(57)【要約】【課題】  ウエーハの裏面に接着剤層を効率良く形成可能な接着剤層の形成方法を提供することである。【解決手段】  表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの裏面に接着剤層を形成する方法であって、ウエーハの裏面側に所定量の接着剤を供給する接着剤供給工程と、該接着剤供給工程を実施した後、ウエーハの裏面に対向して配設された第１押圧部材と、ウエーハの表面に対向して配設された第２押圧部材とでウエーハと該接着剤とを押圧するとともに該接着剤を広げ延ばす押圧工程と、該押圧工程を実施した後、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧した状態で該接着剤を硬化させる硬化工程と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの裏面に接着剤層を形成する方法であって、
ウエーハの裏面側に所定量の接着剤を供給する接着剤供給工程と、
該接着剤供給工程を実施した後、ウエーハの裏面に対向して配設された第１押圧部材と、ウエーハの表面に対向して配設された第２押圧部材とでウエーハと該接着剤とを押圧するとともに該接着剤を広げ延ばす押圧工程と、
該押圧工程を実施した後、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧した状態で該接着剤を硬化させる硬化工程と、
を具備したことを特徴とする接着剤層の形成方法。
【請求項２】
前記第１押圧部材は該分割予定ラインに対応して格子状に形成された複数の凸部を有しており、
前記押圧工程では、該第１押圧部材の前記凸部の各々が複数の前記分割予定ラインにそれぞれ合致するようにウエーハと該第１押圧部材とを位置づけて、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧し、その後、前記硬化工程を実施することで、該分割予定ラインによって区画される複数の領域のみに接着剤層を形成する請求項１記載の接着剤層の形成方法。
【請求項３】
前記接着剤は紫外線硬化性を有すると共に、前記第１押圧部材は紫外線に対して透過性を有しており、
前記硬化工程では、該第１押圧部材を介して該接着剤に紫外線を照射して該接着剤を硬化させる請求項１又は２記載の接着剤層の形成方法。
【請求項４】
前記接着剤供給工程を実施する前に、ウエーハの裏面に研削又は研磨の少なくとも何れかを施す研削・研磨工程を更に具備した請求項１〜３の何れかに記載の接着剤層の形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の方法により形成された接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法であって、
前記硬化工程を実施した後に、前記分割予定ラインに沿ってウエーハを該接着剤層とともに複数のチップに分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、該チップを該接着剤層を介して基板へマウントするマウント工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの取り扱い方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの裏面に接着剤層を形成する接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、複数のＩＣやＬＳＩ等のデバイスが表面に形成された半導体ウエーハを個々のデバイスへと分割することで半導体デバイスが形成される。
【０００３】
分割された半導体デバイスは、金属製基板（リードフレーム）やテープ基板等にダイボンディング（接着）され、これらの金属性基板やテープ基板が分割されることで個々の半導体チップが製造される。こうして製造された半導体チップは、携帯電話やパソコン等の電子機器に広く使用されている。
【０００４】
半導体デバイスを基板上にダイボンディングするには、基板上の半導体デバイス搭載位置に半田やＡｕ−Ｓｉ共晶、樹脂ペースト等の接着剤を供給してその上に半導体デバイスを載置して接着する方法が用いられている。
【０００５】
近年では、例えば特開平１１−２１９９６２号公報に開示されているように、予め半導体ウエーハの裏面にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と称される接着フィルムを接着しておく方法が広く採用されている。
【０００６】
即ち、ダイアタッチフィルムが接着された半導体ウエーハを個々のデバイスへと分割することで、接着フィルムが裏面に装着された半導体デバイスを形成する。その後、半導体デバイス裏面のＤＡＦを介して基板上にダイボンディングすることで、使用する接着剤を最小限とし、また半導体デバイスの搭載エリアを最小にできるというメリットがある。
【０００７】
特開２００５−３１７７１２号公報には、表面にデバイス保護用の保護テープが貼着され、裏面側を研削装置によって研削されて薄化された半導体ウエーハをロードし、ダイアタッチフィルムを裏面に貼り付け、ダイシングテープによって半導体ウエーハをフレームに固定した後、保護テープを剥離する工程までを自動で行うテープマウンタが開示されている。
