(57)【要約】【課題】バンプ付きメンブレンリングにおいて、バンプの位置精度を高め、歩留まりを向上させる。【解決手段】１００℃に温められたアルミニウム板１３の上に、銅箔とポリイミドフィルムとからなる積層フィルム２８を、銅箔側をアルミニウム板１３に接して設置し、その上に、熱硬化性接着剤が塗布されたＳｉＣからなる剛性のリング２３およびリング状のＳＵＳ製重石１４（重さ約２．５ｋｇ）を順次設置する。そして、積層フィルム２８、リング２３および重石１４の温度が１００℃になるまで約５分放置して温める。次に、積層フィルム２８、リング２３および重石１４の温度を、温度調節手段によって制御されるヒーターにより１２０℃まで約５分かけて徐々に上昇させる。最後に、１２０℃で４５分放置して熱硬化性接着剤を硬化させて積層フィルム２８とリング２３とを接着させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上に多数形成された半導体デバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用されるバンプ付きメンブレンリングの製造方法であって、
温度制御が可能な載置台を、前記バンプ付きメンブレンリングを製造する際に使用されバーンイン試験の設定温度以上の温度で硬化する熱硬化性接着剤の硬化温度より１０℃乃至３０℃低い第一の温度とする工程と、
前記第一の温度に制御された載置台上にフィルムを均一に展開し、該フィルムと該フィルムを展開した状態で支持するためのリングとの間に熱硬化性接着剤を介在させ、前記フィルムおよび前記リングを前記第一の温度になるまで加熱する予備加熱工程と、
前記予備加熱工程の後、前記フィルムおよび前記リングを、前記熱硬化性接着剤の硬化温度以上の第二の温度で加熱する工程と、
前記第二の温度で熱硬化性接着剤を硬化させて、前記フィルムと前記リングとを接着する工程と、
前記フィルムの一方の面に導電性材料からなるバンプを形成し、他方の面に前記バンプと電気的に接続された導電性材料からなるパッドを形成する工程とを有することを特徴とするバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【請求項２】
前記第一の温度から前記第二の温度への昇温時間が５分以内であることを特徴とする請求項１記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【請求項３】
前記フィルムは、ポリイミドフィルムと銅箔とを貼り合わせた積層フィルムからなり、該銅箔と前記載置台とが接するように前記フィルムを前記載置台上に設置して、前記フィルムと前記リングとを前記熱硬化性接着剤にて固定し、
前記ポリイミドフィルムに前記銅箔が露出するまでバンプホールを形成した後、該バンプホールを埋めながら前記ポリイミドフィルム表面に半球状の前記バンプを形成し、
前記銅箔をパターニングすることにより前記パッドを形成することを特徴とする請求項１または２記載のバンプ付きメンブレンの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３いずれか１項記載の方法により製造されたバンプ付きメンブレンリングと、
基板上に複数の導電層が絶縁層を介して積層されてなる多層配線基板とを有することを特徴とするウエハ一括コンタクトボード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハを一括してバーンイン試験を行うためのウエハ一括コンタクトボードと、それを構成する部品であるバンプ付きメンブレンリングの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ上に複数形成された半導体デバイスの検査は、プローブカードによる製品検査（電気的特性試験）と、その後に行われる信頼性試験であるバーンイン試験に大別される。バーンイン試験は、固有欠陥のある半導体デバイス、あるいは製造上のばらつきから、時間とストレスに依存する故障を起こすデバイスを除くために行われるスクリーニング試験の一つである。プローブカードによる検査が製造したデバイスの電気的特性試験であるのに対し、バーンイン試験は熱加速試験と言える。
【０００３】
