(57)【要約】【課題】導電性を有するインプリント用スタンパを用いてレジスト膜のはがれを抑制できるインプリント用スタンパ及びその製造方法並びにインプリント方法を提供することを目的とする。【解決手段】本インプリント用スタンパは面抵抗が１〜１０００Ω／ｃｍ２である。本インプリント方法は、基板上に設けられた被形状転写層に本発明のインプリント用スタンパを圧接する圧接工程と、インプリント用スタンパに通電する通電工程と、インプリント用スタンパを被形状転写層から分離する分離工程と、を備える。本スタンパの製造方法は、凹凸パターンを有する石英質基体の凹凸パターンの表面に物理蒸着法により導電性膜を形成する工程を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
面抵抗が１〜１０００Ω／ｃｍ２であることを特徴とするインプリント用スタンパ。
【請求項２】
凹凸パターンを有する石英質基体と、該凹凸パターンの表面に形成された導電性膜と、を備える請求項１に記載のインプリント用スタンパ。
【請求項３】
光透過率が７０％以上である請求項１又は２に記載のインプリント用スタンパ。
【請求項４】
基板上に設けられた被形状転写層に請求項１乃至３のうちのいずれかに記載のインプリント用スタンパを圧接する圧接工程と、
前記インプリント用スタンパに通電する通電工程と、
前記インプリント用スタンパを前記被形状転写層から分離する分離工程と、を備えることを特徴とするインプリント方法。
【請求項５】
前記圧接工程と前記通電工程との間に、前記被形状転写層を硬化する硬化工程を備える請求項４に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記インプリント用スタンパが、請求項３に記載のインプリント用スタンパであると共に、前記硬化工程における前記硬化を光硬化法により行う請求項５に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記分離の後に、前記被形状転写層を加熱する加熱工程を備える請求項４乃至６のうちのいずれかに記載のインプリント方法。
【請求項８】
請求項２に記載のインプリント用スタンパの製造方法であって、凹凸パターンを有する石英質基体の該凹凸パターンの表面に物理蒸着法により前記導電性膜を形成する工程を備えることを特徴とするインプリント用スタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインプリント用スタンパ及びその製造方法並びにインプリント方法に関する。更に詳しくは、本発明は、導電性を有するインプリント用スタンパ及びその製造方法並びに導電性を有するインプリント用スタンパを用いたインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の回路の集積度や記録密度を向上させるためには、より微細な加工技術が必要である。微細な加工技術として、露光プロセスを用いたフォトリソグラフィ技術は、一度に大面積の微細加工が可能であるが、光の波長以下の分解能を持たない。従って、フォトリソグラフィ技術では、近年、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、１５７ｎｍ（Ｆ２）、１３．５ｎｍ（ＥＵＶ）の短波長光を用いたフォトリソグラフィ技術が開発されている。しかしながら、光の波長が短くなると、それに伴い、その波長で透過できる物質が限られるため、微細構造の作成に限界がある。
一方、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィ等の方法では、分解能が光の波長に依存せず、微細構造の作成が可能であるものの、スループットの悪さが問題となっている。
これに対して、光の波長以下の微細構造を高スループットで作成する手法としては、あらかじめ電子線リソグラフィ等により所定の微細凹凸パターンを作成したスタンパを、レジストを塗布した基板に押し付け、スタンパの凹凸を基板のレジスト膜に転写するナノインプリント法が知られている（例えば、非特許文献１及び２並びに特許文献１及び２参照）。
【０００３】
上述のナノインプリント法においては、これを実現する上で種々の解決すべき問題があるが、そのなかで「レジスト膜のはがれ」という問題がある。ナノインプリント法では、レジストを塗布した基板をガラス転移温度以上に加熱してレジストを軟化させるために、押し付けたスタンパをレジスト膜から剥がす際に、スタンパにレジスト膜の一部が付着したまま剥がれるという不具合を生じることがあり、これを「レジスト膜のはがれ」と称している。この「レジスト膜のはがれ」を解決するためにスタンパの改良が検討されており、例えば、下記特許文献３が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，７７２，９０５号公報
【特許文献２】米国特許第５，９５６，２１６号公報
【特許文献３】特開２００８−１６２１９０号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】エス．ワイ．チョウ（Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ），「ナノインプリントリソグラフィ技術（Ｎａｎｏ  Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」
【非特許文献２】アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）第７６巻，１９９５年，ｐ．３１１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記特許文献３は、表面がフッ素化処理されたスタンパである。しかしながら、この方法では、スタンパの使用回数の増加とともに、表面処理の効果が失われてゆき、スタンパの使用回数が多いと、高頻度で「レジスト膜のはがれ」を生じる場合があるという問題があり、この点においては、未だ十分なレジスト膜（本発明でいう被形状転写層である。）のはがれ防止を成すには至っていない。
本発明は前記実情に鑑みてなされたものであり、導電性を有するインプリント用スタンパを用いてレジスト膜のはがれを抑制できるインプリント用スタンパ及びその製造方法並びにインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
〈１〉面抵抗が１〜１０００Ω／ｃｍ２であることを特徴とするインプリント用スタンパ。
〈２〉凹凸パターンを有する石英質基体と、該凹凸パターンの表面に形成された導電性膜と、を備える前記〈１〉に記載のインプリント用スタンパ。
〈３〉光透過率が７０％以上である前記１又は２に記載のインプリント用スタンパ。
〈４〉基板上に設けられた被形状転写層に前記〈１〉乃至〈３〉のうちのいずれかに記載のインプリント用スタンパを圧接する圧接工程と、
前記インプリント用スタンパに通電する通電工程と、
前記インプリント用スタンパを前記被形状転写層から分離する分離工程と、を備えることを特徴とするインプリント方法。
〈５〉前記圧接工程と前記通電工程との間に、前記被形状転写層を硬化する硬化工程を備える前記〈４〉に記載のインプリント方法。
〈６〉前記インプリント用スタンパが、前記〈３〉に記載のインプリント用スタンパであると共に、前記硬化工程における前記硬化を光硬化法により行う請求項５に記載のインプリント方法。
〈７〉前記分離の後に、前記被形状転写層を加熱する加熱工程を備える前記〈４〉乃至〈６〉のうちのいずれかに記載のインプリント方法。
〈８〉前記〈２〉に記載のインプリント用スタンパの製造方法であって、凹凸パターンを有する石英質基体の該凹凸パターンの表面に物理蒸着法により前記導電性膜を形成する工程を備えることを特徴とするインプリント用スタンパの製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のインプリント用スタンパ（以下、単に「スタンパ」ともいう）によれば、転写後に被形状転写層とスタンパとを分離する際に、スタンパに被形状転写層が付着して基板などから剥がれること（以下、単に「共剥がれ」ともいう）を抑制できる。
凹凸パターンを有する石英質基体とその表面に形成された導電性膜とを備える場合は、被形状転写層とスタンパの凹凸パターン表面との界面で局所的に加熱を行うことができ、特に優れた共剥がれ抑制効果を得ることができる。
光透過率が７０％以上である場合は、光硬化特性を有する被形状転写層を利用することができる。
本発明のインプリント方法によれば、パターン転写した被形状転写層とスタンパとを分離する際の共剥がれを抑制できる。
圧接工程と通電工程との間に、被形状転写層を硬化する硬化工程を備える場合には、スタンパに対する通電加熱による共剥がれ抑制効果に加えて、被形状転写層の硬化によって粘着性が低減されてより優れた共剥がれ抑制効果が得られる。
光透過率が７０％以上のスタンパであると共に、硬化工程における硬化を光硬化法により行う場合は、被形状転写層の光硬化によって粘着性が低減されてより優れた共剥がれ抑制効果が得られる。
