(57)【要約】【課題】シールド材が有する金属層における短絡の発生を抑制する。【解決手段】絶縁材１４上には、導体１２ａ〜１２ｆの両端部を除く部分を被覆する絶縁性接着部材１３が積層されている。絶縁性接着部材１３は、導体１２ａ〜１２ｆをその上面及び下面方向から挟む２つの絶縁性接着剤層がラミネートによって互いに溶融し合うことにより形成されてなるものである。絶縁性接着部材１３上には絶縁材１１が積層され、絶縁材１１は、絶縁性接着部材１３と接着している。また、絶縁性接着部材１３は、その下面において絶縁材１４と接着している。絶縁材１４は、その下面においてシールド層の側面が絶縁性接着剤層に被覆されてなるシールド部１６と接着している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と、絶縁性接着剤層とを熱圧着し、前記導電性接着剤層上に前記絶縁性接着剤層が積層されたシールド材を製造する方法であって、
前記シールド層と前記絶縁性接着剤層との熱圧着によって前記絶縁性接着剤層を構成する絶縁性接着剤が溶融することにより、前記絶縁性接着剤層の端部が垂下して少なくとも前記導電性接着剤層の側面及び前記金属層の側面を被覆するシールド材の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁性接着剤の溶融粘度は、０．０１ＭＰａ・ｓ〜１００ＭＰａ・ｓである請求項１記載のシールド材の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁性接着剤は、熱可塑性樹脂である請求項２記載のシールド材の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁性接着剤は、難燃性ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、又は難燃性ポリエチレン樹脂である請求項３記載のシールド材の製造方法。
【請求項５】
前記金属層を構成する金属は、銅である請求項１記載のシールド材の製造方法。
【請求項６】
前記金属層の厚さは、２μｍ以上である請求項１記載のシールド材の製造方法。
【請求項７】
絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と、前記導電性接着剤層上に積層された絶縁性接着剤層とを有するシールド材であって、
前記絶縁性接着剤層の端部は垂下しており、当該垂下した絶縁性接着剤層によって少なくとも前記導電性接着剤層の側面及び前記金属層の側面が被覆されているシールド材。
【請求項８】
第１の絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と、第１の絶縁性接着剤層とを熱圧着し、前記導電性接着剤層上に前記第１の絶縁性接着剤層が積層されたシールド材を製造する第１の工程と、
前記シールド材と、複数の導体を配設した第２の絶縁材が第２の絶縁性接着剤層上に積層された積層体とを熱圧着し、前記第１の絶縁性接着剤層上に前記第２の絶縁性接着剤層が積層されたフレキシブルフラットケーブルを製造する第２の工程とを有し、
前記第１の工程では、前記シールド層と前記第１の絶縁性接着剤層との熱圧着によって前記第１の絶縁性接着剤層を構成する第１の絶縁性接着剤が溶融することにより、前記絶縁性接着剤層の端部が垂下して少なくとも前記導電性接着剤層の側面及び前記金属層の側面を被覆し、
前記第２の工程では、前記シールド材と前記積層体との熱圧着によって前記第２の絶縁性接着剤層を構成する第２の絶縁性接着剤が溶融することにより、前記第１の絶縁性接着剤層の端部が垂下して少なくとも前記第１の絶縁性接着剤層に被覆された前記導電性接着剤層の側面及び前記第１の絶縁性接着剤層に被覆された前記金属層の側面をさらに被覆するフレキシブルフラットケーブルの製造方法。
【請求項９】
