(57)【要約】【課題】光受信モジュールに実装される端面入射型受光素子の製造コスト及び製造工程における歩留まりの低下を抑える。【解決手段】端面入射型受光素子１０が、光を吸収するための光吸収層１５が設けられ、光を伝搬する導波路３４の出射端面から出射した光が光吸収層１５の受光端面に入射するようサブキャリア２０に実装されるように構成されており、受光素子１０のサブキャリア２０への実装面に、光吸収層１５を有し光吸収層１５の層厚方向にメサ状に突出形成された受光部１６と、受光素子１０がサブキャリア２０に実装された状態でサブキャリア２０に当接してサブキャリア２０に対して光吸収層１５の層厚方向に受光素子１０を位置決めできる受光素子高さ基準面１７を有する突出形成された位置決め突出部１８と、から成る段差構造が形成されており、受光部１６頂面が基準面に対して低く凹んだ状態に形成されている。【選択図】図３
2010219369.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を吸収するための光吸収層が設けられ、光を伝搬する導波路の出射端面から出射した光が前記光吸収層の受光端面に入射するよう実装基板に実装される端面入射型受光素子であって、
前記受光素子の前記実装基板への実装面に、前記光吸収層を有する受光部と、前記受光素子が前記実装基板に実装されたときに前記実装基板に当接して前記実装基板に対して前記光吸収層の層厚方向に前記受光素子を位置決めできる基準面を有する突出形成された位置決め突出部と、から成る段差構造が形成されており、
前記受光部頂面が前記基準面に対して低く凹んだ状態に形成されていることを特徴とする受光素子。
【請求項２】
光を吸収するための光吸収層が設けられた受光素子と、
前記受光素子を実装する実装基板と、
光を伝搬する導波路が設けられ前記実装基板を実装する導波路基板と、を具える光受信モジュールであって、
前記受光素子が、前記光吸収層の受光端面が前記導波路の出射端面と対向するよう配置されて前記導波路の出射端面から出射した光が前記光吸収層の受光端面に入射するよう実装される端面入射型受光素子であり、
前記受光素子の前記実装基板への実装面に、前記光吸収層を有する受光部と、前記受光素子が前記実装基板に実装された状態で前記実装基板に当接して前記実装基板に対して前記光吸収層の層厚方向に前記受光素子を位置決めできる基準面を有する突出形成された位置決め突出部と、から成る段差構造が形成されており、
前記受光部頂面が前記基準面に対して低く凹んだ状態に形成されていることを特徴とする光受信モジュール。
【請求項３】
前記導波路基板が、Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板上に積層された絶縁層と、前記Ｓｉ基板上に形成され前記導波路を被覆するクラッド層と、前記Ｓｉ基板上に突出形成され前記導波路基板に実装された前記実装基板を支持する支持手段とを有しており、
前記受光素子を実装した前記実装基板が前記導波路基板に実装されたときに、前記実装基板の表面が前記支持手段に当接することにより、前記導波路の出射端面と前記光吸収層の受光端面とが整合するように、前記実装基板が前記導波路基板に対して前記光吸収層の層厚方向に位置決めされることを特徴とする請求項２に記載の光受信モジュール。
【請求項４】
前記実装基板の表面に、前記実装基板が前記導波路基板に実装された状態で前記クラッド層を収容できる溝部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光受信モジュール。
【請求項５】
光を伝搬する導波路が設けられた導波路基板に実装される実装基板に実装される受光素子の製造方法であって、
ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ光吸収層及びｐ−ＩｎＰ層を順次積層するステップと、
エッチングにより、前記光吸収層を有する受光部と、前記実装基板に対して前記光吸収層の層厚方向に前記受光素子を位置決めできる基準面を有する位置決め突出部と、から成る段差構造を形成するステップと、
前記段差構造を形成した面上に、前記段差構造を形成した面を保護するためのパッシベーション膜を形成するステップと、
前記受光部頂面に電極を形成するステップと、を具えており、
前記受光部頂面が前記基準面に対して低く凹んで形成されるよう前記段差構造が形成されることを特徴とする方法。
【請求項６】
