(57)【要約】【課題】第１の電極と、第２の電極の上面の一部に積層されて第１の電極に電気的に接続される第２の電極とを有し、第１，第２の電極形成工程の間に、アルカリ現像液を用いたパターニングが行われる弾性波装置及びその製造方法において、第１，第２の電極間の接触抵抗を小さくする。【解決手段】圧電基板１上にＩＤＴ電極２に電気的に接続される第１の電極２１が形成されており、第１の電極２１の少なくとも上面がアルカリに可溶な金属とアルカリに不溶な金属とからなる合金であって、アルカリに可溶な金属に対するアルカリに不溶な金属の含有率が５重量％以上、２０重量％以下である合金により形成されており、第１の電極２１の形成後に、アルカリ現像液によるパターニングが行われ、しかる後、第１の電極２１の上面の一部に積層されることにより第１の電極２１に電気的に接続される第２の電極２６Ａが形成される、弾性波装置及びその製造方法。【選択図】図６
2010050726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されるように前記圧電基板上に設けられている第１の電極と、
前記ＩＤＴ電極及び前記第１の電極を覆うように設けられており、前記第１の電極の一部が露出している開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記開口部において、前記第１の電極の上面に積層されて第１の電極に電気的に接続されており、かつ前記開口部内から開口部外に延び前記絶縁層上に至っている第２の電極とを備え、
前記第１の電極の少なくとも上面が、アルカリに可溶な金属と、アルカリに不溶な金属とからなり、かつ前記アルカリに可溶な金属に対する前記アルカリに不溶な金属の含有率が５％以上、２０％以下である合金からなる、弾性波装置。
【請求項２】
前記ＩＤＴ電極と前記第１の電極とが同じ材料からなり、かつ前記ＩＤＴ電極に前記第１の電極が連ねられている、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記アルカリに可溶な金属がＡｌであり、前記アルカリに不溶な金属がＣｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｍｇ及びＺｎからなる群から選択された少なくとも１種の金属である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１の電極が複数の金属膜を積層した積層導電膜からなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
圧電基板と、圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続された第１の電極とを有し、前記第１の電極の少なくとも上面が、アルカリに可溶な金属とアルカリに不溶な金属との合金からなり、該合金においてアルカリに可溶な金属に対するアルカリに不溶な金属の含有率が５％以上、２０％以下とされている、弾性波装置用基板材を用意する工程と、
前記弾性波装置用基板材の圧電基板の上面において、前記ＩＤＴ電極及び前記第１の電極を覆うように、かつ前記第１の電極の少なくとも一部が露出する開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、光の照射によりアルカリ現像液に可溶な部分と、アルカリ現像液に不溶な部分とが形成されるフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層に光を照射し、前記絶縁層の前記開口部が設けられている部分を少なくとも覆う前記フォトレジスト層部分を前記アルカリ現像液に可溶な部分とする工程と、
前記フォトレジスト層をアルカリ現像液で処理し、アルカリに可溶な部分を除去しレジスト層をパターニングする工程と、
前記レジスト層のパターニング後に、第２の電極を形成するための金属膜を全面に成膜し、該金属膜の一部を前記開口部内において前記第１の電極の上部に積層する工程と、
前記アルカリ現像液に不溶な前記フォトレジスト部分をその上部に残存している金属膜とともにリフトオフ法により除去する工程とを備える、弾性波装置の製造方法。
【請求項６】
前記弾性波装置用基板材を用意するにあたり、前記圧電基板上に、前記ＩＤＴ電極と前記第１の電極とを同じ材料により同時に形成する、請求項５に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の電極の形成にあたり、複数の金属膜を順次形成してなる積層導電膜からなる第１の電極を形成する、請求項６に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項８】
