(57)【要約】【課題】磁気記憶装置のサイドイレーズ試験を短時間で実行する。【解決手段】ＭＣＵ１１１が、磁気ディスク１７の対象トラックの領域を各々の磁気ヘッド１６に分割して割り当て、磁気ディスク１７が一回転する間に、各々の磁気ヘッド１６が自磁気ヘッド１６に対応する磁気ディスク１７の自磁気ヘッド１６に割り当てられた領域に対してデータをライトするようにライト制御する。そして、ＭＣＵ１１１が、各々の磁気ヘッド１６によるデータのライト後に、対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証する。【選択図】図１
2010033666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データがライトされた磁気記憶媒体の対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかを検証する磁気記憶装置の試験方法であって、
前記磁気記憶装置が備える複数の磁気ヘッドの各々が異なる磁気記憶媒体に対応し、
磁気記憶媒体の対象トラックの領域を各々の磁気ヘッドに分割して割り当て、前記磁気記憶媒体が一回転する間に、各々の磁気ヘッドが自磁気ヘッドに対応する磁気記憶媒体の自磁気ヘッドに割り当てられた領域である割り当て領域に対してデータをライトするようにライト制御し、
前記各々の磁気ヘッドによるデータのライト後に、前記対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証する
ことを特徴とする磁気記憶装置の試験方法。
【請求項２】
前記ライト制御は、前記磁気ヘッドによる割り当て領域に対するデータのライト時間を分割し、分割されたライト時間毎に異なるライト電流の値を設定し、該磁気ヘッドがライト時間毎に該ライト時間に対応するライト電流の値を用いてデータをライトするように制御し、
各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、前記対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証し、該検証結果に基づいて最適なライト電流の値を決定する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の試験方法。
【請求項３】
前記ライト制御は、前記磁気ヘッドによる割り当て領域に対するデータのライト時間を分割し、分割されたライト時間毎に異なるライト電流の値を設定し、該磁気ヘッドがライト時間毎に該ライト時間に対応するライト電流の値を用いてデータをライトするように制御し、
各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、該ライトされたデータのエラーレート測定を行い、該エラーレート測定結果に基づいて最適なライト電流の値を決定する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置の試験方法。
【請求項４】
データがライトされた磁気記憶媒体の対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかを検証する磁気記憶装置であって、
各々が異なる磁気記憶媒体に対応する複数の磁気ヘッドと、
磁気記憶媒体の対象トラックの領域を各々の磁気ヘッドに分割して割り当て、前記磁気記憶媒体が一回転する間に、各々の磁気ヘッドが自磁気ヘッドに対応する磁気記憶媒体の自磁気ヘッドに割り当てられた領域に対してデータをライトするようにライト制御する制御手段と、
前記各々の磁気ヘッドによるデータのライト後に、前記対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証する検証手段とを備える
ことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項５】
前記制御手段が、前記磁気ヘッドによる割り当て領域に対するデータのライト時間を分割し、分割されたライト時間毎に異なるライト電流の値を設定し、該磁気ヘッドがライト時間毎に該ライト時間に対応するライト電流の値を用いてデータをライトするように制御し、
前記検証手段が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、前記対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証し、該検証結果に基づいて最適なライト電流の値を決定する
