(57)【要約】【課題】コンタクトの剥がれ、絶縁膜表面の段差、及び、コンタクトの両端に発生する気泡を防止し、信頼性が高く、拡散工程の短い高周波デバイスを提供する。【解決手段】本発明の高周波デバイス２００は、Ｓｉ基板２０１上に形成された能動素子と、前記Ｓｉ基板２０１上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜２０５と、前記絶縁膜２０５上に形成されている受動素子を主に形成する配線層２０７と、前記能動素子と前記受動素子を主に形成する配線層２０７とを前記絶縁膜２０５を介して、前記Ｓｉ基板２０１に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクト２０６とを備え、前記コンタクト２０６は、無電解メッキによって形成されている。【選択図】図４
2010050371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に形成された能動素子と、
前記Ｓｉ基板上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されている受動素子及び伝送線路のうち少なくとも１つを備える分布定数回路と、
前記能動素子と前記分布定数回路とを前記絶縁膜を介して、前記Ｓｉ基板に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクトとを備え、
前記コンタクトは、無電解メッキによって形成されている
高周波デバイス。
【請求項２】
前記コンタクトが形成されている穴であるコンタクトビアの側壁の傾斜が７５°以上である
請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項３】
前記絶縁膜は、感光性樹脂を材料として形成されている
請求項１又は２に記載の高周波デバイス。
【請求項４】
前記コンタクトビアのアスペクト比は１以上である
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高周波デバイス。
【請求項５】
前記能動素子の配線は、Ａｌを主成分とする金属で形成され、
前記コンタクトは、Ｎｉを５０％以上含み、Ｚｎを介して前記配線と接続される
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の高周波デバイス。
【請求項６】
前記コンタクトは、さらにＰを含む
請求項５に記載の高周波デバイス。
【請求項７】
Ｓｉ基板上に形成された能動素子と、前記Ｓｉ基板上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜と、前記絶縁膜上方に形成されている受動素子及び伝送線路のうち少なくとも１つを備える分布定数回路と、前記能動素子と前記分布定数回路とを前記絶縁膜を介して前記Ｓｉ基板に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクトとを形成する高周波デバイス製造方法であって、
前記絶縁膜に前記コンタクト形成用の穴であるコンタクトビアを形成する工程と、
前記コンタクトビアに無電解メッキによりコンタクトを形成する工程と
を含む高周波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記コンタクトビアを形成する工程は、
前記受動素子が形成された前記Ｓｉ基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、
前記感光性樹脂を露光及び現像することにより、前記コンタクトビアを形成する工程と
を含む請求項７記載の高周波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記コンタクトを形成する工程は、
前記コンタクトビアにジンケート処理を施す工程と、
前記ジンケート処理された前記コンタクトビアに、Ｎｉを主成分とする金属を無電解メッキにより形成する工程と
