(57)【要約】 【課題】ＦｅやＣｏを含有する材料を容易に腐食させない磁気記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】非磁性基板１０上に磁性層３０を形成する工程と、磁性層３０に凹部６５を形成する工程と、凹部６５の露出面を覆うように耐食性膜６０を形成する工程と、耐食性膜６０に覆われた凹部６５を埋めるように非磁性層４０を形成して、磁気的に分離された磁性層からなる磁気記録パターンを形成する工程と、を有する磁気記録媒体１２２の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。【選択図】図１
2010108540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層に凹部を形成する工程と、
前記凹部の露出面を覆うように耐食性膜を形成する工程と、
前記耐食性膜に覆われた前記凹部を埋めるように非磁性層を形成して、磁気的に分離された磁性層からなる磁気記録パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記耐食性膜が、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕのいずれかの金属膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記耐食性膜が、Ｃｒ膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記耐食性膜の成膜をＨｅガスまたはＮｅガスを用いたスパッタリング法により行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記非磁性層が、有機ケイ素化合物からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記磁性層に凹部を形成する工程が、前記磁性層上にマスク層とレジスト層をこの順序で積層する工程と、ナノインプリント法により前記レジスト層に窪み部を形成する工程と、エッチング法またはイオンミリング法により前記窪み部を前記磁性層まで深くして前記磁性層に凹部を形成する工程と、からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記凹部の露出面を覆うように耐食性膜を形成する工程が、前記レジスト層及び前記窪み部を覆うように耐食性膜を形成した後、前記レジスト層及び前記マスク層を誘導結合プラズマ法または反応性イオンプラズマ法により除去することにより、前記凹部の露出面を覆うように形成された耐食性膜を残す工程であることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
非磁性基板上に磁気的に分離された磁性層からなる磁気記録パターンを有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層には、凹部が設けられており、
前記凹部の露出面を覆うように耐食性膜が形成されるとともに、
前記耐食性膜に覆われた前記凹部を埋めるように非磁性層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上に移動させる磁気ヘッド駆動部と、
前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、
を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増している。また、これらの装置に用いられる磁気記録媒体の記録密度は、著しい向上が図られつつある。
特に、ＭＲヘッドおよびＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇はさらに激しさを増している。近年では、さらにＧＭＲヘッドおよびＴＭＲヘッドなども導入されて、１年に約５０％ものペースで、面記録密度は増加を続けている。
【０００３】
これらの磁気記録媒体については、今後、更に高記録密度を達成することが要求されている。そのために、磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮＲ）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では、線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられている。
【０００４】
最新の磁気記録装置においては、トラック密度が１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなる。このことは、そのままＢｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅの低下につながるため記録密度の向上に対して障害となっている。
【０００５】
面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚を確保する必要がある。しかし、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
【０００６】
また、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術を要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために、記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。
この方法は、トラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮＲを確保することがむずかしいという問題がある。
【０００７】
このような熱揺らぎの問題やＳＮＲの確保、あるいは十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体表面にトラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的に分離することによってトラック密度を上げようとする試みがなされている。
このような技術を、以下にディスクリートトラック法、それによって製造された磁気記録媒体をディスクリートトラック媒体と呼ぶ。
【０００８】
