(57)【要約】【課題】露光量不足を生じさせずに模様を描画し得る描画方法を提供する。【解決手段】非露光領域Ａｂのうちの１つが非露光領域Ａｂに対して回転半径方向で接する２つの露光領域Ａａ１と回転方向で接する２つの露光領域Ａａ２とで囲まれ、露光領域Ａａ１の回転方向に沿った長さＬ１よりも露光領域Ａａ２の回転方向に沿った長さＬ２を短くすべき部位が存在する露光パターンＰＡ（模様）の描画時に、露光領域Ａａ１とすべき第１領域への照射回数をＮ回、露光領域Ａａ２とすべき第２領域への照射回数をＭ回としたときに、第１領域の回転半径方向に沿った第３の長さＬ３を（Ｎ＋１）で除した値よりも、Ｍ回のうちの最内周側への照射時におけるビーム中心と最外周側への照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った第４の長さＬ４を（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように照射する。【選択図】図８
2010165446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に樹脂層が形成された基材を回転させつつ描画用ビームを当該樹脂層に照射して複数の露光領域と複数の非露光領域とからなる模様を当該樹脂層に描画する際に、当該基材の回転方向に沿って当該描画用ビームを当該樹脂層に照射する処理を複数回に亘って実行し、当該処理時に当該基材の回転半径方向における当該描画用ビームの照射位置を少なくとも一部の領域において所定の照射ピッチで変更する描画方法であって、
前記複数の非露光領域のうちの所定の１つが当該所定の１つの非露光領域に対して前記回転半径方向で接する２つの第１露光領域と当該所定の１つの非露光領域に対して前記回転方向で接する２つの第２露光領域との４つの前記露光領域によって囲まれると共に、当該２つの第１露光領域の少なくとも一方における当該回転方向に沿った第１の長さよりも当該２つの第２露光領域の少なくとも一方における当該回転方向に沿った第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、当該少なくとも一方の第１露光領域とすべき第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの照射回数をＮ回（Ｎは、２以上の自然数）とし、かつ当該第１領域における前記回転半径方向に沿った長さを第３の長さとすると共に、当該少なくとも一方の第２露光領域とすべき第２領域に向けて照射する前記描画用ビームの照射回数をＭ回（Ｍは、２以上の自然数）とし、かつ当該Ｍ回の当該描画用ビームの照射のうちの当該第２領域における前記回転半径方向の最内周側への当該描画用ビームの照射時におけるビーム中心と当該第２領域における当該回転半径方向の最外周側への当該描画用ビームの照射時におけるビーム中心との間の当該回転半径方向に沿った長さを第４の長さとしたときに、当該第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも当該第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように当該描画用ビームを前記樹脂層に照射する描画方法。
【請求項２】
前記所定の１つの非露光領域が前記４つの露光領域によって囲まれると共に、前記少なくとも一方の第１露光領域における前記第１の長さよりも前記少なくとも一方の第２露光領域における前記第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、前記第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの第１の平均照射ピッチが前記第２領域に向けて照射する当該描画用ビームの第２の平均照射ピッチよりも狭くなるように当該描画用ビームを前記樹脂層に照射する請求項１記載の描画方法。
【請求項３】
前記所定の１つの非露光領域が前記４つの露光領域によって囲まれると共に、前記少なくとも一方の第１露光領域における前記第１の長さよりも前記少なくとも一方の第２露光領域における前記第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、前記第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの第１の平均照射ピッチよりも前記第２領域に向けて照射する当該描画用ビームの第２の平均照射ピッチが狭くなるように当該描画用ビームを前記樹脂層に照射する請求項１記載の描画方法。
【請求項４】
前記第２領域における前記回転半径方向の中央部に対する前記描画用ビームの前記照射ピッチが前記第１の平均照射ピッチよりも狭くなるように当該描画用ビームを前記樹脂層に照射する請求項３記載の描画方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の描画方法に従って前記樹脂層に前記模様を描画し、その後に現像処理して前記露光領域および前記非露光領域のいずれかに凹部を形成することによって前記基材の上に凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターン、および当該凹凸パターンを用いて形成した凹凸パターンのいずれかを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造するスタンパー製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のスタンパー製造方法に従って製造した前記スタンパーを用いてインプリント処理を実行して情報記録媒体製造用の中間体の上のマスク形成層にマスク用凹凸パターンを形成し、当該マスク用凹凸パターンを形成した当該マスク形成層をマスクとして用いて前記中間体をエッチング処理して情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法。
【請求項７】
表面に樹脂層が形成された基材を回転させる回転機構と、前記樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射部と、前記基材の回転半径方向における前記描画用ビームの照射位置を変更する照射位置変更部と、複数の露光領域と複数の非露光領域とからなる模様を前記樹脂層に描画する際に前記回転機構を制御して前記基材を回転させると共に前記ビーム照射部を制御して当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを当該樹脂層に照射させる処理を複数回に亘って実行させ、当該処理時に前記照射位置変更部を制御して前記照射位置を少なくとも一部の領域において所定の照射ピッチで変更させる制御部とを備えた描画装置であって、
前記制御部は、前記複数の非露光領域のうちの所定の１つが当該所定の１つの非露光領域に対して前記回転半径方向で接する２つの第１露光領域と当該所定の１つの非露光領域に対して前記回転方向で接する２つの第２露光領域との４つの前記露光領域によって囲まれると共に、当該２つの第１露光領域の少なくとも一方における当該回転方向に沿った第１の長さよりも当該２つの第２露光領域の少なくとも一方における当該回転方向に沿った第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、当該少なくとも一方の第１露光領域とすべき第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの照射回数をＮ回（Ｎは、２以上の自然数）とし、かつ当該第１領域における前記回転半径方向に沿った長さを第３の長さとすると共に、当該少なくとも一方の第２露光領域とすべき第２領域に向けて照射する前記描画用ビームの照射回数をＭ回（Ｍは、２以上の自然数）とし、かつ当該Ｍ回の当該描画用ビームの照射のうちの当該第２領域における前記回転半径方向の最内周側への当該描画用ビームの照射時におけるビーム中心と当該第２領域における当該回転半径方向の最外周側への当該描画用ビームの照射時におけるビーム中心との間の当該回転半径方向に沿った長さを第４の長さとしたときに、当該第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも当該第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように前記照射位置変更部を制御する描画装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記所定の１つの非露光領域が前記４つの露光領域によって囲まれると共に、前記少なくとも一方の第１露光領域における前記第１の長さよりも前記少なくとも一方の第２露光領域における前記第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、前記第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの第１の平均照射ピッチが前記第２領域に向けて照射する当該描画用ビームの第２の平均照射ピッチよりも狭くなるように前記照射位置変更部を制御する請求項７記載の描画装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記所定の１つの非露光領域が前記４つの露光領域によって囲まれると共に、前記少なくとも一方の第１露光領域における前記第１の長さよりも前記少なくとも一方の第２露光領域における前記第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、前記第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの第１の平均照射ピッチよりも前記第２領域に向けて照射する当該描画用ビームの第２の平均照射ピッチが狭くなるように前記照射位置変更部を制御する請求項７記載の描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の露光領域と複数の非露光領域とからなる模様を樹脂層に描画する描画方法および描画装置、描画した模様を用いてスタンパーを製造するスタンパー製造方法、並びに製造したスタンパーを用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の描画方法、スタンパー製造方法および情報記録媒体製造方法として、出願人は、ディスクリートトラック型の磁気ディスクを製造するためのマザースタンパーの製造に際してスタンパー製造用のパターン（模様）を樹脂層（ポジ型レジストの層）に描画する描画方法を特開２００６−２６８９３４号公報に開示している。出願人が開示しているこの描画方法では、まず、シリコン基板の上にポジ型レジストを塗布して樹脂層（レジスト層）を形成した後にベーク処理する。次いで、電子線描画装置を用いて、製作すべきマザースタンパーの凹凸パターンにおける凹部の平面パターンを樹脂層に描画する。具体的には、樹脂層を形成したシリコン基板を回転ステージの上にセットして回転させつつ、樹脂層に向けて電子線を照射する。この際に、電子線描画装置の制御部は、回転ステージを制御してシリコン基板の回転速度を一定に維持させつつ、電子線照射部を制御して電子線の照射をブランキング制御すると共に、シリコン基板を１回転させる度に電子線の回転半径方向における照射位置を一定のピッチで変更させる。これにより、シリコン基板の回転方向に沿った複数の帯状領域に分けて電子線が順次照射されて上記の平面パターンが樹脂層に描画される。
【０００３】
また、上記のマザースタンパーを製造する際には、平面パターンの描画が完了した樹脂層に対する現像処理を実行することにより、電子線の照射によって樹脂層に形成した潜像の部位（電子線の照射領域）をシリコン基板上から消失させて凹部を形成し、この凹部と、残存した樹脂層からなる凸部とを有する凹凸パターンをシリコン基板の上に形成する。次いで、形成した凹凸パターンをニッケルに転写することによって上記の凹凸パターンと凹凸位置関係が反転したニッケル製のマスタースタンパーを製造する。続いて、マスタースタンパーの凹凸パターンをニッケルに転写することによって上記の凹凸パターンと凹凸位置関係が反転したニッケル製のマザースタンパーを製造する。この後、製造したマザースタンパーを用いたインプリント処理を実行することにより、磁気ディスク製造用の中間体にエッチング処理用のマスクパターンを形成し、形成したマスクパターンをマスクとして用いて磁性層をエッチングすることにより、ディスクリートトラック型の磁気ディスクが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２６８９３４号公報（第９−２３頁、第１−４０図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、出願人が開示している描画方法には、以下の解決すべき課題がある。すなわち、出願人が開示している描画方法（以下、「従来の描画方法」ともいう）では、マザースタンパーの凹凸パターンにおける凹部の平面パターンを樹脂層に描画する際に、シリコン基板を１回転させる度に樹脂層に対する電子線（電子ビーム）の回転半径方向における照射位置を一定のピッチで変更させることによってシリコン基板の回転方向に沿った複数の帯状領域に分けて樹脂層に電子ビームを順次照射している。この場合、情報記録媒体（磁気記録媒体等）の高密度記録化に伴って情報記録媒体製造用のスタンパーにおける凹凸パターンの微細化が進んでいる今日では、スタンパーの製造に際して一層微細な平面パターンを描画する必要が生じている。
【０００６】
一方、上記の平面パターンのなかには、複数の非露光領域（樹脂層がポジ型レジストの場合には、現像処理後にシリコン基板上に残留する領域であり、ネガ型レジストの場合には、現像処理時にシリコン基板上から消失する領域）が、露光領域（樹脂層がポジ型レジストの場合には、現像処理時にシリコン基板上から消失する領域であり、ネガ型レジストの場合には、現像処理後にシリコン基板上に残留する領域）を挟んでシリコン基板の回転方向および回転半径方向の両方向に並んでいる部位が存在する。この場合、出願人は、従来の描画方法に従って微細な平面パターンを描画したときに、平面パターンの種類によっては、上記のように複数の非露光領域が露光領域を挟んで回転方向および回転半径方向の両方向に並んでいる部位において、非露光領域に対して回転半径方向で接している露光領域よりも、非露光領域に対して回転方向で接している露光領域の方が電子ビームの照射量が少量となり、これに起因して、非露光領域に対して回転方向で接している露光領域において露光量の不足が生じる事態を招くことがあるのを見出した。
【０００７】
具体的には、従来の描画方法では、一例として、上記の平面パターンとしての露光パターンＰａｘ，Ｐｂｘ（図３３参照）を樹脂層としてのポジ型レジストの層に描画する際に、図３４，３５に示すように、非露光領域Ａｂｘ（一例として、中央部上寄りの非露光領域Ａｂｘ）に対してシリコン基板の回転半径方向（同図における左右方向）で接している露光領域Ａａ１ｘ（同図において右下がりの破線で塗り潰した領域）、および回転方向（同図における上下方向）で接している露光領域Ａａ２ｘ（同図において左下がりの破線で塗り潰した領域）の双方に対して電子ビームを互いに等しい照射ピッチＰ１で照射している。なお、図３３〜３５では、露光パターンＰａｘ，Ｐｂｘのうちのバーストパターンに対応する部位を図示している。また、図３３〜３５における露光領域Ａａｘは、電子ビームＥＢの照射によって現像時に消失する領域を図示している。さらに、図３４，３５では、露光パターンＰａｘ，Ｐｂｘの描画に際して樹脂層に向けて照射する電子ビームのビーム中心が相対的に通過する軌跡を太線Ｌで図示している。
【０００８】
この場合、上記の露光パターンＰａｘ，Ｐｂｘでは、露光領域Ａａ１ｘの回転方向に沿った長さＬ１（図３３参照）よりも露光領域Ａａ２ｘの回転方向に沿った長さＬ２（図３３参照）の方が短くなっている。このため、この露光パターンＰａｘ，Ｐｂｘの描画に際しては、１回の電子ビームの照射（走査）において、露光領域Ａａ１ｘに向けて電子ビームを照射する樹脂層上の距離（すなわち、照射時間）よりも露光領域Ａａ２ｘに向けて電子ビームを照射する樹脂層上の距離（照射時間）の方が短くなる。また、従来の描画方法では、上記したように、露光領域Ａａ１ｘ，Ａａ２ｘの双方に対して電子ビームを互いに等しい照射ピッチＰ１で照射している。
【０００９】
一方、出願人は、従来の描画方法に従い、露光領域Ａａ１ｘ，Ａａ２ｘの双方に対して互いに等しい照射ピッチＰ１で電子ビームを照射したときに、電子ビームを照射する樹脂層上の距離（照射時間）が短い上記の露光領域Ａａ２ｘにおいて露光量の不足が生じることがあるのを見出した。この場合、露光領域Ａａ２ｘにおいて露光量の不足が生じた状態の露光パターンＰａｘ，Ｐｂｘでは、描画処理の後に樹脂層（この例では、ポジ型レジストの層）を現像処理した際に、本来的にはシリコン基板上から消失すべき領域である露光領域Ａａ２ｘの一部においてシリコン基板上に樹脂層が残留して、マスタースタンパー製造用の上記の凹凸パターンに欠陥が生じることがある。
【００１０】
したがって、そのような欠陥が生じた凹凸パターンを用いて製造したマスタースタンパーを用いてインプリント処理用のマザースタンパーを製造したときには、本来的には凹部が形成されているべき部位に小さな凸部が形成されたり、最悪の場合には、マザースタンパーにおいて本来的には別個独立して形成されるべき凸部が、上記の露光量不足が生じた部位に対応する部位において繋がった状態となったりする。このため、そのような欠陥が生じたマザースタンパーを用いてインプリント処理を実行することで、磁気ディスクにおいて本来的には凸部が形成されているべき部位に小さな凹部が形成されたり、最悪の場合には、別個独立して形成されるべき凹部が上記の露光量不足が生じた部位に対応する部位において繋がった状態となったりすることとなり、これらの欠陥に起因して磁気的信号の正確な読み出しが困難となるおそれがある。このように、従来の描画方法では、非露光領域に対して回転方向で接している露光領域において露光量不足に起因する欠陥が生じることがあるため、この点を改善するのが好ましい。
【００１１】
また、情報記録媒体（磁気記録媒体等）の高密度記録化が進んでいる今日では、そのトラックピッチを一層小さくするために、スタンパーの製造時に描画する露光パターンの各部における回転半径方向のサイズを一層小さく描画する必要が生じている。したがって、上記の露光パターンＰａｘ等において回転半径方向で隣り合う非露光領域Ａｂｘの間の露光領域Ａａｘ（露光領域Ａａ１ｘ）の回転半径方向に沿った長さＬ３ｘ（図３４参照）や、非露光領域Ａｂｘの回転半径方向に沿った長さＬ４ｘ（図３４参照）を一層短くする必要が生じている。この場合、出願人は、非露光領域Ａｂｘの長さＬ４ｘについては、比較的容易に短くして露光パターンを描画することができるものの、露光領域Ａａｘ（露光領域Ａａ１ｘ）の長さＬ３ｘが短くなるように描画したときには、露光量不足が生じる事態を招くことがあることを見出した。
【００１２】
具体的には、図３４に示すように、上記の露光パターンＰａｘの描画に際しては、１つの露光領域Ａａ１ｘを描画するために照射ピッチＰ１で５回に亘って樹脂層に電子ビームを照射している。一方、露光領域Ａａ１ｘの回転半径方向に沿った長さを長さＬ３ｘよりも短くするために、他の描画条件を変更することなく、１つの露光領域Ａａ１ｘを描画するために樹脂層に電子ビームを照射する回数を例えば４回としたときには、描画される露光領域Ａａ１ｘの回転半径方向に沿った長さが照射ピッチＰ１に相当する長さだけ長さＬ３ｘよりも短くなるものの、その露光領域Ａａ１ｘにおいて露光量不足が生じる事態を招くことがある。この場合、露光領域Ａａ１ｘにおいて露光量の不足が生じた状態の露光パターンＰａｘ（図示せず）では、描画処理の後に樹脂層を現像処理した際に、本来的にはシリコン基板上から消失すべき領域である露光領域Ａａ１ｘの一部においてシリコン基板上に樹脂層が残留して、マスタースタンパー製造用の上記の凹凸パターンに欠陥が生じることがある。このため、この点を改善するのが好ましい。
