(57)【要約】【課題】基板を加熱または冷却する熱処理装置において、基板を支持する支持ピンの数を抑えつつ基板を安定して支持する。また、複数の熱処理装置を有する熱処理システムにおいて、各熱処理装置の支持ピンが基板の同じ位置に接触することを防止する。【解決手段】支持ピン１２は熱処理装置１のプレート１１の穴３に挿入される挿入部２１、および、基板９に接触する２つの突起２２を備え、挿入部２１の雄ネジ部２１２が穴３の雌ネジ部３２に螺合される。熱処理装置１では、各支持ピン１２が基板９の２箇所に接触するため、支持ピン１２の数を抑えつつ基板９を安定して支持することができる。また、熱処理システムでは、突起２２が並ぶ方向が一定とはされず、熱処理装置間にて基板９の同じ位置に支持ピン１２が接触することが防止される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレートに近接して基板が配置され、前記プレートにより前記基板が加熱または冷却される熱処理装置において、前記プレートに形成された複数の穴のそれぞれに挿入されるとともに上端にて前記基板を支持する支持ピンであって、
前記プレートに形成された穴に挿入される挿入部と、
前記挿入部の上端に設けられ、前記基板の下面と接触する複数の接触部と、
を備えることを特徴とする支持ピン。
【請求項２】
請求項１に記載の支持ピンであって、
前記複数の接触部が、前記挿入部の前記上端に設けられた複数の突起であることを特徴とする支持ピン。
【請求項３】
請求項１または２に記載の支持ピンであって、
前記挿入部の外側面が、前記穴の内側面に形成された雌ネジ部に螺合される雄ネジ部を有することを特徴とする支持ピン。
【請求項４】
請求項３に記載の支持ピンであって、
前記挿入部が、前記穴内にて前記挿入部を回転させる際に工具が挿入される凹部を前記複数の接触部の間に有することを特徴とする支持ピン。
【請求項５】
請求項４に記載の支持ピンであって、
前記凹部が、前記挿入部の前記上端を横断する溝を含むことを特徴とする支持ピン。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれかに記載の支持ピンであって、
少なくとも前記複数の接触部が樹脂により成形されていることを特徴とする支持ピン。
【請求項７】
基板を加熱または冷却する熱処理装置であって、
基板に近接して前記基板を加熱または冷却するプレートと、
前記プレートに形成された複数の穴に挿入され、それぞれが上端にて前記基板を支持する請求項１または２に記載の支持ピンである複数の支持ピンと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の熱処理装置であって、
前記プレートに形成された穴内にて前記支持ピンが回転可能であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】
基板を加熱または冷却する熱処理装置であって、
基板に近接して前記基板を加熱または冷却するプレートと、
前記プレートに形成された複数の穴の内側面に形成された複数の雌ネジ部に螺合され、それぞれが上端にて前記基板を支持する請求項３ないし６のいずれかに記載の支持ピンである複数の支持ピンと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の熱処理装置であって、
前記複数の雌ネジ部において、前記プレートの表面からの深さとネジ溝の位置との関係が一定でないことを特徴とする熱処理装置。
【請求項１１】
熱処理システムであって、
それぞれが請求項８または１０に記載の熱処理装置である複数の熱処理装置と、
前記複数の熱処理装置間にて基板を搬送する搬送機構と、
を備え、
前記複数の熱処理装置の前記プレートのそれぞれにおいて、同じ位置に前記複数の穴が形成されていることを特徴とする熱処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を加熱または冷却する熱処理装置において、熱処理装置のプレートに設けられて基板を支持する支持ピンに関連する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機ＥＬ表示装置等に利用されるガラス基板（以下、単に「基板」という。）の製造では、基板が熱処理装置のプレートにより加熱または冷却される際に、プレートに設けられた複数の支持ピン（いわゆる、プロキシミティピン）により基板が支持されてプレートに近接した状態とされる。
【０００３】
