(57)【要約】【課題】光配向処理における柱状スペーサの投影部に起因する配向ムラが防止された液晶装置、電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置において、柱状スペーサ５は、サブ画素ＳＧを区画するように格子状に設けられた遮光部５３ａに重なるように配置され、柱状スペーサ５と光照射による柱状スペーサ５の投影部とが遮光部５３ａと突出部５３ｂとが設けられた領域内に位置するように、遮光部５３ａに対する相対的な位置が投影部の投影方向に対して設定されている。あるいは、遮光部５３ａは、柱状スペーサ５と柱状スペーサ５の投影部とが遮光部５３ａが設けられた領域内に位置するように投影部の投影方向における遮光部５３ａの幅Ｌ２が、投影方向に沿った他の遮光部５３ａの幅Ｌ１よりも広く設定されている。【選択図】図９
2010039332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１の基板および第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板とにより狭持された液晶層と、
前記第１の基板または前記第２の基板のいずれか一方において少なくとも画素領域を平面的に規定する遮光部と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を保持する柱状スペーサと、
前記第１の基板および前記第２の基板の前記液晶層に面する側に設けられ、光照射により配向処理された配向膜とを備え、
前記柱状スペーサは、前記柱状スペーサと前記光照射による前記柱状スペーサの投影部とが前記遮光部が設けられた領域内に位置するように、前記遮光部に対する相対的な位置が前記投影部の投影方向に対して設定されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
対向配置された第１の基板および第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板とにより狭持された液晶層と、
前記第１の基板または前記第２の基板のいずれか一方において少なくとも画素領域を平面的に規定する遮光部と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を保持する柱状スペーサと、
前記第１の基板および前記第２の基板の前記液晶層に面する側に設けられ、光照射により配向処理された配向膜とを備え、
前記遮光部は、前記柱状スペーサと前記光照射による前記柱状スペーサの投影部とが前記遮光部が設けられた領域内に位置するように、前記投影部の投影方向における前記遮光部の幅が、前記投影方向に沿った他の前記遮光部の幅よりも広く設定されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記画素領域は、格子状に設けられた前記遮光部により平面的に規定され、
前記投影部の投影方向に前記遮光部の幅を広くした部分は、前記遮光部の交差部に対応して設けられており、他の交差部における前記投影方向に沿った前記遮光部の幅よりも広いことを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記投影部の投影方向に前記遮光部の幅を広くした部分は、画素を駆動制御するスイッチング素子が設けられた領域を含んでいることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記投影部は、前記柱状スペーサに対して照射された光が前記柱状スペーサにより遮光された本影部と、前記柱状スペーサに対する前記光の照射角度分布や回折により生ずる半影部とを有し、
前記柱状スペーサと少なくとも前記本影部とが前記遮光部が設けられた領域内に位置するように、前記遮光部に対する前記柱状スペーサの相対的な位置が前記本影部の投影方向に対して設定されている、または前記本影部の投影方向における前記遮光部の幅が、前記投影方向に沿った他の前記遮光部の幅よりも広く設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記投影部は、前記柱状スペーサに対して照射された光が前記柱状スペーサにより遮光された本影部と、前記柱状スペーサに対する前記光の照射角度分布や回折により生ずる半影部とを有し、
前記柱状スペーサと前記本影部および前記半影部が前記遮光部が設けられた領域内に位置するように、前記遮光部に対する前記柱状スペーサの相対的な位置が前記本影部および前記半影部の投影方向に対して設定されている、または前記本影部および前記半影部の投影方向における前記遮光部の幅が、前記投影方向に沿った他の前記遮光部の幅よりも広く設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間の隙間を保持するスペーサを備えた液晶装置、この液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記スペーサを備えた液晶装置として、対向配置された一対の電極付き基板の間に液晶が挟持されるとともに、該一対の電極付き基板の内、少なくとも一方の基板上の任意の場所に固着配置されたスペーサと、光照射による配向処理が施された配向膜とを備えた液晶表示装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
上記液晶表示装置では、上記スペーサを非透過領域であるブラックマトリクス領域に形成している。配向膜が光照射により配向処理されるため、配向処理方法の１つであるラビング法に比べて、スペーサを起点とする配向ムラが生じないとしている。
【０００４】
一方、スペーサが格子状に配置された遮光手段（すなわち上記ブラックマトリクス領域）の幅方向の中心部から変位した位置に配置された液晶表示装置が知られている（特許文献２）。
【０００５】
上記特許文献２の液晶表示装置では、ラビング法における上記スペーサを起点とする配向ムラをラビング影と呼び、ラビング影が遮光手段が設けられた領域内に収まるように、スペーサの位置を変位させている。また、この技術的な思想は、光配向処理を行う場合でも、光照射によりスペーサの影が生じるので有効であるとしている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１２５８２６号公報