分離工程の後に、被形状転写層を加熱する加熱工程を備える場合は、優れた共剥がれ効果が得られることに加えて、十分な後硬化を行うことができるために高い耐久性を有する被形状転写層を得ることができる。
本発明のスタンパの製造方法によれば、導電性及び透光性等が高度に制御された導電性膜を容易に得ることができ、優れた共剥がれ抑制効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のスタンパの一例を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明のスタンパの他例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明のスタンパの他例を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明のスタンパの他例を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明のインプリント方法の一例を説明するフロー図である。
【図６】本発明のインプリント方法の他例を説明する部分的なフロー図である。
【図７】本発明のインプリント方法の他例を説明する部分的なフロー図である。
【図８】本発明のインプリント方法の他例を説明する部分的なフロー図である。
【図９】凹凸パターンを説明する模式的な斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
［１］インプリント用スタンパ
本発明のインプリント用スタンパ（以下、単に「スタンパ」ともいう）は、面抵抗が１〜１０００Ω／ｃｍ２であることを特徴とする。
【００１１】
前記「インプリント」とは、スタンパを用いて、基板上に設けられた被形状転写層に凹凸パターンを転写して、被形状転写層の表面に凹凸パターン（スタンパに形成された凹凸パターンの凹凸形状が反転して形成される）を形成する方法である。
【００１２】
前記「スタンパ」は、被形状転写層へ転写するための凹凸パターンを表面に有し、面抵抗１〜１０００Ω／ｃｍ２の導電性を有するものである。本発明のスタンパはこの導電性を有することで、通電を行った際にスタンパを発熱させることができ、スタンパと被形状転写層との離型性を向上させることができる。この離型性の向上は主として下記（１）及び（２）に起因すると考えられる。即ち、（１）被形状転写層とスタンパとの界面でこれら材料の熱膨張率の差異に起因した膨張差を生じる。加えて、（２）被形状転写層が硬化性を有する場合には、スタンパの発熱により、被形状転写層のスタンパと接する側の表面の硬化が促進されて、被形状転写層の基板と接する側の表面の粘着性に比べて、被形状転写層のスタンパと接する側の表面の粘着性が低くなり、被形状転写層とスタンパとの界面を優先して離型させることができる。
【００１３】
また、被形状転写層が硬化性を有する場合においては、前記（１）及び（２）のいずれの場合においても、離型時に被形状転写層の全体を硬化状態に至らせることなく離型できるために、被形状転写層を構成する樹脂素材の弾性が維持され、離型の際に凹凸パターンが破壊（折れ及び割れなど）されることを抑制でき、歩留まりを向上させることができるという利点がある。尚、被形状転写層が硬化性を有する場合には、スタンパと離型した後に、被形状転写層を改めて加熱することで被形状転写層の硬化を完了させることができ、目的とする凹凸パターン（硬化された凹凸パターン）を有する被形状転写層（以下、単に「パターン層」という）が得られる。
【００１４】
前記導電性は、通電発熱により被形状転写層とスタンパとの剥離性が向上されればどのような態様でスタンパに付与されていてもよい。即ち、例えば、図２に例示されるように、（１）スタンパ１０全体に導電性が付与されていてもよい。即ち、スタンパ１０全体が導電性部１０２からなってもよい。
更に、図１、図３及び図４に例示されるように、（２）スタンパ１０の一部のみに導電性が付与されてもいてもよい。即ち、スタンパ１０の一部が導電性部１０２であって且つ他部が絶縁性部１０１であってもよい。この場合、図１及び図３に例示されるように、スタンパ１０の絶縁性部１０１の表面に導電性部を有する場合が挙げられる。図１はスタンパ１０の凹凸パターンを有する表面に導電性膜１２（１０２）が形成されている態様であり、図３はスタンパ１０の凹凸パターンを有する表面部が導電性材料からなる導電性部１０２である態様である。更に、図４に例示されるように、スタンパ１０の内部に導電性部１０２を備えていてもよい。加えて、図２に例示されるスタンパ１０の凹凸パターンを有する表面に、絶縁性膜を介して、導電性膜１２を配設した態様を用いることもできる。
これらのうちでは、図１に例示されるように、絶縁性基体（絶縁性部１０１）の凹凸パターンの表面に導電性膜１２（導電性部１０２）を備えることが好ましい。
【００１５】
本発明のスタンパ１０が導電性を前記導電性膜１２として備える場合（図１参照）には、この導電性膜を熱源として利用できる。この導電性膜を備える場合には、スタンパの大きな体積部分に導電性が付与されている場合（図２参照）に比べて、より的確に被形状転写層へ加える熱量をコントロールできる。即ち、加熱温度及び加熱時間をより精密に制御することができる。従って、特に前記被形状転写層が硬化性を有する場合には、導電性膜と接する被形状転写層の必要な表面のみを加熱すると共に被形状転写層の基板側までは硬化されないように制御し易く、これにより、被形状転写層の表面側（スタンパと接している側）の粘着性を適切に低下させる一方、基板と被形状転写層との間の粘着性が維持され、被形状転写層を介した両界面の密着性に差を生じて、スタンパと被形状転写層との間の剥離を優先的に行うことができる。即ち、離型性を向上させることができる。
【００１６】
更に、離型時に被形状転写層の全体を硬化状態に至らせず（図６の拡大図参照）、導電性膜１２に接する近傍部分（図６における符合３０’に相当）のみ硬化を進行させつつ、導電性膜１２から離れた部位は、前記近傍に比べて硬化が進行されず、被形状転写層を構成する樹脂素材の弾性が維持され、離型の際に凹凸パターンが破壊（折れ及び割れなど）されることも抑制され、歩留まりを向上させることができる。加えて、通電抵抗を大きくできるために発熱に伴うエネルギーコストを抑制できる。
【００１７】
前記導電性部を構成する導電性材料としては、金属材料、半導体材料及び導電性有機材料等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
このうち金属材料としては、Ｔｉ（チタン）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｔａ（タンタル）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｓｎ（スズ）、Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｐｂ（鉛）及びこれらの合金等が挙げられる。これらのなかでは、熱伝導率及び導電性が高いことから、銅、アルミニウム、金、銀及び鉛が好ましい。また、被形状転写層への金属イオン付着の抑制の観点からは、イオン化され難く安定な材料から構成されることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｉ及びこれらの合金等が好ましい。
【００１８】
前記半導体材料としては、酸化物半導体材料が好適に用いられる。即ち、例えば、酸化インジウム系材料｛酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウムマグネシウム、フッ素含有酸化インジウムスズ等｝、酸化亜鉛、酸化亜鉛系材料（Ａｌ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＴｉのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛）、酸化スズ、酸化スズ系材料｛アンチモン含有酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）等｝、酸化チタン系材料（ニオブ添加二酸化チタン等）などが挙げられる。これらのなかでは透光性に優れるという観点においては酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ、酸化亜鉛、及び、ニオブ添加二酸化チタン等が好ましい。透光性を有する導電性膜を用いることで前述のように光硬化特性を利用できる。透光性を有する場合の好ましい光透過率についても前述の通りである。
【００１９】
前記導電性膜は、１層のみからなってもよく２層以上からなってもよい。更に、各層は同じ材質の層からなってもよく、異なる材質の層からなってもよい。
更に、前記導電性膜は、基体表面に形成された凹凸パターンの全面に備えられてもよく、一部のみに備えられてもよいが、通常、その全面に備えられることが好ましい。
