(57)【要約】【課題】電源電圧の変動の影響を低減することが可能なＣＭＯＳバイアス回路を提供する。【解決手段】ＣＭＯＳバイアス回路は、起動回路と、被起動回路部と、を備え、起動電流供給部は、第１の端子に一端が接続された第１のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され第１の電流を出力する第１の電流供給回路と、を含み、起動電流停止制御部は、内部電流をカレントミラーした停止制御電流を第１のＭＯＳトランジスタの他端に供給し、被起動回路部は、内部電流が第１の電流値以上のときは内部電流を第２の電流値まで増加させ、起動電流が零ならば内部電流を第２の電流値で安定させ、零より大きい起動電流に応じて内部電流を第１の電流値以上に増加させる。【選択図】図１
2010219717.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子に起動電流を出力する起動電流供給部と、前記起動電流の出力停止を制御する起動電流停止制御部と、を有する起動回路と、
前記第１の端子を介して前記起動電流が供給され、前記起動電流に応じて、内部電流が増減し、前記内部電流に応じた電圧を前記第１の端子に生じる被起動回路部と、を備え、
前記起動電流供給部は、前記第１の端子にドレインが接続された第１のＭＯＳトランジスタと、前記第１のＭＯＳトランジスタのソースに一端が接続された第１の電流を出力する第１の電流供給回路と、を含み、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートバイアスを前記起動電流停止制御電流に応じて増減し、
前記起動電流停止制御部は、前記被起動回路の前記内部電流をカレントミラーした起動電流停止制御電流を前記第１のＭＯＳトランジスタのソースと前記第１の電流供給回路の接続点に供給し、
前記被起動回路は、前記起動電流が零ならば、前記内部電流が第１の電流値以上の時は前記内部電流が第２の電流値まで増加して安定し、前記内部電流が第１の電流値未満の時は第２の電流値未満の時は第２の電流値未満の電流で安定する
ことを特徴とするＣＭＯＳバイアス回路。
【請求項２】
前記起動電流供給部は、
前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートバイアス回路と、
前記起動電流停止制御部は、第２の電流を出力する第２の電流供給回路と、
前記第１の端子の電圧に応じて、前記第２の電流の経路を前記ゲートバイアス回路に導いて第１のＭＯＳトランジスタのゲートバイアスを増加させるか、前記第１のＭＯＳトランジスタのソースと前記第一の電流供給回路の接続点に導いて前記起動電流停止制御電流として供給するかを切替える、電流切替え回路と、を含み、
前記第１の端子電圧が前記内部電流が前記第１の電流値未満であることを示す場合には、前記第２の電流を前記ゲートバイアス回路に導き、前記第１の端子電圧が前記内部電流が前記第１の電流値以上であることを示す場合には、前記第１のＭＯＳトランジスタのソースと前記第１の電流供給回路の接続点に導くように接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳバイアス回路。
【請求項３】
前記第１の電流供給回路は、
ドレインが前記第１のＭＯＳトランジスタのソースに接続された第２のＭＯＳトランジスタを有し、前記第２のＭＯＳトランジスタに流れる電流を出力し、
前記起動電流供給部は、
ドレインが前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ゲートが前記第１のＭＯＳトランジスタのソースおよび前記第２のトランジスタのドレインの接続点に接続され、ソースが前記第２のＭＯＳトランジスタのソースに接続された第３のＭＯＳトランジスタを有する
ことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳバイアス回路。
【請求項４】
前記第１の電流供給回路は、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳバイアス回路。
【請求項５】
前記第２の電流供給回路は、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳバイアス回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、起動回路を備えるＣＭＯＳバイアス回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体集積回路には、起動回路部３と、定電流回路部４と、出力取り出し回路部５と、を備えるものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
該定電流回路部４は、２つの安定な動作点を持つ。これらの動作点うちの１つは電流Ｉ１、Ｉ２が零、もう一つは、所望の動作点であって、トランジスタＭ１ないしＭ４のサイズ比Ｗ／Ｌや閾値電圧Ｖｔｈ差、及び抵抗Ｒ１の抵抗値で定まる動作点である。この所望の動作点が電流Ｉ１、Ｉ２に適当な起動電流を与え、且つ、該定電流回路部４が所望の動作点に遷移し、または、所望の動作点への遷移条件を満たした場合は、該起動電流を取り除いて、該定電流回路部４が所望の動作点からずれることを防ぐ必要がある。
【０００４】
該起動回路部３の抵抗Ｒ２、トランジスタＭ５、Ｍ６、Ｍ８、Ｍ９は、該定電流回路部４に起動電流Ｉ４を供給し、該定電流回路部４は起動回路部３のトランジスタＭ７にゲートバイアス電圧を与える。
【０００５】
定電流回路部４が所望の動作をしているときは、ゲートバイアスを与えられたトランジスタＭ７が起動電流を停止する電流Ｉ５をトランジスタＭ８とトランジスタＭ９の接続部に供給する。その電流がＭ９の電流供給能力を超えた場合に、トランジスタＭ８とトランジスタＭ９の接続ノードの電位が上昇して、トランジスタＭ８はオフ・バイアスされて、電流Ｉ４が遮断される。
【０００６】
例えば、該半導体集積回路をより低い電源電圧で使用する場合に、トランジスタＭ８の電流が遮断されない問題がある。
【０００７】
トランジスタＭ８は、トランジスタＭ９から出力される電流を遮断するための電流制御電流スイッチ・トランジスタである。電源と接地との間の電位差が小さい（電源電圧が低い）場合、トランジスタＭ８のドレインの電位がトランジスタＭ８のゲート電位よりも低くなり得る。
【０００８】
もし、トランジスタＭ８のゲート電位とドレイン電位（起動回路部４の出力のＶＣＰ電位）との電位差がトランジスタＭ８の閾値電圧Ｖｔｈよりも高くなると、起動電流Ｉ４とは逆方向の電流がトランジスタＭ８に流れ、該ＶＣＰ電位に影響を与えてしまう。
【０００９】
例えば、トランジスタＭ８の逆方向電流は、定電流回路部４の電流Ｉ１、Ｉ２を意図した値と異なる値とし、かつ、そのずれは電源電圧の影響を受ける。
【００１０】
このように、電源電圧が低い場合に、上記従来技術では、電流制御電流スイッチ・トランジスタに起動電流とは逆方向の電流が流れて、電源電圧の変動の影響が起動回路部３を介して被起動回路部（該定電流回路部４、出力取り出し回路部５）に及ぶという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−１１００３２号公報（第５図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、電源電圧の変動の影響を低減することが可能なＣＭＯＳバイアス回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様に係るＣＭＯＳバイアス回路は、
第１の端子に起動電流を出力する起動電流供給部と、前記起動電流の出力停止を制御する起動電流停止制御部と、を有する起動回路と、
前記第１の端子を介して前記起動電流が供給され、前記起動電流に応じて、内部電流が増減し、前記内部電流に応じた電圧を前記第１の端子に生じる被起動回路部と、を備え、
前記起動電流供給部は、前記第１の端子にドレインが接続された第１のＭＯＳトランジスタと、前記第１のＭＯＳトランジスタのソースに一端が接続された第１の電流を出力する第１の電流供給回路と、を含み、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートバイアスを前記起動電流停止制御電流に応じて増減し、
