(57)【要約】【課題】メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】このプラズマ処理装置１では、上部電極１０は、複数のガス噴出孔１３ａを有する複数のシャワー電極１３と、シャワー電極１３の下面上に配置される平板１４とを含む。平板１４は、複数のシャワー電極１３同士の間に形成された隙間Ｓ２の下側（下部電極２０側）を覆うように配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方電極と、
前記一方電極から所定の距離を隔てて対向配置された他方電極とを備え、
前記一方電極は、
複数のガス噴出孔を有する複数のシャワー電極と、
前記シャワー電極の前記他方電極側の表面上に配置される第１電極部とを含み、
前記複数のシャワー電極同士の間には、隙間が形成されており、
前記第１電極部は、前記複数のシャワー電極同士の間に形成された前記隙間の前記他方電極側を覆うように配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１電極部は、前記シャワー電極よりも小さい厚みを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記一方電極は、前記シャワー電極の前記他方電極とは反対側に配置される第２電極部をさらに含み、
前記第１電極部は、ネジを用いて、前記第２電極部または前記シャワー電極にネジ止めされており、
前記第１電極部の前記ネジが挿入される第１ネジ穴は、前記ネジのネジ径よりも大きい内径を有することを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記一方電極は、前記シャワー電極の前記他方電極とは反対側に配置される第２電極部をさらに含み、
前記シャワー電極は、ネジを用いて、前記第２電極部にネジ止めされており、
前記シャワー電極の前記ネジが挿入される第２ネジ穴は、前記ネジのネジ径よりも大きい内径を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記一方電極は、前記シャワー電極の前記他方電極とは反対側に配置される第２電極部をさらに含み、
前記第１電極部は、前記シャワー電極と共に、前記第２電極部にネジ止めされていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記一方電極は、前記シャワー電極の前記他方電極とは反対側に配置される電極板と、前記電極板および前記シャワー電極の間に配置され開口部を有する中間板とをさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
一方電極および他方電極の間に複数のプラズマ処理対象物を配置する工程と、
前記一方電極および前記他方電極の少なくとも一方に電圧を印加することにより、前記複数のプラズマ処理対象物に同時にプラズマ処理を行う工程とを備えることを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池などの半導体デバイスの製造には、成膜などのプラズマ処理を行うために、プラズマ処理装置が広く用いられている。
【０００３】
例えば基板（プラズマ処理対象物）に成膜などのプラズマ処理を行う場合、プラズマ処理装置の上部電極および下部電極の間に基板を配置し、上部電極に高周波電圧を印加する。これにより、プラズマ処理用ガスがプラズマ状態になり、基板の表面に、反応生成物からなる膜が形成される。このとき、基板の表面だけでなく、プラズマチャンバの内面（内壁）や、上部電極および下部電極の表面などにも、反応生成物が付着する。この反応生成物は、プラズマ処理が行われる度に堆積し、その内部応力などより、プラズマチャンバの内面（内壁）や上部電極および下部電極の表面などから剥離する場合がある。この場合、剥離した反応生成物の一部は、基板の表面に付着し、プラズマ処理に悪影響を及ぼす。このため、プラズマチャンバの内面（内壁）や上部電極および下部電極の表面などに付着した反応生成物を、定期的に除去する必要がある。
【０００４】
また、プラズマ処理装置は、プラズマ処理の処理能力を向上し製品の製造コストを削減するために、複数の基板を同時にプラズマ処理するバッチ処理方式が主流となっている。複数の基板を同時にプラズマ処理する場合、プラズマ処理の均一性を向上させるためには、上部電極や下部電極をそれぞれ一体型に形成することが望ましい。しかしながら、上部電極や下部電極をそれぞれ一体型に形成すると、上部電極や下部電極が大型化する。特に、上部電極が大型化した場合、上部電極をプラズマ処理装置から取り外すのが困難になるので、反応生成物を除去する際のメンテナンス性が低下するという不都合がある。
【０００５】
