(57)【要約】【課題】ウェハのエッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。【解決手段】エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。また、真空処理室の内壁表面温度と相関のある処理ガスの発光強度を測定して間欠的なプラズマ生成４０２を制御する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室を形成する真空処理容器と、前記真空処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、該真空処理容器内に供給した処理ガスを前記真空処理室内でプラズマ化するプラズマ生成手段とを備え、装置が休止状態であることを判断し、休止中にも前記真空処理室の内壁表面温度を維持するための熱源としてのプラズマ生成を繰り返すことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、ウェハ処理に先立って、前記真空処理室の内壁表面を加熱するためのプラズマを、予め設定された処理条件・処理時間で生成して放電し、前記真空処理室の内壁表面温度を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、前記真空処理室の内壁表面温度を制御するためのプラズマ放電を行う際に、前記真空処理室の内壁表面温度と相関のある、プラズマの特定の波長の発光を測定することで、前記真空処理室の内壁加熱中の温度変化を測定し、前記プラズマ放電の放電時間を予め設定された発光強度の閾値を用いて制御することにより前記真空処理室の内壁表面温度を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置において、前記真空処理室の内壁表面温度が飽和しているときに、前記真空処理室の内壁表面温度制御のためのプラズマ放電を行うことで、前記プラズマ放電の放電時間の放電終了判定のための閾値を自動で設定し直すことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料ガスをプラズマ化し、活性化した粒子の物理または化学反応により半導体表面処理を行う装置、特にプラズマエッチングを行うプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造の際に用いられるプラズマ処理の工程に、有磁場プラズマ発生装置が用いられてきた。この有磁場プラズマ発生装置は真空容器である処理室内に処理ガスを導入し、導波管を介して供給されるマイクロ波によりプラズマを生成し、下部電極に置かれたシリコンウェハをエッチングする。前記下部電極は下部電極として動作し、バイアス電位を印加することでエッチング速度及びエッチング形状を制御可能である。
【０００３】
特許文献１および特許文献２には、ウェハの処理に先立って、あらかじめ数値計算などによって得られた処理室内壁温度に対応させて設定された放電条件で処理室内壁を加熱し、均一なエッチング性能を得るための技術について述べられている。しかし、必ずしも、処理室内壁の温度が推定可能であるとは限らず、また、エッチング処理条件に変更があった場合にも、改めて放電条件を設定しなおす必要の無い、加熱放電の手段が必要であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２１０９４８号公報
【特許文献２】特開２００６−２４４０６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、処理性能の短期的変動の安定化による歩留まりの向上に関する。近年の半導体の微細化に伴い、エッチング形状、および試料毎のエッチング形状の均一性が、製品歩留まりに与える影響が増大するなかで、新たな問題として顕在化してきたものがあり、そのひとつの例がリアクタ温度である。
【０００６】
処理対象のウェハは温度制御された試料台に積載され、ウェハの温度は最適化されていたが、処理を重ねるにつれて、プラズマからの入熱によって加熱されるリアクタ内壁の温度変化にも影響を受ける。原因の一つは、リアクタ内壁の温度変化に伴った、壁表面での反応レートや反応生成物組成の変化である。その結果として壁から再放出された分子等がエッチング性能に影響を与えることがある。
