(57)【要約】【課題】印刷性については版部材へのインキングが良好で、電気特性については移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタ用インク、有機トランジスタの電極及びその形成方法並びに有機トランジスタを提供する。【解決手段】印刷法で形成される有機トランジスタ用インクであって、金属ナノ粒子と、１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤と、金属ナノ粒子及び１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤を溶解または分散させる溶媒と、を含むことを特徴とする有機トランジスタ用インク。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷法で形成される有機トランジスタ用インクであって、
金属ナノ粒子と、
１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤と、
前記金属ナノ粒子及び前記１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤を溶解または分散させる溶媒と、
を含むことを特徴とする有機トランジスタ用インク。
【請求項２】
前記非イオン性界面活性剤の親水性部分が水酸基またはエーテル基で構成され、前記親油性部分がアルキル基で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機トランジスタ用インク。
【請求項３】
前記非イオン性界面活性剤を０．００５ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機トランジスタ用インク。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の有機トランジスタ用インクを基材上に印刷法でパターニングした後に熱処理を行う工程を含むことを特徴とする有機トランジスタの電極形成方法。
【請求項５】
前記印刷法が、マイクロコンタクトプリンティング、または反転オフセット印刷により行われることを特徴とする請求項４に記載の有機トランジスタの電極形成方法。
【請求項６】
前記熱処理が、１００℃以上１８０℃以下の温度で１０分以上１２０分以下で行う工程であることを特徴とする請求項４または５に記載の有機トランジスタの電極形成方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれかに記載の方法により形成されたことを特徴とする有機トランジスタの電極。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の全面を覆い形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された金属ナノ粒子と１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤と前記金属ナノ粒子及び前記１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤を溶解または分散させる溶媒を含み離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
を備えることを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項９】
前記非イオン性界面活性剤の親水性部分が水酸基またはエーテル基で構成され、前記親油性部分がアルキル基で構成されることを特徴とする請求項９に記載の有機トランジスタ。
【請求項１０】
前記非イオン性界面活性剤を０．００５ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする請求項８または９に記載の有機トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機トランジスタ用インク、有機トランジスタの電極及びその形成方法並びに有機トランジスタに関し、詳しくは、表示装置の製造に好適に用いられ、プラスチックフィルム基材を用いて、印刷的手法によって形成する有機トランジスタ用インク、有機トランジスタの電極及びその形成方法並びに有機トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置には、高スループット化、大面積化、低コスト化などの要求から、フォトリソグラフィ法に代えて、印刷法による半導体装置の形成方法が考案されている。
【０００３】
印刷法には凸版印刷や凹版印刷、平版印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷などの印刷方法がある。これらの方法はインクをウェット状態で基板に転写するために転写時や転写後にインクが流動し、解像限界が３０μｍ程度と半導体装置、特に電界効果トランジスタを形成するには低解像である。
【０００４】
電子回路の微細パターン形成技術として、例えば非特許文献１に記載のようなマイクロコンタクトプリンティングが知られている（非特許文献１参照）。マイクロコンタクトプリンティングとは、所望の凹凸パターンを形成した版に、インクを付着した後に、版と基板を接触させ、基板上にインクを転写し、インクパターンを形成する方法である。非特許文献１では、有機薄膜として、欠陥の少ない単分子膜が、再現性よく多様な基板（金属、半導体、酸化物など）上に形成できる自己組織化膜を利用している。
【０００５】
また、非特許文献２に記載のような微細パターン形成技術として反転オフセット印刷法が知られている(非特許文献２参照)。反転オフセット印刷法とは、ブランケットにインクをインキングした後にクリシェでパターニングを行い基材にレジストのインクを転写する方法であり、ＴＦＴ全層のレジストパターンをロールで形成している。
【０００６】
上記のマイクロコンタクトプリンティング（非特許文献１）と反転オフセット印刷法（非特許文献２）の共通する特徴としてはポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）のような柔らかく、表面エネルギーの低い版部材から乾燥状態のインクを基材に転写することにある。乾燥状態のインクを基材に転写することから、転写時や転写後にインクが流動しにくく明瞭なエッジの印刷パターンを得ることができる。
