(57)【要約】【課題】水分の浸透が抑制され、固体撮像素子を備えた基板と固体撮像素子を保護する透明保護板とを固定する接着剤層の剥離が抑制された固体撮像装置を提供することを課題とする。【解決手段】基板の表面に形成された固体撮像素子と、前記固体撮像素子を覆う透明保護板と、前記固体撮像素子が形成された領域外の前記基板の表面に形成され、かつ前記基板と前記透明保護板とを固定する接着剤層と、前記固体撮像素子上と接着剤層の下部の基板の表面とを覆う光透過性保護膜とを少なくとも備え、前記固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、前記接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、前記接着剤層の下部と前記固体撮像素子が形成された領域との間の前記基板の表面上で、かつ前記透明保護板下で分離されていることを特徴とする固体撮像装置により上記課題を解決する。【選択図】図３ｊ
2010219402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された固体撮像素子と、前記固体撮像素子を覆う透明保護板と、前記固体撮像素子が形成された領域外の前記基板の表面に形成され、かつ前記基板と前記透明保護板とを固定する接着剤層と、前記固体撮像素子上と接着剤層の下部の基板の表面とを覆う光透過性保護膜とを少なくとも備え、
前記固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、前記接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、前記接着剤層の下部と前記固体撮像素子が形成された領域との間の前記基板の表面上で、かつ前記透明保護板下で分離されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記基板の表面に形成された固体撮像素子と導通する電極パッドと、前記基板の裏面に形成された外部接続端子と、前記電極パッドと前記外部接続端子とを接続する前記基板を貫通する貫通電極とを更に備え、前記電極パッドが前記接着剤層の下部の前記基板の表面に位置する請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記透明保護板が、ガラス板である請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の固体撮像装置の製造方法であって、前記固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、前記接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、前記固体撮像素子上及び前記接着剤層の下部の基板の表面に光透過性膜を形成する工程と、前記光透過性膜を前記固体撮像素子上と前記接着剤層の下部の基板の表面との間を除去する工程とを経ることで形成されることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板の表面に形成された固体撮像素子と導通する電極パッドと、前記基板の裏面に形成された外部接続端子と、前記電極パッドと前記外部接続端子とを接続する前記基板を貫通する貫通電極とを更に備え、前記電極パッドが前記接着剤層の下部の前記基板の表面に位置し、
貫通電極が、透明保護板を支持体として使用して形成される請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記光透過性保護膜が、２００℃以下の成膜温度のＣＶＤ法により形成される請求項４又は５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、固体撮像素子とその上を覆う光透過性保護膜とを少なくとも備えた固体撮像装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳイメージセンサーのような固体撮像素子を含む固体撮像装置は、通常、光電変換素子を有する固体撮像素子を配列した撮像領域部と、周辺回路部と、電極パッドを少なくとも備えている。
従来、固体撮像装置（イメージセンサーモジュール）は、印刷回路基板のような基板上に載置された固体撮像素子と、それを覆う透明カバー及び、透明保護板上のレンズから構成されている。透明保護板及びレンズは、例えば、ハウジング及びレンズホルダーによって固体撮像素子上に固定される。
