(57)【要約】【課題】基板周縁部付近におけるレジスト膜厚の不均一を抑制して、良好なパターニングを行うことができる基板構造及びその基板構造を用いた塗布膜の成膜方法並びにパネル基板の製造方法を提供する。【解決手段】均一な板厚を有する矩形状の基板１０の周縁部領域１０ａに、基板１０の上面が基板１０の端面１０ｃに向けて基板の下面方向に傾斜した傾斜面１１を有している。基板１０の上面にスピンコート法等を用いてレジスト膜を形成すると、基板１０の周縁部領域１０ａにおいては傾斜面１１が設けられているので、レジスト膜が基板１０の端面１０ｃ方向に落ち込み、レジスト膜２０表面の盛り上がり２０ａが抑制される。【選択図】図１
2010165959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に液状材料を滴下して塗布することにより所望の塗布膜が形成される矩形状の基板構造において、
前記基板上面に設けられた素子形成領域の外側にある前記基板上面に設けられた周縁部領域に、前記基板の上面が前記基板の端面に向けて前記基板の下面方向に傾斜した傾斜面からなる平坦化手段を設けたことを特徴とする基板構造。
【請求項２】
前記平坦化手段は、少なくとも前記基板に施される露光現像処理で用いられるマスクの位置合わせのためのアライメントマークの形成位置以外に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板構造。
【請求項３】
基板の上面に液状材料を滴下して塗布することにより所望の塗布膜を形成する塗布膜の成膜方法において、
前記基板は、前記基板上面に設けられた素子形成領域の外側にある前記基板上面に設けられた周縁部領域に、前記基板の上面が前記基板の端面に向けて前記基板の下面方向に傾斜した傾斜面を有し、
前記基板の前記素子形成領域及び前記周縁部領域に前記塗布膜を成膜する工程を有することを特徴とする塗布膜の成膜方法。
【請求項４】
前記塗布膜は、スピンコート法により形成される絶縁膜であることを特徴とする請求項３記載の塗布膜の成膜方法。
【請求項５】
前記塗布膜は、前記基板に施される露光現像処理で用いられる感光性のレジスト膜であることを特徴とする請求項３又は４記載の塗布膜の成膜方法。
【請求項６】
主基板の上面に複数の個別の装置を形成し、該主基板を分割することにより前記個別の装置を搭載した複数のパネル基板を製造するパネル基板の製造方法において、
前記主基板に液状材料を滴下して塗布することにより所望の塗布膜を形成する工程に先立って、前記パネル基板が形成される有効領域の外側である前記主基板上面の周縁部領域に、前記主基板の上面が前記主基板の端面に向けて前記主基板の下面方向に傾斜した傾斜面からなり、前記塗布膜の膜厚の変動を吸収する平坦化手段を形成する工程を有することを特徴とするパネル基板の製造方法。
【請求項７】
前記主基板を分割することより、前記複数のパネル基板を製造する際に、前記平坦化手段が形成された前記主基板の周縁部を前記パネル基板から切り離すことを特徴とする請求項６記載のパネル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液状材料を塗布、乾燥してレジスト膜を形成する基板構造、及び、その基板構造を用いた塗布膜の成膜方法、並びに、その基板構造を用いたパネル基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータやテレビジョン受像器、携帯電話機等の電子機器には、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の薄型のディスプレイが搭載されている。このようなディスプレイにおいては、絶縁性の基板上に表示素子や駆動素子等を薄膜状に形成するために、露光現像技術が適用されている。
【０００３】
露光現像技術においては、表示素子や駆動素子の電極や配線、コンタクトホール等を所望のパターンで形成するために、感光性材料からなるレジスト膜を基板上に均一な厚さで形成する必要がある。このようなレジスト膜の膜厚の均一化に関する技術については、特許文献１等に記載されている。
【０００４】