前記第１の絶縁性接着剤及び前記第２の絶縁性接着剤の溶融粘度は、０．０１ＭＰａ・ｓ〜１００ＭＰａ・ｓである請求項８記載のフレキシブルフラットケーブルの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の絶縁性接着剤及び前記第２の絶縁性接着剤は、熱可塑性樹脂である請求項９記載のフレキシブルフラットケーブルの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の絶縁性接着剤及び前記第２の絶縁性接着剤は、難燃性ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、又は難燃性ポリエチレン樹脂である請求項１０記載のフレキシブルフラットケーブルの製造方法。
【請求項１２】
前記金属層を構成する金属は、銅である請求項８記載のフレキシブルフラットケーブルの製造方法。
【請求項１３】
前記金属層の厚さは、２μｍ以上である請求項８記載のフレキシブルフラットケーブルの製造方法。
【請求項１４】
第１の絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と、前記導電性接着剤層上に積層された第１の絶縁性接着剤層とを有するシールド材であり、少なくとも前記導電性接着剤層の側面及び前記金属層の側面が、垂下した前記第１の絶縁性接着剤層に被覆されている前記シールド材上に、複数の導体を配設した第２の絶縁材が第２の絶縁性接着剤層上に積層された積層体が積層されたフレキシブルフラットケーブルであって、
垂下した前記第２の絶縁性接着剤層によって、少なくとも前記第１の絶縁性接着剤層に被覆された前記導電性接着剤層の側面及び前記第１の絶縁性接着剤層に被覆された前記金属層の側面がさらに被覆されてなるフレキシブルフラットケーブル。
【請求項１５】
請求項１４記載のフレキシブルフラットケーブルを搭載した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁場によるノイズ抑制を行うシールド材及びその製造方法、当該シールド材を用いたフレキシブルフラットケーブル及びその製造方法、並びに、当該フレキシブルフラットケーブルを搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型テレビジョン装置等の家電製品、大型複写機等の事務機器、医療機器等の多くの電気製品や電子機器が行う信号処理においては、信号の高速化が急速に進んでいる。これに伴い、これらの電気製品や電子機器に用いられるフレキシブルフラットケーブル（以下、「ＦＦＣ」という。）をはじめとする多くのケーブルには、インピーダンスコントロール等の電気的特性の向上が要求されるようになってきている。大型テレビジョン装置等の家電製品は、コスト競争の激化に伴い、安価で長尺可能なＦＦＣが有用されている。
【０００３】
インピーダンスコントロールＦＦＣは、信号線となる導体とＦＦＣ本体の外装に位置するシールド材との物理的サイズによってインピーダンスが制御される。シールド材には、ＦＦＣ本体の片面に貼り付ける構造とＦＦＣ本体の外周を覆う構造とがあり、両者は、用途やコスト等に応じて使い分けられる。
【０００４】
インピーダンスコントロールＦＦＣに用いられるシールド材には、ノイズの抑制や伝送特性の向上等が要求される。信号線における伝送の高速化が進むにつれ、シールド材が信号の伝送特性の向上に及ぼす影響は大きい。
【特許文献１】特開２００２−１８４２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
信号伝送の高速化を実現させるために、このようなシールド材を有するシールドＦＦＣには、特性インピーダンスやアイパターンの向上とともに、特に、信号線となる導体の透過特性の向上が要求されている。例えば５ＧＨｚ以下の低周波数帯域では、この透過特性に導体損が最も大きく関係し、特にシールド材の金属層の厚さが導体損に大きく影響することになる。従来、シールドＦＦＣに用いられるシールド材には、作業性、可撓性を考慮して蒸着等の方法により厚さが１μｍ未満のＡｌやＡｇ等の金属からなる金属層が適用されていた。しかしながら、１μｍ未満の薄い金属層が用いられたシールドＦＦＣでは、透過特性が悪かった。
【０００６】
信号の高速伝送を実現させるための透過特性の向上には、表皮効果等を考慮して少なくとも数μｍの厚さを有する金属層を有するシールド材が必要であった。
【０００７】