バーンイン試験は、プローブカードによって１チップ毎に行われる電気的特性試験の後に、ウエハをダイシングによりチップに切断し、パッケージングしたものについて一つずつバーンイン試験を行う方法（１チップバーンインシステム）ではコスト的に実現性に乏しい。そこで、特許文献１に示すように、ウエハ上に多数形成された半導体デバイスのバーンイン試験を一括して一度に行うためのウエハ一括コンタクトボード（バーンインボード）の開発及び実用化が進められている。ウエハ一括コンタクトボードを用いたウエハ・一括バーンインシステムは、コスト的に実現可能性が高い他に、ベアチップ出荷及びベアチップ搭載といった最新の技術的な流れを実現可能にするためにも重要な技術である。ウエハ一括コンタクトボードは、ウエハ一括で検査する点、及び加熱試験に用いる点で、従来プローブカードとは要求特性が異なり、要求レベルが高い。ウエハ一括コンタクトボードが実用化されると、従来プローブカードによって行われていた製品検査（電気的特性試験）を、ウエハ一括で行うことも可能となる。
【０００４】
ウエハ一括コンタクトボードは、通常、多層配線基板に、異方性導電ゴムシートを介して、バンプ付きメンブレンリングを固定した構造を有する。バンプ付きメンブレンリングは、リングと、リングに張り渡された絶縁性薄膜の一方の面に設けられたバンプと、このバンプと電気的に接続して他方の面に設けられたパッドとを備えるものである。バンプ付きメンブレンリングに設けられたバンプが、半導体ウエハ上のデバイスのパッドと接触し、多層配線基板の導電層に接続された電源および信号源から印加される電源電圧およびバーンイン試験信号が、異方性導電ゴムシートを介してバンプ付きメンブレンリングのパッドに送られる。パッドに導通するバンプからウエハ上の半導体デバイスに送られて、バーンイン試験が行われる。
バンプ付きメンブレンリングの製造方法としては、例えば、特許文献２に示すように、ポリイミドフィルム（絶縁性薄膜）と銅箔とを積層してなる積層フィルムを、熱硬化性接着剤にてセラミックリングに張り付け、次に、積層フィルムのポリイミドフィルムにバンプ形成のためレーザ加工によりバンプホールを形成し、バンプメッキによりバンプを設け、最後に、バンプと電気的に接続するように積層フィルムの銅箔をパターニングしてパッドを形成するものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２３１０１９号公報
【特許文献２】特許３６４５０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
セラミックリングの積層フィルムへの接着は、積層フィルムと剛性リングとを熱硬化性接着剤により接着する方法が知られている。積層フィルムは、熱により膨張し、その後、温度が下がり収縮することにより、リングにある一定の張力を持って張られる。接着条件によっては積層フィルムに皺や歪みが発生する。皺や歪みが発生すると、張力が面内で不均一になり、その後の工程であるレーザによりバンプホールを形成する際、設計座標とずれた場所にバンプホールが形成される。
また、室温から昇温する場合のように昇温時間が長いと、接着剤が縮合重合する時に発生するガスが、リングと積層フィルムの間で気泡となり、その気泡が抜けないまま接着されるということがある。気泡が存在したままでは、リングと積層フィルムの接着面積が減少し、強固な接着が得られない。
一方、熱硬化性接着剤は、硬化温度に分布を有するため、ピークの硬化温度よりもある程度高い温度（貼り付け温度）で接着する必要がある。しかし、貼り付け温度が高すぎると、皺の発生が著しくなり、リング下の積層フィルムにうねりが発生するという問題がある。
このように、積層フィルムの皺により張力不均一を招き、バンプ位置精度を低下させるという問題がある。バンプ位置精度が低いと、ウエハ上のパッドとの接触不良が発生し、バンプ付きメンブレンリングの歩留まりの低下を招く。
【０００７】
本発明の第１は、上記事情に鑑みてなされたものであり、リングと積層フィルムが良好に接着され、バンプ形成における位置精度が高く、歩留まりを向上させることができるバンプ付きメンブレンリングの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の第２は、信頼性の高いウエハ一括コンタクトボードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
ウエハ上に多数形成された半導体デバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用されるバンプ付きメンブレンリングの製造方法であって、
温度制御が可能な載置台を、前記バンプ付きメンブレンリングを製造する際に使用されバーンイン試験の設定温度以上の温度で硬化する熱硬化性接着剤の硬化温度より１０℃乃至３０℃低い第一の温度とする工程と、