【０００８】
一方、近年の電子機器に対する小型・軽量化の要望から、半導体チップも薄化が望まれている。半導体ウエーハの薄化とともにダイアタッチフィルムも薄化される必要があるが、薄化されたダイアタッチフィルムではウエーハに貼着する際等のハンドリングが難しくなる。
【０００９】
そこで、例えば特開平８−２３６５５４号公報に開示されているように、ダイアタッチフィルムの代わりに接着剤となるダイアタッチペーストを半導体ウエーハの裏面に塗布する方法が注目されている。この公開公報に開示された方法では、半導体ウエーハの裏面にスピンコート法を用いてダイアタッチペーストを塗布し、接着剤層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−２１９９６２号公報
【特許文献２】特開２００５−３１７７１２号公報
【特許文献３】特開平８−２３６５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところが、特許文献３に開示された方法のようにダイアタッチペーストをスピンコート法により供給すると、供給された接着剤の９０％以上が飛散して廃棄されてしまうので非常に不経済であるという問題がある。
【００１２】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの裏面に接着剤層を効率良く形成可能な接着剤層の形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１記載の発明によると、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの裏面に接着剤層を形成する方法であって、ウエーハの裏面側に所定量の接着剤を供給する接着剤供給工程と、該接着剤供給工程を実施した後、ウエーハの裏面に対向して配設された第１押圧部材と、ウエーハの表面に対向して配設された第２押圧部材とでウエーハと該接着剤とを押圧するとともに該接着剤を広げ延ばす押圧工程と、該押圧工程を実施した後、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧した状態で該接着剤を硬化させる硬化工程と、を具備したことを特徴とする接着剤層の形成方法が提供される。
【００１４】
請求項２記載の発明によると、請求項１記載の発明において、前記第１押圧部材は該分割予定ラインに対応して格子状に形成された複数の凸部を有しており、前記押圧工程では、該第１押圧部材の前記凸部の各々が複数の前記分割予定ラインにそれぞれ合致するようにウエーハと該第１押圧部材とを位置づけて、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧し、その後、前記硬化工程を実施することで、該分割予定ラインによって区画される複数の領域のみに接着剤層を形成する接着剤層の形成方法が提供される。
【００１５】
請求項３記載の発明によると、請求項１又は２記載の発明において、前記接着剤は紫外線硬化性を有すると共に、前記第１押圧部材は紫外線に対して透過性を有しており、前記硬化工程では、該第１押圧部材を介して該接着剤に紫外線を照射して該接着剤を硬化させる接着剤層の形成方法が提供される。
【００１６】
請求項４記載の発明によると、請求項１〜３の何れかの記載の発明において、前記接着剤供給工程を実施する前に、ウエーハの裏面に研削又は研磨の少なくとも何れかを施す研削・研磨工程を更に具備した接着剤層の形成方法が提供される。
【００１７】
請求項５記載の発明によると、請求項１〜４の何れかに記載の方法により形成された接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法であって、前記硬化工程を実施した後に、前記分割予定ラインに沿ってウエーハを該接着剤層とともに複数のチップに分割する分割工程と、該分割工程を実施した後、該チップを該接着剤層を介して基板へマウントするマウント工程と、を具備したウエーハの取り扱い方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１記載の発明によると、ウエーハの裏面に接着剤層を効率良く形成可能な接着剤層の形成方法が提供される。請求項２記載の発明によると、分割予定ライン上には接着剤層が形成されないため、接着剤層のダイシング時に発生するウィスカーと呼ばれるひげ状のばりの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明第１実施形態の接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明第２実施形態の接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法を示すフローチャートである。
【図３】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図４】研削工程を示す斜視図である。
【図５】研磨工程を示す斜視図である。
