側に位置する第１の溝５Ｘにより段差部５が形成されている。【選択図】図２
2010219239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの上に形成された第１の電極パッドと、
前記半導体チップの上に形成された第２の電極パッドと、
前記半導体チップの上に形成され、前記第１の電極パッドの上面を露出する第１の開口部、及び前記第２の電極パッドの上面を露出する第２の開口部を有する絶縁膜と、
前記第１の電極パッドの上に形成された第１のアンダーバンプメタルと、
前記第２の電極パッドの上に形成された第２のアンダーバンプメタルと、
前記第１のアンダーバンプメタルの上に形成された不導体被膜と、
前記第２のアンダーバンプメタルの上に形成されたバンプとを備え、
前記絶縁膜における前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間に形成された部分には、第１の溝が形成され、第１の電極パッド側に位置する前記第１の溝により段差部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜における前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間に形成された部分には、前記第１の溝と前記段差部を挟んで隣り合う第２の溝が形成され、
前記段差部の断面形状は、凸状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの上に形成された第３の電極パッドと、
前記第３の電極パッドの上に形成された第３のアンダーバンプメタルとをさらに備え、
前記絶縁膜には、前記第３の電極パッドの上面を露出する第３の開口部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の溝の一端及び他端の各々は、前記絶縁膜の端に到達していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の溝は、複数の前記第１の電極パッドが形成された領域を囲うように形成され、
前記第１の溝の平面形状は、環状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の溝には、排出用溝が連結され、
前記排出用溝は、前記第１の溝と前記絶縁膜の端とを、前記第２の開口部を通して結ぶように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記排出用溝は、
前記第１の溝と前記第２の開口部とを結ぶ第１の凹部と、
隣り合う前記第２の開口部同士の間を結ぶ第２の凹部と、
前記第２の開口部と前記絶縁膜の端とを結ぶ第３の凹部とを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜の材料は、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、又はシリコン系の絶縁材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記段差部の上面高さは、前記バンプの上面高さよりも低いことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの上に半導体集積回路（以下、「半導体チップ」と称す）が形成された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器、及び事務用電子機器等の小型化、及び高性能化が進められるに伴い、これらの機器の実装基板に実装される半導体装置に含まれる外部接続端子の数を増加することが要求されている。
【０００３】
図１０(a) 〜(b) に示すように、半導体チップ１００の周縁部に形成された電極パッド１０１と、実装基板１０２の上に形成された電極パッド１０３とを、Ａｕ、Ａｌ、又はＣｕからなる金属線１０４を介して接続するワイヤボンディンク方式の場合、外部接続端子の数に制限があり、上記の要求を満たすことは困難である。
【０００４】
そのため、近年、図１１(a) 〜(b) に示すように、半導体チップ１００の能動領域に形成された電極パッド１０１と、実装基板１０２の上に形成された電極パッド１０３とを、バンプ（外部接続端子）１０５を介して接続するフリップチップ方式が採用されている。
【０００５】
一方、半導体製造技術の著しい進化に伴い、半導体チップの微細化、及び高集積化が進められ、近年、半導体チップに含まれる層間絶縁膜の材料として、Ｌｏｗ−ｋ材料が採用されている。
【０００６】
Ｌｏｗ−ｋ膜について、次に説明する。配線として、抵抗の低い銅配線を採用するに伴い、銅配線を覆う層間絶縁膜として、銅配線の銅が、内部に浸透しない層間絶縁膜を採用する必要が生じた。しかしながら、銅を、内部に浸透させない層間絶縁膜の多くは、誘電率が高い。そのため、銅配線の利用によって、配線抵抗を低くしても、銅配線を覆う層間絶縁膜の誘電率が高いため、配線容量が増加するので、配線遅延を解消することができなかった。そこで、銅を、内部に浸透させず、且つ誘電率の低い層間絶縁膜として、Ｌｏｗ−ｋ膜が開発された。
【０００７】
Ｌｏｗ−ｋ膜は、従来の層間絶縁膜に比べて、物理的強度が弱い。そのため、銅配線を覆う層間絶縁膜として、Ｌｏｗ−ｋ膜を採用した場合、Ｌｏｗ−ｋ膜にクラックが発生し、銅配線の断線が顕在化するという問題がある。
【０００８】
ところで、はんだバンプの形成方法は、２つに大別される。
【０００９】
１つは、電気めっき法である。電気めっき法は、次に示す通りである。まず、半導体ウェハの上に形成された半導体チップの上に、電極パッドを形成する。次に、半導体チップの上に、電極パッドの上面を露出する開口部を有する絶縁膜を形成する。次に、絶縁膜の上に、シードメタル、及びバリアメタルからなる金属層を形成する。次に、金属層の上に、電極パッドの上方に開口部を有するレジストパターンを形成する。次に、電気めっき法により、レジストパターンの開口部内に、はんだめっきを形成した後、レジストパターンを除去する。次に、エッチングにより、金属層におけるはんだめっきの下に形成された部分以外の部分を除去し、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成する。次に、熱処理により、はんだめっきを溶融し、はんだバンプを形成する。
