(57)【要約】【課題】装置サイズの小型化を可能にした電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換装置のインバータ回路において、底板３０、左側板３１、及び右側板３２を用いて断面略Ｕ字状の基体３３を形成し、基体３３の下側に冷却器３４を接合する。底板３０の底板実装面３０ａにはシリコンからなるスイッチング素子１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ、１６Ｕ、１６Ｖ、１６Ｗを、左側板３１の左側板実装面３１ａ及び右側板３２の右側板実装面３２ａには炭化シリコンからなる還流ダイオード１８Ｕ、１８Ｖ、１８Ｗ及び還流ダイオード１７Ｕ、１７Ｖ、１７Ｗを実装する。そして底板実装面３０ａ、左側板実装面３１ａ、及び右側板実装面３２ａによって形成された基体３３の内向面が臨んでいる領域に、上記各スイッチング素子と各還流ダイオードとに直接接続された負極バスバー１２Ｎ及び正極バスバー１２Ｐを実装する。【選択図】図２
2010124607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１発熱素子が実装された第１実装面を有する第１実装基板と、
前記第１発熱素子よりも発熱量が高くなる第２発熱素子が実装された第２実装面を有して該第２実装面と対向する側面である被冷却面に冷却体が接合された第２実装基板と、
前記第１発熱素子と前記第２発熱素子とが接合されるバスバーとを備えた電力変換装置であって、
前記第１発熱素子と前記第２発熱素子とが内向する態様で前記第１実装面と前記第２実装面とが交差するように前記第１実装基板と前記第２実装基板とが接合されており、
前記バスバーが前記第１実装面に対向する側面である第１接続面と前記第２実装面に対向する側面である第２接続面とを有して、前記第１接続面に前記第１発熱素子が接合されて前記第２接続面に前記第２発熱素子が接合されたことを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記第１実装基板における前記第２実装基板側の端部が前記冷却体に接合された
請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記第１実装基板における前記第２実装基板側の端面が前記被冷却面と面一となる態様で前記第１実装基板と前記第２実装基板とが接合されており、前記第１実装基板の端面と前記被冷却面とが前記冷却体の主面に接合された
請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記被冷却面が前記第１実装面の途中で交差する態様で前記第１実装基板と前記第２実装基板とが接合されており、前記冷却体の主面が前記被冷却面に接合されて前記冷却体の端面が前記第１実装面に接合された
請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記第１実装面と前記第２実装面とのなす角度が直角である
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記第１実装面と前記第２実装面とのなす角度が鈍角である
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項７】
一対の前記第１実装基板が１つの前記第２実装基板を挟む態様で前記第２実装基板に接合されており、一対の前記バスバーである正極母線と負極母線とがそれぞれ前記第２実装面上における一方の前記第１実装面側と他方の前記第１実装面側とに実装されて、
前記正極母線と前記負極母線との間には前記第２発熱素子であるスイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続された前記第１発熱素子である整流素子との対が３相ブリッジ接続されており、
前記正極母線近傍の前記第１実装面及び前記第２実装面には、それぞれ前記正極母線に接続される前記整流素子及び前記スイッチング素子が接続されて、
前記負極母線近傍の前記第１実装面及び前記第２実装面には、それぞれ前記負極母線に接続される前記整流素子及び前記スイッチング素子が接続された
請求項１〜６のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱量が異なる複数の発熱素子を用いた電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
動作原理が異なる２つの動力源を備えたハイブリット自動車においては、燃料消費率やエミッション性能の向上を図るために前記動力源の１つであるモータが利用されており、こうしたモータを駆動すべく、直流電源の電力をモータ駆動用の３相交流電力に変換するための電力変換装置が搭載されている。この種の電力変換装置には、一般に電力変換用の半導体素子であるＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）やＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）などのスイッチング素子やダイオードなどの整流素子が使用されている。
【０００３】
上述する電力変換装置にあっては、搭載する各半導体素子がスイッチング損失や定常損失により発熱するために、こうした半導体素子に対して所定の動作保証温度を維持させるべく、発熱素子である各半導体素子を冷却するための冷却器が利用されている。そしてこのような冷却器における冷却態様に関しては、各半導体素子の冷却効率を向上させるための提案や上記電力損失を抑制するための提案など、従来から各種の提案がなされている。
【０００４】
例えば特許文献１では、半導体素子と冷却器との間の熱伝導性に着眼して冷却フィン付きのヒートシンクと半導体素子との間が高熱伝導性グリス又は高熱伝導性接着剤により接合されており、こうした構成により各半導体素子に関わる冷却効率の向上が図られている。また半導体素子の基材としてシリコン基板と炭化シリコン基板とを利用する場合にあっては、例えば特許文献２に示されるように、半導体素子と冷却器とが積層された半導体スタック構造において直列接続された冷却器の上流側に発熱量の大きいシリコン半導体を配置し、下流側に発熱量の小さい炭化シリコン半導体を配置し、こうした構成により各半導体素子に対する冷却効率の向上を図る技術も知られている。