【００１３】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、露光量不足を生じさせることなく模様を描画し得る描画方法および描画装置、並びに、欠陥を生じさせることなく凹凸パターンを形成し得るスタンパー製造方法および情報記録媒体製造方法を提供することを主目的とする。また、露光量不足を生じさせることなく、必要に応じて回転半径方向に沿った長さを十分に短くして模様を描画し得る描画方法および描画装置、並びに、必要に応じて回転半径方向に沿った長さを十分に短くしても欠陥を生じさせることなく凹凸パターンを形成し得るスタンパー製造方法および情報記録媒体製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成すべく本発明に係る描画方法は、表面に樹脂層が形成された基材を回転させつつ描画用ビームを当該樹脂層に照射して複数の露光領域と複数の非露光領域とからなる模様を当該樹脂層に描画する際に、当該基材の回転方向に沿って当該描画用ビームを当該樹脂層に照射する処理を複数回に亘って実行し、当該処理時に当該基材の回転半径方向における当該描画用ビームの照射位置を少なくとも一部の領域において所定の照射ピッチで変更する描画方法であって、前記複数の非露光領域のうちの所定の１つが当該所定の１つの非露光領域に対して前記回転半径方向で接する２つの第１露光領域と当該所定の１つの非露光領域に対して前記回転方向で接する２つの第２露光領域との４つの前記露光領域によって囲まれると共に、当該２つの第１露光領域の少なくとも一方における当該回転方向に沿った第１の長さよりも当該２つの第２露光領域の少なくとも一方における当該回転方向に沿った第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、当該少なくとも一方の第１露光領域とすべき第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの照射回数をＮ回（Ｎは、２以上の自然数）とし、かつ当該第１領域における前記回転半径方向に沿った長さを第３の長さとすると共に、当該少なくとも一方の第２露光領域とすべき第２領域に向けて照射する前記描画用ビームの照射回数をＭ回（Ｍは、２以上の自然数）とし、かつ当該Ｍ回の当該描画用ビームの照射のうちの当該第２領域における前記回転半径方向の最内周側への当該描画用ビームの照射時におけるビーム中心と当該第２領域における当該回転半径方向の最外周側への当該描画用ビームの照射時におけるビーム中心との間の当該回転半径方向に沿った長さを第４の長さとしたときに、当該第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも当該第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように当該描画用ビームを前記樹脂層に照射する。
【００１５】
この場合、本明細書における「露光領域」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、模様の描画を完了した後の現像処理によって基材上から消失する領域と一致する領域を意味し、ネガ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、現像処理によって基材上に残留する領域と一致する領域を意味する。また、本明細書における「非露光領域」とは、描画用ビームが照射されない領域だけでなく、露光領域に対する照射に伴って描画用ビームが僅かに照射されるものの、現像後において描画用ビームが照射されない領域と同様の状態となる領域を含む。具体的には、樹脂層としてのポジ型レジストの層に模様を描画する場合には、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像後に基材上に残存する領域を意味し、樹脂層としてのネガ型レジストの層に模様を描画する場合には、描画用ビームが照射されない領域と同様にして現像時に基材上から消失する領域を意味する。
【００１６】
また、上記の「第１露光領域」とは、所定の１つの非露光領域に対して回転半径方向に位置し、かつその１つの非露光領域において対向する回転半径方向に沿った両辺を延長した一対の仮想延長線で区画される領域内に含まれる露光領域を意味する。この場合、この「第１露光領域」には、所定の１つの非露光領域に対して回転半径方向に位置して回転方向に沿った長さが所定の１つの非露光領域の回転方向に沿った長さと等しい独立した露光領域だけでなく、所定の１つの非露光領域に対して回転半径方向に位置して回転方向に沿った長さが所定の１つの非露光領域の回転方向に沿った長さよりも長い露光領域のうちの上記一対の仮想延長線で区画される範囲内の露光領域（「第１の露光領域」における回転方向の両端部のいずれか少なくとも一方に露光領域が連続して存在する形態）が含まれる。
【００１７】
さらに、上記の「第２露光領域」とは、所定の１つの非露光領域に対して回転方向に位置し、かつその１つの非露光領域において対向する回転方向に沿った両辺を延長した一対の仮想延長線で区画される領域内に含まれる露光領域を意味する。この場合、この「第２露光領域」には、所定の１つの非露光領域に対して回転方向に位置して回転半径方向に沿った長さが所定の１つの非露光領域の回転半径方向に沿った長さと等しい独立した露光領域だけでなく、所定の１つの非露光領域に対して回転方向に位置して回転半径方向に沿った長さが所定の１つの非露光領域の回転半径方向に沿った長さよりも長い露光領域のうちの上記一対の仮想延長線で区画される範囲内の露光領域（「第２の露光領域」における回転半径方向の両端部のいずれか少なくとも一方に露光領域が連続して存在する形態）が含まれる。
【００１８】
また、上記の「第１領域に向けて照射する描画用ビームの照射回数」とは、模様の描画に際して描画用ビームのビーム中心が第１領域を相対的に通過する回数（通過回数）を意味する。さらに、上記の「第２領域に向けて照射する描画用ビームの照射回数」とは、模様の描画に際して描画用ビームのビーム中心が第２領域を相対的に通過する回数（通過回数）を意味する。なお、発明を明確とするために、描画用ビームのビーム中心が第２領域における回転半径方向の端部と一致する照射については「第２領域に向けて照射する描画用ビームの照射回数」に含めるものとする。
【００１９】
また、本発明に係る描画方法は、前記所定の１つの非露光領域が前記４つの露光領域によって囲まれると共に、前記少なくとも一方の第１露光領域における前記第１の長さよりも前記少なくとも一方の第２露光領域における前記第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、前記第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの第１の平均照射ピッチが前記第２領域に向けて照射する当該描画用ビームの第２の平均照射ピッチよりも狭くなるように当該描画用ビームを前記樹脂層に照射する。
【００２０】
また、本発明に係る描画方法は、前記所定の１つの非露光領域が前記４つの露光領域によって囲まれると共に、前記少なくとも一方の第１露光領域における前記第１の長さよりも前記少なくとも一方の第２露光領域における前記第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、前記第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの第１の平均照射ピッチよりも前記第２領域に向けて照射する当該描画用ビームの第２の平均照射ピッチが狭くなるように当該描画用ビームを前記樹脂層に照射する。
【００２１】
さらに、本発明に係る描画方法は、前記第２領域における前記回転半径方向の中央部に対する前記描画用ビームの前記照射ピッチが前記第１の平均照射ピッチよりも狭くなるように当該描画用ビームを前記樹脂層に照射する。
【００２２】
また、本発明に係るスタンパー製造方法は、上記のいずれかの描画方法に従って前記樹脂層に前記模様を描画し、その後に現像処理して前記露光領域および前記非露光領域のいずれかに凹部を形成することによって前記基材の上に凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターン、および当該凹凸パターンを用いて形成した凹凸パターンのいずれかを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造する。
【００２３】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法は、上記のスタンパー製造方法に従って製造した前記スタンパーを用いてインプリント処理を実行して情報記録媒体製造用の中間体の上のマスク形成層にマスク用凹凸パターンを形成し、当該マスク用凹凸パターンを形成した当該マスク形成層をマスクとして用いて前記中間体をエッチング処理して情報記録媒体を製造する。
【００２４】
また、本発明に係る描画装置は、表面に樹脂層が形成された基材を回転させる回転機構と、前記樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射部と、前記基材の回転半径方向における前記描画用ビームの照射位置を変更する照射位置変更部と、複数の露光領域と複数の非露光領域とからなる模様を前記樹脂層に描画する際に前記回転機構を制御して前記基材を回転させると共に前記ビーム照射部を制御して当該基材の回転方向に沿って前記描画用ビームを当該樹脂層に照射させる処理を複数回に亘って実行させ、当該処理時に前記照射位置変更部を制御して前記照射位置を少なくとも一部の領域において所定の照射ピッチで変更させる制御部とを備えた描画装置であって、前記制御部が、前記複数の非露光領域のうちの所定の１つが当該所定の１つの非露光領域に対して前記回転半径方向で接する２つの第１露光領域と当該所定の１つの非露光領域に対して前記回転方向で接する２つの第２露光領域との４つの前記露光領域によって囲まれると共に、当該２つの第１露光領域の少なくとも一方における当該回転方向に沿った第１の長さよりも当該２つの第２露光領域の少なくとも一方における当該回転方向に沿った第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、当該少なくとも一方の第１露光領域とすべき第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの照射回数をＮ回（Ｎは、２以上の自然数）とし、かつ当該第１領域における前記回転半径方向に沿った長さを第３の長さとすると共に、当該少なくとも一方の第２露光領域とすべき第２領域に向けて照射する前記描画用ビームの照射回数をＭ回（Ｍは、２以上の自然数）とし、かつ当該Ｍ回の当該描画用ビームの照射のうちの当該第２領域における前記回転半径方向の最内周側への当該描画用ビームの照射時におけるビーム中心と当該第２領域における当該回転半径方向の最外周側への当該描画用ビームの照射時におけるビーム中心との間の当該回転半径方向に沿った長さを第４の長さとしたときに、当該第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも当該第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように前記照射位置変更部を制御する。
【００２５】
また、本発明に係る描画装置は、前記制御部が、前記所定の１つの非露光領域が前記４つの露光領域によって囲まれると共に、前記少なくとも一方の第１露光領域における前記第１の長さよりも前記少なくとも一方の第２露光領域における前記第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、前記第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの第１の平均照射ピッチが前記第２領域に向けて照射する当該描画用ビームの第２の平均照射ピッチよりも狭くなるように前記照射位置変更部を制御する。
【００２６】
また、本発明に係る描画装置は、前記制御部が、前記所定の１つの非露光領域が前記４つの露光領域によって囲まれると共に、前記少なくとも一方の第１露光領域における前記第１の長さよりも前記少なくとも一方の第２露光領域における前記第２の長さを短くすべき部位が存在する前記模様を描画するときに、前記第１領域に向けて照射する前記描画用ビームの第１の平均照射ピッチよりも前記第２領域に向けて照射する当該描画用ビームの第２の平均照射ピッチが狭くなるように前記照射位置変更部を制御する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る描画方法および描画装置では、複数の非露光領域のうちの所定の１つが所定の１つの非露光領域に対して回転半径方向で接する２つの第１露光領域と所定の１つの非露光領域に対して回転方向で接する２つの第２露光領域との４つの露光領域によって囲まれると共に、２つの第１露光領域の少なくとも一方における回転方向に沿った第１の長さよりも２つの第２露光領域の少なくとも一方における回転方向に沿った第２の長さを短くすべき部位が存在する模様を描画するときに、少なくとも一方の第１露光領域とすべき第１領域に向けて照射する描画用ビームの照射回数をＮ回とし、かつ第１領域における回転半径方向に沿った長さを第３の長さとすると共に、少なくとも一方の第２露光領域とすべき第２領域に向けて照射する描画用ビームの照射回数をＭ回とし、かつＭ回の描画用ビームの照射のうちの第２領域における回転半径方向の最内周側への描画用ビームの照射時におけるビーム中心と第２領域における回転半径方向の最外周側への描画用ビームの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さを第４の長さとしたときに、第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように描画用ビームを樹脂層に照射する。
【００２８】
また、本発明に係る描画方法および描画装置では、上記の所定の１つの非露光領域が上記の４つの露光領域によって囲まれると共に、上記の少なくとも一方の第１露光領域における第１の長さよりも上記の少なくとも一方の第２露光領域における第２の長さを短くすべき部位が存在する模様を描画するときに、第１領域に向けて照射する描画用ビームの第１の平均照射ピッチが第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチよりも狭くなるとの条件、および、第１領域に向けて照射する描画用ビームの第１の平均照射ピッチよりも第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチが狭くなるとの条件のいずれかを満たすように描画用ビームを樹脂層に照射する。
【００２９】
これらの描画方法および描画装置によれば、その回転方向に沿った長さが短いために、第１領域よりも描画用ビームの照射距離（照射時間）が短く、これに起因して露光量不足が生じ易い第２露光領域とすべき第２領域に対して、第１領域と同様に十分な量の描画用ビームを照射することができる。これにより、これらの描画方法および描画装置によれば、模様の描画後に現像処理することで形成される凹凸パターンに欠陥（露光領域に対応して凹部が形成されるべき部位に凸部が形成された状態となる欠陥、または露光領域に対応して凸部が形成されるべき部位に凹部が形成された状態となる欠陥）が生じる事態を回避して、所望の凹凸パターンを高精度で形成することができる。この場合、第１領域に向けて照射する描画用ビームの第１の平均照射ピッチが第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチよりも狭くなるように描画用ビームを樹脂層に照射することにより、模様の各部における回転半径方向に沿った長さを短くしたときに露光量不足が生じ易い第１露光領域とすべき第１領域に対して十分な量の描画用ビームを照射することができるため、上記の効果を奏することができる。
【００３０】
また、本発明に係る描画方法によれば、第２領域における回転半径方向の中央部に対する描画用ビームの照射ピッチが第１の平均照射ピッチよりも狭くなるように描画用ビームを樹脂層に照射することにより、第２露光領域において露光量不足が生じ易い回転半径方向における中央部に対して十分な量の描画用ビームを確実に照射することができるため、現像処理によって形成される凹凸パターンに欠陥が生じる事態を確実に回避することができる。
【００３１】
また、本発明に係るスタンパー製造方法によれば、上記のいずれかの描画方法に従って樹脂層に模様を描画し、その後に現像処理して露光領域および非露光領域のいずれかに凹部を形成することによって基材の上に凹凸パターンを形成し、凹凸パターン、および凹凸パターンを用いて形成した凹凸パターンのいずれかを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造することにより、欠陥が存在する凹凸パターンがスタンパーに形成される事態を回避して、所望の凹凸パターンが高精度で形成されたスタンパーを製造することができる。したがって、このスタンパー製造方法によれば、製造したスタンパーを用いたインプリント処理によって凹凸パターン（マスクパターン）を形成して磁気記録媒体等を製造することで、サーボパターンの読み取りエラー等を招くおそれがある欠陥が存在しないパターンを高精度で形成することができる。この場合、模様の描画に際して第１領域に向けて照射する描画用ビームの第１の平均照射ピッチが第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチよりも狭くなるように描画用ビームを樹脂層に照射して製造したスタンパーを使用して情報記録媒体を製造することにより、サーボパターン等の各部における回転半径方向に沿った長さを短くして記録密度を十分に高めることができる。
【００３２】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法によれば、上記のスタンパー製造方法に従って製造したスタンパーを用いてインプリント処理を実行して情報記録媒体製造用の中間体の上のマスク形成層にマスク用凹凸パターンを形成し、マスク用凹凸パターンを形成したマスク形成層をマスクとして用いて中間体をエッチング処理して情報記録媒体を製造することにより、凹凸パターンが高精度で形成されたスタンパーを用いたインプリント処理によって凹凸パターン（マスクパターン）を形成して情報記録媒体を製造し、サーボパターンの読み取りエラー等を招くおそれがある欠陥が存在しない高精度なパターンが形成された情報記録媒体を製造することができる。この場合、模様の描画に際して第１領域に向けて照射する描画用ビームの第１の平均照射ピッチが第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチよりも狭くなるように描画用ビームを樹脂層に照射して製造したスタンパーを使用することにより、サーボパターン等の各部における回転半径方向に沿った長さが十分に短く、高密度記録が可能な情報記録媒体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】電子ビーム描画装置１のブロック図である。
【図２】磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃの断面図である。
【図３】スタンパー４０の断面図である。
【図４】磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃを製造するための中間体１００およびＢマスク層１１８の断面図である。
【図５】スタンパー４０を製造する際に使用する加工対象体１０の断面図である。
【図６】露光パターンＰＡ，ＰＢ，ＰＣの平面図である。
【図７】露光パターンＰＡ（露光領域Ａａおよび非露光領域Ａｂ）と電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図８】露光パターンＰＡにおける露光領域Ａａ（露光領域Ａａ１，Ａａ２）および非露光領域Ａｂと電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図９】樹脂層１２に対する描画が完了した後に現像処理して凹凸パターン１５を形成した状態の加工対象体１０の断面図である。