【０００７】
しかし、表面エネルギーの低い版部材を用いるために版部材のインクはじきなどのインキングに問題が生じる。また、ＰＤＭＳよりインクの表面張力を下げて濡れ性を向上させるために、インクの表面張力を調整する試薬をインク中に用いた場合、特に有機トランジスタでは電気特性に影響を与えてしまう。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｌａｎｇｍｕｉｒ  １０，  １４９８  （１９９４）
【非特許文献２】ＳＩＤ  ０８，  ｐｐ，  ６３７−４０，２００８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、印刷性については版部材へのインキングが良好で、電気特性については移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタ用インク、有機トランジスタの電極及びその形成方法並びに有機トランジスタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に係る発明は、印刷法で形成される有機トランジスタ用インクであって、金属ナノ粒子と、１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤と、金属ナノ粒子及び１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤を溶解または分散させる溶媒と、を含むことを特徴とする有機トランジスタ用インクとしたものである。
【００１１】
本発明の請求項２に係る発明は、非イオン性界面活性剤の親水性部分が水酸基またはエーテル基で構成され、親油性部分がアルキル基で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機トランジスタ用インクとしたものである。
【００１２】
本発明の請求項３に係る発明は、非イオン性界面活性剤を０．００５ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機トランジスタ用インクとしたものである。
【００１３】
本発明の請求項４に係る発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の有機トランジスタ用インクを基材上に印刷法でパターニングした後に熱処理を行う工程を含むことを特徴とする有機トランジスタの電極形成方法としたものである。
【００１４】
本発明の請求項５に係る発明は、印刷法が、マイクロコンタクトプリンティング、または反転オフセット印刷により行われることを特徴とする請求項４に記載の有機トランジスタの電極形成方法としたものである。
【００１５】
本発明の請求項６に係る発明は、熱処理が、１００℃以上１８０℃以下の温度で１０分以上１２０分以下で行う工程であることを特徴とする請求項４または５に記載の有機トランジスタの電極形成方法としたものである。
【００１６】
本発明の請求項７に係る発明は、請求項４乃至６のいずれかに記載の方法により形成されたことを特徴とする有機トランジスタの電極としたものである。
【００１７】
本発明の請求項８に係る発明は、基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の全面を覆い形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された金属ナノ粒子と１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤と金属ナノ粒子及び１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤を溶解または分散させる溶媒を含み離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、を備えることを特徴とする有機トランジスタとしたものである。
【００１８】
本発明の請求項９に係る発明は、非イオン性界面活性剤の親水性部分が水酸基またはエーテル基で構成され、親油性部分がアルキル基で構成されることを特徴とする請求項９に記載の有機トランジスタとしたものである。
【００１９】
本発明の請求項１０に係る発明は、非イオン性界面活性剤を０．００５ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下の割合で含むことを特徴とする請求項８または９に記載の有機トランジスタとしたものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、印刷性については版部材へのインキングが良好で、電気特性については移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタの形成に好適なインク、これから形成された電極、その形成方法および有機トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態に係る有機トランジスタを示す概略断面図である。
【図２】実施例と比較例で作製された有機トランジスタのインク成分とトランジスタ特性の関係を示すグラフである。
【図３】実施例と比較例で作製された有機トランジスタのインク成分とトランジスタ特性の関係を示すグラフである。
【図４】実施例と比較例で作製された有機トランジスタのインク成分とトランジスタ特性の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
【００２３】
本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ用インクは、金属ナノ粒子と、１つまたは２つ以上の非イオン性界面活性剤と、金属ナノ粒子及び非イオン性界面活性剤を溶解または分散させる溶媒からなる。
【００２４】
本発明の実施の形態に係る金属ナノ粒子は、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、マンガンの金属からなるナノ粒子、または、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、マンガンの金属から選択される２種類以上の金属からなる合金のナノ粒子や、酸化銀などの金属酸化物や有機銀などの有機金属化合物も用いることができる。用いる金属の平均粒径はインクへの分散性の点から５０ｎｍ以下の平均粒径が好ましく、粒子の安定した製造の点から１０ｎｍ〜３０ｎｍの平均粒径が好ましいが、本発明はこれに限定されるわけではない。