【０００５】
また特許文献３では、上記スイッチング素子の定常損失が減少する温度と上記整流素子の定常損失が減少する温度とが異なる観点に基づき、１つの基板の実装面に実装されたスイッチング素子と整流素子とに対して異なる冷却状態をもたらす冷媒通路を形成し、各半導体素子に対する冷却能を変更することにより最適な動作温度を実現させている。
【特許文献１】特開２００７−３６２１４号公報
【特許文献２】特開２００６−３０３３０６号公報
【特許文献３】特開２００６−２１０６０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで特許文献１においては、各半導体素子が実装されたＤＢＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｃｏｐｐｅｒ）基板のリードフレームと、バスバーが内蔵された基板であるバスバー内蔵基板とをはんだ接合することにより、いわゆるワイヤボンドレス構造を実現している。こうしたワイヤボンドレス構造にあっては、大量のワイヤボンディングを利用する場合に比べて電力変換装置の装置構造の簡素化が可能であり、上述する冷却効率の向上や電力損失の抑制に加えて、電力変換装置の高信頼性やリワーク性の向上までも図ることができる。
【０００７】
しかしながら、上記ワイヤボンドレス構造を採用する電力変換装置であっても、１つの実装面に対しては複数の半導体素子が実装されているために、同実装面の面方向における
装置サイズが実装する半導体素子の占有面積以上に制約されてしまう。特に特許文献１に示されるように冷却フィン付きのヒートシンクを利用する場合にあっては、電力変換装置の容積全体に占める冷却器の割合が大きくなり、上述するように実装面に実装された全ての半導体素子を冷却させる態様では、前記実装面と対向する側面の略全体にわたりこうした冷却器を配設しなければならなくなる。それゆえ、こうした電力変換装置にあっては、実装面のサイズが制約される故に冷却器の小型化、ひいては電力変換装置そのものを小型化し難い問題があった。
【０００８】
本発明は、上記実状を鑑みてなされたものであり、その目的は、装置サイズの小型化を可能にした電力変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について記載する。
請求項１に記載の発明は、第１発熱素子が実装された第１実装面を有する第１実装基板と、前記第１発熱素子よりも発熱量が高くなる第２発熱素子が実装された第２実装面を有して該第２実装面と対向する側面である被冷却面に冷却体が接合された第２実装基板と、前記第１発熱素子と前記第２発熱素子とが接合されるバスバーとを備えた電力変換装置であって、前記第１発熱素子と前記第２発熱素子とが内向する態様で前記第１実装面と前記第２実装面とが交差するように前記第１実装基板と前記第２実装基板とが接合されており、前記バスバーが前記第１実装面に対向する側面である第１接続面と前記第２実装面に対向する側面である第２接続面とを有して、前記第１接続面に前記第１発熱素子が接合されて前記第２接続面に前記第２発熱素子が接合された第１発熱素子が実装されたことを要旨とする。
【００１０】
こうした構成によれば、第１発熱素子と第２発熱素子とがそれぞれ互いに交差する第１実装面と第２実装面とに分割して実装され、これら第１発熱素子と第２発熱素子とがそれぞれバスバーの異なる側面に直接接続される。それゆえワイヤボンドレス構造が容易に実現可能となるばかりか、複数の発熱素子を実装するに際してはバスバーの表面を３次元的に利用することができるため、複数の発熱素子を共通する１つの実装面に実装する態様に比べて、該実装面の面方向における装置サイズを縮小させることができる。またこうしたバスバーが発熱素子を保護するための保護機能の一端を担うことから部品点数の低減を図ることもでき、電力変換装置のさらなる小型化に加えて装置構造の簡素化を図ることもできる。
【００１１】
また、例えば炭化シリコンからなる半導体素子は、一般に電力損失に応じた発熱量が小さいばかりか、シリコンからなる半導体素子に比べて動作保証温度が高いために、使用温度が高温になる場合であっても確実な動作が得られる。上述する構成によれば、例えばこうした炭化シリコンからなる半導体素子を第２発熱素子として利用することにより、第１実装基板に冷却体を配設せずとも確実な動作が得られ、相対的に発熱量が高くなる第２実装基板に対してのみ冷却体が配設されることから冷却体の小型化を図ることもでき、ひいては電力変換装置そのものの小型化を図ることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記第１実装基板における前記被冷却面側の端部が前記冷却体に接合されたことを要旨とする。
こうした構成によれば、第１実装基板の端部が冷却体により直接冷却されることから、第１実装基板に実装された第１発熱素子までも冷却体により冷却することができる。すなわち、第２発熱素子よりも発熱量が低くなる第１発熱素子とてその動作状態に応じて冷却が必要となる場合にあっては、冷却体の冷却作用を受ける箇所が第１実装基板の端部であるとはいえ、こうした構成によりその冷却を実現させることができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記第１実装基板における前記第２実装基板側の端面が前記被冷却面と面一となる態様で前記第１実装基板と前記第２実装基板とが接合されており、前記第１実装基板の端面と前記被冷却面とが前記冷却体の主面に接合されたことを要旨とする。
【００１４】