【図１０】加工対象体１０における凹凸パターン１５の上にニッケル層２１を形成した状態の断面図である。
【図１１】ニッケル層２１を電極として用いた電鋳処理によってニッケル層２２を形成してスタンパー２０を形成した状態の断面図である。
【図１２】スタンパー２０を用いた電鋳処理によってスタンパー３０を形成した状態の断面図である。
【図１３】スタンパー３０を用いた射出成形処理によってスタンパー４０を形成した状態の断面図である。
【図１４】中間体１００の上のＢマスク層１１８にスタンパー４０の各凸部４６を押し込んだ状態の断面図である。
【図１５】図１４に示す状態のＢマスク層１１８（中間体１００）からスタンパー４０を剥離した状態の断面図である。
【図１６】Ｂマスク層１１８（凹凸パターン１４５）をマスクとして用いたエッチング処理によってＡマスク層１１７に凹凸パターン１５５を形成した状態の中間体１００の断面図である。
【図１７】Ａマスク層１１７（凹凸パターン１５５）をマスクとして用いたエッチング処理によって磁性層１１４に凹凸パターン１２５を形成した状態の中間体１００の断面図である。
【図１８】凹凸パターン１２５の上に非磁性材料１１５の層を形成した状態の中間体１００の断面図である。
【図１９】非磁性材料１１５の層に対するエッチング処理によって表面を平坦化した状態の中間体１００の断面図である。
【図２０】露光パターンＰＡａにおける露光領域Ａａ（露光領域Ａａ１，Ａａ２）および非露光領域Ａｂと電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図２１】露光パターンＰＢ（露光領域Ａａおよび非露光領域Ａｂ）と電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図２２】露光パターンＰＢにおける露光領域Ａａ（露光領域Ａａ１，Ａａ２）および非露光領域Ａｂと電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図２３】露光パターンＰＢａにおける露光領域Ａａ（露光領域Ａａ１，Ａａ２）および非露光領域Ａｂと電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図２４】露光パターンＰＣ（露光領域Ａａおよび非露光領域Ａｂ）と電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図２５】露光パターンＰＣにおける露光領域Ａａ（露光領域Ａａ１，Ａａ２）および非露光領域Ａｂと電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図２６】露光パターンＰＡｂ，ＰＢｂ，ＰＣｂ（非露光領域Ａｂおよび領域Ａ１，Ａ２）の概念図である。
【図２７】露光パターンＰＡｃ，ＰＢｃ，ＰＣｃ（非露光領域Ａｂおよび領域Ａ１，Ａ２）の概念図である。
【図２８】露光パターンＰＡｄ，ＰＢｄ，ＰＣｄ（非露光領域Ａｂおよび領域Ａ１，Ａ２）の概念図である。
【図２９】露光パターンＰＡｅ，ＰＢｅ，ＰＣｅ（非露光領域Ａｂおよび領域Ａ１，Ａ２）の概念図である。
【図３０】露光パターンＰＡｆ，ＰＢｆ，ＰＣｆ（非露光領域Ａｂおよび領域Ａ１，Ａ２）の概念図である。
【図３１】露光パターンＰＡｇ，ＰＢｇ，ＰＣｇ（非露光領域Ａｂおよび領域Ａ１，Ａ２）の概念図である。
【図３２】露光パターンＰＡｈ，ＰＢｈ，ＰＣｈ（非露光領域Ａｂおよび領域Ａ１，Ａ２）の概念図である。
【図３３】露光パターンＰａｘ，Ｐｂｘの平面図である。
【図３４】露光パターンＰａｘ（露光領域Ａａｘおよび非露光領域Ａｂｘ）と電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【図３５】露光パターンＰｂｘ（露光領域Ａａｘおよび非露光領域Ａｂｘ）と電子ビームＥＢのビーム中心の軌跡を示す太線Ｌとの関係について説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、添付図面を参照して、描画方法、スタンパー製造方法、情報記録媒体製造方法および描画装置の実施の形態について説明する。
【００３５】
最初に、模様（パターン）を描画する電子ビーム描画装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００３６】
図１に示す電子ビーム描画装置（以下、「描画装置」ともいう）１は、図２に示す磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ（「情報記録媒体」の一例）の製造時に使用するスタンパー４０（図３参照）を製造する際に、後述する描画方法に従い、図６に示す露光パターンＰＡ，ＰＢ，ＰＣ（「模様」の一例）を描画可能に構成されている。なお、同図および後に参照する図７，８，２０〜３２では、露光パターンＰＡ，ＰＡａ〜ＰＡｈ，ＰＢ，ＰＢａ〜ＰＢｈ，ＰＣ，ＰＣｂ〜ＰＣｈのうちの磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃにおけるサーボパターンの一部（一例として、バーストパターン）に対応する部位を図示している。
【００３７】
この場合、磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃは、ディスクリートトラック型のパターンド媒体であって、記録再生ヘッドやモータなどと共に筐体内（図示せず）に収容されて磁気記録装置（ハードディスクドライブ）を構成する。なお、磁気ディスク１１０Ａは、図７に示す露光パターンＰＡを描画して製造したスタンパー４０を使用して製造され、磁気ディスク１１０Ｂは、図２１に示す露光パターンＰＢを描画して製造したスタンパー４０を使用して製造され、磁気ディスク１１０Ｃは、図２４に示す露光パターンＰＣを描画して製造したスタンパー４０を使用して製造されている。以下、磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃを区別しないときには、「磁気ディスク１１０」ともいう。また、露光パターンＰＡ，ＰＢ，ＰＣ等を区別しないときには、「露光パターンＰ」ともいう。この磁気ディスク１１０は、図２に示すように、軟磁性層１１２、中間層１１３および磁性層１１４が基材１１１の上にこの順で形成されて、磁性層１１４に形成された各凸部１２６および各凹部１２７によってデータトラックパターンおよびサーボパターン等の凹凸パターン１２５が形成されて垂直記録方式による記録データの記録が可能に構成されている。
【００３８】
また、スタンパー４０は、後述するようにして電子ビーム描画装置１によって描画した露光パターンＰを使用して製造されるインプリント処理用の樹脂スタンパーであって、磁気ディスク１１０の製造に際して、図４に示す中間体１００の上に形成したＢマスク層１１８にエッチング処理用の凹凸パターン１４５（マスクパターン：図１５参照）を形成可能に構成されている。具体的には、図３に示すように、このスタンパー４０には、上記の磁気ディスク１１０における凹凸パターン１２５の各凸部１２６に対応する複数の凹部４７と、凹凸パターン１２５の各凹部１２７に対応する複数の凸部４６とを有する凹凸パターン４５が形成されている。なお、スタンパー４０の製造方法や、スタンパー４０および中間体１００を用いた磁気ディスク１１０の製造方法については、後に詳しく説明する。
【００３９】
一方、図１に示すように、電子ビーム描画装置１は、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向部７、制御部８および記憶部９を備えて、ビーム発生部４から電子ビームＥＢ（「描画用ビーム」の一例）を出力して加工対象体１０（図５参照）に露光パターンＰを描画可能に構成されている。この場合、加工対象体１０は、上記のスタンパー４０を製造するためのスタンパー２０（マスタースタンパー：図１１参照）を製造するための凹凸パターン１５（「マスク用凹凸パターン」の一例：図９参照）を形成する形成用板材であって、図５に示すように、円板状のシリコン基板１１（「基材」の一例）の表面に樹脂層１２（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布することで形成したレジスト層）が形成されている。
【００４０】
Ｘ−Ｙ移動機構２は、ビーム偏向部７と相俟って「照射位置変更部」を構成し、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３によって回転させられる加工対象体１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させることにより、樹脂層１２に対する電子ビームＥＢの照射位置（電子ビームＥＢのビーム中心を相対的に通過させる位置）を変化させる。ターンテーブル３は、「回転機構」に相当し、加工対象体１０を載置可能に構成されると共に、制御部８の制御に従って加工対象体１０を回転させる。ビーム発生部４は、ブランキング制御部５と相俟って「ビーム照射部」を構成し、加工対象体１０における樹脂層１２に露光パターンＰを描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、制御部８の制御に従ってビーム発生部４による電子ビームＥＢの出力をオン／オフ制御する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ビーム発生部４によって出力された電子ビームＥＢを成形（細径化）する。
【００４１】
ビーム偏向部７は、ビーム成形部６によって成形された電子ビームＥＢを制御部８の制御に従って偏向することにより、樹脂層１２に対する電子ビームＥＢの照射位置（電子ビームＥＢのビーム中心を相対的に通過させる位置）を変化させる。制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に加工対象体１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して加工対象体１０を一定の回転速度で（一例として、線速度が一定となるように）回転させる。また、制御部８は、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている加工対象体１０の樹脂層１２における所定位置に電子ビームＥＢを照射させる。記憶部９は、加工対象体１０に描画する露光パターンＰの描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶している。この場合、描画手順データＤＰには、ブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるタイミング、電子ビームＥＢの照射を停止させるタイミング、Ｘ−Ｙ移動機構２に対してターンテーブル３を移動させるタイミングや移動量、およびビーム偏向部７に対して電子ビームＥＢを偏向させるタイミングや偏向量（後述する照射ピッチＰ１〜Ｐ３）などを特定可能なデータを含んで構成されている。
【００４２】
次いで、磁気ディスク１１０Ａを製造するためのスタンパー４０を製造する方法、およびスタンパー４０を使用して磁気ディスク１１０Ａを製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００４３】
まず、露光パターンＰＡを描画する加工対象体１０を製作する。具体的には、一例として、シリコン基板１１の一面にベーク処理後の厚みが６０ｎｍ程度となるように電子線描画用レジスト（ポジ型レジスト：一例として、日本ゼオン株式会社製「ＺＥＰ５２０Ａ」）をスピンコートすることによってシリコン基板１１の上に樹脂層（レジスト層）１２を形成する。次いで、塗布した樹脂層１２に対してベーク処理を実行する。これにより、加工対象体１０が完成する。続いて、製作した加工対象体１０を樹脂層１２の形成面を上向きにして描画装置１のターンテーブル３上に載置すると共に、図５に示すように電子ビームＥＢを照射してスタンパー４０の凹凸パターン４５における各凸部４６に対応する平面パターン（データトラックパターンやサーボパターン：図６に示す露光パターンＰＡ）を樹脂層１２に描画する。
【００４４】
具体的には、描画開始が指示された際に、制御部８は、記憶部９に記憶されている描画手順データＤＰに従い、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を移動させて、一例として、露光パターンＰＡを描画すべき円環状の領域における最内周部位をビーム発生部４の下方に位置させる。次いで、制御部８は、ターンテーブル３を制御して、一例として１８０ｍｍ／秒の線速度一定の条件で加工対象体１０を回転させると共に、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７を制御して、図５に示すように、ターンテーブル３上の加工対象体１０（樹脂層１２）に向けて電子ビームＥＢを照射させる。この際に、加工対象体１０が回転している状態において電子ビームＥＢが樹脂層１２に照射されることにより、電子ビームＥＢのビーム中心が樹脂層１２に対してその回転方向に沿って相対的に移動する。この結果、加工対象体１０の回転方向に沿って長い帯状領域に電子ビームＥＢが照射される。
【００４５】
また、制御部８は、加工対象体１０の回転半径方向において隣り合う複数の帯状の領域が順次露光されることによって各露光領域Ａａ（図６参照）の全域が露光されるように電子ビームＥＢを照射させる。具体的には、制御部８は、各露光領域Ａａを露光するための上記の帯状領域の回転半径方向におけるピッチ（すなわち、電子ビームＥＢのビーム中心の回転半径方向におけるピッチ）を描画手順データＤＰに基づいて特定してビーム偏向部７を制御して電子ビームＥＢを加工対象体１０に対して照射させる。この場合、制御部８は、図６に示すように、露光パターンＰＡにおいて複数の非露光領域Ａｂが加工対象体１０の回転方向（同図における上下方向）および加工対象体１０の回転半径方向（同図における左右方向）で並んでいる部位を描画するときに、図７に示すように、各非露光領域Ａｂの間の露光領域Ａａに対する電子ビームＥＢの回転半径方向における照射ピッチ（同図に示す各太線Ｌの間の左右方向の距離）を非露光領域Ａｂに対する露光領域Ａａの位置に応じて変更する。なお、同図および後に参照する図８，２０では、露光パターンＰＡ，ＰＡａの描画に際して樹脂層１２に向けて照射する電子ビームＥＢのビーム中心が相対的に通過する軌跡を太線Ｌで図示している。
【００４６】
具体的には、図８に示すように、複数の非露光領域Ａｂのうちの所定の１つ（一例として、図７における中央部上寄りの非露光領域Ａｂ）が、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転半径方向（同図における左右方向）で接する２つの露光領域Ａａ１（「第１露光領域」の一例）と、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転方向（同図における上下方向）で接する２つの露光領域Ａａ２（「第２露光領域」の一例）との４つの露光領域Ａａによって囲まれると共に、２つの露光領域Ａａ１の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ１（「第１の長さ」：一例として、１００ｎｍ）よりも、２つの露光領域Ａａ２の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ２（「第２の長さ」：一例として、３０ｎｍ）を短くすべき部位の描画に際して、制御部８は、ビーム偏向部７を制御することにより、露光領域Ａａ２とすべき領域（「第２領域」：同図において左下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（「第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチ」：この例では、照射ピッチＰ２）が、従来の描画方法に従って露光パターンＰａｘを描画する際に露光領域Ａａ２ｘとすべき領域（図３４において左下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームの平均照射ピッチ：この例では、照射ピッチＰ１）よりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。
【００４７】
また、制御部８は、露光パターンＰＡの描画に際して、露光領域Ａａ１とすべき領域（「第１領域」：同図において右下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（「第１領域に向けて照射する描画用ビームの第１の平均照射ピッチ」：この例では、照射ピッチＰ３）が、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（この例では、照射ピッチＰ２）よりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。より具体的には、制御部８は、描画手順データＤＰに従ってビーム偏向部７を制御することにより、一例として、前述した照射ピッチＰ１が８．０ｎｍとしたときに、上記の照射ピッチＰ３が０ｎｍで、上記の照射ピッチＰ２が５．６ｎｍとなるように電子ビームＥＢの回転半径方向における照射位置（樹脂層１２上を電子ビームＥＢのビーム中心が相対的に通過する位置）を変更させる。なお、この例では、照射ピッチＰ３（０ｎｍ）以外の照射ピッチで電子ビームＥＢを照射する領域（例えば、照射ピッチＰ１，Ｐ２等で電子ビームを照射する領域）が、「少なくとも一部の領域」に相当する。
【００４８】
また、図７，８では、描画方法についての理解を容易とするために、露光領域Ａａ１等を描画するための５回の電子ビームＥＢの照射時に各ビーム中心が相対的に通過する軌跡を示す５本の太線Ｌを回転半径方向においてずらして図示しているが、実際には、上記したように照射ピッチＰ３が０ｎｍであるため、各ビーム中心は同一線分（一例として、上記の５本の太線Ｌのうちの回転半径方向における中心に位置する太線Ｌ）の上を相対的に通過することとなる。なお、図７，８に示す露光パターンＰＡでは、所定の１つの非露光領域Ａｂ（この例では、図７における中央部上寄りの非露光領域Ａｂ）に対して回転半径方向（この例では、両図における左右方向）に位置すると共に、その回転方向（両図における上下方向）に沿った長さが所定の１つの非露光領域Ａｂの回転方向に沿った長さ（この例では、長さＬ１）よりも長い露光領域Ａａのうちの一部（この例では、上記の非露光領域Ａｂにおいて対向する回転半径方向に沿った両辺（両図における左右方向に沿った両辺）を延長した一対の仮想延長線で区画される範囲内）が「第１露光領域」に相当する露光領域Ａａ１となっている（「第１の露光領域」における回転方向の両端部の双方に露光領域Ａａが連続して存在する形態）。
【００４９】
また、図７，８に示す露光パターンＰＡでは、所定の１つの非露光領域Ａｂ（この例では、図７における中央部上寄りの非露光領域Ａｂ）に対して回転方向（この例では、両図における上下方向）に位置すると共に、その回転半径方向（両図における左右方向）に沿った長さが所定の１つの非露光領域Ａｂの回転半径方向に沿った長さよりも長い露光領域Ａａのうちの一部（この例では、上記の非露光領域Ａｂにおいて対向する回転方向に沿った両辺（両図における上下方向に沿った両辺）を延長した一対の仮想延長線で区画される範囲内）が「第２露光領域」に相当する露光領域Ａａ２となっている（「第２の露光領域」における回転半径方向の両端部の双方に露光領域Ａａが連続して存在する形態）。
【００５０】
また、上記の描画手順データＤＰは、図７に示すように、一例として、上記の露光領域Ａａ１に対して回転方向で接する（回転方向において露光領域Ａａ１に連続している）露光領域Ａａ（露光領域Ａａ３：図８参照）についても、露光領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ３と同様の照射ピッチＰ３で、同じ照射回数だけ電子ビームＥＢを照射するように描画手順が記録されている。また、図７，８等において図示していない部位（サーボパターン領域におけるバーストパターン領域以外の領域や、トラックパターン領域などに対応する領域）の露光領域Ａａについては、その部位の模様に応じた所定の照射ピッチで電子ビームＥＢを照射するように描画手順が記録されている。
