(57)【要約】【課題】垂直磁気記録方式において、良好なリードライト特性を維持しつつ、サイドイレーズの影響を最小限に抑え、高密度記録の実現を図ることが可能な磁気記録装置及び磁気記録方法を提供することを目的とする。【解決手段】垂直磁気記録媒体に記録ヘッドで記録データパターンを記録するための記録電流を生成する記録電流生成回路と、記録電流の記録電流値又はオーバーシュート電流値を設定する設定回路とを併せ備える記録電流生成回路により解決され得る。設定回路は、記録データパターンと、記録トラックの隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度とに応じて、求められたサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値又はオーバーシュート電流値を小さく設定する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ヘッドと、
垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に前記記録ヘッドで記録データパターンを記録するための記録電流を生成する記録電流生成回路と、
前記記録データパターンが記録される記録トラックの他のトラックに対するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、前記記録電流値を小さく設定する設定回路と、を備えることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項２】
前記設定回路は、記録周波数の変化に対する、前記他のトラックの少なくとも１つのトラックにおけるサイドイレーズ量の変化特性に応じて、前記記録電流値を設定することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録装置。
【請求項３】
前記設定回路は、前記記録周波数の変化に対する、前記記録データパターンが記録される際のイレーズ幅の変化特性に応じて、前記記録電流値を設定することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録装置。
【請求項４】
前記設定回路は、前記記録データパターンのビット反転間隔を検出するとともに、検出された前記ビット反転間隔を基に、前記ビット反転間隔と前記サイドイレーズの影響度との関係に応じて、前記記録電流値を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気記録装置。
【請求項５】
前記設定回路は、前記記録データパターンのビット反転時における直前のビット列のパターンを検出するとともに、検出された前記ビット列のパターンを基に、前記ビット列のパターンと前記サイドイレーズの影響度との関係に応じて、前記記録電流値を設定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気記録装置。
【請求項６】
前記設定回路は、記録データパターンのビット反転位置をシフトすることにより前記記録データパターンの記録時におけるビット反転位置を補償する機能を有し、検出された前記ビット列のパターンを基に、前記ビット列のパターンと前記サイドイレーズの影響度とシフト量との間の関係に応じて、前記ビット列のパターンに対応する前記シフト量だけビット反転位置をシフトするとともに、前記記録電流値を設定することを特徴とする請求項５に記載の磁気記録装置。
【請求項７】
前記記録データパターンのビット反転位置をシフトすることにより前記記録データパターンの記録時におけるビット反転位置を補償する記録補償回路を有し、
前記記録補償回路は、前記記録電流値が前記設定回路により設定された前記記録データパターンのビット反転位置を補償することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気記録装置。
【請求項８】
前記記録データパターンのデータ変調を行うデータ変調回路を有し、
前記設定回路は、前記データ変調回路により変調された前記記録データパターンを基に、前記記録電流値を設定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気記録装置。
【請求項９】
垂直磁気記録媒体に記録ヘッドで記録データパターンを記録するための記録電流を生成する記録電流生成回路と、
前記記録データパターンが記録される記録トラックの他のトラックに対するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、前記記録電流値を小さく設定する設定回路と、を備えることを特徴とする記録制御回路。
【請求項１０】
記録ヘッドと、垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記録装置における磁気記録方法であって、
前記垂直磁気記録媒体に前記記録ヘッドで記録データパターンを記録するための記録電流を生成する記録電流生成工程と、
前記記録データパターンが記録される記録トラックの他のトラックに対するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、前記記録電流値を小さく設定する設定工程と、を備えることを特徴とする磁気記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録装置及び磁気記録方法に関し、特に、高密度磁気記録の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より各種の情報処理機器における情報記録装置としてはハードディスクドライブ装置が用いられているが、近年、情報記録装置の大容量・高記録密度化が強く要請されている。
【０００３】
高記録密度化の要請に応えるためにはビット長を小さくすれば良いが、従来の面内磁気記録方式では熱揺らぎの問題が大きくなるため、磁気記録媒体を垂直方向に磁化して情報を記録する垂直磁気記録方式の研究開発が盛んになされている。
【０００４】
ここで、記録密度を上げる方法としては、トラック方向の記録密度である線記録密度を上げる方法と、トラック幅及びトラックピッチを狭めてディスク半径方向のトラック密度を上げる方法とがある。しかし、記録電流値又はオーバーシュート電流値を一様に大きくした場合には、記録トラック幅が広がって隣接トラックへの影響（サイドイレーズ）が大きくなり、トラック密度を上げることが難しくなる。一方、記録電流値又はオーバーシュート電流値を一様に小さくした場合には、リードライト特性が悪化するため、線記録密度を上げることが難しくなる。
【０００５】
記録電流値又はオーバーシュート電流値を変化させる技術としては、例えば、面内磁気記録方式において、隣接トラックからのクロストークの影響を最小にするために、記録波長が長いほど記録電流値を小さくし、記録波長が短いほど記録電流値を大きくする技術や、Ｎｏｎ−Ｌｉｎｅａｒ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｓｈｉｆｔ（ＮＬＴＳ、非線形転移点シフト）を補償するために、記録電流値又はオーバーシュート電流値を変化させる技術が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。
【特許文献１】特開平１１−１４４２０５号公報
【特許文献２】特開平１−２２７２０１号公報
【特許文献３】特開平１１−２０３６０８号公報
