(57)【要約】 【課題】一つの画素を二つの副画素に分割する構造に光配向方法を適用する場合、テクスチャーの発生を減らし、表示特性を改善する。【解決手段】  本発明による液晶表示板は、基板と、前記基板上に形成されている画素電極とを有する。画素電極は、互いに分離されている第１副画素電極と第２副画素電極とを含み、前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極の上部に配置されている第１電極片、そして前記第１副画素電極の下部に配置され、前記第１副画素電極に連結された第２電極片を含む。前記第１副画素電極または前記第２副画素電極の少なくとも一辺には少なくとも一つの第１ノッチが形成されている。【選択図】図２
2010033013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、互いに分離されている第１副画素電極及び第２副画素電極を含む画素電極と、を有し、
前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極と同一平面上に配置され、前記第１副画素電極の上部側に配置されている第１電極片と、前記第１副画素電極の下部側に配置され、前記第１副画素電極に連結された第２電極片と、を含み、
前記第１副画素電極または前記第２副画素電極の少なくとも一辺には少なくとも一つの第１ノッチが形成されていることを特徴とする液晶表示板。
【請求項２】
前記少なくとも一つの第１ノッチは、前記画素電極の横中心線または縦中心線から１０μｍ以内の距離に位置することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示板。
【請求項３】
前記少なくとも一つの第１ノッチは、前記横中心線または縦中心線の上に位置することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示板。
【請求項４】
前記少なくとも一つの第１ノッチの大きさは、３μｍ×３μｍ乃至１５μｍ×１５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示板。
【請求項５】
前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極の右側で前記第１電極片と前記第２電極片を連結する第１連結片と、前記第１副画素電極の左側で前記第１電極片と前記第２電極片を連結する第２連結片と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示板。
【請求項６】
前記第１副画素電極は、一定の間隙をおいて前記第２副画素電極で囲まれていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示板。
【請求項７】
前記第１副画素電極と前記第１電極片とが前記間隙を介して対向する辺および前記第１副画素電極と前記第２電極片とが前記間隙を介して対向する辺が階段状に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示板。
【請求項８】
前記第１副画素電極と前記第１電極片とが前記間隙を介して対向する辺および前記第１副画素電極と前記第２電極片とが前記間隙を介して対向する辺の段差の一部は、前記画素電極の縦中心線上に位置することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示板。
【請求項９】
前記少なくとも一つの第１ノッチは、前記画素電極の横中心線から１０μｍ以内の距離に位置し、前記第１副画素電極の縦辺に形成された第２ノッチと、
前記画素電極の縦中心線から１０μｍ以内の距離に位置し、前記第２副画素電極の横辺に形成された第３ノッチを含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示板。
【請求項１０】
前記画素電極の角に第４ノッチが形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示板。
【請求項１１】
前記画素電極上に形成されている配向膜をさらに含み、
前記配向膜は、前記横中心線と前記縦中心線を境界として分離され、配向方向が異なる複数の配向領域を有することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示板。
【請求項１２】
前記間隙と重畳する維持電極をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示板。
【請求項１３】
前記ノッチは、三角形状、四角形状、梯形状、半円形状のいずれか一つの形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示板。
【請求項１４】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上に且つ同一平面上に形成され、間隙を介して互いに分離されている第１副画素電極及び第２副画素電極を含む画素電極と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第２基板上に形成されている共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に位置する液晶層とを有し、