また、導電性膜の膜厚（導電性を有し、通電により発熱される層の合計厚さ）は特に限定されず、導電性膜を構成する材種により適宜の厚さとすることが好ましいが、通常、１〜１０００ｎｍとすることが好ましい。この膜厚は、１〜５００ｎｍとすることがより好ましく、１〜１００ｎｍとすることが更に好ましく、１〜５０ｎｍとすることが特に好ましい。更に、その膜厚は全面にわたって均一であってもよく、発熱程度に変化を持たせる目的等で変化させてもよい。
【００２０】
また、スタンパが有する導電性は、面抵抗（凹凸パターンを有する表面における面抵抗）において１〜１０００Ω／ｃｍ２である。面抵抗が上記範囲では、通電による発熱を制御し易く、離型性向上を好適に得ることができる。この面抵抗は１〜５００Ω／ｃｍ２がより好ましく、１〜２００Ω／ｃｍ２が更に好ましく、１０〜１００Ω／ｃｍ２が特に好ましく、とりわけ１０〜５０Ω／ｃｍ２が好ましい。好ましい範囲においてはより優れた離型性向上効果を得ることができる。特に、導電性が凹凸パターンの表面に形成された前記導電性膜として付与されている場合には、導電性膜の面抵抗は導電性膜を構成する材料及びその厚さにより制御でき、導電性膜の面抵抗及び通電電流を制御することで発熱温度をコントロールできる。
尚、上記面抵抗は、以下の測定方法による。即ち、厚さ３ｎｍの導電性膜を備えた石英基板をシート抵抗測定器を用いて、四探針法にて測定して得られた値である。
【００２１】
一方、前記導電性膜が形成される基体を構成する材料は特に限定されず、その表面に凹凸パターンを形成できる精密加工性と、形成された凹凸パターンを被形状転写層へ圧接等した場合にも形状を維持できる機械的特性とを有すればよい。この観点から、無機材料（非金属性の無機材料）、金属材料（導電性膜との間に絶縁層を介して利用）、及び硬質有機材料等を用いることができる。前記非金属性無機材料としては、石英質材料｛石英（単結晶、多結晶）、各種ガラス（石英ガラス、フッ化物ガラス、リン酸カルシウム系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、ホウケイ酸塩系ガラス等）｝、シリコン、スピネル、コランダム、及び、サファイア等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでも透光性を有する材料が好ましく、更には、石英質材料が好ましく、特に耐熱衝撃性に優れることから石英（ＳｉＯ２）が特に好ましい。
【００２２】
また、金属性材料としては、導電性層（即ち、発熱層として機能できる層）の熱効率を損なわないため、熱伝導率の小さいものが好ましく、ステンレス鋼、炭素鋼、鉛、黄銅等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
更に、硬質有機材料（硬質化可能な有機材料）としては、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど）、ポリアミド、ポリエーテル、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、アラミド等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００２３】
更に、本発明のスタンパは、透光性を有することが好ましい。スタンパ自体が透光性を有する場合には被形状転写層を硬化するために光硬化特性を利用できる。透光性を有する構成としては、通常、前記基体として透光性を有する石英質材料等を用いることが好ましく、導電性膜として透光性を有する半導体材料か、又は、薄く形成された金属材料を用いることが好ましい。スタンパの光透過率は特に限定されず、光硬化に用いる露光光の波長に対して７０％以上の光透過率を有することが好ましく、露光光は、目的とする凹凸パターンのサイズ、被形状転写層中に含まれる感光剤の特性に応じて選定することが好ましい。なかでも可視光線（波長３６０〜８３０ｎｍ）に対して７０％以上の光透過率を有することが好ましく、特に波長３６０〜６６０ｎｍのより短波長の可視光線に対する光透過率が７０％以上であることが好ましく、７５〜１００％であることがより好ましく、８０〜１００％であることが更に好ましく、９０〜１００％であることが特に好ましい。とりわけこの光透過率は３６５ｎｍの可視光線に対する光透過率であることが好ましい。
【００２４】
尚、前記光透過率は、下記測定方法による。即ち、厚さ３ｎｍの導電性膜を備えた石英基板の対応する可視光線（例えば、波長３６５ｎｍ）に対する光透過率を紫外可視分光光度計を用いて測定した値である。
【００２５】
スタンパが備える前記凹凸パターンを構成する凹凸形状は特に限定されず、どのような形状であってもよく、例えば、凸条（図９の符合５１）、２段以上の階段部を有する凸条（図９の符合５２）、凸島状部（図９の符合５３）、突起（図９の符合５４）等の凸部や、凹条（図９の符合５５）、２段以上の階段部を有する凹条（図９の符合５６）、凹島状部（図９の符合５７）、有底孔（図９の符合５８）等の凹部などが挙げられる。
この凹凸パターンの大きさ（幅及び深さなど）は特に限定されないが、通常、パターンの幅は１０μｍ以下であり、特に１０〜１０００ｎｍとすることができ、更には、１０〜５００ｎｍとすることができ、とりわけ１０〜１００ｎｍとすることができる。即ち、例えば、図１に示すように、凸部における幅は先端部の幅ｗ１を意味し、凹部における幅は開口幅ｗ２を意味する。
【００２６】
本発明のスタンパは、前記導電性膜以外にも他の層を備えることができる。他の層としては、離型層、イオン化抑制層、密着性向上層｛各種層間（スタンパと導電性膜との層間など）の密着性を向上する層｝、熱拡散層、各種光学的機能層｛反射抑制、屈折率制御層、光透過性向上層（酸化ケイ素から構成）など｝、及び、絶縁層等が挙げられる。前記導電性膜を含めて、これらの各種層は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。即ち、例えば、各層は１層のみを有してもよく２層以上の多層構造としてもよい。また、１種の層を２層以上有する場合には、同種の層間に他種の層を介したサンドイッチ構造とすることもできる。
また、これら他の層の厚さは各々特に限定されないが、各１層の厚みは、通常、１〜１００ｎｍであり、１〜５０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍが特に好ましい。
【００２７】
前記他の層のうち、離型層は、スタンパと被形状転写層との分離を容易にするための層である。離型層を備える場合、離型層は導電性膜の外表面の一部又は前面に配設されることが好ましい。
この離型層としてはハロゲン化アルキル基を有するシラン系化合物を用いることが好ましい。このようなシラン系化合物を用いた場合には、ハロゲン化アルキル基が表面に位置するように自己組織化された有機単分子膜からなる離型層を得ることができる。
前記シラン系化合物としては、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリクロロシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン、（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル）トリクロロシラン、（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル）トリメトキシシラン、（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル）トリエトキシシラン、パーフルオロデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。尚、この離型層の有無に関わらず、スタンパ表面に各種離型剤を塗布して用いることができる。
【００２８】
前記他の層のうち、イオン化抑制層は透光性無機材料から形成することができる。イオン化抑制層を備える場合、イオン化抑制層は導電性膜の外表面の一部又は前面に配設されることが好ましい。
透光性無機材料としては、窒化物、酸化物、酸窒化物及び水素化窒化物等が挙げられる。このうち、窒化物としては、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化スズ、窒化ホウ素、窒化クロム、窒化炭化ケイ素等が挙げられる。酸化物としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化珪素、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化イットリウ、酸化エルビウム、酸化セリウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム等が挙げられる。酸窒化物としては、酸窒化ケイ素、酸窒化スズ、酸窒化ホウ素、酸窒化アルミニウム、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒化クロム、酸窒化炭化ケイ素等が挙げられる。水素化窒化物としては、水素化窒化アルミニウム、水素化窒化インジウム、水素化窒化ガリウム、水素化窒化ケイ素、水素化窒化スズ、水素化窒化ホウ素、水素化窒化クロム、水素化窒化炭化ケイ素等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００２９】
