(57)【要約】【課題】基板上に電子部品が不均等に配置されている場合でも、封止樹脂の収縮力の違いを緩和してパッケージの歪みを低減する。【解決手段】電子装置（１００）は、基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された電子部品（１０４、１０８）と、基板１０２の一面上に形成され、電子部品を封止する封止樹脂１１８と、を含む。封止樹脂１１８は、第１の樹脂組成物により構成された第１の樹脂領域１２０と、第２の樹脂組成物により構成された第２の樹脂領域１２２と、を含み、平面視で、第１の樹脂領域１２０のみが存在する領域と、第２の樹脂領域１２２のみが存在する領域と、を有するように形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面に搭載された電子部品と、
前記基板の前記一面上に形成され、前記電子部品を封止する封止樹脂と、を含み、
前記封止樹脂は、
第１の樹脂組成物により構成された第１の樹脂領域と、
第２の樹脂組成物により構成された第２の樹脂領域と、を含み、
平面視で、前記第１の樹脂領域のみが存在する領域と、前記第２の樹脂領域のみが存在する領域と、を有するように形成された電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置において、
前記封止樹脂は、前記第１の樹脂領域および前記第２の樹脂領域の間に形成されるとともに前記第１の樹脂組成物および前記第２の樹脂組成物が混合された混合層、をさらに含む電子装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電子装置において、
前記第１の樹脂領域と前記混合層との界面、および前記第２の樹脂領域と前記混合層との界面は起伏を有する電子装置。
【請求項４】
請求項１から３いずれかに記載の電子装置において、
平面視において、前記電子部品は、前記基板の中心を通る少なくとも一の中心線に対して非対称に配置されている電子装置。
【請求項５】
請求項１から４いずれかに記載の電子装置において、
前記基板の前記一面上に搭載された複数の前記電子部品を含み、
平面視において、前記複数の電子部品は、前記基板の中心を通る少なくとも一の中心線に対して非対称に配置されている電子装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電子装置において、
前記複数の電子部品は、互いに平面視で重ならない半導体チップと受動部品とを含み、
前記半導体チップは前記第１の樹脂領域のみが存在する領域に配置され、
前記受動部品は前記第２の樹脂領域のみが存在する領域に配置されている電子装置。
【請求項７】
請求項１から６いずれかに記載の電子装置において、
前記第１の樹脂組成物と前記第２の樹脂組成物とは、それぞれの樹脂組成物全体に対する充填剤の含有量（重量％）が異なる電子装置。
【請求項８】
請求項１から７いずれかに記載の電子装置において、
前記第１の樹脂組成物と、前記第２の樹脂組成物とは、原材料の種類または比率が異なる電子装置。
【請求項９】
請求項１から８いずれかに記載の電子装置において、
前記第１の樹脂組成物と前記第２の樹脂組成物とは、封止時の流動性が異なる電子装置。
【請求項１０】
請求項１から９いずれかに記載の電子装置において、
前記封止樹脂は、さらに第３の樹脂組成物により構成された第３の樹脂領域を含み、
平面視で、前記第３の樹脂領域のみが存在する領域を有するように形成された電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の電子部品を基板に搭載した後、封止樹脂で封止してパッケージを形成する技術が知られている。従来、単一の樹脂組成物を用いて封止が行われていた。しかし、ボンディングワイヤが存在する場合、封止樹脂で半導体チップの封止を行う際に、ワイヤが樹脂中で流れて倒れてしまうのを防ぐ必要がある。
【０００３】
また、封止後のパッケージの反り挙動を抑制する必要がある。単一の樹脂組成物を用いた場合、このような要望を同時に満たすために樹脂材料を最適化するのが困難だった。そのため、最適な特性を得るために、樹脂材料を多数準備、開発する必要があり、コストがかかり、生産性も悪かった。
【０００４】