前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極の上部側に配置された第１電極片と、前記第１副画素電極の下部側に配置され、前記第１電極片と連結された第２電極片と、前記第１副画素電極の右側で前記第１電極片と前記第２電極片を連結する第１連結片と、前記第１副画素電極の左側で前記第１電極片と前記第２電極片を連結する第２連結片と、を含み、
前記第２副画素電極の上辺および下辺の中央付近と、前記第１副画素電極の左辺および右辺の中央付近には第１ノッチが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記液晶層は、対向する第１ノッチを連結する線付近を境界として、配向方向の異なる４つの領域を含むことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１ノッチは、前記液晶層の領域境界から１０μｍ以内の距離に位置することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記画素電極の角に第２ノッチが形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１および第２ノッチの大きさは、３μｍ×３μｍ乃至１５μｍ×１５μｍであることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第１副画素電極と前記第１電極片とが前記間隙を介して対向する辺および前記第１副画素電極と前記第２電極片とが前記間隙を介して対向する辺が階段状に形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間に位置する維持電極をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置およびこれに使用される表示板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も広く用いられている平板表示装置（フラットパネルディスプレイ）の一つであって、電場生成電極が形成されている２枚の表示板とその間に挟持された液晶層とからなり、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００３】
このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直になるように配列した垂直配向モードの液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、基準視野角が広いことから注目を集めている。
このような垂直配向モードの液晶表示装置の広視野角を実現するために、一つの画素に液晶の配向方向が異なる複数のドメイン（ｄｏｍａｉｎ）を形成することができる。
【０００４】
このように一つの画素に複数のドメインを形成する手段としては、電場生成電極に切開部を形成する方法がある。この方法は、切開部のエッジ（ｅｄｇｅ）とこれと対向する電場生成電極との間に形成されるフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）により液晶がフリンジフィールドに対して垂直方向に配向されて、複数のドメインを形成することができる。
【０００５】
しかし、このような構造は開口率が低下するだけでなく、切開部の近くに位置した液晶はフリンジフィールドに対して垂直方向に容易に配向されるが、切開部から遠く離れた中央部に位置する液晶は、ランダムモーション（ｒａｎｄｏｍ  ｍｏｔｉｏｎ）によって応答速度が遅くなり、逆ドメインが成長発生して瞬間的な残像現象が見られる。
一つの画素に複数のドメインを形成する他の手段としては、配向膜に光を照射して液晶の配向方向および配向角度を制御する光配向方法がある。光配向方法は、電場生成電極に切開部を形成する必要がなく、開口率を高めることができ、かつ光配向時に発生する先傾斜角（ｐｒｅｔｉｌｔ  ａｎｇｌｅ）により液晶の応答時間も改善することができる。
【０００６】
一方、垂直配向モードの液晶表示装置は、前面視認性に比べて側面視認性が劣っているが、これを解決するために一つの画素を二つの副画素に分割し、二つの副画素の電圧を異ならせる方法が提示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、光配向方法を二つの副画素に分割した構造に適用する場合、光配向によって決定される液晶の配向方向と、二つの副画素間のギャップで発生するフリンジフィールドによる液晶の配向方向が相違する部分が存在し、その部分でテクスチャーが発生し得る。このようなテクスチャーは、透過率を低下させ、かつムラとして視認されるなど表示特性を悪化させる。