前記起動電流停止制御部は、前記被起動回路の前記内部電流をカレントミラーした起動電流停止制御電流を前記第１のＭＯＳトランジスタのソースと前記第１の電流供給回路の接続点に供給し、
前記被起動回路は、前記起動電流が零ならば、前記内部電流が第１の電流値以上の時は前記内部電流が第２の電流値まで増加して安定し、前記内部電流が第１の電流値未満の時は第２の電流値未満の時は第２の電流値未満の電流で安定する
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るＣＭＯＳバイアス回路によれば、電源電圧低下時にも負の起動電流が流れず、被起動回路部の内部電流、ひいては出力電流への電源電圧変動の影響が軽減される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係るＣＭＯＳバイアス回路１００の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の一態様である実施例２に係るＣＭＯＳバイアス回路２００の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を適用した実施例について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施例において、本発明は、ＭＯＳトランジスタの導電型を反転させても、同様に、適用される。
【実施例１】
【００１７】
図１は、本発明の一態様である実施例１に係るＣＭＯＳバイアス回路１００の構成を示す回路図である。なお、図１に示すように、ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ３、Ｍ８、Ｍ９、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１５、Ｍ１８、Ｍ１９、Ｍ２１〜Ｍ２３は、ｐＭＯＳトランジスタであり、Ｍ４〜Ｍ７、Ｍ１０、Ｍ１３、Ｍ１４、Ｍ１６、Ｍ１７、Ｍ２０、Ｍ２４は、ｎＭＯＳトランジスタである。
【００１８】
図１に示すように、ＣＭＯＳバイアス回路１００は、起動回路１０１と、被起動回路部１０２と、を備える。
【００１９】
起動回路１０１は、起動電流供給部１０１ａと、起動電流停止制御部１０１ｂと、を有する。
【００２０】
起動電流供給部１０１ａは、第１の端子１に起動電流Ｉ１を出力するようになっている。
【００２１】
この起動電流供給部１０１ａは、第１の端子１にドレインが接続されたＭＯＳトランジスタＭ６と、第１の電流供給回路１０１ａ１と、を含む。
【００２２】
第１の電流供給回路１０１ａ１は、ＭＯＳトランジスタＭ６のソースに一端が接続され、接地端子に他端が接続されている。この第１の電流供給回路１０１ａ１は、外部信号ＩＮＰＵＴ＿ＶＢＰの電圧に応じて、ＭＯＳトランジスタＭ２３、Ｍ２４に流れる電流をカレントミラーした第１の電流Ｉａを出力するようになっている。
【００２３】
この第１の電流供給回路１０１ａ１は、ＭＯＳトランジスタＭ６のソースと接地端子との間に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ２４とミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタＭ７である。
【００２４】
起動電流停止制御部１０１ｂは、起動電流Ｉ１の出力停止を制御する。この起動電流停止制御部１０１ｂは、第２の電流供給回路１０１ｂ１と、電流切替回路１０１ｂ２と、を含む。
【００２５】
第２の電流供給回路１０１ｂ１は、電源から供給された第２の電流Ｉｂを出力するようになっている。この第２の電流供給回路１０１ｂ１は、電源にソースが接続され、電流切替回路１０１ｂ２にドレインが接続され、外部端子３にゲートが接続されたＭＯＳトランジスタＭ１である。
【００２６】
電流切替回路１０１ｂ２は、第２の電流Ｉｂを第１のＭＯＳトランジスタＭ６のゲート電圧を制御するためのバイアス電流Ｉ４と停止制御電流Ｉ３とに分岐し、第１の端子１の電圧に応じて、第２の電流Ｉｂの経路を制御するようになっている。
