(57)【要約】【課題】高精度なインピーダンスと低挿入損失を実現でき、かつフリップチップ実装したときのバランの特性変動を低減できる樹脂多層デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】バランを有するＷＬＰの樹脂多層デバイスであって、基板１０と、その上に形成された第１樹脂層２２と、第１樹脂層２２上に設けられた平衡信号伝送路３０および３５と、その上に形成された第２樹脂層２４と、第２樹脂層２４上に平衡信号伝送路３０および３５と対向して設けられた不平衡信号伝送路５０と、その上に形成された第３樹脂層２６と、第３樹脂層２６上において不平衡信号伝送路５０と対向する領域の一部を含むように設けられた絶縁性の磁性体１５０とを備える。【選択図】図１
2010124223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バランを有する樹脂多層デバイスであって、
基板と、
前記基板上に形成された第１樹脂層と、
前記第１樹脂層上に設けられ、一端を第１信号出入力端とし、他端を第１接地端とする第１平衡信号伝送路と、
前記第１樹脂層上に前記第１平衡信号伝送路とは電気的に独立して設けられ、一端を第２信号出入力端とし、他端を第２接地端とする第２平衡信号伝送路と、
前記２つの平衡信号伝送路上および前記第１樹脂層上に形成された第２樹脂層と、
前記第２樹脂層上に前記２つの平衡信号伝送路と対向して設けられ、一端を信号入出力端とし、他端を開放端とする不平衡信号伝送路と、
前記第２樹脂層上に設けられ、前記第１接地端に接続された第１接地端子部と、
前記第２樹脂層上に設けられ、前記第２接地端に接続された第２接地端子部と、
前記第２樹脂層上に設けられ、前記第１信号出入力端に接続された第１出入力端子部と、
前記第２樹脂層上に設けられ、前記第２信号出入力端に接続された第２出入力端子部と、
前記第２樹脂層上に設けられ、前記信号入出力端に接続された入出力端子部と、
前記不平衡信号伝送路上および前記第２樹脂層上に形成された第３樹脂層と、
前記第３樹脂層上の内、前記第１接地端子部、前記第２接地端子部、前記第１出入力端子部、前記第２出入力端子部、および前記入出力端子部が配置される領域を除き、かつ前記不平衡信号伝送路と対向する領域の一部を含むように設けられた絶縁性の磁性体と、
を備えたことを特徴とする樹脂多層デバイス。
【請求項２】
前記磁性体は、前記第３樹脂層上の内、前記第１接地端子部、前記第２接地端子部、前記第１出入力端子部、前記第２出入力端子部、および前記入出力端子部が配置される領域を除いた全領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項３】
前記磁性体は、前記第３樹脂層上の内、前記不平衡信号伝送路と対向する領域に設けられており、その他の領域には設けられていないことを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項４】
実装基板に実装される樹脂多層デバイスであって、
前記磁性体は、前記第３樹脂層上の内、前記実装基板に実装されたときに前記実装基板の配線と前記不平衡信号伝送路とが重なり合う領域に設けられており、その他の領域には設けられていないことを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項５】
前記磁性体は、軟磁性体であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の樹脂多層デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の樹脂多層デバイスの製造方法であって、
前記第３樹脂層上に、前記磁性体となる磁性体プレートを貼付する工程を含むことを特徴とする樹脂多層デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の樹脂多層デバイスの製造方法であって、
前記第３樹脂層上に、めっき法により前記磁性体を形成する工程を含むことを特徴とする樹脂多層デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の樹脂多層デバイスの製造方法であって、
前記第３樹脂層上に、磁性体フィラーを混合した感光性樹脂層を形成する工程と、
前記感光性樹脂層をパターニングして前記磁性体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂多層デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の樹脂多層デバイスの製造方法であって、
前記第３樹脂層上に、スパッタリング法またはスクリーン印刷法により磁性体膜を形成する工程と、
前記磁性体膜をパターニングして前記磁性体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂多層デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線回路等に用いられるバラン（バランストランス）を有する樹脂多層デバイスに関し、特に、ＷＬＣＳＰ（Wafer Level Chip Size/Scale Package）技術によって形成された積層型のバランを有する樹脂多層デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層型のバランは、不平衡信号伝送路と、２つの平衡信号伝送路とが、絶縁層（誘電体層）を介して積層配置された構成になっている。積層型バランの製造としては、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）技術をベースとしたもの（例えば特許文献１参照）、多層プリント基板製造技術をベースとしたもの（例えば特許文献２参照）、半導体加工技術をベースとしたもの（例えば、特許文献３、非特許文献１参照）、誘電体層として樹脂層を用いるもの（例えば特許文献４，５参照）がある。
【０００３】
バランは、不平衡信号側（単一信号入力側）の入力インピーダンス、および平衡信号側（差動信号出力側）の出力インピーダンスが設計仕様のインピーダンス値であることを要求される。これらのインピーダンス仕様を満たすためのパラメータは、伝送路の幅、伝送路の厚さ、伝送路間の絶縁層の厚さ（伝送路間の距離）および誘電率、下側伝送路の下層の絶縁層の厚さおよび誘電率、ならびに上側伝送路の上層の絶縁層の厚さおよび誘電率である（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
一方、近年、ＷＬＣＳＰという技術が提案されている（例えば特許文献６参照）。このＷＬＣＳＰ技術によって製造されたパッケージを、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）と言う。
【特許文献１】特開２００２−０５０９１０号公報
