(57)【要約】【課題】基板との密着が困難なアスペクト比の大きいドットパターンにおいて、基板との密着性に優れ、かつドライエッチング耐性に優れたレジストを提供すること。【解決手段】（Ａ）フェノール性水酸基を有する重合体と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）溶剤と、（Ｄ）特定のシランカップリング剤とを含有するポジ型感放射線性樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）フェノール性水酸基を有する重合体と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）溶剤と、（Ｄ）シランカップリング剤とを含有するポジ型感放射線性樹脂組成物であって、
前記シランカップリング剤（Ｄ）が、下記（１）〜（３）のうち少なくとも一つのシランカップリング剤であることを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物：
（１）（ｄ１）イソシアネート基を有するシランカップリング剤
（２）（ｄ２）アミノ基を有するシランカップリング剤
（３）下記一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤と下記一般式（ｄ４）〜（ｄ８）で表されるシラン化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物との組み合わせ
【化１】
2010033027.tif 000039
（上記式において、Ｒは二価の炭化水素基を表し、Ｘは炭素数１〜５のアルキル基を表し、複数存在するＲおよびＸは同一でも異なっていてもよい。）。
【請求項２】
前記シランカップリング剤（Ｄ）が、前記（３）のシランカップリング剤を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
前記フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）１００重量部に対して、前記（３）のシランカップリング剤（Ｄ）を０．１〜２０重量部含有することを特徴とする請求項１または２に記載のポジ型感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
前記キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）として、下記一般式（１）で表される化合物ａを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型感放射線性樹脂組成物：
【化２】
2010033027.tif 000040
（上記一般式（１）においてＲ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子または下記式（２）で表される基であり、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3の全てが水素であることは無い。）
【化３】
2010033027.tif 000041
（式（２）中、「＊」は結合手を示す。）。
【請求項５】
前記キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）として、下記一般式（３）で表される化合物ｂを更に含有することを特徴とする請求項４に記載のポジ型感放射線性樹脂組成物：
【化４】
2010033027.tif 000042
（上記一般式（３）においてＲ4，Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7，Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子または上記式（２）で表される基であり、Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7，Ｒ8の全てが水素であることは無い。）。
【請求項６】
前記化合物ａと前記化合物ｂとの重量の比（化合物ａ／化合物ｂ）が、３／１〜１／３であることを特徴とする請求項５に記載のポジ型感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
前記キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）１００重量部に対して、前記化合物ａと前記化合物ｂとが合計で３０〜１００重量部含有されることを特徴とする請求項５または６に記載のポジ型感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
前記フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）がノボラック樹脂であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型感放射線性樹脂組成物。
【請求項９】
（i）請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型感放射線性樹脂組成物を基板表面に塗布する工程と、
（ii）該基板表面に塗布されたポジ型感放射線性樹脂組成物を、ＵＶ光での露光および／または電子線での描画によってパターン露光する工程と、
（iii）該パターン露光工程を経たポジ型感放射線性樹脂組成物を現像することによって、レジストパターンを形成する工程と
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、精密微細加工にフォトリソグラフィー技術を用いる、いわゆるフォトファブリケーションに好適に用いられる組成物、および該組成物を用いたレジストパターン形成方法に関する。より詳しくは本発明は、半導体、電子部品やディスプレイパネル、タッチパネル等の配線形成、電極形成等のフォトファブリケーション分野で用いられるドライエッチング加工用のマスク剤として好適なレジストとなるポジ型感放射線性樹脂組成物、および該ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて得られるレジストパターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ディスプレイパネルの大型化、低コスト化が急速な勢いで進んでいる。その中で、大型基板上で簡便な工程で安定して配線形成することが可能な技術が必要とされている。フォトリソグラフィー技術によりレジスト膜をパターニングしたのち、ドライエッチング法により配線形成する技術は従来半導体の分野で使用されており、比較的容易で生産性の高いプロセスとして普及しており、その技術をディスプレイパネル等の分野で応用する流れが出てきている（特許文献１参照）。
【０００３】
大型基板上で安定したドライエッチング加工をするためには、１）アスペクト比の大きいレジストパターンと基板との密着性が優れており、かつ２）レジストのドライエッチング耐性が優れている必要がある。
【０００４】
特に、ＬＣＤ等の分野でも、ＴＦＴ、ＳＴＮなどの技術の進展に伴い、レジストパターンの線幅が細くなり微細化する傾向となり、例えば、従来のＴＮ、ＳＴＮ液晶を利用した素子では、２００μｍ〜数百μｍ程度の設計寸法であったものが、新技術の開発で最小設計寸法が１００μｍ以下に、また、応答性又は画像性の良好なＴＦＴ表示素子では数μｍレベルまで微細化している。このため近年レジストのアスペクト比（レジストパターンの幅に対するレジストパターンの高さの比（レジストパターンの高さ／レジストパターンの幅））は増大する傾向にあり、よりいっそう基板との密着性に優れたレジストパターンを形成しうるレジストが求められている。