前記アルカリに可溶な金属がＡｌであり、前記アルカリに不溶な金属がＣｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｍｇ及びＺｎからなる群から選択された少なくとも１種の金属である、請求項５〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば共振子や帯域フィルタとして用いられる弾性波装置及びその製造方法に関し、より詳細には、圧電基板上において、アルカリ現像液を用いたパターニング工程を経て得られる弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、通信機器のフィルタや共振子を構成するために、弾性表面波装置や弾性境界波装置などの弾性波装置が用いられている。
【０００３】
例えば下記の特許文献１には、圧電体と、圧電体上に形成された誘電体との界面を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置が開示されている。特許文献１に記載の弾性境界波装置は、バンプを用いて実装基板などにフリップチップボンディングされ得る。図２０は、特許文献１に記載の弾性境界波装置において、バンプが形成される部分を示す部分拡大断面図である。
【０００４】
弾性境界波装置１００１は、圧電基板１００２と、誘電体層１００３とを有する。圧電基板１００２と誘電体層１００３との界面に、ＩＤＴ電極１００４が形成されている。ここでは、ＩＤＴ電極１００４の端部のみが図示されている。ＩＤＴ電極１００４に電気的に接続されるように、圧電基板１００２上に第１の配線電極１００５が形成されている。第１の配線電極１００５は、その一端が、ＩＤＴ電極１００４のバスバーの上面に積層され、それによってＩＤＴ電極１００４に電気的に接続されている。また、誘電体層１００３の上面に、絶縁層１００６が形成されている。
【０００５】
他方、誘電体層１００３には、開口部が形成されており、該開口部内に、上記第１の配線電極１００５が露出している。この開口部において、第１の電極１００５に電気的に接続されるように、第２の配線電極１００７が形成されている。第２の配線電極１００７は、誘電体層１００３の開口部内において、第１の配線電極１００５の上面に積層されることにより、第１の配線電極１００５に電気的に接続されている。第２の配線電極１００７は、誘電体層１００３の開口部から開口部外の誘電体層１００３の上面に至っている。そして、絶縁層１００６においては、第２の配線電極１００７が露出している貫通孔１００６ａが形成されている。この貫通孔１００６ａ内に、アンダーバンプメタル層１００８が形成されている。アンダーバンプメタル層１００８の上部に、バンプ１００９が形成されている。
【０００６】
ところで、特許文献１では、上記第１の配線電極１００５は、ＡｌＣｕ合金により形成され得る旨が示されている。この種の電極材料においては、ＡｌＣｕ合金として、一般に、Ａｌ−１％Ｃｕ合金が用いられている。すなわち、Ａｌが１００重量％に対し、Ｃｕを１重量％含むＡｌＣｕ合金が一般的に用いられている。
【特許文献１】特開２００７−２８１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の弾性境界波装置１００１の製造に際しては、圧電基板１００２上に、まず、ＩＤＴ電極１００４及び第１の配線電極１００５を形成する。次に、誘電体層１００３を構成する誘電体材料を全面に形成した後、フォトリソグラフィーによりパターニングし、開口部を形成する。このパターニングに際しては、アルカリに可溶なフォトレジストを用い、アルカリ現像液を用い、パターニングが行われる。
【０００８】
しかる後、開口部内から誘電体層１００３の上面に至る第２の配線電極１００７を形成する。その後、絶縁層１００６、アンダーバンプメタル層１００８及びバンプ１００９を形成する。
【０００９】
このようにして得られた従来の弾性境界波装置１００１では、第１の配線電極１００５と第２の配線電極１００７との接触抵抗がばらつきがちであり、かつ高くなりがちであった。そのため、誘電体層１００３を形成した後に、開口部に露出している第１の電極１００５の上面を粗面とするために、エッチングを実施しなければならなかった。従って、製造工程が煩雑であり、コストが高くつくという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、アルカリ現像液を用いたパターニングを経て得られ、下方の第１の電極と、上方の第２の電極とが電気的に接続される構造を備えた弾性波装置であって、第１，第２の電極の接触抵抗が低く、しかも煩雑な製造工程を得ることなく製造することができ、コストを低減することが可能な弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されるように前記圧電基板上に設けられている第１の電極と、前記ＩＤＴ電極及び前記第１の電極を覆うように設けられており、前記第１の電極の一部が露出している開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記開口部において、前記第１の電極の上面に積層されて第１の電極に電気的に接続されており、かつ前記開口部内から開口部外に延び前記絶縁層上に至っている第２の電極とを備え、前記第１の電極の少なくとも上面が、アルカリに可溶な金属と、アルカリに不溶な金属とからなり、かつ前記アルカリに可溶な金属に対する前記アルカリに不溶な金属の含有率が５％以上、２０％以下である合金からなる、弾性波装置が提供される。
