(57)【要約】  【課題】セミアディティブ法により配線断面形状が矩形でかつ、微細である配線を形成する。  【解決手段】絶縁樹脂の上に金属層を有する回路基板の製造方法であって、絶縁樹脂の表面に第１金属層を形成する工程と、第１レジスト層として第１金属層の表面に金属配線パターン用のめっきレジスト層をポジ型のフォトレジストを用いて設ける工程と、電解めっきによって第２金属層を形成する工程と、露出した第２金属層をエッチング液でエッチングする工程を有する回路基板の製造方法。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂の上に金属層を有する回路基板の製造方法であって、絶縁樹脂の表面に第１金属層を形成する工程と、第１レジスト層として第１金属層の表面に金属配線パターン用のめっきレジスト層をポジ型のフォトレジストを用いて設ける工程と、電解めっきによって第２金属層を形成する工程と、露出した第２金属層をエッチング液でエッチングする工程を有する回路基板の製造方法。
【請求項２】
エッチング液が過酸化水素−硫酸系のエッチング液であって、硫酸濃度が２ｗｔ．％以上、８ｗｔ．％以下かつ過酸化水素濃度が１ｗｔ．％以上、５ｗｔ．％以下である請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
第２金属層形成後にめっきレジスト層と第２金属層の接する界面に隙間を形成する工程を有する請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
めっきレジスト層と第２金属層の接する界面に隙間を形成する工程が熱処理工程である請求項３記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
めっきレジスト層と第２金属層の接する界面に隙間を形成する工程が紫外線照射工程である請求項３記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
めっきレジスト層と第２金属層の接する界面に隙間を形成する工程がアルカリ溶液による処理工程である請求項３記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
めっきレジスト層の厚みが第２金属層の厚みよりも３μm以上厚いことを特徴とする請求項１〜７のいずれか記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
絶縁樹脂の表面に第１金属層を形成する前に、剥離可能な有機物層を介して絶縁樹脂を補強板に固定する工程を有する請求項１〜８のいずれか記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高精度な回路パターンを形成し得る生産性に優れた回路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス製品の軽量化と小型化に伴い、プリント回路基板のパターニングの高精度化が求められている。中でもプリント回路基板に用いられる可撓性フィルムは、その可撓性ゆえに三次元配線ができ、エレクトロニクス製品の小型化に適していることから需要が拡大している。液晶ディスプレイパネルへのＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）接続に用いられるＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術は、比較的狭幅の長尺ポリイミドフィルムを加工することで樹脂回路基板としては高精細なパターンを得ることができる。しかしながらＴＡＢ技術においても微細化の進展に関しては限界に近づきつつある。そこで、回路基板を多層化することでより配線密度を高めようとする提案がある（特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、多層化により配線密度を高めても、半導体素子端子と回路基板の端子接続の密度を高めることはできない。性能面とコスト面から半導体素子の小型化が求められており、回路基板の半導体素子搭載部分の回路パターン配線密度はさらに高める必要がある。
【０００４】
回路パターンのラインを形成するには、高精細パターン加工しやすい方法であるフルアディティブ法やセミアディティブ法に基づくフォトリソグラフィー技術が用いられるが、どれだけ高精細なパターンが得られるかについては、そこで用いられるフォトレジストが有する解像度が影響する。一般に微細配線を形成するためのフォトレジストの解像度はネガ型よりもポジ型の方が高い。しかし、ポジ型レジストはネガ型に比較して、断面形状でテーパー大きくなり、配線断面形状が矩形になりにくく、以下のように微細化に不利となる。すなわち、微細化が進むと、配線ボトムと基板の密着面積、ＩＣチップバンプと配線トップの接合面積をできるだけ大きくして接合強度を確保する必要がある。このため、配線のトップ幅とボトム幅は設計で許される限り大きくする必要がある。また、絶縁信頼性確保のために、配線間の距離もできるだけ大きくする必要がある。以上の条件を満たすためには配線断面形状は矩形である必要があるが、前記のとおり、ポジ型レジストを用いた場合に微細配線の断面形状を矩形とすることは困難であった。
【０００５】
一方、ネガ型レジストを用いたセミアディティブ法で配線形成を行い、必要な箇所だけエッチングにて細くする方法もある（特許文献２参照）。この方法によれば、配線の断面形状を矩形とすることは容易である。しかし、配線ピッチが狭くなるとネガ型レジストの解像度では現像不良が発生し、配線形成ができない。
【特許文献１】特開２００２−４３７５０号公報（第２頁−第５頁）
【特許文献２】特開２００７−２８７９５３号公報（第１頁−第２１頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以上のように、セミアディティブ法で使用するフォトレジストがポジ型であると配線断面が矩形にすることが困難で、ネガ型であると解像度がポジに比較して低く、微細配線形成が困難であった。本発明は、かかる課題を解決し、セミアディティブ法により配線断面形状が矩形でかつ、微細である配線を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち本発明は、絶縁樹脂の上に金属層を有する回路基板の製造方法であって、絶縁樹脂の表面に第１金属層を形成する工程と、第１レジスト層として第１金属層の表面に金属配線パターン用のめっきレジスト層をポジ型のフォトレジストを用いて設ける工程と、電解めっきによって第２金属層を形成する工程と、露出した第２金属層をエッチング液でエッチングする工程を有する回路基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ポジ型フォトレジストを用いて、断面形状が矩形の微細な配線が簡単に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の回路基板の製造方法について、図１、２に基づいて以下に説明する。なお、以下の説明は本発明の一例であり、これに限定されるものではない。
