(57)【要約】【目的】過電流発生時に短時間で主スイッチング素子の遮断が可能で、かつ、過電流の発生を簡単な構成で制御回路に通知可能な過電流保護機能を有するスイッチング電源装置を提供する。【構成】過電流検出回路５０が過電流を検出すると論理回路８０は主スイッチング素子ＳＷを遮断する。主スイッチング素子ＳＷと転流素子Ｄの接続点の電位の変化により前記主スイッチング素子ＳＷがオフしたことを検出し、このときの前記スイッチング信号Ｓｓｗが前記主スイッチング素子ＳＷのオンを指示するものであると、制御回路６０は過電流が発生したと判定する。このスイッチング電源装置は、過電流が発生した場合は短時間で主スイッチング素子ＳＷを遮断できるとともに、簡単な構成で制御回路６０に過電流が発生したという情報を与えることができる。【選択図】        図１
2010017043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧側の主スイッチング素子と低圧側の転流素子が直列に接続された直列回路と、前記主スイッチのオンオフを指示するスイッチング信号を出力する制御回路と、前記スイッチング信号をレベルシフトして前記主スイッチング素子の制御端子に入力する信号を生成するための信号を出力するレベルシフト回路と、前記主スイッチング素子に流れる電流を検出して検出した電流を基準電流と比較することにより過電流を検出し、過電流を検出すると前記主スイッチング素子をオフする過電流防止回路と、を有し、
前記主スイッチング素子と前記転流素子との接続点の電位の変化により前記主スイッチング素子がオフしたことを検出したときの前記スイッチング信号が前記主スイッチングのオンを指示するものであると、前記制御回路は過電流が発生したと判定することを特徴とするスイッチング電源装置。
【請求項２】
前記スイッチング電源装置は、さらに前記主スイッチング素子の制御端子に入力する信号を生成するための信号および前記過電流防止回路の出力信号が入力されるとともに前記スイッチング素子の制御端子に入力する信号を出力する論理回路を有し、該論理回路は前記過電流防止回路が過電流を検出すると、前記主スイッチをオフさせる信号を前記主スイッチング素子の制御端子に入力することを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源装置。
【請求項３】
前記主スイッチング素子がＮチャネルＭＯＳトンランジスタすることを特徴とする請求項１または２に記載のスイッチング電源装置。
【請求項４】
前記主スイッチング素子がＰチャネルＭＯＳトンランジスタすることを特徴とする請求項１または２に記載のスイッチング電源装置。
【請求項５】
前記接続点に接続されたクランプ回路、および前記主スイッチのオフに対応する前記クランプ回路の出力信号の変化タイミングで前記スイッチング信号を読み込む記憶素子をさらに有し、前記制御回路は前記記憶素子の出力により過電流が発生したかどうかを判定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のスイッチング電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、過電流保護機能を有するスイッチング電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流保護機能を有するスイッチング電源装置については今までにも各種構成が提案されている（例えば特許文献１，２など）。従来の過電流保護機能を有するスイッチング電源装置の構成例について、図５により説明する。図５は入力電圧Ｖｉｎより出力電圧Ｖｏｕｔを生成するＰＷＭ（パルス幅変調）方式の降圧型ＤＣ／ＤＣコンバータである。このＤＣ／ＤＣコンバータは、主スイッチング素子ＳＷ，主スイッチング素子ＳＷの両端電圧より主スイッチング素子ＳＷの過電流を検出する過電流検出回路５０，転流素子としてのダイオードＤ，インダクタＬ，出力コンデンサＣｏｕｔ，主スイッチング素子ＳＷのオンオフを指示するスイッチング信号Ｓｓｗを出力する制御回路６０およびレベルシフト回路７０，７５を有している。また、制御回路６０およびレベルシフト回路７０，７５の一部はＤＣ／ＤＣコンバータの制御系１００を構成し、主スイッチング素子ＳＷ，過電流検出回路５０およびレベルシフト回路７０，７５の一部はＤＣ／ＤＣコンバータのスイッチ系２００を構成している。
