(57)【要約】【課題】投影光学系に入射する露光光の照射量が多い場合に位置合わせ精度を向上する。【解決手段】レチクルＲのパターンと、そのパターンが投影光学系ＰＬを介して露光されるウエハＷとの位置合わせを行う方法において、露光量制御系５により投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの積算照射量を求め、ＲＡ系４０Ａ，４０Ｂにより投影光学系ＰＬを介してレチクルＲのレチクルマーク１６Ａ，１６ＢとウエハステージＷＳＴ上の基準マーク３０Ａ，３０Ｂとの位置関係を計測し、その位置関係及びその積算照射量に基づいて、そのパターンとウエハＷとの位置合わせを行う。【選択図】図１
2010219452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光で照明されるパターンと、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して露光される物体との位置合わせを行う方法において、
前記投影光学系に入射する前記露光光の照射量を積算した積算照射量情報を求め、
前記パターンに付設された位置合わせ用マークの位置情報を前記投影光学系を介して計測し、
前記位置情報の計測結果及び前記積算照射量情報に基づいて、前記パターンと前記物体との位置合わせを行うことを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項２】
前記位置合わせ用マークの位置情報を計測する際に、
前記露光光と同じ波長の検出光を用いて、前記投影光学系を介して前記位置合わせ用マークと前記物体を移動する移動体上の基準マークとの第１の位置関係情報を計測することを特徴とする請求項１に記載の位置合わせ方法。
【請求項３】
前記第１の位置関係情報の計測結果のうち、前記位置合わせ用マークと前記基準マークとの前記投影光学系の光軸に垂直な面内の交差する２方向の相対位置及び前記光軸の回りの相対回転角の少なくとも一つを前記積算照射量情報に基づいて補正し、
該補正された前記第１の位置関係情報に基づいて前記パターンと前記物体との位置合わせを行うことを特徴とする請求項２に記載の位置合わせ方法。
【請求項４】
前記位置合わせ用マークの位置情報を計測する際に、
前記位置合わせ用マークの前記投影光学系による像と前記物体上の位置合わせ用マークの位置を検出する物体側マーク検出系の検出基準位置との第２の位置関係情報を計測し、
前記第２の位置関係情報を前記積算照射量情報を用いて補正した結果に基づいて、前記パターンと前記物体との位置あわせを行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の位置合わせ方法。
【請求項５】
前記パターンはマスクのパターン領域に形成され、前記パターンに付設された位置合わせ用マークは、前記マスクの前記パターン領域の外部に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の位置合わせ方法。
【請求項６】
露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光方法において、
請求項１から５のいずれか一項に記載の位置合わせ方法を用いて前記パターンの前記物体との位置合わせを行うことを特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項６に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記感光層のパターンが形成された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項８】
露光光で照明されるパターンと、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して露光される物体との位置合わせを行う装置において、
前記投影光学系に入射する前記露光光の照射量を積算した積算照射量情報を求める演算部と、
前記パターンに付設された位置合わせ用マークの位置情報を前記投影光学系を介して計測するマーク計測系と、
前記マーク計測系で計測された前記位置情報及び前記演算部で求められた前記積算照射量情報に基づいて前記パターンと前記物体との位置合わせを行う制御装置と、
を備えることを特徴とする位置合わせ装置。
【請求項９】
前記物体を移動する移動体と、前記移動体上に設けられた基準マークとを備え、
前記マーク計測系は、前記露光光と同じ波長の検出光を用いて、前記投影光学系を介して前記位置合わせ用マークと前記基準マークとの第１の位置関係情報を計測することを特徴とする請求項８に記載の位置合わせ装置。
【請求項１０】
前記制御装置は、
前記第１の位置関係情報の計測結果のうち、前記位置合わせ用マークと前記基準マークとの前記投影光学系の光軸に垂直な面内の交差する２方向の相対位置及び前記光軸の回りの相対回転角の少なくとも一つを前記積算照射量情報に基づいて補正し、
該補正された前記第１の位置関係情報に基づいて前記パターンと前記物体との位置合わせを行うことを特徴とする請求項９に記載の位置合わせ装置。
【請求項１１】
前記物体上の位置合わせ用マークの位置情報を計測する物体側マーク計測系を備え、
前記制御装置は、
前記マーク計測系の計測結果及び前記物体側マーク計測系の計測結果に基づいて、前記パターンに付設された前記位置合わせ用マークの像と前記物体側マーク検出系の検出基準位置との第２の位置関係情報を求め、
該補正後の前記第２の位置関係情報に基づいて前記パターンと前記物体との位置合わせを行うことを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項１２】
前記パターンはマスクのパターン領域に形成され、前記パターンに付設された前記位置合わせ用マークは、前記マスクの前記パターン領域の外部に形成されていることを特徴とする請求項８から１１のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項１３】
露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光装置において、
請求項８から１２のいずれか一項に記載の位置合わせ装置と、