【特許文献２】特開２００６−１２１３１３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７２２８４号公報
【特許文献４】特開２００５−１３０３７６号公報
【特許文献５】特開２００５−２４４８４８号公報
【特許文献６】特開２００７−２８１２３０号公報
【非特許文献１】Yeong J.Yoon，「Design and characterization of Multilayer Spiral Transmission-Line Baluns」,IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES,VOL.47,No.9,SEPTEMBER,1999
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＷＬＣＳＰ製造技術によってＷＬＰの樹脂多層デバイスにバランを作り込むことにより、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランを実現できる。
【０００６】
しかしながら、バラン単体の特性向上とは別に、バランを有する樹脂多層デバイスを実装基板にフリップチップ実装したときに、バランの伝送路（またはこの伝送路の信号）と、実装基板に形成されている配線（またはこの配線の信号）との間に電磁干渉を生じ、これによってバランの特性に影響するという課題があった。
【０００７】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、高精度なインピーダンスと低挿入損失を実現でき、かつ実装基板に実装したときのバランの特性変動を低減できる樹脂多層デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の樹脂多層デバイスは、バランを有する樹脂多層デバイスであって、基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられ、一端を第１信号出入力端とし、他端を第１接地端とする第１平衡信号伝送路と、前記第１樹脂層上に前記第１平衡信号伝送路とは電気的に独立して設けられ、一端を第２信号出入力端とし、他端を第２接地端とする第２平衡信号伝送路と、前記２つの平衡信号伝送路上および前記第１樹脂層上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に前記２つの平衡信号伝送路と対向して設けられ、一端を信号入出力端とし、他端を開放端とする不平衡信号伝送路と、前記第２樹脂層上に設けられ、前記第１接地端に接続された第１接地端子部と、前記第２樹脂層上に設けられ、前記第２接地端に接続された第２接地端子部と、前記第２樹脂層上に設けられ、前記第１信号出入力端に接続された第１出入力端子部と、前記第２樹脂層上に設けられ、前記第２信号出入力端に接続された第２出入力端子部と、前記第２樹脂層上に設けられ、前記信号入出力端に接続された入出力端子部と、前記不平衡信号伝送路上および前記第２樹脂層上に形成された第３樹脂層と、前記第３樹脂層上の内、前記第１接地端子部、前記第２接地端子部、前記第１出入力端子部、前記第２出入力端子部、および前記入出力端子部が配置される領域を除き、かつ前記不平衡信号伝送路と対向する領域の一部を含むように設けられた絶縁性の磁性体と、を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板上に、第１樹脂層、２つの平衡信号伝送路、第２樹脂層、不平衡信号伝送路、第３樹脂層を順に積層したバランを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の伝送路を形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランを有する樹脂多層デバイスを得ることができるとともに、第３樹脂層上の内、端子部の配置領域を除き、かつ不平衡信号伝送路と対向する領域の一部を含むように磁性体を設けることにより、実装基板に実装したときに実装基板の配線との電磁干渉を低減できるので、実装時のバランの特性変動を低減できる樹脂多層デバイスを得ることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。なお、以下の説明に用いる図面は模式的なものであって、実際の大きさとは異なる場合がある。
【００１１】
実施の形態１
図１は本発明の実施の形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。この図１の実施の形態１のバランを有する樹脂多層デバイス１００は、基板１０と、多層樹脂体２０（第１樹脂層２２，第２樹脂層２４、第３樹脂層２６）と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、１本の不平衡信号伝送路５０と、２つの平衡信号の出入力端子部６０（第１出入力端子部）および６５（第２出入力端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、不平衡信号の入出力端子部９０と、絶縁性の磁性体１５０とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００１２】
本発明のバランを有する樹脂多層デバイスは、第３樹脂層２６上において不平衡信号伝送路５０と対向する領域の一部を含むように、絶縁性の磁性体を設けることにより、実装基板に樹脂多層デバイスをフリップチップ実装したときに、上記磁性体が電磁シールドの役目を果たし、実装基板の配線の信号と樹脂多層デバイスの伝送路（特に不平衡信号伝送路５０）の信号との干渉を低減し、この干渉に起因するバランの特性変動を抑えることを特徴とする。
【００１３】
この実施の形態１では、実装時に電磁シールドの役目を果たす絶縁性の磁性体１５０を、第３樹脂層（封止樹脂層）２６上の領域の内、はんだバンプを設けて実装部となる出入力端子部６０，６５、接地端子部７０，７５、および入出力端子部９０が配置される部分を除いて設けている。
【００１４】
図２は樹脂多層デバイス１００を説明する上面図であり、図３は図２においてのＡ−Ａ間の断面図、図４は図２においてのＢ−Ｂ間の断面図、図５は図２においてのＣ−Ｃ間の断面図である。ただし、これらの図２〜図５では、樹脂多層デバイス１００を判り易く説明するために、内周にスペースＥ１（第１スペース）を有する平面スパイラル型の平衡信号伝送路３０、内周にスペースＥ２（第２スペース）を有する平面スパイラル型の平衡信号伝送路３５、ならびに不平衡信号伝送路５０を構成している、内周にスペースＥ１を有する平面スパイラル部５０ｃおよび内周にスペースＥ２を有する平面スパイラル部５０ｄを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【００１５】
［磁性体１５０］