ディスクリートトラック媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板に磁気記録媒体を形成して、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなる磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層が形成されており、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と物理的に分断された磁気記録領域が形成されている。
【００１０】
この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。
【００１１】
ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法と、あらかじめ基板表面に直接、あるいはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法とがある（例えば、特許文献２，特許文献３参照。）。このうち、前者の方法は、しばしば磁気層加工型とよばれ、後者はエンボス加工型とよばれる。
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７８７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、磁気記録媒体をハードディスクドライブ内で使用する場合、磁気記録媒体の耐食性が問題となる場合があった。すなわち、ハードディスクドライブ内で使用される磁気記録媒体には、ＦｅやＣｏを含有する材料が用いられるため、これらの物質が環境由来の水等により容易に腐食されて磁気記録媒体の電磁変換特性を低下させたり、腐食物が磁気記録再生ヘッドに付着してヘッドを破損させたりして、問題となる場合があった。
【００１３】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、ＦｅやＣｏを含有する材料を容易に腐食させない磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願発明者は、磁性層を物理的に加工して磁気記録パターンを形成する、磁気層加工型の磁気記録媒体において、磁性層の腐食が発生する原因究明に取り組んだところ、磁性層の加工部分において腐食が発生していることを見出した。さらに、その原因について検討したところ、磁性層の加工部分はイオンミリング等により加工表面が活性化し、この活性表面と非磁性材料等の充填物が反応し腐食が発生していることを発見した。
本願発明者は、この腐食を回避すべく鋭意努力検討した結果、磁性層を除去した箇所にクロム等の耐腐食膜を形成することにより磁性層の腐食を低減できることを見出して、本願発明を完成させた。
すなわち、本願発明は下記の構成を採用する。
【００１５】
（１）  非磁性基板上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に複数の凹部を形成する工程と、前記凹部の露出面を覆うように耐食性膜を形成する工程と、前記耐食性膜に覆われた前記凹部を埋めるように非磁性層を形成して、磁気的に分離された磁性層からなる磁気記録パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２）  前記耐食性膜が、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕのいずれかの金属膜であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３）  前記耐食性膜が、Ｃｒ膜であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（４）  前記耐食性膜の成膜をＨｅガスまたはＮｅガスを用いたスパッタリング法により行うことを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（５）  前記非磁性層が、有機ケイ素化合物からなることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（６）  前記磁性層に凹部を形成する工程が、前記磁性層上にマスク層とレジスト層をこの順序で積層する工程と、ナノインプリント法により前記レジスト層に窪み部を形成する工程と、エッチング法またはイオンミリング法により前記窪み部を前記磁性層まで深くして前記磁性層に凹部を形成する工程と、からなることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（７）  前記凹部の露出面を覆うように耐食性膜を形成する工程が、前記レジスト層及び前記窪み部を覆うように耐食性膜を形成した後、前記レジスト層及び前記マスク層を誘導結合プラズマ法または反応性イオンプラズマ法により除去することにより、前記凹部の露出面を覆うように形成された耐食性膜を残す工程であることを特徴とする（６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（８）  非磁性基板上に磁気的に分離された磁性層からなる磁気記録パターンを有する磁気記録媒体であって、前記磁性層には、凹部が設けられており、前記凹部の表面を覆うように耐食性膜が形成されるとともに、前記耐食性膜に覆われた凹部を埋めるように非磁性層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
（９）  （８）に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上に移動させる磁気ヘッド駆動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１６】
上記の構成によれば、ＦｅやＣｏを含有する材料を容易に腐食させない磁気記録媒体を提供することができる。
【００１７】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に複数の凹部を形成する工程と、前記凹部の露出面を覆うように耐食性膜を形成する工程と、前記耐食性膜に覆われた前記凹部を埋めるように非磁性層を形成して、磁気的に分離された磁性層からなる磁気記録パターンを形成する工程と、を有する構成なので、前記凹部の露出面の磁性層が非磁性層と反応して腐食することを耐食性膜により防止して、耐腐食性を飛躍的に高めることが可能となり、耐環境性の高い磁気記録媒体を提供することができる。
