(57)【要約】【課題】キャビティを精度よく加工することが可能であり、かつ、製造歩留および製造効率を向上させることが可能な有機プリント基板の製造方法を提供する。【解決手段】この有機プリント基板５０の製造方法は、コア基材２１上にプリプレグ１２３ａを積層する積層工程と、プリプレグ１２３ａの所定部分を除去することにより、凹状のキャビティ１０を形成するキャビティ形成工程とを備えている。そして、積層工程は、コア基材２１とプリプレグ１２３ａとの間に耐熱フィルム１１０を配する工程を含み、キャビティ形成工程は、プリプレグ１２３ａにおける耐熱フィルム１１０と対応する部分を、レーザを用いて切断することにより、プリプレグ１２３ａにキャビティ１０の側壁部１１を形成する工程と、コア基材２１における耐熱フィルム１１０が配されていた部分に、キャビティ１０の底面部１２を形成する工程とを含んでいる。【選択図】図２２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の第１樹脂層の主面上に絶縁性の第２樹脂層を積層する積層工程と、
前記第２樹脂層の所定部分を除去することによって、凹状のキャビティを形成するキャビティ形成工程とを備え、
前記積層工程は、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に離型部材を配する工程を含み、
前記キャビティ形成工程は、
前記第２樹脂層における前記離型部材と対応する部分を除去することにより、前記第２樹脂層に前記キャビティの側壁部を形成する工程と、
前記離型部材を除去することにより、前記第１樹脂層における前記離型部材が配されていた部分に、前記キャビティの底面部を形成する工程とを含むことを特徴とする、有機プリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記離型部材を、キャビティと同じ外形サイズに形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機プリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記キャビティの側壁部を形成する工程は、レーザを用いて、前記第２樹脂層における前記離型部材と対応する部分を切断する工程を有し、
前記積層工程に先立って、前記第１樹脂層の前記主面におけるレーザ光が照射される部分に、金属層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機プリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２樹脂層は、絶縁性の接着シートからなり、
前記接着シートを前記第１樹脂層上に積層する前に、前記接着シートにおける前記キャビティの外形となる部分の一部を切り抜く工程をさらに備え、
前記キャビティの側壁部を形成する工程は、レーザを用いて、前記接着シートにおける前記キャビティの外形となる部分の切り抜かれていない部分を切断する工程を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機プリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記接着シートの一部を切り抜く工程は、前記接着シートにおけるキャビティの外形となる部分の四隅以外を切り抜く工程を有することを特徴とする、請求項４に記載の有機プリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記接着シートを積層する工程に先立って、前記第１樹脂層の前記主面におけるレーザ光が照射される部分に、金属層を形成する工程を備えることを特徴とする、請求項４または５に記載の有機プリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を連続して貫通する貫通スルーホールを形成する工程と、
前記第１樹脂層におけるキャビティが形成される側と反対側の主面上に、ビルドアップ層を形成する工程とをさらに備えることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機プリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１樹脂層上に第２樹脂層が積層された積層体をワークとし、枠状のシート部材を介して、２つの前記ワークを、キャビティが形成される面側が互いに対向するように貼り合わせる工程と、
前記張り合わされたワークの外表面上に、前記ビルドアップ層を形成する工程と、
前記張り合わされたワークの貼り合わせ部を切断することにより、２つのワークに分離する工程とをさらに備えることを特徴とする、請求項７に記載の有機プリント基板の製造方法。
【請求項９】
主面上に金属層が形成された絶縁性の第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の前記主面上に形成された絶縁性の第２樹脂層と、
前記第２樹脂層の所定部分が除去されることによって形成された凹状のキャビティとを備え、
前記キャビティは、前記第１樹脂層に形成された底面部と、前記第２樹脂層に形成された側壁部とを含み、
前記金属層は、前記キャビティの側壁部の根元部に位置するようにパターニングされていることを特徴とする、有機プリント基板。
【請求項１０】
前記金属層は、前記側壁部の根元部の一部に形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の有機プリント基板。
【請求項１１】
前記金属層は、前記側壁部の根元部の一部であって、前記キャビティの四隅の位置に形成されていることを特徴とする、請求項９または１０に記載の有機プリント基板。
【請求項１２】
前記第１樹脂層における前記第２樹脂層が形成されている面と反対側の面上には、ビルドアップ層が形成されていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の有機プリント基板。
【請求項１３】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の製造方法を用いて作製された有機プリント基板と、
前記有機プリント基板のキャビティ内に形成されたデジタル回路部と、
前記有機プリント基板の前記キャビティとは反対側の主面側に形成されたアナログ回路部とを備えることを特徴とする、高周波モジュール。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法を用いて作製された有機プリント基板と、
前記有機プリント基板に形成されるデジタル回路部およびアナログ回路部と、
前記有機プリント基板に取り付けられたシールド効果を有する金属板とを備え、
前記有機プリント基板は、その両面にキャビティが形成されており、
前記デジタル回路部は、前記有機プリント基板の一方面側の前記キャビティ内に形成されているとともに、前記アナログ回路部は、前記有機プリント基板の他方面側の前記キャビティ内に形成されており、
前記金属板は、前記アナログ回路部が形成された前記キャビティを覆うように取り付けられていることを特徴とする、高周波モジュール。
【請求項１５】
前記有機プリント基板は、前記デジタル回路部と前記アナログ回路部との間に形成されたグランド層を有することを特徴とする、請求項１３または１４に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機プリント基板の製造方法及び有機プリント基板、並びに、有機プリント基板を用いた高周波モジュールに関し、特に、キャビティ構造を有する有機プリント基板の製造方法及び有機プリント基板、並びに、その有機プリント基板を用いた高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機や携帯情報端末、携帯ゲーム機などの電子機器の分野では、電子部品を実装するための基板が広く用いられている。また、電子部品の実装密度を高め、小型化、低背化を図るために、上記基板として、キャビティ構造を有するプリント基板が用いられている。このプリント基板では、プリント基板を構成する絶縁層（樹脂層）にキャビティと呼ばれる凹部が形成されており、このキャビティ内に電子部品が収容される。
【０００３】
また、従来、プリント基板にキャビティを形成する方法として、キャビティを形成する位置に貫通穴を設けたプリプレグ（ガラス布などに半硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた接着シート）を用いて熱プレスにより加熱加圧成形し、この貫通穴部分をキャビティとする方法が知られている。この方法では、加熱加圧成形時に軟化したプリプレグの樹脂がキャビティ内に流れ込むのを抑制するために、樹脂成分等が調整された樹脂流れの少ないプリプレグが用いられる。
【０００４】
しかしながら、この方法では、プリプレグの樹脂流れが少ないため、内層回路の銅箔パターン（配線層）の側面にボイド（空隙）が発生し易くなる。すなわち、回路（配線層）の埋め込み性が低下する。このため、絶縁信頼性が低下するという不都合がある。また、上記した従来の方法では、精度よくキャビティを形成することが困難であるという不都合もある。
【０００５】
そこで、従来、回路の埋め込み性を確保するために十分な樹脂流れを有するプリプレグを用いた場合でも、プリプレグの樹脂がキャビティ内に流れ込むのを抑制することが可能であり、かつ、キャビティを精度よく加工することが可能なキャビティの形成方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００６】
上記特許文献１には、プリプレグの貫通穴内に金属保護層を形成し、熱プレスによる加熱加圧成形後に、この金属保護層をエッチングにより除去する方法が記載されている。この方法では、プリプレグの貫通穴内に形成された金属保護層によって、プリプレグの樹脂がキャビティ内（貫通穴内）に流れ込むのが抑制される。このため、十分な樹脂流れを有するプリプレグを用いることが可能となるので、回路の埋め込み性の低下が抑制される。また、この方法では、プリプレグの貫通穴内に金属保護層が形成されているので、熱プレスによるキャビティの変形が抑制される。したがって、キャビティを精度よく加工することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２３６１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１に記載の方法では、プリプレグの貫通穴内に形成される金属保護層はプリプレグと物性が異なるため、熱プレスによる圧力が均等にかからず、積層不良を起こしやすいという不都合がある。このため、特許文献１の方法を用いてキャビティ構造を有するプリント基板を製造した場合、製造されるプリント基板の信頼性が低下するとともに、その製造歩留が低下するという問題点がある。
【０００９】
また、特許文献１の方法および上記した従来の方法のいずれも、プリプレグにキャビティを形成するための貫通穴を多数設けているため、プリプレグのハンドリング性が悪くなる。このため、プリプレグを積層等する際に、その作業性が低下するという不都合がある。これにより、プリント基板の製造効率が低下するという問題点もある。
【００１０】
なお、キャビティ構造を有する基板としては、プリント基板（有機プリント基板）以外に、セラミックス基板も用いられている。このセラミックス基板は、プリント基板に比べて、キャビティ構造を形成し易いという利点があるものの、材質的に脆いため、外部からの荷重による割れや欠けの発生が懸念される。特に、近年では、電子機器の薄型化に伴い、基板も薄型化の方向にあるため、より懸念が大きくなってきている。このため、キャビティ構造を有するプリント基板（有機プリント基板）の要求が高くなってきている。
【００１１】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、キャビティを精度よく加工することが可能であり、かつ、製造歩留および製造効率を向上させることが可能な有機プリント基板の製造方法を提供することである。
【００１２】
この発明のもう１つ目的は、精度よくキャビティが形成された信頼性の高い有機プリント基板を提供することである。
【００１３】
この発明のさらにもう１つの目的は、信頼性の高い高周波モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による有機プリント基板の製造方法は、絶縁性の第１樹脂層の主面上に絶縁性の第２樹脂層を積層する積層工程と、第２樹脂層の所定部分を除去することによって、凹状のキャビティを形成するキャビティ形成工程とを備えている。そして、上記積層工程は、第１樹脂層と第２樹脂層との間に離型部材を配する工程を含み、上記キャビティ形成工程は、第２樹脂層における離型部材と対応する部分を除去することにより、第２樹脂層にキャビティの側壁部を形成する工程と、離型部材を除去することにより、第１樹脂層における離型部材が配されていた部分に、キャビティの底面部を形成する工程とを含む。なお、本発明の第１樹脂層は、樹脂基板を含む。
【００１５】
この第１の局面による有機プリント基板の製造方法では、上記のように、第１樹脂層の主面上に第２樹脂層を積層した後、第２樹脂層における離型部材と対応する部分を除去することにより凹状のキャビティを形成することによって、積層工程の後にキャビティが形成されるので、キャビティ形成後のキャビティの変形を抑制することができる。また、第２樹脂層における離型部材と対応する部分を除去することによって、第２樹脂層にキャビティの側壁部が形成されるので、キャビティの側壁部がフラットになるように樹脂流れを制御する必要もない。さらに、第１樹脂層と第２樹脂層との間に離型部材を配することによって、離型部材が配されている部分では、第１樹脂層と第２樹脂層とは接着されないので、第２樹脂層における離型部材と対応する部分を容易に除去することができる。これにより、キャビティの底面部を容易に形成することができる。したがって、上記のように構成することによって、キャビティを精度よく加工（形成）することができる。
【００１６】
また、第１の局面では、第１樹脂層の主面上に第２樹脂層を積層した後に凹状のキャビティを形成することによって、十分な樹脂流れを有する樹脂層（第２樹脂層）を第１樹脂層の主面上に積層することができる。このため、第１樹脂層と第２樹脂層との接着性の低下を抑制することができるとともに、回路（配線層）の埋め込み性を向上させることができる。これにより、絶縁信頼性などの信頼性を向上させることができる。
【００１７】
また、第１の局面では、第１樹脂層の主面上に、離型部材を覆うように第２樹脂層が積層されるので、熱プレスによる加熱加圧成形によって積層を行った場合でも、第２樹脂層に均等に圧力をかけることができる。このため、積層不良の発生を抑制することができるので、有機プリント基板の製造歩留を向上させることができる。また、製造される有機プリント基板の信頼性を向上させることもできる。
【００１８】
さらに、第１の局面では、第２樹脂層の積層時に、第２樹脂層にはキャビティを形成するための貫通穴が設けられていないので、ハンドリング性が悪くなるという不都合が生じない。このため、積層等の作業において、その作業性を向上させることができるので、有機プリント基板の製造効率を向上させることができる。
【００１９】
なお、上記第１の局面による方法を用いることによって、両面にキャビティが形成された有機プリント基板を作製することができる。
【００２０】
上記第１の局面による有機プリント基板の製造方法において、離型部材を、キャビティと同じ外形サイズに形成するのが好ましい。
【００２１】
上記第１の局面による有機プリント基板の製造方法において、好ましくは、キャビティの側壁部を形成する工程は、レーザを用いて、第２樹脂層における離型部材と対応する部分を切断する工程を有し、積層工程に先立って、第１樹脂層の主面におけるレーザ光が照射される部分に、金属層を形成する工程をさらに備えている。このように構成すれば、レーザにより、第２樹脂層をフラットに切断することができるので、第２樹脂層に形成されるキャビティの側壁部を平坦に形成することができる。また、レーザを用いることによって、第２樹脂層における離型部材と対応する部分を精度よく切断することができる。さらに、第１樹脂層の主面におけるレーザ光が照射される部分に金属層を形成しておくことによって、この金属層を加工しないようにレーザの条件を設定しておけば、レーザは金属層を貫通して切断することはないので、レーザ加工における深さ方向（厚み方向）の制御を容易に行うことができる。これにより、キャビティの加工時における深さ方向（厚み方向）の加工精度を向上させることができる。したがって、上記のように構成することにより、容易に、キャビティの加工精度を向上させることができる。
【００２２】
上記第１の局面による有機プリント基板の製造方法において、第２樹脂層は、絶縁性の接着シートからなり、接着シートを第１樹脂層上に積層する前に、接着シートにおけるキャビティの外形となる部分の一部を切り抜く工程をさらに備え、キャビティの側壁部を形成する工程は、レーザを用いて、接着シートにおけるキャビティの外形となる部分の切り抜かれていない部分を切断する工程を有しているのが好ましい。
【００２３】
この場合において、接着シートの一部を切り抜く工程は、接着シートにおけるキャビティの外形となる部分の四隅以外を切り抜く工程を有しているのが好ましい。
【００２４】
上記第２樹脂層が絶縁性の接着シートからなる場合において、好ましくは、接着シートを積層する工程に先立って、第１樹脂層の主面におけるレーザ光が照射される部分に、金属層を形成する工程を備えている。このように構成すれば、金属層の一部が途切れた状態となるので、第１樹脂層の主面に回路（配線層）を形成する際に、この途切れた部分を介して、金属層の内側の領域から金属層の外側の領域に、回路（配線層）を引き回すことができる。このため、回路（配線層）の引き回し自由度を向上させることができる。なお、接着シートにおけるキャビティの外形となる部分の四隅以外を切り抜けば、金属層は、キャビティの外形となる部分の四隅に形成することになるので、四隅以外の部分を介して、回路（配線層）を引き回すことができる。この場合、回路（配線層）の引き回し自由度をより向上させることができる。