【００２７】
この電流切替回路１０１ｂ２は、ＭＯＳトランジスタＭ２と、ＭＯＳトランジスタＭ３とを含む。
【００２８】
また、起動電流停止制御部１０１ｂは、ＭＯＳトランジスタＭ４、ＭＯＳトランジスタＭ５をさらに含む。
【００２９】
ＭＯＳトランジスタＭ４は、ＭＯＳトランジスタＭ２のドレインと接地端子との間に接続され、ダイオード接続されている。
【００３０】
ＭＯＳトランジスタＭ２は、ＭＯＳトランジスタＭ１のドレインにソースが接続され、ＭＯＳトランジスタＭ６のゲート、およびＭＯＳトランジスタＭ２から供給される電流をバイアス電圧に変換するダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭ４のドレインに、ドレインが接続され、外部端子３にゲートが接続されている。
【００３１】
ＭＯＳトランジスタＭ３は、ＭＯＳトランジスタＭ１のドレインにソースが接続され、ＭＯＳトランジスタＭ６のソースにドレインが接続され、第１の端子１にゲートが接続されている。
【００３２】
ＭＯＳトランジスタＭ５は、ＭＯＳトランジスタＭ６のゲートにドレインが接続され、第１の電流供給回路１０１ａ１の他端にソースが接続され、ＭＯＳトランジスタＭ６のソースにゲートが接続されている。このＭＯＳトランジスタＭ５は、停止制御電流Ｉ３がＭＯＳトランジスタＭ７の電流供給能力を超えた場合に、ＭＯＳトランジスタＭ６がオフするように、ＭＯＳトランジスタＭ６のゲートバイアスを減少させる。なお、被起動回路１０２が起動していない場合に、ＭＯＳトランジスタＭ６のソース電位がＭＯＳトランジスタＭ５のゲートバイアスを減らさないように定数は調節される。
【００３３】
このＭＯＳトランジスタＭ５により、より確実にＭＯＳトランジスタＭ６をオフさせることができる。
【００３４】
被起動回路部１０２は、ＭＯＳトランジスタＭ８〜Ｍ２１、第２の端子２を有する。
【００３５】
この被起動回路部１０２は、第１の端子１を介して起動電流Ｉ１が供給される。この被起動回路部１０２は、起動電流Ｉ１に応じて、内部電流Ｉ２が増減し、この内部電流Ｉ２に応じた電圧を第１の端子１に出力するようになっている。
【００３６】
この被起動回路部１０２は、内部電流Ｉ２が第１の電流値以上のときは内部電流Ｉ２を第２の電流値まで増加する。さらに、被起動回路部１０２は、起動電流Ｉ１が零ならば内部電流Ｉ２を該第２の電流値で安定する。さらに、被起動回路部１０２は、零より大きい起動電流Ｉ１に応じて内部電流Ｉ２を該第１の電流値以上に増加する。
【００３７】
なお、該第１の電流値は、ＭＯＳトランジスタＭ９がオフ状態に近い状態で、ＭＯＳトランジスタＭ９に流れる電流の電流値である。すなわち、該第１の電流値は、被起動回路部１０２の各設計パラメータだけでなく、被起動回路部１０２のマッチングばらつきに依存する。該第１の電流値は、例えば、該第２の電流値の１０分の１程度になる。
【００３８】
また、該第２の電流値は、電源電圧と外部端子３に入力される外部信号ＩＮＰＵＴ＿ＶＢＰの電圧との電位差、および、ＭＯＳトランジスタＭ８の製造プロセスとサイズ比Ｗ／Ｌによって定まる、内部電流Ｉ２の電流値である。すなわち、該第２の電流値は、起動電流Ｉ１が流れなくなった定常状態の、内部電流Ｉ２の電流値である。
【００３９】
この被起動回路部１０２は、起動することにより、第２の端子２から所定の出力電流Ｉ５を出力する。
【００４０】
ここで、ＭＯＳトランジスタＭ９とＭＯＳトランジスタＭ３とは、ミラー回路を構成しており、起動電流停止制御部１０１ｂは、内部電流Ｉ２をカレントミラーした停止制御電流Ｉ３をＭＯＳトランジスタＭ６のソースに供給するようになっている。
【００４１】
そして、起動回路１０１の電流切替回路１０１ｂ２は、内部電流Ｉ２が第１の電流値未満の場合には、停止制御電流Ｉ３が減少するように、ＭＯＳトランジスタＭ６のゲート電圧が大きくなる（すなわち、ＭＯＳトランジスタＭ６がオンする）ように、第２の電流Ｉｂの経路を切り替える（ＭＯＳトランジスタＭ３をオフ状態に近づける）。
【００４２】