磁性体１５０の磁性体材料としては、できるだけ透磁率の高い材料であることが望ましい。磁性体１５０を薄くしても、高い電磁シールド効果を得ることができるからである。このような磁性体材料としては、例えば、ＮｉＺｎ系フェライトやパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の軟磁性体材料がある。
【００１６】
磁性体１５０としては、固体の磁性体プレートを使用する。磁性体プレートは、樹脂接着剤や熱可塑性接着剤等の接着剤を用いて、簡易な手法で第３樹脂層２６に貼付することができる。
【００１７】
なお、樹脂多層デバイス１００をフリップチップ実装する場合の要請として、磁性体１５０の厚さ寸法Ｍと、第３樹脂層２６の高さ寸法ｈ２の合計の厚さＭ＋ｈ２を、後述するはんだバンプ８１，８６，８２，８７，８９の高さ寸法Ｈよりも薄くすることが必要である。この要請を満たすことにより、磁性体１５０を設けても、樹脂多層デバイス１００を実装基板に確実にフリップチップ実装することができる。
【００１８】
つまり、磁性体１５０の上面位置よりも、はんだバンプの頂上位置が高くなるような厚さ寸法の磁性体１５０を用いる必要がある。出入力端子部６０，６５、接地端子部７０，７５、および入出力端子部９０は、第３樹脂層２６に設けたそれぞれの開口部内において第２樹脂層２４上に出入力電極パッド５１，５６、接地電極パッド５２，５７、入出力電極パッド５９を形成し、これらの電極パッド上にそれぞれはんだバンプ８１，８６，８２，８７，８９を配置した構成を有するためである。
【００１９】
［基板１０］
基板１０は、例えば、シリコン基板、ＧａＡｓ等の半導体基板、あるいはガラス基板等の絶縁性基板である。
【００２０】
［多層樹脂体２０］
多層樹脂体２０は、第１樹脂層２２と、第２樹脂層２４と、第３樹脂層２６とによって構成された積層構造である。第１樹脂層２２は、基板１０上に形成されている。この第１樹脂層２２としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の感光性樹脂を用いる。また、第２樹脂層２４は、平衡信号伝送路３０，３５が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。この第２樹脂層２４としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の感光性樹脂を用いる。また、第３樹脂層２６は、不平衡信号伝送路５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。この第３樹脂層２６としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の感光性樹脂を用いる。
【００２１】
これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、および第３樹脂層２６は、同じ材料を用いて同じ手法で形成する等により、同じ比誘電率Ｅｒであることが望ましい。
【００２２】
この樹脂多層デバイス１００において、第１樹脂層２２と、平衡信号伝送路３０，３５と、第２樹脂層２４と、不平衡信号伝送路５０と、第３樹脂層２６とは、積層型のバランを構成している。
【００２３】
［平衡信号伝送路３０，３５、不平衡信号伝送路５０］
２本の平衡信号伝送路３０，３５は、第１樹脂層２２上に形成されている。平衡信号伝送路３０は、内周にスペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置された伝送路である。同様に、平衡信号伝送路３５も、内周にスペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置された伝送路である。
【００２４】
このように内周にスペースを有する平面スパイラル型に伝送路を配置することにより、伝送路の内周から外周までの幅を狭くすることができるので、樹脂多層デバイス１００を実装基板に実装したときに、実装基板の配線と伝送路が重なり合う面積を少なくできる。これにより、電磁干渉を生じる部分を少なくすることができる。従って、電磁干渉を生じる部分の面積を低減するためには、伝送路内周のスペースＥ１，Ｅ２を可能な限り大きくとり、伝送の上記幅を可能な限り狭くすることが望ましい。
【００２５】
内周にスペースＥ１を有する平面スパイラル型の平衡信号伝送路３０の外周端（一端）３０ａと、同様に内周にスペースＥ２を有する平面スパイラル型の平衡信号伝送路３５の外周端（一端）３５ａとは、間隔ｇをもって配置されている。これらの平衡信号伝送路３０の一端３０ａ（第１信号出入力端）および平衡信号伝送路３５の一端３５ａ（第２信号出入力端）は、それぞれ平衡信号（差動信号）の信号出入力端である。また、内周にスペースＥ１を有する平面スパイラル型の平衡信号伝送路３０の内周端（他端）３０ｂは接地端（第１接地端）になっており、同様に内周にスペースＥ２を有する平面スパイラル型の平衡信号伝送路３５の内周端（他端）３５ｂも接地端（第２接地端）になっている。
【００２６】
平衡信号伝送路３０，３５は、同じ金属材料によって同時形成され、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。また、平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２とは、同じ長さ（Ｌ１＝Ｌ２）となるように形成されることが望ましい。また、平衡信号伝送路３０と平衡信号伝送路３５とは、同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されることが望ましい。なお、平衡信号伝送路３０，３５下面と基板１０上面との間隔（第１樹脂層２２の層厚）はｈ１である（図３参照）。
【００２７】
不平衡信号伝送路５０は、第２樹脂層２４上に形成されている。この不平衡信号伝送路５０は、その下面が平衡信号伝送路３０の上面に対向するように設けられて内周にスペースＥ１を有する平面スパイラル部５０ｃと、その下面が平衡信号伝送路３５の上面に対向するように設けられて内周にスペースＥ２を有する平面スパイラル部５０ｄとを、それぞれの外周端で連ねた１本の伝送路である。
【００２８】
不平衡信号伝送路５０の一端（平面スパイラル部５０ｄ側の内周端）５０ａは不平衡信号の信号入出力端になっており、不平衡信号伝送路５０の他端（平面スパイラル部５０ｃ側の内周端）５０ｂは開放端になっている。
【００２９】
不平衡信号伝送路５０は、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。この不平衡信号伝送路５０は、平衡信号伝送路３０，３５と同じ形成手法によって同じ金属材料で形成されていることが望ましい。
【００３０】
不平衡信号伝送路５０は、その長さＬが、平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と、平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２と、平衡信号伝送路３０の信号出入力端３０ａと平衡信号伝送路３５の信号出入力端３５ａの間隔ｇとの合計の長さと同じになるように形成される。また、不平衡信号伝送路５０は、平衡信号伝送路３０，３５と同じ幅Ｗおよび同じ厚さＴとなるように形成されていることが望ましい。