この不都合を解消するために、複数の電極部品を組合せて１つの上部電極として機能させる分割型の電極が用いられている。
【０００６】
図６は、従来の一例によるプラズマ処理装置の構造を示した概略図である。図６に示すように、従来の一例によるプラズマ処理装置１０１は、プラズマチャンバ１０２と、プラズマチャンバ１０２内に配置された上部電極１１０および下部電極１２０とを備えている。
【０００７】
上部電極１１０には、ガス供給部１０３がガス供給管１０４を介して接続されており、上部電極１１０の後述する内部空間Ｓ１０１には、ガス供給部１０３からプラズマ処理用ガスが供給される。また、上部電極１１０には、高周波電源１０５が電気的に接続されている。
【０００８】
また、上部電極１１０は、ガス供給管１０４および高周波電源１０５が接続された上部電極板１１１と、中間板１１２と、複数のシャワー電極１１３とを含んでいる。
【０００９】
中間板１１２には、複数のシャワー電極１１３にそれぞれ対応する位置に、複数の開口部１１２ａが形成されている。
【００１０】
複数のシャワー電極１１３は、中間板１１２を介して上部電極板１１１に電気的に接続されており、複数のシャワー電極１１３にも高周波電圧が印加される。また、シャワー電極１１３には、シャワー電極１１３の厚み方向に貫通した複数のガス噴出孔１１３ａが形成されている。
【００１１】
そして、上部電極板１１１、中間板１１２およびシャワー電極１１３によって、上部電極１１０に複数の内部空間Ｓ１０１が形成されている。
【００１２】
下部電極１２０は、接地されている。また、下部電極１２０には、ヒータ１２１が内蔵されており、下部電極１２０は所定の温度に保持される。
【００１３】
このプラズマ処理装置１０１では、複数の基板１３０を載せたトレイ１３１を下部電極１２０上に配置し、上部電極１１０に高周波電圧を印加することにより、基板１３０にプラズマ処理を行う。
【００１４】
ところで、上記のようなプラズマ処理装置１０１では、シャワー電極１１３と隣接するシャワー電極１１３との間に隙間Ｓ１０２を設ける必要がある。これは、以下の理由による。すなわち、下部電極１２０に内蔵されたヒータ１２１を通電した場合、プラズマチャンバ１０２内が昇温されるが、昇温中や昇温直後において、上部電極板１１１、中間板１１２およびシャワー電極１１３の温度分布は一定にならない。このため、隣接するシャワー電極１１３同士の間に隙間Ｓ１０２を設けていない場合、シャワー電極１１３が膨張して、隣接するシャワー電極１１３を押圧する場合がある。この場合、シャワー電極１１３、中間板１１２および上部電極板１１１に応力が発生し、シャワー電極１１３、中間板１１２および上部電極板１１１が変形する場合がある。このため、シャワー電極１１３と隣接するシャワー電極１１３との間に隙間Ｓ１０２を設ける必要がある。
【００１５】
なお、上記のように、上部電極に複数のシャワー電極を設けた構造は、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００８−１０６３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、図６に示した従来の一例によるプラズマ処理装置１０１のように、隣接するシャワー電極１１３同士の間に隙間Ｓ１０２を設ける場合、高周波電圧が印加されるシャワー電極１１３と接地された下部電極１２０との間で発生するプラズマ放電が、隙間Ｓ１０２の周辺部分と隙間Ｓ１０２の周辺以外の部分とで不均一になる。このため、基板（プラズマ処理対象物）１３０へのプラズマ処理が不均一になるという問題点がある。
【００１８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面によるプラズマ処理装置は、一方電極と、一方電極から所定の距離を隔てて対向配置された他方電極とを備え、一方電極は、複数のガス噴出孔を有する複数のシャワー電極と、シャワー電極の他方電極側の表面上に配置される第１電極部とを含み、複数のシャワー電極同士の間には、隙間が形成されており、第１電極部は、複数のシャワー電極同士の間に形成された隙間の他方電極側を覆うように配置されている。
【００２０】
この第１の局面によるプラズマ処理装置では、上記のように、一方電極に、シャワー電極を複数設けることによって、各シャワー電極が大型化するのを抑制することができるので、シャワー電極をプラズマ処理装置から取り外すことが困難になるのを抑制できる。これにより、反応生成物を除去する際のメンテナンス性を向上させることができる。
【００２１】
また、第１の局面によるプラズマ処理装置では、上記のように、一方電極に、シャワー電極を複数設けることによって、各シャワー電極が大型化するのを抑制しながら、一方電極を大型化することができる。これにより、複数のプラズマ処理対象物（基板など）を同時にプラズマ処理することができるので、プラズマ処理の処理能力を向上させることができる。