前記位置合わせ装置によって求められた位置合わせ情報に応じて前記物体を移動するステージと、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写対象のパターンと露光対象の物体との位置合わせを行うための位置合わせ技術、この位置合わせ技術を用いる露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するためのリソグラフィ工程中で使用される露光装置においては、レチクル（又はフォトマスク等）のパターンの像と露光対象のウエハ（又はガラス基板等）の各ショット領域との位置合わせを行うために、予めレチクルアライメント系でレチクルのアライメントマークと所定の基準部材に形成された基準マークとの位置関係を投影光学系を介して計測し、この計測結果を用いてレチクルのパターンの像とウエハアライメント系の検出中心との位置関係（ベースライン）を計測していた（例えば、特許文献１参照）。そして、ウエハ上の所定のアライメントマークの位置をウエハアライメント系により計測し、この計測結果とベースラインとを用いて例えばＥＧＡ（エンハンスド・グローバル・アライメント）方式で位置合わせを行っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００４／０５１１８４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近、露光装置によっては、投影光学系に入射する露光光の照射量が多くなると、次第に位置合わせ精度が低下する恐れのあることが分かって来た。これは、レチクルのアライメントマークの位置と転写用のパターンの位置（例えば中心での位置）とが異なっており、投影光学系中のレンズ等の加熱によって、そのアライメントマークを通過する光束とその転写用のパターンを通過する光束とに対する投影光学系の結像特性が僅かに異なることに起因すると考えられる。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑み、投影光学系に入射する露光光の照射量が多い場合の位置合わせ精度を向上できる位置合わせ技術及び露光技術、並びにその露光技術を用いるデバイス製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による位置合わせ方法は、露光光で照明されるパターンと、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して露光される物体との位置合わせを行う方法において、その投影光学系に入射するその露光光の照射量を積算した積算照射量情報を求め、そのパターンに付設された位置合わせ用マークの位置情報をその投影光学系を介して計測し、その位置情報の計測結果及びその積算照射量情報に基づいて、そのパターンとその物体との位置合わせを行うものである。
【０００７】
また、本発明による露光方法は、露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光方法において、本発明の位置合わせ方法を用いてそのパターンのその物体との位置合わせを行うものである。
また、本発明による位置合わせ装置は、露光光で照明されるパターンと、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して露光される物体との位置合わせを行う装置において、その投影光学系に入射するその露光光の照射量を積算した積算照射量情報を求める演算部と、そのパターンに付設された位置合わせ用マークの位置情報をその投影光学系を介して計測するマーク計測系と、そのマーク計測系で計測されたその位置情報及びその演算部で求められたその積算照射量情報に基づいてそのパターンとその物体との位置合わせを行う制御装置と、を備えるものである。
【０００８】
また、本発明による露光装置は、露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光装置において、本発明の位置合わせ装置と、その位置合わせ装置によって求められた位置合わせ情報に応じてその物体を移動するステージと、を備えるものである。
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光方法又は露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理することと、を含むものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、投影光学系に入射する露光光の積算照射量情報と位置合わせ用マークの位置情報とを用いて位置合わせを行うため、投影光学系に入射する露光光の照射量が多い場合に位置合わせ精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態の一例で使用される露光装置を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）はベースライン計測時の図１の露光装置の要部を示す図、（Ｂ）は図２（Ａ）のＲＡ系４０，４０ＢのレチクルＲ上の視野を示す平面図である。
【図３】（Ａ）はウエハ露光時の図１の露光装置の要部を示す図、（Ｂ）は図３（Ａ）の投影光学系ＰＬを介して基準部材２８上に投影されるレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像を示す平面図である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ積算照射量に応じたレチクルマークの像のＸ方向及びＹ方向の変動量の一例を示す図である。
【図５】アライメント及び露光を行う動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】実施形態の他の例の露光装置を示す平面図である。
【図７】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態の一例につき図１〜図５を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る露光装置１００の概略構成を示す。図１において、露光装置１００は、アーク放電型の水銀ランプ及びシャッタ等を含む露光光源（不図示）と、この露光光源からの露光用の照明光（露光光）ＩＬによりレチクルＲ（マスク）を照明する照明光学系１０とを備えている。さらに、露光装置１００は、レチクルＲを位置決めするレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲから射出された照明光ＩＬをフォトレジスト（感光材料）が塗布されたウエハＷ（基板）上に投射する投影光学系ＰＬと、ウエハＷの位置決め及び移動を行うウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系２と、その他の駆動系等とを備えている。以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行にＺ軸を取り、これに垂直な面内の直交する２方向にＸ軸及びＹ軸を取り、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に平行な軸の回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。