【０００８】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、一つの画素を二つの副画素に分割する構造に光配向方法を適用する場合、テクスチャーの発生を減らし、表示特性を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施例による液晶表示板は、基板と、前記基板上に形成されている画素電極とを有する。画素電極は、互いに分離されている第１副画素電極と第２副画素電極とを含み、前記第２副画素電極は、前前記第１副画素電極と同一平面上に配置され、前記第１副画素電極の上部側に配置されている第１電極片と、前記第１副画素電極の下部側に配置され、前記第１副画素電極に連結された第２電極片と、を含む。前記第１副画素電極または前記第２副画素電極の少なくとも一辺には少なくとも一つの第１ノッチが形成されていることを特徴とする。
【００１０】
前記少なくとも一つの第１ノッチは、前記画素電極の横中心線または縦中心線から１０μｍ以内の距離に位置してもよい。
前記少なくとも一つの第１ノッチの大きさは３μｍ×３μｍ乃至１５μｍ×１５μｍであってもよい。
前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極の右側で前記第１電極片と前記第２電極片を連結する第１連結片、そして前記第１副画素電極の左側で前記第１電極片と前記第２電極片を連結する第２連結片をさらに含んでもよい。
【００１１】
前記第１副画素電極は、一定の間隙をおいて前記第２副画素電極で囲まれていてもよい。
前記第１副画素電極と前記第１電極片とが前記間隙を介して対向する辺および前記第１副画素電極と前記第２電極片とが前記間隙を介して対向する辺が階段状に形成されていてもよく、前記画素電極の縦中心線上に階段状の辺の一部があってもよい。
【００１２】
前記少なくとも一つの第１ノッチは、前記画素電極の横中心線から１０μｍ以内の距離に位置し、前記第１副画素電極の縦辺に形成された第２ノッチと、前記画素電極の縦中心線から１０μｍ以内の距離に位置し、前記第２副画素電極の横辺に形成された第３ノッチを含んでもよい。
前記画素電極の角に第４ノッチが形成されていてもよい。
【００１３】
前記画素電極上に形成されている配向膜をさらに含み、前記配向膜は前記横中心線と前記縦中心線を境界として分離され、配向方向が異なる複数の配向領域を有してもよい。
前記間隙と重畳する維持電極をさらに有してもよい。
前記ノッチは、三角形状、四角形状、梯形状、半円形状のいずれか一つの形状に形成されることができる。
【００１４】
本発明の一実施例による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に且つ同一平面上に形成され、間隙を介して互いに分離されている第１副画素電極及び第２副画素電極を含む画素電極と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第２基板上に形成されている共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に位置する液晶層とを有する。前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極の上部側に配置された第１電極片と、前記第１副画素電極の下部側に配置され、前記第１副画素電極と連結された第２電極片と、前記第１副画素電極の右側で前記第１電極片と前記第２電極片を連結する第１連結片と、前記第１副画素電極の左側で前記第１電極片と前記第２電極片を連結する第２連結片を含む。前記第２副画素電極の上辺および下辺の中央付近と、前記第１副画素電極の左辺および右辺の中央付近には第１ノッチが形成されていることを特徴とする。
【００１５】
前記液晶層は、対向する第１ノッチを連結する線付近を境界として、配向方向の異なる４つの領域を含んでもよい。
前記第１ノッチは、前記液晶層の領域境界から１０μｍ以内の距離に位置してもよい。
前記画素電極の角に第２ノッチが形成されてもよい。
前記第１および第２ノッチの大きさは、３μｍ×３μｍ乃至１５μｍ×１５μｍであってもよい。
【００１６】
前記第１副画素電極と前記第１電極片とが前記間隙を介して対向する辺および前記第１副画素電極と前記第２電極片とが前記間隙を介して対向する辺が階段状に形成してもよい。
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間に位置する維持電極をさらに有することもできる。
【発明の効果】
【００１７】
上記のように画素電極にノッチを設けることにより、各配向領域の液晶分子を速やかに安定化させることができる。また、光配向によって決定される液晶の配向方向と、二つの副画素の間の間隙で発生するフリンジフィールドによる液晶の配向方向が相違する部分で発生するテクスチャーを効果的に隠して透過率を高めることができ、テクスチャーがムラとして視認されるのを防止し、表示特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施例による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図２】本発明の一実施例による液晶表示装置の画素電極の配置図である。
【図３】図２に示す画素電極を含む液晶表示装置の図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】本発明の他の実施例による画素電極の配置図である。
【図５】本発明の他の実施例による画素電極の配置図である。
【図６】本発明の他の実施例による画素電極の配置図である。
【図７】本発明の一実施例による液晶表示装置の配置図である。