【０００７】
また、リアクタ内壁からの輻射熱による加熱がある。エッチング性能に大きな影響を与えるため、ウェハ温度は試料台によって温度を制御されているが、プラズマからの入熱などによって表面が加熱される場合がある。熱源としてはプラズマが支配的ではあるが、プラズマ処理中以外であれば、ウェハはリアクタ内壁からの輻射によって加熱されうる。
【０００８】
さらに、導入ガス温度の変動が考えられる。リアクタを構成する内壁材の一部がガス導入路を兼ねていて、温度の影響を受ける一方で、圧力計は温度の影響が無視できるように配置されているために、測定部における圧力を一定に制御しても、リアクタ内のガス密度が変動し、エッチング性能に影響する場合がある。
【０００９】
連続的な処理を行うとき、上記のプラズマによる加熱のために、リアクタ内の温度制御がされていない部分は徐々に温度が上昇し、十分な時間が経過すると飽和する。また複数のウェハを断続的に処理する場合、待機時間中に温度は降下する。上記した理由により、エッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。
【００１０】
以上の理由により、リアクタ内の温度制御が重要となっているが、リアクタの内壁表面温度を直接加熱または冷却することによって制御することは非常に困難であった。そのため、連続的に処理を行って到達する飽和温度を基準としてエッチング性能に影響がない範囲にまで加熱し、またエッチング処理が中断された間にも、その温度を維持または処理再開直前に再加熱することが必要である。同時に、従来のエッチング装置には、その内壁温度をモニタする手段を持たないものがあり、そのような場合でも加熱処理の終点を判定する手段が必要であった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、リアクタ内壁温度はエッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によって最適な温度にまで加熱される。またはエッチング処理動作停止（以下、「アイドリング」と記す。）中においては、温度を維持するための放電がなされる。
【００１２】
本発明におけるアイドリングは、連続した複数枚のウェハの処理と、また別の連続した複数枚のウェハ処理との間の待機時間と、装置メンテナンス後からウェハ処理着工までの待機時間を示す。本発明のプラズマ処理装置は、あるウェハの処理が終了した後、次に処理するウェハの有無を判断するコンピュータと、アイドリング時間を測定するタイマーと、発光分光器と、エッチング性能と相関のある部位を測定する温度モニタとを必要に応じて備え、また、予め決められた効果的に昇温をするために用意された放電条件を有し、また、所望の温度まで過熱するのに最適な時間を決定する手段を有しており、ウェハ処理時に常に最適なリアクタ温度を得る。
【００１３】
以上の手段により、プラズマ処理を行う真空処理室内の状態は常に一定に保たれ、その結果、長期間にわたって安定なエッチング性能を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【００１４】
本発明のプラズマ処理装置は、真空処理室を形成する真空処理容器と、前記真空処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、該真空処理容器内に供給した処理ガスを前記真空処理室内でプラズマ化するプラズマ生成手段とを備え、装置が休止状態であることを判断し、休止中にも前記真空処理室の内壁表面温度を維持するための熱源としてのプラズマ生成を繰り返すことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明のプラズマ処理装置は、更に、ウェハ処理に先立って、前記真空処理室の内壁表面を加熱するためのプラズマを、予め設定された処理条件・処理時間で生成して放電し、前記真空処理室の内壁表面温度を制御することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明のプラズマ処理装置は、更に、真空処理室の内壁表面温度を制御するためのプラズマ放電を行う際に、前記真空