【００１０】
第１に絶縁樹脂１０１の表面に第１金属層２０１を形成する（図１−（１））。ここで用いられる絶縁樹脂は、回路パターン製造工程および電子部品実装での熱プロセスに耐えるだけの耐熱性を備えている必要がある。本発明で好適に用いられる絶縁樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミドおよび液晶ポリマーなどからなるフィルムを採用することができる。中でもポリイミドフィルムは、耐熱性に優れるとともに耐薬品性にも優れているので好適に採用される。また、低誘電損失など電気的特性が優れている点で、液晶ポリマーフィルムが好適に採用される。絶縁樹脂として、可撓性のガラス繊維補強樹脂板を採用することも可能である。ガラス繊維補強樹脂板の樹脂としては、エポキシ、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテル、マレイミド、ポリアミドおよびポリイミドなどの樹脂が挙げられる。
【００１１】
絶縁樹脂の厚さは、電子機器の軽量化や小型化、あるいは微細なビアホール形成のためには薄い方が好ましい。一方、機械的強度を確保するためや平坦性を維持するためには厚い方が好ましいことから、４μｍから１２５μｍの範囲であることが好ましい。
【００１２】
第１金属層を形成する方法としてはスパッタ法、蒸着法、無電解めっき法のいずれを用いても構わない。第１金属層の材料としては銅、金、銀等の電気伝導度の高い材料を用いる。形成される第１金属層は、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲であることが好ましい。第１金属層の厚さを３μｍ以下とすることで、後に示すエッチング（図２−（２））により不要部分の第１金属層を除去する際に、短時間でエッチングを行うことができる。また、エッチングは幅方向にも進行するため、第２金属層の下に存在する第１金属層（配線部分）の幅が細くなるおそれがある。この幅方向の減少は１μｍ以下であることが好ましく、そのためには第１金属層の厚さは０．２μｍ以下であることが好ましい。これは、エッチングされる量にはバラツキが生じるため、実際に第１金属層の不要部分全体にわたってある厚さのエッチングを行うためには、その２倍量の厚さを除去するに相当する程度のエッチングを行わなければならない。一方、配線部分の幅方向のエッチングは両側からなされるため、さらに２倍程度の減少量となる。すなわち、厚さ０．２μｍの第１金属層の不要部分を完全にエッチングしようとすると、配線部分は０．８μｍ程度細ることになるからである。一方、第１金属層を０．０１μｍ以上とすることで十分な導電性が得られ、後の工程で電界めっきによりこの上に形成される第２金属層の膜厚バラツキを抑制することができる。
【００１３】
第１金属層は単層でもよいが、複数層の金属層から形成されても良い。例えば、可撓性フィルムと密着性を確保するために、クロム、モリブデン、チタンやそれらを含む合金層を形成した上に、電気伝導率の良い銅、銀、金などの金属層を形成し、これらの複数層を合わせて給電用の第１金属層として形成しても良い。この場合、トータルの膜厚が上記範囲であることが好ましい。具体的な例としては、ポリイミドフィルム表面をプラズマ処理した後、厚さ１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下のＮｉ：Ｃｒ＝８０：２０の合金膜をスパッタにて形成した後に８０〜２００ｎｍの厚さでＣｕスパッタ層を形成して第１金属層とすることが挙げられる。
【００１４】
第２に、上記で形成された第１金属層の表面に、レジスト層として金属配線パターン用のめっきレジスト層３０１を設ける。これはフォトリソグラフィーの技術を用いて配線を配置する場所のレジストを除去することにより形成される（図１−（２））。具体的には、フォトレジストをスピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷機などで塗布して、乾燥し、次いでフォトレジストを所定パターンのフォトマスクを介して露光、現像して、めっき膜が不要な部分に３０１をレジスト層形成する。本発明では、より高解像に有利であるポジ型のフォトレジストを使用する。この工程により、上部に比べ底部が長い台形状（順テーパー）のレジストパターンが形成される。ポジ型レジスト材料としては液状でのコーティングにより成膜することが望ましい。ドライフィルムなどのフィルムのラミネートは液状レジストに比べて、第１金属層の表面との密着が弱く、レジスト幅が狭くなると剥がれやすくなるため、微細配線形成には不向きである。めっき後、レジストは溶解して剥離することが望ましい。硬化後に溶解しにくいポリイミドのような材料の場合、配線間にレジストが残り、配線間の第１金属層が除去できないため、短絡してしまう。
【００１５】
第３に、第１金属層を電解めっき給電用の電極として用いた電解めっきによって、第２金属層のパターン２０２を形成する（図１−（３））。第２金属層としては電気伝導度の高い銅、金、銀等の材料が好ましく、特に銅であることが好ましい。銅を用いる場合の電解銅めっき液としては、硫酸銅めっき液、シアン化銅めっき液およびピロリン酸銅めっき液などが用いられる。電解銅めっきの電流密度は、生産性を損なわない範囲で小さい程好ましい。電流密度が大きいほど電圧降下が大きくなり、めっき膜バラツキが大きくなるからである。硫酸銅めっき液の場合、電流密度は０．２〜２Ａ／ｄｍ２が望ましく、０．２〜１Ａ／ｄｍ２がさらに好ましい。第２金属層は、めっきレジストの存在しない部分に成長していくため、逆テーパーの形状となる。厚さは２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