【００３１】
なお、第２樹脂層２４を介して対面配置された不平衡信号伝送路５０下面と、平衡信号伝送路３０，３５上面の間隔はｄである。また、不平衡信号伝送路５０上面から第３樹脂層２６上面までの間隔はｈ２である（図３参照）。
【００３２】
［出入力端子部６０，６５、接地端子部７０，７５、入出力端子部９０］
出入力端子部６０は、平衡信号伝送路３０の信号出入力端３０ａを引き出す出入力引き出し配線３１（第１出入力引き出し配線）と、この出入力引き出し配線３１にコンタクトする出入力電極パッド５１（第１出入力電極パッド）と、この出入力電極パッド５１上に設けられたはんだバンプ８１とを有する。この出入力端子部６０は、出入力電極パッド５１およびはんだバンプ８１を第３樹脂層２６の開口部内に設けて、樹脂多層デバイス１００を実装基板にはんだバンプ８１によってフリップチップ実装して、平衡信号伝送路３０の信号出入力端３０ａを上記実装基板の配線に接続するためのものである。
【００３３】
同様に、出入力端子部６５は、平衡信号伝送路３５の信号出入力端３５ａを引き出す出入力引き出し配線３６（第２出入力引き出し配線）と、この出入力引き出し配線３６にコンタクトする出入力電極パッド５６（第２出入力電極パッド）と、この出入力電極パッド５６上に設けられたはんだバンプ８６とを有する。この出入力端子部６５は、出入力電極パッド５６およびはんだバンプ８６を第３樹脂層２６の開口部内に設けて、樹脂多層デバイス１００をはんだバンプ８６によって実装基板にフリップチップ実装して、平衡信号伝送路３５の信号出入力端３５ａを上記実装基板の配線に接続するためのものである。
【００３４】
接地端子部７０は、平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂを引き出す接地引き出し配線３２（第１接地引き出し配線）と、この接地引き出し配線３２にコンタクトする接地電極パッド５２（第１接地電極パッド）と、この接地電極パッド５２上に設けられたはんだバンプ８２とを有する。この接地端子部７０は、接地電極パッド５２およびはんだバンプ８２を第３樹脂層２６の開口部内に設けて、樹脂多層デバイス１００をはんだバンプ８２によって実装基板にフリップチップ実装して、平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂを上記実装基板の配線に接続するためのものである。
【００３５】
同様に、接地端子部７５は、平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂを引き出す接地引き出し配線３７（第２接地引き出し配線）と、この接地引き出し配線３７にコンタクトする接地電極パッド５７（第２接地電極パッド）と、この接地電極パッド５７上に設けられたはんだバンプ８７とを有する。この接地端子部７５は、接地電極パッド５７およびはんだバンプ８７を第３樹脂層２６の開口部内に設けて、樹脂多層デバイス１００をはんだバンプ８７によって実装基板にフリップチップ実装して、平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂを上記実装基板の配線に接続するためのものである。
【００３６】
そして、入出力端子部９０は、不平衡信号伝送路５０の信号入出力端５０ａに連なる入出力電極パッド５９と、この入出力電極パッド５９上に設けられたはんだバンプ８９とを有する。この入出力端子部９０は、入出力電極パッド５９およびはんだバンプ８９を第３樹脂層２６の開口部内に設けて、樹脂多層デバイス１００をはんだバンプ８９によって実装基板にフリップチップ実装して、不平衡信号伝送路５０の信号入出力端５０ａを上記実装基板の配線に接続するためのものである。
【００３７】
接地端子部７０は、平面スパイラル内周に確保されたスペースＥ１内に配置されており、接地端子部７５および入出力端子部９０は、平面スパイラル内周に確保されたスペースＥ２内に配置されている。なお、出入力端子部６０および６５は、これらのスペースＥ１，Ｅ２の外側に配置されている。
【００３８】
出入力端子部６０の出入力引き出し配線３１の長さ寸法はＬ１ａであり、出入力端子部６５の出入力引き出し配線３６の長さ寸法はＬ２ａである。これらの出入力引き出し配線３１と３６は、長さ寸法が同じになるように（Ｌ１ａ＝Ｌ２ａを満たすように）、形成されることが望ましい。優れた振幅バランス特性および位相バランス特性のバランを得るためである。
【００３９】
また、接地端子部７０の接地引き出し配線３２の長さ寸法はＬ１ｂであり、接地端子部７５の接地引き出し配線３７の長さ寸法はＬ２ｂである。これらの接地引き出し配線３２と３７は、長さ寸法が同じになるように（Ｌ１ｂ＝Ｌ２ｂを満たすように）、形成されることが望ましい。上記出入力引き出し配線３１，３６の場合と同様に、優れた振幅バランス特性および位相バランス特性のバランを得るためである。
【００４０】
［バランの動作］
図６は樹脂多層デバイス１００に形成した積層型バランの動作を説明する模式回路図である。図６において、不平衡信号伝送路５０の信号入出力端５０ａには不平衡信号（単一信号）ＳＳが入力され、平衡信号伝送路３５，３０の信号出入力端３５ａ，３０ａからはそれぞれ平衡信号（差動信号）ＳＤ１，ＳＤ２が出力される。なお、ＺＳは不平衡信号伝送路５０の入力インピーダンスを表しており、ＺＤ１，ＺＤ２はそれぞれ平衡信号伝送路３５，３０の出力インピーダンスを表している。
【００４１】
図６において、バラン１１０は、平衡信号伝送路３５および３０と不平衡信号伝送路５０とを、第２樹脂層２４（図１等参照）を介して近接配置することにより、平衡信号伝送路３５および３０と不平衡信号伝送路５０との間に電磁結合を生じる回路である。このバラン１１０は、不平衡信号伝送路５０の信号入出力端５０ａに不平衡信号（単一信号）ＳＳを入力すると、この不平衡信号ＳＳを平衡信号（差動信号）ＳＤ１，ＳＤ２に変換して、平衡信号伝送路３５，３０の信号出入力端３５ａ，３０ａから出力する。また、これとは逆に、平衡信号伝送路３５，３０の信号出入力端３５ａ，３０ａにそれぞれ平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２を入力すると、この平衡信号ＳＤ１，ＳＤ２を不平衡信号ＳＳに変換して不平衡信号伝送路５０の信号入出力端５０ａから出力する。
【００４２】
ここで、伝送する信号（変換する信号）の波長をλとすると、平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１および平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２がそれぞれλ／４となり、不平衡信号伝送路５０の内の平衡信号伝送路３５，３０に沿った部分の伝送路長（＝Ｌ−ｇ）がλ／２となるように、それぞれの伝送路を設ける。あるいは、Ｌ１＝Ｌ２＜λ／４、Ｌ−ｇ＜λ／２、等となるように、それぞれの伝送路を設ける。
