(57)【要約】【課題】加工を施す予定のワーク加工面を全て走査することなく、ワーク加工面からの加工位置を均一にし得る品質の高い加工を効率よく行えるようにする。【解決手段】ワーク２００上の複数のサンプリング位置Ｓｉｊ（Ｓ２１，Ｓ２２等）で各々ワーク加工面のＺ座標を検出し、これら複数のサンプリング位置ＳｉｊにおけるＺ座標と各加工予定位置、例えば交点ＰＡのＸ，Ｙ座標とに基づく演算処理で、加工予定位置、例えば交点ＰＡにおけるワーク加工面のＺ座標ＺＡを算出して把握できるようにした。【選択図】        図７
2010000517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークを加工する加工手段と、ワーク加工面と同一面に設定されたＸＹ座標面上のＸ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第１の送り手段と、ＸＹ座標面上のＹ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第２の送り手段と、ＸＹ座標面に直交するＺ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第３の送り手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＸ方向位置を検出する第１の位置検出手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＹ方向位置を検出する第２の位置検出手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＺ方向位置を検出する第３の位置検出手段と、を備え、前記保持手段に保持されたワークを、複数の加工予定位置におけるワーク加工面の各Ｚ座標に基づいて加工する加工装置であって、
前記複数の加工予定位置より粗く分散設定されたワーク上の複数のサンプリング位置に前記第１，第２の送り手段によって順次位置付けられて、各サンプリング位置におけるワーク加工面のＺ座標を検出するＺ座標検出手段と、
該Ｚ座標検出手段で検出された各サンプリング位置におけるＺ座標を記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された複数のサンプリング位置におけるＺ座標と、前記各加工予定位置のＸ，Ｙ座標とに基づいて、前記各加工予定位置におけるワーク加工面のＺ座標を順次算出する演算手段と、
対象となる前記加工予定位置のＸ，Ｙ，Ｚ座標に基づいて前記第１，第２，第３の送り手段を制御して前記保持手段と前記加工手段とを相対移動させ、前記第１，第２，第３の位置検出手段に従い対象となる該加工予定位置に前記加工手段を位置付けて加工させる加工制御手段と、
を備えることを特徴とするワーク加工装置。
【請求項２】
前記加工予定位置は、ＸＹ座標面上において同一のＸ座標位置がＹ方向に連続するストリートであり、
前記演算手段は、
前記ストリートに対して異なる位置で交差する複数の直線について各直線上の複数のサンプリング位置における各Ｚ座標と、該ストリートと前記各直線とが交差する各交点のＸ座標とに基づいて該ストリート上の前記各交点におけるワーク加工面のＺ座標をストリート毎に順次算出する交点位置Ｚ座標算出手段と、
該交点位置Ｚ座標算出手段によって算出された同一ストリート上の前記複数の交点における各Ｚ座標に基づいて該ストリート上におけるワーク加工面のＺ座標分布をストリート毎に順次算出するストリート上Ｚ座標分布算出手段と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のワーク加工装置。
【請求項３】
前記交点位置Ｚ座標算出手段は、各直線上の複数のサンプリング位置における各Ｚ座標と該複数のサンプリング位置の各Ｘ座標と該直線上の交点のＸ座標とを用いた直線近似の１次関数により前記交点におけるワーク加工面のＺ座標を算出し、
前記ストリート上Ｚ座標分布算出手段は、同一ストリート上の前記複数の交点における各Ｙ，Ｚ座標を用いて該ストリート上におけるワーク加工面のＺ座標分布を直線近似の１次関数として算出することを特徴とする請求項２に記載のワーク加工装置。
【請求項４】
各直線上の前記複数のサンプリング位置は、交差するストリートを挟む座標のサンプリング位置であることを特徴とする請求項２または３に記載のワーク加工装置。
【請求項５】
前記サンプリング位置は、ＸＹ座標面上でＸ，Ｙ方向に沿って分散設定され、
前記ストリートに交差する各直線は、前記ストリートに直交するＸ方向に沿った直線であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載のワーク加工装置。
【請求項６】
前記加工手段は、ワーク内部に焦点を合わせてレーザ光線を照射するレーザ照射手段であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のワーク加工装置。
【請求項７】
ワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークを加工する加工手段と、ワーク加工面と同一面に設定されたＸＹ座標面上のＸ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第１の送り手段と、ＸＹ座標面上のＹ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第２の送り手段と、ＸＹ座標面に直交するＺ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第３の送り手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＸ方向位置を検出する第１の位置検出手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＹ方向位置を検出する第２の位置検出手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＺ方向位置を検出する第３の位置検出手段と、を備え、前記保持手段に保持されたワークを、複数の加工予定位置におけるワーク加工面の各Ｚ座標に基づいて加工する加工装置に、
前記複数の加工予定位置より粗く分散設定されたワーク上の複数のサンプリング位置に前記第１，第２の送り手段によってＺ座標検出手段を順次位置付けて、各サンプリング位置におけるワーク加工面のＺ座標を検出して記憶手段に記憶させるＺ座標検出手順と、
