(57)【要約】【課題】光漏れが防止されたコントラストの高い表示が可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明による液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素３０にそれぞれ配置されたトランジスタ４０および画素電極５０、ゲートバスライン３２、ならびにデータバスライン３４を有する第１基板６０と、第１基板６０の面に垂直な第１方向から見た場合、画素電極５０、ゲートバスライン３２、およびソースバスライン３４を覆う対向電極７６を有する第２基板７０と、第１基板６０と第２基板７０との間に配置された液晶層８０とを備え、第１基板６０が、第１方向から見た場合ゲートバスライン３２またはソースバスライン３４を覆うように形成された導電層３６であって、対向電極７６と実質的に同じ電位が与えられた導電層３６を備える。【選択図】図１
2010039303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素にそれぞれ配置された複数のトランジスタおよび複数の画素電極、前記トランジスタにゲート信号を供給するゲートバスライン、ならびに前記トランジスタを介して前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインを有する第１基板と、
前記第１基板の面に垂直な第１方向から見た場合、前記複数の画素電極、前記ゲートバスライン、および前記ソースバスラインを覆うように配置された対向電極を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、を備えた液晶表示装置であって、
前記第１基板が、前記ゲートバスラインまたは前記ソースバスラインよりも前記液晶層側に配置され、前記第１方向から見た場合、前記ゲートバスラインまたは前記ソースバスラインを覆うように形成された導電層であって、前記対向電極と実質的に同じ電位が与えられた導電層を備える液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素電極が、前記ゲートバスラインを挟んで隣り合う第１画素電極と第２画素電極とを含み、
前記導電層が、前記第１方向から見た場合、前記第１画素電極と前記第２画素電極とに挟まれた前記ゲートバスラインの全ての部分を覆うように形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数の画素電極が、前記データバスラインを挟んで隣り合う第３画素電極と第４画素電極とを含み、
前記導電層が、前記第１方向から見た場合、前記第３画素電極と前記第４画素電極とに挟まれた前記ゲートバスラインの全ての部分を覆うように形成されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記導電層が、前記第１方向から見た場合、表示領域内における前記ゲートバスラインおよび前記データバスラインの全ての部分を覆うように形成されている、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記導電層が、前記複数の画素電極と同じ材料で形成されている、請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記導電層が、前記複数の画素電極と同じ層に同じ厚さで形成されている、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶層が負の誘電率異方性を有する液晶を含み、
前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方に、前記液晶に電圧が印加されない時に前記液晶を基板面に垂直に配向させる配向膜が形成されている、請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方に、電圧が印加された時に液晶の配向方位を規制する配向規制構造が設けられている、請求項１から７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記配向規制構造が、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の前記液晶層側の面上に形成されたポリマー構造物であって、電圧が印加されない時に液晶を傾斜配向させるポリマー構造物を含む、請求項８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶層を挟んで対向する電極間に電圧を印加して表示を行う液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、広視野角特性を有する液晶表示装置として、横電界モードであるＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードあるいはＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを利用した液晶表示装置、および垂直配向モードであるＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードを利用した液晶表示装置が開発されている。ＶＡモードは横電界モードよりも量産性に優れることから、ＴＶ用途やモバイル用途に広く利用されている。
【０００３】
ＶＡモードの液晶表示装置は、１つの画素の中に液晶の配向方向が互いに異なる複数のドメインが形成されるＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置と、画素の中心部の電極上に形成されたリベット等を中心として液晶の配向方向を連続的に異ならせるＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置に大別される。
【０００４】
特許文献１に、ＭＶＡモードの液晶表示装置の一例が記載されている。ＭＶＡモードの液晶表示装置では、互いに直交する２つの方向に延びる配向規制構造を配置することにより、１つの画素内に、クロスニコルに配置された一対の偏光板の偏光軸（透過軸）に対して、液晶ドメインを代表するディレクタの方位角が４５度をなす４つの液晶ドメインが形成される。配向規制構造は、直線状に延びる突起や、電極に形成されたスリット等により実現される。突起やスリットのような配向規制構造が設けられていることにより、液晶層に電圧が印加されたときに、液晶分子の傾斜する方位が互いに異なる複数の領域（液晶ドメイン）が形成されるので、視野角特性が向上する。
【０００５】
方位角の０度を一方の偏光板の偏光軸の方向とし、反時計回りを正の方位とすると、この４つの液晶ドメインのディレクタの方位角は、４５度、１３５度、２２５度、３１５度となる。偏光軸に対して４５度方向の直線偏光は偏光板によって吸収されないので、このようなダイレクタの方位角を選択することが透過率の観点から最も好ましい。このように、１つの画素に４つのドメインを形成する構成を４分割配向構造または単に４Ｄ構造という。
【０００６】
特許文献２および３に、ＣＰＡモードの液晶表示装置の例が記載されている。ＣＰＡモードの液晶表示装置では、対向電極の画素中央部に樹脂等によるリベットを形成して、このリベットと画素電極のエッジ部に生じる斜め電界とによって液晶の配向を規制する。２つの偏光板と液晶層との間には、それぞれ１／４波長板（４分の１波長板）が配置され、全方位的な放射状傾斜配向ドメインと円偏光とを利用することによって、高い透過率（輝度）が得られる。
【０００７】
また、他の形態のＭＶＡモード（スーパーモバイルＡＳＶモードと呼ぶこともある）の液晶表示装置が特許文献４に記載されている。この液晶表示装置では、画素電極に４５度−２２５度方向および１３５度−３１５度方向に延びる多くの微細なスリットを入れ（フィッシュボーン型画素電極と呼ぶ）、これらのスリットに対して平行に液晶を配向させることにより４分割配向構造が実現される。このフィッシュボーン型画素電極を用いた液晶表示装置では、画素中に広いスリットやリベットが形成されず、１／４波長板を用いることなく直線偏光を用いているので、透過率及びコントラスト比が高く、且つ視野角の広い表示を実現することができる。
【０００８】
特許文献４には、液晶に電圧を印加しない状態において液晶に適切なプレチルト方向およびプレチルト角度を与えるための配向維持層として、ポリマー構造物を形成する方式が提案されている。この方式はＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ−Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式と呼ばれる。ポリマー構造物は、予め液晶層に混入しておいた重合性組成物を光重合や熱重合することによって形成される。このようなポリマー構造物をＶＡモードの液晶表示装置に設けることにより、配向の安定性や応答特性を向上させることができる。
【特許文献１】特許第２９４７３５０号公報
【特許文献２】特開２００３−４３５２５号公報
【特許文献３】特開２００２−２０２５１１号公報
