(57)【要約】【課題】小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】センサ及びコントローラの信号値を取得する装置側モジュールＡ，Ｂ，・・・，Ｚと、これらの信号値を演算する演算モジュールＭ１と、演算モジュールＭ１により得られる演算結果をチェックするチェックモジュールＭ２とを備え、信号値を演算モジュールＭ１で基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値がチェックモジュールＭ２でチェックされる。【選択図】図１
2010219460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ及びコントローラの信号値を取得する装置側モジュールと、
これらの信号値を前記装置側モジュールが管理する処理単位毎に、あるいは、一定の期間毎に代表値化する演算モジュールと、
前記演算モジュールにより得られる代表値化した値をチェックするチェックモジュールと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に係り、特に、種々のセンサの状態を監視することにより装置の正常／異常を判定する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理の処理膜厚の微小化に伴い、基板の管理を行う手法として、基板処理装置を動作させるための最低限のセンサだけではなく、種々のセンサを監視して装置の健常性を管理することがＥＥＳ（Equipment Engineering System）では求められている。
健常性の管理のチェック結果としてグラフを表示するために、従来の基板処理装置の表示方法ではデータの変化を時系列ですべて表示している。もしくは、時系列のある一瞬の値を間引き処理により表示している。
このような従来の基板処理装置として、例えば、特許文献１に示す装置がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５８６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、長期的なデータの変化による装置の健常性の管理を行うためにデータの変化を時系列ですべて表示しようとすると、データ点数が多くなるため、描画処理や健常性判定処理を行うと、コンピュータのメモリを消費してしまい、または、ＣＰＵ負荷により処理時間がかかる、あるいは、処理が完了できないという問題があった。
本発明はこのような問題点を解消するためになされたもので、小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る基板処理装置は、センサ及びコントローラの信号値を取得する装置側モジュールと、これらの信号値を演算する演算モジュールと、演算モジュールにより得られる演算結果をチェックするチェックモジュールとを備え、前記信号値を演算モジュールで基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値をチェックモジュールでチェックするものである。
【０００６】
また、この発明に係る基板処理方法は、センサ及びコントローラの信号値を取得し、これらの信号値を基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値をチェックする方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板処理装置に設けられたセンサ出力値を、特異点を逃さず描画・チェックし、小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のデータチェックシステムの構成を示す図である。
【図２】データチェックを行うために選択されたレシピ名称、レシピステップ名称を示す図である。
【図３】レシピ名称、レシピステップ名称で条件選択を行わなかった場合の代表値の一例を示すグラフである。
【図４】レシピ名称、レシピステップ名称で条件選択を行った場合の代表値の一例を示すグラフである。
【図５】第２の実施形態においてデータチェックを行った結果を示すグラフである。
【図６】本発明に適用される基板処理装置を示す平面断面図である。
【図７】図６の基板処理装置を示す側面断面図である。
【図８】図６の基板処理装置に用いられている処理炉を示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
まず、図６乃至図８を参照して本発明に係る基板処理装置を説明し、次に図１乃至図５を参照して本実施の形態に係る基板処理装置のデータチェックシステムについて説明する。
【００１０】
＜基板処理装置＞
基板処理装置は、本実施の形態においては、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。
なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置を適合した場合について説明する。
図６及び図７は、それぞれ本発明に適用される基板処理装置の平面断面図及びと側面断面図である。
【００１１】
図６及び図７に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器、以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の基板処理装置１００は、筐体１１１を備えている。
筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４が建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるように構成されている。
【００１２】
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。
【００１３】
すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
【００１４】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。
サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段ウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１５】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。
これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボード（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１６】
図６に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハ２００の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５及びウエハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４に吹き出されるように構成されている。
【００１７】
移載室１２４の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という）を維持可能な精密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という）１４０が設置されており、この耐圧筐体１４０によりボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１が形成されている。
耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウエハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）１４２が開設されており、ウエハ搬入搬出開口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁にはロードロック室１４１へ窒素ガスを給気するためのガス供給管１４４と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための排気管１４５とがそれぞれ接続されている。
【００１８】
ロードロック室１４１上方には、処理炉２０２が設けられている。