記憶された複数のサンプリング位置におけるＺ座標と、前記各加工予定位置のＸ，Ｙ座標とに基づいて、前記各加工予定位置におけるワーク加工面のＺ座標を順次算出する演算手順と、
対象となる前記加工予定位置のＸ，Ｙ，Ｚ座標に基づいて前記第１，第２，第３の送り手段を制御して前記保持手段と前記加工手段とを相対移動させ、前記第１，第２，第３の位置検出手段に従い対象となる該加工予定位置に前記加工手段を位置付けて加工させる加工制御手順と、
を実行させることを特徴とするワーク加工用プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のワークを加工するワーク加工装置およびワーク加工用プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状であるワークの表面に格子状に配列されたストリート（切断予定ライン）によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ等の回路が形成されているワークをストリートに沿って切断することによって、回路毎に分割して個々の半導体チップを製造している。ワークのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称される切削装置によって行われる。このようなワークの切断に、レーザ光線を照射して切断する加工方法も試みられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
レーザ光線を利用する切断方法としては、ワークを透過する波長のパルスレーザ光線を切断予定ラインに沿ってワーク内部に焦点を合わせて照射し、ワーク内部に改質領域を形成し、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って割るまたは割れることにより切断させるものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
このようにワークの内部に改質領域を形成する加工方法において、品質の高い加工を行うには、ワーク加工面からの加工位置（改質領域を形成する位置）を均一にすることが必要とされる。ここで、主面が凹凸している加工対象物を加工する技術としては、加工準備として、加工を施す部分全ての平面度を平面度測定手段、例えば投光器と反射光受光器とを有する平面度測定器によって測定した後、測定した平面度に基づいて加工対象物を加工するようにしたものがある（例えば、特許文献３，４参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００５−９５９５２号公報
【特許文献３】特開平１１−３４５７８５号公報
【特許文献４】特開２００５−１９３２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献３，４等に示されるように平面度測定手段を用いる方法の場合、加工を施す予定のワーク加工面を全て走査して表面状態を測定する必要があり、加工準備段階の平面度測定に多大な時間がかかってしまい、加工処理の効率の悪いものとなる。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、加工を施す予定のワーク加工面を全て走査することなく、ワーク加工面からの加工位置を均一にし得る品質の高い加工を効率よく行うことができるワーク加工装置およびワーク加工用プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかるワーク加工装置は、ワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークを加工する加工手段と、ワーク加工面と同一面に設定されたＸＹ座標面上のＸ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第１の送り手段と、ＸＹ座標面上のＹ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第２の送り手段と、ＸＹ座標面に直交するＺ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第３の送り手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＸ方向位置を検出する第１の位置検出手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＹ方向位置を検出する第２の位置検出手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＺ方向位置を検出する第３の位置検出手段と、を備え、前記保持手段に保持されたワークを、複数の加工予定位置におけるワーク加工面の各Ｚ座標に基づいて加工する加工装置であって、前記複数の加工予定位置より粗く分散設定されたワーク上の複数のサンプリング位置に前記第１，第２の送り手段によって順次位置付けられて、各サンプリング位置におけるワーク加工面のＺ座標を検出するＺ座標検出手段と、該Ｚ座標検出手段で検出された各サンプリング位置におけるＺ座標を記憶する記憶手段と、該記憶手段に記憶された複数のサンプリング位置におけるＺ座標と、前記各加工予定位置のＸ，Ｙ座標とに基づいて、前記各加工予定位置におけるワーク加工面のＺ座標を順次算出する演算手段と、対象となる前記加工予定位置のＸ，Ｙ，Ｚ座標に基づいて前記第１，第２，第３の送り手段を制御して前記保持手段と前記加工手段とを相対移動させ、前記第１，第２，第３の位置検出手段に従い対象となる該加工予定位置に前記加工手段を位置付けて加工させる加工制御手段と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかるワーク加工装置は、上記発明において、前記加工予定位置は、ＸＹ座標面上において同一のＸ座標位置がＹ方向に連続するストリートであり、前記演算手段は、前記ストリートに対して異なる位置で交差する複数の直線について各直線上の複数のサンプリング位置における各Ｚ座標と、該ストリートと前記各直線とが交差する各交点のＸ座標とに基づいて該ストリート上の前記各交点におけるワーク加工面のＺ座標をストリート毎に順次算出する交点位置Ｚ座標算出手段と、該交点位置Ｚ座標算出手段によって算出された同一ストリート上の前記複数の交点における各Ｚ座標に基づいて該ストリート上におけるワーク加工面のＺ座標分布をストリート毎に順次算出するストリート上Ｚ座標分布算出手段と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明にかかるワーク加工装置は、上記発明において、前記交点位置Ｚ座標算出手段は、各直線上の複数のサンプリング位置における各Ｚ座標と該複数のサンプリング位置の各Ｘ座標と該直線上の交点のＸ座標とを用いた直線近似の１次関数により前記交点におけるワーク加工面のＺ座標を算出し、前記ストリート上Ｚ座標分布算出手段は、同一ストリート上の前記複数の交点における各Ｙ，Ｚ座標を用いて該ストリート上におけるワーク加工面のＺ座標分布を直線近似の１次関数として算出することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかるワーク加工装置は、上記発明において、各直線上の前記複数のサンプリング位置は、交差するストリートを挟む座標のサンプリング位置であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明にかかるワーク加工装置は、上記発明において、前記サンプリング位置は、ＸＹ座標面上でＸ，Ｙ方向に沿って分散設定され、前記ストリートに交差する各直線は、前記ストリートに直交するＸ方向に沿った直線であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明にかかるワーク加工装置は、上記発明において、前記加工手段は、ワーク内部に焦点を合わせてレーザ光線を照射するレーザ照射手段であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明にかかるワーク加工用プログラムは、ワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークを加工する加工手段と、ワーク加工面と同一面に設定されたＸＹ座標面上のＸ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第１の送り手段と、ＸＹ座標面上のＹ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第２の送り手段と、ＸＹ座標面に直交するＺ方向に前記保持手段と前記加工手段とを相対的に移動させる第３の送り手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＸ方向位置を検出する第１の位置検出手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＹ方向位置を検出する第２の位置検出手段と、前記保持手段と前記加工手段との相対的なＺ方向位置を検出する第３の位置検出手段と、を備え、前記保持手段に保持されたワークを、複数の加工予定位置におけるワーク加工面の各Ｚ座標に基づいて加工する加工装置に、前記複数の加工予定位置より粗く分散設定されたワーク上の複数のサンプリング位置に前記第１，第２の送り手段によってＺ座標検出手段を順次位置付けて、各サンプリング位置におけるワーク加工面のＺ座標を検出して記憶手段に記憶させるＺ座標検出手順と、記憶された複数のサンプリング位置におけるＺ座標と、前記各加工予定位置のＸ，Ｙ座標とに基づいて、前記各加工予定位置におけるワーク加工面のＺ座標を順次算出する演算手順と、対象となる前記加工予定位置のＸ，Ｙ，Ｚ座標に基づいて前記第１，第２，第３の送り手段を制御して前記保持手段と前記加工手段とを相対移動させ、前記第１，第２，第３の位置検出手段に従い対象となる該加工予定位置に前記加工手段を位置付けて加工させる加工制御手順と、を実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明にかかるワーク加工装置およびワーク加工用プログラムは、ワーク上の複数のサンプリング位置で各々ワーク加工面のＺ座標を検出し、これら複数のサンプリング位置におけるＺ座標と各加工予定位置のＸ，Ｙ座標とに基づく演算処理で、加工予定位置におけるワーク加工面のＺ座標を把握できるので、加工を施す予定のワーク加工面を全て走査することなく、ワーク加工面からの加工位置を均一にし得る品質の高い加工を効率よく行うことができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態であるワーク加工装置およびワーク加工用プログラムについて図面を参照して説明する。本実施の形態は、ワーク加工装置として、ワークの所望の加工予定位置であるストリート（切断予定ライン）に沿ってパルスレーザ光線を、ワーク内部に焦点を合わせて照射することにより改質領域を形成して切断させるレーザ加工装置への適用例で説明する。
【００１７】
図１は、本実施の形態のレーザ加工装置の制御系の一部を含め主要部を示す外観斜視図である。本実施の形態のレーザ加工装置１は、保持手段２と、加工手段でありレーザ照射手段であるレーザ光線照射ユニット３と、第１の送り手段４と、第２の送り手段５と、第３の送り手段６と、第１の位置検出手段４ａと、第２の位置検出手段５ａと、第３の位置検出手段６ａと、Ｚ座標検出手段７と、撮像手段８と、制御手段１０とを備えている。
【００１８】
保持手段２は、多孔性材料から形成された吸着チャック２１を備え、この吸着チャック２１上に加工対象となるワーク２００を図示しない吸引手段によって保持するとともに、円筒部材２２内に配設された図示しないパルスモータによって回転可能とされている。また、保持手段２には、後述する環状フレーム２１０を固定するためのクランプ２３が配設されている。
【００１９】
また、レーザ光線照射ユニット３は、先端に装着された集光器３１が保持手段２に対して上空から対向するように固定基台１１上に固定的に配置されたもので、集光器３１からパルスレーザ光線を照射する。また、撮像手段８は、集光器３１との位置関係が固定された状態でレーザ光線照射ユニット３の一部に配設されて保持手段２に対向し、保持手段２に保持されたワーク２００を撮像するためのものである。この撮像手段８は、ワーク２００を照明する照明手段と、この照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を制御手段１０に送る。
【００２０】