特許文献１では、熱処理装置のホットプレートに設けられたピンが開示されており、ピンの上端の中央部が基板に接する凸部とされる。また、上端には凸部を挟んで切欠状の一対の凹溝が形成されるとともに、ピンの外周面にはプレートのネジ孔に螺合される雄ネジが設けられ、凹溝にはピンがネジ孔に螺合される際に回転治具が挿入される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１８８０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、熱処理装置では、装置の製造コストを低減するために支持ピンの数は少なく抑えられることが好ましい。また、装置の設計を共通化するために、複数の熱処理装置を有する熱処理システムでは各熱処理装置のプレートの同じ位置に支持ピンが配置されることが好ましいが、複数の熱処理装置のプレートに対して同一の基板が同じ位置に順次載置されると、支持ピンが基板の同じ位置に当接するため、基板が破損するおそれが増大する。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、支持ピンの数を抑えつつ基板を安定して支持することを主たる目的とし、熱処理システムの複数の熱処理装置間にて基板の同じ位置に支持ピンが接触することを防止することも目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、プレートに近接して基板が配置され、前記プレートにより前記基板が加熱または冷却される熱処理装置において、前記プレートに形成された複数の穴のそれぞれに挿入されるとともに上端にて前記基板を支持する支持ピンであって、前記プレートに形成された穴に挿入される挿入部と、前記挿入部の上端に設けられ、前記基板の下面と接触する複数の接触部とを備える。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の支持ピンであって、前記複数の接触部が、前記挿入部の前記上端に設けられた複数の突起である。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の支持ピンであって、前記挿入部の外側面が、前記穴の内側面に形成された雌ネジ部に螺合される雄ネジ部を有する。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の支持ピンであって、前記挿入部が、前記穴内にて前記挿入部を回転させる際に工具が挿入される凹部を前記複数の接触部の間に有する。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の支持ピンであって、前記凹部が、前記挿入部の前記上端を横断する溝を含む。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項３ないし５のいずれかに記載の支持ピンであって、少なくとも前記複数の接触部が樹脂により成形されている。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、基板を加熱または冷却する熱処理装置であって、基板に近接して前記基板を加熱または冷却するプレートと、前記プレートに形成された複数の穴に挿入され、それぞれが上端にて前記基板を支持する請求項１または２に記載の支持ピンである複数の支持ピンとを備える。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の熱処理装置であって、前記プレートに形成された穴内にて前記支持ピンが回転可能である。
【００１５】
請求項９に記載の発明は、基板を加熱または冷却する熱処理装置であって、基板に近接して前記基板を加熱または冷却するプレートと、前記プレートに形成された複数の穴の内側面に形成された複数の雌ネジ部に螺合され、それぞれが上端にて前記基板を支持する請求項３ないし６のいずれかに記載の支持ピンである複数の支持ピンとを備える。
【００１６】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の熱処理装置であって、前記複数の雌ネジ部において、前記プレートの表面からの深さとネジ溝の位置との関係が一定でない。
【００１７】
請求項１１に記載の発明は、熱処理システムであって、それぞれが請求項８または１０に記載の熱処理装置である複数の熱処理装置と、前記複数の熱処理装置間にて基板を搬送する搬送機構とを備え、前記複数の熱処理装置の前記プレートのそれぞれにおいて、同じ位置に前記複数の穴が形成されている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、１つの支持ピンが基板と複数箇所にて接することにより、支持ピンの数を抑えつつ基板を安定して支持することができる。
【００１９】
請求項３の発明では、支持ピンをプレートの穴に対して回転することにより接触部の高さ方向の位置を容易に調整することができ、請求項４の発明では、支持ピンを穴に対して容易に回転することができる。請求項５の発明では、凹部を容易に設けることができる。