さらに、前記実装基板の表面に、前記実装基板が前記導波路基板に実装されたときに前記導波路を被覆する前記導波路基板のクラッド層を収容できる溝部を形成するステップを具えることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信用の端面入射型受光素子、光受信モジュール及び受光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信用の受信器で用いられる半導体受光素子は、受光素子の基板面に対して垂直な方向から入射光を入射させる面入射型受光素子と、受光素子の端面から入射光を入射させる端面入射型受光素子とに大別される。端面入射型受光素子は、面入射型受光素子と比較して光電変換効率及び信号応答速度を両立させ易いという利点がある。さらに、この端面入射型受光素子は、石英導波路基板上などに平面的に実装する表面実装、及び石英導波路基板に対してバットカップリング（突き合わせ接合）に適しており、石英導波路からの出射光をレンズ、ミラーといった光学系を介さずに受光素子に直接入射する。
【０００３】
図１４乃至１６は、従来の実装方法によって石英導波路基板１３０に端面入射型受光素子１００を実装して光受信モジュールに組み込む様子を示している。ここで、図１４は、従来の光受信モジュールの平面図を示し、図１５は、図１４の光受信モジュールのＥ−Ｅ′断面図を示し、図１６は、図１５に示す状態のＳｉ基板１３１上の絶縁膜１３２から受光素子１００を離した図である。端面入射型受光素子１００を実装した状態では、図１４に示すように端面入射型受光素子１００と石英導波路基板１３０の石英導波路１３４（コア層）との間に間隔は無く、端面入射型受光素子１００と石英導波路基板１３０の石英導波路１３４とが突き合わせ接合されている。受光素子１００の電極１１１と石英導波路基板１３０の電極１２３とは、ボンディングワイヤ１２５によって接続されている。このような構成において、石英導波路基板１３０から出射した光を端面入射型素子１００に入射させるためには、端面入射型素子１００の光吸収層１１５（コア層）の高さと石英導波路基板１３０の石英導波路１３４の高さが一致していることが必要である。
【０００４】
このため、図１６に示すように、石英導波路基板１３０上には、実装の際の高さの基準面となる複数の台座１３５が突出形成されている。このような構成の下、石英導波路基板１３０上に端面入射型受光素子１００を実装する場合には、端面入射型素子側の基準面１１７を石英導波路基板側の基準面（台座１３５）に押し当てた状態で実装する。これにより、石英導波路基板１３０に対して受光素子１００が位置決めされ、端面入射型素子１００の光吸収層１１５の高さと石英導波路１３４のコア層の高さが一致する。このため、端面入射型素子１００に向けて実際に光を入射させて素子１００の光吸収層１１５に光が当たっているか否かをわざわざ確認しながら位置決め調整を行わずに、基準面１１７及び基準面（台座１３５）の精度により、石英導波路基板１３０上に端面入射型受光素子１００を実装した時点で、端面入射型受光素子１００と石英導波路１３５とをアライメントさせることが可能である。このような実装方法は、例えば、下記非特許文献に記載されている。
【０００５】
一方、上記のような実装方法とは別に、受光素子を光受信モジュールに組み込む工程において、まず受光素子を補助基板としてのザブキャリアに実装し、サブキャリアに実装された状態で受光素子の特性検査、選別等を行い、その後、サブキャリアを光受信モジュールに組み込むという工程が取られている。このような実装方法を用いてサブキャリアに実装した面入射型受光素子２００の例を図１７に示しており、受光素子２００上の受光面２１５に入射光を入射させるよう構成されている。受光素子の特性検査、選別等を行う場合、受光素子そのものは機械的に弱く、電極面も小さいため取り扱いが難しいが、図１７に示すようにサブキャリア２２０に実装することで、特性検査、選別等を容易に行うことができるといった利点を有する。しかしながら、このような利点を有する一方で、端面入射型受光素子をサブキャリアに実装し、当該実装したものをさらに石英導波路基板等、他の光部品に実装して光受信モジュールとして集積化しようとする場合には、以下のような問題が生じる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
22nd European Conference on Optical Communication予稿集TuC.3.1
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
まず第１の問題点は、端面入射型受光素子をサブキャリアに実装し、さらにそのサブキャリアを石英導波路基板に実装しようとする場合、従来の実装方法では、サブキャリアと石英導波路基板のそれぞれに高さ基準（位置決め基準）となる台座を形成しなければならず、製造コストが上昇するという点である。また、第２の問題点は、サブキャリアと石英導波路基板のそれぞれに高さ基準となる台座を形成すると、それぞれの台座の高さの精度が素子及び基板の高さ方向のアライメント精度に影響を与えることで、端面入射型素子の光吸収層の高さと石英導波路のコア層の高さが一致しない場合が増加し、製造工程において不良品の発生率が高まって歩留まりの低下を招くといった点である。
