(57)【要約】【課題】大きさの異なる複数のダイを効率よく製造可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】大きさの異なる複数のダイパターンが、繰り返し配置されたウェハマップを作成し（ステップＳ１２）、そのウェハマップをもとに、同一ウェハから大きさの異なる複数のダイを個片化するようにダイシングラインを設定したダイシングマップを作成する（ステップＳ１３）。これにより、ダイシング工程（ステップＳ５）において、同一のウェハから大きさの異なる複数のダイが個片化される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大きさの異なる複数のダイパターンが、繰り返し配置されたウェハマップを作成する工程と、
前記ウェハマップをもとに、同一ウェハから大きさの異なる複数のダイを個片化するようにダイシングラインを設定したダイシングマップを作成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ウェハマップと、前記ダイシングマップをもとに、前記ダイシングラインにより分断されない前記ダイパターンの中から試験対象を設定して、試験を行う前記ダイを指定するウェハ試験用マップを作成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
パッケージ組立工程で使用しない大きさの前記ダイについては、個片化しないように前記ダイシングラインを設定することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
大きさの異なる複数のダイパターンが、繰り返し配置されたウェハマップを作成するウェハマップ作成部と、
前記ウェハマップをもとに、同一ウェハから大きさの異なる複数のダイを個片化するようにダイシングラインを設定したダイシングマップを作成するダイシングマップ作成部と、
を有することを特徴とする設計装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び設計装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の多機能化、大規模化、低電力化、高速化、高密度化などの要求に応えるために、微細加工技術の開発が進んでいる。その一方、開発及び製造に要するコストが極めて高くなっているために、コスト対効果の高い改善が求められている。
【０００３】
半導体装置の製造工程は、一般的に以下の工程を有している。
（１）論理設計及び物理設計を行って、製造する半導体装置のデバイスパターンであるダイパターンを作成する工程
（２）ダイパターンをもとに露光データを作成する工程
（３）露光データをもとにフォトマスク（レチクルと呼ばれることもある）を作製する工程
（４）フォトマスクを用いてウェハ上にダイパターンを転写する露光工程
（５）ウェハをダイ（チップ）ごとに個片化するダイシング工程
（６）パッケージ組み立て工程
（７）最終試験工程
上記の工程のうち、フォトマスクを作製する工程では、フォトマスクの有効領域を２つ以上に分割し、同一または大きさの異なる複数のダイパターンが形成されたマルチダイ型のフォトマスクを作製することが知られている。
【０００４】
マルチダイ型のフォトマスクを用いることで、露光処理の効率化を図ることができるとともに、同一のフォトマスクで、複数の異なる製品の製造に対応できるので、フォトマスクのコストを削減する効果がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−１０２２３７号公報
【特許文献２】国際公開第００／５７４５８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、大きさの異なる複数のダイパターンを構成したマルチダイ型のフォトマスクを用いた場合、ダイシング工程において、大きさの異なる複数のダイを取得するために、多くのウェハ枚数が必要となるという問題がある。
【０００７】
図１４は、マルチダイ型のフォトマスクに配置するダイパターン、ウェハマップの一部及びダイシングマップの例を示す図である。
図１４（Ａ）は、１つのマルチダイ型のフォトマスクに配置するダイパターン群９０を示している。このダイパターン群９０は、４種類の異なるダイサイズのダイパターン９１，９２，９３，９４，９５，９６，９７，９８，９９を有している。