【０００３】
制御回路６０が、フィードバックされた出力電圧Ｖｏｕｔの情報を基に、レベルシフト回路７０を介して主スイッチング素子ＳＷのオン時比率を調整することにより、ＤＣ／ＤＣコンバータは所望の出力電圧Ｖｏｕｔを得る。制御系１００は接地電位を基準とする５Ｖの電源電圧で動作している。一方、スイッチ系２００はこれとは異なる電位系で動作する。例えば、主スイッチング素子ＳＷがＮチャネルＭＯＳトンランジスタの場合、低電位側および高電位側の電源電位は、それぞれＶｓｗ，（Ｖｓｗ＋５Ｖ）となる。なお、Ｖｓｗは主スイッチング素子ＳＷと転流ダイオードＤの接続点の電位である。また、主スイッチ素子ＳＷがＰチャネルＭＯＳトンランジスタの場合、低電位側および高電位側の電源電位は、それぞれ（Ｖｉｎ−５Ｖ），Ｖｉｎとなる。このように、制御系１００の電源とスイッチ系２００の電源の電位系が異なるので、その仲立ちとしてレベルシフト回路７０，７５を設けている。レベルシフト回路７０は制御回路６０の出力信号Ｓｓｗを主スイッチング素子ＳＷのオンオフ信号Ｓｓｗｈにレベルシフトする。また。レベルシフト回路７５は過電流検出回路５０の出力信号Ｏ．Ｃ．（Over Current）を制御回路６０への入力信号Ｏ．Ｃ．ｌにレベルシフトする。
【０００４】
過電流検出回路５０は、主スイッチング素子ＳＷの両端電圧より主スイッチング素子ＳＷに流れる電流を検出し、その電流が基準値を超えた過電流であると判定すると、主スイッチング素子ＳＷをオフ（遮断）させるための信号Ｏ．Ｃ．を出力する。信号Ｏ．Ｃ．はレベルシフト回路７５により信号Ｏ．Ｃ．ｌにレベルシフトされて制御回路６０に入力される。制御回路６０はこれを受けると、レベルシフト回路７０を介して主スイッチング素子ＳＷをオフする信号Ｓｓｗを主スイッチング素子ＳＷに送って主スイッチング素子ＳＷを遮断する。この構成の場合、過電流検出信号Ｏ．Ｃ．がレベルシフト回路７５を介して制御回路６０に送られ、次に制御回路６０がレベルシフト回路７０を介して主スイッチング素子ＳＷを遮断するというシーケンスとなるため、主スイッチング素子の遮断が遅れるという問題がある。また、２つのレベルシフト回路７０，７５を設けなければならないという問題がある。
【０００５】
主スイッチング素子の遮断が遅れるという問題を解決できる、過電流保護機能を有する従来のスイッチング電源装置の別の構成例を図６に示す。図６に示すスイッチング電源装置の場合、過電流検出信号Ｏ．Ｃ．が制御回路６０に送られず、レベルシフト回路７０と主スイッチング素子ＳＷの間に設けられた論理回路８０に入力される。論理回路８０は、過電流検出信号Ｏ．Ｃ．が入力されていないとレベルシフト回路７０の出力信号Ｓｓｗｈをそのまま主スイッチング素子に伝え、過電流検出信号Ｏ．Ｃ．が入力されると直ちに主スイッチングＳＷを遮断する信号を出力する。すなわち、過電流検出回路５０および論理回路８０が過電流防止回路を構成している。レベルシフト回路７５，制御回路６０およびレベルシフト回路７０を介することがないので、図５のスイッチング電源装置に比べて短時間で主スイッチング素子ＳＷを遮断できる。また、制御回路６０に過電流検出信号Ｏ．Ｃ．を伝えないので、レベルシフト回路７５を設ける必要がない。
【特許文献１】特開平２００７−２１８６７１号公報
【特許文献２】特開平２００５−２５３２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図６に示すスイッチング電源装置の場合、過電流検出信号が制御回路６０に送られないため、制御回路６０は過電流が検出されたことが分からない。そのため、過電流が検出された場合、その状況に応じてその後の制御を変更（例えば、所定時間主スイッチング素子をオフさせてからスイッチング動作を再開する、スイッチング周波数を下げる、スイッチング電源装置を再起動する、同期整流方式の場合に同期整流素子を導通させる、など）をしたくてもできない、という問題がある。改めてレベルシフト回路７５を付加することも考えられるが、一般的にレベルシフト回路は高価な（集積回路のレイアウト面積に与える影響が大きい）高耐圧素子を必要とするため、コストが問題になる。