【００２２】
また、第１の局面によるプラズマ処理装置では、上記のように、一方電極に、第１電極部を設け、第１電極部を、複数のシャワー電極同士の間に形成された隙間の他方電極側を覆うように配置する。これにより、一方電極と他方電極との間で発生するプラズマ放電が、隙間の周辺部分と隙間の周辺以外の部分とで不均一になるのを抑制することができる。その結果、プラズマ処理の均一性を向上させることができる。
【００２３】
また、第１の局面によるプラズマ処理装置では、上記のように、複数のシャワー電極同士の間に隙間を形成することによって、一方電極の昇温中や昇温直後に、シャワー電極の膨張に起因してシャワー電極が隣接するシャワー電極を押圧するのを抑制することができる。これにより、シャワー電極などに応力が発生するのを抑制することができるので、シャワー電極などが変形するのを抑制することができる。
【００２４】
上記第１の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、第１電極部は、シャワー電極よりも小さい厚みを有する。このように構成すれば、第１電極部の他方電極側の表面とシャワー電極の他方電極側の表面との段差を小さくすることができるので、一方電極と他方電極との間で発生するプラズマ放電が、第１電極部の周辺部分と第１電極部の周辺以外の部分とで不均一になるのを抑制することができる。その結果、プラズマ処理の均一性をより向上させることができる。
【００２５】
上記第１の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、一方電極は、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される第２電極部をさらに含み、第１電極部は、ネジを用いて、第２電極部またはシャワー電極にネジ止めされており、第１電極部のネジが挿入される第１ネジ穴は、ネジのネジ径よりも大きい内径を有する。このように構成すれば、第１電極部の第１ネジ穴の内径とネジのネジ径との差だけ、第１電極部を、ネジ、第２電極部およびシャワー電極に対して動くようにすることができる。これにより、一方電極の昇温中や昇温直後に、シャワー電極や第１電極部などの膨張に起因してシャワー電極や第１電極部などに応力が発生するのを抑制することができる。その結果、シャワー電極や第１電極部などが変形するのを、容易に抑制することができる。
【００２６】
上記第１の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、一方電極は、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される第２電極部をさらに含み、シャワー電極は、ネジを用いて、第２電極部にネジ止めされており、シャワー電極のネジが挿入される第２ネジ穴は、ネジのネジ径よりも大きい内径を有する。このように構成すれば、シャワー電極の第２ネジ穴の内径とネジのネジ径との差だけ、シャワー電極を、ネジおよび第２電極部に対して動くようにすることができる。これにより、一方電極の昇温中や昇温直後に、シャワー電極や第２電極部の膨張に起因してシャワー電極や第２電極部に応力が発生するのを抑制することができる。その結果、シャワー電極や第２電極部が変形するのを、容易に抑制することができる。
【００２７】
上記第１の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、一方電極は、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される第２電極部をさらに含み、第１電極部は、シャワー電極と共に、第２電極部にネジ止めされている。このように構成すれば、第１電極部とシャワー電極とを同時に取り付けたり、同時に取り外すことができるので、メンテナンス性をより向上させることができる。
【００２８】
上記第１の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、一方電極は、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される電極板と、電極板およびシャワー電極の間に配置され開口部を有する中間板とをさらに含む。このように構成すれば、電極板と中間板とを１つの部材で形成する場合に比べて、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される部材（電極板および中間板）が大型化するのを抑制することができる。これにより、メンテナンス性をより向上させることができる。
【００２９】