【特許文献２】特開平１１−２１８７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２にも記載されているように上記ラビング法によるラビング影は、ラビング部材が巻回されたラビングローラの回転方向と、ラビングローラと基板との相対移動方向とに生ずる。これに対して、光配向処理におけるスペーサの影は、光照射の条件、例えば光源の種類、照射方法など、どのような配向処理状態を現出させるかによって影の生じ方が異なる。したがって、ラビング影の生じ方と光配向処理におけるスペーサの影の生じ方とは、必ずしも同一ではない。ゆえに、光配向処理における適正なスペーサの配置を検討する必要があるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例の液晶装置は、対向配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とにより狭持された液晶層と、前記第１の基板または前記第２の基板のいずれか一方において少なくとも画素領域を平面的に規定する遮光部と、前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を保持する柱状スペーサと、前記第１の基板および前記第２の基板の前記液晶層に面する側に設けられ、光照射により配向処理された配向膜とを備え、前記柱状スペーサは、前記柱状スペーサと前記光照射による前記柱状スペーサの投影部とが前記遮光部が設けられた領域内に位置するように、前記遮光部に対する相対的な位置が前記投影部の投影方向に対して設定されていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、光配向処理における光照射によって生ずる柱状スペーサの投影部の投影方向において遮光部に対する柱状スペーサの相対的な位置が設定される。したがって、配向膜上に投影された柱状スペーサの投影部において光照射量が不十分で液晶分子の配向規制力がないあるいは不十分でも、当該投影部は平面的に遮光部により確実に遮光される。ゆえに、柱状スペーサの投影部に起因する配向ムラが視認され難い液晶装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例２］本適用例の他の液晶装置は、対向配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とにより狭持された液晶層と、前記第１の基板または前記第２の基板のいずれか一方において少なくとも画素領域を平面的に規定する遮光部と、前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を保持する柱状スペーサと、前記第１の基板および前記第２の基板の前記液晶層に面する側に設けられ、光照射により配向処理された配向膜とを備え、前記遮光部は、前記柱状スペーサと前記光照射による前記柱状スペーサの投影部とが前記遮光部が設けられた領域内に位置するように、前記投影部の投影方向における前記遮光部の幅が、前記投影方向に沿った他の前記遮光部の幅よりも広く設定されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、柱状スペーサの投影部に対応して投影方向における遮光部の幅が他の部分に比べて広く設定されている。したがって、配向膜上に投影された柱状スペーサの投影部において光照射量が不十分で液晶分子の配向規制力がないあるいは不十分でも、当該投影部は他の部分よりも幅が投影方向に拡張された遮光部により確実に遮光される。ゆえに、柱状スペーサの投影部に起因する配向ムラが視認され難い液晶装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記画素領域は、格子状に設けられた前記遮光部により平面的に規定され、前記投影部の投影方向に前記遮光部の幅を広くした部分は、前記遮光部の交差部に対応して設けられており、他の交差部における前記投影方向に沿った前記遮光部の幅よりも広いとしてもよい。
この構成によれば、格子状に設けられた遮光部の交差部に柱状スペーサを配置し、柱状スペーサの投影部の投影方向に当該遮光部の幅が拡張されている。交差部は少なくとも交差する２方向に遮光部が存在するため、交差部の拡張に伴う画素領域の開口率の低下をより少なくできる。すなわち、開口率の低下に起因する駆動特性の劣化を抑制できる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記投影部の投影方向に前記遮光部の幅を広くした部分は、画素を駆動制御するスイッチング素子が設けられた領域を含んでいるとしてもよい。
この構成によれば、画素領域に画素を駆動するスイッチング素子を設けた場合、スイッチング素子が設けられた領域は、基本的に光学的な液晶分子の配向制御に寄与しない。このような配向制御に寄与しない領域内に柱状スペーサの投影部が位置するように柱状スペーサを配置すれば、柱状スペーサの投影部に起因する配向ムラの影響をより少なくすることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記投影部は、前記柱状スペーサに対して照射された光が前記柱状スペーサにより遮光された本影部と、前記柱状スペーサに対する前記光の照射角度分布や回折により生ずる半影部とを有し、前記柱状スペーサと少なくとも前記本影部とが前記遮光部が設けられた領域内に位置するように、前記遮光部に対する前記柱状スペーサの相対的な位置が前記本影部の投影方向に対して設定されている、または前記本影部の投影方向における前記遮光部の幅が、前記投影方向に沿った他の前記遮光部の幅よりも広く設定されていることが好ましい。
この構成によれば、光配向処理において配向膜に光照射がされない柱状スペーサの本影部の投影方向において、遮光部に対する柱状スペーサの相対的な位置が設定される、あるいは柱状スペーサが配置された遮光部の幅が他の部分に比べて広く設定される。言い換えれば、必要以上に遮光部の幅が広くなることを防ぐことができる。すなわち、柱状スペーサの投影部に起因する配向ムラの影響を低減しつつ遮光部の幅を適正化することができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記投影部は、前記柱状スペーサに対して照射された光が前記柱状スペーサにより遮光された本影部と、前記柱状スペーサに対する前記光の照射角度分布や回折により生ずる半影部とを有し、前記柱状スペーサと前記本影部および前記半影部が前記遮光部が設けられた領域内に位置するように、前記遮光部に対する前記柱状スペーサの相対的な位置が前記本影部および前記半影部の投影方向に対して設定されている、または前記本影部および前記半影部の投影方向における前記遮光部の幅が、前記投影方向に沿った他の前記遮光部の幅よりも広く設定されているとしてもよい。
この構成によれば、本影部と半影部とに亘る柱状スペーサの投影部に起因する配向ムラの影響を最小限に留めることができる。
【００１７】
［適用例７］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、光配向処理に伴う柱状スペーサの投影部に起因する配向ムラの影響が低減され、安定した光学特性を有する液晶装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１９】
（実施形態１）