【００２５】
上記第１の局面による有機プリント基板の製造方法において、好ましくは、第１樹脂層および第２樹脂層を連続して貫通する貫通スルーホールを形成する工程と、第１樹脂層におけるキャビティが形成される側と反対側の主面上に、ビルドアップ層を形成する工程とをさらに備えている。このように構成すれば、有機プリント基板におけるビルドアップ層が形成された面（キャビティが形成される側と反対側の面）の全面を、電子部品の実装面とすることができるので、電子部品の実装密度を高めることができる。このため、このような製造方法により得られた有機プリント基板を用いて高周波モジュールを形成すれば、高周波モジュールの小型化を図ることができる。
【００２６】
また、この場合において、好ましくは、第１樹脂層上に第２樹脂層が積層された積層体をワークとし、枠状のシート部材を介して、２つのワークを、キャビティが形成される面側が互いに対向するように貼り合わせる工程と、張り合わされたワークの外表面上に、ビルドアップ層を形成する工程と、張り合わされたワークの貼り合わせ部を切断することにより、２つのワークに分離する工程とをさらに備えている。このように構成すれば、ビルドアップ層を効率よく形成することができるので、有機プリント基板の製造効率を容易に向上させることができる。
【００２７】
この発明の第２の局面による有機プリント基板は、主面上に金属層が形成された絶縁性の第１樹脂層と、第１樹脂層の主面上に形成された絶縁性の第２樹脂層と、第２樹脂層の所定部分が除去されることによって形成された凹状のキャビティとを備えている。そして、上記キャビティは、第１樹脂層に形成された底面部と、第２樹脂層に形成された側壁部とを含んでおり、上記金属層は、キャビティの側壁部の根元部に位置するようにパターニングされている。なお、本発明の第１樹脂層は、樹脂基板を含む。
【００２８】
この第２の局面による有機プリント基板では、上記のように構成することによって、第１樹脂層の主面上に第２樹脂層を積層した後に、レーザを用いて、第２樹脂層にキャビティの側壁部を形成することができる。また、上記金属層を、キャビティの側壁部の根元部に位置するようにパターニングすることによって、レーザの深さ方向（厚み方向）の制御を容易に行うことができる。これにより、精度よくキャビティが形成された有機プリント基板を得ることができる。
【００２９】
また、第２の局面では、上記のように構成することによって、第１樹脂層の主面上に第２樹脂層を積層した後に、凹状のキャビティを形成することができるので、積層不良の発生を抑制することができる。これにより、有機プリント基板の信頼性を向上させることができる。また、このように構成すれば、十分な樹脂流れを有する樹脂層（第２樹脂層）を第１樹脂層の主面上に積層することができるので、第１樹脂層と第２樹脂層との接着性の低下を抑制することができる。このため、第１樹脂層と第２樹脂層との接着性の低下を抑制することができるとともに、回路（配線層）の埋め込み性を向上させることができる。これにより、絶縁信頼性を向上させることができる。したがって、上記のように構成することにより、信頼性の高い有機プリント基板を得ることができる。
【００３０】
なお、上記のように構成された第２の局面による有機プリント基板は、上記第１の局面による製造方法を用いて作製することができる。
【００３１】
上記第２の局面による有機プリント基板において、好ましくは、金属層は、側壁部の根元部の一部に形成されている。このように構成すれば、第１樹脂層の主面に回路（配線層）を形成する際に、金属層の内側の領域（キャビティの底面部）から金属層の外側の領域に、回路（配線層）を引き回すことができるので、回路（配線層）の引き回し自由度を向上させることができる。
【００３２】
上記第２の局面による有機プリント基板において、好ましくは、金属層は、側壁部の根元部の一部であって、キャビティの四隅の位置に形成されている。このように構成すれば、回路（配線層）の引き回し自由度をより向上させることができる。
【００３３】
上記第２の局面による有機プリント基板において、好ましくは、第１樹脂層における第２樹脂層が形成されている面と反対側の面上には、ビルドアップ層が形成されている。このように構成すれば、有機プリント基板におけるビルドアップ層が形成された面（キャビティが形成される側と反対側の面）の全面を、電子部品の実装面とすることができるので、電子部品の実装密度を高めることができる。
【００３４】
この発明の第３の局面による高周波モジュールは、上記第１の局面による製造方法を用いて作製された有機プリント基板と、この有機プリント基板のキャビティ内に形成されたデジタル回路部と、有機プリント基板のキャビティとは反対側の主面側に形成されたアナログ回路部とを備えている。
【００３５】
この第３の局面による高周波モジュールでは、上記第１の局面による製造方法を用いて作製された有機プリント基板を用いることによって、信頼性の高い高周波モジュールを得ることができる。なお、キャビティ構造を有する上記有機プリント基板を用いて高周波モジュールを構成することにより、セラミックス基板を用いる場合に比べて、欠けや割れの発生を効果的に抑制することができる。
【００３６】
この発明の第４の局面による高周波モジュールは、上記第１の局面による製造方法を用いて作製された有機プリント基板と、この有機プリント基板に形成されるデジタル回路部およびアナログ回路部と、有機プリント基板に取り付けられたシールド効果を有する金属板とを備えている。そして、上記有機プリント基板は、その両面にキャビティが形成されており、デジタル回路部は、有機プリント基板の一方面側のキャビティ内に形成されているとともに、アナログ回路部は、有機プリント基板の他方面側のキャビティ内に形成されており、金属板は、アナログ回路部が形成されたキャビティを覆うように取り付けられている。
【００３７】
この第４の局面による高周波モジュールでは、上記第１の局面による製造方法を用いて作製された有機プリント基板を用いることによって、信頼性の高い高周波モジュールを得ることができる。また、アナログ回路部が形成されたキャビティを覆うように、シールド効果を有する金属板を取り付けることによって、シールド効果を有する高周波モジュールを容易に形成することができる。なお、キャビティ構造を有する上記有機プリント基板を用いて高周波モジュールを構成することにより、セラミックス基板を用いる場合に比べて、欠けや割れの発生を効果的に抑制することができる。
【００３８】
上記第３および第４の局面による高周波モジュールにおいて、好ましくは、有機プリント基板は、デジタル回路部とアナログ回路部との間に形成されたグランド層を有している。このように構成すれば、高周波モジュールのノイズ対策を容易に行うことができるので、これによっても、信頼性を高めることができる。
【発明の効果】
【００３９】
以上のように、本発明によれば、キャビティを精度よく加工することが可能であり、かつ、製造歩留および製造効率を向上させることが可能な有機プリント基板の製造方法を容易に得ることができる。
【００４０】
また、本発明によれば、精度良くキャビティが形成された信頼性の高い有機プリント基板を容易に得ることができる。
【００４１】
さらに、本発明によれば、信頼性の高い高周波モジュールを容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の構造を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による有機プリント基板をキャビティ側から見た平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による有機プリント基板を用いた高周波モジュールの斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態による有機プリント基板を用いた高周波モジュールの断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による有機プリント基板を用いた高周波モジュールをキャビティの反対側から見た平面図（シールドケースを取り除いた状態の図）である。
【図６】本発明の第１実施形態による有機プリント基板を用いた高周波モジュールの動作を説明するための図である。
【図７】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための平面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための斜視図である。
【図１６】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための平面図である。
【図１７】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２１】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】本発明の第１実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２３】第１実施形態の変形例による有機プリント基板の構造を説明するための平面図（キャビティを上側から見た図）である。
