(57)【要約】【課題】ガラスの長所を有効に活用できるようにした電子装置用のガラス基板を提供する。【解決手段】ガラス母材ＧＬの表裏面のうち、表面全体に反射防止膜を形成する成膜工程（ＳＴ１）と、反射防止膜を設けたガラス母材の表面全体に、耐フッ酸性のレジスト層を設けるレジスト工程（ＳＴ２）と、レーザ光又はカッタ刃によって、ガラス母材の表面から、貫通しない区画ラインＧＶを形成して、ガラス母材を複数の使用領域に区画する区画工程（ＳＴ３）と、区画工程を経たガラス母材を化学研磨して、ガラス母材を裏面側から薄肉化すると共に、区画ラインＧＶを表面側から深化させるエッチング工程（ＳＴ４）と、を有して一枚のガラス母材から複数枚の電子装置用ガラス基板を製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス母材の表裏面の表面側に、耐フッ酸性のレジスト層を設けるレジスト工程（ＳＴ２）と、
レーザ光又はカッタ刃によって、ガラス母材の表面側から、ガラス母材を貫通しない区画ラインを形成して、ガラス母材を複数の使用領域に区画する区画工程（ＳＴ３）と、
区画工程を経たガラス母材をエッチングして、ガラス母材を裏面側から薄肉化すると共に、前記区画ラインを深化させるエッチング工程（ＳＴ４）と、
を有して一枚のガラス母材から複数枚の電子装置用ガラス基板を製造するガラス基板の製造方法。
【請求項２】
ガラス母材の表裏面の表面側に、耐フッ酸性の表面レジスト層を離散的に設ける一方、ガラス母材の裏面側にも、表面レジスト層に対応する位置に、耐フッ酸性の裏面レジスト層を設けるレジスト工程（ＳＴ１１〜ＳＴ１３）と、
ガラス母材におけるレジスト層を設けていない部分をエッチングして、ガラス母材を貫通しない区画ラインを形成して、ガラス母材を複数の使用領域に区画する区画工程（ＳＴ１４）と、
表面レジスト層及び裏面レジスト層を剥離した状態で、ガラス母材の全体をエッチングして、前記ガラス母材を薄肉化すると共に、前記区画ラインを深化させるエッチング工程（ＳＴ１６）と、
を有して一枚のガラス母材から複数枚の電子装置用ガラス基板を製造するガラス基板の製造方法。
【請求項３】
ガラス母材の表裏面の表面側に、耐フッ酸性の表面レジスト層を離散的に設ける一方、ガラス母材の裏面側にも、表面レジスト層に対応する位置に、耐フッ酸性の裏面レジスト層を設けるレジスト工程（ＳＴ２１〜ＳＴ２３）と、
ガラス母材におけるレジスト層を設けていない部分をエッチングして、ガラス母材をガラス基板の使用領域毎に分離する分離工程（ＳＴ２４）と、
前記ガラス基板の端面を更にエッチングして、ガラス端面における板厚中心領域を円弧面に変形する変形工程（ＳＴ２５）と、
を有して一枚のガラス母材から複数枚の電子装置用ガラス基板を製造するガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記レジスト工程に先行して、ガラス母材の表面側全体に反射防止膜を形成する成膜工程が設けられている請求項１〜３の何れかに記載の製造方法。
【請求項５】
完成状態のガラス基板は、ガラス端面の板厚中心領域が円弧面に変形されており、前記円弧面の曲率半径Ｒは、ガラス基板の板厚ｔに対して、０．４ｔ≦Ｒ≦０．６ｔである請求項２又は３に記載の製造方法。
【請求項６】
前記円弧面は、板厚ｔのガラス基板の板厚中心Ｏを基準にして、−αｔ〜αｔの範囲に形成されている（０．３５≦α≦０．５）請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記反射防止膜は、ＳｉＯ２層と、ＴｉＯ２層と、ＳｉＯ２層と、ＴｉＯ２層と、ＳｉＯ２層とが、スパッタリング処理によって、この順番でガラス表面に積層されて構成されている請求項４に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ガラス母材は、アルカリガラスである請求項１〜７の何れかに記載の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れかの製法