【００５１】
この場合、図３４に示すように、出願人が開示している描画方法（従来の描画方法）では、露光領域Ａａ１ｘ，Ａａ２ｘの双方に対して互いに等しい照射ピッチＰ１で電子ビームを照射している。したがって、露光領域Ａａ１ｘとすべき領域に向けて照射する電子ビームの照射回数をＮｘ回（Ｎｘは、２以上の自然数）とし、かつ露光領域Ａａ１ｘとすべき領域における回転半径方向に沿った長さ（「第３の長さ」に対応する長さ）を長さＬ３ｘとすると共に、露光領域Ａａ２ｘとすべき領域に向けて照射する電子ビームの照射回数をＭｘ回（Ｍｘは、２以上の自然数）とし、かつＭｘ回の電子ビームの照射のうちの露光領域Ａａ２ｘとすべき領域における回転半径方向の最内周側（一例として、同図における最も左側）への電子ビームの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２ｘとすべき領域における回転半径方向の最外周側（一例として、同図における最も右側）への電子ビームの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さ（「第４の長さ」に対応する長さ：この例では、非露光領域Ａｂｘの回転半径方向に沿った長さと等しい長さ）を長さＬ４ｘとしたときに、従来の描画方法では、長さＬ３ｘを（Ｎｘ＋１）で除した値と、長さＬ４ｘを（Ｍｘ−１）で除した値とが互いに等しい値となるように樹脂層に電子ビームが照射される。
【００５２】
これに対して、図８に示すように、この露光パターンＰＡの描画方法では、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（この例では、照射ピッチＰ３）を露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（この例では、照射ピッチＰ２）よりも狭くしている。この場合、この露光パターンＰＡの描画方法では、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＮ回（この例では、Ｎ＝５回）とし、かつ露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さを長さＬ３（「第３の長さ」：一例として、４８．０ｎｍ）とすると共に、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＭ回（この例では、Ｍ＝２３回）とし、かつＭ回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側（一例として、同図における最も左側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側（一例として、同図における最も右側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さを長さＬ４（「第４の長さ」：一例として、１２３．２ｎｍ）としたときに、この露光パターンＰＡの描画方法では、長さＬ３を（Ｎ＋１）で除した値（この例では、８．０）よりも、長さＬ４を（Ｍ−１）で除した値（この例では、５．６）の方が小さくなるように電子ビームＥＢが照射される。
【００５３】
なお、この露光パターンＰＡの描画方法では、電子ビームＥＢのビーム中心が露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の端部と一致する照射を「露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数」に含めない場合においても、「第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなる」との条件が満たされる。具体的には、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数を上記の例よりも２回少ない２１回とし、かつ２１回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さを長さＬ４ａ（この例では、１１２．０ｎｍ）としたときに、この露光パターンＰＡの描画方法では、上記の長さＬ３を（Ｎ＋１）で除した値（この例では、８．０）よりも、長さＬ４ａを（Ｍ−１＝２０）で除した値（この例では、５．６）の方が小さくなっている。
【００５４】
この場合、前述したように、上記の露光パターンＰＡでは、露光領域Ａａ１の回転方向に沿った長さＬ１よりも露光領域Ａａ２の回転方向に沿った長さＬ２の方が短くなっている。このため、この露光パターンＰＡの描画に際しては、１回の電子ビームＥＢの照射（走査）において、露光領域Ａａ１に向けて電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（すなわち、照射時間）よりも露光領域Ａａ２に向けて電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（照射時間）の方が短くなる。したがって、従来の描画方法に従って露光領域Ａａ１，Ａａ２の双方に対して互いに等しい照射ピッチＰ１で電子ビームＥＢを照射することで、露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３を露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数に「１」を足した数で除した値と、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する複数回の照射のうちの回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数から「１」を引いた数で除した値とが等しくなるように電子ビームＥＢを照射したときには、電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（照射時間）が短い上記の露光領域Ａａ２において露光量が不足する状態となるおそれがある。
【００５５】
これに対して、この電子ビーム描画装置１による露光パターンＰＡの描画方法では、上記したように、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が長い露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３を露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数に「１」を足した数で除した値（この例では、８．０）よりも、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短い露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する複数回の照射のうちの回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数から「１」を引いた数で除した値（この例では、５．６）が小さくなるように露光領域Ａａ１，Ａａ２に電子ビームＥＢをそれぞれ照射している。したがって、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短い露光領域Ａａ２に対して露光領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射量と同程度またはそれ以上の十分な量の電子ビームＥＢが照射される。
【００５６】
また、この電子ビーム描画装置１による露光パターンＰＡの描画方法では、上記したように、露光領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ３が露光領域Ａａ２に対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ２の方よりも狭くなるように露光領域Ａａ１，Ａａ２に電子ビームＥＢをそれぞれ照射している。この場合、前述したように、露光領域Ａａ２に対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ２は、従来の描画方法に従って露光パターンＰａｘを描画する際の露光領域Ａａ１ｘ，Ａａ２ｘに対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ１よりも狭くなっている。したがって、露光領域Ａａ１の回転半径方向に沿った長さＬ３を十分に短くすることが可能となっている。また、前述したように、この露光パターンＰＡの描画方法では、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（照射時間）が、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（照射時間）よりも十分に長くなっている。したがって、露光領域Ａａ１とすべき領域に対して十分な量の電子ビームＥＢが照射される結果、十分な露光レベルに達する領域が回転半径方向における中央部から回転半径方向に拡がって、その回転半径方向の長さが意図した長さ（この例では、長さＬ３）の露光領域Ａａ１を形成することが可能となっている。
【００５７】
この場合、従来の描画方法（露光パターンＰａｘの描画方法）では、前述したように、露光領域Ａａ１ｘ，Ａａ２ｘの双方に対して電子ビームを互いに等しい照射ピッチＰ１で照射している。このため、図３４に示すように、従来の描画方法では、露光パターンＰａｘの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ１ｘとすべき「第１領域」における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と、露光パターンＰａｘの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心のうちの上記の仮想延長線に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、露光領域Ａａ２ｘとすべき「第２領域」における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｂｘが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａｘと等しい長さ（前述した照射ピッチＰ１に対応する長さであって、この例では、第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さ）となるように電子ビームＥＢが照射される。
【００５８】
また、従来の描画方法では、回転方向において隣接する２つの露光領域Ａａ１ｘ，Ａａ１ｘの間の領域であって、回転半径方向において隣接する２つの露光領域Ａａ２ｘ，Ａａ２ｘの間の領域である露光領域Ａａ３ｘとすべき「第３領域」に対して、電子ビームＥＢの照射を停止させることなく、回転方向において隣接する第１領域から連続的に電子ビームＥＢを照射している。したがって、従来の描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時のビーム中心が、第１領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と重なる。このため、従来の描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と、このビーム中心に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、第２領域における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｂｘが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａｘと等しい長さとなるように電子ビームＥＢが照射される。
【００５９】
これに対して、図８に示すように、この露光パターンＰＡの描画方法では、露光パターンＰＡの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ１とすべき「第１領域」における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と、露光パターンＰＡの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心のうちの上記の仮想延長線に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、露光領域Ａａ２とすべき「第２領域」における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｂが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａ（前述した照射ピッチＰ２に対応する長さであって、この例では、第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さ）よりも長くなるように（長さＬ５ａが長さＬ５ｂよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【００６０】
また、露光パターンＰＡの描画方法では、回転方向において隣接する２つの露光領域Ａａ１，Ａａ１の間の領域であって、回転半径方向において隣接する２つの露光領域Ａａ２，Ａａ２の間の領域である露光領域Ａａ３とすべき「第３領域」に対して、電子ビームＥＢの照射を停止させることなく、回転方向において隣接する第１領域から連続的に電子ビームＥＢを照射している。したがって、露光パターンＰＡの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時のビーム中心が、第１領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と重なる。このため、露光パターンＰＡの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と、このビーム中心に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、第２領域における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｂが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａよりも長くなるように（長さＬ５ａが長さＬ５ｂよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【００６１】
この後、制御部８は、加工対象体１０の回転方向に沿って電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する処理を所定の照射ピッチで複数回に亘って実行する。なお、制御部８は、ビーム偏向部７による電子ビームＥＢの偏向許容量を超えて電子ビームＥＢの照射位置を偏向する必要が生じたときには、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を移動させることにより、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム成形部６等に対する加工対象体１０の位置を変更する。このように、ターンテーブル３を制御して加工対象体１０を回転させつつ、描画手順データＤＰに従って、Ｘ−Ｙ移動機構２およびビーム偏向部７を制御して加工対象体１０に対する電子ビームＥＢの照射ピッチを調整すると共に、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射をブランキング制御することにより、加工対象体１０の最外周領域まで電子ビームＥＢを順次照射してデータトラックパターンおよびサーボパターンを構成する各露光領域Ａａ内に潜像を形成する。これより、サーボパターンやデータトラックパターン（露光パターンＰＡ）の描画処理が完了する。
【００６２】
次いで、露光パターンＰＡの描画が完了した樹脂層１２に対する現像処理を実行する。具体的には、一例として、日本ゼオン株式会社製「ＺＥＤ−Ｎ５０」を現像液として用いて、この現像液を１８℃に維持した状態において、露光パターンＰＡの描画が完了した加工対象体１０を４５秒間に亘って浸漬する。この際には、電子ビームＥＢの照射部位の樹脂層１２が現像液に反応してシリコン基板１１上から消失し、図９に示すように、シリコン基板１１上に残留した樹脂層１２からなる複数の凸部１６と、樹脂層１２の消失によって形成された複数の凹部１７とを有する凹凸パターン１５がシリコン基板１１の上に形成される。この場合、前述したように、露光パターンＰＡの描画に際して、回転半径方向に沿った長さＬ３を短くしたことで露光量の不足が生じ易い露光領域Ａａ１や、従来の描画方法において露光量の不足が生じ易い露光領域Ａａ２に対して十分な量の電子ビームＥＢを照射することにより、この露光領域Ａａ１，Ａａ２における露光量が不足する事態が回避されている。したがって、現像液に反応してシリコン基板１１上から消失すべき露光領域Ａａ１，Ａａ２において樹脂層１２がシリコン基板１１上に残留して、本来的には凹部１７が形成されるべき部位に不要な凸部１６が形成される事態（例えば、非露光領域Ａｂに対応する各凸部１６が回転方向や回転半径方向で繋がった状態となる事態）が回避される。続いて、凹凸パターン１５が形成された加工対象体１０を現像液から取り出した後に、イソプロピルアルコールをリンス液として用いてスピン乾燥させる。これにより、スタンパー４０を製造するための原盤が完成する。
【００６３】
続いて、図１０に示すように、凹凸パターン１５の表面に例えば蒸着処理によってニッケル層（導電層）２１を形成した後に、このニッケル層２１を電極として用いて電解メッキ処理（電鋳処理）を実行する。この際には、図１１に示すように、現像処理によってシリコン基板１１上（樹脂層１２）に形成された凹凸パターン１５がニッケルの層（ニッケル層２１，２２）に転写されて、その平面形状が上記の各露光領域Ａａとほぼ等しい凸部２６が形成される。なお、凹凸パターン１５の表面にニッケル層（導電層）２１を形成する上記の方法に代えて、凹凸パターン１５を用いたエッチング処理によって凹凸パターン１５と凹凸位置関係が一致する凹凸パターン（図示せず）をシリコン基板１１に形成し、この凹凸パターンの表面にニッケル層（導電層）２１を形成する方法を採用することもできる。この場合、不要な凸部１６（欠陥）が存在しないように凹凸パターン１５が形成されているため、この凹凸パターン１５に対応してシリコン基板１１に形成される凹凸パターンにおいても、凹部となるべき部位に不要な凸部（欠陥）が形成されることなく高精度で形成される。
【００６４】
この後、ニッケル層２１，２２の積層体を加工対象体１０（シリコン基板１１）から剥離することにより、上記のシリコン基板１１上に形成した上記の凹凸パターン１５における各凸部１６（または、凹凸パターン１５を用いたエッチング処理によってシリコン基板１１に形成した凹凸パターンにおける各凸部）に対応する複数の凹部２７と、凹凸パターン１５における各凹部１７（または、凹凸パターン１５を用いたエッチング処理によってシリコン基板１１に形成した凹凸パターンにおける各凹部）に対応する複数の凸部２６とを有する凹凸パターン２５が形成されたスタンパー２０が完成する。この場合、不要な凸部１６（欠陥）が存在しないように凹凸パターン１５（または、凹凸パターン１５を用いて形成した凹凸パターン）が形成されているため、この凹凸パターン１５に対応して形成される凹凸パターン２５においても、凸部２６となるべき部位に不要な凹部２７（欠陥）が形成されることなく高精度で形成される。
【００６５】