【図８】図７の液晶表示装置から画素電極を分離して示す配置図である。
【図９】図７の液晶表示装置から維持電極線を分離して示す配置図である。
【図１０】図７の液晶表示装置における画素電極上の液晶配向方向を示す配置図である。
【図１１】図７の液晶表示装置のＸＩ-ＸＩ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
添付の図面を用いて、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２０】
まず、図１乃至図３を参照して、本発明の一実施例による液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図であり、図２は、本発明の一実施例による液晶表示装置の画素電極の配置図であり、図３は、図２に示す画素電極を含む液晶表示装置の図２のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４乃至図６は、本発明の他の実施例による画素電極の配置図である。
【００２１】
図１に示すように、本発明の一実施例による液晶表示装置は、複数の信号線（１２１、１３１、１７１ａ、１７１ｂ）およびこれに接続されている画素（ｐｉｘｅｌ）（ＰＸ）を含む。これに対し、図２および図３に示される構造によれば、本実施例による液晶表示装置は、対向する下部表示板１００と上部表示板２００、およびその間に挟持された液晶層３を含む。下部表示板１００には画素電極１９１が形成されており、上部表示板２００には共通電極２７０が形成されており、画素電極１９１と共通電極２７０の上にはそれぞれ配向膜（１１、２１）が形成されている。画素電極１９１は、互いに分離された第１および第２副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）を含む。
【００２２】
信号線（１２１、１３１、１７１ａ、１７１ｂ）は、下部表示板１００に備えられており、ゲート信号を伝達するゲート線１２１、データ電圧を伝達する１対のデータ線（１７１ａ、１７１ｂ）、および維持電圧が印加される維持電極線１３１を含む。
各画素（ＰＸ）は、１対の副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）を含み、各副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）は、スイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）と液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）およびストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）を含む。
【００２３】
スイッチング素子（Ｑａ／Ｑｂ）は、下部表示板１００に備えられている三端子素子として、ゲート電極はゲート線１２１に接続されており、ソース電極はデータ線（１７１ａ／１７１ｂ）に接続されており、ドレイン電極は液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ／Ｃｌｃｂ）およびストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ／Ｃｓｔｂ）に接続されている。
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ／Ｃｌｃｂ）は、下部表示板１００の副画素電極（１９１ａ／１９１ｂ）と上部表示板２００の共通電極２７０を二つの端子とし、二つの電極（１９１ａ／１９１ｂ、２７０）間の液晶層３は誘電体として機能する。副画素電極（１９１ａ／１９１ｂ）は、スイッチング素子（Ｑａ／Ｑｂ）に接続され、共通電極２７０は、上部表示板２００の全面に形成され共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。
【００２４】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ／Ｃｌｃｂ）の補助的な役割をするストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ／Ｃｓｔｂ）は、下部表示板１００に具備された維持電極線１３１と画素電極（１９１ａ／１９１ｂ）が絶縁体を介してオーバーラップして構成される。ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ／Ｃｓｔｂ）は必要に応じて省略してもよい。
図２を参照すれば、画素電極１９１は縦方向に長い長方形であり、第１副画素電極１９１ａは、間隙を介して第２副画素電極１９１ｂで囲まれている。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとは同一平面上にある。
【００２５】
第１副画素電極１９１ａは、図面上縦方向に長い同じ長方形２つを図面上縦方向の位置をずらしてくっ付けた形状を有しており、長方形２つを正確にくっ付けるとほぼ正四角形になる。しかし、第１副画素電極１９１ａの横と縦の長さの比は異なり得る。