【図２４】第１実施形態の変形例による有機プリント基板の製造方法を説明するための平面図である。
【図２５】第１実施形態の変形例による有機プリント基板の製造方法を説明するための平面図である。
【図２６】本発明の第２実施形態による有機プリント基板の構造を模式的に示した断面図である。
【図２７】本発明の第２実施形態による有機プリント基板を用いた高周波モジュールの斜視図である。
【図２８】本発明の第２実施形態による有機プリント基板を用いた高周波モジュールの断面図である。
【図２９】本発明の第２実施形態による有機プリント基板を用いた高周波モジュールの平面図（アナログ回路が形成されているキャビティを上側から見た図）である。
【図３０】本発明の第２実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３１】本発明の第２実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３２】本発明の第２実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３３】本発明の第２実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３４】本発明の第２実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３５】本発明の第２実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３６】本発明の第２実施形態による有機プリント基板の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００４４】
（第１実施形態）
まず、図１〜図５を参照して、本発明の第１実施形態による有機プリント基板５０およびそれを用いた高周波モジュール１００について説明する。
【００４５】
第１実施形態による有機プリント基板５０は、図１に示すように、一方の主面側に、電子部品（図示せず）を収容するための凹状のキャビティ１０が形成されている。すなわち、第１実施形態の有機プリント基板５０は、片面にキャビティ構造を有する多層配線板からなる。
【００４６】
また、有機プリント基板５０は、上記キャビティ１０が形成されるキャビティ部材２０を含んでいる。このキャビティ部材２０の具体的な構造は、絶縁性のコア基材２１の両方の主面上に、それぞれ、所定のパターンに形成された銅（Ｃｕ）からなる配線層２２（２２ａおよび２２ｂ）が形成されている。また、コア基材２１の両方の主面上には、配線層２２を覆うように、所定の厚み（たとえば、約０．３ｍｍ）を有する絶縁性の樹脂層２３（２３ａおよび２３ｂ）がそれぞれ形成されている。この樹脂層２３の主面上には、それぞれ、銅（Ｃｕ）からなる配線層２４（２４ａおよび２４ｂ）が形成されている。なお、コア基材２１は、本発明の「第１樹脂層」の一例であり、樹脂層２３ａ（２３）は、本発明の「第２樹脂層」の一例である。
【００４７】
また、キャビティ部材２０の所定部分には、厚み方向に貫通する貫通スルーホール２５が形成されている。この貫通スルーホール２５は、その内面に、銅メッキによるスルーホールメッキ層２５ａが形成されている。なお、上記貫通スルーホール２５は、穴径φ０．２ｍｍ、スルーホールランド最小φ０．３５ｍｍ程度に形成されているのが好ましい。また、貫通スルーホール２５の内部は、層の均一性を保持するために、導電性または絶縁性の樹脂２６が埋め込まれている。さらに、配線層２４（２４ａおよび２４ｂ）上には、銅メッキ層２７が形成されている。そして、各層の配線層が、上記貫通スルーホール２５などを介して、互いに電気的に接続（層間接続）されている。
【００４８】
また、キャビティ部材２０の一方の主面側には、上記した凹状のキャビティ１０が形成されている。このキャビティ１０は、側壁部１１と底面部１２とを含んでおり、図２に示すように、平面的に見て、略矩形状に形成されている。
【００４９】
ここで、第１実施形態では、上記キャビティ１０は、コア基材２１の主面上に樹脂層２３（２３ａ）が積層された後、この樹脂層２３ａの所定部分がレーザによって除去されることにより形成されている。このため、図１に示すように、コア基材２１の主面にキャビティ１０の底面部１２が形成されているとともに、コア基材２１上に形成された樹脂層２３ａにキャビティ１０の側壁部１１が形成されている。
【００５０】
また、第１実施形態では、図１および図２に示すように、コア基材２１の一方の主面上には、キャビティ１０の側壁部１１の根元部（レーザ光が照射される部分）に位置するように、銅層２２ｃが線状にパターニングされている。この銅層２２ｃは、図２に示すように、平面的に見て、キャビティ１０の側壁部１１に沿った環状（キャビティ１０の縁の全周）に形成されているとともに、キャビティ１０の外形と略同じ大きさに構成されている。なお、銅層２２ｃの線幅は、０．２ｍｍ程度である。また、銅層２２ｃは、本発明の「金属層」の一例である。
【００５１】
また、上記キャビティ１０は、その内部に所望の電子部品を所望の向きで実装した後、樹脂埋めをすることが可能な大きさ、および、深さに形成されている。キャビティ１０の深さは、樹脂層２３（２３ａ）の厚みによって調整することができる。また、キャビティ１０の底面部１２（コア基材２１の主面上）には、キャビティ内部に実装される電子部品と電気的に接続される実装用端子２２ｄ（配線層）が形成されている。
【００５２】
また、キャビティ部材２０の他方の主面（キャビティ１０と反対側の面）上には、ビルドアップ層３０が形成されている。そして、このビルドアップ層３０の最外表面が、電子部品が実装される実装面３１となっている。この実装面３１は、ビルドアップ層３０によって形成されているため、実装面３１には、貫通スルーホールやスルーホールランドを形成する必要がない。このため、実装面３１の全面を部品実装に使用することが可能となる。これにより、電子部品の実装密度が高められる。また、このような有機プリント基板５０を用いて高周波モジュールを作製すれば、モジュールの小型化を図ることが可能となる。
【００５３】
なお、上記有機プリント基板５０の内層には、グランド層４０が形成されている。また、有機プリント基板５０の積層層数は、必要に応じて上記以外の層数に変更することが可能である。
【００５４】
第１実施形態による高周波モジュール１００は、図３および図４に示すように、上記した有機プリント基板５０に電子部品６０が実装されることによって構成されており、１セグモジュール（地上デジタルテレビ１セグメント放送受信用モジュール）として機能する。
【００５５】
具体的には、有機プリント基板５０のキャビティ１０の内部に、デジタルＩＣ６１（６０）が実装されている。このデジタルＩＣ６１は、ＯＦＤＭ復調ＩＣからなり、ボンディングワイヤ７０を介して、実装用端子２２ｄ（図２参照）と電気的に接続されている。そして、デジタルＩＣ６１およびボンディングワイヤ７０を保護するために、キャビティ１０内に封止樹脂が充填されている。このため、デジタルＩＣ６１およびボンディングワイヤ７０が、封止樹脂層７１によって樹脂封止されている。また、有機プリント基板５０の実装面３１には、ＲＦ−ＩＣ（チューナＩＣ）からなるアナログＩＣ６２（６０）、バンドパスフィルタ６３（６０）、水晶発振子６４（６０）および受動部品６５（６０）（抵抗素子、キャパシタ素子、インダクタ素子など）などが表面実装されている。
【００５６】
また、キャビティ１０の内部にデジタルＩＣ６１が実装されることによって、有機プリント基板５０の一方の主面側（キャビティ１０が形成されている面側）にデジタル回路８０（デジタル回路部）が形成されている。一方、実装面３１にアナログＩＣ６２、バンドパスフィルタ６３、水晶発振子６４および受動部品６５が実装されることによって、有機プリント基板５０の他方の主面側（キャビティ１０が形成されている面と反対の面側）にアナログ回路８５（アナログ回路部）が形成されている。また、デジタル回路８０とアナログ回路８５との間には、上記グランド層４０が配置されており、これら両回路（デジタル回路８０およびアナログ回路８５）が、グランド層４０と電気的に接続されている。
【００５７】
上記のように、第１実施形態による高周波モジュール１００は、チューナとして動作させるための主要部品（ＲＦ−ＩＣ６２（アナログＩＣ６２）、ＯＦＤＭ復調ＩＣ６１（デジタルＩＣ６１）、バンドパスフィルタ６３、水晶発振子６４（６０）など）を全て内蔵している。
【００５８】
また、有機プリント基板５０の実装面３１には、高周波ノイズなどを遮蔽（シールド）するための金属製のシールドケース９０が装着されている。このシールドケース９０は、Ｌ字状に折り曲げられた３つの半田付け端子９１を有している。また、有機プリント基板５０の実装面３１には、シールドケース９０の半田付け端子９１に対応したランド（半田付けパッド）３２が３カ所に設けられている。そして、このランド３２にシールドケース９０の半田付け端子９１が半田接合されることにより、電子部品６０を覆うようにシールドケース９０が有機プリント基板５０に取り付けられている。
【００５９】