【特許文献４】特開２００８−４１１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、現状の垂直磁気記録方式では、記録ヘッド、記録媒体、ヘッドＩＣ、リードライトチャネルなどの磁気記録装置の構成要素の組み合わせにより、記録周波数に対するサイドイレーズの周波数依存特性が変化する現象が発生している。具体的には、磁気記録装置の構成要素の組み合わせにより、記録周波数が大きいほど、サイドイレーズの影響が大きくなる場合と、記録周波数が小さいほど、サイドイレーズの影響が大きくなる場合との２つの場合がサイドイレーズ周波数依存特性として存在する。上述した技術の一例では、記録波長が短いほど、即ち、記録周波数が大きいほど、記録電流値を大きくし、記録波長が長いほど、即ち、記録周波数が小さいほど、記録電流値を小さくしている。そのため、記録周波数が大きくなるほどサイドイレーズが大きくなる磁気記録装置に対しては、サイドイレーズを低減することができなくなり、高密度記録の実現を図ることができなくなる。
【０００７】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みてなされたものであり、垂直磁気記録方式において、良好なリードライト特性を維持しつつ、サイドイレーズの影響を最小限に抑え、高密度記録の実現を図ることが可能な磁気記録装置及び磁気記録方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、記録電流設定回路を併せ備える記録電流生成回路により解決され得る。設定回路は、例えば、記録電流の記録電流値又はオーバーシュート電流値を設定する機能を有する記録電流設定回路である。設定回路は、記録トラックの隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度と記録データパターンとの関係に応じて、記録電流値又はオーバーシュート値を設定する。設定回路は、記録データパターンに対応するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値又はオーバーシュート電流値を小さく設定する。記録電流生成回路は、設定回路により設定された記録電流値又はオーバーシュート電流値で記録電流を生成し、垂直磁気記録媒体に記録ヘッドで記録データパターンを記録する。
【０００９】
上記課題は、垂直磁気記録媒体に記録ヘッドで記録データパターンを記録するための記録電流を生成する記録電流生成工程と、設定工程とを備える磁気記録方法により解決され得る。設定工程は、記録トラックの隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度と記録データパターンとの関係に応じて、記録データパターンに対応するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値又はオーバーシュート電流値を小さく設定する。記録電流生成工程は、設定工程において設定された記録電流値又はオーバーシュート電流値で記録電流を生成し、垂直磁気記録媒体に記録ヘッドで記録データパターンを記録する。
【発明の効果】
【００１０】
以上に説明した記録電流生成回路によれば、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値又はオーバーシュート電流値を小さく設定する。そのため、記録電流値又はオーバーシュート電流値を記録周波数のみに応じて変化させる場合と比較して、良好なリードライト特性を保持しつつ、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響を抑制することが可能となり、高密度化記録の実現を図ることができる。
【００１１】
また、以上説明した磁気記録方法によれば、上述した記録電流生成回路と同様の効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下では、実施形態の一例について図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
［磁気記録装置］
まず、実施形態に係る磁気記録装置の構成について図１〜図３を参照して説明する。
【００１４】
図１は、実施形態に係る磁気記録装置の構成を示す平面図である。
【００１５】
磁気記録装置は、垂直磁気記録方式の磁気記録装置であり、図１に示すように、筐体１１の内部に、アクチュエータ１２と、円盤状の記録媒体１３と、スピンドルモータ１４と、回路基板１８とを有するとともに、筐体１１の裏面にパッケージボード１９を有している。
【００１６】
スピンドルモータ１４は、記録媒体１３を回転させるためのものである。アクチュエータ１２は、記録・再生ヘッド１７を搭載したアーム１５と、アーム１５を記録媒体１３上の半径方向に移動させるボイスコイルモータ１６とを有する。回路基板１８は、情報記録時の記録電流生成や再生時の信号増幅などを担うプリアンプ回路などを有する。プリアンプ回路は、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃａｂｌｅ（ＦＰＣ）を介してヘッド１７と接続されており、記録・再生時の信号の伝送を行う。パッケージボード１９には、ホストとのインターフェース、Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ（ＨＤＣ）、リードライトチャネルＬＳＩ（以下、単に「ＲＷチャネル」と称する）などが実装されている。パッケージボード１９と回路基板１８との間は電気的に接続されており、信号の伝送が行われる。
【００１７】
図２は、磁気記録装置における記録・再生ヘッド１７及び記録媒体１３の拡大断面図である。
【００１８】
記録媒体１３は、垂直磁気記録媒体であり、図２に示すように、基板４１と、軟磁性層４２と、記録磁性層４３と、表面保護層４４とを有する。基板４１は、例えばガラスあるいはアルミニウムなどにより形成される。軟磁性層４２は、基板４１の表面上にＣｏＴａＺｒ等が積層することにより形成される。記録磁性層４３は、軟磁性層４２の表面上にＣｏＣｒＰｔ等が積層することにより形成される。記録磁性層４３の表面上は、表面保護層４４により覆われる。
【００１９】
図２に示す記録・再生ヘッド１７は、垂直磁気記録方式に使用されることの多い単磁極型記録ヘッドを持つタイプの記録・再生ヘッドであり、主磁極５１と、励磁コイル５２と、補助磁極５３と、磁界感応素子５５と、磁界シールド５４、５６とを有する。
【００２０】
記録時には、励磁コイル５２により励磁されることにより主磁極５１に磁界が発生する。主磁極５１に発生した磁界は、破線矢印で示すように、記録磁性層４３、軟磁性層４２を通って補助磁極５３へと還流することにより、閉じた磁気回路を形成する。主磁極５１と補助磁極５３との間を結ぶ磁界により、記録磁性層４３内に記載した実線矢印に示すように、記録媒体１３に情報が記録される。一方、再生時には、ＭＲ素子などの磁界感応素子５５が、記録媒体１３の記録磁性層４３からの漏れ磁束を感知し、抵抗の変化として情報を読み取る。磁界シールド５４、５６は、情報を読み出そうとする領域以外からの磁束を遮断し、再生ヘッドの感度を向上させる働きを有する。
【００２１】
図３は、磁気記録装置における制御回路（ＨＤＣ２１、ＲＷチャネル２２、プリアンプ回路２３）の構成例を示すブロック図である。
【００２２】
ＨＤＣ２１は、記録時に用いられる回路としてＥｒｒｏｒ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏｄｅ（ＥＣＣ）生成回路２４を有するとともに、再生時に用いられる回路としてＥＣＣ訂正回路３４を有する。
【００２３】
ＲＷチャネル２２は、記録時に用いられる回路として、クロック生成回路２５と、データ変調回路２６と、記録補償回路２７と、記録電流設定回路２８とを有する。また、ＲＷチャネル２２は、再生時に用いられる回路として、波形等化回路３１と、データ検出回路３２と、データ復調回路３３とを有する。
【００２４】
プリアンプ回路２３は、記録時に用いられる回路として記録電流生成回路２９を有するとともに、再生時に用いられる回路としてリードアンプ回路３０を有する。
【００２５】