第２副画素電極１９１ｂは、幅がほぼ一定な間隙９１を介在して第１副画素電極１９１ａを囲み、データ線に沿う方向において第１副画素電極１９１ａの一方側（図面上の上側）に位置する上部電極片１９１ｂ１、データ線に沿う方向において第１副画素電極１９１ａの他方側（図面上の下側）に位置する下部電極片１９１ｂ２、およびゲート線に沿う方向において第１副画素電極１９１ａの両側（図面上第１副画素電極１９１ａの左右）で上部電極片１９１ｂ１，下部電極片１９１ｂ２を連結する連結片１９１ｂ１２を含む。第１副画素電極１９１ａは縦方向に長い同じ長方形２つが縦方向にずれてくっ付いている形態であるので、第１副画素電極１９１ａと上部電極片１９１ｂ１の間隙９１を介して対向する辺及び第１副画素電極１９１ａと下部電極片１９１ｂ２の間隙９１を介して対向する辺は階段状に形成し得る。このような階段状の段差を形成する辺の少なくとも一部は画素電極１９１の縦中心線上に位置することができる。
【００２６】
第２副画素電極１９１ｂは、第１副画素電極１９１ａより大きく、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの縦の長さの比を調節することによって所望の面積比にすることができる。例えば、第２副画素電極１９１ｂの面積が第１副画素電極１９１ａの面積のほぼ２倍である場合、第１副画素電極１９１ａ、上部電極片１９１ｂ１および下部電極片１９１ｂ２がいずれも同じ面積を有することができる。
【００２７】
第１副画素電極１９１ａの左側辺と右側辺の中央付近と、第２副画素電極１９１ｂの上辺と下辺の中央付近にはノッチ（ｎｏｔｃｈ）９７が形成されている。図２に示されるノッチは、内側に凹んだ三角形であるが、図４乃至図６に示すように、四角形状、梯形状、半円形状であってもよい。この他にも曲線形、スリット形など、多様な形状があり、外側に突出した形状も場合によっては可能である。ノッチ９７の数や大きさは、必要に応じて変更できる。
【００２８】
画素電極１９１の角にもノッチ８が四角形に形成されている。
液晶層３は、負の誘電率異方性を有し垂直配向されている。基板（１１０、２１０）の外側面にはそれぞれ偏光子（図示せず）が付着され、偏光子の偏光軸は、互いに直交し、横および縦方向に対して約４５度傾いている。
液晶層３に電場がない場合、つまり画素電極１９１と共通電極２７０の間に電圧差がない場合、液晶分子３１は配向膜（１１、２１）表面に対して垂直であるか、垂直より僅か傾いている状態であってもよい。
【００２９】
このように、画素電極１９１と共通電極２７０との間に電位差が生じれば、表示板（１００、２００）の面に対してほぼ垂直な電場が液晶層３に生成される（以下、画素電極１９１および共通電極２７０を合わせて「電場生成電極（ｆｉｅｌｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と称する）。これにより、液晶層３の液晶分子３１は電場に応答してその長軸が電場の方向に対して垂直に傾き、液晶分子３１が傾いた程度に応じて液晶層３に入射された光の偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は、偏光子により透過率の変化として現れ、これによって液晶表示装置は画像を表示する。
【００３０】
液晶分子３１が傾く方向は、配向膜（１１、２１）特性によって変わるが、例えば、配向膜（１１、２１）に偏光方向が相違する紫外線を照射したり、傾くように照射することによって液晶分子３１の傾斜方向を決定することができる。
画素電極１９１の上にある液晶層３部分は、液晶分子３１が傾く方向によって左上、右上、右下および左下の４つ領域（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４）に分けられる。この領域Ｄ１〜Ｄ４は、画素電極１９１の横中心線ＢＴと縦中心線ＢＬを境界とし、大きさがほぼ同一である。このとき、横および縦方向に隣接した領域（Ｄ１〜Ｄ４）にある液晶分子３１の傾斜方向は約９０度をなし、対角線に沿って隣接した領域にある液晶分子３１の傾斜方向は互いに逆である。
【００３１】
図２の矢印部分は、液晶分子３１が傾く方向を示すもので、左上領域Ｄ１では右上方向に、右上領域Ｄ２では右下方向に、右下領域Ｄ３では左下方向に、左下領域Ｄ４では左上方向に傾いている。
しかし、この４つ領域Ｄ１〜Ｄ４の傾く方向は、これに限定されるものではない。また、液晶分子３１の傾斜方向が４つではなく、これより多くても少なくてもよい。
【００３２】
ここで、ノッチ９７は、中心線（ＢＴ、ＢＬ）付近に位置するが、中心線（ＢＴ、ＢＬ）から約１０μｍ範囲から離れないことが好ましく、さらに好ましくは中心線上に位置する。この範囲を離れると、領域Ｄ１〜Ｄ４の大きさに差が生じて視野角に不均一が発生する可能性がある。ノッチ９７は、液晶分子３１が傾く際に、速やかに傾斜方向が決定されるようにする。要するに、ノッチ９７がない場合は、電場が印加されたとき、液晶分子が傾く領域Ｄ１〜Ｄ４の境界が不明確であったり境界確定が遅れたりするが、ノッチ９７がある場合は、ノッチ９７が特異点（ｓｉｎｇｕｌａｒ  ｐｏｉｎｔ）の役割をして、ノッチ９７を境界として液晶分子３１が傾く方向が速やかに変わる。画素電極１９１の角にあるノッチ９８も同様、液晶分子３１が傾く方向を速やかに決定させて、液晶分子３１配列の安定化が速い。ノッチ（９７、９８）の大きさは、約３μｍ×３μｍ〜１５μｍ×１５μｍであるが、これより小さいか大きいときは特異点としての機能を果たせないこともある。