特許文献１（特開平８−１６２５７３号公報）には、回路が形成された基板上に、接着剤層を介して半導体素子が搭載され、半導体素子が樹脂硬化体内層と樹脂硬化体外層の２層構造の樹脂硬化体層によって封止された半導体装置が記載されている。ここで、樹脂硬化体内層中の充填材含有量が、樹脂硬化体外層中の充填材含有量より少なく設定されている。これにより、ワイヤ流れの発生が抑制され、しかも反りの発生が低減された半導体装置が提供されるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１６２５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、基板上に半導体チップと受動部品等複数の電子部品が搭載されている場合や、電子部品が基板の中心に配置されていない場合、封止樹脂と電子部品との配置バランスが場所によって異なり、封止樹脂の収縮力（内力）が異なり、パッケージに歪が生じるという問題があった。特許文献１に記載の技術では、このような封止樹脂と電子部品との配置バランスを考慮した制御がされていなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、
基板と、
前記基板の一面に搭載された電子部品と、
前記基板の前記一面上に形成され、前記電子部品を封止する封止樹脂と、を含み、
前記封止樹脂は、
第１の樹脂組成物により構成された第１の樹脂領域と、
第２の樹脂組成物により構成された第２の樹脂領域と、を含み、
平面視で、第１の樹脂領域のみが存在する領域と、前記第２の樹脂領域のみが存在する領域と、を有するように形成された電子装置が提供される。
【０００８】
これにより、たとえば半導体チップや受動部品等の電子部品と封止樹脂との配置バランスが場所によって異なる場合でも、複数の樹脂組成物を用いて、これらが平面視で互いに重ならないような領域を設けて配置させ、第１の樹脂領域および第２の樹脂領域の配置パターンと構成とを制御することにより、バランスを補正してパッケージの歪みを低減し、反りを低減することができる。
【０００９】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板上に電子部品が不均等に配置されている場合でも、封止樹脂の収縮力の違いを緩和してパッケージの歪みを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置の構成の一例を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体装置の構成の他の例を示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態において、トランスファ成形用の金型を用いて半導体装置を製造する手順を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態において、トランスファ成形用の金型を用いて半導体装置を製造する手順を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
図１は、本実施の形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。図２は、本実施の形態における半導体装置の構成の一例を示す平面図である。図１は、図２（ｂ）のａ−ａ’断面図に該当する。
【００１４】
半導体装置１００（電子装置）は、基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１０４（電子部品）と、半導体チップ１０４と基板１０２とを電気的に接続するボンディングワイヤ１０６と、半導体チップ１０４上に配置された半導体チップ１０８（電子部品）と、半導体チップ１０８と基板１０２とを電気的に接続するボンディングワイヤ１１０と、封止樹脂１１８とを含む。ここで、封止樹脂１１８は、半導体チップ１０４、ボンディングワイヤ１０６、半導体チップ１０８、およびボンディングワイヤ１１０を埋め込んでいる。本実施の形態において、基板１０２は、複数の配線層が接続された多層配線基板とすることができる。
【００１５】
図２（ａ）は、半導体チップ１０４、ボンディングワイヤ１０６、半導体チップ１０８、およびボンディングワイヤ１１０を封止樹脂１１８で封止する前の状態を示す平面図である。本実施の形態において、半導体チップ１０４と半導体チップ１０８とは、基板１０２の中心を通る少なくとも一の中心線に対して非対称に配置されている。具体的には、半導体チップ１０４は、基板１０２の中心を通るｂ−ｂ線に対して、対称に配置されている。一方、半導体チップ１０８は、ｂ−ｂ線に対して非対称に配置されている。その結果、半導体チップ１０４と半導体チップ１０８とは、ｂ−ｂ線に対して非対称な配置となっている。
【００１６】
図２（ｂ）は、半導体チップ１０４、ボンディングワイヤ１０６、半導体チップ１０８、およびボンディングワイヤ１１０を封止樹脂１１８で封止した後の状態を示す平面図である。ここでは、配置関係がわかるように、半導体チップ１０４、ボンディングワイヤ１０６、半導体チップ１０８、およびボンディングワイヤ１１０を破線で示している。