ことを特徴とする請求項４記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記制御手段が、前記磁気ヘッドによる割り当て領域に対するデータのライト時間を分割し、分割されたライト時間毎に異なるライト電流の値を設定し、該磁気ヘッドがライト時間毎に該ライト時間に対応するライト電流の値を用いてデータをライトするように制御し、
前記検証手段が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、該ライトされたデータのエラーレート測定を行い、該エラーレート測定結果に基づいて最適なライト電流の値を決定する
ことを特徴とする請求項４記載の磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サイドイレーズ試験を効率良く短時間で実行する磁気記憶装置の試験方法及び磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、例えば磁気ディスク装置等の磁気記憶装置の高容量、高密度化が進んでおり、信頼性確保のために、サイドイレーズ試験を行うことが重要である。サイドイレーズは、磁気ディスク等の磁気記憶媒体の特定の１トラックにデータが連続してライト（書き込み）された場合に、そのトラックの周辺トラックにライトされていたデータが消えてしまう現象である。また、サイドイレーズ試験とは、磁気記憶媒体の特定のトラックに対して複数回（例えば１００万回）データをライトし、ライト後に上記特定のトラックの周辺トラックのデータが消えてリードできなくなっていないかを検証する試験である。
【０００３】
従来の磁気ディスク装置についてのサイドイレーズ試験では、以下のようにして複数のディスクに対してデータをライトしていた。具体的には、磁気ディスクが一周する間に磁気ヘッド（ＨＤ）１本で特定のトラックの全領域に対してデータをライトし、該磁気ディスクへのデータのライトが終了した後、他の磁気ヘッドが次の磁気ディスクの特定のトラックの全領域に対してデータをライトしていた。すなわち、従来は、磁気ヘッド毎に、順次、トラック一周分の領域（図９中のＩｎｄｅｘ（インデックス）からＩｎｄｅｘまでの間にある、斜線で示す領域）に対してデータをライトしていた。
【０００４】
また、サイドイレーズを軽減するために、データ書き込み時の最適なライト電流を設定することが重要であるが、従来は、設定されたライト電流値毎にサイドイレーズ試験を行い、全てのサイドイレーズ試験結果に基づいて、最適なライト電流を決定していた。すなわち、あるライト電流を設定した上でサイドイレーズ試験を行った後、上記ライト電流とは異なる他のライト電流を順次設定してサイドイレーズ試験を行っていた。
【０００５】
なお、複数のヘッドを順次選択してデータをライトし、いずれかのヘッドを選択して上記ライトされたデータをイレーズした後、上記複数のヘッドを順次選択して上記のデータをリードし、データ無しのディスク面が２回以上検出された場合に、ヘッド選択の異常を判定するヘッド選択検査方法が提案されている（例えば、下記の特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開平８−１３８２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気ヘッド毎に、順次トラック一周分の領域に対してデータをライトする従来の磁気ディスク装置のサイドイレーズ試験では、磁気ディスク装置のヘッドの搭載本数に比例して試験時間が長くなる。例えば、磁気ディスクの回転速度が１５０００ｒｐｍ（Revolutions Per Minute）の場合、磁気ヘッドの本数が８本であって、１本の磁気ヘッドでトラック一周分を１００万回ライトするのに１．５時間かかるとすると、従来技術では、１回のサイドイレーズ試験におけるデータのライト時間は、１．５時間に８を乗じて得られる１２時間となる。また、例えば、磁気ディスクの回転速度が４２００ｒｐｍの場合は、１本の磁気ヘッドでトラック一周分をライトするのに３．５時間かかるとすると、上記従来技術では、サイドイレーズ試験におけるデータのライト時間は、３．５時間に８を乗じて得られる２８時間となる。
【０００７】