【００２５】
本発明の実施の形態に係る非イオン性界面活性剤は、ポリオキシエチレンやポリオキシプロピレンまた、その重合体などのエーテル基や、１つまたは複数の水酸基で構成される親水性部分を備え、アルキル基やベンゼン環により疎水性部分が形成されている。用いる材料としては、例えば、Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ−４５、Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ−１００、Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ、Ｔｒｉｔｏｎ  Ａ−２０、Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ−１５、Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ−１１４、Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ−４０５、Ｔｗｅｅｎ  ＃２０、Ｔｗｅｅｎ  ＃４０、Ｔｗｅｅｎ  ＃６０、Ｔｗｅｅｎ  ＃８０、Ｔｗｅｅｎ  ＃８５、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ  Ｆ−６８、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ  Ｆ−１２７、Ｓｐａｎ  ２０、Ｓｐａｎ  ４０、Ｓｐａｎ  ６０、Ｓｐａｎ  ８０、Ｓｐａｎ  ８３、Ｓｐａｎ  ８５などを用いることができるが、本発明はこれらに限定されるわけではない。
【００２６】
このような界面活性剤は界面活性剤そのものが有機半導体に対して比較的に影響を与えにくい物であり、有機溶媒ではなく水系の洗浄で界面活性剤を除去できるので洗浄が簡便である。ウェット洗浄が可能なことから、素子へのダメージを与えるＵＶ洗浄やオゾン洗浄、アッシングなどのドライ洗浄を行う必要がなく、ｓｅｌｆ  ａｓｓｅｍｂｌｅ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ（ＳＡＭ）などを電極表面に修飾することで電荷注入特性が改善でき素子特性の向上が期待できる。
【００２７】
本発明の実施の形態に係る溶媒は、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素系溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトンなどのケトン系溶媒、ジエチルエーテルなどのエーテル系溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート系溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒、クロロホルムなどのハロゲン系溶媒、水系溶媒またはこれらの混合溶媒を用いることができるが、本発明はこれらに限定されるわけではない。
【００２８】
界面活性剤の使用割合はインク全量に対し、０．００５ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下であることが好ましい。界面活性剤が０．００５ｗｔ％未満だと、ＰＤＭＳの版への有効な濡れ特性が得られずインキングが困難になってしまう。また、界面活性剤が１．０ｗｔ％を超えると、有機トランジスタの電極の導電性が低下してしまう。
【００２９】
また、本発明の実施の形態に係る有機トランジスタの電極に用いるインクを版部材上にウェットプロセスでインキングし、半乾燥状態（実質的に流動性を持たない状態）のインクを基材に転写し熱処理することで電極パターンを得る。インクを版部材上にウェットプロセスで薄膜形成する方法は、例えば、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、グラビアコーティング、リバースグラビアコーティング、ロールコーティング、フレキソプリンティング、インクジェットプリンティング、スロットダイコーティング、キャップコーティング、バーコーティングなどを用いることができるが、本発明はこれらに限定されるわけではない。
【００３０】
このような印刷方法としては、マイクロコンタクト印刷や反転オフセット印刷が知られ、これらとフレキソ印刷や平版印刷、凹版印刷などを組み合わせた印刷法でもよい。また、マイクロコンタクト印刷や反転オフセット印刷では、版部材にＰＤＭＳなどの柔らかく、表面エネルギーの低い部材を用い、版部材にウェットプロセスでインキングしたインクを半乾燥状態（実質的に流動性を持たない状態）にした後に基材に転写する。半乾燥状態のインクを基材に転写することで、インクのダレのない高解像で明瞭なパターンが得られる。
【００３１】
印刷に用いる版部材としてポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を用いることができる。ＰＤＭＳは低表面エネルギーを特徴とする材料であり、インクなどの液体が濡れ広がりにくい。しかしながら、本発明の実施の形態に係る有機トランジスタの電極に用いるインクを構成する界面活性剤を用いることで、インクのＰＤＭＳ上への濡れ性を改善することができる。また、本発明の実施の形態に係る有機トランジスタの電極に用いるインクを構成する溶媒により、ＰＤＭＳへのインクの濡れ性が不足している場合でもインクの乾燥速度を調整することでインクのハジキ現象を抑制することができる。ＰＤＭＳの表面はＵＶやオゾン、アッシングなどで表面改質を適切強度で行ってもよいが、過剰に表面改質を行うと、転写性が悪化する。
【００３２】
電極パターンを形成した後の熱処理は、１００℃以上１８０℃以下の温度で１０分以上１２０分以下で行われることが好ましい。熱処理を１００℃以上１８０℃以下の温度で１０分以上１２０分以下で行うことにより、必要な導電性を得ることができ、かつ、プラスチックフィルム基材上に形成することができる。
【００３３】