また、本実施の形態のレーザ加工装置１における保持手段２に保持されたワーク加工面と同一面をＸＹ座標面とし、そのＸ方向、Ｙ方向を図１中の矢印で示す方向にとり、ＸＹ座標面に直交する方向をＺ方向とした場合、第１の送り手段４は、保持手段２をレーザ光線照射ユニット３に対してＸ方向に移動させるためのものであり、第２の送り手段５は、保持手段２をレーザ光線照射ユニット３に対してＹ方向に移動させるためのものであり、第３の送り手段６は、保持手段２上のワークに対してレーザ光線照射ユニット３をＺ方向に移動させるためのものである。ここで、第２の送り手段５は、保持手段２とともに第１の送り手段４を搭載した滑動ブロック５１と、この滑動ブロック５１をＹ方向に移動させるための一対の案内レール５２と、一対の案内レール５２間に平行に配設されたボールねじ５３と、このボールねじ５３を回転駆動するためのパルスモータ５４等の駆動源とにより構成されている。ボールねじ５３は、その一端が静止基台１１に固定された軸受ブロック５５により回転自在に支持され、他端がパルスモータ５４の出力軸に連結されている。なお、ボールねじ５３は、滑動ブロック５１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ねじブロックに形成された貫通雌ねじ孔に螺合され、パルスモータ５４によってボールねじ５３を正転および逆転駆動することにより、保持手段２が搭載された滑動ブロック５１は案内レール５２に沿ってＹ方向に移動する。
【００２１】
一方、第１の送り手段４は、保持手段２を搭載した滑動ブロック４１と、この滑動ブロック４１をＸ方向に移動させるために滑動ブロック５１上に設けられた一対の案内レール４２と、一対の案内レール４２間に平行に配設されたボールねじ４３と、このボールねじ４３を回転駆動するためのパルスモータ４４等の駆動源とにより構成されている。ボールねじ４３は、その一端が滑動ブロック５１に固定された軸受ブロック４５により回転自在に支持され、他端がパルスモータ４４の出力軸に連結されている。なお、ボールねじ４３は、滑動ブロック４１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ねじブロックに形成された貫通雌ねじ孔に螺合され、パルスモータ４４によってボールねじ４３を正転および逆転駆動することにより、保持手段２が搭載された滑動ブロック４１は案内レール４２に沿ってＸ方向に移動する。
【００２２】
また、第３の送り手段６は、レーザ光線照射ユニット３等を搭載した滑動ブロック６１と、この滑動ブロック６１をＺ方向に移動させるために支持台６２側面に設けられた一対の案内レール６３と、一対の案内レール６３間に平行に配設されたボールねじ６４と、このボールねじ６４を回転駆動するためのパルスモータ６５等の駆動源とにより構成されている。ボールねじ６４は、その一端が支持体６２に固定された軸受ブロック６６により回転自在に支持され、他端がパルスモータ６５の出力軸に連結されている。なお、ボールねじ６４は、滑動ブロック６１の中央部背面に突出して設けられた図示しない雌ねじブロックに形成された貫通雌ねじ孔に螺合され、パルスモータ６５によってボールねじ６４を正転および逆転駆動することにより、レーザ光線照射ユニット３が搭載された滑動ブロック６１は案内レール６３に沿ってＺ方向に移動する。
【００２３】
また、第１の位置検出手段４ａは、第１の送り手段４に付設されて、保持手段２とレーザ光線照射ユニット３との相対的なＸ方向位置を検出するためのものである。この第１の位置検出手段４ａは、滑動ブロック５１上で案内レール４２に沿って配設されたＸ軸リニアスケール４７と、滑動ブロック４１に配設されて滑動ブロック４１とともにＸ軸リニアスケール４７に沿って移動しこのＸ軸リニアスケール４７を読み取る図示しないＸ軸読取ヘッドとからなる。Ｘ軸読取ヘッドにより読み取られた結果であるＸ座標値は、制御手段１０に対して出力される。Ｘ軸読取ヘッドは、例えば１μｍ毎に１パルスのパルス信号を出力するように設定されている。そして、制御手段１０は、入力されたパルス信号をカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＸ方向位置を検出する。
【００２４】
なお、本実施の形態のように第１の送り手段４の駆動源としてパルスモータ４４を用いている場合には、パルスモータ４４に駆動信号を出力する制御手段１０の駆動パルスをカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＸ方向位置を検出するようにしてもよい。また、第１の送り手段４の駆動源としてサーボモータを用いた場合であれば、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段１０に送り、制御手段１０が入力したパルス信号をカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＸ方向位置を検出するようにしてもよい。
【００２５】
同様に、第２の位置検出手段５ａは、第２の送り手段５に付設されて、保持手段２とレーザ光線照射ユニット３との相対的なＹ方向位置を検出するためのものである。この第２の位置検出手段５ａは、静止基台１１上で案内レール５２に沿って配設されたＹ軸リニアスケール５７と、滑動ブロック５１に配設されて滑動ブロック５１とともにＹ軸リニアスケール５７に沿って移動しこのＹ軸リニアスケール５７を読み取る図示しないＹ軸読取ヘッドとからなる。Ｙ軸読取ヘッドにより読み取られた結果であるＹ座標値は、制御手段１０に対して出力される。Ｙ軸読取ヘッドは、例えば１μｍ毎に１パルスのパルス信号を出力するように設定されている。そして、制御手段１０は、入力されたパルス信号をカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＹ方向位置を検出する。
【００２６】
なお、本実施の形態のように第２の送り手段５の駆動源としてパルスモータ５４を用いている場合には、パルスモータ５４に駆動信号を出力する制御手段１０の駆動パルスをカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＹ方向位置を検出するようにしてもよい。また、第２の送り手段５の駆動源としてサーボモータを用いた場合であれば、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段１０に送り、制御手段１０が入力したパルス信号をカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＹ方向位置を検出するようにしてもよい。
【００２７】