イメージセンサーモジュールには、更なる小型化及び薄型化が求められている。小型化及び薄型化工程では、パーティクルが発生することがあり、それが受光素子により構成された固体撮像素子へ悪影響を及ぼすという問題がある。この問題を減少させるため、固体撮像素子上にのみ保護膜を形成し、固体撮像素子上以外の保護膜のない固体撮像素子の外周の基板上に接着剤層を形成し、透明保護板を固体撮像素子上にチップ単位で接着層を介して固定する技術が提案されている（例えば、特開２００７−２７７１３号公報：特許文献１）。
【０００３】
図１に、上記公報の固体撮像装置の概略断面図を示す。図中、１０１は基板、１０２はダイ（チップ）、１０３は固体撮像素子を構成する有効ピクセル、１０４は電極パッド（ボンディングパッド）、１０５は有効ピクセル上のマイクロレンズ、１０６はマイクロレンズを覆う保護膜、１０７は接着剤層、１０８は透明保護板をそれぞれ意味する。
一方、固体撮像装置のパッケージとして、小型化、高性能化の要求に対して、固体撮像装置の大きさと、固体撮像素子１個（固体撮像素子チップ）の大きさとを同じとするパッケージ（チップサイズパッケージ）が提案されている。
【０００４】
固体撮像装置のチップサイズパッケージでは、固体撮像装置を構成する電極パッドと導通する外部接続用の端子の位置を工夫する必要がある。例えば、基板に設けられた貫通電極を介して、電極パッドと外部接続用の端子とを導通させる構成が提案されている。貫通電極は、電極パッドの下方の基板に、表面から裏面に貫通するように開口する貫通孔を導電材で埋め込むことにより形成されている。
また、固体撮像装置は、個片化時や使用時に、固体撮像素子及び電極パッドへ水分が浸透することがある。水分の浸透を防止するために、固体撮像素子と透明保護板との間に、耐湿性の透明膜を形成することが提案されている（例えば、特開２００８−５３２８７号公報：特許文献２）。この公報では、耐湿性の透明膜として、プラズマＣＶＤ法により形成された窒化シリコンが使用されている。
【０００５】
図２に上記公報の固体撮像装置の概略断面図を示す。図中、２０１は固体撮像装置、２０２は基板、２０３は第１の絶縁膜、２０４は固体撮像素子、２０５は第２の絶縁膜、２０６は透明膜、２０７は透明保護板、２０８は電極パッド、２０９は貫通電極、２１０は接着剤層をそれぞれ意味する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２７７１３号公報
【特許文献２】特開２００８−０５３２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前者の公報の固体撮像装置では、固体撮像素子は、保護膜で覆われているため、個々の固体撮像素子の受光部へのパーティクル付着及び接着剤層形成時の接着剤付着を抑制できる。しかし、接着剤層が、固体撮像素子に形成される光学機能層で使用される樹脂膜と接着されているため、樹脂膜を構成する材料によっては基板と透明保護板との接着性の確保が困難となる。困難となることで、チップサイズパッケージを得るために個片化する際のダイシング工程や、固体撮像装置の周りの雰囲気湿度による水分の浸透を抑制することが困難である。
【０００８】
後者の公報では、透明膜を形成する工程が増加するため製造コストが増加するという問題がある。また、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜の形成を２００℃以下で行なう場合、副生成物が発生しやすい。発生した副生成物は、固体撮像素子へパーティクルとして付着することが懸念される。更に、固体撮像素子と透明保護板との間に、透明膜を形成した場合、貫通電極形成工程で加えられる熱により、透明膜が体積変化することがある。この体積変化により、接着剤層が剥離することがあるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かくして本発明によれば、基板の表面に形成された固体撮像素子と、前記固体撮像素子を覆う透明保護板と、前記固体撮像素子が形成された領域外の前記基板の表面に形成され、かつ前記基板と前記透明保護板とを固定する接着剤層と、前記固体撮像素子上と接着剤層の下部の基板の表面とを覆う光透過性保護膜とを少なくとも備え、
前記固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、前記接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、前記接着剤層の下部と前記固体撮像素子が形成された領域との間の前記基板の表面上で、かつ前記透明保護板下で分離されていることを特徴とする固体撮像装置が提供される。
【００１０】