このイオン化抑制層の屈折率は特に限定されないものの、１．５以上が好ましく、１．８〜５．５がより好ましく、２．０〜３．５が特に好ましい。尚、この屈折率は、ＪＩＳ  Ｋ００６２（化学製品の屈折率測定方法）による。
更に、このイオン化抑制層の光透過率は７０％以上であることが好ましく、７０〜９９．５％がより好ましく、８０〜９８％が特に好ましい。尚、この光透過率は、前記光透過率の測定方法による。
【００３０】
前記導電性膜及び他の層の形成方法は特に限定されず、各々適宜、乾式プロセス及び／又は湿式プロセスを利用できる。
前記乾式プロセスとしては、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）等の物理的蒸着法、及び、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学堆積法などが挙げられる。一方、前記湿式プロセスとしては、電気めっき法及び無電解めっき法などが挙げられる。これらのプロセスは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
これらのうちでは、乾式プロセスが好ましい。湿式プロセスに比べて乾式プロセスはより膜厚を薄く制御し易いからである。尚、導電性膜への通電用配線パターン（ランドなど）等には前記湿式プロセスも好適に用いることができる。
【００３１】
［２］インプリント用スタンパの製造方法
前記インプリント用スタンパのうち、凹凸パターンを有する石英質基体と、その凹凸パターンの表面に形成された導電性膜と、を備えるインプリント用スタンパの前記導電性膜はどのようにして形成してもよい。即ち、例えば、導電性膜の形成方法としては、物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、めっき法などが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、物理蒸着法が好ましい。物理蒸着法で形成することにより、導電性材料の種類に関わらず用いることができると共に、導電性膜の厚さを薄く正確に制御できる。従って、この物理蒸着法を用い、導電性膜の膜厚を制御することで、金属材料からなる導電性膜においても、光透過率が７０％以上となるような導電性膜を形成できる。
【００３２】
［３］インプリント方法
以下、本発明のインプリント方法については、図５〜８を用いて詳述する。
本発明のインプリント方法は、基板上に設けられた被形状転写層に本発明のインプリント用スタンパを圧接する圧接工程と、
前記インプリント用スタンパに通電する通電工程と、
前記インプリント用スタンパを前記被形状転写層から分離する分離工程と、を備えることを特徴とする。
即ち、図５〜８に例示されるように、圧接工程ＰＲ１と、通電工程ＰＲ２と、分離工程ＰＲ３と、を備える。
【００３３】
前記「圧接工程（ＰＲ１）」は、基板２０上に設けられた被形状転写層３０に前記本発明のインプリント用スタンパ１０を圧接する工程である。
【００３４】
前記「被形状転写層３０」は、スタンパ１０が有する凹凸パターン１１が圧接されて、この凹凸パターンが転写される層である。この被形状転写層３０は、硬化された凹凸パターンを有するまで（即ち、パターン層となるまで）の過程の全ての状態の層をいうものとする。即ち、凹凸パターンが圧接される前段階の層、凹凸パターンが圧接された層、半硬化された凹凸パターンを有する層などが含まれる。
また、この被形状転写層３０は、凹凸パターンが形成されることで、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子の層間絶縁膜用膜、半導体素子製造時におけるレジスト膜等として利用することができる。
【００３５】
被形状転写層３０を構成する成分は特に限定されないが、通常、硬化可能な重合体が含有される。被形状転写層を構成する重合体としては、シラン系重合体、（メタ）アクリル系重合体、エポキシ系重合体、オキセタン系重合体、ビニル系重合体等が挙げられる。
【００３６】
前記重合体自体が感放射線性硬化特性及び／又は熱硬化特性を有さない場合には、被形状転写層３０には前記重合体以外に、硬化促進剤を含有できる。硬化促進剤としては、感放射線性硬化促進剤及び熱硬化促進剤が挙げられる。これらのうちでは感放射線性硬化促進剤が好ましい。感放射線性硬化促進剤は、前記重合体を構成する構成単位によって適宜選択できる。即ち、例えば、光酸発生剤、光塩基発生剤、光ラジカル発生剤及び光増感剤等が挙げられる。これらの感放射線性硬化促進剤は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００３７】
また、この圧接工程ＰＲ１における圧接の際の圧力は特に限定されないが、通常、０．１ＭＰａ以上（１００ＭＰａ以下）である。この圧力は０．１〜５０ＭＰａが好ましく、０．１〜３０ＭＰａがより好ましく、０．１〜２０ＭＰａが特に好ましい。更に、圧接する時間は特に限定されないが、通常、１秒以上（６００秒以下）である。この圧接時間は１〜３００秒が好ましく、１〜１８０秒がより好ましく、１〜１２０秒が特に好ましい。
【００３８】
前記「通電工程ＰＲ２」は、前記インプリント用スタンパ１０に通電する工程である。この通電により、前述のように導電性膜１２が発熱されて、スタンパ１０と接触している被形状転写層３０（後述するように、通電工程ＰＲ２前に被形状転写層３０の完全硬化を行った場合にはパターン層）が加熱されることとなる。そして、この加熱によって被形状転写層３０（前記の場合にはパターン層）とスタンパ１０との離型性が向上される。
【００３９】
特に、被形状転写層が硬化性を有する場合には、図６の拡大図部として示すように、通電によって、導電性膜１２に接する近傍部分のみに硬化を進行させた部位３０’を形成しつつ、導電性膜１２から離れた部位は前記部位３０’に比べて硬化が進行されない状態を維持することができる。これにより、被形状転写層３０のスタンパと接している側の粘着性を低下させる一方、基板２０と被形状転写層３０との間の粘着性は維持され、被形状転写層３０を介した両界面の密着性に差を生じて、スタンパ１０と被形状転写層３０との間の剥離を優先的に行うことができる。更に、被形状転写層３０を構成する樹脂素材の弾性が維持され、離型の際に凹凸パターンが破壊（折れ及び割れなど）されることも抑制され、歩留まりを向上させることができる。
【００４０】
通電工程ＰＲ２における通電はどのようにして行ってもよく、通電条件等も特に限定されず、目的とする加熱条件（温度及び加熱時間等）に合わせて適宜のものとすることができる。例えば、電圧は１〜２００Ｖとすることができ、更には１〜１００Ｖ、特に１〜５０Ｖとすることができる。また、電流は０．１〜１００Ａとすることができ、更には０．１〜５０Ａ、特に１〜２０Ａとすることができる。また、通電時間は０．１〜３００秒とすることができ、更には１〜２００秒、特に１〜１５０秒とすることができる。
【００４１】
また、被形状転写層３０が硬化性を有する（未硬化状態又は半硬化状態等の完全硬化前の状態である）場合には、被形状転写層３０を硬化させる前に通電工程ＰＲ２を行ってもよい。更に、図６に例示するように、硬化工程ＰＲ４を行って被形状転写層３０を硬化させた後に、通電工程ＰＲ２を行ってもよく、これらの工程（工程ＰＲ４及び工程ＰＲ２）を同時に行ってもよい。更に、前記硬化は完全な硬化であってもよく、不完全な硬化（半硬化）であってもよい。これらのなかでは、硬化工程ＰＲ４を行った後に、通電工程ＰＲ２を行うことが好ましい。即ち、圧接工程ＰＲ１と通電工程ＰＲ２との間に、被形状転写層３０を硬化する硬化工程ＰＲ４を備えることが好ましい。圧接工程ＰＲ１と通電工程ＰＲ２との間に硬化工程ＰＲ４を備えることで、分離工程ＰＲ３における被形状転写層の形状保持性を良好に保つことができるからである。
尚、図５〜７のように、直流電源を用いて通電を行ってもよいが、これに限られることなく交流電源を用いてもよい。
【００４２】
前記「分離工程ＰＲ３」は、インプリント用スタンパ１０を被形状転写層３０から分離する工程である。この分離工程ＰＲ３を行う前の状態における各層は、「基板２０」、「被形状転写層３０」、「スタンパ１０」の順に積層された状態にあり、前記通電工程ＰＲ２によって、基板２０と被形状転写層３０との間の密着強度よりも、被形状転写層２０とスタンパ１０との間の密着強度を低下させ、そのうえでこの分離を行うことができる。これにより共剥がれを防止できる。この分離工程ＰＲ３はどのようにして行ってもよく、分離に際する各種条件等も特に限定されない。即ち、例えば、基板２０を固定してスタンパ１０を基板２０から遠ざかるように移動させて分離してもよく、スタンパ１０を固定して基板２０をスタンパ１０から遠ざかるように移動させて分離してもよく、これらの両方を逆方向へ引っ張って分離してもよい。
【００４３】