【０００８】
このようなダイパターン群９０が配置されたフォトマスクを用いて、ウェハにダイパターン９１〜９９を転写する際、図１４（Ｂ）に示すようなウェハマップが用いられる。
ここでは、図１４（Ａ）で示したようなダイパターン群９０を、縦横に２つずつ、計４つ配置した部分を示している。図１４（Ｂ）では、ダイパターン群９０を太枠で示している。なお、ダイパターン群９０は、配置位置によって、ダイパターン群９０−１，９０−２，９０−３，９０−４と符号を付している。
【０００９】
このようなウェハマップが転写されるウェハをダイシングするために、図１４（Ｃ）に示すようなダイシングマップ１００が作成される。格子状に設定されたダイシングラインは、ダイパターン９２〜９５を個片化するために設定されている。
【００１０】
ブレードダイシングを用いたダイシング工程では、ダイシングの途中でブレードを停止することができない。そのため、図１４（Ｃ）に示すように、ダイパターン９２〜９５が転写されたダイを取得するためには、ダイパターン９２〜９５だけを取得するためのダイシングラインを設定する。
【００１１】
この場合、図１４（Ａ）に示したダイパターン群９０を用いる際、異なる４種類のダイサイズのダイを個片化するためのダイシングマップをそれぞれ作成して、各ダイ専用のウェハ（４枚）を用いてダイシングを行う必要がある。
【００１２】
上記の点を鑑みて、本発明は、大きさの異なる複数のダイを効率よく製造可能な半導体装置の製造方法及び設計装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、以下のような半導体装置の製造方法が提供される。
この半導体装置の製造方法は、大きさの異なる複数のダイパターンが、繰り返し配置されたウェハマップを作成する工程と、前記ウェハマップをもとに、同一ウェハから大きさの異なる複数のダイを個片化するようにダイシングラインを設定したダイシングマップを作成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１４】
開示の半導体装置の製造方法によれば、大きさの異なる複数のダイを効率よく製造できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】半導体装置の製造方法の流れを説明するフローチャートである。
【図２】設計装置の機能ブロック図である。
【図３】マルチダイ型のフォトマスクに配置するダイパターンと、ウェハマップの一部を示す図である。
【図４】ダイシングマップの一例を示す図である。
【図５】ウェハ試験マップの一例を示す図である。
【図６】設計装置のハードウェア構成例を示す図である。
【図７】ダイシングラインを設定する一例の様子を示す図である（その１）。
【図８】ダイシングラインを設定する一例の様子を示す図である（その２）。
【図９】ダイシングマップの他の例を示す図である。
【図１０】ウェハ試験マップの他の例を示す図である。
【図１１】マルチダイ型のフォトマスクに配置する他のダイパターンの例と、ウェハマップの一部を示す図である。
【図１２】ダイシングマップの一例を示す図である。
【図１３】ウェハ試験マップの一例を示す図である。
【図１４】マルチダイ型のフォトマスクに配置するダイパターン、ウェハマップの一部及びダイシングマップの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の半導体装置の製造方法及び設計装置の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
図１は、半導体装置の製造方法の流れを説明するフローチャートである。
【００１７】
また、図２は、設計装置の機能ブロック図である。
設計装置１は、ダイパターン作成部２、ウェハマップ作成部３、ダイシングマップ作成部４、ウェハ試験マップ作成部５を有している。
【００１８】
設計工程（ステップＳ１）において、ダイパターン作成部２は、たとえば、開発企画書で要求されている製品の性能や仕様にもとづいた設計者による入力に応じて、半導体装置の論理設計及び物理設計を行い、ダイパターンを作成する（ステップＳ１１）。次に、ウェハマップ作成部３は、マルチダイ型のフォトマスクに配置する、大きさの異なる複数のダイパターンを決定したのち、ウェハ上に実際に転写されるダイパターンの配置を示すウェハマップを作成する（ステップＳ１２）。
