(57)【要約】【課題】  被加工物を切削する際、切削ブレードに偏磨耗を発生させることなく被加工物を分割可能な切削方法を提供することである。【解決手段】  ダイシングテープに貼着された被加工物を切削ブレードで切削して個々のチップに分割する被加工物の切削方法であって、被加工物の所定インデックス量に対して、切削ブレードを２ｎ倍のインデックス量で割り出し送りして被加工物を切削し、複数の分割片を形成する第１ステップと、該分割片の中央に該切削ブレードを位置付けて前記第１ステップと同一のインデックス量で切削ブレードを割り出し送りして各分割片の中央を切削する第２ステップと、前記各分割片が前記所定インデックス量で切削されたチップサイズになるまで前記第２ステップを繰り返す第３ステップと、を具備したことを特徴とする。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングテープに貼着された被加工物を切削ブレードで切削して個々のチップに分割する被加工物の切削方法であって、
被加工物の所定インデックス量に対して、切削ブレードを２ｎ倍（ｎは正の整数）のインデックス量で割り出し送りして被加工物を切削し、複数の分割片を形成する第１ステップと、
該分割片の中央に該切削ブレードを位置付けて前記第１ステップと同一のインデックス量で切削ブレードを割り出し送りして各分割片の中央を切削する第２ステップと、
前記各分割片が前記所定インデックス量で切削されたチップサイズになるまで前記第２ステップを繰り返す第３ステップと、
を具備したことを特徴とする被加工物の切削方法。
【請求項２】
前記ｎは１である請求項１記載の被加工物の切削方法。
【請求項３】
前記第３ステップを実施した後、被加工物を９０度回転させて前記第１乃至第３ステップを実施する請求項１記載の被加工物の切削方法。
【請求項４】
前記被加工物は、該被加工物を収容する開口部を有する環状フレームに前記ダイシングテープを介して配設されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の被加工物の切削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープに貼着された被加工物を切削ブレードで切削して個々のチップに分割する被加工物の切削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが複数形成された半導体ウエーハや、電子部品に使用される各種セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、サファイア基板等の被加工物はダイシング装置（切削装置）によって個々のチップに分割され、分割されたチップは各種電子機器に広く利用されている。
【０００３】
分割された個々のチップのハンドリングを容易にするために、分割に際して被加工物はダイシングテープ（粘着テープ）に貼着されて環状のダイシングフレームで固定され、被加工物とダイシングフレームが一体化される。
【０００４】
ダイシング装置はダイシングテープに貼着された被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを含む切削手段とを備え、切削ブレードが高速回転しながらダイシングテープまで切り込むことで被加工物が分割される。
【０００５】
一般にダイシングテープはポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の基材と、基材上に形成されたアクリル系やゴム系の粘着材層とで構成され、被加工物はこの粘着材層上に貼着される。
【特許文献１】特開平５−１５６２１４号公報
【特許文献２】特許第３４８２１５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、被加工物を支持する粘着材層は軟らかいため、ダイシングテープに貼着された被加工物を分割する際、分割片が動き易いという問題がある。特に被加工物を１ｍｍ角以下と小チップへ分割する場合においてチップの動きが顕著に発生する。
【０００７】
例えば、被加工物を約０．５ｍｍ角のチップへと分割するために、被加工物の一端から約０．５ｍｍの小インデックス量で切削を開始すると、被加工物から切り離される約０．５ｍｍの幅を有する分割片の方が切り残される被加工物に比べてダイシングテープとの接着面積が小さいため、分割片には切削ブレードから逃げる方向（切削ブレードと反対側）に加工負荷がかかり、分割片はシフトする。
【０００８】
この分割片がシフトする動きに伴い、加工中の切削ブレードは切り残される側へ倒れることになる。つまり、被加工物の切り残される側と切り離される側とでは切削ブレードの加工負荷が異なり、その結果、切削ブレードの磨耗量が左右不均一となる偏磨耗と呼ばれる問題が生じる。
【０００９】