【０００５】
さらに、ＴＦＴ、ＳＴＮなどの技術の進展に伴い、様々なレジストパターンが必要となってきている。特に、通常のＬ／Ｓパターンよりも基板との密着が困難なドットパターンなどの場合、従来のレジストでは現像時にパターンが倒壊する問題があった（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３３１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、基板との密着が困難なアスペクト比の大きいドットパターンにおいて、基板との密着性に優れ、かつドライエッチング耐性に優れたレジストを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の官能基を有するシランカップリング剤や、特定の不純物を含有するシランカップリング剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物によれば、基板との密着が困難なアスペクト比の大きいドットパターンにおいて、基板との密着性に優れ、かつドライエッチング耐性に優れたレジストを提供することができることを見出し、本発明を完成するにいたった。
【０００９】
すなわち本発明の要旨は以下のとおりである。
（Ａ）フェノール性水酸基を有する重合体と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）溶剤と、（Ｄ）シランカップリング剤とを含有するポジ型感放射線性樹脂組成物であって、前記シランカップリング剤（Ｄ）が、下記（１）〜（３）のうち少なくとも一つのシランカップリング剤であることを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物：
（１）（ｄ１）イソシアネート基を有するシランカップリング剤
（２）（ｄ２）アミノ基を有するシランカップリング剤
（３）下記一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤と下記一般式（ｄ４）〜（ｄ８）で表されるシラン化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物との組み合わせ
【００１０】
【化１】
2010033027.tif 000002
（上記式において、Ｒは二価の炭化水素基を表し、Ｘは炭素数１〜５のアルキル基を表し、複数存在するＲおよびＸは同一でも異なっていてもよい。）。
【００１１】
前記シランカップリング剤（Ｄ）は、前記（３）のシランカップリング剤を含有することが好ましい。
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、前記フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）１００重量部に対して、前記（３）のシランカップリング剤（Ｄ）を０．１〜２０重量部含有することが好ましい。
【００１２】
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、前記キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）として、下記一般式（１）で表される化合物ａを含有することが好ましい。
【００１３】
【化２】
2010033027.tif 000003
（上記一般式（１）においてＲ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子または下記式（２）で表される基であり、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3の全てが水素であることは無い。）
【００１４】
【化３】
2010033027.tif 000004
（式（２）中、「＊」は結合手を示す。）。
【００１５】
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、前記キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）として、下記一般式（３）で表される化合物ｂを更に含有することが好ましい。
【００１６】
【化４】
2010033027.tif 000005
（上記一般式（３）においてＲ4，Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7，Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子または上記式（２）で表される基であり、Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7，Ｒ8の全てが水素であることは無い。）。
【００１７】
前記化合物ａと前記化合物ｂとの重量の比（化合物ａ／化合物ｂ）は、３／１〜１／３であることが好ましい。
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物において、前記キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）１００重量部に対して、前記化合物ａと前記化合物ｂとが合計で３０〜１００重量部含有されることが好ましい。
前記フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）は、ノボラック樹脂であることが好ましい。
【００１８】
本発明のポジ型感放射性樹脂組成物は、
（i）本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物を基板表面に塗布する工程と、
（ii）該基板表面に塗布されたポジ型感放射線性樹脂組成物を、ＵＶ光での露光および／または電子線での描画によってパターン露光する工程と、
（iii）該パターン露光工程を経たポジ型感放射線性樹脂組成物を現像することによって、レジストパターンを形成する工程と
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法に好適に使用することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物によれば、基板との密着が困難なアスペクト比の大きいドットパターンにおいて、基板との密着性に優れ、かつドライエッチング耐性に優れたレジストを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下本発明について詳細に説明する。
［ポジ型感放射線性樹脂組成物］
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）フェノール性水酸基を有する重合体と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）溶剤と、（Ｄ）特定のシランカップリング剤とを含有することを特徴としている。以下これら各構成成分について説明する。
【００２１】
＜（Ａ）フェノール性水酸基を有する重合体＞
フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）は、キノンジアジド基含有化合物からなる感光剤との組み合わせで使用することにより、ｇ線、ｉ線の波長領域に感度を有するポジ型のレジストとして機能する。フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）としては、以下に示すノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体が挙げられる。これらは単独で使用することもできるが、混合して使用してもよい。フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）としては、本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストと基板との密着性の点からノボラック樹脂が好ましい。