【００１２】
照明光ＩＬとしては、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）が使用されているが、ｉ線の他に、ｇ線、ｈ線、若しくはこれらの混合光等が使用できる。さらに、露光用の光源としては、水銀ランプ等の放電ランプの他に、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）若しくはＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などの紫外パルスレーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、又は固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波発生装置なども使用することができる。
【００１３】
照明光学系１０は、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されるように、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、ロッドインテグレータ、回折光学素子など）等を含む照度均一化光学系、照明光ＩＬの強度をモニタするインテグレータセンサ、レチクルブラインド（可変視野絞り）、及びコンデンサ光学系等を含んでいる。照明光学系１０は、レチクルＲのパターン面（レチクル面）において、パターン領域ＰＡを囲むようにレチクルブラインドで規定された所定形状の照明領域１８Ｒを照明光ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。また、通常照明、２極若しくは４極照明、又は輪帯照明等の照明条件に応じて、照明光学系１０内の瞳面における照明光ＩＬの強度分布が不図示の設定機構によって切り換えられる。
【００１４】
主制御系２の制御のもとで、露光量制御系５が照明光学系１０内で照明光ＩＬから分岐された光束を受光する光電センサよりなるインテグレータセンサ４６の出力に基づいて、ウエハＷのフォトレジストが適正露光量（ドーズ）で露光されるように、露光光源の出力及びシャッターの開閉（露光時間）を制御する。この場合、ウエハステージＷＳＴ上に投影光学系ＰＬを介して照射される照明光ＩＬの照射量を計測する光電センサよりなる照射モニタ４４が設置され、照射量モニタ４４の出力も主制御系２を介して露光量制御系５に供給されている。露光量制御系５は、予め露光開始前に照射量モニタ４４及びインテグレータセンサ４６の出力を同時に取り込み、その出力の比の値を求めて記憶しておくことによって、露光時にはインテグレータセンサ４６の出力から投影光学系ＰＬを通過する照明光ＩＬの照射量（ウエハＷに対する照射量）、ひいては投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの照射量（単位時間当たりのエネルギー）、及びその積算値（積算照射量）を求める。投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの照射量及び積算照射量の情報は、主制御系２、後述のアライメント制御系６、及び後述の結像特性制御系３に供給される。
【００１５】
また、照明光学系１０内にはレチクルＲで反射されて戻される反射光を受光する光電センサよりなる反射率モニタ４８が設置され、反射率モニタ４８の出力も露光量制御系５に供給されている。投影光学系ＰＬに対する照射量を求める際に、反射率モニタ４８の出力をも考慮するようにしてもよい。
また、レチクルＲのレチクル面には、パターン領域ＰＡを例えばＸ方向に挟むように一対の２次元のアライメントマークとしてのレチクルマーク１６Ａ及び１６Ｂが形成されている。レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの周囲は光透過部である。パターン領域ＰＡの中心ＰＣ（図２（Ｂ）参照）とレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの中心とは合致しているものとする。なお、それらの中心の間に既知のオフセットがある場合には、そのオフセットの情報をアライメント制御系６に記憶しておけばよい。そして、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの上方に、ミラー４２Ａ及び４２Ｂを介して例えば画像処理方式のレチクルアライメント系（以下、ＲＡ系という）４０Ａ，４０Ｂが配置されている（詳細後述）。
【００１６】
照明光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域１８Ｒ内の回路パターンは、両側テレセントリック（又はウエハ側に片側テレセントリック）の投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率（例えば１／４，１／５等の縮小倍率）で、ウエハＷ上の一つのショット領域ＳＡ上の露光領域１８Ｗ（照明領域１８Ｒと共役な領域）に投影される。投影光学系ＰＬは例えば屈折系であるが、反射屈折系等も使用できる。レチクルＲのパターン面（レチクル面）及びウエハＷの表面（ウエハ面）がそれぞれ投影光学系ＰＬの物体面及び像面に配置される。
【００１７】
投影光学系ＰＬを構成する多数のレンズ中の所定の複数のレンズＬ１，Ｌ２等は、それぞれレンズホルダ（不図示）で保持され、これらのレンズホルダは、それぞれ投影光学系ＰＬの鏡筒に例えば３箇所でＺ方向に伸縮可能な駆動素子（圧電素子等）７Ａ，７Ｂ等を介して支持されている。結像特性制御系３が駆動素子７Ａ，７Ｂの伸縮量を制御して、レンズＬ１，Ｌ２等のＺ方向の位置、及びθｘ、θｙ方向の傾斜角を制御することによって、投影光学系ＰＬのディストーション、倍率誤差、及びコマ収差等の結像特性（収差）を補正できる。露光装置１００において、露光を継続すると、照明光ＩＬの照射エネルギーによって投影光学系ＰＬの結像特性が次第に変動する。そこで、予め投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの積算照射量と結像特性の変動量との関係（レチクルＲのパターン及び照明条件等によっても異なる関係）が求められ、この関係が結像特性制御系３に記憶されている。
【００１８】
