(57)【要約】【課題】大口径のウェーハであっても、簡易な構成でウェーハの外周縁部の撓みを最小に抑えて装置への装填作業性を向上できると共に、ウェーハとの接触面積を少なくしてウェーハに接触傷や汚れ等が付くのを抑制すること。【解決手段】直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上のウェーハ１０の裏面部１０ａを下方から線接触して支持する支持具２０である。支持具２０は、円環状に形成され、ウェーハ１０と同心状に、かつ、ウェーハ１０の中心Ｃから当該ウェーハ１０の半径ｒの０．８〜０．９８倍の領域内に配置される。支持具２０は、断面形状が直角三角形に形成されている。【選択図】図１
2010050130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上の半導体ウェーハの裏面部を下方から線接触して支持する半導体ウェーハの支持具であって、
前記支持具は、円環状に形成され、前記半導体ウェーハと同心状に、かつ、前記半導体ウェーハの中心から当該半導体ウェーハの半径の０．８〜０．９８倍の領域内に配置されることを特徴とする半導体ウェーハの支持具。
【請求項２】
前記支持具の断面形状が三角形であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ（以下、単に「ウェーハ」ともいう）の支持具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ウェーハの製造工程においては、ウェーハの裏面部を支持部材や吸着部材で接触保持し、ウェーハの水平状態を保ちながら各種プロセスが行われている。例えば、ウェーハの製造工程の例として、ウェーハの搬送工程や、縦型ボートを使用した熱処理工程、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程、枚葉式エピタキシャル成長工程、ＳＯＩ熱処理工程等が挙げられる。
【０００３】
ところで、近年においては、ウェーハの大口径化に伴い、更に微細化された高集積化デバイスが製造されている。このため、ウェーハと上記支持部材等とが接触することによって生ずる接触傷を可能な限り少なくする必要がある。
【０００４】
このような要請により、ウェーハをハンドリングする際に、ウェーハの裏面部を吸着部材等で保持せずに、ウェーハのエッジ部のみを保持するエッジハンドリング技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
すなわち、特許文献１に係る従来技術では、上下動自在のハンド部材と、当該ハンド部材に取り付けられ、かつ、下端部をフランジ部とした少なくとも３個のチャック爪部材とを有するハンドリング装置が提案されている。
【０００６】
上記ハンドリング装置は、チャック爪部材のフランジ部の上面部分にテーパ面が形成されている。そして、上記ハンドリング装置は、ウェーハの上方からハンド部材をウェーハ側方まで下降させ、各チャック爪部材を閉じることによって、上記テーパ面上でウェーハを保持するように構成されている。
【０００７】
上記特許文献１に係る従来技術によれば、ウェーハにはチャック爪部材からの力は何ら加わらないため、ウェーハの裏面部を吸着する方法等では保持が困難であったいわゆる薄物ウェーハを、変形や割れを生じさせずに安定して保持できる、とされている。
【０００８】
しかしながら、直径が３００ｍｍ以上の大口径ウェーハをエッジハンドリングすると、ウェーハの自重によりウェーハが大きく撓んでしまうため、保持が非常に不安定となり、搬送中にウェーハが脱落する虞があるという課題があった。
【０００９】
特に、直径が４５０ｍｍのウェーハをエッジハンドリングすると、室温でさえも、ウェーハ自重による撓み量が１ｍｍ前後となってしまう。このため、熱プロセス終了後の高温のウェーハを搬送する場合には、ウェーハ面内の温度差も大きくなることから、上記室温時の撓みよりも更に大きな撓みが発生する可能性が高い。このように撓んだウェーハは、装置内の構成部品や収納容器等と接触し、接触傷やメタル汚染等が発生する虞がある。
【００１０】