【００２２】
（ノボラック樹脂）
本発明において用いられるノボラック樹脂はアルカリ可溶であり、ｍ−クレゾールと他の１種以上のフェノール類（以下、これらを合わせて単にフェノール類とも呼ぶ）とをアルデヒド化合物と縮合して得られる樹脂であって、ｍ−クレゾールの割合が全フェノール類中の４０〜９０質量％であるノボラック樹脂である。
【００２３】
ノボラック樹脂の原料に用いられる前記他のフェノール類としては、具体的には、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｐ−キシレノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノールおよび２，３，５−トリメチルフェノール等を挙げることができる。これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２４】
これらのうちでは、ｐ−キシレノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、３，４−キシレノールおよび２，３，５−トリメチルフェノールが好ましい。
また、ｍ−クレゾールと他の１種以上のフェノール類との好ましい組み合わせとしては、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール／２，４−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／３，４−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，３，５−トリメチルフェノールおよびｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／２，３，５−トリメチルフェノール等を挙げることができる。
【００２５】
また、縮合させるアルデヒド化合物としては、たとえばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、グリオキサール、グルタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド等を挙げることができる。これらのうち、特に、ホルムアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒドを好適に用いることができる。
【００２６】
これらのアルデヒド類も単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。このようなアルデヒド化合物を、前記他のフェノール類１モルに対し、好ましくは０.４〜２モル、より好ましくは０.６〜１.５モルの量で使用する。
【００２７】
フェノール類とアルデヒド化合物との縮合反応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒としては、たとえば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等を挙げることができる。このような酸性触媒は、通常、フェノール類１モルに対し、１×１０-5〜５×１０-1モルの量で使用できる。
【００２８】
縮合反応においては、通常、反応媒質として水が使用されるが、反応初期から不均一系になる場合は、反応媒質としてたとえばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類；エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類を用いることができる。これらの反応媒質は、通常、反応原料１００重量部当り、２０〜１,０００重量部の量で使用される。
【００２９】
縮合反応の温度は、原料の反応性に応じて、適宜調整することができるが、通常１０℃〜２００℃である。
反応方法としては、フェノール類、アルデヒド化合物、酸性触媒等を一括して仕込む方法、および酸性触媒の存在下にフェノール類、アルデヒド化合物等を反応の進行とともに加えていく方法等を適宜採用することができる。
【００３０】
縮合反応終了後のノボラック樹脂の回収方法としては、系内に存在する未反応原料、酸性触媒および反応媒質等を除去するために、反応温度を１３０℃〜２３０℃に上昇させ、減圧下で揮発分を除去し、ノボラック樹脂を回収する方法や、得られたノボラック樹脂をエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、乳酸エチル、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したのち、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の貧溶媒を混合し、次いで、析出する樹脂溶液層を分離し、高分子量のノボラック樹脂を回収する方法がある。
【００３１】
また、前記ノボラック樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、ポジ型感放射線性樹脂組成物を製膜する際の作業性、レジストとして使用する際の現像性、感度および耐熱性の点から、２,０００〜２０,０００であることが好ましく、３,０００〜１５,０００であることが特に好ましい。
【００３２】
＜（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物＞
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）を含有するが、キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）として，下記一般式（１）で表される化合物ａを含有することが好ましい。
【００３３】
【化５】
2010033027.tif 000006
上記一般式（１）においてＲ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子または下記式（２）で表される基であり、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3の全てが水素であることは無い。
【００３４】
【化６】
2010033027.tif 000007
上記式（２）中、「＊」は結合手を示す。
【００３５】
上記一般式（１）において、例えばＲ1が式（２）で表される基であり、Ｒ2およびＲ3が水素の場合には、化合物ａは以下のような化合物である。
【００３６】
【化７】
2010033027.tif 000008
このような化合物は、たとえば下記式（４）で表される化合物とナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリドを接触させてエステル化反応させることにより得ることができる。
【００３７】
【化８】
2010033027.tif 000009
キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）が化合物ａを含有することにより、ポジ型感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、ポジ型感放射線性樹脂組成物を露光、現像して得られるレジストパターンの形状を、精密にコントロールすることができる。