また、第３の位置検出手段６ａは、第３の送り手段６に付設されて、保持手段２とレーザ光線照射ユニット３との相対的なＺ方向位置を検出するためのものである。この第３の位置検出手段６ａは、支持台６２側面で案内レール６３に沿って配設されたＺ軸リニアスケール６７と、滑動ブロック６１に配設されて滑動ブロック６１とともにＺ軸リニアスケール６７に沿って移動しこのＺ軸リニアスケール６７を読み取る図示しないＺ軸読取ヘッドとからなる。Ｚ軸読取ヘッドにより読み取られた結果であるＺ座標値は、制御手段１０に対して出力される。Ｚ軸読取ヘッドは、例えば１μｍ毎に１パルスのパルス信号を出力するように設定されている。そして、制御手段１０は、入力されたパルス信号をカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＺ方向位置を検出する。
【００２８】
なお、本実施の形態のように第３の送り手段６の駆動源としてパルスモータ６５を用いている場合には、パルスモータ６５に駆動信号を出力する制御手段１０の駆動パルスをカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＺ方向位置を検出するようにしてもよい。また、第３の送り手段６の駆動源としてサーボモータを用いた場合であれば、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段１０に送り、制御手段１０が入力したパルス信号をカウントすることにより、保持手段２に対するレーザ光線照射ユニット３の相対的なＺ方向位置を検出するようにしてもよい。
【００２９】
さらに、Ｚ座標検出手段７は、集光器３１と同様に保持手段２に対して上方から対向するように配置され、第１，第２の送り手段４，５によってＸＹ座標面内での保持手段２上のワーク対向位置を移動させることで、後述するようにワーク２００上の複数のサンプリング位置に順次位置付けられて、各サンプリング位置におけるワーク加工面のＺ座標を検出するためのものである。このＺ座標検出手段７は、レーザ光線照射ユニット３や撮像手段８と配置関係が固定されて一体で滑動ブロック６１に搭載されて第３の送り手段６によってＺ方向に移動可能に設けられたものである。このＺ座標検出手段７は、例えばワーク加工面に対してレーザ光を集光照射するレーザ光照射手段が用いられ、対象となるサンプリング位置のワーク加工面に対して集光点が一致するように第３の送り手段６によってＺ座標検出手段７のＺ方向位置を移動させ、一致した時点の信号を制御手段１０に送り、制御手段１０は一致した時点の第３の位置検出手段６ａのＺ方向位置を取得することで、Ｚ方向の所定の基準位置に対するワーク加工面のＺ座標（加工面高さ位置）を検出する。
【００３０】
また、制御手段１０は、コンピュータによって構成されたもので、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）１０１と、ワーク加工用プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２と、後述するワークの設計値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３と、カウンタ１０４と、入力インタフェース１０５および出力インタフェース１０６とを備えている。入力インタフェース１０５には、第１，第２，第３の位置検出手段４ａ，５ａ，６ａ、Ｚ座標検出手段７、撮像手段８等からの検出信号が入力される。出力インタフェース１０６は、パルスモータ４４，５４，６５、レーザ光線照射ユニット３等に制御信号を出力する。なお、ＲＡＭ１０３は、後述する各サンプリング位置における各Ｚ座標を格納する記憶手段である第１のメモリ１０３ａや、各ストリート上Ｚ座標分布を示す１次関数を格納する記憶領域である第２のメモリ１０３ｂおよびその他の記憶領域を備えている。また、本実施の形態のＣＰＵ１０１は、ワーク加工用プログラムに従い実行される演算手段１０１ａ、加工制御手段１０１ｂの機能を備えている。
【００３１】
図２は、本実施の形態のレーザ加工装置１に用いられるワーク２００の構成例を示す平面図である。ワーク２００は、特に限定されないが、例えば半導体ウエーハ等のウエーハや、チップ実装用としてウエーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）等の粘着部材、あるいは半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス系あるいはシリコン系の基板、さらには、μｍオーダの精度が要求される各種加工材料が挙げられる。本実施の形態のワーク２００は、例えば半導体ウエーハであり、その表面２００ａに格子状に配列された複数のストリート２０１によって複数の領域が区画され、区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ等のデバイス２０２が各々形成されている。各デバイス２０２は、全て同一構成のものである。
【００３２】
このようなレーザ加工装置１において、まず、ワーク２００のストリート２０１に沿ってレーザ加工する基本動作について説明する。上述のように構成されたワーク２００は、図３に示すように、環状のフレーム２１０に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ２２０に裏面２００ｂを上側にして貼着する。環状フレーム２１０に保護テープ２２０を介して支持されたワーク２００は、保持手段２上に保護テープ２２０を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりワーク２００は、保護テープ２２０を介して保持手段２上に吸引保持される。また、フレーム２１０は、クランプ２３によって固定される。
【００３３】
上述したようにワーク２００を吸引保持した保持手段２は、第１、第２の送り手段４，５によって撮像手段８の直下に位置付けられる。そして、保持手段２に保持されたワーク２００に形成されている格子状のストリート２０１がＸ方向とＹ方向とに対して各々平行に配設されているか否かのプリアライメント作業を実施する。すなわち、撮像手段８によって保持手段２上のワーク２００を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してストリート２０１がＸＹ座標面に合うようにプリアライメント作業を行う。これにより、ワーク２００は、保持手段２上において、図４に示すようにＸＹ座標面上に位置付けられる。
【００３４】