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、上記の課題を解決して、過電流発生時に短時間で主スイッチング素子の遮断が可能で、かつ、過電流の発生を簡単な構成で制御回路に通知可能な過電流保護機能を有するスイッチング電源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、上記課題を解決するために、請求項１に係る発明は、スイッチング電源装置において、高圧側の主スイッチング素子と低圧側の転流素子が直列に接続された直列回路と、前記主スイッチのオンオフを指示するスイッチング信号を出力する制御回路と、前記スイッチング信号をレベルシフトして前記主スイッチング素子の制御端子に入力する信号を生成するための信号を出力するレベルシフト回路と、前記主スイッチング素子に流れる電流を検出して検出した電流を基準電流と比較することにより過電流を検出し、過電流を検出すると前記主スイッチング素子をオフする過電流防止回路と、を有し、前記主スイッチング素子と前記転流素子との接続点の電位の変化により前記主スイッチング素子がオフしたことを検出したときの前記スイッチング信号が前記主スイッチングのオンを指示するものであると、前記制御回路は過電流が発生したと判定することを特徴とする。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明において、前記スイッチング電源装置は、さらに前記主スイッチング素子の制御端子に入力する信号を生成するための信号および前記過電流防止回路の出力信号が入力されるとともに前記スイッチング素子の制御端子に入力する信号を出力する論理回路を有し、該論理回路は前記過電流防止回路が過電流を検出すると、前記主スイッチをオフさせる信号を前記主スイッチング素子の制御端子に入力することを特徴とする。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１または２に係る発明において、前記主スイッチング素子がＮチャネルＭＯＳトンランジスタすることを特徴とする。
請求項４に係る発明は、請求項１または２に係る発明において、前記主スイッチング素子がＰチャネルＭＯＳトンランジスタすることを特徴とする。
請求項５に係る発明は、請求項１ないし４のいずれかにひとつに係る発明において、前記接続点に接続されたクランプ回路、および前記主スイッチのオフに対応する前記クランプ回路の出力信号の変化タイミングで前記スイッチング信号を読み込む記憶素子をさらに有し、前記制御回路は前記記憶素子の出力により過電流が発生したかどうかを判定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明は、過電流防止回路が過電流を検出すると主スイッチング素子を遮断するとともに、主スイッチング素子と転流素子との接続点の電位の変化により前記主スイッチング素子がオフしたことを検出し、このときの前記スイッチング信号が前記主スイッチング素子のオンを指示するものであると、制御回路が過電流が発生したと判定するスイッチング電源装置を提供することができる。このスイッチング電源装置は、過電流が発生した場合は短時間でスイッチング素子を遮断できるとともに、簡単な構成で制御回路に過電流が発生したという情報を与えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実施の形態を、以下図面を参照して説明する。なお、本明細書の全図において相互に対応する部位には同一符号を付し、重複部分については以降の説明を適宜省略する。
図１は本実施の形態のスイッチング電源装置の基本構成を示す回路ブロック図である。図１のスイッチング電源装置は、図６のスイッチング電源装置に対し、クランプ回路ＣＬＡＭＰおよび判定回路９０が付加されたものになっている。図６のものと同様に、過電流検出回路５０および論理回路８０が過電流防止回路を構成している。クランプ回路ＣＬＡＭＰは、主スイッチング素子ＳＷと転流ダイオードＤの接続点の電位Ｖｓｗを、接地電位を基準とする５Ｖの電源電圧で動作する判定回路９０に入力できるよう最大電圧を５Ｖにクランプするものであり、簡便なレベルシフト回路として機能する。判定回路９０はクランプ回路ＣＬＡＭＰの出力信号が５Ｖから接地電位に変化したことを検出することにより、主スイッチング素子ＳＷがオフしたことを検出する。