(57)【要約】【課題】  光学エレメント上に１０００オングストローム未満の厚さを有する層を残すことのできる、表面上に光学エレメントを堆積させた基板の面を平坦化する方法を用いて製造された反射型ディスプレイを提供すること。【解決手段】  反射型ディスプレイバックプレーンと、  前記反射型ディスプレイバックプレーン上に形成された複数のピクセルミラーであって、当該複数のピクセルミラーの間に間隙を規定してなる複数のピクセルミラーと、  前記間隙内かつ前記ピクセルミラー上に形成され、前記複数のピクセルミラーおよび当該複数のピクセルミラーの間に規定された間隙上に酸化物層及びエッチング可能層として機能する平面層とを備えてなることを特徴とする。【選択図】  図８
2010282240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射型ディスプレイバックプレーンと、
前記反射型ディスプレイバックプレーン上に形成された複数のピクセルミラーであって、当該複数のピクセルミラーの間に間隙を規定してなる複数のピクセルミラーと、
前記間隙内かつ前記ピクセルミラー上に形成され、前記複数のピクセルミラーおよび当該複数のピクセルミラーの間に規定された間隙上に酸化物層及びエッチング可能層として機能する平面層と
を備えてなる
ことを特徴とする反射型ディスプレイ。
【請求項２】
前記平面層の少なくとも一部が光学薄膜層を形成してなる請求項１記載の反射型ディスプレイ。
【請求項３】
前記ピクセルミラー上の平面層の厚さが７５０オングストローム±１０％の範囲である請求項２記載の反射型ディスプレイ。
【請求項４】
前記平面層上に保護層を備えてなる請求項３記載の反射型ディスプレイ。
【請求項５】
前記保護層が窒化物層を含んでなる請求項４記載の反射型ディスプレイ。
【請求項６】
前記窒化物層の厚さが６４０オングストローム±１０％の範囲である請求項５記載の反射型ディスプレイ。
【請求項７】
前記窒化物層の厚さが１２００オングストローム±１０％の範囲である請求項５記載の反射型ディスプレイ。
【請求項８】
前記保護層が、前記窒化物層上に酸化物層を備えてなる請求項５記載の反射型ディスプレイ。
【請求項９】
前記保護層の酸化物層の厚さが８４０オングストローム±１０％の範囲である請求項８記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１０】
前記保護層が、前記保護層の酸化物層上に第２の窒化物層を含んでなる請求項８記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１１】
前記保護層の酸化物層の厚さが８４０オングストローム±１０％の範囲であり、前記第２の窒化物層の厚さが１２００オングストローム±１０％の範囲である請求項１０記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１２】
前記保護層が少なくとも１つの光学薄膜層を含んでなる請求項４記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１３】
前記平面層上に保護層を備えてなる請求項１記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１４】
前記保護層が光学薄膜層を含んでなる請求項１３記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１５】
前記保護層程が窒化物層を含んでなる請求項１４記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１６】
前記窒化物層の厚さが６４０オングストローム±１０％の範囲である請求項１５記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１７】
前記前記窒化物層の厚さが１２００オングストローム±１０％の範囲である請求項１５記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１８】
前記保護層が前記窒化物層上に酸化物層を含んでなる請求項１５記載の反射型ディスプレイ。
【請求項１９】