特許文献１には、スピンコート法を用いてレジスト膜や層間絶縁膜を成膜する場合に、基板上に滴下した液状材料を速やかに乾燥させて膜厚のムラや凹凸を抑制する膜厚の均一化方法が開示されている。ここで、スピンコート法は、基板にレジスト膜の液状材料を滴下した後、当該基板を高速回転させることにより均一なレジスト膜を成膜する技術である。なお、基板上にレジスト膜を成膜する手法としては、スピンコート法の他に、一定方向に相対的に移動する基板に対して、複数のノズルから液状材料を連続的に吐出して基板上に成膜するダイコート法等も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２７５６９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したようなレジスト膜の成膜方法においては、基板の周縁部付近を除く略全域で均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。しかしながら、基板の周縁部付近や角部付近では、レジスト膜表面が盛り上がり、膜厚が厚くなってしまう問題があった。そのため、露光現像工程において、所望のパターニングができなくなるという不具合を生じていた。
【０００７】
そして、発明者らの検討の結果、このような膜厚の不均一は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の表示パネルを製造する際に用いられるマザー基板のように、矩形状の基板にレジスト膜を形成する際に特に顕著であることが判明した。なお、レジスト膜の膜厚の不均一により生じる不具合については、後述する発明の実施の形態において詳しく説明する。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みて、基板周縁部付近におけるレジスト膜厚の不均一を抑制して、良好なパターニングを行うことができる基板構造、及び、その基板構造を用いた塗布膜の成膜方法、並びに、その基板構造を用いたパネル基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の発明に係る基板構造は、上面に液状材料を滴下して塗布することにより所望の塗布膜が形成される矩形状の基板構造において、前記基板上面に設けられた素子形成領域の外側にある前記基板上面に設けられた周縁部領域に、前記基板の上面が前記基板の端面に向けて前記基板の下面方向に傾斜した傾斜面からなる平坦化手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板構造において、前記平坦化手段は、少なくとも前記基板に施される露光現像処理で用いられるマスクの位置合わせのためのアライメントマークの形成位置以外に設けられていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の発明は、基板の上面に液状材料を滴下して塗布することにより所望の塗布膜を形成する塗布膜の成膜方法において、前記基板は、前記基板上面に設けられた素子形成領域の外側にある前記基板上面に設けられた周縁部領域に、前記基板の上面が前記基板の端面に向けて前記基板の下面方向に傾斜した傾斜面を有し、前記基板の前記素子形成領域及び前記周縁部領域に前記塗布膜を成膜する工程を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の塗布膜の成膜方法において、前記塗布膜は、スピンコート法により形成される絶縁膜であることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項３又は４記載の塗布膜の成膜方法において、前記塗布膜は、前記基板に施される露光現像処理で用いられる感光性のレジスト膜であることを特徴とする。
【００１３】
請求項６記載の発明は、主基板の上面に複数の個別の装置を形成し、該主基板を分割することにより前記個別の装置を搭載した複数のパネル基板を製造するパネル基板の製造方法において、前記主基板に液状材料を滴下して塗布することにより所望の塗布膜を形成する工程に先立って、前記パネル基板が形成される有効領域の外側である前記主基板上面の周縁部領域に、前記主基板の上面が前記主基板の端面に向けて前記主基板の下面方向に傾斜した傾斜面からなり、前記塗布膜の膜厚の変動を吸収する平坦化手段を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１４】
請求項７記載の発明は、請求項６記載のパネル基板の製造方法において、前記主基板を分割することより、前記複数のパネル基板を製造する際に、前記平坦化手段が形成された前記主基板の周縁部を前記パネル基板から切り離すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板周縁部付近におけるレジスト膜厚の不均一を抑制して、良好なパターニングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る基板構造の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る基板構造において、基板上面にレジスト膜を形成した際の概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る基板構造を用いたパネル基板の製造方法を示す概略工程図である。