図１３は、金属層の厚さが０．１μｍである従来のシールド材、金属層の厚さが８μｍである従来のシールド材をそれぞれ用いたシールドＦＦＣにおける導体の透過特性（Ｓｄｄ２１）を示す図である。図１３において、曲線ａは、金属層の厚さが８μｍであるシールド材を用いたシールドＦＦＣにおける導体の透過特性を示し、曲線ｂは、金属層の厚さが０．１μｍであるシールド材を用いたシールドＦＦＣにおける導体の透過特性を示す。この図１３に示す周波数帯域において、金属層の厚さが０．１μｍであるシールド材よりも金属層の厚さが８μｍであるシールド材を用いたシールドＦＦＣの導体の透過特性が良いことがわかる。
【０００８】
厚さが数μｍ以上の金属層を有するシールド材を用いたシールドＦＦＣは、このような透過特性、特性インピーダンス、アイパターン等を含めた電気的特性が良好となり、信号の高速伝送を実現することが可能となる。
【０００９】
図１４は、厚さが数μｍ以上の金属層を有するシールド材を用いたシールドＦＦＣ１００の断面図である。シールドＦＦＣ１００において、シールド層１０７は、絶縁材１０４と、金属層１０５と、導電性接着剤層１０６とがこの順に積層されてなる。シールドＦＦＣ１００は、このシールド層１０７上に絶縁材１０３と、導体１０２ａ〜１０２ｆを被覆する絶縁性接着剤層１０１とが順次積層されてなる。
【００１０】
図１４に示すように、金属層１０５の厚さが数μｍ以上であることにより、シールドＦＦＣ１００における金属層１０５が露出する端部、すなわち金属層１０５の側面において短絡（ショート）が発生する虞がある。
【００１１】
シールド材の金属層に対する絶縁処理を目的として、シールド材の側面に絶縁フィルムを貼り付ける等の方法が考えられるが、この方法では、可撓性の悪化、コスト高等の問題を招くことになる。
【００１２】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、シールドＦＦＣに用いられるシールド材の金属層における短絡の発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した目的を達成するために、本発明に係るシールド材の製造方法は、絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と、絶縁性接着剤層とを熱圧着し、前記導電性接着剤層上に前記絶縁性接着剤層が積層されたシールド材を製造する方法であって、前記シールド層と前記絶縁性接着剤層との熱圧着によって前記絶縁性接着剤層を構成する絶縁性接着剤が溶融することにより、前記絶縁性接着剤層の端部が垂下して少なくとも前記導電性接着剤層の側面及び前記金属層の側面を被覆するシールド材の製造方法である。
【００１４】
また、上述した目的を達成するために、本発明に係るシールド材は、絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と、前記導電性接着剤層上に積層された絶縁性接着剤層とを有するシールド材であって、前記絶縁性接着剤層の端部は垂下しており、当該垂下した絶縁性接着剤層によって少なくとも前記導電性接着剤層の側面及び前記金属層の側面が被覆されているシールド材である。
【００１５】
また、上述した目的を達成するために、本発明に係るフレキシブルフラットケーブルの製造方法は、第１の絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と、第１の絶縁性接着剤層とを熱圧着し、前記導電性接着剤層上に前記第１の絶縁性接着剤層が積層されたシールド材を製造する第１の工程と、前記シールド材と、複数の導体を配設した第２の絶縁材が第２の絶縁性接着剤層上に積層された積層体とを熱圧着し、前記第１の絶縁性接着剤層上に前記第２の絶縁性接着剤層が積層されたフレキシブルフラットケーブルを製造する第２の工程とを有し、前記第１の工程では、前記シールド層と前記第１の絶縁性接着剤層との熱圧着によって前記第１の絶縁性接着剤層を構成する第１の絶縁性接着剤が溶融することにより、前記絶縁性接着剤層の端部が垂下して少なくとも前記導電性接着剤層の側面及び前記金属層の側面を被覆し、前記第２の工程では、前記シールド材と前記積層体との熱圧着によって前記第２の絶縁性接着剤層を構成する第２の絶縁性接着剤が溶融することにより、前記第１の絶縁性接着剤層の端部が垂下して少なくとも前記第１の絶縁性接着剤層に被覆された前記導電性接着剤層の側面及び前記第１の絶縁性接着剤層に被覆された前記金属層の側面をさらに被覆するフレキシブルフラットケーブルの製造方法である。