なお、第１実施形態による高周波モジュール１００は、図５に示すように、平面的に見て、一辺の長さａが約６ｍｍの正方形形状に形成されている。
【００６０】
次に、図６を参照して、第１実施形態による高周波モジュール１００の動作について説明する。
【００６１】
まず、受信入力端子８６に入力された受信信号は、受信帯域内の信号を選択するバンドパスフィルタ６３を通過した後、ＲＦ−ＩＣ６２に入力される。このＲＦ−ＩＣ６２は、高周波増幅部（図示せず）、ミキサ（図示せず）、フィルタ（図示せず）および中間周波増幅部（図示せず）を含んでおり、ＲＦ−ＩＣ６２に入力された所定の信号は、高周波増幅部で増幅され、ミキサによって、増幅部からの高周波信号が中間周波信号（ＩＦ信号）に変換される。変換されたＩＦ信号は、フィルタによってＩＦ周波数帯域のイメージ妨害信号が除去される。そして、中間周波増幅部で必要な信号レベルまで増幅されて、ＩＦ信号として出力される。出力されたＩＦ信号は、ＯＦＤＭ復調ＩＣ６１に入力され、アナログ−デジタル（Ａ／Ｄ）変換された後、デジタル信号処理が行われ、ＭＰＥＧ２−ＴＳ（トランスポートストリーム）信号として、デジタル出力端子８７に出力される。
【００６２】
次に、図１および図７〜図２２を参照して、本発明の第１実施形態による有機プリント基板５０の製造方法について説明する。
【００６３】
まず、図７に示すように、コア基材２１の両面に形成された銅箔（図示せず）をパターニングすることにより、コア基材２１の両方の主面上に配線層２２（２２ａおよび２２ｂ）を形成する。このとき、図８に示すように、コア基材２１の一方の主面上において、キャビティを形成する位置に、形成するキャビティの外形仮想線ｍ（外形となる部分）に沿うように、銅層２２ｃを線状（線幅約０．２ｍｍ）にパターニングする。また、銅層２２ｃの内側の領域には、実装用端子２２ｄを形成する。なお、コア基材２１には、層間接続のためのスルーホール（図示せず）を形成してもよい。
【００６４】
次に、図７に示すように、コア基材２１の両方の主面上に、それぞれ、所定の厚みを有するプリプレグ１２３（１２３ａおよび１２３ｂ）、および、銅箔１２４を順に配置する。このプリプレグ１２３（１２３ａ）は、形成するキャビティの深さによって所望の厚みのものを用いることができる。なお、プリプレグ１２３ａは、本発明の「第２樹脂層」および「接着シート」の一例である。
【００６５】
ここで、第１実施形態では、コア基材２１の一方の主面上に配置されたプリプレグ１２３ａとコア基材２１との間に、形成するキャビティと同じ外形サイズを有する耐熱フィルム１１０を配しておく。具体的には、まず、プリプレグ１２３ａのコア基材２１と対向する面にポリイミドからなる上記耐熱フィルム１１０を貼り付ける。次に、耐熱フィルム１１０とコア基材２１の銅層２２ｃとが対応するように、このプリプレグ１２３ａをコア基材２１の一方の主面上に配置する。なお、耐熱フィルム１１０は、本発明の「離型部材」の一例である。また、この耐熱フィルム１１０は、所定の厚み（たとえば、約２０μｍ〜約５０μｍ）のものを使用することができる。
【００６６】
続いて、コア基材２１の両方の主面上に配置されたプリプレグ１２３、および、銅箔１２４を、熱プレスによる加熱加圧成形によって、コア基材２１上に積層する。これにより、図９に示すように、コア基材２１の両方の主面上に、それぞれ、プリプレグ１２３ａおよび１２３ｂからなる樹脂層２３ａおよび２３ｂが形成される。このとき、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）のキャビティが形成される部分は、耐熱フィルム１１０によって、コア基材２１と接着されていない状態となっている。なお、必要な層数によって、さらに、プリプレグおよび銅箔の積層、銅箔のパターニングを繰り返してもよい。これにより、コア基材２１の主面上にプリプレグ１２３が積層された積層体２０ａが形成される。
【００６７】
次に、図１０に示すように、積層体２０ａの所定領域（キャビティが形成される領域以外の領域）に、厚み方向に貫通する貫通スルーホール２５を形成する。次に、図１１に示すように、銅メッキを施すことにより、貫通スルーホール２５の内面にスルーホールメッキ層２５ａを形成する。そして、図１２に示すように、貫通スルーホール２５の内部に、導電性または絶縁性の樹脂２６を埋め込むことにより、積層体２０ａの主面を平坦にする。続いて、図１３に示すように、積層体２０ａの両方の主面上に、それぞれ、銅メッキ層２７を形成する。その後、図１４に示すように、銅箔１２４、メッキ層２５ａおよび２７を所定のパターンにパターニングする。これにより、キャビティ部材２０が形成される。
【００６８】
次に、図１５〜図１７に示すように、このキャビティ部材２０（積層体２０ａ）をワーク１２０として、２つのワーク１２０を重ねて積層する。具体的には、ワーク１２０の縁部（捨て部）１２０ａ（図１６参照）と対応する枠状のプリプレグ（シート部材）１１１を、２つのワーク１２０の間に挟む。そして、ワーク１２０（キャビティ部材２０）のキャビティが形成される面同士が互いに対向するようにして（キャビティ形成面が内側となるようにして）、２つのワーク１２０を積層する（貼り合わせる）。
【００６９】
次に、図１８および図１９に示すように、積層された２つのワーク１２０の外表面上に、ビルドアップ層３０を必要な層数だけ形成する。
【００７０】
その後、図２０に示すように、積層されたワーク１２０の捨て部（枠状のプリプレグ１１１によって接着されている部分）をルーターなどで切断し、２つのワーク１２０に分離する。
【００７１】
続いて、図２１に示すように、分離したワーク１２０において、ビルドアップ層３０が形成されている面とは反対側の面にレーザ光を照射することによって、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）の所定部分を切断する。このとき、レーザ光は、コア基材２１の一方の主面上に形成した銅層２２ｃ上に照射する。なお、上記レーザには、たとえば、炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザなどを用いることができる。また、レーザは、銅層２２ｃを加工しないような条件に設定しておく。これにより、図２２に示すように、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）における耐熱フィルム１１０と対応する部分がレーザによって除去され、ビルドアップ層３０が形成されている面とは反対側の面に、凹状のキャビティ１０が形成される。
【００７２】
ここで、上述したように、プリプレグ１２３ａのキャビティが形成される部分は、耐熱フィルム１１０によって、コア基材２１と接着されていない状態となっているため、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）におけるレーザによって切断された部分は、容易に取り除かれる。そして、コア基材２１における耐熱フィルム１１０が配されていた部分が、キャビティ１０の底面部１２となり、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）におけるレーザで切断された部分が、キャビティ１０の側壁部１１となる。
【００７３】
最後に、ソルダーレジスト（図示せず）の形成、電極端子の表面処理などを行う。このようにして、図１に示した第１実施形態による有機プリント基板５０が製造される。
【００７４】
また、上記した製造方法によって製造された有機プリント基板５０に、電子部品６０（図３および図４参照）を実装することにより、図３に示した第１実施形態による高周波モジュール１００が製造される。
【００７５】
第１実施形態では、上記のように、コア基材２１の主面上にプリプレグ１２３（１２３ａ）を積層した後、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）における耐熱フィルム１１０と対応する部分を除去することにより凹状のキャビティ１０を形成することによって、積層工程の後にキャビティ１０が形成されるので、キャビティ形成後のキャビティ１０の変形を抑制することができる。また、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）における耐熱フィルム１１０と対応する部分を除去することによって、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）にキャビティ１０の側壁部１１が形成されるので、キャビティ１０の側壁部１１がフラットになるように樹脂流れを制御する必要もない。さらに、コア基材２１とプリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）との間に耐熱フィルム１１０を配することによって、耐熱フィルム１１０が配されている部分では、コア基材２１とプリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）とは接着されないので、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）における耐熱フィルム１１０と対応する部分を容易に除去することができる。これにより、キャビティ１０の底面部１２を容易に形成することができる。したがって、上記のように構成することによって、キャビティ１０を精度よく加工（形成）することができる。