切削ブレードに偏磨耗が生じると、切削中の切削ブレードの倒れはより促進されて切り離される側の分割片のシフト量は増大し、分割片にクラックが発生する等して、加工品質の悪化が生じる。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物を分割する際、切削ブレードに偏磨耗を発生させることなく、良好な加工品質を維持して被加工物を切削可能な被加工物の切削方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によると、ダイシングテープに貼着された被加工物を切削ブレードで切削して個々のチップに分割する被加工物の切削方法であって、被加工物の所定インデックス量に対して、切削ブレードを２ｎ倍（ｎは正の整数）のインデックス量で割り出し送りして被加工物を切削し、複数の分割片を形成する第１ステップと、該分割片の中央に該切削ブレードを位置付けて前記第１ステップと同一のインデックス量で切削ブレードを割り出し送りして各分割片の中央を切削する第２ステップと、前記各分割片が前記所定インデックス量で切削されたチップサイズになるまで前記第２ステップを繰り返す第３ステップと、を具備したことを特徴とする被加工物の切削方法が提供される。
【００１２】
好ましくは、ｎは１に設定するが、場合によっては２以上に設定しても良い。第３ステップが完了した後は、被加工物を９０度回転させ、第１乃至第３ステップを実施する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、被加工物は第１ステップで所定インデックス量の２ｎ倍のサイズへと分割されるため、分割片はダイシングテープとの接着力が十分であり、分割片のシフトを防止できる。
【００１４】
更に、第２ステップ以降で各分割片が所定のチップサイズへと分割される場合においては、分割片の中央から切削がなされるため、切り残され側と切り離され側の分割片は同一サイズとなり、切削ブレードが左右どちらかに倒れることはない。その結果、切削ブレードの偏磨耗が防止され、加工品質の悪化を生じさせることがない。
【００１５】
また、切削ブレードは被加工物上面を複数回往復するため、切削ブレードへ供給される切削水によって被加工物の洗浄効果が向上し、コンタミ（切削屑）の低減を可能とするという効果もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の切削方法で切削する被加工物の一種である半導体ウエーハＷの斜視図を示している。半導体ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画されて多数のデバイス（チップ）ＤがウエーハＷ上に形成されている。
【００１７】
分割された個々のデバイスＤのハンドリングを容易にするために、半導体ウエーハＷは、図２に示すように粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部を環状フレームＦに貼着する。これにより、半導体ウエーハＷはダイシングテープＴを介してフレームＦに支持された状態となる。
【００１８】
図３を参照すると、半導体ウエーハＷの一部分の拡大平面図が示されている。図１を参照して説明したように、切削対象の半導体ウエーハＷの表面においては、複数の第１のストリートＳ１と複数の第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のデバイスＤが形成されている。
【００１９】
複数の第１のストリートＳ１は所定インデックス量（所定ピッチ）Ｉｎで形成され、複数の第２のストリートＳ２も所定インデックス量（所定ピッチ）Ｉｎで形成されている。各デバイスＷには、切削ブレードとストリートＳ１又はＳ２とをアライメントする際に利用されるキーパターン２が形成されている。
【００２０】
このキーパターン２をＣＣＤカメラ等の撮像手段で撮像することにより、記憶されているキーパターンの画像と実際に撮像されたキーパターンの画像とをパターンマッチングしてアライメントが実施される。
【００２１】
本発明の切削方法の対象となる被加工物は所定のパターンを有する半導体ウエーハＷに限定されるものではなく、例えば図４に示すようなガラス板４のようにパターンを有しない被加工物を含むものである。
【００２２】
ガラス板４はダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周縁部は環状フレームＦに貼着されている。更に、切削対象となる被加工物には、環状フレームＦを使用せずにダイシングテープ貼着のみでチャックテーブルに支持される生セラミック等の被加工物も含まれる。
【００２３】
図５を参照すると、本発明の切削方法に使用される切削手段５の側面図が示されている。切削手段５は、図示しないサーボモータ等により回転駆動されるスピンドル６と、スピンドル６の先端部に後ろフランジ８と前フランジ１２とで挟持されるように装着され、ナット１４の締結によりスピンドル６に固定されたリング状又はワッシャー状の切削ブレード１０を含んでいる。切削ブレード１０はその全体が電鋳された切刃（電鋳砥石）から構成されている。
【００２４】
次に、図６を参照して従来の半導体ウエーハの切削方法について説明する。図３を参照して説明したように、半導体ウエーハＷ上には所定ピッチで整列して多数のデバイスＤが形成されているため、該所定ピッチと同一の所定インデックス量Ｉｎで半導体ウエーハＷを割り出し送りしながら、切削ブレード１０で隣接するストリートＳ１又はＳ２を順々に切削していた。矢印Ａは切削ブレードの進入方向、即ち切削方向である。１６は１ライン目の切削溝、１８は２ライン目の切削溝であり、２０は切り離され側の分割片、２２は切り残され側の分割片である。
【００２５】
