(57)【要約】【課題】導電性基板に絶縁層を介してビアが設けられた配線基板において、導電性基板とビアとの絶縁信頼性が高い配線基板を製造する方法を提供する。【解決手段】貫通孔を備える導電性の基板を準備する工程と、反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した溶液に前記基板を浸漬する工程と、前記貫通孔の壁面に前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物を設ける工程と、前記樹脂組成物を硬化させ、電気的絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に導電層を設ける工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。【選択図】図１
2010050261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を備える導電性の基板を準備する工程と、
反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した溶液に前記基板を浸漬する工程と、
前記貫通孔の壁面に前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物を設ける工程と、
前記樹脂組成物を硬化させ、電気的絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に導電層を設ける工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板はカーボンを含んでなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記カーボンは繊維状の形状を有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記反応性置換基が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、及びアミノ基の中から選択される少なくとも１つの官能基であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、エポキシ変性ポリイミド樹脂の中から選択される少なくとも１種類の樹脂を含んでなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
貫通孔を備える導電性の基板と、
前記貫通孔の壁面に接し、該壁面と共有結合を形成し、電気的絶縁性を有する絶縁層と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に設けられた導電層と
を有することを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性のコア基板を含んでなる配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、高性能化に伴い、電子機器を構成する半導体装置およびこれを実装する多層配線基板には、小型薄型化、高性能化、高信頼性が要求されている。これらの要求を受け、半導体素子が直接プリント基板に実装されるベアチップ実装が行われている。また、半導体素子の多ピン化に伴い、これを搭載する基板の多層化の必要性が増加している。さらに、半導体を試験するテスターボードにおいても、多ピン化は必須となっている。この多層化された基板の一例として、基体の片面もしくは両面に、絶縁層と導体層を交互に積み重ねた微細配線が可能なビルトアップ方式の多層配線基板が挙げられる。
【０００３】
ベアチップ実装では、シリコンチップがプリント板（ガラスクロス−エポキシ基板）上に直接実装される。シリコンチップの熱膨張係数は約３．５ｐｐｍ／℃である。絶縁層として安価で汎用の材料であるエポキシ樹脂の熱膨張係数は、熱膨張係数が無機フィラーを混合して熱膨張係数が低減された樹脂であっても、通常は４０ｐｐｍ／℃以上である。このため、ガラスクロス−エポキシ基板の熱膨張係数は１２〜２０ｐｐｍ／℃であり、シリコンチップのそれとの差が大きい。ゆえに、シリコンチップが実装されたプリント板の内部の配線は温度変化により断絶しやすいという問題があった。そこで、実装される物体の熱膨張係数に近い熱膨張係数を備える配線基板の開発が行われている。例えば、ガラスクロスの代わりに、熱膨張率が１．０〜２．０ｐｐｍ／℃程度である炭素繊維やインバー等、実装される物体の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する材料を用いた配線基板を使用する事例がある。炭素繊維やインバー等、導電性を有する材料を含む配線基板は、通常、絶縁層の両面を貫通する貫通孔（スルーホール）に設けられる導電性の配線（ビア）と基板との間に電気的絶縁性を確保するための絶縁層を備える。この絶縁層は、例えば、印刷法により導電性基板の貫通孔の内部に絶縁性の樹脂を充填し、更に充填された樹脂に貫通孔を形成することにより設けることができる。樹脂に形成された貫通孔に、例えばめっき法により配線が設けられる。
【０００４】
しかし、樹脂の充填の際、樹脂の充填不足によりボイド（空隙）が発生したり、温度変化に伴いクラックが生じたりする。ボイドやクラックには、製造時に配線形成用のめっき液が浸透しやすい。このため、ビアと導電性基板とが導通（短絡）するおそれがある。
【特許文献１】特開２００６−２２２２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、導電性のコア基板を含む配線基板において、導電性基板とビアとの絶縁信頼性が高い配線基板を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によると、
貫通孔を備える導電性の基板を準備する工程と、
反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した溶液に前記基板を浸漬する工程と、
前記貫通孔の壁面に前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物を設ける工程と、
前記樹脂組成物を硬化させ、電気的絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に導電層を設ける工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ビアと導電性基板との間の絶縁信頼性が高い配線基板が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
１．配線基板
図１は、本発明の配線基板の一実施形態を示す模式的断面図である。
【０００９】
本実施形態の配線基板１は、少なくとも一つの貫通孔２１を備える基板１１と、貫通孔内に被覆した絶縁層１４と、絶縁層１４の表面に設けた配線部１５とを備える。
【００１０】