【００４３】
このようなバランは、アンテナで受信した不平衡信号を復調するにあたり、平衡信号に変換する必要があり、逆に平衡信号である変調信号をアンテナから送信するにあたり、不平衡信号に変換する必要がある携帯電話等の無線通信機器では、不可欠な回路である。
【００４４】
さらに、図６のバラン１１０は、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換については、不平衡信号側（単一信号入力側）の入力インピーダンスＺＳ、および平衡信号側（差動信号出力側）の出力インピーダンスＺＤ１，ＺＤ２が設計仕様のインピーダンス値であることが要求される。例えば、不平衡信号側の入力インピーダンスＺＳ＝５０Ω、平衡信号側の出力インピーダンスＺＤ１＋ＺＤ２＝１００，１５０，２００Ωである。
【００４５】
携帯電話等の無線通信機器においては、変復調回路の入出力インピーダンスとアンテナの出力インピーダンスとは整合していない。このため、両者のインピーダンスを整合させるためにも、インピーダンス変換機能を有するバランは不可欠である。上記両者の間にバランを挿入しないと、あるいは挿入してもバランの入出力インピーダンスが設計値からずれていると、別のインピーダンス変換器が必要になるという不具合を生じる。
【００４６】
［製造手順］
図１〜図５を参照して、樹脂多層デバイス１００の製造手順を以下に説明する。以下の説明において、基板１０は、シリコン（Ｓｉ）ウェハであるものとする。樹脂多層デバイス１００はＷＬＰであるから、バランは、ウェハ上に樹脂層形成プロセスと厚膜銅配線等の配線形成プロセスによって再配線層を作り込み、そのあとにチップにダイシングするＷＬＣＳＰ技術によって、上記シリコンウェハ上に形成される。
【００４７】
まず、シリコンウェハである基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によってウェハ基板１０上にコーティングし、厚さ寸法ｈ１の感光性樹脂層を形成する。
【００４８】
次に、第１樹脂層２２上に、内周にスペースＥ１を有する平面スパイラル型の平衡信号伝送路３０、および内周にスペースＥ２を有する平面スパイラル型の平衡信号伝送路３５、ならびに出入力引き出し配線３１，３６、および接地引き出し配線３２，３７を設ける。
【００４９】
引き出し配線３１は、平衡信号伝送路３０の信号出入力端３０ａを出入力端子部６０の電極パッド５１に接続するための配線である。引き出し配線３２は、平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂを接地端子部７０の電極パッド５２に接続するための配線である。引き出し配線３６は、平衡信号伝送路３５の信号出入力端３５ａを出入力端子部６５の電極パッド５６に接続するための配線である。引き出し配線３７は、平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂを接地端子部７５の電極パッド５７に接続するための配線である。
【００５０】
平衡信号伝送路３０，３５および引き出し配線３１，３２，３６，３７としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１の平衡信号伝送路３０、および幅寸法Ｗ，厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２（＝Ｌ１）の平衡信号伝送路３５を形成する。
【００５１】
同時に、厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１ａの引き出し配線３１、厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ１ｂの引き出し配線３２、厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２ａの引き出し配線３６、および厚さ寸法Ｔ，長さ寸法Ｌ２ｂの引き出し配線３７を形成する。このとき、Ｌ１ａ＝Ｌ２ａとなるように引き出し配線３１と３６を形成するとともに、Ｌ１ｂ＝Ｌ２ｂとなるように引き出し配線３２と３７を形成することが望ましい。優れた振幅バランス特性および位相バランス特性のバランを得るためである。
【００５２】
次に、平衡信号伝送路３０および平衡信号伝送路３５を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、それぞれ引き出し配線３１，３２，３６，３７を露出させる開口部２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄを設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、平衡信号伝送路３０，３５および引き出し配線３１，３２，３６，３７を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、平衡信号伝送路３０上面および平衡信号伝送路３５上面からの厚さ寸法ｄの感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄを設ける。
【００５３】
次に、第２樹脂層２４上に、内周にスペースＥ１を有する平面スパイラル部５０ｃおよび内周にスペースＥ２を有する平面スパイラル部５０ｄを有する不平衡信号伝送路５０、ならびに出入力電極パッド５１，５６、接地電極パッド５２，５７、および入出力電極パッド５９を設ける。
【００５４】
電極パッド５１は、開口部２４ａにおいて引き出し配線３１にコンタクトして、平衡信号伝送路３０の信号出入力端３０ａを出入力端子部６０に導くための電極パッドである。電極パッド５２は、開口部２４ｂにおいて引き出し配線３２にコンタクトして、平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂを接地端子部７０に導くための電極パッドである。電極パッド５６は、開口部２４ｃにおいて引き出し配線３６にコンタクトして、平衡信号伝送路３５の信号出入力端３５ａを出入力端子部６５に導くための電極パッドである。電極パッド５７は、開口部２４ｄにおいて引き出し配線３７にコンタクトして、平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂを接地端子部７５に導くための電極パッドである。そして、電極パッド５９は、不平衡信号伝送路５０の信号入出力端５０ａを入出力端子部９０に導くための電極パッドである。
【００５５】
不平衡信号伝送路５０および電極パッド５１，５２，５６，５７，５９としては、平衡信号伝送路３０，３５と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後、銅めっきを施し、幅寸法Ｗ、厚さ寸法Ｔ、長さ寸法Ｌの不平衡信号伝送路５０を形成する。また、同時に、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９を形成する。