こうした構成によれば、第１実装基板の端面と冷却体の主面との間においても熱交換がなされて第１実装基板が冷却されることから、装置サイズの小型化を図りつつ、第１発熱素子の低温化を図ることもできる。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、前記被冷却面が前記第１実装面の途中で交差する態様で前記第１実装基板と前記第２実装基板とが接合されており、前記冷却体の主面が前記被冷却面に接合されて前記冷却体の端面が前記第１実装面に接合されたことを要旨とする。
【００１６】
こうした構成によれば、第１実装面と冷却体の端面との間においても熱交換がなされて第１実装基板が冷却されることから、装置サイズの小型化を図りつつ、第１発熱素子の低温化を図ることもできる。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、前記第１実装面と前記第２実装面とのなす角度が直角であることを要旨とする。
こうした構成によれば、第１発熱素子及び第２発熱素子と接続するバスバーの断面形状が矩形などの単純形状により構成できることから、バスバーの構造を一層に簡素化することができる。また各発熱素子とバスバーとの接続部位にあっては、バスバーにおける接合面のなす角度が実装面のなす角度と同じであることから、該バスバーと各発熱素子とを接続する過程にあっては、その接続作業を一層容易にすることもでき、また接続状態のさらなる安定化や接合面と実装面との間の位置整合性を向上することもできる。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、前記第１実装面と前記第２実装面とのなす角度が鈍角であることを要旨とする。
こうした構成によれば、第２実装基板から見た第２実装面の側が大きく開放されるために、第２実装面や第１実装面に対する第２発熱素子や第２発熱素子の実装、さらにはバスバーを接続する過程において、その接続作業を一層に容易にすることもでき、また接続状態のさらなる安定化や接合面と実装面との間の位置整合性を向上することもできる。
【００１９】
請求項７に記載の発明は、一対の前記第１実装基板が１つの前記第２実装基板を挟む態様で前記第２実装基板に接合されており、一対の前記バスバーである正極母線と負極母線とがそれぞれ前記第２実装面上における一方の前記第１実装面側と他方の前記第１実装面側とに実装されて、前記正極母線と前記負極母線との間には前記第２発熱素子であるスイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続された前記第１発熱素子である整流素子との対が３相ブリッジ接続されており、前記正極母線近傍の前記第１実装面及び前記第２実装面には、それぞれ前記正極母線に接続される前記整流素子及び前記スイッチング素子が接続されて、前記負極母線近傍の前記第１実装面及び前記第２実装面には、それぞれ前記負極母線に接続される前記整流素子及び前記スイッチング素子が接続されたことを要旨とする。
【００２０】
こうした構成によれば、正極母線に接続されるスイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続される整流素子との対が実装空間における正極母線の側に実装され、負極母線に接続されるスイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続される整流素子との対が実装空間における負極母線の側に実装される。それゆえ複数のスイッチング素子や整流素子の実装位置がその接続先であるバスバーの近傍に実装されることから、バスバーの形状を大幅に簡素化することができ、またこうした形状の簡素化に従いバスバーサイ
ズの小型化を図ることもできる。この結果、電力変換装置の装置構造の簡素化、ひいては装置サイズの小型化を図ることもできる。さらにはバスバーの構造が簡素化されるに従い、該バスバーと各発熱素子とを接続する過程にあっては、その接続作業を容易にすることもでき、また接続状態の安定化を図ることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１実施形態）
以下、本発明にかかる電力変換装置を具体化した第１実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。図１は、本発明にかかる電力変換装置の回路構成図の一例を示したものである。
【００２２】
図１に示されるように、電力変換装置における直流電源１１の正極母線である正極バスバー１２Ｐと負極母線である負極バスバー１２Ｎとの間には、直流電源１１が印加する直流電圧を平滑化する平滑コンデンサ１３及びインバータ回路１４が接続されている。インバータ回路１４は、上アームを構成する３つのスイッチング素子１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗと、下アームを構成する３つのスイッチング素子１６Ｕ、１６Ｖ、１６Ｗとが３相ブリッジ接続してなるものである。
【００２３】
各スイッチング素子１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ、１６Ｕ、１６Ｖ、１６Ｗのエミッタ電極とコレクタ電極との間には、それぞれ整流素子である還流ダイオード１７Ｕ、１７Ｖ、１７Ｗ、１８Ｕ、１８Ｖ、１８Ｗが逆並列に接続されている。各スイッチング素子１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ、１６Ｕ、１６Ｖ、１６Ｗは、還流ダイオード１７Ｕ、１７Ｖ、１７Ｗ、１８Ｕ、１８Ｖ、１８Ｗよりも発熱量が高くなるシリコン（Ｓｉ）基板を用いたＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）である。還流ダイオード１７Ｕ、１７Ｖ、１７Ｗ、１８Ｕ、１８Ｖ、１８Ｗは、各スイッチング素子１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ、１６Ｕ、１６Ｖ、１６Ｗよりも発熱量が低くなる炭化シリコン（ＳｉＣ）基板を用いた整流素子である。
【００２４】