このときの主スイッチング素子ＳＷのオンオフを指示するスイッチング信号Ｓｓｗが主スイッチング素子ＳＷをオフさせるものであれば、判定回路９０は主スイッチング素子ＳＷがスイッチング信号Ｓｓｗによりオフしたものと判定する。逆に、スイッチング信号Ｓｓｗが主スイッチング素子ＳＷをオンさせるものであれば、判定回路９０は過電流が検出されて主スイッチング素子ＳＷがオフしたものと判定し、過電流発生を制御回路６０に伝える。この構成により、過電流が発生した場合、論理回路５０だけを介して過電流検出回路５０の出力により主スイッチング素子ＳＷをオフさせるので、短時間に主スイッチング素子ＳＷを遮断することができる。また、クランプ回路ＣＬＡＭＰと判定回路９０という簡単な回路で過電流発生を制御回路６０に知らせることができる。
【００１３】
図２に、本実施の形態のスイッチング電源装置の具体的構成を示す第１の実施例を、図３にその動作を説明するためのタイミングチャートを示す。図２においては、図１の主スイッチング素子ＳＷをＮチャネルＭＯＳトンランジスタＭｓｗで構成し、過電流検出回路５０を電流センス用トランジスタであるＮチャネルＭＯＳトンランジスタＭｓ，センス抵抗Ｒｓ，基準電圧回路Ｖｌｉｍ（その両端電圧もＶｌｉｍとする）およびコンパレータ１０で構成している。ＮチャネルＭＯＳトンランジスタＭｓｗとＭｓは同時にオンし、センス抵抗Ｒｓの抵抗値＞＞ＮチャネルＭＯＳトンランジスタＭｓのオン抵抗値、と見なせるので、センス抵抗Ｒｓの両端電圧は主スイッチング素子ＳＷであるＮチャネルＭＯＳトンランジスタＭｓｗのソース・ドレイン間電圧にほぼ等しくなる。ＮチャネルＭＯＳトンランジスタＭｓｗのソース・ドレイン間電圧は、主スイッチング素子であるＮチャネルＭＯＳトンランジスタＭｓｗに流れる電流の指標となるから、センス抵抗Ｒｓの両端電圧を基準電圧Ｖｌｉｍと比較することにより過電流を検出できる。すなわち、コンパレータ１０はセンス抵抗Ｒｓの両端電圧を基準電圧Ｖｌｉｍと比較して、センス抵抗Ｒｓの両端電圧が基準電圧Ｖｌｉｍを超えるとコンパレータ１０の出力がＨ（Ｈｉｇｈ）となって過電流であると判定する。
【００１４】
また、図１の論理回路８０はインバータＩＮＶ１，ＲＳフリップフロップＦＦ１およびノアゲートＮＯＲで構成されている。レベルシフト回路７０の出力はインバータＩＮＶ１に入力され、インバータＩＮＶ１の出力はＲＳフリップフロップＦＦ１のリセット入力端子（Ｒ）およびノアゲートＮＯＲの一方の入力端子に入力されている。コンパレータ１０の出力はＲＳフリップフロップＦＦ１のセット入力端子（Ｓ）に入力され、ＲＳフリップフロップＦＦ１のＱ出力はノアゲートＮＯＲの他方の入力端子に入力されている。ノアゲートＮＯＲの出力は主スイッチング素子ＭｓｗとセンストランジスタＭｓのゲートに接続されている。過電流が検出されてコンパレータ１０の出力がＨにならないとＲＳフリップフロップＦＦ１がセットされないから、過電流が発生していない状態ではＲＳフリップフロップＦＦ１のＱ出力はＬ（Ｌｏｗ）である。この状態ではノアゲートＮＯＲの出力はレベルシフト回路７０の出力と等しくなる。すなわち、主スイッチング素子Ｍｓは制御回路６０の出力に従ってオンオフする。
【００１５】
一方、過電流が検出されてコンパレータ１０の出力がＨになるとＲＳフリップフロップＦＦ１はセットされて、そのＱ出力はＨとなる。するとノアゲートＮＯＲの出力はこれに規定されて（レベルシフト回路７０の出力とは無関係に）Ｌとなり、主スイッチング素子Ｍｓｗは遮断される。
図１のクランプ回路ＣＬＡＭＰは、図２において抵抗ＲｃおよびツェナーダイオードＺＤによって構成されている。主スイッチング素子Ｍｓｗと転流ダイオードＤの接続点の電位Ｖｓｗが高電圧であるＶｉｎになっても、判定回路９０への入力電圧はツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧にクランプされる。すなわち、クランプ回路ＣＬＡＭＰは、接地電位と入力電圧Ｖｉｎの間で変化する接続点の電位Ｖｓｗを、接地電位とツェナー電圧の間で変化する信号に変換する簡便なレベルシフト回路を構成しているとみなすことができる。
【００１６】