処理室の内壁表面温度と相関のある、プラズマの特定の波長の発光を測定することで、前記真空処理室の内壁加熱中の温度変化を測定し、前記プラズマ放電の放電時間を予め設定された発光強度の閾値を用いて制御することにより前記真空処理室の内壁表面温度を制御することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のプラズマ処理装置は、更に、前記真空処理室の内壁表面温度が飽和しているときに、前記真空処理室の内壁表面温度制御のためのプラズマ放電を行うことで、前記プラズマ放電の放電時間の放電終了判定のための閾値を自動で設定し直すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、以上の構成を備えることにより、エッチング形状のウェハ間の変動を抑制し、高歩留まりを実現するエッチング装置およびエッチング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の実施例１におけるプラズマ処理装置である。
【図２】図２は、加熱放電を行わない場合の連続処理における、代表的な温度変化を表す図である。
【図３】図３は、２つの連続処理の間に処理停止時間があった場合の温度変化を表す図である。
【図４】図４は、間欠的な放電を行うことによる装置温度維持を表す図である。
【図５】図５は、本発明の実施例２のＦ（フッ素）を含むガスを添加した場合の加熱用放電中における温度と発光強度の相関を表す図である。
【図６】図６は、終点判定の閾値を修正する手段を説明する図である。
【図７】図７は、アイドリング前後および装置立ち上げ時に、Ｆ（フッ素）を含むガスを少量添加した場合の加熱放電中の温度とＳｉＦ発光強度の相関を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明のプラズマ処理装置に係る真空処理チャンバ周りの構成の概略を示す縦断面図である。マイクロ波源１０１から発振されたマイクロ波は方形導波管１０３を用いて伝送され、方形円形導波管変換機１０４により、円形導波管１０５に接続される。自動整合機１０２により負荷インピーダンスを調整して反射波を自動的に抑制することができる。
【００２２】
マイクロ波源１０１としては、発振周波数２．４５ＧＨｚのマグネトロンを用いる。円形導波管１０５は空洞共振部１０６に接続される。空洞共振部１０６はマイクロ波電磁界分布をプラズマ処理に適した分布に調整する働きを持つ。空洞共振部１０６の下部にはマイクロ波導入窓１０７、シャワープレート１０８を介してプラズマ処理室１１９がある。
【００２３】
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ処理室１１９に導入されたマイクロ波と、ソレノイドコイル１２０によって形成される磁界のＥＣＲ（Electron  Cyclotron  Resonance）共鳴によって、プラズマ処理室１１９内に反応性ガスのプラズマを形成してエッチング処理を行うプラズマエッチング装置である。
【００２４】
ＥＣＲ共鳴とは、前記ソレノイドコイル１２０が生成する磁界の磁力線に沿って電子が回転しながら移動するところに、その回転の周期に対応した周波数のマイクロ波をプラズマに入射することで電子を選択的に加熱することを言い、プラズマの効果的な加熱法である。また、静磁界を用いる他の利点として、静磁界の分布を変化させることでＥＣＲ共鳴が発生する位置を制御することが出来、プラズマ発生領域を制御することができる。
【００２５】
さらに、プラズマは磁力線に対して垂直な方向に拡散が抑制されることが知られており、プラズマの拡散を制御し、プラズマの損失を低減することができる。これらの効果により、プラズマの分布を制御することができ、従ってプラズマ処理の均一性を高めることができる。
【００２６】
静磁界の発生装置であるソレノイドコイル１２０として３段の電磁石を用いた。各電磁石に通電する電流を変えることで、静磁界の分布を制御することができる。
【００２７】