記録時には、ホスト２０から送信された記録データは、まず、ＨＤＣ２１内のＥＣＣ生成回路２４で誤り訂正コードを付加される。その後ＲＷチャネル２２に入った記録データは、クロック生成回路２５によって生成されたクロックに同期して進む。記録データは、データ変調回路２６において再生時のデータ誤りが小さくなるような記録データパターンに変調され、記録電流設定回路２８へ送信される。記録電流設定回路２８は、後に詳しく述べるが、記録データパターンの記録による隣接トラックへのサイドイレーズの影響を抑制するため、記録データパターンを基に、記録電流の電流値を設定する。記録電流設定回路２８は、一点鎖線矢印Ｙ１に示すように、記録電流の電流値に対応する制御信号を記録電流生成回路２９へ送信するとともに、記録データパターンを記録補償回路２７に送信する。記録データパターンは、記録補償回路２７においてＮｏｎ−Ｌｉｎｅａｒ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｓｈｉｆｔ（ＮＬＴＳ、非線形転移点シフト）補償が行われる。
【００２６】
ここで、ＮＬＴＳ補償について簡単に説明する。ＮＬＴＳとは一般に、前歴磁化からの反磁界が記録磁界（記録ヘッドから発生する磁界）を強め或いは弱めることにより、磁化転移が本来形成されるべき位置から前側あるいは後ろ側にずれる現象である。垂直磁気記録方式における隣接する前歴磁化転移によるＮＬＴＳは、磁化転移を本来形成されるべき位置よりも後ろ側にずらし、結果としてビット長が長くなる。このような状態を放置すれば、データの読み取り時の誤り率に大きな影響を与える。そのため、記録補償回路２７は、記録データパターンの反転位置をシフトさせて、記録データパターンの反転位置を前側にずらし、記録媒体１３上のビット長を予め短くすることによりＮＬＴＳを補償している。ＮＬＴＳ補償については、後に詳しく説明する。
【００２７】
記録補償回路２７においてＮＬＴＳ補償が行われた記録データパターンは、プリアンプ回路２３内の記録電流生成回路２９へ送信される。記録電流生成回路２９は、送られてきた記録データパターンに応じて、記録電流を生成する。記録電流波形を図４に示す。一般に、図４（ｃ）に示す記録電流は、図４（ａ）に示す矩形波状のベース記録電流の立ち上がり部分に、図４（ｂ）に示すパルス状のオーバーシュート電流を重畳させた波形となっている。記録電流生成回路２９は、基本的には、送られてきた記録データパターンに応じて、記録電流値Ｉｗ及びオーバーシュート電流値ＯＶＳをそれぞれ一定の値として、記録電流値Ｉｗを振幅としたベース記録電流に対し、オーバーシュート電流値ＯＶＳを振幅としたオーバーシュート電流を重畳して記録電流を生成する。
【００２８】
ここで、記録電流設定回路２８で設定された電流値があれば、記録電流生成回路２９は、当該電流値を基に記録電流を生成する。例えば、記録電流設定回路２８において記録電流値Ｉｗが設定された場合には、記録電流生成回路２９は、記録電流設定回路２８で設定された当該記録電流値Ｉｗを振幅とした矩形状のベース記録電流を生成する。また、記録電流設定回路２８においてオーバーシュート電流値ＯＶＳが設定された場合には、記録電流生成回路２９は、記録電流設定回路２８で設定された当該オーバーシュート電流値ＯＶＳを振幅としたパルス状のオーバーシュート電流を生成する。
【００２９】
図３に戻り説明を続けると、記録電流生成回路２９は、ベース記録電流にオーバーシュート電流を重畳させて生成した記録電流を記録・再生ヘッド１７の励磁コイル５２に供給する。記録・再生ヘッド１７の励磁コイル５２により記録電流の変化は磁界の変化に変換され、記録データパターンは記録媒体１３に記録される。以上が記録時における磁気記録装置の動作である。
【００３０】
再生時には、記録・再生ヘッド１７の磁界感応素子５５によって記録媒体１３の記録磁性層４３からの漏れ磁界が抵抗の変化として読み出される。読み出された再生波形は、プリアンプ回路２３内のリードアンプ３０を経てＲＷチャネル２２内の波形等化回路３１、データ検出回路３２へと送られる。波形等化回路３１とデータ検出回路３２との組み合わせはＰａｒｔｉａｌ−Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｍａｘｉｍｕｍ―Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ（ＰＲＭＬ）回路として知られており、フィルタなどにより再生波形を所望の特性をもつ波形に等化した後、データを最尤的に検出する。検出されたデータは、データ復調回路３３でデータ変調回路２６と逆の処理が行われ、ＨＤＣ２１内のＥＣＣ訂正回路３４でデータ誤りの検出及び訂正処理を受けホスト２０へ返される。このようにして、ホスト２０は、記録媒体１３に記録された記録データを読み取ることができる。以上が再生時における磁気記録装置の動作である。
【００３１】
記録データパターンを記録媒体１３に記録すると、それによるサイドイレーズが発生して、隣接トラックの記録データが消えてしまう恐れがある。そこで、記録電流設定回路２８は、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響を抑制するように、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定する。なお、サイドイレーズとは、あるトラックへデータを記録することにより、そのトラックの隣接トラックなどに既に記録されているデータを部分的に消去してしまうことを言う。
【００３２】
具体的には、記録電流設定回路２８は、記録データパターンと、記録トラックの隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度との関係に応じて、記録データパターンに対応するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを小さく設定する。ここで、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定するとは、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳのうち、どちらか一方を設定する場合だけでなく、その両方を設定する場合をも含む。これにより、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを記録周波数のみに応じて変化させる場合と比較して、良好なリードライト特性を保持しつつ、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響を抑制することが可能となり、高密度記録の実現を図ることができる。
【００３３】
なお、ここで、記録電流設定回路２８は、データ変調回路２６にて変調された記録データパターンを基に記録電流の電流値を設定する。なぜならば、記録媒体１３上に実際に記録される記録データパターンは、データ変調回路２６にて変調された記録データパターンとなるからである。また、記録電流設定回路２８による記録電流の電流値の設定は、記録補償回路２７により記録データパターンの反転位置がシフトされる前に行われる。逆に言うと、記録補償回路２７は、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳが記録電流設定回路２８により設定された記録データパターンに対し、ＮＬＴＳ補償を行う。これは、記録媒体１３上に実際に記録される記録データパターンは、記録補償回路２７によりＮＬＴＳ補償される前の記録データパターンであるからである。つまり、記録媒体１３上に実際に記録される記録データパターンを基に、記録電流の電流値を設定することにより、サイドイレーズを効果的に抑制することができる。したがって、Iw/OVSが変わると、NLTSも変わるからそれに合わせた補償が必要となる。
【００３４】
以下では、記録電流設定回路２８によって行われる記録電流設定方法について詳細に説明する。
【００３５】
［ビット反転間隔に基づく記録電流設定方法］
