(57)【要約】【課題】液浸液を供給する位置にて液浸液の温度を測定する温度センサを提供する。【解決手段】この温度センサの読み取り値を使用して、ヒーター及び／又はクーラーを使用した液浸液への入熱の大きさを制御する。コントローラを使用して、上流に設けられた温度センサに対するこの温度センサの較正誤差を計算する。コントローラは、無限質量流量における２つの温度センサ間の温度差を推定するために、１つ又は複数の質量流量における２つの温度センサの温度差の読み取り値を使用する。この無限質量流量における温度差は、上流の温度センサに対して液浸液が供給される位置における液浸液の温度を測定する温度センサの温度較正誤差であると推定される。【選択図】図６
2010050455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィ装置内の流体供給場所にて流体の温度を制御する流体温度制御ユニットであって、
ある場所を有し、また、前記流体供給場所から離れた位置にて前記流体の温度を測定する第一温度センサ、
前記流体供給場所にて前記流体の温度を測定し、また、前記第一温度センサに対するその較正誤差がin situ測定され得るようになされた第二温度センサ、及び
前記流体を前記第一温度センサの前記場所から前記供給場所へ移送する流体移送経路、
を備える流体温度制御ユニット。
【請求項２】
少なくとも２つの異なる既知の質量流量にて前記第一及び第二温度センサ間で測定される温度の差を使用して、前記第二温度センサの較正温度誤差を計算する計算ユニットをさらに備える、請求項１に記載の流体温度制御ユニット。
【請求項３】
前記計算ユニットが、前記少なくとも２つの異なる流量における前記測定温度の前記差を使用して、無限流体質量流量にて前記第一及び第二温度センサ間で測定されるような理論温度差を予測することにより、前記較正温度誤差を計算し、前記予測理論温度差が前記較正温度誤差である、請求項２に記載の流体温度制御ユニット。
【請求項４】
前記計算ユニットが、前記少なくとも２つの異なる流量における前記測定温度の前記差を使用し、式：
【数１】
2010050455.tif 000007
を用いて前記第一及び第二温度センサ間の温度差と流体の質量流量との対比曲線を生成し、
前記計算ユニットが、前記生成された曲線を使用して、無限流体質量流量における前記理論温度差を予測する、請求項３に記載の流体温度制御ユニット。
【請求項５】
前記第一及び第二温度センサ間の温度差と流体の質量流量との前記対比曲線が、最小自乗フィッティングモデルを使用して生成される、請求項４に記載の流体温度制御ユニット。
【請求項６】
対流による液浸流体への前記熱伝達（Ｑ）が、不明であり、且つ
ｉ）液浸流体と周囲環境との温度差（Ｔenv）、及び
ｉｉ）液浸流体の速度に対する周囲環境流体の速度（Ｖair）
の関数である、請求項４に記載の流体温度制御ユニット。
【請求項７】
前記較正誤差を計算するために、前記第一及び第二温度センサへ較正流を選択的に提供する較正流体供給システムをさらに備え、該較正流体供給システムによって提供される前記較正流が、前記流体温度制御ユニットによって制御されている温度を有する前記流体とは無関係である、前記請求項のいずれか１項に記載の流体温度制御ユニット。
【請求項８】
（ｉ）前記第一温度センサに対する前記第二温度センサの前記較正誤差を測定している場合は較正流を、及び（ｉｉ）前記第一温度センサに対する前記第二温度センサの前記較正誤差を測定していない場合は、前記流体温度制御ユニットによって制御されている温度を有する前記流体を、前記第一及び第二温度センサに選択的に提供する流れコントローラをさらに備える、請求項７に記載の流体温度制御ユニット。
【請求項９】
第一温度センサ、
前記第一温度センサに対するその較正誤差が割り出され、また、前記第一温度センサから離れている第二温度センサ、
前記第一温度センサに対する前記第二温度センサの較正温度誤差を計算する計算ユニット、及び
流体を前記第一温度センサから前記第二温度センサへ移送する流体移送経路内の前記流体の質量流量を制御する質量流量コントローラ、
を備える温度センサ較正ユニット。
【請求項１０】
液浸リソグラフィ装置内の流体供給場所にて流体の温度を制御する方法であって、
第一温度センサを使用して、前記流体供給場所から離れた場所にて前記流体の温度を測定し、
前記流体を前記第一温度センサの前記場所から前記流体供給場所へ移送し、
第二温度センサを使用して、前記流体供給場所にて前記流体の温度を測定し、
前記第一温度センサに対する前記第二温度センサの温度較正誤差をin situ計算することを含む方法。
【請求項１１】
前記温度較正誤差の計算が、無限流体質量流量にて前記第一及び第二温度センサ間で測定されるような理論温度差を予測することを含み、前記予測理論温度差が前記較正温度誤差である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記理論温度差の予測が、少なくとも２つの異なる既知の流量にて前記第一及び第二センサ間で測定した温度の差を使用し、式：
【数２】
2010050455.tif 000008
を用いて前記第一及び第二温度センサ間の温度差と流体の質量流量との対比曲線を生成することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第二温度センサによって測定されたままの前記流体の温度を所望の温度へと上昇させるように、前記流体を加熱することをさらに含む、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記流体の加熱が、前記第二温度センサ上流から離れた場所で実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第一温度センサに対する第二温度センサの温度較正誤差を計算する方法であって、
前記第一温度センサを使用して、流体の温度を測定し、
前記第二温度センサを使用して、前記第一温度センサと前記第一温度センサの下流に位置している前記第二温度センサとの間に流れる前記流体の温度を測定し、
無限流体質量流量にて前記第一温度センサによって測定された前記温度と前記第二温度センサによって測定された前記温度との温度差を予測することを含み、前記予測された温度差が前記第二温度センサの温度較正誤差である方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。特に、デバイスは液浸リソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。液体は蒸留水であることが望ましいが、別の液体を使用することができる。本発明の実施形態は液体に関して説明されている。しかし別の流体、特に湿潤(wetting)流体、非圧縮性流体、及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることができることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族、例えばデカリン、又はフルオロハイドロカーボンなどの炭化水素、又は水溶液である。