【００１６】
また、上述した目的を達成するために、本発明に係るフレキシブルフラットケーブルは、第１の絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と、前記導電性接着剤層上に積層された第１の絶縁性接着剤層とを有するシールド材であり、少なくとも前記導電性接着剤層の側面及び前記金属層の側面が、垂下した前記第１の絶縁性接着剤層に被覆されている前記シールド材上に、複数の導体を配設した第２の絶縁材が第２の絶縁性接着剤層上に積層された積層体が積層されたフレキシブルフラットケーブルであって、垂下した前記第２の絶縁性接着剤層によって、少なくとも前記第１の絶縁性接着剤層に被覆された前記導電性接着剤層の側面及び前記第１の絶縁性接着剤層に被覆された前記金属層の側面がさらに被覆されてなるフレキシブルフラットケーブルである。
【００１７】
また、上述した目的を達成するために、本発明に係る電子機器は、本発明のフレキシブルフラットケーブルを搭載した電子機器である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、シールド材の金属層が絶縁性接着剤層に被覆されているため、シールド材の端部において短絡の発生が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
本実施の形態におけるシールドフレキシブルフラットケーブル（以下、「シールドＦＦＣ」という。）は、外部の電磁波によるノイズを抑制しインピーダンスを制御するシールド材が貼着されてなるものである。
【００２１】
図１は、本実施の形態におけるシールドＦＦＣ１の外観図である。また、図２（Ａ）は、シールドＦＦＣ１の上面図であり、図２（Ｂ）は、シールドＦＦＣ１の下面図である。
【００２２】
図２（Ａ）に示すように、シールドＦＦＣ１において、絶縁材１４上には、信号線としての導体１２ａ〜１２ｆが０．５ｍｍのピッチで平行に配設されている。この導体１２ａ〜１２ｆのサイズは、それぞれ幅０．３ｍｍ×厚さ０．０３５ｍｍである。
【００２３】
図１に示すように、導体１２ａ〜１２ｆは、両端を除く部分が絶縁性接着部材１３に被覆されている。また、導体１２ａ〜１２ｆは、それぞれ両端の下面において絶縁性接着部材１３と接着している。なお、導体１２の数はこれに限られない。
【００２４】
絶縁材１４上には、導体１２ａ〜１２ｆの両端部を除く部分を被覆する絶縁性接着部材１３が積層され、絶縁材１４と絶縁性接着部材１３とは互いに接着している。絶縁性接着部材１３は、導体１２ａ〜１２ｆをその上面及び下面方向から挟む２つの絶縁性接着剤層が後述のラミネートによって互いに溶融し合うことにより形成されてなる。絶縁性接着部材１３上には絶縁材１１が積層され、絶縁性接着部材１３と絶縁材１１とは互いに接着している。
【００２５】
絶縁材１４は、その下面においてシールド層が絶縁性接着剤に被覆されてなるシールド部１６と接着している。
【００２６】
また、絶縁材１４は、その下面の両端においてそれぞれ絶縁性接着剤層（図示せず）を介して補強板１５ａ，１５ｂと接着している。補強板１５ａ，１５ｂは、例えば熱プレスにより接着される。
【００２７】
図３は、図１に示すシールドＦＦＣ１のＡ−Ａ線断面図である。ここで、Ａ−Ａ線は、導体１２ｃの長手方向に切断するようにシールドＦＦＣ１を切断するものである。また、図４は、図１に示すシールドＦＦＣ１のＢ−Ｂ線断面図である。ここで、Ｂ−Ｂ線は、シールドＦＦＣ１を短手方向に切断するものである。
【００２８】
図３に示すように、絶縁材１４と、絶縁性接着剤層１３ｂと、導体１２ｃと、絶縁性接着剤層１３ａと、絶縁材１１とは、この順に積層されている。なお、実際のシールドＦＦＣ１の構成においては、導体１２ｃの両端部を除く部分は、絶縁性接着剤層１３ａと絶縁性接着剤層１３ｂとが互いに溶融し合うことにより形成された絶縁性接着部材１３に覆われている。
【００２９】