次いで、完成したスタンパー２０を電極として用いて電解メッキ処理（電鋳処理）を実行する。この際には、図１２に示すように、スタンパー２０の凹凸パターン２５がニッケルの層（ニッケル層３１）に転写されて、凹凸パターン２５の各凸部２６に対応する複数の凹部３７と、凹凸パターン２５の各凹部２７に対応する複数の凸部３６とを有する凹凸パターン３５が形成される。この後、スタンパー２０からニッケル層３１を剥離することにより、スタンパー３０（マザースタンパー）が完成する。この場合、不要な凹部２７（欠陥）が存在しないように凹凸パターン２５が形成されているため、この凹凸パターン２５に対応して形成される凹凸パターン３５においても、凹部３７となるべき部位に不要な凸部３６（欠陥）が形成されることなく高精度で形成される。
【００６６】
続いて、完成したスタンパー３０を図示しない射出成形機にセットして射出成形処理（「所定の手順」の一例）を実行する。この際には、図１３に示すように、スタンパー３０の凹凸パターン３５（「基材の上に形成した凹凸パターンを用いて形成した凹凸パターン」の一例）が樹脂材料４１（「スタンパー形成用部材」の一例）に転写されて、凹凸パターン３５の各凸部３６に対応する複数の凹部４７と、凹凸パターン３５の各凹部３７に対応する複数の凸部４６とを有する凹凸パターン４５が形成される。この後、スタンパー３０から樹脂材料４１を剥離することにより、図３に示すように、スタンパー４０（チャイルドスタンパー）が完成する。この場合、不要な凸部３６（欠陥）が存在しないように凹凸パターン３５が形成されているため、この凹凸パターン３５に対応して形成される凹凸パターン４５においても、凸部４６となるべき部位に不要な凹部４７（欠陥）が形成されることなく高精度で形成される。以上により、磁気ディスク１１０Ａを製造するためのスタンパー４０を製造する一連の処理が完了する。
【００６７】
一方、上記のスタンパー４０を用いて磁気ディスク１１０Ａを製造する際には、一例として、まず、磁気ディスク１１０Ａを製造するための中間体１００（図４参照）を用意する。この中間体１００は、一例として、軟磁性層１１２、中間層１１３および磁性層１１４が基材１１１の上にこの順で形成されると共に、磁性層１１４を覆うようにしてＡマスク層１１７が形成されている。この場合、この中間体１００では、一例として、Ａマスク層１１７が金属材料で形成されている。次いで、中間体１００におけるＡマスク層１１７の上にＢマスク層１１８（「マスク形成層」の一例：一例として、樹脂材料の層）を形成する。続いて、Ｂマスク層１１８の形成が完了した中間体１００およびスタンパー４０をインプリント処理装置にセットしてインプリント処理を開始する。このインプリント処理では、図１４に示すように、スタンパー４０の凹凸パターン４５における各凸部４６をＢマスク層１１８に押し付ける（押し込む）ことにより、中間体１００上のＢマスク層１１８に凹凸パターン４５を転写する。
【００６８】
次いで、図１５に示すように、中間体１００（Ｂマスク層１１８）からスタンパー４０を剥離する。これにより、スタンパー４０における凹凸パターン４５の各凸部４６に対応する複数の凹部１４７と、凹凸パターン４５の各凹部４７に対応する複数の凸部１４６とを有する凹凸パターン１４５（マスクパターン）が中間体１００におけるＡマスク層１１７の上に形成される。この場合、上記したように、スタンパー４０における凹凸パターン４５は、不要な凹部４７（欠陥）が形成されることなく高精度で形成されている。したがって、この凹凸パターン４５に対応して形成される（凹凸パターン４５が転写されて形成される）凹凸パターン１４５においても、不要な凸部１４６（欠陥）が形成されることなく高精度で形成される。続いて、各凹部１４７の底面（スタンパー４０の各凸部４６が押し込まれていた部位）に残存している薄厚のＢマスク層１１８（以下、残渣ともいう）を酸素プラズマ処理によってＡマスク層１１７上から除去する。なお、図１５では、残渣の図示を省略している。この際には、各凹部１４７の底面の残渣だけでなく、各凹部１４７の内側面においてＢマスク層１１８が僅かに除去される。したがって、残渣の取り除き処理（酸素プラズマ処理）が完了した時点において、各凹部１４７の開口幅は、スタンパー４０を剥離した時点よりも僅かに広くなる。
【００６９】
続いて、Ａマスク層１１７上のＢマスク層１１８（凹凸パターン１４５の各凸部１４６）をマスクとして用いたエッチング処理を実行する。この際には、図１６に示すように、凹凸パターン１４５の各凸部１４６に対応する複数の凸部１５６と、凹凸パターン１４５の各凹部１４７に対応する複数の凹部１５７とを有する凹凸パターン１５５（マスクパターン）が磁性層１１４の上に形成される。この場合、上記したように、凹凸パターン１４５は、不要な凸部１４６（欠陥）が形成されることなく高精度で形成されている。したがって、この凹凸パターン１４５に対応して形成される凹凸パターン１５５においても、不要な凸部１５６（欠陥）が形成されることなく高精度で形成される。なお、Ｂマスク層１１８（凹凸パターン１４５）を用いたエッチング処理に際しては、Ａマスク層１１７が中間体１００の厚み方向だけでなく、中間体１００の平面方向に対しても僅かにエッチングされる。したがって、Ｂマスク層１１８（凹凸パターン１４５）を用いたエッチング処理によって磁性層１１４の上に形成される凹凸パターン１５５では、各凹部１５７の開口幅が上記の凹凸パターン１４５における各凹部１４７の開口幅よりも僅かに広くなる。
【００７０】
次いで、磁性層１１４上のＡマスク層１１７（凹凸パターン１５５の各凸部１５６）をマスクとして用いたエッチング処理を実行する。この際には、図１７に示すように、凹凸パターン１５５の各凸部１５６に対応する複数の凸部１２６と、凹凸パターン１５５の各凹部１５７に対応する複数の凹部１２７とを有する凹凸パターン１２５が中間層１１３の上に形成される。この場合、上記したように、凹凸パターン１５５は、不要な凸部１５６（欠陥）が形成されることなく高精度で形成されている。したがって、この凹凸パターン１５５に対応して形成される凹凸パターン１２５においても、不要な凸部１２６（欠陥）が形成されることなく高精度で形成される。なお、Ａマスク層１１７（凹凸パターン１５５）を用いたエッチング処理に際しては、磁性層１１４が中間体１００の厚み方向だけでなく、中間体１００の平面方向に対しても僅かにエッチングされる。したがって、Ａマスク層１１７（凹凸パターン１５５）を用いたエッチング処理によって中間層１１３の上に形成される凹凸パターン１２５では、各凹部１２７の開口幅が上記の凹凸パターン１５５における各凹部１５７の開口幅よりも僅かに広くなる。
【００７１】
このように、スタンパー４０を用いた磁気ディスク１１０Ａの製造に際しては、残渣の取り除き処理や、エッチング処理時において、各凹部の開口幅が徐々に大きくなる傾向がある。言い換えれば、インプリント処理によってスタンパー４０における凹凸パターン４５の各凹部４７に対応して中間体１００におけるＡマスク層１１７の上に形成された各凸部１４６の突端面の面積よりも、上記の一連の処理によって中間層１１３上に形成された各凸部１２６の突端面の面積の方が狭くなる傾向がある。したがって、図７に示すように、上記のスタンパー４０の製造に際して描画した露光パターンＰＡでは、中間層１１３上に形成される凹凸パターン１２５における各凸部１２６の突端面（同図において破線で示す矩形状の領域）に対応する非露光領域Ａｂを各凸部１２６の突端面よりも予め広くしておく必要があるため（スタンパー４０における各凹部４７の底面を各凸部１２６の突端面よりも予め広くしておくために非露光領域Ａｂを各凸部１２６の突端面よりも予め広くしておく必要があるため）、凹凸パターン１２５における各凹部１２７に対応する各露光領域Ａａを各凹部１２７よりも狭くなるように描画している。このため、上記したように、非露光領域Ａｂに対して回転方向で接する露光領域Ａａ２の回転方向に沿った長さＬ２が、この露光領域Ａａ２に対応して最終的に中間層１１３上に形成される凹部１２７の回転方向に沿った長さよりも短くなっている。
【００７２】
次いで、凹凸パターン１２５における各凸部１２６の上に残存しているＡマスク層１１７（図示せず）を除去した後に、図１８に示すように、凹凸パターン１２５を覆うようにして非磁性材料１１５の層を形成する。続いて、図１９に示すように、凹凸パターン１２５における各凸部１２６の突端面が露出する程度まで非磁性材料１１５の層をエッチング処理して中間体１００の表面（凹凸パターン１２５の形成面）を平坦化する。次いで、凹凸パターン１２５における各凸部１２６の上、および凹凸パターン１２５における各凹部１２７内に埋め込まれた非磁性材料１１５の上に保護層１１６を形成した後に、形成した保護層１１６の表面に潤滑剤を塗布する。これにより、図２に示すように、磁気ディスク１１０Ａが完成する。この磁気ディスク１１０Ａでは、上記したように、不要な凸部１２６（欠陥）が形成されることなく凹凸パターン１２５が高精度で形成されている。したがって、従来の描画方法によって描画した露光パターンＰａｘを用いて製造したスタンパーを使用して製造した磁気ディスク（図示せず）とは異なり、各部の回転半径方向に沿った長さを短くしたにも拘わらず、サーボパターンの読み取りエラー等が生じる事態が回避され、十分に高密度記録化が図られる。
【００７３】
このように、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法では、複数の非露光領域Ａｂのうちの所定の１つが、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転半径方向で接する２つの露光領域Ａａ１と、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転方向で接する２つの露光領域Ａａ２との４つの露光領域Ａａによって囲まれると共に、２つの露光領域Ａａ１の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ１よりも２つの露光領域Ａａ２の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ２を短くすべき部位（この例では、バーストパターン領域）が存在する露光パターンＰＡを描画するときに、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＮ回とし、かつ露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３を「第３の長さ」とすると共に、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＭ回とし、かつＭ回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を「第４の長さ」としたときに、第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。
【００７４】
したがって、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法によれば、その回転方向に沿った長さが短いために、露光領域Ａａ１とすべき領域よりも電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短く、これに起因して露光量不足が生じ易い露光領域Ａａ２とすべき領域に対して、露光領域Ａａ１とすべき領域と同様に十分な量の電子ビームＥＢを照射することができる。これにより、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法によれば、露光パターンＰＡの描画後に現像処理することで形成される凹凸パターン１５に欠陥（露光領域Ａａに対応して凹部１７が形成されるべき部位に凸部１６が形成された状態となる欠陥）が生じる事態を回避して、所望の凹凸パターン１５を高精度で形成することができる。この場合、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ３が露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ２よりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射することにより、露光パターンＰＡの各部における回転半径方向に沿った長さを短くしたときに露光量不足が生じ易い露光領域Ａａ１とすべき領域に対して十分な量の電子ビームＥＢを照射することができるため、上記の効果を奏することができる。
【００７５】
また、上記のスタンパー４０の製造方法によれば、上記の描画方法に従って樹脂層１２に露光パターンＰＡを描画し、その後に現像処理して露光領域Ａａに凹部１７を形成することによってシリコン基板１１の上に凹凸パターン１５を形成し、その凹凸パターン１５を用いて複数回の転写処理を実行して形成した凹凸パターン３５を射出成形処理によって樹脂材料４１に転写してスタンパー４０を製造することにより、欠陥が存在する凹凸パターン４５がスタンパー４０に形成される事態を回避して、所望の凹凸パターン４５が高精度で形成されたスタンパー４０を製造することができる。したがって、このスタンパー４０の製造方法によれば、製造したスタンパー４０を用いたインプリント処理によって凹凸パターン１４５（マスクパターン）を形成して磁気ディスク１１０Ａを製造することで、サーボパターンの読み取りエラー等を招くおそれがある欠陥が存在しない凹凸パターン１２５を高精度で形成することができる。この場合、露光パターンＰＡの描画に際して露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ３が露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ２よりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射して製造したスタンパー４０を使用して磁気ディスク１１０Ａを製造することにより、サーボパターン等の各部における回転半径方向に沿った長さを短くして記録密度を十分に高めることができる。
【００７６】
また、上記の磁気ディスク１１０Ａの製造方法によれば、上記のスタンパー製造方法に従って製造したスタンパー４０を用いてインプリント処理を実行して中間体１００の上のＢマスク層１１８に凹凸パターン１４５を形成し、凹凸パターン１４５を形成したＢマスク層１１８（凸部１４６）をマスクとして用いて中間体１００をエッチング処理して磁気ディスク１１０Ａを製造することにより、凹凸パターン４５が高精度で形成されたスタンパー４０を用いたインプリント処理によって凹凸パターン１４５（マスクパターン）を形成して磁気ディスク１１０Ａを製造して、サーボパターンの読み取りエラー等を招くおそれがある欠陥が存在しない高精度な凹凸パターン１２５が形成された磁気ディスク１１０Ａを製造することができる。この場合、露光パターンＰＡの描画に際して露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ３が露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ２よりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射して製造したスタンパー４０を使用することにより、サーボパターン等の各部における回転半径方向に沿った長さが十分に短く、高密度記録が可能な磁気ディスク１１０Ａを製造することができる。
【００７７】
なお、「第１領域に向けて照射する描画用ビームの第１の平均照射ピッチ」の一例である照射ピッチＰ３を０ｎｍとした例について説明したが、上記の照射ピッチＰ３については、「第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチ（この例では、照射ピッチＰ２＝５．６ｎｍ）」よりも狭いとの条件を満たす範囲において適宜変更することができる。この際に、上記の照射ピッチＰ３を０ｎｍよりも広く、かつ照射ピッチＰ２よりも狭くする（例えば、１．０ｎｍとする）ことにより、露光量不足を生じさせることなく、露光領域Ａａ１の回転半径方向に沿った長さを上記の長さＬ３よりも長く、かつ、従来の描画方法に従って描画した露光パターンＰａｘにおける露光領域Ａａ１ｘの長さＬ３ｘよりも短くすることができる。なお、照射ピッチＰ３を０ｎｍよりも広くして照射ピッチを照射した場合には、露光パターンＰＡを描画すべき領域の全域が「少なくとも一部の領域」に相当する。
【００７８】
また、露光領域Ａａ１の回転半径方向の全域に対して互いに等しい照射ピッチＰ３（この例では、０ｎｍ）で電子ビームＥＢを照射すると共に、露光領域Ａａ２の回転半径方向の全域に対して互いに等しい照射ピッチＰ２（この例では、５．６ｎｍ）で電子ビームＥＢを照射する例について説明したが、露光領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（第１の平均照射ピッチ）が露光領域Ａａ２に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（第２の平均照射ピッチ）よりも狭くなると共に、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＮ回とし、かつ露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３を第３の長さとすると共に、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＭ回とし、かつＭ回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域おける回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を第４の長さとしたときに、第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるとの条件を満たしている限り、露光領域Ａａ１の回転半径方向の各部に対する電子ビームＥＢの照射ピッチを互いに相違するピッチとしたり、露光領域Ａａ２の回転半径方向の各部に対する電子ビームＥＢの照射ピッチを互いに相違するピッチとしたりすることができる。
【００７９】
具体的には、一例として、図２０に示すように、回転半径方向で並ぶ非露光領域Ａｂの間の露光領域Ａａ１（「第１露光領域」の一例）における回転半径方向の中央部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチだけが、露光領域Ａａ２に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチよりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射して露光パターンＰＡａを描画する方法や、回転方向で並ぶ非露光領域Ａｂの間の露光領域Ａａ２（「第２露光領域」の一例）における回転半径方向の中央部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチが、その露光領域Ａａ２における回転半径方向の両端部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチよりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射して露光パターンＰＡａを描画する方法を採用することができる。この場合、この露光パターンＰＡａにおいては、露光領域Ａａ１の回転半径方向に沿った長さＬ３ａ（「第３の長さ」の他の一例）が前述した露光パターンＰＡにおける露光領域Ａａ１の回転半径方向に沿った長さＬ３よりも僅かに長くなっている。なお、この露光パターンＰＡａについて前述した露光パターンＰＡの描画時と同一の要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００８０】