で製造された前記ガラス基板を、使用者に接するカバーガラスとして電子装置に組み込む工程を有する電子装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れかの製法で製造された前記ガラス基板を、タッチパネル一体型の表示装置のタッチパネルにおける、使用者側の部材として電子装置に組み込む工程を有する電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置などの電子装置の露出部に使用されるガラス基板の製造方法、及び、そのような電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置などの露出部には、破損や汚れを防止する透明の被覆部材を設ける必要がある。ここで、被覆部材としては、プラスチックが最も簡易的であるが、プラスチックに比べて、視認性、耐久性、耐酸性、耐熱性などに優れるガラスの使用も提案されている（特許文献１）。
【０００３】
また、タッチパネル一体型の液晶ディスプレイのタッチパネルについても、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）などのフィルム材に代えてガラスを使用する方が、製造工程上の制約が少なく、且つ、上記したガラスの利点を活用できる点で優れている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２４１１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電子装置の露出部にガラスを使用する場合には、電子装置の製造時や使用時に、タッチパネルやカバーガラスが破損しないための万全の対策が必要である。また、反射によるガラス面への写り込みの対策も重要である。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、製造コストを特に上げることなく、ガラスの脆さを物理的に改善して、ガラスの長所を有効活用できるようにした電子装置用のガラス基板を提供すること、及び、電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、請求項１に係るガラス基板の製造方法では、ガラス母材の表裏面の表面側に、耐フッ酸性のレジスト層を設けるレジスト工程（ＳＴ２）と、レーザ光又はカッタ刃によって、ガラス母材の表面側から、ガラス母材を貫通しない区画ラインを形成して、ガラス母材を複数の使用領域に区画する区画工程（ＳＴ３）と、区画工程を経たガラス母材をエッチングして、ガラス母材を裏面側から薄肉化すると共に、前記区画ラインを深化させるエッチング工程（ＳＴ４）と、を有して一枚のガラス母材から複数枚の電子装置用ガラス基板を製造する。
【０００８】
この発明のエッチング工程では、好ましくは、裏面側を上面にしたガラス母材を水平状態に保持してエッチング処理が実行される。また、エッチング工程では、ガラス母材の表裏面に、化学研磨液を噴射するのが好ましい。
【０００９】
請求項２に係るガラス基板の製造方法では、ガラス母材の表裏面の表面側に、耐フッ酸性の表面レジスト層を離散的に設ける一方、ガラス母材の裏面側にも、表面レジスト層に対応する位置に、耐フッ酸性の裏面レジスト層を設けるレジスト工程（ＳＴ１１〜ＳＴ１３）と、ガラス母材におけるレジスト層を設けていない部分をエッチングして、ガラス母材を貫通しない区画ラインを形成して、ガラス母材を複数の使用領域に区画する区画工程（ＳＴ１４）と、表面レジスト層及び裏面レジスト層を剥離した状態で、ガラス母材の全体をエッチングして、前記ガラス母材を薄肉化すると共に、前記区画ラインを深化させるエッチング工程（ＳＴ１６）と、を有して一枚のガラス母材から複数枚の電子装置用ガラス基板を製造する。
【００１０】