これらスイッチング素子１５Ｕ、１６Ｕ及び還流ダイオード１７Ｕ、１８ＵによりＵ相アーム２０Ｕが構成されている。スイッチング素子１５Ｕのエミッタ電極、スイッチング素子１６Ｕのコレクタ電極、還流ダイオード１７Ｕの正極、及び還流ダイオード１８Ｕの負極の結線部であるＵ相出力電極２２Ｕは、Ｕ相アームの出力線２１Ｕを介して３相モータＭのＵ相コイルに接続されている。
【００２５】
またスイッチング素子１５Ｖ、１６Ｖ及び還流ダイオード１７Ｖ、１８ＶによりＶ相アーム２０Ｖが構成されている。スイッチング素子１５Ｖのエミッタ電極、スイッチング素子１６Ｖのコレクタ電極、還流ダイオード１７Ｖの正極、及び還流ダイオード１８Ｖの負極の結線部であるＶ相出力電極２２Ｖは、Ｖ相アームの出力線２１Ｖを介して３相モータＭのＶ相コイルに接続されている。
【００２６】
またスイッチング素子１５Ｗ、１６Ｗ及び還流ダイオード１７Ｗ、１８ＷによりＷ相アームが構成されている。スイッチング素子１５Ｗのエミッタ電極、スイッチング素子１６Ｗのコレクタ電極、還流ダイオード１７Ｗの正極、及び還流ダイオード１８Ｗの負極の結線部であるＷ相出力電極２２Ｗは、Ｗ相アームの出力線２１Ｗを介して３相モータＭのＷ相コイルに接続されている。
【００２７】
こうした構成のインバータ回路１４は、制御装置であるゲートドライブ回路（図示略）からのドライブ信号が上記６つのスイッチング素子１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ、１６Ｕ、１６Ｖ、１６Ｗの制御極であるゲート電極にそれぞれ出力される。それにより、直流電源１１からの直流電圧を３相交流電圧に変換して３相モータＭに出力し、当該３相モータＭを
駆動する。
【００２８】
次に、上記電力変換装置の構造の一例について図２及び図３を参照して説明する。図２は電力変換装置の構造の一部を模式的に示した分解斜視図であり、図３（ａ）は電力変換装置の構造の一部を示した概略平面図であり、図３（ｂ）は電力変換装置の側面から見た構造を示した概略側面図である。
【００２９】
図２に示されるように、電力変換装置には、四角板状をなす第２実装基板である底板３０が備えられており、該底板３０の表面には、四角平面形状を呈した第２実装面である底板実装面３０ａが形成されている。本実施形態においては、この底板実装面３０ａにおける一つの辺が延びる方向であって図２における左右方向を出力電極方向とし、底板実装面３０ａにおいて上記出力電極方向と直交する方向をバスバー方向という。
【００３０】
底板３０における出力電極方向の両側には、底板３０を挟むように一対の第１実装基板である左側板３１及び右側板３２が接合されており、これら底板３０、左側板３１、及び右側板３２により断面略Ｕ字状の基体３３が形成されている。この基体３３においては、底板３０の上方が左側板３１及び右側板３２により囲まれることによって上記上アーム及び下アームを実装するための実装空間Ｓが形成されている。
【００３１】
底板３０における底板実装面３０ａの左辺には、左側板３１の右側面である第１実装面（左側板実装面３１ａ）が底板実装面３０ａと交差するように接合されており、これら底板実装面３０ａと左側板実装面３１ａとのなす角度が直角になるよう底板３０と左側板３１とが接合されている。また底板３０の底板実装面３０ａの右辺には、右側板３２の左側面である第１実装面（右側板実装面３２ａ）が底板実装面３０ａと交差するように接合されており、これら底板実装面３０ａと右側板実装面３２ａとのなす角度が直角になるよう底板３０と右側板３２とが接合されている。そして上記実装空間を構成するこれら底板実装面３０ａ、左側板実装面３１ａ、及び右側板実装面３２ａによって上記基体３３の内向面が形成されている。
【００３２】
上記底板３０、左側板３１、右側板３２の構成材料は高熱伝導率を有した絶縁材料であればよく、例えばシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）、シリコンアルミニウム合金（Ｓｉ２Ａｌ３）などのセラミック材料を挙げることができる。なお、こうした底板３０と左側板３１と間の接合、及び底板３０と右側板３２との接合は、例えば底板３０と左側板３１との接合箇所、及び底板３０と右側板３２との接合箇所の全体に高い熱伝導性を有した接合剤を塗布することにより実現することができる。
【００３３】
上記底板３０において底板実装面３０ａと対向する側面には、底板被冷却面３０ｂが形成されており、該底板被冷却面３０ｂの左側には、左側板３１における底側の端面である左側被冷却端面３１ｂが同底板被冷却面３０ｂと面一となるかたちで形成されている。また上記底板被冷却面３０ｂの右側には、右側板３２における底側の端面である右側被冷却端面３２ｂが底板被冷却面３０ｂと面一となるかたちで形成されており、上記基体３３の底部には、これら底板被冷却面３０ｂ、左側被冷却端面３１ｂ、及び右側被冷却端面３２ｂからなる一つの被冷却面３３ｂが形成されている。
【００３４】
１つの平面である被冷却面３３ｂには、上下方向における厚さが数ｃｍからなる直方体状の冷却体である冷却器３４が配設されている。冷却器３４において被冷却面３３ｂと対向する主面である冷却面３４ａは、その外形が被冷却面３３ｂと整合する外形で形成されており該被冷却面３３ｂの全体にわたり接合されている。この冷却器３４は熱伝導性が高い材料であるアルミニウム系金属などからなり、その内部には冷却媒体としての冷却水を循環させるための８つの冷媒流路３４ｒがバスバー方向に沿って貫通形成されている。な
お、こうした底板３０と冷却器３４と間の接合は、例えば被冷却面３３ｂの全体又は冷却面３４ａの全体に高い熱伝導性を有した接合剤を塗布して冷却器３４を基体３３にねじ止めすることにより実現することができる。
【００３５】