また、設定されたライト電流値毎にサイドイレーズ試験を行い、全てのサイドイレーズ試験結果に基づいて、最適なライト電流を決定する従来技術では、設定するライト電流値の種類の数に応じて、最適なライト電流を決定するまでの時間が長くなる。
【０００８】
本発明は、磁気記憶装置のサイドイレーズ試験を短時間で実行する磁気記憶装置の試験方法の提供を目的とする。
【０００９】
本発明は、磁気記憶装置のサイドイレーズ試験を短時間で実行する磁気記憶装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本磁気記憶装置の試験方法は、データがライトされた磁気記憶媒体の対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかを検証する磁気記憶装置の試験方法であって、前記磁気記憶媒体が備える複数の磁気ヘッドの各々が異なる磁気記憶媒体に対応し、磁気記憶媒体の対象トラックの領域を各々の磁気ヘッドに分割して割り当て、前記複数の磁気ヘッドが一回転する間に、各々の磁気ヘッドが自磁気ヘッドに対応する磁気記憶媒体の自磁気ヘッドに割り当てられた領域である割り当て領域に対してデータをライトするようにライト制御し、前記各々の磁気ヘッドによるデータのライト後に、前記対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証する。
【００１１】
また、本磁気記憶装置は、データがライトされた磁気記憶媒体の対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかを検証する磁気記憶装置であって、各々が異なる磁気記憶媒体に対応する複数の磁気ヘッドと、磁気記憶媒体の対象トラックの領域を各々の磁気ヘッドに分割して割り当て、前記複数の磁気ヘッドが一回転する間に、各々の磁気ヘッドが自磁気ヘッドに対応する磁気記憶媒体の自磁気ヘッドに割り当てられた領域である割り当て領域に対してデータをライトするようにライト制御する制御手段と、前記各々の磁気ヘッドによるデータのライト後に、前記対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証する検証手段とを備える。
【発明の効果】
【００１２】
本磁気記憶装置の試験方法及び本磁気記憶装置は、磁気記憶媒体の対象トラックの領域を各々の磁気ヘッドに分割して割り当て、磁気記憶媒体が一回転する間に、各々の磁気ヘッドが自磁気ヘッドに対応する磁気記憶媒体の自磁気ヘッドに割り当てられた領域である割り当て領域に対してデータをライトするようにライト制御する。従って、本磁気記憶装置の試験方法及び本磁気記憶装置によれば、磁気記憶装置のサイドイレーズ試験におけるデータのライト時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本実施形態の磁気記憶装置の構成例を示す図である。図１では、本実施形態の磁気記憶装置として、例えば磁気ディスク装置１を例にとって説明する。磁気ディスク装置１は、周知のように、磁気記憶媒体である磁気ディスク１７（磁気ディスク１７−１乃至１７−４）へのデータのライト及び磁気ディスク１７からのデータのリードを実行する。特に、本実施形態の磁気ディスク装置１は、サイドイレーズ試験を実行する。サイドイレーズ試験は、データがライトされた磁気ディスク１７の対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかを検証する試験である。また、磁気ディスク装置１は、最適なライト電流の値の決定処理を実行する。
【００１４】
磁気ディスク装置１は、システムＬＳＩ（Large Scale Integration ）１１、ライト／リードプリアンプ（Ｒ／Ｗ  ＰｒｅＡＭＰ）１２、サーボコントローラ（ＳＶＣ：Servo Controller）１３、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ：Voice Coil Motor）１４、スピンドルモータ（ＳＰ  Ｍｏｔｏｒ：Spindle Motor ）１５、磁気ヘッド１６−１乃至１６−４、同軸に配置された複数の磁気ディスク１７−１乃至１７−４、ＲＡＭ(Random Access Memory)１８、ＲＯＭ（Read Only Memory）１９を備える。本実施形態においては、磁気ディスク装置１が備える各々の磁気ヘッド１６が異なる磁気ディスク１７に対応する。すなわち、磁気ヘッド１６−１、１６−２、１６−３、１６−４は、それぞれ、磁気ディスク１７−１、磁気ディスク１７−２、磁気ディスク１７−３、磁気ディスク１７−４に対応する。