基板１１は、配線基板１の形を保ち整える芯として機能する。基板１１には、主面を貫通する孔（例えば、図１に示される貫通孔２１）が少なくとも１つ設けられている。貫通孔は、その内部に配線基板の上面と下面とを電気的に接続可能な配線部１５を設けるために設けられる。基板１１は、２５〜２００℃の範囲において熱膨張係数がおよそ１０ｐｐｍ／℃以下の比較的小さな熱膨張係数を有する。このような、熱膨張係数が比較的低い基板としては、例えば、５〜２００℃の範囲において熱膨張率が１．０〜２．０ｐｐｍ／℃程度である繊維が編み込まれてなるシートとそのシートを包容するように配置される樹脂とを備える樹脂基板が挙げられる。繊維としては、例えば炭素やインバーからなる繊維を用いることができる。これらの繊維は導電性を有する。樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用いることができる。樹脂には、熱膨張率を低減させるため、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等の無機フィラーが混合されていてもよい。具体的には、厚さ０．２ｍｍの炭素繊維シートと樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグ（図示せず）を例えば５枚積層して圧着したものが、基板１１として用いられうる。この場合基板１１の厚さはおよそ１．０ｍｍである。貫通孔の数は１つ以上であればよい。貫通孔の形状は特に限定されない。配線基板１の配線の設計に応じて、貫通孔の数及び形状が決定される。貫通孔の直径は例えば０．５ｍｍである。貫通孔２１の壁面には、通常、貫通孔２１を形成する際に生じたバリ１２が存在する。バリ１２は、基板１１として上記樹脂基板を用いた場合に生じやすい。バリ１２は、例えば、樹脂基板に含まれる導電性の繊維が露出したものである。
【００１１】
本実施形態において、基板１１として炭素繊維シート樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着したものが用いられているが、本発明において基板１１はこの圧着物に限定されるものではない。基板１１としては、例えば、銅、鉄などの金属や、インバーなどの合金からなる基板を用いることができる。このような合金からなる基板に貫通孔２１を形成するとき、上記樹脂基板と同様に貫通孔２１内にバリ１２を生じる。
【００１２】
絶縁層１４は、貫通孔２１が設けられた基板１１の表面、裏面、側端面、及び貫通孔の壁面に設けられる。絶縁層１４は、基板１１と配線部１５との間を電気的に絶縁することが可能な絶縁性を有する。基板１１の貫通孔の壁面には、通常、貫通孔２１を形成する際に発生したバリ１２が存在する。絶縁層１４はバリ１２を被覆するように形成される。絶縁層１４は、基板１１の貫通孔２１の延在方向に沿った貫通孔２２を備える。
【００１３】
基板１１と絶縁層１４との界面において、下記一般式（１）で示される基が基板１１に含まれる原子と共有結合を形成している。
【００１４】
【化１】
2010050261.tif 000003
【００１５】
Ａｒは、置換若しくは未置換の芳香族基、又は置換若しくは未置換の複素環基を示す。
【００１６】
Ａｒは、たとえば、炭素数５〜３６の芳香族基、または酸素原子、窒素原子、硫黄原子のようなヘテロ原子を含んでいる芳香族複素環基である。Ａｒの具体例は、例えば下記の構造式で示される。
【００１７】
【化２】
2010050261.tif 000004
【００１８】
但し、上記構造式中において、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシキ基、及びヒドロキシル基の中から選択される基である。Ｒ１〜Ｒ８は互いに同一であっても異なっていてもよい。連結基ＺはＯ、Ｓ、ＳＯ２の中から選択される基である。
【００１９】
中でも、可溶性、入手容易さ、構造の簡単さの点から、１，４−フェニレン基が好ましく用いられる。
【００２０】
連結基Ｙは、エポキシ基と、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基の中から選択される官能基とが反応することにより形成される基である。連結基Ｙは、具体的には、−ＮＨＲ２−、−Ｎ（Ｒ２−）Ｒ３−、−Ｏ−Ｒ２−、−ＣＯＯ−Ｒ２−などが挙げられる。但しＲ２、Ｒ３は、−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−、−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−の中から選択される基であり、同じであっても異なっていてもよいが、通常、−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−である。
【００２１】
Ｒ１は、エポキシ樹脂及びエポキシ変性ポリイミド樹脂が備えるエポキシ基のうち、連結基Ｙの形成に関与したエポキシ基を除く基である。ここで、好適な芳香族２官能エポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＳ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ等の２官能性エポキシ樹脂を挙げることができ、芳香族３官能エポキシ樹脂としては、トリグリシジルイソシアヌレート、三井化学社製のＶＧ３１０１Ｌ等、そして芳香族４官能エポキシ樹脂としては、チバガイギー社製のアラルダイトＭＴＯ１６３等を挙げることができる。好適な脂環式エポキシ樹脂の例としては、アラルダイトＣＹ１７９（チバガイギー社）、ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学社）等の２官能エポキシ樹脂、エポリードＧＴ３００（ダイセル化学社）等の３官能エポキシ樹脂、エポリードＧＴ４００（ダイセル化学社）等の４官能エポキシ樹脂を挙げることができる。また、エポキシ変性ポリイミド樹脂の例としては、Ａｒｌｏｎ社製の３７Ｎが挙げられる。
【００２２】
また、上記エポキシ樹脂には、上記エポキシ樹脂が備えるエポキシ基と硬化剤とが反応して得られる樹脂も含まれ、上記エポキシ変性ポリイミド樹脂には、上記エポキシ変性ポリイミド樹脂が備えるエポキシ基と硬化剤とが反応して得られる樹脂も含まれる。硬化剤としては、使用するエポキシ化合物を硬化させるのに有用なものであればどのようなものでもよいが、上述した絶縁層の特性を損なわないように選択することが好ましい。このような硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、アミン化合物、シアネートエステル樹脂、酸無水物を使用することができる。フェノール樹脂としては、アラルキル型フェノール樹脂（例えば、三井化学社製、商品名「ＸＬＣ−ＬＬ」）、フェノールノボラック樹脂（例えば、群栄化学社製、商品名「ＰＳＭ−４３００」）を使用することができる。アミン化合物としては、具体的には、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、メンセンジアミン、ｍ-キシレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、ジアミノジシクロヘキシルメタンなどを使用することができる。シアネートエステル樹脂としては、具体的には、例えばプライムセット（ロンザ社）ＰＴ−１５、ＰＴ−３０、ＰＴ−６０Ｓ、ＣＴ−９０及びＢＡ−２３０Ｓ、並びにフェノールノボラックシアネートエステルなどが挙げられる。酸無水物としては、具体的には、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、またこれらの混合物などが挙げられる。絶縁層に要求される特性に応じて、複数種の硬化剤の混合物を使用してもよい。上記エポキシ樹脂及びエポキシ変性ポリイミド樹脂は熱硬化性樹脂であり、反応して得られる生成物は剛直な３次元網目構造をとる。