【００１０】
もう１つは、ボール搭載法（図１２(a) 〜(e) 参照）、又はスクリーン印刷法（図１３(a) 〜(e) 参照）である。
【００１１】
ボール搭載法は、次に示す通りである。まず、図１２(a) に示すように、半導体ウェハの上に形成された半導体チップ２００の上に、電極パッド２０１を形成する。次に、半導体チップ２００の上に、電極パッド２０１の上面を露出する開口部を有する絶縁膜２０２を形成する。次に、図１２(b) に示すように、無電解めっき法により、電極パッド２０１の上に、ＵＢＭ２０３を形成する。次に、図１２(c) に示すように、フラックス印刷用開口部を設けたマスク（図示せず）を用いて、ＵＢＭ２０３の上に、フラックス２０４をスクリーン印刷した後、はんだボール搭載用開口部を設けたマスクＭａを用いて、フラックス２０４の上に、はんだボール２０５を搭載する。次に、図１２(d) に示すように、はんだボール２０５に対し、リフロー、又はオーブン等の熱処理を行う。これにより、図１２(e) に示すように、はんだボール２０５を溶融し、はんだバンプ２０６を形成する。
【００１２】
スクリーン印刷法は、次に示す通りである。まず、図１３(a) に示すように、半導体ウェハの上に形成された半導体チップ２００の上に、電極パッド２０１を形成する。次に、半導体チップ２００の上に、電極パッド２０１の上面を露出する開口部を有する絶縁膜２０２を形成する。次に、図１３(b) に示すように、無電解めっき法により、電極パッド２０１の上に、ＵＢＭ２０３を形成する。次に、図１３(c) に示すように、はんだペースト印刷用開口部を設けたマスクＭａを用いて、スキージ２０７により、ＵＢＭ２０３の上に、はんだペースト２０８を印刷する。次に、図１３(d) に示すように、はんだペースト２０８に対し、リフロー、又はオーブン等の熱処理を行う。これにより、図１３(e) に示すように、はんだペースト２０８を溶融し、はんだバンプ２０９を形成する。
【００１３】
ところで、複数の半導体チップが形成された半導体ウェハを、各半導体チップ毎に分離することで、半導体装置に個別化される。そのため、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップの各々に対し、高い信頼性が要求されている。そこで、複数の半導体チップの各々に対し、電気特性検査、及びバーンイン検査が行われる。
【００１４】
しかしながら、電気特性検査の際に、電極パッド領域への電気特性検査用プローブ針の接触により、電極パッド領域に応力が印加されるため、電極パッド領域下の層間絶縁膜にクラックが発生するという問題がある。同様に、バーンイン検査の際に、電極パッド領域へのバーンイン検査用プローブ針の接触により、電極パッド領域に応力が印加されるため、電極パッド領域下の層間絶縁膜にクラックが発生するという問題がある。特に、この問題は、電極パッドが能動領域に形成された半導体チップ（図１１(a) 〜(b) 参照）の場合、又は層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ膜が採用された半導体チップの場合、顕著に発生する。
【００１５】
そのため、電気特性検査、及びバーンイン検査において、バンプが形成される電極パッドへの検査負担の軽減が要求されている。
【００１６】
バンプが形成される電極パッドへの検査負担を軽減する対策として、バンプ形成用領域（即ち、バンプが形成される電極パッドを含む領域）３００とダイソートテスト用領域（即ち、ダイソートテストに用いられる電極パッドを含む領域）３０１とを、図１４に示すように、同一の領域に設けるのではなく、バンプ形成用領域３００とダイソートテスト用領域３０１とを、図１５に示すように、相異なる領域に設け、バンプ形成用領域３００とダイソートテスト用領域３０１とを、配線３０２を介して、電気的に接続する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１７】
これにより、ダイソートテスト時に、ダイソートテスト用プローブ針が、バンプ形成用領域３００に接触することがないため、バンプ形成用領域３００にプローブ痕３０３が形成されることがない。そのため、バンプ形成用領域３００に、ダイソートテスト用プローブ針の接触による応力が印加されることがないため、バンプが形成される電極パッドへの検査負担を軽減することができる。
【００１８】
また、電気特性検査、及びバーンイン検査において、検査コストの削減が要求されている。
【００１９】
検査コストを削減する対策として、バーンイン検査を、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップのうち、バーンイン検査の前に行う電気特性検査において良品と判定された半導体チップにのみ行う方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００２０】
まず、図１６(a) に示すように、半導体ウェハの上に形成された半導体チップ４００の上に、電極パッド４０１ａ，４０１ｂを形成する。次に、半導体チップ４００の上に、電極パッド４０１ａ，４０１ｂの上面を露出する開口部を有する絶縁膜４０２を形成する。
【００２１】
次に、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップの各々に対し、電気特性検査を行い、不良と判定された半導体チップにおいて、図１６(b) に示すように、電極パッド４０１ａの上に、不導体被膜４０３を形成する。
【００２２】