第４に、露出した第２金属層をエッチング液でエッチングする。これにより、逆テーパー形状の第２金属層の上部と側面部が部分的にエッチングされ、第２金属層を矩形とすることが可能となる（図１−（４））。エッチング液は銅濃度によるエッチングレート変化の影響が少ない過酸化水素／硫酸系エッチング液を使用することが望ましく、中でも硫酸濃度が２ｗｔ．％以上、８ｗｔ．％以下かつ過酸化水素濃度が１ｗｔ．％以上、５ｗｔ．％以下であることが望ましい。硫酸濃度が２ｗｔ．％以上かつ過酸化水素濃度が１ｗｔ．％以上であれば、エッチング時間を短縮でき、良好な生産性を保つことができる。硫酸濃度が２ｗｔ．％より小さいとき、または過酸化水素が１ｗｔ．％より小さいときは、配線をエッチングするために長い時間が必要となり、レジスト下部のスパッタ層までエッチング液がしみ込み、第２金属層の下部がエッチングされやすくなるおそれがある。また、硫酸濃度が８ｗｔ．％以下かつ過酸化水素濃度が５ｗｔ．％以下であると、エッチング液の粘度が十分低く、配線とレジスト層の間へのエッチング液の浸入性が良好で、側面部を良好にエッチングできる。硫酸濃度が８ｗｔ．％より大きくなると均一なエッチングとなるため、第２金属層の下部もエッチングされてしまう可能性がある。また、エッチング時間を延ばすと、配線断面が矩形になる前に基板より配線が剥がれてしまう可能性がある。過酸化水素濃度が５ｗｔ．％を越えると、エッチングレートが早くなり、第２金属層の下部までエッチングされないでトップ角をエッチングしてしまい、配線断面が六角形になってしまう可能性がある。
【００１７】
なお、エッチング前に前処理工程を含むことが好ましい。前処理としては熱処理や紫外線照射、ＴＭＡＨ等のアルカリ洗浄がある。いずれも第２金属層とレジスト層の界面に安定した隙間を形成し、エッチング液が安定して侵入するようにすることが目的である。前処理の熱処理条件としてはレジストを収縮させるために必要な熱量が必要である。ただし、温度が高いと後工程でレジスト剥離しなくなるので、温度は８０−１２０℃で３０分程度処理することが好ましい。ただし、ポジ型レジストの物性に影響されるので、これに限定するものではない。また、紫外線照射を行う場合は、ポジ型レジストが紫外線により第２金属層との界面に隙間が形成される程度に変形することが条件であるが、５００−１０００ｍＪ／ｃｍ２程度の露光量が目安となる。アルカリ洗浄についてはレジストの耐アルカリ性によるため、一様ではないが、目安としては現像液と同等レベルの強度によるアルカリ洗浄を行うことが目安となる。前処理をしなくてもエッチングは可能であるが、隙間が安定しないため、エッチングバラツキが大きく、配線形状において収率低下する可能性がある。
【００１８】
平坦化するエッチングにするためには、供給律則となるようにエッチング液濃度を薄く、エッチングレートは早い方が好ましい。エッチング液の銅濃度は２．５ｇ／Ｌ〜１６ｇ／Ｌで管理をし、過酸化水素水の分解を抑制する目的の添加剤を適量添加する。エッチングはディッピングもしくはシャワーのどちらでも構わないが、エッチングバラツキを抑える必要がある場合は水平コンベア方式のディッピング処理が好ましい。
【００１９】
ところで、セミアディティブ法で電解めっきにて第２金属層を形成するとき、レジスト層とめっき析出する部分の接する部分はめっき液の交換性が悪いため、金属イオン供給が遅れ膜厚が薄くなることがある。このとき配線断面形状をみると、幅方向で中央部分が端部よりも厚くなる。これは膜厚均一性を重視した金属イオン濃度の低いめっき液を採用したときに起こりやすい。特に配線幅が狭くなるとレジスト開口幅が狭くなり、めっき液の交換性がより悪くなるので、配線トップが丸くなる（図１−（５））。配線トップが丸くなると、電子部品を搭載する際に横滑りを起こすことがある。
【００２０】
これに対し、本発明のエッチング工程は、逆テーパー形状を矩形に修正する際に、丸くなった配線トップを平坦化することもできる。すなわち、本発明によれば、エッチングにて配線サイドのテーパーと配線トップの平坦化を同時に行うことができる。なお、丸くなった配線トップを平坦化する点においては、めっき液の添加剤にレベリング効果の強い添加剤を使用することも好ましく、これらの技術を併用することもできる。例えば装飾めっきに使用するような染料系の添加剤やパルス電源を用いるパルスリバースめっき法を用いれば、配線トップの平坦化は可能である。
【００２１】
またレジスト層の厚みは第２金属層の厚みよりも３μｍ以上厚いことが好ましい。ただし、配線トップが丸いときは、図６のＡを第２金属層の厚みとする。これは配線トップを平坦化するのにエッチング液の液交換性の差異を利用するためである。レジスト層の厚みが第２金属層の厚みよりも３μｍ以上厚いと、配線端部（レジスト層との接触部分）に比べ配線トップにおけるエッチング液の液交換性が良くなり、平坦化するようなエッチングが可能となる。
【００２２】
露出した第２金属層をエッチング液でエッチングした後、めっきレジスト層を剥離する（図２−（１））。剥離方法としては、ＵＶ照射後に無機アルカリや有機アルカリで溶解する方法とＵＶ照射しないで有機溶剤で溶解する方法がある。
【００２３】
その後、露出した第１金属層２０１をエッチング液で除去する（図２−（２））。露出した第１金属層を除去するエッチング液としては過酸化水素／硫酸系エッチング液や過硫酸ソーダ等のエッチングレートが低いものが好ましい。エッチングレートが高いとエッチングバラツキが大きくなり、第１金属層だけでなく、第２金属層である配線まで除去してしまうからである。また、第１金属層にエッチングされにくいクロムやクロムを含む合金層を用いた場合は、クロムやクロム合金のみを選択エッチングする液でエッチングする必要がある。クロムやクロム合金のみを選択エッチングする液には塩酸とベンゾトリアゾール等のインヒビターが含まれる。インヒビターは銅に吸着されるため、第２金属層である銅配線が保護され、エッチングされない。
【００２４】
さらに第１金属層が除去された配線間の樹脂１０１の表面をエッチングする方が好ましい。これは絶縁信頼性を低下させる第１金属層の残渣を樹脂表面ごとエッチングし、完全に除去するためである（図２−（３））。樹脂表面の除去厚さは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。このとき用いるエッチング液としては濃硫酸、アルカリ系水溶液、有機溶剤、クロム酸、アルカリ過マンガン酸溶液等がある。またエッチング液を用いない方法としてプラズマアッシングによりエッチングする方法がある。
【００２５】