【図４】従来技術における成膜方法により基板上にレジスト膜を成膜した場合の膜厚の変化を示す概念図である。
【図５】従来技術における成膜方法により基板の周縁部付近（四隅）にアライメントマークを形成した場合の配置位置とその形成状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る基板構造、及び、その基板構造を用いた塗布膜の成膜方法、並びに、その基板構造を用いたパネル基板の製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
（基板構造）
まず、本発明に係る基板構造について、図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明に係る基板構造の一実施形態を示す概略構成図である。図１（ａ）は、本実施形態に係る基板構造の平面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した基板構造のＩ−Ｉ（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「１」に対応する記号として便宜的に「Ｉ」を用いる）線における断面構造を示す図である。
【００１９】
図２は、本実施形態に係る基板構造において、基板上面にレジスト膜を形成した際の概略構成図である。図２（ａ）は、本実施形態に係る基板構造をレジスト膜側から見た平面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した基板構造のII−II（本明細書においては図２中に示したローマ数字の「２」に対応する記号として便宜的に「II」を用いる）線における断面構造を示す図である。なお、図２（ａ）に示した平面図において、基板周縁部におけるレジスト膜の盛り上がりの状態を明瞭にするため、便宜的にハッチングを施して示した。
【００２０】
本実施形態に係る基板構造は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、均一な板厚を有する矩形状（長方形状）の平板ガラスからなる基板１０において、該基板１０の周縁部領域１０ａに、基板１０の上面（図１（ｂ）の上面）が基板１０の端面１０ｃに向けて基板の下面方向に傾斜した傾斜面（平坦化手段）１１を有している。また、基板１０の傾斜面１１が形成されていない領域には、薄膜トランジスタや有機ＥＬ素子等の機能素子が形成される素子形成領域（有効領域）１０ｂが設定されている。
【００２１】
このような基板構造を有する基板１０の上面に、スピンコート法等を用いてレジスト膜（塗布膜）を形成すると、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１０の周縁部領域１０ａに傾斜面１１が設けられているので、基板１０の周縁部領域１０ａにおいては、レジスト膜が基板１０の端面１０ｃ方向に落ち込み、かつ、基板１０の端部からやや張り出すように形成される。
【００２２】
これにより、基板１０の周縁部領域１０ａでは、レジスト膜２０表面の盛り上がり２０ａが抑制される。したがって、基板１０の周縁部領域１０ａに近接する位置まで、基板１０の中央部と略均一な膜厚を有するレジスト膜２０を形成して、良好なパターニングを行うことができるので、基板１０の上面に設定される素子形成領域１０ｂを拡げることができる。
【００２３】
また、均一な膜厚を有するレジスト膜２０が形成される領域が基板１０の周縁部に近接する位置まで拡がることにより、図２（ａ）に示すように、露光現像工程で用いられるマスクの位置合わせのためのアライメントマーク１２を、基板１０の角部等の極力端部側に配置することができるので、パターンずれの発生を抑制して製品歩留まりを向上させることができる。
【００２４】
さらに、基板１０の周縁部領域１０ａにおけるレジスト膜２０表面の盛り上がり２０ａが抑制されるので、露光現像工程で用いられるコンタクト露光機と基板上面との接触を防止してプロセス不良に伴う製品歩留まりの低下を抑制することができる。
【００２５】
（基板構造を用いた成膜方法及びパネル基板の製造方法）
次に、上述した基板構造を用いた塗布膜の成膜方法、並びに、基板構造を用いたパネル基板の製造方法について説明する。ここでは、本実施形態に係る基板構造を用いたパネル基板の一例として、有機ＥＬ表示装置の表示パネルに適用されるパネル基板を製造する場合について説明する。
