(57)【要約】【課題】従来の液晶装置では、表示品位を向上させることが困難である。【解決手段】第１基板５１と、第１基板５１に対向する第２基板８１と、第１基板５１及び第２基板８１間に介在する液晶１９と、第１基板５１及び液晶１９の間に介在する第１中間層５３と、第１中間層５３及び液晶１９の間に介在する第２中間層５５と、第２中間層５５の液晶１９側の表面において、選択的に一部の領域に形成された凹凸部５６と、第２中間層５５の液晶１９側において、少なくとも凹凸部５６の領域に重なる領域に設けられており、第２基板８１を介して液晶１９に入射された光を第２基板８１側に反射させる反射膜５７と、第１中間層５３の液晶１９側の表面において、凹凸部５６の領域に重なる領域の外側に形成されており、凹凸部５６の領域に重なる領域での表面よりも第１基板５１側に向かって窪んだ凹部１１６と、を有することを特徴とする液晶装置。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１中間層と、
前記第１中間層及び前記液晶の間に介在する第２中間層と、
前記第２中間層の前記液晶側の表面において、選択的に一部の領域に形成された凹凸部と、
前記第２中間層の前記液晶側において、少なくとも前記凹凸部の領域に重なる領域に設けられており、前記第２基板を介して前記液晶に入射された光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記第１中間層の前記液晶側の表面において、前記凹凸部の領域に重なる領域の外側に形成されており、前記凹凸部の領域に重なる領域での表面よりも前記第１基板側に向かって窪んだ凹部と、
を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１中間層の前記液晶側に形成されており、前記第１基板側に向かって凹となる溝部と、
前記溝部内に設けられた配線と、を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記溝部の深さは、前記配線の厚みよりも大きい寸法であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記凹部の深さと、前記溝部の深さとが、互いに異なる寸法であることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
【請求項５】
複数の画素と、
各前記画素に設定されており、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域と、
前記反射領域ごとに設けられた前記凹凸部と、を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記凹部は、各前記透過領域に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記液晶の駆動を制御するＴＦＴ素子と、複数の前記配線と、を有しており、
前記複数の配線は、前記ＴＦＴ素子に駆動信号を供給するゲート線と、前記ＴＦＴ素子に画像信号を供給するデータ線と、を含んでいる、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、反射表示を行うことができる液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３３３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された液晶装置では、反射表示を行う領域に凹凸パターンが設けられている。この液晶装置では、凹凸パターンが液晶層に反映され、凹凸パターンの凸部と凹部とで液晶層の厚みが異なる。
液晶層の厚みが異なることは、液晶のリタデーション（複屈折率と厚みとの積）が異なることを意味する。液晶のリタデーションが異なると、液晶によって変調される光の変調状態が異なる。
このため、上記特許文献１に記載された液晶装置では、液晶による光の変調状態がばらつきやすい。この結果、表示におけるコントラストが低下しやすい。
【０００５】
そこで、凹凸パターンと液晶との間に平坦化層を介在させ、液晶層への凹凸パターンの反映を軽減することが考えられる。
凹凸パターンと液晶との間に平坦化層を介在させた構成としては、例えば、図３８に示す素子基板６０１の構成が考えられる。
素子基板６０１では、基板６０３上に各画素６０５に対応して、ＴＦＴ素子６０７と、反射膜６０９と、画素電極６１１とが設けられる。
【０００６】
ＴＦＴ素子６０７は、基板６０３上に設けられており、絶縁膜６１３によって覆われている。絶縁膜６１３上には、中間層６１５が設けられている。この中間層６１５には、凹凸パターン６１７が設けられる。反射膜６０９は、凹凸パターン６１７上に設けられる。平坦化層６１９は、中間層６１５及び反射膜６０９上に設けられる。そして、画素電極６１１は、平坦化層６１９上に設けられる。画素電極６１１は、配向膜６２１によって覆われている。
上記の構成により、液晶層への凹凸パターン６１７の反映を軽減することができる。
【０００７】
ところで、凹凸パターン６１７を有する中間層６１５では、凹凸パターン６１７を除く領域と、凹凸パターン６１７の領域との間に、図３９に示すように、水準差Ｖが生じることがある。凹凸パターン６１７を除く領域と、凹凸パターン６１７の領域との間の水準差Ｖは、平坦化層６１９から配向膜６２１までのそれぞれに反映される。この結果、配向膜６２１上の液晶層の厚みがばらつくことになる。
【０００８】
つまり、従来の液晶装置では、液晶の厚みのばらつきを低減することが困難である。このため、従来の液晶装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【００１０】
［適用例１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在する第１中間層と、前記第１中間層及び前記液晶の間に介在する第２中間層と、前記第２中間層の前記液晶側の表面において、選択的に一部の領域に形成された凹凸部と、前記第２中間層の前記液晶側において、少なくとも前記凹凸部の領域に重なる領域に設けられており、前記第２基板を介して前記液晶に入射された光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記第１中間層の前記液晶側の表面において、前記凹凸部の領域に重なる領域の外側に形成されており、前記凹凸部の領域に重なる領域での表面よりも前記第１基板側に向かって窪んだ凹部と、を有することを特徴とする液晶装置。
【００１１】
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１中間層と、第２中間層と、凹凸部と、反射膜と、凹部と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。第１中間層は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２中間層は、第１中間層及び液晶の間に介在している。凹凸部は、第２中間層の液晶側の表面に形成されている。凹凸部は、選択的に一部の領域に形成されている。反射膜は、第２中間層の液晶側において少なくとも凹凸部の領域に重なる領域に設けられている。反射膜は、第２基板を介して液晶に入射された光を第２基板側に反射させる。凹部は、第１中間層の液晶側の表面に形成されている。凹部は、凹凸部の領域に重なる領域の外側に形成されている。凹部は、凹凸部の領域に重なる領域での表面よりも第１基板側に向かって窪んでいる。
この液晶装置では、第１中間層の液晶側において凹凸部の領域に重なる領域の外側に凹部が形成されている。このため、第２中間層において凹凸部の領域と凹凸部の領域の外側との間に発生しやすい段差を軽減しやすくすることができる。これにより、凹凸部の領域と凹凸部の領域の外側との間の段差が液晶に反映されることを軽減しやすくすることができる。このため、液晶における光の変調状態のばらつきを低減しやすくすることができる。この結果、液晶による光の変調を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００１２】
［適用例２］上記の液晶装置であって、前記第１中間層の前記液晶側に形成されており、前記第１基板側に向かって凹となる溝部と、前記溝部内に設けられた配線と、を有することを特徴とする液晶装置。
【００１３】
この適用例の液晶装置は、溝部と、配線と、を有している。溝部は、第１中間層の液晶側に形成されている。溝部は、第１基板側に向かって凹となる向きに形成されている。配線は、溝部内に設けられている。この液晶装置では、配線が溝部内に設けられているので、配線が液晶側に突出する量を軽減することができる。これにより、配線の厚みが液晶に反映されることを軽減することができる。このため、液晶における光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、液晶による光の変調を利用する表示における表示品位を一層向上させやすくすることができる。
【００１４】
［適用例３］上記の液晶装置であって、前記溝部の深さは、前記配線の厚みよりも大きい寸法であることを特徴とする液晶装置。
【００１５】
この適用例では、溝部の深さが配線の厚みよりも大きい寸法なので、配線を第１中間層から液晶側に突出させにくくすることができる。
【００１６】
［適用例４］上記の液晶装置であって、前記凹部の深さと、前記溝部の深さとが、互いに異なる寸法であることを特徴とする液晶装置。
【００１７】
この適用例の液晶装置は、複数の画素を有している。各画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されている。反射膜は、各反射領域に対応して設けられている。この構成により、透過表示と反射表示とを行うことができる。この適用例では、凹部の深さと溝部の深さとが、互いに異なる寸法であるので、凹凸部の領域及び凹凸部の領域の外側の間の段差と、配線とのそれぞれに対して、凹部及び溝部のそれぞれの深さを個別に設定しやすくすることができる。
【００１８】
［適用例５］上記の液晶装置であって、複数の画素と、各前記画素に設定されており、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域と、前記反射領域ごとに設けられた前記凹凸部と、を有することを特徴とする液晶装置。
【００１９】
この適用例の液晶装置は、複数の画素と、透過領域及び反射領域と、を有している。透過領域及び反射領域は、各画素に設定されている。透過領域では、透過表示が行われる。反射領域では、反射表示が行われる。凹凸部は、反射領域ごとに設けられている。この構成により、透過表示と反射表示とを行うことができる。
【００２０】
［適用例６］上記の液晶装置であって、前記凹部は、各前記透過領域に対応する領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【００２１】