【００１２】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記ＩＤＴ電極と前記第１の電極とが同じ材料からなり、かつ前記ＩＤＴ電極に前記第１の電極が連ねられている。この場合には、ＩＤＴ電極と第１の電極とを同じ材料を用いて同時に形成することができるので、製造工程のより一層の簡略化を果たすことができ、かつコストをより一層低減することができる。
【００１３】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記アルカリに可溶な金属がＡｌであり、前記アルカリに不溶な金属がＣｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｍｇ及びＺｎからなる群から選択された少なくとも１種の金属である。この場合には、主となるアルカリに可溶な金属にコストの安いＡｌを用いることで、製造コストを低減することができる。
【００１４】
本発明において、第１の電極は、複数の金属膜を積層した積層導電膜からなることが好ましく、その場合には、複数の金属膜を構成する材料を種々選択することにより、反射係数を高めたり、導電率を高めたり、圧電基板への密着性を高めたりすることができる。
【００１５】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板と、圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続された第１の電極とを有し、前記第１の電極の少なくとも上面が、アルカリに可溶な金属とアルカリに不溶な金属との合金からなり、該合金においてアルカリに可溶な金属に対するアルカリに不溶な金属の含有率が５％以上、２０％以下とされている、弾性波装置用基板材を用意する工程と、前記弾性波装置用基板材の圧電基板の上面において、前記ＩＤＴ電極及び前記第１の電極を覆うように、かつ前記第１の電極の少なくとも一部が露出する開口部を有する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、光の照射によりアルカリ現像液に可溶な部分と、アルカリ現像液に不溶な部分とが形成されるフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層に光を照射し、前記絶縁層の前記開口部が設けられている部分を少なくとも覆う前記フォトレジスト層部分を前記アルカリ現像液に可溶な部分とする工程と、前記フォトレジスト層をアルカリ現像液で処理し、アルカリに可溶な部分を除去しレジスト層をパターニングする工程と、前記レジスト層のパターニング後に、第２の電極を形成するための金属膜を全面に成膜し、該金属膜の一部を前記開口部内において前記第１の電極の上部に積層する工程と、前記アルカリ現像液に不溶な前記フォトレジスト部分をその上部に残存している金属膜とともにリフトオフ法により除去する工程とを備える。
【００１６】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記弾性波装置用基板材を用意するにあたり、前記圧電基板上に、前記ＩＤＴ電極と前記第１の電極とが同じ材料により同時に形成される。この場合には、同じ材料を用いて同時にＩＤＴ電極及び第１の電極が形成されるので、製造工程のより一層の簡略化を図ることができ、かつコストをより一層低減することができる。
【００１７】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記第１の電極の形成にあたり、複数の金属膜を順次形成してなる積層導電膜からなる第１の電極が形成される。この場合には、複数の金属膜を構成する各材料を適宜選択することにより、反射係数を高めたり、導電率を高めたり、圧電基板への密着性を高めたりすることができる。