シールド部１６において、シールド層２０は、絶縁材１７と金属層１８と導電性接着剤層１９とがこの順に積層されてなる。導電性接着剤層１９上には、絶縁性接着剤層２１が積層されている。この金属層１８は、外部の電磁場によるノイズを抑制するとともに、信号線としての導体１２ａ〜１２ｆに対するグランドとして機能する。シールドＦＦＣ１は、図２（Ａ）の上面図及び図２（Ｂ）の下面図、並びに、図３及び図４の断面図に示すように、シールド層２０の側面が、垂下した絶縁性接着剤層２１によって被覆されている。ここで、シールド層２０における少なくとも導電性接着剤層１９の側面及び金属層１８の側面は、完全に絶縁性接着剤層２１に被覆されて露出しない。このため、シールドＦＦＣ１は、端部（エッジ部）における短絡（ショート）の発生が抑制されている。
【００３０】
導体１２ａ〜１２ｆとしては、例えば錫メッキによって表面処理が施された軟銅を挙げることができる。
【００３１】
また、絶縁材１１，１４，１７としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の絶縁フィルムを用いることができる。
【００３２】
また、絶縁性接着部材１３を構成する絶縁性接着剤、及び、絶縁性接着剤層２１を構成する絶縁性接着剤としては、例えば難燃性ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、難燃性ポリエチレン樹脂等、難燃性で絶縁性の熱可塑性樹脂を挙げることができる。また、この絶縁性接着剤は、ノンハロゲン系材料であることが好ましい。なお、絶縁性接着部材１３と絶縁性接着剤層２１とは、互いに同一の絶縁性接着剤からなることが好ましい。
【００３３】
また、補強板１５ａ，１５ｂを構成する材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート等の絶縁フィルムを挙げることができる。
【００３４】
また、金属層１８としては、鉄やニッケル等の透磁性の高い金属箔、銅等の導電性の高い金属箔、アルミニウム箔や亜鉛等を用いることができる。
【００３５】
本実施の形態では、以下で説明する２段階のラミネートによってシールドＦＦＣ１を製造する。
【００３６】
先ず、図５（Ａ）に示すように、絶縁材１７と金属層１８と導電性接着剤層１９とがこの順に積層されてなるシールド層２０と絶縁性接着剤層２２とを熱圧着する。本実施の形態では、熱圧着処理としてラミネータによるラミネート処理を行う。すなわち、シールド層２０と絶縁性接着剤層２２とを重ね合わせた状態でラミネータ３１によってラミネートする（第１のラミネート処理）。ここで、ラミネート前における絶縁性接着剤層２２の厚さは、数十μｍ以上とすることができる。
【００３７】
ラミネータ３１は、例えばガラスからなる中心部３２ａ，３２ｂと、中心部３２ａ，３２ｂをそれぞれ覆う例えばシリコンゴムからなる表面部３３ａ，３３ｂとからなる。ここで、ラミネータ３１のラミネート時における加熱温度は、例えば１００〜１２０℃とすることができる。また、ラミネータ３１のラインスピードは、１．５ｍ／分とすることができる。
【００３８】
第１のラミネート処理によって、絶縁性接着剤層２２を構成する絶縁性接着剤が溶融して絶縁性接着剤層２２が垂下する。図５（Ｂ）に示すように、シールド層２０の側面が、垂下した絶縁性接着剤層２２によって被覆されたシールド材４１が製造される。製造されたシールド材４１を室温で放置することにより自然冷却する。
【００３９】
図６は、シールド材４１の外観図であり、図７（Ａ）は、図６に示すシールド材４１のＣ−Ｃ線断面図であり、図７（Ｂ）は、図６に示すシールド材４１のＤ−Ｄ線断面図である。
【００４０】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、シールド材４１は、シールド層２０の側面が、垂下した絶縁性接着剤層２２の端部によって被覆されている。ここで、シールド層２０における少なくとも導電性接着剤層１９の側面及び金属層１８の側面は、完全に絶縁性接着剤層２２に被覆されて露出しない。このため、シールドＦＦＣ１は、端部における短絡の発生が抑制されている。
【００４１】