【００１５】
システムＬＳＩ１１は、ＭＣＵ（Micro Computer Unit ）１１１、ＨＤＣ（Hard Disk Controller）１１２、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）１１３、ＲＤＣ（Read Chanel ）１１４といったＬＳＩを一つのＬＳＩにまとめ、一体化させたものである。
【００１６】
ＭＣＵ１１１は、磁気ディスク装置１の動作プログラムを読み込み、該動作プログラムに従って、磁気ディスク装置１が備える各処理部を制御して、サイドイレーズ試験の実行と最適なライト電流の値の決定処理とを実行する。ＭＣＵ１１１は、サイドイレーズ試験の実行の際には、ＳＶＣ１３に指示して、磁気ヘッド１６を各々の磁気ヘッド１６に対応する磁気ディスク１７上に位置決めさせ、ＨＤＣ１１２に指示して、各々の磁気ヘッド１６を介して磁気ディスク１７の所定のトラック（対象トラック）上に所定回数データをライトさせる。すなわち、ＭＣＵ１１１は、図４を参照して後述するように、磁気ディスク１７の対象トラックの領域を各々の磁気ヘッド１６に分割して割り当て、磁気ヘッド１６が一回転する間に、各々の磁気ヘッド１６が自磁気ヘッド１６に対応する磁気ディスク１７の自磁気ヘッド１６に割り当てられた領域である割り当て領域に対してデータをライトするようにライト制御する制御手段として機能する。
【００１７】
そして、ＭＣＵ１１１は、上記対象トラック上へのデータのライト後に、ＨＤＣ１１２に指示して、各々の割り当て領域について、対象トラックの周辺のトラック上のデータをリードさせ、リード結果に基づいて、上記周辺トラックのデータが消えていないかについて検証する。より具体的には、ＭＣＵ１１１は、上記リードされたデータについてのエラーレートを測定し、測定されたエラーレートが所定の閾値を超えていないかを判断する。エラーレートが閾値を超えている場合には、ＭＣＵ１１１は、周辺トラックのデータが消えてリードできなくなっている（サイドイレーズが発生した）と判断する。エラーレートが閾値を超えていない場合には、ＭＣＵ１１１は、周辺トラックのデータが消えていない（サイドイレーズが発生していない）と判断する。
【００１８】
また、例えば、ＭＣＵ１１１は、最適なライト電流の値の決定処理の実行の際には、磁気ヘッド１６による割り当て領域に対するデータのライト時間を分割し、分割されたライト時間毎に異なるライト電流の値を設定し、該磁気ヘッド１６がライト時間毎に該ライト時間に対応するライト電流の値を用いてデータをライトするように制御する。そして、ＭＣＵ１１１が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証し、該検証結果に基づいて最適なライト電流の値を決定する。ＭＣＵ１１１が、周辺トラックのデータが消えていない場合のライト電流の値うち最も電流値が大きいものを最適なライト電流の値とするようにしてもよい。なお、ＭＣＵ１１１が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、該ライトされたデータのエラーレート測定を行い、該エラーレート測定結果に基づいて最適なライト電流の値を決定するようにしてもよい。
【００１９】
ＨＤＣ１１２は、ＭＣＵ１１１からの指示に従って、各々の磁気ヘッド１６を介して、該磁気ヘッド１６に対応する磁気ディスク１７にデータを書き込んだり、磁気ディスク１７からデータを読み込んだりする。ＲＤＣ１１４は、各々の磁気ヘッド１６が磁気ディスク１７から読み込んだデータをアナログ／デジタル変換する。ＤＳＰ１１３は、サーボ処理を行うための演算を実行する。Ｒ／Ｗ  ＰｒｅＡＭＰ１２は、磁気ヘッド１６が読み込んだリードデータ、磁気ヘッド１６を介して磁気ディスク１７に書き込むライトデータについて、システムＬＳＩに含まれる各ＬＳＩ内で処理しやすくなるように信号変換を実行する。また、ＳＶＣ１３は、ＶＣＭ１４を制御して、磁気ヘッド１６を位置決めさせる。また、ＳＶＣ１３は、ＳＰ  Ｍｏｔｏｒ１５を制御して、磁気ディスク１７−１乃至１７−４を同時に回転させる。ＶＣＭ１４は、ＳＶＣ１３の指示に従って、磁気ヘッド１６を磁気ディスク１７の半径方向に移動させて、磁気ヘッド１６を位置決めする。ＳＰ  Ｍｏｔｏｒ１５は、磁気ディスク１７の回転を制御する。ＲＡＭ１８には、例えば、各々の磁気ディスク１７にライトするデータ、各々の磁気ディスク１７からリードされたデータが記憶される。ＲＯＭ１９には、磁気ディスク装置１の動作プログラムが予め記憶されている。