【００１８】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に磁気的に分離された磁性層からなる磁気記録パターンを有する磁気記録媒体であって、前記磁性層には、凹部が設けられており、前記凹部の露出面を覆うように耐食性膜が形成されるとともに、前記耐食性膜に覆われた凹部を埋めるように非磁性層が形成されている構成なので、前記凹部の露出面の磁性層が非磁性層と反応して腐食することを防止して、耐食性の高い磁気記録媒体を提供することができる。
【００１９】
本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを磁気記録媒体上に移動する磁気ヘッド駆動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を具備する構成なので、耐環境性の高い磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。なお、ディスクリート型磁気記録媒体を例にして具体的に説明するが、本発明は以下の実施形態の各々に限定されるものではなく、例えば、これら実施形態の構成要素同士を適宜組み合わせても良い。
【００２１】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態であるディスクリート型磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。
図１に示すように、本発明の実施形態である磁気記録媒体１２２は、非磁性基板１０上に、軟磁性層１５と、中間層２０と、磁性層３０と、保護層５０とがこの順序で形成されて、概略構成されている。また、磁性層３０には、凹部６５が設けられており、凹部６５の露出面６５ｃを覆うように耐食性膜６０が形成されるとともに、凹部６５を埋めるように非磁性層４０が形成されて、非磁性層４０により磁気的に分離された磁性層３０からなる磁気記録パターンが形成されている。以下、各層の非磁性基板側の面を下面、その反対側の面を上面とする。
【００２２】
＜非磁性基板＞
非磁性基板１０としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。中でも、Ａｌ合金基板、結晶化ガラス等のガラス製基板またはシリコン基板を用いることが好ましい。
また、非磁性基板１０の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ましく、中でも０．１ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００２３】
＜軟磁性層＞
軟磁性層１５は、軟磁性材料によって構成される。軟磁性層１５に用いられる軟磁性材料としては、例えばＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ系合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等が挙げられる。
【００２４】
＜中間層＞
中間層２０の材料としては、Ｒｕ等が挙げられる。さらに、磁性層３０が垂直磁性層である場合、軟磁性層１５と磁性層３０との間には、中間層２０の代わりに、Ｐｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどの配向制御膜が設けられていてもよい。また、軟磁性層１５と磁性層３０との間には、前記配向制御膜と中間層２０とからなる下地層が設けられていてもよい。
【００２５】
＜磁性層＞
中間層２０上には、磁性層３０が成膜されている。磁性層３０の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、ＣｏＰｔ系合金、ＦｅＰｄ系合金、ＣｏＰｄ系合金等を挙げることができる。磁性層３０の材料は、主としてＣｏを主成分とする合金から形成するのが好ましく、たとえば、６７Ｃｏ−１８Ｃｒ−１５Ｐｔ合金、６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金、２５Ｆｅ−３０Ｃｏ−４５Ｐｔ合金、３８Ｆｅ−１０Ｃｏ−５Ｎｉ−４７Ｐｔ合金などを挙げることができる。
また、磁性層３０には、グラニュラ構造を形成する粒界構成物質として酸化物が添加されていてもよい。グラニュラ構造を形成する酸化物としては、Ｓｉ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｗ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｃｏ酸化物、Ｔａ酸化物およびＲｕ酸化物のいずれか１種以上を含むものであることが好ましい。
磁性層３０は、単層であってもよいし２層以上積層されたものであってもよい。
【００２６】
磁性層３０の厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下がより好ましい。これにより、再生の際、一定以上の出力を得ることができ、記録再生特性を表す諸パラメーターの劣化を抑制することができる。なお、再生の際に一定以上の出力を得るには、ある程度以上の磁性層３０の厚さが必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメーターは出力の上昇とともに劣化するのが通例である。
磁性層３０は、使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。
磁性層３０の形成方法としては、スパッタ法などを挙げることができる。
【００２７】
磁性層３０は、面内磁気記録層でも垂直磁気記録層でもかまわないが、より高い記録密度を実現するためには、本実施形態で示した垂直磁気記録層とすることが好ましい。
なお、面内磁気記録媒体用の磁気記録層としては、例えば、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層からなる積層構造を利用できる。
【００２８】
磁性層３０には、磁性層３０を離間するように凹部６５が設けられている。この凹部６５の露出面６５ｃを覆うように耐食性膜６０が形成されている。さらに、耐食性膜６０で覆われた凹部６５を埋めるように非磁性層４０が形成されている。
なお、露出面６５ｃは、磁性層３０に凹部６５を形成したときに、露出される内壁面および底面である。
【００２９】
＜非磁性層＞