反応性ガスは、ガス源１０９から、試料台たる下部電極１１４に対向する面に設置されたシャワープレート１０８より供給され、マスフローコントローラ（以下、「ＭＦＣ」という。）１１１によって、その流量を制御する。ガスバルブ１１０は、ガスの供給を開始または終了するために設けられている。プラズマ処理室１１９内のガスは、ターボ分子ポンプ（以下、「ＴＭＰ」という。）１１８から排気され、ＴＭＰ１１８の上流部に設けられた可動弁１１７によってその排気速度を制御し、プラズマ処理室１１９内の圧力を制御する。
【００２８】
前記試料であるシリコンウェハ（以下、単に「ウェハ」と記す。）は、静電吸着により下部電極１１４に吸着保持可能である。さらに、下部電極１１４にＲＦ電源１１６より周波数４００ｋＨｚのＲＦ波をＲＦ整合器１１５を介して印加することにより、処理性能の制御及び処理速度の向上が可能である。プラズマ処理室１１９、下部電極１１４、ＴＭＰ１１８はそれぞれ略円筒形の形状であり、その円筒の軸を同一とする。下部電極１１４は、プラズマ処理室１１９に梁によって支持されている。
【００２９】
また、以上の構成は、全て制御コンピュータ１１３に接続され、適切なシーケンスで動作するよう、そのタイミング、動作量がコントロールされる。動作シーケンスは、レシピと呼ばれ、あらかじめ設定されたレシピに基づいた動作がなされる。エッチングの終点判定を行うため、プラズマ処理装置には光ファイバ１２１を介して取り付けられた分光器１１２と分光器１１２に接続された制御コンピュータ１１３が設けられており、プラズマからの発光を波長・時間に関して分解して測定・記録する。また、制御コンピュータ１１３は、ウェハの投入の有無を判断し、アイドリング中であると判断した場合には、タイマーを動作させ、アイドリング時間を測定する。さらに、特に必要とされる場合には、リアクタ内壁の温度を測定できる位置に温度センサ１２２が設けられている。
【００３０】
図２に、温度制御をしない従来のリアクタ内の時間変化（２０１）を示す。この例は、特にプロセス性能と温度との間に相関が見られる部位のものであって、複数枚のウェハを連続的に処理した際の、測定部位の温度がおよそ飽和するまでのものである。温度は初期に急激に上昇し、ある時点から温度変化は緩やかになるものの、徐々に上昇を続け、やがて温度は飽和する。
【００３１】
図３は、前記したアイドリング中３０２の温度変化を示したものである。プラズマ処理が終了（３０３）し、プラズマによる加熱がなくなると（３０２）、温度は急速に降下する。また、プラズマ処理を再開すると、温度は急激に上昇（３０４）し、十分に時間が経過するとある定常温度に到達する。
【００３２】
プラズマ処理の着工開始時から適切なリアクタ温度を得るための手段として、アイドリング中であると判断された場合に間欠的な放電を挿入することで温度を維持し、安定したエッチング性能を得ることが可能である。
【００３３】
図４は、その具体的な実施例であり、アイドリング中にある周期である決まった時間の放電を繰り返した場合の温度変化（４０２）である。温度の変化速度が速く変動幅が大きいが、前記の間欠的な放電を行わなかった場合の温度変化（４０１）と比較して、時間平均的には高温が維持されており、プラズマ処理の再着工時も速やかにアイドリング前の到達温度まで上昇していることがわかる。
【００３４】
間欠放電の周期と、放電時間と待機時間の比率は次のようにして決める。エッチング性能と温度との相関が高い部位がわかっている場合、その部位の熱抵抗は容易に見積もることができ、またリアクタの大気に接する部分は室温である。ある昇温条件でのプラズマからの入熱量は、図２に示された結果と熱抵抗から推定することができるので、放電時間と待機時間の比率を変えることで、時間平均的にリアクタに与える熱量を制御でき、その結果、アイドリング中のリアクタ温度が制御可能になる。
【００３５】
ここで、加熱放電の条件は、後述する加熱のために最適化されたものである。間欠放電における待機時間が長すぎると、エッチング処理が可能なタイミングが限られ、生産能力が低下する。温度の上昇・降下が速い領域で切り替えを行うと効率がよくなるので、実際の放電・待機時間は、それらの時間の和が１０分程度以下であることが望ましい。
【００３６】
ここでのアイドリングは、連続処理と連続処理の間の停止時間のみを示すのではなく、リアクタの大気解放などを伴うメンテナンス作業の後の立ち上げ時間中にも当てはまり、プラズマ放電が可能となったと判断された時点から間欠放電を行うことで、処理開始時のエッチング性能の安定化が可能である。
【００３７】