露光時には、露光量制御系５で計測される照明光ＩＬの積算照射量の情報が主制御系２を介して結像特性制御系３に供給される。結像特性制御系３は、その積算照射量に応じた結像特性の変動量を相殺するように、駆動素子７Ａ，７Ｂ等を駆動する。これによって、レチクルＲのパターン領域ＰＡ内のパターンに関する投影光学系ＰＬの結像特性が良好な状態に維持される。ただし、照明光ＩＬの積算照射量が大きくなり、結像特性の補正量が大きくなると、パターン領域ＰＡ内のパターンの像の変動量は許容範囲内に収まっても、パターン領域ＰＡの外側にあるレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像に関してはディストーション等が残存する恐れがある。これに対する対策については後述する。
【００１９】
レチクルＲはレチクルホルダ（不図示）を介してレチクルステージＲＳＴ上に吸着保持され、レチクルステージＲＳＴはレチクルベース１２のＸＹ平面に平行な上面で微動して、レチクルＲのＸ方向、Ｙ方向の位置及びθｚ方向の回転角の微調整を行う。レチクルステージＲＳＴの少なくともＸ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む２次元的な位置情報は、レチクルステージＲＳＴに設けられた移動鏡（又は鏡面加工された側面の反射面）と、Ｘ軸のレーザ干渉計１４Ｘと、Ｙ軸の２軸のレーザ干渉計１４ＹＡ，１４ＹＢとを含むレチクル側干渉計システムによって計測されて、ステージ駆動系４及び主制御系２に供給される。ステージ駆動系４は、その位置情報及び主制御系２からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構（ボイスコイルモータなど）を介してレチクルステージＲＳＴの２次元的な位置を制御する。
【００２０】
また、ウエハＷはウエハホルダ２０を介してウエハステージＷＳＴ上に吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴは、ウエハベース２６のＸＹ平面に平行な上面でＸ方向、Ｙ方向に移動するＸＹステージ２４と、Ｚチルトステージ２２とを備え、Ｚチルトステージ２２上にウエハＷが保持されている。Ｚチルトステージ２２は、例えばＺ方向に変位可能な３箇所のＺ駆動部（不図示）を個別に駆動して、Ｚチルトステージ２２の上面（ウエハＷ）の光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）の位置、及びθｘ、θｙ方向の回転角を制御する。
【００２１】
さらに、投影光学系ＰＬの側面に、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（不図示）が設けられている。このオートフォーカスセンサによって、ウエハＷの表面の投影光学系ＰＬの像面に対するＺ方向へのデフォーカス量、及びθｘ、θｙ方向の傾斜角が求められて、ステージ駆動系４に供給される。ステージ駆動系４は、そのオートフォーカスセンサの計測結果に基づいて、ウエハＷの表面が投影光学系ＰＬの像面に合焦されるように、Ｚチルトステージ２２を駆動する。
【００２２】
Ｚチルトステージ２２の反射面（又は移動鏡でもよい）と、Ｘ軸の２軸のレーザ干渉計３６ＸＰ，３６ＸＦと、Ｙ軸の２軸のレーザ干渉計３６ＹＡ，３６ＹＢとを含むウエハ側干渉計システムによって、ウエハステージＷＳＴ（Ｚチルトステージ２２）の少なくともＸ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む２次元的な位置情報が計測されて、計測結果がステージ駆動系４及び主制御系２に供給される。その位置情報はアライメント制御系６にも供給される。ステージ駆動系４は、その位置情報及び主制御系２からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介して、ウエハステージＷＳＴのＸＹステージ２４の２次元的な位置を制御する。
【００２３】
また、投影光学系ＰＬの＋Ｙ方向の側面において、ウエハＷ上のアライメントマークとしてのウエハマークの位置を計測するための、オフアクシス方式で例えば画像処理方式のウエハアライメント系３８が不図示のフレームに支持されている。本実施形態では、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと、ウエハアライメント系３８の検出中心を通りＺ軸に平行な直線とは、Ｙ軸に平行な直線上に位置している。
【００２４】
また、Ｚチルトステージ２２上のウエハホルダ２０の近傍には線膨張率の極めて小さい材料からなる平板状の基準部材２８が固定され、基準部材２８上の反射膜中にＸ方向に所定間隔の十字型のスリットパターンよりなる２次元の基準マーク３０Ａ，３０Ｂと、これらの基準マーク３０Ａ，３０Ｂに対して所定の位置関係の２次元の基準マーク３２とが形成されている。基準マーク３０Ａ，３０Ｂの間隔は、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像の間隔とほぼ同じに設定されている。さらに、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像の中心に基準マーク３０Ａ，３０Ｂの中心をほぼ合わせた状態で、基準マーク３２がウエハアライメント系３８の検出中心にほぼ合致するように、基準マーク３０Ａ，３０Ｂと基準マーク３２との位置関係が定められている。その位置関係の情報は、既知の定数としてアライメント制御系６内の記憶装置に記憶されている。基準マーク３０Ａ，３０Ｂ及び基準マーク３２を用いて、レチクルＲのパターン領域ＰＡの像の中心（露光中心）と、ウエハアライメント系３８の検出中心の位置関係であるＸ方向、Ｙ方向のベースラインを計測できる。
【００２５】
また、Ｚチルトステージ２２内の基準部材２８の底面に、基準マーク３０Ａ，３０Ｂを通過した光束を受光する空間像計測系３４が収納され、空間像計測系３４の検出信号がアライメント制御系６に供給されている。空間像計測系３４は、実際には基準マーク３０Ａ，３０Ｂに対応して２つの同じ構成の空間像計測系３４Ａ，３４Ｂ（図２（Ａ）参照）に分かれている。空間像計測系３４によって、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの投影光学系ＰＬによる像と基準マーク３０Ａ，３０Ｂとの位置ずれ量を計測でき、この計測結果に基づいてレチクルＲのアライメントを行うことができる。なお、本実施形態では、レチクルステージＲＳＴの上方にＲＡ系４０Ａ，４０Ｂが配置されているため、空間像計測系３４を使用する必要はない。
【００２６】
ここで、露光装置１００のベースライン計測につき説明する。
図２（Ａ）は、図１の露光装置においてベースライン計測時のＲＡ系（レチクルアライメント系）４０Ａ，４０ＢからウエハステージＷＳＴまでの構成の要部を示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のレチクルＲの平面図である。図２（Ａ）において、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの上方にミラー４２Ａ，４２Ｂが配置され、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの投影光学系ＰＬによる像の近傍にウエハステージＷＳＴ上の基準部材２８の基準マーク３０Ａ，３０Ｂが移動している。