なお、この露光パターンＰＡａの描画方法では、露光パターンＰＡａの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ１とすべき「第１領域」における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と、露光パターンＰＡａの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心のうちの上記の仮想延長線に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、露光領域Ａａ２とすべき「第２領域」における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｃが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａ（前述した照射ピッチＰ２に対応する長さ）や、第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さよりも長くなるように（長さＬ５ａや第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さが長さＬ５ｃよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【００８１】
また、露光パターンＰＡａの描画方法では、回転方向において隣接する２つの露光領域Ａａ１，Ａａ１の間の領域であって、回転半径方向において隣接する２つの露光領域Ａａ２，Ａａ２の間の領域である露光領域Ａａ３とすべき「第３領域」に対して、電子ビームＥＢの照射を停止させることなく、回転方向において隣接する第１領域から連続的に電子ビームＥＢを照射している。したがって、露光パターンＰＡａの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時のビーム中心が、第１領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と重なる。このため、露光パターンＰＡａの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と、このビーム中心に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、第２領域における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｃが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａや、第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さよりも長くなるように（長さＬ５ａや第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さが長さＬ５ｃよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【００８２】
この場合、出願人は、回転方向に沿った長さが短い露光領域において、その回転半径方向の中央部において電子ビームＥＢの照射量が不足し易く、パターンの欠陥が生じ易い傾向があることを見出した。したがって、同図に示すように、回転方向で並ぶ非露光領域Ａｂの間の露光領域Ａａ２（第２露光領域）における回転半径方向の少なくとも中央部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチが、従来の描画方法に従って露光パターンＰａｘを描画する際の露光領域Ａａ２ｘに対する電子ビームの平均照射ピッチよりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射するのが好ましい。このように、露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の少なくとも中央部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチを十分に狭くすることにより、露光領域Ａａ２において露光量不足が生じ易い回転半径方向における中央部に対して十分な量の電子ビームＥＢを確実に照射することができるため、現像処理によって形成される凹凸パターン１５に欠陥が生じる事態を確実に回避することができる。
【００８３】
次いで、磁気ディスク１１０Ｂを製造するためのスタンパー４０を製造する方法に関し、主として、露光パターンＰＢの描画方法について、図面を参照して説明する。なお、露光パターンＰＢを描画する加工対象体１０の製作方法や、スタンパー４０を使用して磁気ディスク１１０Ｂを製造する方法については、前述した加工対象体１０の製作方法、および磁気ディスク１１０Ａの製造方法と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
【００８４】
磁気ディスク１１０Ｂを製造するためのスタンパー４０の製造に際しては、まず、加工対象体１０の樹脂層１２に、図２１に示す露光パターンＰＢを描画する。なお、同図および後に参照する図２２，２３では、露光パターンＰＢ，ＰＢａの描画に際して樹脂層１２に向けて照射する電子ビームＥＢのビーム中心が相対的に通過する軌跡を太線Ｌで図示している。この際に、描画装置１の制御部８は、記憶部９に記憶されている露光パターンＰＢ用の描画手順データＤＰに従って各部を制御する。以下、前述した露光パターンＰＡと同様の描画手順については重複する説明を省略し、露光パターンＰＢの描画手順の特徴を中心にして説明する。
【００８５】
具体的には、図２２に示すように、複数の非露光領域Ａｂのうちの所定の１つ（一例として、図２１における中央部上寄りの非露光領域Ａｂ）が、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転半径方向（同図における左右方向）で接する２つの露光領域Ａａ１（「第１露光領域」の一例）と、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転方向（同図における上下方向）で接する２つの露光領域Ａａ２（「第２露光領域」の一例）との４つの露光領域Ａａによって囲まれると共に、２つの露光領域Ａａ１の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ１（「第１の長さ」：一例として、１００ｎｍ）よりも、２つの露光領域Ａａ２の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ２（「第２の長さ」：一例として、３０ｎｍ）を短くすべき部位の描画に際して、制御部８は、ビーム偏向部７を制御することにより、露光領域Ａａ２とすべき領域（「第２領域」：図２２において左下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（「第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチ」：この例では、照射ピッチＰ２）が、従来の描画方法に従って露光パターンＰｂｘを描画する際に露光領域Ａａ２ｘとすべき領域（図３５において左下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームの平均照射ピッチ：この例では、照射ピッチＰ１）よりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。
【００８６】
また、制御部８は、露光パターンＰＢの描画に際して、露光領域Ａａ１とすべき領域（「第１領域」：図２２において右下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（「第１の平均照射ピッチ」：この例では、照射ピッチＰ１）よりも、露光領域Ａａ２とすべき領域（「第２領域」：同図において左下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（「第２の平均照射ピッチ」：この例では、照射ピッチＰ２）が狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。より具体的には、制御部８は、露光パターンＰＢ用の描画手順データＤＰに従ってビーム偏向部７を制御することにより、一例として、上記の照射ピッチＰ１が８．０ｎｍで、上記の照射ピッチＰ２が５．６ｎｍとなるように電子ビームＥＢの回転半径方向における照射位置（樹脂層１２上を電子ビームＥＢのビーム中心が相対的に通過する位置）を変更させる。なお、図２１，２２では、描画方法についての理解を容易とするために、上記の照射ピッチＰ１，Ｐ２の差を誇張して（照射ピッチＰ２を小さくして）図示している。
【００８７】
この場合、図２１，２２に示す露光パターンＰＢでは、所定の１つの非露光領域Ａｂ（この例では、図２１における中央部上寄りの非露光領域Ａｂ）に対して回転半径方向（この例では、両図における左右方向）に位置すると共に、その回転方向（両図における上下方向）に沿った長さが所定の１つの非露光領域Ａｂの回転方向に沿った長さ（この例では、長さＬ１）よりも長い露光領域Ａａのうちの一部（この例では、上記の非露光領域Ａｂにおいて対向する回転半径方向に沿った両辺（両図における左右方向に沿った両辺）を延長した一対の仮想延長線で区画される範囲内）が「第１露光領域」に相当する露光領域Ａａ１となっている（「第１の露光領域」における回転方向の両端部の双方に露光領域Ａａが連続して存在する形態）。
【００８８】
また、この露光パターンＰＢでは、所定の１つの非露光領域Ａｂに対して回転方向（この例では、両図における上下方向）に位置すると共に、その回転半径方向（両図における左右方向）に沿った長さが所定の１つの非露光領域Ａｂの回転半径方向に沿った長さ（この例では、長さＬ４）よりも長い露光領域Ａａのうちの一部（この例では、上記の非露光領域Ａｂにおいて対向する回転方向に沿った両辺（両図における上下方向に沿った両辺）を延長した一対の仮想延長線で区画される範囲内）が「第２露光領域」に相当する露光領域Ａａ２となっている（「第２の露光領域」における回転半径方向の両端部の双方に露光領域Ａａが連続して存在する形態）。
【００８９】
なお、露光パターンＰＢ用の描画手順データＤＰは、図２１に示すように、一例として、上記の露光領域Ａａ１に対して回転方向で接する（回転方向において露光領域Ａａ１に連続している）露光領域Ａａ（露光領域Ａａ３：図２２参照）についても、露光領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ１と同様の照射ピッチＰ１で電子ビームＥＢを照射するように描画手順が記録されている。また、図６，２１等において図示していない部位（サーボパターン領域におけるバーストパターン領域以外の領域や、トラックパターン領域などに対応する領域）の露光領域Ａａについては、その部位の模様に応じた所定の照射ピッチで電子ビームＥＢを照射するように描画手順が記録されている。
【００９０】
この場合、前述したように、出願人が開示している描画方法（従来の描画方法）では、長さＬ３ｘを（Ｎｘ＋１）で除した値と、長さＬ４ｘを（Ｍｘ−１）で除した値とが互いに等しい値となるように樹脂層に電子ビームが照射される。これに対して、図２２に示すように、この露光パターンＰＢの描画方法では、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＮ回（この例では、Ｎ＝４回）とし、かつ露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さを長さＬ３ｂ（「第３の長さ」：一例として、４０．０ｎｍ）とすると共に、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＭ回（この例では、Ｍ＝２３回）とし、かつＭ回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側（一例として、同図における最も左側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側（一例として、同図における最も右側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さを長さＬ４（「第４の長さ」：一例として、１２３．２ｎｍ）としたときに、この露光パターンＰＡの描画方法では、長さＬ３ｂを（Ｎ＋１）で除した値（この例では、８．０）よりも、長さＬ４を（Ｍ−１）で除した値（この例では、５．６）の方が小さくなるように電子ビームＥＢが照射される。
【００９１】
なお、この露光パターンＰＢの描画方法では、電子ビームＥＢのビーム中心が露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の端部と一致する照射を「露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数」に含めない場合においても、「第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなる」との条件が満たされる。具体的には、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数を上記の例よりも２回少ない２１回とし、かつ２１回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さを長さＬ４ａ（この例では、１１２．０ｎｍ）としたときに、この露光パターンＰＢの描画方法では、上記の長さＬ３ｂを（Ｎ＋１）で除した値（この例では、８．０）よりも、長さＬ４ａを（Ｍ−１＝２０）で除した値（この例では、５．６）の方が小さくなっている。
【００９２】
この場合、前述したように、上記の露光パターンＰＢでは、露光領域Ａａ１の回転方向に沿った長さＬ１よりも露光領域Ａａ２の回転方向に沿った長さＬ２の方が短くなっている。このため、この露光パターンＰＢの描画に際しては、１回の電子ビームＥＢの照射（走査）において、露光領域Ａａ１に向けて電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（すなわち、照射時間）よりも露光領域Ａａ２に向けて電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（照射時間）の方が短くなる。したがって、従来の描画方法に従って露光領域Ａａ１，Ａａ２の双方に対して互いに等しい照射ピッチＰ１で電子ビームＥＢを照射することで、露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３ｂを露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数に「１」を足した数で除した値と、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する複数回の照射のうちの回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数から「１」を引いた数で除した値とが等しくなるように電子ビームＥＢを照射したときには、電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（照射時間）が短い上記の露光領域Ａａ２において露光量が不足する状態となるおそれがある。
【００９３】
これに対して、この電子ビーム描画装置１による露光パターンＰＢの描画方法では、上記したように、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が長い露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３ｂを露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数に「１」を足した数で除した値（この例では、８．０）よりも、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短い露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する複数回の照射のうちの回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数から「１」を引いた数で除した値（この例では、５．６）が小さくなり、かつ、露光領域Ａａ１とすべき領域に対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ１よりも露光領域Ａａ２とすべき領域に対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ２の方が狭くなるように露光領域Ａａ１，Ａａ２に電子ビームＥＢをそれぞれ照射している。したがって、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短い露光領域Ａａ２に対して露光領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射量と同程度またはそれ以上の十分な量の電子ビームＥＢが照射される。
【００９４】
この場合、図２２に示すように、この露光パターンＰＢの描画方法では、露光パターンＰＢの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ１とすべき「第１領域」における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と、露光パターンＰＢの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心のうちの上記の仮想延長線に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、露光領域Ａａ２とすべき「第２領域」における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｄが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａ（前述した照射ピッチＰ２に対応する長さであって、この例では、第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さ）よりも長くなるように（長さＬ５ａが長さＬ５ｄよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【００９５】
また、露光パターンＰＢの描画方法では、回転方向において隣接する２つの露光領域Ａａ１，Ａａ１の間の領域であって、回転半径方向において隣接する２つの露光領域Ａａ２，Ａａ２の間の領域である露光領域Ａａ３とすべき「第３領域」に対して、電子ビームＥＢの照射を停止させることなく、回転方向において隣接する第１領域から連続的に電子ビームＥＢを照射している。したがって、露光パターンＰＢの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時のビーム中心が、第１領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と重なる。このため、露光パターンＰＢの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と、このビーム中心に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、第２領域における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｄが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａよりも長くなるように（長さＬ５ａが長さＬ５ｄよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【００９６】