この適用例では、凹部が各透過領域に対応する領域に設けられている。この構成により、第２中間層の反射領域と透過領域との間の段差を軽減しやすくすることができる。これにより、第２中間層の反射領域と透過領域との間の段差が液晶層の厚みに反映されることを軽減しやすくすることができる。このため、反射領域及び透過領域のそれぞれにおいて、液晶における光の変調状態のばらつきを低減しやすくすることができる。この結果、反射表示及び透過表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００２２】
［適用例７］上記の液晶装置であって、前記液晶の駆動を制御するＴＦＴ素子と、複数の前記配線と、を有しており、前記複数の配線は、前記ＴＦＴ素子に駆動信号を供給するゲート線と、前記ＴＦＴ素子に画像信号を供給するデータ線と、を含んでいる、ことを特徴とする液晶装置。
【００２３】
この適用例の液晶装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子と、複数の配線と、を有している。ＴＦＴ素子は、液晶の駆動を制御する。複数の配線は、ゲート線と、データ線と、を含んでいる。ゲート線は、ＴＦＴ素子に駆動信号を供給する。データ線は、ＴＦＴ素子に画像信号を供給する。この構成により、液晶にゲート線やデータ線の厚みが反映されることを軽減することができる。この結果、ＴＦＴ素子を有する液晶装置において、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００２４】
［適用例８］上記の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
【００２５】
この適用例の電子機器は、表示部としての液晶装置が、第１基板と、第２基板と、液晶と、第１中間層と、第２中間層と、凹凸部と、反射膜と、凹部と、を有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。第１中間層は、第１基板及び液晶の間に介在している。第２中間層は、第１中間層及び液晶の間に介在している。凹凸部は、第２中間層の液晶側の表面に形成されている。凹凸部は、選択的に一部の領域に形成されている。反射膜は、第２中間層の液晶側において少なくとも凹凸部の領域に重なる領域に設けられている。反射膜は、第２基板を介して液晶に入射された光を第２基板側に反射させる。凹部は、第１中間層の液晶側の表面に形成されている。凹部は、凹凸部の領域に重なる領域の外側に形成されている。凹部は、凹凸部の領域に重なる領域での表面よりも第１基板側に向かって窪んでいる。
この液晶装置では、第１中間層の液晶側において凹凸部の領域に重なる領域の外側に凹部が形成されている。このため、第２中間層において凹凸部の領域と凹凸部の領域の外側との間に発生しやすい段差を軽減しやすくすることができる。これにより、凹凸部の領域と凹凸部の領域の外側との間の段差が液晶に反映されることを軽減しやすくすることができる。このため、液晶における光の変調状態のばらつきを低減しやすくすることができる。この結果、液晶による光の変調を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
この適用例における電子機器は、表示品位を向上させやすくすることができる液晶装置を表示部として有しているので、表示部における表示品位を向上させやすくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施形態について、半透過反射型の液晶装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第１実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示パネル３と、照明装置５とを有している。
【００２７】
ここで、表示パネル３には、複数の画素７が設定されている。複数の画素７は、表示領域８内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、照明装置５から表示パネル３に入射された光を、表示パネル３に設定されている複数の画素７から選択的に表示面９を介して表示パネル３の外に射出することで、表示面９に画像を表示することができる。なお、表示領域８とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素７が誇張され、且つ画素７の個数が減じられている。
【００２８】
表示パネル３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、液晶パネル１０と、偏光板１３ａ及び１３ｂとを有している。
液晶パネル１０は、素子基板１５と、対向基板１７と、液晶１９と、シール材２１とを有している。
素子基板１５には、表示面９側すなわち液晶１９側に、複数の画素７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
【００２９】
対向基板１７は、素子基板１５よりも表示面９側で素子基板１５に対向し、且つ素子基板１５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１７には、表示パネル３における表示面９の裏面に相当する面である底面２３側すなわち液晶１９側に、後述する位相差膜などが設けられている。
【００３０】
液晶１９は、素子基板１５及び対向基板１７の間に介在しており、表示パネル３の周縁よりも内側で表示領域８を囲むシール材２１によって、素子基板１５及び対向基板１７の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動方式として、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型の駆動方式が採用されている。
【００３１】
偏光板１３ａは、素子基板１５よりも底面２３側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。偏光板１３ｂは、対向基板１７よりも表示面９側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。表示装置１では、偏光板１３ａ及び１３ｂは、偏光板１３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板１３ａ及び１３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
【００３２】
なお、偏光板１３ａと素子基板１５との間や、偏光板１３ｂと対向基板１７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１９を表示面９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【００３３】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【００３４】
照明装置５は、表示パネル３の底面２３側に設けられており、導光板３１と、光源３３とを有している。導光板３１は、図２で見て表示パネル３の下側に設けられている。導光板３１は、側面３５ａと、光射出面３５ｂと、を有している。導光板３１は、光射出面３５ｂが表示パネル３の底面２３に対向した状態で設けられている。
光源３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、導光板３１の側面３５ａに対向した状態で設けられている。
【００３５】
光源３３からの光は、導光板３１の側面３５ａに入射される。導光板３１に入射された光は、導光板３１の中で反射しながら光射出面３５ｂから射出される。光射出面３５ｂから射出された光は、表示パネル３の底面２３から、偏光板１３ａを介して表示パネル３に入射される。なお、導光板３１には、必要に応じて、光射出面３５ｂに拡散板が設けられ、底面３５ｃに反射板が設けられる。
【００３６】
表示パネル３に設定されている複数の画素７は、それぞれ、表示面９から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素７は、Ｒの光を射出する画素７ｒと、Ｇの光を射出する画素７ｇと、Ｂの光を射出する画素７ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素７という表記と、画素７ｒ、７ｇ及び７ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３７】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３８】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素７が、１つの画素列４１を構成している。１つの画素列４１内の各画素７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素７ｒがＹ方向に配列した画素列４１ｒと、複数の画素７ｇがＹ方向に配列した画素列４１ｇと、複数の画素７ｂがＹ方向に配列した画素列４１ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列４１という表記と、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３９】
各画素７は、図３中のＣ部の拡大図である図４に示すように、透過領域Ｔと、反射領域Ｈとを有している。なお、図４では、構成をわかりやすく示すため、反射領域Ｈにハッチングが施されている。
透過領域Ｔでは、図２に示す照明装置５から底面２３を介して液晶１９に入射された光を表示面９側に透過させることによって、透過表示が行われる。
【００４０】
反射領域Ｈでは、表示面９を介して液晶１９に入射された外光を、後述する反射膜で表示面９側に反射させて、その反射光を表示面９側に射出することによって、反射表示が行われる。なお、外光とは、表示パネル３の表示面９から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光などが含まれる。
【００４１】
ここで、液晶パネル１０の素子基板１５及び対向基板１７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１５は、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図５に示すように、第１基板５１と、素子層５２とを有している。
第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた第１面５１ａと、底面２３側に向けられた第２面５１ｂとを有している。
【００４２】
素子層５２は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられている。素子層５２には、第１中間層５３と、ゲート絶縁膜５４と、第２中間層５５と、反射膜５７と、平坦化層５９と、絶縁膜６１と、配向膜６３とが含まれている。また、素子層５２には、画素７ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６５と、共通電極６９と、画素電極７１とが含まれている。
【００４３】
第１中間層５３は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられている。第１中間層５３の材料としては、例えばアクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