シールド層２０における少なくとも導電性接着剤層１９の側面及び金属層１８の側面が完全に絶縁性接着剤層２２に被覆されて露出しないようにするために、シールド層２０と絶縁性接着剤層２２とのラミネート時における絶縁性接着剤層２２を構成する絶縁性接着剤の溶融粘度は、０．０１ＭＰａ・ｓ〜１００ＭＰａ・ｓであることが好ましい。
【００４２】
絶縁性接着剤層２２を構成する絶縁性接着剤の溶融粘度が０．０１ＭＰａ・ｓ未満である場合、シールド層２０の側面において絶縁性接着剤層２２の絶縁性接着剤が液垂れする虞があるとともに、シールド層２０の側面を被覆する絶縁性接着剤層２２に欠落部分が生じ、金属層１８が露出する虞がある。
【００４３】
一方、絶縁性接着剤層２２を構成する絶縁性接着剤の溶融粘度が１００ＭＰａ・ｓよりも大きい場合、ラミネート時において絶縁性接着剤層２２を構成する絶縁性接着剤が溶融しても、この絶縁性接着剤が硬すぎることによりシールド層２０における少なくとも導電性接着剤層１９の側面及び金属層１８の側面が完全に被覆されない虞がある。
【００４４】
金属層１８の厚さは、２μｍ以上とすることができる。金属層１８の厚さを２μｍ以上とすることにより、シールドＦＦＣ１は、導体１２ａ〜１２ｆにおける透過特性、特性インピーダンス、アイパターン等の電気的特性が良好となり、信号の高速伝送が実現可能となる。
【００４５】
なお、金属層１８の厚さが２μｍ以上であれば、絶縁材１７、金属層１８、導電性接着剤層１９、絶縁性接着剤層２２それぞれの厚さを任意に設定することが可能である。本実施の形態においては、絶縁性接着剤層２２を構成する絶縁性接着剤の溶融粘度等を考慮し、少なくとも金属層１８の側面及び導電性接着剤層１９の側面が完全に被覆されるような各値を設定することができる。
【００４６】
次に、図８（Ａ）に示すように、シールド材４１と、導体１２ａ〜１２ｆ（図８では導体１２と記載している。）を有するベースＦＦＣ４２とを熱圧着する。ベースＦＦＣ４２は、絶縁性接着剤層２３と、絶縁材１４と、導体１２ａ〜１２ｆの両端を除く部分を被覆する絶縁性接着部材１３と、絶縁材１１とがこの順に積層され、絶縁材１４の下面に絶縁性接着剤層（図示せず）を介して補強板１５ａ，１５ｂが接着されてなるものである。
【００４７】
具体的に、ベースＦＦＣ４２の絶縁性接着剤層２３の下面とシールド材４１の上面とを重ね合わせるようにしてベースＦＦＣ４２とシールド材４１とをラミネータ３１によってラミネートする（第２のラミネート処理）。ここで、ラミネート前における絶縁性接着剤層２３の厚さは、数十μｍ以上とすることができる。
【００４８】
第２のラミネート処理によって、絶縁性接着剤層２３は、ラミネートによって絶縁性接着剤層２３を構成する絶縁性接着剤が溶融することにより垂下し、シールド層２０が絶縁性接着剤層２２に被覆されてなるシールド材４１の側面をさらに被覆する。ここで、絶縁性接着剤層２３を構成する接着剤と絶縁性接着剤層２２を構成する絶縁性接着剤とは溶融し合い絶縁性接着剤層２２よりもさらに厚い絶縁性接着剤層２１を構成する。
【００４９】
具体的には、少なくとも金属層１８の側面及び導電性接着剤層１９の側面は、絶縁性接着剤層２２よりもさらに厚い絶縁性接着剤層２１によって完全に被覆されて露出しない。このような絶縁性接着剤層２１によるさらなる被覆により、絶縁性接着剤層２１は破損しにくくなり、後に導電性接着剤層１９の側面及び金属層１８の側面が露出する虞が低減される。
【００５０】
このような第１，第２のラミネート処理により、図８（Ｂ）に示すようなシールド部１６を備えたシールドＦＦＣ１が製造される。そして、製造されたシールドＦＦＣ１を室温に放置して自然冷却する。
【００５１】
ベースＦＦＣ４２とシールド材４１とのラミネート時における絶縁性接着剤層２２を構成する絶縁性接着剤の溶融粘度は、第１のラミネート処理の説明で述べた理由と同様の理由により、０．０１ＭＰａ・ｓ〜１００ＭＰａ・ｓであることが好ましい。
【００５２】
また、上述したように、絶縁性接着剤層２３の厚さは、任意に設定することが可能である。すなわち、絶縁性接着剤層２２，２３を構成する絶縁性接着剤の溶融粘度等を考慮し、少なくとも金属層１８の側面及び導電性接着剤層１９の側面が完全に被覆されるような値を設定することができる。
【００５３】
なお、本実施の形態では、本実施の形態におけるシールド材の製造方法によって製造されたシールド材を、導体１２ａ〜１２ｆを有するベースＦＦＣの外周に設けたシールドＦＦＣを製造することができる。