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について図１〜図４を参照して説明する。図１は液晶装置の構成を示す概略図であり、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った断面図である。
【００２０】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、第１の基板としての素子基板１０と、第２の基板としての対向基板２０と、これらの基板によって挟持された液晶層５０とを有する。
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、シール材５２を介して接合され、その隙間に液晶が封入されて液晶層５０を構成している。
【００２１】
同図（ａ）に示すように、素子基板１０の１辺部に沿ってデータ線駆動回路１０１が設けられ、これに電気的に接続された複数の端子部１０２が配列している。該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部には、該２辺部に沿って走査線駆動回路１０４が設けられている。対向基板２０を挟んで該１辺部と対向する他の１辺部には、２つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００２２】
額縁状に配置されたシール材５２の内側には、同じく額縁状に見切り部５３が設けられている。見切り部５３は、遮光性を有する金属材料あるいは樹脂材料からなり、見切り部５３の内側が複数の画素を有する表示領域１０ａとなっている。
【００２３】
同図（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素ごとに設けられた画素電極１５および後述するスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（図示省略）と、信号配線（図示省略）と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。
【００２４】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部５３と、カラーフィルタ２２と、これらを覆うように成膜された共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２８とが形成されている。また、表示領域１０ａに設けられた画素ごとの画素領域を平面的に規定する遮光部５３ａが設けられている。遮光部５３ａは、見切り部５３を形成する工程で平面的に格子状に形成されたものであって、前述したように遮光性を有する金属材料あるいは樹脂材料からなる。
【００２５】
本実施形態における液晶装置１００は、紫外線等の光を形成された配向膜１８，２８にそれぞれ照射して液晶分子の配向方向を規制する光配向処理を採用している。光配向処理方法の具体的な方法については、後述する。
【００２６】
対向基板２０に設けられた共通電極２３は、同図（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００２７】
液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０の厚みが所定の厚みとなるように、素子基板１０と対向基板２０との間隔を保持する柱状スペーサ（図示省略）を有している。この柱状スペーサに係る構成の詳細については、後述する実施例において説明する。
【００２８】
図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域１０ａにおいて互いに絶縁されて直交する走査線３ａとデータ線６ａとを有する。また、走査線３ａに対して一定の間隔を置いて平行するように配置された容量線３ｂを有する。
【００２９】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂにより格子状に区画された領域に、画素電極１５と、画素電極１５をスイッチング制御するスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）３０と、保持容量３６とが設けられ、これらがサブ画素ＳＧを構成している。すなわち、サブ画素ＳＧは、マトリクス状に配置されている。
【００３０】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを各サブ画素ＳＧに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを各サブ画素ＳＧに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３１】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量３６が接続されている。保持容量３６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００３２】
図３はサブ画素の構成を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ’線で切ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。
【００３３】
図３に示すように、各サブ画素ＳＧには、矩形状の画素電極１５が形成されている。画素電極１５の長辺（Ｙ軸方向）に沿ってデータ線６ａが延在し、画素電極１５の短辺（Ｘ軸方向）に沿って走査線３ａが延在している。走査線３ａの画素電極１５側に、走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが形成されている。
【００３４】
データ線６ａが交差する付近の走査線３ａ上に、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３１を有している。また、半導体層３１の一方の端部（ソース側）において平面的に重なるように配置されたソース電極６ｂと、同じく半導体層３１の他方の端部（ドレイン側）において平面的に重なるように配置されたドレイン電極３２とを備えている。
ソース電極６ｂは、Ｙ軸方向において画素電極１５と反対側に一旦引き出された後にＸ軸方向に延出されデータ線６ａと接続されている。
ドレイン電極３２はＹ軸方向において画素電極１５側に延出されて略矩形状の容量電極３３と接続されている。
容量電極３３は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、容量電極３３と容量線３ｂとを電極とする保持容量３６（図４参照）を構成している。容量電極３３の平面領域内に形成されたコンタクトホール３４を介して画素電極１５と容量電極３３とが電気的に接続されている。それゆえに、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２と画素電極１５とが導通することになる。