本発明の回路基板の製造方法は、剥離可能な有機物層を介して補強板に貼り付けた絶縁樹脂上で各工程を実施しても良い。好ましく用いられる補強板は、ソーダライムガラス、ホウケイ酸系ガラス、石英ガラスなどのガラス板、インバー合金、ステンレススチール、チタンなどの金属板、アルミナ、ジルコニアおよび窒化シリコンなどのセラミックス板やガラス繊維補強樹脂板などが挙げられる。これらは、いずれも熱膨張係数や吸湿膨張係数が小さい点で好ましい。また回路パターン製造工程の耐熱性と耐薬品性に優れている点、大面積で表面平滑性が高い基板が安価に入手しやすい点、および塑性変形しにくい点でガラス板が好ましい。中でも、アルミノホウケイ酸塩ガラスに代表されるホウケイ酸系ガラスからなるガラス板は、高弾性率でかつ熱膨張係数が小さいため、特に好ましく用いられる。
【００２６】
金属板やガラス繊維補強樹脂板を補強板に採用する場合は、長尺連続体の製造もできるが、位置精度を確保しやすい点で、枚葉式で行うことが好ましい。枚葉とは、長尺連続体でなく、個別のシート状でハンドリングされる状態を言う。
【００２７】
補強板に用いられるガラス板は、ヤング率が小さかったり厚さが薄かったりすると、可撓性フィルムの膨張、収縮力で反りやねじれが大きくなり、平坦なステージ上に真空吸着したときにガラス板が割れることがある。また、真空吸着、脱着で絶縁樹脂が変形することになり位置精度の確保が難しくなる傾向がある。一方、ガラス板が厚いと、肉厚ムラにより平坦性が悪くなることがあり、露光精度が悪くなる傾向がある。また、ロボット等によるハンドリング時に負荷が大きくなり、素早い取り回しが難しくなって生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増大する傾向がある。これらの点から、ガラス板の厚さは、０．３ｍｍから２．０ｍｍの範囲が好ましい。また、枚葉補強板であるガラス基板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、８５０ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることが好ましく、１５００ｋｇ・ｍｍ以上１９００００ｋｇ・ｍｍ以下が更に好ましく、２４００ｋｇ・ｍｍ以上１１００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲が最も好ましい。
【００２８】
補強板に金属板を用いる場合、金属板のヤング率が小さかったり厚さが薄かったりすると、絶縁樹脂の膨張力や収縮力で金属板の反りやねじれが大きくなり、平坦なステージ上に真空吸着できなくなったり、また、金属板の反りやねじれの分、絶縁樹脂が変形することにより、位置精度の保持が難しくなる。また、金属板に折れがあると、その時点で不良品になる。一方、金属板が厚いと、肉厚ムラにより平坦性が悪くなることがあり、露光精度が悪くなる。また、ロボット等によるハンドリング時に負荷が大きくなり、素早い取り回しが難しくなって生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増大する。これらの点から、金属板の厚さは、０．１ｍｍから０．７ｍｍの範囲が好ましい。また、枚葉補強板である金属基板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上１６２５６０ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることが好ましい。金属基板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、１０ｋｇ・ｍｍ以上３００００ｋｇ・ｍｍ以下であることが更に好ましく、１５ｋｇ・ｍｍ以上２０５００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることが最も好ましい。
【００２９】
本発明において、補強板は絶縁樹脂全面を固定する必要はない。絶縁樹脂上にある回路パターンの寸法精度の要求される部分のみ固定してもよい。したがって絶縁樹脂と補強板の大きさは異なっても構わない。例えば絶縁樹脂上に搭載するＩＣ等の電子部品と同等もしくは少し大きめの補強板を貼り合わせて固定しても構わない。可撓性に乏しいガラス板やセラミックス板を補強板に用いることもでき、長尺の絶縁樹脂（例えば可撓性フィルム等）を使用して長尺連続体の製造が可能である。
【００３０】
回路基板と補強板の貼り合わせに用いられる有機物層には、接着剤または粘着剤が使用される。接着剤または粘着剤としては、例えば、アクリル系またはウレタン系の再剥離剤と呼ばれる粘着剤を挙げることができる。回路基板の加工中は十分な接着力があり、剥離時は容易に剥離でき、回路基板に歪みを生じさせないために、弱粘着から中粘着と呼ばれる領域の接着力のものが好ましい。このような接着剤または粘着剤として、タック性があるシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂を使用することも可能である。
【００３１】
また、有機物層として、低温領域で接着力が減少するもの、紫外線照射で接着力が減少するものや、加熱処理で接着力が減少するものも好適に用いられる。これらの中でも、接着力の変化が大きいという点で、紫外線照射で接着力が減少する有機物が好ましく用いられる。紫外線照射で接着力が減少するものの例としては、２液架橋型のアクリル系粘着剤が挙げられる。また、低温領域で接着力が減少するものの例としては、結晶状態と非結晶状態間を可逆的に変化するアクリル系粘着剤が挙げられる。
【００３２】
本発明において、剥離力は、有機物層を介して補強板と貼り合わせた１ｃｍ幅の絶縁樹脂を剥離するときの１８０°方向ピール強度で測定される。剥離力を測定するときの剥離速度は３００ｍｍ／分とする。本発明において、剥離力は０．０９８Ｎ／ｍから９８Ｎ／ｍの範囲であることが好ましい。
【００３３】
絶縁樹脂を補強板から剥離するときの剥離力は、０．０９８Ｎ／ｍより小さいと回路パターン形成中に絶縁樹脂が有機物層から剥離するおそれがある。一方、剥離力が９８Ｎ／ｍより大きいと、回路基板が可撓性フィルムをベースとした回路基板である場合、剥離後の可撓性フィルムが変形したりカールしたりするおそれがある。剥離の界面は、補強板と有機物層との界面でも有機物層と回路基板との界面でもどちらでも良いが、回路基板から有機物層を除去する工程が省略できるので、有機物層と回路基板との界面で剥離する方が好ましい。
【００３４】
補強板と有機物層との接着力を向上させるために、補強板にシランカップリング剤塗布などのプライマー処理を行っても良い。プライマー処理以外に、紫外線処理あるいは紫外線オゾン処理などによる洗浄や、ケミカルエッチング処理、サンドブラスト処理あるいは微粒子分散層形成などの表面粗化処理なども好適に用いられる。
【００３５】
有機物層の厚さは、０．１μｍから２０μｍの範囲が好ましく、さらに好ましくは０．３μｍから１０μｍの範囲である。
【００３６】