この後、制御部８は、加工対象体１０の回転方向に沿って電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する処理を所定の照射ピッチで複数回に亘って実行する。これより、サーボパターンやデータトラックパターン（露光パターンＰＢ）の描画処理が完了する。この後、前述した磁気ディスク１１０Ａ用のスタンパー４０の製造方法と同様の手順に従って、磁気ディスク１１０Ｂ用のスタンパー４０を製造する。これにより、図３に示すように、磁気ディスク１１０Ｂ用のスタンパー４０（チャイルドスタンパー）が完成する。この後、前述した磁気ディスク１１０Ａの製造方法と同様の手順に従って、スタンパー４０と中間体１００とを用いて磁気ディスク１１０Ｂを製造する。この場合、露光パターンＰＢを描画して製造したスタンパー４０を使用して製造した磁気ディスク１１０Ｂでは、不要な凸部１２６（欠陥）が形成されることなく凹凸パターン１２５が高精度で形成されている。したがって、従来の描画方法によって描画した露光パターンＰｂｘを用いて製造したスタンパーを使用して製造した磁気ディスク（図示せず）とは異なり、サーボパターンの読み取りエラー等が生じる事態が回避される。
【００９７】
このように、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法では、複数の非露光領域Ａｂのうちの所定の１つが、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転半径方向で接する２つの露光領域Ａａ１と、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転方向で接する２つの露光領域Ａａ２との４つの露光領域Ａａによって囲まれると共に、２つの露光領域Ａａ１の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ１よりも２つの露光領域Ａａ２の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ２を短くすべき部位（この例では、バーストパターン領域）が存在する露光パターンＰＢを描画するときに、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＮ回とし、かつ露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３ｂを「第３の長さ」とすると共に、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＭ回とし、かつＭ回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を「第４の長さ」としたときに、第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。この場合、一例として、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ１よりも露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ２が狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。
【００９８】
したがって、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法によれば、その回転方向に沿った長さが短いために、露光領域Ａａ１とすべき領域よりも電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短く、これに起因して露光量不足が生じ易い露光領域Ａａ２とすべき領域に対して、露光領域Ａａ１とすべき領域と同様に十分な量の電子ビームＥＢを照射することができる。これにより、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法によれば、露光パターンＰＢの描画後に現像処理することで形成される凹凸パターン１５に欠陥（露光領域Ａａに対応して凹部１７が形成されるべき部位に凸部１６が形成された状態となる欠陥）が生じる事態を回避して、所望の凹凸パターン１５を高精度で形成することができる。
【００９９】
また、上記のスタンパー４０の製造方法によれば、上記の描画方法に従って樹脂層１２に露光パターンＰＢを描画し、その後に現像処理して露光領域Ａａに凹部１７を形成することによってシリコン基板１１の上に凹凸パターン１５を形成し、その凹凸パターン１５を用いて複数回の転写処理を実行して形成した凹凸パターン３５を射出成形処理によって樹脂材料４１に転写してスタンパー４０を製造することにより、欠陥が存在する凹凸パターン４５がスタンパー４０に形成される事態を回避して、所望の凹凸パターン４５が高精度で形成されたスタンパー４０を製造することができる。したがって、このスタンパー４０の製造方法によれば、製造したスタンパー４０を用いたインプリント処理によって凹凸パターン１４５（マスクパターン）を形成して磁気ディスク１１０Ｂを製造することで、サーボパターンの読み取りエラー等を招くおそれがある欠陥が存在しない凹凸パターン１２５を高精度で形成することができる。
【０１００】
また、上記の磁気ディスク１１０Ｂの製造方法によれば、上記のスタンパー製造方法に従って製造したスタンパー４０を用いてインプリント処理を実行して中間体１００の上のＢマスク層１１８に凹凸パターン１４５を形成し、凹凸パターン１４５を形成したＢマスク層１１８（凸部１４６）をマスクとして用いて中間体１００をエッチング処理して磁気ディスク１１０Ｂを製造することにより、欠陥が存在しない凹凸パターン４５が高精度で形成されたスタンパー４０を用いたインプリント処理によって凹凸パターン１４５（マスクパターン）を形成して磁気ディスク１１０Ｂを製造することで、サーボパターンの読み取りエラー等を招くおそれがある欠陥が存在しない高精度な凹凸パターン１２５が形成された磁気ディスク１１０Ｂを製造することができる。
【０１０１】
なお、露光領域Ａａ１の回転半径方向の全域に対して互いに等しい照射ピッチＰ１（この例では、８．０ｎｍ）で電子ビームＥＢを照射すると共に、露光領域Ａａ２の回転半径方向の全域に対して互いに等しい照射ピッチＰ２（この例では、５．６ｎｍ）で電子ビームＥＢを照射する例について説明したが、露光領域Ａａ１の回転半径方向の各部に対する電子ビームＥＢの照射ピッチを互いに相違するピッチとしたり、露光領域Ａａ２の回転半径方向の各部に対する電子ビームＥＢの照射ピッチを互いに相違するピッチとしたりすることができる。具体的には、一例として、図２３に示すように、回転方向で並ぶ非露光領域Ａｂの間の露光領域Ａａ２（第２露光領域）における回転半径方向の中央部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチが、その露光領域Ａａ２における回転半径方向の両端部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチよりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射して露光パターンＰＢａを描画する方法を採用することができる。なお、この露光パターンＰＢａについて前述した露光パターンＰＢの描画時と同一の要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【０１０２】
この露光パターンＰＢａの描画方法では、露光パターンＰＢａの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ１とすべき「第１領域」における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と、露光パターンＰＢａの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心のうちの上記の仮想延長線に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、露光領域Ａａ２とすべき「第２領域」における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｄが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａ（前述した照射ピッチＰ２に対応する長さ）や、第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さよりも長くなるように（長さＬ５ａや第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さが長さＬ５ｄよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【０１０３】
また、露光パターンＰＢａの描画方法では、回転方向において隣接する２つの露光領域Ａａ１，Ａａ１の間の領域であって、回転半径方向において隣接する２つの露光領域Ａａ２，Ａａ２の間の領域である露光領域Ａａ３とすべき「第３領域」に対して、電子ビームＥＢの照射を停止させることなく、回転方向において隣接する第１領域から連続的に電子ビームＥＢを照射している。したがって、露光パターンＰＢａの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時のビーム中心が、第１領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と重なる。このため、露光パターンＰＢａの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と、このビーム中心に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、第２領域における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｄが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａや、第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さよりも長くなるように（長さＬ５ａや第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さが長さＬ５ｄよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【０１０４】
この場合、前述したように、出願人は、回転方向に沿った長さが短い露光領域において、その回転半径方向の中央部において電子ビームＥＢの照射量が不足し易く、パターンの欠陥が生じ易い傾向があることを見出した。したがって、同図に示すように、回転方向で並ぶ非露光領域Ａｂの間の露光領域Ａａ２（第２露光領域）における回転半径方向の少なくとも中央部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチが、従来の描画方法に従って露光パターンＰｂｘを描画する際の露光領域Ａａ２ｘに対する電子ビームの平均照射ピッチよりも狭くなるように（この例では、回転半径方向で並ぶ非露光領域Ａｂの間の露光領域Ａａ１（第１露光領域）に電子ビームＥＢを照射する平均照射ピッチよりも狭くなるように）電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射するのが好ましい。このように、露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の少なくとも中央部に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチを十分に狭くすることにより、露光領域Ａａ２において露光量不足が生じ易い回転半径方向における中央部に対して十分な量の電子ビームＥＢを確実に照射することができるため、現像処理によって形成される凹凸パターン１５に欠陥が生じる事態を確実に回避することができる。
【０１０５】
次いで、磁気ディスク１１０Ｃを製造するためのスタンパー４０を製造する方法に関し、主として、露光パターンＰＣの描画方法について、図面を参照して説明する。なお、露光パターンＰＣを描画する加工対象体１０の製作方法や、スタンパー４０を使用して磁気ディスク１１０Ｃを製造する方法については、前述した加工対象体１０の製作方法、および磁気ディスク１１０Ａの製造方法と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
【０１０６】
磁気ディスク１１０Ｃを製造するためのスタンパー４０の製造に際しては、まず、加工対象体１０の樹脂層１２に、図２４に示す露光パターンＰＣを描画する。なお、同図および後に参照する図２５では、露光パターンＰＣの描画に際して樹脂層１２に向けて照射する電子ビームＥＢのビーム中心が相対的に通過する軌跡を太線Ｌで図示している。この際に、描画装置１の制御部８は、記憶部９に記憶されている露光パターンＰＣ用の描画手順データＤＰに従って各部を制御する。以下、前述した露光パターンＰＡ，ＰＢと同様の描画手順については重複する説明を省略し、露光パターンＰＣの描画手順の特徴を中心にして説明する。
【０１０７】
具体的には、図２５に示すように、複数の非露光領域Ａｂのうちの所定の１つ（一例として、図２４における中央部上寄りの非露光領域Ａｂ）が、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転半径方向（同図における左右方向）で接する２つの露光領域Ａａ１（「第１露光領域」の一例）と、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転方向（同図における上下方向）で接する２つの露光領域Ａａ２（「第２露光領域」の一例）との４つの露光領域Ａａによって囲まれると共に、２つの露光領域Ａａ１の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ１（「第１の長さ」：一例として、１００ｎｍ）よりも、２つの露光領域Ａａ２の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ２（「第２の長さ」：一例として、３０ｎｍ）を短くすべき部位の描画に際して、制御部８は、ビーム偏向部７を制御することにより、露光領域Ａａ２とすべき領域（「第２領域」：図２５において左下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチ（「第２領域に向けて照射する描画用ビームの第２の平均照射ピッチ」：この例では、照射ピッチＰ２）が、従来の描画方法に従って例えば露光パターンＰａｘを描画する際に露光領域Ａａ２ｘとすべき領域（図３４において左下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームの平均照射ピッチ：この例では、照射ピッチＰ１）よりも狭くなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。
【０１０８】
また、制御部８は、露光パターンＰＣの描画に際して、前述した露光パターンＰＡ，ＰＢの描画時とは異なり、露光領域Ａａ１とすべき領域（「第１領域」：図２５において右下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチと、露光領域Ａａ２とすべき領域（「第２領域」：同図において左下がりの破線で塗り潰した領域）に向けて照射する電子ビームＥＢの平均照射ピッチとが互いに等しくなるように（一例として、互いに等しい照射ピッチＰ２（５．６ｎｍ）となるように）電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。
【０１０９】
この場合、図２４，２５に示す露光パターンＰＣでは、所定の１つの非露光領域Ａｂ（この例では、図２４における中央部上寄りの非露光領域Ａｂ）に対して回転半径方向（この例では、両図における左右方向）に位置すると共に、その回転方向（両図における上下方向）に沿った長さが所定の１つの非露光領域Ａｂの回転方向に沿った長さ（この例では、長さＬ１）よりも長い露光領域Ａａのうちの一部（この例では、上記の非露光領域Ａｂにおいて対向する回転半径方向に沿った両辺（両図における左右方向に沿った両辺）を延長した一対の仮想延長線で区画される範囲内）が「第１露光領域」に相当する露光領域Ａａ１となっている（「第１の露光領域」における回転方向の両端部の双方に露光領域Ａａが連続して存在する形態）。
【０１１０】
また、この露光パターンＰＣでは、所定の１つの非露光領域Ａｂに対して回転方向（この例では、両図における上下方向）に位置すると共に、その回転半径方向（両図における左右方向）に沿った長さが所定の１つの非露光領域Ａｂの回転半径方向に沿った長さ（この例では、長さＬ４）よりも長い露光領域Ａａのうちの一部（この例では、上記の非露光領域Ａｂにおいて対向する回転方向に沿った両辺（両図における上下方向に沿った両辺）を延長した一対の仮想延長線で区画される範囲内）が「第２露光領域」に相当する露光領域Ａａ２となっている（「第２の露光領域」における回転半径方向の両端部の双方に露光領域Ａａが連続して存在する形態）。
【０１１１】
なお、露光パターンＰＣ用の描画手順データＤＰは、図２４に示すように、一例として、上記の露光領域Ａａ１に対して回転方向で接する（回転方向において露光領域Ａａ１に連続している）露光領域Ａａ（露光領域Ａａ３：図２５参照）についても、露光領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射ピッチＰ２と同様の照射ピッチＰ２で電子ビームＥＢを照射するように描画手順が記録されている。また、図６，２４等において図示していない部位（サーボパターン領域におけるバーストパターン領域以外の領域や、トラックパターン領域などに対応する領域）の露光領域Ａａについては、その部位の模様に応じた所定の照射ピッチで電子ビームＥＢを照射するように描画手順が記録されている。
【０１１２】
この場合、前述したように、出願人が開示している描画方法（従来の描画方法）では、長さＬ３ｘを（Ｎｘ＋１）で除した値と、長さＬ４ｘを（Ｍｘ−１）で除した値とが互いに等しい値となるように樹脂層に電子ビームが照射される。これに対して、図２５に示すように、この露光パターンＰＣの描画方法では、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＮ回（この例では、Ｎ＝５回）とし、かつ露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さを長さＬ３ｃ（「第３の長さ」：一例として、４８．０ｎｍ）とすると共に、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＭ回（この例では、Ｍ＝２３回）とし、かつＭ回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側（一例として、同図における最も左側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側（一例として、同図における最も右側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さを長さＬ４（「第４の長さ」：一例として、１２３．２ｎｍ）としたときに、この露光パターンＰＡの描画方法では、長さＬ３ｃを（Ｎ＋１）で除した値（この例では、８．０）よりも、長さＬ４を（Ｍ−１）で除した値（この例では、５．６）の方が小さくなるように電子ビームＥＢが照射される。
【０１１３】
なお、この露光パターンＰＣの描画方法では、電子ビームＥＢのビーム中心が露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の端部と一致する照射を「露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数」に含めない場合においても、「第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなる」との条件が満たされる。具体的には、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数を上記の例よりも２回少ない２１回とし、かつ２１回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さを長さＬ４ａ（この例では、１１２．０ｎｍ）としたときに、この露光パターンＰＣの描画方法では、上記の長さＬ３ｃを（Ｎ＋１）で除した値（この例では、８．０）よりも、長さＬ４ａを（Ｍ−１＝２０）で除した値（この例では、５．６）の方が小さくなっている。