まず、記録電流設定方法の一例として、ビット反転間隔に基づく記録電流設定方法について説明する。ビット反転間隔に基づく記録電流設定方法では、記録データパターンのビット反転間隔を検出し、ビット反転間隔とサイドイレーズの影響度との関係に応じて、検出されたビット反転間隔に対応するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを小さく設定する。
【００３６】
ここで、ビット反転間隔とサイドイレーズの影響度との関係は、例えば、記録周波数の変化に対するサイドイレーズの影響度の変化特性（サイドイレーズ周波数依存特性）を求めることにより得られる。
【００３７】
サイドイレーズ周波数依存特性は、具体的には、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度が、記録周波数が大きくなるほど大きくなるのか、又は、記録周波数が小さくなるほど大きくなるのか、といった特性であり、予め実験などにより求められる。垂直磁気記録方式の磁気記録装置では、サイドイレーズ周波数依存特性は、記録ヘッド、記録媒体、ヘッドＩＣ、リードライトチャネルなどの磁気記録装置の構成要素の組み合わせにより変化する。
【００３８】
ここで、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度を示す指標としては、例えば、サイドイレーズ量やイレーズ幅が挙げられる。ここで、サイドイレーズ量とは、記録データパターンを記録トラックに記録することにより、隣接トラックなどにおいて消去されるデータ量を示す。また、イレーズ幅とは、記録データパターンを記録トラックに記録する際における記録トラック幅方向のデータの消去範囲を示す。サイドイレーズ量やイレーズ幅が大きくなるほど、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度は大きくなり、隣接トラックから記録データを読み出すのが困難になる。一方、サイドイレーズ量やイレーズ幅が小さくなるほど、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度は小さくなる。このことからも分かるように、記録周波数の変化に対する、サイドイレーズ量やイレーズ幅の変化特性を測定することにより、サイドイレーズ周波数依存特性を得ることができる。
【００３９】
以下では、サイドイレーズ周波数依存特性を求める方法について具体的に説明する。
【００４０】
（サイドイレーズ量測定方法）
まず、サイドイレーズ周波数依存特性を求める具体的な方法について説明する。最初に、サイドイレーズ周波数依存特性を求める方法の一例として、記録周波数の変化に対する、記録トラックに隣接する１つ以上の連続する各トラックにおけるサイドイレーズ量の変化を測定する方法（サイドイレーズ量測定方法）について、図５〜図６を参照して説明する。
【００４１】
図５は、記録媒体１３上における複数のトラックの一例を示す図である。図５では、７本のトラックが示されている。即ち、記録トラックであるトラックＴｒ（Ｎ）と、トラックＴｒ（Ｎ）の一方の隣側に隣接する複数のトラックＴｒ（Ｎ−３）〜Ｔｒ（Ｎ−１）と、トラックＴｒ（Ｎ）の他方の隣側に隣接する複数のトラックＴｒ（Ｎ＋１）〜Ｔｒ（Ｎ＋３）と、が示されている。
【００４２】
サイドイレーズ量測定方法では、トラックＴｒ（Ｎ）に書き込みを行う記録周波数の変化に対する、トラックＴｒ（Ｎ−３）〜Ｔｒ（Ｎ−１）及びトラックＴｒ（Ｎ＋１）〜Ｔｒ（Ｎ＋３）におけるサイドイレーズ量の変化を測定する。以下では、サイドイレーズ量を示す指標の一例として、読み出しの際におけるエラーレイトを測定することとするが、これに限ることなく、出力比やＳ／Ｎを用いることもできる。
【００４３】
具体的には、サイドイレーズ量測定方法では、以下に示す（１）から（６）の操作を行う。
【００４４】
（１）まず、トラックＴｒ（Ｎ−３）からトラックＴｒ（Ｎ＋３）又はトラックＴｒ（Ｎ−３）〜Ｔｒ（Ｎ−１）、トラックＴｒ（Ｎ＋１）〜Ｔｒ（Ｎ＋３）に任意の記録データパターンを記録する。
【００４５】
（２）トラックＴｒ（Ｎ−３）〜Ｔｒ（Ｎ−１）、トラックＴｒ（Ｎ＋１）〜Ｔｒ（Ｎ＋３）の各トラックに記録された記録データパターンを読み出して、その読み出しの際におけるエラーレイトＥＲｂｅｆを測定する。
【００４６】
（３）記録トラックであるトラックＴｒ（Ｎ）に所定の周波数の記録電流で複数回書き込みを行う。
【００４７】
（４）トラックＴｒ（Ｎ−３）〜Ｔｒ（Ｎ−１）、トラックＴｒ（Ｎ＋１）〜Ｔｒ（Ｎ＋３）の各トラックに記録された記録データパターンを再度読み出して、その読み出しの際におけるエラーレイトＥＲａｆｔを測定する。
【００４８】
（５）トラックＴｒ（Ｎ）に所定の周波数の電流で複数回書き込みを行う前のエラーレイトＥＲｂｅｆと、トラックＴｒ（Ｎ）に所定の周波数の記録電流で複数回書き込みを行った後のエラーレイトＥＲａｆｔとに基づいて、エラーレイトの増加量ＥＲａｆｔ−ＥＲｂｅｆを求める。
【００４９】
（６）トラックＴｒ（Ｎ）に書き込みを行う際の記録周波数を変化させ、変化させた各周波数毎に（１）から（５）の操作を行い、トラックＴｒ（Ｎ−３）〜Ｔｒ（Ｎ−１）、トラックＴｒ（Ｎ＋１）〜Ｔｒ（Ｎ＋３）の各トラックについてのエラーレイトの増加量ＥＲａｆｔ−ＥＲｂｅｆを求める。
【００５０】
以上に述べた（１）〜（６）の操作を行うことにより、トラックＴｒ（Ｎ−３）〜Ｔｒ（Ｎ−１）、トラックＴｒ（Ｎ＋１）〜Ｔｒ（Ｎ＋３）の各トラックについて、記録周波数を変化させた場合におけるエラーレイトの増加量の変化を求めることができる。
【００５１】
図６は、トラックＴｒ（Ｎ）に記録する記録データパターンの周波数とエラーレイトの増加量の変化との関係を示すグラフの一例である。図６（ａ）、（ｂ）において、グラフ１１１は、トラックＴｒ（Ｎ＋１）の変化を示し、グラフ１１２は、トラックＴｒ（Ｎ−１）の変化を示す。また、グラフ１１３は、トラックＴｒ（Ｎ−２）及びトラックＴｒ（Ｎ＋２）の変化を示し、グラフ１１４は、トラックＴｒ（Ｎ−３）及びトラックＴｒ（Ｎ＋３）の変化を示す。
【００５２】
記録周波数とエラーレイトとの関係が、図６（ａ）に示すグラフのようになった場合には、記録トラックにおける記録周波数が大きくなるほど、隣接する１つ以上の連続する各トラックにおけるエラーレイト劣化量、即ちサイドイレーズ量が大きくなるといえる。従って、隣接する１つ以上の連続する各トラックにおけるサイドイレーズの影響度は、記録周波数が大きくなるほど大きくなるといえる。
【００５３】
一方、記録周波数とエラーレイトとの関係が、図６（ｂ）に示すグラフのようになった場合には、記録トラックにおける記録周波数が小さくなるほど、隣接する１つ以上の連続する各トラックにおけるエラーレイト劣化量、即ちサイドイレーズ量が大きくなるといえる。従って、隣接する１つ以上の連続する各トラックにおけるサイドイレーズの影響度は、記録周波数が小さくなるほど大きくなるといえる。
【００５４】
このようにすることで、記録データパターンの周波数の変化に対する、記録トラックに隣接する１つ以上の連続する各トラックにおけるサイドイレーズの影響度の変化を測定することができる。
【００５５】
（イレーズ幅測定方法）
次に、サイドイレーズ周波数依存特性の測定方法の他の一例として、記録周波数の変化に対するイレーズ幅の変化を測定する方法（イレーズ幅測定方法）について、図７〜図９を参照して説明する。
【００５６】
図７（ａ）、（ｂ）は、記録媒体１３上における複数のトラックの一例を示す図である。図７（ａ）、（ｂ）では、３本のトラック、即ち、トラックＴｒ（Ｎ）と、トラックＴｒ（Ｎ）の一方の隣側に隣接するトラックＴｒ（Ｎ−１）と、トラックＴｒ（Ｎ）の他方の隣側に隣接するトラックＴｒ（Ｎ＋１）とを示している。
【００５７】
イレーズ幅測定方法では、以下に示す（１）から（６）の操作を行う。
【００５８】
（１）まず、中央のトラックであるトラックＴｒ（Ｎ）に任意の記録データパターンを記録する。
【００５９】
（２）トラックＴｒ（Ｎ−１）、Ｔｒ（Ｎ＋１）に、同一トラックピッチＴｐで、かつ、同一の周波数の記録電流で書き込みを行うことにより、トラックＴｒ（Ｎ−１）、Ｔｒ（Ｎ＋１）を形成する。