請求項３に係るガラス基板の製造方法では、ガラス母材の表裏面の表面側に、耐フッ酸性の表面レジスト層を離散的に設ける一方、ガラス母材の裏面側にも、表面レジスト層に対応する位置に、耐フッ酸性の裏面レジスト層を設けるレジスト工程（ＳＴ２１〜ＳＴ２３）と、ガラス母材におけるレジスト層を設けていない部分をエッチングして、ガラス母材をガラス基板の使用領域毎に分離する分離工程（ＳＴ２４）と、前記ガラス基板の端面を更にエッチングして、ガラス端面における板厚中心領域を円弧面に変形する変形工程（ＳＴ２５）と、を有して一枚のガラス母材から複数枚の電子装置用ガラス基板を製造する。
【００１１】
請求項９に係る電子装置の製造方法では、前記ガラス基板を、使用者に接するカバーガラスとして電子装置に組み込む工程を有する。ここで、使用者に接するとは、直接接触と間接接触とを含む概念であるが、何れの場合にも、このカバーガラスは人為的に押圧される可能性がある。
【００１２】
また、請求項１０に係る電子装置の製造方法では、前記ガラス基板を、タッチパネル一体型の表示装置のタッチパネルにおける、使用者側の部材として電子装置に組み込む工程を有する。なお、この使用者側の部材も、人為的に押圧可能である。
【００１３】
上記何れの発明も、一枚のガラス母材から複数枚のガラス基板が製造されるが、ガラス基板の周縁は、これが物理的に切断されることがないので、クラックなどが発生せず、機械的な強度が大幅に改善される。すなわち、ガラスは、特に、その周縁に存在するクラックが破損の基点になることが多いが、本発明で製造されたガラス基板の周縁にはクラックが存在しないので、ガラスの脆さが大幅に改善される。
【００１４】
また、請求項1または請求項２に係る発明では、エッチング工程を設けて、ガラス母材の裏面、又は、ガラス母材の表面及び裏面を薄肉化するので、ガラス基板の周縁だけでなく、少なくとも、その裏面にはクラックが残らない。人為的な外部圧力は、反射防止膜を有するガラス基板の表面側から加わるので、裏面側のクラックが残存すると、そこを基点にガラスが割れるおそれがあるが、本発明のガラス基板の裏面にはクラックが残らないので、ガラス基板の物理的強度を高めることができる。したがって、例えば、表示装置のカバーガラスに使用しても優れた強度を発揮する。また、タッチパネルに使用されるフィルム材の代替品として、本発明のガラス基板を有効に活用することもできる。
【００１５】
また、本発明では、エッチング工程を設けるので、区画工程において、仮に、周縁部に鋭い角が生じても、その角は、エッチング工程において丸く滑面化される。そのため、その後の製造工程において、ガラス周縁に何かが接触した場合でも、新たなクラックが発生する可能性が大きく低減される。
【００１６】
なお、本発明では、エッチング工程において、必ずしも、区画ラインを貫通させる必要は無いが、区画ラインを貫通されることで、ガラス基板の機械的強度を極限的に高めることができる。一方、区画ラインが貫通しない段階でエッチング工程を終える実施態様を採る場合には、レジスト層を除去する剥離処理が容易で且つ確実である。すなわち、ガラス母材は、区画ラインを有するものの、全体として一体として剥離処理を実行できるので、製造効率を劣化させない。これに対して、個々のガラス基板に分離した後に、被膜層を除去する場合には、個々のガラス基板を整列させる作業が必要となる。
【００１７】
ガラス母材の表面だけにレジスト層を設ける請求項１に係る発明の場合には、ガラス母材に貼着したドライフィルムレジスト層を感光させてレジスト層を形成するのが好ましい。一方、ガラス母材の表面及び裏面にレジスト層を設ける請求項２や請求項３に係る発明の場合には、上記の方法に限らず、マスキング剤にガラス母材を浸漬することでガラス母材をマスキングすることもできる。
【００１８】
反射防止膜は、典型的には、薄膜表面での反射光と薄膜裏面で反射光の位相差によって反射波を消滅させるものであり、好ましくは、ＳｉＯ２層と、ＴｉＯ２層と、ＳｉＯ２層と、ＴｉＯ２層と、ＳｉＯ２層とが、スパッタリング処理によって、この順番でガラス表面に積層されて構成される。なお、酸化チタンＴｉＯ２層に代えて、酸化インジウムスズＩＴＯ層を設けても良く、また、五層構造に代えて、ＳｉＯ２層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯ２層、ＴｉＯ２層による四層構造としても良い。