非磁性層４０の材料としては、有機ケイ素化合物が好ましい。有機ケイ素化合物は、粘性が低く、硬化時の収縮も少ないとともに、イオンミリング等のエッチング特性も良好であるので、平滑なエッチング面を得ることができる。前記有機ケイ素化合物としては、たとえば、シルセスキオキサン骨格含有化合物などを挙げることができる。
非磁性層４０の形成方法は、スピンオングラス（ＳＯＧ；Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法などが好ましい。スピンオングラス法は、有機ケイ素化合物などを含むガラス成分の塗布液を塗布した後、加熱・焼結して薄膜とする方法である。
非磁性層４０の材料として有機ケイ素化合物を用い、スピンオングラス法により形成された膜は、カバレッジ性が非常に良い膜となり、凹部６５を埋め、平坦面を有する膜となる。
なお、後述する磁気記録再生装置の磁気ヘッドによって磁性層３０への読み書きが可能であれば、非磁性層４０は完全な非磁性でなくてもよく、若干の磁性が残留していてもよい。
【００３０】
＜耐食性膜＞
耐食性膜６０としては、Ｆｅ，Ｃｏに比べて耐食性の高い金属膜を用いるのが好ましく、金属膜としてはＣｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等を例示することができるが、この中でＣｒを用いるのが、耐食性及び磁性層３０に対する密着性の点でより好ましい。
耐食性の観点から、耐食性膜６０の膜厚は、２ｎｍ以上とすることが好ましい。また、磁性層３０に対する密着性及び成膜の簡便性の点から、耐食性膜６０の形成方法としてはスパッタ法を用いることが好ましい。
磁性層３０と非磁性層４０との間に耐食性膜６０を設けることにより、イオンミリング等により活性化した磁性層３０の加工部分、すなわち凹部６５の露出面６５ｃの磁性層３０が非磁性層４０と反応して腐食することを防止することができる。
【００３１】
＜磁気記録パターン＞
非磁性層４０により磁気的に分離された磁性層３０からなる磁気記録パターンが形成されている。
前記磁気記録パターンは、上面３０ａ側から平面視したときに、非磁性化された非磁性層４０により磁性層３０が磁気的に分離されてなるパターンであればよい。これにより、本願発明の目的を達することができる。すなわち、図１に示すように、磁性層３０は、その下面３０ｂ側から平面視したときには、非磁性化された非磁性層４０により磁性層３０が磁気的に分離されていなくてもよい。
【００３２】
記録トラック幅に対応する磁性層３０の幅Ｗは２００ｎｍ以下であることが好ましく、非磁性層４０の幅Ｌは１００ｎｍ以下とすることが好ましい。すなわち、トラックピッチＰ（＝Ｗ＋Ｌ）は３００ｎｍ以下とすることが好ましい。磁性層３０の幅Ｗ、非磁性層４０の幅ＬおよびトラックピッチＰを上記のように狭くすることにより、記録密度を高めることができる。
【００３３】
前記磁気記録パターンは、１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアであってもよく、また、磁気記録パターンがトラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等であってもよい。
この中で、本願発明は、磁気記録パターンが磁気記録トラック及びサーボ信号パターンである、いわゆる、ディスクリート型磁気記録媒体に適用するのが、その製造における簡便性から好ましい。
【００３４】
＜保護層＞
磁性層３０上には保護層５０が形成されている。保護層５０としては、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ；Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）などの炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨｘＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層や、ＳｉＯ２、Ｚｒ２Ｏ３、ＴｉＮなどの通常用いられる保護層用の材料を用いることができる。また、保護層５０は、２層以上の層から構成してもよい。
【００３５】
＜潤滑層＞
なお、図１には示していないが、保護層５０上には潤滑層を形成することが好ましい。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられ、通常１〜４ｎｍの厚さとする。
【００３６】
次に、本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。
図２〜図５は、本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する工程断面図である。
図２〜図５に示すように、本発明の実施形態である磁気記録媒体１２２の製造方法は、非磁性基板１０上に磁性層３０を形成する工程と、磁性層３０に凹部６５を形成する工程と、凹部６５の露出面６５ｃを覆うように耐食性膜６０を形成する工程と、凹部６５を埋めるように非磁性層４０を形成して、磁気的に分離された前記磁性層３０からなる磁気記録パターンを形成する工程と、を有する。以下、各工程を順番に説明する。
【００３７】
＜磁性層を形成する工程＞
まず、図２（ａ）に示すように、非磁性基板１０上に、軟磁性層１５と、中間層２０と、磁性層３０とをこの順序で積層する。
例えば、ＤＣスパッタリング法を用いて、ＦｅＣｏＢ合金からなる軟磁性層１５と、Ｒｕからなる中間層２０と、７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金からなる磁性層３０とをこの順序で積層する。
【００３８】
＜凹部を形成する工程＞
次に、図２（ｂ）に示すように、磁性層３０上にマスク層３２を形成する。
マスク層３２の材料としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔａ窒化物、Ｗ窒化物、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｎｉからなる群から選ばれる何れか一種以上を含む材料が好ましい。
前記材料はミリングイオン等に対する遮蔽性が高い材料なので、前記材料を用いてマスク層３２を形成することにより、ミリングイオン等に対する遮蔽性が高いマスク層３２を形成することができる。これにより、磁性層３０に高精度の磁気記録パターンを形成することができ、磁気記録パターン形成特性を高めることができる。