本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ及びその形成方法について図１を参照して、以下に説明する。
【００３４】
図１は、本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ１００を示す概略断面図である。図１に示すように、本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ１００は、基板１１０上に形成されたゲート電極１１１とゲート電極１１１上に形成されたゲート絶縁膜１１２と、ゲート絶縁膜１１２上にチャネル部を対向するようにして形成されたソース電極１１３とドレイン電極１１４と、チャネル部分に形成された有機半導体層１１５が設けられた構成である。本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ１００は、ボトムゲート、ボトムコンタクトの構造であるが、本発明はこの構造に限定されず、例えばトップゲート、トップコンタクトの構造などに用いることができる。ここで、図１の構成は１つの好ましい構成であり、本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ用インクは様々な構成の有機トランジスタに使用できる。
【００３５】
本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ１００の基板１１０はプラスチックフィルム状である。プラスチックフィルムの樹脂材料として例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、シクロオレフィンポリマー、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂などの材料を用いることができ、これらの樹脂を組み合わせたポリマーアロイや、１種または２種以上の上記樹脂材料を組み合わせて積層した多層構造の積層構造のプラスチックフィルムとして構成されることもある。
【００３６】
本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ１００のソース電極１１３とドレイン電極１１４は、本発明の実施の形態に係る上述した有機トランジスタ用インクと印刷方法で形成することができる。
【００３７】
本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ１００のゲート電極１１１は、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、マンガンなどの金属を用いて、ＰＶＤやＣＶＤで製膜した後に、フォトリソグラフィ法でパターンを形成することができる。
【００３８】
本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ１００のゲート絶縁膜１１２はポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリ弗化ビニリデン、シアノエチルプルラン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、環状ポリオレフィン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂やこれらの樹脂のポリマーアロイや共重合体を用いることができ、絶縁材膜の前駆体を成膜した後に、可視光やＵＶ、ＥＢなどの電磁波によって硬化させる可視光硬化樹脂、ＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂もしくは、熱によって硬化させる熱硬化樹脂、２液硬化樹脂を用いることもできる。
【００３９】
本発明の実施の形態に係る有機トランジスタ１００の有機半導体層１１５としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ(P-フェニレンビニレン)類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、チオフェン系オリゴマー、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。
【００４０】
有機半導体層１１５の形成には凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、マイクロコンタクトプリンティング、反転オフセット印刷、熱転写法、レーザ転写法などを用いることができる。
【００４１】
有機半導体層１１５の工程以降は、図示しない封止層や層間絶縁膜、ビア、画素電極などを設けても良く、有機トランジスタ素子の利用方法により、素子の構成を適宜決定することができる。
【００４２】
本発明は、界面活性剤と溶媒と金属ナノ粒子を含んだインクを用いることでインクの表面張力を下げ、用いた界面活性剤は有機半導体材料に化学的な影響を与えにくく、界面活性剤は水へ溶解できる。これらのそれぞれの作用により、ＰＤＭＳのような表面エネルギーの低い版上へもインキングができ、半導体デバイスの電気的特性を損なうことがなく、洗浄が容易である。よって、移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタの形成に好適なインク、これから形成された電極、その形成方法および有機トランジスタを形成することができる。
【実施例１】
【００４３】
以下、具体的な実施例によって本発明を詳細に説明するが、これらの実施例は説明を目的としたもので、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４４】
[インクの作製]
界面活性剤、金属ナノ粒子、溶媒を表１に示す組成比で混合し、導電インク１〜１３を作製した。非イオン性界面活性剤としてＭＰ  Ｂｉｏｍｅｄｉｃａｌｓ製のＴＲＩＴＯＮ  Ｘ−１００、和光純薬工業製のＴｗｅｅｎ  ２０、和光純薬工業製のＳｐａｎ  ＃２０、ＭＰ  Ｂｉｏｍｅｄｉｃａｌｓ製のＰＬＵＲＯＮＩＣ  Ｆ−６８  ＰＯＬＹＯＬ、和光純薬工業製のＴｒｉｔｏｎ（Ｒ）  Ｘ−４０５を用いて、シリコーン系非イオン性界面活性剤として共栄社化学製のポリフローＫＬ２８０、陽イオン性界面活性剤としてオクタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、陰イオン性界面活性剤として和光純薬工業製のステアリン酸カルシウム、金属ナノ粒子として平均粒径２０ｎｍの銀粒子のアルコール分散液を用い、溶媒としてエタノールを用いた。