【００５６】
次に、不平衡信号伝送路５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率Ｅｒの感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、不平衡信号伝送路５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、不平衡信号伝送路５０上面からの厚さ寸法ｈ２の感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅを形成する。
【００５７】
次に、開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅを設けた第３樹脂層２６上の領域の内、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅを配置した部分、つまり出入力端子部６０，６５、接地端子部７０，７５、入出力端子部９０となる部分を除き、絶縁性の磁性体１５０を設ける。従って、磁性体１５０は、不平衡信号伝送路５０と対向する全領域に設けられることとなる。
【００５８】
磁性体１５０としては、ＮｉＺｎ系フェライトまたはパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の軟磁性体材料からなる厚さ寸法Ｍの固体の磁性体プレートを用いる。そして、この磁性体プレートを、樹脂接着剤または熱可塑性接着剤等によって第３樹脂層２６上に接着する。このとき、開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ上になる部分を除去加工した１枚の磁性体プレートを第３樹脂層２６上に、位置合せして貼付する手法も可能であり、複数枚の磁性体プレートを用意して、開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅの部分を除いて、これらの磁性体プレートをそれぞれ第３樹脂層２６に貼付していく手法も可能である。
【００５９】
なお、このあと、樹脂多層デバイス１００をフリップチップ実装するための高さ寸法Ｈ（＞Ｍ＋ｈ２）のはんだバンプ８１，８２，８６，８７，８９を、開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ内の電極パッド５１，５２，５６，５７，５９上にそれぞれ設け、樹脂多層デバイス１００を実装基板にフリップチップ実装するときの実装部となる出入力端子部６０，６５、接地端子部７０，７５、入出力端子部９０を完成させる。
【００６０】
以上の手順を完了したあと、シリコンウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス１００を得る。
【００６１】
以上のように実施の形態１によれば、基板上に、第１樹脂層２２、２つの平衡信号伝送路３０，３５、第２樹脂層２４、不平衡信号伝送路５０、第３樹脂層２６を順に積層したバランを有するＷＬＰとしたことにより、ＷＬＣＳＰ技術では、ＣＭＯＳ半導体加工技術と同様の高い精度で樹脂層および銅めっき等による低抵抗の伝送路を形成することができるので、高精度なインピーダンスと低挿入損失のバランを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。
【００６２】
さらに、この実施の形態１では、出入力端子部６０，６５、接地端子部７０，７５、および入出力端子部９０を露出させる第３樹脂層２６の開口部領域を除いた第３樹脂層２６上に、電磁シールドの役目を果たす絶縁性の磁性体１５０を設けたことにより、この樹脂多層デバイスを実装基板に実装したときに実装基板の配線の信号とバランの伝送路の信号の電磁干渉を低減できるので、実装時のバランの特性変動を低減できる樹脂多層デバイスを得ることができる。
【００６３】
また、この実施の形態１では、伝送路を内周にスペースを有する平面スパイラル型に配置し、接地端子部７０，７５および入出力端子部９０を、上記スペース内に配置することにより、ほぼ２つの平面スパイラル伝送路が占有する面積に２層配線構造でバランを作成できるので、簡単でコンパクトな構成のバランを有する樹脂多層デバイスを得ることができる。このように、配線層２層のみでバランを構成でき、従来のＬＴＣＣ技術によるバランよりも、配線層数が少なく、層間の配線接続構造が簡単かつ省スペースにて作製でき、製造難易度が容易であるので、大幅なコスト削減効果を期待できる。
【００６４】
また、多層樹脂および銅めっき等の伝送路によってバランを構成することにより、バランの軽量化、耐衝撃性の向上、および放熱性の向上を図ることができる。
【００６５】
実施の形態２
図７は本発明の実施の形態２の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。なお、図７において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。また、図８は図７の樹脂多層デバイス２００を説明する上面図であり、図２と同様のものには同じ符号を付してある。ただし、図８では、樹脂多層デバイス２００を判り易く説明するために、平面スパイラル型の平衡信号伝送路３０，３５、および平面スパイラル部５０ｃ，５０ｄを有する不平衡信号伝送路５０を、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【００６６】
この実施の形態２のバランを有する樹脂多層デバイス２００は、基板１０と、多層樹脂体２０（第１樹脂層２２，第２樹脂層２４、第３樹脂層２６）と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、１本の不平衡信号伝送路５０と、２つの平衡信号の出入力端子部６０（第１出入力端子部）および６５（第２出入力端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、不平衡信号の入出力端子部９０と、絶縁性の磁性体２５０とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００６７】
この実施の形態２の樹脂多層デバイス２００において、絶縁性の磁性体２５０は、上記実施の形態１（図１〜図５参照）の磁性体１５０と同様に、樹脂多層デバイス２００を実装基板にフリップチップ実装したときに電磁シールドの役目を果たすものであり、磁性体１５０と同じ磁性体材料からなる厚さ寸法Ｍの固体の磁性体プレートである。また、磁性体２５０を第３樹脂層２６に貼付する手順も、上記実施の形態１で説明した手順と同じである。
【００６８】
つまり、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００（図１〜図５参照）では、第３樹脂層２６上の実装部となる端子部の配置領域を除いた部分に磁性体１５０を設けたのに対し、この実施の形態２の樹脂多層デバイス２００では、第３樹脂層２６上の領域の内、不平衡信号伝送路５０と対向する部分に磁性体２５０を設け、その他の部分には磁性体を設けていない。