こうした構成では、各冷媒流路３４ｒに対して図２における紙面奥側から紙面手前側に向かって冷却水が供給されることにより、底板被冷却面３０ｂを介して底板実装面３０ａが冷却されて、左側被冷却端面３１ｂを介して左側板実装面３１ａが冷却され、右側被冷却端面３２ｂを介して右側板実装面３２ａが冷却される。そして冷却面３４ａとの接合領域が相対的に大きくなる底板被冷却面３０ｂにおいては冷却器３４との間で相対的に高い熱量が交換可能となり、また冷却面３４ａとの接合領域が相対的に小さくなる左側被冷却端面３１ｂ及び右側被冷却端面３２ｂにおいては冷却器３４との間で相対的に低い熱量が交換可能になる。すなわち底板実装面３０ａ、左側板実装面３１ａ、及び右側板実装面３２ａの全てが１つの冷却器３４により異なる冷却効率の下で冷却されるようになる。しかも相対的に高い冷却効率を得る底板被冷却面３０ｂが冷却面３４ａに対して大きな面積を占有し、相対的に低い冷却効率となる左側被冷却端面３１ｂ及び右側被冷却端面３２ｂが冷却面３４ａに対して相対的に小さい面積を占有することから、冷却面３４ａの全体を有効的に利用することができる。
【００３６】
上記底板実装面３０ａ上には、該底板実装面３０ａの出力電極方向の全幅にわたり帯状をなす上記Ｕ相出力電極２２Ｕ、Ｖ相出力電極２２Ｖ、及びＷ相出力電極２２Ｗがバスバー方向に所定の間隔をおいて配列されている。これらＵ相出力電極２２Ｕ、Ｖ相出力電極２２Ｖ、及びＷ相出力電極２２Ｗは、それぞれ底板実装面３０ａにおける出力電極方向の両端から上方へ延設されており、上記左側板実装面３１ａ上及び右側板実装面３２ａにおける上下方向略全幅にわたり形成されている。これらＵ相出力電極２２Ｕ、Ｖ相出力電極２２Ｖ、及びＷ相出力電極２２Ｗは、それぞれ底板３０と左側板３１との接合部及び底板３０と右側板３２との接合部において直角をなして連続的な内向面を形成しており、これら３つの内向面にはそれぞれ上記Ｕ相アーム２０Ｕ、Ｖ相アーム２０Ｖ、Ｗ相アーム２０Ｗが実装されている。
【００３７】
なお、こうした断面Ｕ字状をなすＵ相出力電極２２Ｕ、Ｖ相出力電極２２Ｖ、及びＷ相出力電極２２Ｗは、まずＵ相出力電極２２Ｕ、Ｖ相出力電極２２Ｖ、及びＷ相出力電極２２Ｗの各領域が形成された底板３０、左側板３１、及び右側板３２を上述のように接合する。そして底板実装面３０ａと左側板実装面３１ａとが交差する角部、及び底板実装面３０ａと右側板実装面３２ａとが交差する角部をそれぞれはんだ接合することにより具現化することができる。
【００３８】
また底板実装面３０ａ上における右側板実装面３２ａ側には、上記Ｕ相出力電極２２Ｕ、Ｖ相出力電極２２Ｖ、及びＷ相出力電極２２Ｗから電気的に絶縁されてＵ相アーム２０Ｕ、Ｖ相アーム２０Ｖ、及びＷ相アーム２０Ｗに対応付けられたＵ相ゲート引出電極３４Ｕ，Ｖ相ゲート引出電極３４Ｖ、及びＷ相ゲート引出電極３４Ｗがそれぞれ形成されている。
【００３９】
次に、上記各相アームにおける各構成要素の配置やその接続態様について以下に説明する。なお、Ｖ相アーム２０Ｖ及びＷ相アーム２０Ｗにおける各構成要素の配置やその接続態様は、Ｕ相アーム２０Ｕと同様であるため、以下ではＵ相アーム２０Ｕにおける各構成要素の配置やその接続態様について説明し、Ｖ相アーム２０Ｖ及びＷ相アーム２０Ｗにおける各構成要素の配置やその接続態様に関わる説明は同様の符号を付して省略する。
【００４０】
図２、図３に示されるように、底板実装面３０ａ上におけるＵ相出力電極２２Ｕの左側板実装面３１ａ側には、そのゲート電極Ｇとエミッタ電極Ｅとを上方に向けるかたちで上
記スイッチング素子１６Ｕの下面全体であるコレクタ電極Ｃが接合されている。このスイッチング素子１６Ｕのゲート電極Ｇは、同ゲート電極Ｇから上方へ延びる左側ゲート端子３５に接合されており、この左側ゲート端子３５を介して上記ゲートドライブ回路の対応する出力端子に接合されている。
【００４１】
底板実装面３０ａ上におけるＵ相出力電極２２Ｕの右側板実装面３２ａ側には、そのコレクタ電極Ｃを上方に向けるかたちで上記スイッチング素子１５Ｕのエミッタ電極Ｅが接合されており、Ｕ相ゲート引出電極３４Ｕには同スイッチング素子１５Ｕのゲート電極Ｇが接合されている。このスイッチング素子１５Ｕのゲート電極Ｇは、Ｕ相ゲート引出電極３４Ｕを介して右側ゲート端子３６に接合されており、この右側ゲート端子３６を介して上記ゲートドライブ回路の対応する出力端子に接合されている。
【００４２】
底板実装面３０ａ上におけるＵ相出力電極２２Ｕの出力電極方向略中央には、上記スイッチング素子１５Ｕと前記スイッチング素子１６Ｕとから離間してバスバー方向に延びるＵ相アームの出力線２１Ｕが接合されている。なお、この出力線２１Ｕは、Ｖ相出力電極２２Ｖ、Ｗ相出力電極２２Ｗ及び出力線２１Ｖ，２１Ｗとは絶縁されている。
【００４３】
左側板実装面３１ａ上におけるＵ相出力電極２２Ｕには、そのアノードＡを内側に向けるかたちで上記還流ダイオード１８ＵのカソードＫが接合されており、また右側板実装面３２ａ上におけるＵ相出力電極２２Ｕには、そのカソードＫを内側に向けるかたちで上記還流ダイオード１７ＵのアノードＡが接合されている。
【００４４】
これら底板実装面３０ａと各電極との接合、左側板実装面３１ａと還流ダイオード１８Ｕとの接合、ならびに右側板実装面３２ａと還流ダイオード１７Ｕとの接合は、各電極表面に塗布したはんだ、アルミニウム、あるいは銅などを各素子の実装時に一旦融解させることにより実現されている。
【００４５】
底板実装面３０ａ上における左側板実装面３１ａ側には、バスバー方向に延びる四角柱状の銅材からなる負極バスバー１２ＮがＵ相アーム２０Ｕ、Ｖ相アーム２０Ｖ、及びＷ相アーム２０Ｗに共通するかたちで基体３３のバスバー方向の全幅にわたり延設されている。負極バスバー１２Ｎにおいて底板実装面３０ａと対向する側面である底側接続面１２Ｎａ（第２接続面）には、上記スイッチング素子１６Ｕのエミッタ電極Ｅが接合されており、また負極バスバー１２Ｎにおいて左側板実装面３１ａと対向する側面である左側接続面１２Ｎｂ（第１接続面）には上記還流ダイオード１８ＵのアノードＡが接合されている。この負極バスバー１２Ｎにおいて上記スイッチング素子１６Ｕのゲート電極Ｇと対向する領域には、負極バスバー１２Ｎの右側に開口する切欠き１２Ｎｃが上下方向の全幅にわたり形成されている。この切欠き１２Ｎｃ内に上記左側ゲート端子３５が配設されることにより、負極バスバー１２Ｎと左側ゲート端子３５とが離間して負極バスバー１２Ｎとスイッチング素子１６Ｕのゲート電極Ｇとが電気的に絶縁されるようになっている。
【００４６】