【００３８】
また、本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は解像性を向上させる観点から、前記キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）として、下記一般式（３）で表される化合物ｂを更に含有することが好ましい。
【００３９】
【化９】
2010033027.tif 000010
上記一般式（３）においてＲ4，Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7，Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子または下記式（２）で表される基であり、Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7，Ｒ8の全てが水素であることは無い。
【００４０】
【化１０】
2010033027.tif 000011
上記式（２）において、「＊」は結合手を示す。
【００４１】
上記一般式（３）において、例えばＲ4が式（２）で表される基であり、Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7，Ｒ8が水素の場合には、化合物ｂは以下のような化合物である。
【００４２】
【化１１】
2010033027.tif 000012
このような化合物は、たとえば下記式（５）で表される化合物とナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリドを接触させてエステル化反応させることにより得ることができる。
【００４３】
【化１２】
2010033027.tif 000013
上述のとおり、本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物はキノンジアジド基含有化合物（Ｂ）として化合物ａを含有することが好ましいが、解像性を向上させる観点から化合物ａは４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−６−（１−メチル−１−フェニルエチル）−１，３−ベンゼンジオール１．０モルと、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド１．０モルとのエステル化反応生成物であることが好ましい。
【００４４】
また、本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は前述のように化合物ｂを含有することが好ましいが、解像性を向上させる点から化合物ｂは２，６−ビス［１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−ｐ−クレゾール１．０モルと、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド２．０モルとのエステル化反応生成物であることが特に好ましい。
【００４５】
前記化合物ａと化合物ｂとの重量の比（化合物ａ／化合物ｂ）は、解像性を向上させる観点から好ましくは３／１〜１／３、より好ましくは１／１である。
また、前記キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）１００重量部に対する化合物ａと化合物ｂとの含有量の合計は、感度、解像性を向上させる観点から好ましくは３０〜１００重量部、より好ましくは４０〜９０重量部である。
【００４６】
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、キノンジアジド基含有化合物（Ｂ）として上記の化合物ａおよび化合物ｂ以外のその他のキノンジアジド基含有化合物を単独で含有してもよいし、２種以上を含有してもよい。
【００４７】
その他の前記キノンジアジド基含有化合物としては、ポリヒドロキシベンゾフェノン類、（ポリ）ヒドロキシフェニルアルカン類、ビス［（ポリ）ヒドロキシフェニル］アルカン類、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン類またはそのメチル置換体、ビス（シクロヘキシルヒドロキシフェニル）ヒドロキシフェニルメタン類またはそのメチル置換体、あるいは、４，４'−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ジフェノールや７−ヒドロキシ−４−(４'−ヒドロキシフェニル)−２−メチル−２−(２'，４'−ジヒドロキシ)フェニルクマリン、４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−６−（１−メチル−１−フェニルエチル）−１，３−ベンゼンジオール、４，６−ビス［１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−ｐ−クレゾール、４，６−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−１−ヒドロキシ−３−メトキシベンゼン、
あるいは、ノボラック樹脂、ピロガロール−アセトン樹脂、ｐ−ヒドロキシスチレンのホモポリマーまたはこれと共重合しうるモノマーとの共重合体、
あるいは、水酸基またはアミノ基を有する化合物等；と、キノンジアジド基含有スルホン酸またはナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド等；との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物または部分アミド化物等を挙げることができる。
【００４８】
具体的には、前記ポリヒドロキシベンゾフェノン類として、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４'−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシ−２'−メチルベンゾフェノン、２，３，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３'，４，４'，６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，３，４，４'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，３，４，５−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３'，４，４'，５'，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３'，４，４'，５'−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等を、
前記ビス［（ポリ）ヒドロキシフェニル］アルカン類として、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（２'，４'−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２'，３'，４'−トリヒドロキシフェニル）プロパン等を、
前記トリス（ヒドロキシフェニル）メタン類またはそのメチル置換体として、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン等を、