また、エッチング処理の着工に際して、エッチング処理に先立って、その直前にリアクタを加熱するのに最適化されたレシピによる処理を行い、エッチング性能を安定化させることが可能である。
【００３８】
加熱用放電によってリアクタを加熱するとき、リアクタ温度が必要な温度範囲に到達したことを判断する機構、すなわち終点の判定が必要となる。ここで、アイドリング中に再びエッチング処理が開始された場合の温度上昇時の変化曲線は加熱開始前の温度にかかわらず、ほぼ等しい。よって、加熱開始時の温度がわかっていれば、加熱放電時間の制御によって、最適な温度が得られることになる。
【００３９】
このように、リアクタ内部の温度を測定する手段が無い場合、加熱放電時間の決定手段として、いくつかの適当な条件に分けることによって、それぞれの場合に必要な加熱時間をあらかじめ決めておく方法がある。
【００４０】
温度変化曲線は、モデル化が可能であるので、そのモデルに対応した十分な次元のデータベースを用意すればよいことになる。実験データからデータベースを構築するための具体的な手順は次のようになる。
【００４１】
まず、一般に温度変化曲線は指数関数の線形結合であらわすことが可能である。本発明における例では、それぞれ係数の異なる３つの指数関数と、アイドリング開始時点での温度である定数項との組み合わせであらわすことができる。すなわち、リアクタ温度は、アイドリング開始時点の温度と、アイドリング時間を変数とする関数である。
【００４２】
アイドリング時間に関しては、温度変化曲線が３つの時定数を持つことから、温度変化に支配的な三つの要素があることになる。そのうちの一つはアイドリング開始直後数秒間の間の温度降下を示すものであったので、これを無視し、残りの２つの時定数が支配的な時間範囲と、一定の温度に安定したと判断できる程度に十分な時間が経過した以降の場合をあわせて、３通りに場合わけする。
【００４３】
また、アイドリング開始時点の温度は次のようにして推定できる。図３の温度上昇曲線（３０１）とアイドリング（３０２）後の再処理時の温度上昇曲線（３０４）が相似であるように、同一の処理の繰り返しである限り、温度上昇時の曲線は常に相似であって、連続的な処理が終了しアイドリングに入るときの温度は、それまでのウェハ処理枚数の関数であることがわかった。加熱放電の場合わけとしては、ウェハ処理枚数に応じて３つに場合分けを行えば十分であった。よって、この例では、アイドリング直前の処理枚数とアイドリングの経過時間がそれぞれ３通り、合計９通りの場合わけで、加熱放電時間の制御が可能である。
【００４４】
以上のような手順によって、必要なデータ量を決定でき、たとえば、それらの代表的な場合に必要な加熱時間をあらかじめ実験によって確認したデータを用いてデータベースを作成し、プラズマ処理の着工前に加熱放電を行うことで、安定したエッチング性能を得ることが可能になる。
【００４５】
加熱用放電は、そのレシピがリアクタ加熱に最適化されたものである。もっとも加熱性能に影響するのはマイクロ波電力である。より多くの電力を投入することで、プラズマの電子温度が上昇し、加熱が促進される。プラズマの組成は特に限定されないが、希ガスを用いることでリアクタ内雰囲気を破壊しない加熱が可能である。
【００４６】
一方、Ｆ（フッ素）などのハロゲンを含むガスのプラズマを用いることで、加熱とともにリアクタのクリーニングを行うことができる。これらはウェハを処理するプロセスとの関係でより性能を安定化できるものを選ぶ。
【００４７】
また、ＥＣＲプラズマでは、ＥＣＲ面に沿った部分に高密度のプラズマが生成されるため、ＥＣＲ面と交わる部位がもっとも効果的に加熱される。これを利用して過熱放電中に磁場条件を連続的に変化させ、加熱効率を上げることが可能であり、同時に温度分布の制御が可能である。
【００４８】
また、上述した間欠放電との組み合わせも可能である。間欠放電中の待機時間が長いと処理能力が低下するが、エッチング処理直前に、待機状態での経過時間をカウントすることで、それにあわせた加熱放電時間を選択し、最適なリアクタ温度を得ることが可能である。
【実施例２】
【００４９】
加熱用放電の終点判定は、プラズマ発光の特定の波長を用いても可能である。加熱用放電として希ガスプラズマを用いた場合、ＳＦ６やＣＦ４といったＦ（フッ素）を含むガスを少量加える。Ｆ（フッ素）ラジカルはリアクタ内部にある石英部品とわずかに反応し、ＳｉＦを生成する。この反応の反応レートは温度に比例するため、プラズマ中のＳｉＦ密度がリアクタ温度に比例することになる。