底板実装面３０ａ上における右側板実装面３２ａ側には、負極バスバー１２Ｎと同じく、バスバー方向に延びる四角柱状の銅材からなる正極バスバー１２ＰがＵ相アーム２０Ｕ、Ｖ相アーム２０Ｖ、及びＷ相アーム２０Ｗに共通するかたちで基体３３のバスバー方向の全幅にわたり延設されている。正極バスバー１２Ｐにおいて底板実装面３０ａと対向する側面である底側接続面１２Ｐａ（第２接続面）には、上記スイッチング素子１５Ｕのコレクタ電極Ｃが接合されており、また正極バスバー１２Ｐにおいて右側板実装面３２ａと対向する側面である右側接続面１２Ｐｂ（第１接続面）には上記還流ダイオード１７ＵのカソードＫが接合されている。この正極バスバー１２Ｐにおいて上記Ｕ相ゲート引出電極３４Ｕと対向する領域には、正極バスバー１２Ｐの左側に開口する切欠き１２Ｐｃが形成されている。この切欠き１２Ｐｃ内に上記右側ゲート端子３６が配設されることにより、
正極バスバー１２Ｐと右側ゲート端子３６とが離間して正極バスバー１２Ｐとスイッチング素子１５Ｕのゲート電極Ｇとが電気的に絶縁されるようになっている。
【００４７】
上述する負極バスバー１２Ｎの実装は基体３３に実装された各素子の電極面に対して行われ、該電極面又は負極バスバー１２Ｎの底側接続面１２Ｎａ、左側接続面１２Ｎｂに塗布したはんだ等の接合材料を負極バスバー１２Ｎの実装時に一旦融解させることにより、あるいは圧着や超音波を用いた方法などにより実現される。また上述する正極バスバー１２Ｐの実装は、負極バスバー１２Ｎと同じく、基体３３に実装された各素子の電極面に対して行われ、該電極面又は正極バスバー１２Ｐの底側接続面１２Ｐａ、右側接続面１２Ｐｂに塗布したはんだ等の接合材料を正極バスバー１２Ｐの実装時に一旦融解させることにより、あるいは圧着や超音波を用いた方法などにより実現される。
【００４８】
上記第１実施形態の電力変換装置によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）上記第１実施形態の電力変換装置にあっては、上記各スイッチング素子や上記各還流ダイオードがバスバーに直接接続された、いわゆるワイヤボンドレス構造を負極バスバー１２Ｎにおける底側接続面１２Ｎａ及び左側接続面１２Ｎｂと正極バスバー１２Ｐにおける底側接続面１２Ｐａ及び右側接続面１２Ｐｂとを利用して実現できる。それゆえ上記各スイッチング素子や上記還流ダイオードを実装するに際して、ワイヤボンドレス構造が実現可能となるばかりか、正極バスバー１２Ｐや負極バスバー１２Ｎの表面を３次元的に利用した実装が可能となる。それゆえに、上記各スイッチング素子や上記各還流ダイオードを共通する１つの実装面に実装する態様に比べて、該実装面の面方向における装置サイズを縮小させることができる。
【００４９】
（２）上記第１実施形態の電力変換装置によれば、正極バスバー１２Ｐ及び負極バスバー１２Ｎが上記各スイッチング素子や上記各還流ダイオードの接合面を覆うことから、正極バスバー１２Ｐ及び負極バスバー１２Ｎがこれら各半導体素子を保護するための保護材としても機能するようになる。それゆえ別途保護材を設ける場合に比べて電力変換装置の構造の簡略化及び小型化を図ることもできる。さらには別途保護材を設ける場合に比べて電力変換装置の製造過程におけるリワーク性の向上を図ることもできる。
【００５０】
（３）上記第１実施形態の電力変換装置によれば、底板実装面３０ａと左側板実装面３１ａとのなす角度、及び底板実装面３０ａと右側板実装面３２ａとのなす角度が直角であることから、正極バスバー１２Ｐ及び負極バスバー１２Ｎの断面形状を単純な矩形状にすることが可能である。それゆえ各スイッチング素子や還流ダイオードに対して正極バスバー１２Ｐ及び負極バスバー１２Ｎの位置整合性を向上させることができる。
【００５１】
（４）上記第１実施形態の電力変換装置にあっては、その稼動時において上記各スイッチング素子の発熱量が上記各還流ダイオードの発熱量に比べて高くなるものの、各スイッチング素子を冷却するための底板被冷却面３０ｂの略全面が冷却器３４の冷却面３４ａと接合されることから各スイッチング素子を効果的に冷却することができる。また各還流ダイオードの発熱量は各スイッチング素子の発熱量に比べて低くなることから、外気への放熱によりその動作保証範囲を維持することが可能であり、仮に外気への放熱によりその動作保証範囲を維持できない場合であっても、左側被冷却端面３１ｂや右側被冷却端面３２ｂを介した冷却効果によりその動作保証範囲を維持することもできる。それゆえ還流ダイオードを冷却するための冷却器を別途左側板３１や右側板３２に設ける必要がないことから、電力変換装置の簡素化及び小型化を実現することができる。
【００５２】
（５）上記第１実施形態の電力変換装置によれば、冷却器３４が水冷式であるために空冷式の冷却器と比べて各スイッチング素子や各還流ダイオードの冷却効率を高めることができる。
（第２実施形態）
以下、本発明にかかる電力変換装置を具体化した第２実施形態について図４を参照して説明する。なお、第２実施形態では第１実施形態における底板３０、左側板３１及び右側板３２の構成を変更したものであるため、以下ではその変更点について詳細に説明する。
【００５３】
図４に示されるように、底板３０、左側板３１、及び右側板３２は、その厚さが数ｍｍの薄い絶縁基板であり、冷却器３４の上下方向の厚さよりも十分に薄く形成されている。底板３０と左側板３１とは、底板被冷却面３０ｂが左側板実装面３１ａにおける上下方向の途中で交差するかたちで接合されており、これにより左側板実装面３１ａにおける下側端部が底板被冷却面３０ｂよりも冷却器３４の側へ延びるよう配置されている。また底板３０と右側板３２とは、上記左側板３１と同じく、底板被冷却面３０ｂが右側板実装面３２ａにおける上下方向の途中で交差するかたちで接合されており、これにより右側板実装面３２ａにおける下側端部が冷却器３４の側へ延びるように配置されている。
【００５４】
冷却器３４の上下方向の厚さは、例えば数ｃｍであって上記底板３０の厚さよりも十分に厚く形成されており、その冷却面３４ａの外径は、底板被冷却面３０ｂと整合するサイズで形成されている。冷却器３４における出力電極方向の両端面３４ｂには、それぞれ上記底板被冷却面３０ｂよりも下側に位置する左側板実装面３１ａの下側端部と右側板実装面３２ａの下側端部とが接合されている。