前記保護層の酸化物層の厚さが８４０オングストローム±１０％の範囲である請求項１８記載の反射型ディスプレイ。
【請求項２０】
前記保護層が、前記保護層の酸化物層上に第２の窒化物層を含んでなる請求項１８記載の反射型ディスプレイ。
【請求項２１】
前記保護層の酸化物層が、８４０オングストローム±１０％の範囲の厚さの保護層を有し、かつ
前記窒素化物層が、１２００オングストローム±１０％の範囲の厚さを有してなる請求項２０記載の反射型ディスプレイ。
【請求項２２】
前記平面層上の第１の窒化物層と、
前記第１の窒化物層上の第２の酸化物層と、
前記第２の酸化物層上の第２の窒化物層と
を備え、
前記平面層、前記第１の窒化物層、前記第２の酸化物層、及び前記第２の窒化物層のおのおのが、光学薄膜層である請求項１記載の反射型ディスプレイ。
【請求項２３】
前記ピクセルミラー上の平面酸化物層の厚さが７５０オングストローム±１０％の範囲であり、
前記第１の窒化物層の厚さが６４０オングストローム±１０％の範囲であり、
前記第２の酸化物層の厚さが８４０オングストローム±１０％の範囲であり、
前記第２の窒化物層の厚さが１２００オングストローム±１０％の範囲である
請求項２２記載の反射型ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、ウェハベース集積回路を平坦化する方法に関し、そしてより
詳細には、光学エレメントを堆積させた集積回路の表面を平坦化する新規の方法
に関する。さらにより詳細には、本発明はウェハベース反射型ライトバルブバッ
クプレーンの反射面を平坦化する新規の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハベース反射型ライトバルブは、従来の透過型ライトバルブにまさる多くの利点を有する。例えば、従来の透過型ディスプレイは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）技術を基本とする。つまり、ディスプレイはガラス基板上に形成され、ＴＦＴがピクセルアパーチャ間の領域に配置される。ピクセルアパーチャ間に駆動回路を設置することは、光を透過させるために利用可能なディスプレイの領域を制限し、そしてこれにより透過型ディスプレイの明るさを制限する。これに対し、反射型ディスプレイの駆動回路は反射型ピクセルミラーの下に配置され、そしてこれによりディスプレイの貴重な面領域を無駄にしない。結果として、反射型ディスプレイは、その透過型ディスプレイの２倍より大きい輝度を有する。
【０００３】
ウェハベース反射型ディスプレイの別の利点は、ディスプレイが標準ＣＭＯＳ処理を用いて製造され得、そしてこれにより最新式のサブミクロンＣＭＯＳ技術も利用できることである。特に、ピクセルミラーの間の低減された間隔は、ディスプレイの輝度を増加し、表示された画像中で個々のピクセルが見えることを低減する。加えて、ＣＭＯＳ回路は、比較対象となるＴＦＴ回路よりも１桁以上速い速度でスイッチングする、このことはウェハベース反射型ディスプレイをプロジェクタおよびビデオカメラファインダ等の高速ビデオアプリケーションに良く適応させる。
【０００４】
図１は、従来技術の反射型ディスプレイバックプレーン１００の断面図である。反射型ディスプレイバックプレーン１００は、シリコン基板１０２上に形成され、そして集積回路の層１０４、絶縁支持層１０６、複数のピクセルミラー１０８、および保護酸化物層１１０を含む。ピクセルミラー１０８はそれぞれ、関連するビア１１２を介して層１０４の回路に接続される。バックプレーン１００は通常、ピクセルミラー上に光学活性媒体（例えば、液晶）の層１１４を形成しそしてその光学活性媒体上に透過電極（図示せず）を形成することにより、反射型ライトバルブ（例えば、液晶ディスプレイ）に組み込まれる。媒体を通過する光は、ピクセルミラー１０８に印加される電子信号に依存して変調（例えば、偏向回転）される。
【０００５】