次に、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップのうち、電気特性検査において良品と判定された半導体チップにおいて、図１６(c) に示すように、電極パッド４０１ｂに、バーンイン検査用プローブ針４０４ｂを接触させ、良品と判定された半導体チップに対し、バーンイン検査を行う。一方、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップのうち、電気特性検査において不良品と判定された半導体チップにおいて、図１６(c) に示すように、電極パッド４０１ａに、バーンイン検査用プローブ針４０４ａを接触させず、不良品と判定された半導体チップに対し、バーンイン検査を行わない。
【００２３】
これにより、バーンイン検査時に、電気特性検査において良品と判定された半導体チップにのみ、電力を供給することができるため、消費電力を削減することができるので、検査コストを削減することができる。
【特許文献１】特開２００２−９０４２２号公報
【特許文献２】特許第３３９５３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
半導体装置の更なる小型化、微細化、及び高集積化に伴い、電極パッド間のピッチが、更に狭くなる。そのため、不導体被膜４０３の形成の際における樹脂の塗布時に、樹脂の塗布量を、精度良く制御することが非常に困難である。
【００２５】
そのため、例えば、樹脂の塗布量が少ない場合、図１７に示すように、不導体被膜５０３により、電極パッド４０１ａの上面を覆うことができないため、バーンイン検査時に、電極パッド４０１ａに、バーンイン検査用プローブ針４０４ａが接触するという問題がある。
【００２６】
一方、例えば、樹脂の塗布量が多い場合、図１８(a) に示すように、不導体被膜６０３が、バーンイン検査用電極パッド６０１ａの上にだけでなく、バンプ形成用電極パッド６０１ｂの上にも、形成される（なお、バーンイン検査用電極パッド６０１ａ、及びバンプ形成用電極パッド６０１ｂは、半導体チップ６００の上に形成され、半導体チップ６００に形成された配線６００ｃにより、バーンイン検査用電極パッド６０１ａと、バンプ形成用電極パッド６０１ｂとの間を電気的に接続している）。
【００２７】
そのため、図１８(b) に示すように、不導体被膜６０３の上に、フラックス６０４、及びはんだボール６０５が順次形成され、バンプ形成用電極パッド６０１ｂの上に、フラックス６０４、及びはんだボール６０５を順次形成することができない。
【００２８】
さらに、図１８(c) に示すように、熱処理によるはんだボール６０５の溶融時に、はんだボール６０５が飛散し、良品と判定された半導体チップに、異形バンプが形成される虞がある。
【００２９】
前記に鑑み、本発明の目的は、不導体被膜が、バンプ形成用領域に形成されることを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
前記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、半導体チップの上に形成された第１の電極パッドと、半導体チップの上に形成された第２の電極パッドと、半導体チップの上に形成され、第１の電極パッドの上面を露出する第１の開口部、及び第２の電極パッドの上面を露出する第２の開口部を有する絶縁膜と、第１の電極パッドの上に形成された第１のアンダーバンプメタルと、第２の電極パッドの上に形成された第２のアンダーバンプメタルと、第１のアンダーバンプメタルの上に形成された不導体被膜と、第２のアンダーバンプメタルの上に形成されたバンプとを備え、絶縁膜における第１の電極パッドと第２の電極パッドとの間に形成された部分には、第１の溝が形成され、第１の電極パッド側に位置する第１の溝により段差部が形成されていることを特徴とする。
【００３１】
本発明に係る半導体装置によると、不導体被膜の形成の際における樹脂の塗布時に、第１のアンダーバンプメタル（第１のＵＢＭ）の上に塗布された樹脂が、塗れ広がることがあっても、樹脂を、第１の溝内に流し込み、段差部により、樹脂を塞き止めて、樹脂が第２のアンダーバンプメタル（第２のＵＢＭ）の上に塗れ広がることを防止することができる。
【００３２】
従って、半導体装置の更なる小型化、微細化、及び高集積化に伴い、第１の電極パッドと第２の電極パッドとの間隔が狭くなることがあっても、第２のＵＢＭの上に不導体被膜が形成されることはなく、バンプ形成用領域（第２のＵＢＭを介してバンプが形成される第２の電極パッドを含む領域）に、不導体被膜が形成されることを防止することができる。
【００３３】
本発明に係る半導体装置において、絶縁膜における第１の電極パッドと第２の電極パッドとの間に形成された部分には、第１の溝と段差部を挟んで隣り合う第２の溝が形成され、段差部の断面形状は、凸状であることが好ましい。
【００３４】
このようにすると、樹脂が、第１の溝内から溢れることがあっても、樹脂を、第２の溝内に流し込み、樹脂が、第２のＵＢＭの上に塗れ広がることを防止することができる。
【００３５】
本発明に係る半導体装置において、半導体チップの上に形成された第３の電極パッドと、第３の電極パッドの上に形成された第３のアンダーバンプメタルとをさらに備え、絶縁膜には、第３の電極パッドの上面を露出する第３の開口部が形成されていることが好ましい。
【００３６】
本発明に係る半導体装置において、第１の溝の一端及び他端の各々は、絶縁膜の端に到達していることが好ましい。
【００３７】
このようにすると、第１の溝内に流し込まれた樹脂を、第１の溝内に整流させ、半導体チップ外に誘導して排出することができる。
【００３８】
本発明に係る半導体装置において、第１の溝は、複数の第１の電極パッドが形成された領域を囲うように形成され、第１の溝の平面形状は、環状であることが好ましい。
【００３９】
本発明に係る半導体装置において、第１の溝には、排出用溝が連結され、排出用溝は、第１の溝と絶縁膜の端とを、第２の開口部を通して結ぶように形成されていることが好ましい。
【００４０】
このようにすると、第１の溝内に流し込まれた樹脂を、第１の溝、及び排出用溝内に整流させ、半導体チップ外に誘導して排出することができる。
【００４１】