走査線３ａは半導体層３１と平面的に重なる位置に配置されており、ＴＦＴ３０のゲート電極として機能している。すなわち、ＴＦＴ３０はバックゲート方式の薄膜トランジスタである。
【００３５】
図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とにより液晶層５０を挟持している。
【００３６】
素子基板１０は、透明なガラス等の基板からなり、その液晶層５０側の表面には、まずアルミニウムやアルミニウム合金等を用いて走査線３ａ、容量線３ｂが形成され、これらを覆うように酸化シリコンや酸化窒化シリコン等からなる第１層間絶縁膜１１が形成される。
【００３７】
次に、第１層間絶縁膜１１上にアモルファスシリコンからなる半導体層３１が形成される。半導体層３１のソース側を覆ってソース電極６ｂが形成され、同じくドレイン側を覆ってドレイン電極３２が形成される。ソース電極６ｂやドレイン電極３２を形成する工程において、これらに電気的に接続するデータ線６ａや容量電極３３が形成される。これらの電極や配線の形成もアルミニウムやアルミニウム合金等の低抵抗な導電材料が用いられる。
【００３８】
そして、ＴＦＴ３０やこれに繋がる配線を覆うように誘電体層としての第２層間絶縁膜１２が形成される。第２層間絶縁膜１２は酸化シリコンや酸化窒化シリコン等からなる。
【００３９】
第２層間絶縁膜１２上にＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜を成膜し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることで画素電極１５が形成される。なお、画素電極１５は、第２層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール３４を介して容量電極３３と接続している。すなわち、画素電極１５は容量電極３３を介してドレイン電極３２と電気的に接続している。
【００４０】
パターニングされた画素電極１５と第２層間絶縁膜１２とを覆うように配向膜１８が設けられている。配向膜１８は、例えばポリイミド樹脂などの光配向処理が可能な配向膜材料からなる。
【００４１】
対向基板２０は、素子基板１０と同じく透明なガラス等の基板からなり、その液晶層５０側の表面には、前述したようにサブ画素ＳＧを実質的に区画する遮光部５３ａが形成されている（図１（ｂ）参照）。
【００４２】
遮光部５３ａにより区画された領域にカラーフィルタ２２が形成されている。カラーフィルタ２２は、サブ画素ＳＧごとに少なくとも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の中から選ばれる。
【００４３】
遮光部５３ａとカラーフィルタ２２とを覆うようにＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜を成膜して、これを共通電極２３とする。さらに共通電極２３を覆うように配向膜２８が形成される。配向膜２８も配向膜１８と同じ材料であって、例えばポリイミド樹脂などの光配向処理が可能な配向膜材料が用いられる。
【００４４】
なお、図４においては図示省略したが、液晶装置１００の液晶層５０に対して反対側の素子基板１０の表面側および対向基板２０の表面側には、液晶装置１００に入射する光を偏向させる偏光板や位相差板など光学素子が設けられる。このような液晶装置１００は透過型であって、例えば、ＬＥＤや冷陰極管などを光源とする照明装置を具備して用いられる。
【００４５】
図１〜図４に示した液晶装置１００は、液晶層５０における液晶分子がほぼ９０度回転（ツイスト）するように配向処理を施すＴＮ（Twist  Nematic）方式である。以降、電気光学材料である液晶分子の配向状態を液晶モードと呼ぶ。
なお、液晶装置１００の液晶モードはＴＮ方式に限定されない。例えば、液晶分子をスプレイ配向またはベンド配向のいずれの配向状態をもとりうるものとする。初期状態ではスプレイ配向となっており、転移電圧を印加することによってスプレイ配向をベンド配向に転移させ、ベンド配向状態の液晶分子を駆動制御するＯＣＢ（Optically  Compensated  Birefringence）方式としてもよい。ＯＣＢ方式は、高速駆動が可能な点で注目されている。
【００４６】
また、対向基板２０に共通電極２３を設けずに、素子基板１０側に一対の電極を設け、液晶分子を一定方向に水平配向させるＩＰＳ（In  Place  Switching）方式やＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式でもよい。ＩＰＳ方式やＦＦＳ方式は、当該一対の電極間に駆動電圧を印加することにより生ずる電界により水平配向状態の液晶分子を回転させて駆動制御するので、広い視野角特性を実現可能である点で注目されている。
【００４７】
さらには、負の誘電異方性を有する液晶を用い、配向膜面に対して液晶分子を垂直配向させるＶＡ（Vertical  Alignment）方式が挙げられる。ＶＡ方式は、配向膜面を物理的に擦るラビング法による配向処理を必要としないので、大型の液晶装置を比較的容易に製造可能である点で注目されている。
【００４８】
次に、光配向処理の方法について図５および図６を参照して説明する。図５は光配向処理の方法を示す表、図６（ａ）および（ｂ）は光照射の方法を示す概略図である。
【００４９】
図５に示すように、光配向処理方法は、配向タイプ別の配向膜材料の選択により代表的な光源や照射角度などの照射条件が液晶モードごとに定められる。
【００５０】
配向膜材料の配向タイプは、大きく分けて光分解型、光異性化型、光二量化型の３つのタイプがある。光分解型は、配向膜材料の光が照射された部分が分解し、光照射されなかった部分との間で液晶分子の配向性が異なることを利用するものである。代表的な配向膜材料としてはポリイミド樹脂が挙げられ、光源としては例えば波長２５４ｎｍのＨｇ−Ｘｅ（水銀キセノン）ランプから得られた光を偏光素子により直線偏光に変換して照射する。偏光素子としては例えばブリュスター角を用いた石英積層板や無機材料により形成されたワイヤーグリッドを用いることができる。
光の照射角度は、配向膜が形成された基板表面の法線からの角度θで規定され、プレチルト角を必要としない水平配向のＩＰＳ方式、ＦＦＳ方式では０°、基板面に対するプレチルト角として１〜５°が求められるＴＮ方式（ＯＣＢ方式を含む）では７０〜８０°、同じく基板面に対するプレチルト角として１〜５°が求められる垂直配向のＶＡ方式では５〜２０°である。
【００５１】
光異性化型は、例えばアゾ基を主鎖または側鎖に含む高分子の配向膜材料に光を照射してアゾ結合状態を変化させることにより、分子構造を例えばシス型からトランス型に変化させる。光照射されなかった部分との間で分子構造が変化することにより、液晶分子の配向性が異なることを利用するものである。光源としては例えば波長３６５ｎｍの高圧水銀ランプが挙げられる。