さらに、前記材料は、反応性ガスを用いたドライエッチングにより容易に除去することが可能であるため、磁性層３０上に残留物を残すことなくマスク層３２を除去して、磁性層３０上の残留物による汚染を減少させることができる。
【００３９】
次に、図２（ｃ）に示すように、マスク層３２上にレジスト層４２を形成する。
レジスト層４２の材料としては、放射線照射により硬化性を有する材料を用いることが好ましい。なお、前記放射線とは、熱線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波である。また、放射線照射により硬化性を有する材料とは、例えば、熱線に対しては熱硬化樹脂、紫外線に対しては紫外線硬化樹脂である。
【００４０】
レジスト層４２の材料として上記材料を用いた場合、後述するナノインプリント法によりレジスト層４２にスタンプ５２を押圧してパターン転写後、レジスト層４２に放射線を照射することにより、レジスト層４２にスタンプ５２の形状を精度良く転写することができる。
これにより、後述するマスク層３２のエッチング工程で、マスク層３２のエッジ部分のダレ無く、マスク層３２をエッチングすることができ、さらに、イオンミリングによる注入イオンに対するマスク層３２の遮蔽性を向上させることができる。これにより、磁性層３０に高精度の磁気記録パターンを形成することができ、磁気記録パターン形成特性を高めることができる。
【００４１】
次に、図３（ａ）に示すように、ナノインプリント法でより、スタンプ５２を矢印に示す方向に動かして、スタンプ５２の凹凸面をレジスト層４２に押し付けた後、引き上げる。これにより、レジスト層４２に複数の窪み部６１が形成され、磁気記録パターンのネガパターンがレジスト層４２に転写される。なお、窪み部６１の底面には厚さｔのレジスト層４２が残されている。
【００４２】
窪み部６１の底面に残されたレジスト層４２の厚さｔは、０〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。
前記厚さｔを上記範囲内とすることにより、後述するマスク層３２のエッチング工程で、マスク層３２のエッジ部分のダレ無く、マスク層３２をエッチングすることができ、さらに、イオンミリングによる注入イオンに対するマスク層３２の遮蔽性を向上させることができる。これにより、磁性層３０に高精度の磁気記録パターンを形成することができ、磁気記録パターン形成特性を高めることができる。
【００４３】
スタンプ５２を用いてレジスト層４２にパターンを転写する工程では、レジスト層４２の流動性が高い状態でレジスト層４２にスタンプ５２を押圧するとともに、その押圧した状態で放射線を照射してレジスト層４２を硬化させた後、スタンプ５２をレジスト層４２から離すことが好ましい。これにより、スタンプ５２の凹凸面の形状を精度良く、レジスト層４２に転写することができる。
【００４４】
スタンプ５２を押圧した状態でレジスト層４２に放射線を照射する方法としては、非磁性基板１０側から放射線を照射する方法、スタンプ５２の構成材料として放射線を透過できる物質を選択してスタンプ５２側から放射線を照射する方法、スタンプ５２の側面側から放射線を照射する方法、固体に対して伝導性の高い熱線のような放射線を用いて、スタンプ５２または非磁性基板１０から熱伝導により放射線を照射する方法などを挙げることができる。
特に、レジスト層４２の材料として、ノボラック系樹脂、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類等の紫外線硬化樹脂を用いることが好ましく、また、スタンプ５２の材料として、紫外線に対して透過性の高いガラスもしくは樹脂を用いることが好ましい。
【００４５】
次に、図３（ｂ）に示すように、通常のドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリングなどの手法を用いて、窪み部６１の底面に残されたレジスト層４２及び窪み部６１の直下のマスク層３２を除去して、窪み部６１の深さをレジスト層４２及びマスク層３２を貫通する深さとする。
【００４６】
さらに、図３（ｃ）に示すように、イオンミリング７２によって、窪み部６１の直下の磁性層３０を除去して、窪み部６１の深さをレジスト層４２、マスク層３２及び磁性層３０を貫通する深さとする。これにより、磁性層３０に凹部６５が形成される。
なお、磁性層３０の除去方法としては、通常のドライエッチング、反応性イオンエッチングなどの手法を用いることもできる。
【００４７】
＜耐食性膜を形成する工程＞
次に、図４（ａ）に示すように、窪み部６１の露出面６１ｃ及びレジスト層４２の上面４２ａを覆うように耐食性膜６０を形成する。なお、窪み部６１の露出面６１ｃは、窪み部６１内のレジスト層４２の側壁面と、マスク層３２の側壁面と、磁性層３０の側壁面及び中間層２０の露出された上面とからなる。
磁性層３０に対する密着性及び成膜の簡便性の点から、耐食性膜６０の形成方法は、スパッタ法を用いることが好ましい。
前記スパッタ法では、ＨｅガスまたはＮｅガスを用いることが好ましい。これにより、Ａｒガスを用いた場合よりも耐食性の高い耐食性膜を形成することができる。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示すように、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）または反応性イオンプラズマなどの反応性プラズマを用いる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法を用いて、レジスト層４２及び前記マスク層３２を除去する。そして、凹部６５の露出面６５ｃを覆うように形成された耐食性膜６０を残した状態で、磁性層３０の上面３０ａを露出させる。
【００４９】
誘導結合プラズマは、気体に高電圧をかけることによってプラズマ化し、さらに高周波数の変動磁場によって、そのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマである。
また、反応性イオンプラズマは、プラズマ中にＯ２、ＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＣＣｌ４等の反応性ガスを加えた反応性の高いプラズマである。
【００５０】