【０１１４】
この場合、前述したように、上記の露光パターンＰＣでは、露光領域Ａａ１の回転方向に沿った長さＬ１よりも露光領域Ａａ２の回転方向に沿った長さＬ２の方が短くなっている。このため、この露光パターンＰＣの描画に際しては、１回の電子ビームＥＢの照射（走査）において、露光領域Ａａ１に向けて電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（すなわち、照射時間）よりも露光領域Ａａ２に向けて電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（照射時間）の方が短くなる。したがって、従来の描画方法に従って露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３ｃを露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数に「１」を足した数で除した値と、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する複数回の照射のうちの回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数から「１」を引いた数で除した値とが等しくなるように電子ビームＥＢを照射したときには、電子ビームＥＢを照射する樹脂層１２上の距離（照射時間）が短い上記の露光領域Ａａ２において露光量が不足する状態となるおそれがある。
【０１１５】
これに対して、この電子ビーム描画装置１による露光パターンＰＣの描画方法では、上記したように、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が長い露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３ｃを露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数に「１」を足した数で除した値（この例では、８．０）よりも、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短い露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する複数回の照射のうちの回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数から「１」を引いた数で除した値（この例では、５．６）が小さくなるように露光領域Ａａ１，Ａａ２に電子ビームＥＢをそれぞれ照射している。したがって、電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短い露光領域Ａａ２に対して露光領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射量と同程度またはそれ以上の十分な量の電子ビームＥＢが照射される。
【０１１６】
この場合、図２５に示すように、この露光パターンＰＣの描画方法では、露光パターンＰＣの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ１とすべき「第１領域」における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と、露光パターンＰＣの描画時における複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心のうちの上記の仮想延長線に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、露光領域Ａａ２とすべき「第２領域」における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｅが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａ（前述した照射ピッチＰ２に対応する長さであって、この例では、第２領域に対する電子ビームＥＢの平均照射ピッチに対応する長さ）よりも長くなるように（長さＬ５ａが長さＬ５ｅよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【０１１７】
また、露光パターンＰＣの描画方法では、回転方向において隣接する２つの露光領域Ａａ１，Ａａ１の間の領域であって、回転半径方向において隣接する２つの露光領域Ａａ２，Ａａ２の間の領域である露光領域Ａａ３とすべき「第３領域」に対して、電子ビームＥＢの照射を停止させることなく、回転方向において隣接する第１領域から連続的に電子ビームＥＢを照射している。したがって、露光パターンＰＣの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時のビーム中心が、第１領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心の回転方向に沿った仮想延長線と重なる。このため、露光パターンＰＣの描画方法では、第３領域における回転半径方向の最外周側（または、最内周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と、このビーム中心に対して回転半径方向の外周側（または内周側）に位置する最も近いビーム中心（この例では、第２領域における回転半径方向の最内周側（または、最外周側）への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心）との間の回転半径方向に沿った長さＬ５ｅが、第２領域に対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各ビーム中心の間の回転半径方向に沿った長さＬ５ａよりも長くなるように（長さＬ５ａが長さＬ５ｅよりも短くなるように）電子ビームＥＢが照射される。
【０１１８】
この後、制御部８は、加工対象体１０の回転方向に沿って電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する処理を所定の照射ピッチで複数回に亘って実行する。これより、サーボパターンやデータトラックパターン（露光パターンＰＣ）の描画処理が完了する。この後、前述した磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ用のスタンパー４０の製造方法と同様の手順に従って、磁気ディスク１１０Ｃ用のスタンパー４０を製造する。これにより、図３に示すように、磁気ディスク１１０Ｃ用のスタンパー４０（チャイルドスタンパー）が完成する。次いで、前述した磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂの製造方法と同様の手順に従って、スタンパー４０と中間体１００とを用いて磁気ディスク１１０Ｃを製造する。この場合、露光パターンＰＣを描画して製造したスタンパー４０を使用して製造した磁気ディスク１１０Ｃでは、不要な凸部１２６（欠陥）が形成されることなく凹凸パターン１２５が高精度で形成されている。したがって、従来の描画方法によって描画した露光パターンＰａｘを用いて製造したスタンパーを使用して製造した磁気ディスク（図示せず）とは異なり、サーボパターンの読み取りエラー等が生じる事態が回避される。
【０１１９】
このように、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法では、複数の非露光領域Ａｂのうちの所定の１つが、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転半径方向で接する２つの露光領域Ａａ１と、その１つの非露光領域Ａｂに対して回転方向で接する２つの露光領域Ａａ２との４つの露光領域Ａａによって囲まれると共に、２つの露光領域Ａａ１の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ１よりも２つの露光領域Ａａ２の少なくとも一方（この例では、双方）における回転方向に沿った長さＬ２を短くすべき部位（この例では、バーストパターン領域）が存在する露光パターンＰＣを描画するときに、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＮ回とし、かつ露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さＬ３ｃを「第３の長さ」とすると共に、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＭ回とし、かつＭ回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さＬ４を「第４の長さ」としたときに、第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。この場合、一例として、露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチと、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射ピッチとが互いに等しい照射ピッチＰ２となるように電子ビームＥＢを樹脂層１２に照射する。
【０１２０】
したがって、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法によれば、その回転方向に沿った長さが短いために、露光領域Ａａ１とすべき領域よりも電子ビームＥＢの照射距離（照射時間）が短く、これに起因して露光量不足が生じ易い露光領域Ａａ２とすべき領域に対して、露光領域Ａａ１とすべき領域と同様に十分な量の電子ビームＥＢを照射することができる。これにより、この描画装置１、および描画装置１によるパターンの描画方法によれば、露光パターンＰＣの描画後に現像処理することで形成される凹凸パターン１５に欠陥（露光領域Ａａに対応して凹部１７が形成されるべき部位に凸部１６が形成された状態となる欠陥）が生じる事態を回避して、所望の凹凸パターン１５を高精度で形成することができる。
【０１２１】
また、上記のスタンパー４０の製造方法によれば、上記の描画方法に従って樹脂層１２に露光パターンＰＣを描画し、その後に現像処理して露光領域Ａａに凹部１７を形成することによってシリコン基板１１の上に凹凸パターン１５を形成し、その凹凸パターン１５を用いて複数回の転写処理を実行して形成した凹凸パターン３５を射出成形処理によって樹脂材料４１に転写してスタンパー４０を製造することにより、欠陥が存在する凹凸パターン４５がスタンパー４０に形成される事態を回避して、所望の凹凸パターン４５が高精度で形成されたスタンパー４０を製造することができる。したがって、このスタンパー４０の製造方法によれば、製造したスタンパー４０を用いたインプリント処理によって凹凸パターン１４５（マスクパターン）を形成して磁気ディスク１１０Ｃを製造することで、サーボパターンの読み取りエラー等を招くおそれがある欠陥が存在しない凹凸パターン１２５を高精度で形成することができる。
【０１２２】
また、上記の磁気ディスク１１０Ｃの製造方法によれば、上記のスタンパー製造方法に従って製造したスタンパー４０を用いてインプリント処理を実行して中間体１００の上のＢマスク層１１８に凹凸パターン１４５を形成し、凹凸パターン１４５を形成したＢマスク層１１８（凸部１４６）をマスクとして用いて中間体１００をエッチング処理して磁気ディスク１１０Ｃを製造することにより、欠陥が存在しない凹凸パターン４５が高精度で形成されたスタンパー４０を用いたインプリント処理によって凹凸パターン１４５（マスクパターン）を形成して磁気ディスク１１０Ｃを製造することで、サーボパターンの読み取りエラー等を招くおそれがある欠陥が存在しない高精度な凹凸パターン１２５が形成された磁気ディスク１１０Ｃを製造することができる。
【０１２３】
なお、複数の非露光領域Ａｂが加工対象体１０の回転方向および回転半径方向の両方向に整然と並んでいる部位が存在する露光パターンＰＡ，ＰＡａ，ＰＢ，ＰＢａ，ＰＣを描画する例について説明したが、描画する「模様」はこれに限定されない。例えば、図２６に示すように、複数の非露光領域Ａｂが加工対象体１０の回転方向（同図における上下方向）において整然と並ぶと共に、回転半径方向（同図における左右方向）においては、各非露光領域Ａｂが互い違いに並んだ部位が存在する露光パターンＰＡｂ，ＰＢｂ，ＰＣｂの描画に際して上記の「描画方法」と同様の描画方法を実施することができる。この場合、図２６〜３２では、「第１領域に向けて照射する描画用ビームの平均照射ピッチ」で電子ビームＥＢを照射する際にビーム中心が相対的に移動する範囲を領域Ａ１として右下がりの斜め線で塗り潰して図示すると共に、「第２領域に向けて照射する描画用ビームの平均照射ピッチ」で電子ビームＥＢを照射する際にビーム中心が相対的に移動する範囲を領域Ａ２として左下がりの斜め線で塗り潰して図示している。したがって、上記の領域Ａ１，Ａ２に電子ビームＥＢを照射したときには、この領域Ａ１，Ａ２よりも僅かに広い領域が露光領域Ａａとなり、各図に破線で示すように非露光領域Ａｂが形成される。
【０１２４】
また、図２６〜３２に示す露光パターンＰＡｂ〜ＰＡｈ，ＰＢｂ〜ＰＢｈ，ＰＣｂ〜ＰＣｈは、いずれも「露光領域Ａａ１とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＮ回とし、かつ露光領域Ａａ１とすべき領域における回転半径方向に沿った長さを第３の長さとすると共に、露光領域Ａａ２とすべき領域に向けて照射する電子ビームＥＢの照射回数をＭ回とし、かつＭ回の電子ビームＥＢの照射のうちの露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最内周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心と露光領域Ａａ２とすべき領域における回転半径方向の最外周側への電子ビームＥＢの照射時におけるビーム中心との間の回転半径方向に沿った長さを第４の長さとしたときに、第３の長さを（Ｎ＋１）で除した値よりも第４の長さを（Ｍ−１）で除した値の方が小さくなるように電子ビームＥＢを照射する」との条件を満たして描画されている。
【０１２５】
一方、上記の露光パターンＰＡ，ＰＡａ，ＰＡｂ，ＰＢ，ＰＢａ，ＰＢｂ，ＰＣ，ＰＣｂでは、「第１露光領域」とすべき領域に向けて照射した電子ビームＥＢと、「第２露光領域」とすべき領域に向けて照射した電子ビームＥＢとが相俟って、矩形状の非露光領域Ａｂにおける４つの角部において露光量が多すぎる状態となり、これに起因して、矩形状の非露光領域Ａｂにおける各角部が丸みを帯びるおそれがある。したがって、矩形状の非露光領域Ａｂにおける角部が丸みを帯びることが問題となるような場合には、矩形状の非露光領域Ａｂにおける各角部において露光量過多が生じる事態を回避するために、図２７〜３２に示すように規定した領域Ａ１，Ａ２に向けて電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰＡｃ〜ＰＡｈ，ＰＢｃ〜ＰＢｈ，ＰＣｃ〜ＰＣｈを描画することができる。このように、非露光領域Ａｂとすべき領域の角部の近傍において領域Ａ１，Ａ２が僅かに離間するように電子ビームＥＢを照射することにより、露光領域とすべき領域においては十分な露光量とし、非露光領域Ａｂの角部においては、露光量過多となる事態を回避することができる。これにより、樹脂層としてポジ型レジストを使用した場合には、現像処理によって形成される凸部の各角部が丸みを帯びる事態を回避することができると共に、樹脂層としてネガ型レジストを使用した場合には、現像処理によって形成される凹部の各角部が丸みを帯びる事態を回避することができる。
【０１２６】
さらに、磁気ディスクにおけるサーボパターン領域内のバーストパターンに対応する露光パターンＰＡ，ＰＡａ〜ＰＡｈ，ＰＢ，ＰＢａ〜ＰＢｈ，ＰＣ，ＰＣｂ〜ＰＣｈを例に挙げて説明したが、描画する「模様」は、バーストパターンに対応する模様だけでなく、例えば、データ記録トラックを構成する複数の凸部が回転半径方向だけでなく回転方向においても凹部を介して物理的に独立して形成されたパターンド媒体におけるデータトラックパターンに対応する模様（図示せず）がこれに含まれる。また、「描画用ビーム」は、前述した電子ビームＥＢに限定されず、イオンビーム等の各種の荷電粒子ビームや、各種波長の光（レーザービーム等）を用いることができる。この際には、使用する描画用ビームに対して感光性を有する樹脂材料で「樹脂層」を形成すればよい。また、「樹脂層」としてポジ型レジストを使用した例について説明したが、ネガ型レジストを用いて形成した樹脂層に露光パターンＰＡ，ＰＢ，ＰＣ等を描画する方法を採用することもできる。この場合、ネガ型レジストの層に露光パターンＰＡ，ＰＢ，ＰＣ等を描画したときには、現像処理時において電子ビームＥＢの照射領域がシリコン基板１１上に残存することとなる。したがって、上記の磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃと同様の凹凸パターン１２５を有する磁気ディスクを製造する際には、スタンパー２０、またはスタンパー４０に対応する金属スタンパーを原型として射出成形処理して製造した樹脂スタンパー（図示せず）、または上記のスタンパー３０をインプリント処理用のスタンパーとして使用すればよい。
【０１２７】
さらに、上記のような「描画方法」に従って描画したパターンを用いて製造するスタンパーは、磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃのような垂直記録方式の磁気ディスクを製造するためのスタンパーだけではなく、面内記録方式の磁気ディスク（「情報記録媒体」の他の一例）を製造するためのスタンパーがこれに含まれる。加えて、磁気ディスクだけではなく、光ディスク（光記録媒体：「情報記録媒体」のさらに他の一例）の製造時に使用するスタンパーの製造時においても、上記のような「描画方法」を実施することができる。また、上記のような「描画方法」に従って描画したパターンを用いて形成する凹凸パターンの用途は、磁気ディスク１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ等の情報媒体製造用のスタンパーへの適用に限らず、例えば、半導体素子の製造時等に用いる凹凸パターンを形成する際にも適用することができる。
【符号の説明】
【０１２８】
１  電子ビーム描画装置
２  Ｘ−Ｙ移動機構
３  ターンテーブル
４  ビーム発生部
５  ブランキング制御部
６  ビーム成形部
７  ビーム偏向部
８  制御部
９  記憶部
１０  加工対象体
１１  シリコン基板
１２  樹脂層
１５，２５，３５，４５，１２５，１４５，１５５  凹凸パターン
１６，２６，３６，４６，１２６，１４６，１５６  凸部
１７，２７，３７，４７，１２７，１４７，１５７  凹部
２０，３０，４０  スタンパー
２１，２２，３１  ニッケル層
４１  樹脂材料
１１０Ａ〜１１０Ｃ  磁気ディスク
Ａ１，Ａ２  領域
Ａａ，Ａａ１，Ａａ２，Ａａ３  露光領域
Ａｂ  非露光領域
ＤＰ  描画手順データ
ＥＢ  電子ビーム
Ｌ  太線
Ｌ１〜Ｌ４，Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ４ａ，Ｌ５ａ〜Ｌ５ｅ  長さ
Ｐ１〜Ｐ３  照射ピッチ
ＰＡ，ＰＡａ〜ＰＡｈ，ＰＢ，ＰＢａ〜ＰＢｈ，ＰＣ，ＰＣｂ〜ＰＣｈ  露光パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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