(57)【要約】【課題】加熱されたウエハ上への薄膜成膜処理、及び、装置から取り外して常温下でのシールド板の洗浄処理を行っても、従来品に比べて損傷しにくいシールド板を備えた化学気相成長装置を提供する。【解決手段】チャンバと、ウエハを配置するため前記チャンバ内に配置されるステージと、前記ステージに配置されたウエハを加熱するためのヒータと、前記チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、曲面領域２０ｒおよび長手方向を有する形状であって前記チャンバ内に取り外し可能に取り付けられるシールド板と、を有し、前記シールド板は、曲面領域２０ｒに不活性ガスを放出するための複数の不活性ガス放出穴を有し、不活性ガス放出穴２０ａは、長穴であって長手方向が前記シールド板の長手方向と交わるよう設けられている化学気相成長装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
ウエハを配置するため、前記チャンバ内に配置されるステージと、
前記ステージ上に配置された前記ウエハを加熱するためのヒータと、
前記チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
曲面領域および長手方向を有する形状に構成され、前記チャンバ内に取り外し可能に取り付けられるシールド板と、
を有し、
前記シールド板は、
前記曲面領域に、不活性ガスを放出するための複数の不活性ガス放出穴を有し、
前記不活性ガス放出穴は、長穴であって、長手方向が前記シールド板の長手方向と交わるよう設けられている化学気相成長装置。
【請求項２】
前記複数の不活性ガス放出穴は、千鳥格子状に配置される請求項１に記載の化学気相成長装置。
【請求項３】
前記チャンバ内に、排気口をさらに有し、
前記シールド板の前記曲面領域は、
前記排気口の周囲に配置され、前記排気口に向かって徐々にガスの流路が狭くなるような、ガスの流路側が凸状の絞り形状を構成する、請求項１又は２に記載の化学気相成長装置。
【請求項４】
曲面領域および長手方向を有する形状に構成され、化学気相成長装置に取り外し可能に取り付けられるシールド板であって、
前記曲面領域には、長穴であって、長手方向がシールド板の長手方向と交わるよう設けられている複数の不活性ガス放出穴を有するシールド板。
【請求項５】
前記複数の不活性ガス放出穴は、千鳥格子状に配置される請求項４に記載のシールド板。
【請求項６】
排気口を有する化学気相成長装置に取り外し可能に取り付けられるシールド板であって、
前記シールド板の前記曲面領域は、
前記排気口の周囲に配置され、前記排気口に向かって徐々にガスの流路が狭くなるような、ガスの流路側が凸状の絞り形状を構成する、請求項４又は５に記載のシールド板。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか一に記載の化学気相成長装置を利用した半導体装置の製造方法であって、
前記チャンバ内で第一のウエハ上に薄膜を成膜する第一成膜ステップと、
前記第一成膜ステップの後、化学気相成長装置から前記シールド板を取り外して常温下で洗浄する洗浄ステップと、
前記洗浄ステップの後、洗浄後の前記シールド板を化学気相成長装置に取り付けて第二のウエハ上に前記薄膜を成膜する第二成膜ステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学気相成長装置、シールド板、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造に利用される技術であって、ウエハ上に薄膜を成膜するための技術である化学気相成長法がある。
【０００３】
化学気相成長法を実現する化学気相成長装置について、図９の概略図を用いて簡単に説明する。図に示すように、化学気相成長装置は、チャンバ６と、ステージ４と、ヒータ７と、反応ガス供給部３と、排気口５ａと、排気管５ｂと、シールド板２ｍ、２ｓと、を有する。そして、チャンバ６内に配置されたステージ４の上には、ウエハ１が載置される。
【０００４】
ヒータ７は、ステージ４の上に載置されたウエハ１を加熱する目的で使われる。反応ガス供給部３は、ステージ４の上に載置されたウエハ１の表面に反応ガスＧ２を供給する。排気口５ａ及び排気管５ｂは、チャンバ６内のガスを排気する。このような化学気相成長装置の成膜処理は、以下のようにして実行される。