図１の判定回路９０は、図２においてＤフリップフロップＦＦ２およびインバータＩＮＶ２によって構成されている。ツェナーダイオードＺＤと抵抗Ｒｃとの接続点がインバータＩＮＶ２の入力端子に接続されている。すなわち、クランプ回路ＣＬＡＭＰの出力がインバータＩＮＶ２に入力されている。インバータＩＮＶ２の出力端子はＤフリップフロップＦＦ２のクロック端子に入力されている。また、ＤフリップフロップＦＦ２のデータ入力端子Ｄには制御回路６０から出力されるスイッチング信号Ｓｓｗが入力されている。この構成により、主スイッチング素子Ｍｓｗと転流ダイオードＤの接続点の電位Ｖｓｗが接地電位に遷移するときのスイッチング信号Ｓｓｗの値が、ＤフリップフロップＦＦ２に読み込まれることになる。ＤフリップフロップＦＦ２のＱ出力は制御回路６０に入力されているので、制御回路６０はこの値により、電位Ｖｓｗが接地電位に遷移するとき、すなわち主スイッチング素子ＭｓｗがオフするときのスイッチングＳｓｗの値を知ることができる。これが主スイッチング素子Ｍｓｗをオンさせるものであれば、オンを指示しているのにもかかわらず主スイッチング素子Ｍｓｗがオフしてしまったということで、制御回路６０は過電流防止回路が過電流を検出して主スイッチング素子Ｍｓｗをオフさせたものと判定し、すなわち、過電流が発生したと判定し、対応する処理を開始する。
【００１７】
なお、背景技術における説明と同様に制御系１００は接地電位を基準とする５Ｖの電源電圧で動作している。すなわち、図２のＶＤＤは５Ｖである。また、スイッチ系２００の電源は、背景技術における説明と同様に低電位側および高電位側がそれぞれＶｓｗ，（Ｖｓｗ＋５Ｖ）となる。すなわち、図２のＶｂｏｏｔは（Ｖｓｗ＋５Ｖ）に等しい。なお、ここで説明に使っている５Ｖは例であり、他の電圧値であってもよい。
【００１８】
図２に示すスイッチング電源装置の動作シーケンスについて、図３のタイミングチャートにより説明する。図３は、上よりスイッチング信号Ｓｓｗ，ＲＳフリップフロップＦＦ１のリセット入力端子Ｒへの入力信号，ＲＳフリップフロップＦＦ１のセット入力端子Ｓへの入力信号，ＲＳフリップフロップＦＦ１のＱ出力，ノアゲートＮＯＲの出力信号，センス抵抗Ｒｓの両端電圧，主スイッチング素子Ｍｓｗと転流ダイオードＤの接続点の電位Ｖｓｗ，ＤフリップフロップＦＦ２のクロック端子への入力信号およびＤフリップフロップＦＦ２のＱ出力の信号波形である。
【００１９】
スイッチング信号Ｓｓｗは、その値がＨのとき主スイッチング素子Ｍｓｗをオンを指示し、Ｌのときオフを指示するものである。時刻ｔ１〜ｔ２の間はスイッチング信号ＳｓｗがＨとなって主スイッチング素子Ｍｓｗをオンさせる指示を出している。この間はＲｓの両端電圧が基準電圧Ｖｌｉｍ以下なので、コンパレータ１０の出力、すなわちＲＳフリップフロップＦＦ１のセット入力はＨにならず、フリップフロップＦＦ１のＱ出力はＬを保つ。従い、主スイッチング素子Ｍｓｗのオンオフを直接制御するノアゲートＮＯＲの出力は、スイッチング信号Ｓｓｗと同相の信号となる。時刻ｔ２でスイッチング信号Ｓｓｗに従い主スイッチング素子Ｍｓｗがオフすると電位Ｖｓｗが立下り、これによりＤフリップフロップＦＦ２にスイッチング信号Ｓｓｗの値が読み込まれる。スイッチング信号ＳｓｗがＬになったことが起因して一連の動作が開始したのであるから、ＤフリップフロップＦＦ２にはスイッチング信号ＳｓｗのＬが読み込まれる。従いそのＱ出力もＬであるから、制御回路６０はこれより過電流は発生していないと判定する。
【００２０】
主スイッチング素子Ｍｓｗがオンする次の周期ｔ３〜では過電流が発生し、時刻ｔ４で抵抗Ｒｓの両端電圧が基準電圧Ｖｌｉｍを超える。すると、コンパレータ１０の出力、すなわちＲＳフリップフロップＦＦ１のセット入力がＨとなり、ＲＳフリップフロップＦＦ１のＱ出力もＨとなる。ＲＳフリップフロップＦＦ１のＱ出力はノアゲートＮＯＲに入力されているから、これによりノアゲートＮＯＲの出力はＬとなり、主スイッチング素子Ｍｓｗはオフする。すると、電位Ｖｓｗが立下り、これによりＤフリップフロップＦＦ２にスイッチング信号Ｓｓｗの値が読み込まれる。このときのスイッチング信号Ｓｓｗは主スイッチング素子オンを指示するＨであり、このＨがＤフリップフロップＦＦ２に読み込まれる。これによりＤフリップフロップＦＦ２のＱ出力はＨとなり、制御回路６０はＤフリップフロップＦＦ２から出力されるＨにより過電流が発生したと判定する。
【００２１】