回路基板が可撓性フィルムをベースとした回路基板である場合、可撓性フィルムは補強板への貼り合わせに先立って、調湿されていることが好ましい。可撓性フィルムは熱や湿度など環境によって膨張や収縮を繰り返す特性を有する。例えば温度や湿度で膨張した可撓性フィルムを補強板に貼り合わせ、高精度の回路パターンを形成すると、補強板からの剥離後に可撓性フィルムが収縮するために可撓性フィルム上の回路パターンの位置精度は低下する。あるいは、温度や湿度で収縮した可撓性フィルムを補強板に貼り合わせ、高精度の回路パターンを形成すると、補強板からの剥離後に可撓性フィルムが膨張するために可撓性フィルム上の回路パターンの位置精度は低下する。以上より、調湿は、０℃超、１００℃未満の温度条件、２５％ＲＨ以上７５％ＲＨ以下の湿度条件下で、可撓性フィルムを重ねないで行うことが好ましい。補強板から剥離後に可撓性フィルムの回路パターンと、電子部品や他の回路基板とを接合する際の温湿度環境がわかっている場合は、その環境に合わせることが好ましい。
【００３７】
回路基板は加工前に、熱処理されていることが好ましい。熱処理をすることによって、回路基板の製造工程の熱履歴による回路基板への熱収縮歪みが蓄積されるのを抑制することができる。熱処理温度は１００℃以上であることが好ましく、回路基板製造工程の最高温度以上であることがさらに好ましい。
【００３８】
さらに図３、４に基づいて本発明の補強板を用いた回路基板の製造方法の一例を説明する。厚さ０．７ｍｍの補強板７０２（例えばアルミノホウケイ酸塩ガラス板）に、スピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷機などで、シランカップリング剤を塗布する。間欠的に送られてくる枚葉基板に、比較的低粘度のシランカップリング剤の薄膜を均一に塗布するためには、スピンコーターの使用が好ましい。ガラス基板にシランカップリング剤塗布後、加熱乾燥や真空乾燥などにより乾燥し、厚さが２０ｎｍのシランカップリング剤層を得る。
【００３９】
次に、上記シランカップリング剤層上に、スピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷機などで、紫外線硬化型有機物７０１を塗布する。間欠的に送られてくる枚葉基板のシランカップリング剤層上に比較的粘度が高い有機物を均一に塗布するためには、ダイコーターの使用が好ましい。シランカップリング剤層上に有機物層７０１を形成後、加熱乾燥や真空乾燥などにより乾燥し、厚さ２μｍの紫外線硬化型有機物層（以下、有機物層という）を得る。この有機物層７０１に、ポリエステルフィルムルム上にシリコーン樹脂層を設けた空気遮断用フィルムを貼り付けて１週間放置させる。空気遮断用フィルムを貼り合わせる代わりに、窒素雰囲気中や真空中で保管することもできる。また、有機物層を長尺フィルム基体に塗布し、乾燥後、枚葉基板に転写することも可能である。
【００４０】
また、上記シランカップリング剤は補強板７０２の表面に塗布する代わりに、有機物層７０１に添加しても構わない。シランカップリング剤は補強板７０２に塗布しても有機物層７０１に添加しても同じ効果を得ることができる。
【００４１】
なお、有機物層７０１は、最初に可撓性フィルム側に形成されていても良いし、補強板側に形成されていても良く、両側に各々形成されていても良い。有機物層の形成が容易であり、可撓性フィルムを剥離する際に有機物層が可撓性フィルム側ではなく補強板側に残るように剥離できることから、有機物層は補強板側に形成する方が好ましい。
【００４２】
次に、上記空気遮断用フィルムを剥がして可撓性フィルム（例えばポリイミドフィルム）１０１を貼り付ける。可撓性フィルム１０１の厚さは、４μｍから１２５μｍの範囲であることが好ましい。可撓性フィルム１０１の片面または両面に金属層があらかじめ形成されていても良い。可撓性フィルム１０１の補強板貼り合わせ面側に金属層を設けておくと、電磁波遮断用のためのグラウンド層などとして利用することができる。可撓性フィルムは、あらかじめ所定の大きさのカットシートにしておいて貼り付けても良いし、長尺ロールから巻きだしながら、貼り付けと切断をしてもよい。貼り付け作業には、ロール式ラミネーターや真空ラミネーターを使用することができる。可撓性フィルム１０１を貼り付けた後、有機物層７０１に紫外線を照射して架橋を進行させる。
【００４３】
以後は、補強板を用いないときと同様のプロセスで、第１金属層２０１の形成（図３−（１））、パターン化されためっきレジスト層３０１の形成（図３−（２））、第２金属層２０２の形成（図３−（３））、第２金属層のエッチング（図３−（４））、めっきレジスト層の剥離（図４−（１））、第１金属層のエッチング（図４−（２））、および配線間の樹脂１０１の表面のエッチング（図４−（３））の各工程を行うことができる。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４５】
実施例１
図３、図４、を用いて説明する。可撓性フィルム１０１である２５μｍ厚のポリイミドフィルム（“カプトン”（商品名）１００ＥＮ  東レ・デュポン（株）製）を剥離可能な有機物層７０１（紫外線硬化型粘着剤“ＳＫダイン”ＳＷ２２  線研化学（株）製）を介して平坦なガラス板である補強板７０２に固定した。有機物層７０１は可撓性フィルム１０１を補強板７０２に固定した後に１Ｊ／ｃｍ２のＵＶ照射を行い、接着力を低下させた。
【００４６】
次に可撓性フィルム基板１０１の表面を窒素プラズマ処理した後、Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０の合金膜をスパッタで１０ｎｍ形成し、次いで銅をスパッタで１００ｎｍ形成、第１金属層２０１を形成した（図３−（１））。第１金属層２０１は電解めっき給電目的の導電層として用いた。
【００４７】
次に第１金属層２０１上に配線パターン形成用ポジ型のめっきレジスト３０１を１５μｍの厚さに形成した。めっきレジストとしては半導体素子に用いられるポジ型感光性の液状レジスト“ＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ”（東京応化工業（株））を使用し、レジスト厚１５μｍでＬ／Ｓ＝７／８μｍのめっきレジスト３０１を形成した。 “ＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ”をスピンコーターで厚み１５μｍとなるように塗布した後、９０℃で３０分のキュアを行った。次に、配線形成部に８００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線露光し、次いで３％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液で現像し、配線形成部のレジストを開口させることでめっきレジスト３０１のパターンを形成した（図３−（２））。