図３は、本実施形態に係る基板構造を用いたパネル基板の製造方法を示す概略工程図である。ここでは、図１、図２に示した基板構造を適宜参照しながら説明する。
【００２６】
本実施形態に係る基板構造を用いたパネル基板の製造方法は、概略、マザー基板（主基板）への傾斜面（平坦化手段）の形成工程と、アライメントマークの形成工程と、表示素子や駆動素子、配線等の回路装置の形成工程と、パネル基板の切り出し工程と、を有している。
【００２７】
まず、図１、図３（ａ）に示すように、ガラス基板やアクリル基板等からなる透明な矩形状のマザー基板１０Ｘ（図１に示した基板１０に相当する）において、周縁部領域１０ａに、レジスト膜の平坦化手段として、マザー基板１０Ｘの上面に対して所定の傾斜角を有し、かつ、マザー基板１０Ｘの端面１０ｃ方向に傾斜した傾斜面１１を形成する。
【００２８】
この傾斜面１１は、図１に示したように、例えばマザー基板１０Ｘの全周にあたる周縁部領域１０ａを、均一に機械的に研磨加工することにより形成する方法を適用することができる。傾斜面１１の角度やその面積は、マザー基板１０Ｘ上に成膜されるレジスト膜を形成する液状材料の粘度や乾燥度合い等に応じて適宜設定される。
【００２９】
次いで、図３（ｂ）に示すように、マザー基板１０Ｘの上面にスパッタリング法等を用いて金属膜１２Ｘを成膜する。次いで、スピンコート法によりマザー基板１０Ｘ上にレジスト膜の液状材料を滴下した後、所定の回転数でマザー基板１０Ｘを回転させて上記金属膜１２Ｘ上に塗布し、加熱乾燥させてレジスト膜２０を形成する。このとき、図３（ｂ）に示すように、マザー基板１０Ｘの周縁部領域１０ａを除く領域（素子形成領域１０ｂを含む領域）では、略均一な膜厚のレジスト膜２０が形成される。一方、マザー基板１０Ｘの周縁部においては、マザー基板１０Ｘの中央部に比較して、塗布された液状材料が表面張力により集中することによりレジスト膜２０が厚く成膜される。
【００３０】
ここで、本実施形態においては、マザー基板１０Ｘの周縁部領域１０ａに傾斜面１１が設けられているので、当該周縁部領域１０ａにおけるレジスト膜２０がマザー基板１０Ｘの端面１０ｃ方向に落ち込むように形成される。すなわち、レジスト膜２０がマザー基板１０Ｘの中央部（例えば素子形成領域１０ｂ）に形成されるレジスト膜２０よりも厚く成膜されることによる膜厚の増加分が、周縁部領域１０ａに形成された傾斜面１１に沿って落ち込むことにより吸収される。
【００３１】
これにより、マザー基板１０Ｘの周縁部におけるレジスト膜２０表面の盛り上がり２０ａが緩和されて、マザー基板１０Ｘの上面に略均一な膜厚を有するレジスト膜２０が成膜されることになる。これは換言すると、マザー基板１０Ｘの周縁部領域１０ａに隣接する領域（周縁部領域１０ａと素子形成領域１０ｂとの間の領域）においても、レジスト膜２０表面の盛り上がり２０ａの影響が抑制されるので、素子形成領域１０ｂに形成されるレジスト膜２０と略均一の膜厚を有するレジスト膜２０が形成される領域が拡がることを意味している。
【００３２】
次いで、露光現像処理を行って、上記レジスト膜２０をマスクとして用いて金属膜１２Ｘをパターニングして、マザー基板１０Ｘの周縁部領域１０ａに隣接する領域にアライメントマーク１２を形成する。ここで、周縁部領域１０ａに隣接する領域に形成されるレジスト膜２０の膜厚は、素子形成領域１０ｂの膜厚と略均一に形成されているので、レジスト膜２０の盛り上がり２０ａに影響されることなく、アライメントマーク１２を形成することができる。ここで、アライメントマーク１２は、図２（ａ）に示すように、例えばマザー基板１０Ｘの四隅に形成される。
【００３３】
次いで、上記アライメントマーク１２を用いて、図３（ｃ）に示すように、マザー基板１０Ｘの素子形成領域１０ｂに、複数の有機ＥＬ素子４１や、薄膜トランジスタ４２、配線層４３、コンタクトホール、接続端子等からなる回路装置を形成する。ここで、図示を省略したが、マザー基板１０Ｘの素子形成領域１０ｂには、各々、個別の回路装置を搭載した複数の表示パネルが形成される。なお、図３（ｃ）において、４４はゲート絶縁膜、４５は層間絶縁膜、４６はパッシベーション膜である。
【００３４】
次いで、図３（ｄ）に示すように、マザー基板１０Ｘに形成された各表示パネルごとの境界線（又は境界領域）を切断線として、マザー基板１０Ｘを切断して、個別のパネル基板として切り離す。このとき、マザー基板１０Ｘの周縁部の傾斜面１１が形成された周縁部領域１０ａ、及び、その周縁部領域１０ａに隣接するアライメントマーク１２が形成された領域は、各表示パネルから切り離されて破棄される。これにより、１枚のマザー基板１０Ｘから個別の表示パネルが複数枚切り出される。
【００３５】
（作用効果の検証）