を含む請求項７に記載の高周波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン系モノリシックマイクロ波集積回路（以下ＭＭＩＣ）を実現する高周波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、化合物半導体とヘテロ構造トランジスタの両者の発達はマイクロ波およびミリメートル波長回路との改良された周波数性能を助長する。例えば、優れた高周波数性能は選択されたバンドギャップの半導体によりヘテロ構造のバイポーラトランジスタ（以下ＨＢＴ）の各トランジスタ領域を形成することにより達成される。ＨＢＴの例では、エミッタ半導体はベース半導体よりも大きなバンドギャップを有するように選択される。このことによりエミッタがエミッタ効率を増加させるために高濃度にドープされ、ベースが高濃度にドープされてベース抵抗を増加せずに狭くされることを可能にする。さらに、コレクタ半導体はトランジスタのブレークダウン電圧を増加するように選択されることができる。
【０００３】
従来、ヘテロ構造トランジスタの利点が得られるのは主として砒化ガリウムアルミニウム／砒化ガリウム（以下ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ）半導体システムがあげられる。ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓシステムの利点は、優れた格子整合と、良好に開発された成長技術（例えば、分子ビームエピタキシおよび金属有機化合物の化学蒸気付着）と、大きなバンドギャップ差の有効性と、高い電子移動度と、半絶縁ＧａＡｓ基体を含んでいる。
【０００４】
これらの半導体システムのマイクロ波およびミリ波信号の伝導は典型的に差動のマイクロストリップ伝送線路あるいはコプレーナ伝送線路により達成される。これらの構造の誘電体は誘電損失を減少するように低い損失タンジェントを有することが好ましい。典型的に、これらの半導体システムの基体は伝送線路の誘電体を形成する。ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓシステムの基体はクロムまたは鉄のようなキャリアトラップ不純物の付加を通じて高い比抵抗で製造されることができる。従って、これらの基体は低損失伝送線路の形成に使用されることができる。また、この高い比抵抗と高い比誘電率を有するこの基体では、平衡と不平衡の状態にある電気信号を変換するための受動素子バラン（平衡−不平衡変換器）において優れた特性を得ることができる。
【０００５】
一方近年、シリコンゲルマニウム／シリコン（以下ＳｉＧｅ／Ｓｉ）やシリコン上のＣ−ＭＯＳデバイスがマイクロ波あるいはミリ波領域において利用できる可能性が示されている。Ｓｉは最も成熟した半導体技術であり、他の半導体システムよりも価格面の利点が大きい。
【０００６】
しかしながら、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓは基板自体が絶縁性を示すのとは対照的に、Ｓｉの比抵抗は純化によってしか増加させることができないので、比抵抗が限定される。従って、比抵抗の低いＳｉ基板にまで伝送線路や受動素子の電磁界が漏れ出し、シリコン基板上で製造される伝送線路や受動素子は不所望な損失を発生する。主にこの理由で、廉価なＳｉＧｅ／Ｓｉシステムで構成されるＭＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）は競争的性能を示さない。
【０００７】
そこで、Ｓｉ基板上の能動素子上に絶縁膜を数ミクロンから十数ミクロン堆積させ、その上に伝送線路や受動素子を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００８】
この絶縁膜を貫通させるコンタクトを形成する穴であるコンタクトビアを形成する場合、浮遊容量や集積化の観点からコンタクトビアの開口幅が小さいほど望ましい。しかしながら、絶縁膜の膜厚が非常に厚いため、アスペクト比が大きいコンタクトビアでは、コンタクトビア内を金属で埋めることは困難である。
【０００９】
このため、従来は、絶縁膜よりも先にコンタクトを電解メッキにて形成し、その後に絶縁膜を形成する手法がとられている（非特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１７９５９号公報
【非特許文献１】IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 52, NO. 4, APRIL 2004
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