【０００８】
以上のような課題に鑑みて、本発明は、製造コスト及び製造工程における歩留まりの低下を抑えることのできる端面入射型受光素子、光受信モジュール及び及び受光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために本発明に係る端面入射型受光素子は、光を吸収するための光吸収層が設けられ、光を伝搬する導波路の出射端面から出射した光が光吸収層の受光端面に入射するよう実装基板（例えば、実施形態におけるサブキャリア２０）に実装されるように構成されており、その上で、受光素子の実装基板への実装面に、光吸収層を有する受光部と、受光素子が実装基板に実装されたときに実装基板に当接して実装基板に対して光吸収層の層厚方向に受光素子を位置決めできる基準面を有する突出形成された位置決め突出部と、から成る段差構造が形成されており、受光部頂面が基準面に対して低く凹んだ状態に形成されている。
【００１０】
また、前記課題を解決するために本発明に係る光受信モジュールは、光を吸収するための光吸収層が設けられた受光素子と、受光素子を実装する実装基板（例えば、実施形態におけるサブキャリア２０）と、光を伝搬する導波路が設けられ実装基板を実装する導波路基板と、を具える光受信モジュールであって、受光素子が、光吸収層の受光端面が導波路の出射端面と対向するよう配置されて導波路の出射端面から出射した光が光吸収層の受光端面に入射するよう実装される端面入射型受光素子であり、受光素子の実装基板への実装面に、光吸収層を有する受光部と、受光素子が実装基板に実装された状態で実装基板に当接して実装基板に対して光吸収層の層厚方向に受光素子を位置決めできる基準面を有する突出形成された位置決め突出部と、から成る段差構造が形成されており、受光部頂面が基準面に対して低く凹んだ状態に形成されている。
【００１１】
また、上記構成の光受信モジュールにおいて、導波路基板が、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上に積層された絶縁層（例えば、実施形態における絶縁膜３２）と、Ｓｉ基板上に形成され導波路を被覆するクラッド層（例えば、実施形態におけるクラッド層３３）と、Ｓｉ基板上に突出形成され導波路基板に実装された実装基板を支持する支持手段（例えば実施形態における台座３５）とを有しており、受光素子を実装した実装基板が導波路基板に実装されたときに、実装基板の表面が支持手段に当接することにより、導波路の出射端面と光吸収層の受光端面とが整合するように、実装基板が導波路基板に対して光吸収層の層厚方向に位置決めされるのが好ましい。
【００１２】
また、上記構成の光受信モジュールにおいて、実装基板の表面（例えば、実施形態におけるサブキャリア表面２１）に、実装基板が導波路基板に実装された状態でクラッド層を収容できる溝部が形成されているのが好ましい。
【００１３】
一方、前記課題を解決するために本発明に係る受光素子の製造方法は、光を伝搬する導波路が設けられた導波路基板に実装される実装基板に実装される受光素子の製造方法であって、ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ光吸収層及びｐ−ＩｎＰ層を順次積層するステップと、エッチングにより、光吸収層を有する受光部と、実装基板に対して光吸収層の層厚方向に受光素子を位置決めできる基準面を有する位置決め突出部と、から成る段差構造を形成するステップと、段差構造を形成した面上に、段差構造を形成した面を保護するためのパッシベーション膜を形成するステップと、受光部頂面に電極を形成するステップと、を具えており、受光部頂面が基準面に対して低く凹んで形成される。
【００１４】
また、上記構成の受光素子の製造方法において、さらに、実装基板の表面に、実装基板が導波路基板に実装されたときに導波路を被覆する導波路基板のクラッド層を収容できる溝部を形成するステップを具えるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の端面入射型受光素子、光受信モジュール及び受光素子の製造方法によれば、受光素子にメサ状に突出形成された受光部頂面が、受光素子をその実装基板（補助基板）に対して位置決めするための基準面に対して、低く凹んだ状態に形成されている。このため従来とは異なり、実装基板に受光素子を実装した状態で受光部が実装基板に干渉しないようにするために、受光素子を実装基板側に対して底上げした状態で位置決めする基準となる台座を突出形成する必要がなく、受光素子の実装基板の表面そのものを基準面とすることが可能である。したがって、このような台座を形成する必要がない分、実装基板の製造コストを抑えることができる。
【００１６】