【００２３】
上記式（１）で示される基と基板１１に含まれる原子との共有結合により、絶縁層１４が基板１１の貫通孔の壁面に対して化学吸着しているため、絶縁層１４と基板１１との密着性が高い。基板１１が炭素繊維を含む樹脂基板は、炭素繊維に含まれる炭素原子を介して式（１）で表現される基と共有結合を形成している。基板１１が金属繊維を含む樹脂基板である場合、式（１）で表現される基は、金属繊維に含まれる金属元素と共有結合を形成する。式（１）で表現される基との共有結合が可能な金属としては、例えば、銅、鉄、ニッケルなどが挙げられる。
【００２４】
樹脂基板に含まれる繊維を構成する原子と式（１）で表現される基とが共有結合していることは、例えば、配線基板を切断することにより基板１１と絶縁層１４との境界付近を露出させたサンプルについて、反射赤外吸収スペクトルの測定を行うことにより確認することができる。
【００２５】
配線部１５は、絶縁層１４に設けられた貫通孔２２に接するように設けられる。配線部１５は、基板１１の両面を電気的に接続することが可能である。図１に示される配線基板において、配線層１５は層状である。しかし、配線層１５の形態は、基板１１の両面を電気的に接続することが可能な形態であればよい。図２は、本発明の配線基板の別の実施形態を示す模式的断面図である。尚、これ以降、前述した構成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付して表す。また、前述した構成要素と重複する説明については、記載を省略する。本発明の配線基板は、例えば、図２に示される配線基板のように、配線部１５は、貫通孔２２の内部を埋めるように設けられていてもよい。配線基板１５を構成する材料は、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、例えば、銅を用いることができる。
２．配線基板の製造方法
本発明の配線基板の製造方法の一実施形態について図３〜５を用いて説明する。
【００２６】
図３〜５は、本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を示す模式的断面図である。本実施形態における配線基板の製造方法は、第１貫通孔を備え、導電性を有する基板を準備する第１工程と、反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した水溶液に前記第１貫通孔を浸漬する第２工程と、前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を前記第１貫通孔に設ける第３工程と、前記有機樹脂を硬化させ、絶縁層を形成する第４工程と、前記絶縁層に第２貫通孔を設ける第５工程と、前記第２貫通孔に導電性の配線を設ける第６工程とを含んでなる。以下、第１工程から第６工程について順に説明する。
（１）第１工程
第１工程において、図３（ａ）に示されるように、第１貫通孔２１を備え、導電性を有する基板１１を準備する。このような基板を構成する材料として、上記配線基板の説明で述べたように、例えば熱膨張率が１．０〜２．０ｐｐｍ／℃程度である繊維が編み込まれてなるシートとそのシートを包容するように配置される樹脂とを備える、熱膨張係数が比較的低い樹脂基板が挙げられる。
【００２７】
以下、第１の工程の一具体例を説明する。まず、カーボンファイバがシート状に編み込まれた厚さ０．２ｍｍのカーボンファイバシートとエポキシ系樹脂組成物とを複合させたプリプレグを例えば５枚重ねて、例えば真空プレス法によりこれらを圧着することにより、平板状の導電性コア基板（樹脂基板）を形成する。プリプレグの圧着は、真空プレス法に限らず、真空ラミネータ等のラミネータ、積層板プレス機等を用いて行ってもよい。形成されたコア基板の厚さはおよそ１．０ｍｍである。
【００２８】
次いで、形成された導電性コア基板に、表面から裏面に貫通する第１貫通孔（スルーホール）２１を形成する（図３（ａ）参照）。この貫通孔の形成には、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、及びエキシマレーザ等を用いるドライエッチング法、並びに
機械的ドリル法（切削加工法）等を使用することができる。第１貫通孔２１の直径は、例えば０．５ｍｍとする。このとき、第１貫通孔２１の壁面には、カーボンファイバからなるバリ１２が生じる。
【００２９】
なお、第１貫通孔２１が形成された基板１１に対し、必要に応じて酸性又はアルカリ性の溶液を用いた脱脂・洗浄処理を行ってもよい。
（２）第２工程
第２工程において、反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した水溶液に第１貫通孔を有する基板を浸漬する。反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩は、下記一般式（２）で示される。
【００３０】
【化３】
2010050261.tif 000005
【００３１】
Ａｒは、一般式（１）のそれと同じく、置換若しくは未置換の芳香族基、又は置換若しくは未置換の複素環基を示す。Ｒ４は、本実施形態における反応性置換基である。Ｒ４は、第３工程の有機樹脂に対して反応性を示す官能基である。後述するように、有機樹脂として、配線部１５と基板１１との絶縁性確保の点及び反応性に優れる点から、エポキシ基を有する有機樹脂が好ましく用いられる。
【００３２】
エポキシ基を有する有機樹脂に対して反応性を有する官能基Ｒ４としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基が挙げられる。Ｘ−は、任意のアニオンである。式（２）中のＸ−について、その具体例を例示すると、たとえば、フッ素アニオン、塩素アニオン、臭素アニオン、ヨウ素アニオン、などのハロゲンアニオン；酢酸アニオン、トリフルオロ酢酸アニオン、硫酸アニオン、硫酸水素アニオン、メタン硫酸アニオン、トリフルオロメタン硫酸アニオン、パークロレートアニオン、テトラフルオロボレートアニオン、ヘキサフルオロホスフェートアニオン、ヘキサクロロアンチモネートアニオンなどを挙げることができる。これらの中でも、反応性、利便性の点から、テトラフルオロボレートアニオンが好ましいものの一つとして例示される。
【００３３】
第２工程により、第１貫通孔２１の壁面は有機膜１３により被覆される。有機膜１３は、上記一般式（２）で示されるアリールジアゾニウム塩が基板１１を構成する原子と結合を形成してなる膜である。例えば、基板１１がカーボンファイバシートとエポキシ系樹脂組成物とを複合させたプリプレグを重ねて形成した樹脂基板であるとき、樹脂基板に含まれるカーボン繊維を構成する原子とアリールジアゾニウム塩とが下記式（３）に示される反応により貫通孔２１の壁面に結合を形成する。導電性コア基板に含まれる繊維を構成する原子と、アリールジアゾニウムカチオンからジアゾニウム基が脱離した基との結合は共有結合性が強いため、第１貫通孔２１の壁面と有機膜１３との吸着は、水素結合、ファンデルワールス力等による物理吸着よりも、化学吸着が支配的である考えられる。