ついで、撮像手段８および制御手段１０によってワーク２００のレーザ加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。すなわち、撮像手段８および制御手段１０は、ワーク２００のＹ方向に形成されているストリート２０１と、ストリート２０１に沿ってパルスレーザ光線を照射する集光器３１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザ光線照射位置のアライメントを遂行する。この際、ワーク２００に形成されているＹ方向に対して直交するＸ方向のストリート２０１に対しても、同様にレーザ光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００３５】
レーザ光線照射位置のアライメントが遂行されると、第１、第２の送り手段４，５によって保持手段２を、パルスレーザ光線を照射する集光器３１が位置するレーザ光線照射領域に移動し、Ｙ方向の所定のストリート２０１の一端を集光器３１の直下に位置付ける。そして、集光器３１から透過性を有する波長のパルスレーザ光線を照射しつつ保持手段２、すなわちワーク２００をＹ方向に所定の加工送り速度で移動させる。そして、集光器３１の照射位置がこのストリート２０１の他端の位置に達したら、レーザ光線照射ユニット３によるパルスレーザ光線の照射を停止するとともに、保持手段２、すなわちワーク２００の移動を停止する。第２の送り手段５によるＹ方向の加工送り量は、第２の位置検出手段５ａのＹ軸読取ヘッドからの検出信号を、制御手段１０中のカウンタ１０４がカウントすることにより制御される。
【００３６】
このようなレーザ加工工程においては、図５に示すように、ワーク２００のストリート２０１に対する領域の内部にパルスレーザ光線の集光点Ｐを位置付けて照射することにより、改質領域２０３が形成される。すなわち、第３の送り手段６によってレーザ光線照射ユニット３をＺ方向に移動させ、第３の位置検出手段６ａによる位置検出に従い、集光器３１からワーク２００に向けて照射させるパルスレーザ光線の集光点Ｐの位置が、ワーク加工面（本実施の形態の場合、裏面２００ｂ）から所定の深さ位置となるように制御する。同様にして、Ｙ方向の全てのストリート２０１の内部に改質領域２０３を形成する。この際、第１の送り手段４によるＸ方向のストリート間隔分の割り出し送り量は、第１の位置検出手段４ａのＸ軸読取ヘッドからの検出信号を、制御手段１０中のカウンタ１０４がカウントすることにより制御される。
【００３７】
その後、保持手段２を９０°回転させることでワーク２００を９０°回転させ、Ｘ方向の全てのストリート２００も図４の場合と同様にＹ方向に位置付けてその内部にもパルスレーザ光線の照射により同様に改質領域２０３を形成する。このような改質領域２０３が連続的に形成されることによって強度が低下したストリート２０１に沿ってワーク２００に対して外力を加えることで、ワーク２００をストリート２０１に沿って分割し、個々のデバイス２０２に分断することができる。
【００３８】
ここで、上述した基本動作は、加工対象となるワーク２００の加工面が凹凸のない平面であり、ワーク加工面の全てが同一のＺ座標（加工面高さ位置）を示すとの前提によるものである。しかしながら、現実には、ワーク２００の加工面には少なからず凹凸があり、場所によってＺ座標値が異なるものである。加工予定位置となるストリート２０１にレーザ光線を集光照射させる上で加工面からの集光位置を均一にさせるためには、ストリート２０１上の加工面の凹凸に応じたＺ座標を取得する必要がある。そこで、本実施の形態では、加工予定位置となる各ストリート２０１上の加工面のＺ座標を効率よく取得して、そのＺ座標値に応じた適正なレーザ加工を行えるようにするものである。
【００３９】
図６は、本実施の形態におけるワーク加工方法の制御例を示す概略フローチャートである。まず、前述したように保持手段２上に保持されたワーク２００のアライメント処理を実行した後（ステップＳ１）、ＣＰＵ１０１によりＺ座標検出手段７を動作させ、複数のサンプリング位置におけるワーク加工面のＺ座標を取得し、第１のメモリ１０３ａに記憶させる（ステップＳ２：Ｚ座標検出手順）。
【００４０】
本実施の形態では、例えば図７（ａ）に示すように、保持手段２に保持されたワーク２００に対しては、複数のサンプリング位置Ｓｉｊが分散設定されている。ここで、サンプリング位置Ｓｉｊは、ＸＹ座標面内で等ピッチ、等間隔でほぼ均等に分散設定され、アライメント処理後のＸＹ座標面におけるＸ，Ｙ座標が予め設定されたものである。図８は、各サンプリング位置ＳｉｊのＸ，Ｙ座標を示す配置図である。本実施の形態では、ＸＹ座標面上でＸ，Ｙ方向に沿って分散設定されている。このようなサンプリング位置Ｓｉｊの個数は、適宜設定されるが、加工予定位置となるストリート２０１の本数よりも粗くなるように設定されている。図示例では、ｉ＝５，ｊ＝５に設定され、ワーク２００内に収まる２２個のサンプリング位置が設定されている。
【００４１】
ステップＳ２においては、まず、第１，第２の送り手段４，５によってＺ座標検出手段７をサンプリング位置Ｓ１２に位置付け、サンプリング位置Ｓ１２のワーク加工面に対してレーザ光を集光照射させ、ワーク加工面に対して集光点が一致するように第３の送り手段６によってＺ座標検出手段７のＺ方向位置を移動させる。そして、集光点がワーク加工面に一致した時点の信号を制御手段１０に送る。制御手段１０は、一致した時点の第３の位置検出手段６ａのＺ方向位置を取得することでこのサンプリング位置Ｓ１２におけるワーク加工面のＺ座標Ｚ１２を検出する。このワーク加工面のＺ座標は、ワーク２００上の基準点、保持手段２上の基準点等、適宜箇所の第３の位置検出手段６ａにより検出されるＺ方向位置（高さ位置）を基準としたものである。本実施の形態では、Ｚ１２＝１０［μｍ］の如く、高さ情報として検出される。
【００４２】
他のサンプリング位置Ｓｉｊに関しても、同様に、Ｚ座標検出手段７を第１，第２の送り手段４，５によって各サンプリング位置Ｓｉｊに順次位置付けてＺ座標検出動作を行わせることで、各サンプリング位置Ｓｉｊにおけるワーク加工面の各Ｚ座標Ｚｉｊを検出する。検出された各Ｚ座標Ｚｉｊの値は、各サンプリング位置Ｓｉｊに対応付けて第１のメモリ１０３ａに記憶させる。図９は、サンプリング位置Ｓｉｊ毎に検出されたＺ座標Ｚｉｊの第１のメモリ１０３ａにおける格納例を示す説明図である。
【００４３】