一方、撓んだウェーハが上記装置内の構成部品や収納容器等と接触しないようにするためには、ウェーハの移動に必要な空間を大きめに見積もって装置を構成する必要があるため、装置が大型化してしまうという課題があった。
【００１１】
上記のような課題を解決すべく、本願出願人は、直径が３００ｍｍ以上、かつその厚みが７００〜１０００μｍのシリコンウェーハの裏面部を支持部材或いは吸着部材で接触保持し、シリコンウェーハの中心から、シリコンウェーハの半径×０．５０〜０．８０の領域内でシリコンウェーハ裏面部を支持する手段を提供している（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−３３３７８号公報
【特許文献２】特開２００７−２８１０３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記特許文献２に係る従来技術は、ウェーハの上記所定領域内をリング形状の支持具によって面接触により支持するものであるため、ウェーハと支持具の接触面積を小さくし、接触によって生ずる接触傷を可能な限り少なくするという要請には、必ずしも十分に応えられるものではなかった。
【００１３】
また、ウェーハケース等の装置に、直径が４５０ｍｍの大口径のウェーハを装填する際に、いわゆるハンドリング治具として支持具を使用する場合、当該支持具による支持位置を適切に定めないと、ウェーハの外周縁部の撓み量が大きくなってしまい、当該外周縁部を上記装置の装填溝等に載置する際に位置決め動作が大きくなり、作業性が悪くなるという課題があった。
【００１４】
すなわち、図１０に示すように、従来の支持具１２０は、ウェーハ１０を支持する位置によって当該ウェーハ１０の撓み方が異なり、装填作業性の難易度も異なってくる。ここで、図１０は、従来の支持具１２０によりウェーハ１０をウェーハケース５０に装填する様子を示す模式図である。
なお、図１０においては、説明の便宜上、ウェーハ１０の中心に近い部分を支持具１２０によって支持する場合（上から４段目の装填溝５２，５２に装填）と、ウェーハ１０の外周部を支持具１２０によって支持する場合（上から２段目の装填溝５２，５２に装填）と、を示してある。
【００１５】
図１０に示すように、ハンドリング治具としての支持具１２０を、ウェーハ１０の中心に近い部分に配置してウェーハ１０を支持すると、ウェーハ１０は上向きに凸となるように撓むため、ウェーハ１０の外周縁部での撓み量は大きくなる（上から４段目の装填溝５２，５２に装填されるウェーハ１０を参照）。
【００１６】
このため、装填溝５２，５２にウェーハ１０を装填するときには、凸部５１等との干渉トラブルを回避すべく、ウェーハ１０の外周縁部での撓み量を考慮して装填高さを設定しなければならず、作業性が良くないという課題があった。
【００１７】
更に、ウェーハ１０がウェーハケース５０に装填されると、支持具１２０による下方からの支持が解除され、ウェーハ１０の外周縁部付近のみが凸部５１，５１上に載置されているので、ウェーハ１０は自重によって下向きに凸となるように撓む（上から１，３，５段目の装填溝５２，５２に装填されているウェーハ１０を参照）。すなわち、撓み方向が上記装填前の場合と逆になるので、ウェーハ１０に歪が生じて損傷したり、発塵する虞があった。
【００１８】
一方、このような不都合が生じるのを抑制すべく、図１０に示すように、支持具１２０をウェーハ１０の外周部付近に配置してウェーハ１０を支持すれば、ウェーハ１０の外周縁部での撓み量は小さくなる（上から２段目の装填溝５２，５２に装填されるウェーハ１０を参照）。したがって、凸部５１等との干渉トラブルを回避するために、ウェーハ１０の外周縁部での撓み量を考慮して装填高さを設定する必要がなく、作業性は向上する。
【００１９】
しかしながら、上述したように、従来の支持具１２０は、面接触によりウェーハ１０を支持するものであるため、ウェーハ１０と支持具１２０の接触面積を小さくし、接触によって生ずる接触傷を可能な限り少なくするという要請には、必ずしも十分に応えられるものではなかった。
【００２０】
また、上記特許文献２に係る従来技術は、ウェーハの上記所定領域内を支持部材によって多点接触（外周部３点又は４点接触）により支持する手段をも開示しているが、特に直径が４５０ｍｍ程度の大口径のウェーハは重量が大きいため、点接触では当該接触部分に応力が集中し、接触傷が生じる虞があった。