【特許文献４】特許第４０１４９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図７は、特許文献４に記載された液晶表示装置１０の１つの画素の構成を表した平面図である。液晶表示装置１０は、ノーマリブラックモードの垂直配向型液晶表示装置である。
【００１０】
図７に示すように、液晶表示装置１０の画素２はゲートバスライン４およびソースバスライン６によって囲まれており、画素２の中央部にはゲートバスライン４と平行に蓄積容量バスライン３が延びている。画素２の中には複数の切り込み（スリットあるいはスペース）５を有する画素電極８が配置されており、ゲートバスライン４とソースバスライン６との交点付近にはＴＦＴ１が配置されている。ＴＦＴ１のゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極は、それぞれゲートバスライン４、ソースバスライン６、および画素電極８に接続されている。
【００１１】
図８は、液晶表示装置１０の図７におけるＤ−Ｄ断面の構成を表している。図８に示すように、液晶表示装置１０はＴＦＴ基板１１、対向基板１２、およびＴＦＴ基板１１と対向基板１２との間に配置された液晶層１３を備えている。液晶層１３は、負の誘電率異方性を有する液晶１４を含んでいる。
【００１２】
ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板１５、ガラス基板の上に配置されたゲートバスライン４とゲート絶縁層１６、ゲート絶縁層１６の上に積層された絶縁層１７、絶縁層１７の上に形成された樹脂層１８、および樹脂層１８の上に形成された画素電極８を備えている。なお、ＴＦＴ基板１１には、図８には図示されないＴＦＴ１、ソースバスライン６、および蓄積容量バスライン３も形成されている。
【００１３】
対向基板１２は、ガラス基板１９および共通電極（対向電極）２０を備えている。対向基板１２には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス（ＢＭ）等も形成されているが、ここでは図示を省略している。また、図示していないが、ＴＦＴ基板１１および対向基板１２の液晶層１３側の面には、電圧無印加時に液晶１４を基板面に略垂直に配向させる配向膜が形成されており、ＴＦＴ基板１１および対向基板１２の外側の面には、互いにクロスニコル配置された一対の偏光板が貼り付けられている。
【００１４】
液晶表示装置１０において、ゲートバスライン４から供給される走査信号によってＴＦＴ１がＯＮ状態にされると、ソースバスライン６から画素電極８に表示電圧が印加され、例えばゼロ電位（ＧＮＤ）とされている共通電極２０と画素電極８との間に電界（あるいは電位差）が発生して、液晶１４が基板面に平行な方向に配向される。
【００１５】
図８に示すように、画素電極８と共通電極２０との間に電圧が印加されないとき（黒表示時）、画素電極８の上の液晶１４は、配向膜によって基板面に略垂直に配向している。しかし、ゲートバスライン４の上部の画素電極８が形成されていない領域の液晶１４は、ゲートバスライン４に印加される電圧の影響、つまり、ゲートバスライン４と共通電極２０との間に形成される電界の影響を受け、基板面に垂直な方向に対して斜め方向（基板面により平行に近い方向）に傾斜配向することが起こり得る。この問題は、ソースバスライン６の上方においても発生し得る。
【００１６】
黒表示時にこのような液晶１４の望ましくない傾斜配向が発生すると、一方の偏光板を通って直線偏光された光の偏光面が液晶層１３を透過する時に回転し、その光が他方の偏光板を透過してしまう、いわゆる光漏れが発生する。このような光漏れは、特に図８の楕円で囲った領域において発生し、コントラストの低下を引き起こす。
【００１７】
この問題を解決するために、対向基板１２のゲートバスライン４やソースバスライン６の上方位置に、ブラックマトリクス等の遮光部材を配置することが考えられる。しかしその場合、画素電極８の端部から外側を遮光部材によって覆うことになるが、基板貼り合せ時の若干の位置ずれや誤差等により、画素電極８の一部が覆われてしまうという問題が起こり得る。これは、画素の開口率を低下させ、輝度およびコントラストの低下の原因となる。