【００３３】
このように、液晶分子が傾く方向を様々にすることで液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
一方、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂには互いに異なる電圧が印加されるが、共通電圧Ｖｃｏｍからの大きさは、第１副画素電極１９１ａの相対電圧が第２副画素電極１９１ｂの相対電圧より一般的に大きい。液晶分子の傾く角度は電場の強さによって変わるが、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの電圧が異なることから、二つの副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の上にある液晶分子３１の傾斜角度が異なる。
【００３４】
このように、液晶層３の各領域Ｄ１〜Ｄ４は、第１副画素電極１９１ａの上の第１副領域（Ｄ１ａ、Ｄ２ａ、Ｄ３ａ、Ｄ４ａ）と第２副画素電極１９１ｂの上の第２副領域（Ｄ１ｂ、Ｄ２ｂ、Ｄ３ｂ、Ｄ４ｂ）とに分かれる。第１副画素電極１９１ａの相対電圧が高く、図３に示すように、第１副領域（Ｄ１ａ〜Ｄ４ａ）の液晶分子３１は、第２副領域（Ｄ１ｂ〜Ｄ４ｂ）の液晶分子３１に比べて傾きが大きい。
【００３５】
このようにして二つの副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）の輝度が異なるようになり、これら輝度合計が画素（ＰＸ）の輝度になる。従って、二つの副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）に印加された電圧は、画素（ＰＸ）の輝度が希望とする値になるような値であることが必要である。即ち、二つの副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）に印加された電圧は、一つの画素（ＰＸ）に対する画像信号から分離されたものである。
【００３６】
一方、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの電圧を適宜調整する、側面からの画像を正面からの画像に最大に近づけることが可能になり、この結果、側面視認性を向上させることができる。
以下、本発明の他の実施例による液晶表示装置について図７乃至図１１を参照して詳細に説明する。
【００３７】
図７は、本発明の一実施例による液晶表示装置の配置図である。図８は、図７の液晶表示装置の維持電極線を分離して示す配置図である。図９は、図７の液晶表示装置の画素電極を分離して示す配置図である。図１０は、図７の液晶表示装置の画素電極上の液晶の配向方向を示す配置図である。図１１は、図７の液晶表示装置のＸＩ-ＸＩ線に沿った断面図である。
【００３８】
図７乃至図１１を参照すれば、本実施例による液晶表示装置は、下部表示板（薄膜トランジスタ表示板）１００と、上部表示板（共通電極表示板）２００および液晶層３を含む。
まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
絶縁基板１１０の上にゲート線１２１および維持電極線１３１を含むゲート導電体が形成されている。
【００３９】
ゲート線１２１は主に横方向に延びており、上に突出した第１および第２ゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）と広い幅の端部１２９を含む。
維持電極線１３１は主に横方向に延びており、二つのゲート線１２１の間に位置している。
図９を参照すれば、維持電極線１３１は、開放された四角形帯状の維持電極１３７と、これに接続されている連結部１３６を含む。維持電極１３７は、横電極（１３３、１３４ａ、１３４ｂ）および縦電極１３５を含み、横電極（１３３、１３４ａ、１３４ｂ）は、縦電極１３５より帯の幅が広い。横電極（１３３、１３４ａ、１３４ｂ）は、上部電極１３３と右下部電極１３４ａおよび左下部電極１３４ｂを含む。上部電極１３４ａの一端と右下部電極１３４ａの一端が一つの縦電極１３５に接続されており、上部電極１３４ａの他端と左下部電極１３４ｂの一端が他の縦電極１３５に接続されている。右下部電極１３４ａと左下部電極１３４ｂの他端は、距離を置いて互いに離れて開放された四角形状を形成する。連結部１３６は、ほぼ縦電極１３５の中央に連結されている。
【００４０】
ゲート導電体（１２１、１３１）の上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０の上には第１および第２線状半導体（１５１ａ、１５１ｂ）（図では１５１ａのみ示されているが、説明の便宜上１５１ｂを付ける）が形成されている。第１／第２線状半導体（１５１ａ／１５１ｂ）は主に縦方向に延びており、第１／第２ゲート電極（１２４ａ／１２４ｂ）に向かって延びる第１／第２突出部（１５４ａ／１５４ｂ）を含む。
【００４１】
第１線状半導体１５１ａの上には第１線状オーミックコンタクト部材１６１ａおよび第１島状オーミックコンタクト部材１６５ａが形成されている。第１線状オーミックコンタクト部材１６１ａは突出部１６３ａを含み、第１突出部１６３ａと第１島状オーミックコンタクト部材１６５ａは対をなして第１突出部１５４ａの上で対向する。