【０００４】
[0004]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  提案されている解決法の１つは、流体ハンドリングシステムが、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所区域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、望ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００６】
[0006]  欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  基板の露光が一定であることを保証するために、液浸液の特性を制御することが非常に重要である。特に、液浸液の温度を正確に制御することが望ましい。というのは、液浸液の特性（例えば光学特性）が温度とともに変化し得るからである。その結果として、この特性の変化が基板の露光に影響することがある。
【０００８】
[0008]  熱制御ユニットを使用して、液浸液の温度を調整することができる。しかし従来の液浸リソグラフィ装置では、温度の正確な制御が望ましい点の近傍に熱制御ユニットを置くことが往々にして可能でない。これは、例えば液体供給システム近傍の空間の制約によるものであり得る。したがって、熱制御ユニットは遠い位置に配置される。これで、液浸液を使用点へ、つまりその１つ又は複数の特性を制御すべき点へと移送しなければならない。液浸液を遠い熱制御ユニットから使用点へと搬送する間に、液浸液へ／からの熱伝達が生じることがある。この熱伝達の大きさは不明である。したがって、使用点における液浸液の温度を正確に制御することができず、したがって液浸液の特性が変化することがある。
【０００９】
[0009]  例えば、液浸リソグラフィ装置の使用点にて液浸液の温度を正確に制御する装置及び方法を提供することが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置内の流体供給場所にて流体の温度を制御する流体温度制御ユニットが提供され、制御ユニットは、
ある場所を有し、また、流体供給場所から離れた位置にて流体の温度を測定する第一温度センサ、
流体供給場所にて流体の温度を測定し、また、第一温度センサに対するその較正誤差がin situ測定され得るようになされた第二温度センサ、及び
流体を第一温度センサの場所から供給場所へ移送する流体移送経路を備える。
【００１１】
[0011]  本発明のさらなる態様によれば、
第一温度センサ、
第一温度センサに対するその較正誤差が割り出され、また、第一温度センサから離れている第二温度センサ、
第一温度センサに対する第二温度センサの較正温度誤差を計算する計算ユニット、及び
流体を第一温度センサから第二温度センサへ移送する流体移送経路内の流体の質量流量を制御する質量流量コントローラ、
を備える温度センサ較正ユニットが提供される。
【００１２】
[0012]  本発明のさらなる態様によれば、液浸リソグラフィ装置内の流体供給場所にて流体の温度を制御する方法が提供され、方法は、
第一温度センサを使用して、流体供給場所から離れた場所にて流体の温度を測定し、
流体を第一温度センサの場所から流体供給場所へ移送し、
第二温度センサを使用して、流体供給場所にて流体の温度を測定し、
第一温度センサに対する第二温度センサの温度較正誤差をin situ計算することを含む。
【００１３】
[0013]  本発明のさらなる態様によれば、第一温度センサに対する第二温度センサの温度較正誤差を計算する方法が提供され、方法は、
第一温度センサを使用して、流体の温度を測定し、
第二温度センサを使用して、第一温度センサと第一温度センサの下流に位置している第二温度センサとの間に流れる流体の温度を測定し、
無限流体質量流量にて第一温度センサによって測定された温度と第二温度センサによって測定された温度との温度差を予測することを含み、予測された温度差が第二温度センサの温度較正誤差である。
【００１４】
[0014]  本発明のさらなる態様によれば、第一温度センサに対する第二温度センサの温度較正誤差を計算するコンピュータプログラムが提供され、使用時に、流体は第一温度センサと第二温度センサの間を流れて、第二温度センサは第一温度センサの下流に位置し、コンピュータプログラムは、第一及び第二温度センサからの温度読み取り値を使用して、無限流体質量流量にて第一温度センサによって測定された温度と第二温度センサによって測定された温度との温度差を予測するように構成された命令を含み、予測された温度差が温度較正誤差である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】リソグラフィ投影装置内で使用する流体ハンドリングシステムを示した図である。
【図３】リソグラフィ投影装置内で使用する流体ハンドリングシステムを示した図である。
【図４】リソグラフィ投影装置内で使用するさらなる流体ハンドリングシステムを示した図である。
【図５】リソグラフィ投影装置内で使用するさらなる流体ハンドリングシステムを示した図である。
【図６】本発明の実施形態による流体温度制御ユニットを示した図である。
【図７】較正流を使用し、第二温度センサを第一温度センサに較正する装置を示した図である。
【図８】液浸液の流路に沿った異なる点にて２つのセンサで測定した温度差と、液浸液の質量流量とを対比示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[0016]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１７】
[0017]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１８】
[0018]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１９】
[0019]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２０】
[0020]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２１】