光の照射角度θは、プレチルト角を必要としない水平配向のＩＰＳ方式、ＦＦＳ方式では０°、基板面に対するプレチルト角として１〜５°が求められるＴＮ方式（ＯＣＢ方式を含む）では４５〜７０°、同じく基板面に対するプレチルト角として１〜５°が求められる垂直配向のＶＡ方式では５〜１５°である。この場合、垂直配向させるＶＡ方式では、照射光は非偏光でよい。他のモードは直線偏光を用いる。
光異性化型の配向膜材料の具体的な例としては、アゾ基を含む（メタ）アクリレート樹脂やアゾ基を含むポリアミック酸が挙げられる。
【００５２】
光二量化型は、例えばけい皮酸骨格やクマリン骨格を含む高分子の配向膜材料に光を照射して、分子量が倍増するように高分子化させる。高分子化した部分とそうでない部分との間で液晶分子の配向性が異なることを利用するものである。
光源としては例えば波長３１３ｎｍのＨｇ−Ｘｅ（水銀キセノン）ランプが挙げられる。
光の照射角度θは、プレチルト角を必要としない水平配向のＩＰＳ方式、ＦＦＳ方式では０°、基板面に対するプレチルト角として１〜５°が求められるＴＮ方式（ＯＣＢ方式を含む）では４５〜７０°である。垂直配向のＶＡ方式には適していない。照射光は、いずれも直線偏光とする必要がある。
光二量化型の配向膜材料の具体的な例としては、ポリビニルシンナメート（ＰＶＣｉ）などが挙げられる。
【００５３】
これらの光配向処理において、直線偏光を用いる場合、偏光方向と光照射後の液晶分子の配向方向との関係は、配向膜材料によって異なる。例えば、光分解型のポリイミド樹脂では、偏光方向に対してほぼ平行な方向に液晶分子を配向させることができる。
光異性化型のアゾベンゼンでは、照射光の波長の選択、偏光方向の変更などにより、水平配向と垂直配向とを可逆的に変化させることができる。
光二量化型のポリビニルシンナメート（ＰＶＣｉ）では、偏光方向に対して直交する方向に液晶分子が配向することが確認されている。
【００５４】
光の照射角度θは、上述したように求められるプレチルト角に応じて定められる。配向処理面に対して所定の照射角度θで光を照射する方法としては、図６（ａ）に示すように、偏光素子が組み合わされた面光源に対して配向処理面（基板面）を傾斜させる方法が挙げられる。面光源を処理される基板のサイズに合わせて構成することは、基板のサイズが大型化すると困難となる。したがって、図６（ｂ）に示すように、所定の発光面積を有する面光源や線光源と偏光素子とを組み合わせ（例えば、特開２００６−１８４７４７号公報には、線光源としての棒状ランプと偏光素子としてのワイヤーグリッドとの組み合わせが提案されている）、これを配向処理面に対して走査する方法が挙げられる。あるいは、面光源または線光源に対して配向処理面を一定速度で相対移動させる方法などが挙げられる。
【００５５】
本実施形態の液晶装置１００は、前述したように素子基板１０と対向基板２０との間隔を保持する柱状スペーサを有している。柱状スペーサは、図６（ａ）および（ｂ）に示すように配向処理面から突出するように複数設けられている。柱状スペーサの間隔は、特に限定されるものではないが、均等間隔で配置することが好ましい。
【００５６】
図７は柱状スペーサの投影部を示す概略図である。詳しくは、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は側面図である。
【００５７】
図７（ｂ）に示すように、配向処理面（基板面）の法線方向に対して照射角度θで柱状スペーサに斜め方向から光を照射すると、図７（ａ）に示すように照射光が柱状スペーサにより遮られた影が配向膜上に投影される。以降、この影の部分を投影部と呼ぶ。また、平面的に影が生ずる方向を投影方向と呼ぶ。
【００５８】
図７（ｂ）に示すように、投影部の配向処理面上における長さＳＬ1は、柱状スペーサの高さをｈとし、照射光の配向処理面に対する入射角度をθ1とすると、次の数式（１）で与えられる。
ＳＬ1＝ｈ／ｔａｎθ1＝ｈ／ｔａｎ（９０−θ）・・・・（１）
例えば、照射角度θが４５°とすれば、ＳＬ1＝ｈとなる。照射角度θが４５°より大きくなると投影部の長さＳＬ1が柱状スペーサの高さｈ以上に長くなる。一般的に高さｈは２〜５μｍの範囲において選択されることから、照射角度θが８０°になれば投影部の長さＳＬ1が１０μｍ程度になる。柱状スペーサの直径ＰＳＬに投影部の長さＳＬ1を加えた長さＬは、光配向処理を施したとしても配向処理面において配向の異方性を生じさせることが困難な長さとなる。
【００５９】
また、光照射における柱状スペーサの投影部は、図６（ａ）に示すように傾いた配向処理面における柱状スペーサの下方側に現れる。図６（ｂ）に示した光照射方法では、傾いた配向処理面における柱状スペーサに対して面光源または線光源の走査方向（図では矢印の方向）の反対側に現れる。
【００６０】
図８は物体の本影と半影とを説明する図である。詳しくは、同図（ａ）は点光源の場合を示し、同図（ｂ）は面光源の場合を示したものである。
【００６１】
図８（ａ）に示すように、点光源から物体に対して光が照射されると、物体の影は、照射方向において物体の背面側に生じる。当然ながら影の領域には光が当たっていない。
【００６２】
一方で面光源から物体に対して光が照射されると、図８（ｂ）に示すように、照射方向における物体の背面側には、照射光が物体により遮断されて生じる本影と、物体に対する照射角度の分布や回折により生ずる半影とが現れる。光源と物体との相対的な位置関係が同じだとすれば、点光源における影の領域に対して面光源における本影の領域（面積）は、小さくなる。
【００６３】
この物体を柱状スペーサに置き換えて考えてみる。図６（ａ）および（ｂ）に示したように柱状スペーサに対して斜め方向から光を照射すると、柱状スペーサの投影部は、本影部と半影部とを有することになる。本影部には全く光が届いていないが、半影部にはわずかに光が届いている。液晶装置１００の光配向処理において柱状スペーサによる投影部が配向に及ぼす影響をより小さくするためには、サブ画素ＳＧを実質的に区画する遮光部５３ａに対してどのように柱状スペーサを配置するかが重要な要素となる。言い換えれば、柱状スペーサの形状や大きさと光配向処理の方法により、投影部がどのように生ずるかによって、遮光部５３ａをどのように設計するかが重要である。以降、実施例を挙げて説明する。
【００６４】
（実施例１）
図９は実施例１の柱状スペーサの配置を示す概略平面図である。詳しくは、液晶装置１００において、対向基板２０側から見たときの柱状スペーサ５の配置を示すものである。
【００６５】
図９に示すように、対向基板２０の遮光部５３ａは、素子基板１０において互いに直交するデータ線６ａと走査線３ａとに平面的に重なるようにＸ軸方向とＹ軸方向とに格子状に設けられている。すなわち、サブ画素ＳＧを実質的に区画するように格子状に設けられている。
【００６６】