ゲート絶縁膜５４は、第１中間層５３の表示面９側に設けられている。ゲート絶縁膜５４の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜５４の材料として、酸化シリコンが採用されている。
第２中間層５５は、ゲート絶縁膜５４の表示面９側に設けられている。第２中間層５５の表示面９側には、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に凹凸部５６が設けられている。第２中間層５５の材料としては、例えばアクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【００４４】
反射膜５７は、凹凸部５６の表示面９側に設けられている。反射膜５７は、平面視で反射領域Ｈに重なっている。反射膜５７の材料としては、例えば銀やアルミニウムなどの高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、反射膜５７の材料として、アルミニウムが採用されている。
平坦化層５９は、反射膜５７の表示面９側に設けられている。平坦化層５９の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、平坦化層５９の材料として、アクリル系の樹脂が採用されている。
【００４５】
絶縁膜６１は、平坦化層５９の表示面９側に設けられている。絶縁膜６１の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜６１の材料として、酸化シリコンが採用されている。
配向膜６３は、絶縁膜６１の表示面９側に設けられている。配向膜６３の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜６３の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜６３には、配向処理が施されている。
【００４６】
ＴＦＴ素子６５と、共通電極６９と、画素電極７１とは、それぞれ、各画素７に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子６５は、拡大図である図６に示すように、ゲート電極７２と、半導体層７３と、ソース電極７４と、ドレイン電極７５とを有している。ゲート電極７２は、第１中間層５３の表示面９側に設けられており、ゲート絶縁膜５４によって表示面９側から覆われている。ゲート電極７２の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
半導体層７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜５４を挟んでゲート電極７２に対向する位置に設けられている。
【００４７】
ソース電極７４は、ゲート絶縁膜５４の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ドレイン電極７５は、ゲート絶縁膜５４の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。上記の構成を有するＴＦＴ素子６５は、半導体層７３がゲート電極７２と、ソース電極７４及びドレイン電極７５との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
上記の構成を有するＴＦＴ素子６５は、図５に示すように、第２中間層５５によって表示面９側から覆われている。
【００４８】
共通電極６９は、図５に示すように、平坦化層５９の表示面９側に設けられている。共通電極６９は、平面視で各画素７の領域に重なっている。共通電極６９の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、共通電極６９の材料として、ＩＴＯが採用されている。
共通電極６９は、絶縁膜６１によって表示面９側から覆われている。
【００４９】
画素電極７１は、絶縁膜６１の表示面９側に設けられており、表示面９側から配向膜６３によって覆われている。画素電極７１は、平面視で各画素７の領域に重なっている。画素電極７１の材料としては、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極７１の材料として、ＩＴＯが採用されている。
ここで、画素電極７１は、接続部７７を有している。接続部７７は、第２中間層５５に設けられた第１コンタクトホール７８、及び平坦化層５９に設けられた第２コンタクトホール７９を介してドレイン電極７５につながっている。画素電極７１は、接続部７７によってドレイン電極７５に電気的につながっている。
【００５０】
第１コンタクトホール７８は、平面視で凹凸部５６が設けられている領域内に設けられている。第１コンタクトホール７８は、平面視でドレイン電極７５に重なっている。
第２コンタクトホール７９は、第１コンタクトホール７８及び第２コンタクトホール７９並びに反射膜５７を示す平面図である図７に示すように、第１コンタクトホール７８よりも外側から第１コンタクトホール７８を囲む領域にわたって設けられている。つまり、第１コンタクトホール７８は、平面視で第２コンタクトホール７９内に位置している。
【００５１】
反射膜５７には、開口部５７ａが設けられている。開口部５７ａは、第２コンタクトホール７９よりも外側から第２コンタクトホール７９を囲む領域にわたって設けられている。これにより、第２コンタクトホール７９と反射膜５７とは、互いに離間している。このため、接続部７７と反射膜５７とは、図５に示すように、互いに離間している。従って、画素電極７１と反射膜５７とは、電気的に絶縁されている。
なお、図７では、構成をわかりやすく示すため、反射膜５７にハッチングが施されている。
【００５２】
対向基板１７は、図５に示すように、第２基板８１と、対向層８２とを有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた外向面８３ａと、底面２３側に向けられた対向面８３ｂとを有している。
対向層８２は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられている。対向層８２には、光吸収層８５と、カラーフィルタ８７と、オーバーコート層９１と、第１配向膜９３と、位相差膜９５と、第２配向膜９７とが含まれている。
【００５３】
光吸収層８５は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられており、領域８６にわたっている。光吸収層８５は、平面図である図８に示すように、格子状に設けられており、各画素７を区画している。表示装置１では、各画素７は、光吸収層８５によって囲まれた領域であると定義され得る。図８では、構成をわかりやすく示すため、光吸収層８５にハッチングが施されている。
光吸収層８５の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
【００５４】
カラーフィルタ８７は、図５に示すように、各画素７に対応して設けられている。カラーフィルタ８７は、第２基板８１の対向面８３ｂ側に設けられており、光吸収層８５によって囲まれた各領域、すなわち各画素７の領域を底面２３側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ８７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８７は、画素７ｒ、画素７ｇ及び画素７ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素７ｒに対応するカラーフィルタ８７は、Ｒの光を透過させることができる。画素７ｇに対応するカラーフィルタ８７はＧの光を透過させ、画素７ｂに対応するカラーフィルタ８７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８７ｒ、８７ｇ及び８７ｂという表記が用いられる。
【００５５】
オーバーコート層９１は、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７の底面２３側に設けられている。オーバーコート層９１は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７を底面２３側から覆っている。
第１配向膜９３は、オーバーコート層９１の底面２３側に設けられている。第１配向膜９３は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層９１を底面２３側から覆っている。第１配向膜９３には、底面２３側に配向処理が施されている。
【００５６】
位相差膜９５は、第１配向膜９３の底面２３側に設けられている。位相差膜９５は、例えば液晶化合物を含む材料で構成されており、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に設けられている。位相差膜９５は、この位相差膜９５に入射された光に、１／２波長の位相差を与える。
第２配向膜９７は、第１配向膜９３及び位相差膜９５の底面２３側に設けられている。第２配向膜９７は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、第１配向膜９３及び位相差膜９５を底面２３側から覆っている。第２配向膜９７には、底面２３側に配向処理が施されている。
【００５７】
素子基板１５及び対向基板１７の間に介在する液晶１９は、配向膜６３と第２配向膜９７との間に介在している。液晶パネル１０では、各画素７において、透過領域Ｔと反射領域Ｈとで液晶１９の厚みが異なる所謂マルチギャップ構造が採用されている。
透過領域Ｔにおいて、液晶１９は、Ｌ１なる厚みを有している。これに対し、反射領域Ｈでは、液晶１９の厚みＬ２が、Ｌ１＞Ｌ２となるように、位相差膜９５の厚みが設定されている。なお、液晶パネル１０では、Ｌ１は、Ｌ２の約２倍に設定されている。
【００５８】
ここで、位相差膜９５は、図４中のＥ−Ｅ線における断面図である図９に示すように、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間にわたって一連している。つまり、位相差膜９５は、Ｘ方向に並ぶ複数の反射領域Ｈに、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で重なっている。
また、反射膜５７は、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間にわたって一連している。反射膜５７は、Ｘ方向に並ぶ複数の反射領域Ｈに、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で重なっている。
【００５９】
ここで、Ｘ方向に隣り合う画素７間において、ゲート電極７２同士は、平面図である図１０に示すように、ゲート線１１１によって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素７間において、ソース電極７４同士は、データ線１１３によって接続されている。