【００１９】
また、前記ガラス母材は、好ましくは、アルカリガラスであるべきである。アルカリガラスは安価であるので、電子装置のカバーガラスなどとして効果的であり、アクリル板などより優れた透過率を発揮する。また、視認性に限らず、耐酸性や耐熱性を含んだ耐久性についてもアクリル板などより優れている。
【発明の効果】
【００２０】
上記した本発明によれば、ガラスの脆さを改善したガラス基板を製造でき、ガラスの長所を有効に活用した電子装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】ガラス基板の第一の製造方法を例示するフロー図である。
【図２】ガラス基板の第二の製造方法を例示するフロー図である。
【図３】フォトマスクの構成を例示する平面図である。
【図４】レジスト層を設けたガラス基板を示す平面図である。
【図５】ガラス基板の第三の製造方法を例示するフロー図である。
【図６】レジスト層を設けたガラス基板を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００２３】
＜第一実施例＞
図１は、第一実施例に係るガラス基板の製造方法を例示するフロー図である。ここで、ステップＳＴ１〜ＳＴ６の工程を経て製造されたガラス基板は、例えば、携帯電話機の液晶ディスプレイのカバーガラスとして使用される。また、タッチパネル一体型の液晶ディスプレイを構成する使用者側のガラス基板として使用することもできる。なお、タッチパネル一体型の液晶ディスプレイでは、二枚のガラス基板の一方が、タッチパネルのガラス基板が兼ねるので、液晶ディスプレイを構成するガラス基板に対面する使用者側のガラス基板として、図１の工程で製造されたガラス基板が活用される。
【００２４】
以下、図１に基づいて説明する。この実施例では、４００×５００ｍｍ程度の面積を有し、１ｍｍ以下（好ましくは０．７ｍｍ程度）に薄型化されたアルカリガラスＧＬが使用される。そして、最初に、ガラス母材ＧＬの表裏面の片面（例えば表面側）に反射防止膜を形成する（ＳＴ１）。具体的には、スパッタリング法によって、ガラス母材ＧＬに、二酸化ケイ素ＳｉＯ２層と、酸化チタンＴｉＯ２層と、を繰り返し複数回積層する。
【００２５】
特に限定されるものではないが、好ましくは、図１（ａ）に示す通り、ＳｉＯ２（Ｆａ１層）、ＴｉＯ２（Ｆｂ１層）、ＳｉＯ２（Ｆａ２層）、ＴｉＯ２（Ｆｂ２層）、及びＳｉＯ２（Ｆａ３層）の五層をこの順番に成膜する。そして、この場合には、Ｆａ１層は１００〜７００Å、Ｆｂ１層は１００〜３００Å、Ｆａ２層は１００〜５００Å、Ｆｂ２層は５００〜１５００Å、Ｆａ３層は１００〜１０００Å程度の膜厚に成膜される。
【００２６】
続いて、反射防止膜を覆うように、ガラス母材ＧＬの表面にドライフィルムレジストを貼着し、紫外線を照射して耐フッ酸性のレジスト層ＲＳを形成する（ＳＴ２）。なお、図１（ａ）は、ガラス母材ＧＬと反射防止膜とレジスト層ＲＳとの積層関係を示している。
【００２７】
次に、レジスト層ＲＳの上面からレーザ光を照射して、ガラス母材ＧＬを区画ラインに沿って変質させる（ＳＴ３）。レーザ光による区画ラインは、ガラス母材を貫通させない深さに形成されるので、ステップＳＴ３の処理後においても、ガラス母材の一体性が維持される。なお、通常は、この区画ラインによって、ガラス母材ＧＬが、４０ｍｍ×７０ｍｍ程度の矩形状に区画されるが、略円形その他の任意の形状に区画しても良いのは勿論である。
【００２８】
また、レーザ光の照射に代えて、スクライブマシンを使用しても良く、その場合には、カッタ刃によって切込み溝ＧＶたる区画ラインが形成される（ＳＴ３’）。図１（ｂ）は、区画ラインＧＶが形成されたガラス母材を示しており、この場合にも区画ラインＧＶは、ガラス母材ＧＬを貫通させないので、ガラス母材ＧＬの一体性が維持される。
【００２９】