【００１８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、液晶表示装置の光漏れを防止し、コントラストの高い高品質の表示が可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明による液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素にそれぞれ配置された複数のトランジスタおよび複数の画素電極、前記トランジスタにゲート信号を供給するゲートバスライン、ならびに前記トランジスタを介して前記画素電極に表示信号を供給するデータバスラインを有する第１基板と、前記第１基板の面に垂直な第１方向から見た場合、前記複数の画素電極、前記ゲートバスライン、および前記ソースバスラインを覆うように配置された対向電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、を備えた液晶表示装置であって、前記第１基板が、前記ゲートバスラインまたは前記ソースバスラインよりも前記液晶層側に配置され、前記第１方向から見た場合、前記ゲートバスラインまたは前記ソースバスラインを覆うように形成された導電層であって、前記対向電極と実質的に同じ電位が与えられた導電層を備える。
【００２０】
ある実施形態では、前記複数の画素電極が、前記ゲートバスラインを挟んで隣り合う第１画素電極と第２画素電極とを含み、前記導電層が、前記第１方向から見た場合、前記第１画素電極と前記第２画素電極とに挟まれた前記ゲートバスラインの全ての部分を覆うように形成されている。
【００２１】
ある実施形態では、前記複数の画素電極が、前記データバスラインを挟んで隣り合う第３画素電極と第４画素電極とを含み、前記導電層が、前記第１方向から見た場合、前記第３画素電極と前記第４画素電極とに挟まれた前記ゲートバスラインの全ての部分を覆うように形成されている。
【００２２】
ある実施形態では、前記導電層が、前記第１方向から見た場合、表示領域内における前記ゲートバスラインおよび前記データバスラインの全ての部分を覆うように形成されている。
【００２３】
ある実施形態では、前記導電層が、前記複数の画素電極と同じ材料で形成されている。
【００２４】
ある実施形態では、前記導電層が、前記複数の画素電極と同じ層に同じ厚さで形成されている。
【００２５】
ある実施形態では、前記液晶層が負の誘電率異方性を有する液晶を含み、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方に、前記液晶に電圧が印加されない時に前記液晶を基板面に垂直に配向させる配向膜が形成されている。
【００２６】
ある実施形態では、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方に、電圧が印加された時に液晶の配向方位を規制する配向規制構造が設けられている。
【００２７】
ある実施形態では、前記配向規制構造が、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の前記液晶層側の面上に形成されたポリマー構造物であって、電圧が印加されない時に液晶を傾斜配向させるポリマー構造物を含む。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、バスライン上に導電層を配置することによって、画素電極に電圧が印加されない時にバスラインと対向電極との間の電位差によって生じる、液晶の不要な配向が防止される。したがって、表示時における光漏れが減少し、コントラストの高い表示が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照しながら本発明による実施形態の液晶表示装置を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３０】
（実施形態１）
図１は、本発明による実施形態１の液晶表示装置１００の構成を模式的に表した平面図であり、図２の（ａ）は、液晶表示装置１００の図１（および図３）におけるＡ−Ａ線に沿った模式的な断面図、（ｂ）は液晶表示装置１００の図１（および図３）におけるＢ−Ｂ線に沿った模式的な断面図である。また、図３は、図１に簡略化して示した画素電極５０のより具体的な形状を表した図であり、図４は、液晶表示装置１００による効果を説明するための図である。
【００３１】
液晶表示装置１００は、図１に示すように表示領域の中にマトリックス状に配置された複数の画素３０によって、ノーマリブラックモードで表示を行う垂直配向型（ＶＡ型）の液晶表示装置である。液晶表示装置１００は、図２に示すように、アクティブマトリクス基板であるＴＦＴ基板（第１基板）６０と、カラーフィルタ基板である対向基板（第２基板）７０と、これらの基板の間に設けられた液晶層８０とを備えている。液晶層８０は、負の誘電率異方性（Δε＜０）を有するネマティック液晶を含んでいる。
【００３２】