【００２１】
したがって、大口径のウェーハであっても、簡易な構成でウェーハの外周縁部の撓みを最小に抑えて装置への装填作業性を向上できると共に、ウェーハとの接触面積を少なくしてウェーハに接触傷や汚れ等が付くのを抑制できる半導体ウェーハの支持具の提供が望まれていた。
【００２２】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、大口径のウェーハであっても、簡易な構成でウェーハの外周縁部の撓みを最小に抑えて装置への装填作業性を向上できると共に、ウェーハとの接触面積を少なくしてウェーハに接触傷や汚れ等が付くのを抑制できる半導体ウェーハの支持具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するため、（１）の発明は、直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上の半導体ウェーハの裏面部を下方から線接触して支持する半導体ウェーハの支持具であって、前記支持具は、円環状に形成され、前記半導体ウェーハと同心状に、かつ、前記半導体ウェーハの中心から当該半導体ウェーハの半径の０．８〜０．９８倍の領域内に配置されることを特徴とする。
【００２４】
（１）の発明によれば、円環状に形成された支持具を上記領域内に位置させることで、半導体ウェーハの撓みを最小に抑えることができる。また、支持具は、半導体ウェーハの裏面部を下方から線接触して支持できるので、半導体ウェーハとの接触面積を少なくして半導体ウェーハに接触傷や汚れ等が付くのを抑制できる。
【００２５】
（２）  （１）に記載の発明においては、前記支持具の断面形状が三角形であることが好ましい。
【００２６】
（２）の発明によれば、断面が三角形という、きわめて簡易な形状であるため、支持具を製作し易く、当該三角形の頂点部によって半導体ウェーハの裏面部を下方から線接触して支持できる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、大口径のウェーハであっても、簡易な構成で撓みを最小に抑えることができると共に、ウェーハとの接触面積を少なくしてウェーハに接触傷や汚れ等が付くのを抑制できる半導体ウェーハの支持具を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００２９】
本実施形態の半導体ウェーハ（以下、単に「ウェーハ」ともいう）は、直径が４５０ｍｍである。ここで、ウェーハの直径が４５０ｍｍであるとは、製造時の目標値としての数値であり、製造時の許容誤差等を含むものである。例えば、ウェーハの直径は、±０．２ｍｍの許容誤差を含むものとする。
【００３０】
また、本実施形態のウェーハは、厚みが８２５μｍ以上である。その意義は、直径が４５０ｍｍのウェーハで、厚みが８２５μｍ以上であれば、ウェーハの撓み量が、従来のウェーハ（直径が３００ｍｍ以下のウェーハ）の撓み量と略同等となるので、収納容器や製造装置等の設計・製造時に従来のウェーハの撓み量を適用することができる点にある。
【００３１】
図１は、本発明の実施形態に係るウェーハの支持具を示す裏面図、図２は、ウェーハの支持具を示す側断面図である。また、図３は、図１のＡ部におけるウェーハの支持具を示す拡大裏面図であり、ウェーハの支持位置と当接面等の寸法を示したものである。
【００３２】
以下、図１〜図３を参照しながら、ウェーハの支持具の構成について説明する。なお、以下の説明において、既に説明した部材と同一又は相当する部材には、同一の符号を付して重複説明を省略又は簡略化する。
【００３３】
図１に示すように、ウェーハ１０の支持具２０は、直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上のウェーハ１０の裏面部１０ａを下方から線接触して支持するためのものである。支持具２０は、円環状に形成されている。
【００３４】
また、図２に示すように、支持具２０は、断面形状が直角二等辺三角形であり、底角に相当する先端部分をそれぞれ微小な平坦に面取り加工されている。すなわち、支持具２０は、支持部２０ａによってウェーハ１０の裏面部１０ａを下方から略線接触によって支持しているとみなすことができる。