図４に、本実施の形態のスイッチング電源装置の具体的構成を示す第２の実施例を示す。図４は、主スイッチング素子Ｍｓｗおよび電流センス用トランジスタＭｓをＰチャネルＭＯＳトンランジスタにより構成したものである。この場合、スイッチ系２００の電源は、背景技術における説明と同様に低電位側および高電位側がそれぞれ（Ｖｉｎ−５Ｖ），Ｖｉｎとなる。すなわち、図４のＶｄｒは（Ｖｉｎ−５Ｖ）に等しい。なお、ここでも説明に使っている５Ｖは例であり、他の電圧値であってもよい。
【００２２】
図２のものと同様に、スイッチング信号Ｓｓｗは、その値がＨのとき主スイッチング素子Ｍｓｗをオンを指示し、Ｌのときオフを指示する信号である。主スイッチング素子ＭｓｗはＰチャネルＭＯＳトンランジスタであるので、ゲート端子への入力がＬのときオン、Ｈのときオフであるから、制御信号Ｓｓｗを反転した信号にする必要がある。そのために、図２のノアゲートＮＯＲをオアゲートＯＲに置き換えた構成としている。
【００２３】
過電流検出回路５０の構成が図２のものと異なっているが、これはセンス抵抗Ｒｓを電流センス用トランジスタＭｓのドレインに接続させるためである。詳細な説明は省略するが、図２のものと同様に、過電流が発生するとセンス抵抗Ｒｓの両端電圧が基準電圧Ｖｌｉｍを超え、コンパレータ１０の出力、すなわちＲＳフリップフロップＦＦ１のセット入力がＨ（Ｈｉｇｈ）となる。これによりＲＳフリップフロップＦＦ１のＱ出力がＨとなり、オアゲートＯＲの出力もＨとなって、主スイッチング素子Ｍｓｗがオフする。
【００２４】
対応するタイミングチャートについては、図３のタイミングチャートにおけるノアゲートＮＯＲの出力信号波形をオアゲートＯＲの出力波形（図３のノアゲートＮＯＲの出力信号波形を反転させたもの）に置き換えるだけであるので、図示は省略する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施の形態のスイッチング電源装置の基本構成を示す回路ブロック図である。
【図２】実施の形態のスイッチング電源装置の具体的構成を示す第１の実施例の回路図である。
【図３】図２のスイッチング電源装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】実施の形態のスイッチング電源装置の具体的構成を示す第２の実施例の回路図である。
【図５】従来の過電流保護機能を有するスイッチング電源装置の構成例を示す回路ブロック図である。
【図６】従来の過電流保護機能を有するスイッチング電源装置の別の構成例を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
【００２６】
１０              コンパレータ
５０              過電流検出回路
６０              制御回路
７０，７５        レベルシフト回路
８０              論理回路
９０              判定回路
１００            制御系
２００            スイッチ系
ＣＬＡＭＰ        クランプ回路
Ｃｏｕｔ          出力コンデンサ
Ｄ                転流ダイオード
ＦＦ１            ＲＳフリップフロップ
ＦＦ２            Ｄフリップフロップ
ＩＮＶ１，ＩＮＶ２  インバータ
Ｌ                インダクタ
ＮＯＲ            ノアゲート
Ｍｓ              電流センス用トランジスタ
Ｍｓｗ            主スイッチング素子であるトランジスタ
ＯＲ              オアゲート
Ｒｃ              抵抗
Ｒｓ              センス抵抗
Ｓｓｗ            スイッチング信号
ＳＷ              主スイッチング素子
Ｖｌｉｍ          基準電圧回路またはその出力である基準電圧
Ｖｓｗ            主スイッチング素子ＳＷと転流ダイオードＤの接続点の電位
ＺＤ              ツェナーダイオード
【図１】
2010017043.tif 000003
【図２】
2010017043.tif 000004
【図３】
2010017043.tif 000005
【図４】
2010017043.tif 000006
【図５】
2010017043.tif 000007
【図６】
2010017043.tif 000008