【００６９】
このように、伝送路の上空全域にのみ電磁シールドとなる磁性体２５０を設けた構成としても、実装基板の配線の信号との電磁干渉を低減する効果が得られ、実装時の上記電磁干渉に起因するバランの特性変動を抑えることができる。
【００７０】
以上のように実施の形態２によれば、磁性体２５０を設けたことにより、実装時のバランの特性変動を低減できるとともに、上記実施の形態２よりも、磁性体を貼付する手順を簡単にでき、これにかかる時間を短くでき、１つの樹脂多層デバイスに必要な磁性体材料を少なくすることができる。
【００７１】
実施の形態３
図９は本発明の実施の形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。なお、図９において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。この図９の実施の形態３のバランを有する樹脂多層デバイス３００は、基板１０と、多層樹脂体２０（第１樹脂層２２，第２樹脂層２４、第３樹脂層２６）と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、１本の不平衡信号伝送路５０と、２つの平衡信号の出入力端子部６０（第１出入力端子部）および６５（第２出入力端子部）と、２つの接地端子部７０（第１接地端子部）および７５（第２接地端子部）と、不平衡信号の入出力端子部９０と、絶縁性の磁性体３５０ａ，３５０ｂ，３５０ｃとを備えて構成されたＷＬＰである。
【００７２】
この実施の形態３の樹脂多層デバイス３００において、絶縁性の磁性体３５０ａ，３５０ｂ，３５０ｃは、上記実施の形態１（図１〜図５参照）の磁性体１５０と同様に、樹脂多層デバイス３００を実装基板にフリップチップ実装したときに電磁シールドの役目を果たすものであり、磁性体１５０と同じ磁性体材料からなる厚さ寸法Ｍの３枚の固体の磁性体プレートである。また、磁性体３５０ａ，３５０ｂ，３５０ｃを第３樹脂層２６に貼付する手順も、上記実施の形態１で説明した手順と同じである。
【００７３】
つまり、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００（図１〜図５参照）では、第３樹脂層２６上の実装部となる端子部の配置領域を除いた部分に磁性体１５０を設けており、上記実施の形態２の樹脂多層デバイス２００（図７および図８参照）では、第３樹脂層２６上の不平衡信号伝送路５０に対向する部分全てに磁性体２５０を設けたのに対し、この実施の形態３の樹脂多層デバイス３００では、第３樹脂層２６上の領域の内、この樹脂多層デバイス３００が実装基板に実装されたときに、この実装基板の配線と不平衡信号伝送路５０とが重なり合う部分に磁性体３５０ａ，３５０ｂ，３５０ｃを設け、その他の部分には磁性体を設けていない。
【００７４】
このように、伝送路の上空の内、実装基板の配線と重なり合う部分にのみ電磁シールドとなる磁性体３５０ａ，３５０ｂ，３５０ｃを設けた構成としても、実装基板の配線の信号との電磁干渉を低減する効果が得られ、実装時の上記電磁干渉に起因するバランの特性変動を抑えることができる。
【００７５】
以上のように実施の形態３によれば、磁性体３５０を設けたことにより、実装時のバランの特性変動を低減できるとともに、上記実施の形態２よりもさらに、１つの樹脂多層デバイスに必要な磁性体材料を少なくすることができる。
【００７６】
実施の形態４
本発明の実施の形態４のバランを有する樹脂多層デバイスは、上記実施の形態１〜３のいずれかの樹脂多層デバイスにおいて、実装基板の配線の信号とバランの伝送路の信号との電磁干渉を防止するために第３樹脂層２６上に設ける磁性体を、磁性体材料のめっき成長法によって形成したものである。
【００７７】
例えば、この実施の形態４のめっき成長法による磁性体の形成手順を上記実施の形態１に適用する場合には、実装部となる端子部６０，６５，７０，７５，９０（封止樹脂層である第３樹脂層２６の開口部）を除いた第３樹脂層２６上に、ＮｉＺｎ系フェライトやパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性体材料をめっき成長させて磁性体１５０を設ける。このあと、第３樹脂層２６の開口部内の電極パッド上にはんだバンプを配置して端子部を完成させる。
【００７８】
めっき成長法では、必要な膜厚を容易にコントロールすることができ、かつ簡単な手順で磁性体を設けることができる。従って、磁性体プレートを薄くすることができず、はんだバンプの頂上位置を磁性体プレートの上面位置よりも高くできない場合や、磁性体プレートの上面位置からはんだバンプの頂上位置までの寸法を十分に確保できない場合には、この実施の形態４のめっき成長法による磁性体の形成法が有効である。
【００７９】
以上のように実施の形態４によれば、めっき成長法によって電磁シールドとなる磁性体を形成することにより、磁性体プレートでは困難な薄い膜厚であってかつ必要な膜厚の磁性体を、簡易な手順で第３樹脂層２６上に設けることができる。
【００８０】
実施の形態５
本発明の実施の形態５のバランを有する樹脂多層デバイスは、上記実施の形態１〜３のいずれかの樹脂多層デバイスにおいて、実装基板の配線の信号とバランの伝送路の信号との電磁干渉を防止するために第３樹脂層２６上に設ける磁性体を、磁性体フィラーを混合した感光性樹脂によって形成したものである。
【００８１】
この実施の形態５では、ＮｉＺｎ系フェライトやパーマロイ（ＮｉＦｅ）等からなる磁性体フィラーを混合した感光性樹脂を、ラミネート法、真空プレス法、スピンコート法等によって第３樹脂層２６上の全面に形成する。そして、この感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法等によってパターニングして、磁性体（上記実施の形態１の磁性体１５０、上記実施の形態２の磁性体２５０、または上記実施の形態３の磁性体３５０）を形成する。このあと、上記磁性体および第３樹脂層２６の開口部内の電極パッド上に、はんだバンプを配置して端子部６０，６５，７０，７５，９０を完成させる。
【００８２】
感光性樹脂層の形成では、上記めっき成長法と同様に、必要な膜厚を容易にコントロールすることができる。従って、磁性体プレートを薄くすることができず、はんだバンプの頂上位置を磁性体プレートの上面位置よりも高くできない場合には、この実施の形態５の磁性体フィラーを混合した感光性樹脂による磁性体の形成法が有効である。また、複数の異なる磁性体材料を混合した磁性体層を容易に形成できるので、このような複合磁性体材料からなる磁性体層が必要な場合に有効である。
【００８３】
以上のように実施の形態５によれば、磁性体フィラーを混合した感光性樹脂によって電磁シールドとなる磁性体を形成することにより、複数の異なる磁性体材料からなる必要な膜厚の磁性体を、第３樹脂層２６上に容易に設けることができる。