【００５５】
こうした左側板３１と冷却器３４と間の接合、及び右側板３２と冷却器３４との間の接合は、例えば両端面３４ｂの全体に高い熱伝導性を有した接合剤を塗布し、各還流ダイオードが実装された左側板３１及び右側板３２を冷却器３４にねじ止めすることにより実現することができる。
【００５６】
上記第２実施形態の電力変換装置によれば、第１実施形態の電力変換装置に加えて以下のような効果を得ることができる。
（６）上記第２実施形態の電力変換装置にあっては、冷却器３４と左側板３１との接触面積、及び冷却器３４と右側板３２との接触面積が冷却器３４の厚さに即して大きくすることができために、左側板実装面３１ａに実装された各還流ダイオードと右側板実装面３２ａに実装された還流ダイオードとの冷却効率を向上させることができる。すなわち冷却器３４の表面を３次元的に利用することができることから、冷却器３４が有する冷却能力を有効的に利用することができる。
【００５７】
（７）上記第２実施形態の電力変換装置にあっては、冷却器３４における一方の端面３４ｂと左側板３１とが接合されることにより同左側板３１の立設状態が保持されており、また冷却器３４における他方の端面３４ｂと右側板３２とが接合されることにより同右側板３２の立設状態が保持されている。それゆえ左側板３１と底板３０との接合や右側板３２と底板３０との接合等、薄い基板の端面を利用した接合に比べて、接合剤による接合やねじ止めによる接合が容易となり、上記立設状態に関わる保持強度を増大させることができる。
【００５８】
（８）また上述するように立設状態に関わる保持強度を増大させることができるために、底板３０、左側板３１、及び右側板３２の薄型化を図ることもでき、ひいては電力変換装置の小型化を図ることもできる。さらには、こうした薄型化により底板３０、左側板３１、及び右側板３２の熱伝導性を向上させることができるために、各スイッチング素子や還流ダイオードの冷却効率を向上させることもできる。
【００５９】
なお、上述した実施形態は例えば以下のような態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、底板実装面３０ａと左側板実装面３１ａとのなす角度、及び底板
実装面３０ａと右側板実装面３２ａとのなす角度が直角となるかたちで底板３０と左側板３１、及び底板３０と右側板３２とが接合された例を説明した。これを変更して、例えば図５（ａ）に示されるように、底板実装面３０ａと左側板実装面３１ａとのなす角度、及び底板実装面３０ａと右側板実装面３２ａとのなす角度が鈍角となるかたちで底板３０と左側板３１、及び底板３０と右側板３２とを接合する態様であってもよい。なおこの際、負極バスバー１２Ｎにおける底側接続面１２Ｎａと左側接続面１２Ｎｂとのなす角度、及び正極バスバー１２Ｐにおける底側接続面１２Ｐａと右側接続面１２Ｐｂとのなす角度が上記鈍角と同じであることが好ましい。
【００６０】
こうした構成によれば、底板実装面３０ａの上方から左側板実装面３１ａ及び右側板実装面３２ａの全体を視認することが可能となり、正極バスバー１２Ｐ及び負極バスバー１２Ｎを実装するに際して、正極バスバー１２Ｐ及び負極バスバー１２Ｎと、各スイッチング素子及び還流ダイオードとの間の位置整合性を向上させることができる。また正極バスバー１２Ｐ及び負極バスバー１２Ｎの実装作業が容易となることから、各スイッチング素子や還流ダイオードと正極バスバー１２Ｐとの間の接合状態、及び各スイッチング素子や還流ダイオードと負極バスバー１２Ｎとの間の接合状態をより確実なものとすることができる。
【００６１】
・また、例えば図５（ｂ）に示されるように、底板実装面３０ａと左側板実装面３１ａとのなす角度、及び底板実装面３０ａと右側板実装面３２ａとのなす角度が鋭角となるかたちで底板３０と左側板３１、及び底板３０と右側板３２とを接合する態様であってもよい。なおこの際においても、上述する態様と同じく、負極バスバー１２Ｎにおける底側接続面１２Ｎａと左側接続面１２Ｎｂとのなす角度、及び正極バスバー１２Ｐにおける底側接続面１２Ｐａと右側接続面１２Ｐｂとのなす角度が上記鋭角と同じであることが好ましい。こうした構成にあっても、上記各スイッチング素子や上記還流ダイオードを実装するに際して、ワイヤボンドレス構造が実現可能となるばかりか、負極バスバー１２Ｎや正極バスバー１２Ｐの表面を３次元的に利用した実装が可能となる。それゆえに、上記各スイッチング素子や上記各還流ダイオードを共通する１つの実装面に実装する態様に比べて、該実装面の面方向における装置サイズを縮小させることができる。また負極バスバー１２Ｎ及び正極バスバー１２Ｐがこれら各半導体素子を保護するための保護材としても機能するようになることから、別途保護材を設ける場合に比べて電力変換装置の構造の簡略化及び小型化を図ることもできる。
【００６２】
・上記第１実施形態では、左側板３１の被冷却面である左側被冷却端面３１ｂと右側板３２の被冷却面である右側被冷却端面３２ｂとが、いずれも各板の下側端面である態様について説明した。これを変更し、例えば図６（ａ）に示されるように、左側板３１と右側板３２とをそれぞれバスバー方向から見て底板実装面３０ａに沿うように折り曲げられた形状に構成して、その底板実装面３０ａに沿う下面をそれぞれ被冷却面である左側被冷却端面３１ｂ及び右側被冷却端面３２ｂにする態様であってもよい。こうした構成においても被冷却面のサイズを大きくすることができることから、左側板実装面３１ａや右側板実装面３２ａにおける冷却効率を向上させることができ、また左側板３１や右側板３２の立設状態に関わる保持強度を増大させることができる。
【００６３】
・上記第２実施形態では、冷却器３４における出力電極方向の両端面３４ｂにそれぞれ左側板実装面３１ａの下側端部と右側板実装面３２ａの下側端部とを接合する態様について説明した。これに限らず、左側板３１と冷却器３４との接合形態、及び右側板３２と冷却器３４との接合形態は、例えば図６（ｂ）に示されるような態様であってもよい。すなわち、冷却器３４の冷却面３４ａに嵌合凹部３４ｃを形成し、また該嵌合凹部３４ｃと対向する底板３０の領域に嵌合孔３０ｃを形成し、該嵌合凹部３４ｃと対応する左側板３１の下端と右側板３２の下端とに形成した左側嵌合凸部３１ｃと右側嵌合凸部３２ｃとをそ