次に、ステップＳＴ３又はステップＳＴ３’の処理を経たガラス母材ＧＬを、フッ酸を含有する化学研磨液によってエッチングする（ＳＴ４）。化学研磨液としては、フッ酸１〜１０重量％、硫酸２０〜５０重量％含有するのが好適である。フッ酸の濃度は、好ましくは、１〜５重量％、更に好ましくは、１〜３重量％である。また、この研磨液中における硫酸の濃度は、好ましくは、３０〜４５重量％、更に好ましくは、３５〜４２重量％である。
【００３０】
このエッチング処理によって、ガラス母材ＧＬのレジスト層ＲＳで被覆されていない部分がエッチングされるので、区画ラインＧＶが深化すると共に、ガラス母材ＧＬも裏面側から薄肉化される。その結果、区画ラインＧＶの形成時や、その後の搬送時などに、仮にクラックが発生していても、これを消滅させることができる。
【００３１】
エッチング量は適宜に設定されるが、ガラス母材ＧＬの板厚が０．７ｍｍ程度であれば、ステップＳＴ４の処理を経ることで、ガラス母材ＧＬは、０．６〜０．５ｍｍ程度に薄型化され、その結果、区画ラインは、事実上、ガラス母材ＧＬを貫通する。この程度まで薄型化したガラス母材は、９０°以下の角度まで自由に屈曲させることができるが、本実施例では、ガラス母材ＧＬを薄型化しつつ区画ラインＧＶが滑面化されるので、ガラス母材ＧＬから切出されるガラス基板の端面に、クラックが存在せず、優れた割れ強度を発揮する。
【００３２】
ところで、ステップＳＴ４の処理では、レジスト層ＲＳで被覆されていないガラス母材ＧＬの裏面側を上面にして、水平状態に保持したガラス母材ＧＬの表面と裏面から、化学研磨液をシャワー状に吹き付けるのが好ましい。ガラス母材ＧＬは、例えば、専用の収納ケースに収容されるが、収納ケースの下面を網目状に形成することで、区画ラインＧＶに、化学研磨液を直接当てることができる。また、区画ラインＧＶが下方に向けて開口するので、エッチング処理による反応生成物が、区画ラインＧＶに残存して付着することもない。
【００３３】
更に、このような構成を採ると、ガラス母材ＧＬが水平状態に保持されるので、区画ラインＧＶが深化しても、ガラス母材ＧＬから分離したガラス基板が、バラバラに分離することがない。一方、ガラス母材を化学研磨槽に浸漬した場合には、化学研磨液に煽られて、ガラス母材が区画ラインに沿って容易に割れてガラス基板がバラバラになってしまう。
【００３４】
以上のようにしてステップＳＴ４のエッチング処理が終われば、レジスト層ＲＳを剥離することで、表示装置用のカバーガラスが完成される（ＳＴ５）。
【００３５】
＜第二実施例＞
図２は、第二実施例に係るガラス基板の製造方法を例示するフロー図である。このガラス基板も、例えば、表示装置のカバーガラスとして活用される。また、タッチパネル一体型の液晶ディスプレイを構成する使用者側のガラス基板として使用することもできる。
【００３６】
この実施例でも、最初に、ガラス母材ＧＬの片面に反射防止膜を形成する（ＳＴ１０）。反射膜の構成は、第一実施例の場合と同様であり、図２（ａ）に示す通り、ＳｉＯ２（Ｆａ１層）、ＴｉＯ２（Ｆｂ１層）、ＳｉＯ２（Ｆａ２層）、ＴｉＯ２（Ｆｂ２層）、及びＳｉＯ２（Ｆａ３層）の五層がこの順番に成膜される。
【００３７】
次に、ガラス母材ＧＬの表面と裏面に、感光性フィルム材Ｆｉが貼着される（ＳＴ１１）。実施例で使用する感光性フィルム材Ｆｉは、図２（ｂ）に示す通り、透光性のベースフィルム１と、感光層２と、剥離フィルム３とが積層されて構成されている。そして、この感光性フィルム材Ｆｉから剥離フィルム３を剥がした後、ロータによってガラス母材ＧＬの表面と裏面に感光性フィルム材Ｆｉが貼着される。
【００３８】
次に、ガラス母材ＧＬの全体を、４０ｍｍ×７０ｍｍ程度の複数の使用領域に区画するべく、ガラス母材ＧＬにフォトマスク４を被せる。図３は、フォトマスク４を例示する平面図であり、ガラス基板としての使用領域４Ｂの周縁部分に、線幅１ｍｍ〜５ｍｍ程度の非露光部４Ａ（遮光部）を矩形リング状に設けている。なお、図２（ｃ）は、フォトマスク４を配置した状態を示す断面図である。フォトマスク４の非露光部４Ａは、エッチング処理における研磨ライン（区画ラインＧＶ）を特定している。