更に、本発明によれば、上記固体撮像装置の製造方法であって、前記固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、前記接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、前記固体撮像素子上及び前記接着剤層の下部の基板の表面に光透過性膜を形成する工程と、前記光透過性膜を前記固体撮像素子上と前記接着剤層の下部の基板の表面との間を除去する工程とを経ることで形成されることを特徴とする固体撮像装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、分離されている。分離されていることにより、接着剤層形成後の熱工程や物理的な応力で、接着剤層の下部の光透過性保護膜にクラック等が発生しても、そのクラック等が固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜へ到達することを抑制できる。
また、接着剤層形成時に固体撮像素子上に接着剤に由来する樹脂残りが発生した場合でも、その樹脂残りをアッシング又はデスカム方式により除去できる。
更に、光透過性保護膜が、電極パッドの周辺を含む接着樹脂形成領域にも形成されているため、接着剤層と基板との密着性を向上できる。そのため、固体撮像素子を覆う透明膜を形成しなくても、チップサイズパッケージをダイシングにより個片化できる。従って、パーティクルを付着させることがある透明膜の形成工程を行なわずに、個片化する際の水分侵入や、湿度による水分の浸透を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来の固体撮像装置の概略断面図である。
【図２】従来の固体撮像装置の概略断面図である。
【図３ａ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略平面図である。
【図３ｂ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【図３ｃ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【図３ｄ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【図３ｅ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【図３ｆ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【図３ｇ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【図３ｈ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【図３ｉ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【図３ｊ】本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の固体撮像装置は、基板の表面に形成された固体撮像素子と、固体撮像素子を覆う透明保護板と、固体撮像素子が形成された領域外の基板の表面に形成され、かつ基板と透明保護板とを固定する接着剤層と、固体撮像素子上と接着剤層の下部の基板の表面とを覆う光透過性保護膜とを少なくとも備えている。加えて、本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、分離されている。分離されていることにより、接着剤層形成時に固体撮像素子上に樹脂残りが発生した場合、樹脂残りをアッシング又はデスカム方式により除去できる。また、接着剤層と基板との間に形成された光透過性保護膜により、基板と接着剤層との密着性を向上できる。
【００１４】
以下、本発明の固体撮像装置を構成要件ごとに説明する。
基板としては、固体撮像素子を形成しうる基板であれば特に限定されず、公知の基板をいずれも使用できる。例えば、シリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、シリコンゲルマニウム、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ等の化合物半導体によるバルク基板が挙げられる。また、表面に半導体層を有する基板を使用してもよい。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ基板又は多層ＳＯＩ基板等の種々の基板、ガラスやプラスチック基板上に半導体層を有するものを用いてもよい。なかでもシリコン基板又は表面にシリコン層が形成されたＳＯＩ基板等が好ましい。半導体基板又は半導体層は、内部を流れる電流量に多少が生ずるが、単結晶、多結晶又はアモルファスのいずれであってもよい。
【００１５】