次に、従来技術における成膜方法によりガラス基板上にレジスト膜を成膜する場合について説明し、本実施形態に係る成膜方法の作用効果の優位性について説明する。
図４は、従来技術における成膜方法により基板上にレジスト膜を成膜した場合（以下、「比較例」と記す）の膜厚の変化を示す概念図である。図４（ａ）は、比較例における基板の概略平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示した平面図のIV−IV（本明細書においては図４中に示したローマ数字の「４」に対応する記号として便宜的に「IV」を用いる）線における概略断面図である。なお、図４（ａ）に示した平面図において、基板周縁部におけるレジスト膜の盛り上がりの状態を明瞭にするため、便宜的にハッチングを施して示した。
【００３６】
図５は、従来技術における成膜方法により基板の周縁部付近（四隅）にアライメントマークを形成した場合の配置位置とその形成状態を示す図である。図５（ａ）は、アライメントマークの配置位置を示す概略平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示した位置にアライメントマークを形成した場合の、パターニング不良を示す写真画像である。
【００３７】
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、比較例に係る基板１１０は、均一な板厚を有する矩形状（長方形状）の平板ガラスである。すなわち、上述した実施形態（図１参照）に示したように、基板１０の周縁部領域１０ａに傾斜面１１は設けられていない。また、基板１１０の周縁部付近１１０ｄを除く領域には素子形成領域１１０ｂが設定されている。
【００３８】
このような基板上面へのスピンコート法によるレジスト膜１２０の成膜方法は、周知の通り、基板１１０に対してレジスト膜１２０の液状材料を滴下した後、所定の回転数で基板１１０を回転させて生じる遠心力により、当該液状材料を基板上面の全域に均一に拡げて塗布し、加熱乾燥させることによりレジスト膜１２０を成膜する。ここで、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜１２０の膜厚は、基板１１０の周縁部付近１１０ｄを除く領域（素子形成領域１１０ｂを含む領域）では、略均一に形成されるが、周縁部付近１１０ｄや角部においては、部分的に膜厚が厚く形成される。
【００３９】
このようなレジスト膜１２０の膜厚の不均一は、基板１１０上に塗布された液状材料に表面張力が働くことに起因するが、これにより次のような不具合が発生する。例えば成膜されたレジスト膜がポジタイプの場合について説明すると、通常、露光した部分のレジスト膜は現像時には溶けてなくなるが、膜厚が所定の厚さよりも厚く成膜されていると、露光量が足りないことになり、現像時にレジスト膜が完全に除去されずにその一部が残ってしまう。そのため、レジスト膜の下層にあるパターニング対象の膜（金属膜等）が所望の形状にパターニング加工できなくなるという問題を有していた。
【００４０】
特に、図５（ａ）に示すように、基板１１０の周縁部付近１１０ｄに、金属材料等を用いてアライメントマーク１１２を設ける場合、図４に示したように、基板１１０の周縁部においてレジスト膜１２０の膜厚が不均一になると、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜の下層にあるパターニング対象の金属膜が現像時に良好に除去されずに残留する（図中左上側のパターニング不良領域参照）。この残留した金属膜が、本来アライメントマーク１１２が配置される位置に重複したり近傍に位置したりすると、図５（ｂ）に示すように、アライメントマーク１１２が正常に形成されなくなる（図中の残留した金属膜とアライメントマークの重なり参照）。これにより、アライメントマーク１１２の配置位置が不明瞭となり、以後の露光現像工程におけるパターンずれが発生して製品の歩留まりが低下するという問題を有している。
【００４１】
なお、図５（ｂ）に示したパターニング不良の写真画像は、以下のような条件で実験した場合の基板角部（アライメントマーク周辺；図５（ａ）中のＡ部）の拡大写真である。
・レジスト材料：NPR3510S1（ナガセケムテックス社製）
・下地の金属膜：クロム（Ｃｒ）合金、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）合金等
・スピンコート条件：初期回転数500rpmから最高回転数900rpm程度の間
・通常レジスト膜厚：1.5μｍ
・基板周縁部や角部でのレジスト膜の盛り上がり（膜厚）：数μｍから10数μｍ
【００４２】