ゲート線１１１は、画素行４２（図３）ごとに設けられており、Ｘ方向に沿って延びている。データ線１１３は、画素列４１（図３）ごとに設けられており、Ｙ方向に沿って延びている。
【００６０】
ゲート線１１１とデータ線１１３とは、図１０に示すように、互いに交差している。各画素７は、各ゲート線１１１と各データ線１１３との交差に対応して設定されている。
表示領域８（図１）内では、各ゲート線１１１及び各データ線１１３は、図１０に示すように、それぞれ、領域８６内に設けられている。
【００６１】
各画素７には、Ｙ方向において反射領域Ｈに隣り合うＴＦＴ素子６５が対応付けられている。また、各画素７には、Ｙ方向において反射領域Ｈに隣り合うゲート線１１１が対応付けられている。
各ＴＦＴ素子６５は、対応する各画素７において、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。また、各ＴＦＴ素子６５に対応する第１コンタクトホール７８も、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。別の観点から、各画素７に対応する各ＴＦＴ素子６５及び各第１コンタクトホール７８は、画素７の領域外に位置している。
【００６２】
なお、各画素７において、反射領域Ｈと透過領域Ｔとは、境界部１１５を介して隣り合っている。
また、第１中間層５３には、各透過領域Ｔに重なる領域に凹部１１６が設けられている。換言すれば、各凹部１１６は、反射領域Ｈの外側に設けられている。凹部１１６は、図５に示すように、第１中間層５３の表示面９側に設けられており、底面２３側に向かって凹となる向きに設けられている。凹部１１６は、凹凸部５６の領域に重なる領域の表示面９側の表面よりも底面２３側に向かって窪んでいる。第１中間層５３では、第１基板５１から表示面９側の表面までの高さ（厚み）が、凹凸部５６に重なる領域よりも凹部１１６の方が低く（薄く）なっている。本実施形態では、各凹部１１６は、凹凸部５６が設けられている領域の外側に位置している。つまり、各凹部１１６は、凹凸部５６が設けられている領域に重なっていない。
【００６３】
反射膜５７は、平面図である図１１に示すように、Ｙ方向において、反射領域Ｈから、この反射領域Ｈに隣り合う領域８６内に及んでいる。反射膜５７は、領域８６内において、ゲート線１１１をＹ方向にまたいでいる。図１１では、構成をわかりやすく示すため、反射膜５７にハッチングが施されている。
また、各画素７に対応する各第２コンタクトホール７９及び各開口部５７ａは、反射領域Ｈ側の領域８６内に位置している。別の観点から、各画素７に対応する各第２コンタクトホール７９及び各開口部５７ａは、画素７の領域外に位置している。
なお、反射膜５７は、図９に示すように、Ｘ方向に隣り合う画素７同士間において、データ線１１３をＸ方向にまたいでいる。
【００６４】
各共通電極６９は、平面図である図１２に示すように、各画素７の領域から領域８６内に及んでいる。反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各共通電極６９は、反射膜５７の領域を越えない範囲に収められている。
本実施形態では、各共通電極６９は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１１と、Ｘ方向に隣り合う２つのデータ線１１３とによって囲まれた領域内に設けられている。各共通電極６９は、周縁部が領域８６内に及んでいる。別の観点から、各共通電極６９は、各画素７の領域内にわたって設けられている。
なお、Ｘ方向に隣り合う画素７間において、共通電極６９同士は、共通線１１７によって接続されている。図１２では、構成をわかりやすく示すため、共通電極６９及び共通線１１７にハッチングが施されている。
【００６５】
ここで、反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各共通電極６９は、第２コンタクトホール７９を避けた状態で設けられている。このため、第２コンタクトホール７９と共通電極６９とは、図５に示すように、互いに離間している。従って、接続部７７と共通電極６９とは、互いに離間している。これにより、共通電極６９と画素電極７１とは、電気的に絶縁されている。
【００６６】
各画素電極７１は、平面図である図１３に示すように、各画素７の領域から領域８６内に及んでおり、複数のスリット部１１９を有している。図１３では、構成をわかりやすく示すため、画素電極７１にハッチングが施されている。
複数のスリット部１１９は、Ｙ方向に所定間隔で並んでいる。各スリット部１１９は、Ｙ方向とは交差する方向に沿って延びている。なお、各スリット部１１９が延びる方向は、Ｘ方向から傾斜している。
【００６７】
反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各画素電極７１は、反射膜５７の領域を越えない範囲に収められている。
本実施形態では、各画素電極７１は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１１と、Ｘ方向に隣り合う２つのデータ線１１３とによって囲まれた領域内に設けられている。各画素電極７１は、周縁部が領域８６内に及んでいる。別の観点から、各画素電極７１は、各画素７の領域内にわたって設けられている。
【００６８】
また、反射領域ＨにＹ方向に隣り合う領域８６内において、各画素電極７１は、第２コンタクトホール７９と、ドレイン電極７５とに重なっている。そして、画素電極７１とドレイン電極７５とは、図５に示すように、画素電極７１から第２コンタクトホール７９及び第１コンタクトホール７８を経てドレイン電極７５に至る接続部７７によってつながっている。
なお、図５における素子基板１５の断面は、図１３中のＦ−Ｆ線における断面に相当している。
【００６９】
ここで、各画素７において、反射膜５７と共通電極６９と画素電極７１とは、図１３に示すように、相互に重なり合っている。反射領域Ｈは、各画素７の領域において、反射膜５７と共通電極６９と画素電極７１とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。
また、透過領域Ｔは、各画素７の領域から反射領域Ｈを除いた領域において、共通電極６９と画素電極７１とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。
【００７０】
液晶パネル１０では、共通電極６９と画素電極７１との間に電圧を印加すると、共通電極６９と画素電極７１との間に電界が発生する。液晶パネル１０では、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化すると、共通電極６９と画素電極７１との間に電界が発生する。この電界によって液晶１９の配向状態を変化させることができる。
表示装置１では、照明装置５から表示パネル３に光を照射した状態で、液晶１９の配向状態を画素７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６５のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
【００７１】
配向膜６３及び第２配向膜９７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜６３及び第２配向膜９７によって、液晶１９の初期的な配向状態が規制される。
図１４（ａ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図であり、図１４（ｂ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図である。
表示装置１では、液晶１９の初期的な配向方向１２１は、図１４（ａ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った方向に設定されている。
ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態に切り替わると、液晶１９の配向方向１２１は、図１４（ｂ）に示すように、平面視で偏光板１３ａの透過軸１２３ａに対してこの図で見て反時計方向に４５度の傾きを有する方向に変化する。
【００７２】
図１５（ａ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図であり、図１５（ｂ）は、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図である。
反射領域Ｈにおける液晶１９の配向方向１２１は、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）のそれぞれに示すように、透過領域Ｔと同様である。
【００７３】
なお、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）、並びに図１５（ａ）及び図１５（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った方向を示し、Ｙ'方向が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに沿った方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【００７４】
透過領域Ｔでは、底面２３側から偏光板１３ａを経て入射された入射光は、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った偏光軸を有する直線偏光１２５として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された直線偏光１２５は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときに、図１４（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っている。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、偏光状態が維持されたまま直線偏光１２５として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２５は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。
【００７５】
他方で、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときに、直線偏光１２５は、図１４（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、液晶１９によって１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１２５の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光１２７として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２７は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂの方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