【００２７】
ＲＡ系４０及び４０Ｂは、それぞれ照明光ＩＬと同じ波長の検出光（アライメント光）ＡＬＡ及びＡＬＢを用いてレチクルマーク１６Ａ及び１６Ｂを落射照明する落射照明系と、アライメント顕微鏡とを備え、アライメント顕微鏡は、結像光学系と２次元の撮像素子とを備えている。その撮像素子の検出信号が図１のアライメント制御系６で処理される。図２（Ａ）のＲＡ系４０Ａ，４０Ｂから射出された検出光ＡＬＡ，ＡＬＢはミラー４２Ａ，４２Ｂを介してレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂを照明し、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの周囲を通過した検出光ＡＬＡ，ＡＬＢが、投影光学系ＰＬを介して基準マーク３０Ａ，３０Ｂを照明し、基準マーク３０Ａ，３０Ｂの周囲からの反射光が投影光学系ＰＬを介して、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの近傍に基準マーク３０Ａ，３０Ｂの像３０ＡＲ，３０ＢＲを形成する。
【００２８】
この場合、図２（Ｂ）に示すように、投影光学系ＰＬの物体面側の円形の視野ＰＬｆｒに内接するようにパターン領域ＰＡが位置決めされ、視野ＰＬｆｒ内でかつパターン領域ＰＡの外部にレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂが配置されている。そして、一方のＲＡ系４０Ａの観察視野４０Ａｆ内にレチクルマーク１６Ａと基準マーク３０Ａの像３０ＡＲとが配置され、ＲＡ系４０Ａの検出信号を処理することで、レチクルマーク１６Ａと像３０ＡＲとのＸ方向、Ｙ方向の位置ずれ量（ΔＦＡＸ，ΔＦＡＹ）が計測される。これと並行して、他方のＲＡ系４０Ｂの観察視野４０Ｂｆ内にレチクルマーク１６Ｂと基準マーク３０Ｂの像３０ＢＲとが配置され、ＲＡ系４０Ｂの検出信号を処理することで、レチクルマーク１６Ｂと像３０ＢＲとのＸ方向、Ｙ方向の位置ずれ量（ΔＦＢＸ，ΔＦＢＹ）が計測される。なお、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂと基準マーク３０Ａ，３０Ｂの像との位置ずれ量に投影光学系ＰＬの投影倍率を乗じることで、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像と基準マーク３０Ａ，３０Ｂとの位置ずれ量を求めることができる。一例として、像３０ＡＲ，３０ＢＲの中心を通る直線に対するレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの中心を通る直線の傾斜角ΔθＲを０にするように、レチクルステージＲＳＴ（レチクルＲ）の回転角が補正され、レチクルＲのアライメントが行われる。
【００２９】
この回転角補正後の位置ずれ量の計測結果から、レチクルＲのパターン領域ＰＡの中心ＰＣの投影光学系ＰＬによる像である露光中心ＰＣＷ（図３（Ｂ）参照）と、基準マーク３０Ａ，３０Ｂの中心とのＸ方向、Ｙ方向への位置ずれ量（ＲＸ，ＲＹ）が求められる。さらに、このときに図１の基準マーク３２の位置をウエハアライメント系３８で計測することによって、基準マーク３２に対するウエハアライメント系３８の検出中心のＸ方向、Ｙ方向への位置ずれ量FIAX，FIAYが計測される。
【００３０】
また、基準マーク３０Ａ，３０Ｂの中心と基準マーク３２とのＹ方向の間隔ＢＬＹ０は既知であり、それらのＸ方向の間隔は０であるとする。この結果、アライメント制御系６は、Ｘ方向のベースラインＢＬＸ（極めて小さい値）及びＹ方向のベースラインＢＬＹを次式から算出できる。
ＢＬＸ＝FIAX−ＲＸ            …（１Ａ）
ＢＬＹ＝ＢＬＹ０＋FIAY−ＲＹ  …（１Ｂ）
その後、図１において、ウエハＷ上の所定のウエハマークの位置をウエハアライメント系３８で計測し、この計測結果を例えばＥＧＡ方式で処理することによってウエハＷの全部のショット領域の配列座標の算出（ウエハＷのアライメント）が行われる。アライメント制御系６から主制御系２に対してウエハＷ上の全部のショット領域の配列座標及びベースラインの情報が供給される。
【００３１】
その後、図３（Ａ）に示すように、一例としてアライメント用のミラー４２Ａ及び４２Ｂは、点線で示す位置Ａ１及びＡ２まで退避する。さらに、主制御系２は、レチクルＲのパターンの像とウエハＷの露光対象のショット領域ＳＡとが重なり合うように、ステージ駆動系４を介して主にウエハステージＷＳＴを制御する。そして、照明光学系１０から所定の露光時間だけレチクルＲに照明光ＩＬを照射して、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の当該ショット領域ＳＡに転写露光する。この一つのショット領域の露光動作と、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する動作とが繰り返され、ステップ・アンド・リピート方式でウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターン像が露光される。
【００３２】
この露光に際して、例えばウエハＷのフォトレジストのドーズが大きい場合、又はレチクルＲの透過率が大きい場合に、照明光ＩＬの照射熱（積算照射量）によって次第に投影光学系ＰＬの結像特性が大きく変動する。なお、このような結像特性の変動は、図１の結像特性制御系３によって補正され、露光中心の位置は変化しないが、レチクルＲのパターン領域ＰＡの外側のレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂを通過する仮想的な検出光ＡＬＡ，ＡＬＢの光路は、残存するディストーション等によって光路Ａ３及びＡ４で示すように僅かに変化する恐れがある。
【００３３】
この結果、次にベースラインを計測する際に、図３（Ｂ）に示すように、投影光学系ＰＬの像面側の視野ＰＬｆｗ内でパターン領域ＰＡの像ＰＡＷの外部にあるレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像１６ＡＷ，１６ＢＷの位置が、残存するディストーション等によって位置１６ＡＨ，１６ＢＨ等に変化する恐れがある。この場合、変動前の像１６ＡＷ，１６ＢＷの中心は、レチクルＲのパターン領域ＰＡの中心ＰＣの像である露光中心ＰＣＷと合致しているのに対して、変動後の像１６ＡＨ，１６ＢＨの中心ＰＣＨと、露光中心ＰＣＷとの間にはＸ方向、Ｙ方向に位置ずれ量（ΔＷＸ，ΔＷＹ）が生じる。この位置ずれ量（ΔＷＸ，ΔＷＹ）が、式（１Ａ）及び（１Ｂ）を用いてベースラインを計算する際の誤差となる。そこで、アライメント制御系６は、ベースラインを計算する値中の位置ずれ量（ＲＸ，ＲＹ）（レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像によって定まる露光中心と、基準マーク３０Ａ，３０Ｂの中心との位置ずれ量）に対する補正量（ΔＲＸ，ΔＲＹ）を次のように設定する。