本発明に係る半導体装置において、排出用溝は、第１の溝と第２の開口部とを結ぶ第１の凹部と、隣り合う第２の開口部同士の間を結ぶ第２の凹部と、第２の開口部と絶縁膜の端とを結ぶ第３の凹部とを有していることが好ましい。
【００４２】
本発明に係る半導体装置において、絶縁膜の材料は、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、又はシリコン系の絶縁材料であることが好ましい。
【００４３】
本発明に係る半導体装置において、段差部の上面高さは、バンプの上面高さよりも低いことが好ましい。
【発明の効果】
【００４４】
本発明に係る半導体装置によると、不導体被膜の形成の際における樹脂の塗布時に、第１のＵＢＭの上に塗布された樹脂が、塗れ広がることがあっても、樹脂を、第１の溝内に流し込み、段差部により、樹脂を塞き止めて、樹脂が第２のＵＢＭの上に塗れ広がることを防止することができる。
【００４５】
従って、半導体装置の更なる小型化、微細化、及び高集積化に伴い、第１の電極パッドと第２の電極パッドとの間隔が狭くなることがあっても、第２のＵＢＭの上に不導体被膜が形成されることはなく、バンプ形成用領域（第２のＵＢＭを介してバンプが形成される第２の電極パッドを含む領域）に、不導体被膜が形成されることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４７】
（一実施形態）
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置について、図１、図２(a) 〜(b) 、図３(a) 〜(c) 、図４(a) 〜(d) 、図５、図６、図７、図８(a) 〜(c) 、及び図９を参照しながら説明する。
【００４８】
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【００４９】
まず、図１に示すように、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップの各々の上に、例えば、アルミニウム、又は銅等からなる電気特性検査用電極パッド、バーンイン検査用電極パッド、及びバンプ形成用電極パッドを形成する。ここで、「電気特性検査用電極パッド」とは、電気特性検査に用いられる電極パッドである。「バーンイン検査用電極パッド」とは、バーンイン検査に用いられる電極パッドである。「バンプ形成用電極パッド」とは、その上にＵＢＭ（アンダーバンプメタル）を介してバンプが形成される電極パッドである。
【００５０】
次に、図１に示すように、バーンイン検査用電極パッドと、バンプ形成用電極パッドとの間に、段差部を形成する。
【００５１】
次に、図１に示すように、電解めっき法、又は無電解めっき法により、電気特性検査用電極パッドの上に、電気特性検査用ＵＢＭを形成し、バーンイン検査用電極パッドの上に、バーンイン検査用ＵＢＭを形成し、バンプ形成用電極パッドの上に、バンプ形成用ＵＢＭを形成する。電気特性検査用ＵＢＭ、バーンイン検査用ＵＢＭ、及びバンプ形成用ＵＢＭは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、及び金（Ａｕ）膜等の複数の金属膜が積層して形成される。なお、バンプ形成用ＵＢＭは、その上に形成されるバンプの拡散を防止するバリア機能を有し、その上に形成されるバンプとの濡れ性が高い。
【００５２】
次に、図１に示すように、電気特性検査用ＵＢＭに、電気特性検査用プローブ針を接触させ、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップの各々に対し、電気特性検査を行う。これにより、半導体チップが良品であるか不良品であるかを判定する。このように、電気特性検査用ＵＢＭは、電気特性検査において、電気特性検査用電極の機能を果たす。
【００５３】
次に、図１に示すように、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップのうち、電気特性検査において不良品と判定された半導体チップにおいて、バーンイン検査用ＵＢＭの上に、例えば、ＵＶ硬化性樹脂、又は熱硬化性樹脂を塗布する。その後、ＵＶ硬化性樹脂の場合、ＵＶ硬化性樹脂に対しＵＶ照射を行い、ＵＶ硬化性樹脂を硬化し、ＵＶ硬化性樹脂からなる不導体被膜を形成する。一方、熱硬化性樹脂の場合、熱硬化性樹脂に対し加熱処理を行い、熱硬化性樹脂を硬化し、熱硬化性樹脂からなる不導体被膜を形成する。
【００５４】
次に、図１に示すように、半導体ウェハの上に形成された複数の半導体チップのうち、電気特性検査において良品と判定された半導体チップにおいて、バーンイン検査用ＵＢＭに、バーンイン検査用プローブ針を接触させ、良品と判定された半導体チップに対し、バーンイン検査を行う（即ち、半導体チップに対し、高温環境下での電気特性検査を行う）。これにより、半導体チップが良品であるか不良品であるかを判定する。このように、バーンイン検査用ＵＢＭは、バーンイン検査において、バーンイン検査用電極の機能を果たす。
【００５５】
次に、図１に示すように、例えば、ボール搭載法、又はスクリーン印刷法により、バンプ形成用ＵＢＭの上に、はんだバンプを形成する。具体的には、第１に例えば、はんだバンプの形成方法として、ボール搭載法を用いた場合、フラックス印刷用開口部を設けたマスクを用いて、フラックスを、バンプ形成用ＵＢＭの上にスクリーン印刷した後、はんだボール搭載用開口部を設けたマスクを用いて、はんだボールを、フラックスの上に搭載し、その後、リフロー装置、又はオーブン装置等を用いて、はんだボールに対し加熱処理を行い、はんだバンプを形成する。第２に例えば、はんだバンプの形成方法として、スクリーン印刷法を用いた場合、はんだペースト印刷用開口部を設けたマスクを用いて、はんだペーストを、バンプ形成用ＵＢＭの上に印刷した後、リフロー装置、又はオーブン装置等を用いて、はんだペーストに対し加熱処理を行い、はんだバンプを形成する。
【００５６】
その後、半導体ウェハの裏面を研削する研磨工程等を行う。その後、複数の半導体チップが形成された半導体ウェハを、各半導体チップ毎に分離し、半導体装置に個別化するダイシング工程を行う。
