(57)【要約】      （修正有）【課題】柱状電極および樹脂封止膜を有する半導体装置を配線基板上にフェイスダウン方式で実装した半導体装置の実装構造において、半導体装置の樹脂封止膜と配線基板の絶縁基板との熱膨張係数差に起因する応力を小さくする。【解決手段】半導体装置１において、封止膜１２の下面には、タングステン酸ジルコニウム、シリコン酸化物、マンガン窒化物のいずれかによって形成された負膨張層１３が設けられている。配線基板１６の絶縁基板１７は、熱膨張係数がエポキシ樹脂等からなる封止膜１２の熱膨張係数よりも小さい材料、例えば、シリコン、窒化アルミニウム、アルミナ、アラミド不織布基材エボキシ樹脂のいずれかによって形成されている。これにより、半導体装置１の封止膜１２と配線基板１６の絶縁基板１７との熱膨張係数差に起因する応力を小さくすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板下に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜下に設けられた複数の配線と、前記配線の接続パッド部下に設けられた柱状電極と、前記柱状電極の周囲に設けられた樹脂封止膜と、前記樹脂封止膜の下面、上面および内部のいずれかに設けられた負膨張層と、を備えた半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記負膨張層は、前記柱状電極の下面を除く前記樹脂封止膜の下面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記樹脂封止膜および前記負膨張層は、前記柱状電極の周囲に設けられ、前記半導体基板側から、第１の樹脂封止膜、負膨張層、第２の樹脂封止膜の順に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記負膨張層は、前記配線を含む前記絶縁膜の下面および前記柱状電極の外周面に設けられ、前記樹脂封止膜は、前記絶縁膜の下面に設けられた前記負膨張層の下面および前記柱状電極の外周面に設けられた前記負膨張層の周囲に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記負膨張層は、タングステン酸ジルコニウム、シリコン酸化物、マンガン窒化物のいずれかによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記負膨張層の厚さは、０．５〜１００μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体基板と、前記半導体基板下に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜下に設けられた複数の配線と、前記配線の接続パッド部下に設けられた柱状電極と、前記柱状電極の周囲に設けられた樹脂封止膜と、前記樹脂封止膜の下面、上面および内部のいずれかに設けられた負膨張層と、を備えた半導体装置と、
熱膨張係数が前記樹脂封止膜の熱膨張係数よりも小さい材料からなる絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた複数の接続パッドとを備えた前記配線基板と、
を有し、
前記半導体装置の柱状電極と、前記配線基板の接続パッドとが半田層によって接合されていることにより、実装されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記負膨張層は、前記柱状電極の下面を除く前記樹脂封止膜の下面に設けられていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項９】
請求項７に記載の発明において、前記樹脂封止膜および前記負膨張層は、前記柱状電極の周囲に設けられ、前記半導体基板側から、第１の樹脂封止膜、負膨張層、第２の樹脂封止膜の順に設けられていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１０】
請求項７に記載の発明において、前記負膨張層は、前記配線を含む前記絶縁膜の下面および前記柱状電極の外周面に設けられ、前記樹脂封止膜は、前記絶縁膜の下面に設けられた前記負膨張層の下面および前記柱状電極の外周面に設けられた前記負膨張層の周囲に設けられていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１１】
請求項７に記載の発明において、前記負膨張層は、タングステン酸ジルコニウム、シリコン酸化物、マンガン窒化物のいずれかによって形成されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、前記負膨張層の厚さは、０．５〜１００μｍであることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１３】
請求項７に記載の発明において、前記配線基板の絶縁基板は、シリコン、窒化アルミニウム、アルミナ、アラミド不織布基材エボキシ樹脂のいずれかによって形成されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の実装構造には、ＣＳＰ（Chip Size