【００１８】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記アルカリに可溶な金属がＡｌであり、前記アルカリに不溶な金属がＣｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｍｇ及びＺｎからなる群から選択された少なくとも１種の金属である。この場合には、主となるアルカリに可溶な金属にコストの安いＡｌを用いることで、製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る弾性波装置及びその製造方法によれば、第１の電極の少なくとも上面が、アルカリに可溶な金属に対するアルカリに不溶な金属の含有率が５重量％以上、２０重量％以下である合金からなるため、アルカリ現像液を用いてパターニングを行った場合に、第１の電極の上面が適度に荒らされることになる。そのため、第１の電極と第２の電極との接触抵抗を十分に低くすることができ、かつ接触抵抗のばらつきを小さくすることができる。従って、煩雑なエッチング工程を実施せずとも、第１，第２の電極の接触抵抗を低め、かつ接触抵抗のばらつきを小さくし得るので、製造工程の簡略化及びコストの低減を果たすことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより本発明を明らかにする。
【００２１】
図１〜図１０を参照して、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明する。なお、本実施形態では、弾性波装置として、弾性境界波装置が製造される。
【００２２】
まず、図１（ｂ）に示す圧電基板１を用意する。本実施形態では、圧電基板１として、ＬｉＮｂＯ３単結晶基板が用いられている。もっとも、圧電基板１は、ＫＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＫＴａＯ３、ＬｉＢ４Ｏ７、ＡｌＮ、水晶、ダイヤモンド、ランガサイト、サファイアまたはＺｎＯなどの他の圧電材料により形成されてもよい。
【００２３】
圧電基板１の上面に、弾性境界波装置として動作させるために、ＩＤＴ電極２を含む電極構造を形成する。ＩＤＴ電極２を含む電極構造は、本実施形態では、Ａｕを全面に形成し、パターニングすることにより形成されている。
【００２４】
図１（ａ）は、ＩＤＴ電極２を含む上記電極構造を示す模式的平面図である。本実施形態では、ＩＤＴ電極２の両側に、ＩＤＴ電極３，４及び反射器５，６が形成されており、それによって３ＩＤＴ型の第１の縦結合共振子型の弾性境界波フィルタ部７が形成されている。さらに、弾性境界波フィルタ部７の側方に、同じく３個のＩＤＴ電極８〜１０及び反射器１１，１２を有する、３ＩＤＴ型の第２の縦結合共振子型の弾性境界波フィルタ部１３が配置されている。ここでは、平衡−不平衡変換機能を有する２個の弾性境界波フィルタ部７，１３が設けられている。もっとも、本発明においては、弾性波装置を形成するＩＤＴ電極を含む電極構造は図示の構造に限定されず、目的とする用途に応じて、少なくとも１つのＩＤＴ電極を含む適宜の電極構造を形成することができる。
【００２５】
また、上記ＩＤＴ電極２はＡｕからなるが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｍｇ、ＷまたはＲｈなどの様々な他の金属により形成されてもよく、またこれらを主体とする合金により形成されていてもよい。さらに、ＩＤＴ電極２を含む電極構造は、複数のこれらの金属層を積層してなる積層導電膜により形成されていてもよい。
【００２６】
次に、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極２に電気的に接続されるように、第１の電極２１を形成する。図２（ａ）では、第１の電極２１の平面形状を明確にするために、ハッチングを付して第１の電極２１を示す。図２（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極２のバスバーに第１の電極２１の一部が重ねられており、それによって、第１の電極２１が、ＩＤＴ電極２に電気的に接続されている。
【００２７】
上記第１の電極２１は、本実施形態では、上から順に、Ａｌ−５重量％Ｃｕ合金層／Ｔｉ層の順にこれらの複数の金属膜を積層してなる積層導電膜からなる。すなわち、最上部の金属膜が、Ａｌ−５重量％Ｃｕ合金からなる。
【００２８】
なお、第１の電極２１は、単一の金属膜により形成されてもよいが、少なくとも上面が、アルカリに可溶な金属と、アルカリに不溶な金属とからなる合金であって、アルカリに可溶な金属に対するアルカリに不溶な金属の含有率が５重量％以上、２０重量％以下である合金からなる。このような合金としては、Ａｌ−Ｃｕ合金、すなわちＡｌに対し、Ｃｕを５重量％以上、２０重量％以下で含むＡｌＣｕ合金が好適に用いられる。上記アルカリに可溶な金属としては、Ａｌを用い得る。アルカリに不溶な金属としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｍｇ及びＺｎからなる群から選択した少なくとも１種を用いることができる。
【００２９】