サンプリング位置Ｓｉｊ毎にＺ座標Ｚｉｊを検出した後、ＣＰＵ１０１により実行される演算手段１０１ａの機能によって加工予定位置のＺ座標算出処理を行う（ステップＳ３，Ｓ４：演算手順）。すなわち、第１のメモリ１０３ａに記憶された複数のサンプリング位置ＳｉｊにおけるＺ座標Ｚｉｊと、加工予定位置のＸ，Ｙ座標とに基づいて、この加工予定位置におけるワーク加工面のＺ座標を算出する。ここで、本実施の形態では、加工予定位置が、ＸＹ座標面上において同一のＸ座標がＹ方向に連続するストリート２０１であり、演算手段１０１ａの機能を、交点位置Ｚ座標算出手段とストリート上Ｚ座標分布算出手段とに分け、ストリート２０１上におけるワーク加工面のＺ座標分布としてストリート２０１毎に算出するようにしている。
【００４４】
まず、交点位置Ｚ座標算出手段は、算出対象となるストリート２０１を特定し、このストリート２０１に対して複数のサンプリング位置を通って交差する直線ＬＡを決定し、この直線ＬＡ上の２つのサンプリング位置における各Ｚ座標と、このストリート２０１と直線ＬＡとが交差する交点ＰＡのＸ座標とに基づいてこの交点ＰＡにおけるワーク加工面のＺ座標ＺＡを算出する（ステップＳ３）。
【００４５】
例えば、図７（ａ）において、Ｘ座標＝ＸＮなるストリート２０１Ｎを特定された算出対象とする。すなわち、ストリート２０１Ｎは、Ｘ＝ＸＮで示される。この場合、例えば、サンプリング位置Ｓ３３，Ｓ４３を通ってこのストリート２０１Ｎに直交するように交差するＸ方向に沿った直線をＬＡとする。すなわち、直線ＬＡは、Ｙ＝ＹＡで示される直線である。そこで、図７（ｂ）中に抽出して示すように、ストリート２０１Ｎに対して交差する直線ＬＡ上でこのストリート２０１Ｎを挟んでストリート２０１Ｎに最も近い直線ＬＡ上の２つのサンプリング位置Ｓ３３，Ｓ４３における各Ｚ座標（Ｚ３３＝４０，Ｚ４３＝５０）と、このストリート２０１Ｎと直線ＬＡとが交差する交点ＰＡのＸ座標（Ｘ＝ＸＮ）とに基づいて、交点ＰＡにおけるワーク加工面のＺ座標ＺＡを算出する。
【００４６】
すなわち、交点位置Ｚ座標算出手段は、直線ＬＡ上の２つのサンプリング位置Ｓ３３，Ｓ４３における各Ｚ座標（Ｚ３３＝４０，Ｚ４３＝５０）とこれら２つのサンプリング位置Ｓ３３，Ｓ４３の各Ｘ座標（Ｘ＝Ｘ３，Ｘ＝Ｘ４）と直線ＬＡ上の交点ＰＡのＸ座標（Ｘ＝ＸＮ）とを用いた直線近似の１次関数による比例配分により交点ＰＡにおけるワーク加工面のＺ座標ＺＡを算出する。例えば、直線ＬＡ上の交点ＰＡのＸ座標ＸＮに応じたワーク加工面のＺ座標ＺＡは、
ＺＡ＝ａＸＮ＋ｂ
なる直線近似の１次関数により求められる。ここで、比例係数ａは、（Ｚ４３−Ｚ３３）／（Ｘ４−Ｘ３）より求められる。ｂは、所定の定数である。交点ＰＡが２つのサンプリング位置Ｓ３３，Ｓ４３の中点の場合、ＺＡ＝４５の如く算出される。算出された交点ＰＡのＺ座標ＺＡは、ストリート２０１Ｎ、交点ＰＡのＸ，Ｙ座標に対応付けてＲＡＭ１０３中の第２のメモリ１０３ｂに格納される。
【００４７】
交点位置Ｚ座標算出手段は、算出対象となるストリート２０１Ｎに対して交点ＰＡとは異なる位置で交差し複数のサンプリング位置を通る他の直線についても同様に、この直線とストリート２０１Ｎとが交差する交点におけるワーク加工面のＺ座標を、直線上でストリート２０１Ｎを挟んでストリート２０１Ｎに最も近い２つのサンプリング位置における各Ｚ座標と、交点のＸ，Ｙ座標とに基づいて算出する。例えば、図７（ａ）に示す例では、破線で示すように、ストリート２０１Ｎに対して交点ＰＢ（Ｘ＝ＸＮ，Ｙ＝ＹＢ）で交差するＹ＝ＹＢで示される直線ＬＢを設定する。そして、交点ＰＢを直線ＬＢ上の２つのサンプリング位置Ｓ３４，Ｓ４４における各Ｚ座標（Ｚ３４＝５０，Ｚ４４＝６０）とこれら２つのサンプリング位置Ｓ３４，Ｓ４４の各Ｘ座標（Ｘ＝Ｘ３，Ｘ＝Ｘ４）と直線ＬＢ上の交点ＰＢのＸ座標（Ｘ＝ＸＮ）とを用いた直線近似の１次関数による比例配分により交点ＰＢにおけるワーク加工面のＺ座標ＺＢを算出する。交点ＰＢが２つのサンプリング位置Ｓ３４，Ｓ４４の中点の場合、ＺＢ＝５５の如く算出される。算出された交点ＰＢのＺ座標ＺＢは、ストリート２０１Ｎ、交点ＰＢのＸ，Ｙ座標に対応付けてＲＡＭ１０３中の第１のメモリ１０３ａに格納される。
【００４８】
交点位置Ｚ座標算出手段は、ワーク２００の他のストリート２０１についても、各ストリート２０１上に各々サンプリング位置を通る直線が交差する２つ以上の交点を設定し、交点毎に交点におけるワーク加工面のＺ座標を同様に算出し、算出された交点のＺ座標を、ストリート２０１、交点ＰのＸ，Ｙ座標に対応付けてＲＡＭ１０３中の第１のメモリ１０３ａに格納する。
【００４９】
次いで、ストリート上Ｚ座標分布算出手段は、算出対象となるストリート２０１を特定し、このストリート２０１に対して交点位置Ｚ座標算出手段によって算出された同一ストリート２０１上の複数の交点における各Ｚ座標に基づいてこのストリート２０１上におけるワーク加工面のＺ座標分布をストリート毎に順次算出する（ステップＳ４）。
【００５０】
例えば、図１０（ａ）において、Ｘ座標＝ＸＮなるストリート２０１Ｎを特定された算出対象とする。そして、このストリート２０１Ｎ上の複数の交点を交点ＰＡ，ＰＢとする。ここで、ストリート２０１Ｎ上において交点ＰＡ，ＰＢ間のＺ座標ＺＮは、図１０（ｂ）に示すように、交点ＰＡ，ＰＢのＺ座標ＺＡ，ＺＢに直線近似で比例しているものとみなし、このストリート２０１Ｎ上におけるワーク加工面のＺ座標分布を、
ＺＮ＝ｃＹ＋ｄ
なる１次関数として算出し、算出された１次関数をＲＡＭ１０３中の第２のメモリ１０３ｂに格納する。
【００５１】
すなわち、ストリート上Ｚ座標分布算出手段は、同一ストリート２０１Ｎ上の複数の交点ＰＡ，ＰＢにおける各Ｙ，Ｚ座標（Ｙ＝ＹＡ，Ｚ＝ＺＡ，Ｙ＝ＹＢ，Ｚ＝ＺＢ）を用いてこのストリート２０１Ｎ上におけるワーク加工面のＺ座標分布を直線近似の１次関数ＺＮ＝ｃＹ＋ｄとして算出する。ここで、比例係数ｃは、図１０（ｂ）に示すように、（ＺＢ−ＺＡ）／（ＹＢ−ＹＡ）より求められる。ｄは、所定の定数である。算出された１次関数ＺＮ＝ｃＹ＋ｄは、ストリート２０１Ｎに対応付けてＲＡＭ１０３中の第２のメモリ１０３ｂに格納される。
【００５２】
ストリート上Ｚ座標分布算出手段は、他のストリート２０１に対しても、各々のストリート２０１上の複数の交点における各Ｚ座標に基づいてこのストリート２０１上におけるワーク加工面のＺ座標分布を直線近似の１次関数として同様に算出し、ＲＡＭ１０３中の第２のメモリ１０３ｂに格納する。
【００５３】