光配向処理の方法としては、例えば、図５の表に示したように、配向膜材料としてポリイミド樹脂を用いる。そして、波長２５４ｎｍのＨｇ−Ｘｅランプを用いた面光源または線光源と、偏光素子とを組み合わせ、照射角度θを７０〜８０°に設定し、図６（ｂ）に示したように面光源または線光源に対して配向処理面を傾けた状態で面光源または線光源を図面上で左下から右上に走査する。配向処理面の傾斜角度は、光の照射角度θによって決まることは言うまでもない。
【００６７】
図９に示すように走査方向は、平面的に見たときにデータ線６ａに重なる遮光部５３ａに対して角度θ2で交差するように設定されている。したがって、偏光素子を通過した照射光は、角度θ2で示された走査方向に対して直交する方向の直線偏光に変換されて照射される。すなわち、配向方向は、走査方向に対して直交する方向となる。もちろん面光源または線光源に対する偏光素子の配置を変えれば、走査方向と配向方向とを合致させることも可能である。
【００６８】
実施例１の柱状スペーサ５は、平面視で円形の柱状スペーサであり、Ｙ軸方向に延在するデータ線６ａに重なる遮光部５３ａに対して重なるように配置されている。また、サブ画素ＳＧごとに１つの割合で設けられている。上述した光配向処理によれば柱状スペーサ５の投影部の投影方向は、角度θ2で示した走査方向に対して反対方向となる。
【００６９】
柱状スペーサ５は、データ線６ａに重なる遮光部５３ａのＸ軸方向における幅のほぼ中央に位置している。その一方で、データ線６ａに重なる遮光部５３ａには、柱状スペーサ５の投影部の投影方向において幅Ｌ１よりも広く設定された幅Ｌ２を有する突出部５３ｂが投影部に沿って設けられている。
【００７０】
突出部５３ｂの平面的な形状は、柱状スペーサ５の投影部が収まるように突出側が円弧状になっている。より具体的には、投影部における少なくとも本影部が突出部５３ｂが設けられた範囲に収まるように設定されている。これにより本影部すなわち照射光が配向処理面に当たらずに光配向処理が施されない領域が突出部５３ｂによって遮光される。したがって、光配向処理に伴う柱状スペーサ５の本影部に起因する配向ムラが視認されない状態となっている。
【００７１】
なお、突出部５３ｂの平面的な形状は、柱状スペーサ５の本影部と半影部とが収まるように設定してもよい。これにより、照射光が配向処理面に当たらずに光配向処理が施されない領域および半影部すなわち照射光が配向処理面に十分に届かずに光配向処理が不十分な領域が突出部５３ｂによって遮光される。したがって、光配向処理に伴う柱状スペーサ５の本影部と半影部とに起因する配向ムラが視認され難い状態とすることができる。
【００７２】
実施例１における柱状スペーサ５は、遮光部５３ａが形成された対向基板２０の液晶層５０側の面に設けられている。このようにすれば、柱状スペーサ５を設けたときに、遮光部５３ａや突出部５３ｂとの位置関係が適正か否か確認することができる。
したがって、図９は対向基板２０側の配向膜２８（図４参照）における光配向処理方法を示すものであるが、柱状スペーサ５の配置の仕方は、これに限定されない。例えば、対向基板２０側の突出部５３ｂに対応するように素子基板１０の液晶層５０側の面に柱状スペーサ５を配置してもよい。すなわち、光配向処理によって素子基板１０側の配向膜１８（図４参照）上に柱状スペーサ５の投影部が投影されるが、当該投影部に起因する配向ムラは対向基板２０側に設けられた突出部５３ｂにより遮光されるので、やはり視認されない。
【００７３】
（実施例２）
図１０は実施例２の柱状スペーサの配置を示す概略平面図である。図１０に示すように、実施例２の柱状スペーサ５の配置は、格子状に設けられた遮光部５３ａの交差部に重なるように柱状スペーサ５が配置されている。なお、光配向処理の方法は、実施例１と同じであるため、詳細の説明は省略する。
【００７４】
遮光部５３ａの交差部には、サブ画素ＳＧ側に突出する突出部５３ｃを有している。突出部５３ｃは、素子基板１０側のデータ線６ａと走査線３ａとの交差部付近に設けられたＴＦＴ３０（ソース電極６ｂを含む）に平面的に重なるように対向基板２０側の遮光部５３ａに設けられている。ＴＦＴ３０が設けられた領域は、配向膜１８によって覆われるものの、画素電極１５が配されていないため光学的に機能しない領域である（図４参照）。また、当該領域においてＴＦＴ３０（半導体層３１）に外光が入射してＴＦＴ３０の誤動作が生じないように遮光性を有する突出部５３ｃが設けられている。
【００７５】
光配向処理に伴う柱状スペーサ５の投影部は、角度θ2で示された面光源または線光源の走査方向に対して反対側に投影される。
【００７６】
遮光部５３ａの交差部は、突出部５３ｃが設けられているためＸ軸方向およびＹ軸方向において、他の遮光部５３ａよりも平面的に広く設定されている。したがって、当該交差部における柱状スペーサ５の相対的な位置を、投影部が交差部内に収まるように投影部の投影方向において容易に設定することができる。当然ながら突出部５３ｃの平面的な大きさは、ＴＦＴ３０を覆うように重なるだけでなく、柱状スペーサ５の投影部の投影方向や範囲を考慮して設定される。
【００７７】
このように、突出部５３ｃが設けられた遮光部５３ａに重なるように柱状スペーサ５を配置することにより、光配向処理における柱状スペーサ５の投影部に起因する配向ムラが遮光部５３ａの交差部によって遮光され視認されない。
【００７８】
また、実施例１と同様に投影部は、本影部と半影部とを有する。したがって、少なくとも本影部が突出部５３ｃが設けられた遮光部５３ａに収まるように柱状スペーサ５を配置する、あるいは本影部と半影部とが突出部５３ｃが設けられた遮光部５３ａに収まるように柱状スペーサ５を配置する。言い換えれば、本影部と半影部とに対応して突出部５３ｃの位置と形状を決定するとしてもよい。
【００７９】
また、光配向処理における柱状スペーサ５の投影部の投影方向によっては、突出部５３ｃがない状態でも遮光部５３ａの交差部に重なるように柱状スペーサ５の相対的な位置を決めることは可能である。例えば、本実施形態の液晶装置１００は透過型であるが、素子基板１０側において、ＴＦＴ３０やこれに電気的に繋がるデータ線６ａ、走査線３ａなどの信号配線が設けられた配線層上に反射層を設けた反射型としてもよい。その場合には、反射層によってＴＦＴ３０が覆われるので対向基板２０において遮光部５３ａの交差部には突出部５３ｃが不要となる。
【００８０】
あるいは、光配向処理における柱状スペーサ５の投影部に起因する配向ムラが視認されないように、柱状スペーサ５が配置される交差部にのみ突出部５３ｃを設けてもよい。
【００８１】
（実施例３）
図１１は実施例３の柱状スペーサの配置を示す概略図である。詳しくは、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ’線で切った断面図である。
【００８２】
図１１（ａ）に示すように、実施例３の柱状スペーサ５の配置は、格子状に設けられた遮光部５３ａによって実質的に区画されたサブ画素ＳＧ内においてほぼ中央付近に設けられた島状の遮光部５３ｄに重なるように柱状スペーサ５が配置されている。なお、光配向処理の方法は、実施例１と同じであるため、詳細の説明は省略する。