【００３４】
ΔＲＸ＝−ΔＷＸ    …（２Ａ）
ΔＲＹ＝−ΔＷＹ    …（２Ｂ）
また、この補正量（ΔＲＸ，ΔＲＹ）は、一例として投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの積算照射量ΣＥに対して図４（Ａ）の曲線Ａ５及び図４（Ｂ）の曲線Ａ６で示すように変化する。そこで、予め例えば実測によって、曲線Ａ５及びＡ６を積算照射量ΣＥの関数ｆｘ（ΣＥ）及びｆｙ（ΣＥ）として求めておき、その関数をアライメント制御系６に記憶しておく。なお、その関数ｆｘ（ΣＥ）及びｆｙ（ΣＥ）は、理論的に計算することも可能である。
【００３５】
その補正量ΔＲＸに対応する関数ｆｘ（ΣＥ）（補正量ΔＲＹに対応する関数ｆｙ（ΣＥ）も同様）は、一例として、次のような係数ｋ及びＥＳを持つ指数関数である。
ΔＲＸ＝ｆｘ（ΣＥ）＝ｋ（１−ｅｘｐ（−ΣＥ／ＥＳ））  …（３）
なお、関数ｆｘ（ΣＥ）としては、ΣＥのｎ次関数等（ｎは１以上の整数）を使用してもよい。
【００３６】
また、補正量（ΔＲＸ，ΔＲＹ）等は、照明光ＩＬの照度が所定の基準値より低い場合には、ほぼ変化しないものとみなして、照明光ＩＬの照度がその基準値より高い場合にのみ、式（３）等に基づいて変動するものとしてもよい。
次に、本実施形態の露光装置１００において、露光工程中にベースラインの変動量を補正する動作の一例につき図５のフローチャートを参照して説明する。この動作は主制御系２によって制御される。
【００３７】
先ず図５のステップ１０１において、図１のレチクルステージＲＳＴ上にレチクルＲがロードされ、図２（Ａ）に示すように、ＲＡ系４０Ａ，４０Ｂを用いてレチクルＲのアライメントが行われる。この状態でステップ１０２において、基準マーク３２をウエハアライメント系３８で検出することによって、式（１Ａ）及び（１Ｂ）を用いてベースラインが求められる。
【００３８】
次に、ウエハステージＷＳＴ上にフォトレジストが塗布された未露光のウエハＷをロードする（ステップ１０３）。次に、ウエハアライメント系３８を用いてウエハＷのアライメントを行う（ステップ１０４）。この際に求められたウエハＷ上の全部のショット領域の配列座標及びベースラインの情報がアライメント制御系６から主制御系２に供給される。次のステップ１０５で、露光量制御系５が例えばインテグレータセンサ４６を介して投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの積算照射量ΣＥの計測を開始する。この後のステップ１０６で、ウエハＷの各ショット領域に設定された露光量で順次レチクルＲのパターンの像を露光する。その後、照明光ＩＬの照射が停止され、積算照射量ΣＥの計測も停止される（ステップ１０７）。
【００３９】
そして、ウエハＷのアンロードが行われた後（ステップ１０８）、未露光のウエハがあるかどうかが判定され（ステップ１０９）、未露光のウエハがある場合には、ステップ１１０に移行して、ベースラインを計測するかどうかが判定される。このベースラインの計測は、いわゆるインターバル・ベースライン計測であり、例えば所定の複数枚のウエハ又は１ロットのウエハの露光毎に実行される。
【００４０】
ステップ１１０でベースライン計測を行わないと判定した場合には、動作はステップ１０３に戻り、次のウエハに対してステップ１０３からステップ１０９までの動作が繰り返される。即ち、ウエハのアライメント、及び積算照射量ΣＥを計測しながらの露光が行われる。なお、ウエハの露光間では投影光学系ＰＬに照明光ＩＬが照射されないため、照射熱の影響が緩和される。従って、積算照射量ΣＥの計測結果に対しては、その緩和効果を考慮して、次のウエハの露光時には積算照射量ΣＥを所定量だけ減少させておいてもよい。
【００４１】
一方、ステップ１１０でベースライン計測を行うと判定した場合には、動作はステップ１１１に移行して、ステップ１０２と同様に、ＲＡ系４０Ａ，４０Ｂでレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂと基準マーク３０Ａ，３０Ｂの像との位置ずれ量を計測した状態で、ウエハアライメント系３８で基準マーク３２の位置を計測し、これらの計測結果から式（１Ａ）及び（１Ｂ）のベースラインＢＬＸ，ＢＬＹを求める。
【００４２】
次のステップ１１２において、アライメント制御系６は、露光量制御系５から主制御系２を介して供給される積算照射量ΣＥと、既知の関数ｆｘ（ΣＥ）及びｆｙ（ΣＥ）とを用いて、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂのディストーション等によって変動したと予測される像１６ＡＨ，１６ＢＨの中心と実際の露光中心ＰＣＷとの位置ずれ量、又はレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂと基準マーク３０Ａ，３０Ｂとの投影光学系ＰＬを介した位置ずれ量を補正するための補正量（ΔＲＸ，ΔＲＹ）を次式から計算する。
【００４３】
ΔＲＸ＝ｆｘ（ΣＥ）  …（４Ａ）
ΔＲＹ＝ｆｙ（ΣＥ）  …（４Ｂ）
そして、アライメント制御系６は、この補正量（ΔＲＸ，ΔＲＹ）を用いて次のように補正後のベースラインＢＬＸ’，ＢＬＹ’を求める。
ＢＬＸ’＝ＢＬＸ＋ΔＲＸ  …（５Ａ）
ＢＬＹ’＝ＢＬＹ＋ΔＲＹ  …（５Ｂ）
その後、動作はステップ１０３に戻り、次のウエハに対してアライメントが行われる（ステップ１０４）。この際には、ウエハの全部のショット領域の配列座標とともに式（５Ａ）及び（５Ｂ）によって補正されたベースラインＢＬＸ’，ＢＬＹ’が主制御系２に供給される。従って、次のステップ１０６では、ウエハＷ上のショット領域とレチクルＲのパターンの像とが正確に重ね合わせて露光される。その後、ステップ１０９で露光対象のウエハがなくなったときに露光工程が終了する。
【００４４】