上記第１の電極２１は、単一の金属膜により形成されてもよく、その場合には、上記アルカリに可溶な金属とアルカリに不溶な金属とからなる上記合金により形成される。また、本実施形態のように、複数の金属膜を積層してなる積層導電膜の場合、最上部に上記アルカリに可溶な金属と、アルカリに不溶な金属とからなる合金により形成された金属膜が設けられればよく、残りの金属膜は、適宜の金属もしくは合金により形成され得る。このような金属もしくは合金としては、アルカリに可溶な金属であってもよく、アルカリに不溶な金属であってもよい。
【００３０】
なお、第１の電極２１は、前述した弾性境界波フィルタ部７，１３のバスバーを後述する第２の電極２６Ａと電気的に接続するための配線電極として形成されている。第１の電極２１の形成方法は特に限定されないが、本実施形態では、全面に第１の電極２１を形成する積層導電膜を形成した後、フォトリソグラフィー等によりパターニングすることにより形成されている。積層導電膜を全面に形成するに際しては、蒸着、スパッタリングなどの適宜の方法を用いることができる。
【００３１】
次に、図３に示すように、圧電基板１上において、第１の電極２１及びＩＤＴ電極２を含む電極構造を被覆するように全面に絶縁層２２を形成する。絶縁層２２は、本実施形態では、ＳｉＯ２をスパッタリングすることにより形成されている。なお、絶縁層２２は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５などの他の無機絶縁性材料により形成されてもよい。あるいは、絶縁層２２は、ポリイミドやエポキシ樹脂などの有機絶縁性材料により形成されてもよい。
【００３２】
次に、ドライエッチングにより、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、絶縁層２２に、開口部２２ａ，２２ａを形成する。開口部２２ａ，２２ａは、下方の第１の電極２１の一部を開口部２２ａ，２２ａに露出するように形成される。
【００３３】
開口部２２ａ，２２ａの形成は、ドライエッチング以外の方法で行われてもよく、あるいは絶縁層２２の形成に際し、フォトリソグラフィー法などを用いてパターニングすることにより、開口部２２ａを有する絶縁層２２を形成してもよい。
【００３４】
次に、図５（ａ）に示すように、全面にフォトレジスト層２３を形成する。フォトレジスト層２３は、アルカリ現像液で現像される公知のフォトレジスト材料からなる。このような公知のフォトレジスト材料としては、例えば紫外線などの光の照射により硬化し、未硬化部分がアルカリ現像液により溶解して除去され、硬化した部分がアルカリ現像液に可溶でない部分となる光硬化性樹脂組成物を用いることができる。
【００３５】
このようなフォトレジスト層２３を形成した後に、アルカリ現像液で除去すべき部分を遮光部とするマスクを用いて上方から光を照射する。このようにして、図５（ｂ）に示すように、上記開口部２２ａ，２２ａに位置している未照射部分２３ａの周囲に光が照射された照射部分２３ｂが位置するようにフォトレジスト層２３に光を照射する。
【００３６】
次に、アルカリ水溶液のようなアルカリ現像液で処理することにより、図５（ｃ）に示すように、未照射部分２３ａをアルカリ現像液２５により除去する。図５（ｃ）に示すように、照射部分２３ｂはアルカリ現像液２５に溶解しない。
【００３７】
この場合、アルカリ現像液２５に、第１の電極２１の上面が晒されることになる。第１の電極２１の上面は、前述したＡｌ−５重量％Ｃｕ合金からなるため、アルカリ水溶液により部分的に溶解し、表面が粗面状態となる。この粗面状態を図５（ｃ）において、矢印Ａで模式的に示す。
【００３８】
上記アルカリ現像液２５としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）やＮａＯＨ水溶液やＫＯＨ水溶液などの適宜のアルカリ水溶液を用いることができる。このようにして、図６（ａ）に示すように、パターニングされたフォトレジスト層２３が得られる。次に、図６（ｂ）に示すように、全面に第２の電極を形成するための金属膜２６を蒸着により形成する。なお、蒸着以外に、スパッタリングまたはメッキ等により金属膜２６を形成してもよい。
【００３９】
金属膜２６は、本実施形態では、上方から順にＡｌ／Ｔｉの順序でＡｌ膜及びＴｉ膜が積層されてなる積層導電膜からなる。金属膜２６は、複数の金属膜を積層してなる積層導電膜により形成されてもよく、単一の金属膜により形成されてもよい。用い得る金属材料としては、特に限定されず、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＭｇからなる群から選択された少なくとも１種の金属、またはこれらの金属を主体とする合金を用いることができる。
【００４０】
次に、残存している照射部分２３ｂ及びその上に位置している金属膜２６をリフトオフ法により除去する。リフトオフ法により除去するに際しては、残存しているフォトレジスト層の照射部分２３ｂを溶解し得る適宜の溶剤、例えばＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を用いて、処理することにより行われる。