電気メッキによりコンタクトを形成する手法では、絶縁膜中のコンタクト形成工程において、シードメタル形成工程、レジスト形成・リソグラフィ工程、電解メッキによるビアメタル形成工程、レジスト除去工程、シードメタル除去工程、絶縁膜形成工程、ビア部開口工程と非常に多くの工程を必要としていたため、コスト及びランタイムの点で問題があった。
【００１１】
図５は、高周波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【００１２】
Ｓｉ基板１０１上に、ＳｉやＳｉＧｅなどＳｉの特性を用いたトランジスタなどの能動素子層とＳｉプロセスの後工程としてＡｌやＣｕなどを用いた配線層を形成する。配線層は、最上層の配線層１０３と最上層以外の多層配線層１０２とを含む。最上層の配線層１０３とその保護膜１０４との上に、コンタクトが含有するメタル種を含む薄膜シードメタル（図示せず）を形成した後、その上に厚膜レジスト１０５を形成し、リソグラフィ工程にて選択的にコンタクト形成用の穴であるコンタクトビアを形成する（図５（ａ））。
【００１３】
次に、厚膜レジスト１０５のコンタクトビアに対して電解メッキを行い、コンタクト１０６を形成する（図５（ｂ））。その後、厚膜レジスト１０５と、コンタクト１０６を形成した以外の部分の薄膜シードメタルとを除去する（図５（ｃ））。
【００１４】
さらに、コンタクト１０６を覆うように厚膜な絶縁膜１０７を形成し（図５（ｄ））、コンタクト１０６上の部分の頭出しを実施する（図５（ｅ））。最後に、コンタクト１０６上に受動素子を主に形成する配線層１０８を形成する（図５（ｆ））。
【００１５】
上述のように、従来の手法で高周波デバイスを製造すると、非常に長いプロセス工程を必要とし、コスト面及び拡散時間の面で問題がある。
【００１６】
また、アスペクト比の高いコンタクトビアに電解メッキを施し形成されたポスト状のコンタクト１０６を剥き出しにするため、コンタクト１０６の剥がれが生じ易い。また、絶縁膜１０７を形成する際に、コンタクト１０６の近傍で気泡が発生し易い。さらに、アスペクト比の高いコンタクト１０６を形成後に絶縁膜１０７を塗布工程にて形成するために、塗布後の絶縁膜１０７表面にコンタクト１０６の形状を反映した表面段差が生じる。
【００１７】
そこで、本発明は、コンタクトの剥がれ、絶縁膜表面の段差、及び、コンタクトの両端に発生する気泡を防止し、信頼性が高く、拡散工程の短い高周波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明に関する高周波デバイスは、Ｓｉ基板上に形成された能動素子と、前記Ｓｉ基板上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されている受動素子及び伝送線路のうち少なくとも１つを備える分布定数回路と、前記能動素子と前記分布定数回路とを前記絶縁膜を介して、前記Ｓｉ基板に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクトとを備え、前記コンタクトは、無電解メッキによって形成されている。
【００１９】
本高周波デバイスは準ミリ波帯以上の高周波帯域、特にミリ波帯をターゲットとしており、１０ＧＨｚ以上の周波数帯においても、絶縁膜の誘電正接が小さいことが求められる。許容される誘電正接の値は０．０２である。また、このように絶縁膜がＳｉ上の能動素子と絶縁膜上の受動素子や伝送線路を隔てることにより、受動素子や伝送線路からＳｉ基板へ電磁界が漏れ出すのを防ぐことができる。また、コンタクトを無電解メッキ法によって形成することにより、従来よりも大幅に工程を削減し、コンタクトが剥き出しになることがない。これにより、コンタクトの剥がれ、絶縁膜表面の段差、及び、コンタクトの両端に発生する気泡を防止し、高周波デバイスの信頼性を向上させることができる。また、製造コストが削減できる。
【００２０】
また、前記コンタクトが形成されている穴であるコンタクトビアの側壁の傾斜が７５°以上としてもよい。
【００２１】
これにより、コンタクトビアの開口幅が小さくなるので、浮遊容量を減らすことができ、回路の集積化が図られる。
【００２２】
また、前記絶縁膜は、感光性樹脂を材料として形成されていてもよい。
【００２３】
これにより、従来の厚膜レジストと絶縁膜の両方の機能を併せ持つ感光性樹脂を使用することで、高周波デバイスの製造工程を削減し、製造コストを抑えられる。
【００２４】
また、前記コンタクトビアのアスペクト比は１以上でもよい。
【００２５】