【０００５】
まず、不活性ガス放出穴２ａから不活性ガスＧ１が放出され、チャンバ６内が不活性雰囲気となる。そして、不活性雰囲気下で、ヒータ７により約５００〜６００℃程度まで加熱されたステージ４上のウエハ１に向けて、反応ガス供給部３から反応ガスＧ２が供給される。すると、供給された反応ガスＧ２に熱反応が生じ、この熱反応の反応生成物による薄膜がウエハ１の表面に成膜される。
【０００６】
なお、薄膜の成膜に寄与しなかった未反応の反応ガスＧ２は、不活性ガスＧ１により整流され、不活性ガスＧ１とともに、排気口５ａ及び排気管５ｂを経由して排気ガスＧ３として排気される。
【０００７】
ここで、上記した成膜処理が繰り返し行われると、シールド板２ｍ、２ｓの表面に反応ガスＧ２の反応生成物が付着し、不活性ガス放出穴２ａが目詰まりしてしまう。目詰まりが起きると、チャンバ６内の不活性ガスＧ１の流れが安定しなくなり、ウエハ１上に成膜される薄膜の均一性が損なわれるなどの問題が生じる。そこで、通常、シールド板２ｍ、２ｓは装置から取り外し可能に構成され、定期的に取り外して薬液などで洗浄される。
【０００８】
しかしながら、シールド板２ｍ、２ｓを取り外して洗浄する処理を繰り返し行うと、シールド板２ｍ、２ｓが損傷してしまうことがある。具体的には、成膜処理時の高温状態のシールド板２ｍ、２ｓに加わる引張応力Ｓｔ（Ｔｅｎｓｉｌｅ  Ｓｔｒｅｓｓ）、及び、常温程度にまで冷却される際にシールド板２ｍ、２ｓに加わる圧縮応力Ｓｃ（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ  Ｓｔｒｅｓｓ）により、シールド板２ｍ、２ｓに亀裂が生じることがある。シールド板２ｍ、２ｓが損傷すると、ウエハ１上に成膜される薄膜の厚さや膜質（粗密）に大きなばらつきが生じ、延いては、半導体装置の不良品が発生し、歩留低下を招いてしまう。さらに、損傷したシールド板２ｍ、２ｓは再利用することができないため、新品のシールド板２ｍ、２ｓと交換しなければならず、コスト増を招いてしまう。そこで、シールド板２ｍ、２ｓが損傷するという問題を回避する技術が望まれており、例えば、特許文献１に記載された技術などがある。
【０００９】
特許文献１には、シールド板２ｍ、２ｓ（図９参照）の板の厚さを厚くすることで、強度を増大し、損傷を防ぐという技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−２００７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１に記載された技術の場合、シールド板の重量が大きくなり取り扱いにくくなるほか、原材料の使用量が多くなり、コスト増になってしまうという問題がある。
【００１２】
また、シールド板２ｍ、２ｓの損傷を回避するため、図１０の概略図に示すように、シールド板２ｍ、２ｓに複数のエンボス部２ｅを設けることも考えられる。図１０は、図９のシールド板２ｍ、２ｓを、図中下から上方向に見た概略図である。この手段によれば、シールド板２ｍ、２ｓに応力（Ｓｔ、Ｓｃ）が加わっても、エンボス部２ｅが変形し応力（Ｓｔ、Ｓｃ）を吸収するので、シールド板２ｍ、２ｓに亀裂などの損傷が生じるのを回避することができる。
【００１３】
しかしながら、エンボス部２ｅを曲面に加工するのは困難であるため、図１１（図１０のＡ部を拡大表示した概略図）に示すように、シールド板２ｍ、２ｓが曲面領域２ｒを有する場合、曲面領域２ｒに「く」の字形状の亀裂Ｃなどが生じてしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明によれば、チャンバと、ウエハを配置するため前記チャンバ内に配置されるステージと、前記ステージに配置されたウエハを加熱するためのヒータと、前記チャンバ内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、曲面領域および長手方向を有する形状に構成され、前記チャンバ内に取り外し可能に取り付けられるシールド板と、を有し、前記シールド板は、前記曲面領域に不活性ガスを放出するための複数の不活性ガス放出穴を有し、前記不活性ガス放出穴は、長穴であって長手方向が前記シールド板の長手方向と交わるよう設けられている化学気相成長装置が提供される。
【００１５】