【００４１】
このようにして、図６（ｃ）に示すように、金属膜２６からなる第２の電極２６Ａが形成される。第２の電極２６Ａは、開口部２２ａ内に入り込んでおり、下方の第１の電極２１の上面に接触されている。この接触部分では、第１の電極２１の上面が粗面とされているため、第１の電極２１と第２の電極２６Ａとが十分な面積で接触する。従って、接触抵抗を確実に低くすることができ、かつ接触抵抗のばらつきを小さくすることができる。
【００４２】
上記のようにして、図６（ｃ）及び図７に示す弾性波装置２８を得ることができる。
【００４３】
上記のように、本実施形態の弾性波装置の製造方法及び該弾性波装置の特徴は、第１の電極２１として、少なくとも上面がＡｌ−５重量％Ｃｕ合金からなる金属膜で形成されていることにある。それによって、第１の電極２１の上面がアルカリ現像液に晒された際に粗面とされ、第１の電極２１と第２の電極２６Ａとの接触を良好なものとすることにある。それによって、接触抵抗を確実に低くすることができる。これを、具体的な実験例に基づき説明する。
【００４４】
図８（ａ）及び（ｂ）は、第１の電極２１の最上部の金属膜をＡｌ−１重量％Ｃｕ合金により形成した場合のアルカリ現像液による現像前及び現像後の表面状態をそれぞれ示す各電子顕微鏡写真である。また、図９（ａ）及び（ｂ）は、第１の電極２１の最上部の金属膜をＡｌ−１０重量％Ｃｕ合金により形成した場合のアルカリ現像前及びアルカリ現像後の表面状態をそれぞれ示す各電子顕微鏡写真である。
【００４５】
図８（ｂ）と図９（ｂ）とを比較すれば明らかなように、Ａｌ−１重量％Ｃｕ合金に比べ、Ａｌ−１０重量％Ｃｕ合金を用いた場合の方が、表面の凹凸が大きくなっていることがわかる。これは、Ｃｕがアルカリ水溶液に不溶であるため、残存する部分が多くなることにより、表面に大きな凹凸が形成されるものと考えられる。従って、より表面状態を粗くすることができるので、Ａｌ−１０重量％Ｃｕ合金を用いた場合、Ａｌ−１重量％Ｃｕ合金を用いた場合に比べて、第２の電極２６Ａとの接触抵抗を小さくし得ることがわかる。
【００４６】
図１０（ａ）は、上記実施形態において、第１の電極２１の最上部の金属膜におけるＡｌＣｕ合金のＣｕの割合を変化させた場合の第１の電極２１と第２の電極２６Ａとの接触抵抗の変化を示す図である。また、図１０（ｂ）は、上記実施形態において、第１の電極２１の最上部の金属膜におけるＡｌＣｕ合金のＣｕの割合を変化させた場合の第１の電極２１の導通抵抗の変化を示す図である。ここでは、図１０（ａ）の縦軸はＡｌ−１重量％Ｃｕ合金を用いた場合の接触抵抗を１とする接触抵抗比率を示し、図１０（ｂ）の縦軸はＡｌ−１重量％Ｃｕ合金を用いた場合の導通抵抗を１とする抵抗比率を示す。
【００４７】
図１０（ａ）から明らかなように、Ａｌ−Ｃｕ合金において、Ｃｕの含有割合が高くなるにつれて接触抵抗比率が低くなり、特に、Ｃｕの含有割合が５重量％以上であれば、接触抵抗比率を０．０５以下と低くし得ることがわかる。なお、Ａｌに対してＣｕの含有割合が高くなりすぎると、図１０（ｂ）から明らかなように、２０重量％を越えると抵抗化率が１０倍以上に増加する。従って、Ｃｕの含有割合は２０重量％以下とすることが必要である。
【００４８】
図１１（ａ）〜（ｃ）〜図１３（ａ）〜（ｃ）を参照して、第１の実施形態の変形例の製造方法を説明する。
【００４９】
この変形例では、図１１（ａ）に示すように、圧電基板１上にＩＤＴ電極２を含む電極構造の形成に際し、同じ材料で、第１の電極２１も形成されることにある。従って、本実施形態では、ＩＤＴ電極２及び第１の電極２１は、上面がＡｌ−５重量％Ｃｕ合金からなる金属膜を有する積層導電膜により形成されている。このように、ＩＤＴ電極２を、第１の電極２１と同じ材料で同時に形成してもよい。この場合には、第１の電極２１をＩＤＴ電極２と別途形成する必要がないため、製造工程の簡略化を果たすことができ、かつ電極材料の種類を少なくすることができる。従って、コストを低減することができる。
【００５０】
本変形例では、第１の電極２１をＩＤＴ電極２と同時に、同じ材料で形成した後には、上記実施形態と同様にして、弾性波装置が製造される。従って、同一部分に同一の参照番号を付することにより、詳細な説明は省略する。
【００５１】
図１１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、絶縁層２２を形成し、開口部２２ａ，２２ａをドライエッチングにより形成する。次に、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、フォトレジスト層２３を形成し、アルカリ現像し、図１３（ａ）に示すように、第１の電極２１の上面が粗面とされた構造を有する。しかる後、図１３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、金属膜２６を形成し、リフトオフ法により余分な金属膜を除去し、第２の電極２６Ａを形成する。