【００５７】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【００５８】
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成について、図２(a) 〜(b) を参照しながら説明する。図２(a) 〜(b) は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。図２(a) は、平面図であり、図２(b) は、断面図であり、具体的には、図２(a) に示すIIb-IIb線における断面図である。
【００５９】
図２(b) に示すように、半導体装置は、半導体ウェハの上に形成された半導体チップ１と、半導体チップ１の上に形成された電気特性検査用電極パッド（図示せず，第３の電極パッド）と、半導体チップ１の上に形成されたバーンイン検査用電極パッド（第１の電極パッド）２ａと、半導体チップ１の上に形成されたバンプ形成用電極パッド（第２の電極パッド）２ｂと、半導体チップ１の上に形成された第１の絶縁膜３と、第１の絶縁膜３の上に形成された第２の絶縁膜４と、電気特性検査用電極パッドの上に形成された電気特性検査用ＵＢＭ（図示せず，第３のＵＢＭ）と、バーンイン検査用電極パッド２ａの上に形成されたバーンイン検査用ＵＢＭ（第１のＵＢＭ）６ａと、バンプ形成用電極パッド２ｂの上に形成されたバンプ形成用ＵＢＭ（第２のＵＢＭ）６ｂと、バーンイン検査用ＵＢＭ６ａの上に形成された不導体被膜７と、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に形成されたバンプ８とを備えている。
【００６０】
半導体チップ１には、図２(b) に示すように、バーンイン検査用電極パッド２ａとバンプ形成用電極パッド２ｂとの間を電気的に接続する配線１ｃが形成されている。
【００６１】
第１の絶縁膜３には、図２(b) に示すように、電気特性検査用電極パッドの上面を露出する開口部（図示せず）、バーンイン検査用電極パッド２ａの上面を露出する開口部３ａ、及びバンプ形成用電極パッド２ｂの上面を露出する開口部３ｂが形成されている。
【００６２】
第２の絶縁膜４には、図２(b) に示すように、電気特性検査用電極パッドの上面を露出する電気特性検査用開口部（図示せず，第３の開口部）、バーンイン検査用電極パッド２ａの上面を露出するバーンイン検査用開口部（第１の開口部）４ａ、及びバンプ形成用電極パッド２ｂの上面を露出するバンプ形成用開口部（第２の開口部）４ｂが形成されている。
【００６３】
第２の絶縁膜４におけるバーンイン検査用電極パッド２ａとバンプ形成用電極パッド２ｂとの間に形成された部分には、第１の溝５Ｘ、及び第１の溝５Ｘと隣り合う第２の溝５Ｙが形成されている。バーンイン検査用電極パッド側に位置する第１の溝５Ｘ、及びバンプ形成用電極パッド側に位置する第２の溝５Ｙにより、断面形状が凸状の段差部５が形成されている。
【００６４】
不導体被膜７の形成の際における樹脂の塗布時に、樹脂を、第１の溝５Ｘ内に流し込み、段差部５により、樹脂を塞き止めて、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。そのため、図２(b) に示すように、第１の溝５Ｘ内には、不導体被膜７が形成されている。
【００６５】
電気特性検査用電極パッド、バーンイン検査用電極パッド２ａ、及びバンプ形成用電極パッド２ｂは、例えば、アルミニウム、又は銅等からなる。
【００６６】
第１の絶縁膜３は、例えば、シリコン窒化膜等からなる。
【００６７】
以下に、段差部５の形成方法について、図３(a) 〜(c) 、及び図４(a) 〜(d) を参照しながら説明する。図３(a) 〜(c) は、段差部の形成方法を示す断面図である。図４(a) 〜(d) は、段差部の形成方法を示す拡大断面図である。なお、図３(a) 〜(c) において、簡略的に図示する為に、半導体チップの上に形成される電気特性検査用電極パッド、バーンイン検査用電極パッド（図２(a)：２ａ参照）、バンプ形成用電極パッド（図２(a)：２ｂ参照）、及び第１の絶縁膜（図２(a)：３参照）の図示を省略する。
【００６８】
まず、図３(a) に示すように、例えば、ディスペンサーを用いて、複数の半導体チップが形成された半導体ウェハ１Ｘ上の全面に、絶縁性の液体樹脂、又は絶縁性の粘度の低い樹脂からなる樹脂４ｘを塗布する。このとき、樹脂４ｘは、量が不足することのないように、設計量よりも若干多い量が塗布される。またこのとき、樹脂４ｘは、半導体ウェハ１Ｘ上の全面における中央領域に塗布される。
【００６９】
次に、図３(b) に示すように、半導体ウェハ１Ｘの中心を通る中心軸を回転軸として、半導体ウェハ１Ｘを高速回転させる。これにより、樹脂４ｘに遠心力が発生し、遠心力により、中央領域に塗布された樹脂４ｘが塗れ広がって、樹脂４Ｘが、半導体ウェハ１Ｘ上の全面に均一に塗布される。このとき、設計量よりも若干多い量が塗布された樹脂４ｘにおける余剰量は、遠心力により、飛散するため、半導体ウェハ１Ｘ上の全面に、所望の膜厚を有する樹脂４Ｘを塗布することができる。
【００７０】
樹脂４Ｘの膜厚は、樹脂４ｘの材料、及び樹脂４ｘの粘度に加えて、半導体ウェハ１Ｘを回転させる回転数、及び回転時間を調整することによって、調整することができる。
【００７１】
次に、図３(c) に示すように、例えば、オーブン装置を用いて、熱処理により、樹脂４Ｘを硬化し、半導体ウェハ１Ｘ上の全面に、第２の絶縁膜４を形成する。このとき、オーブン装置として、樹脂４Ｘを均一に硬化する為に、樹脂４Ｘ内を均一に加熱することが可能なオーブン装置を用いる。
【００７２】
次に、図４(a) に示すように、第２の絶縁膜４の上に、例えば、ポジティブ型の感光性樹脂からなるレジストＲｅを形成する。ここで、「ポジティブ型の感光性樹脂」とは、ＵＶ光の照射により、現像液に溶け易くなる感光性樹脂をいう。
【００７３】
その後、レジストＲｅの上に、開口部を有するマスクＭａを形成する。
【００７４】