【００５４】
図９は、ベースＦＦＣ４３の外周にシールド材４１を設けたシールドＦＦＣ２の外観図である。また、図１０（Ａ）は、シールドＦＦＣ２の上面図であり、図１０（Ｂ）は、シールドＦＦＣ２の下面図である。シールドＦＦＣ２において、シールドＦＦＣ１と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００５５】
図９に示すように、シールドＦＦＣ２は、導体１２ａ〜１２ｆを有するベースＦＦＣ４３の両端を除く外周部分にシールド材４１が巻きつけられており、図１０（Ｂ）に示すように、シールドＦＦＣ２の下面において、シールド材４１同士が接着されている。
【００５６】
図１１は、図９に示すシールドＦＦＣ２のＤ−Ｄ線断面図である。図１１に示すように、シールドＦＦＣ２は、絶縁材１４と、導体１２ａ〜導体１２ｆを被覆する絶縁性接着部材１３と、絶縁材１１とがこの順に積層されてなるベースＦＦＣ４３と、このベースＦＦＣ４３の外周を被覆するシールド材４１とから構成される。
【００５７】
シールド材４１は、上述したように、絶縁材１７と、金属層１８と、導電性接着剤層１９とがこの順に積層されてなるシールド層２０と、導電性接着剤層１９の上面に積層された絶縁性接着剤層２２とから構成される。シールド材４１同士の貼り付け部分は、絶縁性接着剤層２２を介して接着されている。
【００５８】
このシールドＦＦＣ２は、ベースＦＦＣ４３の外周にシールド材４１を巻きつけてラミネータ３１によってラミネートすることにより製造される。ここで、ベースＦＦＣ４３とシールド材４１とをラミネートする際の諸条件は、上述のシールドＦＦＣ１の製造時のラミネートにおける諸条件と同一である。すなわち、ラミネータ３１のラミネート時における加熱温度は、１００〜１２０℃とすることができる。また、ラミネータ３１のラミネート時におけるラインスピードは、１．５ｍ／分とすることができる。
【００５９】
以上述べたような本実施の形態におけるシールドＦＦＣは、例えば、フラットパネルディスプレイを備えたテレビジョン装置等の電子機器に搭載することができる。このような薄型のテレビジョン装置は、高画質化を実現するために、高性能な画像伝送デバイスが必須となる。本実施の形態におけるシールドＦＦＣは、厚さ２μｍ以上の金属層を有するシールド材の端部が絶縁性接着剤層に被覆されていることにより、短絡を抑制しながら信号の高速伝送を実現することができることから、このような電子機器に搭載することができる。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。本実施例では、上述した本実施の形態における製造方法で図１に示すシールドＦＦＣを製造した。
【００６１】
先ず、図６に示すシールド材を製造した。すなわち、絶縁材と金属層と導電性接着剤層とがこの順に積層されてなるシールド層と絶縁性接着剤層とを重ね合わせた状態で、ラミネータによってラミネートした。
【００６２】
ここで、ラミネート前における絶縁性接着剤層の厚さは、４０μｍとした。また、金属層としては、厚さ８μｍの銅箔を用いた。絶縁性接着剤層を構成する絶縁性接着剤としては、難燃性ポリエステル樹脂からなるハロゲンフリーＴＣフィルム（ＳＣＩＤ（Sony Chemical & Information Device）製）を用いた。また、ラミネータのラインスピードを１．５ｍ／分とし、ラミネータの加熱温度を１２０℃とした。
【００６３】
図１２は、絶縁性接着剤としての難燃性ポリエステル樹脂の温度［℃］と粘度［ＭＰａ・ｓ］との関係を示す図である。ラミネータの加熱温度を１２０℃としたことにより、ラミネート時における絶縁性接着剤としての難燃性ポリエステル樹脂の溶融粘度は、約０．１ＭＰａ・ｓであった。
【００６４】
このラミネート処理により、絶縁性接着剤層を構成する絶縁性接着剤が溶融して絶縁性接着剤層が垂下し、シールド層の側面全体が、垂下した絶縁性接着剤層によって被覆されたシールド材が製造された。そして、製造されたシールド材を室温で放置することにより自然冷却した。
【００６５】