ところで、上述したようなアライメントマークのパターニング不良を回避する方法として、レジスト膜の膜厚が不均一になる基板の周縁部付近を避けてアライメントマークを形成することが考えられる。例えば基板の周縁部付近ではなく、基板の比較的中央寄りの位置にアライメントマークを配置することが考えられるが、この場合、素子形成領域はアライメントマークの内側に設定されるので、素子形成領域が狭くなる。そのため、基板から切り出されるパネル基板の枚数が少なくなるという問題を有していた。また、アライメントマークが基板の中央寄りに配置された場合、基板の四隅に配置する場合に比較して、露光現像工程で用いられるマスクの面回転（θ角ずれ）が生じやすくなり、パターンずれが発生しやすくなるという問題も有していた。さらに、基板の周縁部においてレジスト膜表面に盛り上がりが生じることにより、コンタクト露光機と基板とが接触する可能性が高くなり、プロセス不良が生じやすくなるという問題も有していた。
【００４３】
これに対して、本実施形態に係る基板構造及びこれを用いた塗布膜の成膜方法並びにパネル基板の製造方法においては、基板１０の周縁部領域１０ａに、レジスト膜２０の平坦化手段として傾斜面１１を設けているので、基板１０の周縁部に成膜されるレジスト膜２０の膜厚の増加分を吸収することができる。
【００４４】
これにより、基板１０の周縁部領域１０ａでは、レジスト膜２０表面の盛り上がり２０ａが緩和され、また、周縁部領域１０ａに隣接する領域においても、レジスト膜２０表面の盛り上がり２０ａの影響が抑制されるので、均一な膜厚を有するレジスト膜２０が形成された領域を拡げることができる。
【００４５】
したがって、基板に設定される素子形成領域（有効領域）を拡げることができるので、切り出し可能なパネル基板の枚数を増加させたり、基板を有効に利用したりすることができる。また、アライメントマークを基板の極力端部に近い領域に配置した場合であっても良好にパターニング形成することができるので、以後の露光現像工程におけるパターンずれの発生を抑制することができ、製品の歩留まりを向上させることができる。さらに、基板の周縁部付近におけるレジスト膜表面の盛り上がりを抑制することができるので、露光現像工程において適用されるコンタクト露光機と基板上面との接触を防止して、プロセス不良に伴う製品歩留まりの低下を抑制することができる。
【００４６】
なお、上述した実施形態においては、傾斜面を基板やマザー基板の周縁部の全周に形成した基板構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板の周縁部領域であって、例えばアライメントマークの配置位置に対応する領域（例えば基板の角部領域）のみを部分的に研磨加工して傾斜面を設けるものであってもよい。このような基板構造は、上述した有機ＥＬ表示パネルに限定されるものではなく、液晶表示パネルや他のパネル基板に適用することができる。
【００４７】
また、上述した実施形態においては、レジスト膜の成膜方法としてスピンコート法を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ダイコート法等の他の成膜方法を適用するものであってもよい。すなわち、基板上に液状材料を塗布することにより、所定の膜厚のレジスト膜や層間絶縁膜等の塗布膜を形成するものであれば良好に適用することができる。
【００４８】
さらに、上述した実施形態においては、基板の周縁部領域に設けられるレジスト膜の平坦化手段として、素子形成領域における基板上面に対して鋭角をなし、かつ、基板端面方向に傾斜した傾斜面を設けた基板構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の断面形状を有するものであってもよい。すなわち、基板の周縁部付近において、塗布されたレジスト膜の液状材料が基板の板厚方向に落ち込んで、または、溜まってレジスト膜上面の盛り上がりが緩和される基板構造を有するものであれば、例えば基板の周縁部領域に階段状の段差を設けたものであってもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０      基板
１０Ｘ    マザー基板
１０ａ    周縁部領域
１０ｂ    素子形成領域
１０ｃ    端面
１１      傾斜面
１２      アライメントマーク
２０      レジスト膜
２０ａ    盛り上がり
【図１】
2010165959.tif 000003
【図２】
2010165959.tif 000004
【図３】
2010165959.tif 000005
【図４】
2010165959.tif 000006
【図５】
2010165959.tif 000007