ＴＦＴ基板６０の外側（液晶層８０とは反対側）の面には偏光板４５が、また対向基板７０の外側の面には偏光板４６がそれぞれ貼り付けられている。偏光板４５と偏光板４６とはクロスニコルに配置されており、その一方の光透過軸は図１の左右方向に、他方の光透過軸は上下方向にそれぞれ延びている。以下の説明では、図１の左側から右側に向かう方位を方位０°とし、これを基準として反時計回りに方位角を設定している。
【００３３】
図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板６０は、ガラス基板等の透明基板６２と、透明基板６２の上（液晶層８０の側）に積層されたゲート絶縁層６４と、ゲート絶縁層６４の上に積層された絶縁層６６と、絶縁層６６の上に積層された絶縁層として機能する樹脂層６８とを備えている。透明基板６２とゲート絶縁層６４との間には、ゲートバスライン（走査線）３２および図３に示す補助容量線（Ｃｓライン）３３が配置されており、ゲート絶縁層６４と絶縁層６６との間には、ＴＦＴ４０およびソースバスライン（信号線）３４が配置されている。樹脂層６８の上には、画素電極５０および導電層（共通電極）３６が形成されており、さらに画素電極５０および導電層３６を覆うように配向膜３８が形成されている。
【００３４】
各画素３０は、隣り合う２つのゲートバスライン３２と隣り合う２つのソースバスライン３４によって囲まれており、画素３０毎に、画素電極５０と、画素電極５０に供給すべき表示電圧をスイッチングするＴＦＴ４０とが配置されている。ＴＦＴ４０のゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極は、それぞれ、ゲートバスライン３２、ソースバスライン３４、および画素電極５０に電気的に接続されている。ゲート電極にはゲートバスライン３２からＴＦＴ４０のゲート信号が供給され、画素電極５０にはＴＦＴ４０を介してソースバスライン３４から表示信号が供給される。
【００３５】
対向基板７０は、透明基板７２と、透明基板７２の上（液晶層８０側）に配置されたカラーフィルタ（ＣＦ）層７４と、カラーフィルタ層７４の上に形成された対向電極（共通電極）７６と、対向電極７６の上に形成された配向膜３９とを備えている。対向電極７６は、液晶表示装置１００の表示領域全体に延びており、ＴＦＴ基板６０または対向基板７０の面に垂直な方向（以下、基板面鉛直方向または第１方向と呼ぶ）から見た場合、表示領域内の複数の画素電極５０、ゲートバスライン３２、ソースバスライン３４、および導電層３６を覆っている。
【００３６】
ＴＦＴ基板６０の配向膜３８及び対向基板７０の配向膜３９は、後に図６を用いて説明するように、どちらも配向層８４およびポリマー構造物による配向維持層８５からなる。配向層８４は基板上に塗布された垂直配向膜であり、配向維持層８５は液晶材料に予め混合しておいた光重合性モノマーを、液晶セルを形成した後、液晶層８０に電圧を印加した状態で光重合することによって形成される。このとき、電圧の印加によって画素電極５０の形状等に応じて生じる斜め電界により液晶分子を配向させ、その状態で光を照射してモノマーが重合される。
【００３７】
このようにして形成された配向維持層８５は配向規制構造としての機能を有し、この配向維持層８５により、電圧を取り去った後（電圧を印加しない状態）でも液晶分子に若干の配向（プレチルト方位）を維持（記憶）させることができる。このような配向膜の形成技術は、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ−Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術と呼ばれるが、その詳細は特許文献４に記載されている。本明細書は、これらの特許文献を援用するものとし、ここでは配向維持層８５についての詳しい説明を省略する。
【００３８】
画素電極５０は、図３に示すように、方位角０°−１８０°方向に延びる電極幹部５０ａと、方位角９０°−２７０°方向に延びる電極幹部５０ｂと、方位角４５°−２２５°方向に延びる複数の電極枝部５０ｃおよび複数の電極枝部５０ｅと、方位角１３５°−３１５°方向に延びる複数の電極枝部５０ｄおよび複数の電極枝部５０ｆとを有している。補助容量線３３は、ゲートバスライン３２と平行に画素３０の中央部を通って延びており、画素電極５０の下には、補助容量線３３に電気的に接続された補助容量電極５５が形成されている。
【００３９】