【００４８】
このとき、レジストパターンとしては、図５に示すようなパターンを以下のようにして形成した。インナーリード（ＩＬ）として、９ｍｍ×２ｍｍの長方形８０１の２つの長辺上に、１５μｍピッチで、１辺あたり６００個ずつ、７μｍ×５０μｍの長方形の接合パッド８０２を並べた。接合パッドの７μｍの辺を上記の９ｍｍ×２ｍｍの長方形の長辺と平行に配置し、接合パッドの５０μｍの辺の中心を長方形の長辺上に配置した。また、アウターリード（ＯＬ）として、ＩＬ長方形と中心を同じくする、３０ｍｍ×３０ｍｍの長方形８０４の２つの長辺上に、５０μｍピッチで、１辺あたり６００個ずつ、２４μｍ×５０μｍの長方形の接合パッド８０５を並べた。ＩＬ接合パッドとＯＬ接合パッドは、一対一に対応しており、幅７μｍの配線８０３で結んだ。これらを１ユニットとして、これを３３５ｍｍ×２５０ｍｍのポリイミドフィルム上に、４０ｍｍピッチで８行×６列に均等配置した。
【００４９】
次に、レジスト開口部に銅層である第２金属層を厚さ１２μｍに形成した（図３−（３））。ここで、第２金属層の厚さとは図６のＡの長さのことである。電解銅めっきは硫酸銅めっき液を用い、めっき条件は電流密度１Ａ／ｄｍ２とした。
【００５０】
次に配線断面の矩形化エッチングを行った。エッチング液は過酸化水素３ｗｔ．％、硫酸５ｗｔ．％、銅濃度６ｇ／Ｌ、添加剤としてアルメックスＰＥ社製の“ＰＴＨ−９４０”を１０ｍｌ／Ｌを添加した過酸化水素／硫酸系のエッチング液を用いた。まず、矩形化エッチングの前処理としてクリーンオーブンで８０℃、３０分の熱処理を行い、配線とレジストの界面に隙間を形成した。それから２３℃で６０秒間のエッチング液への浸隻処理にてエッチングをした。これらの処理により配線断面を矩形にした（図３−（４））。
【００５１】
次いでレジスト３０１全面に２０００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ照射をした後、５％のＴＭＡＨ水溶液でレジスト３０１を溶解剥離した（図４−（１））。
【００５２】
次に過酸化水素−硫酸系のエッチング液を用いて配線間にある第１属層２０１を除去して配線形成した。また、第１金属層の一部であるＮｉ：Ｃｒ＝８０：２０合金層は、銅をエッチングせずにクロムやクロム合金のみを選択エッチングする液（“メックリムーバー”（商品名）ＣＨ１９６０  メック（株）製）でエッチングした（図４−（２））。次に、第１金属層が除去された配線間の樹脂表面をアルカリ過マンガン酸で０．２μｍエッチングした（図４−（３））。
【００５３】
ここで、図５の接合パッド８０２の配線断面模式図を図６に示す。個々の配線断面の矩形化の目標としては配線トップ幅Ｂと配線ボトム幅Ｃの差が２μｍ以下、配線トップの丸み高低差Ｄが１μｍ以下である。ただし、同一基板内での配線幅と厚みのばらつきは平均値±２．０μｍ以内とし、平均値±２．０μｍの範囲を超えるものは不良とみなす。１ユニットに対して３本ずつ、９ユニットの計２７個の接合パッド８０２の幅、高さを測定し、値が最大となったものを表１に示した。本実施例においては、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は０．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．８μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、４０ｍｍピッチで８行×６列に４８ユニット均等配置した３３５ｍｍ×２５０ｍｍのポリイミドフィルムを２０枚分の計９６０ユニット全数の短絡、断線の外観検査を行った。短絡も断線も生じておらず、かつ配線幅が平均値±２．０μｍの範囲内にあるものを良品とし、良品の割合を収率として算出した。収率は９６％と安定した収率を得ることができた。
【００５４】
実施例２
第１金属層２０１上に配線パターン形成用ポジ型のめっきレジスト３０１を１４μｍの厚さに形成した以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。
【００５５】
表１に示すように、配線トップ幅Ｂと配線ボトム幅Ｃの差の最大値は０．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は３μｍであり、トップの丸み高低差Ｄにおいて目標の断面形状は得られなかった。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた（表１）。
【００５６】
実施例３
矩形化エッチングのエッチング液の過酸化水素濃度を１ｗｔ．％で行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は０．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．５μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００５７】
実施例４
矩形化エッチングのエッチング液の過酸化水素濃度を０．５ｗｔ．％で行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は２．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．７μｍであり、トップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差において目標の断面形状は得られなかった。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００５８】
実施例５
矩形化エッチングのエッチング液の過酸化水素濃度を５ｗｔ．％で行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は１．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．５μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００５９】
実施例６