処理炉２０２の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａの上端部には、炉口ゲートバルブ１４７を処理炉２０２の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー１４９が取り付けられている。
図６に示されるように、耐圧筐体１４０にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置される。
ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成される。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成される。
【００１９】
次に、本発明の基板処理装置の動作について説明する。
図６及び図７に示されるように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満されることにより酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００２０】
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３により取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。
また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。
【００２１】
ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載装置１２５ａによるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５乃至ロードポット１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２２】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、ウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管１４５から真空引きされることにより、減圧される。
ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ１４７は炉口ゲートバルブカバー１４９の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５の昇降台１６１によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、更に、ロードロック室１４１内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハ整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体１１１の外部へ払い出される。
【００２３】
＜処理炉＞
図８に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ2）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。
【００２４】
インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウターチューブ２０５は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。
【００２５】
マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。
マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。
【００２６】
後述するシールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にガス供給管２３２が接続されている。
ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。
【００２７】
排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５及び圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるように真空排気し得るように構成されている。
圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２８】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。
シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。
シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。
シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。
【００２９】
シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を備えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００３０】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。
ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。
これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ（以下、装置コントローラという）２４０として構成されている。
【００３１】
次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は装置コントローラ２４０により制御される。
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図８に示されるように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００３２】
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される、この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。
この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。
【００３３】
次いで、処理ガス供給源から供給され、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。
導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。
ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００３４】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。
【００３５】
＜データチェックシステム＞
次に、図１乃至図５を参照して本実施の形態に係る基板処理装置のデータチェックシステムについて説明する。
図１においては、簡便のため、前記ガス流量制御部２３５、前記圧力制御部２３６、前記駆動制御部２３７、前記温度制御部２３８等の装置側モジュールを装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）で表し、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に接続される温度センサ２６３、圧力センサ２４５、ガス流量計としてのマスフローコントローラ２４１、弁、アクチュエータ等の基板処理系、基板搬送系のポジションセンサをそれぞれセンサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］で表している。
【００３６】
図１は、装置コントローラ及びデータチェックシステムの一例を示す解説図である。図示されるように、データチェックを実施するためのチェックモジュールＭ２は、実施の形態では、例えば、前記装置コントローラ２４０で構成される。各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］は、それぞれ通信回線を介して対応する装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に接続される。