【００３４】
【化４】
2010050261.tif 000006
【００３５】
導電性コア基板に含まれる繊維を構成する原子と、アリールジアゾニウムカチオンからジアゾニウム基が脱離した基との結合が共有結合性であることは、例えば、アリールジアゾニウム水溶液に浸漬させた後の基板１１の表面について、反射赤外吸収スペクトルの測定を行うことにより確認できる。
【００３６】
具体的には、例えば、アリールジアゾニウム塩としてｐ−ｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｙｌ
ｄｉａｚｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを用いる場合、式（３）に示されるＡｒ基に含まれるフェニレンのＣ＝Ｃ伸縮振動に起因するピークは、１５９０ｃｍ−１及び１６６０ｃｍ−１の波数に現れる。
【００３７】
なお、基板１１が銅や鉄などの金属やインバーなどの合金からなる場合、下記式（４）の反応により貫通孔２１の壁面に結合を形成する。この結合も共有結合性が強く、第１貫通孔２１の壁面と有機膜１３との吸着は化学吸着が支配的であると考えられる。
【００３８】
【化５】
2010050261.tif 000007
【００３９】
但しＭは銅原子、鉄原子、又はニッケル原子である。
【００４０】
式（３）及び式（４）で示される化学反応は酸性条件化、常温で進行する。上記アリールジアゾニウム塩が溶解した水溶液に基板１１を浸漬した後、基板１１から未反応アリールジアゾニウム水溶液を除去するため水洗浄を行うことが好ましい。
【００４１】
尚、反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した水溶液に第１貫通孔２１を有する基板を浸漬すると、通常、基板１１の表面、裏面、及び側端面にも有機膜が形成される。また、基板１１の表面、裏面、及び側端面には、第１貫通孔２１と異なりバリが存在しないため、これらの面に有機膜が形成されなくても後述する絶縁層１４の密着性は確保できる。
（３）第３工程
次いで、第３工程において、有機膜１３が被覆された第１貫通孔２１内に、有機膜１３が有する反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物１４を設ける。第１貫通孔２１内に樹脂組成物を設ける手段は特に限定されない。樹脂組成物を設ける手段として、例えば、以下の方法を好適に用いることができる。まず、任意のシートの上に、反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含んでなる液状の樹脂組成物を塗布し、更に乾燥させて、樹脂組成物のドライフィルムを形成する。その後、第２工程で得られた基材１１にドライフィルムをラミネートし、第１貫通孔２１に樹脂組成物１４を充填する。
【００４２】
上記樹脂組成物は、基板１１の表面に設けられた反応性置換基Ｒ４と反応可能なエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー又はポリマーの中から選択される１種類以上の化合物を主剤として含み、主剤と反応して硬化を開始、促進、調整するための硬化剤を含む。樹脂組成物は、更に、硬化を促進させる硬化促進剤を含んでいてもよい。
【００４３】
主剤は、分子中に２以上のエポキシ基を有し、硬化により成膜することができるエポキシ樹脂であって、硬化生成物が回路基板における絶縁層として十分な特性、例えばピール
（剥離）強度、引張り伸び、めっき工程における耐性等を提供できるものを選択することが好ましい。
【００４４】
主剤として好ましいエポキシ樹脂は、脂環式又は芳香族のエポキシ樹脂である。このエポキシ樹脂は２以上の官能性を持ち、より好ましくは２〜４の官能性を持つ。好適な芳香族２官能エポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＳ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ等の２官能性エポキシ樹脂を挙げることができ、芳香族３官能エポキシ樹脂としては、トリグリシジルイソシアヌレート、三井化学社製のＶＧ３１０１Ｌ等、そして芳香族４官能エポキシ樹脂としては、チバガイギー社製のアラルダイトＭＴＯ１６３等を挙げることができる。好適な脂環式エポキシ樹脂の例としては、アラルダイトＣＹ１７９（チバガイギー社）、ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学社）等の２官能エポキシ樹脂、エポリードＧＴ３００（ダイセル化学社）等の３官能エポキシ樹脂、エポリードＧＴ４００（ダイセル化学社）等の４官能エポキシ樹脂を挙げることができる。特に、これらの３官能あるいは４官能のエポキシ樹脂から生成した低分子量のエポキシ樹脂を含むことで、樹脂組成物から形成した絶縁膜における分子間のネットワーク構造を強化して、絶縁性及び機械的特性に優れた絶縁層を提供することが可能になる。
【００４５】
エポキシ樹脂は、上述のとおり絶縁層として十分な特性を提供することができるように、２種類以上を混合して使用することができ、脂環式エポキシ樹脂と芳香族エポキシ樹脂の混合物を使用するのが好ましい。この場合、エポキシ樹脂の混合物が３以上の官能性を有するエポキシ樹脂を少なくとも１種含むようにすることにより、ピール強度が大きく、引張り伸びも大きく、ガラス転移温度（Ｔｇ）の高い絶縁層を形成することができ、特に有利である。好ましくは、本発明のエポキシ樹脂組成物は、少なくとも２官能性の脂環式エポキシと芳香族エポキシ樹脂を含むほかに、３官能以上のエポキシ樹脂を少なくとも１種含む。
【００４６】
主剤として上記エポキシ樹脂のほか、例えば、エポキシ変性ポリイミド樹脂を用いることができる。エポキシ変性ポリイミド樹脂は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物（それらのうちの少なくとも一方、通常は少なくともジアミンの方が、ヒドロキシル基を有する）を非プロトン系極性溶媒中で重合させてポリアミド酸中間体を作り、この中間体をポリイミド化して合成される、側鎖中にヒドロキシル基を持つポリイミドをエポキシ化して得られる溶剤可溶性の高分子である。
【００４７】
エポキシ変性ポリイミド樹脂としては、市販のＡｒｌｏｎ社製、商品名「３７Ｎ」などを用いてもよい。
【００４８】
硬化剤としては、使用するエポキシ化合物を硬化させるのに有用なものであればどのようなものでもよいが、上述した絶縁層の特性を損なわないように選択することが好ましい。このような硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、アミン化合物、シアネートエステル樹脂、酸無水物を使用することができる。フェノール樹脂としては、アラルキル型フェノール樹脂（例えば、三井化学社製、商品名「ＸＬＣ−ＬＬ」）、フェノールノボラック樹脂（例えば、群栄化学社製、商品名「ＰＳＭ−４３００」）を使用することができる。アミン化合物としては、具体的には、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、メンセンジアミン、ｍ-キシレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、ジアミノジシクロヘキシルメタンなどを使用することができる。シアネートエステル樹脂としては、具体的には、例えばプライムセット（ロンザ社）ＰＴ−１５、ＰＴ−３０、ＰＴ−６０Ｓ、ＣＴ−９０及びＢＡ−２３０Ｓ、並びにフェノールノボラックシアネートエステルなどが挙げられる。酸無水物としては、具体的には、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、無水マレイ