Package）と呼ばれる半導体装置を配線基板上にフェイスダウン方式で実装したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この場合、半導体装置はシリコン基板下に設けられた複数の柱状電極の周囲に封止膜が設けられた構造となっているが、シリコン基板と封止膜との熱膨張係数差に起因する応力を小さくするため、封止膜は３層構造となっている。
【０００３】
すなわち、封止膜は、シリコン基板側から順に、エポキシ樹脂中にシリカ粒子が多く混入されてなる第１の封止膜と、エポキシ樹脂中にシリカ粒子が少し混入されてなる第２の封止膜と、エポキシ樹脂のみからなる第３の封止膜とからなる３層構造となっている。この場合、第１の封止膜の熱膨張係数はシリコン基板の熱膨張係数に近い値とされている。第２の封止膜の熱膨張係数は、第１の封止膜の熱膨張係数と第３の封止膜の熱膨張係数との中間の値とされている。
【０００４】
一方、配線基板は絶縁基板を有し、絶縁基板の上面には複数の接続パッドが設けられている。そして、半導体装置は、その柱状電極の下面に設けられた半田バンプを配線基板の接続パッドに接合されていることにより、配線基板上にフェイスダウン方式で実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２２０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、配線基板の絶縁基板としてガラス布基材エポキシ樹脂からなるものを用いる場合には、その熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃であるので、半導体装置のエポキシ樹脂のみからなる第３の封止膜の熱膨張係数１０〜１５ｐｐｍ／℃に近い値であり、半導体装置の第３の封止膜と配線基板の絶縁基板との熱膨張係数差に起因する応力を小さくすることができる。
【０００７】
しかしながら、配線基板の絶縁基板として、熱膨張係数が半導体装置の樹脂封止膜の熱膨張係数よりも小さい材料（例えば、熱膨張係数２〜３ｐｐｍ／℃のシリコン）からなるものを用いる場合には、半導体装置の樹脂封止膜と配線基板の絶縁基板との熱膨張係数差に起因する応力が比較的大きくなり、半導体装置の樹脂封止膜と配線基板の絶縁基板との間にひずみが発生することがあるという問題がある。
【０００８】
そこで、この発明は、半導体装置の樹脂封止膜と配線基板の絶縁基板との熱膨張係数差に起因する応力を小さくすることができる半導体装置およびその実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板下に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜下に設けられた複数の配線と、前記配線の接続パッド部下に設けられた柱状電極と、前記柱状電極の周囲に設けられた樹脂封止膜と、前記樹脂封止膜の下面、上面および内部のいずれかに設けられた負膨張層と、を備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記負膨張層は、前記柱状電極の下面を除く前記樹脂封止膜の下面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記樹脂封止膜および前記負膨張層は、前記柱状電極の周囲に設けられ、前記半導体基板側から、第１の樹脂封止膜、負膨張層、第２の樹脂封止膜の順に設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記負膨張層は、前記配線を含む前記絶縁膜の下面および前記柱状電極の外周面に設けられ、前記樹脂封止膜は、前記絶縁膜の下面に設けられた前記負膨張層の下面および前記柱状電極の外周面に設けられた前記負膨張層の周囲に設けられていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記負膨張層は、タングステン酸ジルコニウム、シリコン酸化物、マンガン窒化物のいずれかによって形成されていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明係る半導体装置は、請求項５に記載の発明において、前記負膨張層の厚さは、０．５〜１００μｍであることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明係る半導体装置の実装構造は、半導体基板と、前記半導体基板下に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜下に設けられた複数の配線と、前記配線の接続パッド部下に設けられた柱状電極と、前記柱状電極の周囲に設けられた樹脂封止膜と、前記樹脂封止膜の下面、上面および内部のいずれかに設けられた負膨張層と、を備えた半導体装置と、熱膨張係数が前記樹脂封止膜の熱膨張係数よりも小さい材料からなる絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた複数の接続パッドとを備えた前記配線基板と、を有し、前記半導体装置の柱状電極と、前記配線基板の接続パッドとが半田層によって接合されていることにより、実装されていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明係る半導体装置の実装構造は、請求項７に記載の発明において、前記負膨張層は、前記柱状電極の下面を除く前記樹脂封止膜の下面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明係る半導体装置の実装構造は、請求項７に記載の発明において、前記樹