前記ビス（シクロヘキシルヒドロキシフェニル）ヒドロキシフェニルメタン類またはそのメチル置換体として、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン等を、
前記水酸基またはアミノ基を有する化合物として、フェノール、ｐ−メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−１，３−ジメチルエーテル、没食子酸、アニリン、ｐ−アミノジフェニルアミン、４，４'−ジアミノベンゾフェノン等を、
前記キノンジアジド基含有スルホン酸として、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸等を挙げることができる。
【００４９】
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物におけるキノンジアジド基含有化合物（Ｂ）の含有量は、フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）１００重量部に対して通常１０〜５０重量部、好ましくは１５〜４０重量部、より好ましくは２０〜３５重量部である。
【００５０】
＜（Ｃ）溶剤＞
溶剤（Ｃ）としては、具体的には、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等を挙げることができる。
【００５１】
さらに、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を用いることもできる。
【００５２】
これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。これらのうちでは、２−ヒドロキシプロピオン酸エチルが好ましい。
このような溶剤（Ｃ）の本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物における含有量に特に制限はないが、５０μｍ以下の厚さで塗布する時には、ポジ型感放射線性樹脂組成物の固形分濃度が通常１重量％〜５０重量％、好ましくは５重量％〜２５重量％になる範囲で使用される。すなわち、前記フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）およびキノンジアジド基含有化合物（Ｂ）の合計１００重量部に対して、前記溶剤は、通常１００〜９９００重量部、好ましくは３００〜１９００重量部の量で使用される。
【００５３】
＜（Ｄ）シランカップリング剤＞
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、下記（１）〜（３）のうち少なくとも一つのシランカップリング剤（Ｄ）を含有することを特徴としている。
【００５４】
（１）（ｄ１）イソシアネート基を有するシランカップリング剤
（２）（ｄ２）アミノ基を有するシランカップリング剤
（３）下記一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤と下記一般式（ｄ４）〜（ｄ８）で表されるシラン化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物との組み合わせ。
【００５５】
【化１３】
2010033027.tif 000014
このようなシランカップリング剤（Ｄ）を含有することにより、本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、基板との密着性に優れ、かつドライエッチング耐性に優れたレジストとなる。以下、上記（１）〜（３）について説明する。
【００５６】
（（１）（ｄ１）イソシアネート基を有するシランカップリング剤）
イソシアネート基を有するシランカップリング剤（ｄ１）は従来公知であり、たとえば３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
【００５７】
（（２）（ｄ２）アミノ基を有するシランカップリング剤）
アミノ基を有するシランカップリング剤（ｄ）は従来公知であり、たとえば下記一般式で表される化合物である。
【００５８】
【化１４】
2010033027.tif 000015
式中、Ｒ9は水素原子、炭素数１〜４の炭化水素基または炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒ10は炭素数が２〜１１、好ましくは３〜５の二価の炭化水素基であり、
Ｒ11は、（ｉ）炭素数が１−８のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基；（ｉｉ）環炭素数が少なくとも６のアリール基、例えばフェニル基、ナフチル基、トリル基；または（ｉｉｉ）アラルキル基、例えばベンジル基、フェニルエチル基であり、
Ｙは、（ｉ）アルコキシ基（Ｒ12Ｏ−）、（ｉｉ）トリアルキルシリルオキシ基（−ＯＳｉＲ123）及び（ｉｉｉ）アルコキシ置換アルコキシ基（−ＯＲ12（ＯＲ12）m）から成る群より選ばれる基であり（ｍは１〜３の整数であり、各Ｒ12は同一又は異なり直鎖状又は分枝鎖状、置換あるいは非置換であり、炭素数が１〜８の一価炭化水素である）、
ａは、０〜３の整数である。
【００５９】
このような化合物の具体例としては、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエチキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルエチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルフェニルジエトキシシラン、３−アミノプロピルフェニルジメトキシシラン、４−アミノブチルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、４−アミノブチルメチルジエトキシシラン、４−アミノブチルメチルジメトキシシラン、４−アミノブチルエチルジエトキシシラン、４−アミノブチルエチルジメトキシシラン、４−アミノブチルフェニルジエトキシシラン、４−アミノブチルフェニルジメトキシシラン、２−アミノイソプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリプロポキシシラン、３−アミノプロピルトリブトキシシラン、３−アミノプロピルフェニルメチル−ｎ−プロポキシシラン、３−アミノプロピルメチルジブトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３−アミノプロピルジエチルメチルシラン、３−アミノプロピル−トリス（トリメチルシロキシ）シラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、４−アミノブチルジメチルメトキシシラン、４−アミノ（３−メチルブチル）メチルジメトキシシラン、４−アミノ（３−メチルブチル）メチルジエトキシシラン、４−アミノ（３−メチルブチル）トリメトキシシラン、３−（Ｎ−フェニル）アミノプロピルトリメトキシシランが挙げられる。
【００６０】
これらの中でも、基板との密着性に優れたレジストを形成する観点から、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−フェニル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシランが好ましい。
【００６１】
（（３）一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤と下記一般式（ｄ４）〜（ｄ８）で表されるシラン化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物との組み合わせ）