ン酸、無水コハク酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、またこれらの混合物などが挙げられる。絶縁層に要求される特性に応じて、複数種の硬化剤の混合物を使用してもよい。
【００４９】
硬化剤の使用量は、形成する絶縁層の特性等を考慮して適宜決定すればよいが、通常は、組成物中のエポキシ基１当量に対し硬化剤の活性水素当量が０．８〜１．１となるような量で配合するのが好ましい。
【００５０】
硬化促進剤としては、使用するエポキシ化合物とその硬化剤の種類に応じて適当なものを使用するようにすればよい。このような硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、三級アミン、並びにＣｕ（ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩ）、Ｚｎ（ＩＩ）、及びＭｎ（ＩＩ）のアセチルアセトナート錯体などを使用することができる。
【００５１】
硬化促進剤の使用量も、使用するエポキシ樹脂とその硬化剤の種類に応じて適宜決定すればよい。イミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、三級アミンを硬化促進剤として用いる場合、通常、組成物中のエポキシ樹脂１００重量部に対して１〜１０重量部が用いられる。また、Ｃｕ（ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩ）、Ｚｎ（ＩＩ）、及びＭｎ（ＩＩ）のアセチルアセトナート錯体を硬化促進剤として用いる場合、通常、組成物中の全固形分１００万重量部当たりの活性金属イオン含有量が１００〜５００部（１００〜５００ｐｐｍ）となるように用いられる。
【００５２】
樹脂組成物には、必要に応じて種々の添加剤を添加してもよい。そのような添加剤の例として、例えばフィラーが挙げられる。特に、フィラーとしてシリカ粉末を添加すると、配線基板の熱膨張係数を低減させる点から有利である。シリカ粉末の添加量は、形成する絶縁層の他の特性を損なわないように決定すべきであり、具体的には、樹脂組成物の全固形分１００重量部に対し２．５〜１０重量部程度とするのがよい。添加剤としては、フィラーのほか、レベリング剤、防錆顔料、ハジキ防止剤、ダレ止め剤、消泡剤、紫外線吸収剤、光安定剤等などを挙げることができる。
【００５３】
樹脂組成物は、一般にワニス状にして処理基板（コア基板又はその上に絶縁層と配線層を形成したもの）上へ塗布される。ワニス状組成物とするために、樹脂組成物は上記の成分以外に、適当な溶媒を含むことができる。溶媒の例としては、プロピレングリコールモノエーテルアセテート等のアセテート類、シクロヘキサン、ジオキサン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、キシレン、Ｎ−メチルピロリドンなどの有機溶剤を挙げることができる。
【００５４】
尚、第３の工程において、樹脂組成物は、通常、第１貫通孔２１だけでなく、基板１１の表面１１ａ、裏面１１ｂ、及び側端面（図示せず）に形成されてもよい。
【００５５】
有機層１３が設けられた第１貫通孔２１の表面は、有機層１３が設けられない第１貫通孔２１の表面よりも上記樹脂組成物に対する濡れ性が高い。このため、樹脂組成物は第１貫通孔２１の形成の際に生じたバリ１２の凹凸形状沿うように充填される。また、反応性置換基を有する有機膜１３と樹脂組成物に含まれる主剤とは、第４工程における加熱により反応し、一体化して絶縁層１４を形成する。絶縁層１４の第１貫通孔２１に対する吸着は、上述のとおり、化学吸着が支配的である。
【００５６】
上記ラミネートの際、基材１１の両面にドライフィルムをラミネートすることが、第１貫通孔２１内への有機樹脂の充填率を向上させる点から好ましい。ラミネートに用いる装置としては、例えば、既存の真空プレス、積層板プレス、ラミネータ、真空ラミネータな
どが挙げられる。ラミネートは、樹脂組成物の反応を促進させるため、また第１貫通孔２１における有機樹脂の充填率を向上させるため、加熱しながら行ってもよい。加熱温度は、樹脂組成物１４に含まれる化合物に応じて適宜選択できる。
（４）第４の工程
第４の工程では、図３（ｄ）に示されるように、第１貫通孔２１の壁面に設けられた樹脂組成物１４に対して加熱することにより硬化反応を促進させる。樹脂組成物１４に含まれるエポキシ樹脂及びエポキシ変性ポリイミド樹脂は熱硬化性樹脂であり、反応して得られる生成物は剛直な３次元網目構造をとる。
【００５７】
また、この加熱により、下記式（５）に示されるように、有機層１３が有する反応性置換基と、樹脂組成物１４に含まれるエポキシ基とが反応する。このとき、有機層１３に含まれる反応性官能基と、樹脂組成物１４に含まれる有機樹脂とが反応することにより投錨（アンカー）効果が発揮されるため、硬化後における貫通孔２１の壁面と絶縁層１４との密着性は向上する。加熱温度は、樹脂組成物に含まれる化合物に応じて適宜選択できる。
【００５８】
【化６】
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【００５９】
Ａｒは、一般式（１）のそれと同様に、置換若しくは未置換の芳香族基、又は置換若しくは未置換の複素環基を示す。Ｒ４は、式（２）のそれと同様に、本実施形態における反応性置換基である。Ｒ４は、第３工程の有機樹脂に対して反応性を示す官能基であり、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基が挙げられる。連結基Ｙは、エポキシ基と、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基の中から選択される官能基とが反応することにより形成される連結基である。連結基Ｙは、具体的には、−ＮＨＲ２−、−Ｎ（Ｒ２−）Ｒ３−、−Ｏ−Ｒ２−、−ＣＯＯ−Ｒ２−などが挙げられる。但しＲ２、Ｒ３は、−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−、−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−の中から選択される基であり、同じであっても異なっていてもよいが、通常、−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−である。Ｒ１は、一般式（１）のそれと同様に、エポキシ樹脂及びエポキシ変性ポリイミド樹脂が備えるエポキシ基のうち、連結基Ｙの形成に関与したエポキシ基を除く部分である。
【００６０】