【００２０】
請求項８、１０および１１の発明では、同様の設計の複数の熱処理装置間において支持ピンの向きが一定とはされず、基板の同じ位置に支持ピンが繰り返し接触することが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１の実施の形態に係る支持ピンを有する熱処理装置を示す平面図である。
【図２】支持ピンの縦断面図である。
【図３】支持ピンの平面図である。
【図４】熱処理装置の一部の縦断面図である。
【図５】熱処理装置のプレートの縦断面図である。
【図６】熱処理装置の一部の平面図である。
【図７】熱処理システムを示す図である。
【図８】第２の実施の形態に係る支持ピンの平面図である。
【図９】第３の実施の形態に係る支持ピンの縦断面図である。
【図１０】第４の実施の形態に係る支持ピンの斜視図である。
【図１１】熱処理装置のプレートの穴近傍を拡大して示す平面図である。
【図１２】第５の実施の形態に係る熱処理装置の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る支持ピン１２を有する熱処理装置１の平面図であり、熱処理装置１は二点鎖線にて示すガラス基板９（以下、単に「基板９」という。）を加熱または冷却する。基板９は液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機ＥＬ表示装置等の表示装置用の基板として利用される。熱処理装置１は水平な矩形状のプレート１１、上端にて基板９を支持する複数の支持ピン１２、および、基板９を昇降する複数のリフトピン１３を備え、複数の支持ピン１２および複数のリフトピン１３はそれぞれ、プレート１１の上面１１１に等間隔に配置される。支持ピン１２およびリフトピン１３はそれぞれ、プレート１１の上面１１１に対して垂直な方向に伸びる略円柱状であり、図１では、支持ピン１２の細部の図示を省略している。
【００２３】
プレート１１はアルミニウムにて形成され、図示省略のヒータまたは冷却機構により所望の温度に保たれる。熱処理装置１では、基板９が複数の支持ピン１２にて支持されることによりプレート１１の上面１１１に近接した状態とされ、プレート１１により基板９が加熱または冷却される。なお、プレート１１の上面１１１と基板９との間の距離はおよそ０．３ｍｍとされる。
【００２４】
図２および図３は支持ピン１２の縦断面図および平面図である。支持ピン１２は、プレート１１に形成された穴に挿入される略円柱状の挿入部２１、および、挿入部２１の上端１２１において上方に突出する２つの突起２２を備え、突起２２の先端は滑らかな凸状とされる。また、２つの突起２２は上端１２１の中央を避けて設けられる。支持ピン１２は樹脂（例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂）により１つの部材として成形されており、支持ピンを複数の部品にて構成する場合に比べて製造コストが低減される。挿入部２１は、２つの突起２２の間に位置して挿入部２１の上端１２１を横断する溝２１１、および、図２に示す挿入部２１の外側面１２２の上部に設けられた雄ネジ部２１２を備える。
【００２５】
図４は１つの支持ピン１２近傍を拡大して示す熱処理装置１の縦断面図であり、基板９を二点鎖線にて示している。プレート１１に形成された穴３の内側面３１は略円筒面とされ、内側面３１の上部はネジ溝３２１を有する雌ネジ部３２とされる。支持ピン１２では、挿入部２１が穴３に挿入され、突起２２が基板９の下面９１に接触する。支持ピン１２がプレート１１に固定される際には、マイナスドライバ等の工具の先端が溝２１１に挿入されて挿入部２１が穴３に対して回転されることにより、雄ネジ部２１２が雌ネジ部３２に螺合される。また、穴３の底部には予め弾性部材であるコイルバネ４１が配置されており、コイルバネ４１が支持ピン１２の下端を上方に向かって押圧することにより、雄ネジ部２１２が雌ネジ部３２に対して緩むことが防止される。
【００２６】
図５は、隣接する２つの穴３を示すプレート１１の縦断面図であり、ネジ溝３２１の底の位置を二点鎖線にて簡略化して示している。以下の説明では、穴３の中心軸を中心とする周方向を単に「周方向」という。プレート１１の各穴３では、タップ等の工具が切削を開始する際に工具の周方向における向きが一定とはされず、これにより、上面１１１から同じ深さにおいて、ネジ溝３２１の底の周方向における位置が原則として全ての穴３において異なる。
【００２７】
このように、複数の雌ネジ部３２において、プレート１１の表面である上面１１１からの深さと、ネジ溝３２１の底の周方向における位置との関係（以下、この関係を「ネジ溝３２１の位相」と表現する。）が一定とはされない。その結果、図６に示すように、プレート１１の上面１１１（平行斜線にて示している。）において全ての支持ピン１２の突起２２が並ぶ方向がランダムとされる。