これらの反応性プラズマは、指向性（直進性）の低い活性種であるので、凹部６３の内部に前記活性種を接触させて凹部６５の内部をエッチングすることなく、上面側のみに前記活性種を接触させて、凹部６５の露出面６５ｃに耐食性膜６０を保持したまま、レジスト層４２及び前記マスク層３２を除去することができる。
これにより、凹部６５の露出面６５ｃに耐食性膜６０を保持したまま、レジスト層４２及び前記マスク層３２のみを選択的にエッチング除去することができる。
なお、磁性層３０の上面に保護層５０を設けている場合は、レジスト層４２およびマスク層３２の除去に際して、保護層５２の一部まで含めて除去することが好ましい。
【００５１】
なお、ミリングイオンなどのような直進性の高いイオンを用いるイオンミリング法は、レジスト層４２及び前記マスク層３２のみを選択的にエッチングすることができず、凹部６５の露出面６５ｃに設けた耐食性膜６０も除去してしまうので、上記のレジスト層４およびマスク層３の除去方法として好ましくない。
【００５２】
本実施形態では、図４（ａ）に示したように、レジスト層４２の上面４２ａおよび窪み部６１を覆うように耐食性膜６０を形成し、その後、レジスト層４２およびマスク層３２を除去（リフトオフ）することにより、凹部６５の露出面６５ｃにのみ耐食性膜６０を残すので、磁性層３０の上面３０ａに耐食性膜６０が残存することなく、磁気記録または再生の際に、磁気信号の書き込み又は読み込みを阻害することがない。
【００５３】
＜磁気記録パターンを形成する工程＞
次に、スピンオングラス法などを用いて、図４（ｃ）に示すように、凹部６５を埋め、かつ、磁性層３０の上面３０ａを覆うように有機ケイ素化合物などからなる非磁性層４０を形成する。
カバレッジ性が非常に良い非磁性層４０を形成することにより、凹部６５を隙間なく埋め、上面が平坦面となる非磁性層４０を形成できる。
【００５４】
次に、通常のドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリングなどの手法を用いて、図５（ａ）に示すように、磁性層３０の上面３０ａが露出するまで非磁性層４０を除去する。なお、非磁性層４０の上面は平坦面とされているので、直進性の高いエッチング方法を用いても、均一の深さで非磁性層４０をエッチング除去することができる。これにより、上面側から平面視したときに、非磁性層４０によって磁気的に分離された磁性層３０からなる磁気記録パターンが形成される。
【００５５】
最後に、スパッタ法もしくはＣＶＤ法により、図５（ｂ）に示すように、磁性層３０上に保護層５０を形成して、本発明の実施形態である磁気記録媒体１２２を製造する。
保護層５０の膜厚は、１０ｎｍ未満とする必要がある。保護層５０の膜厚が、１０ｎｍを超える場合には、後述する磁気記録再生装置の磁気ヘッドと磁性層３０と間の距離が大きくなり、前記磁気ヘッドが磁性層３０から十分な強さの出入力信号を得られなくなる。
【００５６】
本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板１０上に磁性層３０を形成する工程と、磁性層３０に凹部６５を形成する工程と、凹部６５の露出面６５ｃを覆うように耐食性膜６０を形成する工程と、耐食性膜６０に覆われた凹部６５を埋めるように非磁性層４０を形成して、磁気的に分離された磁性層３０からなる磁気記録パターンを形成する工程と、を有する構成なので、イオンミリング等により活性化した磁性層３０の加工部分、すなわち凹部６５の露出面６５ｃの磁性層３０が非磁性層４０と反応して腐食することを耐食性膜６０により防止して、磁気層加工型のパターンメディア等において耐腐食性を飛躍的に高めることが可能となり、耐環境性の高い磁気記録媒体１２２を提供することができる。つまり、ＦｅやＣｏを含有する材料を容易に腐食させない、耐環境性の高いディスクリートラックメディアやビットパターンメディア等の磁気記録媒体を提供することができる。
【００５７】
本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法は、耐食性膜６０が、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕのいずれかの金属膜である構成なので、磁気層加工型のパターンメディア等において耐腐食性を飛躍的に高めることが可能となり、耐環境性の高い磁気記録媒体１２２を提供することができる。
【００５８】
本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法は、耐食性膜６０が、Ｃｒ膜である構成なので、耐食性膜６０と磁性層３０との密着性をより高め、磁気層加工型のパターンメディア等において耐腐食性をより飛躍的に高めることが可能となり、耐環境性のより高い磁気記録媒体１２２を提供することができる。
【００５９】
本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法は、耐食性膜６０の成膜をＨｅガスまたはＮｅガスを用いたスパッタリング法により行う構成なので、耐食性膜６０の耐腐食性をより高めることができ、耐環境性のより高い磁気記録媒体１２２を提供することができる。
【００６０】
本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法は、非磁性層４０が、粘性が低く、硬化時の収縮も少ないとともに、イオンミリング等のエッチング特性も良好な有機ケイ素化合物からなる構成なので、凹部６５を埋めて、平坦面を有する非磁性層４０を形成することができるとともに、平滑なエッチング面を得ることができる。これにより、磁気層加工型のパターンメディア等において耐腐食性を飛躍的に高めることが可能となり、耐環境性の高い磁気記録媒体を提供することができる。
【００６１】
本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法は、磁性層３０に凹部６５を形成する工程が、磁性層３０上にマスク層３２とレジスト層４２をこの順序で積層する工程と、ナノインプリント法によりレジスト層４２に窪み部６１を形成する工程と、エッチング法またはイオンミリング法により窪み部６１を磁性層３０まで深くして磁性層３０に凹部６５を形成する工程と、からなる構成なので、磁気層加工型のパターンメディア等において耐腐食性を飛躍的に高めることが可能となり、耐環境性の高い磁気記録媒体１２２を提供することができる。
【００６２】