【００７６】
また、第１実施形態では、コア基材２１の主面上にプリプレグ１２３を積層した後に凹状のキャビティ１０を形成することによって、十分な樹脂流れを有するプリプレグをコア基材２１の主面上に積層することができる。このため、コア基材２１とプリプレグ１２３（樹脂層２３）との接着性の低下を抑制することができるとともに、回路（配線層２２（２２ａ））の埋め込み性を向上させることができる。これにより、絶縁信頼性などの信頼性を向上させることができる。
【００７７】
また、第１実施形態では、コア基材２１の一方の主面上に、耐熱フィルム１１０を覆うようにプリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）が積層されるので、熱プレスによる加熱加圧成形によって積層を行った場合でも、プリプレグ１２３ａに均等に圧力をかけることができる。このため、積層不良の発生を抑制することができるので、有機プリント基板の製造歩留を向上させることができる。また、製造される有機プリント基板の信頼性を向上させることもできる。
【００７８】
さらに、第１実施形態では、プリプレグ１２３の積層時に、プリプレグ１２３（１２３ａ）にはキャビティ１０を形成するための貫通穴が設けられていないので、ハンドリング性が悪くなるという不都合が生じない。このため、積層等の作業において、その作業性を向上させることができるので、有機プリント基板の製造効率を向上させることができる。
【００７９】
また、第１実施形態では、上記のように、レーザを用いて、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）における耐熱フィルム１１０と対応する部分を切断することによって、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）をフラットに切断することができるので、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）に形成されるキャビティ１０の側壁部１１を平坦に形成することができる。また、レーザを用いることによって、プリプレグ１２３ａ（樹脂層２３ａ）における耐熱フィルム１１０と対応する部分を精度よく切断することができる。また、コア基材２１の一方の主面におけるレーザ光が照射される部分に銅層２２ｃを線状に形成しておくことによって、この銅層２２ｃを加工しないようにレーザの条件を設定しておけば、レーザは銅層２２ｃを貫通して切断することはないので、レーザ加工における深さ方向（厚み方向）の制御を容易に行うことができる。これにより、キャビティ１０の加工時における深さ方向（厚み方向）の加工精度を向上させることができる。したがって、上記のように構成することにより、容易に、キャビティ１０の加工精度を向上させることができる。
【００８０】
また、第１実施形態では、キャビティ部材２０（積層体２０ａ）におけるキャビティ１０が形成される側と反対側の主面上に、ビルドアップ層３０を形成することによって、有機プリント基板５０におけるビルドアップ層３０が形成された面（キャビティ１０が形成される側と反対側の面）の全面を、電子部品６０の実装面３１とすることができるので、電子部品６０の実装密度を高めることができる。このため、このような製造方法により得られた有機プリント基板５０を用いて高周波モジュール１００を形成すれば、高周波モジュールの小型化を図ることができる。
【００８１】
また、第１実施形態では、キャビティ部材２０（積層体２０ａ）をワーク１２０とし、枠状のプリプレグ１１１を介して、２つのワーク１２０を、キャビティ１０が形成される面側が互いに対向するように積層し、積層されたワーク１２０の外表面上に、ビルドアップ層３０を形成することによって、ビルドアップ層３０を効率よく形成することができるので、有機プリント基板の製造効率を容易に向上させることができる。
【００８２】
また、第１実施形態による高周波モジュール１００では、上記した製造方法を用いて製造された有機プリント基板５０を用いているため、信頼性の高い高周波モジュールを得ることができる。なお、キャビティ構造を有する上記有機プリント基板５０を用いて高周波モジュールを構成することにより、セラミックス基板を用いる場合に比べて、欠けや割れの発生を効果的に抑制することができる。このため、これによっても、信頼性が向上される。また、有機プリント基板５０を薄型化した場合でも、欠けや割れの心配がないため、高周波モジュールの薄型化を図ることもできる。
【００８３】
また、第１実施形態による高周波モジュール１００では、アナログ回路８５とデジタル回路８０との間にグランド層４０が形成されているため、高周波モジュールのノイズ対策を容易に行うことができるので、これによっても、信頼性を高めることができる。
【００８４】
次に、図２１および図２３〜図２５を参照して、第１実施形態の変形例による有機プリント基板１５０について説明する。
【００８５】
この第１実施形態の変形例では、図２３に示すように、上記第１実施形態の構成において、コア基材２１の一方の主面上に形成される銅層２２ｃが、キャビティ１０の側壁部１２の根元部の一部に位置するように、線状（線幅約０．２ｍｍ）にパターニングされている。具体的には、上記銅層２２ｃが、キャビティ１０の四隅に位置するようにパターニングされている。このため、第１実施形態の変形例では、銅層２２ｃの一部が途切れた状態となっている。そして、この途切れた部分を介して、キャビティ１０の底面部１１（コア基材２１の主面上）に形成された実装用端子２２ｄ（配線層）が、銅層２２ｃの外側の領域（キャビティ１０の外側の領域）に延設されている。
【００８６】
第１実施形態の変形例のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００８７】
また、第１実施形態の変形例による有機プリント基板１５０は、上記第１実施形態の製造方法において、コア基材２１に形成された銅箔（図示せず）をパターニングする際に、その一部を、たとえば、図２４に示すような形状にパターニングする。具体的には、コア基材２１の一方の主面上において、キャビティを形成する位置に、形成するキャビティの外形仮想線ｍの一部（四隅部）に沿うように、銅層２２ｃを線状（線幅約０．２ｍｍ）にパターニングする。また、銅層２２ｃの内側の領域から外側の領域に延びるように、実装用端子２２ｄを形成する。
【００８８】
また、プリプレグ１２３ａの積層前に、コア基材２１の一方の主面上に積層するプリプレグ１２３ａの一部を、図２５に示すような形状に切り抜いておく。具体的には、形成するキャビティの外形仮想線ｍの一部（四隅以外の部分）を金型等でミシン目状に切り抜き部１２３１ａを形成しておく。
【００８９】
その後、上記第１実施形態と同様の方法を用いて、プリプレグ１２３ａの所定部分を除去する前の工程まで行う。
【００９０】
続いて、レーザを用いて、積層されたプリプレグ１２３ａの耐熱フィルム１１０（図２１参照）と対応する部分を除去する。このとき、コア基材２１の一方の主面上に形成した銅層２２ｃ上にレーザ光を照射することにより、プリプレグ１２３ａにおける切り抜かれていない部分（キャビティの外形仮想線ｍの四隅部分）を切断する。これにより、プリプレグ１２３ａにおける耐熱フィルム１１０（図２１参照）と対応する部分がレーザによって除去され、有機プリント基板の片面に凹状のキャビティ１０が形成される。
【００９１】
第１実施形態の変形例では、上記のように構成することによって、第１樹脂層の主面に回路（配線層）を形成する際に、この途切れた部分を介して、銅層２２ｃの内側の領域（キャビティ１０の内側の領域）から銅層２２ｃの外側の領域（キャビティ１０の外側の領域）に、実装用端子２２ｄを引き回すことができる。このため、実装用端子２２ｄの引き回し自由度を向上させることができる。
【００９２】
なお、プリプレグ１２３ａにおけるキャビティ１０の外形仮想線ｍの四隅以外を切り抜けば、銅層２２ｃは、キャビティ１０の外形仮想線ｍの四隅に形成することになるので、四隅以外の部分を介して、実装用端子２２ｄを引き回すことができる。この場合、実装用端子２２ｄの引き回し自由度をより向上させることができる。
【００９３】
（第２実施形態）
図２６〜図２９を参照して、本発明の第２実施形態による有機プリント基板２５０およびそれを用いた高周波モジュール３００について説明する。
【００９４】
第２実施形態による有機プリント基板２５０は、図２６に示すように、両方の主面側に、電子部品（図示せず）を収容するための凹状のキャビティ２１０（２１０ａおよび２１０ｂ）が形成されている。すなわち、第２実施形態の有機プリント基板２５０は、両面にキャビティ構造を有する多層配線板からなる。
【００９５】