【００２８】
次に、複数の熱処理装置を有する熱処理システムについて説明する。図７は熱処理システム５の構成を示す図であり、基板９を二点鎖線にて示している。熱処理システム５は、基板９を加熱する第１熱処理装置１ａ、基板９を加熱する第２熱処理装置１ｂ、基板９をさらに冷却する第３熱処理装置１ｃ、第１熱処理装置１ａと第２熱処理装置１ｂとの間にて基板９を搬送する搬送機構５１、および、第２熱処理装置１ｂと第３熱処理装置１ｃとの間にて基板９を搬送する搬送機構５２を備える。図７では、第１ないし第３熱処理装置１ａ〜１ｃのプレート１１ａ〜１１ｃのそれぞれに１つの支持ピン１２のみを拡大して示している。また、第２熱処理装置１ｂは図示省略のチャンバ内に配置され、チャンバ内には、後工程にて基板９に塗布されるレジスト液を密着させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の蒸気状の有機溶剤を基板９に供給する機構が設けられる。
【００２９】
熱処理システム５では、システムの製造コストを低減するために、第１ないし第３熱処理装置１ａ〜１ｃのプレート１１、支持ピン１２およびリフト機構が図１に示す熱処理装置１と同様の構造とされる。すなわち、各プレート１１ａ〜１１ｃにおいて、同じ位置に複数の穴３が形成されており、熱処理装置１ａ〜１ｃでは、プレート１１ａ〜１１ｃに対する基板９の相対位置が互いに同じになるように搬送機構５１，５２により基板９が正確に載置される。
【００３０】
また、複数の穴３では、ネジ溝３２１の位相が一定とはされず、固定された支持ピン１２の突起２２が並ぶ方向が図６に示すように一定とはされない。その結果、プレート１１ａ〜１１ｃ間においても、図７に示すように、同じ位置に固定された支持ピン１２の突起２２が並ぶ方向は一定にはならない。これにより、第１ないし第３熱処理装置１ａ〜１ｃ間にて同一の基板９の同じ位置に支持ピン１２が繰り返し接触してしまうことが防止される。その結果、基板９の汚れや傷等の損傷や割れが防止される。
【００３１】
基板９が製造される際には、第１熱処理装置１ａにおいて、支持ピン１２の上端１２１よりも十分に上方に突出した状態のリフトピン１３（図１参照）上に洗浄後の基板９が載置される。次に、リフトピン１３が下方へと移動し、基板９が支持ピン１２上に載置される。基板９はプレート１１ａからの熱により、およそ１３０℃に加熱される。これにより、基板９の乾燥である、いわゆる、デハイドベークが行われる。
【００３２】
基板９が乾燥すると、リフトピン１３が上方へと移動して基板９を突き上げ、搬送機構５１により基板９が第１熱処理装置１ａから第２熱処理装置１ｂへと搬送される。第２熱処理装置１ｂでは、リフトピン１３が支持ピン１２の上端１２１よりも突出した状態とされており、基板９がリフトピン１３上に載置される。リフトピン１３は下方へと移動し、基板９が支持ピン１２上に載置される。プレート１１ｂは９０℃に加熱されており、プレート１１ｂ上にて基板９の温度は１３０℃からおよそ９０℃まで下がるとともに、図示省略の供給機構により基板９に蒸気状の有機溶剤が供給される。
【００３３】
その後、リフトピン１３が上方へと移動して基板９を突き上げ、搬送機構５２により基板９が第３熱処理装置１ｃへと搬送される。第３熱処理装置１ｃでは、リフトピン１３上に載置された基板９が下方へと移動されて支持ピン１２上に載置され、基板９が室温程度まで冷却される。
【００３４】
以上、第１の実施の形態に係る熱処理装置１および熱処理システム５について説明したが、熱処理装置１では、各支持ピン１２が基板９の２箇所に接触するため、支持ピン１２の数を抑えつつ基板９を安定して支持することができる。また、熱処理装置１では、基板９の１箇所のみに接触する支持ピンを有するものに比べて、基板９の割れも防止または低減される。支持ピン１２では、滑らかな凸となっている突起２２が基板９に接触する接触部とされることにより基板９との接触面積が小さくされ、基板９の温度ムラが低減される。さらに、支持ピン１２は樹脂の射出成形にて製造されるため、大きさを小さくすることが可能であり、基板９の温度ムラがより低減される。
【００３５】
プレート１１の穴３内にて挿入部２１が回転される際には、溝２１１内に工具の先端を挿入することにより支持ピン１２を容易に回転することができる。また、工具が挿入される凹部が挿入部２１の上端１２１を横断する溝２１１とされることにより、凹部の形成が容易とされる。支持ピン１２の穴３への固定が雄ネジ部２１２と雌ネジ部３２との螺合により行われるため、支持ピン１２を穴３に対して回転して突起２２の高さ方向、すなわち、支持ピン１２が伸びる方向における位置が容易に調整される。