第２線状半導体１５１ｂの上には第２線状オーミックコンタクト部材（図示せず）および第２島状オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。第２線状オーミックコンタクト部材も同様、突出部（図示せず）を含み、この突出部と第２島状オーミックコンタクト部材が対をなして第２突出部１５４ｂの上で対向する。
【００４２】
第１線状オーミックコンタクト部材１６１ａの上には第１データ線１７１ａが形成されており、第１島状オーミックコンタクト部材１６５ａの上には第１ドレイン電極１７５ａが形成されている。第２線状オーミックコンタクト部材の上には第２データ線１７１ｂが形成されており、第２島状オーミックコンタクト部材の上には第２ドレイン電極１７５ｂが形成されている。
【００４３】
第１および第２データ線（１７１ａ、１７１ｂ）は主に縦方向に延びて、ゲート線１２１および維持電極線１３１の連結部１３６と交差する。第１／第２データ線（１７１ａ／１７１ｂ）は、第１／第２ゲート電極（１２４ａ／１２４ｂ）に向かって延びている第１／第２ソース電極（１７３ａ／１７３ｂ）と広い端部（１７９ａ１７９ｂ）を含む。
第１／第２ドレイン電極（１７５ａ／１７５ｂ）は、第１／第２ゲート電極（１２４ａ／１２４ｂ）の上で第１／第２ソース電極（１７３ａ／１７３ｂ）の曲がる部分で一部覆われた一端部から上に延びている。
【００４４】
第１オーミックコンタクト部材（１６１ａ、１６５ａ）は、その下の第１半導体１５１ａとその上の第１データ線１７１ａおよび第１ドレイン電極１７５ａの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。第２オーミックコンタクト部材は、その下の第２半導体１５１ｂとその上の第２データ線１７１ｂおよび第２ドレイン電極１７５ｂの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。第１線状半導体１５１ａは、第１データ線１７１ａ、第１ドレイン電極１７５ａおよび第１オーミックコンタクト部材（１６１ａ、１６５ａ）と実質的に同一の平面形状を有する。第２線状半導体１５１ｂは、第２データ線１７１ｂ、第２ドレイン電極１７５ｂおよび第２オーミックコンタクト部材と実質的に同一の平面形状を有する。しかし、半導体（１５１ａ、１５１ｂ）にはソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の間をはじめとして、データ線（１７１ａ、１７１ｂ）およびドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）で覆われずに露出した部分が存在する。
【００４５】
第１および第２データ線（１７１ａ、１７１ｂ）と第１および第２ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）および露出した半導体（１５１ａ、１５４ｂ）部分の上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁物からなる下部膜１８０ｐと上部膜１８０ｑを含む。下部膜１８０ｐと上部膜１８０ｑのうち少なくとも一つは省略してもよい。
【００４６】
保護膜１８０にはデータ線（１７１ａ、１７１ｂ）の端部（１７９ａ、１７９ｂ）を露出させるコンタクトホール（コンタクトホール）（１８２ａ、１８２ｂ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の広い端部を露出させるコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１が形成されている。
【００４７】
下部膜１８０ｐと上部膜１８０ｑの間にはカラーフィルタ２３０が形成されている。
カラーフィルタ２３０にはコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が通過する貫通孔（２３５ａ、２３５ｂ）が形成され、貫通孔（２３５ａ、２３５ｂ）はコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）より大きい。カラーフィルタ２３０にはまた、維持電極１３７の上に位置する複数の開口部（２３３ａ、２３３ｂ、２３４ａ、２３４ｂ）が形成されている。開口部（２３３ａ、２３３ｂ）は上部電極１３３の上に位置し、開口部（２３４ａ、２３４ｂ）は、各々右下部電極１３４ａおよび左下部電極１３４ｂの上に位置する。
【００４８】
保護膜１８０の上部膜１８０ｑの上には画素電極１９１および複数のコンタクト補助部材（８１、８２ａ、８２ｂ）が形成されている。
図９に示すように、本実施例による画素電極１９１は、図２に示す画素電極１９１と実質的に同一の形状を有する。簡単に説明すれば、画素電極１９１は、間隙９１を間に置く第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂを含み、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの辺および角にはノッチ（９７、９８）が形成されている。
【００４９】