[0021]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２２】
[0022]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２３】
[0023]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２４】
[0024]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２５】
[0025]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＭを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２６】
[0026]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２７】
[0027]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２８】
[0028]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００２９】
[0029]  局所流体ハンドリングシステムがある液浸リソグラフィ装置が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給される。液体は、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去される。これは、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組み合わせの入口及び出口は動作しない）。
【００３０】
[0030]  提案されている局所流体ハンドリングシステムの解決法を有する別の液浸リソグラフィ装置は、流体ハンドリングシステムにバリア部材（又はいわゆる液浸フードＩＨ）を提供する。バリア部材は投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルとの間にある空間の境界の少なくとも一部に沿って延在することができる。このような装置が図５に図示されている。バリア部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止していてよいが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。バリア部材と基板の表面との間にシールが形成される。
【００３１】
[0031]  図５を参照すると、バリア部材１２が、投影システムＰＳの像フィールドの周囲で基板Ｗに対する非接触シール、例えばガスシール１６を形成する。したがって液浸液が閉じ込められて、基板表面Ｗと投影システムＰＳの最終要素との間の液浸空間又はリザーバ１１を充填する。リザーバ１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され、それを囲むバリア部材１２によって形成される。液体を、投影システムＰＳの下方で、バリア部材１２内の空間１１に入れる。バリア部材１２は投影システムＰＳの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。実施形態では、バリア部材１２は、その上端が投影システムＰＳ又はその最終要素の形状に非常に一致することができる内周を有する。これは例えば円形でよい。底部では、内周が像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形でよいが、そうである必要はない。
【００３２】
[0032]  実施形態では、バリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間のガスシール１６によって、リザーバ１１内に液体が閉じ込められる。ガスシール１６は気体、例えば空気又は合成空気によって形成される。１つの実施形態では、Ｎ2又は別の不活性ガスが圧力下で入口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗの間のギャップに提供され、第一出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、第一出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流があるように構成することができる。このようなシステムが、米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示されている。
【００３３】
[0033]  以上で説明したように、液浸リソグラフィの間に使用される液浸液の温度を制御することが重要である。
【００３４】
[0034]  例えば空間の制約により、液浸液のメイン熱コントローラは、液浸液の温度を制御する必要がある点（本明細書では「供給点」とも呼ぶ）に配置することができない。液浸液の温度を制御すべき点は通常、基板の露光中に液浸液が封じ込められる領域への液浸液入口となる。これは、例えば図２、図３、図４又は図５に示した入口のいずれか１つとすることができる。供給点は、いわゆる液浸フードＩＨへの入口にあるとすることができる。
【００３５】
[0035]  したがって、液浸液をメイン熱コントローラへ移送するか、そこから供給点へ搬送しなければならない。以上で説明したように、この移送中に環境と液浸液との間で熱伝達が生じることがある。この熱伝達の大きさ（及び／又は場合によっては方向）が不明であるので、供給点における液浸液の温度を十分な精度で制御することができない。
【００３６】
[0036]  図６を参照すると、流体温度制御ユニット１００が概略的に描かれている。流体温度制御ユニット１００内で温度センサを使用し、供給点１６０における液浸液の温度を測定することができる。温度センサは、典型的な液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリング点１６０（つまり液浸液の温度を制御すべき点）に、その非常に近くに、又はその近傍に設けられるほど十分に小さくすることができる。温度センサは、負温度係数（ＮＴＣ）センサとすることが望ましい。このようなセンサは、少なくとも±１ｍＫという良好な精度を有することが望ましい。センサは、少なくとも±０．５ｍＫという良好な精度を有することが、さらに望ましい。センサは、少なくとも±０．１ｍＫという良好な精度を有することが、さらに望ましい。このような温度センサは、図６に第二温度センサ１２０として図示されている（以下で述べるように、第二温度センサ１２０の上流には第一温度センサ１１０も設けられる）。