この発明の第２の局面によるプラズマ処理方法は、上記の構成のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、一方電極および他方電極の間に複数のプラズマ処理対象物を配置する工程と、一方電極および他方電極の少なくとも一方に電圧を印加することにより、複数のプラズマ処理対象物に同時にプラズマ処理を行う工程とを備える。このように構成すれば、メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置を用いて、複数のプラズマ処理対象物に同時にプラズマ処理を行うことができる。これにより、プラズマ処理対象物の品質を向上させながら、生産性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように、本発明によれば、メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の構造を示した概略図である。
【図２】図１に示した本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の上部電極の構造を示した分解斜視図である。
【図３】図１に示した本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の上部電極の構造を示した断面図である。
【図４】図１に示した本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の上部電極の構造を示した拡大断面図である。
【図５】本発明の変形例によるプラズマ処理装置の上部電極の構造を示した拡大断面図である。
【図６】従来の一例によるプラズマ処理装置の構造を示した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００３３】
まず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置１の構造について説明する。
【００３４】
本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置１は、例えば、太陽電池などの製造に用いられる。また、プラズマ処理装置１は、図１に示すように、プラズマチャンバ２と、プラズマチャンバ２内に配置された上部電極１０および下部電極２０とを備えている。なお、上部電極１０は、本発明の「一方電極」の一例であり、下部電極２０は、本発明の「他方電極」の一例である。
【００３５】
プラズマチャンバ２には、圧力計３および排気装置４が取り付けられている。圧力計３は、プラズマチャンバ２の内圧を計測するために設けられている。また、圧力計３と排気装置４には、制御部５が接続されている。この制御部５は、圧力計３の出力に基づいてプラズマチャンバ２の内圧を算出するとともに、プラズマチャンバ２の内圧が所定値になるように排気装置４を制御する機能を有する。
【００３６】
上部電極１０には、ガスボンベなどからなるガス供給部６がガス供給管７を介して接続されており、上部電極１０の後述する内部空間Ｓ１には、ガス供給部６からプラズマ処理用ガスが供給される。また、上部電極１０には、高周波電源８が接続されている。
【００３７】
ここで、本実施形態では、図１および図２に示すように、上部電極１０は、金属製の上部電極板１１と、金属製の中間板１２と、複数の金属製のシャワー電極１３と、複数の金属製の平板１４とを含んでいる。なお、上部電極板１１は、本発明の「電極板」の一例であり、中間板１２は、本発明の「第２電極部」の一例である。また、平板１４は、本発明の「第１電極部」の一例である。
【００３８】
上部電極板１１および中間板１２は、シャワー電極１３の上側（下部電極２０とは反対側）に配置されている。
【００３９】
また、上部電極板１１には、図２および図３に示すように、上部電極板１１の厚み方向（Ａ方向）に貫通した複数の取付穴１１ａが形成されている。この取付穴１１ａに、ガス供給管７（図３参照）が取り付けられている。
【００４０】
また、上部電極板１１には、図４に示すように、ネジ３０が固定される複数のネジ穴１１ｂが形成されている。また、上部電極板１１には、図１に示すように、高周波電源８が電気的に接続されている。
【００４１】
中間板１２は、図１および図２に示すように、上部電極板１１とシャワー電極１３との間に配置されている。また、中間板１２には、複数のシャワー電極１３にそれぞれ対応する位置に、複数の開口部１２ａが形成されている。
【００４２】
また、中間板１２には、図２および図４に示すように、中間板１２の厚み方向（Ａ方向）に貫通した複数のネジ穴１２ｂが形成されている。これら複数のネジ穴１２ｂは、図４に示すように、上部電極板１１の複数のネジ穴１１ｂにそれぞれ対応する位置に形成されている。そして、中間板１２は、ネジ穴１２ｂにネジ３０が挿入されることにより、上部電極板１１のネジ穴１１ｂにネジ止めされている。