本発明のインプリント方法は、圧接工程ＰＲ１、通電工程ＰＲ２、及び分離工程ＰＲ３以外に、他の工程を備えることができる。他の工程としては、被形状転写層２０を硬化（不完全な硬化であってもよく、完全な硬化であってもよい）させるため硬化工程ＰＲ４が挙げられる。
硬化工程ＰＲ４は前述のように、圧接工程ＰＲ１後であればどの段階で行ってもよく、また、１回のみ行ってもよく、２回以上行うこともできる。即ち、圧接工程ＰＲ１と通電工程ＰＲ２との間に硬化工程ＰＲ４を行ってもよく（図６参照）、通電工程ＰＲ２の後に硬化工程ＰＲ４を行ってもよい（図７参照）。更には分離工程ＰＲ３の後に硬化工程ＰＲ４を行うことができる（図８参照、図８における硬化はヒータ６０を用いた加熱硬化を例示）。また、圧接工程ＰＲ１、硬化工程ＰＲ４（半硬化工程）、通電工程ＰＲ２、硬化工程ＰＲ４（完全硬化工程）の順に２回の硬化工程ＰＲ４を行うこともできる。
【００４４】
この硬化工程ＰＲ４における硬化方法は特に限定されず、用いる被形状転写層２０の特性によって適宜選択することができる。即ち、被形状転写層２０が熱硬化性を有する場合には加熱硬化を行うことができ、被形状転写層２０が光硬化性を有する場合には光硬化を行うことができる。更に、光硬化性を有する場合には、光硬化を行った後に、更に加熱を行い（加熱工程を行い）、被形状転写層２０の完全硬化を行うこともできる。
【００４５】
前記熱硬化（硬化工程ＰＲ４）を行う場合、加熱雰囲気及び加熱温度等は特に限定されないが、例えば、不活性雰囲気下又は減圧下で１００〜５００℃で加熱することができ、更には１５０〜３００℃で加熱することができる。この加熱においては、ホットプレート、オーブン、ファーネス等を用いることができる。また、この加熱は、露光後に又は露光と共に、併用することもできる。併用した場合には、被形状転写層に含まれる重合体の架橋反応をより円滑に進行させることができる。
【００４６】
また、光硬化を行う場合、用いる放射線種は特に限定されず、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等の放射線｛ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）或いはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）などを含む｝を用いることができる。また、露光は被形状転写層の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。更に、前述のようにスタンパが透光性を有する場合には、放射線をスタンパを透過させて被形状転写層へ露光することができる。
前記硬化方法のうちでは、光を用いた光リソグラフィが好ましく、特に被形状転写層用組成物が、重合体とこの重合体を硬化させるための光硬化促進剤（感放射線性酸発生剤など）とを含有し、この光硬化促進剤が露光されることにより、前記重合体が硬化されるものであることが好ましい。尚、後述するように被形状転写層に空孔形成剤が含まれる場合には、硬化と同時に又は硬化後に加熱を行い（別途の加熱工程を行って）、空孔形成剤を除去することができる。
【００４７】
尚、図６及び図７における硬化工程は光硬化工程として示し、図８における硬化工程は熱硬化工程として示しているが、これらに限られることなく、図６及び図７における硬化工程は熱硬化工程であってもよく、図８における硬化工程は光硬化工程であってもよい。
【００４８】
また、本発明のインプリント方法では離型剤を用いることができる。即ち、圧接工程前に、スタンパの凹凸パターンを有する表面に離型剤を付着させる離型剤付着工程を行った後、前記各種次の工程を行うことができる。これにより、導電性膜により離型性向上効果を更に補助することができる。
離型剤を用いる場合、その種類は特に限定されないが、例えば、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、ポロエチレン系離型剤、ポロプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等が挙げられる。これらの離型剤は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでも、特にシリコン系離型剤が好ましい。このシリコン系離型剤としては、ポリジメチルシロキサン、アクリルシリコーングラフトポリマー、アクリルシロキサン、アリールシロキサン等が挙げられる。これらのシリコン系離型剤は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００４９】
前記被形状転写層として、例えば、低比誘電率の層間絶縁膜の形成を目的とする場合には、具体的には、シラン系重合体と空孔形成剤とが含有された被形状転写層に対してパターン形成を行った後、硬化させて、次いで、得られた硬化物（半硬化物などを含む）から前記空孔形成剤を除去することでシラン系重合体を主成分とする層間絶縁膜（パターン層）を得ることができる。
【００５０】
前記シラン系重合体としては、加水分解性シラン化合物を加水分解縮合して得られた重合体が好ましい。更に詳しくは、下記式（１）で表される加水分解性シラン化合物（以下、単に「化合物（１）」という）、及び、下記式（２）で表される加水分解性シラン化合物（以下、単に「化合物（２）」という）、から選ばれる少なくとも１種の加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させて得られる重合体であることが好ましい。
ＲａＳｉ（ＯＲ１）４−ａ    …  （１）
〔式（１）において、Ｒは水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基、又はアルキルカルボニルオキシ基を表し、Ｒ１は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数を示す。〕
Ｓｉ（ＯＲ２）４          …  （２）
〔式（２）において、Ｒ２は１価の有機基を示す。〕
【００５１】
前記式（１）のＲ１における１価の有機基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリル基、グリシジル基等が挙げられる。
前記化合物（１）の具体例としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等が好ましい。尚、化合物（１）は、１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００５２】
前記式（２）のＲ２における１価の有機基としては、前記式（１）のＲ１における１価の有機基をそのまま適用できる。但し、式（２）のＲ２と式（１）のＲ１とは同じであってもよく異なっていてもよい。
前記化合物（２）の具体例としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン等が挙げられる。これらのなかでも、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましい。尚、化合物（２）は、１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００５３】
前記シラン系重合体を構成する加水分解性シラン化合物としては、化合物（１）及び化合物（２）のみを用いてもよいが、必要に応じて、下記式（３）で表わされる加水分解性シラン化合物（以下、「化合物（３）」という）を併用できる。
【００５４】
Ｒ３ｘ（Ｒ４Ｏ）３−ｘＳｉ−（Ｒ７）ｚ−Ｓｉ（ＯＲ５）３−ｙＲ６ｙ  …（３）
〔式（３）において、Ｒ３〜Ｒ６は同一又は異なり、それぞれ１価の有機基を表し、ｘ及びｙは同一又は異なり、０〜２の数を示し、Ｒ７は酸素原子、フェニレン基、又は−（ＣＨ２）ｎ−で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）を表し、ｚは０又は１を示す。〕
この化合物（３）は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。式（３）のＲ３〜Ｒ６における１価の有機基としては、それぞれ、式（１）のＲ１における１価の有機基をそのまま適用できる。但し、式（３）のＲ３〜Ｒ６と式（１）のＲ１とは各々同じであってもよく異なっていてもよい。
【００５５】
前記化合物（３）のうち、式（３）においてｚ＝０である化合物（３）としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン等が好ましい。これらのｚ＝０である化合物（３）は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００５６】
また、前記化合物（３）のうち、式（３）においてｚ＝１である化合物（３）としては、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン等が好ましい。これらのｚ＝１である化合物（３）は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００５７】