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）本実施形態の露光装置１００は、照明光（露光光）ＩＬでレチクルＲのパターンを照明し、照明光ＩＬでそのパターン及び投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光する露光装置であり、レチクルＲのパターンとウエハＷとの位置合わせ用の装置を備えている。即ち、その位置合わせ用の装置は、投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの積算照射量ΣＥを求める露光量制御系５と、レチクルＲのパターンに付設されたレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの位置情報を投影光学系ＰＬを介して計測するＲＡ系４０Ａ，４０Ｂと、ＲＡ系４０Ａ，４０Ｂで計測された位置情報及び露光量制御系５で求められた積算照射量ΣＥに基づいてそのパターンとウエハＷとの位置合わせを行う主制御系２及びアライメント制御系６と、を備えている。
【００４５】
また、その装置による位置合わせ方法は、投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの積算照射量ΣＥを求めるステップ１０５〜１０７と、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの位置情報を投影光学系ＰＬを介して計測するステップ１１１と、その位置情報の計測結果及びその積算照射量ΣＥに基づいて、そのパターンとウエハＷとの位置合わせを行うステップ１１２，１０４，１０６とを含む。
【００４６】
本実施形態によれば、投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの積算照射量とレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの位置情報とを用いて位置合わせを行うため、投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの照射量が多い場合にも、レチクルＲのパターンの像の位置合わせ精度、ひいてはレチクルＲのパターンの像とウエハＷの各ショット領域との重ね合わせ精度を向上できる。
【００４７】
なお、本実施形態では、ウエハＷ上の２層目以降に重ね合わせ露光をする場合について説明しているが、ウエハＷ上の１層目に対する露光時にもステップ１１１及び１１２を実行して、積算照射量ΣＥに応じてレチクルＲのパターンの像の位置を調整してもよい。
また、レチクルＲのパターンの像の位置を調整する場合には、レチクルステージＲＳＴを移動してもよく、又はウエハステージＷＳＴ（ウエハＷ）を移動してもよい。
【００４８】
（２）また、その位置合わせ用の装置は、ウエハＷを移動するウエハステージＷＳＴと、ウエハステージＷＳＴ上に設けられた基準マーク３０Ａ，３０Ｂとを備え、ＲＡ系４０Ａ，４０Ｂは、照明光ＩＬと同じ波長の検出光ＡＬＡ，ＡＬＢを用いて、投影光学系ＰＬを介してレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂと基準マーク３０Ａ，３０Ｂとの位置ずれ量（第１の位置関係）を計測している。従って、基準マーク３０Ａ，３０Ｂを介してウエハＷとレチクルＲのパターンとの位置関係を計測できる。
【００４９】
なお、ウエハステージＷＳＴ側の空間像計測系３４を用いて、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂと基準マーク３０Ａ，３０Ｂとの投影光学系ＰＬを介した位置ずれ量を計測する場合にも、本発明を適用して積算照射量ΣＥに応じてその位置ずれ量を補正してもよい。
（３）また、アライメント制御系６は、その位置関係の計測結果のうち、実質的にレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂと基準マーク３０Ａ，３０Ｂとの投影光学系ＰＬを介したＸ方向及びＹ方向の位置ずれ量を積算照射量ΣＥを用いて式（４Ａ）及び（４Ｂ）によって補正し、この補正結果を用いて主制御系２はレチクルＲのパターンの像とウエハＷの各ショット領域との位置合わせを行っている。従って、レチクルＲのパターンの像と各ショット領域とのＸ方向、Ｙ方向の重ね合わせ精度を向上できる。
【００５０】
なお、さらに図３（Ｂ）に示すように、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの変動後の像１６ＡＨ，１６ＢＨの位置の変動前の像１６ＡＷ，１６ＢＷの位置に対する位置ずれ量が対称でない場合には、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの中心を結ぶ直線と、基準マーク３０Ａ，３０Ｂの中心を結ぶ直線との光軸ＡＸに平行な軸の回りの相対回転角、ひいてはレチクルＲのパターン領域ＰＡの回転角をも積算照射量ΣＥの関数として補正してもよい。これによって、重ね合わせ精度がさらに向上する。
【００５１】
（４）また、その位置合わせ用の装置は、ウエハＷ上のウエハマークの位置を計測するウエハアライメント系３８を備え、アライメント制御系６は、ＲＡ系４０Ａ，４０Ｂの計測結果及びウエハアライメント系３８の計測結果に基づいて、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像（ひいてはレチクルＲの露光中心）とウエハアライメント系３８の検出中心との位置関係であるベースライン（第２の位置関係情報）を求め、このベースラインを積算照射量ΣＥに応じて補正している。そして、主制御系２２は、その補正後のベースラインに基づいてレチクルＲのパターンとウエハＷとの位置合わせを行っている。従って、ベースライン計測毎に補正を行えばよいため、露光工程のスループットは高く維持される。
【００５２】
（５）また、レチクルＲの転写用のパターンはパターン領域ＰＡ内に形成され、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂはパターン領域ＰＡの外部に形成されている。従って、投影光学系ＰＬに入射する照明光ＩＬの積算照射量ΣＥによるレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像の位置の変動量が大きくなる傾向があるため、本発明が特に有効である。
なお、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂがパターン領域ＰＡの内部に形成されている場合にも、その像の位置を積算照射量ΣＥに応じて補正してもよい。
【００５３】
（６）また、本実施形態の露光装置１００は、その位置合わせ用の装置と、その位置合わせ用の装置によって求められた補正後のベースライン（位置合わせ情報）に応じてウエハＷを移動するウエハステージＷＳＴを備えている。
また、露光装置１００の露光方法は、照明光ＩＬでレチクルＲのパターン及び投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光する露光方法において、その位置合わせ方法を用いてそのパターンのウエハＷとの位置合わせを行っている。従って、重ね合わせ露光時には、高い重ね合わせ精度が得られるため、ウエハＷ上にデバイスを高精度に製造できる。