【００３９】
続いて、フォトマスク４の上から紫外線を照射して、感光層２の露光部２Ｂを光硬化させる（ＳＴ１２）。そして、この状態のガラス母材ＧＬをアルカリ溶液で現像して、感光層２の非露光部２Ａを除去する（ＳＴ１３）。以上の処理によって、ガラス母材ＧＬの表面と裏面は、非露光部２Ａを除いて、耐フッ酸性のレジスト層２Ｂで覆われる。図４は、この状態を示す平面図であり、エッチングされないレジスト層２Ｂと、エッチングされる区画ラインＧＶとが示されている。
【００４０】
次に、レジスト層２Ｂで覆われたガラス母材ＧＬを化学研磨槽に浸漬して、化学研磨液によってエッチング（一次エッチング）する（ＳＴ１４）。化学研磨液としては、フッ酸１〜１０重量％、硫酸２０〜５０重量％含有するのが好適である。フッ酸の濃度は、好ましくは、１〜５重量％、更に好ましくは、１〜３重量％である。また、この研磨液中における硫酸の濃度は、好ましくは、３０〜４５重量％、更に好ましくは、３５〜４２重量％である。
【００４１】
また、ステップＳＴ１４のエッチング工程では、ガラス母材ＧＬを直立させる共に、ガラス母材ＧＬの表面及び裏面に沿って微細な気泡を連続的に上昇させるのが好適である。このような構成を採ると、レジスト層２Ｂが存在しない区画ラインＧＶに、溶出したガラス成分（反応生成物）が再付着することを防止することができる。この実施例では、区画ラインＧＶが１〜５ｍｍ程度で細いので、反応生成物の再付着を防止しないと、研磨速度に部分的なバラツキが生じる結果、区画ラインＧＶのエッチング深さを一定化できないおそれがある。
【００４２】
このようにして、区画ラインＧＶを深化させ、その部分のガラス母材ＧＬの板厚が１００〜３００μｍ程度に達するタイミングで、ステップＳＴ１４の一次エッチング処理を終了させる。なお、図２（ｅ）は、一次エッチング終了時のガラス母材ＧＬを図示しており、区画ラインＧＶの上端に、エッジ角ＥＤが形成されていることが示されている。なお、このエッジ角は、研磨速度が速いほど、その角度が９０度に近づく傾向となる。
【００４３】
そして、次に、ガラス母材ＧＬを剥離槽に浸漬してレジスト層２Ｂを除去する（ＳＴ１５）。続いて、ガラス母材ＧＬを適当な収納ユニットに配置して、その表面と裏面に、化学研磨液をシャワー状に吹き付けて、仕上げエッチング処理を実行する（ＳＴ１６）。なお、ガラス母材ＧＬは、収納ユニット内に水平姿勢で載置されるが、適当なタイミングでガラス母材の表裏面を反転させても良い。
【００４４】
何れにしても、このようなエッチング処理を実行すると、区画ラインＧＶが更に深化されると共に、ガラス表面と裏面もエッチングされる。その結果、一次エッチング時（ＳＴ１４）に、区画ラインＧＶに比較的鋭いエッジ角ＥＤが生じた場合でも、そのエッジ角ＥＤが滑面化されることになる。また、ガラス表面と裏面とがエッチングされるので、万一、ガラス表裏面に微細なクラックが残存していても、これを消滅させることができる。
【００４５】
そして、上下２つの区画ラインＧＶが貫通した段階で仕上げエッチング処理が終了される。このように、本実施例では、区画ラインＧＶを形成する一次エッチング（ＳＴ１４）の後で、仕上げエッチング（ＳＴ１６）を実行するので、仕上げエッチングによってガラス基板の分離処理と、滑面化処理とが実行されることになり、強固なガラス基板を生成することができる。
【００４６】
また、ガラス基板は、最終的に０．５ｍｍ程度又はそれ以下まで薄型化されるので、プラスチックと同等の可撓性を発揮することができる。そのため、例えば、表示装置の製造工程において、耐酸性や耐熱性を初めとするガラスの長所を有効に発揮する。更にまた、カバーガラスとして、優れた視認性や耐久性を発揮する。
【００４７】
なお、仕上げエッチング（ＳＴ１６）に続いて、第三実施例と同様の追加エッチング処理（ＳＴ２５）を設けると、ガラス基板の端面（板厚中心Ｏから−αｔ〜＋αｔの範囲）を、円弧面に変形させることができ、更にガラス強度を高めることができる（図５（ｂ）参照）。
【００４８】