このようにすることで、浮遊容量が受動素子に付加されるのを防ぎ、微細な受動素子が形成可能となり、設計上の自由が増える。
【００２６】
また、前記能動素子の配線は、Ａｌを主成分とする金属で形成され、前記コンタクトは、Ｎｉを５０％以上含み、Ｚｎを介して前記配線と接続されてもよい。
【００２７】
能動素子の配線をＡｌとすることで、ジンケート処理を施した場合、Ａｌ表面の酸化部を除去して配線とコンタクトとの間に生じる抵抗を抑えられる。さらに、コンタクトと配線との密着性を向上することができる。また、メッキ速度の速いＮｉを５０％以上使用することによって、１０μｍ以上と深いビア中を無電解メッキする上で、拡散時間を短縮することが出来る。また、コンタクトはＺｎを介して配線と接続されるので、ＺｎがＮｉを含む金属であるコンタクトとＡｌの配線との密着強度を向上させるバッファ層として機能し、配線からのコンタクトの剥がれを防止する。
【００２８】
また、前記コンタクトは、さらにＰを含んでもよい。
【００２９】
通常Ｎｉだけでは磁性が発生し、信号の伝達時にロスを発生してしまうが、このようにＰを含有することで、磁性の発生を抑制し、信号のロスを防ぐことができる。
【００３０】
なお、本発明は、このような高周波デバイスとして実現できるだけでなく、高周波デバイスを製造する工程を含む製造方法として実現してもよい。
【発明の効果】
【００３１】
以上より、本発明は、コンタクトの剥がれ、絶縁膜表面の段差、及び、コンタクトの両端に発生する気泡を防止し、信頼性が高く、拡散工程の短い高周波デバイスを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本実施の形態の高周波デバイスは、Ｓｉ基板上に形成された能動素子と、前記Ｓｉ基板上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されている受動素子及び伝送線路のうち少なくとも１つを備える分布定数回路と、前記能動素子と前記分布定数回路とを前記絶縁膜を介して、前記Ｓｉ基板に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクトとを備え、前記コンタクトは、無電解メッキによって形成されている。
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３４】
図１は、本実施の形態の高周波デバイスの構成を示す断面図である。
【００３５】
本実施の形態の高周波デバイス２００は、Ｓｉ基板２０１と、最上層以外の配線層を含む多層配線層２０２と、最上層以外の多層配線層２０２のさらに上に形成された最上層の配線層２０３と、保護膜２０４と、絶縁膜２０５と、コンタクト２０６と、受動素子を主に形成する配線層２０７とを備える。
【００３６】
最上層以外の多層配線層２０２及び最上層の配線層２０３は、Ｓｉ基板２０１上に形成され、Ｓｉプロセスを利用した能動素子とＳｉプロセスの後工程で形成された配線とを含む。ここで、Ｓｉプロセスを利用した能動素子とは、例えばＳｉ又はＳｉＧｅなどＳｉの特性を用いたトランジスタである。また、配線は、例えばＡｌ又はＣｕ等である。
【００３７】
最上層の配線層２０３は、最上層以外の多層配線層の上に形成される。ここで、例えば、最上層の配線層２０３がＡｌの場合、無電解メッキの前処理としてジンケート処理をすることで最上層の配線層２０３の酸化部を除去してコンタクト２０６と最上層の配線層２０３との接続箇所に生じる抵抗を抑えられる。また、コンタクトと最上層の配線層２０３との密着性が向上する。また、Ｚｎが、最上層の配線層２０３とコンタクト２０６との接続箇所に形成される。Ｚｎは、Ｎｉを含む金属であるコンタクト２０６とＡｌの配線との密着強度を向上させるバッファ層として機能し、最上層の配線層２０３からコンタクト２０６が剥がれることを防止する。
【００３８】
保護膜２０４は、最上層以外の多層配線層２０２及び最上層の配線層２０３のうちコンタクト２０６形成箇所以外の上に形成される。保護膜２０４は絶縁性を示し、例えば、ＰＳＧ、ＮＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＮ、ＳｉＯ及びＳｉＯＮである。
【００３９】