【００６０】
（３）トラックＴｒ（Ｎ）に記録された記録データパターンを読み取る。
【００６１】
（４）トラックピッチＴｐを狭めて（１）から（３）の操作を繰り返す。そして、図７（ｂ）に示すように、トラックＴｒ（Ｎ）に記録された記録データパターンが完全に消滅して読み取れなくなったときのトラックピッチＴｐｚを求める。
【００６２】
図８は、トラックピッチと読み取り出力との関係を示すグラフの一例である。図８に示すように、トラックピッチＴｐが閾値Ｔｐｓ以上となるときには、トラックＴｒ（Ｎ）に記録された記録データパターンの読み出し出力は１００％となり、記録データパターンは完全に読み出される。しかし、上述の（１）〜（４）の操作を繰り返すことにより、トラックピッチＴｐが小さくなるにつれて、トラックＴｒ（Ｎ＋１）、Ｔｒ（Ｎ−１）に記録データパターンを記録することによるサイドイレーズの影響により、トラックＴｒ（Ｎ）に記録された記録データパターンの読み出し出力も次第に小さくなる。この読み出し出力が０となるときのトラックピッチがトラックピッチＴｐｚである。このトラックＴｐｚを２倍した値をイレーズ幅として求める。
【００６３】
（５）次に、図７において、トラックＴｒ（Ｎ−１）、Ｔｒ（Ｎ＋１）に書き込みを行う際の記録周波数を変化させ、変化させた各周波数毎について（１）から（４）の操作を行うことにより、各周波数毎のイレーズ幅を求める。
【００６４】
以上に述べた（１）〜（５）の操作を行うことにより、トラックＴｒ（Ｎ＋１）、Ｔｒ（Ｎ−１）に書き込みを行う記録周波数を変化させた場合におけるイレーズ幅の変化を求めることができる。
【００６５】
図９は、記録周波数とイレーズ幅との関係を示すグラフの一例である。記録周波数とイレーズ幅との関係が、図９（ａ）に示すグラフのようになった場合には、記録周波数が大きくなるほど、イレーズ幅が大きくなる、即ち、サイドイレーズの影響度が大きくなるといえる。一方、記録データパターンの周波数とイレーズ幅との関係が、図９（ｂ）に示すグラフのようになった場合には、記録周波数が小さくなるほど、イレーズ幅が大きくなる、即ち、サイドイレーズの影響度が大きくなるといえる。
【００６６】
このようにすることで、記録データパターンの周波数の変化に対する、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度の変化を測定することができる。
【００６７】
上述した２つの方法のうち、どちらの方法を採用するかについては、正確なサイドイレーズ周波数依存特性を得たい場合には、サイドイレーズ量測定方法を採用するのが望ましい。なぜならば、垂直磁気記録方式では、記録データパターンが記録される際のサイドイレーズは、隣接トラックだけではなく、隣接トラックを越えたトラックにも影響を及ぼすことがあるからである。例えば、垂直磁気記録方式では、記録データパターンが記録される際において、記録トラックの隣接トラックの記録データパターンは消えないのにもかかわらず、当該隣接トラックを越えた別のトラックの記録データパターンが消えることがある。また、記録トラックに書き込みがされる度に、記録トラックに隣接する１つ以上の複数のトラック全体に渡って、記録データパターンが同時に消えることがある。
【００６８】
このような場合であっても、サイドイレーズ量測定方法では、隣接トラックに対するサイドイレーズの影響度だけでなく、隣接トラックを越えたトラックに対するサイドイレーズの影響度も含めて測定することができるので、正確なサイドイレーズ周波数依存特性を得ることができる。一方、イレーズ幅測定方法を用いた場合には、サイドイレーズ量測定方法を用いる場合と比較して、サイドイレーズ周波数依存特性を測定する時間を短縮することができる。
【００６９】
（記録電流設定方法）
次に、記録電流設定方法について図１０、図１１を参照して具体的に説明する。先にも述べたように、ビット反転間隔に基づく記録電流設定方法では、記録電流設定回路２８は、ビット反転間隔を基に、ビット反転間隔とサイドイレーズの影響度との関係に応じて、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定する。
【００７０】
図１０は、記録データパターンの一例を示している。図１０において、マス目内に記載された識別記号Ｉ１〜Ｉ５は、記録データパターンのビット反転間隔を示している。識別記号Ｉ１〜Ｉ５の数字部分の値が大きくなるほど、ビット反転間隔は大きくなる。記録電流設定回路２８は、クロック生成回路２５によって生成されたクロック信号を用いて、データ変調回路２６にて変調された記録データパターンのビット反転間隔を検出する。
【００７１】
記録電流設定回路２８は、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳとビット反転間隔との関係を示す参照テーブルを用いて、求められたビット反転間隔に対応する記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定する。図１１は、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳとビット反転間隔との関係を示す参照テーブルの一例である。図１１では、ビット反転間隔Ｉ１〜Ｉ５のそれぞれに対応して、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳはＡ１〜Ａ５と設定されている。従って、例えば、記録電流設定回路２８は、求められたビット反転間隔が「Ｉ２」となった場合には、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを「Ａ２」と設定する。
【００７２】
ここで、Ａ１〜Ａ５の値は、先に求められたサイドイレーズ周波数依存特性に基づいて設定される。例えば、Ａ１〜Ａ５は、図６に示したような記録周波数とエラーレイトとの関係、又は、図９に示したような記録周波数とイレーズ幅との関係を基に設定される。
【００７３】
ビット反転間隔が大きくなるほど、記録周波数は小さくなり、ビット反転間隔が小さくなるほど、記録周波数は大きくなると考えられる。従って、サイドイレーズ周波数依存特性として、記録周波数が大きくなるほどサイドイレーズの影響度が大きくなる場合には、ビット反転間隔が小さくなるほど、サイドイレーズの影響度が大きくなると考えられる。従って、この場合には、参照テーブルは、記録電流又はオーバーシュート電流が大きい方から順にＡ５、Ａ４、Ａ３、Ａ２、Ａ１と設定される。つまり、ビット反転間隔が小さくなるほど、当該ビット反転間隔に対応する記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳは小さくなるように設定される。
【００７４】
一方、サイドイレーズ周波数依存特性として、記録周波数が小さくなるほどサイドイレーズの影響度が大きくなる場合には、ビット反転間隔が大きくなるほど、サイドイレーズの影響度が大きくなると考えられる。従って、この場合には、参照テーブルは、記録電流又はオーバーシュート電流が大きい方から順にＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５と設定される。つまり、ビット反転間隔が大きくなるほど、当該ビット反転間隔に対応する記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳは小さくなるように設定される。
【００７５】
つまり、記録電流設定回路２８は、ビット反転間隔に対応するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを小さく設定し、ビット反転間隔に対応するサイドイレーズの影響度が小さくなるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを大きく設定する。
【００７６】