また、本発明によれば、曲面領域および長手方向を有する形状に構成され、化学気相成長装置に取り外し可能に取り付けられるシールド板であって、前記曲面領域には、長穴であって、長手方向がシールド板の長手方向と交わるよう設けられている複数の不活性ガス放出穴を有する前記シールド板が提供される。
【００１６】
本発明によれば、シールド板の曲面領域に設けられる複数の不活性ガス放出穴は、長穴であって、長手方向が前記シールド板の長手方向と交わるよう設けられているので、シールド板の長手方向に加わる圧縮応力及び／又は引張応力に対して変形しやすい。すなわち、加熱によりシールド板に生じる熱膨張及び弾性に起因して、シールド板の加熱時及び／又は冷却時に、シールド板に圧縮応力及び／又は引張応力が加わっても、複数の不活性ガス放出穴が容易に変形し、前記圧縮応力及び／又は引張応力を吸収する。その結果、シールド板が損傷しにくくなる。
【００１７】
本発明によれば、前記化学気相成長装置を利用した半導体装置の製造方法であって、前記チャンバ内で第一のウエハ上に薄膜を成膜する第一成膜ステップと、前記第一成膜ステップの後、化学気相成長装置から前記シールド板を取り外して常温下で洗浄する洗浄ステップと、前記洗浄ステップの後、洗浄後の前記シールド板を化学気相成長装置に取り付けて第二のウエハ上に前記薄膜を成膜する第二成膜ステップと、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法は、損傷しにくい前記シールド板を利用した化学気相成長装置により実現されるので、半導体装置の不良品の発生、歩留低下という問題が生じにくい。また、シールド板の寿命が延びるため、半導体装置の製造コストが低くなる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、長手方向を有するシールド板の加熱・冷却を行っても、シールド板が損傷しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態のシールド板に設けられた複数の不活性ガス放出穴を説明するための概略図
【図２】本実施形態の化学気相成長装置の概略図
【図３】本実施形態のシールド板の概略図
【図４】本実施形態のシールド板に作用する引張応力を説明するための概略図
【図５】本実施形態の不活性ガス放出穴の機能を説明するための概略図
【図６】本実施形態のシールド板に作用する圧縮応力を説明するための概略図
【図７】本実施形態の不活性ガス放出穴の機能を説明するための概略図
【図８】本実施形態の半導体装置の製造方法のフローチャート図
【図９】化学気相成長装置の概略図
【図１０】シールド板の概略図
【図１１】シールド板に作用する引張応力及び圧縮応力を説明するための概略図
【図１２】シールド板に設けられた複数の不活性ガス放出穴を説明するための概略図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００２２】
図２は本実施形態の化学気相成長装置の内部を示した概略図であり、図３は図２のシールド板２０ｓ、２０ｍを図中下から上方向に見た平面概略図である。なお、これらの図は本実施形態を説明する上で必要な構成のみを示したものであり、他の構成を備えることを除外するものではない。
【００２３】
本実施形態の化学気相成長装置は、図２に示すように、チャンバ６０を有し、チャンバ６０内には、ステージ４０と、ヒータ７０と、反応ガス供給部３０と、シールド板２０ｓ、２０ｍと、を有する。その他、チャンバ６０内に、排気ガスＧ３を排気するための排気口５０ａ及び排気管５０ｂを有してもよい。
【００２４】
ステージ４０は、ウエハ１０をチャンバ６０内の所定位置に配置するためチャンバ６０内に配置されており、図中上方に位置する面にウエハ１０が配置される。
【００２５】
ヒータ７０は、ステージ４０上に配置されたウエハ１０を約５００〜６００℃程度まで加熱する。なお、ヒータ７０の種類や、配置する位置、などについては、従来技術に準じて選択することができる任意の設計事項である。
【００２６】
反応ガス供給部３０は、チャンバ６０内に反応ガスＧ２を供給する。ここで、反応ガス供給部３０は、チャンバ６０内の所定位置に配置されたウエハ１０に向かって反応ガスＧ２を供給可能な位置に配置される。具体的には、チャンバ６０内の所定位置に配置されたウエハ１０の薄膜を成膜する面と対向する位置に反応ガス供給部３０を配置するのが望ましい。例えば、図２に示すように、チャンバ６０の底面にステージ４０が配置され、その上にウエハ１０が配置される場合、反応ガス供給部３０は配置されたウエハ１０の薄膜を成膜する面の鉛直上方に配置されるのが望ましい。なお、反応ガス供給部３０は、例えば、インジェクタなどで構成される。