上記一般式（ｄ３）をもう一度示すと、以下のとおりである。
【００６２】
【化１５】
2010033027.tif 000016
上記一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤において、Ｒは二価の炭化水素基を表し、Ｘは炭素数１〜５のアルキル基を表し、複数存在するＲおよびＸは同一でも異なっていてもよい。
【００６３】
前記二価の炭化水素基としては、たとえば、メチレン基および炭素数２〜１０のアルキレン基が挙げられる。該アルキレン基の例としては、エチレン基、プロピレン基、ｉｓｏ−プロピレン基、ブチレン基、ｉｓｏ−ブチレン基などが挙げられる。
【００６４】
前記炭素数１〜５のアルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基が挙げられる。
このような、上記一般式（ｄ３）で表される化合物は従来公知であり、たとえばトリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、トリス（３−トリエトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、トリス（３−トリｉ−プロポキシシリルプロピル）イソシアヌレート、トリス（３−トリブトキシシリルプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。
【００６５】
これらの化合物の製造方法も従来公知であり、たとえばＵＳ３５１７００１号特許明細書、特開昭６３−１４１９８７号公報および特開平９−１９５２２６号公報に記載の製造方法により製造することができる。
【００６６】
しかし、これらの製造方法においては、副生成物として様々な化合物が生成する。
たとえば、ＵＳ３５１７００１号特許明細書に記載の製造方法では、下記反応により一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤を製造する。なお、下記反応式においては、Ｒがすべてプロピレン基であり、Ｘがすべてメチル基である場合を例にした。
【００６７】
【化１６】
2010033027.tif 000017
この反応では、イソシアヌレート環を有する化合物の３つのエチレン性不飽和基にトリメトキシシランが付加して、上記式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤が生成するが、２つのエチレン性不飽和基にトリメトキシシランが付加した場合には、以下のような上記式（ｄ４）で表されるシラン化合物が生成する。
【００６８】
【化１７】
2010033027.tif 000018
なお、上記一般式（ｄ４）を示すと、以下のとおりである。
【００６９】
【化１８】
2010033027.tif 000019
また１つのエチレン性不飽和基にトリメトキシシランが付加した場合には、以下のような上記式（ｄ５）で表されるシラン化合物が生成する。
【００７０】
【化１９】
2010033027.tif 000020
なお、上記一般式（ｄ５）をもう一度示すと、以下のとおりである。
【００７１】
【化２０】
2010033027.tif 000021
【００７２】
また、特開昭６３−１４１９８７号公報に記載の製造方法では、下記反応により一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤を製造する。なお、下記反応式では一般式（ｄ３）においてＲがすべてプロピレン基、Ｘがすべてメチル基である場合を例にした。
【００７３】
【化２１】
2010033027.tif 000022
上記反応式において、原料化合物のＣ原子上に示されたプラスは、分極によりＣ原子がわずかに正の電荷をもち、Ｎ原子上に示されたマイナスは、分極によりＮ原子がわずかに負の電荷をもっていることを示す。この反応では、原料であるトリメトキシシリルプロピルイソシアネート３分子が反応してイソシアヌレート環を形成するが、４分子が反応すると、以下のような上記式（ｄ６）で表されるシラン化合物が生成する。
【００７４】
【化２２】
2010033027.tif 000023
なお、上記一般式（ｄ６）をもう一度示すと、以下のとおりである。
【００７５】
【化２３】
2010033027.tif 000024
また２分子が反応すると、以下のような上記式（ｄ７）で表されるシラン化合物が生成する。
【００７６】
【化２４】
2010033027.tif 000025
なお、上記一般式（ｄ７）をもう一度示すと、以下のとおりである。
【００７７】
【化２５】
2010033027.tif 000026
【００７８】
また、特開平９−１９５２２６号公報に記載の製造方法では、下記反応により一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤を製造する。なお、下記反応式においては、Ｒがすべてプロピレン基であり、Ｘがすべてメチル基である場合を例にした。
【００７９】
【化２６】
2010033027.tif 000027
この反応では、２段階の反応により式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤を製造するが、生成物の中には、１段階目の反応の、上記式（ｄ８）で表される生成物が残留している。
【００８０】
なお、上記一般式（ｄ８）をもう一度示すと、以下のとおりである。
【００８１】
【化２７】
2010033027.tif 000028
以上説明したように、上記一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤は種々の公知の製造方法により製造でき、また市販されている。市販されているシランカップリング剤も、以上説明したような製造方法で製造されたものであり、上記一般式（ｄ４）〜（ｄ８）で表されるシラン化合物のうち少なくとも１種を不純物として含んでいる。
【００８２】
本発明者は、このような不純物を含むシランカップリング剤を含むポジ型感放射線性樹脂組成物が、基板との密着性に優れたレジストを与えることを見出した。
上記一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤の純度は、通常８０〜９９重量％、好ましくは８５〜９８重量％、より好ましくは８８〜９８重量％である。なお、たとえば純度が９０重量％の場合、一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤の製品１００重量部中に９０重量部の一般式（ｄ３）で表されるシランカップリング剤が含まれ、残りの１０重量部は不純物である。
【００８３】
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物における上記シランカップリング剤（Ｄ）の含有量に特に制限はないが、基板との密着性に優れたレジストを形成する観点から、前記フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）およびキノンジアジド基含有化合物（Ｂ）の合計１００重量部に対して、通常０．１〜２０重量部であり、好ましくは１〜１０重量部であり、より好ましくは１〜５重量部である。
【００８４】
また本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物におけるシランカップリング剤（Ｄ）は上記（１）〜（３）のシランカップリング剤のうち少なくとも一つであるが、基板との密着性やパターン忠実性の点から、シランカップリング剤（Ｄ）は上記（３）のシランカップリング剤を含有していることが好ましい。