また、電流切替回路１０１ｂ２は、内部電流Ｉ２が第１の電流値以上の場合には、停止制御電流Ｉ３が増加するように、第２の電流Ｉｂの経路を切り替える（ＭＯＳトランジスタＭ３をオン状態に近づける）。
【００４３】
このように、起動電流停止制御部１０１ｂは、起動電流Ｉ１の出力停止を制御する。
【００４４】
ここで、以上のような構成を有するＣＭＯＳバイアス回路１００の動作の一例について、説明する。
【００４５】
ＭＯＳトランジスタＭ１に流れる第２の電流Ｉ２は、電流切替回路１０１ｂ２（ＭＯＳトランジスタＭ２、Ｍ３）により、停止制御電流Ｉ３とバイアス電流Ｉ４とに分けられる。
【００４６】
電流切替回路１０１ｂ２は、被起動回路１０２が起動していない場合（内部電流Ｉ２が該第１の電流値未満のとき）には、停止制御電流Ｉ３を減少させ、バイアス電流Ｉ４を増加する。これにより、バイアス電流Ｉ４による電圧降下で生成されるＭＯＳトランジスタＭ６のゲートバイアスを増加する。これにより、ＭＯＳトランジスタＭ６が十分オンし、起動電流Ｉ１が増加する。
【００４７】
電流切替回路１０１ｂ２は、被起動回路１０２が起動している場合（内部電流Ｉ２が該第１の電流値以上のとき）には、内部電流Ｉ２が増加することにより、停止制御電流Ｉ３が増加し、バイアス電流Ｉ４が減少する。これにより、ＭＯＳトランジスタＭ６のゲートバイアスは、減少する。
【００４８】
このように、バイアス回路１００は、起動電流供給部１０１ａのＭＯＳトランジスタＭ６のゲートバイアスを、被起動回路１０２の内部電流Ｉ２に応じて減少する。
【００４９】
これにより、被起動回路１０２が起動したとき（内部電流Ｉ２が該第１の電流値以上になったとき）には、ＭＯＳトランジスタＭ６のゲート・ドレイン電圧をＭＯＳトランジスタＭ６の閾値電圧Ｖｔｈより低くする。
【００５０】
これにより、ＭＯＳトランジスタＭ６がオフし、起動電流Ｉ１と反対の逆方向電流がＭＯＳトランジスタＭ６に流れるのを抑制することができる。
【００５１】
また、ＭＯＳトランジスタＭ５は、ＭＯＳトランジスタＭ６のソース電位がＭＯＳトランジスタＭ５の閾値電圧Ｖｔｈ以上に上昇すると、オンする。これにより、ＭＯＳトランジスタＭ６のゲートバイアスが減少する。
【００５２】
また、ＭＯＳトランジスタＭ６がオフ状態の場合、停止制御電流Ｉ３が零ならば、ＭＯＳトランジスタＭ５のゲート電圧は、ＭＯＳトランジスタＭ７の電流により引き下げられる。これにより、ＭＯＳトランジスタＭ６は、導通可能状態でデッドロック状態に陥らない。
【００５３】
このように、被起動回路１０２が起動している場合は、起動していない場合と比べて、ＭＯＳトランジスタＭ６のゲート電圧を供給するための停止制御電流Ｉ３が多いので、そのゲート電圧が低くなる。これにより、ＭＯＳトランジスタＭ６のドレインをソースとみなした場合のＭＯＳトランジスタＭ６のゲートバイアスも浅くなる。
【００５４】
したがって、従来技術と比べ、より低い電源電圧でも電流制御電流スイッチであるＭＯＳトランジスタＭ６の逆方向電流が流れにくくなる。
【００５５】
さらに、ＭＯＳトランジスタＭ５がＭＯＳトランジスタＭ６のソース電位を検出して、オン状態になりＭＯＳトランジスタＭ６のゲートバイアスを減らすため、ＭＯＳトランジスタＭ６の遮断を確実にすることができる。
【００５６】
なお、電流切替回路１０１ｂ２のうち、ＭＯＳトランジスタＭ５と、このＭＯＳトランジスタＭ５を除く部分とは、どちらかを選択的に使用して効果を得られる。両方を使用することにより、より確実に起動電流を遮断できる。
【００５７】
以上のように、ＣＭＯＳバイアス回路１００は、起動電流供給部１０１ａの電流出力を遮断するためのＭＯＳトランジスタＭ６に、逆方向電流が流れることを防ぎ、電源電圧ＶＤＤの変動の影響が起動回路を経由して被起動回路１０２に影響することを軽減することができる。
【００５８】
なお、上記の構成において、トランジスタのゲートバイアスを制御しているが、電流によって起動電流をほぼ遮断し、ゲートバイアス制御によって、遮断をより確実なものとするものなので、前記従来技術において、電流制御電流スイッチを起動回路に使用する場合の利点の、起動電流遮断の遅れ時間が小さいために出力電流のオーバーシュートが小さいという特徴は損なわれない。
【００５９】