全てのストリート２０１についてそのワーク加工面のＺ座標分布が算出されると、ＣＰＵ１０１により実行される加工制御手段１０１ｂによって、対象となるストリート（加工予定位置）のＸ，Ｙ，Ｚ座標に基づいて第１，第２，第３の送り手段４，５，６を制御して保持手段２と集光器３１とを相対移動させ、第１，第２，第３の位置検出手段４ａ，５ａ，６ａに従い対象となるストリート（加工予定位置）に集光器３１を位置付けて、常にワーク加工面からのレーザ集光点の位置が同じになるように制御しながら、レーザ光を照射させて加工させる（ステップＳ５：加工制御手順）。すなわち、加工対象となるストリート２０１にレーザ光線を照射する上で、このストリート２０１上におけるワーク加工面のＺ座標分布を示す直線近似の１次関数に従い、ストリート２０１上の連続的に変化するＹ座標に合わせてＺ座標も変化するように第３の位置検出手段６ａのＺ位置検出結果に従い第３の送り手段６による集光器３１のＺ座標位置を変化させる。
【００５４】
このように、本実施の形態のワーク加工装置１によれば、ワーク２００上の複数のサンプリング位置Ｓｉｊで各々ワーク加工面のＺ座標Ｚｉｊを検出し、これら複数のサンプリング位置ＳｉｊにおけるＺ座標Ｚｉｊと各ストリート２０１（加工予定位置）のＸ，Ｙ座標とに基づく演算処理で、ストリート２０１（加工予定位置）におけるワーク加工面のＺ座標を把握できるので、加工を施す予定のワーク加工面を全て走査することなく、ワーク加工面からの加工位置を均一にし得る品質の高い加工を効率よく行うことができる。
【００５５】
本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。例えば、本実施の形態では、ストリート２０１に交差する直線上の２つのサンプリング位置として、ストリート２０１を挟んでストリート２０１に最も近い２つの位置を選択し、直線近似の精度を高めるようにしたが、ストリート２０１に最も近い位置のサンプリング位置でなくてもよく、また、３つ以上選択するようにしてもよい。さらには、ストリート２０１に対して片側に位置する複数のサンプリング位置を選択するようにしてもよい。例えば、図７（ａ）において、交点ＰＡのＺ座標ＺＡを算出する上で、サンプリング位置Ｓ２３，Ｓ３３を利用し、直線近似の１次関数に従う比例配分で算出するようにしてもよい。特に、算出対象となるストリート２０１に対して片側にしかサンプリング位置が存在しない場合には効果的である。
【００５６】
また、本実施の形態では、複数のサンプリング位置ＳｉｊをＸＹ座標面上でＸ，Ｙ方向に直交する状態で分散設定したが、必ずしもＸ，Ｙ方向に直交する状態の配列に限らない。ストリート２０１に交差する直線も、複数のサンプリング位置を通り、ストリート２０１との交点の座標を特定し得るものであれば、斜め交差する直線であってもよい。
【００５７】
また、本実施の形態では、算出対象となる加工予定位置に対して２つのサンプリング位置のＺ座標情報を用いて直線近似によりＺ座標を算出するようにしたが、２つのサンプリング位置に限らず、算出対象となる加工予定位置に対してこれを囲む周囲３つ以上のサンプリング位置のＺ座標情報を用いてＺ座標を算出するようにしてもよい。例えば、所望の
加工予定位置に対して周囲多点のサンプリング位置のＺ座標情報を用い、曲面方程式である３次元ベジェ曲線等を用いた多項式近似により加工予定位置のＺ座標を算出するようにしてもよい。
【００５８】
さらには、図７（ａ）に示すようなワーク２００全体のサンプリング位置ＳｉｊのＺ座標に関するマッピングデータを取得し、全体のサンプリング位置Ｓｉｊの表面高さ（Ｚ座標）の傾向を検出し、全体の傾向から外れるサンプリング位置に関してはその表面高さ（Ｚ座標）を全体の傾向に沿うように修正してもよい。例えば、或る１点のサンプリング位置の表面高さ（Ｚ座標）が不自然に高かったり、逆に低かったりした場合には、このサンプリング位置のＺ座標を周囲のサンプリング位置のＺ座標に合わせて均すよう補正することで、サンプリングデータを適正化することができる。
【００５９】
また、本実施の形態は、レーザ光線照射ユニット３を用いワーク２００内部に焦点を合わせてレーザ光線を照射することで改質領域２０３を形成する加工例についての適用例で説明したが、このような適用例に限らず、所望の加工予定位置にワーク加工面のＺ座標を基準に加工を施すものであれば、同様に適用可能である。また、加工手段としても、レーザ光線照射ユニット３を用いるレーザ加工に限らず、例えば、円盤状のブレードを用いてワークの所望の加工予定位置を切削するような場合にも同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態のレーザ加工装置の制御系の一部を含め主要部を示す外観斜視図である。
【図２】本実施の形態のレーザ加工装置に用いられるワークの構成例を示す平面図である。
【図３】フレームに装着されたワークを示す斜視図である。
【図４】ワークが保持手段の所定位置に保持された状態におけるＸＹ座標との関係を示す説明図である。
【図５】レーザ光線の照射状態を断面図的に示す模式図である。
【図６】本実施の形態におけるワーク加工方法の制御例を示す概略フローチャートである。
【図７】交点Ｚ座標算出処理例を説明するための模式図である。
【図８】各サンプリング位置のＸ，Ｙ座標を示す配置図である。
【図９】サンプリング位置毎に検出されたＺ座標のメモリにおける格納例を示す説明図である。
【図１０】ストリート上Ｚ座標分布算出処理例を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  レーザ加工装置
２  保持手段
３  レーザ光線照射ユニット
４  第１の送り手段
４ａ  第１の位置検出手段
５  第２の送り手段
５ａ  第２の位置検出手段
６  第３の送り手段
６ａ  第３の位置検出手段
７  Ｚ座標検出手段
１０１ａ  演算手段
１０１ｂ  加工制御手段
１０３ａ  第１のメモリ
２００  ワーク
２００ｂ  裏面
２０１  ストリート
Ｓｉｊ  サンプリング位置
ＰＡ，ＰＢ  交点
ＬＡ，ＬＢ  直線
【図１】
2010000517.tif 000003
【図２】
2010000517.tif 000004
【図３】
2010000517.tif 000005
【図４】
2010000517.tif 000006
【図５】
2010000517.tif 000007
【図６】
2010000517.tif 000008
【図７】
2010000517.tif 000009
【図８】
2010000517.tif 000010
【図９】
2010000517.tif 000011
【図１０】
2010000517.tif 000012