【００３５】
なお、支持部２０ａの面取り加工形状は、ウェーハ１０を上記線接触によって支持しているとみなすことができれば、上記平坦面に限定されず、曲面状であってもよい。
【００３６】
また、支持具２０は、ウェーハ１０の中心Ｃから当該ウェーハ１０の半径ｒの０．８〜０．９８倍の領域内に配置される。すなわち、図１に示すように、支持具２０は、０．８ｒで示される想像線と、０．９８ｒで示される実線（図示例の都合上、ウェーハ１０の外形線として表示）とで囲まれる領域内に配置される。なお、図１においては、支持具２０の内径を符号Ｌにて表示してある。支持具２０を上記領域内に配置する理由については、後述する。
【００３７】
また、支持具２０として好ましい材質は、石英、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化珪素、シリコン含浸炭化珪素等が挙げられる。支持具２０としてどの材質を採用するかは、対象とする工程の熱環境等に応じて適宜選定すればよい。
【００３８】
後述するように、直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上のウェーハ１０を支持具２０によって支持する場合には、支持具２０の内径Ｌが３６０〜４４０ｍｍのときに撓み量が少ないため、この内径Ｌの支持具２０で支持するのが好ましい。内径Ｌが３６０〜４４０ｍｍであるとは、直径が４５０ｍｍのウェーハ１０の半径ｒ（＝２２５ｍｍ）で換算すると、０．８ｒ〜０．９８ｒに相当する。
【００３９】
したがって、本実施形態によれば、直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上のウェーハ１０を支持具２０によって支持する場合には、ウェーハ１０と同心状に、かつ、ウェーハ１０の中心Ｃから当該ウェーハ１０の半径ｒの０．８〜０．９８倍の領域内に配置されるときに、ウェーハ１０の撓みを最小とすることができる。支持具２０による支持位置をこのように設定することにより、ウェーハケース等へウェーハ１０を装填する際の作業性を向上することができると共に、装填対象の装置をコンパクトに構成することができる。
【００４０】
次に、上記装填作業性が向上する理由等を図４及び図５を用いて説明する。
図４は、支持具２０によって内周部付近（例えば、支持具２０の内径Ｌが３００ｍｍ未満）を支持されたウェーハ１０を示す模式図であり、ウェーハケース５０の装填溝５２に装填される前の様子を示したものである。
【００４１】
また、図５は、支持具２０によって外周部付近（例えば、支持具２０の内径Ｌが３００ｍｍ以上）を支持されたウェーハ１０を示す模式図であり、ウェーハケース５０の装填溝５２に装填される前の様子を示したものである。なお、図４及び図５において、ウェーハケース５０は、ウェーハ１０の一端側の一部のみを図示してあり、他端側については図示を省略してある。
【００４２】
図４に示すように、ハンドリング治具としての支持具２０を、ウェーハ１０の半径ｒの０．８〜０．９８倍の領域外に配置してウェーハ１０を支持すると、ウェーハ１０は上向きに凸となるように撓むため、ウェーハ１０の外周縁部での撓み量は大きくなる。
【００４３】
このため、装填溝５２にウェーハ１０を装填するときには、凸部５１等との干渉トラブルを回避すべく、ウェーハ１０の外周縁部での撓み量を考慮して装填高さを設定しなければならず、作業性が良くない。
【００４４】
更に、ウェーハ１０がウェーハケース５０に装填されると、支持具２０による下方からの支持が解除され、ウェーハ１０の外周縁部付近のみが凸部５１，５１上に載置されているので、ウェーハ１０は自重によって下向きに凸となるように撓む。すなわち、撓み方向が上記装填前の場合と逆になるので、ウェーハ１０に歪が生じて損傷したり、発塵する虞がある。
【００４５】
そこで、このような不都合が生じるのを抑制すべく、本実施形態では、図５に示すように、ハンドリング治具としての支持具２０をウェーハ１０の半径ｒの０．８〜０．９８倍の領域内に配置するようにした。
【００４６】