このような従来の切削方法によると、切り離され側の分割片２０が切り残され側の分割片２２に比べてダイシングテープＴとの接着面積が小さいため、切り離され側の分割片２０には切削ブレード１０から逃げる方向（切削ブレード１０と反対側）に加工負荷がかかり、切り離され側の分割片２０がシフトする。この切り離され側の分割片２０がシフトする動きに伴い、加工中の切削ブレード１０は図７に示すように切り残され側の分割片２２方向に倒れることになる。
【００２６】
つまり、切り残され側の分割片２２の切削ブレード１０に対する加工負荷が切り離され側の分割片２０の切削ブレード１０に対する加工負荷より大きいため、切削ブレード１０には図８（Ｂ）に示すような磨耗量が左右不均一となる偏磨耗２４が生じる。
【００２７】
切削ブレード１０に偏磨耗が生じると、切削中の切削ブレード１０の倒れはより促進されて切り離され側の分割片２０のシフト量は増大し、分割片２０にクラックが発生する等の問題が生じる。図８（Ａ）は切削ブレード１０の正常な磨耗状態を示している。
【００２８】
このような従来の問題を解決する切削方法として、本発明は所定インデックス量Ｉｎに対して切削ブレード１０を２ｎ倍（ｎは正の整数）のインデックス量で割り出し送りして半導体ウエーハＷを切削する切削方法を提案する。ｎが１の場合の本発明の切削方法を図９及び図１０を参照して説明する。
【００２９】
まず、図９に示すように、切削ブレード１０を所定インデックス量Ｉｎの２倍のインデックス量で割り出し送りして半導体ウエーハＷを切削し、複数の分割片２５を形成する。２６は第１ステップでの切削溝を示している。
【００３０】
次いで、第２ステップとして、第１ステップで形成された分割片２５の中央に切削ブレード１０を位置付けて、第１ステップと同一のインデックス量で切削ブレード１０を割り出し送りして、図１０に示すように各分割片２５の中央を切削する。２８は第２ステップでの切削溝を示している。
【００３１】
次いで、半導体ウエーハＷを９０度回転させ、ストリートＳ２を切削する上述した第１ステップ及び第２ステップを実施する。ｎ＝１の場合の切削は、第１ステップ及び第２ステップの実施により切削は完了する。
【００３２】
ｎ＝２以上の場合には、各分割片が所定インデックス量Ｉｎで切削されたチップサイズの幅になるまで第２ステップを繰り返す第３ステップを実施する。本発明の切削方法では、２ｎ＝０．３ｍｍ以上が望ましい。これはあまり小さなインデックス量では、分割片がシフトしてしまうからである。
【００３３】
上述した本発明実施形態の切削方法によると、半導体ウエーハＷは第１ステップで所定インデックス量Ｉｎの２倍のサイズへと分割されるため、分割片２５はダイシングテープＴとの接着力は十分であり、分割片２５のシフトを防止できる。
【００３４】
更に、第２ステップ以降で各分割片が所定のチップサイズへと分割される場合においては、分割片の中央から切削されるため、切り残され側と切り離され側の分割片は同一サイズとなり、切削ブレード１０がどちらかに倒れることは無い。その結果、切削ブレード１０の偏磨耗が防止され、加工品質の悪化を生じさせることは無い。
【００３５】
また、切削ブレード１０は半導体ウエーハＷ上面を複数回往復するため、切削時に切削ブレード１０へ供給される切削水によって半導体ウエーハＷの洗浄効果が向上し、コンタミ（切削屑）の付着を低減できる。
【００３６】
上述した実施形態では、本発明の切削方法をワッシャー形状の切削ブレード１０を使用した例について説明したが、使用する切削ブレードはこれに限定されるものではなく、よく知られた円形基台の外周に切刃を有するハブブレードにも同様に適用可能である。このハブブレードの場合には、図７で説明した切削ブレード１０の倒れ及び偏磨耗はハブブレードの切刃に生じることになる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図２】ダイシングテープを介して環状フレームに支持された半導体ウエーハの斜視図である。
【図３】半導体ウエーハの表面の一部拡大平面図である。
【図４】ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたガラス板の斜視図である。
【図５】ワッシャー状切削ブレードを装着した切削手段の正面図である。
【図６】従来の切削方法を説明する説明図である。
【図７】従来の切削方法による切削ブレードの倒れ及び偏磨耗を示す断面図である。
【図８】図８（Ａ）は切削ブレードの正常な磨耗状態を示す正面図、図８（Ｂ）は切削ブレードが偏磨耗した状態を示す正面図である。
【図９】第１ステップ実施後の半導体ウエーハの斜視図である。
【図１０】第２ステップ実施後の半導体ウエーハの斜視図である。
【符号の説明】
【００３８】
５    切削手段
６    スピンドル
１０    切削ブレード
２０    切り離され側の分割片
２２    切り残され側の分割片
２４    偏磨耗
２５    分割片
２６    第１ステップでの切削溝
２８    第２ステップでの切削溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2010050295.tif 000010
【図９】
2010050295.tif 000011
【図１０】
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