次に、図４(b) に示すように、ＵＶ光により、レジストＲｅにおけるマスクＭａの開口部内に露出する部分を露光する。その後、現像液により、レジストＲｅにおけるＵＶ光が照射された部分（即ち、レジストＲｅにおける現像液に溶け易くなった部分）を、除去する。これにより、レジストＲｅに、マスクＭａの開口部に対応する開口部を形成し、開口部が形成されたレジストパターンＲｅＰを形成する。その後、マスクＭａを除去する。
【００７５】
次に、図４(c) に示すように、レジストパターンＲｅＰをマスクに用いて、エッチングにより、第２の絶縁膜４におけるレジストパターンＲｅＰの開口部内に露出する部分を除去する。これにより、第２の絶縁膜４に、電気特性検査用電極パッドの上面を露出する電気特性検査用開口部（図示せず）、バーンイン検査用電極パッド２ａの上面を露出するバーンイン検査用開口部４ａ、及びバンプ形成用電極パッド２ｂの上面を露出するバンプ形成用開口部４ｂを形成する。それと共に、第２の絶縁膜４におけるバーンイン検査用電極パッド２ａとバンプ形成用電極パッド２ｂとの間に形成された部分に、第１の溝５Ｘ、及び第１の溝５Ｘと隣り合う第２の溝５Ｙを形成し、バーンイン検査用電極パッド側に位置する第１の溝５Ｘ、及びバンプ形成用電極パッド側に位置する第２の溝５Ｙにより、断面形状が凸状の段差部５を形成する。
【００７６】
次に、図４(d) に示すように、レジストパターンＲｅＰを除去する。
【００７７】
以上のようにして、段差部５を形成することができる。
【００７８】
なお、上記の段差部５の形成方法の説明では、ポジティブ型の感光性樹脂からなるレジストＲｅを用いた場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ネガティブ型の感光性樹脂からなるレジストを用いてもよい。「ネガティブ型の感光性樹脂」とは、ＵＶ光の照射により、現像液に溶け難くなる感光性樹脂をいう。即ち、レジストＲｅの材料として、ネガティブ型の感光性樹脂、及びポジティブ型の感光性樹脂のうち一方を、段差部（図４(c)：５参照）の形状、又はマスク（図４(a)：Ｍａ）の設計仕様に応じて選択して用いればよい。
【００７９】
本実施形態によると、不導体被膜７の形成の際における樹脂の塗布時に、バーンイン検査用ＵＢＭ６ａの上に塗布された樹脂が、塗れ広がることがあっても、樹脂を、第１の溝５Ｘ内に流し込み、段差部５により、樹脂を塞き止めて、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。
【００８０】
さらに、樹脂が、第１の溝５Ｘ内から溢れることがあっても、樹脂を、第２の溝５Ｙ内に流し込み、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。
【００８１】
従って、半導体装置の更なる小型化、微細化、及び高集積化に伴い、バーンイン検査用電極パッド２ａとバンプ形成用電極パッド２ｂとの間隔が狭くなることがあっても、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に、不導体被膜７が形成されることはなく、バンプ形成用領域（バンプ形成用ＵＢＭ６ｂを介してバンプ８が形成されるバンプ形成用電極パッド２ｂを含む領域）に、不導体被膜が形成されることを防止することができる。
【００８２】
以下に、両側の溝により形成された断面形状が凸状の段差部のレイアウトについて、図５、及び図６を参照しながら説明する。図５は、段差部のレイアウトの第１の例を示す平面図である。図６は、段差部のレイアウトの第２の例を示す平面図である。なお、図５、及び図６において、簡略的に図示するために、第２の絶縁膜４の図示を省略する。
【００８３】
＜第１の例＞
図５に示すように、第２の絶縁膜（図示せず）に、第１の溝１５Ｘ、及び第２の溝１５Ｙが形成されて、第１，第２の溝１５Ｘ，１５Ｙにより断面形状が凸状の段差部１５が形成されている。
【００８４】
段差部１５は、複数のバーンイン検査用電極パッド−ＵＢＭ６ａが形成された領域と、複数のバンプ形成用電極パッド−ＵＢＭ６ｂが形成された領域との間に介在し、その一端が、第２の絶縁膜の端に到達するように配置されている。
【００８５】
第２の絶縁膜に、第１の誘導用溝１６Ｘ、及び第２の誘導用溝１６Ｙが形成され、第１，第２の誘導用溝１６Ｘ，１６Ｙにより断面形状が凸状の誘導用段差部１６が形成されている。
【００８６】
誘導用段差部１６は、段差部１５の他端から、複数のバンプ形成用電極パッド−ＵＢＭ６ｂが形成された領域以外の領域に延びるように配置されている。
【００８７】
第１の溝１５Ｘは、段差部１５のバーンイン検査用電極パッド側に形成されている。第１の溝１５Ｘの一端は、第２の絶縁膜の端に到達している。第１の誘導用溝１６Ｘは、第１の溝１５Ｘの他端から、複数のバンプ形成用電極パッド−ＵＢＭ６ｂが形成された領域以外の領域に延びるように形成されている。
【００８８】
第２の溝１５Ｙは、段差部１５のバンプ形成用電極パッド側に形成されている。第２の溝１５Ｙの一端は、第２の絶縁膜の端に到達している。第２の誘導用溝１６Ｙは、第２の溝１５Ｙの他端から、複数のバンプ形成用電極パッド−ＵＢＭ６ｂが形成された領域以外の領域に延びるように形成されている。
【００８９】
これにより、不導体被膜７の形成の際における樹脂７ｘの塗布時に、バーンイン検査用ＵＢＭ６ａの上に塗布された樹脂７ｘが、放射状に塗れ広がることがあっても、樹脂を、第１の溝１５Ｘ内に流し込み、段差部１５により、樹脂を塞き止めて、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。それと共に、樹脂を、第１の溝１５Ｘ内に整流させ、半導体チップ外に誘導して排出する、又は樹脂を、第１の溝１５Ｘ、及び第１の誘導用溝１６Ｘ内に整流させ、複数のバンプ形成用電極パッド−ＵＢＭ６ｂが形成された領域以外の領域に誘導することができる。
【００９０】