第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの間の間隙９１は、維持電極１３７とオーバーラップする。維持電極１３７は、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの間の光漏れを防止するとともに、光配向によって発生するテクスチャーを防止する。一方、光配向によるテクスチャーは、間隙を中心に液晶分子が倒れる方向で発生する。例えば、図１０でテクスチャーが発生する位置は第１副画素電極１９１ａの左上部分および右下の部分、第２副画素電極１９１ｂの右上部分および左下部分である。これにより、第１副画素電極１９１ａの左半部を上に上げ、右半部を下に下げると、第１副画素電極１９１ａのテクスチャーの発生領域と第２副画素電極１９１ｂのテクスチャーの発生領域が一直線上に位置することになる。よって、簡単で小さい面積の維持電極１３７でもテクスチャーの発生領域を効率よく隠すことができる。
【００５０】
画素電極１９１はまた、維持電極１３７とオーバーラップしてストレージキャパシタを形成する。即ち、第１副画素電極１９１ａは、上部電極１３３および右下部電極１３４ａとオーバーラップして、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ）を形成し、第２副画素電極１９１ｂは、上部電極１３３および左下部電極１３４ａとオーバーラップして、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔｂ）を形成する。このとき、カラーフィルタ２３０の開口部（２３３ａ、２３４ａ）では画素電極１９１と維持電極１３７が保護膜１８０のみを介在してオーバーラップしてストレージキャパシタの静電容量が大きくなる。
【００５１】
第１／第２ゲート電極（１２４ａ／１２４ｂ）、第１／第２線状半導体（１５１ａ／１５１ｂ）の第１／第２突出部（１５４ａ／１５４ｂ）、第１／第２ソース電極（１７３ａ／１７３ｂ）および第１／第２ドレイン電極（１７５ａ／１７５ｂ）は、第１／第２薄膜トランジスタ（Ｑａ／Ｑｂ）を構成し、第１／第２ドレイン電極（１７５ａ／１７５ｂ）は、コンタクトホール（１８５ａ／１８５ｂ）を介して第１／第２副画素電極（１９１ａ／１９１ｂ）に接続されている。
【００５２】
コンタクト補助部材（８１、８２ａ、８２ｂ）は、コンタクトホール（１８１、１８２）を介してゲート線１２１の端部１２９とデータ線１７１の端部（１７９ａ、１７９ｂ）にそれぞれ接続されている。コンタクト補助部材（８１、８２ａ、８２ｂ）は、ゲート線１２１の端部１２９またはデータ線１７１の端部（１７９ａ、１７９ｂ）と駆動集積回路などの外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
【００５３】
以下、共通電極表示板２００について説明する。
絶縁基板２１０の上に複数の遮光部材２２０が形成されており、遮光部材２２０の上には平坦化膜２５０が形成されており、平坦化膜２５０の上には共通電極２７０が形成されている。但し、図７には、便宜上遮光部材２２０が示されていない。
薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００の対向面にはそれぞれ配向膜（１１、２１）が形成されている。
【００５４】
以上、本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明の技術的範囲は上記の実施例には限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲で定義されている本発明の基本概念を利用して多様な変形及び改良が可能であろう。それらの変形及び改良形態も本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００５５】
１００    下部表示板
２００    上部表示板
３    液晶層
１９１    画素電極
２７０    共通電極
１９１    画素電極
１９１ａ／１９１ｂ    副画素電極
１１、２１    配向膜 
１２１、１３１、１７１ａ、１７１ｂ    信号線
９７、９８    ノッチ
１８０    保護膜
２３０    カラーフィルタ
１８５ａ、１８５ｂ    コンタクトホール
２３５ａ、２３５ｂ    貫通孔
２３３ａ、２３３ｂ    開口部
８１、８２ａ、８２ｂ    コンタクト補助部材
【図１】
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【図２】
2010033013.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010033013.tif 000006
【図５】
2010033013.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010033013.tif 000009
【図８】
2010033013.tif 000010
【図９】
2010033013.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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