【００１７】
本実施の形態において、封止樹脂１１８は、第１の樹脂組成物により構成された第１の樹脂領域１２０と、第２の樹脂組成物により構成された第２の樹脂領域１２２とを含む。また、封止樹脂１１８は、平面視で、第１の樹脂領域１２０のみが存在する領域と、第２の樹脂領域１２２のみが存在する領域とを有するように形成されている。さらに、封止樹脂１１８は、第１の樹脂領域１２０および第２の樹脂領域１２２の間に形成されるとともに第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物が混合された混合層１２１を含む。ここで、第１の樹脂領域１２０と混合層１２１との界面、および第２の樹脂領域１２２と混合層１２１との界面は、それぞれ、起伏を有する。
【００１８】
図１に示した例では、ｂ−ｂ線を境として、半導体チップ１０８が配置された図中左側の領域において、第１の樹脂領域１２０が形成されている。一方、半導体チップ１０８が配置されていない図中右側の領域において、第２の樹脂領域１２２が形成されている。また、第１の樹脂領域１２０と第２の樹脂領域１２２との間の領域には、全面にわたって混合層１２１が形成されている。つまり、半導体チップ１０８およびボンディングワイヤ１１０は、第１の樹脂領域１２０で埋め込まれている。また、半導体チップ１０４およびボンディングワイヤ１０６は、半分が第１の樹脂領域１２０で、残りの半分が第２の樹脂領域１２２でそれぞれ埋め込まれている。
【００１９】
ここで、第１の樹脂領域１２０を構成する第１の樹脂組成物、および第２の樹脂領域１２２を構成する第２の樹脂組成物は、原材料として、それぞれ、主剤となる樹脂、硬化剤、および充填剤（フィラー）を含むことができる。また、第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物は、原材料として、さらに、可撓剤、硬化促進剤、潜伏性触媒、離型剤、シリコーンオイル、低応力剤、着色剤等を含むことができる。充填剤は、たとえばシリカやアルミナ充填剤等とすることができる。
【００２０】
第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物とは、たとえば、硬化前の封止時に加熱した際の流動性が異なるものとすることができる。また、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物とは、たとえば、異なる硬化収縮特性を有するものとすることができる。また、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物とは、たとえば、異なるガラス転移温度（Ｔｇ）を有するものとすることができる。第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物のガラス転移温度の差は、たとえば５℃以上とすることができる。
【００２１】
また、たとえば、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物とは、樹脂組成物全体に対する充填剤の含有量（重量％）が異なるものとすることができる。充填剤の含有量（重量％）を少なくすることにより、樹脂組成物の流動性を高くすることができる。第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物の樹脂組成物全体に対する充填剤の含有量（重量％）の差は、たとえば１重量％以上とすることができる。
【００２２】
また、たとえば、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物とは、その中に含まれる充填剤の平均粒径が異なるものとすることができる。充填剤の平均粒径を大きくすることにより、樹脂組成物の流動性を高くすることができる。第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物の中にそれぞれ含まれる充填剤の平均粒径の差は、たとえば５μｍ以上とすることができる。
【００２３】
また、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物とは、たとえば、原材料の種類または比率が異なるものとすることができる。第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物とは、たとえば、主剤となる樹脂や硬化剤が異なるものとすることができる。
【００２４】