【００８５】
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は上記各成分を含有し、特に特定のシランカップリング剤（Ｄ）を含有しているため、基板との密着性に優れたレジストを形成することができる。より詳しく説明すると、ドットパターンは通常のＬ／Ｓパターンに比べてパターンが倒壊しやすいことは［背景技術］でも述べたとおりであるが、本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物から形成されたレジストをドットパターンとした場合、そのドットパターンは基板との密着性に優れているため、非常に倒壊しにくい。またこのレジストはドライエッチング耐性にも優れている。本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、以上説明した必須成分以外に、下記のその他の成分（Ｅ）を含んでいてもよい。
【００８６】
＜（Ｅ）その他の成分＞
（界面活性剤）
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させる、塗布直後に組成物が基板端から中央に向けて引ける現象（引け）を抑制する目的で界面活性剤を含有してもよい。
【００８７】
界面活性剤としては、たとえば上記の引けの現象を抑制するのに適したポリエーテル変性ポリシロキサン化合物を挙げることができる。該ポリエーテル変性ポリシロキサン化合物としては、たとえばＫＬ−２４５、ＫＬ−２７０（共栄社化学（株）製）、下記一般式（６）で表される重合体が挙げられる。
【００８８】
【化２８】
2010033027.tif 000029
上記式中、Ｒ13は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｐは１〜２０の整数であり、ｘ、ｙはそれぞれ独立に２〜１００の整数である。
【００８９】
上記一般式（６）で表されるポリエーテル変性シロキサン化合物としてはＳＨ−２８ＰＡ、ＳＨ８４００、ＳＨ−１９０、同−１９３、ＳＦ−８４２８（東レ・ダウコーニング社（株）製）が挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００９０】
その他の界面活性剤としては、たとえばＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（ＢＭ  ケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ−１３５、同ＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５（旭硝子（株）製）、ＳＺ−６０３２（東レシリコーン（株）製）、ＮＢＸ−１５（ネオス（株）製）等の名称で市販されているフッ素系界面活性剤；
市販されているシリコン系界面活性剤；
またノニオンＳ−６、ノニオン０−４、プロノン２０１、プロノン２０４（日本油脂（株）製）、エマルゲンＡ−６０、同Ａ−９０、同Ａ−５００（花王（株）製）、ＫＬ−６００（共栄社化学（株）製）等の名称で市販されているノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は１種または２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００９１】
これらの界面活性剤は前記フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常５重量部以下、好ましくは０．０１〜２重量部の量で使用される。
【００９２】
（多核フェノール化合物）
多核フェノール化合物は本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物の必須成分ではないが、含有させることでポジ型感放射線性樹脂組成物のアルカリ溶解性が向上し、レジストパターンの形状をより精密にコントロールすることができる。ここで多核フェノール化合物とは、独立に存在するベンゼン環を２個以上有し、かつ、該ベンゼン環の一部に水酸基が結合したフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有する化合物を意味する。具体的には、たとえば、４，４'−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ジフェノール、２，２−ビス（１，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸メチルエステル、４，６−ビス〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル〕−１，３−ベンゼンジオール、１，１−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）アセトンおよび（ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン等が挙げられる。
【００９３】
これらの多核フェノール化合物が本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物に含有される場合には、多核フェノール化合物は、フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常５〜４０重量部、好ましくは１０〜３０重量部の量で使用される。上記の範囲で含有させることにより、特にレジストパターンの形状を精密にコントロールすることができる。
【００９４】
［本発明のレジストパターン形成方法］
本発明のレジストパターン形成方法は、以下の工程を含むことを特徴としている。
（i）本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物を基板表面に塗布する工程
（ii）該基板表面に塗布されたポジ型感放射線性樹脂組成物をＵＶ光での露光および／または電子線での描画によってパターン露光する工程
（iii）該パターン露光工程を経たポジ型感放射線性樹脂組成物を現像することによって、レジストパターンを形成する工程。
【実施例】
【００９５】
以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、特にことわりの無い限り、部は重量部、％は重量％を示す。
【００９６】
＜合成例１＞フェノール性水酸基を有する重合体（Ａ−１）の合成
ｍ−クレゾール、２，３−キシレノール、３，４−キシレノールを重量比６０：３０：１０の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いてプロピレングリコールモノメチルエーテルを反応溶剤として使用して、１００℃で６時間加熱後、反応生成物を乳酸エチルに溶解させ水を混合し、樹脂層を回収することで重量平均分子量８０００のノボラック樹脂を得た。この樹脂をノボラック樹脂Ａ−１とする。
【００９７】
［実施例１］
表１に示すとおり、［Ａ］フェノール水酸基を有する重合体（Ａ−１）７８重量部、［Ｂ］キノンジアジド基含有化合物（Ｂ−１）６．０重量部、（Ｂ−２）３．０重量部、（Ｂ−３）１１．０重量部、［Ｄ］シランカップリング剤（Ｄ−１）３重量部および［Ｅ］その他の成分（Ｅ−１）２２重量部を［Ｃ］溶剤（Ｃ−１）２６０重量部に溶解することによりポジ型感放射線性樹脂組成物を調製した。
【００９８】
［実施例２〜１５、比較例１〜５］
実施例１と同様にして、表１に示すとおり、［Ａ］フェノール水酸基を有する重合体、［Ｂ］キノンジアジド基含有化合物、［Ｄ］シランカップリング剤、［Ｅ］その他の成分を［Ｃ］溶剤に溶解することにより各ポジ型感放射線性樹脂組成物を調製した。