【００１９】
図３は、マルチダイ型のフォトマスクに配置するダイパターンと、ウェハマップの一部を示す図である。
図３（Ａ）は、１つのマルチダイ型のフォトマスクに配置するダイパターン群１０を示している。このダイパターン群１０は、４種類の異なるダイサイズのダイパターン１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９を有している。ウェハマップ作成部３は、ウェハのサイズに応じて、たとえば、図３（Ａ）で示すようなダイパターン群１０を繰り返し配置することでウェハマップを作成する。
【００２０】
図３（Ｂ）は、ウェハマップの一部を示しており、図３（Ａ）で示したようなダイパターン群１０を、縦横に２つずつ、計４つ配置した部分を示している。図３（Ｂ）では、ダイパターン群１０を太枠で示している。以下、ダイパターン群１０を、図３（Ｂ）に示すように、配置位置によって、ダイパターン群１０−１，１０−２，１０−３，１０−４と区別して説明する。
【００２１】
次に、ダイシングマップ作成部４は、作成したウェハマップをもとにダイシングラインを設定した、ダイシングマップを作成する（ステップＳ１３）。
図４は、ダイシングマップの一例を示す図である。
【００２２】
ここでは、図３（Ｂ）で示したウェハマップの一部をもとに作成したダイシングマップ２０を示している。実線はダイシングラインを示している。破線は図３（Ａ）で示したダイパターン１１〜１９の外形線を示している（ただし、ダイシングラインとなる外形線は実線で示されている）。また、ダイパターン群１０−１〜１０−４を太枠で示している。
【００２３】
ダイシングマップ作成部４は、ウェハマップをもとに、大きさの異なる複数のダイパターンが分割（個片化）されるようにダイシングラインを設定する。ダイシングラインの設定により、個片化される有効なダイパターンが決定する。ダイシングラインによって分断されたり、ダイパターンの外形に沿ってダイシングされないダイパターンは無効となる。無効となるダイパターンについては、図４中では網掛けで示している。
【００２４】
図４で示す例では、２×２で配置された４つのダイパターン群１０−１，１０−２，１０−３，１０−４から、それぞれ４種類の異なるダイサイズのダイパターン１１〜１９が有効となるように、ダイシングラインが設定されている。
【００２５】
ダイシングマップ作成部４で作成されたダイシングマップは、電子ファイルなどでダイシング装置４ａに送られる。
次に、ウェハ試験マップ作成部５は、作成されたウェハマップとダイシングマップをもとに、ウェハ試験マップを作成する（ステップＳ１４）。
【００２６】
図５は、ウェハ試験マップの一例を示す図である。
ウェハ試験マップ３０は、ウェハマップのダイパターンのうち、どのダイパターンを試験対象とするかを設定したものである。試験対象は、ダイシングラインにより分断されないダイパターンの中から選択される。図５では、試験対象のダイパターン１１〜１９以外を網掛けで示している。
【００２７】
図５で示した例では、図４で示したダイシングマップ２０にて、個片化されるダイパターン１１〜１９を試験対象とした例を示している。
ウェハ試験マップ作成部５で作成されたウェハ試験マップ３０は、電子ファイルなどで試験装置５ａに送られる。
【００２８】
以上のような設計工程を行った後、マスク製作工程が行われる（ステップＳ２）。マスク製作工程では、設計工程で作成されたダイパターン群の露光データをもとに、図示しないマスク製作装置によりフォトマスクが製作される。
【００２９】
次に、ウェハ処理工程が行われる（ステップＳ３）。ここでは、図示しない露光装置が、設計工程で作成されたウェハマップをもとに、マスク製作工程で製作されたフォトマスクを用いて、ウェハにダイパターンを転写する。さらに、半導体製造プロセスによって、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などの素子が作成される。
【００３０】
その後、ウェハ試験工程が行われる（ステップＳ４）。試験対象のウェハが試験装置５ａに搭載されると、試験装置５ａは、ウェハ試験マップをもとにウェハ試験を行う。試験装置５ａは、ウェハ試験マップで試験対象に設定されているダイパターンに対応したダイに対して、電気的特性の測定やタイミング検証などの試験を行う。試験装置５ａは、ウェハ試験マップを参照することで、試験対象と試験対象外のダイを容易に選別できるようになるので、効率のよい試験が可能になる。