以上のように、本発明に係るＣＭＯＳバイアス回路によれば、電源電圧低下時にも負の起動電流が流れず、被起動回路部の内部電流、ひいては出力電流への電源電圧変動の影響が軽減される。
【実施例２】
【００６０】
実施例１では、第１の電流供給回路であるＭＯＳトランジスタＭ７に流れる電流が、外部信号ＩＮＰＵＴ＿ＶＢＰにより決定される。しかし、ＭＯＳトランジスタＭ７に流れる電流は、ＣＭＯＳバイアス回路の内部で生成される信号により決定されてもよい。
【００６１】
そこで、実施例２では、ＣＭＯＳバイアス回路の内部で生成される信号により、第１の電流供給回路であるＭＯＳトランジスタＭ７に流れる電流が決定される回路構成の一例について説明する。
【００６２】
図２は、本発明の一態様である実施例２に係るＣＭＯＳバイアス回路２００の構成を示す回路図である。なお、図２において図１の符号と同じ符号は実施例１と同様の構成を示す。
【００６３】
図２に示すように、ＣＭＯＳバイアス回路２００は、起動回路２０１と、被起動回路部２０２と、ＭＯＳトランジスタ２０１〜Ｍ２０５と、抵抗素子Ｒ１、Ｒ２と、を備える。
【００６４】
起動回路２０１は、実施例１の起動回路１０１と同様に、起動電流供給部１０１ａと、起動電流停止制御部１０１ｂと、を有する。なお、起動回路２０１の起動電流供給部１０１ａおよび起動電流停止制御部１０１ｂの動作は、実施例１の起動回路１０１と同様である。
【００６５】
ここで、第１の電流供給回路１０１ａ１は、ＭＯＳトランジスタＭ６のソースに一端が接続され、接地端子に他端が接続されている。この第１の電流供給回路１０１ａ１は、内部電圧に応じて、ＭＯＳトランジスタＭ２０１、Ｍ２０２に流れる電流をカレントミラーした第１の電流Ｉａを出力するようになっている。
【００６６】
この第１の電流供給回路１０１ａ１は、ＭＯＳトランジスタＭ６のソースと接地端子との間に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ２０５とミラー回路を構成するＭＯＳトランジスタＭ７である。ＭＯＳトランジスタＭ２０５に流れる電流は、ＭＯＳトランジスタＭ２０１〜Ｍ２０４、抵抗素子Ｒ１、Ｒ２により、生成される。
【００６７】
このように、ＭＯＳトランジスタＭ７に流れる電流は、ＣＭＯＳバイアス回路２００の内部で生成される信号により決定される。
【００６８】
また、被起動回路部２０１は、ＭＯＳトランジスタＭ２０８〜Ｍ２１５、抵抗素子Ｒ３、第２の端子２を有する。
【００６９】
この被起動回路部２０２は、第１の端子１を介して起動電流Ｉ１が供給される。この被起動回路部２０２は、起動電流Ｉ１に応じて、内部電流Ｉ２が流れ、この内部電流Ｉ２に応じた電圧を第１の端子１に印加するようになっている。
【００７０】
この被起動回路部２０２は、実施例１の被起動回路部１０２と同様に、起動することにより、第２の端子２から所定の出力電流Ｉ５を出力する。
【００７１】
以上のような構成を有するＣＭＯＳバイアス回路２００の動作は、実施例１のＣＭＯＳバイアス回路１００と同様である。
【００７２】
すなわち、実施例１と同様に、ＣＭＯＳバイアス回路２００は、起動電流供給部１０１ａの電流出力を遮断するためのＭＯＳトランジスタＭ６に、逆方向電流が流れることを防ぎ、電源電圧ＶＤＤの変動の影響が起動回路を経由して被起動回路１０２に影響することを軽減することができる。
【００７３】
以上のように、本発明に係るＣＭＯＳバイアス回路によれば、電源電圧低下時にも負の起動電流が流れず、被起動回路部の内部電流、ひいては出力電流への電源電圧変動の影響が軽減される。
【符号の説明】
【００７４】
１  第１の端子
２  第２の端子
３  外部端子
１００、２００  ＣＭＯＳバイアス回路
１０１、２０１  起動回路
１０１ａ  起動電流供給部
１０１ａ１  第１の電流供給回路
１０１ｂ  起動電流停止制御部
１０１ｂ１  第２の電流供給回路
１０１ｂ２  電流切替回路
１０２  被起動回路部
Ｍ１〜Ｍ２４、Ｍ２０１〜Ｍ２０５、Ｍ２０８〜Ｍ２１５  ＭＯＳトランジスタ
Ｒ１〜Ｒ３  抵抗素子
【図１】
2010219717.tif 000003
【図２】
2010219717.tif 000004