【００３７】
[0037]  図６に示す実施形態では、第二温度センサ１２０を使用して、ヒーター１３０に制御信号３００を提供することができる。ヒーター１３０は入熱を液浸流体に提供する。ヒーターによる液浸流体への入熱量は、第二温度センサ１２０から送信された制御信号３００に依存する。この方法で、供給点１６０における温度を所望のレベルに維持するために、第二温度センサ１２０からヒーター１３０への制御信号３００を含むフィードバックループを使用して、ヒーター１３０が適正な量の熱を液浸流体に提供することを保証するのに役立てることができる。
【００３８】
[0038]  図６の実施形態に示すように、ヒーター１３０は第二温度センサ１２０から離れた上流場所に設けることができる。多くの事例で、ヒーター１３０は、空間の制約により第二温度センサ１２０から離れた上流場所に設けねばならない。したがって、ヒーター１３０によって供給される熱は、液浸液の温度が流体移送経路４００に沿って熱伝達Ｑを経験した後に第二温度センサ１２０にて所望のレベルになるようなものである。実施形態では、ヒーター１３０は供給点１６０に、その付近に、又はその近傍に設けることができる。
【００３９】
[0039]  熱伝達Ｑは、液浸液が流体搬送経路４００に沿って移動する場合に、液浸液との間の熱伝達とすることができる（つまり正又は負の入熱になることがある）。熱伝達Ｑは通常、大部分が流体搬送経路４００を囲む環境流体（通常は空気）の対流によるものである。このような熱伝達Ｑは通常、液浸流体に対する環境流体の速度（Ｖair）及び液浸流体と環境流体との温度差（Ｔenv）に依存する。
【００４０】
[0040]  図６に示す実施形態では、ヒーター１３０は、第二温度センサ１２０の上流に配置されたメイン熱制御ユニット５００内に設けられる。以上で検討したように、メイン熱制御ユニット５００は通常、供給点１６０に設けるには大きすぎる。図６に示す実施形態では、メイン熱制御ユニット５００は１次熱コントローラ１５０も備える。１次熱コントローラ１５０は、液浸液の近似的温度制御を提供するために使用することができる。したがって、１次熱コントローラ１５０はヒーター及び／又は追加の温度センサを備えることができる。
【００４１】
[0041]  通常、１次熱コントローラ１５０の出口における液浸液の温度は、液浸液が供給点１６０にて所望の温度であるためにそれがヒーター１３０の出口でなるべき温度より低い。つまり、供給点１６０における液浸液の温度を正確に制御するために、ヒーター１３０によって常に液浸液に熱が入力される。以上で説明したように、ヒーター１３０による入熱量は、次に制御信号３００によって割り出される。通常、ヒーター１３０による液浸液の温度上昇は１００ｍＫ以内であるが、状況によってはヒーター１３０が液浸液の温度を１００ｍＫより大きく上昇させることができる。さらに一般的には、ヒーター１３０による液浸液の温度上昇は５０ｍＫ以内である。さらに一般的には、ヒーター１３０による液浸液の温度上昇は３０ｍＫ以内である。さらに一般的には、ヒーター１３０による液浸液の温度上昇は１５ｍＫ以内である。通常、ヒーター１３０が補償すべき熱オフセットが小さくなると、システムの熱安定性が向上する。
【００４２】
[0042]  したがって、図６に関して以上で説明した装置を使用すると、供給点１６０にメイン熱制御ユニット５００がない状態で、液浸リソグラフィ装置内で第二温度センサ１２０によって測定したままの液浸液の温度の十分に正確な制御を維持することが可能である。
【００４３】
[0043]  このシステムは、液浸液自体の温度を正確に制御するために、第二温度センサ１２０が正確に較正されていることに依拠する。以上で説明したように、通常、第二温度センサ１２０はＮＴＣセンサである。このようなセンサは、センサのドリフト及び／又は電子機器のドリフトが発生しやすい。このようなドリフトを補償するために、第二温度センサ１２０を頻繁に再較正しなければならない。通常、第二温度センサ１２０及び第一温度センサ１１０は両方とも精密であり、したがってその間で測定される温度差の変化は正確であるはずである。しかし、第二温度センサ１２０を正確に較正しないと、それによって測定された絶対温度値が正確でないことがある。したがって、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の温度較正誤差は通常、まさしく温度オフセットである。
【００４４】
[0044]  従来、温度センサは、較正基準として使用する別の温度センサとともにそれを大きい流体槽に入れることによって再較正することができる。しかし、図６に示す実施形態の第二温度センサ１２０をこの方法で再較正するためには、第二温度センサ１２０を（及び実際には第一温度センサ１１０を）液浸リソグラフィ装置から外す必要がある。それには通常、液浸リソグラフィ装置を停止し、開く必要がある。つまり、液浸リソグラフィ装置がある期間にわたって使用できず、したがって露光基板のスループットが減少する。液浸液に汚染物質及び／又は細菌が入ることにもつながる。これは望ましくない。というのは、液浸液は超高純度である必要があり、したがって何らかの汚染物質がこれに入ると、液浸流体供給システムを濯いでいる間に、さらなる停止時間につながり得る。場合によっては、液体槽内の温度センサの較正は、センサをその測定位置に戻した場合に、有効性を維持しないことがある。
【００４５】
[0045]  本発明の実施形態によれば、第二温度センサ１２０の較正誤差をin situチェックする装置及び方法が提供される。したがって、第二温度センサ１２０を動作位置から外す必要なく、その較正誤差を定めることができる。実施形態では、較正誤差が定められたら、第二温度センサ１２０を較正することができる。実施形態では、第二温度センサ１２０の較正は必要ない。
【００４６】
[0046]  本発明の実施形態によれば、第一温度センサ１１０に対して第二温度センサ１２０の較正誤差を測定することができる。図６に示した実施形態と同様に、第一温度センサ１１０を第二温度センサ１２０の上流に設けることができる。第一温度センサ１１０をメイン熱制御ユニット５００内に設けることができる。これは、１次熱コントローラ１５０の出口とヒーター１３０の入口との間の液浸液の流体供給経路に設けることができる。実施形態では、第一温度センサ１１０を別の位置に設けることができ、それは必ずしもメイン熱制御ユニット５００内である必要はない。第一温度センサ１１０は、容易にアクセス可能である位置及び／又は容易に較正できる位置に設けられることが望ましい。
【００４７】