このように、透過領域Ｔでは、ＴＦＴ素子６５のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、透過表示が制御される。
【００７６】
反射領域Ｈでは、表示面９側から偏光板１３ｂを経て入射された入射光は、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに沿った偏光軸を有する直線偏光１２９として位相差膜９５に入射される。
ここで、位相差膜９５の遅相軸１３１は、平面視でＸ'方向に対してこれらの図で見て反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差膜９５に入射された直線偏光１２９は、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１３３として液晶１９に入射される。直線偏光１３３の偏光軸は、平面視でＸ'方向に対して図１５（ａ）及び図１５（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有する方向に沿っている。
【００７７】
液晶１９に入射された直線偏光１３３は、ＴＦＴ素子６５がＯＦＦ状態のときに、図１５（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、１／４波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光１３５として反射膜５７に向けて射出される。
円偏光１３５は、反射膜５７で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光１３５とは逆回転の円偏光１３７として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された円偏光１３７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に対してこの図で見て反時計方向に１３５度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１３９として位相差膜９５に入射される。
【００７８】
位相差膜９５に入射された直線偏光１３９は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４１として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１４１は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。
【００７９】
他方で、ＴＦＴ素子６５がＯＮ状態のときに、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、図１５（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光１３３として反射膜５７に向けて射出される。
反射膜５７に向けて射出された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま反射膜５７で反射され、液晶１９に入射される。
【００８０】
反射膜５７から液晶１９に入射された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま位相差膜９５に入射される。位相差膜９５に入射された直線偏光１３３は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４３として偏光板１３ｂに入射される。偏光板１３ｂに入射された直線偏光１４３は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂの方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
このように、反射領域Ｈにおいても、透過領域Ｔと同様にＴＦＴ素子６５のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、反射表示が制御される。
【００８１】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル１０の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とに大別される。なお、素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
【００８２】
素子基板１５の製造工程では、図１６（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５１ａに、第１中間層５３を構成する材料を含む液状体５３ａで液状体膜５３ｂを形成する。液状体５３ａは、アクリル系の樹脂を含んでおり、ポジ型の感光性を有している。液状体膜５３ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜５３ｂにプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を８０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜２分とする条件が採用され得る。
【００８３】
次いで、図１６（ｂ）に示すように、フォトマスク１５１を介して、液状体膜５３ｂを紫外光１５３で露光する。
ここで、フォトマスク１５１は、多階調露光を実現するハーフトーンマスクである。フォトマスク１５１は、遮光部１５５と、ハーフトーン部１５７と、を有している。
ハーフトーン部１５７は、凹部１１６が形成されるべき部位１１６ａに平面視で重なっている。遮光部１５５は、平面視で他の領域に重なっている。
なお、フォトマスク１５１は、ハーフトーンマスクに限定されず、グレイトーンマスクも採用され得る。
【００８４】
部位１１６ａには、ハーフトーン部１５７を介して中間階調の紫外光１５３ａが照射される。他の領域は、遮光部１５５によって紫外光１５３が遮光される。
次いで、液状体膜５３ｂに現像処理を施す。この現像処理により、液状体膜５３ｂのうちで、ハーフトーン部１５７を介して露光された部位１１６ａが除去される。
次いで、液状体膜５３ｂにポストベーク処理を施すことにより、図１６（ｃ）に示すように、凹部１１６を有する第１中間層５３が形成され得る。
なお、ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２２０℃〜２３０℃とし、処理時間を約１時間とする条件が採用され得る。
【００８５】
次いで、図１７（ａ）に示すように、第１中間層５３上に、ゲート電極７２（ゲート線１１１）を形成する。
ゲート電極７２（ゲート線１１１）は、例えばスパッタリング技術を活用して第１面５１ａに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００８６】
次いで、ゲート電極７２（ゲート線１１１）を上側（表示面９側）から覆うゲート絶縁膜５４を形成する。ゲート絶縁膜５４は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって形成され得る。
なお、ゲート絶縁膜５４には、凹部１１６の形状が反映される。
【００８７】
次いで、図１７（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５４上に、半導体層７３を形成してから、半導体層７３の一部に重なるソース電極７４とドレイン電極７５とを形成する。これにより、ＴＦＴ素子６５が形成される。
なお、ソース電極７４及びドレイン電極７５は、例えばスパッタリング技術を活用してゲート絶縁膜５４上に金属膜を形成してから、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００８８】
次いで、図１７（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６５及びゲート絶縁膜５４上に、第２中間層５５を構成する材料を含む液状体５５ａで液状体膜５５ｂを形成する。液状体５５ａは、アクリル系の樹脂を含んでおり、ポジ型の感光性を有している。液状体膜５５ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
ここで、液状体膜５５ｂには、凹部１５８が発生する。これは、液状体膜５５ｂに、凹部１１６が反映されるためである。
【００８９】
次いで、液状体膜５５ｂにプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を８０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜２分とする条件が採用され得る。
次いで、図１８（ａ）に示すように、フォトマスク１６１を介して、液状体膜５５ｂを紫外光１６３で露光する。
ここで、フォトマスク１６１は、多階調露光を実現するハーフトーンマスクである。フォトマスク１６１は、開口部１６５と、ハーフトーン部１６６と、遮光部１６７ａと、遮光部１６７ｂとを有している。
開口部１６５は、第１コンタクトホール７８が形成されるべき部位７８ａに平面視で重なっている。ハーフトーン部１６６は、平面視で凹凸部５６が形成されるべき領域に重なっている。遮光部１６７ａは、平面視で他の領域に重なっている。
開口部１６５は、ハーフトーン部１６６の領域内に設けられている。また、１つのハーフトーン部１６６の領域内には、複数の遮光部１６７ｂが散在している。
なお、フォトマスク１６１は、ハーフトーンマスクに限定されず、グレイトーンマスクも採用され得る。
【００９０】
部位７８ａには、開口部１６５を介して紫外光１６３が照射される。凹凸部５６が形成されるべき領域には、ハーフトーン部１６６を介して中間階調の紫外光１６３ａが照射される。他の領域は、遮光部１６７ａによって紫外光１６３が遮光される。ハーフトーン部１６６に入射する紫外光１６３は、一部が遮光部１６７ｂによって遮光される。
なお、前述した凹部１５８は、平面視で遮光部１６７ａに重なっている。このため、凹部１５８は、遮光部１６７ａによって遮光される。
【００９１】
次いで、液状体膜５５ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜５５ｂのうちで、ハーフトーン部１６６を介して露光された部位、及び部位７８ａが除去される。
次いで、液状体膜５５ｂにポストベーク処理を施すことにより、図１８（ｂ）に示すように、凹凸部５６及び第１コンタクトホール７８を有する第２中間層５５が形成され得る。
ここで、図１８（ａ）に示す凹部１５８は、凹凸部５６の形成によって解消され得る。
なお、ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２２０℃〜２３０℃とし、処理時間を約１時間とする条件が採用され得る。
【００９２】