絶縁膜２０５は、保護膜２０４の上に形成され、最上層以外の多層配線層２０２及び最上層の配線層２０３に形成された能動素子及び配線と、絶縁膜２０５上に形成される受動素子を主に形成する配線層２０７とを隔てることで、受動素子を主に形成する配線層２０７の電磁界が、最上層以外の多層配線層２０２及び最上層の配線層２０３に漏れることを防止する。本発明の高周波デバイスは、準ミリ波帯以上の高周波帯域、特にミリ波帯域をターゲットとしているため、絶縁膜２０５の誘電率が低い、すなわち、誘電正接が小さいことが要求される。ここで、本実施の形態の絶縁膜２０５に要求される誘電正接の許容値は、１０ＧＨｚ以上の周波数において０．０２以下である。また、絶縁膜２０５は、感光性の樹脂である。上述の許容値を満たし、かつ、感光性の樹脂としては、例えば、エポキシ系の樹脂が挙げられる。
【００４０】
なお、コンタクト２０６の形状は、円柱でも、楕円柱でも、多角形柱でも、それらのテーパー形状でもよい。
【００４１】
図２は、絶縁膜２０５として２６ＧＨｚで誘電正接が０．００９の樹脂を用いた場合の、膜厚に対する伝送線路の損失を示すグラフである。
【００４２】
同図に示すように、絶縁膜の膜厚が厚くなるに従って、絶縁膜上に形成された分布定数回路である伝送線路の損失は減少する。絶縁膜の膜厚が１０μｍのときに、伝送線路の損失は０．８ｄＢである。従って、伝送線路の損失を大幅に抑えることができる。
【００４３】
コンタクト２０６は、最上層の配線層２０３の上の絶縁膜２０５中に形成される。ここで、コンタクト２０６の材質は、Ｐを含有するＮｉを主成分とする金属である。コンタクト２０６は、メッキ速度の速いＮｉを主成分とすることにより、膜厚が１０μｍ以上と厚い場合においても、拡散時間を抑えられる。また、Ｐを含有することにより、磁性の発生を抑制し、信号伝達時のロスを防止する。
【００４４】
コンタクト２０６を形成するための穴であるコンタクトビア内の無電解メッキの高さはコンタクトビアの高さと同程度（−２μｍ〜＋１μｍ）であることが望ましい。低すぎる場合は、受動素子を主に形成する配線層２０７を電解メッキ法で形成する際に段切れ不良が生じる可能性がある。高すぎる場合は、無電解メッキ上部がビア径以上に横側にパターンが膨れる可能性がある。
【００４５】
さらに、コンタクトビアのアスペクト比は１以上である。ここで、アスペクト比とは、コンタクトビアの平面方向の形状が円の場合、コンタクトビアの深さ方向の長さを直径で除した値とする。また、コンタクトビアの平面方向の形状が楕円の場合は、楕円の長軸で除した値とする。また、コンタクトビアの平面方向の形状が多角形の場合は、最も長い辺の長さで除した値とする。また、コンタクトビアの形状が円錐台の場合は、面積の大きい底面の直径で除した値とする。
【００４６】
図３は、本実施の形態の高周波デバイス２００のうち、コンタクトビアを含む一部を拡大した構造を示す断面図である。
【００４７】
コンタクト２０６は、コンタクトビア２１０を無電解メッキすることにより形成される。ここで、コンタクトビア２１０の側壁がＳｉ基板の主面に対して成す角２２０は、７５°以上である。これにより、コンタクトビア２１０により発生する浮遊容量を減らし、素子の集積化が可能となる。またこの時、絶縁膜２０５の端部は丸まってもよく、その角度は上記７５°とは無関係である。
【００４８】
例えば、絶縁膜２０５が、エポキシ系の樹脂といった永久レジストと呼ばれる高解像な絶縁膜である場合、コンタクトビア２１０の側壁がＳｉ基板の主面に対して成す角２２０は７５°以上となる。
【００４９】
なお、コンタクトビア２１０は、図３に図示されている形状とは異なり、最上層の配線層２０３に当接している当接部が、反対の開口端より広い形状でもよい。
【００５０】
図４は、本実施の形態の高周波デバイス２００の製造工程を示す断面図である。
Ｓｉ基板２０１上に、ＳｉやＳｉＧｅなどＳｉの特性を用いたトランジスタなどの能動素子層とＳｉプロセスの後工程としてＡｌやＣｕなどを用いた配線層を形成する。配線層は、最上層の配線層２０３と最上層以外の多層配線層２０２とを含む。最上層の配線層２０３とその保護膜２０４との上に、絶縁膜２０５を形成し、リソグラフィ工程にて選択的にコンタクト形成用の穴であるコンタクトビア２１０を形成する（図４（ａ））。すなわち、コンタクトビア２１０を形成する工程は、受動素子が形成されたＳｉ基板２０１上に感光性樹脂である絶縁膜２０５を塗布する工程と、感光性樹脂である絶縁膜２０５を露光及び現像することにより、コンタクトビア２１０を形成する工程とを含む。その後、絶縁膜２０５のコンタクトビア２１０に対して無電解メッキを行い（図４（ｂ））、コンタクト２０６を形成する。すなわち、コンタクト２０６を形成する工程は、コンタクトビア２１０にジンケート処理を施す工程と、ジンケート処理されたコンタクトビア２１０に、Ｎｉを主成分とする金属を無電解メッキにより形成する工程とを含む。次に、絶縁膜２０５上に受動素子を主に形成する配線層２０７を形成する（図４（ｃ））。