【００８３】
具体的には、柱状スペーサ５は、サブ画素ＳＧ内においてほぼ中央に配置されている。遮光部５３ｄは、光配向処理における柱状スペーサ５の投影部とその投影方向とを考慮してその位置と形状が決められている。すなわち、角度θ2で示された面光源または線光源の走査方向と反対側に投影される投影部が遮光部５３ｄに収まるように投影方向に延びたトラック状となっている。
【００８４】
図１１（ｂ）は対向基板２０側に柱状スペーサ５を設けた場合の柱状スペーサ５と遮光部５３ａ，５３ｄとの相対的な位置を示す断面図である。同図（ｂ）に示すように、対向基板２０の（液晶層５０に面する側の）表面には、まず、格子状の遮光部５３ａと島状の遮光部５３ｄとが形成される。遮光部５３ｄは、後に形成される柱状スペーサ５との相対的な位置関係に基づいて形成されている。続いて、これらの遮光部５３ａ，５３ｄを覆うと共に、サブ画素ＳＧに対応して設けられるＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色のカラーフィルタ２２が形成される。次に、カラーフィルタ２２を覆うように共通電極２３が形成される。
【００８５】
柱状スペーサ５は、共通電極２３を覆うようにして成膜された感光性樹脂材料を露光・現像することにより、円柱状に成形される。柱状スペーサ５が成形される平面的な位置は、サブ画素ＳＧのほぼ中央であって、この場合、Ｇ（緑）のカラーフィルタ２２の上側に形成されている。Ｇ（緑）のカラーフィルタ２２が設けられたサブ画素ＳＧには遮光部５３ｄが設けられている。
【００８６】
配向膜２８は、柱状スペーサ５が形成された対向基板２０の表面を覆うように形成される。配向膜２８の形成方法としては、配向膜材料を転写する印刷法やスピンコート法、配向膜材料を液滴として吐出描画する液滴吐出法などが挙げられる。非接触型で使用する材料の無駄を省ける点で液滴吐出法が好ましい。
【００８７】
図１１（ｂ）において、配向膜２８は柱状スペーサ５の表面をすべて覆うように図示していないが、実際には当該表面にわずかに付着している程度で済む。
【００８８】
液晶装置１００における１つの画素は、それぞれに異なる色のカラーフィルタ２２を有する３つのサブ画素ＳＧにより構成される。
【００８９】
実施例３によれば、柱状スペーサ５は、画素ごとのほぼ中央に配置される。また、色の基準となるＧ（緑）のカラーフィルタ２２の上側に配置される。これにより、素子基板１０と対向基板２０との間隔がＧ（緑）を基準色として適正に保持される。さらには、配向膜２８に対して光配向処理を施しても、柱状スペーサ５とその配向膜２８上における投影部が遮光部５３ｄにより遮光される。したがって、柱状スペーサ５の投影部に起因する配向ムラが視認されない。
【００９０】
この場合も、実施例１と同様に投影部は、本影部と半影部とを有する。したがって、少なくとも本影部が島状の遮光部５３ｄに収まるように柱状スペーサ５を配置する、あるいは本影部と半影部とが島状の遮光部５３ｄに収まるように柱状スペーサ５を配置する。言い換えれば、本影部と半影部とに対応して島状の遮光部５３ｄの位置と形状を決定するとしてもよい。
【００９１】
なお、島状の遮光部５３ｄと柱状スペーサ５とが設けられるサブ画素ＳＧは、Ｇ（緑）のカラーフィルタ２２を有することに限定されない。例えば、Ｇ（緑）よりも視感度が低いＢ（青）やＲ（赤）のカラーフィルタ２２を有するサブ画素ＳＧに設けてもよい。これによれば、遮光部５３ｄが液晶装置１００の光学特性に与える影響をより小さくすることができる。
【００９２】
次に、配向膜上における柱状スペーサの投影部の本影部と半影部の分析方法について図１２および図１３を参照して説明する。図１２は配向処理状態を分析する装置を示す概略図、図１３は倍波の強度分布を示すグラフである。
【００９３】
図１２に示すように、配向処理状態を分析する装置の１例としては、表面第二次高調波（Second  Harmonic  Generation；ＳＨＧ）測定装置が挙げられる。
【００９４】
ＳＨＧ測定装置は、ＹＡＧレーザーなどのレーザー励起光を配向膜を有する基板表面に照射し、その倍波をフィルターによって取り出す。倍波の強度をフォトマルチプライアなどで測定する。基板はレーザー励起光の入射角度を一定としつつ、同一面内において回転可能となっている。したがって、いろんな方向から倍波の強度を測定可能となっている。
【００９５】
このようなＳＨＧ測定装置を用いれば、表面あるいは界面一層の非対称な分布を持つ、ＳＨＧ活性な分子からだけ二次高調波が発生するため、配向膜上における配向方向の異方性や配向膜界面での液晶分子の配向状態を調べることができる。詳しくは、２００２年２月２０日に東京技術情報サービスから発行された、著者、長谷川雅樹氏の著書「液晶配向の基礎、応用、プロセス」における頁４８〜頁５０に記載されている。
【００９６】
図１３は上記ＳＨＧ測定装置を用い、配向膜としてのポリイミド樹脂膜の光配向処理状態を分析したときの倍波の強度分布を示すグラフの一例である。図１３に示すように、通常光照射領域では、ＹＡＧレーザーの入射方向を変えた倍波の強度を測定すると、特定の方向（９０°側）に強い強度分布を示す。これは配向膜面における配向の異方性を示すものである。
【００９７】
これに対して、柱状スペーサ５の本影部に相当する配向膜の表面から得られた倍波の強度分布は、入射方向に関わらずほぼ一定である。すなわち、配向の異方性が認められない。
一方、半影部に相当する配向膜の表面から得られた倍波の強度分布は、通常光照射領域から得られた強度分布に似た強度分布を示す。倍波の強度は、通常光照射領域に比べて低い。すなわち、配向の異方性が認められるものの正常とは言えず、不十分な配向状態となっていることが伺える。
【００９８】
配向膜における表面の異方性評価の方法は、上記ＳＨＧ測定装置を用いた方法以外にも、Ｘ線散乱測定法、赤外線吸収スペクトル測定法などが紹介されている。
【００９９】
このような表面の異方性評価の方法を用いれば、光配向処理における配向膜上の本影部と半影部の位置や範囲を特定することが可能である。得られた本影部と半影部の位置や範囲に基づいて遮光部５３ａに対する柱状スペーサ５の相対的な位置を決めることができる。また、実施例１〜実施例３に示したように突出部５３ｂ，５３ｃや島状の遮光部５３ｄの位置や形状を適正な状態すなわち配向ムラを隠すことが可能な状態に設定することができる。
【０１００】
（実施形態２）
次に、上記実施形態１の液晶装置１００を備えた電子機器について図１４を参照して説明する。図１４は電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図である。
【０１０１】