【００３１】
試験工程後、ダイシング工程が行われる（ステップＳ５）。ダイシング工程では、ダイシング装置４ａが、ダイシングマップをもとに、たとえば、ブレードダイシングによりウェハを個片化する。たとえば、図４に示したようなダイシングマップ２０をもとに、ダイシングすることで、ダイパターン１１〜１９に対応した複数の異なるダイサイズのダイを１枚のウェハから取得することができる。
【００３２】
その後、取得されたダイを用いたパッケージ組立工程が行われ（ステップＳ６）、最終試験工程が行われ（ステップＳ７）、半導体装置の製造が終了する。
このように、本実施の形態の半導体装置の製造方法及び設計装置１では、ウェハマップをもとに、大きさの異なる複数のダイパターンを個片化するようにダイシングラインを設定し、ダイシングマップを作成している。これにより、大きさの異なる複数のダイを１枚のウェハから取得することができ、大きさの異なる複数のダイを、効率よく製造できるようになる。
【００３３】
また、上記のダイシングマップを用いてウェハ試験マップを作成することにより、試験対象と試験対象外のダイを容易に選別できる。これにより、効率よくダイを試験でき、大きさの異なる複数のダイを、効率よく製造できるようになる。
【００３４】
以下、図１の設計工程について、より詳細に説明する。
設計工程では、たとえば、以下のような設計装置により、各種の設計を行う。
図６は、設計装置のハードウェア構成例を示す図である。
【００３５】
設計装置４０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）４１、ＲＯＭ（Read Only Memory）４２、ＲＡＭ（Random Access Memory）４３、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）４４を有している。さらに、グラフィック処理部４５、入力Ｉ／Ｆ（Interface）４６、通信Ｉ／Ｆ４７などを有しており、これらはバス４８を介して相互に接続されている。
【００３６】
ここで、ＣＰＵ４１は、ＲＯＭ４２や、ＨＤＤ４４に格納されているプログラムや、各種データに応じて各部を制御し、図２に示したダイパターン作成部２、ウェハマップ作成部３、ダイシングマップ作成部４、ウェハ試験マップ作成部５の機能を実現する。
【００３７】
ＲＯＭ４２は、ＣＰＵ４１が実行する基本的なプログラムやデータを格納している。
ＲＡＭ４３は、ＣＰＵ４１が実行途中のプログラムや、演算途中のデータを格納している。
【００３８】
ＨＤＤ４４は、ＣＰＵ４１が実行するＯＳ（Operation System）や、ダイパターン、ウェハマップ、ダイシングマップ、ウェハ試験マップなどを作成するプログラムや、各種アプリケーションプログラム、各種データを格納する。
【００３９】
グラフィック処理部４５には、表示装置として、たとえば、ディスプレイ４５ａが接続されており、ＣＰＵ４１からの描画命令に従って、ディスプレイ４５ａ上に、設計画面などを表示する。
【００４０】
入力Ｉ／Ｆ４６には、マウス４６ａやキーボード４６ｂなどの入力装置が接続されており、設計者などにより入力された情報を受信し、バス４８を介してＣＰＵ４１に伝送する。
【００４１】
通信Ｉ／Ｆ４７は、たとえば、企業内のＬＡＮ（Local Area Network）やＷＡＮ（Wide Area Network）や、インターネットなどのネットワーク４７ａと接続して、試験装置やダイシング装置などとの間でデータの送受信などを行う。
【００４２】
なお、設計装置４０は、ネットワークで接続された複数のコンピュータを用いた構成としてもよい。
以下、ダイシングマップ作成工程の詳細を説明する。
【００４３】
まず、図４で示したダイシングマップ２０を作成するときの、ダイシングラインの設定方法の一例を説明する。
図７及び図８は、ダイシングラインを設定する一例の様子を示す図である。
【００４４】
図４で示したダイシングマップ２０と同じ構成については同一符号を付している。