れぞれ対応する嵌合凹部３４ｃに嵌合させる態様であってもよい。こうした構成においても左側板３１や右側板３２と冷却器３４との間の接合範囲を拡大させることができることから、左側板３１や右側板３２の立設状態に関わる保持強度を増大させることができる。
【００６４】
・上記実施形態では、底板３０と左側板３１との接合、及び底板３０と右側板３２との接合を接合剤により実現した。こうした接合剤を利用する態様に限らず、左側板３１と底板３０とを固定する上では、例えば図７に示されるような態様であってもよい。すなわち、底板３０におけるに左側板３１の側の端面に複数の嵌合凸部３０ｄを形成し、また該嵌合凸部３０ｄと対応する左側板３１の領域に嵌合孔３１ｄを形成し、底板３０の嵌合凸部３０ｄと左側板３１の嵌合孔３１ｄとを嵌合させることにより左側板３１と底板３０とを固定するようにしてもよい。なお、こうした接合形態は右側板３２と底板３０との間の接合に対しても適用することができる。
【００６５】
・上記実施形態では、電力変換装置が、第１支持板である１つの底板３０と、第２支持板である左側板３１及び右側板３２と、バスバーである正極バスバー１２Ｐ及び負極バスバー１２Ｎを有した態様を説明した。こうした構成に限らず、電力変換装置が、１つの第１支持板と、１つの第２支持板と、１つのバスバーとを有する態様であっても、上述するようにバスバーの表面を３次元的に利用した実装が可能となり、上記各スイッチング素子や上記各還流ダイオードなどの発熱素子を共通する１つの実装面に実装する態様に比べて装置サイズを縮小させることができる。
【００６６】
・上記実施形態においては、図８に示されるように、左側板実装面３１ａと対向する左側板３１の側面に放熱フィン５０を形成する構成であってもよい。こうした構成であれば、左側板３１と外気との接触面積を大きくすることができることから、還流ダイオード１８Ｕ、１８Ｖ、１８Ｗに関わる冷却効率を向上させることができる。また、こうした放熱フィン５０は右側板３２に対しても同様に適用することができ、これにより還流ダイオード１７Ｕ、１７Ｖ、１７Ｗに関わる冷却効率を向上させることもできる。
【００６７】
・上記実施形態においては、冷却器３４を水冷式としたが、スイッチング素子や還流ダイオードなどの発熱素子を冷却する上では、例えばヒートシンクなどを用いた空冷式の冷却器としてもよい。
【００６８】
・上記実施形態においては、冷却器３４の各冷媒流路３４ｒにおける冷媒の流れ方向を一つの方向にしたが、例えば図９に示されるように、冷媒流路３４ｒを適宜連結することにより冷媒の流れ方向をバスバー方向に沿う双方向としてもよい。こうした構成によれば、同量の冷却水を供給した場合に冷媒流路３４ｒ内の冷媒流速が大きくなることから、各スイッチング素子や各還流ダイオードを効率よく冷却することができる。
【００６９】
・上記実施形態では、第２発熱素子が炭化シリコン基板を利用した還流ダイオードである例を説明したが、これに限らず、発熱量が小さく空気中への放熱だけでその動作が実行可能な温度範囲を逸脱しないのであれば、例えば窒化ガリウムなどを用いて第２発熱素子を形成してもよい。
【００７０】
・上記実施形態においては、第１発熱素子を還流ダイオード１７Ｕ、１７Ｖ、１７Ｗ、１８Ｕ、１８Ｖ，１８Ｗに具体化し、第２発熱素子をスイッチング素子１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ、１６Ｕ、１６Ｖ、１６Ｗに具体化した。第１発熱素子と第２発熱素子は、こうした半導体素子に限らず、電力変換装置の稼動に従い発熱して第２発熱素子の発熱量が第１発熱素子の発熱量よりも高くなる素子であればよい。
【００７１】
・上記実施形態では、底板３０の底板実装面３０ａ、左側板３１の左側板実装面３１ａ
、及び右側板３２の右側板実装面３２ａにそれぞれ複数の発熱素子を実装したが、これに限られるものではなく、底板実装面３０ａ、左側板実装面３１ａ、あるいは右側板実装面３２ａに実装される発熱素子は単数であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明にかかる電力変換装置の回路図の一例を示した回路図。
【図２】第１実施形態における電力変換装置の各構成要素の配置を模式的に示した斜視図。
【図３】（ａ）第１実施形態における電力変換装置の各構成要素の接続状態の一部を示した平面図、（ｂ）第１実施形態における電力変換装置の各構成要素の接続状態を示した側面図。
【図４】第２実施形態における電力変換装置の各構成要素を配置後の概略平面図。
【図５】（ａ），（ｂ）変更例における底板、左側板及び右側板の接続状態を模式的に示した図。
【図６】（ａ），（ｂ）変更例における底板、左側板及び右側板の接続状態を模式的に示した図。
【図７】変更例における底板と左側板との接続状態を示した概略斜視図。
【図８】変更例における左側板の一部を示した斜視図。
【図９】変更例における冷却器の冷媒の流れを模式的に示した図。
【符号の説明】
【００７３】
１１…直流電源、１２Ｐ…正極バスバー、１２Ｎ…負極バスバー、１３…平滑コンデンサ、１４…インバータ回路、１５Ｕ，１５Ｖ，１５Ｗ…スイッチング素子、１６Ｕ，１６Ｖ，１６Ｗ…スイッチング素子、１７Ｕ，１７Ｖ，１７Ｗ…還流ダイオード、１８Ｕ，１８Ｖ，１８Ｗ…還流ダイオード、２０Ｕ…Ｕ相アーム、２０Ｖ…Ｖ相アーム、２０Ｗ…Ｗ相アーム、３０…底板、３０ａ…底板実装面、３０ｂ…底板被冷却面、３１…左側板、３１ａ…左側板実装面、３１ｄ…嵌合孔、３２…右側板、３２ａ…右側板実装面、３３…基体、３３ｂ…被冷却面、３４…冷却器、３４ｂ…端面、３４ｒ…冷媒流路、５０…放熱フィン、Ｍ…３相モータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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