なお、第３の工程において、加熱しながらラミネートを行うことにより、第４の工程に代えることができる。
（５）第５の工程
第５の工程では、図４（ａ）に示されるように、硬化した樹脂組成物、すなわち絶縁層１４に第２貫通孔２２を形成する。第２貫通孔２２の形成は、第１貫通孔２１の形成と同様に、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、及びエキシマレーザ等を用いるドライエッチング法、並びに機械的ドリル法（切削加工法）等を使用することができる。第２貫通孔２２の直径は、例えば０．２ｍｍとする。更に、必要に応じて第２貫通孔２２に対して、樹脂残渣を除去するデスミア処理を行ってもよい。デスミア処理は、過マンガン酸等の薬液により行ってもよいし、プラズマを用いて行ってもよい。
【００６１】
なお、第３工程において、上記第２貫通孔に対応する形状になるように樹脂組成物１４を第１貫通孔２１内に設けた場合には、第５の工程を行わなくてもよい。
（６）第６の工程
第６の工程では、図４（ｂ）に示されるように、第２貫通孔２２を導電性材料で被覆し、配線部１５を設ける。導電性材料としては、例えば銅が好ましく用いられる。導電性材
料を被覆する方法は特に限定されないが、例えば無電解めっき法及びそれに続く電解めっき法により被覆することができる。無電解めっき法により被覆した銅膜の膜厚は例えば０．３μｍであり、更にめっき法により被覆した銅膜の膜厚は例えば３０μｍである。被覆された導電性材料により、基板１１の両面を電気的に接続することが可能になる。
【００６２】
配線基板は、通常、第２貫通孔２２のみならず、基板の表面１１ａ、裏面１１ｂ、及び側端面（図示されず）にも導電性の材料からなる配線部が設けられる。これらの面に設けられる配線部の形態は、配線の設計に応じて決定されるものであり、特に限定されない。これらの面に設けられる配線部は、例えば、以下のようにして設けることができる。
【００６３】
まず、上記第６の工程で無電解めっき法により第２貫通孔とともに、基板の表面１１ａ、裏面１１ｂ、及び側端面（図示されず）にも導電性の材料を被覆する。次いで、ドライフィルムレジストで基板１１をラミネートすることにより、基板１１の表裏面に形成された銅膜上に、例えば膜厚５０μｍのレジスト層を形成する（図示せず）。次いで、フォトリソグラフィ技術により、レジスト層３１に、配線形成予定領域を露出する開口部３０を形成する（図４（ｃ）参照）。
【００６４】
次いで、無電解めっき法により形成された銅膜１５をシードとして、電解めっき法により、レジスト層３１の開口部３０に露出した銅膜１５上及び第２貫通孔２２の壁面に形成されている銅膜１５上に、例えば、膜厚３０μｍの銅膜を堆積する（図４（ｄ）参照）。
【００６５】
電解めっき法により銅膜１５の膜厚を増加させた後、レジスト層３１を除去する（図５（ａ）参照）。次いで、配線形成予定領域以外の部分に設けられた銅膜１５をパネルエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば過酸化水素水と硫酸との混合液を用いる。こうして、基板の表裏面に形成された絶縁層１４上に、銅膜１５よりなる配線３２ａ、３２ｂがそれぞれ形成される。また、基板１１の側端面に形成された絶縁層上に、銅膜よりなる配線が形成される（図示せず）。また、第２貫通孔２２の壁面には、銅膜１５よりなる配線３２ｃが形成される（図５（ｂ）参照）。
【００６６】
こうして、本実施形態による配線基板が形成される。
【００６７】
多層配線基板を形成する場合には、以後、絶縁層を形成する工程と、上記と同様の配線を形成する工程とを繰り返す。基板１１の表裏面のそれぞれに、例えば５層の多層配線を形成することができる。このようなビルドアップ手法による多層配線基板の製造は、当業者にとって周知であるため説明を省略する。多層配線が形成された基板１１の表裏面の最上層には、例えばスクリーン印刷技術とフォトリソグラフィ技術とを併用して、オーバーコート層を形成してもよい。
【００６８】
このように、本実施形態によれば、基板１１の貫通孔２１にバリ１２を被覆するように有機層１３が形成される。基板１１に含まれる原子と有機層１３に含まれる原子とは共有結合性の結合を形成している。また、有機層１３は、貫通孔２１の樹脂組成物に対する濡れ性を向上させる。このため、樹脂組成物１４は第１貫通孔２１の形成の際に生じたバリ１２の凹凸形状に沿うように設けられる。貫通孔２１に設けられた樹脂組成物１４は、加熱により、有機層１３と反応して硬化する。このとき、有機層１３に含まれる反応性官能基と、樹脂組成物１４に含まれる有機樹脂とが反応することにより投錨（アンカー）効果が発揮されるため、硬化後における貫通孔２１の壁面と絶縁層１４との密着性は向上する。よって、絶縁層１４にボイドが発生したり、配線基板の使用時における温度変化に伴いクラックが発生したりしにくい。ボイドやクラックの発生がない絶縁層には配線形成用のめっき液が浸透しにくいため、貫通孔に設けられた配線と導電性基板とが短絡しにくい。したがって、本実施形態によれば、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【実施例】
【００６９】
＜実施例１＞
以下の方法により実施例１の配線基板を作成した。
【００７０】
まず、厚さが０．２ｍｍのカーボン繊維を編みこんだシートとエポキシ系樹脂組成物を複合させたプリプレグを５枚重ねて真空プレスで積層し、板厚１．０ｍｍの導電性を有する基板を作成した。カーボン繊維はＸ、Ｙ方向（基板に対して平行で互いに垂直な２方向）に編みこまれている。エポキシ系樹脂組成物として、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、同じく１０重量％シリカフィラーとを含有しているものが用いられた。アルミナフィラーとして、平均粒径７μｍ以下で熱膨張率は７ｐｐｍ／℃のものが用いられた。シリカフィラーとして、平均粒径３μｍ以下で熱膨張率は３ｐｐｍ／℃のものが用いられた。このコア材料の、Ｘ、Ｙ方向の平均熱膨張率は２ｐｐｍ／℃、Ｚ方向の平均熱膨張率は８０ｐｐｍ／℃であった。上記熱膨張率の温度範囲は２５〜２００℃の範囲である。
【００７１】
この基板の主面に、以下の方法で開口部を形成した。まず、基板にドリルにて基板の主面にφ０．５ｍｍの貫通孔を約１０００個形成した。この基板に所定の脱脂・洗浄処理を行った。その後、基板をｐ−ｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｄｉａｚｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅ（０．１ｍｏｌ）水溶液（０．１Ｎ、Ｈ２ＳＯ４）に３０分浸漬させたあと水洗浄を行った。その後、基板の両面にエポキシ系樹脂シートを真空プレスによりラミネートし、貫通孔にエポキシ系樹脂を充填した。真空プレスは２００℃、３０分間の条件で行われた。
【００７２】