まず、設計装置４０のＣＰＵ４１は、たとえば、ＲＡＭ４３に格納されたウェハマップをもとに、全てのダイパターン１１〜１９を分断することなく引けるダイシングラインを設定する（図７（Ａ））。具体的には、ＣＰＵ４１は、太枠で示されているダイパターン群１０の外形線であるダイシングライン５１と、異なるダイサイズのダイパターン群同士を分割するダイシングライン５２とを設定する。これにより、一番大きいダイサイズのダイパターン１１が全て個片化可能なダイシングライン５１，５２が決まる。
【００４５】
次に、ＣＰＵ４１は、たとえば、一番小さいダイサイズのダイパターン１２〜１５を個片化するためのダイシングラインを設定する。ＣＰＵ４１は、ダイパターン１２〜１５を個片化する縦のダイシングライン５３を、たとえば、ダイパターン群１０−１とダイパターン群１０−２との間で設定する。また、ＣＰＵ４１は、ダイパターン１２〜１５を個片化する横のダイシングライン５４を、たとえば、ダイパターン群１０−１とダイパターン群１０−２との間で設定する。これにより、ダイパターン群１０−１から４つのダイパターン１２〜１５を個片化可能なダイシングライン５３，５４が決まる（図７（Ｂ））。
【００４６】
次に、ＣＰＵ４１は、たとえば、ダイパターン１６，１７を個片化するためのダイシングラインを設定する。ダイパターン１６，１７は、既に設定されたダイシングライン５４によってダイパターン群１０−１，１０−４からは個片化できない。ＣＰＵ４１は、ダイパターン群１０−２，１０−３のいずれかから、ダイパターン１６，１７を個片化するか選択する。図８（Ａ）では、ダイパターン群１０−２から２つのダイパターン１６，１７を取得するように、ダイシングライン５５を設定した場合について示している。
【００４７】
その後、ＣＰＵ４１は、ダイパターン１８，１９を個片化するためのダイシングラインを設定する。ダイパターン１８，１９は、ダイパターン群１０−１，１０−４間にダイシングラインを設定するか、ダイパターン群１０−２，１０−３間にダイシングラインを設定することで個片化可能である。図８（Ｂ）では、ダイパターン群１０−２，１０−３間にダイシングライン５６を設定することで、ダイパターン群１０−３から２つのダイシングライン１８，１９を取得可能としている。
【００４８】
以上のようにダイシングラインを設定することで、ダイパターン１１〜１９を、４つのダイパターン群１０−１〜１０−４から個片化することができる。
その後、ＣＰＵ４１は、個片化可能なダイパターン１１〜１９を有効として設定し、それ以外を無効と設定することで、図４に示したようなダイシングマップ２０を作成する。
【００４９】
上記では、ダイパターン１１〜１９を、個片化できるようなダイシングラインを設定した例を示したが、必ずしもすべてのダイサイズのダイパターン１１〜１９を個片化しなくてもよい。たとえば、パッケージ組立工程で使用しないダイサイズのダイがある場合、そのダイサイズのダイパターンは、個片化しなくてもよい。
【００５０】
図９は、ダイシングマップの他の例を示す図である。
ここでも、図３（Ａ）で示したダイパターン群１０を用いて作成されたウェハマップをもとに、作成されたダイシングマップ２０ａを示している。
【００５１】
このダイシングマップ２０ａでは、図３（Ａ）で示したダイパターン群１０の中で、一番小さいダイパターン１２〜１５については個片化しないことを前提として、ダイシングラインを設定している。たとえば、設計者により、ダイパターン１２〜１５に対応したダイはパッケージ組立工程では用いない旨の入力があった場合に、ＣＰＵ４１の制御のもと、このようなダイシングマップ２０ａが作成される。
【００５２】
これにより、他のダイサイズのダイパターンを多く個片化できる。たとえば、図９の例では、４つのダイパターン群１０−１〜１０−４から、ダイパターン１１，１６，１７をそれぞれ２つずつ個片化可能となる。
【００５３】
なお、ウェハ試験工程では、個片化されないダイパターン１２〜１５についても試験を行うようにしてもよい。
図１０は、ウェハ試験マップの他の例を示す図である。
【００５４】
ここでは、図３（Ａ）で示したダイパターン群１０を用いて作成されたウェハマップと、図９で示したダイシングマップ２０ａをもとに作成されたウェハ試験マップ３０ａを示している。
【００５５】
このウェハ試験マップ３０ａでは、個片化されないダイパターン１２〜１５についても、試験対象として設定している。
設計装置４０のＣＰＵ４１は、設計者からの入力に応じて、試験対象とするダイパターンを選択できる。