脂封止膜および前記負膨張層は、前記柱状電極の周囲に設けられ、前記半導体基板側から、第１の樹脂封止膜、負膨張層、第２の樹脂封止膜の順に設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明係る半導体装置の実装構造は、請求項７に記載の発明において、前記負膨張層は、前記配線を含む前記絶縁膜の下面および前記柱状電極の外周面に設けられ、前記樹脂封止膜は、前記絶縁膜の下面に設けられた前記負膨張層の下面および前記柱状電極の外周面に設けられた前記負膨張層の周囲に設けられていることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明係る半導体装置の実装構造は、請求項７に記載の発明において、前記負膨張層は、タングステン酸ジルコニウム、シリコン酸化物、マンガン窒化物のいずれかによって形成されていることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明係る半導体装置の実装構造は、請求項１１に記載の発明において、前記負膨張層の厚さは、０．５〜１００μｍであることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明係る半導体装置の実装構造は、請求項７に記載の発明において、前記配線基板の絶縁基板は、シリコン、窒化アルミニウム、アルミナ、アラミド不織布基材エボキシ樹脂のいずれかによって形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、半導体装置の樹脂封止膜の下面、上面および内部のいずれかに負膨張膜を設け、且つ、配線基板の絶縁基板を熱膨張係数が樹脂封止膜の熱膨張係数よりも小さい材料によって形成しているので、半導体装置の樹脂封止膜と配線基板の絶縁基板との熱膨張係数差に起因する応力を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の第１実施形態としての半導体装置の実装構造の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初準備したものの一部の断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】この発明の第２実施形態としての半導体装置の実装構造の断面図。
【図１０】図９に示す半導体装置の製造に際し、所定の工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】この発明の第３実施形態としての半導体装置の実装構造の断面図。
【図１７】図１６に示す半導体装置の製造に際し、所定の工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【図２１】図２０に続く工程の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の実装構造の断面図を示す。半導体装置１は平面方形状のシリコン基板（半導体基板）２を備えている。シリコン基板２の下面には所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子（図示せず）が形成され、その下面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド３が設けられている。接続パッド３は２個のみを図示するが、実際にはシリコン基板２の下面周辺部に多数配列されている。
【００１３】
接続パッド３の中央部を除くシリコン基板２の下面には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜（絶縁膜）４が設けられ、接続パッド３の中央部はパッシベーション膜４に設けられた開口部５を介して露出されている。パッシベーション膜４の下面にはポリイミド樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）６が設けられている。パッシベーション膜４の開口部５に対応する部分における保護膜６には開口部７が設けられている。
【００１４】
保護膜６の下面には配線８が設けられている。配線８は、保護膜６の下面に設けられた銅等からなる下地金属層９と、下地金属層９の下面に設けられた銅からなる上部金属層１０との２層構造となっている。配線８の一端部は、パッシベーション膜４および保護膜６の開口部５、７を介して接続パッド部２に接続されている。配線８の接続パッド部下面には銅からなる柱状電極１１が設けられている。
【００１５】
配線８および柱状電極１１を含む保護膜６の下面にはエポキシ樹脂等からなる封止膜１２が設けられている。この場合、柱状電極１１は、その下面が封止膜１２の下面と面一乃至数μｍ凹むように設けられている。封止膜１２の下面には、柱状電極１１の下面に対応する部分に開口部１４を有する後述する材料からなる負膨張層１３が設けられている。負膨張層１３の開口部１４を介して露出された柱状電極１１の下面には半田バンプ１５が設けられている。
【００１６】
負膨張層は、温度を上げると体積が小さくなる負の熱膨張の特性を持った材料からなる層である。負膨張層１３は、複合酸化膜からなり、例えば、熱膨張係数−０．９ｐｐｍ／℃のタングステン酸ジルコニウム（ＺｒＷ２Ｏ３）膜、熱膨張係数−０．２〜−０．５ｐｐｍ／℃のシリコン酸化物（Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２）膜、逆ペロフスカイト構造を有する熱膨張係数−２．５ｐｐｍ／℃のマンガン窒化物（Ｍｎ３ＸＮ：Ｘ＝Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｕ等）膜からなっている。負膨張層１３の厚さは０.５〜１００μｍである。