本実施の形態において、たとえば、第１の樹脂領域１２０が形成された領域では、第２の樹脂領域１２２が形成された領域よりも単位体積当たりの平均樹脂の量が少なくなる。このような場合、第１の樹脂領域１２０を構成する第１の樹脂組成物を第２の樹脂領域１２２を構成する第２の樹脂組成物よりもフィラー量等を異ならせ最適化することにより、半導体装置１００の反りの歪みを低減することができる。
【００２５】
また、ボンディングワイヤを多く含む領域の樹脂組成物としては、高流動性のものを用いることができる。たとえば、本例では、第１の樹脂領域１２０を構成する第１の樹脂組成物を高流動性とすることができる。これにより、ボンディングワイヤが樹脂中で流れて倒れてしまうのを防ぐことができる。また、ボンディングワイヤをあまり含まない領域の樹脂組成物としては、低流動性のものを用いることができる。一般的に、低流動性の樹脂組成物を用いることにより、硬化後の樹脂の収縮を小さくすることができ、反りを生じにくくすることができるためである。
【００２６】
本実施の形態において、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物との構成比率を変更することにより、反り挙動を制御することができるので、多数樹脂組成物を準備しなくても、封止時の反りおよびパッケージ反りが少ない高信頼性のパッケージ構造を得ることができる。ここで、たとえば、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物との構成比率は、第１の樹脂組成物：第２の樹脂組成物＝９９：１以上１：９９以下とすることができ、好ましくは、９０：１０以上１０：９０以下とすることができる。これにより、半導体装置１００の反り量を制御することができる。
【００２７】
さらに、本実施の形態において、第１の樹脂領域１２０と第２の樹脂領域１２２との間に、混合層１２１が存在するようにすることにより、第１の樹脂領域１２０と第２の樹脂領域１２２との密着性を良好にすることができ、これらの間の剥離を防止することができる。また、本実施の形態において、第１の樹脂領域１２０と混合層１２１との界面、および第２の樹脂領域１２２と混合層１２１との界面が、それぞれ、平坦ではなく起伏を有するため、第１の樹脂領域１２０と混合層１２１、および混合層１２１と第２の樹脂領域１２２との密着性をさらに向上させることができる。ここで、起伏を有するとは、界面の断面視で、複数の凹凸が形成された構成となっていることをいう。
【００２８】
封止樹脂１１８の膜厚（モールド厚）は、とくに限定されないが、たとえば、０．１０ｍｍ以上１．２０ｍｍ以下程度とすることができる。これにより、最適なパッケージ構造が得られる。
【００２９】
図３は、本実施の形態における半導体装置１００の構成の他の例を示す断面図である。図４は、本実施の形態における半導体装置１００の構成の他の例を示す平面図である。図３は、図４のｃ−ｃ’断面図に該当する。図４において、配置関係がわかるように、半導体チップ１０４、ボンディングワイヤ１０６、半導体チップ１０８、およびボンディングワイヤ１１０を破線で示している。
【００３０】
本例では、半導体チップ１０４と半導体チップ１０８とが基板１０２上に並置されている。また、図４に示すように、本例でも、半導体チップ１０４と半導体チップ１０８とは、基板１０２の中心を通る少なくとも一の中心線に対して非対称に配置されている。具体的には、半導体チップ１０４および半導体チップ１０８は、基板１０２の中心を通るｂ−ｂ線に対して、非対称に配置されている。
【００３１】
このような構成においても、たとえば、半導体チップ１０４および半導体チップ１０８が配置された主な領域には、第１の樹脂領域１２０が形成され、それ以外の領域には、第２の樹脂領域１２２が形成されている。また、第１の樹脂領域１２０と第２の樹脂領域１２２との間の領域には、全面にわたって混合層１２１が形成されている。
【００３２】
本例において、たとえば、第１の樹脂領域１２０が形成された領域では、第２の樹脂領域１２２が形成された領域よりも単位体積当たりの平均樹脂の量が少なくなる。このような場合、第１の樹脂領域１２０を構成する第１の樹脂組成物を第２の樹脂領域１２２を構成する第２の樹脂組成物よりもフィラー量等を異ならせ最適化することにより、半導体装置１００の反りの歪みを低減することができる。なお、ここでは、第２の樹脂領域１２２が半導体チップ１０４および半導体チップ１０８の一部と重なった構成となっているが、第２の樹脂領域１２２は、半導体チップ１０４および半導体チップ１０８が配置された領域以外の箇所に設ける構成とすることもできる。
【００３３】