【００３６】
熱処理システム５では、同様の設計のプレート１１ａ〜１１ｃ間において、同じ位置に固定された支持ピン１２の２つの突起２２が並ぶ方向は一定とされないことから、基板９の同じ位置に支持ピン１２が接触してしまうことが防止される。また、支持ピン１２は樹脂にて成形されることから、樹脂の成形誤差を利用することにより、仮に、同様の設計の熱処理装置間にて雌ネジ部３２のネジ溝３２１の位相が同様となっている場合であっても、高さ調整後の支持ピン１２の周方向における向きをばらつかせることができる。
【００３７】
熱処理装置１は他の処理を行う熱処理システムに利用可能であり、例えば、基板９に塗布されたレジスト液の乾燥、いわゆる、プリベークを行う熱処理システムに利用されてもよい。この熱処理システムでは、レジスト液が塗布された基板９を加熱する熱処理装置、基板９を冷却する熱処理装置および熱処理装置間にて基板９を搬送する搬送機構が設けられ、２つの熱処理装置により基板９の表面にレジスト膜が形成される。
【００３８】
さらに、熱処理装置１は、露光処理および現像処理により形成されたレジスト膜のパターンの硬化である、いわゆる、ポストベークを行う熱処理システムに利用されてもよく、熱処理システムでは、基板９を加熱してパターンを硬化する熱処理装置、基板９を冷却する熱処理装置および熱処理装置間にて基板を搬送する搬送機構が設けられる。
【００３９】
図８は第２の実施の形態に係る支持ピン１２ａを示す平面図である。支持ピン１２ａは、上端１２１にて上方に突出する４つの突起２２、および、４つの突起２２の間に位置して上端１２１を横断する直線状の２つの溝２１１を備える。突起２２は上端１２１の中央を避けて設けられ、２つの溝２１１は上端１２１の中央にて直交する。支持ピン１２ａの他の形状は図２および図３に示す支持ピン１２と同様であり、支持ピン１２ａを有する熱処理装置の構造は図１に示す熱処理装置１と同様である。以下、同様の構成には同符号を付して説明する。
【００４０】
熱処理装置１のプレート１１では、図４と同様に、内側面３１が略円筒面である複数の穴３が形成され、内側面３１の上部はネジ溝３２１を有する雌ネジ部３２とされる。支持ピン１２ａ（図８参照）では、挿入部２１が穴３に挿入され、突起２２が基板９の下面９１に接触する。支持ピン１２ａが穴３内に固定される際には、プラスドライバ等の工具の先端が図８に示す２つの溝２１１内に挿入されて支持ピン１２ａがプレート１１に対して回転されることにより、図４示すように、挿入部２１の雄ネジ部２１２が雌ネジ部３２に螺合される。
【００４１】
熱処理装置１のプレート１１では、図５と同様に、全ての穴３において、ネジ溝３２１の位相、すなわち、上面１１１からの深さとネジ溝３２１の底の周方向における位置との関係が一定とはされないため、支持ピン１２ａが穴３に固定された状態において、図８に示す突起２２の周方向における向きが一定とはならない。また、同様に設計された複数の熱処理装置を有する熱処理システムでは、熱処理装置間にて同じ位置に設けられた支持ピン１２ａの突起２２の周方向における向きが一定とはされないため、基板９の同じ位置に複数の熱処理装置の支持ピン１２ａが繰り返し接触してしまうことが防止される。
【００４２】
第２の実施の形態においても、支持ピン１２ａが基板９に対して４箇所にて接触するため、支持ピン１２ａの数を抑えつつ基板９が安定して支持される。支持ピン１２ａでは、突起２２が基板９に接触する接触部とされることにより基板９との接触面積が小さくされ、基板９の温度ムラが防止される。また、溝２１１に工具の先端が挿入されて支持ピン１２ａが容易に回転され、工具が挿入される凹部の形成も容易とされる。支持ピン１２ａが穴３に対して回転されることにより突起２２の高さ方向における位置が容易に調整される。上記第１および第２の実施の形態における効果は以下の他の実施の形態においても同様である。
【００４３】
図９は第３の実施の形態に係る支持ピン１２ｂを示す縦断面図である。支持ピン１２ｂの上部では、図２および図３に示す支持ピン１２の突起２２が省略されるとともに、溝２１１の両側の部位が溝２１１に向かって滑らかに上方に突出する凸状部２３とされる。換言すれば、支持ピン１２ｂの上部は滑らかな凸部の中央に溝２１１が形成された形状とされる。支持ピン１２ｂでは凸状部２３が基板９に接触する接触部とされ、凸状部２３の溝２１１の両側の部位が、実質的に図２に示す突起２２としての役割を果たしている。支持ピン１２ｂの他の形状は支持ピン１２と同様であり、支持ピン１２ｂを有する熱処理装置の構造は図１に示す熱処理装置１と同様である。第３の実施の形態においても、１つの支持ピン１２ｂが基板９の２箇所に接触するため、支持ピン１２ｂの数を抑えつつ基板９が安定して支持される。また、熱処理システムにおいても、熱処理装置間にて同じ位置に設けられた支持ピン１２ｂの凸状部２３の周方向における位置が一定とはされず、基板９の同じ位置に支持ピン１２ｂが繰り返し接触してしまうことが防止される。