すなわち、支持具２０を上記領域内に配置してウェーハ１０を支持すれば、ウェーハ１０の外周縁部での撓み量は、後述するように無視できるほど小さくなる。このため、ウェーハケース５０における凸部５１，５１間に形成された装填溝５２にウェーハ１０を装填するとき、ウェーハ１０の外周縁部の撓み量を考慮する必要がなく、支持具２０の位置決め高さを装填溝５２の高さと略同じになるように調整して装填すればよい。
【００４７】
また、ウェーハ１０の外周縁部の撓み量を考慮する必要がないため、ハンドリング治具としての支持具２０の上下動を少なくでき、位置決めに要する時間を低減できるので、迅速かつ効率的な装填作業を行うことができる。
【００４８】
また、ウェーハ１０の外周縁部での撓み量は無視できるほど小さいため、ウェーハケース５０の設計時に装填溝５２の幅を小さく設定することができ、装置全体をコンパクトに構成することができる。
【００４９】
したがって、直径が４５０ｍｍの大口径のウェーハ１０であっても、直径が３００ｍｍ以下の従来サイズのウェーハと同様の装填作業を行えばよく、作業性を向上させることができる。
【００５０】
また、支持具２０は、断面形状が直角二等辺三角形であり、支持部２０ａによってウェーハ１０の裏面部１０ａと線接触しているので、接触面積が少なく、ウェーハ１０に傷や汚れ等が付くのを抑制することができる。
【００５１】
また、支持具２０は、ウェーハ１０の中心Ｃから当該ウェーハ１０の半径ｒの０．８〜０．９８倍の領域内に配置されるので、ウェーハ１０の外周部を支持することができる。したがって、半導体チップ使用領域のあるウェーハ１０の中心部をできる限り避けてウェーハ１０を支持することができるので、ウェーハ１０に傷や汚れ等が付くのを抑制し、上記半導体チップ使用領域の取得率を高めることができる。
【００５２】
また、支持具２０は、円環状という簡易な形状で構成することができるので、上記ハンドリング治具に適用する場合においても構造を簡略化でき、軽量化及び製造コストの低減を図ることができる。
【００５３】
更に、支持具２０は、各種装置に備えられている水平なベース盤部分等（図示せず）に、きわめて小さな突出高さ（例えば、図２に示すように、５ｍｍの突出高さ）で設けることができる。このため、上記ウェーハケース５０等の装置の高さを小さく構成することができる。
【００５４】
また、上記装置に、ウェーハ１０を水平方向から保持装填等するためのアクセス用の開口部を設けることにより、搬送や熱処理の各工程においてウェーハ１０へのアクセスを容易に実現することができる。
【００５５】
なお、上記実施形態においては、支持具を１つの部材により円環状に形成するものとして説明したが、これに限定されない。すなわち、図６に示すように、支持具は、異なる曲率を有する２つの円弧状部材３０，４０によって全体形状を略円環状に構成されていてもよい。ここで、図６は、本発明の他のウェーハの支持具を示す裏面図である。
【００５６】
図６に示すように、支持具は、異なる曲率を有する２つの円弧状部材３０，４０によって全体形状を略円環状に構成されている。すなわち、円弧状部材４０は、円弧状部材３０よりも曲率が小さく設定されている。また、円弧状部材３０，４０の両端部同士は、当接している。
【００５７】
また、図示例を省略するが、円弧状部材３０，４０は、断面形状が直角二等辺三角形であり、底角に相当する先端部分をそれぞれ微小な平坦に面取り加工されている。すなわち、円弧状部材３０，４０は、上記一方の底角に相当する先端部分によってウェーハ１０の裏面部１０ａを下方から略線接触によって支持しているとみなすことができる。
【００５８】
円弧状部材３０，４０の曲率や各部寸法は、上記実施形態に準じて設定することができる。上記先端部分の面取り加工形状は、ウェーハ１０を上記線接触によって支持しているとみなすことができれば、上記平坦面に限定されず、曲面状であってもよい。
【００５９】
また、円弧状部材３０，４０は、中心Ｃがウェーハ１０の中心Ｃと一致するように配置されると共に、ウェーハ１０の中心Ｃから当該ウェーハ１０の半径の０．８〜０．９８倍の領域内に配置される。
【００６０】
すなわち、図６に示すように、円弧状部材３０，４０は、０．８ｒで示される想像線と、０．９８ｒで示される実線（図示例の都合上、ウェーハ１０の外形線として表示）とで囲まれる領域内に配置される。
【００６１】