なお、エポキシ系樹脂シートは以下の手順で作成した。まず、テトラブロモビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ社製、商品名「エピクロン１５３」）７５重量部、シクロヘキサン骨格の脂環式エポキシ樹脂（チバガイギー社製、商品名「アラルダイトＣＹ１７９」）２５重量部、フェノールノボラック樹脂（群栄化学社製、商品名「ＰＳＭ−４３００」）４０重量部、２−メチル−４−エチル−イミダゾール（四国化成社製）１．０重量部、シリカ粉末（日本アエロジル社製、商品名「Ａｅｒｏｓｉｌ  ２００」、粒子径：１２ｎｍ）１０．０重量部をプロピリングリコールモノエーテル１８重量部とシクロヘキサン２９重量部に溶解し、塗液を調整した。次いで、この塗液を、ギャップ１００μｍのドクターブレード（Ｄｏｃｔｏｒ  Ｂｌａｄｅ）を用いて、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、乾燥させ、エポキシ系樹脂シートを得た。エポキシ系樹脂シート上の、エポキシ樹脂の厚さは０．０５ｍｍだった。
【００７３】
次に、上記貫通孔に充填されたエポキシ系樹脂に、基板に形成された貫通孔の中心を通るφ０．２ｍｍの貫通孔を、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて形成した。次に、基板及び基板の貫通孔に設けられたエポキシ樹脂の表面に無電解銅めっき膜（いわゆるシード層）を形成した。次に、無電解銅めっき膜の表面に、配線パタンに対応する形状を有するドライフィルムレジストを設けた。次いで、シード層の表面に、電解銅めっきにより銅を被覆させた。この時、φ０．２ｍｍの貫通孔にも銅が被覆された。次いで、ドライフィルムレジストを剥離した。次いで無電解銅めっき膜をパネルエッチングすることにより配線基板を得た。エッチング液としては過酸化水素水と硫酸の混合液を用いた。
（評価）
１．熱サイクル試験
得られた実施例１の配線基板について、貫通孔に設けられた銅配線の抵抗値を測定した。本抵抗値は、アドバンテスト製デジタルマルチメータＲ-６５５１を用い４端子方法によって測定した。
【００７４】
次いで熱サイクル試験を行った。配線基板を−６５℃の温度下に３０分間放置し、続いて１２５℃の温度下に３０分間放置した。この温度及び時間の条件を１サイクルとし、これを１０００サイクル繰り返す熱サイクル試験を行った。
【００７５】
次いで熱サイクル試験を行った配線基板について、再び貫通孔に設けられた銅配線の抵抗値を測定した。
【００７６】
配線基板の熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率はそれぞれ５％以下だった。
２．外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の基板に平行な断面を５枚、断面ＳＥＭにより観察したところ、クラックや空隙は認められなかった。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みは確認されなかった。
＜実施例２＞
実施例１の配線基板の作成方法において、エポキシ系樹脂組成物が、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、１０重量％シリカフィラーとを含有する代わりに、組成物全体の５重量％の窒化アルミニウムフィラーと、２５重量％のシリカフィラーとを含有し、窒化アルミニウムフィラーは平均粒径８μｍ以下で熱膨張率は５ｐｐｍ／℃だった点、導電性基板のＸ、Ｙ方向の平均熱膨張率、Ｚ方向の平均熱膨張率、平均熱膨張率の温度範囲がそれぞれ２ｐｐｍ／℃、８０ｐｐｍ／℃、２５〜２００℃である代わりに、それぞれ３ｐｐｍ／℃、７０ｐｐｍ／℃、２５〜１５０℃だった点、基板をｐ−ｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｄｉａｚｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅ（０．１ｍｏｌ）水溶液（０．１Ｎ、Ｈ２ＳＯ４）に３０分浸漬させる代わりに、基板をｐ−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ  ｄｉａｚｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅ（０．１ｍｏｌ）水溶液（０．１Ｎ、Ｈ２ＳＯ４）に３０分浸漬させた点、及び基板の両面にエポキシ系樹脂シートを真空プレスによりラミネートし、貫通孔にエポキシ系樹脂を充填する代わりに、基板の両面にシアネートエステル−エポキシ系樹脂シートを真空プレスによりラミネートし、貫通孔にエポキシ系樹脂を充填する点を除き、実施例１の配線基板の作成方法と同様の方法で実施例２の配線基板を作成した。
【００７７】
なお、シアネートエステル−エポキシ系樹脂シートは以下の手順で作成した。まず、テトラブロモビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ社製、商品名「エピクロン１５３」）６５重量部、シクロヘキサン骨格の脂環式エポキシ樹脂（チバガイギー社製、商品名「アラルダイトＣＹ１７９」）２５重量部、ビスフェノ−ルＡ型ポリオールエポキシ（新日本理化社製、商品名「ＢＥＯ−６０Ｅ」）１０重量部、シアネートエステル（Ｌｏｎｚａ  ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製、商品名「ＰＴ−３０」）８７重量部、シリカ粉末（日本アエロジル社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ２００」、粒子径：１２ｎｍ）６重量部、ポリアクリレート０．２５重量部、及びＣｏ（ＩＩ）アセチルアセトナート錯体０．０１重量部を、プロピレングリコールモノエーテル２０重量部、シクロヘキサン２９重量部に溶解し、塗液を調整した。次いで、この塗液を、ギャップ１００μｍのドクターブレード（Ｄｏｃｔｏｒ  Ｂｌａｄｅ）を用いて、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、乾燥させ、シアネートエステル−エポキシ系樹脂シートを得た。
（評価）
１．熱サイクル試験
得られた実施例２の配線基板について、実施例１の評価と同様の方法で、熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率を求めた。実施例１の配線基板の抵抗値の変化率はそれぞれ５％以下だった。
２．外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の、基板に平行な断面を５枚、断面ＳＥＭにより観察したところ、クラック
や空隙は認められなかった。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みは確認されなかった。
＜実施例３＞
実施例１の配線基板の作成方法において、エポキシ系樹脂組成物が、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、１０重量％シリカフィラーとを含有する代わりに、組成物全体の５重量％の窒化アルミニウムフィラーと、同じく２５重量％のシリカフィラーとを含有し、窒化アルミニウムフィラーは平均粒径８μｍ以下で熱膨張率は５ｐｐｍ／℃だった点、導電性基板のＸ、Ｙ方向の平均熱膨張率、Ｚ方向の平均熱膨張率、平均熱膨張率の温度範囲がそれぞれ２ｐｐｍ／℃、８０ｐｐｍ／℃、２５〜２００℃である代わりに、それぞれ３ｐｐｍ／℃、７０ｐｐｍ／℃、２５〜１５０℃だった点、及び基板をｐ−ｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｄｉａｚｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅ（０．１ｍｏｌ）水溶液（０．１Ｎ、Ｈ２ＳＯ４）に３０分浸漬させる代わりに、基板を４−ｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｙｌｄｉａｚｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅ
ｓａｌｔ（０．１ｍｏｌ）水溶液（０．１Ｎ、Ｈ２ＳＯ４）に３０分浸漬させた点を除き、実施例１の配線基板の作成方法と同様の方法で実施例３の配線基板を作成した。
（評価）
１．熱サイクル試験
得られた実施例３の配線基板について、実施例１の評価と同様の方法で、熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率を求めた。実施例１の配線基板の抵抗値の変化率はそれぞれ５％以下だった。
２．外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の、基板に平行な断面を５枚、断面ＳＥＭにより観察したところ、クラックや空隙は認められなかった。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みは確認されなかった。
＜比較例１＞
実施例１の配線基板の作成方法において、基板をｐ−ｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｙｌ  ｄｉａｚｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅ（０．１ｍｏｌ）水溶液（０．１Ｎ、Ｈ２ＳＯ４）に３０分浸漬させ、更に水洗浄を行う工程を行わなかった点を除き、実施例１の配線基板の作成方法と同様の方法で比較例１の配線基板を作成した。
（評価）
１．熱サイクル試験
得られた比較例１の配線基板について、実施例１の評価と同様の方法で、熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率を求めた。比較例１の配線基板の抵抗値の変化率はそれぞれ５％を超えた。
２．外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の基板に平行な断面を５枚、断面ＳＥＭにより観察したところ、クラック及び空隙が認められた。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みが確認された。
＜比較例２＞
実施例１の配線基板の作成方法において、基板をｐ−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ  ｄｉａｚｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅ（０．１ｍｏｌ）水溶液（０．１Ｎ、Ｈ２ＳＯ４）させ、更に水洗浄を行う工程を行わなかった点を除き、実施例２の配線基板の作成方法と同様の方法で比較例２の配線基板を作成した。
（評価）
１．熱サイクル試験
得られた比較例２の配線基板について、実施例１の評価と同様の方法で、熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率を求めた。比較例２の配線基板の抵抗値の変化率はそれぞれ５％を超えた。
２．外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の基板に平行な断面を５枚、断面ＳＥＭにより観察したところ、クラック及び空隙が認められた。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みが確認された。
【００７８】
ここで再び、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
（付記１）
貫通孔を備える導電性の基板を準備する工程と、
反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した溶液に前記基板を浸漬する工程と、
前記貫通孔の壁面に前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物を設ける工程と、
前記樹脂組成物を硬化させ、電気的絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に導電層を設ける工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
（付記２）
前記基板は、前記アリールジアゾニウム塩と反応可能な材料を含んでなることを特徴とする付記１に記載の配線基板の製造方法。
（付記３）
前記基板は、カーボンを含んでなることを特徴とする付記１に記載の配線基板の製造方法。
（付記４）
前記カーボンは繊維状の形状であることを特徴とする付記３に記載の配線基板の製造方法。
（付記５）
前記基板が金属からなることを特徴とする付記１に記載の配線基板の製造方法。
（付記６）
前記反応性置換基が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、及びアミノ基の中から選択される少なくとも１つの官能基であることを特徴とする付記１に記載の配線基板の製造方法。
（付記７）
前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、エポキシ変性ポリイミド樹脂の中から選択される少なくとも１種類の樹脂を含んでなることを特徴とする付記１に記載の配線基板の製造方法。（付記８）
前記樹脂組成物を加熱することにより、前記有機樹脂が硬化することを特徴とする付記１に記載の配線基板の製造方法。
（付記９）
貫通孔を備える導電性の基板と、
前記貫通孔の壁面に接し、該壁面と共有結合を形成し、電気的絶縁性を有する絶縁層と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に設けられた導電層と
を有することを特徴とする配線基板。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の配線基板の一実施形態を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の配線基板の別の実施形態を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を示す模式的断面図である。
【図５】本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１    配線基板
１１    基板
１２    バリ
１３    有機層
１４    絶縁層（樹脂組成物）
１５    配線層
２１    第１貫通孔
２２    第２貫通孔
３０    開口部
３１    レジスト層
３２ａ〜３２ｃ    配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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