【００４３】
また、ネジ穴１２ｂは、ネジ３０のネジ径よりも大きい内径を有するように形成されている。これにより、ネジ穴１２ｂの内径とネジ３０のネジ径との差だけ、中間板１２は、ネジ３０および上部電極板１１に対して、Ｂ方向およびＣ方向に移動可能となる。
【００４４】
また、中間板１２の下面には、ネジ３１または３２（図２参照）が固定される複数のネジ穴１２ｃが形成されている。
【００４５】
シャワー電極１３は、例えば約５ｍｍの厚みに形成されている。なお、シャワー電極１３の厚みは、約５ｍｍに限定されない。また、シャワー電極１３は、略直方体の外形を有する。すなわち、シャワー電極１３の側面部分は、凹凸形状に形成されていない。
【００４６】
また、シャワー電極１３は、図２に示すように、Ｂ方向に複数設けられている。なお、シャワー電極１３は、Ｂ方向だけでなくＣ方向にも、複数設けられていてもよい。
【００４７】
また、本実施形態では、シャワー電極１３は、隣接するシャワー電極１３からＢ方向に所定の間隔を隔てて配置されている。すなわち、隣接するシャワー電極１３同士の間には、シャワー電極１３の面方向（Ｂ方向）に、隙間Ｓ２（図１参照）が形成されている。
【００４８】
また、シャワー電極１３には、図２および図４に示すように、シャワー電極１３の厚み方向（Ａ方向）に貫通した複数（例えば、数百個程度）のガス噴出孔１３ａと複数のネジ穴１３ｂとが形成されている。複数のネジ穴１３ｂは、中間板１２の複数のネジ穴１２ｃにそれぞれ対応する位置に形成されている。そして、シャワー電極１３は、ネジ穴１３ｂにネジ３１または３２（図２参照）が挿入されることにより、中間板１２のネジ穴１２ｃ（図４参照）にネジ止めされている。なお、ネジ穴１３ｂは、本発明の「第２ネジ穴」の一例である。
【００４９】
また、本実施形態では、ネジ穴１３ｂは、図４に示すように、ネジ３１および３２（図２参照）のネジ径よりも大きい内径を有するように形成されている。これにより、ネジ穴１３ｂの内径とネジ３１または３２のネジ径との差だけ、シャワー電極１３は、ネジ３１、３２および中間板１２に対して、Ｂ方向およびＣ方向に移動可能となる。
【００５０】
そして、図１に示すように、上部電極板１１、中間板１２およびシャワー電極１３によって、上部電極１０に複数の内部空間Ｓ１が形成されている。この内部空間Ｓ１に供給されたプラズマ処理用ガスは、シャワー電極１３の複数のガス噴出孔１３ａから下部電極２０側に噴出される。
【００５１】
また、複数のシャワー電極１３は、中間板１２を介して上部電極板１１に電気的に接続されており、複数のシャワー電極１３にも高周波電圧が印加される。
【００５２】
平板１４は、シャワー電極１３よりも小さい、例えば約１．５ｍｍの厚みに形成されている。なお、平板１４の厚みは、約１．５ｍｍに限定されない。
【００５３】
また、本実施形態では、平板１４は、隣接するシャワー電極１３同士の間の隙間Ｓ２の下側（下部電極２０側）を覆うように、シャワー電極１３の下面（下部電極２０側の表面）上に、密着するように配置されている。
【００５４】
具体的には、図４に示すように、平板１４には、平板１４の厚み方向（Ａ方向）に貫通した複数のネジ穴１４ａが形成されている。この複数のネジ穴１４ａは、中間板１２の複数のネジ穴１２ｃとシャワー電極１３の複数のネジ穴１３ｂとに対応する位置に形成されている。そして、平板１４は、ネジ穴１４ａにネジ３１が挿入されることにより、シャワー電極１３と共に、中間板１２のネジ穴１２ｃにネジ止めされている。なお、ネジ穴１４ａは、本発明の「第１ネジ穴」の一例である。
【００５５】
また、本実施形態では、ネジ穴１４ａは、ネジ３１のネジ径よりも大きい内径を有するように形成されている。これにより、ネジ穴１４ａの内径とネジ３１のネジ径との差だけ、平板１４は、ネジ３１、中間板１２およびシャワー電極１３に対して、Ｂ方向およびＣ方向に移動可能となる。
【００５６】
また、複数の平板１４は、シャワー電極１３に電気的に接続されており、複数の平板１４にも高周波電圧が印加される。
【００５７】
なお、図３および図４では、ネジ３０の頭部が中間板１２の下面（下部電極２０側の表面）から下側に突出していない構造を図示しているが、ネジ３０の頭部が中間板１２の下面から下側に突出していてもよい。また、同様に、ネジ３１の頭部が平板１４の下面（下部電極２０側の表面）から下側に突出していない構造を図示しているが、ネジ３１の頭部が平板１４の下面から下側に突出していてもよい。
【００５８】
下部電極２０は、図１に示すように、上部電極１０から所定の距離を隔てて対向配置されているとともに、接地されている。また、下部電極２０には、ヒータ２１が内蔵されている。このヒータ２１は、後述するトレイ４１の有無にかかわらず通電されており、トレイ４１を５００℃程度に保持するように温度調整されている。
【００５９】