【００８４】
実施の形態６
本発明の実施の形態６のバランを有する樹脂多層デバイスは、上記実施の形態１〜３のいずれかの樹脂多層デバイスにおいて、実装基板の配線の信号とバランの伝送路の信号との電磁干渉を防止するために第３樹脂層２６上に設ける磁性体を、スパッタリング法あるいはスクリーン印刷法により磁性体膜を成膜することによって形成したものである。
【００８５】
この実施の形態６では、ＮｉＺｎ系フェライトやパーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性体材料からなる磁性体膜を、スパッタリング法あるいはスクリーン印刷法によって第３樹脂層２６上の全面に形成する。そして、この磁性体膜をフォトリソグラフィー法やリフトオフ法等によってパターニングして、磁性体（上記実施の形態１の磁性体１５０、上記実施の形態２の磁性体２５０、または上記実施の形態３の磁性体３５０）を形成する。このあと、第３樹脂層２６の開口部内の電極パッド上にはんだバンプを配置して端子部６０，６５，７０，７５，９０を完成させる。
【００８６】
スパッタリング法あるいはスクリーン印刷法による磁性体膜の形成では、上記めっき成長法や上記磁性体フィラーを混合した感光性樹脂層の形成と同様に、必要な膜厚を容易にコントロールすることができる。従って、磁性体プレートを薄くすることができず、はんだバンプの頂上位置を磁性体プレートの上面位置よりも高くできない場合等には、この実施の形態６の磁性体の形成法が有効である。また、複数の異なる磁性体材料を混合した磁性体膜を容易に形成できるので、このような複合磁性体材料からなる磁性体膜が必要な場合に有効である。
【００８７】
以上のように実施の形態６によれば、スパッタリング法あるいはスクリーン印刷法で成膜した磁性体膜によって電磁シールドとなる磁性体を形成することにより、複数の異なる磁性体材料からなる薄くて必要な膜厚の磁性体を、第３樹脂層２６上に容易に設けることができる。
【実施例】
【００８８】
図１０は樹脂多層デバイスのフリップチップ実装の前後および磁性体の有無によるバランの挿入損失（バランにおいての信号減衰）の周波数特性をシミュレーションした図である。図１０において、Ａは上記実施の形態１の樹脂多層デバイスにおいて磁性体を設けない構成としたものを実装基板にフリップチップ実装する前のバランの挿入損失特性である。また、Ｂは上記実施の形態１の樹脂多層デバイスにおいて磁性体を設けない構成としたものを実装基板にフリップチップ実装したときのバランの挿入損失特性である。また、Ｃは磁性体を設けた上記実施の形態１の樹脂多層デバイスを実装基板にフリップチップ実装したときのバランの挿入損失特性である。
【００８９】
このシミュレーションから判る通り、磁性体を設けずにフリップチップ実装をした場合のバランの挿入損失（特性Ｂ）は、バラン伝送路と重なり合う実装基板の配線との干渉によって、実装前（特性Ａ）よりも、特に周波数１ＧＨｚ〜３ＧＨｚの範囲において低下し、最大０．６ｄＢ〜０．７ｄＢ低下する。これに対し、磁性体を設けてフリップチップ実装をした場合のバランの挿入損失（特性Ｃ）は、実装前（特性Ａ）と比較して、周波数１ＧＨｚ以下でくびれを生じ、周波数３ＧＨｚ以上で低下しているものの、周波数１ＧＨｚ〜３ＧＨｚの範囲では、実装前（特性Ａ）とほぼ同等の特性を得ることができている。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、あらゆる高周波回路に利用可能であり、特に、携帯電話、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）等の通信機器を構成する回路に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の実施の形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する模式上面図である。
【図３】図２においてのＡ−Ａ間の断面図である。
【図４】図２においてのＢ−Ｂ間の断面図である。
【図５】図２においてのＣ−Ｃ間の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の樹脂多層デバイスに形成した積層型バランの動作を説明する模式回路図である。
【図７】本発明の実施の形態２の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態２の樹脂多層デバイスの構成例を説明する模式上面図である。
【図９】本発明の実施の形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。
【図１０】樹脂多層デバイスのフリップチップ実装の前後および磁性体の有無によるバランの挿入損失（バランにおいての信号減衰）の周波数特性をシミュレーションした図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０  基板、  ２０  多層樹脂体、  ２２  第１樹脂層、  ２４  第２樹脂層、  ２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ  開口部、  ２６  第３樹脂層、  ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ  開口部、  ３０  平衡信号伝送路（第１平衡信号伝送路）、  ３０ａ  信号出入力端、  ３０ｂ  接地端、  ３１  出入力引き出し配線、  ３２  接地引き出し配線、  ３５  平衡信号伝送路（第２平衡信号伝送路）、  ３５ａ  信号出入力端、  ３５ｂ  接地端、  ３６  出入力引き出し配線、  ３７  接地引き出し配線、  ５０  不平衡信号伝送路、  ５０ａ  信号入出力端、  ５０ｂ  開放端、  ５０ｃ，５０ｄ  平面スパイラル部、  ５１  出入力電極パッド、  ５２  接地電極パッド、  ５６  出入力電極パッド、  ５７  接地電極パッド、  ５９  入出力電極パッド、  ６０，６５  出入力端子部、  ７０，７５  接地端子部、  ８１，８２，８６，８７，８９  はんだバンプ、  ９０  入出力端子部、  １００  樹脂多層デバイス、  １１０  バラン、  １５０  磁性体、  ２００  樹脂多層デバイス、  ２５０  磁性体、  ３００  樹脂多層デバイス、  ３５０ａ，３５０ｂ，３５０ｃ  磁性体。
【図１】
2010124223.tif 000003
【図２】
2010124223.tif 000004
【図３】
2010124223.tif 000005
【図４】
2010124223.tif 000006
【図５】
2010124223.tif 000007
【図６】
2010124223.tif 000008
【図７】
2010124223.tif 000009
【図８】
2010124223.tif 000010
【図９】
2010124223.tif 000011
【図１０】
2010124223.tif 000012