【００４５】
【表１】
2010219447.tif 000003
【００４６】
実施例１として、アルミニウム蒸着膜付ポリエチレンナフタレートフィルムを基板１１０として用いた。次に、基板１１０上にアルミニウムをゲート電極として形成した。次に、ゲート電極１１１の全面を絶縁塗料として架橋性ポリビニルフェノールをスピンコート法にて塗布し、１５０℃の熱処理を行ってゲート絶縁膜１１２を形成した。
【００４７】
次に、ゲート絶縁膜１１２上に表１に示す導電インク１をマイクロコンタクトプリンティングで印刷し、１５０℃の熱処理を行ってソース電極１１３とドレイン電極１１４を形成し、超純水で流水洗浄を行った。さらに、有機半導体としてポリ３ヘキシルチオフェン溶液をスピンコート法にて形成することで有機半導体層１１５を形成して、有機トランジスタ１００を作製した。
【００４８】
上記の構成で作製した有機トランジスタ１００をＫｅｉｔｈｋｅｙ製の半導体パラメータアナライザーＳＣＳ４２００を用いて不活性雰囲気下で測定することによりＩ−Ｖ特性を求め、トランジスタ特性を評価した。得られた有機トランジスタ１００で以下の条件における測定値を得た。ドレイン電圧を−４０Ｖとした時のドレイン電流について、ゲートバイアス−４０Ｖ時および０Ｖ時の比を示す。閾値電圧は（Ｉｄ）１／２とＶｇのグラフの線形部分の近似直線とＶｇ軸との交点から求めた。閾値の絶対値が小さいほど低電力で駆動できることを意味する。また、周知の方法により、Ｉｄ−Ｖｇカーブの飽和領域から電界効果移動度を算出した。
【実施例２】
【００４９】
導電インクとして表１に示す導電インク２を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【実施例３】
【００５０】
導電インクとして表１に示す導電インク３を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【実施例４】
【００５１】
導電インクとして表１に示す導電インク４を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【実施例５】
【００５２】
導電インクとして表１に示す導電インク５を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【実施例６】
【００５３】
導電インクとして表１に示す導電インク６を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【００５４】
（比較例１）
導電インクとして表１に示す導電インク７を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【００５５】
（比較例２）
導電インクとして表１に示す導電インク８を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【００５６】
（比較例３）
導電インクとして表１に示す導電インク９を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。作製した有機トランジスタ素子は変調を示さなかった。
【００５７】
（比較例４）
導電インクとして表１に示す導電インク１０を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。版にインキングした際にインクがハジキ、印刷および有機トランジスタ素子の作製が行えなかった。
【００５８】
（比較例５）
導電インクとして表１に示す導電インク１１を用いた以外は実施例１と同様に素子を作製し評価した。版にインキングした際にインクがハジキ、印刷および有機トランジスタ素子の作製が行えなかった。
【００５９】
（比較例６）
導電インクとして表１に示す導電インク１２を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【００６０】
（比較例７）
導電インクとして表１に示す導電インク１３を用いた以外は実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作製し評価した。
【００６１】
以上の有機トランジスタ１００を評価した実施例１〜６と比較例１〜７の結果を図２に示す。図２からわかるように実施例１〜６では、オンオフ比が高く良好なトランジスタ特性が得られた。
【００６２】
以上の有機トランジスタ１００を評価した実施例１〜６と比較例１〜７の結果を図３に示す。図３からわかるように実施例１〜６では、移動度が高く良好なトランジスタ特性が得られた。
【００６３】
以上の有機トランジスタ１００を評価した実施例１〜６と比較例１〜７の結果を図４に示す。図４からわかるように実施例１〜６では、閾値電圧が低く良好なトランジスタ特性が得られた。
【００６４】
本発明によれば、移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタの形成に好適な導電インク、これから形成された導電パターン、その形成方法および有機トランジスタを形成することができた。特に本発明では、有機トランジスタに用いる電極をウェットプロセスによって行うことができ、製造工程の低温化、簡略化、コスト削減を得ることができたので、フレキシブル薄膜トランジスタの形成に有効である。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明の有機トランジスタは、液晶や有機ＥＬ、電子ペーパなどの表示装置やＲＦＩＤに利用できる。
【符号の説明】
【００６６】
１００：有機トランジスタ
１１０：基板
１１１：ゲート電極
１１２：ゲート絶縁膜
１１３：ソース電極
１１４：ドレイン電極
１１５：有機半導体層
【図１】
2010219447.tif 000004
【図２】
2010219447.tif 000005
【図３】
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【図４】
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