【図６】接着剤供給工程の説明図である。
【図７】押圧工程の説明図である。
【図８】押圧工程の他の実施形態の説明図である。
【図９】硬化工程の説明図である。
【図１０】分割予定ラインに対応する領域に凸部を有する第１押圧部材を用いて押圧工程を行った後のウエーハの裏面側斜視図である。
【図１１】ダイサーによる分割工程を示す一部断面図である。
【図１２】レーザ加工装置による分割工程の説明図である。
【図１３】エクスパンド工程を示す縦断面図である。
【図１４】ピックアップ工程を示す説明図である。
【図１５】ダイボンディング工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１のフローチャートは、本発明第１実施形態の接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法の各工程を示しており、図２に示すフローチャートは本発明第２実施形態の接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法の各工程を示している。
【００２１】
本発明の接着剤層の形成方法は、まず図１のステップＳ１０及び図２のステップＳ２０に示すように、ウエーハの裏面を研削又は研磨する研削・研磨工程を実施する。図３に示すように、半導体ウエーハ２の表面においては、第１分割予定ラインＳ１と第２分割予定ラインＳ２が直交して形成されており、第１分割予定ラインＳ１と第２分割予定ラインＳ２によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。
【００２２】
研削工程では、図４に示すようにウエーハ２の表面に保護テープ４を貼着し、研削装置のチャックテーブル６によりウエーハ２の裏面２ｂ側を上に向けて保護テープ４側を吸引保持する。
【００２３】
研削装置のスピンドル１０の先端部にはホイールマウント１２が固定されており、このホイールマウント１２には研削ホイール８がねじ１８で装着されている。研削ホイール８は、環状基台１４の自由端部に粒径０．３〜１．０μｍのダイアモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めた複数の研削砥石１６が固着されて構成されている。
【００２４】
保護テープ４を下にしてチャックテーブル６に吸引保持されたウエーハ２が図４に示す研削位置に位置づけられると、チャックテーブル６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール８をチャックテーブル６と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石１６をウエーハ２の裏面２ｂに接触させる。
【００２５】
そして、研削ホイール８を所定の研削送り速度（例えば３〜５μｍ／秒）で下方に所定量研削送りして、ウエーハ２の研削を実施する。図示しない接触式の厚み測定ゲージによってウエーハの厚みを測定しながらウエーハを所望の厚み、例えば７０μｍに仕上げる。
【００２６】
研磨工程では、図５に示すように環状基台１４の自由端部に研磨パッド２０が固着された研磨ホイール８Ａをねじ１８でホイールマウント１２に締結した研磨装置を使用する。研削工程と同様に、チャックテーブル６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研磨ホイール８Ａを矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させながら、研磨ホイール８Ａを研磨送りしてウエーハ２の裏面２ｂを研磨する。
【００２７】
研削又は研磨工程を実施後、図１のステップＳ１１及び図２のステップＳ２１に示すように、ウエーハの裏面に所定量の接着剤を供給する接着剤供給工程を実施する。この接着剤供給工程は、図６に示すようにウエーハ２を第２押圧部材２２上に保持し、接着剤供給ノズル２４から液状の接着剤２６をウエーハ２の裏面２ｂ上に所定量供給する。
【００２８】
この接着剤２６は、硬化させた後にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）として使用可能な紫外線硬化型接着剤が好ましい。例えば、Ｈｏｎｇｈｏｗ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ  Ｉｎｃ．製の商品名「ＨＰ２０ＶＬ」又は「ＳＴ２０ＶＬ」を使用可能である。
【００２９】
この接着剤の粘度は１４００ｃＰであるが、本発明で使用可能なＤＡＦ用接着剤の粘度は１０００〜１５０００ｃＰである。ここで注意すべきは、現在一般的に使用されているＤＡＦは熱硬化型がほとんどであるという点である。
【００３０】
ウエーハ２上に紫外線硬化型接着剤２６を供給した後は、図１のステップＳ１２及び図２のステップＳ２２に示すように、接着剤２６を押圧する押圧工程を実施する。図１に示す第１実施形態のステップＳ１２の押圧工程では、まず図７（Ａ）に示すように、紫外線に対して透過性を有する第１押圧部材２８の下面に少量の接着剤２６ａを塗布しておく。これにより、第１押圧部材２８を第２押圧部材２２に近づけて接着剤２６と２６ａが接触する際点接触となり、気泡等の発生を防止できる。