ここで、上述の記録電流設定処理について図１２に示すフローチャートを用いて説明する。
【００７７】
ステップＳ１０１において、記録電流設定回路２８は、クロック生成回路２５によって生成されたクロック信号を用いて、データ変調回路２６にて変調された記録データパターンのビット反転間隔を検出する。その後、ステップＳ１０２の処理へ進む。
【００７８】
ステップＳ１０２において、記録電流設定回路２８は、図１１に示したような、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳとビット反転間隔との関係を示す参照テーブルを用いて、検出したビット反転間隔に対応する記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定する。記録電流設定回路２８は、設定された記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳに対応する制御信号を記録電流生成回路２９に送信する。その後、ステップＳ１０３の処理へ進む。
【００７９】
ステップＳ１０３において、記録電流生成回路２９は、記録補償回路２７より送られてきた記録データパターンのビット反転時において、記録電流設定回路２８で設定された記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳで記録電流を生成し、記録データパターンを記録媒体１３に記録する。その後、記録電流設定処理を終了する。このようにすることで、ビット反転間隔に応じて、サイドイレーズの影響を抑制することが可能な記録電流値又はオーバーシュート電流値で記録データパターンを記録媒体１３に記録することができる。
【００８０】
また、以上に述べたことから分かるように、サイドイレーズ周波数依存特性に応じて、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定することにより、記録周波数が大きくなるほどサイドイレーズの影響度が大きくなる磁気記録装置、又は、記録周波数が小さくなるほどサイドイレーズの影響度が大きくなる磁気記録装置のいずれに対しても、サイドイレーズの影響を抑制することが可能となる。
【００８１】
［ビット列に基づく記録電流設定方法］
次に、記録電流設定方法の他の例として、記録データパターンのビット列に基づく記録電流設定方法について、図１３、図１４を用いて説明する。ビット列に基づく記録電流設定方法では、記録電流設定回路２８は、記録データパターンのビット反転直前の数ビット及びビット反転時の１ビット（以下、「ビット反転直前のビット列」と呼ぶ。）のパターンを検出し、ビット列のパターンとサイドイレーズの影響度との関係に応じて、検出されたビット列のパターンに対応するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを小さく設定する。
【００８２】
図１３は、記録データパターンの一例を示している。図１３において、マス目内に記載された識別記号Ｉ００１〜Ｉ１１１は、記録データパターンにおけるビット反転直前のビット列のパターンを示している。例えば、破線矢印で示すように、記録データパターンが・・０、０、ときて、次に１となったときのビット反転直前のビット列のパターンはＩ００１となる。また、記録データパターンが・・１、０、ときて、次に１となったときのビット反転直前のビット列のパターンはＩ１０１となる。記録電流設定回路２８は、クロック生成回路２５によって生成されたクロック信号を用いて、ビット反転直前のビット列のパターンを検出する。なお、本実施形態では、ビット反転直前のビット列として３ビット（ビット反転直前の２ビット＋ビット反転時の１ビット）を用いているが、ビット列の数としてはこれに限られず、任意のビット数のビット列を用いることが可能なのは言うまでもない。
【００８３】
記録電流設定回路２８は、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳとビット列のパターンとの関係を示す参照テーブルを用いて、検出されたビット列のパターンに対応する記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定する。図１４は、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳとビット列のパターンとの関係を示す参照テーブルの一例である。図１４では、ビット列のパターンＩ００１〜Ｉ１１１のそれぞれに対応して、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳはＢ１〜Ｂ４と設定されている。従って、例えば、記録電流設定回路２８は、検出されたビット列のパターンが「Ｉ００１」となった場合には、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを「Ｂ１」と設定する。
【００８４】
ここで、正確には、Ｂ１〜Ｂ４は、ビット列のパターン毎のサイドイレーズの影響度を実験などにより調べることにより設定される。例えば、ビット列のパターンとサイドイレーズ量との関係、又は、ビット列のパターンとイレーズ幅との関係を実験などにより調べることにより、Ｂ１〜Ｂ４は設定される。
【００８５】
しかしながら、このように実験する代わりに、先に述べたサイドイレーズ周波数依存特性に基づいて、Ｂ１〜Ｂ４を推測することも可能である。例えば、ビット列のパターンにおいて、１が連続するほど、ビット反転間隔は小さくなるので、記録周波数は大きくなると推測される。また、ビット列のパターンにおいて、０が連続するほど、ビット反転間隔は大きくなるので、記録周波数は小さくなると推測される。この推測を基にすれば、図１４に示すように、ビット列のパターンがＩ００１、Ｉ１０１、Ｉ０１１、Ｉ１１１となる順に記録周波数は大きくなると考えられる。
【００８６】
従って、サイドイレーズ周波数依存特性として、記録周波数が大きくなるほどサイドイレーズの影響度が大きくなる場合には、ビット列のパターンがＩ００１、Ｉ１０１、Ｉ０１１、Ｉ１１１となる順にサイドイレーズの影響度が大きくなると考えられる。よって、この場合には、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳは大きい方から順に、Ｂ４、Ｂ３、Ｂ２、Ｂ１と設定される。
【００８７】
一方、サイドイレーズ周波数依存特性として、記録周波数が小さくなるほどサイドイレーズの影響度が大きくなる場合には、ビット列のパターンがＩ１１１、Ｉ０１１、Ｉ１０１、Ｉ００１となる順にサイドイレーズの影響度が大きくなると考えられる。よって、この場合には、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳは大きい方から順に、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４と設定される。
【００８８】
つまり、記録電流設定回路２８は、ビット列のパターンに対応するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを小さく設定し、ビット列のパターンに対応するサイドイレーズの影響度が小さくなるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを大きく設定する。これによっても、先に述べたビット反転間隔に基づく記録電流設定方法と同様、サイドイレーズの影響を抑制することが可能な記録電流値又はオーバーシュート電流値で記録データパターンを記録媒体１３に記録することができる。
【００８９】