次に、図１に示すシールドＦＦＣを製造した。すなわち、ベースＦＦＣの絶縁性接着剤層の下面とシールド材の上面とを重ね合わせるようにしてベースＦＦＣとシールド材とをラミネータによってラミネートした。ここにおいても、ラミネータのラインスピードを１．５ｍ／分とし、ラミネータの加熱温度を１２０℃とした。このため、ラミネート時における絶縁性接着剤としての難燃性ポリエステル樹脂の溶融粘度は、約０．１ＭＰａ・ｓであった。
【００６６】
ベースＦＦＣが有する絶縁性接着剤層を構成する絶縁性接着剤としては、上述の難燃性ポリエステル樹脂からなるハロゲンフリーＴＣフィルム（ＳＣＩＤ製）を用いた。ラミネート前におけるベースＦＦＣが有する絶縁性接着剤層の厚さは、４０μｍとした。
【００６７】
このラミネート処理により、ベースＦＦＣが有する絶縁性接着剤層は、絶縁性接着剤層を構成する絶縁性接着剤が溶融することにより垂下し、シールド層が絶縁性接着剤層に被覆されてなるシールド材の側面全体がさらに被覆された。ここで、絶縁性接着剤層を構成する接着剤と絶縁性接着剤層を構成する絶縁性接着剤とは溶融し合い、ラミネート前のシールド材が有する絶縁性接着剤層よりもさらに厚い絶縁性接着剤層を構成した。
【００６８】
製造されたシールドＦＦＣの全長は２００ｍｍであった。また、このシールドＦＦＣの導体ピッチは０．５ｍｍであり、ピン数は２１ｐｉｎであった。
【００６９】
製造されたシールドＦＦＣは、シールド材の側面が絶縁性接着剤層に完全に被覆されていた。これにより、製造されたシールドＦＦＣは、導体における透過特性、特性インピーダンス、アイパターン等の電気的特性が良好であり、信号の高速伝送が実現可能なシールドＦＦＣとすることができる。
【００７０】
なお、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本実施の形態におけるシールドＦＦＣの外観図である。
【図２】図２（Ａ）は、図１に示すシールドＦＦＣの上面図であり、図２（Ｂ）は、図１に示すシールドＦＦＣの下面図である。
【図３】図１に示すシールドＦＦＣのＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示すシールドＦＦＣのＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、第１のラミネート処理を説明するための図であり、図５（Ｂ）は、第１のラミネート処理によって製造されたシールド材の側面図である。
【図６】第１のラミネート処理によって製造されたシールド材の外観図である。
【図７】図７（Ａ）は、図６に示すシールド材のＣ−Ｃ線断面図であり、図７（Ｂ）は、図６に示すシールド材のＤ−Ｄ線断面図である。
【図８】図８（Ａ）は、第２のラミネート処理を説明するための図であり、図８（Ｂ）は、第２のラミネート処理によって製造されたシールドＦＦＣの側面図である。
【図９】本実施の形態におけるシールド材をベースＦＦＣの外周に設けたシールドＦＦＣの外観図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、図９に示すシールドＦＦＣの上面図であり、図１０（Ｂ）は、図９に示すシールドＦＦＣの下面図である。
【図１１】図９に示すシールドＦＦＣのＤ−Ｄ線断面図である。
【図１２】絶縁性接着剤としての難燃性ポリエステル樹脂の温度［℃］と粘度［ＭＰａ・ｓ］との関係を示す図である。
【図１３】金属層の厚さが０．１μｍである従来のシールド材、及び、金属層の厚さが８μｍである従来のシールド材における透過特性を示す図である。
【図１４】従来の一般的なシールド材の断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１，２  シールドＦＦＣ、１１，１４，１７  絶縁材、１２ａ〜１２ｆ  導体、１３  絶縁性接着部材、１５ａ，１５ｂ  補強板、１６  シールド部、１８  金属層、１９  導電性接着剤層、２０  シールド層、２１，２２，２３  絶縁性接着剤層、３１  ラミネータ  ４１  シールド材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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