[0047]  第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差を定める１つの技術は、図７に示すように、別個の較正流(calibration flow)７００を提供することである。図７に示す装置では、較正流体供給システム７５０によって別個の較正流７００を提供する。この別個の流れ７００は、液浸液の流れとは無関係である。較正流体供給システム７５０は、第一及び第二温度センサ１１０、１２０に較正流を選択的に提供することができる。較正流体供給システム７５０は、バルク(bulk)較正流タンク７１０（ポンプも備えることができる）及び／又は較正流７００を移送する較正流パイプ７２０を備えることができる。
【００４８】
[0048]  別個の較正流７００を第一及び第二温度センサ１１０、１２０に選択的に提供し、流れコントローラ６１０、６２０、６３０、６４０を使用して一方又は両方の温度センサ１１０、１２０を較正することができる。流れコントローラ６１０、６２０、６３０、６４０は、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差を測定している場合に、第一及び第二温度センサ１１０、１２０に較正流７００を選択的に提供するように構成することができる。流れコントローラ６１０、６２０、６３０、６４０は、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差を測定していない場合に、第一及び第二温度センサ１１０、１２０に、流体温度制御ユニット１００によって制御されている温度を有する液浸流体を選択的に提供するようにさらに構成することができる。
【００４９】
[0049]  較正流７００は、液浸液の流れよりもはるかに熱的に安定させることができる。これは、較正流体供給システム７５０が、例えば較正流７００を移送するために非常に大きい質量流量及び／又は高度に断熱されたパイプ７２０を有するように構成することによって達成することができる。したがって、実際には較正流７００と環境との間に多少の熱伝達が生じることがあるが、熱伝達の量は実質的に無視できるほどにすることができる。したがって、第一温度センサ１１０と第二温度センサ１２０の間の較正流７００への熱伝達は、第一温度センサ１１０と第二温度センサ１２０の間の流体温度制御ユニット１００によって制御されている温度を有する液浸流体への熱伝達より小さくすることができる。追加的又は代替的に、第一温度センサ１１０と第二温度センサ１２０との間の較正流７００の熱伝達による温度変化は、第一温度センサ１１０と第二温度センサ１２０の間の流体温度制御ユニット１００によって制御されている温度を有する液浸流体の熱伝達による温度変化より小さくすることができる。
【００５０】
[0050]  したがって、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差は、２つのセンサ１１０、１２０の読み取り値の差として単純に計算することができる。つまり、２つの温度センサ１１０、１２０が相互に完璧に較正されている場合、これは大きな流れに対して同じ温度読み取り値を与えるはずである。
【００５１】
[0051]  実施形態では、流体温度制御ユニット１００は、第一温度センサ１１０に対して第二温度センサ１２０を較正する、又は第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差を割り出すために使用される計算ユニット１４０を備える。このような計算ユニットが図６に図示されている。この実施形態では、別個の較正流は必要とされない。
【００５２】
[0052]  図６に示す計算ユニット１４０を備える実施形態では、較正流のための余分な管類の必要性はなく、較正流のためのポンプシステムの必要性もない。つまり、図６に示すような実施形態はコンパクトに、及び／又は低コストで作成することができる。計算ユニット１４０を備えるが、特定の較正流がない図６に示す実施形態では、パイプとメトロロジーフレームＲＦとの動的交差も回避される。これは、メトロロジーフレームＲＦへの望ましくない温度変動及び／又は振動の伝達を回避することにも役立てることができる。
【００５３】
[0053]  計算ユニット１４０は入力として、第二温度センサ１２０によって測定されたままの温度２１０、第一温度センサ１１０によって測定されたままの温度２２０、及び質量流量センサ４１０によって測定されたままの液浸液の質量流量２３０を有する。これは、それらの入力を使用して、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差を理論的に予測する。任意選択で、計算ユニット１４０は、第一温度センサ１１０に合わせて第二温度センサ１２０を較正することができる。計算ユニット１４０が使用する理論を以下で説明する。
【００５４】
[0054]  対流熱伝達により液浸液中の２点間で生成される実際の温度差（ΔＴ）は、以下のようにモデル化することができる。
【数１】
2010050455.tif 000003
【００５５】
[0055]  以上の式１に示すように、液浸流体への熱伝達（Ｑ）は、液浸流体と周囲環境（通常は空気）との間の温度差（Ｔenv）、及び液浸液の流れに対する周囲環境の速度（Ｖair）の関数である。
【００５６】
[0056]  項ΔＴdP（ｍドット）は、２点間の圧力低下による液浸液の温度変化を表す。この項は、流速の既知の関数である。したがって、これは所与の質量流量について容易に計算することができる。このように、質量流量（及びしたがって流速）が分かっている場合は、式１でこの項による温度変化を考慮することができる。
【００５７】
[0057]  図８は、ΔＴdP（ｍドット）の項を考慮にいれた状態で、２点間の温度差と液浸液の質量流量とを対比示するグラフである（つまり、ｙ軸の温度差は、ΔＴdP（ｍドット）の項を除く２点間の温度差である）。液浸流体の流れの２点間で測定された温度の差をプロットするが、その２点は第一温度センサ１１０と第二温度センサ１２０にある。曲線Ａは、ｃp及びＱの適切な値について以上の式を使用し、第一温度センサ１１０と第二温度センサ１２０の間の（ΔＴdp（ｍドット）の項を除く）温度差（ΔＴ）と、液浸液の流れの質量流量との対比プロットを示す。曲線Ａに見られるように、質量流量が無限に近づくにつれ、温度差はゼロに向かう。というのは、（流速が分かっているので）式１の右手側にあるΔＴdP（ｍドット）の項を考慮に入れ、Ｑがゼロに向かうからである。したがって、第一及び第二温度センサ１１０、１２０が相互に正確に較正されている場合は、式１で第一及び第二温度センサ１１０、１２０からの値を使用して、曲線Ａが生成される。
【００５８】