次に、図１および図２を参照して、本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置１を用いたプラズマ処理方法について説明する。
【００６０】
まず、プラズマ処理装置１の主電源（図示せず）をオンするとともに、下部電極２０のヒータ２１を通電する。これにより、下部電極２０や上部電極１０などが所定の温度に昇温される。昇温中や昇温直後においては、上部電極板１１、中間板１２、シャワー電極１３および平板１４などの温度分布が一定にならないので、昇温後、所定の時間が経過するまで、この状態を保持する。
【００６１】
そして、図示しない搬送部などにより、複数の基板４０を載せたトレイ４１を、下部電極２０上（上部電極１０と下部電極２０との間）に配置する。これにより、トレイ４１が５００℃程度に保持される。なお、基板４０は、本発明の「プラズマ処理対象物」の一例である。
【００６２】
その後、排気装置４により、プラズマチャンバ２の内圧が所定値になるように調整しながら、プラズマ処理用ガスを、ガス供給部６からガス供給管７を介して、上部電極１０の内部空間Ｓ１に供給する。これにより、プラズマ処理用ガスは、シャワー電極１３の複数のガス噴出孔１３ａから下部電極２０側に噴出し、プラズマチャンバ２内に供給される。
【００６３】
プラズマチャンバ２の内圧が１００Ｐａ程度に安定した後、高周波電源８を起動することにより、上部電極板１１に、例えば約１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を１０００Ｗ程度印加する。このとき、複数のシャワー電極１３および複数の平板１４にも、高周波電圧が印加される。これにより、プラズマ処理用ガスがプラズマ状態になり、基板４０の表面に、反応生成物からなる膜が形成される。
【００６４】
そして、予め設定された秒数が経過した後、高周波電源８の出力を停止する。その後、プラズマ処理用ガスの供給を停止する。
【００６５】
このようにして、複数の基板４０に、同時に成膜（プラズマ処理）が行われる。
【００６６】
本実施形態では、上記のように、上部電極１０に、シャワー電極１３を複数設けることによって、各シャワー電極１３が大型化するのを抑制することができるので、シャワー電極１３を取り外すことが困難になるのを抑制できる。これにより、反応生成物を除去する際のプラズマ処理装置１のメンテナンス性を向上させることができる。
【００６７】
また、本実施形態では、上記のように、上部電極１０に、シャワー電極１３を複数設けることによって、各シャワー電極１３が大型化するのを抑制しながら、上部電極１０を大型化することができる。これにより、複数の基板４０を同時にプラズマ処理することができるので、プラズマ処理の処理能力を向上させることができる。
【００６８】
また、本実施形態では、上記のように、平板１４を、複数のシャワー電極１３同士の間に形成された隙間Ｓ２の下側（下部電極２０側）を覆うように配置する。これにより、上部電極１０と下部電極２０との間で発生するプラズマ放電が、隙間Ｓ２の周辺部分と隙間Ｓ２の周辺以外の部分とで不均一になるのを抑制することができる。その結果、プラズマ処理の均一性を向上させることができる。
【００６９】
また、本実施形態では、上記のように、複数のシャワー電極１３同士の間に隙間Ｓ２を設けることによって、上部電極１０の昇温中や昇温直後に、シャワー電極１３の膨張に起因してシャワー電極１３が隣接するシャワー電極１３を押圧するのを抑制することができる。これにより、シャワー電極１３などに応力が発生するのを抑制することができるので、シャワー電極１３などが変形するのを抑制することができる。
【００７０】
また、本実施形態では、上記のように、平板１４を、シャワー電極１３よりも小さい厚みに形成することによって、平板１４の下面（下部電極２０側の表面）とシャワー電極１３の下面（下部電極２０側の表面）との段差を小さくすることができる。これにより、上部電極１０と下部電極２０との間で発生するプラズマ放電が、平板１４の周辺部分と平板１４の周辺以外の部分とで不均一になるのを抑制することができる。その結果、プラズマ処理の均一性をより向上させることができる。
【００７１】
また、本実施形態では、上記のように、平板１４のネジ穴１４ａを、ネジ３１のネジ径よりも大きい内径を有するように形成することによって、平板１４のネジ穴１４ａの内径とネジ３１のネジ径との差だけ、平板１４を、ネジ３１、中間板１２およびシャワー電極１３に対して動くようにすることができる。これにより、上部電極１０の昇温中や昇温直後に、シャワー電極１３や平板１４などの膨張に起因してシャワー電極１３や平板１４などに応力が発生するのを抑制することができる。その結果、シャワー電極１３や平板１４などが変形するのを、容易に抑制することができる。
【００７２】