前記シラン系重合体に含まれる全ての構成単位の合計を１００モル％とした場合に、化合物（１）由来の構成単位の含有割合は、３０〜１００モル％であることが好ましく、６０〜１００モル％がより好ましく、７０〜１００モル％が更に好ましい。３０〜１００モル％では、硬化処理時のプロセスマージンと硬化物の物性のバランスを良好にできる。
また、化合物（２）由来の構成単位の含有割合は、０〜７０モル％であることが好ましく、０〜４０モル％がより好ましく、０〜３０モル％が更に好ましい。０〜７０モル％では、硬化処理時のプロセスマージンと硬化物の物性のバランスをより良好にできる。
更に、化合物（１）由来の構成単位、及び、化合物（２）由来の構成単位の合計含有量は、１００モル％以下であることが好ましく、３０〜１００モル％がより好ましく、６０〜１００モル％が更に好ましい。３０〜１００モル％では、凹凸パターン形成においてシラン系重合体中の化合物（１）及び化合物（２）の各化合物に由来する構成単位を含むことによる効果をより効果的に得ることができる。
また、化合物（３）由来の構成単位の含有割合は、５０モル％以下であることが好ましく、０〜４０モル％がより好ましく、０〜３０モル％が更に好ましい。５０モル％以下では、凹凸パターン形成においてシラン系重合体中の化合物（１）及び化合物（２）の各化合物に由来する構成単位を含むことによる効果を阻害することなく、凹凸パターン形成において化合物（３）由来の構成単位を含む効果をより効果的に得ることができる。
【００５８】
前記シラン系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００〜１０００００であることが好ましく、より好ましくは１０００〜１００００である。このＭｗが１０００〜１０００００では、硬化前の不要なゲル化を抑制しつつ、優れた塗布性と高い保存安定性を両立させることができる。
【００５９】
前記シラン系重合体は、加水分解性シラン化合物｛前記化合物（１）〜（３）｝を出発原料として用い、加水分解縮合反応させることにより得ることができる。
このシラン系重合体を調製する際には、［１］化合物（１）、（２）及び（３）の混合物を加水分解縮合反応させてもよく、［２］各化合物の加水分解物及びその縮合物のうちの少なくとも一方や、選択された化合物の混合物の加水分解物及びその縮合物のうちの少なくとも一方を用いて、加水分解縮合反応又は縮合反応させてもよい。
また、加水分解縮合反応を行った後には、例えば、メタノール、エタノール等の低級アルコール類等の反応副生成物の除去処理を行うことが好ましい。これにより、前記有機溶媒の純度が高くなるため、より優れた塗布性が得られると共に、優れた保存安定性を得ることもできる。
本発明におけるシラン系重合体は、重合体溶液から単離して用いてもよく、重合体溶液のまま用いてもよい。尚、重合体溶液として用いる場合、必要に応じて、後述の溶媒（Ｃ）に溶剤置換されていてもよい。
【００６０】
前記空孔形成剤としては、加熱により除去（蒸散、昇華、焼失、反応気化など）できる各種有機成分を用いることができる。この有機成分としては、（メタ）アクリル系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体、糖鎖構造を有する重合体、ビニルアミド系重合体、芳香族ビニル化合物系重合体、デンドリマー、ポリイミド，ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体等が挙げられる。これらのなかでは、（メタ）アクリル系重合体及びポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体が好ましく、特に（メタ）アクリル系重合体が好ましい。
これらの有機成分は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００６１】
このうち（メタ）アクリル系重合体は、（メタ）アクリル系単量体を用いて得られた重合体である。この（メタ）アクリル系単量体としては、単官能アクリレート及び多官能アクリレートが挙げられる他、アクリル酸、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、ビニルイミダゾール、ビニルピリジン、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド、ヒドロキシブチルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、セチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、及び、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド等を用いることができる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００６２】
この空孔形成剤としての（メタ）アクリル系重合体には、前記各種単量体のなかでも、特にイソブチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタアクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシアダマンチル（メタ）アクリレート、γ−ブチロラクチル（メタ）アクリレート、ノルボルナンカルボラクチル（メタ）アクリレートが好ましい。
更に、この（メタ）アクリル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００〜１０００００であることが好ましく、１０００〜５００００がより好ましく、１０００〜１５０００が更に好ましい。このＭｗが１０００〜１５０００では、低比誘電率の層間絶縁膜の形成を目的とする被形状転写層用組成物内に特に良好な相溶性をもって混合することができる。
【００６３】
また、前記ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキシド構造等が挙げられる。具体的には、ポリオキシメチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩等のエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル等のエーテルエステル型化合物等が挙げられる。
【００６４】
また、前記ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマーとしては、下記のブロック構造を有する化合物が挙げられる。
−（Ｘ’）ｌ−（Ｙ’）ｍ−
−（Ｘ’）ｌ−（Ｙ’）ｍ−（Ｘ’）ｎ−
〔式中、Ｘ’は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−で表される基を示し、Ｙ’は−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−で表される基を示し、ｌは１〜９０、ｍは１０〜９９、ｎは０〜９０の数を示す。〕
【００６５】
この空孔形成剤としてのポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体には、前記各種重合体のなかでも、特にポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル等のエーテル型化合物が好ましい。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
更に、このポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００〜１０００００であることが好ましく、１０００〜５００００がより好ましく、１０００〜１５０００が更に好ましい。このＭｗが１０００〜１５０００では、低比誘電率の層間絶縁膜の形成を目的とする被形状転写層用組成物内に特に良好な相溶性をもって混合することができる。
【００６６】
また、硬化特性を利用する場合には、被形状転写層に酸発生剤を含有することが好ましい。この酸発生剤は、露光又は加熱等の作用により酸を発生する成分である。酸発生剤が含有されることで、酸発生剤から発生された酸は、重合体の架橋を促進し、その結果、被形状転写層の硬化が進行されて機械的特性に優れた凹凸パターンの形成を行うことができる。この酸発生剤は、露光により酸を発生する感放射線性酸発生剤｛例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等の放射線（ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）或いはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）などを含む。以下同様）の照射により酸を発生する成分｝であってもよく、加熱により酸を発生する熱酸発生剤であってもよいが、これらのうちでは、光リソグラフィを利用してより効率的にパターンを形成し易いという観点から、感放射線性酸発生剤が好ましい。