【００２７】
シールド板２０ｓ、２０ｍは、図２、３に示すように、曲面領域２０ｒ及び長手方向を有しており、チャンバ６０内に取り外し可能に取り付けられる。そして、シールド板２０ｓ、２０ｍの曲面領域２０ｒには、不活性ガスＧ１を放出するための複数の不活性ガス放出穴２０ａが設けられる。なお、図３において、シールド板２０ｍの略平面領域２０ｈにエンボス部２０ｅを設けているが、エンボス部２０ｅは本実施形態において必須の構成要素ではない。また、図２、３のシールド板２０ｓ、２０ｍの形状はあくまで一例であり、前記構成を満たす範囲でその他の形状とすることが可能である。
【００２８】
ここで、シールド板２０ｓ、２０ｍは、化学気相成長装置内のウエハ１０以外の部材に反応ガスＧ２の反応生成物が付着するのを防止する目的で、チャンバ６０内に取り付けられる。例えば、反応ガス供給部３０に反応ガスＧ２の反応生成物が付着するのを防止するため、図２に示すように、反応ガスＧ２が供給される空間であってウエハ１０が載置される空間と、反応ガス供給部３０と、の間に、反応ガス供給部３０の前記空間と対向する面を覆うような形状のシールド板２０ｍが取り付けられる。かかる場合、シールド板２０ｍには、反応ガス供給部３０から前記空間内に反応ガスＧ２を供給するための穴２０ｗが設けられる。その他、シールド板２０ｓ、２０ｍは、例えば、排気口５０ａ及び排気管５０ｂに反応ガスＧ２の反応生成物が付着するのを防止するため、排気口５０ａの周囲に、排気口５０ａに向かって徐々にガスの流路が狭くなる絞り形状であって、ガスの流路側が凸状であるシールド板２０ｓ、２０ｍが取り付けられてもよい。本実施形態のシールド板２０ｓ、２０ｍは、前記目的などを達成するため、例えば図３に示すような、長手方向を有する形状に構成される。
【００２９】
また、シールド板２０ｓ、２０ｍは、その表面に、不活性ガスＧ１を放出するための不活性ガス放出穴２０ａを複数有する。この不活性ガス放出穴２０ａからは、例えば窒素などの不活性ガスＧ１が放出され、チャンバ６０内を不活性雰囲気にするほか、チャンバ６０内に供給された反応ガスＧ２を整流する。
【００３０】
具体的には、シールド板２０ｍに設けられた穴２０ｗを経由してチャンバ６０内に供給された反応ガスＧ２は、不活性ガスＧ１に整流され、ウエハ１０に向けて移動した後、ウエハ１０付近でウエハ１０の薄膜を成膜する面に沿って、ウエハ１０の中央部から外縁方向に向かって移動する。そして、排気口５０ａ、排気管５０ｂを経由して排気ガスＧ３として排気される。
【００３１】
本実施形態のシールド板２０ｓ、２０ｍは、この整流を実現する不活性ガスＧ１の流れをチャンバ６０内に作るため、例えば図２に示すような、複数の不活性ガス放出穴２０ａを設けられた曲面領域２０ｒを有することとなる。
【００３２】
さらに、ウエハ１０上への成膜処理が行われると、シールド板２０ｓ、２０ｍの表面には、反応ガスＧ２の反応生成物が付着する。そこで、本実施形態のシールド板２０ｓ、２０ｍは、取り外し可能にチャンバ６０内に取り付けられる。そして、所定のタイミングで取り外され、常温下でフッ酸系の薬液などで洗浄される。
【００３３】
ここで、図１に、図３のＢ部を拡大した概略図を示す。また、図１中、吹き出しで、シールド板２０ｓ、２０ｍの曲面領域２０ｒの一部を拡大した概略図を示す。図３に示すように、シールド板２０ｓ、２０ｍの曲面領域２０ｒに設けられる不活性ガス放出穴２０ａは長穴であって、不活性ガス放出穴２０ａの長手方向が、シールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向と交わるよう設けられる。この長穴は、例えば、長辺ｋを１ｍｍ、短辺ｄを０．２ｍｍなどとすることができる。
【００３４】
なお、図示した細長丸形状の長穴はあくまで一例であり、その他、長方形などであってもよい。また、シールド板２０ｓ、２０ｍの略平面領域２０ｈに設けられる不活性ガス放出穴２０ａについても、長穴であって、不活性ガス放出穴２０ａの長手方向が、シールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向と交わるよう設けてもよい。
【００３５】