円弧面の曲率半径Ｒは、板厚ｔのガラス端面の全部（α＝０．５）又は大部分（０．５＞α≧０．３５）について、好ましくは、０．４ｔ以上、より好ましくは、０．５ｔ以上とすべきである。その他、追加エッチングの内容は、第三実施例の二次エッチング（ＳＴ２５）と同じであり、円弧面に変形すべき範囲（−αｔ〜＋αｔ）や、曲率半径Ｒの評価法も第三実施例と同じである。
【００４９】
以上、実施例について詳細に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定するものではない。特に、マスキング処理のために感光性フィルムを使用する実施例の製法に限定されるものではなく、例えば、第二実施例の場合、マスキング材を貯留する液槽に、ガラス母材ＧＬを浸漬して被膜層を形成するのも好適である。このような構成を採ると、ガラス母材の周縁も含めて、被膜層を設けることができる。
【００５０】
＜第三実施例＞
また、第二実施例では、レジスト層２Ｂを剥離した後に、エッチング処理を実行したが（ＳＴ１５，ＳＴ１６）、レジスト層２Ｂを残した状態でエッチング処理を実行しても良い。但し、この場合には、ガラス母材ＧＬが薄肉化されないので、予め適宜な板厚（好ましくは、０．４〜０．６ｍｍ程度又はそれ以下）まで、エッチング処理によって薄肉化しておくのが好ましい。
【００５１】
図５は、この第三実施例を説明するためのフロー図と模式図である。第三実施例で製造されたガラス基板は、例えば、携帯電話機の液晶ディスプレイのカバーガラスとして使用される。また、タッチパネル一体型の液晶ディスプレイを構成する使用者側のガラス基板として使用することもできる。
【００５２】
第三実施例では、感光性フィルム材を貼着することに代えて、ディッピング法によって感光膜を設けている（ＳＴ２１）。ディッピング法では、ガラス母材ＧＬを、垂直状態で塗布液（感光剤）の浴槽に浸漬し、塗布液の粘性に対応した速度でガラス母材ＧＬを引上げて、所定の膜厚の感光膜を形成する。なお、ステップＳＴ２１の処理に先行して、ガラス母材ＧＬに、反射防止膜を設けても良いし、設けなくても良い。
【００５３】
次に、ガラス母材ＧＬの全体を、複数の使用領域に区画するべく、ガラス母材ＧＬにフォトマスク４を被せ、フォトマスク４の上から紫外線を照射して、感光層２の露光部２Ｂを光硬化させる（ＳＴ２２）。そして、この状態のガラス母材ＧＬをアルカリ溶液で現像して、感光層２の非露光部２Ａを除去する（ＳＴ２３）。
【００５４】
以上の処理によって、ガラス母材ＧＬの表面と裏面は、耐フッ酸性のレジスト層２Ｂで覆われる。図６は、エッチングされないレジスト層２Ｂと、エッチングされる区画ラインＧＶ及び開口窓ＨＯとが示されている。図示の通り、区画ラインＧＶは、ガラス基板としての使用領域を区画して縦横に形成されている。また、開口窓ＨＯは、ガラス基板としての使用領域の内側に、楕円形に形成されている。この開口窓ＨＯは、ステップＳＴ２４の一次エッチング処理によって貫通穴となる。
【００５５】
次に、レジスト層２Ｂで覆われたガラス母材ＧＬを化学研磨槽に浸漬して、化学研磨液によって一次エッチングをする（ＳＴ２４）。この一次エッチングは、区画ラインＧＶや開口窓ＨＯを、ガラス母材ＧＬの板厚方向にエッチングして、ガラス母材ＧＬを貫通するまで実行される。したがって、一次エッチングの終了時には、ガラス母材ＧＬは、区画ラインＧＶによって複数個のガラス基板５・・・５に分離される。
【００５６】
この一次エッチング（ＳＴ２４）は、各ガラス母材ＧＬについて、その区画ラインＧＶの内側領域（図６の実施例では２５区画）を、各々保持して実行される。好ましくは、一枚のガラス母材ＧＬを一個の収納ケースに収容し、多数の収納ケースを化学研磨槽に浸漬して実行される。
【００５７】
また、ガラス母材ＧＬの研磨速度は、好ましくは５μｍ／ｍｉｎ以下、より好ましくは、３μｍ／ｍｉｎ程度とされる。これは、研磨速度が速すぎると、エッチングされた区画ラインＧＶに、ガラス母材から溶出したガラス成分（反応生成物）が再付着して、ガラス端面の平坦性を劣化させるからである。なお、化学研磨液の組成は、前記した実施例の場合と同じである。