【００９９】
【表１】
2010033027.tif 000030
尚、表１に記載の各成分は以下のとおりである。
【０１００】
＜（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物＞
Ｂ−１：４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−６−（１−メチル−１−フェニルエチル）−１，３−ベンゼンジオール（下記式参照）１．０モルと、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド１．０モルとのエステル化反応生成物（(株)三宝化学研究所）、
【０１０１】
【化２９】
2010033027.tif 000031
Ｂ−２：２，６−ビス［１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−ｐ−クレゾール（下記式参照）１．０モルと、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド２．０モルとのエステル化反応生成物（(株)三宝化学研究所）、
【０１０２】
【化３０】
2010033027.tif 000032
Ｂ−３：２，６−ビス［１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−ｐ−クレゾール１．０モルと、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド３．０モルとのエステル化反応生成物（(株)三宝化学研究所）、
Ｂ−４：４，６−ビス[１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル]−１−ヒドロキシ−３−メトキシベンゼン（下記式参照）１．０モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド２．０モルとのエステル化反応生成物（(株)三宝化学研究所）、
【０１０３】
【化３１】
2010033027.tif 000033
Ｂ−５：４，４'−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル
］フェニル］エチリデン］ジフェノール（下記式参照）１．０モルと、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド１．０モルとのエステル化反応生成物（(株)三宝化学研究所）、
【０１０４】
【化３２】
2010033027.tif 000034
Ｂ−６：ビス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−シクロヘキシルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン（下記式参照）１．０モルと、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド１．０モルとのエステル化反応生成物、
【０１０５】
【化３３】
2010033027.tif 000035
Ｂ−７：２，３，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン（下記式参照）１．０モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド２．０モルとのエステル化反応生成物。
【０１０６】
【化３４】
2010033027.tif 000036
＜（Ｃ）溶剤＞
Ｃ−１：２−ヒドロキシプロピオン酸エチル
Ｃ−２：３−メトキシプロピオン酸メチル
Ｃ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【０１０７】
＜（Ｄ）シランカップリング剤＞
Ｄ−１：３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン（商品名「ＫＢＥ−９００７」、信越化学社製、純度１００％）
Ｄ−２：３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン（アヅマックス株式会社製、純度９５％、）
Ｄ−３：トリス-（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート（商品名「Ｙ−１１５９７」、モメンティブ社製、純度９０％）
Ｄ−４：３−アミノプロピルトリメトキシシラン（商品名「ＫＢＭ−９０３」、信越化学社製）
Ｄ−５：３−（Ｎ−フェニル）アミノプロピルトリメトキシシラン（商品名「ＫＢＭ−５７３」、信越化学製、純度１００％）
Ｄ−６：メチルトリメトキシシラン
【０１０８】
＜（Ｅ）その他の成分＞
Ｅ−１：１，１−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）アセトン
Ｅ−２：４，４'−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ジフェノール
Ｅ−３：（ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン（下記式参照）。
【０１０９】
【化３５】
2010033027.tif 000037
実施例１〜１５および比較例１〜５のポジ型感放射線性樹脂組成物の特性を、下記の方法に従って評価した。その結果を表２に示す。
【０１１０】
＜パターニング性評価＞
（レジスト塗膜形成）
上記実施例および比較例により得られたポジ型感放射線性樹脂組成物を、密着性評価においては、４インチシリコンウェハーにスピンコートし、パターン忠実性評価においては５ｃｍ×５ｃｍのガラス基板に、スリットコーターで塗布後、ホットプレートにて９０℃、１分間ベークして、レジスト膜を得た。
【０１１１】
（露光、現像）
上記の要領で作製した基板にマスクを介して露光した後、アルカリ現像し、パターニング評価を実施した。評価条件は以下の通り。
露光機：Mask Aligner MA150、
(ズース・マイクロテックス社製、コンタクトアライナー)、
露光量：２００mJ/cm2  （４２０ｎｍ付近）、
露光様式：ハードコンタクト露光、
現像：２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で、ディップすることにより行った。
【０１１２】
（密着性及びパターン忠実性の評価）
ＳｉＯ2を表面に有するＳｉウェハー上に塗布した基板を露光した後、１２０秒間現像し（推奨現像時間より２倍長い時間）、光学顕微鏡観察にて１０ｕｍドットパターンのレジスト部分を観察し以下の基準で評価した。なお、密着性評価では、形成される全ドットパターンの数に対する密着しているドットパターンの数の割合をパーセンテージで示している。結果を表２に示す。
密着性        ◎：１００％パターンが基板に密着している。
○：５０％〜９９％パターンが基板に密着している。
×：０％〜４９％パターンが基板に密着している。
パターン忠実性  ◎：マスク寸法の規格±１０％以内でパターンが形成出来ている。
○：マスク寸法の規格±１０％以内に収まらないが、規格±２０％以
内の寸法でパターンが形成されている。
×：形成されたパターンがマスク寸法の規格±２０％以内に収まって
いない。
【０１１３】
＜ドライエッチング耐性＞
レジストをドライエッチング後、Ｌ／Ｓ＝３ｕｍ／３ｕｍパターンを光学顕微鏡で観察し以下の基準で評価した。結果を表２に示す。
ドライエッチング耐性  ◎：レジストの剥がれが全く観察されない。
×：レジストの剥がれが観察される。
【０１１４】
【表２】
2010033027.tif 000038