図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機３００は、入力用のボタンスイッチや表示部３０２などを備えた本体３０１を有している。表示部３０２には、上記実施形態１の液晶装置１００とこれを照明する照明装置とが少なくとも搭載されている。したがって、柱状スペーサ５の投影部に起因する配向ムラが視認されないので、安定した表示品質を有する携帯型電話機３００を提供することができる。また、柱状スペーサ５の投影部（本影部と半影部）の位置や範囲を正確に分析して、これを遮光する遮光部５３ａの位置や形状を特定しているので、遮光部５３ａの寸法に依存する開口率を適正化することができる。すなわち、より明るい表示が得られる携帯型電話機３００を提供することができる。
【０１０２】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０３】
（変形例１）上記実施形態１の液晶装置１００において、柱状スペーサ５の形状はこれに限定されない。図１５（ａ）および（ｂ）は変形例の柱状スペーサを示す概略図である。例えば、図１５（ａ）に示すように、円錐台状の柱状スペーサ７としてもよい。柱状スペーサ７をフォトリソグラフィ法により形成する際に、露光量などの露光条件や現像時間などの現状条件を調整することにより、底面に対して上面の面積が小さい円錐台形とすることができる。これによれば、図１５（ｂ）に示すように柱状スペーサ７の底面の大きさと高さｈとが上記実施形態１の柱状スペーサ５と同じならば、投影部の長さＳＬ2が柱状スペーサ５の投影部の長さＳＬ1よりも短くなる。したがって、投影方向における柱状スペーサ７を含めた光配向処理が不十分な領域の長さＬ３を長さＬに比べて短くできる。ゆえに、当該領域を遮光する遮光部５３ａの投影方向の幅を小さくすることができる。
【０１０４】
（変形例２）上記実施形態１の液晶装置１００において、柱状スペーサ５の投影部及びその投影方向は、これに限定されない。上記実施例１〜実施例３では、配向膜にプレチルト角を付与することを前提に柱状スペーサ５に対して斜め方向から光を照射する光配向処理の方法について説明した。データ線６ａに重なる遮光部５３ａに対して角度θ2で与えられた面光源または線光源の走査方向は、光学設計上で適宜決定される。したがって、上記実施例１における突出部５３ｂの位置や形状も角度θ2を考慮する必要があることは言うまでもない。
また、図５に示したように、液晶モードがＩＰＳやＦＦＳの場合、プレチルト角を付与してもかまわないが、付与しなくてもよい。図１６（ａ）〜（ｃ）は、変形例の光配向処理方法および柱状スペーサの配置を示す概略図である。ＩＰＳやＦＦＳの場合、照射角度θは０°である。したがって、例えば図１６（ａ）に示すように、配向処理面に対してほぼ平行に面光源または線光源と偏光素子とを走査する。すると、本影部は生じないが、照射光に含まれる拡散光成分により半影部を生ずる。これは、一般的な照射光においては完全な平行光のみから構成されているわけでなく、拡散光成分をある程度含むため照射角度θの分布を有した擬似平行光となるからである。そのため、面光源または線光源の照射光に含まれる拡散光成分が走査方向に対して直交する方向において多い場合には、図１６（ｂ）に示すように、走査方向に対してほぼ直交する方向に半影部を多く生ずる。ゆえに、例えば図１６（ｃ）に示すように、サブ画素ＳＧのほぼ中央に柱状スペーサ５を位置させ、光配向処理における走査方向をＸ軸方向として、柱状スペーサ５の半影部の投影方向（Ｙ軸方向）に対応した例えば楕円形状の遮光部５３ｅを設ける。柱状スペーサ５は遮光部５３ｅに対してほぼ中央に重なるように配置される。
すなわち、光配向処理における柱状スペーサの投影部の投影方向に対応して、遮光部に対する柱状スペーサの相対的な位置や、遮光部の形状を決めることが重要である。
【０１０５】
（変形例３）上記実施形態１の液晶装置１００において、柱状スペーサ５の配置は実施例１〜実施例３に限定されない。例えば、柱状スペーサ５はサブ画素ＳＧごとに配置する必要はなく、素子基板１０と対向基板２０の間隔を保持可能な範囲で、選択的に配置すればよい。
【０１０６】
（変形例４）上記実施形態１の液晶装置１００の構成は、これに限定されない。例えば、対向基板２０において、カラーフィルタ２２は必須な構成ではない。また、画素電極１５や共通電極２３の構成は、液晶モードにより異なる場合がある。さらに、柱状スペーサ５は、配向膜を形成する前に形成することに限定されず、配向膜上に設けてもよい。
【０１０７】
（変形例５）上記実施形態２において、上記実施形態１の液晶装置１００が搭載される電子機器は、携帯型電話機３００に限定されない。例えば、ＤＶＤプレーヤーやビューワー、ナビゲータなどの各種表示装置、プロジェクタ用のライトバルブに好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】液晶装置の構成を示す概略図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】サブ画素の構成を示す概略平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線で切ったサブ画素の構造を示す概略断面図。
【図５】光配向処理の方法を示す表。
【図６】（ａ）および（ｂ）は光照射の方法を示す概略図。
【図７】（ａ）は柱状スペーサの投影部を示す斜視図、（ｂ）は柱状スペーサの投影部を示す側面図。
【図８】（ａ）は点光源の場合の物体の影を説明する図、（ｂ）は面光源の場合の物体の本影と半影とを説明する図。
【図９】実施例１の柱状スペーサの配置を示す概略平面図。
【図１０】実施例２の柱状スペーサの配置を示す概略平面図。
【図１１】（ａ）は実施例３の柱状スペーサの配置を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線で切った断面図。
【図１２】配向処理状態を分析する装置を示す概略図。
【図１３】倍波の強度分布を示すグラフ。
【図１４】電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図。
【図１５】（ａ）および（ｂ）は変形例の柱状スペーサを示す概略図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は変形例の光配向処理方法および柱状スペーサの配置を示す概略図。
【符号の説明】
【０１０９】
５，７…柱状スペーサ、１０…第１の基板としての素子基板、１８，２８…配向膜、２０…第２の基板としての対向基板、３０…スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、５０…液晶層、５３ａ，５３ｄ，５３ｅ…遮光部、５３ｂ，５３ｃ…遮光部の幅を広くした部分としての突出部、１００…液晶装置、３００…電子機器としての携帯型電話機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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