【００３１】
第１実施形態の押圧工程では、図７（Ｂ）に示すように、紫外線に対して透過性を有する第１押圧部材２８でウエーハ２上に供給された紫外線硬化型接着剤２６を押圧して、紫外線硬化型接着剤を広げ延ばして平坦化して紫外線硬化型接着剤層３０を形成する。第１押圧部材２８は、例えばガラス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等から形成されている。
【００３２】
図２に示す第２実施形態のステップＳ２２の押圧工程は、図８に示すように、紫外線に対し透過性を有し、ウエーハ２の分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応する領域に格子状の凸部３４を有する第１押圧部材３２を使用する。
【００３３】
即ち、第１押圧部材３２の凸部３４とウエーハ２の分割予定ラインＳ１，Ｓ２とが合致するように第１押圧部材３２でウエーハ２の表面を押圧して、紫外線硬化型接着剤２６を広げ延ばして平坦化するとともに分割予定ラインＳ１，Ｓ２上の紫外線硬化型接着剤を排除して、紫外線硬化型接着剤層３０ａを形成する。
【００３４】
本実施形態の第１押圧部材３２も、例えばガラス、ＰＥＴ等から形成されている。尚、押圧工程では、０．５〜４．０ｋＮの押圧力で押圧し、約５〜３０秒間保持する。好ましくは、１．０〜３．０ｋＮの押圧力で押圧し、２０〜３０秒程度保持する。
【００３５】
押圧工程を実施した後は、図１のステップＳ１３及び図２のステップＳ２３に示す紫外線硬化型接着剤層３０，３０ａを硬化させる硬化工程を実施する。図１に示す第１実施形態の硬化工程は、図９（Ａ）に示すように、第１押圧部材２８で紫外線硬化型接着剤層３０を介してウエーハ２の表面を押圧した状態で、紫外線照射源３６から第１押圧部材２８を介して紫外線硬化型接着剤層３０へ紫外線を照射して、紫外線硬化型接着剤層３０を硬化させる。
【００３６】
図２に示す第２実施形態の硬化工程も第１実施形態と同様であり、図９（Ｂ）に示すように、第１押圧部材３２で紫外線硬化型接着剤層３０ａを介してウエーハ２の表面を押圧した状態で、紫外線照射源３６から第１押圧部材３２を介して紫外線硬化型接着剤層３０ａへ紫外線を照射して、紫外線硬化型接着剤層３０ａを硬化させる。
【００３７】
図９（Ａ）に示す第１実施形態の硬化工程及び図９（Ｂ）に示す第２実施形態の硬化工程とも、紫外線硬化型接着剤層３０，３０ａを硬化させてから、第１押圧部材２８，３２を紫外線硬化型接着剤層３０，３０ａから離す際、第１押圧部材２８，３２に接着剤が残らないよう、第１押圧部材２８，３２をフッ素系樹脂（例えば、ＰＴＦＦ／ポリテトラフルオロエチレン）でコーティングするのが好ましい。
【００３８】
図１に示す第１実施形態のステップＳ１１〜ステップＳ１３は真空環境下で行うのが好ましく、同様に図２に示す第２実施形態のステップＳ２１〜ステップＳ２３も真空環境下で実施するのが好ましい。接着剤層硬化工程での紫外線の照射時間は５〜１８０秒、好ましくは１０〜６０秒間紫外線を照射する。
【００３９】
図９（Ｂ）に示す第２実施形態の硬化工程実施後には、図１０に示すようにウエーハ２の裏面には分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応した格子状の溝３８を有する接着剤層３０ａが形成される。この接着剤層３０ａは、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）として使用される。
【００４０】
硬化工程が終了すると、図１に示す第１実施形態では、ステップＳ１４の分割工程を実施する。図２に示す第２実施形態でも、同様にステップＳ２４の分割工程を実施する。この分割工程は、ダイシング装置（切削装置）又はレーザ加工装置を使用して実施することができる。
【００４１】
ダイシング装置を使用して分割工程を実施する場合には、図１１に示すようにダイシング装置のチャックテーブル４０上に裏面に接着剤層３０ａが形成されたウエーハ２を吸引保持し、ダイシング装置の切削ブレード５６を高速回転（例えば３００００ｒｐｍ）させながらウエーハ２に切り込むことにより分割工程を実施する。
【００４２】
図１１において、チャックテーブル４０はポーラスなセラミック等から形成された無数の吸引孔を備えた吸着チャック４４を備えており、この吸着チャック４４がチャックテーブル４０の吸引路４６及び支持基台４２の吸引路４８を介して図示しない真空吸引源に接続されることにより、ウエーハ２はチャックテーブル４０により吸引保持される。
【００４３】
裏面に接着剤層３０ａが形成されたウエーハ２は外周部が環状フレーム５２に装着されたダイシングテープ５０に貼着され、環状フレーム５２がクランプ５４によりクランプされてチャックテーブル４０の保持面（吸着チャック４４の表面）に対して下方に引き落とされる。
【００４４】
この分割工程の第１実施形態では、切削ブレード５６を矢印Ａ方向に高速回転（例えば３００００ｒｐｍ）させながらダイシングテープ５０に薄く切り込む位置まで下降させて、チャックテーブル４０を加工送り方向、即ち矢印Ｘ方向に移動させて、ダイシングテープ５０に薄く切り込みながらウエーハ２を位置合わせされた分割予定ラインに沿って切削する。