従来の反射型ディスプレイに関連する１つの問題は、生成された画像がしばしばまだら状に見えることである。反射型ディスプレイにおけるまだらの１つの原因は、層１１４内の液晶の不均一な配向である。液晶層１１４の形成は通常、ワイピングまたはラビング工程を含み、ローラーまたは同様のものが液晶層上を通過し、液晶の配置を生ずる。しかし、ピクセルミラー１０８はバックプレーン１００の面から上向に突き出て（ｐｒｏｊｅｃｔ）、隣接するピクセルミラーの間の間隙を規定する。公知のワイピングプロセスは、これらの間隙内の液晶を配向する（層１１４内の矢印により表される）のに有効でない。加えて、配向不良の結晶は、層１１４内の隣接結晶の配向に悪影響を及ぼす。
【０００６】
必要とされるものは、液晶層全体の有効な配向を容易にするための平面を有する反射型バックプレーンである。
【０００７】
図２は、反射型バックプレーン２００の断面図であり、厚い保護酸化物層２０２を堆積することによって反射型バックプレーン２００の平面を平坦化し、次いで、層２０２を所望の厚さレベル２０４までエッチバックする方法の非有効性を示す。特に、酸化物層２０２が堆積される際、ピクセルミラー１０８間の間隙への開口部２０６は、間隙が充填される前に閉じる。これは、「鍵穴効果」として当業者に公知である。次いで、酸化物層２０２がレベル２０４までエッチバックされた場合、非平面欠損（ｎｏｎｐｌａｎａｒ  ｄｅｆｅｃｔ）２０８が部分的に充填された間隙に残り、層１１４の均一な配向を妨げる。
【０００８】
図３は、反射型ディスプレイバックプレーン３００の断面図であり、反射型バックプレーンに従来の平坦化プロセスを使用する際に予期される問題を示す。バックプレーン３００は、厚い酸化物層３０２をピクセルミラー１０８上およびピクセルミラー１０８の間の間隙により露出された支持層１０６の部分上に形成することにより、平坦化される。厚い酸化物層３０２は、ピクセルミラー１０８が十分に薄い（例えば、１０００オングストローム未満）場合は、図２に示されるように鍵穴効果なしに形成され得るだけである。塗布後は、厚い酸化物層３０２は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）として公知である従来プロセスにより、平面レベル３０４に至るまで研磨される。このプロセスはまた、化学的機械平坦化として称され、当業者にとって周知である。
【０００９】
反射型バックプレーン３００の表面を平坦化するこの方法は、１０００オングストローム以上の厚さを有する層に制限されるという欠点がある。つまり、ＣＭＰプロセスは、１０００オングストローム未満の酸化物層をピクセルミラー１０８上に残すことができない。したがって、この平坦化方法は、光学エレメント上に残っている膜の厚さが、しばしばその適切な光学機能にとって重要であるので、光学エレメントを表面上に配置させた基板を平坦化するのにあまり適さない。
必要とされるものは、光学エレメント上に１０００オングストローム未満の厚さを有する層を残すことのできる、表面上に光学エレメントを堆積させた基板の面を平坦化する方法を用いて製造された反射型ディスプレイを提供することである。
【発明の概要】
【００１０】
本発明は、複数の表面プロジェクション（例えば、ピクセルミラー）および薄面膜（例えば、光学薄膜コーティング）を含む基板（例えば、反射型ディスプレイバックプレーン）を平坦化する新規の方法を提供することにより、従来技術の制限を克服する。基板が反射型ディスプレイバックプレーンであるとき、得られる平面は、投影した画像におけるまだらを減少させる。
【００１１】
開示された方法は、エッチング可能層を基板上に形成する工程、エッチング可能層にＣＭＰプロセスを実行し、第１の厚さ（例えば、＞１０００オングストローム）を有する平面層を形成する工程、および平面層を第２の厚さ（例えば、＜１０００オングストローム）までエッチングする工程を含む。特定の方法において、基板は集積回路であり、プロジェクションは光学エレメントである。より特定の方法においては、基板は反射型ディスプレイバックプレーンであり、そしてプロジェクションはピクセルミラーである。
【００１２】
１２００オングストロームを越える表面プロジェクションを有する基板を平坦化するのに適切な特定の方法において、エッチング可能層を形成する工程は、エッチング抵抗層を基板上に形成する工程、充填層をエッチング抵抗層上に形成する工程、充填層をエッチングし、プロジェクションの上に重なるエッチング抵抗層の部分を露出し、充填層の部分を間隙内に残す工程、エッチング可能層をエッチング抵抗層および充填層上の露出部分に形成する工程を含む。