図５は、本実施の形態における半導体装置１００の構成のまた他の例を示す平面図である。ここで、半導体装置１００は、半導体チップ１０４、ボンディングワイヤ１０６、半導体チップ１０８、およびボンディングワイヤ１１０に加えて、複数の受動部品１３０をさらに含む。図５において、配置関係がわかるように、半導体チップ１０４、ボンディングワイヤ１０６、半導体チップ１０８、ボンディングワイヤ１１０および受動部品１３０を破線で示している。
【００３４】
また、本例でも、半導体チップ１０４、半導体チップ１０８、および複数の受動部品１３０は、基板１０２の中心を通る少なくとも一の中心線であるｂ−ｂ線に対して、非対称に配置されている。
【００３５】
このような構成においても、たとえば、半導体チップ１０４および半導体チップ１０８が配置された領域には、第１の樹脂領域１２０が形成され、受動部品１３０が形成された領域には、第２の樹脂領域１２２が形成されている。また、第１の樹脂領域１２０と第２の樹脂領域１２２との間の領域には、全面にわたって混合層１２１が形成されている。
【００３６】
ここで、第１の樹脂領域１２０には、多くのボンディングワイヤが存在する。そのため、第１の樹脂領域１２０を構成する樹脂組成物としては、高流動性のものを用いることができる。これにより、ボンディングワイヤが樹脂中で流れて倒れてしまうのを防ぐことができる。一方、ボンディングワイヤをあまり含まない第２の樹脂領域１２２を構成する樹脂組成物としては、低流動性のものを用いることができる。これにより、ボンディングワイヤ１０６の流れを防ぎつつ、半導体装置１００の反り挙動を制御することができる。
【００３７】
図６は、本実施の形態における半導体装置１００の構成のまた他の例を示す平面図である。ここで、半導体装置１００は、半導体チップ１０４、半導体チップ１０８、ボンディングワイヤ１１０、および複数の受動部品１３０を含む。図６において、配置関係がわかるように、半導体チップ１０４、半導体チップ１０８、ボンディングワイヤ１１０および受動部品１３０を破線で示している。
【００３８】
図１から図５に示した例では、半導体チップ１０４および半導体チップ１０８がそれぞれボンディングワイヤ１０６およびボンディングワイヤ１１０で基板１０２に接続された例を示したが、これらは、フリップチップ接続された構成等種々の形態とすることができる。図６では、半導体チップ１０４が基板１０２にフリップチップ接続された例を示す。
【００３９】
また、本例でも、半導体チップ１０４、半導体チップ１０８、および複数の受動部品１３０は、基板１０２の中心を通る少なくとも一の中心線であるｂ−ｂ線に対して、非対称に配置されている。
【００４０】
さらに、本例においては、封止樹脂１１８が第１の樹脂領域１２０および第２の樹脂領域１２２に加えて、さらに第３の樹脂組成物により構成された第３の樹脂領域１２４により構成されている。
【００４１】
ここで、第３の樹脂領域１２４を構成する第３の樹脂組成物も、原材料として、主剤となる樹脂、硬化剤、および充填剤（フィラー）を含むことができる。また、第３の樹脂組成物は、原材料として、さらに、可撓剤、硬化促進剤、潜伏性触媒、離型剤、シリコーンオイル、低応力剤、着色剤等を含むことができる。また、第３の樹脂領域１２４を構成する第３の樹脂組成物は、第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物と、たとえば、硬化前の封止時に加熱した際の流動性が異なるものとすることができる。また、第３の樹脂領域１２４を構成する第３の樹脂組成物は、第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物と、たとえば、異なる硬化収縮特性を有するものとすることができる。また、第３の樹脂領域１２４を構成する第３の樹脂組成物は、第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物と、たとえば、異なるガラス転移温度（Ｔｇ）を有するものとすることができる。
【００４２】
図６に示した例において、第１の樹脂領域１２０と第２の樹脂領域１２２との間の領域には、全面にわたって混合層１２１が形成されている。また、第２の樹脂領域１２２と第３の樹脂領域１２４との間の領域には、全面にわたって第２の樹脂組成物と第３の樹脂組成物とが混合した混合層１２３が形成されている。第２の樹脂領域１２２の混合層１２３との界面、および第３の樹脂領域１２４の混合層１２３との界面は、起伏を有する構成となっている。
【００４３】
ここで、第３の樹脂領域１２４には、ボンディングワイヤが含まれない。この場合、第３の樹脂領域１２４を構成する樹脂組成物としては、たとえば低流動性のものを用いることができる。これにより、半導体装置１００の反りを低減することができる。