液状体膜５５ｂにポストベーク処理を施す工程に次いで、図１８（ｃ）に示すように、反射膜５７を形成する。反射膜５７の形成では、例えばスパッタリング技術を活用して、第２中間層５５上に金属膜を形成する。次いで、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングする。これにより、反射膜５７が形成され得る。
ところで、フォトリソグラフィ技術を活用して第２中間層５５に凹凸部５６を形成する場合、第２中間層５５の天面部１６８（凹部１５８の底部に相当）と、凹凸部５６の凸部との間に、図１８（ｂ）に示す段差１６９が発生しやすい。液晶パネル１０では、段差１６９が反射膜５７の厚みと略同等の量に設定されている。このため、反射膜５７の形成により、凹部１５８が解消され得る。
【００９３】
反射膜５７の形成に次いで、図１９（ａ）に示すように、第２中間層５５及び反射膜５７上に、平坦化層５９を構成する材料を含む液状体５９ａで液状体膜５９ｂを形成する。液状体５９ａは、アクリル系の樹脂を含んでおり、ポジ型の感光性を有している。液状体膜５９ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
ここで、液状体膜５９ｂには、凹部１７１が発生しやすい。これは、液状体膜５９ｂに、第１コンタクトホール７８が反映されやすいためである。
次いで、液状体膜５９ｂにプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を８０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜２分とする条件が採用され得る。
【００９４】
次いで、第２コンタクトホール７９が形成されるべき部位７９ａに露光処理を施す。
次いで、液状体膜５９ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜５９ｂのうちで、露光された部位７９ａが除去される。
次いで、液状体膜５９ｂにポストベーク処理を施すことにより、図１９（ｂ）に示すように、第２コンタクトホール７９を有する平坦化層５９が形成され得る。
なお、ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２２０℃〜２３０℃とし、処理時間を約１時間とする条件が採用され得る。
【００９５】
次いで、図２０（ａ）に示すように、平坦化層５９上にＩＴＯの膜６９ａを形成する。ＩＴＯの膜６９ａは、例えば、スパッタリング技術を活用することによって形成され得る。
次いで、ＩＴＯの膜６９ａをパターニングすることによって、図２０（ｂ）に示すように、共通電極６９を形成する。このパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などが活用され得る。
なお、ＩＴＯの膜６９ａを形成するとき、第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に、ＩＴＯが堆積することがある。第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に堆積したＩＴＯは、ＩＴＯの膜６９ａをパターニングするときに除去され得る。
【００９６】
次いで、図２１（ａ）に示すように、共通電極６９上に酸化シリコンの膜６１ａを形成する。酸化シリコンの膜６１ａは、例えば、ＣＶＤ技術を活用することによって形成され得る。
次いで、酸化シリコンの膜６１ａをパターニングすることによって、図２１（ｂ）に示すように、絶縁膜６１を形成する。このパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術が活用され得る。
なお、共通電極６９上に酸化シリコンの膜６１ａを形成するとき、第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に、酸化シリコンが堆積することがある。第１コンタクトホール７８内や第２コンタクトホール７９内に堆積した酸化シリコンは、酸化シリコンの膜６１ａをパターニングするときに除去され得る。
【００９７】
次いで、図５に示すように、絶縁膜６１上に画素電極７１を形成する。画素電極７１は、例えばスパッタリング技術を活用して絶縁膜６１上にＩＴＯの膜を形成してから、このＩＴＯの膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。なお、画素電極７１の形成において、接続部７７も形成され得る。
【００９８】
次いで、絶縁膜６１及び画素電極７１上に、画素電極７１を覆う配向膜６３を形成する。配向膜６３は、画素電極７１及び絶縁膜６１上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極７１を覆う樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施すことによって形成され得る。画素電極７１を覆う樹脂膜は、例えば、スピンコート技術や印刷技術を活用することにより形成され得る。
これにより、素子基板１５が製造され得る。
【００９９】
対向基板１７の製造工程では、図２２（ａ）に示すように、まず、第２基板８１の対向面８３ｂに、光吸収層８５を、平面視で格子状に形成する。光吸収層８５は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【０１００】
次いで、光吸収層８５によって囲まれる各画素７の領域内に、カラーフィルタ８７を形成する。カラーフィルタ８７は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素７の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素７の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７の底面２３側にオーバーコート層９１を形成する。オーバーコート層９１は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
【０１０１】
次いで、図２２（ｂ）に示すように、オーバーコート層９１の底面２３側に第１配向膜９３を形成する。第１配向膜９３の形成では、例えばスピンコート技術を活用して、ポリイミドなどの樹脂でオーバーコート層９１の底面２３側に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。これにより、第１配向膜９３が形成され得る。
【０１０２】
次いで、図２２（ｃ）に示すように、液晶化合物が含有された液状体９５ａで、第１配向膜９３の底面２３側に液状体膜９５ｂを形成する。液状体９５ａは、ネガ型の感光性を有している。液状体膜９５ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
なお、液状体９５ａとしては、液晶化合物と溶媒とを混合したものに光重合開始剤を添加した構成が採用され得る。
【０１０３】
液晶化合物としては、例えばＢＡＳＦ社製のＬＣ２４２などが採用され得る。溶媒としては、例えばＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）などが採用され得る。光重合開始剤としては、例えばチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のイルガキュア９０７などが採用され得る。
ここで、液状体膜９５ｂに含まれる液晶化合物は、配向処理が施された第１配向膜９３によって分子の配向状態が規制される。これにより、液状体膜９５ｂには、屈折率に異方性が発現する。
【０１０４】
次いで、図２２（ｄ）に示すように、フォトマスク１８１を介して、液状体膜９５ｂを紫外光１８３で露光する。ここで、フォトマスク１８１には、反射領域Ｈに重なる領域に開口部１８５が設けられている。液状体膜９５ｂには、開口部１８５を介して紫外光１８３が照射される。そして、液状体膜９５ｂのうちで露光された部位が硬化する。
【０１０５】
次いで、液状体膜９５ｂに、例えばＰＧＭＥＡなどの現像液で現像処理を施す。これにより、フォトマスク１８１で遮光された領域内の液状体膜９５ｂが剥離され、図５に示す位相差膜９５が形成され得る。
【０１０６】
次いで、図５に示すように、第１配向膜９３及び位相差膜９５を底面２３側から覆う第２配向膜９７を形成する。
第２配向膜９７の形成では、ポリイミドなどの樹脂で第１配向膜９３及び位相差膜９５上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。
これにより、第２配向膜９７が形成され、対向基板１７が製造され得る。
【０１０７】
液晶パネル１０の製造工程では、まず、素子基板１５と、対向基板１７とを、平面視で環状のシール材２１（図２）を介して接合する。このとき、シール材２１は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２１の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
次いで、液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２に示す液晶パネル１０が製造され得る。
【０１０８】
表示パネル３の製造工程では、図２に示す偏光板１３ａ及び１３ｂを液晶パネル１０に設ける。偏光板１３ａは、第１基板５１の第２面５１ｂ（図５）に設けられ、偏光板１３ｂは第２基板８１の外向面８３ａ（図５）に設けられる。これにより、図２に示す表示パネル３が製造され得る。
なお、偏光板１３ａや偏光板１３ｂは、液晶パネル１０の製造工程の前に、第１基板５１や第２基板８１に設けられていてもよい。
表示装置１の製造工程では、表示パネル３と照明装置５とを組み合わせることにより、表示装置１が製造され得る。
【０１０９】
第１実施形態において、凹部１１６が凹部に対応している。
第１実施形態の表示装置１では、第２中間層５５の表示面９側に凹凸部５６が設けられている。凹凸部５６の表示面９側には、反射膜５７が設けられている。このため、反射膜５７には、凹凸部５６の形状が反映され得る。つまり、反射膜５７は、凹凸状に設けられている。これにより、光を反射膜５７で乱反射させることができる。この結果、反射表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１１０】
また、第１実施形態では、第１中間層５３に凹部１１６が設けられている。このため、第２中間層５５において凹凸部５６の領域と、凹凸部５６の領域の外側との間に発生しやすい段差を軽減しやすくすることができる。これにより、凹凸部５６の領域と凹凸部５６の領域の外側との間の段差が液晶１９に反映されることを軽減しやすくすることができる。このため、反射領域Ｈ及び透過領域Ｔのそれぞれにおいて、液晶１９における光の変調状態のばらつきを低減しやすくすることができる。この結果、表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１１１】
また、第１実施形態では、平坦化層５９を貫通する第２コンタクトホール７９が、平面視で第１コンタクトホール７８に重なる領域よりも外側から第１コンタクトホール７８を囲む領域にわたって設けられている。
【０１１２】