このような画素電極５０の形状は液晶の配向規制を実現する配向規制構造として機能し、画素電極５０によって１つの画素３０の中に４Ｄ構造のマルチドメインが形成される。電圧が印加されない場合、配向膜３８及び３９の配向維持層８５に記憶された方位に応じて、４つのドメインにおける液晶分子のプレチルト方位は、それぞれ電極枝部５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、及び５０ｆに平行な方位を示す。電圧が印加されたとき、４つのドメインの液晶分子は電極枝部５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、及び５０ｆに平行な方位（ドメインのディレクタ方位）であって基板面に平行に近づく極角方向に配向する。このとき、配向の方位がプレチルトの方位と一致しているため、極めて応答速度の速い正確な方位への配向が実現される。
【００４０】
図１および図２に示すように、導電層３６はＴＦＴ基板６０において、ゲートバスライン３２およびソースバスライン３４よりも液晶層８０の側に、基板面鉛直方向から見た場合、表示領域内の全てのゲートバスライン３２およびソースバスライン３４を覆うように一体に形成されている。対向電極７６には、実質的に一定の基準電位（例えばゼロ０電位またはグラウンド（ＧＮＤ）電位）が与えられており、導電層３６にも対向電極７６と実質的に同じ電位が与えられている。これにより、画素電極５０に電圧が印加されないとき、すなわち画素３０の表示が黒表示のとき、ゲートバスライン３２またはソースバスライン３４の電位と対向電極７６の電位との間の電位差に起因する、液晶分子の望ましくない傾斜配向が防止されるので、より光漏れの少ないコントラストの高い表示が可能となる。
【００４１】
図４は、画素電極５０に電圧が印加されないときの液晶８１の配向を表している。なお、この図では配向維持層８５による画素電極５０上の液晶８１のプレチルトは省略している。また、この図にはゲートバスライン３２近傍の液晶のみを表しているが、ソースバスライン３４近傍の液晶も同様の配向状態を示す。
【００４２】
図４と図８とを比較して分かるように、導電層３６が配置されることから液晶表示装置１００では、黒表示時に、画素電極５０の端部からゲートバスライン３２（およびソースバスライン３４）の上部に位置する液晶８１がゲートバスライン（およびソースバスライン３４）の電圧の影響を受けることなく、基板面にほぼ垂直に配向している。従って、本実施形態の液晶表示装置１００によれば、光漏れが効果的に防止されたコントラストの高い表示が可能となる。
【００４３】
なお、導電層３６は、ゲートバスライン３２およびソースバスライン３４のどちらか一方の上にのみ形成されていてもよく、それによっても一方のバスライン近傍の液晶分子の不要な配向、およびそれに起因した光漏れを防止することができる。また、導電層３６は、２つの画素電極（第１および第２画素電極）５０に挟まれたゲートバスライン３２の部分の全部あるいは一部のみを覆うように形成されてもよく、２つの画素電極（第３および第４画素電極）５０に挟まれたソースバスライン３４の部分の全部あるいは一部のみを覆うように形成されてもよい。それによっても、少なくとも一部のバスライン近傍の液晶分子の不要な配向、およびそれに起因した光漏れが防止され得る。ただし、より効果的に光漏れを防止するためには、表示領域におけるゲートバスライン３２およびソースバスライン３４の全てを導電層３６で覆うことが好ましい。
【００４４】
導電層３６は、画素電極５０と同じ材料を用いて、同じ製造工程で形成される。より詳しくは、導電層３６は画素電極５０と同時に、樹脂層６８の上全体に積層されたＩＴＯ等をフォトリソグラフィー法により整形することにより得られる。したがって、導電層３６は、画素電極５０と同じ層に同じ厚さで形成されている。導電層３６のみを形成するための特別の工程は必要とされず、従来の液晶表示装置に比べて液晶表示装置１００の製造効率が極端に低下することはない。なお、導電層３６を画素電極５０と異なる工程で形成すること、異なる材料で形成すること、または異なる厚さに形成することも可能である。その場合、追加工程等が必要となるが、バスライン近傍の液晶分子の不要な配向を防止するという効果は得ることができる。導電層３６以外の構成要素は、特許文献１〜４の液晶表示装置、または他の従来の液晶表示装置の構成要素と同じ方法によって形成され得るので、その形成方法の説明は省略する。
【００４５】