また、本実施形態では、上記のように、シャワー電極１３のネジ穴１３ｂを、ネジ３１および３２のネジ径よりも大きい内径を有するように形成することによって、シャワー電極１３のネジ穴１３ｂの内径とネジ３１または３２のネジ径との差だけ、シャワー電極１３を、ネジ３１、３２および中間板１２に対して動くようにすることができる。これにより、上部電極１０の昇温中や昇温直後に、シャワー電極１３や中間板１２などの膨張に起因してシャワー電極１３や中間板１２などに応力が発生するのを抑制することができる。その結果、シャワー電極１３や中間板１２などが変形するのを、容易に抑制することができる。
【００７３】
また、本実施形態では、上記のように、平板１４を、シャワー電極１３と共に、中間板１２にネジ止めすることによって、平板１４とシャワー電極１３とを同時に取り付けたり、同時に取り外すことができる。これにより、プラズマ処理装置１のメンテナンス性をより向上させることができる。
【００７４】
また、本実施形態では、上記のように、上部電極板１１と中間板１２とを別の部材で構成することによって、上部電極板１１と中間板１２とを１つの部材で形成する場合に比べて、上部電極１０のうちシャワー電極１３よりも上側に配置される部材（上部電極板１１および中間板１２）が大型化するのを抑制することができる。これにより、プラズマ処理装置１のメンテナンス性をより向上させることができる。
【００７５】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００７６】
例えば、上記実施形態では、プラズマ処理の一例として、プラズマ処理対象物（基板）に成膜を行う例について示したが、本発明はこれに限らず、プラズマ処理対象物（基板）に、成膜以外の、例えば表面改質や洗浄などのプラズマ処理を行ってもよい。
【００７７】
また、上記実施形態では、プラズマ処理を、基板に行う例について示したが、本発明はこれに限らず、プラズマ処理を、基板以外のプラズマ処理対象物に行ってもよい。
【００７８】
また、上記実施形態では、プラズマ処理装置を、太陽電池の製造に用いる例について示したが、本発明はこれに限らず、プラズマ処理装置を、太陽電池以外の半導体デバイスの製造に用いてもよいし、半導体デバイス以外の製造に用いてもよい。
【００７９】
また、上記実施形態では、平板（第１電極部）を、シャワー電極よりも小さい厚みに形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、平板（第１電極部）を、シャワー電極以上の厚みに形成してもよい。
【００８０】
また、上記実施形態では、平板を中間板にネジ止めした例について示したが、本発明はこれに限らず、平板を、シャワー電極にネジ止めしてもよい。
【００８１】
また、上記実施形態では、平板を、シャワー電極と共に、中間板にネジ止めした例について示したが、本発明はこれに限らず、平板を、シャワー電極および中間板と共に、上部電極板にネジ止めしてもよい。
【００８２】
また、上記実施形態では、平板をネジを用いて中間板に取り付けた例について示したが、本発明はこれに限らず、平板を、ネジを用いることなく中間板やシャワー電極などに取り付けてもよい。
【００８３】
また、上記実施形態では、上部電極板と中間板とを別の部材で構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、上部電極のうちシャワー電極よりも上側に配置される部分（上部電極板および中間板）を１つの部材で形成してもよい。
【００８４】
また、上記実施形態では、シャワー電極の側面部分を、凹凸形状に形成しない例について示したが、本発明はこれに限らず、図５に示した本発明の変形例のように、シャワー電極５３の側面部分を、凹凸形状に形成してもよい。この場合、隣接するシャワー電極５３の側面部分（凹凸形状に形成された部分）同士を厚み方向に重なるように配置してもよい。そして、平板５４を、隣接するシャワー電極５３同士の間の隙間Ｓ１２の下側を覆うように、シャワー電極５３の下面上に配置してもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１  プラズマ処理装置
１０  上部電極（一方電極）
１１  上部電極板（電極板）
１２  中間板（第２電極部）
１２ａ  開口部
１３、５３  シャワー電極
１３ａ  ガス噴出孔
１３ｂ  ネジ穴（第２ネジ穴）
１４、５４  平板（第１電極部）
１４ａ  ネジ穴（第１ネジ穴）
２０  下部電極（他方電極）
３１、３２  ネジ
４０  基板（プラズマ処理対象物）
Ｓ２、Ｓ１２  隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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