【００２０】
図２及び図３を参照して、ＭＣＵによるライト制御を説明する。図２は、各磁気ヘッド１６への割り当て領域の割り当てを説明する図である。図２の１０１乃至１０４は、サイドイレーズ試験においてデータがライトされる対象トラックの領域のうち、各々の磁気ヘッド１６に割り当てられた割り当て領域である。具体的には、ＭＣＵ１１１は、磁気ディスク１７−１乃至１７−４について、同じトラック番号を持つ特定のトラックを対象トラックとする。ＭＣＵ１１１は、対象トラックのうち、磁気ヘッド１６−１に磁気ディスク１７−１上の割り当て領域１０１を割り当て、磁気ヘッド１６−２に磁気ディスク１７−２上の割り当て領域１０２を割り当て、磁気ヘッド１６−３に磁気ディスク１７−３上の割り当て領域１０３を割り当て、磁気ヘッド１６−４に磁気ディスク１７−４上の割り当て領域１０４を割り当てる。
【００２１】
図３は、各磁気ヘッドによる自磁気ヘッドに割り当てられた割り当て領域に対するライト動作を説明する図である。図３では、図１に示す４本の磁気ヘッド１６によるライト動作を例にとって説明する。ＭＣＵ１１１が、磁気ディスク１７−１乃至１７−４を同時に回転させる。ＭＣＵ１１１が、磁気ヘッド１６−１を選択して対象トラック上に位置決めし、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間、磁気ヘッド１６−１を介して割り当て領域１０１（図２を参照）にデータをライトする。次に、ＭＣＵ１１１が、所定のセットリング時間（ｔ３−ｔ２）で磁気ヘッド１６−２を選択して対象トラック上に位置決めする。セットリング時間は、予め設定された、ＭＣＵ１１１が磁気ディスク１７にデータをライトする磁気ヘッド１６を選択して対象トラック上に位置決めするのに必要な時間である。磁気ヘッド１６−２が位置決めされた後、ＭＣＵ１１１が、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間、磁気ヘッド１６−２を介して割り当て領域１０２（図２を参照）にデータをライトする。
【００２２】
次に、ＭＣＵ１１１が、上記セットリング時間で磁気ヘッド１６−３を選択して対象トラック上に位置決めする。磁気ヘッド１６−３が位置決めされた後、ＭＣＵ１１１が、時刻ｔ５から時刻ｔ６までの間、磁気ヘッド１６−３を介して割り当て領域１０３（図２を参照）にデータをライトする。次に、ＭＣＵ１１１が、上記セットリング時間で磁気ヘッド１６−４を選択して対象トラック上に位置決めする。磁気ヘッド１６−４が位置決めされた後、ＭＣＵ１１１が、時刻ｔ７から時刻ｔ８までの間、磁気ヘッド１６−４を介して割り当て領域１０４（図２を参照）にデータをライトする。
【００２３】
以下、同様に、ＭＣＵ１１１が、磁気ヘッド１６−１、１６−２、１６−３、１６−４を順次選択して、各々の磁気ヘッド１６を介して割り当て領域にデータを所定回数（例えば１００万回）ライトする。
【００２４】
図４は、サイドイレーズ試験の実行処理フローの例を示す図である。ＭＣＵ１１１が、磁気ディスク１７の対象トラックの領域を各々の磁気ヘッド１６に分割して割り当て、磁気ディスク１７が一回転する間に、各々の磁気ヘッド１６が自磁気ヘッド１６に対応する磁気ディスク１７の自磁気ヘッド１６に割り当てられた領域に対してデータをライトするようにライト制御する（ステップＳ１）。ステップＳ１においては、ＭＣＵ１１１は、予め決められた、磁気ディスク１７が１周するのにかかる時間、トラック１周当たりのセクタ数、セットリング時間、磁気ヘッド１６の本数に基づいて、各々の磁気ヘッド１６に対応する割り当て領域を決定し、上記図２、図３を説明して前述したようなライト制御を実行し、各々の割り当て領域に例えば１００万回データをライトする。次に、ＭＣＵ１１１が、各々の磁気ヘッド１６によるデータのライト後に、対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証する（ステップＳ２）。具体的には、ＭＣＵ１１１が、各々の磁気ヘッド１６に対応する割り当て領域について、対象トラックの周辺のトラック上のデータをリードし、リードされたデータについてのエラーレートを測定し、測定されたエラーレートが所定の閾値を超えていないかを判断する。エラーレートが閾値を超えている場合には、ＭＣＵ１１１は、周辺トラックのデータが消えてリードできなくなっている（サイドイレーズが発生した）と判断する。エラーレートが閾値を超えていない場合には、ＭＣＵ１１１はサイドイレーズが発生していないと判断する。