ここで、図１９（ａ）に示す液状体膜５９ｂを形成するときに、液状体膜５９ｂに第１コンタクトホール７８の形状が反映されることがある。これは、凹部１７１として現れる。凹部１７１には、図１９（ａ）中のＫ部の拡大図である図２３（ａ）に示すように、第２中間層５５側に向かって下がる傾斜部１８７が発生することがある。
傾斜部１８７が発生している状態で、第１コンタクトホール７８に連続するコンタクトホール１８８を形成すると、図２３（ｂ）に示すように傾斜部１８７にコンタクトホール１８８の縁部１８８ａが重なりやすい。傾斜部１８７にコンタクトホール１８８の縁部１８８ａが重なっていると、傾斜部１８７の形状が液晶１９の厚みに反映されやすくなる。
【０１１３】
これに対し、本実施形態では、第２コンタクトホール７９が、図２３（ｃ）に示すように、平面視で第１コンタクトホール７８に重なる領域よりも外側から第１コンタクトホール７８を囲んでいる。このため、第２コンタクトホール７９の縁部を傾斜部１８７よりも外側に形成しやすくすることができる。これにより、傾斜部１８７に第２コンタクトホール７９の縁部１８９が重なることを避けやすくすることができる。このため、平面視で第２コンタクトホール７９の周縁部に重なる領域において、液晶１９の厚み（セル厚）がばらつくことを低く抑えやすくすることができる。この結果、表示における表示品位の一層の向上を図りやすくすることができる。
【０１１４】
また、本実施形態では、図５に示す接続部７７と反射膜５７とが互いに離間している。つまり、接続部７７と反射膜５７との間には、隙間がある。このため、照明装置５から底面２３を介して入射された光が、接続部７７と反射膜５７との間の隙間を通って液晶１９に入射し得る。接続部７７と反射膜５７との間の隙間を通って液晶１９に入射した光は、反射表示における光の変調状態とは異なる。このため、接続部７７と反射膜５７との間の隙間を通って液晶１９に入射した光は、表示面９から漏れやすい。
【０１１５】
しかしながら、本実施形態では、接続部７７と反射膜５７との間の隙間は、図１１に示すように、平面視で領域８６に重なっている。このため、接続部７７と反射膜５７との間の隙間を通って液晶１９に入射した光が表示面９から漏れることを極めて低く抑えることができる。この結果、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができ、表示における表示品位の一層の向上を図りやすくすることができる。
【０１１６】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態における表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２４に示すように、液晶パネル１０が素子基板２０を有している。第２実施形態における表示装置１は、第１実施形態における素子基板１５が素子基板２０に替えられていることを除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。
従って、以下の第２実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１１７】
素子基板２０は、図１３中のＲ−Ｒ線における断面図である図２５に示すように、第１中間層３０を有している。素子基板２０は、第１実施形態における第１中間層５３が第１中間層３０に替えられていることを除いては、第１実施形態における素子基板２０と同様の構成を有している。
第１中間層３０は、平面図である図２６に示すように、複数の凹部１１６と、複数の溝部１９１と、複数の溝部１９３と、を有している。
【０１１８】
各溝部１９１は、Ｙ方向に沿って延びている。各溝部１９３は、Ｘ方向に沿って延びている。複数の溝部１９１と、複数の溝部１９３とは、互いに交差しており、格子状に設けられている。
各凹部１１６は、各溝部１９１と各溝部１９３との交差に対応して設けられている。複数の凹部１１６には、Ｘ方向に隣り合う２つの溝部１９１と、Ｙ方向に隣り合う２つの溝部１９３とによって囲まれているものが含まれている。
【０１１９】
溝部１９１は、図２６中のＪ−Ｊ線における断面図である図２７に示すように、第１中間層３０の表示面９側に設けられており、底面２３側に向かって凹となる向きに設けられている。
溝部１９３は、図２６中のＱ−Ｑ線における断面図である図２８に示すように、第１中間層３０の表示面９側に設けられており、底面２３側に向かって凹となる向きに設けられている。溝部１９３は、図２５に示すように、反射領域Ｈに重なる領域の表示面９側の表面よりも底面２３側に向かって窪んでいる。第１中間層３０では、第１基板５１から表示面９側の表面までの高さ（厚み）が、反射領域Ｈに重なる領域よりも溝部１９３の方が低く（薄く）なっている。
【０１２０】
溝部１９１は、図２７に示すように、深さ１９１ａが、凹部１１６の深さ１１６ｂよりも浅く設定されている。また、溝部１９３も、図２８に示すように、深さ１９３ａが、凹部１１６の深さ１１６ｂよりも浅く設定されている。
溝部１９１のＸ方向における幅１９１ｂ（図２７）は、溝部１９３のＹ方向における幅１９３ｂ（図２８）よりも広く設定されている。
【０１２１】
素子基板２０では、各ゲート線１１１が、図２５に示すように、各溝部１９３内に設けられている。
また、各データ線１１３は、図２５中のＳ−Ｓ線における断面図である図２９に示すように、各溝部１９１の領域内に設けられている。このため、各データ線１１３は、平面視で各溝部１９１内に設けられているとみなされ得る。なお、溝部１９１は、凹凸部５６の領域に重なる領域の表示面９側の表面よりも底面２３側に向かって窪んでいる。第１中間層３０では、第１基板５１から表示面９側の表面までの高さ（厚み）が、凹凸部５６に重なる領域よりも溝部１９１の方が低く（薄く）なっている。
【０１２２】
各ゲート線１１１は、図２５中のＴ部の拡大図である図３０に示すように、溝部１９３から表示面９側に突出しない厚み１１１ａに設定されている。本実施形態では、ゲート線１１１の厚み１１１ａは、溝部１９３の深さ１９３ａ寸法よりも薄い寸法に設定されている。このため、ゲート絶縁膜５４には、凹部１９５が発生することがある。これは、溝部１９３の深さ１９３ａと、ゲート線１１１の厚み１１１ａとの差異がゲート絶縁膜５４に反映されることがあるためである。
【０１２３】
ゲート絶縁膜５４は、図２９中のＵ部の拡大図である図３１に示すように、各溝部１９１を表示面９側から覆っている。ゲート絶縁膜５４には、各溝部１９１の形状が反映された複数の溝部１９７が形成されている。各溝部１９７は、底面２３側に向かって凹となる向きに形成される。そして、各データ線１１３は、各溝部１９７内に設けられている。
各データ線１１３は、各溝部１９７から表示面９側に突出しない厚み１１３ａに設定されている。本実施形態では、データ線１１３の厚み１１３ａは、溝部１９７の深さ１９７ａ寸法よりも薄い寸法に設定されている。このため、ゲート絶縁膜５４と、各データ線１１３との間には、凹部１９９が発生することがある。
【０１２４】
凹部１９５や凹部１９９は、表示面９側から底面２３側に向かって凹となる向きに発生する。凹部１９５や凹部１９９は、第２中間層５５、平坦化層５９、絶縁膜６１などを介して徐々に範囲が狭まっていく。
各ゲート線１１１及び各データ線１１３は、それぞれ、領域８６に重なっている。このため、凹部１９５や凹部１９９は、領域８６の範囲内に収められる。このため、凹部１９５や凹部１９９が各画素７の領域内に及ぶことを低く抑えることができる。この結果、凹部１９５や凹部１９９が、各画素７の領域内で液晶１９の厚みに反映されることを低く抑えることができる。
【０１２５】
第２実施形態において、溝部１９１及び溝部１９３のそれぞれが溝部に対応している。
上記の構成を有する第２実施形態では、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２６】
さらに、第２実施形態では、上記の構成により、Ｘ方向に隣り合う画素７同士間にデータ線１１３などの配線が介在していても、配線の凸形状が液晶１９に反映されることを低く抑えやすくすることができる。このため、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間で、液晶１９の厚みのばらつきを低く抑えやすくすることができる。この結果、表示における表示品位の一層の向上を図りやすくすることができる。
【０１２７】
また、第２実施形態では、Ｙ方向に隣り合う画素７同士間にゲート線１１１などの配線が介在していても、配線の凸形状が液晶１９に反映されることを低く抑えやすくすることができる。このため、Ｙ方向に並ぶ複数の画素７間で、液晶１９の厚みのばらつきを低く抑えやすくすることができる。この結果、表示における表示品位の一層の向上を図りやすくすることができる。
【０１２８】
また、第２実施形態では、各ゲート線１１１の厚み１１１ａが、各溝部１９３の深さ１９３ａ寸法よりも薄い寸法に設定されているため、各ゲート線１１１を第１中間層３０から表示面９側に突出させにくくすることができる。
また、第２実施形態では、各データ線１１３の厚み１１３ａが、各溝部１９７の深さ１９７ａ寸法よりも薄い寸法に設定されているため、各データ線１１３をゲート絶縁膜５４から表示面９側に突出させにくくすることができる。
【０１２９】
また、第２実施形態では、各溝部１９１の深さ１９１ａ、及び各溝部１９３の深さ１９３ａは、それぞれ、凹部１１６の深さ１１６ｂとは異なる寸法に設定されている。このため、凹凸部５６の領域と凹凸部５６の領域の外側との間の段差、並びにゲート線１１１の厚み１１１ａ、及びデータ線１１３の厚み１１３ａのそれぞれに対して、深さ１１６ｂ、並びに深さ１９１ａ、及び深さ１９３ａを個別に設定しやすくすることができる。
【０１３０】
第３実施形態について説明する。
第３実施形態における表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図３２に示すように、液晶パネル１０が素子基板４０を有している。第３実施形態における表示装置１は、第２実施形態における素子基板２０が素子基板４０に替えられていることを除いては、第２実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。
従って、以下の第３実施形態では、重複した説明を避けるため、第２実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第２実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１３１】
素子基板４０では、反射膜５７が、図４中のＥ−Ｅ線における断面図である図３３に示すように、画素７ごとに設けられている。Ｘ方向に隣り合う画素７同士間で反射膜５７同士は、互いに離間している。
反射膜５７は、凹凸部５６ごとに区分されており、平面視で凹凸部５６が設けられている領域だけに設けられているとみなされ得る。このため、各反射膜５７は、凹凸部５６の領域ごとにアイランド状（島状）に設けられているとみなされ得る。
上記の構成を有する第３実施形態では、第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
【０１３２】