固体撮像素子には、ＣＭＯＳイメージセンサー、ＣＣＤ（電荷結合素子）等の公知の素子がいずれも含まれる。固体撮像素子には、受光部（フォトダイオード）を備え、フォトダイオード上には、マイクロレンズやカラーフィルター等の部材が形成されていてもよい。
固体撮像素子を覆う透明保護板としては、固体撮像素子を周囲の環境から保護し、かつ所望する波長の光（例えば、可視光）を固体撮像素子に入射させることができさえすれば特に限定されない。そのような透明保護板としては、ガラス基板、石英基板、樹脂基板（例えば、アクリル樹脂基板）等が挙げられる。透明保護板の厚さは、固体撮像素子を保護でき、かつ光の入射が著しく阻害されない厚さを有していればよい。更に、固体撮像装置の製法において、固体撮像素子が形成される基板を薄肉化する工程がある場合は、薄肉化する工程の間、基板を固定しうる程度の厚さを透明保護板が有していることが好ましい。
【００１６】
透明保護板と基板とを固定する接着剤層は、特に限定されず、公知の接着剤を用いて形成できる。接着剤としては、アクリル系樹脂接着剤、エポキシ系樹脂接着剤等が挙げられる。これら接着剤は、光硬化性及び／又は熱硬化性の接着剤であってもよい。接着剤層には、ゼオライト等の透水性材料、カーボン等の着色剤が含まれていてもよい。接着剤層は、固体撮像素子が形成された領域外の基板の表面に形成されている。更に、接着剤層は、固体撮像素子への水分の浸透を抑制するために、基板表面に対する平面視で固体撮像素子の周囲全体に位置していることが好ましい。
接着剤層の厚さは、透明保護板と基板とをより強固に固定する観点から調製することが好ましい。更に、接着剤層の平面視の幅は、固体撮像素子への水分の浸透をより抑制する観点から調製することが好ましい。
【００１７】
本発明では、固体撮像素子上と、接着剤層の下部の基板の表面とが、光透過性保護膜で覆われている。例えば、固体撮像素子上の全面、接着剤層の下部の基板の表面の全面が、光透過性保護膜で覆われている。
光透過性保護膜は、固体撮像素子の表面を周囲の環境から保護し、基板と接着剤層との固定を阻害せず、かつ所望する波長の光（例えば、可視光）を固体撮像素子に入射させることができさえすれば特に限定されない。具体的には、二酸化珪素膜等が挙げられる。光透過性保護膜の厚さは、固体撮像素子の表面を保護でき、かつ光の入射が著しく阻害されない厚さであればよい。具体的には、０．０５〜０．４μｍであることが好ましい。
【００１８】
本発明では、固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、分離されている。分離されていることにより、接着剤層形成時に固体撮像素子上に樹脂残りが発生した場合、樹脂残りをアッシング又はデスカム方式により除去できる。分離の程度は、特に限定されないが、前記除去ができる程度であることが好ましい。固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とは、接着剤層が形成された領域と固体撮像素子が形成された領域との間の基板の表面上で、かつ透明保護板下で分離されていることが、固体撮像素子への水分の浸透を抑制し、かつ上記除去が可能となる観点から好ましい。分離されている位置は、接着剤層と固体撮像素子間であれば特に限定されないが、平面視で、接着剤層及び固体撮像素子の端部から離れていることが好ましい。
固体撮像装置は、基板の表面に形成された固体撮像素子と導通する電極パッドと、基板の裏面に形成された外部接続端子と、電極パッドと外部接続端子とを接続する基板を貫通する貫通電極とを更に備えていてもよい。
【００１９】
電極パッドは、接着剤層の下部の基板の表面に位置していてもよい。この位置では、電極パッドと接着剤層の形成部位を重複させることができるので、固体撮像装置の平面積（チップ面積）を別々の位置に設けるより低減できる。なお、平面積を低減する必要のない用途では、電極パッドと接着剤層とを別々の位置に設けてもよい。電極パッドを構成する材料は、特に限定されず、当該分野で公知の材料（例えば、Ａｌ、Ｃｕ等の金属、これら金属の合金等）をいずれも使用できる。
【００２０】
外部接続端子は、基板の裏面に形成され、電極パッドと、基板を貫通する貫通電極を介して接続されていさえすれば、その形成位置及び形状は特に限定されない。形成位置は、固体撮像装置の平面積を低減する観点から、電極パッドの形成位置に対応する基板裏面を少なくとも含んでいてもよい。形状は、外部接続端子と配線とが容易に接続できる形状を通常有している。外部接続端子を構成する材料は、特に限定されず、当該分野で公知の材料（例えば、Ａｌ、Ｃｕ等の金属、これら金属の合金等）をいずれも使用できる。