上記円弧状部材３０，４０の配置位置を、ウェーハ１０の半径の０．８〜０．９８倍の領域内としたのは、上記第１実施形態と同様の理由であるので、重複説明を省略する。
【００６２】
なお、支持具の円弧状部材３０，４０として好ましい材質は、石英、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化珪素、シリコン含浸炭化珪素等が挙げられる。支持具の円弧状部材３０，４０としてどの材質を採用するかは、対象とする工程の熱環境等に応じて適宜選定すればよい。
【００６３】
上記円弧状部材３０，４０によっても、上記実施形態が奏する効果と同様の効果を期待できる。
【００６４】
また、支持具は、異なる曲率を有する３つ以上の円弧状部材によって全体形状を略円環状に構成されていてもよく、上記実施形態が奏する効果と同様の効果を期待できる。
【実施例】
【００６５】
次に、本発明について、図１〜図３、図７及び図８を参照しながら実施例を用いて更に詳細に説明する。なお、この実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。
【００６６】
本実施例では、ウェーハ１０は、直径が４５０ｍｍの単結晶シリコン製のものを用いた。そして、ウェーハ１０の厚みは、８２５μｍ、９２５μｍ、９７５μｍ及び１８００μｍとした。
【００６７】
支持具２０は、図１に示すように、全体形状を円環状に形成されている。また、支持具２０は、図２に示すように、断面形状が直角二等辺三角形に形成されている。
【００６８】
支持具２０の各部の寸法は、図２に示す通りである。すなわち、支持具２０の面取り後の上記二等辺部分を５ｍｍ、支持部２０ａの面取り部（ウェーハ１０との接触幅）を１ｍｍに形成した。支持部２０ａの高さは、５ｍｍとした。なお、図３においては、支持具２０の支持部２０ａがウェーハ１０の外周縁部から中心Ｃ側に４ｍｍ近づいた位置となるように配置された例を示している。
【００６９】
図７は、ウェーハ１０の面内各部での撓み量を示すグラフであり、支持具２０の内径Ｌを１００ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍ、４４０ｍｍと種々変化させて比較したものである。ここで、上記面内各部とは、図１に示すウェーハ１０の中心Ｃ、半径方向におけるｒ／２の位置Ｒ、ウェーハ１０の外周縁部から中心Ｃ側に１０ｍｍ近づけた位置Ｅ、支持具２０の外周縁部に相当する位置Ｒｉｎｇである。
【００７０】
また、図８は、ウェーハ１０の位置Ｅでの撓み量と支持具２０の内径Ｌとの関係を示すグラフである。
【００７１】
図７に示すように、支持具２０の内径Ｌが３００〜４００ｍｍの場合には、ウェーハ１０の厚みにかかわらず、全ての位置（中心Ｃ、位置Ｒ、位置Ｒｉｎｇ、位置Ｅ）において撓み量は概ね３００μｍ以内に収まっていることが分かる。また、支持具２０の内径Ｌが４４０ｍｍの場合には、ウェーハ１０の厚みが薄いものほど、中心Ｃでの撓み量が多くなることが分かる。
【００７２】
また、図８に示すように、ウェーハ１０の外周縁部から中心Ｃ側に１０ｍｍ近づけた位置Ｅにおいては、支持具２０の内径Ｌが３００〜４４０ｍｍのときには、どの厚みにおいても撓み量が１２５μｍ未満と非常に少なく、ウェーハ１０を良好に支持できていることが分かる。
【００７３】
上述したように、本発明は、特にウェーハ１０の外周縁部の撓み量が少なくなるように支持することで、ウェーハ１０に大きな歪み等を生じさせないようにすると共に、装填作業性を向上させることを目的としているので、支持具２０の内径Ｌが３００〜４４０ｍｍの場合に、当該目的を十分に達成し得る。
【００７４】
以上のことから、直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上のウェーハ１０を支持具２０によって支持する場合には、支持具２０の内径Ｌが３００〜４４０ｍｍのときに、撓み量が少ないため、この内径Ｌで支持するのが好ましい。支持具２０の内径Ｌが３００〜４４０ｍｍであるとは、直径が４５０ｍｍのウェーハ１０の半径ｒ（＝２２５ｍｍ）で換算すると、０．６７ｒ〜０．９８ｒに相当する。
【００７５】