また、このように、ビット列に基づく記録電流設定方法を用いることにより、記録補償回路の機能と記録電流設定回路の機能とを兼用させることも容易となる。図１５に示す磁気記録装置の制御回路の構成例では、図３に示した構成例とは異なり、記憶補償回路２７と記録電流設定回路２８とを別個に有する代わりに、記録補償回路の機能と記録電流設定回路の機能とを兼用させた兼用設定回路２８ａを有している。兼用設定回路２８は、ＮＴＬＳ記録補償を行うとともに、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定して、一点鎖線矢印Ｙ２で示すように、設定した記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳに対応する制御信号を記録電流生成回路２９へ送信する。
【００９０】
以下、兼用設定回路２８ａの具体的な制御について図１６〜図１８を用いて詳細に述べる。
【００９１】
まず、比較例として、先に述べた記録補償回路２７のＮＬＴＳ補償について詳細に説明する。先にも述べたように、記録補償回路２７は、記録データパターンの反転位置をシフトさせて、記録データパターンの反転位置を前側にずらし、記録電流上のビット長を予め短くすることによりＮＬＴＳを補償している。
【００９２】
ここで一例として、ＮＬＴＳが過去３ビット分の前歴磁化に影響される場合におけるＮＬＴＳ補償方法について図１６を用いて説明する。図１６（ａ）は、記録補償回路２７が用いる参照テーブルの一例を示し、図１６（ｂ）は、ＮＬＴＳ補償が行われるときのビット反転間隔の変化の一例を示している。
【００９３】
記録補償回路２７は、記録データパターンにおけるビット反転直前のビット列のパターンを検出する。次に、記録補償回路２７は、図１６（ａ）に示す参照テーブルを用いて、検出したビット列のパターンに対応するビット反転位置のシフト量を設定し、設定したシフト量だけ、記録データパターンの反転位置をシフトする。例えば、図１６（ｂ）に示すように、記録補償回路２７は、ビット反転位置ｂｐにおいて、検出されたビット列のパターンが「Ｉ００１」となった場合には、シフト量を「Ｓ１」と設定し、記録データパターンの反転位置を反転位置ｂｐからシフト量Ｓ１だけシフトした位置ｂｐ´とする。
【００９４】
ここで、反転位置をシフトすることにより極性の反転間隔が短くなると、プリアンプ２３と記録・再生ヘッド１７を繋ぐＦＰＣなどの電気的線路の特性上、記録電流の振幅が低下して記録磁界強度が低下する恐れがある。また、ライト素子の応答速度によっても磁界強度が低下する恐れがある。そのため、ＮＬＴＳが大きくなるビット列のパターンになるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを大きく設定するのが好適である。（但し、サイドイレーズに対する影響も考慮して設定しなくてはならない。）
そこで、兼用設定回路２８ａは、検出したビット列のパターンに対応させて反転位置のシフト量を設定するだけでなく、加えて、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳも設定することとする。
【００９５】
図１７は、兼用設定回路２８ａが用いる参照テーブルの一例を示している。図１７は、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳとビット列のパターンとシフト量との間の関係を示す参照テーブルである。例えば、兼用設定回路２８ａは、反転位置において検出されたビット列のパターンが「Ｉ００１」となった場合には、シフト量を「Ｓ１」と設定して、反転位置をシフト量Ｓ１だけシフトするとともに、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを「Ｃ１」と設定する。
【００９６】
ここで、Ｃ１〜Ｃ４は、サイドイレーズの影響度と、記録電流の振幅の低下度との両方を基に設定される。即ち、Ｃ１〜Ｃ４は、サイドイレーズの影響を抑制するとともに、記録補償による記録電流の振幅の低下を抑制することが可能な値に設定される。例えば、ビット列のパターンに対応するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、かつ、ビット列のパターンに対応するＮＬＴＳが小さくなるほど、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳは小さく設定される。
【００９７】
以上に述べたことから分かるように、ＮＬＴＳ補償においても、ビット反転直前のビット列のパターンを用いているので、ビット列に基づく記録電流設定を用いた場合には、参照テーブルを共通化することが容易となる。これにより、サイドイレーズの影響の抑制とＮＬＴＳ補償とを同時に行うことができ、消費電力や回路規模の削減を図ることができる。
【００９８】
上述の兼用設定回路２８ａにて行う記録電流設定処理について図１８に示すフローチャートを用いて説明する。
【００９９】
ステップＳ２０１において、兼用設定回路２８ａは、クロック生成回路２５によって生成されたクロック信号を用いて、データ変調回路２６にて変調された記録データパターンのビット反転直前のビット列のパターンを検出する。その後、ステップＳ２０２の処理へ進む。
【０１００】
ステップＳ２０２において、兼用設定回路２８ａは、例えば図１７に示した、ビット列のパターンと、シフト量と、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳとの間の関係を示す参照テーブルを用いて、検出したビット列のパターンに対応するシフト量を設定する。また、兼用設定回路２８ａは、当該参照テーブルを用いて、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定する。兼用設定回路２８ａは、記録データパターンの反転位置を、求められたシフト量だけシフトするとともに、設定された記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳに対応する制御信号を記録電流生成回路２９に送信する。その後、ステップＳ２０３の処理へ進む。
【０１０１】
ステップＳ２０３において、記録電流生成回路２９は、兼用設定回路２８ａより送られてきた記録データパターンのビット反転毎に、当該ビット反転直前のビット列に基づいて参照テーブルより設定された記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳで記録電流を生成し、記録データパターンを記録媒体１３に記録する。その後、記録電流設定処理を終了する。このようにしても、サイドイレーズの影響を抑制することが可能な記録電流値又はオーバーシュート電流値で記録データパターンを記録媒体１３に記録することができる。
【０１０２】
上述した、ビット反転間隔に基づく記録電流設定方法、及び、ビット列に基づく記録電流設定方法のうち、どちらの方法を採用するかについては、記録周波数に正確に対応させてサイドイレーズの影響を効果的に抑えたい場合には、記録周波数と完全に対応関係にあるビット反転間隔に基づいた記録電流設定方法を用いるのが望ましい。一方、磁気記録装置において、消費電力や回路規模の削減を図りたい場合には、兼用設定回路２８ａにてビット列のパターンに基づいた記録電流設定方法を実行するのが望ましい。
【０１０３】
なお、ビット反転間隔に基づく記録電流設定方法、及び、ビット列に基づく記録電流設定方法の両方を行うこととしてもよい。例えば、記録電流設定回路２８は、ビット反転間隔に基づいて、記録電流の大まかな値の設定（例えば、記録電流値Ｉｗの設定）を行うとともに、ビット列のパターンに基づいて、記録電流の設定の微調整（例えば、オーバーシュート電流値ＯＶＳの設定）を行うとしてもよい。
【０１０４】
また、上述した実施形態では、記録電流設定回路２８は、記録データパターンのビット反転間隔（又はビット列）を基に、参照テーブルを用いて、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを設定するとしているが、これに限られるものではない。このようにする代わりに、例えばサイドイレーズ周波数依存特性を基に、ビット反転間隔（又はビット列）と、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳとの関係を示す関係式を予め算出しておき、当該関係式を用いて、記録電流値Ｉｗ又はオーバーシュート電流値ＯＶＳを求めるとしてもよいのは言うまでもない。