上記した「交わる」は、図示するように、不活性ガス放出穴２０ａの長手方向が、シールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向と略垂直に交わるのが望ましい。このようにすることで、シールド板２０ｓ、２０ｍがより損傷しにくくなる。そのメカニズムについては、以下で説明する不活性ガス放出穴２０ａの作用により明確となる。
【００３６】
以下、前記のような不活性ガス放出穴２０ａを設けることによる効果を説明する。
【００３７】
チャンバ６０内でウエハ１０に成膜処理を行っている際、シールド板２０ｓ、２０ｍは数百℃の高温状態になる。その結果、シールド板２０ｓ、２０ｍには、シールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向に向かって、熱膨張による応力が加わる。例えば、図４に示すように、引張応力（Ｓｔ）が加わる。この時、不活性ガス放出穴２０ａは、図５に示すように、短辺ｄ方向に引き伸ばされるよう変形し、シールド板２０ｓ、２０ｍに加わった引張応力（Ｓｔ）を吸収する。
【００３８】
また、シールド板２０ｓ、２０ｍは洗浄処理を行うため装置から取り外され、数百℃の高温状態から常温程度にまで冷却される。その結果、シールド板２０ｓ、２０ｍには、シールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向に向かって応力が加わる。例えば、図６に示すように、圧縮応力（Ｓｃ）が作用する。この時、不活性ガス放出穴２０ａは、図７に示すように、短辺ｄ方向が押し潰されるよう変形し、シールド板２０ｓ、２０ｍに加わった圧縮応力（Ｓｃ）を吸収する。
【００３９】
すなわち、本実施形態のシールド板２０ｓ、２０ｍは、エンボス部２ｅを加工することが困難な曲面領域２０ｒにおいても、シールド板２０ｓ、２０ｍが容易に変形し、引張応力（Ｓｔ）及び圧縮応力（Ｓｃ）を吸収するので、損傷しにくい構成となっている。
【００４０】
ここで、一般的に採用される図１２のような円形の不活性ガス放出穴２ａと、本実施形態の不活性ガス放出穴２０ａとの違いを説明する。
【００４１】
図１２のような円形の不活性ガス放出穴２ａは、シールド板２ｍにどの方向の応力（Ｓｔ、Ｓｃ）が加わっても、ほぼ同様に変形する。一方、本実施形態の不活性ガス放出穴２０ａは、シールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向に向かって加わる応力（Ｓｔ、Ｓｃ）に対して変形しやすい形状、配置となっている。
【００４２】
すなわち、円形の不活性ガス放出穴２ａと、本実施形態の不活性ガス放出穴２０ａとでは、その形状、配置などの違いにより、シールド板の長手方向に向かって加わる応力（Ｓｔ、Ｓｃ）による変形のし易さが大きく異なる。具体的には、本実施形態の不活性ガス放出穴２０ａの方が、円形の不活性ガス放出穴２ａよりも変形しやすい。
【００４３】
上記理由により、本実施形態の不活性ガス放出穴２０ａの方が、円形の不活性ガス放出穴２ａよりも、シールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向に向かって作用する応力（Ｓｔ、Ｓｃ）をより吸収しやすい構成となっている。
【００４４】
ここで、従来、図１２のような円形の不活性ガス放出穴２ａは、直径Ｄ＝０．２ｍｍ程度に設計される。すなわち、本実施形態の不活性ガス放出穴２０ａは、従来の不活性ガス放出穴２ａよりも開口空間が大きい設計であり、より変形しやすい構成となっている。
【００４５】
なお、不活性ガス放出穴２０ａは、図１に示すように、千鳥格子状に配置されてもよい。このように配置することで、曲面領域２０ｒ内のシールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向の任意の直線上には、不活性ガス放出穴２０ａが一以上存在する。その結果、シールド板２０ｓ、２０ｍの長手方向に作用する圧縮応力（Ｓｃ）及び引張応力（Ｓｔ）を、効果的に吸収することが可能となる。
【００４６】
次に、本実施形態の化学気相成長装置を用いた半導体装置の製造方法を、図８のフローチャート図を用いて説明する。図に示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法は、第一成膜ステップＳ１０と、洗浄ステップＳ２０と、第二成膜ステップＳ３０と、を有する。