【００４４】
また、第１の樹脂領域１２０、第２の樹脂領域１２２、および第３の樹脂領域１２４がそれぞれ占める割合を適宜最適化することにより、高信頼性のパッケージが実現できる。また、このように３種以上の樹脂組成物を用いることにより、電子部品配置が不規則で複雑な場合にも、パッケージの反り等を抑制することができる。
【００４５】
次に、本実施の形態における半導体装置１００の製造手順を説明する。
本実施の形態においては、封止樹脂１１８による封止は、一つの半導体チップに対応する半導体装置１００毎に行う。本実施の形態において、半導体装置１００は、２種以上の樹脂組成物を用いて、一連の作業で封止される。樹脂組成物は、たとえば、樹脂タブレット（円筒形の樹脂固まり）を、先発と後発に射出できるように、上（樹脂Ａ）、下（樹脂Ｂ）に分けて準備する。これを封止工程の樹脂射出口へ入れ、封止することにより、以上で説明したような半導体装置１００を得ることができる。このように、２種以上の樹脂組成物の硬化を同時に行うことができるので、各樹脂組成物により構成された樹脂領域の界面に、それらの樹脂組成物の混合層が形成された構成とすることができる。このような構成により、種類の異なる樹脂間の密着性を良好にすることができる。
【００４６】
本実施の形態において、半導体装置１００の封止樹脂１１８は、たとえば、圧縮成形プロセス、トランスファ成形プロセス、ポッティングプロセス、または印刷プロセス等により形成することができる。一例として、以下にトランスファ成形プロセスで半導体装置１００を形成する手順を説明する。
【００４７】
図７は、トランスファ成形用の金型２００を用いて半導体装置１００を製造する手順を示す断面図である。金型２００は、下型２０２と上型２０４とを含む。
下型２０２には、基板１０２を載置するための凹部が設けられている。また、上型２０４には、下型２０２との間で封止樹脂１１８を成形するためのキャビティを形成するための凹部が設けられている。また、下型２０２には、封止樹脂のタブレットを投入する投入口が設けられている。
【００４８】
まず、半導体チップ１０４および半導体チップ１０８等の電子部品が搭載された基板１０２を下型２０２の凹部に載置する。次いで、封止樹脂のタブレット１４０を下型２０２の投入口にセットする（図７（ａ））。
【００４９】
タブレットは、顆粒樹脂や顆粒樹脂を塊にした硬化前の樹脂組成物を用いて形成することができる。本実施の形態において、封止樹脂のタブレット１４０は、第１の樹脂領域１２０を構成する第１の樹脂組成物１４１と第２の樹脂領域１２２を構成する第２の樹脂組成物１４２とを含む。タブレット１４０は、第１の樹脂組成物１４１のタブレットと第２の樹脂組成物１４２のタブレットとが個別に形成されたものを重ねた構成とすることもでき、また第１の樹脂組成物１４１と第２の樹脂組成物１４２とが重ね合わされて１つのタブレットとして形成された構成とすることもできる。本実施の形態において、第１の樹脂領域１２０を構成する第１の樹脂組成物１４１が先にキャビティ内に導入されるよう、第１の樹脂組成物１４１が図中上側に配置された構成となっている。
【００５０】
次いで、上型２０４を下型２０２の方向に移動して基板１０２上面に、封止樹脂１１８を成形するためのキャビティを形成する（図７（ｂ））。つづいて、押込部材２０６でタブレット１４０を押し込みつつタブレット１４０を加熱して樹脂組成物を溶融させる（図８（ａ））。このとき、タブレット１４０の上側に配置されていた第１の樹脂組成物１４１が先にキャビティ内に導入される。また、後からにキャビティ内に導入される第２の樹脂組成物１４２は、先に導入された第１の樹脂組成物１４１が硬化する前に導入され、２つの樹脂組成物は一度の硬化処理で形成される。
【００５１】
これにより、第１の樹脂領域１２０、混合層１２１、および第２の樹脂領域１２２を含む封止樹脂１１８を成形することができる（図８（ｂ））。また、第１の樹脂領域１２０の混合層１２１との界面、および第２の樹脂領域１２２の混合層１２１との界面は、起伏を有する構成となっている。
【００５２】
以上では、樹脂組成物がタブレットである場合を例として示したが、ここで、樹脂組成物の形態は任意とすることができる。ただし、樹脂組成物は、硬化する際に、複数の樹脂組成物が混じり合わないように、ある程度形状が保持される形態とすることができる。たとえば、樹脂組成物は、樹脂組成物の原料を混合、混練して粘土状となった樹脂を冷却して粉砕した顆粒樹脂を規定の容器に入れて、低温で加熱して円柱上の樹脂（タブレット）や平らな板状樹脂（プリフォーム体）などとしたもの（半硬化したもの）とすることができる。また、以上では、一つの半導体チップに対応する半導体装置１００毎に封止する手順を説明したが、複数の半導体チップに対応するたとえばウェハ毎に一括で封止するようにしてもよい。