また、第３実施形態では、上記の構成により、Ｘ方向に隣り合う画素７同士間の第２中間層５５上に反射膜５７が介在していない。このため、反射膜５７の凸形状が液晶１９に反映されることを低く抑えやすくすることができる。このため、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間で、共通電極６９や画素電極７１を平坦にしやすくすることができる。この結果、表示における表示品位の一層の向上を図りやすくすることができる。
【０１３３】
素子基板４０では、Ｘ方向に隣り合う画素７同士間で反射膜５７同士が互いに離間している。
このため、素子基板４０では、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図３４に示すように、接続部７７と反射膜５７とが接している構成が採用され得る。接続部７７と反射膜５７とが接している構成であれば、照明装置５から底面２３を介して入射された光が、接続部７７と反射膜５７との間を通って液晶１９に入射することを極めて低く抑えることができる。
【０１３４】
このため、第３実施形態では、図３中のＣ部の拡大図である図３５に示すように、光吸収層８５の領域８６が、液晶パネル１０における領域８６よりも狭められた構成が採用され得る。
この構成により、各画素７の領域を広げることができ、各画素７の開口率を高めることができる。
【０１３５】
また、接続部７７と反射膜５７とが接している構成では、接続部７７は、図３４中のＷ部の拡大図である図３６に示すように、第１接続部２０１と第２接続部２０３とを有する構成が採用され得る。
この構成の場合、第１接続部２０１は、反射膜５７と同じ材料で構成されており、反射膜５７に一連した状態で第１コンタクトホール７８内に設けられている。第１接続部２０１は、ドレイン電極７５につながっている。このため、ドレイン電極７５と反射膜５７とは、第１接続部２０１を介して電気的につながっている。
【０１３６】
第２接続部２０３は、画素電極７１と同じ材料で構成されており、画素電極７１に一連した状態で第２コンタクトホール７９内に設けられている。第２接続部２０３は、第１接続部２０１につながっている。このため、反射膜５７と画素電極７１とは、第２接続部２０３を介して電気的につながっている。
従って、ドレイン電極７５と画素電極７１とは、第１接続部２０１及び第２接続部２０３を介して電気的につながっている。
【０１３７】
接続部７７が第１接続部２０１と第２接続部２０３とを有する構成では、第２接続部２０３を反射膜５７に重ねて形成することができる。これにより、反射膜５７と接続部７７との間の隙間を塞ぎやすくすることができる。このため、照明装置５から反射膜５７と接続部７７との間に向かう光を一層遮りやすくすることができる。この結果、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができ、表示における表示品位の一層の向上を図りやすくすることができる。
【０１３８】
また、この構成では、第１接続部２０１及び第２接続部２０３のそれぞれを、第１コンタクトホール７８及び第２コンタクトホール７９の総延長よりも短い長さで構成することができる。このため、ドレイン電極７５及び画素電極７１間を１つの接続部７７でつなぐ構成に比較して、接続部７７の断線を防ぎやすくすることができる。これにより、表示装置１の製造にかかる効率化を図りやすくすることができる。
【０１３９】
なお、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、液晶１９の駆動方式としてＦＦＳ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶１９の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＶＡ（Vertical Alignment）型等の種々の方式も採用され得る。
【０１４０】
また、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、位相差膜９５が対向基板１７側に設けられている場合を例に説明したが、位相差膜９５はこれに限定されず、素子基板１５，２０，４０側に設けられていてもよい。
【０１４１】
また、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、第１配向膜９３及び位相差膜９５を有する構成を例に説明したが、これに限定されず、第１配向膜９３及び位相差膜９５に替えて位相差シート（位相差板）を貼り付けた構成も採用され得る。この構成では、第１配向膜９３が省略され、且つ位相差膜９５に替えて位相差シートが設けられる。この構成により、第１配向膜９３を省略することができるので、表示装置１の薄型化が図られる。
【０１４２】
さらに、第１配向膜９３及び位相差膜９５に替えて位相差シートを設ける構成では、位相差シートを第１基板５１及び第２基板８１間に介在させた構成に限定されず、位相差シートを偏光板１３ｂ及び第２基板８１間に介在させた構成も採用され得る。この構成の場合、素子基板１５，２０，４０と液晶１９の間や、対向基板１７と液晶１９との間に、液晶１９の厚みを調整する層を新たに設けることによって、反射領域Ｈにおける液晶１９の厚みＬ２が適正に設定され得る。
【０１４３】
また、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、入射された光に対して１／２波長の位相差を与える位相差膜９５を例に説明したが、位相差膜９５が与える位相差はこれに限定されず、１／４波長、１／８波長などの種々の位相差が採用され得る。
【０１４４】
上述した表示装置１は、例えば、図３７に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されているので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１４５】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示装置１や、表示パネル３、液晶パネル１０は、それぞれ、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】本実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。
【図２】第１実施形態における表示装置の図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】図３中のＣ部の拡大図。
【図５】第１実施形態における液晶パネルの図４中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図６】図５中のＴＦＴ素子の拡大図。
【図７】第１実施形態における第１コンタクトホール及び第２コンタクトホール並びに反射膜を示す平面図。
【図８】第１実施形態における光吸収層を示す平面図。
【図９】図４中のＥ−Ｅ線における断面図。
【図１０】第１実施形態におけるゲート線及びデータ線並びにＴＦＴ素子を示す平面図。
【図１１】第１実施形態における反射膜を示す平面図。
【図１２】第１実施形態における共通電極を示す平面図。
【図１３】第１実施形態における画素電極を示す平面図。
【図１４】本実施形態における表示パネルの透過領域における偏光状態を説明する図。
【図１５】本実施形態における表示パネルの反射領域における偏光状態を説明する図。
【図１６】第１実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図１７】第１実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図１８】第１実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図１９】第１実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図２０】第１実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図２１】第１実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図２２】第１実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。
【図２３】第１実施形態における第２中間層と第１コンタクトホールと液状体膜とを模式的に示す断面図。
【図２４】第２実施形態における表示装置の図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図２５】第２実施形態における液晶パネルの図１３中のＲ−Ｒ線における断面図。
【図２６】第２実施形態における第１中間層の一部を示す平面図。
【図２７】図２６中のＪ−Ｊ線における断面図。
【図２８】図２６中のＱ−Ｑ線における断面図。
【図２９】図２５中のＳ−Ｓ線における断面図。
【図３０】図２５中のＴ部の拡大図。
【図３１】図２９中のＵ部の拡大図。
【図３２】第３実施形態における表示装置の図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３３】第３実施形態における液晶パネルの図４中のＥ−Ｅ線における断面図。
【図３４】第３実施形態における液晶パネルの図４中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図３５】第３実施形態における液晶パネルの図３中のＣ部の拡大図。
【図３６】図３４中のＷ部の拡大図。
【図３７】本実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。
【図３８】従来技術の課題を説明する断面図。
【図３９】従来技術の課題を説明する断面図。
【符号の説明】
【０１４７】
１…表示装置、３…表示パネル、７…画素、８…表示領域、９…表示面、１０…液晶パネル、１５，２０，４０…素子基板、１７…対向基板、１９…液晶、２１…シール材、２３…底面、３０，５３…第１中間層、５１…第１基板、５２…素子層、５４…ゲート絶縁膜、５５…第２中間層、５６…凹凸部、５７…反射膜、５９…平坦化層、６１…絶縁膜、６３…配向膜、６５…ＴＦＴ素子、６９…共通電極、７１…画素電極、７２…ゲート電極、７３…半導体層、７４…ソース電極、７５…ドレイン電極、７７…接続部、７８…第１コンタクトホール、７９…第２コンタクトホール、８１…第２基板、８２…対向層、８５…光吸収層、８７…カラーフィルタ、９３…第１配向膜、９５…位相差膜、９７…第２配向膜、１１１…ゲート線、１１１ａ…厚み、１１３…データ線、１１３ａ…厚み、１１６…凹部、１１６ａ…部位、１１６ｂ…深さ、１６９…段差、１７１…凹部、１９１…溝部、１９１ａ…深さ、１９１ｂ…幅、１９３…溝部、１９３ａ…深さ、１９３ｂ…幅、１９５…凹部、１９７…溝部、１９７ａ…深さ、１９９…凹部、２０１…第１接続部、２０３…第２接続部、５００…電子機器、５１０…表示部、５１１…操作ボタン、Ｈ…反射領域、Ｔ…透過領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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