【００５２】
本変形例においても、第１の電極２１の上面がアルカリ現像液２５に接触されて粗面とされるので、第１の実施形態の場合と同様に、第１の電極２１と第２の電極２６Ａとの接触抵抗を確実に低くすることができ、かつ接触抵抗のばらつきを小さくすることができる。
【００５３】
図１４（ａ），（ｂ）〜図２０（ａ）〜（ｃ）を参照して、本発明の第２の実施形態の弾性波装置の製造方法及び弾性波装置を説明する。
【００５４】
本実施形態では、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様にして、圧電基板１上に、ＩＤＴ電極２を含む電極構造を形成し、さらに第１の電極２１を形成する。次に、第１の実施形態の場合と同様に、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、上面の全面に絶縁層２２を形成する。
【００５５】
次に、図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の電極２１のＩＤＴ電極２とは離れた第１の部分２１Ａ上に絶縁層２２Ａを部分的に残すようにパターニングする。このパターニングは、絶縁層２２を部分的にエッチングし除去することにより行われる。もっとも、フォトリソグラフィー法などの適宜のパターニング方法を用いてもよい。このようにして、絶縁層２２Ａが部分的に形成される。
【００５６】
このようにして、配線の一部である第１の部分２１Ａを被覆するように絶縁層２２Ａが形成される。
【００５７】
しかる後、図１７に示すように、全面にフォトレジスト層２３を形成する。そして、図１８（ａ）及び（ｂ）に示すように、フォトレジスト層２３において、マスクを用いて選択的に露光する。図１８（ａ）において、クロスのハッチングで示した部分が光が未照射である未照射部分２３ａであり、アルカリ現像液に可溶な部分に相当する。斜線のハッチングで付した部分２３ｂが光の照射により硬化し、アルカリ現像液に不溶な部分である。次に、アルカリ現像液で現像を行う。
【００５８】
その結果、図１９（ａ）に示すように、アルカリ現像液２５に晒されている部分では、第１の電極２１の上面が矢印Ｂ，Ｂで示すように粗面となる。絶縁層２２Ａで被覆されている第１の部分２１Ａの上面は粗面とはならない。
【００５９】
このようにして、図１９（ｂ）及び（ｃ）に示す構造が得られる。しかる後、図２０（ａ）に示すように、全面に第２の電極２６Ａを形成するための金属膜２６を第１の実施形態の場合と同様に形成し、リフトオフ法により不用な金属膜を除去する。このようにして、第２の電極２６Ａが形成される。
【００６０】
図２０（ｂ）及び（ｃ）に示すように、このようにして得られた弾性波装置では、第２の電極２６Ａが、第１の電極２１の第２，第３の部分２１Ｂ，２１Ｃに電気的に接続されているが、第２，第３の部分において、両者の接触抵抗が十分に低くなり、かつ接触抵抗のばらつきが低くされ得る。
【００６１】
本実施形態では、上記絶縁層２２Ａが形成されている部分は、図１９（ｃ）及び図２０における配線交差部分に相当する。すなわち、絶縁層２２Ａにより、配線としての第２の電極２６Ａが、下方の第１の電極２１の第１の部分２１Ａとの絶縁が図られている。
【００６２】
このように、第１の電極２１と第２の電極２６Ａとが電気的に接続される部分においては、両者の接触抵抗を確実に低くすることができ、両者が短絡されてはならない部分においては、上記のように絶縁層２２Ａの形成により、確実に両者を電気的に分離することができる。
【００６３】
上記絶縁層２２Ａは、ポリイミドやエポキシ樹脂などの有機絶縁性材料により形成されていてもよい。このような有機絶縁性材料を用いる場合には、絶縁材料を塗布することにより絶縁層２２を容易に形成することができる。
【００６４】
なお、上述した第１，第２の実施形態及び変形例は、弾性境界波装置の製造方法につき説明したが、弾性境界波装置に代えて、弾性表面波装置にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の製造方法において、圧電基板上に形成されるＩＤＴ電極２を含む電極構造を示す模式的平面図及び圧電基板上に上記電極構造が形成された状態を示す略図的正面断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態の製造方法において、第１の電極を形成した状態を示す模式的平面図及び正面断面図である。