【００５３】
次に、本実施の形態における半導体装置１００の効果を説明する。
本実施の形態における半導体装置１００によれば、半導体チップや受動部品等の電子部品と封止樹脂との配置バランスが場所によって異なる場合でも、複数の樹脂組成物を用いて、これらが平面視で互いに重ならないような領域を設けて配置させ、第１の樹脂領域１２０および第２の樹脂領域１２２等の配置パターンの配置と構成とを制御することにより、バランスを補正してパッケージの歪みを低減し、反りを低減することができる。
【００５４】
また、本実施の形態における半導体装置１００によれば、目的に応じて選択された第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物とを用いて電子部品を封止できるとともに、第１の樹脂領域１２０と第２の樹脂領域１２２との密着性を良好にすることができ、これらの間の剥離を防止することができる。これにより、量産性と信頼性の高い装置を得ることができる。また、封止樹脂を含む装置の反り挙動等の特性を良好にすることができる。また、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物との構成比率を変更することにより、反り挙動を制御することができる。そのため、従来のように最適な特性を得るために、樹脂材料を多数準備、開発しなくても、封止時の反りおよびパッケージ反りが少ない高信頼性のパッケージ構造を得ることができる。
【００５５】
たとえば、特許文献１に記載の技術では、樹脂硬化体内層と樹脂硬化体外層とがそれぞれトランスファ成形で形成されている。そのため、樹脂硬化体内層と樹脂硬化体外層との間に境界線ができる。また、樹脂硬化体内層表面には離型剤やオイル成分が存在することになり、層間の密着性が阻害され、層剥離等が生じて品質が低下するという問題があった。しかし、本実施の形態における半導体装置１００によれば、このような問題も解決することができる。
【００５６】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００５７】
以上の実施の形態においては、基板１０２上に複数の電子部品が配置された例を示したが、半導体装置１００の構成は、基板１０２上に１つの電子部品が配置された場合にも適用できる。たとえば、基板１０２上に１つの電子部品が配置されており、平面視において、当該電子部品が、基板１０２の中心を通る少なくとも一の中心線に対して非対称に配置されている場合も、封止樹脂と電子部品との配置バランスが場所によって異なり、封止樹脂の収縮力（内力）が異なり、パッケージに歪みが生じるという問題がある。このような場合も、複数の樹脂組成物を用いて平面視で互いに重ならないような領域を設けて配置させることにより、バランスを補正してパッケージの歪みを低減し、反りを低減することができる。
【００５８】
また、複数の電子部品の構成および配置、ならびに複数の樹脂組成物の配置は種々の組合せが可能である。たとえば、基板１０２上に、互いに平面視で重ならない半導体チップと受動部品とを配置し、半導体チップは第１の樹脂領域１２０のみが存在する領域に配置され、受動部品は第２の樹脂領域１２２のみが存在する領域に配置されるようにすることができる。この場合、たとえば、第１の樹脂領域１２０を構成する樹脂組成物としては、高流動性のものを用い、第２の樹脂領域１２２を構成する樹脂組成物としては、低流動性のものを用いることができる。
【００５９】
また、図７および図８を参照して説明した金型２００も、種々の構成とすることができる。たとえば、封止樹脂のタブレットを投入する投入口は、２種の樹脂組成物の境界線付近に設けられるようにすることもできる。また、金型２００には、２つ以上の投入口を設け、各樹脂組成物が異なる投入口から投入されるようにすることもできる。
【符号の説明】
【００６０】
１００ 半導体装置
１０２ 基板
１０４ 半導体チップ
１０６ ボンディングワイヤ
１０８ 半導体チップ
１１０ ボンディングワイヤ
１１８ 封止樹脂
１２０ 第１の樹脂領域
１２１ 混合層
１２２ 第２の樹脂領域
１２３ 混合層
１２４ 第３の樹脂領域
１３０ 受動部品
１４０ タブレット
１４１  第１の樹脂組成物
１４２  第２の樹脂組成物
２００ 金型
２０２ 下型
２０４ 上型
２０６ 押込部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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