さらに、樹脂が、第１の溝１５Ｘ内から溢れることがあっても、樹脂を、第２の溝１５Ｙ内に流し込み、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。それと共に、樹脂を、第２の溝１５Ｙ内に整流させ、半導体チップ外に誘導して排出する、又は樹脂を、第２の溝１５Ｙ、及び第２の誘導用溝１６Ｙ内に整流させ、複数のバンプ形成用電極パッド−ＵＢＭ６ｂが形成された領域以外の領域に誘導することができる。
【００９１】
＜第２の例＞
図６に示すように、第２の絶縁膜（図示せず）に、第１の溝２５Ｘ、及び第２の溝２５Ｙが形成されて、第１，第２の溝２５Ｘ，２５Ｙにより断面形状が凸状の段差部２５が形成されている。
【００９２】
段差部２５は、複数のバーンイン検査用電極パッド−ＵＢＭ６ａが形成された領域を囲うように配置され、段差部２５の平面形状は、環状である。
【００９３】
第１の溝２５Ｘは、段差部２５のバーンイン検査用電極パッド側に形成され、複数のバーンイン検査用電極パッド−ＵＢＭ６ａが形成された領域を囲うように形成されている。第２の溝２５Ｙは、段差部２５のバンプ形成用電極パッド側に形成され、複数のバーンイン検査用電極パッド−ＵＢＭ６ａが形成された領域を囲うように形成されている。
【００９４】
これにより、不導体被膜７の形成の際における樹脂７ｘの塗布時に、バーンイン検査用ＵＢＭ６ａの上に塗布された樹脂７ｘが、放射状に塗れ広がることがあっても、樹脂を、第１の溝２５Ｘ内に流し込み、段差部２５により、樹脂を塞き止めて、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。
【００９５】
さらに、樹脂が、第１の溝２５Ｘ内から溢れることがあっても、樹脂を、第２の溝２５Ｙ内に流し込み、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。
【００９６】
−段差部−
なお、本実施形態では、段差部として、両側の溝により形成された断面形状が凸状の段差部５を用いる場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、片側（詳細には、バーンイン検査用電極パッド側）の溝により形成された段差部を用いてもよい。
【００９７】
以下に、片側の溝により形成された段差部のレイアウトについて、図７、及び図８(a) 〜(c) を参照しながら説明する。図７は、段差部のレイアウトの第１の例を示す平面図である。図８(a) 〜(c) は、段差部のレイアウトの第２の例を示す図である。図８(a) は、平面図であり、図８(b) は、断面図であり、具体的には、図８(a) に示すVIIIb-VIIIb線における断面図であり、図８(c) は、拡大断面図であり、具体的には、図８(b) に示す四角に囲まれた部分の拡大断面図である。
【００９８】
＜第１の例＞
図７に示すように、第２の絶縁膜４に、第１の溝３５Ｘが形成されて、バーンイン検査用電極パッド側に位置する第１の溝３５Ｘにより段差部３５が形成されている。第１の溝３５Ｘは、複数のバーンイン検査用電極パッド−ＵＢＭ６ａが形成された領域と、複数のバンプ形成用電極パッド−ＵＢＭ６ｂが形成された領域との間に介在するように形成されている。第１の溝３５Ｘの一端及び他端の各々は、第２の絶縁膜４の端に到達している。
【００９９】
これにより、不導体被膜７の形成の際における樹脂７ｘの塗布時に、バーンイン検査用ＵＢＭ６ａの上に塗布された樹脂７ｘが、放射状に塗れ広がることがあっても、樹脂を、第１の溝３５Ｘ内に流し込み、段差部３５により、樹脂を塞き止めて、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。それと共に、樹脂を、第１の溝３５Ｘ内に整流させ、半導体チップ外に誘導して排出することができる。
【０１００】
＜第２の例＞
図８(a) に示すように、第２の絶縁膜４に、第１の溝４５Ｘが形成されて、バーンイン検査用電極パッド側に位置する第１の溝４５Ｘにより段差部４５が形成されている。第１の溝４５Ｘは、複数のバーンイン検査用電極パッド−ＵＢＭ６ａが形成された領域と、複数のバンプ形成用電極パッド−ＵＢＭ６ｂが形成された領域との間に介在するように形成されている。第１の溝４５Ｘの一端及び他端の各々は、第２の絶縁膜４の端に到達している。
【０１０１】
第１の溝４５Ｘには、第１の排出用溝４６ｘ、及び第２の排出用溝４７ｘが連結されている。
【０１０２】
第１の排出用溝４６ｘは、第１の溝４５Ｘと第２の絶縁膜４の端とを、バンプ形成用開口部４ｂを通して、結ぶように形成されている。詳細には、第１の排出用溝４６ｘは、第１の溝４５Ｘとバンプ形成用開口部４ｂとを結ぶ第１の凹部４６ｘ１と、隣り合うバンプ形成用開口部４ｂ同士の間を結ぶ第２の凹部４６ｘ２と、バンプ形成用開口部４ｂと絶縁膜４の端とを結ぶ第３の凹部４６ｘ３とを有している。
【０１０３】
第２の排出用溝４７ｘは、第１の溝４５Ｘと第２の絶縁膜４の端とを結ぶように形成されている。このように、バンプ形成用開口部４ｂ間のピッチＷｗが、比較的広い場合、バンプ形成用開口部４ｂ間に、第２の排出用溝４７ｘを設ける（一方、バンプ形成用開口部４ｂ間のピッチＷｎが、比較的狭い場合、バンプ形成用開口部４ｂ間に、排出用溝を設けない）。
【０１０４】
これにより、不導体被膜７の形成の際における樹脂７ｘの塗布時に、バーンイン検査用ＵＢＭ６ａの上に塗布された樹脂７ｘが、放射状に塗れ広がることがあっても、樹脂を、第１の溝４５Ｘ内に流し込み、段差部４５により、樹脂を塞き止めて、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上に塗れ広がることを防止することができる。それと共に、樹脂を、第１の溝４５Ｘ、及び第１の排出用溝４６ｘ内に整流させ、半導体チップ外に誘導して排出する、又は樹脂を、第１の溝４５Ｘ、及び第２の排出用溝４７ｘ内に整流させ、半導体チップ外に誘導して排出することができる。
【０１０５】