【００１７】
一方、配線基板１６は、後述する絶縁基板１７を備えている。絶縁基板１７の上面には銅箔等からなる複数の接続パッド１８が設けられている。接続パッド１８は、絶縁基板１７の上面に設けられた配線（図示せず）の一端部に接続されている。そして、半導体装置１は、その半田バンプ１５が配線基板１６の接続パッド１８に接合されていることにより、配線基板１６上にフェイスダウン方式で実装されている。
【００１８】
ここで、配線基板１６の絶縁基板１７は、熱膨張係数が封止膜１２の材料であるエポキシ樹脂等の熱膨張係数よりも小さい材料によって形成されている。例えば、封止膜１２が熱膨張係数１０〜１５ｐｐｍ／℃のエポキシ樹脂によって形成されている場合には、配線基板１６の絶縁基板１７の材料としては、熱膨張係数２〜３ｐｐｍ／℃のシリコン、熱膨張係数４．６ｐｐｍ／℃の窒化アルミニウム、熱膨張係数７．１ｐｐｍ／℃のアルミナ、熱膨張係数７〜９ｐｐｍ／℃のアラミド不織布基材エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００１９】
以上のように、この半導体装置の実装構造では、半導体装置１の封止膜１２の下面に負膨張層１３を設け、且つ、配線基板１６の絶縁基板１７を熱膨張係数が封止膜１２の熱膨張係数よりも小さい材料によって形成しているので、半導体装置１の封止膜１２と配線基板１６の絶縁基板１７との熱膨張係数差に起因する応力を小さくすることができる。
【００２０】
次に、図１に示す半導体装置１の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すものを準備する。この準備したものでは、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）上に、所定の機能の集積回路を構成する素子（図示せず）、接続パッド３、パッシベーション膜４、保護膜６、下地金属層９および上部金属層１０からなる２層構造の配線８および柱状電極１１が設けられている。なお、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。
【００２１】
次に、図３に示すように、配線８および柱状電極１１を含む保護膜６の上面に、スクリーン印刷法やスピンコート法等により、エポキシ樹脂等からなる封止膜１２をその厚さが柱状電極１１の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１１の上面は封止膜１２によって覆われている。次に、封止膜１２の上面側を適宜に研削して除去することにより、図４に示すように、柱状電極１１の上面を露出させるとともに、この露出された柱状電極１１の上面を含む封止膜１２の上面を平坦化する。
【００２２】
次に、図５に示すように、柱状電極１１の上面を含む封止膜１２の上面に、スパッタ法や蒸着法等により、負膨張層１３を成膜する。負膨張層１３は、複合酸化膜によって形成し、例えば、タングステン酸ジルコニウム（ＺｒＷ２Ｏ３）膜、シリコン酸化物（Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２）膜、逆ペロフスカイト構造をもつマンガン窒化物（Ｍｎ３ＸＮ：Ｘ＝Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｕ等）膜によって形成する。
【００２３】
負膨張層１３をスパッタ法で成膜する場合には、一例として、チャンバ内の圧力を１．０×１０−４Ｐａとし、アルゴンガスをチャンバ内の圧力が１．４Ｐａとなるまで導入し、スパッタパワーを２Ｗ／ｃｍ２とし、形成すべき膜用の材料をターゲットとしてスパッタリングを行い、厚さ０.５〜１００μｍの負膨張層１３を成膜する。
【００２４】
次に、図６に示すように、柱状電極１１の上面に対応する部分における負膨張層１３に、フォトリソグラフィ法により、開口部１４を形成する。この場合、負膨張層１３のエッチングとしては、アルゴンガスを用いたドライエッチングが適用可能である。この状態では、柱状電極１１の上面は負膨張層１３の開口部１４を介して露出されている。
【００２５】
次に、図７に示すように、負膨張層１３の開口部１４を介して露出された柱状電極１１の上面に半田バンプ１５を形成する。次に、図８に示すように、ダイシングストリート２２に沿って、負膨張層１３、封止膜１２、保護膜６、パッシベーション膜４および半導体ウエハ２１をダイシングすると、図１に示す半導体装置１が複数個得られる。
【００２６】
（第２実施形態）
図９はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の実装構造の断面図を示す。この半導体装置の実装構造において、図１に示す場合と異なる点は、半導体装置１の封止膜を第１、第２の封止膜１２ａ、１２ｂとし、第１、第２の封止膜１２ａ、１２ｂ間に負膨張層１３を設けた点である。この場合も、配線基板１６の絶縁基板１７は、熱膨張係数が第１、第２の封止膜１２ａ、１２ｂの材料であるエポキシ樹脂等の熱膨張係数よりも小さい上記のような材料によって形成されている。
【００２７】