【００２５】
図４を参照して上述した本実施形態の磁気記憶装置のサイドイレーズ試験の効果を説明する。磁気ヘッド１６毎に、順次トラック一周分の領域に対してデータをライトする従来の磁気記憶装置（磁気ディスク装置）のサイドイレーズ試験では、磁気ディスク１７の回転速度が１５０００ｒｐｍ、磁気ヘッド１６の本数が４本、磁気ヘッド１６でトラック一周分を１００万回ライトするのに１．５時間かかるとすると、１回のサイドイレーズ試験におけるデータのライト時間は６時間となる。一方、図４を参照して上述した本実施形態の磁気記憶装置のサイドイレーズ試験によれば、ＳＰ  Ｍｏｔｏｒ１５の１回の回転で４枚の磁気ディスク１７の対象トラック上にデータをライトできるので、１回のサイドイレーズ試験におけるデータのライト時間は、６を４で除算して得られる１．５時間となる。その結果、サイドイレーズ試験にかかる時間を大幅に短縮することができる。
【００２６】
図５は、最適なライト電流の値の決定処理の例を説明する図である。図５中に示す時刻ｔ１から時刻ｔ２までの時間が、磁気ヘッド１６−１を介した割り当て領域１０１（図２を参照）へのデータのライト時間である。また、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの時間が、磁気ヘッド１６−２を介した割り当て領域１０２（図２を参照）へのデータのライト時間である。また、時刻ｔ５から時刻ｔ６までの時間が、磁気ヘッド１６−３を介した割り当て領域１０３（図２を参照）へのデータのライト時間である。また、時刻ｔ７から時刻ｔ８までの時間が、磁気ヘッド１６−４を介した割り当て領域１０４（図２を参照）へのデータのライト時間である。
【００２７】
ＭＣＵ１１１は、磁気ヘッド１６を介した割り当て領域に対するデータのライト時間を分割する。具体的には、ＭＣＵ１１１は、各々の磁気ヘッド１６に対応する割り当て領域を決定するとともに、該割り当て領域へのデータのライト時間を、予め決められたライト電流の種類分、分割する。例えば、ＭＣＵ１１１は、磁気ヘッド１６−４によるデータのライト時間（図５中のｔ７からｔ８までの間の時間）を分割し、分割されたライト時間毎に異なるライト電流の値を持つライト電流（ライト電流１乃至４）を設定する。具体的には、ＭＣＵ１１１は、図５中に示すように、ｔ７からｔ71までのライト時間（ライト時間１）に対応するライト電流としてライト電流１を設定し、ｔ72からｔ73までのライト時間（ライト時間２）に対応するライト電流としてライト電流２を設定し、ｔ74からｔ75までのライト時間（ライト時間３）に対応するライト電流としてライト電流３を設定し、ｔ76 からｔ８までのライト時間（ライト時間４）に対応するライト電流としてライト電流４を設定する。
【００２８】
ＭＣＵ１１１は、各磁気ヘッド１６が、分割されたライト時間毎に該ライト時間に対応するライト電流の値を用いてデータをライトするように制御する。磁気ヘッド１６−４によるデータのライト動作を例にとると、ＭＣＵ１１１は、磁気ヘッド１６−４が、ライト時間１にライト電流１を用いてデータをライトし、ライト時間２にライト電流２を用いてデータをライトし、ライト時間３にライト電流３を用いてデータをライトし、ライト時間４にライト電流４を用いてデータをライトするように制御する。そして、ＭＣＵ１１１が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた対象トラック上の領域について、対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証し、該検証結果に基づいて最適なライト電流の値を決定する。例えば、ＭＣＵ１１１が、周辺トラックのデータが消えていないと判断した場合のライト電流の値のうち、最も電流値が大きいものを最適なライト電流の値として決定する。ＭＣＵ１１１が、対象トラックの周辺トラックのデータをリードし、リードされたデータについてのエラーレートを測定し、測定されたエラーレート（の合計）が最も低い場合のライト電流の値を最適なライト電流の値として決定するようにしてもよい。また、ＭＣＵ１１１が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、該ライトされたデータのエラーレート測定を行い、測定されたエラーレート（の合計）が最も低い場合のライト電流の値を最適なライト電流の値として決定するようにしてもよい。