また、有機プリント基板２５０は、絶縁性のコア基材２２１を有しており、コア基材２２１の両面に、配線層２２２および樹脂層２２３が積層されている。また、樹脂層２２３ａおよび２２３ｂの主面上には、それぞれ、銅（Ｃｕ）からなる配線層２２４（２２４ａおよび２２４ｂ）が形成されている。さらに、樹脂層２２３ａおよび２２３ｂの主面上には、それぞれ、配線層２２４（２２４ａおよび２２４ｂ）を覆うように、所定の厚み（たとえば、約０．３ｍｍ）を有する樹脂層２２５（２２５ａおよび２２５ｂ）が形成されている。樹脂層２２５ａおよび２２５ｂの主面上には、それぞれ、配線層２２６ａおよび２２６ｂが形成されている。なお、樹脂層２２３ａおよび２２３ｂは、本発明の「第１樹脂層」の一例であり、樹脂層２２５は、本発明の「第２樹脂層」の一例である。
【００９６】
また、有機プリント基板２５０の所定部分には、厚み方向に貫通する貫通スルーホール（図示せず）が形成されている。
【００９７】
有機プリント基板２５０のキャビティ２１０は、側壁部２１１と底面部２１２とを含んでおり、上記した第１実施形態と同様、平面的に見て、略矩形状に形成されている。このキャビティ２１０は、樹脂層２２３の主面にキャビティ２１０の底面部２１２が形成されているとともに、樹脂層２２５にキャビティ２１０の側壁部２１１が形成されている。
【００９８】
また、樹脂層２２３の一方の主面上（コア基材２２１と反対側の主面上）には、キャビティ２１０の側壁部２１１の根元部に位置するように、銅層２２４ｃが線状にパターニングされている。この銅層２２４ｃの線幅は、０．２ｍｍ程度である。また、キャビティ２１０の底面部２１２には、キャビティ内部に実装される電子部品と電気的に接続される実装用端子（図示せず）が形成されている。また、上記有機プリント基板２５０の内層には、グランド層２４０が形成されている。なお、銅層２２４ｃは、本発明の「金属層」の一例である。
【００９９】
また、有機プリント基板２５０の積層層数は、必要に応じて上記以外の層数に変更することが可能である。
【０１００】
第２実施形態による有機プリント基板２５０のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【０１０１】
第２実施形態による高周波モジュール３００は、図２７および図２８に示すように、上記した両面キャビティ構造の有機プリント基板２５０に電子部品６０が実装されることによって構成されており、１セグモジュールとして機能する。
【０１０２】
具体的には、有機プリント基板２５０の一方のキャビティ２１０ａの内部に、デジタルＩＣ６１が実装されている。このデジタルＩＣ６１（６０）は、ＯＦＤＭ復調ＩＣからなり、ボンディングワイヤ７０を介して、実装用端子（図示せず）と電気的に接続されている。そして、デジタルＩＣ６１およびボンディングワイヤ７０を保護するために、キャビティ２１０ａ内に封止樹脂が充填されている。このため、デジタルＩＣ６１およびボンディングワイヤ７０が、封止樹脂層７１によって樹脂封止されている。また、有機プリント基板２５０の他方のキャビティ２１０ｂの内部に、ＲＦ−ＩＣ（チューナＩＣ）からなるアナログＩＣ６２（６０）、バンドパスフィルタ６３（６０）、水晶発振子６４（６０）および受動部品６５（６０）（抵抗素子、キャパシタ素子、インダクタ素子など）が表面実装されている。
【０１０３】
また、キャビティ２１０ａの内部にデジタルＩＣ６１が実装されることによって、有機プリント基板２５０の一方の主面側にデジタル回路８０（デジタル回路部）が形成されている。一方、キャビティ２１０ｂの内部にアナログＩＣ６２、バンドパスフィルタ６３、水晶発振子６４および受動部品６５が実装されることによって、有機プリント基板２５０の他方の主面側にアナログ回路８５（アナログ回路部）が形成されている。また、デジタル回路８０とアナログ回路８５との間には、上記グランド層２４０が配置されており、これら両回路（デジタル回路８０およびアナログ回路８５）が、グランド層２４０と電気的に接続されている。
【０１０４】
上記のように、第２実施形態による高周波モジュール３００は、チューナとして動作させるための主要部品（ＲＦ−ＩＣ６２（アナログＩＣ６２）、ＯＦＤＭ復調ＩＣ６１（デジタルＩＣ６１）、バンドパスフィルタ６３、水晶発振子６４など）を全て内蔵している。
【０１０５】
また、有機プリント基板２５０の他方の主面側には、キャビティ２１０ｂの形成により、立壁部２４５が形成されている。この立壁部２４５は、約０．４ｍｍの幅ｂ（図２９参照）を有しており、その上面には、グランド層２４０と電気的に接続された端子２４６が形成されている。そして、立壁部２４５の上面に、金属製の平板からなるシールド板２６０が、キャビティ２１０ｂの開口を覆うように（電子部品６０を覆うように）取り付けられている。また、シールド板２６０は、上記端子２４６と半田接続されており、これによって、接地シールド効果を有するように構成されている。なお、シールド板２６０は、本発明の「シールド効果を有する金属板」の一例である。
【０１０６】
また、第２実施形態による高周波モジュール３００は、図２９に示すように、平面的に見て、一辺の長さａが約６ｍｍの正方形形状に形成されている。
【０１０７】
なお、第２実施形態による高周波モジュール３００の動作は、上記第１実施形態と同様であるため、その説明は省略する。
【０１０８】
第２実施形態による高周波モジュール３００では、上記のように、アナログ回路８５を形成するための電子部品６０（アナログＩＣ６２、バンドパスフィルタ６３、水晶発振子６４および受動部品６５など）が収容されたキャビティ２１０ｂを覆うように、立壁部２４５の上面に、シールド板２６０を取り付けることによって、接地シールド効果を有する高周波モジュールを容易に得ることができる。
【０１０９】
また、第２実施形態による高周波モジュール３００では、両面キャビティ構造を有する有機プリント基板２５０を用いることによって、アナログ回路８５を平板状のシールド板２６０で覆うことができる。このため、金属板をケース状に加工する必要がないので、シールド板２６０の加工が容易となり、その加工費を低減することができる。
【０１１０】
次に、図２６、図２９および図３０〜図３６を参照して、本発明の第２実施形態による有機プリント基板２５０の製造方法について説明する。
【０１１１】
まず、図３０に示すように、コア基材２２１の両面に形成された銅箔（図示せず）をパターニングすることにより、コア基材２２１の両方の主面上に配線層２２２を形成する。次に、両面に、プリプレグ３２３および銅箔を積層した後、銅箔のパターニングを行う。必要な層数まで、このような工程を繰り返す。
【０１１２】
このとき、図３１に示すように、プリプレグ３２３（樹脂層２２３）の主面上において、キャビティを形成する位置に、形成するキャビティの外形仮想線（外形となる部分）に沿うように、銅層２２４ｃを線状（線幅約０．２ｍｍ）にパターニングする。また、銅層２２４ｃの内側の領域には、実装用端子（図示せず）を形成する。
【０１１３】
次に、図３２に示すように、プリプレグ３２３ａおよび３２３ｂの主面上（コア基材２２１とは反対の主面上）に、それぞれ、所定の厚みを有するプリプレグ３２５、および、銅箔３２６を順に配置する。このプリプレグ３２５は、形成するキャビティの深さによって所望の厚みのものを用いることができる。なお、プリプレグ３２３ａおよび３２３ｂは、本発明の「第１樹脂層」の一例であり、プリプレグ３２５は、本発明の「第２樹脂層」および「接着シート」の一例である。
【０１１４】
ここで、第２実施形態では、プリプレグ３２５（樹脂層２２５）と内層となるプリプレグ３２３（３２３ａおよび３２３ｂ）との間に、形成するキャビティと同じ外形サイズを有する耐熱フィルム１１０を配しておく。具体的には、まず、プリプレグ３２５のコア基材２２１側の面にポリイミドからなる上記耐熱フィルム１１０を貼り付ける。次に、耐熱フィルム１１０と銅層２２４ｃとが対応するように、このプリプレグ３２５を内層のプリプレグ３２３（３２３ａおよび３２３ｂ）上に配置する。
【０１１５】
続いて、図３３に示すように、プリプレグ３２３（３２３ａおよび３２３ｂ）上に配置されたプリプレグ３２５、および、銅箔３２６を、熱プレスによる加熱加圧成形によって積層する。これにより、プリプレグ３２３（３２３ａおよび３２３ｂ）の主面上に、それぞれ、プリプレグ３２５からなる樹脂層２２５が形成される。このとき、プリプレグ３２５（樹脂層２２５）のキャビティが形成される部分は、耐熱フィルム１１０によって、プリプレグ３２３（３２３ａおよび３２３ｂ）と接着されていない状態となっている。なお、必要な層数によって、さらに、プリプレグおよび銅箔の積層、銅箔のパターニングを繰り返してもよい。
【０１１６】
次に、図示しない貫通スルーホールを形成することによって、層間接続を行った後、プリプレグ３２５上に積層された銅箔３２６をパターニングすることによって、図３４に示すように、配線層２２６（２２６ａ、２２６ｂ）および端子２４６（図２９参照）を形成する。
【０１１７】
続いて、図３５に示すように、プリプレグ３２５（樹脂層２２５）にレーザ光を照射することによって、プリプレグ３２５（樹脂層２２５）の所定部分を切断する。このとき、レーザ光は、プリプレグ３２３（３２３ａおよび３２３ｂ）上に形成した銅層２２４ｃ上に照射する。また、レーザは、銅層２２４ｃを加工しないような条件に設定しておく。これにより、図３６に示すように、プリプレグ３２５（樹脂層２２５）における耐熱フィルム１１０と対応する部分がレーザによって除去され、有機プリント基板２５０の両面に、凹状のキャビティ２１０（２１０ａおよび２１０ｂ）が形成される。