矩形化エッチングのエッチング液の過酸化水素濃度を６ｗｔ．％で行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は２．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．５μｍであり、トップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差において目標の断面形状は得られなかった。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００６０】
実施例７
矩形化エッチングのエッチング液の硫酸濃度を２ｗｔ．％で行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は１．０μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．５μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００６１】
実施例８
矩形化エッチングのエッチング液の硫酸濃度を１ｗｔ．％で行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は２．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は１．２μｍであり、トップの丸み高低差Ｄにおいて目標の断面形状は得られなかった。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００６２】
実施例９
矩形化エッチングのエッチング液の硫酸濃度を８ｗｔ．％で行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は１．０μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．５μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００６３】
実施例１０
矩形化エッチングのエッチング液の硫酸濃度を９ｗｔ．％で行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は２．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．４μｍであり、トップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差において目標の断面形状は得られなかった。また、このときのは９５％と安定した収率を得ることができた。
【００６４】
実施例１１
第１金属層２０１上に配線パターン形成用ポジ型のめっきレジスト３０１を１７μｍの厚さに形成した以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は１μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．８μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００６５】
実施例１２
矩形化エッチングの前処理に熱処理の代わりに１０００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ照射を行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は１μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．８μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの配線形状のＡＯＩ収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００６６】
実施例１３
矩形化エッチングの前処理に熱処理の代わりに５％ＴＭＡＨ溶液で２３℃、１分の浸隻処理を行った以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は１μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．８μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００６７】
実施例１４
矩形化エッチングの前処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は１μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．８μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は７５％と低い値であった。レジスト３０１と金属層２０２の間に安定した隙間が形成できず、矩形化エッチングでエッチングされない配線があり、配線幅がばらついて収率が低かった。
【００６８】
実施例１５
可撓性フィルム１０１を補強板７０２に貼り合わせないこと以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は０．５μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．８μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。しかし、このときの収率は６５％と低い値であった。ポジ型レジストであるレジスト層３０１は堅いため、工程内で折れ曲がったときにレジスト層３０１が割れたり、剥がれたりすることで、不必要な部分に金属層２０２が形成され、短絡不良が多発したことが収率低下の原因である。
【００６９】
実施例１６
第１金属層２０１上に配線パターン形成用ポジ型のめっきレジスト３０１を１８μｍの厚さに、銅層である第２金属層２０２を１５μｍの厚さに形成した以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。
【００７０】
表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は０μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．７μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は９４％と安定した収率を得ることができた。
【００７１】
実施例１７
第１金属層２０１上に配線パターン形成用ポジ型のめっきレジスト３０１を２１μｍの厚さに、銅層である第２金属層２０２を１８μｍの厚さに形成した以外は実施例１と同様にして配線形成を行った。