【００２９】
なお、ＭＣＵ１１１が、エラーレートの測定に必要なセクタ数と、各々の磁気ディスク１７に対応する割り当て領域に含まれるセクタ数とに基づいて、設定するライト電流の種類の数を決定し、割り当て領域へのデータのライト時間を、上記決定されたライト電流の種類分、分割するようにしてもよい。
【００３０】
図６は、最適なライト電流の値の決定処理フローの一例を示す図である。まず、ＭＣＵ１１１が、磁気ヘッド１６の本数を確認する（ステップＳ１１）。ＭＣＵ１１１が、確認した磁気ヘッド１６の本数、予め決められた、磁気ディスク１７が１周するのにかかる時間、トラック１周当たりのセクタ数、セットリング時間に基づいて、各々の磁気ヘッド１６に対応する割り当て領域を決定する（ステップＳ１２）。次に、ＭＣＵ１１１が、各々の割り当て領域へのデータのライト時間を、予め決められたライト電流の種類分、分割する（ステップＳ１３）。ＭＣＵ１１１が、各々の磁気ヘッド１６に指示して、分割されたライト時間毎に該ライト時間に対応するライト電流の値を用いて割り当て領域にデータをライトするように制御する（ステップＳ１４）。そして、ＭＣＵ１１１が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、対象トラックの周辺トラックのデータが消えていないかについて検証（判断）する（ステップＳ１５）。ＭＣＵ１１１が、周辺トラックのデータが消えていないと判断した場合のライト電流の値のうち、最も電流値が大きいものを最適なライト電流の値として決定する（ステップＳ１６）。
【００３１】
図７は、最適なライト電流の値の決定処理フローの他の例を示す図である。まず、ＭＣＵ１１１が、磁気ヘッド１６の本数を確認する（ステップＳ２１）。ＭＣＵ１１１が、確認した磁気ヘッド１６の本数、予め決められた、磁気ディスク１７が１周するのにかかる時間、トラック１周当たりのセクタ数、セットリング時間に基づいて、各々の磁気ヘッド１６に対応する割り当て領域を決定する（ステップＳ２２）。次に、ＭＣＵ１１１が、各々の割り当て領域へのデータのライト時間を、予め決められたライト電流の種類分、分割する（ステップＳ２３）。ＭＣＵ１１１が、各々の磁気ヘッド１６に指示して、分割されたライト時間毎に該ライト時間に対応するライト電流の値を用いて割り当て領域にデータをライトするように制御する（ステップＳ２４）。各々の割り当て領域に対するデータのライトが終了した後、ＭＣＵ１１１が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、該ライトされたデータのエラーレート測定を行う（ステップＳ２５）。そして、ＭＣＵ１１１が、測定されたエラーレートが最も低い場合のライト電流の値を最適なライト電流の値として決定する（ステップＳ２６）。
【００３２】
図８は、本実施形態の磁気記憶装置の試験方法の適用例を示す図である。例えば、磁気ディスク１７が一周するのにかかる時間Ｔが４ｍｓ、トラック一周当たりのセクタ数が１２００ｂｌｏｃｋ、セットリング時間Ｔ0 が１．３ｍｓ、磁気ディスク１７の本数Ｎが２本であるとする。ＭＣＵ１１１は、上記磁気ディスク１７が一周するのにかかる時間Ｔ、セットリング時間Ｔ0 、磁気ディスク１７の本数Ｎに基づいて、各々の磁気ヘッド１６のライト時間を算出する。算出される各々の磁気ヘッド１６のライト時間は、Ｔ／Ｎ−Ｔ0 であり、この例では、０．７ｍｓである。また、ＭＣＵ１１１は、トラック一周当たりのセクタ数と磁気ディスク１７が一周するのにかかる時間Ｔと上記各々の磁気ヘッド１６のライト時間とに基づいて、各々の磁気ヘッド１６に対応する割り当て領域に含まれるセクタ数（約２００ｂｌｏｃｋ）を算出する。また、ＭＣＵ１１１が、予め決められた、エラーレートの測定に必要なセクタ数（５０ｂｌｏｃｋ）と、上記各々の磁気ヘッド１６に対応する割り当て領域に含まれるセクタ数（約２００ｂｌｏｃｋ）とに基づいて、４種類のライト電流を設定する。例えば、ＭＣＵ１１１は、ライト電流１乃至ライト電流４を設定する。そして、各々の割り当て領域へのデータのライト時間を、上記決定されたライト電流の種類分、分割する。例えば、ＭＣＵ１１１は、図８中に示すように、上記０．７ｍｓというライト時間を、ライト時間１乃至ライト時間４という４つのライト時間に分割する。