[0058]  しかし、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差により、式１は以下の式２になる。
【数２】
2010050455.tif 000004
【００５９】
[0059]  図８の曲線Ｂは、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差（Ｃdrift）がある場合に、第一及び第二温度センサ１１０、１２０間で（ΔＴdP（ｍドット）の項を除く）測定された温度の差が質量流量とともにいかに変化するかを示す。曲線Ｂに示す例では、較正誤差（Ｃdrift）は約１５ｍＫである。
【００６０】
[0060]  図８の曲線では質量流量が無限に向かうにつれてＱがゼロに向かい、圧力低下による温度差（ΔＴdP（ｍドット））を既に考慮しているので、質量流量が無限に向かうにつれて、２つの温度センサ間でプロットされた温度の差は第二温度センサ１２０の較正誤差の値に向かう。
【００６１】
[0061]  計算ユニット１４０は以上の理論を使用して、質量流量が無限に向かう場合の２つの温度センサ１１０、１２０間の温度差を推定し、それにより第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正温度誤差を定める。本明細書で言及しているように、無限流体質量流量(infinite fluid mass flow rate)にて第一及び第二温度センサ１１０、１２０間で測定されるような予測又は推定された理論温度差(theoretical temperature difference)は、圧力低下による温度差を考慮に入れた後（つまりΔＴdP（ｍドット）の項を引いた状態）の２つのセンサ１１０、１２０間の予測された理論温度差を意味することができると理解される。
【００６２】
[0062]  典型的な実施形態では、計算ユニット１４０は液浸液の２つの異なる質量流量で２つの温度入力及び質量流量入力を受信する。液浸液の質量流量は、図６に示す流量コントローラ４２０を使用して変更することができる。これら２つの異なる既知の流量で第一及び第二温度センサ１１０、１２０間の温度差を取得することにより、計算ユニット１４０は、液浸液への熱伝達Ｑが不明であっても、２つのセンサ間の温度差と質量流量との対比曲線（図８の曲線Ｂ）を生成することができる。例えば、計算ユニット１４０が（例えば正確に較正したセンサで制御した状態でシステムについて生成した対照標準の曲線から）曲線の全体的形状を知っている場合、最小自乗フィッティングモデルを使用して、２つの読み取り値から精密な曲線を生成することができる。例えば、ネルダー・ミード法(Nelder-Mead method)を使用することができる。精密な曲線が生成されたら、計算ユニット１４０は、無限質量流量にて２つの温度センサ１１０、１２０間の温度差がどうなるかを容易に割り出すことができる。次に、この温度差を、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差と見なす。
【００６３】
[0063]  この温度較正誤差が分かれば、制御信号３００によって命令されるようなヒーター１３０による液浸液への入熱量を相応に変更することができる。任意選択で、第二温度センサ１２０の出力から制御信号３００を生成するために、別個の制御ユニット（図には図示せず）を第二温度センサ１２０とヒーター１３０の間に設けることができる。
【００６４】
[0064]  代替的又は追加的に、例えば計算ユニット１４０を使用して、第一温度センサ１１０に合わせて第二温度センサ１２０を較正することができる。この場合、第二温度センサ１２０及び第一温度センサ１１０は、特定の位置及び特定の時間における所与の流体について、同じ温度読み取り値を与える。したがって、ヒーター１３０へ入力される制御信号３００を変更する必要がない。第一温度センサ１１０に合わせて第二温度センサ１２０が較正されている場合は、ヒーター１３０を使用して液浸液に入力する必要がある熱の量を割り出す際に、２つのセンサ１１０、１２０間の温度差を直接使用することができる。
【００６５】
[0065]  実施形態では、計算ユニット１４０が、１つの質量流量にて２つの温度センサ１１０、１２０間で測定した温度の差を使用し、第二温度センサ１２０の温度較正誤差を割り出すことが可能なことがある。これは、例えば経路４００に沿った液浸液への熱伝達Ｑの値を推定するために、熱伝達モデルを使用した場合に可能になり得る。
【００６６】
[0066]  図６に関して以上で述べた装置及び方法を使用して、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の較正誤差を割り出すことには、１つ又は複数の利点がある。例えば、第二温度センサ１２０（又は実際に第一温度センサ１１０）をシステムから物理的に外す必要がないことがある。これは液浸リソグラフィ装置の停止時間を短縮し、汚染物質及び／又は細菌が液浸液に入る可能性も低下させる。実際、液浸流体そのものを使用して較正測定を実行するので、較正中に液浸液の流れを中断する必要がない。
【００６７】
[0067]  追加的又は代替的に、１つのセンサが破損した場合、従来の熱制御技術ではセンサを全部交換する必要があったが、その１つのセンサしか交換する必要がない。さらに、図６の実施形態では別個の較正流を必要としないので、汚染物質及び／又は細菌が較正流体から液浸液へと入る可能性が全くなくなる。
【００６８】
[0068]  一般的に、図６に関して上述した装置及び方法を使用して第二温度センサ１２０を較正した後、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の温度較正誤差は、±５ｍＫとなる。さらに一般的に、図６に関して上述した装置及び方法を使用して第二温度センサ１２０を較正した後、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の温度較正誤差は、±４ｍＫとなる。さらに一般的に、図６に関して上述した装置及び方法を使用して第二温度センサ１２０を較正した後、第一温度センサ１１０に対する第二温度センサ１２０の温度較正誤差は、±２ｍＫとなる。
【００６９】
[0069]  実施形態をヒーター１３０の使用に関して説明してきたが、実施形態はクーラー１３０又はヒーターとクーラー１３０の組み合わせを有することができる。
【００７０】