【０１１８】
ここで、上述したように、プリプレグ３２５のキャビティが形成される部分は、耐熱フィルム１１０によって、内層のプリプレグ３２３（３２３ａおよび３２３ｂ）と接着されていない状態となっているため、プリプレグ３２５（樹脂層２２５）におけるレーザによって切断された部分は、容易に取り除かれる。そして、コア基材２２１における耐熱フィルム１１０が配されていた部分が、キャビティ２１０の底面部２１２となり、プリプレグ３２５（樹脂層２２５）におけるレーザで切断された部分が、キャビティ２１０の側壁部２１１となる。
【０１１９】
最後に、ソルダーレジスト（図示せず）の形成、電極端子の表面処理などを行う。このようにして、図２６に示した第１実施形態による有機プリント基板２５０が製造される。
【０１２０】
また、上記した製造方法によって製造された有機プリント基板２５０に、電子部品６０（図２７参照）を実装することにより、図２７に示した第１実施形態による高周波モジュール３００が製造される。
【０１２１】
第２実施形態による有機プリント基板２５０の製造方法の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【０１２２】
また、第２実施形態による高周波モジュール３００では、上記した製造方法を用いて製造された有機プリント基板２５０を用いているため、上記第１実施形態と同様、信頼性の高い高周波モジュールを得ることができる。なお、キャビティ構造を有する上記有機プリント基板２５０を用いて高周波モジュールを構成することにより、セラミックス基板を用いる場合に比べて、欠けや割れの発生を効果的に抑制することができる。
【０１２３】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【０１２４】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、コア基材とプリプレグとの間、プリプレグとプリプレグとの間に配する耐熱フィルムとして、ポリイミドからなる耐熱フィルムを用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、上記耐熱フィルムとして、ポリイミド以外の材料からなる耐熱フィルムを用いてもよい。ポリイミド以外の材料としては、たとえば、アラミド樹脂などが挙げられる。
【０１２５】
また、上記第１および第２実施形態では、プリプレグを用いて樹脂層（絶縁層）を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、プリプレグ以外の部材（材料）を用いて樹脂層（絶縁層）を形成してもよい。たとえば、樹脂付き銅箔や、フィルム状または液状の熱硬化性絶縁材料を用いて樹脂層（絶縁層）を形成してもよい。
【０１２６】
また、上記第１および第２実施形態では、１層のプリプレグ（樹脂層）をレーザで切断することによってキャビティを形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、積層された複数層のプリプレグ（樹脂層）をレーザで切断することによってキャビティを形成してもよい。
【０１２７】
また、上記第１および第２実施形態では、高周波モジュールを１セグモジュールとして機能するように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、高周波モジュールを１セグモジュール以外のモジュールとして機能するように構成してもよい。また、高周波モジュールには、ベアチップＩＣやＷＬ−ＣＳＰなどからなる集積回路素子、ＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、水晶発振子、受動部品以外に、トランジスタ、メモリ、ダイオード（ＬＥＤを含む）などの電子部品を実装することができる。
【０１２８】
なお、上記第１および第２実施形態において、高周波モジュールの形状および寸法、並びに、回路構成等は、適宜変更することができる。
【０１２９】
また、上記第１実施形態の変形例では、コア基材の一方の主面上において、キャビティを形成する位置に、形成するキャビティの外形仮想線の一部（四隅部）に沿うように、銅層を線状にパターニングした例を示したが、本発明はこれに限らず、上記銅層は、形成するキャビティの外形仮想線の四隅以外の一部に沿うように、パターニングされていてもよい。この場合、プリプレグの切り抜き部は、形成するキャビティの外形仮想線において、銅層が形成される部分以外の部分に形成される。
【０１３０】
また、上記第２実施形態において、レーザが照射される位置に形成される銅層を、第１実施形態の変形例のように構成してもよい。この場合、第１実施形態の変形例のように、プリプレグの一部に切り抜き部が形成される。
【０１３１】
また、上記第２実施形態において、アナログ回路が形成されるキャビティの開口は、シールド板によって、完全に塞がれていてもよいし、完全に塞がれていなくてもよい。
【符号の説明】
【０１３２】
１０、２１０、２１０ａ、２１０ｂ      キャビティ
１１、２１１                          側壁部
１２、２１２                          底面部
２０                                  キャビティ部材
２０ａ                                積層体
２１                                  コア基材（第１樹脂層）
２２、２２ａ、２２ｂ                  配線層
２２ｃ、２２４ｃ                      銅層（金属層）
２２ｄ                                実装用端子
２３、２３ａ                          樹脂層（第２樹脂層）
３０                                  ビルドアップ層
３１                                  実装面
４０、２４０                          グランド層
５０、２５０                          有機プリント基板
６０                                  電子部品
６１                                  デジタルＩＣ、ＯＦＤＭ復調ＩＣ
６２                                  アナログＩＣ、ＲＦ−ＩＣ
６３                                  バンドパスフィルタ
６４                                  水晶発振子
６５                                  受動部品
７１                                  封止樹脂層
８０                                  デジタル回路（デジタル回路部）
８５                                  アナログ回路（アナログ回路部）
９０                                  シールドケース
１００、３００                        高周波モジュール
１１０                                耐熱フィルム（離型部材）
１１１                                プリプレグ（シート部材）
１２０                                ワーク
１２３ａ                              プリプレグ（第２樹脂層、接着シート）
１２３１ａ                            切り抜き部
２２３ａ、２２３ｂ                    樹脂層（第１樹脂層）
２２５、２２５ａ、２２５ｂ            樹脂層（第２樹脂層）
２４５                                立壁部
２６０                                シールド板（シールド効果を有する金属板）
３２３ａ、３２３ｂ                    プリプレグ（第１樹脂層）
３２５                                プリプレグ（第２樹脂層、接着シート）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2010219367.tif 000012
【図１１】
2010219367.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2010219367.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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