【００３３】
ＭＣＵ１１１は、各々の磁気ディスク１７に指示して、上記算出されたセクタ数を持つ割り当て領域にデータをライトさせる。具体的には、図８中に示すように、ＭＣＵ１１１は、磁気ヘッド１６−１でデータを０．７ｍｓライトした後、１．３ｍｓのセットリング時間Ｔ0 で、磁気ヘッド１６を磁気ヘッド１６−１から磁気ヘッド１６−７に切り替える。そして、磁気ヘッド１６−２が、データを０．７ｍｓライトする。上記磁気ヘッド１６−２によるデータのライトは、以下のようにして行う（磁気ヘッド１６−１によるデータのライトについても同様である）。すなわち、磁気ヘッド１６−２は、図７中に示すライト時間１の間、ライト電流１でデータをライトし、ライト時間２の間、ライト電流２でデータをライトし、ライト時間３の間、ライト電流３でデータをライトし、ライト時間４の間、ライト電流４でデータをライトする。各々の割り当て領域に対するデータのライトが終了した後、ＭＣＵ１１１が、各々のライト電流の値を用いてデータがライトされた領域について、該ライトされたデータのエラーレート測定を行う。ＭＣＵ１１１は、例えば、測定されたエラーレートが最も低い場合のライト電流であるライト電流１を最適なライト電流として決定する。
【００３４】
本実施形態の磁気記憶装置の試験方法による効果を以下に説明する。例えば、磁気ディスク１７の回転速度が１５０００ｒｐｍ、磁気ヘッド１６の本数が４本、設定されるライト電流の種類が４種類であるとする。磁気ヘッド１６毎に順次トラック一周分の領域に対してデータをライトするとともに、設定されたライト電流値毎にサイドイレーズ試験を行い、全てのサイドイレーズ試験結果に基づいて、最適なライト電流を決定する従来技術では、サイドイレーズ試験を行うのに、例えば約６時間かかる。また、最適なライト電流を決定するためには、約２４時間（約６時間×４）かかる。
【００３５】
一方、本実施形態の磁気記憶装置の試験方法は、ＳＰ  Ｍｏｔｏｒ１５が一回転する間に、磁気ディスク装置１が備える所定の枚数（例えば４枚）の磁気ディスク１７に対して各々の磁気ヘッド１６でデータをライトするので、サイドイレーズ試験を行うのにかかる時間は、磁気ヘッド１６毎に順次トラック一周分の領域に対してデータをライトしてサイドイレーズ試験を行う場合にかかる時間を磁気ディスク１７の枚数で除算して得られる時間（この例では約１．５時間）である。また、本実施形態の磁気記憶装置の試験方法は、１回のサイドイレーズ試験における磁気ヘッド１６によるデータのライトを、最適なライト電流の値の全ての候補を用いて行うので、１回のサイドイレーズ試験結果に基づいて最適なライト電流を決定することができる。従って、本例では、最適なライト電流を決定するのにかかる時間は、約１．５時間である。このように、本実施形態の磁気記憶装置の試験方法によれば、最適な最適なライト電流を決定するのにかかる時間を大幅に短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本実施形態の磁気記憶装置の構成例を示す図である。
【図２】各磁気ヘッドへの割り当て領域の割り当てを説明する図である。
【図３】各磁気ヘッドによる自磁気ヘッドに割り当てられた割り当て領域に対するライト動作を説明する図である。
【図４】サイドイレーズ試験の実行処理フローの例を示す図である。
【図５】最適なライト電流の値の決定処理の例を説明する図である。
【図６】最適なライト電流の値の決定処理フローの一例を示す図である。
【図７】最適なライト電流の値の決定処理フローの他の例を示す図である。
【図８】本実施形態の磁気記憶装置の試験方法の適用例を示す図である。
【図９】トラック一周分の領域を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  磁気ディスク装置
１１  システムＬＳＩ
１２  Ｒ／Ｗ  ＰｒｅＡＭＰ
１３  ＳＶＣ
１４  ＶＣＭ
１５  ＳＰ  Ｍｏｔｏｒ
１６−１、１６−２、１６−３、１６−４  磁気ヘッド
１７−１、１７−２、１７−３、１７−４  磁気ディスク
１８  ＲＡＭ
１９  ＲＯＭ
１１１  ＭＣＵ
１１２  ＨＤＣ
１１３  ＤＳＰ
１１４  ＲＤＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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