貫通電極は、電極パッドと外部接続端子とを接続できさえすれば、その形成位置及び形状は特に限定されない。形成位置は、通常、電極パッドと外部接続端子とが対向する間に位置する基板の貫通孔内である。形状としては、例えば、基板表面に沿う断面において、所望の面積を有する形状とできる。
【００２１】
本発明の固体撮像装置の製造方法では、固体撮像素子上を覆う光透過性保護膜と、接着剤層の下部の基板の表面を覆う光透過性保護膜とが、固体撮像素子上及び接着剤層の下部の基板の表面に光透過性膜を形成する工程と、光透過性膜を固体撮像素子上と接着剤層の下部の基板の表面との間を除去する工程とを経ることで形成される。
光透過性保護膜は、２００℃以下の成膜温度のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法又は無機ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）塗布法により形成することが好ましい。成膜温度を２００℃以下にすることで、固体撮像素子を構成する部材が、熱により形状変化及び組成変化することを抑制できる。これらの内、ＣＶＤ法で形成することがより好ましい。また、光透過性保護膜の分離は、公知のフォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことができる。
本発明の製造方法では、上記光透過性保護膜以外の構成要件の形成方法は、特に限定されない。例えば、ＣＶＤ法で各構成要件の原料層を形成し、公知のフォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて成形することで、各構成要件を形成できる。
【００２２】
実施の形態
以下、実施の形態により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施の形態により限定されるものではない。
以下に、本発明の実施の形態に係る貫通電極を用いたチップサイズパッケージによる、固体撮像装置の構成の一例を図３ａを用いて、その製造方法を図３ｂ〜ｊを用いて説明する。図３ａは、本発明の固体撮像装置の製造方法の一工程の概略平面図である。また、図３ｂ〜ｊは、本発明の固体撮像装置の製造方法の各工程の概略断面図である。
まず、図３ａに示すように、半導体基板３０１は、複数のダイ３０２から構成されている。それぞれのダイには、光電変換素子を有する固体撮像素子（例えば、ＣＭＯＳイメージセンサー）が配列形成された固体撮像素子領域３０３と、電極パッド３０４が配置されている。
【００２３】
上記、固体撮像素子領域３０３は、構成される各固体撮像素子毎に最大限の光が収束されるように、カラーフィルターやマイクロレンズ等を使用した光学機能層が、半導体基板３０１の最上層に形成された構成を有している。
上記、電極パッド３０４は、固体撮像素子形成段階で、固体撮像素子を構成する積層金属配線形成と同時に、既知のフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術を用いて、形成される。図中３０７は、接着剤層である。
【００２４】
次に、図３ｂに示すように、固体撮像素子領域３０３の最上層に形成された光学機能層３０８上に二酸化珪素からなる光透過性保護膜３０９が形成される。
光透過性保護膜３０９は、固体撮像素子を構成する光学機能層３０８に使用するカラーフィルターやマイクロレンズの形状変化や組成変化を発生させないように、２００℃以下の温度でＣＶＤ法もしくは無機ＳＯＧ塗布法により形成する。
この実施の形態における、光透過性保護膜３０９を構成する二酸化珪素膜の形成は、ＣＶＤ法を用いて、モノシラン／亜酸化窒素＝３００／３０００ｓｃｃｍ、ステージ温度：１８０℃、圧力：３６０Ｐａ、Ｐｏｗｅｒ：１９０Ｗで行なっている。
【００２５】
次に、図３ｃに示すように、光透過性保護膜３０９上に、既知のフォトリソグラフィー技術を用いて、固体撮像素子領域３０３を分離するために使用されるレジストパターン３１０を形成する。
次に、図３ｄに示すように、既知のドライエッチング又はウェットエッチング技術を用いて、光透過性保護膜３０９が、固体撮像素子上を覆う受光部領域保護膜３０５と、接着剤層形成領域保護膜３０６に分離される。この分離により、接着剤層３１１形成後に行なう貫通電極形成工程の熱工程や物理的な応力で、接着剤層形成領域保護膜３０６の一部にクラック等が発生しても、クラック等が固体撮像素子領域保護膜３０５へ到達することを抑制できる。なお、この実施の形態において、分離幅（最短幅）は、後に形成される接着剤層の端部、及び固体撮像素子の端部から離れた位置に分離部の端部が位置している。
【００２６】