【００４４】
図１０は第４の実施の形態に係る支持ピン１２ｃを示す斜視図である。支持ピン１２ｃは略四角柱状とされ、外側面１２２の４つの角部１２２１には雄ネジ部２１３が形成される。支持ピン１２ｃの上端１２１には上方に突出する２つの突起２２、および、２つの突起２２の間に位置して上端１２１を横断する溝２１１が設けられ、２つの突起２２は上端１２１の中央を避けて設けられる。支持ピン１２ｃを有する熱処理装置の構造は図１に示す熱処理装置１と同様である。
【００４５】
図１１は熱処理装置のプレート１１の穴３近傍を拡大して示す図であり、プレート１１の上面１１１を平行斜線にて示している。穴３の内側面には図４と同様に雌ネジ部が形成されている。支持ピン１２ｃが穴３に固定される際には、マイナスドライバ等の工具の先端が溝２１１内に挿入されて支持ピン１２ｃが穴３に対して回転され、図１０に示す雄ネジ部２１３が図１１の穴３の雌ネジ部に螺合される。
【００４６】
第４の実施の形態においても、１つの支持ピン１２ｃが基板９の２箇所に接触するため、支持ピン１２ｃの数を抑えつつ基板９が安定して支持される。また、熱処理システムでは、熱処理装置間にて同じ位置に設けられた支持ピン１２ｃの突起２２が並ぶ方向が一定とはされず、基板９の同じ位置に支持ピン１２ｃが繰り返し接触することが防止される。
【００４７】
図１２は第５の実施の形態に係る支持ピン１２ｄを有する熱処理装置１の縦断面図であり、図４に対応する。支持ピン１２ｄでは、図２に示す支持ピン１２の雄ネジ部２１２が省略され、支持ピン１２ｄは穴３内に軽圧入にて固定される。なお、穴３の底部には予め円盤状の板４２が設けられており、突起２２の底部からの高さが調整される。支持ピン１２ｄの他の形状は支持ピン１２と同様である。
【００４８】
支持ピン１２ｄにおいても、溝２１１に工具が挿入されることにより穴３内にて支持ピン１２ｄが回転可能であり、同様の設計の熱処理装置間にて同じ位置に設けられた支持ピン１２ｄの突起２２が並ぶ方向を異なる方向とすることができる。これにより、複数の熱処理装置間にて基板９の同じ位置に支持ピン１２ｄが繰り替えし接触してしまうことが防止される。また、１つの支持ピン１２ｄが基板９の２箇所に接触するため、支持ピン１２ｄの数を抑えつつ基板９が安定して支持される。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【００５０】
例えば、上記実施の形態の支持ピンでは、少なくとも突起２２および凸状部２３が樹脂にて成形されるのであれば、樹脂の成形誤差を利用することにより、仮に、同様の設計の熱処理装置間にて雌ネジ部３２のネジ溝３２１の位相が全く同様とされる場合であっても、高さ調整後の支持ピンの周方向における向きをばらつかせることができる。これにより、複数の熱処理装置において基板９の同じ位置に支持ピンが繰り返し接触してしまうことが防止される。
【００５１】
支持ピンの基板９に接触する接触部は突起２２および凸状部２３以外の形状とされてもよく、接触部の数は２以上であれば、上記実施の形態にて示した数以外とされてよい。また、支持ピンには工具が挿入される凹部として溝２１１以外の形状のものが設けられてもよく、例えば、図３に示す支持ピン１２において、平面視した際の形状が六角形状の凹部が設けられてもよい。
【００５２】
上記実施の形態における支持ピンを有する熱処理装置および熱処理システムは、磁気ディスクや光ディスクに用いられるガラス基板またはセラミックス基板、半導体基板等の他の基板を熱処理する際に利用されてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１，１ａ〜１ｃ    熱処理装置
３    穴
９    基板
１１，１１ａ〜１１ｃ    プレート
１２，１２ａ〜１２ｄ    支持ピン
２１    挿入部
２２    突起
２３    凸状部
３１    （穴の）内側面
３２    雌ネジ部
５１，５２    搬送機構
９１    （基板の）下面
１１１    （プレートの）上面
１２１    （支持ピンの）上端
１２２    （支持ピンの）外側面
２１１    溝
２１２，２１３    雄ネジ部
３２１    ネジ溝
【図１】
2010219113.tif 000003
【図２】
2010219113.tif 000004
【図３】
2010219113.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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