【００５８】
何れにしても、一次エッチング終了時には、ガラス母材ＧＬは、複数個のガラス基板５・・・５に分離される。そして、各ガラス基板５の端面は、図５（ｂ）のように、やや尖って鋭角を形成する。そのため、この突出部ＰＫが、ガラス基板５の使用時に、クラックの基点ともなり兼ねない。
【００５９】
そこで、第三実施例では、一次エッチングが終了すると、複数のガラス基板５・・・５を保持する収納ケースを、別の化学研磨槽に移動させて、各ガラス基板５の端面を更にエッチングする（ＳＴ２５）。なお、二次エッチングの研磨速度は、好ましくは、４μｍ／ｍｉｎ以上、より好ましくは、５μｍ／ｍｉｎ程度である。
【００６０】
このような二次エッチングの結果、区画ラインＧＶや開口窓ＨＯが、更にエッチングされ、ガラス基板の端面に形成された突出部ＰＫが、曲率半径Ｒの円弧状に変形される。
【００６１】
図５（ｃ）は、二次エッチング終了時のガラス基板５について、その端面を理想的に図示したものである。なお、ガラス端面が円弧状に変形するのは、レジスト層２Ｂの終端部ＴＥが、ガラスＧＬから剥離されて、図示の水平方向にエッチングが進行するためである。言い換えると、第三実施例では、終端部ＴＥがエッチング液によって多少剥離される程度の接着力を有するレジスト層２Ｂが形成されている。
【００６２】
但し、実際の製造では、必ずしも、ガラス基板５の端面全体を、完全な円弧面に変形させる必要はなく、突出部ＰＦの鋭角部分を、円弧状に変形すれば足りる。すなわち、二次エッチング（ＳＴ２５）では、板厚ｔのガラス基板５の板厚中心Ｏを基準にして、−αｔ〜＋αｔの範囲を、曲率半径Ｒの円弧面に変形すれば足りる（図５（ｄ）参照）。ここで、０．３５≦α≦０．５であり、二次エッチング（ＳＴ２５）によって、ガラス基板５の端面の全部（α＝０．５）又は大部分（０．５＞α≧０．３５）が、曲率半径Ｒの円弧面となる。
【００６３】
なお、曲率半径Ｒの円弧面とは言うものの、実際のガラス端面を顕微鏡で観察すると、やや波打った凹凸形状となる。そこで、実際のガラス端面の全部又は大部分が、０．９８Ｒ〜１．０２Ｒの範囲に収まる場合には、本明細書では、ガラス端面の曲率半径がＲであると評価する。図５（ｅ）は、曲率半径Ｒの円弧面を実線で示し、曲率半径Ｒ＋＝１．０２Ｒの円弧面と、曲率半径Ｒ−＝０．９８Ｒの円弧面とを破線で示している。したがって、実際のガラス端面の全部又は大部分が、図５（ｅ）の破線で示す領域内に位置する場合には、そのガラス端面の曲率半径は、Ｒであると評価される。
【００６４】
ところで、二次エッチング終了時の曲率半径Ｒは、板厚ｔのガラス端面の全部又は大部分について、好ましくは、０．４ｔ以上（Ｒ≧０．４ｔ）、より好ましくは、０．５ｔ以上（Ｒ≧０．５ｔ）となるよう研磨時間が設定されている。なお、製造効率を考慮すると、曲率半径Ｒが、０．４ｔ≦Ｒ≦０．６ｔとなるよう研磨時間が設定されるのが好ましい。
【００６５】
以上のような二次エッチングが終了すると、次に、ガラス基板５を収容する収納ケースを剥離槽に浸漬してレジスト層２Ｂを除去してガラス基板５が完成する（ＳＴ２６）。なお、二次エッチング処理に先行してレジスト層２Ｂを除去しても良く、この場合には、ガラス基板を薄型化しつつ、ガラス端面を円弧面に変形させることができる。
【００６６】
以上の通り、第三実施例によっても、ガラスの脆さを克服したガラス基板を製造することができ、耐酸性や耐熱性を初めとするガラスの長所を有効に発揮することができる。
【符号の説明】
【００６７】
ＧＬ                ガラス母材
ＳＴ１，ＳＴ１０    成膜工程
ＳＴ２              レジスト工程
ＳＴ１１〜ＳＴ１３  レジスト工程
ＳＴ３，ＳＴ１４    区画工程
ＳＴ４，ＳＴ１６    エッチング工程
ＧＶ                区画ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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