前記第一の温度に制御された載置台上にフィルムを均一に展開し、該フィルムと該フィルムを展開した状態で支持するためのリングとの間に熱硬化性接着剤を介在させ、前記フィルムおよび前記リングを前記第一の温度になるまで加熱する予備加熱工程と、
前記予備加熱工程の後、前記フィルムおよび前記リングを、前記熱硬化性接着剤の硬化温度以上の第二の温度で加熱する工程と、
前記第二の温度で熱硬化性接着剤を硬化させて、前記フィルムと前記リングとを接着する工程と、
前記フィルムの一方の面に導電性材料からなるバンプを形成し、他方の面に前記バンプと電気的に接続された導電性材料からなるパッドを形成する工程とを有することを特徴とするバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【０００９】
（構成２）
前記第一の温度から前記第二の温度への昇温時間が５分以内であることを特徴とする構成１記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【００１０】
（構成３）
前記フィルムは、ポリイミドフィルムと銅箔とを貼り合わせた積層フィルムからなり、該銅箔と前記載置台とが接するように前記フィルムを前記載置台上に設置して、前記フィルムと前記リングとを前記熱硬化性接着剤にて固定し、
前記ポリイミドフィルムに前記銅箔が露出するまでバンプホールを形成した後、該バンプホールを埋めながら前記ポリイミドフィルム表面に半球状の前記バンプを形成し、
前記銅箔をパターニングすることにより前記パッドを形成することを特徴とする構成１または２記載のバンプ付きメンブレンの製造方法。
【００１１】
（構成４）
構成１から３いずれか１記載の方法により製造されたバンプ付きメンブレンリングと、
基板上に複数の導電層が絶縁層を介して積層されてなる多層配線基板とを有することを特徴とするウエハ一括コンタクトボード。
【発明の効果】
【００１２】
上記構成１によれば、載置台を第一の温度に温めてから、フィルムを均一に展開し、該フィルムを展開した状態で支持するためのリングとの間に熱硬化性接着剤を介在させ、フィルムとリングを第一の温度になるまで予備加熱した後、さらに、熱硬化性接着剤の硬化の硬化温度以上の第二の温度まで昇温して、接着剤を硬化させるので、フィルムに皺が発生しにくく、ほぼ均一な張力でフィルムを張り渡すことができ、従って、バンプ位置精度を±１０μｍと向上させることができる。また、第一の温度を熱硬化性接着剤の硬化温度より１０℃乃至３０℃低い第一の温度とすることにより、リングとフィルムとの間の気泡の発生を防止することができ、強固な接着を得ることができる。また、別のフィルムをリングに接着するのに新たに室温まで下げる必要がなく、時間の短縮が可能であり、生産性が向上する。
【００１３】
上記構成２によれば、第一の温度から第二の温度への昇温時間を５分以内とすることにより、さらに皺の発生を減少させることができるので、ほぼ均一な張力で積層フィルムを張り渡すことができ、バンプ位置精度を±１０μｍ以内の位置精度歩留りをさらに向上させることができる。
【００１４】
上記構成３によれば、リングに対して積層フィルムの張力をほぼ均一にして張り渡すことができるので、バンプの位置精度を向上させることができ、さらには、バンプの高さバラツキを抑えることができる。また、銅箔のパターニングが良好に行われるので、パッドの位置精度も向上することができる。
このように、本発明によれば、剛性リングと積層フィルムが良好に接着され、バンプ形成における位置精度が高く、歩留りを向上させることができる。
【００１５】
上記構成４によれば、バンプ位置精度が高いバンプ付きメンブレンリングを用いているので、信頼性の高いウエハ一括コンタクトボードを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態であるバンプ付きメンブレンリングの製造過程における積層フィルムとリングとの接着工程を示す概略断面図。
【図２】本発明の一実施形態であるバンプ付きメンブレンリングの製造過程におけるバンプとパッドの形成工程を示す概略断面図。
【図３】実施例と比較例の接着条件を示すグラフ
【図４】面内の測定位置を示す図
【図５】ウエハ一括コンタクトボードを示す概略断面図
【実施例】
【００１７】
本発明の実施例であるバンプ付きメンブレンリングの製造方法について図１および図２を参照しながら説明する。図１は、バンプ付きメンブレンリングの製造過程における、メンブレンリング（積層フィルムをリングに接着したもの）を作製する工程を示す概略断面図である。図２は、メンブレンリングにバンプとパッドを設ける工程を示す概略断面図である。