【００６７】
前記感放射線性酸発生剤（以下、単に「光酸発生剤」ともいう）としては、スルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類やジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物等が挙げられる。
【００６８】
具体的な前記光酸発生剤としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート等のトリフェニルスルホニウム塩化合物；
【００６９】
４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物；
【００７０】
４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等の４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物；
【００７１】
トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、トリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムカンファースルホネート等のトリ（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム塩化合物；
【００７２】
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート等のジフェニルヨードニウム塩化合物；
【００７３】
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート等のビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩化合物；
【００７４】
１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物；
【００７５】
１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムＮ，Ｎ’−ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニル）イミデート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等の１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム塩化合物；
【００７６】
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド等のスクシンイミド類化合物；
【００７７】
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−（３−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカニル）−１，１−ジフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等のビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド類化合物等が挙げられる。
尚、これらの光酸発生剤は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００７８】
前記光酸発生剤の使用量は、感度及び解像性を確保する観点から、前記被形状転写層を構成する組成物（以下、単に「被形状転写層用組成物」という）に含まれる重合体（例えば、前記シラン系重合体）１００質量部に対して、通常、０．１〜３０質量部であり、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１５質量部がより好ましい。前記好ましい範囲では感度及び解像性に優れると共に、放射線に対する透明性を十分に得ることができ、凹凸パターンをより得易い。
【００７９】
この被形状転写層用組成物には、前記各種成分以外にも溶剤を含有できる。
溶剤としては、有機溶剤を用いることが好ましく、通常は前記各成分が有機溶剤に溶解又は分散される。この有機溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、脂肪族炭化水素系溶剤、芳香族系溶剤及び含ハロゲン溶剤からなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
これらの溶剤のなかでも、沸点が１５０℃未満の有機溶剤を使用することが好ましい。特に、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤及びエステル系溶剤のうちの１種又は２種以上を使用することが好ましい。
【００８０】
前記溶剤の使用量は、前記被形状転写層用組成物に含まれる重合体（例えば、前記シラン系重合体）１００質量部に対して、通常、１００〜３５００質量部であり、２００〜３５００質量部が好ましく、４００〜３５００質量部がより好ましい。前記好ましい範囲では被形状転写層の面内均一性が特に優れる。
【００８１】
更に、被形状転写層用組成物には、前記各種成分以外にも酸拡散抑制剤を含有できる。
酸拡散制御剤は、被形状転写層内において、光酸発生剤から発生された酸の不要な拡散を制御し、非照射領域における意図しない化学反応を抑制する作用を有する成分である。この酸拡散制御剤を配合することにより、被形状転写層表面に形成する凹凸パターンの解像度を向上させることができると共に凹凸パターンの線幅変化を抑えることができる。
前記酸拡散制御剤としては、凹凸パターンの形成工程中の照射や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
【００８２】
前記含窒素有機化合物としては、３級アミン化合物、アミド基含有化合物、４級アンモニウムヒドロキシド化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。
３級アミン化合物としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、２，６−ジメチルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類；トリエタノールアミン、ジエタノールアニリン等のアルカノールアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼンテトラメチレンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル等が挙げられる。
【００８３】
アミド基含有化合物としては、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−ピロリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−ピペリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−ヒドロキシ−ピペリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−モルフォリン等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等が挙げられる。
【００８４】
４級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。
含窒素複素環化合物としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類；ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。
尚、これらの酸拡散制御剤は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００８５】
前記酸拡散制御剤の使用量は、前記被形状転写層用組成物に含まれる重合体（例えば、前記シラン系重合体）１００質量部に対して、通常、１５質量部以下（０．００１質量部以上）であり、１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。
【００８６】
また、被形状転写層用組成物には、前記各種成分以外にも界面活性剤を含有できる。
界面活性剤は、塗布性、ストリエーション等を改良する作用を示す成分である。この界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤等が挙げられる。
前記界面活性剤の使用量は、前記被形状転写層用組成物に含まれる重合体（例えば、前記シラン系重合体）１００質量部に対して、通常、０．００００１〜１質量部であり、０．００００１〜０．１質量部が好ましく、０．００００１〜０．０１質量部がより好ましい。