【００７２】
表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は１μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は０．６μｍであり、２７個のすべての接合パッド８０２において目標の断面形状が得られた。また、このときの収率は９４％と安定した収率を得ることができた。
【００７３】
比較例１
図７、図８、を用いて説明する。可撓性フィルム１０１である２５μｍ厚のポリイミドフィルム（“カプトン”（商品名）１００ＥＮ  東レ・デュポン（株）製）を剥離可能な有機物層７０１（紫外線硬化型粘着剤“ＳＫダイン”ＳＷ２２  線研化学（株）製）を介して平坦なガラス板である補強板７０２に固定した。有機物層７０１は可撓性フィルム１０１を補強板７０２に固定した後に１Ｊ／ｃｍ２のＵＶ照射を行い、接着力を低下させた。
【００７４】
次に可撓性フィルム基板１０１の表面を窒素プラズマ処理した後、Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０の合金膜をスパッタで１０ｎｍ形成し、次いで銅をスパッタで１００ｎｍ形成、第１金属層２０１を形成した（図７−（１））。第１金属層２０１は電解めっき給電目的の導電層として用いた。
【００７５】
次に第１金属層２０１上に配線パターン形成用ポジ型のめっきレジスト３０１を１５μｍの厚さに形成した。めっきレジストとしては半導体素子に用いられるポジ型感光性の液状レジスト“ＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ”（東京応化工業（株））を使用し、レジスト厚１５μｍでＬ／Ｓ＝１０／１０μｍのめっきレジスト３０１を形成した。 “ＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ”をスピンコーターで厚み１５μｍとなるように塗布した後、９０℃で３０分のキュアを行った。次に、配線形成部に８００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線露光し、次いで３％のＴＭＡＨ水溶液で現像し、配線形成部のレジストを開口させることでめっきレジスト３０１のパターンを形成した（図７−（２））。レジストパターンは、実施例１と同様のものを形成した。
【００７６】
次に、レジスト開口部に銅層である第２金属層を厚さ１２μｍに形成した（図７−（３））。電解銅めっきは硫酸銅めっき液を用い、めっき条件は電流密度１Ａ／ｄｍ２とした。
【００７７】
次いで、配線断面の矩形化エッチングを行わずに、レジスト３０１全面に２０００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ照射をした後、５％のＴＭＡＨ水溶液でレジスト３０１を溶解剥離した（図７−（４））。
【００７８】
次に過酸化水素−硫酸系のエッチング液を用いて配線間にある第１属層２０１を除去して配線形成した。また、第１金属層の一部であるＮｉ：Ｃｒ＝８０：２０合金層は、銅をエッチングせずにクロムやクロム合金のみを選択エッチングする液（“メックリムーバー”（商品名）ＣＨ１９６０  メック（株）製）でエッチングした（図８−（１））。次に、第１金属層が除去された配線間の樹脂表面をアルカリ過マンガン酸で０．２μｍエッチングした（図８−（２））。
【００７９】
表１に示すように、配線のトップ幅Ｂとボトム幅Ｃの差の最大値は５．０μｍ、トップの丸み高低差Ｄの最大値は３．２μｍで目標の断面形状は得られなかった。また、このときの収率は９５％と安定した収率を得ることができた。
【００８０】
比較例２
可撓性フィルム１０１である２５μｍ厚のポリイミドフィルム（“カプトン”（商品名）１００ＥＮ  東レ・デュポン（株）製）を剥離可能な有機物層７０１（紫外線硬化型粘着剤“ＳＫダイン”ＳＷ２２  線研化学（株）製）を介して平坦なガラス板である補強板７０２に固定した。有機物層７０１は可撓性フィルム１０１を補強板７０２に固定した後に１Ｊ／ｃｍ２のＵＶ照射を行い、接着力を低下させた。
【００８１】
次に可撓性フィルム基板１０１の表面を窒素プラズマ処理した後、Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０の合金膜をスパッタで１０ｎｍ形成し、次いで銅をスパッタで１００ｎｍ形成、第１金属層２０１を形成した。第１金属層２０１は電解めっき給電目的の導電層として用いる。
【００８２】
次に第１金属層２０１上にめっきレジスト３０１を１５μｍの厚さに形成した。めっきレジストは東京応化（株）の”ＯＲＤＹＬ  Ｅ４７１５”（ネガ型）を使用し、配線形成部のレジストを開口させることでめっきレジスト３０１のパターンを形成した。レジストパターンは、実施例１と同様のものを形成した。
【００８３】
次に、レジスト開口部に銅層である第２金属層を厚さ８μｍに形成した。しかし、レジスト層３０１の開口部にレジスト残渣が多発したため、第２金属層形成後に配線剥がれが発生し、配線形成ができなかった。
【００８４】
【表１】
2010108964.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明の回路基板の製造方法は、例えば、電子機器の配線板、ＩＣパッケージ用インターポーザーおよびウェハレベルバーンインソケット用配線板などを作製する際に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の回路基板の一態様を示す断面図。
【図２】本発明の回路基板の一態様を示す断面図。
【図３】本発明の回路基板の一態様を示す断面図。
【図４】本発明の回路基板の一態様を示す断面図。
【図５】本発明の回路基板の実施例で使用したテストパターンを示す模式図。
【図６】配線断面形状の説明で使用した断面図。
【図７】本発明の比較例の一態様を示す断面図。
【図８】本発明の比較例の一態様を示す断面図。
【符号の説明】
【００８７】
１０１  可撓性フィルム
２０１  第１金属層
２０２  第２金属層
３０１  レジスト層
７０１  有機物層
７０２  補強板
Ａ      配線高さ
Ｂ      配線トップ幅
Ｃ      配線ボトム幅
Ｄ      トップの丸み高低差
【図１】
2010108964.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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