[0070]  態様では、液浸リソグラフィ装置内の流体供給場所にて流体の温度を制御する流体温度制御ユニットが提供され、制御ユニットは、ある場所を有し、また、流体供給場所から離れた位置にて流体の温度を測定するように構成されている第一温度センサ、流体供給場所にて流体の温度を測定するように構成され、また、第一温度センサに対するその較正誤差がin situ測定され得るように構成された第二温度センサ、及び流体を第一温度センサの場所から供給場所へ移送するように構成された流体移送経路を備える。任意選択で、流体温度制御ユニットは、少なくとも２つの異なる既知の質量流量にて第一及び第二温度センサ間で測定された温度の差を使用して、第二温度センサの較正温度誤差を計算するように構成された計算ユニットをさらに備える。流体温度制御ユニットは、第一及び第二温度センサ間で流体の質量流量を測定するように構成された質量流量センサをさらに備えることが望ましい。計算ユニットは、少なくとも２つの異なる流量で測定した温度の差を使用して、無限流体質量流量にて第一及び第二温度センサ間で測定されるような理論温度差を予測することにより、較正温度誤差を計算するように構成することが望ましく、予測理論温度差が較正温度誤差である。望ましくは、計算ユニットは、少なくとも２つの異なる流量における測定温度の差を使用し、式：
【数３】
2010050455.tif 000005
を用いて第一及び第二温度センサ間温度差と流体の質量流量との対比曲線を生成するように構成され、該計算ユニットは生成された曲線を使用して、無限質量流量における理論温度差を予測する。最小自乗フィッティングモデルを使用して、第一及び第二温度センサ間の温度差と流体の質量流量との対比曲線を生成することが望ましい。対流による液浸流体への熱伝達（Ｑ）は、不明であり、且つ、（ｉ）液浸流体と周囲環境との温度差（Ｔenv）、及び（ｉｉ）液浸流体の速度に対する周囲の環境流体の速度（Ｖair）の関数であることが望ましい。任意選択で、第二温度センサは供給場所に配置され、第一温度センサは供給場所から離れた上流位置に配置される。任意選択で、流体温度制御ユニットは、較正誤差を計算するために、第一及び第二温度センサへ較正流を選択的に提供する較正流体供給システムをさらに備え、較正流体供給システムによって提供される較正流は、流体温度制御ユニットによって制御されている温度を有する流体とは無関係である。較正流体供給システムは、第一及び第二温度センサ間の較正流への熱伝達が、第一及び第二温度センサ間の流体温度制御ユニットによって制御されている温度を有する流体への熱伝達より小さくなるように構成することが望ましい。較正流体供給システムは、第一及び第二温度センサ間の較正流の熱伝達による温度変化が、第一及び第二温度センサ間の流体温度制御ユニットによって制御されている温度を有する流体の熱伝達による温度変化より小さくなるように構成することが望ましい。較正流体供給システムは、第一及び第二温度センサ間の較正流の熱伝達による温度変化が実質的に無視できるように構成することが望ましい。流体温度制御ユニットは、（ｉ）第一温度センサに対する第二温度センサの較正誤差を測定している場合は較正流を、及び（ｉｉ）第一温度センサに対する第二温度センサの較正誤差を測定していない場合は、流体温度制御ユニットによって制御されている温度を有する流体を、第一及び第二温度センサに選択的に提供するように構成された流れコントローラをさらに備えることが望ましい。任意選択で、第一及び第二温度センサは０．１ｍＫ以内の精度を有する負温度係数（Negative Temperature Coefficient ＮＴＣ）温度センサである。任意選択で、流体温度制御ユニットは、第二温度センサによって測定されたままの流体の温度を所望の温度まで上昇させるのに十分な熱を提供するように構成されたヒーターをさらに備える。ヒーターは、第二温度センサから離れた上流位置に設けることが望ましい。流体温度制御ユニットは、ヒーターの上流に配置され、その出口における流体の温度を、第二温度センサにて流体の温度が所望のレベルになるのに必要なレベルより低いレベルに設定するように構成された１次熱コントローラをさらに備えることが望ましい。流体供給場所に供給される流体は、液浸リソグラフィで使用する液浸液であることが望ましい。
【００７１】
[0071]  態様では、基板の露光中に液浸液を供給する、少なくとも部分的に閉じ込める、及び／又は除去するように構成された流体ハンドリングシステム、及び以上の流体温度制御ユニットを備える液浸リソグラフィ装置が提供され、流体温度制御ユニットは、流体ハンドリングシステム内の液浸液の温度を制御するように構成される。任意選択で、第二温度センサは流体供給場所で流体の温度を測定するように構成され、流体供給場所は流体ハンドリングシステムの供給場所にある。
【００７２】
[0072]  態様では、パターンを照明するように構成された照明光学システム、パターンの像を基板に投影して基板を露光するように構成された投影光学システム、露光されている基板の少なくとも一部に液浸液を供給する、少なくとも部分的に閉じ込める、及び／又はそこから除去するように構成された流体ハンドリングシステム、及び以上の流体温度制御ユニットを備える液浸リソグラフィ装置が提供され、流体温度制御ユニットは、流体ハンドリングシステム内の液浸液の温度を制御するように構成される。
【００７３】
[0073]  態様では、第一温度センサと、第一温度センサに対するその較正誤差が割り出され、また、第一温度センサから離れている第二温度センサと、第一温度センサに対する第二温度センサの較正温度誤差を計算するように構成された計算ユニットと、流体を第一温度センサから第二温度センサへ移送するように構成された流体移送経路内で流体の質量流量を制御するように構成された質量流量コントローラとを備える温度センサ較正ユニットが提供される。任意選択で、較正ユニットは、質量流量コントローラを使用して流体移送経路内の流体の質量流量を少なくとも２つの異なる値に設定し、その少なくとも２つの異なる流量にて第一及び第二温度センサとの温度差を測定し、その少なくとも２つの流量における第一及び第二温度センサとの測定温度の差を使用して、無限流体質量流量にて第一及び第二温度センサ間で測定されるような理論温度差を計算ユニットを使用して予測することにより、較正温度誤差を計算するように構成され、予測理論温度差が較正温度誤差である。
【００７４】
[0074]  態様では、液浸リソグラフィ装置内の流体供給場所にて流体の温度を制御する方法が提供され、方法は、第一温度センサを使用して、流体供給場所から離れた場所にて流体の温度を測定し、流体を第一温度センサの場所から流体供給場所へ移送し、第二温度センサを使用して、流体供給場所にて流体の温度を測定し、第一温度センサに対する第二温度センサの温度較正誤差をin situ計算することを含む。任意選択で、温度較正誤差を計算することは、無限流体質量流量にて第一及び第二温度センサ間で測定されるような理論温度差を予測することを含み、予測理論温度差が較正温度誤差である。任意選択で、理論温度差を予測することは、少なくとも２つの異なる既知の流量にて第一及び第二センサ間で測定した温度の差を使用し、式： 