基板面鉛直方向から見た場合の、導電層３６と導電層３６に隣り合う画素電極５０との間の距離（図２（ａ）の距離ａおよび図２（ｂ）の距離ａ’）は、両者が電気的に導通しない範囲において可能な限り小さくすることが好ましく、例えば１．０μｍ以上とされる。この距離は両者の間隔が変化する場合には導電層３６と画素電極５０との間の最短距離を意味するものとする。また、基板面鉛直方向から見た場合の、導電層３６端部とゲートバスライン３２端部との間の距離（図２（ａ）の距離ｂ）、導電層３６端部とソースバスライン３２端部との間の距離（図２（ｂ）の距離ｂ’）は、バスライン電圧の液晶への影響を実質的に無視できる程度の大きさに設定される。ここで、画素の有効開口率を大きくするためには画素電極５０の幅をより大きくしたほうがよく、そのため、距離ｂおよびｂ’は、バスライン電圧の影響を実質的に無視できる程度の大きさの範囲内で、より小さな値に設定することが好ましい。
【００４６】
さらに、本実施形態の液晶表示装置１００によれば、導電層３６が存在するため、配向維持層８５の形成時に、ゲートバスライン３２またはソースバスライン３４の電位によるバスライン近傍の液晶８１に対する不要な影響を遮断し、液晶８１を基板面により垂直に維持させることが可能となる。また、バスラインの電圧による画素電極５０上の液晶８１の配向に対する影響も遮断されるため、配向維持層８５により理想的なプレチルトを記憶させることが可能となる。したがって、表示時における液晶８１の配向規制がより理想的なものとなり、コントラストが高く、視野角特性の優れた表示を行うことができる。
【００４７】
（実施形態２）
次に、本発明による第２の実施形態の液晶表示装置２００について説明する。
【００４８】
図５は、実施形態２の液晶表示装置２００の構成を模式的に示す平面図であり、図６は、図５のＣ−Ｃ断面の構成を表した断面図である。液晶表示装置２００は、ＣＰＡモードの垂直配向型液晶表示装置である。液晶表示装置２００は、画素電極の形状および対向基板７０に突起８６を備える点で実施形態１と異なるが、他の部分の構成は基本的に実施形態１と同じである。両者の同じ構成要素には同じ参照番号を付し、その詳しい説明を省略する。
【００４９】
図５および図６に示すように、液晶表示装置２００は、表示領域においてマトリクス状に配置された複数の画素３０を有し、ＴＦＴ基板６０と、対向基板７０と、両基板の間に設けられた垂直配向型の液晶層８０とを備えている。
【００５０】
ＴＦＴ基板６０は、各画素３０に配置された画素電極５１および画素電極５１に電気的に接続されたＴＦＴ（図５および図６には図示せず）４０、ゲートバスライン３２、ソースバスライン３４、ならびに補助容量線３３を有する。
【００５１】
画素電極５１は、複数のサブ画素電極５１ａを有している。各サブ画素電極５１ａが形成された領域をサブ画素またはサブ画素領域と呼ぶ。本実施形態では、２つのサブ画素電極５１ａを有する画素電極５１を例示しているが、１つの画素電極５１に含まれるサブ画素電極５１ａの個数はこれに限定されるものではない。また、各サブ画素電極５１ａの形状も、例示しているような略長方形に限定されるものではなく、高い回転対称性を有する形状（略正方形や略円形、円弧状の角部を有する略矩形等）が好適に用いられる。
【００５２】
対向基板７０は、表示領域内において画素電極５１、ゲートバスライン３２、およびソースバスライン３４を覆う対向電極７６を有する。各サブ画素電極５１ａの中央部に対向する位置の対向電極７６上には、液晶の放射状傾斜配向を規制または安定化させるための配向規制構造である突起８６が形成されている。突起８６は、透明な誘電体材料（例えば樹脂）から形成されている。なお、必ずしも突起８６を設ける必要はなく、各画素３０内に設けられた複数の突起８６の一部あるいはすべてを省略してもよい。また、突起８６に代えて、他の配向規制構造（対向電極７６に形成した開口部、窪み等）を設けてもよい。
【００５３】
垂直配向型の液晶層８０は、負の誘電率異方性を有する液晶８１を含み、必要に応じてさらにカイラル剤を含んでいる。また、配向膜３８および３９は、図６中に模式的に示したように、液晶８１の配向方向を規定するための配向維持層（ポリマー構造物）８５を含んでいる。配向維持層８５は、前述したＰＳＡ方式により配向層８４上に形成される。
【００５４】
配向維持層８５は、電圧印加時と同じ方位角方向に液晶８１を配向させる配向規制力を有しており、配向維持層８５周辺の液晶８１の多くは、電圧無印加状態においても、電圧印加時の傾斜方向と同じ方向に配向（プレチルト）している。つまり、配向維持層８５が形成されていることによって、画素電極５１上の液晶８１は、電圧無印加状態においても、電圧印加時の放射状傾斜配向と整合するようにプレチルト方位を規定されている。そのため、配向の安定性や応答特性が向上する。
【００５５】