【００５０】
プラズマの発光はプラズマ密度と電子温度の関数であるが、電子温度は一定と考えてよいため、ＳｉＦの発光強度がリアクタ温度に比例し、ＳｉＦの発光強度とリアクタ温度との相関をあらかじめ測定して得られた、適当な関数による近似式を装置内に持つことで光度計を用いた温度測定が可能になる。
【００５１】
図５は、前記のＦ（フッ素）を含むガスを少量添加し、過熱放電を行った例である。５０１は加熱放電中のＳｉＦの発光強度（縦軸）とそのときのリアクタ温度（横軸）とを図示したものである。温度の上昇とともに発光強度が増しており、特に放電の初期の低温域を除いては温度と発光強度とが直線で近似できることがわかる。
【００５２】
これを利用して加熱の終点判定をするには、所望の温度に対応するＳｉＦ発光強度を閾値として設定し、加熱用放電の間、ＳｉＦの発光強度を測定し、設定した閾値に到達したときに放電を終了すればよい。
【００５３】
また、リアクタ雰囲気の変化によって、ＳｉＦ発光強度と温度との相関にずれが発生する可能性があり、固定された閾値を用いた終点判定で誤った判定がなされる恐れがある。このような問題を解決する手段として、アイドリング開始前に加熱放電と同等の処理を行い（６０３）、そのときの発光強度を記録し、その値を新たな閾値とする方法がある。詳細を図６に示す。アイドリング（６０４）の後の加熱放電（６０５）では、アイドリング前の閾値測定用放電（６０３）で測定された発光強度に到達したときに放電を終了し、エッチング処理（６０６）を行えばよい。
【００５４】
前記の方法で、定常温度からの過熱時、アイドリング前、３０分間のアイドリング後にそれぞれ加熱用放電を行った際の温度を横軸に、ＳｉＦ発光強度を縦軸に記した図を、図７に示す。放電開始初期は温度と発光強度の比例関係からのずれが見られるが、アイドリング前（７０２）、アイドリング後（７０３）、および、装置立ち上げ直後の着工前加熱（７０１）のいずれの場合も十分な時間放電を行えば、リアクタ温度とＳｉＦ発光強度との関係は同一直線状に並び、発光強度の測定により、加熱の終点の再設定、終点判定などが可能であることがわかる。
【符号の説明】
【００５５】
１０１  マイクロ波源
１０２  自動整合機
１０３  方形導波管
１０４  方形円形導波管変換機
１０５  円形導波管
１０６  空洞共振部
１０７  マイクロ波導入窓
１０８  シャワープレート
１０９  ガス源
１１０  ガスバルブ
１１１  マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
１１２  分光器
１１３  制御コンピュータ
１１４  下部電極
１１５  ＲＦ整合器
１１６  ＲＦ電源
１１７  可動弁
１１８  ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）
１１９  プラズマ処理室
１２０  ソレノイドコイル
１２１  光ファイバ
１２２  温度センサ
２０１  加熱放電を行わない連続処理におけるエッチング性能との相関部位の温度変化
３０１  ２０１と同じ
３０２  アイドリング中の温度変化
３０３  プラズマ処理の終了
３０４  アイドリング後の再処理時の温度変化
４０１  間欠放電を行わない場合のアイドリング中の温度変化
４０２  間欠放電を行った場合のアイドリング中の温度変化
５０１  Ｆ（フッ素）を含むガスを加え加熱放電を行った場合の温度と発光強度の相関
６０１  リアクタ内部の代表的な温度変化
６０２  エッチング処理
６０３  アイドリング前加熱用放電
６０４  アイドリング
６０５  アイドリング後加熱用放電
６０６  エッチング処理
７０１  装置立ち上げ直後の加熱放電中の温度と発光強度の相関
７０２  アイドリング前の加熱放電中の温度と発光強度の相関
７０３  アイドリング後の加熱放電中の温度と発光強度の相関
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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