はじめに、メンブレンリングを作製する工程について、図１を参照しながら説明する。図１（ａ）に示すように、温度調節手段１１と該温度調節手段１１によって温度制御されるヒーター１２とを備えた、平坦度が高く、均一な温度に保持可能な載置台となるアルミニウム板１３を用意する。アルミニウム板１３を温度調節手段によって制御されるヒーター１２により１００℃（第一の温度）に温める。熱硬化性接着剤としては、ボンドハイチップＨＴ−１００Ｌ（主剤：硬化剤＝４：１）（コニシ（株）社製）を使用する。この接着剤の熱硬化温度は、熱分析から１１５℃であることがわかっているため、第一の温度を熱硬化温度より１５℃低い１００℃とする。
【００１８】
次に、図１（ｂ）に示すように、アルミニウム板１３の上に、銅箔とポリイミドフィルムとからなる積層フィルム２８を、銅箔側をアルミニウム板１３に接して設置し、その上に、熱硬化性接着剤が薄く均一に（５０μｍ〜１００μｍ）塗布されたＳｉＣからなる剛性のリング２３（直径８インチ、厚さ２ｍｍ）および同程度の大きさのリング状のＳＵＳ製重石１４（重さ約２．５ｋｇ）を順次設置する。そして、積層フィルム２８、リング２３および重石１４の温度が１００℃になるまで約５分放置して温める。この時間は、積層フィルム２８、リング２３および重石１４の温度を均一に１００℃にするために十分な時間である。積層フィルム２８、リング２３および重石１４の温度を同じ温度にすることにより、それぞれの部材の温度差を無くすことができ、皺の発生を防止することができる。
なお、積層フィルム２８は、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム上に、スパッタ法又はめっき法で銅箔を厚さ１８μｍで成膜したものである。なお、積層フィルム２８の材料、形成方法、厚さ等は適宜選択できる。
【００１９】
次に、積層フィルム２８、リング２３および重石１４の温度を、温度調節手段によって制御されるヒーターにより、１２０℃まで約５分かけて徐々に上昇させる。
最後に、１２０℃で４５分放置して熱硬化性接着剤を硬化させて積層フィルム２８とリング２３とを接着させる。積層フィルムの張力は０．５ｋｇ／ｃｍ2とした。
【００２０】
本実施例では、熱硬化性接着剤としては、上記のものに限られず、アクリル系、ポリイミド系およびエポキシ系接着剤などを用いることができ、バーンイン試験の設定温度より高い熱硬化温度を有するものを適宜用いる。
また、第一の温度は１００℃としているが、これに限られるものではなく、熱硬化性接着剤の硬化温度よりも１０℃乃至３０℃低い温度で適宜選択することが好ましい。硬化温度より１０℃未満低い温度では、硬化温度に近いため、積層フィルム、リングおよび重石の温度が均一になる前に硬化が始めるため、張力歪が大きくなり好ましくない。また、硬化温度より３０℃超えて低い温度では、積層フィルム、リングおよび重石の温度が均一になるまでに時間がかかり、また気泡が発生しやすいため好ましくない。
【００２１】
また、第二の温度（貼り付け温度）は１２０℃としているが、これに限られるものではなく、熱硬化性接着剤の硬化温度以上であればよく、好ましい温度は、熱硬化性接着剤の硬化温度により、５℃乃至２０℃高い温度がよい。硬化温度より５℃未満高い温度では完全に硬化せず接着が強固にならず、２０℃より高い温度では、積層フィルムにできる皺が著しくなり、好ましくない。
【００２２】
また、ＳｉＣリングの代わりに、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、インバーニッケル、その他のＳｉに近い熱膨張率を有し強度の高いセラミックス、低膨張ガラス、金属、その他の材料からなるリングを用いてもよい。
【００２３】
また、重石としては、ＳＵＳ製のリング状のものを用いたが、平坦度の高いアルミニウム板を用いてもよい。
【００２４】
次に、メンブレンリングにバンプとパッドを形成する工程を図２を参照しながら説明する。
上記加熱接着工程を終えたものを、常温まで冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。カッターでリングの外周に沿ってリング２３の外側の積層フィルム２８を切断除去する（図２（ａ）および図２（ｂ））。
次に、図２（ｃ）に示すように、積層フィルム２８の銅箔２１上に、ＮｉおよびＡｕメッキ（厚さ１〜２μｍ）を順次施し(図示せず)、アライメントマーク２４を形成する。