また、端面入射型受光素子をサブキャリアに実装し、さらにそのサブキャリアを石英導波路基板に実装しようとする場合には、上述のように従来では、サブキャリア及び石英導波路基板の双方に位置決め基準となる台座を形成しなければならなかった。しかしながら、本発明では、石英導波路基板側のみに台座を形成すればよいため、従来のように双方に台座を形成する場合と比較して、双方の位置決め誤差が蓄積することにより誤差が大きくなることがなく、位置決め精度を従来よりも高くすることができる。これにより、製造工程において所定の誤差を超過する不良品の発生が従来よりも少なくなり歩留まりの低下を抑えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明に係る端面入射型受光素子をサブキャリアに実装した状態を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のラインＡ−Ａ′を通る断面図である。
【図３】図３は、図２に示す状態からサブキャリアと受光素子を離した図である。
【図４】図４は、図３に示す端面入射型受光素子を下から見た図であって、受光素子の段差構造を表す図である。
【図５】図５は、図１のラインＢ−Ｂ′を通る断面図である。
【図６】図６は、サブキャリアを実装する前の状態の石英導波路基板の平面図である。
【図７】図７は、図６のラインＣ−Ｃ′を通る断面図である。
【図８】図８は、端面入射型受光素子を実装したサブキャリアを、さらに石英導波路基板に実装した状態の平面図である。
【図９】図９は、図８のラインＤ−Ｄ′を通る断面図である。
【図１０】図１０は、図９の端面入射型受光素子を実装したサブキャリアを、さらに石英導波路基板に実装する際の様子を示す図で、図９に示す状態から石英導波路基板とサブキャリアを離した図である。
【図１１】図１１は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ光吸収層及びｐ−ＩｎＰ層を順次積層した図を示す。
【図１２】図１２は、エッチングにより、受光部及び位置決め突出部から成る段差構造を形成した図を示す。
【図１３】図１３は、段差構造を形成した面上にパッシベーション膜を形成した図を示す。
【図１４】図１４は、従来技術によって、端面入射型受光素子を石英導波路基板に実装した状態を示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１４中のラインＥ−Ｅ′を通る断面図である。
【図１６】図１６は、図１５に示す状態の電極から受光素子を離した図である。
【図１７】図１７は、サブキャリアに実装された面入射型受光素子を示す図であり、（ａ）は、側面図を、（ｂ）は正面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る端面入射型受光素子、光受信モジュール及び受光素子の製造方法の好ましい実施形態について図１から図１３を参照しながら説明する。
【００１９】
ここで、図１は端面入射型受光素子１０をサブキャリア２０に実装した状態を示す平面図で、図２は、図１のラインＡ−Ａ′を通る断面図で、図３は、図２に示す状態からサブキャリア２０と受光素子１０を離した図である。図１乃至図３に示すように、本発明に係る端面入射型受光素子１０は、半田といった融着材２２を用いてサブキャリア２０上に実装される。また、図８は、端面入射型受光素子１０を実装したサブキャリア２０を、さらに石英導波路基板３０に実装した状態の平面図で、図９は、図８のラインＤ−Ｄ′を通る断面図で、図１０は、図９の端面入射型受光素子１０を実装したサブキャリア２０を、さらに石英導波路基板３０に実装する際の様子を示す図で、図９に示す状態から基板３０とサブキャリア２０を離した図である。図８乃至図１０に示すように、端面入射型受光素子１０を実装したサブキャリア２０は、さらに半田といった融着材３６を用いて石英導波路基板３０上に実装されて、光通信用の光受信モジュール４０を構成する。
【００２０】
端面入射型受光素子１０は、図３に示すように、上面及び下面のうち一方が平坦な面を成し、他方に凹凸を有する段差構造面が形成されている。当該平坦な面上にはｎ電極１１が形成され、段差構造を形成した凹凸面がパッシベーション膜（保護膜）１２で覆われている。また、パッシベーション膜１２上には、端面入射型受光素子１０をサブキャリア２０に融着させるための１対の融着用電極１３が設けられている。段差構造は、受光素子側高さ基準面１７を頂面として有する１対の位置決め突出部１８と、１対の位置決め突出部１８に挟まれてメサ状に突出する受光部としての受光メサ１６（mesa）と、から構成されている。受光部１６は、光吸収層１５を中間層として有しており、光吸収層１５の層厚方向に突出している。また、受光メサ１６の頂面には、ｐ電極１４が設けられている。受光メサ１６の光吸収層１５は、石英導波路基板３０上の石英導波路３４から出射した光を受光可能である。さらに、それぞれの融着用電極１３は、位置決め突出部１８に対して受光メサ１６とは反対側に形成されており、半田といった融着材２２を用いてサブキャリア２０に融着される。