このように、この半導体装置の実装構造では、半導体装置１の第１、第２の封止膜１２ａ、１２ｂ間（封止膜の内部）に負膨張層１３を設け、且つ、配線基板１６の絶縁基板１７を熱膨張係数が第１、第２の封止膜１２ａ、１２ｂの熱膨張係数よりも小さい材料によって形成しているので、半導体装置１の第１、第２の封止膜１２ａ、１２ｂと配線基板１６の絶縁基板１７との熱膨張係数差に起因する応力を小さくすることができる。
【００２８】
次に、図９に示す半導体装置１の製造方法の一例について説明する。この場合、図２に示すものを準備した後に、図１０に示すように、配線８を含む保護膜６の上面に、インクジェット法やディスペンサ法等により、エポキシ樹脂等からなる第１の封止膜１２ａをその厚さが柱状電極１１の高さよりもある程度低くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１１の上面は第１の封止膜１２ａによって覆われていない。
【００２９】
次に、図１１に示すように、第１の封止膜１２ａの上面に、インクジェット法やディスペンサ法等により、上記材料からなる負膨張層１３をその上面が柱状電極１１の高さよりもある程度低くなるように形成する。この場合も、負膨張層１３の厚さは５００ｎｍ〜１００μｍとなるようにする。
【００３０】
次に、図１２に示すように、柱状電極１１を含む負膨張層１３の上面に、スクリーン印刷法やスピンコート法等により、エポキシ樹脂等からなる第２の封止膜１２ｂをその厚さが柱状電極１１の高さよりもやや高くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１１の上面は第２の封止膜１２ｂによって覆われている。
【００３１】
次に、第２の封止膜１２ｂの上面側を適宜に研削して除去することにより、図１３に示すように、柱状電極１１の上面を露出させるとともに、この露出された柱状電極１１の上面を含む第２の封止膜１２ｂの上面を平坦化する。
【００３２】
次に、図１４に示すように、柱状電極１１の上面に半田バンプ１５を形成する。次に、図１５に示すように、ダイシングストリート２２に沿って、第２の封止膜１２ｂ、負膨張層１３、第１の封止膜１２ａ、保護膜６、パッシベーション膜４および半導体ウエハ２１をダイシングすると、図９に示す半導体装置１が複数個得られる。
【００３３】
（第３実施形態）
図１６はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の実装構造の断面図を示す。この半導体装置の実装構造において、図１に示す場合と異なる点は、配線８を含む保護膜６の下面および柱状電極１１の外周面に負膨張層１３を設け、柱状電極１１の外周面に設けられた負膨張層１３の周囲に封止膜１２を設けた点である。この場合も、配線基板１６の絶縁基板１７は、熱膨張係数が封止膜１２の材料であるエポキシ樹脂等の熱膨張係数よりも小さい上記のような材料によって形成されている。
【００３４】
このように、この半導体装置の実装構造では、半導体装置１の配線８を含む保護膜６の下面および柱状電極１１の外周面につまり封止膜１２の上面に負膨張層１３を設け、且つ、配線基板１６の絶縁基板１７を熱膨張係数が封止膜１２の熱膨張係数よりも小さい材料によって形成しているので、半導体装置１の封止膜１２と配線基板１６の絶縁基板１７との熱膨張係数差に起因する応力を小さくすることができる。
【００３５】
次に、図１６に示す半導体装置１の製造方法の一例について説明する。この場合、図２に示すものを準備した後に、図１７に示すように、配線８および柱状電極１１を含む保護膜６の上面に、スパッタ法や蒸着法等により、上記材料からなる負膨張層１３を成膜する。この場合も、負膨張層１３の厚さは５００ｎｍ〜１００μｍとなるようにする。この状態では、柱状電極１１の上面は負膨張層１３によって覆われている。
【００３６】
次に、図１８に示すように、負膨張層１３の上面に、スクリーン印刷法やスピンコート法等により、エポキシ樹脂等からなる封止膜１２を形成する。この状態では、柱状電極１１の上面を覆っている負膨張層１３は封止膜１２によって覆われている。次に、封止膜１２の上面側を適宜に研削して除去することにより、図１９に示すように、柱状電極１１およびその外周面に設けられた負膨張層１３の上面を露出させるとともに、この露出された柱状電極１１およびその外周面に設けられた負膨張層１３の上面を含む封止膜１２の上面を平坦化する。
【００３７】
次に、図２０に示すように、柱状電極１１の上面に半田バンプ１５を形成する。次に、図２１に示すように、ダイシングストリート２２に沿って、封止膜１２、負膨張層１３、保護膜６、パッシベーション膜４および半導体ウエハ２１をダイシングすると、図１６に示す半導体装置１が複数個得られる。
【符号の説明】
【００３８】
１  半導体装置
２  シリコン基板
３  接続パッド
４  パッシベーション膜
６  保護膜
７  配線
１１  柱状電極
１２  封止膜
１３  負膨張層
１５  半田バンプ
２１  半導体ウエハ
２２  ダイシングストリート
【図１】
2010219422.tif 000003
【図２】
2010219422.tif 000004
【図３】
2010219422.tif 000005
【図４】
2010219422.tif 000006
【図５】
2010219422.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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