【００５１】
このとき、最上層以外の多層配線層２０２に含まれる配線層の数はいくつでもよい。
【００５２】
最上層の配線層２０３の膜厚は厚い方が望ましく、２μｍ以上であることが望ましい。最上層の配線層２０３は、受動素子を主に形成する配線層２０７に形成される受動素子のグラウンドとして働くので、厚さを２μｍ以上とすることで、高周波における高周波デバイス２００の動作が安定する。また、最上層の配線層２０３はＳｉプロセスとは別の工程で形成してもよい。
【００５３】
保護膜２０４は絶縁性を示し、例えばＰＳＧ，ＮＳＧ，ＢＰＳＧ，ＳｉＮ，ＳｉＯ，ＳｉＯＮなどの膜が望ましい。
【００５４】
絶縁膜２０５の誘電正接は、１０ＧＨｚ以上で０．０２以下になることが好ましい。また、その膜厚は図２に示したように１０μｍ以上あることが望ましい。絶縁膜２０５の種類としては、例えばエポキシ系の樹脂を主成分とした材料で、リソグラフィによって形成されたビアの側壁が７５°以上となるものが望ましい。また、耐酸性及び耐アルカリ性に優れたものが望ましい。これにより、リソグラフィ工程でのアルカリ性の現像液、及び、受動素子を主に形成する配線層２０７のメッキ工程後のシードメタル除去工程における酸による劣化を防止する。
【００５５】
コンタクト２０６は、最上層の配線層２０３がＡｌの場合、ジンケート処理によりＡｌの表面酸化物をＺｎに置換した後、連続してＮｉの無電解メッキ、その後フラッシュＡｕ無電解メッキによって形成されることが望ましい。この時、コンタクト２０６はさらに、磁性を抑えるためにＰを含有することが望ましい。具体的に、Ｐの含有率は１０％程度が望ましい。コンタクト２０６の高さは絶縁膜２０５と同程度が数μｍ低い程度に制御するのが望ましい。なお、コンタクト２０６としては、例えば、ＣｕやＡｕでもよい。
【００５６】
次に、絶縁膜２０５上に受動素子を主に形成する配線層２０７が形成される。受動素子を主に形成する配線層２０７は、ＡｕやＣｕなどを用いるのが望ましい。さらに、受動素子を主に形成する配線層２０７は、ビアを緩和するビアフィリング技術を利用することが望ましい。このようにすると、ビアの段差の影響を抑えた比較的平坦な受動素子を主に形成する配線層２０７を得ることが出来る。
【００５７】
以上のように、本実施の形態の高周波デバイス２００は、コンタクト２０６を無電解メッキによって形成することにより、コンタクト２０６の剥がれ、絶縁膜２０５表面の段差、及び、コンタクト２０６の両端に発生する気泡を防止でき、高い信頼性を得ることができる。また、本実施の形態の高周波デバイス２００は、短い拡散工程により製造できる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は特に、廉価な製造のために望ましいシリコンベースのＭＭＩＣに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本実施の形態の高周波デバイスの構成を示す断面図である。
【図２】膜厚に対する伝送線路の損失を示すグラフである。
【図３】本実施の形態の高周波デバイスのうち、コンタクトビアを含む一部を拡大した構造を示す断面図である。
【図４】本実施の形態の高周波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【図５】高周波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０１、２０１    Ｓｉ基板
１０２、２０２    多層配線層
１０３、２０３    最上層の配線層
１０４、２０４    保護膜
１０５    厚膜レジスト
１０６、２０６    コンタクト
１０７、２０５    絶縁膜
１０８、２０７    受動素子を主に形成する配線層
２００    高周波デバイス
２１０    コンタクトビア
２２０    コンタクトビアの側壁がＳｉ基板の主面に対して成す角
【図１】
2010050371.tif 000003
【図２】
2010050371.tif 000004
【図３】
2010050371.tif 000005
【図４】
2010050371.tif 000006
【図５】
2010050371.tif 000007