本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法は、凹部６５の露出面６５ｃを覆うように耐食性膜６０を形成する工程が、レジスト層４２及び窪み部６１を覆うように耐食性膜６０を形成した後、レジスト層４２及びマスク層３２を誘導結合プラズマ法または反応性イオンプラズマ法により除去することにより、凹部６５の露出面６５ｃを覆うように形成された耐食性膜６０を残す工程である構成なので、磁気層加工型のパターンメディア等において耐腐食性を飛躍的に高めることが可能となり、耐環境性の高い磁気記録媒体１２２を提供することができる。
【００６３】
本発明の実施形態である磁気記録媒体１２２は、非磁性基板１０上に磁気的に分離された磁性層３０からなる磁気記録パターンを有する磁気記録媒体１２２であって、磁性層３０には、凹部６５が設けられており、凹部６５の露出面６５ｃを覆うように耐食性膜６０が形成されるとともに、耐食性膜６０に覆われた凹部６５を埋めるように非磁性層４０が形成されている構成なので、イオンミリング等により活性化した磁性層３０の加工部分、すなわち凹部６５の露出面６５ｃの磁性層３０が非磁性層４０と反応して腐食することを防止して、耐食性の高い磁気記録媒体１２２を提供することができる。
【００６４】
＜磁気記録再生装置＞
図６は、本発明の実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
図６に示すように、本発明の実施形態である磁気記録再生装置１０１は、本発明の実施形態である磁気記録媒体１２２と、これを記録方向に駆動する媒体駆動部１２３と、記録部と再生部からなる磁気ヘッド１２４と、磁気ヘッド１２４を磁気記録媒体１２２に対して相対運動させる磁気ヘッド駆動部１２６、磁気ヘッド１２４への信号入力と磁気ヘッド１２４からの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を組み合わせた記録再生信号処理部１２８とを具備したものである。
これらを組み合わせることにより、記録密度の高い磁気記録再生装置１０１を構成することができる。
【００６５】
本願発明で例示したディスクリートトラック型磁気記録媒体１２２では、記録トラックを磁気的に不連続としたことによって、従来はトラックエッジ部の磁化遷移領域の影響を排除するために再生ヘッド幅を記録ヘッド幅よりも狭くして対応していたものを、両者をほぼ同じ幅にして動作させることができる。これにより十分な再生出力と高いＳＮＲを得ることができるようになる。
【００６６】
さらに上述の磁気ヘッド１２４の再生部をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記録装置を実現することができる。
また、この磁気ヘッド１２４の浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍと、従来用いられているより低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置ＳＮＲが得られ、大容量で高信頼性の磁気記録装置１０１を提供することができる。
また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１００ｋトラック／インチ以上、線記録密度１０００ｋビット／インチ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮＲが得られる。
【００６７】
本発明の実施形態である磁気記録再生装置１０１は、磁気記録媒体１２２と、磁気記録媒体１２２を記録方向に駆動する媒体駆動部１２３と、磁気記録媒体１２２に情報の記録再生を行う磁気ヘッド１２４と、磁気ヘッド１２３を磁気記録媒体１２２上に移動する磁気ヘッド駆動部１２６と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部１２８と、を具備する構成なので、耐環境性の高い磁気記録媒体１２２を備えた磁気記録再生装置１０１を提供することができる。
【実施例】
【００６８】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
ＨＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ）用ガラス基板を真空チャンバの内部にセットした後、真空チャンバの内部を、１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。
なお、前記ＨＤ用ガラス基板は、Ｌｉ２Ｓｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３−Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラス基板であり、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）が２オングストロームである。
【００６９】
次に、ＤＣスパッタリング法を用いて、前記ＨＤ用ガラス基板上に軟磁性層としてＦｅＣｏＢ合金、中間層としてＲｕ、磁性層として７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金の薄膜をこの順序で積層した。なお、ＦｅＣｏＢ軟磁性層の膜厚は６０ｎｍ、Ｒｕ中間層の膜厚は１０ｎｍ、磁性層の膜厚は１５ｎｍとした。
【００７０】
次に、スパッタ法を用いて、前記磁性層上にＴａからなるマスク層を膜厚６０ｎｍで形成した。
次に、スピンコート法を用いて、前記マスク層上にレジスト層を膜厚１００ｎｍで形成した。レジスト層には、紫外線硬化樹脂であるノボラック系樹脂を用いた。
【００７１】
次に、磁気記録パターンのネガパターンを有するガラス製スタンプを、１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力で前記レジスト層に押圧した。そして、押圧した状態で、波長２５０ｎｍの紫外線を、紫外線の透過率が９５％以上である前記ガラス製スタンプの上部から１０秒間照射して、前記レジスト層を硬化させた。その後、前記ガラス製スタンプを前記レジスト層から分離して、前記レジスト層に磁気記録パターンを転写した。
前記レジスト層に転写された磁気記録パターンは、前記レジスト層の凸部が幅１２０ｎｍの円周状、前記レジスト層の窪み部が幅６０ｎｍの円周状であり、前記レジスト層の膜厚は８０ｎｍ、前記窪み部の底面に残された前記レジスト層の厚さは約５ｎｍであった。
また、前記窪み部内の側壁面が基板面となす角度は、ほぼ９０度であった。
【００７２】