【００２１】
図４は、図３に示す受光素子１０を下から見た図であって、受光素子１０の段差構造を表す図である。図４に示すように、受光メサ１６は、融着用電極１３の長手方向（紙面上下方向）全体の長さにわたって延びているわけではなく、その長さの一部に形成されている。また、図３に示すように、本発明に係る端面入射型受光素子１０は、受光メサ１６の頂面（ｐ電極１４の設置面）が受光素子側高さ基準面１７に対して凹んでおり、光吸収層１５と受光素子側高さ基準面１７との間の層厚方向の距離が長さｄ１となっている（図３参照）。このように、受光メサ１６が位置決め突出部１８に対して低く形成されていることで、サブキャリア２０に実装する際に受光素子高さ基準面１７がサブキャリア表面２１に当接するよう受光素子１０を光吸収層１５の層厚方向に位置決めした場合に、受光メサ１６の頂面に設けられたｐ電極１４がサブキャリア２０に干渉することはなく、融着材２２がｐ電極１４に融着するように受光素子１０をサブキャリア２０に実装し得る。
【００２２】
図３に示すように、サブキャリア表面２１上には、複数の電極２３、融着材２２が並設されているが、従来のサブキャリアとは異なり、位置決め用の突出台座が表面上に設けられていない。また、電極２３及び融着材２２が並設されている面、すなわちサブキャリア表面２１には、図１及び図１のラインＢ−Ｂ′を通る断面図である図５に示すように、電極２３と平行に延びる溝２４が形成されている。受光素子１０をサブキャリア２０に実装した状態では、受光素子１０のｎ電極１１がサブキャリア２０の一方の電極２３とボンディングワイヤ２５を介して接続され、受光素子１０のｐ電極１４が融着材２２を介してサブキャリア２０の他方の電極２３と接続される（図１参照）。そして、双方の電極２３，２３に導線を接続すれば、受光素子によって光信号から変換された電気信号を取り出すことができる。
【００２３】
図６は、サブキャリアを実装する前の状態の石英導波路基板３０の平面図であり、図７は、図６のラインＣ−Ｃ′を通る断面図である。図６及び図７に示すように、石英導波路基板３０は、Ｓｉ基板３１上にクラッド層としての絶縁膜３２が被覆され、さらにこの絶縁膜３２の上に光を伝搬する石英導波路３４及び石英導波路３４を覆うクラッド層３３が設けられて構成されている。また、クラッド層３３を挟んでその両側には、上面が高さ基準面となる１対の台座３５が突出形成されており、突出長さｄ２を成す。さらには半田といった融着材３６が上に付着した電極３７が、各台座３５に対して石英導波路３４とは反対側にそれぞれ形成されている。
【００２４】
上記のような端面入射型受光素子１０、サブキャリア２０及び石英導波路基板３０の構成の下、これらを構成要素とする光受信モジュール４０は、以下のようにして組み立てられる。まず、図３に示す状態から図の矢印Ｙ１方向に受光素子１０を動かし、受光素子側高さ基準面１７をサブキャリア表面２１に押し当てることで、受光素子１０をサブキャリア２０に対して位置決めする。このようにして位置決めした状態で、融着材２２によって端面入射型受光素子１０をサブキャリア２０に溶着させる。これにより、端面入射型受光素子１０がサブキャリア２０に実装される（図１及び図２）。このように、本願発明の場合、従来とは異なりサブキャリア表面２１上には位置決めのための台座のようなものが形成されておらず、サブキャリア表面２１そのものが高さ基準面となる。
【００２５】
そして、図１０に示すようにして、サブキャリア２０を石英導波路基板３０に実装する。なお、図１０では、サブキャリア２０に実装された受光素子１０の輪郭を点線で示しており、受光素子１０の向きは図２に示すのとは上下が逆の関係になっている。実装するには図１０に示すように、図の矢印Ｙ２方向に受光素子１０を実装したサブキャリア２０を動かし、石英導波路基板３０の台座３５にサブキャリア表面２１を押し当てることで、石英導波路基板３０に対してサブキャリア２０を位置決めする。このようにして位置決めした状態で、融着材３６によってサブキャリア２０を石英導波路基板３０に溶着させる。ここで、石英導波路基板３０のクラッド層３３の一部が、サブキャリア２０に形成された溝部２４に収容される。このようにして、端面入射型受光素子１０を実装したサブキャリア２０が石英導波路基板３０上に実装され、光受信モジュール４０が組み立てられる（図８参照）。
【００２６】
光受信モジュール４０に実装された受光素子１０は、図８に示すように光吸収層１５の受光端面が石英導波路基板３０の導波路３４の出射端面と対向するよう配置され、導波路３４の出射端面（図９に示されている面）から出射した光が光吸収層１５の受光端面（図２に示されている面）に入射する。
【００２７】