【００８７】
前記被形状転写層用組成物を用いて被形状転写層（凹凸パターンを圧接する前の被形状転写層）を形成する方法は特に限定されない。例えば、基板上に回転塗布、流延塗布、ロール塗布及びその他の方法により直接的に形成してもよく、予め他の場所に形成した被膜を乾燥させてシート化し、必要な大きさに裁断したうえでシール様に基板上に貼り付けて被形状転写層としてもよく、更にその他の方法を用いてもよい。
被形状転写層（基板上に膜化した後、溶剤等が含まれている場合には溶剤などを除去した状態における被形状転写層である）の厚さは特に限定されないが、通常、０．０１μｍ以上（１００μｍ以下）である。この厚さは０．０１〜５０μｍが好ましく、０．０１〜１０μｍがより好ましく、０．０１〜１μｍが特に好ましい。前記好ましい範囲では、被形状転写層の優れた面内均一性及び高い光透過性を確保することができる。
【００８８】
また、被形状転写層が形成された基板の種類は特に限定されず種々のものを用いることができる。即ち、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ等のＳｉ含有層で被覆されたウェハや、各種半導体装置製造段階における下層などが挙げられる。更に、例えば、特公平６−１２４５２号公報（特開昭５９−９３４４８号公報）等に開示されたように、有機系或いは無機系の反射防止膜が形成された基板であってもよい。
【実施例】
【００８９】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、「部」及び「％」は、特記しない限り質量基準である。
【００９０】
［実施例１］
〈１〉石英基板表面への導電性膜の形成
幅１μｍ、深さ２μｍの溝（凹凸パターン）が２μｍピッチで形成された２０ｃｍ×２０ｃｍの石英基板のこの凹凸パターンが形成された表面に、スパッタリング装置（反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法利用、株式会社ユーテック製、型式「ＴＹＰＥα」）を用いて、厚さ４ｎｍの窒化ケイ素層（密着性向上層として機能）、厚さ３ｎｍのＩＴＯ層（導電性膜として機能）、及び、厚さ４ｎｍの窒化ケイ素層（イオン化制御層として機能）の３層をこの順に積層形成してスタンパを得た。その結果、凹凸パターンである溝のエッジ部及び側面にも上記３層は均一に形成された。
【００９１】
〈２〉導電性膜の特性評価
（１）可視光透過率
前記（１）で形成された導電性膜を備えた石英基板の可視光線（波長３６５ｎｍにおける）に対する光透過率を紫外可視分光光度計装置（日本分光株式会社製、型式「ＪＡＳＣＯ  Ｖ７１００」）を用いて測定した結果、可視光透過率は９４％であった。
【００９２】
（２）面抵抗
シート抵抗測定器｛エヌピイエス（ＮＰＳ）株式会社製、型式「ＭＯＤＥＬ  ＳＲＭ−２３２」｝を用いて、四探針法にて面抵抗を測定した。その結果、２７Ω／ｃｍ２であった。
【００９３】
（３）通電特性及び温度特性
温度２０℃の大気雰囲気下において、前記石英基板が備える導電性膜に対して（石英基板の一対の基板側面に導出された電極パッドに対して印加）、電圧１２Ｖ且つ電流値４Ａの電力を投入した。この間、非接触式温度計によってスタンパの凹凸パターンを備える側の表面温度を計測した。その結果、印加前の表面温度２０℃に対して、印加開始３０秒の温度は６５℃に上昇した。即ち、１分あたり９０℃の表面温度上昇が計測された。
【００９４】
（４）導電性膜と基板との密着性評価
セバスチャンＶ型強度テスタ（ＱＵＡＤ  ＧＲＯＵＰ社製、型式「Ｒｏｍｕｌｕｓ  ＩＶ」）を用いて、スタッドプル法により、基板と基板上に積層した積層体（窒化ケイ素層とＩＴＯ層と窒化ケイ素層との積層体）との密着強度を測定した。即ち、前記積層体表面にエポキシ接着剤付きアルミニウム製スタッド（接着径＝２．７ｍｍ、フォトテクニカ製スタッドピン  ＃９０１１０６）を塗布し、アルミニウム製スタッド（接着径＝２．７ｍｍ）を接着し、エポキシ接着剤を１５０℃で１時間硬化させた。その後、石英基板を固定して前記スタッドを垂直方向に引き剥がした際に前記テスタで計測される密着強度を測定した。その結果、密着強度は１１０ＭＰａであった。
【００９５】
〈３〉通電によるスタンパとパターン層との密着強度の変化
スタンパの凹凸パターンを有する表面に、紫外線硬化式インプリント用組成物｛東洋合成工業株式会社製、品名「ＵＶナノインプリント用樹脂（ＵＶ−ＮＩＬ）  ＰＡＫ−０１」｝を０．３μｍの厚さに塗布して得られた被層を紫外線硬化してパターン層（実験用パターン層）を得た。このパターン層とスタンパとの密着強度を前記と同様にして測定（スタンパに通電していない場合）したところ、密着強度は４０ＭＰａであった。
また、同様にスタンパの凹凸パターンを有する表面に、前記と同じ紫外線硬化式インプリント用組成物を０．３μｍの厚さに塗布して得られた被層を紫外線硬化してパターン層（実験用パターン層）を得た。その後、前記導電性膜に電圧１２Ｖ且つ電流４Ａの電力を２分間通電し、その直後に同様に測定した密着強度は１７ＭＰａであった（容易に共剥がれなく剥離できた）。
尚、平坦なシリコンウエハ表面に前記紫外線硬化式インプリント用組成物を塗布して同様に形成した厚さ０．３μｍの被膜を紫外線硬化した後、前記と同様に測定した密着強度は３０ＭＰａであった。
【００９６】
［実施例２］
〈１〉シリコン基板表面への導電性膜の形成
幅０．１μｍ、深さ０．２μｍの溝（凹凸パターン）が０．５μｍピッチで形成された大きさ４インチのシリコンウエハのこの凹凸パターンが形成された表面に、スパッタリング装置（反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング法利用、株式会社ユーテック製、型式「ＴＹＰＥα」）を用いて、厚さ３ｎｍの窒化チタン層（密着性向上層として機能）、厚さ３ｎｍの銅層（導電性膜として機能）、及び、厚さ４ｎｍの窒化ケイ素層（イオン化抑制層として機能）の３層をこの順に積層形成してスタンパを得た。その結果、凹凸パターンである溝のエッジ部及び側面にも上記３層は均一に形成された。
【００９７】
〈２〉導電性膜の特性評価
（１）面抵抗
シート抵抗測定器｛エヌピイエス（ＮＰＳ）株式会社製、型式「ＭＯＤＥＬ  ＳＲＭ−２３２」｝を用いて、四探針法にて面抵抗を測定した。その結果、１９Ω／ｃｍ２であった。
【００９８】
（３）通電特性及び温度特性
温度２０℃の大気雰囲気下において、前記シリコンウエハが備えるランドに対して、電圧１２Ｖ且つ電流値４Ａの電力を投入した。この間、非接触式温度計によってスタンパの凹凸パターンを備える側の表面温度を計測した。その結果、印加前の表面温度２０℃に対して、印加開始９０秒の温度は８０℃に上昇した。即ち、１分あたり４０℃の表面温度上昇が計測された。
【００９９】
（４）導電性膜とシリコンウエハとの密着性評価
セバスチャンＶ型強度テスタ（ＱＵＡＤ  ＧＲＯＵＰ社製、型式「Ｒｏｍｕｌｕｓ  ＩＶ」）を用いて、スタッドプル法により、シリコンウエハとシリコンウエハ上に積層した積層体（窒化チタン層と銅層と窒化ケイ素層との積層体）との密着強度を測定（前記実施例１におけると同様に測定）した。その結果、密着強度は９０ＭＰａであった。
【０１００】
〈３〉通電によるスタンパとパターン層との密着強度の変化
スタンパの凹凸パターンを有する表面に、水素シルセスキオキサンポリマ｛ＨＳＱ（ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｓｉｌｓｅｑｕｉｏｘａｎｅ）、東レ・ダウコーニング社製、品名「ＦＯＸ１６」｝を０．４μｍの厚さに塗布した後、オーブン内で５０℃において５分加温して凹凸パターンにＨＳＱを浸透させてＨＳＱ膜を得た。
次いで、前記導電性膜に電圧１２Ｖ且つ電流４Ａの電力を５分間通電した。その結果、導電性膜が発熱してＨＳＱ膜の硬化が進行した。その後に実施例１におけるよ同様に測定した密着強度は１３ＭＰａであった（容易に共剥がれなく剥離できた）。
尚、ＨＳＱは液状であるため硬化を全くさせない状態では膜状に剥離を行うことはできない。
【０１０１】
尚、本発明においては、上記の具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１０；スタンパ、１０１；絶縁性部、１０２；導電性部、１１；凹凸パターン、１２；導電性膜、
２０；基板、３０；被形状転写層、３０’；被形状転写層の硬化が進行された部位、３１；凹凸パターン（転写された凹凸パターン）、
４０；パターン層、
５１；凸条、５２；２段以上の階段部を有する凸条、５３；凸島状部、５４；突起、５５；凹条、５６；２段以上の階段部を有する凹条、５７；凹島状部、５８；有底孔、
ＰＲ１；圧接工程、ＰＲ２；通電工程、ＰＲ３；離型工程、ＰＲ４；硬化工程（加熱工程）、
６０；ヒータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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