【００３７】
チェックモジュールＭ２としての装置コントローラ２４０にはモニタが接続される。モニタに表示される操作画面、モニタ画面やレシピ選択・実行画面等の画面データやレシピ等の前記基板処理装置１００の制御に必要なプログラムやテーブルは、装置コントローラ２４０の固定記憶装置に格納される。
装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）は、データ通信による制御、モニタのための前記チェックモジュールとしての装置コントローラ２４０に図示されていない通信回線を介して接続されている。
【００３８】
＜データ蓄積プログラム＞
データ蓄積プログラムは通信プログラムと通信しており、各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］からの信号値や装置コントローラ２４０が付加するレシピなどの情報を蓄積データベースに蓄積する。
【００３９】
＜演算モジュール：第１の実施形態＞
演算モジュールは、期間選択処理手段を設け、これにより後述するような代表値化するための期間を設定する。又、期間選択処理手段で設定した期間の各センサからの信号値を演算する演算手段を有する。
演算モジュールＭ１はサーバーで実行し、常に起動した状態となっている。
演算モジュールＭ１の第１の実施形態について説明する。
演算モジュールＭ１は蓄積データベースと通信し、定期的にレシピの状態遷移、レシピ名称、レシピステップの状態遷移、レシピステップ名称などのレシピ制御情報を監視している。
【００４０】
あらかじめ登録しておいたレシピ名称、レシピステップ名称と合致したレシピステップが終了すると、そのレシピステップの開始時刻から終了時刻までの期間における１つのセンサの値を１つの値に代表値化する演算処理（後述）を複数の各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］のすべて、あるいは一部について行う。また、代表値にするための計算方法も１つでなくてもよい。
レシピステップの開始時刻から終了時刻までの期間のセンサからの信号値は演算することが可能な程度のデータ点数である。
【００４１】
レシピ名称、レシピステップ名称の文字列の完全一致、部分一致を複数指定し、それらの論理和、論理積、否定を組み合わせる条件を設定することができ、図２に示されるように、この条件を満たすレシピのステップのみセンサの値（センサからの信号値）を演算する。
このとき、前記条件判定を行わなかった場合について考えられる信号値のグラフ例を図３に、前記条件判定を行った場合について考えられるグラフ例を図４にそれぞれ示す。
これにより、同じ基板処理工程を行っているときのみの各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］の値のすべて、あるいは一部を代表値化することができる。
代表値化した値は演算モジュールＭ１が実行されているサーバーのハードディスク等の保存媒体に代表値データベースとして格納する。
【００４２】
＜演算モジュール：第１の実施形態（代表値化の例）＞
次に代表値化の例を示す。代表値化する値の種類を代表値と呼ぶ。
最大値は期間選択処理手段で得た期間範囲内における最大のセンサ値とする。
最小値は期間選択処理手段で得た期間範囲内における最小のセンサ値とする。
平均値は期間選択処理手段で得た期間範囲内において、センサ値のデータをデータ点数で除した値、あるいはセンサ値の和をデータ点数で除した値とする。
平均値を演算する際に、センサ値が一定間隔で存在しない場合は、センサ値を時系列的に定周期になるようセンサ値を補間した値をセンサ値のデータとして扱う。
最大値、最小値を演算することで、特異点の検出が可能となり、平均値を演算することで、長期的な傾向の変化を捉えることができる。
【００４３】
＜演算モジュール：第１の実施形態（検知例）＞
劣化によるヒータの断線を検知する手法の一例として、プロセス中のステップを指定してヒータの抵抗値の平均値を代表値に指定し、演算結果を代表値データベースに格納する。代表値の時系列推移は抵抗が徐々に上昇していく傾向が捉えられると考えられる。
一方で、過電流によるヒータ断線を検知する手法の一例として、プロセス中のステップを指定して、ヒータの抵抗値の最大値を代表値に指定し、演算結果を代表値データベースに格納する。代表値の時系列推移は突発的に上昇するタイミングが発生すると考えられる。
また、マスフローの劣化を検知する手法の一例として、そのマスフローが流量制御しているステップを指定して、マスフローの制御電圧の平均値を代表値に指定し、演算結果を代表値データベースに格納する。ノーマリオープンかノーマリクローズにより変化する電圧の変化が異なるが、代表値の時系列推移は変化していくと考えられる。
【００４４】
＜演算モジュール：第２の実施形態＞
次に第２の実施形態について説明する。
第１の実施形態とは異なり、レシピの内容にかかわらず、図５に示されるように、定周期の範囲（３０分〜１日）でセンサからの信号値を代表値化する。
第２の実施形態では、レシピ制御情報の監視にかかわらず一定時刻に達したときに、指定した定周期の範囲までさかのぼった期間のセンサからの信号値を演算する。
定周期代表値化は、プロセスの違いに依存せず変化する、あるいは、依存すべきではないと考えられるガスの元圧や基板処理装置周囲の気圧などといった値の長期変化や突発的な変化を捉えることができる。尚、演算モジュールＭ１で行う代表値化の演算をチェックモジュールＭ２で実施させるように、別体では一体となるような構成でも構わない。
【００４５】
＜チェックモジュール＞
チェックモジュールＭ２は代表値データベースと通信して、代表値が事前に設定しておいた値を上回る、若しくは下回ったときに異常と判定し、サーバーとネットワークを介して接続されているコンピュータ（以下、クライアントコンピュータという）のモニタに異常があった旨を異常が発生した時刻、異常が発生したセンサの所在とともに通知する。また、異常の判定にＳＰＣ（Ｓｔａｔｉｓｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）の様な傾向監視をすることも可能である。
チェックモジュールＭ２から異常を通知されたクライアントコンピュータで、ユーザーがそのときの代表値データの推移やチェック結果を表示しようとすると、代表値データベース及びチェック結果を取得する。
【００４６】
このとき、クライアントコンピュータはデータ件数が膨大にある蓄積データベースにはアクセスせず、代表値データベース及びチェック結果のみ参照することになるため、クライアントコンピュータにはＣＰＵの演算量が低減でき、取得するデータ量も減らせるためメモリ消費も抑えることができる。
また、代表値データベースは生成条件を満たすたびに代表値を追加書き込みするため、結果の再表示を行うときも代表値の再生成を行わないため高速表示が可能となる。
これにより、そのセンサの所在している部品の健常性に疑義があることを容易にユーザーに伝えることができる。
なお、通知画面に表示される異常発生時刻からそのときの時系列変化のグラフへ遷移することも可能とし、このとき、初めて蓄積データベースにアクセスすることも可能とする。
【００４７】
本発明の実施の形態では、半導体製造装置として縦型の基板処理装置を説明したが枚葉式の基板処理装置や横型の基板処理装置にも適用できる。また基板（ウエハ）を処理する半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する処理装置にも適用することができる。
このように、本発明の種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。
【符号の説明】
【００４８】
１００  基板処理装置、２００  ウエハ、２３５  ガス流量制御部、２３６  圧力制御部、２３７  駆動制御部、２３８  温度制御部、２４０  装置コントローラ、２４１  マスフローコントローラ、２４５  圧力センサ、２６３  温度センサ、Ａａ〜Ａｚ，Ｂａ〜Ｂｚ，・・・，Ｚａ〜Ｚｚ  センサ、Ｍ１  演算モジュール、Ｍ２  チェックモジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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