次に、図２（ｄ）に示すように、ポリイミドフィルム２２の所定位置に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μｍのバンプホール２５を形成する。
次に、銅箔２１の表面がメッキされないように保護した後、銅箔２１にメッキ用電極の一方を接続して、バンプホールにＮｉの電気メッキを行う。図２（ｅ）に示すように、メッキはバンプホールを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルムの表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し、導電性材料である硬質Ｎｉ合金からなるバンプ２６が形成される。この場合、バンプ２６の高さが約２０〜３０μｍになるまでメッキを行う。その後、バンプ２６と半導体ウエハ上のパッドとの間のコンタクト抵抗を安定させるため、バンプ２６の表面にＡｕからなる電気メッキ層を形成する。（図示せず）。
次に、銅箔側にレジストを全面に塗布し、パッドを形成する部分以外のレジストを露光、現像にて除去し、パッド形成部にレジストパターンを形成する。
最後に、図２（ｆ）に示すように、Ａｕ膜をヨウ素・ヨウ化カリウム水溶液にてエッチングし、Ａｕと銅箔との間に存在する薄いＮｉ膜及びＣｕ膜を塩化第二鉄水溶液等にてエッチングを行い、よくリンスした後、前記レジストを剥離して、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕからなる直径約１５０μｍの金属パッド２１ａを形成する。この時、エッチングはスプレー方式を使用するとサイドエッチングが少なく、望ましい。以上の工程を経て、バンプ付きメンブレンリングが作製される。
【００２５】
次に、本発明の詳細について、実施例と比較例を用いて説明する。
上記実施例と同様の工程であって、図２（ｂ）までの工程で得られるメンブレンリング（リングに積層フィルムを張り渡したもの）を作製する。次に、図２（ｃ）〜図２（ｆ）の工程を経て、そのメンブレンリングにバンプとパッドを形成してバンプ付きメンブレンリングを作製し、バンプの位置精度および位置精度歩留りを評価した。図３に実施例と比較例の接着条件のグラフを示す。
（実施例１）
【００２６】
実施例１のバンプ付きメンブレンリングは、図３に示すように、最初、１００℃で５分間、積層フィルム、リングおよび重石の温度を均一にし、次の５分間で１２０℃まで徐々に上昇させ、最後に、４５分間１２０℃で熱硬化性接着剤を硬化させて積層フィルムとリングを接着させたものである。
（実施例２）
【００２７】
実施例２のバンプ付きメンブレンリングは、図３に示すように、最初、１００℃で５分間、積層フィルム、リングおよび重石の温度を均一にし、次の８分間で１３０℃まで徐々に上昇させ、最後に、４５分間１３０℃で熱硬化性接着剤を完全に硬化させて積層フィルムとリングを接着させたものである。
（比較例１）
【００２８】
比較例１のバンプ付きメンブレンリングは、上記実施例の製造工程において、１４０℃にしたアルミニウム板上に、銅箔とポリイミドフィルムとからなる積層フィルムを、銅箔側をアルミニウム板に接して設置し、その上に、熱硬化性接着剤が薄く均一に塗布されたＳｉＣからなるリングおよび同程度の大きさのリング状のＳＵＳ製重石を順次設置し、３０分間、接着剤を硬化させて接着を行ったものである。
（比較例２）
【００２９】
比較例１のバンプ付きメンブレンリングは、上記実施例の製造工程において、１５０℃にしたアルミニウム板上に、銅箔とポリイミドフィルムとからなる積層フィルムを、銅箔側をアルミニウム板に接して設置し、その上に、熱硬化性接着剤が薄く均一に塗布されたＳｉＣからなるリングおよび同程度の大きさのリング状のＳＵＳ製重石を順次設置し、３０分間、接着剤を硬化させて接着を行ったものである。
（評価）
【００３０】
（評価：バンプ位置精度）
上記実施例１、２および比較例１、２で作製したメンブレンリングに、図２に示す製造方法により、バンプとパッドを形成してバンプ付きメンブレンリングを作製した。
図５は面内のバンプ位置精度の測定位置を示す図である。図４（ａ）に示すように、得られたバンプ付きメンブレンリングにおいて、実際形成されたバンプの位置が、設計位置とどれだけズレがあるかを面内２５点測定した。図４（ｂ）に示すように、図の四角の座標の中心が設計位置であり、その中心から実際に形成されたバンプ位置までの距離ｄ（μｍ）を測定した。
実施例１では、バンプの形成位置はほぼ設計通り、２５点の位置ずれ（距離ｄの平均値は±７μｍであり、位置精度の歩留りは、１００％であった。