次に、ドライエッチング法により、前記窪み部の底面に残された前記レジスト層及び前記窪み部の直下の前記マスク層（Ｔａ層）を除去して、前記窪み部の深さをレジスト層及びマスク層を貫く深さとした。
ドライエッチング条件は、前記レジスト層のエッチングに関しては、Ｏ２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ，高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１０秒とした。また、前記マスク層のエッチングに関しては、ＣＦ４ガスを５０ｓｃｃｍ、圧力０．６Ｐａ、高周波プラズマ電力５００Ｗ、ＤＣバイアス６０Ｗ、エッチング時間３０秒とした。
【００７３】
さらに、ドライエッチング法により、前記レジスト層の表面側から、前記窪み部の直下の磁性層を４ｎｍ除去して磁性層のエッチング深さを４ｎｍとして、前記窪み部の深さをレジスト層、マスク層及び磁性層を貫く深さとした。なお、これにより、前記窪み部の底面側には、磁性層が部分的に除去されてなる凹部が形成された。
前記磁性層のドライエッチング条件は、Ａｒガスを５０ｓｃｃｍ、圧力０．６Ｐａ、高周波プラズマ電力５００Ｗ、ＤＣバイアス６０Ｗ、エッチング時間２０秒とした。
次に、スパッタリング法によりＡｒガスを用いて、前記凹部の露出面及び前記レジスト層の上面を覆うように耐食性膜（Ｃｒ膜）を３ｎｍの膜厚で成膜した。スパッタ圧力は０．６Ｐａとした。
【００７４】
次に、ＲＩＥ法を用いて、前記レジスト層及び前記マスク層を除去して、前記磁性層の上面を露出させた。なお、これにより、前記レジスト層及び前記マスク層に成膜された余分な耐食性膜（Ｃｒ膜）も除去されたが、前記凹部の露出面を覆う耐食性膜は保持することができた。
なお、ＲＩＥの装置としては、誘導結合プラズマ装置ＮＥ５５０（商品名；アルバック社製）を用いた。また、プラズマ発生に用いるガスおよび条件としては、Ｏ２を９０ｃｃ／分を用い、プラズマ発生のための投入電力は２００Ｗとするとともに、装置内の圧力は０．５Ｐａとして、磁性層を１００秒間処理した。
前記ＲＩＥ処理後、前記凹部の側壁面に残留するＣｒの膜厚（耐食性膜の膜厚）を測定したところ約２ｎｍであった。
【００７５】
次に、スピンコート法を用いて、前記凹部を埋めるように、かつ、前記磁性層の上面を覆うように、非磁性層を形成した。
前記非磁性層の材料としては、シルセスキオキサン骨格有機ケイ素化合物を用い、前記非磁性層の平均膜厚は８０ｎｍとした。なお、前記シルセスキオキサン骨格有機ケイ素化合物の粘度は、１１７１ｍＰａ・ｓであった。
スピンコート条件は、スピンコーター内にセットした基板上にシルセスキオキサン骨格有機ケイ素化合物を０．５ｍｌ滴下して、基板を５００ｒｐｍで５秒間回転させた後、３０００ｒｐｍで２秒間回転させ、さらに５０００ｒｐｍで２０秒間回転させる条件とした。
【００７６】
次に、イオンビームエッチングを用いて、上面側から前記非磁性層をエッチング除去して前記磁性層の上面を露出させた後、更に、前記磁性層の上面から１ｎｍ程度の深さまで全面をエッチング除去して、平滑な平坦面とした。これにより、上面側から平面視したときに、非磁性層により磁性層が離間して配列されてなる磁気記録パターンが形成された。
次に、ＣＶＤ法を用いて、ＤＬＣ膜からなる保護膜を厚さ４ｎｍで形成した。
最後に、前記保護膜上に潤滑材を塗布して、層厚２ｎｍの潤滑剤層を形成して、実施例の磁気記録媒体を作製した。
【００７７】
（実施例２〜１６）
耐食性膜の成膜条件（耐食性膜の材料、スパッタガスの種類及び圧力、耐食性膜の膜厚）、磁性層のエッチング深さを表１に示す材料及び値とした他は実施例１と同様にして、実施例２〜１６の磁気記録媒体を製造した。
【００７８】
（比較例１，２）
表１に示すように、Ｃｒ膜からなる耐食性膜を設けない他は実施例１，２と同様にして、比較例１，２の磁気記録媒体を製造した。
【００７９】
（耐腐食性（コロージョン）評価）
実施例１〜１６および比較例１，２の磁気記録媒体について、耐腐食性評価を実施した。
前記耐腐食性評価では、磁気記録媒体を温度９０℃、湿度９０％の大気環境下に９６時間保持し、その後、この磁気記録媒体の表面に３％の硝酸水溶液を５箇所（１００マイクロリットル／箇所）、純水を５箇所（１００マイクロリットル／箇所）ずつ滴下し、１時間静置後、これを回収し、この中に含まれるＣｏ量（Ｃｏの抽出量）をＩＣＰ−ＭＳで測定した。なお、ＩＣＰ−ＭＳでの測定は、Ｙを２００ｐｐｔ含んだ３％硝酸１ミリリットルを基準液とした。その結果、表１に示す結果（Ｃｏの抽出量）が得られた。
表１に、実施例１〜１６の磁気記録媒体の耐食性膜の成膜条件（耐食性膜の材料、スパッタガスの種類及び圧力、耐食性膜の膜厚）、磁性層のエッチング深さ、Ｃｏの抽出量および比較例１，２の磁性層のエッチング深さ、Ｃｏの抽出量についてまとめた。
【００８０】
【表１】
2010108540.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明の磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置は、磁気層加工型のパターンメディア等において耐腐食性を飛躍的に高めることが可能となり、耐環境性の高い磁気記録媒体を提供することができ、耐環境性の高い磁気記録媒体を製造・利用する産業において利用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【図５】本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【図６】本発明の磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８３】
Ｗ…磁気記録パターンにおける磁性部幅、Ｌ…磁気記録パターンにおける非磁性部幅、Ｐ…トラックピッチ、１０…非磁性基板、１５…軟磁性層、２０…中間層、３０…磁性層、３０ａ…上面、３２…マスク層、４０…非磁性層、４２…レジスト層、４２ａ…上面、５０…保護層、５２…スタンプ、６０…耐食性膜、６１…窪み部、６１ｃ…露出面、６５…凹部、６５ｃ…露出面、７２…ミリングイオン、１０１…磁気記録再生装置、１２２…磁気記録媒体、１２３…媒体駆動部、１２４…磁気ヘッド、１２６…磁気ヘッド駆動部、１２８…記録再生信号処理部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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