【００４７】
第一成膜ステップＳ１０では、第一のウエハ１０上に薄膜が成膜される。具体的には、不活性ガス放出穴２０ａから不活性ガスＧ１が放出され、チャンバ６０内が不活性雰囲気となる。そして、不活性雰囲気下で、ヒータ７０により約５００〜６００℃程度まで加熱されたステージ４０上のウエハ１０に向けて、反応ガス供給部３０から反応ガスＧ２が供給される。すると、反応ガスＧ２に熱反応が生じ、前記熱反応の反応生成物による薄膜がウエハ１０の表面に成膜される。
【００４８】
なお、薄膜の成膜に寄与しなかった未反応の反応ガスＧ２は、不活性ガスＧ１により整流され、不活性ガスＧ１とともに、排気口５０ａ及び排気管５０ｂを経由して排気ガスＧ３として排気される。
【００４９】
このステップが実行されると、シールド板２０ｓ、２０ｍの表面に、徐々に反応ガスＧ２の反応生成物が付着する。
【００５０】
なお、このステップで薄膜を成膜するウエハ１０の数は一つに限定されず、二つ以上のウエハに薄膜を成膜してもよい。すなわち、第一成膜ステップＳ１０で二つ以上のウエハ１０の表面に順次、薄膜を成膜した後、以下の洗浄ステップＳ２０に進んでもよい。
【００５１】
洗浄ステップＳ２０では、化学気相成長装置からシールド板２０ｓ、２０ｍを取り外し、常温下で、取り外したシールド板２０ｓ、２０ｍを洗浄する。前記洗浄は、例えば、フッ酸系の薬液などを利用して行われ、シールド板２０ｓ、２０ｍの表面に付着した反応生成物が取り除かれる。
【００５２】
第二成膜ステップＳ３０では、洗浄後のシールド板２０ｓ、２０ｍを化学気相成長装置に取り付け、第二のウエハ１０上に前記薄膜が成膜される。
【００５３】
ここで、第二のウエハは、前記第一成膜ステップＳ１０で表面に薄膜を成膜されたウエハ１０とは異なるウエハ１０である。そして、第二のウエハ１０上に成膜される薄膜は、前記第一成膜ステップＳ１０で使用された反応ガスＧ２と同じ反応ガスＧ２を使用して成膜される薄膜である。なお、具体的な成膜処理は、前記第一成膜ステップＳ１０と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００５４】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、本実施形態の化学気相成長装置を利用して実行される。よって、加熱されたウエハ１０上への薄膜成膜処理、及び、装置から取り外して常温下でのシールド板２０ｓ、２０ｍの洗浄処理、を行うことで、シールド板２０ｓ、２０ｍに圧縮応力（Ｓｃ）及び引張応力（Ｓｔ）が加わっても、シールド板２０ｓ、２０ｍが損傷しにくい。その結果、シールド板２ｍ、２ｓの損傷により生じる、半導体装置の不良品の発生、歩留低下という問題が生じにくい。また、シールド板の寿命が延びるため、半導体装置の製造コストが低くなる。
【００５５】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５６】
１  ：ウエハ
２ａ：不活性ガス放出穴
２ｅ：エンボス部
２ｍ：シールド板
２ｒ：シールド板の曲面領域
２ｓ：シールド板
３  ：反応ガス供給部
４  ：ステージ
５ａ：排気口
５ｂ：排気管
６  ：チャンバ
７  ：ヒータ
１０  ：ウエハ
２０ａ：不活性ガス放出穴
２０ｅ：エンボス部
２０ｍ：シールド板
２０ｓ：シールド板
２０ｈ：シールド板の略平面領域
２０ｒ：シールド板の曲面領域
２０ｗ：穴
３０  ：反応ガス供給部
４０  ：ステージ
５０ａ：排気口
５０ｂ：排気管
６０  ：チャンバ
７０  ：ヒータ
Ｇ１  ：不活性ガス
Ｇ２  ：反応ガス
Ｇ３  ：排気ガス
【図１】
2010255051.tif 000003
【図２】
2010255051.tif 000004
【図３】
2010255051.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010255051.tif 000007
【図６】
2010255051.tif 000008
【図７】
2010255051.tif 000009
【図８】
2010255051.tif 000010
【図９】
2010255051.tif 000011
【図１０】
2010255051.tif 000012
【図１１】
2010255051.tif 000013
【図１２】
2010255051.tif 000014