【００１３】
エッチング抵抗層は光学薄膜層を含み得、そして単一層として形成され得る。必要に応じて、エッチング抵抗層は、例えば光学薄膜層およびエッチング抵抗キャップ層等の複数の副層を含む。特定の方法において、エッチング抵抗層を形成する工程は、酸化物層を形成する工程および窒化物層をその酸化物層上に形成する第２の工程を含む。
【００１４】
充填層をエッチング抵抗層上に形成する工程は、スピンオンコーティング（例えば、塗布シリコン酸化膜）をエッチング抵抗層上に塗布する工程を含み得る。必要に応じて、充填層は特定の波長の光を吸収するのに適切なドーパントを含む。
【００１５】
本発明の１つの特定の方法は、保護層を平面層上に形成する任意の工程をさらに含む。保護層は、単一層または多重層を含み得る。例えば、１つのより特定の方法において、保護層を形成する工程は、窒化物層を平面層上に形成する工程を含む。またもう１つのより特定の実施形態は、酸化物層を窒化物層上に形成する工程、および、次いで、第２の窒化物層を酸化物層上に形成する工程をさらに含む。
【００１６】
本発明は以下の図面を参照して説明され、同類の参照番号が実質的に同様のエレメントを明示する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、従来の反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図２】図２は、厚い保護層を堆積させた反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図３】図３は、従来の平坦化技術を示す反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図４】図４は、エッチング抵抗層および充填層を堆積させた反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図５】図５は、堆積された充填層の選択的エッチング後の、図４の反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図６】図６は、厚いエッチング可能酸化物層を堆積させた図５の反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図７】図７は、ＣＭＰ工程、エッチング可能層のエッチングおよび保護層の堆積をした後の、図６の反射型ライトバルブバックプレーンの断面図である。
【図８】図８は、本発明によるデバイスの面を平坦化する方法を要約したフローチャートである。
【図９】図９は、図８に示される厚い酸化物層を形成する工程を実行する方法を要約したフローチャートである。
【図１０】図１０は、図９に示されるエッチング可能層を基板上に形成する工程を実行する方法を要約したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本特許出願は、１９９８年１２月２３日に出願されかつ同一の譲受人に譲渡された以下の同時係属中の特許出願に関し、そして全体を本明細書中で参照として援用する。
【００１９】
Ｊａｃｏｂ  Ｄ．ＨａｓｋｅｌｌおよびＲｏｎｇ  Ｈｓｕによる、米国特許出願シリアル番号０９／２１９，５７９、Ｍｅｔｈｏｄ  Ｆｏｒ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ａ  Ｐｌａｎａｒ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｌｉｇｈｔ  Ｖａｌｖｅ  Ｂａｃｋｐｌａｎｅ、および  Ｊａｃｏｂ  Ｄ．ＨａｓｋｅｌｌおよびＲｏｎｇ  Ｈｓｕによる、米国特許出願シリアル番号０９／２１９，６１７、Ａ  Ｐｌａｎａｒ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｌｉｇｈｔ  Ｖａｌｖｅ  Ｂａｃｋｐｌａｎｅ．
本発明は、複数の表面プロジェクションを有する基板を平坦化する方法を提供することにより、従来技術に関連する問題点を克服する。詳細には、本発明は、薄膜層を堆積させた基板を平坦化する方法を説明する。以下の記載において、多