【００５６】
ところで、上記ではいずれも、図３（Ａ）で示したようなダイパターン群１０を用いた場合について説明したが、これに限定されない。マルチダイ型のフォトマスクに配置するダイパターン群として以下のようなものを用いてもよい。
【００５７】
図１１は、マルチダイ型のフォトマスクに配置する他のダイパターンの例と、ウェハマップの一部を示す図である。
図１１（Ａ）は、１つのマルチダイ型のフォトマスクに配置するダイパターン群６０を示している。このダイパターン群６０は、５種類の異なるダイサイズのダイパターン６１，６２，６３，６４，６５を含むとともに、ダイパターンが形成されない領域（図１１（Ａ）中では網掛けで示している領域）を有している。設計装置４０のＣＰＵ４１は、ウェハのサイズに応じて、たとえば、図１１（Ａ）で示すようなダイパターン群６０を繰り返し配置することでウェハマップを作成する。
【００５８】
図１１（Ｂ）は、ウェハマップの一部を示しており、図１１（Ａ）で示したようなダイパターン群６０を、２×３の計６つ配置した部分を示している。図１１（Ｂ）では、ダイパターン群６０を太枠で示している。図１１（Ｂ）では、ダイパターン群６０を、配置位置によって、ダイパターン群６０−１，６０−２，６０−３，６０−４，６０−５，６０−６と区別して図示している。
【００５９】
図１２は、ダイシングマップの一例を示す図である。
ここでは、図１１（Ｂ）で示したウェハマップの一部をもとに作成したダイシングマップ７０を示している。実線がダイシングラインを示している。破線が図１１（Ａ）で示したダイパターン６１〜６５の外形線を示している（ただし、ダイシングラインとなる外形線は実線で示されている）。また、ダイパターン群６０−１〜６０−６を太枠で示している。
【００６０】
このようなダイシングラインの設定により、個片化される有効なダイパターンが決定される。ダイシングラインによって分断されたり、ダイパターンの外形に沿ってダイシングされないダイパターンは無効となる。無効となるダイパターンについては、図１２中では網掛けで示している。
【００６１】
図１２で示す例では、ダイパターン群６０−２からダイパターン６３，６５が、ダイパターン群６０−４からダイパターン６２，６５が、ダイパターン群６０−６からダイパターン６１，６４がそれぞれ有効となるように、ダイシングラインが設定されている。
【００６２】
ダイシングラインの設定においては、たとえば、多く取得したいダイサイズのダイが多く個片化できるように、設計装置４０のＣＰＵ４１は、特定のダイサイズのダイパターンの優先度を高くするようにしてもよい。このとき、ＣＰＵ４１は、たとえば、優先度の高いダイパターンを個片化するダイシングラインを先に設定し、他のダイシングラインを、優先度の高いダイパターンを分断するのを避けるように設定する。
【００６３】
ウェハマップと、ダイシングマップ７０をもとに、設計装置４０のＣＰＵ４１の制御のもと作成されるウェハ試験マップの例を以下に示す。
図１３は、ウェハ試験マップの一例を示す図である。
【００６４】
ウェハ試験マップ８０は、ウェハマップのダイパターンのうち、どのダイパターンを試験対象とするかを設定したものである。試験対象のダイパターン６１〜６５以外を網掛けで示している。
【００６５】
図１３で示した例では、図１２で示したダイシングマップ７０にて、個片化されるダイパターン６１〜６５を試験対象とした例を示したが、図１０で示したように、個片化されないダイパターンを試験対象として設定してもよい。
【００６６】
以上、実施の形態に基づき、本発明の半導体装置の製造方法及び設計装置の一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。
たとえば、ダイシング工程において、ブレードダイシングの代わりにレーザを用いたダイシングを行ってもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１  設計装置
２  ダイパターン作成部
３  ウェハマップ作成部
４  ダイシングマップ作成部
４ａ  ダイシング装置
５  ウェハ試験マップ作成部
５ａ  試験装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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