したがって、本実施例によれば、直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上のウェーハ１０を支持具２０によって支持する場合には、当該支持具２０がウェーハ１０の中心Ｃから当該ウェーハ１０の半径ｒの０．６７〜０．９８倍の領域内に配置されるときに、ウェーハ１０の外周縁部（上記位置Ｅ）の撓み量を最小とすることができる。
【００７６】
また、本実施例によれば、例えば、直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みｔが１ｍｍのウェーハ１０を、高さｈが５ｍｍの支持具２０（各部の詳細な寸法は、図２参照）によって支持する場合には、図９に示すように、ウェーハケース５０の各部の寸法を一例として次のように設定することができる。ここで、図９は、ウェーハケース５０の装填溝５２等を示す部分断面図である。
【００７７】
すなわち、ウェーハ１０をウェーハケース５０に対して装填し又は取り出す際に当該ウェーハ１０が上下動する領域幅ｋを４ｍｍ（上下に±２ｍｍ）、装填時におけるウェーハ１０の振動幅ｖを２ｍｍ（上下に±１ｍｍ）、装填後のウェーハ１０の下方への撓み量ｕを１ｍｍとして見積もった場合に、例えば、凸部５１，５１のピッチｐを７ｍｍ、装填溝５２の溝幅ｓを２〜２．５ｍｍに設定することができる。
【００７８】
ここで、凸部５１，５１のピッチｐを７ｍｍとしたのは、直径が３００ｍｍのウェーハ用に製造された従来のウェーハケース５０に対して、本実施例に係る支持具２０を適用したためである。したがって、本実施例に係る支持具２０によれば、ウェーハ１０の半径ｒの０．６７〜０．９８倍の領域内を支持することによりウェーハ１０の外周縁部の撓み量を最小にできるため、ウェーハケース５０の上記ピッチｐを変えることなく、ウェーハ１０を装填し又は取り出すことができる。すなわち、大口径のウェーハ１０であっても、既存の設備をそのまま利用することができる。
【００７９】
また、支持具２０の素材を適宜選定することにより所定の強度（剛性）を確保でき、かつ、支持具２０の高さｈを更に低く形成できれば、ウェーハ１０の装填数を減らすことなく、ウェーハケース５０の凸部５１，５１のピッチｐを上記の値よりも更に小さく設定できるので、ウェーハケース５０の更なる小型化を実現することができる。
【００８０】
なお、図９においては、ウェーハ１０を装填する対象としてウェーハケース５０を例にして説明したが、これに限定されず、熱処理ボート、枚葉アニール炉、ウェーハ移載ステージ等に対しても本実施例に係る支持具２０を適用でき、同様の効果を期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施形態に係るウェーハの支持具を示す裏面図である。
【図２】ウェーハの支持具を示す側断面図である。
【図３】図１のＡ部におけるウェーハの支持具を示す拡大裏面図である。
【図４】支持具によって内周部付近を支持されたウェーハを示す模式図である。
【図５】支持具によって外周部付近を支持されたウェーハを示す模式図である。
【図６】本発明の他のウェーハの支持具を示す裏面図である。
【図７】ウェーハの面内各部での撓み量を示すグラフである。
【図８】ウェーハの位置Ｅでの撓み量と支持具の内径との関係を示すグラフである。
【図９】ウェーハケースの装填溝等を示す部分断面図である。
【図１０】従来の支持具によりウェーハをウェーハケースに装填する様子を示す模式図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０  ウェーハ（半導体ウェーハ）
１０ａ  裏面部
２０  支持具
２０ａ  支持部
３０，４０  円弧状部材（支持具）
Ｃ  中心
Ｌ  内径
ｒ  半径
【図１】
2010050130.tif 000003
【図２】
2010050130.tif 000004
【図３】
2010050130.tif 000005
【図４】
2010050130.tif 000006
【図５】
2010050130.tif 000007
【図６】
2010050130.tif 000008
【図７】
2010050130.tif 000009
【図８】
2010050130.tif 000010
【図９】
2010050130.tif 000011
【図１０】
2010050130.tif 000012