くの特定の詳細（例えば、光学層、エッチング抵抗層および保護層の特定の構成および厚さ）が、発明の完全な理解を提供するために説明される。しかし、発明はこれらの特定の詳細とは別に実行され得ることが、当業者により理解される。他方、半導体処理および光学薄膜コーティングの周知の詳細は、本発明を不必要に不明瞭にしないために省略された。
【００２０】
図４は、本発明による新規の平坦化プロセスの第１の工程中の、反射型バックプレーン４００の断面図である。反射型バックプレーン４００は、集積回路の層４０４、絶縁支持層４０６、および複数のピクセルミラー４０８を含むシリコン基板４０２上に形成される。集積回路層４０４は、データソース（図示せず）から表示データを受信して、ピクセルミラー４０８上の表示データのアサーション（ａｓｓｅｒｔｉｏｎ）を制御する。絶縁支持層４０６は、ピクセルミラー４０８に支持を提供して、集積回路層４０４からピクセルミラー４０８を絶縁する。各ピクセルミラー４０８は、支持層４０６を介する関連ビア４１０により集積回路層４０４に結合される。
【００２１】
平坦化プロセスの第１の工程中、エッチング抵抗層４１２は、ピクセルミラー４０８上およびピクセルミラー４０８間の間隙により露出された絶縁支持層４０６の部分上に形成される。エッチング抵抗層４１２は、光学薄膜層４１４およびエッチング抵抗キャップ層４１６を含む。光学薄膜層４１４は、薄膜干渉を介してピクセルミラー４０８の反射性能を最適化する。光学分野の当業者に周知の手段を使用して、そのような膜の厚さは、建設的干渉を介して所望の波長の光の反射を強化するため、および非建設的干渉を介して不要な反射を抑制するために、処理される。したがって、薄膜光学コーティングの厚さは、その機能にとって重要である。
【００２２】
エッチング抵抗キャップ層４１６は、光学薄膜層４１４を後のエッチング処理から保護し、その厚さが不変であることを確実にする。加えて、エッチング抵抗キャップ層４１６はまた、光学薄膜層として機能する。したがって、光学薄膜層４１４を含むエッチング抵抗層４１２もまた、エッチング抵抗キャップ層４１６を含む光学薄膜コーティング４１２であることが当業者により適切に理解され得る。
【００２３】
特定の実施形態において、光学薄膜層４１４は、酸化ケイ素を６８０Åの厚さまで堆積することにより形成される。エッチング抵抗キャップ層４１６は、窒化ケイ素を８２０Åの厚さまで堆積することにより形成される。しかし、光学薄膜層４１４が多様な構成および厚さの光学薄膜コーティングに置き換えられ得ることが、当業者により認識される。同様に、エッチング抵抗キャップ層４１６は、多様な厚さおよび構成のエッチング抵抗キャップ層に置き換えられ得る。他の実施形態において、エッチング抵抗層４１２は、エッチング抵抗を有しかつ光学薄膜として機能する材料（例えば、窒化物）の単一層として形成される。
【００２４】
平坦化処理における次の工程中、充填層４１８はエッチング抵抗層４１２上に堆積される。特定の実施形態において、充填層４１８はシリコン処理分野の当業者に周知の方法を使用して、製品Ｃ２０５２１５４Ｄ  ＳＯＧ  ＦＯＸ−１５のようなＤｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇから入手可能な塗布シリコン酸化膜材料を用いて形成される。
【００２５】
図５は、エッチング工程の後の反射型バックプレーン４００の断面図を示し、この工程において充填層４１８は、ピクセルミラー４０８の上に重なるエッチング抵抗層４１２の部分を露出するのに十分な時間の間にエッチングされるが、充填層４１８の部分をピクセルミラー４０８の間の間隙に残す。ウェット化学エッチング（例えば、フッ素水素酸）またはドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）のどちらかがエッチング工程を実行するために用いられ得るが、ウェットエッチングの方が、エッチング抵抗層４１２と充填層４１８との間の選択性が大きい。
【００２６】
エッチング抵抗層４１２は充填層４１８を取り除くために使用されるエッチング液に抵抗性があるため、充填層４１８をオーバーエッチングする工程は、エッチング抵抗層４１２、特に光学薄膜層４１４の厚さに影響を与えない。しかし、充填層４１８をオーバーエッチングする工程は、ピクセルミラー４０８間の間隙から充填層４１８の一部の除去を生じ、エッチング抵抗層４１６の上部面５０２から充填層４１８の上部面５０４までのステップダウンを生成する。１０００Åから１２００Åのステップダウンは許容可能であり、下記のような後に続く層の形成により充填される。