次に、図３ｅに示すように、固体撮像素子領域３０３外で、接着剤層形成領域保護膜３０６の上に、アクリル系の紫外線硬化性樹脂及びエポキシ系の熱硬化性樹脂を主成分として、ゼオライト等の透水性材料とカーボン粒子等の黒色染料を含混合した材料膜を均一に塗布法もしくはラミネート法で形成する。材料膜を、既知のフォトリソグラフィー技術を用いて、接着剤層３１１に成形する。この後、ガラス支持体としても機能する保護ガラス板３１２をこれも既知の貼り合せ技術を用いて接着剤層３１１上に搭載する。搭載後、減圧下で約１８０℃以下の温度で処理することで、保護ガラス板３１２と接着剤層３１１とを接着させる。
【００２７】
上記、接着剤層３１１を、上記周辺接着剤層形成領域保護膜３０６上に形成することで、接着樹脂は二酸化ケイ素を主成分とする材料と接着する。接着により、接着剤層と保護膜との強固な接着界面を得ることができる。その結果、最終ダイシング工程で個片化する際の水分侵入や、湿度による水分の浸透を抑制できる。
上記、接着剤層３１１形成時に、受光部領域保護膜３０５上に残渣が発生した場合、既知のアッシング又は既知のデスカム方式を用いても、光学機能層３０８に使用するマイクロレンズの形状変化なしに、残渣除去できる。
【００２８】
次に、図３ｆに示すように、例えば、半導体基板３０１を既知の裏面研磨技術により、貫通電極形成可能な膜厚に研磨し、薄層半導体基板３１３を形成する。薄層半導体基板３１３は、５０〜１５０μｍの厚さになるように研磨することが望ましい。
次に、図３ｇに示すように、薄層半導体基板３１３の裏面に、既知のフォトリソグラフィー技術と既知のドライエッチング技術により、レジストパターン３１４を用いて電極パッド３０４と接続する貫通孔３１５を形成する。貫通孔３１５形成は、レーザードリル等の技術を用いて形成してもよい。貫通孔は、薄層半導体基板表面に沿う断面において、所望の面積を有する。次に、貫通孔３１５側壁部に、既知のＣＶＤ技術や既知のフォトリソグラフィー技術や既知のドライエッチング技術を用いて、側壁絶縁膜を形成する。
【００２９】
この後、図３ｈに示すように、公知のスパッタリング技術やフォトリソグラフィー技術や電解メッキ技術を用いて、貫通孔３１５内と薄層半導体基板３１３の裏面に金属配線層（外部接続端子）を兼ねた貫通電極３１６を形成する。形成された貫通電極３１６は、電極パッドと電気的に接続できる。なお、貫通電極３１６は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｎ等の材料を目的に応じて使用できる。
次に、図３ｉに示すように、既知の樹脂膜ラミネート技術や既知の塗布技術を用いて、貫通電極３１６を覆うように感光性保護膜からなる裏面保護膜３１７を形成する。次いで、既知のフォトリソグラフィー技術によりハンダ電極形成孔を形成した後、公知のスクリーン印刷技術によりＳｎ−Ａｇを主成分として含むハンダ電極３１８を形成する。
次に、図３ｊに示すように、既知のダイシング技術を用いて、半導体基板のスクライブラインに沿って、個片化することで、実施の形態に係る固体撮像装置３１９が形成される。
【符号の説明】
【００３０】
１０１  基板、１０２  ダイ（チップ）、１０３  有効ピクセル、１０４  電極パッド（ボンディングパッド）、１０５  マイクロレンズ、１０６  保護膜、１０７  接着剤層、１０８  透明保護板、２０１  固体撮像装置、２０２  基板、２０３  第１の絶縁膜、２０４  固体撮像素子、２０５  第２の絶縁膜、２０６  透明膜、２０７  透明保護板、２０８  電極パッド、２０９  貫通電極、２１０  接着剤層、３０１  半導体基板、３０２  ダイ、３０３  固体撮像素子領域、３０４  電極パッド、３０５  受光部領域保護膜、３０６  接着剤層形成領域保護膜、３０７  接着剤層、３０８  光学機能層、３０９  光透過性保護膜、３１０  レジストパターン、３１１  接着剤層、３１２  保護ガラス板、３１３  薄層半導体基板、３１４  レジストパターン、３１５  貫通孔、３１６  貫通電極、３１７  裏面保護膜、３１８  ハンダ電極、３１９  固体撮像装置
【図１】
2010219402.tif 000003
【図２】
2010219402.tif 000004
【図３ａ】
2010219402.tif 000005
【図３ｂ】
2010219402.tif 000006
【図３ｃ】
2010219402.tif 000007
【図３ｄ】
2010219402.tif 000008
【図３ｅ】
2010219402.tif 000009
【図３ｆ】
2010219402.tif 000010
【図３ｇ】
2010219402.tif 000011
【図３ｈ】
2010219402.tif 000012
【図３ｉ】
2010219402.tif 000013
【図３ｊ】
2010219402.tif 000014