ここで、図８(c) に示すように、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上面高さは、比較的高い。ここで、「バンプ形成用ＵＢＭの上面高さ」とは、第１の絶縁膜３の上面（言い換えれば、バンプ形成用開口部４ｂの底面）から、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上面までの高さをいう。そのため、樹脂が、バンプ形成用開口部４ｂ内を通って、第１の排出用溝４６ｘ内を整流することがあっても、樹脂が、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上面に流れることはない。そのため、バンプ形成用開口部４ｂ内を通って、第１の排出用溝４６ｘ内を整流する樹脂を、バンプ形成用ＵＢＭ６ｂの上面に流すことなく、半導体チップ外に誘導して排出することができる。
【０１０６】
特に、半導体チップ内に、樹脂を誘導すべき領域（即ち、樹脂が塗れ広がっても悪影響のない領域）が、樹脂の近傍に存在しない場合、図９(a) に示すように、樹脂を、バンプ形成用開口部４ｂを利用した第１の排出用溝４６ｘ内に整流させて、半導体チップ外に誘導すればよい。
【０１０７】
段差部５，１５，２５，３５，４５の材料としては、はんだバンプの形成の際におけるはんだボール（又ははんだペースト）の溶融時に、はんだボール（又ははんだペースト）の溶融時の温度（例えば、２６０℃前後）によって、物性が変化することのない材料を用いる。具体的には例えば、段差部５，１５，２５，３５，４５の材料としては、ポリイミド、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）、又はシリコン系の絶縁材料が挙げられる。
【０１０８】
段差部５の上面高さＨ5は、図９に示すように、バンプ８の上面高さＨ8よりも低い。その理由は、次に示す通りである。
【０１０９】
Ｈ5 ＜ Ｈ8
段差部５の高さが高いほど、樹脂を塞き止める量が増大するものの、段差部５の上面高さＨ5が、バンプ８の上面高さＨ8以上の場合、半導体装置を実装基板に実装する実装時に、半導体装置と実装基板との間に介在する段差部５により、半導体装置を実装基板に実装することができない。そのため、段差部５の上面高さＨ5は、バンプ８の上面高さＨ8よりも低い。ここで、「段差部の上面高さ」とは、第１の絶縁膜３の上面から段差部５の上面までの高さをいう。またここで、「バンプの上面高さ」とは、第１の絶縁膜３の上面からバンプ８の頂点までの高さをいう。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、不導体被膜が、バンプ形成用領域（ＵＢＭを介してバンプが形成される電極パッドを含む領域）に形成されることを防止することができるため、不導体被膜を有する半導体装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図２】(a) 〜(b) は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図３】(a) 〜(c) は、本発明の一実施形態に係る半導体装置における段差部の形成方法を示す断面図である。
【図４】(a) 〜(d) は、本発明の一実施形態に係る半導体装置における段差部の形成方法を示す拡大断面図である。
【図５】両側の溝により形成された段差部のレイアウトの第１の例を示す平面図である。
【図６】両側の溝により形成された段差部のレイアウトの第２の例を示す平面図である。
【図７】片側の溝により形成された段差部のレイアウトの第１の例を示す平面図である。
【図８】(a) 〜(c) は、片側の溝により形成された段差部のレイアウトの第２の例を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】(a) 〜(b) は、ワイヤボンディンク方式により、半導体装置が実装基板に実装された実装体の構成を示す図である。
【図１１】(a) 〜(b) は、フリップチップ方式により、半導体装置が実装基板に実装された実装体の構成を示す図である。
【図１２】(a) 〜(e) は、ボール搭載法によるはんだバンプの形成方法を示す断面図である。
【図１３】(a) 〜(e) は、スクリーン印刷法によるはんだバンプの形成方法を示す断面図である。
【図１４】従来の電極パッドの構成を概略的に示す平面図である。
【図１５】第１の従来技術の分離型電極パッドの構成を概略的に示す平面図である。
【図１６】(a) 〜(c) は、第２の従来技術の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】第２の従来技術の半導体装置における問題を示す断面図である。
【図１８】(a) 〜(c) は、第１の従来技術の半導体装置における問題を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１Ｘ  半導体ウェハ
１    半導体チップ
１ｃ  配線
２ａ  バーンイン検査用電極パッド（第１の電極パッド）
２ｂ  バンプ形成用電極パッド（第２の電極パッド）
３    第１の絶縁膜
３ａ  開口部
３ｂ  開口部
４    第２の絶縁膜
４ａ  バーンイン検査用開口部（第１の開口部）
４ｂ  バンプ形成用開口部（第２の開口部）
４ｘ，４Ｘ  樹脂
５    段差部
５Ｘ  第１の溝
５Ｙ  第２の溝
６ａ  バーンイン検査用ＵＢＭ（第１のＵＢＭ）
６ｂ  バンプ形成用ＵＢＭ（第２のＵＢＭ）
７    不導体被膜
８    バンプ
１５    段差部
１５Ｘ  第１の溝
１５Ｙ  第２の溝
１６    誘導用段差部
１６Ｘ  第１の誘導用溝
１６Ｙ  第２の誘導用溝
２５    段差部
２５Ｘ  第１の溝
２５Ｙ  第２の溝
３５    段差部
３５Ｘ  第１の溝
４５    段差部
４５Ｘ  第１の溝
４６ｘ  第１の排出用溝
４６ｘ１  第１の凹部
４６ｘ２  第２の凹部
４６ｘ３  第３の凹部
４７ｘ  第２の排出用溝
Ｗｎ，Ｗｗ  ピッチ
Ｈ5  段差部の上面高さ
Ｈ8  バンプの上面高さ
【図１】
2010219239.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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