【００２７】
図６は、エッチング可能層６０２（例えば、厚い酸化物層）の形成の後の、反射型バックプレーン４００の断面図である。エッチング可能層６０２は、ステップダウンが１２００Å以下である限り、エッチング抵抗キャップ層４１６から充填層４１８までのステップダウンを充填する。次いで、エッチング可能層６０２は、第１のレベル６０４の厚さまで減少するＣＭＰプロセスを用いて、平面層６０６を形成される。公知のＣＭＰプロセスに関連する制限のため、平面層６０６の第１の厚さは１０００オングストローム未満になり得ない。次いで、平面層６０６はエッチングされて、１０００オングストローム未満であり得る第２のレベル６０８まで、厚さをさらに減少する。したがって本発明の方法は、薄い光学膜のオーダー（例えば、７００〜９００ｎｍ）の厚さを有する平面層を作成するために使用され得る。
【００２８】
図７は、平面層６０６上の保護層７０２の堆積後の反射型バックプレーン４００の断面図である。特定の実施形態において、保護層７０２は１２００Åの窒化物層であり、そしてピクセルミラー４０８の上に重なる平面層６０６の部分は６８０Åの厚さを有する。保護層７０２は、反射型バックプレーン４００の表面をより頑丈にして、反射型ライトバルブを構築する際のさらなる処理に耐えるようにする。例えば、液晶ディスプレイを構築する際、ポリイミドコーティングは反射型バックプレーン上に物理的にワイピングされる。保護コーティングなしでは、このワイピング工程は反射型バックプレーンを破壊する。保護層７０２は、別の保護コーティング（例えば、ドープトオキサイドまたはオキシ窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｘｙ−ｎｉｔｒｉｄｅ））に置き換えられ得ることが、当業者により認識される。
【００２９】
保護層７０２はまた、光学薄膜コーティングとして機能する。さらに、保護層７０２、平面層６０６およびエッチング抵抗層４１２は多層の光学薄膜コーティングを形成すると考えられ得る。そのような多層コーティングの使用は通常、より広範な光学スペクトル上で良好な光学的性能を生じる。
【００３０】
反射型ディスプレイバックプレーン４００は、多くの理由において従来の反射型バックプレーンにまさる。まず、バックプレーン４００の平面は、ピクセルミラー４０８の横側エッジでの光の偽（ｓｐｕｒｉｏｕｓ）反射を除去する。続いて、反射型バックプレーン４００の頑丈な平面は、例えばポリイミドおよび／または液晶材料等の、後に塗布されるディスプレイ材料の塗布を容易にする。加えて、反射型バックプレーン４００は、標準的なシリコン製造手順によって全体的に製造され得、したがって既存のシリコン製造設備によって低コストで製造され得る。
【００３１】
図４〜図７を参照して説明される本発明の特定の方法は、１０００オングストロームを越える表面プロジェクション（例えば、厚いピクセルミラー）を有する基板を平坦化するのに特に良好に適する。１０００オングストロームより小さい表面プロジェクションを有する基板に対しては、「鍵穴効果」（図２）は起こらない。したがって、エッチング抵抗層４１２および充填層４１８を形成する工程は省略され得、そしてエッチング可能層３０２は、ピクセルミラー４０８上およびピクセルミラー４０８の間の間隙により露出される支持層４０６の部分上で直接形成され得る。
【００３２】
図８は充填層なしに形成された、平坦化された反射型バックプレーン８００の断面図である。反射型バックプレーン８００は、複数のピクセルミラー８０２、絶縁支持層８０４および集積回路層８０６を含み、これらすべてはシリコン基板８０８上に形成される。平面層８１０は、上記の組み合わせＣＭＰ−エッチング方法を用いて、ピクセルミラー８０２上および支持層８０４の露出部上に形成される。特定の実施形態において、平面層８１０はピクセルミラー８０２上で７５０Åの範囲（±１０％）の厚さを有する酸化物層であり、光学薄膜として機能する。
【００３３】