【０１０５】
また、実施形態は、上述した実施形態の例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能である。
【０１０６】
以上説明した実施形態に関して、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
記録ヘッドと、
垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に前記記録ヘッドで記録データパターンを記録するための記録電流を生成する記録電流生成回路と、
前記記録データパターンが記録される記録トラックの他のトラックに対するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、前記記録電流値を小さく設定する設定回路と、を備えることを特徴とする磁気記録装置。
（付記２）
前記設定回路は、前記記録周波数の変化に対する、前記他のトラックの少なくとも１つのトラックにおけるサイドイレーズ量の変化特性に応じて、前記記録電流値を設定することを特徴とする付記１に記載の磁気記録装置。
（付記３）
前記設定回路は、前記記録周波数の変化に対する、前記記録データパターンが記録される際のイレーズ幅の変化特性に応じて、前記記録電流値を設定することを特徴とする付記１に記載の磁気記録装置。
（付記４）
前記設定回路は、前記記録データパターンのビット反転間隔を検出するとともに、検出された前記ビット反転間隔を基に、前記ビット反転間隔と前記サイドイレーズの影響度との関係に応じて、前記記録電流値を設定することを特徴とする付記１乃至３のいずれか一項に記載の磁気記録装置。
（付記５）
前記設定回路は、前記ビット反転間隔に対応する前記サイドイレーズの影響度が大きくなるほど、前記記録電流値を小さく設定し、前記ビット反転間隔に対応する前記サイドイレーズの影響度が小さくなるほど、前記記録電流値を大きく設定することを特徴とする付記４に記載の磁気記録装置。
（付記６）
前記設定回路は、前記記録データパターンのビット反転時における直前のビット列のパターンを検出するとともに、検出された前記ビット列のパターンを基に、前記ビット列のパターンと前記サイドイレーズの影響度との関係に応じて、前記記録電流値を設定することを特徴とする付記１乃至５のいずれか一項に記載の磁気記録装置。
（付記７）
前記設定回路は、前記ビット列のパターンに対応する前記サイドイレーズの影響度が大きくなるほど、前記記録電流値を小さく設定し、前記ビット列のパターンに対応する前記サイドイレーズの影響度が小さくなるほど、前記記録電流値を大きく設定することを特徴とする付記６に記載の磁気記録装置。
（付記８）
前記設定回路は、記録データパターンのビット反転位置をシフトすることにより前記記録データパターンの記録時におけるビット反転位置を補償する機能を有し、検出された前記ビット列のパターンを基に、前記ビット列のパターンと前記サイドイレーズの影響度とシフト量との間の関係に応じて、前記ビット列のパターンに対応する前記シフト量だけビット反転位置をシフトするとともに、前記記録電流値を設定することを特徴とする付記６又は７に記載の磁気記録装置。
（付記９）
前記記録データパターンのビット反転位置をシフトすることにより前記記録データパターンの記録時におけるビット反転位置を補償する記録補償回路を有し、
前記記録補償回路は、前記記録電流値が前記設定回路により設定された前記記録データパターンのビット反転位置を補償することを特徴とする付記１乃至７のいずれか一項に記載の磁気記録装置。
（付記１０）
前記記録データパターンのデータ変調を行うデータ変調回路を有し、
前記設定回路は、前記データ変調回路により変調された前記記録データパターンを基に、前記記録電流値を設定することを特徴とする付記１乃至９のいずれか一項に記載の磁気記録装置。
（付記１１）
垂直磁気記録媒体に記録ヘッドで記録データパターンを記録するための記録電流を生成する記録電流生成回路と、
前記記録データパターンが記録される記録トラックの他のトラックに対するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、前記記録電流値を小さく設定する設定回路と、を備えることを特徴とする記録制御回路。
（付記１２）
記録ヘッドと、垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記録装置における磁気記録方法であって、
前記垂直磁気記録媒体に前記記録ヘッドで記録データパターンを記録するための記録電流を生成する記録電流生成工程と、
前記記録データパターンが記録される記録トラックの他のトラックに対するサイドイレーズの影響度が大きくなるほど、前記記録電流値を小さく設定する設定工程と、を備えることを特徴とする磁気記録方法。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本実施形態に係る磁気記録装置を示す平面図である。
【図２】記録・再生ヘッド及び記録媒体の拡大断面図
【図３】本実施形態に係る磁気記録装置の回路構成を示すブロック図である。
【図４】記録電流について説明するための図である。
【図５】記録媒体上における複数のトラックを示す図である。
【図６】記録周波数とエラーレイトの劣化量との関係を示すグラフの一例。
【図７】本記録媒体上における複数のトラックを示す図である。
【図８】トラックピッチと読み取り出力との関係を示すグラフの一例である。
【図９】記録周波数とイレーズ幅との関係を示すグラフの一例である。
【図１０】記録データパターンの一例である。
【図１１】記録電流値又はオーバーシュート電流値とビット反転間隔との関係を示す参照テーブルの一例である。
【図１２】ビット反転間隔に基づく記録電流設定処理を示すフローチャートである。
【図１３】記録データパターンの一例である。
【図１４】記録電流値又はオーバーシュート電流値とビット反転間隔との関係を示す参照テーブルの一例である。
【図１５】本実施形態に係る磁気記録装置の回路構成を示すブロック図である。
【図１６】記録補償回路が用いる参照テーブルの一例である。
【図１７】兼用設定回路が用いる参照テーブルの一例である。
【図１８】ビット列に基づく記録電流設定処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１０８】
１１  筐体
１２  アクチュエータ
１３  記録媒体
１４  スピンドルモータ
１５  アーム
１６  ボイスコイルモータ
１７  記録・再生ヘッド
１８  回路基板
１９  パッケージボード
２０  ホスト
２１  ＨＤＣ
２２  ＲＷチャネル
２３  プリアンプ
２４  ＥＣＣ生成回路
２５  クロック生成回路
２６  データ変調回路
２７  記録補償回路
２８  記録電流設定回路
２９  記録電流生成回路
【図１】
2010079998.tif 000003
【図２】
2010079998.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2010079998.tif 000007
【図６】
2010079998.tif 000008
【図７】
2010079998.tif 000009
【図８】
2010079998.tif 000010
【図９】
2010079998.tif 000011
【図１０】
2010079998.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2010079998.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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