【数４】
2010050455.tif 000006
を用いて第一及び第二温度センサ間の温度差と流体の質量流量との対比曲線を生成することを含む。任意選択で、方法は、第二温度センサによって測定されたままの流体の温度を所望の温度へと上昇させるように、流体を加熱することをさらに含む。流体の加熱は、第二温度センサの上流の遠い位置で実行することが望ましい。
【００７５】
[0075]  態様では、第一温度センサに対する第二温度センサの温度較正誤差を計算する方法が提供され、方法は、第一温度センサを使用して流体の温度を測定し、第一温度センサの下流に配置されている第二温度センサを使用して第一及び第二温度センサ間を流れる流体の温度を測定し、無限流体質量流量にて第一温度センサによって測定された温度と第二温度センサによって測定された温度の温度差を予測することを含み、予測された温度差が第二温度センサの温度較正誤差である。任意選択で、温度差の予測は、第一質量流量にて、第一温度センサを使用して測定した温度と第二温度センサを使用して測定した温度の差を計算し、第一質量流量とは異なる第二質量流量にて、第一温度センサを使用して測定した温度と第二温度センサを使用して測定した温度の差を計算し、第一及び第二質量流量にて計算した温度差を使用して、第一及び第二温度センサ間の温度差と流体の質量流量との対比曲線を生成することを含む。
【００７６】
[0076]  態様では、第一温度センサに対する第二温度センサの温度較正誤差を計算するコンピュータプログラムが提供され、使用時に流体が第一温度センサと第二温度センサの間を流れ、第二温度センサは第一温度センサの下流に配置され、コンピュータプログラムは、第一及び第二温度センサの温度読み取り値を使用して、無限流体質量流量にて第一温度センサによって測定される温度と第二温度センサによって測定される温度の温度差を予測するように構成された命令を含み、予測温度差が温度較正誤差である。任意選択で、コンピュータプログラムは、第一質量流量にて第一温度センサを使用して測定された温度と第二温度センサを使用して測定された温度の差を計算し、第一質量流量とは異なる第二質量流量にて第一温度センサを使用して測定された温度と第二温度センサを使用して測定された温度の差を計算し、第一及び第二質量流量で計算された温度差を使用して、第一温度センサと第二温度センサ間の温度差と流体の質量流量との対比曲線を生成することによって、温度差を予測するように構成された命令を含む。
【００７７】
[0077]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００７８】
[0078]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００７９】
[0079]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
【００８０】
[0080]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含む１つ又は複数のコンピュータプログラム、又はその内部に記憶されたこのような１つ又は複数のコンピュータプログラムを有する１つ又は複数のデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。本明細書で言及する１つ又は複数の異なるコントローラは、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって１つ又は複数のコンピュータプログラムを読み取る場合に動作可能とすることができる。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成され、それによりコントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作する。
【００８１】
[0081]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、流体ハンドリングシステムが液浸流体を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【００８２】
[0082]  液浸装置内では、液浸液は流体ハンドリングシステム又は装置によって取り扱われる。実施形態では、流体ハンドリングシステムが液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムとすることができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体を閉じ込めることができ、それにより流体閉じ込めシステムとすることができる。閉じ込められる流体が液体である場合、流体閉じ込めシステムは液体閉じ込め構造を有することができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体にバリアを提供することができ、それによりバリア部材とすることができる。実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体（気体など）の流れを生成又は使用し、例えば非接触ガスシールとして液体を閉じ込めるなど、例えば液体の取り扱いに役立てることができる。実施形態では、液浸液を液浸流体として使用することができる。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムとすることができる。
【００８３】
[0083]  本明細書で想定するような流体ハンドリングシステムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せとすることができる。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えることができる。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部とするか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲むことができる。流体ハンドリングシステムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【００８４】
[0084]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
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