保護層８１２は平面層８１０上に形成され、付加された強度および耐久性を提供する。特定の実施形態において、保護層８１２は第１の窒化物層８１４（６４０Å（±１０％））、酸化物層８１６（８４０Å（±１０％））および第２の窒化物層８１８（１２００Å（±１０％））を含む。平面層８１０および保護層８１２は共に、多層の光学薄膜コーティングを形成する。
【００３４】
図９は、本発明による平坦化された反射型バックプレーンを形成する方法９００を要約したフローチャートである。方法９００は、基板に表面プロジェクションを提供する第１の工程９０２を含む。特定の方法において、基板は反射型ディスプレイバックプレーンであり、プロジェクションはピクセルミラーであるが、本発明の方法は、例えば光学エレメントを表面上に堆積させた他の集積回路等の他の基板を平坦化するために利用され得ることが、当業者によって認識される。
【００３５】
次に、第２工程９０４において、エッチング可能層が表面プロジェクションおよび表面プロジェクションの間で規定された間隙を含む基板上に形成される。第２の工程７０４中のエッチング可能層の形成は、多くの副工程を含み得ることが、当業者によって認識される。例えば、図６を参照にして上記に説明されたように、エッチング可能層６０２は、エッチング抵抗層４１２および充填層４１８上に形成され得る。必要に応じて、図８を参照して上記に説明されたように、エッチング可能層（平面層８１０）は、ピクセルミラー８０２上および支持層８０４の露出部上に直接形成され得る。
【００３６】
次に、第３の工程９０６において、ＣＭＰプロセスはエッチング可能層６０２上で実行され、第１の厚さ（＞１０００オングストローム）を有する平面層６０６を形成する。次いで、第４の工程９０８において、平面層６０６は所望の第２の厚さ（＜１０００オングストローム）に至るまで、エッチングされる。選択可能な工程（図９中で図示せず）において、保護層７０２はエッチングされた平面層６０６上に形成される。保護層は、不活性化層および物理的保護層として機能する。特定の方法において、保護層は複数の副層を含み、保護層を形成する工程は、それぞれの副層の各々を形成する副工程を含む。例えば、図８を参照して説明したように、保護層８１２は、第１の窒化物層８１４をエッチングされた平面層８１０上に形成し、次に酸化物層８１６を窒化物層８１４上に形成し、そして最後に第２の窒化物層８１８を酸化物層８１６上に形成することにより、形成される。
【００３７】
図１０は、図９の方法９００の第２の工程９０４（エッチング可能層を基板上に形成する）を実行する特定の方法１０００を要約したフローチャートである。方法１０００は、１０００オングストロームを越える表面プロジェクション上でエッチング可能層を形成するのに特に良好に適する。第１の工程１００２において、エッチング抵抗層４１２（図４）は、ピクセルミラー４０８および支持層４０６の露出部上に形成される。次に、第２の工程１００２において、充填層４１８（例えば、塗布シリコン酸化膜）がエッチング抵抗層４１２上に形成される。次に、第３工程１００６において、充填層４１８をエッチングして、ピクセルミラー４０８の上に重なるエッチング抵抗層４１２の部分を露出するが、充填層４１８の一部をピクセルミラー４０８の間の間隙に残す（図５）。最後に、第４の工程１００８において、エッチング可能層６０２はエッチング抵抗層４１２の露出部上および充填層４１８の残りの部分上に形成される（図６）。
【００３８】
本発明特定の実施形態の説明がこれで完了した。説明された構成の多くは、本発明の範囲から逸脱することなしに代替、変更または省略され得る。例えば、充填層はスピンオンコーティングを塗布する以外の手段によって形成され得る。加えて、適切な耐久性の材料が平面層を形成するのに使用され得、保護層のさらなる形成は省略され得ることが予想される。さらに、本発明の使用は、反射型ディスプレイバックプレーンを平坦化することに制限されない。むしろ、本発明は、プロジェクション上に形成された薄膜層を用いて、複数の表面プロジェクションを有する基板を平坦化することが望ましいときに採用され得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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