以上のように本願発明では、サブキャリア２１表面を受光素子１０及び石英導波路基板３０双方の共通の基準面として、端面入射型受光素子１０の高さ方向と、石英導波路基板３０の高さ方向との間の位置関係が正確に定まる。従って、端面入射型受光素子１０の高さ基準面１７と光吸収層１５との間の層厚方向の距離ｄ１、及び、石英導波路の台座の高さｄ２を適切な長さに設計することで、図８に示すように端面入射型受光素子１０及び石英導波路基板３０を突き合わせ接合して光受信モジュール４０を構成する場合に、端面入射型受光素子１０の光吸収層１５の受光端面と石英導波路３４の出射端面とを整合させることができる。このようにして双方を正確に合わせれば、石英導波路３４の出射端面から出射した光を光吸収層１５の受光端面に入射させること（光結合させること）が可能となる。
【００２８】
次に、図１１乃至図１３を参照して、本発明に係る端面入射型受光素子の製造方法を説明する。なお、サブキャリア２０及び石英導波路基板３０の製造方法は、従来の製造方法と同様である。ここで、図１１は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ光吸収層及びｐ−ＩｎＰ層を順次積層した図を示し、図１２は、エッチングにより、受光部１６及び位置決め突出部１７から成る段差構造を形成した図を示し、図１３は、段差構造を形成した面上にパッシベーション膜１２を形成した図を示す。
【００２９】
まず、図１１に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板上に、ＭＯＶＰＥ（Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy）法等により、ｎ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ光吸収層（光吸収層１５となる部分）、及びｐ−ＩｎＰ層を順次積層する。次に２回のエッチング工程により、図１２に示すように、深さの異なる段差構造を形成する。ここで、特に受光メサ１６は、高さ基準面１７よりも低くなるよう形成する。この状態で、高さ基準面１７と光吸収層１５との間の層厚方向の距離が決まる。次に、図１３に示すように、段差構造面にｐ−ＣＶＤ法等によりパッシベーション膜（保護膜）１２を形成する。その後、通常の蒸着、パターニング工程により、段差構造面の側にｐ電極１４、融着用電極１３を、段差構造面とは反対の側にｎ電極１１を形成する。
【００３０】
以上、本発明の端面入射型受光素子、光受信モジュール及び受光素子の製造方法に関する好適な実施例を説明したが、本発明によれば、受光素子にメサ状に突出形成された受光部頂面が、受光素子をその実装基板（補助基板）に対して位置決めするための基準面に対して、低く凹んだ状態に形成されている。このため従来とは異なり、実装基板に受光素子を実装した状態で受光部が実装基板に干渉しないようにするために、受光素子を実装基板側に対して底上げした状態で位置決めする基準となる台座を突出形成する必要がなく、受光素子の実装基板の表面そのものを基準面とすることが可能である。したがって、このような台座を形成する必要がない分、実装基板の製造コストを抑えることができる。
【００３１】
また、端面入射型受光素子をサブキャリアに実装し、さらにそのサブキャリアを石英導波路基板に実装しようとする場合には、上述のように従来では、サブキャリア及び石英導波路基板の双方に位置決め基準となる台座を形成しなければならなかった。しかしながら、本発明では、石英導波路基板側のみに台座を形成すればよいため、従来のように双方に台座を形成する場合と比較して、双方の位置決め誤差が蓄積することにより誤差が大きくなることがなく、位置決め精度を従来よりも高くすることができる。これにより、製造工程において所定の誤差を超過する不良品の発生が従来よりも少なくなり歩留まりの低下を抑えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明に係る端面入射型受光素子及びこれを具えた光受信モジュールは、光送信モジュール、光ファイバとともに、光通信システムに適用することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１０  端面入射型受光素子
１２  パッシベーション膜（保護膜）
１４  ｐ電極
１５  光吸収層
１６  受光部（受光メサ）
１７  受光素子側高さ基準面
１８  位置決め突出部
２０  サブキャリア（実装基板）
２１  サブキャリア表面
２４  溝部
３０  石英導波路基板
３１  Ｓｉ基板
３２  絶縁膜（絶縁層）
３３  クラッド層
３４  石英導波路
３５  台座（支持手段）
４０  光受信モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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