【図３】第１の実施形態の製造方法において、圧電基板上に絶縁層を全面に形成した状態を示す正面断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態の製造方法において、絶縁層に開口部を形成した状態を示す正面断面図及び平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の製造方法において、フォトレジスト層を全面に形成した状態、フォトレジスト層に光を照射し、アルカリ現像液に不溶な部分を形成した状態を示す模式的正面断面図及びアルカリ現像液により現像する工程を説明するための模式的正面断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１の実施形態の製造方法において、フォトレジスト層が現像された後の状態を示す模式的正面断面図、全面に第２の電極を形成するための金属膜を形成した状態を示す模式的正面断面図及び電極形成により得られた実施形態の弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図７】第１の実施形態の製造方法で得られた弾性波装置の模式的平面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、第１の電極の最上部の金属膜をＡｌ−１重量％Ｃｕ合金により形成した場合のアルカリ現像前及びアルカリ現像後の表面を示す各電子顕微鏡写真である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、第１の電極の最上部の金属膜をＡｌ−１０重量％Ｃｕ合金により形成した場合のアルカリ現像前及びアルカリ現像後の表面を示す各電子顕微鏡写真である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、第１の電極の最上部の金属膜でのＡｌＣｕ合金におけるＣｕ含有割合と、第１の電極と第２の電極との接触抵抗比率との関係をそれぞれ示す図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の変形例に係る製造方法の各工程を示す模式的正面断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の変形例に係る製造方法の各工程を説明するための模式的正面断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の変形例に係る製造方法の各工程を説明するための模式的正面断面図である。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る製造方法において、圧電基板上にＩＤＴ電極を含む電極構造及び第１の電極を形成した状態を示す正面断面図及び平面図である。
【図１５】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態の製造方法において、絶縁層が形成された構造を示す正面断面図及び平面図である。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態の製造方法において、絶縁層をパターニングした後の状態を示す正面断面図及び模式的平面図である。
【図１７】本実施形態の製造方法において、全面にフォトレジスト層を形成した状態を示す模式的正面断面図である。
【図１８】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態の製造方法において、フォトレジスト層に光を照射し、アルカリ現像液に不溶な部分を形成した状態を示す模式的正面断面図及び平面図である。
【図１９】（ａ）は、アルカリ現像液で現像する工程を説明するための正面断面図、（ｂ）及び（ｃ）は、アルカリ現像後の状態を示す正面断面図及び平面図である。
【図２０】（ａ）は、第２の実施形態において、全面に第２の電極を形成するための金属膜を形成した状態を示す正面断面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、第２の実施形態により得られた弾性波装置の正面断面図及び模式的平面図である。
【図２１】従来の弾性波装置を説明するための部分正面断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…圧電基板
２…ＩＤＴ電極
３，４…ＩＤＴ電極
５，６…反射器
７…弾性境界波フィルタ部
８〜１０…ＩＤＴ電極
１１，１２…反射器
１３…弾性境界波フィルタ部
２１…第１の電極
２１Ａ〜２１Ｃ…第１〜第３の部分
２２…絶縁層
２２Ａ…絶縁層
２２ａ…開口部
２３…フォトレジスト層
２３ａ…未照射部分
２３ｂ…照射部分
２５…アルカリ現像液
２６…金属膜
２６Ａ…第２の電極
２８…弾性波装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図８】
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【図９】
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