実施例２では、２５点の位置ずれ（距離ｄ）の平均値は、±１０μｍであった。位置精度の歩留りは、８０％であった。
比較例１では、２５点の位置ずれ（距離ｄ）の平均値は、±１２μｍであった。位置精度の歩留りは、６０％であった。
比較例２では、２５点の位置ずれ（距離ｄ）の平均値は、±１５μｍであった。位置精度の歩留りは、４０％であった。
【００３１】
次に、本発明のウエハ一括コンタクトボードの一実施形態について説明する。
図５に本発明のウエハ一括コンタクトボードの概略構成図を示す。
図５に示すように、ウエハ一括コンタクトボードは、バンプ付きメンブレンリングと、複数の配線層が絶縁層を介して積層されてなる多層配線基板６０と、バンプ付きメンブレンリング２０と多層配線基板６０とを電気的に接続する異方性導電ゴムシート７２とからなる。異方性導電ゴムシート７２を多層配線基板の所定の位置に貼り合わせ、次に、この異方性導電ゴムシート付き多層配線基板とバンプ付きメンブレンリング２０とをパッド電極が外れないように位置を合わせした後、貼り合わせて作製することができる。
【００３２】
バンプ付きメンブレンリング２０は、リング２３と、リングに張り渡されたポリイミドフィルム２２の一方の面に設けられたバンプ２６と、このバンプと電気的に接続して他方の面に設けられたパッド２１ａとを備える。バンプ付きメンブレンリングにおいては、半導体ウエハ８１上の各半導体チップの周縁又はセンターライン上に形成されたパッド８２（約６００〜１０００ピン程度）に対応して、この数にチップ数を乗じた数のバンプがポリイミドフィルム上に形成されている。
【００３３】
多層配線基板６０は、電源電圧および所定のバーンイン試験信号を付与するための配線層を積層構造として有する。絶縁性基材上に配線層を積層し周知のリソグラフィ法により所望のパターンに形成した後、絶縁層を積層し、該絶縁層に周知のリソグラフィ法によりコンタクトホールを形成した後、その上に他の配線層を積層することによりコンタクトホールを介して下層の導電層と導通させる。この一連の工程を複数回行うことにより、ウエハ上の多数のパッドに電気信号を送るための複数の配線を設けている。絶縁性基材としては、低膨張無アルカリガラス（例えば、ＮＡ４０：ＨＯＹＡ社製）を用いることが望ましい。絶縁層としては、例えば、ポリイミド前駆体を塗布して熱処理によりイミド化させて形成するポリイミドが望ましい。また、配線層としては、Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ積層構造を用いることが望ましい。
【００３４】
異方性導電ゴムシート７２は、主面と垂直な方向にのみ導電性を有する弾性体、例えばシリコン樹脂からなり、金属粒子がパッド電極部分７３に導通方向に沿って埋め込まれてなるものである。多層配線基板上の端子とバンプ付きメンブレンリングのパッド２１ａとを電気的に接続し、バンプ付きメンブレン上のパッド２１ａに押圧することで、半導体ウエハ表面の凹凸及びバンプの高さのバラツキを吸収し、半導体ウエハ８１上のパッド８２とポリイミドフィルム上のバンプ２６とを確実に接続する。
【００３５】
多層配線基板の配線層に接続された電源および信号源から印加される電源電圧およびバーンイン試験信号が、異方性導電ゴムシートを介してバンプ付きメンブレンリングのパッド２１ａに送られ、パッド２１ａに導通するバンプ２６からウエハ上の半導体デバイスに送られて、バーンイン試験が行われる。
上記のようにして作製されたウエハ一括コンタクトボードは、パッドの位置精度が高いのでバーンイン試験における接触不良を防止することができ、信頼性が高いものが得られる。また、バーンイン試験に用いられるウエハ一括コンタクトボードとして用いる他に、特性検査用のプローブカードとしても用いることもできる。
【符号の説明】
【００３６】
１１  温度調節手段
１２  ヒーター
１３  アルミニウム板
１４  重石
２０  バンプ付きメンブレンリング
２１  銅箔
２２  ポリイミドフィルム
２３  剛性のリング
２４  アライメントマーク
２５  バンプホール
２６  バンプ
２８  積層フィルム
３１  ホットプレート
４１  重石
５１，５２  偏光板
５３  メンブレンリング
６０  多層配線基板
７２  異方性導電ゴムシート
８１  半導体ウエハ
８２  パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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