【００４５】
メモリに記憶された分割予定ラインのピッチずつ切削ブレード５６をインデックス送りしながら切削を行うことにより、同方向の分割予定ラインＳ１が全て切削される。更に、チャックテーブル４０を９０度回転させてから、上記と同様の切削を行うと、分割予定ラインＳ２も全て切削され、ウエーハ２は個々のデバイスＤに分割される。
【００４６】
分割工程の第２実施形態では、レーザ加工装置によりウエーハ２を個々のデバイスＤに分割する。このレーザ加工装置によるウエーハ２の分割では、図１２（Ａ）に示すように、レーザ加工装置のチャックテーブル５８によりウエーハ２の表面側を吸引保持してもよいし、或いは図１２（Ｂ）に示すように、ウエーハ２の裏面に形成された接着剤層３０ａ側をチャックテーブル５８により吸引保持するようにしてもよい。
【００４７】
図１２（Ａ）に示す場合は、ウエーハ２の裏面に形成された接着剤層３０ａの溝３８が分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応しているため、レーザ加工装置のチャックテーブル５８をＸ方向に移動しながら、レーザヘッド６０からウエーハ２の裏面に形成された接着剤層３０ａの溝３８に沿ってウエーハ２に対して吸収性を有するレーザビームを照射して、ウエーハ２をハーフカット又はフルカットする。
【００４８】
図１２（Ｂ）に示す場合には、レーザヘッド６０からウエーハ２の分割予定ラインＳ１又はＳ２に沿ってウエーハ２に対して吸収性を有するレーザビームを照射して、ウエーハ２を分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿ってハーフカット又はフルカットする。
【００４９】
レーザ加工条件は例えば以下の通りである。
【００５０】
光源：ＹＶＯ４レーザ又はＹＡＧレーザ
波長：３５５ｎｍ
出力：２．０Ｗ
繰り返し周波数：２００ｋＨｚ
パルス幅：３００ｎｓ
集光スポット径：φ１０μｍ
加工送り速度：６００ｍｍ／ｓ
【００５１】
図１１を参照して説明した分割工程が終了すると、図１３（Ａ）に示すように、ウエーハ２をダイシングテープ５０を介して支持した環状フレーム５２を、エクスパンド装置６１のフレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に載置し、クランプ６８によって環状フレームを固定する。この時、フレーム保持部材６６はその載置面６６ａが拡張ドラム７０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置づけられる。
【００５２】
次いで、エアシリンダ７６を駆動してフレーム保持部材６６を下方に約１５ｍｍ程度移動して、図１３（Ｂ）に示す拡張位置に下降させる。これにより、フレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に固定されている環状フレーム５２も下降するため、環状フレーム５２に装着されたダイシングテープ５０は拡張ドラム７０の上端辺に当接して主に半径方向に拡張される。
【００５３】
その結果、ダイシングテープ５０に貼着されているウエーハ２及び接着剤層３２ａには放射状に引張力が作用する。このように引張力が作用すると、接着剤層３０ａを介してダイシングテープ５０に貼着されている隣接するデバイスＤ間のギャップが拡大される。このように隣接するデバイスＤ間のギャップを拡大してから、各デバイスＤをダイシングテープ５０からピックアップするピックアップ工程を実施する。
【００５４】
このピックアップ工程では、図１４（Ａ）に示すように、ピッカー８２を有するピックアップ装置８０により裏面にＤＡＦとしての接着剤層３０ａを有するデバイスＤをダイシングテープ５０から剥離してピックアップする。即ち、裏面に接着剤層３０ａを有するデバイスＤは図１４（Ｂ）に示すように矢印Ａ方向にダイシングテープ５０から剥離され、ピックアップ装置８０によりピックアップされる。
【００５５】
ダイシングテープ５０からデバイスＤを剥離してから、図１のステップＳ１５及び図２のステップＳ２５に示すマウント工程（実装工程）を実施する。このマウント工程においては、図１５の矢印Ｂに示すように半導体チップ（デバイス）Ｄを接着剤層３０ａを介して基板（リードフレーム）８４にマウントする。
【符号の説明】
【００５６】
２    半導体ウエーハ
２２    第２押圧部材
２４    第１押圧部材
２６    接着剤
２８，３２    第１押圧部材
３０，３０ａ    接着剤層
３６    紫外線照射源
５６    切削ブレード
６０    レーザヘッド
６１    エクスパンド装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2010219178.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2010219178.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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