画素電極５１と対向電極７６との間に電圧が印加されると、各サブ画素電極５１ａ上に液晶ドメインが形成される。各液晶ドメイン内で液晶８１は突起８６を中心として放射状に傾斜した放射状傾斜配向を示す。サブ画素電極５１ａ毎に放射状傾斜配向の液晶ドメインが形成されるのは、サブ画素電極５１ａが独立した島に近い外縁を有し、このサブ画素電極５１ａのエッジ部に生成される斜め電界の配向規制力が液晶８１に作用するからである。サブ画素電極５１ａのエッジ部に生成される電界は、サブ画素電極５１ａの中心に向かって傾斜し、液晶分子を放射状に傾斜配向させるように作用する。
【００５６】
液晶表示装置２００の、図５に示すＡ−Ａ断面およびＢ−Ｂ断面の構成は、それぞれ図２の（ａ）および（ｂ）に示したものと同じである。液晶表示装置２００においても、導電層３６は、実施形態１と同様、基板面鉛直方向から見た場合、表示領域内の全てのゲートバスライン３２およびソースバスライン３４を覆うように形成される。したがって、実施形態２によっても、実施形態１で説明したと同様、より光漏れの少ないコントラストの高い表示が可能となる。
【００５７】
また、実施形態１と同様、配向維持層８５の形成時においても、導電層３６によってバスライン電圧の影響を遮断することができるので、配向維持層８５により理想的なプレチルトを記憶させることが可能となる。よって、コントラストが高く、視野角特性の優れた表示を行うことができる。これ以外にも、実施形態１において導電層３６を配置することに関連して説明した利点は、実施形態２からも得られる。
【００５８】
以上、実施形態１および２を用いて本発明による液晶表示装置を説明したが、本発明による導電層３６を用いた構成は、例えば特許文献１に記載されるようなＭＶＡモードの液晶表示装置等にも適用可能である。導電層３６を配置することによって上述した効果と同様の効果が得られる液晶表示装置は、本願発明の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明による液晶表示装置は、携帯電話、ＰＤＡ、ノートＰＣ、モニタおよびテレビジョン受像機などの液晶表示装置として好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明による実施形態１の液晶表示装置１００の構成を模式的に示す平面図である。
【図２】液晶表示装置１００の構成を模式的に示す断面図であり、（ａ）は図１中のＡ−Ａ断面を表した図、（ｂ）は図１中のＢ−Ｂ断面を表した図である。
【図３】液晶表示装置１００の１つの画素３０の構成を模式的に表すとともに、画素電極５０の詳細な形状を表した平面図である。
【図４】液晶表示装置１００の断面図であり、液晶表示装置１００による効果を説明するために用いる図である。
【図５】本発明による実施形態２の液晶表示装置２００の構成を模式的に示す平面図である。
【図６】液晶表示装置２００の断面形状を模式的に表した図である。
【図７】従来の液晶表示装置１０の画素の構成を模式的に表した平面図である。
【図８】従来の液晶表示装置１０の断面図であり、液晶表示装置１０の問題点を説明するために用いる図である。
【符号の説明】
【００６１】
１    ＴＦＴ
２    画素
３    蓄積容量バスライン
４    ゲートバスライン
５    切り込み（スリットまたはスペース）
６    ソースバスライン
８    画素電極
１０  液晶表示装置
１１    ＴＦＴ基板
１２    対向基板
１３    液晶層
１４    液晶
１５    ガラス基板
１６    ゲート絶縁層
１７    絶縁層
１８    樹脂層
２０    共通電極（対向電極）
３０    画素
３２    ゲートバスライン
３３    補助容量線
３４    ソースバスライン
３６    導電層（共通電極）
３８、３９  配向膜
４０    ＴＦＴ
４５、４６    偏光板
５０    画素電極
５０ａ、５０ｂ  電極幹部
５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、５０ｆ    電極枝部
５５    補助容量電極
６０    ＴＦＴ基板
６２、７２    透明基板
６４    ゲート絶縁層
６６    絶縁層
６８    樹脂層
７０    対向基板
７４    カラーフィルタ層
７６    対向電極（共通電極）
８０    液晶層
８１    液晶
８４    配向層
８５    配向維持層（ポリマー構造物）
８６    突起
１００、２００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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