【００５４】
次に、本発明の実施形態の他の例につき図６を参照して説明する。本実施形態は、いわゆるツイン・ウエハステージ方式の露光装置で露光を行う場合に本発明を適用したものであり、図５において図１に対応する部分には同一又は類似する符号を付してその詳細な説明を省略する。
図６は、本実施形態の露光装置１００Ａを示す平面図である。図６において、露光装置１００Ａは、それぞれ図１のウエハステージＷＳＴと同様の構成の第１及び第２のウエハステージWSTA，WSTBと、投影光学系ＰＬと、この上に配置されてレチクルＲを位置決めするレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲを照明する照明光学系（不図示）と、レチクルステージＲＳＴ上の１対のＲＡ系（レチクルアライメント系）４０Ａ，４０Ｂと、退避可能な１対のミラー４２Ａ，４２Ｂと、例えば画像処理型のウエハアライメント系３８Ｔとを備えている。
【００５５】
ウエハステージWSTA，WSTBは共通のウエハベース２６Ａ上に、不図示のレーザ干渉計システムの計測値に基づいてＸ方向、Ｙ方向に独立に駆動されるように載置され、これらのウエハステージWSTA，WSTBの上方にＹ方向に所定間隔で投影光学系ＰＬとウエハアライメント系３８Ｔとが不図示のフレームに支持されている。ウエハステージWSTA，WSTB上の基準部材２８Ａ，２８ＢにはそれぞれレチクルＲのアライメントマーク１６Ａ，１６Ｂの像に対応した基準マーク３０Ａ，３０Ｂが形成されている。
【００５６】
この実施形態では、第１のウエハステージWSTAは経路５０Ａに沿って投影光学系ＰＬの下方とウエハアライメント系３８Ｔの下方との間を移動し、第２のウエハステージWSTBは経路５０Ｂに沿ってウエハアライメント系３８Ｔの下方と投影光学系ＰＬの下方との間を移動する。そして、例えば第１のウエハステージWSTA上のウエハＷＡに対して投影光学系ＰＬを介してレチクルＲのパターン像を露光しているときに、第２のウエハステージWSTB上のウエハＷＢに対してウエハアライメント系３８Ｔによってアライメントを行うことができるため、露光工程のスループットを向上できる。
【００５７】
また、この実施形態では、アライメント位置と露光位置とが異なるため、ベースラインの概念がなくなっている。そこで、一例として、先ず第１のウエハステージWSTAをウエハアライメント系３８Ｔの下方に移動して、ウエハＷＡ上の所定のウエハマークの位置を、ウエハアライメント系３８Ｔを用いて基準部材２８Ａ上の基準マーク３０Ａ，３０Ｂを基準として計測する。この計測結果を統計処理して、ウエハＷＡ上の全部のショット領域ＳＡの配列座標（ＳＡＸ，ＳＡＹ）を基準部材２８Ａの基準マーク３０Ａ，３０Ｂの中心を基準として求める。
【００５８】
その後、ウエハステージWSTAを投影光学系ＰＬの下方に移動し、さらに基準部材２８Ａの基準マーク３０Ａ，３０ＢをレチクルＲのレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像の近傍に移動して、ＲＡ系４０Ａ，４０Ｂによって基準マーク３０Ａ，３０Ｂの像に対するレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの位置関係を計測する。この後、レチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像の中心を通る直線を基準マーク３０Ａ，３０Ｂの中心を通る直線に平行にした後、基準マーク３０Ａ，３０Ｂの中心に対するレチクルマーク１６Ａ，１６Ｂの像の中心（露光中心）のＸ方向、Ｙ方向への位置ずれ量（ΔＴＸ，ΔＴＹ）を求める。さらに、上記の実施形態と同様に、投影光学系ＰＬに対する照明光ＩＬの積算照射量ΣＥの計測結果に応じてその位置ずれ量（ΔＴＸ，ΔＴＹ）を補正する。この後は、各ショット領域の上記の配列座標（ＳＡＸ，ＳＡＹ）をその補正後の位置ずれ量（ΔＴＸ，ΔＴＹ）だけシフトさせることで、積算照射量ΣＥが大きい場合にも、ウエハＷＡの各ショット領域にレチクルＲのパターン像を高精度に重ね合わせて露光できる。
【００５９】
また、上記の実施形態の露光方法（又は露光装置）を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図７に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたレチクル（マスク）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造してレジストを塗布するステップ２２３、前述した実施形態の露光方法によりレチクルのパターンを基板（感光基板）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
【００６０】
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光方法又は露光装置を用いて基板（ウエハ）を露光することと、露光された基板を処理すること（ステップ２２４）とを含んでいる。この際に、上記の実施形態の露光方法又は露光装置によれば、スループットを低下させることなく重ね合わせ精度が向上しているため、高精度に電子デバイスを製造できる。
【００６１】
なお、本発明は、上述の一括露光型の露光装置で露光する場合の他に、スキャニングステッパー等の走査露光型の露光装置で露光する場合にも適用できる。さらに、本発明は、例えば欧州特許出願公開第１４２０２９８号明細書等に開示されている液浸型露光装置で露光する場合にも同様に適用することができる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems)、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の露光工程にも適用することができる。
【００６２】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【符号の説明】
【００６３】
Ｒ…レチクル、ＲＳＴ…レチクルステージ、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、ＷＳＴ…ウエハステージ、２…主制御系、５…露光量制御系、６…アライメント制御系、１０…照明光学系、１６Ａ，１６Ｂ…レチクルマーク、３０Ａ，３０Ｂ…基準マーク、３８…ウエハアライメント系、４０Ａ，４０Ｂ…レチクルアライメント系（ＲＡ系）、４６…インテグレータセンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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